【事件の表示】
　特許第３０６９６８２号「反応室のクリーニング方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６９６８２号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
 Ｉ．手続の経緯
　特許第３０６９６８２号に係る発明についての出願は、昭和５６年１１月３０日に特許出願した特願昭５６−１９２２９２号の一部を平成９年３月２８日に新たな特許出願としたものであって、平成１２年５月２６日にその特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明について特許の設定登録がされた後、その特許について、特許異議申立人柴崎喜江より特許異議の申立てがされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年６月２５日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由通知がされ、その指定期間内である平成１３年１０月２２日に訂正請求書の補正がされたものである。
　
ＩＩ．訂正請求に対する補正について
１．補正の内容
　平成１３年１０月２２日付の補正は、平成１３年６月２５日付の訂正請求書に添付された訂正明細書について、次の補正を行うものである。
（１）補正事項ａ　
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１について、
「被膜形成を行わないときに、前記反応室の低温になる領域を加熱しながらエッチングガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより」との記載を、「被膜形成を行わないときに、エッチングガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより」と補正する。
（２）補正事項ｂ
　訂正明細書の第１６頁第１０行〜第１６行の、
「【課題を解決するための手段】本発明は、被膜形成を行う反応室を有する装置において、被膜形成を行わないときに、前記反応室の低温になる領域を加熱しながらエッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法である。」との記載を、「【課題を解決するための手段】本発明は、被膜形成を行う反応室を有する装置において、被膜形成を行わないときに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法である。」と補正する。
　
２．補正の適否について
　補正事項ａは、平成１３年６月２５日付訂正請求書による特許請求の範囲の請求項１に関する訂正事項を削除する補正に相当し、また、補正事項ｂは、上記特許請求の範囲の請求項１に関する発明の詳細な説明の欄の訂正事項を削除する補正に相当するから、いずれも平成１３年６月２５日付訂正請求による訂正事項の一部削除に該当する。
　したがって、この補正は訂正請求書の要旨を変更するものではないから、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１３１条第２項の規定に適合するものであって、この補正は認められるものである。
　　
ＩＩＩ．訂正請求について
１．訂正の内容
　平成１３年１０月２２日付の補正が認められることから、訂正請求は、本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を、平成１３年１０月２２日付手続補正書で補正された平成１３年６月２５日付訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項２の
「【請求項２】被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わないときに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。」を、
「【請求項２】被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、被膜の積層形成プロセス時に、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わずに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書第１３頁第１６行〜２３行の
「【００２４】また、他の発明は、被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わないときに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法である。」を、
「【００２４】また、他の発明は、被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、被膜の積層形成プロセス時に、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わなずに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法である。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否について
（１）訂正事項ａについて                                   
　訂正事項ａは、請求項２に係る反応室のクリーニングが、被膜の積層形成プロセス時に行なわれることを明確にし、かつ、技術的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、上記訂正事項ａは特許明細書【００４８】に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または、変更するものではない。
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、上記訂正事項ａにおいて特許請求の範囲を減縮することにより生じた特許明細書の記載の不一致を整合させるためのものであり、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。そして、実質上特許請求の範囲を拡張し、または、変更するものではない。
　
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
ＩＶ．特許異議の申立てについて
