【事件の表示】
　特願２００９−１２２４１５「単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月２日出願公開、特開２０１０−２６９９６２、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年５月２０日の出願であって、平成２４年７月２０日付けの拒絶理由が通知され、同年９月２１日に意見書が提出されたが、平成２５年２月１９日付けで拒絶査定がされたので、同年５月２０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、同年９月２７日付けで審尋がされ、同年１１月２０日に回答書が提出されたもので、その後、平成２６年１月１６日付けで当審における拒絶理由が通知され、同年１月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
 　 
第２　本願発明について
　本願発明は、平成２６年１月２４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、請求項１〜９に記載された特許を受けようとする発明を、項番に従い、「本願発明１」、「本願発明２」などといい、これらをまとめて「本願発明」という。またその明細書を「本願明細書」という。）。
「　【請求項１】
　単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板であって、少なくとも、材質が単結晶ダイヤモンドである基材と、該基材の前記単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させた、剥離層として機能するイリジウム膜又はロジウム膜とからなり、前記基材の前記単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）が５０μｍ以上７０μｍ以下で面取りされたものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド層成長用基板。
　　【請求項２】
　前記基材が、円形であることを特徴とする請求項１に記載の単結晶ダイヤモンド層成長用基板。
　　【請求項３】
　前記材質が単結晶ダイヤモンドである基材は、高温高圧合成単結晶ダイヤモンド又は気相合成単結晶ダイヤモンドであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の単結晶ダイヤモンド層成長用基板。
　　【請求項４】
　前記基材の厚さが、０．０３ｍｍ以上１５．００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド層成長用基板。
　　【請求項５】
　前記ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜が、前記基材上にスパッター法でヘテロエピタキシャル成長されたものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド層成長用基板。
　　【請求項６】
　前記ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜の厚さが、５Å〜１００μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド層成長用基板。
　　【請求項７】
　単結晶ダイヤモンド基板の製造方法であって、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド層成長用基板上に単結晶ダイヤモンド層を成長させて、該成長させた単結晶ダイヤモンド層をイリジウム膜又はロジウム膜の部分で剥離させることにより単結晶ダイヤモンド基板とすることを特徴とする単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
　　【請求項８】
　単結晶ダイヤモンド層を成長させてから剥離することにより単結晶ダイヤモンド基板を製造する方法であって、材質が単結晶ダイヤモンドであり、前記単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）が５０μｍ以上７０μｍ以下で面取りされた基材上にイリジウム膜又はロジウム膜をヘテロエピタキシャル成長させて、該ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜上に前記単結晶ダイヤモンド層を成長させて、その後該成長させた単結晶ダイヤモンド層を前記イリジウム膜又はロジウム膜の部分で剥離させることにより単結晶ダイヤモンド基板とすることを特徴とする単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
　　【請求項９】
　前記ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜の表面に、バイアス処理を行ってダイヤモンド成長核を形成し、前記バイアス処理を行った表面に、マイクロ波ＣＶＤ法又は直流プラズマＣＶＤ法により単結晶ダイヤモンド層を成長させることを特徴とする請求項８に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。」
