【事件の表示】
　平成　７年特許願第　１４６６０号「半導体レーザ」拒絶査定に対する審判事件［平成８年８月２０日出願公開、特開平８−２１３６９１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　この出願は、平成７年１月３１日に特許出願されたものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１１年２月８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】主面を有し第１導電型半導体からなるベース層と、前記主面の所定部に形成された第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と；この第１のクラッド層上に形成され、互いに対向する１対の側面を有するストライプ状の活性層と；この活性層上に形成された第２導電型半導体からなる第２クラッド層と；前記第１のクラッド層、前記活性層、及び前記第２のクラッド層を挟んだ状態に前記主面の残りの部分に形成され、前記活性層中に電流を狭窄する電流狭窄部と；を有する半導体レーザにおいて、
前記電流狭窄部は、
前記主面の残りの部分に形成された第１導電型半導体からなる一対の第１の埋込層と；
これら一対の第１の埋込層上に形成された第２導電型半導体からなる一対の第１の電流ブロック層と；
これら一対の第１の電流ブロック層上に形成された半絶縁性材料からなる一対の第２の電流ブロック層と；
これら一対の第１の電流ブロック層上に形成された第２導電型半導体からなる第２の埋込層と；を有し、
前記一対の第１の埋込層は、前記第１のクラッド層、前記活性層、及び前記第２のクラッド層を挟んだ状態に、前記主面の前記残りの部分の内側端部から突出した一対の突出部を有し、該一対の突出部が前記活性層の前記一対の側面及び前記一対の第２の電流ブロック層の内側端部にそれぞれ接触することで、前記一対の第１の電流ブロック層が電気的に孤立しており、前記第１導電型半導体がp形InP半導体であり、前記第２導電型半導体がn形InP半導体であり、前記半絶縁性材料が半絶縁性InP材料又はFeドープの半絶縁性InP材料であり，前記活性層がInGaAsP材料からなり、前記電流狭窄部は、更に、前記一対の第２の電流ブロック層と前記一対の第２の埋込層との間に挟まれるように形成された、InGaAsP材料からなる一対の再結合層を有することを特徴とする半導体レーザ。」
　なお、上記手続補正書に記載された特許請求の範囲においては、第１の電流ブロック層について、「第１の埋込層
の第１の埋込層
一対の
２．刊行物に記載された発明
　これに対して、平成１０年８月３日付け拒絶埋由通知書において引用された特開平７−２２６９１号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
「【0062】
【実施例】実施例1.　図1はこの発明の第1の実施例による半導体レーザの構造を示す断面図、図2(a)〜図2(e)は該半導体レーザの製造方法を主要工程順に説明するための断面図である。図において、101は本実施例のBH型半導体レーザで、レーザ発振が行われるメサストライプ部101aと、該メサストライプ部101a内にその幅方向にレーザ光及びレーザ駆動電流を閉じ込めるための光・電流閉込領域101bとを有している。
【0063】ここで、上記メサストライプ部101aは、p-InP基板1aの表面の一部lal上にアンドープInGaAsP活性層2及び第1のn-InPクラッド層3aを順次積層した構造となっており、また光・電流閉込領域101bは、上記p-InP基板la上に上記メサストライプ部101aの側面を覆うよう形成されたp-InP埋込層6と、その上に順次形成されたn-InP埋込層4、及びFeをドープした半絶縁性InP埋込層5とから構成されている。
【0064】そして上記メサストライプ部101a上及び光・電流閉込領域101b上には、全面に第2のn-InPクラッド層3b及びn-InPコンタクト層70が順次形成され、さらにその上には、上記メサストライプ部101aに対応する部分に開口10aを有する絶縁膜10を介してCrAu合金からなるn電極7が形成されており、また上記p-InP基板1aの裏面側にはAuZn合金からなるp電極8が全面に形成されている。」
　すなわち、上記刊行物１には、主面を有するp-InP基板と、前記主面のメサストライプ部101aに形成され、互いに対向する１対の側面を有するストライプ状のアンドープInGaAsP活性層2と、この活性層上に形成された第1のn-InPクラッド層3aと、前記活性層2、及び前記第1のn-InPクラッド層3aを挟んだ状態に光・電流閉込領域101bに形成され、前記活性層中に電流を狭窄する電流狭窄部とを有する半導体レーザにおいて、
