【事件の表示】
　特許第３３６５７２５号「エポキシ樹脂組成物及び半導体装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３６５７２５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３３６５７２５号の請求項１〜３に係る発明についての出願は、平成９年８月２９日に特許出願され、平成１４年１１月１日に特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人　荒井　純子（（以下、「特許異議申立人」という。））より特許異議の申立てがなされ、平成１６年７月１日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年９月７日に意見書と訂正請求書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否
　２−１．訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の
「（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる・・・」を、
「基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止される半導体装置に用いるものであり、（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる・・・」と訂正する。
　
　訂正事項ｂ
　段落【０００９】の
「即ち本発明は、（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる・・・」を、
「即ち本発明は、基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止される半導体装置に用いるものであり、（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる・・・」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、訂正の範囲の適否及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、訂正前の明細書の「基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって封止されていることを特徴とする半導体装置。」（請求項３）及び「本発明は成形性、信頼性、実装性に優れた樹脂封止型半導体装置に関し、更に詳述すればプリント配線板や金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、金ワイヤーボンドにより半導体素子と外部接続用端子や回路とを電気的に接続し、その搭載面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆるエリア実装型半導体装置において、樹脂封止過程で金線流れが発生せず、樹脂封止後の反りや基板実装時の半田付け工程での反りが小さく、また温度サイクル試験での耐パッケージクラック性や半田付け工程での耐パッケージクラック性や耐剥離性に優れ、かつ成形性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置に関するものである。」（段落【０００１】）との記載に基づいて、請求項１の「半導体封止用エポキシ樹脂組成物」の用途を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｂは、訂正事項ａによる特許請求の範囲の訂正に伴って、対応する発明の詳細な説明の記載をこれと整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、これらの訂正は、いずれも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．本件発明
　上記の結果、訂正後の本件請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、訂正された明細書（以下、「訂正明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止される半導体装置に用いるものであり、（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に４０〜６０重量％含み、かつ融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に４０〜６０重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に８０重量％以上含むフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）溶融シリカ粉末を総樹脂組成物中に８０〜８５重量％含むエポキシ樹脂組成物であって、該エポキシ樹脂組成物の成形温度における溶融粘度が２〜１０Ｐａ．ｓｅｃで、硬化物の寸法変化率が、０．３０％以下であり、かつガラス転移温度が１５０℃以上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
式（１）〜（３）中のＲはハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
【請求項２】 融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が、一般式（４）〜（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
式（４）〜（７）中のＲは水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の正数であり、式（８）中のＲはハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整
数、ｎは０もしくは１〜４の正の正数である。
【請求項３】 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって封止されていることを特徴とする半導体装置。」
　
４．特許異議の申立てについての判断
　４−１．特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は、甲第１〜８を提出して、概略、次の理由により本件請求項１及び２に係る特許は取り消されるべきである旨、主張する。
（１）本件請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
（２）本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　　
