(57)【要約】【課題】  ＩＢＩＳデータに基づいて出力電流を精度よく推定する。【解決手段】  一実施形態に係る推定装置は、半導体素子を第１電源電圧で動作させた場合の出力電圧と出力電流との関係を示す第１データと、前記半導体素子を第１出力電圧で動作させた場合の電源電圧と前記出力電流との関係を示す第２データと、を含むＩＢＩＳデータを記憶するＩＢＩＳデータ記憶部と、前記第１データに基づいて、前記第１電源電圧と前記出力電圧との比と、前記出力電流と、の関係を示す第３データを生成し、当該第３データに基づいて、第２電源電圧及び第２出力電圧に対応する第１推定出力電流を算出する第１推定部と、前記第２データに基づいて、前記第１電源電圧及び前記第２電源電圧に対応する補正係数を算出する補正係数算出部と、前記第１推定出力電流及び前記補正係数に基づいて、前記第２電源電圧及び前記第２出力電圧に対応する前記出力電流の第２推定出力電流を算出する第２推定部と、を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を第１電源電圧で動作させた場合の出力電圧と出力電流との関係を示す第１データと、前記半導体素子を第１出力電圧で動作させた場合の電源電圧と前記出力電流との関係を示す第２データと、を含むＩＢＩＳデータを記憶するＩＢＩＳデータ記憶部と、
前記第１データに基づいて、前記第１電源電圧と前記出力電圧との比と、前記出力電流と、の関係を示す第３データを生成し、当該第３データに基づいて、第２電源電圧及び第２出力電圧に対応する第１推定出力電流を算出する第１推定部と、
前記第２データに基づいて、前記第１電源電圧及び前記第２電源電圧に対応する補正係数を算出する補正係数算出部と、
前記第１推定出力電流及び前記補正係数に基づいて、前記第２電源電圧及び前記第２出力電圧に対応する前記出力電流の第２推定出力電流を算出する第２推定部と、
を備える推定装置。
【請求項２】
前記第１推定出力電流は、前記第２電源電圧と前記第２出力電圧との比に対応する前記出力電流である
請求項１に記載の推定装置。
【請求項３】
前記補正係数は、前記第１電源電圧に対応する前記出力電流と、前記第２電源電圧に対応する前記出力電流と、の比である
請求項１又は請求項２に記載の推定装置。
【請求項４】
前記第１電源電圧及び前記第２電源電圧が一致しない場合に、前記第２電源電圧及び前記第２出力電圧に対応する前記出力電流の推定を不要と判定する要否判定部を更に備える
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の推定装置。
【請求項５】
前記第１出力電圧及び前記第２出力電圧が一致しない場合に、前記第２電源電圧及び前記第２出力電圧に対応する前記出力電流の推定を不要と判定する要否判定部を更に備える
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の推定装置。
【請求項６】
半導体素子を第１電源電圧で動作させた場合の出力電圧と出力電流との関係を示す第１データと、前記半導体素子を第１出力電圧で動作させた場合の電源電圧と前記出力電流との関係を示す第２データと、を含むＩＢＩＳデータを記憶するＩＢＩＳデータ記憶工程と、
前記第１データに基づいて、前記第１電源電圧と前記出力電圧との比と、前記出力電流と、の関係を示す第３データを生成し、当該第３データに基づいて、第２電源電圧及び第２出力電圧に対応する第１推定出力電流を算出する第１推定工程と、
前記第２データに基づいて、前記第１電源電圧及び前記第２電源電圧に対応する補正係数を算出する補正係数算出工程と、
前記第１推定出力電流及び前記補正係数に基づいて、前記第２電源電圧及び前記第２出力電圧に対応する前記出力電流の第２推定出力電流を算出する第２推定工程と、
を含む推定方法。
【請求項７】
半導体素子を第１電源電圧で動作させた場合の出力電圧と出力電流との関係を示す第１データと、前記半導体素子を第１出力電圧で動作させた場合の電源電圧と前記出力電流との関係を示す第２データと、を含むＩＢＩＳデータを記憶するＩＢＩＳデータ記憶工程と、
前記第１データに基づいて、前記第１電源電圧と前記出力電圧との比と、前記出力電流と、の関係を示す第３データを生成し、当該第３データに基づいて、第２電源電圧及び第２出力電圧に対応する第１推定出力電流を算出する第１推定工程と、
前記第２データに基づいて、前記第１電源電圧及び前記第２電源電圧に対応する補正係数を算出する補正係数算出工程と、
