【事件の表示】
　特願２００６−　８６０９８号「鉄シリサイド結晶を含有する薄膜及びその薄膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１１日出願公開、特開２００７−２６６１０６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年３月２７日の出願であって、平成２４年１１月５日付けで手続補正がなされたが、平成２５年５月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、請求と同時に手続補正がなされ、その後、平成２６年１月１５日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年３月１９日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２５年９月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年９月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「絶縁膜で挟まれてなり、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｕを含有してなる原料薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融して中間薄膜を得る工程と、
　前記中間薄膜に対して、α型鉄シリサイド相からβ型鉄シリサイド相への相転移温度以下の温度でポストアニールを施す工程と、を有し、
　前記原料薄膜は、交互スパッタリングにより形成されており、
　前記交互スパッタリングは、全体に亘ってＣｕの組成比が均一化された前記原料薄膜を形成するものであることを特徴とする、
　β型鉄シリサイド結晶を主相とする薄膜の製造方法。」
と補正された。
　
　本件補正は、平成２４年１１月５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「交互スパッタリング」について「交互スパッタリングは、全体に亘ってＣｕの組成比が均一化された前記原料薄膜を形成するものである」と限定するものであり、この補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（２）引用例
（ア）引用例１
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である「田中優実，外１名，Ｇ２０９　金属−半導体転移を経て得られた太陽電池用Ｆｅ−Ｓｉ系薄膜の構造，ＳＣＥＪ　３７ｔｈ　Ａｕｔｕｍｎ　Ｍｅｅｔｉｎｇ，２００５年」（以下「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
記載事項ア
「【緒言】光を直接電気に変換し、運転時の騒音やＣＯ２排出のない太陽光発電システムは、持続可能社会の確立に向けたキーデバイスとして大きな期待が寄せられている。しかし市場に出ている太陽電池は発電コスト面で現在の汎用発電方式に遠く及ばず、これが太陽電池の普及拡大に向けた足枷となっているのが現状である。本研究では、太陽電池の発電コスト削減に向け、β型鉄シリサイド（βＦｅＳｉ２）を利用した、新たな高効率薄膜型太陽電池の開発に取り組んでいる。
　数あるＦｅ−Ｓｉ系化合物の中で唯一の半導体相であるβＦｅＳｉ２は、Ｓｉと比較してバンドギャップが小さく、高い光吸収係数を有し、資源供給性と安全性にも優れた「環境半導体」として、最近非常に注目を集めている。しかし、９４０℃以上で金属相であるα型に転移してしまうために融液から直接単結晶を得ることができず、また、Ｓｉ結晶面上でエピタキシャル成長が可能であることを利用した薄膜成膜法では、結晶性向上のために必須となるアニール処理過程において他組成化合物の生成や非連続膜化が生じてしまうことから、現状として太陽電池の発電層として利用可能なレベルの薄膜の製膜には至っていない。このような背景の下、本研究では、Ｆｅ−Ｓｉ系アモルファス薄膜へのゾーンメルティング処理（薄膜ＺＭＣ法）により、金属相であるαＦｅＳｉ２の低欠陥薄膜をまず作製し、次いでこれを半導体転移させるという新たな手法での
太陽電池用βＦｅＳｉ
２
薄膜の製膜
【実験】
ＺＭＣ法に用いるサンプルは、試料層（約０．５μｍ）が上下２枚のＳｉＯ
２
層（１〜２μｍ）に挟まれた三層構造となるよう、Ｓｉウエハー上に作製した。製膜はマグネトロンＲＦスパッタリング法で行い、室温下、Ｆｅ−Ｓｉ層は約０．５μｍ、ＳｉＯ
２
層は１〜２μｍまで堆積させた。ドープは、Ｆｅ−Ｓｉ層製膜時にＣｕを共スパッタして行った。
　
ＺＭＣ法はＦｉｇ．１に示すように、下部ヒーターで加熱したサンプル上でラインヒーターを走査し、試料層のみを帯状に溶融固化させる手法である。
【結果及び考察】Ｆｅ：Ｓｉ＝１：２のアモルファス膜に対するＺＭＣ処理で得られた試料のＸＲＤチャートにはαＦｅＳｉ２による非常に強い００Ｌピークと、強磁性体相であるＦｅ３Ｓｉによる微小なＨ００ピークのみが現れた。極めて高い配向性を持つ、非常に興味深い「金属／強磁性体複合膜」が得られたことになる。αＦｅＳｉ２は鉄が７〜１２ａｔ％欠損した非化学量論化合物である。量論組成のアモルファスからαＦｅＳｉ２が形成される際に、過剰な鉄を取り込んでＦｅ３Ｓｉが生成したものと考えられる。ただしこの組成領域での相図上の共存相はεＦｅＳｉであり、Ｆｅ３Ｓｉの形成には、ＺＭＣ処理時の非平衡過程が大きく影響しているものと言える。
この試料を９３０℃で２０時間、更に８００℃で２０時間アニールした
　αＦｅＳｉ２からβＦｅＳｉ２への転移形式には、過剰なＳｉを析出する共析型と、εＦｅＳｉが共存する場合にこれを取り込む包析型の２種がある。転移の速度はいずれも遅いが、少量の銅がこれを劇的に向上させることが報告されている。
