【手続補正書】
【提出日】平成27年7月21日(2015.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物内の測定部位で前記対象物の組成を前記対象物内の深さの関数として決定し、
前記決定に基づいて、前記測定部位に隣接する前記対象物の領域内における前記対象物の少なくとも１つの特性を定量的に推測する、
方法。
【請求項２】
さらに、前記対象物内の複数の別個の測定部位で前記対象物の組成を前記対象物内の深さの関数として決定する、請求項１の方法。
【請求項３】
さらに、前記決定に基づいて、前記複数の測定部位に隣接する前記対象物の領域内における前記対象物の少なくとも１つの特性を定量的に推測する、請求項２の方法。
【請求項４】
前記対象物は基板を含む、請求項１の方法。
【請求項５】
前記対象物は、前記基板上に配置された少なくとも１つの層を含む、請求項４の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの層はエピタキシャル層である、請求項５の方法。
【請求項７】
前記測定部位で前記対象物の組成を前記対象物内の深さの関数として決定する際に、
前記対象物の一部を除去することにより前記対象物のサンプルを取得し、
前記サンプルの組成を分析する、
請求項１の方法。
【請求項８】
前記測定部位で前記対象物の組成を前記対象物内の深さの関数として決定する際に、さらに、
前記対象物内の異なる深さから複数の別個のサンプルを取得し、
前記複数の別個のサンプルのうち少なくとも２つの組成を分析する、
請求項７の方法。
【請求項９】
前記対象物のサンプルを取得する際に、前記対象物にレーザエネルギーを有するパルスを照射する、請求項７の方法。
【請求項１０】
前記対象物の一部を除去する際に、０．１ａｔｍ〜５ａｔｍの範囲の圧力下で前記対象物の一部を除去する、請求項７の方法。
【請求項１１】
前記除去された対象物の一部の組成を分析する際に、質量分析（ＭＳ）により組成を分析する、請求項７の方法。
【請求項１２】
さらに、前記サンプルの少なくとも一部が取得された対象物内の深さを決定する、請求項７の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの特性を定量的に推測する際に、前記対象物の組成、前記対象物の電気的特性、前記対象物の光学的特性、前記対象物の熱的特性、前記対象物の機械的特性、及び前記対象物の磁気的特性からなる群から選択される少なくとも１つの特性を定量的に推測する、請求項１の方法。
【請求項１４】
少なくとも１つのプロセス装置を含む製造システムにより実現可能な製造プロセスをモニタリングする方法であって、
対象物内の測定部位で前記対象物の組成を前記対象物内の深さの関数として決定し、
前記決定に基づいて、前記測定部位に隣接する前記対象物の領域内における前記対象物の少なくとも１つの特性を定量的に推測し、
前記定量的推測に基づいて領域特性データを生成し、
前記対象物を製造する又は前記対象物を修正するように構成された前記製造システムのプロセス装置に連結されたコントローラに前記推測された特性データを供給する、
方法。
【請求項１５】
前記対象物は、５０ｍｍ以上の最大寸法を有する、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記対象物は、１５０ｍｍ以上の最大寸法を有する、請求項１４の方法。
【請求項１７】
前記決定は、前記製造システムのプロセス装置の外部で行われる、請求項１４の方法。
【請求項１８】
さらに、前記対象物の組成の決定の前に、前記対象物を製造するように構成された前記製造システムの第１のプロセス装置から前記対象物を受け取る、請求項１７の方法。
【請求項１９】
さらに、前記対象物の組成の決定の後に、前記対象物を修正するように構成された前記製造システムの第２のプロセス装置に前記対象物を移送する、
【請求項２０】
前記推測された特性データを供給する際に、前記対象物を製造するように構成された前記製造システムのプロセス装置のコントローラに前記推測された特性データを供給し、前記プロセス装置は有機金属化学気相成長装置である、請求項１４の方法。
【請求項２１】
計測ツールであって、
