【事件の表示】
　平成　４年特許願第２３３４３７号「電気的書換可能型不揮発メモリ」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　３月２５日出願公開、特開平　６−８３７１６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年９月１日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１０年３月６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「書換頻度の高い高書換頻度データと書換頻度の低い低書換頻度データとを混在して記憶する電気的書換可能型不揮発メモリにおいて、
  指定された書込アドレスが所定範囲内のアドレスか否かを検出する書込アドレス検出手段と、
  この書込アドレス検出手段による検出の結果、前記書込アドレスが前記所定範囲内のものであったとき、書込対象データが高書換頻度データであると判定し、これをそれぞれ複数のメモリセルに重複して書き込むデータ書込手段と、
  このデータ書込手段により前記複数のセルに書き込まれたデータを読出し、これを基に、１つの読出データを決定する読出データ決定手段
とを具備することを特徴とする電気的書換可能型不揮発メモリ。」
　
２．引用例記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−２６４６９９号公報（平成１年１０月２０日出願公開、以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
Ａ．「本発明者の検討によれば、ＥＥＰＲＯＭの用途には書き換えの激しいものも多いが、必要なワード数は少なくて良いことが大部分である。このような場合、ＥＣＣ技術は不良救済率が小さく、また、メモリセルアレイ全体をダブルセル構成とすれば不良救済率は高いが必要以上にセル面積を増大させることになり得策でない。従って、ＥＥＰＲＯＭの実際の用途を考慮に入れると、必要な一部のワード用のメモリセルだけをダブルセル構成とし、これを書き換えを頻繁に行う用途に使用することが得策である。」（第２頁右下欄第１０行〜第３頁左上欄第１行）
Ｂ．「このダブルセル構成を有するメモリセルを頻繁に書き換えを行う用途のために用いることにより、書き換え回数の増大を図ることができる。また、ダブルセル構成を有するメモリセルは一部であるので、セル面積の増大を最小限に抑えることができる。すなわち、セル面積の増大を最小限に抑えて書き換え可能回数の増大を図ることができる。」（第３頁左上欄第１４行〜右上欄第２行）
Ｃ．「第１図は本発明の一実施例によるＥＥＰＲＯＭのメモリセルアレイの構成を示し、第２図は本発明の一実施例によるＥＥＰＲＯＭの全体構成を示す。
　第２図に示すように、本実施例によるＥＥＰＲＯＭは、メモリセルアレイ１、カラムデコーダ２、ロウデコーダ３、Ｙセレクタ４及びセンスアンプ／書込回路５を有する。このメモリセルアレイ１は例えばFlotox型のセルから成る。このカラムデコーダ２にはアドレスＡ０〜Ａｉが供給され、ロウデコーダ３にはアドレスＡｊ〜Ａｎが供給される。このロウデコーダ３によってワード線の選択が行われる。また、このロウデコーダ３の出力電圧は高電圧レベル変換回路６でレベル変換された後、選択されたワード線に印加される。さらに、上記カラムデコーダ２は高電圧レベル変換回路７を介して上記Ｙセレクタ４に接続されている。このＹセレクタ４によりビット線の選択が行われる。Ｉ／Ｏ０〜Ｉ／Ｏ７は上記センスアンプ／書込回路５の入出力を示す。
　・・・（中略）・・・
　第１図に示すように、本実施例によるＥＥＰＲＯＭは、２５６本のワード線ＷＬ０〜ＷＬ２５５を有する。これらのワード線ＷＬ０〜ＷＬ２５５のうち４本のワード線ＷＬ２５２〜ＷＬ２５５にはワード線ＷＬ２５２′〜ＷＬ２５５′がそれぞれ隣接して設けられ、これによってワード線ＷＬ２５２〜ＷＬ２５５は二重化されている。これらの二重化されたワード線、例えばワード線ＷＬ２５２、ＷＬ２５２′は同時に選択されるようになっている。」（第３頁右上欄第８行〜右下欄第１２行、及び第１、２図参照）
Ｄ．「また、上述の実施例においては、第５図に示すダブルセル技術を用いているが、第６図に示すダブルセル技術を用いることも可能である。第３図はその一例である。第３図に示すように、この場合には１ワード分のビット線全体が二重化されており、「′」が付いていない側のビット線に設けられたセンスアンプからの出力と、「′」が付いている側のビット線に設けられたセンスアンプからの出力とがＡＮＤゲートに供給される。例えば、「′」が付いていない側のビット線Ｉ／Ｏ０に設けられたセンスアンプ２１からの出力と、「′」が付いている側のビット線Ｉ／Ｏ０に設けられたセンスアンプ２３からの出力とはＡＮＤゲート２５の入力に供給され、このＡＮＤゲート２５からの出力が最終的なデータビットＩ／Ｏ０となる。他のデータビットＩ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ７についても同様である。
　・・・（中略）・・・
　なお、この第３図に示す例において、ダブルセルを構成していないアドレスが選択された場合は、この第３図の「′」側のビット線に設けられたセンスアンプの出力はセルがオフ状態である場合に対応し、ＡＮＤゲートの入力にハイレベルの信号を送出するので、メモリセルの一部にダブルセル技術を使用したからといって特別な回路を付加する必要はない。」（第４頁右下欄第１７行〜第５頁左下欄第５行、及び第５、６、３図参照）
Ｅ．「第６図に示す例では、１本のワード線ＷＬｉに対し、２本のビット線ＢＬｋ、ＢＬｋ′及び２個のセンスアンプ１０８、１０９が設けられている。そして、ワード線ＷＬｉとビット線ＢＬｋとの交点にはセルＡが、ワード線ＷＬｉとビット線ＢＬｋ′との交点にはセルＢが設けられ、これらのセルＡ、Ｂにより１ビットが構成される。上記センスアンプ１０８、１０９の出力Ａ、Ｂはアンド（ＡＮＤ）ゲート１１０の入力に供給される。このＡＮＤゲート１１０の出力Ｃ＝Ａ・Ｂが最終的な出力となる。
