(57)【要約】【課題】基板間の接続信頼性を向上させることができる実装構造体、超音波デバイス、超音波探触子、超音波装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】実装構造体は、弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、コア部上から第１基板上に亘って設けられる導電膜と、コア部上の導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、を備え、導電膜は、コア部の第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有する。【選択図】図６
2018049933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、
前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、
前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、を備え、
前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有する
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
請求項１に記載の実装構造体において、
前記導電膜は、前記コア部から前記第１基板に亘る外周縁を有し、
前記切欠きは、前記外周縁の前記端部と重なる位置に設けられ、前記導電膜の厚み方向から見て、前記導電膜の外側から内側に向かう凹状である
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項３】
請求項２に記載の実装構造体において、
前記外周縁は、前記切欠きを形成する直線状の第１縁部及び第２縁部を有し、
前記第１縁部及び前記第２縁部は、前記端部と重なる位置において交点を有し、前記端部に沿って前記交点から離れるにしたがって前記端部から離れる
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項４】
請求項２に記載の実装構造体において、
前記切欠きは、円弧状である
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
請求項２に記載の実装構造体において、
前記外周縁は、前記切欠きを形成する縁部を有し、
前記縁部は、前記導電膜の厚み方向から見て、前記コア部上にて当該コア部に沿って屈曲する屈曲部を含む
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の実装構造体において、
前記導電膜は、複数の前記切欠きを有する
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項７】
請求項６に記載の実装構造体において、
前記導電膜は、前記第１基板の厚み方向から見て、前記コア部よりも幅寸法が小さく、前記導電膜の幅方向の両側に、前記コア部から前記第１基板に亘る一対の外周縁を有し、
前記切欠きは、前記一対の外周縁のそれぞれの前記端部と重なる位置に設けられ、前記導電膜の厚み方向から見て、前記導電膜の外側から内側に向かう凹状である
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の実装構造体において、
前記コア部は、一方向に沿って、前記第１基板の厚み方向における寸法が同じである等厚部を有し、
前記導電膜は、前記第１基板の厚み方向から見て、前記一方向と交差する交差方向に沿って設けられ、当該導電膜の一部が前記等厚部に設けられる
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の実装構造体において、
前記導電膜は、前記配線部との接続領域の周囲に第２の切欠きを有する
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項１０】
請求項９に記載の実装構造体において、
前記コア部は、前記第１基板とは反対側に位置し、前記接続領域と重なる頂部と、前記頂部から離れるにしたがって前記第１基板に向かって傾斜する傾斜部と、を有し、
前記導電膜は、前記コア部から前記第１基板に亘る外周縁を有し、前記外周縁の少なくとも一部が前記傾斜部上に位置し、
前記第２の切欠きは、前記外周縁の前記傾斜部と重なる位置に設けられ、前記導電膜の厚み方向から見て、前記導電膜の外側から内側に向かう凹状である
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項１１】
弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、
前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、
前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられる超音波トランスデューサーと、を備え、
前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有し、
前記第１基板及び前記第２基板の一方は、超音波トランスデューサーが設けられる
ことを特徴とする超音波デバイス。
【請求項１２】
弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、
前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、
前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられる超音波トランスデューサーと、
前記第１基板及び前記第２基板を収納する筐体と、を備え、
前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有する
ことを特徴とする超音波探触子。
【請求項１３】
弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、
前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、
前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられる超音波トランスデューサーと、
前記超音波トランスデューサーを制御する制御部と、を備え、
前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有する
ことを特徴とする超音波装置。
【請求項１４】
弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、
前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、
前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられる機能素子と、
前記機能素子を制御する制御部と、を備え、
前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有する
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装構造体、超音波デバイス、超音波探触子、超音波装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板に電子部品を実装する場合に、回路基板側の配線と電子部品側の配線とをバンプ電極を介して電気的に接続する実装方法が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１では、電子部品は、ＩＣチップ等の電子素子（機能素子）と、機能素子に接続されるバンプ電極と、が基板上に設けられて構成される。これらのうちバンプ電極は、機能素子から引き出された電極パッドに接続される配線（導電膜）と、弾性変形可能な樹脂突起（コア部）と、を備える。導電膜は、機能素子から基板の周縁部に形成されたコア部まで引き出され、当該コア部を跨ぎ、かつ、コア部の表面の一部を覆っている。一方、回路基板は、液晶パネルが形成される基板であり、液晶素子が配置された領域外に電極端子が形成される。この回路基板側の電極端子に電子部品側のバンプ電極を接触させ、弾性変形させることにより、バンプ電極及び電極端子が電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１８０１６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されるような構成では、電子部品側の基板とコア部との境界において、導電膜にクラックが発生するおそれがあった。すなわち、コア部上に設けられた導電膜は、コア部の弾性変形に応じて変形する。一方で、基板上に設けられた導電膜は、基板に対して固定されている。このため、コア部上と基板上とで導電膜の変形量に差異が生じ、基板及びコア部の境界位置に設けられた導電膜に応力が集中する。この応力の集中によって導電膜にクラックが発生したり、導電膜が断裂したりするおそれがあり、基板間での電気的接続の信頼性（接続信頼性）が低下するという課題があった。
【０００６】
