【事件の表示】
　平成　４年特許願第　６９６４０号「光磁気記録媒体及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　９月１０日出願公開、特開平　５−２３４１６４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年２月１８日に出願されたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１１年４月２２日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「貴金属を有する層を含む記録用の磁性膜を、該磁性膜の前記貴金属を有する層が最下層となるようにして基板上の下地層上に成膜して成る光磁気記録媒体に於いて、
　前記下地層は、少なくとも前記磁性膜側の領域で結晶化された透明な化合物で形成され、
　前記貴金属を有する層が結晶化されている光磁気記録媒体。」
II．先願明細書
  これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願の日前の他の出願であって、その後に出願公開された特願平４−２８２７号（平成４年１月１０日出願、特開平５−１８９８２４号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、
「本発明はレーザー光等の光により情報の記録、消去及び再生を行う磁気光学素子の製造方法に関するものである。」（公開公報第２頁第１欄第１５〜１７行参照）、
「基板上にＰｔ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｌのうち少なくとも１種類の元素を含んだ単体もしくは合金層を形成し、その上にＭｇＯターゲットをＯ２ガスとＡｒガスの混合ガスのもとでスパッタすることにより結晶性ＭｇＯ層を形成した後、ＰｔターゲットとＣｏターゲットを不活性ガスのもとで交互にスパッタすることにより前記ＭｇＯ層上にＰｔ層とＣｏ層を交互に積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜を形成する磁気光学素子の製造方法において、上記ＭｇＯ層の形成時に高保磁力のＣｏ／Ｐｔ多層膜が得られるように上記Ｏ２ガスの分圧設定を行うことを特徴とする磁気光学素子の製造方法。」（同公報第２頁第１欄第２〜１２行参照）、
「上記の構成によれば、ＭｇＯ膜の形成時に高保磁力のＣｏ／Ｐｔ多層膜が得られるように上記Ｏ２ガスの分圧設定を行うので、高いＡｒガス圧力下でＣｏ／Ｐｔ多層膜を製造しなくても高保磁力のＣｏ／Ｐｔ多層膜が得られる。また、透明結晶の上にＣｏ／Ｐｔ多層膜を形成するので誘電体層／記録層／誘電体層／反射層の４層構造とすることができ大きな信号強度を得ることが可能となる。」（同公報第２頁第２欄第１０〜１７行参照）、
「本実施例で製造する磁気光学記憶素子を図３に示す。図３において、１はガラスまたはポリカーボネート等の樹脂からなる基板、２は基板１上に形成されたＰｔ層からなる反射膜、３はＰｔ層の上に形成されたＭｇＯ層、４はＣｏ／Ｐｔ多層膜、５は非晶質ＡｌＮ膜である。Ｃｏ／Ｐｔ多層膜４はＰｔ層６とＣｏ層７を交互に積層した構成である。」（同公報第２頁第２欄第２０〜２６行参照）、
「Ｐｔ層２及びＣｏ／Ｐｔ多層膜４はＡｒガスを用いてＰｔターゲットとＣｏターゲットをスパッタすることで作製した。」（同公報第２頁第２欄第２７〜２９行参照）、
「次に上記磁気光学記憶素子のＭｇＯ膜３の構造をＸ線回折により調べた。図２にＭｇＯの（１１１）面による回折ピーク位置を矢印で示し、各Ｏ２分圧で作製したＭｇＯ膜のＸ線回折パターンを示す。これによりＯ２分圧が適当な値をとるとＭｇＯ膜の（１１１）面からの回折ピークが大きくなっているのが分かる。」（同公報第２頁第２欄第４６行〜第３頁第３欄第１行参照）、
「図１、図２の結果を考え合わせると、ＭｇＯ膜が（１１１）配向することがＣｏ／Ｐｔ層のＨｃに大きく影響しているものと思われる。」（同公報第３頁第３欄第２〜４行参照）、