１．本件請求項１、２に係る発明
　前述のように、上記訂正は適法なものであるので、本件請求項１、２に係る発明は、訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのもの（以下、「本件発明１、２」という）である。
「【請求項１】被膜形成を行う反応室を有する装置において、被膜形成を行わないときに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。
【請求項２】被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、被膜の積層形成プロセス時に、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わずに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。」
　
２．取消理由通知の概要
　当審が平成１３年４月１６日で通知した取消理由の概要は、次のとおりである。
　本件の請求項１、２に係る発明は、その出願前に国内において頒布された下記１〜４の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
 　　　　　　　　　　　　　 記
刊行物１　特開昭５４−８６９６８号公報
刊行物２　特開昭５５−１４５３３８号公報
刊行物３　特開昭５２−１３１４７０号公報
刊行物４　特開昭５５−２１５５３号公報  　　　　　
　
３．引用刊行物の記載事項 
（１）刊行物１
（１ー１）特許請求の範囲には、「各種の半導体装置を製造するにあたつて使用されるシリコン又はシリコン化合物製の装置ないし器具類（但し、プラズマ・エッチャー又はこれに使用する器具を除く）を洗浄するための洗浄方法において、前記装置ないし器具類を、プラズマで励起されたフッ化物ガス雰囲気に接触させることを特徴とする洗浄方法。」が記載され、
（１ー２）第２頁左下欄第１行〜右下欄第５行には、
「反応管１０内には、ＣＦ、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ８のようなフッ化物ガスが流通されると共に 、・・管内のガスはプラズマで励起されて、エッチング反応をひきおこす。・・この結果、・・きわめてクリーンな状態に洗浄される。・・なお、上記した本発明の方法は、拡散炉やＣＶＤ装置に用いられている石英管その他のＳｉ又はＳｉ化合物製の治具の洗浄にも適用でき、同様な作用効果を奏するものである。この場合には、簡単なプラズマ発生機構を洗浄対象となる装置に付加し、所定のフッ化物ガスを流すようにすればよい。」と記載されている。
（２）刊行物２
（２ー１）特許請求の範囲には、「加熱炉によって加熱される反応管と、・・洗浄ガスをプラズマ化する手段を具備し、このプラズマ化された洗浄ガスを上記減圧手段を用いて選択的に反応管内に導き、反応管内部を洗浄するようにしたことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。」が記載され、
（２ー２）第２頁左上欄第１８行〜右上欄１７行には、
「しかし、このようなＣＶＤ装置で、繰り返しＣＶＤ被膜の形成作業を行なつていくと、反応管１１の内壁に数μｍの窒化シリコンや多結晶シリコン等の生成物が堆積される。そして、この生成物は、石英ボード１８の出し入れの際に、塵となって半導体ウエーハ１７の表面に付着するようになり・・この発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、反応管１１をつけたまま反応管内部の洗浄が効果的に行なわれ、非稼働時間を短宿して効率のよい、半導体ウエ?ハ１７表面上に不純物の付着されない効果的な半導体ウェーハ１７の絶縁被膜形成作業を行なわせることのできる減圧ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。」と記載され、
（２ー３）第２頁左下欄第１４行〜右下欄第１６行には、
「すなわち、このように構成される装置においては、半導体ウエーハ１７に対する絶縁被膜の形成作業は第１図で示したと同様に行なわれるものであり、さらに洗浄ガスを用いた洗浄作業が行われる。この反応管１１の内部の洗浄作業は、・・洗浄ガス導入管２４より洗浄ガスとして、例えばフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体を導入する。・・このようにして、反応管１１に導入されたフツ素プラズマ化された洗浄ガスは、その内壁に付着した窒化シリコンや多結晶シリコンと反応してこれを除去する。」と記載されている。
（３）刊行物３
（３ー１）第１頁左下欄末行〜第２頁左上欄第５行には、
「プラズマエッチングは酸素や，ＣＦ４、ＣＣｌ４等のガスを・・反応室内でプラズマ化し、・・プラズマ化したガスとの化学反応によってその表面を食刻するものである。・・しかるに上記の ＣＦ４やＣＣｌ４など炭素を含む化合物を用いると、フッ素や塩素と分離した炭素が半導体基板表面や反応室壁面に付着してその表面が黒変したり、汚染されたりすることが多い。これに対して本発明の方法は・・プラズマエッチングやスパッタエッチングに用いるものである。たとえばＢｒＦ３、ＢｒＦ５ 、ＩＦ５、ＩＦ７、ＮＦ３、ＰＦ３、ＰＦ５などがこの目的に適している。上記の物質を構成する元素は・・半導体基板表面や反応室側壁に付着して、汚染の原因となることはない。」と記載され、
（３ー２）第２頁左上欄第１４行〜右上欄第１１行には、
「三フッ化窒素（ＮＦ３）を用いたプラズマエッチングを行う場合について説明する。・・半導体基板上のＳｉやＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４と反応してこれらを食刻する。この食刻の速度はプラズマエッチングの条件によって変化するが、ＣＦ４ガスを用いた場合とほぼ同様な食刻速度を得ることができる。・・フッ素と分離した窒素（Ｎ）は反応には直接寄与しないが、従来用いられてきたＣＦ４の炭素Ｃと異なり、半導体基板上や反応室側壁に付着することもなく、反応系の全体を清浄に保つことができる。」と記載されている。
（４）刊行物４
（４ー１）第２頁左上欄第９〜１３行には、
「本発明装置は薄膜作製室１０と、該薄膜作製室１０に連設された真空室２０と、該真空室２０内に収容する基板２３の収納用治具２２と、両室１０、２０間に基板２３を搬送する移送手機構３０とからなるものである。」と記載され、
（４ー２）第２頁右上欄第６〜１８行には、
