【事件の表示】
　特許第３３９５６９６号「ウェハ処理装置およびウェハ処理方法」の請求項２、１１ないし１７、１９ないし２２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３９５６９６号の請求項２、１１ないし１７、１９ないし２２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３９５６９６号は、平成１１年３月１５日に特許出願され、平成１５年２月７日に請求項１〜２２に係る発明につき特許権の設定登録がなされ、その後、平成１５年１０月１４日に特許異議申立人：松原いづみより、その請求項２、１１〜１７及び１９〜２２に係る特許について特許異議の申立がなされたものである。
　　
ＩＩ．特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人は、本件特許に係る出願前に頒布された刊行物として、甲第１号証（特開平８−７８３７８号公報）、甲第２号証（特開平４−３１１０３４号公報）、甲第３号証（特開平１０−２４２１１４号公報）、甲第４号証（特開平５−２２６８０８号公報）、甲第５号証（特開平１０−２２３５９３号公報）、甲第６号証（特開平２−１９７１２６号公報）、及び、甲第７号証（実願平３−７７６６２（実開平５−２３５３０）の内容を記録したＣＤＲＯＭ）を提示して、本件の請求項２、１１〜１７及び１９〜２２に係る発明は、甲第１〜７号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である旨主張している。
　　
ＩＩＩ．本件発明
　本件特許の請求項１〜２２に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明２２」という。）のうち、本件特許異議申立ての対象とされた請求項２、１１〜１７及び１９〜２２に係る発明は、文末別記のとおり、明細書の特許請求の範囲の請求項２、１１〜１７及び１９〜２２に記載された事項により特定されたとおりのものと認める。
　　
ＩＶ．証拠の記載事実
甲第１号証（特開平８−７８３７８号公報）
(1-1)「【請求項１】半導体基板の一主面を水溶性の薬液によって処理するに際し、該薬液を前記半導体基板の一主面に吹き付けるよう供給すると共に、非水溶性の保護液を前記半導体基板の他主面に吹き付けるよう供給することを特徴とする半導体基板の表面処理方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
【請求項３】薬液が半導体基板のエッチング薬液であることを特徴とする請求項１及び請求項２記載の半導体基板の表面処理方法。」（請求項１、３）
(1-2)「本発明は、基板面のエッチング処理に関し、特に片面のみをエッチング処理する半導体基板の表面処理方法に関する。」（段落【0001】）
(1-3)「枚葉式エッチング装置において半導体基板の片面のみをエッチング処理する方法としては、半導体基板を回転させながらエッチング処理する表面にエッチング薬液を供給すると同時に、反対側の表面に純水を供給する表面処理方法がある。」（段落【0002】）
(1-4)「図４において、１は処理容器であり、２は被処理物の半導体基板３を支持する回転支持台であり、４は支持された半導体基板３の下面側に例えば弗化水素（ＨＦ）の水溶液等のエッチング薬液を吹き付ける薬液ノズルである。この薬液ノズル４には、エッチング薬液を貯溜するタンク５から途中にポンプ６及びフィルタ７が挿入された給液管８を介してエッチング薬液が供給されるようになっている。
　また、９は図示しない純水源から供給された純水を半導体基板３の上面側に吹き付ける純水ノズルである。１０は処理容器１の底部に片端が接続され中間部に分岐弁１１が挿入された排液管であり、１２は分岐弁１１で必要に応じ分岐された排出液をタンク５に流すよう設けられた分岐管である。
　そしてエッチング処理は、回転支持台２を回転させながらタンク５から供給されたエッチング薬液を薬液ノズル４から半導体基板３の下面側に吹き付け、同時に純水ノズル９から半導体基板３の上面側に純水を吹き付けて半導体基板３の下面のみをエッチング処理するようにしている。このように半導体基板３の上面側に純水を吹き付けることで上面側へのエッチング薬液の回り込みを抑え、下面のみをエッチング処理するようにしている。」（段落【0004】〜【0006】）
(1-5)「図１乃至図３において、２１は処理容器で、その内部には図示しない外部駆動源によって回転駆動される回転支持台２２が設けられている。この回転支持台２２は、被処理物の半導体基板２３をその外周部分を支持腕２４の先端部で保持することで略水平に支持するものである。
