【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年8月17日(2015.8.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
一態様において、３次元パターンが金属基板の上面に形成される。誘電体層が、３次元パターン上に堆積させられ、下地の金属基板を露出させるべくパターニングされる。金属基板の下面も、金属基板の上面に堆積させられた誘電材料を露出させるべく、パターニングされる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
他の態様において、３次元パターンが金属基板の上面に形成される。絶縁材料が金属基板の上面に堆積させられる。絶縁材料の部分が除去され、金属基板の上面と残っている絶縁材料とが実質的に同一平面となるようにされる。その後、金属基板の下面が、金属基板の上面に堆積させられた絶縁材料と実質的に同一平面となるよう、金属基板の下面の部分が除去される。その後、第１マスク層が基板の上面に形成され、併せて、第２マスク層が基板の下面に形成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
さらに他の態様において、金属基板を、下地となる当該金属基板を露出させるべくパターニングされた絶縁材料と併せて用い、金属／誘電体基板が形成される。半導体素子が、パターニングされた金属／誘電体基板の上面に接続され、金属基板が当該金属基板の上面に堆積させられた絶縁材料と実質的に同一平面となるまで、金属基板の下面が研磨される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
１０６において、誘電材料１１８を堆積させ、誘電材料１１８の部分を選択的に除去して下地のパターニングされた金属基板１１６の部分１２０ａ、１２０ｂを露出させることにより、パターニングされた基板１１６の上面に他のパターンを形成する。露出させられた部分１２０ａ、１２０ｂによって、半導体素子（図示せず）、または、パターニングされた金属基板１１６をプリント回路基板（図示せず）へと結合する外部の電気コネクタを電気接続するのに用いることが出来る接続領域が提供される。理解いただけるように、本実施形態において、上面の誘電材料１１８はパターニングされた金属基板１１６と重なり合っており、誘電材料の重なり部分１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃによって上部接続領域１２０ａ、１２０ｂを画定する。重なり部分１２２ｃは半導体素子、または、完成した半導体パッケージのプリント回路基板（図示せず）への接続を促す電気コネクタを支持することが出来る。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
２０６において、絶縁材料２１８がパターニングされた金属基板２１６の上面に堆積させられる。絶縁材料は、エポキシ系材料（Ｉｎｔｅｒｖｉａ（登録商標）、Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，１５００  Ｊｏｈｎ  Ｔｉｐｔｏｎ  Ｂｌｖｄ．，Ｐｅｎｎｓａｕｋｅｎ，ＮＪ  ０８１１０など）、またはシリコン系材料（ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｎ４、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、ホウ素入りリン酸シリカガラス（ＢＰＳＧ）、またはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）など）のうち何れかの種類のものであってよい。堆積プロセスは、絶縁材料をパターニングされた金属基板２１６に一致するよう適用することが出来る何らかの化学蒸着プロセスまたは化学浴を含んでよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
３０６において、絶縁材料３２０がパターニングされた金属基板３１８の上面に堆積させられる。堆積プロセスは、絶縁材料をパターニングされた金属基板３１８に一致するよう適用することが出来る何らかの化学蒸着プロセスまたは化学浴を含んでよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
３１０において、第１マスク層３２６が部分３２２、３２４の上面に適用され、第２マスク層３２８が部分３２２、３２４の下面へ適用される。第１マスク層３２６は、上面に堆積させられ、金属基板の部分３２４ａ、３２４ｂの部分３３０ａ、３３０ｂを露出するようパター二ングされる。第１マスク層３２６は、金属基板の部分３２４ａ、３２４ｂを互いに電気絶縁させる絶縁材料を含む。第２マスク層３２８は、部分３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃ、３２４ａ、３２４ｂの下面に堆積させられ、金属基板の部分３２４ｂの部分３３２を露出するようパター二ングされる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
一実施形態において、マスク層３２６、３２８は別々に堆積させられる。他の実施形態において、マスク層３２６、３２８は部分３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃ、３２４ａ、３２４ｂに同時に堆積させられる。マスク層３２６、３２８はそれぞれ同時に、または別々にパターニングされる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
４０６において、絶縁材料４２０がパターニングされた金属基板４１８の上面に堆積させられる。絶縁材料は、エポキシ系材料（Ｉｎｔｅｒｖｉａ（登録商標）、Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，１５００  Ｊｏｈｎ  Ｔｉｐｔｏｎ  Ｂｌｖｄ．，Ｐｅｎｎｓａｕｋｅｎ，ＮＪ  ０８１１０など）、またはシリコン系材料（ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｎ４、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、ホウ素入りリン酸シリカガラス（ＢＰＳＧ）、またはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）など）のうち何れかの種類のものであってよい。堆積プロセスは、絶縁材料をパターニングされた金属基板４１８に一致するよう適用することが出来る何らかの化学蒸着プロセスまたは化学浴を含んでよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板の上面に３次元パターンを形成する段階であって、前記金属基板の前記上面の前記３次元パターンが第１のレベルと第２のレベルとを有し、前記第１のレベルは前記第２のレベルよりも高い、３次元パターンを形成する段階と、
