【事件の表示】
　特許第３４４４０８９号「プラズマエッチング電極」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４４４０８９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４４４０８９号の請求項１に係る発明は、平成８年４月２２日に特許出願され、平成１５年６月２７日に特許権の設定登録がなされ、平成１５年１２月１９日に北垣　哲郎（以下、異議申立人という。）より、その請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、平成１７年２月４日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年４月１２日付けで特許異議意見書が提出されたものである。 
　
２．本件発明
　本件特許第３４４４０８９号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】平行平板型プラズマエッチング電極の少なくともプラズマで消耗する部分がガラス状カーボン又は金属シリコンにて形成され、表面粗さがＲａ０．００１〜０．０１５μｍ、Ｒｍａｘ０．０１〜０．１５μｍであることを特徴とするプラズマエッチング電極」
　
３．特許異議申立の概要
　異議申立人は、証拠として下記の甲第１〜３号証を提出して、本件発明は、本件の出願前日本国内で頒布された下記の刊行物１，２に記載された発明であるか、又は刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第１項第３号又は第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべきである旨主張している。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開平７−２７３０９４号公報（特許異議申立の甲第１号証）
　刊行物２：特開平６−１２８７６２号公報（特許異議申立の甲第２号証）
　刊行物３：特開平７−２３５５３４号公報（特許異議申立の甲第３号証）
　
４．刊行物の記載
（１）刊行物１：特開平７−２７３０９４号公報
（１−１）「【請求項１】プラズマにより消耗する部位の表面平滑度がＲｍａｘ１０μｍ以下であるシリコンからなるプラズマエッチング用電極板。」（【特許請求の範囲】） 
（１−２）「【産業上の利用分野】本発明は平行平板型プラズマエッチング用電極板に関する。」（【０００１】） 
（１−３）「【発明が解決しようとする課題】プラズマエッチング用電極板に対する要求性能は一層高度になって来ており、特にエッチング時にウエハ面に落下して付着する粒子数が少ないものが要求されている。しかしながら上記の要求を満足すべきものが得られないのが現状である。
【０００４】本発明は上記した要求を満足するプラズマエッチング用電極板を提供するものである。」（【０００３】〜【０００４】） 
（１−４）「表面平滑度はＲｍａｘが１０μｍ以下とされるが、Ｒｚ（＋点平均粗さ）が９．１μｍ以下及びＲａ（中心線表面粗さ）が１．０μｍ以下であればさらに好ましい。上記の様な表面平滑度にするためには基材のシリコンの表面をダイヤモンドラップ法、バフ研磨法等により得られるが、本発明においてはこれらの方法に制限されない。」（【０００７】） 
（１−５）「【実施例】次に本発明の実施例を説明する。
実施例１〜５、比較例１〜３
ホウ素を含有した抵抗値が１０Ωcmで厚さが３mmのシリコン単結の平面に直径が０．８mmの貫通小孔を３mmのピッチで多数穿設し、さらに表面を表１に示すような種々の表面平滑度に研磨したプラズマエッチング用電極板を製作した。
【００１０】次にこのプラズマエッチング用電極板をプラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：トリフロロメタン（ＣＨＦ３）、キャリアガス：アルゴン（Ａｒ）、反応チャンバー内のガス圧：１Ｔｏｒｒ、電源周波数：１３．５ＭＨｚの条件で径６インチのシリコンウエハの酸化膜エッチングを行った。このときシリコンウエハの表面に付着した０．３μｍ以上の粉末粒子数の個数を数えた。この結果を表１に示す。」（【０００９】〜【００１０】） 
（１−６）２頁表１には、シリコンを材質とした例として、（表面粗さＲａ　μｍ，表面粗さＲｍａｘ　μｍ，粒子数　個）が、（２．６，３１，９３）（１．９，１８．６，５１）（１．３，１３．９，３２）（１．０，１０，８）（０．２４，４．２，６）（０．３６，２．６，６）（０．０９，１．０５，４）（０．０３，０．１８，３）のものが示されている。 
