【事件の表示】
　特願２００６−　１６８９７「保護マスクを使用したホトマスクプラズマエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１０日出願公開、特開２００６−２０９１２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１月２５日（パリ条約による優先権主張２００５年１月２７日、米国）の出願であって、平成２２年１月１５日、同年１２月９日及び平成２３年１１月１４日に手続補正がなされたが、平成２３年６月２３日付けで上記平成２２年１２月９日付けの手続補正の却下の決定がなされ、平成２４年９月２０付けで上記平成２３年１１月１４日付けの手続補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２５年１月２４日に拒絶査定に対する不服審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年２月２７日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年５月２０日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２５年１月２４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２５年１月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２５年１月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「ホトマスクを形成する方法において、
　少なくともクロム層および当該クロム層上に配置された反射防止層を含むホトマスク層上で、開口を画成するためのレジストマスク層をパターン化するステップと、
　Ｃ４Ｆ８の存在下で、所定の厚さで上記パターン化されたレジストマスク層の表面に沿った均一なポリマー保護層を堆積して、上記パターン化されたレジストマスク層において上記開口を形成する側壁及び上部と上記開口を閉じる底部とを有するトレンチを上記パターン化されたレジストマスク層に画成するステップと、
　上記ポリマー保護層の上記底部を非等方性エッチングし、一方で少なくとも一部の上記ポリマー保護層の側壁をそのままにしておき、上記ポリマー保護層の上記側壁の間の上記ポリマー保護層において開口を画成するステップと、
　塩素含有ガスの存在下で、上記ポリマー保護層の上記開口を通して上記クロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップと、
　上記パターン化されたレジストマスク層及び上記ポリマー保護層を除去するステップと、
を備えた方法。」（以下「補正発明」という。）
　
　そこで、上記補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、国際公開第２００４／１０２７９３号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　なお、以下の仮訳は、引用文献１のファミリー文献である特表２００７−５０５３６６号公報の記載を援用した。
（１）第５頁３〜２６行
「A lithographic mask 10 is processed in a process zone 108 to form etched features 34 in the mask 10. For example, it may be desirable to etch a metal- containing material 15 of the mask 10 to form the features 34 therein. In one embodiment, the mask 10 comprises a radiation permeable plate 20 underneath the metal-containing material 15. The metal-containing material 15 may comprise chromium, but the metal-containing material 15 may alternatively or additionally comprise other materials, such as iron oxide or molybdenum. The radiation permeable plate 20 may comprise quartz, glass, sapphire, or another translucent material.
　A typical process sequence for forming the etched features 34 comprises the steps of (1) depositing the metal-containing material 15 on the radiation permeable plate 20, (2) forming an overlying resist layer 35 of resist material that is capable of capturing a pattern to be transferred into the metal-containing material 15, and is typically composed of photoresist, electron sensitive resist, or ion-beam sensitive resist, (3) selectively exposing the resist layer 35 to optical radiation according to a pattern, (4) developing the resist layer 35 to form developed features 32 according to the pattern, (5) in an etching stage, providing an energized gas composition to transfer the pattern formed in the resist layer 35 into the metal-containing material 15 by etching the metal- containing material 15 of the mask 10 through exposed spaces 36 in the resist layer 35, thereby extending the developed resist features 32 below the resist layer 35 and into the metal-containing material 15 to form etched metal features 34, and (6) ashing with oxygen-containing plasma to remove (or strip) any remaining resist (if any is present) and to passivate the etched metal features 34 by removing residual etching species to prevent corrosion.」
（仮訳）
「リソグラフィマスク１０は、プロセスゾーン１０８で処理されてマスク１０においてエッチングされた特徴部３４を形成する。例えば、望ましくはマスク１０の金属含有物質１５をエッチングしてその中に特徴部３４を形成することができる。一実施形態においては、マスク１０は、金属含有物質１５の下に放射透過性プレート２０を備えている。金属含有物質１５はクロムを含むことができるが、金属含有物質１５は代わりに又は更に酸化鉄又はモリブデンのような他の物質を含むこともできる。放射透過性プレート２０は、石英、ガラス、サファイア、又は他の半透明な物質を含むことができる。
