(57)【要約】【課題】少ない工程で容易に製造することが可能な積層磁心を提供する。【解決手段】積層磁心１００は、軟磁性を有する複数のナノ結晶層１０１と、複数のナノ結晶層の間に設けられた接着層１０２とを備える。複数のナノ結晶層１０１の各々は、複数のナノ結晶片に分かれている。隣り合うナノ結晶層１０１の各々は、異なる形状のナノ結晶片１０３から構成されることが望ましく、ナノ結晶片は、例えば、平均面積が１．５ｃｍ２以下である。複数のナノ結晶層１０１に含まれるナノ結晶の平均粒径は、例えば５０ｎｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性を有する複数のナノ結晶層と、
前記複数のナノ結晶層の間に設けられた接着層とを備え、
前記複数のナノ結晶層の各々は、複数のナノ結晶片に分かれている
ことを特徴とする積層磁心。
【請求項２】
隣り合う前記ナノ結晶層の各々は、異なる形状のナノ結晶片から構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の積層磁心。
【請求項３】
前記ナノ結晶片は、平均面積が１．５ｃｍ２以下である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層磁心。
【請求項４】
前記複数のナノ結晶層に含まれるナノ結晶の平均粒径が、５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の積層磁心。
【請求項５】
軟磁性を有する複数のナノ結晶薄帯が接着及び積層された積層体を作製することと、
前記積層体を打ち抜くこととを含む
ことを特徴とする積層磁心の製造方法。
【請求項６】
前記積層体を加圧することによって、前記積層体に含まれる複数のナノ結晶薄帯の少なくとも一部をナノ結晶片に割ることをさらに含む
ことを特徴とする請求項５に記載の積層磁心の製造方法。
【請求項７】
前記積層体を打ち抜くことは、前記ナノ結晶片を含む積層体を打ち抜くことである
ことを特徴とする請求項６に記載の積層磁心の製造方法。
【請求項８】
前記ナノ結晶片に割ることは、打ち抜かれた前記積層体を加圧することによって、前記積層体に含まれる複数のナノ結晶薄帯の少なくとも一部をナノ結晶片に割ることである
ことを特徴とする請求項６に記載の積層磁心の製造方法。
【請求項９】
前記積層体を作製することは、
前記ナノ結晶薄帯の一面に、接着剤を含む接着層を設けることと、
前記接着層を設けたナノ結晶薄帯に、前記接着層を挟んで他の前記ナノ結晶薄帯を重ね合わせることと、
前記接着層を設けて重ね合わせたナノ結晶薄帯を圧着することとを含む
ことを特徴とする請求項５から８のいずれか１項に記載の積層磁心の製造方法。
【請求項１０】
前記積層体を作製することは、
前記複数のナノ結晶薄帯を重ね合わせることと、
前記複数のナノ結晶薄帯に接着剤を含浸させることとを含む
ことを特徴とする請求項５から８のいずれか１項に記載の積層磁心の製造方法。
【請求項１１】
複数のアモルファス薄帯を熱処理することによって前記複数のナノ結晶薄帯を得ることをさらに含む
ことを特徴とする請求項５から１０のいずれか１項に記載の積層磁心の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層磁心及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層磁心は、薄帯又は薄板が樹脂などにより接着されることで積層した磁心であり、モータ、変成器、スイッチング電源回路、共振型電源、磁気スナバ、高周波トランス、ノイズフィルタ、チョークコイルなどの電気部品や電気機器に利用される。アモルファス中に微細なαＦｅ（Ｓｉ）結晶を含むナノ結晶材を積層磁心の薄帯又は薄板の材料として採用することで、高飽和磁束密度を実現できるため、上述の電気部品や電気機器の高効率化が可能になる。
【０００３】
例えば特許文献１は、金型等刃物により打ち抜くことが可能なアモルファス薄帯の作製方法を開示する。そして、特許文献１は、そのアモルファス薄帯に熱処理を施すことによって、ナノ結晶薄帯を得られることを開示する。
【０００４】
また例えば、特許文献２は、組織の少なくとも５０％以上が平均結晶粒径５０ｎｍ以下のｂｃｃＦｅの微細結晶粒からなり、残部が非晶質合金相からなるＦｅ基合金を開示する。このｂｃｃＦｅの微細結晶粒は、後述する組成の合金（溶湯）を急冷し、ほぼ非晶質相の単相組織あるいは一部結晶相を析出させた後、構造緩和を引き起こす温度にて熱処理を施した後、非晶質相を結晶化温度以上に加熱後に冷却されて析出されたものである、と開示されている。
【０００５】
そして、上述の合金の組成は、（Ｆｅ１−ａ  Ｃｏａ）１００−ｘ−ｙ−ｚＭｘＭ’ｙＭ’’ｚＸｔＢｗであると開示されている。ただし、Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎのうち１種または２種以上であり、Ｍ’は、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｙを含む希土類元素のうち１種または２種以上であり、Ｍ’’は、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｐｒのうち１種または２種以上であり、Ｘは、Ｐ、Ｃ、Ｓｉのうち１種または２種以上である、と開示されている。また、組成比を示すa、x、y、z、t、wは、０≦a≦０.０５、１原子％≦x≦３０原子％、０≦y≦１０原子％、０≦z≦５原子％、０≦t≦１０原子％、０.５原子％≦w≦２０原子％である、と開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、急冷により得られたものを構造緩和を引き起こす熱処理後に所望の形状に成形加工あるいは機械加工した後に結晶化のための熱処理を施してもよいことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００８／１３３３０２号
【特許文献２】特開２００２−０５３９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１の開示を参照すると、例えば刃物により打ち抜いたアモルファス薄帯に熱処理を施すことによって、所望の形状のナノ結晶薄帯を得ることができると考えられる。そして、所望の形状に打ち抜かれた複数のナノ結晶薄帯を周知の方法で接着することで、積層磁心を作製することが考えられる。
【０００９】
また、特許文献２の開示を参照すると、例えば、上述の組成の合金（溶湯）を急冷したものに、構造緩和を引き起こす熱処理を施した後に、刃物により所望の形状に合金を打ち抜いて、結晶化のための熱処理を施すことが考えられる。これにより、所望の形状のナノ結晶薄帯を得ることができると考えられる。そして、所望の形状の複数のナノ結晶薄帯を周知の方法で接着することで、積層磁心を作製することが考えられる。
【００１０】
上述の積層磁心を作製する方法では、アモルファス薄帯を１枚ずつ打ち抜くため、打ち抜く回数が多くなり、その結果、積層磁心を製造するために必要となる工程が多くなる。
