【手続補正書】
【提出日】平成27年9月29日(2015.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一種の低仕事関数及び高い化学的安定性を備えた電極材料、その特徴は：当該電極材料は、電気伝導するエミッタ及び当該エミッタ表面に設けられた電子放出層を含み、その内、当該エミッタは化合物基材から作られており、当該電子放出層の材質は酸化物薄膜である。
【請求項２】
特許請求1に記載される電極材料、その特徴は：当該化合物基材の材質は、金属ホウ化物、金属窒化物或いは金属炭化物であり、且つ、その内の金属元素はカルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン系元素、トリウム、チタン、ジルコニウム及びハフニウムの内の一種類、或いは多種類の組合せである。
【請求項３】
特許請求2に記載される電極材料、その特徴は：当該金属ホウ化物は、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム或いはランタン系元素の単結晶六ホウ化物の内から選出され、また当該金属ホウ化物の結晶方位は格子（100）、(110)或いは（111）の方位である。
【請求項４】
特許請求1に記載される電極材料、その特徴は：当該エミッタは針状であり、当該針状のエミッタの先端は、軸方向がエミッタの軸方向に対して平行或いは重なる形の先端円柱を形成し、先端円柱の上面はエミッタの軸方向と垂直となる先端プラットフォームであり、当該酸化物薄膜は少なくとも先端プラットフォームの区域を被覆するもの。
【請求項５】
一種の真空電界電子エミッタは絶縁ブロック及び当該絶縁ブロック上の二本の金属柱を含み、その特徴は：当該真空電界電子エミッタは、両端がそれぞれ当該2本の電子柱の末端に溶接されたフィラメント、及び当該フィラメントの中央部分に溶接された針状の基体を含み、当該針状の基体の先端にピンポイントが形成され、また当該真空電界電子エミッタは以下部分をも含む：結合層を経由して当該針状基体のピンポイント位置に設けられる円筒形の放出ブロック、及び当該円筒形の放出ブロックの先端部分に設けられた電子放出層；当該放出ブロックはシリンダゾーンを有し、当該シリンダゾーンの上辺は、当該放出ブロックの軸に向けて、内側に収縮しコーンゾーンを形成、当該コーンゾーンの上辺は、当該放出ブロック軸方向と垂直となる先端プラットフォームを形成し、よって当該電子放出層は当該先端プラットフォームに設けられる；当該放出ブロックは化合物基材から作られ、当該電子放出層の材質は酸化物薄膜である。
【請求項６】
特許請求5に記載される真空電界電子エミッタ、その特徴は：当該放出ブロックの材質は、金属ホウ化物、金属窒化物或いは金属炭化物から選出され、且つ、その内の金属元素はカルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン系元素、トリウム、チタン、ジルコニウム及びハフニウムの内の一種類或いは多種類の組合せである。
【請求項７】
特許請求5に記載される真空電界電子エミッタ、その特徴は：当該酸化物薄膜は金属酸化物から構成され、当該酸化物薄膜の中、酸元素以外の金属元素は、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン系元素、トリウム、チタン、ジルコニウム及びハフニウムの内の一種類或いは多種類の組合せである。
【請求項８】
特許請求5に記載される真空電界電子エミッタ、その特徴は：当該針状基体は高融点の導電材料から作られ、当該高融点の導電材料は、カーボン、ウォルフラム、レニウム、タンタル或いはモリブデンから選出される。
【請求項９】
特許請求5に記載される真空電界電子エミッタ、その特徴は：当該結合層はカーボン、プラチナ或いはウォルフラムから構成される。
【請求項１０】
特許申請5に記載される真空電界電子エミッタ、その特徴は：当該エミッタのコーンゾーンの上辺に、軸方向がエミッタの軸方向と平行或いは重なる形の先端円柱が形成され、当該先端円柱の上面は当該エミッタの軸方向と垂直となる先端プラットフォームである。
【請求項１１】