　エッチングされた特徴部３４を形成するための典型的なプロセスシーケンスは、（１）放射透過性プレート２０上に金属含有物質１５を堆積させるステップと、（２）金属含有物質１５に転写すべきパターンを取込むことができ且つ典型的にはフォトレジスト、電子線感受性レジスト、又はイオンビーム感応レジストから構成される、レジスト物質の上に横たわるレジスト層３５を形成するステップと、（３）パターンに従って光学的放射にレジスト層を晒すステップと、（４）レジスト層３５を現像してパターンの現像された特徴部３２を形成するステップと、（５）エッチング段階において、活性化ガス組成物を供給してレジスト層３５において晒された空間３６を通ってマスク１０の金属含有物質１５をエッチングすることにより金属含有物質１５にレジスト層３５において形成されたパターンを転写し、それによりレジスト層３５のｌ下で金属含有物質１５に現像されたレジスト特徴部３２を伸長してエッチングされた金属特徴部３４を形成するステップと、（６）酸素含有プラズマで灰化してあらゆる残留レジスト（存在するならば）を除去する（又は取り除く）とともに残留エッチング化学種を除去することによりエッチングされた金属特徴部３４を不動態化して腐食を防止するステップとを含んでいる。」
（２）第６頁１行〜第７頁１１行
「The pattern of resist features 32 is formed on the metal-containing material 15 by first forming a resist layer 35 on the metal-containing material 15. The resist layer 35 on the mask 10 is selectively exposed to optical radiation to form individual regions 35a,b that are polymerized and unpolymerized, respectively. The resist layer 35 is then developed to form a pattern of resist features 32 that have sidewalls 33 and exposed spaces 36 with dimensions between the sidewalls 33. The development process either (i) removes the regions that were exposed to the optical radiation (for a positive-type resist layer), or (ii) removes the regions that were not exposed to the optical radiation (for a negative-type resist layer), to form a pattern of resist features 32 having sidewalls 33. Figure 1 illustrates the mask 10 before the development stage, and Figure 2 illustrates the mask 10 during the development stage when the mask 10 comprises a patterned resist layer 35 with developed features 32. In one embodiment, the development stage comprises wet development, in which the mask 10 is placed in a liquid bath 405 to remove the selected portions of the mask 10. Alternatively, the development stage may comprise dry development, in which the resist layer 35 is patterned using a gas.
　Next, the metal-containing material 15 is etched according to the pattern in the resist layer 35. In operation, the mask 10 is placed in a process zone 108. In a sacrificial coating deposition stage, as illustrated in Figure 3, a deposition gas 410 is introduced into the process zone 108 and energized to deposit a sacrificial coating 40 on the sidewalls of the features 32 of the resist layer 35. The sacrificial coating 40 may have a thickness of from about 10 to about 50 nanometers, such as from about 20 to about 35 nanometers. The sacrificial coating 40 covers the features 32 of the resist layer 35 such that the resist layer 35 substantially preserves its lateral dimensions while it is etched in the etching stage. The preservation of the resist layer's lateral dimensions, such as a width of the features, allows for the preservation of the same lateral dimensions of the final etched features. The sacrificial coating 40 produced by the deposition gas 410 maintains consistent dimensions of the exposed spaces 36, such as consistent critical dimensions (CD), substantially absent sidewall etching.
　In one version, the deposition gas 410 comprises silicon, such as in the form of a silicon-containing compound or elemental silicon. A silicon-containing deposition gas 410 is provided in the process zone 108 and the gas is energized to deposit a silicon-containing sacrificial coating 40 on the sidewalls 33 of the resist features 32. In one embodiment, the deposition gas 410 comprises SiF 4 , such as to deposit a sacrificial coating 40 on the mask 10 that comprises Si0 2 . The silicon- containing sacrificial coating 40 may have a thickness of from about 3 to about 25 nm, such as from about 5 to about 15 nm.
