(57)【要約】【課題】発光素子の光抽出効率を更に増大させる。【解決手段】発光素子（２００）の出光表面（２２５）が粗面化されるときに、その表面の光抽出効率を増大させるために、発光素子の出光表面の構造的な特徴が制御される。粗面化プロセスに対して異なる耐久性を備える材料の層を含む発光表面（２２５）は、同じ粗面化プロセスに晒される実質的に均一な発光表面よりも高い光抽出効率を示す。ＧａＮ型発光素子（２００）では、出光表面（２２５）上の又は付近のＡｌＧａＮ材料の薄層が、ＧａＮ材料のみを含む表面の従来的なエッチングによって創成される特徴に比べて、エッチング後により鋭利な特徴を創成する。【選択図】図２Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料特性を有する平面的なエピタキシャル型の第１の層と第２の材料特性を有する平面的なドープされた第２の層とを含む光抽出表面を含む構造を形成すること、並びに
前記第１及び第２の層内に伸びる特徴を創成するよう前記光抽出表面を粗面化することを含み、
前記粗面化は、前記第１の層を通じて前記第２の層内に伸びるように行われ、
前記第１及び第２の材料特性は、前記光抽出表面の前記粗面化に対して実質的に異なって反応する、
方法。
【請求項２】
前記第１の層は、ＡｌＧａＮを含み、前記第２の層は、ＧａＮを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮを含み、ｘは、０．３〜０．８の間である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記粗面化は、光化学エッチングを含み、前記粗面化は、鋭さを増大させるために、第１の材料のエッチング速度に対して第２の材料のエッチング速度を増大させるよう、前記光化学エッチングのために用いられるランプのスペクトルをフィルタリングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の層は、前記第２の層よりも前記粗面化に対してより耐久性を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の層は、前記第１の層よりも前記粗面化に対してより耐久性を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記光抽出表面を形成することは、第３の材料特性を有する第３の層を含み、前記粗面化は、前記第３の層内に伸びる特徴を創成し、前記第３の材料特性は、前記第１及び第２の材料特性に比べて、前記光抽出表面の前記粗面化に対して実質的に異なって反応する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の層を除去すること、及び
第３の材料特性を有する第３の層を形成することを更に含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２及び第３の層に伸びる特徴を創成することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２及び第３の層に伸びる前記特徴は、光電気化学（ＰＥＣ）湿式エッチング技法を使用して創成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
発光表面を含む発光構造を含む、
発光素子であって、
前記発光表面は、第１の材料特性を有するエピタキシャル型の第１の層と、第２の材料特性を有するドープされた第２の層とを含み、前記発光表面は、前記第１及び第２の層内に伸びる特徴の地形を創成するよう粗面化され、
前記第１の層での前記特徴の前記地形は、前記第２の層での前記特徴の前記地形と実質的に異なる、
発光素子。
【請求項１２】
前記第１の層は、ＡｌＧａＮを含み、前記第２の層は、ＧａＮを含む、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１の層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮを含み、ｘは、０．３〜０．