　また処理容器２１には、その側壁を貫通して回転支持台２２に支持された半導体基板２３の下面側に向けて例えば弗化水素（ＨＦ）の水溶液等のエッチング薬液Ｘを吹き付ける薬液ノズル２５と、半導体基板２３の上面側に向けて非水溶性溶剤の保護液Ｙ・・・を吹き付ける保護液ノズル２６とが設けられ、さらに底部に排出口２７が設けられている。」（段落【0013】〜【0014】）
(1-6)「これにより半導体基板２３の下面がエッチング薬液Ｘによりエッチングされ、上面は保護液Ｙによりエッチング薬液Ｘの回り込みが防止され保護されてエッチングが行われない。このときのエッチング薬液Ｘの上面への回り込み量（基板上面周辺のエッチングされる領域）は半導体基板２３の周縁速度、すなわち回転数によって制御される。」（段落【0021】）
　　
甲第２号証（特開平４−３１１０３４号公報）
(2-1)「【請求項１】枚葉式のディスク処理装置において、ディスクの外周を３点以上の可動爪にて保持する保持機構を２組以上、前記可動爪が開状態で前記外周上の異なる位置にくるように配置し、前記異なる組の可動爪を交互に開閉することにより、前記ディスクの外周での保持位置を切り換えるように構成したことを特徴とするディスク保持装置。
【請求項２】請求項１に記載のディスク保持装置の前記異なる組の可動爪を２回以上切り換えて、前記ディスクの外周を、その位置を異にして保持しながら、前記ディスクを薬液にて処理し、或いは水にて洗浄することを特徴とするディスク処理方法。」（請求項１、２）
(2-2)「この発明は、例えば、半導体ウエハー、磁気ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、液晶用又はフォトマスク用ガラス基板等の薄板状ディスク・・・を一枚ずつ順次水平に保持し、ディスクを回転させながら、そのディスクの表面に所要の表面処理液を供給し、或いは水洗のような表面処理を行うディスク保持装置及びそれを用いたディスク処理方法に関するものである。」（段落【0001】）
(2-3)「このような保持機構１の動作を図５と共に説明する。ウエハー３が保持機構１に、図示していないアームにより持ち来され、先ず一組の可動爪１ａ、１ｂ及び１ｃにより保持、固定される。モータ２により保持機構１で保持されたウエハー３が回転させられると、ノズル４ａ、４ｂから純水が供給され、ウエハー３を洗浄し、所定の時間経過後、純水の供給が停止されると、内部回転部材１３を矢印Ｘの方向に僅かに回転させる。そうすると、可動爪１ａ、１ｂ及び１ｃはウエハー３の縁から離れ、そして、ほぼ同時に他の一組の可動爪１２ａ、１２ｂ及び１２ｃがウエハー３の、可動爪１ａ、１ｂ及び１ｃが保持する位置とは異なる位置の縁を保持し、固定する。そして再び純水をノズル４ａ、４ｂから給水し、ウエハー３を洗浄する。このようにウエハー３の縁を持ち替えることにより、最初に可動爪１ａ、１ｂ及び１ｃで保持されていたウエハー３の縁の部分も洗浄されることになる。」（段落【0011】）
　　
甲第３号証（特開平１０−２４２１１４号公報）
(3-1)「【請求項１】回転駆動される基板の上面にエッチング液を噴射してこの上面をエッチングするウエットエッチング処理方法において、上記基板の下面に、上面と同時にエッチング液を噴射することを特徴とするウエットエッチング処理方法。
【請求項２】上記基板の下面へのエッチング液の噴射は、上記基板の端部とともに、上記基板の内方側にも噴射することを特徴とする請求項１記載のウエットエッチング処理方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
【請求項４】基板の上面にエッチング液を噴射してこの上面をエッチングするウエットエッチング処理装置において、カップ体と、上記カップ体に収納されるスピンテーブルと、上記スピンテーブルに設けられた基板を保持する保持手段と、上記スピンテーブルを回転駆動させる駆動手段と、上記基板の上面にエッチング液を噴射させる上面エッチング液噴射手段と、上記基板の下面に、上面と同時にエッチング液を噴射する下面エッチング液噴射手段と、を具備したことを特徴とするウエットエッチング処理装置。
【請求項５】上記下面エッチング液噴射手段は、基板端部へ向かうようにエッチング液を噴射する第１のエッチング液噴射ノズルと、上記基板の内方側にエッチング液を噴射する第２のエッチング液噴射ノズルとを具備したことを特徴とする請求項４記載のウエットエッチング処理装置。」（請求項１、２、４、５）
(3-2)「ここで、エッチング液は、例えばフッ酸のようにＳｉＯ2の酸化膜だけを溶解し、Ｓｉ自体は溶解しないような性質のものが用いられる。
