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　特願２００７−５１９５０３号「結晶シリコンインゴットの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１月１２日国際公開、ＷＯ２００６／００５０１８、平成２０年２月２１日国内公表、特表２００８−５０５０４６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明  
　本願は、平成１７年６月３０日(パリ条約による優先権主張　２００４年６月３０日　（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年６月２７日に手続補正書が提出され、平成２３年８月２日付けの拒絶理由に対して、平成２４年１月５日に意見書及び手続補正書が提出され、同年５月２３日付けで拒絶査定され、これに対して、同年１０月１日に拒絶査定不服審判が請求され、そして、平成２５年６月１２日付けの当審における拒絶理由に対して、同年１１月１８日に意見書及び手続補正書が提出されたものであり、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、同年１１月１８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　改良された方向性凝固法であって、
　方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した少なくとも１つの型を準備する工程と、
　前記型の各々に、複数のロッド多結晶シリコンの断片を、ずらして層状にした構成又は交差して層状にした構成で装入し、前記型の各々の中で少なくとも２つのロッド多結晶シリコンの断片が互いに接触するようにする工程と、
　前記型の各々に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも１つを装入する工程と、
　前記型を、方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した炉に配置する工程と、
　少なくとも２つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも１つとが溶融し所望の状態の溶融シリコン体となるまで前記型を加熱する工程と、
　前記型を冷却することにより前記溶融シリコン体を結晶化し少なくとも１つの結晶シリコンインゴットを形成する工程と
を有する方向性凝固法。」
　
２．引用例に記載の事項  
(２−１)当審における拒絶理由において引用文献１として引用された特開２００２−１９３６０９号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の記載がある。  
(ア)「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の一方向凝固法を採用する従来の結晶シリコン製造装置５０においては、結晶シリコン製造装置５０を大型化することなく、一度に製造される多結晶シリコンインゴットを増量したいという要求が存在し、このため、鋳型５１の側壁部５１ａの上端部近傍まで溶湯５４の液面が存在するようにシリコン原料Ｓを供給したいという要求が存在していた。また、同時に鋳型５１にシリコン原料Ｓを供給する場合であっても、シリコン原料Ｓの加熱溶解時にはアルゴンガス雰囲気を維持した状態としたいという要求があった。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
○の１鋳型を大型化することなく一度に供給するシリコン原料の増量を図ること。
○の２一度に製造可能な多結晶シリコンインゴットの増大を図ること。」（当審注：「○の１」及び「○の２」は、○囲みの数字をあらわす。）
　
(イ)「【００１２】結晶シリコン製造装置１は、図１に示すように、チャンバ２内に、シリコン融液３を収容するルツボ（鋳型）４と、そのルツボ４を収容する収容体５と、ルツボ４の収容された収容体５を載置するチルプレート８と、ルツボ４、収容体５、及びチルプレート８を包囲する包囲炉６と、包囲炉６内でルツボ４の上方位置及び、下方位置に配置され、固体シリコン（シリコン原料）３ａ，３ｂを加熱してシリコン融液（溶湯）３を生成する上加熱部７ａ，下加熱手段７ｂと、一対の増量板９，９とを有する構成とされている。」
