(57)【要約】【課題】  小型化を図ることが可能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】  本発明の半導体発光装置は、第１のリードと、ＬＥＤチップと、第２のリードと、第１のワイヤと、樹脂と、を備え、前記第２のリードは、前記第２の本体部から前記第１の方向において前記第１のリードとは反対側に延出し且つ前記第２の本体部の前記表面と面一である表面を有するとともに前記第２の本体部の前記表面と直角である第２の方向における厚みが前記第２の本体部の厚みよりも薄い第２の延出部を備えており、前記第２の延出部は、前記第２の本体部に繋がる第１部と、前記第１部に対して前記第２の本体部とは反対側に繋がり且つ前記樹脂から前記第１の方向に露出する端面を有する第２部と、を有し、前記第２部の前記第１の方向および前記第２の方向と直角である第３の方向における寸法は、前記第１部の前記第３の方向における寸法よりも小さい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有する第１の本体部を備えた第１のリードと、
前記第１のリードの前記表面上に前記第１のリードと電気的に接続されて配置されたＬＥＤチップと、
表面および裏面を有し且つ前記第１のリードに対して前記第１の方向に位置する第２の本体部を備えた第２のリードと、
前記ＬＥＤチップの表面と前記第２のリードとを接続する第１のワイヤと、
前記第１のリードの前記第１の本体部の前記表面と、前記第２のリードの前記第２の本体部の前記表面と、前記ＬＥＤチップと、前記第１のワイヤと、を覆い、且つ前記第１のリードの前記第１の本体部の前記裏面と前記第２のリードの前記第２の本体部の前記裏面とを露出させる樹脂と、を備え、
前記第２のリードは、前記第２の本体部から前記第１の方向において前記第１のリードとは反対側に延出し且つ前記第２の本体部の前記表面と面一である表面を有するとともに前記第２の本体部の前記表面と直角である第２の方向における厚みが前記第２の本体部の厚みよりも薄い第２の延出部を備えており、
前記第２の延出部は、前記第２の本体部に繋がる第１部と、前記第１部に対して前記第２の本体部とは反対側に繋がり且つ前記樹脂から前記第１の方向に露出する端面を有する第２部と、を有し、
前記第２部の前記第１の方向および前記第２の方向と直角である第３の方向における寸法は、前記第１部の前記第３の方向における寸法よりも小さいことを特徴とする、半導体発光装置。
【請求項２】
前記第２の延出部の前記第２部は、前記第２の延出部の前記第１部の前記第３の方向における中央寄りに設けられている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第２の延出部の前記第１部の前記第３の方向における寸法は、前記樹脂の前記第３の方向における寸法よりも小さい、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１のリードは、前記第１の本体部から前記第１の方向において前記第２のリードとは反対側に延出し且つ前記第１の本体部の前記表面と面一である表面を有するとともに前記第２の方向における厚みが前記第１の本体部の厚みよりも薄い第１の延出部を備えており、
前記第１の延出部は、前記樹脂から前記第１の方向に露出し且つ前記第３の方向における寸法が、前記第１の本体部の前記第３の方向における寸法よりも小さい端面を有する、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第１の延出部の前記端面は、前記第１の本体部の前記第３の方向における中央寄りに設けられている、請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第１のリードは、前記第１の本体部から前記第２のリードに向かって突出し且つ前記第１の本体部の前記表面と面一である表面を有するとともに前記第２の方向における厚みが前記第１の本体部の厚みよりも薄い第１の突出部を備える、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第２のリードは、前記第２の本体部から前記第１のリードに向かって突出し且つ前記第２の本体部の前記表面と面一である表面を有するとともに前記第２の方向における厚みが前記第２の本体部の厚みよりも薄い第２の突出部を備える、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１７は、従来の半導体発光装置の一例を示している（たとえば特許文献１参照）。同図に示された半導体発光装置９０１は、基板９１０にＬＥＤチップ９１２がボンディングされた構成とされている。ＬＥＤチップ９１２およびワイヤ９１３は、樹脂パッケージ９１４によって覆われている。
