Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＶＤターゲットを鋳造するための方法であり、
モールドを準備するステップであって、前記モールドは、閉鎖した底部分（１３０）と、外側モールドシェル（１１０）と、外側モールドシェル（１１０）内に配置されたマンドレル（１０５）とを有しており、外側モールドシェル（１１０）とマンドレル（１０５）は、それらの間に開口（１２０）を画定し、前記マンドレル（１０５）は、中空であり、内壁を有しているステップと、
材料インゴットを前記モールドに近接するリザーバ（１４０）内に配置するステップと、
前記リザーバ（１４０）内に真空または不活性雰囲気を生成させ、前記リザーバ内において前記材料を溶融させるステップと、
前記モールドを鋳込温度よりも高い温度に加熱し、前記モールド内に真空または不活性雰囲気を生成させるステップと、
溶融した材料を前記リザーバ（１４０）から前記開口（１２０）内に導入するステップと、
前記モールドを冷却し、前記ＰＶＤターゲットを形成するステップと、
を含んでいるＰＶＤターゲットを鋳造するための方法において、
前記リザーバ（１４０）および前記モールドは、密封可能な空間を形成するように一緒に組み合わされており、前記マンドレル（１０５）または前記マンドレルに取り付けられた延長チューブ（１５０）が、前記リザーバ（１４０）を超えて上方に延在し、
前記材料は反応性材料であることを特徴とする方法。
【請求項２】
溶融した反応材料を前記リザーバ（１４０）から前記開口（１２０）内に導入する前記ステップは、溶融した反応性材料が前記モールド内に流れることを可能にすることを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法は、管状反応性ＰＶＤターゲット鋳造するための方法であり、
前記外側モールドシェル（１１０）および前記マンドレル（１０５）は、それらの間に円筒状環状開口（１２０）を画定しており、
前記マンドレル（１０５）は、コア区域（１０７）を画定する内壁を有していることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記モールドを加熱するステップは、前記内壁を加熱し、および／または前記外側モールドシェル（１１０）を加熱することを含んでいることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記外側モールドシェル（１１０）を加熱する前記ステップは、前記内壁からの熱放射を介して前記外側モールドシェル（１１０）を加熱することを含んでいることを特徴とする請求項１〜４に記載の方法。
【請求項６】
前記モールドを冷却する前記ステップは、流体冷媒を前記コア区域（１０７）から前記内壁に向かって導き、流体冷媒を前記外側モールドシェル（１１０）に向かって導くことを含んでいることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記流体冷媒を導く前記ステップは、前記流体冷媒をシャワーヘッド（２２０）を通して噴霧することを含んでいることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記流体冷媒は、水、水溶液、および油基組成物からなる群から選択される流体を含んでいることを特徴とする請求項６または７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記流体冷媒を前記内壁に導く前記ステップは、前記流体冷媒をシャワーヘッド（２２０）を通して噴霧することを含んでおり、前記シャワーヘッドは、ヒーターの遠位端に取り付けられており、前記ヒーターは、前記コア区域内に挿入されるように構成されていることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記ヒーターを前記コア区域（１０７）から引き出し、同時に前記流体冷媒を前記シャワーヘッド（２２０）から噴霧することをさらに含んでいることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記モールドは、垂直方向に配向されており、前記内壁および前記外側モールドシェル（１１０）の少なくとも１つは、底から上に向かって冷却されるようになっていることを特徴とする請求項４〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記モールドの前記冷却においては、
前記外側モールドシェル（１１０）および前記マンドレルの前記内壁を同時に冷却することを含んでおり、および／または、
前記溶融した反応性材料が前記モールド内に導かれた後、前記モールドが冷却される前に、前記モールドを撹拌することをさらに含んでいることを特徴とする請求項４〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記反応性材料は、リチウム、マグネシウム、セリウム、ナトリウム、カリウムおよび、反応しない形態にあるこのような要素を含む合金または化合物からなる群から選択されるようになっている、ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
ＰＶＤターゲットは、内壁を有しているマンドレル（１０５）と、該マンドレル（１０５）の外壁上に配置された鋳造材料層とを含んでおり、
前記材料は反応性材料であり、
前記鋳造反応性材料は、１体積％未満の空隙を含んでいることを特徴とする反応性材料ＰＶＤターゲット。
【請求項１５】
前記反応性材料は、リチウム、マグネシウム、セリウム、ナトリウム、カリウム、反応しない形態にあるこのような要素を含む合金または化合物からなる群から選択されるようになっており、および／または、
前記鋳造反応性材料層は、少なくとも約３ｍｍの直径の平均粒径を有する結晶粒を含んでいることを特徴とする請求項１４に記載のＰＶＤターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月13日(2015.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも下記をベースとする、インフレータブル物品におけるパンク防止層として使用することのできるセルフシーリング特性を有するエラストマー組成物(phrは、固体エラストマー100質量部当りの質量部を意味する)：
・少なくとも２種の固体エラストマー、即ち、“エラストマーA”と称するポリブタジエンまたはブタジエンコポリマーエラストマーと“エラストマーB”と称する天然ゴムまたは合成ポリイソプレンエラストマーとの、エラストマーA：エラストマーBの質量比が10：90〜90：10の範囲内であるブレンド；
・30phrと90phrの間の炭化水素樹脂；
・0〜30phr未満の補強用充填剤を含む、0〜120phr未満の充填剤。
【請求項２】
エラストマーAが、ポリブタジエンである、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
エラストマーBが、天然ゴムまたは合成シス1,4‐ポリイソプレンである、請求項１または２記載の組成物。
【請求項４】
エラストマーA：エラストマーBの質量比が、20：80〜80：20の範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
炭化水素樹脂の含有量が、45〜75phrの範囲内である、請求項１〜４のいずれか１項記載の組成物。
【請求項６】
