【事件の表示】
　平成　２年特許願第１６１７１９号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　２月２０日出願公開、特開平　４−　５３２６４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　理　　　由
１，手続きの経緯と発明の要旨
　本願は平成2年6月20日の出願であって、その発明の要旨は、審判請求と同時になされた平成11年12月28日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１及び２に記載されたとおりのものであり、その中で、特許請求の範囲請求項１には次のとおり記載されている。
  「（１）配線層で論理の切り替えを行う内部ロジックと、前記内部ロジックの外周部に設けられたＩ／Ｏセル部と、前記内部ロジックをとり囲むように配線された、前記第１、第２、第３の電源端子と、を有するマスタスライス型半導体装置において、
　前記第１と第３の電源端子に基づく電源で動作する前記内部ロジックの信号レベルを前記第２と第３の電源端子に基づく電源で動作する信号レベルにシフトし、前記Ｉ／Ｏセル部へと出力する、レベルシフト回路とを有し、
　前記レベルシフト回路は前記内部ロジックのうちＩ／Ｏセル部に近接する領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。」（以下「本願第１発明」という。）
２，引用例
　一方、原査定において引用した特開平2-89345号公報（以下「第１引用例」という。）には、以下のとおりの事項が記載されている。
「そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的とするところは異なる電源系の装置との間の信号のやりとりも出来るゲートアレイ装置を提供することにある。
｛課題を解決するための手段｝
本発明のレベルシフト回路内蔵ゲートアレイ装置は、
ａ）入出力回路群と配線層により回路可変であるベーシックセル群からなる半導体集積回路のゲートアレイ装置において、
ｂ）第１の極性の第１の電位を持つ第１電源配線と、
ｃ）第２の極性の第２の電位を持つ第２電源配線と、
ｄ）第２の極性の第３の電位を持つ第３電源配線と、
ｅ）前記第１電源配線と前記第２電源配線を電源とする第１の回路群と、
ｆ）前記第１電源配線と前記第３電源配線を電源とする第２の回路群と、
ｇ）前記第１の回路群と前記第２の回路群との間の信号の媒介をするレベルシフト回路群とからなり、
ｈ ）該レベルシフト回路群が前記入出力回路群に含まれていることを特徴とする。
｛作用｝
　本発明の上記の構成によればレベルシフト回路を内蔵し、かつ第３の電位を持つ第３電源配線を有しているので異なる電源系の装置の信号を受けることも出来るし、また駆動に必要な信号を出力することも出来る。
｛実施例｝
　第１図は本発明、及び一般的なゲートアレイ装置の全体の概要を示す構成図を示すものである。第１図において、１１は入出力回路群、１２は配線層の変更により様々な回路となるベーシックセル群である。なお、本発明の場合、レベルシフト回路は入出力回路群１１の中に含まれている。」（第２頁左欄第３行〜同右欄最下行）
「第３図はゲートアレイ装置外部の電源系の電位がE2、ゲートアレイ装置のベーシックセル群から構成される内部回路の電源系の電位がE1と異なり、かつE1＜E2の場合の出力回路の構成を示すものである。第３図において一点鎖線３１はゲートアレイ装置の外部と内部の境界を示し、二点鎖線３２はゲートアレイ装置の中の入出力回路群とベーシックセル群との境界を示している。３３はレベルシフト回路であり、…ＭＯＳＦＥＴ３４と３５によってインバータ回路が構成されている。ベーシックセル群によって構成されたゲートアレイ装置の中の回路から出た信号３８はレベルシフト回路３３の入力端子４６に接続され、レベルシフト回路３３の出力端子４７はインバータ回路の入力端子３７に接続され、インバータ回路の出力端子３６はゲートアレイ装置の外部に出力される。以上によってE1の電源系のゲートアレイ装置内部の信号がゲートアレイ装置の出力部ではE2の電源系の信号に変換され、E2の電源系の他の装置を駆動することが出来る。」（第３頁右上欄第６〜左下欄第１０行）
