【事件の表示】
　特許第３３４８１５０号「基板処理装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３４８１５０号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３４８１５０号の発明についての出願は、平成６年６月８日に出願された特願平６−１５１５４１号の一部を平成１２年２月１５日に新たな特許出願としたものであって、平成１４年９月６日にその発明についての特許権の設定登録がなされたものであり、その後の平成１５年５月９日に、永田大樹により特許異議の申立てがなされ、平成１６年９月７日付けで当審による取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１１月１５日に訂正請求書及び意見書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否
２−１　訂正の内容
　平成１６年１１月１５日付け訂正請求書による訂正請求（以下、「本件訂正」という。）の訂正の内容は、次のとおりである。
（１）訂正事項ａ
　願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１における「基板を引き上げるリフタ機構とを備えた」を、「基板を引き上げるリフタ機構と、前記乾燥室内における上方空間に配置され、基板を保持するチャックを有し、前記リフタ機構によって前記乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板を前記リフタ機構から受け取って保持するチャック機構とを備えた」と訂正する。
　
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落【０００９】の第１０行に「基板を引き上げるリフタ機構とを備えた」とあるのを、「基板を引き上げるリフタ機構と、前記乾燥室内における上方空間に配置され、基板を保持するチャックを有し、前記リフタ機構によって前記乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板を前記リフタ機構から受け取って保持するチャック機構とを備えた」と訂正する。
　
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落【００１１】の第５〜６行に「基板表面に付着している純水は、乾燥室の乾燥雰囲気により乾燥除去される。」とあるのを、「基板表面に付着している純水は、乾燥室の乾燥雰囲気により乾燥除去される。また、リフタ機構によって乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板は、リフタ機構からチャック機構へ受け渡されてチャックで保持され、リフタ機構の基板支持部で保持されていた部分の水分も、乾燥室の乾燥雰囲気により乾燥除去される。」と訂正する。
　
２−２　訂正の適否
　訂正事項ａは、訂正前の請求項１に記載された事項に「基板を引き上げるリフタ機構と、前記乾燥室内における上方空間に配置され、基板を保持するチャックを有し、前記リフタ機構によって前記乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板を前記リフタ機構から受け取って保持するチャック機構」をさらに備えるという限定を加えたものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであることが明らかである。
　訂正事項ｂ及びｃは、訂正事項ａによる特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載と整合させるものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものといえる。
　そして、訂正事項ａ〜ｃは、いずれも、特許明細書に記載されていた事項の範囲内のものであって、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもないといえる。
　
２−３　まとめ
　以上検討したとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するものであるから、本件訂正を認める。
　
３．特許異議申立の理由及び当審による取消理由の概要
３−１　特許異議申立の理由の概要
　異議申立人は、次の理由及び証拠により、請求項１〜３に係る発明の特許は取り消されるべきと主張している。
　
（理由）請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（証拠）
甲第１号証：実願平３−９３６３５号（実開平４−９９２６９号公報）の明細書
甲第２号証：特開昭６２−１９８１２６号公報
甲第３号証：特開平２−２９１１２８号公報
甲第４号証：特開平４−８０９２４号公報
甲第５号証：特開平４−２２１２５号公報
 
３−２　当審による取消理由の概要
　平成１５年１０月１７日付け取消理由通知書により通知した当審の取消理由の概要は、次の理由から請求項１〜３に係る発明の特許は取り消されるべきというものである。
　
（理由１）請求項１に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
（理由２）請求項１ないし３に係る各発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物１〜３に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：実願平３−９３６３５号（実開平４−９９２６９号）のマイクロフィルム（異議申立の甲第１号証）
刊行物２：特開昭６２−１９８１２６号公報（異議申立の甲第２号証）
刊行物３：特開平２−２９１１２８号公報（異議申立の甲第３号証）
　
４．本件発明
　上記のとおり本件訂正が認められるから、本件請求項１〜３に係る発明（以下順に、「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）は、それぞれ、平成１６年１１月１５日付け訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