　
(ウ)「【００２１】上記構成の結晶シリコン製造装置１を用いて、結晶シリコンを製造する場合には、まず、原料のチップ状の固体シリコン３ａをルツボ４内に収容するとともに、続いて原料のチップ状の固体シリコン３ｂを増量板９，９上に載置する。次いで、シャッター及び上部の開閉扉を閉じて包囲炉６内に流入ポート２０からアルゴンガスを流入し、所定圧のガス雰囲気に保ち、その状態で上加熱部７ａ，下加熱部７ｂを作動して包囲炉６内を昇温させる。すると、ルツボ４内の固体シリコン３ａが昇温し、溶融してシリコン融液３’が生成されて固体シリコン３ａに比べて体積が縮小するとともに、上加熱部７ａによって昇温した増量板９上の固体シリコン３ｂが傾斜面９ａにそって落下し、ルツボ４内に収容される。同時に、溶融温度に達した時点でルツボ４内の固体シリコン３ｂが溶融することにより、シリコン融液３が生成される。シリコンの溶解温度は１４８０℃である。このシリコン融液３，３’の生成は同時におこなわれる。
【００２２】そして、シリコン融液３が生成されると、上加熱部７ａを作動状態のままとして下加熱部７ｂの作動を停止し、シャッターを開くと、包囲炉６内の熱が下開口から吸熱板１３に吸熱される。これにより、包囲炉６内はシリコンの溶融温度から１０００℃程度まで降下する。そうして包囲炉６内の下部が１０００℃以下に降下すると、ルツボ４内のシリコン融液３が凝固し始める。このシリコン融液３が凝固し始めて、上加熱部７ａの作動も停止することにより、ルツボ４内のシリコン融液３が下部から上部にかけて徐々に凝固する。このように、ルツボ４の底部から上部方向へ正の温度勾配を付与するとともに、シリコン融液３を冷却することにより、シリコンが凝固して結晶化されることとなる。」
　
(２−２)当審における拒絶理由において引用文献２として引用された特開平１１−１００２９８号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の記載及び図示がある。
(エ)「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このようなシリコン単結晶原料の溶解では、大重量の単結晶を製造するために、一回当たりのルツボへの原料装填量をできるだけ多くすることが求められる。」
　
(オ)「【００１０】本発明の目的は、ルツボのサイズ及びルツボ内の原料装填レベルを増大させることなく、ルツボ内の原料装填量を現状以上に高め、更には溶解に要する電力費を低減させることができるシリコン単結晶原料の溶解方法を提供することにある。」
　
(カ)「【００１２】棒状の多結晶シリコンは、同一体積で比較した場合、塊粒状の多結晶シリコンの集合体より、重量が重たい。このため、棒状の多結晶シリコンを使用することにより、ルツボ内の原料装填率（装填密度）が上がる。しかも、下記の理由により、溶解に要する時間さえも短くなる。」
　
(キ)「【００１８】図１は本発明の第１実施形態を示す。本実施形態では、まず、ルツボ１の底面上に塊粒状の多結晶シリコン２（以下、塊粒原料２という）を敷きつめる。ルツボ１の底面外周部はＲ形状になっている。
【００１９】塊粒原料２の敷きつめが終わると、その上にシーメンス法による多結晶シリコン棒から切り出した３本の棒状の多結晶シリコン３ａ（以下、棒状原料３ａという）を横に寝かせて水平方向に並べる。このとき、棒状原料３ａを塊粒原料２にできるだけ埋め込むようにする。
【００２０】棒状原料３ａを並べ終わると、次にその棒状原料３ａがほぼ埋まるように、塊粒原料２を再度装填する。そして、その上にシーメンス法による多結晶シリコン棒から切り出した２本の棒状の多結晶シリコン３ｂ（以下、棒状原料３ｂという）を俵積み状に重ねた後、その上に所定レベルまで塊粒原料２を装填する。
【００２１】ここで、下段の棒状原料３ａは短尺、上段の棒状原料３ｂは長尺とされている。これにより、棒状原料３ａ，３ｂは、ルツボ１の周面と干渉することなく、ルツボ１内に効率よく装填される。即ち、長尺の棒状原料３ｂしか使用しな場合は、２段積みができず、短尺の棒状原料３ａしか使用しない場合は、２段積みは可能なものの、上段原料の両端に大きなスペースが残る。
