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【事件の表示】
　平成　１年特許願第　６９４９６号「レーザー用反射鏡」拒絶査定に対する審判事件［平成　２年１０月　３日出願公開、特開平　２−２４８０９３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は、平成元年３月２２日に出願されたものであって、その請求項１〜３に係る発明は、補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は次のとおりである。
「等方性炭素材からなる基材の一方の表面に高精度研磨した炭化珪素被覆層を設けたレーザー用反射鏡であって、反射鏡面に対してその背面側に、冷却用部材を設けたことを特徴とするレーザー用反射鏡」
２．引用例について
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した特開昭６３−２０５６０３号公報（以下、引用例１という。）の第２頁右上欄第１９行〜同頁右下欄第９行には、
「第１図は本発明の実施例に係るSiC被膜を有する部材の部分断面図である。図示の如く、本実施例のSiC質ミラーは、基材１上にSiC被膜２が形成された部材であって、アルゴンを励起源としたレーザのラマンスペクトルにおいて、遊離カーボンが実質的に認められず、また、Si：Cの比が実質的に１：１であり、好ましくは結晶粒径が１０μｍ以下のものである。
　このように遊離カーボンを含まず、Si：Cが１：１の結晶性が高い被膜であり、かつ結晶が１０μｍ以下と微細なため、極めて研磨が容易であり、最終的な仕上がりが良くなり、良好な反射率、散乱比が得られる。
　本発明において、基材１としては金属、セラミック、合成樹脂等各種のものが採用できるが、黒鉛もしくは焼結SiCが好適である。黒鉛は、非酸化性雰囲気中で極めて高い耐熱性を有すると共に、高熱伝導率を有し、しかも凹面鏡など複雑な形状のものも容易に作製できる。焼結SiCは、SiC被膜と熱膨張係数が一致もしくは近似しているところから、得られるミラーの熱歪が小さい。また、高温の酸化性雰囲気でも安定である。このSiC焼結体は、ホットプレスや反応焼結など各種の焼結法によって得られる。
　また、この基材１上に上記のSiC被膜を形成するには、CVD法によって容易に形成することができる。
　このCVD法の基本反応は良く知られてるところであり、例えばSiCl4等のハロゲン化珪素とC2H6等の炭化水素をH2をキャリアガスとして流し、SiCを析出させるものである。」ことが図面と共に記載されている。
　同じく特開昭６４−２５１０１号公報（引用例２という。）の第３頁右上欄第８行〜第１５行には、
「この発明に係るガラス含浸炭素繊維強化炭素製ミラーは、軽量で弾性率、強度、破壊靱性等の機械的特性に優れ、かつ、低熱膨張性、高熱伝導性等の熱的特性に優れるとともに、耐熱性を有し、また、気体や液体の浸透がなく、耐酸化性に優れたガラス含浸炭素繊維強化炭素を基板として用い、その表面にガラスミラー表面材料を結合させて十分な表面平滑性を付与したものである。」と記載されている。
　更に、その第３頁左下欄第１８行〜同頁右上欄第２行には、
「ガラス含浸炭素繊維強化炭素中での炭素繊維の配列は、０゜／０゜のように一方向に配列しているものでも支障ないが、基板の異方性を出来る限り少なくするために、少なくとも２方向以上の方向に配列されていることが好ましい。」と記載されている。
　更に、その第３頁右下欄第８行〜第１２行には、
「二次元または三次元状に織られた炭素繊維を用いることもガラス含浸炭素繊維強化炭素の異方性を解消するのに有効であり、このような状態の繊維を用いたガラス含浸炭素繊維強化炭素も基板に用いられる。」と記載されている。
３．本願発明と引用例に記載の発明との対比
　引用例１に記載の「基材」、「研磨仕上げしたSiC被膜」、「ミラー」は、本願発明の「基材」、「高精度研磨した炭化珪素被覆層」、「反射鏡」に対応し、それぞれの対応に格別の差異がない。
　そこで、本願発明と引用例１に記載の発明とを対比すると、両者は「基材の一方の表面に高精度研磨した炭化珪素被覆層を設けたことを特徴とする反射鏡」という点で一致し、以下の３点（以下、相違点１〜３という。）で相違する。
　相違点１：本願発明の基材が等方性炭素材からなるのにたいして、引用例１に記載の発明の基材は炭素材（黒鉛）である点。
　相違点２：本願発明の反射鏡はレーザー用であるのに対して、引用例１に記載のミラー（反射鏡）はレーザ用であることが明記されていない点。
　相違点３：本願発明は反射鏡面に対してその背面側に、冷却用部材を設けているのに対して、引用例１のミラー（反射鏡）の背面側に冷却用部材を設けることは記載されていないという点。
４．相違点についての判断
　相違点１について
　引用例２には、レーザ用反射鏡の基板の異方性を出来る限り少なくして、反射鏡の表面精度を得ることが記載されている。
　そして等方性炭素材は当業者に周知（特開昭５９−１８２２１３号公報、特開昭６２−１４８３１２号公報、特開昭６２−９９７７３号公報等参照。）のものである。
　してみると、引用例１に記載の発明において、基材の炭素材（黒煙）に換えて上記周知の等方性炭素材を用いることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　したがって、相違点１は、上記周知の技術的事項に基づいて当業者であれば容易に解消し得ることであり、格別の相違ではない。
　相違点２について
　硬質炭素の基板上に炭化珪素を表面研磨して設けたレーザ用反射鏡は当業者に周知（特開昭６０−６６２０２号公報、特開昭５９−９９４０１号公報等参照）である。
　してみると、炭素材（黒鉛）の基板上に炭化珪素を表面研磨して設けた引用例１に記載の反射鏡がレーザ用であることは当業者に周知又は自明のことである。
　したがって、相違点２は相違ではない。
　相違点３について
　レーザ用反射鏡の背面側に冷却用部材を設けることは当業者に周知（特開昭５４−６０５９０号公報参照）である。
　してみると、相違点３は格別の相違ではない。
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第　６１３０８号「プログラマブルアナログマスタ」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　５月　７日出願公開、特開平　５−１１４７１８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成４年２月１５日の出願（優先権主張　平成３年２月１９日　日本国）であって、その発明の要旨は、平成１０年５月１日付、平成１０年１２月２８日付及び平成１２年４月２７日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１及び２に記載された「プログラマブルアナログマスタ」にあるものと認められるところ、請求項１記載の発明は以下のとおりである。