前記第１推定出力電流及び前記補正係数に基づいて、前記第２電源電圧及び前記第２出力電圧に対応する前記出力電流の第２推定出力電流を算出する第２推定工程と、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、推定装置、推定方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子の出力波形のシミュレーションモデルとして、ＩＢＩＳ（Input/output Buffer Information Specification）モデルが知られている。一般に、ＩＢＩＳモデルには、半導体素子を特定の電源電圧で動作させた場合の出力電圧と出力電流との関係を示すＩＢＩＳデータが含まれている。このＩＢＩＳデータを利用することにより、半導体素子を特定の電源電圧で動作させた場合の出力波形をシミュレーションすることができる。
【０００３】
しかしながら、半導体素子を特定の電源電圧以外の電源電圧で動作させた場合の出力波形のシミュレーションを行う場合、上記のＩＢＩＳデータを直接利用することはできなかった。これは、上記のＩＢＩＳデータには、特定の電源電圧以外の電源電圧で動作させた場合の出力電流が含まれないためである。そこで、任意の電源電圧における出力波形のシミュレーションが可能になるように、予め用意されたＩＢＩＳデータに基づいて、任意の電源電圧に対応する出力電流を推定する方法が提案されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年、回路の低電源電圧化により、特定の電源電圧に対する所望の電源電圧の変動量が相対的に大きくなっている。この結果、従来の推定方法では、半導体素子の出力電流を十分な精度で推定できないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、ＩＢＩＳデータに基づいて出力電流を精度よく推定することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態に係る推定装置は、半導体素子を第１電源電圧で動作させた場合の出力電圧と出力電流との関係を示す第１データと、前記半導体素子を第１出力電圧で動作させた場合の電源電圧と前記出力電流との関係を示す第２データと、を含むＩＢＩＳデータを記憶するＩＢＩＳデータ記憶部と、前記第１データに基づいて、前記第１電源電圧と前記出力電圧との比と、前記出力電流と、の関係を示す第３データを生成し、当該第３データに基づいて、第２電源電圧及び第２出力電圧に対応する第１推定出力電流を算出する第１推定部と、前記第２データに基づいて、前記第１電源電圧及び前記第２電源電圧に対応する補正係数を算出する補正係数算出部と、前記第１推定出力電流及び前記補正係数に基づいて、前記第２電源電圧及び前記第２出力電圧に対応する前記出力電流の第２推定出力電流を算出する第２推定部と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の各実施形態によれば、ＩＢＩＳデータに基づいて出力電流を精度よく推定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】推定装置のハードウェア構成の一例を示す図。
【図２】第１実施形態に係る推定装置の機能構成の一例を示す図。
【図３】第１データに対応する半導体素子の状態を模式的に示す図。
【図４】第１データの一例を示す図。
【図５】第２データに対応する半導体素子の状態を模式的に示す図。
【図６】第２データの一例を示す図。
【図７】第１実施形態に係る推定装置による処理の一例を示すフローチャート。
【図８】第３データの一例を示す図。
【図９】出力電流の推定の実験結果を示すグラフ。
【図１０】第２実施形態に係る推定装置の機能構成の一例を示す図。
【図１１】第２実施形態に係る推定装置による処理の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の各実施形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、各実施形態に係る明細書及び図面の記載に関して、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重畳した説明を省略する。
【００１０】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る推定装置１について、図１〜図９を参照して説明する。本実施形態に係る推定装置１は、予め用意されたＩＢＩＳデータに基づいて、半導体素子を所望の電源電圧や所望の出力電圧で動作させた場合の出力電流を推定する。推定装置１は、ＰＣ（Personal Computer）、サーバ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末などのコンピュータにより実現される。