　４−２．判断
　　４−２−１．取消理由
　当審において通知した取消理由は、特許異議申立人が申し立てた上記（２）の理由と同旨である。
　
（註：上記４−１．及び４−２−１．の「請求項」とは訂正前のものを指す。）
　
＜刊行物＞
刊行物１；特開平３−１２４７５８号公報（特許異議申立人が提出した甲第１号証）
刊行物２；特開平５−２５９３１６号公報（同甲第２号証）
刊行物３；特開平６−２２４２３９号公報（同甲第３号証）
刊行物４；特開平８−２３００５号公報（同甲第４号証）
刊行物５；特開平８−７３６２１号公報（同甲第５号証）
刊行物６；特開平９−８１７９公報（同甲第６号証）
刊行物７；特開平８−２３９４５０号公報（同甲第７号証）
刊行物８；特開平８−４１２９３号公報（同甲第８号証）
　
　　４−２−２．刊行物の記載事項
刊行物１
（１−１）「（ａ）下記の一般式（Ａ）で表わされるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂、（ｂ）下記の一般式（Ｌ）、（Ｍ）及び（Ｎ）で表わされる各エポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能エポキシ樹脂、（ｃ）下記の一般式（Ｘ）、（Ｙ）及び（Ｚ）で表わされる各フェノール樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能フェノール樹脂、（ｄ）硬化促進剤、及び（ｅ）無機充填剤を含有してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
一般式（Ａ）：
一般式（Ａ）において、Ｒは水素原子又はメチル基であり、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基、クロル原子又はブロム原子であり、各Ｒ１は互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｍは平均値で０〜５の数である。
一般式（Ｌ）：
一般式（Ｌ）において、Ｒは水素原子又はメチル基であり、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜１０個のアルキル基又はハロゲン原子であり、各Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３は水素原子又は炭素数１〜１０個のアルキル基であり、各Ｒ３は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で０〜１０の数である。
−省略−
一般式（Ｘ）：
一般式（Ｘ）において、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜１０個のアルキル基又はハロゲン原子であり、各Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３は水素原子又は炭素数１〜１０個のアルキル基であり、各Ｒ３は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で０〜１０の数である。
−以下、省略−」（特許請求の範囲の請求項１）
（１−２）「本発明は、反応性に優れ、内部応力が低く、ガラス転移温度が高く、しかもハンダ耐熱性に優れた硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供しようとするものである。・・・本発明者らは、前記の課題を解決するために種々研究を重ねた結果、エポキシ樹脂としてビフェノール型エポキシ樹脂と特殊な多官能エポキシ樹脂とを併用して用い、かつ硬化剤として特殊な多官能フェノール樹脂を組合わせることによって、その目的を達成することができたのである。」（第３頁左下欄第１〜１２行）
（１−３）「本発明における（ａ）一般式（Ａ）で表わされるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂と、（ｂ）一般式（Ｌ）〜（Ｎ）で表わされる多官能エポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能エポキシ樹脂との配合割合は、（ａ）成分のエポキシ樹脂１００重量部に対して（ｂ）成分のエポキシ樹脂が１０〜１０００重量部、より好ましくは２０〜５００重量部である。（ｂ）成分の割合が少なすぎると硬化物の耐熱性の改良効果が得られなくなるし、逆に（ｂ）成分の割合が多すぎると内部応力が高くなり、クラックの発生等にもとづく不良品発生等が多くなる。」（第６頁左上欄第１０行〜同頁右上欄第１行）
（１−４）「本発明における（ｅ）成分の無機充填剤は、この種のエポキシ樹脂組成物において通常用いられるものでよく、たとえば溶融シリカ粉、・・・等があげられる。これらは１種若しくは２種以上を用いることができ、特にシリカ粉が好ましい。
（ｅ）無機充填剤の配合量は、無機充填剤の種類に応じて、硬化物に所望の弾性率、線膨張率及びガラス転移温度等を付与するのに充分な量用いられるが、通常は、樹脂組成物に対し５０〜８５重量％程度の量が用いられる。無機充填剤の配合量が少なすぎると線膨張率が大きくなるし、多すぎると樹脂組成物の流動性が低くすぎて、使用しにくくなる。 」（第７頁左上欄第４〜１７行）
（１−５）「エポキシ樹脂製造例Ａ１　
撹拌装置、温度計及びコンデンサーを備えた反応容器中で、４，４’−ビスヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル２４２ｇ、エピクロルヒドリン１２９５ｇ及びイソプロピルアルコール５０４ｇを混合して溶解させた。・・・得られたエポキシ化合物は、一般式（Ａ）における重合度（ｍ）の値が０．１の化合物であり、エポキシ当量が１８５ｇ／ｅｑ．であった。以下、これを「エポキシ樹脂Ａ１」という。
エポキシ樹脂製造例Ａ２　エポキシ樹脂製造例Ｌ１　エポキシ樹脂製造例Ｍ１　エポキシ樹脂製造例Ｎ１　
前記の製造例Ａ１における４，４’−ビスヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルの代りに、第１表に示す種々のフェノール化合物を同表に示す量使用し、そのほかは製造例Ａ１に記載の方法に準じて各種のエポキシ樹脂を製造した。得られた各エポキシ樹脂のエポキシ当量、融点は第１表に記載したとおりであった。また、これらの各エポキシを以下において第１表に記載の呼称名で記載することとする。」（第７頁右上欄末行〜同頁右下欄末行）
（１−６）第１表には、エポキシ樹脂Ａ１の融点が１０５℃、重合度等がｍ＝０．０９であること、及び、製造例Ｌ１では原料フェノール化合物として「フェノールとｐ−ヒドロキシベンズアルデヒドから合成された多価フェノール」を用いることが記載されている。（第８頁左上欄）
