【事件の表示】
　特願２００７−２３２５５５号「システムインパッケージ型半導体装置用の樹脂組成物セット」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月２４日出願公開、特開２００８−　９８６２０号、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯，本願発明
　本願は，平成１９年９月７日（優先権主張　平成１８年９月１４日）の出願であって，平成２５年１月２２日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２５年２月２１日に拒絶査定に対する不服の審判が請求されると同時に手続補正がされ，その後，前置審査において平成２５年５月１７日付けで拒絶の理由（最後の拒絶理由通知）が通知されたところ，平成２５年７月２日付けで意見書が提出されたものである。
　　　　　
　そして，本願の各請求項に係る発明は，平成２５年２月２１日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうちの請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
「【請求項１】
基板，
該基板にフリップチップ方式で接続された第１の半導体素子，
該第１の半導体素子と基板との間のアンダーフィル部，
該第１の半導体素子の上側に配置された少なくとも１つの第２の半導体素子，及び，
該第１の半導体素子，該アンダーフィル部及び該第２の半導体素子を被う樹脂封止部，を備えるシステムインパッケージ型半導体装置であって，
該アンダーフィル部がアンダーフィル剤の硬化物からなり，及び前記樹脂封止部が樹脂封止剤の硬化物からなり，
　前記アンダーフィル剤と前記樹脂封止剤の組合せが下記を満たすことを特徴とする，システムインパッケージ型半導体装置
１）アンダーフィル剤硬化物のＴｇが１００℃以上であり，且つ，樹脂封止剤硬化物のＴｇとの差が２０℃以下であり，
２）アンダーフィル剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の温度における線膨張係数と，樹脂封止剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の温度における線膨張係数の和が４２ｐｐｍ／℃以下であり，及び
３）樹脂封止剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下における線膨張係数の，アンダーフィル剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の線膨張係数に対する比が０．３〜０．９である。」
　　　　　
　また，請求項２に係る発明（以下，「本願発明２」という。）は，次のとおりである。
「【請求項２】
　基板，
該基板にフリップチップ方式で接続された第１の半導体素子，
該第１の半導体素子と基板との間のアンダーフィル部，
該第１の半導体素子の上側に配置された少なくとも１つの第２の半導体素子，及び，
該第１の半導体素子，該アンダーフィル部及び該第２の半導体素子を被う樹脂封止部，を備えるシステムインパッケージ型半導体装置において，
アンダーフィル剤の硬化物で前記アンダーフィル部を形成し，樹脂封止剤の硬化物で前記樹脂封止部を形成する，アンダーフィル剤と樹脂封止剤の組合せの使用方法であって，
　前記アンダーフィル剤と樹脂封止剤の組合せが下記を満たすことを特徴とする，使用方法
１）アンダーフィル剤硬化物のＴｇが１００℃以上であり，且つ，樹脂封止剤硬化物のＴｇとの差が２０℃以下であり，
２）アンダーフィル剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の温度における線膨張係数と，樹脂封止剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の温度における線膨張係数の和が４２ｐｐｍ／℃以下であり，及び
３）樹脂封止剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下における線膨張係数の，アンダーフィル剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の線膨張係数に対する比が０．３〜０．９である。」
　　　　　
第２　刊行物の記載事項 
（１）　前置審査の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開２００３−１８３３５１号公報（以下，「引用例１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