８の間である、請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１及び第２の材料特性は、材料組成、結晶欠陥密度、結晶欠陥の種類、媒体濃度、及びエピタキシャル応力のうちの少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第１の層は、前記第２の層よりも前記粗面化に対してより耐久性を有する、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記発光構造は、Ｎ型層と、能動層と、Ｐ型層とを含み、前記Ｎ型層は、前記第２の層を含む、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第１の層での前記特徴の前記地形は、前記第２の層での前記特徴の前記地形よりも鋭利である、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記発光表面は、第３の材料特性を有する第３の層を含み、前記第１、第２、及び第３の層内に伸びる特徴の地形を創成するよう粗面化され、前記第３の層での前記特徴の前記地形は、前記第１及び第２の層での前記特徴の前記地形と実質的に異なる、請求項１１に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体発光素子（ＬＥＤ）の分野に関し、具体的には、ＬＥＤの表面からの光抽出効率を増大させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子はｎ型及びｐ型半導体層の間に挟装される能動発光層を概ね含み、生成される光はこれらの半導体層のうちの１つを通じて放出される。しかしながら、光が半導体表面の出光表面に衝突するとき、出光表面と空気又は他の媒体（光は空気又は他の媒体を通じて放出される）との間の屈折率の違いの故に、光の一部は反射して能動層に向かって戻る（「内部反射」）。反射させられる光の幾らかの部分は引き続き出光表面から出ることが出来るが、幾らかの部分は発光素子内の材料内に吸収される。
【０００３】
内部反射させられる光の量を減少させ、それにより、発光素子から抽出される光の量を増大させるために、出光表面は意図的に粗面化される。非平坦表面は、能動層から様々の方向に伝搬させられる能動層からの光が、光が表面から漏れるのを可能にする粗面化された表面の何らかの特徴に衝突する可能性を増大させる。
【０００４】
図１Ａ−１Ｄは、光抽出効率の増大を伴う発光素子１００を創り出すための従来的なプロセスを例示している。
【０００５】
図１Ａは、成長基板１１０上での半導体素子の創成を例示している。ｎ型層１２０が成長基板１１０上で成長させられ、能動層１３０及びｐ型層１４０が続く。ｎ型層及びｐ型層への外部接触のために接点パッド１５０が設けられる。例示の容易さのために、この結合をもたらす絶縁及び内部素子を示していない。同様に、層１２０，１３０，１４０は多数の材料層及び他の層を含み得るし、或いはビアも存在し得る。代替的な構成では、ｐ型層が基板１１０上で成長させられ、能動層１３０及びｎ型層１２０が続き得る。
【０００６】
接点パッド１５０は典型的には不透明であるので、能動層１３０から放出される光は接点パッド１５０とは反対の表面から抽出される。成長基板１１０が透明であるならば、それは元のままにされる。さもなければ、放出される光の吸収を避けるために或いは構造に追加的な散乱を加えるために、成長基板１１０は除去されて薄膜素子を形成し、光はｎ型層１２０から放出される。図１Ｂは、成長基板１１０の除去後の発光素子１００の例示の従来的な向き例示しており、接点パッド１５０は発光素子１００の「底」にあり、出光層１２０は発光素子１００の「頂」にあり、当該技術分野において「フリップチップ」実施態様として一般的に知られている。
【０００７】
上記のように、内部反射され且つ吸収される光の量に比べて、層１２０の出光表面１２５から漏れ得る光の量（「光抽出効率」）を増大させるために、発光表面１２５は粗面化される。表面１２５を粗面化するために、数多くの技法が利用可能であり、２つの一般的な技法は、光電気化学（ＰＥＣ）湿式エッチング及び光化学（ＰＣ）湿式エッチングである。
【０００８】
MICROMACHINING  OF  GaN  USING  PHOTOELECTROCHEMICAL  ETCHINGに記載されているように、Dissertation博士は、Electrical  Engineering,  April  2005において、Bo  Yang,  Patrick  Fay,  Director,  Graduate  Programによって、Graduate  School  of  the  University  of  Notre  Dameに、高輝度源からの光が半導体−電解質界面で又はその付近で半導体層内に吸収されることを寄稿した。生成される孔は価電子帯の影響の下でドリフトし、界面に向かって曲がる。