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　平成　８年特許願第２７４７８６号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　５月１５日出願公開、特開平１０−１２５７７７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成８年１０月１７日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１０年１０月２６日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、次のとおりのものと認められる。
「熱処理工程と、絶縁膜堆積工程と、開口工程と、気相化学成長工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
　熱処理工程は、下層配線が形成された半導体基板を熱処理する工程であり、
　絶縁膜堆積工程は、ＢＣＢ膜、ポリキノリン又はＳｉＯＦの絶縁膜を基板全面に堆積する工程であり、
　開口工程は、前記絶縁膜に接続孔を開孔する工程であり、
　気相化学成長工程は、接続孔内にのみ金属を選択気相化学成長させる工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　なお、平成１１年３月２６日付けの手続補正書は、補正却下の決定により却下された。
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平７−２２４１１号公報（以下、「引用例２」という）には、
「【請求項１】下層配線金属膜上に有機絶縁膜を形成する工程と、この有機絶縁膜上にこの有機絶縁膜に対してエッチング速度の遅い無機絶縁膜を形成する工程と、この無機絶縁膜上にホトレジストを形成してこのホトレジストを所定パターンにパターニングする工程と、パターニングされたこのホトレジストをマスクに前記無機絶縁膜をエッチングして前記ホトレジストのパターンを前記無機絶縁膜に転写する工程と、前記無機絶縁膜上の前記ホトレジストを除去する工程と、パターニングされた前記無機絶縁膜をマスクに前記有機絶縁膜をエッチングして前記無機絶縁膜のパターンを前記有機絶縁膜に転写して前記下層配線金属膜が一部露出するヴィア孔を開口する工程と、このヴィア孔に埋込プラグを選択形成する工程とを備えたことを特徴とする埋込プラグの形成方法。」（特許請求の範囲）、
「【従来の技術】半導体装置の多層配線構造において、多層に積み重ねられる各配線金属間を電気的に接続するため、埋込プラグが形成される。」（【０００２】）、
「【実施例】図１および図２は本発明の第１の実施例による埋込プラグの形成方法を示す工程断面図である。まずＳｉ基板１１上にＳｉＯ２からなる下地絶縁膜１２が形成され、この下地絶縁膜１２上にＡｌＣｕ金属からなる下層配線金属膜１３が形成される。この下層金属膜１３は所定配線形状にパターニングされる。次に、パターニングされたこの下層配線金属膜１３上にポリイミドからなる有機絶縁膜１４がスピン塗布および熱処理によって形成され、この有機絶縁膜１４上にＳｉＯ２からなる無機絶縁膜１５がプラズマＣＶＤ法によって形成される。これら有機絶縁膜１４および無機絶縁膜１５は層間絶縁膜を形成するものである。次に、無機絶縁膜１５上にホトレジスト１６がスピン塗布される（図１（ａ）参照）。次に、このホトレジスト１６はホトリソグラフィ技術によって露光・現像処理され、ヴィア孔形成部分のレジストが除去されて所定パターンにパターニングされる（同図（ｂ）参照）。次に、パターニングされたこのホトレジスト１６をマスクに、弗素（Ｆ）系ガス例えばＣＨＦ３とＯ２との混合ガスを用いたＲＩＥエッチングが行われる。このＲＩＥによってホトレジスト１６のパターンが無機絶縁膜１５に転写される（同図（ｃ）参照）。なお、この時は、必ずしも有機絶縁膜が全くエッチングされない条件を使用する必要はない。次に、Ｏ２プラズマアッシングによりホトレジスト１６が分解され、続いて、例えば硫酸と過酸化水素水を４：１の体積比で混合して１３０℃に加熱した洗浄液で洗浄する。この洗浄によってレジスト中に含まれていた金属は基板表面からほぼ完全に除去される。その後、基板表面について水洗処理がなされ、引き続いて乾燥処理が実施されて基板表面が清浄化される。硫酸・過酸化水素混合洗浄液以外に、ＲＣＡ洗浄液、フッ化水素酸水溶液等を単独もしくは組み合わせて、金属除去のための洗浄として使用できる。なお、これらの洗浄液はいずれも下層配線金属膜３のＡｌ金属を極めて速い速度でエッチングする。次に、パターニングされた無機絶縁膜１５をマスクに、Ｏ２ガスを用いたＲＩＥエッチングが行われる。このＲＩＥによって無機絶縁膜１５に転写されたホトレジストパターンが有機絶縁膜１４に転写され、下層配線金属膜１３が底面に露出したヴィア孔１７が開口される（図２（ｄ）参照）。次に、必要に応じ、水洗による基板表面のダストの除去および塩素（Ｃｌ）系ガスを用いたＲＩＥによる下層配線金属膜表面に形成された酸化金属（図示しない）の除去を行う。その後、プラグ形成のための選択ＣＶＤが行われる。つまり、基板表面にＡｌ元素を含んだ原料ガスが流され、ヴィア孔１７に露出する下層配線金属膜１３の表面にＡｌ金属膜が選択堆積され、埋込プラグ１８が選択形成される（同図（ｅ）参照）。」（【００１２】〜【００１５】）が、図１，図２と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、