（本件発明１）
「基板を純水で洗浄した後に乾燥する基板処理装置において、
基板の表面に付着した純水を乾燥させる乾燥雰囲気に設定する乾燥室と、
前記乾燥室に配置され、基板を洗浄する純水を貯留する洗浄槽と、
基板を載置する基板支持部を有するとともに、前記乾燥室内において閉鎖的に包囲されている前記洗浄槽の上方空間から前記洗浄槽内まで基板を載置した状態の前記基板支持部を下降して、基板を前記洗浄槽の純水に浸漬し、前記基板支持部に基板を載置した状態で基板を純水で洗浄した後、基板の全体が純水から乾燥雰囲気に設定された前記乾燥室内における上方空間へ完全に引き上げられるまで一定速度で基板を引き上げるリフタ機構と、
　前記乾燥室内における上方空間に配置され、基板を保持するチャックを有し、前記リフタ機構によって前記乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板を前記リフタ機構から受け取って保持するチャック機構とを備えたことを特徴とする基板処理装置。」
（本件発明２）
「乾燥室に、基板を乾燥させるためのアルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接続した請求項１に記載の基板処理装置。」
（本件発明３）
「アルコール供給手段は、乾燥室に窒素ガスを供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。」
　
５．引用刊行物に記載された発明
（１）刊行物１（実願平３−９３６３５号（実開平４−９９２６９号）のマイクロフィルム）
　当審が通知した取消理由に引用した刊行物１には、図面の図１〜図１２とともに、次の事項が記載されている。
（イ）「【産業上の利用分野】この考案は、半導体基板や液晶用ガラス基板等の薄板状の被処理基板（以下単に基板と称する）を表面処理するのに用いられる浸漬型の基板処理装置に関するものである。」（公報第６頁第４〜６行、段落【0001】参照）
（ロ）「【実  施  例】図２は本考案の第１の実施例を示す概要図である。この浸漬型基板処理装置は、処理液２中に基板Ｗを浸漬して基板Ｗの表面処理をなす基板処理槽１と、純水ＤWの主要通路をなす純水給液管３を介して処理液２を基板処理槽１内へ供給する処理液供給部４と、処理液排出部４０とから成る。」（公報第９頁第２０〜２４行、段落【0009】参照）
（ハ）「【００１２】純水給液管３は、基板処理槽１より上流側に向けて順次、給排液切換弁１３、スタティックミキサー１４、導入弁連結管１６、純水フィルタ２５、純水圧力測定器２６、開閉弁２７、純水加熱部２８を付設配置して成り、所定温度に加熱した純水ＤWを供給する純水の主要通路として構成されている。なお、純水ＤWは基板の表面酸化を防ぐうえで、脱酸素処理を施したものを用いる方がより好ましい。上記給排液切換弁１３は常時純水ＤWや処理液２を基板処理槽１へ供給し、必要に応じて基板処理槽１内の処理液２を排液管４２を介して排液ドレン４３へ排出するように構成されている。」（公報第１０頁第１６〜２４行参照）
（ニ）「【００２２】ちなみに、本実施例では基板の拡散処理の前段の洗浄処理として、次のようなプログラムに基づいて一連の表面処理を実行することができる。
ステップ１：純水＋ＱA＋ＱE
ステップ２：純水
ステップ３：純水＋ＱB
ステップ４：純水
ステップ５：純水５＋ＱC＋ＱE
ステップ６：純水（終了）」（公報第１３頁第１８〜２６行参照）
（ホ）「【００２９】図８は本考案に係る浸漬型基板処理装置を具備してなる基板処理ユニット５０の斜視図、図９はその要部の縦断正面図である。この基板処理ユニット５０は、複数種の基板処理槽を併設するのをやめて、単一の基板処理槽１内で複数種の一連の表面処理をなし、装置全体のコンパクト化を意図したものである。即ち、この基板処理ユニット５０は、基板収容カセットＣの搬入搬出部５１と、カセットＣの移載ロボット５５と、カセットＣから基板Ｗを取り出し又はカセットＣ内へ基板Ｗを装填するローダ・アンローダ装置６０と、本考案の第３の実施例に係る浸漬型基板処理装置６５と、基板Ｗの液切り乾燥装置７０と、カセットＣから取り出した複数の基板Ｗを保持して搬送する基板搬送ロボット７５と、複数種の薬液貯溜容器６A〜６Eとを具備して成り、単一の基板処理槽１内で複数種の一連の表面処理をなし得るように構成されている。」（公報第６頁第３〜１５行参照）
（ヘ）「【００３２】上記浸漬型基板処理装置６５は、カセットレスタイプの処理槽１と、昇降自在に設けられた基板保持具６６を備え、基板搬送ロボット７５から受け取った複数の基板Ｗを基板保持具６６で保持して処理槽１内に浸漬するように構成されいてる。なお、図９中の部材で図１〜図２中のものと同一の機能を有する部材は、同一符号を付して重複する説明を省略する。また上記乾燥装置７０は、例えば本出願人の提案に係る特開平１−２５５２２７号公報に開示したもので、基板の主平面の中心近傍を回転中心として、回転遠心力で液切り乾燥するように構成されている。なお、上記乾燥装置７０に代えて溶剤を用いて乾燥を促進するものや、後述する減圧方式により乾燥を促進するものを採用することもできる。
【００３３】図１０は本考案の第４の実施例に係る浸漬型基板処理装置の要部縦断面図である。この実施例装置は、前記実施例と同様に単一の基板処理槽１内で複数種の一連の表面処理を行うとともに、基板処理槽１の上部で基板Ｗの乾燥を行うことを意図したものである。即ち、この装置は排液槽４１の上方を密閉可能なチャンバー８０で覆い、排液管４２に図示しない強制排気手段と連通する排気管４５を接続するとともに、排液管４２に開閉弁４６を設けて成り、チャンバー８０内を減圧して、基板の乾燥を促進するように構成されている。
【００３４】この装置で基板の乾燥を行うには、次のようにする。先ず、処理を終えた基板Ｗを所定速度（約１０mm/sec）で引き上げることにより、処理液２がオーバフローする処理槽１内から基板Ｗを取り出す。これにより、その表面に液滴がほとんど付着することなく、基板Ｗを取り出すことができる。次に三方弁１３を操作して、処理液２を処理槽１から排液管４２を介して排出し、その後各弁１３及び４６を閉じて、排気管４５を介してチャンバー８０内を約７５０〜７７０mmhg程度まで減圧する。これにより、基板Ｗの表面に僅かに付着していた液滴を蒸発させて、液切り乾燥を促進することができる。」（公報第１７頁第６行〜第１８頁第７行参照）
