【事件の表示】
　特許第３４４８４５０号「発光素子およびその製造方法」の請求項２ないし１７、１９、２０、２２ないし５２、５４、５５、５７ないし６２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４４８４５０号の請求項２ないし１７、１９、２０、２２ないし５２、５４、５５、５７ないし６２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４４８４５０号の請求項１ないし６２に係る発明についての出願は、平成９年３月１０日（優先権主張　平成８年４月２６日）に出願されたものであって、平成１５年７月４日にその発明について特許権の登録設定がなされ、その特許について、平成１５年１２月２７日に特許異議申立人：薮木　操により特許異議の申立てがなされたものである。
　　
２．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人：薮木　操は、本件特許に対して、下記の証拠を提出し、本件の請求項２ないし１７、請求項１９，２０、請求項２２ないし５２、請求項５４，５５及び請求項５７ないし６２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件特許は取り消されるべきである旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　甲第１号証：Jpn.J.Appl.Phys.Vol.35(1996)ppL74-76
　　甲第２号証：特開平７−１５０４１号公報
　　甲第３号証：特開平７−１６２０３８号公報
　　甲第４号証：特開平４−２９７０２３号公報
　　甲第５号証：特開平７−３０２９２９公報
　　甲第６号証：Jpn.J.Appl.Phys.Vol.74(6),15 Sep.1993 pp3911-3915
　　
３．本件発明
　特許第３４４８４５０号の請求項２ないし１７、請求項１９，２０、請求項２２ないし５２、請求項５４，５５及び請求項５７ないし６２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項２ないし１７、請求項１９，２０、請求項２２ないし５２、請求項５４，５５及び請求項５７ないし６２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　　
「【請求項２】　第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、　インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備え、前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層はＧａＮからなり、前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低く、前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】　第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備え、前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有し、前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低く、前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】　前記量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の発光素子。
【請求項５】　前記量子井戸構造は量子障壁層をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】　前記量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなり、前記量子障壁層はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（１＞ｓ＞ｒ≧０）からなることを特徴とする請求項５記載の発光素子。
【請求項７】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層と、第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層と、第２導電型のコンタクト層とをこの順に備え、前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第１導電型のコンタクト層と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層と、第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備え、前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第１導電型のＧａＮからなるコンタクト層と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層と、第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備え、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】　前記第２のクラッド層上に第２導電型のコンタクト層をさらに備えたことを特徴とする請求項８または９に記載の発光素子。
【請求項１１】　前記第２導電型のコンタクト層はＧａＮからなることを特徴とする請求項７または１０に記載の発光素子。
【請求項１２】　前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有することを特徴とする請求項９記載の発光素子。
【請求項１３】　前記量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなることを特徴とする請求項１２記載の発光素子。
【請求項１４】　前記量子井戸構造は量子障壁層をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載の発光素子。
【請求項１５】　前記量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなり、前記量子障壁層はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（１＞ｓ＞ｒ≧０）からなることを特徴とする請求項７、８または１４記載の発光素子。
【請求項１６】　前記キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有することを特徴とする請求項７〜１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】　前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項７〜１６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１９】　前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下であることを特徴とする請求項７〜１８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２０】　前記第２のクラッド層はＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項７〜１９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２２】　前記キャップ層は、前記活性層からのインジウムの脱離を抑制する層であることを特徴とする請求項７〜２１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２３】　前記下地層は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮからなり、前記下地層のＡｌ組成比ｙは０以上で１より小さいことを特徴とする請求項７〜２２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２４】　前記バッファ層はＡｌｘＧａ１−ｘＮからなり、前記バッファ層のＡｌ組成比ｘは０より大きく１以下であることを特徴とする請求項７〜２３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２５】　前記バッファ層のＡｌ組成比ｘは０．４以上０．６以下であることを特徴とする請求項２４記載の発光素子。
【請求項２６】　前記活性層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項７〜２５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２７】　非単結晶のＡｌｘＧａ１−ｘＮからなるバッファ層と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層と、第２導電型のコンタクト層とをこの順に備え、前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記バッファ層のＡｌ組成比ｘは０．４以上０．６以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項２８】　非単結晶のＡｌｘＧａ１−ｘＮからなるバッファ層と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第１導電型のコンタクト層と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備え、前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記バッファ層のＡｌ組成比ｘは０．４以上０．６以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項２９】　非単結晶のＡｌｘＧａ１−ｘＮからなるバッファ層と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と、第１導電型のＧａＮからなるコンタクト層と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層と、第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備え、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記バッファ層のＡｌ組成比ｘは０．４以上０．６以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項３０】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、前記下地層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第２のクラッド層上に第２導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程とを含み、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項３１】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下であることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項３２】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、前記下地層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第２のクラッド層上に第２導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程とを含み、前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下であることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項３３】　前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下であることを特徴とする請求項３０記載の発光素子の製造方法。