　「電源配線と接地配線の間に階層的に配置され、それぞれが複数個のトランジスタ、抵抗、容量等の素子を含むトランジスタブロック、抵抗ブロック、容量ブロック等のブロック群と、前記各ブロック内の前記素子に接続されてマトリックス状に配置された配線群と、これら配線群の交差部に配置されて縦方向と横方向の配線間に介挿されたスイッチ群と、これらスイッチ群を選択的にオン、オフ状態に設定する制御部と、一部の前記素子を金属配線で固定的に接続してなる少なくとも1つのマクロとを備え、前記各ブロック内の選択された素子および選択された前記マクロを前記配線群により相互に接続して所望のアナログ回路を構成可能としたことを特徴とするプログラマブルアナログマスタ。」
（引用例）
  当審における拒絶の理由において引用された特開平３−６８５８号公報及び特開昭６４−２８９３８号公報に示すように、それぞれが複数個のトランジスタ、抵抗、容量等の素子を含むトランジスタブロック、抵抗ブロック、容量ブロック等のブロック群を有し、各ブロック内の選択された素子を相互に接続して所望のアナログ回路を構成可能としたプログラマブルアナログマスタは周知である。当審における拒絶の理由において引用された特開平１−１２０８４３号公報（以下、引用例という。）には「本発明に係るウエーハスケール集積回路は、例えばシステム構成前の状態を示す第１図のように、シリコンウエーハ１の表面に複数本の横方向ウエーハ内配線2Xを有する横方向の配線領域3Xと、該横方向配線2Xと層間絶縁膜を介して形成層を異にする複数本の縦方向ウエーハ内配線2Yを有する縦方向の配線領域3Yを隔てて、上記ウエーハ内配線2X若しくは2Yに層間絶縁膜を介して上下に交差する複数の・・・を有する複数のチップスケールのゲートアレイ・ブロック５がマトリクス状に整列配設されており、・・・そして上記それぞれの横方向配線2X・・・と上層の縦方向配線2Y・・・の交差部は、例えば第１図(b)に示されるように周知の・・・アンチ・ヒューズ等よりなるプログラマブル・リンク８によって結合されている。・・・アンチ・ヒューズは電気的に未接続であって溶接によってプログラムされる。」（第３頁左上欄第１１行〜右上欄第１７行）が第１図と共に記載されている。詳細な説明及び第１図には明示されていないがゲートアレイ・ブロック５内のゲートアレイと配線2X、2Yとが接続されていることは明らかである。してみると、上記引用例には、ゲートアレイ・ブロック５及びその周囲にマトリクス状に配置された配線群2X、2Yとこれらの配線群2X、2Yの交差部に配置されたアンチ・ヒューズからなるプログラマブル・リンク８とを有し、各ゲートアレイ・ブロック５内のゲートアレイ間を上記配線群2X、2Yにより相互に接続して所望の集積回路を構成可能としたウエーハスケール集積回路が記載されているものと認められる。 
（対比）
  次に、本願請求項１記載の発明と上記周知技術とを対比すると、両者は、階層的に配置され、それぞれが複数個のトランジスタ、抵抗、容量等の素子を含むトランジスタブロック、抵抗ブロック、容量ブロック等のブロック群を有し、前記各ブロック内の選択された素子を相互に接続して所望のアナログ回路を構成可能としたことを特徴とするプログラマブルアナログマスタの点で一致し、下記の点で相違するものと認められる。
（１）本願請求項１記載の発明が階層的に配置されてブロックの両側に電源配線と接地配線を有するのに対して、上記周知技術がそのような構成を採用しているか否か不明である点。
（２）各ブロック内の素子等を相互に接続して所望のアナログ回路を構成可能にするための構成が、本願請求項１記載の発明は各ブロック内の素子に接続されてマトリクス状に配置された配線群と、これら配線群の交差部に配置されて縦方向と横方向の配線間に介挿されたスイッチ群と、これらスイッチ群を選択的にオン、オフ状態に設定する制御部とからなるのに対して、上記周知技術はどのような構成からなるのか不明である点。
（３）ブロック内に、本願請求項１記載の発明は一部の素子を金属配線で固定的に接続された少なくとも１つのマクロを有するのに対して、上記周知技術はそのようなマクロを有していない点。
（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
　相違点（１）については、上記周知技術においても電源配線と接地配線とを有することは明らかであり、その電源配線と接地配線とをどこに配置するかは単なる設計的事項にすぎない。よって、上記相違点は当業者が必要に応じて任意になし得たことと認められる。
　相違点（２）については、上記引用例にはブロック５及びその周囲にマトリクス状に配置された配線群2X、2Yとこれらの配線群2X、2Yの交差部に配置されたアンチ・ヒューズからなるプログラマブル・リンク８とを有し、各ブロック５内のゲートアレイ間を上記配線群2X、2Yにより相互に接続して所望の集積回路を構成可能としたウエーハスケール集積回路示されており、上記引用例記載の発明のアンチ・ヒューズからなるプログラマブル・リンク８は本願請求項１記載の発明のスイッチ群に相当する。そして、このようなスイッチ群を制御部によってオン、オフする方法は周知であり、上記引用例記載の発明においてスイッチ群を制御部によってオン、オフする方法を採用するか否かは単なる設計的事項にすぎない。この技術はウエーハスケール集積回路に関する技術であるが、上記周知技術のプログラマブルアナログマスタにおいて各ブロック内の素子等を相互に接続して所望のアナログ回路を構成可能にするために用いることに格別の創意工夫を必要としない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　相違点（３）については、上記引用例記載の発明におけるゲートアレイは複数個のトランジスタを固定的に接続した、本願請求項１記載の発明のマクロに相当し、その固定的接続方法として金属配線を用いるか否かは単なる設計的事項にすぎない。このようなマクロを上記周知技術におけるトランジスタブロックに加えることに格別の創意工夫を必要としない。そして、その効果とするところも当業者の予測の範囲を出るものではない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（むすび）
  本願請求項１記載の発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そうである以上、他の発明について検討するまでもなく本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　９年特許願第２８０６８５号「薄膜トランジスタ」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　３月３１日出願公開、特開平１０−　８４１１８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．経緯
