【事件の表示】
　特願２００７−５４３２５１「電圧等化ループを備えるパッシベーション構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月２６日国際公開、ＷＯ２００６／０５５７３８、平成２０年　６月１９日国内公表、特表２００８−５２１２５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００５年１１月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１１月１７日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年６月２１日に手続補正書が提出され、平成２３年２月１４日付けの拒絶理由通知に対して、同年７月２１日に意見書及び手続補正書が提出され、同年８月１０日付けの最後の拒絶理由通知に対して、平成２４年２月１５日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年３月２１日付けで、平成２４年２月１５日に提出された手続補正書でした手続補正が却下されるとともに拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２５日に拒絶査定を不服とする審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、同年１０月１８日付けの審尋に対して、平成２５年３月２１日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２．補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年７月２５日に提出された手続補正書でした手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　　ア　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであるが、平成２４年２月１５日に提出された手続補正書でした手続補正は却下されている。
　したがって、本件補正は、平成２３年７月２１日に提出された手続補正書でした手続補正により補正された特許請求の範囲の記載、
「【請求項１】
　第１伝導型の半導体ダイ本体と、
　前記半導体ダイ本体に形成された能動領域であって、この能動領域の周縁の近くで終端する第２伝導型の領域を含む能動領域と、
　前記能動領域の周りに配置され、ほぼ均一な幅の電気抵抗材料から成る連続細片を含むパッシベーション構造であって、前記連続細片は、前記能動領域の周りを囲んで前記パシベーション構造の内側境界となる内側閉ループと、前記内側閉ループの周りを囲んで前記パシベーション構造の外側境界となる外側閉ループと、前記内側閉ループと前記外側閉ループとを接続するルーピング細片とを含むパッシベーション構造と、
　前記連続細片上のＰＮ接合どうしの間に形成されて、前記連続細片の抵抗及びＲＣ時定数を低減する金属層とを備え、
　前記ルーピング細片は、その一端が、前記内側閉ループの外縁から延び、その他端が、前記外側閉ループの内縁で終端している半導体デバイス。
　……（中略）……
　　【請求項７】
　能動領域が形成されている半導体ダイ本体と、
　前記能動領域の周りをらせん状に囲み、かつＰＮ接合が形成されている、電気抵抗材料から成る連続細片と、
　前記連続細片上の前記ＰＮ接合どうしの間に形成される金属層と
を備える半導体デバイス。
　　【請求項８】
　前記電気抵抗材料は、多結晶シリコンを含む請求項７に記載の半導体デバイス。
　　【請求項９】
　前記能動領域の周りに配置される電気抵抗材料から成る第１閉ループと、前記第１閉ループの周りに配置される電気抵抗材料から成る第２閉ループとをさらに備え、前記連続細片は、前記第１閉ループと前記第２閉ループとの間に配置され、それらに電気的に接続されている請求項７に記載の半導体デバイス。」
を、
「【請求項１】
　第１伝導型の半導体ダイ本体と、
　前記半導体ダイ本体に形成された能動領域であって、この能動領域の周縁の近くで終端する第２伝導型の領域を含む能動領域と、
　前記能動領域の周りに配置され、ほぼ均一な幅の電気抵抗材料から成る連続細片を含むパッシベーション構造であって、前記連続細片は、前記能動領域の周りを囲んで前記パッシベーション構造の内側境界となる内側閉ループと、前記内側閉ループの周りを囲んで前記パッシベーション構造の外側境界となる外側閉ループと、前記内側閉ループと前記外側閉ループとを接続するルーピング細片とを含むパッシベーション構造とを具え、
　前記ルーピング細片は、前記内側閉ループの外縁から延び、前記外側閉ループの内縁で終端している半導体デバイス。
　……（中略）……
　　【請求項７】
　能動領域が形成されている半導体ダイ本体と、
　前記能動領域の周りを閉曲線状に１回周回して内側閉ループを形成し、次に前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回し、さらに閉曲線状に１回周回して外側閉ループを形成する、ほぼ均一な幅の電気抵抗材料から成る連続細片であって、当該連続細片中にＰＮ接合が形成されている連続細片と、
　前記連続細片上の前記ＰＮ接合どうしの間に形成される金属層を備える半導体デバイス。
　　【請求項８】
　前記電気抵抗材料は、多結晶シリコンを含む請求項７に記載の半導体デバイス。」
との記載に補正するものである。
　
　　イ　本件補正の内容を整理すると、以下のとおりとなる。
〈補正事項１〉
　本件補正前の請求項１における「前記パシベーション構造」との記載を、本件補正後の請求項１において「前記パッシベーション構造」と補正する。
　
〈補正事項２〉
　本件補正前の請求項１における「前記連続細片上のＰＮ接合どうしの間に形成されて、前記連続細片の抵抗及びＲＣ時定数を低減する金属層とを備え」との記載を、本件補正後の請求項１において「を具え」と補正する。
　
〈補正事項３〉
　本件補正前の請求項１における「前記ルーピング細片は、その一端が、前記内側閉ループの外縁から延び、その他端が、前記外側閉ループの内縁で終端している」との記載を、本件補正後の請求項１において「前記ルーピング細片は、前記内側閉ループの外縁から延び、前記外側閉ループの内縁で終端している」と補正する。
　
〈補正事項４〉
　本件補正前の請求項７における「前記能動領域の周りをらせん状に囲み、かつＰＮ接合が形成されている、電気抵抗材料から成る連続細片」との記載を、本件補正後の請求項７において「前記能動領域の周りを閉曲線状に１回周回して内側閉ループを形成し、次に前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回し、さらに閉曲線状に１回周回して外側閉ループを形成する、ほぼ均一な幅の電気抵抗材料から成る連続細片であって、当該連続細片中にＰＮ接合が形成されている連続細片」と補正する。
　
〈補正事項５〉
　本件補正前の請求項７における「金属層と」「を備える」との記載を、本件補正後の請求項７において「金属層を備える」と補正する。
　
〈補正事項６〉
　本件補正前の請求項９を削除する。
　
２．補正目的の適否及び新規事項の有無
　　ア　補正事項１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものに該当する。