【０００３】
近年、たとえば携帯電話機の小型化が強く指向されている。このため、半導体発光装置９０１に対して、小型化の要請が強い。一方、樹脂パッケージ９１４は、ＬＥＤチップ９１２およびワイヤ９１３を適切に覆うサイズとする必要がある。基板９１０には、表裏面を導通させるためのスルーホール９１１が両端に形成されている。このスルーホール９１１に樹脂パッケージ９１４が重なると、スルーホール９１１から樹脂パッケージ９１４を形成するための樹脂材料が漏れてしまう。このため、基板９１０のサイズは、樹脂パッケージ９１４よりもさらに大きいものとせざるを得ない。これにより、半導体発光装置９０１の小型化が阻害されていた。
【０００４】
また、半導体発光装置９０１が小型となるほど、樹脂パッケージ９１４とその接合対象物（半導体発光装置９０１においては基板９１０）との接合面積が小さくなる。これにより、樹脂パッケージ９１４から基板９１０が剥離してしまうおそれが大きくなる。これによっても、半導体発光装置９０１の小型化が阻害されていた。
【０００５】
図１８は、従来の表示装置の一例を示している（たとえば特許文献２参照）。同図に示された表示装置９０２は、いわゆる７セグメントタイプの表示装置として構成されており、基板９２１に７つのＬＥＤチップ９２２がボンディングされた構成とされている。各ＬＥＤチップ９２２およびワイヤ９２３は、リフレクタ９２５に設けられた７つの開口９２６に各別に収容されている。各開口９２６には、ＬＥＤチップ９２２を覆う透光樹脂９２４が充填されている。
【０００６】
しかしながら、表示装置９０２の製造工程においては、開口９２６に樹脂材料を注入する作業を行う必要がある。この注入作業は、比較的時間と手間を要するため、表示装置９０２の製造効率を低下させていた。また、開口９２６の大きさを、樹脂材料の注入が可能な、たとえば注入ノズルと干渉することがない大きさとしておく必要がある。このため、表示装置９０２の小型化さらには高精細化が阻害されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１９６６４１号公報
【特許文献２】特開２００３−３１８５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によって提供される半導体発光装置は、表面および裏面を有する第１の本体部と、前記第１の本体部の前記表面に平行な第１の方向に前記第１の本体部から突出し且つ前記第１の本体部の前記表面と面一である表面を有するとともに前記第１の本体部の前記表面と直角である第２の方向における厚みが前記第１の本体部の厚みよりも薄い第１の突出部と、を備えた第１のリードと、前記第１のリードの前記表面上に前記第１のリードと電気的に接続されて配置されたＬＥＤチップと、表面および裏面を有し且つ前記第１のリードに対して前記第１の方向に位置する第２の本体部と、前記第２の本体部から前記第１の突出部と対向するように前記第１の方向に突出し且つ前記第２の方向における前記第２の本体部の厚みよりも薄い第２の突出部と、を備えて前記第１のリードと離間して配置された第２のリードと、前記ＬＥＤチップの表面と前記第２のリードとを接続する第１のワイヤと、前記第１のリードの前記第１の突出部の前記表面および裏面と、前記第１のリードの前記第１の本体部の前記表面と、前記第２のリードの前記第２の突出部の表面および裏面と、前記第２のリードの前記第２の本体部の前記表面と、前記ＬＥＤチップと、前記第１のワイヤと、を覆い、且つ前記第１のリードの前記第１の本体部の前記裏面と前記第２のリードの前記第２の本体部の前記裏面とを露出させる樹脂と、を備え、前記第１の突出部の前記第１の方向における長さは、前記第２の突出部の前記第１の方向における長さよりも長いことを特徴としている。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１の突出部は、前記第２の方向視において前記樹脂の中心と重なる位置に配置されている。