【事件の表示】
　特願２００８−３０９８２１「ＬＥＤパッケージにおけるテクスチャード加工された封止体表面」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月　２日出願公開、特開２００９−１４７３２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　
　本願は、平成２０年１２月４日（パリ条約による優先権主張２００７年１２月１４日、米国）の出願であって、原審において平成２４年３月１４日付けで手続補正がなされ、同年６月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２２日付けで拒絶査定に対する不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、これらに対し、平成２５年２月１８日付けで審尋がなされ、同年７月２２日付けで回答書が提出され、その後、当審において、同年９月１８日付けで拒絶の理由を通知し、平成２６年１月２０日付けで手続補正がなされ、同年２月１２日付けで最後の拒絶の理由を通知し、同年５月１３日付けで手続補正がなされたものである。　
　
第２　平成２６年５月１３日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定　
　
［補正却下の決定の結論］　
　本件補正を却下する。　
　
［理由］　
１　補正の内容　
　本件補正は、特許請求の範囲について、本件補正前の請求項１（すなわち、平成２６年１月２０日付けで手続補正された下記（１）のもの）を、下記（２）に示す請求項１へと補正することを含むものである。　
　
（１）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１　
「【請求項１】　
　発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスであって、　
　マウントの表面と、　
　前記マウントの表面上の反射性の第１の電極部分を有する第１の電極と、
　前記マウントの表面上の反射性の第２の電極部分を有する第２の電極と、
　前記反射性の第１の電極部分上に配置された少なくとも１つのＬＥＤチップと、　
　前記マウントの表面上に配置された封止体であって、前記少なくとも１つのＬＥＤチップと実質的に共形であるテクスチャード加工された主発光面と、少なくとも１つの発光側面とを備える、封止体と、を備え、　
　前記反射性の第１及び第２の電極部分は、１つ又は複数の貫通孔を通じて、前記ＬＥＤデバイスの前記主発光面の反対の側からアクセス可能である、ことを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス。」　
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１　
「【請求項１】　
　発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスであって、　
　マウントの表面と、　
　前記マウントの表面上の反射性の第１の電極部分を有する第１の電極と、
　前記マウントの表面上の反射性の第２の電極部分を有する第２の電極と、
　前記反射性の第１の電極部分上
の
　前記マウントの表面上
の
モールド及び
モールド及びテクスチャード加工された
　前記反射性の第１及び第２の電極部分は、１つ又は複数の貫通孔を通じて、前記ＬＥＤデバイスの前記主発光面の反対の側からアクセス可能である、ことを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス。」（下線は審決で付した。以下同じ。）　
　
２　補正目的について　
　本件補正は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「主発光面」に関して、「
モールド及び
発光側面
モールド及びテクスチャード加工された
　
３　独立特許要件について　
　そこで，本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下に検討する。　
　
（１）本願補正発明　
　本願補正発明は、平成２６年５月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記「第２　１　（２）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１」に記載したとおりのものである。　
　
（２）引用刊行物　
（２−１）刊行物１　