0〜100phr未満の充填剤を含んでおり、前記充填剤が、0〜15phr未満の補強用充填剤を含む、請求項１〜５のいずれか１項記載の組成物。
【請求項７】
5〜70phrの補強用充填剤以外の充填剤を含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の組成物。
【請求項８】
補強用以外の充填剤が、灰分、天然炭酸カルシウムまたは合成炭酸カルシウムの微小粒子、合成ケイ酸塩または天然ケイ酸塩、シリカ、酸化チタン、アルミナ、アルミノケイ酸塩およびこれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項１〜７のいずれか１項記載の組成物。
【請求項９】
補強用充填剤が、カーボンブラックである、請求項１〜８のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１０】
ガラス転移温度(Tg)が−20℃よりも低い液体可塑剤をさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１１】
液体可塑剤の含有量が、60phr以下である、請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
パンク防止層を備え、この層が請求項１〜１１のいずれか１項記載の組成物を含む、インフレータブル物品。
【請求項１３】
前記インフレータブル物品がタイヤである、請求項１２記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月23日(2015.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側カップリング部（２１）と内側カップリング部（３１）とを有する内視鏡（１）のための非接触磁気カップリング（４１）であって、前記内側カップリング部（３１）は、当該非接触磁気カップリング（４１）において前記外側カップリング部（２１）内に配置され、ギャップ（２０）が当該非接触磁気カップリング（４１）において前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）間に形成されている、前記非接触磁気カップリング（４１）において、
前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）は、それぞれ、環状体（２２，３２）を備え、前記外側カップリング部（２１）の前記環状体（２２）は、内部方向に開く実質的にＵ字形の断面を共に形成するサイドアンカープレート（２３，２４）間に配置され、および／または前記内側カップリング部（３１）の前記環状体（３２）は、外部方向に開く実質的にＵ字形の断面を共に形成するサイドアンカープレート（３３，３４）間に配置され、前記外側カップリング部（２１）および／または前記内側カップリング部（３１）の前記環状体（２２、３２）は、軸方向に磁化された環状磁石（２２）を備える、非接触磁気カップリング（４１）。
【請求項２】
前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）の表面であって前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）間の前記ギャップ（２０）と境をなしている表面にある、前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）の前記サイドアンカープレート(２３，２４，３３，３４）は、互いに対応する磁極片セグメント（２５，２６）を周囲方向に有する構造を備える、請求項１に記載の非接触磁気カップリング（４１）。
【請求項３】
前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）は、互いに反対の極性が軸方向に与えられた複数の環状磁石（２２）を備える、請求項１又は２に記載の非接触磁気カップリング（４１）。
【請求項４】
前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）の前記２つのサイドアンカープレート（２３，２４，３３，３４）は、同一の形状を有し、および／または互いに同じ角度関係で配置されている、請求項１〜３の何れか１項に記載の非接触磁気カップリング（４１）。
【請求項５】
前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）の前記２つのサイドアンカープレート（２３，２４，３３，３４）は、異なる形状を有し、特に異なる数の磁極片セグメント（２５，３５）を有し、および／または互いに異なる角度関係で配置されている、請求項１〜３の何れか１項に記載の非接触磁気カップリング（４１）。
【請求項６】
環状磁石（２２）を備えていない前記外側カップリング部（２１）および前記内側カップリング部（３１）が、その一部又は全部が強磁性体から構成される、請求項１〜５の何れか１項に記載の非接触磁気カップリング（４１）。
【請求項７】
前記サイドアンカープレート（２３，２４，３３，３４）は、その一部又は全部が強磁性体から構成される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の非接触磁気カップリング（４１）。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の非接触磁気カップリング（４１）を有する内視鏡（１）。
【請求項９】
前記内視鏡（１）は、転換または変更可能な観察方向、および／または変更することができる側方観察方向を有する、請求項８に記載の内視鏡（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ＢＥＡ骨格構造を有する１種以上のゼオライト材料を含む触媒を供給する工程、
前記ＢＥＡ骨格構造がＹＯ２、および任意にＸ２Ｏ３を含み、式中、Ｙは四価元素であり、Ｘは三価元素であり、
（ｂ）１基以上の反応器において、１種以上のアルキル化剤の存在下で、前記触媒と、１種以上のアルキル化可能な有機化合物とを接触させて１種以上のアルキル化有機化合物を得る工程
を含む有機化合物のアルキル化法であって、
前記１種以上のゼオライト材料が、構造規定剤として有機テンプレートを用いない合成法により得ることを特徴とするアルキル化法。
【請求項２】
１種以上のゼオライト材料がか焼されていない、請求項１に記載のアルキル化法。
【請求項３】
Ｙが、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅおよびそれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択される、請求項１または２に記載のアルキル化法。
【請求項４】
Ｘが、Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａおよびそれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項５】
前記１種以上のゼオライト材料の１種以上のＹ：Ｘのモル比が１〜５０の範囲である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項６】
前記１種以上のゼオライト材料の１種以上が、１種以上のアルカリ金属Ｍを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項７】
Ｍ：Ｘのモル比が０．０１〜２０の範囲である、請求項６に記載のプアルキル化法。
【請求項８】