　　　　　　　
第３　拒絶理由の概要
１　原査定の拒絶理由
  この出願の請求項１〜９に係る発明は、その出願前に日本国内において、頒布された下記の刊行物１〜５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　具体的には、請求項１〜６に係る発明は、刊行物１を主引用例として、これに刊行物２〜４に記載された事項を組み合わせることにより当業者が容易に想到したものであり（以下、「第１の拒絶理由」という。）、請求項１〜９に係る発明は、刊行物４を主引用例として、これに刊行物１〜３、５に記載された事項を組み合わせることにより当業者が容易に想到したもの（以下、「第２の拒絶理由」という。）である。
刊行物
　１　特開２００２−２３１９９６号公報
　２　特開２００８−１０９１２５号公報
　３　特開昭４９−０４３８８１号公報
　４　特開２００４−２１０５５９号公報
　５　特開２００５−２８９７０６号公報
　　　　　
２　当審の拒絶理由
  本件出願は、特許請求の範囲の記載が次の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 　 
 　請求項１に係る発明が、発明の詳細な説明に記載された発明とするためには、「イリジウム膜又はロジウム膜」が、「剥離層として機能する」ことを明確にする必要がある。 
　　　　　　　　　　　　
第４　当審の判断
１　刊行物の記載事項
（１）　刊行物１について
ア　刊行物１の記載事項
　刊行物１には、次の記載がある。
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】ホウ素ドープｐ型半導体ダイヤモンド薄膜（ｐ型層）表面に直接・・・ｎ型層としてリンドープｎ型半導体ダイヤモンド薄膜が積層されたｐｎ・・・接合構造を有し、・・・紫外光の発光が得られることを特徴とするダイヤモンド紫外光発光素子。」
（イ）「【００３１】
【実施例】＜実施例１＞図１は、本発明の第１の実施例である紫外発光ダイオードを示す断面図である。ホウ素を添加した電気伝導性を持つ高圧合成単結晶基板ダイヤモンド（１）の｛１１１｝表面にマイクロ波プラズマＣＶＤによりホウ素ドープダイヤモンド薄膜（ｐ型層）（２）を２ミクロン形成し、更にその表面にマイクロ波プラズマＣＶＤ法によりリンドープダイヤモンド薄膜（ｎ型層）（３）を１ミクロン形成して積層膜試料とした。基板の外形は２ｍｍ×２ｍｍで厚みは０．５ｍｍである。・・・。」
（ウ）「【００３８】＜実施例５＞図７は、本発明の第５の実施例である紫外発光ダイオードを示す断面図である。第１の実施例と異なる点は、下地にイリジウムエピタキシャル薄膜８を用いている点である。イリジウム薄膜は炭化シリコン、チタン酸ストロンチウム、サファイア、酸化マグネシウムあるいはダイヤモンドなどの高融点単結晶基板９表面にエピタキシャル成長したものを用いる。」
（エ）「図７　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　　　
イ　刊行物１に記載された発明
　記載事項（ア）によれば、刊行物１には、ｐ型半導体ダイヤモンド薄膜とｎ型半導体ダイヤモンド薄膜が積層されたダイヤモンド紫外光発光素子に関する発明が記載されており、同（イ）〜（エ）によれば、この発明を具体化した実施例５には、単結晶ダイヤモンド基板上にイリジウムエピタキシャル薄膜を形成し、その上にｐ型及びｎ型の半導体ダイヤモンド薄膜を形成したものが記載されている。
　したがって、刊行物１の実施例５には、「単結晶ダイヤモンド上にイリジウムエピタキシャル薄膜を形成した基板上に、ｐ型及びｎ型の半導体ダイヤモンド薄膜を形成したダイヤモンド紫外光発光素子」に関する発明が記載されている。そして、この発明の「単結晶ダイヤモンド上にイリジウムエピタキシャル薄膜を形成した基板」は、その上にダイヤモンド薄膜を形成しているので、形式的には、この基板は「ダイヤモンド層成長用基板」と捉えることができる。このため、この発明は「ダイヤモンド層成長用基板」に関する発明の観点から把握することができる。
　そこで、刊行物１に記載された発明を、この観点から書き換えると、次のとおりとなる（以下、「引用発明１」という。）。
・引用発明１
「単結晶ダイヤモンド上にイリジウムエピタキシャル薄膜を形成した、ｐ型及びｎ型の半導体ダイヤモンド層成長用基板」
　　　　　　
（２）刊行物２について
　同じく、刊行物２には、次の事項が記載されている。
（カ）「【請求項５】
　主鏡面及び裏面を有するエピタキシャル成長用半導体ウェーハを製造する方法であって、
　該ウェーハは、シリコン単結晶基板からなり、
　該シリコン単結晶基板の外周側面と前記主鏡面及び裏面の間に面取り部を形成する工程と、
　少なくとも前記裏面及び裏面側の面取り部にＣＶＤ膜を成長させる工程と、
　・・・とを含むことを特徴とするエピタキシャル成長用半導体ウェーハの製造方法。」
（キ）「【０００５】
　ところで、上述のエピタキシャル層を気相成長させるために用いられるシリコン単結晶基板は、周辺部の欠けによってパーティクルが発生することがある。この周辺部の欠けに起因するパーティクルの発生個数を低減させることが、エピタキシャル成長層の形成において望ましいことはいうまでもない。このため、板厚ｔのウェーハの周辺部に約１／２ｔの半径の円弧状の面取り部を形成し、主鏡面に隣接して表面に沿って５００μｍの部分において最大面粗さ（Ｒｍａｘ）０．５μｍ以下の鏡面に形成することが提案されている（特許文献２）。」
