【事件の表示】
　特願２００８−５２８７９１「炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月１４日国際公開，ＷＯ２００８／０１８３４２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００７年８月１日（優先権主張２００６年８月９日，日本国）を国際出願日とする出願であって，平成２４年４月２７日付けで拒絶の理由が通知され，同年７月２日に意見書及び手続補正書が提出され，同年１２月２８日付けで拒絶査定がなされた。
　その後，平成２５年３月２９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年４月１１日に，平成２５年３月２９日に提出された手続補正書を補正対象とする手続補正書が提出され，同年７月２４日付けで審尋を行い，同年８月２２日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年４月１１日に提出された手続補正書により補正された同年３月２９日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２５年４月１１日に提出された手続補正書により補正された同年３月２９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−５を補正して，補正後の請求項１−５とするものであり，補正前後の請求項１，５は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　炭化ケイ素の上面に少なくともウェット熱酸化により形成された絶縁膜，および該炭化ケイ素の下面に少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなるオーミック電極を形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置であって，前記ニッケルに対する前記チタンの比率が１７％よりも大きいことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。」
　
「【請求項５】
　炭化ケイ素の上面の（０００−１）面または（１１−２０）面に少なくとも絶縁膜をウェット熱酸化により形成し，
該炭化ケイ素の下面に少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなり前記チタンの比率が１７％よりも大きいオーミック電極を水素を含む雰囲気中で熱処理により形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　炭化ケイ素の上面に少なくともウェット熱酸化により形成された絶縁膜，および該炭化ケイ素の下面にニッケル膜とチタン膜を積層して，
　少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなるオーミック電極を熱処理により形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置であって，
　前記ニッケルに対する前記チタンの比率が少なくともニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合には１７％よりも大きいことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。」
　
「【請求項５】
　炭化ケイ素の上面の（０００−１）面または（１１−２０）面に少なくとも絶縁膜をウェット熱酸化により形成し，
　該炭化ケイ素の下面にニッケル膜とチタン膜を積層して，
　少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなり前記ニッケルに対する前記チタンの比率が少なくともニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合には１７％よりも大きいオーミック電極を水素を含む雰囲気中で熱処理により形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「炭化ケイ素の上面に少なくともウェット熱酸化により形成された絶縁膜，および該炭化ケイ素の下面に少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなるオーミック電極を形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置」を補正して，補正後の請求項１の「炭化ケイ素の上面に少なくともウェット熱酸化により形成された絶縁膜，および該炭化ケイ素の下面にニッケル膜とチタン膜を積層して，
　少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなるオーミック電極を熱処理により形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記ニッケルに対する前記チタンの比率が１７％よりも大きい」を補正して，補正後の請求項１の「前記ニッケルに対する前記チタンの比率が少なくともニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合には１７％よりも大きい」にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項５に，「ニッケル膜とチタン膜を積層して，」を附加して，補正後の請求項５にすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項５の「前記チタンの比率」を補正して，補正後の請求項５の「前記ニッケルに対する前記チタンの比率」にすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項５の「１７％よりも大きい」を補正して，補正後の請求項５の「少なくともニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合には１７％よりも大きい」にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１及び補正事項３について
　補正事項１及び補正事項３により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１及び補正事項３は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１及び補正事項３は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１及び補正事項３は，補正前の請求項１及び請求項５に係る発明において，「オーミック電極」が，「ニッケル膜とチタン膜を積層して」形成されること，及び，請求項１に係る発明において，「オーミック電極」が，「熱処理により」形成されることを限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１及び補正事項３は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項４について