【００１１】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、少ない工程で容易に所望の形状に加工して製造することが可能な積層磁心などを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係る積層磁心は、
軟磁性を有する複数のナノ結晶層と、
前記複数のナノ結晶層の間に設けられた接着層とを備え、
前記複数のナノ結晶層の各々は、複数のナノ結晶片に分かれている
ことを特徴とする。
【００１３】
隣り合う前記ナノ結晶層の各々は、異なる形状のナノ結晶片から構成されてもよい。
【００１４】
前記ナノ結晶片は、平均面積が１．５ｃｍ２以下であってもよい。
【００１５】
前記複数のナノ結晶層に含まれるナノ結晶の平均粒径が、５０ｎｍ以下であってもよい。
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明に係る積層磁心の製造方法は、
軟磁性を有する複数のナノ結晶薄帯が接着及び積層された積層体を作製することと、
前記積層体を打ち抜くこととを含む。
【００１７】
積層磁心の製造方法は、前記積層体を加圧することによって、前記積層体に含まれる複数のナノ結晶薄帯の少なくとも一部をナノ結晶片に割ることをさらに含んでもよい。
【００１８】
前記積層体を打ち抜くことは、前記ナノ結晶片を含む積層体を打ち抜くことであってもよい。
【００１９】
前記ナノ結晶片に割ることは、打ち抜かれた前記積層体を加圧することによって、前記積層体に含まれる複数のナノ結晶薄帯の少なくとも一部をナノ結晶片に割ることであってもよい。
【００２０】
前記積層体を作製することは、
前記ナノ結晶薄帯の一面に、接着剤を含む接着層を設けることと、
前記接着層を設けたナノ結晶薄帯に、前記接着層を挟んで他の前記ナノ結晶薄帯を重ね合わせることと、
前記接着層を設けて重ね合わせたナノ結晶薄帯を圧着することとを含んでもよい。
【００２１】
前記積層体を作製することは、
前記複数のナノ結晶薄帯を重ね合わせることと、
前記複数のナノ結晶薄帯に接着剤を含浸させることとを含んでもよい。
【００２２】
複数のアモルファス薄帯を熱処理することによって前記複数のナノ結晶薄帯を得ることをさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、少ない工程で容易に所望の形状に加工して製造することが可能になる。また、高周波での渦損を低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る積層磁心の外観斜視図である。
【図２】実施の形態１に係る積層体が積層磁心製造装置により作製される工程を示す図である。
【図３】実施の形態１に係る積層磁心製造装置により作製されて打ち抜かれた積層体の斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る積層磁心の外観斜視図である。
【図５】実施の形態２に係る積層体が積層磁心製造装置により作製される工程を示す図である。
【図６】実施の形態２に係る積層磁心製造装置により作製されて打ち抜かれた積層体の斜視図である。
【図７】変形例３に係る積層体が積層磁心製造装置により作製される工程を示す図である。
【図８】実施例１〜３及び比較例１での調査及び測定の結果を示す図である。
【図９】実施例４及び比較例２〜４での調査及び測定の結果を示す図である。
【図１０】実施例５〜８での調査及び測定の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。全図を通じて同一の要素には同一の符号を付す。
【００２６】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る積層磁心１００は、図１に示すように、Ｚ軸方向に積み重なった６つのナノ結晶層１０１と、６つのナノ結晶層１０１の間のそれぞれに設けられた５つの接着層１０２とを備えた円柱形の磁心であって、Ｚ軸方向の貫通孔を有する。
【００２７】
ここで、本願では、積層磁心１００においてナノ結晶層１０１が積層される方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面上で直交する方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、図１、図３、図４、図６は、これらの正方向を矢印で示している。これらの方向を示す用語は、説明のために用いるものであって、本発明を限定する趣旨ではない。
【００２８】
なお、積層磁心１００に含まれるナノ結晶層１０１の数は、６つに限られず、２つ以上であれば幾つであってもよい。積層磁心１００の形状は、上述のような貫通孔を有する円柱形に限られず、種々の形状であってよい。また、積層磁心１００に含まれる接着層１０２の形状や数は、積層磁心１００に含まれるナノ結晶層１０１の数や形状に応じたものであればよい。
【００２９】
ナノ結晶層１０１の各々は、軟磁性を有するナノ結晶材料で作られた同じ形状の薄帯又は薄板により構成される。ここで、薄帯又薄板とは、それぞれ、薄い帯状又は薄い板状の部材である。本実施の形態に係るナノ結晶層１０１の各々は、中心に孔が開いた同じ大きさの円盤状の薄帯である。
【００３０】
ここで、軟磁性を有するナノ結晶材料は、特定組成のアモルファス薄帯に熱処理を施して結晶化させることによって、アモルファス相中に１００ｎｍ程度よりも小さい微細なαＦｅ（−Ｓｉ）結晶を析出させた材料である。
【００３１】
軟磁性を有するナノ結晶材料で作られた薄帯又は薄板をナノ結晶層１０１に利用すると、（１）高磁化のαＦｅと（２）微細化による結晶磁気異方性の低減と（３）アモルファス相の正磁歪とαＦｅ相の負磁歪との混相による磁歪の低減とによって、飽和磁束密度Ｂｓが高くてロスが少ない良好な特性の積層磁心１００を得ることができる。
【００３２】
本実施の形態において、６つのナノ結晶層１０１に含まれるナノ結晶の平均粒径は、５０ｎｍ以下であることが望ましい。平均粒径が５０ｎｍ以下のナノ結晶を析出させることで、より優れた軟磁気特性を得ることができる。
【００３３】
６つのナノ結晶層１０１の各々は、複数のナノ結晶片１０３に分かれている。
【００３４】
一般的に、ナノ結晶層１０１の各々が１枚の連続したナノ結晶薄帯又は薄板で構成される場合、積層磁心１００が高周波で使用されると、渦電流損失が多くなり高周波特性などが悪くなる。また、カットコアで構成される場合はギャップが広くなるので、磁束の漏れが比較的多くなる。
【００３５】
本実施の形態に係る６つのナノ結晶層１０１の各々は、複数のナノ結晶片１０３に分かれており、その間隔は極めて近く、導体片であるナノ結晶片又は磁区が細分化されるため、渦電流損失を低減することができ、高周波特性の改善が可能になる。また、直流重畳特性の改善が可能になる。
【００３６】
ナノ結晶層１０１の各々が１枚の連続したナノ結晶薄帯又は薄板で構成される場合、特に２０ｋＨｚ以上において渦電流損失が顕著になることが多いが、本実施の形態では、２０ｋＨｚ以上の高周波特性の改善が可能になる。
【００３７】
さらに、６つのナノ結晶層１０１の各々が複数のナノ結晶片１０３に分かれているので、積層磁心１００は、可撓性を有する。そのため、積層磁心１００を曲げた際に、ナノ結晶層１０１の一部が割れて積層磁心１００から剥離することを防止でき、また、積層磁心１００を割れ難くすることが可能になる。
