【事件の表示】
　特許第３２５６３４５号「フォトマスクブランクスおよびフォトマスク」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５６３４５号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３２５６３４５号に係る発明は、平成５年７月２６日に特許出願され、平成１３年１１月３０日にその特許の設定登録がされ、その後、異議申立人北垣哲郎より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１２月１８日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人北垣哲郎は、甲第１号証（特公昭６２−２７３８７号公報）、甲第２号証（特公昭６２−２７３８６号公報）、甲第３号証（特開平４−１６２０３９号公報）、甲第４号証（特開昭５７−１０４１４１号公報）、甲第５号証（特願平５−８３４３４号（特開平６−３０８７１３号公報参照））、甲第６号証（特願平５−１７３０４２号（特開平７−２８２２４号公報参照））及び甲第７号証（特願平６−３１４２８号（特開平６−３４２２０５号公報参照））を提出し、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証記載の発明と同一であるから、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものであり、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、本件請求項１〜３に係る発明は、その出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された出願（甲第５号証〜甲第７号証）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、本件特許第３２５６３４５号の請求項１〜３に係る特許は、その明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載が不備のため、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものであるので、本件請求項１〜３に係る特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人北垣哲郎が提出した甲第１号証の内容
　甲第１号証の特許請求の範囲には、「１　透明基板上に第１層として窒素を含むクロム層、第２層として炭素を含むクロム層を積層したことを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　同号証第４欄第１４行〜第２３行には、「そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層した窒素を含むクロム層が従来ほぼ同一の炭化度または窒化度で構成されていたのに対して、この炭素または窒素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い第１層として窒素を含むクロム層を、第２層として炭素を含むクロム層をそれぞれ積層することにより、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。」と記載されている。
　同号証の第３欄第１４行〜第２６行には、「この低反射ブランクは、前述したようにレジスト塗布、露光現象及びレジスト剥離の各工程の後、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｍｌに純水を加えて１０００ｍｌにしたエッチング液（１９〜２０℃）でウエットエッチングすることにより所定のパターンを形成した場合、エッチング時間が５０（ｓｅｃ）でアンダーカット量が約０．３６（μｍ）であった。
ここで、アンダーカット量とは、第２図ｄに示すようにオーバーエッチングした場合においてレジスト４１下の幅寸法χ１と、窒素を含むクロム層２１及び窒素を含むクロム酸化層３１の最大幅寸法χ２との差である。」と記載されている。
　甲第１号証の第４欄第２６行〜第３９行には、「第５図ａ及びｂは、従来品の第１図ａ及びｂにそれぞれ対応して示した、この発明の実施例による断面図である。
第５図ａは、比較的表面反射率の高いフォトマスクブランクの例で、表面を精密研磨したソーダライムガラスからなる透明基板１０上に、窒化度が比較的大きい窒素を含むクロム層２２（膜厚約１５０Å）を第１層とし、そのクロム層２２上に窒化度が比較的小さい炭素を含むクロム層２３（膜厚約５００Å）をそれぞれ積層してなるフォトマスクブランクであり、第５図ｂは更に前例のフォトマスクブランクのクロム層２３上に窒素を含む酸化クロム層３２（膜厚２５０Å）を積層してなる低反射フォトマスクブランクである。」と記載されている。
１．３　異議申立人北垣哲郎が提出した甲第２号証の内容
　甲第２号証の特許請求の範囲には、「１　透明基板上に窒素を含むクロム層を積層させ、または該クロム層に更に酸化クロム層を積層させてなるフォトマスクブランクにおいて、該クロム層のうち、窒化度が該透明基板に近い層に大きく、かつ遠い層に小さいことを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されいる。　同号証第４欄第１４行〜第２１行には、「そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層した窒素を含むクロム層が従来ほぼ同一の窒化度で構成されていたのに対して、この窒素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い層と遠い層とに分け、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。」と記載されている。
　同号証の第３欄第１７行〜第２９行には、「この低反射ブランクは、前述したようにレジスト塗布、露光現象及びレジスト剥離の各工程の後、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｍｌに純水を加えて１０００ｍｌにしたエッチング液（１９〜２０℃）でウエットエッチングすることにより所定のパターンを形成した場合、エッチング時間が３０（ｓｅｃ）でアンダーカット量が約０．２８（μｍ）であった。
ここで、アンダーカット量とは、第２図ｄに示すようにオーバーエッチングした場合においてレジスト４１下の幅寸法χ１と、窒素を含むクロム層２１及び窒素を含むクロム酸化層３１の最大寸法χ２との差である。」と記載されている。
