【事件の表示】
　特願２０１２−１３５４３０「被加工物の加工方法、被加工物の分割方法およびレーザー加工装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月２７日出願公開、特開２０１２−１８３５９０、請求項の数（１７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年６月２８日を出願日とする特願２０１０−１４６２４８号の一部を，新たに平成２４年６月１５日に出願したものであって，平成２５年８月２６日付けで拒絶理由が通知され，同年９月１１日付けで意見書が提出されたが，同年１２月１０日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２６年１月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に，手続補正（以下「本件補正」という）がなされたものである。
　
第２　原査定の拒絶の理由の概要
　この出願の請求項１〜３１に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物１〜８に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
１．特開２００９−２１４１８２号公報
２．特開２００５−０３４８６２号公報
３．特開２００８−０９８４６５号公報
４．特開平０９−１４１４８４号公報
５．特開平０９−０１９７８７号公報
６．国際公開第２００５／１０２６３８号
７．特開２０００−２７０８３３号公報
８．特開２００５−３１４１９８号公報
（以下「刊行物１」〜「刊行物８」という）
　
第３　本件補正について
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲を，以下のとおり補正するものである。（下線は補正箇所を示す）
「【請求項１】
　被加工物に分割起点を形成するための加工方法であって、
　被加工物をステージに載置する載置工程と、
　前記ステージに載置された前記被加工物の被加工面の上に、前記被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明である液体によって液層を形成する液層形成工程と、
　前記ステージと前記パルスレーザー光の光源とを連続的に相対移動させながら、前記パルスレーザー光を、前記液層を透過させつつ、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成されるように前記被加工物に照射
し、前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成
を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
　【請求項２】
　被加工物に分割起点を形成するための加工方法であって、
　被加工物をステージに載置する載置工程と、
　前記ステージに載置された前記被加工物の被加工面の上に、前記被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明である液体によって液層を形成する液層形成工程と、
　前記ステージと前記パルスレーザー光の光源とを連続的に相対移動させながら、前記パルスレーザー光を、前記液層を透過させつつ、かつ、個々の単位パルス光が前記被加工面に離散的に照射されるように前記被加工物に照射し、
前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、
を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
　【請求項３】
　請求項１または請求項２に記載の加工方法であって、
　前記パルスレーザー光が、パルス幅がｐｓｅｃオーダーの超短パルス光である、
ことを特徴とする被加工物の加工方法。
　【請求項４】
　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の加工方法であって、
　前記液層形成工程においては、少なくとも前記照射工程が行われている間、前記ステージの上に構成した貯留槽の内部にて前記被加工物を前記液体に浸漬させることにより、前記被加工面の上に前記液層を形成する、
ことを特徴とする被加工物の加工方法。
　【請求項５】
　請求項４に記載の加工方法であって、
　前記液層形成工程においては、前記貯留槽に対して連続的または断続的に前記液体を供給および排出させることによって前記被加工面の上に流液層を形成する、
ことを特徴とする被加工物の加工方法。
　【請求項６】
　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の加工方法であって、
　前記液層形成工程においては、少なくとも前記照射工程が行われている間、連続的または断続的に前記液体を流すことによって、前記被加工面の上に流液層を形成する、
ことを特徴とする被加工物の加工方法。
　【請求項７】
　請求項６に記載の加工方法であって、
　前記液層形成工程においては、前記被加工物が前記ステージに載置された状態で、前記被加工面に対して所定の吐出手段から前記液体を吐出させることにより前記流液層を形成する、
ことを特徴とする被加工物の加工方法。
　【請求項８】
　被加工物を分割する方法であって、
　請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の方法によって分割起点が形成された被加工物を、前記分割起点に沿って分割する、
ことを特徴とする被加工物の分割方法。
　【請求項９】
　パルスレーザー光を発する光源と、
　被加工物が載置されるステージと、
を備えるレーザー加工装置であって、
　前記ステージに載置された前記被加工物の被加工面の上に、前記被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明である液体によって液層を形成する液層形成機構をさらに備え、
　前記ステージに前記被加工物を載置し、かつ、前記被加工面の上に前記液層を形成した状態で、前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射
し、前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成
ことを特徴とするレーザー加工装置。
　【請求項１０】
　パルスレーザー光を発する光源と、
　被加工物が載置されるステージと、
を備えるレーザー加工装置であって、
　前記ステージに載置された前記被加工物の被加工面の上に、前記被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明である液体によって液層を形成する液層形成機構をさらに備え、