（１−７）「多価フェノール樹脂製造例Ｘ１温度計、撹拌装置、冷却器を備えた内容量５　ｌの四つ口フラスコにフェノール３２９０ｇ、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド８５４ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸８．５ｇを仕込み、１２０℃で５時間反応させた。・・・得られたフェノール樹脂は、・・・一般式（Ｘ）におけるｎが０．７に相当する樹脂であった。以下、この樹脂を「フェノール樹脂Ｘ１」という。」（第８頁右上欄第１〜１６行）
（１−８）第２表には、実施例１として、エポキシ樹脂Ａ１ 、エポキシ樹脂Ｌ１、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール樹脂Ｘ１、トリフェニルスルホン、シリカ粉末、三酸化アンチモン、カルナバワックス及びエポキシシランを、それぞれ１００、５００、６０、３５８、６．０、２３７５、６０、６．０及び６．０重量部配合したエポキシ樹脂組成物が、実施例２として、それぞれ１００、５０、１５、８６、１．５、５８６、１５、１．５及び１．５重量部配合したエポキシ樹脂組成物が記載されており、実施例１及び２の樹脂組成物のガラス転移温度が、それぞれ２２１℃及び１８９℃であることが記載されている。（第９頁上段）
（１−９）「実施例の樹脂組成物は、比較例の樹脂組成物と較べて、１５０℃におけるゲルタイム、ガラス転移温度、はんだ耐熱性及び曲げ弾性率が総合的にみてバランス良く優れており、特にはんだ耐熱性に著しく優れている。
（ｃ） 発明の効果 本発明のエポキシ樹脂組成物は、反応性に優れ、内部応力が低く、耐熱性に優れた硬化物を与えることができ、半導体素子の封止用に優れたものである。」（第９頁右下欄第７〜１６行）
　
刊行物２
（２−１）「半導体素子を封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、前記封止用樹脂が、（ａ）下記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂、
（但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、水素又はアルキル基を示し、ｎ≧０である。）
（ｂ）硬化剤、（ｃ）充填剤、（ｄ）離型剤、を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であり、前記離型剤が、エステル系ワックス、酸化パラフィンワックス、および、オレフィン系ワックスの三成分からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２−２）「また本発明では、一般式（Ｉ）で表わされる前記エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を併用することも可能である。この様なエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に限定されず、本発明の作用効果を損なわない範囲で適宜併用できる。具体的には、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、テトラキス（ヒドロキシフェニル）アルカンのエポキシ化物等が挙げられる。本発明ではこれらのうち１種又は２種以上を用いることが可能である。」（段落【００１２】）
（２−３）「さらに本発明において、封止用樹脂の（ｂ）成分である硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい成分であり、下記一般式（ＩＩＩ）で表わされるフェノール樹脂が特に好ましい。
但し、Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ３は単結合又はメチレン、エチレンなどのアルキレン基を示す。」（段落【００１３】〜【００１５】）
（２−４）「また本発明に係る封止用樹脂の（ｃ）成分である充填剤には、例えば、無機質充填剤を使用することができる。具体的には、石英、溶融シリカ、・・・などが挙げられる。」（段落【００２１】）
（２−５）「また、本発明において封止用樹脂として用いられるエポキシ樹脂組成物では、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進するため、適当な硬化促進剤を添加、配合してもよい。」（段落【００２６】）
（２−６）「【作用】本発明によれば、前記三成分からなる離型剤を配合することにより、離型剤のブリードによる金型汚れがなく、金型からの離型性が大幅に向上する。更に、半導体素子及びリードフレームとの密着性が低下することがないため、本発明の樹脂封止型半導体装置は、実装工程においてパッケージクラックの発生がなく、また耐湿信頼性に優れる。しかも、樹脂組成物の硬化物の金型からの離型性が良好であるため、樹脂封止型半導体装置が容易に製造できる。」（段落【００３４】）
　
刊行物３
（３−１）「外部リード構成体に接続された半導体チップの少なくとも能動面側に未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを配置し、前記未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを前記半導体チップに加圧しながら硬化させる樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記未硬化樹脂の硬化物の２１５℃における曲げ弾性率が９０ｋｇ／ｍｍ２以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（３−２）「エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるフエノ―ル樹脂を具体的に例示すると、例えばフェノ―ルノボラック樹脂、・・・、又は以下の構造式で示されるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベ―スの化合物などが挙げられる。
（式中、Ｒ１，Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わし、それらの基は同一でもそれぞれ異なっていてもよい。Ｒ３は単結合、又はメチレン、エチレンなどのアルキレン基を表わす。）これらのフェノ―ル樹脂のうち１種又は２種以上が使用される。」（段落【００１２】）
（３−３）「封止構造としては、半導体チップの上，下から封止用樹脂シートにより圧着封止した構造、半導体チップの能動面側のみから封止用樹脂シートを圧着封止し、チップの裏面が露出した構造などが作成可能である。」（段落【００３０】）
　
　　４−２−３．対比、判断
（１）本件発明１
