【事件の表示】
　特願２００７−５３０６８６「電圧制限用の半導体構成体」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月２３日国際公開、ＷＯ２００６／０２９９２１、平成２０年　４月２４日国内公表、特表２００８−５１２８６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００５年７月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年９月１３日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２３年２月２５日付けの拒絶理由通知（最初）に対して、同年８月２６日に手続補正書及び意見書が提出され、平成２４年２月６日付けの拒絶理由通知（最後）に対して、同年６月８日に意見書が提出されたが、同年８月１６日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１２月２１日に審判請求がなされるとともに、同日に手続補正書が提出され、その後、平成２５年２月１２日付けで審尋がなされ、同年８月１３日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２４年１２月２１日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２４年１２月２１日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び１４を、各々補正後の特許請求の範囲の請求項１及び１４に補正するものであり、補正前後の請求項１及び１４は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「　　【請求項１】
　電圧制限用の半導体構成体であって、第１のカバー電極（４）と、該第１のカバー電極（４）と接続されており、強くｐドープされた半導体層（２）と、該強くｐドープされた半導体層（２）と接続されており、弱くｎドープされた半導体層（１）と、第２のカバー電極（５）とを有する半導体構成体であって、
　弱くｎドープされた半導体層（１）と第２のカバー電極（５）との間には、少なくとも１つのｐドープされた半導体層（６）と２つの強くｎドープされた半導体層（３）が並置され、交互に設けられている半導体構成体において、
　降伏電圧が温度にほぼ依存せず、
　当該半導体構成体は、ｐｎダイオードとパンチスルーダイオードとの組み合わせに相当し、
　制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなるように選択される、ことを特徴とする半導体構成体。」
「　　【請求項１４】
　電圧制限用の半導体構成体であって、第１のカバー電極（４）と、該第１のカバー電極（４）と接続されており、強くｎドープされた半導体層（２）と、該強くｎドープされた半導体層（２）と接続されており、弱くｐドープされた半導体層（１）と、第２のカバー電極（５）とを有する半導体構成体であって、
　弱くｐドープされた半導体層（１）と第２のカバー電極（５）との間には、少なくとも１つのｎドープされた半導体層（６）と２つの強くｐドープされた半導体層（３）が並置され、交互に設けられている半導体構成体において、
　降伏電圧が温度にほぼ依存せず、
　当該半導体構成体は、ｐｎダイオードとパンチスルーダイオードとの組み合わせに相当し、
　制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなるように選択される、ことを特徴とする半導体構成体。」
　
（補正後）
「　　【請求項１】
　電圧制限用の半導体構成体であって、第１のカバー電極（４）と、該第１のカバー電極（４）と接続されており、強くｐドープされた半導体層（２）と、該強くｐドープされた半導体層（２）と接続されており、弱くｎドープされた半導体層（１）と、第２のカバー電極（５）とを有する半導体構成体であって、
　弱くｎドープされた半導体層（１）と第２のカバー電極（５）との間には、少なくとも１つのｐドープされた半導体層（６）と２つの強くｎドープされた半導体層（３）が並置され、交互に設けられている半導体構成体において、
　降伏電圧が温度にほぼ依存せず、
　当該半導体構成体は、ｐｎダイオードとパンチスルーダイオードとの組み合わせに相当し、
　制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなり、前記ｐドープされた半導体層（６）と、前記弱くｎドープされた半導体層（１）と、前記強くｐドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｐｎｐトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される、ことを特徴とする半導体構成体。」
「　　【請求項１４】
　電圧制限用の半導体構成体であって、第１のカバー電極（４）と、該第１のカバー電極（４）と接続されており、強くｎドープされた半導体層（２）と、該強くｎドープされた半導体層（２）と接続されており、弱くｐドープされた半導体層（１）と、第２のカバー電極（５）とを有する半導体構成体であって、
　弱くｐドープされた半導体層（１）と第２のカバー電極（５）との間には、少なくとも１つのｎドープされた半導体層（６）と２つの強くｐドープされた半導体層（３）が並置され、交互に設けられている半導体構成体において、
　降伏電圧が温度にほぼ依存せず、
　当該半導体構成体は、ｐｎダイオードとパンチスルーダイオードとの組み合わせに相当し、
　制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなり、前記ｎドープされた半導体層（６）と、前記弱くｐドープされた半導体層（１）と、前記強くｎドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｎｐｎトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される、ことを特徴とする半導体構成体。