Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月5日(2015.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射源であって、
燃料流を生成しかつプラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って前記燃料流を誘導する燃料流ジェネレータと、
使用中、変性燃料ターゲットを生成するために前記プラズマ形成位置における前記燃料流にレーザ放射の第１ビームを誘導するプリパルスレーザ放射アセンブリと、
使用中、放射生成プラズマを生成するために前記プラズマ形成位置における前記変性燃料ターゲットに向かってレーザ放射の第２ビームを誘導するメインパルスレーザ放射アセンブリと、
前記放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を前記放射源の光軸に沿って誘導するコレクタと、を備え、
前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第１ビームを前記光軸に実質的に沿って前記燃料流に向かって誘導し、
前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第２ビームを前記光軸に対して実質的に０°より大きくかつ９０°より小さい角度で前記変性燃料ターゲットに向かって誘導する、放射源。
【請求項２】
前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第２ビームを前記コレクタの反対に面する前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導する、請求項１に記載の放射源。
【請求項３】
前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第２ビームを前記コレクタに面する前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導する、請求項１に記載の放射源。
【請求項４】
前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第２ビームを前記コレクタに向かう方向に誘導し、前記コレクタは、放射の前記第２ビームが前記燃料流または前記変性燃料ターゲットに入射しない場合には、放射の前記第２ビームが通過することができる開口部が設けられる、請求項１から３のいずれかに記載の放射源。
【請求項５】
前記コレクタは、垂直入射コレクタであって、前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第１ビームを前記放射源の前記光軸に沿いに前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記垂直入射コレクタによって集光された放射の一般的な伝搬方向に、前記垂直入射コレクタ中に設けられた前記開口部を通過するように誘導する、請求項１から４のいずれかに記載の放射源。
【請求項６】
前記コレクタは、垂直入射コレクタであって、前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第１ビームを前記コレクタに向かって、前記放射源の前記光軸に沿うが前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記垂直入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に誘導する、請求項１から４のいずれかに記載の放射源。
【請求項７】
前記コレクタは、かすめ入射コレクタであって前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの中間焦点、またはその他の焦点、の間に設置され、前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第１ビームを前記かすめ入射コレクタを通過するように、前記放射源の前記光軸に沿うが前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に誘導する、請求項１から４のいずれかに記載の放射源。
【請求項８】
前記コレクタは、かすめ入射コレクタであって前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの中間焦点、またはその他の焦点、の間に設置され、前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第１ビームを前記かすめ入射コレクタに向かって、前記放射源の前記光軸に沿いに前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光された放射の一般的な伝搬方向に誘導する、請求項１から４のいずれかに記載の放射源。 
【請求項９】
前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、前記変性燃料ターゲットが前記第１レーザ放射ビームの命中後に実質的にディスク状の雲となり、かつ前記ディスクが前記光軸に対して実質的に垂直な半径を有することを確実にする、請求項１から８のいずれかに記載の放射源。
【請求項１０】
放射源であって、
燃料流を生成しかつプラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って前記燃料流を誘導する燃料流ジェネレータと、
変性燃料ターゲットを生成するために前記プラズマ形成位置における前記燃料流にレーザ放射の第１ビームを誘導するプリパルスレーザ放射アセンブリと、
放射生成プラズマを生成するために前記プラズマ形成位置における前記変性燃料ターゲットにレーザ放射の第２ビームを誘導するメインパルスレーザ放射アセンブリと、を備える放射源であって、前記放射源は、
前記放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を前記放射源の光軸に沿って誘導するかすめ入射コレクタと、
レーザ放射の前記第１ビームを前記光軸に実質的に沿って前記燃料流に向かって誘導する前記プリパルスレーザ放射アセンブリと、を備える放射源。
【請求項１１】
デブリ軽減装置は、前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの間に設置され、
前記デブリ軽減装置は、静的または回転フォイルトラップであって、前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第１ビームを誘導しかつ／または前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の第２ビームを前記フォイルトラップの中空軸に沿いにかつ前記中空軸を通過するように誘導する、請求項１０に記載の放射源。
【請求項１２】
前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第２ビームを前記光軸に沿いにかつ放射の前記第１ビームとは反対の方向に前記変性燃料ターゲットに向かって誘導する、請求項１０または１１に記載の放射源。