「前記移送手機構３０は移送手３１とその駆動機構３３とからなり、前記薄 膜作製室１０と対向側の真空室２０に取付けられ、移送手３１を、チャンバー２１より通路を通つて薄膜作製室１０内に、矢印３２に示す方向に往復移動させるものである。第２図において、４０は真空室排気系で４１は主弁、・・４６はあらびき用油回転ポンプである。又５０は薄膜作製室排気系で・・５８はあらびきポンプである。」と記載され、
（４ー３）第３頁左下欄第１〜７行には、
「勿論これに限らず、例えば、・・多層膜をつけるために薄膜作製室や薄膜源を複数個設けて・・使用することができる。」と記載されている。
　　　　　　
４．対比・判断
４−１．本件発明１について　　　　　　　　　　　　　　　　
　刊行物２の記載事項（２−１）〜（２−３）によれば、刊行物２には、「ＣＶＤ被膜を形成するＣＶＤ装置において、ＣＶＤ被膜の形成作業後、ＣＶＤ被膜の形成作業を行なつていくことにより堆積された反応管内壁の生成物である窒化シリコンや多結晶シリコン等を、反応管に導入されたフツ素プラズマ化された洗浄ガス、例えばフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体、により、その内壁に付着した窒化シリコンや多結晶シリコン等の生成物と反応させてこれを除去し、反応管内部を洗浄にすること」が記載されていると認められる。
　そこで、本件発明１と刊行物２に記載された発明を対比するに、刊行物２に記載された「ＣＶＤ被膜を形成するＣＶＤ装置」、「ＣＶＤ被膜の形成作業後」、「反応管」及び「反応管内部を洗浄にする」は、それぞれ、本件発明１の「被膜形成を行う反応室を有する装置」、「被膜形成を行わないときに」、「反応室」及び「反応室をクリーニングする」に相当するから、両者は、「被膜形成を行う反応室を有する装置において、被膜形成を行わないときに、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。」で一致し、本件発明１では、「エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより」クリーニングするとしているのに対して、刊行物２では、「フツ素プラズマ化された洗浄ガス、例えばフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体、により、その内壁に付着した窒化シリコンや多結晶シリコン等の生成物と反応させてこれを除去し」クリーニングするとしている点（以下、「相違点１」という。）で、両者は相違する。
　次に、上記相違点１について検討する。
　刊行物１の「反応管１０内には、ＣＦ、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ８のようなフッ化物ガスが流通されると共に 、・・管内のガスはプラズマで励起されて、エッチング反応をひきおこす。」（記載事項（１−２））及び刊行物３の「プラズマエッチングは酸素や，ＣＦ４、ＣＣｌ４等のガスを・・反応室内でプラズマ化し、・・プラズマ化したガスとの化学反応によってその表面を食刻するものである。」（記載事項（３−１））との記載によれば、プラズマ化されたＣＦ４と酸素の混合気体は、反応管・反応室でエッチング反応を起こすガスであるから、刊行物２に記載された「フツ素プラズマ化された洗浄ガス、例えばフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体」とは、本件発明１でいう「エッチング用ガス」に相当するガスである。
　してみれば、刊行物２に記載された「フツ素プラズマ化された洗浄ガス、例えばフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体、により、その内壁に付着した窒化シリコンや多結晶シリコン等の生成物と反応させてこれを除去し」とは、換言すれば、「エッチング用ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより、反応室（の内壁に付着した生成物）をクリーニングする」ということに他ならず、そうすると、本件発明１と刊行物２記載のクリーニング方法の相違は、結局、本件発明１ではエッチング用ガスとしてＮＦ３を用いているのに対して、刊行物２に記載されたものでは、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いていない点であるといえる。
　しかるに、刊行物３の記載事項（３−１）、（３−２）によれば、ＮＦ３を用いたプラズマエッチングにおいては、従来用いられてきたＣＦ４と異なり、分離した炭素が反応室側壁に付着して、表面が黒変したり、汚染されたりすることがなく、反応系の全体を清浄に保つことができる旨記載されているから、刊行物３には、ＮＦ３がエッチング用ガスであること、さらに、ＮＦ３をエッチング用ガスとしてプラズマエッチングを行った場合には、反応室の汚染が生じないことが開示されているといえる。
　そうであれば、刊行物２に記載される反応室のクリーニング方法、即ち、エッチング用ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより、反応室をクリーニングする反応室のクリーニング方法において、そのエッチング用ガスとしてＮＦ３を用いることは、刊行物３の記載から当業者が容易に想到し得ることと認められ、そして、これによる効果も、当業者が当然予想し得る程度のものであって、格別顕著であるとはいえない。
　なお、特許権者は、平成１３年１０月２２日付の意見書第９〜１０頁において、「本件発明は、『エッチング用ガスとしてＮＦ３を用い』ることにより、刊行物１〜３に記載される発明にない特有な効果、別言すれば、『反応室内全体をフレーク等は勿論、クリーニングガス成分の付着もない清浄状態に保つことができ、成膜時における被膜中への不純物の混入を防ぐことができる。』との特有な効果を有するものである」旨主張している。
　そこで、上記主張の当否を検討するに、特許権者が主張する上記効果については、本件明細書あるいは図面に具体的に記載されているわけではないから、如何なる根拠に基づいて特許権者が上記の如き主張をするのか明らかでないが、仮に、特許権者が主張するように、本件発明１において、「反応室内全体をフレーク等は勿論、クリーニングガス成分の付着もない清浄状態に保つことができ、成膜時における被膜中への不純物の混入を防ぐことができる。」という効果が奏されるとしても、かかる効果は、刊行物２、刊行物３の記載から当業者が当然に予想し得る範囲内の効果に過ぎない。