本発明は、基板間の接続信頼性を向上させることができる適用例及び実施形態としての実装構造体、超音波デバイス、超音波探触子、超音波装置、及び電子機器を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一適用例に係る実装構造体は、弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、を備え、前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例では、第１基板には、コア部と、導電膜とが設けられる。これらのうち導電膜は、コア部上から第１基板上に亘って設けられ、コア部の第１基板と接する面（底面）の端部の一部を露出させる切欠きを有する。つまり、切欠きは、導電膜のコア部及び第１基板の境界と重なる位置、つまり応力が集中し易い位置に形成されるため、上記応力を緩和できる。したがって、導電膜のクラック発生を抑制でき、ひいては接続信頼性を向上できる。
また、コア部の弾性変形時に、コア部上の導電膜を変形し易くでき、導電膜に作用する応力を緩和できる。
また、切欠きは、コア部及び第１基板の境界と重なり、境界の一部を露出させる。これにより、コア部の弾性変形時に、コア部における導電膜が形成されていない露出部分を変形し易くできる。したがって、弾性変形によって導電膜の変形量を低減でき、導電膜に作用する応力を緩和できる。
【０００９】
本適用例の実装構造体において、前記導電膜は、前記コア部から前記第１基板に亘る外周縁を有し、前記切欠きは、前記外周縁の前記端部と重なる位置に設けられ、前記導電膜の厚み方向から見て、前記導電膜の外側から内側に向かう凹状であることが好ましい。
本適用例では、導電膜は、コア部から第１基板に亘る外周縁を有する。つまり、コア部は、導電膜の外周縁よりも外側に位置し、導電膜から露出する露出部を有する。この露出部は、導電膜が設けられている部分よりも弾性変形し易い。本適用例では、切欠きは、外周縁の一部に内側に向かって凹状に設けられており、露出部の近傍に位置するため、弾性変形時に導電膜に作用する応力を緩和できる。
【００１０】
本適用例の実装構造体において、前記外周縁は、前記切欠きを形成する直線状の第１縁部及び第２縁部を有し、前記第１縁部及び前記第２縁部は、前記端部と重なる位置において交点を有し、前記端部に沿って前記交点から離れるにしたがって前記端部から離れることが好ましい。
本適用例では、切欠きは、直線状の第１縁部と第２縁部とにより形成される。これら第１縁部及び第２縁部は、端部に沿って交点から離れるにしたがって、端部から離れる。つまり、第１縁部及び端部の距離と、第２縁部及び端部の距離とは、交点から離れるにしたがって大きくなる。このような構成では、交点から離れるほど、切欠きの幅が大きくなり、コア部が変形し易くなる。したがって、交点から近いほどコア部の変形量を小さくでき、コア部の弾性変形によって導電膜に作用する応力をより一層緩和できる。
ここで、第１縁部及び第２縁部が直線状とは、例えば、導電膜の厚み方向から見て、第１縁部及び第２縁部が略直線状であることを意味し、コア部や第１基板に沿って僅かに湾曲するような構成も含む。
【００１１】
本適用例の実装構造体において、前記切欠きは、円弧状であることが好ましい。
ここで、導電膜の厚み方向から見て、導電膜の外周縁が屈曲する屈曲部では、コア部の弾性変形に応じて応力が集中し易い。本適用例では、切欠きは、円弧状であり、応力が集中し易い屈曲部を有していない。このため、導電膜の外周縁の一部に応力が集中し、導電膜にクラックが生じることを抑制できる。
【００１２】
本適用例の実装構造体において、前記外周縁は、前記切欠きを形成する縁部を有し、前記縁部は、前記導電膜の厚み方向から見て、前記コア部上にて当該コア部に沿って屈曲する屈曲部を含むことが好ましい。
本適用例では、切欠きを形成する縁部は、屈曲部を有し、当該屈曲部は、コア部上に位置する。ここで、導電膜は、縁部と端部とが重なる位置（重畳部）に応力が集中しやすい。しかしながら、本適用例では、外周縁は、上記重畳部以外にも、応力が集中し易い屈曲部を有する。このため、重畳部と屈曲部とで応力を分散させることができ、応力集中を抑制できる。
【００１３】
本適用例の実装構造体において、前記導電膜は、複数の前記切欠きを有することが好ましい。
本適用例では、導電膜が複数の切欠きを有するため、上記応力をより一層緩和でき、接続信頼性をより一層向上させることができる。
【００１４】
本適用例の実装構造体において、前記導電膜は、前記第１基板の厚み方向から見て、前記コア部よりも幅寸法が小さく、前記導電膜の幅方向の両側に、前記コア部から前記第１基板に亘る一対の外周縁を有し、前記切欠きは、前記一対の外周縁のそれぞれの前記端部と重なる位置に設けられ、前記導電膜の厚み方向から見て、前記導電膜の外側から内側に向かう凹状であることが好ましい。
本適用例では、導電膜は、コア部よりも幅寸法が小さく、幅方向における両側の外周縁に切欠きが形成されている。このような構成では、コア部は、幅方向の両側において、導電膜から露出する露出部を有する。また、切欠きも、幅方向の両側に設けられている。このような構成では、幅方向の両側でコア部を弾性変形させることができる。したがって、コア部の変形量を分散させることができ、導電膜への応力も分散させることができる。
【００１５】
本適用例の実装構造体において、前記コア部は、一方向に沿って、前記第１基板の厚み方向における寸法が同じである等厚部を有し、前記導電膜は、前記第１基板の厚み方向から見て、前記一方向と交差する交差方向に沿って設けられ、当該導電膜の一部が前記等厚部に設けられることが好ましい。
本適用例では、コア部は、厚み寸法が同じである等圧部を有し、等圧部は、一方向に沿って設けられる。また、導電膜は、第１基板の厚み方向から見て、一方向に交差する交差方向に沿って設けられ、導電膜の一部が等厚部に設けられる。このような構成では、厚み方向において接続領域と重なるコア部と導電膜とに対して、配線部から略均等に力が作用される。これにより、接続領域におけるコア部及び導電膜の変形量の差を抑制できる。したがって、変形量の差により、接続領域やその周辺において、導電膜に作用する応力を緩和できる。
【００１６】
本適用例の実装構造体において、前記導電膜は、前記配線部との接続領域の周囲に第２の切欠きを有することが好ましい。
本適用例では、第２の切欠きは、接続領域の周囲に位置する。ここで、コア部は、配線部が接続する接続領域と重なる位置にて押圧力を受けて弾性変形する。この際、接続領域と周囲領域との間のコア部の変形量の差によって、接続領域と周囲領域との境界において導電膜に応力が集中し、導電膜にクラックが生じるおそれがあった。これに対して、周囲領域に位置する第２の切欠きによって、上記境界において導電膜に作用する応力を緩和でき、導電膜へのクラックの発生を抑制できる。
【００１７】
本適用例の実装構造体において、前記コア部は、前記第１基板とは反対側に位置し、前記接続領域と重なる頂部と、前記頂部から離れるにしたがって前記第１基板に向かって傾斜する傾斜部と、を有し、前記導電膜は、前記コア部から前記第１基板に亘る外周縁を有し、前記外周縁の少なくとも一部が前記傾斜部上に位置し、前記第２の切欠きは、前記外周縁の前記傾斜部と重なる位置に設けられ、前記導電膜の厚み方向から見て、前記導電膜の外側から内側に向かう凹状であることが好ましい。
本適用例では、コア部は、頂部から第１基板に向かって傾斜する傾斜部を有し、導電膜の外周縁の少なくとも一部は、傾斜部上に位置する。つまり、コア部は、導電膜の外周縁の外側では露出しており、導電膜が設けられた位置よりも変形し易い。したがって、導電膜の外周縁の内外におけるコア部の変形量の差によって、導電膜の外周縁に応力が集中し易い。また、上述のような接続領域と周囲領域との間のコア部の変形量の差によって、導電膜の外周縁に応力が集中し易い。これに対して、第２の切欠きは、傾斜部上に位置する外周縁に、内側に向かって凹状に形成されている。このため、導電膜に作用する応力を緩和でき、導電膜へのクラックの発生を抑制できる。
【００１８】
本発明の一適用例に係る超音波デバイスは、弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられる超音波トランスデューサーと、を備え、前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有し、前記第１基板及び前記第２基板の一方は、超音波トランスデューサーが設けられることを特徴とする。
本適用例では、第１基板には、コア部と、導電膜とが設けられる。これらのうち導電膜は、コア部上から第１基板上に亘って設けられ、コア部の第１基板と接する面（底面）の端部の一部を露出させる切欠きを有する。このように構成された本適用例では、上記適用例と同様に、導電膜に作用する応力を緩和できるため、導電膜のクラック発生を抑制でき、ひいては接続信頼性を向上できる。
【００１９】
本発明の一適用例に係る超音波探触子は、弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられる超音波トランスデューサーと、前記第１基板及び前記第２基板を収納する筐体と、を備え、前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有することを特徴とする。
本適用例では、第１基板には、コア部と、導電膜とが設けられる。これらのうち導電膜は、コア部上から第１基板上に亘って設けられ、コア部の第１基板と接する面（底面）の端部の一部を露出させる切欠きを有する。このように構成された本適用例では、上記適用例と同様に、導電膜に作用する応力を緩和できるため、導電膜のクラック発生を抑制でき、ひいては接続信頼性を向上できる。
【００２０】
本発明の一適用例に係る超音波装置は、弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられる超音波トランスデューサーと、前記超音波トランスデューサーを制御する制御部と、を備え、前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有することを特徴とする。
本適用例では、第１基板には、コア部と、導電膜とが設けられる。これらのうち導電膜は、コア部上から第１基板上に亘って設けられ、コア部の第１基板と接する面（底面）の端部の一部を露出させる切欠きを有する。このように構成された本適用例では、上記適用例と同様に、導電膜に作用する応力を緩和できるため、導電膜のクラック発生を抑制でき、ひいては接続信頼性を向上できる。