（ト）図面の図１０には、排液槽４１の上方にチャンバー８０より密閉された空間部が設けられ、当該空間部に基板処理槽１が配置された態様と、基板保持具６６で引き上げられた際の基板Ｗの最下端の位置が、基板処理槽１の液面よりも高い位置と想定されている態様が示されている。
　上記記載事項（イ）〜（ヘ）並びに図面に示された内容を総合すると、上記刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
（引用発明１）
「半導体基板や液晶用ガラス基板等の薄板状の基板を表面処理するのに用いられる浸漬型の基板処理装置であって、排液槽４１の上方をチャンバー８０で密閉可能に覆って基板Ｗの乾燥を行う空間部と、当該空間部内に配置されて純水ＤWや処理液２を供給される基板処理槽１と、基板Ｗを昇降自在に設けられた基板保持具６６で保持して上記処理槽１内に浸漬するように構成されているとともに、基板の乾燥を行うのに、処理を終えた基板Ｗを所定速度（約１０mm/sec）で引き上げることにより、その表面に液滴がほとんど付着することなく、基板Ｗを取り出した後に、チャンバー８０内を減圧して、基板Ｗの表面に僅かに付着していた液滴を蒸発させ液切り乾燥を行うように構成された基板処理装置。」
　
（２）刊行物２（特開昭６２−１９８１２６号公報）
　また、当審が通知した取消理由に引用した刊行物２には、次の事項が記載されている。
（イ）「本発明は被処理物の表面処理、特に、半導体ウエハの付着水を除去するための表面処理に適用して有効な技術に関する。」（公報第１頁右下欄第１３〜１５行参照）
（ロ）「また、本実施例２においては、水洗糟４が別体であるためウエハ１１の洗浄を、給水管５から純水を供給し、オーバーフローさせながら行うことができる。その際、水洗糟４の上端全体からオーバーフローさせることができるため、該水洗糟４の内部における純水の流れを平均化でき、むらのない洗浄を行うことができる。」（公報第３頁右下欄第１７行〜第４頁左上欄第３行参照）
　
（３）刊行物３（特開平２−２９１１２８号公報）
　さらに、当審が通知した取消理由に引用した刊行物３には、次の事項が記載されている。
（イ）「本発明は基板を処理する方法に関し、液体を含むバスの中に基板をある時間浸し、その後そのバスに液体の全体の量が実際上残留するようにしてそこからゆっくりと取り出すものである。」（公報第２頁右上欄第３〜６行参照）
（ロ）「〔実施例〕  例を用いて、図面及びいくつかの実施例を参照して、本発明を更に詳細に説明する。  第１図および第２図は、基板１を処理する方法を実行する装置を線図的に示している。この方法においてはこれらの基板を液体３を含むバス２内にある時間浸し、その後そこからバス２内に液体３の全体量が実際上残留するようにゆっくりバスから取り出す。この方法は、ガラス、石英または合成物質の板のような全ての種類の基板の処理に使用することが出来るが、本例においてはシリコンウェーハが処理されている。…（中略）…これらのウェーハは、例えば、エッチング用、現像用または洗浄用バスの様な、液体を含むバス内にある時間何回か浸される。これらの処理の後、ウェーハ１は液体３から取り出され乾燥される。」（公報第４頁左下欄第１６行〜右下欄第１４行参照）
（ハ）「この装置は又、基板をカセット４から補助カセット11に滑り込ませるとき、液体３から離れた直後液体と混合可能で液体と混合すると液体３の表面張力より低い表面張力を有する混合体を生じる物質の蒸気に基板１を接触させる排気ノズル18を設けたガスリード17を有する。」（公報第５頁右上欄第２〜７行参照）
（ニ）「本発明によると、基板１は、液体と混合することが可能で液体と混合すると液体の表面張力より低い表面張力を有する混合体を生じる物質の、表面上に凝縮しない蒸気に液体３から直接に接触させる。これにより基板１は実質上乾燥マークまたは他の汚染を示さないことが判明した。基板１を、当該蒸気の供給無しに水を含むバスから上述した方法によって取り出される場合には、数ミクロンの厚さの水フィルムが基板１上に残留してしまう事が判明した。」（公報第５頁左下欄第５〜１４行参照）
（ホ）「実際上、バス２内の液体３には、しばしば、水が使用される。この場合
液体と混和できる物質には有機溶剤を使用するのが望ましい。多くのアルコール
によっても基板を満足に乾燥させることが出来る
（ヘ）「基板１は、蒸気を通常の方法でキャリアガスと混合しその後その混合体をリード17と排気ノズル18によって液体３上を通過させるようにして、蒸気に接触させるのが望ましい。このようにして、蒸気を、基板１上に蒸気の凝縮を発生させずに局所的にかつ高濃度に供給することが出来る。」（公報第６頁左上欄第３〜８行参照）
（ト）「前述の方法においては、通常の方法により紫外線オゾン室で前もって洗浄されたシリコンウェーハは水に浸された後、約1mm/秒の速度で液体から持ち上げられた。水は、1M NaCl溶液によって強く意識的に汚染させた。液体から離れるとき、基板は、水と混和可能で水の表面張力より小さい表面張力を有する混合体を生じ、異なった溶剤を表面上に凝縮させない蒸気に直接接触させた。この際、１秒間に約0.5lの
窒素を有機溶剤を含む洗浄フラスコに通過させ、次にリード17および排気ノズル18を介してそのガス混合体を液体上に通過させている
　
（イ）６．対比・判断
６−１　本件発明１について
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、その作用ないし機能からみて、引用発明１の「排液槽４１の上方をチャンバー８０で密閉可能に覆って基板Ｗの乾燥を行う空間部」が本件発明１の「乾燥室」に相当し、同様に、「基板処理槽１」が「洗浄槽」に、「基板保持具６６」が「リフタ機構」に、それぞれ相当するといえる。
　また、引用発明１の「基板処理槽１」は基板に対して表面処理を行うものであるが、この表面処理には「純水」による「洗浄」処理が含まれることが明らかである（上記５．（１）の（ニ）参照）から、引用発明１の基板処理装置は、基板を純水で洗浄した後に乾燥する基板処理装置である点で、本件発明１と共通するものといえる。