　・・（中略）・・第６図に示す例によりセルの不良救済ができる理由を・・（中略）・・第８図に示した。ここで、セルがオンのときのこのセルの出力を０、オフのときの出力を１とした。」（第２頁右上欄第９行〜左下欄第３行、及び第６、８図参照）
　
　ここで、上記Ｄの記載において、第３図の実施例については、ＥＥＰＲＯＭからの読み出しについての説明はなされているものの、ＥＥＰＲＯＭへの書き込みについての説明はなされていない。しかしながら、上記Ｃの記載において、第１図の実施例については、第２図をも参照して、読み出しについてのみならず書き込みについての説明もなされており、第３図の実施例についても、当然、データ書込手段による書き込みは行われているというべきである。
　次に、上記Ｄの記載中に「この第３図に示す例において、ダブルセルを構成していないアドレスが選択された場合は」との記載があり、この記載から、第３図の実施例は、第３図に現れている部分は全てダブルセルを構成しているものの、ダブルセルを構成していないアドレスも存在するというべきであり、また、この記載は、読み出し時に関するものであるが、当然、書き込み時にも、ダブルセルを構成していないアドレスを選択して書き込んだり、逆に、ダブルセルを構成しているアドレスを選択して書き込んだりする動作を行っているものと解される。
　そして、上記Ａ、Ｂの記載から、ダブルセルを構成しているアドレスに書き込むデータは、頻繁に書き換えを行うものであり、ダブルセルを構成していないアドレスに書き込むデータは、頻繁に書き換えを行わないものであるということができる。すなわち、ダブルセルを構成しているアドレスという、全アドレスのうちの所定範囲内のアドレスに対しては、頻繁に書き換えを行うデータを書き込んでいるということができる。
　さらに、上記Ｅの記載から、第３図の実施例においては、データを読み出す際に、ダブルセルを構成しているアドレスに書き込まれた２つのデータを基にアンドゲートが１つの読出データを決定しているということができる。
　よって、上記Ａ〜Ｅの記載から、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、引用例記載の発明という。）
　頻繁に書き換えを行うデータと頻繁に書き換えを行わないデータとを混在して記憶するＥＥＰＲＯＭにおいて、
　書き込み時に選択したアドレスがダブルセルを構成しているアドレスという所定範囲内のものであったとき、頻繁に書き換えを行うデータをダブルセルに重複して書き込むデータ書込手段と、
　このデータ書込手段により前記ダブルセルに書き込まれたデータを読出し、これを基に、１つの読出データを決定するアンドゲート
とを具備するＥＥＰＲＯＭ。
　
３．対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、まず、引用例記載の発明における「頻繁に書き換えを行うデータ」、「頻繁に書き換えを行わないデータ」、「ＥＥＰＲＯＭ」、「ダブルセル」、「アンドゲート」は、本願発明における「書換頻度の高い高書換頻度データ」、「書換頻度の低い低書換頻度データ」、「電気的書換可能型不揮発メモリ」、「複数のメモリセル」、「読出データ決定手段」に相当する。
　そして、引用例記載の発明において、「書き込み時に選択したアドレスがダブルセルを構成しているアドレスという所定範囲内のものであったとき」ということは、本願発明において、「指定された書込アドレスが所定範囲内のものであったとき」ということに相当する。
　したがって、本願発明と引用例記載の発明とは、
　書換頻度の高い高書換頻度データと書換頻度の低い低書換頻度データとを混在して記憶する電気的書換可能型不揮発メモリにおいて、
　指定された書込アドレスが所定範囲内のものであったとき、高書換頻度データをそれぞれ複数のメモリセルに重複して書き込むデータ書込手段と、
　このデータ書込手段により前記複数のセルに書き込まれたデータを読出し、これを基に、１つの読出データを決定する読出データ決定手段
とを具備する電気的書換可能型不揮発メモリ
の点で一致し、次の点で相違する。
　相違点：「指定された書込アドレスが所定範囲内のものであった」ことを検出するために、本願発明においては、「指定された書込アドレスが所定範囲内のアドレスか否かを検出する書込アドレス検出手段」を備えるのに対し、引用例記載の発明においては、該検出手段に関する明示の記載がなく、また、「データ書込手段」が、本願発明においては、「書込アドレスが所定範囲内のものであったとき、書込対象データが高書換頻度データであると判定」する動作を行っているのに対し、引用例記載の発明においては、特にそのような動作をするとは記載されていない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討すると、引用例記載の発明において、ダブルセルを構成しているアドレスという所定範囲内のアドレスを選択する動作を行うときは、当然、送られてくるアドレスデータが所定範囲内の当該アドレスであることを検出しているのであり、この点において、「指定された書込アドレスが所定範囲内のアドレスか否かを検出する書込アドレス検出手段」を設けた本願発明との間に格別な差異があるとは認められない。
　また、引用例記載の発明において、ダブルセルを構成しているアドレスという所定範囲内のアドレスを選択したときに書き込まれるデータは、必然的に、頻繁に書き換えを行うデータ、すなわち、高書換頻度データとなるのであって、「書込アドレスが所定範囲内のものであったとき、書込対象データが高書換頻度データであると判定」することにおいて、本願発明と引用例記載の発明との間に格別な差異があるものとも認められない。
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用例記載の発明から当業者ならば容易に予測することができる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。