【００１１】
まず、推定装置１のハードウェア構成について説明する。図１は、推定装置１のハードウェア構成の一例を示す図である。図１の推定装置は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０１と、ＲＯＭ（Read Only Memory）１０２と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１０３と、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）１０４と、を備える。また、推定装置１は、入力装置１０５と、表示装置１０６と、通信インタフェース１０７と、バス１０８と、を備える。
【００１２】
ＣＰＵ１０１は、プログラムを実行することにより、各構成を制御し、推定装置１の機能を実現する。ＲＯＭ１０２は、ＣＰＵ１０１が実行するプログラムや設定値などの各種のデータを記憶する。ＲＡＭ１０３は、ＣＰＵ１０１に作業領域を提供する。ＨＤＤ１０４は、ＣＰＵ１０１が実行するプログラムや設定値などの各種のデータを記憶する。入力装置１０５は、ユーザの操作を受け付け、推定装置１に各種の情報を入力する。入力装置１０５は、例えば、マウス、キーボード、タッチパネル、ハードウェアキーなどである。表示装置１０６は、推定装置１が保持している各種の情報を表示する。表示装置１０６は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、ブラウン管ディスプレイなどである。通信インタフェース１０７は、推定装置１をインターネットやＬＡＮ（Local Area Network）などのネットワークに接続するためのインタフェースである。推定装置１は、通信インタフェース１０７を介して、ネットワーク上の外部装置と通信する。バス１０８は、ＣＰＵ１０１、ＲＯＭ１０２、ＲＡＭ１０３、ＨＤＤ１０４、入力装置１０５、表示装置１０６及び通信インタフェース１０７を接続する。
【００１３】
次に、本実施形態に係る推定装置１の機能構成について説明する。図２は、本実施形態に係る推定装置１の機能構成の一例を示す図である。図２の推定装置１は、ＩＢＩＳデータ記憶部１１と、第１推定部１２と、補正係数算出部１３と、第２推定部１４と、を備える。これらの各構成は、ＣＰＵ１０１がプログラムを実行することにより実現される。
【００１４】
ＩＢＩＳデータ記憶部１１は、ＩＢＩＳデータを記憶する。ＩＢＩＳデータは、ＩＢＩＳモデルを構成するデータであり、半導体素子Ｃの提供者により予め用意される。本実施形態において、ＩＢＩＳデータには、第１データと、第２データと、が含まれる。
【００１５】
第１データは、半導体素子Ｃを特定の電源電圧Ｖｄｄ１（第１電源電圧）で動作させた場合の出力電圧Ｖｏｕｔと出力電流Ｉｏｕｔとの関係を示すデータである。図３は、第１データに対応する半導体素子Ｃの状態を模式的に示す図である。図３に示すように、電源電圧Ｖｄｄ１は一定であり、出力電圧Ｖｏｕｔは可変である。また、図３の例では、半導体素子Ｃに電流が流れ込む方向が、出力電流Ｉｏｕｔの正の方向である。このとき、出力電圧Ｖｏｕｔが変化すると、出力電流Ｉｏｕｔが追従して変化する。
【００１６】
図４は、電源電圧Ｖｄｄ１が１．５［Ｖ］の場合の第１データの一例を示す図である。図４の第１データには、−１．５［Ｖ］から３．０［Ｖ］までの０．０５［Ｖ］ごとの出力電圧Ｖｏｕｔに対応する出力電流Ｉｏｕｔ［ｍＡ］が含まれている。例えば、−１．５［Ｖ］の出力電圧Ｖｏｕｔに対応する出力電流Ｉｏｕｔは、−３０［ｍＡ］である。
【００１７】
第２データは、半導体素子Ｃを特定の出力電圧Ｖｏｕｔ１（第１出力電圧）で動作させた場合の電源電圧Ｖｄｄと出力電流Ｉｏｕｔとの関係を示すデータである。図５は、第２データに対応する半導体素子Ｃの状態を模式的に示す図である。図５に示すように、電源電圧Ｖｄｄは可変であり、出力電圧Ｖｏｕｔ１は一定である。また、図５の例では、半導体素子Ｃに電流が流れ込む方向が、出力電流Ｉｏｕｔの正の方向である。このとき、電源電圧Ｖｄｄが変化すると、出力電流Ｉｏｕｔが追従して変化する。
【００１８】
