【事件の表示】
　特許第３４１１６１３号「ハーフトーン型位相シフトマスク」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４１１６１３号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　
　本件特許第３４１１６１３号の請求項１ないし５に係る発明についての出願は、平成５年３月２６日に特許出願され、平成１４年７月１日付で拒絶の査定がなされたが、同年８月２２日付で審判請求がなされて前置審査に付され、平成１５年３月２０日にその特許の設定登録がなされたところ、異議申立人山本武から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年１０月２６日に特許異議意見書が提出されたものである。
　
２．申立て理由の概要
　異議申立人山本武は、「本件請求項１〜５に係る発明は、その出願の日の前の他人の特許出願であって出願公開がなされたものの願書に添付した明細書に記載された発明である甲第１号証に記載された発明と同一の発明であり、特許法第２９条の２の規定に該当する。また、本件請求項１〜５に係る発明は、甲第２〜７号証の記載から当業者が容易に発明し得たものであり、特許法第２９条第２項の規定に該当する。」と主張し、証拠方法として甲第１号証〜甲第７号証を提出した。
　
３．本件発明
　本件の請求項１に係る発明ないし請求項５に係る発明（以下、それぞれを「本件第１発明」ないし「本件第５発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された以下の通りのものである。
【請求項１】
  微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の露光光を透過させる半透光部とで構成し、かつこの半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクであって、前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成され、かつ、前記マスクパターン転写領域内にはホールまたはスペースパターンからなるマスクパターンが形成されるハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって形成された半透光部の上に、幅方向の一方の端が前記境界の上に位置するとともに他方の側の端が非転写領域に位置するように配置された所定以上の幅を有する遮光膜を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項２】
  前記半透光部が１層の膜で構成されていることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項３】
  前記半透光部が低透過率膜と高透過率膜との２層の膜で構成されていることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項４】
  前記遮光膜が、クロム膜、又は、クロムに酸化クロムもしくは窒化クロムもしくは炭化クロムが含まれるもの、あるいは、これらに窒素及び／又は酸素を含む膜で構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項５】
  請求項１ないし４のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクをステッパーのレティクルとして用いて被転写体に繰り返し転写を行なうこと特徴とするパターン転写方法。
　
３．刊行物等
  異議申立人山本武は証拠方法として以下の刊行物を提示したところ、その記載内容は次のとおりである。
（ａ）甲第１号証（特願平５−４８３０１号（特開平６−８３０３４号公報参照）の願書に添付した明細書（以下、「先願明細書」という。））　
（記載ａ１）　
　「【請求項３】  透光性基板上に、前記透光性基板の透明部との位相差が、１８０±１０度の範囲で異なりかつ振幅透過率１０乃至４０％となるように調整された単層の半透明層または少なくとも１層の半透明層と透明層の多層の第１の半透明膜からなる半透明パターンと、前記半透明パターンの一部の領域にさらに積層され、該領域の振幅透過率が５％以下となるように調整された遮光層あるいは振幅透過率１０乃至４０％の第２の半透明膜とを具備したことを特徴とする露光用マスク。