　補正事項４により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項４は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項４は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項４は，補正前の請求項５における，「チタンの比率」が，ニッケルに対する比率であることを明らかとするものであるから，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項４は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項２，補正事項５について
　補正事項２及び補正事項５により補正された請求項１及び請求項５に係る発明は，「チタンの比率が少なくともニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合には１７％よりも大きい」ことを発明特定事項として含むものである。
　ここで，前記「少なくとも」の用語は，「ほかの物事はともかくとして。」という程度の意味を備えた副詞であると解することが自然であると認められる。
　そうすると，前記「チタンの比率が少なくともニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合には１７％よりも大きい」とする発明特定事項は，「ニッケルの膜厚が６０ｎｍでない場合のチタンの比率については規定することをしないが，ニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合にはチタンの比率を１７％よりも大きくする」ことを意味するものと理解できる。
　しかしながら，当初明細書等には，「ニッケルの膜厚が６０ｎｍでない場合のチタンの比率については規定することをしないが，ニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合にはチタンの比率を１７％よりも大きくする」事項を特徴とした発明は記載されておらず，また，前記事項を発明特定事項として含ませることが，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるとも認められない。
　してみれば，補正事項２及び補正事項５は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではないから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たさない。
　
　また，補正事項２及び補正事項５によって補正された請求項１及び請求項５に係る発明は，上記で検討したように「ニッケルの膜厚が６０ｎｍでない場合のチタンの比率」が特定されていないものと理解されるから，補正事項２及び補正事項５を含む補正後の発明は，発明の外延が明確でない不明瞭な発明であると認められる。
　そして，補正によって，発明が不明瞭となった場合には，前記補正によって，特許請求の範囲が，減縮されたか，拡張されたか，あるいは変更されていないのかを一義的に判断することができないから，前記補正事項２及び前記補正事項５を，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるとして認めることはできない。
　また，補正事項２及び補正事項５が，特許法第１７条の２第５項に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものに該当すると認めることもできない。
　
　したがって，補正事項３及び補正事項５は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たさない。
　
（４）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第５項に規定する要件を満たさない補正事項を含むものである。
　
４　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって，結論のとおり決定する。
　
〔予備的判断〕
　なお，仮に，本件補正が特許法第１７条の２第３項及び第５項の規定に違反しないとしても，本件補正後の発明は，以下に示すように，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるとは認められない，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるとは認められないので，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
５　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正における，「少なくともニッケルの膜厚が６０ｎｍの場合には１７％よりも大きい」を，平成２５年８月２２日に提出された回答書における補正案を参照して，「ニッケルの膜厚が６０ｎｍ，かつ，前記ニッケルに対する前記チタンの比率が１７％よりも大きい」の意であると仮に解すると，補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，つぎのとおりとなる。
　
「炭化ケイ素の上面に少なくともウェット熱酸化により形成された絶縁膜，および該炭化ケイ素の下面にニッケル膜とチタン膜を積層して，
　少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなるオーミック電極を熱処理により形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置であって，
　ニッケルの膜厚が６０ｎｍ，かつ，前記ニッケルに対する前記チタンの比率が１７％よりも大きいことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の引用例１−２には，引用例１の図４，７〜１０，引用例２の図１〜３とともに，以下の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１： 特開２００６−３２４５７号公報
（１ａ）「【請求項１】
　
第１の主面
第１の主面に背向する第２の主面
型ＳｉＣ基板
　前記
第２の主面上に形成されたエピタキシャル層
　前記
エピタキシャル層上に形成されると共に，該エピタキシャル層とオーミック接触した電極
　
（１ｂ）「本発明は，ＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
　炭化珪素（以下「ＳｉＣ」と称する）は広いバンドギャップ及び高い最大電界強度を持つため，シリコン半導体に対してシリーズ抵抗分を下げられる特色を持つ。このため，大電力，高耐圧の電力用デバイスへの応用が展開されている。特に，ショットキーダイオード（ＳＢＤ），
縦型ＭＯＳＦＥ素子が期待されている
　
（１ｃ）「（
第２実施形態
　図４は，本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の構造を示す断面図である。本実施形態のＳｉＣ半導体装置２０と第１実施形態のＳｉＣ半導体装置１０との相違点は，電極１４の構造とその電極１４の製造方法である。その他の構成及び製造方法は第１実施形態のＳｉＣ半導体装置と同様である。以下，具体的に説明する。
