【事件の表示】
　特許第３４１７３２８号「プラズマ処理方法及び装置」の請求項１ないし２４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４１７３２８号の請求項１ないし２４に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許３４１７３２８号に係る発明は、平成１１年２月２３日に特許出願され、平成１５年４月１１日に特許権の設定登録がなされ、その後、佐藤正より特許異議の申立てがなされ、平成１７年４月１４日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年６月２１日に訂正請求がなされたものである。
　
【２】平成１７年６月２１日の訂正請求に対する判断
　
【２−１】訂正事項
訂正事項ａ；特許請求の範囲の【請求項３】を
「真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
訂正事項ｂ；特許請求の範囲の【請求項７】を
「真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
訂正事項ｃ；特許請求の範囲の【請求項１５】を
 「真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。」と訂正する。
  訂正事項ｄ；特許請求の範囲の【請求項１９】を
真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理装置。」と訂正する。
　訂正事項ｅ；明細書の段落【００１５】を
「本願の第２発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とする。」と訂正する。
　訂正事項ｆ；明細書の段落【００１７】を
「本願の第４発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とする。」と訂正する。
　訂正事項ｇ；明細書の段落【００１９】を
「本願の第６発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とする。」と訂正する。
　訂正事項ｈ；明細書の段落【００２１】を
「本願の第８発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とする。」と訂正する。
　訂正事項ｉ；明細書の段落【００４２】を
「また、本願の第２発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することで、均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる。」と訂正する。
　訂正事項ｊ；明細書の段落【００４４】を
「また、本願の第４発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることで、均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる。」と訂正する。
　訂正事項ｋ；明細書の段落【００４６】を
「また、本願の第６発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することで、均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる。」と訂正する。
　訂正事項ｌ；明細書の段落【００４８】を
「また、本願の第８発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることで、均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる。」と訂正する。
　
【２−２】訂正の適否
　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項３において、訂正前の「前記対向電極の外側に設けられた環状溝より内側の少なくとも前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」を「前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」に訂正するものである。この訂正は、環状溝の設けられる位置、及び環状溝より内側の対向電極の面積が基板の面積の０．５乃至２．５倍である点について、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであり、かつ、当該事項は、願書に添付した明細書の段落【００２７】に記載されている。
　訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項７において、訂正前の「前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の少なくとも前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」を「前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」に訂正するものである。この訂正は、誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積と基板の面積の関係について、「０．５乃至２．５倍」と明らかな特定を紛らわしくしていた「少なくとも」の記載を削除するもので、明瞭でない記載の釈明を目的としたものである。
　訂正事項ｃは、特許請求の範囲の請求項１５において、訂正前の「前記対向電極の外側に設けられた環状溝より内側の少なくとも前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」を「前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」に訂正するものである。この訂正は、環状溝の設けられる位置、及び環状溝より内側の対向電極の面積が基板の面積の０．５乃至２．５倍である点について、明瞭でない記載の釈明を目的としたものであり、かつ、当該事項は、願書に添付した明細書の段落【００２７】に記載されている。
　訂正事項 ｄは、特許請求の範囲の請求項１９において、訂正前の「前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の少なくとも前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」を「前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」に訂正するものである。この訂正は、誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積と基板の面積の関係について、「０．５乃至２．５倍」と明らかな特定を紛らわしくしていた「少なくとも」の記載を削除して明瞭でない記載の釈明を目的としたものである。
　訂正事項ｅ〜ｌは、前記訂正事項ａ〜ｄによる特許請求の範囲の訂正に伴って、発明の詳細な説明の記載を整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明を目的としている。
　したがって、上記訂正事項ａ〜ｌは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
【２−３】まとめ
　以上のとおり、【２−１】段落の訂正は、特許法１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する特許法１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
【３】本件特許発明
