【事件の表示】
　特許第３３２７１７５号「検知部及びこの検知部を具えたウェハ研磨装置」の請求項１ないし１７に係る特許に対する特許異議の申立てについてした平成１６年３月１日付けの決定に対し、東京高等裁判所において「特許庁が異議２００３−７０７２６号について平成１６年３月１日にした決定中，請求項１及び８に関する部分を取り消す。」との判決（平成１６年（行ケ）第１４８号、平成１６年１０月６日判決言渡）があったので、更に審理の結果、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３２７１７５号の請求項２ないし９、１１ないし１７に係る特許を取り消す。
　同請求項１、１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
１　特許第３３２７１７５号の請求項１〜１７に係る発明は、平成９年７月１８日に特許出願され、平成１４年７月１２日にその特許権の設定登録がされた。
２　特許異議申立人北村清隆により請求項１〜３，１０〜１２に係る発明についての特許に対し、特許異議申立人大坪秀樹により請求項１〜１７に係る発明についての特許に対して特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１１月１１日に訂正請求がなされた後、平成１６年３月１日付けで「訂正を認める。 特許第３３２７１７５号の請求項１ないし１３に係る特許を取り消す。」との異議の決定がなされた。
３　上記異議の決定に対して、平成１６年４月１５日付けで「特許庁が異議２００３−７０７２６号事件について平成１６年３月１日にした特許第３３２７１７５号の請求項１ないし１３に係る特許を取り消す旨の決定を取り消す。訴訟費用は被告の負担とする。」との判決を求める訴え（平成１６年（行ケ）第１４８号）が提起された。
４　平成１６年４月２０日付けで、願書に添付した明細書について訂正を求める審判の請求（訂正２００４−３９０７９号）がなされ、当該審判の請求に対し、平成１６年７月２８日付けで「訂正することを認める」旨の審決がなされ、平成１６年８月７日に確定した。
５　平成１６年９月２１日付けで「特許庁が異議２００３−７０７２６号事件について平成１６年３月１日になした決定中、請求項１及び８に関する部分を取り消す。」との上記訴えの請求の趣旨を減縮する旨の申し立てがなされた。
６　平成１６年１０月６日、「特許庁が異議２００３−７０７２６号について平成１６年３月１日にした決定中，請求項１及び８に関する部分を取り消す。」との判決の言い渡しがあった。
７　平成１６年１０月８日付けで、平成１５年１１月１１日付けの訂正請求を取り下げる訂正請求取下書が提出された。
　
第２　本件発明
　上記訂正の審判の審決が確定したことから、本件特許第３３２７１７５号の請求項１〜１７に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」等という。）は、上記訂正の審判により訂正された明細書及び図面の記載からみて、訂正審判の請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
「【請求項１】　半導体素子が形成され、最上層が金属膜である２以上の層を有するウェハ中の前記金属膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨装置であって、半導体素子が形成されたウェハ研磨面の前記金属膜の一部または全部に、多成分の波長のプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光の分光反射率の波形の変化から、研磨終了点を検知する検知部を有し、前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射され、前記デバイスの各部分からの反射光の光波が重ね合わされていて、前記検知部は前記分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とすることを特徴とするウェハ研磨装置。
【請求項２】  半導体素子が形成されたウェハ中の層間絶縁層又は金属電極膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨装置であって、半導体素子が形成されたウェハ研磨面の一部または全部にプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の分光反射率又は分光透過率の変化により研磨量又は研磨終了点を検知する検知部を有し、前記検知部が、反射率又は透過率の分光曲線における少なくとも一つの極大点もしくは極小点、又はその両方の波長の変動、又は極大点、極小点の出現もしくは消滅を検出することにより、研磨量又は研磨終了点を検知するものであることを特徴とするウェハ研磨装置。
