(57)【要約】【課題】フレキシブルディスプレイの製造において、基板からの剥離不良を抑制する。【解決手段】表示装置の製造方法であって、基板と前記基板上に形成された表示領域を有する基材とを含む積層体に、前記表示領域を囲み、前記基材を厚み方向に貫通する貫通溝を形成すること、前記積層体にレーザー光を照射して、前記基材から前記基板を剥離すること、をこの順で含み、前記レーザー光の照射に際し、前記積層体の端部と重なり且つ前記表示領域とは重ならない領域に、前記レーザー光を遮光する遮光部を形成し、前記遮光部よりも前記表示領域側に前記貫通溝を配置する。【選択図】図５Ｂ
2018160314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板上に形成された表示領域を有する基材とを含む積層体に、前記表示領域を囲み、前記基材を厚み方向に貫通する貫通溝を形成すること、
前記積層体にレーザー光を照射して、前記基材から前記基板を剥離すること、をこの順で含み、
前記レーザー光の照射に際し、前記積層体の端部と重なり且つ前記表示領域とは重ならない領域に、前記レーザー光を遮光する遮光部を形成し、前記遮光部よりも前記表示領域側に前記貫通溝を配置する、
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記積層体の前記端部を覆うようにマスクを配置して前記遮光部を形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記積層体の前記基板側から前記レーザー光を照射する、請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、前記レーザー光が照射される主面を有し、
前記主面の端部を含む、前記主面の外周全体に、前記遮光部を枠状に形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記基材は部品を接着材料によって接合する接合部を有し、
前記接合部から前記表示領域とは反対側に離間した位置に、前記貫通溝を形成する、請求項１から４のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記基材の前記基板とは反対側に、回路層と、下部電極と上部電極とに挟持される有機材料層と、前記表示領域を覆う封止層とをこの順に形成した後に、前記貫通溝を形成する、請求項１から５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板はガラス基板である、請求項１から６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記基材はポリイミドを含み、可撓性を有する、請求項１から７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記遮光部は金属からなる、請求項１から８のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
支持基板の上に樹脂を含む基材を形成する基材形成工程と、
前記基材の上に、複数の画素を備える表示領域を形成する表示領域形成工程と、
前記基材の前記表示領域の外側に、前記基材を貫通し、前記支持基板の前記基材と接する第１主面の一部を露出する貫通溝を形成する貫通溝形成工程と、
前記支持基板の前記第１主面とは反対側の第２主面に、前記第２主面の端部と重なり且つ前記表示領域とは重ならない遮光部を配置する遮光部配置工程と、
前記第２主面へレーザー光を照射し、前記基材と前記支持基板とを剥離する剥離工程と、を有する表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記遮光部は、前記貫通溝とは重ならない、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記遮光部は前記レーザー光を遮光し、
前記レーザー光は、前記第２主面の前記端部へ照射されない、請求項１０または請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基材は、前記貫通溝よりも前記表示領域の側に位置する第１の部分と、前記貫通溝よりも前記表示領域とは反対の側に位置する第２の部分と、を有し、
前記剥離工程は、前記第１の部分と前記支持基板とを剥離する、請求項１０から１２のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記貫通溝は、線状の部分を含み、
前記第１の部分は、前記線状の部分と対向する第１端部と、前記第１端部に含まれ且つ前記線状の部分に沿った第１辺とを備え、
前記第１端部に、接着材料を介してフレキシブルプリント基板を接着する接着工程を有し、
前記接着層の前記線状の部分の側に位置する端部と、前記第１辺とは、互いに離間している、請求項１０から１３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記遮光部は枠状であり、
前記貫通溝は、表示領域を囲う環状である、請求項１０から１４のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記遮光部は、前記第２主面の上に配置されたマスクである、請求項１０から１５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記遮光部は、前記第２主面の上に形成された金属層である、請求項１０から１５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置や液晶表示装置など、表示領域を備える表示装置において、近年、可撓性を有する基材を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。
【０００３】
例えば、下記特許文献１および２に開示されるように、上記可撓性を有する基材は、ハンドリング性等の観点から、表示パネルの製造工程では基板（例えば、ガラス基板）に支持されているが、任意の適切なタイミングで基板から剥離される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１８７４４６号公報
【特許文献２】特開２０１４−１２０６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、基板からの剥離不良が生じ、例えば、表示パネルの表示不良の原因となる場合がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、基板からの剥離不良が抑制された表示装置の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置の製造方法は、基板と前記基板上に形成された表示領域を有する基材とを含む積層体に、前記表示領域を囲み、前記基材を厚み方向に貫通する貫通溝を形成すること、前記積層体にレーザー光を照射して、前記基材から前記基板を剥離すること、をこの順で含み、前記レーザー光の照射に際し、前記積層体の端部と重なり且つ前記表示領域とは重ならない領域に、前記レーザー光を遮光する遮光部を形成し、前記遮光部よりも前記表示領域側に前記貫通溝を配置する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のIII−III断面の一例を示す図である。