　前記【２】段落で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜２４に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明２４」という）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】  真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記対向電極に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】  環状溝より内側の対向電極の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】  真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】  対向電極上若しくはその周囲に絶縁リングを設け、前記対向電極と前記絶縁リングによって前記環状溝を形成することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】  真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】  環状溝より内側の誘電体窓の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】  真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】  誘電体窓と真空容器の上壁面とで環状溝を形成することを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】  環状溝が、絶縁リングに設けられていることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】  環状溝が、前記対向電極と前記絶縁リングとの間に設けられることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】  環状溝が、前記真空容器と前記絶縁リングとの間に設けられることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】  環状溝の溝深さが、５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１３】  真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記対向電極に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】  環状溝より内側の対向電極の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であることを特徴とする請求項１３記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】  真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記対向電極以外に設けられた環状溝より内側の前記対向電極を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１６】  対向電極上若しくはその周囲に絶縁リングを設け、前記対向電極と前記絶縁リングによって前記環状溝を形成することを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】  真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１８】  環状溝より内側の前記誘電体窓の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であることを特徴とする請求項１７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】  真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であり、かつ、前記環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２０】  誘電体窓と真空容器の上壁面とで環状溝を形成することを特徴とする請求項１９記載のプラズマ処理装置。
【請求項２１】  環状溝が、絶縁リングに設けられていることを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置。
【請求項２２】  環状溝が、前記対向電極と前記絶縁リングとの間に設けられることを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置。
【請求項２３】  環状溝が、前記真空容器と前記絶縁リングとの間に設けられることを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置。
【請求項２４】  環状溝の溝深さが、５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１３〜２３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。」
　
【４】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　佐藤正は、甲第１〜５号証および参考資料１を提示し、本件発明１〜２４は、甲第３号証に記載された発明であるから、特許法２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、また甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証、甲第５号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、さらに、甲第４号証に記載された発明と同一であるから特許法２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１〜２４に係る特許は特許法１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである点を主張している。
　さらに、発明の詳細な説明には記載不備があり特許法第３６条４項の規定に違反していることから、本件特許は特許法１１３条第１項第４号の規定により取り消すべきものである旨を主張している。
　
甲第１号証　特開平８−５０９９７号公報
　　　　　　（以下、「刊行物１」という)
甲第２号証　特開昭６１−２８４５７２号公報
　　　　　　（以下、「刊行物２」という）
甲第３号証　特開平５−２７９８５９号公報
　　　　　　（以下、「刊行物３」という）
甲第４号証　特願平１０−１９９３０７号（特開２０００−３０８９７号）　　　　　　の出願当初の明細書及び図面
　　　　　　（以下、「先願明細書等」という）
甲第５号証　特開平９−１４８０９７号公報
　　　　　　（以下、「刊行物５」という）
参考資料１　明石和夫　他著，「光・プラズマ　プロセシング」，初版，　　　　　　　日刊工業新聞社、昭和６１年９月２９日発行，ｐ．２８−３１
　
【５】刊行物１〜３，５、先願明細書等、及び参考資料１の記載内容
　
［１］刊行物１の記載内容
（１−ａ）段落【００１１】，【００１２】には、
「・・・図１は、本願発明の実施例の高周波放電用電極及びこの高周波放電用電極が採用された実施例の高周波プラズマ基板処理装置を説明する概略図である。図１に示す装置は、排気系１１及びガス導入系１２を備えた処理室１と、この処理室１の内部に対向配置された基板電極２及び本実施例の高周波放電用電極である対向電極３と、対向電極３に高周波電力を印加する高周波電源４等から主に構成されている。・・・
　まず、処理室１は、排気系１１やガス導入系１２の接続箇所や基板１０の搬出入等のための出入口等を除き気密に構成された真空容器である。そして、付設された排気系１１は処理に必要な圧力まで処理室１の内部を排気し、ガス導入系１２は処理に必要なガスを処理室１の内部に導入するよう各々構成されている。」と記載され、
（１−ｂ）段落【００１５】には、
「高周波電源４としては、１３．５６ＭＨｚ等の高周波を発振するものが使用されている。即ち、本実施例では、数ＭＨｚから数百ＭＨｚの帯域の高周波を採用している。・・・」と記載され、
（１−ｃ）段落【００１９】，【００２０】には、
「・・・まず、基板搬送機構等により搬送された基板１０は、不図示の出入口から搬入されて基板電極２の対向面上に配置される。そして、静電吸着や機械的な保持の手段により基板電極２上に固定される。次に、排気系１１が動作して処理室１の内部を所定の圧力まで排気し、ガス導入系１２が処理に必要なガスを処理室１内に導入する。処理室１には不図示の真空計が設けられており、処理室１内の圧力をモニタしながら排気系１１やガス導入系１２を制御することで、処理室１内の圧力が所定の値に維持される。・・・
　この状態で、高周波電源４が動作して例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が対向電極３に印加される。この結果、対向電極３と基板電極２との間の放電空間に高周波電界が生じ、導入されたガスがこの電界により電離して当該空間にプラズマが形成される。・・・」
と記載され、
（１−ｄ）段落【００２５】には、
「従って、プラズマ密度が高くなり易い部分に位置する溝３５の深さを浅くし、プラズマ密度が低くなり易い部分に位置する位置の溝３５の深さを深くすることで、結果的に放電空間のプラズマ密度は均一化される。・・・図１のような構成の装置では、対向電極３の端部付近において電界が強くなる場合があり、この場合には、放電空間中の電極端部近傍部分において高密度となり易い。」と記載され、
（１−ｅ）段落【００３０】には、
「さらに、図７に示す実験例では、・・・。尚、同様にこの際の調整後の溝の深さ分布について説明すると、溝３５−１から溝３５−６までが１８ｍｍの深さ、溝３５−７が深さ７ｍｍ、溝３５−８が０ｍｍの深さ（溝無し）、溝３５−１２が３０ｍｍ、の深さの分布であった。」と記載され、
（１−ｆ）段落【００３７】には、
　「・・・放電空間のプラズマ密度が均一化される。」と記載されている。
　
［２］刊行物２の記載内容
（２−ａ）第１頁左欄第４行〜第７行には、