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の「制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなるように選択される、」を、補正後の請求項１の「制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなり、前記ｐドープされた半導体層（６）と、前記弱くｎドープされた半導体層（１）と、前記強くｐドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｐｎｐトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される、」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項１４の「制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなるように選択される、」を、補正後の請求項１４の「制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなり、前記ｎドープされた半導体層（６）と、前記弱くｐドープされた半導体層（１）と、前記強くｎドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｎｐｎトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される、」と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「制限電圧（ＵＺＰＴ）」について、「前記ｐドープされた半導体層（６）と、前記弱くｎドープされた半導体層（１）と、前記強くｐドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｐｎｐトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００１２】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、補正前の請求項１４に係る発明の発明特定事項である「制限電圧（ＵＺＰＴ）」について、「前記ｎドープされた半導体層（６）と、前記弱くｐドープされた半導体層（１）と、前記強くｎドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｎｐｎトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、当初明細書の【００１２】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｂは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１４に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１４に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成２４年１２月２１日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１４に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１４として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された事項及び発明
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された実願平４９−１０６１８０号（実開平５１−３３３６２号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム（昭和５１年３月１１日特許庁発行）（以下「引用刊行物」という。）には、第１、３図とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「本考案は定電圧ダイオード、特に順逆特性を有し、逆方向漏洩電流が小さくしかも立上り特性の鋭い低い定電圧ダイオードに関し、その動作特性の改良に関するものである。」（１ページ１９行〜２ページ２行）
「この点に鑑み、第１図のような構造を有する低い定電圧ダイオードの製作がされている。
　図中、(1)は比抵抗の低いＮ導電形のシリコン基板（Ｎ＋層）、(2)はこのＮ＋層にＰ−Ｎ＋接合面(3)を介して接合するＰ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）、(4)はＰ層(2)を取囲むように形成されたＮ導電形の遮断拡散層、(5)はＰ層(2)にその表面（２ａ）から不純物を拡散して形成されたＮ導電形のゲート拡散層で、Ｐ−Ｎ＋接合面(3)と距離Ｌを介して対向する。(6)はＰ層(2)の表面（２ａ）に設けられた金属電極で、ゲート拡散層(5)よりも大きな径を有し、ゲート拡散層(5)とその周りのＰ層(2)とにオーミック接触している。(7)はＮ＋層(1)の下面に接合する金属層、(8)は酸化シリコン膜で、金属電極(6)に接触していないＰ層(2)の上面及び遮断拡散層(4)の上面を覆っている。(9)は金属電極(6)を覆うように設けられた金属突起物である。」（２ページ１１行〜３ページ８行）
「このような定電圧ダイオードの電気的特性は、ペレット表面に正電圧を加えた場合、金属電極(6)とＰ層(2)が接触している部分を通りＰ−Ｎ＋接合(3)が順方向特性となっているので順方向電流が流れる。またペレット表面に負電圧を印加した場合Ｐ層(2)の部分にＰ−Ｎ＋接合(3)よりの空乏層が拡がりこの空乏層がゲート拡散層(5)に到達した瞬間より逆方向電流が流れる。第３図にこの電気的特性を示す。これは４(V)のゼナ−ダイオードである。」（５ページ５〜１４行）
　
（４−３−２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「比抵抗の低いＮ導電形のシリコン基板（Ｎ＋層）（１）と、
　前記比抵抗の低いＮ導電形のシリコン基板（Ｎ＋層）（１）にＰ−Ｎ＋接合面（３）を介して接合するＰ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）と、
　前記Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）を取囲むように形成されたＮ導電形の遮断拡散層（４）と、
　前記Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）にその表面（２ａ）から不純物を拡散して形成され、前記Ｐ−Ｎ＋接合面（３）と距離Ｌを介して対向するＮ導電形のゲート拡散層（５）と、
　前記Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）の前記表面（２ａ）に設けられ、前記ゲート拡散層（５）よりも大きな径を有し、前記ゲート拡散層（５）とその周りの前記Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）とにオーミック接触している金属電極（６）と、
　前記比抵抗の低いＮ導電形のシリコン基板（Ｎ＋層）（１）の下面に接合する金属層（７）と、