　そして、補正事項１が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたことは明らかであるから、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　　イ　補正事項２は、平成２３年８月１０日付けの最後の拒絶理由通知の「理由２」において、「請求項１（及びその下位請求項）に係る発明が、「連続細片」として、抵抗体を対象としているのか、それともダイオードを対象としているのか、あいまいな部分があるため、発明が不明確である。」と指摘されたことを受けて、「連続細片」における前記「ダイオードを対象としている」部分の記載を削除して、本件補正後の請求項１に係る発明が前記「抵抗体を対象としている」ことを明確にしたものと認められる。したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる「明りょうでない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　そして、補正事項２が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたことは明らかであるから、補正事項２は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　　ウ　補正事項３は、補正前の請求項１における「その一端が、」及び「その他端が、」の記載は冗長であったので、これらを削除したものであり、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる「誤記の訂正」に該当する。
　そして、補正事項３が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたことは明らかであるから、補正事項３は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　　エ　補正事項４は、補正前の請求項７における「連続細片」が、「前記能動領域の周りを閉曲線状に１回周回」して「形成」される「内側閉ループ」と「さらに閉曲線状に１回周回」して「形成」される「外側閉ループ」とを有することを限定し、補正前の前記「連続細片」の「前記能動領域の周りをらせん状に囲」む部分が「前記内側閉ループ」の周りも、らせん状に「周回」することを限定し、補正前の前記「連続細片」が「ほぼ均一な幅」を有することを限定し、さらに、補正前の「ＰＮ接合」が「当該連続細片中」に形成されることを限定したものである。
　したがって、補正事項４は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
　そして、補正事項４は、本願の願書に最初に添付された明細書の段落【００１３】における「連続細片は、ＰＮ接合を含むようにドープされ、連続細片の長さ方向に、連続的ではなく、段階的な電圧降下を生じさせる。」との記載、同段落【００２０】における「内側閉ループ１８は、ルーピング細片２２がその多重ループを始める前に、抵抗細片をそれ自体と１回交差させることによって形成され、外側閉ループ２０は、それが終端する前に、連続細片をそれ自体と２回目に交差させることによって形成されている。」との記載と同図面の図２の記載、及び、同段落【００２４】における「内側閉ループ１８および外側閉ループ２０の幅は、ルーピング細片２２と同じである」との記載に基づいていると認められる。
　したがって、補正事項４は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるから、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたと認められる。よって、補正事項４は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　　オ　補正事項５は、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものに該当する。
　そして、補正事項５が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたことは明らかであるから、補正事項５は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　　カ　補正事項６は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる「請求項の削除」に該当する。
　そして、補正事項６が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたことは明らかであるから、補正事項６は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　　キ　なお、特許請求の範囲における文言の補正はないものの、本件補正後の請求項８は、本件補正後の請求項７を引用するように補正されている。
　してみれば、この補正は、補正事項４及び５と同じ理由により、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、及び、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものに該当する。
　そして、同じ理由により、この補正が、特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかである。
　
　　ク　以上から、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
３．独立特許要件
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正事項４の補正を含んでいる。
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうかを、その請求項７に係る発明について検討する。
　
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１〜８に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項７に係る発明（以下「補正発明」という。）は、再掲すると、次のとおりである。
　
「能動領域が形成されている半導体ダイ本体と、
　前記能動領域の周りを閉曲線状に１回周回して内側閉ループを形成し、次に前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回し、さらに閉曲線状に１回周回して外側閉ループを形成する、ほぼ均一な幅の電気抵抗材料から成る連続細片であって、当該連続細片中にＰＮ接合が形成されている連続細片と、
　前記連続細片上の前記ＰＮ接合どうしの間に形成される金属層を備える半導体デバイス。」
　
（２）各引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例１の記載
　原査定の根拠となった平成２３年８月１０日付けの最後の拒絶理由通知に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である、特開２０００−２９４８０３号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜図１２とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したもの。以下、他の刊行物について同じ。）。
　
　　ア　発明の属する技術分野
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プレーナ型の横型および縦型の半導体装置に関し、特に、その半導体装置の耐圧構造に関する。」
　
　　イ　従来の技術