　前記ステージに前記被加工物を載置し、かつ、前記被加工面の上に前記液層を形成した状態で、前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光が前記被加工面に離散的に照射されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射し、
前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
　【請求項１１】
　請求項
９
１０
　前記液層形成機構が、前記ステージの上に配置されることで前記液体を貯留可能な貯留槽を構成する筒状部材を有し、
　前記被加工物を、前記貯留槽の内部において前記ステージに載置し、かつ前記液体に浸漬させることにより、前記被加工面の上に前記液層を形成する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
　【請求項１２】
　請求項
１１
　前記筒状部材が、前記ステージの上において前記被加工物を固定する固定部材よりも外周に配置されることを特徴とするレーザー加工装置。
　【請求項１３】
　請求項
１１
　前記筒状部材が、前記ステージの上において前記被加工物に接着された固定用シートの上に配置されることを特徴とするレーザー加工装置。
　【請求項１４】
　請求項
９
１０
　前記液層形成機構が、前記ステージを底部とする貯留槽を有し、
　前記被加工物を、前記貯留槽の内部において前記ステージに載置し、かつ前記液体に浸漬させることにより、前記被加工面の上に前記液層を形成する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
　【請求項１５】
　請求項
１１
１４
　前記液層形成機構が、前記貯留槽に対して連続的または断続的に前記液体を供給および排出させることによって前記ステージに載置された前記被加工物の前記被加工面の上に流液層を形成する流液層形成手段を備え、
　前記流液層を形成した状態で前記パルスレーザー光を照射することにより、前記被加工物に前記分割のための起点を形成する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
　【請求項１６】
　請求項
１１
１５
　前記貯留槽の上面に前記パルスレーザー光に対して透明な部材からなる窓部が設けられており、前記貯留槽においては前記窓部に接するように前記液層が貯留されてなる、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
　【請求項１７】
　請求項
９
１０
　前記液層形成機構が、前記被加工物が前記ステージに載置された状態で、前記被加工面に対して前記液体を吐出可能な吐出手段、
を備え、
　前記吐出手段から吐出された前記液体によって流液層を形成した状態で、前記パルスレーザー光を照射することにより、前記被加工物に前記分割のための起点を形成する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。」
　
　そして，本件補正は，補正前の請求項１，２，９および１０に係る発明の特定事項である「照射工程」について「前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成」すると限定するものであり，本件補正前の請求項請求項１，２，９および１０に記載された発明と、本件補正後の請求項１，２，９および１０に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であることは明らかであるから，本件補正の目的は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、「照射工程」が「前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成」するものであることは，本願明細書の段落【００７１】，【００７２】，【００８６】，【００８７】および【００９４】の記載からみて明らかであるから，本件補正は，願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内おいてしたものであり，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　さらに、本件補正前の請求項１，２，９および１０に記載された発明と，本件補正後の請求項１，２，９および１０に記載された発明とが，特許法第３７条の発明の単一性を満たす一群の発明に該当するものとなっていることは明らかであるから，本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　次に，本件補正後の請求項１〜１７に係る発明（以下「本願発明１」〜「本願発明１７」という）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
第４　独立特許要件（進歩性）について
１　各刊行物の記載内容
（１）刊行物１には，「加工対象物切断方法」について，図１〜２４とともに次の事項が記載されている。
　
（１−ア）
「【発明の属する技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断方法に関する。」
　
（１−イ）
「【０００５】
本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することである。
【０００６】本発明に係る加工対象物切断方法は、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を照射することで、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質スポットを複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する工程を備え、加工対象物の厚さ方向と略直交する断面において、隣り合う改質スポット間のピッチを、切断予定ラインに沿った方向の改質スポットの寸法よりも大きくすることにより、改質スポットを切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に断続的に形成し、ウェハ状の加工対象物に形成された改質領域のみを起点として加工対象物を切断することを特徴とする。」
　
（１−ウ）
「【０００８】
また、本発明に使用するレーザ加工装置によれば、加工対象物の内部に局所的に多光子吸収を発生させて改質領域を形成している。よって、加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない。以上のことはこれから説明するレーザ加工装置についても言えることである。」
　
（１−エ）
「【００１２】