 　　　　　 
　１ａ）　「【００５０】本発明のエポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として用いる場合，その硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃であることが好ましい。なお，この場合，フィレット材用の封止材は公知のものでよく，特に上述したアンダーフィル材と同様の液状エポキシ樹脂組成物を用いることができるが，この場合はその硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃であるものが好ましい。」
　　　　　
　１ｂ）　「【００５３】［粘度］ＢＨ型回転粘度計を用いて４ｒｐｍの回転数で２５℃における粘度を測定した。
［ゲル化時間］組成物のゲル化時間を１５０℃の熱板上で測定した。
［靭性値Ｋ1c］ＡＳＴＭ＃Ｄ５０４５に基づき，常温の強靭性値Ｋ1cを測定した。
［Ｔｇ（ガラス転移温度），ＣＴＥ１（膨張係数），ＣＴＥ２（膨張係数）］５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの硬化物試験片を用いて，ＴＭＡ（熱機械分析装置）により毎分５℃の速さで昇温した時のＴｇを測定した。また，以下の温度範囲の膨張係数を測定した。ＣＴＥ１の温度範囲は５０〜８０℃，ＣＴＥ２の温度範囲は２００〜２３０℃である。
［接着力テスト］感光性ポリイミドをコートしたシリコンチップ上に上面の直径２ｍｍ，下面の直径５ｍｍ，高さ３ｍｍの円錐台形状の試験片を載せ，１５０℃で３時間硬化させた。硬化後，得られた試験片の剪断接着力を測定し，初期値とした。更に，硬化させた試験片をＰＣＴ（１２１℃／２．１ａｔｍ）で１６８時間吸湿させた後，接着力を測定した。いずれの場合も試験片の個数は５個で行い，その平均値を接着力として表記した。
［ＰＣＴ剥離テスト］ポリイミドコートした１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ−４基板に約１００μｍのスペーサを用いて設置し，生じた隙間に組成物を侵入，硬化させ，３０℃／６５％ＲＨ／１９２時間後に最高温度２６５℃に設定したＩＲリフローにて５回処理した後の剥離，更にＰＣＴ（１２１℃，２．１ａｔｍ）の環境下に置き，１６８時間後の剥離をＣ−ＳＡＭ（ＳＯＮＩＸ社製）で確認した。
［熱衝撃テスト］ポリイミドコートした１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ−４基板に約１００μｍのスペーサを用いて設置し，生じた隙間に組成物を侵入，硬化させ，３０℃／６５％ＲＨ／１９２時間後に最高温度２６５℃に設定したＩＲリフローにて５回処理した後，−６５℃／３０分，１５０℃／３０分を１サイクルとし，２５０，５００，７５０サイクル後の剥離，クラックを確認した。」
　　　　　
　１ｃ）　表１を参照すると，実施例１〜５における，アンダーフィル材のガラス転移温度の値及びアンダーフィル材の温度範囲５０〜８０℃での膨張係数の値が記載されている。また，上記実施例１〜５のガラス転移温度の値から，アンダーフィル材のガラス転移温度Ｔｇが１３５〜１３８℃のものが記載されているといえる。
　　　　　
　１ｄ）　図１を参照すると，有機基板１にバンプ２で接続された半導体チップ３と，半導体チップ３と有機基板１との間のアンダーフィル材４と，半導体チップ３の側面とアンダーフィル材４の側面を覆うフィレット材５からなるフリップチップ型半導体装置が記載されている。
　　　　　
　上記の記載事項及び図面の記載を総合すると，引用例１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が実質的に記載されている。 
　「有機基板１にバンプ２で接続された半導体チップ３と，半導体チップ３と有機基板１との間のアンダーフィル材４と，半導体チップ３の側面とアンダーフィル材４の側面を覆うフィレット材５からなるフリップチップ型半導体装置であって，
　エポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として用い，その硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃で，５０〜８０℃の温度範囲で測定した膨張係数であり，また，ガラス転移温度Ｔｇが１３５〜１３８℃のもので，