【００３８】
Ｚ軸方向に隣り合うナノ結晶層１０１の各々は、異なる形状のナノ結晶片１０３から構成される。換言すると、Ｚ軸方向に隣り合うナノ結晶層１０１の一方における、ナノ結晶片１０３間の隙間（境界）の少なくとも一部が、他方のナノ結晶層１０１におけるナノ結晶片１０３の主面の上層側（Ｚ軸正方向）又は下層側（Ｚ軸負方向）に位置する。ここで、ナノ結晶層１０１のすべてが同じ形状のナノ結晶片１０３から構成されてもよいが、この場合、ナノ結晶片１０３の境界は、接着層１０２でのみ接続されることになり、その境界に外力などが加わると、裂けるなどの損傷が生じる可能性がある。Ｚ軸方向に隣り合うナノ結晶層１０１の各々が異なる形状のナノ結晶片１０３から構成されることで、このような脆弱さが低減し、損傷を防止することが可能になる。
【００３９】
６つのナノ結晶層１０１に含まれるナノ結晶片１０３は、平均面積が１．５ｃｍ２以下であることが望ましい。ナノ結晶片１０３の平均面積を１．５ｃｍ２以下とすることによって、導体片であるナノ結晶片１０３又は磁区を細分化して、渦電流損失を抑制することができるので、良好な高周波特性を得ることが可能になる。また、一般的に、ナノ結晶片１０３の平均面積が小さい程、透磁率は低下するものの直流重畳特性が良好になると考えられる。６つのナノ結晶層１０１に含まれるナノ結晶片１０３の平均面積を１．５ｃｍ２以下とすることによって、良好な直流重畳特性を得ることができる。
【００４０】
５つの接着層１０２は、６つのナノ結晶層１０１の間のそれぞれに設けられている。これによって、５つの接着層１０２の各々を介してＺ軸方向に隣り合うナノ結晶層１０１同士が相互に固定されるとともに、ナノ結晶層１０１の各々に含まれるナノ結晶片１０３がバラバラに分離することを防ぎ、ナノ結晶層１０１の形状を維持している。
【００４１】
これまで、本発明の実施の形態１に係る積層磁心１００の構成について説明した。ここから、本実施の形態に係る積層磁心１００の製造方法について図２を参照して説明する。
【００４２】
（１）３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃが、図２に示すように、積層磁心製造装置１０５に取り付けられる。
【００４３】
ここで、アモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃが取り付けられる積層磁心製造装置１０５の構成を説明する。積層磁心製造装置１０５は、図２に示すように、３つの送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃと、ローラの対である圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂと、３つの加熱器Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃと、２つの噴霧ノズル１０８ａ，１０８ｂと、打ち抜き機１０９とを備える。
【００４４】
３つの送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃは、前後方向及び上下方向にズレた位置に配置されている。
【００４５】
２つの圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂは、軸が平行に設けられており、表面が軸方向に当接するように、或いは、予め定められた僅かな隙間を空けて配置されている。
【００４６】
加熱器Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃは、それぞれ、送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃと圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂとの間を通過する薄帯を加熱する機器である。
【００４７】
噴霧ノズル１０８ａ，１０８ｂの各々は、送出ローラ１０６ａ，１０６ｂと圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂとの間を通過する薄帯の一面に接着剤１１０を散布するノズルである。
【００４８】
打ち抜き機１０９は、予め定められた形状に積層体１１１を打ち抜くための機器である。打ち抜き機１０９は、ダイ１０９ａとパンチ１０９ｂとを含み、ダイ１０９ａに対してパンチ１０９ｂが上下方向に移動することによって、ダイ１０９ａ上に配置された薄帯を打ち抜く。
【００４９】
ここで、積層体１１１とは、複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃが接着及び積層されたものである。なお、積層体１１１を構成する複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの数は、本実施の形態では３つであるが、２つ以上であればいくつであってもよい。また、積層磁心製造装置１０５に取り付けられるアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃの数も、３つに限られず、積層体１１１を構成する複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの数と同じであってよい。
【００５０】
このような積層磁心製造装置１０５に対して、まず、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃが、それぞれ、送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃを軸として巻き回した状態で取り付けられる。次に、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、それぞれ、送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃから引き出される。アモルファス薄帯Ａａ，Ａｂは、それぞれ、加熱器Ｈａ，Ｈｂの下方を通過して、さらに、噴霧ノズル１０８ａ，１０８ｂの下方を通過するように、引き出される。アモルファス薄帯Ａｃは、加熱器Ｈｃの下方を通過して、さらに、噴霧ノズル１０８ｂの上方を通過するように引き出される。そして、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、重ねた状態で圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの間を通って、打ち抜き機１０９のダイ１０９ａの上に配置される。これにより、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃの積層磁心製造装置１０５への取り付けが完了する。
【００５１】
（２）ユーザが図示しないスイッチなどを操作して、積層磁心製造装置１０５を動作させる。これによって、積層体１１１が作製されて、予め定められた形状に打ち抜かれる。
【００５２】