　前記電流狭窄部は、前記光・電流閉込領域101bに形成されたp-InP埋込層6と、これら一対のp-InP埋込層6上に形成されたn-InP埋込層4と、これら一対のn-InP埋込層4上に形成された半絶縁性InP埋込層5と、これら一対の半絶縁性InP埋込層5上に形成された第2のn-InPクラッド層3bと、を有し、前記一対のp-InP埋込層6は、前記活性層2及び前記第1のn-InPクラッド層3aを挟んだ状態に、前記主面の前記光・電流閉込領域101bの内側端部から突出した一対の突出部を有し、該一対の突出部が前記活性層2の前記一対の側面及び前記一対の半絶縁性InP埋込層5の内側端部にそれぞれ接触することで、前記一対のn-InP埋込層4が電気的に孤立している半導体レーザが記載されている。
　同じく上記拒絶理由通知書において引用された１９９４年（平成６年）秋季第５５回応用物理学会学術講演会第３分冊、２１ｐ−Ｓ−１３、ｐ．９６３（以下「刊行物２」という。）には、
「【素子構造】図１にRIBPBHレーザの断面構造を示す。３回のＭＯＶＰＥ成長により作製され、p-InPブロック層とn-InP埋込層の間に、1.13μｍ組成InGaAsP再結合層をセルフアラインに設けることにより、特に高温高注入時における電流ブロック層領域のターンオンを抑制することができる。」と記載されている。
（対比）
　刊行物１における「p-InP基板1a」、「メサストライプ部101a」、「アンドープInGaAsP活性層2」、「第1のn-InPクラッド層3a」、「光・電流閉込領域101b」、「p-InP埋込層6」、「n-InP埋込層4」、「Feをドープした半絶縁性InP埋込層5」及び「第2のn-InPクラッド層3b」は、それぞれ「基板第１導電型半導体からなるベース層」、「主面の所定部」、「活性層」、「第２導電型半導体からなる第２クラッド層」、「前記主面の残りの部分」、「第１導電型半導体からなる一対の第１の埋込層」、「第２導電型半導体からなる一対の第１の電流ブロック層」、「半絶縁性材料からなる一対の第２の電流ブロック層」及び「第２導電型半導体からなる第２の埋込層」に相当するので、
　両者は、主面を有し第１導電型半導体からなるベース層と、前記主面の所定部に形成されたる互いに対向する１対の側面を有するストライプ状の活性層と、この活性層上に形成された第２導電型半導体からなる第２クラッド層と、前記第１のクラッド層、前記活性層、及び前記第２のクラッド層を挟んだ状態に前記主面の残りの部分に形成され、前記活性層中に電流を狭窄する電流狭窄部とを有する半導体レーザにおいて、
　前記電流狭窄部は、前記主面の残りの部分に形成された第１導電型半導体からなる一対の第１の埋込層と、これら一対の第１の埋込層上に形成された第２導電型半導体からなる一対の第１の電流ブロック層と、これら一対の第１の電流ブロック層上に形成された半絶縁性材料からなる一対の第２の電流ブロック層と、これら一対の第１の電流ブロック層上に形成された第２導電型半導体からなる第２の埋込層とを有し、
　前記一対の第１の埋込層は、前記活性層、及び前記第２のクラッド層を挟んだ状態に、前記主面の前記残りの部分の内側端部から突出した一対の突出部を有し、該一対の突出部が前記活性層の前記一対の側面及び前記一対の第２の電流ブロック層の内側端部にそれぞれ接触することで、前記一対の第１の電流ブロック層が電気的に孤立しており、前記第１導電型半導体がp形InP半導体であり、前記第２導電型半導体がn形InP半導体であり、前記半絶縁性材料が半絶縁性InP材料又はFeドープの半絶縁性InP材料であり，前記活性層がInGaAsP材料からなる半導体レーザである点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点（１）
　本願発明は、主面の所定部に形成された第１導電型半導体からなる第１のクラッド層を有するのに対し、刊行物１記載の発明においては、基板（ベース）の上に直接活性層を堆積している点。
　相違点（２）
　本願発明は、電流狭窄部において、第２の電流ブロック層と第２の埋込層との間に挟まれるように形成された、InGaAsP材料からなる一対の再結合層を有するのに対し、刊行物１記載の発明においては、再結合層を有していない点。
（当審の判断）
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点（１）について
　ダブルヘテロ構造の半導体レーザは、ｐ型及びｎ型のクラッド層の間に活性層を挟む構造にするのが一般的である。上記刊行物１記載の半導体レーザにおいては、たまたま基板がｐ−ＩｎＰであるために、その一部をｐ−ＩｎＰクラッド層として兼用したにすぎず、通常どおり、基板とクラッド層を別個に設けることは当業者が容易になし得たことである。
　相違点（２）について
　p-InPブロック層とn-InP埋込層の間に、InGaAsP再結合層を設けることにより、高温高注入時における電流ブロック層領域のターンオンを抑制することができることは上記刊行物２に記載されているように公知であるので、刊行物１記載の半導体レーザにおいても、高温特性を改善するために、第２の電流ブロック層と第２の埋込層との間に、InGaAsP再結合層を設けることは、当業者が容易になし得たことである。
（むすび） 
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は刊行物１及び刊行物２に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
  よって結論のとおり審決する。