【事件の表示】
　特許第３２９７５９１号「アクティブマトリクス基板の製造方法並びに液晶表示装置」の請求項２、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２９７５９１号の請求項２ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２９７５９１号の請求項２ないし３に係る発明は、平成８年４月１７日に出願され、平成１４年４月１２日にその設定登録がなされ、その後、斉藤 忠より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年５月１日に意見書とともに訂正請求書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否について
2．1　訂正の内容
　平成１５年１月１４日付けの訂正請求書による訂正事項は、下記のとおりである。
ａ．【請求項２】に記載の「上記樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」を、明りょうでない記載の釈明を目的として「上記コンタクトホールが形成された樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」と訂正する。
　　
ｂ．【００１５】に記載の「（ｃ）上記樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」を、明りょうでない記載の釈明を目的として「（ｃ）上記コンタクトホールが形成された樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」と訂正する。
　
ｃ．【００４９】に記載の「上記樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」を、明りょうでない記載の釈明を目的として「上記コンタクトホールが形成された樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」と訂正する。
　
2．2　訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　
　上記訂正事項ａ〜ｃは、仮焼成の工程が、コンタクトホールの形成された樹脂膜に対して行われる点を明確にしようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、特許明細書の段落【００３９】等に記載されている事項であるから、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものにも該当しない。
　
2．3　結論
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
3．1　特許異議の申立の概要
　特許異議申立人 斉藤 忠は、証拠として甲第１号証（特開平８−１５７３１号公報）を提出し、本件の訂正前の請求項２及び３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるか、又は同号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反して特許されたものである、と主張している。
　
3．2　本件発明
　本件の訂正後の請求項２及び３に係る発明は、訂正された特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項２及び３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。（以下、「本件発明２」及び「本件発明３」という。）
　
「【請求項２】　基板上にスイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線を形成する工程と、
　上記スイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線の上層に少なくとも熱硬化性を有する樹脂膜を成膜し、パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、
　上記コンタクトホールが形成された樹脂膜の仮焼成を行う工程と、
　本焼成を行って上記樹脂膜を硬化させる工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
　
　【請求項３】
　請求項１および２のいずれかに記載の製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板と、少なくとも対向電極を備えた対向基板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置。」
　
3．3　甲第１号証（特開平８−１５７３１号公報）に記載された発明
甲第１号証（以下、「刊行物１」という。）には、
　
