【事件の表示】
　特許第２７７０９４５号「タングステン被覆法」の特許請求の範囲第１項に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７７０９４５号の特許請求の範囲第１項に係る発明の特許を取り消す。
【理　由】
一.手続の経緯
　本件特許第２７７０９４５号の発明は、昭和６２年１１月１０日（優先権主張　１９８６年１１月１０日　米国）に出願され、平成１０年４月１７日に設定登録され、その後、平成１０年９月１６日に松下愛より、平成１０年１２月２８日に諸永芳春より、そして平成１０年１２月２９日に鈴木昭久よりそれぞれ特許異議申立がなされ、平成１１年５月６日付で取消理由を通知し、その指定期間内（期間延長も含めて）である平成１１年１２月１日に訂正請求がなされたが、その訂正請求に対して平成１２年１月２６日付で訂正拒絶理由を通知し、その指定期間内（期間延長も含めて）である平成１２年８月１５日に訂正請求書の補正がなされたものである。
二.訂正請求書の補正に対する訂正請求書の要旨の変更についての判断
　特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定によれば、訂正請求書の補正は訂正請求書の要旨を変更してはならないのである。ところで、本件訂正請求は、特許明細書の特許請求の範囲第１項に「該接着層が被覆された該孔を充填するよう」を挿入するように訂正する（訂正事項）ものであり、本件訂正請求書の補正は、特許明細書の特許請求の範囲第１項の「誘電体層」とあるのを「二酸化ケイ素からなる誘電体層」と補正し（補正事項１）、同項の「該誘電体層」とあるのを「該孔内の誘電体層の表面」と補正し（補正事項２）、「堆積させて」を「ブランケット堆積させて」と補正し（補正事項３）、「、及び前記タングステン層及び前記接着層をエッチングバックして、前記誘電体層と前記孔中に充填された前記タングステンからなる平坦表面有するバイアを形成する工程と」を挿入するように補正する（補正事項４）ものである。訂正事項と補正事項とは以上のとおりであり、（訂正事項）と（補正事項１）乃至（補正事項４）とは全く異なる事項であるから、本件訂正請求書の補正により（補正事項１）乃至（補正事項４）を追加したことは、訂正を求める範囲を実質的に拡大変更するものであり、本件訂正請求書の要旨を変更するものである。
　したがって、本件訂正請求書の補正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に違反してなされたものであるから、認めることはできない。（平成８年（行ケ）第２２２号参照）
三．訂正の適否の判断
（イ）訂正明細書の特許請求の範囲第１項に係る発明（本件訂正発明）について
　本件訂正発明は、その特許請求の範囲第１項に記載された事項により特定されるとおりのものであり、特許請求の範囲第１項記載の発明は下記のとおりである。
「集積回路の製作方法であって、
　誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、
　該誘電体層及び該露出した下地材料を被覆する接着層を堆積させる工程、化学気相堆積によりタングステン層を堆積させて、該タングステン層により該接着層が被覆された該孔を充填するよう該誘電体層及び該露出した下地材料上の該接着層を被覆する工程からなる方法において、
　該接着層が実質的にＴｉＮからなり、該タングステン層は減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積されていることを特徴とする集積回路の製作方法。」
（ロ）訂正の適否
　１．新規事項についての判断
　特許請求の範囲第２項における訂正事項である「１０００Åより薄いものである」は願書に添付した明細書又は図面に記載されていないので、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第２項の規定に違反するものと認められる。
　２．独立要件についての判断
　当審が訂正拒絶理由通知において提示した、本件の出願日（優先権主張の日）前（昭和６１年３月７日）の他の出願であって、その出願日（優先権主張の日）後に出願公開された特願昭６１−４８４６２号（特開昭６２−２０６８５２号公報参照）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、先願明細書等という。）には、「（産業上の利用分野）
　本発明は半導体装置の製造方法に係わり、特に配線の接続部をタングステン等の金属膜で埋め込んだ半導体装置の製造方法に関する。」（第２頁左上欄第１１〜１４行）、「（実施例）
　以下、本発明による半導体装置の製造方法の実施例について説明する。