　また、上記スピン処理装置１０では、基板１８の上下両面のエッチング処理を行うために、下面エッチング液噴射手段としての第１の噴射ノズル２２と、第２の噴射ノズル２３が設けられている。この第１の噴射ノズル２２および第２の噴射ノズル２３は、ともに上記傾斜部１２に設けられており、またこの第１の噴射ノズル２２の取付け角度は、図２に示すようにエッチング液が噴射により下面１８ｂに衝突する所定位置から基板１８の端部１８ｃへ向かうような流れを形成するようになっている。」（段落【0026】）
　　
甲第４号証（特開平５−２２６８０８号公報）
(4-1)「【請求項１】主導体金属として銅を用いた薄膜導体を有する回路基板のパターン形成方法において，銅の酸化速度が酸化銅の溶解速度に対して十分遅くなるような組成の硫酸−過酸化水素水からなるエッチング液により銅のエッチングを行うことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】前記エッチング液の重量比率が，硫酸１０％±１％に対し過酸化水素水１％±０.1％であることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。」（請求項１、２）
(4-2)「本発明では，銅のエッチング液として，硫酸−過酸化水素系溶液を用い，エッチング進行のメカニズムに着目し，過酸化水素の濃度を下げることにより銅の酸化物生成速度を抑え，サイドエッチング量を小さくするものである。」（段落【0008】）
　　
甲第５号証（特開平１０−２２３５９３号公報）
(5-1)「【請求項１】ウェハを浮上させつつ所定方向に回転させた状態で前記ウェハの洗浄を行う枚葉式ウェハ洗浄装置であって、前記ウェハの上面側から洗浄液を噴出する第１の噴出口を有した洗浄槽と、この洗浄槽の内部に配設され、前記ウェハの下面側から洗浄液を噴出する第２の噴出口を有したステージと、を具備し、前記第１及び第２の噴出口から噴出された洗浄液が前記ウェハの回転による遠心力によって前記ウェハの上下面の全体に均一に広がることで洗浄が行われることを特徴とする枚葉式ウェハ洗浄装置。」（請求項１）
(5-2)「洗浄槽２０の内部上面側には、ウェハ３０の略中心部分に向けて洗浄液を噴出する噴出ノズル２２が配設されている。
　ここで、洗浄液としては、薬液、有機溶剤、純水等が使用される。尚、これらの洗浄液は、それぞれの処理工程毎に、適宜用いられるものである。
　また、薬液としては、次の（１）〜（１０）が使用される。
（１）ＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、・・（３）ＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、（４）ＦＰＭ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、・・（７）ＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）・・・・
　排液収容槽４０の底部中央には下方側から洗浄液を供給するための洗浄液供給路４１が設けられている。」（段落【0028】〜【0032】）
　　
甲第６号証（特開平２−１９７１２６号公報）
(6-1)「半導体基板を１枚毎搬送し、該基板を処理室内で回転させながら、純水又は薬液により洗浄を行う枚葉式半導体基板洗浄装置において、半導体基板の周縁に複数のころ状部材を押しあてて該基板を保持し、前記ころ状部材により該基板に回転運動を与える機構と、前記基板の両面を同時に洗浄する機構とを有することを特徴とする枚葉式半導体基板両面洗浄装置。」（特許請求の範囲(1)）
(6-2)「さらにスライドアーム５，６にはウェハー２の周縁を受け入れる溝部をもつウェハークランプ用駒３，４が同一円周上に配列されており、ウェハークランプ用駒３，４はベアリング１０にて回転可能に軸支され、一つのウェハークランプ用駒４はモータ９に連結されている。
　某手段により処理室１へ運ばれたウエハー２はスライドアーム５の矢視Ｂ方向及びスライドアーム６の矢視Ｂ'方向の動作によりそのウエハークランプ用駒３，４が押しあてられて保持される。次にモータ９の動作によりウエハークランプ用駒４が回転し、これに伴いウェハー２が回転する。」（第２頁右上欄第４〜１５行）
　　
甲第７号証（上記実願平３−７７６６２のＣＤＲＯＭ）
(7-1)「従来のウエハの回転乾燥装置にあっては、次のような問題点があった。
（１）回転体２が、高速回転する際、ウエハ５が、保持部材３や、押えパッド４により保持されているにもかかわらず、回転体２の回転と反対方向に少しずつずれていき、オリエンテーション・フラット５aが移動してしまうという欠点があった。」（段落【0011】〜【0012】）