　刊行物１には、その特許請求の範囲の請求項１に「（ａ）下記の一般式（Ａ）で表わされるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂、（ｂ）下記の一般式（Ｌ）、（Ｍ）及び（Ｎ）で表わされる各エポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能エポキシ樹脂、（ｃ）下記の一般式（Ｘ）、（Ｙ）及び（Ｚ）で表わされる各フェノール樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能フェノール樹脂、（ｄ）硬化促進剤、及び（ｅ）無機充填剤を含有してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物」が記載されており、「一般式（Ａ）」、「一般式（Ｌ）」及び「一般式（Ｘ）」としてそれぞれ以下の構造式が示されている。
「一般式（Ａ）：
（Ｒは水素原子又はメチル基であり、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基、クロル原子又はブロム原子であり、各Ｒ１は互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｍは平均値で０〜５の数である。）」、
「一般式（Ｌ）：
（Ｒは水素原子又はメチル基であり、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜１０個のアルキル基又はハロゲン原子であり、各Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３は水素原子又は炭素数１〜１０個のアルキル基であり、各Ｒ３は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で０〜１０の数である。）」及び
「一般式（Ｘ）：
（Ｒ２は水素原子、炭素数１〜１０個のアルキル基又はハロゲン原子であり、各Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３は水素原子又は炭素数１〜１０個のアルキル基であり、各Ｒ３は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で０〜１０の数である。）」（摘示記載（１−１））
　また、刊行物１には、多官能フェノール樹脂が硬化剤として用いられていること（摘示記載（１−２））、「（ａ）一般式（Ａ）で表わされるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂と、（ｂ）一般式（Ｌ）〜（Ｎ）で表わされる多官能エポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能エポキシ樹脂との配合割合は、（ａ）成分のエポキシ樹脂１００重量部に対して（ｂ）成分のエポキシ樹脂が１０〜１０００重量部、より好ましくは２０〜５００重量部である」（摘示記載（１−２））こと、及び、「（ｅ）成分の無機充填剤は、・・・たとえば溶融シリカ粉、・・・等」があげられ「無機充填剤の配合量は、・・・通常は、樹脂組成物に対し５０〜８５重量％程度の量」であること（摘示記載（１−４））も記載されている。
　この「一般式（Ｌ）」及び「一般式（Ｘ）」は、それぞれ本件発明１における「一般式（１）」及び「一般式（３）」に該当し、本件発明１と刊行物１に記載された発明とは、ともに「一般式（１）（一般式（Ｌ））」以外のエポキシ樹脂（以下、「その他のエポキシ樹脂」という。）を有するものであり、更に、刊行物１に記載された「多官能フェノール樹脂」には「一般式（Ｘ）」で表わされるフェノール樹脂のみから成るもの、即ちこれが１００重量％のものも含まれるから、本件発明１と刊行物１に記載された発明は、
「（Ａ）一般式（１）のエポキシ樹脂とその他のエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に８０重量％以上含むフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤及び（Ｄ）溶融シリカ粉末を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物」
である点で一致するが、以下の点で相違している。
（あ）本件発明１においては、その他のエポキシ樹脂が「融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂」であるのに対して、刊行物１には「下記の一般式（Ａ）で表わされるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂」とされている点、
（い）本件発明１における半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、「基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止される半導体装置に用いるもの」であるのに対して、刊行物１にはこのような記載がない点、
（う）エポキシ樹脂の組成について、本件発明１においては、「一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に４０〜６０重量％含み、かつ融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に４０〜６０重量％含む」としているのに対して、刊行物１には、「（ａ）成分（註：一般式（Ａ））のエポキシ樹脂１００重量部に対して（ｂ）成分（註：一般式（Ｌ））のエポキシ樹脂が１０〜１０００重量部、より好ましくは２０〜５００重量部である」とされている点、
（え）溶融シリカ粉末の配合量について、本件発明１においては、「総樹脂組成物中に８０〜８５重量％含む」としているのに対して、刊行物１には、「無機充填剤の配合量は、・・・通常は、樹脂組成物に対し５０〜８５重量％程度の量」と記載されている点及び
（お）エポキシ樹脂組成物物性について、本件発明１においては「成形温度における溶融粘度が２〜１０Ｐａ．ｓｅｃで、硬化物の寸法変化率が、０．３０％以下であり、かつガラス転移温度が１５０℃以上である」としているのに対して、刊行物１にこのような記載がない点。
　
　そこで、これらの相違点ついて検討すると、刊行物２には、刊行物１と同様、本件発明１における一般式（１）のエポキシ樹脂及び一般式（３）のフェノール樹脂に該当する樹脂を配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が開示されているが、これらの刊行物のいずれにも、本件発明１のように、この樹脂組成物を「基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止される半導体装置」に限定的に適用すること（上記（い））は記載されていない。