そこでこの転移促進効果を狙い、銅を添加した試料（Ｆｅ：Ｃｕ：Ｓｉ＝０．７：０．３：２）を作製し、ノンドープと同様の条件でＺＭＣ処理とアニールを行った。
　Ｃｕドープ系におけるＺＭＣ膜のＸＲＤチャートはノンドープとほぼ同一のパターンであったが、ノンドープで全く変化が見られなかった
９３０℃でのアニールにおいてαＦｅＳｉ
２
とＦｅ
３
Ｓｉのピークが劇的に減少し、さらに８００℃でのアニール後のＸＲＤチャート（図２）では、αＦｅＳｉ
２
とＦｅ
３
Ｓｉ相が共に全て消えてβＦｅＳｉ
２
と微小なＳｉ由来のピークのみが現れた。
　
記載事項イ
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　上記記載事項ア、イの記載内容からして、引用例１には、
「試料層が上下２枚のＳｉＯ２層に挟まれた三層構造となるよう、Ｓｉウエハー上に作製し、製膜はマグネトロンＲＦスパッタリング法で行い、試料層はＦｅ：Ｃｕ：Ｓｉ＝０．７：０．３：２となるようにＦｅ−Ｓｉ層製膜時にＣｕを共スパッタして行い、ＺＭＣ法を用いて試料層のみを溶融固化させ、９３０℃で２０時間、更に８００℃で２０時間アニールすることで、アニール後のＸＲＤチャートでは、αＦｅＳｉ２とＦｅ３Ｓｉ相が共に全て消えてβＦｅＳｉ２と微小なＳｉ由来のピークのみが現れる太陽電池用βＦｅＳｉ２薄膜の製膜方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（イ）引用例２
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である「田中優実，外２名，３１ａ−Ｃ−８　薄膜ゾーンメルティング法による太陽電池用ＦｅＳｉｘ薄膜の作製，２００５年（平成１７年）春季　第５２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集第２分冊，２００５年　３月２９日，第７４１頁」（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項ウ
「【目的】本研究では、高い光吸収係数を有する半導体材料として最近注目を集めるβ・ＦｅＳｉ２と、Ｓｉの複合化薄膜を、薄膜ゾーンメルティング（ＺＭＣ＝ｚｏｎｅ　ｍｅｌｔｉｎｇ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法により作製することをコンセプトとしている。今回は、任意組成のＦｅ・Ｓｉ系アモルファス薄膜の形成と薄膜ＺＭＣ法による結晶化を利用したＦｅＳｉｘ薄膜における、組成、製膜条件と、薄膜の結晶構造及び結晶配向性の関係について知ることを目的とした。
【実験】種々のＦｅ／Ｓｉ比を有するＦｅ・Ｓｉ系アモルファス薄膜を、Ｓｉ、及びＳｉ上に純鉄製のチップをのせたＦｅ・Ｓｉの２種類のターゲットで交互にスパッタを行うことによって作成した。この際、基板としてＳｉウエハー上にＳｉＯ２層を約１．０μｍスパッタ製膜したしたものを使用した。さらにＦｅＳｉｘ膜上にＳｉＯ２層を約１．０μｍスパッタ製膜して三層膜とした後、薄膜状態でゾーンメルティングによる結晶化を行った。
【結果及び考察】ｘ＝Ｓｉ［ｍｏｌ］／Ｆｅ［ｍｏｌ］＝１．９７の試料に対して基板温度１０００℃でＺＭＣを行ったところ、極めてｃ軸配向性の高いα・ＦｅＳｉ２薄膜が得られた。一方、ｘ＝４．１２、７．９９に対して同様にＺＭＣを行ったところ、ｘ＝１．９７がほぼα・ＦｅＳｉ２による単一相であったのに対し、ｘ＝４．１２、７．９９ではα相が急激に減少し、新たな結晶相が現れていることが分かった。Ｆｅ・Ｓｉ系でｘ＝２以上の組成においては、９３７℃より高温側ではα・ＦｅＳｉ２とＳｉの混合相、低温側ではβ・ＦｅＳｉ２とＳｉとの混合相のみ安定である為、新たに現れた相がβ相である可能性は高い。β相を想定してＸＲＤプロファイルから格子定数を算出したところ、ｘ＝４．１２、７．９９共に、文献値と比較してａ、ｂ軸で０．３〜０．６Å小さく、ｃ軸で０．５Å程度大きな値が得られた。新たな相がβ相である場合、格子が歪んでいることが予想される。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「試料層」は、「Ｆｅ−Ｓｉ層製膜時にＣｕを共スパッタして行」うから、本願補正発明の「Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｕを含有してなる原料薄膜」に相当する。
　また、引用発明の「ＺＭＣ法を用いて試料層のみを溶融固化させ」ることは、本願補正発明の「ゾーンメルティング法によって溶融して中間薄膜を得る」ことに相当する。
　また、引用発明の「ＳｉＯ２層」は本願補正発明の「絶縁膜」に相当する。
　そうすると、引用発明の「試料層が上下２枚のＳｉＯ２層に挟まれた三層構造となるよう、Ｓｉウエハー上に作製し、製膜はマグネトロンＲＦスパッタリング法で行い、試料層は」「Ｆｅ−Ｓｉ層製膜時にＣｕを共スパッタして行い、ＺＭＣ法を用いて試料層のみを溶融固化させ」ることは、本願補正発明の「絶縁膜で挟まれてなり、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｕを含有してなる原料薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融して中間薄膜を得る工程」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「アニール」は、本願補正発明の「ポストアニール」に相当する。