　フィレット材用の封止材は，アンダーフィル材と同様の液状エポキシ樹脂組成物を用い，その硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃である。」
　　　　　
（２）　前置審査の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開２００４−１２４０８９号公報（以下，「引用例２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
　　　　　
　２ａ）　「【００３３】
　ここで，本発明に用いるフリップチップ型半導体装置としては，例えば図１に示したように，通常，有機基板１の配線パターン面に複数個のバンプ２を介して半導体チップ３が搭載されているものであり，上記有機基板１と半導体チップ３との隙間（バンプ２間の隙間）にアンダーフィル材４が充填され，その側部がフィレット材５で封止されたものとすることができるが，本発明の封止材は，特にアンダーフィル材として使用する場合に有効である。
【００３４】
　本発明の液状エポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として用いる場合，その硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃であることが好ましい。なお，この場合，フィレット材用の封止材は公知のものでよく，特に上述したアンダーフィル材と同様の液状エポキシ樹脂組成物を用いることができるが，この場合はその硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃であるものが好ましい。」
　　　　　
　２ｂ）　「【００３７】
［粘度］
　ＢＨ型回転粘度計を用いて４ｒｐｍの回転数で２５℃における粘度を測定した。
［Ｔｇ（ガラス転移温度），ＣＴＥ１（膨張係数），ＣＴＥ２（膨張係数）］
　５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの硬化物試験片を用いて，ＴＭＡ（熱機械分析装置）により毎分５℃の速さで昇温した時のＴｇを測定した。また，以下の温度範囲の膨張係数を測定した。
　ＣＴＥ１の温度範囲は５０〜８０℃，ＣＴＥ２の温度範囲は２００〜２３０℃である。」
　　　　　
　２ｃ）　表１を参照すると，実施例１〜５における，アンダーフィル材のガラス転移温度の値及びアンダーフィル材の温度範囲５０〜８０℃での膨張係数の値が記載されている。また，上記実施例１〜５のガラス転移温度の値から，アンダーフィル材のガラス転移温度Ｔｇが１１０〜１１９℃のものが記載されているといえる。
　　　　　
　２ｄ）　図１を参照すると，有機基板１にバンプ２で接続された半導体チップ３と，半導体チップ３と有機基板１との間のアンダーフィル材４と，半導体チップ３の側面とアンダーフィル材４の側面を覆うフィレット材５からなるフリップチップ型半導体装置が記載されている。
　　　　　
（３）　原査定の拒絶の理由及び前置審査の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開平１１−２７４３７５号公報（以下，「引用例３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。 
 　　　　　 
　３ａ）　「【請求項３】  基板上にダイボンド材，アンダーフィル材及び導電性接着樹脂材又は異方性導電性樹脂材により多重チップを形成し，その上を封止樹脂材によりモールドされたスタックド方式の半導体装置において，
前記基板は，熱膨脹係数α１を有し，ガラス転移温度Ｔｇ１で形成され，
前記多重チップは，熱膨脹係数α５を有するダイボンド材，アンダーフィル材及び導電性接着樹脂材又は異方性導電性樹脂材により，ガラス転移温度Ｔｇ５で形成され，
前記封止樹脂材は，熱膨脹係数α３を有し，ガラス転移温度Ｔｇ３で形成され，
関係式，Ｔｇ１≧Ｔｇ５≧Ｔｇ３，
及びα１≦α５≦α３を満たすことを特徴とする半導体装置。」
　　　　　
　３ｂ）　「【００４３】実施の形態３．この発明の実施の形態３に係る半導体装置及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図３は，この発明の実施の形態３に係る半導体装置を示す図である。なお，各図中，同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００４４】図３において，１ははんだバンプ（ハンダボールグリッド），２はプリント配線基板，３はモールド（封止樹脂材），４は金ワイヤー，５はベアチップ（シリコンチップ），６はダイボンド材，７はバンプ，８は導電性接着樹脂材，９はアンダーフィル材である。なお，導電性接着樹脂材８の代わりに異方性導電性樹脂材でもよい。