　甲第２号証の第４欄第３７行〜第５欄第１行には、「そこで、この低反射フオトマスクブランクについてクロム層２２とクロム層２３の各窒化度を相対的に変えたものを表に示すように用意し、膜厚についてはクロム層２２を１５０Å、クロム層２３を５００Åにし、このクロム層２３上に前述した酸化クロム層３２を積層し、光学濃度については、所望値３．０が得られるようにスパッタリング速度を調整し、その他は従来と同様なスパッタリング法により各層を積層する。」と記載されている。
１．４　異議申立人北垣哲郎が提出した甲第３号証の内容                     
　甲第３号証の特許請求の範囲の請求項１には、「（１）所定波長の光ビームもしくは電磁波に対してほぼ透明な基板に形成された幾何学的なパターンを感応基板へ転写するために使われるフォトマスクにおいて、前記光ビームもしくは電磁波に対する透明部から成る第１の部分と、前記光ビームもしくは電磁波に対して所定の透過率を有する半透明部から成る第２の部分とによって前記パターンを形成するとともに、隣接する前記第１の部分と第２の部分との前記光ビームもしくは電磁波に対する光路長を異ならせて２ｎπもしくは（２ｎ＋１）π（但しｎは整数）の位相差を与えたことを特徴とするフォトマスク。」と記載されている。
　同号証の特許請求の範囲の請求項３、４には、「（３）前記第２の部分は、少なくとも２種類の薄膜を積層して形成され、該薄膜の膜厚の各々を調整することにより、前記光ビームもしくは電磁波に対する透過率と、前記第１の部分と第２の部分との位相差とを制御することを特徴とする請求項１または２に記載のフォトマスク。
（４）前記第２の部分は、前記薄膜として金属薄膜と誘電体薄膜とを積層して形成されたことを特徴とする請求項３に記載のフォトマスク。」と記載されている。
　同号証の第３頁左上欄第１６行〜同右上欄第６行には、「また、半透明部を少なくとも２種類の薄膜、例えば金属薄膜と誘電体膜とを積層して多層膜とすれば、金属薄膜及び誘電体膜の各々の条件（膜厚）を最適化することで、任意のエネルギー透過率を得ることができる。また、同様にして半透明部からの透過光と、透明部からの透過光に対して任意の位相差（２ｎπもしくは（２ｎ＋１）π）を与えることが可能である。ここでは半透明部を多層膜としているため、各膜厚を最適化するだけで簡単に透過率と位相差とを制御することが可能となっている。」と記載されている。
１．５　異議申立人北垣哲郎が提出した甲第４号証の内容
　甲第４号証の請求項１には、「１透明基板上にクロムからなる薄膜層と、その上に積層された酸化クロム、窒化クロムの２種を主成分としてなる薄膜層とからなる多層遮光膜を設けてなることを特徴とするフォトマスク基板。」と記載されており、同号証第１頁右欄第１５行〜第２頁左上欄第１７行には、「ところで、この多層構造マスクは、…単層型のクロムマスクに比較して、画像品質や耐久性にすぐれたものを作成し難いという欠点を有している。
　この問題は、具体的には、その多層構造の遮光層を周知のフォトリソグラフィー・プロセスによりエッチングしてパターン化するに際して、クロム層とその上面もしくは下面に積層された酸化クロム層とのエッチング速度が異なることに起因するものである。通常の場合、酸化クロム層のエッチング速度がクロム層に比して数倍遅い。このため、２層構造の片面低反射クロムマスク及び３層構造両面低反射クロムマスクの場合、第１図にそれぞれ（ａ），（ｂ）で示すように、最上部の酸化クロム層１より、その下層のクロム層２の方がエッチング速度が速いため、クロム層２のアンダーカット量が大きくなり、両層間の断面形状に段差を生じ、画像周囲に酸化クロム層からなるひさしを生じることになる。」と記載されている。
　同号証第２頁右上欄１８行〜左下欄第７行には、「これらの問題を解決するために通常行なわれている方法はクロム膜、酸化クロム膜の各膜の成膜方法を根本的に異なる方法とすることであり、例えば、下層のクロム膜をスパッタリング法で形成し、上層の酸化クロム層を真空蒸着で形成するという方法である。これはスパッタリング法で形成された酸化クロム膜に比し、真空蒸着で得られる酸化クロム層の方がエッチング速度が早く、スパッタリング法によるクロム膜のエッチング速度に近いためである。」と記載されている。
１．６　異議申立人北垣哲郎が提出した甲第５号証の内容
　甲第５号証の【０００１】段落には、「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路等の製造に用いられる位相シフトフォトマスク及びそれを製造するための位相シフトフォトマスク用ブランクスに関する。」と記載されている。
　甲第５号証の【００１６】〜【００１８】段落には、「【００１６】また、さらに、半透明層を２層以上の多層膜にすることにより、各層によりエッチング加工時にエッチング特性を組織構造の違いや成分比の違いにより制御が可能となり、同一連続エッチング条件で単層に比べて垂直なエッチング断層が得られるように調整が可能となる。
【００１７】半透明層のエッチング法としては、一般的な硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合水溶液を用いたウェットエッチング法や、Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 、ＣＨＣｌ3 、ＣＨ2 Ｃｌ2 等に酸素を加えた混合ガスを用いたドライエッチング法がよい。
【００１８】半透明層を構成する多層膜の膜厚は、露光光の波長をλ、各層の膜厚をｔi 、各層の露光波長での屈折率をｎi とすると、ａλ＝Σi ｔi （ｎi−１）において、ａ＝１／２となるように調整すればよく、実質上位相シフト量が１８０°となる。ここで、Σi はｉについての総和を表す。なお、１／４≦ａ≦３／４であれば、位相シフト層の効果が認められるが、ａが１／２近傍にあることが最良であることは言うまでもない。」と記載されている。
　甲第５号証の【００２０】段落には、「【００２０】【実施例】以下、本発明の位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスの実施例を具体的に説明する。
〔実施例１〕図１は、本発明の一実施例の位相シフトフォトマスクを模式的に示した断面図である。光学研磨された高純度石英ガラスからなる透明基板１上に、ＰＶＤ法により形成されたクロム、酸素、窒素を成分とするクロム化合物からなる厚さ７０ｎｍの第１半遮光膜２と、さらに、同様な方法で形成されたクロム、酸素、窒素、炭素を成分とするクロム化合物からなる厚さ６５ｎｍの第２半遮光膜３とが積層され、基板１上には、第１半遮光膜２と第２半遮光膜３とで形成された半遮光層４の領域と、この半遮光層４がない抜きパタンとしての透明な領域５がある。なお、第１半遮光膜２と第２半遮光膜３の３５６ｎｍでの屈折率は、それぞれ、２．３と２．４であった。各層の屈折率は、膜形成条件を制御することにより２０％程度は調整可能であった。」と記載されている。