　即ち、ＣＦ４等の炭素を含むエッチング用ガスを用いると、炭素が半導体基板表面や反応室壁面に付着しその表面を汚染することから、これを防止し、反応室を清浄に保つために刊行物３記載のものにおいてはエッチング用ガスとしてＮＦ３を用いているのであるから、刊行物２記載の方法において、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いれば、炭素等による汚染、不純物の生成はなく、反応室内が清浄に保たれるのは明らかであって、そして、その必然的な結果として、成膜時における被膜中への不純物の混入は、当然に防がれるものといえる。
　したがって、特許権者の上記主張は採用できない。
　よって、本件発明１は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
４−２．本件発明２について
　本件発明２と刊行物２に記載された発明とを対比すると、両者は、「被膜形成を行う反応室を備えた装置において、被膜形成を行わずに、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。」で一致するが、前記「４−１．本件発明１について」であげた相違点１に加え、本件発明２は、「複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置」における反応室のクリーニング方法であるのに対して、刊行物２には、これが記載されていない点（以下、「相違点２」という。）、また、本件発明２は、「被膜の積層形成プロセス時に、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わずに」クリーニングするのに対して、刊行物２には、これが記載されていない点（以下、「相違点３」という。）で、両者はさらに相違する。
　そこで、上記相違点１〜３について検討するに、相違点１については、「４−１．本件発明１について」で既に述べたとおりである。
（１）相違点２について
　刊行物４には、薄膜作製室１０と、薄膜作製室１０に連設された真空室２０と、両室１０、２０間に基板２３を搬送する移送手機構３０と、真空排気系４０、５０とを備えた薄膜作製装置が記載され、さらに、刊行物４には、薄膜作製室を複数個設けても良い旨記載されているから、刊行物４に記載される薄膜作製装置において、複数の薄膜作製室を設けた場合には、「複数の薄膜作製室１０」、「真空排気系４０、５０」及び「基板２３を搬送する移送手機構３０」は、それぞれ、本件発明２の「複数の反応室」、「減圧手段」及び「基板を移動する移動機構」に相当する。
　そうであれば、刊行物４には、「複数の反応室と、当該複数の反応室に連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた真空室と、から構成される装置」が記載されているといえる。
　ただ、刊行物４には、複数の反応室の全てに連結して共通室を設けるとの記載はないが、複数の反応室と真空室とを連結するに際し、複数の反応室に夫々対応させて複数の真空室を設けるか、或いは、複数の真空室を一体化して共通室となし、複数の反応室の全てに対応するように一体化させた真空室、即ち、共通室、を設けるかは、単なる設計的事項と認められ、しかも、真空室を一体化して共通室としたことによる効果も格別顕著であるとはいえない。
　よって、相違点２は、刊行物４の記載から当業者が容易に想到し得ることと認められる。
（２）相違点３について
　刊行物２には、被膜形成を行わないときに反応室をクリーニングすることが開示されているのみであって、複数の反応室を設けた場合に、どのようにクリーニングするかについての具体的な開示はない。
　しかしながら、複数の反応室を設けた場合に、例えば、被膜の積層形成プロセスを全て停止して反応室をクリーニングするか、それとも、被膜の積層形成プロセス時（即ち、被膜の積層形成プロセスの全てを停止することがない状況）に、一部の反応室についてクリーニングを行なうかは、当業者が任意に定め得る事項であって、しかも、クリーニングは、被膜形成を行わない反応室に対してなされることは当然である。
　そうであれば、被膜の積層形成プロセス時に反応室のクリーニングを行なおうとすれば、少なくとも、被膜形成を行なっていない反応室を対象とすべきことは明らかであるから、相違点３は、複数の反応室を設けた装置における被膜の積層形成プロセス時のクリーニングに際し、当業者が当然に採用すべき手順にすぎず、当業者にとって格別の困難性を要するものではない。
　以上のとおり、上記相違点１〜３は、当業者が容易に想到しうるものと認められ、しかも、相違点１〜３をその構成として備えた本件発明２により奏される効果も、当業者が当然に予想し得る範囲内のものと認められる。
　したがって、本件発明２は、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１、２は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１、２についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月１９日（２００１．１１．１９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１．特許請求の範囲の請求項２の
「【請求項２】被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わないときに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。」を特許請求の範囲の減縮を目的として「【請求項２】被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、被膜の積層形成プロセス時に、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わずに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。」と訂正する。
２．特許明細書第１３頁第１６行〜２３行の
「【００２４】また、他の発明は、被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わないときに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法である。」を明りょうでない記載の釈明を目的として
「【００２４】また、他の発明は、被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、被膜の積層形成プロセス時に、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わなずに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