【請求項１３】
前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第２ビームを前記光軸に対して実質的に０°より大きくかつ９０°より小さい角度で前記変性燃料ターゲットに向かって誘導する、請求項１０または１１に記載の放射源。
【請求項１４】
前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第１ビームを、前記放射源の前記光軸に沿うが前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に誘導し、かつ／また前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、放射の前記第２ビームを前記かすめ入射コレクタを通過するように、前記放射源の前記光軸に沿うが前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光された放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に誘導する、請求項１０から１３のいずれかに記載の放射源。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれかに記載の放射源を備える、あるいは請求項１から１４のいずれかに記載の放射源に接続されるリソグラフィ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
アルゴリズムの最後の成分である劣化マトリックスＱもスカラーであり、アルゴリズムが静的になり過ぎないようにするために使用される。この変数は、実際、常に情報量豊富な測定値が発生して、低い不確実性を維持するように、不確実性マトリックスに上向きの圧力をかける。そうしなければ、不確実性が上昇し、アルゴリズムが新しい測定値に基づいた変化の影響を受けやすくなる。このパラメーターは、較正係数の変化に対するアルゴリズムの応答性の定性的評価に基づいて、エンジニアがＲマトリックスに含まれる利得ｋと共に調整する。
本発明の実施態様の一部を以下の〔態様１〕−〔態様７〕に記載する。
〔態様１〕
材料のウェブの監視に使用されるウェブ検査システムの較正システムであって、
前記材料のウェブの第１のクロスウェブ部分の第１の特性を示す信号を受信し、測定値の較正単位で前記第１の特性を表す第１の応答信号を提供するように構成された、少なくとも１つのウェブセンサであって、前記第１のクロスウェブ部分が前記材料のウェブの幅よりも小さい、少なくとも１つのウェブセンサと、
前記材料のウェブの第２のクロスウェブ部分から該第１の特性を示す信号を受信し、該第２のクロスウェブ部分を表す第２の応答信号を提供するように構成された、ウェブ検査システムと、
該第１の応答信号及び第２の応答信号を周波数領域に変換し、対象の第１の周波数範囲では、該第１の応答信号及び第２の応答信号の周波数スペクトルを分析して第１の周波数範囲相関モデルを提供し、次いで該相関モデルが該第１の周波数範囲の該第２の応答信号に適用されて、該第１の周波数範囲の該第２の応答信号を該第１の応答信号の測定単位に変換する、センサ−検査システム較正モジュールと、
を含む、較正システム。
〔態様２〕
前記ウェブ検査システムがライン走査カメラであり、前記ウェブセンサが点センサである、態様１に記載の較正システム。
〔態様３〕
前記第２のクロスウェブ部分が前記第１のクロスウェブ部分を含む、態様１に記載の較正システム。
〔態様４〕
前記第２のクロスウェブ部分が実質的に前記材料のウェブの全幅である、態様１に記載の較正システム。
〔態様５〕
前記周波数領域への変換が、フーリエ関数又はウエーブレット変換によるものである、態様１に記載のシステム。
〔態様６〕
分析が、対象の前記第１の周波数範囲内の前記第１の応答信号及び前記第２の応答信号の周波数スペクトルを示すデータへの再帰的な重み付き最小２乗アルゴリズムの適用を含む、態様１に記載の較正システム。
〔態様７〕
前記ウェブ検査システムが、前記ウェブセンサのダウンウェブ又はアップウェブにある、態様１に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料のウェブの監視に使用されるウェブ検査システムの較正システムであって、
該材料のウェブの第１のクロスウェブ部分の第１の特性を示す信号を受信し、測定値の較正単位で該第１の特性を表す第１の応答信号を提供するように構成された、少なくとも１つのウェブセンサであって、該第１のクロスウェブ部分が該材料のウェブの幅よりも小さい、少なくとも１つのウェブセンサと、
該材料のウェブの第２のクロスウェブ部分から該第１の特性を示す信号を受信し、該第２のクロスウェブ部分を表す第２の応答信号を提供するように構成された、ウェブ検査システムと、
該第１の応答信号及び第２の応答信号を周波数領域に変換し、対象の第１の周波数範囲では、該第１の応答信号及び第２の応答信号の周波数スペクトルを分析して第１の周波数範囲相関モデルを提供し、次いで該相関モデルが該第１の周波数範囲の該第２の応答信号に適用されて、該第１の周波数範囲の該第２の応答信号を該第１の応答信号の測定単位に変換する、センサ−検査システム較正モジュールと、
を具備する較正システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月1日(2014.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記締付装置（１５）の有効長に適合させるために、少なくとも１つのスぺーサ部材（２５）が設けられており、該スぺーサ部材（２５）は、差込穴（４１）を有し、前記ハウジング（２９，３０）と前記締付ブロック（１８）の前記端部分（２４）との間に配設されており、更に該スぺーサ部材（２５）は、前記ハウジング（２９，３０）と前記締付ブロック（１８）の前記端部分（２４）と同じ横断面か又は実質的に同じ横断面を有すること
を特徴とする、請求項１０に記載の切削ローラ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記第１の課題は、冒頭に記載した形式の監視装置において、本発明に従い、特許請求項１の特徴を有する監視装置により解決される。
即ち本発明の第１の視点により、モジュールを受容するための少なくとも１つの受容空間を有し且つ切削ローラの切削ローラ軸部材を固定するために構成された締付装置に取り付けるよう設けられているハウジングを備えた、シールド掘進機の切削ローラの回転状態を監視するための監視装置であって、前記受容空間又は各受容空間は、全側面において閉じていること、及び、前記ハウジングは、前記受容空間又は各受容空間を有するハウジングブロックをもち、該ハウジングブロックには、固定ユニットの一部として縦長のブッシュ台座部が形成されており、該ブッシュ台座部は、該ブッシュ台座部の縦方向に延在し且つ前記締付装置の締付ボルトシャフトを通すためのシャフト通路を有することを特徴とする監視装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記第２の課題は、切削ロール装置において、特許請求項８の特徴を有する切削ローラ装置により解決される。