　甲第５号証の【００２２】〜【００２３】段落には、「【００２２】この実施例により形成された透明基板１上の２層からなる半遮光層４がエッチング加工された部分を斜め上方から電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）で見ると、エッチング特性の違いにより、半遮光層端面が２つの部分に分かれており、かつ、端部が基板面に対して垂直に揃うように調整されていることが分かった。さらに、図３（ａ）〜（ｃ）はこの実施例の製造方法を説明するための断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、光学研磨された高純度石英ガラスからなる透明基板１上に、クロムをターゲットとして、アルゴン、酸素、窒素の混合ガスを用いたスパッタリング法により、第１半透明膜２を厚さ７０ｎｍだけ形成し、さらに、その上に、混合ガスをアルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素の混合ガスを用いたスパッタリング法により、第２半透明膜３を厚さ６５ｎｍだけ積層することにより、２層からなる半遮光層４を形成した位相シフトフォトマスク用ブランクスが完成した。
【００２３】この際の第１半透明膜２と第２半透明膜３の波長３６５ｎｍでの屈折率は、それぞれ、２．３と２．４であった。また、波長２００〜８００ｎｍの範囲の光の透過率は、図２の場合と同様であった。」と記載されている。
１．７　異議申立人北垣哲郎が提出した甲第６号証の内容
　甲第６号証の請求項１、３、９及び１１には、「【請求項１】 透明基板上のハーフトーン位相シフト層がクロム化合物を主体とする層を少なくとも１層以上含むハーフトーン位相シフトフォトマスクにおいて、前記クロム化合物を主体とする層のクロム原子と酸素原子との組成比が、Ｘ線光電子分光法によって、１００対１００乃至３００の範囲に含まれていることを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク。
【請求項３】 請求項２において、前記クロム化合物を主体とする層の膜表面より深さ３０Å以内の表面領域で他の領域よりも多く炭素原子が含有されていることを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク。
【請求項９】 透明基板上のハーフトーン位相シフト層がクロム化合物を主体とする層を少なくとも１層以上含むハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスにおいて、前記クロム化合物を主体とする層のクロム原子と酸素原子との組成比が、Ｘ線光電子分光法によって、１００対１００乃至３００の範囲に含まれていることを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス。
【請求項１１】 請求項１０において、前記クロム化合物を主体とする層の膜表面より深さ３０Å以内の表面領域で他の領域よりも多く炭素原子が含有されていることを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス。」と記載されている。
　甲第６号証の【００１９】段落には、「【００１９】次に、炭素原子の役割について調べるため、酸素源として炭酸ガスの代わりに酸素ガスを用いた酸素ガス／アルゴンガス系で同様な成膜を行った。このときも、上述と同様の結果が得られたが、膜の耐薬品性が炭酸ガス／窒素ガス系、及び、炭酸ガス／アルゴンガス系での膜に比べて劣るという結果が得られた。例えば、フォトマスクの洗浄に使用される、８０°Ｃに熱した濃硫酸：濃硝酸＝１０：１（体積）の混酸に３０分間浸漬した後の膜減り量を図７に示す。これより、炭酸ガスを用いて成膜した膜が、酸素ガスを用いて成膜した膜に比べて、洗浄に用いる混酸に対する耐性が良いことが判る。そして、この性質は、マスクプロセスの際に使用される他の薬品（酸、アルカリ、有機溶剤等）に対しても同様である。また、図８に、酸素ガス／アルゴンガス系で成膜した膜のＸ線光電子分光法により求めた組成を示す。図８と図６とを比較すると、膜中に含まれる炭素量が異なることが判る。これにより、上述の薬品耐性の強さは、炭素原子が含まれることによるものと考えられる。なお、炭素原子の定量分析は一般的に難しく、また、図６と図８において、炭素源となるガスを積極的に導入していないときにも、膜中に炭素原子が確認されることから、これらの結果にはある程度のバッックグラウンドが重なっていると考えられる。そこで、発明者等は様々な成膜環境、分析環境を検討した結果、上述の効果は、炭素原子がクロム原子に対して０．５％以上含まれるときに現れることを突き止めた。また、図９に、Ｘ線光電子分光法により求めた組成の深さ方向のプロファイルを示すが、多くの場合、炭素原子は表面領域に多く分布する。表面領域にこのような炭素原子を多く含む膜は、薬液浸漬時の耐性が向上している。」と記載されている。
１．８　異議申立人北垣哲郎が提出した甲第７号証の内容
　甲第７号証の請求項１及び３には、「【請求項１】 透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、該透明領域と該半透明領域との位相差が実質的に１８０°になるような構成の位相シフトフォトマスクにおいて、半透明領域を構成する半透明膜がクロムあるいはクロム化合物の多層膜からなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
【請求項３】 前記半透明膜の構成が、透明基板側より、クロムあるいは窒化クロムの中のどちらかからなる一層膜と、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、酸化窒化炭化クロムの中の一の化合物からなる一層膜との２層膜からなることを特徴とする請求項１記載の位相シフトフォトマスク。」と記載されている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第３２５６３４５号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１の「透明基板の上に２層以上の位相シフト層が形成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスクであって、前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は」を、「透明基板の上に透光性を有する２層以上の位相シフト層が形成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスクであって、前記各位相シフト層はクロム酸化物から成り、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液をエッチング液としたときに、前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は」と訂正する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