そこでは、孔は破壊された結晶結合を表し、照明がなければ起こらないエッチングを可能にする。エッチングの粗さは表面上の孔の不均一な分布に起因し、不均一な局所的なエッチング速度を招く。材料特性はエッチング結果に有意に影響を与える。例えば、ここで参照するセクション２．３．５に記載されているように、地形的特徴の密度は、材料中の転位密度に直接的に関係する。ＧａＮに比べて、ＡｌＧａＮのようなより高い欠陥ポテンシャルの層は、より高い密度の特徴を有する。第２の例として、高輝度源のスペクトルをフィルタリングすることによって、異なるバンドギャップの２つの材料の相対的なエッチング速度を変更し得る。最終的に、光度及びモル濃度を調節することによって、異なる欠陥密度の層の相対的なエッチング速度に影響を及ぼし得る。
【０００９】
図１Ｃは、発光素子１００の出光表面１２５に対する粗面化プロセスの結果の概念的な例示を提供し、図１Ｄは、ＰＥＣエッチングによって粗面化された従来的なＬＥＤの実際の表面の画像を提供している。例示されるように、粗面化プロセスは、相当に無作為な三次元地形(topology)をもたらし、その地形は、エッチングされる層１２０の材料の組成、並びに、用いられる腐食液の濃度及び種類、エッチングの温度及び継続時間、適用される電気バイアス等のような、粗面化プロセスのパラメータに依存する。従来的には、その材料のための最良の光抽出効率をもたらす組を決定するよう、エッチングされるべき特定の材料を用いて、異なる組のエッチングプロセスパラメータが試験される。次に、決定される最良の組は、この材料を用いるＬＥＤを生成するために用いられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
発光素子の光抽出効率を更に増大させることが有利である。当該技術分野において一般的な粗面化プロセスを介して光抽出効率を更に増大させることも有利である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
これらの懸念の１つ又はそれよりも多くにより十分に対処するために、この発明の実施態様において、発光素子の出光表面の構造的特性は、その表面が粗面化されるときに、その表面の光抽出効率を増大させるために制御される。粗面化プロセスに対して異なる耐久性を備える材料の層を含む発光表面が、同じ粗面化プロセスに晒される実質的に均一の発光表面よりも高い光抽出効率を示すことが見出された。ＧａＮ型の発光素子では、発光表面上の又は付近のＡｌＧａＮ材料の薄い層が、ＧａＮ材料のみを含む表面の従来的なエッチングによって創成される特徴に比べて、エッチング後により明確な特徴を創成する。
【００１２】
添付の図面を参照して、一例として、本発明を更に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】光抽出効率を強化する粗面化された表面を備える発光素子を創り出すための例示的な従来的なプロセスを示す図である。
【図１Ｂ】光抽出効率を強化する粗面化された表面を備える発光素子を創り出すための例示的な従来的なプロセスを示す図である。
【図１Ｃ】光抽出効率を強化する粗面化された表面を備える発光素子を創り出すための例示的な従来的なプロセスを示す図である。
【図１Ｄ】光抽出効率を強化する粗面化された表面を備える発光素子を創り出すための例示的な従来的プロセスを示す図である。
【図２Ａ】光抽出効率を更に強化する粗面化された表面の組成を備える発光素子を創り出すための例示的なプロセスを示す図である。
【図２Ｂ】光抽出効率を更に強化する粗面化された表面の組成を備える発光素子を創り出すための例示的なプロセスを示す図である。
【図２Ｃ】光抽出効率を更に強化する粗面化された表面の組成を備える発光素子を創り出すための例示的なプロセスを示す図である。
【図２Ｄ】光抽出効率を更に強化する粗面化された表面の組成を備える発光素子を創り出すための例示的なプロセスを示す図である。
【図３】光抽出効率を更に強化する粗面化された表面の組成を備える発光素子を製造するための例示的なプロセスを示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図面を通じて、同じ参照番号は類似の又は対応する特徴又は機能を示す。図面は例示の目的のために含められ、本発明の範囲を限定することを意図しない。
【００１５】