反応室のクリーニング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　被膜形成を行う反応室を有する装置において、
　被膜形成を行わないとき
に、エ
　【請求項２】
　被膜形成を行う複数の反応室と、
　当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、
　から構成される装置において、被膜の積層形成プロセス時に、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わずに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、グローまたはアーク放電を利用したプラズマ気相法（ＰＣＶＤと以下いう）により、安定して再現性のよい積層被膜を多量に作製するための製造装置に関する。
　【０００２】
　本発明は、ＰＣＶＤ装置に対し、反応系に関してはプラズマ気相法における反応性気体が導入される反応筒内には電極その他のジグを設けず、被形成面を有する基板とその基板ホルダ（例えば石英製のボート）のみを導入し、反応性気体をラミナフロー（層流）とせしめることにより被膜厚を均一とし、さらに膜質もパッチ内、パッチ間でバラツキの少ない半導体膜を形成させるための製造装置に関する。
　【０００３】
　【従来の技術】
　一般にＰＣＶＤ装置において、特に反応力の強い珪素を主成分とする反応性気体であるシランまたは珪素のハロゲン化物気体を用いる場合、反応筒例えば石英ガラス管の内壁およびホルダに吸着した酸素（空気）および水分が珪化物気体と反応して、酸化珪素（低級酸化珪素）を作り、半導体としての導電性を悪くしていた。
　【０００４】
　本発明は、かかる酸素、水分の反応炉への導入を防止するため、この反応筒に連結して基板および基板ホルダを保持または移動する機構を有する室を設け、その生産性および特性の再現性の向上に務めた製造装置に関する。
　【０００５】
　さらに、本発明は、プラズマ放電電界が基板表面に平行に（沿って）印加されるように電極を具備せしめ、活性の反応性生成物が被形成表面に垂直方向に衝突して形成された半導体膜の特性を劣化させてしまうことを防いでいることを他の目的としている。
　【０００６】
　この被形成面上へのスパッタ（損傷）の防止は、例えば被形成面上にＰ型半導体層を設け、その上面にＩ型（真性または実質的に真性）半導体層を作製しようとする時、Ｐ型を構成する不純物が１０１７〜１０１８ｃｍ−３の濃度にＩ層に混入してしまい、ＰＩ接合を劣化させてしまう。本発明はかかる欠点を防ぐために示されたものである。さらに本発明は前記した反応系よりなる第１の反応系と、これに連結して第１の室を設け、この第１の室に連結して第２の室を設け、さらにこの第２の室に連結した第１の反応系と同様の第２の反応系を設けた製造装置に関する。
　【０００７】
　かかる製造装置においては、まず第１の室にて真空引され、酸素、水分が除去された雰囲気にて第１の反応炉に基板およびホルダが移動機構により挿入され、この反応炉にて一導電型例えばＰ型の導電型を有する半導体が形成された。さらにこの半導体が形成された基板を再び第１の室に引出し、さらにこれに連結した第２の室へ同様に酸素、水分の全くない真空中にて移動される。さらにこの第２の室より第２の反応炉に基板およびホルダーを導入させ、第１の室とは異なる導電型または異なる添加物またはその異なる濃度（不純物または添加物）にて第２の半導体層を第１の半導体層上に形成させることができる。
　【０００８】
　この際、第１の反応炉の内壁に付着した不純物が第２の半導体層を形成させる際付着することが全くないため、きわめて精度高く、導電率導電性またはＥｇ（エネルギバンド巾）等を制御することができるようになった。
　【０００９】
　さらに、本発明は、さらにこの独立した反応炉を三系統設け、これらを共通した室すなわち第１、第２および第３の室で互いに連結した製造装置において、特に第１の反応炉にてＰ型半導体層を、第２の反応炉にてＩ型半導体層を、さらに第３の反応炉にてＮ型半導体層を形成して、ＰＩＮ型のダイオード特に光電変換装置を作製せんとする時、特に有効てある。
　【００１０】
　本発明は、積層するその層の数により共通した室を介して反応炉をその積層する膜の順序に従って設けることにより、その段数を２段または３段のみではなく、４〜１０段にすることができる。
　【００１１】
　かくしてＰＩＮ、ＰＩＮＰＩＮ、ＰＩＮＩＰＩＮ、ＮＩＰＩＮ、ＰＩＮＩＰ、・・・・等の接合構造に作ることができる。
　【００１２】
　また、この半導体層の作製の際、ＩＶ価の元素例えば珪素に炭素またはゲルマニュームを添加し、その添加量を制御することにより、添加量に比例、対応した光学的エネルギバンド巾（Ｅｇ）を有せしめることができる。例えばＰＩＮ接合をＥｇｐ、Ｅｇｉ、Ｅｇｎ（Ｅｇｐ＞Ｅｇｉ≦Ｅｇｎ）としたＷ−Ｎ−Ｗ（広いＥｇ−せまいＥｇ−広いＥｇ）として設けることを可能とした。
　【００１３】
　また、さらにこのＰＩＮ接合を二つ積層して設けたＰＩＮＰＩＮ構造において、Ｅｇｐ１、Ｅｇｉ１、Ｅｇｎ１、Ｅｇｐ２、Ｅｇｉ２、Ｅｇｎ２（Ｅｇｐ１＞Ｅｇｎ１≧Ｅｇｉ１≧Ｅｇｐ２≧Ｅｇｉ２≧Ｅｇｎ２）として設け、Ｅｇｐ１（２．０〜２．４ｅＶ）、（Ｅｇｎ１（１．７〜２．１ｅＶ）をＳｉｘＣ１−ｘ（０＜ｘ＜１）、Ｅｇｉ１、Ｅｇｐ１（１．６〜１．８ｅＶ）をＳｉにより、Ｅｇｉ２、Ｅｇｎ２（１．０〜１．５ｅＶ）をＳｉＸＧｅ１−ｘ（０＜ｘ＜１）として設けることが可能である。かかるタンデム構造とするには反応系を６系統設ければよい。
　【００１４】
　また、ＮＩＰまたはＰＩＮ接合としたＭＩＳ・ＦＥＴ、バイポーラトランジスタにおいては反応系を２系統とし、第１の反応系により基板上にＮまたはＰ層を、第２の反応系により次のＩ層を、さらに第１の反応系に基板ホルダをもどして、第３番目のＮまたはＰ層を作製する三層構造を２系統にて作ることが可能である。
　【００１５】
　これら本発明は、反応炉を互いに連結するのではなく、それぞれ独立した反応系を共通する室に連結せしめ、この室を介して基板上に独立した半導体層を形成させることを目的としている。
　【００１６】