本発明に使用するレーザ加工装置は、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段と、加工対象物の切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段と、速度の大きさの入力に基づいて移動手段によるパルスレーザ光の集光点の相対的移動速度の大きさを調節する速度調節手段と、を備え、加工対象物の内部に集光点を合わせて１パルスのパルスレーザ光を加工対象物に照射することにより、加工対象物の内部に１つの改質スポットが形成され、加工対象物の内部に集光点を合わせかつ切断予定ラインに沿って集光点を相対的に移動させて、複数パルスのパルスレーザ光を加工対象物に照射することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に複数の改質スポットが形成され、入力された速度の大きさに基づいて隣り合う改質スポット間の距離を演算する距離演算手段と、距離演算手段により演算された距離を表示する距離表示手段と、を備えることを特徴とする。」
　
（１−オ）
「【００６１】
次に、本実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。図１７はこのレーザ加工装置１００の概略構成図である。レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら三つのステージ１０９，１１１，１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。」
　
（１−カ）
「【００８８】
次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。そして、加工対象物１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、加工対象物１をシリコンチップに分割する。
【００８９】
本実施形態の効果を説明する。これによれば、多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせて、パルスレーザ光Ｌを切断予定ライン５に照射している。そして、Ｘ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させている。これにより、改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域）を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。よって、改質領域を起点として切断予定ライン５に沿って加工対象物１を割ることにより、比較的小さな力で加工対象物１を切断することができる。これにより、加工対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物１を切断することができる。」
　
（１−キ）
「【００９１】
以上説明したように本実施形態によれば、加工対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、加工対象物１を切断することができる。よって、加工対象物１が例えば半導体ウェハの場合、半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。表面に電極パターンが形成されている加工対象物や、圧電素子ウェハや液晶等の表示装置が形成されたガラス基板のように表面に電子デバイスが形成されている加工対象物についても同様である。よって、本実施形態によれば、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりを向上させることができる。
【００９２】
また、本実施形態によれば、加工対象物１の表面３の切断予定ライン５は溶融しないので、切断予定ライン５の幅（この幅は、例えば半導体ウェハの場合、半導体チップとなる領域同士の間隔である。）を小さくできる。これにより、一枚の加工対象物１から作製される製品の数が増え、製品の生産性を向上させることができる。
【００９３】
また、本実施形態によれば、加工対象物１の切断加工にレーザ光を用いるので、ダイヤモンドカッタを用いたダイシングよりも複雑な加工が可能となる。例えば、図２４に示すように切断予定ライン５が複雑な形状であっても、本実施形態によれば切断加工が可能となる。これらの効果は後に説明する例でも同様である。
【００９４】
また、本実施形態によれば、パルスレーザ光の繰り返し周波数の大きさの調節や、Ｘ軸ステージ１０９、Ｙ軸ステージ１１１の移動速度の大きさの調節により、隣合う溶融処理スポットの距離を制御できる。加工対象物１の厚さや材質等を考慮して距離の大きさを変えることにより、目的に応じた加工が可能となる。」
　
（２）刊行物２には，「レーザ加工方法、レーザ加工装置、液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出ヘッド」について，図１〜６とともに次の事項が記載されている。
　
（２−ア）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一方の部材に対し、他方の部材の端面に沿ってレーザ光を照射して、一方の部材を切断するレーザ加工方法、レーザ加工装置、液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出ヘッドに関するものである。」
　
（２−イ）
「【０００５】
本発明は、一方の部材に対し、他方の部材の端面に沿ってレーザ光を照射して、その端面による境界線（投影線）に沿って一方の部材を切断しても、一方の部材の飛散物が加工対象物の表面に固着することがないレーザ加工方法、レーザ加工装置、液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出ヘッドを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のレーザ加工方法は、第１部材およびその上側に配設された第２部材を備えた加工対象物に対して、第２部材の端面に沿ってレーザ光を照射して、第１部材を切断するレーザ加工方法において、レーザ光は、第２部材に対する吸収率に比して、第１部材に対する吸収率が高く、加工対象物の上面および下面の少なくとも一方を液流にさらした状態でレーザ光を照射することを特徴とする。
・・・・・
【０００９】
これらの構成によれば、加工対象物の表面（上面および下面の少なくとも一方）を液流にさらすことで、レーザ光の照射により第１部材の飛散物が飛散しても、その飛散物は液流と共に流される。このため、第１部材の飛散物が加工対象物の表面に固着することなく、第１部材に対する第２部材の端面による境界線（投影線）に沿って、第１部材を切断することができる。また、液体が流れを有していることから、液体がレーザ光の照射を受けても加熱されにくいため、気泡の発生を防ぐことができ、気泡が発生したとしても、その気泡は液流と共に流されるため、レーザ光の照射が気泡によって妨げられることがない。・・・・・」
