Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ＰＥＣＶＤチャンバ内に基板を配置するステップと、
（ｂ）第１のプロセスガスを第１のプラズマに活性化するステップと、
（ｃ）前記第１のプラズマから前記基板上に第１の方向に第１の応力を有する第１の材料の層を堆積するステップと、
（ｄ）前記ＰＥＣＶＤチャンバをプラズマパージし、前記プラズマパージによって堆積のために調整されるように前記第１の材料の表面を暴露するステップと、
（ｅ）前記ＰＥＣＶＤチャンバをガスパージして全てのガス汚染物質を除去するステップと、
（ｆ）第２のプロセスガスを第２のプラズマに活性化するステップと、
（ｇ）前記第２のプラズマから前記基板上に、前記第１の方向と逆の第２の方向に第２の応力を有する第２の材料の層を堆積するステップと、
（ｈ）前記ＰＥＣＶＤチャンバをプラズマパージし、前記プラズマパージによって堆積のために調整されるように前記第２の材料の表面を暴露するステップと、
（ｉ）前記ＰＥＣＶＤチャンバをガスパージしてガス汚染物質を除去するステップと、
（ｊ）ステップ（ｂ）〜（ｉ）全体を通して前記ＰＥＣＶＤチャンバ内の真空を保持するステップと、
（ｋ）前記基板上に所定の数の前記第１の材料の層及び前記第２の材料の層が堆積され、且つ前記基板の上面が平滑となるまで、ステップ（ｂ）〜（ｊ）を繰り返すステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記第１の材料の層の前記所定の数は８以上であり、前記第２の材料の層の前記所定の数は８以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＰＥＣＶＤチャンバの前記ガスパージは、ＮＨ３、Ｎ２及びＮ２Ｏ、それらの混合物からなるガスのグループから選択されたパージガスに前記ＰＥＣＶＤチャンバの一部を暴露することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の材料はシリコンであり、前記第１のプロセスガスがシリコン含有分子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の材料は酸化シリコンであり、前記第１のプロセスガスはシリコン含有分子及び酸素含有分子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の材料は窒化シリコンであり、前記第１のプロセスガスはシリコン含有分子及び窒素含有分子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）との間に前記窒化シリコンの表面処理のために、第３のプロセスガスを第３のプラズマに活性化するステップを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第３のプロセスガスはＮＨ３及びＮ２を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
（ａ）真空状態にあるＰＥＣＶＤチャンバ内に基板を配置するステップと、
（ｂ）第１のプロセスガスを第１のプラズマに活性化するステップと、
（ｃ）前記第１のプラズマから前記基板上に第１の方向に第１の応力を有する第１の材料の層を堆積するステップと、
（ｄ）プラズマパージして前記ＰＥＣＶＤチャンバを洗浄し、堆積のために調整されるように前記第１の材料の表面を暴露するステップと、
（ｅ）前記ＰＥＣＶＤチャンバをガスパージしてガス汚染物質を除去するステップと、
（ｆ）第２のプロセスガスを第２のプラズマに活性化するステップと、
（ｇ）前記基板上に、前記第１の材料の前記第１の方向の前記第１の応力と大きさが概ね等しく、かつ方向が逆である第２の方向の第２の応力を有する第２の材料の層を堆積するステップと、
（ｈ）前記ＰＥＣＶＤチャンバをプラズマパージし、堆積のために調整されるように前記第２の材料の表面を暴露するステップと、
（ｉ）前記ＰＥＣＶＤチャンバをガスパージしてガス汚染物質を除去するステップと、
（ｊ）ステップ（ｂ）〜（ｉ）全体を通して前記ＰＥＣＶＤチャンバ内の真空を保持するステップと、
（ｋ）前記基板上に所定の数の前記第１の材料の層及び前記第２の材料の層が堆積され、且つ前記基板の上面が平滑となるまで、ステップ（ｂ）〜（ｊ）を繰り返すステップとを含む、方法。
【請求項１０】
前記第１の材料の層の前記所定の数は８以上であり、前記第２の材料の層の前記所定の数は８以上である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＰＥＣＶＤチャンバの前記ガスパージは、ＮＨ３、Ｎ２及びＮ２Ｏ、それらの混合物からなるガスのグループから選択されたパージガスに前記ＰＥＣＶＤチャンバの一部を暴露することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の材料はシリコンであり、前記第１のプロセスガスはシリコン含有分子を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の材料は酸化シリコンであり、前記第１のプロセスガスはシリコン含有分子及び酸素含有分子を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の材料は窒化シリコンであり、前記第１のプロセスガスはシリコン含有分子及び窒素含有分子を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）との間に前記窒化シリコンの表面処理のために、第３のプロセスガスを第３のプラズマに活性化するステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第３のプロセスガスはＮＨ３及びＮ２を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
（ａ）真空状態にあるＰＥＣＶＤチャンバ内に基板を配置するステップと、
（ｂ）第１のプロセスガスを第１のプラズマに活性化するステップと、
（ｃ）前記第１のプラズマから前記基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、
（ｄ）前記ＰＥＣＶＤチャンバをプラズマパージ又はガスパージすることなく、前記第１のプロセスガスにドーパント前駆体を添加するステップと、
（ｅ）前記第１のプロセスガス及び前記ドーパント前駆体を第２のプラズマに活性化するステップと、
（ｆ）前記第２のプラズマから前記基板上にドープされたシリコンの層を堆積するステップと、
（ｇ）ステップ（ｂ）〜（ｆ）全体を通して前記ＰＥＣＶＤチャンバ内の真空を保持するステップと、
（ｈ）前記基板上に所定の数の前記第１の材料の層及び第２の材料の層が堆積されるまで、ステップ（ｂ）〜（ｇ）を繰り返すステップとを含む、方法。
【請求項１８】
