【事件の表示】
　平成　９年特許願第３３５５０１号「磁気抵抗効果素子とその製造方法及びそれを用いた複合ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　７月　２日出願公開、特開平１１−１７５９２０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年（１９９７）１２月５日に出願されたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
「２枚の対向する磁気シールドＳ１および磁気シールドＳ２を電極とし、前記磁気シールドＳ１およびＳ２の面間にほぼ垂直方向に流れる電流によって磁気抵抗効果を発生させる、第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合磁気抵抗効果膜（以下、ＴＭＲ膜と記す）を含む中央領域と、前記中央領域を左右から挟み込むように配置され、該中央領域にバイアス磁界を供給する機能を有する端部領域とから構成される磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領域側面が厚み方向に傾斜面を形成し、前記傾斜面が絶縁層によって被覆されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」
II．先願明細書
  これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願の日前の他の出願であって、その後に出願公開された特願平１０−２８９０２０号（優先日１９９７年１０月２４日、米国、特開平１１−２１３３５１号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、
「検出回路に接続されるとき、媒体上に磁気的に記録されたデータを検出する磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッドであって、第１の導電性の磁気シールドと、前記第１のシールド上に配置される第１の導電性のスペーサ層と、前記第１のスペーサ層上に配置される磁気トンネル接合であって、前記媒体からの印加磁場の存在の下で、磁化方向が好適な方向に沿って固定され、回転を阻止される固定強磁性層と、前記媒体からの印加磁場の不在の下で、磁化方向が前記固定強磁性層の磁化方向に垂直に向けられ、前記印加磁場の存在の下で、自由に回転することができる検出強磁性層と、前記固定強磁性層と前記検出強磁性層との間に接触して配置され、前記固定強磁性層及び前記検出強磁性層に垂直な方向のトンネル電流を可能にする、絶縁トンネル障壁層とを含む、磁気トンネル接合と、前記磁気トンネル接合を前記第１のスペーサ層との間で挟み込む第２の導電性スペーサ層と、前記第２のスペーサ層上に配置される第２の導電性の磁気シールドとを含み、前記第１のシールドから前記第１のスペーサ層、前記磁気トンネル接合及び前記第２のスペーサ層を通じて前記第２のシールドに至る導電パスが提供される、読取りヘッド。」（公開公報第２頁第１欄第１〜２７行、特許請求の範囲請求項１参照）、
「本発明は、一般に磁気トンネル接合（ＭＪＴ）素子に関し、特に、磁気的に記録されたデータを読出す磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドとして使用されるＭＴＪ素子に関する。」（同公報第３頁第４欄第３４〜３７行、【０００２】参照）、
「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子は、薄い絶縁トンネル障壁層により分離される２つの強磁性層から構成され、スピン分極電子トンネル現象にもとづく。」（同公報第３頁第４欄第３９〜４２行参照）、
「本発明は、ＭＴＪ素子が２つの間隔をあけて設けられる磁気シールド間に配置される、磁気記録システムのためのＭＴＪ　ＭＲ読取りヘッドである。磁気シールドは、ヘッドが磁気記録媒体から個々の磁気転移を隣の転移からの干渉無しに検出することを可能にし、ヘッドを検出回路に接続するための電気リードとしても機能する。導電スペーサ層がＭＴＪ素子の上下に配置され、ＭＴＪ素子をシールドに接続する。」（同公報第４頁第６欄第３３〜４０行参照）、
「図４は、本発明の１実施例によるＭＴＪ　ＭＲ読取りヘッドの断面図であり、これは図３のライン４２で示されるエッジを有する平面をディスク表面から見たものである。従って、図４の紙面はＡＢＳに平行で、実質的にＭＴＪ　ＭＲ読取りヘッドの活性検出領域、すなわちトンネル接合を通じる平面であり、ヘッドを構成する層を明らかにするものである。図５は、図４の断面に垂直な断面図であり、検出面２００またはＡＢＳが右側である。」（同公報第５頁第８欄第４８行〜第６頁第９欄第６行【００１４】参照）、
