【事件の表示】
　特許第３３３８５４４号「乾燥方法及び乾燥装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３８５４４号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３３３８５４４号の請求項１および２に係る発明についての出願は、平成６年２月１７日に特許出願され、平成１４年８月９日にその発明について特許権の設定登録がされ、その後、全ての請求項に係る特許について、異議申立人湯口保浩および高橋友之輔によりそれぞれ特許異議の申立てがなされ、全ての請求項に係る特許に対して取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年３月３０日に特許異議意見書が提出されるとともに訂正請求がなされたものである。
　
第２　訂正の適否
１　訂正の内容
　上記訂正請求による訂正の内容は次のとおりのものである。なお、下線は訂正個所を明確化するために、当審で付したものである。
(1)訂正事項ａ
　本件特許権の設定登録時の願書に添付した明細書及び図面（以下、「本件特許明細書等」という。）の特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】　ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出するようにしたことを特徴とする乾燥方法。」から、
「【請求項１】　ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出する
とともに、乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部によってスプラッシュバックミストの落下を防止する
(2)訂正事項ｂ
  本件特許明細書等の特許請求の範囲の請求項２を、
「【請求項２】　ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられその揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルとを備えた乾燥装置。」から、
「【請求項２】　ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられその揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルと、
スプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部
(3)訂正事項ｃ
　本件特許明細書等の段落【０００５】（特許掲載公報第３欄第１３−１７行参照）を、「【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本発明に係る乾燥方法は、被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出するようにした。」から、
「【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本発明に係る乾燥方法は、被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出する
とともに、乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部によってスプラッシュバックミストの落下を防止する
(4)訂正事項ｄ
　本件特許明細書等の段落【０００６】（特許掲載公報第３欄第１８−２４行参照）を、「また、本発明に係る乾燥装置は、板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられ、その揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルとを備えるようにした。」から、
「また、本発明に係る乾燥装置は、板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられ、その揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルと、
スプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部と
　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
(1)訂正事項ａについて
  訂正事項ａは、請求項１に記載された発明の乾燥方法について、「乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部によってスプラッシュバックミストの落下を防止する」との限定を付すものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする明細書の訂正に該当する。
  また、特許明細書等の段落【００１０】には、「・・・またスプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケース２１の内側壁には上下に離間して２種類のスカート部２９，３０を設け、・・・」（特許掲載公報第３欄第４６−４９行参照）と記載されているから、訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　そして、訂正事項ａの訂正によって発明の目的が変更されるものではないので、訂正事項ａは、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