　さらに、引用発明１における「基板の乾燥を行うのに、処理を終えた基板Ｗを所定速度（約１０mm/sec）で引き上げることにより、その表面に液滴がほとんど付着することなく、基板Ｗを取り出した後に、チャンバー８０内を減圧して、基板Ｗの表面に僅かに付着していた液滴を蒸発させ液切り乾燥を行う」点は、刊行物１の図１０に示されたところの基板保持具６６で引き上げられた際の基板Ｗの最下端の位置が、基板処理槽１の液面よりも高い位置に想定されている態様から見て、本件発明における「前記基板支持部に基板を載置した状態で基板を純水で洗浄した後、基板の全体が純水から乾燥雰囲気に設定された前記乾燥室内における上方空間へ完全に引き上げられるまで一定速度で基板を引き上げる」点に実質的に相当するといえる。
　そうすると、両者は、
「基板を純水で洗浄した後に乾燥する基板処理装置において、
基板の表面に付着した純水を乾燥させる乾燥雰囲気に設定する乾燥室と、
前記乾燥室に配置され、基板を洗浄する純水を貯留する洗浄槽と、
基板を載置する基板支持部を有するとともに、前記乾燥室内において閉鎖的に包囲されている前記洗浄槽の上方空間から前記洗浄槽内まで基板を載置した状態の前記基板支持部を下降して、基板を前記洗浄槽の純水に浸漬し、前記基板支持部に基板を載置した状態で基板を純水で洗浄した後、基板の全体が純水から乾燥雰囲気に設定された前記乾燥室内における上方空間へ完全に引き上げられるまで一定速度で基板を引き上げるリフタ機構とを備えた基板処理装置。」である点で一致し、次の点で相違するといえる。
（相違点）
相違点（Ａ）：本件発明１が「前記乾燥室内における上方空間に配置され、基板を保持するチャックを有し、前記リフタ機構によって前記乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板を前記リフタ機構から受け取って保持するチャック機構」を備えているのに対して、引用発明１がそのような構成を備えていない点。
　
（１）相違点（Ａ）について
　ところで、本件発明の特許明細書の記載（段落【0002】〜【0005】参照）を参酌すると、図８〜１０に関して、洗浄槽１０２から基板Ｗを引き上げる動作につき、下アーム１２２で掴まれた基板Ｗが徐々に上昇し、基板Ｗの上部が処理液から出て乾燥したときに、上アーム１１８が基板Ｗの乾燥した上部を掴むと共に下アーム１２２が基板Ｗを放して、下アーム１２２から上アーム１１８への基板Ｗの受け渡しが行なわれることが、従来技術として示されている。
　また、本件発明の出願は、平成６年６月８日に出願された特願平６−１５１５４１号（以下、「原出願」という。）の一部を平成１２年２月１５日に新たな特許出願としたものであるところ、当該原出願の審査の過程で引用された周知例（平成１３年１０月５日付け拒絶理由通知書に示された特開昭６３−１８４３５０号公報や実願昭６１−１０９６８１号（実開昭６３−１６４４６号）のマイクロフィルム参照）には、本件発明１と同様の基板処理装置において、処理液槽からリフト機構で上昇された基板を、開閉手段によって基板を保持する手段へと受け渡すように構成した点が開示されている。
　これらのことを考慮すると、基板Ｗが洗浄槽や処理液糟からリフト機構により引き上げられた際に、当該引き上げられた基板を当該リフト機構から受け取って保持するための手段（本件発明１のチャック機構に相当する）を設けることは、当該技術分野において、本件発明の出願日前に周知の技術であったといえる。
　してみると、相違点（Ａ）に係る本件発明１の構成は、引用発明１に、上記周知の保持手段（チャック機構）を単に付加することにより、当業者が容易に想到し得たものといわざるを得ない。
　
　なお、仮に、引用発明１の基板処理装置が基板を純水以外の薬液をも用いて洗浄処理する点で純水（のみ）を用いて洗浄する本件発明１と相違するとしても、このような基板表面に対して各種の処理を終了した後に、純水（のみ）を用いて基板を洗浄し、乾燥させることも、上記刊行物２（上記５．（２）の（ロ）参照）に示されるように、従来より周知の技術であったといえるから、引用発明１における洗浄処理として、当該周知の技術を採用することも、当業者が適宜採用し得た設計的事項であるといえる。（ちなみに、平成１６年１１月１５日付け意見書（第４頁第１５行〜第５頁第２７行参照）によると、特許権者は、本件発明１と引用発明１とは上記相違点（Ａ）で相違すると主張するものの、他に相違点があるとの主張はしていない。）
　
６−２　本件発明２について
　本件発明１を引用する本件発明２と引用発明１とを対比すると、上記相違点（Ａ）に加えて、次の相違点（Ｂ）で相違する。
（相違点）
相違点（Ｂ）：本件発明２が、「乾燥室に、基板を乾燥させるためのアルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接続した」のに対して、引用発明１はそのようなアルコール供給手段を備えていない点。
　
　上記相違点（Ａ）については、上記６−１で検討したとおりである。
　次に、相違点（Ｂ）について検討する。
　上記刊行物３には、基板処理装置において、基板を洗浄槽で処理した後に、基板を乾燥させる際、窒素を有機溶剤を含む洗浄フラスコに通過させ、次に、混合したガスをリード１７及び排気ノズル１８を介して基板に接触させるという技術が記載されており（上記５．（３）の（ト）参照）、また、その有機溶剤としてアルコールが使用できることが併せて開示されている（上記５．（３）の（ホ）参照）。
　すなわち、刊行物３には、基板を乾燥させるために、アルコール中に窒素という不活性ガスを通過させ混合させた後に基板へ供給する手段を設けることが記載されているといえる。
　ところで、本件発明２における「アルコール蒸気を供給する」につき、発明の詳細な説明における実施例の記載を参酌すると、特許明細書の段落【００２４】に「アルコール蒸気発生ユニット８３におけるアルコール蒸気の発生方法としては、アルコール中に不活性ガスを吹き込む方法、…（中略）…する方法等、適宜の方法を使用することができる。」と記載されていることから、上記刊行物３に記載されたアルコールの供給手段と実質的な相違がないといえる。