【請求項３４】　前記第２のクラッド層上に第２導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３１記載の発光素子の製造方法。
【請求項３５】　前記第２導電型のコンタクト層はＧａＮからなることを特徴とする請求項３０、３２、３３または３４のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項３６】　前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程をさらに含み、前記第１のクラッド層を前記第１導電型のコンタクト層上に形成することを特徴とする請求項３０、３２または３３記載の発光素子の製造方法。
【請求項３７】　前記第１導電型のコンタクト層はＧａＮからなることを特徴とする請求項３１または３６記載の発光素子の製造方法。
【請求項３８】　前記キャップ層はＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項３１または３２記載の発光素子の製造方法。
【請求項３９】　前記キャップ層はＡｌを含むことを特徴とする請求項３８記載の発光素子の製造方法。
【請求項４０】　前記キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下であることを特徴とする請求項３９記載の発光素子の製造方法。
【請求項４１】　前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有することを特徴とする請求項３０、３１または３３記載の発光素子の製造方法。
【請求項４２】　前記量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなることを特徴とする請求項４１記載の発光素子の製造方法。
【請求項４３】　前記量子井戸構造は量子障壁層をさらに含むことを特徴とする請求項４１記載の発光素子の製造方法。
【請求項４４】　前記量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなり、前記量子障壁層はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（１＞ｓ＞ｒ≧０）からなることを特徴とする請求項３２または４３記載の発光素子の製造方法。
【請求項４５】　前記量子障壁層はＧａＮ量子障壁層であり、前記ＧａＮ量子障壁層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項４４記載の発光素子の製造方法。
【請求項４６】　前記キャップ層は、前記活性層からのインジウムの脱離を抑制する層であることを特徴とする請求項３０〜４５のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項４７】　前記下地層はＡｌｙＧａ１−ｙＮからなり、前記下地層のＡｌ組成比ｙは０以上で１より小さいことを特徴とする請求項３０〜４６のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項４８】　前記バッファ層はＡｌｘＧａ１−ｘＮからなり、前記バッファ層のアルミニウム組成比ｘは０より大きく１以下であることを特徴とする請求項３０〜４７のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項４９】　前記バッファ層のＡｌ組成比ｘは０．４以上０．６以下であることを特徴とする請求項４８記載の発光素子の製造方法。
【請求項５０】　前記活性層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項３０〜４９のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項５１】　前記キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有することを特徴とする請求項３０〜５０のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項５２】　前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項３０〜５１のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項５４】　前記キャップ層を前記活性層の成長温度とほぼ同じ成長温度で形成することを特徴とする請求項３０〜５３のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項５５】　前記第２のクラッド層はＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項３０〜５４のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項５７】　前記キャップ層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項３０〜５６のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項５８】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項５９】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、前記下地層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第２のクラッド層上に第２導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程とを含み、前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項６０】　非単結晶のＡｌｘＧａ１−ｘＮからなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記バッファ層のＡｌ組成比ｘは０．４以上０．６以下であることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項６１】　非単結晶のＡｌｘＧａ１−ｘＮからなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、前記下地層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第２のクラッド層上に第２導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程とを含み、前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有し、前記バッファ層のＡｌ組成比ｘは０．４以上０．６以下であることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項６２】　請求項１〜２９のいずれかに記載の発光素子を用いた電子機器。」
　　
４．甲各号証記載の発明
　特許異議申立人が提出した甲第１号証（以下、「刊行物１」という。）には、
「III-V nitride  films were grown by the two-flow metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method. Details of the two-flow MOCVD have been described elsewhere.17)The growth was conducted at atmospheric pressure. Sapphire with (0001) orientation (C face) was used as the substrate.  Details of the growth conditions of each layer haye been described elsewhere.8-10)　The InGaN MQW LD device (Fig.1) consisted of a 300Å GaN buffer layer grown at a low temperature of 550℃, a 3-μm-thick layer of n-type GaN;Si, a 0.1-μm-thick layer of n-type In 0.1Ga0.9N:Si, a 0.4-μm-thick layer of n-type Al0.15Ga0.85N:Si,a 0.1-μm-thick layer of n-type GaN:Si, 26periods of a In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95N MQW structure consisting of 25-Å-thick In0.2Ga0.8N well layers and 50-Å-thick In0.05Ga0.95N barrier layers, a 200-Å-thick layer of p-type Al0.2Ga0.8N:Mg, a 0.1-μm-thick layer of p-type GaN:Mg, a 0.4-μm-thick layer of p-type Al0.15Ga0.85N:Mg, and a 0.5-μm-thick layer of p-type GaN:Mg.1 The 0.1-μm-thick layer of n-type In0.1Ga0.9N served as a buffer layer of the thick AlGaN films growth to prevent cracking of the film. 