【請求項４】  前記一部の領域が、少なくともウェハ上に転写されたとき半導体素子として寄与する領域の外側周辺領域を含むことを特徴とする請求項(3) 記載の露光用マスク。」
（記載ａ２）　
　「【０１９９】また本発明によれば、半透明膜を透過した光によるパターン領域外への光照射を防ぐためにパターン領域外で透過率が５％以下となるようにしているため、２重露光を防ぎ、パターン細りもなく信頼性の高いパターン形成を行うことができる。」
（記載ａ３）　
　「【００１１】また、露光工程ではマスク上のパターン領域以外に存在するアライメント用あるいは検査用マークから露光光が漏れるのを防ぐため、ブラインドが投影露光装置に設けられ、パターン領域外の光をカットしている。なおブラインドの像はウェハ上で１００μm 程度の像のぼやけを生じるため、ウェハ上でパターン領域を区切る役割はない。このため従来は図２０(a) に示すようにマスク上でパターン領域外周辺を覆うように遮光パターン１０１を形成していた。しかしながら半透明膜のみで露光用マスクを形成した場合、従来、パターン領域を区切ることを目的としていた、パターン領域外周辺部に存在する遮光パターンの代わりに図２０(b) に示すように半透明パターン２０１を用いることになる。このときパターン領域境界に存在する半透明膜を通過した光は、ウェハ上で隣接するパターンに対し半透明膜の透過率×露光量だけ照射することになる。このため図２１に示すように照射領域では、実質的に露光量が過剰となりパターン領域の細りが生じたり、さらには焦点深度が不足するという問題が生じていた。」
（記載ａ４）　
　「【００３４】本発明の第３によれば、半透明パターンを含むマスクにおいてパターン領域外の内少なくとも転写によるウェハ上に光が到達する領域で、露光光を遮光するようにしているため、パターンの細りや焦点深度不足を防ぐことができる。例えば、強度透過率２％を有するｉ線用半透明マスクを用いたポジレジストに対する露光結果では、０．５５μm ライン・アンド・スペースパターンで適性露光量で所望の寸法に改造したパターンがさらに露光量×マスクの強度透過率に相当する光を１度照射されることでパターン寸法が０．４９μm と所望の値に対して約１０％寸法が細るという結果となっていた。しかしながら上記構成によればパターン領域外のうち少なくとも転写によりウェハ上に光が到達する領域で露光光を遮光することができる。なお、この遮光のための半透明膜はパターン領域外を遮光する他に、パターン領域内に用いることも可能である。すなわち、複数回の露光により半透明マスクパターンにより形成されたウェハ上のレジストパターンパターンが膜厚の現象を著しく生じた場合、半透明パターンのエッジ部分を除く領域に半透明膜を積層させることが可能で、これによりレジストパターンの膜減の低減をはかることも可能である。」
（記載ａ５）　
　「【０１５３】実施例１１
次に、本発明の第１１の実施例として他の露光マスク用基板について説明する。  この例でもパターン領域外に遮光膜を形成することのできる露光マスク用基板である。この露光マスク用基板は、ＫｒＦエキシマレーザ用位相シフトマスクを作成するための基板であり、厚さ２．５mmの酸化シリコン基板上に、位相シフタとなる半透明膜として窒化シリコン膜ＳｉＮ0.9 を形成し、この上層に遮光膜としてＣｒ膜を形成しさらにこの上層を反射防止層としてのＣｒＯ膜で被覆したことを特徴とするものである。」
（記載ａ６）　
　「【０１７５】実施例１６
次に、この露光マスク用基板を用い前述した例と同様の方法で露光用マスクを形成する。ここでは前記実施例１１で作成した露光マスク用基板を用いる。この露光マスク用基板は、ＫｒＦエキシマレーザ用位相シフトマスクを作成するための基板であり、厚さ２．５mmの酸化シリコン基板９０上に、位相シフタとなる半透明膜として窒化シリコン膜ＳｉＮ0.9 ９１を形成し、この上層に遮光膜としてＣｒ膜９２を形成しさらにこの上層を反射防止層としてのＣｒＯ膜９３で被覆して構成されている。
【０１７６】まず、図１０(a) に示すように露光マスク用基板表面に電子線レジスト９４を膜厚５００nmで形成し、さらに塗布性導電膜９５を膜厚２００nmとなるように形成する。
【０１７７】次いで、図１０(b) に示すように電子線により４μＣ／ｃｍ2 でデバイスパターンとデバイスパターン外領域を含むデータにより描画を行い、現像しレジストパターン９４ａを形成する。ここでも、塗布性導電膜９５上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパタ―ン９４ａを形成する。また図中Ｂはパターン領域とパターン外領域の境界を示す。