　本件出願は、昭和６３年１２月１４日出願に係る特願昭６３−３１５６５４号から、平成９年１０月１４日に分割出願されたものであり、審査官からの拒絶理由通知に対して、意見書および手続補正書を提出されたが、平成１１年３月１７日拒絶査定され、平成１１年４月３０日に審判請求され、平成１１年５月２４日に手続補正書を提出された。そして、当審から、平成１１年１１月２２日に拒絶の理由が通知され、平成１２年３月７日に意見書および手続補正書が提出された。
　
２．本願発明
　本件出願の要旨は、補正された明細書および図面の記載から見て、その特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタであって、
　前記薄膜トランジスタは、イオン注入により高濃度に不純物が導入されたソース・ドレイン領域と、チャネル形成領域と、このチャネル領域に隣接するとともに前記ソース・ドレイン領域の厚さとほぼ同じ厚さを有する低濃度不純物領域を有する半導体層と、
　前記半導体層の上方に形成されたゲート電極と、
　前記半導体層と前記ゲート電極の間に前記低濃度不純物領域に対応する部分まで延在するゲート絶縁膜と、
　前記半導体層と前記ゲート絶縁膜上の層間絶縁膜とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。」（以下、本願発明という）
　
３．引用例記載の発明
　当審の拒絶の理由に引用された特開昭５８−１４２５６６号公報（以下、引用例という）には、「本発明は熱拡散法もしくはイオン注入法で形成した高濃度Ｎ型拡散領域と薄膜基体である真性半導体もしくは低濃度Ｐ型半導体領域の間にイオン注入法によって低濃度のＮ型拡散層を形成する事によって接合特性を改善するものである。以下実施例によって詳しく説明する。第１図は、本発明の構造を持つＭＯＳ型薄膜トランジスタの断面図である。高濃度Ｎ型拡散層１、２と薄膜基体３の間にゲート配線４に自己整合して低濃度のＮ型拡散層５、６を形成する。」（第１頁右下欄第６行〜第１５行）、
「第２図は本発明の構造を持つＭＯＳ型トランジスタの他の例の断面図である。Ｎ型不純物をゲート配線７に自己整合してイオン注入した後熱アニールによって拡散して低濃度拡散層８、９を形成し、続いて同じくゲート配線７に自己整合して高濃度Ｎ型拡散層１０、１１を形成する。」（同頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第４行）と第１、２図と共に記載されている。
　即ち、引用例には、「イオン注入で形成されたゲート配線７に自己整合する高濃度Ｎ型拡散層１０、１１と真性半導体もしくは低濃度Ｐ型半導体領域である薄膜基体３とその間に低濃度のＮ型拡散層８、９が形成されている薄膜トランジスタ。」が示されている。
　
４．本願発明と引用例との対比
　引用例は、絶縁基板上に形成されたトランジスタであることは明らかであり、高濃度Ｎ型拡散層１、２、１０、１１はソース・ドレインであり、それと、チャネル領域３と、低濃度Ｎ型拡散層５、６、８、９とは、図から、明らかにほぼ同じ厚さを有しており、引用例の「ゲート配線４、７」は、本願発明の「ゲート電極」に相当するから、本願発明と引用例とは、次の点で一致する。
「絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタであって、
　前記薄膜トランジスタは、イオン注入により高濃度に不純物が導入されたソース・ドレイン領域と、チャネル形成領域と、このチャネル領域に隣接するとともに前記ソース・ドレイン領域の厚さとほぼ同じ厚さを有する低濃度不純物領域を有する半導体層と、
　前記半導体層の上方に形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。」　
　そして、次の点で本願発明と引用例のものは相違している。
１）本願発明は「前記半導体層と前記ゲート電極の間に前記低濃度不純物領域に対応する部分まで延在するゲート絶縁膜」を有しているが、引用例のものはゲート絶縁膜の延在位置が明記されていない点、
２）本願発明は、「前記半導体層と前記ゲート絶縁膜上の層間絶縁膜」を有しているが、引用例のものは明記されていない点。
　
５．相違点の検討
（相違点１）について）
　引用例に第１図および「イオン注入法で形成した高濃度Ｎ型拡散領域」、「高濃度Ｎ型拡散層１、２と薄膜基体３の間にゲート配線４に自己整合して低濃度のＮ型拡散層５、６を形成する。」、「ゲート配線７に自己整合して高濃度Ｎ型拡散層１０、１１を形成する。」との記載から見て、引用例のゲート絶縁膜は、基体部分および低濃度部分を覆い、やや高濃度領域に懸かるよう設けられている。してみると、引用例のゲート絶縁膜は、少なくとも前記低濃度不純物領域に対応する部分まで延在するものであり、この相違点に格別のことが認められない。
（相違点２）について）
　薄膜トランジスタにおいて、絶縁基板上の半導体薄膜とゲート電極を覆う層間絶縁膜を設けることは周知の構成であり、当業者が任意に選定できた事項である。
　
６．まとめ
　上記相違点１）および２）はいずれも格別のものでなく、総合的に見ても格別ではないから、本願発明は、引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第　１７１４９号「ドライエッチング方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　８月２７日出願公開、特開平　５−２１７９５５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願発明は平成４年１月３１日の出願であって、その発明の要旨は、平成４年１１月１０日付け、平成１０年１０月１９日付け及び平成１１年２月１日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に記載された発明は次のとおりである。
　「エッチング停止膜直上のタングステンシリサイドを反応性イオンエッチングによりドライエッチングし前記エッチング停止膜上にタングステンシリサイドのパターンを形成する方法において、エッチング用ガスとして、臭化水素ガスと塩素ガスとを１／５乃至２／１の流量比で含むガスと酸素ガスとの混合ガスを使用し、酸素ガス流量が全ガス流量の５％以下であることを特徴とするドライエッチング方法。」（以下、本願発明１という。）
２．引用刊行物