詳細には、積層磁心製造装置１０５が動作することによって、次の（２−１）〜（２−７）の工程が繰り返し行われる。
【００５３】
（２−１）送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ及び圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの各々は、パンチ１０９ｂが上昇した状態で、予め定められた方向に回転する。本実施の形態に係る送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ及び圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂのそれぞれの回転方向は、図２の矢印１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ，１１３ａ，１１３ｂで示す方向である。これにより、アモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、それぞれが取り付けられた送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃの各々から送り出される。
【００５４】
（２−２）アモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、それぞれ、送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃから送出されて、加熱器Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃにより熱処理が施される。この熱処理によって、軟磁性を有する３つのナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃが得られる。
【００５５】
ここで、熱処理の対象となるアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、特定の組成のアモルファスを材料とする薄帯である。熱処理とは、結晶化のための熱処理を意味し、αＦｅ結晶を析出させる温度と時間を適宜設定して行う処理である。本実施の形態では、例えば、加熱器Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃが加熱する設定温度と、アモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃが加熱器Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃを通過する時間とによって、熱処理の温度と時間が調整される。
【００５６】
（２−３）熱処理によって得られたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂの一面に、接着剤１１０が噴霧ノズル１０８ａ，１０８ｂから散布される。これにより、接着剤１１０を含む接着層１０２ａ，１０２ｂがナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂの一面に設けられる。
【００５７】
ここで、ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂの一面とは、ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂの各々が有する２つの主面のうちの一方の面のことであり、本実施の形態では、他のナノ結晶薄帯１０４ｂ，１０４ｃと対向して位置づけられる面のことである。
【００５８】
なお、接着層１０２ａ，１０２ｂは、接着剤１１０以外の添加剤を含んでもよい。この場合、噴霧ノズル１０８ａ，１０８ｂから、適宜添加剤などを含む接着剤１１０が噴霧されてもよい。
【００５９】
（２−４）接着層１０２ａ，１０２ｂを設けたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂに、接着層１０２ａ，１０２ｂを挟んで他のナノ結晶薄帯１０４ｂ，１０４ｃが重ね合わされる。
【００６０】
（２−５）接着層１０２ａ，１０２ｂを設けて重ね合わせたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃが、圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの間を通過することで圧着される。これにより、軟磁性を有する複数のナノ結晶薄帯が接着及び積層された積層体１１１が作製される。
【００６１】
（２−６）送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ及び圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの各々は、上記の（２−１）にて回転を開始してから予め定められた角度回転することで、未だ打ち抜かれていない積層体１１１がダイ１０９ａの上に移動すると、その回転を停止する。
【００６２】
（２−７）パンチ１０９ｂが下方へ移動する。これによって、図３に示すように予め定められた形状に打ち抜かれた積層体１１１が作製される。本実施の形態において積層体１１１が打ち抜かれる形状は、孔が開いた円盤状である。
【００６３】
ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃは、熱処理によって脆くなっているため、図３に示すように、積層体１１１を打ち抜くときに割れて、複数のナノ結晶片１０３に分かれたナノ結晶層１０１となる。このとき、Ｚ軸方向に隣り合うナノ結晶層１０１の各々は、通常、形状が異なる複数のナノ結晶片１０３に割れる。
【００６４】
このとき、６つのナノ結晶層１０１に含まれるナノ結晶片１０３の平均面積が１．５ｃｍ２以下となるように、打ち抜く条件が決定されることが望ましい。
【００６５】
（３）打ち抜かれた積層体１１１が２つ作製されると、それら２つの積層体１１１が接着層１０２を介して接着される。
【００６６】
詳細には、次の（３−１）〜（３−３）が行われる。
【００６７】
（３−１）打ち抜かれた２つの積層体１１１のうちの一方の積層体１１１の一面に、接着剤を塗布することによって接着剤を含む接着層１０２が設けられる。ここで、積層体１１１の一面とは、積層体１１１が有する２つの主面のうちの一方の面のことである。
【００６８】
（３−２）他方の積層体１１１が、（３−１）にて設けられた接着層１０２を挟んで一方の積層体１１１に重ね合わされる。
【００６９】
（３−３）重ね合わせた２つの積層体１１１は、図示しない器具などで押圧されることによって、圧着される。これによって、積層磁心１００（図１参照）が完成する。
【００７０】
なお、本実施の形態では、積層磁心１００が、２つの積層体１１１を接着して作製される例により説明したが、積層磁心１００を構成する積層体１１１の数は、２つに限られず、３つ以上であってもよい。
【００７１】
例えば、積層磁心１００は、１つの積層体１１１から構成されてもよく、この場合、当然のことながら、積層体１１１を接着する工程は不要になる。
【００７２】