　そして、上記刊行物１には、「乾燥装置７０に代えて溶剤を用いて乾燥を促進するもの」「を採用することもできる」（上記５．（１）の（ヘ）参照）こと、いいかえれば、刊行物３に示されたようなアルコールを用いた乾燥手段を採用できることが示唆されているといえる。
　してみると、相違点（Ｂ）に係る本件発明２の構成は、引用発明１における基板を乾燥させる手段に代えて、同じ基板処理装置のための乾燥手段を開示するところの刊行物３に示されたアルコールの供給手段を用いて乾燥させるものを採用することにより、当業者が容易に想到し得たものといえる。
　
６−３　本件発明３について
　本件発明２を引用する本件発明３と引用発明１とを対比すると、上記相違点（Ａ）及び（Ｂ）に加えて、次の相違点（Ｃ）で相違する。
（相違点）
相違点（Ｃ）：本件発明３が、「アルコール供給手段は、乾燥室に窒素ガスを供給する」のに対して、引用発明１はそのような構成を備えていない点。
　
　上記相違点（Ａ）及び（Ｂ）については、上記６−１又は６−２で、それぞれ検討したとおりである。
　次に、相違点（Ｃ）について検討する。
　ところで、上述したように、刊行物３には、基板を乾燥させるために、アルコール中に窒素という不活性ガスを通過させ混合させた後に基板へ供給する手段を設けることが記載されているといえる。
　すなわち、アルコールを供給する手段が乾燥室に窒素ガスを供給する点は、併せて刊行物３に開示されている。
　してみると、上記相違点（Ｂ）について説示したのと同様に、相違点（Ｃ）に係る本件発明３の構成は、引用発明１における基板を乾燥させる手段に代えて、同じ基板処理装置のための乾燥手段を開示するところの刊行物３に示されたアルコールの供給手段を用いて乾燥させるものを採用することにより、当業者が容易に想到し得たものといえる。
　
　そして、本件発明１〜３が奏する作用・効果も、上記刊行物１〜３に記載された事項、並びに従来より周知の技術から当業者が予測し得る範囲のものであって、格別なものということができない。
　
６−３　まとめ
　以上のことから、本件発明１〜３は、上記刊行物１〜３に記載された事項、並びに従来より周知の技術に基いて当業者が容易に発明できたものであるといえる。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立の他の証拠を検討するまでもなく、本件発明１〜３の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１月３１日（２００５．１．３１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基板処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板を純水で洗浄した後に乾燥する基板処理装置において、
　基板の表面に付着した純水を乾燥させる乾燥雰囲気に設定する乾燥室と、
　前記乾燥室に配置され、基板を洗浄する純水を貯留する洗浄槽と、
　基板を載置する基板支持部を有するとともに、前記乾燥室内において閉鎖的に包囲されている前記洗浄槽の上方空間から前記洗浄槽内まで基板を載置した状態の前記基板支持部を下降して、基板を前記洗浄槽の純水に浸漬し、前記基板支持部に基板を載置した状態で基板を純水で洗浄した後、基板の全体が純水から乾燥雰囲気に設定された前記乾燥室内における上方空間へ完全に引き上げられるまで一定速度で基板を引き上げるリフタ機構と
、
　前記乾燥室内における上方空間に配置され、基板を保持するチャックを有し、前記リフタ機構によって前記乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板を前記リフタ機構から受け取って保持するチャック機構と
　【請求項２】　乾燥室に、基板を乾燥させるためのアルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接続した請求項１に記載の基板処理装置。
　【請求項３】　アルコール供給手段は、乾燥室に窒素ガスを供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ウエハや液晶用ガラス板等の基板を処理液に浸漬して洗浄処理等を行なう基板処理装置に関し、詳しくは処理液から基板を引き上げる機構を備えた基板処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より、この種の基板処理装置として、基板を微低速で処理液から引き上げて、これを減圧下等の乾燥雰囲気にて基板に付着した水分等を除去する技術が知られている。
　【０００３】
　すなわち、図９及び図１０は基板処理装置１００を示す概略図である。同図において、基板処理装置１００は、基板Ｗを浸漬する処理液を満たす洗浄槽１０２と、洗浄槽１０２の処理液に基板Ｗを浸漬しその後に引き上げる基板搬送装置１１０とを備えている。基板搬送装置１１０は、上下移動ロボット１１２と、上下移動ロボット１１２により昇降されるロボットアーム１１４と、ロボットアーム１１４の先端に取り付けられた平行型開閉チャックシリンダ１１６と、平行型開閉チャックシリンダ１１６により開閉動作される上アーム１１８及び下アーム１２２とを備えている。
　【０００４】
　上記基板搬送装置１１０の構成において、上下移動ロボット１１２を駆動するとロボットアーム１１４を介して平行型開閉チャックシリンダ１１６、上アーム１１８及び下アーム１２２が洗浄槽１０２に対して昇降し、そして、平行型開閉チャックシリンダ１１６の駆動により上アーム１１８及び下アーム１２２が基板Ｗを掴みまたは放す動作を行なう。
　【０００５】
　次に、洗浄槽１０２から基板Ｗを引き上げる動作について説明する。図８は洗浄槽１０２内の処理液にて基板Ｗが洗浄されて、下アーム１２２が基板Ｗを掴んだ状態を示す。この状態から、上下移動ロボット１１２の上昇駆動により下アーム１２２で掴まれた基板Ｗが徐々に上昇する。そして、図９に示すように、基板Ｗの上部が処理液から出て乾燥したときに、上アーム１１８が基板Ｗの乾燥した上部を掴むと共に下アーム１２２が基板Ｗを放す。これにより、下アーム１２２から上アーム１１８への基板Ｗの受け渡しが行なわれる。そして、基板Ｗは、上アーム１１８で掴まれた状態にて、上下移動ロボット１１２の上昇駆動により外部へ搬送される。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記基板搬送装置１１０では、下アーム１２２から上アーム１１８への基板Ｗの掴み替えは、基板Ｗの下部が洗浄槽１０２の処理液にまだ浸漬した状態で行われている。こうした動作を確実に行なわせるには、下アーム１２２の上昇動作を停止するか、下アーム１２２の上昇速度を遅くして、下アーム１２２から上アーム１１８へ受け渡す必要がある。このように、下アーム１２２から上アーム１１８への基板Ｗの受け渡しの際に、基板Ｗの引き上げ速度が異なると、基板Ｗの乾燥状態が変化し、基板Ｗの表面にウォータマークが形成されたり、パーティクル等が付着するという問題があった。