　　　　　
（３）刊行物３について
　同じく、刊行物３には、次の事項が記載されている。
（ク）「気相成長用担体薄板の上下両主面の角部を面取り加工することを特徴とする気相成長用担体薄板の加工方法」（特許請求の範囲）
（ケ）「本発明は、上記の如き欠点を一掃したもので従来の、気相成長用担体薄板の気相成長面側の角部の化学蝕刻剤による面取り加工のみならず、積載台に対向する面の角部にも前記の加工を施し、気相成長時に於ける気相成長用担体薄板と積載台との気相成長層による接続を防ぐものであって、このように面取り加工を施した気相成長用担体薄板は、気相成長処理後の降温時に発生する熱応力をほぼ完全に吸収補償することができ、前記担体薄板に亀裂を生ずるおそれがない。」（第１頁右下欄１２行〜第２頁左上欄１行）
　　　　　　　　
（４）刊行物４について
ア　刊行物４の記載事項
　同じく、刊行物４には、次の事項が記載されている。
（サ）「【請求項６】
（１００）面又は（１１１）面が面内配向している第１のダイヤモンド膜を形成する工程と、前記第１のダイヤモンド膜上に（１００）面又は（１１１）面が面内配向し、膜厚が４００μｍ以上である第２のダイヤモンド膜を形成する工程と、を有し、前記第２のダイヤモンド膜を形成する工程は、マイクロ波を使用し、６０ｋＷ以上投入電力で、反応ガス圧が８０乃至１５０Ｔｏｒｒのマイクロ波化学気相蒸着法により気相合成するものであることを特徴とするダイヤモンド積層膜の製造方法。」
（シ）「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、・・・非特許文献２の方法は、基板からダイヤモンド膜が剥離してしまうという問題があり、更に、非特許文献１同様、粒界が存在しない領域が小さい。」
（ス）「【００２３】
また、前記第１のダイヤモンド膜は、・・・Ｉｒ基板の（１００）面上に形成されていることが好ましい。これらの上に形成することにより、（１００）面が面内方向に高配向しているダイヤモンド膜が得られる。例えば、従来装置により、Ｉｒ膜の（１００）面上にダイヤモンド膜を形成し、更に、その上に、大型装置によりダイヤモンド膜を５００μｍの厚さに気相合成すると、直径約１ｃｍの範囲で、粒界が全く存在せず、（１００）面が面内配向しているダイヤモンド膜が得られる。」
（セ）「【００２９】
実施例２
先ず、１０ｍｍ角のＭｇＯ基板の（１００）上に、スパッタ法により膜厚が約１μｍの（１００）単結晶Ｉｒ膜を形成し、前記Ｉｒ膜上に従来装置を使用して既知の方法で、（１００）面が面内配向した第１のダイヤモンド膜を合成した。次に、この試料を９１５±１０ＭＨｚのマイクロ波を使用した大型装置に設置し、投入電力が６０ｋＷで、反応ガスは水素で５体積％に希釈したメタンを使用し、反応ガス圧を１００Ｔｏｒｒとして、８０時間気相合成し、厚さ６００μｍのダイヤモンド膜を形成した。・・・前記工程により得られたダイヤモンド積層膜の表面をＳＥＭにより観察した結果、粒界は見られなかった。また、ＥＢＳＰ測定により、ダイヤモンド積層膜の全面において、（１００）面が面内配向していることが確認された。」
　　　　
イ　刊行物４に記載された発明
　上記記載事項（サ）によれば、刊行物４には、ダイヤモンド積層膜の製造方法に関する発明が記載されている。そして、これを具体化した実施例２について、同（セ）によれば、ＭｇＯ基板の（１００）上に単結晶イリジウム膜を形成し、該イリジウム膜上にダイヤモンド膜を形成している。該ダイヤモンド膜は、（１００）面が面内配向している第１及び第２の２層からなるダイヤモンド膜である。
　したがって、刊行物４の実施例２には、「ＭｇＯ基板の（１００）上に単結晶イリジウム膜を形成し、該イリジウム膜上に（１００）面が面内配向しているダイヤモンド膜を形成すること」に関する発明が記載されており、この発明を「ダイヤモンド層成長用基板」に関する発明の観点、及び「ダイヤモンド基板の製造方法」の発明の観点から書き換えると次のとおりとなる（以下、それぞれを「引用発明２ａ」及び「引用発明２ｂ」という。）。
・引用発明２ａ
「（１００）面が面内配向しているダイヤモンド膜を形成するための基板であって、ＭｇＯ基板の（１００）上に単結晶イリジウム膜を形成したダイヤモンド層成長用基板。」
・引用発明２ｂ
「ＭｇＯ基板の（１００）上に単結晶イリジウム膜を形成し、該イリジウム膜上に（１００）面が面内配向しているダイヤモンド膜を形成することからなるダイヤモンド基板の製造方法。」
　　　　　　　　
（５）刊行物５について
　同じく、刊行物５には、次の事項が記載されている。
（タ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
室温における線熱膨張係数が５×１０−６乃至２×１０−５Ｋ−１であり且つ融点が１３００Ｋ以上である下地層上に化学気相蒸着法により炭素膜を形成する工程と、前記炭素膜上に化学気相蒸着法によりダイヤモンド膜を形成する工程と、前記下地層を剥離して前記炭素膜及び前記ダイヤモンド膜からなるダイヤモンド自立膜を得る工程と、を有することを特徴とするダイヤモンド自立膜の製造方法。
【請求項２】
