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　平成　９年特許願第２１６６２９号「薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　３月１０日出願公開、特開平１０−　７０２８３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、平成１年８月２４日に出願された
特願平１−２１８１３２号の一部を、平成９年８月１１日に新たな特許出願としたものであって、その請求項に係る発明は、平成９年９月１日付け、平成１０年６月４日付け及び平成１２年７月１７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「透明基板上にシリコン酸化膜あるいは窒化シリコン膜からなる第１パッシベーション膜を形成する工程と、前記第１パッシベーション膜上に導電性及び高融点材質であるタングステン、モリブデン、チタン、シリサイド、シリコンのいずれかからなる光吸収膜を形成する工程と、前記光吸収膜上に第２パッシベーション膜を形成する工程と、前記第２パッシベーション膜上に薄膜トランジスタのチャネル領域となるシリコンを形成する工程と、しかる後に前記基板にアニールを施すことによりチャネル領域の結晶を成長させる工程とを有し、前記光吸収膜は前記チャネル領域を平面的にみて覆うように形成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。（以下、「本願発明」という）」
２．引用例
　これに対して、原審の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６１−２９０７６９号公報（以下、「引用例１」という。）には、薄膜トランジスタの製造方法に関する技術が、第１乃至第５図と共に開示されている。
　更に同公報には次の技術事項が記載されている。
「基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極を被覆して前記基板上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上で略前記ゲート電極の上方にシリコン層を付着形成し、前記ゲート電極が光吸収する波長を持った光を照射して前記ゲート電極を加熱しその際に前記絶縁層を介しての熱伝導によって前記シリコン層を熱処理して結晶化させ、前記結晶化されたシリコン層に夫々接続させて前記絶縁層上にドレイン電極とソース電極とを形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲）
「第１図に示した如く、透明絶縁性基板１の１表面上に選択した金属を付着形成させ、パターニングしてゲート電極２を形成する。この場合に、基板１としては、石英ガラス等を使用することが可能であり、又ゲート電極２を形成する材料はNiCr、多結晶シリコン、Mo、Ta、MoSi、CrSi等から選択すると良い。具体的な１例として、NiCrを使用する場合、基板１の温度を１００乃至２００℃に維持して、抵抗加熱蒸着によってNiCr層を約5,000Åの厚さに付着形成させる。
　次いで、ゲ−ト電極２を被覆して、基板１上の全面に透明絶縁層３を付着形成する。この場合に、絶縁層３は、グロー放電法又は熱分解法によってSiO2、Si3N4、Ta2O5等の材料から形成すると良い。具体的例としては、LPCVD法によって、基板温度を３００乃至４００℃に維持して、反応ガスSiH4+O2に露呈させることにより、SiO2を約3,000Åの厚さに形成する。次いで、絶縁層３上に薄膜半導体装置の活性領域としてのシリコン層４を形成する。この場合に、グロー放電法又は熱分解法を使用してシリコン層４を形成するので、シリコン層４は、非晶質又は多結晶構造を有している。この場合の具体例としては、PCVD法によって、基板温度を２００乃至３００℃に維持して、反応ガスSiH4+O2に露呈させて、約3,000Åの厚さに非晶質シリコンを形成する。
　次いで、第１図に示した如く、構成全体に所定の波長領域の光Ｌを照射させて、シリコン膜４を熱処理して、それを結晶化、好適には単結晶化させる。」（同公報第２頁左下欄５行〜右下欄１４行）
「次に、第４図を参照して別の実施例に付いて詳細に説明する。この場合には、第２図で示した如く、シリコン膜を結晶化した後に、第４図に示した如く、全面に再度透明絶縁層６を形成する。次いで、この絶縁層６の所要箇所にコンタクトホールを開口し、次いで絶縁層６上に所望の金属を付着形成し、パターニングしてソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂを形成する。この場合の具体例としては、絶縁層６を形成する場合には、LPCVD法によって、基板温度を３００乃至４００℃として、反応ガスSiH4+O2に露呈させて、SiO2を約3,000Åの厚さに形成する。
　次いで、絶縁層６ｃ上に上側ゲート電極５ｃを形成する。」（同公報第３頁右上欄１７行〜左下欄１０行）
「４′：結晶化シリコン層」（同公報第４頁左上欄１５行）
以上まとめると引用例１には、次のような発明が記載されている。