　前審の拒絶の理由に引用された特開平３−２４１８２９号公報（以下、引用例という。）には、「まず、第１図（ａ）に示すように、例えば熱酸化法により基板１上にＳｉＯ２を堆積して膜厚が例えば１００ｎｍの絶縁膜２を形成し、例えばＣＶＤ法により絶縁膜２上にポリシリコンを堆積して膜厚が例えば２００ｎｍのポリシリコン層３を形成した後、同様に例えばＣＶＤ法によりポリシリコン層３上にＷＳｉを堆積して膜厚が例えば２００ｎｍの金属シリサイド層４を形成する。この時、ポリシリコン層３及び金属シリサイド層４からなるポリサイド層５が形成される。次に、第１図（ｂ）に示すように、金属シリサイド層４上にレジストを塗布した後、露光・現像によりレジストをパターニングして線幅が例えば０．８μｍで厚さが例えば１μｍのマスク６を形成する。・・・次に、第２図に示すＲＩＥ装置を用い、Ｃｌ２ガス、ＨＢｒガス及びＯ２ガスの混合ガスを主とするエッチングガスを用いてポリシリコン層３及び金属シリサイド層４からなるポリサイド層５のエッチングを行うとともに、絶縁膜２を露出させる。」（第３頁左下欄第１３行ー右下欄第１５行）及び「実施例２として、ＨＢｒガス流量を変えてポリサイド層５のエッチングを行ってみた。具体的には、Ｃｌ２ガス流量を８０ｓｃｃｍ、ＨＢｒガス流量を３０ｓｃｃｍ、圧力を０．０５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーを２５０Ｗ、基板１温度を８０℃で一定とし、Ｏ２ガスの添加量を変えて第１図（ｂ）に示す試料のポリサイド層５のエッチングを行った。その結果を表２に示す。表２から判るように、Ｏ２ガスの流量割合が大きくなるにつれて金属シリサイド層４（タングステンシリサイド）とポリシリコン層３のエッチングレートが速くなり、下地の絶縁膜２（シリコン酸化膜）に対する選択比も上昇した。・・・形状は、Ｏ２ガス添加量が５０ｓｃｃｍまではほとんど差はなく垂直形状が得られた（第２図（ｃ））。」（第５頁左下欄第１４行ー第６頁右上欄第１０行）と記載されている。また、表２にはＯ２の添加量が５ｓｃｃｍの場合が一例として含まれており、これは全ガス流量の４．３５％に相当する。
　したがって引用例には、シリコン酸化膜直上のポリシリコン及びその上のタングステンシリサイドからなるタングステンポリサイドを反応性イオンエッチングによりドライエッチングし前記シリコン酸化膜上にタングステンポリサイドのパターンを形成する方法において、エッチング用ガスとして、臭化水素ガスと塩素ガスとを３／８の流量比で含むガスと酸素ガスとの混合ガスを使用し、酸素ガス流量が全ガス流量の４．３５％であることを特徴とするドライエッチング方法が記載されている。
３．対比
　本願発明１と引用例記載の発明を対比すると、引用例記載の発明の「シリコン酸化膜」は、本願発明１の「エッチング停止膜」に相当するから、両者は、エッチング停止膜上の被エッチング物を反応性イオンエッチングによりドライエッチングし前記エッチング停止膜上に被エッチング物のパターンを形成する方法において、エッチング用ガスとして、臭化水素ガスと塩素ガスとを３／８の流量比で含むガスと酸素ガスとの混合ガスを使用し、酸素ガス流量が全ガス流量の４．３５％であることを特徴とするドライエッチング方法の点で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）
　被エッチング物が、本願発明１ではエッチング停止膜直上のタングステンシリサイドであるのに対して、引用例記載の発明ではエッチング停止膜直上のポリシリコンとその上のタングステンシリサイドからなるタングステンポリサイドである点。
４．判断
　上記相違点について、以下で検討する。
　エッチング停止膜直上のタングステンシリサイドを、側面が垂直になるようにドライエッチングすることは周知（例えば、特開平３−６２５１８号公報、特開平２−１４２１２７号公報参照）であるので、引用例記載の発明のエッチング停止膜直上のポリシリコン及びその上のタングステンシリサイドからなるタングステンポリサイドに代えて、周知のエッチング停止膜直上のタングステンシリサイドとすることは、当業者にとって格別困難なこととは認められない。
５．まとめ
　以上のとおりであるから、本願発明１は引用例及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。本願発明１が特許を受けることができないものである以上、本願請求項２の発明についても検討するまでもなく特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　８年特許願第１２５０４６号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１１月２８日出願公開、特開平　９−３０７１０６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願日　：平成　８年５月２０日
　拒絶理由通知：平成１１年１月１４日起案
　手続補正書　：平成１１年３月２９日
  拒絶査定    ：平成１１年４月２８日起案
　審判請求　　：平成１１年６月１０日
　手続補正書　：平成１１年７月１２日（当審において補正却下の　　　　　　　　決定がなされた）
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１１年３月２９日付け手続補正書で補正された明細書並びに図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１〜５に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、
　前記第１の絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成し、前記多結晶シリコン膜をＭＯＳトランジスタのゲート電極の形状に加工する工程と、
　前記ゲート電極の側面に窒素雰囲気中または窒素化合物雰囲気中の熱処理により窒化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
３．引用文献に記載された発明
　原審の査定の理由で引用された特開平３−２７８５７６号公報（以下「引用文献」という）は、ＭＯＳ型トランジスタの製造方法に関するものであり、第１図，第２図と共に以下の点が記載されている。
「つぎに、第１図〜第４図に従って、製造工程(１)〜(４)の説明をする。
　工程(１):シリコン基板１１上に、フィールド絶縁膜１２およびゲート絶縁膜１３を、いずれも熱酸化法により形成する。つぎに、ポリシリコンをＣＶＤ法により堆積し、これをリアクティブイオンエッチング法を用いてドライエッチングし、ゲート電極１４を形成する。ドライエッチングの際、フィールド絶縁膜１２およびゲート絶縁膜１３もエッチングされ、その表面はダメージを受けることになる。特にゲート絶緑膜１３では、ゲ‐ト電極１４の側壁直下部において膜厚が薄くなりやすい。
　工程(２):アンモニア(ＮＨ３)雰囲気中でランプ加熱処理を行う。処理条件は、例えば加熱温度９５.０度Ｃ、加熱時間１０〜３０秒である。ランプ加熱処理により、ゲート電極１４、ゲート絶緑膜１３およびフィールド絶縁膜１２の表面が熱窒化され、これらの表面に窒化被膜１７が形成される。ゲート電極１４はポリシリコンを用いて形成されているため、窒化被膜１７はほぼ完全に窒化シリコンとなる。」（第２頁左上欄第１７行目〜右上欄第１８行目）