以下の記載では、限定の目的と言うよりもむしろ説明の目的のために、本発明の概念の網羅的な理解のために、特定の構成、インターフェース（界面）、技法等のような、特定の詳細を示す。しかしながら、これらの特定の詳細から離れる他の実施態様において本発明を実施し得ることは当業者に明らかであろう。同様に、この既述の本文は図面に例示されるような例示的な実施態様に向けられ、請求される発明を請求項に明示的に含められる限界を超えて制限することを意図しない。簡潔性及び明瞭性の目的のために、不必要な詳細で本発明の記載を曖昧にしないよう、周知の装置、回路、及び方法の詳細な記載を省略する。
【００１６】
例示及び理解の容易さのために、本発明をＧａＮ半導体層を含む発光素子の脈絡において提示するが、本開示に鑑みれば当業者は本発明の原理がＧａＮ半導体の使用に限定されないことを明らかに認識するであろう。同様に、本発明はフリップチップ発光素子の脈絡において提示される。当業者は本発明の原理がフリップチップに依存しないこと及び光源としての半導体光エミッタの使用に必ずしも依存しないことを明らかに認識するが、本発明は高い光抽出効率を伴う半導体発光素子の創成に特に適している。即ち、出光表面を粗面化することによって光抽出効率を改良することに依存する如何なる用途もここに提示する原理の使用を通じて利益を享受し、利益の程度は、波長、コリメーションの程度のような、光源によって放出される光の性質、及び出光表面の組成に依存する。
【００１７】
図２Ａ−２Ｄは、図１Ａ−１Ｄの従来的な発光素子１００の光抽出効率に比べて、光抽出効率を更に強化する粗面化されたエピタキシャル表面の組成を備える発光素子２００を創成するための例示的なプロセスを例示している。
【００１８】
この発明の実施態様において、粗面化される表面は、粗面化プロセスに対して異なって反応する材料特性を有する材料の混合を含む。その特性は、例えば、材料組成（化学量論）、結晶欠陥密度(crystal  defect  density)、結晶欠陥の種類、媒体濃度(carrier  concentration)、エピタキシャル応力(epitaxial  stress)等を含み得る。蒸着条件を制御することによって、これらの特性を異ならせ得る。例えば、成長温度が、G.B.Stringfellwによる“OrganometallicVapor-PhaseEpitaxy,  Second  Edition:  Theory  and  Practice”に記載されるような最適温度よりも下に減少させられると、欠陥密度は増大する。結果として得られる地形に対するこの層特性の効果は、エッチング又は他の粗面化プロセスのパラメータに概ね依存する。
【００１９】
例示的な発光素子２００では、発光スタック（ｎ型層１２０、能動層１３０、及びｐ型層１４０）がその上で成長する表面を、エピタキシャル「テンプレート」層２４０が提供する。エピタキシャル層２４０は、以下に更に詳説するように、ｎ型層１２０の特性と異なるエッチング特性をもたらすよう追加される。発光素子２００を形成する／成長させるために用いられる具体的な技術に依存して、成長開始層と時折呼ばれる薄い「開始」層２３０を基板１１０上で成長させて、基板１１０上のエピタキシャル成長を開始させるための適切なシーディング膜(seeding  film)をもたらす。
【００２０】
図２Ｂに例示されるように、基板１１０が除去された後、発光素子２００は粗面化プロセスに晒され、粗面化プロセスは従来的なＫＯＨに基づくＰＥＣエッチングを含み得る。発光表面の従来的なエッチングにおけるように、最適な粗面化を達成するエッチング方法の決定は、多数の組のエッチングプロセスパラメータを試験することを概ね必要とする。最適なエッチングパラメータは、放出される光の具体的な波長と、エピタキシャル層２４０及びｎ型層１２０を形成するために用いられる具体的な材料とに依存する。例示的な発光素子２００において、エッチングプロセスパラメータは、図２Ｃに示されるように、エッチングがエピタキシャル層２４０の部分を通じて延びてｎ型層１２０に至るようなパラメータである。
【００２１】
ＧａＮ発光素子の実施例において、エピタキシャル層２４０は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮの薄層を含み、ここで、ｘは、Ｇａの量に対する層中のＡｌの部分量である。エピタキシャル層（ＡｌＧａＮ）２４０及びｎ型層（ＧａＮ）１２０の異なる組成の故に、エッチングプロセスは、これらの層２４０，１２０に対して異なる効果を有する。
【００２２】
図１Ｃ及び１Ｄの実施例に戻ると、ＧａＮ表面の従来的なエッチングは、殆どの特徴の上に比較的平坦な尖端(peaks)を備える地形をもたらす。即ち、エッチングが下方まで広がって「丘」(“hills”)の間に「谷」(“valleys”)を形成すると、これらの丘の縁(“edges”)及び頂(“tops”)もエッチングによって摩滅させられる。