　【０００７】
　また、基板Ｗの受け渡し動作が処理液に浸漬した状態で行われるため、処理液の液面の乱れや基板Ｗの微小な揺れにより、基板Ｗにウォータマークが形成されたり、パーティクル等が付着しやすいという問題もあった。
　【０００８】
　本発明は、上記従来の技術の問題点を解決することを課題とし、基板の処理液からの引き上げ時に形成され易い基板上のウォータマークやパーティクルをなくした基板処理装置を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するためになされた請求項１の発明は、基板を純水で洗浄した後に乾燥する基板処理装置において、基板の表面に付着した純水を乾燥させる乾燥雰囲気に設定する乾燥室と、前記乾燥室に配置され、基板を洗浄する純水を貯留する洗浄槽と、基板を載置する基板支持部を有するとともに、前記乾燥室内において閉鎖的に包囲されている前記洗浄槽の上方空間から前記洗浄槽内まで基板を載置した状態の前記基板支持部を下降して、基板を前記洗浄槽の純水に浸漬し、前記基板支持部に基板を載置した状態で基板を純水で洗浄した後、基板の全体が純水から乾燥雰囲気に設定された前記乾燥室内における上方空間へ完全に引き上げられるまで一定速度で基板を引き上げるリフタ機構と
、前記乾燥室内における上方空間に配置され、基板を保持するチャックを有し、前記リフタ機構によって前記乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板を前記リフタ機構から受け取って保持するチャック機構と
　【００１０】
　請求項２では、請求項１の乾燥室に、基板を乾燥させるためのアルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接続したものである。請求項３では、請求項２のアルコール供給手段が、乾燥室に窒素ガスを供給する。
　【００１１】
　【作用】
　本発明の請求項１に係る基板処理装置では、リフタ機構が基板を支持した状態で洗浄槽の純水に浸漬し、または引き上げる。すなわち、このリフタ機構は、基板を洗浄槽の純水で洗浄した後に、基板を支持して純水から引き上げる。そして、基板の全体が純水から引き上げられると、基板の表面に付着している純水は、乾燥室の乾燥雰囲気により乾燥除去される。
また、リフタ機構によって乾燥室内における上方空間へ引き上げられた基板は、リフタ機構からチャック機構へ受け渡されてチャックで保持され、リフタ機構の基板支持部で保持されていた部分の水分も、乾燥室の乾燥雰囲気により乾燥除去される。
　【００１２】
　この純水からの引き上げのとき、基板がリフタ機構により、一定速度で純水より引き上げられるから、基板の表面には、引き上げ速度の変化に伴うウォータマークが形成されない。
　【００１３】
　請求項２の発明では、乾燥室に、基板を乾燥させるためのアルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接続することにより、基板に付着した水分を速やかに除去することができる。
　【００１４】
　【実施例】
　以上説明した本発明の構成・作用を一層明らかにするために、以下本発明の好適な実施例について説明する。
　【００１５】
　図１は基板処理装置１０を示す概略構成図である。基板処理装置１０は、洗浄・乾燥処理部２０と、純水を供給する純水供給系５０と、洗浄・乾燥処理部２０内を減圧する減圧系６０と、窒素ガス及びアルコール蒸気を供給するガス供給系８０とを備えている。
　【００１６】
　まず、洗浄・乾燥処理部２０について図２ないし図６を用いて説明する。図２及び図３に示すように、洗浄・乾燥処理部２０は、洗浄槽２２と、洗浄槽２２の外周に設けたオーバーフロー槽２３と、密閉チャンバ２４と、密閉チャンバ２４内で洗浄槽２２に基板Ｗを浸漬または引き上げるためのリフタ機構３０と、リフタ機構３０との間で基板Ｗの受け渡しを行なうチャック機構４０とを備えている。
　【００１７】
　上記洗浄槽２２は、その内部に収容された純水中に複数枚の基板Ｗを浸漬できる容量を有しており、その上部に越流部２２ａ、その底部に純水供給口２２ｂを備えている。一方、オーバーフロー槽２３は、上記洗浄槽２２の越流部２２ａを越えて溢れ出た純水が流れ込むように洗浄槽２２に対して二重構造に配置されている。
　【００１８】
　洗浄槽２２及びオーバーフロー槽２３の上方空間は、密閉チャンバ２４によって閉鎖的に包囲されている。図２に示す密閉チャンバ２４の前面側には、複数枚の基板Ｗを出し入れするためのチャンバ開口２５が形成されており、そのチャンバ開口２５を開閉自在に気密に閉塞することができる密閉蓋２６が形成されている。また、密閉チャンバ２４の外壁面には、それを被覆するようにラバーヒータ２７（図１参照）が配設されている。また、密閉蓋２６には、密閉チャンバ２４の内壁面の温度を検出するための温度計２８が該壁面を貫通して取り付けられている。
　【００１９】
　上記リフタ機構３０は、複数の基板Ｗを並列かつ所定間隙で載置保持するための基板支持部３１と、基板支持部３１を固定した駆動ロッド３２と、駆動ロッド３２を摺動自在に支持する軸受機構３３と、駆動プーリ３４及び従動プーリ３５と、駆動プーリ３４及び従動プーリ３５の間に掛け渡されかつ駆動ロッド３２の下端部が固定されたベルト３６と、駆動プーリ３４を回転駆動する駆動用モータ３７とを備えている。
　【００２０】