【０１７８】次いで、図１０(c) に示すように、レジストパタ―ンをマスクとしてＣｌ2 ガスによる反応性イオンエッチングにより、レジストパタ―ンから露出するＣｒ膜およびＣｒＯ膜をエッチング除去したのち、ガスを切り換えＣＦ4 とＯ2 との混合ガスによる反応性イオンエッチングにより、露出している窒化シリコン膜ＳｉＮ0.9 ９１をエッチング除去する。
【０１７９】この後、図１０(d) に示すように、硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりレジストパタ―ンを除去する。これにより遮光膜と半透明膜からなる位相シフトパターンが形成されるが、この際同時に不要な遮光膜を除去するための露光を行うためのアライメントマークＭが形成される。
【０１８０】このようにして図１０(e) に示すように遮光膜と半透明膜からなる位相シフトパターンを形成した後、電子線レジスト９６を膜厚５００nmで形成し、さらに塗布性導電膜９７を膜厚２００nmとなるように形成する。
【０１８１】次いで、図１０(f) に示すように電子線により４μＣ／ｃｍ2 でデバイスパターン外領域にレジスト膜が残るように作成されたデータにより描画を行い、現像しレジストパターン９６ａを形成する。ここでも、塗布性導電膜９７上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパタ―ン９６ａを形成する。
【０１８２】次いで、図１０(g) に示すように、このレジストパタ―ンをマスクとしてＣｌ2 ガスによる反応性イオンエッチングにより、ＣｒＯ膜９３／Ｃｒ膜９２をエッチング除去する。
【０１８３】最後に、図１０(h) に示すように、硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりこのレジストパタ―ンを除去した。
【０１８４】このようにして形成された露光用マスクは、デバイスパターン領域では窒化シリコンとシリコンとの２層膜よりなる半透明膜、デバイスパターン領域外ではＣｒ膜を含む遮光膜となっている。
【０１８５】従ってパターン領域外の内少なくとも転写によるウェハ上に光が到達する領域で、露光光を遮光するようにしているため、複数回の露光を行う場合にもパターンの細りや焦点深度不足を防ぐことができる。」
　
（ｂ）甲第２号証（特開平４−１３６８５４号公報（以下、「刊行物２」という。））　
（記載ｂ１）（特許請求の範囲）
　「１．透明基板上に、露光光に対して半透明な領域と、透明な領域とを少なくとも有し、該半透明な領域と、該透明な領域とをそれぞれ通過する光の位相差が実質的に１８０°となる構成とし、該透明な領域のパタンは、単一なホール、ドット、スペース又はラインのパタンであることを特徴とするホトマスク。
２．請求項１記載のホトマスクおいて、上記半透明な領域の露光光の透過率が、透明な領域の露光光の透過率を１００％としたとき、１％から５０％の範囲にあることを特徴とするホトマスク。」
（記載ｂ２）（第４頁右上欄末行〜第５頁右上欄４頁）
　「（実施例１）
本発明の第１の実施例のホトマスクとして第１図で示す構造のものを製造した。。第１図（ａ）はホトマスクの断面図を示す。１はガラス基板、４は半透明膜である。…(中略)…ここで半透明膜４には塗布ガラスに吸光剤を添加したものを用いた。このガラスの露光光に対する屈折率は約１．４５であったので、塗布ガラスの膜厚は約４２０ｎｍとした。また、この時露光光の透過率が１５%となるよう吸光剤の添加量を調整した。…(中略)…また、マスクの構造は上記実施例では半透明膜４を単一の膜で構成したが、これに限らない。
　このホトマスクを用いることにより、透過光の光強度は、第１図（ｃ）に示すように、光透過部３と半透明膜４の境界の直下で光強度はほぼ０となり、そのため光強度分布の広がりが押さえられ、コントラストの高い微細なパタンが形成できた。
(実施例２)
