【事件の表示】
　特許第３０６３７３３号「半導体パッケージ」の請求項１〜８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６３７３３号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
特許第３０６３７３３号（平成１０年４月２２日出願、平成１２年５月１２日設定登録）は、異議申立人入船規彰により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年２月１９日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１４年５月２１日に手続補正書が提出され、さらに取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年８月２３日に上記訂正請求を取り下げるとともに新たな訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１を削除する。
（１−２）訂正事項ｂ
　同請求項２を請求項１に繰り上げるとともに、
　「【請求項１】金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成されたポリイミドからなる第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された配線パターンと、前記半導体チップと前記配線パターンの一端を電気的に接続する手段と、前記配線パターンの他端に形成された半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成されたポリイミドからなる第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板は、湾曲部をもたない平板形状であり、前記第１及び第２の絶縁体の膜厚は実質的に等しいことを特徴とする半導体パッケージ。」と訂正する。
（１−３）訂正事項ｃ
　同請求項３を削除する。
（１−４）訂正事項ｄ
　同請求項４を削除する。
（１−５）訂正事項ｅ
　同請求項５を請求項２に繰り上げるとともに、
　「【請求項２】熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記複数の半田バンプのそれぞれに対応する位置の前記他方の面の側には前記第２の絶縁体及び前記金属ベース板に形成された複数の開口部が設けられ、前記第１の絶縁体には前記複数の半田バンプに対応する位置にそれぞれ形成された複数のスルーホールが設けられ、前記複数の開口部にはそれぞれ前記複数のスルーホールを介して前記半田バンプに電気的に接続された複数のチェック端子が設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。」と訂正する。
（１−６）訂正事項ｆ
　同請求項６を削除する。
（１−７）訂正事項ｇ
　同請求項７を削除する。
（１−８）訂正事項ｈ
　同請求項８を請求項３に繰り上げるとともに、
　「【請求項３】熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板の前記一方の面の前記中央部には窪みが形成されており、前記金属ベース板の前記窪みに対応する部分には前記一方の面から前記他方の面へ通じる貫通孔が形成されており、前記半導体チップは前記貫通孔を満たす導電性マウント材によって前記窪み中に搭載されていることを特徴とする半導体パッケージ。」と訂正する。
（１−９）訂正事項ｉ
　特許明細書の段落【００１１】を、
　「【００１１】【課題を解決するための手段】本発明による半導体パッケージは、金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成されたポリイミドからなる第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された配線パターンと、前記半導体チップと前記配線パターンの一端を電気的に接続する手段と、前記配線パターンの他端に形成された半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成されたポリイミドからなる第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板は、湾曲部をもたない平板形状であり、前記第１及び第２の絶縁体の膜厚は実質的に等しいことを特徴とする。」と訂正する。
（１−１０）訂正事項ｊ
　特許明細書の段落【００１２】を、
　「【００１２】また、本発明の半導体パッケージは、熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記複数の半田バンプのそれぞれに対応する位置の前記他方の面の側には前記第２の絶縁体及び前記金属ベース板に形成された複数の開口部が設けられ、前記第１の絶縁体には前記複数の半田バンプに対応する位置にそれぞれ形成された複数のスルーホールが設けられ、前記複数の開口部にはそれぞれ前記複数のスルーホールを介して前記半田バンプに電気的に接続された複数のチェック端子が設けられている。
　また、本発明の半導体パッケージは、熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板の前記一方の面の前記中央部には窪みが形成されており、前記金属ベース板の前記窪みに対応する部分には前記一方の面から前記他方の面へ通じる貫通孔が形成されており、前記半導体チップは前記貫通孔を満たす導電性マウント材によって前記窪み中に搭載されていることを特徴とする。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の請求項１を削除するものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、同請求項２を請求項１に繰り上げるとともに、引用形式を独立形式に訂正したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（２−３）訂正事項ｃ、ｄについて
　訂正事項ｃは、同請求項３、４を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−４）訂正事項ｅについて
　訂正事項ｅは、同請求項５を請求項２に繰り上げるとともに、引用形式を独立形式に訂正し、さらに、「複数の開口部」が「前記第２の絶縁体及び前記金属ベース板」の「複数のはんだバンプのそれぞれに対応する位置の他方の面の側に」形成されることを追加したものであって、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する。
