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　特願２００６−５５３２６８「集積型ＩＩＩ族−窒化物電力デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　１日国際公開，ＷＯ２００５／０７９２９３，平成１９年　８月　９日国内公表，特表２００７−５２２６７７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２００５年２月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年２月１２日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２１年８月１９日付けで拒絶理由が通知され，平成２２年１月２０日に手続補正がされ，平成２３年１月２０日付けで最後の拒絶理由が通知され，同年７月２２日に手続補正がされ，平成２４年４月９日付けで，平成２２年７月２２日にされた手続補正が却下されるとともに拒絶査定がされ，これに対して，平成２４年８月１７日に審判請求がされたものである。
　その後，当審において，平成２５年５月２９日付けで拒絶理由が通知され，これに対して，同年１０月２８日に手続補正書及び意見書が提出された。
　
２　本願発明について
（１）本願発明
　本願発明は，平成２５年１０月２８日に提出された補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
　
「【請求項１】
　集積半導体デバイスであって，
　第１のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスと，
　第２のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスと，を備え，
　前記集積半導体デバイスは，前記第１及び第２のＩＩＩ族―窒化物ベースの半導体デバイスの活性領域間を延在し，且つ，相互接続する第１のセグメントと，前記第１のセグメントと交差し，且つ，前記活性領域に沿って延在する第２のセグメントとを有し，前記第１のセグメント及び前記第２のセグメントは，共通パッドであり，
　前記第１のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスおよび前記第２のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスが，集積デバイスを形成するように，共通のダイ内で形成され，かつ前記共通パッドを共有することを特徴とする集積半導体デバイス。」
　
（２）刊行物に記載された発明
ア　引用例１：　特開平９−１８６５０１号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１８６５０１号公報（以下「引用例１」という。）には，図１２とともに，次の記載がある。（下線は当合議体において付加。以下同様。）
「【０００２】
【従来の技術】
電解効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いて半導体スイッチ回路として動作する従来の半導体装置として，ソース及びドレインをそれぞれくし形構造として対向させて点対称に配置し，これらソースとドレインの間に沿ってゲートを配置したＦＥＴを４個用いた半導体装置が知られている
【０００３】図１２（ａ）は上記の従来の半導体装置の一例の平面図を，同図（ｂ）は同図（ａ）の回路図を示す。この従来の半導体装置では，
図１２（ａ）に示すように，ソース３２とドレイン３３をそれぞれくし形構造として対向させて点対称に配置し，このソース３２とドレイン３３の間に沿ってゲート３１を配置した４個のＦＥＴ３７，３８，３９及び４０のうち，ＦＥＴ３７及び３８はソース３２同士が接して配置されて共通に入力端子３４に接続され，ＦＥＴ３９及び４０はドレイン３３が上記のＦＥＴ３７，３８の各ドレイン３３と接するように配置されてそれぞれ出力端子３５，３６に接続された構造とされている
【０００４】これにより，この半導体装置の等価回路図は，図１２（ｂ）に示すように，ＦＥＴ３７及び３８のソース（３２）が入力端子３４に接続されると共に，ＦＥＴ３７及び３８のドレイン（３３）がＦＥＴ３９，４０のドレイン（３３）と出力端子３５，３６に接続された構成とされる。また，ＦＥＴ３９，４０の各ソース（３２）は接地されている。
【０００５】この半導体装置では，ＦＥＴ３７及び４０のゲートにそれぞれ入力される第１のスイッチング信号と，ＦＥＴ３８及び３９の各ゲートにそれぞれ入力される第２のスイッチング信号をそれぞれ論理反転した関係にあるようにすることにより，入力端子３４に入力されるマイクロ波信号は，出力端子３５及び３６のどちらか一方に選択出力され，上記の第１及び第２のスイッチング信号の論理値を切り換えることにより，出力端子３５及び３６のどちらへ出力されるかを切り換えることができる。
【０００６】ところで，スイッチとして用いるＦＥＴはＦＥＴ自身がオンの状態の時，ドレイン・ソース間抵抗Ｒｄｓは小さいほどよく，自身がオフの状態の時，ドレイン・ソース間容量Ｃｄｓが小さいほどよい。通常，ドレイン・ソース間抵抗Ｒｄｓはゲート幅に反比例し，ドレイン・ソース間容量Ｃｄｓはゲート幅に比例して増大する。