即ち本発明の第２の視点により、前記監視装置を備えたシールド掘進機用の切削ローラ装置であって、切削ローラ軸部材の周りで回転可能な切削ローラと、前記切削ローラ軸部材の端部を切削ローラハウジングに固定可能とする締付ボルトとを備え、前記締付ボルトのシャフト部分が前記シャフト通路に配設されており、前記ハウジングの一側面部が非接触で前記切削ローラのハブに向き合って配設されていることを特徴とする切削ローラ装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的に適った更なる展開形態は、下位請求項の対象である。尚、本願の特許請求の範囲に付記されている図面参照符号は、専ら本発明の理解の容易化のためのものであり、図示の形態への限定を意図するものではないことを付言する。
また本発明において、以下の形態が可能である。
（形態１）モジュールを受容するための少なくとも１つの受容空間を有し且つ切削ローラの切削ローラ軸部材を固定するために構成された締付装置に取り付けるよう設けられているハウジングを備えた、シールド掘進機の切削ローラの回転状態を監視するための監視装置であって、前記受容空間又は各受容空間は、全側面において閉じていること、及び、前記ハウジングは、前記受容空間又は各受容空間を有するハウジングブロックをもち、該ハウジングブロックには、固定ユニットの一部として縦長のブッシュ台座部が形成されており、該ブッシュ台座部は、該ブッシュ台座部の縦方向に延在し且つ前記締付装置の締付ボルトシャフトを通すためのシャフト通路を有すること。
（形態２）前記監視装置において、前記ブッシュ台座部は、前記ハウジングブロックの横方向において中央領域に配設されていること、及び、前記ブッシュ台座部の両側には、各々少なくとも１つの受容空間が形成されていることが好ましい。
（形態３）前記監視装置において、前記モジュールは、機械的な結合装置及び／又は該当の受容空間を少なくとも部分的に充填する充填材料を用いて固定されていることが好ましい。
（形態４）前記監視装置において、前記受容空間又は各受容空間は、前記ハウジングブロックに取外し可能に固定することのできる少なくとも１つのハウジングカバーにより密閉可能であることが好ましい。
（形態５）前記監視装置において、前記ハウジングカバーには、少なくとも１つのモジュールが取り付けられていることが好ましい。
（形態６）前記監視装置において、一モジュールが、磁界センサと温度センサと加速度センサとを含んだグループに含まれる少なくとも１つのセンサを有することが好ましい。
（形態７）前記監視装置において、前記モジュールは、ワイヤラインを介して互いに接続されていることが好ましい。
（形態８）前記監視装置を備えたシールド掘進機用の切削ローラ装置であって、切削ローラ軸部材の周りで回転可能な切削ローラと、前記切削ローラ軸部材の端部を切削ローラハウジングに固定可能とする締付ボルトとを備え、前記締付ボルトのシャフト部分が前記シャフト通路に配設されており、前記ハウジングの一側面部が非接触で前記切削ローラのハブに向き合って配設されていること。
（形態９）前記切削ローラ装置において、前記監視装置は、磁界センサ及び／又は温度センサを有し、該磁界センサ及び／又は温度センサは、前記ハブに向き合って配設されていることが好ましい。
（形態１０）前記切削ローラ装置において、前記ハウジングと、切削ローラハウジングに支持される締付ブロックの前記ハウジングの方を向いた端部分とが、同じ横断面か又は実質的に同じ横断面を有することが好ましい。
（形態１１）前記切削ローラ装置において、前記締付装置の有効長に適合させるために必要に応じ、少なくとも１つのスぺーサ部材が設けられており、該スぺーサ部材は、差込穴を有し、前記ハウジングと前記締付ブロックの前記端部分との間に配設されており、更に該スぺーサ部材は、前記ハウジングと前記締付ブロックの前記端部分と同じ横断面か又は実質的に同じ横断面を有することが好ましい。
（形態１２）前記切削ローラ装置において、前記ハウジングは、切削ローラハウジングに形成された受容溝部に形状的に合致して結合するよう配設されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月7日(2015.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）エポキシ化トール油脂肪酸２−エチルヘキシルであるエポキシ化脂肪酸モノエステル、
（ｉｉ）エポキシ化大豆油、モノ−及び／又はジグリセリドを実質的に含まないエポキシ化脂肪酸モノエステル及びエポキシエステルであるエポキシエステルであって、ここでエポキシエステルとエポキシ化脂肪酸モノエステルとが、エポキシエステル／エポキシ化脂肪酸モノエステルの重量比  １／３〜３／１で存在する、及び
（ｉｉｉ）過塩素酸金属塩
を含む可塑剤組成物。
【請求項２】
（ｉ）エポキシ化大豆油脂肪酸２−エチルヘキシルであるエポキシ化脂肪酸モノエステル、
（ｉｉ）エポキシ化大豆油、モノ−及び／又はジグリセリドを実質的に含まないエポキシ化脂肪酸モノエステル及びエポキシエステルであるエポキシエステルであって、ここでエポキシエステルとエポキシ化脂肪酸モノエステルとが、エポキシエステル／エポキシ化脂肪酸モノエステルの重量比  １／３〜３／１の量で存在する、及び
（ｉｉｉ）過塩素酸金属塩
を含む可塑剤組成物。
【請求項３】
（ｉ）エポキシ化トール油脂肪酸２−エチルへキシル、エポキシ化大豆油脂肪酸２−エチルヘキシル、エポキシ化トール油脂肪酸オクチル、エポキシ化大豆油脂肪酸オクチル、エポキシ化オレイン酸オクチル、エポキシ化大豆油脂肪酸メチル、又はこれらの混合物から選択されるエポキシ化脂肪酸モノエステル、
（ｉｉ）エポキシ化大豆油、エポキシ化亜麻仁油、及びこれらの混合物、モノ−及び／又はジグリセリドを実質的に含まないエポキシ化脂肪酸モノエステル及びエポキシエステルから選択されるエポキシエステルであって、ここでエポキシエステルとエポキシ化脂肪酸モノエステルとが、エポキシエステル／エポキシ化脂肪酸モノエステルの重量比  １／１．６７〜１／３の量で存在する、及び
（ｉｉｉ）過塩素酸金属塩
を含む可塑剤組成物。
【請求項４】
（ｉ）エポキシ化トール油脂肪酸２−エチルへキシル、エポキシ化大豆油脂肪酸２−エチルヘキシル、エポキシ化トール油脂肪酸オクチル、エポキシ化大豆油脂肪酸オクチル、エポキシ化オレイン酸オクチル、エポキシ化大豆油脂肪酸メチル、又はこれらの混合物から選択されるエポキシ化脂肪酸モノエステル、
（ｉｉ）エポキシ化大豆油、エポキシ化亜麻仁油、及びこれらの混合物、モノ−及び／又はジグリセリドを実質的に含まないエポキシ化脂肪酸モノエステル及びエポキシエステルから選択されるエポキシエステルであって、ここでエポキシエステルとエポキシ化脂肪酸モノエステルとが、エポキシエステル／エポキシ化脂肪酸モノエステルの重量比  １／３〜３／１の量で存在する、
（ｉｉｉ）過塩素酸金属塩、及び
（ｉｖ）フタル酸エステル、ハロゲン化フタル酸エステル、ジカルボン酸の脂肪族エステル、ジカルボン酸のポリマーエステル、クエン酸エステル、スクロースエステル、レブリン酸ケタールエステル、リン酸エステル、アルキルフェノールスルホン酸エステル、ピロリドン又はそれらの混合物から選択される通常の可塑剤