　
（２−ウ）
「【００１７】
この構成によれば、液体の液面が光透過板に接することから、液面が乱れることがないため、液面の乱れによるレーザ光の散乱が生ずることがない。」
　
（２−エ）
「【００５８】
図６は、第４実施形態に係るレーザ加工装置１の概略図である。本実施形態のレーザ加工装置１は、レーザ光２６をインクジェットヘッド１０１に照射するレーザ発生装置１１と、インクジェットヘッド１０１を水密に囲む液体容器１２と、液体容器１２をレーザ発生装置１１に対して移動させるＸＹテーブル１３と、インクジェットヘッド１０１の上下両面に純水１６の流れを作る液流発生装置１４と、各装置を統括制御するコントローラ１５と、を備えている。同図に示した加工対象物であるインクジェットヘッド１０１は、図５（ｃ）の段階のものであり、封止基板１１１、およびアクチュエータ基板１１３の間に薄膜ピエゾ１１２を積層したものである。なお、図示しないが、レーザ加工装置１の一端には搬入装置が設けられ、他端には搬出装置が設けられている。加工対象となるインクジェットヘッド１０１は、搬入装置からレーザ加工装置１に移載・搬送され、レーザ加工を終えると、搬出路へ移載・搬送されるようになっている。」
　
（２−オ）
「【００６１】
液体容器１２の内部には４本（図示では２本）の支柱３２が設けてあり、支柱３２上に、封止基板１１１側からレーザ光２６が照射されるようにインクジェットヘッド１０１が載置される。また、液体容器１２の上面の一部は、レーザ光２６を透過する光透過板３８で構成されてため、レーザ発生装置１１から発生したレーザ光２６は、インクジェットヘッド１０１に対し、純水１６の液面上に配置された光透過板３８を通って照射されるようになっている。したがって、液体容器１２内の純水１６の液面が乱れることなく、液面の乱れによるレーザ光２６の散乱が生ずることがない。なお、液体容器１２の上面は気泡が介在しないように純水１６と接している。」
　
（２−カ）
「【００６３】
液流発生装置１４は、インクジェットヘッド１０１の上下両面に純水１６を流入させるための流入口４１と、インクジェットヘッド１０１を挟んで流入口４１に対向する位置に配置され、インクジェットヘッド１０１の上下両面を通過した純水１６を液体容器１２の外に流出させるための流出口４２と、純水１６を流出口４２から流入口４１まで管路４４を介して循環させる循環ポンプ４３と、を備えている。」
　
（３）刊行物３には，「半導体発光素子の分離方法」について，図１〜６とともに次の事項が記載されている。
　
（３−ア）
「【０００７】
　請求項１に係る発明は、基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを基板において集光させて、多光子吸収を発生させることにより、基板の表面の分離予定線に沿って、パルスレーザにより形成された実質的に分離予定線方向に連続した溝部と、基板の内部の所定の深さに、分離予定面に対応して、パルスレーザにより形成された分離予定線方向に連続しない内部改質部とを形成し、外力を加えて、連続した溝部と連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離することを特徴とする半導体発光素子の分離方法である。本発明において、改質部とは、溶融部を含む概念であるものとする。」
　
（３−イ）
「【００１７】
　図１は本発明の半導体発光素子の分離方法の概略を示す断面図である。サファイア基板１０の一方の面１２に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子部３０をエピタキシャル成長及び電極形成その他により形成する。サファイア基板１０の他方の面１１から、対物レンズ４０を介してフェムト秒パルスレーザ光４１をサファイア基板１０の所望の深さに集光させる。これにより、多光子吸収が起こる集光部において、改質部５１、５２、５３及び５４並びに溝部５０が形成される。図１は、分離予定面（紙面に垂直）とサファイア基板１０の面１１及び１２とに垂直な断面図である。分離線は分離予定面とサファイア基板１０の面１１の交線であって、紙面手前から奥側に連続した線である。溝部５０はこの分離線上に形成される。改質部５１は、溝部５０と接続されており、且つ分離線方向に、連続して形成される。一方、改質部５２は、改質部５１及び５３とはサファイア基板１０の深さ方向に接続されておらず、且つ分離線方向にも、連続されずに個々に形成される。改質部５３及び５４も、改質部５２と５４、５３とはサファイア基板１０の深さ方向には接続されておらず、且つ分離線方向にも、連続されずに個々に形成される。分離面に表れる改質部５２乃至５４の形状は後に示す。」
　
（４）刊行物４には，「レーザ加工装置」について，図１〜３とともに次の事項が記載されている。
　
（４−ア）
「【請求項１】　　加工用レーザ光を発するレーザ光源と、その加工用レーザ光を被加工物上に照射する照射光学系と、前記被加工物を載置するステージとを備えたレーザ加工装置において、
前記ステージ上に載置された前記被加工物の少なくともレーザ加工面を光透過性液体で覆う液体供給手段を備えたことを特徴とする、レーザ加工装置。
【請求項２】　　前記液体供給手段は、少なくともレーザ加工時に前記レーザ加工面上の前記光透過性液体を循環させる液体循環手段を備えていることを特徴とする、請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項３】　　前記ステージ上に載置された前記被加工物を所定間隔を開けて覆う光透過性カバーを備え、前記液体供給手段は、前記間隔に光透過性液体を充填するものであることを特徴とする、請求項１または２に記載のレーザ加工装置。」
　
（４−イ）
「【０００４】本発明は従来の装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり、レーザ加工時にアブレーションによりすすが発生しても、均一かつ良好な加工を行うことができる新規かつ改良されたレーザ加工装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明によれば、加工用レーザ光（１０４）を発するレーザ光源（１０２）と、その加工用レーザ光（１０４）を被加工物（１１４）上に照射する照射光学系（１０６〜１１２）と、被加工物（１１４）を載置するステージ（１１６）とを備えたレーザ加工装置（１００）に、ステージ（１１６）上に載置された被加工物（１１４）の少なくともレーザ加工面（１１４ａ）を光透過性液体で覆う液体供給手段（２００）を設けている。そして、液体循環手段により、少なくともレーザ加工時に被加工物（２１４）のレーザ加工面（１１４ａ）上の光透過性液体を循環させるように構成している。なお、上記レーザ加工装置（１００）において、ステージ（１１６）上に載置された被加工物（１１４）を所定間隔を開けて覆う光透過性カバー（２０４）を設け、液体供給手段（２００）により、その間隔（２１２）に光透過性液体を充填するように構成することが好ましい。
