【事件の表示】
　特許第２９２６３２５号「走査露光方法」の請求項１ないし１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、平成１２年７月１９日付けの決定に対し、東京高等裁判所において決定の取り消し（平成１２年（行ケ）３３７号、平成１４年７月１７日判決言い渡しにより確定）があったので、さらに審理した結果、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９２６３２５号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．経緯
　本件特許第２９２６３２５号の発明は、特願平３−３９８７４号（平成３年３月６日出願）の分割出願（平成９年１月２３日分割出願）であって、平成１１年５月１４日に設定登録され、その後、異議申立人キャノン株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月１３日に訂正請求がなされ、その後、平成１２年７月１９日に本件請求項１〜９に係る特許の取消決定がなされ、平成１２年９月８日に当該取消決定の取消を求める訴えが東京高等裁判所にされ、その後、平成１４年７月１７日に、東京高等裁判所において上記取消決定の取消の判決があった。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人キャノン株式会社は、甲第１号証（特開昭５７−１９２９２９号公報）、甲第２号証（「PROCEEDINGS　Of　SPIE」Vol.９２２、Optical/Laser　Microlithograhy,第２５６、第２６５及び第２６６頁）、甲第３号証（特開平２−２２９４２３公報）、甲第４号証（特開平２−６７０９公報）、甲第５号証（特開昭６２−１８１４３０号公報）、甲第６号証（特開昭６０−４５２５２号公報）、甲第７号証（本件特許の原出願である特願平３−３９８７４号の特許公報（特許第２８３０４９２号））及び甲第８号証（本件特許の原出願である特願平３−３９８７４号の公開公報（特開平４−２７７６１２号公報））を提出し、本件の請求項１〜９に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるから、本件の請求項１〜９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、本件発明は、本件出願の原出願に係る特許発明と同一であるので分割出願として適法でなく、出願の日が分割出願した日に繰り下がり、上記甲第８号証に記載された発明であるから、本件の請求項１〜１５に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人キャノン株式会社が提出した甲第１〜８号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容及び開示内容
　甲第1号証の第1頁右下欄14〜16行には、従来技術の露光装置として、「次に高解像の投影装置を用いた1:1反射投影式マスクアライナを例として従来技術を第1図及び第2図について説明する。」と記載されている。具体的には、第2頁左上欄11〜14行に、「移動架台4の上方に、投影手段として凹面鏡、凸面鏡、等のミラー類よりなる光学系1が、支持台29に支承されている。6は投影用の光源である。」と記載されている。
　また、第2頁右上欄12〜20行に、「以上の如くにして未露光のウエハ8を焦点面Sに揃えてウエハチャック9によって吸着保持し、移動架台4を第2図の如く右方へ水平に移動させる。光源6によって露光光Pを照射しつつ移動架台4を一定速度で動かすと、露光光Pがマスク2を通過する点P1およびウエハ8を通過する点P2は同じ速度で走査され、パターンを備えたマスク2の像に従ってウエハ8の表面に同形状のパターンが露光される。」と記載されている。　また、甲第1号証の第4頁左上欄6〜9行には、「前述のエアーマイクロメータ18付近の詳細な平面図を第4図に示す。斜線を付したD区域は露光範囲を表し、この露光範囲の中をウエハ8は下方向に通過してゆく。」と記載されている。該第4図は第3図に示される自動焦点機構を備えた投影装置の一実施例におけるエアーマイクロメータ18付近の拡大平面図に制御系統を付記したものであり、第4図には、露光範囲は1次元走査の方向と交差した方向の円弧状のスリットであり、ウエハ上を1次元走査して通過していることが示されている。
　さらに、甲第1号証の第2頁右下欄4〜13行には、「上記の目的を達成するため、本発明は、パターンを備えた物体A(例えばマスク)の像を被処理物体B(たとえばウエハ)の面上に結像する投影装置において、投影手段から物体Aまでの距離と、同じくBまでの距離とをそれぞれ測定する手段を設けるとともに、その測定結果に基づいて焦点誤差を算出する手段、及び、算出された誤差を無くするように物体A、同B、及び投影手段の内の少なくとも1つを移動せしめる手段を設けることを特徴とする。」と記載されている。また、第3頁左下欄8〜右下欄3行には、「次いで移動架台4を右方に移動させつつ、エアーマイクロメータ17で距離h3を測定するとともに、エアーマイクロメータ18で距離h2を測定し、その測定値をA/D変換装置27を介して演算処理装置23に入力せしめる。演算処理装置23は予め与えられたプログラムに距離h3をインプットして焦点面Sを測定し、これをh2の値と比較して、ウエハ8の面が焦点面Sに比して上下いずれの方向に偏っているかを算出し、その結果を電気信号としてモータ制御装置22に送る。モータ制御装置22は、上記の電気信号を受け、その誤差方向を無くする方向にモータ12を回転させる。即ち、例えば実測した距離h2が、算出した焦点面Sまでの距離よりも大きいときは、上下駆動手段26を上昇動せしめる方向にモータ12を回転させる。」と記載されている。
　甲第1号証の第2頁右下欄14〜第3頁左上欄1行には、「次に、本発明の一実施例を第3図について説明する。…球面座10、…である。」と記載されている。
　また、甲第1号証の上記第2頁右上欄12〜20行の、「以上の如くにして…移動架台4を第2図の如く右方へ水平に移動させる。光源6によって露光光Pを照射しつつ移動架台4を一定速度で動かすと、…パターンが露光される。」との記載、及び上記第3頁左下欄8〜右下欄3行の、「次いで移動架台4を右方に移動させつつ、…回転させる。」との記載から、移動架台は等速運動していることが示唆されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容及び開示内容
　甲第2号証には、サブミクロンのリソグラフィについて記載されている。
　甲第2号証の第265頁30〜34行には、「縮小スキャンと高速度の反復が可能であれば、Fig.17に示されるようなスロット領域のスキャンによって、高NAのリング領域システムの光学的複雑さを軽減することができる。スロット領域は円領域システムの不必要な部分をふさぐ。」と記載され、Fig.17には、スキャンアンドリピートのための円領域とスロット領域が示されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容及び開示内容
　甲第3号証には、スキャンアンドリピートの投影リソグラフィ装置の発明が記載されている。
　第6頁左下欄16〜18行には、「照射源システム20はその有効放出面21が正六角形となるようにされている。」と記載されている。