【請求項３】  半導体素子が形成されたウェハ中の層間絶縁層又は金属電極膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨装置であって、半導体素子が形成されたウェハ研磨面の一部または全部にプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の分光反射率又は分光透過率の変化により研磨量又は研磨終了点を検知する検知部を有し、前記検知部が、予め算出又は実測された研磨終了点における分光反射率又は分光透過率の波形と、実測された分光反射率又は分光透過率の波形とを比較することにより、研磨終了点を検知するものであることを特徴とするウェハ研磨装置。
【請求項４】  前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパタ−ン構造部分に照射されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウェハ研磨装置。
【請求項５】  前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパタ−ン構造部分に照射され、前記ウェハ表面から反射されたプローブ光又は前記ウェハを透過したプローブ光は、前記デバイスの各部分からの光波の重ね合わせであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウェハ研磨装置。
【請求項６】  前記検知部が、ウェハのパタ−ン構造部分のみがプローブ光に照射されているときの信号のみを用いて研磨量又は研磨終了点を検知するものであることを特徴とする請求項４又は５に記載のウェハ研磨装置。
【請求項７】  前記プローブ光が、研磨定盤及び研磨パッド或いはウェハキャリアに設けられた透光部材を通してウェハに照射されることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載のウェハ研磨装置。
【請求項８】  前記プローブ光が、研磨パッドからはみだしたウェハ部分に照射されることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載のウェハ研磨装置。
【請求項９】  前記ウェハに照射されるプローブ光が広範囲の波長成分を有するものであり、かつ、反射光もしくは透過光を分光する分光器、又は反射光もしくは透過光中の特定波長の選別を行うフィルタを有することを特徴とする請求項１から請求項８のうちいずれか１項に記載のウェハ研磨装置。
【請求項１０】　半導体素子が形成され、最上層が金属膜である２以上の層を有するウェハ中の前記金属膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨に際して、プローブ光照射部が半導体素子が形成されたウェハ研磨面の前記金属膜の一部または全部に多成分の波長のプローブ光を照射し、ウェハ表面から反射されたプローブ光の分光反射率の波形の変化から、研磨終了点を検知し、前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射され、前記デバイスの各部分からの反射光の光波が重ね合わされていて、前記分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とすることを特徴とする検知部。
【請求項１１】  半導体素子が形成されたウェハ中の層間絶縁層又は金属電極膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨に際して、プローブ光照射部が半導体素子が形成されたウェハ研磨面の一部または全部に多成分の波長のプローブ光を照射し、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の分光反射率又は分光透過率の変化のうち、反射率又は透過率の分光曲線における少なくとも一つの極大点もしくは極小点、又はその両方の波長の変動、又は極大点、極小点の出現もしくは消滅を検出することにより、研磨量又は研磨終了点を検知することを特徴とする検知部。
【請求項１２】  半導体素子が形成されたウェハ中の層間絶縁層又は金属電極膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨に際して、プローブ光照射部が半導体素子が形成されたウェハ研磨面の一部または全部に多成分の波長のプローブ光を照射し、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光の分光反射率又は分光透過率の変化のうち、予め算出又は実測された研磨終了点における分光反射率又は分光透過率の波形と、実測された分光反射率又は分光透過率の波形とを比較することにより、研磨終了点を検知することを特徴とする検知部。