【００２１】
本発明の一適用例に係る電子機器は、弾性を有するコア部が設けられる第１基板と、前記コア部上から前記第１基板上に亘って設けられる導電膜と、前記コア部上の前記導電膜と接続される配線部が設けられる第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられる機能素子と、前記機能素子を制御する制御部と、を備え、前記導電膜は、前記コア部の前記第１基板と接する面の端部の一部を露出させる切欠きを有することを特徴とする。
本適用例では、第１基板には、コア部と、導電膜とが設けられる。これらのうち導電膜は、コア部上から第１基板上に亘って設けられ、コア部の第１基板と接する面（底面）の端部の一部を露出させる切欠きを有する。このように構成された本適用例では、上記適用例と同様に、導電膜に作用する応力を緩和できるため、導電膜のクラック発生を抑制でき、ひいては接続信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態の超音波測定装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】第１実施形態の超音波測定装置の概略構成を示すブロック図。
【図３】第１実施形態の超音波デバイスの概略構成を示す断面図。
【図４】第１実施形態の超音波デバイスにおける素子基板の概略構成を示す平面図。
【図５】第１実施形態の超音波デバイスにおける封止板の概略構成を示す平面図。
【図６】第１実施形態の超音波デバイスにおける導通部の概略構成を示す斜視図。
【図７】第１実施形態の超音波デバイスにおける導通部の模式的に示す平面図。
【図８】第２実施形態の超音波デバイスにおける導通部の概略構成を示す斜視図。
【図９】第３実施形態の超音波デバイスにおける導通部の概略構成を示す斜視図。
【図１０】第４実施形態の超音波デバイスにおける導通部の概略構成を示す斜視図。
【図１１】第４実施形態の一変形例における導通部の概略構成を示す斜視図。
【図１２】第４実施形態の一変形例における導通部の概略構成を示す斜視図。
【図１３】第５実施形態の超音波デバイスの概略構成を示す断面図。
【図１４】第５実施形態の超音波デバイスの概略構成を示す断面図。
【図１５】第５実施形態の超音波デバイスにおける導通部の概略構成を示す斜視図。
【図１６】第５実施形態の一変形例における導通部の概略構成を示す斜視図。
【図１７】第５実施形態の一変形例における導通部の概略構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第１実施形態］
以下、第１実施形態に係る超音波測定装置について、図面に基づいて説明する。
図１は、超音波測定装置１の概略構成を示す斜視図である。図２は、超音波測定装置１の概略構成を示すブロック図である。
超音波測定装置１は、超音波装置に相当し、図１に示すように、超音波プローブ２と、超音波プローブ２にケーブル３を介して電気的に接続された制御装置１０と、を備える。
この超音波測定装置１は、超音波プローブ２を生体（例えば人体）の表面に当接させ、超音波プローブ２から生体内に超音波を送出する。また、生体内の器官にて反射された超音波を超音波プローブ２にて受信し、その受信信号に基づいて、例えば生体内の内部断層画像を取得したり、生体内の器官の状態（例えば血流等）を測定したりする。
【００２４】
［制御装置の構成］
制御装置１０は、制御部に相当し、図２に示すように、例えば、操作部１１と、表示部１２と、記憶部１３と、演算部１４と、を備えて構成される。この制御装置１０は、例えば、タブレット端末やスマートフォン、パーソナルコンピューター等の端末装置を用いてもよく、超音波プローブ２を操作するための専用端末装置であってもよい。
操作部１１は、ユーザーが超音波測定装置１を操作するためのＵＩ（user interface）であり、例えば表示部１２上に設けられたタッチパネルや、操作ボタン、キーボード、マウス等により構成できる。
表示部１２は、例えば液晶ディスプレイ等により構成され、画像を表示させる。
記憶部１３は、超音波測定装置１を制御するための各種プログラムや各種データを記憶する。
演算部１４は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）等の演算回路や、メモリー等の記憶回路により構成される。そして、演算部１４は、記憶部１３に記憶された各種プログラムを読み込み実行することで、超音波プローブ２に超音波を送信させるための送信信号の生成及び出力処理の制御を行い、超音波プローブ２に超音波を受信させるための各種処理（例えば受信信号の周波数設定やゲイン設定など）の制御を行う。
【００２５】
［超音波プローブの構成］
超音波プローブ２は、超音波探触子に相当し、筐体２１と、筐体２１内部に収納する超音波デバイス２２と、超音波デバイス２２を制御するためのドライバー回路等が設けられた回路基板２３（図２参照）と、を備える。なお、超音波デバイス２２と、回路基板２３とにより超音波センサー２４が構成され、当該超音波センサー２４は、超音波モジュールを構成する。
【００２６】
［筐体の構成］
筐体２１は、図１に示すように、例えば平面視矩形状の箱状に形成され、厚み方向に直交する一面（センサー面２１Ａ）には、センサー窓２１Ｂが設けられており、超音波デバイス２２の一部が露出している。また、筐体２１の一部（図１に示す例では側面）には、ケーブル３の通過孔２１Ｃが設けられ、ケーブル３は、通過孔２１Ｃから筐体２１の内部の回路基板２３に接続される。また、ケーブル３と通過孔２１Ｃとの隙間は、例えば樹脂材等が充填されることで、防水性が確保される。
なお、本実施形態では、ケーブル３を用いて、超音波プローブ２と制御装置１０とが接続される構成例を示すが、これに限定されず、例えば超音波プローブ２と制御装置１０とが無線通信により接続されていてもよく、超音波プローブ２内に制御装置１０の各種構成が設けられていてもよい。
【００２７】
［回路基板の構成］
回路基板２３は、超音波デバイス２２が接合され、超音波デバイス２２を制御するためのドライバー回路等が設けられる。この回路基板２３は、図２に示すように、選択回路２３１、送信回路２３２、及び受信回路２３３を備える。
【００２８】
選択回路２３１は、制御装置１０の制御に基づいて、超音波デバイス２２と送信回路２３２とを接続する送信接続、及び超音波デバイス２２と受信回路２３３とを接続する受信接続のいずれかの接続状態に切り替える。
送信回路２３２は、制御装置１０の制御により送信接続に切り替えられた際に、選択回路２３１を介して超音波デバイス２２に超音波を発信させる旨の送信信号を出力する。
受信回路２３３は、制御装置１０の制御により受信接続に切り替えられた際に、選択回路２３１を介して超音波デバイス２２から入力された受信信号を制御装置１０に出力する。受信回路２３３は、例えば低雑音増幅回路、電圧制御アッテネーター、プログラマブルゲインアンプ、ローパスフィルター、Ａ／Ｄコンバーター等を含んで構成されており、受信信号のデジタル信号への変換、ノイズ成分の除去、所望信号レベルへの増幅等の各信号処理を実施した後、処理後の受信信号を制御装置１０に出力する。
【００２９】
［超音波デバイスの構成］
図３は、超音波デバイス２２の断面図である。図４は、超音波デバイス２２における素子基板４１を、封止板４２側から見た平面図である。図５は、保護膜４４側から見た超音波トランスデューサー４５を模式的に示す平面図である。なお、図３は、図４におけるＡ−Ａ線で超音波デバイス２２を切断した際の断面図である。
超音波デバイス２２は、図３に示すように、素子基板４１と、封止板４２と、音響層４３と、保護膜４４と、を含み構成される。これらのうち素子基板４１及び封止板４２は、図３に示すように、第１基板に相当する封止板４２の導通部５と、第２基板に相当する素子基板４１の配線部４１５とを介して電気的に接続される。
ここで、以降の説明にあたり、素子基板４１の封止板４２に対向する面を背面４１Ａ、背面４１Ａとは反対側の面を作動面４１Ｂと称する。また、封止板４２の素子基板４１に対向する面を内面４２Ａ、内面４２Ａとは反対側の面を外面４２Ｂと称する。なお、素子基板４１及び封止板４２の厚み方向は、Ｚ方向に略一致する。
【００３０】
（素子基板の構成）
素子基板４１は、図３に示すように、基板本体部４１１と、基板本体部４１１に積層された振動膜４１２と、を備える。また、素子基板４１は、図４に示すように、振動膜４１２の封止板４２側に、圧電素子４１３と、下部電極連結線４１４と、配線部４１５と、上部電極引出線４１６と、接合部４１７とが設けられる。これらのうち、振動膜４１２の振動領域である可撓部４１２Ａと圧電素子４１３とにより、超音波を送受信する超音波トランスデューサー４５が構成される。
図４に示すように、素子基板４１の中央に位置するアレイ領域Ａｒ１には、超音波を送受信する超音波トランスデューサー４５の複数が、Ｘ方向及びＸ方向に交差（本実施形態では直交）するＹ方向に沿ってマトリクス状に配置される。これら複数の超音波トランスデューサー４５により超音波アレイＵＡが構成される。
【００３１】
基板本体部４１１は、例えばＳｉ等の半導体基板である。基板本体部４１１におけるアレイ領域Ａｒ１内には、各々の超音波トランスデューサー４５に対応した開口部４１１Ａが設けられる。各開口部４１１Ａは、壁部４１１Ｂによって隔てられる。また、各開口部４１１Ａは、封止板４２側（−Ｚ側）に設けられた振動膜４１２により閉塞される。
【００３２】