（２−５）訂正事項ｆ、ｇについて
　訂正事項ｆ、ｇは、同請求項６、７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−６）訂正事項ｈについて
　訂正事項ｈは、同請求項８を請求項３に繰り上げるとともに、引用形式を独立形式に訂正したものであって、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する。
（２−７）訂正事項ｉについて
　訂正事項ｉは、同請求項２を請求項１に繰り上げたことに伴い、段落【００１１】を整合させたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（２−８）訂正事項ｊについて
　訂正事項ｊは、同請求項５を請求項２に繰り上げたことに伴い、段落【００１２】を整合させたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項ａ〜ｊについては、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての概要
　異議申立人入船規彰は、証拠として、
　
　甲第１号証：特開平４−３７１８５号公報
　甲第２号証：特開平７−３２１２５０号公報
　甲第３号証：特開平３−５８４５５号公報
　甲第４号証：特開平１０−５６１１０号公報
　
を提出して、本件特許の請求項１〜８に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許の請求項１〜８に係る発明についての特許は、同法第１１３条第１項の規定に該当し、取り消すべきものである旨主張している。
　
（２）本件発明
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、訂正明細書の請求項１〜３に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成されたポリイミドからなる第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された配線パターンと、前記半導体チップと前記配線パターンの一端を電気的に接続する手段と、前記配線パターンの他端に形成された半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成されたポリイミドからなる第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板は、湾曲部をもたない平板形状であり、前記第１及び第２の絶縁体の膜厚は実質的に等しいことを特徴とする半導体パッケージ。
　【請求項２】　熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記複数の半田バンプのそれぞれに対応する位置の前記他方の面の側には前記第２の絶縁体及び前記金属ベース板に形成された複数の開口部が設けられ、前記第１の絶縁体には前記複数の半田バンプに対応する位置にそれぞれ形成された複数のスルーホールが設けられ、前記複数の開口部にはそれぞれ前記複数のスルーホールを介して前記半田バンプに電気的に接続された複数のチェック端子が設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
　【請求項３】　熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板の前記一方の面の前記中央部には窪みが形成されており、前記金属ベース板の前記窪みに対応する部分には前記一方の面から前記他方の面へ通じる貫通孔が形成されており、前記半導体チップは前記貫通孔を満たす導電性マウント材によって前記窪み中に搭載されていることを特徴とする半導体パッケージ。」
　
（３）甲第１〜４号証の記載事項
（３−１）甲第１号証
　甲第１号証の特開平４−３７１８５号公報には、ＰＧＡ等のパッケージ用基板や表面実装用印刷基板に使用できる金属複合積層基板に関する発明が開示され、さらに、発明の構成として、「金属芯板の表面に、耐熱性熱可塑性樹脂からなる絶縁層を介して、導電回路を形成した基板の半導体素子搭載部分を絞り加工してなる金属複合積層基板」（特許請求の範囲参照）が記載されている。
　また、第１、２図には、半導体チップが搭載された窪みを有する金属芯板の両面に、耐熱性熱可塑性樹脂からなる絶縁層が形成されている金属複合積層基板が記載され、さらに、耐熱性熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルイミド等の成形加工性が良好で高周波特性に優れた樹脂が使用できる旨が記載がされている（２頁右上欄２〜８行参照）。
　
（３−２）甲第２号証
　甲第２号証の特開平７−３２１２５０号公報には、熱特性を強化した半導体パッケージに関する発明が開示され、さらに、発明の構成として、「熱伝導体と、熱伝導体の一方の面の中央部に搭載された集積回路チップと、熱伝導体の上記一方の面の周辺部に、接着剤層を介して形成された相互接続配線基板（この相互接続配線基板は、多層印刷配線基板積層体であって、絶縁層と、絶縁層上に形成された導体線層とを積層したものである。）と、集積回路チップと導体線層の一端とを電気的に接続するボンディングワイヤ又はフリップチップと、もっとも外側の導体線層の他端に形成された半田玉と、熱伝導体の他方の面に形成されたエポキシまたはそれ以外の適当な材料の保護層とを備えた半導体パッケージ」（段落【００２１】〜【００２５】、段落【００３７】〜【００４０】、【図２Ａ】、及び【図４Ａ】参照）が記載されている。
　また、甲第２号証には、発明の作用効果について、「この発明によるパッケージ２００では、熱伝導体２０４が基板２０８に直線的共膨張性のばね性保持焼戻し銅の層の形で付着していて基板２０８を補強し支持する作用をもつので、反りを長ずるおそれはなく・・・薄くできる。」（段落【００３１】１５〜１９行）と記載され、絶縁層について、「絶縁層２１４は、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂材料で形成したプリプレグ層により形成できる。」（段落【００２３】８〜１０行）と記載され、該パッケージの実装について、「玉格子アレーパッケージ２００は印刷配線マザーボードなど大きい電子装置に半田付け・・・などにより取付け可能になる。」（【００２５】欄４〜８行）と記載されている。