請求項１
「透明基板の上に透光性を有する２層以上の位相シフト層が形成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスクであって、
　前記各位相シフト層はクロム酸化物から成り、
　硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液をエッチング液としたときに、
　前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は、前記透明基板に近い方の位相シフト層よりも、前記透明基板に遠い方の位相シフト層の方が遅くなるように構成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスク。」
請求項２
「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変えられた請求項１記載のフオトマスクブランクスおよびフォトマスク。」
請求項３
「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフォトマスクブランクスおよびフオトマスク。」
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、「２層」及び「前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度」を、それぞれ、下位概念である、「透光性を有する２層」及び「前記各位相シフト層はクロム酸化物から成り、
　硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液をエッチング液としたときに、
　前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　当該訂正事項ａは、特許明細書【００１４】、【００１７】及び【００１８】から導き出されるので、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａは、上記３．１のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜３に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．３　取消理由通知の概容
（１）．本件特許第３２５６３４５号の請求項１〜３に係る発明は、その請求項１〜３に記載されたとおりのものである。
（２）．第２９条第１項第３号該当性について
　請求項１〜３に係る発明は、異議申立人北垣哲郎が提出した異議申立書記載の理由により、下記甲第１号証又は甲第２号証記載の発明と同一である。
　よって、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものである。
（３）．第２９条第２項違反について
　請求項１〜３に係る発明は、異議申立人北垣哲郎が提出した異議申立書記載の理由により、下記甲第１号証〜甲第４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
　よって、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（４）．第２９条の２違反について
　請求項１〜３に係る発明は、特許異議申立人北垣哲郎が提出した特許異議申立書に記載された理由により、その出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された下記の出願（以下「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書（以下「先願明細書」という。）又は図面（以下「先願図面」という。）に記載された発明と同一であると認められる。
（５）．　第３６条違反について
　本件特許第３２５６３４５号は、その明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載が異議申立人北垣哲郎が提出した異議申立書記載の理由で不備のため、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものである。
　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特公昭６２−２７３８７号公報
甲第２号証：特公昭６２−２７３８６号公報
甲第３号証：特開平４−１６２０３９号公報
甲第４号証：特開昭５７−１０４１４１号公報
先願（甲第５号証）：特願平５−８３４３４号（特開平６−３０８７１３号公報参照）
先願（甲第６号証）：特願平５−１７３０４２号（特開平７−２８２２４号公報参照）
先願（甲第７号証）：特願平６−３１４２８号（特開平６−３４２２０５号公報参照）
４．４　引用例の内容
　１．２〜１．８に記載のとおり。
４．５　本件請求項１〜３に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
４．５．１　本件請求項１に係る発明と取消理由に引用した甲第５号証との対比
　甲第５号証記載の発明は、【０００１】段落に記載されているように、位相シフトフォトマスク及びそれを製造するための位相シフトフォトマスク用ブランクスに関するものである。
　また、甲第５号証の【００２０】段落には、「光学研磨された高純度石英ガラスからなる透明基板１上に、ＰＶＤ法により形成されたクロム、酸素、窒素を成分とするクロム化合物からなる厚さ７０ｎｍの第１半遮光膜２と、さらに、同様な方法で形成されたクロム、酸素、窒素、炭素を成分とするクロム化合物からなる厚さ６５ｎｍの第２半遮光膜３とが積層され」と記載されているいるから、甲第５号証の位相シフトフォトマスク及びそれを製造するための位相シフトフォトマスク用ブランクスは、その位相シフト層がクロム酸化物である。