　第２の実施例は、第３図に示すように半透明層の構成を多層膜とした。ガラス基板１上に薄いＣｒ膜６と塗布ガラス膜７を被着し、所望のパタン部を除去した。この場合は、薄いＣｒ膜６で透過率を１%に調整し、塗布ガラス膜７で透過部との位相差を調整した。薄いＣｒ膜の露光光に対する透過率は１から５０%の範囲であればよい。塗布ガラス膜7の膜厚は上記第１の実施例で示した半透明膜４の膜厚制限とほぼ同じでもよいが、さらに高精度に１８０°の位相差を設定するため、薄いＣｒ膜６を透過する光の位相のずれも考慮した。即ち、この実施例では半透明層は薄いＣｒ膜６と塗布ガラス膜７とよりなり、薄いＣｒ膜６の厚みは透過率を１%となるように定め、塗布ガラス膜７の厚みを
n
Σ{(ｎi−１)ｄi}＝φλ
i=1
(ただし、ｄi及びｎiは半透明層を構成するi番目の膜の厚さ及び屈折率、ｍは半透明層を構成する膜の数でこの実施例では２、λは露光光の波長、φは１／４≦φ≦３／４の範囲の値である)の関係を満たすようにした。」
　
（ｃ）甲第３号証（特開平４−２２３４６４号公報（以下、「刊行物３」という。））
（記載ｃ１）（図３）
　図３には、ガラス基板G上に透光層A、位相シフト部材となる中間層C及び遮光層Bが順に積層された位相シフト用マスクが開示されている。
（記載ｃ２）
　「【００１３】…ガラス基板Ｇ上には、透光層Ａとして例えば所定の透過率を有する程度に薄くした膜厚のクロム層が、また中間層Ｃとして例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2）の層が、さらに遮光層Ｂとして例えばクロムの層が形成されている。…」
（記載ｃ３）
　「【００１６】上記第２の実施例においては、中間層Ｃのうちパターンのエッジ部２に相当する部分をエッチングにより除去するようにしたが、この部分は特に除去する必要はなく、図３に示すように、残しておいて透光層Ａと共に所定の透過率を有する１つの透光層を構成しても良い。さらに、この残した中間層Ｃを光の位相をシフトさせる位相シフト部材で形成しておけば、位相シフト用マスク(特に、エッジ強調型、若しくは遮光効果強調型)としても用いることが可能である。」
（記載ｃ４）
　【００２０】には光が透過する部分であるエッジ部分の透過率が１．０%であることが記載されている。
（記載ｃ５）
　【００２６】には透過率が４０%の位相シフタ一部が記載されている。
（記載ｃ６）
　「【００２２】一般に回路パターンの描画されたフォトマスクには、図１４（ａ）に示すように、その回路パターン３の描画された領域の周辺に遮光帯４が設けられている。この回路パターン３が所定の透過率を有するものである場合、所定の透過率を有する部材の層（透光層）のみでパターンが形成されているとすると、この遮光帯４も透過率を有する層で構成されていることになる。その結果、ウェハ上の投影像の遮光帯に相当する部分にもその透過率に相当する光束が達してしまい、レジストが感光してしまうという不都合が生じる。これを防ぐためには、遮光帯４の透過率は零であることが望ましい。従って、図１４（ｂ）に示すように、フォトマスクの回路パターン、及び遮光帯を本発明によるフォトマスクと同様、照明光に対する透過率がほぼ零である遮光層と所定の透過率を有する透光層とで構成するようにする。即ち、ガラス基板Ｇ上にほぼ１%の透過率を有する透光層Ａで回路パターンを形成し、遮光帯に相当する部分にはさらに遮光層Ｂを形成する。このフォトマスクの製造方法は、前述の製造方法と同様である。つまり、透光層Ａと遮光層Ｂとを夫々所定の透過率が得られる膜厚に成膜した上で、遮光層Ｂのうち遮光帯４に相当する部分を残してエッチングにより除去し、透光層Ａのうち回路パターン３に相当する部分を残して同様に除去する。」
　
（ｄ）甲第４号証（特公昭６２−２７３８６号公報（以下、「刊行物４」という。））
（記載ｄ１）（特許請求の範囲）
　「1　透明基板上に窒素を含むクロム層を積層させ、または該クロム層に更に酸化クロム層を積層させてなるフォトマスクブランクにおいて、該クロム層のうち、窒化度が該透明基板に近い層に大きく、かつ遠い層に小さいことを特徴とするフォトマスクブランク。」
（記載ｄ２）（第１頁左欄１１〜２４行）
　従来技術としてクロム層及び酸化クロム層が記載されている。
　
（ｅ）甲第５号証（特公昭６２−３２７８２号公報（以下、「刊行物５」という。））
（記載ｅ１）（特許請求の範囲）
　「1　透明基板上に表面被覆を施したフォトマスクブランクにおいて、前記表面被覆はクロム炭化物を含有するクロム膜を遮光膜として備えていることを特徴とするフォトマスクブランク。」
（記載ｅ２）（第１頁右欄５〜１４行）
　従来技術としてクロム膜、クロム酸化物膜が記載されている。
　
（ｆ）甲第６号証（特開昭６０−９１３５６号公報（以下、「刊行物６」という。））
