【事件の表示】
　特願２０１１−　８２８８５「スパッタリングターゲットとそれを用いたＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜および電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月１５日出願公開、特開２０１１−１７９１２３、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯と本願発明
　本願は、平成１３年８月２８日に出願した特願２００１−２５７７６３号の一部を平成２３年４月４日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年４月２２日付けの拒絶理由が通知され、同年７月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月１２日付けで拒絶査定がされたので、同年１０月２３日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　本願発明は、平成２５年７月１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、請求項１〜６に記載された特許を受けようとする発明を、項番に従い、「本願発明１」、「本願発明２」などといい、これらをまとめて「本願発明」という。またその明細書を「本願明細書」という。）。
「　【請求項１】
　Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金の溶解材からなるスパッタリングターゲットであって、
　前記ターゲットのＺｒ含有量およびＨｆ含有量がそれぞれ１００ｐｐｂ以下であり、かつターゲット全体としての前記Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量のばらつきがそれぞれ２０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
　　【請求項２】
　請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
　　【請求項３】
　請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットを用いて、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ膜を成膜することを特徴とするＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜の製造方法。
　　【請求項４】
　請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットを用いて、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ膜を成膜する工程を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
　　【請求項５】
　請求項４記載の電子部品の製造方法において、前記Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ膜は拡散防止層であることを特徴とする電子部品の製造方法。
　　【請求項６】
　請求項４または請求項５記載の電子部品の製造方法において、前記電子部品は半導体メモリであることを特徴とする電子部品の製造方法。」
　　　　　　　
第２　原査定の拒絶理由の概要
  この出願の請求項１〜６に係る発明は、その出願前に日本国内において、頒布された下記の刊行物１〜３に記載された発明であるか、あるいは、該記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号あるいは同条第２項の規定により特許を受けることができない。
刊行物
　１　特開２０００−２７３６２３号公報
　２　特開２０００−３２８２４２号公報
　３　特開２０００−１００７５５号公報
　　　　　　　　
第３　当審の判断
１　刊行物の記載事項
（１）　刊行物１について
ア　刊行物１の記載事項
　刊行物１には、次の記載がある。
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ａｌ５〜６５ｗｔ％を含有するＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットであって、Ｕ、Ｔｈ等のそれぞれの放射性元素の含有量が０．００１ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ等のそれぞれのアルカリ金属の含有量が０．１ｐｐｍ以下、遷移金属であるＦｅ１０．０ｐｐｍ以下、Ｎｉ５．０ｐｐｍ以下、Ｃｏ２．０ｐｐｍ以下、Ｃｒの含有量が２．０ｐｐｍ以下であり、その他の不純物を含め９９．９９５％以上の純度を有することを特徴とするＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット。」
（イ）「【０００８】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は、上記の諸問題点の解決、特に積層薄膜を構成する物質の相互拡散により発生する汚染防止のためのバリヤー膜としての機能を効果的に発揮するとともに、このバリヤー膜から発生する汚染物質または影響を極力低減させ、緻密な膜を形成することができるＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを提供することを目的としたものである。」