　本ＳｉＣ半導体装置２０は，ｎ＋型ＳｉＣ基板１１と，低濃度ドリフト層（ｎ−型ＳｉＣ）１２と，エピタキシャル層（ｎ＋＋型ＳｉＣ）１３と，エピタキシャル層１３の裏面に形成された電極１４とを有する。ここで，ｎ＋型ＳｉＣ基板１１，低濃度ドリフト層１２及びエピタキシャル層１３は，それぞれ第１実施形態のｎ＋型ＳｉＣ基板１１，低濃度ドリフト層１２及びエピタキシャル層１３と同一のものとする。
　
電極１４は，エピタキシャル層１３の裏面に形成されてなる第１の貴金属膜１４ａと，第１の貴金属膜１４ａの裏面に形成されてなる耐熱金属膜１４ｂと，耐熱金属膜１４ｂの裏面に形成されてなる第２の貴金属膜１４ｃとを有して構成されている
　エピタキシャル層１３の裏面は，鏡面加工されているものとしてもよい。第１の貴金属膜１４ａは，長周期型の周期表における１ｂ族と８族のＦｅ列以外とのいずれかに属する元素のうち，いずれか１つ又は２つ以上からなるものとする。すなわち，第１の貴金属膜１４ａは，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔのいずれか１つ，これらの２つ以上からなる合金，又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。例えば，第１の貴金属膜１４ａとしては，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒのいずれか１つ，これらの２つ以上からなる合金，又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。そして，
第１の貴金属膜１４ａとしては，特にＮｉ
が好ましい
　耐熱金属膜１４ｂとしては，炭素と結合して導電性炭化物を形成する金属元素及びそれらの合金を適用する。そこで，耐熱金属膜１４ｂは，長周期型の周期表における４ａ族と５ａ族と６ａ族と７ａ族と８族のＦｅ列とのいずれかに属する元素のうち，いずれか１つ又は２つ以上からなるものとする。すなわち，耐熱金属膜１４ｂは，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓのいずれか１つ，これらの２つ以上からなる合金，又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。例えば，耐熱金属膜１４ｂとしては，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅのいずれか１つ，これらの２つ以上からなる合金，又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。そして，
耐熱金属膜１４ｂとしては，例えばＴｉを適用
　第２の貴金属膜１４ｃは，長周期型の周期表における１ｂ族と８族のＦｅ列以外とのいずれかに属する元素のうち，いずれか１つ又は２つ以上からなるものとする。すなわち，第２の貴金属膜１４ｃは，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔのいずれか１つ，これらの２つ以上からなる合金，又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。例えば，第２の貴金属膜１４ｃとしては，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒのいずれか１つ，これらの２つ以上からなる合金，又はこれらを組み合わせた多層膜からなるものとする。そして，
第２の貴金属膜１４ｃとしては，例えばＮｉ
を適用する
　次に，
電極１４の形成方法例について図４を参照して説明
先ず，エピタキシャル層１３の裏面に，Ｎｉ膜
を蒸着することで，第１の貴金属膜１４ａを形成
次いで，第１の貴金属膜１４ａ上に，Ｔｉを蒸着することで，耐熱金属膜１４ｂを形成
次いで，耐熱金属膜１４ｂ上に，Ｎｉ膜
を蒸着することで，第２の貴金属膜１４ｃを形成
次いで，この状態において，９６０℃から１０００℃までの範囲で加熱処理する。この加熱処理としては，真空中において１０００℃で２分間の加熱処理を行う
これにより，第１の貴金属膜１４ａ，耐熱金属膜１４ｂ及び第２の貴金属膜１４ｃは電極膜（電極１４）となって，エピタキシャル層１３と確実にオーミック接触し，図４に示すＳｉＣ半導体素子２０が完成
　これらにより，本実施形態のＳｉＣ半導体装置２０及びその製造方法によれば，電極１４をなす第１の貴金属膜１４ａ，耐熱金属膜１４ｂ及び第２の貴金属膜１４ｃとエピタキシャル層１３とが確実にかつ良好にオーミック接触する構造とすることができる。
　また，本実施形態によれば，
加熱処理において
エピタキシャル層１３と第１の貴金属膜１４ａ（例えばＮｉ）とが
｛ＳｉＣ＋Ｎｉ　→　Ｎｉ−Ｓｉ化合物＋Ｃ（炭素）｝というように化学反応して，炭素が発生
その炭素と耐熱金属膜１４ｂ（例えばＴｉ）とが結合して導電性炭化物となる
ｎ
＋
型ＳｉＣ基板１１に対して，より良好なオーミック接触を得ることができる
　
さらに，本実施形態によれば，第２の貴金属膜１４ｃを電極１４の最表面層としているので，電極１４に酸が侵入することを第２の貴金属膜１４ｃにより大幅に低減でき，電極１４が腐食することを回避できる
　
（１ｄ）「次に，
ＳｉＣショットキーダイオード４０の製造方法
　先ず，図７に示すように，先ず，シリーズ抵抗を下げる低抵抗の
ｎ
＋
型ＳｉＣ層４１の裏面に，ｎ
＋
型ＳｉＣ層４１よりも不純物濃度の高いｎ
＋＋
型ＳｉＣ層４１ａをエピタキシャル成長により形成
　次いで，ｎ＋型ＳｉＣ層４１の表面に，耐圧を確保するのに必要な不純物濃度と厚さとを持つ高抵抗のｎ−型ＳｉＣ層４２をエピタキシャル法で形成する。
　次いで，図８に示すように，ｎ−型ＳｉＣ層４２にＡｌ（又はＢなど）をイオン注入し，その後１５００℃以上の熱処理を施すことで，ｐ型ＳｉＣ４３を形成する。このｐ型ＳｉＣ４３の形成は，具体的には次のように行う。先ず，ｎ−型ＳｉＣ層４２の表面に，ＳｉＯ２をＣＶＤによって堆積する。次いで，写真工程により，ＳｉＯ２上にフォトレジストを形成し，そのフォトレジストにおけるｐ型ＳｉＣ４３の形成位置に対応する部分を除去する。この状態でＳｉＯ２をエッチングすることにより，ＳｉＯ２におけるｐ型ＳｉＣ４３の形成位置に対応する部分を除去し，その部分のｎ−型ＳｉＣ層４２を露出させる。その後，残りのフォトレジストを除去する。その後，ｎ−型ＳｉＣ層４２の露出部位からそのｎ−型ＳｉＣ層４２の中に，例えばＡｌをイオン注入する。その後，注入された不純物を活性化するために，１５００℃以上の熱処理を施す。この熱処理により，ｐ型ＳｉＣ４３が完成する。
　次いで，図９に示すように，
ｎ
＋＋
型ＳｉＣ層４１ａの裏面に，裏面オーミック電極４４を形成
ｎ
＋＋
型ＳｉＣ層４１ａの裏面に，例えばＮｉ／Ｔｉ／Ｎｉを蒸着により堆積
その後，真空中において１０００℃で加熱処理
これにより，ｎ
＋＋
型ＳｉＣ層４１ａの裏面に対して確実に且つ良好にオーミック接触する裏面オーミック電極４４が完成する