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された特開２００３−３６７０７号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【０００８】そのため、各社が競って小型化、薄型化及び軽量化を実現すべく、いろいろな構造を開発し、最近では
ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）
【０００９】図１１は支持基板としてガラスエポキシ基板１１を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳＰ１２を示すものである。ここでは、
ガラスエポキシ基板１１に発光ダイオード１３が実装されたもの
【００１０】この
ガラスエポキシ基板１１の表面に第１の電極（ダイパッド）１４及び第２の電極１５が形成され、裏面には第１の裏面電極１６と第２の裏面電極１７とが形成されている
スルーホールＴＨを介して前記第１の電極１４と第１の裏面電極１６が電気的に接続され、同様に前記第２の電極１５と第２の裏面電極１７が電気的に接続されている
【００１１】また、
ダイパッド１４の上面に前記ベアの発光ダイオード１３が固着され
発光ダイオード１３を含む全面を被覆するようにガラスエポキシ基板１１に樹脂層１９が設けられている
【００１２】前記ＣＳＰ１２は、ガラスエポキシ基板１１を採用しているが、ウエハスケールＣＳＰと異なり、前記発光ダイオード１３から外部接続用の裏面電極１６までの延在構造が簡単であり、安価に製造できる利点を有する。　
【００１３】また、前記ＣＳＰ１２の製造方法を説明すると、先ず、図１１（Ａ）に示すように基材（支持基板）としてガラスエポキシ基板１１を用意し、この両面に絶縁性接着剤を介して銅箔（以下、Ｃｕ箔と称す。）２０，２１を圧着する。　
【００１４】次に、図１１（Ｂ）に示すように
第１の電極（ダイパッド）１４，第２の電極１５，第１の裏面電極１６と第２の裏面電極１７を形成する領域上のＣｕ箔２０，２１上に耐エッチング性のレジスト膜２２を形成し、当該レジスト膜２２を用いてＣｕ箔２０，２１をパターニングする
【００１５】続いて、図１１（Ｃ）に示すようにドリルやレーザーを利用してスルーホールＴＨのための孔を前記ガラスエポキシ基板に形成し、この孔にメッキを施し、スルーホールＴＨを形成する。このスルーホールＴＨによりダイパッド１４と第１の裏面電極１６、そして第２の電極１５と第２の裏面電極１７とが電気的に接続される。　
【００１６】更に、図１１（Ｄ）に示すようにボンディングポストと成る
ダイパッド１４上にＮｉメッキ、Ａｕメッキを施し
【００１７】最後に、発光ダイオード１３の表面の電極（カソード電極またはアノード電極）と第２の電極１５とを金属細線１８を介して電気的に接続し、樹脂層１９で被覆している。　
【００１８】そして、必要によりダイシングすることで個々の電気回路素子として分離している。図１１では、ガラスエポキシ基板１１に発光ダイオード１３が一つしか設けられていないが、実際には発光ダイオード１３がマトリックス状に多数個設けられている。そのため、最後にダイシング装置により個別分離する。」　
イ　「【００５０】次に、図２において、前記導電箔６１の表面及び裏面の所定領域にそれぞれメッキ処理を施す。尚、本実施形態では導電被膜６２として銀（Ａｇ）メッキから成る被膜（以下、Ａｇ被膜６２と呼ぶ。）を形成しているが、これに限定されるものではなく、その他の材料としては、例えば金（Ａｕ）、Ｎｉ、Ａｌまたはパラジウム（Ｐｄ）等である。しかも、これら耐食性の導電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてそのまま活用できる特徴を有する。更に言えば、Ａｇ被膜６２は導電箔６１の表面のみに形成するものであっても良い。　
…　
【００５２】また、導電箔６１上にＡｇ被膜６２に形成することで、後述する光半導体素子６５から発光される光が当該Ａｇ被膜６２により上方に反射されて、上方への発光効率が良くなる。」　
　
　上記アの記載から、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。　
　
「ガラスエポキシ基板１１に発光ダイオード１３が実装されたＣＳＰ（チップサイズパッケージ）であって、ガラスエポキシ基板１１の表面に第１の電極（ダイパッド）１４及び第２の電極１５が形成され、裏面には第１の裏面電極１６と第２の裏面電極１７とが形成され、スルーホールＴＨを介して第１の電極（ダイパッド）１４と第１の裏面電極１６が電気的に接続され、同様に第２の電極１５と第２の裏面電極１７が電気的に接続されており、第１の電極（ダイパッド）の上面には発光ダイオード１３が固着され、発光ダイオード１３を含む全面を被覆するようにガラスエポキシ基板１１に樹脂層１９が設けられ、第１の電極（ダイパッド）１４，第２の電極１５，第１の裏面電極１６と第２の裏面電極１７はＣｕ箔をパターニングして形成されたものであり、第１の電極（ダイパッド）１４上にＮｉメッキ、Ａｕメッキが施された、ＣＳＰ。」　