（１−７）「【発明の効果】本発明になるプラズマエッチング用電極板は、エッチングの際に発生する有害な粉末粒子を大幅に少なくすることができ、トラブルのない安定なエッチング加工を行うことが可能なプラズマエッチング用電極板である。」（【００１３】）
　
（２）刊行物２：特開平６−１２８７６２号公報
（２−１）「【請求項１】プラズマにより消耗する部位の表面平滑度がＲmax６μｍ以下であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板。」（【特許請求の範囲】）
（２−２）「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズマエッチング用電極板に対する要求性能は一層高度になって来ており、特にエッチング時にウエハ面に落下し付着する炭素粒子等の粒子数が少ないものが要求されている。本発明は上記した要求を満足するプラズマエッチング用電極板を提供することを目的とする。」
（２−３）「表面平滑度はＲmaxが６μｍ以下であるほか、Ｒzが５．４μｍ及びＲaが０.５μｍ以下であることが好ましい。」（【０００４】１１〜１３行）
（２−４）「【実施例】次に本発明の実施例を説明する。前記した製造法により、厚さ３mmで、平面に直径０．８mmの貫通小孔を３mmのピッチで多数穿設したガラス状炭素の焼成炭化品を得た。次に、この焼成炭化品の表面を表１に示すような種々の表面平滑度に研磨した（実施例１〜５、比較例１〜３）のち、２０００℃の温度で熱処理し、不純物含有量２０ppm以下のプラズマエッチング用電極板を製作した。
【０００７】次にこの電極板をプラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：トリフロロメタン（ＣＨＦ３）、キャリアガス：アルゴン（Ａr）、反応チャンバー内のガス圧：１Ｔorr、電源周波数：１３．５ＭＨzの条件で径６インチのシリコンウェハの酸化膜エッチングを行った。このときシリコンウェハの表面に付着した０．３μｍ以上の粉末粒子の個数を数えた。この結果を表１に示す。」（【０００６】〜【０００７】）
（２−５）２頁表１には、ガラス状炭素を材質とした例として、（表面粗さＲａ　μｍ，表面粗さＲｍａｘ　μｍ，粒子数　個）が、（１．４，１１．３，１６０）（０．８，９．２，９２）（０．６３，７．３，８０）（０．５０，６．０，２９）（０．２８，３．８，２０）（０．３５，２．７４，１０）（０．１０，１．０３，８）（０．０４，０．１８，８）のものが示されている。
（２−６）「【発明の効果】本発明によれば、エッチングの際に発生する有害な粉末粒子の数を大幅に少なくすることが出来る。従って、トラブルのない安定なエッチング加工を行うことが可能になる。」（【００１０】）
　
（３）刊行物３：特開平７−２３５５３４号公報
（３−１）「上記１次鏡面研磨工程では、化学研磨工程を終了したシリコンウェーハを一般的には表面粗さＲａが０．７０〜１．００ｎｍ、・・・、表面粗さＲｔが４．５０〜７．００ｎｍ程度になるまで研磨し、次の２次（最終）鏡面研磨工程では半導体デバイスがその表面上に作成できる程度、つまり表面粗さＲａが０．６０ｎｍ未満、・・・、表面粗さＲｔが４．００ｎｍ未満までウェーハ表面を研磨して平坦にしている。・・・ここで、本明細書で使用する表面粗さＲａは、ＪＩＳＢ０６０１で規定される中心線平均粗さである。・・・表面粗さＲｔは測定長さ内での最高山頂から最低谷底までの高さを示す。」（【０００５】〜【０００８】）
　
５．対比・判断 
５−１．刊行物１との対比について
　上記摘記事項（１−１）には、プラズマにより消耗する部位の表面平滑度がＲｍａｘ１０μｍ以下であるシリコンからなるプラズマエッチング用電極板が記載され、上記摘記事項（１−２）には、平行平板型プラズマエッチング用電極板に関するものであることが記載され、上記摘記事項（１−４）には、Ｒａ（中心線表面粗さ）が１．０μｍ以下であればさらに好ましいことも記載されているので、刊行物１には、「プラズマにより消耗する部位の表面平滑度がＲａが１．０μｍ以下で、Ｒｍａｘ１０μｍ以下であるシリコンからなる平行平板型プラズマエッチング用電極板」（以下、「刊行物１発明」という。）が開示されているといえる。