前記第１の材料の層の前記所定の数は８以上であり、前記第２の材料の層の前記所定の数は８以上である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の材料はｎ型にドープされたシリコンであり、前記ドーパント前駆体はホウ素含有分子を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の材料はｐ型にドープされたシリコンであり、前記ドーパント前駆体はリン含有分子を含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対応する単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）エレメントに情報を記憶して、ウェーブフロント内のワークアイテムごとにシステムコール要求を処理するステップと、
前記ＳＩＭＤエレメントをＳＩＭＤベクトルとしてまとめて、システムコール要求データ構造を生成するステップと、
前記ＳＩＭＤベクトルを、実行対象としてプロセッサに送信するステップと、
各ワークアイテムについての結果を受信するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ＳＩＭＤベクトルを、中央処理装置（ＣＰＵ）が認識することが可能な高優先度キュー内にエンキューするステップをさらに含む、
請求項１の方法。
【請求項３】
各ＳＩＭＤエレメントは、関数セレクタと、引数リストと、前記結果用のメモリ空間とを含む、
請求項１の方法。
【請求項４】
前記ＳＩＭＤベクトルは、複数のウェーブフロントからのシステムコール要求を含む、
請求項１の方法。
【請求項５】
少なくとも１つのプロセッサを有するコンピュータシステムで実行される方法であって、
ウェーブフロント内の各ワークアイテムからのシステムコール要求に対応する単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）エレメントを含むＳＩＭＤベクトルを受信するステップと、
各ＳＩＭＤエレメントの各システムコール要求を実行するステップと、
各システムコールの結果を、前記ＳＩＭＤベクトルを介して、前記ウェーブフロント内の各ワークアイテムに送信するステップと、
を含む、方法。
【請求項６】
前記受信するステップは、グラフィックス処理デバイスが認識することが可能な高優先度キュー内の前記ＳＩＭＤベクトルを受信するステップを含む、
請求項５の方法。
【請求項７】
対応する単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）エレメントに情報を記憶して、ウェーブフロント内のワークアイテムごとのシステムコール要求を処理するように構成されたメモリと、
ＣＰＵとを含み、
前記ＳＩＭＤエレメントは、ＳＩＭＤベクトルとしてまとめられ、
前記ＣＰＵは、
前記ＳＩＭＤエレメントに記憶された各システムコール要求を実行することと、
各システムコール要求の結果を、前記ウェーブフロント内の各ワークアイテムに送信することと、
を行うように構成されている、
システム。
【請求項８】
前記メモリは、前記ＳＩＭＤベクトルをエンキューするように構成された高優先度キューであり、前記高優先度キューは、ＣＰＵによって認識可能である、
請求項７のシステム。
【請求項９】
各ＳＩＭＤエレメントは、関数セレクタと、引数リストと、前記結果用のメモリ空間とを含む、
請求項７のシステム。
【請求項１０】
前記ＳＩＭＤベクトルは、複数のウェーブフロントからのシステムコール要求を含む、
請求項８のシステム。
【請求項１１】
メモリと、
ＣＰＵとを含み、
前記ＣＰＵは、
情報を含む単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）エレメントを含むＳＩＭＤベクトルを受信して、対応するシステムコール要求をウェーブフロント内の各ワークアイテムごとに処理することと、
前記ＳＩＭＤベクトルに記憶された各システムコールを実行することと、
各システムコールの結果を、前記ウェーブフロント内の各ワークアイテムに送信することと、
を行うように構成されている、
システム。
【請求項１２】
前記ＣＰＵは、
高優先度キューから前記ＳＩＭＤベクトルを受信すること、を行うように構成されている、
請求項１１のシステム。
【請求項１３】
コンピュータ記憶デバイスを含む製品であって、前記デバイスには命令が記憶されており、前記命令がコンピューティングデバイスによって実行されると、
対応する単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）エレメントに情報を記憶して、ウェーブフロント内のワークアイテムごとにシステムコール要求を処理することと、
前記ＳＩＭＤエレメントをＳＩＭＤベクトルとしてまとめて、システムコール要求データ構造を生成することと、
前記ＳＩＭＤベクトルを、実行対象としてプロセッサに送信することと、
前記ウェーブフロント内の各ワークアイテムについての結果を受信することと、
を前記コンピューティングデバイスに実行させる、
製品。
【請求項１４】
前記ＳＩＭＤベクトルを、ＣＰＵが認識することが可能な高優先度キュー内にエンキューすることをさらに含む、
請求項１３の製品。
【請求項１５】
コンピュータ記憶デバイスを含む製品であって、前記デバイスには命令が記憶されており、前記命令がコンピューティングデバイスによって実行されると、
ウェーブフロント内の各ワークアイテムからのシステムコール要求に対応する単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）エレメントを含むＳＩＭＤベクトルを受信することと、
前記ＳＩＭＤベクトルからの各システムコール要求を実行することと、
各システムコールの結果を、前記ウェーブフロント内の各ワークアイテムに送信することと、
を前記コンピューティングデバイスに実行させる、
製品。
【請求項１６】
前記受信することは、グラフィックス処理デバイスが認識することが可能な高優先度キュー内の前記ＳＩＭＤベクトルを受信することを含む、
請求項１５の製品。
【請求項１７】
コンピュータ記憶デバイスであって、前記デバイスには命令が記憶されており、前記命令がコンピューティングデバイスによって実行されると、
対応する単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）エレメントに情報を記憶して、ウェーブフロント内のワークアイテムごとにシステムコール要求を処理することと、
前記記憶されたシステムコールを、ＳＩＭＤベクトルを介して、実行対象としてプロセッサに送信することであって、前記ＳＩＭＤベクトルは、単一データ構造としてまとめられた前記ＳＩＭＤエレメントを含むことと、
前記送信に応じて、前記ウェーブフロント内の各ワークアイテムについての結果を受信することと、
を前記コンピューティングデバイスに実行させる、