を含む可塑剤組成物であって、エポキシ化脂肪酸モノエステルの通常の可塑剤に対する重量比が１：５〜３：１である、上記可塑剤組成物。
【請求項５】
過塩素酸金属塩が、過塩素酸ナトリウム又はカリウムである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の可塑剤組成物。
【請求項６】
ハロゲン化ポリマー、及び請求項１〜４のいずれか一項に記載の可塑剤組成物を含む、可塑化ハロゲン化ポリマー組成物。
【請求項７】
ハロゲン化ポリマーがＰＶＣである、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の可塑剤組成物を含むＰＶＣ物品。
【請求項９】
軟質ＰＶＣをさらに含む、請求項８に記載のＰＶＣ物品。
【請求項１０】
軟質ＰＶＣが、ワイヤ及びケーブルのジャケット及び絶縁材、装飾シート、屋根材膜、農業用及び包装用フィルム、ホース、チューブ、床被覆材、シャワーカーテン、カーペット裏打ち材、内装及び外装材、シーラント及びコーティング材、自動車パーツ、並びに人工皮革に用いられる、請求項９に記載のＰＶＣ物品。
【請求項１１】
さらに酸化防止剤を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の可塑剤組成物。
【請求項１２】
酸化防止剤が、ペンタエリトリトールテトラキス（３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート）、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート、又は、２，２’−メチレン−ビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）である、請求項１１に記載の可塑剤組成物。
【請求項１３】
過塩素酸金属塩が、過塩素酸ナトリウムである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の可塑剤組成物。
【請求項１４】
酸化防止剤が、ペンタエリトリトールテトラキス（３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート）である、請求項１２に記載の可塑剤組成物。
【請求項１５】
酸化防止剤が、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナートである、請求項１２に記載の可塑剤組成物。
【請求項１６】
酸化防止剤が、２，２’−メチレン−ビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）である、請求項１２に記載の可塑剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月10日(2015.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外輪に対して内輪の回転運動を可能にするように構成された転動体を介在させて外輪の内側に配置された内輪と、
軸受のハウジングに収容されるように構成された外径面、および外径面と内径面との間に延びる側面を備える内径面を有する外輪と、
ステータおよびロータを備える軸受に配置されるアイソレータシールであり、ステータが、外輪に着脱可能に取り付けられ、軸受内輪に回転可能に係合し、ロータが、軸受内輪に着脱可能に取り付けられ、ロータが、半径方向外側に延び、かつステータに回転可能に係合する延長部材を有し、延長部材が、軸方向に延び、かつ外輪側面に回転可能に係合するワイパ部材を有し、ロータおよびステータが、非弾性材料によってモノリシックに形成され、ロータおよびステータは、アイソレータシールが軸受に取り付けられかつ軸受が通常運転にある場合に、ロータおよびステータを回転可能にする少なくとも１つの協働する環状溝および環状隆起部を備えた隣接表面を有する、アイソレータシールと
を備える、軸受アセンブリ。
【請求項２】
ステータが、外輪内径面に合致する外面を有する、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項３】
ロータが、シールリングを備える内面を有する、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項４】
シールリングが、ロータを内輪に固定する、請求項３に記載の軸受アセンブリ。
【請求項５】
ステータが、外輪内径面と協働する溝付き外径面を有する、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項６】
ステータが外輪に固定される、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項７】
アイソレータシールが、ポリテトラフルオロエチレンを含む、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項８】
ステータが、内輪との密封接触した使用に耐えるように寸法決めされる、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項９】
ロータワイパ部材が、外輪側面との密封接触した使用に耐えるように寸法決めされる、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項１０】
ロータ延長部材が、ステータとの密封接触した使用に耐える、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項１１】
ステータが、軸方向に延び、かつロータに回転可能に係合する封止部材を有する、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項１２】
ステータが、外輪とシールを形成する、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【請求項１３】
ロータが、内輪とシールを形成する、請求項１に記載の軸受アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電容量型圧力計アセンブリ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図５は、本開示による静電容量型圧力計（または静電容量型圧力計アセンブリ）５００の一部を示す図であり、ダイヤフラム、バッフル、およびガード構造を有する電極構造体の詳細を示す。装置５００は、電極構造体５０４とバッフル５１４の間に位置するダイヤフラム５０２を有する。バッフル５１４は、図示のとおり、ダイヤフラム５０２に隣接する領域へガスを導入する１または複数の開口部５１６を有する。電極構造体５０４は、内側電極５０６および外側電極５０８を有する。使用時には、ダイヤフラム５０２が、内側電極と外側電極の共通電極を形成する（内側キャパシタと外側キャパシタを効率的に形成することができる）。ダイヤフラムは、実施の形態によっては、共通電極として用いられるために、特定または専用の構造を用いてもよい。