The 200-Å-thick 1ayer of p-type A1
0.2
Ga
0.8
N was used to prevent dissociation of InGaN layers during the growth of the p-type layers.
が記載されている。
　上記記載事項のうち、下線部分を翻訳すれば以下のとおりである。
「p型Aｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの２００Å厚の層は、ｐ型層が成長する間ＩｎＧａＮ層の分解を妨げるのに用いられる。」
　　
　同じく甲第２号証（以下、「刊行物２」という。）には、
「【０００８】　図１は本発明の一実施例の発光素子の構造を示す模式断面図であり、基板１の、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層（以下、ｎクラッド層という。）として、ｎ＋型ＧａＮ層２と、ｎ＋ＧａＮ層２よりもキャリア濃度の小さいｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ層３とを積層し、その上に発光層としてＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４を積層し、その上にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層（以下、ｐクラッド層という。）として、ｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ層５と、ｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ層よりもキャリア濃度の大きいｐ＋型ＧａＮ層６とを順に積層したダブルヘテロ構造としている。」、
「【００１３】　図１において、ｐクラッド層はｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ層４と、ｐ＋型ＧａＮ層５とを積層した２層構造としているが、ｎクラッド層と同じく、特にこの層を２層構造とする必要はなく、このｐクラッド層のキャリア濃度を発光層４に接近するほど小さく調整してあれば、ｐクラッド層を３層以上積層した多層膜層構造としてもよい。好ましくは、電極を形成する層をキャリア濃度の最も大きいｐ＋型ＧａＮとすることにより、電極材料と好ましいオーミックコンタクトが得られ、発光素子のＶｆを低下させて、発光効率を向上させることができる。また、ｐクラッド層のキャリア濃度を変化させるには、前記したｐ型ドーパントのドープ量を適宜変更することにより実現でき、キャリア濃度を１×１０１６／ｃｍ３〜１×１０２２／ｃｍ３の範囲に調整することが好ましい。」、
「【００２３】　ｎ型ＧａＮ層成長後、原料ガス、ドーパントガスを止め、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジウム）とアンモニア、ドーパントガスとしてＤＥＺ（ジエチルジンク）とシランガスとを用い、ＺｎおよびＳｉをドープしたｎ型Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層を１００オングストローム成長させる。
【００２４】　次に、原料ガス、ドーパントガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、原料ガスとしてＴＭＧとアンモニア、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）とを用い、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮ層を０．２μｍ成長させる。」、
「【００２９】　さらに、ｐ型ＧａＮ層を成長する際、新たに原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え、同じくキャリア濃度１×１０１６／cm３のＭｇドープｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を０．２μｍ成長させる。」、
が記載されている。
　　
　同じく甲第３号証（以下、「刊行物３」という。）には、
「【０００７】　基板１にはサファイア、ＳｉＣ、ＺｎＯ等を使用し得るが、通常はサファイアを用いる。図１の構造の発光素子では絶縁性基板であるサファイアを示している。また、基板１とコンタクト層２との間にＧａＮ、ＧａＡｌＮ等のバッファ層を形成すると、バッファ層の上に成長するコンタクト層２の結晶性がよくなる。特に本発明においては、特開平４−２９７０２３号に開示したように、バッファ層をコンタクト層２の組成と同一にすることにより、非常に優れた結晶性のコンタクト層２が得られ、コンタクト層２の上に成長する窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が格段に向上する。」、
「【００１４】　【実施例】
