【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
【図１】図１は、３つの反応物質入口ノズルを有するレーザー熱分解装置を示す概略図である。
【図２】図２は、反応物質供給システムを示す概略図である。
【図３】図３は、環状流れ通路を含む反応物質入口ノズルを示す斜視側面図である。
【図４】図４は、図３の反応物質入口ノズルを部分的に分解した形態で示す、部分分解斜視側面図である。
【図５】図５は、図３の反応物質入口ノズルを図３の５−５線に沿って断面した斜視断面図である。
【図６】図６は、図３の反応物質入口ノズルを、図５に示したものと同じ断面で、しかも見やすさのために流れ通路及び対応構造の寸法を拡大した状態で示す側方断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図３の反応物質入口ノズルを示す頂面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、楕円形横断面形状を有する流管を含む反応物質入口ノズルの別の態様を示す頂面図である。
【図８】図８は、単一の反応物質入口ノズルと単一の捕集装置とを含むレーザー熱分解装置を示す斜視図である。
【図９】図９は、隣接する方形流れ通路を含む反応物質入口ノズルを、図１０の９−９に沿って示す側方断面図である。
【図１０】図１０は、図９の反応物質入口ノズルを示す頂面図である。
【図１１】図１１は、図９の反応物質入口ノズルを示す側面図である。
【図１２】図１２は、図９の反応物質入口ノズルの開口の、流れ通路だけを示す頂面図である。
【図１３】図１３は、印刷された基体を示す概略図である。
【図１４】図１４は、約０．３９ａｔ％のリン・ドーパントを含むシリコン粒子を第１の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図１５】図１５は、約０．３９ａｔ％のリン・ドーパントを含むシリコン粒子を第２の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図１６】図１６は、約２．５ａｔ％のリン・ドーパントを含むシリコン粒子を第１の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図１７】図１７は、約２．５ａｔ％のリン・ドーパントを含むシリコン粒子を第２の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図１８】図１８は、約２．３ａｔ％〜約２．７ａｔ％のリン・ドーパントを含むシリコン粒子を第１の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図１９】図１９は、約２．３ａｔ％〜約２．７ａｔ％のリン・ドーパントを含むシリコン粒子を第２の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図２０】図２０は、約２．３ａｔ％〜約２．７ａｔ％のリン・ドーパントを含むシリコン粒子を第３の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図２１】図２１は、約３９ａｔ％のホウ素ドーパントを含むシリコン粒子を第１の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図２２】図２２は、約３９ａｔ％のホウ素ドーパントを含むシリコン粒子を第２の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図２３】図２３は、約３９ａｔ％のホウ素ドーパントを含むシリコン粒子を第３の倍率で撮影したＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図２４】図２４は、平均一次粒径２５ｎｍのシリコン粒子を含む分散体に対するＤＬＳ測定から得られた二次粒径に対する強度のプロットである。
【図２５】図２５は、平均一次粒径９ｎｍのシリコン粒子を含む分散体に対するＤＬＳ測定から得られた二次粒径に対する強度のプロットである。
【図２６】図２６は、エチレングリコールを含む分散体に対するＤＬＳ測定から得られた二次粒径に対する強度のプロットである。