前記アルカリ金属原子Ｍの少なくとも一部が１種以上の陽イオンおよび／または陽イオン元素によって置換されている、請求項６または７に記載のアルキル化法。
【請求項９】
前記１種以上のゼオライト材料の１種以上が、少なくとも以下の反射を含むＸ線回折パターンを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のアルキル化法であって：
【表１】
2014523399.tif 000001
ここで、１００％は、粉末Ｘ線回折パターンにおける最大ピークの強度に相当する、アルキル化法。
【請求項１０】
前記Ｘ線回折パターンが以下の反射：
【表２】
2014523399.tif 000002
を含む、請求項９に記載のアルキル化法。
【請求項１１】
前記１種以上のゼオライト材料の１種以上のＤＩＮ６６１３５に従って測定されたＢＥＴ表面積が、１５０〜６５０ｍ2／ｇの範囲である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項１２】
前記１種以上のゼオライト材料がゼオライトベータを含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項１３】
前記１種以上のアルキル化可能な有機化合物が、１種以上のアルキル化可能な芳香族化合物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項１４】
前記１種以上のアルキル化可能な芳香族化合物が、置換または非置換のベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ナフタセン、ペリレン、コロネン、フェナントレン、およびそれらのヘテロ芳香族誘導体からなる群より選択される１種以上の芳香族化合物を含む、請求項１３に記載のアルキル化法。
【請求項１５】
前記１種以上の芳香族化合物が、１個以上の官能基を有し、その１個以上の官能基が、直鎖状または分岐鎖状のアルキル、アリール、アルカリル、アルコキシ、アリールオキシ、シクロアルキル、ハロゲン化物、およびそれらの誘導体からなる群より選択される１個以上の官能性を含む、請求項１３または１４に記載のアルキル化法。
【請求項１６】
前記１種以上のアルキル化剤が、オレフィン、アルコール、アルデヒド、ハロゲン化アルキル、およびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の化合物を含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項１７】
前記オレフィンが１種以上のアルケンを含む、請求項１６に記載のアルキル化法。
【請求項１８】
前記１種以上のアルキル化可能な有機化合物が、置換または非置換のベンゼン、トルエン、およびそれらのヘテロ芳香族誘導体からなる群より選択される１以上の有機化合物を含み、
前記１種以上のアルキル化剤が、エテン、プロペン、ブテン、およびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上のオレフィンを含む、
請求項１〜１７のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項１９】
前記１種以上のアルキル化剤に対する、前記１種以上のアルキル化可能な有機化合物のモル比が、０．１：１〜５０：１の範囲である、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項２０】
工程（ｂ）が、１００〜３５０℃の範囲の温度で行われる、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項２１】
工程（ｂ）が、０．２〜２５０ｂａｒの範囲に含まれる圧力で行われる、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項２２】
工程（ｂ）が、０．５〜１００時間の継続時間に亘って行われる、請求項１〜２１のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項２３】
前記アルキル化法が連続アルキル化法である、請求項１〜２２のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項２４】
前記１基以上の反応器が、固定床および／または流動床の形態で前記触媒を含有する、請求項１〜２３のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項２５】
ＢＥＡ骨格構造を有する１種以上のゼオライト材料を含む前記触媒が、成形品の形態で供給される、請求項１〜２４のいずれか一項に記載のアルキル化法。
【請求項２６】
１種以上のアルキル化可能な有機化合物と、試薬として１種以上のアルキル化剤とを包含するアルキル化反応における、ＢＥＡ骨格構造を有する１種以上のゼオライト材料を含む触媒の使用法であって、前記１種以上のゼオライト材料が構造規定剤として有機テンプレートを使用しない合成アルキル化法により得ることができる、使用法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管内皮増殖因子（ＶＥＧＦ）の阻害剤である第一薬剤と、
ベータ−１インテグリンの結合を遮断する第二薬剤、ここで、前記第二薬剤は、あらゆるアルファサブユニットに関連するベータ−１インテグリンに対して結合する、と、
の組み合わせを含み、
ここで、前記組み合わせは、腫瘍細胞の増殖を、前記第一薬剤又は前記第二薬剤のいずれか別々の場合よりも大きい程度まで腫瘍細胞の増殖を阻害する、
腫瘍細胞の増殖を阻害するための薬学的組成物。
【請求項２】
前記ＶＥＧＦの阻害剤はＶＥＧＦに結合する抗体である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記抗体はヒト化マウス抗体である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記第二薬剤はベータ−１インテグリンに対して結合するポリペプチドである、請求項１、２、又は３に記載の組成物。
【請求項５】
前記ポリペプチドは、腫瘍細胞の細胞外基質に対する結合を阻害する、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記ポリペプチドはベータ−１インテグリンに特異的な抗体である、請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
前記ベータ−１インテグリンに特異的な抗体は、キメラ、一本鎖、又はヒト化抗体である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記抗体はＡＩＩＢ２、ＢＩＥ１１又はＡＩＩＢ若しくはＢＩＥ１１に由来するヒト化抗体である、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記第一薬剤及び前記第二薬剤は、ＶＥＧＦを認識する１つの結合部位、及びベータ１インテグリンを認識する１つの結合部位を有する２価抗体により提供される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
腫瘍の増殖を阻害する医薬の調製における、抗血管新生薬である第一薬剤と；あらゆるアルファサブユニットに関連するベータ−１インテグリンに対して結合し、且つ、ベータ−１インテグリンにより仲介される腫瘍細胞の結合を遮断する第二薬剤と
の組み合わせの使用であって、
ここで、腫瘍細胞の増殖は、前記第一薬剤又は前記第二薬剤のいずれか単独の場合よりも大きい程度で阻害される、使用。