また例えば、積層磁心１００は、３つ以上の積層体１１１を接着して作製されてもよい。この場合、積層体１１１のいずれか１つの一面に、接着剤を塗布することによって接着剤を含む接着層１０２が設けられる。そして、他の積層体１１１が、接着層１０２が設けられた積層体１１１に、接着層１０２を挟んで重ね合わされる。重ね合わされた積層体１１１は、上記の（３−３）と同様に圧着される。このような工程を繰り返すことで、複数の積層体１１１が順次、接着剤を含む接着層１０２を介して接着されて、積層磁心１００が作製される。
【００７３】
これまで説明したように、本実施の形態によれば積層磁心１００の製造方法は、軟磁性を有する複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃが接着及び積層された積層体１１１を作製することと、積層体１１１を打ち抜くこととを含む。
【００７４】
仮に複数のアモルファス薄帯を接着剤などで積層して打ち抜くことで、複数のアモルファス薄帯の積層体を作製したとしても、その後に熱処理すると、接着に利用する樹脂の耐熱不足、樹脂と薄帯の熱膨張差などが原因となって、磁気特性が悪くなってしまう可能性が高い。また一般的に、アモルファス薄帯を厚くすると、硬さのために打ち抜きが困難になる。さらに、所望の形状の積層体１１１を得るために、打ち抜き加工以外のレーザー加工、放電加工などの他の加工方法が採用されてもよいが、他の加工方法では、より多くの時間や費用が掛かることが多い。
【００７５】
これに対して、ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃは、上述のように、熱処理前のアモルファス薄帯よりも脆い。そのため、ナノ結晶薄帯１枚を打ち抜くと、ナノ結晶薄帯が割れ、所望の形状が得られない。本発明では接着層１０２ａ，１０２ｂにより複数のナノ結晶薄帯同士が相互に固定されるため、打ち抜きによりナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々が割れて複数のナノ結晶片１０３に分かれた場合であっても、接着層１０２ａ，１０２ｂによりナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃが接着しているので、ナノ結晶片１０３がバラバラに分離することは殆どなく、所望の形状を得ることができる。また、複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを積層することで厚くした積層体を比較的低圧で容易に打ち抜くことができるので、複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを１枚ずつ打ち抜く必要がない。
【００７６】
従って、少ない工程で容易に積層体１１１を製造することが可能になる。また、この積層体１１１を利用して積層磁心１００を製造することができるので、少ない工程で容易に積層磁心１００を製造することが可能になる。
【００７７】
また、従来は、積層体を構成するナノ結晶薄帯の各々が割れないように、熱処理前のアモルファス薄帯を打ち抜いていた。本実施の形態に係る積層磁心１００の製造方法では、３つのナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを積層した積層体１１１を打ち抜くことで、ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々が割れるようにしている。これにより、相互の距離が極めて近い複数のナノ結晶片１０３に分かれ、複数のナノ結晶片１０３に分けて、導体片であるナノ結晶片又は磁区が細分化されるため、渦電流損失を低減することができ、高周波での渦損を低減することが可能になる。
【００７８】
また本実施の形態において、積層体１１１を作製することは、ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂの一面に、接着剤１１０を含む接着層１０２ａ，１０２ｂを設けることと、接着層１０２ａ，１０２ｂを設けたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂに、接着層１０２ａ，１０２ｂを挟んで他のナノ結晶薄帯１０４ｂ，１０４ｃを重ね合わせることと、接着層を設けて重ね合わせたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを圧着することとを含む。これにより、積層体１１１を容易に作製することができる。
【００７９】
以上、本発明の実施の形態１について説明したが、実施の形態１は、次のように変形されてもよい。
【００８０】
（変形例１）
本実施の形態では、積層磁心製造装置１０５によって３つのナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを積層することで３層の積層体１１１を製造する例により説明した。しかし、積層磁心製造装置１０５によって製造される積層体１１１を構成する層の数は、２つ以上であれば幾つであってもよい。
【００８１】
（変形例２）
実施の形態では、接着剤１１０を含む接着層１０２ａ，１０２ｂをナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂに設け、接着層１０２ａ，１０２ｂを設けたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂに、接着層１０２ａ，１０２ｂを挟んで他のナノ結晶薄帯１０４ｂ，１０４ｃを重ね合わせ、接着層１０２ａ，１０２ｂを設けて重ね合わせたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを圧着することで、積層体１１１を作製した。
【００８２】
しかし、接着剤１１０は、薄帯が重ね合わされる前に、重ねあわされる面の少なくとも一方の全面又は一部に塗布されればよく、その方法は、散布に限られない。
【００８３】
例えば、接着層１０２ａ，１０２ｂは、ブラシやローラで接着剤１１０を塗布することで設けられてもよい。
【００８４】
また、薄帯が重ね合わされた後に、接着層１０２が設けられてもよい。例えば、接着層１０２は、重ね合わせた複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに接着剤１１０を含浸させることで設けられてもよい。この場合、積層体１１１を作製することは、複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを重ね合わせることと、複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに接着剤１１０を含浸させることとを含む。
【００８５】
本変形例によっても、実施の形態１と同様に、積層体１１１を容易に作製することができ、少ない工程で容易に積層磁心１００を製造することが可能になる。
【００８６】
（実施の形態２）
実施の形態１では、複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々が、打ち抜かれる際に割れることでナノ結晶片１０３に分けられる例を説明した。実施の形態２では、複数のナノ結晶薄帯の各々をより小さなナノ結晶片に割るため、積層体を加圧する例を説明する。
