【事件の表示】
　特許第３２３８０８２号「電子デバイス製造装置」の請求項１ないし６、１４ないし１９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２３８０８２号の請求項１、２、１０ないし１４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２３８０８２号の請求項１ないし１９に係る発明の手続きの経緯は、以下のとおりである。
　出願　　　　平成８年１１月１５日（優先権主張平成８年５月１６日）
　設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１３年１０月５日
　特許異議の申立て　　　　　　　　　平成１４年６月１０日
　（請求項１〜６、１４〜１９について、特許異議申立人；東谷満）
　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１４年９月１３日
　意見書、訂正請求書（後日取り下げ）平成１４年１１月２６日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１６年９月２１日
　意見書、訂正請求書　　　　　　　　平成１６年１１月１８日
　
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１６年１１月１８日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
訂正事項ａ．特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
「【請求項１】　薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、
前記カソード電極は上側カソード電極と下側カソード電極とからなる構成であり、該上側カソード電極と該高周波電力発生手段との間において、該下側カソード電極及び該下側カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量以下の容量成分を持つインピーダンス調整用容量を、該上側カソード電極と該下側カソード電極との間に、上側カソード電極からみて該浮遊容量と直列接続となるように挿入し、
前記インピーダンス調整用容量と前記浮遊容量とを直列接続したときの全体の容量の大きさＣが、下記（１）式の条件を満たすように
Ｃ≦１／｛ＬＧ・（２π・ｆ）２｝　…（１）
但し、ＬＧ：上側カソード電極と該上側カソード電極の電極面に対向する接地電位にある部位との間に等価的に存在する誘導成分の大きさ
π：円周率
ｆ：励起高周波の周波数
設定した、電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｂ．特許請求の範囲の請求項２ないし５を削除する。
訂正事項ｃ．特許請求の範囲の請求項６を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項２とする。
「【請求項２】　前記インピーダンス調整用容量が、前記下側カソード電極上に設けた誘電体で形成されている請求項１記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｄ．特許請求の範囲の請求項７、８の項番号を繰り上げて、それぞれ請求項３、４とする。
訂正事項ｅ．特許請求の範囲の請求項９を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項５とする。
「【請求項５】　前記インピーダンス調整用インダクタンスを、前記カソード電極の励起高周波の周波数において等価的に存在する前記浮遊容量ＣＦに対して、該周波数において等価的に並列とみなせる部位に挿入した請求項３又は請求項４記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｆ．特許請求の範囲の請求項１０を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項６とする。
「【請求項６】　前記インピーダンス調整用インダクタンスが、前記カソード電極を前記接地電位にある部位に直流的に短絡してなる手段である請求項３〜請求項５のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｇ．特許請求の範囲の請求項１１を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項７とする。
「【請求項７】　前記カソード電極の外側に電極サイド誘電体を備え、該カソード電極及び該電極サイド誘電体が前記反応室の底壁を構成している請求項３〜請求項６のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｈ．特許請求の範囲の請求項１２を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項８とする。
「【請求項８】　前記カソード電極が円筒状をなし、その内側にアノード電極を有し、かつ該カソード電極の外側に電極サイド誘電体を備え、該カソード電極及び該電極サイド誘電体が前記反応室の壁を構成している請求項３〜請求項６のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｉ．特許請求の範囲の請求項１３を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項９とする。
「【請求項９】　請求項１又は請求項２記載のインピーダンス調整用容量を備えた請求項３〜請求項８のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｊ．特許請求の範囲の請求項１４を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項１０とする。
「【請求項１０】　前記カソード電極の大きさが下記（４）式の条件を満たす
Ｄ≧（１／１６）・λ　…（４）
但し、Ｄ：カソード電極表面に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１〜請求項９のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｋ．特許請求の範囲の請求項１５を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項１１とする。
「【請求項１１】　前記カソード電極の大きさが下記（５）式の条件を満たす
Ｄ≧（１／８）・λ　…（５）
但し、Ｄ：カソード電極表面に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１〜請求項９のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｌ．特許請求の範囲の請求項１６を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項１２とする。
「【請求項１２】　前記反応室の大きさが、下記（６）式の条件を満たすような
Ｄ０≦（１／２）・λ　…（６）
但し、
Ｄ０：反応室内部の電極面と平行方向に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１又は請求項２記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｍ．特許請求の範囲の請求項１７を削除する。
訂正事項ｎ．特許請求の範囲の請求項１８を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項１３とする。
「【請求項１３】　前記高周波電力発生手段の高周波条件を励起周波数が高周波ＶＨＦ帯の連続放電に設定した請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｏ．特許請求の範囲の請求項１９を次のとおり訂正し、項番号を繰り上げて請求項１４とする。
「【請求項１４】　前記高周波電力発生手段の高周波条件を励起周波数が高周波ＶＨＦ帯のパルス放電に設定した請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
訂正事項ｐ．明細書中の【００３６】段落を次の通り訂正する。
「【００３６】
【課題を解決するための手段】
　本発明の電子デバイス製造装置は、薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、
前記カソード電極は上側カソード電極と下側カソード電極とからなる構成であり、該上側カソード電極と該高周波電力発生手段との間において、該下側カソード電極及び該下側カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量以下の容量成分を持つインピーダンス調整用容量を、該上側カソード電極と該下側カソード電極との間に、上側カソード電極からみて該浮遊容量と直列接続となるように挿入し、
前記インピーダンス調整用容量と前記浮遊容量とを直列接続したときの全体の容量の大きさＣが、下記（１）式の条件を満たすように
Ｃ≦１／｛ＬＧ・（２π・ｆ）２｝　…（１）
但し、ＬＧ：上側カソード電極と該上側カソード電極の電極面に対向する接地電位にある部位との間に等価的に存在する誘導成分の大きさ
π：円周率
ｆ：励起高周波の周波数
設定しており、そのことにより上記目的が達成される。
」
訂正事項ｑ．明細書中の【００３７】ないし【００４０】段落の記載内容を削除する。
訂正事項ｒ．明細書中の【００４１】段落を次の通り訂正する。
「【００４１】
　また、好ましくは、前記インピーダンス調整用容量を、前記下側カソード電極上に設けた誘電体で形成する構成とする。」
訂正事項ｓ．明細書中の【００５３】段落の記載内容を削除する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア．訂正事項ａについて
　訂正後の請求項１は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明において、「該カソード電極と該高周波電力発生手段との間において、該カソード電極及び該カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量以下の容量成分を持つインピーダンス調整用容量を、該浮遊容量と直列接続となるように挿入し、
前記インピーダンス調整用容量と前記浮遊容量とを直列接続したときの全体の容量の大きさＣが、下記（１）式の条件を満たすように
Ｃ≦１／｛ＬＧ・（２π・ｆ）２｝　…（１）