　そして、刊行物３記載されているように、エポキシ樹脂封止型半導体装置として、「半導体チップの能動面側のみから封止用樹脂シートを圧着封止し、チップの裏面が露出した構造」（摘示記載（３−３））を有するもの、即ち、半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止された構造自体は本件の出願前公知であるが、刊行物１又は２に記載された樹脂組成物をこのような構造の半導体の封止に適用した場合に生じ得る不具合及びそれを解消するための手段について、刊行物１〜３、更には刊行物４〜８の記載をみても、何ら教示するところがない。
　これに対して本件発明１は、樹脂組成物の用途を、「基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止される半導体装置」に限定（上記（い））し、しかも、総エポキシ樹脂中の一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂と融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂の配合量及び総樹脂組成物中における溶融シリカ粉末の配合量をそれぞれ上記（う）及び（え））のように限定したことにより、室温及び半田付け工程での反りが小さく、耐半田性や耐温度サイクル性などの信頼性の高い半導体装置が得られるという、本件訂正明細書に記載された顕著な作用効果を奏し得たものと認められる。
　したがってその余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１に記載された発明ではなく、刊行物１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（２）本件発明２、３
　本件発明２は本件発明１を更に限定した発明であり、また、本件発明３は本件発明１を用いた半導体装置に係る発明であって、その前提となる本件発明１が上記のように刊行物１に記載された発明ではなく、刊行物１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない以上、本件発明２及び３も同様の理由により、刊行物１に記載された発明ではなく、刊行物１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜３についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１〜３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１０月１４日（２００４．１０．１４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止される半導体装置に用いるものであり、
　【化１】
　【化２】
　【化３】
　式（１）〜（３）中のＲはハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
　【請求項２】　融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が、一般式（４）〜（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
　【化４】
　【化５】
　【化６】
　式（４）〜（７）中のＲは水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の正数であり、式（８）中のＲはハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の正数である。
　【請求項３】　基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって封止されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は成形性、信頼性、実装性に優れた樹脂封止型半導体装置に関し、更に詳述すればプリント配線板や金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、金ワイヤーボンドにより半導体素子と外部接続用端子や回路とを電気的に接続し、、その搭載面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆるエリア実装型半導体装置において、樹脂封止過程で金線流れが発生せず、樹脂封止後の反りや基板実装時の半田付け工程での反りが小さく、また温度サイクル試験での耐パッケージクラック性や半田付け工程での耐パッケージクラック性や耐剥離性に優れ、かつ成形性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進み、又半導体パッケージの表面実装化が促進されるなかで、新規にエリア実装のパッケージが開発され、従来構造のパッケージから移行し始めている。
　エリア実装パッケージとしてはＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）あるいは更に小型化を追求したＣＳＰ（チップサイズパッケージ）が代表的であるが、これらは従来ＱＦＰ、ＳＯＰに代表される表面実装パッケージでは限界に近づいている多ピン化・高速化への要求に対応するために開発されたものである。構造としては、ＢＴ樹脂／銅箔回路基板（ビスマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板）に代表される硬質回路基板、あるいはポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、その素子搭載面、即ち基板の片面のみがエポキシ樹脂組成物などで成形・封止されている。また、基板の素子搭載面の反対面には半田ボールを２次元的に並列して形成し、パッケージを実装する回路基板との接合を行う特徴を有している。更に、素子を搭載する基板としては、上記有機回路基板以外にもリードフレーム等の金属基板を用いる構造も考案されている。
　【０００３】
　これらエリア実装型半導体パッケージの構造は基板の素子搭載面のみを樹脂組成物で封止し、半田ボール形成面側は封止しないという片面封止の形態をとっている。ごく希に、リードフレーム等の金属基板などでは、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が存在することもあるが、素子搭載面では数百μｍから数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片面封止となっている。半導体素子と外部接続用端子や回路との電気的接続には、金線を用いず半導体素子面に形成した半田バンプ等を外部接続用端子や回路に熱圧着したり、導電性接着材で接着する方法と、従来の金線を用いるワイヤーボンド法がある。ワイヤーボンド法の場合、従来のＳＯＰやＱＦＰ構造に比べワイヤーループの垂直高低差が大きく、また小型薄型のパッケージ形状のためワイヤー周囲の樹脂層が薄く樹脂封止過程で樹脂流入速度が高速になりやすいため金線流れが発生しやすく問題となっている。