（ウ）「【００１０】本発明のスパッタリングターゲットは・・・成分調整したＴｉ−Ａｌ合金を、真空アーク溶解、プラズマ溶解、電子ビーム溶解、水冷銅るつぼを使用した誘導溶解等により均一に溶解、鋳造して作製する。・・・。」
（エ）「【００１４】ＴｉＡｌＮバリヤ膜としてはＡｌ５〜６５ｗｔ％が必要であり、Ｕ、Ｔｈ等のそれぞれの放射性元素の含有量を０．００１ｐｐｍ以下とする。０．００１ｐｐｍを超えると、放射性元素による放射線のＭＯＳへの影響がでるので好ましくない。また、Ｎａ、Ｋ等のそれぞれのアルカリ金属含有量を０．１ｐｐｍ以下とする。この量を超えると、バリヤ膜からのアルカリ金属の影響を受け、例えばゲート絶縁膜中を移動するアルカリ金属によるＭＯＳ界面特性の劣化が無視できないものとなる。さらに、遷移金属または高融点金属であるＦｅを１０．０ｐｐｍ以下、Ｎｉを５．０ｐｐｍ以下、Ｃｏを２．０ｐｐｍ以下、Ｃｒの含有量を２．０ｐｐｍ以下とする。これによって、界面準位の発生や接合リークを効果的に抑制することができる。そして、その他の不純物を含め９９．９９５％以上の純度を有するように成分調整したＴｉ−Ａｌ合金ターゲットとする。これによって、バリヤー膜から発生する汚染物質または影響を極力低減させることができるとともに、バリヤー膜として有効に機能する緻密な膜を形成することができる。」
　　　
イ　刊行物１に記載された発明
　記載事項（イ）によれば、刊行物１には、バリヤ膜を形成するためのＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットに関する発明が記載されており、同（ア）によれば、このターゲットは、Ａｌを５〜６５ｗｔ％含有し、不純物としてのＵ、Ｔｈ等の放射性元素の含有量を０．００１ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属含有量を０．１ｐｐｍ以下、Ｆｅを１０．０ｐｐｍ以下、Ｎｉを５．０ｐｐｍ以下、Ｃｏを２．０ｐｐｍ以下、Ｃｒを２．０ｐｐｍ以下含有するものであり、その他の不純物を含め９９．９５％以上の純度を有するもので、同（ウ）によれば、該ターゲットは成分調整されたＴｉ−Ａｌ合金を溶解・鋳造して製造される。
　そして、同（エ）によれば、これらの不純物の含有量が特定値以下であることにより、形成されたバリヤ層が発生する放射線や汚染物質の影響を少なくし、バリヤ特性が優れたバリヤ層を形成できる。
　したがって、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「溶解・鋳造により製造され、Ａｌを５〜６５ｗｔ％含有し、放射性元素の含有量を０．００１ｐｐｍ以下、アルカリ金属含有量を０．１ｐｐｍ以下、及びＦｅを１０．０ｐｐｍ以下、Ｎｉを５．０ｐｐｍ以下、Ｃｏを２．０ｐｐｍ以下、Ｃｒを２．０ｐｐｍ以下で含有するＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット。」
　　　　　　
（２）刊行物２について
ア　刊行物２の記載事項
　同じく、刊行物２には、次の事項が記載されている。
（カ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ａｌを１５〜４０原子％含有し、残部が実質的にＴｉからなるＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットであって、Ｔｉ3Ａｌ 金属間化合物の面積率が30％以上である金属組織を有し、かつ、径が０．１mm 以上の欠陥が１０個／１００cm2以下であることを特徴とするＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット。
・・・
【請求項３】  酸素濃度が２００質量ppm 以下であり、炭素、窒素及び水素の濃度が合計で１００質量ppm 以下である請求項１又は２記載のＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット。
【請求項４】  ＴｉおよびＡｌ原料を不活性ガス雰囲気で溶解した後、該溶解により得られた溶湯を１×１０−２Torr超の真空雰囲気にて鋳造し、該鋳造により得られたインゴットを型枠に装填し、１２７３〜１５７３Ｋの温度において歪み速度を５mm／分以下にして総圧下率が３０％超となるように加工することを特徴とする請求項１、２又は３記載のＴｉ−Ａｌ 合金スパッタリングターゲットの製造方法。」
（キ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する技術分野に属し、特には、ＬＳＩやＦｅＲＡＭ等に代表される多層薄膜構造を有する電子デバイス装置の製造、中でもスパッタリングによる拡散防止層の形成に用いられるＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する技術分野に属する。
・・・・
【０００７】
  上述したＴｉ−Ａｌ合金ターゲットには、素子特性の劣化原因やダストの発生原因などとなる不純物量を低減することが求められることから、高純度材が得られやすい溶解法が主に用いられている。」
