(57)【要約】      （修正有）【課題】フレキシブルディスプレイにおいて、曲げ領域の配線の発熱による悪影響を抑制する。【解決手段】表示装置であって、樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域と曲げ領域とを有する基材と、前記基材上に配置され、前記表示領域から前記曲げ領域１２０にわたって配置される駆動電源線３２と、前記曲げ領域に配置され、前記駆動電源線の延伸方向に延びる放熱用配線３４と、を有し、前記放熱用配線は、前記曲げ領域において屈曲形状を有する。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域と曲げ領域とを有する基材と、
前記基材上に配置され、前記表示領域から前記曲げ領域にわたって配置される駆動電源線と、
前記曲げ領域に配置され、前記駆動電源線の延伸方向に延びる放熱用配線と、を有し、
前記放熱用配線は、前記曲げ領域において屈曲形状を有する、表示装置。
【請求項２】
前記曲げ領域において、前記駆動電源線は幅細に形成される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記曲げ領域において、前記駆動電源線が屈曲形状を有する、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記曲げ領域の外側において、前記放熱用配線は直線部を有する、請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記放熱用配線は、表示領域側に引き回される、請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記放熱用配線は、表示領域と反対側に引き回される、請求項１から５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記放熱用配線は、前記駆動電源線を覆う絶縁層上に引き回される、請求項１から６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記放熱用配線を覆う絶縁層上に形成され、前記放熱用配線と接続する放熱配線層を有する、請求項１から７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記放熱配線層は、前記駆動電源線の延伸方向と交差する方向に延伸する、請求項８に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置や液晶表示装置など、表示領域を備える表示装置において、近年、可撓性を有する基材を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。
【０００３】
例えば、下記特許文献１に開示されるように、集積回路（ＩＣ）やフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の実装部を表示領域の裏側に曲げて、狭額縁化を図ることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−３１４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、表示パネルにおいて配線は基材上に配置される。しかし、上記曲げ領域付近では配線の発熱による表示パネルの破損が生じる場合がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、曲げ領域の配線の発熱による悪影響が抑制された表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置は、樹脂を含み、複数の画素を備える表示領域と曲げ領域とを有する基材と、前記基材上に配置され、前記表示領域から前記曲げ領域にわたって配置される駆動電源線と、前記曲げ領域に配置され、前記駆動電源線の延伸方向に延びる放熱用配線と、を有し、前記放熱用配線は、前記曲げ領域において屈曲形状を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のIII−III断面の一例を示す図である。
【図４Ａ】図２の破線で囲んだ領域Ａの回路層に含まれる配線の配列状態の一例を示す平面図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。
【図５Ａ】本発明の第２実施形態における回路層に含まれる配線の配列状態の一例を示す平面図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。
【図６Ａ】本発明の第３実施形態における回路層に含まれる配線の配列状態の一例を示す平面図である。
【図６Ｂ】図６ＡのＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。
【図７Ａ】本発明の第４実施形態における回路層に含まれる配線の配列状態の一例を示す平面図である。
【図７Ｂ】図７ＡのＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本発明の第１実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材として樹脂フィルムを用いたフレキシブルディスプレイであり、この樹脂フィルムで構成された基材の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１１】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１２】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１３】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００１４】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１５】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１６】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１７】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