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１の本体部は、前記第１の方向において前記第１の突出部が突出する側を向く第１の側面を有しており、前記第１のリードは、前記第１の突出部の前記裏面と前記第１の本体部の前記第１の側面とを接続するように湾曲する第１の湾曲部を有する。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１の本体部の前記裏面と前記第２の本体部の前記裏面とは、いずれも平面視において前記樹脂の周縁よりも内側に前記周縁と離間して配置されている。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１のリードは、前記第１の本体部から前記第１の突出部とは反対側に延出し且つ前記第２の方向における厚みが前記第１の本体部の厚みよりも薄い第１の延出部を備えており、前記第１の延出部の端面は、前記樹脂から露出している。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１の方向および前記第２の方向のいずれにも直角である第３の方向における前記第１の延出部の寸法は、前記第１の本体部の当該寸法よりも小である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２のリードは、前記第２の本体部から前記第２の突出部とは反対側に延出し且つ前記第２の方向における厚みが前記第２の本体部の厚みよりも薄い第２の延出部を備えており、前記第２の延出部の端面は、前記樹脂から露出している。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１の方向および前記第２の方向のいずれにも直角である第３の方向における前記第２の延出部の寸法は、前記第２の本体部の当該寸法よりも小である。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１の突出部の前記裏面側に形成された前記樹脂の前記第２の方向における厚みは、前記第１の突出部の前記表面側に形成された前記樹脂の前記第２の方向における厚みよりも薄い。
【００１８】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１の半導体発光装置を示す底面図である。
【図４】図１の半導体発光装置の製造方法の一例に用いるリードフレームを示す要部平面図である。
【図５】図１の半導体発光装置の製造方法の一例において、エッチングを施した状態を示す要部平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に沿う要部断面図である。
【図７】図１の半導体発光装置の製造方法の一例において、ＬＥＤチップを搭載した状態を示す要部平面図である。
【図８】図１の半導体発光装置の製造方法の一例において、樹脂パッケージを形成した状態を示す要部平面図である。
【図９】本発明に係る半導体発光装置の他の例を示す斜視図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図１１】図９の半導体発光装置の製造方法の一例において、不透明部を形成した状態を示す要部断面図である。
【図１２】本発明に係る半導体発光装置を備えた表示装置の一例を示す斜視図である。
【図１３】図１２の表示装置を示す平面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。
【図１５】本発明に係る半導体発光装置を備えた表示装置の他の例を示す要部平面図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う要部拡大断面図である。
【図１７】従来の半導体発光装置の一例を示す平面図である。
【図１８】従来の表示装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００２１】
図１〜図３は、本発明に係る半導体発光装置の一例を示している。本実施形態の半導体発光装置１０１は、１対のリード１，２、金属結合層３、ＬＥＤチップ４、および樹脂パッケージ５を備えている。図１においては、便宜上金属結合層３を省略している。半導体発光装置１０１は、長さが０．６ｍｍ、長さが０．３ｍｍ、厚さが０．２ｍｍ程度とされており、小型でありかつ非常に薄型の半導体発光装置として構成されている。