振動膜４１２は、例えばＳｉＯ２や、ＳｉＯ２及びＺｒＯ２の積層体等より構成され、基板本体部４１１の−Ｚ側全体を覆って設けられる。この振動膜４１２のうち、開口部４１１Ａを閉塞する部分は、弾性変形可能な可撓部４１２Ａを構成する。この振動膜４１２の厚み寸法（厚さ）は、基板本体部４１１に対して十分小さい厚み寸法（厚さ）となる。基板本体部４１１をＳｉにより構成し、振動膜４１２をＳｉＯ２により構成する場合、例えば基板本体部４１１を酸化処理することで、所望の厚み寸法（厚さ）の振動膜４１２を容易に形成することが可能となる。また、この場合、ＳｉＯ２の振動膜４１２をエッチングストッパーとして基板本体部４１１をエッチング処理することで、容易に前記開口部４１１Ａを形成することが可能となる。
【００３３】
また、各開口部４１１Ａを閉塞する振動膜４１２の可撓部４１２Ａ上には、それぞれ圧電素子４１３が設けられる。これら可撓部４１２Ａと圧電素子４１３とにより、１つの超音波トランスデューサー４５が構成される。この圧電素子４１３は、下部電極４１３Ａ、圧電膜４１３Ｂ、及び上部電極４１３Ｃの積層体として構成される。
【００３４】
下部電極４１３Ａや上部電極４１３Ｃは、１又は２以上の導電性材料による層を含み構成される。このような導電性材料としては、例えば、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｉｒ，Ｐｔ，ＩｒＯｘ，Ｔｉ，ＴｉＷ，ＴｉＯｘ等の電極材料を用いることができる。本実施形態では、例えば、下部電極４１３Ａは、振動膜４１２上にＴｉＷ層（５０ｎｍ）と、Ｃｕ層（１００ｎｍ）とが順に積層されて構成される。
また、圧電膜４１３Ｂは、例えば、ペロブスカイト構造を有する遷移金属酸化物、より具体的には、Ｐｂ、Ｔｉ及びＺｒを含むチタン酸ジルコン酸鉛を用いて形成される。
【００３５】
このような超音波トランスデューサー４５では、下部電極４１３Ａ及び上部電極４１３Ｃの間に所定周波数の矩形波電圧が印加されることで、開口部４１１Ａの開口領域に位置する可撓部４１２ＡをＺ方向に沿って振動させて超音波を送出できる。また、対象物から反射された超音波により可撓部４１２Ａが振動されると、圧電膜４１３Ｂの上下で電位差が発生する。したがって、下部電極４１３Ａ及び上部電極４１３Ｃ間に発生する前記電位差を検出することで、受信した超音波を検出することが可能となる。
【００３６】
また、本実施形態では、図４に示すように、Ｘ方向及びＹ方向に沿って配置された複数の超音波トランスデューサー４５のうち、Ｙ方向に並ぶ２つの超音波トランスデューサー４５は、１つの送受信チャンネルである超音波トランスデューサー群４５Ａを構成する。つまり、超音波アレイＵＡは、送受信チャンネルである超音波トランスデューサー群４５Ａの複数がＸ方向及びＹ方向に沿って配置され、２次元アレイとして構成される。
【００３７】
超音波トランスデューサー群４５Ａを構成する超音波トランスデューサー４５のそれぞれの下部電極４１３Ａは、下部電極連結線４１４によって連結される。この下部電極連結線４１４は、各下部電極４１３Ａと一体的に形成される。つまり、下部電極連結線４１４は、例えば、下部電極４１３Ａと同様に、ＴｉＷ層（５０ｎｍ）と、Ｃｕ層（１００ｎｍ）とが積層されて構成される。なお、下部電極連結線４１４は、下部電極４１３Ａとは別に設けられてもよい。
【００３８】
上部電極引出線４１６は、超音波トランスデューサー４５の各上部電極４１３Ｃに接続される。上部電極引出線４１６は、導電性材料で形成され、複数の引出配線部４１６Ａと、この引出配線部４１６Ａと上部電極４１３Ｃとを連結する連結部４１６Ｂと、配線領域Ａｒ２に配置された接続端子部４１６Ｃと、を備える。
【００３９】
引出配線部４１６Ａは、図４に示すように、例えば、Ｙ方向に沿って配置された複数の超音波トランスデューサー４５の列間のうち一つ置きに設けられる。この引出配線部４１６Ａは、各超音波トランスデューサー４５の上部電極４１３Ｃが連結部４１６Ｂにて連結される。
接続端子部４１６Ｃは、素子基板４１の外周部の配線領域Ａｒ２に形成され、引出配線部４１６Ａと連結する。この接続端子部４１６Ｃは、図示を省略するが、配線部材を介して回路基板２３のグランド回路（図示省略）に接続され、基準電位（例えば０電位）に設定される。つまり、上部電極４１３Ｃは、基準電位が印加される共通電極である。
【００４０】
接合部４１７は、上述のように構成された素子基板４１と封止板４２とを接合する。この接合部４１７は、素子基板４１の外縁に沿った位置や、超音波トランスデューサー４５に沿った位置に配置される。例えば、接合部４１７は、図４に示すように、背面４１Ａの壁部４１１Ｂと重なる位置に、Ｘ方向に沿って配置される。
【００４１】
接合部４１７は、素子基板４１と封止板４２とを接合可能な材料、例えば各種接着剤や感光性樹脂材料（フォトレジスト）等の樹脂材料を用いて形成される。本実施形態では、接合部４１７は、感光性樹脂材料を用いて形成される。これにより、接合部４１７を所望の位置に、所望の形状で形成できる。
【００４２】
（配線部の構成）
配線部４１５は、導電性を有し、背面４１Ａの超音波トランスデューサー４５とは異なる位置に設けられ、下部電極連結線４１４を介して超音波トランスデューサー４５に導通される。具体的には、配線部４１５は、Ｚ方向から見た平面視において、略矩形状の外形を有し、壁部４１１Ｂと重なる位置において、下部電極連結線４１４から封止板４２に向かって突設され、後述する導通部５に電気的に接続される。つまり、各超音波トランスデューサー４５の下部電極４１３Ａは、下部電極連結線４１４及び配線部４１５を介して導通部５に電気的に接続される。また、配線部４１５は、複数の超音波トランスデューサー群４５Ａのそれぞれに対して一つずつ設けられる。なお、素子基板４１と、配線部４１５と、封止板４２と、導通部５と、を少なくとも含み、実装構造体が構成される。
【００４３】
図３に示すように、配線部４１５の封止板４２側の端面（以下、端部４１５Ａとも称す）は、超音波トランスデューサー４５の圧電素子４１３の−Ｚ側の端面（以下、Ｚ側端面４１３Ｄとも称す）よりも封止板４２側に位置する。また、端部４１５Ａは、超音波トランスデューサー４５のＺ方向における振動範囲（図３の矢印Ｒｚ参照）よりも封止板４２側に位置する。これにより、封止板４２側に設けられた部材（例えば導通部５等）と超音波トランスデューサー４５との干渉を抑制できる。例えば、超音波トランスデューサー４５が駆動し、圧電素子４１３のＺ側端面４１３Ｄが封止板４２側に移動したとしても、圧電素子４１３と導通部５との干渉を抑制できる。
【００４４】
このような配線部４１５は、例えば、金属材料や導電性フィラーを含む樹脂材料等の導電性を有する材料を用いて形成される。例えば、配線部４１５は、電界めっき法により、金属材料を下部電極連結線４１４上に析出させることにより形成される。
なお、Ｚ方向から見た平面視における配線部４１５の平面形状は、矩形状に限定されず、円形、楕円形、各種多角形状等であってもよい。
【００４５】
（封止板の構成）
図３及び図５に示す封止板４２は、例えば半導体基板等により構成され、接合部４１７により素子基板４１に接合され、素子基板４１の強度を補強する。封止板４２の材質や厚みは、超音波トランスデューサー４５の周波数特性に影響を及ぼすため、送受信する超音波の中心周波数に基づいて設定することが好ましい。この封止板４２には、導通部５と、貫通電極４２１と、下部電極配線４２２と、が設けられる。
【００４６】
（導通部の構成）
図６は、導通部５の概略構成を示す斜視図である。
図３、図５及び図６に示す導通部５は、封止板４２の内面４２Ａに設けられ、素子基板４１に設けられた配線部４１５に密着して電気的に接続される。この導通部５は、樹脂部５１と、樹脂部５１の一部を覆い、かつ、貫通電極４２１に電気的に接続される導電膜５２と、を備える。
【００４７】
樹脂部５１は、コア部に相当し、図３に示すように内面４２Ａにおける配線部４１５と重なる位置に設けられ、内面４２Ａから素子基板４１に向かって突出している。この樹脂部５１は、弾性を有する樹脂材料で形成され、略台形状（台形の角が丸くなった状態）に形成される。
【００４８】
樹脂部５１は、図６に示すように、内面４２Ａに接する面（底面）５１１（図３参照）と、底面５１１と反対側の頂部５１２と、底面５１１及び頂部５１２の間の傾斜部５１３と、を有する。
底面５１１は、Ｚ方向の平面視において、内面４２Ａとの境界である端部５１１Ａが略矩形状となるように形成される。
頂部５１２は、樹脂部５１の弾性変形前（配線部４１５に当接される前）における、樹脂部５１の＋Ｚ側の面のうちの、樹脂部５１においてＺ方向の寸法が最大となる位置である。本実施形態では、例えば、Ｚ方向の平面視において、樹脂部５１の略中央である。
傾斜部５１３は、頂部５１２から端部５１１Ａに向かうにしたがって内面４２Ａ側に傾斜している。つまり、弾性変形前の樹脂部５１は、Ｚ方向の平面視において、頂部５１２から端部５１１Ａに向かうにしたがって、Ｚ方向の寸法が小さくなる。
【００４９】
上述のような樹脂部５１は、内面４２Ａに配置された樹脂材料を熱溶融させて形成され、樹脂材料の種類や熱溶融の温度の条件により、略半球状とすることもできる。
樹脂部５１の形成材料として、感光性樹脂材料（フォトレジスト）を用いることができる。この場合、樹脂部５１を所望の位置に、所望の形状で形成できる。また、樹脂部５１の形成材料として、感光性樹脂材料以外にも、弾性を有する各種樹脂材料、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及び変性ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００５０】
導電膜５２は、Ｙ方向に沿って樹脂部５１を跨ぎ、かつ、樹脂部５１の一部を覆うように設けられる。導電膜５２は、樹脂部５１上の被覆部５２１と、封止板４２の内面４２Ａ上の引出部５２２と、樹脂部５１の端部５１１Ａの一部を露出させる切欠き５２３と、を有する。導電膜５２の±Ｘ側の外周縁５２４は、樹脂部５１から封止板４２に亘って形成される。この導電膜５２の厚みを、樹脂部５１よりも十分に薄くすることにより、樹脂部５１及び導電膜５２を弾性変形させることができる。
【００５１】