　
（２−２）刊行物２　
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された特開２００３−２３４５０９号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。　
ア　「【特許請求の範囲】　
【請求項１】
電極が形成された基板の上面に発光素子を載置し、該発光素子と前記電極とを電気的に接続すると共に、該発光素子を樹脂体で封止してなる発光ダイオードにおいて、前記樹脂体の表面に凹凸状の光散乱部を設けたことを特徴とする発光ダイオード
…　
【請求項４】前記
光散乱部が、樹脂体の金型成形による凹凸面である
イ　「【０００８】この発明によれば、樹脂体の表面に凹凸状の光散乱部を設けたことで、発光素子から発する光が前記光散乱部で屈折して広範囲に光を散乱させることができる。また、このような発光素子から直接外部に向けて発する光の他に、樹脂体内部に反射された光によって樹脂体内部での散乱現象を引き起こし、発光の均一化と共に、全体的な発光輝度も向上する。」
ウ　「【００１２】図１及び図２に示されるように、この実施形態に係る発光ダイオード２１は、ガラスエポキシやＢＴレジン（Bismaleimide Triazine Resin）等からなる基板２２と、この基板２２上に載置される発光素子２４と、該発光素子２４を基板２２上に封止する樹脂体２６とで構成されている。前記基板２２には、発光素子２４との導通及びマザーボード等の外部基板に実装するための電極２３ａ，２３ｂが設けられている。
発光素子２４は、一対の素子電極部２９ａ，２９ｂ（アノード電極，カソード電極）を備えた微小な四角形状のシリコンチップ
樹脂体２６は、発光素子２４を中心にして基板２２上に形成された略直方体形状の封止体
【００１３】この実施形態において、樹脂体２６の上面は前記発光素子２４の上面と対向する発光射出面２７として構成され、この発光射出面２７に凹凸状の光散乱部３０が形成されている。この光散乱部３０は、前記発光射出面２７の全域に設けられた凹凸面であり、前記発光素子２４から上方に向けて放射された光を多数の凸部や凹部の傾斜角に応じて外部に広角度に散乱させている。光散乱部３０の凹凸形状は、樹脂体２６を金型によって成形する際、半硬化した樹脂体２６の上面をエッチング加工によって凹凸状にしたり、凹凸模様が形成された加工冶具を樹脂体２６の上面に押圧することによって加工することができる。さらに、前記樹脂体２６を完全に硬化させた後に、その上面を切削して所定の深さや傾斜角の凹凸を設けてもよい。前記光散乱部３０を構成する各凸部や凹部の深さ及び傾斜角は、発光ダイオード２１の使用目的や発光仕様に応じて設定されるが、光の散乱効果を大きくするには、各凸部及び凹部を深く形成するのが好ましい。本実施形態では、樹脂体２６の厚み４００μｍに対して、前記凸部及び凹部の深さを４μｍ以上、傾斜角を１〜４５度の範囲で設定することで、大きな光散乱効果を得ることができた。なお、前記光散乱部３０の各凸部及び凹部の深さ及び傾斜角は均一でなく、ある程度バラツキを持たせた方が光の屈折及び反射が不規則になり、散乱効果が大きくなる。」　
エ　「【００１６】上記図１乃至図３に示した方法以外にも、上記
樹脂体２６を形成する際に用いられる金型の内壁面に凹凸面を形成しておき、樹脂体２６の成形と同時に凹凸状に光散乱部３０を形成する
【００１７】上記各実施形態では、光散乱部３０を樹脂体２６の上面に位置する発光射出面２７に設けた場合を示したが、樹脂体２６の側面にも前記と同様の凹凸状の光散乱部を設けてもよく、さらに樹脂体３０の側面側に発光射出面がある場合には側面だけに光散乱部を設けてもよい。また、樹脂体２６の形状も直方体形状のものに限られず、樹脂体で封止されるあらゆる形状の発光ダイオードに適用可能である。また、上記実施形態では、基板２２の電極２３ａ，２３ｂと発光素子２４とをボンディングワイヤ２５で接続したが、発光素子２４の下面に半田バンプを形成し、基板２２の電極２３ａ，２３ｂと直接接合するフリップチップ実装方式によって形成されたものであってもよい。」　
　
　これらの記載を総合すると、刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。　
　