【請求項１１】
前記抗血管新生薬はＶＥＧＦに結合する抗体である、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
前記抗血管新生薬は、ヒト化マウスモノクローナル抗体及び完全ヒト化抗体からなる群から選択される、請求項１０に記載の使用。
【請求項１３】
前記第二製剤がポリペプチドであって、
前記ポリペプチドはベータ−１インテグリンに特異的な抗体である、請求項１０に記載の使用。
【請求項１４】
前記抗体は、キメラ、一本鎖、又はヒト化抗体である、請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
前記抗体はＡＩＩＢ２、ＢＩＥ１１又はそのヒト化誘導体である、請求項１３に記載の使用。
【請求項１６】
前記腫瘍は、神経膠芽腫、大腸、肺、肝臓、腎臓、結腸、メラノーマ、及びリンパ腫からなる群から選択される、請求項１０に記載の使用。
【請求項１７】
神経上皮組織の腫瘍を治療する医薬の調製における、あらゆるアルファサブユニットに関連するベータ−１インテグリンを遮断する、ベータ−１インテグリンの結合の阻害剤の使用。
【請求項１８】
前記阻害剤はあらゆるアルファサブユニットに関連するベータ−１インテグリンに対して結合する抗体である、請求項１７に記載の使用。
【請求項１９】
ＶＥＧＦに対して結合する第一薬剤と；あらゆるアルファサブユニットに関連するベータ−１インテグリンにより仲介される腫瘍細胞の結合を遮断する第二薬剤と
の組み合わせであって、
ここで、前記第一薬剤又は前記第二薬剤の１つ又は両方はラベル化されている、
腫瘍をイメージングするための組み合わせ。
【請求項２０】
前記第二薬剤は、キメラ、一本鎖、又はベータ−１インテグリンに対して結合するヒト化抗体である、請求項１９に記載の組み合わせ。
【請求項２１】
前記腫瘍は、神経膠芽腫、大腸、肺、腎臓、肝臓、卵巣、及び乳房からなる群から選択される、請求項１９に記載の組み合わせ。
【請求項２２】
腫瘍細胞の増殖を阻害する医薬の調製における、ベータ−１インテグリンをコード化する遺伝子の発現を妨げる核酸コンストラクトの使用。
【請求項２３】
前記コンストラクトは、ベータ−１インテグリンｍＲＮＡに対して結合して、ベータ−１インテグリン遺伝子発現を発現停止するｓｈＲＮＡをコード化するレンチウイルスベクターである、請求項２２に記載の使用。
【請求項２４】
（ａ）腫瘍内、切除による空洞内、又は硬膜下に配置するためのカテーテルと；
（ｂ）前記カテーテルを通して、対流強化送達法（ＣＥＤ）装置により、臨床的に意義のある用量及び速度で、投与するために製剤化された、あらゆるアルファサブユニットに関連するベータ−１インテグリンを遮断する、阻害性の抗−ベータ１インテグリン組成物と
を含む、再発性の多形膠芽細胞腫（ＧＢＭ）を有する被験者を治療するためのキット。
【請求項２５】
腫瘍細胞の増殖を阻害する医薬の調製における、抗血管新生薬である低用量の第一薬剤と；ベータ−１インテグリンにより仲介される腫瘍細胞の結合を遮断する第二薬剤と、
の組み合わせの使用であって、
ここで腫瘍細胞の増殖は、より高い用量の第一薬剤により生じる量と同じ量まで阻害される、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）を作製する方法であって、
・異なるプラズマエッチング速度を有する少なくとも１つの組成物、および／またはエッチング処理をマスキングできる少なくとも１つの組成物（４）からなるポリマー材料層（３）を形成するステップと、
・ポリマーナノ構造体（５）を形成するために、前記ポリマー材料層（３）に対してエッチング処理を行うステップと、
・熱分解されたカーボンナノ構造体（１）を形成するために、前記ポリマーナノ構造体（５）を熱分解するステップとを少なくとも有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
ポリマー材料層（３）を形成するステップの前に基板を提供するステップをさらに有し、
前記ポリマー材料層は、前記基板上に積層されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、
エッチング時間は、前記ポリマーナノ構造体（５）を形成するために十分な時間であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載の方法であって、
エッチング時間は、前記ポリマーナノ構造体（５）に対して所望される高さに依存することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１に記載の方法であって、
エッチング時間は、１分間〜６０分間、好適には５分間〜６０分間、より好適には１０分間〜６０分間であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１に記載の方法であって、
前記ポリマー材料層（３）を形成した後、エッチング処理を行う前において、前記ポリマー材料層（３）にパターン形成して、ポリマー構造体を形成するステップをさらに有することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記ポリマー材料層（３）を形成するステップおよび前記ポリマー構造体を形成するステップを反復して行い、追加的なポリマー構造体（６）を既存のポリマー構造体（３）上に積層し、これらのステップを用途に応じて必要な回数だけ繰り返すことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１に記載の方法であって、
エッチング処理をマスキングできる前記少なくとも１つの組成物（４）は、マイクロ粒子またはナノ粒子（４）であることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
マイクロ粒子またはナノ粒子（４）は、前記ポリマー材料層（３）内に含まれるアンチモン（Ｓｂ）ナノ粒子等の金属製またはセラミック製のマイクロ粒子またはナノ粒子（４）であることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１に記載の方法であって、
エッチング処理をマスキングできる前記少なくとも１つの組成物（４）は、エッチング処理中に、または他の任意の形成方法により積層されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１に記載の方法であって、
中実カーボンコア構造体（３"）の上に熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）を有する中実カーボンコア構造体（３"）を作製するために、エッチング時間により、熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）の高さを制御することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１に記載の方法であって、
ナノ構造体作製方法を用いて、熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）上に追加的な階層のカーボンナノ構造体を形成するステップをさらに有することを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１に記載の方法であって、
熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）の深さを制御して、カーボンナノ構造体（１）およびバルク（３"）を組み合わせた階層的なカーボン構造体を形成するステップをさらに有することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１に記載の方法であって、
前記ポリマー材料層（３）にパターン形成するステップにより、３次元形態が形成され、３次元のカーボンマイクロ構造体が形成され、熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）を有することを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１に記載の方法であって、
熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）は、ナノワイヤであることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１に記載の方法であって、
熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）は、アモルファスまたは黒鉛のものであることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１に記載の方法であって、
熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）は、垂直方向に配列されていることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１に記載の方法であって、
エッチング速度は、プラズマエッチング速度であり、好適には酸素プラズマエッチング速度であり、
エッチング処理は、プラズマエッチング処理であり、好適には酸素プラズマエッチング処理であることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１に記載の方法を用いて作製可能な熱分解処理されたカーボンナノ構造体（１）またはカーボンマイクロ構造体（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前方向フランジ部であって、前方向面を具備する前方向フランジ部骨接触表面を有する、前方向フランジ部と、
前記前方向フランジ部から延在する顆部であって、前記前方向面に対向する面を具備する顆部骨接触表面を有し、自身に形成された顆部穴を有し、前記顆部穴が、前記面と交差して前記前方向フランジ部と交差しない顆部穴長手方向軸線を画定する、顆部と、を具備する大腿骨膝補綴要素。
【請求項２】
前記顆部穴長手方向軸線は、交点において前記面と交差し、前記交点は、前記面に垂直で前記交点と交差する軸線が８ｍｍ以下の前記前方向フランジ部からの最小空間を有するように、位置させられる、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項３】
前記顆部穴長手方向軸線は、交点において前記面と交差し、前記交点は、前記面に垂直で前記交点と交差する軸線が５ｍｍ以下の前記前方向フランジ部からの最小空間を有するように、位置させられる、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項４】
前記面は後方向面取り面を含む、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項５】
前記面は後方向面取り面を含む、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項６】
前記顆部穴長手方向軸線は、前記前方向フランジ部から４ｍｍの最小距離だけ離間される、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項７】
前記顆部穴長手方向軸線は、前記顆部骨接触表面に対して傾斜する、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項８】
前記面は、前記面に垂直で前記交点と交差する前記軸線が前記前方向面と交差するように、前記前方向面に関して方向付けられる、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項９】
前記顆部穴長手方向軸線は、前記面に垂直な線と７°から２７°の角度を形成する、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項１０】
前記大腿骨膝補綴要素は、前記前方向面と、さらに、後方向面と、前方向面取り面と、末端方向面と、後方向面取り面と、を具備する大腿骨膝補綴部骨接触表面を具備し、前記前方向面取り面が前記前方向面と前記末端方向面とをつなぎ、前記後方向面取り面が前記末端方向面と前記後方向面とをつなぐ、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項１１】
前記後方向面は、前記前方向面から基端方向に逸れる、請求項４に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項１２】
前記後方向面を含む平面は、前記前方向面を含む平面と１°から５°の角度を形成する、請求項１１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項１３】
前記顆部への固定のための後方向強化器と、
前記後方向強化器を前記顆部へ固定するのに作動可能な固定具と、
をさらに具備する、請求項１に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項１４】
前記後方向強化器は、自身を通して形成された強化器穴を含有し、前記固定具は、ねじ式固定具を含み、前記ねじ式固定具は、前記顆部穴長手方向軸線と整列可能とされ且つ前記後方向強化器及び前記顆部に係合して前記後方向強化器を前記顆部へ固定するように前記強化器穴及び前記顆部穴を横断することによって前記後方向強化器及び当該大腿骨膝補綴要素に対して固定可能とする大きさ及び形状である、請求項１３に記載の大腿骨膝補綴要素。
【請求項１５】
前記固定具は、長手方向軸線と周囲延在部とを画定し、前記固定具は、さらに、前記周囲延在部への固定具放射方向長さを画定し、前記顆部穴長手方向軸線が前記前方向フランジ部骨接触表面から最小距離だけ離間され、前記最小距離は、少なくとも前記固定具放射方向長さに等しい、請求項１３に記載の大腿骨膝補綴要素。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月30日(2015.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓弁の機能を補助するためのデバイスであって、
ほぼ螺旋形状を有する第１の部分であって、前記心臓弁に連結された腱索が前記第１の部分の前記ほぼ螺旋形状の経路内に配置されるように、前記心臓弁の心室側に配置されるように適合された、第１の部分と、
前記心臓弁の心房側に配置されるように適合された第２の部分と、を含み、
前記第１の部分が前記第２の部分に連結されている、
デバイス。
【請求項２】