対象物を少なくとも部分的に配置可能な測定領域と、
測定部位として前記測定領域内のゾーンを指定するように構成されたコントローラと、
前記コントローラに連結された測定システムであって、前記測定部位にある材料の組成分析を行うように構成された測定システムと、
を含む計測ツールを用意し、
特徴部を含む対象物の少なくとも一部を前記測定領域内に配置し、
前記特徴部と前記測定領域内の前記測定部位の位置とを互いに位置合わせし、
前記測定部位にある前記配置された対象物の一部の組成分析を行う、
方法。
【請求項２２】
前記コントローラは、前記測定領域内で複数の別個の測定部位を指定するように構成されており、
さらに、
前記配置された対象物の一部が測定部位にあるように、前記特徴部を前記測定システムに位置合わせをし、
その測定部位で前記配置された対象物の一部の組成分析を行う、
請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記組成分析の際に、その測定部位で前記対象物内の深さの関数として前記配置された対象物の一部の組成を決定する、請求項２２の方法。
【請求項２４】
さらに、前記決定に基づいて前記対象物の一部の少なくとも１つの特性を定量的に推測する、請求項２３の方法。
【請求項２５】
前記特徴部と前記測定部位の位置とを互いに位置合わせする際に、前記対象物の位置の調整、前記測定システムの調整、及び前記測定領域内の前記測定部位の空間的位置の調整からなる群から選択される少なくとも１つを行う、請求項２１の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
一般的に、深さ方向の対象物組成を決定するために使用される破壊的手法は、（例えば、対象物１００の一部を除去することにより）対象物１００のサンプルを取得し、取得したサンプルの組成を分析することを含み得る。例えば、図３を参照すると、対象物１００の一部を除去してサンプル３００（例えば、対象物１００から除去された材料を含むプルーム）を形成してもよい。図３に示されるように、対象物１００の一部からサンプル３００内の材料が除去され、測定部位 １０２で対象物１００の表面３０４から下方に向かって深さ「ｄ１」だけ延びる穴（pit）又は凹部（crater）３０２が形成される。このように、サンプル３００の組成は、穴３０２を形成するために使用された対象物１００の一部から除去された材料の組成に対応する。質量分光法、発光分光法、原子吸光分光法など等あるいはこれらの組み合わせによりサンプル３００に対して組成分析を行うことが可能な任意の好適なサンプル分析装置にサンプル３００を移送してもよい。ある実施形態においては、一端が測定部位１０２の対象物１００の表面３０４に近接し、他端がサンプル分析装置に隣接した移送路を介してサンプル３００が移送される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
例えば、計測コントローラ５１６により通信されたデータが、第１のプロセス装置５０２が対象物１００のある部分（例えば、ＭＱＷ  ＬＥＤ構造）を必要とされているように製造しなかったことを示している場合に、第１のプロセス装置５０２が確実にＭＱＷ  ＬＥＤ構造を必要とされているように製造するようにプロセスコントローラ５０６が第１のプロセス装置５０２の動作を修正してもよい。他の例においては、計測コントローラ５１６により通信されたデータが、第１のプロセス装置５０２が対象物１００のある部分（例えば、ＭＱＷ  ＬＥＤ構造）を必要とされているように製造しなかったことを示している場合に、第１のプロセス装置５０２が製造した方法を第１のプロセス装置５０２により補填するようにプロセスコントローラ５０６が第２のプロセス装置５０４の動作を修正してもよい。このように、計測ツール５１０により生成されたデータを用いて製造システム５００により行われる製造プロセスをリアルタイムでモニタリングすることができる。さらに他の例においては、プロセスコントローラ５０６が対象物移送システム５０８の動作を制御し、対象物１００を他のプロセス装置（図示せず）又は製造システム５００内の他の位置に送って計測コントローラ５１６により通信されたデータに基づいて対象物１００が完成される方法を最適化してもよい。