　また、有機基板や金属基板と樹脂組成物の硬化物との間での熱膨張・熱収縮の不整合、あるいは樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影響により、これらのパッケージでは成形直後から反りが発生しやすい。また、これらのパッケージを実装する回路基板上に半田接合を行う場合、２００℃以上の加熱工程を経るが、この際にパッケージの反りが発生し、多数の半田ボールが平坦とならず、パッケージを実装する回路基板から浮き上がってしまい、電気的接合信頼性が低下する問題も起こる。
　【０００４】
　一方、赤外線リフロー、べーパーフェイズソルダリング、半田浸漬などの手段での半田処理による半田接合を行う場合、硬化物並びに有機基板からの吸湿によりパッケージ内部に存在する水分が高温で急激に気化することによる応力でパッケージにクラックが発生したり、基板の素子搭載面と樹脂組成物の硬化物との界面で剥離が発生することもあり、硬化物の低応力化・低吸湿化とともに、基板との密着性も求められる。さらに、基板と硬化物の線膨張係数の不整合により、信頼性テストの代表例である温度サイクル試験でも、基板／封止材料の硬化物の界面の剥離やパッケージクラックが発生する。
　従来のＱＦＰやＳＯＰなどの表面実装パッケージでは、半田実装時のクラックや各素材界面での剥離の防止のために、ビフェニル型エポキシ樹脂に代表されるような結晶性エポキシ樹脂を用いて成形時の低粘度化を図り、かつ無機質充填材の配合量を増加することが対策としてとられてきた。しかし、この手法では、片面封止パッケージにおける反りの問題は解決できないのが現状であった。
　【０００５】
　基板上の実質的に片面のみを樹脂組成物で封止したパッケージにおいて、反りを低減するには、基板の線膨張係数と樹脂組成物の硬化物の線膨張係数を近付けること、及び樹脂組成物の硬化収縮を小さくする二つの方法が重要である。
　基板としては有機基板ではＢＴ樹脂やポリイミド樹脂のような高ガラス転移温度の樹脂が広く用いられており、これらはエポキシ樹脂組成物の成形温度である１７０℃近辺よりも高いガラス転移温度を有する。従って、成形温度から室温までの冷却過程では有機基板のα１の領域のみで収縮する。従って、樹脂組成物もガラス転移温度が高くかつα１が回路基板と同じであり、さらに硬化収縮がゼロであれば反りはほぼゼロであると考えられる。このため、多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂との組み合わせによりガラス転移温度を高くし、無機質充填材の配合量でα１を合わせる手法が既に提案されている。
　【０００６】
　ところが、一分子中に３個以上のエポキシ基を有する多官能型エポキシ樹脂と一分子中に３個以上のフェノール性水酸基を有する多官能型フェノール樹脂との組み合わせ系は各々の樹脂粘度が高いため成形時の金線流れが発生し問題があった。エリア実装パッケージでは金線の長さも従来構造パッケージに比較して長く、更に多ピン化により金線の配線が高密度化しているため、成形時に低粘度の樹脂組成物で封止しないと金線が変形し、金線同士が接触して電気的不良を生じることになる。特にＣＳＰのような薄型のパッケージでは充填性が良好で、金線変形の少ない樹脂組成物による封止が必須の条件であった。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、エリア実装パッケージでの成形後や半田処理時の反りが小さく、また温度サイクル試験や半田処理時などの信頼性に優れ、かつ充填性が良好で金線変形の少ない、即ち、成形時に高流動性の特徴を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより封止された半導体装置の提供を目的としたものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は鋭意検討した結果、特定の多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂硬化剤との組み合わせに、更に特殊な結晶性エポキシ樹脂を併用すること及び、溶融温度、寸法変化率の最適値を見いだすことで、金線流れを防止でき、パッケージの反りを小さくでき、温度サイクル試験や半田処理後の信頼性に優れることを明らかにしたものである。
　【０００９】
　即ち本発明は、
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって成形封止される半導体装置に用いるものであり、
　【００１０】
　【化７】
　【化８】
　【化９】
　式（１）〜（３）中のＲはハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
　【００１１】
　【化１０】
　【化１１】
　【化１２】
　式（４）〜（７）中のＲは水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の正数である。式（８）中のＲはハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。１は１〜１０の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の正数である。
　【００１２】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明を詳細に説明する。
　本発明に用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂のうち一般式（１）で表されるエポキシ樹脂は通常トリフェノールメタン型エポキシ樹脂と総称される樹脂で、具体例としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。いずれも、これを用いた樹脂組成物の硬化物は架橋密度が高く、高いガラス転移温度となり、また硬化収縮率が小さい特徴を有する。
　【化１３】
　【００１３】
　一般式（２）で表されるエポキシ樹脂は式（１）と同様、硬化物の高架橋密度構造と低硬化収縮性を有するが、更に比較的低粘度であるという特徴も有している。具体例としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　【化１４】
　【００１４】
　一般式（１）、（２）で示される多官能型エポキシ樹脂は総エポキシ樹脂中の４０〜６０重量％含まれることが寸法変化率及び、ガラス転移温度の点から必要である。４０重量％未満では得られる架橋構造の架橋密度が低下するためと、寸法変化率も増大し、ガラス転移温度が低下する。また、６０重量％を越えると成形時の流動性が低下し、金線変形を起こし易く、また基板との密着性が低下する。
　【００１５】