　また、甲第3号証の第7頁左下欄15〜18行には、「重畳領域内に受け入れられる累積露光量は非重畳領域内の量と同じであり、走査1から走査2への遷移はシームレスである。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容及び開示内容
　甲第4号証には、半導体製造装置の焦点位置検出装置に適用される表面変位検出装置の発明が記載されている。
　甲第4号証の第7頁右上欄1行〜第8頁右上欄13行には、第5図を用いて第3実施例の説明がされている。第5図及び第3実施例においては、光源11からの照明光束は一定の入射角で被検面1上に投射され、反射光束は光電変換素子24で検出され、同じく、レベリング用の光源41からの光束は一定の入射角で被検面1上に投射され、反射光束は4分割ディテクター46上に集光され、また、これらの光束の波長をウエハの露光波長と異なるようにすることも記載されている。このようにして、ウエハの表面位置及び傾きが検出される旨開示されている。
１．２．５　甲第５号証の記載内容及び開示内容
　甲第5号証には、マーク検出用光学系により基準マークを検出する露光装置の校正方法の発明が記載されている。
　甲第5号証の第2頁右上欄4〜7行に、「ウエハ上の位置決めマークとマスク上の位置決めマークを投影レンズを介して光学的に観察し、通常マスクを微動させて両マークの位置合わせをして露光を行なっていた。」と記載されている。
１．２．６　甲第６号証の記載内容及び開示内容
　甲第6号証には、投影露光装置の照明系の発明が記載されている。
　甲第6号証の第2頁右上欄11〜20行に、第3図の説明として、「光束の配光特性を均一にするためのインテグレータ14が配置されている。更に反射鏡15、コンデンサレンズ16、反射鏡17、遮光装置18、コンデンサレンズ19、反射鏡20、コンデンサレンズ21、レチクル22が順次に光路に沿って配置されており、ここで反射鏡15,17,20は、それぞれ光軸を直角に折曲げて照明系を小型化するためのものであり、コンデンサレンズ16は、光源11からの光を集光して、後述する遮光装置18の面Aを均一に照明するためのものである。」と記載されている。
１．２．７　甲第７号証の記載内容
　甲第７号証は本件出願に係る原出願の特許公報であり、平成１０年９月２５日に登録されたものである。
　甲第７号証の請求項４〜６に係る発明は、次のとおりである。
請求項4
「マスク上の転写領域内に形成されたパターンを投影光学系を介して感光基板上の被露光領域に投影露光するために、前記マスクと前記感光基板とを前記投影光学系の投影視野に対して少なくとも1次元に相対走査する投影露光方法において、前記投影光学系を介して前記感光基板上に投影されるパターン像の領域を前記1次元走査の方向に関してほぼ一定の幅に制限するとともに、前記パターン像領域が形成される前記感光基板上の局所表面と前記パターン像の最良結像面とを前記1次元走査方向に関して相対的に傾けた状態で走査露光することを特徴とする投影露光方法。」
請求項5
「前記パターン像領域が形成される前記感光基板上の局所表面の前記1次元走査方向に関する寸法をDap、前記局所表面と前記最良結像面との相対的な傾き角をθ1、前記投影光学系の焦点深度の幅を△Zfとしたとき、
Dap・sinθ1≧△Zf
の関係を満たすように、前記幅寸法Dapと傾き角θ1の少なくとも一方を調整することを特徴とする請求項第4項に記載の方法。」
請求項6
「前記パターン像領域の前記1次元走査方向に関する幅を制限するために、前記マスクを照明する露光用の照明光束の形状を前記マスク上で矩形又はスリット形状にするとともに、該矩形又はスリット形状の照明光束の強度分布が前記1次元走査方向に関して少なくとも2ヶ所で極大となるように制御したことを特徴とする請求項第4項または第5項に記載の方法。」
１．２．８　甲第８号証の記載内容
　甲第8号証として、本出願の分割前の原出願の公開公報である特開平4-277612号公報が提示されている。
２．訂正の内容について
　本件訂正請求は、本件特許第２９２６３２５号の願書に添付された明細書を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
　訂正事項ａ
　請求１項中の「投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記1次元走査の方向と交差した方向に直線的に延びた矩形又はスリット領域」を、「投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記投影光学系の光軸を含み前記1次元走査の方向と交差した方向に直線的に延びた矩形又はスリット領域」と訂正する。
２．２　訂正後の請求項１〜１５に係る発明
２．２．１　請求項１に係る発明
「マスク上の回路パターンの一部を投影光学系を介して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを前記投影光学系の投影倍率に応じた速度比で相対的に1次元走査させることで前記マスクの回路パターンの全体像を前記基板上に走査露光する方法において、
　前記基板上に投影される前記回路パターンの一部の像が前記投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記投影光学系の光軸を含み前記1次元走査の方向と交差した方向に直線的に延びた矩形又はスリット領域内に制限されるように、矩形状又はスリット状の分布の露光用照明光によって前記マスクを照射し、
　前記マスクと前記基板との相対的な1次元走査の間は前記投影光学系による前記矩形又はスリット領域内の結像面と前記基板上の被露光部分の表面とが前記投影光学系の焦点深度の幅内でほぼ合致し続けるように、前記投影光学系による結像面と前記基板との相対的な傾きと間隔とを制御することを特徴とする走査露光方法。」
２．２．２　請求項２に係る発明
「前記矩形又はスリット領域内に対応した前記基板上の被露光部分の表面に焦点ずれと傾きとを検出するための非露光性のビームを斜めに投射し、その反射ビームを光電検出することによって前記投影光学系による結像面と前記基板との相対的な傾きと間隔を制御することを特徴とする請求項第1項に記載の方法。」
２．２．３　請求項３に係る発明
「前記基板はXY平面内で2次元移動可能なXYステージ上に傾斜可能及びZ移動可能に設けられた基板ホルダー上に載置され、前記基板の1次元走査のために前記XYステージをXY平面内で前記1次元走査方向に等速移動させつつ、前記基板の焦点合わせのために前記光電検出された焦点ずれに基づいて前記基板ホルダーをXY平面と垂直なZ方向に移動させることを特徴とする請求項第2項に記載の方法。」
２．２．４　請求項４に係る発明
「前記基板ホルダーは、前記投影光学系の円形投影視野内に配置可能なように設けられた基準マークを備え、該基準マークを前記投影光学系と前記マスクとを介して検出することによって、前記XYステージの移動座標系における前記マスクの位置を規定することを特徴とする請求項第3項に記載の方法。」
２．２．５　請求項５に係る発明
「前記投影光学系は、屈折素子のみ或は屈折素子と反射素子との組合せで構成して両側テレセントリックにしたことを特徴とする請求項第3項に記載の方法。」
２．２．６　請求項６に係る発明
