【事件の表示】
　平成　７年特許願第３４７１１９号「サブミクロンゲートスタック用ポリシリコン／ポリサイドＥＴＣＨ法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　９月１３日出願公開、特開平　８−２３６５１２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成７年１２月１５日（パリ条約による優先権主張１９９４年１２月２０日、米国）の出願であって、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「半導体ウエーハ上にスタック化ゲートアレーを製造する方法において、上部誘導手段および下部容量手段を有する反応室を設ける工程；上部誘導手段を実質的に３００ワット以下の電力設定に調節する工程；該ウエーハを反応室に入れる工程；および該ウエーハをプラズマエッチングしてスタック化ゲートアレーを形成する工程を包含する半導体ウエーハ上にスタック化ゲートアレーを製造する方法。」 
ＩＩ．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平４−７８２２号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の（ア）〜（エ）の事項が記載されている。
（ア）「半導体基板に設けられた電気絶縁膜上に、不純物が導入されたポリシリコン膜と高融点金属若しくは高融点金属シリサイド膜の積層体にて構成され、ドライエッチング法により所定形状に加工された電極若しくは配線部を備える半導体装置の製造方法において、上記ポリシリコン膜中に導入させる不純物濃度を制御してポリシリコン膜と高融点金属若しくは高融点金属シリサイド膜のエッチング・レートを調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（イ）「従来の製造方法において上記ポリシリコン膜（ｍ）中の不純物濃度については特に制限が設けられておらず、ポリシリコン膜（ｍ）の導電率を高める観点からほぼ飽和領域に達するまで不純物が導入されている。しかし、・・・・積層体（ｓ）の下部側に第９図（Ｆ）に示すようなアンダーカット（ｔ）が形成される欠点があり、その抵抗値あるいは線幅がばらついて製造された個々の半導体装置の動作特性が不揃いとなる問題点があった。・・・・本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、電極若しくは配線部についての加工精度の向上が図れその動作特性の揃った半導体装置を安定して製造できる半導体装置の製造方法を提供することにある。」（第２頁左下欄３行〜同頁右下欄１３行）
（ウ）「また、不純物が導入されたポリシリコン膜と高融点金属若しくは高融点金属シリサイド膜の積層体を適宜形状に加工するためのエッチング手段としては、ＣＦ４　、Ｃｌ２　，ＳＦ６　，Ｏ２　、ＨＣｌ等の単独あるいは混合ガスを用いたＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）、ＣＤＥ（ケミ力ル・ドライ・エッチング）、プラズマ・エッチング等のドライエッチング法が適用できる。」（第４頁左上欄１〜８行）
（エ）「◎第一実施例　　この実施例は第１図に示すＭＯＳ型トランジスタの製法に本発明を適用したものである。　まず、第２図（Ａ）に示すようにＰ型の単結晶シリコン基板（１）面上に通常の素子間分離工程に従ってフィールド酸化膜（２）を形成した後、この基板（１）を９５０℃の高温炉中に入れて乾燥酸素雰囲気中で酸化し、基板（１）表面に約３００Åのゲ−ト酸化膜（３）を形成する。　次に、フィ−ルド酸化膜（２）とゲート酸化膜（３）とが形成された基板（１）面上に、第２図（Ｂ）に示すようにＣＶＤ法にて２５００Åのポリシリコン膜（４）を着膜し、かつ、ＰＯＣ１３　の雰囲気中で、１０００℃、５分間の高温加熱処理を施してリン原子を熱拡散させ、上記ポリシリコン膜（４）中に濃度３．８×１０１５個／ｃｍ３　のリン原子を導入してそのシート抵抗値を４８Ω／□に設定した後、スパッタリング法により１５００Åのタングステン・シリサイド膜（５）を着膜し（第２図参照）、更にこの面上にＣＶＤ法にて２０００ÅのＳｉＯ２　膜（６）を着膜させる（第２図Ｄ参照）。　