(2)訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、請求項２に記載された発明の乾燥装置について、「スプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部」を備えるとの限定を付すものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする明細書の訂正に該当する。
　また、特許明細書等の段落【００１０】には、「・・・またスプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケース２１の内側壁には上下に離間して２種類のスカート部２９，３０を設け、・・・」（特許掲載公報第３欄第４６−４９行参照）と記載されているから、訂正事項ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　そして、訂正事項ｂの訂正によって発明の目的が変更されるものではないので、訂正事項ｂは、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
(3)訂正事項ｃ，ｄについて
　訂正事項ｃ，ｄは、いずれも訂正事項ａ，ｂで訂正された特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合性をとるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３　むすび
　以上のとおり、上記訂正は特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議の申立て及び取消しの理由の概要
　特許異議申立人湯口保浩は、証拠として、本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲第１号証：特開昭６３−７３６２６号公報（以下、「刊行物１」という。）、甲第２号証：特開平４−３０４６３６号公報、甲第３号証：特開平４−２８７９２２号公報（以下、「刊行物２」という。）を提出し、本件の請求項１および２に係る特許が特許法第２９条の規定に違反してされたものであり、本件の請求項１および２に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　また、特許異議申立人高橋友之輔は、証拠として、本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲第１号証：実願昭６１−８８９６３号（実開昭６２−１９９９４６号）のマイクロフィルム（以下、「刊行物３」という。）、甲第２号証：特開平２−８３９２７号公報、甲第３号証：特開平４−３０４６３６号公報（異議申立人湯口保浩が提出した甲第２号証）、甲第４号証：特開平４−２８７９２２号公報（異議申立人湯口保浩が提出した甲第３号証）を提出し、本件の請求項１および２に係る特許が特許法第２９条の規定に違反してされたものであり、本件の請求項１および２に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　当審で通知した取消しの理由の概要は、上記特許異議の申立ての理由と同様のものである。
　
２　本件発明
　前記第２の３のとおり訂正が認められたので、本件の請求項１および２に係る発明（以下、「本件発明１および２」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１および２に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出するとともに、乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部によってスプラッシュバックミストの落下を防止するようにしたことを特徴とする乾燥方法。」
「【請求項２】　ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられその揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルと、スプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部とを備えた乾燥装置。」
　
３　刊行物記載の発明（事項）
　刊行物１ないし３には、以下の事項が記載されていると認める。
(1)刊行物１
ア　第３頁左上欄第９−１２行
「第１図は本発明の一実施例による乾燥装置の要部を示す断面図である。この実施例では、ウエットケミカルによって洗浄したウエハを回転乾燥させる例について説明する。」
イ　第３頁左下欄第１４行−右下欄第１行
「また、前記一対の近接板５の中央部分には、前述のように、それぞれ清浄ガス、すなわち、クリーンエアー９を分散供給する分散孔７，８が配設されている。この分散孔７，８は、クリーンエアー供給部１０，１１から送り出される矢印で示されるクリーンエアー９を、クリーンエアー供給パイプ１２，１３を介して供給するようになっている。」
ウ　第３頁右下欄第１８行−第４頁左上欄第７行
「排気機構は、前記排気部１６，跳ね返り防止筒１５，排気パイプ１７，吸気孔１８，からなり、吸気孔１８から空気１９を吸い込みつつ排気する。この結果、排気部１６の排気動作によって、吸気孔１８から吸い込まれた空気１９は、排気パイプ１７内を通って排気され、排気機構自身が排気流を構成するため、エジェクト作用によって処理室６内の洗浄水粒を含むガスを吸い出し、強制排気を行うようになっている。」
エ　第４頁左下欄第６−１３行
「つぎに、所定の回転シーケンスによってスピンチャック２が回転し、ウエハ１の乾燥が行われる。この乾燥時、クリーンエアー９が処理室６の上下部から強制的に供給されるとともに、排気部１６によって強制的に排気される。この際、ウエハ１の主面を流れるクリーンエアー９は、ウエハ１の主面に沿って層流となって流れ、跳ね返り防止筒１５内に入る。」