（ク）「【００２９】本発明に係るＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて酸素濃度が ２００質量ppm 以下であり、炭素、窒素及び水素の濃度が合計で １００質量ppm 以下である場合には、ガス穴や化合物相（酸化物等）等の欠陥が極めて少なく、このためアーキングやパーティクル、スプラッシュ等のスパッタ不良がより確実に発生し難くなる（第３発明）。」
（ケ）「【００３５】これらに対し、本発明に係るＴｉ−Ａｌ合金ターゲットの製造方法（第４発明及び第５発明）においては、第４発明の場合も第５発明の場合も、Ｔｉ−Ａｌ合金インゴットを得る際に、一旦Ｔｉ及びＡｌ原料を不活性ガス雰囲気で溶解するものの、この後、該溶解により得られた溶湯を１×１０−２Torr超という高真空度の真空雰囲気にて鋳造して、インゴットを得るようにしている。従って、前記溶解後鋳造前に溶湯を真空雰囲気にさらすことができ、それにより溶湯中の酸素、炭素、窒素及び水素等のガス成分を除去し得、ひいてはガス穴や化合物相（酸化物等）等の欠陥が少ないインゴットを得ることができる。・・・。」
（コ）「【００４８】（実施例１〜９）純度４ＮのＡｌ原料および純度５ＮのＴｉ原料を不活性ガス雰囲気で溶解した後、該溶解により得られた溶湯を１×１０−２Torr超の真空雰囲気にて鋳造して、実施例１〜９に係るTi-Al 合金インゴットを得た。」
　　　
イ　刊行物２に記載された発明
　記載事項（キ）によれば、刊行物２には、不純物量を低減したＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する発明が記載されており、該スパッタリングターゲットは、同（カ）によれば、 Ａｌを１５〜４０原子％含有し（【請求項１」】）、Ｔｉ及びＡｌ原料の溶解・鋳造により製造され（【請求項４】）、不純物として、酸素濃度が２００質量ppm 以下であり、炭素、窒素及び水素の濃度が合計で１００質量ppm 以下のもの（【請求項３】）である。
　したがって、刊行物２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「Ａｌを１５〜４０原子％含有し、Ｔｉ及びＡｌ原料の溶解・鋳造により製造され、不純物としての酸素濃度が２００質量ppm 以下であり、炭素、窒素及び水素の濃度が合計で１００質量ppm 以下であるＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット。」
　　　　　
（３）刊行物３について
ア　刊行物３の記載事項
　同じく、刊行物３には、次の事項が記載されている。
（サ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｏ：１５〜９００ｐｐｍを含有することを特徴とする半導体装置のバリア膜形成用Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット。
【請求項２】  重量％でＡｌ：１〜３０％、Ｏ：１５〜９００ｐｐｍを含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体装置のバリア膜形成用Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット。」
（シ）「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】・・・この発明は、窒素含有雰囲気中でスパッタして（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜を形成しても、粗大パーティクルが発生することの少ないＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、窒素含有雰囲気中でスパッタして（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜を形成する際の粗大パーティクルの発生を抑制する研究を行なっていたところ、（ａ）・・・、（ｂ）重量％でＡｌ：１〜３０％（好ましくは３〜１８％）を含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなる組成を有するＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、酸素含有量を１５〜９００ｐｐｍの範囲に抑えたＴｉ−Ａｌ合金ターゲットを用いて窒素含有雰囲気中でスパッタすると、パーティクルの発生を一層少なくすることができ、また得られた（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜は半導体装置の酸素拡散防止用バリヤ膜として優れたものとなる、という研究結果が得られたのである。」
（ス）「【０００６】この発明のＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットは、高純度のＡｌを１〜３０％、残部を高純度のＴｉとなるように配合し、この配合原料をインダクションスカル溶解炉を用いて通常より低い２×１０-4〜２×１０-3Ｔｏｒｒの高真空雰囲気中で溶解し、同じ真空雰囲気中で鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを１０００〜１２００℃の範囲内の所定の温度で熱間加工することにより製造する。」
（セ）「【００１０】
【発明の実施の形態】原料粉末として、純度：９９．９９％以上の高純度Ｔｉおよび純度：９９．９９％以上の高純度Ａｌを用意し、これら高純度Ｔｉおよび高純度Ａｌを表１に示される真空雰囲気中でインダクションスカル炉にて溶解し鋳造することにより表１に示される組成を有し、直径：２００ｍｍ、厚さ：２００ｍｍの寸法を有するインゴットを作製した。」