そして、窒素雰囲気中において１０００℃、３０分間加熱処理（すなわちポリサイド化アニール処理）して上記タングステン・シリサイド膜（５）を結晶化させる。このとき、上記ＳｉＯ２　膜（６）はボリシリコン膜（４）中からのリン原子の熱放散を防止するキャップ層として作用する。　次いで、通常のフォトリゾグラフィー処理によりゲート電極形成部位に第２図（　Ｅ　）に示すようなレジスト膜（ｒ）を形成し、この状態でＲＩＥ（エッチャントガス：ＣＦ６　／Ｈ２　＝２０／１２　ＳＣＣＭ、ガス圧：１．３Ｐａ、パワー：３５０Ｗ、）処理を施してＳｉＯ２　膜（６）をエッチングし、続いて、結晶化されたタングステン・シリサイド膜（５）とポリシリコン膜（４）との積層体（４５）をＲＩＥ処理（エッチャントガス：ＣＦ６　／Ｃｌ２　／Ｏ２　＝２５／２５／１．５　ＳＣＣＭの混合ガス、ガス圧：０．２０Ｔｏｒｒ、パワー：４００Ｗ）を施し、第２図（Ｆ）に示すように残留する積層体（４５）とＳｉＯ２　膜（６）とで構成されるゲート電極（Ｇ）を形成する。」（第４頁右上欄２行〜同頁右下欄１行）。
　したがって、引用例１には、半導体基板（単結晶シリコン基板等）に設けられた電気絶縁膜上に、不純物が導入されたポリシリコン膜と高融点金属若しくは高融点金属シリサイド膜の積層体にて構成され、所定形状に加工された電極若しくは配線部（ゲート電極等）を備える半導体装置をドライエッチング法（リアクティブ・イオン・エッチング、ケミ力ル・ドライ・エッチング、プラズマ・エッチング等）により製造する方法の発明（以下、引用発明１という。）が記載されている。
　また、同じく、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に米国において頒布された刊行物である、米国特許第５，３４６，５７８号明細書（以下、「引用例２」という。）には、次の（オ）〜（シ）が記載されている。
（オ）「本発明はプラズマ源に関し、特に集積回路を製造するための誘導プラズマ源に関する。」（第１欄６〜８行）
（カ）「プラズマエッチングは多くの分野において利用されているが、特に集積回路の製造分野で用いられている。」（第１欄１０〜１１行）
（キ）「インダクションプラズマ源１のＲＦサブシステムが図５に示されている。電源は、低周波電源４１０及び高周波電源４２０を含む。低周波電源４１０は、約４５０ｋＨｚの周波数を有し、かつ動作時の出力は２００−２０００Ｗである。低周波電源４１０は、並列に接続されたキャパシタンス６及び８を含む低周波整合ネットワークを通してインダクションコイルの巻線に接続されている。当業者にはよく知られているように、低周波整合ネットワークは、キャビティの形状、圧力及びプラズマの状態に基づいて低周波エネルギーをプラズマキャビティ内に導くように同調されている。この実施例では、キャパシタンス６及び８は定格電圧６０００Ｖで静電容量１２００ｐＦを有するマイカキャパシタンスである。高周波電源４２０は約１３．５６ＭＨｚの周波数を有し、動作時の出力は２５−５００Ｗである。高周波電源４１０は、米国ニュージャージー州KressonのRF PlasmaProducts社から入力可能な例えばモデルＡＭ−５のような自動同調高周波整合ネットワーク４２２を通してプラテン４０に接続されている。自動同調高周波整合ネットワーク４２２は、ウエハ３２のバイアス電圧を一定にする内部直流バイア ス制御を行う。」（第４欄６１行〜第５欄１６行）
（ク）「図６は、エッチレート（オングストローム／分）対イオン源出力（Ｗ）の種々のウエハバイアス電圧（Ｖｄｃ＝−５０Ｖ、−７５Ｖ、−１００Ｖ）に対するグラフであり、半球型インダクションプラズマ源１は、０．６ｍＴｏｒｒの圧力のアルゴン中で熱酸化膜ウエハに対して動作している。実際の空間電荷層の電位（ウエハ表面の上の全体の電圧状態）は、ウエハのバイアス電圧よりも約３０Ｖ高い。図６は、高いエッチレートが非常に低い電圧レベルで達成されることを示している。２００Ｗのイオン源（イオン源４１０）出力では、ウエハバイアス電圧−１００Ｖに対してエッチレートは約２５０オングストローム／分であり、−５０Ｖのウエハバイアス電圧（５０％減少）に対するエッチレートは約２００オングストローム／分（約２０％減少）までにしか減少していない。」（第５欄４４〜５８行）
（ケ）「図１は半球型誘導プラズマ源１の断面を表し」（第２欄３４〜３５行）
