【事件の表示】
　特許第３２７５５０５号「ポジ型レジスト組成物」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２７５５０５号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯・本件発明
　特許第３２７５５０５号の請求項１、２に係る発明は、平成５年１２月２日に出願され、平成１４年２月８日にその特許の設定の登録がなされ、その後、鈴木三男より特許異議申立がなされたものであり、請求項１，２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　（ａ）アルカリ可溶性フェノール樹脂、（ｂ）下記の一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルからなる感光剤、及び（ｃ）フェノール性ヒドロキシル基を持つ芳香族化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
  
ｋ：１または２である。
ｍ：１または２である。
Ｒ1〜Ｒ4：ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、またはアシル基であり、それぞれ同一または相異なっていてもよい。
Ｒ5〜Ｒ10：水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、またはアシル基であり、それぞれ同一または相異なっていてもよい。
Ｘ：単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯ2−、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、フェニレン、
【化２】
　（Ｒ11及びＲ12：水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、または置換アリール基であり、それぞれ同一または相異なっていてもよい。）、
【化３】
　（Ｒ13〜Ｒ16：水素原子またはアルキル基であり、それぞれ同一または相異なっていてもよい。ｎ：１〜５の整数である。）、または
【化４】
　（Ｒ17〜Ｒ20：水素原子またはアルキル基であり、それぞれ同一または相異なっていてもよい。）
　からなる連結基である。
　　【請求項２】　一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化合物が、下記の一般式（ＩＩ）で表される化合物である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【化５】
Ｒ21〜Ｒ22：水素原子またはアルキル基であり、それぞれ同一または相異なっていてもよい。」
　
　２．特許異議申し立てのについての当審の判断　
　2.1　特許異議申立の概要　
　　特許異議申立人　鈴木三男は、
　　本件請求項１および２に係る発明は、
　甲第１号証：特開平３−２２８０５７号公報　
　甲第２号証：特開平５−２１６２２０号公報　
　甲第３号証：大津隆行外１名著「高分子合成の実験法」株式会社化学同人（第１版第１刷　１９７２年３月１日発行）第３４５頁　
　甲第４号証：ヨーロッパ特許出願公開第５７０８８４号公報　
　甲第５号証：特開昭６２−１０６４６号公報　
　に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない、と主張する。　
　2.2　対比判断
　2.2.1　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）について
　本件発明１は、感度、残膜率、解像度及びパターン形状などの諸特性のバランスが優れた、特に１μｍ以下の微細加工に適したポジ型レジスト組成物を提供することにあり、その実施例においては０．３６μｍの解像度が達成されている。（本件明細書段落【０００７】、実施例１〜１４）
　一方、甲第１号証に記載の発明は、アルカリ可溶性樹脂、ポリヒドロキシ化合物と１，２−ナフトキノンジアジド−５−（及び／又は−４−）スルホニルクロリドとの反応で得られる感光物、を含有する高感度かつ高解像力を示すポジ型フォトレジスト組成物に関するものである。（特許請求の範囲、「発明が解決しようとする問題点」）
　そして、該ポリヒドロキシ化合物として、［VII'］〜［XVIII'］の一般式が示され（一般式は省略）、該一般式に包含される２５種類のポリヒドロキシ化合物（但し、本件請求項１及び２に記載のポリヒドロキシ化合物とは相違する。）が化学構造を特定して例示されている（構造式は省略）。（第７〜９頁、第１１頁）
　また、実施例１〜１２には、特定のポリヒドロキシ化合物（但し、本件請求項１及び２に記載のポリヒドロキシ化合物とは相違する。）を使用したレジスト組成物の試験がなされ、解像力が０．６５〜０．７０μｍであったことが示されている。（第１３頁右上欄第２０行〜第１８頁左上欄第１３行）
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載の事項とを対比すると、甲第１号証に記載の一般式［VII'］〜［XVIII'］で表されるポリヒドロキシ化合物のなかには、本件発明１の一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化合物の上位概念に相当するものもある。