　これらの記載と第１図、第３図及び第４図からすると、同引用例には、入出力回路群と、配線層により回路可変であるベーシックセル群と、３つの電源配線と、レベルシフト回路からなる半導体集積回路のゲートアレイ装置において、レベルシフト回路によって、接地電源と電位E1の電源とで駆動されるベーシックセルの信号レベルを、接地電源と電位E2の電源とで駆動される外部の信号レベルへ変換を行うようにしたことが記載され、レベルシフト回路は入出力回路の中に含まれ、その中において、ベーシックセル群によって構成されたゲートアレイ装置の中の回路から出た信号を、インバータ回路に出力することが記載されている。
　同じく査定時において周知例として引用した実用新案出願公開昭63-191636号公報（以下「第２引用例」という。）には、「本考案は、入出力セルの電源線及びアース線を備えたゲートアレイ方式の半導体集積回路装置において、上記電源線及び上記アース線をそれぞれ複数個に分離したことを特徴とする。」（第３頁第１４〜１７行）、「第１図は本考案の一実施例であるゲートアレイ方式の半導体集積回路装置のマスタスライス上に形成された入出力セルの電源線及びアース線の導体及び入出力パッドを示す平面図であり、第２図は第１図の装置の入出力セルの回路図である。この装置は、入出力セル上において入力回路用と出力回路用の各電源線の導体及び各アース線の導体を形成したことを特徴としている。第１図において、ゲートアレイ方式の半導体集積回路装置のマスタアレイ１の縁端部の入出力セル領域に複数の入出力セル２がマスタアレイ１の端辺に沿って設けられ、該マスタアレイ１の中央部に記憶セル及び論理演算セル等が形成される機能セル領域３が設けられる」（第４頁第８行〜第５頁第１行）、「これら導体４ないし７は入出力セル領域の層間絶縁膜１６上において、第１図に示すように、該マスタアレイ１の縁端部に沿ってかつ入出力パッド２ｐの内側に、それぞれ正方形の辺形状で順に互いに間隔Ｗｏだけ離れて形成される。」（第７頁第７〜１１行）」という記載がなされており、これらの記載と第１図からすると、同引用例には、中央に配置された機能セル領域（本願発明における「内部ロジック」に対応する）を取り囲むようにその回りに、複数の電源線を形成したゲートアレイ方式のマスタスライス型半導体装置が記載されている。
３，対比
　本願請求項１に係る発明と第１引用例記載の発明とを対比すると、第１引用例記載の「ゲートアレイ」は一般的にマスタスライス型半導体装置であり、同じく第１引用例における「入出力回路」と「配線層により回路可変であるベーシックセル」は本願第１発明における「Ｉ／Ｏセル部」、「配線層で論理の切り替えを行う内部ロジック」に対応し、また同じく第１引用例第３図とそれに関連する記載における接地電源に接続された端子（図示はされていない）は本願第１発明における第３の電源端子、電位E1の電源に接続された端子（図示はされていない）は本願第１発明における第１の電源端子、電位E2の電源に接続された端子（図示はされていない）は本願第１発明における第２の電源端子に対応するので、結局両者は「配線層で論理の切り替えを行う内部ロジックと、前記内部ロジックの外周部に設けられたＩ／Ｏセル部と、前記第１、第２、第３の電源端子と、を有するマスタスライス型半導体装置において、前記第１と第３の電源端子に基づく電源で動作する前記内部ロジックの信号レベルを前記第２と第３の電源端子に基づく電源で動作する信号レベルにシフトするレベルシフト回路を有する半導体装置。」の点で一致しており、以下の各点で相違する。
Ａ、本願第１発明においては、３つの電源端子が内部ロジックをとり囲むように配線されたものであるのに対して、第１引用例には、３つの電源端子（電源配線）の形状が示されていない（相違点Ａ）。
Ｂ、本願第１発明においては、レベルシフト回路は前記内部ロジックのうちＩ／Ｏセル部に近接する領域に形成され、かつレベルシフト回路でレベル変換した信号をＩ／Ｏセル部へ出力するものであるのに対して、第１引用例の発明においては、レベルシフト回路はＩ／Ｏセル部（入出力回路）の中に形成され、かつレベルシフト回路でレベル変換した信号をＩ／Ｏセル部（入出力回路）の中のインバータ回路へ出力するものである（相違点Ｂ）。
　よって、上記各相違点について、以下検討する。
Ａ、相違点Ａについて