電極やダイヤフラムは、回路（図示せず）の一部として電気的に接続することができ、例えばダイヤフラム５０２のたわみに基づく静電容量測定に適したブリッジを形成することができる。電極には、銅、銀、それらを含む組成物等の、任意の適切な導電性材料を使用することができる。内側電極５０６と外側電極５０８の間には、例えばギャップ５１２内に示すようなガード構造すなわちガード５１０が位置する。また、静電容量型圧力計アセンブリ５００は、ダイヤフラム５０２（具体的にはダイヤフラム５０２の外周）が電極構造体５０４に対して制約を受けるよう、ダイヤフラム５０２を支持するように配置された支持構造体（図示せず）を有することができる。圧力計５００については１つのバッフルしか図示していないが、実施の形態によっては２以上のバッフルを用いてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図１１は、本開示による静電容量型圧力計１１００の電極およびガード構造の他の実施例の側面略図である。静電容量型圧力計１１００は筐体１１０１を有し、筐体１１０１は、ダイヤフラム１１０２と、注入口１１０３と、装置内に導入されたガスの圧力を測定する電極およびガード構造１１０４を有する。電極およびガード構造１１０４は、構造１１０４上で内側ガード１１１０および外側ガード１１１２によって分離される内側電極１１０６および外側電極１１０８を有する。内側ガード１１１０および外側ガード１１１２は、１または複数のギャップ１１１１によって分離される。周辺ガード１１１４も存在する。バッフル１１２０は、所望の戦略的位置に１または複数の開口部１１２２を有する。理解を助けるために、簡略化した電気接続を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の材料を含むダイヤフラムと、
内側電極と、外側電極と、前記内側電極と前記外側電極の間に配設された導電性ガード構造とを有する電極構造体と、
前記ダイヤフラムが前記電極構造体に対して制約を受けるように、また、前記ダイヤフラムが前記内側電極および前記外側電極から離間され、かつ前記圧力計のアライメント軸に対して前記内側電極および前記外側電極と軸方向に整列されるよう配置された支持構造体と、
前記ダイヤフラムに隣接する領域へガスを導入するよう構成された１または複数の開口部を有するバッフルと、
を備え、
前記ダイヤフラムは、前記電極構造体に対して（ｉ）前記ダイヤフラムの両側面の圧力が等しいゼロ位置と（ｉｉ）最大測定可能差圧が前記ダイヤフラムに印加された場合の最大差圧位置との間で可動であり、
前記バッフルは、反応性ガスによる前記ダイヤフラムの表面変形の影響を低減するよう構成されることを特徴とする静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項２】
前記導電性ガード構造は連続したガードを有することを特徴とする請求項１に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項３】
前記導電性ガード構造は、ギャップによって分離された内側ガードおよび外側ガードを備えることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項４】
前記導電性ガード構造は、前記電極構造体の前記外側電極に隣接した位置に、前記電極構造体の中心から径方向に離れて配置された第３のガード構造を備えることを特徴とする請求項３に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項５】
前記バッフルの１または複数の開口部は、前記静電容量型圧力計アセンブリの前記アライメント軸に平行な方向に、前記ダイヤフラムの前記電極間のギャップまたは前記電極のうち１つと前記導電性ガード構造との間のギャップと整列されることを特徴とする請求項３に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項６】
前記ダイヤフラムは超合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項７】
ガスを導入する注入口を有する筐体をさらに備え、
前記ダイヤフラム、前記電極構造体、前記支持構造体、および前記バッフルは、前記筐体内に配置されることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項８】
前記外側電極は、第１の端部および第２の端部を有する非連続の電極を備え、前記第１の端部および第２の端部は分離されていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項９】
前記バッフルの１または複数の開口部は、前記静電容量型圧力計アセンブリの前記アライメント軸に平行な方向に、前記ダイヤフラムの前記導電性ガード構造と整列されることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項１０】
前記導電性ガード構造は、ギャップによって分離された内側ガードおよび外側ガードを備えることを特徴とする請求項９に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項１１】
前記導電性ガード構造は、前記電極構造体の前記外側電極に隣接した位置に、前記電極構造体の中心から径方向に離れて配置された第３のガード構造を含むことを特徴とする請求項１０に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【請求項１２】
前記バッフルの１または複数の開口部は、前記静電容量型圧力計アセンブリの縦軸に平行な方向に、前記ダイヤフラムの前記導電性ガード構造の内側の３分の１と整列され、
前記電極構造体は、前記電極構造体の中心から径方向に、内側、中央、および外側に３等分されることを特徴とする請求項９に記載の静電容量型圧力計アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムのハウジング内の検体ガスを検知するための少なくとも一つの電気化学センサを有する前記システムを検査する方法であって、
前記システムの前記ハウジングが、吸気口と、前記ハウジング内の第二センサと、拡散障壁であって、ガスがそこを通って拡散するが液体がそこを通る移動性を制限した拡散障壁とを有し、前記拡散障壁が、前記吸気口の外部環境と前記電気化学センサおよび前記第二センサとの間にあるように、前記電気化学センサおよび前記第二センサは、前記システムの前記ハウジング内に配置され、
前記システムの前記ハウジングの前記吸気口付近に息を吹き込むことと、
前記システムの前記吸気口と前記少なくとも一つの電気化学センサとの間で、前記拡散障壁を通過する移送経路を含む前記システムの一以上の移送経路を検査するために吹き込んだ息に対する前記第二センサの非分析的な反応を測定することと、
前記検体ガスの存在を電子的にシミュレートすることと、