　　
Ｖ．対比・判断
　以下、特許異議申立ての対象である本件発明２、１１〜１７及び１９〜２２について、対比・判断する。
（Ｖ−１）本件発明２について
　本件発明２と、甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証には、半導体基板の一主面を水溶性の薬液によって処理するに際し、該薬液を前記半導体基板の一主面に吹き付けるよう供給すると共に、非水溶性の保護液を前記半導体基板の他主面に吹き付けるよう供給する半導体基板の表面処理方法（摘記1-1）が記載され、併せて、薬液が半導体基板のエッチング薬液であること（摘記1-1）、基板面の片面のみをエッチング処理すること（摘記1-2）、図４について、半導体基板３を支持する回転支持台２、半導体基板３の下面側に例えば弗化水素（ＨＦ）の水溶液等のエッチング薬液を吹き付ける薬液ノズル４、純水を半導体基板３の上面側に吹き付ける純水ノズル９、回転支持台２を回転させながらタンク５から供給されたエッチング薬液を薬液ノズル４から半導体基板３の下面側に吹き付け、同時に純水ノズル９から半導体基板３の上面側に純水を吹き付けて半導体基板３の下面のみをエッチング処理すること（摘記1-4）が記載され、そして別途、従来技術として、枚葉式エッチング装置において半導体基板の片面のみをエッチング処理する方法として、半導体基板を回転させながらエッチング処理する表面にエッチング薬液を供給すると同時に、反対側の表面に純水を供給する表面処理方法があること（摘記1-3）が記載されている。そして、半導体基板として、デバイス形成領域を有するウエハは周知のものである。
　　
　してみれば、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明と、
　表面にデバイス形成領域を有するウェハを保持して回転させる手段と、
第１の液体をウェハ表面のデバイス領域内に噴出する表面ノズルとを備えたことを特徴とするウエハ処理装置の点で一致しているといえ、そして、
（２Ａ）本件発明２では、“前記第１の液体とは種類の異なる第２の液体をデバイス形成領域外のウェハ表面周辺に噴出する１つ以上のエッジノズルを備え”るものであるのに対して、甲第１号証には、そのようなエッジノズルを備えることの記載が見あたらない点、
（２Ｂ）本件発明２では、前記表面ノズルと前記エッジノズルとは、共に“ウェハ表面側に設けられ”ているのに対して、甲第１号証には、上記のように前記表面ノズルと前記エッジノズルとの両者を、共に表面側に設けるとすることの記載が見あたらない点、及び、
（２Ｃ）本件発明２では、前記ウェハを保持して回転する手段は、“複数のピンを１組とする２組のピンを有するピンチャック方式によるものであり、各組のピンは交互に配置されており、一方の組のピンによるウェハ保持と、他方の組のピンによるウェハ保持とを切換えることのできる”としたものであるのに対して、甲第１号証にはそのような保持・回転手段の記載が見あたらない点、
の各点で、本件発明２は、甲第１号証に記載されたものと相違している。
　　
　そこで、上記相違点（２Ａ）〜（２Ｃ）について、以下検討する。
相違点（２Ａ）及び（２Ｂ）について
　甲第２号証には、枚葉式のディスク処理装置において、ディスクの外周を３点以上の可動爪にて保持する保持機構を２組以上、前記可動爪が開状態で前記外周上の異なる位置にくるように配置し、前記異なる組の可動爪を交互に開閉することにより、前記ディスクの外周での保持位置を切り換えるように構成したディスク保持装置（摘記2-1）に係る発明が記載され、併せて、図５と共に、ノズル４ａ、４ｂから純水が供給され、ウエハー３を洗浄すること（摘記2-3）が記載され、甲第３号証には、回転駆動される基板の上面にエッチング液を噴射してこの上面をエッチングするウエットエッチング処理方法において、上記基板の下面に、上面と同時にエッチング液を噴射するウエットエッチング処理方法（摘記3-1：請求項１）に係る発明が記載され、併せて、上記下面エッチング液噴射手段は、基板端部へ向かうようにエッチング液を噴射する第１のエッチング液噴射ノズルと、上記基板の内方側にエッチング液を噴射する第２のエッチング液噴射ノズルとを具備すること（摘記3-1：請求項５）が記載され、甲第４号証には、主導体金属として銅を用いた薄膜導体を有する回路基板のパターン形成方法において，銅の酸化速度が酸化銅の溶解速度に対して十分遅くなるような組成の硫酸−過酸化水素水からなるエッチング液により銅のエッチングを行うパターン形成方法（摘記4-1）に係る発明が記載され