［実施例１］　ＭＯＣＶＤ法により、厚さ３００μｍのサファイア基板上に、ＧａＮよりなるバッファ層を２００オングストローム、コンタクト層としてＳｉドープＧａＮ層を４μｍ、第一のクラッド層としてＳｉドープＧａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を０．１μｍ、活性層としてＺｎとＳｉとをドープしたｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層を０．１μｍ、および第二のクラッド層としてＭｇをドープしたｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を０．１μｍを順に積層した窒化ガリウム系化合物半導体ウェ−ハを作成した。・・・」、
が記載されている。
　　
　同じく甲第４号証（以下、「刊行物４」という。）には、
「【００２３】　図８に示す装置を用いて窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長を行った。
　［実施例１］　下記の工程でサファイア基板にＧａＮのエピタキシャル層を４μｍの膜厚で成長させた。
（１）洗浄された２インチφのサファイア基板をサセプター２の上に載せる。
（２）ステンレス製の反応容器１内の空気を、排気ポンプ６で排気した後、さらに内部をＨ２で置換する。
（３）その後、Ｈ２ガスを反応ガス噴射管４と、反応容器１上部の副噴射管５とから、反応容器１内に供給しながら、サセプター２をヒータ３によって１０６０℃まで加熱する。
（４）この状態を１０分間保持し、サファイア基板表面の酸化膜を除去する。
（５）次にサセプター２の温度を５００℃まで下げて、温度が安定するまで静置する。
（６）続いて副噴射管５からＨ２とＮ２の混合ガスを供給し、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給する。副噴射管５から供給するＨ２ガスとＮ２ガスの流量はそれぞれ１０リットル／分、反応ガス噴射管４から供給するアンモニアガスの流量は４リットル／分、Ｈ２ガスの流量は１リットル／分とし、この状態でサセプター２の温度が５００℃に安定するまで待つ。
（７）その後、バッファー層を形成するため、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスに加えて、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガスを２．７×１０−５ モル／分で１分間流す。
（８）次にＴＭＧガスのみを止めて、バッファ層の成長を止める。ここで膜厚０．０２μｍのバッファ層が形成できた。さらに他のガスは流しながらサセプター２の温度を１０００℃まで上昇させる。
（９）サセプター２の温度が１０２０℃まで上昇した後、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスに加えて、ＴＭＧガスを５．４×１０−５ モル／分の流量で６０分間供給して、ＧａＮエピタキシャル層を、４．０μｍの膜厚で成長させる。
　この間、副噴射管５から常にＨ２とＮ２ガスを前述の条件で供給し続け、反応ガスで反応容器内が汚染されないようにしている。またサセプター２は均一に結晶が成長するように、モータ７で５ｒｐｍで回転させる。なお当然のことではあるが、ガスを供給している間、排気ポンプ６の配管と分岐した排気管８から、供給しているガスを外部へ放出している。
　上記のようにしてサファイア基板上に、膜厚０．０２μｍのＧａＮバッファ層、その上に４μｍのＧａＮエピタキシャル層を成長させた。」、
「【００２８】
 ［実施例２］　（７）のバッファ層を形成する工程において、Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ｎのバッファ層を０．０２μｍの膜厚で形成する以外は、実施例１と同様にしてバッファ層の上にＧａＮエピタキシャル層を成長した。
　なおバッファ層を形成する際、反応ガス噴射管４からアンモニアガスと、Ｈ２ガスに加えて、ＴＭＧを２．７×１０−５モル／分、ＴＭＡを２．７×１０−５モル／分でそれぞれ０．５分間流した。
　このＧａＮエピタキシャル層も図３に示すように、優れたＸ線ロッキングカーブを示し、また顕微鏡観察による表面モフォロジーは実施例１と同等、キャリア濃度および移動度は、実施例１と比較例１との中間に位置するものであった。」、
が記載されている（なお、上記（１）〜（９）は原文では丸数字であったが、表記上の都合によりこのようにした。：審決注）。
　　
　同じく甲第５号証（以下、「刊行物５」という。）には、
「【００１０】　・・・本発明におけるバッファ層は、少なくとも２つの、組成の異なる層からなる積層構造を含み、該積層については、好ましくは４層以上積層すること、さらに好ましくは１０層以上積層することがよい。・・・」、
「【００１９】　・・・具体的な例を図２に示す。ここでは、サファイア基板２２の上に、順にＡｌＮバッファ層２４、ＧａＮ層２５、Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ ＮとＩｎ０．１ Ｇａ０．８ Ａｌ０．１ Ｎの積層構造からなるバッファ層２６、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２７、ＩｎＧａＮ発光層２８、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２９を成長させる。・・・」、