被覆部５２１は、樹脂部５１の一部を覆うように設けられる。すなわち、被覆部５２１は、封止板４２の厚み方向（Ｚ方向）から見て、Ｙ方向に沿って樹脂部５１を跨ぐように設けられ、Ｘ方向における寸法が樹脂部５１よりも小さい。つまり、被覆部５２１は、Ｘ方向に沿って頂部５１２から傾斜部５１３の一部に亘って設けられ、外周縁５２４は、傾斜部５１３上に位置する。
引出部５２２は、被覆部５２１の±Ｙ側のそれぞれの端部（つまり底面５１１の±Ｙ側端縁）に連続し、貫通電極４２１の形成位置まで引き出され、当該貫通電極４２１に接続される（図５参照）。
【００５２】
切欠き５２３は、被覆部５２１と引出部５２２との境界部分と外周縁５２４とが重なる位置に、被覆部５２１及び引出部５２２に亘って設けられる。また切欠き５２３は、導電膜５２の厚み方向（例えばＺ方向）から見て、導電膜５２の外側から内側に向かう（つまりＸ方向に沿って）凹状である。このような切欠き５２３により、樹脂部５１と封止板４２との境界（底面５１１の±Ｙ側端縁）である端部５１１Ａの一部が露出される。
なお、本実施形態では、切欠き５２３は、導電膜５２のＸ方向（幅方向）における両側と、Ｙ方向における樹脂部５１の両側との４ヵ所に設けられる。
【００５３】
ここで、本実施形態の切欠き５２３は、外周縁５２４の一部である直線状の第１縁部５２１Ａ及び第２縁部５２２Ａにより、略三角形状に形成される。第１縁部５２１Ａは被覆部５２１側の外周縁５２４の一部であり、第２縁部５２２Ａは引出部５２２側の外周縁５２４の一部である。これら第１縁部５２１Ａ及び第２縁部５２２Ａは、端部５１１Ａと重なる交点５２５を有する。
【００５４】
切欠き５２３は、端部５１１Ａに沿って交点５２５から離れるにしたがって幅が大きくなる。すなわち、第１縁部５２１Ａは、端部５１１Ａに沿って交点５２５から離れるにしたがって、端部５１１Ａ及び封止板４２から離れるように端部５１１Ａに対して傾斜する。これにより、交点５２５から離れるにしたがって、樹脂部５１の露出量が増大する。
【００５５】
また、第２縁部５２２Ａは、端部５１１Ａに沿って交点５２５から離れるにしたがって、端部５１１Ａから離れるように端部５１１Ａに対して傾斜している。これにより、交点５２５から離れるにしたがって、引出部５２２の第２縁部５２２Ａは、被覆部５２１から遠ざかることとなる。
【００５６】
ここで、略直線状の第１縁部５２１Ａとは、第１縁部５２１Ａが樹脂部５１の表面に沿って僅か湾曲するように設けられている構成も含む。また、同様に、略直線状の第２縁部５２２Ａとは、第２縁部５２２Ａが封止板４２に沿って僅か湾曲するように設けられている構成も含む。
【００５７】
このような導電膜５２を形成する導電性材料として、Ａｕ、Ａｇ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｒ等や、鉛フリーはんだ等を用いることができる。本実施形態では、例えば、導電膜５２は、内面４２Ａ側からＴｉＷ層（５０ｎｍ）と、Ａｕ層（１００ｎｍ）とが積層されて構成される。
【００５８】
そして、導通部５は、図３に示すように、端部４１５Ａに圧接され密着している。すなわち、封止板４２を素子基板４１に接合する際に、導通部５の＋Ｚ側端部が端部４１５Ａに圧接されることで、導通部５を構成する樹脂部５１及び被覆部５２１が弾性変形し、端部４１５Ａに密着（導通）される。これにより、弾性変形した樹脂部５１及び被覆部５２１の復元力により、導電膜５２が配線部４１５側に付勢され、導通部５と配線部４１５との間の電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００５９】
図７は、樹脂部５１の弾性変形の様子を模式的に示す図である。
ここで、導通部５の接続領域Ｃｎが配線部４１５に接続される際に、樹脂部５１は、接続領域Ｃｎと重なる領域（頂部５１２を含む領域）が−Ｚ側に向かって押圧されて弾性変形する。この際、例えば、図７の下段に示すように、樹脂部５１の変形量は、被覆部５２１によって被覆されていない両端のＸ側端部５１４において、被覆部５２１によって被覆され、比較的に変形し難い中央部５１５よりも大きくなる。このため、切欠き５２３が形成されていない場合、樹脂部５１とともに変形される被覆部５２１と、封止板４２に固定される引出部５２２との境界における、±Ｘ側の端部に応力が集中する。この応力の集中によって、導電膜５２にクラックが生じ、ひいては導電膜５２が断裂するおそれがあった。これに対して、樹脂部５１の変形量が大きくなるＸ側端部５１４の近く、つまり、外周縁５２４に切欠き５２３が形成される。このため、樹脂部５１の変形による導電膜５２への上記応力の集中を抑制でき、導電膜５２のクラックの発生を抑制できる。
なお、切欠き５２３のサイズ（つまりＸ方向の寸法や、樹脂部５１の露出量等）は、樹脂部５１の変形量に応じて適宜設定できる。
【００６０】
（貫通電極の構成）
貫通電極４２１は、図３及び図５に示すように、樹脂部５１をＹ方向に挟む位置に一対設けられており、例えばＳｉ貫通電極（ＴＳＶ；Through-Silicon Via）や、貫通孔に充填された導電性材料である。また、封止板４２の外面４２Ｂには、各貫通電極４２１に対して個別に下部電極配線４２２が形成される。下部電極配線４２２は、貫通電極４２１に接続し、外面４２Ｂに沿って形成された配線（図示略）を介して回路基板２３に接続される。なお、貫通電極４２１は、一つの導通部５に対して少なくとも一つ形成されていればよく、三つ以上であってもよい。また、貫通電極４２１の配置位置は、図示例に限定されず、例えば、樹脂部５１の＋Ｘ側や−Ｘ側に形成されていてもよい。
【００６１】
（音響層及び保護膜の構成）
図３に示すように、音響層４３は、開口部４１１Ａに充填される。
保護膜４４は、素子基板４１及び音響層４３上に設けられ、これら素子基板４１及び音響層４３を保護する。この保護膜４４は、図１に示すように、筐体２１のセンサー窓２１Ｂから外部に露出し、超音波測定時に生体表面に当接される。
これらの音響層４３や保護膜４４は、超音波トランスデューサー４５から送信された超音波を測定対象である生体に効率良く伝搬させ、また、生体内で反射した超音波を効率良く超音波トランスデューサー４５に伝搬させる。このため、音響層４３及び保護膜４４の音響インピーダンスは、生体の音響インピーダンスに近い値に設定される。
【００６２】
［第１実施形態の作用効果］
上述のように構成される第１実施形態の超音波デバイス２２では、以下の効果を得ることができる。
導電膜５２は、樹脂部５１上から封止板４２上に亘って設けられ、樹脂部５１の底面５１１の端部５１１Ａの一部を露出させる切欠き５２３を有する。つまり、切欠き５２３は、樹脂部５１及び封止板４２の境界の一部と重なる。
ここで、導電膜５２の被覆部５２１は樹脂部５１とともに弾性変形するが、引出部５２２は封止板４２に固定されている。このため、被覆部５２１と引出部５２２との間で変形量の差異が生じ、当該差異によって導電膜５２における端部５１１Ａ（樹脂部５１と封止板４２との境界）と重なる位置に応力が作用する。これに対して、上記応力が作用し易い端部５１１Ａと重なる位置に形成される切欠き５２３により、上記応力を緩和できる。したがって、導電膜５２のクラック発生を抑制でき、ひいては接続信頼性を向上できる。
また、切欠き５２３により、樹脂部５１の弾性変形時に樹脂部５１上の被覆部５２１を変形し易くでき、上記被覆部５２１及び引出部５２２の接続部分に作用する応力を緩和できる。
【００６３】
ここで、超音波プローブ２の使用時等に超音波デバイス２２に加わる外力が、封止板４２に作用するおそれがある。このような場合でも、上述のように、封止板４２及び樹脂部５１の境界と重なる位置に切欠き５２３が形成されているため、被覆部５２１及び引出部５２２の接続部分に作用する応力を緩和できる。したがって、使用時においても、導電膜５２のクラック発生を抑制でき、接続信頼性を向上できる。
【００６４】
また、切欠き５２３は、樹脂部５１と封止板４２との境界と重なり、当該境界の一部を露出させる。これにより、樹脂部５１の弾性変形時に、樹脂部５１における導電膜５２が形成されていない露出部分を変形し易くできる。したがって、弾性変形によって導電膜５２に作用する応力を緩和できる。
【００６５】
導電膜５２は、樹脂部５１から封止板４２に亘る外周縁５２４を有する。つまり、樹脂部５１は、外周縁５２４よりも外側に位置し、導電膜５２から露出するＸ側端部５１４を有する。このＸ側端部５１４は、被覆部５２１に覆われる中央部５１５よりも弾性変形し易い。切欠き５２３は、弾性変形し易いＸ側端部５１４に近い位置、つまり、Ｘ方向における導電膜５２の外周縁５２４に、外側から内側に向かうように凹状に形成される（図７参照）。したがって、上述のように、樹脂部５１の変形による導電膜５２への上記応力の集中を抑制でき、導電膜５２のクラックの発生を抑制できる。
【００６６】
また、導電膜５２は、Ｘ方向における寸法が樹脂部５１よりも小さい。このような構成では、樹脂部５１は、幅方向の両側に、変形し易いＸ側端部５１４を有する。また、切欠き５２３も、幅方向（Ｘ方向）における両側の外周縁５２４に形成される。このような構成では、幅方向の両側で樹脂部５１を変形させることができる。したがって、樹脂部５１の変形量を分散させることができ、導電膜５２への応力も分散させることができる。
【００６７】
また、切欠き５２３は、端部５１１Ａに沿って交点５２５から離れるにしたがって幅が大きくなる。具体的には、本実施形態では、交点５２５から離れるほど、第１縁部５２１Ａと端部５１１Ａとの距離が大きくなる。このような構成では、交点５２５から離れるほど、切欠き５２３の幅が大きくなるため、樹脂部５１が変形し易くなる。したがって、交点５２５から近いほど樹脂部５１の変形量を小さくでき、樹脂部５１の弾性変形によって導電膜５２に作用する応力をより一層緩和できる。
【００６８】
また、交点５２５から離れるほど、第２縁部５２２Ａと端部５１１Ａとの距離が大きくなる。したがって、樹脂部５１がＹ方向に沿って突出するように弾性変形したとしても、引出部５２２と樹脂部５１とが干渉することを抑制でき、当該干渉によって導電膜５２に応力が作用することを抑制できる。