、甲第５号証には、ウェハを浮上させつつ所定方向に回転させた状態で前記ウェハの洗浄を行う枚葉式ウェハ洗浄装置であって、前記ウェハの上面側から洗浄液を噴出する第１の噴出口を有した洗浄槽と、この洗浄槽の内部に配設され、前記ウェハの下面側から洗浄液を噴出する第２の噴出口を有したステージと、を具備し、前記第１及び第２の噴出口から噴出された洗浄液が前記ウェハの回転による遠心力によって前記ウェハの上下面の全体に均一に広がることで洗浄が行われる枚葉式ウェハ洗浄装置（摘記5-1）に係る発明が記載され、併せて、洗浄用の薬液として、ＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、ＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、ＦＰＭ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、及びＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）が用いられること（摘記5-2）が記載され、甲第６号証には、半導体基板を１枚毎搬送し、該基板を処理室内で回転させながら、純水又は薬液により洗浄を行う枚葉式半導体基板洗浄装置において、半導体基板の周縁に複数のころ状部材を押しあてて該基板を保持し、前記ころ状部材により該基板に回転運動を与える機構と、前記基板の両面を同時に洗浄する機構とを有する枚葉式半導体基板両面洗浄装置（摘記6-1）に係る発明が記載され、また、甲第７号証には、従来のウエハの回転乾燥装置について、回転体２が高速回転する際、ウエハ５が保持部材３や押えパッド４により保持されているにもかかわらず、回転体２の回転と反対方向に少しずつずれていき、オリエンテーション・フラット５aが移動してしまうという欠点があったこと（摘記7-1）が記載されている。
　しかし、これら甲第２〜７号証のいずれにも、第１の液体とは種類の異なる第２の液体をデバイス形成領域外のウェハ表面周辺に噴出する１つ以上のエッジノズルを備えるとした上記相違点（２Ａ）に係る特定事項、及び、表面ノズルとエッジノズルとの両者をウェハ表面側に設けるとした上記相違点（２Ｂ）に係る特定事項を開示した記載は見当たらない。
　そして、本件発明２は、当該相違点（２Ａ）及び（２Ｂ）に係る特定事項を含む前記認定のとおりの特定事項を具備することにより、回転しているウェハの表面には、表面周辺に処理液をノズルにより供給すると同時に、ウェハ中央部に処理液の影響を受けないように保護するための純水などの液をノズルにより供給し、処理液がウェハの表面中央部に向かって流れ込むことはなく、半導体デバイス配線材料などへのダメージを与えること無く、ウェハの表面周辺，端面，およびウェハ裏面に存在する金属汚染および金属膜を効果的に除去することができるという（段落【0096】）、明細書に記載された効果を奏したと認めることができる。
　以上のとおりであるから、他の相違点（２Ｃ）について改めて検討するまでもなく、本件発明２は、甲第１〜７号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
（Ｖ−２）本件発明１１について
　本件発明１１と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、両者は、ウエハを回転しつつノズルからエッチング液を噴出してエッチング処理するウエハ処理方法、の点で一致し、そして
（１１Ａ）本件発明１１では、上記エッチング除去する対象物を、”ウェハ上に存在する不所望な金属膜”としているのに対して、甲第１号証にはそのようなエッチング除去対象物の記載が見あたらない点、
（１１Ｂ）本件発明１１では、上記のウエハ処理方法が、“金属膜と反応しない第１の液体をウェハ表面中央に、ウェハ表面側に設けられた表面ノズルから噴出すると同時に、金属膜をエッチングする第２の液体を、ウェハ表面側に設けられたエッジノズルからウェハ表面周辺に噴出し、金属膜をエッチングする第３の液体を、ウェハ裏面側に設けられた裏面ノズルからウェハ裏面に噴出することによって、ウェハの表面周辺，端面，裏面に存在する不所望な金属膜をエッチング除去する”とした処理であるのに対して、甲第１号証には、そのようなノズルと処理液との特定の関係を開示する記載が見あたらない点、及び、
（１１Ｃ）本件発明１１では、“前記不所望な金属膜がＣｕ膜である場合に、前記第２の液体と第３の液体は、Ｈ2Ｏ2を含む酸またはアルカリ溶液である”としているのに対して、甲第１号証にはそのようなＣｕ膜、及び第２、第３処理液の特定組成を開示する記載が見あたらない点、