【図４Ａ】本発明の１つの実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図４Ｂ】本発明の１つの実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図４Ｃ】本発明の１つの実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図５Ａ】本発明の１つの実施形態におけるレーザー光照射時の表示パネルを基板側から見た平面図である。
【図５Ｂ】図５ＡのI−I断面の一例を示す図である。
【図５Ｃ】図５ＡのII−II断面の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本発明の１つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材として樹脂フィルムを用いたフレキシブルディスプレイであり、この樹脂フィルムで構成された基材の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１１】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１２】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１３】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００１４】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１５】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１６】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１７】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
【００１８】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００１９】
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、樹脂フィルム（或いは、樹脂膜）で構成された基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基材７０を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂が用いられる。ポリイミドなどの樹脂材料を含む樹脂膜を塗布にて成膜し、基材７０を形成してもよい。基材７０は可撓性を有する。封止層１０６の上には保護膜１１４が積層される。封止層１０６の上に接着層を介してシート状、或いはフィルム状の保護膜１１４を貼り合わせてもよい。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６と保護膜１１４との間、または、図示しない対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
【００２０】
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。
【００２１】
図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
【００２２】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
【００２３】
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００２４】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
【００２５】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
【００２６】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透過性導電材料、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
【００２７】
上記構造上には、画素を分離するリブ１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にリブ１１２を形成し、リブ１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。上部電極１０４は、例えば、ＭｇとＡｇの極薄合金やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透過性導電材料で形成される。
【００２８】
上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。一方、部品実装領域４６では、封止層１０６は配置されていない。
【００２９】
例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面に保護膜１１４が積層される。一方、部品実装領域４６にはＩＣやＦＰＣを接続し易くするため保護膜１１４を設けない。
【００３０】
図４Ａ〜図４Ｃおよび図５Ａ〜図５Ｃを参照しながら、本発明の１つの実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。なお、図４Ａ〜図４Ｃにおいては、図３の構造を基材７０と上部構造層１０８と保護膜１１４との３層構造に簡略化して示している。図５Ａ〜図５Ｃにおいては、上部構造層１０８および保護膜１１４は省略している。
【００３１】
まず、図４Ａに示すように、表示領域４２、額縁領域４４および部品実装領域４６を有する基材７０をガラス基板２００（支持基板又は基板ともいう）上に形成する。具体的には、ガラス基板２００上に、基材７０の形成材料（例えば、樹脂組成物）を塗布し、必要に応じて加熱等の各種処理を施すことにより、所望の厚み（例えば、２０μｍ程度）を有する基材７０を形成する。基材７０の形成材料の塗布方法としては、スピンコート法等の公知の方法が採用され得る。
【００３２】
次に、図４Ｂ示すように、基材７０上に、ＴＦＴ７２を含む回路層７４と、平坦化膜９６と、パッシベーション膜９８と、ＯＬＥＤ６と、封止層１０６とをこの順に形成して上部構造層１０８を形成後、上部構造層１０８上に粘着層（図示せず）を介して保護膜１１４（例えば、ＰＥＴフィルム等の樹脂フィルム）を積層し、図４Ｃに示すように、基材７０からガラス基板２００を剥離する。図示例とは異なり、上部構造層１０８上に保護膜１１４を積層する前に、ガラス基板２００を剥離してもよい。
【００３３】