「このように本実施例の磁気光学記憶素子の製造方法によれば空孔が少なく透明下地層を用いたＣｏ／Ｐｔ多層膜が得られるので」（同公報第３頁第３欄第１４〜１６行参照）
と記載され、更に図３として本発明の磁気光学素子の断面図が示されている。
　これらの記載及び図３においてＭｇＯ層に接する層がＰｔ層６であることは、Ｐｔ層６とＣｏ層７とは交互に積層されていること及び各層のハッチングからして明らかであるから、先願明細書には、
「基板上にＰｔ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｌの内の少なくとも１種類の元素を含んだ単体もしくは合金層を形成し、その上にＭｇＯターゲットをＯ２ガスとＡｒガスの混合ガスのもとでスパッタすることにより透明で（１１１）配向した結晶性ＭｇＯ層を形成した後、ＰｔターゲットとＣｏターゲットを不活性ガス（Ａｒガス）のもとで交互にスパッタすることにより前記ＭｇＯ層上にＰｔ層とＣｏ層をこの順に交互に積層したＣｏ／Ｐｔ多層膜を形成した、レーザー光等の光により情報の記録、消去及び再生を行う磁気光学素子。」
の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認める。
III．対比・判断
　本願発明と先願発明とを対比すると、本願発明の「少なくとも磁性膜側の領域で結晶化された透明な化合物で形成された下地層」（全体が結晶化されている場合を含む。本願明細書段落［００１８］参照）、「光磁気記録媒体」は、それぞれ、先願発明の「透明で（１１１）配向した結晶性ＭｇＯ層」、「レーザー光等の光により情報の記録、消去及び再生を行う磁気光学素子」に相当し、又、Ｐｔは貴金属であるから、両者は、
「貴金属を有する層を含む記録用の磁性膜を、該磁性膜の前記貴金属を有する層が最下層となるようにして基板上の下地層上に成膜して成る光磁気記録媒体に於いて、前記下地層は、前記磁性膜側の領域で結晶化された透明な化合物で形成されている光磁気記録媒体。」
で一致する。
　唯、本願発明では、「貴金属を有する層が結晶化されている」と規定されているのに対して、先願発明にはそのような明示がない。
　しかしながら、先願発明において、Ｐｔ層はＰｔターゲットを用いて不活性ガス（Ａｒガス）のもとスパッタする方法でＰｔと同じ配向性を持つ結晶化されたＭｇＯ表面上に形成されるものであるから、該方法により形成されるＰｔ層はエピタキシャル成長して結晶化されていることは明らかである（なお、本願発明においても記録磁性膜の成膜はスパッタリングによって行われる。）。
　してみると、本願発明と先願発明とは構成事項を同じくするものであり、本願発明は、先願発明と同一である。
　これに対し、請求人は審判請求書中において、
１．本願発明が、下地層のうち、少なくとも磁性体膜側の領域で結晶化しているのに対し、引用例１記載の発明（先願発明）では下地層の膜厚方向の全領域に亘って結晶化している点で相違する。
２．本願発明がＰｔ／Ｃｏ交互積層膜のうち、Ｐｔ層が結晶化した下地層に接して形成されるためＰｔ層が結晶化しているのに対し、引用例１記載の発明（先願発明）では、Ｐｔ層が下地層である結晶性ＭｇＯに接して形成されるか否かは不明である点で相違する。
とし、本願発明が先願発明で同一でないと主張する。
　しかるに、「下地層の膜厚方向の全領域に亘って結晶化」することは、「下地層のうち、少なくとも磁性体膜側の領域で結晶化」することの十分条件を満たすものであり、上記の如く図３においてＭｇＯ層に接する層がＰｔ層６であることは、Ｐｔ層６とＣｏ層７とは交互に積層されていること及び各層のハッチングからして明らかであることから、この主張は認められない。
IV．結び
　したがって、本願発明は、先願明細書に記載された発明であり、しかも、本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また本願の出願時に、その出願人が他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。