但し、ＬＧ：上側カソード電極と該上側カソード電極の電極面に対向する接地電位にある部位との間に等価的に存在する誘導成分の大きさ」を「前記カソード電極は上側カソード電極と下側カソード電極とからなる構成であり、該上側カソード電極と該高周波電力発生手段との間において、該下側カソード電極及び該下側カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量以下の容量成分を持つインピーダンス調整用容量を、該上側カソード電極と該下側カソード電極との間に、上側カソード電極からみて該浮遊容量と直列接続となるように挿入し、
前記インピーダンス調整用容量と前記浮遊容量とを直列接続したときの全体の容量の大きさＣが、下記（１）式の条件を満たすように
Ｃ≦１／｛ＬＧ・（２π・ｆ）２｝　…（１）
但し、ＬＧ：カソード電極と該カソード電極の電極面に対向する接地電位にある部位との間に等価的に存在する誘導成分の大きさ」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものにあたる。
　そして、上記訂正は、図面の図１及び特許明細書の【００９２】〜【００９３】段落の記載に基づくものである。【００９２】段落では、高周波電力発生源４と下側カソード電極１ｂとの間にはコンデンサからなる直流遮断用容量素子が設けられていることが記載され、【００９３】段落では、上側カソード電極と下側カソード電極との間にインピーダンス制御用容量が設けられることが記載され、インピーダンス制御用容量と浮遊容量が直列接続されることが記載されている。すなわち、本件明細書及び図面から、インピーダンス制御用容量と下側カソード電極と設置部位との間の浮遊容量とが直接接続、つまり、上側カソード電極側から直列接続していることが記載されているので、上記訂正は、新規事項の追加にはあたらない。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
イ．訂正事項ｂ、ｍについて
　訂正事項ｂ、ｍについては、特許明細書の特許請求の範囲の請求項２ないし５、１７を削除するものである。
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
ウ．訂正事項ｃについて
　訂正後の請求項２は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項６に記載された発明において、「前記インピーダンス調整用容量が、前記カソード電極上に設けた誘電体で形成されている」を「前記インピーダンス調整用容量が、前記下側カソード電極上に設けた誘電体で形成されている」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものにあたる。
　上記訂正は、特許明細書の図３及び【０１０４】段落の記載に基づくものである。【０１０４】段落には、上下のカソード電極１ａ，１ｂ間に誘電体が設けられることが記載されているので、上記訂正は、新規事項の追加にはあたらない。
　また、請求項６を請求項２に繰り上げることは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
エ．訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄについては、特許明細書の特許請求の範囲の請求項７、８を請求項３、４に繰り上げるものである。
　したがって、上記訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
オ．訂正事項ｅ〜ｌについて
　訂正事項ｅ〜ｌについては、特許明細書の請求項２ないし５を削除したことに伴い、特許明細書の請求項９ないし１６を請求項５ないし１２に繰り上げ、また、従属関係を訂正したものである。
　したがって、上記訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
カ．訂正事項ｎ、ｏについて
　訂正事項ｎ、ｏについては、特許明細書の請求項２ないし５、１７を削除したことに伴い、特許明細書の請求項１８、１９を請求項１３、１４に繰り上げ、また、従属関係を訂正したものである。
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
キ．訂正事項ｐについて
　訂正事項ｐは、上記訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合を図るための、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
ク．訂正事項ｑについて
　訂正事項ｑは、上記訂正事項ｂに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合を図るために、削除したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
ケ．訂正事項ｒについて
　訂正事項ｒは、上記訂正事項ｃに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合を図るための、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
コ．訂正事項ｓについて
　訂正事項ｓは、上記訂正事項ｍに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合を図るために、削除したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
３．特許異議の申立てについて
（１）申立の理由の概要
　特許異議申立人は、本件請求項１ないし６、１４ないし１９に係る各特許発明及び発明の詳細な説明の【００２６】、【００９３】、【００９４】、【０１０２】、【０１０７】、【０１０９】段落の記載には、不備が認められるので、本件請求項１ないし６、１４ないし１９に係る各特許発明は、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、特許法第１１３条第４号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
（２）本件請求項１、２、１０ないし１４に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、特許明細書の請求項１ないし６、１４ないし１９に係る発明は、訂正後の請求項１、２、１０ないし１４に係る発明となり、本件請求項１、２、１０ないし１４に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２、１０ないし１４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、
前記カソード電極は上側カソード電極と下側カソード電極とからなる構成であり、該上側カソード電極と該高周波電力発生手段との間において、該下側カソード電極及び該下側カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量以下の容量成分を持つインピーダンス調整用容量を、該上側カソード電極と該下側カソード電極との間に、上側カソード電極からみて該浮遊容量と直列接続となるように挿入し、
前記インピーダンス調整用容量と前記浮遊容量とを直列接続したときの全体の容量の大きさＣが、下記（１）式の条件を満たすように
Ｃ≦１／｛ＬＧ・（２π・ｆ）２｝　…（１）
但し、ＬＧ：上側カソード電極と該上側カソード電極の電極面に対向する接地電位にある部位との間に等価的に存在する誘導成分の大きさ
π：円周率
ｆ：励起高周波の周波数
設定した、電子デバイス製造装置。」
「【請求項２】　前記インピーダンス調整用容量が、前記下側カソード電極上に設けた誘電体で形成されている請求項１記載の電子デバイス製造装置。」
「【請求項１０】　前記カソード電極の大きさが下記（４）式の条件を満たす
Ｄ≧（１／１６）・λ　…（４）
但し、Ｄ：カソード電極表面に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１〜請求項９のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
「【請求項１１】　前記カソード電極の大きさが下記（５）式の条件を満たす
Ｄ≧（１／８）・λ　…（５）
但し、Ｄ：カソード電極表面に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１〜請求項９のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
「【請求項１２】　前記反応室の大きさが、下記（６）式の条件を満たすような
Ｄ０≦（１／２）・λ　…（６）
但し、
Ｄ０：反応室内部の電極面と平行方向に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１又は請求項２記載の電子デバイス製造装置。」
「【請求項１３】　前記高周波電力発生手段の高周波条件を励起周波数が高周波ＶＨＦ帯の連続放電に設定した請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
「【請求項１４】　前記高周波電力発生手段の高周波条件を励起周波数が高周波ＶＨＦ帯のパルス放電に設定した請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の電子デバイス製造装置。」
　
（３）判断
　上記訂正により、カソード電極は上側カソード電極と下側カソード電極とからなる構成であり、上側カソード電極から見て、直流遮断用容量素子は高周波電源と直列に配置され、かつ、直流遮断用容量素子と浮遊容量は並列に配置されていることが明確化された。また、上側カソード電極から見て、インピーダンス調整用容量と浮遊容量は直列に配置されることが明確化された。また、直流遮断用容量素子とインピーダンス調整用容量との相違が明確になった。
　なお、本件特許の構成によれば、直流遮断用容量素子がなくても本件特許の効果を奏することができることは、【０１０２】段落に記載されている。
　このような構成により、本件特許は、下側カソード電極及び下側カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁あるいは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量に対して、インピーダンス調整用容量を直列に接続することにより、共振周波数を励起高周波から遠ざけることができるので、ＲＦ帯からＶＨＦ帯にわたる広い周波数範囲でのプラズマ生成を可能とするものである。