【図２７】図２７は、テルピノール（ｔｅｒｐｉｎｏｒ）及びシリコン粒子を含む分散体に対するＤＬＳ測定から得られた二次粒径に対する強度のプロットである。
【図２８】図２８は、１つのノズルから第１インクをインクジェットするストロボスコープ画像である。
【図２９】図２９は、硬化された印刷されたインク液滴を示すフォトグラフィ画像である。
【図３０】図３０は、異なる溶媒ブレンドを含むインクの剪断速度に対する剪断応力のプロットを含むグラフである。
【図３１ａ】図３１ａは、第２インクのストロボスコープ画像である。
【図３１ｂ】図３１ｂは、図３１ａの印刷された線を、印刷から１時間後に撮影したストロボスコープ画像である。
【図３２】図３２は、インク層上で測定された種々のパルス幅におけるレーザーフルエンスに対するシート抵抗のプロットを含むグラフである。
【図３３】図３３は、種々の焼結されたインク層上で測定されたパルス持続時間に対するフルエンス閾値のプロットである。
【図３４】図３４は、種々の焼結されたインク層の光学顕微鏡画像の複合体である。
【図３５】図３５は、種々の焼結されたインク層の深さに対するリン濃度のプロットを含むグラフである。
【図３６】図３６は、種々の焼結されたインク層のシート抵抗に対する少数キャリア拡散距離のプロットである。
【図３７】図３７は、ダイオードを示す概略図である。
【図３８】図３８は、スピン被覆されたインク層上に個々のセルを形成するレーザー焼結パターンを示す概略図である。
【図３９】図３９は、図３８に示されたセルの電圧に対する電流のプロットである。
【図４０】図４０は、シリコン粒子を含むペーストの時間に対する粘度のプロットである。
【図４１】図４１は、シリコン粒子を含むペーストの剪断速度に対する粘度のプロットである。
【図４２】図４２は、シミュレートされるスクリーン印刷の条件におけるペーストの時間に対する粘度のプロットである。
【図４３】図４３は、ｎ＋＋ドープ型シリコン粒子を含むペーストによって、第１幅を有するように印刷された線の光学顕微鏡画像である。
【図４４】図４４は、ｎ＋＋ドープ型シリコン粒子を含むペーストによって、第２幅を有するように印刷されたより広幅の線の光学顕微鏡画像である。
【図４５】図４５は、ｐ＋＋ドープ型シリコン粒子を含むペーストによって印刷された線の光学顕微鏡画像である。
【図４６】図４６は、剪断速度２ｓ-1における濃度に対する粘度のプロットである。
【図４７】図４７は、剪断速度１０００ｓ-1における濃度に対する粘度のプロットである。
【図４８】図４８は、遠心分離されていないインク試料に対してＤＬＳ分析を行うことによって生成された粒径に対する相対強度のプロットを含むグラフである。
【図４９】図４９は、遠心分離されたインク試料に対してＤＬＳ分析を行うことによって生成された粒径に対する相対強度のプロットを含むグラフである。
【図５０】図５０は、遊星ミリング処理又は浴超音波処理で処理されたインクに対してＤＬＳ分析を行うことによって生成された粒径に対する相対強度のプロットを含むグラフである。
【図５１】図５１は、種々の時間にわたってプローブ超音波処理されたインクに対してＤＬＳ分析を行うことによって生成された粒径に対する相対強度のプロットを含むグラフである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９７】
分散体を他の印刷アプローチに適した他の溶媒系中でも形成した。具体的には、分散体をエチレングリコール中で形成した。溶液は３〜７重量パーセント・シリコン粒子の濃度で形成した。二次粒径をＤＬＳによって測定するために、分散体を０．５重量パーセントＳｉナノ粒子まで希釈した。ＤＬＳ結果を図２６に示す。また、分散体をテルピノール中にも形成した。ここでもやはり、図２７に示されているように二次粒径をＤＬＳによって測定するために、分散体を０．５重量パーセント粒子まで希釈した。テルピノールを基剤とする溶媒系に対する二次粒径測定値は、エチレングリコールを基剤とする溶媒系中の粒径測定値と同様であった。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２４１】
上記具体的な態様は例示的且つ非制限的であるものとする。本明細書中に記載された広範な概念の中に更なる態様が含まれる。加えて、特定の態様を参照しながら本発明を説明してきたが、当業者には明らかなように本発明の思想及び範囲を逸脱することなしに形態及び詳細の変更を加えることもできる。上記文献を参照することによるいかなる組み込みも、本明細書中の明示的開示とは相容れないものが組み込まれることのないように制限される。