図６は、出力電圧Ｖｏｕｔ１が０［Ｖ］の場合の第２データの一例を示す図である。図６の第２データには、０．０［Ｖ］から３．０［Ｖ］までの０．１［Ｖ］ごとの電源電圧Ｖｄｄに対応する出力電流Ｉｏｕｔ［ｍＡ］が含まれている。例えば、３．０［Ｖ］の電源電圧Ｖｄｄに対応する出力電流Ｉｏｕｔは、−３０［ｍＡ］である。
【００１９】
なお、ＩＢＩＳデータ記憶部１１が記憶するＩＢＩＳデータは、第１データ及び第２データに限られない。ＩＢＩＳデータには、信号の立ち上がり特性及び立ち下り特性や、パッケージの特性に関するデータが含まれていてもよい。
【００２０】
本実施形態に係る推定装置１は、第１データ及び第２データに基づいて、電源電圧Ｖｄｄ２（第２電源電圧）及び出力電圧Ｖｏｕｔ２（第２出力電圧）に対応する出力電流Ｉｏｕｔを推定する。電源電圧Ｖｄｄ２は、出力電流Ｉｏｕｔを推定する対象となる電源電圧である。また、出力電圧Ｖｏｕｔ２は、出力電流Ｉｏｕｔを推定する対象となる出力電圧である。電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２は、推定装置１のユーザにより設定されてもよいし、出力波形のシミュレーションを実行する外部装置から入力されてもよい。
【００２１】
第１推定部１２は、第１データに基づいて、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔを推定する。具体的には、第１推定部１２は、電源電圧Ｖｄｄ２と出力電圧Ｖｏｕｔ２との比に基づいて、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔの推定値である推定出力電流Ｉｏｕｔ１（第１推定出力電流）を算出する。推定出力電流Ｉｏｕｔ１の算出方法については後述する。
【００２２】
補正係数算出部１３は、第２データに基づいて、電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２に対応する補正係数Ｋを算出する。補正係数Ｋは、電源電圧Ｖｄｄ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔと、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔと、の比に相当する。補正係数Ｋの算出方法については後述する。
【００２３】
第２推定部１４は、推定出力電流Ｉｏｕｔ１及び補正係数Ｋに基づいて、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔを推定する。具体的には、第２推定部１４は、推定出力電流Ｉｏｕｔ１を補正係数Ｋで補正することにより、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔの推定値である推定出力電流Ｉｏｕｔ２（第２推定出力電流）を算出する。推定出力電流Ｉｏｕｔ１の算出方法については後述する。
【００２４】
次に、本実施形態に係る推定装置１による処理について説明する。図７は、本実施形態に係る推定装置１による処理の一例を示すフローチャートである。以下では、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２は設定済みであるものとする。
【００２５】
まず、第１推定部１２は、ＩＢＩＳデータ記憶部１１から第１データを読み出し、読み出した第１データに基づいて、第３データを生成する（ステップＳ１０１）。第３データは、半導体素子Ｃを電源電圧Ｖｄｄ１で動作させた場合の、電源電圧Ｖｄｄ１に対する出力電圧Ｖｏｕｔの比Ｒ１と、出力電流Ｉｏｕｔと、の関係を示すデータである。第１推定部１２は、比Ｒ１を算出し、第３データを生成する。
【００２６】
図８は、図４に基づいて生成される第３データを示す図である。図８の例では、図４の各出力電圧Ｖｏｕｔが、電源電圧Ｖｄｄ１である１．５［Ｖ］で除算されている。図８の第３データには、−１から２までの０．０３３３ごとの比Ｒ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔ［ｍＡ］が含まれている。例えば、−１の比Ｒ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔは、−３０［ｍＡ］である。
【００２７】
次に、第１推定部１２は、電源電圧Ｖｄｄ２に対する出力電圧Ｖｏｕｔ２の比Ｒ２を算出する（ステップＳ１０２）。
【００２８】