　異議申立人は、直流遮断用容量素子７とインピーダンス調整用容量１０との区分けが不明確であり、【００２６】段落と【０１０２】段落の記載は相互に矛盾するとしている。しかし、訂正後の本件特許請求の範囲で明確にしたように、インピーダンス調整用容量１０は上側カソード電極と下側カソード電極との間に挿入されるものである。このように、直流遮断用容量素子７とインピーダンス調整用容量１０との区分けが明確であり、また、この構成によれば、【００２６】段落と【０１０２】段落の記載は相互に矛盾するものではない。
　また、異議申立人は、本件発明は、高周波出力発生手段とカソード電極との間で、高周波電力発生手段側に直流遮断用素子が配するよう、直流遮断用容量素子とインピーダンス調整用容量とが直列に接続して設けられた場合を含むものと考えられるため、記載が不備であり、請求項１に係る発明は明確でないとしているが、訂正後の本件請求の範囲で明確になったように、インピーダンス調整用容量は上側カソード電極と下側カソード電極との間に挿入されるものであり、指摘されたような場合は含まれない。また、訂正後の本件請求の範囲で、インピーダンス調整用容量は上側カソード電極と下側カソード電極との間に挿入されるものであることが明確になったので、異議申立人の示す参考図は、誤った解釈であると理解できる。
　また、Ｄの範囲が重なっていることの不備については、請求項を削除して対処している。
　以上のように、特許明細書の請求項１乃至６、１４ないし１９に係る各特許発明について訂正を行った、訂正後の請求項１、２、１０ないし１４に係る発明、及び発明の詳細な説明の記載には、不備は認められず、異議申立人が主張している全ての不備は解消している。
　したがって、本件請求項１、２、１０ないし１４に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものではない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由によっては、本件請求項１、２、１０ないし１４に係る発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件請求項１、２、１０ないし１４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１２月１５日（２００４．１２．１５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
電子デバイス装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、
前記カソード電極は上側カソード電極と下側カソード電極とからなる構成であり、
上側
下側
下側
該上側カソード電極と該下側カソード電極との間に、上側カソード電極からみて
前記インピーダンス調整用容量と前記浮遊容量とを直列接続したときの全体の容量の大きさＣが、下記（１）式の条件を満たすように
　　Ｃ≦１／｛ＬＧ・（２π・ｆ）２｝…（１）
但し、ＬＧ：
上側
上側
π：円周率
ｆ：励起高周波の周波数
設定した、電子デバイス製造装置。
　【請求項２】　前記インピーダンス調整用容量が、前記
下側
　【請求項３】　薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、
該カソード電極及び該カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量ＣＦと並列接続になる位置にインピーダンス調整用インダクタンスを挿入し、該インピーダンス調整用インダクタンスの容量成分ＬＣが、下記（２）式の条件を満たすように
　　ＬＣ≧１／｛（２・π・ｆ）２・ＣＦ｝…（２）
設定した電子デバイス製造装置。
　【請求項４】　薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、
該カソード電極及び該カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量ＣＦと並列接続になる位置にインピーダンス調整用インダクタンスを挿入し、該インピーダンス調整用インダクタンスの容量成分ＬＣが、下記（３）式の条件を満たすように
　　ＬＣ＜１／｛（２・π・ｆ）２・ＣＦ｝…（３）
設定した電子デバイス製造装置。
　【請求項５】　前記インピーダンス調整用インダクタンスを、前記カソード電極の励起高周波の周波数において等価的に存在する前記浮遊容量ＣＦに対して、該周波数において等価的に並列とみなせる部位に挿入した
請求項３又は請求項４
　【請求項６】　前記インピーダンス調整用インダクタンスが、前記カソード電極を前記接地電位にある部位に直流的に短絡してなる手段である
請求項３〜請求項５
　【請求項７】　前記カソード電極の外側に電極サイド誘電体を備え、該カソード電極及び該電極サイド誘電体が前記反応室の底壁を構成している
請求項３〜請求項６
　【請求項８】　前記カソード電極が円筒状をなし、その内側にアノード電極を有し、かつ該カソード電極の外側に電極サイド誘電体を備え、該カソード電極及び該電極サイド誘電体が前記反応室の壁を構成している
請求項３〜請求項６
　【請求項９】　請求項１
又は請求項２
請求項３〜請求項８
　【請求項１０】　前記カソード電極の大きさが下記（４）式の条件を満たす
　　Ｄ≧（１／１６）・λ…（４）
但し、Ｄ：カソード電極表面に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１〜
請求項９
　【請求項１１】　前記カソード電極の大きさが下記（５）式の条件を満たす
　　Ｄ≧（１／８）・λ…（５）
但し、Ｄ：カソード電極表面に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１〜
請求項９
　【請求項１２】　前記反応室の大きさが、下記（６）式の条件を満たすような
　　Ｄ０≦（１／２）・λ…（６）
但し、
Ｄ０：反応室内部の電極面と平行方向に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定されている請求項１
又は請求項２
　【請求項１３】　前記高周波電力発生手段の高周波条件を励起周波数が高周波ＶＨＦ帯の連続放電に設定した請求項１〜
請求項１２
　【請求項１４】　前記高周波電力発生手段の高周波条件を励起周波数が高周波ＶＨＦ帯のパルス放電に設定した請求項１〜
請求項１２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は電子デバイス製造装置に関し、より詳しくは電子産業における水素化アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと記す）等の半導体薄膜や絶縁膜の製造に用いられるプラズマ励起化学気相成長装置（以下プラズマＣＶＤ装置と記す）或いは半導体素子や液晶素子等を加工するために用いられるプラズマエッチング装置として好適な電子デバイス製造装置及びこの電子デバイス製造装置を用いた電子デバイス製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　今日、原料ガスをプラズマ励起・分解して気相から薄膜を堆積するプラズマＣＶＤ装置、或いはその逆にプラズマ粒子及びプラズマ励起による活性種が膜をエッチングすることを利用して半導体素子や液晶表示素子等を加工するために用いられるプラズマドライエッチング装置は、金属膜／半導体膜／誘電体膜或いは結晶ウェハー等を対象として電子デバイスの製造装置として広く用いられている。
　【０００３】
　これらの電子デバイス製造装置においては、現在その多くが、ラジオ波（１３．５６ＭＨｚ、ＲＦ或いは高周波ＨＦと呼ばれる）か、或いはマイクロ波（２．４５ＧＨｚ、ＭＷ波）をプラズマを生成する電源の励起周波数とすることにより実用化されている。
　【０００４】
　一方、最近のプラズマ科学における精力的な研究から、プラズマを生成するため用いられる高周波電源の励起周波数として、上記二者の中間の周波数領域（例えば、１００ＭＨｚ程度，高高周波ＶＨＦ帯と呼ばれる）が、理論的にも実験的にも電子デバイスの製造に適した特長を有することが明らかにされつつある。そのような文献の例として、以下のものが挙げられる。
　【０００５】
（１）Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ１０（１９９２）１０８０Ａ．Ａ．Ｈｏｗ１ｉｎｇ　ｅｔ　ａ１．
（２）Ｐｌａｓｍａ　Ｓｏｕｒｃｅｓ　Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．２（１９９３）ｐ．４０−４５Ｔ．Ｋｉｔａｍｕｒａ　ｅｔ　ａｌ．
（３）Ｐｌａｓｍａ　Ｓｏｕｒｃｅｓ　Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．２（１９９３）ｐ．２６−２９Ｓ．Ｏｄａ
（４）特開平６−７７１４４号公報
上記電子デバイスの製造に適した特長としては、プラズマ密度は周波数の２乗に比例して増加する、或いはこのような高いプラズマ密度が比較的低いプラズマポテンシャルによって実現される、といった点が挙げられる。
　【０００６】
　前者の特長は膜堆積の速度が周波数の２乗に比例して増加することを意味し、またエッチング装置であればエッチング速度が周波数の２乗に比例して増加することを意味する。また後者の特長は、このような高速成膜・高速エッチング条件下でありながら、プラズマ中のイオン種による膜或いは基板への損傷、いわゆるプラズマダメージを低く抑えることを可能とするものである。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、ａ−Ｓｉ：Ｈ系薄膜を用いた太陽電池や液晶表示素子或いは感光体ドラムの感光層等のいわゆるジャイアントマイクロエレクトロニクスと呼ばれるような電子産業分野では、基板そのものの寸法が、例えば４０ｃｍ〜６０ｃｍと長尺であり、かつこのような基板を複数枚一度に処理できる反応室が、装置の高スループット化のためには不可欠となってきている。また、半導体製造装置でも高いスループットを実現するためには多数の基板を一度に処理することが非常に重要である。このような理由により、反応室のサイズを大きくし、装置寸法、即ち反応空間、より具体的にはカソード電極及びアノード電極の電極面寸法を大きくすることは重要である。
　【０００８】
　しかしながら、上記の文献に記載されたものでは、反応空間は使用しているプラズマ励起用高周波の波長に比べて格段に小さくなっている。即ち、例えば、周波数１００ＭＨｚでは波長は約３ｍとなるのに対し、反応空間は１０ｃｍ程度かそれ以下である。このため、反応空間を大きくして、ジャイアントマイクロエレクトロニクスと呼ばれるような電子産業分野において好適な電子デバイス製造装置を実現するには到っていないのが現状である。
　【０００９】