　しかしながら、甲第１号証に記載の該一般式では置換基等の結合位置を特定して示すものではなく、また、発明の詳細な説明の項に記載の例示化合物及び実施例には、本件発明１の一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロシキ化合物が具体的に挙げられていないのであるから、甲第１号証に本件発明１の一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化合物が実質的に開示されているとはいえない。
　そうすると、本件発明１と甲第１号証に記載の事項とは、「アルカリ可溶性フェノール樹脂、ポリヒドロキシ化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルからなる感光剤を含有するポジ型レジスト組成物」で一致し、次の点で相違する。
　相違点１：本件発明１では、一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルをポジ型レジスト組成物の成分としているが、甲第１号証で用いるポリヒドロキシ化合物とは化学構造が相違している。
　相違点２：本件発明１のポジ型レジスト組成物が「フェノール性ヒドロキシル基を持つ芳香族化合物」を含有するのに対し、甲第１号証にはそのような化合物についての記載はない。
　相違点について検討する。
　相違点１について
 甲第２号証には、「メチレン基を介してヒドロキシベンゼン系核が結合してなるオリゴマーに感光基が結合してなる感光性化合物」に関し（特許請求の範囲）、その実施例−１では、「下記オリゴマーを用いてなる感光性化合物を得、これをフォトレジストとして使用して、そのレジストパターン形成性を調べた。
　【化１】
　
　ｎは０〜１０程度とした。
　上記化合物をバラスト材料として用い、感光基としてナフトキノンジアジド系の感光基を導入して、感光性化合物とした」こと、「この種のバラスト材料としては、４核体、５核体のように、各種のものが合成できる」ことが記載されている。（段落【００１４】〜【００１６】、【００１９】）
　上記構造式において、ｎ＝４としたときの化合物は、本件発明１の一般式（Ｉ）に含まれるポリフェノール化合物ではあるが、該ポリフェノール化合物のナフトキノンジアジド系の感光基とが結合した感光性化合物を、本件発明１のごとく「(c)フェノール性ヒドロキシル基を持つ芳香族化合物」とともに用いることによって、０．３６μｍの高解像度を達成できることを示唆するものは見あたらない。
　したがって、甲第２号証には、相違点１に係る本件発明１の一般式（Ｉ）に含まれるポリフェノール化合物の１種を用いた感光性化合物が示唆されているにすぎない。
　甲第３号証には、４核体のフェノール樹脂の合成について記載されていて、ポジ型フォトレジストに適用することを記載又は示唆するものではない。
　甲第４及び５号証には、メチレン基を介して３個のフェノールが結合したポリヒドロキシ化合物を用いたポジ型フォトレジストが記載されているが、該化合物と本件発明１の一般式（Ｉ）で表される４個のフェノールが結合したポリヒドロキシ化合物とが同等に使用できることを示すものは見あたらない。
　したがって、甲第２ないし５号証に上記相違点１に係る本件発明１の構成要件を記載又は示唆するものはない。
　相違点２について、
　相違点２に係る本件発明１の構成要件については、甲第４号証に記載のポジ型フォトレジストにおいて、「(c)フェノール性ヒドロキシル基を持つ芳香族化合物」に含まれる化合物が添加剤として用いられているが、甲第４号証にはメチレン基を介して３個のフェノールが結合したポリヒドロキシ化合物を用いたポジ型フォトレジストに関するものであり、本件発明１の一般式（Ｉ）で表されるフェノールが４個結合したポリヒドロキシ化合物を有するレジスト組成物の添加剤として有用であることを記載又は示唆するものではない。
　また、甲第２、３，５号証にも、上記相違点２に係る本件発明１の構成要件を記載又は示唆するものはない。
　
　以上のとおりであるから、本件発明１が甲第１ないし５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　2.2.2　請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明の「一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化合物」を更に限定するものであるから、請求項１に係る発明と同様の理由で、甲第１ないし５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
　３．まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めない。　
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により上記の通り決定する
【異議決定日】
平成１５年２月１４日（２００３．２．１４）