　さらに、甲第２号証の【図２Ａ】及び【図４Ａ】の記載によれば、熱伝導体の形状は、湾曲部をもたない平板形状であることが認められ、また、【図２Ａ】の記載によれば、導体線層、ボンディングワイヤ、及び半田玉は、それぞれ複数用いられていることが認められる。
　
（３−３）甲第３号証
　甲第３号証の特開平３−５８４５５号公報には、発熱量の大きい半導体チップを組み込む半導体パッケージに関する発明が開示され、さらに、本発明の構成として、「平板形状の金属基材と、金属基材の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、金属基材の一方の面の周辺部に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された導電層パターンと、半導体チップと導電層パターンの一端とを電気的に接続するボンディングワイヤと、導電層パターンの他端に形成された球状端子とを備えた半導体パッケージにおいて、金属基材の一方の面の中央部に凹部を形成し、その凹部中に半導体チップを搭載し、さらに、金属基材の他方の面にヒートシンクを設けた半導体パッケージ」（２頁右下欄１２行〜３頁左上欄２０行、４頁右上欄１〜１７行、４頁左下欄１４〜２０行、第６図、及び第１０図参照）が記載されている。
　
（３−４）甲第４号証
　甲第４号証の特開平１０−５６１１０号公報には、温度変化による反りが少ない半導体用プラスチックパッケージに関する発明が開示され、さらに、発明の構成として、「湾曲部をもたない平板形状であるヒートスプレッダと、ヒートスプレッダの一方の面の中央部に搭載された半導体素子と、ヒートスプレッダの一方の面の周辺部に形成された合成樹脂製の回路基板と、合成樹脂製の回路基板上に形成された配線と、半導体素子と配線の一端とを電気的に接続するワイヤと、配線の他端に形成された半田ボールと、ヒートスプレッダの他方の面に形成された合成樹脂製の補強枠体とを備えた半導体パッケージ」（段落【００１３】〜【００１４】、段落【０００２】１３〜２４行、【図１１】、及び【図１４】参照）が記載されている。
　また、半導体パッケージにおける半田ボールの接続について、「温度が上昇した場合にヒートスプレッダと回路基板、およびヒートスプレッダと半導体素子の熱膨張率の差により生ずる反り力をも補強枠体によって有効に抑えることができる」（段落【００２３】６〜９行）から、「特に外部端子６６が半田ボールで構成されるＢＧＡ型プラスチックパッケージにおいて反りから来る各外部端子６６の接続不良を解消することが可能となる」（段落【００２１】欄１１〜１４行）ことが記載されている。
　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明１について
　甲第１号証の第１図を参照すると、導電回路３と半導体４を結んでいる線はボンディングワイヤと認められ、また、甲第１号証に記載された発明はＰＧＡを対象としていることからみて、導電回路３の両端に記載されたピン状のものは、ピン端子であると認められ、さらに、金属芯板１の両面を覆う絶縁層２は、同一の絶縁層で形成されていることからみて、ほぼ同じ膜厚になっているものと認められる。
　そうすると、甲第１号証には、金属芯板と、前記金属芯板の中央部を絞り加工した一方の面に搭載された半導体素子と、前記金属芯板の前記一方の面の周辺部に形成されたポリイミドからなる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成された導電回路と、前記半導体素子と前記導電回路の一端を電気的に接続するボンディングワイヤと、前記導電回路の他端に形成されたピン端子と、前記金属芯板１の他方の面に形成された、前記第１の絶縁層と実質的に等しい膜厚のポリイミドからなる第２の絶縁層とを備えた金属複合積層基板を使用したパッケージが記載されているものと認められる。
　そして、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された発明の「金属芯板」、「金属芯板の上面に形成された絶縁層」、「導電回路」、「金属芯板の下面に形成された絶縁層」、及び「パッケージ」は、本件発明１の「金属ベース板」、「第１の絶縁層」、「配線パターン」、「第２の絶縁層」、及び「半導体パッケージ」に相当する。
　してみると、両者は、訂正明細書の請求項１に記載された事項に沿って記載すると、「金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成されたポリイミドからなる第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された配線パターンと、前記半導体チップと前記配線パターンの一端を電気的に接続する手段と、前記金属ベース板の他方の面に形成されたポリイミドからなる第２の絶縁体とを備え、前記第１及び第２の絶縁体の膜厚は実質的に等しい半導体パッケージ」の点で一致する。
　しかしながら、（１）本件発明１が配線パターンの他端に半田バンプを形成したのに対し、甲第１号証に記載された発明はピン端子を形成している点、（２）本件発明１の金属ベース板は、湾曲部をもたない平板形状であるのに対し、甲第１号証に記載された金属芯板はそのような形状のものではない点で、それぞれ相違する。
　そこで、上記相違点（１）、（２）について、以下検討する。
　相違点（１）については、半導体パッケージにおいて、外部端子として半田バンプを採用することは、甲第２、４号証に記載されているように周知の技術であるから、本件発明１のピン端子に替えて半田バンプを採用する程度のことは容易に想到することができたものである。
　相違点（２）については、甲第１号証に記載された金属芯板は、半導体素子を搭載するために、従来、セラミック等からなる平板形状の基板に切削加工等を施していたものを、金属基板の中央部分に絞り加工を施して湾曲形状とすることにより、切削加工や封止枠を設ける必要がない等の利点を生ずるようにしたものであるから、平板形状の金属基板とする動機付けは何も存在しない。
　また、甲第２号証には、平板形状の熱伝導体のチップ搭載面の周囲に接着した絶縁層の材料として、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂材料、すなわちポリイミドを用いることが記載され、甲第３号証には、金属基材の一方の面の周辺部に絶縁層が形成されたものが記載され、さらに、甲第４号証には、ヒートスプレッダと回路基板、及びヒートスプレッダと半導体素子との熱膨張率の差により生ずる反り力を補強枠により抑えることが記載されているものの、甲第１号証には金属芯板を平板形状とすることを示唆する記載はない以上、甲第１号証に記載された金属芯板に甲第２〜４号証に記載されたものを組み合わせてみても、本件発明１のように、湾曲部をもたない平板形状の金属ベース板の両面に膜厚の等しい絶縁層を形成することは容易に想到することはできない。