　ここで、本発明者等の所見によれば、反応空間をＶＨＦ帯の励起電源周波数の波長に比べて格段に小さくせざるを得ないのは、以下の理由によると考えられる。即ち、反応空間がＶＨＦ帯の励起電源周波数の波長と同程度になって来ると、これにより生成される電磁波は反応空間を伝搬する波としての特質を持ち始め、これに起因する反応装置の電磁気的変化が構造的に複雑なプラズマの生成を招くために、プラズマの制御そのものが不可能になるためと考えられる。
　【００１０】
　以上のような現象について、図１７に示す従来型のプラズマＣＶＤ装置を用いた実験結果に基づく考察を以下に示す。なお、供試用のプラズマＣＶＤ装置の電極寸法は７００ｍｍ角である。
　【００１１】
　このプラズマＣＶＤ装置において、周波数１３．５６ＭＨｚ或いは２０ＭＨｚの高周波によりプラズマを生成した場合、図１８に示す電極間空間（カソード電極１〜アノード電極２間の空間）、即ち反応空間３の正常位置のみで放電する。一方、周波数を２７．１２ＭＨｚ或いは３５ＭＨｚとすると、電極間空間だけでなく、その両側方の空間、即ち電極１、２の両端部と反応室のサイド壁との間の空間である電極サイド空間１０１，１０１及びアノード電極２の裏側空間１０２のような異常箇所（膜成長に寄与しない以上箇所）においても放電が発生することを確認できた。
　【００１２】
　また、周波数を４０．６８ＭＨｚ以上に上昇させると、電極間空間３では放電せず、電極サイド空間１０１，１０１及び裏側空間１０２のような異常箇所でしか放電しないことを確認できた。このとき、通常のように被成膜体である基板（ウエハー）を反応空間３に接するアノード電極２の表面に設置しても成膜が起こらないという、異常事態が発生していた。
　【００１３】
　更に、本発明者等は従来型のプラズマＣＶＤ装置の大きさが変わった場合について、この異常放電現象を調べた。図１９に示すように、正方形型のカソード電極１を持つ装置の内、カソード電極１の寸法が２００ｍｍ角の小型装置では、周波数８１．３６ＭＨｚまで正常な電極空間のみの放電が得られるが、カソード電極１の寸法が大きくなるにつれ正常な電極間空間放電の実現される周波数限界が低くなっていくことがわかる。
　【００１４】
　そして、カソード電極１の寸法が１２００ｍｍ角となると、正常な電極間放電は周波数１３．５６ＭＨｚでしか得られず、周波数４０．６８ＭＨｚ以上では異常箇所放電のみとなり、アノード電極２の表面に設置した基板上に成膜が起こらない。
　【００１５】
　このように、従来型のプラズマＣＶＤ装置では、上記した異常箇所放電に起因して、ＶＨＦ帯の高周波を使った大面積放電・大面積膜を実現できないことを確認できた。
　【００１６】
　ここで、このような異常箇所放電の様子を、励起高周波の周波数及びプラズマＣＶＤ装置の大きさをパラメータとして考えると、図１９に示したように、
　　Ｄ≧（１／１６）・λ…（４）
但し、Ｄ：正方形型カソード電極の一辺の長さ
λ：該カソード電極から励起される高周波の波長（＝光速／周波数）の領域で正常な電極間放電に加えて異常箇所放電が発生することがわかった。
　【００１７】
　また、
　　Ｄ≧（１／８）・λ…（５）
の領域では正常な電極間放電が起こらず、異常箇所放電のみが発生することがわかった。
　【００１８】
　ところで、ＲＦ帯の高周波により生成されたプラズマの制御を試みるための手法として、直流遮断用容量素子を挿入する方法や電極の周囲にインピーダンス調整用の素子を付加する方法が知られている。
　【００１９】
　前者の方法は、例えば、″Ｇ１ｏｗ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ”Ｊｏｈｎ　Ｗｉ１ｅｙ　＆　Ｓｏｎｓ（１９８０）Ｂ．Ｃｈａｐｍａｎｎに記載されており、後者の方法は、特開昭５８−１４５１００号公報や特開平６−６１１８５号公報に記載されている。
　【００２０】
　なお、インピーダンス調整用の素子を挿入する位置としては、直流遮断用容量素子は通常カソード電極から離れた反応装置外であり、特開昭５８−１４５１００号公報に記載された方法ではカソード電極の内部部位間であり、また特開平６−６１１８５号公報に記載された方法ではカソード電極と対向する電極と接地電位の間であった。
　【００２１】
　しかし、このような手法はＲＦ帯の高周波の利用を前提としたプラズマ生成の制御を目指したものに適用できるにとどまり、ＶＨＦ帯の高周波を利用した電子デバイス製造装置に適用しても、上記課題を解決することはできない。以下にその理由を説明する。
　【００２２】
　今、カソード電極及びアノード電極が平行平板型の、いわゆる容量結合型の電子デバイス製造装置において、反応空間或いは電極寸法が１ｍ前後の大型装置を例にとって説明する。容量結合型装置では、図１７に示すように、カソード電極（高周波励起電極）１と、これに対向し、直流的に接地電位にあるアノード電極２との間の空間（気相中）３に、プラズマを生成し材料ガスの解離を行い、薄膜の堆積或いはエッチングを行なう。
　【００２３】
　励起高周波の周波数がＲＦ帯にある場合は、両電極１，２間のインピーダンスは容量成分とみなせる。この場合、電極１，２間の空間でプラズマが生成され、通常の成膜が可能である。
　【００２４】
　しかし、周波数がＶＨＦ帯になると、励起高周波は伝搬する電磁波の特性を帯びるようになる。従って、反応空間を取り囲む導体群が等価的に誘導成分を持つようになり、カソード電極１の持つ浮遊容量との間で、ある周波数において並列共振現象が生じてしまう。この場合、両電極１，２間の空間のインピーダンスは非常に大きく、等価的に無限に広がる空間と同様となるため、電極１，２間でのプラズマ生成は困難となる。
　【００２５】
　この問題に対処するためには、接地電位部位に対するカソード電極１のインピーダンスを制御する必要が生じるが、従来の制御方法である直流遮断用容量素子を挿入する方法、或いは特開昭５８−１４５１００号公報や特開平６−６１１８５号公報に記載の方法では対応することが困難である。
　【００２６】
　即ち、図１７に示すように、コンデンサからなる直流遮断用容量素子７は、カソード電極１からみて高周波電源（高周波電力発生源）４と直列に挿入されているため、いま問題となっている浮遊容量値の制御は行えない。また、特開昭５８−１４５１００号公報に記載の方法では、本質的にカソード電極と外部回路とのインピーダンスは変化しない。また、特開平６−６１１８５号公報に記載の方法では、アノード電極側にインピーダンス調整用素子を取り付けるため、カソード電極のインピーダンスを制御することはできない。
　【００２７】
　今少し具体的に説明すると、図１７に示すプラズマＣＶＤ装置において、ＶＨＦ帯の高周波の伝搬を考えると、浮遊容量ＣＦ〔Ｃ／Ｖ＝Ｆ〕は主にカソード電極１下において生じ、またカソード電極１〜アノード電極２間の反応空間（電極間空間）３が等価的にインダクタンスＬＧ〔Ｗｂ／Ａ＝Ｈ〕となる。
　【００２８】
　ここで、浮遊容量ＣＦは下記（８）式で与えられ、
　　ＣＦ＝ε・Ｓ１／ｄ０…（８）
ｄ０：カソード電極とアノード電極の対向面間距離
インダクタンスＬＧは短絡導波管近似の場合下記（９）式で与えられる。
　【００２９】
　　ＬＧ＝Ａ×ｔａｎ｛（２π・ｆ・Ｓ２／ｃ）｝／（２π・ｆ）…（９）
但し、ε：誘電率〔Ｃ／Ｖ・ｍ〕
Ｓ１：カソード電極とアノード電極の対向面面積〔ｍ２〕
ｄ：カソード電極とアノード電極の対向面間距離〔ｍ〕
ｆ：周波数〔１／Ｓ〕
Ｓ２：電極間空間の電極面方向の長さ〔ｍ〕
ｃ：光速〔ｍ／Ｓ〕
また、上記Ａは下記（１０）式で表される定数である。
　【００３０】
　　Ａ＝（ｄ／Ｗ）・√（μ／ε）｝…（１０）
但し、Ｗ：電極幅〔ｍ〕
μ：透磁率〔Ｗｂ／Ａ〕
ここで、図１７から分かるように、浮遊容量ＣＦとインダクタンスＬＧはカソード電極１と接地部位との間で並列接続状態にあるため、周波数ｆが下記（１１）式の共振周波数ｆ０となる場合並列共振状態となり、電極１，２間の反応空間３のインピーダンスが無限大となる。
　【００３１】
　　ｆ０＝１／（２π・√（ＬＧＣＦ））…（１１）
つまり、使用する励起高周波の周波数ｆがこの並列共振周波数ｆ０と同じか近い値の場合、電極１，２間でのプラズマ生成は期待できない。
　【００３２】
　そこで、反応空間３のインピーダンスを制御する必要が生じるが、反応空間３の大きさは成膜基板の大きさで決ってしまうためインダクタンスＬＧＬＧの大きさを変化させるのは実際上困難である。
　【００３３】
　以上の理由により、従来のＶＨＦ帯の高周波を利用した電子デバイス製造装置においては、装置寸法、即ち反応空間を大きくする上で制約があった。このため、電子デバイスの量産性を向上することができなかった。
　【００３４】
　本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、プラズマ励起電源用の高周波としてＶＨＦ帯の高周波を使用する場合にも反応空間を大きくすることができ、結果的にａ−Ｓｉ：Ｈ系薄膜を用いた太陽電池や液晶表示素子或いは感光体ドラム等のいわゆるジャイアントマイクロエレクトロニクスと呼ばれるような電子産業分野において、これらの電子デバイスの量産性を格段に向上できる電子デバイス製造装置を提供することを目的とする。
　【００３５】
　本発明の他の目的は、高速成膜・高速エッチング条件下でありながら、プラズマ中のイオン種による膜或いは基板への損傷、いわゆるプラズマダメージを低く抑えることが可能になり、電子デバイスの品質を向上できる電子デバイス製造装置を提供することにある。
　【００３６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の電子デバイス製造装置は、薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、
前記カソード電極は上側カソード電極と下側カソード電極とからなる構成であり、
上側
下側
下側
該上側カソード電極と該下側カソード電極との間に、上側カソード電極からみて
前記インピーダンス調整用容量と前記浮遊容量とを直列接続したときの全体の容量の大きさＣが、下記（１）式の条件を満たすように
　　Ｃ≦１／｛ＬＧ・（２π・ｆ）２｝…（１）
但し、ＬＧ：
上側
上側
π：円周率
ｆ：励起高周波の周波数
設定しており、そのことにより上記目的が達成される。
　【００３７】
　【００３８】
　【００３９】
　【００４０】
　【００４１】
　また、好ましくは、前記インピーダンス調整用容量を、前記下側カソード電極上に設けた誘電体で形成する構成とする。
　【００４２】
　【００４３】
　また、本発明の電子デバイス製造装置は、薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、該カソード電極及び該カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量ＣＦと並列接続になる位置にインピーダンス調整用インダクタンスを挿入し、該インピーダンス調整用インダクタンスの容量成分ＬＣが、下記（２）式の条件を満たすように