　以上の記載から、引用文献には、
「シリコン基板１１上にゲート絶縁膜１３を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜１３上にポリシリコンを堆積し、ドライエッチングにより前記ポリシリコンをＭＯＳ型トランジスタのゲート電極１４の形状に加工する工程と、
　前記ゲート電極１４の側面にアンモニア雰囲気中の熱処理により窒化被膜１７を形成する工程とを含むことを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。」が記載されている。
　
４．本願発明と引用文献に記載された発明との対比・判断
　引用文献の「シリコン基板１１」、「ゲート絶縁膜１３」、「ポリシリコン」、「アンモニア雰囲気中」、「窒化被膜１７」、「ＭＯＳ型トランジスタ」は、それぞれ本願発明の「半導体基板」、「第１の絶縁層」、「多結晶シリコン膜」、「窒素化合物雰囲気中」、「窒化膜」、「半導体装置」に相当する。
　したがって、本願発明と引用文献に記載された発明とを対比すると、両者は同一である。
　
５．結び
　ゆえに、本願発明は、本願出願前に国内で頒布された刊行物である前記引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許を受けることができない。そうである以上、他の請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第２４９３９７号「オーミック電極構造」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　４月１５日出願公開、特開平　６−１０４４２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本件出願の手続の経緯及び要旨
　本件出願は、平成４年９月１８日に出願されたものであって、その発明の要旨は手続補正書の特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりであって、その発明は、特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「化合物半導体上のＩnXＧa1-XＡs層(０＜Ｘ≦１)と、このＩnXＧa1-XＡs層上のバリア層と、このバリア層上の１層以上の金属層との積層構造からなるオーミック電極構造であって、
　前記バリア層としてアモルファス構造の高融点金属窒化物からなるバリア層に構成したことを特徴とするオーミック電極構造。」（以下、本願発明という）
　
２．引用例記載の発明
　前審の拒絶の理由に引用された特開平１−１９４４６８号公報（以下、引用例１という）には、「化合物半導体上のＩnXＧa1-XＡs層(０＜Ｘ≦１)（１）と、該ＩnXＧa1-XＡs層上の高融点メタル又はその硅化物よりなるバリア層（２）と、該バリア層上の一層以上の金属層（３）とを有することを特徴とするオーミック電極構造。」（特許請求の範囲）と、
「［作用］本発明はＩnXＧa1-XＡs層と金属層との間に例えばタングステンシリサイド層を挿入することにより高温において金属層から金属がＩnXＧa1-XＡs層へ、ＩnXＧa1-XＡs層から、Ｉｎ、Ｇａ、あるいはＡｓが金属層へ拡散するのを防ぐもので、タングステンシリサイド層が所謂バリヤ層として作用する。」（第２頁右上欄第１１行〜第１７行）と、
「なお、バリヤ層としてタングステンシリサイド層の他にＷ、Ｍｏ、Ｔａなどの金属層あるいはモリブデンシリサイド層、タンタルシリサイド層も有効である。」（同頁左下欄第１８行〜第２１行）と記載されている。
　前審の拒絶の理由に引用された特開平４−９２４７１号公報（以下、引用例２という）には、「１．３−５（注：３、５とも原文はローマン数字、以下引用例２について同じ）族のｎ型化合物半導体層と、前記ｎ型化合物半導体層の上に設けられたオーミック電極とを備えた半導体装置において、前記オーミック電極が、前記ｎ型化合物半導体層と接するＡｕＧｅ系の第１層と、前記第１層上に形成された高融点金属、その硅化物又はその窒化物の第２層と、前記第２層上に形成されたＡｕ系の第３層とを有することを特徴とする半導体装置。…４．請求項１ないし３のいずれかの装置において、前記３−５族の化合物半導体層が、ＩｎＧａＡｓ層であることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）と、
「本発明は、ＡｕＧｅ系又はＡｕＺｎ系の第１層とその上のＡｕ系の第３層との間に、例えばＴｉのごとき高融点金属、その硅化物又はその窒化物の層が第２層として挟まれている３相構造となっているため、この中間のＴｉ系の層によって化合物半導体中へのＡｕの拡散を一定程度防止することにより、この３相構造のオーミック電極と下地の化合物半導体層とのコンタクト抵抗を小さくすると共に、その間に形成されるアロイ層を薄くすることができる。」（第３頁左下欄第８行〜第１７行）と、
「また、オーミック電極の第２層として用いているＴｉ層２１の代わりに、ＴｉＮ層との窒化物を用いても良い。あるいはＷ（タングステン）、ＷＳｉ、ＷＮ等を用いても同様の効果を奏する。」（第４頁左下欄第８行〜第１１行）と記載されている。
　拒絶査定のときに周知例として示された特開昭６４−５０１５号公報には、「１．半導体基板表面に形成された機能素子と、該機能素子と電気的に結合する配線と、上記機能素子と配線の接合部において両者を隔てるバリヤメタルとなる窒素及びタングステンを主成分とする非晶質の窒化タングステン薄膜とを含む集積回路…。２．前記半導体基板がシリコン基板であり…」（特許請求の範囲）と記載されている。
　同じく周知例と示された特開平４−８７３２８号公報には、「１．半導体基板上に、全面に、絶縁膜を積層し、コンタクト部を形成した後、これをタングステン層で埋込むに際して、（ｉ）コンタクト部形成後、絶縁層を含む半導体基板上に、全面に、ＣＶＤ法を用いてタングステンシリサイド、チタンシリサイド、又はチタンナイトライドからなる微結晶もしくは非晶質構造のバリヤ層を積層し…」（特許請求の範囲）と記載され、Ｓｉ基板を用いているものが示されている。
　
３．本願発明と引用例記載の発明との対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、次の点で一致する。
（一致点）
　「化合物半導体上のＩnXＧa1-XＡs層(０＜Ｘ≦１)と、このＩnXＧa1-XＡs層上のバリア層と、このバリア層上の１層以上の金属層との積層構造からなるオーミック電極構造」
（相違点）
　そして、本願発明と引用例１記載の発明とは次の点で相違している。
　本願発明では、「前記バリア層としてアモルファス構造の高融点金属窒化物からなるバリア層に構成した」のに対して、引用例１のものは、「バリヤ層としてタングステンシリサイド層の他にＷ、Ｍｏ、Ｔａなどの金属層あるいはモリブデンシリサイド層、タンタルシリサイド層」としている点。