オ　第４頁右下欄第８−１２行
「このような実施例によれば、つぎのような効果が得られる。
（１）本発明によれば、被処理物であるウエハの主面側および裏面側の処理空間では、ガスは層流となって排気されるため、・・・」
　上記摘記事項ア−オおよび第１図の記載からみて、刊行物１には、
「被処理物であるウエハ１の主面に上方から分散孔７を介してクリーンエアー９を供給し、ウエハ１の主面に沿って該クリーンエアー９を流し、ウエハ１の裏面に下方から分散孔８を介してクリーンエアー９を供給し、下方から排出するようにした乾燥方法。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
(2)刊行物２
ア　第１欄第２９−３５行
「【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板や液晶用ガラス基板等の被処理基板(以下単に基板と称する)を回転させながら、フッ化水素（ＨＦ）の水溶液、その他の処理液で基板の表面をエッチングないし洗浄処理し、引き続き純水によるリンス処理及び液切り乾燥する場合に有効な回転式表面処理方法及びその方法を実施するための回転式表面処理装置に関するものである。」
イ　第７欄第３９−５０行
「【００２４】図１１〜図１２は請求項２の発明を実施するための装置、即ち請求項３の発明に係る実施例装置に関するもので、・・・この実施例装置は、スピンチャック２と、基板Ｗの上方外側部位に配置された洗浄液供給ノズル５及び純水供給ノズル７と、基板Ｗの表面に清浄な不活性ガスＮ２を供給するガス供給ノズル８と、水平回転する基板Ｗの周囲を囲む飛散防止部材１９と、スピンチャック２及び飛散防止部材１９を収容する表面処理容器２０と、外気取り入れ可能な表面処理容器２０の上蓋２１と、表面処理容器２０の下壁に付設された強制排気口２３とを具備して成り、・・・」
ウ　第８欄第１８−３５行
「【００２６】上記洗浄液供給ノズル５及びリンス液供給ノズル７は固定配置され、ガス供給ノズル８はガスノズル移動手段１５で水平揺動自在に構成されている。上記ガスノズル移動手段１５は図１２で示すように、ガス供給ノズル８の揺動アーム９を支える支軸１６と、支軸１６を水平回転するロータリーアクチュエータ１７と、ロータリーアクチュエータ１７を介して支軸１６を昇降するエアシリンダ１８とから成り、第二オーバーラップ工程Ｃ１から液切乾燥工程Ｄにかけて、ガス供給ノズル８を基板Ｗの回転中心の上側（図１１及び図１２中の実線位置）に位置させ、それ以外の表面処理工程Ａ〜リンス処理工程Ｃでは、ガス供給ノズル８を側方（図１１中の仮想線位置）との間で待機させるように構成されている。
【００２７】これにより、第二オーバーラップ工程Ｃ１から液切乾燥工程Ｄにおいて、清浄な不活性ガスＮ２が水平回転する基板表面の回転中心に向かって吹き付けられ、・・・」
　上記摘記事項ア−ウおよび図８、図９、図１１、図１２の記載からみて、刊行物２には、
「半導体基板や液晶用ガラス基板等の被処理基板を回転せしめるスピンチャック２と、このスピンチャック２の上方に配置される揺動アーム９と、この揺動アームに取り付けられその揺動軌跡が被処理基板の回転中心の真上を通る清浄な不活性ガスＮ２を供給するガス供給ノズル８とを備えた液切り乾燥する場合に有効な処理装置。」（以下、「刊行物２記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
(3)刊行物３
ア　明細書第１頁第１５−１８行
「〈産業上の利用分野〉
　本考案はスピンドライヤに関し、例えばホトマスクブランクやウェハの乾燥工程に用いるスピンドライヤに関する。」
イ　明細書第４頁第１−８行
「第１図において、底部側に排出口７を有する処理槽２を設け、この処理槽２内に先端部が上記底部側から処理槽２内部に突出するように回転軸４を配置する。この回転軸４の先端部には一体となった被乾燥物保持台３が設けられ、回転軸４の回転で保持台３とホトマスク１を回転させることにより保持台３にセットしたホトマスク１を回転の遠心力により乾燥させる。」
ウ　明細書第４頁第１４−１９行
「・・・さらに上記処理槽２内には窒素ガス噴出口が設けられているが、ホトマスク１の主面に窒素ガスを噴射する第１噴出口６と、第２図のように保持台３の回転軸４近くに設けられていてホトマスク裏面に窒素ガスを噴射する第２噴出口８とがある。」
エ　明細書第５頁第２−７行
「上記第１噴出口６及び第２噴出口８からの窒素ガスブローはホトマスク主面の乾燥は元より、ホトマスク裏面の乾燥をも促進する。したがって、ホトマスク裏面の乾燥は回転の遠心力に加えて窒素ガスブローにも依存するようになるため、完全な乾燥が得られることになる。」
　上記ウおよび第１図の記載から、ホトマスク１の主面に噴射された窒素ガスが、該主面に沿って流れることは明らかであるから、上記摘記事項ア−エおよび第１図からみて、刊行物３には、
「ホトマスクブランクやウェハの主面に上方から窒素ガスを噴射し、主面に沿って窒素ガスを流し、ホトマスクブランクやウェハの裏面に窒素ガスを噴出し、下方から排出するようにした乾燥方法。」（以下、「刊行物３記載の発明」という。）および、
「ホトマスクブランクやウェハの乾燥工程に用いるスピンドライヤにおいて、ホトマスクブランクやウェハの主面および裏面に対して窒素ガスを噴出する第１および第２窒素ガス噴出口６，８を備えること。」（以下、「刊行物３記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
　
４　対比・判断
(1)本件発明１について
ア　刊行物１記載の発明との対比