　　　
イ　刊行物３に記載された発明
　記載事項（サ）によれば、刊行物３には、 重量％でＡｌを１〜３０％含有するＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットに関する発明が記載されている。そして、同（シ）によれば、酸素含有量を抑制することにより、スパッタリング中のパーティクルの発生を抑え、優れた特性の酸素拡散防止用バリヤ膜を形成することができるので、ターゲット中の酸素は不純物であり、この発明はターゲット中に不純物としての酸素を１５〜９００ｐｐｍ含有すると規定するものである。
　また、その製造方法は、同（ス）（セ）によれば、４Ｎ以上のＴｉ及びＡｌを原料として用い、真空雰囲気中で溶解・鋳造することにより製造されている。
　したがって、刊行物３には、次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。
「重量％でＡｌを１〜３０％含有し、溶解・鋳造により製造され、不純物として酸素を１５〜９００ｐｐｍ含有するＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット。」
　　　　　　　
２　対比と判断
（１）引用発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　引用発明１におけるＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットのＡｌ含有量は、５〜６５ｗｔ％であるが、該ターゲットの残部はＴｉであるとして原子比に換算すると８．８〜７６．８原子％であり、このため、本願発明１におけるＡｌ含有量である５〜５０原子％を包含する。
　また、引用発明１では、成分調整したＴｉ−Ａｌ合金を溶解・鋳造して製造しているので、製造されたＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットは「溶解材」であるといえ、本願発明１におけるスパッタリングターゲットと共通する。
  とすると、本願発明１と引用発明１とは、「Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金の溶解材からなるスパッタリングターゲット」に関する発明である点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明１では、「ターゲットのＺｒ含有量およびＨｆ含有量がそれぞれ１００ｐｐｂ以下であり、かつターゲット全体としての前記Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量のばらつきがそれぞれ２０％以下である」（以下、「ターゲットのＺｒ含有量、Ｈｆ含有量及びそのばらつきが特定値以下」と言い換えることもある。）のに対し、引用発明１では、Ｚｒ、Ｈｆの含有量及びそのばらつきがどの程度か明らかではない点（以下、「相違点１」という。）。
　　　　
イ　判断
ａ　新規性要件について
　相違点１に係る構成が刊行物１に記載されているといえるかに関し、刊行物１には、ターゲットのＺｒ含有量、Ｈｆ含有量及びそのばらつきが特定値以下である点について明示の記載はない。そこで、これについての実質的な記載があるか、すなわち、記載事項（ア）によれば、引用発明１のターゲットは、その他の不純物を含め９９．９９５％以上の純度を有するとされているが、ターゲットの製造方法からみて、その他の不純物としてＺｒ含有量、Ｈｆ含有量及びそのばらつきが特定値以下であるといえるかを検討する。
　これに関し、同（ウ）によれば、引用発明１のターゲットの製造は溶解法により行われるが、その溶解手段として電子ビーム溶解、すなわちＥＢ溶解が記載されている。
　そして、本願明細書の段落【００５６】の記載によれば、４Ｎ以上のＴｉ材を用意しＥＢ溶解を３回以上繰り返すことで、Ｔｉ材中のＺｒ及びＨｆ含有量を所定値以下にすることができるとし、同段落【0104】の【表６】には、ＥＢ回数を６回以上とすることで、所定のＺｒ及びＨｆ量とすることができることが確認できる。
　しかし、引用発明１においては、ＥＢ溶解は、記載事項（ウ）によればいくつかの溶解方法の１つとして記載されているに過ぎず、また、溶解を複数回繰り返すことについては記載も示唆もされていない。
　したがって、製造方法に着目したとしても、ターゲットのＺｒ含有量、Ｈｆ含有量及びそのばらつきを特定値以下とすることは、刊行物１に実質的に記載されているとすることはできない。
　したがって、相違点１に係る構成が刊行物１に実質的に記載されているとすることはできないので、本願発明１と引用発明１は、上記相違点１の構成で相違する。このため、本願発明１は、刊行物１に記載された発明とすることはできない。
　　　　
ｂ　進歩性要件について
　次に、相違点１に係る構成に想到することが、当業者が容易になし得るかを検討する。
　本願発明１は、溶解法でＴｉ−Ａｌ合金ターゲットを作製する際に、熱間加工時に発生する合金材のクラックやカケの発生を抑えて製造歩留まりを高めることを課題とし（本願明細書の段落【０００９】、【００１４】）、これを解決する手段として、ターゲットのＺｒ含有量、Ｈｆ含有量及びそのばらつきを特定値以下とするものである（以下、「本願発明１の課題及び解決手段」という。）から、ターゲット作製時の課題に着目した発明である。