【請求項１３】  前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパタ−ン構造部分に照射されることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の検知部。
【請求項１４】  前記プローブ光が、ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパタ−ン構造部分に照射され、前記ウェハ表面から反射されたプローブ光又は前記ウェハを透過したプローブ光は、前記デバイスの各部分からの光波の重ね合わせであることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の検知部。
【請求項１５】  前記検知部が、ウェハのパタ−ン構造部分のみがプローブ光に照射されているときの信号のみを用いて研磨量又は研磨終了点を検知するものであることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の検知部。
【請求項１６】  前記プローブ光が、研磨定盤及び研磨パッド或いはウェハキャリアに設けられた透光部材を通してウェハに照射されることを特徴とする請求項１０から請求項１５のうちいずれか１項に記載の検知部。
【請求項１７】  前記プローブ光が、研磨パッドからはみだしたウェハ部分に照射されることを特徴とする請求項１０から請求項１５のうちいずれか１項に記載の検知部。」
　
 第３　特許異議申立てについての判断 
１　特許異議申立人北村清隆の特許異議申立ての理由の概要 
　特許異議申立人北村清隆は、証拠として甲第１号証（特開平７−５２０３２号公報）、甲第２号証（特開平７−４９２１号公報：以下「刊行物１」という。）及び甲第３号証（特開平７−２８５０５０号公報）を提出し、請求項１〜３，１０〜１２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべきである、旨主張している。 
 
２　特許異議申立人大坪秀樹の特許異議申立ての理由の概要 
　特許異議申立人大坪秀樹は、証拠として甲第２号証（特開平７−２８０５２０号公報）、甲第３号証（特開平７−２３５５２０号公報）、甲第４号証（特開平９−７９８５号公報：以下「刊行物２」という。）及び甲第５号証（特開平８−１７４４１１号公報：以下「刊行物３」という。）を提出し、請求項１〜１７に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべきである、旨主張している。 
３　取消しの理由の概要 
　取消しの理由の概要は、請求項１〜１７に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された上記の刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１７に係る発明についての特許は、特許法第２９条の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号に該当し、取り消すべきものである、というにある。
　
４　刊行物１〜３記載の発明（事項） 
　当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物１〜３には、以下の事項が記載されていると認める。 
（１）刊行物１ 
 ア　公報第２頁右欄第２３〜３１行 
 「本発明は、例えば、半導体ウエハに形成された薄膜の膜厚を光学的に測定する膜厚測定装置およびその膜厚測定装置が組み込まれたポリシング装置に関する・・一般に、半導体ウエハにおいては、Ｓｉ基板上に種々の薄膜が形成されている。これらの膜厚はデバイスの諸特性に大きく影響するため、膜厚を所望の値にコントロールする技術が重要である。」 
 イ　公報第５頁左欄第２８〜３４行 
 「本実施例においては、測定光として赤外線半導体レーザ１９が用いられているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、測定光として多波長の赤外光を用い、バンドパスフィルタによって波長を選択することも可能である。また、測定光として白色光を用いることや、光源として水銀ランプや重水素ランプ等を用いることが可能である。」 
 ウ　公報第７頁左欄第４５行〜第８頁左欄第１２行 