　In another version, the deposition gas 410 additionally or alternatively comprises a compound having the general formula C a Cl b or C a X b Cl c , where 'X' is hydrogen or nitrogen, and 'a', 'b', and 'c' are whole numbers. For example, suitable gaseous compounds for the sacrificial deposition gas 410 may include CH 3 CI or CCI４. These compounds have been found to promote the formation of an advantageous sacrificial coating 40 comprising a sufficient amount of carbon.」
（仮訳）
「レジスト特徴部３２のパターンは、まず金属含有物質１５上にレジスト層３５を形成することにより金属含有物質１５上に形成される。マスク１０上のレジスト層３５は、光学的放射に選択的に晒されて、それぞれ重合した及び重合していない個々の領域３５ａ、ｂを形成する。その後、レジスト層３５は、現像されて、側壁３３と側壁３３間の寸法をもつ晒された空間３６を有するレジスト特徴部３２のパターンを形成する。現像プロセスは、（ｉ）光学的放射に晒された領域を除去する（“ポジ”型レジスト層については）か又は（ｉｉ）光学的放射に晒されなかった領域を除去して（“ネガ”型レジスト層については）、側壁３３を有するレジスト特徴部３２のパターンを形成する。図１は現像段階前のマスク１０を示し、図２は、マスク１０が現像された特徴部３２を有するパターン形成レジスト層３５を備えている現像段階中のマスク１０を示している。一実施形態においては、現像段階はウェット式現像を含み、マスク１０を液浴４０５に入れてマスク１０の選択された部分を除去する。或いは、現像段階は、ドライ式現像を含むことができ、レジスト層３５はガスを用いてパターン形成される。
　次に、金属含有物質１５は、レジスト層３５におけるパターンに従ってエッチングされる。動作中、マスク１０はプロセスゾーン１０８に配置される。犠牲コーティング堆積段階において、図３に示されるように、堆積ガス４１０はプロセスゾーン１０８に導入され、活性化されてレジスト層３５の特徴部３２の側壁上に犠牲コーティング４０を堆積する。犠牲コーティング４０の厚さは、約１０〜約５０ナノメートル、例えば、約２０〜約３５ナノメートルであってもよい。犠牲コーティング４０は、レジスト層３５の特徴部３２を覆い、エッチング段階においてエッチングされる間、レジスト層３５が実質的に横寸法を保護する。特徴部の幅のようなレジスト層の横寸法の保護により、最後のエッチングされた特徴部の同一の横寸法の保護が可能になる。堆積ガス４１０により得られた犠牲コーティング４０は、一貫した臨界寸法（ＣＤ）のような晒された空間３６の一貫した寸法を維持し、側壁エッチングはほとんどない。
　一変形例においては、堆積ガス４１０は、シリコンを、例えば、シリコン含有化合物又は元素のシリコンの形で含んでいる。シリコン含有堆積ガス４１０はプロセスゾーン１０８に供給され、ガスを活性化してレジスト特徴部３２の側壁３３上にシリコン含有犠牲コーティング４０を堆積させる。一実施形態においては、堆積ガス４１０は、例えば、ＳｉＯ２を含むマスク１０上に犠牲コーティング４０を堆積させるために、ＳｉＦ４を含んでいる。シリコン含有犠牲コーティング４０の厚さは、約３〜約２５ｎｍ、約５〜約１５ｎｍであってもよい。
　他の変形例においては、堆積ガス４１０は、更に又はあるいは、一般式ＣａＣｌｂ又はＣａＸｂＣｌｃ（式中、‘Ｘ’は水素又は窒素であり、‘ａ’、‘ｂ’、‘ｃ’は整数である。）を有する化合物を含んでいる。例えば、犠牲コーティング堆積ガス４１０に適したガス化合物は、ＣＨ３Ｃｌ又はＣＣｌ４を含むことができる。これら化合物は、十分な炭素量含む有利な犠牲コーティング４０の形成を促進することがわかった。」
（３）第８頁１行〜第９頁１７行
「Typically, there is a preliminary etch step that occurs after depositing the silicon-containing sacrificial coating 40, but before etching the metal-containing material 15, in which the portion of the silicon-containing sacrificial coating 40 that covers the metal-containing material 15 is etched. For example, a fluorine-containing etchant gas, such as one that contains CF 4 , CHF 3 , or sulfur hexafluoride, can be used. These fluorine-containing etchant gases may have a better ability to etch the silicon-containing sacrificial coating 40 than chlorine-containing etchant gases.