続いて、第１推定部１２は、第３データを参照して、比Ｒ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔを、推定出力電流Ｉｏｕｔ１として取得する（ステップＳ１０３）。より詳細には、第１推定部１２は、第３データに比Ｒ２と一致する比Ｒ１が含まれる場合、当該比Ｒ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔを、推定出力電流Ｉｏｕｔ１として取得する。また、第１推定部１２は、第３データに比Ｒ２と一致する比Ｒ１が含まれない場合、比Ｒ２に最も近い比Ｒ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔを、推定出力電流Ｉｏｕｔ１として取得する。なお、第１推定部１２は、第３データに比Ｒ２と一致する比Ｒ１が含まれない場合、多項式補間や線形補間により、比Ｒ２に対応する推定出力電流Ｉｏｕｔ１を算出してもよい。
【００２９】
一方、補正係数算出部１３は、ＩＢＩＳデータ記憶部１１から第２データを読み出し、読み出した第２データを参照して、電源電圧Ｖｄｄ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔを取得する（ステップＳ１０４）。より詳細には、補正係数算出部１３は、第２データに電源電圧Ｖｄｄ１と一致する電源電圧Ｖｄｄが含まれる場合、当該電源電圧Ｖｄｄに対応する出力電流Ｉｏｕｔを取得する。また、補正係数算出部１３は、第２データに電源電圧Ｖｄｄ１と一致する電源電圧Ｖｄｄが含まれない場合、電源電圧Ｖｄｄ１に最も近い電源電圧Ｖｄｄに対応する出力電流Ｉｏｕｔを取得する。なお、補正係数算出部１３は、第２データに電源電圧Ｖｄｄ１と一致する電源電圧Ｖｄｄが含まれない場合、多項式補間や線形補間により、電源電圧Ｖｄｄ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔを算出してもよい。
【００３０】
次に、補正係数算出部１３は、読み出した第２データを参照して、電源電圧Ｖｄｄ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔを取得する（ステップＳ１０５）。より詳細には、補正係数算出部１３は、第２データに電源電圧Ｖｄｄ２と一致する電源電圧Ｖｄｄが含まれる場合、当該電源電圧Ｖｄｄに対応する出力電流Ｉｏｕｔを取得する。また、補正係数算出部１３は、第２データに電源電圧Ｖｄｄ２と一致する電源電圧Ｖｄｄが含まれない場合、電源電圧Ｖｄｄ２に最も近い電源電圧Ｖｄｄに対応する出力電流Ｉｏｕｔを取得する。なお、補正係数算出部１３は、第２データに電源電圧Ｖｄｄ２と一致する電源電圧Ｖｄｄが含まれない場合、多項式補間や線形補間により、電源電圧Ｖｄｄ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔを算出してもよい。
【００３１】
続いて、補正係数算出部１３は、電源電圧Ｖｄｄ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔを、電源電圧Ｖｄｄ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔで除算することにより、補正係数Ｋを算出する（ステップＳ１０６）。
【００３２】
その後、第２推定部１４は、算出された推定出力電流Ｉｏｕｔ１及び補正係数Ｋを乗算することにより、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する推定出力電流Ｉｏｕｔ２を算出する（ステップＳ１０７）。第２推定部１４は、算出した推定出力電流Ｉｏｕｔ２を、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２と対応付けてＩＢＩＳデータ記憶部１１に記憶させる。
【００３３】
図９は、出力電流Ｉｏｕｔの推定の実験結果を示すグラフである。図９の特性カーブＡ〜Ｆは、電源電圧Ｖｄｄ１で動作させた場合の出力電流Ｉｏｕｔを示す第１データを用意された半導体素子について、電源電圧Ｖｄｄ１とは異なる電源電圧Ｖｄｄ２で動作させた場合の出力電流Ｉｏｕｔを推定した推定結果を示している。
【００３４】
特性カーブＡ（図９の細実線）は、半導体素子を実際に電源電圧Ｖｄｄ２で動作させることにより得られた出力電流Ｉｏｕｔの実測値である。推定結果が特性カーブＡに近いほど、出力電流Ｉｏｕｔが精度よく推定されていることを意味する。
【００３５】
特性カーブＢ（図９の太実線）は、この半導体素子に用意された第１データである。電源電圧Ｖｄｄ１は電源電圧Ｖｄｄ２とは異なるため、特性カーブＢは、特性カーブＡから大きく離れている。このことからわかるように、第１データにおける出力電流Ｉｏｕｔを直接利用して、電源電圧Ｖｄｄ２の場合の出力電流Ｉｏｕｔの出力波形をシミュレーションすることは困難である。