　本件発明１と刊行物１記載の発明を対比すると、後者の「被処理物であるウエハ１」は前者の「ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物」に、後者の「主面」は前者の「表面」に相当する。また、後者の「クリーンエアー９」はその実施形態からみて前者の「乾燥ガス」に相当する。さらに、後者の「被処理物であるウエハ１の主面に上方から分散孔７を介してクリーンエアー９を供給し」が前者の「ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ」に相当し、後者の「ウエハ１の裏面に下方から分散孔８を介してクリーンエアー９を供給し」が前者の「板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し」に相当するものであることは明らかである。
　そうすると、両者は、
「ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出するようにした乾燥方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点１〉本件発明１は、乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部によってスプラッシュバックミストの落下を防止するようにしたのに対し、刊行物１記載の発明は、そのような構成を有しない点。
　相違点１について検討する。
　スピン乾燥装置において、回転する被処理物の周囲に上下に離間したスカート部を設け、飛沫のはね返りを防止する技術は、例えば特開昭６４−５７７１８号公報に記載されているように従来周知のものである。
　また、本件発明１は「上下に離間した２種類のスカート部」をその構成要件とするものであるが、本件特許明細書等にはスカート部の種類について特に記載されておらず、またスカート部の数を２つとしたことの技術的意義についても何ら記載されていない。
　そうすると、刊行物１記載の発明に上記従来周知の事項を適用することに格別な困難性は見当たらず、またその適用に際し上下に離間した２種類のスカート部とすることは当業者が適宜なし得る設計的事項であるから、刊行物１記載の発明に上記従来周知の事項を適用し、上記相違点１に係る本件発明１の構成とすることは当業者が容易になし得るものである。
　そして、本件発明１の作用効果は、刊行物１記載の発明および従来周知の事項から当業者が予測できる程度のものであって格別なものではない。
イ　刊行物３記載の発明との対比
　次ぎに、本件発明１と刊行物３記載の発明を対比すると、後者の「ホトマスクブランクやウェハ」は前者の「ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物」に、後者の「主面」は前者の「表面」に、後者の「窒素ガス」は「乾燥ガス」にそれぞれ相当する。また、後者の「ホトマスクブランクやウェハの主面に上方から窒素ガスを噴射し」が前者の「ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ」に相当するものであることは明らかである。
　そうすると、両者は、
「ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出するようにした乾燥方法。」である点で一致し、上記相違点１で相違する。
　そして、相違点１および作用効果についての検討は、上記「ア　刊行物１記載の発明との対比」のとおりである。
　
　したがって、本件発明１は、刊行物１または刊行物３記載の発明および従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
(2)本件発明２について
　本件発明２と刊行物２記載の発明を対比すると、後者の「半導体基板や液晶用ガラス基板等の被処理基板」は前者の「ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物」に、後者の「スピンチャック２」は前者の「スピンナー」に相当する。また、後者の「清浄な不活性ガスＮ２」はその実施形態からみて前者の「乾燥ガス」に相当するものであることは明らかであるから、後者の「ガス供給ノズル８」は前者の「乾燥ガス噴出ノズル」に相当する。さらに、後者の「液切り乾燥する場合に有効な処理装置」は前者の「乾燥装置」に相当する。
　そうすると、両者は、
「ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられその揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る乾燥ガス噴出ノズルとを備えた乾燥装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点２〉本件発明２は、板状被処理物の裏面に対して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルを備えたのに対し、刊行物２記載の発明は、そのような構成を備えない点。
〈相違点３〉本件発明２は、スプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部を備えたのに対し、刊行物２記載の発明は、そのような構成を備えない点。
　相違点２について検討する。
　刊行物３には、ホトマスクブランクやウェハの乾燥工程に用いるスピンドライヤにおいて、ホトマスクブランクやウェハの主面および裏面に対して窒素ガスを噴出する第１および第２窒素ガス噴出口６，８を備えることが記載されている。
　そうすると、刊行物２記載の発明に刊行物３記載の事項を適用し、上記相違点２に係る本件発明２の構成とすることは当業者が容易になし得るものである。
　相違点３について検討する。
　スピン乾燥装置において、回転する被処理物の周囲に上下に離間したスカート部を設け、飛沫のはね返りを防止する技術は、例えば特開昭６４−５７７１８号公報に記載されているように従来周知のものである。
