【事件の表示】
　特許第２７７３０７８号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．請求の要旨
　本件審判請求の要旨は、特許第２７７３０７８号（昭和６３年３月１１日出願、平成１０年４月２４日登録）の明細書を審判請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであるところ、その訂正事項の少なくとも一つは、特許請求の範囲の請求項１をその減縮を目的として、次のとおりに訂正するものである。
「【請求項１】処理室とそれに接続されたガス供給系とを備えた処理装置の洗浄方法において、前記処理室内に、被処理体を搭載しない状態で処理用治具を搬入する工程と、前記ガス供給系の途中に接続されるガス配管を流れる三フツ化塩素ガス（ＣｌＦ３）を加熱しながら、前記三フツ化塩素ガスを前記処理室内に供給する工程と、前記三フッ化塩素ガスにより前記処理室及び前記処理用治具をドライエッチングして洗浄する工程と、を有することを特徴とする処理装置の洗浄方法。」（以下、「本件訂正発明１」という）。
２．訂正拒絶理由の概要
（独立特許要件違反）
　当審が上記本件訂正発明１に対して通知した平成１３年２月２６日付け訂正拒絶理由の概要は、本件訂正発明１は下記引用刊行物１乃至引用刊行物４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないというものである。
（引用例の記載内容）
　訂正拒絶理由で引用した刊行物１乃至刊行物４には、それぞれ次の事項が記載されている。
（ｉ）引用刊行物１：特公昭４６−１９００８号公報
（イ）「本発明の他の目的は、たとえばエピタキシャル成長炉内に使用する耐火板を洗浄するための低温気相腐食処理方法を得んとするにある。
かかる耐火板を塩酸を用いて高温度で腐食洗浄することは既知であるが、この場合高価な耐塩酸炉を使用せねばならない。しかし、ハロゲンフッ化物類を低温度で使用すると、洗浄速度又は洗浄効率を犠牲にすることなく安価な装置を使用することができる。」（第２欄第３１行乃至第３欄第１行）
（ロ）「本発明の特徴は、・・・三フッ化塩素、・・・の如きフッ素のハロゲン間化合物で腐食するか又は艶出しすることである。」（第３欄第２行乃至第６行）
（ハ）「高品位のエピタキシャル成長材料を得る際にしばしば、観察される一つの問題点は、反応室の壁上及び反応室内の他の物体上に少量の半導体が堆積することである。・・・しかし、石英反応室及び反応室内で用いる炭化ケイ素板の如き他の物体によると本発明に係るフッ化ハロゲン蒸気処理に際して、処理中生成する余分なゲルマニウム及びケイ素成長は著しく減少する。ウエファ上に落下する材料の小片又は細片が極めて少ないため、生成するエピタキシャル材料の品質が著しく改善される。」（第６欄第２９行乃至第４３行）
（ニ）「（５）耐熱炉板及び他の化学的不活性物体をフッ素のハロゲン間化合物と接触させて洗浄する方法。」（第８欄第３６行及び第３７行）
（ホ）Ｆｉｇ．１には、半導体材料の腐食洗浄のための処理装置が図示されている。
（ｉｉ）引用刊行物２：特開昭６１−２６９３０９号公報
（イ）「本発明は処理装置への流体供給、例えば半導体ウエハの処理装置に供給される処理ガスの温度制御に適用して有効な技術に関する。」（第１頁左欄第１８行乃至第２０行）
（ロ）「流体源もしくは流体供給路が温度制御機構を備えた構造の流体供給装置とすることにより、流体源もしくは流体供給路を所定の加熱もしくは冷却条件で維持することができるため、処理流体の変質、たとえば凝縮による液化等の変質を防止することができる。」（第３頁上段左欄第１４行乃至第１９行）
（ｉｉｉ）引用刊行物３：特開昭５８−１８６９４１号公報