（相違点の判断）
　引用例２において、ＩｎＧａＡｓ層上に、それと接するＡｕＧｅ系の第１層と、前記第１層上に形成された高融点金属の窒化物（ＴｉＮ層、ＷＮ）の第２層と、前記第２層上に形成されたＡｕ系の第３層とを有するオーミック電極が示され、第２層が、化合物半導体中へのＡｕの拡散を一定程度防止することが示されているので、第２層がバリヤの働きを有している。
　そして、シリコン基板と電極材との間に非晶質の窒化タングステン薄膜を用いること及びチタンナイトライド層を用いることは周知であると認められ、引用例２の窒化物を非晶質とすることは当業者が適宜設定できた事項であると認められる。してみると、引用例２において、高融点金属の窒化物と同列にタングステンシリサイド層、モリブデンシリサイド層、タンタルシリサイド層を用いることが示されており、引用例１のタングステンシリサイド層、モリブデンシリサイド層、タンタルシリサイド層に代えて、アモルファス構造の高融点金属窒化物を用いて、バリア層とすることに格別の困難があるとは認められない。
　したがって、相違点は格別のことではない。
　
４．　まとめ
　相違点は格別のことでないので、本願発明は引用例１、２記載の発明及び周知の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、拒絶すべきものである。
　よって、上記結論通り審決する。
【事件の表示】
　平成　６年特許願第　４３９８４号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年１０月　３日出願公開、特開平　７−２５４６１０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本件出願の手続の経緯及び要旨
　本件出願は、平成６年３月１５日に出願されたものであって、その発明の要旨は手続補正書の特許請求の範囲請求項１〜５に記載されたとおりであるところ、その請求項１の発明は、特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「絶縁物が埋め込まれたトレンチ領域で囲まれた素子領域に形成されたバイポーラトランジスタを有する半導体装置であって、前記バイポーラトランジスタの外部ベースは、前記トレンチ領域内に埋め込まれた絶縁物上に直接形成されたものであることを特徴とする半導体装置（「請求項１に記載の」は誤記と認める）。」（以下、本願発明という。）
　
２．引用例記載の発明
　前審の拒絶の理由に引用された特開平２−２４４６３７号公報（以下、引用例１という）には、従来例の欠点として、「コレクタ電極の占有面積が大きくなり、かつ、高濃度拡散層２５とベース層１６との距離を、ベース−コレクター間の容量増大を避ける為にある程度とらなければならず、素子面積の縮小の妨げとなっていた。」（第２頁右上欄第５行〜第９行）と、
実施例として、「次に、本実施例の一実現方法を簡単に説明すると、絶縁分離溝を形成後、ノンドープの多結晶シリコンを成長しエッチバックを行う（第２（ａ）図）。その際多結晶シリコン２０の表面はＧＢ層１５の厚さより深くする。
　次に埋設多結晶シリコン２０の半分をフォトレジスト３５をマスクに埋込層より深くならない所までエッチングしｎ型多結晶シリコン１８を埋設する（第２（ｂ）図）。
　更にｎ型多結晶シリコン１８と素子領域間のシリコン酸化膜をフォトレジストをマスクに選択的（選択は誤記）に除去し再度ｎ型多結晶シリコン１８を成長し、エッチバックを行う。多結晶シリコン１８、２０の表面を酸化後（第２（ｃ）図）ｎ型多結晶シリコン１８上に開孔を設け、ｎ型多結晶シリコン１８を再び成長しエッチバックを行う。
　その後、ＧＢ層とコンタクトをとるべき側のｎ型多結晶シリコン１８をフォトレジスト３５をマスクに除去する（第２（ｄ）図）。
　更にシリコン酸化膜を除去、ｐ型多結晶シリコン１９を成長し、エッチバックを行い、ｐ型多結晶シリコン１９とｎ型多結晶シリコン１８との境を適当な幅除去、ＣＶＤの酸化膜などでその境を埋込み、各々の多結晶シリコン上に開孔を設ける事で第２（ｅ）図の構造が得られる。」（第２頁左下欄第１４行〜第３頁左上欄第１８行）と記載されている。
　上記で得られたトランジスタは、バイポーラトランジスタであり、ｐ型多結晶シリコン１９が、外部ベースになることは自明であるから、引用例１には、多結晶シリコン２０が埋め込まれたトレンチ領域で囲まれた素子領域に形成されたバイポーラトランジスタを有する半導体装置であって、前記バイポーラトランジスタの外部ベースは、前記トレンチ領域内に埋め込まれた多結晶を酸化した絶縁物上に直接形成されたものであることを特徴とする半導体装置が示されている。
　
３．　本願発明と引用例記載の発明との対比
  本願発明と引用例１記載の発明とは次の点で一致する。
（一致点）
　トレンチ領域で囲まれた素子領域に形成されたバイポーラトランジスタを有する半導体装置であって、前記バイポーラトランジスタの外部ベースは、前記トレンチ領域内の絶縁物上に直接形成されたものであることを特徴とする半導体装置
（相違点）
　そして、本願発明と引用例１記載の発明とは次の点で相違している。
１）本願発明では、絶縁物が埋め込まれたトレンチ領域を用いているのに対して、引用例１では多結晶シリコン２０が埋め込まれたトレンチ領域を用いている点、
２）本願発明では、外部ベースは埋め込まれた絶縁物上に直接形成されたものであるのに対して、引用例１ではトレンチ領域内に埋め込まれた多結晶を酸化した絶縁物上に直接形成されたものである点。
（相違点の判断）
（相違点１）について）
　トレンチ領域で囲まれた素子領域に形成されたバイポーラトランジスタにおいて、絶縁物が埋め込まれたトレンチ領域を用いることは、例えば、特開昭５６−８０１６１号公報（以下、周知例という）に見られるように、周知である。そして、引用例１の多結晶シリコン２０の埋め込みにかえて、絶縁物を埋め込むことは、当業者にとって、容易になしえたものである。
　従って、相違点１）は格別のものではない。
（相違点２）について）
　引用例１においては、外部ベースとなる多結晶シリコンを、多結晶シリコンを酸化した絶縁物上に直接形成しているが、外部ベースとトレンチ埋め込み物とを絶縁できればいいのであり、絶縁物を埋め込む際には、埋め込んだ絶縁物の上に外部ベース層を形成するようにすることは、当業者にとって、容易になしえたことである。
　従って、相違点２）は、格別のことではない。
　
４．　まとめ
　本願発明は、引用例１及び周知例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、特許請求の範囲２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、上記結論とおり審決する。
【事件の表示】