【００２２】ルツボ１内への原料装填が終わると、ルツボの周囲に配置されたヒータに通電を行って、ルツボ１内の原料を溶解する。
【００２３】本実施形態では、棒状原料３ａ，３ｂの使用本数を５本としているが、これに限定されないことはいうまでもない。」
　
(ク)「【００２４】図２は本発明の第２実施形態を示す。本実施形態では、まず、ルツボ１の底面上に塊粒原料２のなかでも特に細かいＳＳチップと呼ばれるものを、上面が平らになるように敷きつめる。次に、その上に、６本の棒状原料３を垂直に立て、水平方向に俵積み状に組み合わせて並べる。そして、塊粒原料２を隙間に詰め、所定レベルまで装填する。
【００２５】ルツボ１の底面上にＳＳチップを敷きつめるのは、その上に立てる棒状原料３の倒れを防止するためである。
【００２６】ルツボ１内への原料装填が終わると、ルツボの周囲に配置されたヒータに通電を行って、ルツボ１内の原料を溶解する。」
　
(ケ)【図２】の(a)(b)には、(ク)で記載される「６本の棒状原料３を垂直に立て、水平方向に俵積み状に組み合わせて並べる」とともに「互いに接触させる」ことの図示がある。
　
３．引用例１に記載の発明
(コ)上記(ウ)より、引用例１には、「ルツボ（鋳型）４内のチップ状の固体シリコン３ａが溶融して生成されたシリコン融液３’に、増量板９上に載置されたチップ状の固体シリコン３ｂを追加供給してこれも溶融してシリコン融液３が生成されるまでルツボ（鋳型）４及び増量板９を加熱する」ことが記載されているものと認める。
　
　上記記載事項(ア)ないし(ウ)及び上記検討事項(コ)より、引用例１には、
「一方向凝固法であって、一方向凝固法を用いたチップ状の固体シリコン３ａ、３ｂを溶融及び冷却するルツボ（鋳型）４を準備する工程と、包囲炉６に包囲されたルツボ（鋳型）４内にチップ状の固体シリコン３ａを供給すると共に同じく包囲された増量板９上にチップ状の固体シリコン３ｂを載置する工程と、ルツボ（鋳型）４内のチップ状の固体シリコン３ａが溶融して生成されたシリコン融液３’に、増量板９上に載置されたチップ状の固体シリコン３ｂを追加供給してこれも溶融してシリコン融液３が生成されるまでルツボ（鋳型）４及び増量板９を加熱する工程と、ルツボ（鋳型）４を冷却することによりシリコン融液３を結晶化し多結晶シリコンインゴットを形成する工程とを有する一方向凝固法。」（以下、「引用例１記載の発明」という。）が記載されているということができる。
　
４．対比・判断
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比する。
○引用例１記載の発明の「一方向凝固法」、「ルツボ（鋳型）４」、「チップ状の固体シリコン３ａ、３ｂ」、「供給」、「シリコン融液３」、「多結晶シリコンインゴット」は、本願発明の「方向性凝固法」、「型」、「多結晶シリコン」または「チップ多結晶シリコン」、「装入」、「溶融シリコン体」、「結晶シリコンインゴット」にそれぞれ相当する。
　
○引用例１記載の発明の「チップ状の固体シリコン３ａ、３ｂを溶融及び冷却するルツボ（鋳型）４を準備する工程」と、本願発明の「多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した少なくとも１つの型を準備する工程」とは、「多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した１つの型を準備する工程」という点で重複する。
　　
○引用例１記載の発明の「ルツボ（鋳型）４内にチップ状の固体シリコン３ａを供給すると共に増量板９上にチップ状の固体シリコン３ｂを載置する工程」と、本願発明の「型の各々に、複数のロッド多結晶シリコンの断片を、ずらして層状にした構成又は交差して層状にした構成で装入し、型の各々の中で少なくとも２つのロッド多結晶シリコンの断片が互いに接触するようにする工程と、
　型の各々に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも１つを装入する工程」とは、「型にチップ多結晶シリコンを装入する工程」という点で重複する。
　