前記第１の部分がほぼ平坦である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の部分がほぼ円錐形である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１の部分のほぼ螺旋形状がほぼ円形である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１の部分のほぼ螺旋形状がほぼ楕円である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の部分がほぼ螺旋形状を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第２の部分がほぼ平坦である、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第２の部分がほぼ円錐形である、請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第２の部分のほぼ螺旋形状がほぼ円形である、請求項６に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第２の部分のほぼ螺旋形状がほぼ楕円である、請求項６に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１の部分を前記第２の部分に連結するコネクタをさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記コネクタがほぼ直線である、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記コネクタが湾曲している、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第１の部分を含むデバイスが、ワイヤ、ワイヤの束、ストリップ、ロッド、チューブまたはそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブが、円形の断面を有する請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブが楕円形の断面を有する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブが矩形、正方形または他の非円形断面を有する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブが、その長手方向の異なる位置において異なる断面を有する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブの少なくとも１つの端部が丸くされている、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブがその外部表面にグルーブを有する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブの外部表面にあるグルーブが、前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブの外周部の周りに延びる、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブの外部表面にあるグルーブが、前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブの長さの方向に延びる、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブの外部表面にあるグルーブが、前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブに沿う実質的に螺旋の経路において延びる、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブが１つまたは複数の穴を有する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記ワイヤ、前記ワイヤの束、前記ストリップ、前記ロッドまたは前記チューブ上のコーティングをさらに含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記コーティングが薬剤溶出コーティングである、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】
少なくとも部分的に金属材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２８】
少なくとも部分的に形状記憶金属材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２９】
少なくとも部分的にニチノールを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３０】
少なくとも部分的にプラスチック材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３１】
少なくとも部分的に複合材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記デバイスを心臓組織にアンカー留めするための少なくとも１つのアンカー要素をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３３】
センサをさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３４】
前記センサが、圧力センサ、温度センサまたは速度センサの少なくとも１つである、請求項３３に記載のデバイス。
【請求項３５】
心臓弁の機能を補助するためのデバイスであって、
弁輪形成デバイスであって、前記弁輪形成デバイスが心臓弁の弁輪にアンカー留めされるように構成された第１の直径を有する弁輪形成デバイスを含み、
前記弁輪形成デバイスが、前記弁輪の直径を低減するために前記弁輪にアンカー留めされた後、直径を低減するように構成されている、
デバイス。
【請求項３６】
前記弁輪形成デバイスが内部ルーメンを有し、前記弁輪形成デバイスが前記弁輪にアンカー留めされた後、前記弁輪形成デバイスの直径を低減するために、前記弁輪形成デバイスの内部ルーメン内に挿入されるように、または前記弁輪形成デバイスの内部ルーメンから取り外されるように構成された偏向要素をさらに含む、請求項３５に記載のデバイス。
【請求項３７】
前記弁輪形成デバイスを第１の直径において保持するように構成された生分解性コーティングをさらに含み、前記生分解性コーティングが、前記弁輪形成デバイスが前記弁輪にアンカー留めされた後、前記弁輪形成デバイスの直径を低減させるために生分解する、請求項３５に記載のデバイス。
【請求項３８】
前記弁輪形成デバイスが内部ルーメンを有し、かつ前記弁輪形成デバイスの内部ルーメン内の偏向要素をさらに含み、前記偏向要素が、前記弁輪形成デバイスの直径を低減するために、前記弁輪形成デバイスが前記弁輪にアンカー留めされた後、引かれるように構成されている、請求項３５に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】心臓弁の機能を補助するためのデバイス
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均径が１０〜１２０μｍの範囲にあり、ＢＥＴ表面積が４００〜８００ｍ２／ｇの範囲にあり、細孔を有し、且つ細孔体積が０．３〜３．０ｃｍ３／ｇの範囲にある、少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物を含む球状ビーズであって、
