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　平成　７年特許願第２０３１１５号「絶縁体層の金属フィーチャを作成する方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　７月２３日出願公開、特開平　８−１９１０４７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１，発明の要旨
　本願は平成7年8月9日の出願（優先権主張1994年8月15日米国）であって、その発明の要旨は、平成11年6月30日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】絶縁体層内に金属フィーチャを作成する方法であって、（ａ）表面下に埋設され表面に平行な導体層を有する基板上に平坦化された絶縁体層を設けるステップと、
（ｂ）前記絶縁体層上に窒化チタンの第１の層を付着させるステップと、
（ｃ）前記第１の層上にフォトレジストを付着させ、これを露光及び現像して前記絶縁体層および前記第１の層の両方をエッチングすることにより、複数のバイアまたはチャネルを形成するステップと、
（ｄ）前記第１の層の少なくとも一部および前記複数のバイアまたはチャネルの少なくとも一部にチタンまたは窒化チタンの第２層を付着させるステップと、
（ｅ）前記第２層の少なくとも一部の上、および前記複数のバイアまたはチャネルの少なくとも一部に金属を付着させるステップと、
（ｆ）平坦化された絶縁体層の上部表面から、化学機械研磨を用いたエッチバック平坦化により前記金属、前記第１および第２の層をすべて除去して前記複数のベイアまたはチャネルにメタライゼーションのパターンを作るステップとを含む方法。」
２，引用例
　一方、原査定の拒絶理由書において引用した特開平5-326722号公報（以下「第１引用例」という。）には、以下のような内容が記載されている。
「【０００９】【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明する。
【００１０】半導体装置の配線層の形成方法を工程順に説明するための断面図である図１を参照すると、本発明の第１の実施例は、まず、Ｐ型のシリコン基板１０１の表面に，Ａｓのイオン注入と熱処理とにより、Ｎ型の拡散層１０２が形成される〔図１（ａ）〕。
【００１１】次に、ＣＶＤ法により、膜厚１μｍのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１０３が形成される。通常のリソグラフィー技術とエッチング技術とにより、拡散層１０２に達する０．６μｍの径を有するコンタクトホール１０４が形成される〔図１（ｂ）〕。
【００１２】次に、反応性スパッタ法により、膜厚０．１μｍの窒化チタン膜が全面に形成される。続いて、水素と６弗化タングステン（ＷＦ６ ）ガスとを用いたＣＶＤ法により、窒化チタン膜の表面全面に、膜厚０．３μｍのタングステン膜が形成される。これにより、コンタクトホ−ル１０４がこれら窒化チタン膜、タングステン膜により完全に埋め込まれる。６弗化硫黄（ＳＦ6）ガスを用いたプラズマエッチングにより、層間絶縁膜１０３上のタングステン膜，および窒化チタン膜がエッチング除去され、コンタクトホール１０４部分を埋め込む姿態で窒化チタン膜１０５、およびタングステン膜１０６が残留する〔図１（ｃ）〕。 」
　第１引用例の上記記載と図１によれば、同引用例には、拡散層を有するシリコン基板上に、層間絶縁膜を形成し、通常のリソグラフィーとエッチングによりコンタクトホールを形成し、その上に窒化チタン膜を形成し、コンタクトホールを埋め込むようにしてタングステン膜を窒化チタン膜上にＣＶＤで形成し、６沸化硫黄ガスを用いたプラズマエッチングによりタングステン膜と窒化チタン膜とを除去してタングステン膜をコンタクトホール内に残留させるようにした金属膜の接続孔内埋め込み方法が記載されている。
　同じく引用した特開平6-85075号公報（以下「第２引用例」という。）には、以下のような内容が記載されている。
「【００１４】【実施例】図１，２は、この発明の一実施例による多層配線形成法を示すもので，各々の図に対応する工程（１），（２）を順次に説明する。
【００１５】（１）例えばシリコンからなる半導体基板１０の表面には、選択酸化処理によりシリコンオキサイドからなるフィールド絶縁膜１２を形成した後、熱酸化法によりシリコンオキサイドからなるゲート絶縁膜１２Ｇを形成する。そして、基板上面には、ＣＶＤ法等によりポリシリコン等の電極材を４００［ｎｍ］程度の厚さに被着してパターニングすることにより配線層１４及びゲート電極層１４Ｇを形成する。