前記電子シミュレーションに対する前記電気化学センサの反応を測定することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記吹き込んだ息に対する前記第二センサの前記非分析的な反応の測定が、前記吹き込んだ息によって影響された濃度を有する化学種に対する前記第二センサの前記非分析的な反応を測定することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第二センサが、吹き込んだ息内のガスに反応する電気化学的活性電極を備え、前記第二センサの前記非分析的な反応を測定することは、前記電気化学的活性電極の前記非分析的な反応を測定することを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記電気化学的活性電極が二酸化炭素または酸素に反応する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
定電流を前記電気化学センサの第一の作用電極と対抗電極との間に流し、前記測定される反応が電位差である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記電気化学センサの第一の作用電極と対抗電極との間に定電位差が保持され、前記測定される反応が電流である、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記電気化学センサが電流測定センサである、請求項１記載の方法。
【請求項８】
少なくとも一つの検体ガスを検知するためのシステムであって、
吸気システムを備えているシステムハウジングと、
拡散障壁であって、ガスがそこを通って拡散するが液体がそこを通る移動性を制限した拡散障壁と、
前記システムハウジング内にあり、前記拡散障壁を介して前記吸気システムと流体的に接続し、前記少なくとも一つの検体ガスに反応する電気化学ガスセンサと、
前記システムハウジング内にあり、前記拡散障壁を介して前記吸気システムと流体的に接続し、前記電気化学センサが反応する前記少なくとも一つの検体ガスまたは模擬ガスの追加による以外の前記吸気システム付近に作り出された少なくとも一つの駆動力に反応し、前記吸気システムと前記拡散障壁を通過する移送経路を含む前記電気化学ガスセンサとの間の移送経路の状態の指標を与える少なくとも一つの他のセンサと、
前記検体ガスの存在を電子的にシミュレートするように前記電気化学ガスセンサに電気的に接続された電力供給装置と、
前記電子シミュレーションに対する前記電気化学ガスセンサの反応を測定する電気回路と、を備えている、システム。
【請求項９】
前記駆動力が、息の吹き込みによって引き起こされるガス濃度の変化、湿度の変化、温度の変化、圧力の変化、または流量の変化である、請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの他のセンサは、前記少なくとも一つの駆動力に対する電気化学的活性電極を備える、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記電力供給装置は、前記電気化学ガスセンサの第一の作用電極と対抗電極との間に電流を流すように構成され、前記測定された反応は、電位差である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記電力供給装置は、前記電気化学ガスセンサの第一の作用電極と対抗電極との間に電位差を保持するように構成され、前記測定された反応は、電流である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記電気化学ガスセンサは、電流測定センサである、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記電気化学ガスセンサは、前記検体ガスに反応する第一の作用電極を備え、前記少なくとも一つの他のセンサは、前記少なくとも一つの駆動力に反応する第二の作用電極を備える、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
前記電気化学ガスセンサは、内部に少なくとも一つの吸気口を備えたセンサハウジングを備え、前記第一の作用電極および前記第二の作用電極は、前記センサハウジング内に配置されている、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第一の作用電極および前記第二の作用電極のそれぞれは、拡散膜上に置かれた電極触媒活性物質を個々に備える、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第一の作用電極は、第一の拡散膜上に置かれた電極触媒活性物質を備え、前記第二の作用電極は、第二の拡散膜上に置かれた電極触媒活性物質を備える、請求項１５に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月24日(2015.2.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３９】
前記少なくとも１つのプロセッサが、
前記識別された非保護かつ使用可能サブフレームに関連する前記測定された干渉が前記しきい値を下回ったとき、低干渉メッセージを通信することを行うようにさらに構成された、請求項３４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計算デバイスであって、
インフラストラクチャ・ベースのネットワークとピア・ツー・ピア・グループへ前記計算デバイスを同時に接続するように構成された無線装置と、
それぞれ命令を格納し実行するメモリーとプロセッサーであって、前記命令が、少なくとも、
複数のポートをソフトウェアで実施するドライバーであって、前記複数のポートが、
前記インフラストラクチャ・ベースのネットワークへのインフラストラクチャ・モード接続に関連したインフラストラクチャ・モード・ポートであって、前記インフラストラクチャ・ベースのネットワークが、特定のワイヤレス仕様の周波数範囲で動作する、インフラストラクチャ・モード・ポートと、
制御ポートであって、該制御ポートを介して、前記ピア・ツー・ピア・グループへのピア・ツー・ピア接続が、前記特定のワイヤレス仕様の前記周波数範囲における通信を介して確立される、制御ポートと、
前記ピア・ツー・ピア・グループへのインターフェースを提供するピア・ツー・ピア通信ポートであって、前記ピア・ツー・ピア・グループが、前記特定のワイヤレス仕様の前記周波数範囲で動作する、ピア・ツー・ピア通信ポートと、
を含む、ドライバーと、
オペレーティング・システムであって、前記ドライバーと対話し、前記制御ポートを介してピア・ツー・ピア接続を確立し、前記ピア・ツー・ピア通信ポートを介して前記ピア・ツー・ピア・グループと通信するように構成された、オペレーティング・システムと
に組織された、メモリーとプロセッサーと、
を含む計算デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の計算デバイスであって、前記オペレーティング・システムは、更に、前記ピア・ツー・ピア接続を介して前記計算デバイスと結合されたディスプレイ・デバイスのオーディオ／ビデオ特性を制御するコマンドを、前記制御ポートを通じて送信するように構成される、計算デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の計算デバイスであって、