【００６９】
また、切欠き５２３は、交点５２５において互いに交差する略直線状の第１縁部５２１Ａ及び第２縁部５２２Ａにより形成される。このような構成では、切欠き５２３が例えば略矩形状である場合と比べて、交点５２５側の幅（面積）を小さくすることができる。したがって、より大きな切欠きを形成することによる、導電膜５２の強度の低下や、抵抗値の増大等を抑制できる。
【００７０】
［第２実施形態］
以下、第２実施形態について説明する。
第１実施形態では、切欠き５２３は、略直線状の第１縁部５２１Ａ及び第２縁部５２２Ａに略三角形状となるように形成されていた。これに対して、第２実施形態では、切欠きは、円弧状に湾曲する第１縁部５２１Ａ及び第２縁部５２２Ａにより形成される点において、第１実施形態と主に相違する。
なお、以降の説明にあたり、第１実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００７１】
図８は、第２実施形態の導通部５Ａの概略構成を示す斜視図である。
図８に示すように、導通部５Ａの導電膜５２Ａは、被覆部５２１と、引出部５２２と、切欠き５２３Ａと、を備える。
第２実施形態では、切欠き５２３Ａは、Ｘ方向における内側に向かって凹状に湾曲し、略円弧状に形成される。つまり、被覆部５２１側の第１縁部５２１Ａは、略円弧状に湾曲している。このような構成では、第１縁部５２１Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部５１の露出量が大きくなる。
【００７２】
また、引出部５２２側の第２縁部５２２Ａは、略円弧状に湾曲している。これにより、第２縁部５２２Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部５１や被覆部５２１から、引出部５２２の第２縁部５２２Ａをより遠ざけることができる。
【００７３】
［第２実施形態の作用効果］
第２実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果に加え、以下の作用効果を得ることができる。
切欠き５２３Ａを構成する第１縁部５２１Ａは、円弧状であり、応力が集中し易い屈曲部を有していないため、導電膜５２の外周の一部に応力が集中することを抑制できる。
また、切欠き５２３Ａは、交点５２５に向かって凹状であり、例えば、各縁部５２１Ａ，５２２Ａが略直線状に形成される場合と比べて、切欠き５２３Ａのサイズを大きくできる。これにより、樹脂部５１の露出量を増大させて、露出部分を変形し易くでき、樹脂部５１の弾性変形によって導電膜５２に作用する応力を一層緩和できる。また、各縁部５２１Ａ，５２２Ａと端部５１１Ａとの距離をより遠ざけることができ、被覆部５２１と引出部５２２との干渉を抑制できる。
【００７４】
［第３実施形態］
以下、第３実施形態について説明する。
第１実施形態では、切欠き５２３は、略三角形状となるように設けられていた。これに対して、第３実施形態では、切欠きは、略矩形状となるように設けられる点において、第１実施形態と主に相違する。
なお、以降の説明にあたり、第１実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００７５】
図９は、第３実施形態の導通部５Ｂの概略構成を示す斜視図である。
図９に示すように、導通部５Ｂの導電膜５２Ｂは、被覆部５２１と、引出部５２２と、切欠き５２３Ｂと、を備える。
第３実施形態では、切欠き５２３Ｂは、Ｘ方向における内側に向かって凹状、かつ、略矩形状に形成される。つまり、被覆部５２１側の第１縁部５２１Ａは、内面４２Ａから＋Ｚ側に向かって樹脂部５１に沿って立ち上がり、屈曲部５２１Ｂにおいて樹脂部５１に沿ってＸ方向に屈曲する。このような構成では、第１縁部５２１Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部５１の露出量が大きくなる。また、引出部５２２から第１縁部５２１Ａをより遠ざけることができる。
【００７６】
また、引出部５２２側の第２縁部５２２Ａも同様に、内面４２Ａに沿って端部５１１ＡからＹ方向に沿って延出し、屈曲部５２２ＢにおいてＸ方向に屈曲する。これにより、第２縁部５２２Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部５１や被覆部５２１から、引出部５２２の第２縁部５２２Ａをより遠ざけることができる。
【００７７】
［第３実施形態の作用効果］
第３実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果に加え、以下の作用効果を得ることができる。
切欠き５２３Ｂを形成する第１縁部５２１Ａは、屈曲部５２１Ｂを有する。このため、導電膜５２は、交点５２５以外にも、屈曲部５２１Ｂに応力が作用し易い。したがって、導電膜５２に作用する応力を分散させることができ、応力集中により導電膜５２にクラックが生じることを抑制できる。
【００７８】
また、第１縁部５２１Ａは、上述のように、樹脂部５１上に屈曲部５２１Ｂを有する。このような構成では、第１縁部５２１Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部５１の露出量を大きくでき、樹脂部５１の露出部分を変形し易くできる。したがって、樹脂部５１の弾性変形による導電膜５２への応力を緩和できる。また、各縁部５２１Ａ，５２２Ａと端部５１１Ａとの距離をより遠ざけることができ、被覆部５２１と引出部５２２との干渉を抑制できる。
【００７９】
［第４実施形態］
以下、第４実施形態について説明する。
上記第１から第３実施形態では、導電膜は、樹脂部５１の端部５１１Ａの一部を露出させる切欠きが形成されていた。第４実施形態では、さらに、頂部５１２の周囲に第２切欠きが形成される点において、上記第１から第３実施形態と相違する。
なお、以降の説明にあたり、第１実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００８０】
図１０は、第４実施形態の導通部５Ｃの概略構成を示す斜視図である。
導電膜５２Ｃは、被覆部５２１と、引出部５２２と、切欠き５２３と、第２切欠き（第２の切欠き）５２６とを備える。この導電膜５２Ｃは、頂部５１２と重なる接続領域Ｃｎにて、配線部４１５と接触し電気的に接続される。
第２切欠き５２６は、被覆部５２１の接続領域Ｃｎの周囲、かつ、傾斜部５１３上に位置し、接続領域Ｃｎに向かって凹状に形成される。本実施形態では、第２切欠き５２６は、外周縁５２４の一部に設けられ、Ｚ方向から見て、被覆部５２１の外側から接続領域Ｃｎに向かって凹状に形成される。第２切欠き５２６は、被覆部５２１の内側に向かってＹ方向の幅が小さくなるように形成される。例えば、第２切欠き５２６は、Ｚ方向から見て、外周縁から接続領域Ｃｎに向かって略直線状であり、接続領域Ｃｎの周囲で交差する一対の縁部によって略三角形状に形成される。
【００８１】
［第４実施形態の作用効果］
第４実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果に加え、以下の作用効果を得ることができる。
第２切欠き５２６は、接続領域Ｃｎの周囲に位置する。ここで導通部５Ｃは、接続領域Ｃｎと重なる位置にて押圧力を受けて弾性変形する。この際、接続領域Ｃｎと重なる位置とその周囲との間で樹脂部５１の変形量に差が生じる。この変形量の差によって導電膜５２Ｃに応力が作用してクラックが生じるおそれがあった。これに対して、第２切欠き５２６によって、導電膜５２Ｃに作用する応力を緩和でき、導電膜５２Ｃへのクラックの発生を抑制できる。
【００８２】
樹脂部５１は、頂部５１２から封止板４２に向かって傾斜する傾斜部５１３を有し、導電膜５２Ｃの外周縁５２４の少なくとも一部は、傾斜部５１３上に位置する。つまり、樹脂部５１の端部５１１Ａは、導電膜５２Ｃの外周縁５２４の外側に位置し、導電膜５２Ｃが設けられた部分よりも変形し易い。したがって、導電膜５２Ｃの外周縁５２４の内外における樹脂部５１の変形量の差によって、導電膜５２Ｃの外周縁５２４に応力が集中し易い。また、上述のような接続領域Ｃｎと重なる位置とその周囲との間での変形量の差によっても、傾斜部５１３上に位置する導電膜５２Ｃの外周縁５２４に応力が集中し易い。
これに対して、第２切欠き５２６は、傾斜部５１３上に位置する外周縁５２４に、内側に向かって凹状に形成される。このため、樹脂部５１上に設けられた被覆部５２１を変形し易くでき、導電膜５２Ｃに作用する応力を緩和できる。
【００８３】
［第４実施形態の変形例］
図１１及び図１２は、第４実施形態の一変形例に係る導通部の概略構成を示す斜視図である。
第４実施形態では、第２切欠き５２６は、Ｚ方向から見て、外周縁から接続領域Ｃｎに向かって略直線状であり、接続領域Ｃｎの周囲で交差する一対の縁部によって略三角形状に形成されていた。これに対して、第２切欠きの形状は、上記第４実施形態に限定されない。
【００８４】
図１１に示す変形例では、第２切欠き５２６Ａは、接続領域Ｃｎに向かって凹状に湾曲する縁部によって形成される。このような構成では、直線状の縁部によって形成される場合よりも、第２切欠き５２６Ａの面積を大きくできる。これにより、樹脂部５１の露出量を増大させて、露出部分を変形し易くでき、樹脂部５１の弾性変形によって導電膜５２Ｃに作用する応力を一層緩和できる。また、第２切欠き５２６Ａの縁部は、湾曲しており、応力が集中し易い屈曲部を有していないため、当該導電膜５２Ｃの一部に応力が集中することを抑制できる。
【００８５】
また、図１２に示す変形例において、第２切欠き５２６Ｂは、接続領域Ｃｎに向かって凹状、かつ、略矩形状に形成される。つまり、第２切欠き５２６Ｂは、２つの屈曲部５２６Ｂ１を有する。このような第２切欠き５２６Ｂでは、第４実施形態の第２切欠き５２６のように１つの屈曲部を有する構成と比べて、各屈曲部に応力を分散させることができる。したがって、応力集中により導電膜５２Ｃにクラックが生じることをより確実に抑制できる。なお、第２切欠き屈曲部の数は、１又は２に限らず、３以上でもよい。