　次いで，図１０に示すように，絶縁物４６，ショットキー電極４７及び引出電極４８を形成する。具体的には先ず，前工程により形成され，ｎ−型ＳｉＣ層４２の表面及び側面などにまだ残っている酸化膜４３ｂを除去する。その後，ｎ−型ＳｉＣ層４２及びｐ型ＳｉＣ層４３の表面全体に，ショットキー電極４７としてＴｉをスパッタリング法にて堆積する。そして，ショットキー電極４７をパターニングして，ｎ−型ＳｉＣ層４２及びｐ型ＳｉＣ層４３の表面における外縁近傍の一部を露出させる。その後，ショットキー電極４７上と，ｎ−型ＳｉＣ層４２及びｐ型ＳｉＣ層４３の表面における露出部上とに，全体的にＡｌを堆積する。そのＡｌの外縁近傍を除去するようにパターニングして引出し電極４８とする。その後，ｎ−型ＳｉＣ層４２，ｐ型ＳｉＣ層４３及び引出し電極４８の表面全体に，ポリイミドなどの絶縁物を堆積し，その絶縁物の中央領域について除去するパターニングをすることで絶縁物４６を形成する。このパターニングで引出し電極４８が露出する。
　次いで，図１１に示すように，半田接合用金属４５を形成する。例えば，
裏面オーミック電極４４の裏面全体に，その裏面オーミック電極４４側からみてＴｉ膜４５ａ，Ｎｉ膜４５ｂ，Ａｇ膜４５ｃの順に積層された３層膜を形成することで，半田接合用金属４５とする
　これらにより，ＳｉＣショットキーダイオード３０，４０によれば，ｎ＋型ＳｉＣ層４１の裏面に高濃度のｎ＋＋型ＳｉＣ層４１ａをエピタキシャル成長させているので，その裏面（裏面オーミック電極３４及び裏面オーミック電極４４）に低抵抗なオーミック接触を得ることができる。さらに，ＳｉＣショットキーダイオード３０，４０によれば，裏面オーミック電極３４及び裏面オーミック電極４４に，Ni/Ti/Ni積層構造を焼鈍したものを適用しているので，裏面オーミック電極３４（又は裏面オーミック電極４４）とｎ＋型ＳｉＣ層３１（４１）とがさらに確実にかつ良好にオーミック接触する構造とすることができる。そこで，ＳｉＣショットキーダイオード３０，４０は，「反り」の発生を回避しながら，オン抵抗を低減でき，高速動作についての特性を改善することもできる。」（【００４７】−【００５２】）
　
（１ｅ）「
なお，本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく
適宜変更が可能
　例えば，上記実施形態では，ｎ＋型ＳｉＣ基板１１の裏面は鏡面加工されているものとしたが，本発明はこれに限定されるものではなく，ｎ＋型ＳｉＣ基板１１の裏面は鏡面加工されていなくともよい。
　また，
本発明に係るＳｉＣ半導体装置及びその製造方法は，ＳｉＣショットキーダイオードのみならず，ＭＯＳＦＥＴ
などの各種半導体装置のオーミック電極に適用することができる
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）を総合勘案すれば，引用例１には，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施形態であるＳｉＣショットキーダイオードに係る以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 
　
「第１の主面と該第１の主面に背向する第２の主面とを有するｎ型ＳｉＣ基板と，
　前記第２の主面上に形成されたエピタキシャル層と，
　前記エピタキシャル層上に形成されると共に，該エピタキシャル層とオーミック接触した電極と，
　前記電極の裏面全体に，その電極側からみてＴｉ膜，Ｎｉ膜，Ａｇ膜の順に３層膜を積層して形成した半田接合用金属と，
　を有するＳｉＣショットキーダイオードであって，
　前記電極は，先ず，前記エピタキシャル層の裏面に，Ｎｉ膜を蒸着することで，第１の貴金属膜を形成し，次いで，前記第１の貴金属膜上に，Ｔｉを蒸着することで，耐熱金属膜を形成し，次いで，前記耐熱金属膜上に，Ｎｉ膜を蒸着することで，第２の貴金属膜を形成し，次いで，この状態において，真空中において１０００℃で２分間の加熱処理を行うことによって形成されるものであり，
　前記加熱処理において，エピタキシャル層と第１の貴金属膜（Ｎｉ）とが，｛ＳｉＣ＋Ｎｉ　→　Ｎｉ−Ｓｉ化合物＋Ｃ（炭素）｝というように化学反応して，炭素が発生しても，その炭素と耐熱金属膜（Ｔｉ）とが結合して導電性炭化物となるので，製造工程において黒鉛を生じさせず，クリーンルームの汚染を回避でき，且つｎ＋型ＳｉＣ基板１１に対して，より良好なオーミック接触を得ることができるものである，
　ＳｉＣショットキーダイオード。」
　
ウ　引用例２：特開２０００−２０８４３８号公報
（２ａ）「【請求項１】
ＳｉＣを用いた半導体テバイスにおいて，オーミック電極の材質を，炭化物を形成し易い金属とニッケルとの合金とした
　
（２ｂ）【発明が解決しようとする課題】一般に電子デバイスには，オーミック電極が必要であり，さらにこれをベース金属にはんだづけする場合が多い。ＳｉＣデバイスにおいては，電導型がｎ型の場合にはニッケル（以下Ｎｉと記す）薄膜を形成し，これを熱処理してオーミック電極とすることができる。しかしその
熱処理の際にＮｉは，ＳｉＣ中のシリコン原子と結合してシリサイドを形成する
ＳｉＣ中の余った炭素原子は，シリサイドの表面付近に堆積して，炭素層を形成し，はんだ付けの阻害要因となる
　はんだ付け以外の半導体デバイスでも，シリサイド形成時に余った炭素原子は，半導体基板とオーミック電極との間に析出し，あるいは半導体基板とオーミック電極との間にボイドを生じて，信頼性上あるいは接触抵抗の点から問題になっている。
本発明の目的は，密着性の高いオーミック電極をもつＳｉＣ半導体デバイスを提供することにある
【課題を解決するための手段】上記の課題解決のため本発明は，ＳｉＣを用いた半導体テバイスにおいて，オーミック電極の材質を，ＩＶａ，Ｖａ，ＶＩａ族の金属のような炭化物を形成し易い金属とニッケルとの合金とする。
　オーミック電極として，炭化物を形成し易い金属とＮｉとの合金を用いる。さらには，合金層を熱処理した後，その上にＮｉ層を積層してもよい。そのようにすれば，オーミック電極を形成した際にシリサイドが形成されて余った炭素原子が消費されるので，従来のように表面に炭素層が形成されて，例えばはんだ付けの阻害要因となる等の悪影響を免れることができる。」（【０００３】−【０００６】）
　
（２ｃ）「【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。図１（ａ），（ｂ）は，本発明のオーミック電極を形成したＳｉＣ半導体デバイス試料Ａ，試料Ｂの断面図である。試料ＡはＳｉＣ基板１上のオーミック電極をＮｉを母材とするＮｉ合金層２としたもの，試料Ｂは，Ｎｉ合金層２の上にＮｉ層３を積層したものである。
炭化物を形成し易い金属としては，チタン（以下Ｔｉと記す）を選んだ
　以下に，試料の作製方法と，評価方法およびその結果について述べる。基板には，鏡面研磨した４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を用いた。その厚さは，３００μｍ，不純物濃度は，２×１０18ｃｍ-3である。基板は，ダイサーにより５ｍｍ角のチップに切りわけた。本実施例では，（０００，−１）Ｃ面から＜１１，−２，０＞方向に約８度傾けて研磨した面を使用した。基板の前処理として，有機溶剤と酸による有機物除去，および熱酸化とふっ酸浸漬による表面の不完全層除去をおこなった。
　以上の方法で処理した基板に，