　まず本発明の第１の実施例を第１図を参照して説明する。第１図(a)の如く５ΩcmのＰ型（１００）シリコン基板(16)に形成したヒ素（Ａｓ）高濃度ドーピング層(10)の上に絶縁膜として約１．２μｍのＳｉＯ２層(11)を常圧ＣＶＤ法で形成した後、反応性イオンエッチング等により所望の場所に直径０．４μｍの開孔部(15)を設ける。次に第１図(b)の如く６５０℃の減圧ＣＶＤ装置内において分圧０．１５Ｔｏｒｒで水素（Ｈ２）を、分圧０．０５ＴｏｒｒでＴｉＣｌ４を導入し、約２００Åの第１の金属膜であるチタン（Ｔｉ）膜(12)を被着し、続いて装置内を排気した後、基板温度４００℃，分圧０．２Ｔｏｒｒで水素（Ｈ２）を、分圧０．０３Ｔｏｒｒで六フッ化タングステン（ＷＦ６）を導入し第２の金属膜であるタングステン膜(13)を０．３μｍ堆積して開孔部(15)を埋め込んだ。」（第３頁左上欄第１７行〜右上欄第１４行）、「上記各実施例において、第１の金属としてチタンあるいはタングステン−シリコン合金、第２の金属としてタングステンを用いたが、本発明はこれらに限定されるものではなく第１の金属としてはチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、及びこれらの珪化物（シリコンとの合金）、窒化物、又はモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の珪化物であってもよく、第２の金属としては、タングステン（Ｗ）以外にモリブデン（Ｍｏ）あるいはそれらの珪化物であっても同様の効果が得られる。」（第４頁右下欄第７〜１７行）、「更にＳｉＯ２膜(11)の下層はＮ＋あるいはＰ＋のシリコン基板もしくはチタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン及びこれらの珪化物又は窒化物、あるいはニッケル、パラジウム、プラチナ及びこれらの珪化物、あるいはアルミニウム、銅を主成分とする金属膜のいずれでもよい。」（第５頁左上欄第１〜７行）及び「（発明の効果）
　以上、述べてきたように本発明によれば絶縁膜に形成したコンタクトホールあるいはスルーホール等の開孔部をタングステン等の金属膜で埋め込むに際し、この金属膜と前記絶縁膜との間にこの絶縁膜と密着性の良い第１の金属膜を介在させるので金属膜のはがれが生ぜずエッチングした後も絶縁膜表面の平坦化が保たれる。又、開孔部にも隙は生じないので電気的接触も良好である。」（第５頁左上欄第８〜１６行）が第１図と共に記載されている。そして、第２の金属膜であるタングステン膜(13)は減圧ＣＶＤ装置内を排気した後、基板温度４００℃、分圧０．２Ｔｏｒｒで水素（Ｈ２）を、分圧０．０３Ｔｏｒｒで六フッ化タングステン（ＷＦ６）を導入して堆積されるのであるから、第２の金属膜であるタングステン膜(13)の堆積は減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって行われることは明かである。してみると、上記先願明細書等には、半導体装置の製造方法であって、ＳｉＯ２層(11)をパターンニングして開孔部(15)を形成し、該開孔部(15)が下層を露出する工程であって、該下層がアルミニウム、銅を主成分とする金属膜からなるものである工程、該ＳｉＯ２層(11)及び露出した下層を被覆するＴｉＮからなる第１の金属膜(12)を堆積する工程、減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって上記開孔部(15)を埋め込むように上記第１の金属膜を被覆する第２金属膜であるタングステン膜(13)を堆積する工程からなる半導体装置の製造方法が記載されているものと認められる。
　本件訂正発明と上記先願明細書等に記載の発明とを対比すると、上記先願明細書等に記載の「ＳｉＯ２層(11)」、「下層」、「アルミニウム、銅を主成分とする金属膜」、「第１の金属膜(12)」及び「半導体装置」はそれぞれ本件発明の「誘電体層」、「下地材料」、「導電性材料」、「接着層」及び「集積回路」に相当するから、両者は「集積回路の製作方法であって、誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、該誘電体層及び該露出した下地材料を被覆する接着層を堆積させる工程、化学気相堆積によりタングステン層を堆積させて、該タングステン層により該接着層が被覆された該孔を充填するよう該誘電体層及び該露出した下地材料上の該接着層を被覆する工程からなる方法において、該接着層が実質的にＴｉＮからなり、該タングステン層は減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積されていることを特徴とする集積回路の製作方法」の点すなわち全ての点で一致するものと認められる。