　本発明に用いられる融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂としては、１分子中にエポキシ基を２個有するジエポキシ樹脂、さらにこれらのオリゴマー、ポリマー等が含まれる。これらのエポキシ樹脂はいずれも結晶性を示すため、融点未満の温度では固体であるが、融点以上の温度で低粘度の液状物質となる。このため５０℃未満の融点の結晶性エポキシ樹脂では、エポキシ樹脂組成物の製造工程において融着を起こしやすく、作業性が著しく低下する。また、１５０℃を越える融点を示す結晶性エポキシ樹脂では、エポキシ樹脂組成物を加熱混練する製造工程で充分に溶融しないため、材料の均一性に劣るといった問題点を有する。融点の測定方法としては示差走査熱量計［セイコー電子（株）製　ＳＳＣ／５２００］による吸熱ピーク温度（昇温速度５℃／分）から求められる。
　【００１６】
　融点５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂としては、式（４）のビフェニル型エポキシ樹脂、式（５）のハイドロキノン型エポキシ樹脂、式（６）のスチルベン型エポキシ樹脂、式（７）のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、式（８）のアラルキル変性ビフェニル型エポキシ樹脂が特に好ましい。以下にこれら結晶性エポキシ樹脂の具体例を示すがこれらに限定されるものではない。
　【００１７】
　【化１５】
　【００１８】
　【化１６】
　【００１９】
　【化１７】
　【００２０】
　【化１８】
　【００２１】
　これらの結晶性エポキシ樹脂は１分子中のエポキシ基の数は２個からせいぜい数個と少なく、単独では架橋密度が低く、耐熱性の低い硬化物しか得られない。しかし構造として剛直な平面ないし棒状骨格を有しており、かつ結晶化する性質、即ち分子同士が配向しやすいという特徴を有する。このため、一般式（１）、（２）で示される多官能型エポキシ樹脂と併用した場合、硬化後の多官能型エポキシ樹脂による架橋構造の架橋密度は低下させても、ガラス転移温度などの耐熱性を低下させ難い。一方、通常の２官能非結晶性エポキシ樹脂を多官能型エポキシ樹脂と併用した場合では単に架橋密度が低下するだけであり、ガラス転移温度の大幅な低下が起こる。ところが、結晶性エポキシ樹脂を併用した場合、一旦ガラス転移温度を越えた温度領域では低官能基数化合物の特徴である低弾性率を示すため、半田処理温度での低応力化に効果的である。このため、半田処理でのパッケージクラック発生や基板と樹脂組成物界面の剥離発生を防止する効果がある。更に、溶融状態では低粘度を示すため成形時に樹脂組成物の流動性が高く、薄型パッケージへの充填性に優れ金線流れの問題を解決できる。
　融点５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂は総エポキシ樹脂中に４０〜６０重量％含まれることが必要である。４０重量％未満では熱時の低弾性化や低粘度化の効果が得難く、６０重量％を越えると成形されたパッケージの反りが大きくなり好ましくない。
　【００２２】
　本発明のエポキシ樹脂は更に他のエポキシ樹脂と併用しても差し支えない。併用可能なエポキシ樹脂としては、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。又、これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは混合して用いても差し支えない。
　【００２３】
　本発明で用いられる（Ｂ）成分のフェノール樹脂硬化剤の内、式（３）で示されるフェノール樹脂硬化剤はいわゆるトリフェノールメタン型フェノール樹脂と呼ばれるもので、具体例を以下に示す。
　【化１９】
　【００２４】
　これらフェノール樹脂を使用すると硬化物の架橋密度が高くなり、高いガラス転移温度の硬化物が得られる。式（３）のフェノール樹脂の使用量としては、ガラス転移温度の点から総フェノール樹脂中の８０重量％以上配合することが必要である。８０重量％未満ではガラス転移温度が低下し、また寸法変化率も大きくなり、成形後のパッケージの反り量が大きくなる。
　式（３）のフェノール樹脂は他のフェノール樹脂と適宜併用可能であり、特に限定されるものではないが、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等が挙げられる。
　【００２５】
　本発明で用いられる（Ｃ）成分の硬化促進剤としては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤との架橋反応の触媒となり得るものを指し、具体的にはトリブチルアミン等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が例示できるがこれらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は単独であっても混合して用いても差し支えない。
　【００２６】
　本発明で用いられる（Ｄ）成分の溶融シリカ粉末は、破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカ粉末の配合量を高め、かつ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状シリカを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布をより広くとるよう調整することが望ましい。使用量としては、総樹脂組成物中８０〜８５重量％が良く８０重量％未満では、反りが大きくなり、８５重量％を越えると粘度が増大し、金線流れや未充填の問題がある。
　【００２７】
　本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）までの必須成分以外にも必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、カップリング剤、カーボンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤等が適宜配合可能である。
　樹脂組成物とするには各成分を混合後、加熱ニーダや熱ロールにより加熱混練し、続いて冷却、粉砕することで目的とする樹脂組成物が得られる。
　樹脂組成物の溶融粘度は、金線流れ、充填性に重要で、成形温度における溶融粘度は、３〜１０Ｐａ．ｓｅｃが最良の溶融粘度範囲であり、３Ｐａ．ｓｅｃ未満では、バリ、ボイドの問題があり、１０Ｐａ．ｓｅｃを越えると、金線流れや未充填の問題がある。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形をすればよい。
　本発明の半導体装置の有機基板としてＢＴ樹脂基板又は、フレキシブル回路基板を用いる場合は、エポキシ樹脂組成物の硬化後の２５℃〜１７５℃での寸法変化率が０．３０％以下、かつ熱機械分析装置（ＴＭＡ）で測定されるガラス転移温度が１５０℃以上が必要で寸法変化率が０．３０％を越えると、パッケージの反りが大きくなり、また、ガラス転移温度が１５０℃未満でも反りが大きくなる。