○引用例１記載の発明の「ルツボ（鋳型）４内のチップ状の固体シリコン３ａが溶融して生成されたシリコン融液３’に、増量板９上に載置されたチップ状の固体シリコン３ｂを追加供給してこれも溶融してシリコン融液３が生成されるまでルツボ（鋳型）４及び増量板９を加熱する工程」と、本願発明の「少なくとも２つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも１つとが溶融し所望の状態の溶融シリコン体となるまで型を加熱する工程」とは、「チップ多結晶シリコンが溶融し所望の状態の溶融シリコン体となるまで型を加熱する工程」という点で重複する。
　
○引用例１記載の発明の「ルツボ（鋳型）４を冷却することによりシリコン融液３を結晶化し多結晶シリコンインゴットを形成する工程」と、本願発明の「型を冷却することにより溶融シリコン体を結晶化し少なくとも１つの結晶シリコンインゴットを形成する工程」とは、「型を冷却することにより溶融シリコン体を結晶化し１つの結晶シリコンインゴットを形成する工程」という点で重複する。
　
　上記より、本願発明と引用例１記載の発明とは、「方向性凝固法であって、方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した１つの型を準備する工程と、前記型にチップ多結晶シリコンを装入する工程と、チップ多結晶シリコンが溶融し所望の状態の溶融シリコン体となるまで前記型を加熱する工程と、前記型を冷却することにより前記溶融シリコン体を結晶化し１つの結晶シリコンインゴットを形成する工程とを有する方向性凝固法。」という点で共通し、以下の点で相違している。
＜相違点１＞
　本願発明では、「型の各々に、複数のロッド多結晶シリコンの断片を、ずらして層状にした構成又は交差して層状にした構成で装入し、型の各々の中で少なくとも２つのロッド多結晶シリコンの断片が互いに接触するようにする工程と、
　型の各々に、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも１つを装入する工程と、
　型を、方向性凝固法を用いた多結晶シリコンの溶融及び冷却に適した炉に配置する工程と、
　少なくとも２つのロッド多結晶シリコンの断片と、チャンク多結晶シリコン、チップ多結晶シリコン又は粒状ポリシリコンのうちの少なくとも１つとが溶融し所望の状態の溶融シリコン体となるまで型を加熱する工程と」を有するのに対して、
　引用例１記載の発明では、「包囲炉６に包囲されたルツボ（鋳型）４内にチップ状の固体シリコン３ａを供給すると共に同じく包囲された増量板９上にチップ状の固体シリコン３ｂを載置する工程と、ルツボ（鋳型）４内のチップ状の固体シリコン３ａが溶融して生成されたシリコン融液３’に、増量板９上に載置されたチップ状の固体シリコン３ｂを追加供給してこれも溶融してシリコン融液３が生成されるまでルツボ（鋳型）４及び増量板９を加熱する工程と」を有する点。
　
＜相違点２＞
　本願発明では、「改良された」方向性凝固法であるのに対して、引用例１記載の発明では、一方向凝固法（方向性凝固法）である点。
　
　両相違点について検討する。
＜相違点１＞について
　引用例１には、上記２．(ア)からして、鋳型を大型化することなく一度に供給するシリコン原料の増量を図り、大きなシリコンインゴットを製造することが示されており、一方、引用例２には、上記２．(エ)(オ)からして、ルツボのサイズ及びルツボ内の原料装填レベルを増大させることなく、ルツボ内の原料装填量を現状以上に高め、大重量の単結晶を製造することが示されており、両者は、鋳型を大型化することなく一度に多くのシリコン原料を鋳型に供給し、大きな結晶を製造するという点で共通している。
　また、引用例２には、上記２．(キ)からして、ルツボ１の底面上に塊粒状の多結晶シリコン２を敷きつめる工程、多結晶シリコン棒から切り出した３本の棒状の多結晶シリコン３ａを横に寝かせて水平方向に並べる工程、その棒状原料３ａがほぼ埋まるように塊粒状の多結晶シリコン２を再度装填する工程、その上に多結晶シリコン棒から切り出した２本の棒状の多結晶シリコン３ｂを俵積み状に重ねる工程、その上に所定レベルまで塊粒状の多結晶シリコン２を装填する工程、棒状の多結晶シリコン３ａ、３ｂと塊粒状の多結晶シリコン２とを溶解する工程が示されており、ここで、上記２．(ク)(ケ)を併せて勘案するならば、引用例２には、「ルツボ１（型）に、多結晶シリコン棒から切り出した５本（複数）の棒状の多結晶シリコン３（ロッド多結晶シリコンの断片）を、ずらして層状にした構成で装入し、ルツボ１の中で少なくとも２つの棒状の多結晶シリコン３が互いに接触するようにする工程」、「ルツボ１に、塊粒状の多結晶シリコン２（チャンク多結晶シリコン又はチップ多結晶シリコンと粒状ポリシリコン）を装入する工程」、「棒状の多結晶シリコン３と塊粒状の多結晶シリコン２とが溶解する（溶融シリコン体となる）までルツボ１を加熱する工程」（事項）の示唆があるということができる。