　そして、本件発明１は、リフロー時においても、湾曲部をもたない平板形状の金属ベース板の両面が絶縁体で覆われていることから、金属ベース板が変形することがなく、半田バンプとプリント基板上の電極との電気的接続や機械的接続を確実にとることができるという、明細書に記載された顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
　なお、申立人は、絶縁体の膜厚について、加熱時に金属ベース板の表裏での熱膨張率が共に同じ程度にすることが、反り返しを防ぐために必要であることは、甲第４号証に明りょうに示唆されている旨主張するが、甲第４号証に記載された補強枠は、半導体パッケージの反りを防ぐために、あくまでも枠状に形成したものであって、膜状に形成したものではないから、申立人の主張は採用できない。
　
（４−２）本件発明２について
　本件発明２と甲第２号証に記載された発明とを対比すると、甲第２号証に記載された発明の「熱伝導体」は、図２Ａからみて、平板状であるから、本件発明２における「平板状の金属ベース板」に相当する。また、甲第２号証に記載された発明の「導体線層」、「電気的に接続するボンディングワイヤ」、及び「半田玉」は、図２Ａからみて、各々複数用いられているから、これらは、それぞれ本件発明２における「複数の配線パターン」、「電気的に接続する複数のボンディングワイヤ」、及び「複数の半田バンプ」に相当する。また、甲第２号証に記載された発明の「集積回路チップ」、「絶縁層」、及び「エポキシまたはそれ以外の適当な材料の保護層」は、それぞれ本件発明２における「半導体チップ」、「第１の絶縁体」、及び「第２の絶縁体」に相当する。さらに、甲第２号証に記載された発明の、印刷配線マザーボードに半田付けにより取付け可能になる「玉格子アレーパッケージ」は、本件発明２における、熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う「半導体パッケージ」に相当する。
　そうすると、両者は、訂正明細書の請求項２に記載された事項に沿って記載すると、「熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備えた半導体パッケージ」の点で一致する。
　しかしながら、本件発明２は、「複数の半田バンプのそれぞれに対応する位置の他方の面の側には第２の絶縁体及び金属ベース板に形成された複数の開口部が設けられ、第１の絶縁体には複数の半田バンプに対応する位置にそれぞれ形成された複数のスルーホールが設けられ、前記複数の開口部にはそれぞれ複数のスルーホールを介して半田バンプに電気的に接続された複数のチェック端子が設けられている」のに対し、甲第２号証に記載された発明はそのようなものではない点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、本件発明２のチェック端子は、実装後の半田バンプとプリント基板上の電極とが電気的に接続されているか否かをテストするためのものであるが、甲第１〜４号証のいずれにも、本件発明２のチェック端子のような端子について示唆する記載は何も存在しない。
　したがって、本件発明２は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
（４−３）本件発明３について
　本件発明３と甲第２号証に記載された発明とを対比すると、本件発明２と同様に、両者は、訂正明細書の請求項３に記載された事項に沿って記載すると、「熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備えた半導体パッケージ」の点で一致する。
　しかしながら、本件発明３が、「前記金属ベース板の前記一方の面の前記中央部には窪みが形成されており、前記金属ベース板の前記窪みに対応する部分には前記一方の面から前記他方の面へ通じる貫通孔が形成されており、前記半導体チップは前記貫通孔を満たす導電性マウント材によって前記窪み中に搭載されている」のに対し、甲第２号証に記載された発明はそのようなものではない点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、本件発明３の貫通孔を満たす導電性マウント材は、半導体チップに係る応力がこの導電性マウント材によって効率よく分散して、半導体チップの破損や剥がれを防止するためのものであるが、甲第１〜４号証のいずれにも、本件発明３の貫通孔を満たす導電性マウント材のようなものについて示唆する記載は何も存在しない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月１２日（２００２．９．１２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１を削除する。
（２）訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、同請求項２を請求項１に繰り上げるとともに、
　「【請求項１】金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成されたポリイミドからなる第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された配線パターンと、前記半導体チップと前記配線パターンの一端を電気的に接続する手段と、前記配線パターンの他端に形成された半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成されたポリイミドからなる第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板は、湾曲部をもたない平板形状であり、前記第１及び第２の絶縁体の膜厚は実質的に等しいことを特徴とする半導体パッケージ。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項３を削除する。
（４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項４を削除する。
（５）訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、同請求項５を請求項２に繰り上げるとともに、