前記下地層として、白金、イリジウム及び金からなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む金属膜を使用することを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド自立膜の製造方法。」
（チ）「【００２１】
　・・・。本実施形態のダイヤモンド自立膜の製造方法においては、前述の下地層上に、先ず、ＣＶＤ法により炭素膜を形成する。これにより、ダイヤモンド自立膜を得る際の分離性が向上すると共に、貴金属上でもダイヤモンドが合成しやすくなる。なお、この炭素膜はダイヤモンド膜に比べて十分に薄いものであり、ダイヤモンド自立膜の一部として下地層から分離される。」
　　　　　　　
２　対比と判断
（１）第１の拒絶理由について
ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　引用発明１における「イリジウムエピタキシャル薄膜」は、単結晶ダイヤモンド上にエピタキシャル成長させているので、本願発明１における「ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜」に相当し、「単結晶ダイヤモンド基材のダイヤモンド層を成長させる側」に形成されている点で、本願発明１における該膜と共通する。
　また、引用発明１で成長させる「ｐ型及びｎ型の半導体ダイヤモンド層」は単結晶であるので、本願発明１の「単結晶ダイヤモンド層」に相当する。
　このため、本願発明１と引用発明１とは、「単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板であって、少なくとも、材質が単結晶ダイヤモンドである基材と、該基材の前記ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜からなる単結晶ダイヤモンド層成長用基板」である点で一致し、次の点で相違する。
・本願発明におけるイリジウム膜は、「剥離層として機能する」膜であるのに対し、引用発明１におけるイリジウム膜は、その機能を有するかが明らかではない点（以下、「相違点１」という。）。
・本願発明１に係る単結晶ダイヤモンド層成長用基板は、「単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）が５０μｍ以上７０μｍ以下で面取り」されているのに対し、引用発明１では、面取りされているか明らかではない点（以下、「相違点２」という。）。
　　　　　
イ　判断
　まず、相違点１について判断する。
　上記したように、引用発明１は「半導体ダイヤモンド成長用基板」に関するものであるが、これは、刊行物１に記載されている「ダイヤモンド紫外光発光素子」に関する発明を、ダイヤモンド成長用基板の観点から書き換えたものである。このため、引用発明１の「半導体ダイヤモンド成長用基板」は、紫外光発光素子として機能するものであるので、これを構成する単結晶ダイヤモンドと半導体ダイヤモンド薄膜との間に形成されたイリジウム膜は、剥離層として機能することが想定されていないことは明らかである。
　よって、引用発明１において、イリジウムエピタキシャル薄膜を剥離層として使用することついては阻害事由があるといえる。
　したがって、相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１に基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。また、本願発明２〜６は、本願発明の特定事項を全て有し、さらに本願発明１の特定事項を限定・具体化したものであるので、同様の理由から、引用発明１に基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。
　以上のとおりであるので、本願発明１〜６は、第１の拒絶理由によって拒絶することはできない。
　　　　　
（２）第２の拒絶理由について
ア　本願発明１について
　本願発明１と引用発明２ａとを対比する。
　引用発明２ａにおける「ＭｇＯ基板の（１００）上に」形成した「単結晶イリジウム膜」は、ヘテロエピタキシャル成長した膜である点、及び「ダイヤモンド層を成長させる側」に形成されている点で、本願発明１のイリジウム膜と共通する。
　また、引用発明２ａで成長させる「（１００）面が面内配向しているダイヤモンド膜」は単結晶であるので、本願発明１における「単結晶ダイヤモンド層」に相当する。
  このため、本願発明１と引用発明２ａとは、「単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板であって、基材と、該基材の前記単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜からなる単結晶ダイヤモンド層成長用基板」である点で一致し、次の点で相違する。
・本願発明におけるイリジウム膜は、「剥離層として機能する」膜であるのに対し、引用発明２ａにおけるイリジウム膜は、その機能を有するかが明らかではない点（以下、「相違点１」という。）。
・基板が、本願発明１では「単結晶ダイヤモンド」であるのに対し、引用発明２ａでは、ＭｇＯ基板である点（以下、「相違点２」という。）
・本願発明１に係る単結晶ダイヤモンド層成長用基板は、「単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）が５０μｍ以上７０μｍ以下で面取り」されているのに対し、引用発明２ａでは、面取りされているか明らかではない点（以下、「相違点３」という。）。