　よって、本件訂正発明は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、しかも、本件訂正発明の発明者が上記先願明細書等に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件訂正発明の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件訂正発明は、特許法第２９条の２の規定に違反するものと認められる。
　また、当審が訂正拒絶理由通知において提示した特開昭６１−１１２３５３号公報（刊行物１）には、「〔発明の目的〕
　本発明の目的は、上記欠点を除去し、多層配線における開孔部を高融点金属膜で埋ることにより平坦化し、配線の断線等による不良の生じない多層配線の形成方法を提供することにある。」（第２頁左上欄第６〜１０行）、「第２図(a)〜(d)は本発明の一実施例を説明するための工程断面図であり、特に素子とのコンタクト部上にＡｌ配線を形成する場合を示している。
　まず第２図(a)に示すように、半導体素子等が形成された半導体基板１０上の絶縁膜１１に幅１〜２μｍのコンタクト用開孔部１２を形成する。微細な開孔部の形成には反応性イオンエッチング法（ＲＩ（「)(」は「Ｉ」の誤り。）Ｅ法）等のドライエッチング法が適している。
　次に第２図(b)に示すように、開孔部１２を含み絶縁膜１１全面に気相成長法（Chemical Vapor Deposition法:ＣＶＤ法）によりタングステン（Ｗ）膜１３を堆積し、開孔部１２を埋める。
　Ｗ膜１３はＣＶＤ法により形成されるため、開孔部１２は完全に埋る。そして、その上部のくぼみも小さく、Ｗ膜１２はほぼ平坦に形成される。
　次に第２図(c)に示すように、ＲＩＥ法によりＷ膜１２をエッチングし、絶縁膜１１を露出させる。この工程によりＷ膜１３は開孔部１２の部分にのみ残ることになる。」（第２頁右上欄第５行〜左下欄第５行）及び「第３図は本発明の他の実施例を説明するための断面図であり、２層配線構造を形成する場合を示している。
　第３図において、半導体基板１０上のフィールド酸化膜としてＳｉＯ２膜２１上には下層のＡｌ配線２２が、そしてＰＳＧ膜２３を介して上層のＡｌ配線２６が形成されている。この下層のＡｌ配線２２と上層のＡｌ配線２６とは、ＰＳＧ膜２３に設けられた開孔部２４に埋められたＷ膜２５により接続されている。この２層配線を形成するには第２図(a)〜(d)の工程を応用すればよい。」（第２頁右下欄第１〜１１行）が第２，３図と共に記載されている。してみると、上記刊行物１には、半導体基板上のフィールド酸化膜としてのＳｉＯ２膜２１上に下層のＡｌ配線２２を形成する工程、その上にＰＳＧ膜２３を形成し、該ＰＳＧ膜２３をパターニングしてコンタクト用開孔部２４を形成し、該開孔部２４が下層のＡｌ配線２２を露出する工程、該開孔部２４を含みＰＳＧ膜２３全面に化学気相成長法によりタングステン膜２５を堆積し、該開孔部２４を埋める工程からなる多層配線の形成方法が記載されているものと認められる。同様に提示した1-36 Proceedings Third International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference、June 9 1986、pp418〜435「BLANKET CVD TUNGSTEN INTERCONNECT FOR VLSI DEVICES」（刊行物２）には、「この研究で精査されたタングステン膜は、ホットウォール管状ＬＰＣＶＤ反応器の中で全て堆積された。」（第４１９頁第１〜２行）、「堆積で使用されるガスは、マイクロプロセッサ制御型質量流量コントローラを通って流れるＷＦ６とＨ２である。」（第４１９頁第５〜７行）及び「タングステンは酸化膜に十分接着しないので、接着促進材が必要である。」（第４１９頁第８〜９行）が記載されている。してみると、上記刊行物２には、タングステン膜をＣＶＤ法で形成する方法として、ＬＰＣＶＤ法でＷＦ６とＨ２とを用いて堆積する方法、及びタングステンは酸化膜に十分に接着しないので接着促進材が必要であることが記載されているものと認められる。同様に引用された特開昭５９−１９８７３４号公報（刊行物３）には、「〔発明の概要〕
　この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、Ａｌまたはその合金で形成される多層配線の上または下にチタン（Ｔｉ）またはチタン化合物の膜を形成することによって、配線層と絶縁膜との間の反応を防止し、かつ、密着力の向上を計り、上述の「フクレ」の生じない多層配線構造を提供するものである。」（第２頁右上欄第２０行〜左下欄第７行）、「〔発明の実施例〕