コンピュータ記憶デバイス。
【請求項１８】
前記ＳＩＭＤベクトルを、中央処理装置（ＣＰＵ）が認識することが可能な高優先度キュー内にエンキューすることをさらに含む、
請求項１７のコンピュータ記憶デバイス。
【請求項１９】
コンピュータ記憶デバイスであって、前記デバイスには命令が記憶されており、前記命令がコンピューティングデバイスによって実行されると、
ウェーブフロント内の各ワークアイテムからのシステムコール要求に対応する単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）エレメントを含むＳＩＭＤベクトルを受信することと、
前記ＳＩＭＤベクトルからの各システムコール要求を実行することと、
各システムコールの結果を、前記ウェーブフロント内の各ワークアイテムに送信することと、
を前記コンピューティングデバイスに実行させる、
コンピュータ記憶デバイス。
【請求項２０】
前記ＳＩＭＤベクトルは、グラフィックス処理デバイスが認識することが可能な高優先度キューから受信される、
請求項１９のコンピュータ記憶デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月13日(2015.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の抽出室要素（３）と第二の抽出室要素（４）とを含み、前記第一の抽出室要素（３）が、前記第一の抽出室要素（３）と第二の抽出室要素（４）とがポーションカプセル（２）を導入するために相互に離れている装填位置と、前記第一の抽出室要素（３）と第二の抽出室要素（４）とが一緒に移動されて前記ポーションカプセル（２）のために実質的に閉じた抽出室が形成されている抽出位置との間で移動可能な、ポーションカプセル（２）から抽出するための抽出装置（１）において、
前記抽出装置（１）が、前記装填位置から抽出位置への移動中に前記ポーションカプセル（２）の向きが実質的に一定のまま保たれるように構成され、
前記抽出装置（１）が、前記装填位置において前記第一の抽出室要素（３）からポーションカプセル（２）を離間させるように設けられたスペーサ（５）を有し、
前記スペーサ（５）が、前記第二の抽出室要素（４）の方向にばね弾性式に突出する自由端（２２）を有し、
前記第一の抽出室要素（３）が、前記ポーションカプセル（２）の下側周辺領域を保持する下側保持手段（１０）を有し、
前記スペーサ（５）が、前記ポーションカプセル（２）を保持手段（１０）の領域において前記第一の抽出室要素（３）から離間させるように構成され、
前記スペーサ（５）が、前記第一の抽出室要素（３）に固定された台板（６）と一体に形成され、
前記抽出装置（１）が、前記第二の抽出室要素（４）の方向に突出する少なくとも１つの穿孔スパイク（７）を備えた追加的台板（９）を有していることを特徴とする抽出装置（１）。
【請求項２】
前記台板（６）が、前記第二の抽出室要素（４）の方向に突出する少なくとも１つの穿孔スパイク（７）を有していることを特徴とする請求項１に記載の抽出装置（１）。
【請求項３】
前記台板（６）または追加的台板（９）が、前記第二の抽出室要素（４）の方向に突出する４つの穿孔スパイク（７）を有し、２つの第一の穿孔スパイク（７’）が共通の水平面（１０１）内に配置され、２つの第二の穿孔スパイク（７’’）が共通の垂直面（１０２）内に配置され、
前記垂直面（１０２）が、前記２つの第一の穿孔スパイク（７’）間の中央に延びていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の抽出装置（１）。
【請求項４】
前記台板（６）または追加的台板（９）が、前記抽出室に抽出液を導入する供給用開口部（８）を有し、
前記供給用開口部（８）が、前記垂直面（１０２）内に配置され、および／または、前記２つの第二の穿孔スパイク（７’’）間に配置され、および／または、前記台板（６）または追加的台板（９）の周辺領域に形成された片側の切欠きを含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の抽出装置（１）。
【請求項５】
前記自由端（２２）が、前記台板（６）または追加的台板（９）の前記保持手段（１０）に面する側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の抽出装置（１）。
【請求項６】
前記抽出装置（１）が、前記第一の抽出室要素（３）に面する保持面（１２）を有する横方向の保持アーム（１１）を含むようになされ、
前記スペーサ（５）が、前記装填位置において前記ポーションカプセル（２）を前記保持面（１２）にばね弾性式に押し付けるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の抽出装置（１）。
【請求項７】
前記スペーサ（５）が、前記抽出位置において前記第一の抽出室要素（３）に適合するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の抽出装置（１）。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の抽出装置（１）の操作方法において、
第一の方法ステップで、ポーションカプセル（２）が前記第一の抽出室要素（３）と前記第二の抽出室要素（４）との間に導入され、それに続く第二の方法ステップで、前記第一の抽出室要素（３）が前記装填位置から前記抽出位置に移動され、
前記ポーションカプセル（２）の向きが前記第二の方法ステップ中に一定に保持され、前記第二の方法ステップ中に前記ポーションカプセル（２）が垂直の向きに保持され、前記第二の方法ステップ中に、前記第一の抽出室要素（３）がまず軸方向に直線移動され、その後、前記軸方向に対して垂直な旋回軸の周囲でさらに旋回され、前記第二の方法ステップの開始時に前記ポーションカプセル（２）がばね弾性スペーサ（５）によって第一の抽出室要素（３）から離間され、前記第二の方法ステップの終了時に前記スペーサ（５）が前記ポーションカプセル（２）によって前記第一の抽出室要素（３）に押し付けられることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム基板、
前記窒化ガリウム基板上に配置された窒化ガリウム系第１ｎ型コンタクト層、
前記第１ｎ型コンタクト層の上方に配置された窒化ガリウム系第２ｐ型コンタクト層、
前記第１ｎ型コンタクト層と第２ｐ型コンタクト層の間に配置され、多重量子井戸構造を有する活性層、及び
前記第１ｎ型コンタクトと活性層の間に配置され、多層構造を有する超格子層、
を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）。
【請求項２】