「電極上で放射状に発生する閉磁界内に、同心円状に配設された少なくとも１つの環状溝部を有する電極部材を、丈夫磁界が溝部を貫通するように配設したことを特徴とする放電電極」と記載され
（２−ｂ）第１頁左欄第１０行〜第１２行には、
「本発明は、放電電極に係り、特にマグネトロン放電およびホローカソード放電を発生させるための放電電極に関する。」と記載され、
（２−ｃ）第１頁右欄第１８行〜第１９行には、
「・・・安定したプラズマ放電を起こさせることができかつ均一な膜形成を行うことのできる放電電極を提供することを目的とする。」と記載され、
（２−ｄ）第２頁左上欄第１７行〜右上欄第７行には、
「第１図は本発明の一実施例を示したもので、・・・このターゲット３の上面には、・・・第２図（ａ）に示すように、同心円状に複数の溝４，４・・・が形成され、さらに、ターゲット３には電源５が接続されている。なお、上記溝４は１つであってもよく、・・・同心状の溝４を形成するようにしてもよい。」と記載されている。
　
［３］刊行物３の記載内容
（３−ａ）【特許請求の範囲】の欄には、
「【請求項１】減圧可能な真空容器と、該真空容器内に配され該真空容器とは絶縁された電極と、該電極に対向して配された被処理基体を支持する支持台と、前記電極と前記真空容器との間に放電が生じないよう前記電極の近傍に配されたアースシールドと、前記真空容器内にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段と、を有し、前記電極に電力を供給して該電極と前記支持台との間にプラズマを発生させ、該プラズマにより前記被処理基体にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、前記電極と前記アースシールドとの間に絶縁材料を配したことを特徴とするプラズマ処理装置。」
【請求項２】前記電極と前記絶縁材料及び前記アースシールドと前記絶縁材料との間隔が３ｍｍ以下である請求項１記載のプラズマ処理装置。・・・
【請求項７】前記高周波電源の発信周波数が４０ＭＨｚ〜２５０ＭＨｚである請求項６記載のプラズマ処理装置。」と記載され、
（３−ｂ）段落【０００１】には、
「【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、あるいは光起電力デバイス等の製造に用いられるスパッタ、プラズマＣＶＤ、ドライエッチング等、プラズマを用いて処理を行うプラズマ処理装置に関するものである。」と記載され
（３−ｃ）段落【００１３】には、
「本発明によれば、電極（カソード）とアースシールド間の放電発生を防止しつつ電極（カソード）とアースシールド間の間隔を大きくすることができるので、電極（カソード）とアースシールド間での高周波電力の損失を減少することができる。その結果、生産性を改善することができ、また生産性を損なわずに放電周波数を大きくすることができる。また電極（カソード）とアースシールド間の間隔は大きくでき且つ絶縁材料が配置されているのでショートの原因となる異物は侵入しにくくなるのでショート発生を防止でき信頼性を向上することができる。」と記載されている。
　
［４］先願明細書等の記載内容
（先−ａ）【特許請求の範囲】には、　
「【請求項１】一部を封止部材で封止してなる容器内へ、前記封止部材を透過させてマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマによって前記封止部材に対向配置した被処理物を処理する装置において、前記封止部材には、環状又は渦巻き状の溝が形成してあることを特徴とするプラズマ処理装置。」と記載され、
（先−ｂ）段落【００２１】には、
「反応器１の内部は処理室２になっており、処理室２の周囲壁を貫通する貫通穴に嵌合させたガス導入管１５から処理室２内に所要のガスが導入される。反応器１の周壁には排気口１６が開設してあり、排気口１６から処理室２の内気を排出するようになしてある。」と記載され、
（先−ｃ）段落【００２４】には、
「次いで、マイクロ波発振器20からマイクロ波を発振させ、これを導波管21を介して誘電体線路９に導入し、誘電体線路９内に定在波を形成する。この定在波によって、誘電体線路９の下方に漏れ電界が形成され、それがエアギャップ10、マイクロ波制限板７の開口及び封止板３を透過して処理室２内へ導入される。このようにしてマイクロ波が処理室２内へ伝播し、処理室２内にプラズマが生成される。載置台11には高周波電源18から高周波電圧が印加されており、それによって形成される高周波電界によって、プラズマ中のイオンを被処理物Ｗ上に導き、被処理物Ｗの表面をエッチングする。」と記載され、
（先−ｄ）段落【００３２】には、
「・・・図４は本発明に係るプラズマ処理装置の要部寸法を説明する説明図であり、・・・図４に示した如く、本発明に係るプラズマ処理装置にあっては、封止板の中央部の厚さＴＷ１が３０ｍｍ、封止板の環状電極板に対向する部分の厚さＴＷ２が２０ｍｍ、封止板に設けた溝の内径ＤＡ１が２００ｍｍ、封止板に設けた溝の外径ＤＡ２が２８０ｍｍ、封止板に設けた溝の深さＨＡ１が５ｍｍ、環状電極板の内径ＤＡ３が２９８ｍｍになしてある。」と記載され、
（先−ｅ）段落【００３７】には、
「図５は本発明に係るプラズマ処理装置によってシリコン酸化膜が形成してある被処理物をエッチングした結果を示すグラフであり、縦軸は相対エッチング速度を横軸は被処理物の中心からの位置を示している。・・・」と記載され、
（先−ｆ）段落【００３９】には、
「・・・反応器内に均一な密度のプラズマを生成することができ・・・優れた効果を奏する。」と記載されている。
　
［５］刊行物５の記載内容
（５−ａ）段落【０００１】には、
「【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波発生源を備えたプラズマ生成装置、およびこのプラズマ生成装置を用いて製作された半導体素子とその製法に関する。」と記載され、
（５−ｂ）段落【００１２】には、
「また、本発明の・・・目的は安価で均一なプラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供することにある。」
（５−ｃ）段落【００２２】〜【００２４】には、
「・・・図１は本発明の一実施例のプラズマ処理装置の縦断面図である。プラズマ処理装置１００は、プラスマ処理を実施する外部容器１６と、この外部容器１６に取り付けられ容器１６内部を真空排気するガス排気系３５と、容器１６内部に処理ガスを導入するガス供給系３４とを備えている。さらに、容器１６内部には被処理材である試料１２を載置する試料保持台１１が設けられている。ここで、試料１２としては５インチないし１４インチウエハを用いている。・・・
　容器１６の上部には、容器１６内でプラズマを発生させるための電磁波発生源１およびこの電磁波発生源１で発生した電磁波を容器１６内に導く第１、第２の電磁波伝送部２、４が配設されている。つまり、電磁波発生源１で発生した電磁波は…誘電体窓６に入射する。・・・
　石英からなる誘電体窓６は、容器１６の上部にＯ−リング等を用いて気密に取り付けられており、誘電体窓６と容器１６とで真空雰囲気が実現できるように構成されている。・・・ここで、電磁波として２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いる場合には、例えば電磁波発生源にマグネトロンを用い、電磁波伝送路に導波管を用いる。・・・」と記載され、
（５−ｄ）段落【００２５】には、
「誘電体窓６の伝送路結合器５とは反対側、すなわち、容器１６に面する側には誘電体窓６の内部を伝播した電磁波が容器１６内に入射するのを制限するための電磁波反射板７が設けられている。さらに容器１６の上部には、補助反射板１７も設けられており、容器１６の壁面近傍の誘電体窓６から電磁波が容器１６に入射するのを防止している。つまり、電磁波は誘電体窓６の内部で径方向に拡大された後、電磁波反射板７と補助反射板１７により形成されたリング状電磁波放射口８から外部容器１６に入射する。・・・」と記載されている。
　
［６］参考資料１の記載内容
　第２８頁第８行〜第３０頁第２行には、
「（３）ホロー陰極放電(hollow cathode discharge)
　陰極降下領域に接して、きわめて強い輝度で発光している構造を負グロー(negative glow)と称し、プラズマ密度が高く、またエネルギーの範囲も比較的広い。・・・このような構造の放電がホロー陰極放電として特色のある性質を持つためには、２個の陰極近傍の負グローが合体していなければならない。したがって、ホロー間隙の大きさ、ガスの種類、ガス圧や放電電流の間にある条件が満たされていることが必要である。・・・」
　と記載されている。
　
【６】特許異議申立てに対する当審の判断
　
【６−１】本件発明１〜２４について
［１］本件発明１について
　まず、本件発明１と刊行物１に記載された発明とを比較検討する。　
刊行物１には、上記摘記事項（１−ａ）〜（１−ｆ）を総合的に考慮して、
「真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極に複数の環状溝が設けられ、当該環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置するプラズマ処理方法。」（以下、「刊行物１発明」という。）が開示されている。