 「図１４は本発明の第３実施例を示しており、図中の符号７１は膜厚測定装置である。この膜厚測定装置７１においては、測定光学系７２が、赤外線半導体レーザ７３、レンズ７４、７５、７６、投受光ファイバ７７、スリット板７８、反射ミラー７９、回折格子８０、及び、一次元撮像素子８１を有している。・・薄膜として前述の各実施例と同様にＳｉＯ２膜２９が採用されており、赤外線半導体レーザ７３は波長約 1.2μｍ以上の赤外光を出力する。・・膜厚測定装置７１の作用を説明する。赤外線半導体レーザ７３から出射されたレーザ光８９は・・ウエハ１に入射する。ウエハ１に入射したレーザ光８９は、（Ｓｉ）基板２８とＳｉＯ２膜２９との界面、及び、ＳｉＯ２膜２９中で反射し、両反射光ｕ１、ｕ２が干渉する。・・干渉光９０は回折格子８０により分光され、・・一次元撮像素子８１に入射する。・・一次元撮像素子８１は入射光を光電変換し、各波長毎の光の強度に応じた信号を出力する。一次元撮像素子８１の出力信号はインタフェース８３を介して演算器８２に送られ、演算器８２は入力された信号と以下の (5)式に基づいてＳｉＯ２膜２９の厚さｄを演算する。・・図１６は、干渉光９０の波形（エネルギ反射率−波長の関係）を示している。さらに、ＳｉＯ２膜２９の厚さｄと干渉光９０との間には以下のような関係が在る。・・ 
【数７】 
・・ここで、λm は図１６の干渉光９０の波形に現れた１つの反射率極大（または極小）を与える波長であり、λm-l はλm から波長の増加する方向に数えてｌ番目の反射率極大（または極小）を与える波長である。また、ｎはＳｉＯ２の屈折率、θはレーザ光８９のＳｉＯ２への入射角である。・・すなわち、この膜厚測定装置７１においても、前述の各実施例と同様に、ウエハ１をポリシングしながら膜厚をインプロセスで測定することができる。」 
エ　公報第８頁左欄第２６〜４０行 
 「図１７乃至図２０は本発明の第４の実施例を示す。この実施例は半導体製造プロセスにおいて、図１７（ａ）〜（ｃ）に示すように半導体ウエハ１００の表面を平坦化するプロセスである。・・上記プロセスにおいては、まず図１７（ａ）に示すようにＳｉ基板２８上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２９ａが部分的に形成される。ついで、同図（ｂ）に示すように基板２８には回路パターンを形成する、アルミニウムなどの金属膜２９ｂがたとえばＣＶＤなどの手段によって設けられる。金属膜２９ｂは基板２８の絶縁膜２９ａ以外の部分だけでなく、この絶縁膜２９ａ上にも堆積するから、同図（ｃ）に示すように上記金属膜２９ｂをポリシングによって平坦化する。」 
オ　公報第８頁右欄第２３行〜第９頁左欄第１０行 
 「・・半導体ウエハ１００は基板２８を上側にし、しかも基板２８に形成された絶縁膜２９ａが上部回転テーブル３の窓１８に対向するよう位置決めされている。・・レーザ光２７の波長が1.2 μｍ以上であれば、そのレーザ光２７は図１８に示すように基板２８を透過し、一部が絶縁膜２９ａで反射するとともに残りの一部は上記基板２８と絶縁膜２９ａを透過し、この絶縁膜２９ａを被覆した金属膜２９ｂで反射する。・・上記絶縁膜２９ａで反射した第１の反射光２７ａと、上記金属膜２９ｂで反射した第２の反射光２７ｂとは干渉して基板２８から出射し、・・光検出器２３で検出された干渉光２７ｃの強度に対応する出力の電気信号は増幅器２５で増幅されて演算器２６に入力される。この演算器２６は、ここに予め設定された設定値と上記干渉光２７ｃの強度とを比較し、干渉光２７ｃの強度が所定値以下になったときに、上記金属膜２９ｂのポリシングを終了させるようになっている。」 
　したがって、上記記載事項（１）ア及びウ、並びに、半導体ウエハにおいては、ウエハ中に半導体素子が形成され、２以上の層を有することは、当業者において技術常識であること（必要であれば、上記記載事項（１）アの「一般に、半導体ウエハにおいては、Ｓｉ基板上に種々の薄膜が形成されている。これらの膜厚はデバイスの諸特性に大きく影響する・・」、上記記載事項（１）エの「Ｓｉ基板２８上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２９ａが部分的に形成される。（ついで、・・基板２８には回路パターンを形成する、アルミニウム等の金属膜２９ｂがたとえばＣＶＤなどの手段によって設けられる。）」、下記記載事項（２）ウの「酸化物層５２の表面造作７２、７４、７６の１組が、その下の構造体７８、８０、８２と関連して例示される。」を参照。）からみて、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認める。 
 ＜刊行物１記載の発明＞ 