【０００７】したがって，最適なＲｄｓ，Ｃｄｓの組み合わせはゲート幅を最適化することで得られる。そのため，
図１２に示した従来の半導体装置ではゲート電極とソース電極あるいはドレイン電極の交差によるＣｄｓの増大を回避する観点から，図１２（ａ）のようにソース３２とドレイン３３をそれぞれくし形構造として対向させて点対称に配置し，ゲート幅を稼ぐため，ゲート３１の平面形状はソース３２とドレイン３３の間に沿って配置されることにより，つづら折りになっている
　
　また，上記記載とともに図１２（ａ）を参照すると，ＦＥＴ３７及び３８はソース３２同士が一方向（図示横方向）にわたり接して配置されて，共通に入力端子３４に接続され，ＦＥＴ３９及び４０は，それぞれドレイン３３がＦＥＴ３７，３８の各ドレイン３３と一方向（図示横方向）にわたり接して配置されて，それぞれ出力端子３５，３６に接続されたものであることが見て取れる。
　
　以上を総合すると，引用例１には以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
「ソース３２とドレイン３３をそれぞれくし形構造として対向させて点対称に配置し，このソース３２とドレイン３３の間に沿ってつづら折りになっているゲート３１を配置した４個のＦＥＴ３７，３８，３９及び４０を備え，ＦＥＴ３７及び３８のソース３２同士が一方向にわたり接して配置されて共通に入力端子３４に接続され，ＦＥＴ３９及び４０の各ドレイン３３が，それぞれ前記ＦＥＴ３７及び３８の各ドレイン３３と一方向にわたり接して配置されて，それぞれ共通に出力端子３５，３６に接続された構造とされ，これらの４個のＦＥＴ用いて半導体スイッチ回路として動作するようにした半導体装置。」
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
・引用発明は，「ソース３２とドレイン３３をそれぞれくし形構造として対向させて点対称に配置し，このソース３２とドレイン３３の間に沿ってつづら折りになっているゲート３１を配置した４個のＦＥＴ３７，３８，３９及び４０」を「用いて半導体スイッチ回路として動作するようにした半導体装置」であるから，本願発明の「集積半導体デバイス」に相当する。
・引用発明におけるＦＥＴ３７及び３８は半導体デバイスであるから，本願発明の「第１のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスと，　第２のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイス」とは，「第１の半導体デバイスと，　第２の半導体デバイス」である点で一致する。
・引用発明におけるＦＥＴ３７及び３８は，ＦＥＴ３９及び４０と合わせて「４個のＦＥＴを用いて半導体スイッチ回路として動作するようにした半導体装置」となるのであるから，本願発明の「前記第１のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスおよび前記第２のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスが，集積デバイスを形成するように，共通のダイ内で形成され」ることとは，「前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスが，集積デバイスを形成するようにされ」る点で一致する。
・引用例１の段落【０００７】における，「図１２に示した従来の半導体装置では
ゲート電極とソース電極あるいはドレイン電極の交差によるＣｄｓの増大を回避する観点から，図１２（ａ）のようにソース３２とドレイン３３をそれぞれくし形構造として対向させて点対称に配置
　また，一般に，半導体デバイス，特にＦＥＴ（電界効果トランジスタ）の「活性領域」とは，トランジスタとして動作する部分ということができる。
　そこで，引用発明についてみると，「ＦＥＴ３７及び３８のソース３２同士が一方向にわたり接して配置されて」いる部分は，単に，当該ソース３２同士が接続されている部分であって，トランジスタとして動作する部分とはいえない。そうすると，引用発明の「ＦＥＴ３７及び３８のソース３２同士が一方向にわたり接して配置されて」いる構成において，当該「ソース３２同士が一方向にわたり接して」いる部分は，ＦＥＴ３７及び３８の各活性領域間に延在しているといえる。
　よって，引用発明の「ＦＥＴ３７及び３８のソース３２同士が一方向にわたり接して配置されて」いる構成と，本願発明の「前記第１及び第２のＩＩＩ族―窒化物ベースの半導体デバイスの活性領域間を延在し，且つ，相互接続する第１のセグメント」とは，「前記第１及び第２の半導体デバイスの活性領域間を延在する第１のセグメント」である点で一致する。
・引用発明の「入力端子３４」は，「ＦＥＴ３７及び３８のソース３２同士が一方向にわたり接して配置されて共通に」「接続され」るものであり，また「一方向にわたり接して配置されて」きた「ＦＥＴ３７及び３８のソース３２」の双方に接続されるように配置されるのであるから，当該「入力端子３４」と，本願発明の「前記第１のセグメントと交差し，且つ，前記活性領域に沿って延在する第２のセグメントとを有し，前記第１のセグメント及び前記第２のセグメントは，共通パッドであ」ることとは，「前記第１のセグメントと交差する第２のセグメントとを有し，前記第２のセグメントは共通パッドであ」る点で一致する。