【００３６】
特性カーブＣ（図９の一点鎖線）は、本実施形態に係る推定装置１とは異なる従来の第１の方法により推定された推定結果である。第１の方法は、第１データに含まれる出力電流Ｉｏｕｔのうち、電源電圧Ｖｄｄ２と出力電圧Ｖｏｕｔ２との差に対応する出力電流Ｉｏｕｔを、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔとして推定する方法である。すなわち、第１の方法によれば、第１データに含まれる、Ｖｏｕｔ＝Ｖｄｄ１−（Ｖｄｄ２−Ｖｏｕｔ２）に対応する出力電流Ｉｏｕｔが、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔの推定値となる。
【００３７】
例えば、図４の第１データが用意され、Ｖｄｄ２＝１．７［Ｖ］及びＶｏｕｔ２＝０．３［Ｖ］である場合、０．１［Ｖ］（＝１．５［Ｖ］−（１．７［Ｖ］−０．３［Ｖ］））に対応する−１４［ｍＡ］が推定結果となる。図９によれば、特性カーブＣは、特性カーブＢよりは特性カーブＡに近づいているものの、出力電圧Ｖｏｕｔが低い領域では、特性カーブＡから大きく離れていることがわかる。
【００３８】
特性カーブＤ（図９の破線）は、本実施形態に係る推定装置１とは異なる従来の第２の方法（特許文献１に記載の方法）により推定された推定結果である。第２の方法は、原点（０Ｖ，０Ａ）のｘｙ座標に第１データをプロットし、各点の基準ベクトルに補正係数を乗算した値を、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔとして推定する方法である。補正係数は、電源電圧Ｖｄｄ１と電源電圧Ｖｄｄ２との比（Ｖｄｄ２／Ｖｄｄ１）に相当する。図９によれば、特性カーブＤは、特性カーブＣよりさらに特性カーブＡに近づいているものの、出力電圧Ｖｏｕｔが低い領域では、依然として特性カーブＡから離れていることがわかる。
【００３９】
特性カーブＥ（図９の点線）は、本実施形態に係る推定装置１とは異なる従来の第３の方法により推定された推定結果である。第３の方法では、上記の第１の方法と、出力電圧Ｖｏｕｔ１で動作させた場合の出力電流Ｉｏｕｔを示す第２データと、が利用される。第３の方法は、第１の方法により推定された出力電流Ｉｏｕｔに、第２データに基づいて算出された補正係数を乗算した値を、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔとして推定する方法である。補正係数は、第２データに含まれる、電源電圧Ｖｄｄ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔと、電源電圧Ｖｄｄ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔと、の比に相当する。
【００４０】
例えば、図４の第１データと、図６の第２データと、が用意され、Ｖｄｄ２＝１．７［Ｖ］及びＶｄｄ２＝０．３［Ｖ］である場合、−１４［ｍＡ］（第１の方法により推定された出力電流Ｉｏｕｔ）に、補正係数が乗算される。補正係数は、１．７［Ｖ］に対応する−１７［ｍＡ］を、１．５［Ｖ］に対応する−１５［Ｖ］で除算した、１．１３（＝１．７［ｍＡ］／１５［ｍＡ］）である。したがって、出力電流Ｉｏｕｔは、１４［ｍＡ］に１．１３を乗算した−１５．９［ｍＡ］となる。図９によれば、特性カーブＥは、特性カーブＤよりさらに特性カーブＡに近づいているものの、出力電圧Ｖｏｕｔが中程度の領域では、特性カーブＡからやや離れていることがわかる。
【００４１】
特性カーブＦ（図９の二点鎖線）は、本実施形態に係る推定装置１により推定された推定結果（推定出力電流Ｉｏｕｔ２）である。図９からわかるように、特性カーブＦは、特性カーブＥよりさらに特性カーブＡに近づいており、出力電圧Ｖｏｕｔのいずれの領域においても、特性カーブＡをよく近似していることがわかる。これは、本実施形態に係る推定装置１が、出力電流Ｉｏｕｔを最も精度よく推定していることを示している。
【００４２】
以上説明した通り、本実施形態に係る推定装置１は、第１データ及び第２データに基づいて、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔを精度よく推定することができる。したがって、本実施形態に係る推定装置１による推定結果を利用することにより、ユーザは、所望の電源電圧及び出力電圧における出力波形を、精度よくシミュレーションすることができる。
