【事件の表示】
　平成　５年特許願第　３２８１８号「半導体素子の保護回路」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年　８月１９日出願公開、特開平　６−２３３５１９、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
  １．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１月２８日の出願であって、その発明は、平成１２年１２月１３日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載の次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明１，２」という。）
【請求項１】スイッチング動作する半導体素子の電流が保護レベルに達した際に検出信号を出力する比較器と、前記検出信号に基づき半導体素子をオフさせる駆動回路とを備えた半導体素子の保護回路において、
　前記検出信号が一定時間内に設定回数以上出力された場合に、前記半導体素子を継続的にオフさせる制御信号を駆動回路に対し出力する駆動停止制御回路を備えたことを特徴とする半導体素子の保護回路。
【請求項２】駆動停止制御回路は、
　比較器の検出信号をカウントするカウンタと、このカウンタのカウントアップ信号を一定時間保持するフリップフロップと、　前記カウンタをカウント開始からカウントアップ信号が出力されるまでの時間よりも長い周期でリセットする発振器とを備え、前記フリップフロップの出力信号に基づいて駆動回路に対する制御信号を生成する請求項１記載の半導体素子の保護回路。
２．引用例に記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の査定に引用された特開平１−１１４３６２号公報（以下、「引用例１」という。）及び、実願昭６２−１６２１９５号（実開平１−６９３９５号）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）には、図面と共に以下の記載がある。
Ａ．引用例１
（１）本発明の目的は、前記従来の不都合を解消し、スイッチング素子の短絡故障及びノイズによる長幅パルス駆動の異常が発生した場合に、発光素子の破壊を防止して信頼度の高い光サイリスタの光ゲート信号発生回路を提供することにある。（２頁右上欄７行〜１１行）
（２）「電力変換装置を構成する光サイリスタに対応する発光素子と、これに直列に接続される直流電源と、限流抵抗及び電流制御のスイッチング素子を備えた光サイリスタのゲート信号発生回路において、前記スイッチング素子に通常オンしている第２のスイッチング素子を直列に接続し、該第２のスイッチング素子を回路のオン電流を検出して異常時にオフすることを特徴とする光ゲート信号発生回路。」（特許請求の範囲）
（３）「該故障判断回路８は、ゲート信号発生回路２に流れている電流の時間幅が正常であるか異常であるかを判断するもので、発振器９，カウンタ１０，コンパレータ１１，フリップフロップ１２，リセットスイッチ１３で構成され、限流抵抗４の両端電流値をコンパレータ１１の一方の入力とする。」（２頁右下欄１０行〜１６行）なお、図面の記載によれば、電流の検出は通常のレベル以上を検出しているもので、異常に大きなレベルの電流のみを検出しているものとは認められない。
　上記記載によれば、引用例１には、
「スイッチング動作する半導体素子の電流が異常になったことを検出する故障判断回路を備えた半導体素子の保護回路において、半導体素子に直列に常時オンの保護用半導体素子を接続し、上記故障判断回路において、所定値以上の大きさの電流が通電している間に発振器からのパルスをカウントすることにより、所定の期間以上通電されていることを検出し、この時に前記保護用半導体素子をオフする半導体の保護回路」
の発明（以下、「引用例１に記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
Ｂ．引用例２
　引用例２には、「スイッチング素子を備えたインバータ回路において、過電流検出回路と、インバータ駆動信号検出回路を備え、過電流検出信号の１回目のカウント時より一定時間過ぎて同じ検出信号の２回目をカウントした場合には、インバータ駆動回路の停止信号を出力するカウンタが設けられているインバータ。」の発明が記載されているものと認められる（実用新案登録請求の範囲参照）。
　また、「１０ａは過電流検出回路であり、トランジスタ対ＰＴ１ａ，ＰＴ１ｂに過電流が流れたとき、インバータ駆動信号ＣＮＴＳ１はバイパスして過電流検出回路を流れるので、トランジスタＰＴ１ａはオフとなり、過電流検出信号Ｄ１によりインバータ駆動回路を停止させる。過電流検出回路１０ｂについても同様である。」（５頁８行〜１４行）の記載から見て、過電流検出信号によりインバータ回路を構成するスイッチング素子をオフとすることも明かである。