　平成　９年特許願第１７２９４６号「椎茸の鮮度保持法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　１月　６日出願公開、特開平１１−　　１２０６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
＜１＞　本願発明
　本願は、平成９年６月１２日の出願であって、その請求項１および２に係る発明は、それぞれ、平成１２年５月２９日付手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１および２に記載された次のとおりのものと認める。
「　【請求項１】生椎茸の鮮度を保持させる方法であって、該椎茸を水溶液に接触させることなく炭酸ガスと共に袋内に収納し、袋内を炭酸ガス気相下に保持せしめたまま密封し、次いで４〜１０℃の保冷温度で冷蔵することを特徴とする椎茸の鮮度保持法。
　　【請求項２】生椎茸の鮮度を保持させる方法であって、該椎茸を水溶液に接触させることなく窒素ガスと共に袋内に収納し、袋内を窒素ガス気相下に保持せしめたまま密封し、次いで４〜１０℃の保冷温度で冷蔵することを特徴とする椎茸の鮮度保持法。」
　
＜２＞　引用例の記載
　これに対して、当審での拒絶理由に引用した特開平８−２８９７２６号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面の記載とともに下記の事項が記載されている。
(a)「前記鮮度保持機能を有するフィルムとしては、生椎茸の鮮度低下の要因、即ち乾燥、褐変、気中菌糸の繁殖等に対して、包装として有効な鮮度保持方法は、種々研究の結果、ＭＡ（Modified Atmosphere)包装により実現できることが明らかになった。包装系内のガス組成が、フィルムのガス透過性と生椎茸の呼吸作用を利用して、包装内を低酸素、高炭酸ガス濃度に保つことである。」（第２頁右欄第３４〜４１行）
　また、当審での拒絶理由に引用した特開平８−３３１９７３号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面の記載とともに下記の事項が記載されている。
(b)「菌床生椎茸は、菌床で栽培され、需要者に供給されている。特に、温湿度管理されたハウスで栽培され、栽培面積当りの収穫量が大きく、単一菌種で周年栽培される利点がある、菌床栽培のものは、水分が多く、保持期間が短いので収穫されると栽培農家の予冷庫（３〜５°Ｃ）で一晩予冷され、包装されて出荷され、集荷機関で０〜３日程度出荷調整のため保管（３〜５°Ｃ）される。」（第２頁左欄第３２〜３９行）
　また、当審での拒絶理由に引用した特開昭６３−４４４２０号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面の記載とともに下記の事項が記載されている。
(c)「すなわち、本発明の乾椎茸の包装法は、酸素不透過性合成樹脂フィルムからなる袋体内に乾椎茸と共に脱酸素剤及び不活性ガスを封入して完全密封することを特徴とする。」（第１頁右欄第１８行〜第２頁左上欄第１行）
(d)「不活性ガスも特に限定されず、代表的には窒素ガスが用いられる。」（第２頁左上欄第１２〜１３行）
　
＜３＞　対比・判断
３−１．請求項１に係る発明について
　ここで、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と上記引用文献１に記載の発明（以下、「引用発明１」という。）とを対比する。
　上記(a)における「生椎茸の鮮度低下の要因、即ち乾燥、褐変、気中菌糸の繁殖等に対して、包装として有効な鮮度保持方法は」の記載から、引用発明１も「生椎茸の鮮度を保持させる方法」に関する発明であることが認められ、上記(a)における「包装系内のガス組成が、フィルムのガス透過性と生椎茸の呼吸作用を利用して、包装内を低酸素、高炭酸ガス濃度に保つことである。」の記載から、「該椎茸を炭酸ガスと共に袋内に収納し、袋内を炭酸ガス気相下に保持せしめたまま密封」する状態を生じさせることも示唆されているものと認められる。よって、両者は、
「生椎茸の鮮度を保持させる方法であって、該椎茸を炭酸ガスと共に袋内に収納し、袋内を炭酸ガス気相下に保持せしめたまま密封」するものである点で一致し、以下の点で相違している。
（相違点１）本願発明１においては、椎茸を「水溶液に接触させることなく」密封する点が特定されているのに対し、引用発明１においては、その点についての明確な記載がない点。
（相違点２）本願発明１においては、密封後「次いで４〜１０℃の保冷温度で冷蔵すること」が特定されているのに対し、引用発明１においてはそのような記載がない点。
　上記相違点について、検討する。
　上記相違点１の「水溶液に接触させることなく」の意味について、出願当初の明細書には「水溶液に接触することなくとは、積極的に水を用いないことであり、自然に水分が椎茸に接することまで否定するものではない。」（段落【００１１】）と記載されているところ、引用発明１においては、積極的に水を用いることが特定されているものでもない上、生鮮食品の密封包装において水を積極的に用いないことの方がむしろ通常であるから、引用発明１においても「積極的に水を用いない」ようにすること、すなわち、「水溶液に接触させることなく」密封することに格別の困難性は認められない。すなわち、相違点１の特定は当業者が容易に想到し得た事項に過ぎない。
　上記相違点２については、引用文献２の上記(b)の記載からも認められるように、生椎茸の保管方法として「４〜１０℃の保冷温度で冷蔵すること」は公知の技術である。引用発明１においても、さらに鮮度を保持するために、この公知技術を適用して本願発明の如くに構成することに格別の困難性は認められない。そして、該適用において、密封後時間をおいてから「４〜１０℃の保冷温度で冷蔵する」よりは、密封後時間をおくことなく直ちに「４〜１０℃の保冷温度で冷蔵する」方が、より鮮度を落とすことなく保管することができるであろうことは技術常識から考えて当然であるから、該冷蔵を「次いで」行ったことにも格別の困難性は認められない。すなわち、相違点２の特定も当業者が容易に想到し得た事項に過ぎない。
　以上のとおり、上記２つの相違点はいずれも当業者が容易に想到し得た事項であり、本願発明１は引用発明１および上記の公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
３−２．請求項２に係る発明
　本願の請求項２に係る発明については、生椎茸を、請求項１に係る発明においては「炭酸ガス」と共に袋内に収容したのに対して、請求項２に係る発明においては「窒素ガス」と共に袋内に収容するようにしたものである。ところが、引用文献３の上記(c)(d)からも認められるように、密封包装に封入する不活性ガスとして「窒素ガス」も「炭酸ガス」同様に周知であるであるから、「窒素ガス」は「炭酸ガス」と等価なものである。
　したがって、本願の請求項２に係る発明も、請求項１に係る発明と同様に当業者が容　