本発明としては、以下の態様が挙げられる：
《態様１》
約５０ナノメートル以下の平均一次粒径を有する少なくとも約１重量パーセントの元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子を含む分散体であって、
該分散体が良分散体であり、そして
該シリコン／ゲルマニウム粒子が、非溶媒系の化学結合型有機表面改質を有しない、分散体。
《態様２》
約３〜約２５重量パーセントの元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子を含む、態様１に記載の分散体。
《態様３》
該元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子の平均一次粒径が約１５ナノメートル以下である、態様１に記載の分散体。
《態様４》
該元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子のドーパント濃度が少なくとも０．５原子パーセントである、態様１に記載の分散体。
《態様５》
該分散体の金属汚染が約５００ｐｐｂｗ以下である、態様１に記載の分散体。
《態様６》
該元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子のドーパント濃度が、約１．０×１０-7〜約５．０×１０-3原子パーセントである、態様５に記載の分散体。
《態様７》
該ドーパントがリンである、態様６に記載の分散体。
《態様８》
該ドーパントがホウ素である、態様６に記載の分散体。
《態様９》
Ｚ平均二次粒径が約２００ｎｍ以下である、態様１に記載の分散体。
《態様１０》
Ｚ平均二次粒径が約１５０ｎｍ以下である、態様１に記載の分散体。
《態様１１》
少なくとも約５重量パーセントの元素シリコン・ナノ粒子と、約５重量パーセント〜約６５重量パーセントのアルコールと、約１０重量パーセント〜約８５重量パーセントの極性非プロトン性溶媒とを含んで成り、該分散体の粘度が約２ｍＰａ・ｓ〜約２５ｍＰａ・ｓであり、そして表面張力が約２０ダイン／ｃｍ〜約７０ダイン／ｃｍである、態様１に記載の分散体。
《態様１２》
少なくとも約５重量パーセントの元素シリコン・ナノ粒子と、沸点が約１６０℃以下の約０．２５重量パーセント〜約１０重量パーセントのアルコールと、沸点が少なくとも約１７５℃の約６５重量パーセント〜約９４．７５重量パーセントの液体とを含なり、該分散体の粘度が約１０Ｐａ・ｓ〜約３００Ｐａ・ｓである、態様１に記載の分散体。
《態様１３》
沸点が約１６０℃以下であり、粘度が約１０ｃＰ〜約８００ｃＰである、約０．５重量パーセント〜約３０重量パーセントのアルコールを含む、態様１に記載の分散体。
《態様１４》
約５０ナノメートル以下の平均一次粒径を有する少なくとも約１重量パーセントの元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子を含む分散体であって、該分散体が良分散体であり、総金属汚染が約１ｐｐｍｗ以下である、分散体。
《態様１５》
少なくとも約５重量パーセントの元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子を有する、態様１４に記載の分散体。
《態様１６》
平均一次粒径が約１００ｎｍ以下であり、総金属汚染レベルが約５ｐｐｍ以下であるシリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子集合体。
《態様１７》
該ナノ粒子が約１ｐｐｍ以下の鉄を含む、態様１６に記載のシリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子集合体。
《態様１８》
約５０ナノメートル以下の平均一次粒径を有する少なくとも約５重量パーセントの元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子と、沸点が約５５℃〜約１６０℃の約０．２５重量パーセント〜約１５重量パーセントの第１溶媒と、沸点が少なくとも約１７５℃の約６５重量パーセント〜約９４．７５重量パーセントの第２溶媒とを含んで成るペーストであって、該ペーストの粘度が、約１０Ｐａ・ｓ〜約３００Ｐａ・ｓである、ペースト。