「Ｓｉ基板１１上に下地絶縁膜１２を形成し、この上に下層配線金属膜１３を形成する工程。下層配線金属膜１３を所定配線形状にパターニングする工程。パターニングされた下層配線金属膜１３上に有機絶縁膜１４（実施例においてはポリイミド）をスピン塗布および熱処理によって形成する工程。この有機絶縁膜１４上に無機絶縁膜１５を形成する工程。無機絶縁膜１５を、所定パターンにパターニングする工程。このパターニングした無機絶縁膜１５をマスクに、有機絶縁膜１４のエッチングを行い、下層配線金属膜１３が底面に露出したヴィア孔１７を開口する工程。基板表面にＡｌ元素を含んだ原料ガスを流し、ヴィア孔１７に露出する下層配線金属膜１３の表面にＡｌ金属膜を選択ＣＶＤして、埋込プラグ１８を選択形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例２に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「下層配線」、「半導体基板」、「金属」、「選択気相化学成長」は、それぞれ引用例２に記載された発明の「パターニングされた下層配線金属膜１３」、「Ｓｉ基板１１」、「Ａｌ金属膜」、「選択ＣＶＤ」に相当する。また、引用例２に記載された発明における「パターニングされた下層配線金属膜１３上に有機絶縁膜１４（実施例においてはポリイミド）をスピン塗布および熱処理によって形成する工程」は、本願第１発明の「絶縁膜を基板全面に堆積する工程」に相当する。
　従って、本願第１発明と引用例２に記載された発明とは、「絶縁膜堆積工程と、開口工程と、気相化学成長工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
　絶縁膜堆積工程は、絶縁膜を基板全面に堆積する工程であり、
　開口工程は、前記絶縁膜に接続孔を開孔する工程であり、
　気相化学成長工程は、接続孔内にのみ金属を選択気相化学成長させる工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、
　本願第１発明が、「下層配線が形成された半導体基板を熱処理する工程」を有するのに対して、引用例２にはこのような工程が記載されていない点（相違点１）、
　及び、本願第１発明では絶縁膜として「ＢＣＢ膜、ポリキノリン又はＳｉＯＦ」を使用しているのに対して、引用例２に記載された発明では「有機絶縁膜（実施例においてはポリイミド）」を使用している点（相違点２）において相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　半導体装置の製造において、熱処理は広く用いられており、下層配線が形成された半導体基板を熱処理することも当業者が必要に応じて適宜おこなう周知の処理の一つにすぎない。そして、引用例２に記載された発明と、前記周知の処理である「下層配線が形成された半導体基板を熱処理する工程」とを組み合わせることに格別の困難は認められない。また、両者を組み合わせたことによる格別の効果も認められない。
（相違点２について）
　電子機器の多層配線構造の製造に係る技術分野において、ＢＣＢ膜は、該配線構造の配線層間の絶縁に使用される絶縁材料として周知であると認められる。（要すれば、特開平４−１５２６９６号公報（「また、ベンゾシクロブテン樹脂（以下ＢＣＢ樹脂とする）を用いた多層配線基板としては、配線層４層と絶縁層４層とからなり、総絶縁膜厚が約３０ミクロンの多層配線基板が開発されている。・・・また、ＢＣＢ樹脂を用いた場合、ＢＣＢ樹脂は誘電率が２．６とポリイミドより低く、電気的に優れた特性を有している」（第１頁右下欄第１６行〜第２頁左上欄第８行））、特開平４−２０６６３８号公報（「１．表面部に薄膜配線膜、または薄膜多層配線膜を有する半導体装置、配線基板等の配線構造体において、上記薄膜配線膜の上部、または上記薄膜多層配線膜の配線膜間とその最上部にポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材の絶縁膜を設けたことを特徴とする配線構造体。」（特許請求の範囲）、「本発明の目的は、上記の問題点を解消した配線構造体とその製造方法およびＩＣチップの製造方法を提供することにある。・・・さらに、誘電率を低めて信号の伝播速度を早めることのできる配線構造体とその製造方法およびＩＣチップの製造方法を提供することにある。」（第３頁右下欄第１７行〜左上欄第５行））、特開平６−２８３６１５号公報（「【従来の技術】従来、半導体素子の層間絶縁膜をはじめとする絶縁膜として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）といった無機膜が用いられていた。近年、高周波帯域での伝送特性の向上を図るため、無機膜よりも比誘電率の低い高分子樹脂を絶縁膜として用いることが提案されている。」（【０００２】）、「また、比誘電率の低い絶縁膜の材料として、ポリイミド樹脂の他にＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、Ｍａｘｄａｍ社製ポリキノン（商品名）、ＣＮＥ社製パイレーン（商品名）、旭硝子社製サイトップ（商品名）、デュポン社製テフロンＡＦ（商品名）およびフッ素樹脂といった高分子樹脂を用いることもできる。」（【０００９】））
　従って、引用例２に記載された発明において、配線層間を絶縁する有機絶縁膜の材料として、実施例において使用されているポリイミドに代えて、周知のＢＣＢ膜を使用することは当業者が適宜なし得たことであると認められる。また、本願第１発明が絶縁膜としてＢＣＢ膜を用いたことに伴う効果も当業者が予測する範囲内のものにすぎない。
　
　従って、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願第１発明は、前記引用例２に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
　なお、請求人は審判請求理由補充書において、前記特開平４−１５２６９６号公報に記載された多層配線基板の発明と、引用例１，２の半導体装置の発明との組み合わせは、発明の分野が違う発明であるのでできないと主張する。
　しかしながら、前記公報に記載された多層配線基板の発明と上記引用例に記載された発明は、いずれも電子機器の多層配線構造の製造に係る発明である点において発明の属する技術分野を共通するといえる。
　そして、電子機器の多層配線構造の製造に係る技術分野において、絶縁材料として周知の材料であると認められるＢＣＢ膜を、引用例２に記載された多層配線構造の層間絶縁膜を構成する絶縁材料として採用することは、当業者が適宜なし得たことであると認められる。
　従って、請求人の前記主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。