　そこで、本件発明と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「シリコン」「プラズマにより消耗する部位」「表面平滑度」「平行平板型プラズマエッチング用電極板」は、本件発明の「金属シリコン」「プラズマで消耗する部分」「表面粗さ」「平行平板型プラズマエッチング電極」に相当するので、両者は、「平行平板型プラズマエッチング電極のプラズマで消耗する部分が金属シリコンにて形成され、表面粗さが規定されたプラズマエッチング電極」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点イ：金属シリコンで形成されたプラズマエッチング電極の表面粗さについて、本件発明では、Ｒａ０．００１〜０．０１５μｍ、Ｒｍａｘ０．０１〜０．１５μｍであるのに対して、刊行物１発明では、Ｒａが１．０μｍ以下で、Ｒｍａｘ１０μｍ以下であるとされている点。 
　
　刊行物１発明では、Ｒａが１．０μｍ以下で、Ｒｍａｘ１０μｍ以下であるとされ、Ｒａ、Ｒｍａｘの下限は限定されていないが、上記摘記事項（１−６）にみられるように、明細書全体を通して、最も表面粗さの小さいものでも、Ｒｍａｘ０．１８μｍ、Ｒａ０．０３μｍのものしか認識されていないから、その表面粗さより更に小さいＲａが０．００１〜０．０１５μｍでＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍである表面粗さが記載されているとすることはできず、また、その表面粗度の範囲が、金属シリコンで形成されたプラズマエッチング電極の技術分野で自明のものとはいえないので、本件発明は、刊行物１に記載された発明とはいえない。
　
　次に、相違点イの容易性について検討する。
　上記摘記事項（１−６）から、Ｒａ，Ｒｍａｘが小さくなるにつれて、粒子数が減少することは示されているものの、上記摘記事項（１−１）（１−４）から表面平滑度がＲｍａｘ１０μｍ以下で、Ｒａ１μｍ以下であることが粒子数を減らす上で重要であるという認識であり、Ｒａが０．００１〜０．０１５μｍでかつＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍである表面粗度範囲については何らの記載も示唆もない。
　そして、刊行物２には、ガラス状炭素を材質とした例が記載されており、上記摘記事項（２−５）から、Ｒａ，Ｒｍａｘが小さくなるにつれて、粒子数が減少することは示されているものの、上記摘記事項（２−１）（２−３）から表面平滑度がＲｍａｘ６μｍ以下で、Ｒａある０．５μｍ以下であることが粒子数を減らす上で重要であるという認識であり、Ｒａが０．００１〜０．０１５μｍでかつＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍである表面粗度範囲については何らの記載も示唆もない。
　さらに、刊行物３には、シリコンウエハの表面粗さとして、１次鏡面研磨工程で、化学研磨工程を終了したシリコンウェーハを一般的には表面粗さＲａが０．７０〜１．００ｎｍ、つまり０．０００７〜０．００１μｍ、Ｒｍａｘに相当する表面粗さＲｔが４．５０〜７．００ｎｍ程度、つまり、０．００４５〜０．００７μｍ程度になるまで研磨することの記載はあるものの、シリコンウエハに関するものであり、その数値範囲としても、Ｒａが０．００１〜０．０１５μｍでかつＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍの範囲のものが示されているわけでもない。
　その他、プラズマエッチング電極の技術分野において、Ｒａが０．００１〜０．０１５μｍでかつＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍである表面粗度範囲のものが周知であるといえず、そのため、その範囲で臨界的に粒子が減少することの認識がない以上、相違点イについて、刊行物１〜３の記載から当業者が容易に想到しうるとはいえない。
　そして、上記発明特定事項により、臨界的に粒子を減少させ、エッチング工程での粒子を極端に減少させることができ、歩留まりよく、高精度なプラズマエッチングが可能であるという顕著な効果を奏している。
　したがって、本件発明は、刊行物１を主引例として、刊行物１〜３に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
５−２．刊行物２との対比について