【０００６】かかる構成によれば、被加工物（１１４）のレーザ加工面（１１４ａ）が光透過性液体で覆われているので、加工中に発生したすす（１５０）は液体中に拡散し、液体循環手段により適宜排出される。従って、すす（１５０）により吸収される加工用レーザ光（１０４）の量を大幅に軽減できるので、均一な加工を行うことができる。」
　
（４−ウ）
「【００１１】かかるすす洗浄装置２００の実施の一形態について、図２を参照しながら説明する。図示のようにすす洗浄装置２００は、被加工物１１４の周囲を囲む壁体２０２と、被加工物１１４の加工表面を所定間隔を開けて覆う天板２０４とを備えており、移動ステージ１１６上に被加工物１１４全体を覆う空間２１２を形成している。壁体２０２は、洗浄液供給口２０６と、洗浄液排出口２０８とを備えている。また、壁体２０２は、適当な封止部材２１０を介して移動ステージ１１６上に液密に設置されている。天板２０４は、加工用ビーム光１０４の透過を妨げないように、例えば石英ガラスなどの光透過性の板状部材から構成されており、封止部材２１４を介して壁体２０２に液密に固定されている。すす洗浄装置２００は、不図示の洗浄液供給源を有しており、光透過性の液体、例えば純水を、不図示の脱気機構により気泡を除去した後、洗浄液供給口２０６を介して、被加工物１１４上に形成される空間２１２に供給することが可能である。さらにすす洗浄装置２００は、不図示の洗浄液循環系、例えば循環ポンプを有しており、少なくともレーザ加工時に上記空間２１２に供給される洗浄液を循環させることにより、アブレーション加工により生じたすす１５０を、洗浄液中に拡散させ（加工用レーザ光の光路から除去し）、洗浄液排出口２０８から適宜排出させることが可能である。なお、光透過性の天板２０４および洗浄液は、透過する加工用ビーム光１０４のエネルギー減衰が最小限に抑えられる材料から選択することが好ましい。さらに、天板２０４および洗浄液はほぼ同じ屈折率を有する材料から選択することが好ましい。」
　
（５）刊行物５には，「非金属材料の加工方法及びその加工装置」について，図１〜７とともに次の事項が記載されている。
　
（５−ア）
「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明は、炭酸ガスレーザ光の伝搬方向に沿ってアシストガスを流しながら非金属材料の表面に炭酸ガスレーザ光を照射しつつ、非金属材料を移動させて非金属材料を加工する非金属材料の加工方法において、非金属材料の表面を水でぬらしながら加工するものである。」
　
（５−イ）
「【００２２】
【発明の実施の形態】本発明を非金属材料の加工に適用した場合は、水でぬらした非金属材料からなる非金属材料の表面上の極微小面積部分に炭酸ガスレーザ光を照射すると共に、非金属材料の炭酸ガスレーザ光のビームスポットが照射された極微小面積部分が露出するようにアシストガスを吹き付ける。非金属材料の表面にビームスポットが直接照射されると共に、その周辺の水でぬれた領域では炭酸ガスレーザ光の光エネルギーが水に吸収される。このため非金属材料の極微小面積部分のみに光エネルギー（熱応力）が集中するので、非金属材料にはクラックの発生を伴うことなく切断或いは割断され、切断面のエッジ部が滑らかで均一となる。非金属材料の表面が水でぬれているので、切断時に発生した非金属材料の微粉末が水内を浮遊して非金属材料に付着が防止される。」
　
（５−ウ）
「【００４４】図３は本発明の非金属材料の加工方法の他の実施例の概念図を示す図である。
【００４５】これは、レーザビーム５０が照射されている基板５１の表面に、水５２を矢印５２−１方向に吹き付けつつ切断或いは割断する方法である。基板５１は水の吹き付け方向と略等しい方向（矢印５１−１方向）に移動する。図中５３はガスノズル、５４はアシストガスを示す。
【００４６】基板５１にレーザビーム５０の伝搬方向に沿ってアシストガス５４を流しながら基板５１にレーザビームを照射しつつ、基板５１を移動すると共に、水５２を吹き付けて基板５１を切断或いは割断する方法によれば、切断或いは割断した面や基板５１の表面に付着したゴミや基板５１の微粒子が強制的に洗い流される。尚、水５２の吹き付け方向は図３に示す方向と逆方向、すなわち基板５１の移動方向５１−１と逆方向であってもよい。」
　
（６）刊行物６には，「基板の垂直クラック形成方法および垂直クラック形成装置」について，図１〜６とともに次の事項が記載されている。
　
（６−ア）
「［００４９］　図３に示すように、レーザビーム照射手段２は、図４に示した光学系１４から基板上に向かって出射されるレーザビームの複数のレーザ出射口部２１を具備する。また、冷媒噴射手段３は、液滴状の冷媒をジェット噴射する複数の冷媒噴射口部３１を具備する。レーザ出射口部２１と冷媒噴射口部３１はそれぞれが一列に配置され、それぞれが互いに隣接して配置されＮ組のユニット５１を形成する。
　レーザビーム移動手段６は、ヘッド部５を所望する周期で断続的に垂直クラック形成予定ラインＳの方向を含む３つの軸方向に移動させる構成を備えている。冷媒噴射口部３１は、例えば、プリンタ等で広く用いられているインクジェット方式の液滴噴射機構を具備し、噴射される冷媒としては、例えば、水、アンモニア、液体窒素の液体が挙げられる。また、噴射される冷媒は、前記液体と、ヘリウム、空気あるいは二酸化炭素等の気体との混合物であってもよい。、インクジェット方式による冷媒の噴射後、空気冷却等の補助冷却手段を用いてよい。」
　
（７）刊行物７には，「レーザ開孔装置」について，図１〜１０とともに次の事項が記載されている。
　
（７−ア）
「【００３０】このようにチップペーパＰの幅方向にそれぞれ位置調整可能に設けられた４つのレーザ開孔ヘッド５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄによれば、例えばこれにの各ヘッドを幅方向の同一位置に位置付けることによりチップペーパＰに開孔を１列に形成することができ、またその位置を異ならせることで最大４列の開孔を形成することができる。更に各レーザ開孔ヘッド５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄからのパルスレーザ光の照射タイミングを制御することにより、チップペーパＰの搬送速度と相俟って、例えば図７（ａ）〜（ｅ）に示すようなパターン形状で開孔ｈを形成することが可能となる。」
　
（８）刊行物８には，「ガラス割断用レーザ装置」について，図１〜１０とともに次の事項が記載されている。
　
（８−ア）
「【０００４】