　従来、ＰＣＶＤ装置に関しては、上下に平行平板上に容量結合の電極を設け、その一方の電極例えば下側のカソード電極上に基板を配置し、下方向より加熱する方法が知られている。しかし、この方法においては、反応炉は一室であるためＰ型、Ｉ型およびＮ型半導体層を積層せんとすると、その一回目の製造の後のＮ型半導体層の不純物が２回目の次の工程のＰ型半導体層中に混入してしまい、再結合中心となってダイオード特性を劣化させ、さらにその特性が全くばらついてしまった。このため光電変換装置を作ろうとしても、その開放電圧Ｖｏｃ０．２〜０．６Ｖしか得られず、短絡電流を数ｍＡ／ｃｍ２しか流すことができなかった。
　【００１７】
　加えてこの平行平板型の装置においては、電界は基板表面に垂直方向であるため、Ｐ型層の後Ｉ層を作らんととしても、このＩ層中にＰ型の不純物が混入しやすく、ダイオード特性が出ない場合がしばしば見られた。
　【００１８】
　さらに、この反応装置は特に予備室を有していないため、１回製造するごとに反応炉の内壁を大気（空気）にふれさせるため、酸素、水分が吸着し、その吸着酸化物が反応中バックグラウンドレベルに存在するため、電気伝導度が暗伝導度で１０−１１〜１０−８（Ωｃｍ）−１、ＡＭ１での光伝導度も１０−６〜１０−４（Ωｃｍ）−１でしかなかった。しかしこの吸着物が全く存在しない装置を使った本発明においては、暗伝導度１０−６〜１０−４、ＡＭ１での光伝導度は、１×１０−３〜９×１０−２（Ωｃｍ）−１と約１００倍も高く、半導体的性質を有せしめることができた。
　【００１９】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、かくの如く従来多数用いられている平行平板型の一室反応炉のＰＣＶＤ装置のあらゆる欠点を除去せんとしたものである。
　【００２０】
　さらに、この従来の方式をさらに改良したものに、本発明人の出願になる独立分離型の反応装置が知られている。この装置は、「半導体装置作製方法」昭和５３年１２月１０日（特願昭５３−１５２８８７）およびその分割出願「半導体装置作製方法」（特願昭５６−０５５６０８）に詳しく述べられている。さらに、「被膜作製方法」昭和５４年８月１６日（特願昭５４−１０４４５２）にもその詳細が述べられている。
　【００２１】
　これらの発明は、例えばＰＩＮ接合を有するダイオードを作製せんとする場合、Ｐ型半導体層用の第１の反応系、Ｉ型半導体層の第２の反応系、さらにＮ型半導体層用の第３の反応系をそれぞれの反応炉（ベルジャー）をゲイトバルブにて連結したものである。かくすることによりＰ層の不純物がＩ層に混入することがなく、またＮ層の不純物がＩ層、Ｐ層に混入することがない。いわゆる各半導体層での不純物制御を完全に精度よく行なうことができるという特徴を有する。さらにこのＰ層用の反応炉の前またはＮ層用反応炉のあとに連結して予備室を設け、いわゆる外部よりの酸素、水蒸気の混入を防止しようとしたものである。
　【００２２】
　しかし、かかる本発明人の発明になる縦型のベルジャー式またはその変形の反応炉を互いに連結した方式においては、基板の温度制御が十分に行えない。すなわち３００±２０℃程度の温度範囲を有してしまっていた。このため形成される被膜のバラツキが大きく、好ましくなかった。加えてひとつの反応炉に充填できる基板の数量が例えば１０×１０ｃｍ正方形で１〜１０枚であった。このため生産性がきわめて低く、いわゆる低価格、多量生産とはいえなかった。
　【００２３】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、
　被膜形成を行う反応室を有する装置において、
　被膜形成を行わないとき
に、エ
　【００２４】
　また、他の発明は、
　被膜形成を行う複数の反応室と、当該複数の反応室の全てに連結され、減圧手段、及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と、から構成される装置において、被膜の積層形成プロセス時に、前記複数の反応室の一部において被膜形成を行わずに、エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことにより、前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法である。
　【００２５】
　【発明の実施の形態】
以下に図面に従ってその実施例を示す。
　【００２６】
　図１は本実施例の横型、独立分離式のプラズマＣＶＤ装置すなわに半導体装置製造装置の概要を示す。
　【００２７】
　本実施例はかかる本発明人の独立分離型の半導体装置製造装置をさらに改良し、温度精度も３００±１℃以下におさえ、加えて１回のローディング数量を５０〜５００枚にすることを可能とした低価格、高品質の半導体装置を多量に製造せんとするものである。
　【００２８】
　本実施例に係る半導体装置製造装置は、減圧可能な共通室と、複数の異なった種類の被膜の積層形成に対応して該共通室に対し各々ゲート弁手段を介して気密連結された複数の被膜形成反応炉と、前記複数の反応炉のそれぞれに対し前記共通室内より基板を前記ゲート弁手段を開として搬入搬出する手段と、前記複数の反応炉のそれぞれにて前記ゲート弁手段を閉として被膜を形成する手段を有する被膜製造装置において、前記共通室内より基板を前記複数の反応室に搬入して前記基板上に複数の被膜を積層形成する求めに応じて搬入、被膜形成、搬出を行う機構を有することを特徴とする。
　また、別の態様として、減圧可能な共通室と、複数の異なった種類の被膜の積層形成に対応して該共通室に対し各々ゲート弁手段を介して気密連結された複数の被膜形成反応炉と、前記複数の反応炉のそれぞれに対し前記共通室内より基板のみを前記ゲート弁手段を開として搬入搬出する手段と、前記複数の反応炉のそれぞれにて前記ゲート弁手段を閉として被膜を形成する手段を有する被膜製造装置において、前記共通室内より基板を前記複数の反応室に搬入して前記基板上に複数の被膜を積層形成する求めに応じて搬入、被膜形成、搬出を行う機構を有することを特徴とする。
　【００２９】
　図面において第１の反応系（１）は円筒状の反応管（５）例えば透明石英（アルミナその他のセラミックでもよい）であり、その直径は１００〜３００ｍｍφとした。さらにこの反応炉（５）の外側に一対のプラズマ放電を行なわしめる電極（２）、（２’）を配置した。この電極は例えばステンレス網よりなり、この電極をおおって抵抗加熱ヒータ（３）を設け、指示温度５０〜３５０℃例えば３００℃に対し±１℃の精度にて制御されている。
　【００３０】
　基板および基板ホルダは（４）で略記しており、反応性気体は（６）よりホモジナイザ（２６）を経て供給される。一対の電極は供給用電源（１３）により高周波（１０ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ代表的には１３．５６ＭＨｚ）が５〜２００Ｗの強さにて供給される。反応後の不要の生成物およびヘリューム、水素等のキャリアガスは、排気口（６３）より反応管内の圧力調整用バルブ（１４）を経て真空引ポンプ（１５）にて排出される。