　「【請求項２】熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記複数の半田バンプのそれぞれに対応する位置の前記他方の面の側には前記第２の絶縁体及び前記金属ベース板に形成された複数の開口部が設けられ、前記第１の絶縁体には前記複数の半田バンプに対応する位置にそれぞれ形成された複数のスルーホールが設けられ、前記複数の開口部にはそれぞれ前記複数のスルーホールを介して前記半田バンプに電気的に接続された複数のチェック端子が設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項６を削除する。
（７）訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項７を削除する。
（８）訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、同請求項８を請求項３に繰り上げるとともに、
　「【請求項３】熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板の前記一方の面の前記中央部には窪みが形成されており、前記金属ベース板の前記窪みに対応する部分には前記一方の面から前記他方の面へ通じる貫通孔が形成されており、前記半導体チップは前記貫通孔を満たす導電性マウント材によって前記窪み中に搭載されていることを特徴とする半導体パッケージ。」と訂正する。
（９）訂正事項ｉ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１１】を、
　「【００１１】【課題を解決するための手段】本発明による半導体パッケージは、金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成されたポリイミドからなる第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された配線パターンと、前記半導体チップと前記配線パターンの一端を電気的に接続する手段と、前記配線パターンの他端に形成された半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成されたポリイミドからなる第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板は、湾曲部をもたない平板形状であり、前記第１及び第２の絶縁体の膜厚は実質的に等しいことを特徴とする。」と訂正する。
（１０）訂正事項ｊ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１２】を、
　「【００１２】また、本発明の半導体パッケージは、熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記複数の半田バンプのそれぞれに対応する位置の前記他方の面の側には前記第２の絶縁体及び前記金属ベース板に形成された複数の開口部が設けられ、前記第１の絶縁体には前記複数の半田バンプに対応する位置にそれぞれ形成された複数のスルーホールが設けられ、前記複数の開口部にはそれぞれ前記複数のスルーホールを介して前記半田バンプに電気的に接続された複数のチェック端子が設けられている。
　また、本発明の半導体パッケージは、熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板の前記一方の面の前記中央部には窪みが形成されており、前記金属ベース板の前記窪みに対応する部分には前記一方の面から前記他方の面へ通じる貫通孔が形成されており、前記半導体チップは前記貫通孔を満たす導電性マウント材によって前記窪み中に搭載されていることを特徴とする。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体パッケージ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された
ポリイミドからなる
ポリイミドからなる
り、前記第１及び第２の絶縁体の膜厚は実質的に等しい
　【請求項
２
熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁とを備え、
のそれぞれ
の前記他方の面の側
は前記第２の絶縁体及び前記金属ベース板に
る半
　【請求項３】　熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え
、前記金属ベース板の前記一方の面の前記中央部には窪みが形成されており、前記金属ベース板の前記窪みに対応する部分には前記一方の面から前記他方の面へ通じる貫通孔が形成されており、前記半導体チップは前記貫通孔を満たす導電性マウント材によって前記窪み中に搭載されていることを特徴とする
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージに関し、特に金属ベース板を用いたＢＧＡ構造の半導体パッケージの構造に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】近年における半導体集積回路（ＬＳＩ）の高速化・多機能化に伴い、これを収容する半導体パッケージに対しても、ＬＳＩの高速動作に耐えうる良好な電気的特性の実現や多ピン化への要求が高まっている。つまり、ＬＳＩの動作周波数が高くなると、半導体パッケージが持つインダクタンスの影響が顕著となるため、インダクタンスを低減した半導体パッケージが要求され、またＬＳＩの多機能化に伴いＬＳＩの端子数が増大すれば、これに応じてピン数の多い半導体パッケージが要求されるのである。
　【０００３】このような要求に基づき、近年、ＢＧＡ（ＢＡＬＬ　ＧＲＩＤ　ＡＲＲＡＹ）と呼ばれる半導体パッケージが提案されている。ＢＧＡパッケージは、従来より主流であるＱＦＰパッケージのように平板状のパッケージの周囲にピンを設けるのではなく、平板状のパッケージの一方の面に球状のバンプをアレイ状に敷き詰めるものである。ＢＧＡパッケージによれば、ＱＦＰパッケージに比べてパッケージ内で生じるインダクタンスが低減できるため、高速動作するＬＳＩを搭載することが可能となるばかりでなく、バンプ間の間隔をＱＦＰパッケージにおけるピン間隔よりも大幅に広くとることができることから、プリント基板への実装時における作業の困難性を高めることなくピン数を増加させることが可能となる。
　【０００４】ところで、ＢＧＡパッケージにおいてＬＳＩチップが搭載される基板（ベース板）には様々な材料が検討されているが、ＬＳＩチップより発する熱を効率よく外部へ放出できることから、金属を基板（ベース板）に用いたＢＧＡパッケージが提案されている。このようなＢＧＡパッケージについて、図面を参照して説明する。