前記金属基板の前記上面の前記３次元パターンの前記第１のレベルおよび前記第２のレベルの上に第１のパターンを形成する段階であって、前記金属基板の前記上面に前記３次元パターンの前記第１のレベルおよび前記第２のレベルの上に形成された前記第１のパターンは、ｉ）誘電材料を用いて形成され、かつｉｉ）前記３次元パターンの前記第１のレベルの上に形成された前記誘電材料を通して、前記金属基板の前記上面の複数の第１の部分を露出させる、第１のパターンを形成する段階と、
前記金属基板の下面の部分を除去することにより、前記金属基板の前記下面に、前記誘電材料と組み合わせて第２のパターンを形成する段階と
を備え、
前記除去することは、前記誘電材料が前記金属基板の前記下面と実質的に同一平面となるように、前記金属基板の前記上面の前記３次元パターンの前記第２のレベルを除去することを含む、方法。
【請求項２】
前記金属基板の前記上面の露出させられた前記複数の第１の部分の１以上は、前記誘電材料により互いに電気絶縁される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属基板の前記上面の露出させられた前記複数の第１の部分のそれぞれの表面積は、前記金属基板の前記下面に露出させられた前記金属基板の表面積より小さい、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記金属基板の前記下面に半導体素子を結合する段階と、
ｉ）前記半導体素子とｉｉ）前記金属基板の前記下面との間に、複数の別個の電気接続部分を形成する段階と、
前記金属基板の前記上面の露出させられた前記複数の第１の部分のうち少なくとも１つに、プリント回路基板に結合される電気コネクタを結合する段階と
をさらに備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記金属基板の前記上面の露出させられた前記複数の第１の部分に表面処理を施す段階と、
前記金属基板の前記下面の複数の部分に、部分的に表面処理を施す段階と、
（ｉ）前記誘電材料の前記下面、および（ｉｉ）前記金属基板の前記下面のうち少なくとも一方に半導体素子を結合する段階と、
前記半導体素子と前記金属基板の前記下面の前記表面処理が施された前記複数の部分との間に複数の別個の電気接続部分を形成する段階と、
前記金属基板の前記上面の前記表面処理が施された前記複数の部分の少なくとも１つに、プリント回路基板に結合される電気コネクタを結合する段階と
をさらに備える、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記金属基板の前記上面に半導体素子を結合する段階と、
前記半導体素子と前記金属基板の前記上面の露出させられた前記複数の第１の部分のそれぞれとの間に、複数の別個の電気接続部分を形成する段階と、
前記金属基板の前記下面の露出させられた複数の部分の少なくとも１つに、プリント回路基板に結合される電気コネクタを結合する段階と
をさらに備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
金属基板の上面に３次元パターンを形成する段階と、
前記金属基板の前記上面に絶縁材料を堆積させる段階と、
前記絶縁材料の部分を除去する段階であり、前記金属基板の前記上面と残っている前記絶縁材料とが実質的に同一平面となるようにする段階と、
前記金属基板の下面の部分を除去する段階であり、前記金属基板の前記下面が前記絶縁材料と実質的に同一平面となるようにする段階と、
（ｉ）前記金属基板の前記上面の１以上の部分を露出させる第１マスク層を前記金属基板の前記上面および前記絶縁材料に形成し、（ｉｉ）前記金属基板の前記下面の１以上の部分を露出させる第２マスク層を前記金属基板の前記下面および前記絶縁材料に形成する段階と
を備える、方法。
【請求項８】
前記金属基板の前記上面の露出させられた前記１以上の部分は、前記金属基板の前記上面の他の露出させられた前記１以上の部分のうち大部分と、前記絶縁材料により電気絶縁される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記金属基板の前記下面の露出させられた前記１以上の部分は、前記金属基板の前記下面の他の露出させられた前記１以上の部分のうち大部分と、前記絶縁材料により電気絶縁される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属基板の前記上面の前記露出させられた１以上の部分の大部分はそれぞれ、前記金属基板の前記下面の対応する露出させられた部分と導電する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１マスク層の上面に半導体素子を結合する段階と、
（ｉ）前記半導体素子と（ｉｉ）前記金属基板の前記上面との間に、互いに電気絶縁される複数の別個の電気接続部分を形成する段階と、
前記金属基板の前記下面の露出させられた前記１以上の部分の少なくとも１つに、プリント回路基板に結合される電気コネクタを結合する段階と
をさらに備える、請求項７から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属基板の前記上面の露出させられた前記１以上の部分に表面処理を施す段階と、
前記金属基板の前記下面の露出させられた前記１以上の部分のそれぞれに、部分的に表面処理を施す段階と、
前記第１マスク層の下面に半導体素子を結合する段階と、
（ｉ）前記半導体素子と（ｉｉ）前記金属基板の前記下面の前記表面処理が施された前記１以上の部分のそれぞれとの間に複数の別個の電気接続部分を形成する段階と、
前記金属基板の前記上面の前記表面処理が施された前記１以上の部分の少なくとも１つに、プリント回路基板に結合される電気コネクタを結合する段階と
をさらに備える、請求項７から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
金属基板の上面に３次元パターンを形成する段階と、
前記金属基板の前記上面に絶縁材料を堆積させる段階と、
前記金属基板の前記上面の１以上の部分が露出されるよう前記絶縁材料の部分を除去する段階と、
前記絶縁材料の上面に半導体素子を結合する段階と、
前記半導体素子と、前記金属基板の前記上面の露出させられた前記１以上の部分の１つとの間に電気コネクタを接続する段階と、
前記金属基板の下面が前記絶縁材料の下面と実質的に同一平面となるまで前記金属基板の前記下面の部分を除去する段階と、
を備える方法。
【請求項１４】
プリント回路基板に金属基板の前記下面の部分を接続する段階と
をさらに備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属基板は、アルミニウムおよび銅のうちいずれかを含む、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記電気コネクタは、アルミニウム、銅、銀、および金のうちいずれかを含む、請求項１３から１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記電気コネクタは金属線を含む、請求項１３から１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記電気コネクタは金属球を含む、請求項１３から１７のいずれか１項に記載の方法。