前記多層構造を有する超格子層は、ＩｎＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層、及びＧａＮ層が複数サイクル繰り返し積層された構造を有する、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記多層構造を有する超格子構造は、それぞれのサイクルにおいてＩｎＧａＮ層とＡｌＧａＮ層の間にＧａＮ層を含む、請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記多重量子井戸構造を有する活性層は、前記第１ｎ型コンタクト層に最も近接した第１井戸層と、前記第２ｐ型コンタクト層に最も近接した第ｎの井戸層との間に配置された（ｎ−１）個の障壁層を有し、
該（ｎ−１）個の障壁層間において、（ｎ−１）個の障壁層の平均膜厚よりも厚い膜厚を有する障壁層が前記第１井戸層により近接して配置され、（ｎ−１）個の障壁層の平均膜厚よりも薄い膜厚を有する障壁層が第ｎ井戸層により近接して配置された、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記（ｎ−１）個の障壁層の平均膜厚よりも厚い膜厚を有する障壁層の数が、前記（ｎ−１）個の障壁層の平均膜厚よりも薄い膜厚を有する障壁層の数よりも多い、請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
それぞれの井戸層の膜厚がそれぞれの障壁層の膜厚よりも薄く、該障壁層の膜厚は平均
膜厚よりも薄い、請求項４又は５に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
平均膜厚よりも厚い膜厚の障壁層間に配置される井戸層の膜厚は、平均膜厚よりも薄い膜厚の障壁層間に配置される井戸層の膜厚以上である、請求項４〜６のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記活性層中の障壁層はＡｌＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＮから形成される、請求項４〜７のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記窒化ガリウム基板がｍ面成長面を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記障壁層におけるアルミニウム（Ａｌ）の組成比が０より大きく、０．１より小さい、請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記障壁層におけるアルミニウム（Ａｌ）の組成比が０．０２〜０．０５の範囲である、請求項１０に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
さらに、前記基板と第１ｎ型コンタクト層との間に配置された中温バッファ層を有し、該中温バッファ層は７００℃〜８００℃の成長温度で、窒化ガリウム基板から成長させる、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記中温バッファ層はＧａＮ層から形成される、請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
さらに、前記基板と第１ｎ型コンタクト層との間に配置された下部ＧａＮ層、及び前記第１ｎ型コンタクト層と該下部ＧａＮ層との間に形成された中間層、を有し、該中間層はＡｌＩｎＮ層又はＡｌＧａＮ層から形成される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月14日(2015.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラヘッドと、
前記カメラヘッドと接続可能なカメラ制御部と、
前記カメラヘッドからの画像と前記カメラ制御部からの情報とを表示するための、前記カメラ制御部と接続可能なモニタと、
前記カメラ制御部と前記カメラヘッドとを制御するための、前記カメラ制御部と接続可能なタブレットコンピュータとを備え、
前記タブレットコンピュータはさらに、前記タブレットコンピュータと前記カメラ制御部とをペアリングするために、前記カメラ制御部によって認証されるアプリケーションを含み、
前記タブレットのアプリケーションは、前記カメラ制御部と接続したとき、前記タブレットコンピュータにおけるすべての他の機能をロックアウト（lock out）することを特徴とするカメラシステム。
【請求項２】
前記タブレットコンピュータは、
前記カメラ制御部の制御に用いるためのユーザ情報を格納するためのメモリと、
カメラと、
タブレットコンピュータのユーザを自動的に特定し、そのユーザのための格納された情報にアクセスするための顔認識ソフトウェアとをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項３】
ユーザ情報を格納するための前記メモリは、規定された権限のレベルを含み、ひとたび前記顔認識ソフトウェアを用いてユーザが特定されると、前記アプリケーションはそのユーザ用の前記規定された権限のレベルを読み込み、それによって前記ユーザに依存して前記アプリケーションの機能を制限することを特徴とする請求項２に記載のカメラシステム。
【請求項４】
前記タブレットコンピュータは、最初は認証のために前記カメラ制御部と物理的に接続されており、その後前記タブレットコンピュータは前記カメラ制御部と無線で接続されることを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項５】
前記カメラ制御部と前記タブレットコンピュータとはともに、ユーザ、外科医、施設、およびシステムセッティングを含む少なくとも１つのグループを持つデータベースを備え、
前記カメラ制御部のデータベースと、前記タブレットコンピュータのデータベースとは、前記カメラ制御部と前記タブレットコンピュータとが互いに接続するときに同期することを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項６】
前記カメラ制御部と前記タブレットコンピュータとから離れて設置されたデータベースをさらに備え、
前記カメラ制御部のデータベースと前記タブレットコンピュータのデータベースとは、前記離れて設置されたデータベースと同期されていることを特徴とする請求項５に記載のカメラシステム。
【請求項７】
ＧＰＳ（gloval positioning system）は、前記タブレットが特定の位置の外に移動した場合に前記タブレットを使用できなくするために使われることを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項８】
前記タブレットコンピュータはカメラをさらに備え、
前記タブレットコンピュータのアプリケーションは、前記タブレットコンピュータのカメラおよびモニタを用いてビデオ会議（video conference）を提供することを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項９】