《態様１９》
該第２溶媒がＮ−メチルピロリドン、エチレングリコール、プロピレングリコール、テルピノール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール（カルビトール）、ブチルセロソルブ、又はこれらの組み合わせを含む、態様１８に記載のペースト。
《態様２０》
該第１溶媒がイソプロピルアルコール、アセトン、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、又はこれらの組み合わせを含む、態様１８に記載のペースト。
《態様２１》
該元素シリコン・ナノ粒子が少なくとも０．５原子パーセントのドーパントを含む、態様１８に記載のペースト。
《態様２２》
粘度が約５０Ｐａ・ｓ〜約２５０Ｐａ・ｓである、態様１８に記載のペースト。
《態様２３》
約３０ナノメートル以下の平均一次粒径を有する少なくとも約１重量パーセントの元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子と、約１０重量パーセント〜約６０重量パーセントのアルコールと、約３０重量パーセント〜約８０重量パーセントの極性非プロトン性溶媒とを含んで成るインクであって、該インクの粘度が約０．１ｍＰａ・ｓ〜約１００ｍＰａ・ｓであり、そして表面張力が約２０ダイン／ｃｍ〜約７０ダイン／ｃｍである、インク。
《態様２４》
該元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子のＺ平均二次粒径が約２００ｎｍ以下である、態様２３に記載のインク。
《態様２５》
該元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子のドーパント濃度が少なくとも約０．５原子パーセントである、態様２３に記載のインク。
《態様２６》
該アルコールが、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、又はこれらの組み合わせを含む、態様２３に記載のインク。
《態様２７》
該極性非プロトン性溶媒が、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メチルエチルケトン、アセトニトリル、エチルアセテート、及びこれらの組み合わせを含む、態様２３に記載のインク。
《態様２８》
元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子でインクを調製する方法であって、
第１溶媒中に分散された元素シリコン・ナノ粒子の初期分散体に第２溶媒を添加することによって、該溶媒のブレンド中のナノ粒子の良分散体であるインクを形成することを含み、
該元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子が、有機化合物による非溶媒系の化学結合型有機表面改質を施されておらず、そして該第１溶媒と該第２溶媒とが混ざって単一相を形成する、インクを調製する方法。
《態様２９》
該第１溶媒の沸点が約５５℃〜約１６０℃であり、そして第２溶媒の沸点が少なくとも約１７５℃である、態様２８に記載の方法。
《態様３０》
該インクが、少なくとも約５重量パーセントの元素シリコン・ナノ粒子と、約０．２５重量パーセント〜約１５重量パーセントの該第１溶媒と、約６５重量パーセント〜約９４．７５重量パーセントの該第２溶媒とを含んで成る、態様２８に記載の方法。
《態様３１》
該第１溶媒がアルコールを含む、態様２８に記載の方法。
《態様３２》
該初期分散体が良分散体である、態様２８に記載の方法。
《態様３３》
所望の粒子濃度及び溶媒組成を達成するために、溶媒の一部を蒸発させることをさらに含んで成る、態様２８に記載の方法。
《態様３４》
該元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子のドーパント濃度が少なくとも約０．５原子パーセントである、態様２８に記載の方法。
《態様３５》
該ナノ粒子濃度を調節することに基づいて選択された粘度を有する、元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子を含むスクリーン印刷用ペーストを形成する方法であって、