【００１６】次に、基板上面には、ＣＶＤ法により配線層１４及びゲート電極層１４Ｇを覆ってＢＰＳＧ（ボロン・リンケイ酸ガラス）からなる層間絶縁膜１６を形成する。そして、 絶縁膜１６を９００℃程度の熱処理によりフロ−させることにより下方の配線層等による段差の軽減を図る。このように段差軽減処理を行なっても、図１に示したように配線層の膜厚に相当するうねりが残る。
【００１７】次に、絶縁膜１６の上にスパッタ法等によりＡｌ−Ｃｕ等のＡｌ合金を被着してバターニングすることにより配線層１８を形成する。図１に示したように配線層１８を絶縁膜１６の段差に重ねて形成した個所では、特にレジスト露光時に光反射が広がり易いので、反射防止対策の必要性が高い。
【００１８】次に、絶縁膜１６の上に配線層１８を覆って、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ2とＳＯＧ（スピン・オン・ガラス）とからなる層間絶縁膜２０を形成する。そして、絶縁膜２０の上には，反射防止膜２２として例えば２０〜２００［ｎｍ］の厚さのＴｉＮ膜を形成する。ＴｉＮ膜の形成方法としては、　Ｔｉターゲットを用いるＡｒとＮ2による反応性スパッタリングやＴｉＣｌ4ガスを用いるＥＣＲプラズマＣＶＤを使用可能である。
【００１９】次に、基板上面に回転塗布法等によりレジスト層２４を形成する。そして、接続孔形成のための露光処理をレジスト層２４に施す。すなわち、露光マスク２６において所望の接続孔に対応した透光部２６Ａを介して紫外光ＵＶをレジスト層２４に照射し、レジスト層２４に接続孔パタ−ンを焼き付ける。この後、レジスト層２４に現像処理を施すと、レジスト層２４には、露光マスク２６の透光部２６Ａに対応した開口部が形成される。
【００２０】（２）次に、開□部を有するレジスト層２４をマスクとするドライエッチング処理により絶縁膜２０及び反射防止膜２２に接続孔２８を形成する。絶縁膜２０の上に反射防止膜を形成しておいたので、レジスト露光時に絶縁膜２０や配線層１８からの光反射が抑制され、現像処理後のレジスト層２４には設計通りの開□部が形成され、この後の選択エッチング処理では設計通りの接続孔２８が得られる。従って、レジストの開口パターンのゆがみや広がりを考慮して配線層１８の幅を大きくとっておく必要がないので、集積度の向上が可能となる。
【００２１】次に、レジスト層２４を除去する。そして、基板上面にＡｌ又はＡｌ合金等の配線材を被着してバターニングすることにより配線層３０を形成する。このときのパターニングでは、反射防止膜２２の残存部２２Ａも同時にパターニングされ、該残存部２２Ａは、配線層３０の一部として用いられる。…・・」
　また、同引用例には、反射防止膜２２の膜厚と入射する光の波長との関係性について、以下のような内容が記載されている。
「【００２６】すなわち、レジスト層２４に入射した光は、レジスト層２４中を進行してＴｉＮ膜２２とレジスト層２４との界面に達し、この界面にて光の一部が反射されるが、残りの光は、減衰しながらＴｉＮ膜２２中を進行してＴｉＮ２２と絶縁膜２０との界面に達する。…
【００２７】そこで、光がＴｉＮ膜２２を通過しないようにＴｉＮ膜２２の厚さを制御する必要がある。図４〜７は、露光用の紫外光としてｇ線（波長４３６ｎｍ）を図３に示すように垂直入射した場合において、ＴｉＮ膜２２の厚さ（ＴｉＮ膜厚）ａと反射率Ｉｒ／Ｉｏとの関係を絶縁膜２０の厚さ（層間膜厚）ｄをパラメータとして計算した結果を示すものである。…」
　第２引用例の上記前半の記載と図１〜２によれば、同引用例には、シリコン基板の上に、層間絶縁膜を形成し、配線層を形成し、第２の層間絶縁膜を形成し、その上に反射防止膜としての窒化チタン膜を形成し、その後、レジスト層塗布とフォトグラフィーにより開口部を形成し、開口部とその周辺の絶縁膜上にＡｌまたＡｌ合金の配線剤材を形成するようにし多層配線の形成法が記載されている。また、同引用例の上記後半の記載と図４〜７によれば、ＴｉＮ膜が反射防止機能を有するには入射する光の波長に対して所定の膜厚が必要であることが示されている。
　
３，対比
　本願発明と第１引用例記載の発明とを対比すると、本願発明おける「チタンまたは窒化チタンの第２層」は第１引用例の発明の「窒化チタン膜」に対応し、本願発明における「複数のバイアまたはチャンネル」は、第１引用例の発明における「コンタクトホール」（通常複数である）に対応するから、両者は「絶縁体層内に金属フィーチャを作成する方法であって、（ａ）表面下に埋設され表面に平行な導体層を有する基板上に絶縁体層を設けるステップと、