ｂ．「【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴおよびＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）に代表されるパワーデバイスにおいて、数十から数千ボルトの耐圧構造（耐圧をもつ箇所の構造）が必要とされる。また、これらのパワーデバイスを駆動するために、近年、高耐圧ＩＣの開発が盛んに行われ、この高耐圧ＩＣもまたパワーデバイスと同等の耐圧が要求される。
【０００３】図７は、Ｄｏｕｂｌｅ  ＲＥＳＵＲＦ構造と抵抗性フィールドプレート構造を組み合わせた構造で、同図（ａ）は要部断面図で、同図（ｂ）は電位分布である。この耐圧構造は、高耐圧ＩＣの代表的な構造である。図７（ａ）において、ｐ基板３５の表面層にＮｗｅｌｌ領域３４が設けられている。このＮｗｅｌｌ領域３４の表面層に高電位領域３３、低電位領域３７およびＰｏｆｆｓｅｔ領域３９がそれぞれ形成されている。高電位領域３３上と低電位領域３７上には、高電位側電極３２と低電位側電極３８がそれぞれ形成され、ｐ基板３５上に形成される絶縁酸化膜４１上に高比抵抗の抵抗性フィールドプレートである薄膜抵抗層４０が形成され、この薄膜抵抗層４０により高電位側電極３２と低電位側電極３８とが電気的に接続されている。また、低電位側電極３８と裏面側電極３６は、ｐ基板３５の終端部で電気的に接続している。尚、３５ａはｐ基板層である。
【０００４】図７（ｂ）において、低電位側電極３８を基準（例えば、ＧＮＤ）として、高電位側電極３２に正電位ＶＳ を印加したときの、チップ表面の電位分布の様子を図示している。電位分布は抵抗性フィールドプレート４０の両端面付近で歪みが大きく、電界が集中している。そのために、この個所で耐圧が低下する。」
　
ｃ．「【０００７】抵抗性フィールドプレート構造は、高電位側電極３２に電位ＶＳ を印加すると、薄膜抵抗層４０にも電位ＶＳ が印加され、薄膜抵抗層４０には、電位ＶＳ と薄膜抵抗層４０の抵抗値に応じた電流が流れる。これによって、薄膜抵抗層４０に、均一な電位分布が生じれば、この電位分布による電界が、絶縁酸化膜４１を介し、半導体層に影響を及ぼし、半導体層表面の空乏層の中の電界集中を緩和することができる。その結果、高い耐圧を安定して確保することができる。
　……（中略）……
【０００９】この薄膜抵抗層４０の抵抗値が低い場合には、抵抗値のばらつきは小さくなるが、大きな漏れ電流が流れるため、発生損失が大きくなり、デバイスが破壊し易くなる。また、抵抗値が高すぎる場合は、抵抗値のばらつきが発生して、漏れ電流は不均一に流れ易くなり、高電位領域３３と低電位領域３７の間に、均一な電位分布を形成することが困難となり、半導体層の空乏層中に電界集中箇所が生じで、耐圧が低下する可能性がある。
【００１０】これらの問題点を解決するために、前記の薄膜抵抗層４０の抵抗値を低くして、ばらつきを抑え、この薄膜抵抗層４０を、島状のベース電極４３（高電位側電極）とそれを取り囲む外周電極４４（低電位側電極）との間に、渦巻き状に形成し、長い薄膜抵抗層（渦巻き状の薄膜抵抗層４５）でベース電極４３と外周電極４４を接続することで、抵抗値を増大させる、図９のような構造が特開平４−３３２１７３号公報に開示されている。」
　
　　ウ　発明が解決しようとする課題
ｄ．「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この渦巻き状の薄膜抵抗層４５を形成する場合、半導体装置のチップサイズが大きくなると、前記渦巻き状の薄膜抵抗層４５の距離が長くなり、抵抗値が大きくなる。チップサイズによらず同一の漏れ電流を流すには、チップサイズが大きくなると、渦巻き状の薄膜抵抗層４５の幅を広げる必要があり、必然的に周辺に配置される耐圧構造の幅が大きくなる。  従って、同一の耐圧を有する半導体装置でも、電流容量によって、つまり、活性領域の面積の変化によって、耐圧構造の幅を変える必要がある。これは、同一の耐圧系列の半導体装置を製作する場合、製造コスト上、不都合である。
【００１４】また、渦巻き状の薄膜抵抗層４５として採用する薄膜の比抵抗の値が、比較的低い値に設定できるようになったとはいえ、まだまだ、均一な比抵抗の値を渦巻き状の抵抗層に沿って、得ることは困難である。そのため、渦巻き状の薄膜抵抗層４５に場所によって抵抗値のばらつきが発生して、耐圧構造部で局部的に電界が集中し、素子耐圧の低下を招く。また、この抵抗値は温度に対する変動が大きく、デバイスに、この渦巻き状の抵抗層を用いることは、信頼性の確保の観点からも困難である。」
　
　　エ　課題を解決するための手段
ｅ．「【００１８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するために、半導体基板上に形成された絶縁膜上に、互いに離して形成された第１電極と第２電極とを有する半導体装置において、両端がそれぞれ第１電極、第２電極に接続され、且つ、第１電極を取り囲む渦巻き状の薄膜層が、前記絶縁膜上に形成され、該渦巻き状の薄膜層の長手方向に沿って、直列に複数個のｐｎダイオードが形成される構成とする。
【００１９】
前記第１電極と前記第２電極との間の前記半導体基板が、主電流が流れる活性領域となっていて
【００２０】前記薄膜層が、第１導電形ポリシリコンで形成され、該第１導電形ポリシリコンに選択的に第２導電形領域が、離して複数個形成され、前記第１導電形ポリシリコンで形成された第１導電形領域と前記第２導電形領域が交互に複数個形成され、前記第１導電形領域と前記第２導電形領域とでｐｎダイオードが形成される構成とするとよい。
【００２１】前記ｐｎダイオードが、順直列もしくは逆直列に前記薄膜層に形成されるとよい。前記ｐｎダイオードがツェナーダイオードであると効果的である。前記第１導電形領域および前記第２導電形領域の不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上であるとよい。
　……（中略）……
【００２７】このように、
ツェナーダイオードを直列接続（逆直列または順直列）し、渦巻き状の薄膜層とすることで、第１電極と第２電極の間を直線で結ぶ線上で均等な電位分布が得られ、電界集中を防止できる
　
　　オ　発明の実施の形態
ｆ．「【００３２】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１実施例の半導体装置における耐圧構造部で、同図（ａ）は要部平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した要部断面図である。この実施例では、外側の電極を基準（ＧＮＤ）として、内側の島状に存在する電極に高電位をかけるものとするが、これとは逆に、内側を基準にして、外側の電極に高電位をかける場合でも、渦巻き状の薄膜層６の効果は同じである。
【００３３】図１（ａ）において、
プレーナ型の半導体装置１は、その表面側表面の中心部に高電位側電極２と、その高電位側電極２の外周側の低電位側電極３と
高電位側電極２と低電位側電極３との間で高電位側電極２の周囲を３重に周回して、高電位側電極２と低電位側電極３とを電気的に接続する、第１導電形薄膜層４および第２導電形薄膜層５の繰り返しからなる渦巻き状の薄膜層６
【００３４】図１（ｂ）において、
ｐ基板１０の表面層にＮ
ｗｅｌｌ
層９を形成し、Ｎ
ｗｅｌｌ
層９の表面層にｎ形の高電位領域８、ｐ形の低電位領域１２およびＰ
ｏｆｆｓｅｔ
領域１４を形成する。また、ｐ基板１０の表面側には、絶縁酸化膜１８を介して、第１導電形薄膜層４と第２導電形薄膜層５の繰り返しからなる渦巻き状薄膜層６で形成される
　……（中略）……
【００３６】