「【０００１】　【産業上の利用分野】　本発明は、画素電極とスイッチング用の薄膜トランジスタとが集積的に形成された表示用基板の製造方法に関する。より詳しくは、表示用基板表面の平坦化技術及びその上に形成される画素電極の成膜技術に関する。
　【０００２】　【従来の技術】　図１１を参照して、従来の表示用基板を用いて組み立てられたアクティブマトリクス型液晶表示装置の一般的な構造を簡潔に説明する。下側の基板１０１の表面には薄膜トランジスタ１０２が集積的に形成されている。薄膜トランジスタ１０２のソース領域Ｓには第一層間絶縁膜１０３を介して金属配線パタン１０４が電気接続している。又、薄膜トランジスタ１０２のドレイン領域Ｄには第一層間絶縁膜１０３及び第二層間絶縁膜１０５を介して画素電極１０６が電気接続している。・・・かかる構成を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ１０２のゲート電極Ｇに選択信号を印加した状態で、金属配線パタン１０４を介し画像信号を供給すると、画素電極１０６に所定の信号電荷が書き込まれる。・・・」（刊行物１の【０００１】〜【０００２】）、
　
「【０００９】　【実施例】　以下図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。図１は本発明にかかる表示用基板製造方法を示す工程図である。先ず最初に工程Ａで、石英等からなる絶縁基板の表面に薄膜トランジスタを集積形成して下層領域１を設ける。さらに平坦化膜２を塗布して下層領域１表面の微細な凹凸を埋める。平坦化膜２としては例えば感光性を有する透明樹脂等をスピンコートして成膜する。スピンコート後、仮焼成（プリベーク）して平坦化膜２を固化させておく。次に工程Ｂで、平坦化膜２を選択的にエッチングし、下層領域１に連通するコンタクトホール３を設ける。本例では平坦化膜２が光感光性を有している為、写真蝕刻を直接適用でき、露光及び現像によりコンタクトホール３を開口する事ができる。・・・　　　【００１０】・・・次に工程Ｄで、平坦化膜２を加熱処理してその表面状態を一様に緻密化及び平滑化する。この加熱処理はポストベークとして行なわれ、平坦化膜２が本焼成され内部の重合化が促進される。同時に平坦化膜２の表面６がリフローを受け緻密化及び平滑化する。この結果、表面６の硬度は基板全体に渡って一様になる。・・・」（刊行物１の【０００９】〜【００１０】）、
　
「【００２０】　最後に図８〜図１０を参照して本発明にかかる表示用基板の製造方法の具体例を詳細に説明する。先ず最初に、図８の工程Ａにおいて、石英等からなる絶縁基板の表面に・・・所定の形状にパタニングしゲート電極Ｇを得る。次にゲート電極Ｇをマスクとして・・・ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを設ける。この様にしてＮチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。・・・
　【００２１】　図９の工程Ｅにおいて、２ＰＳＧ表面の凹凸を平坦化膜で埋める。この為、本実施例では所定の粘性を有する液状の感光性アクリル樹脂をスピンコーティングで塗布した。その後仮焼成（プリベーク）を施しアクリル樹脂を固化させて平坦化膜とした。次に工程Ｆにおいて、平坦化膜に対して直接写真蝕刻（露光現像）を施し、第二コンタクトホール（２ＣＯＮ）を形成する。・・・さらに加熱処理（ポストベーク）を行ない、平坦化膜を本焼成する。この結果、平坦化膜の表面はリフローを受け緻密化及び平滑化する。・・・」（刊行物１の【００２０】〜【００２１】）と記載され、　
　図１、図８〜図１０には、基板上に薄膜トランジスタを集積形成して下層領域を設け、さらに平坦化膜として感光性樹脂膜を成膜し、仮焼成して固化し、パターニングによりコンタクトホールを形成し、その後、本焼成して樹脂膜を硬化させることよりなるアクティブマトリクス基板の製造工程、が記載されている。
　
　以上によれば、刊行物１には、
「基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
　上記薄膜トランジスタの上層に平坦化膜として感光性樹脂膜を成膜し、その後仮焼成を行い樹脂を固化させる工程と、
　パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、
　本焼成を行って上記樹脂膜を硬化させる工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」が記載されている（以下、「引用発明」という。）。
　　
3．4　対比・判断
3．4．1　本件発明２について
　本件発明２と引用発明とを対比すると、
　引用発明は、画素電極とスイッチング用薄膜トランジスタとが集積的に形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置に係るものであるから、そのアクティブマトリクス基板は、スイッチング素子及びそれに接続されるゲート信号線、およびソース信号線を備えてなることは明らかであり（刊行物１の【００２０】、【図８】参照）、他方、平坦化膜として用いられる感光性樹脂は熱硬化性を有するものである（刊行物１の【００１０】、【００２１】参照）。