　　ＬＣ≧１／｛（２・π・ｆ）２・ＣＦ｝…（２）
設定してなり、そのことにより上記目的が達成される。
　【００４４】
　また、本発明の電子デバイス製造装置は、薄膜半導体等を堆積させるための原料ガスや希釈ガス或いは半導体素子等を加工するためのエッチングガス等の反応ガスを反応室に導入する反応ガス導入手段と、該反応ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、該高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用のカソード電極とを備えた電子デバイス製造装置であって、該カソード電極及び該カソード電極と直流的に同電位にある部位が該反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量ＣＦと並列接続になる位置にインピーダンス調整用インダクタンスを挿入し、該インピーダンス調整用インダクタンスの容量成分ＬＣが、下記（３）式の条件を満たすように
　　ＬＣ＜１／｛（２・π・ｆ）２・ＣＦ｝…（３）
設定してなり、そのことにより上記目的が達成される。
　【００４５】
　好ましくは、前記インピーダンス調整用インダクタンスを、前記カソード電極の励起高周波の周波数において等価的に存在する前記浮遊容量ＣＦに対して、該周波数において等価的に並列とみなせる部位に挿入する構成とする。
　【００４６】
　また、好ましくは、前記インピーダンス調整用インダクタンスとして、前記カソード電極を前記接地電位にある部位に直流的に短絡する手段を用いる構成とする。
　【００４７】
　また、好ましくは、前記カソード電極の外側に電極サイド誘電体を備え、該カソード電極及び該電極サイド誘電体が前記反応室の底壁を形成する構成とする。
　【００４８】
　また、好ましくは、前記カソード電極が円筒状をなし、その内側にアノード電極を有し、かつ該カソード電極の外側に電極サイド誘電体を備え、該カソード電極及び該電極サイド誘電体が前記反応室の壁を形成する構成とする。
　【００４９】
　また、好ましくは、請求項１〜請求項６のいずれかにに記載のインピーダンス調整用容量を備えた請求項７〜請求項１２記載の電子デバイス製造装置の構成とする。
　【００５０】
　また、好ましくは、前記カソード電極の大きさを下記（４）式の条件を満たす
　　Ｄ≧（１／１６）・λ…（４）
但し、Ｄ：カソード電極表面に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定する。
　【００５１】
　また、好ましくは、前記カソード電極の大きさを下記（５）式の条件を満たす
　　Ｄ≧（１／８）・λ…（５）
但し、Ｄ：カソード電極表面に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定する。
　【００５２】
　また、好ましくは、前記反応室の大きさを、下記（６）式の条件を満たすような
　　Ｄ０≦（１／２）・λ…（６）
但し、
Ｄ０：反応室内部の電極面と平行方向に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
大きさに設定する。
　【００５３】
　【００５４】
　また、好ましくは、前記高周波電力発生手段の高周波条件を励起周波数が高周波ＶＨＦ帯の連続放電に設定する構成とする。
　【００５５】
　また、好ましくは、前記高周波電力発生手段の高周波条件を励起周波数が高周波ＶＨＦ帯のパルス放電に設定する構成とする。
　【００５６】
　【００５７】
　【００５８】
　以下に、本発明の作用を後述の実施形態の図面を適宜参照しながら説明する。
　【００５９】
　本発明では、上記のように、カソード電極と直流遮断用容量素子との間或いはカソード電極と高周波電力発生手段との間において、カソード電極及びカソード電極と直流的に同電位にある部位が反応室の室壁或いは接地電位にある部位に対して持つ浮遊容量以下の容量成分を持つインピーダンス調整用容量を、浮遊容量と直列接続となるように挿入している。
　【００６０】
　より具体的には、一例として、図１に示すように、コンデンサからなるインピーダンス調整用容量１０をカソード電極１ａとコンデンサからなる直流遮断用容量素子７との間に挿入する。ここで、インピーダンス調整用容量１０の容量をＣＣとし、直流遮断用容量素子７の容量をＣＢとする。なお、このカソード電極は図１７に示すカソード電極１とは異なり、上側カソード電極１ａと下側カソード電極１ｂを電気的に接続して構成されており、両カソード電極１ａ，１ｂ間に直流遮断用容量素子１０を直列接続して容量ＣＣが形成されている。
　【００６１】
　このため、カソード電極全体の容量の大きさＣは、下記（１２）式で表されるものになる。
　【００６２】
　　Ｃ＝１／｛（１／ＣＦ）＋（１／ＣＣ）｝…（１２）
従って、ＣＣの大きさをＣＦ以下とすると、ＣをＣＦの値から大きく変化させることができるので、本発明によれば、並列共振周波数ｆ０を励起高周波の周波数から遠去けることができる。即ち、このような構成にすれば、励起高周波としてＶＨＦ帯の高周波を使用する場合にも並列共振状態を簡単に回避することができる。
　【００６３】
　なお、一般に高周波の周波数ｆが上昇すると、あらゆる導体が接地部位に対して容量成分を持ち始める。即ち、直流的に或いはＲＦ帯高周波の場合に無視することができた部位でも容量成分が生じ、浮遊容量成分が変化することが考えられる。このため周波数が変化することにより新たに生じた浮遊容量成分を考慮し、並列共振現象をとらえる必要がでてくる。この事実を考慮にいれて、実質的な浮遊容量成分を減少させるようにインピーダンス調整用容量ＣＣを挿入する必要がある。
　【００６４】
　また、インピーダンス調整用容量ＣＣとしては、コンデンサ１０のような回路素子そのものを用いなくても、上記並列共振周波数の制御は可能である。
　【００６５】
　例えば、一例として、図３に示すように、カソード電極１を高周波電力発生源４から誘電体１１等を用いて直流的に絶縁することによっても上記並列共振周波数の制御は可能である。即ち、このような手段によっても、高周波としては容量成分を挿入することと等価であるので、図１の場合と同様に並列共振状態を簡単に回避することができるからである。
　【００６６】
　この手段によれば、カソード電極の周囲にコンデンサの挿入可能な空間が存在しない場合に特に有効である。
　【００６７】
　並列共振現象は、基本的にカソード電極１とその電極面に対向する接地電位にある部位、例えば図１、図３、図６等に示すアノード電極２との間に等価的に存在する誘導成分の大きさＬＧ、即ちインダクタンスＬＧが変化することによって生じ、またこのインダクタンスＬＧは上記のように周波数に対して周期関数的に表現されるため、並列共振現象は多数の周波数の値で生じる。
　【００６８】
　しかし、実際に電力用太陽電池等のプラズマＣＶＤ装置による成膜を考える場合、装置寸法（反応空間）が１ｍ前後であることを勘案すると、ＶＨＦ帯の高周波を用いるときには一番低次の並列共振周波数ｆ０が問題となる。例えば、装置寸法が１．６ｍ角（１．６ｍ×１．６ｍ）の場合、インダクタンスＬＧは約０．０２〜０．０５μＨとなり、ＣＦは数百〜数千ｐＦの値をとり、一番低次の並列共振周波数ｆ０は４０〜１００ＭＨｚとなる。
　【００６９】
　このような場合に、ＲＦ帯からＶＨＦ帯に至るすべての領域の高周波を励起可能にしたいとすると、並列共振周波数ｆ０を励起高周波の周波数帯より高周波側に設定できることが望ましい。
　【００７０】
　そして、この条件を満足するためには、インピーダンス調整用容量ＣＣと浮遊容量ＣＦとを直列接続したときの全体の容量Ｃの大きさを、上記（１２）式からわかるように、下記（１）式の条件を満たすように設定する必要がある。
　【００７１】
　　Ｃ≦１／｛ＬＧ・（２π・ｆ）２｝…（１）
また、並列共振周波数ｆ０を制御することは、浮遊容量ＣＦに対してコイル１２からなるインダクタンス成分ＬＣを並列に挿入することによっても可能である。この場合、並列接続部は等価的に大きさＣＦ−１／｛（２π・ｆ）２・ＬＣ｝の容量として働くため、並列共振周波数ｆ０を上昇させることができる。ここで、インダクタンス成分ＬＣ、即ちインピーダンス調整用インダクタンスＬＣの値としては、ＣＦ−１／｛（２π・ｆ）２｝｝・ＬＣ｝｝＝０、つまり等価的容量の大きさが最小となる値１／｛（２π・ｆ）２・ＣＦ｝以上の大きさを持つ必要がある。即ち、上記（２）式の条件を満たす必要がある。
　【００７２】
　また、上記のように、一般に高周波の周波数ｆが上昇すると、あらゆる導体が接地部位に対して容量成分を持ち始める。周波数ｆが変化することにより新たに生じた浮遊容量成分ＣＦを考慮し並列共振現象をとらえ、実質的に浮遊容量成分ＣＦを減少させるようにインピーダンス調整用インダクタンスＬＣを設定する必要がある。
　【００７３】
　また、図６では、インピーダンス調整用インダクタンス１２（ＬＣ）として、コイルを用いているが、コイル以外によっても並列共振周波数の制御は可能である。例えば、カソード電極１を直流的に接地部位に銅板等で短絡することによっても達成できる。即ち、この場合も高周波としてはインピーダンス調整用インダクタンス１２を挿入することと等価であるからである。
　【００７４】
　この手段によれば、カソード電極１の周囲にコイルの挿入可能な空間が存在しない場合に特に有効である。
　【００７５】
　また、このような並列共振現象を全く無くしてしまうのも上記課題を解決する方法の１つであり、その場合も浮遊容量ＣＦに対してコイル１２からなるインダクタンス成分ＬＣを並列に挿入することによって可能である。この場合、並列接続部は等価的に大きさ（２π・ｆ）・ＬＣ／｛１−（２π・ｆ）２｝２・ＬＣ・ＣＦ｝のインダクタンスとして働く。つまり、並列共振現象を起こしていた容量成分を取り除き、カソード電極１周辺が等価的にインダクタンス成分のみとすることができる。このとき、インピーダンス調整用インダクタンスの容量成分ＬＣの大きさとしては、等価的インダクタンスの値が正となる領域、つまり１／｛（２・π・ｆ）２｝・ＣＦ｝未満の大きさを持つ必要がある。即ち、インピーダンス調整用インダクタンスの容量成分ＬＣが下記（３）式の条件を満たせばよい。
　【００７６】
　　ＬＣ＜１／｛（２・π・ｆ）２・ＣＦ｝…（３）
また、図１９に示したように、従来型のプラズマＣＶＤ装置を用いた場合に、異常箇所放電が発生するのは、電極寸法Ｄが励起高周波の波長λの１／１６より大きな場合である。
　【００７７】
　そこで、本発明では、カソード電極の大きさＤが上記（４）式の条件を満足するように設定しており、これにより異常箇所放電の抑制が可能となる。このため、この構成によれば、ＶＨＦ帯の高周波を使った大面積放電・大面積膜を実現することができる。
　【００７８】
　また、図１９に示したように、従来型のプラズマＣＶＤ装置を用いた場合に、正常な電極間放電が起こらずに異常箇所放電のみが生じるのは、電極寸法Ｄが励起高周波の波長λの１／８より大きな場合である。