ＮｉとＴｉの薄膜を同時にスパッタし，約８００ｎｍの厚さのＮｉ合金層２を形成し，真空中（１×１０
-3
Ｐａ）において，１０００℃，２分間の加熱をおこなって試料Ａとした
　比較例として，上の方法で処理したＳｉＣ基板に，Ｎｉ層のみを５００ｎｍ形成し，真空中（１×１０-3Ｐａ）において，１０００℃，２分間の加熱をおこなったものを試料Ｃとした。作製した試料のはんだづけ，およびその密着性評価は，次の方法でおこなった。
　Ｎｉメッキを施した銅（以下Ｃｕと記す）板をホットプレートで約２００℃に加熱し，その上ではんだ（Ｐｂ−６０％Ｓｎ合金）とフラックスを溶かし，上記の各試料を押しつけて冷却し，接合した。銅板の大きさは２０ｍｍ角，厚さ０．５ｍｍである。
　このＣｕ板を折り曲げて，試料の剥がれ方を観察した。図２は，密着性評価試験の結果を示す比較図である。すなわち，はんだづけしたＣｕ板を折り曲げ，ＳｉＣ基板がＣｕ板に沿って割れたとき，その破片が剥がれなかったものの割合を示している。横軸は，試料の種類で，実施例の内容に対応している。
　この図から，Ｔｉを加えたＮｉ合金を用いた試料Ａおよび試料Ｂで，密着性が格段に向上していることがわかる。この結果は，Ｔｉが炭化物を形成し易い金属であるため，炭化物を形成することで，Ｎｉシリサイド生成時に余った炭素が消費され，炭素層の形成を抑制できたことによると考えられる。試料Ａと試料Ｂとの間にも差があり，試料Ｂの方が密着性が更に向上しているが，いまのところこの理由は不明である。」（【０００７】−【００１３】）
　
（２ｄ）「図３は接触抵抗の比較図である。横軸は，試料の種類で，実施例の内容に対応している。
図からＴｉを添加したＮｉ合金でも接触抵抗は増大せず，むしろ僅かに減少していることがわかる。炭素層の存在が，密着性だけでなく，接触抵抗にも悪影響を与えていたと思われる
　
（２ｅ）「また，
Ｎｉ合金の形成方法としては，上記の同時スパッタの他に，それぞれの金属を例えば４００ｎｍずつ連続的に蒸着して積層しても，その後の熱処理で十分合金化し，良い結果が得られることが確かめられた
　
（２ｆ）「【発明の効果】以上説明したように本発明により，
ＳｉＣ半導体テバイスにおいて，オーミック電極の材質を，炭化物を形成し易い金属とニッケルとの合金とすることによって，炭素層の介在を免れ，電極の密着性および接触抵抗を大幅に改善することができた。特に，はんだ付けを要するＳｉＣ半導体デバイスにおいて，信頼性の向上に大きな貢献をなすものである
　
（３）本願補正発明１と引用発明１との対比
ア　引用発明１の「ＳｉＣショットキーダイオード」は，炭化ケイ素半導体装置の一種であるから，引用発明１と本願補正発明１は，「炭化ケイ素半導体装置」である点で共通する。
　
イ　引用発明１の「第１の主面と該第１の主面に背向する第２の主面とを有するｎ型ＳｉＣ基板と，前記第２の主面上に形成されたエピタキシャル層」からなる構造体は，本願補正発明１の「炭化ケイ素」に相当する。したがって，引用発明１の「エピタキシャル層の裏面」は，本願補正発明１の「炭化ケイ素の下面」に相当する。
　
ウ　引用発明１において，「該エピタキシャル層とオーミック接触した電極」は，「先ず，前記エピタキシャル層の裏面に，Ｎｉ膜を蒸着することで，第１の貴金属膜を形成し，次いで，前記第１の貴金属膜上に，Ｔｉを蒸着することで，耐熱金属膜を形成し，次いで，前記耐熱金属膜上に，Ｎｉ膜を蒸着することで，第２の貴金属膜を形成し，次いで，この状態において，真空中において１０００℃で２分間の加熱処理を行うことによって形成されるもの」である。
　ここで，引用発明１の「該エピタキシャル層とオーミック接触した電極」は，本願補正発明１の「オーミック電極」に相当し，また，引用発明１の「真空中において１０００℃で加熱処理」は，本願補正発明１の「熱処理」に相当するから，本願補正発明１と，引用発明１は，「オーミック電極を熱処理により形成した」点で一致する。
　
　してみれば，本願補正発明１と引用発明１との一致点と相違点は，次のとおりといえる。
　
＜一致点＞
「炭化ケイ素の下面に，オーミック電極を熱処理により形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。」
　
＜相違点＞　 
・相違点１：本願補正発明１が，「炭化ケイ素の上面に少なくともウェット熱酸化により形成された絶縁膜」を有するのに対して，引用発明１では，そのような特定がされていない点。
　 
・相違点２：本願補正発明１が，「炭化ケイ素の下面にニッケル膜とチタン膜を積層」して熱処理したものであるのに対して，引用発明１が，「先ず，前記エピタキシャル層の裏面に，Ｎｉ膜を蒸着することで，第１の貴金属膜を形成し，次いで，前記第１の貴金属膜上に，Ｔｉを蒸着することで，耐熱金属膜を形成し，次いで，前記耐熱金属膜上に，Ｎｉ膜を蒸着することで，第２の貴金属膜を形成」して加熱処理したものである点。
　すなわち，本願補正発明１が，ＮｉとＴｉの２層構造を加熱処理したものであるのに対して，引用発明１が，ＮｉとＴｉとＮｉの３層構造を加熱処理したものである点。
　
・相違点３：本願補正発明１では，「ニッケルの膜厚が６０ｎｍ」であり，「前記ニッケルに対する前記チタンの比率が１７％よりも大きい」のに対して，引用発明１では，Ｎｉ膜の膜厚，及び，ニッケルに対するチタンの比率が特定されていない点。
　
・相違点４：本願補正発明１が，「少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなるオーミック電極を熱処理により形成した」ものであるのに対して，引用発明１では，オーミック電極が，合金またはシリサイドからなるとは明記されていない点。
　
（４）相違点についての判断
・相違点１について 
　引用例１の上記摘記（１ｂ）には，「炭化珪素（以下「ＳｉＣ」と称する）は広いバンドギャップ及び高い最大電界強度を持つため，シリコン半導体に対してシリーズ抵抗分を下げられる特色を持つ。このため，大電力，高耐圧の電力用デバイスへの応用が展開されている。特に，ショットキーダイオード（ＳＢＤ），縦型ＭＯＳＦＥ素子が期待されている。」と，また，上記摘記（１ｅ）には，「本発明に係るＳｉＣ半導体装置及びその製造方法は，ＳｉＣショットキーダイオードのみならず，ＭＯＳＦＥＴ，バイポーラトランジスタ，ＳＩＴ，サイリスタ，ＩＧＢＴなどの各種半導体装置のオーミック電極に適用することができる。」と，記載されている。
　ここで，上記摘記（１ｂ）の「縦型ＭＯＳＦＥ素子」が，「縦型ＭＯＳＦＥＴ素子」の誤記であることは，当業者であれば直ちに理解するから，引用例１には，引用発明１に係る「ＳｉＣショットキーダイオード」の電極構造を，ＭＯＳＦＥＴ，縦型ＭＯＳＦＥＴ素子などのＳｉＣ半導体装置のオーミック電極に適用することが明示的に示唆されているといえる。
　
　一方，ＭＯＳＦＥＴ，縦型ＭＯＳＦＥＴ素子などのＳｉＣ半導体装置において，ゲート酸化膜を，炭化ケイ素の上面を少なくともウェット熱酸化して形成した絶縁膜で構成することは，下記の周知例１−３の記載からも周知といえる。
　
　そうすると，引用例１の上記摘記（１ｂ），（１ｅ）の明示の示唆に基づいて，引用発明１を，ＭＯＳＦＥＴ，縦型ＭＯＳＦＥＴ素子などのＳｉＣ半導体装置に適用するにあたり，炭化ケイ素の上面に少なくともウェット熱酸化して形成した絶縁膜をゲート酸化膜として設けること，すなわち，上記相違点１について，本願補正発明１の構成を採用することは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものである。