前記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、およびこれらの混合物からなる群から選ばれ、
そのいずれの位置でのビーズ径も該ビーズの平均径から１０％以上相違することがなく、及び
該ビーズの表面は、前記細孔の径よりも寸法が大きく、且つ走査型電子顕微鏡を使用して、一個のビーズの全体像が観察される大きさに拡大撮影した場合に、確認される窪み、ひび、裂け、割れ、ふくれ、切欠きを有しておらず、及び
該ビーズは、少なくとも９６重量％の量でＳｉＯ２を含み、及び以下の工程
（Ａ）少なくとも一種の少なくとも部分的に水混和性の有機溶媒と水と少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物の少なくとも一種の前駆化合物とを含む混合物を、混合物Ａとして提供する工程と、
（Ｂ）少なくとも一種の少なくとも部分的に水混和性の有機溶媒と水と少なくとも一種の酸とを含む混合物を、混合物Ｂとして提供する工程と、
（Ｃ）該混合物ＡとＢとを混合して、上記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物の少なくとも一種の前駆化合物を上記少なくとも一種の酸と反応させて、球状ビーズを含む水相と有機相とを含む混合物Ｃを得る工程と、
（Ｄ）工程Ｃで得られる混合物Ｃから有機相を分離して球状ビーズを含む水相を得る工程と、
（Ｆ）工程（Ｄ）で得られる球状ビーズを乾燥する工程、
を使用して得られることを特徴とするビーズ。
【請求項２】
上記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物が実質的に非晶質である請求項１に記載のビーズ。
【請求項３】
ＢＥＴ表面積が５００〜６００ｍ２／ｇの範囲にある請求項１又は２に記載のビーズ。
【請求項４】
細孔体積が１．５〜２．５ｃｍ３／ｇの範囲にある請求項１〜３のいずれか一項に記載のビーズ。
【請求項５】
使用される前記工程が更に、
（Ｅ）工程（Ｄ）得られる球状ビーズを少なくとも一種の酸で処理する工程と、
（Ｆ）工程（Ｅ）で得られる球状ビーズを乾燥する工程とを含む請求項１〜４の何れか１項に記載のビーズ。
【請求項６】
前記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物の少なくとも一種の前駆化合物が、アルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属ケイ酸塩、コロイダルシリカゾル、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる請求項１〜５の何れか１項に記載のビーズ。
【請求項７】
平均径が１０〜１２０μｍの範囲にあり、ＢＥＴ表面積が４００〜８００ｍ２／ｇの範囲にあり、細孔を有し、且つ細孔体積が０．３〜３．０ｃｍ３／ｇの範囲にある、少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物を含む球状ビーズであって、
前記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、およびこれらの混合物からなる群から選ばれ、
そのいずれの位置でのビーズ径も該ビーズの平均径から１０％以上相違することがなく、及び
該ビーズの表面は、前記細孔の径よりも寸法が大きく、且つ走査型電子顕微鏡を使用して、一個のビーズの全体像が観察される大きさに拡大撮影した場合に、確認される窪み、ひび、裂け、割れ、ふくれ、切欠きを有しておらず、及び
該ビーズは、少なくとも９６重量％の量でＳｉＯ２を含む、ビーズの製造方法であって、以下の工程
（Ａ）少なくとも一種の少なくとも部分的に水混和性の有機溶媒と水と少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物の少なくとも一種の前駆化合物とを含む混合物を、混合物Ａとして提供する工程と、
（Ｂ）少なくとも一種の少なくとも部分的に水混和性の有機溶媒と水と少なくとも一種の酸とを含む混合物を、混合物Ｂとして提供する工程と、
（Ｃ）該混合物ＡとＢとを混合して、上記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物の少なくとも一種の前駆化合物を上記少なくとも一種の酸と反応させて、球状ビーズを含む水相と有機相とを含む混合物Ｃを得る工程と、
（Ｄ）工程Ｃで得られる混合物Ｃから有機相を分離して球状ビーズを含む水相を得る工程と、
（Ｆ）工程（Ｄ）で得られる球状ビーズを乾燥する工程、
とからなるビーズの製造方法。
【請求項８】
上記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物が実質的に非晶質である請求項７に記載のビーズ。
【請求項９】
ＢＥＴ表面積が５００〜６００ｍ２／ｇの範囲にある請求項７又は８に記載のビーズ。
【請求項１０】
細孔体積が１．５〜２．５ｃｍ３／ｇの範囲にある請求項７〜９のいずれか一項に記載のビーズ。
【請求項１１】
（Ｅ）工程（Ｄ）得られる球状ビーズを少なくとも一種の酸で処理する工程と、
（Ｆ）工程（Ｅ）で得られる球状ビーズを乾燥する工程とを含む請求項７〜１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物の少なくとも一種の前駆化合物が、アルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属ケイ酸塩、コロイダルシリカゾル、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる請求項７〜１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の球状ビーズと少なくとも一種の触媒的に活性な金属とを含むことを特徴とする粒子状触媒。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の球状ビーズを、触媒または触媒担体として使用する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
われわれは、本目的が、平均径が１０〜１２０μｍの範囲にあり、ＢＥＴ表面積が４００〜８００ｍ2／ｇの範囲にあり、気孔体積（細孔体積）が０．３〜３．０ｃｍ3／ｇの範囲にある、少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物を含む球状ビーズであって、あるビーズのいずれの位置でのビーズ径も該ビーズの平均径から１０％以上相違することがなく、該ビーズの表面が実質的に平滑であることを特徴とするビーズにより達成されることを見出した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
われわれは、これらの目的がまた、
（Ａ）少なくとも一種の少なくとも部分的に水混和性の有機溶媒と水と少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物の少なくとも一種の前駆化合物とを含む混合物を、混合物Ａとして提供する工程と、
（Ｂ）少なくとも一種の少なくとも部分的に水混和性の有機溶媒と水と少なくとも一種の酸とを含む混合物を、混合物Ｂとして提供する工程と、
（Ｃ）該混合物ＡとＢとを混合して、上記少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物の少なくとも一種の前駆化合物を上記少なくとも一種の酸と反応させて、球状ビーズを含む水相と有機相とを含む混合物Ｃを得る工程と、