ガラス基板２００は、例えば、レーザー光を照射して（例えば、エキシマレーザーを用いて）ガラス基板２００と基材７０との密着性を低下させることにより剥離される。なお、レーザー光は、例えば、基板および／または基材の材質に応じて、適切な波長を有するレーザー光が選択される。
【００３４】
図５Ａはレーザー光照射時の表示パネルを基板側から見た平面図であり、図５Ｂは図５ＡのI−I断面の一例を示す図であり、図５Ｃは図５ＡのII−II断面の一例を示す図である。レーザー光を照射する際、基材７０には、図５Ｂに示すように、予め、基材７０を厚み方向に貫通する貫通溝７０ａが形成されている。貫通溝７０ａは、ガラス基板２００の基材７０と接する主面（第１主面）の一部を露出している。また、貫通溝７０ａは、図５Ａの破線で示すように、表示領域４２を囲むように、環状に形成されている。具体的には、部品実装領域４６が設けられた矩形の基材７０の一辺では、部品実装領域４６に貫通溝７０ａが形成されている。部品実装領域４６が設けられない基材７０の３辺では、表示領域を囲む額縁領域４４に貫通溝７０ａが形成されている。額縁領域４４は、表示領域４２を囲む領域であり、表示領域４２と比較して、例えば、ＴＦＴ７２と、ＯＬＥＤ６とを含まない点で異なっている。
【００３５】
本実施形態では、レーザー光を照射する際、図５Ｃに示すように、基材７０（具体的には、基材７０上に形成された上部構造層１０８）に対してＦＰＣ５０を接合させている。基材７０とＦＰＣ５０との接合部は、貫通溝７０ａから表示領域４２側に離間した位置に形成されている。ＦＰＣ５０は、代表的には、接着材料（具体的には、異方性導電材料を含有する接着材料）を用いて基材７０に接合される。よって、ガラス基板２００の確実な剥離性を確保する観点から、接着層１２０が貫通溝７０ａに入り込まないように貫通溝７０ａを形成する。具体的には、ＦＰＣ５０を圧着した際に、接着層１２０が広がって貫通溝７０ａに入り込まないような位置に貫通溝７０ａを形成する。即ち、図５Ｃに示すように、貫通溝７０ａと対向し、且つ貫通溝７０ａよりも表示領域４２の側に位置する基材７０の端部（第１端部）は、接着層１２０と接していない領域を備える。換言すれば、接着層１２０の貫通溝７０ａの側に位置する端部と、基材７０の貫通溝７０ａと対向する端部（或いは、貫通溝７０ａに沿った辺）のとの間には、所定の間隙があり、貫通溝７０ａと接着層１２０の該端部とは互いに離間している。
【００３６】
貫通溝７０ａの形成のタイミングは、レーザー光照射によるガラス基板２００の剥離前であれば、特に限定されない。例えば、封止層１０６の形成後で保護膜１１４を積層する前または後に、貫通溝７０ａを形成する。貫通溝７０ａは、例えば、レーザー加工（切断、アブレーション）による除去により形成される。貫通溝７０ａの幅は、例えば、３０μｍ〜４０μｍである。
【００３７】
図５Ａ〜図５Ｃに示すように、レーザー光を照射する際、ガラス基板２００の端部を覆うようにマスク３００が配置され、ガラス基板２００および基材７０の端部にはレーザー光を遮光する遮光部が形成されている。マスク３００は枠状であってもよい。遮光部は、表示領域４２とは重ならない。具体的には、貫通溝７０ａは、形成される遮光部よりも内側（表示領域４２側）に配置される。マスク３００は、レーザー光を遮光し得る、任意の適切な材料から形成される。具体例としては、マスク３００として金属板（例えば、アルミ板）が用いられる。図示例では、マスク３００を配置して遮光部を形成しているが、例えば、ガラス基板２００および基材７０を含む積層体の、レーザー光が照射される側の主面の端部に蒸着等により金属層を形成することにより遮光部を形成してもよい。基材７０をガラス基板２００上に配置する前に、ガラス基板２００のレーザー光が照射される側の主面の、端部を含む外周全体に、予め枠状の金属層を形成しておいてもよい。
【００３８】
レーザー光照射は、レーザー光源を所定の方向へスキャンさせることにより行う。具体的には、表示領域の長辺に対応したレーザー光源を、図５Ａに示す矢印の方向に沿ってスキャンさせる。好ましくは、図５Ｂの矢印で示すように、ガラス基板２００側からレーザー光を照射する。
【００３９】
レーザー光照射後、マスク３００で遮光された端部を残し、貫通溝７０ａの内側において（貫通溝７０ａを剥離端として）、基材７０からガラス基板２００を剥離する。こうして、ガラス基板２００および基材７０の端部（特に、ガラス基板２００の端面２００ａ）では、マスク３００の遮光部によってレーザー光が遮光されるので、レーザー光がガラス基板２００および基材７０の端部に当たらず、異物の発生を抑制することができる。その結果、ガラス基板２００の優れた剥離性を実現し得る。具体的には、レーザー光がガラス基板２００および基材７０を含む積層体の端部に当たると、例えば、ガラス基板２００および基材７０の端部（特に、ガラス基板２００の端面２００ａ）から異物（カレット等）が発生、飛散し、上記積層体（特に、ガラス基板２００）表面に付着する。このように、異物（特に、１５μｍ以上の異物）が付着した状態でレーザー光が照射されると、異物の存在する部分において、レーザー光がガラス基板２００と基材７０との界面まで到達せず、両者の密着性が十分に低下しないおそれがある。その結果、ガラス基板２００を剥離する際に、異物の存在する部分において、基板２００と基材７０とが分離せずに、例えば、密着性の低い有機材料層１０２の層間に隙間が生じ、得られる表示パネルの表示不良につながるおそれがある。このような不具合は、上記積層体（特に、ガラス基板２００）の端部に遮光部を形成することで、良好に抑制される。
【００４０】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。例えば、上記実施形態のように、個々のパネル（個片）に分割された後に基板を剥離するのではなく、個片化前に基材から基板を剥離する形態を採用してもよい。具体的には、基板と複数のパネルに対応する表示領域を有する基材とを含む積層体に対して、複数の表示領域を囲むように基材に貫通溝を形成した後に、貫通溝で囲まれた領域にレーザー光を照射して基板を剥離する形態を採用してもよい。
【符号の説明】
【００４１】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  額縁領域、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、７０  基材、７０ａ  貫通溝、７２  ＴＦＴ、７４  回路層、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、９８  パッシベーション膜、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１０８  上部構造層、１１０  コンタクトホール、１１２  リブ、１１４  保護膜、１１６  配線、２００  ガラス基板、３００  マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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