「電極が形成された基板の上面に四角形状の発光素子を載置し、該発光素子と前記電極とを電気的に接続すると共に、該発光素子を略直方体形状の樹脂体で封止してなる発光ダイオードにおいて、
前記樹脂体の上面及び側面表面は内壁面に凹凸面を形成した金型を用いて形成し、樹脂の成形と同時に凹凸状の光散乱部を形成した発光ダイオード。」　
　
（３）対比　
　そこで、本願補正発明と引用発明１とを対比すると、　
ア　後者の「ガラスエポキシ基板１１」は、前者の「マウント」に相当するとともに、後者の「ガラスエポキシ基板１１の表面」は、前者の「マウントの表面」に相当する。　
イ　後者の「発光ダイオード１３」は、第１の電極（ダイパッド）の上面に固着されているから、前者の「発光ダイオード（ＬＥＤ）」に相当する。　
ウ　後者の「ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）」は、発光ダイオードが実装されたパッケージであるから、前者の「発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス」に相当する。　
エ　後者の「第１の電極（ダイパッド）１４」は、ガラスエポキシ基板１１の表面に形成され、上面には発光ダイオード１３が固着され、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキが施されたものであるから、前者の「マウントの表面上の反射性の第１の電極部分を有する第１の電極」に相当するといえる。また、後者の「第２の電極」は、ガラスエポキシ基板１１の表面に形成されるものであるから、前者の「マウントの表面上の反射性の第２の電極部分を有する第２の電極」と「マウントの表面上の第２の電極部分を有する第２の電極」である点で一致する。　
オ　後者の「樹脂層１９」は、発光ダイオード１３を含む全面を被覆するようにガラスエポキシ基板１１に設けられているから、前者の「マウントの表面上の封止体」に相当する。　
カ　後者は、「スルーホールＴＨを介して第１の電極（ダイパッド）１４と第１の裏面電極１６が電気的に接続され、同様に第２の電極１５と第２の裏面電極１７が電気的に接続されて」いるから、反射性の第１及び第２の電極部分は、１つ又は複数の貫通孔を通じて、ＬＥＤデバイスの主発光面の反対の側からアクセス可能である、といえる。　
　
　したがって、両者は、
「発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスであって、
　マウントの表面と、
　前記マウントの表面上の反射性の第１の電極部分を有する第１の電極と、
　前記マウントの表面上の第２の電極部分を有する第２の電極と、
　前記反射性の第１の電極部分上の少なくとも１つのＬＥＤチップと、
　前記マウントの表面上の封止体を備え、
　前記反射性の第１及び第２の電極部分は、１つ又は複数の貫通孔を通じて、前記ＬＥＤデバイスの前記主発光面の反対の側からアクセス可能である、発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス。」　
の点で一致し、以下の点で相違する。　
　
［相違点１］　
　封止体が、本願補正発明では、少なくとも１つのＬＥＤチップと実質的に共形であって、モールド及びテクスチャード加工された主発光面と、少なくとも１つのモールド及びテクスチャード加工された発光側面とを備えるのに対し、引用発明１では、それらの点につき明らかでない点。　
　
［相違点２］　
　第２の電極の第２の電極部分が、本願補正発明では、反射性のものであるのに対し、引用発明１では、その点につき明らかでない点。　
　
（４）判断　
　上記相違点について以下検討する。　
（４−１）［相違点１］について　
　上記（２）（２−２）によれば、刊行物２には上記のとおりの引用発明２が記載されているところ、引用発明２の「発光素子」は、本願補正発明の「ＬＥＤチップ」に相当する。　
　また、引用発明２の「樹脂体」は、略直方体形状であって、四角形形状の「発光素子」とは実質的に共形であるといえる。さらに、「樹脂体」の上面及び側面表面は、内壁面に凹凸を形成した金型を用い、樹脂の成形と同時に凹凸状の光散乱部を設けられたものであるから、モールド及びテクスチャード加工された主発光面と、少なくとも１つのモールド及びテクスチャード加工された発光側面であるといえる。　
　してみると、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項は、上記の引用発明２に示されているといえる。