・また，引用発明の「ＦＥＴ３７及び３８のソース３２同士が」「共通に入力端子３４に接続され」ることと，本願発明の「前記第１のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスおよび前記第２のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスが，」「前記共通パッドを共有する」こととは，「前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスが，前記共通パッドを共有する」点で一致する。
　
　したがって，引用発明と本願発明とは以下の点で一致する。
　
「集積半導体デバイスであって，
　第１の半導体デバイスと，
　第２の半導体デバイスと，を備え，
　前記集積半導体デバイスは，前記第１及び第２の半導体デバイスの活性領域間を延在する第１のセグメントと，前記第１のセグメントと交差する第２のセグメントとを有し，前記第２のセグメントは共通パッドであり，
　前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスが，集積デバイスを形成するようにされ，かつ前記共通パッドを共有することを特徴とする集積半導体デバイス。」
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本願発明１は，「第１のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイス」，及び「第２のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイス」を備えるのに対して，引用発明は「第１の半導体デバイス」，及び「第２の半導体デバイス」に対応する構成を備えるものの，各々「ＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイス」であることまでは特定されていない点。
　
〈相違点２〉
　本願発明１に係る「集積半導体デバイス」は，「共通のダイ内で形成され」ているのに対して，引用発明においては「共通のダイ内で形成され」ていることまでは明らかでない点。
　
〈相違点３〉
　本願発明は，「半導体デバイスの活性領域間を延在し，且つ，相互接続する第１のセグメント」であって，「前記第１のセグメント」「は，共通パッドであ」る構成を備えるのに対し，引用発明は「半導体デバイスの活性領域間を延在する第１のセグメント」に対応する構成を備えるものの，当該構成が「相互接続」することも「共通パッド」であることも明らかでない点。
　
〈相違点４〉
　本願発明は，「前記第１のセグメントと交差し，且つ，前記活性領域に沿って延在する第２のセグメントとを有し，」「前記第２のセグメントは，共通パッドであ」る構成を備えるのに対して，引用発明は「前記第１のセグメントと交差する第２のセグメントとを有し，前記第２のセグメントは共通パッドであ」ることに対応する構成を備えるものの，「前記活性領域に沿って延在する」ことまでは特定されていない点。
　
（４）判断
　上記各相違点について検討する。まず，相違点１及び２についてはまとめて検討する。
　
〈相違点１及び２について〉
　ＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイス，特に窒化ガリウム系の材料を用いた電界効果トランジスタは，以下の周知例１及び２にも示されているように周知のものであり，窒化ガリウム系の材料を用いることにより優れた特性を有することも，前記周知例１に記載されているように，周知の事項である。
　さらに，前記周知例１及び２に示されているように，窒化ガリウム系の材料を用いた複数の電界効果トランジスタを共通の基板上，すなわち共通のダイ内で形成することも周知の技術である。
　それゆえ，引用発明に係る半導体装置において，電界効果トランジスタを窒化ガリウム系の材料を用いて形成し，相違点１に係る，「第１のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイス」，及び「第２のＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイス」を備えるようにするとともに，「共通のダイ内で形成」することは当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１及び２は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
周知例１：　特開２００１−２１０６５７号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２１０６５７号公報（以下「周知例１」という。）には，図２とともに，次の記載がある。
・「【０００２】
【関連する背景技術】デジタル回路技術で用いられる基本論理回路は，一般に入力信号値を反転するインバータ回路により実現され，このインバータ回路を組み合わせることで種々の論理演算回路が構築される。このような基本論理回路（インバータ回路）を構成する論理回路素子は，一般的にはＳiを材料とするバイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）からなるが，最近では高速動作可能なＧaＡsやＩnＰを材料としたものも注目されている。