易に発明をすることができたものである。
　
＜４＞　むすび
　以上のとおりであるから、この出願の請求項１および２に係る発明はいずれも特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　９年特許願第　２２１８６号「円筒容器の包装方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　８月　４日出願公開、特開平１０−２０３５３５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
＜１＞　本願発明
　本願は、平成９年１月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、出願当初の明細書および平成１０年１０月２０日付手続補正書により補正された図面の記載からみて、出願当初の明細書の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　円筒容器(1)に、少なくとも１か所以上非円筒形状部(2)が形成されると共に、前記円筒容器(1)を覆う外装部材(3)に前記非円筒形状部(2)に一致する変形部(4)が形成されており、包装時に前記非円筒形状部(2)に前記変形部(4)を合致させることにより、外装部材(3)の内部に於ける円筒容器(1)の回転を防止せしめる円筒容器の包装方法。」
　
＜２＞　引用例の記載
　これに対して、当審での拒絶の理由に引用した実願昭６１−６６６０７号（実開昭６２−１７７６６４号）のマイクロフィルム（以下、「引用文献１」という。）には下記の事項が記載されている。
(a)「上述のような構成の従来の包装箱では、製品Ａを固定する手段が設けられていないため、輸送、運搬により、製品Ａがトレー２０内で回転し、又は、外箱１０の覗き窓１１から不意に飛び出すのを防ぐことは困難であり、製品Ａの表示部Ａ’を外箱１０の覗き窓１１から透視できるように定位置に保持させておくことができなかった。
　そこで、本考案は、上記の点に着目し、製品を定位置に確実に固定することができ、且つ、自動包装機械への対応性に優れた包装箱を提供することを目的とする。」（第２頁第４〜１４行）
(b)「トレー２は、樹脂製の成型品であり、中央部に半円状の凹みを設け、製品Ａを覆う半円筒状の収納部２ａとしている。そして、収納部２ａの一部に製品Ａの表示部Ａ’の形状と合致させた類似形状の嵌合部２ｂを形成してある。又、収納部２ａの両側壁面に内側に向かう楔状の製品Ａ固定用の突起２ｃを設けてある。更に、収納部２ａの両端に矩形部２ｄを形成するとともに、該矩形部２ｄの隅角部に爪部２ｇを突設、形成してある。上記の構成により、トレー２の収納部２ａに製品Ａを入れ、製品Ａの表示部Ａ’を嵌合部２ｂに合致させるとともに、突起２ｃの間に挟持させて、回転、飛び出し不可に固定させる。」（第３頁第１５行〜第４頁第７行）
　また、当審での拒絶の理由に引用した実願昭６２−２４６０１号（実開昭６３−１３１９７１号）のマイクロフィルム（以下、「引用文献２」という。）には下記の事項が記載されている。
(c)「第２図および第４図において、被蓋２の内面側には１対の突起１６・１６を設け、この突起１６・１６間に電気かみそり４の正面側のスイッチボタン１７が位置するように設定し、もって輸送時などで電気かみそり４が凹部７内で不用意に回り動くのを防止している。」（第７頁第１４〜１９行）
　また、当審での拒絶の理由に引用した実公昭５０−１８８６７号公報（以下、「引用文献３」という。）には下記の事項が記載されている。
(d)「螺旋溝を有するろうそくにあっては、突起部５をしてろうそく自身が該ケース内で回動するのを防止していわゆるろうそくの回動による表面のろうそく白化現象をも防止する効果をなす。」（第２頁左欄第９〜１２行）
　さらに、当審での拒絶の理由に引用した実願平５−１７２９７号（実開平６−７１０８４号）のＣＤ−ＲＯＭ（以下、「引用文献４」という。）には下記の事項が記載されている。
(e)「彫刻刀は容器の中でやや回転して移動するという特徴がある。」（第３頁第１４行）
(f）「本考案は以上述べたように柄１に穴２が設けられている彫刻刀３を収納するための収納容器であって、容器本体４の底部には複数個の突部５が等間隔を置いて並べて設けられている。したがって、彫刻刀を収納容器に収納するときは、彫刻刀の穴２に突部５を挿入させて収納することとなり、持ち運んだときなどに彫刻刀が容器の中で移動して片寄ってしまうおそれがない。」（第４頁第２９行〜第５頁第４行）
＜３＞　対比・判断
　上記(a)乃至(d)からも認められるように、円筒形状の物品を外装部材で包装する際に、該物品が回転しないように包装しようとすることは、種々の円筒形状物品の包装において課題とされていることである。すなわち、該物品が回転しないように包装しようとする課題は引用文献１乃至３にも記載されている周知のものであり、円筒容器の包装においても、該円筒容器が回転しないように包装しようとすることは当業者ならば当然に考えつく程度の課題である。
　ここで、上記引用文献４の記載についてみてみると、上記(e)より被包装物である彫刻刀が回転しやすい物品であることが認められ、上記(f)より彫刻刀が回転して移動しないために、彫刻刀の特定箇所に穴が設けられ 、外装部材である収納容器には該穴に一致する突部が設けられていることが認められる。そして、「（彫刻刀の）穴」および「（収納容器の）突部」は、それらを互いに合致させることにより彫刻刀の回転を防止することを目的として設けられたものであるものと認められるから、それぞれ、本願発明における「（円筒容器の）非円筒形状部」および「（外装部材の）変形部」に相当する。
　したがって、本願発明の文言を用いて表現すると、引用文献４には、
「回転しやすい被包装物に、少なくとも１か所以上非円筒形状部が形成されると共に、前記回転しやすい被包装物を覆う外装部材に前記非円筒形状部に一致する変形部が形成されており、包装時に前記非円筒形状部に前記変形部を合致させることにより、外装部材の内部に於ける回転しやすい被包装物の回転を防止せしめる回転しやすい被包装物の包装方法。」（以下、「引用発明」という。）が開示されているということができる。
　そうすると、本願発明は、引用発明において「回転しやすい被包装物」として「円筒容器」を対象としたものに相当する。
　しかるに、円筒容器の包装においても、「被包装物が回転しないように包装しようとする」という引用発明と共通した課題を有し得ることは、上記検討で推察したとおりであるから、上記の引用発明の構成を円筒容器に適用して本願発明の構成とすることに格別の困難性は認められない。また、該適用によって当業者の予測を越える格別の効果が生じるものとも認められない。
　
＜４＞　むすび
　したがって、本願発明は、上記引用文献１乃至４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論の通り審決する。