【００４３】
なお、本実施形態に係る推定装置１は、出力波形のシミュレーションを実行する構成を備えてもよい。言い換えると、本実施形態に係る推定装置１は、出力波形のシミュレーションを実行するシミュレーション装置の一部を構成してもよい。この場合、シミュレーション装置は、推定装置１により推定された出力電流Ｉｏｕｔを、シミュレーション結果として出力すればよい。
【００４４】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る推定装置１について、図１０及び図１１を参照して説明する。本実施形態では、出力電流Ｉｏｕｔの推定の要否を判定する推定装置１について説明する。なお、本実施形態に係る推定装置１のハードウェア構成及び推定方法は、第１実施形態と同様である。
【００４５】
まず、本実施形態に係る推定装置１の機能構成について説明する。図１０は、本実施形態に係る推定装置１の機能構成の一例を示す図である。図１０の推定装置１は、要否判定部１５を備える。他の構成は、第１実施形態と同様である。
【００４６】
要否判定部１５は、電源電圧Ｖｄｄ１，Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に基づいて、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔの推定（推定出力電流Ｉｏｕｔ２の算出）の要否を判定する。
【００４７】
要否判定部１５は、電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２が一致する場合、又は出力電圧Ｖｏｕｔ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ２が一致する場合、出力電流Ｉｏｕｔの推定は不要と判定する。これは、上記の場合、第１データ又は第２データに含まれる出力電流Ｉｏｕｔを、出力波形のシミュレーションに直接利用できるためである。
【００４８】
一方、要否判定部１５は、電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２が一致せず、かつ、出力電圧Ｖｏｕｔ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ２が一致しない場合、出力電流Ｉｏｕｔの推定が必要と判定する。これは、上記の場合、第１データ又は第２データに含まれる出力電流Ｉｏｕｔを、出力波形のシミュレーションに直接利用できないためである。
【００４９】
なお、電源電圧Ｖｄｄ１と電源電圧Ｖｄｄ２とが一致するとは、電源電圧Ｖｄｄ１と電源電圧Ｖｄｄ２とが完全に一致することを意味してもよいし、電源電圧Ｖｄｄ１と電源電圧Ｖｄｄ２との誤差が所定の範囲内であることを意味してもよい。所定の範囲は、任意に設定可能である。
【００５０】
同様に、出力電圧Ｖｏｕｔ１と出力電圧Ｖｏｕｔ２とが一致するとは、出力電圧Ｖｏｕｔ１と出力電圧Ｖｏｕｔ２とが完全に一致することを意味してもよいし、出力電圧Ｖｏｕｔ１と出力電圧Ｖｏｕｔ２との誤差が所定の範囲内であることを意味してもよい。所定の範囲は、任意に設定可能である。
【００５１】
次に、本実施形態に係る推定装置１による処理について説明する。図１１は、本実施形態に係る推定装置１による処理の一例を示すフローチャートである。以下では、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２は設定済みであるものとする。
【００５２】
まず、要否判定部１５は、ＩＢＩＳデータ記憶部１１から第１データ及び第２データを読み出し、電源電圧Ｖｄｄ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ１を取得する（ステップＳ２０１）。
【００５３】
次に、要否判定部１５は、電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２が一致するか判定する（ステップＳ２０２）。電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２が一致する場合（ステップＳ２０２のＹＥＳ）、要否判定部１５は、出力電流Ｉｏｕｔの推定は不要と判定する（ステップＳ２０６）。
【００５４】