「前記露光用照明光は、所定の光源からの光を入射して射出側に多数の2次光源を生成するフライアイレンズと、前記多数の2次光源からの光を入射して所定の被照射面をほぼ均一な分布にして照射するコンデンサーレンズと、前記被照射面に配置されて前記1次元走査の方向と直交した方向に直線的に延びた矩形状又はスリット状の開口部を有するブラインド機構とを含む照明系から照射されることを特徴とする請求項第5項に記載の方法。
２．２．７　請求項７に係る発明
「前記ブラインド機構の開口部によって規定される前記露光用照明光の矩形状又はスリット状の分布のうちの前記1次元走査方向と直交した長手方向を前記マスク上の回路パターンのサイズ、形状、配列に応じて変更することを特徴とする請求項第6項に記載の方法。」
２．２．８　請求項８に係る発明
「前記ブラインド機構の開口部によって規定される前記露光用照明光の矩形状又はスリット状の分布のうちの前記1次元走査方向と直交した長手方向のエッジを、前記基板上のショット領域を区画するストリートラインの位置に合せることを特徴とする請求項第6項に記載の方法。」
２．２．９　請求項９に係る発明
「前記マスクの回路パターンの全体像が転写されるべき前記基板上のショット領域の前記1次元走査方向と直交した非走査方向の寸法が、前記露光用照明光の矩形状又はスリット状の分布の前記非走査方向の最大寸法よりも大きいときは、前記ショット領域の内部でオーバーラップ露光を行って露光量をシームレスにすることを特徴とする請求項第3項に記載の方法。」
２．２．１０　請求項１０に係る発明
「マスク上の回路パターンの一部を投影光学系を介して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを前記投影光学系の投影倍率に応じた速度比で相対的に1次元走査させることで前記マスクの回路パターンの全体像を前記基板上に走査露光する方法において、
　前記基板上に投影される前記回路パターンの一部の像が前記投影光学系の円形投影視野内で前記1次元走査の方向と交差した方向に平行に延びた複数のスリット状領域内に制限されるように、前記1次元走査方向に所定の間隔で並んだ複数のスリット状照明光束を前記マスクに向けて照射し、
　前記マスクと前記基板との相対的な1次元走査の間は前記投影光学系による前記スリット状領域内の結像面と前記基板上の被露光部分の表面とが前記投影光学系の焦点深度の幅内でほぼ合致し続けるように、前記投影光学系による結像面と前記基板との相対的な傾きと間隔とを制御することを特徴とする走査露光方法。」
２．２．１１　請求項１１に係る発明
「前記基板は、XY平面内で2次元移動可能なXYステージ上に傾斜可能及びZ移動可能に設けられた基板ホルダー上に載置され、前記基板の1次元走査のために前記XYステージを前記1次元走査方向に等速移動させつつ、前記基板の焦点合わせのために前記基板ホルダーをXY平面と垂直なZ方向に移動させることを特徴とする請求項第10項に記載の方法。
２．２．１２　請求項１２に係る発明
「前記基板ホルダーは、前記投影光学系の円形投影視野内に配置可能なように設けられた基準マークを備え、該基準マークを前記投影光学系と前記マスクとを介して検出することによって前記XYステージの移動座標系における前記マスクの位置を規定することを特徴とする請求項第11項に記載の方法。」
２．２．１３　請求項１３に係る発明
「前記投影光学系は、屈折素子のみ或は屈折素子と反射素子との組合せで構成して両側テレセントリックにしたことを特徴とする請求項第11項に記載の方法。」
２．２．１４　請求項１４に係る発明
「前記複数のスリット状照明光束は、所定の光源からの光を入射して射出側に多数の2次光源を生成するフライアイレンズと、前記多数の2次光源からの光を入射して所定の被照射面をほぼ均一な分布にして照射するコンデンサーレンズと、前記被照射面に配置されて前記1次元走査の方向と直交した方向に直線的に延びた複数のスリット状の開口部を有するブラインド機構とを含む照明系から照射されることを特徴とする請求項第13項に記載の方法。」
２．２．１５　請求項１５に係る発明
「前記ブラインド機構の開口部によって規定される前記複数のスリット状照明光束の分布のうちの前記1次元走査方向と直交した長手方向を前記マスク上の回路パターンのサイズ、形状、配列に応じて変更することを特徴とする請求項第14項に記載の方法。」
３．　訂正の適否
　上記訂正事項ａについては、請求項１に記載された「投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記1次元走査の方向と交差した方向に直線的に延びた矩形又はスリット領域」を、下位概念である「投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記投影光学系の光軸を含み前記1次元走査の方向と交差した方向に直線的に延びた矩形又はスリット領域」と訂正するものであるから、上記訂正事項ａについては、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　そして、上記訂正事項ａは、特許明細書又は図面から一義的に導き出されるものであるし、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　従って、上記訂正事項ａは、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　請求項１〜１５に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．３　本件特許の請求項１〜９に係る発明（以下、「本件第１〜第９発明」という。）と甲各号証との対比、判断
４．３．１　本件第１発明と甲各号証との対比、判断
　本件第１発明が、「基板上に投影される前記回路パターンの一部の像が前記投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記投影光学系の光軸を含み前記1次元走査の方向と交差した方向に直線的に延びた矩形又はスリット領域内に制限されるように、矩形状又はスリット状の分布の露光用照明光によって前記マスクを照射」する構成（以下、「本件第１発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、上記甲第１〜６号証には、いずれも上記本件第１発明の特徴的構成の記載又はその記載の示唆がないから、本件第１発明は、上記甲第１〜６号証に基づいて容易に発明できたものではない。
　また、本件の原出願である特願平３−３９８７４号（特許第２８３０４９２号。甲第７号証）の確定した請求項４に係る発明と、本件の訂正後の第１発明とを対比すると、前者が、「パターン像の領域を前記1次元走査の方向に関してほぼ一定の幅に制限する」のに対し、後者は、「投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記投影光学系の光軸を含み」、「矩形状又はスリット状の分布の露光用照明光」であることは相違するから、訂正後の第１発明は、原出願の確定した請求項に係る発明と同一ではなく、本件特許出願は適法な分割出願である。
　従って、本件特許の出願日は、原出願の出願日である平成３年３月６日であると認められるので、異議申立人キャノン株式会社が提出した甲第７号証をもって、本件特許の第１発明が、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当するということはできない。
４．３．２　本件第２〜９発明と甲各号証との対比、判断