【００２２】
１対のリード１，２は、ＬＥＤチップ４を支持するとともに、ＬＥＤチップ４に電力供給をするためのものである。１対のリード１，２は、たとえばＣｕまたはその合金からなり、その厚さが０．１ｍｍ弱程度とされている。リード１は、主面１１、４つの側面１３、２つの埋没面１４、３つの延出部１５、および実装端子１６を有している。リード２は、主面２１、４つの側面２３、２つの埋没面２４、３つの延出部２５、および実装端子２６を有している。
【００２３】
主面１１は、ＬＥＤチップ４をダイボンディングするための部分であり、たとえば０．２７ｍｍ×０．２４ｍｍ程度のサイズとされている。主面２１は、ワイヤ６をボンディングするためのものであり、０．１９ｍｍ×０．２４ｍｍ程度のサイズとされている。主面１１および主面２１は、いずれも樹脂パッケージ５によって覆われている。
【００２４】
図２に示すように、主面１１には、メッキ処理が施されており、Ａｇメッキ層１２が形成されている。Ａｇメッキ層１２の表面は、粗面とされており、リード１のその他の部分よりも表面粗さが粗い。また、主面２１には、メッキ処理が施されており、Ａｇメッキ層２２が形成されている。Ａｇメッキ層２２の表面は、粗面とされており、リード２のその他の部分よりも表面粗さが粗い。Ａｇメッキ層１２，２２の表面を粗面とすることにより、主面１１，２１のうちＡｇメッキ層１２，２２によって覆われた部分は、粗面状とされている。Ａｇメッキ層１２，２２の表面を粗面とする手法は、たとえば表面が粗面状となりやすいメッキ処理を選定する、あるいはメッキ処理の後にショットブラスト処理を施す、などが挙げられる。Ａｇメッキ層１２，２２の表面粗さは、１μｍ程度である。たとえば、表面粗さは、算術平均粗さＲａ＝０．０８〜０．２０であってもよい。また、Ａｇメッキ層１２のサイズが、０．２５ｍｍ×０．２１ｍｍ程度、Ａｇメッキ層２２のサイズが、０．１３ｍｍ×０．２ｍｍ程度とされている。
【００２５】
実装端子１６，２６は、半導体発光装置１０１を面実装するために用いられるものであり、図２に示すように、ＬＥＤチップ４がある側とは反対側に膨出した部位のうち樹脂パッケージ５から露出した部分である。本実施形態においては、実装端子１６，２６は、０．１９ｍｍ×０．２７ｍｍ程度のサイズとされている。
【００２６】
側面１３，２３は、主面１１，２１と実装端子１６，２６とが離間する方向に広がる面である。本実施形態においては、側面１３，２３のほとんどすべてが樹脂パッケージ５によって覆われている。
【００２７】
延出部１５，２５は、側面１３，２３から延びており、一端面が樹脂パッケージ５から露出している。延出部１５，２５は、たとえばリードフレームのフレームと１対のリード１，２とを連結していた部分が切断されたものである。
【００２８】
埋没面１４，２４は、リード１，２のうち部分的に薄肉化された部分の面であり、主面１１，２１と反対側を向いている。本実施形態においては、リード１，２に２つずつの埋没面１４，２４が形成されている。埋没面１４，２４の端部に繋がる部分は、曲面となっている。
【００２９】
金属結合層３は、ＬＥＤチップ４とＡｇメッキ層１２とを結合するためのものであり、Ａｕと、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれかとの合金からなる。金属結合層３の厚さは、たとえば１μｍ以下とされる。
【００３０】
ＬＥＤチップ４は、半導体発光装置１０１の光源であり、たとえばｎ型半導体層およびｐ型半導体層と、これらに挟まれた活性層とが積層された構造とされている。ＬＥＤチップ４は、たとえばＩｎＧａＮ系半導体からなる場合、青色光を発光可能であり、そのサイズが０．１ｍｍ角程度、その厚さが５０μｍ程度とされる。ＬＥＤチップ４の上面は、ワイヤ６を介して主面２１に接続されている。なお、ＬＥＤチップ４は、たとえばＡｌＧａＮＩｎＰ系半導体からなるものであってもよい。
【００３１】
樹脂パッケージ５は、ＬＥＤチップ４およびワイヤ６を保護するためのものである。樹脂パッケージ５は、ＬＥＤチップ４からの光に対して透光性を有するたとえばエポキシ樹脂を用いて形成されている。また、樹脂パッケージ５に、青色光によって励起されることにより黄色光を発する蛍光材料を混入すれば、半導体発光装置１０１から白色光を出射させることが可能となる。本実施形態においては、樹脂パッケージ５は、平面視寸法が０．６ｍｍ×０．３ｍｍ程度、厚さが０．２ｍｍ弱程度とされている。