　半導体素子が形成され、最上層がＳｉＯ２膜２９である２以上の層を有するウエハ１中の前記ＳｉＯ２膜２９の一部をポリシングにより除くウエハポリシング装置であって、半導体素子が形成されたウエハ１ポリシング面の前記ＳｉＯ２膜２９の一部に、レーザ光８９を照射する測定光学系７２と、ウエハ１表面から反射されたレーザ光８９を分光した各波長毎の光の強度に応じた信号の波形に現れた反射率極大（または極小）を与える２つの波長からＳｉＯ２膜の厚さｄを演算して、ポリシングの終点を検知する演算器８２を有し、前記レーザ光８９が、ウエハ１に照射され、反射光が、ウエハ１の（Ｓｉ）基板２８とＳｉＯ２膜２９との界面、及び、ＳｉＯ２膜２９中で反射した反射光ｕ１、ｕ２の干渉光９０となっているウエハポリシング装置。 
　
（２）刊行物２ 
ア　公報第９頁左欄第２３〜４２行 
 「プラーテン１６にはホール（穴）３０が形成され、このホールはプラーテンパッド１８の上にある。研磨ヘッド１２の平行移動的な動きに関係なく、プラーテンが回転している時間の一部の間、研磨ヘッド１２によって保持されるウエハ１４から見えるように、このホール３０の位置が与えられる。レーザー干渉計３２は、プラーテン１６の下にあって、ホール３０がウエハ１４に近接した時には、レーザー干渉計３２によって投影されるレーザービーム３４がプラーテン１６のホール３０を通過してその上にあるウエハ１４の表面に入射するような位置に、固定される。・・プラーテンホール３０は、ステップ状の直径を有し、ショルダ３６を形成する。ショルダ３６は、レーザービーム３４のためのウィンドウとして機能するクオーツインサート３８を有してこれを指示するために用いられる。」 
イ　公報第１０頁右欄第２０〜３１行 
 「プラーテン１６は典型的には、ＣＭＰプロセスの最中は回転されるだろう。従って、プラーテンホール３０は、自身が一周する間にウエハ１４を１回だけ見えることになる。従って、ウエハ１４にレーザービーム３４が入射する時だけ、レーザー干渉計３２からの検出信号をサンプリングすることが可能である。レーザービーム３４がホール３０を通って部分的にしか伝送されないときには検出信号はサンプリングされず、その理由は、ホールのエッジでプラーテン１６の底部によって一部が干渉された場合は、信号に著しいノイズが発生するだろうからである。このことが発生することを防止するため、位置センサ装置が結合される。」 
ウ　公報第１３頁左欄第３２行〜第１４頁左欄第２４行 
 「図１１（ａ）〜（ｃ）には、酸化物層５２の表面造作７２、７４、７６の１組が、その下の構造体７８、８０、８２と関連して例示される。これらは、典型的なパターニングされたウエハ１４上に見られ、ＣＭＰプロセス中に変化していく。・・造作７２、７４、７６のそれぞれからの個々の反射の全てから部分的に成る結合された干渉信号は、前述の周期的な正弦波状信号ではなく、外見上ランダムな様式で変動するだろう。・・しかし、上述のように、造作７２、７４、７６の研磨速度は、平坦化のポイントに近付く傾向がある。従って、・・結合された干渉信号が周期的な正弦波の形態として認識できるようになる。従って、正弦波状の干渉信号が開始するときを検出することにより、パターニングされたウエハの表面が平坦化された時を決定することが可能となる。・・図１３は、ＣＭＰの手順が行われているときのパターニングされたウエハに対する検出器信号の振幅を時間に対してプロットしたグラフである。・・レーザー干渉計からの出力信号がいつ周期化し、即ちウエハ表面が平坦化されているかを実際に決定することは、様々な方法により行うことが可能である。例えば、信号をデジタル処理し、この決定を行うアルゴリズムを用いることができるだろう。・・更に、カーブにフィッティングするための様々な周知のアルゴリズムを用いることが可能である。これらの方法は、干渉計信号の正弦波曲線との類似性を見出すために本質的に用いられるだろう。所定の許容範囲の中で一致すれば、周期が開始したと決定される。」 
エ　公報第１５頁左欄第７〜２３行 
 「レーザー干渉計によって発生するレーザービームのビームの直径（即ちスポット）及び波長を有利なように操作することが可能であることに更に注意すべきである。図１５の（ａ）及び（ｂ）に示されているように、用いる波長に対し最小可能なスポットに合わせたビーム等の幅の狭いビーム８４は、ウエハ１４の表面に対して、フォーカスできていない広いビーム８６よりも小さな領域をカバーする。この狭いビーム８４は、広いビームに比べて、表面の不均一９０による散乱（即ちビーム８８）を生じやすく、なぜなら、この広いビーム８６はウエハ１４の表面の更に広い面積に広がり、表面の不均一９０よりも大きな部分を包含するからである。従って、広いビームは積分効果を有することとなり、ウエハ１４の表面を移動するときには、反射干渉信号に極端な変動を生じさせにくい。従って、この理由から、ビームは広い方が好ましい。レーザービームの幅を広くするためには、周知の光学装置を用いることが可能である。」 