　In a metal etching stage that is executed after the sacrificial coating deposition stage, an etchant gas is provided in the process zone 108 to etch the metal- containing material 15 and thereby expose portions of the radiation permeable plate 20. The mask 10 can be safely etched by an etchant gas 420 that reacts with the metal- containing material 15 of the mask 10 to form volatile compounds and thereby etch the metal-containing material 15, as illustrated in Figure 4. The sacrificial coating 40 on the sidewalls 33 of the resist features 32 impedes etching of the sidewalls 33 and thereby maintains the dimensions of the resist features 32.
　The etchant gas 420 is a composition typically comprising halogen- containing gases that when energized react with and etch the metal-containing material 15. For etching a chromium or aluminum metal-containing material 15, the etchant gas 420 may comprise chlorine species and oxygen species, such as including Cl 2  and 0 2 , HCI, BCI 3 , or Cl 2 . The etchant gas 420 may further comprise helium or another substantially inert gas. For etching tungsten or tungsteri alloys and compounds, fluorine- containing gases, such as SF 6 , NF 3 , or F 2 , and mixtures thereof, may be used. Alloys or compounds that contain copper or titanium can be etched with either chlorine or fluorine- containing gases. Although the invention is illustrated by particular compositions of halogen gases, it should be understood that the present invention should not be limited to the halogen gases described herein.
　The etchant gas 420 can be chosen to have a desirable etch selectivity ratio, which is the ratio of the etch rate at which the etchant gas 420 etches the metal- containing material 15 to the etch rate at which the gas 420 etches the resist layer 35. For example, an etchant gas 420 having an etch selectivity ratio of at least about 7:1 may be selected, or even more preferably an etchant gas 420 having an etch selectivity ratio of at least about 10:1.  A sufficient electric potential bias is applied to the mask 10 in relation to the plasma that the etchant gas 420 anisotropically etches the mask 10. The resulting electric field above the mask 10 causes the ions of the etchant gas plasma to have a mean downward velocity, preferentially etching downward and reducing lateral etching into the resist features 32. Although the sacrificial coating 40 may be deposited substantially uniformly along