　【００２８】
　本発明での溶融粘度、寸法変化率、ガラス転移温度は以下の方法で測定する。
・溶融粘度：
高化式フロー粘度テスター（島津製作所）を用い、半導体装置を樹脂で成形する温度（例１７５℃）と同一の温度で、１０Ｋｇｗの荷重下、直径０．５ｍｍ長さ１．０ｍｍのノズル（ダイス）を使用し測定した。
・寸法変化率及びガラス転移温度（Ｔｇ）：
１７５℃、２分間トランスファー成形したテストピースを更に１７５℃、８時間後硬化し、熱機械分析装置［セイコー電子（株）製ＴＭＡ−１２０、昇温速度５℃／分］で測定した。寸法変化率は、テストピースを２５℃から１７５℃に昇温時の寸法変化から求めた。
　【００２９】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
《実施例１》
　　・式（９）の構造を主成分とするエポキシ樹脂［油化シェルエポキシ（株）製、エピコート１０３２Ｈ、軟化点６０℃、エポキシ当量１７０］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５．１重量部
　　・式（１０）の構造を主成分とするビフェニル型エポキシ樹脂［油化シェルエポキシ（株）製、ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９５］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５．１重量部
　　・式（１１）の構造を主成分とするフェノール樹脂［明和化成（株）製、ＭＥＨ−７５００、軟化点１０７℃、水酸基当量９７）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５．５重量部
　　・トリフェニルホスフィン　　　　　　　　　　　　　　　　０．１重量部
　　・球状溶融シリカ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８３．０重量部
　　・シランカップリング剤［信越化学工業（株）製ＫＢＭ５０３］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．６重量部
　　・カルナバワックス　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．３重量部
　　・カーボンブラック　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．３重量部
　上記の全成分をミキサーにより混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とした。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をした。評価結果を表１に示す。
　【００３０】
　【化２０】
　【化２１】
　【化２２】
　【００３１】
　なお、上記実施例及び比較例で使用した式（１２）〜（１７）のエポキシ樹脂及び式（１８）のフェノール樹脂の構造及び性状を以下に示す。
　【化２３】
　【化２４】
　【化２５】
　【００３２】
　　・式（１２）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：
　融点１４４℃、エポキシ当量１７５
　　・式（１３）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：
　融点　５２℃、エポキシ当量２２５
　　・式（１４）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：
　融点１３３℃、エポキシ当量１８２
　　・式（１５）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：
　融点　８２℃、エポキシ当量１９０
　　・式（１６）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：
　軟化点６５℃、エポキシ当量２１０
　　・式（１８）のフェノール樹脂：
　軟化点８０℃、水酸基当量１０４
　【００３３】
《評価方法》
・スパイラルフロー：
ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ２、硬化時間２分で測定した。
・ガラス転移温度（Ｔｇ）及び寸法変化率：
前記した方法による。
・パッケージ反り量：
２２５ピンＢＧＡパッケージ（基板は０．３６ｍｍ厚のＢＴ樹脂基板、パッケージサイズは２４×２４ｍｍ、厚み１．１７ｍｍ、シリコンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ、チップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の金線でボンディングしている）を１８０℃の金型温度、７５ｋｇ／ｃｍ２の射出圧力で２分間トランスファー成形を行い、更に１７５℃で８時間、後硬化した。室温に冷却後パッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用いて高さ方向の変位を測定し、変異差の最も大きい値を反り量とした。
・耐半田性：
パッケージ反り量測定に用いた成形品パッケージを８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間放置し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。超音波探傷機を用いてパッケージを観察し、内部クラック数及び基板／樹脂組成物界面の剥離数を（発生パッケージ数）／（全パッケージ数）の％表示で表した。
・金線変形量：
パッケージ反り量評価で成形した２２５ピンＢＧＡパッケージを軟Ｘ線透視装置で観察し、金線の変形率を（流れ量）／（金線長）で％表示した。
　【００３４】
《実施例２、３、４、５》
　実施例１を基本配合とし、エポキシ樹脂の種類を変えて樹脂組成物を得た。
《比較例１、２、３、４、５》
　実施例１を基本配合とし、比較例１、２では、エポキシ樹脂式（９）、式（１０）の配合比率を変えて、比較例３、４では、無機充填材の配合量を変えて、比較例５では、硬化剤式（１１）の配合比率を変えて、その他は基本配合と同じ割合で各成分を配合し、実施例１と同様に混合、混練して樹脂組成物を得た。実施例１と同様に評価を行った。配合処方及び評価結果を表１に示す。
　【００３５】
　【表１】
　【００３６】
　【発明の効果】
　本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は金線変形など成形性においても優れおり、該半導体封止用エポキシ樹脂組成物により封止されたエリア実装型半導体装置は、室温及び半田付け工程での反りが小さく、耐半田性や耐温度サイクル性などの信頼性が高いものである。