一方、電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２が一致しない場合（ステップＳ２０２のＮＯ）、要否判定部１５は、出力電圧Ｖｏｕｔ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ２が一致するか判定する（ステップＳ２０３）。出力電圧Ｖｏｕｔ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ２が一致する場合（ステップＳ２０３のＹＥＳ）、要否判定部１５は、出力電流Ｉｏｕｔの推定は不要と判定する（ステップＳ２０６）。
【００５５】
一方、電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２が一致しない場合（ステップＳ２０２のＮＯ）、要否判定部１５は、出力電流Ｉｏｕｔの推定が必要と判定する（ステップＳ２０４）。そして、要否判定部１５は、第１推定部１２、補正係数算出部１３及び第２推定部１４に、出力電流Ｉｏｕｔの推定を指示する。この指示に従って、第１推定部１２、補正係数算出部１３及び第２推定部１４は、電源電圧Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ２に対応する出力電流Ｉｏｕｔを推定する（ステップＳ２０５）。出力電流Ｉｏｕｔの推定方法は、第１実施形態と同様である。すなわち、図７の処理がステップＳ２０５の内部処理に相当する。
【００５６】
以上説明した通り、本実施形態によれば、電源電圧Ｖｄｄ１，Ｖｄｄ２及び出力電圧Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に基づいて、出力電流Ｉｏｕｔの推定の要否を判定することができる。これにより、出力電流Ｉｏｕｔの余計な推定を抑制することができる。
【００５７】
なお、本実施形態に係る推定装置１は、出力波形のシミュレーションを実行する構成を備えてもよい。言い換えると、本実施形態に係る推定装置１は、出力波形のシミュレーションを実行するシミュレーション装置の一部を構成してもよい。この場合、シミュレーション装置は、推定装置１により推定が必要と判定された場合、推定装置１により推定された出力電流Ｉｏｕｔ（推定出力電流Ｉｏｕｔ２）を、シミュレーション結果として出力すればよい。
【００５８】
一方、シミュレーション装置は、推定装置１により推定が不要と判定された場合、第１データ又は第２データに含まれる、電源電圧Ｖｄｄ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ１に対応する出力電流Ｉｏｕｔを、シミュレーション結果として出力すればよい。
【００５９】
また、図１１の例では、要否判定部１５は、電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２が一致せず、かつ、出力電圧Ｖｏｕｔ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ２が一致しない場合に、出力電流Ｉｏｕｔの推定が必要と判定している。しかしながら、要否判定部１５は、電源電圧Ｖｄｄ１及び電源電圧Ｖｄｄ２が一致しない、又は、出力電圧Ｖｏｕｔ１及び出力電圧Ｖｏｕｔ２が一致しない場合に、出力電流Ｉｏｕｔの推定が必要と判定してもよい。この場合も、出力電流Ｉｏｕｔの推定方法は第１実施形態と同様である。
【００６０】
なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせなど、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
【符号の説明】
【００６１】
１：推定装置
１１：ＩＢＩＳデータ記憶部
１２：第１推定部
１３：補正係数算出部
１４：第２推定部
１５：要否判定部
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６２】
【特許文献１】特開２００７−２１３２４７号公報
【図１】
2018088168.tif 000003
【図２】
2018088168.tif 000004
【図３】
2018088168.tif 000005
【図４】
2018088168.tif 000006
【図５】
2018088168.tif 000007
【図６】
2018088168.tif 000008
【図７】
2018088168.tif 000009
【図８】
2018088168.tif 000010
【図９】
2018088168.tif 000011
【図１０】
2018088168.tif 000012
【図１１】
2018088168.tif 000013