　本件第１発明を引用する本件第２〜９発明は、本件第１発明と同様に、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものではない。
　また、本件第２〜９発明は、本件第１発明と同様に、異議申立人キャノン株式会社が提出した甲第７号証をもって、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当するいうことはできない。
４．３．３　本件第１０〜１５発明と甲８号証（原出願の公開公報）との対比、判断
　本件第１０〜１５発明は、「基板上に投影される前記回路パターンの一部の像が前記投影光学系の円形投影視野内で前記1次元走査の方向と交差した方向に平行に延びた複数のスリット状領域内に制限されるように、前記1次元走査方向に所定の間隔で並んだ複数のスリット状照明光束を前記マスクに向けて照射し、
　前記マスクと前記基板との相対的な1次元走査の間は前記投影光学系による前記スリット状領域内の結像面と前記基板上の被露光部分の表面とが前記投影光学系の焦点深度の幅内でほぼ合致し続けるように、前記投影光学系による結像面と前記基板との相対的な傾きと間隔とを制御する」構成を有し、当該構成は、原出願の確定した請求項４〜６に係る発明の構成であるとすることはできない。
　そうすると、原出願の確定した請求項４〜６に係る発明と同一ではないから、本件第１０〜１５発明に係る出願は適法な分割出願である。
　従って、本件第１０〜１５発明に係る出願の出願日は、原出願の出願日である平成３年３月６日であると認められるので、異議申立人キャノン株式会社が提出した甲第８号証をもって、本件第１０〜１５発明が、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当するいうことはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、異議申し立ての理由によっては本件請求項１〜１５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１〜１５に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
  よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月１９日（２０００．７．１９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項ａ
　請求１項中の「投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記１次元走査の方向と交差した方向に直線的に延びた矩形又はスリット領域」を、「投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で前記投影光学系の光軸を含み前記１次元走査の方向と交差した方向に直線的に延びた矩形又はスリット領域」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
走査露光方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　マスク上の回路パターンの一部を投影光学系を介して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを前記投影光学系の投影倍率に応じた速度比で相対的に１次元走査させることで前記マスクの回路パターンの全体像を前記基板上に走査露光する方法において、
　前記基板上に投影される前記回路パターンの一部の像が前記投影光学系の円形投影視野内のほぼ中央で
前記投影光学系の光軸を含み
　前記マスクと前記基板との相対的な１次元走査の間は前記投影光学系による前記矩形又はスリット領域内の結像面と前記基板上の被露光部分の表面とが前記投影光学系の焦点深度の幅内でほぼ合致し続けるように、前記投影光学系による結像面と前記基板との相対的な傾きと間隔とを制御することを特徴とする走査露光方法。
　【請求項２】
　前記矩形又はスリット領域内に対応した前記基板上の被露光部分の表面に焦点ずれと傾きとを検出するための非露光性のビームを斜めに投射し、その反射ビームを光電検出することによって前記投影光学系による結像面と前記基板との相対的な傾きと間隔を制御することを特徴とする請求項第１項に記載の方法。
　【請求項３】
　前記基板はＸＹ平面内で２次元移動可能なＸＹステージ上に傾斜可能及びＺ移動可能に設けられた基板ホルダー上に載置され、前記基板の１次元走査のために前記ＸＹステージをＸＹ平面内で前記１次元走査方向に等速移動させつつ、前記基板の焦点合わせのために前記光電検出された焦点ずれに基づいて前記基板ホルダーをＸＹ平面と垂直なＺ方向に移動させることを特徴とする請求項第２項に記載の方法。
　【請求項４】
　前記基板ホルダーは、前記投影光学系の円形投影視野内に配置可能なように設けられた基準マークを備え、該基準マークを前記投影光学系と前記マスクとを介して検出することによって、前記ＸＹステージの移動座標系における前記マスクの位置を規定することを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
　【請求項５】
　前記投影光学系は、屈折素子のみ或は屈折素子と反射素子との組合せで構成して両側テレセントリックにしたことを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
　【請求項６】
　前記露光用照明光は、所定の光源からの光を入射して射出側に多数の２次光源を生成するフライアイレンズと、前記多数の２次光源からの光を入射して所定の被照射面をほぼ均一な分布にして照射するコンデンサーレンズと、前記被照射面に配置されて前記１次元走査の方向と直交した方向に直線的に延びた矩形状又はスリット状の開口部を有するブラインド機構とを含む照明系から照射されることを特徴とする請求項第５項に記載の方法。
　【請求項７】
　前記ブラインド機構の開口部によって規定される前記露光用照明光の矩形状又はスリット状の分布のうちの前記１次元走査方向と直交した長手方向を前記マスク上の回路パターンのサイズ、形状、配列に応じて変更することを特徴とする請求項第６項に記載の方法。
　【請求項８】
　前記ブラインド機構の開口部によって規定される前記露光用照明光の矩形状又はスリット状の分布のうちの前記１次元走査方向と直交した長手方向のエッジを、前記基板上のショット領域を区画するストリートラインの位置に合せることを特徴とする請求項第６項に記載の方法。
　【請求項９】
　前記マスクの回路パターンの全体像が転写されるべき前記基板上のショット領域の前記１次元走査方向と直交した非走査方向の寸法が、前記露光用照明光の矩形状又はスリット状の分布の前記非走査方向の最大寸法よりも大きいときは、前記ショット領域の内部でオーバーラップ露光を行って露光量をシームレスにすることを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
　【請求項１０】
　マスク上の回路パターンの一部を投影光学系を介して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを前記投影光学系の投影倍率に応じた速度比で相対的に１次元走査させることで前記マスクの回路パターンの全体像を前記基板上に走査露光する方法において、