　第３図はこの発明の一実施例の構成を説明するためにその形成工程の主要段階における状態を示す断面図である。第１層の金属配線(3a)、(3b)、および層間絶縁膜(4)を形成し、この層間絶縁膜(4)にスルーホール(7)を形成するまでは従来例における第１図Ａ〜Ｃと同様である。このスルーホール(7)の形成後、第３図Ａに示すようにＴｉまたはＴｉＷ，ＴｉＮなどのＴｉ化合物からなる中間金属膜(12)をＣＶＤ法、スパッタリング法、電子線加熱蒸着法などで薄く形成し、その後第３図Ｂに示すように第２層目の金属配線としてＡｌ層(8)をＣＶＤ法、スパッタリング法、電子線加熱蒸着法などで形成し、その所望の配線部分のみをホトレジスト膜(9)で覆い、ついで、第３図Ｃに示すようにホトレジスト膜(9)をマスクとして第２層のＡｌ層(8)および中間金属層(12)にエッチングによるパターニングを施して、第２層目の金属配線(8a)および中間金属配線層(12a)を形成し、その後にホトレジスト膜(9)を除去する。そして、最後に、第３図Ｄに示すように全上面にＳｉ３Ｎ４膜からなるパッシベーション膜(10)を形成して多層配線構造を完成する。
　以上のように、この実施例では層間絶縁膜(4)と第２層目のＡｌ配線(8a)との間にＴｉまたはＴｉ化合物からなる中間金属配線層(12a)が形成されているが、ＴｉおよびＴｉＷ、ＴｉＮなどのＴｉ化合物はＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、Ａｌ膜などとの密着性に優れており、また、これらＴｉまたはＴｉＷ、ＴｉＮなどのＴｉ化合物を挟む両側の物質間の反応に対するバリヤとしての能力も大きい。」（第２頁左下欄第８行〜右下欄第１７行）が第３図と共に記載されている。してみると、上記刊行物３には、Ａｌ等からなる配線層とＳｉＯ２等からなる絶縁膜との密着力を向上するために、その間にＴｉＮからなる中間金属配線層を介在させることが記載されているものと認められる。
　本件訂正発明と上記刊行物１記載の発明とを対比すると、上記刊行物１記載の発明の「ＰＳＧ膜２３」、「コンタクト用開孔部２４」、「下層のＡｌ配線２２」及び「多層配線の形成方法」はそれぞれ本件訂正発明の「誘電体層」、「孔」、「導電性材料からなる下地材料」及び「集積回路の製作方法」に相当するから、両者は、「集積回路の製作方法であって、誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、化学気相堆積によりタングステン層を堆積させて、該孔を充填するよう該誘電体層及び該露出した下地材料上を被覆する工程からなることを特徴とする集積回路の製作方法方法」の点で一致するが、下記の点で相違するものと認められる。
　(1)タングステン層を堆積するＣＶＤ法が、本件発明においては実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積する減圧化学気相堆積法を用いるのに対して、上記刊行物１記載の発明においてはどのようなＣＶＤ法を用いているか不明である点。
　(2)誘電体層及び露出した下地材料とタングステン層との間に、本件発明が実質的にＴｉＮからなる接着層を形成する工程を有するのに対して、上記刊行物１記載の発明がそのような層を形成する工程を有していない点。
　上記相違点について検討すると、
　相違点(1)については上記刊行物２に示すようにタングステン層を堆積するＣＶＤ法として実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積する減圧化学気相堆積法が公知であり、本件訂正発明がタングステン層を堆積するＣＶＤ法として実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積する減圧化学気相堆積法を用いたことに格別の意義も認められないから、上記相違点は当業者が必要に応じて任意になし得たことと認められる。
　相違点(2)については、上記刊行物２に示すようにタングステンが酸化膜との接着性が悪いことはよく知られていることであり、上記刊行物３に示すようにＡｌとＳｉＯ２等の酸化膜との間にＳｉＮからなる中間金属層を介在させることによってＡｌとＳｉＯ２等の酸化膜との間の密着性を向上させることができるのであるから、上記刊行物１記載の発明において、タングステンと酸化膜との間の接着性の悪さを改善するために両者の間にＳｉＮからなる接着層を介在させる工程を設けてみようとすることは当業者なら容易に思い付くことである。そして、この思い付きを実施した結果、タングステンと酸化膜との間に介在するＳｉＮからなる接着層が酸化膜との接着性のみならずタングステンとの接着性も有するとの効果が得られることは当業者が当然理解することである。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　よって、本件訂正発明は上記刊行物１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明し得たものと認められるから、本件訂正発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものと認められる。
