【事件の表示】
　平成　７年特許願第１２５８９９号「転写マスク」拒絶査定に対する審判事件〔平成　８年１１月１２日出願公開、特開平　８−２９７３６１、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．本願は、平成７年４月２６日の出願であって、
原審において、拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年３月２１日に手続補正書が提出され、その後、拒絶査定がなされ、その後、拒絶査定不服の審判請求がなされ、審判請求時に、平成１２年７月２４日付け手続補正書が提出されたものである。
　その発明は、平成１２年７月２４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、請求項１〜６に記載された次のとおりのものである。
請求項１
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、
　少なくとも、転写マスク表面上に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）Ｎｂ（ニオブ）のうちから選ばれる一以上の金属と、イリジウムとを含むイリジウム合金層（ただし、タングステン、タンタル、モリブデン、白金のうちから選ばれる金属と、イリジウムとを含むイリジウム合金層は除く）を設けたことを特徴とする電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスク。」
請求項２
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、
　少なくとも、転写マスク表面上にタングステン層／イリジウム合金層もしくはイリジウム合金層／タングステン層／イリジウム合金層からなる積層層、またはタンタル層／イリジウム合金層もしくはイリジウム合金層／タンタル層／イリジウム合金層からなる積層層（ただし、前記イリジウム合金層は、タングステン、タンタル、モリブデン、白金のうちから選ばれる金属と、イリジウムとを含むイリジウム合金層は除く、イリジウム合金層とする）を設けたことを特徴とする電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスク。」
請求項３
「前記イリジウム合金層または積層層を、転写マスクの側面および／または裏面側にも形成したことを特徴とする請求項１または２記載の電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスク。」
請求項４
「前記イリジウム合金層が、
　（１）イリジウムと、前記イリジウム以外の合金成分との金属間化合物（この金属間化合物には、ホウ素、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、アンチモン、セレンなどの非金属を含む場合や侵入型化合物も含まれる）（ただし、イリジウムと、タングステン、タンタル、モリブデン、白金のうちから選ばれる金属との金属間化合物は除く）、
　（２）イリジウム合金成分を含む化合物層、
　（３）Ａｕ−Ｓｎ合金を含むイリジウム合金層、
　（４）基板界面がタンタル（Ｔａ）および窒素（Ｎ）を含むイリジウム合金系化合物であり、堆積が進むにつれて合金成分および窒素がゼロになるように傾斜的に形成したイリジウム合金系化合物層、または、
　（５）基板界面がイリジウム合金であり堆積が進むにつれて合金成分がゼロになるような傾斜的な構造のイリジウム合金層であることを特徴とする請求項１ないし３記載の電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスク。
請求項５
「前記支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクが、シリコン基板、ＳＯＩ基板またはＳＩＭＯＸ基板をエッチング加工して形成したものである請求項１ないし４記載の電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスク。」
請求項６
「請求項１ないし５記載の転写マスクが、支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクを形成後、薄膜形成法によってイリジウム合金層または積層層を形成したもの、あるいは開口形成前の基板上にイリジウム合金層または積層層を形成した後、開口を形成したものであることを特徴とする電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスク。」
２．原審の拒絶査定で引用した引用例
２．１　原審の拒絶査定で引用した、特許法第２９条第２項に関する引用例
２．１．１　特開平４−７１１号公報（以下、「引用例１」という。）
２．１．２　特開平２−１２３７３０号公報（以下、「引用例２」という。）
２．２　原審の拒絶査定で引用した、特許法第３９条第１項に関する引用例
　特願平７−６６９１１号（特開平８−２４０９０３号公報）（以下、「先願１」という。）
２．３　引用例に記載された発明の内容
２．３．１　引用例１に記載された発明の内容
　引用例１には、Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体パターンを設けたＸ線マスクにおいて、Ｘ線吸収体パターン１３としてＷ、Ｔａ及びＨｆの少なくとも１つと、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕの少なくとも１つとを含む合金とからなることを特徴とし、これによって、Ｘ線マスク特有の課題（膜応力の低減やＸ線吸収係数の向上など）に対処することが開示されている。
　また、引用例１には、支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成」した構成が記載されていない。
２．３．２　引用例２に記載された発明の内容
　引用例２には、放射線露光用マスクにおいて、放射線吸収体パターンを構成する材料は、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒのうちより選択される少なくとも２種の元素を含む合金で構成されるものであって、実施例において、放射線露光用マスクとして、Ｘ線吸収パターンのみが例示され、上記放射線は、電子線を含む旨の記載及び当該記載の示唆がされていない。