「図４及び図５を参照すると、ＭＴＪ　ＭＲ読取りヘッドは、第１の磁気シールドＳ１上に直接形成される導電性のスペーサ層１０２、第２の磁気シールド層Ｓ２下において、それと直接接触する導電性のスペーサ層１０４、及び電気スペーサ層１０２、１０４間にスタック層として形成されるＭＴＪ１００を含む。磁気シールド層Ｓ１、Ｓ２は磁気シールドとして、またＭＴＪ１００を検出回路に接続するための導電リードとしても機能する。これは図４において、第１のシールドＳ１を通じて、次にスペーサ層１０２、ＭＴＪ１００及びスペーサ層１０４を通じて垂直方向に流れ、最後に第２のシールドＳ２を通じて流れ出る電流の方向を矢印により示される。」（同公報第６頁第９欄第７〜１９行【００１５】参照）、
「ＭＴＪ素子１００は電極多重層スタック１１０、絶縁トンネル障壁層１２０、及び上部電極スタック１３０を含む。電極の各々は、トンネル障壁層１２０と直接接触する強磁性層、すなわち強磁性層１１８及び１３２を含む。」（同公報第６頁第９欄第２０〜２４行【００１６】参照）、
「電極リード１０２上に形成されるベース電極層スタック１１０は、リード１０２上のシードまたは”テンプレート層”１１２、テンプレート層１１２上の反強磁性材料層１１６、及び下側にある反強磁性層１１６上にそれと交換結合されて形成される固定強磁性層１１８を含む。強磁性層１１８は固定層と呼ばれる。なぜなら、そのネットの磁気モーメントまたは磁化方向が所望の対象の範囲内の印加磁場の存在の下で回転を阻止されるからである。」（同公報第６頁第９欄第２５〜３３行参照）、
「上部電極スタック１３０は”フリー（ｆｒｅｅ）”または”検出（ｓｅｎｓｉｎｇ）”強磁性層１３２、及び検出強磁性層１３２上に形成される保護またはキャッピング層１３４を含む。（同公報第６頁第９欄第３３〜３６行参照）
「検出強磁性層１３２は反強磁性層と交換結合されず、従ってその磁化方向は対象範囲内の印加磁場の存在の下でも自由に回転できる。検出強磁性層１３２は、印加磁場が不在の場合、その磁気モーメントまたは磁化方向（矢印１３３で示される）が、ＡＢＳ（ＡＢＳは図４の紙面に平行な面で、図５に２００として示される）に一般に平行になるように、且つ固定強磁性層１１８の磁化方向に一般に垂直になるように形成される。トンネル障壁層１２０の真下の電極スタック１１０内の固定強磁性層１１８は、下部電極スタック１１０の一部を形成する真下にある反強磁性層１１６との界面交換結合により、その磁化方向を固定される。」（同公報第６頁第９欄第３６〜４７行参照）、
「図４には更に、検出強磁性層１３２の磁化を長手方向にバイアスするためのバイアス強磁性層１５０、及びバイアス層１５０を検出強磁性層１３２及びＭＴＪ素子１００の他の層から分離及び絶縁する絶縁層１６０が示される。説明を容易にするため、バイアス強磁性層１５０は図５には示されていない。バイアス強磁性層１５０は、ＣｏＰｔＣｒ合金などの硬磁性材料であり、印加磁場が不在の時、その磁気モーメント（矢印１５１で示される）が、検出強磁性層１３２の磁気モーメント１３３と同一の方向に整列される。」（同公報第６頁第１０欄第１〜１０行参照）、
「図７乃至図１１を参照して、本発明のＭＴＪ　
ＭＲ読取りヘッドの形成プロセスについて述べることにする。」（第９頁第１５欄第１９〜２１行参照）、
「図７に示されるように、プロセスはシールドＳ１上に、スペーサ層１０２、ＭＴＪ素子１００、及び上部スペーサ層１０４のための材料を付着することにより開始する。」（第９頁第１５欄第２７〜３０行参照）、
「これらの層が、通常、イオン・ビーム付着、若しくはＲＦまたはＤＣマグネトロン・スパッタリングにより付着された後、図８に示されるように、これらの層がレジスト２３０を用いて、リソグラフィによりパターン化される。次に図９に示されるように、イオン・ミリングによりレジスト２３０により保護されない材料を除去する。」（第９頁第１５欄第４８行〜第１６欄第４行参照）、
と記載されている。
　これらの記載及び図面によれば、ＭＴＪ素子とスペーサ層はＭＴＪ素子を含む領域を構成するから、先願明細書には、
「２枚の対向する磁気シールドＳ１および磁気シールドＳ２を電気リード（導電リード）とし、前記磁気シールドＳ１およびＳ２の面間にほぼ垂直方向に流れる電流によって磁気抵抗効果を発生させる、第１の強磁性層と第２の強磁性層の間に絶縁トンネル障壁層を挟んだ構造を持つ磁気トンネル接合磁気抵抗効果を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を含む領域と、前記磁気トンネル接合素子を左右から挟むように配置され、該磁気トンネル接合素子にバイアス磁界を供給する機能を有するバイアス強磁性層及び前記磁気トンネル接合素子を含む領域をバイアス強磁性層から分離・絶縁する絶縁層からなる領域とから構成されるシールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッドであって、前記磁気トンネル接合素子を含む領域の側面はレジストを用いたイオン・ミリングにより形成され、前記側面が絶縁層によって被覆されているシールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド。」の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認める。