前記ドライバーは、メディア・アクセス・コントロール（ＭＡＣ）アドレスと前記制御ポートとを関連付けることにより前記制御ポートを実施し、
前記ドライバーは、前記無線装置に、前記制御ポートの前記ＭＡＣアドレスと関連する制御フレームを送信させる、
計算デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の計算デバイスであって、
前記制御フレームは、パブリック・アクション・フレームおよびサービス発見フレームを含む、
計算デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の計算デバイスであって、
前記オペレーティング・システムは、更に、前記ピア・ツー・ピア通信ポートの作成を要求するコマンドを前記ドライバーへ送信するように構成された、
計算デバイス。
【請求項６】
ソフトウェア・ドライバーにより制御されるワイヤレス無線装置を有する計算デバイスを動作させる方法であって、該方法が、少なくとも１つのプロセッサーにより、
制御ポートを実施するコマンドを前記ソフトウェア・ドライバーへ提供し、前記制御ポートを介してピア・ツー・ピア・デバイスへの第１のワイヤレス接続が確立され、
前記ソフトウェア・ドライバーに少なくとも１つのコマンドを前記制御ポートを介して送信し、前記少なくとも１つのコマンドが、前記ソフトウェア・ドライバーが前記ワイヤレス無線装置を命令してアクション・フレームを送信させるための要求であり、
前記少なくとも１つのコマンドのうちの１以上のコマンドに対する前記ソフトウェア・ドライバーからの応答を、前記制御ポートを通じて受信し、
前記少なくとも１つのコマンドのうちの前記１以上のコマンドに対する前記応答に基づいて、少なくとも１つのリモート・デバイスとの前記第１のワイヤレス接続を確立するために、前記第１のワイヤレス接続における前記計算デバイスの役割を決定し、
少なくとも１つの他のコマンドを前記ソフトウェア・ドライバーへ提供し、前記少なくとも１つの他のコマンドが、前記ソフトウェア・ドライバーがピア・ツー・ピア通信ポートを実施し、前記第１のワイヤレス接続における前記計算デバイスの決定された前記役割のために前記ピア・ツー・ピア通信ポートを構成するための要求であり、
前記ピア・ツー・ピア通信ポートを通じてかつワイヤレス仕様の周波数範囲における１つ以上の周波数でのワイヤレス通信を介して、前記少なくとも１つのリモート・デバイスとデータ・パケットを交換し、
ステーション・ポートを通じて前記ソフトウェア・ドライバーと対話し、該対話が、アクセス・ポイントと第２のワイヤレス接続を形成すること、前記ワイヤレス仕様の前記周波数範囲における１つ以上の他の周波数を介して前記アクセス・ポイントと通信することを含む、
ことを含む方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのリモート・デバイスはディスプレイ・デバイスを含み、
前記データ・パケットはオーディオ／ビデオ・コンテンツを含み、
前記方法は更に、前記ディスプレイ・デバイスでの前記オーディオ／ビデオ・コンテンツの提示における少なくとも１つのオーディオ／ビデオ特性を制御するため、コマンドを前記制御ポートを通じて送信することを含む、
方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、
前記計算デバイスの役割を決定することは、グループ・オーナーまたはクライアントの役割を選択することを含む、
方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
前記ソフトウェア・ドライバーは、前記計算デバイスのオペレーティング・システムへ前記ワイヤレス無線装置をインターフェースし、
前記第１ワイヤレス接続と前記第２ワイヤレス接続とは、前記ソフトウェア・ドライバーにより前記ワイヤレス無線装置を介して同時に維持される、
方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、前記方法は更に、
前記制御ポートを通じて前記ドライバーと対話して、一組のピア・ツー・ピア・リモート・デバイスとの第３ワイヤレス接続を確立し、前記第３ワイヤレス接続における前記計算デバイスの役割を決定し、
前記ドライバーへ少なくとも１つの追加コマンドを提供し、該少なくとも１つの追加コマンドが、前記ソフトウェア・ドライバーが、第２のピア・ツー・ピア通信ポートを実施し、前記第３のワイヤレス接続における前記計算デバイスの決定された前記役割のために前記第２のピア・ツー・ピア通信ポートを構成するための要求を含み、
前記第３通信ポートを通じて前記組のピア・ツー・ピア・リモート・デバイスとデータ・パケットを交換する
ことを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電気泳動測定方法であって、
分散剤を保持する容器を提供する工程と、
前記分散剤中に浸漬された第１電極を提供する工程と、
前記分散剤中に浸漬された第２電極を提供する工程と、
前記第１電極と前記第２電極の間の分散剤内の位置に、両電極から分離された状態で試料を配置する工程と、
前記第１電極および前記第２電極にわたって交流電界を印加する工程と、
前記試料に時間的にコヒーレントな光を照射する工程と、
前記交流電界を印加する工程中に前記試料と相互作用した、前記照射する工程による光において周波数シフトを検出する工程と、
前記検出する工程の結果に基づいて、前記試料の特性を導出する工程と
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記検出する工程は、前記交流電界が印加された状態で相当量の前記試料が前記第１電極および前記第２電極のいずれかまで拡散し得る時間よりも短い時間で行われる、請求項１に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
電気泳動装置であって、
容器と、
第１電極と、
第２電極と、
試料位置と前記第１電極との間の第１拡散バリアと、
前記試料位置と前記第２電極との間の第２拡散バリアと、
前記試料位置を照射するために配置される時間的にコヒーレントな照射光の光源と、
前記試料と相互作用した後の前記試料位置からの照射光を受け入れるように配置される周波数シフト検出器と
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月10日(2015.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光電気パッケージであって、当該発光電気パッケージが、
実質的に透明な非金属導電材料を含む第１の電極層と、
前記第１の電極層上に配置され、励起時に前記パッケージの発光領域を定める複数の発光素子と