【００８７】
本発明の実施の形態２に係る積層磁心２００は、図４に示すように、概ね実施の形態１に係る積層磁心１００と同様の構成を備える。すなわち、積層磁心２００は、Ｚ軸方向に積み重なった６つのナノ結晶層２０１と、６つのナノ結晶層２０１の間のそれぞれに設けられた５つの接着層１０２とを備えた円柱形の磁心であって、Ｚ軸方向の貫通孔を有する。
【００８８】
積層磁心２００と実施の形態１に係る積層磁心１００との違いは、ナノ結晶片１０３，２０３の大きさである。すなわち、積層磁心２００は、図４に示すように、実施の形態１に係る積層磁心１００のナノ結晶片１０３よりも小さいナノ結晶片２０３に分かれている。
【００８９】
本実施の形態に係る積層磁心２００では、実施の形態１に係る６つのナノ結晶層１０１の各々が複数のナノ結晶片１０３に分かれていることと同様に、高周波特性（特に２０ｋＨｚ以上の高周波特性）の改善が可能になり、直流重畳特性の改善が可能になる。また、積層磁心２００に可撓性をもたせることができるので、積層磁心２００を割れ難くすることが可能になる。
【００９０】
さらに、積層磁心２００が小さいナノ結晶片２０３に分かれていることにより、より良好な直流重畳特性を得ることが可能になる。
【００９１】
これまで、本発明の実施の形態２に係る積層磁心２００の構成について説明した。ここから、本実施の形態に係る積層磁心２００の製造方法について図５を参照して説明する。
【００９２】
本実施の形態に係る積層磁心２００の製造方法は、積層体２１１を加圧することによって、積層体２１１に含まれる複数のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの少なくとも一部をナノ結晶片２０３に割ることをさらに含む。この点を除いて、積層磁心２００の製造方法は、概ね、実施の形態１に係る積層磁心１００の製造方法と同様である。
【００９３】
（１）実施の形態１と同様に、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃが、図５に示すように、積層磁心製造装置２０５に取り付けられる。
【００９４】
本実施の形態に係る積層磁心製造装置２０５は、図５に示すように、実施の形態１と同様の３つの送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ、ローラの対である圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂ、３つの加熱器Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃ、２つの噴霧ノズル１０８ａ，１０８ｂ及び打ち抜き機１０９を備える。これに加えて、積層磁心製造装置２０５は、加圧機２１３を備える。
【００９５】
加圧機２１３は、積層体を加圧して積層体に含まれるナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々をナノ結晶片２０３に割るための機器である。加圧機２１３は、台座部２１３ａと押圧部２１３ｂとを含み、台座部２１３ａに対して押圧部２１３ｂが上下方向に移動することによって、台座部２１３ａ上に配置された積層体を押圧する。加圧機２１３は、ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの移動方向において、圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂと打ち抜き機１０９との間に配置される。
【００９６】
このような積層磁心製造装置２０５に対して、実施の形態１と同様に、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃが、それぞれ、送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃに取り付けられた後、そこから引き出されて、重ねた状態で圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの間を通される。そして、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、重ねた状態で台座部２１３ａとダイ１０９ａとの上に順に配置される。これにより、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃの積層磁心製造装置２０５への取り付けが完了する。
【００９７】
（２）ユーザが図示しないスイッチなどを操作して、積層磁心製造装置２０５を動作させる。これによって、積層体２１１が作製されて、予め定められた形状に打ち抜かれる。
【００９８】
詳細には、積層磁心製造装置２０５が動作することによって、次の（２−１）〜（２−７）の工程が繰り返し行われる。
【００９９】
（２−１）送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ及び圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの各々は、押圧部２１３ｂとパンチ１０９ｂとが上昇した状態で、実施の形態１と同様に予め定められた方向に回転する（図５参照）。れにより、アモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、それぞれが取り付けられた送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃの各々から送り出される。
【０１００】
（２−２）アモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、それぞれ、送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃから送出されて、加熱器Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃにより熱処理が施される。
【０１０１】
（２−３）実施の形態１と同様に、熱処理によって得られたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂの一面に、接着剤１１０が噴霧ノズル１０８ａ，１０８ｂから散布される。
【０１０２】
（２−４）実施の形態１と同様に、接着層１０２ａ，１０２ｂを設けたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂに、接着層１０２ａ，１０２ｂを挟んで他のナノ結晶薄帯１０４ｂ，１０４ｃが重ね合わされる。
【０１０３】
（２−５）実施の形態１と同様に、接着層１０２ａ，１０２ｂを設けて重ね合わせたナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃが、圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの間を通過することで圧着される。これにより、軟磁性を有する複数のナノ結晶薄帯が接着及び積層された積層体２１１が作製される。