　前記基板上に投影される前記回路パターンの一部の像が前記投影光学系の円形投影視野内で前記１次元走査の方向と交差した方向に平行に延びた複数のスリット状領域内に制限されるように、前記１次元走査方向に所定の間隔で並んだ複数のスリット状照明光束を前記マスクに向けて照射し、
　前記マスクと前記基板との相対的な１次元走査の間は前記投影光学系による前記スリット状領域内の結像面と前記基板上の被露光部分の表面とが前記投影光学系の焦点深度の幅内でほぼ合致し続けるように、前記投影光学系による結像面と前記基板との相対的な傾きと間隔とを制御することを特徴とする走査露光方法。
　【請求項１１】
　前記基板は、ＸＹ平面内で２次元移動可能なＸＹステージ上に傾斜可能及びＺ移動可能に設けられた基板ホルダー上に載置され、前記基板の１次元走査のために前記ＸＹステージを前記１次元走査方向に等速移動させつつ、前記基板の焦点合わせのために前記基板ホルダーをＸＹ平面と垂直なＺ方向に移動させることを特徴とする請求項第１０項に記載の方法。
　【請求項１２】
　前記基板ホルダーは、前記投影光学系の円形投影視野内に配置可能なように設けられた基準マークを備え、該基準マークを前記投影光学系と前記マスクとを介して検出することによって前記ＸＹステージの移動座標系における前記マスクの位置を規定することを特徴とする請求項第１１項に記載の方法。
　【請求項１３】
　前記投影光学系は、屈折素子のみ或は屈折素子と反射素子との組合せで構成して両側テレセントリックにしたことを特徴とする請求項第１１項に記載の方法。
　【請求項１４】
　前記複数のスリット状照明光束は、所定の光源からの光を入射して射出側に多数の２次光源を生成するフライアイレンズと、前記多数の２次光源からの光を入射して所定の被照射面をほぼ均一な分布にして照射するコンデンサーレンズと、前記被照射面に配置されて前記１次元走査の方向と直交した方向に直線的に延びた複数のスリット状の開口部を有するブラインド機構とを含む照明系から照射されることを特徴とする請求項第１３項に記載の方法。
　【請求項１５】
　前記ブラインド機構の開口部によって規定される前記複数のスリット状照明光束の分布のうちの前記１次元走査方向と直交した長手方向を前記マスク上の回路パターンのサイズ、形状、配列に応じて変更することを特徴とする請求項第１４項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体素子、液晶表示素子等の製造過程中のリソグラフィー工程で使用される投影露光装置を用いた走査露光方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、この種の投影露光装置には大別して２つの方式があり、１つはマスク（レチクル）のパターン全体を内包し得る露光フィールドを持った投影光学系を介してウェハやプレート等の感光基板をステップアンドリピート方式で露光する方法であり、もう１つはマスクと感光基板とを投影光学系を挟んで対向させて円弧状スリット照明光のマスク照明の下で相対走査して露光するスキャン方法である。
　【０００３】
　前者のステップアンドリピート露光方式を採用したステッパーは、最近のリソグラフィー工程で主流をなす装置であり、後者のスキャン露光方式を採用したアライナーに比べて、解像力、重ね合わせ精度、スループット等が何れも高くなってきており、今後も暫くはステッパーが主流であるものと考えられている。このステップアンドリピート露光方式では、投影光学系の見かけ上の焦点深度を大きくするため、１つの露光領域の露光中に感光基板と投影光学系を投影光学系の光軸方向に相対移動させる露光方法（累進焦点露光方法と呼ぶことにする）を併用することも提案されている。この累進焦点露光方法における光軸方向の移動量は投影光学系の本来の焦点深度や感光基板上の微小な凹凸を考慮したものであり、移動中には感光基板上の凹凸の少なくとも上部と下部とに投影光学系の最良結像面がくるようになっている。
　【０００４】
　ところで、最近スキャン露光方式においても高解像力を達成する新たな方式がＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１０８８　Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ＩＩ（１９８９）の第４２４頁〜４３３頁においてステップアンドスキャン方式として提案された。ステップアンドスキャン方式とは、マスク（レチクル）を１次元に走査しつつ、ウェハをそれと同期した速度で１次元に走査するスキャン方式と、走査露光方向と直交する方向にウェハをステップ移動させる方式とを混用したものである。
　【０００５】
　図１１は、ステップアンドスキャン方式の概念を説明する図であるが、ここではウェハＷ上のＸ方向のショット領域（１チップ、又はマルチチップ）の並びを円弧状スリット照明光ＲＩＬで走査露光し、Ｙ方向についてはウェハＷをステッピングする。同図中、破線で示した矢印がステップアンドスキャン（以下、Ｓ＆Ｓとする）の露光順路を表し、ショット領域ＳＡ１，ＳＡ２，…，ＳＡ６の順にＳ＆Ｓ露光を行い、次にウェハＷの中央にＹ方向に並んだショット領域ＳＡ７，ＳＡ８，…，ＳＡ１２の順に同様のＳ＆Ｓ露光を行う。
　【０００６】
　上記文献に開示されたＳ＆Ｓ方式のアライナーでは、円弧状スリット照明光ＲＩＬで照明されたレチクルパターンの像が１／４倍の縮小投影光学系を介してウェハＷ上に結像されるため、レチクルステージのＸ方向の走査速度はウェハステージのＸ方向の走査速度の４倍に精密に制御される。また、円弧状スリット照明光ＲＩＬを使うのは、投影光学系として屈折素子と反射素子とを組み合わせた縮小系を用い、光軸から一定距離だけ離れた像高点の狭い範囲（輪帯状）で各種収差がほぼ零になるという利点を得るためである。そのような反射縮小投影系の一例は、例えばＵＳＰ．４，７４７，６７８に開示されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら上記文献に開示のステップアンドスキャン装置にステップアンドリピート方式と同様の累進焦点露光方法を適用することは不可能である。つまりステップアンドリピート方式の場合は、レチクルと照明光束／ウェハと露光光束とが投影光学系の光軸に垂直な方向（ウェハの面内方向）に相対移動しない構成となっているため、露光中にウェハと投影光学系とを光軸方向（Ｚ方向）に相対移動させることで転写領域内を複数の焦点位置で多重露光することができる。
　【０００８】
　それに対して上記のステップアンドスキャン装置の場合は、レチクルと照明光束／ウェハと露光光束とが投影光学系の光軸に垂直な方向（Ｘ又はＹ方向）に相対移動する構成となっているため、露光中にウェハと投影光学系とを単純に光軸方向に相対移動させると転写領域内の位置によって合焦する部分と合焦しない部分とが混在することになる。従ってステップアンドリピート方式と同様の累進焦点露光方法を単純に適用しただけでは、焦点深度拡大の効果が期待できないばかりでなく、かえって像の解像度が低下する。
　【０００９】