　ここで、刊行物１発明には、本件発明１の「対向電極に１つだけ設けられた環状溝」という発明特定事項について記載されておらず、また、刊行物１発明における対向電極に設けられた複数の環状溝は、複数の環状溝の深さの差を利用してプラズマの均一性を達成する点にその特徴があるから、複数の環状溝は必須の構成であり、１つだけの溝を対向電極に設ける構成を意図するものではない。
　次に、本件発明１と刊行物１及び刊行物２を組み合わせた発明とを比較検討する。
　刊行物２には、上記摘記事項（２−ａ）〜（２−ｄ）を総合的に考慮すれば、
「放電電極に１つの環状溝を設け、当該溝部を磁界が貫通するマグネトロン放電用の放電電極」
　とする技術的事項が開示されている。
　ここで、刊行物１発明のプラズマ処理方法の対向電極において、刊行物２の開示内容を採用することが当業者であれば容易に想到しうるかどうかについて検討する。
　刊行物２の電極構造は、環状溝を設けて磁界が貫通する構成とすることにより安定したプラズマを発生させる、いわゆるマグネトロン放電を利用する技術である。すなわち、磁界の存在が環状溝を有する電極採用の前提条件である。
　しかし、刊行物１発明のプラズマ処理方法は、磁界を利用することは前提としておらず、かつその必要性も意図されていない。
　したがって、刊行物１発明のプラズマ処理方法における対向電極において、刊行物２の電極を採用することは、当業者であっても、容易に想到し得たものとすることはできない。
　よって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではなく、また、刊行物１及び刊行物２に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　　
［２］本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を引用するものであって、「環状溝より内側の対向電極の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」であることをさらなる発明特定事項としている。
　してみれば、本件発明１の構成を限定したのであるから、本件発明１が前記［１］段落で述べたように、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に想到し得た発明でもなく、また、刊行物１及び刊行物２に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件発明２も、必然の結果として、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に想到し得た発明でもなく、また、刊行物１及び刊行物２に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
［３］本件発明３について
　まず、本件発明３と刊行物１発明とを比較検討する。
　刊行物１発明は、環状溝は対向電極に形成されているのに対して、本件発明３では、環状溝は、対向電極以外に設けられていることから、対向電極の構造が異なる。
　したがって、本件発明３は、刊行物１に記載された発明ではなく、また、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に想到し得た発明でもない。
　次に、本件発明３と刊行物３に記載された発明とを比較検討する。
　刊行物３には、上記摘記事項（３−ａ）〜（３−ｃ）から、総合的に考慮すると
「真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極とアースシールドとの間に絶縁材料を配したプラズマ処理方法。」（以下、「刊行物３発明」という。）が開示されている。
　ここで、本件発明３と刊行物３発明とを対比すると、本件発明３においては、対向電極以外に設けられた環状溝を有するに対して、刊行物３発明では、対向電極とアースシールドとの間に絶縁材料を配している点で相違する。
　以下、上記相違点について検討する。
　本件発明３の環状溝は、周辺部のプラズマを環状溝により制御することでプラズマの均一性を図ることを目的とした構造であるが、刊行物３発明の対向電極とアースシールドとの間に絶縁材料を配している構造は、電極とアースシールド間の放電発生を防止しつつ、電極とアースシールド間の高周波電力の損失を減少することを目的とした構造であつて、目的が異なっている。。
　また、プラズマの均一性に関する技術的課題についても刊行物３発明では、まったく考慮されておらず、当該技術的課題を示唆する記載もない。
　以上の差異に基づいて、本件発明３は、明細書の段落【００４１】に記載された「均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる」という格別な作用効果を奏する。
　したがって、本件発明３は、刊行物３に記載された発明とはいえず、また、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
［４］本件発明４について
  本件発明４は、本件発明３を引用し、さらにその構成を限定するものであるから、本件発明３と同様、本件発明４は、刊行物３に記載された発明とはいえず、また、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　　
［５］本件発明５について
　まず、本件発明５と先願明細書等に記載された発明とを比較検討する。
　先願明細書等には、上記摘記事項（先−ａ）〜（先−ｆ）を、総合的に考慮すると、
「真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、マイクロ波発信器からマイクロ波を発生させ、導波管、誘電体線路を介して、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた封止部材を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記封止部材に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍの範囲を含むプラズマ処理方法。」（以下、「先願発明」という。）が開示されている。
　ここで、本件発明５と先願発明とを対比すると、本件発明５では、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚを含む高周波電力を印加して、真空容器内に電磁波を放射するのに対して、先願発明では、マイクロ波発信器からマイクロ波を発生させ、導波管、誘電体線路を介して、真空容器内に電磁波を放射する点で相違する。
　したがって、本件発明５は、先願発明と同一とはいえない。
　
　次に、本件発明５と刊行物５に記載された発明とを比較検討する。
　刊行物５には、上記摘記事項（５−ａ）〜（５−ｄ）を、総合的に考慮すると、
「 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、電磁波発生源から電磁波電送部を介して、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置したプラズマ処理方法。」（以下、「刊行物５発明」という。）が開示されている。
　ここで、刊行物５発明には、環状溝の溝幅に関する数値限定はないが、その環状溝を設ける目的は、マイクロ波の伝達制御のためであるから、格別な意義はないとすると、
　本件発明５と刊行物５発明とを比較すると、本件発明５では、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚを含む高周波電力を印加して、真空容器内に電磁波を放射するのに対して、刊行物５発明では、電磁波発生源から電磁波電送部を介して、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射する点で相違する。
　そして、当該相違点は、本件発明５の一つの発明特定事項と認められるが、当該発明特定事項については、他の刊行物には記載も示唆もされておらず、また、周知技術ともいえない。
　したがって、本件発明５は、刊行物５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［６］本件発明６について
　本件発明６は、本件発明５を引用し、その構成をさらに限定するものであるから、本件発明５と同様、本件発明６は先願発明と同一といえず、また、刊行物５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　　
［７］本件発明７について
　本件発明７は、本件発明５を引用し、その構成に「誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側の前記誘電体窓を含む面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍」であることをさらなる発明特定事項としている。
　してみれば、本件発明５の構成を限定したのであるから、本件発明５が前記［５］段落で述べたように、刊行物５に記載された発明から当業者が容易に発明することができない以上、本件発明７も、必然の結果として、刊行物５に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