　さらに、甲第５号証の【００１７】段落には、「半透明層のエッチング法としては、一般的な硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合水溶液を用いたウェットエッチング法…がよい。」と記載されているいる。
　また、甲第５号証の【００１６】段落には、「半透明層を２層以上の多層膜にすることにより、各層によりエッチング加工時にエッチング特性を組織構造の違いや成分比の違いにより制御が可能となり、同一連続エッチング条件で単層に比べて垂直なエッチング断層が得られるように調整が可能となる。」と記載されているから、甲第５号証の位相シフト層は２層以上である。
　そこで、本件請求項１に係る発明と甲第５号証とを対比すると、両者は、「透明基板の上に透光性を有する２層以上の位相シフト層が形成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスクであって、
　前記各位相シフト層はクロム酸化物から成り、
　硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液をエッチング液としたフォトマスクブランクスおよびフォトマスク。」において一致する。
　しかるに、本件請求項１に係る発明が、「各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は、前記透明基板に近い方の位相シフト層よりも、前記透明基板に遠い方の位相シフト層の方が遅くなるように構成」するのに対し、甲第５号証には当該構成の記載がない点で両者は一応、文言上の相違を有する。
　上記文言上の相違について検討する。
　ウエットエッチング法においては、エッチングの際、最初にエッチング液に曝される層が、エッチングが進んで後からエッチング液に曝される層よりも基板に平行な方向により多くエッチングされることは周知事項（例えば、甲第１号証及び甲第２号証等参照。）であるところ、甲第５号証の【００１６】段落には、「半透明層を２層以上の多層膜にすることにより、各層によりエッチング加工時にエッチング特性を組織構造の違いや成分比の違いにより制御が可能となり、同一連続エッチング条件で単層に比べて垂直なエッチング断層が得られるように調整が可能となる。」（以下、「記載Ａ」という。）と記載されており、当該記載Ａは、「各層によりエッチング加工時にエッチング特性を…制御」し、「同一連続エッチング条件で単層に比べて垂直なエッチング断層が得られる」ということであるから、上記周知事項を考慮すると、上記記載Ａは、「各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は、前記透明基板に近い方の位相シフト層よりも、前記透明基板に遠い方の位相シフト層の方が遅くなるように構成」することを意味することは、当業者において自明である。
　そうすると、本件請求項１に係る発明と甲第５号証記載の発明に実質上の差異はない。
４．５．２　本件請求項２に係る発明と取消理由に引用した甲第５号証との対比
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明を引用し、その付加事項は、「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変えられた請求項１記載のフオトマスクブランクスおよびフォトマスク。」であるが、甲第５号証の【００２０】段落には、「【００２０】【実施例】以下、本発明の位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスの実施例を具体的に説明する。
〔実施例１〕図１は、本発明の一実施例の位相シフトフォトマスクを模式的に示した断面図である。光学研磨された高純度石英ガラスからなる透明基板１上に、ＰＶＤ法により形成されたクロム、酸素、窒素を成分とするクロム化合物からなる厚さ７０ｎｍの第１半遮光膜２と、さらに、同様な方法で形成されたクロム、酸素、窒素、炭素を成分とするクロム化合物からなる厚さ６５ｎｍの第２半遮光膜３とが積層され」と記載されているから、甲第５号証記載の発明は、本件請求項２に係る発明の付加事項である、「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変えられた請求項１記載のフオトマスクブランクスおよびフォトマスク。」の構成も備えているから、本件請求項２に係る発明と甲第５号証記載の発明に実質上の差異はない。
４．５．３　本件請求項３に係る発明と取消理由に引用した甲第５号証との対比
　本件請求項３に係る発明は、本件請求項１及び２に係る発明を引用し、その付加事項は、「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフォトマスクブランクスおよびフオトマスク。」であるが、甲第５号証の【００２０】段落には、「第１半遮光膜２と第２半遮光膜３の３５６ｎｍでの屈折率は、それぞれ、２．３と２．４であった。各層の屈折率は、膜形成条件を制御することにより２０％程度は調整可能」と記載されているから、甲第５号証記載の発明は、本件請求項３に係る発明の付加事項である、「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフォトマスクブランクスおよびフオトマスク。」の構成も備えているから、本件請求項３に係る発明と甲第５号証記載の発明に実質上の差異はない。
４．５．４　本件請求項１に係る発明と取消理由に引用した甲第１号証との対比
　甲第１号証の特許請求の範囲には、「１　透明基板上に第１層として窒素を含むクロム層、第２層として炭素を含むクロム層を積層したことを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載され、甲第１号証第４欄第１４行〜第２２行には、「本発明者は、特に透明基板上に積層した窒素を含むクロム層が従来ほぼ同一の炭化度または窒化度で構成されていたのに対して、この炭素または窒素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い第１層として窒素を含むクロム層を、第２層として炭素を含むクロム層をそれぞれ積層することにより、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく」と記載され、さらに、同号証の第３欄第１４行〜第１９行には、「この低反射ブランクは、前述したようにレジスト塗布、露光現象及びレジスト剥離の各工程の後、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸（７０％）４２ｍｌに純水を加えて１０００ｍｌにしたエッチング液（１９〜２０℃）でウエットエッチングする」と記載されているから、本件請求項１に係る発明と甲第１号証記載の発明は、「透明基板の上に２層以上の層が形成されたフォトマスクブランクスであって、
　硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液をエッチング液としたときに、
　前記各層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は、前記透明基板に近い方の層よりも、前記透明基板に遠い方の層の方が遅くなるように構成されたフォトマスクブランクス。」において一致し、本件請求項１に係る発明では、エッチングされる層が、「透光性を有する位相シフト層」であるのに対し、甲第１号証記載の発明は、位相シフト層に適用されるとの記載がない点で相違し、また、本件請求項１に係る発明が、「各位相シフト層はクロム酸化物から成」るものであるのに対し、甲第１号証記載の発明は、透明基板上に第１層として窒素を含むクロム層、第２層として炭素を含むクロム層を積層しており、クロム酸化物を層としていない点で相違する。
　上記相違について検討する。
　位相シフト層を有する所謂位相シフトマスクは周知であって、位相シフト層をクロム酸化物で構成することも周知である。
　また、ウエットエッチングにおいては、クロム酸化物とクロム炭化物及びクロム窒化物で基板に平行な方向のエッチングの仕方に特に差はないことは当業者において明らかな事項であるから、周知の位相シフト層のエッチングにおいて、甲第１号証記載の発明を適用し、「各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は、前記透明基板に近い方の位相シフト層よりも、前記透明基板に遠い方の位相シフト層の方が遅くなるように構成」することに困難性は認められない。
　そうすると、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
４．５．５　本件請求項２に係る発明と甲第１号証との対比
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明を引用し、その付加事項は、「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変えられた請求項１記載のフオトマスクブランクスおよびフォトマスク。」であるが、甲第１号証の第４欄第２６行〜第３９行には、「第５図ａ及びｂは、従来品の第１図ａ及びｂにそれぞれ対応して示した、この発明の実施例による断面図である。
第５図ａは、比較的表面反射率の高いフォトマスクブランクの例で、表面を精密研磨したソーダライムガラスからなる透明基板１０上に、窒化度が比較的大きい窒素を含むクロム層２２（膜厚約１５０Å）を第１層とし、そのクロム層２２上に窒化度が比較的小さい炭素を含むクロム層２３（膜厚約５００Å）をそれぞれ積層してなるフォトマスクブランクであり、第５図ｂは更に前例のフォトマスクブランクのクロム層２３上に窒素を含む酸化クロム層３２（膜厚２５０Å）を積層してなる低反射フォトマスクブランクである。」と記載されているから、甲第１号証記載の発明は、本件請求項２に係る発明の付加事項である、「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変えられた請求項１記載のフオトマスクブランクスおよびフォトマスク。」の構成も備えているから、本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明と同様に、甲第１号証記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
４．５．６　本件請求項３に係る発明と甲第１号証との対比
　本件請求項３に係る発明は、本件請求項１及び２に係る発明を引用し、その付加事項は、「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフォトマスクブランクスおよびフオトマスク。」であるが、甲第１号証の第４欄第２６行〜第３９行には、「第５図ａ及びｂは、従来品の第１図ａ及びｂにそれぞれ対応して示した、この発明の実施例による断面図である。
第５図ａは、比較的表面反射率の高いフォトマスクブランクの例で、表面を精密研磨したソーダライムガラスからなる透明基板１０上に、窒化度が比較的大きい窒素を含むクロム層２２（膜厚約１５０Å）を第１層とし、そのクロム層２２上に窒化度が比較的小さい炭素を含むクロム層２３（膜厚約５００Å）をそれぞれ積層してなるフォトマスクブランクであり、第５図ｂは更に前例のフォトマスクブランクのクロム層２３上に窒素を含む酸化クロム層３２（膜厚２５０Å）を積層してなる低反射フォトマスクブランクである。」と記載されているから、甲第１号証記載の発明は、本件請求項３に係る発明の付加事項である、「前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフォトマスクブランクスおよびフオトマスク。」の構成も備えているから、本件請求項３に係る発明は、本件請求項１に係る発明と同様に、甲第１号証記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１〜３に係る発明は、特許法第２９条の２及び特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１〜３に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１及び２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月２５日（２００３．２．２５）
【訂正の要旨】
　平成１３年１０月１１日付け提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲第１項の「透明基板の上に２層以上の位相シフト層が形成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスクであって、前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は……」という記載を、「透明基板の上に
透光性を有する
前記各位相シフト層はクロム酸化物から成り、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液をエッチング液としたときに、
（５４）【発明の名称】
フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】透明基板の上に
透光性を有する
　
前記各位相シフト層はクロム酸化物から成り、
　
硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液をエッチング液としたときに、