【００２３】
これに反して、ＡｌＧａＮのエッチングは、構成内のＡｌの存在の故に、より鋭利な縁を備える地形を概してもたらす。加えて、エッチングが耐久性のより少ないＧａＮ層内に広がるや否や、ＧａＮ層をエッチングするために必要とされる時間は、ＡｌＧａＮ尖端の縁及び頂を摩滅させる程には長くない。この開示の目的のために、第１の地形の特徴が第２の地形における特徴よりも多くの先端(points)及び縁を示すならば、或いは第２の地形における特徴よりも少ないプロファイル中の湾曲表面を示すならば、第１の地形は第２の地形よりも「鋭利」(“sharper”)である。加えて、エピタキシャルＡｌＧａＮ層２４０のための組成及び成長条件を制御することによって、粗い特徴のサイズ（大きさ）及び相互分離を調節し得る。
【００２４】
図２Ｃは、二層構造をエッチングする結果の概念的な例示を提供しており、エッチングされている第１の層２４０は、第２の層１２０よりもエッチングプロセスに対する耐久性(durable)がある。任意的な開始層２３０が用いられるならば、それを除去するために、湿式エッチングプロセス又は乾式エッチングのような他の適切なプロセスを用い得る。より一般的には、ＰＥＣエッチングのための開始地点を最も有利な位置に配置するために、乾式エッチングプロセスを用い得る。ＰＥＣエッチングのための開始地点を正確に創成するために、業界標準の乾式エッチング機器を用いる時限式又は終点式の乾式エッチングを用い得る。開始層２３０としてＡＩＮが用いられるときに創成される例示的なＡＩＮ／ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層スタックのために、この目的を達成するために、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、又はそれらの混合のような、塩素含有プラズマ（乾式）エッチング化学を用い得る。エッチングプロセスを精密に制御し、且つエッチング速度、選択度、及び均一性のような、エッチングプロセス性能測定学を改良するために、アルゴン又はヘリウムのような不活性ガスをプラズマ化学に付加し得る。乾式エッチングプロセスを制御するための追加的なプロセスパラメータは、圧力、構成ガス比率及び流速、乾式エッチングチャンバ内へのマイクロ波又は無線周波数入力(power  input)又は複数の入力(inputs)、ウエハ又はパッケージ温度、及びセラミック又は伝導性シールド及び均一に向上するリングのようなチャンバハードウェア構成素子を含む。
【００２５】
例示されるように、エッチング後の発光素子２００の図２Ｃ（及び例示的な図２Ｄ）の地形学的構造の表面２２５の上端(upper  tips)は、図１Ｃ（及び例示的な図１Ｄ）における発光素子１００の地形の上端よりも有利に「鋭利」(“sharper”)な、エピタキシャル層２４０内の粗面化された幾何学的構成を示す。また、図１Ｃに例示されるように、エピタキシャル層２４０で形成される特徴の地形は、Ｎ型層１２０内に形成される特徴の地形よりも実質的に鋭利である。即ち、プロファイルにおいて、エピタキシャル層２４０内に形成される特徴（丘）の上端の形状は、Ｎ型層１２０内に形成される特徴（谷）の形状よりも湾曲が実質的により少ない。これらの粗い特徴のサイズは、抽出効率において有意な役割を演じる。何故ならば、抽出効率は所与の特徴幾何学的構成及びサイズのために放出される光の波長と共に変化するからである。エピタキシャル層２４０の追加は、粗い表面を広範な波長に亘って高い光抽出効率にとって最適にするよう、特徴サイズ調節を可能にする。
【００２６】
粗面化される表面２２５におけるテーパ角及び特徴サイズは、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層２４０中のＡｌの部分比(fractional  ratio)、並びにエピタキシャル層２４０における材料品質に依存する。０．３〜０．８の間の、一部の実施態様では０．５〜０．７の間の、Ａｌの部分比（ｘ）がより鋭利でより高密度に詰め込まれた特徴のために効果的であり、光抽出効率を相応して増大させる。
【００２７】
ＡｌＧａＮ層２４０の屈折率は、ＧａＮ層１２０の屈折率よりも低く、内部反射を避けるために、ＡｌＧａＮの厚さは５０ｎｍ未満であり得る。或いは、ＰＥＣエッチングに先立ちＡｌＧａＮ層の５０ｎｍ未満を除いて全て除去するために、乾式エッチングステップを用い得る。