「【００２０】　【実施例】 ・・・
 実施例１　ここで用いたＭＯＶＰＥ装置の概略を図１に示す。用いた原料はアンモニア、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩであり、またＳｉドープのために水素で１ｐｐｍに希釈したシランガスを、ＭｇドープのためにＭＣｐ２Ｍｇを用いた。
　まず、有機洗浄により洗浄したＣ面を主面とする単結晶のサファイア基板２２をＭＯＶＰＥ装置の反応室１９に載置されたサセプタ２１に装着した。
　次に、常圧で水素を反応室に流しながら高周波加熱によりサセプタを１１００℃に加熱し、この状態でサファイア基板を１０分間保持してサファイア基板を気相クリーニングした。
　次に、温度を６００℃まで低下させて、アンモニアとＴＭＧを供給して約５００Åの厚さの窒化ガリウムのバッファ層を形成した。
　次に、ＴＭＧの供給のみを停止して、サファイア基板の温度を１１００℃まで昇温し、温度が安定したのち、ＴＭＧの供給を開始し、３μｍの膜厚のＧａＮ膜を成長した。
　こうして得られたサファイア基板とＧａＮとをあわせて本発明における基板とする。」、
が記載されている。
　　
　同じく甲第６号証（以下、「刊行物６」という。）には、
「the temperature was decreased to 800℃. Then InxGa(1-x)N/InyGa(1-y)N superlatices were grown.  」（３９１１頁右欄２６，２７行）、
が記載されている。
　　
５．特許法第２９条第２項についての対比・判断
 [請求項２に係る発明（以下、「本件発明２」という。）について]
　刊行物１ないし６には何れも、本件発明２の「キャップ層はＧａＮからなり」なる構成が記載されていない。
　上記構成に関連して、
　（ａ）刊行物１には、「ｐ型Aｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの２００Å厚の層は、ｐ型層が成長する間ＩｎＧａＮ層の分解を妨げるのに用いられる。」ことが記載されており、これによればｐ型ＡｌＧａＮは、本願発明のキャップ層と同様の機能を有する層であることが明らかである。
　（ｂ）また、刊行物２には、「【００２３】ｎ型ＧａＮ層成長後、原料ガス、ドーパントガスを止め、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジウム）とアンモニア、ドーパントガスとしてＤＥＺ（ジエチルジンク）とシランガスとを用い、ＺｎおよびＳｉをドープしたｎ型Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層を１００オングストローム成長させる。【００２４】次に、原料ガス、ドーパントガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、原料ガスとしてＴＭＧとアンモニア、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）とを用い、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮ層を０．２μｍ成長させる。」ことが記載されおり、これに照らせば「ＩｎＧａＮ発光層上にＧａＮ層を成長させる」との事項が記載されているといえるが、上記ＧａＮ層の膜厚は０．２μｍであって、これは本願発明２のキャップ層の膜厚の１０倍にも及ぶ厚みであるから、このものがキャップ層であるとは理解し得ず、また、キャップ層とはいえない上記ＧａＮ層が、キャップ層の組成について示唆を与えるものともいえない。
　したがって、上記（ａ）、（ｂ）を参酌しても、キャップ層にＧａＮを用いることが容易に想到し得るとはいえない。
　　
　[請求項３に係る発明（以下、「本件発明３」という。）について]
　刊行物１ないし６には何れも、本件発明３の「キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有し」なる構成が記載されていない。
　（ｃ）なお、刊行物２には「【００２９】さらに、ｐ型ＧａＮ層を成長する際、新たに原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え、同じくキャリア濃度１×１０１６／cm３のＭｇドープｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を０．２μｍ成長させる。」と記載されているが、かかる記載事項は、ＩｎＧａＮ発光層上にＧａＮ層を成長させることに換えて、Ｍｇドープｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を０．２μｍ成長させることを意味していることは明らかである。したがって、刊行物２の段落【００２９】には、ＧａＮ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎのキャップ層が記載されているとする異議申立人の主張は失当である。