　３．以上のとおり、本件訂正明細書には願書に添付した明細書又は図面に記載されていない事項を含むものであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第第３項で準用する同第１２６条第２項の規定に違反するものであり、また本件訂正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第第３項で準用する同第１２６条第４項の規定に違反する。
　したがって、上記訂正は認められない。
四．特許異議申立についての判断
(イ)本件発明
　本件特許明細書の特許請求の範囲第１項に係る発明（本件発明）は、次の事項によって特定されるとおりのものである。
　「集積回路の製作方法であって、
誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、
該誘電体層及び該露出した下地材料を被覆する接着層を堆積させる工程、
化学気相堆積によりタングステン層を堆積させて、該タングステン層により該誘電体層及び該露出した下地材料上の該接着層を被覆する工程からなる方法において、
該接着層が実質的にＴｉＮからなり、該タングステン層は減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積されていることを特徴とする集積回路の製作方法。」
(ロ)先願発明について
　当審が取消理由通知において提示した、本件の出願日（優先権主張の日）前の他の出願であって、その出願日（優先権主張の日）後に出願公開された特願昭６１−４８４６２号（特開昭６２−２０６８５２号公報参照）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、先願明細書等という。）には、半導体装置の製造方法であって、ＳｉＯ２層(11)をパターンニングして開孔部(15)を形成し、該開孔部(15)が下層を露出する工程であって、該下層がアルミニウム、銅を主成分とする金属膜からなるものである工程、該ＳｉＯ２層(11)及び露出した下層を被覆するＴｉＮからなる第１の金属膜(12)を堆積する工程、減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって上記開孔部(15)を埋め込むように上記第１の金属膜を被覆する第２金属膜であるタングステン膜(13)を堆積する工程からなる半導体装置の製造方法が記載されているものと認められる。
　本件発明と上記先願明細書等に記載の発明とを対比すると、上記先願明細書等に記載の「ＳｉＯ２層(11)」、「下層」、「アルミニウム、銅を主成分とする金属膜」、「第１の金属膜(12)」及び「半導体装置」はそれぞれ本件発明の「誘電体層」、「下地材料」、「導電性材料」、「接着層」及び「集積回路」に相当するから、両者は「集積回路の製作方法であって、誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、該誘電体層及び該露出した下地材料を被覆する接着層を堆積させる工程、化学気相堆積によりタングステン層を堆積させて、該タングステン層により該接着層が被覆された該孔を充填するよう該誘電体層及び該露出した下地材料上の該接着層を被覆する工程からなる方法において、該接着層が実質的にＴｉＮからなり、該タングステン層は減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積されていることを特徴とする集積回路の製作方法」の点すなわち全ての点で一致するものと認められる。
　よって、本件発明は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、しかも、本件発明の発明者が上記先願明細書等に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件発明の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件発明の特許は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
(ハ)刊行物記載の発明について