【００３２】
次に、半導体発光装置１０１の製造方法の一例について、図４〜図８を参照しつつ、以下に説明する。
【００３３】
まず、図４に示すように、リードフレーム１０を用意する。リードフレーム１０は、複数のリード１，２と、これらを互いに連結するフレーム１８とを有している。リードフレーム１０は、たとえばＣｕまたはその合金からなり、その厚さが０．１ｍｍ弱程度とされている。リードフレーム１０は、たとえばＣｕまたはその合金からなる金属板を打ち抜き加工することによって作製される。
【００３４】
次いで、リードフレーム１０に対してエッチング処理を施す。このエッチング処理は、リードフレーム１０のうち、主面１１，２１とは反対側の領域に対して行う。このエッチング処理により、リードフレーム１０には、図５および図６に示すように、部分的に厚さが薄い部位が生じる。これにより、複数の実装端子１６，２６、および複数の埋没面１４，２４が形成される。なお、図５において斜線が付された部分が平面視における実装端子１６，２６にあたる。
【００３５】
次いで、図７に示すように、リードフレーム１０に対してメッキ処理を施す。このメッキ処理により、リードフレーム１０には、Ａｇメッキ層１２，２２が形成される。このメッキ処理としてＡｇメッキ層１２，２２の表面が比較的粗面となりやすい手法を採用することにより、Ａｇメッキ層１２，２２の表面を表面粗さが１μｍ程度の粗面とする。あるいは、Ａｇメッキ層１２，２２を形成した後にショットブラスト処理を施すことにより、Ａｇメッキ層１２，２２の表面を粗面としてもよい。
【００３６】
次いで、主面１１にＬＥＤチップ４を搭載する。ＬＥＤチップ４の搭載には、上述した金属結合層３を用いる。金属結合層３による結合は、たとえばＬＥＤチップ４を金属結合層３を介してＡｇメッキ層１２に押し付けた状態で、雰囲気温度を２００〜３５０℃程度とし、さらに超音波によってＬＥＤチップ４を振動させることによって行う。これにより、金属結合層３は、Ａｇメッキ層１２およびＬＥＤチップ４の双方と共晶状態を形成する。この結合により、ＬＥＤチップ４は、主面１１に対して強固に固定されることとなる。そして、ＬＥＤチップ４とリード２とをワイヤ６によって接続する。
【００３７】
次いで、図８に示すように樹脂パッケージ５０を形成する。樹脂パッケージ５０の形成は、たとえば透明なエポキシ樹脂材料、または透明なエポキシ樹脂材料に蛍光材料を混入させた材料を用いた金型成型によって行う。樹脂パッケージ５０は、リードフレーム１０のほぼ全域、すべてのＬＥＤチップ４およびワイヤ６を覆っている。こののちは、切断線５５に沿ってリードフレーム１０を切断する。以上の工程を経ることにより、図１〜図３に示した半導体発光装置１０１が得られる。
【００３８】
次に、半導体発光装置１０１の作用について説明する。
【００３９】
本実施形態によれば、樹脂パッケージ５は、粗面とされた主面１１，２１と接している。このため、樹脂パッケージ５とリード１，２との接合力を高めることが可能である。したがって、樹脂パッケージ５からリード１，２が剥離してしまうことを防止することが可能であり、半導体発光装置１０１の小型化を図ることができる。
【００４０】
樹脂パッケージ５は、リード１，２の側面１３，２３を覆っている。これにより、樹脂パッケージ５とリード１，２との接合面積を増大させることが可能である。また、リード１，２は、樹脂パッケージ５によって側面１３，２３を介して挟まれる格好となっている。これは、樹脂パッケージ５からリード１，２が剥離してしまうことを防止するのに有利である。
【００４１】
さらに、樹脂パッケージ５は、埋没面１４，２４と主面１１，２１とに接する部分によってリード１，２を厚さ方向に挟んだ格好となっている。これは、樹脂パッケージ５からリード１，２が剥離してしまうことを防止するのに好適である。また、樹脂パッケージ５から先端面が露出するように延びた延出部１５，２５によって、リード１，２の剥離防止をさらに促進することができる。
【００４２】