　【００３１】
　反応筒（５）は反応中は反応圧力は０．０５〜０．６ｔｏｒｒ代表的には０．３ｔｏｒｒに保持され、反応性気体の実効流速を数十ｍ／秒にまで速めた。
　【００３２】
　この第１の反応炉に加え、図面では入口側に基板およびホルダ（４）を反応炉内に挿入または内より炉外に引出す移動機構（１２）を有する第１の室（７）が設けられている。
　【００３３】
　この室は大気圧にする場合は（１４）より高純度空気が供給され、通気はバルブ（３９）を経てロータリーポンプ（３７）にて０．０１ｔｏｒｒ以下、好ましくは０．００１〜０．０１ｔｏｒｒに真空引がされている。
　また、この基板およびホルダ（１１）は予備室（８）より移動され、この第１の予備室（８）は（１３）より空気が導入され大気圧となり、真空引がバルブ（４０）、ポンプ（３８）によりなされ、室１（７）と概略等圧の十分な低真空とさせた。そして、基板およびホルダ（１０）がホルダ（１１）に移される。さらに、このホルダ（１１）は第１の反応炉（４）に移され、所定の半導体膜を基板上に形成させた。
　【００３４】
　さらに、この被膜を形成させた後、基板およびホルダ（４）は共通室（７）に到り、外部に取り出すものは予備室（３５）より外部に取り出すことができる。
　【００３５】
　また、さらにこの上に半導体層を作ろうとする場合、共通室（７）におけるシャッタ（３２）を開け、第２の室（３０）に移動させる。このシャッタ（３２）および次段のシャッタ（３３）は必ずしも必要ではなく、その場合は共通の室を反応炉に連続して複数ケ設けることになる。またさらに基板およひホルダは第２の反応系（４２）に移され、第２の半導体層（例えばＩ層）を第１の半導体層（例えばＰ層）を形成する履歴に無関係に独立して積層して作ることができた。
　【００３６】
　この第２の反応炉も反応性気体の導入口（２７）より反応性気体が入り、キャリアガス、不純物は排気口、バルブ（１９）、真空引ポンプ（２０）を経て外部に放出される。
　【００３７】
　さらに、この第２の半導体膜が形成された後、第２の予備室（３５）を経て外部に取り出されてもよいが、この図面では、さらに第３の反応系（４３）を経て、第３の半導体層例えばＮ型半導体層を形成し、さらにこの三層が形成された基板およびホルダ（３４）は真空引をされた第２の予備室（３５）を経て、空気管（１３）より空気の導入によって大気圧にさせた後、ゲートバルブ（３６）をあけて外部に取り出される。
　【００３８】
　以上の概要より明らかな如く、本発明は第１の反応系には第１の室があり、この室に設けられた移動機構（１２）により基板およびホルダ（４）は反応炉（１）と第１の室（７）との間を往復する。
　【００３９】
　また同様に、第２の反応炉（４２）、第３の反応炉（４３）、基板およびホルダの保持および移動機構（２９）、（４１）を有している。
　【００４０】
　この第１、第２、第３の室は共通させて共通室（７）として設けており、この共通室の前後の入口側および出口側に第１、第２の予備室を空気中の酸素、水分が反応系に混入しないように設けてある。
　【００４１】
　この製造装置においては、各反応ごとに反応炉より一度真空引された共通室（７）に引出されるため、各反応系の反応性気体が全くそれぞれの反応炉に混入されることがない。
　【００４２】
　特に、基板の出入れの際は、各反応炉と共通室との間のしきりゲイトバルブ（５２）、（５３）、（５４）を開として、基板およびホルダ（１１）が（１１’）（１１”）の位置へ移動の際以外は、このしきりバルブが完全に閉の状態であるため、従来の説明にて本発明人により示された各反応系が互いに１つのゲイトバルブで連結されている場合に比べて、さらに不純物のオートドーピングが少なくなった。
　【００４３】
　さらに加えて、以上の説明においては、基板のホルダは各反応室を基板と共に移動させた。しかしこの移動は基板のみとし、ホルダは第１の反応炉用のホルダ（１１）、第２の反応炉用のホルダ（１１’）、第３の反応炉用ホルダ（１１”）をそれぞれ専用に配置せしめることが本発明の製造装置においては可能である。かくすることにより、各反応室間の不純物の混入特にホルダ表面に付着しているＰＮ型またはＥｇ可変用不純物、添加物の混入を完全に除去することができ、多量生産用として全く画期的なものである。
　【００４４】
　図２は図１の製造装置を補かんするものである。すなわち第１、第２、第３の反応炉に対して供給される反応性気体は供給系（６）、（２７）、（２８）よりそれぞれ供給される。その反応性気体は図２（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に対応して示されている。
　【００４５】
　図２（Ａ）においては水素で希釈したジボラン（４３）、シラン（４４）、反応炉内壁のエッチング用ガス例えばＣＦ４（Ｏ２＝０〜５％）またはＮＦ３、炭化物の添加物である珪素と炭素とが化合した反応性気体例えばＴＭＳ（テトラメチルシランＳｉ（ＣＨ３）４）（４６）およびキャリアガスである水素またはヘリューム（４７）が配置されている。
　【００４６】
　これらは流量計（マスフロメータ）（５０）、電磁バルブ（５１）を経て供給系（６）より第１の反応炉に供給される。この場合はＳｉＸＣ１−Ｘ（０．２≦ｘ１）で作られ、導電型はＰ型としている。かくすることにより１．７〜２．５ｅＶのＥｇを有するＰ型のアモルファスまたはセミアモルファス構造を含む非単結晶半導体を基板上に１００〜３００Åの厚さに形成させた。
　【００４７】
　被膜の作製は、本発明人の出願になる特許願（「プラズマ気相法」昭和５６年１０月１４日、特願昭５６−１０３６２７）に詳しく述べられているが、例えば２５０〜３３０℃特に３００℃、０．１〜０．３ｔｏｒｒプラズマ発生用電流１３．５６ＭＨｚ、５〜１００Ｗ、被膜形成時間１０秒〜１０分とした。
　【００４８】
　反応炉内壁は５〜３０回作製するとフレイク（薄片）が発生するので、かかる場合にはＣＦ４またはＮＦ３によりプラズマエッチングして除去すればよい。このクリーニングは、被膜の積層形成プロセスにおいても、複数の反応炉の一部において、被膜形成を行わずに、反応炉内壁のエッチングを行うことにより達成できる。
　【００４９】
　図２（Ｂ）はＩ層のアモルファスまたは５〜１００Åの大きさの微結晶性を含有するセミアモルファスまたはマイクロポリクリスタルよりなる非単結晶半導体膜を作製する場合を示している。
　【００５０】