（記載ｆ１）（特許請求の範囲）
　「（１）透明基板上に、金属クロム（Ｃｒ）と窒化クロム（ＣｒｘＮｙ）と酸化窒化クロム（ＣｒｘＯｙＮｚ）の混合物から成る膜を形成していることを特徴とするクロムマスクブランク。」
（ｆ−２）（第１頁左欄２０行〜同頁右欄１２行）
　従来技術としてクロム膜及び酸化クロム膜が記載されている。
　
（ｇ）甲第７号証（特開平３−１６８７４７号公報（以下、「刊行物７」という。））
（記載ｇ１）（特許請求の範囲）
　「透明基板上に設けられた遮光パターンに炭素原子が含まれてなることを特徴とするフォトマスク。」
（記載ｇ２）（第３頁左上欄４行〜１２行）
　実施例にはＣ含有遮光パターンとして、炭素原子を各々３〜１０%含有させたＣ含有ＣｒＯｘ膜、Ｃ含有Ｃｒ膜、Ｃ含有ＣｒＯｘ膜の三層を積層した金属膜パターンが開示されている。
（記載ｇ３）（第２頁左上欄３行〜１２行）
　従来技術として酸化クロム(CrOx)膜、クロム(Cr)膜、酸化クロム(CrOx)膜の三層を積層した金属膜パターンである遮光パターンが記載されている。
　
４．対比・判断
（ａ）請求項１ないし５に係る発明（本件第１ないし第５発明）の特許は、先願明細書記載の発明と同一であるとの申立について
　まず、本件第１発明について検討する。
　異議申立人は、特許異議申立書において、先願明細書の請求項４（（記載ａ１）参照）および実施例１１（（記載ａ５）参照）、実施例１６（（記載ａ６）参照）に係る記載は本件第１発明の「微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の露光光を透過させる半透光部とで構成し、かつこの半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスク」に相当する記載であり、先願明細書の図２０に関する記載（（記載ａ３）参照）は本件第１発明の「半透光部の上に、幅方向の一方の端が前記境界の上に位置するとともに他方の側の端が非転写領域に位置するように配置された所定以上の幅を有する遮光膜」に相当する記載であるとした。そして、本件第１発明の「マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成され」た構成については、先願明細書には記載が無いとしながらも、特許権者はかかる構成を『ダークフィールドタイプ』と称し、本件第１発明はかかる『ダークフィールドタイプ』において非転写領域への多重露光による問題を解決するものであるとしているが、先願明細書においても、「このときパターン領域境界に存在する半透明膜を通過した光は、ウェハ上で隣接するパターンに対し半透明膜の透過率×露光量だけ照射することになる。このため図２１に示すように照射領域では、実質的に露光量が過剰となりパターン領域の細りが生じたり、さらには焦点深度が不足するという問題が生じていた。」（（記載ａ３）参照）との記載より、本件第１発明の解決すべき問題点と同一の問題点が先願明細書記載の発明により解決できるので、「従って、本件発明において、半透光部がマスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって形成されているという構成は、甲第１号証の記載から当然に導きだされる構成の一例を挙げたにすぎず、本件発明における上述した半透光部の構成は、甲第１号証記載の発明との本質的な差異とはならない。」との主張を行った。
　それに対して特許権者は、本件第１発明の課題が先願明細書記載の発明における「クリアフィールド」の場合と共通している点があるからといって、先願明細書に「ダークフィールド」の場合も記載されているとすることはできない、との反論を行った。
　この点について検討するに、本件第１発明は、マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク（特許権者がいうところの「ダークフィールドタイプ」）に関する発明であるのに対し、先願明細書に開示されている発明は境界部に半透光部の形成されないハーフトーン位相シフトマスク（特許権者がいうところの「クリアフィールドタイプ」）に関するものである。
　そこで、本件第１発明と先願明細書記載の発明の目的・効果をさらに詳細に検討するに、本件第１発明は実質的に露光に寄与しない強度の露光光を透過させる半透光部からの光が多重に露光することにより実質的に露光されてしまうことを防ぐことで、本来パターンを作成すべきでない場所の露光を防ぐのに対し、先願明細書記載の発明は露光部の光が非露光部であるパターン部に漏れることによりパターン領域の細りが生じたり、さらには焦点深度が不足することによる作成パターンの劣化を防止するものである。