前記タブレットコンピュータは、前記カメラ制御部から暗号化された画像を受信し、前記タブレットコンピュータのアプリケーションは、前記画像を復号して、表示またはコミュニケーションのための少なくとも前記画像のサブセットを含む患者のレポートまたは外科医のレポートを作成することを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項１０】
前記タブレットコンピュータはＧＰＳ（global positioning system）を備え、前記タブレットコンピュータの前記カメラ制御部へのペアリングは、前記タブレットコンピュータの地理的位置に依存することを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項１１】
前記タブレットコンピュータは前記カメラヘッドからのライブ画像を表示し、前記タブレットコンピュータが前記カメラヘッドからのライブ画像を表示するとき、前記モニタ上に指標（indication）が表示されることを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項１２】
前記タブレットコンピュータは、ソフトウェアアップデートまたはファームウェアアップデートのうちの少なくとも１つを前記カメラ制御部および／または前記カメラヘッドに転送することを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項１３】
カメラ制御部、モニタ、およびタブレットコンピュータを備えるカメラシステムとともに用いるタブレットコンピュータを認証する方法であって、前記方法は、
前記カメラ制御部に電力を供給するステップと、
前記タブレットコンピュータ上でアプリケーションを開始するステップと、
前記タブレットコンピュータと前記カメラ制御部との間の通信を確立するステップと、
前記タブレットコンピュータ上のアプリケーションの信頼性を決定するステップと、
前記カメラ制御部から認証ＩＤを要求するステップと、
前記カメラ制御部によって前記モニタ上に認証ＩＤを表示するステップと、
前記タブレットコンピュータ上で前記認証ＩＤを受信するステップと、
前記カメラ制御部と前記タブレットコンピュータとをペアリングすることを許可する認証証明書を発行するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記タブレットコンピュータと前記カメラ制御部との間の通信を確立する前に、前記カメラ制御部と前記タブレットコンピュータとを物理的に接続するステップと、
前記タブレットコンピュータの認証証明書を発行した後に、前記カメラ制御部と前記タブレットコンピュータとを物理的に切断するステップとをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記カメラ制御部がタブレットの存在を検出した場合、前記カメラ制御部は、前記アプリケーションが前記カメラ制御部と互換性があるか否かを決定するように前記タブレットに問い合わせ、互換性の必要性に応じて前記アプリケーションをアップグレードまたはダウングレードすることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月7日(2015.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）コポリマの製造方法であって、前記方法が、
（ａ）１，４−ブタンジオールと酸成分とを重合させることを含み、
前記酸成分が、酸成分の総重量に対して、
１）２０〜９５重量パーセントの、アジピン酸、アジピン酸のエステル形成性誘導体、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるアジピン酸成分を含み、
２）５〜８０重量パーセントの、
芳香族ジカルボン酸（Ｃ１−３）アルキルエステル、芳香族ジカルボン酸、及びそれらの組み合わせ、からなる群から選択される、テレフタル酸含有ポリマに由来する芳香族ジカルボキシ化合物と、
を含み、
前記重合は、ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）オリゴマを生成するのに有効な条件下で、触媒存在下において行われ、
（ｂ）リン含有化合物、窒素含有化合物、ホウ素含有化合物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される触媒クエンチャを添加することを含み、
（ｃ）クエンチされたポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）オリゴマと、ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）オリゴマの総重量に対して０．０５〜５重量パーセントの、イソシアヌレート、ポリイソシアネート、イソシアネート、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される鎖延長剤とを反応させて、ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）コポリマを生成することを含み、
前記コポリマが、１００〜１２５℃の融解温度、少なくとも４０，０００〜２００，０００ｇ／モルの数平均分子量、少なくとも１．２デシリットル／分の固有粘度、及び−２５〜−１０℃のＴｇを有し、
前記ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）コポリマが、少なくとも７５のＬ＊値を示す、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）コポリマの総モルに対して０．０５〜１モルパーセントの触媒クエンチャを添加することを含むことを特徴とする、方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、
前記触媒クエンチャが、リン酸、亜リン酸、ホウ酸、窒素含有化合物、及びそれらの組み合わせから選択されることを特徴とする、方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法であって、
前記コポリマが、ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）コポリマに対して１０モルパーセント未満の、エチレングリコール基とイソフタル酸基との組み合わせを含むことを特徴とする、方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法であって、