　ガラスに高エネルギー密度のＣＯ２レーザビームを照射すると、一般的には照射スポットにおいてレーザビームの吸収が起こり、急激な加熱の結果放射状にクラックが発生してしまい、進行方向のみに切断を進行させることは出来ない。しかしながら、レーザビームのエネルギー密度をこうしたクラックを発生させるものよりも十分低いものに設定すると、ガラスは加熱されるだけで、溶融もクラック発生も起こらない。このときガラスは熱膨張しようとするが、局所加熱なので膨張が出来ず、照射点を中心としてその周辺には圧縮応力が発生する。この局所加熱源を割断したい方向に走査するのである。加熱後に冷却液を噴霧することによって冷却を行うと、今度は逆に引っ張り張力が発生する。レーザビームの断面形状を適当なものに成形すると、光の走査方向と直交する方向のみに、引っ張り張力が発生する。この様子を図１に示す。始点に機械的方法でトリガークラックのキズをつけておくと、レーザビームの走査方向に沿ってガラスを割断することができる。この様子を図２に示す。こうした現象が理想的に発生するためには、照射レーザビームのエネルギー分布が、こうした張力を生じるために最適である必要がある。種々のガラスの割断において、この最適分布が研究されている。」
　
２　当審の判断
（１）引用発明
ア　上記記載事項（１−イ）の「本発明に係る加工対象物切断方法は、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を照射することで、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質スポットを複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する工程を備え」からみて，刊行物１には「加工対象物に切断の起点を形成するための加工対象物切断方法」が記載されているといえる。
　
イ　上記記載事項（１−オ）の「集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、・・・・・Ｙ軸ステージ１１１と、・・・・・Ｚ軸ステージ１１３と・・・・・を備える。」からみて，刊行物１には，「加工対象物をＸ，Ｙ軸ステージに載置する載置工程」が記載されているといえる。
　
ウ　上記記載事項（１−イ）の「ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を照射することで、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質スポットを複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する工程を備え、加工対象物の厚さ方向と略直交する断面において、隣り合う改質スポット間のピッチを、切断予定ラインに沿った方向の改質スポットの寸法よりも大きくすることにより、改質スポットを切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に断続的に形成し」および同（１−キ）の「【００９４】また、本実施形態によれば、パルスレーザ光の繰り返し周波数の大きさの調節や、Ｘ軸ステージ１０９、Ｙ軸ステージ１１１の移動速度の大きさの調節により、隣合う溶融処理スポットの距離を制御できる。加工対象物１の厚さや材質等を考慮して距離の大きさを変えることにより、目的に応じた加工が可能となる。」からみて，刊行物１には，「ステージとパルスレーザー光の光源とを連続的に相対移動させながら，前記パルスレーザー光を，個々の単位パルス光ごとの改質領域が加工対象物内部において離散的に形成されるように前記加工対象物に照射し，前記個々の単位パルス光の被照射位置に深さ方向に延在する改質領域を形成することによって，前記加工対象物に切断のための起点を形成する照射工程」が記載されているといえる。
　
　そして，上記ア〜ウおよび上記記載事項（１−ア）〜（１−キ）を総合すると，刊行物１には，以下の発明が記載されていると認められる。
　
「加工対象物に切断の起点を形成するための加工対象物切断方法であって，
　加工対象物をＸ，Ｙ軸ステージに載置する載置工程と，
　前記ステージとパルスレーザー光の光源とを連続的に相対移動させながら，前記パルスレーザー光を，個々の単位パルス光ごとの改質領域が加工対象物内部において離散的に形成されるように前記加工対象物に照射し，前記個々の単位パルス光の被照射位置に深さ方向に延在する改質領域を形成することによって，前記加工対象物に切断のための起点を形成する照射工程と，
を備える被加工物の加工方法。」
（以下「引用発明」という）
　
（２）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明を比較する。
（ア）引用発明の「加工対象物」が本願発明１の「被加工物」に相当し，上記記載事項（１−カ）の「加工対象物１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、加工対象物１をシリコンチップに分割する。」からみて，引用発明の「切断の起点」が「分割起点」であるといえるから，引用発明の「加工対象物に切断の起点を形成するための加工対象物切断方法」は，本願発明１の「被加工物に分割起点を形成するための加工方法」に相当するといえる。
　
（イ）引用発明の「加工対象物をＸ，Ｙ軸ステージに載置する載置工程」が本願発明１の「被加工物をステージに載置する載置工程」に相当することは明らかである。
　
（ウ）引用発明の「前記ステージとパルスレーザー光の光源とを連続的に相対移動させながら，前記パルスレーザー光を，個々の単位パルス光ごとの改質領域が加工対象物内部において離散的に形成されるように前記加工対象物に照射し，前記個々の単位パルス光の被照射位置に深さ方向に延在する改質領域を形成することによって，前記加工対象物に切断のための起点を形成する照射工程」と，本願発明１の「前記ステージと前記パルスレーザー光の光源とを連続的に相対移動させながら、前記パルスレーザー光を」、「個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成されるように前記被加工物に照射し、前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成することによって」、「前記被加工物に分割のための起点を形成する照射工程」とは，「前記ステージと前記パルスレーザー光の光源とを連続的に相対移動させながら，前記パルスレーザー光を，個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工物において離散的に形成されるように前記被加工物に照射し，前記個々の単位パルス光の被照射位置に直接変質領域を形成することによって，前記被加工物に分割のための起点を形成する照射工程」の点にて共通するといえる。
　
　そうすると，両者は，
（一致点）
「被加工物に分割起点を形成するための加工方法であって，