　
（３）刊行物３ 
ア　公報第３頁右欄第５〜１０行 
 「トップリング２は矢印Ｃに示すように移動できるようになっており、該通常の研磨時は半導体ウエハＦの研磨面の全面がターンテーブル１の上面で覆われた状態となるような位置をとるが、研磨終了点検出時は図示するように、半導体ウエハＦが研磨面が露出するように、ターンテーブル１の横にはみでる位置をとる。」 
イ　公報第３頁右欄第４８〜第４頁左欄第８行 
 「図２（ａ）において、研磨面の表面は一様な物質の酸化皮膜Ｏｘで覆われているため、反射光ＬR1〜ＬR5は研磨面のどの部分に照射しても同じ反射光量となる。しかしながら、図２（ｂ）に示すように、研磨が進行し表面に異質材である金属部分Ｍが露出すると、該金属部分Ｍで反射した反射光ＬR1、ＬR3、ＬR5は酸化膜Ｏｘで反射した反射光ＬR2、ＬR4と異なり、反射強度も強くなる。従って、半導体ウエハＦの研磨面に対して広い範囲で多数の光を照射し、その反射光強度の変化を検出することにより、ポリッシングの研磨終了点を検出することができる。」 
 
５　対比・判断 
（１）本件発明２について
　本件発明２と、刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「絶縁膜２９ａ」、「金属膜２９ｂ」、「ウエハ１」及び「ポリシング」は、本件発明２の「層間絶縁層」、「金属電極膜」、「ウェハ」及び「研磨」にそれぞれ相当することは明らかであり、また、刊行物１記載の発明の「レーザ光２７」、「測定光学系１３」及び「演算器２６」は、その技術的意義からみて、本件発明２の「プローブ光」、「照射部」及び「検知部」にそれぞれ相当している。 
　してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 
 ＜一致点＞ 
 　層間絶縁膜又は金属電極膜の少なくとも一部を研磨により除くウェハ研磨装置であって、ウェハ研磨面の金属電極膜の一部または全部にプローブ光を照射するプローブ光照射部と、ウェハ表面から反射されたプローブ光の変化から、研磨終了点を検知する検知部を有してなるウェハ研磨装置。 
 ＜相違点１＞ 
　本件発明２では、「ウェハ」に「半導体素子が形成され」ているのに対し、刊行物１記載の発明では、ウエハ１に半導体素子が形成されているかどうか不明である点。 
 ＜相違点２＞ 
　本件発明２では、ウェハ表面から反射されたプローブ光の変化を「分光反射率」により検知しているのに対し、刊行物１記載の発明では、そうなっていない点。 
 ＜相違点３＞ 
　本件発明２では、「反射率の分光曲線における少なくとも一つの極大点もしくは極小点、又はその両方の波長の変動、又は極大点、極小点の出現もしくは消滅」を検出することにより、研磨量又は研磨終了点を検知するものであるのに対し、刊行物１記載の発明では、そのようになっていない点。
　上記相違点１〜３について、以下検討する。 
 ＜相違点１について＞ 
　刊行物１記載の発明の金属膜２９ｂは回路パターンを形成するものである以上、何らかの半導体素子と半導体素子を結合するものと認められ、Ｓｉ基板に半導体素子を形成することも従来周知の技術手段であるから、上記相違点１は、従来周知の技術手段の付加に過ぎないものと認める。 
 ＜相違点２について＞ 
　刊行物１には、他の実施例（公報第７頁右欄第３５行〜第８頁左欄第１２行参照）として、分光された干渉光の波形に現れる反射率極大（または極小）を与える波長の変化を検知し、膜厚を測定することが記載されている。 
　そして、刊行物１記載の発明に上記構成の膜厚測定方法を採用することを阻害する特段の事情も見当たらない以上、上記構成を刊行物１記載の発明に適用してかかる相違点２のような構成となすことが、当業者にとって格別困難なものと認めることができない。 
 ＜相違点３について＞ 
　「本件発明２について　相違点２について」でみたとおり、刊行物１記載の発明において、分光された干渉光の波形に現れた反射率極大（または極小）を与える波長の変化により、研磨終了点を検知するようになすことに格別の困難性は認められない。 
　また、分光された干渉光の波形に現れた反射率極大（または極小）を与える波長の変化とは、上記相違点３の構成、すなわち反射率の分光曲線における少なくとも一つの極大点もしくは極小点、又はその両方の波長の変動に他ならないから、上記相違点３にかかる構成となすことが、当業者にとって格別困難なものと認めることができない。
　そして、本件発明２の作用効果は、上記刊行物１記載の発明及び上記周知の技術から、当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものといえない。 