前記の渦巻き状の薄膜層６は、例えば、ノンドープのポリシリコンに第１導電形および第２導電形の不純物を導入して、第１導電形薄膜層４および第２導電形薄膜層５を交互に形成して得ることができる
第１導電形薄膜層４をｎ層とし、第２導電形薄膜層５をｐ層とした場合のｐｎダイオード
【００３７】この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位ＶＳ を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位ＶＳ が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。図２は、チップ表面の電位分布の様子を示めしたもので、同図（ａ）は半導体装置の要部断面図、同図（ｂ）はチップ表面の電位分布である。電位勾配が生ずる箇所はＰｏｆｆｓｅｔ層表面である。
【００３８】同図（ａ）は図１（ｂ）の上部を描いた図である。また同図（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線上に沿って、高電位側電極２から低電位側電極３に向かっての電位分布を示した図である。渦巻き状の薄膜層６をＡ−Ａ線で切断した断面で表すと１５、１６、１７で示される。この渦巻き状の薄膜層１５、１６、１７にかかる電位をＶ１５、Ｖ１６、Ｖ１７とする。高電位側電極２から低電位側電極３に向かっての電位は、平均的な勾配が一定となる。そのため、Ｎｗｅｌｌ層９、Ｐｏｆｆｓｅｔ層１４および図示しないｐ基板層１０ａに形成される空乏層内の電界は緩和され、半導体装置１を高耐圧化することができる。」
　
ｇ．「【００４３】前記した実施例は、ｐｎダイオードが逆直列に多数接続された例である。つぎに、ｐｎダイオードが順直列に接続され実施例を説明する。図３は、この発明の第２実施例の半導体装置における耐圧構造部の要部平面図である。この図は、
渦巻き状の薄膜層６に形成されるｐｎ接合５５を一つ置きに金属膜５３で短絡し、すべてのツェナーダイオードであるｐｎダイオードが順直列に形成されている点が図１（ａ）と異なる
　
ｈ．「【００５６】図１２は、この発明の第７実施例の半導体装置における要部断面図である。これは、第１実施例で示した耐圧構造を、高耐圧横型ＰＭＯＳ（ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ）に適用した例である。ここでは、構造の詳細な説明は省略するが、渦巻き状の薄膜層１０４は、図１１と同様に、活性領域２０２の上に形成されている。この場合も第６実施例で説明した効果と同様の効果が期待できる。」
　
　　カ　発明の効果
ｉ．「【００５７】
【発明の効果】この発明によれば、
島状領域の周囲を外周部に向かって周回し、高電位領域と低電位領域を電気的に接続する渦巻き状の薄膜層
同一耐圧ではチップサイズに渦巻き状の幅を一定にできる
　
　　キ　図面
ｊ．第１実施例の要部平面図、及び、前記平面図のＡ−Ａ線で切断した要部断面図である図１（ａ）、（ｂ）において、前記Ａ−Ａ線は半導体装置１の中心までは延在していないことから、各図面には、
・半導体装置１の中心部の少なくとも周辺には、電位Ｖｓに接続された高電位電極２と、当該高電位電極２の下にｎ＋の高電位領域８とが形成されていること、
・前記高電位電極２の外周側には接地に接続された低電位電極３が形成され、当該低電位電極３の下にｐ＋の低電位領域１２とが形成されていること、
がそれぞれ示されている。
　
（２−２）引用発明
　前項のａ〜ｊの記載を総合すると、引用例１には、特に「第２実施例の半導体装置（段落【００４３】）」として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「表面層にＮｗｅｌｌ層９が形成されたｐ基板１０と、
　前記Ｎｗｅｌｌ層９の表面層に設けられた、島状の高電位領域８、及び、前記島状の高電位領域８の外周側に設けられた低電位領域１２と、
　前記ｐ基板１０の表面側に絶縁酸化膜１８を介して形成され、ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５をそれぞれｎ層及びｐ層とする、順直列に接続されたｐｎダイオードの繰り返しからなり、前記島状の高電位領域８上に形成された高電位側電極２の周囲を周回して、前記高電位側電極２と前記低電位領域１２上に形成された低電位側電極３とを電気的に接続する、渦巻き状の薄膜層６と、
　前記渦巻き状の薄膜層６に形成されるｐｎ接合５５を一つ置きに短絡し、すべてのツェナーダイオードである前記ｐｎダイオードを順直列に形成するための金属膜５３と、
を備え、前記高電位側電極２と前記低電位側電極３とを直線で結ぶ線上で均等な電位分布が得られて電界集中を防止できるとともに、同一耐圧ではチップサイズに渦巻き状の幅を一定にできることを特徴とするプレーナ型の半導体装置。」
　
（２−３）引用例２の記載
　原査定の根拠となった平成２３年８月１０日付けの最後の拒絶理由通知に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特表平０８−５０５９８４号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体装置用の螺旋状不活性縁構造」（発明の名称）に関して、図３〜図８ｂとともに、次の記載がある。
　
ａ．「本発明の別の目的は、
装置の活性領域と端領域との間の電位差が活性領域の周りに螺旋状に配置される電気的抵抗性のリボンに沿って拡張される
　
ｂ．「図４および図５ａ〜５ｂを参照すると、本発明を具体化する
半導体装置４０は、該装置の活性領域４４と該装置の縁部４６との間に横たわる不活性縁領域４２を含み、ここで不活性縁領域４２は活性領域４４から縁部４６へ延在する抵抗性材料からなる伸びた比較的幅の狭いリボン４８を含む。
　従来技術とは異なり、
リボン４８は活性領域４４の周りで螺旋状を成している
　抵抗性材料のリボンは、従来技術の不活性縁材料よりも低い抵抗性を有するが、主としてその長さのために、低い電流漏れを備える良好な不活性縁に必要である高い抵抗をさらに与える。この構造に要求される抵抗性は既知の半導体製造の材料および製法を用いて得ることができる。例えば、図５ａに示された
抵抗性材料のリボン４８は、金属、ポリシリコン、単結晶シリコンまたは半導体装置に適切な他の電気的抵抗材料
　
（２−４）引用例３の記載
　原査定の根拠となった平成２３年８月１０日付けの最後の拒絶理由通知に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特開昭４８−０１７６８３号公報（以下「引用例３」という。）には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、第１図〜第４図とともに、次の記載がある。
　
ａ．「本発明の他の目的は……
表面におけるｐ−ｎ接合の空乏領域内の最適な電界強度分布を広い範囲で達成し得る
　本発明は、
ｐ−ｎ接合を極めて有効に選択した形状および寸法を有する抵抗層で、特にこの層の平面内にて分路することにより
上記目的を簡単な方法で達成し得る
　
ｂ．「第３図および第４図に本発明の半導体装置の一実施例を示す。本例では領域４をコレクタ区域とし、領域５をベース区域とした高電圧トランジスタを示す。領域４および５ならびにｐ−ｎ接合６の不純物添加濃度かよび大きさをそれぞれ第１図および第２図に示した既知の装置の場合と同一とする。ｐ型ベ−ス区域５内にｎ型エミツタ領域21を設け、ペース区域５と相俟ってｐ−ｎ接合22を形成し、この接合22を半導体本体と線23に沿って交差させる。エミツタ区域21、ベース区域５およびコレクタ区域４に普通の方法でそれぞれアルミニウム層24，11および25を接触させる。
　本例においては、