（ｃ）前記絶縁体層上にフォトレジストを付着させ、これを露光及び現像して前記絶縁体層をエッチングすることにより、複数のバイアまたはチャネルを形成するステップと、
（ｄ）前記絶縁体層の少なくとも一部および前記複数のバイアまたはチャネルの少なくとも一部に窒化チタンの第２層を付着させるステップと、
（ｅ）前記第２層の少なくとも一部の上、および前記複数のバイアまたはチャネルの少なくとも一部に金属を付着させるステップと、
（ｆ）絶縁体層の上部表面から、エッチバック平坦化により前記金属、前記第２の層を除去して前記複数のバイアまたはチャネルにメタライゼーションのパターンを作るステップとを含む方法。」という点で一致する。しかしながら、両者は以下の各点で相違する。
Ａ、本願発明における絶縁体層が平坦化されたものであるのに対し、第１引用例の発明においては、図１では平坦化されて描いてはあるものの、発明の詳細な説明にはその点は明記されていない（相違点Ａ）。
Ｂ、本願発明においては、バイア又はチャンネルを形成する前の絶縁体層上に窒化チタンの第１の層を付着させるステップを有するのに対して、第１引用例の発明においては、そのようなステップは存在しない（相違点Ｂ）。
Ｃ、本願発明においては、金属を付着させた後のエッチバックを化学機械研磨を用いて平坦化しているのに対し、第１引用例の発明においては、金属を付着させた後のエッチバックをプラズマエッチングによって行う（相違点Ｃ）。
Ｄ、本願発明においては、エッチバック平坦化により、金属と、第１の層と、第２の層の全ての層を除去するものであるのに対し、第１引用例の発明おいては、エッチバック平坦化により、金属と、第２の層のみを除去するものである（相違点Ｄ）。
　よって、上記各相違点につき以下検討する。
Ａ、相違点Ａについて
　バイアまたはチャンネルを形成する前の絶縁体層を平坦化することは従来より周知慣用されていることであるから、第１引用例にその旨の記載がなくとも、絶縁体層の表面が平坦化されて描かれている図１によりその絶縁体層は平坦化されているものと十分に推定できるから、第１引用例の絶縁体層は平坦化されており、この点において両者の間に実質的な差異はないものと認められる。
Ｂ、相違点Ｂについて
　上記第２引用例には、シリコン基板上の配線層を形成した第２の層間絶縁膜上に反射防止膜としての窒化チタン膜を形成し、その後、開口部を形成し配線用金属を形成するようにした多層配線の形成法が記載されており、バイア又はチャンネル（コンタクトホール）を形成する前の絶縁体層上に窒化チタンの層を付着させることは公知であるから、第１引用例の発明において、バイア又はチャンネル（コンタクトホール）を形成する前の絶縁体層上に窒化チタンの層を付着させるステップを設けることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
Ｃ、相違点Ｃについて
　金属を付着させた後、化学機械研磨を用いてエッチバック平坦化して金属をバイアまたはチャンネル内に残留させることは、周知慣用されていることである（例えば、特開平6-69353号公報を参照のこと）から、第１引用例の発明において、プラズマエッチングによるエッチバックに代えて、化学機械研磨方法によるエッチバック平坦化方法を採用することに格別の想到困難性は認められない。
Ｄ、相違点Ｄについて
　第１引用例の発明において、バイア又はチャンネル（コンタクトホール）を形成する前の絶縁体層上に窒化チタンの層（第１の層）を付着させるステップを設けた場合に、エッチバックの工程において第２の層を除去することに加えて、最初に付着した第１の層をも除去する必要があることは当然のことであるから、上記相違点Ｂにおいて述べたように、第１引用例の発明において、バイア又はチャンネル（コンタクトホール）を形成する前の絶縁体層上に窒化チタンの層（第１の層）を付着させるステップを設けることが容易に想到し得たものである以上、同引用例の発明において、エッチバックの工程において第１と第２の全ての層を除去することも当業者が容易に想到し得たことである。
４，むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は第１引用例〜第２引用例の技術内容及び周知慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。