【００２８】
図２Ｄは、従来的なＧａＮｎ型層の上にＡｌ０．６Ｇａ０．４Ｎエピタキシャル層を含む発光素子の表面のＫＯＨ−ＰＥＣエッチング後の実際の表面の画像を例示している。図１Ｄの画像と対照的に、各々の特徴／丘の尖端（ピーク）はより鋭利であり且つより顕著であることが明らかである。エピタキシャル層（ＡｌＧａＮ）内のＡｌの存在は、粗い特徴のテーパ角をより鋭利にし、図１Ｄに例示される従来的なＧａＮ粗さと比べて、粗い表面の平坦性を減少させる。粗い特徴のこの鋭利化は、ＬＥＤチップから光をより効果的に取り出し、光抽出効率の増大をもたらす。
【００２９】
図３は、光抽出効率の増大をもたらす粗面化された表面を備える発光素子を製造するための例示的なフロー図を例示している。この実施例において、発光素子の半導体材料はＧａＮであると想定されるが、当業者はここに提示する原理が様々の材料に適用可能であることを認識するであろう。
【００３０】
任意的に、３１０で、ＧａＮ又はＡｌＧａＮ又はＡＩＮの薄い開始層を成長基板の上に形成し得る。例えば、Ｓｉが成長基板であるならば、基板を隔離し且つ歪みを制御するためにＡＩＮ層が形成される。
【００３１】
３２０で、ＡｌＧａＮ層を、好ましくは、５０ｎｍ未満の厚さで形成する。
【００３２】
３３０〜３５０で、従来的な技法を用いて、発光素子を形成する。３３０で、Ｎ型ＧａＮ層を形成し、３４０で、能動層を形成し、３４０で、もし形成されるならば、Ｐ型ＧａＮ層を形成する。
【００３３】
３６０で、Ｎ型層及びＰ型層への外部結合を容易化するよう、当該技術分野において「ウエハファブ」(“wafer  fab”)として一般的に知られる発光素子製造プロセス中に接点パッドを形成する。両方の接点パッドが、この実施例ではＡｌＧａＮ層の表面である発光表面とは反対の素子の同じ表面にあるよう、能動層及びＰ型層を通じてＮ型層を結合するために、絶縁ビアを用い得る。これらの接点パッドは、プリント回路基板又は「フリップチップ」構成中の照明固定具への発光素子の取り付けを容易化する。
【００３４】
３７０で、成長基板を取り除き、３８０で、露出表面を粗面化する。粗面化を一段階プロセスのＰＥＣエッチングで構成し、任意的な開始層を除去し、ＡｌＧａＮ層を通じてＮ型ＧａＮ層内に伸ばし得る。代替的に、開始ＡＩＮのような望ましくない層を除去するために、乾式エッチングプロセス及び湿式エッチングプロセスを組み合わせる多段階プロセスを用い、第２のエッチングステップ、ＰＥＣエッチングが最も明確な特徴をもたらす構成中の層上で停止する。
【００３５】
３９０で、例えば、粗面化される表面上の波長変換（蛍光体）層の形成及び／又は発光素子をガラス又はエポキシドームのような透明層でカプセル化することを含め、発光素子を更に処理し得る。
【００３６】
本発明を図面中に例示し且つ前述の記述中に記載したが、そのような例示及び記述は例示的又は例証的であると考えられるべきであり、限定的であると考えられるべきではない。本発明は開示の実施態様に限定されない。例えば、本発明を「垂直薄膜」ＬＥＤのような当該技術分野において既知の実施態様において動作させることが可能であり、その場合、ＬＥＤ素子へのｎ接点は粗面化された側で行われる。ｎ接点をプロセスフロー中の粗面化ステップの前又は後に製造し得る。
【００３７】
追加的に、増大する光抽出効率は、粗面化プロセスに対して異なる耐久性を有する層の使用によって引き起こされる異なる粗面化される地形の結果であるので、この発明の原理は異なる耐久性を有する２つの層だけの使用に限定されず、この発明の原理は異なる層の特定の配置に限定されない。
【００３８】
図面、本開示、及び付属の請求項の研究から、請求する発明を実施する当業者は開示の実施態様に対する他の変形を理解し且つ行い得る。請求項中、「含む」という用語は他の素子又はステップを排除せず、単数形は複数形を排除しない。請求項中の如何なる参照符号も範囲を限定するものとして解釈されてはならない。
【図１Ａ】
2018160705.tif 000003
【図１Ｂ】
2018160705.tif 000004
【図１Ｃ】
2018160705.tif 000005
【図１Ｄ】
2018160705.tif 000006
【図２Ａ】
2018160705.tif 000007
【図２Ｂ】
2018160705.tif 000008
【図２Ｃ】
2018160705.tif 000009
【図２Ｄ】
2018160705.tif 000010
【図３】
2018160705.tif 000011
【外国語明細書】
2018160705000001.pdf