ベース・コレクタ接合６を細長い細条26の形状の多結晶珪素の抵抗層によつて分路する
上記細条26は層11との接触個所からコイル状に延在し、多数回巻回して領域５をかこみかつ酸化物層３の同様にコイル状にされる表面部分を被覆し，層９との接触個所まで延在する
　
（２−５）引用例４の記載
　原査定の根拠となった平成２３年８月１０日付けの最後の拒絶理由通知に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特開２００１−３５２０６４号公報（以下「引用例４」という。）には、「高耐圧半導体装置」（発明の名称）に関して、図６とともに、次の記載がある。
　
ａ．「【０００２】
【従来の技術】パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴあるいはダイオードなどのプレーナ型半導体素子の耐圧構造の一つに抵抗性フィールドプレートがある。この方法では一般的に耐圧構造部に位置する高抵抗導電膜は環状の単純パターンをしており、設計が容易であり、また、耐圧構造部の占有面積も小さくできるなどの利点がある。また、縦形素子のでも横形素子でも効果は同じである。特開平７−３２６７７５号公報では、単純パターンを改良した例である。単純パターンでは、高温環境下で、漏れ電流の増大が著しく、熱暴走を引き起こすおそれがあり、実用化を妨げると記している。そこで特開平７−３２６７７５号公報では、抵抗性フィールドプレートの抵抗値を増大させ漏れ電流を抑える為、抵抗性フィールドプレートとして帯状高抵抗導電膜７３を渦巻き状にすることが開示されている（図６）。」
　
ｂ．図６には、
・島状の第１の金属膜71と、外周部の第２の金属膜72との間に、渦巻き状に周回する帯状高抵抗導電膜73が設けられていること、
・前記第１の金属膜71と接して、ループ状に一回周回する金属膜が、前記帯状高抵抗導電膜73の一部として設けられていること、
・前記第２の金属膜72と接して、ループ状に一回周回する金属膜が、前記帯状高抵抗導電膜73の一部として設けられていること、
が示されている。
　
（２−６）引用例５の記載
　原査定の根拠となった平成２３年８月１０日付けの最後の拒絶理由通知に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特開２００２−１１８２３０号公報（以下「引用例５」という。）には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜図７とともに、次の記載がある。
　
ａ．「【０００２】
【従来の技術】図５は、Ｄｏｕｂｌｅ  ＲＥＳＵＲＦ構造と抵抗性フィールドプレート構造を組み合わせた高耐圧接合終端構造であり、同図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）は電位分布図である。この高耐圧接合終端構造は、高耐圧ＩＣの代表的な耐圧構造である。
　……（中略）……
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この
抵抗性フィールドプレート５４の両端近傍
電界が集中し、この箇所で耐圧が低下する。この電界集中を和らげるために、抵抗性フィールドプレート５４の幅を広くすると、チップサイズが増大し
「【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１実施例の半導体装置の要部平面図である。この図は、高耐圧ＩＣの要部平面図である。この
高耐圧ＩＣを形成する領域は、第１基準回路形成領域１と第２基準回路形成領域２と、これらの基準回路形成領域１、２を電位的に分離する複数のツェナーダイオード（図中のｐで表されるｐ型薄膜層と、ｎで表されるｎ型薄膜層で形成される）が形成された薄膜層４で構成される
この薄膜層４が、高耐圧接合終端構造上部の表面構造３であり、また、第１、第２基準回路形成領域１、２には、それぞれ集積回路である第１、第２基準回路が形成される
【００１３】帯上の薄膜層４の両端間で、全体的に傾きを付け、ツェナーダイオードを薄膜層全体に形成しても勿論構わない。この実施例は、薄膜層４の両端間で全体的に傾きを付けて形成するものに比べ設計を容易に行うことが可能となる。全体的に傾きを付けたもの比べると、直線部分において電位分布が不十分となり、耐圧は小さい。しかしながら、傾斜部Ａの傾斜の角度を十分小さくし、傾斜部を長くすれば、全体に傾きを付けたものに耐圧を近づけることが可能となる。
【００１４】この高耐圧ＩＣにおいて、例えば、
第２基準回路形成領域２を高電位とする
高電位側の第２基準回路の
高耐圧ＰＭＯＳ６（ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ）
【００１５】この
高電位となる第２基準回路形成領域２の耐圧を確保するために、前記の高耐圧接合終端構造上部の表面構造３である薄膜層４を、第１基準回路形成領域１と第２基準回路形成領域２の間に設ける
薄膜層４には、ツェナーダイオードが直列に複数個形成された、図５で示す抵抗性フィールドプレート５４に代わる高耐圧接合終端構造上部の表面構造４となる
【００１６】このツェナーダイオードで形成した薄膜層４においては、個々のツェナーダイオードの耐圧は等しいために、
高耐圧接合終端構造上部の表面構造３の長手方向の電位分布は均等化され、それによって、長手方向と直交する方向の電位分布も均等化される
【００１７】また、高耐圧接合終端構造上部の表面構造３の長手方向に対して、薄膜層４に傾きをつけた傾斜部分Ａを１箇所あるいは複数箇所設けることで、必要に応じた本数の薄膜層を容易に形成することができる。図１では、
従来の図６の構造と比べ、高耐圧接合終端構造の幅を狭くすることが可能となり、その結果チップサイズが小さくなり、チップコストが抑制できる
【００１８】図２は、この発明の第２実施例の半導体装置の要部平面図である。この構造の場合、ツェナーダイオードを配置するのは、傾斜部分Ａの薄膜層とし、第１、第２基準回路形成領域１、２端部と等距離となる直線箇所Ｃや、曲線部分Ｂにはツェナーダイオードを配置しない。この場合、
曲線部分Ｂに形成される高耐圧ＮＭＯＳ５近傍、高耐圧ＰＭＯＳ６近傍など、電界の集中しやすい曲率を持った部分には、ツェナーダイオードを形成せず
ツェナーダイオードのない薄膜層４（ここではｎ型薄膜層である）
　
ｂ．図１には、前記「高耐圧接合終端構造上部の表面構造３」は、前記「これらの基準回路形成領域１、２を電位的に分離する複数のツェナーダイオード（図中のｐで表されるｐ型薄膜層と、ｎで表されるｎ型薄膜層で形成される）が形成された薄膜層４」と、それぞれ前記「薄膜層４」と一体に形成される、「第２基準回路形成領域２」に接して前記「薄膜層４」の内側で閉ループ状に一回周回する薄膜層と、「第１基準回路形成領域１」に接して前記「薄膜層４」の外側で閉ループ状に一回周回する薄膜層とからなることが示されている。
　
（３）対比
（３−１）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
　　ア　引用発明の「ｐ基板１０」は、補正発明の「半導体ダイ本体」に相当する。
　そして、引用発明の前記「ｐ基板１０」の「表面層」である「Ｎｗｅｌｌ層９」の、さらにその「表面層」に「設け」られた「島状の高電位領域８」は、「ｐ基板１０」上に「設け」られた「島状」の半導体領域ではあるものの、能動素子が形成される領域であるかどうかは不明である。
　一方、補正発明において、前記「半導体ダイ本体」に「形成」されている「能動領域」は、当然に「半導体」の「領域」である。
　したがって、引用発明の「島状の高電位領域８」と、補正発明の「能動領域」とは、半導体「領域」である点で共通する。
　