 　してみると、本件発明２は、上記刊行物１記載の発明及び上記周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
（２）本件発明３について 
　本件発明３と、刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「絶縁膜２９ａ」及び「金属膜２９ｂ」は、本件発明３の「層間絶縁層」及び「金属電極膜」にそれぞれ相当することは明らかであるから、両者は、「本件発明２について」でみたとおりの一致点並びに相違点１、２、及び下記の相違点を有する。 
 ＜相違点４＞ 
　本件発明３では、「予め算出又は実測された研磨終了点における分光反射率又は分光透過率の波形と、実測された分光反射率又は分光透過率の波形とを比較する」ことにより、研磨終了点を検知するものであるのに対し、刊行物１記載の発明では、そのようになっていない点。 
 上記相違点４について、以下検討する。 
 ＜相違点４について＞ 
　「本件発明２について　相違点２について」でみたとおり、刊行物１記載の発明において、分光された干渉光の波形に現れた反射率極大（または極小）を与える波長の変化により、研磨終了点を検知するようになすことに格別の困難性は認められない。 
　そして、分光された干渉光の波形に現れた反射率極大（または極小）に着目することは、分光反射率の波形に着目することに他ならず、かつ、予め算出又は実測されたデータと実測されるデータとを比較することにより何らかの検知を行うことが検知方法としては従来周知の技術手段（必要であれば、刊行物２の公報第１７頁左欄第３８行〜第４７行の記載を参照）であることを考えると、予め算出又は実測した波形と実測される波形とを比較して、研磨終了点を検知して、係る相違点４のような構成とすることは、当業者であれば、容易に想到しうるものと認められる。 
　してみると、本件発明３は、上記「本件発明２について」で検討したとおりの理由、及び刊行物２記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
（３）本件発明４、５及び６について 
　本件発明４は、本件発明１〜３において、プローブ光が、「ウェハのデバイスの最小構造より十分大きなスポット径で、ウェハのパターン構造部分に照射される」点（以下、「特定事項１」という。）を、本件発明５は、本件発明４に加えて、ウェハ表面から反射されたプローブ光又はウェハを透過したプローブ光が、「デバイスの各部分からの光波の重ね合わせである」点（以下、「特定事項２」という。）を、本件発明６は、本件発明４又は５に加えて、検知部が、「ウェハのパターン構造部分のみがプローブ光に照射されているときの信号のみを用いて研磨量又は研磨終了点を検知する」（以下、「特定事項３」という。）点を、さらに特定するものである。 
　そこで、上記特定事項１〜３について、以下検討する。 
　特定事項１について、表面の不均一によるビームの散乱により信号に極端な変動が起きるのを避けるよう、ビームの幅を広くとることは、刊行物２（公報第１７頁左欄第３８行〜第４７行参照）に記載されている。そして、レーザ光２７が所定のパターンで形成された絶縁膜２９ａに照射されるようにウエハを位置決めすることが刊行物１記載の発明（公報第８頁右欄第２３行〜第３６行参照）に記載されている以上、刊行物２記載のものと同様の課題が内在している刊行物１記載の発明に、上記刊行物２記載の構成を適用することは、当業者にとって容易である。 
　特定事項２について、ビームの幅を広くとった場合、その反射光が、ビームの照射された各部分の重ね合わせとなることは自明の事項である。してみると、特定事項２は、特定事項１の構成を採用したときに生じる自明の事項を特定したに過ぎないものである。 
　特定事項３について、刊行物１記載の発明（公報第８頁右欄第２３行〜第３６行参照）のものも、レーザ光２７が所定のパターンで形成された絶縁膜２９ａに照射されるようにウエハを位置決めしている以上、ウエハのパターン構造部分のみが照射されているときの信号のみを検知しているものと認められる。 
　してみると、本件発明４、５及び６は、上記「本件発明２について」〜「本件発明３について」で検討したとおりの理由、及び刊行物２記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（４）本件発明７について 
　本件発明７は、本件発明１〜６において、プローブ光が、「研磨定盤及び研磨パッド或いはウェハキャリアに設けられた透光部材を通してウェハに照射される」点を、さらに特定するものである。 
　ところで、刊行物１記載の発明（公報第８頁右欄第２３行〜第３６行参照）におけるレーザ光２７も、本件発明７の「ウェハキャリア」に相当する上部回転テーブル３の窓１８を通してウエハに照射しているから、刊行物１記載の発明は、本件発明７の上記特定事項を備えている。