【００４５】図３は，裏面にハンダボールグリッド１を形成したプリント配線基板２へ，表面の多重シリコンチップ（スタックド）５の下部のバンプと導電性接着樹脂材８又はワイヤーボンドで電気接合し，封止樹脂材３によりモールドした半導体装置である。シリコンチップ搭載面から，ワイヤーボンドやバンプによる配線を施し，封止樹脂材３によりモールドした半導体装置である。」
　　　　　
　３ｃ）　図３を参照すると，プリント配線基板２にバンプ７で接続された下側のベアチップ５，該下側のベアチップ５とプリント配線基板２との間のアンダーフィル材９，該下側のベアチップの上側に配置された上側のベアチップ５，及び，下側のベアチップ５，アンダーフィル材９及び上側のベアチップを覆う封止樹脂材３を備える，半導体装置が記載されている。
 　　　　　 
第３　対比・判断 
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。 
　引用発明の「有機基板１」は本願発明１の「基板」に相当する。
　以下，同様に「有機基板１にバンプ２で接続された半導体チップ３」は「基板にフリップチップ方式で接続された第１の半導体素子」に，「半導体チップ３と有機基板１との間のアンダーフィル材４」は「第１の半導体素子と基板との間のアンダーフィル部」に，アンダーフィル材の「硬化物のガラス転移温度」は「アンダーフィル剤硬化物のＴｇ」に，「膨張係数」は「線膨張係数」に，それぞれ相当する。
　引用発明の「半導体チップ３の側面とアンダーフィル材４の側面を覆うフィレット材５」と，本願発明１の「第１の半導体素子の上側に配置された少なくとも１つの第２の半導体素子，及び，該第１の半導体素子，該アンダーフィル部及び該第２の半導体素子を被う樹脂封止部」とは，「第１の半導体素子の少なくとも一部と，アンダーフィル剤とを覆う樹脂封止部」である点で共通している。
　引用発明では，ガラス転移温度Ｔｇが１３５〜１３８℃であるアンダーフィル材の，５０〜８０℃の温度範囲で測定した膨張係数を用いているから，引用発明のアンダーフィル材の「硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数」は，本願発明１の「アンダーフィル剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の温度における線膨張係数」に相当する。
　引用発明では，アンダーフィル材は硬化物を，フィレット材用の封止材も硬化物を用いているから，引用発明は本願発明１の「アンダーフィル部がアンダーフィル剤の硬化物からなり，及び前記樹脂封止部が樹脂封止剤の硬化物からなり」との構成を備える。 
　引用発明では，アンダーフィル材の硬化物として「ガラス転移温度Ｔｇが１３５〜１３８℃のもの」を用いているから，引用発明は本願発明の「アンダーフィル剤硬化物のＴｇが１００℃以上」との構成を備える。 
 　　　　　 
　以上のことから，本願発明１と引用発明とは次の点で一致する。 
「基板，
該基板にフリップチップ方式で接続された第１の半導体素子，
該第１の半導体素子と基板との間のアンダーフィル部，
第１の半導体素子の少なくとも一部と，アンダーフィル剤とを覆う樹脂封止部を備える半導体装置であって，
該アンダーフィル部がアンダーフィル剤の硬化物からなり，及び前記樹脂封止部が樹脂封止剤の硬化物からなり，
　前記アンダーフィル剤と前記樹脂封止剤の組合せが下記を満たすことを特徴とする，システムインパッケージ型半導体装置
１）アンダーフィル剤硬化物のＴｇが１００℃以上である。」
 　　　　　 
　一方で，両者は次の点で相違する。 
［相違点１］
 「第１の半導体素子の少なくとも一部と，アンダーフィル剤とを覆う樹脂封止部」について，本願発明１では「第１の半導体素子の上側に配置された少なくとも１つの第２の半導体素子，及び，該第１の半導体素子，該アンダーフィル部及び該第２の半導体素子を被う樹脂封止部」であるのに対して，引用発明では「半導体チップの側面とアンダーフィル材の側面を覆うフィレット材」あり，また，半導体装置について，本願発明では「システムインパッケージ型」であるのに対して，引用発明では，システムインパッケージ型であるかどうか明確ではない点。 
　　　　　
［相違点２］ 
　本願発明１ではアンダーフィル剤硬化物のＴｇと樹脂封止剤硬化物のＴｇとの「差が２０℃以下」であるのに対して，引用発明では，アンダーフィル材の硬化物のガラス転移温度Ｔｇについては記載があるものの， フィレット材用の封止材の硬化物のＴｇは明らかではないから，アンダーフィル材の硬化物のガラス転移温度Ｔｇとフィレット材用の封止材の硬化物のＴｇとの差についても，明らかではない点。