　【０００５】図９は、「ＭＯＮＤＡＹ　ＭＡＲＣＨ　６，１９９５　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＮＥＷＳ」に掲載されたＡＭＫＯＲ／ＡＮＡＭ社製のＢＧＡ（ＳｕｐｅｒＢＧＡ）パッケージ１０の断面図である。
　【０００６】この半導体パッケージ１０の構造を説明する。この半導体パッケージ１０の基板には金属ベース板１２が用いられており、その中央部にはマウント材２２により半導体チップ１４が搭載されている。半導体チップ１４を取り囲む周辺領域には絶縁体１６が設けられており、その上には所定のパターンを有する複数の配線パターン２０が形成され、さらに、配線パターン２０及び絶縁体１６を覆うようにカバー絶縁膜２８が形成されている。このカバー絶縁膜２８のうち、ボンディングワイヤ２４を介して半導体チップ１４の端子に接続される各配線パターンの一端、及び半田バンプ１８が設けられる各配線パターンの他端に対応する部分には開口が設けられている。そして、かかる開口により露出している各配線パターンの一端と半導体チップ１４の各端子とがボンディングワイヤ２４によって接続され、同じく開口により露出している各配線パターンの他端に半田バンプ１８が設けられており、これによって半導体チップ１４の各端子と各半田バンプ１８との電気的な接続がとられている。尚、半導体チップ１４及びボンディングワイヤ２４を保護すべく、これら半導体チップ１４及びボンディングワイヤ２４これらを覆うように封止樹脂２６が設けられている。
　【０００７】このような構造を有する半導体パッケージ１０をプリント基板に実装する際には、リフロー半田づけにより行う。すなわち、プリント基板上へ半導体パッケージ１０を位置決めした後、半導体パッケージ１０に熱を印加し、半田バンプを溶融させることによりプリント基板上の電極と電気的接続及び機械的接続をとる。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体パッケージ１０においては、上述したリフロー半田づけの際に金属ベース板１２が変形して平坦性がなくなり、半田バンプ１８とプリント基板上の電極との電気的・機械的接続が取れなくなるという問題があった。
　【０００９】かかる金属ベース板１２の変形は、金属ベース板１２の線膨張係数と、絶縁体１６の線膨張係数に大きな差があることに起因している。つまり、リフロー時に印加される熱により、金属ベース板１２も絶縁体１６もそれぞれ膨張するのであるが、これらの膨張の度合いに差があるため、金属ベース板１２が反り返ってしまうのである。金属ベース板１２が反り返ってしまうと、特に金属ベース板１２の外周に近い部分の半田バンプ１８がプリント基板から離れ、プリント基板上の電極との電気的・機械的に接続されなくなってしまうのである。これが、従来の半導体パッケージ１０の実装歩留まりを低下させる原因となっていた。
　【００１０】したがって、本発明の目的は、リフロー時においても平坦性が損なわれない半導体パッケージを提供することである。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】　本発明による半導体パッケージは、金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された
ポリイミドからなる
ポリイミドからなる
り、前記第１及び第２の絶縁体の膜厚は実質的に等しい
　【００１２】　また、本発明の半導体パッケージは、熱を印加するリフローによりプリント基板上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え
、前記複数の半田バンプのそれぞれに対応する位の前記他方の面の側には前記第２の絶縁体及び前記金属ベース板に形成された複数の開口部が設けられ、前記第１の絶縁体には前記複数の半田バンプに対応する位置にそれぞれ形成された複数のスルーホールが設けられ、前記複数の開口部にはそれぞれ前記複数のスルーホールを介して前記半田バンプに電気的に接続された複数のチェック端子が設けられていることを特徴とする。また、本発明の半導体パッケージは、熱を印加するリフローによりプリント基上への実装を行う半導体パッケージであって、平板状の金属ベース板と、前記金属ベース板の一方の面の中央部に搭載された半導体チップと、前記金属ベース板の前記一方の面の周辺部に形成された第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に形成された複数の配線パターンと、前記半導体チップと前記複数の配線パターンの一端をそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記複数の配線パターンの他端にそれぞれ形成された複数の半田バンプと、前記金属ベース板の他方の面に形成された第２の絶縁体とを備え、前記金属ベース板の前記一方の面の前記中央部には窪みが形成されており、前記金属ベース板の前記窪みに対応する部分には前記一方の面から前記他方の面へ通じる貫通孔が形成されており、前記半導体チップは前記貫通孔を満たす導電性マウント材によって前記窪み中に搭載されていることを特徴とする
　【００１３】
　【発明の実施の形態】本発明の実施の形態による半導体パッケージにつき、図面を参照して説明する。
　【００１４】図１は、本発明の第１の実施の形態による半導体パッケージ１００を示す断面図である。本実施の形態による半導体パッケージ１００は、パッケージの一面に球状のバンプをアレイ状に敷き詰めたＢＧＡパッケージである。
　【００１５】この半導体パッケージ１００の基板としては０．１５〜１ｍｍ厚程度の銅（Ｃｕ）からなる金属ベース板１０２が用いられており、その中央部には銀ペーストの様な高熱伝導の導電性マウント材１１８により半導体チップ１０４が搭載されている。搭載される半導体チップ１０４は、マイクロプロセッサでもＤＳＰでもよく、種類は問わない。また、金属ベース板１０２の材質としては銅に限定されず、アルミニウムであっても良い。さらに、金属ベース板１０２の厚さも上述したものに限定されないが、より薄い金属ベース板ほど容易に反り返るので、より薄い金属ベース板を用いた場合ほど本発明による効果は顕著となる。