沸点が約５５℃〜約１６０℃の第１溶媒と沸点が少なくとも約１７５℃の第２溶媒とのブレンドを含む溶媒中に該ナノ粒子を分散させることを含み、
該ペーストの粒子濃度が約１０重量パーセント〜約２０重量パーセントであり、そして該ペーストの剪断速度２ｓ-1における粘度が、約１０Ｐａ・ｓ〜約８００Ｐａ・ｓである、スクリーン印刷用ペーストを形成する方法。
《態様３６》
該ナノ粒子を分散させることが、
先ず第１溶媒中に該ナノ粒子を分散させることによって、予備の分散体を形成すること、
該予備の分散体に該第２溶媒を添加すること；そして
該所望のナノ粒子濃度を達成するために溶媒を蒸発させること
を含む、態様３５に記載の方法。
《態様３７》
所望の厚さのシリコン・ナノ粒子インクを印刷する方法であって、
該インクが約５０ナノメートル以下の平均一次粒径を有する少なくとも約１重量パーセントの元素シリコン／ゲルマニウム・ナノ粒子を含み、そして該インクが良分散体であり、
最初に該シリコン・ナノ粒子インクを印刷することにより、第１のシリコン・ナノ粒子堆積物を形成すること、そして
該印刷を必要に応じて１回又は２回以上繰り返すことにより、所望の厚さの該ナノ粒子インク堆積物を得ること
を含む、所望の厚さのシリコン・ナノ粒子インクを印刷する方法。
《態様３８》
２度目の印刷が、第１のシリコン・ナノ粒子堆積物とは異なる個所にもシリコン・ナノ粒子インクを堆積するパターンを有しながら、該第１のシリコン・ナノ粒子堆積物とオーバラップする該シリコン・インクの堆積物を形成する、態様３７に記載の方法。
《態様３９》
反応チャンバと、光源及び該反応チャンバを通して光ビームを供給するように構成された連携する光学素子と、反応物質リザーバを含む反応物質供給システムと、反応物質供給システムから該反応チャンバ内へ１種又は２種以上の反応物質を供給するように構成されたノズルと、該ノズルを起点として該反応チャンバから来た流れを受容するように構成された捕集システムとを含んで成るレーザー熱分解装置であって、
該ノズルが内側不活性ガス通路と、該内側不活性ガス通路を取り囲む中間反応物質通路と、該中間反応物質通路を取り囲む外側不活性ガス通路とを含み、該内側不活性ガス通路及び該外側不活性ガス通路が不活性ガス源に作動可能に接続されている、レーザー熱分解装置。
《態様４０》
該反応物質通路からの流れが事実上完全に該光ビームを通って流れるように該光ビームが構成されている、態様３９に記載のレーザー熱分解装置。
《態様４１》
該ノズルが、該外側不活性ガス通路を取り囲むエントレインメント通路をさらに含み、該エントレインメント通路が該不活性ガス源に作動可能に接続されている、態様３９に記載のレーザー熱分解装置。
《態様４２》
該内側不活性ガス通路と、該中間反応物質通路と、該外側不活性ガス通路とが、ほぼ同心の円筒形エレメントを含む、態様３９に記載のレーザー熱分解装置。
《態様４３》
該反応物質通路の内径が約０．０５インチ（１．２７ｍｍ）〜約３インチ（７６．２ｍｍ）である、態様４２に記載のレーザー熱分解装置。
《態様４４》
該反応物質通路の壁の厚さは約０．００２５インチ（０．０６３５ｍｍ）〜約０．０５０インチ（１．２７ｍｍ）である、態様４２に記載のレーザー熱分解装置。
《態様４５》
それぞれの通路を形成する管がハブを含み、該それぞれの支持ハブがシール部材と係合することにより、該ハブを通ってそれぞれの通路に通じるアクセス・ポートを有するノズルを形成している、態様４２に記載のレーザー熱分解装置。
《態様４６》
反応物質リザーバがガス状シリコン前駆体とドーパント前駆体とを含む、態様４２に記載のレーザー熱分解装置。
《態様４７》
レーザー熱分解によってナノ粒子を合成する方法であって、該方法は、反応を推進するために光ビームを使用して反応物質流を反応させることを含み、
環状リングを通って流される反応物質とともに、中心の内側流動通路を通って、そして該反応物質流を取り囲む外側ガス通路を通って流される不活性ガスとともに、反応物質流がノズルから始動させられ、
該光ビームからのエネルギーが生成物粒子を形成するための反応を推進するように、該反応物質流がほぼ完全に光ビームを通って流れる、ナノ粒子を合成する方法。
《態様４８》
該反応物質流がシリコン前駆体を含み、該生成物粒子が元素シリコンを含む、態様４７に記載の方法。
《態様４９》