【０１０４】
（２−６−１）送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ及び圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの各々は、上記の（２−１）にて回転を開始してから予め定められた角度回転することで、未だ加圧されていない積層体２１１が台座部２１３ａの上に移動すると、その回転を停止する。
【０１０５】
（２−６−２）押圧部２１３ｂは、下方へ移動して、台座部２１３ａ上の積層体２１１を予め定められた力で加圧すると、上方へ移動して元の位置へ戻る。これによって、押圧された部分のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々が、ナノ結晶片２０３に割れる。
【０１０６】
（２−６−３）送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ及び圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの各々は、上記の（２−６−２）が完了すると、さらに予め定められた角度回転することで、未だ打ち抜かれていない積層体２１１がダイ１０９ａの上に移動すると、その回転を停止する。
【０１０７】
（２−７）実施の形態１と同様に、パンチ１０９ｂが下方へ移動する。これによって、図６に示すように予め定められた形状に打ち抜かれた積層体２１１が作製される。このように、本実施の形態では、打ち抜き機１０９が積層体２１１を打ちぬく前に、ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々が、ナノ結晶片２０３に割られている。そのため、本実施の形態では、この積層体２１１を打ち抜く工程において、ナノ結晶片２０３を含む積層体２１１を打ち抜くことになる。
【０１０８】
（３）実施の形態１と同様に、打ち抜かれた積層体２１１が２つ作製されると、それら２つの積層体２１１が接着層１０２を介して接着される。これによって、積層磁心２００が完成する。
【０１０９】
本実施の形態に係る積層磁心２００の製造方法によれば、６つのナノ結晶層２０１の各々を確実に、複数のナノ結晶片２０３に割ることができる。そのため、高周波特性（特に２０ｋＨｚ以上の高周波特性）と直流重畳特性とが改善された積層磁心２００を確実に提供することが可能になる。また、積層磁心２００の可撓性により、割れ難い積層磁心２００を提供することが可能になる。
【０１１０】
さらに、３つのナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々を確実に小さいナノ結晶片２０３に割ることにより、より良好な直流重畳特性を有する積層磁心２００を提供することが可能になる。
【０１１１】
なお、ナノ結晶層２０１の各々を割る方法は、加圧器で押圧することに限られない。例えば圧着ローラなどのローラで押しつぶすなど、ナノ結晶層２０１の各々を割るために、他の方法が採用されてもよい。これによっても、実施の形態２と同様の効果を奏する。
【０１１２】
（変形例３）
実施の形態２では、積層体２１１を打ち抜く前に割る例を説明した。しかし、積層体２１１は、打ち抜いた後に割られてもよい。
【０１１３】
本変形例では、積層磁心の構成は、実施の形態２に係る積層磁心２００と同様である。積層磁心２００の作製方法及び積層磁心製造装置３０５の構成が、実施の形態２のそれぞれと異なる。
【０１１４】
（１）実施の形態２と同様に、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃが、図７に示すように、積層磁心製造装置３０５に取り付けられる。
【０１１５】
積層磁心製造装置３０５は、図７に示すように、加圧機２１３が配置される位置を除いて、実施の形態２に係る積層磁心作製装置２０５と同様の構成を備える。積層磁心製造装置３０５では、加圧機２１３が、ナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの移動方向において、打ち抜き機１０９よりも下流に配置される。
【０１１６】
このような積層磁心製造装置３０５に対して、実施の形態２と同様に、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃが、それぞれ、送出ローラ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃに取り付けられた後、そこから引き出されて、重ねた状態で圧着ローラ１０７ａ，１０７ｂの間を通される。そして、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃは、重ねた状態でダイ１０９ａと台座部２１３ａとの上に順に配置される。これにより、３つのアモルファス薄帯Ａａ，Ａｂ，Ａｃの積層磁心製造装置３０５への取り付けが完了する。
【０１１７】
（２）ユーザが図示しないスイッチなどを操作して、積層磁心製造装置３０５を動作させる。これによって、積層体２１１が作製されて、予め定められた形状に打ち抜かれ、さらに、３つのナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々が割られる。
【０１１８】
詳細には、実施の形態１と同様の工程（２−１）〜（２−７）の工程が繰り返し行われる。その結果、この段階で実施の形態１と同様の打ち抜かれた積層体１１１が作製される。
【０１１９】
（２−８−１）その後、例えばユーザが、打ち抜かれた積層体１１１を台座部２１３ａの上に配置する。
【０１２０】
（２−８−２）例えばユーザのスイッチ操作などに応答して、台座部２１３ａは、実施の形態２での工程（３−５−２）と同様に、下方へ移動して、台座部２１３ａ上の積層体２１１を予め定められた力で加圧すると、上方へ移動して元の位置へ戻る。これによって、押圧された部分のナノ結晶薄帯１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの各々が、ナノ結晶片２０３に割れる。
【０１２１】
（３）実施の形態２と同様に、２つの積層体２１１が接着層１０２を介して接着されて、積層磁心２００が完成する。
【０１２２】
本変形例では、ナノ結晶片に割ることは、打ち抜かれた積層体を加圧することによって、積層体に含まれる複数のナノ結晶薄帯の少なくとも一部をナノ結晶片に割ることである。これによっても、実施の形態２と同様の効果を奏する。
【０１２３】
ここから、本発明の実施例について説明する。
【０１２４】
（実施例１〜３）
発明者は、組成がＦｅ８４．３原子％、Ｓｉ０．５原子％、Ｂ５．５原子％、Ｐ９原子％、Ｃｕ０．７原子％であり、幅が４０ｍｍ、厚みが２５μｍのアモルファス薄帯を１ｋｇ、単ロール法にて作製した。作製した薄帯を長さ８０ｍｍに切断し、電気炉を用いて４００℃で１０分間、アルゴンフロー中で熱処理を施すことで平均粒径１８ｎｍのナノ結晶薄帯を作製した。
【０１２５】