　　イ　引用発明の「渦巻き状の薄膜層６」は、「渦巻き状」であるから、幅が狭い連続した細片と言い得るものである。したがって、前記「渦巻き状の薄膜層６」が「前記島状の高電位領域８上に形成された高電位側電極２の周囲を周回して」いることと、補正発明の「連続細片」が「前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回」していることととは、「連続細片」が前記半導体「領域」の「周りをらせん状に周回」している点で共通する。
　
　　ウ　引用発明の「ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５」は、「第１導電形及び第２導電形の不純物」の「導入」量に応じた電気抵抗を有すると認められるから、補正発明の「電気抵抗材料」に相当する。
　
　　エ　ところで、補正発明の、「内側閉ループ」と「前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回」する部分と「外側閉ループ」と「から成る」「当該連続細片中にＰＮ接合が形成されている」という発明特定事項を文理解釈すれば、「連続細片」を構成する「内側閉ループ」、「前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回」する部分及び「外側閉ループ」の、少なくとも、いずれか一つの「中」に「ＰＮ接合が形成されている」ということを意味すると解される。
　そして、本願明細書の発明の詳細な説明には、段落【００１８】に「抵抗材料から成るルーピング細片２２が、内側閉ループ１８と外側閉ループ２０との間に配置され」ると記載されるとともに、段落【００３５】に「図５に示すように、ルーピング細片２２のＰＮ接合を形成するために、ルーピング細片２２の所望部分のカウンタドーピングが可能になるように、マスクを用いることができる。」と記載され、「抵抗材料から成るルーピング細片２２」と「内側閉ループ１８と外側閉ループ２０と」からなる構造の中の、特に、前記「ルーピング細片２２」の「所望部分」に「ＰＮ接合を形成する」ことが記載されている。
　したがって、引用発明の「渦巻き状の薄膜層６」が「ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５を、それぞれ、ｎ層及びｐ層とするｐｎダイオードの繰り返しからな」ることは、補正発明の「当該連続細片中にＰＮ接合が形成されている」ことに相当する。
　
　　オ　前記イ〜エから、引用発明の「前記ｐ基板１０の表面側に絶縁酸化膜１８を介して形成され、ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５をそれぞれｎ層及びｐ層とする、順直列に接続されたｐｎダイオードの繰り返しからなり、前記島状の高電位領域８上に形成された高電位側電極２の周囲を周回して、前記高電位側電極２と前記低電位領域１２上に形成された低電位側電極３とを電気的に接続する、渦巻き状の薄膜層６」と、補正発明の「前記能動領域の周りを閉曲線状に１回周回して内側閉ループを形成し、次に前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回し、さらに閉曲線状に１回周回して外側閉ループを形成する、ほぼ均一な幅の電気抵抗材料から成る連続細片であって、当該連続細片中にＰＮ接合が形成されている連続細片」とは、半導体「領域」の「周りをらせん状に周回」する「電気抵抗材料から成る連続細片であって、当該連続細片中にＰＮ接合が形成されている連続細片」である点で共通する。
　
　　カ　引用発明は、「交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５をそれぞれｎ層及びｐ層とする、順直列に接続されたｐｎダイオードの繰り返し」構造を有する「渦巻き状の薄膜層６」を有するとともに、「前記渦巻き状の薄膜層６に形成されるｐｎ接合５５を一つ置きに短絡し、すべてのツェナーダイオードである前記ｐｎダイオードを順直列に形成するための金属膜５３」を有する。
　してみれば、引用発明においては、「ｎ層及びｐ層」からなる「ｐｎ接合５５」は「金属膜５３」により「一つ置きに短絡」され、「短絡」されなかった前記「ｐｎ接合５５」が「順直列に接続されたｐｎダイオード」を「形成」するものである。すなわち、引用発明の「渦巻き状の薄膜層６」は、「順直列に接続されたｐｎダイオード」を「形成」する「短絡」されなかった前記「ｐｎ接合５５」の間に、前記「ｐｎ接合５５」を「一つ置きに短絡」する「金属膜５３」を有している。
　ここで、この「金属膜５３」によって「一つ置きに短絡」された前記「ｐｎ接合５５」の領域は、「ｎ層及びｐ層」からなっていても、もはや、「ツェナーダイオードである前記ｐｎダイオード」となり得るｐｎ接合を「形成」せず、実質的には「金属膜５３」が存在する領域となることは明らかである。
　したがって、引用発明の「前記渦巻き状の薄膜層６に形成されるｐｎ接合５５を一つ置きに短絡し、すべてのツェナーダイオードである前記ｐｎダイオードを順直列に形成するための金属膜５３」は、補正発明の「前記連続細片上の前記ＰＮ接合どうしの間に形成される金属層」に相当する。
　
　　キ　そして、引用発明の「プレーナ型の半導体装置」は、補正発明の「半導体デバイス」に相当する。
　
（３−２）一致点及び相違点
　そうすると、補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「半導体領域が形成されている半導体ダイ本体と、
　前記半導体領域の周りをらせん状に周回し、電気抵抗材料から成る連続細片であって、当該連続細片中にＰＮ接合が形成されている連続細片と、
　前記連続細片上の前記ＰＮ接合どうしの間に形成される金属層を備える半導体デバイス。」
　
《相違点１》
　補正発明は、半導体ダイ本体に「能動領域」が形成されているのに対して、引用発明は、ｐ基板１０に「島状の高電位領域８」が形成されているものの、この「島状の高電位領域８」が「能動領域」であるかどうかは不明である点。
　
《相違点２》
　補正発明の「連続細片」は、「前記能動領域の周りを閉曲線状に１回周回して内側閉ループ」と、「前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回」する部分と、「さらに閉曲線状に１回周回して外側閉ループ」とから成るのに対して、引用発明の「渦巻き状の薄膜層６」は「前記島状の高電位領域８上に形成された高電位側電極２の周囲を周回して」いる点。
　
《相違点３》
　補正発明の「連続細片」は「ほぼ均一な幅」を有するのに対して、引用発明は「同一耐圧ではチップサイズに渦巻き状の幅を一定にできる」点。
　
（４）判断
（４−１）相違点１〜３について
　　ア　引用発明において、「前記Ｎｗｅｌｌ層９の表面層に設けられた、島状の高電位領域８」が能動素子を形成する領域であるかどうかは、不明である。
　
　　イ　しかしながら、第２．３．（２）（２−３）の項のａ及びｂ、第２．３．（２）（２−４）の項のａ及びｂで、それぞれ摘記したように、引用例２及び引用例３には、半導体装置の活性領域、あるいは、半導体基板のトランジスタ形成領域を、抵抗性を有する線路でらせん状に囲むことで、前記らせん状に囲まれた島状の領域の周囲における電界強度を緩和することが、それぞれ、記載されている。
　また、第２．３．（２）（２−６）の項のａ及びｂで摘記したように、引用例５には、「これらの基準回路形成領域１、２を電位的に分離する複数のツェナーダイオード（図中のｐで表されるｐ型薄膜層と、ｎで表されるｎ型薄膜層で形成される）が形成された薄膜層４」と、それぞれ前記「薄膜層４」と一体に形成される、閉ループ状に設けられた内側の薄膜層と、閉ループ状に設けられた外側の薄膜層とからなる「高耐圧接合終端構造上部の表面構造３」によって「高電位となる第２基準回路形成領域２」を囲むことで、前記「表面構造３」の内側の「高電位となる第２基準回路形成領域２」の周囲の電位分布を均等化させる、ことが記載されている。