　　　
　[請求項４〜６に係る発明（以下、「本件発明４〜６」という。）について]
　本件発明４〜６は、本件発明２又は３を直接または間接に引用した発明であるから、本件発明２及び３で述べたのと同様の理由で、刊行物１ないし６に記載のものから容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　　
　[請求項７〜９に係る発明（以下、「本件発明７〜９」という。）について]
　刊行物１ないし６には何れも、本件発明７〜９の「非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と」をこの順に備えた構成、及び「キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下である」構成が記載されていない。
　これに関連して、刊行物４には、「バッファ層の上にＧａＮエピタキシャル層を成長」（段落【００２３】）させる点が、また、刊行物５には、「サファイア基板２２の上に、順にＡｌＮバッファ層２４、ＧａＮ層２５、Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ ＮとＩｎ０．１ Ｇａ０．８ Ａｌ０．１ Ｎの積層構造からなるバッファ層２６、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２７、ＩｎＧａＮ発光層２８、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２９を成長させる。」（段落【００１９】）点が記載されているものの、
　（ｄ）上記刊行物４については、上記ＧａＮの上にいかなる層構造が積層されるのか何ら開示がないから、上記ＧａＮエピタキシャル層がその上にコンタクト層ないしはクラッド層を積層する下地層に相当するとはいえず、また、上記刊行物５については、バッファ層２４上のＧａＮ層２５にさらにＩｎ０．１ Ｇａ０．９ ＮとＩｎ０．１ Ｇａ０．８ Ａｌ０．１ Ｎの積層構造からなるバッファ層２６を積層した上に、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２７（本件発明のクラッド層に相当）、ＩｎＧａＮ発光層２８を積層するものであるから、上記ＧａＮ層２５がクラッド層などに直接接触する下地層であるとはいえない。
　（ｅ）なお、異議申立人は、刊行物２には、ＧａＮ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎのキャップ層が記載されているから、同キャップ層は、本件発明７〜９の「キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下である」を満たすものである旨主張するが、上記（ｃ）で述べたように、かかるキャップ層の認定は誤認であるから、異議申立人の上記主張は採用できない。
　　
　[請求項１０〜１７，１９，２０，２２〜２５に係る発明（以下、「本件発明１０〜１７，１９，２０，２２〜２５」という。）について]
　本件発明１０〜１７，１９，２０，２２〜２５は、本件発明７〜９を直接または間接に引用した発明であるから、本件発明７〜９で述べたのと同様の理由で、刊行物１ないし６に記載のものから容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　　
　[請求項２７〜２９に係る発明（以下、「本件発明２７〜２９」という。）について]
　刊行物１ないし６には何れも、本件発明２７〜２９の「非単結晶のＡｌｘＧａ１−ｘＮからなるバッファ層と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層と」をこの順に備えた構成が記載されていない。
　これに関連して、刊行物４には、「バッファ層の上にＧａＮエピタキシャル層を成長」（段落【００２３】）させる点が、また、刊行物５には、「サファイア基板２２の上に、順にＡｌＮバッファ層２４、ＧａＮ層２５、Ｉｎ０．１ Ｇａ０．９ ＮとＩｎ０．１ Ｇａ０．８ Ａｌ０．１ Ｎの積層構造からなるバッファ層２６、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２７、ＩｎＧａＮ発光層２８、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２９を成長させる。」（段落【００１９】）点が記載されているが、上記（ｄ）で述べた理由により、これらに記載されたＧａＮエピタキシャル層ないしはＧａＮ層２５が本件発明の下地層であるとはいえない。
　
　[請求項３０，５８，５９に係る発明（以下、「本件発明３０，５８，５９」という。）について]
　刊行物１ないし６には何れも、本件発明３０，５８，５９の「前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を気相成長法により形成する工程」が記載されていない。