　
　したがって両者は、「基板上にスイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線を形成する工程と、
　上記スイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線の上層に熱硬化性を有する樹脂膜を成膜し、パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、
　本焼成を行って上記樹脂膜を硬化させる工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」に係る発明の点で一致し、
　
　本件発明２は、上記樹脂膜のパターニング工程後、本焼成工程前に、上記樹脂膜の仮焼成を行うのに対して（パターニング工程−仮焼成工程−本焼成工程の順）、
　
　引用発明は、上記樹脂膜の成膜後、パターニング工程前に、上記樹脂膜の仮焼成を行う点（仮焼成工程−パターニング工程−本焼成工程の順）、で相違する。
　
　そこで検討するに、引用発明の「パターニング工程前の仮焼成」は、成膜した液状樹脂を、単に「固化（即ち、溶媒を除去）」するための処理であるのに対して（刊行物１【０００９】、【００２１】）、
　本件発明２の「パターニング工程後の仮焼成」は、「本焼成の工程」における「樹脂膜の熱だれを抑制」し、コンタクトホールの「好適な傾斜角度を実現」するためのものであるから（本件特許明細書【００３８】〜【００４４】、【００５０】）、パターニング工程−仮焼成工程−本焼成工程という工程の順序に技術的意味を有するものであって、刊行物１は、この工程順序について何ら記載しておらず、示唆していない。
　
　この点について特許異議申立人は、引用発明の「パターニング工程前の仮焼成」は、該樹脂膜の「固化」のためであるが、樹脂が「固化」されていれば、上記「熱だれ」に対する抑制効果が認められるとし、したがって「パターニング工程」と「仮焼成」の工程順序は上記効果には何ら影響を与えないから、「仮焼成」と「パターニング工程」を入れ替えて、パターニング工程−仮焼成工程−本焼成工程の順とすることは、当業者が容易に想到し得ると主張する（特許異議申立書第６頁の（iii））。
　
　しかしながら、引用発明の「パターニング工程前の仮焼成」は、成膜した樹脂の溶媒除去のための処理であるから、「パターニング工程」の「前処理」としての意味を有するものであって、当該処理を「パターニング工程」の後に実施しようとすることは、当業者にとって想到し難いことと認められる。
　加えて、引用発明の「パターニング工程前の仮焼成」は、「溶媒の除去」を行うものであり、「熱だれの抑制」には別の要因が関与するものであることは本件特許明細書の記載に徴し明らかであるから、特許異議申立人の上記主張は首肯できない（本件特許明細書【００３０】参照。「本焼成時の温度勾配」並びに「層間絶縁膜の膜厚」が「熱だれの発生」に関与することが確認されている。）。　
　　　
　一方、本件発明２は上記相違点の構成により「本焼成の工程における樹脂膜の熱だれが抑制され、コンタクトホール斜面の傾斜角度の制御が容易となる。また、仮焼成によって熱だれが抑制されることにより、本焼成までの昇温速度を速めることができ、製造効率が向上する。この結果、開口率が高い液晶表示装置を実現できるアクティブマトリクス基板を低価格で提供することが可能となる」（本件特許明細書【００５０】）という明細書記載の効果を奏すると認められるから、本件発明２が甲第１号証に記載された発明であるとすることができず、また、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。　　　　　　　　　　　　　
3．4．2　本件発明３について
　本件発明３は、本件発明２に係る構成を引用し、さらに構成を付加したものであるから、上記した本件発明２についてと同様の理由により、刊行物１に記載された発明であるとすることができず、また、同刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができない。
　
4．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の訂正後の請求項２及び３に係る発明の特許を取り消すことができない。　　また、他に本件の訂正後の請求項２及び３に係る発明の特許を取り消すべ理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月１２日（２００３．６．１２）
【訂正の要旨】
　（ａ）特許請求の範囲の請求項２記載の「上記樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」を、「上記
コンタクトホールが形成された
　（ｂ）特許第３２９７５９１号公報の第３頁の第５欄第１２行目（〔００１５〕段落）に記載の「（ｃ）上記樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」を、「（ｃ）上記