［８］本件発明８について
　本件発明８は、本件発明７を引用し、その構成をさらに限定するものであるから、本件発明８は、本件発明７と同様、刊行物５に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［９］本件発明９について
　本件発明９は、本件発明４を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明９は、本件発明４と同様、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［１０］本件発明１０について
　本件発明１０は、本件発明４を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明１０は、本件発明４と同様、刊行物３に記載された発明とはいえず、また、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
［１１］本件発明１１について
　本件発明１１は、本件発明４を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明１１は、本件発明４と同様、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［１２］本件発明１２について
　本件発明１２については、本件発明１〜１１を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明１〜１１について前記したと同様、刊行物１〜３，５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、先願明細書等に記載された発明と同一ということもできない。
　
［１３］本件発明１３について
　本件発明１３は、本件発明１のプラズマ処理方法を実現するための装置に関する発明である。してみれば、本件発明１と同様、本件発明１３は、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではなく、また、刊行物１及び刊行物２に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
［１４］本件発明１４について
　本件発明１４については、本件発明１３を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明１３と同様、本件発明１４は、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではなく、また、刊行物１及び刊行物２に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
［１５］本件発明１５について
　本件発明１５は、本件発明３のプラズマ処理方法を実現するための装置に関する発明である。してみれば、本件発明３と同様、本件発明１５は、刊行物３に記載された発明とはいえず、また、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
［１６］本件発明１６について
　本件発明１６については、本件発明１５を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明１５と同様、本件発明１６は、刊行物３に記載された発明とはいえず、また、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。　
　
［１７］本件発明１７について
　本件発明１７は、本件発明５のプラズマ処理方法を実現するための装置に関する発明である。してみれば、本件発明１７は、刊行物５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、また、先願明細書等に記載された発明と同一ともいえない。
　
［１８］本件発明１８について
　本件発明１８については、本件発明１７を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明１８は、本件発明１７と同様、刊行物５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、また、先願明細書等に記載された発明と同一ともいえない。
　　
［１９］本件発明１９について
 本件発明１９は、本件発明７のプラズマ処理方法を実現するための装置に関する発明である。してみれば、本件発明１９は、本件発明７と同様、刊行物５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［２０］本件発明２０について
　本件発明２０については、本件発明１９を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明２０は、本件発明１９と同様、刊行物５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　
［２１］本件発明２１について
　本件発明２１については、本件発明１５を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明２１は、本件発明１５と同様、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［２２］本件発明２２について
　本件発明２２については、本件発明１５を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明２２は、本件発明１５と同様、刊行物３に記載された発明とはいえず、また刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［２３］本件発明２３について
　本件発明２３については、本件発明１５を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明２３は、本件発明１５と同様、刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［２４］本件発明２４について
　本件発明２４については、本件発明１３〜２３を引用し、その構成をさらに限定した内容であるから、本件発明２４は、本件発明１３〜２３について上に記載したと同様、刊行物１〜３，５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明とはいえず、また、先願明細書等に記載された発明と同一ということもできない。
　
【６−２】発明の詳細な説明の記載について
　特許異議申立人は、参考資料１の第２９頁第２行〜第８行には「このような構造の放電が、ホロー陰極放電として特色のある性質を持つためには、２個の陰極近傍の負グローが合体していなけれはならない。したがってホロー間隙の大きさ、ガスの種類、ガス圧や放電電流の間にある条件が満されていることが必要てある。」と記載されていることから、所定の条件を満たさなければホローカソード放電が生じないことが一般的に知られており、環状溝を対向電極の外側に設けた態様においては、ホローカソード放電が生じるとは技術的に認めがたく、環状溝を対向電極に設けた態様と同様の効果を奏する
とは認められず、したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない、旨を主張する。
　しかしながら、ホローカソード現象の発生は、当該参考資料１が示唆するように、ホロー間隙の大きさ、ガスの種類、ガス圧や放電電流等の条件を満足することで発生するので、環状溝を対向電極の外側に設けた態様においても、これらの条件を最適化することでホローカソード現象が生じうると解される。また、ホローカソード現象の放電に影響を与えるパラメータとして溝の形状、ガスの種類、ガス圧、放電電流等は、既知の制御パラメータであるから、当業者であれば当該パラメータを制御して、発明を実施することは可能と認められる。
　したがって、発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているものと認められるから、特許異議申立人の上記主張は失当である。
　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜２４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜２４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月１日（２００５．７．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理方法及び装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記対向電極に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項２】環状溝より内側の対向電極の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