　そこで、これらの相違点について検討する。
　まず、相違点１に関し、引用発明２ａにおいてイリジウム膜を形成するのは、記載事項（ス）によれば、該イリジウム膜の（１００）面上にダイヤモンド膜を形成することにより、粒界が全く存在せず、（１００）面が面内配向しているダイヤモンド膜が得られるからであり、イリジウム膜を剥離層として使用することは、記載も示唆もされていない。むしろ、引用発明２ａの従来技術について記載された同（シ）によれば、ダイヤモンド膜を形成した基板からダイヤモンド膜が剥離してしまうことを問題視している。
　このため、刊行物４の記載に接した当業者であれば、引用発明２ａにおけるイリジウム膜を剥離層として使用することに、阻害事由があると認識するものと認める。
　したがって、相違点２及び３について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明２ａに基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。また、本願発明２〜６は、本願発明の特定事項を全て有し、さらに本願発明１の特定事項を限定・具体化したものであるので、同様の理由から、引用発明２ａに基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。　　　　
　　　　　
イ　本願発明８について
　本願発明８と引用発明２ｂを対比する。
　引用発明２ｂに係る「ダイヤモンド基板の製造方法」において、基板上に形成した「単結晶イリジウム膜」は、本願発明８における「ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜」に相当し、該イリジウム膜は、「ダイヤモンド膜を成長させる側の面」に形成される点でも、両者は共通する。
  また、引用発明２ａで成長させる「（１００）面が面内配向しているダイヤモンド膜」は単結晶であるので、本願発明１における「単結晶ダイヤモンド層」に相当する。
　そこで、本願発明８と引用発明２ｂとは、「単結晶ダイヤモンド層を成長させてダイヤモンド基板を製造する方法であって、基板上にイリジウム膜をヘテロエピタキシャル成長させて、該ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜上に前記単結晶ダイヤモンド層を成長させることからなる単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。」に関する発明である点で共通し、次の点で相違する。
・本願発明８におけるイリジウム膜は、「剥離層として機能する」膜であるのに対し、引用発明２ｂにおけるイリジウム膜は、その機能を有するかが明らかではない点（以下、「相違点４」という。）。
・基板の材質が、本願発明８では「単結晶ダイヤモンド」であるのに対し、引用発明２ｂでは、ＭｇＯ基板である点（以下、「相違点５」という。）
・本願発明８に係る単結晶ダイヤモンド層成長用基板は、「単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）が５０μｍ以上７０μｍ以下で面取り」されているのに対し、引用発明２ｂでは、面取りされているか明らかではない点（以下、「相違点６」という。）。
　そこで、先ず、相違点４について検討するに、この相違点４は、本願発明１と引用発明２ａとの相違点１と同じである。
　とすると、上記したと同様の理由により、刊行物４の記載に接した当業者であれば、引用発明２ｂにおけるイリジウム膜を剥離層として使用することに、阻害事由があると認識するものと認める。
　したがって、相違点５及び６について検討するまでもなく、本願発明８は、引用発明２ｂに基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。また、本願発明７、９は、本願発明の特定事項を全て有するものであるので、同様の理由から、引用発明２ｂに基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることはできない。
　以上のとおりであるので、本願発明１〜９は、第２の拒絶理由によって拒絶することはできない。
　　　　　
（３）当審の拒絶理由について
　本願発明は、上記したとおり、平成２６年１月２４日付け手続補正書により補正され、これにより、請求項１に係る発明における「イリジウム膜又はロジウム膜」が「剥離層として機能する」ことが明確にされた。
　このため、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合することとなったので、当審の拒絶理由は解消した。
　　　　　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできず、また、本願の特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであるので、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することができない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。