発明者は、実施例１では、４枚のナノ結晶薄帯をフェノール樹脂を用いて接着することで、積層体を作製した。実施例２では、４枚のナノ結晶薄帯をアクリル樹脂を用いて接着することで、積層体を作製した。実施例３では、４枚のナノ結晶薄帯をクロロブレンゴムを用いて接着することで、積層体を作製した。その後、実施例１〜３に係る積層体の各々について、外径１３ｍｍ、内径８ｍｍのパンチを有する打ち抜き機で打ち抜きを実施し、その打抜き可否及びその磁気特性を調査した。
【０１２６】
発明者は、比較例１として、未だ熱処理を施していない４枚のアモルファス薄帯を１枚ずつ打ち抜き、その後に、４００℃で１０分間、アルゴンフロー中で熱処理を施すことで、４枚のナノ結晶薄帯を作製した。４枚のナノ結晶薄帯をフェノール樹脂で接着することで積層体を作製し、この積層体の磁気特性を調査した。
【０１２７】
磁気特性について、コアロスは、交流ＢＨアナライザーを用いて１００ｋＨｚ−１００ｍＴの条件で測定した。
【０１２８】
実施例１〜３及び比較例１での調査及び測定の結果を図８に示す。
【０１２９】
実施例１〜３に関する結果から、熱処理を施した後の薄帯であるナノ結晶薄帯を４枚積層して打ち抜くことが可能であることが分かる。これにより、１枚ずつ打ち抜く場合よりも、打ち抜きの工数を低減することが可能になる。比較例と比較すると、実施例１〜３では、コアロスは比較的少なく良好である。
【０１３０】
比較例１は、打ち抜いた後に、熱処理をして積層した積層体に関するものであり、コアロスが多い。また、１枚ずつ打ち抜くので、打ち抜きの工数が極めて多くなる。
【０１３１】
（実施例４）
発明者は、組成がＦｅ８４．３原子％、Ｓｉ０．５原子％、Ｂ５．５原子％、Ｐ９原子％、Ｃｕ０．７原子％であり、幅が４０ｍｍ、厚みが２５μｍのアモルファス薄帯を１ｋｇ、単ロール法にて作製した。作製した薄帯を長さ８０ｍｍに切断し、電気炉を用いて４００℃で１０分間、アルゴンフロー中で熱処理を施すことで平均粒径１８ｎｍのナノ結晶薄帯を作製した。
【０１３２】
本実施例では、８枚のナノ結晶薄帯をアクリル樹脂を用いて接着することで、積層体を作製した。その後、本実施例に係る積層体について、外径１３ｍｍ、内径８ｍｍのパンチを有する打ち抜き機で打ち抜きを実施し、その打抜き可否及びその磁気特性を調査した。また、実施例１〜３と同様の方法で、透磁率及びコアロスを測定した。
【０１３３】
発明者は、比較例２では、熱処理を施していない４枚のアモルファス薄帯を接着層を介することなく（すなわち、接着せずに）重ね合わせた積層体について、打ち抜き試験を実施し、その打抜き可否を調査した。比較例３では、熱処理を施していない４枚のアモルファス薄帯をアクリル樹脂を用いて接着した積層体について、打ち抜き試験を実施し、その打抜き可否を調査した。
【０１３４】
発明者は、比較例４では、１５枚のナノ結晶薄帯をアクリル樹脂を用いて接着した積層体について、打ち抜き試験を実施し、その打抜き可否を調査した。
【０１３５】
実施例４及び比較例２〜４での調査及び測定の結果を図９に示す。
【０１３６】
実施例４の調査の結果から、ナノ結晶層１０１が８つであっても打ち抜くことが可能であることが分かる。これに対して、比較例２，３に係る積層体では、打ち抜くことができず、比較例４に係る積層体では、ナノ結晶層１０１が１５個、１５個のナノ結晶層１０１の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）が５００μｍ程度になると、打ち抜くことが困難になることが分かる。
【０１３７】
（実施例５〜８）
発明者は、組成がＦｅ８４．３原子％、Ｓｉ０．５原子％、Ｂ５．５原子％、Ｐ９原子％、Ｃｕ０．７原子％であり、幅が４０ｍｍ、厚みが２５μｍのアモルファス薄帯を１ｋｇ、単ロール法にて作製した。作製した薄帯を長さ８０ｍｍに切断し、電気炉を用いて４００℃で１０分間、アルゴンフロー中で熱処理を施すことで平均粒径１８ｎｍのナノ結晶薄帯を作製した。
【０１３８】
発明者は、実施例５〜８では、２枚のナノ結晶薄帯をアクリル樹脂を用いて接着することで積層体を作製し、その後、外径１３ｍｍ、内径８ｍｍのパンチを有する打ち抜き機で打ち抜きを実施した。実施例５〜８の各々では、打ち抜き機での打ち抜きの条件、接着層の厚さを調整することによって、打ち抜かれた積層体に含まれるナノ結晶片の平均面積が異なる。
【０１３９】
ここで、ナノ結晶片の平均面積は、積層体の上面及び下面の各面積の合計を、上面及び下面から観察されるナノ結晶片の個数で割ることで求められる。上面及び下面からナノ結晶片の個数は、ナノ結晶層を２枚積層した積層体の上面と下面とを光学顕微鏡で観察することで、数えられる。
【０１４０】
実施例５〜８に係る積層体の各々について、その打抜き可否、そのナノ結晶片の平均面積及びその磁気特性を調査した。また、実施例１〜３と同様の方法で、透磁率及びコアロスを測定した。
【０１４１】
実施例５〜８での調査及び測定の結果を図１０に示す。図１０において、「平均面積（ｃｍ２）」は、対応する列に、ナノ結晶片の平均面積をｃｍ２を単位として記載していることを示す。
【０１４２】
実施例５〜８に関する結果から、ナノ結晶片の平均面積が小さくなるに従って、透磁率が低下するもののコアロスが大幅に改善されることが分かる。例えば、ナノ結晶片の平均面積が０．１ｃｍ２以下にすることによって、３００ｋｗ／ｍ以下にまでコアロスを低減することができる。
【０１４３】
以上、本発明の実施の形態、変形例などについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。本発明は、例えば、実施の形態に変更を加えた態様、実施の形態と変形例とを適宜組み合わせた態様、この態様に適宜変更を加えた態様などを含む。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明に係る積層磁心の製造方法は、積層磁心を製造するために利用することができる。また、本発明に係る積層磁心は、モータ、変成器、スイッチング電源回路、共振型電源、磁気スナバ、高周波トランス、ノイズフィルタ、チョークコイルなどに利用することができる。
【符号の説明】
【０１４５】
１００，２００  積層磁心
１０１，２０１  ナノ結晶層
１０２，１０２ａ，１０２ｂ  接着層
１０３，２０３  ナノ結晶片
Ａａ，Ａｂ，Ａｃ  アモルファス薄帯
１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ  ナノ結晶薄帯
１０５，２０５，３０５  積層磁心製造装置
１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ  送出ローラ
１０７ａ，１０７ｂ  圧着ローラ
Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃ  加熱器
１０８ａ，１０８ｂ  噴霧ノズル
１０９  打ち抜き機
１０９ａ  ダイ
１０９ｂ  パンチ
１１０  接着剤
１１１，２１１  積層体
２１３  加圧機
２１３ａ  台座部
２１３ｂ  押圧部
【図１】
2018049921.tif 000003
【図２】
2018049921.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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