前記鎖延長剤が、単核イソシアネート、二核イソシアネート、三核イソシアネート、四核以上のイソシアネート、及びそれらの混合物、トリレン２，４−ジイソシアネート、トリレン２，６−ジイソシアネート、２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、及びメチレンビス（２−イソシアナートシクロヘキサン）からなる群から選択されるジイソシアネート、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする、方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法であって、
前記鎖延長剤が組み合わせであって、組み合わせの総重量に対して、
４５〜８０重量パーセントの、単核イソシアヌレート、前記オリゴマの末端基と反応する２つの官能基を含む鎖延長剤、又はそれらの組み合わせからなる群から選択される鎖延長剤と、
１３〜２５重量パーセントの、二核イソシアヌレート、前記オリゴマの末端基と反応する３つの官能基を含む鎖延長剤、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される鎖延長剤と、
５〜１２重量パーセントの、三核イソシアヌレート、前記オリゴマの末端基と反応する４つの官能基を含む鎖延長剤、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される鎖延長剤と、
２〜１８重量パーセントの四核以上のイソシアヌレートと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）コポリマの製造方法であって、前記方法が、
（ａ）１，４−ブタンジオールと酸成分とを重合させることを含み、
前記酸成分が、酸成分の総重量に対して、
１）２０〜９５重量パーセントの、アジピン酸、アジピン酸のエステル形成性誘導体、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるアジピン酸成分を含み、
２）５〜８０重量パーセントの、
芳香族ジカルボン酸（Ｃ１−３）アルキルエステル、芳香族ジカルボン酸、及びそれらの組み合わせ、からなる群から選択される、ポリエチレンテレフタレートに由来する芳香族ジカルボキシ化合物と、
を含み、
前記ポリエチレンテレフタレートに由来するポリエステル残基成分が存在し、
前記重合は、ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）オリゴマを生成するのに有効な条件下で、チタン触媒存在下において行われ、
（ｂ）リン含有化合物、窒素含有化合物、ホウ素含有化合物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される触媒クエンチャを添加することを含み、
（ｃ）クエンチされたポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）オリゴマと、ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）オリゴマの総重量に対して０．０５〜５重量パーセントの、イソシアヌレート、ポリイソシアネート、イソシアネート、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される鎖延長剤とを反応させて、ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）コポリマを生成することを含み、
前記コポリマが、１００〜１２５℃の融解温度、少なくとも４０，０００〜２００，０００ｇ／モルの数平均分子量、少なくとも１．２デシリットル／分の固有粘度、及び−２５〜−１０℃のＴｇを有し、
前記ポリ（ブチレンテレフタレート−ｃｏ−アジペート）コポリマが、少なくとも７５のＬ＊値を示す、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記触媒クエンチャが、リン酸、または、亜リン酸から選択されることを特徴とする、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
前記触媒クエンチャが、ホウ酸であることを特徴とする、方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、
前記残基成分が、エチレングリコール基、ジエチレングリコール基、コバルト含有化合物、アンチモン含有化合物、ゲルマニウム含有化合物、スズ含有化合物、アルミニウム、アルミニウム塩及びそれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外輻射吸収コーティングを作るための方法であって、
ＩＴＯと第１のコーティング基剤とを含むＩＴＯコーティング混合物を作ることを含み、
前記第１のコーティング基剤は、式ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎのシラノールの部分縮合物（式中、ｎは１又は２に等しく、ＲはＣ１−３アルキルラジカル、ビニルラジカル、３，３，３‐トリフルオロプロピルラジカル、γ‐グリシドキシプロピルラジカル、及びγ‐メタクリルオキシプロピルラジカルから選択される）を含み、前記ＩＴＯコーティング混合物はコロイダルシリカを含まず、
コロイダルシリカと第２のコーティング基剤とを含むコロイダルシリカコーティング混合物を作ることを含み、
前記第２のコーティング基剤は、式ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎのシラノールの部分縮合物（式中、ｎは１又は２に等しく、Ｒは１〜３個の炭素原子のアルキルラジカル、ビニルラジカル、３，３，３‐トリフルオロプロピルラジカル、γ‐グリシドキシプロピルラジカル、及びγ‐メタクリルオキシプロピルラジカルから選択される）を含み、
前記ＩＴＯコーティング混合物と前記コロイダルシリカコーティング混合物とを混合して、組み合わされた混合物を作ることを含み、
前記組み合わされた混合物は、撹拌無しの２週間の後にも裸眼にとって可視の沈殿物を含まない、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＩＴＯコーティング混合物を作ることが、前記ＩＴＯコーティング混合物をエージングすることをさらに含むことを特徴とする、方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、
ポリマー系分散剤が、前記ＩＴＯコーティング混合物、コロイダルシリカコーティング混合物、又は組み合わされた混合物に添加されないことを特徴とする、方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法であって、
前記組み合わされた混合物が特定の量のポリマー系分散剤を含んでおり、前記ＩＴＯが仮に前記コロイダルシリカコーティング混合物とそのまま混合されて、前記組み合わされた混合物と同量のポリマー系分散剤を有する標本混合物を作った場合には、可視の沈殿が前記標本混合物中において撹拌無しの１週間以内に起こる、ことを特徴とする方法。