コンタクトホールが形成された
　（ｃ）特許第３２９７５９１号公報の第５頁の第１０欄下から４行目（〔００４９〕段落）に記載の「上記樹脂膜の仮焼成を行う工程と、」を、「上記
コンタクトホールが形成された
（５４）【発明の名称】
アクティブマトリクス基板の製造方法並びに液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板上にスイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線を形成する工程と、
　上記スイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線の上層に少なくとも熱硬化性を有する樹脂膜を成膜し、パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、
　室温から焼成温度まで毎分１０℃以下の温度勾配で昇温させ、上記樹脂膜を焼成して硬化する工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
　【請求項２】
　基板上にスイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線を形成する工程と、
　上記スイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線の上層に少なくとも熱硬化性を有する樹脂膜を成膜し、パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、
　上記
コンタクトホールが形成された
　本焼成を行って上記樹脂膜を硬化させる工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
　【請求項３】
　請求項１および２のいずれかに記載の製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板と、少なくとも対向電極を備えた対向基板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、スイッチング素子としての薄膜トランジスタをマトリクス状に配置してなるアクティブマトリクス基板の製造方法、並びにこのアクティブマトリクス基板を用いて構成され、例えばコンピュータやテレビジョン装置のディスプレイとして利用される液晶表示装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備え、液晶表示装置の配線基板等に利用されるアクティブマトリクス基板が知られている。図７は、従来のアクティブマトリクス基板の構成を示す回路図である。上記従来のアクティブマトリクス基板は、透明な絶縁性基板の表面にゲート信号線２４…およびソース信号線２６…が互いに直交するように配置され、これらの信号線の交差部分に対応するようにＴＦＴ２３および絵素容量２２が形成される。ゲート信号線２４はＴＦＴ２３のゲート電極に接続され、ゲート信号線２４からゲート電極へ入力される走査信号によって絵素に対応するＴＦＴ２３が駆動される。
　【０００３】
　ソース信号線２６は、ＴＦＴ２３のソース電極に接続され、ソース電極へデータ信号を入力する。ＴＦＴ２３のドレイン電極には、絵素電極および絵素容量２２の一方の端子が接続される。各絵素容量２２の他方の端子は、絵素容量配線２５に接続される。なお、上記絵素容量配線２５は、液晶表示装置を構成した場合に対向基板に設けられる対向電極（図示せず）と接続される。
　【０００４】
　上記した従来のアクティブマトリクス基板の平面構造を図８に、断面構造を図９および図１０に示す。このアクティブマトリクス基板は、図９に示すように、透明な絶縁性基板３１上に、ゲート電極３２、ゲート絶縁膜３３、半導体層３４、チャネル保護層３５、ソース・ドレインとなるｎ＋アモルファスシリコン層３６、ソース・ドレイン電極となるＩＴＯ膜３７、ソース信号線となる金属層３８、層間絶縁膜３９、および画素電極４１となる透明導電層が、順次形成された構成である。
　【０００５】
　画素電極４１は、図８および図１０に示すように、層間絶縁膜３９に形成されたコンタクトホール４０を介してＴＦＴのドレイン電極であるＩＴＯ膜３７に接続されている。なお、層間絶縁膜３９の材料としては、感光性アクリル樹脂等が用いられており、感光性アクリル樹脂の塗布、露光、アルカリ現像、熱硬化の工程を経て、コンタクトホール４０を有する層間絶縁膜３９が形成されている。
　【０００６】
　このように、層間絶縁膜３９が、ゲート信号線、ソース信号線と画素電極４１との間に形成されているため、これらの信号線に対して画素電極４１をオーバーラップさせることが可能となる。これにより、信号線に起因する電界をシールドし、液晶の配向不良を抑制できるというような効果がある。
　【０００７】
　上記のアクティブマトリクス基板の画素電極４１上にさらに配向膜４６を形成し、透明絶縁性基板４２の表面にブラックマトリクス４３、カラーフィルタ４４、対向電極４５、および配向膜４６を順次積層してなる対向基板と上記アクティブマトリクス基板とを貼り合せ、その間隙に液晶４７を導入することにより、液晶セルを構成することができる。