　【００７９】
　そこで、本発明では、カソード電極の大きさＤが上記（５）式の条件を満足するように設定しており、これにより異常箇所放電の抑制が可能となる。このため、この構成によっても、ＶＨＦ帯の高周波を使った大面積放電・大面積膜を実現することができる。
　【００８０】
　また、インピーダンス調整用の容量成分ＣＣの値を上記（１）式の条件を満たしながら減少させて行くと、並列共振周波数ｆ０は最大、下記（１３）式で示される値まで上昇させることができる。
　【００８１】
　　ｆ０＝ｃ／λ＝ｃ／２Ｄ０…（１３）
但し、
Ｄ０：反応室内部に電極面と平行方向に確保できる最大の寸法
λ：カソード電極から励起される高周波の波長
ｃ：光速
この場合、浮遊容量ＣＦは等価的に上記（８）式で表され、容量成分ＣＣが小さくなるに連れ、（１２）式中の容量Ｃは０に近付き、浮遊容量ＣＦの影響はなくなる。
　【００８２】
　また、上記（１３）式が満たされるとき、Ｄ０は下記（１４）式で表される。
　【００８３】
　　Ｄ０＝（１／２）・λ…（１４）
ここで、（１４）式は、反応室内に定存波が１つ立つ条件であるので、上記（９）式中のＳ２をＤ０に置き換えてみればわかるように、電極間空間及び反応室の導波間構造のみに起因してインピーダンスが極大、つまり並列共振と物理的に等価な現象となる。即ち、Ｄ０を上記（６）式を満たすように設定すれば、並列共振現象を所望の周波数で抑制できる。
　【００８４】
　そこで、本発明では、反応室内部に電極面と平行方向に確保できる最大の寸法Ｄ０が、上記（６）式の条件を満足するような構成としている。
　【００８５】
　これは、インピーダンス調整用の容量成分ＣＣの代わりに、上記（２）式を満たすＬＣをインピーダンス調整用素子として用いる場合も同様である。
　【００８６】
　Ｄ０を自由に変えることができない場合は、上記（３）式を満たすＬＣを用いると有効になる。即ち、この場合は、浮遊容量ＣＦは実質的に存在せず、ＬＣがＬＧＬＧと並列に存在することになる。つまり、ＬＣはＬＧの値を下記（１５）式に示すように減少させることになり、
　　Ｌ＝１／（１／ＬＧ＋１／ＬＣ）…（１５）
結局、上記（１３）式中のＤ０を等価的に減少させることになる。
　【００８７】
　このため、上記（３）式を満たすＬＣを用いると、Ｄ０の大きさの制限となっている上記（６）式に関係なく並列共振現象やインピーダンスの極大化現象を回避することが可能となり、ＣＣ又は上記（２）式を満たすＬＣを用いた場合には対処できない、下記（７）式
　　Ｄ０≧（１／２）・λ…（７）
の領域での電極間放電が可能となる。
　【００８８】
　そこで、本発明では、反応室内部に電極面と平行方向に確保できる最大の寸法Ｄ０が上記（７）式の条件を満足する構成とした。
　【００８９】
　また、容量成分ＣＣと上記（３）式を満たすＬＣの組み合わせを採用した場合は、ＣＣの大きさに依存するものの、（１３）式中のｆ０以上に並列共振周波数を上昇させることが可能になる。このため、（７）式の領域で並列共振現象やインピーダンスの極大化現象を回避することが可能になる。
　【００９０】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明電子デバイス製造装置の実施形態を図面に基づき具体的に説明する。
　【００９１】
　（実施形態１）
　図１は本発明電子デバイス製造装置の実施形態１を示す。この電子デバイス製造装置は、プラズマＣＶＤ装置として使用されるものであり、断面長方形状をなす反応室６内に上側よりアノード電極２、上側カソード電極１ａ及び下側カソード電極１ｂを配設してある。反応室６の底壁６０の図上右側部は接地されている。また、アノード電極２は反応室６の上壁６１に電気的に接続されており、その電位はグランドレベルである。
　【００９２】
　底壁６０の左右方向中央部は電気的に開口されており、この開口部の下方に高周波電力発生源４が配設されている。高周波電力発生源４と下側カソード電極１ｂとの間にはコンデンサからなる直流遮断用容量素子７（ＣＢ）が直列接続されている。また、反応室６の側壁６２の上部寄りの部分にはガス噴出口５が開口されており、このガス噴出口５を介して反応室６内に材料ガスが導入されるようになっている。
　【００９３】
　加えて、この電子デバイス製造装置では、上側カソード電極１ａと下側カソード電極１ｂとの間にコンデンサからなるインピーダンス調整用容量１０（ＣＣ）が直列接続されている。また、アノード電極２と上側カソード電極１ａとの間の空間が反応空間３になっており、ここに薄膜堆積用の基板が挿入される。
　【００９４】
　ここで、反応空間３、即ち装置寸法は、電極面と平行方向断面としては１．６ｍ×１．６ｍになっている。カソード電極１ａ及びアノード電極２の寸法は７００ｍｍ角である。また、下側カソード電極１ｂと反応室６の底壁６０間に形成される浮遊容量ＣＦの値は８００ｐＦである。
　【００９５】
　また、材料ガスとしてはシランと水素の混合ガスを用いる。高周波電力発生源４としては、高周波電源と整合回路を取り付けており、上記直流遮断用容量素子７（ＣＢ）を構成するコンデンサとしては、整合回路内の直列可変コンデンサ（２０〜１０００ｐＦ）を使用している。
　【００９６】
　次に、本実施形態１のプラズマＣＶＤ装置の効果を図１７に示す従来装置と比較して説明する。図２０は図１７に示す従来装置におけるカソード電極１〜アノード電極２間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示す。同図からわかるように、この従来装置では、周波数ｆが約４５ＭＨｚのところで並列共振現象が観測されている。このため、実際に周波数可変の高周波電力発生源４から高周波電力を装置内に導入すると、両電極１，２間で正常にプラズマ生成が起こったのは周波数として１０〜３５ＭＨｚの範囲であった。このとき、反応空間３の等価的インピーダンス成分ＬＧは上記（９）式より、ＬＧ＝０．０２５μＨであることがわかる。
　【００９７】
　一方、本実施形態１のプラズマＣＶＤ装置において、インピーダンス調整用容量１０（ＣＣ＝１００ｐＦであり、この値は上記（１）式の条件を満足するものである。）をカソード電極１ａ下に挿入すると、インピーダンスの大きさ｜Ｚ｜は図２に示すようにように変化した。このとき、並列共振周波数ｆ０は７２ＭＨｚにまで上昇していることがわかる。
　【００９８】
　なお、インピーダンス調整用容量１０の容量ＣＣの値を適宜に設定すれば、一番低次の並列共振周波数ｆ０を４０〜１００ＭＨｚの範囲外に容易に設定することが可能になる。
　【００９９】
　また、同図からわかるように、ＲＦ帯（１０ＭＨｚ近辺）のインピーダンスの変化はほとんどない。従って、ＲＦ帯高周波に対してインピーダンス調整用容量１０（ＣＣ）挿入の影響はほとんど無いことがわかる。このように実際に電極１ａ，２間のインピーダンスを制御することにより、電極１ａ，２間でのプラズマ生成は周波数１０〜６２ＭＨｚで可能となった。
　【０１００】
　このように本実施形態１のプラズマＣＶＤ装置によれば、並列共振周波数ｆ０を励起高周波の周波数帯より高周波側に容易に設定できるので、ＲＦ帯からＶＨＦ帯に至るすべての領域の高周波を励起可能にすることができる。
　【０１０１】
　このため、本実施形態１のプラズマＣＶＤ装置によれば、ＲＦ帯からＶＨＦ帯にわたる広い周波数範囲で電極寸法１ｍ角前後の平行平板型大型製造装置でのプラズマ生成が可能になるので、電力用太陽電池、液晶ディスプレイ素子等の分野での励起高周波電磁界の高周波化、成膜基板の大面積化を図ることができる。
　【０１０２】
　なお、上記の実施形態１では、直流遮断用容量素子７（ＣＢ）を備えたプラズマＣＶＤ装置に本発明を適用しているが、このような直流遮断用容量素子７（ＣＢ）を備えていないプラズマＣＶＤ装置についても同様に本発明を適用できる。この場合は、カソード電極１ａと高周波電力発生源４との間にインピーダンス調整用容量１０（ＣＣ）を挿入すればよい。
　【０１０３】
　また、上記の説明では本発明電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合について説明したが、プラズマ粒子及びプラズマ励起による活性種が膜をエッチングするプラズマドライエッチング（アッシヤ）装置についても適用でき、上記同様の効果を奏することができる。
　【０１０４】
　（実施形態２）
　図３及び図４は本発明電子デバイス製造装置の実施形態２を示す。本実施形態２の電子デバイス製造装置もプラズマＣＶＤ装置に適用したものであり、上記実施形態１とは、インピーダンス調整用容量ＣＣとなる手段のみが異なっている。即ち、実施形態１では、コンデンサを挿入してインピーダンス調整用容量ＣＣを形成しているが、本実施形態２では、図３に示すように、上下のカソード電極１ａ，１ｂ間に厚さ５０ｍｍ，比誘電率３．０の誘電体１１を挿入してインピーダンス調整用容量１１（ＣＣ）を形成している。なお、実施形態１の装置と共通する部分については同一の符号を付し、具体的な説明については省略する。
　【０１０５】
　図４は本実施形態２のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極１ａ〜アノード電極２間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示す。図４からわかるように、並列共振周波数ｆ０は６６ＭＨｚにまで上昇しており、電極１ａ，２間でのプラズマ生成は周波数１０〜５５ＭＨｚで可能であった。
　【０１０６】
　よって、本実施形態２のプラズマＣＶＤ装置においても上記実施形態１同様の効果を奏することができる。加えて、本実施形態２によれば、カソード電極１ａの周囲にコンデンサを挿入する空間がない装置についても適用できる利点がある。
　【０１０７】
　（実施形態３）
　図５は本発明電子デバイス製造装置の実施形態３を示す。本実施形態３の電子デバイス製造装置もプラズマＣＶＤ装置に適用したものであり、上記実施形態１及び２とは、以下の点のみが異なっている。即ち、図５に示すように、本実施形態３では、カソード電極１上に誘電体１１を設置し、これによりインピーダンス調整用容量１１（ＣＣ）を形成し、実施形態２の上側カソード電極１ａに対応する電極を取り除いた構成を採用している。なお、実施形態１及び２と対応する部分には同一の符号を付してある。
　【０１０８】
　ここで、誘電体１１は、厚さ３５ｍｍ、材質テフロン（比誘電率２．０）からなり、インピーダンス調整用容量ＣＣ＝２５０ｐＦである。
　【０１０９】
　上記構成によれば、反応空間３に生成されたプラズマ中の電子は誘電体１１の表面に取り込まれ、誘電体１１の表面が電荷を帯びる。このため、誘電体１１の反応空間３に面する表面が実施形態２の上側カソード電極１ａと同様の働きをする。
　【０１１０】
　また、材料ガスとしてシラン等を用いてａ−Ｓｉ：Ｈ薄膜等を堆積させる場合、誘電体１１の表面にも膜堆積が起こり、かつその膜がある程度の導電率を持つため、その膜も実施形態２の上側カソード電極１ａと同様の働きをする。