の各点で、本件発明１１は、甲第１号証に記載されたものと相違している。
　　
　そこで、上記相違点（１１Ａ）〜（１１Ｃ）について、以下検討する。
相違点（１１Ｂ）について
　上記相違点（１１Ｂ）における“金属膜と反応しない第１の液体をウェハ表面中央に、ウェハ表面側に設けられた表面ノズルから噴出する”とした点は、本件発明２と甲第１号証との対比での上記相違点（２Ａ）、（２Ｂ）における“第１の液体をウェハ表面のデバイス形成領域内に噴出する表面ノズル”について、これを当該表面ノズルを用いた処理方法として具体化したものであり、同じく上記相違点（１１Ｂ）における“金属膜をエッチングする第２の液体を、ウェハ表面側に設けられたエッジノズルからウェハ表面周辺に噴出”する点は、本件発明２と甲第１号証との対比での上記相違点（２Ａ）、（２Ｂ）における“第１の液体とは種類の異なる第２の液体をデバイス形成領域外のウェハ表面周辺に噴出する１つ以上のエッジノズル”について、これを当該エッジノズルを用いた処理方法として具体化したものである。なおかつ、上記相違点（１１Ｂ）については、これらの事項に加えて、さらに“金属膜をエッチングする第３の液体を、ウェハ裏面側に設けられた裏面ノズルからウェハ裏面に噴出する”点を付加して、上記第１の液体、第２の液体及び第３の液体を、各ノズルから上記所定の部位に噴出し、それにより、“ウェハの表面周辺，端面，裏面に存在する不所望な金属膜をエッチング除去する”としたものであり、かかる点は、甲第２〜７号証のいずれにも開示が見あたらない。
　してみれば、他の相違点（１１Ａ）及び（１１Ｃ）について改めて検討するまでもなく、上記（Ｖ−１）欄で本件発明２について記載したと同様、本件発明１１は、甲第１〜７号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
（Ｖ−３）本件発明１２について
　本件発明１２と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、両者は、ウエハを回転しつつノズルからエッチング液を噴出してエッチング処理するウエハ処理方法、の点で一致し、そして
（１２Ａ）本件発明１２では、上記エッチング除去する対象物が、“ウェハ上に存在する不所望な金属膜”としているのに対して、甲第１号証にはそのようなエッチング除去対象物の記載が見あたらない点、
（１２Ｂ）本件発明１２では、上記のウエハ処理方法が、“金属膜と反応しない第１の液体をウェハ表面中央に、ウェハ表面側に設けられた表面ノズルから噴出すると同時に、金属膜をエッチングする第２の液体を、ウェハ表面側に設けられたエッジノズルからウェハ表面周辺に噴出し、金属膜をエッチングする第３の液体を、ウェハ裏面側に設けられた裏面ノズルからウェハ裏面に噴出することによって、ウェハの表面周辺，端面，裏面に存在する不所望な金属膜をエッチング除去する”処理であるのに対して、甲第１号証には、そのようなノズルと処理液との特定の関係を開示する記載が見あたらない点、及び、
（１２Ｃ）本件発明１２では、“前記不所望な金属膜がＣｕ膜である場合に、前記第２の液体と第３の液体は、ＦＰＭ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），ＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），ＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），硝酸過酸化水素水（ＨＮＯ3／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），ＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），濃硝酸よりなる群から選ばれる”としているのに対して、甲第１号証にはそのようなＣｕ膜、及び第２、第３処理液の特定組成を開示する記載が見あたらない点、
の各点で、本件発明１２は、甲第１号証に記載されたものと相違している。
　　
　そこで、上記相違点（１２Ａ）〜（１２Ｃ）について、以下検討する。
相違点（１２Ｂ）について