　また、本願補正発明の「ポストアニール」を施す際の温度である「α型鉄シリサイド相からβ型鉄シリサイド相への相転移温度以下の温度」が具体的にどのような温度であるのかが必ずしも明確でないが、本願の発明の詳細な説明の【００２８】には、「本発明の製造方法において、上記ポストアニールの温度が８００〜９３５℃であることが好ましい。ポストアニールをこの温度範囲内で行うことにより、ポストアニールを施す工程におけるα−ＦｅＳｉ２相からβ−ＦｅＳｉ２相への相転移を一層促進することが可能となる。」と記載されていることを参酌すると、引用発明の「アニールする」際の温度である「９３０℃」及び「８００℃」は、本願補正発明の「α型鉄シリサイド相からβ型鉄シリサイド相への相転移温度以下の温度」に相当するものと認められる。
　そうすると、引用発明の「９３０℃で２０時間、更に８００℃で２０時間アニールする」ことは、本願補正発明の「前記中間薄膜に対して、α型鉄シリサイド相からβ型鉄シリサイド相への相転移温度以下の温度でポストアニールを施す工程」に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「アニール後のＸＲＤチャートでは、αＦｅＳｉ２とＦｅ３Ｓｉ相が共に全て消えてβＦｅＳｉ２と微小なＳｉ由来のピークのみが現れる太陽電池用βＦｅＳｉ２薄膜の製膜方法」は、本願補正発明の「β型鉄シリサイド結晶を主相とする薄膜の製造方法」に相当する。
　
　上記（ａ）ないし（ｃ）に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、
「絶縁膜で挟まれてなり、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｕを含有してなる原料薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融して中間薄膜を得る工程と、
　前記中間薄膜に対して、α型鉄シリサイド相からβ型鉄シリサイド相への相転移温度以下の温度でポストアニールを施す工程と、を有するβ型鉄シリサイド結晶を主相とする薄膜の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点
　本願補正発明では、原料薄膜は、交互スパッタリングにより形成されており、前記交互スパッタリングは、全体に亘ってＣｕの組成比が均一化された原料薄膜を形成するものであるのに対し、引用発明では、試料層はＦｅ−Ｓｉ層製膜時にＣｕを共スパッタして行っている点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、種々のＦｅ／Ｓｉ比を有するＦｅ・Ｓｉ系アモルファス薄膜を得るために、Ｆｅ・Ｓｉの２種類のターゲットで交互にスパッタを行うことによって作成することが記載されている。すなわち引用例２には、交互スパッタリングを用いると所望の比の薄膜を作成することができることが記載されているといえ、引用発明の試料層もＦｅ：Ｃｕ：Ｓｉ＝０．７：０．３：２と所望の比となるように製膜しているのであるから、共スパッタに代えて交互スパッタリングで薄膜を作成するようにすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　また、交互スパッタリングにより薄膜を作成する際に１回のスパッタリングで形成する膜厚を極めて薄くする等の製膜条件を考慮すると元素分布の均一性が良好な薄膜を得ることができることは周知の事項（必要であれば、特開平３−２０００７号公報の第３頁左下欄第１７行〜右下欄第１行、第５頁右上欄第１５行〜左下欄第１８行、国際公開第２００５／１１７０４１号の[００３１]等参照）であり、引用発明の試料層においても全体に亘って組成比が均一化された薄膜となった方が好ましいことは自明なことであるから、交互スパッタリングを採用する際に製膜条件を考慮してＣｕの組成比が均一化されるようにすることは当業者であれば適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　
　したがって、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明の効果は、引用発明、引用例２に記載された事項及び周知の事項から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用例２に記載された事項及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年１１月５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　
「絶縁膜で挟まれてなり、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｕを含有してなる原料薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融して中間薄膜を得る工程と、
　前記中間薄膜に対して、α型鉄シリサイド相からβ型鉄シリサイド相への相転移温度以下の温度でポストアニールを施す工程と、を有し、
　前記原料薄膜は、交互スパッタリングにより形成されていることを特徴とする、
　β型鉄シリサイド結晶を主相とする薄膜の製造方法。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「２．」「（２）」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明の限定事項である「交互スパッタリングは、全体に亘ってＣｕの組成比が均一化された前記原料薄膜を形成するものである」を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．」「（４）」に記載したとおり、引用発明、引用例２に記載された事項及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用例２に記載された事項及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された事項及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。