　これに関して、刊行物１には、キャップ層の成長温度についての明示の記載はないものの「ｐ型Aｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの２００Å厚の層は、ｐ型層が成長する間ＩｎＧａＮ層の分解を妨げるのに用いられる。」ことが記載されている。かかる記載事項によれば、上記（ａ）で述べたように、上記ｐ型Aｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層は、ｐ型層が成長する間ＩｎＧａＮ層の分解を妨げる機能を有するキャップ層に相当するから、ｐ型キャップ層自体の成長温度は、ＩｎＧａＮ層が分解しない温度、すなわちＩｎＧａＮ層の成長温度とほぼ同じかまたはそれより低い成長温度であると推認し得なくもない。
　（ｆ）しかしながら、本願出願時の技術水準を示すと解される特開平９−１９９７８７号公報（段落【００３０】、【００３１】）、特開平９−１９９７９８号公報（段落【００３５】、【００３６】）、及び特開平９−２１９５５６号公報（段落【００２１】、【００３１】、【００３２】）（これらの公報に関する出願は、何れも刊行物１の公知日にほぼ等しい本願出願日より数ヶ月以前の時期に出願されており、その発明者は刊行物１の著者と重複する）には、何れもキャップ層の成長温度は、ＩｎＧａＮ活性層の成長温度である７５０℃よりも高い１０５０℃であることが記載されているから、これら記載からみて、本件発明の「前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を気相成長法により形成する工程」が、本願出願時の技術常識であったということはできない。
　　
　[請求項３１，３２，６０，６１に係る発明（以下、「本件発明３１，３２，６０，６１」という。）について]
　刊行物１ないし６には何れも、本件発明３１，３２，６０，６１の「前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で窒化物系の化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程」が記載されていない。
　これに関して、刊行物１には、キャップ層の成長温度についての明示の記載はないものの「ｐ型Aｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの２００Å厚の層は、ｐ型層が成長する間ＩｎＧａＮ層の分解を妨げるのに用いられる。」ことが記載されている。かかる記載事項によれば、上記（ａ）で述べたように、上記ｐ型Aｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層は、ｐ型層が成長する間ＩｎＧａＮ層の分解を妨げる機能を有するキャップ層に相当するから、ｐ型キャップ層自体の成長温度は、ＩｎＧａＮ層が分解しない温度、すなわちＩｎＧａＮ層の成長温度とほぼ同じかまたはそれより低い成長温度であると推認し得なくもない。
　しかしながら上記（ｆ）に記載したのと同様の理由で、上記事項が刊行物１の記載から推認できる事項であるとはいえない。
　　
　[請求項３３〜５２，５４，５５，５７に係る発明（以下、「本件発明３３〜５２，５４，５５，５７」という。）について]
　本件発明３３〜５２，５４，５５，５７は、本件発明３０〜３２を直接または間接に引用した発明であるから、本件発明３０又は本件発明３１，３２で述べたのと同様の理由で、刊行物１ないし６に記載のものから容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　　　
　[請求項６２に係る発明（以下、「本件発明６２」という。）について]
　本件発明６２は、本件発明２，３，７〜９，２７〜２９を直接引用した発明であるから、本件発明２，３，７〜９，２７〜２９で述べたのと同様の理由で、刊行物１ないし６に記載のものから容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　　
　以上のとおり刊行物１ないし６には、本件発明２ないし１７，１９，２０，２２ないし５２，５４，５５，５７ないし６２の構成の一部が記載されてなく、技術常識を加味してもこれを充足することができない。
　したがって、本件特許の請求項２ないし１７、請求項１９，２０、請求項２２ないし５２、請求項５４，５５及び請求項５７ないし６２に係る発明は、刊行物１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項２ないし１７、請求項１９，２０、請求項２２ないし５２、請求項５４，５５及び請求項５７ないし６２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項２ないし１７、請求項１９，２０、請求項２２ないし５２、請求項５４，５５及び請求項５７ないし６２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年５月１６日（２００５．５．１６）