３．対比・判断
（１）本願発明１について
（引用例１との対比）
　本願発明と引用例１に記載の発明を対比すると、両者はスイッチング動作する半導体素子の電流を検出し、電流が異常になった時に継続的に半導体素子をオフする保護回路」で一致するものの、以下の点で相違する。
　ａ．本願発明が「スイッチング動作する半導体素子の電流が保護レベルに達した際に検出信号を出力する比較器と、前記検出信号に基づき半導体素子をオフさせる駆動回路とを備えた半導体素子の保護回路」の構成を備えているのに対し、引用例１に記載の発明は、「スイッチング動作する半導体素子の電流が所定の大きさ以上に達したことを検出するコンパレータ」を備えるのみで、このような構成を備えていない点（相違点１）。
　ｂ．本願発明１が「検出信号が一定時間内に設定回数以上出力された場合に、前記半導体素子を継続的にオフさせる制御信号を駆動回路に対し出力する駆動停止制御回路」を備えているのに対し、引用例１に記載の発明は「所定値以上の大きさの電流が通電している間に発振器からのパルスをカウントすることにより、所定の期間以上通電している時に継続的にオフの信号を出力する故障判別回路」を備えている点（相違点２）。
　ｃ．　本願発明が、「スイッチング動作する半導体素子」自体を継続的にオフさせているのに対し、引用例１に記載の発明では、継続的にオフさせるのは、「スイッチング動作する半導体素子に直列に接続され常時オンの保護用半導体素子」である点（相違点３）。 
（引用例２との対比）
   引用例２に記載の発明と本願発明１を対比すると、引用例２に記載の発明の「過電流検出回路」「スイッチング素子」は、本願発明１における「電流が保護レベルに達した際に検出信号を出力する比較器」「スイッチング動作する半導体素子」に相当し、また引用２に記載の発明の「インバータ誤動作診断回路」は、半導体素子の保護も行っているから、本願発明の「保護回路」に相当するので、両者は、スイッチング動作する半導体素子の電流が保護レベルに達した際に検出信号を出力する比較器と、前記検出信号に基づき半導体素子をオフさせる駆動回路とを備えた半導体素子の保護回路において、
　前記検出信号が所定の状態の場合に、前記半導体素子を継続的にオフさせる制御信号を駆動回路に対し出力する駆動停止制御回路を備えたことを特徴とする半導体素子の保護回路。」で一致し、以下の点で相違する。
　ｄ．本願発明１が、「検出信号が一定時間内に設定回数以上出力された場合に、前記半導体素子を継続的にオフ」させているのに対し、引用例１に記載の発明では、「過電流検出信号の１回目のカウント時より一定時間過ぎて同じ検出信号の２回目をカウントした場合には、インバータ駆動回路の停止信号を出力する」点（相違点４）。
（相違点の検討）
　上記相違点について検討する。
　本願発明１と引用例１に記載の発明の相違点１乃至３の内、相違点１，３のに係る構成は引用例２に記載されているが、相違点２に係る構成については、引用例１，２に記載の発明のいずれにも記載されておらず、かつ、これらの記載から自明の事項とも認められないから、本願発明１は引用例１または２に記載の発明若しくはこれらを組み合わせることにより、容易に発明をすることができたものとすることができない。　
（２）本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１を引用しているので、上記のように、本願発明１が、引用例１または２に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたと言えない以上、本願発明２も引用例１または２に記載の発明から容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
　そして、本願発明１，２は、その構成により、半導体素子を流れる電流が保護レベルに達したことを示す検出信号が一定時間内に設定回数以上となったら素子を継続的に停止させるため、従来の様に素子の能力を一部無駄にして使用する配慮を不要にして、半導体素子の過電流保護のみならず、スイッチングに伴う発熱からも保護することができるとの、引用例１，２に記載の発明によっては生じない、明細書に記載のとおりの効果が得られるものと認められる。
４．むすび
 したがって、本願発明１，２は、引用例１，２に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　また、他に、本願発明１，２を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。