　これに対し、刊行物１には、ターゲット中のＺｒ、Ｈｆ含有量を所定値以下にすることについて記載されていない。むしろ、引用発明１では、記載事項（イ）（エ）によれば、該ターゲットにより製造したバリヤ膜から発生する汚染物質が、該バリヤ膜を有する電子部品に対して及ぼす影響を極力低減させることを目的としているから、ターゲットから作製されたバリヤ膜が有する課題に着目している。
　このため、ターゲットの製造歩留まりの向上を目的として、ターゲットのＺｒ含有量、Ｈｆ含有量及びそのばらつきを低減することについて、刊行物１には示唆するところはないといえる。
　そして、本願発明１は、該解決手段を採用することにより、ターゲットのワレ・カケを抑えて製造歩留まりを向上するという顕著な効果を達成するものであり（段落【０１０４】の【表１】）、このことは、引用発明１から予測できない効果であるといえる。
　したがって、本願発明１は、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をなしえたものとすることはできない。
　　　　　
ウ　小括
　以上のとおりであるので、本願発明１は、刊行物１に記載された発明ではなく、引用発明１に基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。また、本願発明２〜６は、本願発明の特定事項を全て有し、さらに本願発明１の特定事項を限定・具体化したものであるので、同様の理由から、刊行物１に記載された発明であるとも、また、引用発明１に基づいて当業者が容易に想到しえた発明であるとすることもできない。
　　　　
（２）引用発明２について
ア　対比
　本願発明１と引用発明２とを対比する。
　引用発明２におけるＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットは、Ａｌを１５〜４０原子％含有するが、これは、本願発明１におけるＡｌ含有量である５〜５０原子％に包含される。
　また、引用発明２では、Ｔｉ及びＡｌ原料を溶解・鋳造することにより製造されているので、製造されたＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットは「溶解材」であるといえ、本願発明１におけるスパッタリングターゲットと共通する。
　このため、本願発明１と引用発明２とは、「Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金の溶解材からなるスパッタリングターゲット」に関する発明である点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明１では、「ターゲットのＺｒ含有量およびＨｆ含有量がそれぞれ１００ｐｐｂ以下であり、かつターゲット全体としての前記Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量のばらつきがそれぞれ２０％以下である」が、引用発明２では、Ｚｒ、Ｈｆの含有量及びそのばらつきがどの程度であるか明らかではない点（以下、「相違点２」という。）。
　　　　　
イ　判断
ａ　新規性要件について
　相違点２に係る構成が刊行物に記載されているといえるかに関し、刊行物２には、ターゲットのＺｒ含有量、Ｈｆ含有量及びそのばらつきが特定値以下である点について、明示の記載はない。そこで、この点について、刊行物２に実質的な記載があるかを検討する。
　これに関し、引用発明２は、酸素濃度が２００質量ppm 以下であり、炭素、窒素及び水素の濃度が合計で１００質量ppm 以下にするものであるが、これは、記載事項（ケ）によれば、溶解により得られた溶湯を真空雰囲気にさらすことでガス成分を除去することによりなされる。また、同（コ）によれば、原料として純度４ＮのＡｌ原料と純度５ＮのＴｉ原料を使用しており、本願発明１におけると同様の高純度の原料を使用している。
　しかし、本願発明１のＺｒ及びＨｆの除去手段として、その実施例で採用されている複数回のＥＢ処理が行われていないので、引用発明２において、実質的にＺｒ及びＨｆ含有量が１００ｐｐｂ以下となっているとすることはできない。
　したがって、相違点２に係る構成が刊行物２に実質的に記載されているとすることはできないので、本願発明１と引用発明２は、上記相違点２の構成で相違する。このため、本願発明１は、刊行物２に記載された発明とすることはできない。
　　　　　
ｂ　進歩性要件について
　次に、相違点２に係る構成に想到することが、当業者が容易になし得るかを検討する。
　引用発明２において酸素濃度が２００質量ppm 以下であり、炭素、窒素及び水素の濃度が合計で１００質量ppm 以下にするのは、記載事項（ク）によれば、ターゲットのガス穴や化合物相等の欠陥の発生を抑え、もってスパッタ不良の発生を抑制するところにあり、上記（１）、イ、ｂで検討した本願発明１の解決する課題と解決手段については、刊行物２には記載も示唆もない。
　そして、本願発明１は、該解決手段を採用することにより、ターゲットのワレ・カケを抑えて製造歩留まりを向上するという顕著な効果を達成するものであり（段落【０１０４】の【表１】）、このことは、引用発明２から予測できない効果であるといえる。
　したがって、本願発明１は、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をなしえたものとすることはできない。
　　　　　
ウ　小括