　【請求項３】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記対向電極
以外
の前
　【請求項４】対向電極上若しくはその周囲に絶縁リングを設け、前記対向電極と前記絶縁リングによって前記環状溝を形成することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理方法。
　【請求項５】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項６】環状溝より内側の誘電体窓の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理方法。
　【請求項７】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側
の前
　【請求項８】誘電体窓と真空容器の上壁面とで環状溝を形成することを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理方法。
　【請求項９】環状溝が、絶縁リングに設けられていることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理方法。
　【請求項１０】環状溝が、前記対向電極と前記絶縁リングとの間に設けられることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理方法。
　【請求項１１】環状溝が、前記真空容器と前記絶縁リングとの間に設けられることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理方法。
　【請求項１２】環状溝の溝深さが、５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
　【請求項１３】真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項１４】環状溝より内側の対向電極の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であることを特徴とする請求項１３記載のプラズマ処理装置。
　【請求項１５】真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極
以外
の前
　【請求項１６】対向電極上若しくはその周囲に絶縁リングを設け、前記対向電極と前記絶縁リングによって前記環状溝を形成することを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置。
　【請求項１７】真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項１８】環状溝より内側の前記誘電体窓の面積が前記基板の面積の０．５乃至２．５倍であることを特徴とする請求項１７記載のプラズマ処理装置。
　【請求項１９】真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側
の前
　【請求項２０】誘電体窓と真空容器の上壁面とで環状溝を形成することを特徴とする請求項１９記載のプラズマ処理装置。
　【請求項２１】環状溝が、絶縁リングに設けられていることを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置。
　【請求項２２】環状溝が、前記対向電極と前記絶縁リングとの間に設けられることを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置。
　【請求項２３】環状溝が、前記真空容器と前記絶縁リングとの間に設けられることを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置。
　【請求項２４】環状溝の溝深さが、５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１３〜２３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、半導体等の電子デバイスやマイクロマシンの製造に利用されるドライエッチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理方法及び装置に関し、特にＶＨＦ帯またはＵＨＦ帯の高周波電力を用いて励起するプラズマを利用するプラズマ処理方法及び装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体等の電子デバイスの微細化に対応するために、高密度プラズマの利用が重要であることについて、特開平８−８３６９６号公報に述べられているが、最近は、電子密度が高くかつ電子温度の低い、低電子温度プラズマが注目されている。
　【０００３】
　Ｃｌ２やＳＦ６等のように負性の強いガス、言い換えれば、負イオンが生じやすいガスをプラズマ化したとき、電子温度が３ｅＶ程度以下になると、電子温度が高いときに比べてより多量の負イオンが生成される。この現象を利用すると、正イオンの入射過多によって微細パターンの底部に正電荷が蓄積されることによって起きる、ノッチと呼ばれるエッチング形状異常を防止することができ、極めて微細なパターンのエッチングを高精度に行うことができる。
　【０００４】
　また、シリコン酸化膜等の絶縁膜のエッチングを行う際に一般的に用いられるＣｘＦｙやＣｘＨｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは自然数）等の炭素及びフッ素を含むガスをプラズマ化したとき、電子温度が３ｅＶ程度以下になると、電子温度が高いときに比べてガスの解離が抑制され、とくにＦ原子やＦラジカル等の生成が抑えられる。Ｆ原子やＦラジカル等はシリコンをエッチングする速度が早いため、電子温度が低い方が対シリコンエッチング選択比の大きい絶縁膜エッチングが可能になる。
　【０００５】
　また、電子温度が３ｅＶ以下になると、イオン温度やプラズマ電位も低下するので、プラズマＣＶＤにおける基板へのイオンダメージを低減することができる。
　【０００６】電子温度の低いプラズマを生成できる技術として現在注目されているのは、ＶＨＦ帯またはＵＨＦ帯の高周波電力を用いるプラズマ源である。
　【０００７】
　図１５は、２周波励起式平行平板型プラズマ処理装置の断面図である。図１５において、真空容器１内にガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ排気装置としてのポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、対向電極用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を対向電極５に供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このとき、図１５に示すように、基板電極６にも基板電極用高周波電源８により高周波電力を供給することで、基板７に到達するイオンエネルギーを制御することができる。なお、対向電極５は、絶縁リング１１により、真空容器と絶縁されている。
　【０００８】
　図１６は我々がすでに提案しているアンテナ方式プラズマ源を搭載したプラズマ処理装置の断面図である。図１６において、真空容器１内にガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ排気装置としてのポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源１２により１００ＭＨｚの高周波電力を、誘電体窓１４上の渦形アンテナ１３に供給すると、真空容器１内に放射された電磁波によって真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このとき、図１６に示すように、基板電極６にも基板電極用高周波電源８により高周波電力を供給することで、基板７に到達するイオンエネルギーを制御することができる。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、図１５や図１６に示した従来の方式では、プラズマの均一性を得ることが難しいという問題点があった。
　【００１０】
　図１７は、図１５のプラズマ処理装置において、イオン飽和電流密度を、基板７の直上２０ｍｍの位置において測定した結果である。プラズマ発生条件は、ガス種とガス流量がＣｌ２＝１００ｓｃｃｍ、圧力が１Ｐａ、高周波電力が２ｋＷである。図１７から、周辺部でプラズマ密度が高くなっていることがわかる。
　【００１１】
　図１８は、図１６のプラズマ処理装置において、イオン飽和電流密度を、基板７の直上２０ｍｍの位置において測定した結果である。プラズマ発生条件は、ガス種とガス流量がＣｌ２＝１００ｓｃｃｍ、圧力が１Ｐａ、高周波電力が２ｋＷである。図１８から、周辺部でプラズマ密度が高くなっていることがわかる。
　【００１２】