　そこで本発明は、従来の累進焦点露光方法が容易に適用し得るステップアンドスキャン方式等の走査露光方法を提供することを第１の目的とし、さらに累進焦点露光方法を適用した走査露光の場合は従来よりもスループットを向上させ得る走査露光方法を提供することを第２の目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を達成するための本願の第１発明（請求項１）は、マスク（レチクル）Ｒ上の回路パターンＩＲの一部を投影光学系ＰＬを介して感応性の基板（ウェハ）Ｗ上に投影しつつ、レチクルＲとウェハＷとを投影光学系ＰＬの投影倍率（１／５或いは１／４）に応じた速度比で相対的に１次元走査させることでレチクルＲの回路パターンＩＲの全体像をウェハＷ上に走査露光する方法に適用される。
　【００１１】
　そして本願の第１発明では、ウェハＷ上に投影される回路パターンＩＲの一部の像が投影光学系ＰＬの円形投影視野ＩＦ内のほぼ中央で
投影光学系ＰＬの光軸ＡＸを含み
矩形又は
　【００１２】
　また本願の第２発明（請求項１０）は、マスク（レチクルＲ）上の回路パターンＩＲの一部を投影光学系ＰＬを介して感応性の基板（ウェハ）Ｗ上に投影しつつ、レチクルＲとウェハＷとを投影光学系ＰＬの投影倍率（１／５或いは１／４）に応じた速度比で相対的に１次元走査させることでレチクルＲの回路パターンＩＲの全体像をウェハＷ上に走査露光する方法に適用される。
　【００１３】
　そして本願の第２発明では、ウェハＷ上に投影される回路パターンＩＲの一部の像が投影光学系ＰＬの円形投影視野ＩＦ内で１次元走査の方向（Ｘ方向）と交差した方向（Ｙ方向）に平行に延びた複数のスリット状領域内に制限されるように、１次元走査方向（Ｘ）に所定の間隔で並んだ複数のスリット状照明光束（ＩＬ）をレチクルＲに向けて照射するようにし、そしてレチクルＲとウェハＷとの相対的な１次元走査の間は投影光学系ＰＬによるスリット状領域内の結像面（ＢＦ）とウェハＷ上の被露光部分の表面とが投影光学系ＰＬの焦点深度内でほぼ合致し続けるように、投影光学系ＰＬによる結像面（ＢＦ）とウェハＷとの相対的な傾き（レベリング）と間隔（フォーカス）を制御するように構成した。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　本発明によれば、マスクと基板とを投影光学系に対して相対移動させて走査露光する際に、投影光学系により基板上に投影される回路パターンの一部の像を、投影光学系の円形視野内で１次元走査方向と交差した方向に延びるとともに、１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する直線的な１つのスリット領域内、又は複数の平行なスリット領域内に制限するように構成したため、投影光学系の最良結像面と基板上の被露光領域の表面とを必要に応じて相対的に１次元走査方向に関して傾けて走査露光することが可能となり、見かけ上の焦点深度を拡大するような累進焦点露光法が容易に実現できる。
　【００１５】
　また累進焦点露光法を実施する場合は、投影光学系の円形視野内で制限されたスリット領域内の像面と基板上の被露光領域の表面との相対的な傾きが投影光学系の焦点深度の幅内に維持されるように１次元走査時の基板の移動に連動してレベリング状態とフォーカス状態とを制御するだけで、スリット領域の長手方向（非走査方向）に関してほぼ均一な焦点深度拡大効果が得られることになる。そこで本発明による走査露光方法が適用される投影露光装置の構成とその動作について以下に説明する。
　【００１６】
　図１は本発明の実施に好適な縮小投影型露光装置の構成を示し、本装置では屈折素子のみ、或いは屈折素子と反射素子との組み合わせで構成された１／５縮小の両側テレセントリックな投影光学系ＰＬを使うものとする。水銀ランプ１からの露光用照明光は楕円鏡２で第２焦点に集光される。この第２焦点には、モータ４によって照明光の遮断と透過とを切り替えるロータリーシャッター３が配置される。シャッター３を通った照明光束はミラー５で反射され、インプットレンズ６を介してフライアイレンズ系７に入射する。
　【００１７】
　フライアイレンズ系７の射出側には、多数の２次光源像が形成され、各２次光源像からの照明光はビームスプリッタ８を介してレンズ系（コンデンサーレンズ）９に入射する。レンズ系９の後側焦点面には、レチクルブラインド機構１０の可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４が図２のように配置されている。４枚のブレードＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４は夫々駆動系５０によって独立に移動される。本装置例ではブレードＢＬ１，ＢＬ２のエッジによってＸ方向（走査露光方向）の開口ＡＰの幅が決定され、ブレードＢＬ３，ＢＬ４のエッジによってＹ方向（ステッピング方向）の開口ＡＰの長さが決定されるものとする。また、４枚のブレードＢＬ１〜ＢＬ４の各エッジで規定された開口ＡＰの形状は投影光学系ＰＬの円形イメージフィールド（視野）ＩＦ内に包含されるように定められる。
　【００１８】
　さて、ブラインド機構１０の位置で照明光は均一な照度分布となり、ブラインド機構１０の開口ＡＰを通過した照明光は、レンズ系１１，ミラー１２、及びメインコンデンサーレンズ１３を介してレチクルＲを照射する。このとき、ブラインド機構１０の４枚のブレードＢＬ１〜ＢＬ４で規定された開口ＡＰの像がレチクルＲ下面のパターン面に結像される。さて、開口ＡＰで規定された照明光を受けたレチクルＲは、コラム１５上を少なくともＸ方向に等速移動可能なレチクルステージ１４に保持される。
　【００１９】
　コラム１５は、投影光学系ＰＬの鏡筒を固定する不図示のコラムと一体になっている。レチクルステージ１４は駆動系５１によってＸ方向の１次元走査移動、ヨーイング補正のための微小回転移動等を行う。またレチクルステージ１４の一端にはレーザ干渉計３０からの測長ビームを反射する移動鏡３１が固定され、レチクルＲのＸ方向の位置とヨーイング量がレーザ干渉計３０によってリアルタイムに計測される。尚、レーザ干渉計３０用の固定鏡（基準鏡）３２は投影光学系ＰＬの鏡筒上端部に固定されている。
　【００２０】
　レチクルＲに形成されたパターンの像は投影光学系ＰＬによって１／５に縮小されてウェハＷ上に結像される。ウェハＷは微小回転可能、且つ任意の角度に傾斜可能なウェハホルダー１６に基準マーク板ＦＭとともに保持される。ホルダー１６は投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）に微小移動可能なＺステージ１７上に設けられる。そしてＺステージ１７はＸ，Ｙ方向に２次元移動するＸＹステージ１８上に設けられ、このＸＹステージ１８は駆動系５２で駆動される。
　【００２１】
　またＸＹステージ１８の座標位置とヨーイング量とはレーザ干渉計３３によって計測され、そのレーザ干渉計３３のための固定鏡（基準鏡）３４は投影光学系ＰＬの鏡筒下端部に、移動鏡３５はＺステージ１７の一端部に夫々固定される。本装置例では投影倍率を１／５としたので、スキャン露光時のＸＹステージ１８のＸ方向の移動速度Ｖｗｓは、レチクルステージ１４の速度Ｖｒｓの１／５である。
　【００２２】
　さらに本装置例では、レチクルＲと投影光学系ＰＬとを介してウェハＷ上のアライメントマーク（又は基準マークＦＭ）を検出するＴＴＲ（スルーザレチクル）方式のアライメントシステム４０と、レチクルＲの下方空間から投影光学系ＰＬを介してウェハＷ上のアライメントマーク（又は基準マークＦＭ）を検出するＴＴＬ（スルーザレンズ）方式のアライメントシステム４１とを設け、Ｓ＆Ｓ露光の開始前、或いはスキャン露光中にレチクルＲとウェハＷとの相対的な位置合わせを行うようにした。