　【０１１１】
　また、インピーダンス調整用容量ＣＣを構成する誘電体１１の材質としては、石英ガラス（比誘電率４．０、厚さ７０ｍｍ）或いはセラミック（アルミナ、比誘電率１０．０、厚さ１７５ｍｍ）を用いることも可能である。この場合でもほぼ同様の効果が得られることが確認できた。
　【０１１２】
　本実施形態３のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極１〜アノード電極２間のインピーダンスの大きさ｜ｚ｜の周波数依存性は、実施形態２の図４とほぼ同様の特性を示した。これは、誘電体（インピーダンス調整用容量ＣＣ）１１の容量として、実施形態２とほぼ同じものを用いたからである。
　【０１１３】
　但し、アノード電極２の表面に設置したガラス基板上に堆積した薄膜の膜厚分布を調べると、実施形態２によるものが±４％であったのに対し、本実施形態３によるものは±８％に止どまっていた。これは誘電体１１の表面部の導電率が低いことが原因である。
　【０１１４】
　このため、実施形態３のプラズマＣＶＤ装置は、実施形態２のプラズマＣＶＤ装置に比べて装置構造が簡単になるという利点を有するものの、成膜薄膜の面内の膜厚分布が存在するという欠点を有するので、特に小面積基板をアノード電極２の表面に多数配置して成膜する場合に有効なものとなる。
　【０１１５】
　（実施形態４）
　図６及び図７は本発明電子デバイス製造装置の実施形態４を示す。本実施形態４の電子デバイス製造装置もプラズマＣＶＤ装置に適用したものであり、上記実施形態１〜３とは、以下の点のみが異なっている。即ち、図６に示すように、本実施形態３では、カソード電極１の下面にコイルからなるインピーダンス調整用インダクタンス１２（ＬＣ）をカソード電極１の浮遊容量ＣＦと並列に挿入した構成をとっている。
　【０１１６】
　このときの、インピーダンス調整用インダクタンスＬＣの値は、ＬＣ＝０．００７μＨに設定しており、この値は上記（２）式の条件を満足するものである。なお、実施形態１，２の装置と共通する部分については同一の符号を付し、具体的な説明については省略する。
　【０１１７】
　図７は本実施形態４のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極１〜アノード電極２間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示す。図７からわかるように、並列共振周波数ｆ０は７２ＭＨｚにまで上昇しており、電極１，２間でのプラズマ生成は周波数１０〜６６ＭＨｚで可能であった。
　【０１１８】
　よって、本実施形態４のプラズマＣＶＤ装置においても上記実施形態１同様の効果を奏することができる。
　【０１１９】
　なお、本実施形態４では、コイルによってインピーダンス調整用インダクタンス１２（ＬＣ）を形成しているが、コイル以外によっても並列共振周波数の制御は可能である。例えば、カソード電極１を直流的に接地部位に銅板等で短絡することによっても達成できる。即ち、この場合も高周波としてはインピーダンス調整用インダクタンス１２（ＬＣ）を挿入することと等価であるからである。
　【０１２０】
　この実施形態によれば、カソード電極１の周囲にコイルの挿入可能な空間が存在しない場合に特に有効である。
　【０１２１】
　（実施形態５）
　図８及び図９は本発明電子デバイス製造装置の実施形態５を示す。本実施形態５の電子デバイス製造装置もプラズマＣＶＤ装置に適用したものであり、上記実施形態１〜４とは、以下の点のみが異なっている。即ち、図８に示すように、本実施形態５では、カソード電極１ａ、１ｂの間に誘電体１１を挿入してインピーダンス調整用容量１１（ＣＣ）を形成し、かつカソード電極１ｂの下面にコイル１２からなるインピーダンス調整用インダクタンス１２をカソード電極１ｂの浮遊容量ＣＦと並列に挿入した構造をとっている。即ち、実施形態２と実施形態４の構造を組み合わせたものとなっている。なお、これらの実施形態と対応する部分には同一の符号を付してある。
　【０１２２】
　上記構成において、誘電体１１は厚さ２ｍｍ、材質テフロン（比誘電率２．０）からなり、またコイル１２は複数のコイル型銅板により形成されている。
　【０１２３】
　ここで、インピーダンス調整用容量ＣＣとインピーダンス調整用インダクタンスＬＣは、それぞれＣＣ＝４２００ｐＦ、ＬＣ＝０．００３μＨとなっており、ＬＣの値は使用周波数に応じて上記（２）式或いは（３）式を満足するものである。
　【０１２４】
　また、インピーダンス調整用容量ＣＣを構成する誘電体１１の材質としては、石英ガラス（比誘電率４．０、厚さ４ｍｍ）或いはセラミック（アルミナ、比誘電率１０．０、厚さ１０ｍｍ）を用いることも可能であり、この場合もほぼ同様の効果が得られることが確認できた。
　【０１２５】
　図９は本実施形態５のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極１〜アノード電極２間のインピーダンスの大きさ｜ｚ｜の周波数依存性を示す。図９からわかるように、並列共振周波数ｆ０は１００ＭＨｚ以上にまで上昇しており、カソード電極１、アノード２間でのプラズマ生成は周波数１０〜９４ＭＨｚで可能である。つまり、従来型の同じ大きさのプラズマＣＶＤ装置では正常な電極間放電を得ることができなかった上記（５）式の領域（周波数＞５４ＭＨｚ）において、電極間放電を実現できることを確認できた。その理由は、上記作用のところで述べた通りである。
　【０１２６】
　本実施形態５のプラズマＣＶＤ装置を用いて、周波数を８１．３６ＭＨｚに固定し、アノード電極２の表面に１ｍｍ厚で５０ｃｍ×５０ｃｍの大きさのガラス基板を設置し、実際にａ−Ｓｉ：Ｈ薄膜を堆積させた。このとき用いた反応ガスはシラン及び水素であり、それぞれ３００ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍの流量でガス噴出口５より導入し、反応空間３の圧力は０．３Ｔｏｒｒとした。
　【０１２７】
　本実施形態５によれば、カソード電極１、アノード電極２間でのプラズマ生成が可能となったため、これまで小型装置で観測されてきた周波数の上昇による成膜速度の上昇の効果を大型装置においても生かすことができた。得られた薄膜パラメータを下記の表１に示す。
　【０１２８】
　【表１】
　【０１２９】
　ここで、ａ−Ｓｉ：Ｈ薄膜太陽電池の品質としては、膜内欠陥密度が低く膜内Ｓｉ−Ｈ２結合量が少ない方が高品質と言える。
　【０１３０】
　本実施形態５のプラズマＣＶＤ装置では、高周波電力発生源４の高周波条件として、一例として、表１に示すように、周波数８１ＭＨｚの連続放電と、周波数８１ＭＨｚのパルス放電を設定した。なお、表１中に対比して示す従来装置では、周波数１３．５６ＭＨｚの連続放電である。
　【０１３１】
　さて、高周波電力３００Ｗの連続放電による場合、本実施形態５では、成膜速度＝９０ｎｍ／ｍｉｎ、膜内欠陥密度は５×１０１４ｃｍ−３となり、従来装置の場合と比較すると、成膜速度は約１５倍、膜内欠陥密度は約１桁減少している。
　【０１３２】
　また、高周波の時間平均電力３００Ｗ、パルスオン時間５μｓｅｃオフ時間５０μｓｅｃのパルス放電による場合は、成膜速度は６５ｎｍ／ｍｉｎ、膜内欠陥密度は４×１０１４ｃｍ−３、また膜内Ｓｉ−Ｈ２結合量は１％となり、従来装置の場合と比較すると成膜速度は約１１倍、膜内Ｓｉ−Ｈ２結合量は約１／３倍に減少している。従って、本実施形態５のプラズマＣＶＤ装置を用いれば、大面積基板上へ速い成膜速度により高品質な薄膜を作製することができる。
　【０１３３】
　なお、上記説明では本実施形態５の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用しているが、反応ガスとしてＣＣｌ４等のエッチングガスを導入することにより、同様の装置により大面積対応のＶＨＦ放電を用いたプラズマドライエッチング（アッシャ）装置を構成することも可能である。
　（実施形態６）
　図１０及び図１１は本発明電子デバイス製造装置の実施形態６を示す。本実施形態６の電子デバイス製造装置もプラズマＣＶＤ装置に適用したものであり、上記実施形態１〜５とは、以下の点のみが異なっている。上記各実施形態では、カソード電極１全体が反応室６の中に含まれる構造、即ちインターナル型装置であったが、本実施形態６は、図１０に示すように、カソード電極１及び電極サイド誘電体１３が反応室６の底壁を構成している構造、即ちエクスターナル型装置になっている。なお、上記各実施形態と対応する部分には同一の符号を付してある。
　【０１３４】
　このエクスターナル型構造の場合、カソード電極１の下の空間１４は反応ガスが流れないので気密構造を取る必要がない。このため、この構造によれば、開放が容易であるため、カソード電極１の下面にコイル１２からなるインピーダンス調整用インダクタンス１２を簡単に取り付けることができる。また、使用したい周波数に応じたＬＣとするための調整作業もその都度容易に行える利点がある。
　【０１３５】
　以下には、一例として、コイル１２を複数のコイル型銅板により形成し、インピーダンス調整用インダクタンスＬＣは、ＬＣ＝０．００７μＨとなる場合を示す。図１１中の点線は、インピーダンス調整用インダクタンス１２を取り付けない場合の、プラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極１〜アノード電極２間のインピーダンスの大きさ｜ｚ｜の周波数依存性を示す。また、図１１中の実線は、本実施形態６、つまりインピーダンス調整用インダクタンス１２を取り付けた場合の、｜ｚ｜の周波数依存性を示す。
　【０１３６】
　図１１からわかるように、もともと並列共振周波数ｆ０は５２ＭＨｚであったものが、インピーダンス調整用インダクタンス１２を取り付けることによって８０ＭＨｚにまで上昇しており、電極１、２間でのプラズマ生成は周波数１０〜７６ＭＨｚで可能であることがわかる。
　【０１３７】
　（実施形態７）
　図１２及び図１３は本発明電子デバイス製造装置の実施形態７を示す。本実施形態７の電子デバイス製造装置もプラズマＣＶＤ装置に適用したものであり、上記実施形態１〜６とは、以下の点が異なっている。即ち、実施形態１〜６のプラズマＣＶＤ装置は、平行平板型の電極構造を取っているが、本実施形態７のプラズマＣＶＤ装置は、図１２に示すように、カソード電極１が外側、アノード電極２が内側となる円筒型の電極構造になっている。なお、上記実施形態と対応する部分には同一の符号を付してある。
　【０１３８】
　この型の装置も実施形態１〜６と同様、容量結合型プラズマＣＶＤ装置であり、ここにＶＨＦ高周波を励起する場合、同様に放電が不安定となる問題が発生する。この装置の場合、カソード電極１及び電極サイド誘電体１３が反応室の壁を兼用するエクスターナル型装置であるため、実施形態６同様にインピーダンス調整用インダクタンスＬＣ（コイル１２）の設置及び調整作業が容易に行える利点がある。