　上記摘記事項（２−１）には、プラズマにより消耗する部位の表面平滑度がＲｍａｘ６μｍ以下であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板が記載され、上記摘記事項（２−３）には、Ｒａ（中心線表面粗さ）が０．５μｍ以下であればさらに好ましいことも記載されているので、刊行物２には、「プラズマにより消耗する部位の表面平滑度がＲａが０．５μｍ以下で、Ｒｍａｘ６μｍ以下であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板」（以下、「刊行物２発明」という。）が開示されているといえる。
　そこで、本件発明と刊行物２発明とを対比すると、刊行物２発明の「ガラス状炭素」「プラズマにより消耗する部位」「表面平滑度」「プラズマエッチング用電極板」は、本件発明の「ガラス状カーボン」「プラズマで消耗する部分」「表面粗さ」「平行平板型プラズマエッチング電極」に相当するので、両者は、「プラズマエッチング電極のプラズマで消耗する部分がガラス状カーボンにて形成され、表面粗さが規定されたプラズマエッチング電極」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点ロ：本件発明では、プラズマエッチング電極の型が平行平板型であるとされているのに対して、刊行物２発明では、特定されていない点。
　相違点ハ：ガラス状カーボンで形成されたプラズマエッチング電極の表面粗さについて、本件発明では、Ｒａ０．００１〜０．０１５μｍ、Ｒｍａｘ０．０１〜０．１５μｍであるのに対して、刊行物２発明では、Ｒａが０．５μｍ以下で、Ｒｍａｘ６μｍ以下であるとされている点。 
　
　刊行物２発明では、Ｒａが０．５μｍ以下で、Ｒｍａｘ６μｍ以下であるとされ、Ｒａ、Ｒｍａｘの下限は限定されていないが、上記摘記事項（２−５）にみられるように、明細書全体を通して、最も表面粗さの小さいものでも、Ｒｍａｘ０．１８μｍ、Ｒａ０．０４μｍのものしか認識されていないから、その表面粗さより更に小さいＲａが０．００１〜０．０１５μｍでＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍである表面粗さが記載されているとすることはできず、また、その表面粗度の範囲が、ガラス状カーボンで形成されたプラズマエッチング電極の技術分野で自明のものとはいえないので、本件発明は、刊行物２に記載された発明とはいえない。
　
　次に、上記相違点の容易性について検討する。
　相違点ハについて、上記摘記事項（２−５）から、Ｒａ，Ｒｍａｘが小さくなるにつれて、粒子数が減少することは示されているものの、上記摘記事項（２−１）（２−３）から表面平滑度がＲｍａｘ６μｍ以下で、Ｒａ０．５μｍ以下であることが粒子数を減らす上で重要であるという認識であり、Ｒａが０．００１〜０．０１５μｍでかつＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍである表面粗度範囲については何らの記載も示唆もない。
　そして、刊行物1には、シリコンを材質とした例が記載されているものの、５−１．で述べたように、Ｒａが０．００１〜０．０１５μｍでかつＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍである表面粗度範囲については何らの記載も示唆もない。
　さらに、刊行物３は、シリコンウエハの表面粗さに関するもので材質も異なり、５−１．で述べたように、Ｒａが０．００１〜０．０１５μｍでかつＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍの範囲のものが示されているわけでもない。
　その他、プラズマエッチング電極の技術分野において、Ｒａが０．００１〜０．０１５μｍでかつＲｍａｘ０．０１〜０．１５μｍである表面粗度範囲のものが周知であるといえず、そのため、その範囲で臨界的に粒子が減少することの認識がない以上、相違点ハについて、当業者が容易に想到しうるとはいえない。
　そして、上記発明特定事項により、臨界的に粒子を減少させ、エッチング工程での粒子を極端に減少させることができ、歩留まりよく、高精度なプラズマエッチングが可能であるという顕著な効果を奏している。
　したがって、相違点ロについては検討するまでもなく、本件発明は、刊行物２を主引例としても、刊行物１〜３に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年４月２７日（２００５．４．２７）