　【０００８】
　特開平５−２４９４９４号公報には、リバースティルトドメインの抑制をし、漏れ光による表示コントラストの低下を防止する技術が開示されている。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、画素電極４１は層間絶縁膜３９を介して、ソース信号線（金属層３８）、ゲート電極３２およびゲート信号線と寄生容量を形成する。この寄生容量は、層間絶縁膜３９の膜厚に反比例するので、膜厚が薄くなるほど寄生容量は大きくなる。寄生容量が大きくなると、液晶セルの表示品位に悪影響が及ぶという問題が生じる。
　【００１０】
　逆に、寄生容量を小さくするために層間絶縁膜３９の膜厚を厚くすると、コンタクトホール４０の斜面の傾斜角度が４５°以下に形成されていた場合、コンタクトホール４０の開口部の面積が大きくなり、漏れ光が生じ易くなるという問題が生じる。あるいは、この漏れ光を遮光する補助容量信号線４９の幅を太く形成することが必要となり、液晶セルの開口率が低下するという問題が生じる。
　【００１１】
　本発明は、上記した問題に鑑みなされたもので、液晶セルの開口率および表示品位に関して好適な結果が得られるコンタクトホールの傾斜角度を見出し、また好適な傾斜角度を実現し得る製造方法を提供することを主な目的とする。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の第１のアクティブマトリクス基板の製造方法は、前記の課題を解決するために、（ａ）基板上にスイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線を形成する工程と、（ｂ）上記スイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線の上層に少なくとも熱硬化性を有する樹脂膜を成膜し、パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、（ｃ）室温から焼成温度まで毎分１０℃以下の温度勾配で昇温させ、上記樹脂膜を焼成して硬化する工程とを含むことを特徴としている。
　【００１３】
　この方法では、コンタクトホールを形成した樹脂膜を熱硬化する際に、室温から焼成温度までの昇温時の温度勾配を毎分１０℃以下としたことにより、樹脂膜の熱だれが防止され、コンタクトホール斜面の傾斜角度の制御が容易となる。それゆえ、コンタクトホールの開口部の面積が広がることを抑制できる。この結果、開口部の面積が小さいコンタクトホールを有するアクティブマトリクス基板を提供することが可能となり、このアクティブマトリクス基板を用いて液晶表示装置を形成した場合、該液晶表示装置の開口率を向上させることができる。
　【００１４】
　なお、上記の方法で製造されたアクティブマトリクス基板と、少なくとも対向電極を備えた対向基板との間に液晶を挟持させることにより、液晶表示装置を構成できる。
　【００１５】
　本発明の第２のアクティブマトリクス基板の製造方法は、前記の課題を解決するために、（ａ）基板上にスイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線を形成する工程と、（ｂ）上記スイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線の上層に少なくとも熱硬化性を有する樹脂膜を成膜し、パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、（ｃ）上記
コンタクトホールが形成された
　【００１６】
　この方法では、仮焼成の工程を経ることにより、本焼成の工程における樹脂膜の熱だれが抑制され、コンタクトホール斜面の傾斜角度の制御が容易となる。また、仮焼成によって熱だれが抑制されることにより、本焼成までの昇温速度を速めることができ、製造効率が向上する。これにより、アクティブマトリクス基板を低価格で提供することができる。なお、上記の方法で製造されたアクティブマトリクス基板と、少なくとも対向電極を備えた対向基板との間に液晶を挟持させることにより、液晶表示装置を構成できる。
　【００１７】
　【発明の実施の形態】
　〔実施の形態１〕
　本発明の実施の一形態について図１ないし図５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
　【００１８】
　最初に、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板およびこの基板を用いた液晶セル（液晶表示装置）の概略構成を、図１および図２を参照しながらその製造方法と共に説明する。上記アクティブマトリクス基板は、まず、透明な絶縁性基板１上に、図１に示すように、互いに平行に配置されるゲート信号線２ｂ…と、遮光性を有する補助容量信号線１９とを形成する。また、上記ゲート信号線２ｂと同時に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のゲート電極２ａが形成される。