　してみると、本件発明７は、上記「本件発明２について」〜「本件発明６について」で検討したとおりの理由に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（５）本件発明８について 
　本件発明８は、本件発明１〜６において、プローブ光が、「研磨パッドからはみだしたウェハ部分に照射される」点を、さらに特定するものである。　そこで、当該特定事項について検討するに、半導体ウエハＦの研磨面を、研磨終了点検出時に本件発明８の「研磨パッド」に相当するターンテーブル１からはみ出た位置になるようにすることが刊行物３（公報第３頁右欄第５行〜第１０行参照）に記載されており、そして、研磨終了点をどこの位置で検出するかは研磨装置の構成に応じて適宜決められることを考えると、刊行物１記載の発明を、刊行物３に記載のような位置で研磨終了点検出を行うものに適用することに、技術的に格別な困難性も認められない。 
　してみると、本件発明８は、上記「本件発明２について」〜「本件発明６について」で検討したとおりの理由、及び刊行物３記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（６）本件発明９について 
　本件発明９は、本件発明１〜８において、「ウェハに照射されるプローブ光が広範囲の波長成分を有するものであり、かつ、反射光もしくは透過光を分光する分光器、又は反射光もしくは透過光中の特定波長の選別を行うフィルタを有する」点を、さらに特定するものである。 
　ところで、刊行物１記載の他の実施例（公報第３頁右欄第３５行〜第８頁左欄第１２行参照）では、干渉光を分光する回折格子８０を用いており、また、測定光として多波長の赤外光を用いたり、バンドパスフィルタを用いたりすることも、刊行物１（公報第５頁左欄第２８行〜第３４行参照）には記載されているから、刊行物１記載の発明は、本件発明９の上記特定事項を備えている。
　してみると、本件発明９は、上記「本件発明２について」〜「本件発明８について」で検討したとおりの理由に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（７）本件発明１１〜１７について、 
　本件発明１１〜１７は「検知部」の発明であって、「ウエハ研磨装置」である本件発明２〜８が有する「検知部」についてそれぞれその表現ぶりを変更して記載したものであるから、本件発明１１〜１７における特定事項は、刊行物１記載の発明との対比において、実質上新たな相違点となるものではない。 
　してみると、本件発明１１〜１７は、上記「本件発明２について」〜「本件発明８について」で検討したとおりの理由に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
（８）本件発明１，１０について 
　本件発明１に記載された「検知部は分光反射率の波形が研磨の進行に対して安定した時点を研磨終了点とする」点については、特許異議申立人の提出する各証拠のいずれにも、記載も示唆もされていない。 
　そして、本件発明１は、上記特定事項を具備することにより、訂正明細書段落【００７０】記載の「この波形ｂが安定した時点で研磨終了とすることで、３００ｎｍほど研磨する工程において、約１０％の精度での終了検知が可能になった。」及び段落【００７１】の「半導体研磨において、研磨中あるいは研磨後の研磨量又は研磨終了点の検知が感度よく、簡便な機構でなされる。この装置は雑音に強く、信号擾乱の影響も小さい。」という格別な作用効果を奏するものと認められる。 
　してみると、本件発明１は、特許異議申立人の提出する各証拠に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。 
　さらに、本件発明１の上記特定事項を具備する本件発明１０も、同様の理由により、特許異議申立人の提出する各証拠に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと云うことができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明２〜９、１１〜１７の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、特許法１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　また、本件発明１及び１０の特許については、取消理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年３月１日（２００４．３．１）