the horizontal faces and vertical sidewalls 33 of the resist features 32, the anisotropic etching is a preferentially downwardly-directed etching into the metal-containing material 15. The portion of the sacrificial coating 40 on the vertical sidewalls 33 of the resist features 32 is etched more slowly than on the horizontal faces on the resist features 32 above the metal-containing material 15. Even as etching progresses through the metal-containing material 15, the sacrificial coating 40 continues to protect the vertical sidewalls 33 of the resist features 32 and thereby maintain the lateral dimensions of the resist features 32. In contrast, the vertical height of the resist features 32 may be slightly reduced. A sufficient electric potential bias to produce desirably anisotropic etching may be at least about 60 Volts, such as at least about 100 Volts.」
（仮訳）
「典型的には、シリコン含有犠牲コーティング４０を堆積した後であるが金属含有物質１５をエッチングする前に行われる予備的エッチングステップがあり、金属含有物質１５を覆うシリコン含有犠牲コーティング４０の部分がエッチングされる。例えば、フッ素含有エッチングガス、例えば、ＣＦ４、ＣＨＦ３、又は六フッ化イオウを含有するものが使用し得る。これらのフッ素含有エッチングガスは、塩素含有エッチングガスよりシリコン含有犠牲コーティング４０をエッチングするより良好な能力を有することができる。
　犠牲コーティング堆積段階の後に実行される金属エッチング段階においては、エッチングガスは金属含有物質１５をエッチングするためにプロセスゾーン１０８に供給され、それにより放射透過性プレート２０の部分が晒される。マスク１０は、図４に示されるように、マスク１０の金属含有物質１５と反応して揮発性化合物を形成し、それにより金属含有物質１５をエッチングするというエッチングガス４２０によって安全にエッチングし得る。レジスト特徴部３２の側壁３３上の犠牲コーティング４０は、側壁３３のエッチングを妨げ、それによりレジスト特徴部３２の寸法を維持する。
　エッチングガス４２０は、典型的には、活性化された場合に金属含有物質１５と反応しそれをエッチングするハロゲン含有ガスを含む組成物である。クロム又はアルミニウム金属含有物質１５をエッチングするために、エッチングガス４２０は、Ｃｌ２とＯ２、ＨＣｌ、ＢＣｌ３又はＣｌ２を含むような塩素化学種と酸素化学種を含むことができる。エッチングガス４２０は、更にヘリウム又は他の実質的に不活性なガスを含むことができる。タングステン又はタングステン合金及び化合物をエッチングするために、ＳＦ６、ＮＦ３又はＦ２、及びその混合物のようなフッ素含有ガスを用いることができる。銅又はチタンを含む合金又は化合物は、塩素又はフッ素含有ガスでエッチングし得る。本発明はハロゲンガスの特定の組成物によって示されているが、本発明が本明細書に記載されたハロゲンガスに限定するべきでないことは理解しなければならない。
　エッチングガス４２０は、エッチングガス４２０が金属含有物質１５をエッチングするエッチング速度とガス４２０がレジスト層３５をエッチングするエッチング速度との比である望ましいエッチング選択比を有するように選択することができる。例えば、エッチング選択比が少なくとも約７：１のエッチングガス４２０、又は更に好ましくはエッチング選択比が少なくとも約１０：１であるエッチングガス４２０を選ぶことができる。
　エッチングガス４２０がマスク１０を異方性エッチングするプラズマに関して十分な電位バイアスがマスク１０に印加される。マスク１０上に生じた電界は、エッチングガスプラズマのイオンを下向きの平均速度を有するようにし、優先的に下向きにエッチングし、レジスト特徴部３２への横エッチングが減少する。犠牲コーティング４０は、レジスト特徴部３２の水平面と垂直側面３３に沿って実質的に一様に堆積することができるが、異方性エッチングは金属含有物質１５への優先的に下向きのエッチングである。レジスト特徴部３２の垂直側壁３３上の犠牲コーティング４０の部分は、金属含有物質１５上のレジスト特徴部３２の上の水平面上よりゆっくりエッチングする。エッチングが金属含有物質１５を進行するにつれても、犠牲コーティング４０はレジスト特徴部３２の垂直側壁３３を保護し続け、それによりレジスト特徴部３２の横寸法が維持される。対照的に、レジスト特徴部３２の縦の高さはわずかに減少してしまう。望ましい異方性エッチングを得るのに十分な電位バイアスは、少なくとも約６０ボルト、例えば、少なくとも約１００ボルトであってもよい。」