（イ）「このような半導体製造装置では、反応ガスとしてＣＦ４、ＣＣｌ４のような液化し易い反応ガスを用いた場合、この反応ガスが導管１４からアース電極１１とベース電極１２とで形成された空間に供給される際に急激に膨張し部分的に液化するため、次のような欠点があった。・・・本発明の特徴は、反応室に内設された電極に反応室と連通して膨張手段を設け、該膨張手段に反応ガス供給用の導管を連結すると共に、膨張手段に加熱手段を具設したことで、反応ガスの急激な膨張を抑制して、その液化を防止しようとすることにある。」（第２頁上段左欄第１行乃至上段右欄第１行）
（ロ）「反応ガス供給ユニットからバルブを介し導管１４を経た反応ガスは、膨張管２１を流通する間に緩やかに膨張し、かつ、ヒータ２２で加熱され、その後、急激に膨張することなくアース電極１１とベース電極１２とで形成された空間に緩やかに供給される。」（第２頁上段右欄第１３行乃至第１８行）
（ｉｖ）引用刊行物４：特開昭６３−１５２５５号公報
「第２図は本発明に係わる感光体の表面保護層、即ち、ａ−Ｃ：Ｘ膜を形成する為の製造装置を示し・・・途中の配管は、常温において液相又は固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされている。」（第６頁上段右欄第５行乃至下段左欄第４行）
３．対比・判断
　引用刊行物１のＦｉｇ．１には、「反応室（処理室に相当）とそれに接続されたガス供給系を備えた処理装置」が図示されており、そして、上記（イ）乃至（ハ）の記載からその反応室へは三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ３）が供給されることが明らかである。また、引用刊行物１には、半導体材料の表面腐食、艶出し、洗浄処理の外に、上記（イ）及び（ニ）の記載から明らかな如く、反応室内の炉板や他の化学的不活性物体をハロゲン間化合物（三フッ化塩素ガスもこの一種）で洗浄することが記載されている。さらには、上記（ハ）の記載から、フッ化ハロゲン蒸気が反応室の壁上のゲルマニウムなどを洗浄することも明らかであるから、引用刊行物１には、次の（ａ）乃至（ｃ）の事項が記載されていることが明らかである。
（ａ）「反応室とそれに接続されたガス供給系を備えた処理装置」では、三フッ化塩素ガスによって反応室内、炉板及びその他の化学的不活性物体を洗浄すること、
（ｂ）洗浄とは、上記（イ）の「耐火板を洗浄するための低温気相腐食処理」の記載から、「ドライエッチング」による洗浄であること、
（ｃ）上記（イ）の記載の「炉内に使用される耐火板」とは、具体例に照らせば「石英平板１３」と解することが相当であり、上記（ニ）の記載の「他の化学的不活性物体」とは、Ｆｉｇ．１等具体例に照らせば「石英平板１３やサスセプタ１４」を含むと解するのが相当であるから、引用刊行物１には「処理用治具の洗浄」についても記載されていること、
　そして、これら記載を総合すると、引用刊行物１には、「処理室とそれに接続されたガス供給系とを備えた処理装置の洗浄方法において、前記処理室内に、処理用治具を搬入する工程と、前記ガス供給系の途中に接続されるガス配管を流れる三フツ化塩素ガス（ＣｌＦ３）を前記処理室内に供給する工程と、前記三フッ化塩素ガスにより前記処理室及び前記処理用治具をドライエッチングして洗浄する工程とを有することを特徴とする処理装置の洗浄方法。」の発明（以下、「引用刊行物１発明」という）が記載されていると云えるから、本件訂正発明１と引用刊行物１発明とを対比すると、両者は、次の点で相違していると云える。
相違点
（ｉ）本件訂正発明１では「処理室内に被処理体を搭載しない状態で処理用治具を搬入する」のに対し、引用刊行物１発明では被処理体を搭載しないか明らかでない点
（ｉｉ）本件訂正発明１では「三フッ化塩素ガスをガス供給系の途中で加熱する」のに対し、引用刊行物１発明では三フッ化塩素ガスを加熱しない点
　次に、これら相違点について検討する。
上記相違点（ｉ）について