　以上のように、抵抗性を有する線路でらせん状に囲むことで、当該囲まれた島状の領域の周囲における電界強度を緩和する技術において、前記島状の領域を能動素子が形成される能動領域とすることは、引用例２、３及び５にそれぞれ記載されている。
　
　　ウ　したがって、引用発明において、「島状の高電位領域８」を、能動素子の少なくとも一部を形成する「能動領域」にして、相違点１に係る構成とすることは、当業者であれば当然になし得たものと認められる。
　
　　エ　さて、引用例５には、第２．３．（２）（２−６）の項のａ及びｂで摘記したように、「これらの基準回路形成領域１、２を電位的に分離する複数のツェナーダイオード（図中のｐで表されるｐ型薄膜層と、ｎで表されるｎ型薄膜層で形成される）が形成された薄膜層４」と、それぞれ前記「薄膜層４」と一体に形成される、閉ループ状に設けられた内側の薄膜層と、閉ループ状に設けられた外側の薄膜層とからなる「高耐圧接合終端構造上部の表面構造３」により、高電位となる第２基準回路形成領域２を囲むことで、当該高電位となる第２基準回路形成領域２の周囲の電位分布を均等化させるとともに、「従来の図６の構造と比べ、高耐圧接合終端構造の幅を狭くすることが可能となり、その結果チップサイズが小さくなり、チップコストが抑制できる。（段落【００１７】）」ことが記載されている。
　
　一方、引用例４の段落【０００２】で提示された「特開平７−３２６７７５号公報」には、引用例４の図６に記載される「帯状高抵抗導電膜を有する耐圧構造（引用例４における「図面の簡単な説明」の記載）」と同一の耐圧構造を図示する図３とともに、以下の記載がある。
ａ．「【０００８】
【第１の実施例】次に、本発明の第１の実施例に係わる抵抗性フィールドプレートを備えた
高耐圧プレーナ型ダイオードについて図２及び図３を参照して説明する
【０００９】本実施例のダイオードの抵抗性フィールドプレートとしての
高抵抗導電膜９は、内周環状部分１３と、外周環状部分１４と、相互連結部分１５とから構成されている
高抵抗導電膜９の内周環状部分１３は平面的に見て第１の半導体領域としてのＮ型半導体領域２と第２の半導体領域としてのＰ型半導体領域３の界面に形成されるＰＮ接合１１の外縁を離間して包囲するように環状に形成されている
この内周環状部分１３の下面は絶縁膜６を介してＮ型半導体領域２と対向しており、上面の内縁側には第１の電極としての第１の金属膜７が接続されている
【００１０】
高抵抗導電膜９の外周環状部分１４は平面的に見て半導体基板５の外縁に沿って環状に形成されている
外周環状部分１４は第２の金属膜８を介してＮ+ 型半導体領域４に電気的に接続されている
　
　以上から、能動領域の耐圧構造として、能動領域の周りをループ状に１回周回する内側閉ループと、前記能動領域及び前記内側閉ループの周りをらせん状に周回する部分と、前記らせん状に周回する部分の外周側をループ状に１回周回する外側閉ループとからなる、電気抵抗材料から成る耐圧構造を用いることは、引用例４で提示された「特開平７−３２６７７５号公報」、及び、引用例５に記載されるように、周知技術にすぎない。
　そして、この周知の耐圧構造を採用するとチップサイズを小型化できることが、引用例５に記載されている。
　
　　オ　装置の小型化は半導体装置が普遍的に有する技術課題であるから、引用発明において、「プレーナ型の半導体装置」を小型化することは、当然に有する課題であると認められる。
　したがって、引用発明において、「渦巻き状の薄膜層６」を、ウで述べたように「能動領域」とした「前記島状の高電位領域８」の「上に形成された高電位側電極２の周囲」を「渦巻き状」に「周回して」設けるだけでなく、前記周知技術にように、前記「渦巻き状」の「周回」部分の内側に、「前記島状の高電位領域８」の周りをループ状に１回周回する内側閉ループを一体に設けるとともに、前記「渦巻き状」の「周回」部分の外側に、「前記島状の高電位領域８」の周りをループ状に１回周回する外側閉ループを一体に設けて、相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　カ　ところで、引用発明は「同一耐圧ではチップサイズに渦巻き状の幅を一定にできることを特徴」としており、したがって、引用発明の「渦巻き状の薄膜層６」の「幅」は「一定」であると認められる。
　一方、引用例１には、段落【００１４】に「渦巻き状の薄膜抵抗層４５として採用する薄膜の比抵抗の値が、比較的低い値に設定できるようになったとはいえ、まだまだ、均一な比抵抗の値を渦巻き状の抵抗層に沿って、得ることは困難である。そのため、渦巻き状の薄膜抵抗層４５に場所によって抵抗値のばらつきが発生して、耐圧構造部で局部的に電界が集中し、素子耐圧の低下を招く。」と記載され、「渦巻き状の薄膜層」に「場所によって抵抗値のばらつき」があると、「耐圧構造部で局部的に電界が集中し」て「素子耐圧の低下を招く」ことが記載されている。ここで、前記「渦巻き状の薄膜層」を形成する材料の「比抵抗」が均一であっても、前記「渦巻き状の薄膜層」の幅が均一でないと、前記「抵抗値」がばらつくのは自明である。
　したがって、「前記高電位側電極２と前記低電位側電極３とを直線で結ぶ線上で均等な電位分布が得られて電界集中を防止できる」ことを課題とする引用発明において、前記オのように、「渦巻き状の薄膜層６」の「渦巻き状」の「周回」部分の、内側に前記内側閉ループを一体に設けるとともに、外側に前記外側閉ループを一体に設けるときは、前記一体に設けた「渦巻き状」の「周回」部分と前記外側及び内側閉ループの場所によって抵抗値のばらつきがないように、前記「渦巻き状」の「周回」部分と前記内側閉ループと前記外側閉ループとの幅を均一にして、相違点３に係る構成とすることは、当業者であれば当然になし得たものと認められる。
　
（４−２）回答書の補正案について
　　ア　平成２５年３月２１日に提出された回答書において、審判請求人は、「ほぼ均一な幅の電気抵抗材料から成る連続細片」を、「ほぼ均一な幅の電気抵抗材料から成る単一の連続細片」と補正する意思を有している旨を表明している。
　
　　イ　この点につき検討すると、引用発明の「ｐｎダイオードの繰り返し」を有する「渦巻き状の薄膜層６」は、引用例１の図３に示されるように、「単一」の「薄膜層」である。
　したがって、「渦巻き状の薄膜層６」を、「前記島状の高電位領域８上に形成された高電位側電極２の周囲」を「渦巻き状」に「周回して」設けるだけでなく、前記周知技術にように、前記「渦巻き状」の「周回」部分の内側に、「前記島状の高電位領域８」の周りをループ状に１回周回する内側閉ループを一体に設けるとともに、前記「渦巻き状」の「周回」部分の外側に、「前記島状の高電位領域８」の周りをループ状に１回周回する外側閉ループを一体に設けるとき、前記内側閉ループと前記外側閉ループが一体に付加された前記「渦巻き状の薄膜層６」は、当然に、単一の「薄膜層」になると認められる。
　
　　ウ　したがって、仮に前記アのように補正しても、前記イの、「単一」の「薄膜層」である前記「渦巻き状の薄膜層６」に前記内側閉ループと前記外側閉ループを一体に付加したところの単一の「薄膜層」を、「ほぼ均一な幅の電気抵抗材料」で形成することで、当該補正に係る構成を得ることも、第２．３．（４）（４−１）のカで検討した理由により、当業者であれば当然になし得たものと認められる。
　
（４−３）判断のまとめ