　
・周知文献１：特開２０００−８２８１２号公報
（周１ａ）「次に，図１２に示す
ＭＯＳＦＥＴ
　〔図１３（ａ）に示す工程〕まず，ｎ型４Ｈまたは６Ｈまたは３Ｃ−
ＳｉＣ基板
　〔図１３（ｂ）に示す工程〕ｎ- 型エピ層２の上の所定領域にＬＴＯ膜１２０を配置し，これをマスクとしてＢ+ （若しくはアルミニウム）をイオン注入して，ｐ- 型ベース領域３を形成する。このときのイオン注入条件は，温度が７００℃で，ドーズ量が１×１０16ｃｍ-2としている。
　〔図１３（ｃ）に示す工程〕ＬＴＯ膜１２０を除去した後，ｐ- 型ベース領域３を含むｎ- 型エピ層２上に表面チャネル層５を化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）によりエピタキシャル成長させる。
  〔図１４（ａ）に示す工程〕表面チャネル層５の上の所定領域にＬＴＯ膜１２１を配置し，これをマスクとしてＮ（窒素）等のｎ型不純物をイオン注入し，ｎ+ 型ソース領域４を形成する。このときのイオン注入条件は，７００℃，ドーズ量は１×１０15ｃｍ-2としている。
　〔図１４（ｂ）に示す工程〕そして，ＬＴＯ膜１２１を除去した後，フォトレジスト法を用いて表面チャネル層５の上の所定領域にＬＴＯ膜１２２を配置し，これをマスクとしてＲＩＥによりｐ- 型ベース領域３上の表面チャネル層５を部分的にエッチング除去する。
　〔図１５（ａ）に示す工程〕ＬＴＯ膜１２２を除去した後，
基板の上にウェット酸化（Ｈ
2
 ＋Ｏ
2 
によるパイロジェニック法を含む）によりゲート酸化膜７を形成する
  その後，ゲート絶縁膜７の上にポリシリコンからなるゲート電極８をＬＰＣＶＤにより堆積する。このときの成膜温度は６００℃とする。
　〔図１５（ｂ）に示す工程〕引き続き，ゲート絶縁膜７の不要部分を除去した後，ＬＴＯよりなる絶縁膜９を形成しゲート絶縁膜７を覆う。より詳しくは，成膜温度は４２５℃であり，成膜後に１０００℃のアニールを行う。
　〔図１５（ｃ）に示す工程〕そして，室温での
金属スパッタリングにより
ドレイン電極１１を配置
成膜後に１０００℃のアニールを行う
　このようにして，図１２に示す
縦型パワーＭＯＳＦＥＴが完成
　
・周知文献２：特開２００３−３０９２６２号公報
（周２ａ）「次に，
パワープレーナ型ＭＯＳＦＥＴの製造工程を，図５，６を用いて説明する
ＳｉＣ基板
　そして，図５（ｂ）に示すように，ｎ-型ドリフト層２の上の所定領域にＬＴＯ膜２０を配置し，これをマスクとしてＡｌ（アルミニウム）をイオン注入して，ドリフト層２の表層部にｐ型ベース領域３ａ，３ｂを形成する。このときのイオン注入条件は，温度が７００℃で，ドーズ量が１×１０16ｃｍ-2である。
　さらに，ＬＴＯ膜２０を除去した後，図５（ｃ）に示すように，ｎ-型ドリフト層２およびベース領域３ａ，３ｂの上にｎ型のチャネル層５をエピタキシャル成長する。このときの成長条件は，ソースガスとしてＳｉＨ4，Ｃ3Ｈ8，Ｈ2を用い，成長温度を１６００℃とする。
　引き続き，図５（ｄ）に示すように，チャネル層５の上の所定領域にＬＴＯ膜２１を配置し，これをマスクとしてＮ2をイオン注入して，ベース領域３ａ，３ｂの表層部にｎ+型ソース領域４ａ，４ｂを形成する。このときのイオン注入条件は，７００℃，ドーズ量は１×１０16ｃｍ-2である。
　そして，ＬＴＯ膜２１を除去した後，図６（ａ）に示すように，フォトレジスト法を用いてチャネル層５の上の所定領域にＬＴＯ膜２２を配置し，これをマスクとしてＲＩＥによりｎ+型ソース領域４ａ，４ｂの一部およびｐ型ベース領域３ａ，３ｂをエッチングして凹部６ａ，６ｂを形成する。このとき，ＲＩＥガスとしてＣＦ4＋Ｏ2を用いる。
　さらに，ＬＴＯ膜２２を除去した後，図６（ｂ）に示すように，
基板の上にウェット酸化によりゲート絶縁膜（ゲート酸化膜）７を形成
　その後，図６（ｃ）に示すように，ゲート絶縁膜７の上にポリシリコンゲート電極８をＬＰＣＶＤにより堆積する。このときの成膜温度は６００℃とする。引き続き，図６（ｄ）に示すように，ゲート絶縁膜７の不要部分を除去した後，ＬＴＯよりなる絶縁膜９を形成しゲート電極８を覆う。より詳しくは，成膜温度は４２５℃であり，成膜後に１０００℃のアニールを行う。
　そして，図３に示すように，室温での
金属スパッタリングにより
ドレイン電極１１を配置
成膜後に１０００℃のアニールを行う
　
・周知文献３：特開２０００−３１２００３号公報
（周３ａ）「【実施例】（実施例１）以下，図１(a)〜図１(e)と同様にして，
絶縁ゲート型半導体素子を作製した
炭化珪素基板を用意した
　この6H-SiC(0001)Si面を用いた積層基板を，CF4とO2の混合気体を用いたRIEでエッチングし，深さ３μmの略Ｕ字型の凹部を形成した。こうして形成したトレンチ構造の壁面と基板表面とのなす角度（図１(b)におけるθ）は，ほぼ９０度であった（誤差５度以内）。
　さらに，積層基板の表面の上方から酸素イオンを打ち込んだ。酸素イオンは，150keVのイオンと30keVのイオンとをそれぞれ1×1015cm-2のドーズ量で多重に打ち込んだ。このとき，基板は水冷により100℃以下に保持した。こうして，低温に保たれた基板表面に照射損傷による非晶質化した損傷層を形成した。この損傷層は，実質的には，トレンチ構造近傍の基板表面領域とトレンチ構造底面とに選択的に形成されている。
　こうして損傷を導入した基板を酸化処理炉に導入し，
1100℃，3時間の条件でウェット酸化した
この酸化により，照射層を含む基板表面およびトレンチ構造底面では280nmの酸化膜が形成された
トレンチ構造壁面における酸化膜の厚さは100nmであった
　引き続き，図１(e)と同様の構造となるように，ソース電極，
ドレイン電極
を形成した
ドレイン電極は，Niのオーミック電極を堆積させ，熱処理して形成した
　
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ａ）の「【請求項１】第１の主面と該第１の主面に背向する第２の主面とを有するｎ型ＳｉＣ基板と，前記第２の主面上に形成されたエピタキシャル層と，前記エピタキシャル層上に形成されると共に，該エピタキシャル層とオーミック接触した電極とを有することを特徴とするＳｉＣ半導体装置。」との記載に照らして，引用例１に記載された発明は，ｎ型ＳｉＣ基板の第２の主面上に形成されたエピタキシャル層にオーミック接触した電極を特徴とする発明であると理解することができる。
　そうすると，引用発明１において，電極自体の構造は，引用発明１の課題解決手段との関係において密接不可分なものとはいえないから，引用発明１において，ＮｉとＴｉとＮｉの３層構造を加熱処理した電極を用いることに替えて，当該電極とは異なる構造を有する電極を用いることは当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