【００８６】
なお、図１０では略三角形状の切欠き５２３を備える構成を、図１１では円弧状の切欠き５２３Ａを備える構成を、図１２では略矩形状の切欠き５２３Ｂを備える構成を例示したが、それぞれの構成に限定されない。すなわち、図１０に示す第４実施形態の構成において、三角形状の切欠き５２３に代えて、他の形状の切欠き（円弧状の切欠き５２３Ａや矩形状の切欠き５２３Ｂ）を備える構成としてもよい。図１１及び図１２に示す例でも同様である。
【００８７】
［第５実施形態］
以下、第５実施形態について説明する。
第１実施形態では、導通部５は、頂部５１２から封止板４２に向かって傾斜する傾斜部５１３を有する樹脂部５１と、外周縁５２４が傾斜部５１３上に位置する導電膜５２と、を備えていた。これに対して、第５実施形態では、樹脂部は略半円筒形状に形成され、導電膜は半円筒の径方向に沿って樹脂部を跨ぐように形成される点で、第１実施形態と相違する。
なお、以降の説明にあたり、第１実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００８８】
［超音波デバイスの構成］
図１３は、第５実施形態の超音波デバイスの要部の概略構成を示す断面図である。また、図１４は、図１３の第５実施形態の超音波デバイスの要部の概略構成を示す断面図である。また、図１５は、第５実施形態の超音波デバイスの導通部を模式的に示す斜視図である。なお、図１３は、図１４のＢ−Ｂ線で切断した超音波デバイスの断面図である。
図１３及び図１４に示すように、第５実施形態の超音波デバイス２２Ａでは、封止板４２には、導通部６が設けられる。この導通部６と、素子基板４１側の配線部４１５とが当接して電気的に接続される。これにより、超音波トランスデューサー４５の圧電素子４１３の下部電極４１３Ａは、配線部４１５、導通部６、貫通電極４２１及び下部電極配線４２２等を介して、回路基板２３に電気的に接続される。
なお、第５実施形態では、図１４に示すように、一つの導通部６に対して一つの貫通電極４２１が設けられる構成を例示するが、貫通電極４２１の数や配置位置は第５実施形態の構成に制限されない。
【００８９】
導通部６は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｚ方向の平面視にて配線部４１５と交差するように、封止板４２の内面４２Ａに設けられる。導通部６は、樹脂部６１と、樹脂部６１の少なくとも一部を覆い、かつ、貫通電極４２１に電気的に接続される導電膜６２と、を備える。
【００９０】
図１５に示すように、樹脂部６１は、弾性を有する樹脂材料を用いて形成され、Ｙ方向が長手方向となり、かつ、弾性変形前におけるＺＸ断面が略半円となる略半円筒形状に形成される。樹脂部６１は、封止板４２と接する底面６１１と、配線部４１５との接続領域と重なる頂部６１２と、導電膜６２が設けられる等厚部６１３と、を有する。
【００９１】
等厚部６１３は、樹脂部６１のＹ方向（一方向）における略全域に形成され、弾性変形前において、Ｙ方向の位置に関わらずＺＸ面における断面形状が略同じである。つまり、等厚部６１３は、Ｙ方向に沿って、Ｚ方向（封止板４２の厚み方向）の寸法（厚み寸法）が略変化しない。導電膜６２は、当該等厚部６１３を跨ぐように設けられる。
なお、樹脂部６１のＺＸ断面は、略半円に限定されず略台形（台形の角が丸くなった状態）とすることもできる。
【００９２】
導電膜６２は、被覆部６２１と、引出部６２２と、切欠き６２３とを有し、第１実施形態と同様の導電性材料を用いて、Ｘ方向（一方向に交差する交差方向）に沿って樹脂部６１を跨ぐように設けられる。また、導電膜６２は、Ｙ方向（幅方向）の寸法（幅寸法）が、樹脂部６１よりも小さい。このため、導電膜６２は、±Ｙ側において、樹脂部６１から封止板４２の内面４２Ａに亘る外周縁６２４を有する。
【００９３】
被覆部６２１は、樹脂部６１上の少なくとも配線部４１５と重なる位置に設けられる。樹脂部６１上において、導電膜６２のＹ方向の寸法は、配線部４１５よりも大きい。なお、被覆部６２１は、樹脂部６１における、Ｙ方向に沿って厚み寸法が略変化しない等厚部６１３上に設けられる。
【００９４】
引出部６２２は、被覆部６２１の±Ｘ側のそれぞれの端部からＸ方向に沿って引き出される。なお、＋Ｘ側の引出部６２２は、貫通電極４２１の形成位置まで引き出され、当該貫通電極４２１に接続される。
【００９５】
図１５に示すように、切欠き６２３は、被覆部６２１及び引出部６２２に亘って設けられ、樹脂部６１と封止板４２との境界である端部６１１Ａの一部を露出させる。この切欠き６２３は、Ｘ方向に沿って設けられた導電膜６２における、被覆部６２１と引出部６２２との境界（Ｚ方向から見て端部６１１Ａと重なる位置）に、Ｙ方向に沿って導電膜６２の外側から内側に向かって設けられる。また、切欠き６２３は、導電膜６２のＹ方向における両側に設けられる。
【００９６】
また、切欠き６２３は、第１実施形態の切欠き５２３と同様に、被覆部６２１側の第１縁部６２１Ａと、引出部６２２側の第２縁部６２２Ａとにより略三角形状に形成される。つまり、切欠き６２３は、外周縁６２４に設けられ、導電膜６２の厚み方向（例えばＺ方向）から見て、導電膜６２の外側から内側に向かう凹状であり、端部６１１Ａの一部を露出させる。また、切欠き６２３は、各縁部６２１Ａ，６２２Ａの交点６２５から、端部６１１Ａに沿って離れるにしたがって幅が大きくなる。つまり、第１縁部６２１Ａ及び第２縁部６２２Ａは、交点６２５から離れるにしたがって端部６１１Ａから離れる。これにより、交点６２５から離れるにしたがって、樹脂部６１の露出量が増大する。
【００９７】
このように構成された導通部６は、配線部４１５に圧接される。つまり、樹脂部６１の頂部６１２と重なる接続領域Ｃｎは、配線部４１５が押圧される。これにより、樹脂部６１と導電膜６２とは、弾性変形する。この際、導通部６は、弾性力により配線部４１５に密着する。このように、導通部６の弾性力により、配線部４１５と導通部６とを密着させることができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００９８】
［第５実施形態の作用効果］
第５実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果に加え、以下の作用効果を得ることができる。
被覆部６２１は、略半円筒状の樹脂部６１上に設けられる。つまり、被覆部６２１は、上述のように、Ｙ方向に沿って厚みが略変化しない等厚部６１３に設けられる。このため、樹脂部６１は、接続領域Ｃｎにおいて、Ｙ方向に略均等に配線部４１５から押圧される。このため、第１実施形態のように、樹脂部５１が傾斜部５１３を有し、頂部５１２の厚みが最大の場合と比べて、接続領域Ｃｎにおける樹脂部６１の変形量の差を小さくでき、ひいては導電膜６２の変形量の差を小さくできる。したがって、当該変形量の差により、接続領域Ｃｎやその周辺において、導電膜６２に作用する応力を緩和でき、導電膜６２にクラックが生じることを抑制できる。また、接続領域Ｃｎの周囲に、切欠きを設けたりしなくとも上記応力を緩和できるため、導通部６の構成を簡略化できる。
【００９９】
また、配線部４１５及び導通部６の導電膜６２は、Ｚ方向の平面視にて互いに交差している。また、Ｙ方向における導電膜６２の寸法は配線部４１５よりも大きい。これにより、超音波デバイス２２Ａでは、配線接続の際に、素子基板４１及び封止板４２の間の位置ずれを許容でき、接続不良の発生を抑制できる。つまり、上記平面視において配線部４１５及び導通部６が交差していない場合、素子基板４１及び封止板４２の間の位置ずれにより、接続部分の面積が小さくなって接触抵抗が増大する場合がある。また、位置ずれにより、適切に電気的接続を行うことができない場合がある。これに対して、配線部４１５及び導通部６は、互いに交差するように配置されるため、位置ずれに対する許容量を大きくできる。このため、素子基板４１及び封止板４２の位置合わせを容易に行うことができ、ひいては配線接続を容易に行うことができる。また、接続信頼性を向上させることができる。
【０１００】
［第５実施形態の変形例］
図１６及び図１７は、第５実施形態の一変形例に係る導通部の概略構成を示す斜視図である。
第５実施形態では、切欠き６２３は、Ｚ方向から見て、交点６２５で交差する一対の縁部６２１Ａ，６２２Ａによって略三角形状に形成されていた。これに対して、切欠きの形状は、上記第５実施形態に限定されない。
【０１０１】
図１６に示す変形例では、切欠き６２３Ａは、第２実施形態の切欠き５２３Ａと同様に、Ｙ方向における内側に向かって凹状に湾曲し、略円弧状に形成される。
つまり、被覆部６２１側の第１縁部６２１Ａは、略円弧状に湾曲している。このような構成では、第１縁部６２１Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部６１の露出量を大きくでき、露出部分の変形をより容易とすることができる。また、第１縁部６２１Ａの一部に応力が集中することを抑制できる。
また、引出部６２２側の第２縁部６２２Ａは、略円弧状に湾曲している。これにより、第２縁部６２２Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部６１や被覆部６２１から、引出部６２２の第２縁部６２２Ａをより遠ざけることができる。
【０１０２】
また、図１７に示す変形例では、切欠き６２３Ｂは、第３実施形態の切欠き５２３Ｂと同様に、Ｙ方向における内側に向かって凹状、かつ、略矩形状に形成される。
つまり、被覆部６２１側の第１縁部６２１Ａは、＋Ｚ側に向かって樹脂部６１に沿って立ち上がり、屈曲部６２１ＢにおいてＹ方向に屈曲し、略矩形状に形成される。このような構成では、第１縁部６２１Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部６１の露出量を大きくでき、露出部分の変形をより容易とすることができる。また、屈曲部６２１Ｂを形成することにより、応力を分散させることができる。
