【事件の表示】
　平成　３年特許願第２６９６７７号「アクティブマトリクス基板の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　４月３０日出願公開、特開平　５−１０７５５８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年１０月１７日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの、
「表示領域と、該表示領域の周辺に位置する駆動回路とが同一基板上に形成されてなり、前記駆動回路が複数の領域に分割されてなるアクティブマトリクス基板の製造方法において、前記表示領域の一方側に配置された駆動回路と駆動回路との間にレーザビームのエッジが存在するように前記表示領域を挟んで一方側と他方側に交互に駆動回路を配置させて、前記駆動回路の薄膜トランジスタのシリコン薄膜にレーザビームを照射して結晶化することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」にあるものと認める。
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された特開平２−４２７１７号公報（以下、刊行物１という）には、次の事項が記載されている。
・「本発明は、エネルギービームの照射方法に係り、特に薄膜トランジスタの製造に必要なエネルギービーム照射方法に関する。」（公報第２頁第左上欄第８〜１０行）
・「液晶デイスプレイの周辺回路のような絶縁基板上に形成される半導体能動素子の場合、・・第７図に示すように、絶縁基板上に形成される駆動用の周辺回路７１のような大面積を有する回路を、それぞれが、上記ビームスポットのエネルギー一定領域２６に入るように分割する。分割された周辺回路を以下分割周辺回路７３と呼ぶ。この場合のビーム照射方法について、さらに、第４図を用いて説明する。第４図では、周辺回路７１に相当するものとして半導体能動素子を考える。この半導体能動素子を分割して、分割半導体能動素子３１とする。この分割半導体能動素子は、第７図では分割周辺回路７３に相当する。第４図に示すように、符号２１で示すエネルギー強度分布を有するエネルギービームスポット２２とスポット２２の重なる部分２４が分割半導体能動素子３１の形成領域と重ならないように、分割半導体能動素子間領域３３の幅を決めておく。エネルギービーム照射の後、これらの分割半導体素子３１を結線３２で結ぎ、最終的な回路とする。」（公報第３頁左上欄第２行〜同右上欄第５行）
・「以下、図面を用いて、本発明の一実施例を説明する。第５図は本発明を用いた液晶デイスプレイの画素用薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称）の断面構造を示す図である。絶縁基板たる歪温度５８０℃のガラス基板４１の上に、低圧気相成長法（以下ＬＰＣＶＤと称す）により、約１５００Åの厚さのアモルフアスシリコン膜を堆積させる。画素部となる領域の膜を波長３０８ｎｍのＸｅＣｌパルスエキシマレーザで約３５０ｍＪ／ｃｍ２のピークエネルギーで照射し、再結晶化させた。・・照射された半導体能動素子２３は５０μ×２０μｍの口径であり、素子と素子間の距離は左右１５０μｍ（１１）、上下４５０μｍ（１２）である。」（公報第３頁左下欄第４行〜同右下欄１行）
・「第７図に、本発明の他の実施例を示す。液晶デイスプレイの周辺回路部に用いられるＴＦＴの断面構造を第８図に示す。上記実施例で形成された膜の周辺回路となる領域を次のような方法で再結晶化した。画素部の時と異なった光学特性を持つ第６図のオプテイカルインテグレータ５３，集光レンズ５４，縮小レンズ５５で構成された第６図のような光学系装置で、有効ビームスポット２７口径が１１ｍｍ×１１ｍｍ、エネルギー一定領域２６が口径１０ｍｍ×１０ｍｍのエキシマレーザ（λ＝３０８ｎｍ，ピークパワー強度３５０ｎＪ／ｃｍ２）スポットが得られた。上記のスポット口径に合せて、第７図（ａ）の周辺回路部分７１を第７図（ｂ）のように９ｍｍ×９ｍｍに分割した。また、分割回路７３間の距離７４を２ｍｍとした。第７図（ｂ）の周辺回路部を拡大したのは第９図である。第９図に示すように本例ではスキヤンピッチは１１ｍｍすなわちビームスポットとスポットの間は重ならないようにした。これによって膜はがれの発生を防いだ。また、ビームスポット周辺エネルギー低下領域２５（この例では０．５ｍｍ）は分割回路７３から外れたため、分割回路７３内に照射されるレーザビームのエネルギーのバラツキ±６．８％以内となり、均一な結晶化シリコン膜が得られた。その後上記実施例と同様に、不純物活性化後、分割回路間を結線７４を用いて結線し、最終的な周辺回路とする。」（公報第４頁右上欄第１４行〜同右下欄第３行）