　　　　　
［相違点３］ 
　本願発明１では「２）アンダーフィル剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の温度における線膨張係数と，樹脂封止剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の温度における線膨張係数の和が４２ｐｐｍ／℃以下であり，及び　３）樹脂封止剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下における線膨張係数の，アンダーフィル剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の線膨張係数に対する比が０．３〜０．９である。」であるのに対して，引用発明では，フィレット材の硬化物の膨張係数は，ガラス転移温度以下の膨張係数ではあるものの，「（Ｔｇ−３０℃）以下」での膨張係数であるかどうかは明らかではなく，また，「アンダーフィル材の硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃」で，フィレット材用の封止材の硬化物の「ガラス転移温度以下の膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃」ではあるものの，アンダーフィル材の硬化物の膨張係数と封止材の硬化物の膨張係数との和及び比については明らかではない点。
　　　　　
（２）判断 
　上記相違点２及び相違点３について検討する。
（２−１）引用例１について
　引用例１には，実施例１〜５として，アンダーフィル材のガラス転移温度が記載されている。しかし，引用例１には，実施例１〜５のそれぞれに組合せるフィレット材用の封止材の硬化物のガラス転移温度Ｔｇについて具体的な値は記載されていないから，アンダーフィル材の硬化物のガラス転移温度Ｔｇとフィレット材用の封止材の硬化物のガラス転移温度Ｔｇとの差については明らかではない。したがって，引用例１に，本願発明１の上記相違点２に係る構成のアンダーフィル剤硬化物のＴｇと樹脂封止剤硬化物のＴｇとの「差が２０℃以下」とすることについて，示唆する記載があるとはいえない。
　　　　　
　また，引用例１には，実施例１〜５としてアンダーフィル材の膨張係数について具体的な値が記載されており，また，フィレット材用の封止材の硬化物として「ガラス転移温度以下の膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃」（記載事項１ａ）を参照。）であることも記載されている。しかし，引用例１には，実施例１〜５のそれぞれに対して，具体的にどのような膨張係数を有するフィレット材用の封止材の硬化物を組合せるかは記載されていないから，アンダーフィル材の硬化物の膨張係数とフィレット材用の封止材の硬化物の膨張係数の和及び比の具体的な値については明らかではない。
　また，引用例１には，「アンダーフィル材の硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃」で，フィレット材用の封止材の硬化物の「ガラス転移温度以下の膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃」であることが記載されているから，膨張係数の和として，少なくとも３０ｐｐｍ／℃以上で，多くとも６０ｐｐｍ／℃以下のもの，及び，膨張係数の比として，少なくとも０．２５以上で，多くとも１以下のものが一応想定される。しかし，引用例１には，膨張係数の「和が４２ｐｐｍ／℃以下」及び「比が０．３〜０．９」の範囲内のものが，本願明細書記載の効果（段落【０００８】〜【００１１】及び表１〜６を参照。）を奏することまで示唆されているものではない。
　このように，引用例１に，本願発明１の上記相違点３に係る構成の「線膨張係数の和が４２ｐｐｍ／℃以下」及び「比が０．３〜０．９」とすることについて，示唆する記載があるとはいえない。
　　　　　
（２−２）引用例２について
　引用例２についても，引用例１と同様に，本願発明１の上記相違点２に係る構成のアンダーフィル剤硬化物のＴｇと樹脂封止剤硬化物のＴｇとの「差が２０℃以下」とすることについて，並びに，本願発明１の上記相違点３に係る構成の「線膨張係数の和が４２ｐｐｍ／℃以下」及び「比が０．３〜０．９」とすることについて，示唆する記載があるとはいえない。
　　　　　
（２−３）引用例３について