　前記金属電極（６）に接触していない前記Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）の上面及び前記Ｎ導電形の遮断拡散層（４）の上面を覆っている酸化シリコン膜（８）と、
　前記金属電極（６）を覆うように設けられた金属突起物（９）とからなり、
  前記表面（２ａ）に設けられた前記金属電極（６）に正電圧を加えた場合、前記金属電極（６）と前記Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）が接触している部分を通りＰ−Ｎ＋接合面（３）が順方向特性となっているので順方向電流が流れ、
　前記表面（２ａ）に設けられた前記金属電極（６）に負電圧を印加した場合、前記Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）の部分に前記Ｐ−Ｎ＋接合面（３）よりの空乏層が拡がり、前記空乏層が前記ゲート拡散層（５）に到達した瞬間より逆方向電流が流れる、
　定電圧ダイオード。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「比抵抗の低いＮ導電形のシリコン基板（Ｎ＋層）（１）」は、補正後の発明の「強くｎドープされた半導体層（２）」に相当する。また、刊行物発明の「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」と、補正後の発明の「弱くｐドープされた半導体層（１）」は、「Ｐドープされた半導体層」という点で共通する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「金属電極（６）」及び「金属層（７）」は、各々補正後の発明の「第２のカバー電極（５）」及び「第１のカバー電極（４）」に相当する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「Ｎ導電形のゲート拡散層（５）」は、補正後の発明の「ｎドープされた半導体層（６）」に相当する。そして、刊行物発明において、「Ｎ導電形のゲート拡散層（５）」が、「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」と「金属電極（６）」との間に配置されていることは明らかである。
　
（４−４−４）刊行物発明の「定電圧ダイオード」は、補正後の発明の「電圧制限用の半導体構成体」に相当する。
　
（４−４−５）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「電圧制限用の半導体構成体であって、第１のカバー電極と、該第１のカバー電極と接続されており、強くｎドープされた半導体層と、該強くｎドープされた半導体層と接続されており、ｐドープされた半導体層と、第２のカバー電極とを有する半導体構成体であって、
　ｐドープされた半導体層と第２のカバー電極との間には、ｎドープされた半導体層が配置されている半導体構成体。」
である点で一致し、次の４点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「半導体層（２）と接続されており、弱くｐドープされた半導体層（１）」を有するのに対し、刊行物発明では、「比抵抗の低いＮ導電形のシリコン基板（Ｎ＋層）（１）にＰ−Ｎ＋接合面（３）を介して接合するＰ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」を有している点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「弱くｐドープされた半導体層（１）と第２のカバー電極（５）との間には、少なくとも１つのｎドープされた半導体層（６）と２つの強くｐドープされた半導体層（３）が並置され、交互に設けられている」のに対し、刊行物発明では、「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」と「金属電極（６）」との間について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「降伏電圧が温度にほぼ依存せず、当該半導体構成体は、ｐｎダイオードとパンチスルーダイオードとの組み合わせに相当」するのに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点４）補正後の発明では、「制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなり、前記ｎドープされた半導体層（６）と、前記弱くｐドープされた半導体層（１）と、前記強くｎドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｎｐｎトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される」のに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（４−５）判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（４−５−１）相違点１について
　一般に、「強くドープ」されているか「弱くドープ」されているかということは、相対的なものであり、刊行物発明においても、「比抵抗の低いＮ導電形のシリコン基板（Ｎ＋層）（１）」との不純物濃度関係によれば、「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」は、「弱くドープ」されているともいえるが、仮に、「弱くドープ」されているということが、いわゆる「Ｐ−層」を指すものとすると、刊行物発明の「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」は、「Ｐ層」であって、「Ｐ−層」ではないから、「弱くドープ」されたものではなくなるものの、刊行物発明において、「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」の不純物濃度は、「比抵抗の低いＮ導電形のシリコン基板（Ｎ＋層）（１）」と「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」で構成されるｐｎダイオードに要求される特性に応じて、当業者が必要に応じて、適宜設定し得る設計的事項であるから、刊行物発明において、「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」を「弱くドープ」されたものにすることにより、補正後の発明のように、「半導体層（２）と接続されており、弱くｐドープされた半導体層（１）」という構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　よって、相違点１は、実質的なものでないか、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点２について