　以上のように、相違点１〜３は、引用例２〜５に記載の技術及び周知技術を勘案すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　そして、補正発明の効果も、引用発明、引用例２〜５に記載の技術及び周知技術から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、補正発明は、引用例２〜５に記載の技術及び周知技術を勘案すれば、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
（５）独立特許要件の検討のまとめ
　以上のとおり、補正発明は、引用例２〜５に記載の技術及び周知技術を勘案すれば、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。
　
４．小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２４年７月２５日に提出された手続補正書による手続補正）は却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成２３年７月２１日に提出された手続補正書によって補正された明細書、特許請求の範囲又は図面の記載からみて、その請求項１〜９に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、再掲すると、次のとおりである。
　
「能動領域が形成されている半導体ダイ本体と、
　前記能動領域の周りをらせん状に囲み、かつＰＮ接合が形成されている、電気抵抗材料から成る連続細片と、
　前記連続細片上の前記ＰＮ接合どうしの間に形成される金属層と
を備える半導体デバイス。」
　
２．引用例の記載と引用発明
　引用例１〜引用例５の記載については、第２．３．（２）の（２−１）及び（２−３）〜（２−６）で摘記したとおりであり、引用発明については、第２．３．（２）の（２−２）において認定したとおりである。
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　　ア　引用発明の「ｐ基板１０」は、本願発明の「半導体ダイ本体」に相当する。
　そして、第２．３．（２）（３−１）のアにおいて指摘した理由により、引用発明の「島状の高電位領域８」と、本願発明の「能動領域」とは、半導体「領域」である点で共通する。
　
　　イ　引用発明の「渦巻き状の薄膜層６」は、「渦巻き状」であるから、幅が狭い連続した細片と言い得るものである。したがって、前記「渦巻き状の薄膜層６」が「前記島状の高電位領域８上に形成された高電位側電極２の周囲を周回して」いることと、本願発明の「連続細片」が「前記能動領域の周りをらせん状に囲」むことととは、「連続細片」が前記半導体「領域」の「周りをらせん状に囲」む点で共通する。
　また、引用発明の前記「渦巻き状の薄膜層６」が「ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５をそれぞれｎ層及びｐ層とする、順直列に接続されたｐｎダイオードの繰り返しからな」ることは、本願発明の「連続細片」に「ＰＮ接合が形成されている」ことに相当する。
　上記のように、引用発明の前記「渦巻き状の薄膜層６」が「ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５をそれぞれｎ層及びｐ層とする、順直列に接続されたｐｎダイオードの繰り返しからな」るが、前記「ｐｎダイオード」を構成する「ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５」は電気抵抗材料と言い得るものである。してみれば、引用発明の前記「渦巻き状の薄膜層６」が「ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５をそれぞれｎ層及びｐ層とする、順直列に接続されたｐｎダイオードの繰り返しからな」ることは、本願発明の「連続細片」が「電気抵抗材料から成る」ことに相当する。
　
　以上から、引用発明の「前記ｐ基板１０の表面側に絶縁酸化膜１８を介して形成され、ノンドープのポリシリコンに第１導電形及び第２導電形の不純物を導入して交互に形成した第１導電形薄膜層４及び第２導電形薄膜層５をそれぞれｎ層及びｐ層とする、順直列に接続されたｐｎダイオードの繰り返しからなり、前記島状の高電位領域８上に形成された高電位側電極２の周囲を周回して、前記高電位側電極２と前記低電位領域１２上に形成された低電位側電極３とを電気的に接続する、渦巻き状の薄膜層６」と、本願発明の「前記能動領域の周りをらせん状に囲み、かつＰＮ接合が形成されている、電気抵抗材料から成る連続細片」とは、島状の半導体「領域」の「周りをらせん状に囲み、かつＰＮ接合が形成されている、電気抵抗材料から成る連続細片」である点で共通する。
　
　　ウ　第２．３．（２）（３−１）のカにおいて指摘した理由により、引用発明の「前記渦巻き状の薄膜層６に形成されるｐｎ接合５５を一つ置きに短絡し、すべてのツェナーダイオードである前記ｐｎダイオードを前記順直列に形成するための金属膜５３」は、本願発明の「前記連続細片上の前記ＰＮ接合どうしの間に形成される金属層」に相当する。
　
　　エ　そして、引用発明の「プレーナ型の半導体装置」は、本願発明の「半導体デバイス」に相当する。
　
（３−２）一致点及び相違点
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「半導体領域が形成されている半導体ダイ本体と、
　前記半導体領域の周りをらせん状に囲み、かつＰＮ接合が形成されている、電気抵抗材料から成る連続細片と、
　前記連続細片上の前記ＰＮ接合どうしの間に形成される金属層と
を備える半導体デバイス。」
　
《相違点４》
　本願発明は、半導体ダイ本体に「能動領域」が形成されているのに対して、引用発明は、ｐ基板１０に「島状の高電位領域８」が形成されているものの、この「島状の高電位領域８」が「能動領域」であるかどうかは不明である点。
　
《相違点５》
　本願発明の「連続細片」は、「前記能動領域」の周りをらせん状に囲むのに対して、引用発明の「渦巻き状の薄膜層６」は「前記島状の高電位領域８上に形成された高電位側電極２の周囲を周回して」いる点。
　
４．判断
　　ア　第２．３．（４）（４−１）のア〜ウで検討したように、引用発明の「島状の高電位領域８」を能動領域とすることは、引用例２、３及び５に記載の技術を勘案すれば、当業者であれば当然になし得たものと認められる。
　
　　イ　したがって、引用発明の「島状の高電位領域８」を能動領域とすることで、相違点４に係る構成とするとともに、引用発明の「渦巻き状の薄膜層６」を前記能動領域である「前記島状の高電位領域８」の「周囲を周回」させることで、相違点５に係る構成とすることは、引用例２、３及び５に記載の技術を勘案すれば、当業者であれば、引用発明から容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　　ウ　以上から、相違点４〜５は、引用例２、３及び５に記載の技術を勘案すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　そして、本願発明の効果も、引用発明、引用例２、３及び５に記載の技術から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用例２、３及び５に記載の技術を勘案すれば、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例２、３及び５に記載された技術を勘案すれば、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。