　前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッチング速度は、前記透明基板に近い方の位相シフト層よりも、前記透明基板に遠い方の位相シフト層の方が遅くなるように構成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスク。
　【請求項２】前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変えられた請求項１記載のフォトマスクブランクスおよびフォトマスク。
　【請求項３】前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフォトマスクブランクスおよびフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は投影露光装置に使用されるフォトマスクブランクスおよびフォトマスクに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の位相シフトフォトマスクの一例が図４に示されており、同図において、透明基板１の表面には遮光層３が作られ、更に、その遮光層３の上には透明または半透明位相シフター層２が作られている。その場合、透明または半透明位相シフター層２は位相シフトの役割を果たし、また、遮光層３は光の透過率を抑える役割を果たしている。そして、遮光層３はＣｒ、モリブデンシリサイド膜等の遮光膜で作られている。
　【０００３】
　また、別の例が図５に示されており、同図において、透明基板１の表面には単層の半透明位相シフター層２だけが作られている。その場合、単層の半透明位相シフター層２は位相シフトの役割と光の透過率を調整する役割とを兼用している。したがって、別の例では遮光層は用いず、ハーフトーン位相シフターの光吸収性により光の透過率を制御することで、露光波長λにおける光の透過エネルギーをフォトレジストの感光感度以下に抑えるようにしている。
　【０００４】
　このような一例および別の例において、シフター層２は目的位相シフトφ（通常πラジアン）に対して、
φ＝２π・（ｎ１−１）・ｄ１／λ・・・・（１）を満足するようにシフター層２の厚みｄ１が設定される。したがって、（１）式より、ｄ１は次のようになる。ｄ１＝φ・λ／２π・（ｎ１−１）・・・・（２）
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来の位相シフトフォトマスクの一例および別の例は、シフター開口部８を形成するために、ウェット（湿式）エッチングを行うと、図６に示されるようにウェットエッチングの等方性によりシフター開口部８の境界がだれるようになる。そのため、ドライエッチングによってシフター開口部８を形成しなければならなかった。
　【０００６】
　また、従来の位相シフトフォトマスクの一例は、位相シフター層２と遮光層３とが異質の物質で作られているため、フォトマスクの製造プロセスにおいて成膜プロセスやドライエッチングプロセスが複雑になり、手間がかかる問題が起きた。
　【０００７】
　また、別の例は、半透明位相シフター層２があるだけであるので、フォトマスクの製造プロセスにおいて成膜プロセスやドライエッチングプロセスが簡単になり、手間が省けるようになる。しかしながら、単層であるため、光学膜の設計に柔軟性を欠くようになる。そのため、例えば、クロムやモリブデンシリサイドの酸化物や酸窒化物のように短波長の露光波長に対し、消衰係数ｋがある限度以下にならない場合、光の透過率Ｔの光学的パラメータ依存性により、光の透過率の低下を抑えることができないという問題がある。また、低反射率あるいは高反射率のハーフトーンフォトマスクが必要とされる場合でも、単層であると、反射率が一義的に決まってしまう。
　【０００８】
　この発明の目的は、従来の問題を解決して、ウェットエッチングによって位相シフトフォトマスクのパターンを切ることが可能であるとともに、吸収係数の大きな位相シフター層であっても光の透過率を高くすることが可能になり、更に、低反射率または高反射率のハーフトーンフォトマスクの製作が可能で、しかも、フォトマスクの製造プロセスが単純で手間のかからないフォトマスクブランクスおよびフォトマスクを提供するものである。
　【０００９】
　上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、透明基板の上に
透光性を有する
前記各位相シフト層はクロム酸化物から成り、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液をエッチング液としたときに、
　請求項２記載の発明は、前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変えられた請求項１記載のフォトマスクブランクスおよびフォトマスクである。
　請求項３記載の発明は、前記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフォトマスクブランクスおよびフォトマスクである。
　【００１０】
　【作用】
　この発明においては、エッチング特性を膜厚の方向に変化させているので、ウェットエッチングに際して、位相シフト層の透明基板面に平行な方向のエッチング量（サイドエッチング量と称する）の均一化をはかることが可能になり、ウェットエッチングによってもシャープなパターンが形成されるようになる。
　【００１１】
　また、光学的特性を膜厚の方向に変化させているので、位相シフト層における入射光の反射による透過率損失を軽減して、消衰係数の大きな位相シフト層の材質に対しても透過率を高くすることが可能になる。
　【００１２】
　更に、低反射率または高反射率のフォトマスクブランクスおよびフォトマスクを簡単に作ることができる。
　【００１３】
　【実施例】
　以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説明する。この発明の実施例のフォトマスクブランクスおよびフォトマスクが図１に示されており、同図において、透明基板１の上には１層目の位相シフト層５が形成され、更に、その１層目の位相シフト層５の上には２層目の位相シフト層６が形成されている。なお、図中、７はシフター部、８はシフター開口部である。
　【００１４】
　このような実施例の製造には、直流マグネトロン方式によるスパツタ成膜装置が用いられ、クロムターゲットからクロムをスパツタ蒸着すると共に、反応性ガスとして酸素とＣＨ４を用いた反応性スパッタリングによって透明基板１の上に成膜条件を変えて２層のハーフトーンクロム酸化物からなる位相シフター膜を形成した。