【請求項５】
シリコーンコーティング組成物であって、
式ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎのシラノールの部分縮合物を含むコーティング基剤（式中、ｎは１又は２に等しく、ＲはＣ１−３アルキルラジカル、ビニルラジカル、３，３，３‐トリフルオロプロピルラジカル、γ‐グリシドキシプロピルラジカル、及びγ‐メタクリルオキシプロピルラジカルから選択される）を含み、
コロイダルシリカを含み、
動的光散乱法で測定された場合に６０ｎｍ以下の平均粒径を有するＩＴＯを含む、
ことを特徴とする組成物。
【請求項６】
シリコーンコーティング組成物であって、
式ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎのシラノールの部分縮合物を含むコーティング基剤（式中、ｎは１又は２に等しく、ＲはＣ１−３アルキルラジカル、ビニルラジカル、３，３，３‐トリフルオロプロピルラジカル、γ‐グリシドキシプロピルラジカル、及びγ‐メタクリルオキシプロピルラジカルから選択される）を含み、
動的光散乱法で測定された場合に６０ｎｍ以下の平均粒径を有するＩＴＯを含み、
前記シリコーンコーティング組成物がコロイダルシリカを含まず、
前記コーティング組成物が、１質量部のＩＴＯに対して０．０５質量部以下のポリマー系分散剤を含む、
ことを特徴とする、組成物。
【請求項７】
請求項５〜６のいずれか１項に記載のシリコーンコーティング組成物であって、
前記コーティング組成物が０質量部のポリマー系分散剤を含むことを特徴とする、組成物。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載のシリコーンコーティング組成物であって、
ＩＴＯ粒子の９０％以上が６１ｎｍ未満の直径を有することを特徴とする、組成物。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか１項に記載のシリコーンコーティング組成物であって、
酢酸テトラ‐ｎ‐ブチルアンモニウム（ＴＢＡＡ）、ギ酸テトラ‐ｎ‐ブチルアンモニウム、安息香酸テトラ‐ｎ‐ブチルアンモニウム、２‐エチルヘキサン酸テトラ‐ｎ‐ブチルアンモニウム、ｐ‐エチル安息香酸テトラ‐ｎ‐ブチルアンモニウム、プロピオン酸テトラ‐ｎ‐ブチルアンモニウム、及び前記の少なくとも１つを含む組み合わせ、から選択される硬化触媒をさらに含むことを特徴とする、組成物。
【請求項１０】
コーティングされた窓板であって、
プラスチック基板を含み、
基板上の硬化したシリコーンコーティングを含み、
前記硬化したシリコーンコーティングが、請求項５〜９のいずれか１項に記載のシリコーンコーティング組成物からなり、
前記コーティングされた窓板が、ＡＳＴＭ‐Ｄ１００３‐１１のＡ法に従ってＣＩＥ標準イルミナントＣを用いて測定された場合に３％以下のヘイズを有する、
ことを特徴とする窓板。
【請求項１１】
請求項１０に記載のコーティングされた窓板であって、
プラスチック基板の両面にＵＶ防御コーティングをさらに含む、或いはＵＶ防御コーティングをプラスチック基板の片面に、ＩＲコーティングをプラスチック基板の反対側の面にさらに含むことを特徴とする、窓板。
【請求項１２】
コーティングされた窓板であって、
プラスチック基板を含み、
硬化したシリコーンコーティングを前記基板上に含み、
前記硬化したシリコーンコーティングが、
式ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎのシラノールの部分縮合物を含むコーティング基剤（式中、ｎは１又は２に等しく、Ｒは１〜３個の炭素原子のアルキルラジカル、ビニルラジカル、３，３，３‐トリフルオロプロピルラジカル、γ‐グリシドキシプロピルラジカル、及びγ‐メタクリルオキシプロピルラジカルから選択される）と、
コロイダルシリカと、
動的光散乱法で測定された場合に６０ｎｍ以下の平均粒径を有するＩＴＯと、
任意選択で、ＵＶ吸収剤、界面活性剤、可塑剤、ＩＲ吸収剤、硬化触媒、着色剤、帯電防止剤、抗菌剤、流動性調整剤、抗酸化剤、分散剤、相容化剤、及び前記添加剤の少なくとも１つを含む組み合わせ、からなる群から選択される添加剤と、
から本質的になる組成物からなり、
前記コーティングされた窓板は、ＡＳＴＭ‐Ｄ１００３‐１１のＡ法に従ってＣＩＥ標準イルミナントＣを用いて測定された場合に３％以下のヘイズを有する、
ことを特徴とする窓板。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車の作動に関係するコンポーネント（１）の状態を表示するためのステータスインジケータであり、外部から視認可能な車両ポジションに、少なくとも２つの光源（５、６；ＬＥＤ１〜ＬＥＤ４）によって光を供給される照明構造（４；１０；１１）が配置されており、前記光源にはトリガ回路（３）が割り当てられ、該トリガ回路は、前記作動に関係するコンポーネント（１）の状態を表す状態信号（ｓｚ）に応じて前記光源を制御するために設けられており、このとき、光密度及び／又は色が前記照明構造に沿って段階的に前記コンポーネントの状態を表示するようになっているステータスインジケータであって、
前記照明構造が、該構造に割り当てられている光源（５、６；ＬＥＤ１〜ＬＥＤ４）を２つ以上有しており、少なくとも２つの光供給ポジション（Ａ、Ｂ）を備える少なくとも１つの照明バー（１１）を有し、前記光供給ポジションにはそれぞれ１つの光源（５、６）が割り当てられており、供給された光をガイドするため及び光を放射するための前記照明バーが、該照明バーに形成された干渉箇所（１９）のために設けられ、前記トリガ回路は、前記コンポーネントの状態に応じて少なくとも２つの前記光供給ポジションで前記光源を制御するために設けられていることを特徴とする、ステータスインジケータ。
【請求項２】
前記光源が、光ダイオード（ＬＥＤ１〜ＬＥＤ４）として形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のステータスインジケータ。
【請求項３】
それぞれの光源が少なくとも１つの光ダイオード（ＬＥＤ１〜ＬＥＤ４）を有し、それぞれの光源にはトリガ回路（ＡＳ１〜ＡＳ４）が割り当てられており、該トリガ回路は、前記光ダイオードに対して並列接続されている、電圧（Ｕｒｅｆ）の基準電圧吸込み（ＲＳ）と被制御スイッチ（Ｑ）との直列接続を有し、すべてのトリガ回路に共通する制御ライン（１４）の制御電圧（Ｕｓｔ）を前記ＬＥＤ直列接続の低位終端に対して測定して、前記電圧を、前記スイッチとそれに続く前記ＬＥＤ鎖又は前記低位終端との接続部にかかる電圧と比較するため、及び前記制御電圧（Ｕｓｔ）が規定値を下回った場合もしくは規定値を超えた場合に、前記スイッチを閉じるか、又は開くために設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載のステータスインジケータ。