本実施形態によれば、樹脂パッケージ５を形成する際に樹脂材料が漏れることを考慮すべきスルーホールなどは設けられていない。このため、樹脂パッケージ５のサイズを半導体発光装置１０１全体のサイズとほぼ同一とすることが可能である。これにより、半導体発光装置１０１のサイズは、ＬＥＤチップ４とワイヤ６とを適切に保護するのに必要最低限なサイズとされた樹脂パッケージ５と同等となる。したがって、半導体発光装置１０１の小型化を図ることができる。
【００４３】
また、実装端子１６，２６を囲う樹脂パッケージ５は、ハンダの濡れ性が極端に悪い材料からなる。このため、図２に示すように、半導体発光装置１０１を配線パターン７１が形成されたプリント配線基板７に実装した場合に、ハンダ７４は、樹脂パッケージ５によってせき止められる格好となり、実装端子１６，２６からほとんどはみ出さない。これにより、複数の半導体発光装置１０１を同一のプリント配線基板７に実装しても、ハンダ７４どうしが干渉するおそれが無い。したがって、半導体発光装置１０１の高密度実装化を図ることが可能である。
【００４４】
Ａｇメッキ層１２，２２は、反射率が高い反射面を形成する。このため、ＬＥＤチップ４から主面１１，２１に向かって発せられた光がほとんど吸収されることなく反射される。これにより、半導体発光装置１０１の高輝度化を図ることができる。特に、ＬＥＤチップ４から青色光が発せられる場合、Ａｇメッキ層１２，２２はこの青色光を反射するのに好適である。また、ＬＥＤチップ４が発光するときに生じた熱を、主面１１から実装端子１６を介して、プリント配線基板７へと効率よく放熱することが可能である。これは、高出力化によって半導体発光装置１０１の高輝度化を図るのに有利である。
【００４５】
金属結合層３によれば、ＬＥＤチップ４とＡｇメッキ層１２とを共晶状態で結合させることが可能である。この結果、ＬＥＤチップ４は主面１１に対して強固に固定される。したがって、非常に小サイズとされたＬＥＤチップ４を適切に固定することができる。また、ＬＥＤチップ４の結合力が十分得られるため、ＬＥＤチップ４からはみ出すほどに金属結合層３の量を多くする必要が無い。このため、ＬＥＤチップ４からの光が金属結合層３によって吸収されるおそれが無い。したがって、半導体発光装置１０１の高輝度化をさらに促進することができる。
【００４６】
図９〜図１１は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００４７】
図９および図１０は、本発明に係る半導体発光装置の他の例を示している。本実施形態の半導体発光装置１０２は、樹脂パッケージ５の構成が上述した半導体発光装置１０１と異なっている。
【００４８】
本実施形態においては、樹脂パッケージ５は、透明部５１および不透明部５２を有している。透明部５１は、ＬＥＤチップ４からの光を透過する材質からなり、たとえば透明なエポキシ樹脂、または透明なエポキシ樹脂に蛍光材料が混入された材質からなる。透明部５１は、ＬＥＤチップ４を覆っており、主面１１，２１に接している。不透明部５２は、ＬＥＤチップ４からの光を透過しない材質からなり、たとえば白色樹脂からなる。不透明部５２は、主面１１，２１よりも下方に形成されており、リード１，２の側面１３，２３や埋没面１４，２４を覆っている。
【００４９】
半導体発光装置１０２の製造方法においては、図４に示すリードフレーム１０を用意した後に、図１１に示すように、このリードフレーム１０にたとえば白色樹脂材料を用いて不透明部５３を形成する。不透明部５３の形成に先立って、Ａｇメッキ層１２，２２を形成しておいてもよい。こののちは、ＬＥＤチップ４の搭載、ワイヤ６のボンディング、図８に示した樹脂パッケージ５０と類似の透明部を形成した後に、リードフレーム１０を切断することにより、半導体発光装置１０２が得られる。
【００５０】
このような実施形態によれば、リード１，２の間やその周辺領域は、不透明部５２によって埋められた格好となっている。このため、ＬＥＤチップ４からの光が実装端子１６，２６側に不当に漏れることを防止することができる。また、白色樹脂からなる不透明部５２は、反射率が比較的高い。これにより、半導体発光装置１０２の高輝度化を図ることができる。
【００５１】
本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００５２】
