【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
見て分かるように、同一の厚さを有するスイッチング層のために、窒化チタン上のＰＶＤハフニウム酸化物を含む素子５０２は、最低値の形成電圧を有し、ポリシリコン上のＰＶＤハフニウム酸化物を含む素子５０６は、次に最低値の形成電圧を有し、ポリシリコンの上のＡＬＤハフニウム酸化物を有する素子５０４は、最高値の形成電圧を有する。見て分かるように、同一の厚さを有するスイッチング層のために、窒化チタン上のＰＶＤハフニウム酸化物を含む素子５０２は、最低値の形成電圧を有し、ポリシリコン上のＰＶＤハフニウム酸化物を含む素子５０６は、次に最低値の形成電圧を有し、ポリシリコンの上のＡＬＤハフニウム酸化物を有する素子５０４は、最高値の形成電圧を有する。ＡＬＤプロセスは、場合によっては、増大された形成電圧に結びつく、より高い加工温度（ＰＶＤのいくつかの事例として、室温に対して２００℃以上）のため、より厚い界面層２１４を少なくとも部分的に形成する可能性があると考えられている。加えて、ポリシリコン電極（例えば、素子５０２および５０６）上で生成された酸化シリコン界面層２１４は、窒化チタンなどの金属を含む電極上で生成された酸化物よりは伝導性でない。したがって、界面層２１４を低減および／または制御するための（特にシリコンベースの電極のための）技術は、形成電圧を改善するために用いられることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
図８Ａおよび８Ｂは、メモリ素子１０２と、界面層２１４を用いるメモリ素子１０２内での酸素空孔（欠陥）の生成および処置とを図示する。界面層２１４は、メモリ素子１０２において他の層の処理中に生成することができる酸化物層である。例えば、スイッチング層２１０の堆積は、界面層２１４を生成するために温度（例えば２００℃以上）での処理を含んでもよい。例えば、電極２０６が不純物添加シリコン（例えばポリシリコン）であるならば、スイッチング層２１０の堆積（例えば、ＰＶＤまたはＡＬＤを用いて）は、酸化シリコン界面層２１４を生成することができる温度を含んでもよい。界面層２１４は、いくつかの実施形態において省くことができるが、他の実施形態において、界面層２１４は、リーク特性の改善によりスイッチング層２１０の記憶力を改善するために、かつスイッチング層２１０の欠陥（例えば酸素空孔）を調整するために保持することができる。界面層２１４が保持されるいくつかの実施形態において、界面層２１４は、スイッチング層２１０の欠陥を電極２０６に対して見えるようにする（すなわち、界面層２１４は、スイッチング層２１０の欠陥へのアクセスを提供する）ために、かつスイッチング電圧上の界面層２１４の効果を低減するために相対的に薄くても（例えば、１０Å以下）よい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
動作１３０８において、ＡＬＤプロセスの堆積温度は、状況に応じて低下させる。例えば、堆積温度は、加熱される基板台座の温度（すなわち台座温度）を低下させることにより低下させてもよい。いくつかの例において、堆積温度または台座温度は、２５０℃以下、２００℃以下、１７５℃以下などであってもよい。より低い温度は、スイッチング層２１０において電気的欠陥の濃度を変更して、酸化中に表面種の変換平衡を変動させてもよい。加えて、低減された堆積温度は、熱酸化のレートを低減することにより、界面層２１４を低減または除去することができる。例えば、シリコン電極２０６を用いる場合、２００℃未満にＡＬＤ堆積温度を低減するために、任意の界面層２１４を実質的に低減してもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
動作１３１０において、前駆物質源は、所望の圧力で保持される。所望の蒸気圧は、前駆物質源の温度を制御することにより達成することができる。前駆物質源は、ＡＬＤ堆積チャンバの外側にあり、したがって、堆積チャンバの温度以外の異なる温度で保持されることができる。所望の温度および圧力は、用いられる前駆物質に依存する。例えば、ハフニウム酸化物を堆積させるためにテトラキス（ジメチルアミノ）ハフニウム（ＴＤＭＡＨ）を用いる場合、前駆物質源は、３０〜１００℃、または４０〜５０℃に保持することができる。いくつかの実施形態において、前駆物質源の温度は、前駆物質の分圧を増加させるために、増加させることができ、それは、チャンバの金属前駆体の濃度を増加させることにより、より金属分に富むスイッチング層を生成することもできる。動作１３１２において、前駆物質は、ＡＬＤプロセスを開始するために下部電極を含む基板に導入される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
例えば、金属分に富むハフニウム酸化物スイッチング層２１０を堆積させるために、水蒸気は、酸素源として用いられることができ、水蒸気源は、０〜１０℃などの低温度に維持することができる。低温度は、ＡＬＤサイクル当たりの酸化の量を効果的に低減し、酸素源の蒸気圧を低減する。この技術を用いて形成されたハフニウム酸化膜は、ＨｆＯ１．２〜ＨｆＯ１．９、またはＨｆＯ１．７の元素組成において帰着することができる。一般に、酸素濃度は、化学量論的組成の６０〜９５％に低減することができる（すなわち、酸素の量は、化学量的な金属酸化物（例えばＨｆＯ１．２〜ＨｆＯ１．９）の６０〜９５％である）。ＩＰＡまたはエタノールは、酸素を供給するために用いることができるが、同一の温度で、水蒸気より少ない酸素または以上に記載された他の酸素源を供給するだろう。したがって、スイッチング層２１０において酸素の量を低減するためにＩＰＡとエタノールにより同様の温度低減を用いることができるが、ＩＰＡまたはエタノールは、室温源を用いて、金属分に富む薄膜を堆積させることができてもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
ＨｆＯｘ／ＴｉＯ２は、ｎ型ポリシリコン電極２０６、２５０℃で堆積させた５０Åの厚さのハフニウム酸化物スイッチング層２１０、２５０℃で堆積させた８Åの酸化チタンカップリング層２１２、および窒化チタン電極２０８を含むメモリ素子を指す。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０１】
ＨｆＯｘ／Ａｌ２Ｏ３は、ｎ型ポリシリコン電極２０６、２５０℃で堆積させた５０Åの厚さのハフニウム酸化物スイッチング層２１０、２５０℃で堆積させた８Åの酸化アルミニウムカップリング層２１２、および窒化チタン電極２０８を含むメモリ素子を指す。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０２】
ＨｆＯｘ／ＺｒＯ２は、ｎ型ポリシリコン電極２０６、２５０℃で堆積させた５０Åの厚さのハフニウム酸化物スイッチング層２１０、２５０℃で堆積させた８Åの酸化ジルコニウムカップリング層２１２、および窒化チタン電極２０８を含むメモリ素子を指す。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０３】
ＨｆＡｌｘＯｙは、ｎ型ポリシリコン電極２０６、２５０℃で堆積させた５８Åのアルミニウムがドープされたハフニウム酸化物スイッチング層２１０、および窒化チタン電極２０８を含むメモリ素子を指す。