　【００１６】半導体チップ１４を取り囲む金属ベース板１０２の周辺領域には、２０〜５５μｍ厚の有色または無色のポリイミドからなる絶縁体１０６が設けられており、その上には所定のパターンを有する、１８〜３５μｍ厚の銅箔からなる複数の配線パターン１１２が形成され、さらに、配線パターン１１２及び絶縁体１０６を覆うように、有機系絶縁体からなるカバー絶縁膜１１４が形成されている。このカバー絶縁膜１１４のうち、ボンディングワイヤ１１６を介して半導体チップ１０４の端子（図示せず）に接続される各配線パターンの一端に対応する部分、及び半田バンプ１１０が設けられる各配線パターンの他端に対応する部分にはそれぞれ開口が設けられている。そして、かかる開口により露出している各配線パターン１１２の一端と半導体チップ１０４の各端子とがボンディングワイヤ１１６によって接続され、同じく開口により露出している各配線パターンの他端に半田バンプ１１０が設けられており、これによって半導体チップ１０４の各端子と各半田バンプ１１０との電気的な接続がとられている。尚、半導体チップ１０４及びボンディングワイヤ１１６を保護すべく、これら半導体チップ１０４及びボンディングワイヤ１１６これらを覆うようにエポキシ樹脂等からなる封止樹脂１２０が設けられている。
　【００１７】さらに、金属ベース板１０２の裏面、すなわち、半導体チップ１０４や半田バンプ１１０が形成される面とは逆の面の全面にも、２０〜５５μｍ厚の有色または無色のポリイミドからなる絶縁体１０８が形成されている。特に限定されないが、絶縁体１０６の膜厚と絶縁体１０８の膜厚は同一であることが好ましい。
　【００１８】次に、かかる半導体パッケージ１００の製造方法について説明する。
　【００１９】まず、金属ベース板１０２の一方の面の全面に絶縁体１０６を形成し、他方の面の全面に絶縁体１０８を形成する。次に、絶縁体１０６上に配線パターン１１２を形成する。そして、半導体チップ１０４が搭載されるべき位置における絶縁体１０６及び配線パターン１１２を除去し、半導体チップ１０４が搭載されるべき位置の金属ベース板１０２を露出させる。次に、半田バンプ１１０が形成される配線パターン１１２上の所定の位置及びボンディング部分を除く絶縁体１０６の全面にカバー絶縁体１１４を被覆する。
　【００２０】続いて、金属ベース板１０２上の半導体チップ１０４の搭載位置にマウント材１１８を設け、かかるマウント材１１８上に半導体チップ１０４を搭載する。このように搭載された半導体チップ１０４の各電極（図示せず）と配線パターン１１２のボンディング部とをボンディングワイヤ１１６により接続する。ついで半導体チップ１０４、ボンディングワイヤ１１６、及び配線パターン１１２の一部を例えば封止樹脂１２０により封止する。最後に、配線パターン１１２上のカバー絶縁体９がコーティングされない所定位置に各々半田バンプ１１０を設け、半導体パッケージ１００を完成する。
　【００２１】このように、本実施の形態による半導体パッケージ１００は、従来の半導体パッケージ１０と異なり、半導体チップ１０４や半田バンプ１１０が形成される側とは反対の側にも絶縁体１０８が設けられている。このため、プリント基板に実装する際のリフローにより半導体パッケージ１００に熱が印加されても、金属ベース板１０２はその両面が絶縁体１０６と絶縁体１０８に覆われていることから、従来の半導体パッケージ１０のように、リフロー時に金属ベース板が変形して、半田バンプとプリント基板上の電極との電気的接続や機械的接続が取れなくなるという問題は生じない。すなわち、本実施の形態による半導体パッケージ１００では、金属ベース板１０２の両側に絶縁体が形成されているので、半導体パッケージ１００に熱が印加されても、線膨張係数の差に基づく応力を金属ベース板１０２はその両面から受けることとなる。このため、かかる応力を金属ベース板の一方の面からのみ受けることにより反り返ってしまうという従来の問題点は解消されることになる。
　【００２２】したがって、本実施例による半導体パッケージ１００によれば、リフロー時においても平坦性が損なわれないため、半田バンプ１１０とプリント基板上の電極との電気的接続や機械的接続を確実にとることができ、実装歩留まりが向上する。
　【００２３】次に、本発明の第２の実施の形態による半導体パッケージ２００について説明する。
　【００２４】図２は、本発明の第２の実施の形態による半導体パッケージ２００を示す断面図である。本実施の形態による半導体パッケージ２００も、パッケージの一面に球状のバンプをアレイ状に敷き詰めたＢＧＡパッケージであり、上述した半導体パッケージ１００に実装後のチェック端子２３４を設けたものである。つまり、金属ベース板２０２のうち半田バンプ２１０が形成される部分には開口２３０が形成されており、この開口２３０の内部には絶縁体２０６に形成されたスルーホール２３２を介して半田バンプ２１０と電気的に接続されたチェック端子２３４が形成されている。
　【００２５】かかる半導体パッケージ２００では、プリント基板への実装後に各半田バンプ２１０とプリント基板上の各電極とが電気的に接続されているか否かをテストすることができる。金属ベース板を用いたＢＧＡパッケージでは、実装後における半田バンプとプリント基板上の電極との接続確認を目視により行うことができないため、このようなチェック端子２３４を設けることは実際上極めて有効である。
　【００２６】このように、半導体パッケージ２００では、金属ベース板２０２の裏面には開口２３０が設けられているが、それ以外の部分の全面は絶縁体２０８に覆われていることから、上述した半導体パッケージ１００と同様、リフロー時の変形が防止され、実装歩留まりが向上する。
　【００２７】次に、本発明の第３の実施の形態による半導体パッケージ３００について説明する。
　【００２８】図３は、本発明の第３の実施の形態による半導体パッケージ３００を示す断面図である。本実施の形態による半導体パッケージ３００も、パッケージの一面に球状のバンプをアレイ状に敷き詰めたＢＧＡパッケージであり、上述した半導体パッケージ１００と同様、金属ベース板３０２の裏面全体に絶縁体３０８が形成されているのみならず、半導体チップ３０４が搭載される部分に相当する金属ベース板３０２をエッチング加工し、窪み３２６（段差）が設けられている。
　【００２９】半導体パッケージ３００によれば、半導体チップ３０４の表面が半田バンプ３１０の形成面に対してより低い位置となることから、封止樹脂３２０の高さをより低く形成することができるので、かかる封止樹脂３２０がプリント基板への実装の際の障害となりにくくなる。
　【００３０】さらに、半導体パッケージ３００では、上述した半導体パッケージ１００と同様、金属ベース板３０２の裏面全体に絶縁体３０８が形成されていることから、半導体パッケージ１００と同様、リフロー時の変形が防止され、実装歩留まりが向上する。特に、半導体パッケージ３００では、半導体チップ３０４搭載部に窪み３２６が設けられていることから、第１の実施の形態による半導体パッケージ１００よりも金属ベース板の機械的強度が低く、リフロー時の反り返りがより起きやすいことから、金属ベース板３０２の裏面に形成された絶縁体３０８による反り返りの防止効果は大きい。