　【００２３】
　また図１中に示した光電センサー４２は、基準マークＦＭを発光タイプにしたとき、その発光マークからの光を投影光学系ＰＬ、レチクルＲ、コンデンサーレンズ１３、レンズ系１１，９、及びビームスプリッタ８を介して受光するもので、ＸＹステージ１８の座標系におけるレチクルＲの位置を規定する場合や、各アライメントシステム４０，４１の検出中心の位置を規定する場合に使われる。但し、これらのアライメントシステムは本発明を達成するためにことさら必須の要件ではない。
　【００２４】
　ところでブラインド機構１０の開口ＡＰは、走査方向（Ｘ方向）と直交するＹ方向に関して極力長くすることによって、Ｘ方向の走査回数、即ちウェハＷのＹ方向のステッピング回数を少なくすることができる。但し、レチクルＲ上のチップパターンのサイズや形状、配列によっては、開口ＡＰのＹ方向の長さをブレードＢＬ３，ＢＬ４の各エッジで変更した方がよいこともある。
　【００２５】
　例えばブレードＢＬ３，ＢＬ４の対向するエッジがウェハＷ上のショット領域を区画するストリートライン上に合致するように調整するとよい。このようにすれば、ショット領域のＹ方向のサイズ変化に容易に対応できる。また１つのショット領域のＹ方向の寸法が開口ＡＰのＹ方向の最大寸法以上になる場合は、特開平２−２２９４２３号公報にみられるように、ショット領域の内部でオーバーラップ露光を行って、露光量のシームレス化を行う必要がある。この場合の方法については本発明の必須要件ではないので説明は割愛する。
　【００２６】
　ここで、任意の角度に傾斜可能なウェハホルダー１６、及びその周辺の構成について図３（ａ）を参照して説明する。ＸＹステージ１８上のＺステージ１７にはモータ２１が設けられ、Ｚステージ１７を光軸ＡＸ方向に駆動する。ウェハホルダー１６は、そのほぼ中心を支持されてＺステージ１７上に載置される。またウェハホルダー１６はその周縁部にレベリング駆動部２０Ａ，２０Ｂが設けられ、ホルダー１６上のウェハＷを任意の角度に傾斜可能となっている。
　【００２７】
　このウェハＷの傾斜角度を制御するために、非露光波長の光束ＢＰＬを照射する投光部１９Ａと、光束ＢＰＬがウェハ面で反射した光束ＢＲＬを受光する受光部１９Ｂとで構成されたフォーカス及びレベリングセンサが設けられている。このフォーカス及びレベリングセンサからの光束ＢＰＬの焦点は、ウェハＷ上において投影光学系ＰＬの光軸ＡＸが通過する点を含む線上にほぼ一致している。
　【００２８】
　レベリング駆動部２０Ａ，２０Ｂは、受光部１９Ｂからのレベリング情報と主制御部１００からの情報とに基づいてウェハホルダー１６の傾き量を決定するレベリング制御系５３からの指令によって駆動される。また、受光部１９Ｂからのレベリング情報を常にフィードバックすることによって適正なウェハＷの傾斜角度を維持することもできる。
　【００２９】
　さらに、フォーカス及びレベリングセンサからの情報により、ウェハＷ上の光軸ＡＸと交わる位置を常に投影光学系の最良結像面に位置させるためのフォーカス情報を得ることもできる。この場合、受光部１９Ｂで得られた位置情報に基づいたＺステージ制御系５４からの指令によってモータ２１を駆動することにより、Ｚステージ１７を光軸ＡＸの方向に駆動する。
　【００３０】
　尚、光束ＢＰＬは図３（ｂ）に示すようにブラインドの開口ＡＰで規定される矩形の照射領域ＡＰ′に対して例えば４５°程度傾斜したスリット状の光ＳＬＩとしてウェハＷ上に照射される。このことにより、ウェハＷ上に既に形成されたチップ領域ＣＰ１〜ＣＰ４内の回路パターンの方向性に影響されることなくウェハＷの傾斜を制御することができる。レベリング駆動部は便宜上２点のみ図示したが、３点で駆動した方がより良いことは言うまでもない。
　【００３１】
　次に本装置例の動作を説明するが、そのシーケンスと制御は図１に示すように主制御部１００によって統括的に管理される。主制御部１００の基本的な動作は、レーザ干渉計３０，３３からの位置情報、ヨーイング情報の入力、駆動系５１，５２内のタコジェネレータ等からの速度情報の入力等に基づいて、スキャン露光時にレチクルステージ１４とＸＹステージ１８とを所定の速度比を保ちつつ、レチクルパターンとウェハパターンとの相対位置関係を所定のアライメント誤差内に抑えたまま相対移動させることにある。
　【００３２】
　そして本装置例の主制御部１００は、その動作に加えて累進焦点露光法を実施するために、投影光学系ＰＬの最良結像面とウェハＷ上の転写領域とを相対的に傾け、且つ転写領域内のほぼ中央部が投影光学系ＰＬの最良結像面、若しくはその近傍に位置させて照射領域内の１次元走査方向の位置に応じてレチクルのパターン像のフォーカス状態を連続的、若しくは離散的に変化させたまま走査露光を行うように、レベリング制御系５３、及びＺステージ制御系５４を連動制御することを大きな特徴としている。
　【００３３】
　図４は、本装置例を用いた露光方法を概略的に示す図である。レチクルＲ上の回路パターンＩＲ内の位置１〜９は夫々ウェハＷ上の位置１〜９に対応しており、パターンＩＲに対してウェハＷは相対的に傾斜している。尚、ここでは便宜上ウェハＷの直上に回路パターンＩＲを表示し、回路パターンＩＲのウェハＷ上への投影倍率は１として示した。また、単一の開口ＡＰで規定された露光光束のうちＬＲ，ＬＣ，ＬＬの３光束を示してある。
　【００３４】
　これら３光束のうちの光束ＬＲ，ＬＬは、夫々図２に示すブレードＢＬ１，ＢＬ２のエッジで規定されるものであり、スキャン露光方向に関して光軸ＡＸを中心にほぼ対称に位置する。光束ＬＲとＬＬとの幅は開口ＡＰのＸ方向の幅に対応しており、露光光束の走査方向の照射範囲を表している。この照射範囲内では露光光束の強度分布はほぼ一様となっている。光束ＬＣは露光光束の照射範囲のほぼ中心を通る主光線を有し、この主光線は投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致しているものとする。
　【００３５】
　さらに、投影光学系ＰＬの最良結像面は破線ＢＦで示してある。この走査露光は、ＸＹステージ１８をＸ方向に駆動すると同時にＺステージ１７を光軸ＡＸの方向に駆動して、ウェハＷの照射領域内のほぼ中心（露光光束の照射範囲のほぼ中心と一致）が常に投影光学系ＰＬの最良結像面ＢＦに位置するように制御される。
　【００３６】
　尚、このとき走査露光の走査方向に関するウェハＷ上の照射領域（被露光領域）ＡＰ′の幅をＤａｐ、ウェハＷ上の照射領域ＡＰ′と最良結像面ＢＦとの傾き角をθ１、投影光学系ＰＬの焦点深度の光軸方向の幅（ＤＯＦ）をΔＺ１として、Ｄａｐ・ｓｉｎθ１≧ΔＺ１の関係を満たすように、照射領域の幅Ｄａｐと傾き角θ１との少なくとも一方を調整するようにする。尚、一般的に理論上の焦点深度幅はΔＺ１＝λ／ＮＡ２（λ：露光波長，ＮＡ：投影光学系の開口数）である。
　【００３７】
　さて、走査露光が開始された直後のウェハＷとパターンＩＲとの露光光束に対する位置関係は図４（ａ）に示すような状態であり、回路パターンＩＲ内の位置２に着目すると、この位置２は露光光束の照射範囲内に入ったところである。しかし、この状態では対応するウェハＷ上の位置２の像は最良結像面ＢＦからずれたデフォーカス状態であり、投影像の強度分布はピークの緩やかな状態となっている。
　【００３８】
