【事件の表示】
　平成　１年特許願第　９７０５７号「アニール方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　２年１１月　９日出願公開、特開平　２−２７５６２２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は平成１年４月１７日の出願であって、その発明の要旨は、平成１１年３月８日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　「ガラス基体上に形成されたシリコン薄膜へ光強度のピーク波長が１．０μｍ以下である短波長アークランプの光を照射するアニール方法において、前記光のうち前記ガラス基体に吸収される波長成分を除去して前記照射を行うことを特徴とするアニール方法。」（以下、本願発明という。）
２．引用刊行物
　当審で拒絶の理由に引用された特開昭６０−１３４４１３号公報（以下、引用例１という。）には、「従来、多結晶Ｓｉ膜を用いたＳｉ薄膜半導体装置は石英基板上に通例であった。しかし、上記従来技術では石英基板が高価であるという欠点があった。
［目的］
　本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、安価なガラス基板上にでも多結晶Ｓｉ膜による薄膜半導体装置が製造できること及びアモルファス膜半導体装置と多結晶Ｓｉ膜半導体装置とが併存できるようにすることを目的とする。
［概要］
　上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半導体装置の製造方法に関し、ガラス基板表面にはシリコン窒化膜又は酸化膜が形成され、該シリコン窒化膜又は酸化膜表面にはアモルファスＳｉ膜を形成し、該アモルファスＳｉ膜の少なくとも一部または全部をレーザー・アニール、光アニール、電子線アニール、イオン・ビーム・アニール等のアニール処理により多結晶Ｓｉ層化し、該多結晶Ｓｉ層にはＭＯＳ型ＦＥＴ等の半導体装置が形成されて成ることを特徴とすること、」（第１頁右欄第６行ー第２頁左上欄第６行）及び「アモルファスＳｉ膜４がプラズマＣＶＤ法により形成され、Ｘｅフラッシュランプ光５によりアモルファスＳｉ膜４の一部が多結晶化Ｓｉ膜６となり、」（第２頁左上欄第１６−１８行）と記載されている。そしてガラス基板上のアモルファスＳｉ膜は、Ｓｉ薄膜半導体装置を製造するためのものであるから当然薄膜であるものと認める。
　したがって、引用例１にはガラス基体上に形成されたアモルファスＳｉ薄膜へ、Ｘｅフラッシュランプ光を照射する光アニール方法が記載されている。
　同じく、特開昭６３−７６４２１号公報（以下、引用例２という。）には、「ハロゲンランプアニールの場合は半導体基板の波長吸収端より長い波長領域に発光波長分布の多くが存在している為、直接光吸収エネルギーでアニールされる効果より、熱拡散に依りアニールされる効果の方が大きい。従って短時間では充分なアニール効果が期待できない。」（第２頁左上欄第５−１０行）、「本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板中にイオン注入方により不純物を導入する工程と、前記半導体基板の波長吸収端より短い波長領域に発光波長の分布のピークを有するランプを光源として短時間アニールし、前記半導体中に導入された不純物を活性化すると共に、前記半導体基板表面に前記不純物の濃度プロファイルのピークの深さより浅い厚さを有する酸化層または変成層を形成する工程と、前記酸化層又は変成層を除去する工程とを含んで構成される。」（第２頁右上欄第１１−２０行）、「次に第１図（ｂ）に示すように、波長吸収端が０．９μｍであるＧａＡｓ基板１を、発生波長の分布のピークが約０．８μｍであるＡｒアークランプを光源とするラピッドオプティカルアニール方（以下ＲＯＡ法と記す）によって、例えば９５０℃、５秒のアニールを行なう。この場合Ｘｅアークランプを光源として用いて良い。」（第２頁左下欄第１６行ー右下欄第２行）及び「半導体基板としてＧａＡｓ基板を用いた場合について説明したが、Ｓｉ基板を用いても良い。」（第３頁左下欄第４−６行）と記載されている。そして上記Ａｒアークランプ光は、ピーク波長が約０．８μｍであるから短波長アークランプ光であるものと認める。