【０１０３】
また、引出部６２２側の第２縁部６２２Ａは、略矩形状に形成される。つまり、第２縁部６２２Ａは、端部６１１ＡからＸ方向に沿って延出し、屈曲部６２２ＢにおいてＹ方向に屈曲し、略矩形状に形成される。これにより、第２縁部６２２Ａが略直線状である場合よりも、樹脂部５１や被覆部６２１から、引出部６２２の第２縁部６２２Ａをより遠ざけることができる。
【０１０４】
なお、図１５乃至図１７の構成において、さらに、第２切欠きを形成してもよい。つまり、接続領域Ｃｎの周囲に第２切欠きを形成することにより、被覆部６２１を変形し易くでき、被覆部６２１に作用する応力を一層緩和できる。また、図１５乃至図１７に示す各構成において、第２切欠きとして、図１５に示す略三矩形状の切欠きや、図１６に示す円弧状の切欠きや、図１７に示す略矩形状の切欠きのいずれを形成してもよい。
【０１０５】
［変形例］
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良、及び各実施形態を適宜組み合わせる等によって得られる構成は本発明に含まれるものである。
上記各実施形態では、導電膜は、幅寸法が樹脂部（コア部）よりも小さく、樹脂部の一部を覆うように構成されていたが、これに限定されない。例えば、切欠きが形成された位置以外、コア部の全体が導電膜に覆われる構成としてもよい。より具体的には上記実施形態において、導電膜の幅寸法を樹脂部（コア部）よりも大きくしてもよい。このような構成においても、コア部の端部の一部を露出させるように切欠きを形成することにより、導電膜への応力を緩和できる。
【０１０６】
上記第１実施形態では、Ｘ方向を長手方向とする樹脂部に対して、Ｙ方向に跨ぐように導電膜が設けられる構成を例示したが、これに限定されない。上記樹脂部をＸ方向に跨ぐように導電膜が設けられてもよい。また、樹脂部は、略半球状に形成され、当該樹脂部の少なくとも一部を覆うように導電膜が形成されてもよい。このような構成において、さらに、樹脂部の頂部の周囲に第２の切欠き設けてもよい。
【０１０７】
上記各実施形態では、導電膜に複数の同一形状の切欠きが形成される構成を例示したが、これに限定されず、異なる形状の切欠きが形成される構成としてもよい。
また、上記各実施形態では、導電膜に４つの切欠きが形成される構成を例示した。例えば、上記第１実施形態では、導電膜の幅方向における両側に一対の切欠きが形成され、幅方向と交差する方向における樹脂部の両側に一対の切欠きがそれぞれ形成される。しかしながら、これに限定されず、導電膜に１以上３以下の切欠きが形成される構成としてもよい。すなわち、上記４つの切欠きの形成位置のいずれか一箇所に切欠きが形成される構成としてもよい。
【０１０８】
また、上記各実施形態では、切欠きが導電膜の外周縁に外側から内側に向かって凹状に形成される構成を例示したが、これに限定されない。例えば、切欠きは、導電膜の外周縁よりも内側に形成されていてもよい。このような構成でも、切欠きが樹脂部（コア部）の端部の一部を露出させるように形成されることより、上述のように導電膜への応力を緩和できる。
【０１０９】
上記各実施形態において、切欠きを形成する第１縁部及び第２縁部の形状が一致する構成を例示した。すなわち、第１縁部が略直線状である場合、第２縁部も略直線状であり、第１縁部が円弧状である場合、第２縁部も略円弧状である構成を例示した。しかしながら、これに限定されず、第１縁部と第２縁部とが異なる形状でもよい。例えば、第１縁部が略円弧状に形成され、第２縁部が略直線状や略矩形状に形成されてもよい。
【０１１０】
上記各実施形態において、弾性を有する樹脂材料で形成されたコア部を例示したが、これに限定されない。例えば、コア部は、鉛やはんだ等の比較的にヤング率が小さい金属材料を用いて形成されてもよい。このような構成でも、コア部の変形に応じて導電膜に作用する応力を緩和させることができる。
【０１１１】
上記各実施形態において、配線部は、当該配線部を被覆する被覆部を有する構成としてもよい。この被覆部を、Ａｕ等の比較的に電気伝導率が高い材料を用いて形成することにより、配線部と導通部との間の接触抵抗を低減させることができる。また、導通部の導電膜と被覆部とを、Ａｕを用いて形成する場合、Ａｕ層間の拡散接合により、接続信頼性を向上させることができる。
【０１１２】
上記各実施形態では、配線部は、矩形状であり素子基板４１から封止板４２側に突出する構成を例示した。しかしながら、配線部は、上記構成に限定されず、例えば、素子基板４１上に形成された導電膜等でもよい。つまり、配線部は、圧電素子等の機能素子に対して薄く、封止板４２側に突出しない構成でもよい。
【０１１３】
上記各実施形態では、素子基板４１側の配線部は、金属等の導電性材料で形成されていた。また、封止板４２の導通部は、樹脂部及び金属膜を含み弾性変形可能に構成されていた。しかしながら、これに限定されず、例えば、導通部も金属等の導電性材料のみで形成されていてもよい。導通部は、樹脂部等の弾性材料を含まない場合、配線部に密着可能なように、配線部の表面に沿った外形を有することが好ましい。また、配線部及び導通部は、樹脂部及び金属膜を含み弾性変形可能に構成されていてもよい。
【０１１４】
上記各実施形態では、二つの超音波トランスデューサー４５によって、送受信チャンネルである超音波トランスデューサー群４５Ａが構成されるが、三つ以上の超音波トランスデューサー４５によって超音波トランスデューサー群４５Ａが構成されてもよい。また、各超音波トランスデューサー４５の下部電極４１３Ａが独立しており、各超音波トランスデューサー４５が個別に駆動可能に構成されてもよい。この場合、各超音波トランスデューサー４５を一つの送受信チャンネルとして機能させることもできる。
【０１１５】
上記各実施形態では、一つの送受信チャンネルとしての超音波トランスデューサー群４５Ａが、素子基板４１のアレイ領域Ａｒ１にマトリクス状に配置された２次元アレイ構造を有するとしたが、これに限定されない。例えば、超音波デバイスは、送受信チャンネルが一方向に沿って複数配置された１次元アレイ構造を有するものでもよい。例えば、Ｘ方向に配置された複数の超音波トランスデューサー４５により超音波トランスデューサー群４５Ａが構成され、この超音波トランスデューサー群４５ＡがＹ方向に複数配置され、１次元アレイ構造の超音波アレイＵＡが構成されてもよい。
【０１１６】
上記各実施形態では、超音波トランスデューサー４５として、振動膜４１２と、当該振動膜４１２上に形成された圧電素子４１３と、を備える構成を例示したが、これに限定されない。例えば、超音波トランスデューサー４５として、可撓部と、可撓部に設けられた第１電極と、封止板における第１電極に対向する位置に設けられた第２電極と、を備える構成を採用してもよい。この第１電極及び第２電極は、振動子としての静電アクチュエーターを構成する。このような構成では、当該静電アクチュエーターを駆動することにより超音波を送信し、電極間の静電容量を検出することにより超音波を検出することができる。
【０１１７】
上記各実施形態では、電子機器として、生体内の器官を測定対象とする超音波装置を例示したが、これに限定されない。例えば、各種構造物を測定対象として、当該構造物の欠陥の検出や老朽化の検査を行う測定機に、上記実施形態及び各変形例の構成を適用することができる。また、例えば、半導体パッケージやウェハ等を測定対象として、当該測定対象の欠陥を検出する測定機についても同様である。また、圧電素子を駆動させてインク滴を吐出させるインクジェットヘッドを備える記録装置についても同様である。
【０１１８】
上記各実施形態では、素子基板に超音波トランスデューサーが設けられる構成を例示したが、これに限定されない。例えば、半導体ＩＣ等の電子部品、つまり機能素子が設けられた第１基板と、当該第１基板との間で電気的に接続される第２基板と、を備える実装構造体や、上記実装構造体を筐体内に備える画像表示装置や画像形成装置にも、上記実施形態及び各変形例の構成を採用できる。つまり、第１基板に設けられ、電子部品に接続される配線部と、第２基板に設けられ、配線部に接続する導通部とを、電子部品よりも第２基板側で接続することにより、機能素子と導通部とが干渉することを抑制することができ、第１基板と第２基板との間で適切かつ容易に配線接続を行うことができる。
【０１１９】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で上記各実施形態及び変形例を適宜組み合わせることで構成してもよく、また他の構造などに適宜変更してもよい。
【符号の説明】
【０１２０】
１…超音波測定装置、２…超音波プローブ、５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，６…導通部、１０…制御装置、２１…筐体、２２，２２Ａ…超音波デバイス、４１…素子基板、４２…封止板、４５…超音波トランスデューサー、５１…樹脂部、５２，５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ…導電膜、６１…樹脂部、６２…導電膜、４１５…配線部、５１１…底面、５１１Ａ…端部、５１２…頂部、５１３…傾斜部、５２１…被覆部、５２１Ａ…第１縁部、５２１Ｂ…屈曲部、５２２…引出部、５２２Ａ…第２縁部、５２２Ｂ…屈曲部、５２３，５２３Ａ，５２３Ｂ…切欠き、５２４…外周縁、５２５…交点、５２６，５２６Ａ，５２６Ｂ…第２切欠き、６１１…底面、６１１Ａ…端部、６１３…等厚部、６２１Ａ…第１縁部、６２２Ａ…第２縁部、６２３，６２３Ａ，６２３Ｂ…切欠き、６２４…外周縁、６２５…交点、Ｃｎ…接続領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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