【００１８】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、ＦＰＣ５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００１９】
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、樹脂フィルムで構成された基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基材７０を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂が挙げられる。基材７０の厚みは、例えば、１０μｍ〜２０μｍである。封止層１０６の上には保護層（図示せず）が形成される。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６と保護層（図示せず）との間、または、対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
【００２０】
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。
【００２１】
図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。下地層８０は、単層体であってもよいし、積層体であってもよい。
【００２２】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
【００２３】
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００２４】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、樹脂材料等により平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
【００２５】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
【００２６】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部１１１をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透過性導電材料、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
【００２７】
上記構造上には、画素を分離するリブ１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にリブ１１２を形成し、リブ１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。上部電極１０４は、例えば、ＭｇとＡｇの極薄合金やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透過性導電材料で形成される。
【００２８】
上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。一方、曲げ領域１２０および部品実装領域４６では、封止層１０６は配置されていない。
【００２９】
配線１１６（駆動電源線３２、走査信号線２８および映像信号線３０）上には、絶縁層７６が形成されている。絶縁層７６は、例えば、表示領域４２の無機絶縁膜（例えば、層間絶縁層８８、層間絶縁膜９２、パッシベーション膜９８）および／または樹脂膜（例えば、平坦化膜９６）を形成する際に形成される。
【００３０】
図４Ａは図２の破線で囲んだ領域Ａの回路層に含まれる配線の配列状態の一例を示す平面図であり、図４Ｂは図４ＡのＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。具体的には、図４Ａは、額縁領域４４、曲げ領域１２０および部品実装領域４６における回路層７４に含まれる層の配線の配列状態を示しており、左側には絶縁層７６の下の層を示し、右側には絶縁層７６の上の層を示している。額縁領域４４は、表示領域４２を囲む領域であり、表示領域４２と比較して、例えば、ＴＦＴ７２と、ＯＬＥＤ６とを含まない点で異なっている。表示パネル４０は、図３に示すように、基材７０を平面状に保って製造され得るが、例えば、有機ＥＬ表示装置２の筐体に格納される際には、表示領域４２の外側に曲げ領域１２０を設けて、部品実装領域４６を表示領域４２の裏側に配置させる。
【００３１】
曲げ領域１２０においては、無機絶縁材料で形成される層（例えば、下地層８０、層間絶縁層８８、層間絶縁膜９２、パッシベーション膜９８）の少なくとも一部を、省略または薄膜化することが好ましい。無機絶縁材料で形成される層は、曲げにより破損しやすい傾向にあるからである。図示例では、曲げ領域１２０において、駆動電源線３２（配線１１６）が配置される箇所に選択的に下地層８０が形成されている（具体的には、ＣＶＤ法等で形成した無機絶縁膜をエッチング等によりパターニングして形成される）が、下地層８０を実質的に全て省略して、基材７０上に駆動電源線３２（配線１１６）を直接的に配置してもよい。
【００３２】
表示パネル４０の曲げ（変形応力）に対応させ得るため、曲げ領域１２０において、駆動電源線３２（配線１１６）は、波形の屈曲形状を有する。屈曲形状は、図示例の波形以外にも、例えば、格子・メッシュ型などが採用される。
【００３３】
駆動電源線３２は、通常、直線状であって、配線幅は数百μｍ〜数ｍｍの幅広に設定されるが、曲げ領域１２０の配線幅は、例えば、数μｍ〜十数μｍの幅細に設定される。図４Ａに示すように、曲げ領域１２０において、駆動電源線３２の幅は、幅広から幅細に切り替わっている。
【００３４】
曲げ領域１２０において、駆動電源線３２の延伸方向に延び、屈曲形状を有する放熱用配線３４が、駆動電源線３２に並列して配置されている。屈曲形状によれば、表示パネル４０の曲げ（変形応力）に対応し、破断の発生を抑制し得る。図示例では、放熱用配線３４は、駆動電源線３２と同様の形状を有し、１つの駆動電源線３２と別の駆動電源線３２との間に所定の間隔をあけて配置されている。具体的には、放熱用配線３４は、波形に形成され、その幅は、数μｍ〜十数μｍに設定される。