　そして、引用発明１と引用発明２とは、発光ダイオードという共通の技術分野に属し、また、発光ダイオードの光取り出し効率を改善することはこの技術分野において自明の課題であって、両者においても内在する自明の課題である。してみると、引用発明１に引用発明２を適用することは、当業者が容易になし得ることである。　
　そして、本願明細書をみても、本願補正発明において、「封止体が、ＬＥＤチップと実質的に共形である」とした点に格別な作用効果は認められず、また、「（少なくとも１つの）モールド及びテクスチャード加工された主発光面と、少なくとも１つのモールド及びテクスチャード加工された発光側面」を備えることによる効果も、引用発明２より予測の範囲内のものであるから、上記相違点１に係る本願補正発明の奏する効果が引用発明１及び２から、当業者が予測困難な程の格別顕著なものとはいえない。　
　よって、引用発明１において、引用発明２を適用することにより、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。　
（４−２）［相違点２］について　
　発光ダイオードからの発光効率を高めるために、基板上の電極表面に反射性を持たせることは、刊行物１の摘記事項イにも記載されているように、当該技術分野における常套手段であるから、引用発明１において、かかる常套手段を踏まえることにより、相違点２に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。　
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１、刊行物２、及び上記常套手段から、当業者が容易に発明できたものである。　
　そして、本願補正発明の発明特定事項によって奏される効果も、引用発明１、引用発明２、及び上記常套手段から、当業者が予測しうる範囲内のものである。　
　
（５）むすび　
　以上のとおりであって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
第３　本願発明について　
１　本願発明　
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年１月２０日付けの特許請求の範囲の請求項に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。　
「【請求項１】　
　発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスであって、　
　マウントの表面と、　
　前記マウントの表面上の反射性の第１の電極部分を有する第１の電極と、
　前記マウントの表面上の反射性の第２の電極部分を有する第２の電極と、
　前記反射性の第１の電極部分上に配置された少なくとも１つのＬＥＤチップと、　
　前記マウントの表面上に配置された封止体であって、前記少なくとも１つのＬＥＤチップと実質的に共形であるテクスチャード加工された主発光面と、少なくとも１つの発光側面とを備える、封止体と、を備え、　
　前記反射性の第１及び第２の電極部分は、１つ又は複数の貫通孔を通じて、前記ＬＥＤデバイスの前記主発光面の反対の側からアクセス可能である、ことを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス。」（以下「本願発明」という。）　
　
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び、その記載内容は上記「第２　３　（２）引用刊行物」に記載したとおりである。　
　
３　対比・判断　
　本願発明は、上記「第２　３　（１）本願補正発明」で検討した本願補正発明の「主発光面」に関して、「モールド及び」との限定、及び、「発光側面」に関して、「モールド及びテクスチャード加工された」との限定を省くとともに、「第１の電極部分上
の
の
　そうすると、本願発明を特定事項とする事項の全てを含み、さらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３　（３）対比」及び「第２　３　（４）判断」に記載したとおり、引用発明１、引用発明２、及び上記常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明１、引用発明２、及び上記常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
４　むすび　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明１、引用発明２、及び上記常套手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　
よって、結論のとおり審決する。