　さらに走査露光が進んだ状態が図４（ｂ）であり、ウェハＷ上の位置２は最良結像面ＢＦに位置している。この状態では位置２の像はベストフォーカス状態であり、像の強度分布のピークは鋭くなっている。ウェハＷが図４（ｃ）に示す位置まで移動すると、位置２は図４（ａ）の状態とは反対の最良結像面ＢＦからずれたデフォーカス状態となり、像の強度分布のピークは緩やかな状態となる。
　【００３９】
　以上の走査露光（等速スキャン）によってウェハＷ上の位置２に照射される露光量の光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）の分布は図５に示すようになる。つまり位置２での露光量は、Ｚ方向のＤａｐ・ｓｉｎθ１の範囲（焦点深度の幅ＤＯＦ）でほぼ均一となっている。また、その結果位置２に与えられた像の強度分布を図６に示す。強度分布ＥＲ，ＥＣ，ＥＬは、夫々光束ＬＲ，ＬＣ，ＬＬによって得られる像強度を表すものであり、強度分布Ｅは光束ＬＲ，ＬＣ，ＬＬを含めた露光光束によって得られる像強度の積算値を表すものである。
　【００４０】
　この場合、位置２は露光光束の照射範囲内にある間中、光束を照射されている（光エネルギーを受けている）ため、積算された強度分布Ｅはピークの緩やかな分布となる。よって、ウェハＷ上のフォトレジストを感光（完全に除去）する露光量Ｅｔｈ以上の強度を持つ幅Ｗは、図示するように比較的広くなる。この幅Ｗを狭くするためには、矩形状の照明光束の強度分布が走査露光の１次元走査方向に関して少なくとも２ヶ所で極大となるようにすればよい。
　【００４１】
　このため、例えば図７に示すように開口ＡＰの中央部を遮光した構造（ダブルスリット状の開口）のレチクルブラインド機構を用いるようにする。これは、ブラインド機構１０の４枚のブレードのうちのブレードＢＬ４を、開口ＡＰの中央部をＸ方向に所定の幅で遮光するようにＹ方向に伸びた遮光片を有するような形状としたものである。
　【００４２】
　このようなブラインド機構を用いた場合、走査露光（等速スキャン）によってウェハＷ上の位置２に照射される露光量の光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）の分布は図８に示すようになる。つまり位置２での露光量は、Ｚ方向のＤａｐ・ｓｉｎθ１の範囲（焦点深度の幅ＤＯＦ）の両端付近の２ヶ所に同程度の強度を有する状態となっている。よって、図４に示す露光光束のうちの光束ＬＲ，ＬＬに相当する部分のみに強度を持たせることが可能となる。
　【００４３】
　この光束を用いて前述の走査露光（等速スキャン）を行った場合にウェハＷ上の任意の位置（例えば前述の位置２）で得られる像の強度分布は、図９に示すようになる。強度分布ＥＲ′，ＥＬ′は夫々、光束ＬＲ，ＬＬ与えられる像の強度分布であり、強度分布Ｅ′は強度分布ＥＲ′，ＥＬ′を積算したものである。このとき、強度分布Ｅ′は図６に示す強度分布Ｅよりも鋭いピークを有しており、ウェハＷ上のフォトレジストを感光（完全に除去）する露光量Ｅｔｈ以上の強度を持つ幅Ｗ′は、図６に示す幅Ｗよりも狭くすることができる。
　【００４４】
　さらに、矩形状の照明光束の強度分布が走査露光の１次元走査方向に関して３ヶ所で極大となるようにしてもよい。そのためには、図７に示すものと同様に開口部が３つのスリットとなるようなブレードを有するレチクルブラインド機構を用いる。この場合、同様に走査露光によってウェハＷ上の位置２に照射される露光量の光軸ＡＸ方向の分布は図１０に示すようになる。つまり位置２での露光量は、最良結像面ＢＦ付近とＺ方向のＤａｐ・ｓｉｎθ１の範囲（焦点深度の幅ＤＯＦ）の両端付近の２ヶ所との合計３ヶ所で夫々同程度の強度を有する状態となっている。
　【００４５】
　よって、ウェハＷに達する露光光束は図４に示す光束ＬＲ，ＬＣ，ＬＬに相当する光束のみとなる。また光束ＬＲ，ＬＬは、投影光学系の光軸ＡＸと同一の光軸を有する光束ＬＣに対してほぼ対称となるようにする。この様な照射範囲内の３ヶ所で強度分布が極大となる光束で走査露光した場合も、ウェハＷ上に投影される像の強度分布は、図６に示す強度分布Ｅより鋭いピークを有することになる。よって投影される像の幅は図６に示す幅Ｗよりも狭くすることができる。
　【００４６】
　尚、照明光束の光強度がほぼ同じ場合に矩形状の照明光束の強度分布が走査露光の１次元走査方向に関して２ヶ所の場合と３ヶ所の場合とを比較すると、３ヶ所の場合の方がＸＹステージの移動速度を速くすることができ、スループットが高い。即ち、従来のＵＳＰ．４，８６９，９９９等で知られている累進焦点露光方法とは逆の効果が得られることになる。
　【００４７】
　また上記の例では、ブラインド機構のブレードに遮光片を持たせた例を示したが、その他、光路中において回路パターンＩＲとほぼ共役な位置に遮光したい領域に応じた大きさ及び形状のＮＤフィルター等の減光部材を設ける構成としても同様の効果が得られる。
　【００４８】
　【発明の効果】
　以上のように本発明によれば、感光性の基板上に投影される回路パターンの一部の像を投影光学系の円形投影視野内で１次元走査方向と交差した方向に延びた直線状のスリット領域（矩形領域）内に制限して走査露光するようにしたので、焦点深度を拡大させる累進焦点露光方法を実施する場合は、単に投影光学系の結像面と基板上の被露光領域内の表面とを相対的に１次元走査の方向に関して所定量だけ傾けるといった極めて簡単な操作を加えるだけで、基板上の１つのショット領域内の全体に対してほぼ均一な焦点深度拡大効果を伴って回路パターンを転写することが可能となる。
　【００４９】
　また本発明によれば、円形投影視野内で制限される回路パターンの一部の像の直線的なスリット領域の１次元走査方向に関する幅の最適化、そのようなスリット領域の１次元走査方向に関する数（例えば１〜３）の最適化によって、所望の解像力を達成しつつスループットを向上させた走査露光法が実現できるといった顕著な効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施に好適な投影露光装置の構成を示す図である。
　【図２】レチクルブラインドを構成するブレードの配置を示す平面図である。
　【図３】（ａ）はウェハホルダー周辺の概略的な構成を示す図、（ｂ）はレベリングセンサからの光束のウェハ上への照射状態を示す図である。
　【図４】本発明に好適な投影露光装置を用いた露光方法を概略的に示す図である。
　【図５】走査露光によってウェハ上の任意の位置に照射される露光量の光軸方向の分布を示す図である。
　【図６】本発明の走査露光方法によって累進焦点露光法を行った場合にウェハ上の任意の位置に与えられる像の強度分布を示す図である。
　【図７】レチクルブラインドを構成するブレードの他の例を示す平面図である。
　【図８】走査露光によってウェハ上の任意の位置に照射される露光量の光軸方向の分布を示す図である。
　【図９】他のブレード例を使って走査露光を行った場合にウェハ上の任意の位置に与えられる像の強度分布を示す図である。
　【図１０】走査露光によってウェハ上の任意の位置に照射される露光量の光軸方向の分布を示す図である。
　【図１１】従来のステップアンドスキャン露光方式の概念を説明する図である。
　【符号の説明】
　１４　…　マスクステージ
　１６　…　基板ホルダー
　１７　…　Ｚステージ
　１８　…　ＸＹステージ
　２０Ａ，２０Ｂ　…　レベリング駆動部
　２１　…　モータ
　５３　…　レベリング制御系
　５４　…　Ｚステージ制御系
　ＰＬ　…　投影光学系
　ＢＦ　…　投影光学系の最良結像面
　Ｒ　…　レチクル（マスク）
　ＩＲ　…　回路パターン
　Ｗ　…　感光基板