「透明絶縁性基板１上にNiCr、多結晶シリコン、Mo、Ta、MoSi、CrSi等から選択されたゲート電極２を形成する工程と、前記ゲート電極２上に透明絶縁層３を形成する工程と、透明絶縁層３上に薄膜トランジスタのチャネル領域となるシリコンを形成する工程と、しかる後に前記ゲート電極が光吸収する波長を持った光を照射して前記ゲート電極を加熱しその際に前記絶縁層を介しての熱伝導によって前記シリコン層を熱処理して結晶化させる工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法」
　更に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６０−１８６０６３号公報（以下、「引用例２」という。）には、薄膜トランジスタの製造方法に関する技術が、第１乃至第２７図と共に開示されている。
　同公報には次の技術事項が記載されている。
「第１図において、石英板等の絶縁基板１上に二酸化シリコン等の絶縁膜２を形成した後、」（同公報第１頁右下欄２行〜４行）
「第２図に示すように、石英板あるいはガラス板等の絶縁基板１１上に、絶縁膜として、たとえば二酸化シリコン膜１２をＣＶＤ法（気相成長法）等により被着形成した後、」（同公報第２頁右上欄１３行〜１６行）
　以上まとめると引用例２には、石英板あるいはガラス板等の絶縁基板上に二酸化シリコン等の絶縁膜２を形成した後、薄膜トランジスタを製造する技術が開示されている。
　同じく引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６３−９９６７号公報（以下、「引用例３」という。）には、薄膜トランジスタの製造方法に関する技術が、第１乃至第４図と共に開示されている。
　同公報には次の技術事項が記載されている。
「第１図に本発明によるＴＦＴの作成手順を示す。ガラス基板等の基板１上にｐ−ＣＶＤ法によりパッシベーション膜２及び半導体層３を連続的に堆積する（ａ）。」（同公報第２頁右下欄１８行〜第３頁左上欄１行）
　以上まとめると引用例３には、ガラス基板等の基板上にパッシベーション膜を形成した後、薄膜トランジスタを製造する技術が開示されている。
３．対比、判断
　引用例１の発明の構成と本願発明の構成とを対比すると、引用例１における「透明絶縁性基板１」、「多結晶シリコン、Mo、Ta、MoSi、CrSi等から選択されたゲート電極２」、「前記ゲート電極が光吸収する波長を持った光を照射して前記ゲート電極を加熱しその際に前記絶縁層を介しての熱伝導によって前記シリコン層を熱処理して結晶化させる工程」は、本願発明における「透明基板」、「導電性及び高融点材質であるタングステン、モリブデン、チタン、シリサイド、シリコンのいずれかからなる光吸収膜」、「前記基板にアニールを施すことによりチャネル領域の結晶を成長させる工程」に相当する。また引用例１におけるゲート絶縁膜も兼用する「透明絶縁層３」は、透明絶縁性基板上に延在しているから、本願発明における「第２パッシベーション膜」に相当し、引用例１における「ゲート電極２」は、ゲートとして結晶化シリコン層に作用すること及び第３、４図の記載からみて、チャネル領域を平面的にみて覆うように形成されていると認められるから、両者は「透明基板上に導電性及び高融点材質であるタングステン、モリブデン、チタン、シリサイド、シリコンのいずれかからなる光吸収膜を形成する工程と、前記光吸収膜上に第２パッシベーション膜を形成する工程と、前記第２パッシベーション膜上に薄膜トランジスタのチャネル領域となるシリコンを形成する工程と、しかる後に前記基板にアニールを施すことによりチャネル領域の結晶を成長させる工程とを有し、前記光吸収膜は前記チャネル領域を平面的にみて覆うように形成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法」の点で一致し、次の点で相違している。
　引用例１の発明では、透明基板上に直接、導電性及び高融点材質であるタングステン、モリブデン、チタン、シリサイド、シリコンのいずれかからなる光吸収膜を形成する工程を有するのに対し、本願発明では、透明基板上に「シリコン酸化膜あるいは窒化シリコン膜からなる第１パッシベーション膜を形成する工程」を介して導電性及び高融点材質であるタングステン、モリブデン、チタン、シリサイド、シリコンのいずれかからなる光吸収膜を形成する工程を有する点。
　以下上記相違点について検討する。
  石英板あるいはガラス板等の透明基板上に二酸化シリコン等の絶縁膜を形成した後、或いはパッシベーション膜を形成した後、薄膜トランジスタを製造する技術は、引用例２或いは３にもあるように周知の技術事項であるから、導電性及び高融点材質であるタングステン、モリブデン、チタン、シリサイド、シリコンのいずれかからなる光吸収膜を形成する工程に先だって、透明基板上にシリコン酸化膜あるいは窒化シリコン膜からなる第１パッシベーション膜を形成することは、当業者であれば格別の創意工夫をすることなくなし得たものと認められる。
　なお出願人は、審判理由補充書（第４頁２〜８行）並びに平成１２年７月１７日付け意見書（第１頁下から１行〜第２頁７行）において、「透明基板上にシリコン酸化膜あるいは窒化シリコン膜からなる第１パッシベーション膜を形成し、前記第１パッシベーション膜上に導電性及び高融点材質からなる光吸収膜を形成し、前記光吸収膜上に第２パッシベーション膜を形成し、前記第２パッシベーション膜上にチャネル領域となるシリコン層を形成する」ことによる効果を縷々主張しているが、これらの主張は明細書の記載に基づかない根拠のないものであるから採用できない。
４．結論
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。