　引用例３には，（アンダーフィル材のガラス転移温度Ｔｇ５）≧（封止樹脂材のガラス転移温度Ｔｇ）であることが記載されている。しかし，引用例３には，アンダーフィル材のガラス転移温度Ｔｇ５及び封止樹脂材のガラス転移温度Ｔｇについての具体的な値は記載されておらず，本願発明１の上記相違点２に係る構成のアンダーフィル剤硬化物のＴｇと樹脂封止剤硬化物のＴｇとの「差が２０℃以下」とすることについて，示唆する記載があるとはいえない。
　引用例３には，（アンダーフィル材の熱膨張係数α５）≦（封止樹脂材の熱膨張係数α３）であることが記載されている。しかし，引用例３には，アンダーフィル材の熱膨張係数α５及び封止樹脂材の熱膨張係数α３についての具体的な値は記載されておらず，本願発明１の上記相違点３に係る構成の「線膨張係数の和が４２ｐｐｍ／℃以下」とすることについて，示唆する記載があるとはいえない。
　また，引用例３における，封止樹脂材の熱膨張係数α３のアンダーフィル材の熱膨張係数α５に対する比は，１以上となるから，本願発明１の上記相違点３に係る構成の「比が０．３〜０．９」の範囲とは異なり，したがって，本願発明１の上記相違点３に係る構成の「比が０．３〜０．９」とすることについて，示唆する記載があるとはいえない。
　　　　　
（２−４）小括
　以上のように，本願発明１の上記相違点２及び相違点３に係る構成については，引用例１〜３には記載も示唆もない。
　一方，本願発明１は，本願発明１の上記相違点２及び相違点３に係る構成を備えることにより，アンダーフィル剤硬化物のＴｇと樹脂封止剤硬化物のＴｇとの「差が２０℃以上になると，高熱にさらされた場合，アンダーフィル部と樹脂封止部の間に応力がかかり，アンダーフィル部と樹脂封止部の剥離，アンダーフィル部とパシベーション膜との剥離が発生する」こと（本願明細書段落【０００９】），アンダーフィル剤硬化物の線膨張係数と樹脂封止剤硬化物の線膨張係数の「和が４２ｐｐｍ／℃を越えると，高熱下で高い応力がかかり，アンダーフィル部と樹脂封止部の剥離，アンダーフィル部とパシベーション膜との剥離が発生する」こと（本願明細書段落【００１０】），及び，樹脂封止剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下における線膨張係数の，アンダーフィル剤硬化物の（Ｔｇ−３０℃）以下の線膨張係数に対する「比が前記下限値未満である場合には，アンダーフィル部との間でクラック又は剥離が発生する恐れがある。一方，該比が前記上限値超，即ち，樹脂封止剤硬化物の線膨張係数が，アンダーフィル剤硬化物のそれより大きくても，クラックが生じる」こと（本願明細書段落【００１１】）を，いずれも避けることができるものである。
　したがって，当業者が引用発明に引用例１〜３に記載された事項を組み合わせて，本願発明１における上記相違点２及び相違点３に係る構成に至るのが容易であるとは認められない。
　よって，上記相違点２及び相違点３に係る構成に至るのが容易であるとは認められないから，上記相違点１について検討するまでもなく，上記相違点２及び相違点３に係る構成を具備する本願発明１は，引用発明及び引用例１〜３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 
　　　　　
　２　本願発明２について
（１）対比
　本願発明２と引用発明とを対比すると，両者は，前記「１（１）」で示した［相違点１］〜［相違点３］の点で相違する。
　　　　　
（２）判断
　相違点２及び相違点３についての判断は，前記「１（２）」で示したのと同様である。
　したがって，当業者が引用発明に引用例１〜３に記載された事項を組み合わせて，本願発明２における上記相違点２及び相違点３に係る構成に至るのが容易であるとは認められない。
　よって，上記相違点２及び相違点３に係る構成に至るのが容易であるとは認められないから，上記相違点１について検討するまでもなく，上記相違点２及び相違点３に係る構成を具備する本願発明２は，引用発明及び引用例１〜３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
 　　　　　 
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明１及び本願発明２は，引用発明及び引用例１〜３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから，原査定の理由及び前置審査における拒絶の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって，結論のとおり審決する。