該生成物元素シリコン粒子の平均一次粒径が約５０ｎｍ以下である、態様４８に記載の方法。
《態様５０》
反応チャンバと、光源及び該反応チャンバを通して光ビームを供給するように構成された連携する光学素子と、反応物質リザーバを含む反応物質供給システムと、反応物質供給システムから該反応チャンバ内へ１種又は２種以上の反応物質を供給するように構成されたノズルと、該ノズルを起点として該反応チャンバから来た流れを受容するように構成された捕集システムとを含んで成るレーザー熱分解反応器であって、
該ノズルが、幅及び長さを有する反応物質通路と、該反応物質通路の長さに沿って流れを提供するように配向された１つ又は２つ以上のクエンチ・ガス通路と、該不活性ガス通路の長さに沿って配向された１つ又は２つ以上のエントレインメント・ガス通路とを含み、該１つ又は２つ以上のクエンチ・ガス通路及び該１つ又は２つ以上のエントレインメント・ガス通路が不活性ガス源に作動可能に接続されており、そして該反応物質通路が該反応物質供給システムに作動可能に接続されており、そして該エントレインメント入口が該クエンチ・ガス通路の面積の少なくとも約２５％大きい面積を有している、レーザー熱分解反応器。
《態様５１》
該反応物質通路がほぼ方形であり、そして該光ビームの伝搬方向に沿った線が該反応物質通路の長い次元に対してほぼ垂直になるように配向されている、態様５０に記載のレーザー熱分解反応器。
《態様５２》
該反応物質通路が環状開口を有しており、該１つ又は２つ以上のクエンチ・ガス通路が、環状反応物質入口内部に配置された中心円形入口と、該環状反応物質入口を取り囲む環状入口とを含んでおり、そして該１つ又は２つ以上のエントレインメント入口が環状であって、該環状クエンチ・ガス入口の周りに配置されている、態様５０に記載のレーザー熱分解反応器。
《態様５３》
レーザー熱分解によってナノ粒子を合成する方法であって、該方法は、反応を推進するために光ビームを使用して反応物質流を反応させることを含み、
反応物質入口を通って流される反応物質とともに、該反応物質入口からの流れをほぼ取り囲むクエンチ・ガス入口を通って流される不活性ガスおよび該不活性クエンチ・ガス流をほぼ取り囲む外側ガス通路を通って流れる不活性エントレインメント・ガスとともに、反応物質流がノズルから始動させられ、該反応物質流は、光ビームからのエネルギーが生成物粒子を形成するための反応を推進するように、ほぼ完全に該光ビームを通って流れ、そして、
該エントレインメント・ガス流が該不活性クエンチ・ガス流よりも少なくとも約２５％大きい体積であり、そしてエントレインメント・ガス流が、不活性クエンチ・ガス流よりも高い速度で該ノズルを出る、ナノ粒子を合成する方法。
《態様５４》
反応チャンバと、光源および該反応チャンバを通して光ビームを供給するように構成された連携する光学素子と、反応物質リザーバを含む反応物質供給システムと、反応物質供給システムから該反応チャンバ内へ１種又は２種以上の反応物質を供給するように構成されたノズルと、該ノズルを起点として該反応チャンバから来た流れを受容するように構成された捕集システムとを含んで成るレーザー熱分解装置であって、
装置内部の流れが該装置から生じた金属汚染物質に晒されるのを軽減するように、該反応チャンバの内部の少なくとも一部、該反応チャンバの内部又は反応物質流に晒されるノズルの少なくとも一部、該反応チャンバからの流れに晒される該捕集システムの少なくとも一部が、ポリマー、セラミック材料、又はこれらの組み合わせで被覆されている、レーザー熱分解装置。
《態様５５》
該反応チャンバの内部がポリテトラフルオロエチレンで被覆されている、態様５４に記載のレーザー熱分解装置。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０ナノメートル以下の平均一次粒径を有する少なくとも１重量パーセントの元素シリコン、元素ゲルマニウム、これらの合金、又はこれらの混合物のナノ粒子を含む分散体であって、
該分散体が良分散体であり、
溶媒がテルピノール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール（カルビトール）、ブチルセロソルブ、又はこれらの組み合わせを含み、かつ
０．６Ｐａ・ｓ〜８００Ｐａ・ｓの粘度を有する、
分散体。
【請求項２】
３〜２５重量パーセントの前記ナノ粒子を含む、請求項１に記載の分散体。