　そうすると、引用例１、２は、上記の点で共通していることから、引用例１記載の発明の「包囲炉６に包囲されたルツボ（鋳型）４内にチップ状の固体シリコン３ａを供給すると共に同じく包囲された増量板９上にチップ状の固体シリコン３ｂを載置する工程と、ルツボ（鋳型）４内のチップ状の固体シリコン３ａが溶融して生成されたシリコン融液３’に、増量板９上に載置されたチップ状の固体シリコン３ｂを追加供給してこれも溶融してシリコン融液３が生成されるまでルツボ（鋳型）４及び増量板９を加熱する工程と」について、ルツボ（鋳型）４を大型化することなく一度に多くの固体シリコン３をルツボ（鋳型）４に供給（装入）するために、引用例２において示唆された上記事項を適用することで、増量板９を設けない（増量板９上に載置される固体シリコン３ｂを用いない）ようにすると共に、「包囲炉６に包囲されたルツボ（鋳型）４に、多結晶シリコン棒から切り出した５本（複数）の棒状の固体シリコン３（ロッド多結晶シリコンの断片）を、ずらして層状にした構成で供給（装入）し、ルツボ（鋳型）４の中で少なくとも２つの棒状の固体シリコン３が互いに接触するようにする工程と、ルツボ（鋳型）４に、塊粒状の固体シリコン３（チャンク多結晶シリコン又はチップ多結晶シリコンと粒状ポリシリコン）を供給する工程と、棒状の固体シリコン３と塊粒状の固体シリコン３とが溶融する（溶融シリコン体となる）までルツボ（鋳型）４を加熱する工程と」を有するようにすることは、当業者であれば容易に想起し得ることである。
　そして、引用例１記載の発明において、上記のようにする際、包囲炉６（炉）に包囲されたルツボ（鋳型）４に固体シリコン３を供給（装入）する工程とするか、もしくは、固体シリコン３が供給されたルツボ（鋳型）４を包囲炉６に配置する工程とするかは、多結晶シリコンインゴット（結晶シリコンインゴット）の製造効率を向上させる等の観点より、当業者であれば適宜決定する設計事項であるというべきである。
　したがって、相違点１に係る本願発明の発明特定事項とすることは、引用例１記載の発明及び引用例２において示唆された事項に基いて当業者であれば容易になし得ることである。  
 　 
＜相違点２＞について
　上記「＜相違点１＞について」で示したように、引用例１記載の発明（一方向凝固法）において、「ルツボ（鋳型）４に、多結晶シリコン棒から切り出した５本（複数）の棒状の固体シリコン３（ロッド多結晶シリコンの断片）を、ずらして層状にした構成で供給（装入）し、ルツボ（鋳型）４の中で少なくとも２つの棒状の固体シリコン３が互いに接触するようにする工程と、ルツボ（鋳型）４に、塊粒状の固体シリコン３（チャンク多結晶シリコン又はチップ多結晶シリコンと粒状ポリシリコン）を供給する工程と」を有するようにすることは、「改良された」一方向凝固法（方向性凝固法）にすることであるというべきであることから、相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは、引用例１記載の発明及び引用例２において示唆された事項に基いて当業者であれば容易になし得ることである。 
　
　そして、本願発明の「方向性凝固法を用いて得られる所定のインゴットの収率又は重量を増大させる」【００１４】等の作用効果は、引用例１記載の発明及び引用例２において示唆された事項に基いて当業者であれば十分に予測し得るものである。 
　よって、本願発明は、引用例１記載の発明及び引用例２において示唆された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび  
　したがって、本願発明は、引用例１記載の発明及び引用例２において示唆された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　それゆえ、本願は、特許請求の範囲の請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。