　してみると、先願明細書記載のハーフトーン位相シフトマスクにおける作成パターンの劣化防止という課題は、本来露光に寄与しない強度の光が多重に照射されることにより露光に至るという本件第１発明の課題とは異なり、直ちに先願明細書記載の発明に本件第１発明が含まれているとすることはできない。
　また、その構成においても、本件第１発明の「マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成」とする構成は先願明細書に記載されていないし、示唆もされていないから、本件第１発明は先願明細書記載の発明と同一であるとはいうことができない。
　以上、本件第１発明が先願明細書記載の発明と同一ではないので、本件第１発明を引用した本件第２ないし第５発明も先願明細書記載の発明と同一ということはできない。
　
（ｂ）本件第１ないし第５発明の特許は刊行物２ないし刊行物７に記載の発明に基づき容易に発明されたものであるとの申立について
　本件第１発明について検討する。
　刊行物２には、パターンが単一なホール、ドット、スペース又はラインである、いわゆる「ダークフィールドタイプ」のハーフトーン型位相シフトマスクが記載されている。そして刊行物３には、ハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、回路パターンが描画された領域の周辺に設けた遮光帯が透過率を有する部材であるとウェハ上の投影像の遮光帯に相当する部分も感光するので、透過率がほぼ零である遮光層を遮光帯として設ける、との記載がある。（（記載ｃ６）参照）
　上記刊行物３の記載からは、本来遮光すべき領域を遮光するとの技術課題を読み取ることができるが、それが対象としているマスクパターンは刊行物３の第１４図を参照するに、描画領域の境界内側が露光する形式のハーフトーン型位相シフトマスクである。また、刊行物３記載の発明が解決しようとする課題「パターン像の暗部（上記遮光部に対応）の中央部付近に僅かながら光の強度があるという分布になっていた。」（刊行物３の【０００３】段落参照）を参照すると、遮光帯を透過率を有する部材で形成した場合には遮光帯の内側に光の強度が生じることを防止するためのものである。この点は、上記部分につづく「尚、この遮光帯４は上記実施例におけるパターンの中央部１に対応し、また回路パターン３は同じエッジ部２に対応している。」（刊行物３の【００２３】段落参照）からも裏付けることができる。
　それに対して本件第１発明は、その請求項の記載からみて、描画領域の境界内側が露光しない形式のハーフトーン型位相シフトマスクであり、多重露光により露光されるのを防止するものであって、刊行物３記載の発明とはその課題が異なるし、そして構成においても、異なるタイプのハーフトーン型位相シフトマスクに関するものである。
　また、刊行物２記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、かかる課題が記載されていないので、刊行物２記載の発明に対し、刊行物３記載の発明を適用することによって発明することができたものとも認められない。
　なお、異議申立人は、本件発明は「甲第２号証において、多重露光を行った場合、」（「特許異議申立書」第２１頁第４行）に容易に想到し得る、との主張を行っているが、刊行物２（甲第２号証）にも、刊行物３にも多重露光に関する記載はなく、いづれにも記載のない多重露光を想定し、さらに多重露光とは異なる原因による露光を排除する構成に関する発明である刊行物３記載の発明を組み合わせることは容易とは言えない。
　また、異議申立人の提出した他の証拠方法を検討しても本件第１発明が容易に想到することができたものとは認められない。
　以上、本件第１発明が刊行物２ないし刊行物７記載の発明に基づいて容易に発明することができたものではないので、本件第１発明を引用した本件第２ないし第５発明も刊行物２ないし刊行物７記載の発明に基づいて容易に発明することができたものではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める法令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月２２日（２００５．２．２２）