【請求項３】
前記ナノ粒子の平均一次粒径が１５ナノメートル以下である、請求項１に記載の分散体。
【請求項４】
前記ナノ粒子のドーパント濃度が少なくとも０．５原子パーセントである、請求項１に記載の分散体。
【請求項５】
該分散体の金属汚染が５００ｐｐｂｗ以下である、請求項１に記載の分散体。
【請求項６】
前記ナノ粒子のドーパント濃度が、１．０×１０−７〜５．０×１０−３原子パーセントである、請求項５に記載の分散体。
【請求項７】
該ドーパントがリンである、請求項６に記載の分散体。
【請求項８】
該ドーパントがホウ素である、請求項６に記載の分散体。
【請求項９】
Ｚ平均二次粒径が２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の分散体。
【請求項１０】
Ｚ平均二次粒径が１５０ｎｍ以下である、請求項１に記載の分散体。
【請求項１１】
少なくとも５重量パーセントの元素シリコンのナノ粒子と、５重量パーセント〜６５重量パーセントのアルコールと、１０重量パーセント〜８５重量パーセントの極性非プロトン性溶媒とを含んで成る、請求項１に記載の分散体。
【請求項１２】
少なくとも５重量パーセントの元素シリコンのナノ粒子と、沸点が１６０℃以下の０．２５重量パーセント〜１０重量パーセントのアルコールと、沸点が少なくとも１７５℃の６５重量パーセント〜９４．７５重量パーセントの液体とを含み、該分散体の粘度が１０Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓである、請求項１に記載の分散体。
【請求項１３】
スクリーン印刷用である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の分散体。
【請求項１４】
５０ナノメートル以下の平均一次粒径を有する少なくとも５重量パーセントの元素シリコン、元素ゲルマニウム、これらの合金、又はこれらの混合物のナノ粒子と、沸点が５５℃〜１６０℃の０．２５重量パーセント〜１５重量パーセントの第１溶媒と、沸点が少なくとも１７５℃の６５重量パーセント〜９４．７５重量パーセントの第２溶媒とを含んで成るペーストであって、該ペーストの粘度が、１０Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓである、ペースト。
【請求項１５】
該第２溶媒がＮ−メチルピロリドン、エチレングリコール、プロピレングリコール、テルピノール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール（カルビトール）、ブチルセロソルブ、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１４に記載のペースト。
【請求項１６】
該第１溶媒がイソプロピルアルコール、アセトン、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１４に記載のペースト。
【請求項１７】
該元素シリコン・ナノ粒子が少なくとも０．５原子パーセントのドーパントを含む、請求項１４に記載のペースト。
【請求項１８】
粘度が５０Ｐａ・ｓ〜２５０Ｐａ・ｓである、請求項１４に記載のペースト。
【請求項１９】
スクリーン印刷用である、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載のペースト。
【請求項２０】
ナノ粒子濃度を調節することに基づいて選択された粘度を有する、元素シリコン、元素ゲルマニウム、これらの合金、又はこれらの混合物のナノ粒子を含むスクリーン印刷用ペーストを形成する方法であって、
沸点が５５℃〜１６０℃の第１溶媒と沸点が少なくとも１７５℃の第２溶媒とのブレンドを含む溶媒中に該ナノ粒子を分散させることを含み、
該ペーストの粒子濃度が１重量パーセント〜２０重量パーセントであり、そして該ペーストの剪断速度２ｓ-1における粘度が、０．６Ｐａ・ｓ〜８００Ｐａ・ｓである、スクリーン印刷用ペーストを形成する方法。
【請求項２１】
該ナノ粒子を分散させることが、
先ず第１溶媒中に該ナノ粒子を分散させることによって、予備の分散体を形成すること、
該予備の分散体に該第２溶媒を添加すること；そして
該所望のナノ粒子濃度を達成するために溶媒を蒸発させること
を含む、請求項２０に記載の方法。