【請求項４】
前記光源（５、６；ＬＥＤ１〜ＬＥＤ４）が異なる色を放射することを特徴とする、請求項１〜３のうちいずれか一項に記載のステータスインジケータ。
【請求項５】
前記照明構造（４；１０；１１）が、自動車のヘッドライトユニット（７）の中／ヘッドライトユニット部分に配置されていることを特徴とする、請求項１〜４のうちいずれか一項に記載のステータスインジケータ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月19日(2015.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンチグレア面を有する製品を形成する方法であって：
粒子群の懸濁液を前記製品の少なくとも１つの表面にスロット塗布して、塗布表面積の４０％〜９２％を被覆する粒子状マスクを形成する工程と、
前記粒子状マスクを有する前記製品の前記少なくとも１つの表面とエッチャントを接触させて前記アンチグレア面を形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記製品の前記少なくとも１つの表面はガラスを含み、前記粒子状マスクは、ポリマー、ワックス、またはポリマー及びワックスの混合物を含み、そして前記エッチャントは、少なくとも１種類の酸を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、結果として得られる前記アンチグレア面を洗浄する工程、前記アンチグレア面を化学的に強化する工程、または前記洗浄する工程、及び前記強化する工程を組み合わせた工程を含む、請求項１乃至２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
更に、前記粒子群を少なくとも１つの表面にスロット塗布する前に、前記懸濁液の粒子群を研磨する工程を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法により調製されるガラス製品であって：
少なくとも１つのアンチグレア面を備え、該少なくとも１つのアンチグレア面は：
０．１〜３０のヘイズ率、
２５〜８５の像鮮明度（ＤＯＩ２０°）、
５０〜５００ｎｍの表面粗度（Ｒａ）、
ＰＰＤにより０°及び９０°で測定される１〜７以下の低輝度、及び
０．１〜１０マイクロメートルの粗面の平均山谷差プロファイル、
を有する、ガラス製品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月6日(2015.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の粒子状非晶質金属酸化物を含有する粉末化組成物であって、ただし、ワックス状エステル、固定用ポリマー、フィルム形成用ポリマー、酸化染料前駆体、アニオン性界面活性剤、ケラチン還元性化合物、またはそれらの混合物から選択される少なくとも１種の化粧用活性剤が、前記金属酸化物中に吸着された様式で存在する、粉末化組成物。
【請求項２】
前記金属酸化物は、その重量に基づいて、少なくとも０.１〜１.０重量％のＮａ２Ｏを含有する沈降ケイ酸であることを特徴とする、請求項１に記載の粉末化組成物。
【請求項３】
前記金属酸化物は、それぞれの場合において金属酸化物１００ｇあたり、５０〜８００ｇのＤＢＰ数（ＡＳＴＭ Ｄ ２４１４により測定）を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の粉末化組成物。
【請求項４】
前記金属酸化物は、蒸留水中、５重量％スラリーにおいて、４.５〜８.０の得られる混合物のｐＨを有することを特徴とする、請求項１または２に記載の粉末化組成物。
【請求項５】
前記金属酸化物は、５０〜１０００ｍ２/ｇのＢＥＴ表面積（それぞれの場合において、ＩＳＯ５７９４-１により測定）を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の粉末化組成物。
【請求項６】
シェルが少なくとも１種の疎水化金属酸化物粉末の粒子を含有し、コアが液状水相を含むコア−シェル粒子を追加的に含有する、請求項１〜５のいずれかに記載の粉末化組成物。
【請求項７】
疎水化金属酸化物粉末の疎水化金属酸化物が、疎水化シリケート、疎水化アルミニウムシリケート、疎水化二酸化チタン、および疎水化二酸化ケイ素から構成される群の少なくとも１つの例から選択されることを特徴とする、請求項６に記載の粉末化組成物。
【請求項８】
疎水化金属酸化物粉末はシリル化シリカから選択されることを特徴とする、請求項６または７に記載の粉末化組成物。
【請求項９】
コア−シェル粒子が、粉末化組成物のコア−シェル粒子の重量に基づいて、７０重量％〜９０重量％の水性溶媒を液状水相中に含有することを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の粉末化組成物。
【請求項１０】
コア−シェル粒子が、（特に摩擦および／または圧力による）コア−シェル粒子への機械的負荷を用いて、コア−シェル粒子からコアの液状水相を放出するのに適当であり、これによって粉末化組成物から液体を形成することを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の粉末化組成物。
【請求項１１】
前記化粧用活性剤（またはそれらの混合物）が、１：１〜９：１の重量比範囲で、粒子状非晶質金属酸化物中に吸着された様式において存在することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の粉末化組成物。
【請求項１２】
ケラチン含有繊維の再整形に適当であり、ワックス状エステル、固定用ポリマー、フィルム形成用ポリマー、それらの混合物の中から選択される少なくとも１種の活性剤を、前記吸着された化粧用活性剤として含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の粉末化組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の粉末化組成物の、ケラチン含有繊維の化粧的処理のための使用。
【請求項１４】
ケラチン含有繊維の化粧的処理のための方法であって、該方法において、
ａ）ケラチン含有繊維を場合により湿潤させ、
ｂ）請求項１〜１２のいずれかに記載の粉末化組成物をケラチン含有繊維に塗布し、
ｃ）粉末化組成物が、請求項６〜１２のいずれかにあてはまる場合、請求項６〜１２のいずれかに記載の前記粉末化組成物に、ケラチン含有繊維への塗布中または塗布後に機械的負荷を施し、それによって請求項６〜１２のいずれかに記載の粉末化組成物を液体へと変換し、
ｄ）塗布された組成物は、ケラチン含有繊維中で作用し、場合により洗い流される
方法。