　すなわち、シラン（４５）ＣＦ４（Ｏ２＝０〜５％）、キャリアガスであるヘリューム（４９）よりなり５〜２０％にヘリュームにて希釈されたシランにより光伝導度１×１０−３〜９×１０−２（Ωｃｍ）−１、特に５〜２０×１０−３（Ωｃｍ）−１の値を有する珪素の非単結晶半導体を０．４〜１μｍの厚さに作製した。
　【００５１】
　また、図２（Ｃ）は（Ａ）とは逆にＮ型不純物であるフォスフィン（４８）、シラン（４３）、エッチング用ガス（４５）、ＴＭＳ（４６）、キャアガス（４０）を提供し、１００〜５００ÅのＮ型半導体層を作製した。
　【００５２】
　かくして、図３に示す如き基板上にＰＩＮ型のダイオードまたは光電変換装置を作り、その特性を調べた。
　【００５３】
　図３（Ａ）においては、ステンレスの如き金属基板またはカプトンの如きフレキシブルフィルム上にステンレス膜が形成された基板（７０）上にＰ型半導体層（７１）、Ｉ型半導体層（７２）、Ｎ型半導体層（７４）よりなる半導体層（７３）を作製し、この上面にＩＴＯの如き透光性透明導電膜を６００〜８００Å、ρｓ＝１０〜２５Ω／□を作製した。従来の一室式の平行平板型ではＡＭ１（１００ｍＷ／ｃｍ２）にて６〜７．５％／３×３ｍｍ正方形しか得られなかったが、本発明人の出願になるたて型の独立分離式においては、７．５〜９．５％／３×３ｍｍ正方形が得られた。しかし本発明では、ホルダを各反応炉独立式にした場合、最高１６％／３×３正方形、一般に１２〜１５％の高い変換効率の太陽電池を作ることができた。
　【００５４】
　また、ホルダを各反応炉共通にした場合、９．０〜１２．５％の高い効率であった。
　【００５５】
　これは酸素、水分等の酸化物気体の外部からの混入防止、各半導体表面等への不純物混入を防止したことにある。
　【００５６】
　さらに重要なことは、１回のパッチにおいて１０×１０ｃｍ正方形の基板を５０〜５００枚もローディング可能であり、１０×１０ｃｍ正方形１枚に対する設備償却費は従来の５０〜５００円であったものが、０．２〜２円と約１／１００に下げることが可能となった点で光電変換装置の流布のためきわめて重要であった。
　【００５７】
　図３（Ｂ）はガラスの如き透光性基板（７６）上にＩＴＯ（５００〜８００Å）（７８）および酸化スズまたは酸化アンチモン（７９）（１００〜３００Å）よりなる低シート抵抗（ρｓ＝５〜２０Ω／□高耐熱性）の透明導電膜（７７）上にＰ型半導体層（７１）、Ｉ型層（７２）、Ｎ型層（７４）およびアルミニームまたはＩＴＯよりなる裏面電極（７５）を設けたものである。かかる構造においても変換効率１０〜１３％を得ることができた。
　【００５８】
　このため、この構造をガラス基板上に集積化しまた同時にＰＩＮ型の逆流防止ダイオードを設けることにより民生用の太陽電池を従来と同一出力を得る場合、従来より１／２の面積でかつ価格は２００〜２５０円を２０〜３０円にまで下げ、１０ｃｍ２の面積にて１００〜１３０円で作ることが可能になった。
　【００５９】
　図４は本発明のプラズマＣＶＤ法で特にグロー放電法を用いる反応炉に配置される基板、電極および基板のローディングの関係を示す。
　【００６０】
　図面において図４（Ａ）は電極（２）、（２’）を水平方向に平行に、また基板（６１）の裏面を互いに密接して、表面は基板間を２０〜４０ｍｍの間隔で設けた。また、その配置はやはり水平に設けたものである。
　【００６１】
　反応炉（１）の反応筒（５）は直径１００〜３００ｍｍφ代表的には１８０ｍｍφを有し、その長さは２００〜４００ｃｍを有するため、１０×１０ｃｍ正方形の基板に図面の如き８枚ではなく各段２０枚を１０〜３０列配置させることができた。このため１回の製造バッチで５０〜６００枚を作ることができ、従来の平行平板式では全く考えられない量の半導体装置を一度に作ることができた。
　【００６２】
　図４（Ｂ）は電極（２）、（２’）を垂直方向に、また基板（６１）の表面（被形成面）を垂直方向に、裏面を互いに密接させて設けたものである。その他は（Ａ）と同様である。ホルダへの基板のローディングは（Ａ）、（Ｂ）を互いに交互に行ってもよい。
　【００６３】
　図４（Ｃ）はアーク放電法またはグロー放電法を用いたプラズマＣＶＤ法である。
　【００６４】
　図面では図１（Ａ）の１つの反応炉を示したものである。すなわち放電電極（２）、（２’）を反応筒方向に有し、基板（６１）はホルダ（６０）にローディングされ、反応管（５）の外側には加熱用ヒータ（３）が設けられている。アーク放電とするには一方の電極より熱電子を放出させた。。反応性気体は供給系（６）より導入され、不要の反応生成物およびキャリアガスは排出系（６３）より外部に放出される。この不要の反応生成物は低温になる領域では粉末状になるため、反応炉（５）の中（内壁）にこれらが発生することを防ぐため、ヒータ（３）は（６５）に示す如く反応管のすべてをおおうようにした。
　【００６５】
　かくすることにより、粉末状の反応生成物を反応筒に残留させることはなくなり、歩留の向上になった。図１また図４（Ａ）、（Ｂ）においても同様にすると、さらに生産性の向上に役立った。
　【００６６】
　【発明の効果】
　以上の説明より明らかな如く、本発明はプラズマ気相法に対し多量生産を可能にする横型反応方式を採用し、さらにそれらに共通室を設け連続的に製造する構造とすることによりバッチ方式と連続方式とを結合させることが可能となった。このためこの思想を基礎とし、２つの反応系、４〜８の反応系等を作ることができ、初めてＰＣＶＤ装置で大量生産可能な方式を開発することができた。
　【００６７】
　さらに、この半導体製造装置において、単にＰＩＮの光電変換装置のみではなく、Ｎ（Ｎ型半導体）（０．１〜１μ）−Ｉ（真性半導体）（０．２〜２μ）−Ｉ（絶縁体）（０．５〜１μ）のＩＧＦＥＴ（縦チャネル型の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置）を、またはそれを集積化した構造を作ることが可能である。さらに、この反応炉に横方向に幅２〜２０ｃｍの５０〜１００ｃｍの長い半導体基板を配置し、その上面全面にフォトセンサーアレーその他の半導体装置を作ることも可能である。以上本発明の半導体製造装置の工学的効果はきわめて著しいものであると信じる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の半導体装置製造装置の実施例を示す。
　【図２】　図１を補かんする反応性気体のガス系の実施例を示す。
　【図３】　本発明により作られた光電変換装置の縦断面図を示す。
　【図４】　図１の反応炉の部分を示す実施例である。
　【符号の説明】
　　３　ヒータ
　　４　基板ホルダ
　　５　反応炉
　１２　移動機構
　１３　電源
　３３　シャッタ
　３７　ロータリーポンプ