　被加工物をステージに載置する載置工程と，
　前記ステージと前記パルスレーザー光の光源とを連続的に相対移動させながら，前記パルスレーザー光を，個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工物において離散的に形成されるように前記被加工物に照射し，前記個々の単位パルス光の被照射位置に直接変質領域を形成することによって，前記被加工物に分割のための起点を形成する照射工程と，
を備える被加工物の加工方法。」
の点で一致し，以下の点にて相違する。
　
（相違点１）
本願発明１では「前記ステージに載置された前記被加工物の被加工面の上に、前記被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明である液体によって液層を形成する液層形成工程」を備えており，「前記パルスレーザー光を、前記液層を透過させ」るのに対して，引用発明では「液層形成工程」を備えていない点。
　
（相違点２）
本願発明１では「個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成され」ており，「前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成することによって、前記被照射領域同士の間で前記被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせる」ものであるのに対して，引用発明では「個々の単位パルス光ごとの改質領域が加工対象物内部において離散的に形成され」ており，「個々の単位パルス光の被照射位置に深さ方向に延在する改質領域を形成する」ものである点。
　
イ　相違点１について
　本願明細書の段落【０１５６】には「このように透明液体からなる液層を形成した状態で、上述の各加工パターンにて劈開／裂開加工を行った場合、被照射領域からの物質の飛散は液層によって抑制されて事実上起こらないため、単位パルス光によって与えられたエネルギーの劈開／裂開面の形成に対する寄与が、液層を設けない場合に比して高まる。その結果、液層を設けない場合よりも、先端部が深い位置にまで達した分割起点が、形成される。」と記載されていることからみて，本願発明１において「液層を形成する」ことの技術的意義は，「被照射領域からの物質の飛散は液層によって抑制し，先端部が深い位置にまで達した分割起点を形成する」ことにあるといえる。
　これに対して，上記記載事項（２−イ）の「【０００６】・・・・・加工対象物の上面および下面の少なくとも一方を液流にさらした状態でレーザ光を照射する」からみて，刊行物２には「加工対象物の上面に液層を形成した状態でレーザ光を照射する」ことが記載されているといえるものの，同（２−イ）の「【０００９】これらの構成によれば、加工対象物の表面・・・・・を液流にさらすことで、レーザ光の照射により第１部材の飛散物が飛散しても、その飛散物は液流と共に流される。」からみて，刊行物２において液層を形成することの技術的意義は，加工対象物の上面からの物質の飛散を液層により抑制することではなく，飛散した物質を液層により排除することにあるというべきであるから，本願発明１において「液層を形成する」ことの技術的意義とは相違する。
　同様に，上記記載事項（４−ア）からみて，刊行物４には，「レーザ加工面を光透過性液体で覆う」ことが記載されているものの，同（４−イ）からみて，その「光透過性液体」の技術的意義は，「加工中に発生したすすを適宜排出し，すすにより吸収される加工用レーザ光の量を大幅に軽減する」こと，すなわち「光透過性液体」ですすの発生を抑制することではなく，発生したすすを「光透過性液体」で排除することであるといえるから，本願発明１において「液層を形成する」ことの技術的意義とは相違する。
　さらに，上記記載事項（５−ア）からみて，刊行物５には，「非金属材料の表面に炭酸ガスレーザ光を照射しつつ、非金属材料を移動させて非金属材料を加工する非金属材料の加工方法において、非金属材料の表面を水でぬらしながら加工する」ことが記載されているものの，同（５−ウ）からみて，その技術的意義は，「切断或いは割断した面や基板の表面に付着したゴミや基板の微粒子を強制的に洗い流す」ことにあるというべきであり，本願発明１において「液層を形成する」ことの技術的意義とは相違する。
　上記のとおり，刊行物２，４および５の記載からみて「飛散した物質を排除するために液層を形成する」ことは，本願出願前周知の技術ということができるところ，当該周知の技術を引用発明に適用することが，当業者にとって容易想到であるかどうかを検討すると，上記記載事項（１−ウ）の「加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない」からみて，引用発明において「多光子吸収」が起こるのは，加工対象物の表面ではなく内部であるから，加工対象物の表面からの物質の飛散が発生しないというべきである。そうすると，「飛散した物質を排除するために液層を形成する」ことが本願出願前周知の技術であるとしても，引用発明は，加工対象物の表面から物質が飛散しないのであるから，当該周知の技術を適用して，相違点１における本願発明１の構成とすることには，動機付けが存在せず，当業者が容易に想到し得る事項であるとはいえない。
　また，上記のとおり，当該周知の技術において「液層を形成する」ことの技術的意義は，本願発明１において「液層を形成する」ことの技術的意義とは異なるから，仮に引用発明に当該周知の技術を適用したとしても，本願発明１におけるような「先端部が深い位置にまで達した分割起点を形成する」という作用や効果を期待することはできない。
　以上を総合して判断すると，引用発明および周知の技術的事項に基づいて，相違点１における本願発明１の構成を想到することは，当業者にとって容易になし得たものとはいえない。
　これに対して，原審の拒絶査定では，レーザ加工による切断起点領域の加工技術において、加工原理的に、加工対象物の飛散物が発生し、加工対象物の表面に固着するといった課題が発生しえることは、従来周知の課題であるとして，特開２００５−８６１７５号公報（以下「周知例１」という），特開２００５−１２３３２９号公報（以下「周知例２」という），特開２００８−７８２３６号公報（以下「周知例３」という）および特開２００６−３３２５５６号公報（以下「周知例４」という）を提示し，該周知の課題を勘案すれば，引用発明に刊行物２の液層を適用する動機づけがないとまではいえない旨，説示されている。しかし，「飛散物が発生する」という課題が本願出願前周知であるとしても，上記のとおり，引用発明では，加工対象物の表面からの物質の飛散が発生しないのであるから，当該周知の課題を勘案する余地はなく，上記の相違点１に関する判断を覆すことはできない。
　
ウ　相違点２について