　上記第２引用例には、中央に配置された「機能セル領域」（本願発明におえる「内部ロジック」に対応する）を取り囲むようにその回りに、複数の電源線を形成したマスタスライス型半導体装置が記載されており、マスタスライス型半導体装置において複数の電源線を中央の内部ロジックをとり囲むように配置することはよく知られれていることであるから、第１引用例の発明において、３つの電源端子が内部ロジックをとり囲むように配線するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
Ｂ、相違点Ｂについて
　第１引用例には、上記したように、
「ａ）入出力回路群と配線層により回路可変であるベーシックセル群からなる半導体集積回路のゲートアレイ装置において、
ｂ）第１の極性の第１の電位を持つ第１電源配線と、
ｃ）第２の極性の第２の電位を持つ第２電源配線と、
ｄ）第２の極性の第３の電位を持つ第３電源配線と、
ｅ）前記第１電源配線と前記第２電源配線を電源とする第１の回路群と、
ｆ）前記第１電源配線と前記第３電源配線を電源とする第２の回路群と、
ｇ）前記第１の回路群と前記第２の回路群との間の信号の媒介をするレベルシフト回路群とからなり、
ｈ ）該レベルシフト回路群が前記入出力回路群に含まれていることを特徴とする。」という記載がなされており、この記載によれば、、レベルシフト回路群は第１の回路群と前記第２の回路群との間の信号の媒介をすることが主要な役割であることが、同引用例に明らかにされている。そして、同引用例においては、信号をゲートアレイから外部へ出力する形態の場合、第１の回路群はベーシックセル群（内部ロジック）であり、第２の回路群は外部回路である。そして、本願発明におけるレベルシフト回路も、第１の回路群と前記第２の回路群との間の信号の媒介をすることがその主要な役割であることである点で第１引用例と同様であり、第１と第２の回路群の対応関係についても、信号をゲートアレイから外部へ出力する形態の場合、第１の回路群は内部ロジックであり、第２の回路群は外部回路であるというように、同引用例と同様に対応する。その際、レベルシフト回路は内部ロジックと外部回路との間に配置されることが必要であるが、必ずしもそれが入出力回路（Ｉ／Ｏセル部）に配置される必要がないことも明らかである。実際に、マスタスライス型集積回路装置において、レベルシフト回路が、入出力回路の外である、入出力回路と内部ロジックとの間の領域に配置されている周知例も存在する（特開平1-177219号公報など）。したがって、レベルシフト回路をＩ／Ｏセル部の中に配置して、その入力を内部ロジック回路から入力し、かつその出力をＩ／Ｏセル部内のバッファー回路（例えば、インバータ回路）に出力するようにするか、或いは、レベルシフト回路をＩ／Ｏセル部の外に配置して（内部ロジック回路も含めて）、その入力を内部ロジックから入力し、かつその出力をＩ／Ｏセル部、例えばバッファー回路に出力するようにすることは、当業者が適宜選択し得る事項であるということができる。確かに、本願第１発明は、レベルシフト回路をＩ／Ｏセル部内に設けず、内部ロジック回路に設けたことにより、Ｉ／Ｏセル部の面積の増大を防止する効果を有するが、一方で、レベルシフト回路を内部ロジックに設けたことにより内部ロジック回路の面積が増大するという問題が生じることは明らかであり、いずれにせよレベルシフト回路を設けない回路部は面積の増大を免れ、レベルシフト回路を設けた回路部は面積の増大を来すのであるから、どの回路の面積を増大させ、どの回路の面積を増大させないかは単なる設計上の問題に過ぎない。また、配線の長さを短くすることは、半導体集積回路の一般的な命題であるから、Ｉ／Ｏセル部に接続するレベルシフト回路をＩ／Ｏセル部の近傍に設けることにより配線長さを短くすることは、当業者の当然になすべきことである。
　よって、第１引用例の発明おいて、レベルシフト回路をＩ／Ｏセル部（入出力回路）の中に形成し、かつレベルシフト回路でレベル変換した信号をＩ／Ｏセル部（入出力回路）の中のインバータ回路へ出力することに代え、レベルシフト回路を前記内部ロジックのうちＩ／Ｏセル部に近接する領域に配置し、かつレベルシフト回路でレベル変換した信号をＩ／Ｏセル部へ出力するように変更することは、当業者が適宜になし得たことであると認められる。
４，むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は第１引用例〜第２引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そうである以上、本願の他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。