　この相違点の「処理室内に被処理体を搭載しない状態で処理用治具を搬入する」点については、本件訂正発明１が三フッ化塩素ガスによって何をどのように洗浄するか、すなわち本件訂正発明１の「洗浄方法」の目的、処理操作やその洗浄対象物の観点から検討するべきであるところ、本件特許明細書には、洗浄方法の目的、洗浄時点、洗浄対処物等について次のように記載されている。
「反応炉例えば半導体ウエハを熱処理反応させるＣＶＤ、拡散炉等では、プロセス中にウエハ以外の反応容器等に反応生成物が付着し、・・・定期的に反応管等を洗浄する必要があった。」（特許公報第３欄第３０行乃至第３５行）
「本発明の洗浄方法はこのプロセスが終了後、・・・実行される。」（特許公報第９欄第２行乃至第４行）
「そして、このような洗浄を実施する場合には、ウエハを搭載しない状態のボート４をプロセスチューブ１内に搬入し、プロセスチューブ１のほか、石英ボート４、保温筒５等も一緒に洗浄することができる。」（特許公報第９欄第２３行乃至第２７行）
　このような記載を総合すると、本件訂正発明１の「洗浄方法」の目的は、ＣＶＤ等の反応プロセスの繰り返しにより反応生成物が付着して汚染された処理室や処理用治具等（ボート等）を一緒に洗浄してクリーンにする点にあることが明らかである。またその洗浄の処理操作時点もプロセス処理の終了後（又は換言すれば次のプロセス処理前）とされているから、このような目的の「洗浄方法」の対象は、「被処理体」以外の「汚染」された処理用治具や反応炉壁等だけというべきである。
　そして、ＣＶＤ等の反応プロセスによりＳｉＮ膜などの膜形成処理が施される予定の「被処理体（半導体ウエハ）」は、反応プロセス処理をする前から汚染されているはずがなく、そもそも「洗浄」によりクリーンにされる必要がないものであるから、この「被処理体」を搭載しない状態で処理用治具だけを洗浄処理室内に搬入することはむしろ当然の帰結である。
　してみると、本件訂正発明１の上記「処理室内に被処理体を搭載しない状態で処理用治具を搬入する」点は、その「洗浄方法」の目的等からみて当然の帰結であり、「洗浄作業又は操作の段取り」として当業者が何らの工夫を要することなく容易に想到することができた事項であると云うべきである。
上記相違点（ｉｉ）について
　本件訂正発明１の「加熱」の目的は液化防止（特許公報第７欄第２４行乃至第３２行参照）であるが、このような目的の加熱は上記引用刊行物２乃至引用刊行物４にみられる如く周知・慣用手段である。
　してみると、上記相違点（ｉ）及び（ｉｉ）はいずれも当業者が容易に想到することができたものであるから、本件訂正発明１は、上記引用刊行物１乃至引用刊行物４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると云える。
４．審判請求人の主張に対して
　審判請求人は、先の訂正拒絶理由に対する平成１３年５月８日付け意見書において、「訂正拒絶理由では、本件訂正発明では「被処理体」を搭載しないのは当然の帰結としていますが、本件訂正発明が、洗浄の対象を被処理体以外の処理室や処理用冶具のみとすることによって、被処理体を搭載しない状態で処理用治具を搬入する工程が必要不可欠となるのであり、「被処理体」を搭載しないのは当然の帰結であるとして、本件訂正発明の進歩性を否定することは過っています。」（意見書第３頁第５行乃至第１０行）と主張している。
　しかしながら、本件訂正発明１の「被処理体を搭載しない」点については、上述したとおりであるから、審判請求人の上記主張は採用することができない。
５．むすび
　以上のとおり、少なくとも訂正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件審判請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成６年改正前特許法第１２６条第３項の規定に適合しない。
　よって、結論のとおり審決する。