　【００１９】
　ＴＦＴは、図２に示すように、絶縁性基板１に形成されたゲート電極２ａ上に、ゲート酸化膜２１、ゲート絶縁膜３、半導体層４、チャネル保護層５、ソース・ドレイン電極となるｎ＋アモルファスシリコン層６を、周知の方法により順次積層することにより構成される。
　【００２０】
　さらに、上記ｎ＋アモルファスシリコン層６上にＩＴＯ膜７および金属層８をスパッタ法により順次形成することにより、ゲート信号線２ｂに直交するソース信号線２０が形成される。ドレイン電極側のＩＴＯ膜７は、図１に示すように、後に詳述するコンタクトホール１０を介して画素電極１１と接続するために延設される。
　【００２１】
　本実施の形態においては、前記したように、ソース信号線２０を金属層８とＩＴＯ膜７とによる二層構造とした。この構造は、金属膜８の一部に欠陥があったとしてもＩＴＯ膜７によって電気的接続が保たれるので、ソース信号線２０の断線を防止できるという点で効果的である。
　【００２２】
　さらに、アクリル樹脂をジエチレングリコールエチルメチルエーテル等の溶剤で希釈したものを３μｍの膜厚で塗布し、露光、アルカリ現像を行い、さらに焼成を行ってアクリル樹脂を熱硬化することにより、図３に示すように、ＩＴＯ膜７まで達するコンタクトホール１０を有する層間絶縁膜９を形成する。
　【００２３】
　なお、上記層間絶縁膜９の材料は、感光性を有することが好ましい。感光性材料を用いた場合、パターニング工程を露光のみによって行えるので、製造工程が簡略化される。
　【００２４】
　また、予め絶縁性基板１上に形成されている補助容量信号線１９は、遮光性の物質からなると共に、コンタクトホール１０の開口部を完全に覆う幅に形成されることが必要である。これにより、コンタクトホール１０における液晶配向の乱れによる漏れ光を遮光し、コントラストの高い液晶セルを実現することが可能となる。
　【００２５】
　続いて、層間絶縁膜９上に透明導電膜をスパッタ法により成膜してパターニングし、画素電極１１を形成する。この画素電極１１は、コンタクトホール１０の底面部において、この底面部に露出したＩＴＯ膜７と接続する。以上の工程により、スイッチング素子としてのＴＦＴがマトリクス状に配置され、ＴＦＴに走査信号を供給するゲート信号線２ｂ…および上記ＴＦＴにデータ信号を供給するソース信号線２０…が互いに直交して形成されたアクティブマトリクス基板を作成することができる。
　【００２６】
　一方、上記アクティブマトリクス基板に対向させる対向基板については、まず、透明な絶縁性基板１２上に金属膜をスパッタ法にて成膜してパターニングし、遮光板１３を形成する。次に、感光性のカラーレジストを塗布し、露光、現像することにより、赤・緑・青のカラーフィルタ１４を形成する。さらに、ＩＴＯ等の透明導電膜をスパッタ法により成膜してパターニングし、対向電極１５を形成する。なお、この対向電極１５は、アクティブマトリクス基板側の補助容量信号線１９に接続される。これにより、対向基板が作成される。
　【００２７】
　その後、上記のアクティブマトリクス基板および対向基板の双方に配向膜１６を形成してこれらの基板を貼り合わせ、その空隙に液晶１７を導入することにより液晶セルが形成される。
　【００２８】
　図４は、上記の熱硬化の工程における基板温度の変化を示すグラフである。同図に示すように、本実施の形態では、室温から本焼成温度までに到達するまで一定の温度勾配で基板温度が上昇するように加熱を行い、本焼成の間は一定の温度を保った。
　【００２９】
　下記の表１に、室温から本焼成温度まで昇温する過程の温度勾配と、コンタクトホール１０斜面の傾斜角度θとの関係を示す。なお、温度勾配以外の条件は同一とし、層間絶縁膜９の膜厚を３μｍ、コンタクトホール１０の底面部すなわちＩＴＯ膜７と画素電極１１との接触面のゲート方向の幅ａ（図５参照）を５μｍに形成した。
　【表１】
　【００３０】
　表１から明らかなように、温度勾配が大きくなるほど、コンタクトホール１０の斜面の傾斜角度θは小さくなる。また、図５に示すようにコンタクトホール１０の開口部の幅をｂとすると、表１に記載したｂ／ａの測定値は、傾斜角度θおよび層間絶縁膜９の膜厚から求められる計算値と一致しないが、これは、熱硬化時の温度勾配が大きいとコンタクトホール１０の開口部周辺のアクリル樹脂が熱だれを起こし、開口部の面積がさらに広がることによる。アクリル樹脂の熱だれは、温度勾配が大きいほど顕著になる。また、この熱だれによる開口部の広がりは層間絶縁膜９の膜厚が厚くなるほど顕著となることが確認された。
　【００３１】
　コンタクトホール１０の開口部は、液晶１７の配向が乱れることによる光漏れが生じるので、良好なコントラストを得るためには補助容量信号線１９によって完全に遮光しなければならない部分である。従って、コンタクトホール１０の傾斜角度θが小さすぎる場合には、前述のようにコンタクトホール１０の開口部の面積が広くなり、補助容量信号線１９の幅を太く形成することが必要となり、開口率の高い液晶セルを実現できないという問題がある。
