【事件の表示】
　平成　９年特許願第１７０４０１号「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成１１年　１月２２日出願公開、特開平１１−　１５０２２、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年６月２６日の出願であって、その請求項１ないし３に係る発明は、平成１１年７月２６日付けで補正された明細書の特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】ガラス基板上に順次形成されたゲート電極とゲート絶縁膜とチャネル層とコンタクト層とソース・ドレイン電極とパッシベーション膜からなる薄膜トランジスタと、前記パッシベーション膜上に設けられ、且つパッシベーション膜に設けられたスルーホールを介し前記ソース電極と電気的に接続された画素電極とがマトリクス状に配置され、各画素電極に対向して前記ゲート電極と同層で前記ガラス基板上に形成された蓄積容量電極とを有する液晶表示装置において、前記蓄積容量電極上の少なくとも一部の領域の、前記ゲート絶縁膜と一体的に形成された絶縁膜上に、前記パッシベーション膜に設けられたスルーホールを介し前記画素電極と電気的に接続された金属膜からなる補助電極を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】補助電極がソース・ドレイン電極と同じ金属膜から形成されている請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】ガラス基板上に第１導電膜からなるゲート電極および蓄積容量電極を形成したのち、全面にゲート絶縁膜と容量絶縁膜となる第１絶縁膜を形成する工程と、この第１絶縁膜上に真性半導体膜とｎ型半導体膜を順次形成したのちパターニングしチャネル層とコンタクト層を形成する工程と、前記コンタクト層上を含む所定の領域に第２導電膜からなるソース・ドレイン電極を形成したのち全面にパッシベーション膜を形成する工程と、このパッシベーション膜にスルーホールを形成したのち全面に透明導電膜を設け、パターニングし前記スルーホールを介して前記ソース電極に接続する画素電極を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記蓄積容量電極上の前記第１絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極の形成と同一工程で補助電極を設け、さらにこの補助電極上のパッシベーション膜に前記スルーホールの形成と同一工程で補助電極と前記画素電極とを接続するためのスルーホールを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
２．原査定の理由
　原査定の理由は、本願の請求項１乃至３に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された特開平６−３３７４３６号公報（以下「引例１」という。）、特開平６−３３２００７号公報（以下「引例２」という。）及び特開平６−２３０４２８号公報（以下「引例３」という。）に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
３．引用刊行物に記載された発明
　引例１は、同例の図６〜図８で説明しているように、薄膜トランジスタの形成工程において、ストレージキャパシタ３３の上のゲート絶縁膜３４，ＳｉＮ膜４３にコンタクトホール４３２を形成する場合、ストレージキャパシタの誘電体とするＳｉＮ膜３４の膜厚を所定の値に制御することが困難なために、同例の図２〜図４で説明しているように、ゲート絶縁膜であるＳｉＮ膜の上にａ−Ｓｉ膜５２とＳｉＮ膜６２の積層体を形成し、次いで保護膜となるＳｉＮ膜１３を形成し、このＳｉＮ膜１３を選択的にエッチングしてコンタクトホール１３２を形成する際、ａ−Ｓｉ膜５２をエッチングストッパーとし、余分なゲート絶縁膜４がエッチングされるのを防止するものである。
　同例の従来技術である図８には、ストレージキャパシタ電極３３の上にＳｉＮ膜３４を介して透明な画素電極が形成された薄膜トランジスタマトリクスが示されている。
　引例２は、露光時に重ね合わせずれに対するソース・ゲート寄生容量の変動を抑制するために、ゲート電極と補正容量下部電極と、ソース電極と補正容量上部電極をそれぞれ一つのパターンとして形成したものである。
　そして、この一つのパターンとして形成されたソース電極９と補正容量上部電極１０には、画素電極１１が接続されているものである。
　また、引例３は、薄膜トランジスタアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の走査信号配線と映像信号配線間のショート不良を低減するために、走査信号電極と映像信号電極の内、少なくとも下層に形成された方の信号電極をＡｌまたはＡｌを主成分とする合金層からなる第１の導電膜と、第１の導電膜の下層に形成された第２の導電膜を含む少なくとも２層から形成し、かつ、第２導電膜を第１導電膜よりも自己酸化膜の体積膨張率が大きい材料で構成するものであり、同例の図４、図６および図１１に示されているように走査信号電極１１との間に付加容量を構成する容量電極１６にガラス基板１上に形成された画素電極１３が接続されているものである。
　そして、この容量電極１６は、映像信号電極１４とソース電極１５の形成と同一工程で形成されるものである。（引例３第６頁左欄第４４〜４７行。）
４．対比・判断
　引例１には、本願発明の「補助電極」に関する構成を除けば、他の構成がほぼ記載されているものと認められる。
　すなわち、引例１の図６〜図８には、本願発明の「補助電極」を有さない構成が、また、その図２〜図４には、本願発明の「補助電極」の位置にａ−Ｓｉ膜５２を設けた構成が記載されている。
　ここで、引例１において本願発明のごとくに補助電極を設けることについて、当業者が容易に想到し得ることであるかどうかについて検討するに、引例１には、エッチングストッパーとしてａ−Ｓｉ膜５２を設けることが記載されているだけであり、これを金属膜とすることについては記載も示唆もない。
　そして、本願発明は、これが金属膜であるから、引例１のａ−Ｓｉ膜に比べ、単位面積当たりの蓄積容量を大きくすることができ、開口率の減少を防ぐことができるという効果を奏するものである。
　引例２には、一つのパターンとして形成されたソース電極９と補正容量上部電極１０に画素電極１１が接続される構造が記載されているから、画素電極に金属膜からなる容量電極がさらに接続された構成が記載されているといえなくもないが、この補正容量上部電極１０は、露光時の重ね合わせずれに対するソース・ゲート寄生容量の変動を抑制するための「補正」容量電極であり、本願発明のようにパッシベーション膜に設けられたスルーホールを介して画素電極と接続して蓄積容量を形成する際の「補助」容量電極とは全く異なるものである。
　また、この引例２の補正容量上部電極１０は、エッチングストッパーとしての機能を有するものでもない。
　したがって、この引例２の技術が、引例１において本願発明のように金属膜の補助電極を採用することを示唆するものであるとは、到底いえない。
　引例３には、本願の請求項２、３に係る事項に関し、容量電極１６が映像信号電極１４とソース電極１５の形成と同一工程で形成されることが記載されているが、その画素電極１３はガラス基板上にあって、画素電極１３と容量電極１６とは（スルーホールを介さずに）直接接続されており、本願発明のようなドレインバスラインと画素電極との間にパッシベーション膜を有し、それに設けられたスルーホールを介して接続している「補助」容量電極とは構成が異なるものであり、当然にその容量電極１６もエッチングストッパーとしての機能を有するものではないから、この引例３も、引例１において本願発明のように金属膜の補助電極を採用することを示唆するものであるとはいえない。
　以上のとおりであるから、本願の請求項１ないし３に係る発明が、上記引例１ないし３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものということはできない。
５．むすび
　したがって、原査定の理由によって本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。