　したがって、引用例２にはＧａＡｓ，Ｓｉを高速にアニールするために、これらの波長吸収端より短い波長領域に光強度のピークを有する短波長アークランプ光、例えばピーク波長が約０．８μｍのＡｒアークランプ光を照射するアニール方法が記載されている。
　同じく、特開昭５９−７５６７０号公報（以下、引用例３という。）には、「第１図〜第４図は、本発明に依る薄膜半導体装置の製造方法である。第１図はソーダ・ガラス又はパイレックスの絶縁基板１上に光ＣＶＤ又はＣＶＤにてＳｉＯ２などの高融点透明薄膜９を形成後、半導体薄膜２を形成する。第２図において光ＣＶＤ法又はＣＶＤ法によりゲート膜３を形成する。次に第３図においてＣＶＤ法によりｐｏｌｙＳｉ膜ゲート電極４を形成した後、大電流イオン注入によりソース，ドレイン領域６を形成する。イオン注入後、アーク放電フラッシュ・ランプ（放射光波長０．３〜１．０μｍ）又はタングステン抵抗ハロゲンランプ（放射光波長０．３〜３．０μｍ）で、短時間高温熱処理を行ない、イオン注入領域の活性化及びゲート電極下のＳｉＯ２膜質を緻密にする。熱源として絶縁基板透過波長領域の放射光を用いるため高温度に温度上昇する領域は、イオン注入された半導体薄膜６，ゲート電極４及びゲート電極と半導体薄膜に囲まれたゲート膜３領域である。従って緻密なゲート膜及び高い活性のソース・ドレインを提供する。絶縁基板１は放射光を吸収せず温度上昇が少ない。」（第２頁左上欄第１６行ー右上欄第１６行）と記載されている。
　したがって、引用例３にはソーダ・ガラス又はパイレックスの絶縁基板上に形成されている半導体薄膜に放射波長が０．３〜１．０μｍであるアーク放電フラッシュ・ランプで熱処理を行うことによって、絶縁基板が放射光を吸収しない様にし、その温度上昇を少なくしたアニール方法が記載されている。
３．対比
　本願発明と引用例１記載の発明を対比すると、両者は、ガラス基体上に形成されたシリコン薄膜にランプ光を照射するアニール方法の点で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）
　本願発明では、ランプ光が光強度のピーク波長が１．０μｍ以下である短波長アークランプ光であり、ランプ光を照射する際にガラス基体に吸収される波長成分を除去しているのに対し、引用例１記載の発明では、ランプ光がＸｅフラッシュランプ光であり、ガラス基体に吸収される波長成分を除去する構成を有していない点。
４．検討
　上記相違点について以下で検討する。
　引用例２には、ＧａＡｓ，Ｓｉの波長吸収端より短い波長領域に光強度のピークを有する短波長アークランプ、例えばピーク波長が約０．８μｍのＡｒアークランプ光を照射するアニール方法が記載されているから、アニールを高速にする為に、引用例１記載のＸｅフラッシュランプ光にかえて引用例２記載の光強度のピーク波長が１．０μｍ以下である短波長アークランプ光を採用することは当業者にとって格別困難なこととはいえない。また、引用例３にはソーダ・ガラス又はパイレックスの絶縁基体上に形成されている半導体薄膜に放射光波長が０．３〜１．０μｍであるアーク放電フラッシュ・ランプで熱処理を行うことによって、絶縁基体が放射光を吸収しないようにして、その温度上昇を少なくしたアニール方法が記載されているから、引用例１記載のＸｅフラッシュランプにかえて引用例２記載の光強度のピーク波長が１．０μｍ以下である短波長アークランプを採用する際に、短波長アークランプであるＡｒアークランプがガラス基体に吸収される０．３μｍ未満の波長成分も含んでいることは周知であり、引用例３記載事項から、上記短波長アークランプが０．３μｍ未満の波長成分を含む場合はガラスからなる絶縁基板がこの０．３μｍ未満の波長成分を吸収してその温度が上昇することは当然考えられることであるから、ガラス基体の温度上昇を防止する目的で、０．３μｍ未満の波長成分すなわち短波長アークランプ光のガラス基体に吸収される波長成分を除去して、光アニール照射を行うことは当業者が当然なすべきことである。
５．まとめ
　以上のとおりであるから、本願発明は引用例１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。