　以上のとおりであるので、本願発明１は、刊行物２に記載された発明ではなく、引用発明２に基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。また、本願発明２〜６は、本願発明の特定事項を全て有し、さらに本願発明１の特定事項を限定・具体化したものであるので、同様の理由から、刊行物２に記載された発明であるとも、また、引用発明２に基づいて当業者が容易に想到しえた発明であるとすることもできない。
　　　　　　　
（３）引用発明３について
ア　対比
　本願発明１と引用発明３とを対比する。
　引用発明３におけるＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットは、Ａｌを１〜３０重量％含有するが、これは、残部がＴｉからなるとして原子比に換算すると、Ａｌ含有量は１．９〜４３．２原子％であり、このため、本願発明１におけるＡｌ含有量である５〜５０原子％に包含される。
　また、引用発明３では、高純度のＴｉ及びＡｌを溶解・鋳造して製造しているので、製造されたＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットは「溶解材」であるといえるので、本願発明１におけるスパッタリングターゲットと共通する。
  とすると、本願発明１と引用発明３とは、「Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金の溶解材からなるスパッタリングターゲット」に関する発明である点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明１では、「ターゲットのＺｒ含有量およびＨｆ含有量がそれぞれ１００ｐｐｂ以下であり、かつターゲット全体としての前記Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量のばらつきがそれぞれ２０％以下である」のに対し、引用発明３では、Ｚｒ、Ｈｆの含有量及びそのばらつきがどの程度か明らかではない点（以下、「相違点３」という。）。
　　　　　
イ　判断
ａ　新規性要件について
　相違点３に係る構成が刊行物３に記載されているかに関し、刊行物３には、ターゲットのＺｒ含有量、Ｈｆ含有量及びそのばらつきが特定値以下である点について、明示の記載はない。そこで、この点について、刊行物３に実質的な記載があるかを検討する。
　これに関し、引用発明３は、不純物としての酸素を１５〜９００ｐｐｍ含有するスパッタリングターゲットに関するものであるが、記載事項（ス）によれば、配合原料をインダクションスカル溶解炉を用いて通常より低い２×１０-4〜２×１０-3Ｔｏｒｒの高真空雰囲気中で溶解し、同じ真空雰囲気中で鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを１０００〜１２００℃の範囲内の所定の温度で熱間加工することで、酸素含有量を特定値以下としている。また、同（セ）によれば、Ｔｉ原料として４Ｎ以上の高純度Ｔｉ及び高純度Ａｌを使用しており、本願発明１におけると同様の高純度の原料を使用している。
　しかし、本願発明１でＺｒ及びＨｆの除去手段として、その実施例で採用されている複数回のＥＢ処理が行われていないので、引用発明３において、実質的にＺｒ及びＨｆ含有量が１００ｐｐｂ以下となっているとすることはできない。また、本願発明においてＺｒやＨｆの含有量のばらつきを制御するために所定の熱処理温度と保持時間で熱間加工することについては、刊行物３には記載されていない。
　したがって、相違点３に係る構成が刊行物３に実質的に記載されているとすることはできないので、本願発明１と引用発明３は、上記相違点３の構成で相違する。このため、本願発明１は、刊行物３に記載された発明とすることはできない。
　　　　
ｂ　進歩性要件について
　次に、相違点３に係る構成に想到することが、当業者が容易になし得るかを検討する。
　引用発明３は、同（シ）によれば、窒素雰囲気中でスパッタしても粗大パーティクルが発生することの少ないＴｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを提供することを目的としており、上記した本願発明１の解決する課題と解決手段について、刊行物３には記載も示唆もない。
　そして、本願発明１は、該解決手段を採用することにより、ターゲットのワレ・カケを抑えて製造歩留まりを向上するという顕著な効果を達成するものであり（段落【０１０４】の【表１】）、このことは、引用発明３から予測できない効果であるといえる。
　したがって、本願発明１は、引用発明３に基づいて当業者が容易に発明をなしえたものとすることはできない。
　　　　　
ウ　小括
　以上のとおりであるので、本願発明１は、刊行物３に記載された発明ではなく、引用発明３に基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。また、本願発明２〜６は、本願発明の特定事項を全て有し、さらに本願発明１の特定事項を限定・具体化したものであるので、同様の理由から、刊行物３に記載された発明であるとも、また、引用発明３に基づいて当業者が容易に想到しえた発明であるとすることもできない。
　　　　　
第４　まとめ
　本願発明１〜６は、刊行物１〜３に記載された発明とすることはできず、また、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることもできないので、本願については、原査定の拒絶理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する