（４）「ＦＩＧ．１〜ＦＩＧ．４
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「クロムを含む金属含有物質（１５）の下に放射透過性プレート（２０）を備えているリソグラフィマスク（１０）の金属含有物質をエッチングしてその中に特徴部（３４）を形成する方法であって、
　エッチングされた特徴部を形成するための典型的なプロセスシーケンスは、
（１）放射透過性プレート上に金属含有物質を堆積させるステップと、
（２）金属含有物質に転写すべきパターンを取込むことができるレジスト物質の上に横たわるレジスト層（３５）を形成するステップと、
（３）パターンに従って光学的放射にレジスト層を晒すステップと、
（４）レジスト層を現像してパターンの現像された特徴部（３２）を形成するステップと、
（５）エッチング段階において、活性化ガス組成物を供給してレジスト層において晒された空間（３６）を通ってリソグラフィマスクの金属含有物質をエッチングすることにより金属含有物質にレジスト層において形成されたパターンを転写し、それによりレジスト層の下で金属含有物質に現像されたレジスト特徴部を伸長してエッチングされた金属特徴部を形成するステップと、
（６）酸素含有プラズマで灰化してあらゆる残留レジストを除去するとともに残留エッチング化学種を除去することによりエッチングされた金属特徴部を不動態化して腐食を防止するステップとを含んでおり、
　エッチング動作中リソグラフィマスクはプロセスゾーン（１０８）に配置され、犠牲コーティング堆積段階において、堆積ガス（４１０）がプロセスゾーンに導入され、活性化されてレジスト層の特徴部の側壁上に犠牲コーティング（４０）を堆積し、犠牲コーティングはレジスト層の特徴部を覆い、エッチング段階においてエッチングされる間、レジスト層が実質的に横寸法を保護し、該レジスト層の横寸法の保護により最後のエッチングされた特徴部の同一の横寸法の保護が可能になり、堆積ガスにより得られた犠牲コーティングは一貫した臨界寸法（ＣＤ）を維持し、側壁エッチングはほとんどなく、
　堆積ガスは一般式ＣａＣｌｂ又はＣａＸｂＣｌｃ（式中、‘Ｘ’は水素又は窒素であり、‘ａ’、‘ｂ’、‘ｃ’は整数である。）を有する化合物、例えばＣＨ３Ｃｌ又はＣＣｌ４を含むことができ、
　エッチングガス（４２０）は、Ｃｌ２とＯ２、ＨＣｌ、ＢＣｌ３又はＣｌ２を含むような塩素化学種と酸素化学種を含むことができる、
方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「リソグラフィマスク」は補正発明の「ホトマスク」に相当する。
（２）引用発明の「クロムを含む金属含有物質」と補正発明の「クロム層上に配置された反射防止層を含むホトマスク層」は、ともに「クロム層を含むホトマスク層」である点で共通する。
（３）引用発明の「レジスト層」は補正発明の「レジストマスク層」に相当し、引用発明の「パターンに従って光学的放射にレジスト層を晒すステップと、レジスト層を現像してパターンの現像された特徴部を形成するステップ」は補正発明の「開口を画成するためのレジストマスク層をパターン化するステップ」に相当する。
（４）引用発明の「犠牲コーティング」は、堆積ガスの成分から補正発明の「ポリマー保護層」に相当し、引用発明が補正発明の「開口を形成する側壁及び上部と上記開口を閉じる底部とを有するトレンチ」に相当する構成を有することは明らかである。
　したがって、引用発明の「堆積ガスは一般式ＣａＣｌｂ又はＣａＸｂＣｌｃ（式中、‘Ｘ’は水素又は窒素であり、‘ａ’、‘ｂ’、‘ｃ’は整数である。）を有する化合物、例えばＣＨ３Ｃｌ又はＣＣｌ４を含むことができ」「犠牲コーティング堆積段階において、堆積ガスがプロセスゾーンに導入され、活性化されてレジスト層の特徴部の側壁上に犠牲コーティングを堆積し、犠牲コーティングはレジスト層の特徴部を覆」うステップと、補正発明の「Ｃ４Ｆ８の存在下で、所定の厚さで上記パターン化されたレジストマスク層の表面に沿った均一なポリマー保護層を堆積して、上記パターン化されたレジストマスク層において上記開口を形成する側壁及び上部と上記開口を閉じる底部とを有するトレンチを上記パターン化されたレジストマスク層に画成するステップ」は、ともに「堆積ガスの存在下で、所定の厚さで上記パターン化されたレジストマスク層の表面に沿ったポリマー保護層を堆積して、上記パターン化されたレジストマスク層において上記開口を形成する側壁及び上部と上記開口を閉じる底部とを有するトレンチを上記パターン化されたレジストマスク層に画成するステップ」である点で共通する。
（５）引用発明の「エッチング段階においてエッチングされる間、レジスト層が実質的に横寸法を保護し、該レジスト層の横寸法の保護により最後のエッチングされた特徴部の同一の横寸法の保護が可能になり、堆積ガスにより得られた犠牲コーティングは一貫した臨界寸法（ＣＤ）を維持し、側壁エッチングはほとんどな」い構成は、補正発明の「ポリマー保護層の上記底部を非等方性エッチングし、一方で少なくとも一部の上記ポリマー保護層の側壁をそのままにしておき、上記ポリマー保護層の上記側壁の間の上記ポリマー保護層において開口を画成するステップ」に相当する。
（６）引用発明の「エッチングガスは、Ｃｌ２とＯ２、ＨＣｌ、ＢＣｌ３又はＣｌ２を含むような塩素化学種と酸素化学種を含むことができ」「エッチング段階において、活性化ガス組成物を供給してレジスト層において晒された空間を通ってリソグラフィマスクの金属含有物質をエッチングすることにより金属含有物質にレジスト層において形成されたパターンを転写し、それによりレジスト層の下で金属含有物質に現像されたレジスト特徴部を伸長してエッチングされた金属特徴部を形成するステップ」は、補正発明の「塩素含有ガスの存在下で、上記ポリマー保護層の上記開口を通して上記クロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップ」に相当する。