　【００３１】尚、半導体パッケージ３００においても、上述した半導体パッケージ２００と同様に実装後のチェック端子をさらに設けても良い。この場合、金属ベース板３０２の強度がより弱くなることから、本発明による効果はさらに顕著なものとなる。
　【００３２】次に、本発明の第４の実施の形態による半導体パッケージ４００について説明する。
　【００３３】図４は、本発明の第４の実施の形態による半導体パッケージ４００を示す断面図である。図に示すとおり、本実施の形態による半導体パッケージ４００は、上述した半導体パッケージ３００にヒートシンク４２２をさらに付加したものである。ヒートシンク４２２は、熱伝導性接着材４２４によって、半導体チップ４０４の搭載部のちょうど裏側に当たる金属ベース板４０２に接着されている。
　【００３４】半導体パッケージ４００では、金属ベース板４０２の裏面のうち、半導体チップ４０４の搭載部のちょうど裏側に当たる部分にはヒートシンク４２２が接着されていることからこの部分には絶縁体４０８は形成されていない。しかしながら、本発明が解決しようとする半導体パッケージの反り返りによるプリント基板との接続不良は、半導体パッケージのより外側に存在する半田バンプにて生じやすいため、半導体パッケージ４００のように金属ベース板４０２の裏面のうち外周部分のみに絶縁体４０８を形成することによってもかかる反り返りが抑えられる。
　【００３５】尚、かかる半導体パッケージ４００においても、上述した半導体パッケージ２００と同様に実装後のチェック端子をさらに設けても良い。この場合、金属ベース板４０２の強度がより弱くなることから、本発明による効果はさらに顕著なものとなる。
　【００３６】次に、本発明の第５の実施の形態による半導体パッケージ５００について説明する。
　【００３７】図５は、本発明の第５の実施の形態による半導体パッケージ５００を示す断面図である。図に示すとおり、本実施の形態による半導体パッケージ５００は、上述した半導体パッケージ３００と類似し、導電性マウント材５１８が設けられる部分の金属ベース板５０２に複数の貫通孔５２８が形成されている点を特徴とする。この貫通孔５２８は、金属ベース板５０２に形成された窪み５２６に対応する部分において金属ベース板５０２の一方の面から他方の面へ通じるものであり、この貫通孔５２８内には導電性マウント材５１８が満たされている。
　【００３８】かかる構成によれば、リフロー時において半導体チップ５０４にかかる応力がマウント材５１８に効率よく分散するため、半導体チップ５０４の破損や剥がれを防止することができる。
　【００３９】かかる半導体パッケージ５００においても、やはり実装後のチェック端子をさらに設けても良い。
　【００４０】次に、本発明のその他の実施の形態による半導体パッケージ６００、７００及び８００について、それぞれ図６、図７及び図８を用いて説明する。これら半導体パッケージ６００、７００及び８００も、一方の面に半田バンプがアレイ状に形成されたＢＧＡパッケージである。
　【００４１】図６に示すとおり、半導体パッケージ６００は、金属ベース板６０２のうち半導体チップ６０４が搭載される部分に湾曲６２６が設けられている。これにより、半導体チップ６０４の表面が半田バンプ６１０の形成面に対してより低い位置となることから、封止樹脂６２０の高さをより低く形成することができる。
　【００４２】図７に示す半導体パッケージ７００は、半導体パッケージ６００にヒートシンク７２２を付加したものであり、図８に示す半導体パッケージ８００は半導体パッケージ６００にチェック端子８３４を設けたものである。いずれの半導体パッケージ６００、７００及び８００も、半導体チップの表面が半田バンプ形成面に対してより低い位置となることから、封止樹脂の高さをより低く形成することができる特徴がある。
　【００４３】
　【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、リフロー時においても平坦性が損なわれず、半田バンプとプリント基板上の電極との電気的接続や機械的接続を確実にとることができ実装歩留まりのよい半導体パッケージが提供される。
　【００４４】
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体パッケージ１００の断面図である。
　【図２】本発明の第２の実施の形態による半導体パッケージ２００の断面図である。
　【図３】本発明の第３の実施の形態による半導体パッケージ３００の断面図である。
　【図４】本発明の第４の実施の形態による半導体パッケージ４００の断面図である。
　【図５】本発明の第５の実施の形態による半導体パッケージ５００の断面図である。
　【図６】本発明のその他の実施の形態による半導体パッケージ６００の断面図である。
　【図７】本発明のその他の実施の形態による半導体パッケージ７００の断面図である。
　【図８】本発明のその他の実施の形態による半導体パッケージ８００の断面図である。
　【図９】従来の半導体パッケージ１０の断面図である。
　【符号の説明】
　１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００　半導体パッケージ
　１０２，２０２，３０２，４０２，５０２，６０２，７０２，８０２　金属ベース板
　１０４，２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７０４，８０４　半導体チップ
　１０６，１０８，２０６，２０８，３０６，３０８，４０６，４０８，５０６，５０８，６０６，６０８，７０６，７０８，８０６，８０８　絶縁体
　１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０，８１０　半田バンプ
　１１２，２１２，３１２，４１２，５１２，６１２，７１２，８１２　配線パターン
　１１４，２１４，３１４，４１４，５１４，６１４，７１４，８１４　カバー絶縁膜
　１１６，２１６，３１６，４１６，５１６，６１６，７１６，８１６　ボンディングワイヤ
　１１８，２１８，３１８，４１８，５１８，６１８，７１８，８１８　導電性マウント材
　１２０，２２０，３２０，４２０，５２０，６２０，７２０，８２０　封止樹脂
　４２２，７２２　ヒートシンク
　３２６，４２６，５２６　窪み
　６２６，７２６，８２６　湾曲
　５２８　貫通孔
　２３０，８３０　開口
　２３２，８３２　スルーホール
　２３４，８３４　チェック端子