一種の電極材料の作成方法、その特徴は：当該電極材料は、電気伝導するエミッタ及び当該エミッタ表面に設けられる電子放出層を含み、その内、当該エミッタは化合物基材から作られ、当該電子放出層の材質は酸化物薄膜である；当該化合物基材が金属六ホウ化物で、当該エミッタの構造が針状或いは柱状で、且つ当該エミッタの先端は、軸方向が当該エミッタの軸方向と平行或いは重なる形の先端円柱を形成する場合、当該電極材料の作成方法は、当該先端円柱の作成手順を含み、先端円柱の作成手順は具体的には以下のとおりである：a. 真空環境において、当該エミッタの先端を半球体表面に形成させ、この半球面の先端が（100）結晶表面となる；b. 一定な腐蝕性気体の気圧の中で、当該エミッタと相対する近隣の電極が、当該エミッタの上に正電圧を印加する；c. 半球型の表面が腐蝕性気体により腐蝕される時、先端の（100）結晶表面の腐蝕速度は他の結晶表面の腐蝕速度より遅いため、当該半球型表面がエミッタの軸方向と垂直となる円柱型を形成する際に、加圧された正電圧および腐蝕性気体を撤去すれば、当該先端円柱が形成される。
【請求項１２】
特許請求11に記載される作成方法、その特徴は：当該腐蝕性気体は、酸素、窒素または水蒸気である。
【請求項１３】
一種の真空電界電子エミッタは絶縁ブロック及び当該絶縁ブロック上に設けられる2本の金属柱を含み、その特徴は：当該真空電界電子エミッタは以下部分を含む：当該2本の金属柱の末端と溶接される2本のフィラメントと、当該2本のフィラメントの間に溶接される2つのグラファイト加熱板、及び当該2つのグラファイト加熱板の間に挟まれたブロック状の基体；当該ブロック状基体の中央は上方に向けて突起し、針状の先端を有するエミッタを形成、当該針状エミッタの先端位置は、当該針状エミッタ軸方向と垂直となる先端プラットフォームを形成、また当該真空電界電子エミッタは、当該針状エミッタ先端の電子エミッタをも含む；当該針状エミッタは化合物基材から作られ、当該電子放出層の材質は酸化物薄膜である。
【請求項１４】
特許請求13に記載された真空電界電子エミッタ、その特徴は：当該ブロック状の基体、及び当該針状エミッタの材質は、金属ホウ化物、金属窒化物或いは金属炭化物から選出され、且つ、その内の金属元素は、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン系元素、トリウム、チタン、ジルコニウム及びハフニウムの内の一種類或いは多種類の組合せである。
【請求項１５】
特許請求13に記載された真空電界電子エミッタ、その特徴は：当該酸化物薄膜は金属酸化物により構成され、当該酸化物薄膜の内、酸元素以外の金属元素は、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン系元素、トリウム、チタン、ジルコニウム及びハフニウムの内の一種類或いは多種類の組合せである。
【請求項１６】
一種の電極材料の作成方法、その特徴は：電極材料は、電気導電するエミッタ及び当該エミッタ表面に設けられる電子放出層を含み、その内、当該エミッタは化合物基材から作られ、当該電子放出層の材質は酸化物薄膜である；当該化合物基材が金属ホウ化物、金属窒化物或いは金属炭化物であり、当該エミッタの構造が、先端に先端プラットフォームを有する針状或いは円柱状である場合、当該電極材料の作成方法の内、一つの手順はエミッタの先端プラットフォーム上に酸化物薄膜層を設けることであり、当該手順の具体的な実施方法は以下のとおり：a. エミッタの先端プラットフォームの近隣表面に酸化物を設ける；b. 真空環境の中、先端プラットフォームと相対する近隣電極は、当該エミッタ上に電圧を加圧し、酸化物を当該先端プラットフォームの上に拡散させる。c. 当該先端プラットフォームが酸化物により完全に被覆された後、電圧の加圧を中止、当該酸化物薄膜層は当該エミッタの先端プラットフォーム上に設置完了となる。
【請求項１７】
特許請求16に記載される作成方法、その特徴は：手順aは薄膜沈殿技術を利用し、先端プラットフォームの近隣表面に酸化物を沈殿することにより実現される。
【請求項１８】
特許請求16に記載される作成方法、その特徴は：手順bには、酸化物遷移率が増加する温度まで加熱することを含み、手順cに至れば、加熱を中止する。
【請求項１９】
特許請求16に記載される作成方法、その特徴は：手順cの後は手順dが続くもの：エミッタを酸化物薄膜蒸発点より低い温度まで加熱することにより、酸化物薄膜層と当該先端プラットフォームのしっかりとした結合を実現させる。