　上記相違点（１２Ｂ）における“金属膜と反応しない第１の液体をウェハ表面中央に、ウェハ表面側に設けられた表面ノズルから噴出する”とした点は、上記本件発明２と甲第１号証との対比での相違点（２Ａ）、（２Ｂ）における“第１の液体をウェハ表面のデバイス形成領域内に噴出する表面ノズル”について、これを当該表面ノズルを用いた処理方法として具体化したものであり、同じく上記相違点（１２Ｂ）における“金属膜をエッチングする第２の液体を、ウェハ表面側に設けられたエッジノズルからウェハ表面周辺に噴出”する点は、上記本件発明２と甲第１号証との対比での相違点（２Ａ）、（２Ｂ）における“第１の液体とは種類の異なる第２の液体をデバイス形成領域外のウェハ表面周辺に噴出する１つ以上のエッジノズル”について、これを上記エッジノズルを用いた処理方法として具体化したものである。なおかつ、上記相違点（１２Ｂ）については、これらの事項に加えて、さらに“金属膜をエッチングする第３の液体を、ウェハ裏面側に設けられた裏面ノズルからウェハ裏面に噴出する”点を付加して、上記第１の液体、第２の液体及び第３の液体を、各ノズルから上記所定の部位に噴出し、それにより、“ウェハの表面周辺，端面，裏面に存在する不所望な金属膜をエッチング除去する”としたものであり、かかる点は、甲第２〜７号証のいずれにも開示が見あたらない。
　してみれば、他の相違点（１２Ａ）及び（１２Ｃ）について改めて検討するまでもなく、上記（Ｖ−１）欄で本件発明２について記載したと同様、本件発明１２は、甲第１〜７号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
（Ｖ−４）本件発明１３〜１７について
　本件発明１３〜１７は、いずれも請求項１１、１２又はその下位の請求項を引用することにより、本件発明１１又は１２を更に限定して特定した発明であるので、上記（Ｖ−２）及び（Ｖ−３）欄で本件発明１１及び１２について記載したと同様、本件発明１３〜１７は、甲第１〜７号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
（Ｖ−５）本件発明１９〜２２について
　本件発明１９〜２２は、いずれも請求項１１、１２又はその下位の請求項を引用することにより、本件発明１１又は１２を更に限定して特定した発明であるので、上記の（Ｖ−２）及び（Ｖ−３）欄において、本件発明１１及び１２について記載したと同様、本件発明１９〜２２は、甲第１〜７号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　なお、本件発明１９〜２２の内、特許異議申立てされていない請求項１８を引用した部分については、甲第１〜７号証に記載も示唆も見当たらない。
　　
ＶＩ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、特許異議申立ての対象とされた請求項２、１１〜１７及び１９〜２２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に上記請求項２、１１〜１７及び１９〜２２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
　　
　　
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
　　　　別記（特許請求の範囲：請求項２、１１〜１７、１９〜２２）
「【特許請求の範囲】
【請求項２】表面にデバイス形成領域を有するウェハを保持して回転させる手段と、
第１の液体をウェハ表面のデバイス形成領域内に噴出する表面ノズルと、
前記第１の液体とは種類の異なる第２の液体をデバイス形成領域外のウェハ表面周辺に噴出する１つ以上のエッジノズルとを備え、
前記表面ノズルと前記エッジノズルとは、ウェハ表面側に設けられ、
前記ウェハを保持して回転する手段は、複数のピンを１組とする２組のピンを有するピンチャック方式によるものであり、各組のピンは交互に配置されており、一方の組のピンによるウェハ保持と、他方の組のピンによるウェハ保持とを切換えることのできることを特徴とするウェハ処理装置。
　　
【請求項１１】ウェハ上に存在する不所望な金属膜をエッチング除去するウェハ処理方法において、
ウェハを回転しつつ、金属膜と反応しない第１の液体をウェハ表面中央に、ウェハ表面側に設けられた表面ノズルから噴出すると同時に、金属膜をエッチングする第２の液体を、ウェハ表面側に設けられたエッジノズルからウェハ表面周辺に噴出し、金属膜をエッチングする第３の液体を、ウェハ裏面側に設けられた裏面ノズルからウェハ裏面に噴出することによって、ウェハの表面周辺，端面，裏面に存在する不所望な金属膜をエッチング除去するウェハ処理方法であって、
前記不所望な金属膜がＣｕ膜である場合に、前記第２の液体と第３の液体は、Ｈ2Ｏ2を含む酸またはアルカリ溶液であることを特徴とするウェハ処理方法。
【請求項１２】ウェハ上に存在する不所望な金属膜をエッチング除去するウェハ処理方法において、