を備えており、前記第１の電極層が周辺領域を含み、前記第１の電極層に隣接し且つ前記周辺領域の少なくとも一部の上に蒸着細長バスが配置され、該蒸着細長バスが、前記第１の電極層の長さ寸法にわたって電流を拡散するよう構成されており、前記蒸着細長バスが導電性材料の薄膜を含んでいて、前記薄膜が１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有しており、当該発光電気パッケージが、前記薄膜に隣接した補足的な細長バスを更に備えていて、前記補足的な細長バスが、導電性接着材料のフィルム間に挟装された金属箔の構造体を含んでいる、発光電気パッケージ。
【請求項２】
前記発光素子の少なくとも１つが、第２の電極層と、該第２の電極層及び前記第１の電極層の間に少なくとも部分的に挟装された有機エレクトロルミネセント層とを含む、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項３】
前記電気パッケージが、可撓性及び／又は共形性であるように構成され、大面積デバイスの一部である、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項４】
前記周辺領域の少なくとも一部が、前記パッケージの非発光領域であり、前記細長バスが前記非発光領域に少なくとも部分的に配置される、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項５】
前記細長バスが、延性及び／又は可撓性構造を含み、導電性であり、前記パッケージの発光領域にわたって一様な輝度を強化するよう構成されている、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項６】
前記細長バスがバス材料を含み、前記実質的に透明な非金属導電材料が電子親和力を有し、前記バス材料が、前記電子親和力の３０％以内である仕事関数を有する、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項７】
前記細長バスが、１００ＧＰａ未満の剛性係数を有するバス材料を含む、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項８】
前記細長バスが、Ａｌ、  Ｓｎ、  Ｓｂ、  Ｎｉ、  Ｍｏ、  Ｇａ、  Ｃ、  Ｉｎ、  Ｚｎ、並びにこれらの合金、複合材及び組合せから選択されたバス材料を含む、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項９】
前記複数の発光素子が、直列、並列、又は直並列配列で電気的に結合される、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項１０】
前記非金属導電性材料が、透明な導電性酸化物又は透明な導電性有機ポリマーを含む、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項１１】
前記複数の発光素子の密閉のため透明障壁と裏側層とを更に備える、請求項１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項１２】
裏側層が、前記複数の発光素子を外部バスに電気的に結合するのを促進するための少なくとも１つの貫通アパーチャを含み、前記パッケージのアノード又はカソードに導電性パッチが電気的に結合され、該パッチが前記少なくとも１つの貫通アパーチャを覆う、請求項１１に記載の発光電気パッケージ。
【請求項１３】
前記導電性パッチが前記細長バスと電気的に導通している、請求項１２に記載の発光電気パッケージ。
【請求項１４】
共形性大面積発光電気パッケージであって、当該発光電気パッケージが、
透明な導電性酸化物を含むほぼ平坦なアノード層と、
前記アノード層上に配置された複数の有機発光素子と
を備えており、前記発光素子の少なくとも１つが、有機エレクトロルミネセント層及びカソード層を含み、前記複数の発光素子が、通電時に前記パッケージの発光領域を定め、前記アノード層が更に非発光の周辺領域を含み、前記アノード層に隣接し且つ前記非発光の周辺領域の少なくとも一部上に蒸着細長バスが配置され、該蒸着細長バスがバス材料を含み、前記透明な導電性酸化物が電子親和力を有し、前記バス材料が、前記電子親和力の３０％以内である仕事関数を有し、前記細長バスが、前記アノード層の長さ寸法にわたって電流を拡散するよう構成されており、前記蒸着細長バスが導電性材料の薄膜を含んでいて、前記薄膜が１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有しており、当該発光電気パッケージが、前記薄膜に隣接した補足的な細長バスを更に備えていて、前記補足的な細長バスが、導電性接着材料のフィルム間に挟装された金属箔の構造体を含んでいる、発光電気パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月28日(2014.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
バンドギャップが高い材料における高いドーピングレベルの達成は、数十年間難しい問題であり続けている。これが、ＩＩＩ−Ｖ族材料、例えばリン化物および窒化物半導体における高レベルのＰ型ドーピングの妨げとなっている。これは、アクセプターの溶解性が制限される、Ｈによりアクセプターが不動態化される、およびアクセプターの空孔の結合エネルギーが高いなど、いくつかの要因で生じる可能性がある［１０、１１］。ＧａＩｎＰ、ＧａＰ、およびＧａＡｓで高いＰ型ドーピングレベルを達成する効果的なアプローチでは、有機金属気相エピタキシー（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｖａｐｏｒ−ｐｈａｓｅ  ｅｐｉｔａｘｙ：ＯＭＶＰＥ）での成長中に界面活性剤を使用する［６〜８］。例えば最近の研究では、Ｓｂを使用すると、ドーパント、例えばＺｎ［７、８］の導入を強化でき、また意図しない不純物、例えばＣ、Ｓ、およびＳｉ［８］の混入を低減できることが示された。Ｓｂのほか、表面にＨを適用してもドーピング工程で一定の役割を果たすと仮定された［７、８］。Ｚｎドーピングの増強は、動的および／または熱力学的要因によるものと推測された。Ｓｂが存在するとＺｎの表面拡散が高まり、Ｚｎがより多くステップ端に到達して膜に導入できるようになる。また、中性Ｚｎ−Ｈ複合体は、単離したＺｎより低い膜ドーピングエネルギーを有する［７］。ただしその根底にある、界面活性剤に関連したドーピングの機序については、微小なドーピング工程を直接観察できないことから、現在も理解が不十分なままである。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第６，８５８，５１９号明細書
（特許文献２）  米国特許第６，８６２，３１２号明細書
（特許文献３）  米国特許第７，１２２，７３４号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２００７／０００６８０１号明細書
（特許文献５）  米国特許出願公開第２００７／００６８５７２号明細書
（特許文献６）  米国特許出願公開第２００９／００７８３１１号明細書
（特許文献７）  米国特許第８，４１０，４９６号明細書
（特許文献８）  米国特許第８，４１０，５２３号明細書
（特許文献９）  米国特許第３，１４６，１３７号明細書
（特許文献１０）  米国特許第６，６２５，１８７号明細書