　一方，引用例２の上記摘記（２ａ）の「【請求項１】ＳｉＣを用いた半導体テバイスにおいて，オーミック電極の材質を，炭化物を形成し易い金属とニッケルとの合金としたことを特徴とするＳｉＣ半導体デバイス。」との記載，上記摘記（２ｃ）の「ＮｉとＴｉの薄膜を同時にスパッタし，約８００ｎｍの厚さのＮｉ合金層２を形成し，真空中（１×１０-3Ｐａ）において，１０００℃，２分間の加熱をおこなって試料Ａとした。」との記載，上記摘記（２ｄ）の「図からＴｉを添加したＮｉ合金でも接触抵抗は増大せず，むしろ僅かに減少していることがわかる。炭素層の存在が，密着性だけでなく，接触抵抗にも悪影響を与えていたと思われる。」との記載，上記摘記（２ｅ）の「Ｎｉ合金の形成方法としては，上記の同時スパッタの他に，それぞれの金属を例えば４００ｎｍずつ連続的に蒸着して積層しても，その後の熱処理で十分合金化し，良い結果が得られることが確かめられた。」との記載及び上記摘記（２ｆ）の「ＳｉＣ半導体テバイスにおいて，オーミック電極の材質を，炭化物を形成し易い金属とニッケルとの合金とすることによって，炭素層の介在を免れ，電極の密着性および接触抵抗を大幅に改善することができた。特に，はんだ付けを要するＳｉＣ半導体デバイスにおいて，信頼性の向上に大きな貢献をなすものである。」との記載から，当業者であれば，ＮｉとＴｉの薄膜を連続的に蒸着した後に熱処理を行って形成したＳｉＣ半導体テバイスのオーミック電極は，炭素層の介在を免れ，電極の密着性および接触抵抗を大幅に改善することができ，特に，はんだ付けを要するＳｉＣ半導体デバイスにおいて，信頼性の向上に大きな貢献をなすという利点を備えたものであると理解するといえる。
　
　そうすると，引用発明１と引用例２に接した当業者であれば，引用発明１のＮｉとＴｉとＮｉの３層構造を加熱処理した電極に替えて，引用例２に記載された，ＮｉとＴｉの薄膜を連続的に蒸着した後に熱処理を行って形成したオーミック電極を用いることは適宜なし得たことといえる。
　
　なお，引用例１の上記摘記（１ｃ）には，「さらに，本実施形態によれば，第２の貴金属膜１４ｃを電極１４の最表面層としているので，電極１４に酸が侵入することを第２の貴金属膜１４ｃにより大幅に低減でき，電極１４が腐食することを回避できる。」と記載されている。
　しかしながら，引用発明１において，前記「第２の貴金属膜」である「Ｎｉ膜」の表面には，その電極側からみてＴｉ膜，Ｎｉ膜，Ａｇ膜の順に３層膜を積層して形成した半田接合用金属が形成されているから，前記「第２の貴金属膜」である「Ｎｉ膜」は，「電極１４の最表面層」であるとはいえない。
　すなわち，引用発明１において，前記「第２の貴金属膜」である「Ｎｉ膜」は，前記「電極１４に酸が侵入することを第２の貴金属膜１４ｃにより大幅に低減でき，電極１４が腐食することを回避できる。」とする機能を備えた部材であるということはできない。
　してみれば，引用発明１に引用例２に記載された発明を適用して，引用発明１の，ＮｉとＴｉとＮｉの３層構造を，引用例２に記載された，ＮｉとＴｉの２層構造とすることで，引用発明１の「第２の貴金属膜」である「Ｎｉ膜」を除くことになったとしても，前記「Ｎｉ膜」を除くことによる格別の不都合は認められないから，引用発明１に引用例２に記載された発明を適用することを妨げる阻害要因は認められない。
　
　すなわち，上記相違点２について，本願補正発明１の構成を採用することは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものである。
　
・相違点３について
ア　本願明細書の【００１３】には，「図３はドレインオーミック電極１２中のニッケルに対するチタンの比率を変えた場合の，ドレインオーミック電極１２とドレイン金属１４の密着性試験の結果を示す図である。
　同図に示すように，ニッケルに対するチタンの比率が０〜１２％では全ての試料で金属層が剥がれてしまったが，チタンの比率が増すと剥がれない割合が上昇し，１７％より厚くなると，即ち，上記実施例において，ニッケル９の厚さ６０ｎｍに対してチタンの厚さ１０ｎｍ以上では，全ての試料で剥がれないという結果が得られた。」と記載されている。
　そして，前記記載によれば「ニッケル９の厚さ６０ｎｍに対してチタンの厚さ１０ｎｍ」の場合が，ニッケルに対するチタンの比率は「１７％」であるとして扱われているのであるから，本願補正発明１における，「ニッケルに対するチタンの比率」は，「ニッケルの膜厚」に対する「チタンの膜厚」の比率であると解することが自然といえる。
　したがって，上記相違点３の「前記ニッケルに対する前記チタンの比率が１７％よりも大きい」における「比率」を，「ニッケルの膜厚」に対する「チタンの膜厚」の比率であるとして以下に検討する。
　
イ　一般に，文献に記載されている発明を実施するにあたり，当該文献中に寸法が明示されていない場合には，当該部材の寸法を，当該部材において通常用いられている程度の寸法の範囲内において，当該部材に求められている機能等を考慮して適宜定めることは，当業者に通常期待される程度の創作能力の発揮であって，この点に進歩性を認めることはできない。
　そして，下記の周知例４からも明らかなように，ｎ型ＳｉＣ領域に，Ｎｉ膜を５０ｎｍ，１００ｎｍ及び２００ｎｍ程度の厚さに成膜をして，その後熱処理をすることで，低いコンタクト抵抗を有するオーミック電極を得ることは周知といえる。
　してみれば，引用発明１に引用例２に記載された発明を適用して，ニッケル膜とチタン膜を積層した後に加熱処理をしてオーミック電極を形成するにあたり，前記ニッケル膜の膜厚として，前記通常用いられている程度の寸法の範囲内に含まれる「６０ｎｍ」という寸法を用いることは，当業者が適宜なし得たことといえる。
　
ウ　一方，引用例２の上記摘記（２ｅ）には，「また，Ｎｉ合金の形成方法としては，上記の同時スパッタの他に，それぞれの金属を例えば４００ｎｍずつ連続的に蒸着して積層しても，その後の熱処理で十分合金化し，良い結果が得られることが確かめられた。」と記載されており，引用例２の上記摘記（２ｃ）の記載を参酌すれば，摘記（２ｅ）の上記記載は，Ｎｉをスパッタして４００ｎｍの厚さの薄膜を蒸着し，次いで連続して，Ｔｉをスパッタして４００ｎｍの厚さの薄膜を蒸着して積層したことを示しているものと理解できる。
　そして，前記４００ｎｍの厚さのＴｉは，前記４００ｎｍの厚さのＮｉに対して，厚さにおいて，１００％の比率を有するといえるから，ＮｉとＴｉを連続的に蒸着して積層して，その後の熱処理で十分合金化することでオーミック電極を形成するにあたり，前記ニッケルの膜厚に対する前記チタンの膜厚の比率を１００％とすることは，引用例２から容易に想到し得たことと認められる。
　
エ　すなわち，引用発明１に引用例２に記載された発明を適用して，引用発明１の，ＮｉとＴｉとＮｉの３層構造を，引用例２に記載された，ＮｉとＴｉの２層構造とするにあたり，上記イ及びウにおいて検討したように，ニッケルの膜厚を６０ｎｍとなすとともに，ニッケルに対するチタンの比率を１００％となすことは，当業者が容易になし得たことと認められる。
　そして，前記「１００％」が，「１７％よりも大きい」という数値範囲に含まれていることは明らかである。
　してみれば，上記相違点３について，本願補正発明１の構成を採用することは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものである。
　
オ　なお，上記「ニッケルに対するチタンの比率」が，互いの膜厚の比率ではなく，互いの原子数の比率，あるいは，互いの重量の比率であったとしても，ニッケルに対するチタンの膜厚の比率が１００％の場合には，前記原子数の比率，あるいは，重量の比率においても，「１７％よりも大きい」ことは明らかであるから，仮に本願補正発明１を，このように解したとしても，上記相違点３について，本願補正発明１の構成を採用することは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものである。