・第１図には半導体能動素子をマトリクス状に設けた構成、第４図にはビームの周辺エネルギー低下領域が分割半導体能動素子の間に位置する構成、第７図には分割周辺回路が画素部の一方側のみに配置された構成、第９図にはレーザビームの周辺エネルギー低下領域が分割周辺回路の間に配置された構成が記載されている。
　また、以上の記載事項から、刊行物１に記載された液晶デイスプレイは、絶縁基板上に画素用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をマトリクス状に設けた画素部と、該画素部の周辺に分割周辺回路を配置した絶縁基板からなると認められるところ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いる液晶デイスプレイをアクティブマトリクス方式と称することから、上記刊行物１に記載された液晶デイスプレイはアクティブマトリクス基板からなるということができる。
　すると、刊行物１には、
「画素部と、該画素部の周辺に位置する分割周辺回路とが同一絶縁基板上に形成されてなり、前記分割周辺回路が複数の領域に分割されてなるアクティブマトリクス基板の製造方法において、前記画素部の一方側に配置された分割周辺回路と分割周辺回路との間にレーザビームの周辺エネルギー低下領域が存在するように前記画素部の一方側のみに分割周辺回路を配置させて、前記分割周辺回路の薄膜トランジスタのアモルフアスシリコン膜にレーザビームを照射して再結晶化することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」（以下、引用発明という）が記載されていると認められる。
　３．対比・判断
　引用発明の「画素部」、「分割周辺回路」、「絶縁基板」、「周辺エネルギー低下領域」、「アモルフアスシリコン膜」、「再結晶化」は、それぞれ、本願発明の「表示領域」、「駆動回路」、「基板」、「エッジ」、「シリコン薄膜」、「結晶化」に相当するから、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「表示領域と、該表示領域の周辺に位置する駆動回路とが同一基板上に形成されてなり、前記駆動回路が複数の領域に分割されてなるアクティブマトリクス基板の製造方法において、前記表示領域の一方側に配置された駆動回路と駆動回路との間にレーザビームのエッジが存在するように駆動回路を配置させて、前記駆動回路の薄膜トランジスタのシリコン薄膜にレーザビームを照射して結晶化することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」である点で一致し、
　本願発明では「表示領域を挟んで一方側と他方側に交互に駆動回路を配置させて」いるのに対して、引用発明では「画素部の一方側のみに分割周辺回路を配置させて」いる点で、相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。原査定において、周知例として引用された特開平２−１８１７２８号公報には、その明細書及び図面の記載からみて、液晶表示パネルの、ストライプ状に形成した透明電極群からなる表示領域とドライバー（「ドライバー」は、図面では点線の長方形で描かれている）を有する基板において、ドライバーを表示領域を挟んで一方側と他方側に交互に配置させた構成（以下、周知技術という）が記載されていると認められる。該周知技術において、液晶表示パネルはアクティブマトリクス方式ではないが、引用発明の「分割周辺回路」と同様に表示領域を制御する「ドライバー」が、表示領域の周辺の基板上に設けられる構成で、引用発明と類似するから、該周知技術を参照すれば、引用発明の「分割周辺回路」の配置において、画素部の一方側のみに配置する構成に代えて、一方側と他方側に交互に配置させるよう構成することは、当業者であれば、容易になし得ることである。
　そして、刊行物１の記載から、引用発明では、分割周辺回路と分割周辺回路間に周辺エネルギー低下領域を存在させるのに必要な間隔を設けているが、上記のように、引用発明の「分割周辺回路」の配置において、一方側と他方側に交互に配置させるよう構成すれば、画素部の一方側のみに配置する構成よりも、分割周辺回路と分割周辺回路間の間隔が広くなることは当業者が容易に想到し得ることである。
　また、出願人は、本願発明の表示領域を挟んで一方側と他方側に交互に駆動回路を配置する構成により、表示領域と駆動回路とを接続する配線の引き回し配線を長くすることを防ぐことができるという効果を奏する旨、主張するが、表示領域を挟んで一方側と他方側に交互に駆動回路を配置する構成と、表示領域と駆動回路とを接続する配線の引き回し配線を長くすることを防ぐことができるという効果との因果関係は認められず、該効果は本願発明が奏し得る効果とは認められない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。