図１２〜図１４は、本発明に係る表示装置の一例を示している。本実施形態の表示装置２０１は、プリント配線基板７、７つの半導体発光装置１０１、およびリフレクタ８を備えている。表示装置２０１は、数字やアルファベットを表示可能ないわゆる７セグメントタイプの表示装置として構成されている。
【００５３】
プリント配線基板７は、たとえば樹脂層とパターン形成された金属層とが積層された構造を有しており、表示装置２０１の土台となるものである。本実施形態においては、プリント配線基板７は、長矩形状とされている。プリント配線基板７には、配線パターン７１と複数の端子７２とが形成されている。複数の端子７２は、表示装置２０１を電子機器などに組み込むために用いられる。配線パターン７１は、複数の端子７２と半導体発光装置１０１とを導通させるためのものである。
【００５４】
半導体発光装置１０１は、表示装置２０１の光源である。本実施形態においては、７個の半導体発光装置１０１が用いられており、これらの半導体発光装置１０１がプリント配線基板７に搭載されている。
【００５５】
リフレクタ８は、長矩形の板状であり、本実施形態においては、たとえば白色樹脂からなる。リフレクタ８には、７つの開口８１が形成されている。各開口８１は、平面視において細長の六角形を呈している。図１３に示すように、７つの開口８１は、全体として８の字に相当する配置とされている。
【００５６】
各開口８１には、１つずつの半導体発光装置１０１が収容されている。開口８１の内側面は、反射面８２とされている。本実施形態においては、１つの開口８１につき６つの反射面８２が設けられている。これらの反射面８２は、半導体発光装置１０１を挟んで互いに対向する３対の反射面８２となっている。図１４に示すように、各対の反射面８２は、プリント配線基板７のうち半導体発光装置１０１が搭載された搭載面の法線方向において、プリント配線基板７から離間するほど互いの距離が大となるように傾いている。
【００５７】
次に、表示装置２０１の作用について説明する。
【００５８】
表示装置２０１によれば、半導体発光装置１０１を搭載した後に、開口８１を透光樹脂によって埋める必要がない。このため、表示装置２０１の製造工程を簡略化することが可能であり、表示装置２０１の低コスト化を図ることができる。
【００５９】
半導体発光装置１０１にはワイヤを接続する必要がない。このため、開口８１内には、ワイヤをボンディングするためのキャピラリを挿入しなくて済む。また、開口８１に、透光樹脂を充填するためのたとえばノズルを挿入する必要もない。これにより、開口８１の大きさは、半導体発光装置１０１を収容するだけの大きさであればよい。これに加えて、上述した通り、半導体発光装置１０１は、比較的小型であり、かつ実装面積を縮小することが可能である。したがって、開口８１の小型化、狭幅化を図ることが可能であり、表示装置２０１の小型化を図ることができる。
【００６０】
図１５および図１６は、本発明に係る表示装置の他の例を示している。本実施形態の表示装置２０２は、いわゆるドットマトリクスタイプの表示装置として構成されている点が上述した実施形態と異なっている。
【００６１】
表示装置２０２においては、リフレクタ８には多数の開口８１が形成されている。これらの開口８１は、平面視においてマトリクス状に配置されている。各開口８１は、たとえば平面視正方形である。各開口８１には、半導体発光装置１０１が収容されている。すなわち、表示装置２０２においては、多数の半導体発光装置１０１がマトリクス状にプリント配線基板７に搭載されている。
【００６２】
表示装置２０２によっても、表示装置２０２の小型化および低コスト化を図ることができる。特に、開口８１の小型化を図ることが可能であることにより、複数の開口８１を高密度に配置することが可能である。したがって、表示装置２０２の高精細化を図ることができる。
【００６３】
本発明に係る半導体発光装置を備えた表示装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置を備えた表示装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００６４】
表示装置２０１，２０２の光源としては、半導体発光装置１０１に代えて半導体発光装置１０２を用いてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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