　また、上記チャック機構４０は、図６に示すように、基板Ｗの両側端から挟持するためのチャック４１ａ，４１ｂと、チャック４１ａ，４１ｂをチャック回転軸４２を介して回動駆動するチャック駆動部４３とを備えている。チャック４１ａ，４１ｂには、複数枚の基板Ｗを保持するためのチャック保持溝（図示省略）が形成されている。この構成により、チャック駆動部４３が回転駆動すると、チャック回転軸４２を介してチャック４１ａ，４１ｂが回動して複数の基板Ｗを同時に保持または放す動作を行なう。前述したリフタ機構３０及びチャック機構４０は、図７に示すように、ＣＰＵ等より成る制御手段９９により制御される。
　【００２１】
　次に、洗浄槽２２に純水を供給する純水供給系５０について説明する。図１に示すように、洗浄槽２２の純水供給口２２ｂには、純水供給源に連通接続された給水用配管５１ａ、給水用配管５１ｂ及び給水用配管５１ｃを介して連通接続されており、給水用配管５１ａには、上流側から順に、ボール弁５１ｖ１、フィルタ装置５２、開閉弁５１ｖ２が介設されている。また、給水用配管５１ａの途中にリターン配管５３が分岐接続されており、リターン配管５３には、開閉弁５３ｖが介設されている。また、洗浄槽２２の純水供給口２２ｂは、給水用配管５１ｃから分岐した排水用配管５４ａに連通接続されており、排水用配管５４ａは、排水用配管５４ｂを介してドレンに接続している。
　【００２２】
　一方、オーバーフロー槽２３には、排水口２３ａが形成され、その排水口２３ａに排水用配管５５ａを介して排水用配管５５ｂが連通接続しており、排水用配管５５ｂは、排水用配管５４ａと合流して排水用配管５４ｂを介してドレンに接続している。排水用配管５４ａには、開閉弁５４ｖが、排水用配管５５ｂには、開閉弁５５ｖがそれぞれ介設されている。
　【００２３】
　次に、減圧系６０について説明する。洗浄槽２２の純水供給口２２ｂは、給水用配管５１ｂから分岐した排気用配管６１に連通接続されており、一方、オーバーフロー槽２３の排水口２３ａは、排水用配管５５ａから分岐した排気用配管６２に連通接続されている。排気用配管６１には開閉弁６１ｖが、排気用配管６２には開閉弁６２ｖがそれぞれ介設されており、排気用配管６１及び排気用配管６２は合流し、排気用配管６３を介して真空ポンプ６４に連通接続している。
　【００２４】
　次に、ガス供給系８０について説明する。密閉チャンバ２４の蒸気供給口２４ａには、不活性ガス、例えば窒素ガスの供給源に接続されたガス供給用配管８１が連通接続されており、ガス供給用配管８１には、上流側から順に、ヒータ８２、開閉弁８１ｖ、アルコール蒸気発生ユニット８３及びガスフィルタ８４が介設されている。アルコール蒸気発生ユニット８３では、メチルアルコール、エチルアルコール、ＩＰＡ等のアルコール類の蒸気が生成される。アルコール蒸気発生ユニット８３におけるアルコール蒸気の発生方法としては、アルコール中に不活性ガスを吹き込む方法、バブリングする方法、超音波を利用する方法等、適宜の方法を使用することができる。また、アルコール蒸気発生ユニット８３には、温度調節機能が備わっており、所定温度に調節されたアルコール蒸気が生成されるようになっている。
　【００２５】
　さらに、ガス供給用配管８１の途中には、開閉弁８１ｖとヒータ８２との間の区間で分岐し、アルコール蒸気発生ユニット８３とガスフィルタ８４との間での区間で合流する分岐配管９１が設けられており、その分岐配管９１にイオナイザー９２及び開閉弁９１ｖが介設されている。
　【００２６】
　上記ガス供給系８０の構成により、開閉弁８１ｖが開いた状態で、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスがヒータ８２によって加熱され、その加熱された窒素ガスによりアルコール蒸気発生ユニット８３で発生したアルコール蒸気がガス供給用配管８１を通して送られ、アルコール蒸気が窒素ガスと共にガスフィルタ８４によって清浄化された後、蒸気供給口２４ａを通して密閉チャンバ２４内へ供給される。
　【００２７】
　また、開閉弁９１ｖを開くことにより、窒素ガス供給源から送られヒータ８２によって加熱された窒素ガスは、イオナイザー９２によってイオン化され、さらにガスフィルタ８４によって清浄化されて蒸気供給口２４ａを通して密閉チャンバ２４内へ供給される。
　【００２８】
　次に、上記基板処理装置１０を使用して、基板Ｗを洗浄及び乾燥処理する工程について説明する。まず、開閉弁５１ｖ２、開閉弁５５ｖを開き、それ以外のエアー開閉弁を閉じた状態で、純水供給源から給水用配管５１ａ、給水用配管５１ｂ、給水用配管５１ｃを通じて、洗浄槽２２の底部の純水供給口２２ｂから純水を洗浄槽２２内に連続的に供給することにより洗浄槽２２内に純水の上昇水流を形成する。
　【００２９】
　このとき、洗浄槽２２内を満たした純水は、該洗浄槽２２の上部の越流部２２ａから溢れ出てオーバーフロー槽２３内へ流入し、オーバーフロー槽２３の排水口２３ａから排水用配管５５ａ、排水用配管５５ｂ及び排水用配管５４ｂを通って、ドレンに排出される。
　【００３０】
　また、純水の供給と同時に、密閉チャンバ２４の壁面は、ラバーヒータ２７により所定温度に維持するよう加熱される。このラバーヒータ２７の加熱制御は、温度計２８の検出信号に基づき、温度制御器９５によって、密閉チャンバ２４の内壁面の温度が所定温度（例えば６０℃）以上になるように行なわれる。
　【００３１】
　このように、密閉チャンバ２４の内壁面を加熱しておくことにより、後述する基板Ｗの洗浄中や純水中からの基板Ｗの引き上げ過程において、密閉チャンバ２４の内壁面などへの水蒸気の結露が生じない。水蒸気の結露がないから、その液化に伴って、基板Ｗの周囲へ供給されたアルコール蒸気の熱エネルギーを奪うこともなく、基板Ｗの乾燥効率を向上させる。
　【００３２】
　次に、基板Ｗを洗浄槽２２の純水で洗浄処理する手順について説明する。いま、密閉チャンバ２４の密閉蓋２６が開いた状態にあり、リフタ機構３０の基板支持部３１が上昇位置にある。この状態から、図示しない他の基板処理装置で基板処理された基板Ｗがリフタ機構３０の基板支持部３１に載置される（図３の状態）。そして、密閉蓋２６が閉じられて密閉チャンバ２４内が密閉状態になる。続いて、リフタ機構３０の基板支持部３１は、洗浄槽２２内まで下降して、基板Ｗを洗浄槽２２の純水に浸漬する。そして、基板Ｗは、上述した純水供給系５０により洗浄槽２２に供給される純水で洗浄される（図４の状態）。
　【００３３】