III．対比
　本願発明と先願発明とを対比すると、本願発明の「電極」、「トンネルバリア層」、「強磁性トンネル接合磁気抵抗効果膜」、「中央領域」、「端部領域」、「磁気抵抗効果型ヘッド」は、それぞれ、先願発明の「電気リード（導電リード）」、「絶縁トンネル障壁層」、「ＭＴＪ素子」、「磁気トンネル接合素子を含む領域」、「バイアス強磁性層及び絶縁層からなる領域」、「シールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド」に相当するから、両者は、
「２枚の対向する磁気シールドＳ１および磁気シールドＳ２を電極とし、前記磁気シールドＳ１およびＳ２の面間にほぼ垂直方向に流れる電流によって磁気抵抗効果を発生させる、第１の強磁性層と第２の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合磁気抵抗効果膜を含む中央領域と、前記中央領域を左右から挟むように配置され、該中央領域にバイアス磁界を供給する機能を有する端部領域とから構成される磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領域側面が絶縁層によって被覆されている磁気抵抗効果型ヘッド。」で一致する。
　唯、本願発明では、次の（１）、（２）の点が規定されているが、先願明細書にはそのような規定の明記がない点で一応相違する。
（１）端部領域が中央領域を「挟み込むように」と規定されている点。
（２）中央領域側面が「厚み方向に傾斜面を形成
し」と規定されている点。
IV．判断
（１）の点について；
　本願発明では「挟み込むように」と表現されているが、広辞苑によれば、「挟み込む」は「《他マ四》→はさみいる」で、更に「はさみいる【挟み入る】」は「《他ラ下二》１．ものの間に入れこむ。挟み込む。２．はさんで他へ移し入れる。」とあり、該表現には、単に「中央領域」である、を「端部領域」である「バイアス強磁性層及び絶縁層からなる領域」が両側から「挟む」以上に格別の技術的意味があるものとは認められないので、単なる表現上の違いにすぎない。
（２）の点について；
　本願発明の中央領域側面の傾斜面は、本願の明細書中には格別具体的に規定されてはいないが、各図面特に図７〜図９及び【００３４】の記載から、ＴＭＲ膜をフォトレジストマスクを介してイオンビームを用いてパターニングしたとき形成される傾斜面を意味すると認められる。一方、先願発明の央領域側面は図７〜図１１に見られるように、レジストを用いたイオン・ミリングにより形成されるものである。そして、イオン・ミリングは、例えば、半導体用語辞典（日刊工業新聞社発行）によれば「イオンのビームを照射したときの物理的衝撃を利用して対象物のエッチング加工を行う手法のことを言い、特にガスプラズマの化学的な作用を利用したリアクテイブなイオンビームエッチング（ＲＩＥ）とは区別して、不活性なイオンの運動エネルギーによるスパッタ作用を利用したノンリアクテイブなイオンビームエッチングをさす。」ものと定義されるものであるが、スパッタエッチング、イオンビームエッチング、イオンミリング等の不活性ガスイオン衝撃により物理的に削り取るイオンエッチングでは、レジストを介してエッチングするとエッチングパターン側面に傾斜が生じることは通常のことである（必要ならば、電子通信学会編「ＬＳＩハンドブック」（昭和９年１１月３０日、オーム社発行）の第２６８頁参照）ことからすると、先願発明においても中央領域側面には傾斜面が形成されている、すなわち「厚み方向に傾斜面を形成し」ていると解するのが相当である。
　なお、この点に関し、請求人は審判請求書中で、傾斜面によって絶縁層を薄くできると主張しているが、そもそも本願出願時に願書に最初に添付された明細書において、図面以外には傾斜面が認められず、その構成・作用効果について何の記載もなく、またその傾斜がイオンエッチングによってエッチング部の側面に通常生じる傾斜と何ら区別できないこと、及び絶縁層の「厚さ」についても図面以外何の説明も無く、特許請求の範囲において何の規定も無いから、根拠のある主張とは言えず、この主張は採用できない。
  してみると、一応の相違とした前記（１）、（２）の点は先願発明も本来的に備えるもので、実質的な相違ではないことから、本願発明と先願発明とは技術事項を同じくするものであり、本願発明は、先願発明と同一である。
V.まとめ
  したがって、本願発明は、先願明細書に記載された発明であり、しかも、本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また本願の出願時に、その出願人が他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。