　【０１３９】
　ここで、コイル１２は複数のコイル型銅板により形成され、インピーダンス調整用インダクタンスＬＣは、ＬＣ＝０．００７μＨである。寸法としては、カソード電極１の内径が２０ｃｍ、アノード電極２の半径が１０ｃｍで高さ８０ｃｍとなっている。
　【０１４０】
　図１３中の点線は、インピーダンス調整用インダクタンス１２を取り付けない、つまり従来装置の場合の、プラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極１〜アノード電極２間のインピーダンスの大きさ｜ｚ｜の周波数依存性を示す。また、図１３中の実線は、本実施形態７、つまりインピーダンス調整用インダクタンス１２を取り付けた場合の、｜ｚ｜の周波数依存性を示す。
　【０１４１】
　図１３からわかるように、もともと並列共振周波数ｆ０は３２ＭＨｚであったものが、インピーダンス調整用インダクタンス１２を取り付けることによって８６ＭＨｚにまで上昇しており、カソード電極１、アノード電極２間でのプラズマ生成は周波数１０〜７８ＭＨｚで可能となる。
　【０１４２】
　（実施形態８）
　図１４は本発明電子デバイス製造装置の実施形態８を示す。本実施形態８は、上記実施形態１同様にインピーダンス調整容量ＣＣの値を変化させることにより、ＲＦ帯からＶＨＦ帯に至るすべての領域の高周波を励起可能にしたものである。他の条件は実施形態１と同様である。なお、装置寸法Ｄ０は１．６ｍである。
　【０１４３】
　図１４からわかるように、インピーダンス調整容量ＣＣの大きさを小さくして行くことにより、並列共振周波数ｆ０は上記（１３）式までの大きさで制御することが可能である。
　【０１４４】
　逆に、装置寸法（反応室の大きさ＝反応室内部の電極面と平行方向に確保できる最大の寸法）Ｄ０を変化させることで、並列共振周波数ｆ０の制御限界を変化させることができる。例えば、装置寸法Ｄ０を電極の寸法と同じ７００ｍｍの装置寸法に小さくすると、並列共振周波数ｆ０を２１０ＭＨｚにまで大きくすることが可能であり、この場合は２００ＭＨｚまでで電極間放電が可能になった。
　【０１４５】
　（実施形態９）
　図１５は本発明電子デバイス製造装置の実施形態９を示す。本実施形態９は、上記実施形態４同様にインピーダンス調整用インダクタンスＬＣの値を上記（２）式を満たしながら変化させることにより、ＲＦ帯からＶＨＦ帯に至るすべての領域の高周波を励起可能にしたものである。他の条件は実施形態４と同様であり、装置寸法Ｄ０は１．６ｍである。
　【０１４６】
　図１５からわかるように、インピーダンス調整用インダクタンスＬＣの大きさを小さくして行くことによって、並列共振周波数ｆ０は（１２）式までの大きさで制御可能である。
　【０１４７】
　逆に、装置寸法Ｄ０を変化させることで並列共振周波数ｆ０の制御限界を変化させることができる。例えば、装置寸法Ｄ０を電極の寸法と同じ７００ｍｍに小さくすると、並列共振周波数ｆ０を２１０ＭＨｚにまで大きくすることが可能であり、この場合は２００ＭＨｚまでで電極間放電が可能になった。
　【０１４８】
　（実施形態１０）
　図１６は、本発明電子デバイス製造装置の実施形態１０を示す。本実施形態１０では、実施形態４同様に、インピーダンス調整用インダクタンスＬＣの値を上記（３）式を満たしながら変化させることにより、ＲＦ帯からＶＨＦ帯に至るすべての領域の高周波を励起可能にしたものである。
　【０１４９】
　図１６からわかるように、インピーダンス調整用インダクタンスＬＣを大きくして行くことによって、並列共振周波数ｆ０は（１３）式の制限を超えて制御可能である。
　【０１５０】
　理論的には、並列共振周波数ｆ０或いはインピーダンスの極大化現象を無限大まで上昇させることは可能である。実際、この実施形態１０において、周波数１３５．６ＭＨｚでの電極間放電が可能であった。この手法は、装置寸法Ｄ０を変化できない場合や、逆に、既存の装置寸法Ｄ０が決まっている装置に対しても適用可能であり、様々な装置において有効な手段である。
　【０１５１】
　（本発明電子デバイスの製造方法）
　上記実施形態１〜１０に示すプラズマＣＶＤ装置を用いれば、表１に示されるような優れた品質の電子デバイスを製造することができる。即ち、原料ガスをプラズマ励起・分解し、反応室内に導入されている基板上に気相から薄膜を堆積すれば、そのような成長膜を有する電子デバイスを作製することができる。
　【０１５２】
　また、実施形態１〜１０に示す電子デバイス製造装置で、プラズマ粒子及びプラズマ励起による活性種が膜をエッチングすることを利用して、膜をエッチング加工すれば、優れた品質の大面積の膜を有する電子デバイスを効率よく作製することができる。
　【０１５３】
　【発明の効果】
　以上の本発明電子デバイス製造装置を高周波プラズマＣＶＤ装置に適用する場合は、並列共振周波数を励起高周波の周波数から遠去けることができるので、ＲＦ帯からＶＨＦ帯にわたる広い周波数範囲で電極寸法１ｍ角前後の平行平板型大型製造装置でのプラズマ生成が可能になる。従って、電力用太陽電池、液晶ディスプレイ素子等のジャイアントマイクロエレクトロニクスの分野での励起高周波電磁界の高周波化、成膜基板の大面積化を可能とし、工業的にその品質向上に寄与するところが大きい。また、その製造効率を飛躍的に向上できる。
　【０１５４】
　特に、従来型の高周波プラズマＣＶＤ装置では対応できなかった大面積電極・ＶＨＦ帯周波数領域において、誘電体設置とコイル設置という簡便な手段により、正常放電を実現する上で非常に大きな効果が現れる。そして、インターナル型・エクスターナル型・ドラム型等様々な電極形状においてその効果が発揮され、ジャイアントマイクロエレクトロニクス分野を始め、電子写真用感光体デバイス分野においても有用である。
　【０１５５】
　同様に、プラズマ粒子及びプラズマ励起による活性種が膜をエッチングするプラズマドライエッチング装置に適用する場合も、液晶ディスプレイ素子等の分野で大型装置へのＶＨＦ帯高周波の適用が可能になるので、工業的にその品質向上が図れ、製造効率を向上できる。
　【０１５６】
　また、本発明の電子デバイス製造方法によれば、上記のような特性を有する電子デバイスを効率よく作製できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態１を示す概略断面図。
　【図２】
　実施形態１のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極〜アノード電極間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示すグラフ。
　【図３】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態２を示す概略断面図。
　【図４】
　実施形態２のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極〜アノード電極間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示すグラフ。
　【図５】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態３を示す概略断面図。
　【図６】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態４を示す概略断面図。
　【図７】
　実施形態４のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極〜アノード電極間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示すグラフ。
　【図８】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態５を示す概略断面図。
　【図９】
　実施形態５のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極〜アノード電極間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示すグラフ。
　【図１０】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態６を示す概略断面図。
　【図１１】
　実施形態６のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極〜アノード電極間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示すグラフ。
　【図１２】
　（ａ）は本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態６を示す概略断面図、（ｂ）はその電極構造を示す模式的平面図。
　【図１３】
　実施形態７のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極〜アノード電極間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示すグラフ。
　【図１４】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態８を示す、並列共振周波数ｆ０とインピーダンス調整用容量ＣＣとの関係を示すグラフ。
　【図１５】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態９を示す、並列共振周波数ｆ０とインピーダンス調整用インダクタンスＬＣとの関係を示すグラフ。
　【図１６】
　本発明の電子デバイス製造装置をプラズマＣＶＤ装置に適用する場合の実施形態１０を示す、並列共振周波数ｆ０とインピーダンス調整用インダクタンスＬＣとの関係を示すグラフ。
　【図１７】
　従来のプラズマＣＶＤ装置を示す概略断面図。
　【図１８】
　異常放電現象を説明するためのプラズマＣＶＤ装置の概略断面図。
　【図１９】
　カソード電極の一辺の長さと励起高周波の周波数との関係を示すグラフ。
　【図２０】
　図１７に示す従来のプラズマＣＶＤ装置におけるカソード電極〜アノード電極間のインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜の周波数依存性を示すグラフ。
　【符号の説明】
　１，１ａ　カソード電極
　２　アノード電極
　３　反応空間
　４　高周波電力発生源
　５　ガス噴出口
　６　反応室
　７　直流遮断用容量素子
　１０　コンデンサからなるインピーダンス調整用容量
　１１　誘電体からなるインピーダンス調整用容量
　１２　コイルからなるインピーダンス調整用インダクタンス
　１３　電極サイド誘電体