【０００３】しかしながらこれらの半導体材料は，そのバンドギャップが１.０〜１.５eＶ程度と小さいために，例えば２００℃を越える温度環境においては真性キャリアが増大し，いわゆる熱暴走が生じると言う不具合がある。これに対して
ＧaＮを材料とする半導体装置，例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は，４００℃に近い高温下でも熱暴走を招来することなく動作することが知られている
・「【００２１】そこで本発明においては
次のようにしてＥ・ＦＥＴ１とＤ・ＦＥＴ２とを製作することで各ＦＥＴ１,２の閾値をそれぞれ最適化し，動作特性に優れたインバータ回路を実現する
例えばサファイヤ，ＳiＣ，ＳiまたはＧaＮの単結晶基板（サブストレイト）１０上に，アンドープまたはアクセプタ（ＭgやＣ等）をドープした半絶縁性またはｐ型のＧaＮ層１５を形成し，このＧaＮ層１５上にＳi等のドナーをドープしたｎ型のＧaＮ層２０を積層してなり，更にこのＧaＮ層２０上にヘテロ接合させてＡlＧaＮ層３０を積層形成したエピタキシャル層を素子形成材料として準備する
【００２２】しかして
ＦＥＴは，基本的には上記ＡlＧaＮ層３０の上にゲート電極（金属電極）４０を設けることで，該ＡlＧaＮ層３０を介するＭＩＳ構造のゲートを形成することにより実現される。即ち，図２(ｂ)に示すようにＦＥＴを形成する領域のＡlＧaＮ層３０上に金属からなるゲート電極４０を形成してＭＩＳ構造のゲートＧを構成し，その後，図２(ｃ)に示すように上記ゲートＧの両側に高濃度のドナーをイオン注入してｎ+型のソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとを形成する。次いで図２(ｄ)に示すようにソース領域Ｓおよびドレイン領域Ｄ上にソース電極およびドレイン電極をなすオーミック電極５０を形成することでＦＥＴが製作される
　
　ここで，図２（ｄ）を参照すると，共通のＡlＧaＮ層３０に，Ｅ・ＦＥＴ１とＤ・ＦＥＴ２とが形成されていることが見て取れる。
　
周知例２：　特開２０００−２７７７２４号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２７７７２４号公報（以下「周知例２」という。）には，図４とともに，次の記載がある。
・「【００４６】［第４の実施形態］
図４は本発明の第４の実施形態のＧａＮ系化合物半導体を用いたＭＥＳＦＥＴが複数個形成された半導体デバイス（半導体装置）を示す断面図であり
サファイア基板１上に複数個（図４では２個）のノーマリオン型ＭＥＳＦＥＴ５１，５２を形成
　
〈相違点３について〉
　引用例１においては，ＦＥＴ３７のソース３２と，ＦＥＴ３８のソース３２は区別して記載されてはいるが，前記各ソース３２は，各ソース電極として，共通の入力端子３４によって電気的に接続されるものであり，また，両者は「一方向にわたり接して配置されて」いるものであるから，当該「接して」いることにより，実質的には一体のものとして形成されているといえる。
　そうすると，前記各ソース３２は，ＦＥＴ３７のソース３２と，ＦＥＴ３８のソース３２とを相互接続し，共通パッドとなっているものということができるから，相違点３は実質的なものではない。
　仮にそうではないとしても，前記各ソース３２が「一方向にわたり接して配置されて」いることから，両者を一体のものとして形成して，ＦＥＴ３８のソース３２とを相互接続し，共通パッドとなっているようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点３は実質的なものでなく，仮にそうでないとしても，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
〈相違点４について〉
　引用例１の図１２の記載では，本願発明における「第２のセグメント」の「共通パッド」に対応する，「共通電極３４」は，「ＦＥＴ３７及び３８のソース３２同士が一方向にわたり接して配置されて」いるところ，「共通電極３４」の当該「一方向」に直交する方向の大きさは，「ソース３２同士が一方向にわたり接して配置されて」いる部分の同方向の大きさと同程度と見て取れる。
　しかしながら，一般に入力端子として用いられる部分の大きさは，当該入力端子に接続されるものの大きさに応じて適宜に設定される設計的事項といえるものである。しかも，引用例１の図１２を参照すると，「入力端子３４」は，前記「一方向」に直交する方向について，各ソース３２のくし形構造となっている部分にまで拡張できることは当業者に明らかである。
　そうすると，引用発明において，「入力端子３４」は，前記「一方向」に直交する方向について，各ソース３２のくし形構造となっている部分にまで拡張して，相違点４に係る「前記活性領域に沿って延在する第２のセグメントとを有」するようにすることは，当業者が適宜になし得たことといえる。
　よって，相違点４は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。