　周知例４の段落【００４１】には「・・・・・パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２０の裏面２ｂ（上面）付近に合わせ露出変質層形成工程実施することにより、半導体ウエーハ２０の裏面２ｂ（上面）に露出する露出変質層２２０を形成する・・・・・」と記載され，また，周知例２の段落【０００９】には「・・・・・該板状物におけるレーザー光線が照射される面と反対側の面に露出し内部に向けて該分割予定ラインに沿って変質層を形成する・・・・・」と記載されているように，「パルスレーザーにより表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成する」ことは，本願出願前周知の技術であるといえる。
　しかしながら，上記記載事項（１−イ）の「【０００５】本発明の目的は、・・・・・その表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することである。」からみて，引用発明は，表面が溶融しないようにレーザ加工を行うことを目的としている。上記周知の技術的事項は，加工対象物の表面部分に直接変質領域を形成するものであって，表面が溶融し得るレーザ加工であるというべきであるから，当業者であれば，表面が溶融し得るレーザ加工である上記周知の技術を引用発明に適用しようと試みるはずはない。
　また、被加工面において離散的に形成された被照射領域同士の間で、被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることは、周知例１〜４および刊行物１〜８のいずれにも記載あるいは示唆がない。
　してみると，引用発明において，相違点２における本願発明１の構成とすることは，当業者が容易に想到し得る事項であるとはいえない。
　
エ　効果について
　そして，相違点１および２により，本願発明１は，刊行物１〜８の記載および上記周知の技術から当業者といえども予測し得ない，本願明細書に記載された格別顕著な効果を奏するといえる。
　
オ　まとめ
　したがって，本願発明１は，引用発明，刊行物２〜８記載の技術および周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）本願発明２について
　本願発明２は，本願発明１の「照射工程」における「個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成されるように前記被加工物に照射し、前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成することによって、前記被照射領域同士の間で前記被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることで」を「個々の単位パルス光が前記被加工面に離散的に照射されるように前記被加工物に照射し、前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、前記個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって直前にもしくは同時に照射された前記単位パルス光の被照射位置との間に劈開もしくは裂開を生じさせることにより」と変更したものである。
　そして，本願発明２と引用発明とを比較すると，上記「（２）本願発明１について」において検討したと同様に，両者は，前記一致点にて一致し，前記相違点１および２において相違するとともに，以下の点で相違する。
　
（相違点３）
本願発明２では「個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって直前にもしくは同時に照射された前記単位パルス光の被照射位置との間に劈開もしくは裂開を生じさせる」のに対して，引用発明ではそのような構成ではない点。
　
　そして，相違点１および２については，上記「（２）本願発明１について」において検討したとおりである。
　また，「個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって直前にもしくは同時に照射された前記単位パルス光の被照射位置との間に劈開もしくは裂開を生じさせる」ことは，刊行物２〜８および周知例１〜４のいずれにも記載あるいは示唆がない。
　したがって，本願発明２は，引用発明，刊行物２〜８記載の技術および周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４）本願発明３〜８について
　本願発明３は，本願発明１あるいは２をさらに具体的に限定したものである。
　そして，上記「（２）本願発明１について」において検討したように，本願発明１および２が引用発明，刊行物２〜８の記載の技術および周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，それらの発明をさらに限定した本願発明３〜８も引用発明，刊行物２〜８記載の技術および周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）本願発明９および１０について
　本願発明９および１０は，「被加工物の加工方法」という方法の発明である本願発明１および２を，「レーザー加工装置」という物の発明に変更したものであり，実質的には，それぞれ同一である。
　そうすると，本願発明１および２が引用発明，刊行物２〜８記載の技術および周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，同様に，本願発明９および１０も引用発明，刊行物２〜８記載の技術および周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（６）本願発明１１〜１７について
　本願発明１１〜１７は，本願発明９あるいは１０をさらに具体的に限定したものである。
　そして，本願発明９あるいは１０が引用発明，刊行物２〜８記載の技術および周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，それらの発明をさらに限定した本願発明１１〜１７も引用発明，刊行物２〜８記載の技術および周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　
第５　本願発明
　本件補正は，上記のとおり，特許法第１７条の２第３項から第６項までの規定に適合するから，本願の請求項１から１７までに係る発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１から１７までに記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして，本願については，原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　
　よって，結論のとおり審決する。