ウェハを回転しつつ、金属膜と反応しない第１の液体をウェハ表面中央に、ウェハ表面側に設けられた表面ノズルから噴出すると同時に、金属膜をエッチングする第２の液体を、ウェハ表面側に設けられたエッジノズルからウェハ表面周辺に噴出し、金属膜をエッチングする第３の液体を、ウェハ裏面側に設けられた裏面ノズルからウェハ裏面に噴出することによって、ウェハの表面周辺，端面，裏面に存在する不所望な金属膜をエッチング除去するウェハ処理方法であって、
前記不所望な金属膜がＣｕ膜である場合に、前記第２の液体と第３の液体は、ＦＰＭ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），ＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），ＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），硝酸過酸化水素水（ＨＮＯ3／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），ＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ），濃硝酸よりなる群から選ばれることを特徴とするウェハ処理方法。
【請求項１３】エッジノズルから前記第２の液体をウェハの回転方向、またはウェハ接線より外側に噴出してエッチングまたは洗浄することを特徴とする請求項１１〜１２のいずれかに記載のウェハ処理方法。
【請求項１４】前記Ｃｕ膜の下地がＳｉＯ2膜である場合に、前記第２の液体と第３の液体の組成は、
ＨＦ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１〜１０：１〜２０：１００
Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝１〜１０：１〜２０：１００
ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝１〜１０：１〜２０：１００
ＨＮＯ3／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝１〜１０：１〜２０：１００
ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝１〜１０：１〜２０：１００
濃硝酸（３０％〜８０％）であることを特徴とする請求項１２に記載のウェハ処理方法。
【請求項１５】前記Ｃｕ膜の下地がＳｉＯ2膜である場合に、前記ＦＰＭの組成は、ＨＦ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１０：１００であることを特徴とする請求項１２記載のウェハ処理方法。
【請求項１６】前記不所望な金属膜がＣｕ膜である場合に、前記第１の液体は、純水または有機酸水溶液であることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれかに記載のウェハ処理方法。
【請求項１７】前記有機酸水溶液は、０．００１％〜５％のシュウ酸，クエン酸，マロン酸よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項１６に記載のウェハ処理方法。
　　
【請求項１９】
前記ウェハを保持して回転させる工程は、複数のローラを有するローラチャックにより回転させて処理することを特徴とする請求項１１〜１８のいずれかに記載のウェハ処理方法。
【請求項２０】前記ウェハを保持して回転させる工程は、複数のピンを有するピンチャックにより保持し、回転中にウェハ回転数を変えることでピンによるチャック位置を変えることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれかに記載のウェハ処理方法。
【請求項２１】前記ウェハを保持して回転する工程は、複数のピンを１組とする２組のピンを有するピンチャックにより、各組のピンは交互に配置されており、一方の組のピンによりウェハを保持してウェハを処理した後、他方の組のピンによりウェハを保持してウェハを処理することを特徴とする請求項１１〜１８のいずれかに記載のウェハ処理方法。
【請求項２２】ピンチャックの停止位置が互いに異なり、前記ウェハを保持して回転する第１と第２の手段を有し、第１の手段で処理した後、第２の手段に移し替えて処理することを特徴とする請求項１１〜１８のいずれかに記載のウェハ処理方法。」　　　　　　　　　　　　　　　　　　　以上
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
【異議決定日】
平成１７年１月１２日（２００５．１．１２）