（Ｄ）工程Ｃで得られる混合物Ｃから有機相を分離して球状ビーズを含む水相を得る工程と、
（Ｅ）必要に応じて、工程（Ｄ）で得られる球状ビーズを少なくとも一種の酸で処理する工程と、
（Ｆ）（Ｆ）工程（Ｄ）または（Ｅ）で得られる球状ビーズを乾燥する工程と、を含む本発明の球状ビーズの製造方法により達成されることを見出した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月16日(2014.12.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シグナリング情報を符号化して伝送する方法であって、
前記シグナリング情報から一つ又は複数の符号化ブロックを生成するステップと、
前記一つ又は複数の符号化ブロックを含むフレームを伝送するステップと、を有し、
ここで、前記シグナリング情報の前記符号化ブロックを生成するステップは、
前記シグナリング情報のビット数を、前記シグナリング情報の伝送のために使用可能な副搬送波の個数と変調次数に基づいた、特定基準値で割って決定される値を用いて前記シグナリング情報を伝送するために生成される前記符号化ブロックの個数を決定するステップと、
前記符号化ブロックの決定された個数に基づいて各符号化ブロックに対応する情報ビットの数を計算するステップと、
各符号化ブロックで穿孔されるパリティビットの個数を計算するステップと、
各符号化ブロックで前記個数のパリティビットを穿孔するステップと、を有し、
前記特定基準値は、下記の式を満たすシグナリング情報の長さの最大値のうちの最小値として選択される
ことを特徴とする方法。
ＮL1（Ｋｉ）≦ＮL1_Cells×ηMOD
ここで、ＮL1（Ｋｉ）は前記符号化ブロックの個数がｉであり、前記シグナリング情報の長さがＫｉである場合に、前記符号化ブロックの長さを表し、ＮL1_Cellsは前記副搬送波の個数を表し、ηMODは前記変調次数を表す。
【請求項２】
前記符号化ブロックの各々は同一の情報ビット数を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記情報ビット数を計算するステップは、
前記シグナリング情報のビット数によってパディングビットを付加するステップと、
前記パディングビットが付加されたシグナリング情報のビット数を前記決定された符号化ブロックの個数で割って前記符号化ブロックに対応する情報ビット数を計算するステップと、をさらに含む
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記穿孔されるパリティビットの数を計算するステップは、
前記符号化ブロックで臨時穿孔ビット数と臨時符号化ブロックの長さを計算するステップと、
前記変調次数と前記臨時符号化ブロックのビット数を用いて前記符号化ブロックの実際長さを計算するステップと、
前記臨時穿孔ビット数、前記臨時符号化ブロックの長さ、及び前記符号化ブロックの実際長さを用いて実際穿孔ビット数を計算するステップと、をさらに含み、
前記臨時穿孔ビット数は下記の数式により決定される
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【数１】
2012520047.tif 000001
ここで、前記Ｎpunc_tempは、前記臨時穿孔ビット数であり、前記ＫbchはＢＣＨブロックの入力情報の最大ビット数であり、Ｋsigは前記シグナリング情報のビット数にパディングビット数を付加したビット数であり、前記
【数２】
2012520047.tif 000002
はｘ以下の最大整数を表す。
【請求項５】
前記副搬送波の個数は一つの直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）シンボルで定義される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
シグナリング情報を符号化して伝送する送信装置であって、
前記シグナリング情報を符号化するエンコーダと、
前記エンコーダから出力される一つ又は複数の符号化ブロックを含むフレームを送信する送信部と、
前記シグナリング情報のビット数を、前記シグナリング情報の伝送のために使用可能な副搬送波の個数と変調次数に基づいた、特定基準値で割って決定される値を用いて前記シグナリング情報を伝送するために生成される前記符号化ブロックの個数を決定し、前記決定された符号化ブロックの個数によって各符号化ブロックに対応する情報ビットの数を計算し、各々の符号化ブロックで穿孔されるパリティビットの数を計算し、前記決定された符号化ブロックの個数、前記計算された情報ビットの個数、及び各符号化ブロックで穿孔される前記計算されたパリティビットの個数によって、一つ又は複数の符号化ブロックを含むフレームで前記シグナリング情報を符号化する前記エンコーダ及び前記シグナリング情報を伝送する前記送信部の動作を制御する制御部と、を含み、
前記特定基準値は、下記の式を満足するシグナリング情報の長さの最大値のうちの最小値として選択される
ことを特徴とする送信装置。
ＮL1（Ｋｉ）≦ＮL1_Cells×ηMOD
ここで、ＮL1（Ｋｉ）は前記符号化ブロックの個数がｉであり、前記シグナリング情報の長さがＫｉである場合に、前記符号化ブロックの長さを表し、ＮL1_Cellsは前記副搬送波の個数を表し、ηMODは前記変調次数を表す。
【請求項７】
前記符号化ブロックの各々は同一の情報ビット数を含む
ことを特徴とする請求項６に記載の送信装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記シグナリング情報のビット数によってパディングビットを付加し、
前記パディングビットが付加されたシグナリング情報のビット数を前記決定された符号化ブロックの個数で割って前記符号化ブロックに対応する情報ビット数を計算する
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の送信装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記符号化ブロックで臨時穿孔ビット数と臨時符号化ブロックの長さを計算し、
前記変調次数と前記臨時符号化ブロックのビット数を用いて前記符号化ブロックの実際長さを計算し、
前記臨時穿孔ビット数、前記臨時符号化ブロックの長さ、及び前記符号化ブロックの実際長さを用いて実際穿孔ビット数を計算して前記穿孔されるパリティビットの数を計算し、
前記臨時穿孔ビット数は下記の数式により決定される
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の送信装置。
【数３】
2012520047.tif 000003
ここで、前記Ｎpunc_tempは、前記臨時穿孔ビット数であり、前記ＫbchはＢＣＨブロックの入力情報の最大ビット数であり、Ｋsigは前記シグナリング情報のビット数にパディングビット数を付加したビット数であり、前記
【数４】
2012520047.tif 000004
はｘ以下の最大整数を表す。
【請求項１０】
前記副搬送波の個数は一つの直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）シンボルで定義される
ことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の送信装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
【数７】
2012520047.tif 000005