　
・周知例４：特開２００２−９３７４２号公報
（周４ａ）「このような構成で作製したｎ型ＳｉＣ領域２に対するオーミック電極構造体が実用的コンタクト抵抗を示すか確かめるために，第１の実施の形態と同様な，コンタクト間隔が，Ｌ＝６，１０，１５，２０，２５，３０μｍのリニアＴＬＭコンタクト群を作製した。オーミック・コンタクトの電極をなす長方形の長辺（コンタクト幅）及び短辺の長さは，第１の実施の形態と同様にそれぞれ２００μｍ，１００μｍである。
　評価した試料の主な構成は次の通りである。リニアＴＬＭコンタクト群は，
高抵抗のｐ型４Ｈ−ＳｉＣ基板の上に，エピタキシャル成長させた厚み８００ｎｍ，電子密度１．５×１０
１９
／ｃｍ
２
のｎ型ＳｉＣ領域に形成した
第１の導体膜は５０ｎｍ厚のＮｉ膜
加熱反応層８の熱処理温度及び熱処理時間，熱処理雰囲気はそれぞれ１０００℃，２分，高純度Ａｒ雰囲気である
　第１の実施形態と同様にＴＬＭ法で評価したところ，
コンタクト抵抗ρｃ＝３．３×１０
−６
Ωｃｍ
２
が得られた
　図１０は，第１の導体膜１７としてのＮｉ膜の厚さを変えた場合の，Ｎｉ膜の厚さ（膜厚）と表面モホロジーとの関係を示す図である。図１０に示した観察においては，加熱反応層８の熱処理条件は，熱処理温度は１０００℃で，熱処理時間は２分である。熱処理雰囲気は高純度Ａｒ雰囲気である。図１０（ａ）は，Ｎｉ膜の膜厚が２００ｎｍで熱処理前の試料の表面モホロジーをスケッチした図である。図１０（ｂ）は，このＮｉ膜の膜厚が２００ｎｍの試料の熱処理後の表面モホロジーをスケッチした図であるが，Ｎｉ膜の膜厚が２００ｎｍでは，表面モホロジーの低下が認められる。図１０（ｃ）は，Ｎｉ膜の膜厚が１００ｎｍの試料に対して，熱処理した場合の表面モホロジーで，膜厚２００ｎｍに比すれば良好であるが，未だ若干の表面モホロジーの低下が認められる。図１０（ｄ）及び図１０（ｅ）は，それぞれ，Ｎｉ膜の膜厚が５０ｎｍ及び２０ｎｍの場合の試料の熱処理後の表面モホロジーで，膜厚５０ｎｍ以下にすれば，フォトリソグラフィ工程等の製造プロセスに対応可能な良好な表面モホロジーが得られることが分かる。
　
図１１は，第１の導体膜１７としてのＮｉ膜の厚さを変えた場合の，Ｎｉ膜の厚さとオーミック電極構造体のコンタクト抵抗との関係を示す図
Ｎｉ膜の膜厚が２００ｎｍ及び１００ｎｍではほぼ同程度のコンタクト抵抗
Ｎｉ膜の膜厚５０ｎｍの場合は，膜厚が２００ｎｍ及び１００ｎｍの場合より低いコンタクト抵抗が得られる
Ｎｉ膜の膜厚２０ｎｍの場合の試料では，コンタクト抵抗の増大が認められる。加熱反応層８の厚さが不十分と思われる
　
（周４ｂ）図１１は，周知例４に記載された第２の実施形態に係るオーミック電極構造体の電極の厚さとコンタクト抵抗との関係を示す図であって，上記（周４ａ）の記載を参酌すれば，同図から，Ｎｉ膜の膜厚が２０ｎｍの場合に，コンタクト抵抗が高く，膜厚が増大するとともにコンタクト抵抗が減少し，膜厚５０ｎｍで最もコンタクト抵抗が低くなり，膜厚１００ｎｍ以上においても，コンタクト抵抗は低い値を維持していることを読み取ることができる。
　
・相違点４について
　引用例２の上記摘記（２ａ）の「【請求項１】ＳｉＣを用いた半導体テバイスにおいて，オーミック電極の材質を，炭化物を形成し易い金属とニッケルとの合金としたことを特徴とするＳｉＣ半導体デバイス。」との記載，及び，上記摘記（２ｅ）の「Ｎｉ合金の形成方法としては，上記の同時スパッタの他に，それぞれの金属を例えば４００ｎｍずつ連続的に蒸着して積層しても，その後の熱処理で十分合金化し，良い結果が得られることが確かめられた。」との記載から，当業者であれば，引用例２に記載された発明において，オーミック電極は，「合金」であることが必須であること，及び，前記「合金」が，それぞれの金属を連続的に蒸着して積層して形成したものを熱処理したものである場合には，良い結果を得るためには，熱処理によって「十分合金化」することが必要であることを直ちに理解できるといえる。
　
　してみれば，上記「相違点２について」で検討したように，引用発明１に引用例２に記載された発明を適用して，引用発明１の，ＮｉとＴｉとＮｉの３層構造を加熱処理した電極に替えて，引用例２に記載された，ＮｉとＴｉの薄膜を連続的に蒸着した後に熱処理を行って形成したオーミック電極を用いることが適宜なし得たことといえる場合において，ＮｉとＴｉの薄膜を連続的に蒸着した後の前記熱処理を，「良い結果が得られる」ような「十分合金化」するものとなすことは，当業者が容易に想到し得たことである。
　してみれば，引用発明１において，少なくともニッケルとチタンとの合金からなるオーミック電極を熱処理により形成すること，すなわち，上記相違点４について，本願補正発明１の構成を採用することは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものである。
　
（５）むすび 
　以上のとおり，本願補正発明１は，引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができないものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年４月１１日に提出された手続補正書により補正された同年３月２９日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−５に係る発明は，平成２４年７月２日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−５に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「炭化ケイ素の上面に少なくともウェット熱酸化により形成された絶縁膜，および該炭化ケイ素の下面に少なくともニッケルとチタンとの合金またはニッケルとチタンのシリサイドからなるオーミック電極を形成したことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置であって，前記ニッケルに対する前記チタンの比率が１７％よりも大きいことを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。」
　
２　進歩性について
（１）引用例，その記載事項，及び，引用発明１
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例１−２に記載されている事項，及び，引用発明１は，上記「第２〔予備的判断〕　５　独立特許要件違反についての検討　（２）引用例及びその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２〔予備的判断〕　５　独立特許要件違反についての検討　（４）相違点についての判断」で検討したとおり，引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
３　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。