（７）引用発明の「酸素含有プラズマで灰化してあらゆる残留レジストを除去する・・ステップ」は、補正発明の「パターン化されたレジストマスク層及び上記ポリマー保護層を除去するステップ」に相当する。
　
　してみると両者は、 
　「ホトマスクを形成する方法において、
　少なくともクロム層を含むホトマスク層上で、開口を画成するためのレジストマスク層をパターン化するステップと、
　堆積ガスの存在下で、所定の厚さで上記パターン化されたレジストマスク層の表面に沿ったポリマー保護層を堆積して、上記パターン化されたレジストマスク層において上記開口を形成する側壁及び上部と上記開口を閉じる底部とを有するトレンチを上記パターン化されたレジストマスク層に画成するステップと、
　上記ポリマー保護層の上記底部を非等方性エッチングし、一方で少なくとも一部の上記ポリマー保護層の側壁をそのままにしておき、上記ポリマー保護層の上記側壁の間の上記ポリマー保護層において開口を画成するステップと、
　塩素含有ガスの存在下で、上記ポリマー保護層の上記開口を通して上記クロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップと、
　上記パターン化されたレジストマスク層及び上記ポリマー保護層を除去するステップと、
を備えた方法。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
（相違点１）
　ホトマスク層が、補正発明では「クロム層上に配置された反射防止層を含む」のに対して、引用発明は当該反射防止層を含まない点。
（相違点２）
　補正発明では、堆積ガスが「Ｃ４Ｆ８」であって、ポリマー保護層が「均一」であるのに対して、引用発明では、堆積ガスが「一般式ＣａＣｌｂ又はＣａＸｂＣｌｃ（式中、‘Ｘ’は水素又は窒素であり、‘ａ’、‘ｂ’、‘ｃ’は整数である。）を有する化合物、例えばＣＨ３Ｃｌ又はＣＣｌ４」であって、ポリマー保護層が「均一」であるかどうか不明な点。
　
４．判断 
　上記相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　クロム層を含むホトマスクにおいて、クロム層上に反射防止層を配置することは、ごく普通に行われている周知技術である。
　引用発明に当該周知技術を付加することは、その必要に応じて当業者が適宜なしうる事項である。
（相違点２について）
　プロセスガスを用いたフォトレジストエッチング技術において、レジストパターンにポリマー保護層を形成するための堆積ガスとして「Ｃ４Ｆ８」を用いることは周知技術（特開２００１−６８４６２号公報参照）である。
　引用発明の堆積ガスとして、当該周知のガスを用いることに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　また、引用発明では「堆積ガスがプロセスゾーンに導入され、活性化されてレジスト層の特徴部に犠牲コーティングを堆積し」ていることや、引用文献１の図３の記載を考慮すれば、引用発明の犠牲コーティングを均一な厚さとすることは当業者が適宜なしうる事項である。
　してみると、引用発明に上記相違点２に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術に基いて当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２５年１月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成２２年１２月９日及び平成２３年１１月１４日付けの手続補正は補正の却下の決定がなされている（上記「第１　手続の経緯」参照）ので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年１月１５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「ホトマスクを形成する方法において、
　少なくともクロム層および当該クロム層上に配置された反射防止層を含むホトマスク層上で、開口を画成するためのレジストマスク層をパターン化するステップと、
　上記パターン化されたレジストマスク層上に所定の厚さで適合ポリマー保護層を堆積して、上記パターン化されたレジストマスク層において上記開口を形成する側壁と上記開口を閉じる底部とを有するトレンチを上記パターン化されたレジストマスク層に画成するステップと、
　上記適合ポリマー保護層の上記底部をエッチングして、上記適合ポリマー保護層の上記側壁の間の上記適合ポリマー保護層において開口を画成するステップと、
　上記適合ポリマー保護層の上記開口を通して上記クロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップと、
　上記マスク層及び上記ポリマー保護層を除去するステップと、
を備えた方法。」
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明から、少なくとも「Ｃ４Ｆ８の存在下で」という事項を削除することにより拡張したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。