　【００１５】
　スパツタ成膜装置の基板ホルダーは１５３ｍｍ□の石英の透明基板１を円周方向に１４枚搭載することができ、膜厚分布を均一化するために、毎分１．５回転の回転速度で回転して成膜した。そのときの基板温度は１００℃である。１層目の位相シフター層はＡｒを４０ｓｃｃｍ、Ｏ２を７ｓｃｃｍ流し、スパツタ圧力２ｍＴｏｒｒ、スパッタ電圧を４１７Ｖ、スパッタ電流を２．５Ａにして、１０分間成膜し、層厚を６５．５ｎｍに形成した。回転成膜の堆積速度は６．２５ｎｍ／ｍｉｎであり、静止成膜換算では、９４ｎｍ／ｍｉｎである。膜厚は６２．５ｎｍである。
　【００１６】
　１層目の成膜条件で得られる膜質は光学定数ｎ１−ｉｋ１において、ｎ１＝２．５、ｋ１＝０．５７であり、ウェットエッチング速度は層厚方向において１７４ｎｍ／ｍｉｎ、層厚方向に垂直な方向（サイドエッチングと称する）において１６２０ｎｍ／ｍｉｎである。
　【００１７】
　ウェットエッチング液は水１リットルに対し、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇｒ、７０％過塩素酸４２ミリリットルを加えた水溶液で、液温２０℃とした。
　【００１８】
　１層目を形成した直後、続けて２層目を成膜条件を変えて形成し、２層目のハーフトーンクロム酸炭化層を６２．５ｎｍの厚さで形成した。
　【００１９】
　２層目の成膜条件は以下の通りである。反応ガス流量はＡｒ；２７ｓｃｃｍ、Ｏ２；４．４ｓｃｃｍ、ＣＨ４；３ｓｃｃｍ、スパッタ圧力は２ｍＴｏｒｒ、スパッタ電圧は４２５Ｖ、スパッタ電流は２．５Ａ、成膜時間は１４．５分である。回転成膜の堆積速度は４．３ｎｍ／ｍｉｎ、静止成膜換算で、６５ｎｍ／ｍｉｎである。基板温度は２００℃である。
　【００２０】
　２層目の成膜条件で得られた膜質は光学定数ｎ２−ｉｋ２において、ｎ２＝２．０、ｋ２＝０．５８であり、ウェットエッチング速度は層厚方向において１３２ｎｍ／ｍｉｎ、層厚方向に垂直な方向（サイドエッチングと称する）において９６０ｎｍ／ｍｉｎである。膜厚は６２．５ｎｍである。
　【００２１】
　透明基板１に２層目の位相シフト層を形成した位相フォトマスクブランクスにＡＺ１５００フォトレジストを塗布し、露光現象して線幅２μｍの線状のレジストパターンを形成し、エッチング時間１分間でウェットエッチングを行った。
　【００２２】
　ウェットエッチング後の位相シフトフォトマスクの断面形状は図２に図式的に示されている。図２において、９はレジスト層である。
　【００２３】
　なお、この位相シフトフォトマスクは、１層目と同じ膜質の単層のハーフトーン位相シフトフォトマスクと同じ膜質の単層のハーフトーン位相シフトフォトマスクと同じドライエッチング条件でエッチングすることができた。即ち、平行平板型のＲＦイオンエッチング装置を用い、作動圧力を０．３Ｔｏｒｒ、反応ガスＣＨ２Ｃｌ２とＯ２をそれぞれ２５ｓｃｃｍおよび７５ｓｃｃｍにして、エッチングを行うと、エッチング時間約４分でエッチングを行うことができた。
　【００２４】
　この２層位相シフト層フォトマスクのｉ線の光透過率Ｔは６．３８％、反射率は１２．９％、位相シフト角φ０は１８０°であった。
　【００２５】
　このような実施例において、ウェットエッチング形状が図２に示すように改善されたのは、２層目のサイドエッチング速度が１層目のサイドエッチング速度より小さいために、サイドエッチングの進行が均一化されるためである。また、このハーフトーン位相シフトマスクの透過率、反射率および位相シフト角は、測定された光学定数、膜厚からの計算値と一致する。
　【００２６】
　ところで、この実施例は２層のハーフトーン位相シフト層に関するものであるが、３層以上のハーフトーン位相シフト層についても同様に設計、制作することが可能になる。図３は反射率の低下と透過率の改善をはかった３層のハーフトーン位相シフト層を示している。この３層のハーフトーン位相シフト層の特性と、同じ膜厚で光学定数がこの３層のハーフトーン位相シフト層の平均値に等しい従来の単層膜の特性とを比較すると、３層のハーフトーン位相シフト層の反射率Ｒ＝１３．４％、透過率Ｔ＝９．７４％に対して、単層膜では反射率Ｒ＝１０．２３％、透過率Ｔ＝９．５％で、反射率の増加と透過率の改善に有効であることがわかる。位相シフト角は共に１８０°である。更に、多層にして、増反射膜とすることにより、消衰係数ｋが小さい波長域においても、透過率を抑えることが可能である。図３において、１０は３層目の位相シフト層である。
　【００２７】
　なお、この３層膜の膜構成はｊ層目の光学定数および膜厚をそれぞれｎｊ−ｋｊおよびｄｊとすると、
　　ｎ１＝２．５、ｋ１＝０．５、ｄ１＝３２５Å
　　ｎ２＝２．３、ｋ２＝０．４２、ｄ２＝７０６．５Å
　　ｎ３＝２．０７、ｋ３＝０．４、ｄ３＝３９２．５Å
　　全膜厚ｄ＝ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＝１４２４Å
であり、この３層膜の光学定数の平均値、膜厚が等しい単層膜の光学定数、および膜厚は、
　　ｎ＝２．２８２、ｋ＝０．４３２７、ｄ＝１４２４Å
である。
　また、光の入射方向は基板裏面からである。
　【００２８】
　【発明の効果】
　この発明においては、エッチング特性を膜厚の方向に変化させているので、ウェットエッチングに際して、位相シフト層の透明基板面に平行な方向のエッチング量（サイドエッチング量と称する）の均一化をはかることが可能になり、ウェットエッチングによってもシャープなパターンが形成されるようになる。
　【００２９】
　また、光学的特性を膜厚の方向に変化させているので、位相シフト層における入射光の反射による透過率損失を軽減して、消衰係数の大きな位相シフト層の材質に対しても透過率を高くすることが可能になる。
　【００３０】
　更に、低反射率または高反射率のフォトマスクブランクスおよびフォトマスクを簡単に作ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】この発明の実施例の説明図
　【図２】この発明の実施例をウェットエッチング後の断面形状を示す説明図
　【図３】この発明のその他の実施例の説明図
　【図４】従来の位相シフトフォトマスクの一例の説明図
　【図５】従来の位相シフトフォトマスクの別の例の説明図
　【図６】従来の位相シフトフォトマスクをウェットエッチング後の断面形状を示す説明図
　【符号の説明】
　１・・・・・・透明基板
　２・・・・・・半透明位相シフター層
　３・・・・・・遮光層
　５・・・・・・１層目の位相シフト層
　６・・・・・・２層目の位相シフト層
　７・・・・・・シフター部
　８・・・・・・シフター開口部
　９・・・・・・レジスト層
　１０・・・・・３層目の位相シフト層