【００３５】
曲げ領域１２０では、例えば、駆動電源線３２（配線１１６）の屈曲により配線長が延長されて配線抵抗は増加する。また、表示の高輝度化や大画面化が要求される場合は、表示に必要な電力が大きくなる電流量も増大する。これに加え、有機ＥＬ表示パネルでは、配線１１６の接続可能な領域が制限され得る（例えば、表示領域４２の幅以上に設定できない場合がある）。よって、曲げ領域１２０では、駆動電源線３２の発熱による悪影響が発生しやすい（例えば、電源の正負配線間において）。特に、幅細および／または屈曲形状に切り替わる部位（具体的には、幅細および／または屈曲形状に切り替わってから数ｍｍ進んだ箇所）で局所的に発熱し得る。上述のように、放熱用配線３４を配置することで、放熱を促し、発熱による悪影響を抑制し得る。また、放熱用配線３４の配置によれば、例えば、ヒートシンク等の別部材を設ける形態に比べて、構造上の制約を受けにくく、製造コストの抑制やパネルの薄型化に寄与し得る。
【００３６】
図示例では、放熱用配線３４は、駆動電源線３２の配線幅、形状が切り替わる部位に対応して、屈曲形状から直線状に変化している。この直線部３４ａにおいても放熱し得る。直線部３４ａの隣に配置された駆動電源線３２の幅広部３２ａでは発熱は小さいので、直線部３４ａでは効果的な放熱が期待できる。
【００３７】
図４Ａに示すように、額縁領域４４において、駆動電源線３２は、表示領域４２の周囲に沿って配置されており、これに対して所定の間隔をあけて放熱用配線３４が引き回されている。具体的には、図４Ａに示すように、放熱用配線３４は、絶縁層７６を介して、１つの駆動電源線３２を跨いで引き回されている。ここで、放熱用配線３４を、例えば、グラウンド配線や回路制御用配線として機能させてもよい。額縁領域４４（表示領域４２側）に放熱用配線３４の引き回し部３４ｂを配置することで、引き回し部３４ｂはヒートシンクとして機能し得、例えば、上述の幅細および／または屈曲形状に切り替わる部位の発熱を効果的に放熱し得る。
【００３８】
表示領域４２と反対側（部品実装領域４６側）へは、駆動電源線３２は延伸され、放熱用配線３４は絶縁層７６上に引き回されている。ここで、放熱用配線３４の引き回し部３４ｃは、駆動電源線３２の延伸部３２ｃや他の分岐配線と接続されていてもよい。表示領域４２と反対側は、配線領域が確保しやすく、引き回し部３４ｃが十分に確保されて放熱用配線３４の放熱性向上に寄与し得る。なお、例えば、配線領域を十分確保し得る場合は、額縁領域４４においても、駆動電源線３２とは異なる層に放熱用配線３４を引き回してもよい。
【００３９】
本実施形態では、図４Ｂに示すように、複数の配線（駆動電源線３２および放熱用配線３４）一体的に覆うように絶縁層７６が形成されているが、並列する配線を個別に絶縁層７６で被覆してもよい。
【００４０】
図５Ａは、本発明の第２実施形態における回路層に含まれる配線の配列状態の一例を示す平面図であり、図５Ｂは図５ＡのＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。本実施形態では、曲げ領域１２０において、放熱用配線３４が駆動電源線３２を覆う第１絶縁層７６ａ上に形成され、駆動電源線３２および放熱用配線３４上に第２絶縁層７６ｂが形成される点で、上記第１実施形態と異なる。なお、図示例では、複数の駆動電源線３２を一体的に覆うように絶縁層７６が形成されているが、並列する駆動電源線３２を個別に絶縁層７６で被覆してもよい。
【００４１】
図６Ａは、本発明の第３実施形態における回路層に含まれる配線の配列状態の一例を示す平面図であり、図６Ｂは図６ＡのＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。本実施形態では、曲げ領域１２０において、駆動電源線３２および放熱用配線３４を覆う第１絶縁層７６ａ上に放熱配線層３５形成され、その構造上に第２絶縁層７６ｂが形成される点で、上記第１実施形態と異なる。放熱配線層３５は、第１絶縁層７６ａに形成されたコンタクトホール７７を介して放熱用配線３４に接続されている。本実施形態では、放熱配線層３５と駆動電源線３２とは、平面視で重ならないように配置されている。なお、図示例では、複数の配線を一体的に覆うように絶縁層７６が形成されているが、並列する配線を個別に絶縁層７６で被覆してもよい。
【００４２】
図７Ａは、本発明の第４実施形態における回路層に含まれる配線の配列状態の一例を示す平面図であり、図７Ｂは図７ＡのＢ−Ｂ断面の一例を示す図である。本実施形態では、放熱配線層３５を駆動電源線３２の延伸方向と交差（直交）する方向に延伸させて、放熱性を向上させ得る点で、上記第３実施形態と異なる。放熱配線層３５を、表示パネル４０の曲げ方向（駆動電源線３２の延伸方向）に対して直交する方向に延伸させることで、曲げ（変形応力）による破断の発生を抑制し得る。この場合、放熱用配線３４を、適宜、分断しておくことが好ましい。放熱配線層３５と駆動電源線３２との短絡による不具合（例えば、駆動電源線３２，３２間の短絡）を抑制し得るからである。
【００４３】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４４】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、３４  放熱用配線、３５  放熱配線層、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  額縁領域、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、７０  基材、７２  ＴＦＴ、７４  回路層、７６  絶縁層、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、９８  パッシベーション膜、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１１０  コンタクトホール、１１１  導電体部、１１２  リブ、１１６  配線、１２０  曲げ領域、１６０  封止平坦化膜、１６１  第１封止膜、１６２  第２封止膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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