　このようなプラズマの不均一は、高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以下の場合には見られなかった現象である。プラズマの電子温度を下げるためには、５０ＭＨｚ以上の高周波電力を用いる必要があるが、この周波数帯では、対向電極やアンテナとプラズマとが容量的または誘導的に結合することによってプラズマが生成されるという効果に加えて、対向電極やアンテナから放射される電磁波がプラズマの表面を伝搬することによってプラズマが生成されるという効果が現れる。真空容器の周辺部は、プラズマの表面を伝搬してきた電磁波の反射面となるため電界が強くなり、濃いプラズマが発生してしまうものと考えられる。
　【００１３】
　本発明は、上記従来の問題点に鑑み、均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的としている。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　本願の第１発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とする。
　【００１５】
　本願の第２発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極
以外
の前
　【００１６】
　本願の第３発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とする。
　【００１７】
　本願の第４発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側
の前
　【００１８】
　本願の第５発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することを特徴とする。
　【００１９】
　本願の第６発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極
以外
の前
　【００２０】
　本願の第７発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることを特徴とする。
　【００２１】
　本願の第８発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側
の前
　【００２２】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の第１実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。
　【００２３】
　図１に、本発明の第１実施形態において用いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図１において、真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、対向電極用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を対向電極５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。また、基板電極６に高周波電力を供給するための基板電極用高周波電源８が設けられており、基板７に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。また、基板７に対向して設けられたプラズマトラップ（以下「環状溝」と称す）９によって、基板上のプラズマ分布が制御された状態で基板を処理することができるようになっている。環状溝９は、対向電極５に設けられている。真空容器１内壁面を構成する、基板に対向する面のうち、環状溝９によって囲まれた部分１０（斜線部）の面積は、基板の面積の０．８倍である。また、環状溝９の溝幅は１０ｍｍであり、環状溝９の溝深さは１５ｍｍである。なお、対向電極５は、絶縁リング１１により、真空容器と絶縁されている。
　【００２４】
　図２に、イオン飽和電流密度を、基板７の直上２０ｍｍの位置において測定した結果を示す。プラズマ発生条件は、ガス種とガス流量がＣｌ２＝１００ｓｃｃｍ、圧力が１Ｐａ、高周波電力が２ｋＷである。図２から、図１７で見られたような周辺部のプラズマが濃いという傾向が抑制され、均一なプラズマが発生していることがわかる。
　【００２５】
　このように、従来例の図１５で示したプラズマ処理装置と比較してプラズマの均一性が改善した原因として、以下のことが考えられる。対向電極５から放射された電磁波は、環状溝９で強められる。また、低電子温度プラズマではホローカソード放電が起きやすい傾向があるため、固体表面で囲まれた環状溝９で高密度のプラズマ（ホローカソード放電）が生成しやすくなっている。したがって、真空容器１内では、プラズマ密度が環状溝９で最も高くなり、拡散によって基板７近傍までプラズマが輸送されることで、均一なプラズマが得られたものと考えられる。
　【００２６】
　なお、ホローカソード放電とは、以下のようなものである。一般に、プラズマに接している固体表面は、電子とイオンの熱運動速度の違いに起因して負に帯電するため、固体表面に電子を固体表面から追い返す直流電界が生じる。本発明の第１実施形態で例示した環状溝９のように、固体表面によって囲まれた空間では、電子がこの直流電界の存在により、固体表面に衝突する確率が低下するため、電子の寿命が長くなり、その結果、環状溝９で高密度のプラズマが生成される。このような放電を、ホローカソード放電という。
　【００２７】
　以上述べた本発明の第１実施形態において、環状溝９が対向電極５に設けられている場合について説明したが、この場合、対向電極５に発生する自己バイアス電圧によって、環状溝９に存在する高密度イオンが高いエネルギーで対向電極５に衝突し、対向電極５のスパッタリングを生じるおそれがある。対向電極５のスパッタリングは、対向電極５の短命化や、基板７への不純物混入を招くという点で好ましくない。これを避けるためには、環状溝を対向電極５以外の部分に構成すればよい。例えば、環状溝９を、図３の第２実施形態に示すように、絶縁リング１１に設けることが考えられる。また、環状溝９を、図４の第３実施形態に示すように、絶縁リング１１の外側に設けることが考えられる。また、環状溝９を、図５の第４実施形態または図６の第５実施形態に示すように、対向電極５と絶縁リング１１との間に設けることによっても、若干の改善を図ることが可能である。また、環状溝９を、図７の第６実施形態に示すように、真空容器１と絶縁リング１１との間に設けることが考えられる。
　【００２８】
　次に、本発明の第７実施形態について、図８及び図９を参照して説明する。
　【００２９】
　図８に、本発明の第７実施形態において用いたプラズマ処理装置の断面図を示す。図８において、真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源１２により１００ＭＨｚの高周波電力を渦形のアンテナ１３に印加し、基板電極６に載置された基板７に対向して設けられた誘電体窓１４を介して、真空容器１内に電磁波を放射することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。また、基板電極６に高周波電力を供給するための基板電極用高周波電源８が設けられており、基板７に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。また、基板７に対向して設けられた環状溝９によって、基板上のプラズマ分布が制御された状態で基板を処理することができるようになっている。環状溝９は、誘電体窓１４に設けられている。真空容器１内壁面を構成する、基板に対向する面のうち、環状溝９によって囲まれた部分１０（斜線部）の面積は、基板の面積の０．８倍である。また、環状溝９の溝幅は１０ｍｍであり、環状溝９の溝深さは１５ｍｍである。
　【００３０】
　図９に、イオン飽和電流密度を、基板７の直上２０ｍｍの位置において測定した結果を示す。プラズマ発生条件は、ガス種とガス流量がＣｌ２＝１００ｓｃｃｍ、圧力が１Ｐａ、高周波電力が２ｋＷである。図９から、図１８で見られたような周辺部のプラズマが濃いという傾向が抑制され、均一なプラズマが発生していることがわかる。
　【００３１】
　このように、従来例の図１６で示したプラズマ処理装置と比較してプラズマの均一性が改善した原因として、以下のことが考えられる。アンテナ１３から放射された電磁波は、環状溝９で強められる。また、低電子温度プラズマではホローカソード放電が起きやすい傾向があるため、固体表面で囲まれた環状溝９で高密度のプラズマ（ホローカソード放電）が生成しやすくなっている。したがって、真空容器１内では、プラズマ密度が環状溝９で最も高くなり、拡散によって基板７近傍までプラズマが輸送されることで、均一なプラズマが得られたものと考えられる。
　【００３２】
　以上述べた本発明の第７実施形態において、環状溝９が誘電体窓１４に設けられている場合について説明したが、環状溝９は、図１０の第８実施形態に示すように、誘電体窓１４の外側に設けられていてもよい。また、環状溝９は、図１１の第９実施形態に示すように、真空容器１と、誘電体窓１４との間に設けられていてもよい。
　【００３３】