　また、引用例２には、支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成」した構成が記載されていない。
２．３．３　先願１に記載された発明の内容
　請求項２には、「支持枠部に支持された薄膜部に開口を貫通孔を形成してなる転写マスクであって、
　少なくとも、転写マスク表面上にタングステン層／イリジウム合金層もしくはイリジウム合金層／タングステン層／イリジウム合金層からなる積層層、またはタンタル層／イリジウム合金層もしくはイリジウム合金層／タンタル層／イリジウム合金層からなる積層層を設けたことを特徴とする転写マスク。」と記載され、引用例３の【００２２】段落には、「イリジウムは、・・・電子ビームを照射した際の・・・電子の侵入深さ・・・を小さくすることができる。イリウジウム層は、・・・イリウジウムを含む合金層（例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、白金、オスミウム等などの金属との合金、あるいはこれらの金属との金属間化合物等）であってもよい。」と記載されている。
３．対比、判断
３．１　本願請求項１に係る発明と引用例１との対比
　本願請求項１に係る発明と引用例１に記載された発明とを比較すると、両者は「支持枠部に支持された転写マスクであって、
　少なくとも、転写マスク表面上に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）Ｎｂ（ニオブ）のうちから選ばれる一以上の金属と、イリジウムとを含むイリジウム合金層（ただし、タングステン、タンタル、モリブデン、白金のうちから選ばれる金属と、イリジウムとを含むイリジウム合金層は除く）を設けた転写マスク」において一致し、本願請求項１に係る発明は、電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスクであるのに対し、引用例１に記載された発明は、Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体パターンを設けたＸ線マスクである点において相違し、また、本願請求項１に係る発明は、支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成した構成を有するのに対し、引用例１に記載された発明は当該構成を有していない点で相違する。
　上記相違点について検討すると、本願請求項１に係る発明は、電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスクであることによって、
「従来シリコンマスク表面に設けられていたＡｕ、Ｗ、Ｐｔ等の金属層が下記（イ）〜（チ）の要求特性をすべて満たすことが困難であったのに対し（解決課題）、下記（イ）〜（チ）の要求特性をすべて満たすことを可能にしたという顕著な効果を有する（本願明細書段落番号「０００６」〜「００１１」、「００９９」）。
　（イ）シリコンマスク表面の電子線照射に対する耐久性向上、発熱によるマスクの熱歪み防止　　（ロ）シリコンとの線膨脹係数の差異を小さくし、マスクの歪みを抑制
　（ハ）電子線照射によるシリコンへの金属拡散の防止
　（ニ）マスクの安定性、耐薬品性向上
　（ホ）適度な熱伝導性
　（へ）エッチング加工性が容易で優れた開口精度が得られる
　（ト）帯電（チャージアップ）によるビームずれの防止
　（チ）電子線散乱効果によるビームコントラストの向上」（審判請求書）
というものであるのに対し、引用例１に記載された発明は、電荷を有しないＸ線のマスクであるから、引用例１に記載された発明は、上記本願請求項１に係る発明の課題及び効果を有しておらず、また、引用例１には本願請求項１に係る発明の課題及び効果の示唆の記載もされていない。
  また、本願請求項１に係る発明の「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成」した構成は、電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスクであることに必然的に伴うのに対し、引用例１に記載された発明は、Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体パターンを設けたＸ線マスクには開口を形成する必要はない点について考慮すると、Ｘ線マスクの電子線露光又はイオンビーム露光に用いられる転写マスクへの転用は、特開昭６１−２６３６３６号公報（第４頁右上欄第３行〜左下欄第８行）にみられるように当業者が容易に想到できたものではない。
　そうすると、本願請求項１に係る発明は、その目的が相違し、かつ適用阻害要因を有する引用例１に記載された発明に基づいて容易に発明できたとはいえない。
３．２　本願請求項１に係る発明と引用例２との対比
　本願請求項１に係る発明と引用例２に記載された発明とを比較すると、両者の一致点及び相違点は、上記引用例１と同様であるから、本願請求項１に係る発明は、その目的が相違し、かつ適用阻害要因を有する引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明できたとはいえない。
３．２　本願請求項１に係る発明を引用する本願請求項３〜６に係る発明と引用例１及び２との対比
　本願請求項１に係る発明を引用する本願請求項３〜６に係る発明は、上記３．１及び３．２と同様に本願請求項１に係る発明を引用する本願請求項３〜６に係る発明は、その目的が相違し、かつ適用阻害要因を有する引用例１及び２に記載された発明に基づいて容易に発明できたとはいえない。
３．３　本願請求項２に係る発明と先願１との対比
　本願請求項２に係る発明は、平成１２年７月２４日付け手続補正書により補正され、先願１とは同一発明ではなくなった。
４．むすび
　本願請求項１に係る発明及び本願請求項１に係る発明を引用する本願請求項３〜６に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原査定は妥当ではない。
　また、本願請求項２に係る発明は特許法第３９条第１項の規定により特許を受けることができないとした原査定は妥当ではない。
 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　よって、結論のとおり審決する。