【事件の表示】
　平成　９年特許願第　４６６１３号「磁気抵抗効果ヘッドの製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成１０年　９月１１日出願公開、特開平１０−２４１１２２、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　経緯
　特許出願（特願０９−０４６６１３）　　　　　平成　９年　２月２８日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　９月　８日
　意見書・補正書　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年１１月１５日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　３月　２日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　４月１３日
　
２　本願発明
　本願発明は、補正された明細書及び図面の記載から見て、特許請求の範囲請求項１、２に記載された次のとおりである。
「【請求項１】磁性材料からなる磁性膜を形成する第１の工程と、成膜する面に向き合う方向からみれば形成したい下部シールドの形状を有し、断面としてはステンシル形状を有し、前記の第１の工程で成膜された前記磁性膜に前記ステンシル形状の幅が小さい方の面が接するフォトレジストパターンを形成する第２の工程と、ドライエッチング法を用いて前記フォトレジストパターンにおおわれていない部分の前記磁性膜を除去して前記下部シールドを形成する第３の工程と、酸化物からなる絶縁膜を前記磁性膜と同等の膜厚となるように成膜する第４の工程と、前記フォトレジストパターンを除去する第５の工程と、前記下部シールドの存在する領域上にＭＲ素子を、前記絶縁膜の存在する領域上に製造時に抵抗値を測定するためのモニター素子をそれぞれ形成する第６の工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。（以下、本願発明１という。）
【請求項２】前記第１の工程はスパッタリングと電解メッキ法からなる群から選ばれるプロセスにより、ＮｉＦｅとＡｌＳｉＦｅからなる群より選ばれる材料を用いて成膜し、前記第２の工程において、前記ステンシル形状のフォトレジストパターンと前記磁性膜に囲まれた空間の高さｈは前記絶縁膜の膜厚の０．５倍から１倍程度であり、前記絶縁膜と接している部分の前記フォトレジストの膜厚は前記絶縁膜の２倍程度以上であり、前記第３の工程のドライエッチング方法はイオンミリングを採用し、前記第４の工程はＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２のうち少なくとも一つからなる酸化物をスパッタリング法により成膜することを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。（以下、本願発明２という。）」
　
３　原査定の拒絶の理由の概要
　この出願の請求項１〜５に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公告又は出願公開がされた特願平８−１９９１１６号(特開平１０−４９８２８号)の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　
４　引用例記載の発明
　引用例は、ＭＲ素子と加工量検知マーカーとの形成部の段差をなくし、同一平面上に形成することによって、段差形状によるレジスト膜厚差や露光時の焦点位置の差を無くし、さらに両者を同じ材質の薄膜を用い、かつ同一露光により形成することによってマスク位置あわせ誤差を無くし、薄膜磁気ヘッドにおける高精度なＭＲ素子と加工量検知マーカーの形成方法を提供することを目的とする。
　そして、発明の詳細な説明の【００１０】には、「以下に、本実施例のＭＲヘッドの製造方法について、図１、図２を参照しながら説明する。ＭＲ素子４を形成するセラミック基板１上にはアルミナ層からなる下地絶縁層１３を有し、この上部に形成する下部磁気シールド層６は、１〜３μｍの膜厚を有するＣｏ系磁性材料からなり、スパッタリング法によって積層する。その後、フォトリソグラフィーとエッチングによって所定の形状に加工する。ここで生じた段差形状を平坦化する目的で、第１の例としてアルミナからなる絶縁層を３μｍ以上の膜厚で積層した後、機械加工による研磨法、或いはエッチバック法等を用いて平坦層３を形成する。この時、下部磁気シールド層上の絶縁層は除去されていなければならない。また、第２の例としてパターニングしたフォトレジスト層を１２０℃以上の不活性ガス雰囲気中、或いは真空中で熱処理を施すことによって硬化させ、平坦化層３とする。その後、ＭＲヘッドの第一絶縁層２となるアルミナ層を積層し、その後ＭＲ素子部となる多層膜を積層する。本実施例においては、磁気抵抗効果膜１２にＮｉＦｅ膜、軟磁性ソフトフィルムバイアス膜１０にＮｉＦｅＣｒ膜、高抵抗導体膜１１にＴａ膜からなる多層膜を用いている。このほかに磁気抵抗効果膜にＮｉＦｅＣｏ膜、軟磁性ソフトフィルムバイアス膜にＮｉＦｅ系合金からなる他の軟磁性材料、高抵抗導体膜にＮｂ膜あるいはＭｏ膜を用いても不都合なく、本発明の趣旨を充分に発揮するものである。」と記載されている。
　
５　本願発明１と引用例との対比
（一致点）
　本願発明１と引用例記載の発明とは、「磁性材料からなる磁性膜を形成する第１の工程と、下部シールドの形状を有し、フォトレジストパターンを形成する第２の工程と、ドライエッチング法を用いて前記フォトレジストパターンにおおわれていない部分の前記磁性膜を除去して前記下部シールドを形成する第３の工程と、酸化物からなる絶縁膜を前記磁性膜と同等の膜厚となるように成膜する第４の工程と、前記フォトレジストパターンを除去する第５の工程と、前記下部シールドの存在する領域上にＭＲ素子を、前記絶縁膜の存在する領域上に製造時に抵抗値を測定するためのモニター素子をそれぞれ形成する第６の工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。」である点で一致する。
（相違点）
　本願発明１は、「成膜する面に向き合う方向からみれば形成したい下部シールドの形状を有し、断面としてはステンシル形状を有し、前記の第１の工程で成膜された前記磁性膜に前記ステンシル形状の幅が小さい方の面が接するフォトレジストパターン」であるのに対して、引用例のものは、フォトリソグラフィーとエッチングによって所定の形状に加工すると記載されるのみで、フォトレジストパターンの断面形状については、記載されていない点で相違している。
（相違点の判断）
　当該相違点により本願発明１は、「【００２８】　下シールドミリング後に本発明のようなステンシル形状を有するフォトレジストパターン４１を使用して、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）により埋め込みを行おうとした場合、図３（ｄ）のようにアルミナスパッタ後であってもフォトレジストパターン４１はアンダーカット、即ち下シールドの端部付近には切れこみがあるためにパターン全体がアルミナに覆われてしまうことがない。そのために容易にフォトレジストパターン４１を剥離（リフトオフ）することが可能であり、フォトレジストパターン４１に側壁に付着したアルミナがバリとして残ることを防ぐことができる。また、フォトレジストパターン４１のアンダーカット部に侵入したアルミナスパッタ膜もなだらかなテーパーになるために後のフォトリソグラフィ工程のフォトレジスト膜厚を安定に塗布することが可能になる。　【００２９】　絶縁膜２５を成膜後、フォトレジストパターン４１を除去（リフトオフ）することにより図３（ｅ）のような素子形成面とモニター形成面の段差が軽減された形状を得ることができる。」という、明細書記載の顕著な効果を奏する。
　なるほど、ステンシル形状のフォトレジストパターンは、良く知られた形状のものであるが、それを下シールド膜の両側に絶縁膜を埋め込みするときに用いることまでは周知であるとはいえないし、上記のような顕著な効果を奏するのであるから、当業者が任意に適応できたとすることもできないので、本願発明１と引用例記載の発明を実質的に同一であるとすることはできない。
　
６　まとめ
　従って、原査定の理由では、本願発明１を拒絶することはできない。また、本願発明２は、本願発明１をさらに具体化したものであるから原査定の理由では本願発明２も拒絶することはできない。
　他に本願発明１、２を拒絶する理由を発見しない。
　よって、上記結論とおり審決する。