　基板Ｗの洗浄処理が終了した後に、リフタ機構３０の基板支持部３１が徐々に上昇して基板Ｗを純水中から一定速度で引き上げる。純水中から基板Ｗを引き上げはじめるのと同時に、開閉弁８１ｖを開いて、窒素供給源からガス供給用配管８１を通して窒素ガスを送り、密閉チャンバ２４内へ蒸気供給口２４ａからアルコール蒸気を送り込んで、純水中から引き上げられている途中の基板Ｗの周囲へアルコール蒸気を供給する。このアルコール蒸気の供給は、純水中からの基板Ｗの引き上げが完全に終了するまで行なう。
　【００３４】
　純水中からの基板Ｗの引き上げが終了すると（図３参照）、開閉弁５１ｖ２を閉じると共に開閉弁５３ｖを開いて、洗浄槽２２への純水の供給を停止させ、同時に開閉弁５４ｖを開いて、洗浄槽２２の純水を排水用配管５４ａ及び排水用配管５４ｂを介してドレンへ排出する。洗浄槽２２からの純水の排出が終わると、開閉弁５４ｖ及び開閉弁５５ｖを閉じる。
　【００３５】
　また、洗浄槽２２から純水を排出し始めると同時に、開閉弁６１ｖ及び開閉弁６２ｖを開いて、真空ポンプ６４を作動させ、排気用配管６１、排気用配管６２及び排気用配管６３を通して密閉チャンバ２４内を真空排気し、密閉チャンバ２４内を減圧状態にすることにより、基板Ｗの表面に凝縮して純水と置換したアルコール蒸気を蒸発させて基板Ｗを乾燥させる。
　【００３６】
　そして、リフタ機構３０の基板支持部３１がチャック機構４０のチャック４１ａ，４１ｂの位置まで移動すると、基板Ｗは、純水から完全に引き上げられた状態になる。続いて、チャック機構４０のチャック駆動部４３によりチャック４１ａ，４１ｂを回動させて基板Ｗを保持する（図５の状態）。このとき、チャック４１ａ，４１ｂは、基板Ｗの水分が除去された部位を把持する。
　【００３７】
　次に、リフタ機構３０の基板支持部３１が下降して基板Ｗの保持状態から離れる。これにより、基板Ｗは、基板支持部３１からチャック４１ａ，４１ｂへ受け渡される。基板Ｗは、減圧下にあるから、基板支持部３１で保持された部分の水分は、乾燥除去される。
　【００３８】
　基板Ｗの乾燥が終了すると、真空ポンプ６４を停止させて、密閉チャンバ２４内が減圧下から大気圧下へ戻される。最後に、開閉弁８１ｖを閉じて、密閉チャンバ２４への窒素ガスの供給を停止した後、密閉蓋２６を開放する。続いて、基板Ｗは、チャック機構４０から図示しない他の搬送機構に受け渡されて密閉チャンバ２４外へ搬送される。なお、上記一連の基板Ｗの洗浄・乾燥工程におけるタイムチャートを図８に示す。なお、図中、実線は好適な対応を示し、１点鎖線は変形例を示す。
　【００３９】
　上記実施例に係る基板処理装置１０では、リフタ機構３０の基板支持部３１で基板Ｗを載置して純水で洗浄した後に、一定速度で引き上げ、基板Ｗの全体が純水から完全に引き上げられると、チャック機構４０のチャック４１ａ，４１ｂが基板Ｗを把持して、その後、リフタ機構３０の基板支持部３１が基板Ｗの支持状態を開放する。
　【００４０】
　したがって、基板Ｗの全体が純水から引き上げられると、基板Ｗの表面に付着している純水は、密閉チャンバ２４内のアルコール蒸気及び減圧下により乾燥除去されるから、チャック機構４０のチャック４１ａ，４１ｂは、基板Ｗの濡れた部分を掴まないので、この部分にパーティクル等が付着したり、ウォータマークが形成されない。また、基板Ｗがリフタ機構３０で一定速度で純水から引き上げられるから、基板Ｗの表面には、引き上げ速度の変化に伴うウォータマークが形成されない。
　【００４１】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の請求項１に係る基板処理装置によれば、リフタ機構で基板を支持した状態で、基板の全体が純水から完全に引き上げられるまで、基板を洗浄槽の純水から一定速度で引き上げるので、引き上げ速度の変化に起因する基板の表面にウォータマークが生じることもない。
　【００４２】
　請求項２の発明によれば、乾燥室に基板を乾燥させるためのアルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接続することにより、基板に付着した水分を速やかに除去することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例に係る基板処理装置を示す概略構成図。
　【図２】
　同実施例に係る洗浄・乾燥処理部を示す示す断面図。
　【図３】
　同実施例に係る洗浄・乾燥処理部を示す断面図。
　【図４】
　図３に続く工程を説明する説明図。
　【図５】
　図４に続く工程を説明する説明図。
　【図６】
　同実施例のチャック機構を説明する斜視図。
　【図７】
　同実施例の制御系を示すブロック図。
　【図８】
　基板の洗浄乾燥工程を示すタイミングチャート。
　【図９】
　従来の基板処理装置を示す断面図。
　【図１０】
　図９に続く工程を説明する説明図。
　【符号の説明】
　１０…基板処理装置
　２０…乾燥処理部
　２２…洗浄槽
　２２ａ…越流部
　２２ｂ…純水供給口
　２３…オーバーフロー槽
　２３ａ…排水口
　２４…密閉チャンバ
　２４ａ…蒸気供給口
　２５…チャンバ開口
　２６…密閉蓋
　２７…ラバーヒータ
　２８…温度計
　３０…リフタ機構
　３１…基板支持部
　３２…駆動ロッド
　３３…軸受機構
　３４…駆動プーリ
　３５…従動プーリ
　３６…ベルト
　３７…駆動用モータ
　４０…チャック機構
　４１ａ，４１ｂ…チャック
　４２…チャック回転軸
　４３…チャック駆動部
　５０…純水供給系
　５１ａ…給水用配管
　５１ｂ…給水用配管
　５１ｃ…給水用配管
　５１ｖ１…ボール弁
　５１ｖ２…開閉弁
　５２…フィルタ装置
　５３…リターン配管
　５３ｖ…開閉弁
　５４ａ…排水用配管
　５４ｂ…排水用配管
　５４ｖ…開閉弁
　５５ａ…排水用配管
　５５ｂ…排水用配管
　５５ｖ…開閉弁
　６０…減圧系
　６１…排気用配管
　６１ｖ…開閉弁
　６２…排気用配管
　６２ｖ…開閉弁
　６３…排気用配管
　６４…真空ポンプ
　８０…ガス供給系
　８１…ガス供給用配管
　８１ｖ…開閉弁
　８２…ヒータ
　８３…アルコール蒸気発生ユニット
　８４…ガスフィルタ
　９１…分岐配管
　９１ｖ…開閉弁
　９２…イオナイザー
　９５…温度制御器
　９９…制御手段