　当審が取消理由通知において提示した特開昭６１−１１２３５３号公報（刊行物１）には、半導体基板上のフィールド酸化膜としてのＳｉＯ２膜２１上に下層のＡｌ配線２２を形成する工程、その上にＰＳＧ膜２３を形成し、該ＰＳＧ膜２３をパターニングしてコンタクト用開孔部２４を形成し、該開孔部２４が下層のＡｌ配線２２を露出する工程、該開孔部２４を含みＰＳＧ膜２３全面に化学気相成長法によりタングステン膜２５を堆積し、該開孔部２４を埋める工程からなる多層配線の形成方法が記載されているものと認められる。同様に提示した1-36 Proceedings Third International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference、June 9 1986、pp418〜435「BLANKET CVD TUNGSTEN INTERCONNECT FOR VLSI DEVICES」（刊行物２）には、タングステン膜をＣＶＤ法で形成する方法として、ＬＰＣＶＤ法でＷＦ６とＨ２とを用いて堆積する方法、及びタングステンは酸化膜に十分に接着しないので接着促進材が必要であることが記載されているものと認められる。同様に引用された特開昭５９−１９８７３４号公報（刊行物３）には、Ａｌ等からなる配線層とＳｉＯ２等からなる絶縁膜との密着力を向上するために、その間にＴｉＮからなる中間金属配線層を介在させることが記載されているものと認められる。
　本件発明と上記刊行物１記載の発明とを対比すると、上記刊行物１記載の発明の「ＰＳＧ膜２３」、「コンタクト用開孔部２４」、「下層のＡｌ配線２２」及び「多層配線の形成方法」はそれぞれ本件発明の「誘電体層」、「孔」、「導電性材料からなる下地材料」及び「集積回路の製作方法」に相当するから、両者は、「集積回路の製作方法であって、誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、化学気相堆積によりタングステン層を堆積させて、該タングステン層により該誘電体層及び該露出した下地材料上を被覆する工程からなることを特徴とする集積回路の製作方法方法」の点で一致するが、下記の点で相違するものと認められる。
　(1)タングステン層を堆積するＣＶＤ法が、本件発明においては実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積する減圧化学気相堆積法を用いるのに対して、上記刊行物１記載の発明においてはどのようなＣＶＤ法を用いているか不明である点。
　(2)誘電体層及び露出した下地材料とタングステン層との間に、本件発明が実質的にＴｉＮからなる接着層を形成する工程を有するのに対して、上記刊行物１記載の発明がそのような層を形成する工程を有していない点。
　上記相違点について検討すると、
　相違点(1)については上記刊行物２に示すようにタングステン層を堆積するＣＶＤ法として実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積する減圧化学気相堆積法が公知であり、本件発明がタングステン層を堆積するＣＶＤ法として実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積する減圧化学気相堆積法を用いたことに格別の意義も認められないから、上記相違点は当業者が必要に応じて任意になし得たことと認められる。
　相違点(2)については、上記刊行物２に示すようにタングステンが酸化膜との接着性が悪いことはよく知られていることであり、上記刊行物３に示すようにタングステンとＳｉＯ２等の酸化膜との間にＳｉＮからなる中間金属層を介在させることによってＡｌ等の配線層とＳｉＯ２等の酸化膜との間の密着性を向上させることができるのであるから、上記刊行物１記載の発明において、タングステンと酸化膜との間の接着性の悪さを改善するために両者の間にＳｉＮからなる接着層を介在させる工程を設けてみようとすることは当業者なら容易に思い付くことである。そして、この思い付きを実施した結果、タングステンと酸化膜との間に介在するＳｉＮからなる接着層が酸化膜との接着性のみならずタングステンとの接着性も有するとの効果が得られることは当業者が当然理解することである。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　以上のとおりであるから、本件発明は上記刊行物１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明し得たものと認められるから、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
(ニ)むすび
　したがって、本件発明についての特許は拒絶査定しなければならない特許出願に対してなされたものと認められる。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月７日（２０００．１１．７）