　【００３２】
　液晶セルとして充分な開口率を実現するためには、コンタクトホール１０の斜面の傾斜角度θを４５°以上に形成することが好ましい。しかし、コンタクトホール１０の傾斜角度θが６０°よりも大きくなると、層間絶縁膜９表面にＩＴＯ膜等を成膜することにより画素電極１１を形成する際に、コンタクトホール１０の底面部に良好なカバレッジが得にくく、画素電極１１とＩＴＯ膜７との接続不良が起こり易くなる。
　【００３３】
　従って、コンタクトホール１０の斜面の傾斜角度θの好適な範囲は、概ね４５°〜６０°である。傾斜角度θがこの範囲であれば、コンタクトホール１０の開口部を遮光する補助容量信号線１９の幅を従来よりも細く形成することができ、開口率が向上する。しかも、コンタクトホール１０の底面部におけるＩＴＯ膜７と画素電極１１との接続が確実に得られる。なお、熱硬化工程における室温から本焼成温度までの温度勾配を１０℃／分以下とすることにより、表１から明らかなように、コンタクトホール１０の斜面の傾斜角度θを上記の好適な範囲に形成することが可能である。
　【００３４】
　例えば、表１に示したように、温度勾配を１５℃／分として熱硬化工程を実施した場合、形成されるコンタクトホールの斜面の傾斜角度は３５°となり、上記した好適な範囲を大きく外れていることが分かる。すなわち、本焼成温度までの昇温を急速に行うと、傾斜角度の好適な制御が不可能である。このように、温度勾配が１０℃／分よりも大きい場合に傾斜角度が好適な範囲を大きく外れることは、アクリル樹脂の特性だけでなく、このアクリル樹脂を希釈するために用いた溶剤の揮発速度にも関係すると考えられる。一般的に、溶剤の揮発速度は温度勾配に依存し、温度勾配が大きくなるほど揮発速度も大きくなり、アクリル樹脂の熱だれが生じ易くなる。このため、温度勾配を１０℃／分以下とすることが好ましい。
　【００３５】
　なお、層間絶縁膜９の膜厚に関しては、２μｍ以上とすることが好ましい。この理由は以下のとおりである。すなわち、層間絶縁膜９は、画素電極１１とソース信号線２０、ゲート信号線２ｂとの間に寄生容量を形成する。この寄生容量の大きさは層間絶縁膜９の膜厚に反比例し、寄生容量が大きいとクロストークが発生し、液晶セルの表示品位に悪影響を及ぼすことは良く知られている。層間絶縁膜９の膜厚を２μｍ以上に形成すれば、液晶セルの表示品位に悪影響を及ぼさない程度に寄生容量を小さくすることが可能となる。
　【００３６】
　また、前記したように、熱硬化工程における温度勾配を１０℃／分以下とすることにより、層間絶縁膜９を２μｍ以上の比較的厚い膜厚で形成した場合でも、コンタクトホール１０開口部周辺が熱だれによって広がることを抑制できる。この結果、寄生容量を小さく抑えて良好な表示品位を得ることができると共に、コンタクトホール１０の開口部の面積を小さくし、遮光部の面積を減らせ、液晶セルの開口率を向上させることが可能となる。
　【００３７】
　なお、本実施の形態では、層間絶縁膜９の材料としてアクリル樹脂を用いたが、その他の樹脂を用いることもできる。一般的に、室温から焼成温度までの昇温過程において、毎分ごとの上昇温度を焼成温度の約１／１５以下とすることにより、樹脂の熱だれを最小限に抑えることができる。
　【００３８】
　〔実施の形態２〕
　本発明の実施に係る他の形態について、図６を参照しながら説明する。なお、前記した実施の形態１と同様の構成には同一の部材番号を付与し、その説明を省略する。
　【００３９】
　本実施の形態では、コンタクトホール１０を有する層間絶縁膜９を形成する際に、溶媒で希釈したアクリル樹脂を熱硬化する工程において、基板温度を室温から本焼成温度まで昇温する途中段階で、９０℃による仮焼成を５分間行った後、本焼成温度（２００℃）まで再び昇温させる。これにより、実施の形態１と同様に、コンタクトホール１０の斜面の傾斜角度を概ね４５°〜６０°の好適な範囲に形成することができた。
　【００４０】
　しかも、仮焼成工程を経ることによってアクリル樹脂が熱だれを起こしにくくなり、昇温速度を速めることができる。この結果、生産効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。
　【００４１】
　下記の表２は、仮焼成温度と、層間絶縁膜９に形成されるコンタクトホール１０の斜面の傾斜角度θとの関係を示す。なお、ここでも、層間絶縁膜９の材料として、感光性のアクリル樹脂を溶剤（ジエチレングリコールエチルメチルエーテル）で希釈したものを使用した。
　【表２】
　【００４２】
　表２から明らかなように、仮焼成温度が高くなるほど傾斜角度θは小さくなることが分かる。また、仮焼成温度が高くなるほど、傾斜角度θの変化の割合が大きくなることが確認された。
　【００４３】
　なお、上記アクリル樹脂に関しては、９０℃で５分以上、さらに好ましくは、６〜１０分程度の仮焼成を行うことにより、昇温速度を速めても、コンタクトホール１０の傾斜角度θを上記の好適な範囲に形成することができる。
　【００４４】
　あるいは、９０℃で２分２０秒の仮焼成を行い、さらに１００℃で２分２０秒の仮焼成を行った後、さらに昇温して本焼成を行うことによっても同様の効果が得られる。