（コ）「容器２０は真空状態に保つことができ、基板、例えば製造中の集積回路を含む半導体ウエハ３２を収納するものである。」（第３欄８〜１１行）
（サ）「本発明は、構造が単純で、イオン密度が高く、イオン電流の均一性が良好で、低圧操作が安定した装置を可能とするものである。」（第１欄６３〜６６行）
（シ）第１図および第５図。
　したがって、引用例２には、上部にインダクションコイルの巻線部（動作時の出力が２００−２０００Ｗである低周波電源４１０が並列に接続されたキャパシタンス６及び８を含む低周波整合ネットワークを通して接続されたもの）を有し、下部にプラテン４０［ウエハ（製造中の集積回路を含む半導体ウエハ）３２のバイアス電圧を一定にする内部直流バイアス制御を行う自動同調高周波整合ネットワーク４２２を通して接続されたもの］を有し、集積回路を製造するための誘導プラズマ源を備えた反応室内にウエハを入れ、前記低周波電源の出力を２００Ｗに設定すると、反応室内がプラズマキャビティとなり、プラズマエッチングできること（以下、引用発明２という。）が記載されている。
ＩＩＩ．対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、後者の「半導体基板（単結晶シリコン基板等）」、「電気絶縁膜上に、積層体にて構成され、所定形状に加工された電極若しくは配線部（ゲート電極等）」、「プラズマ・エッチング」は、それぞれ、前者の「半導体ウエーハ」、「スタック化ゲートアレー」、「プラズマエッチング」に相当し、後者における「プラズマ・エッチング」を用いた「ドライエッチング法」が半導体基板を反応室に入れてプラズマエッチングするものであることは当業者に自明なことであるから、両者は、「半導体ウエーハ上にスタック化ゲートアレーを製造する方法において、反応室を設ける工程；ウエーハを反応室に入れる工程；および該ウエーハをプラズマエッチングしてスタック化ゲートアレーを形成する工程を包含する半導体ウエーハ上にスタック化ゲートアレーを製造する方法」である点で一致し、以下の点で一応の相違を有するものである。
　本願発明は、プラズマエッチングに際し、反応室として上部誘導手段および下部容量手段を有するものを用い、かつ、上部誘導手段を実質的に３００ワット以下の電力設定に調節するものであるのに対し、引用発明１は、それらが不明である点。
ＩＶ．当審の判断
　上記相違点について検討するに、引用発明１においては、任意のプラズマエッチング用装置を用いることができると解されるところ、引用例２には、プラズマエッチング用装置として、上部にインダクションコイルの巻線部（動作時の出力が２００−２０００Ｗである低周波電源４１０が並列に接続されたキャパシタンス６及び８を含む低周波整合ネットワークを通して接続されたもの）を有し、下部にプラテン４０（ウエハ３２のバイアス電圧を一定にする内部直流バイアス制御を行う自動同調高周波整合ネットワーク４２２を通して接続されたもの）を有した反応室を備える装置が記載され、その低周波電源の出力を２００Ｗに設定してもウエハをプラズマエッチングできることが具体的に記載されているのであるから、引用発明１におけるプラズマエッチングに際して、引用発明２に係る装置と２００Ｗという低周波電源の出力値を採用してみることは、当業者にとって容易なことである。
　そして、引用発明２における「インダクションコイルの巻線部」および「プラテン４０」はそれぞれ本願発明の「上部誘導手段」および「下部容量手段」に相当し、「前記低周波電源の出力を２００Ｗに設定する」は本願発明の「実質的に３００ワット以下の電力設定に調節する」に含まれるものである。
　してみれば、本願発明において前記相違点を採用することは、引用発明１のプラズマエッチングに際して引用発明２を採用してみたことに相当するものであり、前記したとおり、引用発明１及び２に基づいて当業者が容易に想到できることである。
　また、本願明細書にはゲート電極の側壁にアンダーカットが発生しないという効果が記載されているが、該効果は各ゲート電極材料のエッチレートの差の有無に関連する効果であり、ゲート電極材料を特定しない本願発明の全体が奏する効果であるとは認められず、結局、本願発明が格別の効果を奏するものであるとは認められない。
Ｖ．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。