　引用刊行物には、「(6)はＰ層(2)の表面（２ａ）に設けられた金属電極で、ゲート拡散層(5)よりも大きな径を有し、ゲート拡散層(5)とその周りのＰ層(2)とにオーミック接触している。」（２ページ２０行〜３ページ４行）と記載されている。そして、オーミック接触する部分において、半導体層と金属電極との接触抵抗を低減するために、半導体層のうち金属電極と接触する部分の不純物濃度を高くすることは、当業者にとって技術常識ともいえることであるから、刊行物発明において「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」の「金属電極（６）」と接触する部分を高不純物濃度とすることにより、補正後の発明のように、「弱くｐドープされた半導体層（１）と第２のカバー電極（５）との間には、少なくとも１つのｎドープされた半導体層（６）と２つの強くｐドープされた半導体層（３）が並置され、交互に設けられている」構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−３）相違点３について
　引用刊行物に、「このような定電圧ダイオードの電気的特性は、ペレット表面に正電圧を加えた場合、金属電極(6)とＰ層(2)が接触している部分を通りＰ−Ｎ＋接合(3)が順方向特性となっているので順方向電流が流れる。またペレット表面に負電圧を印加した場合Ｐ層(2)の部分にＰ−Ｎ＋接合(3)よりの空乏層が拡がりこの空乏層がゲート拡散層(5)に到達した瞬間より逆方向電流が流れる。」（５ページ５〜１２行）と記載されているように、刊行物発明は、「ペレット表面に正電圧を加えた場合」、すなわち、順方向特性において、順方向電流が「金属電極（６）」と「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」が接触している部分を通る点で、ｐｎダイオードの構成を備えるものであり、また、「ペレット表面に負電圧を印加した場合」、すなわち、逆方向特性において、「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」の部分に「Ｐ−Ｎ＋接合（３）」よりの空乏層が拡がり、この空乏層が「ゲート拡散層（５）」に到達した瞬間より逆方向電流が流れる点で、パンチスルーダイオードの構成を備えるものと認められるから、補正後発明１と同様、「ｐｎダイオードとパンチスルーダイオードとの組み合わせに相当」するものであると認められる。
　また、刊行物発明が、逆方向特性において、「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」の部分に「Ｐ−Ｎ＋接合（３）」よりの空乏層が拡がり、この空乏層が「ゲート拡散層（５）」に到達した瞬間より逆方向電流が流れるものであり、アバランシュ作用ないし雪崩作用により電流が流れるものではないことは明らかであるから、補正後の発明１と同様、「降伏電圧が温度にほぼ依存」しないものであると認められる。
　よって、相違点３は実質的なものではない。
　
（４−５−４）相違点４について
　仮に、刊行物発明が、「制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなり、前記ｐドープされた半導体層（６）と、前記弱くｎドープされた半導体層（１）と、前記強くｐドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｐｎｐトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される」ものではないとすると、刊行物発明の逆方向特性において、「Ｐ導電形のエピタキシアル層（Ｐ層）（２）」の部分に拡がった「Ｐ−Ｎ＋接合（３）」よりの空乏層が「ゲート拡散層（５）」に到達する前に、逆方向電流が流れることになり、引用刊行物に記載された所期の機能を果たさないことは明らかである。
　そうすると、刊行物発明においても、補正後の発明と同様、「制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなり、前記ｐドープされた半導体層（６）と、前記弱くｎドープされた半導体層（１）と、前記強くｐドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｐｎｐトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される」構成となっているものと認められる。
　よって、相違点４は、実質的なものでない。
　また、仮にそうとは言えないとしても、当業者であれば、刊行物発明を実施する際に、引用刊行物に記載された所期の機能を果たすよう、各導電型領域の大きさ、不純物濃度を設定することは当然であるから、刊行物発明においても、補正後の発明と同様、「制限電圧（ＵＺＰＴ）が、ｐｎダイオードの降伏電圧（ＵＺＰＮ）より常に小さくなり、前記ｐドープされた半導体層（６）と、前記弱くｎドープされた半導体層（１）と、前記強くｐドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｐｎｐトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、実質的なものでないか、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるが、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２４年１２月２１日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年８月２６日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１４に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１４として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上記２．（４−３−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正後の請求項１４に係る発明は、補正前の請求項１４に係る発明の発明特定事項である「制限電圧（ＵＺＰＴ）」について、「前記ｎドープされた半導体層（６）と、前記弱くｐドープされた半導体層（１）と、前記強くｎドープされた半導体層（２）とからなる寄生ｎｐｎトランジスタの降伏電圧（ＵＣＥＯ）が、前記制限電圧（ＵＺＰＴ）を下回らないように選択される」と限定的に減縮する補正である。逆に言えば本件補正前の請求項１４に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。