　【００４５】
　なお、上記した各実施の形態は、本発明を限定するものではなく、発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、上記では、層間絶縁膜９の材料として、感光性を有するアクリル樹脂をジエチレングリコールエチルメチルエーテルで希釈したものを用いたが、透光性および絶縁性を有し、さらに好ましくは感光性を有する樹脂を使用することが可能であり、例えば、ベンゾシクロブテン等を用いることができる。
　【００４６】
　また、上記では、コンタクトホール１０を補助容量信号線１９で遮光される位置に形成した構成を説明したが、コンタクトホール１０を形成する位置はこれに限定されるものではない。例えば、ゲート信号線２ｂと重なる位置にコンタクトホール１０を形成し、ゲート信号線２ｂがコンタクトホール１０の開口部を完全に遮光する構成としても良い。
　【００４７】
　【発明の効果】
　以上のように、本発明の請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上にスイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線を形成する工程と、上記スイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線の上層に少なくとも熱硬化性を有する樹脂膜を成膜し、パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、室温から焼成温度まで毎分１０℃以下の温度勾配で昇温させ、上記樹脂膜を焼成して硬化する工程とを含む方法である。
　【００４８】
　これにより、熱硬化工程において、コンタクトホールを形成した樹脂膜の熱だれが抑制され、コンタクトホールの開口部が広がることが防止される。この結果、開口率が高い液晶表示装置を実現できるアクティブマトリクス基板を提供することが可能となるという効果を奏する。
　【００４９】
　本発明の請求項２に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上にスイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線を形成する工程と、上記スイッチング素子、ゲート信号線、およびソース信号線の上層に少なくとも熱硬化性を有する樹脂膜を成膜し、パターニングにより該樹脂膜にコンタクトホールを形成する工程と、上記
コンタクトホールが形成された
　【００５０】
　これにより、本焼成の工程における樹脂膜の熱だれが抑制され、コンタクトホール斜面の傾斜角度の制御が容易となる。また、仮焼成によって熱だれが抑制されることにより、本焼成までの昇温速度を速めることができ、製造効率が向上する。この結果、開口率が高い液晶表示装置を実現できるアクティブマトリクス基板を低価格で提供することが可能となるという効果を奏する。
　【００５１】
　本発明の請求項３に記載の液晶表示装置は、請求項１および２のいずれかに記載の製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板と、少なくとも対向電極を備えた対向基板との間に液晶を挟持してなる構成である。
　【００５２】
　これにより、開口率が高く表示品位が向上された液晶表示装置を提供することが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施の一形態に係るアクティブマトリクス型液晶セルの概略構成を示す平面図である。
　【図２】
　図１の液晶セルにおけるＡ−Ａ’線矢視断面図である。
　【図３】
　図１の液晶セルにおけるＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
　【図４】
　上記液晶セルの製造時に、コンタクトホールを有する層間絶縁膜を熱硬化する工程における基板温度の変化を示すグラフである。
　【図５】
　上記液晶セルを構成するアクティブマトリクス基板の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールの形状を示す断面図である。
　【図６】
　本発明の実施の他の形態に係る液晶セルの製造時に、コンタクトホールを有する層間絶縁膜を熱硬化する工程における基板温度の変化を示すグラフである。
　【図７】
　従来のアクティブマトリクス基板の構成を示す回路図である。
　【図８】
　従来のアクティブマトリクス型液晶セルの概略構成を示す平面図である。
　【図９】
　図８の液晶セルにおけるＡ−Ａ’線矢視断面図である。
　【図１０】
　図８の液晶セルにおけるＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
　【符号の説明】
　２ｂ　ゲート信号線
　７　　ＩＴＯ膜（ドレイン電極）
　９　　層間絶縁膜
　１０　コンタクトホール
　１１　画素電極
　１９　補助容量信号線
　２０　ソース信号線