　以上述べた本発明の実施形態においては、本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、対向電極またはアンテナの形状及び配置、誘電体の形状及び配置、環状溝の形状及び配置に関して様々なバリエーションのうちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあたり、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが考えられることは、いうまでもない。例えば、本発明の実施形態においては、対向電極が円形である場合について説明したが、多角形、楕円形等他の形状による構成も可能である。同様に、アンテナが渦形である場合について説明したが、平板状、スポーク状等他の形状による構成も可能である。あるいは、図１２に示すような、空洞共振器１５を備えた表面波プラズマ処理装置において、空洞共振器１５をアンテナと見なして本発明を適用することも可能である。また、図１３に示すような、空洞共振器１５とスロットアンテナ１６を備えた表面波プラズマ処理装置においても、本発明を適用することも可能である。
　【００３４】
　また、以上述べた本発明の実施形態において、環状溝が円環状である場合について説明したが、基板の形状に合わせて、環状溝の形状を多角形、楕円形等他の形状にすることも可能である。あるいは、環状溝を、閉じた環状にするのではなく、図１４に示す平面図のように、分断されてはいるが、全体として環状を成す形状とすることも可能である。
　【００３５】
　また、以上述べた本発明の第１または第７実施形態において、対向電極またはアンテナに１００ＭＨｚの高周波電力を供給する場合について説明したが、周波数はこれに限定されるものではなく、５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの周波数を用いるプラズマ処理方法及び装置において、本発明は有効である。
　【００３６】
　また、以上述べた本発明の第１または第７実施形態において、真空容器内壁面を構成する、基板に対向する面のうち、環状溝によって囲まれた部分の面積が、基板の面積の０．８である場合について説明したが、この部分の面積は、基板の面積の０．５乃至２．５倍であることが望ましい。この部分の面積が基板の面積の０．５倍未満である場合は、基板と環状溝との距離を十分離しても、基板近傍で均一なプラズマを得ることが難しくなる。また、この部分の面積が基板の面積の２．５倍を越える場合は、基板近傍で均一なプラズマを得るには、基板と環状溝との距離を極めて大きく離す必要があり、装置の大型化を招き、また、真空容器内を低圧に保つためにポンプに多大の負担を強いることになるため、好ましくない。
　【００３７】
　また、以上述べた本発明の第１または第７実施形態において、環状溝の溝幅が１０ｍｍである場合について説明したが、環状溝の溝幅は、３ｍｍ乃至５０ｍｍであることが望ましい。溝幅が３ｍｍ未満である場合、または、５０ｍｍを越える場合は、環状溝でホローカソード放電が起きない可能性がある。
　【００３８】
　また、各実施形態においては、溝の形状としては、矩形状について説明したが、Ｕ形状、Ｖ形状でもよく、また、矩形状、Ｕ形状、Ｖ形状を組み合わせた形状でも良い。
　【００３９】
　また、以上述べた本発明の第１または第７実施形態において、環状溝の溝深さが１５ｍｍである場合について説明したが、環状溝の溝深さは、５ｍｍ以上であることが望ましい。溝深さが５ｍｍ未満である場合は、環状溝でホローカソード放電が起きない可能性がある。
　【００４０】
　また、以上述べた本発明の実施形態において、真空容器内に直流磁界が存在しない場合について説明したが、高周波電力がプラズマ中に浸入できるようになるほどの大きな直流磁界が存在しない場合、例えば、着火性の改善のために数十ガウス程度の小さな直流磁界を用いる場合においても、本発明は有効である。しかし、本発明は、真空容器内に直流磁界が存在しない場合にとくに有効である。
　【００４１】
　【発明の効果】
　以上の説明から明らかなように、本願の第１発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することで、均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる。
　【００４２】
　また、本願の第２発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた対向電極に、周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記対向電極
以外
の前
　【００４３】
　また、本願の第３発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることで、均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる。
　【００４４】
　また、本願の第４発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられた誘電体窓を介して、真空容器内に電磁波を放射することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側
の前
　【００４５】
　また、本願の第５発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置することで、均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる。
　【００４６】
　また、本願の第６発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた対向電極と、対向電極に周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極
以外
の前
　【００４７】
　また、本願の第７発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓に１つだけ設けられた環状溝の外側が真空容器の内壁面よりも内側に位置し、前記環状溝の溝幅が３ｍｍ乃至５０ｍｍであることで、均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理することができる。
　【００４８】
　また、本願の第８発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられた誘電体窓と、誘電体窓を介して真空容器内に電磁波を放射するアンテナと、アンテナに周波数５０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体窓の外側に設けられた環状溝より内側
の前
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図２】
　本発明の第１実施形態における、イオン飽和電流密度の測定結果を示す図
　【図３】
　本発明の第２実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図４】
　本発明の第３実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図５】
　本発明の第４実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図６】
　本発明の第５実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図７】
　本発明の第６実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図８】
　本発明の第７実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図９】
　本発明の第７実施形態における、イオン飽和電流密度の測定結果を示す図
　【図１０】
　本発明の第８実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図１１】
　本発明の第９実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図１２】
　本発明の他の実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図１３】
　本発明の他の実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図１４】
　本発明の他の実施形態で用いた環状溝の構成を示す平面図
　【図１５】
　従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図１６】
　従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
　【図１７】
　従来例における、イオン飽和電流密度の測定結果を示す図
　【図１８】
　従来例における、イオン飽和電流密度の測定結果を示す図
　【符号の説明】
　１　真空容器
　２　ガス供給装置
　３　ポンプ
　４　対向電極用高周波電源
　５　対向電極
　６　基板電極
　７　基板
　８　基板電極用高周波電源
　９　環状溝
　１０　環状溝によって囲まれた部分（斜線部）
　１１　絶縁リング