　また、本件発明２は「上下に離間した２種類のスカート部」をその構成要件とするものであるが、本件特許明細書等にはスカート部の種類について特に記載されておらず、またスカート部の数を２つとしたことの技術的意義についても何ら記載されていない。
　そうすると、刊行物２記載の発明に上記従来周知の事項を適用することに格別な困難性は見当たらず、またその適用に際し上下に離間した２種類のスカート部とすることは当業者が適宜なし得る設計的事項であるから、刊行物２記載の発明に上記従来周知の事項を適用し、上記相違点３に係る本件発明２の構成とすることは当業者が容易になし得るものである。
　そして、本件発明２の作用効果は、刊行物２記載の発明、刊行物３記載の事項ならびに従来周知の事項から当業者が予測できる程度のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本件発明２は、刊行物２記載の発明、刊行物３記載の事項ならびに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件の請求項１および２に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対しされたものであるから、取り消されるべきものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
乾燥方法及び乾燥装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出する
とともに、乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部によってスプラッシュバックミストの落下を防止する
　【請求項２】　ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられその揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルと、
スプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は例えばガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被処理物を乾燥させる方法とその装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ガラス基板の一面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成したカラー液晶基板を製作したり、半導体ウェーハ上に各種デバイスを製作するには多くの表面処理工程を必要とする。そして表面処理を行う前または後に被処理物表面にゴミが付着していると、歩留まり低下の原因となるので、従来から表面処理を行う前後には必ず洗浄水で洗浄し、この後乾燥させて次工程へ送るようにしている。
　【０００３】
　斯かる乾燥方法として、自然に乾燥させる常圧乾燥があるが、常圧乾燥による場合には乾燥に要する時間が長いという問題があり、このため乾燥室内の空気を吸引して行う減圧乾燥がある。また、スピンナー上に被処理物を固着し、例えば、３０００ｒｐｍ以上の高速回転により乾燥させる方法もある。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　減圧乾燥の場合には処理時間は早くなるが、設備が大掛かりとなりパーティクルが発生しやすく且つ装置的に故障の発生要素が多くメンテナンスが面倒である。また、高速回転による乾燥の場合には、板状被処理物の破損を招き、帯電しやすいため板状被処理物にゴミが再付着しダメージを与えるという問題がある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決すべく本発明に係る乾燥方法は、被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出する
とともに、乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部によってスプラッシュバックミストの落下を防止する
　【０００６】
　また、本発明に係る乾燥装置は、板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられ、その揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルと、
スプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケースの内側壁に設けた上下に離間した２種類のスカート部と
　【０００７】
　【作用】
　被処理物の表面に流下した乾燥ガスは、板状被処理物の表面に沿って流れる間に被処理物の表面に残る洗浄液を乾燥させ、そのまま下方から排出される。
　【０００８】
　【実施例】
　以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る乾燥装置を組み込んだ洗浄乾燥ステーションの平面図、図２は同乾燥装置の平面図、図３は同乾燥装置の縦断面図であり、洗浄乾燥ステーション１には洗浄装置１０と乾燥装置２０とを配置している。
　【０００９】
　乾燥装置２０は図２及び図３に示すように、乾燥ケース２１の底部は中央が高く周縁が低くなった傾斜面２２となっており、この傾斜面２２には板状被処理物としてのガラス基板Ｗの下面を乾燥させるためのガス噴出ノズル２３が設けられ、また底部中央に形成した開口２４からスピンナー２５がケース２１内に臨み、このスピンナー２５の上端部にガラス基板Ｗを受けるチャック２６が取り付けられている。
　【００１０】
　チャック２６は略十字状をなし、各先部にはガラス基板Ｗの下面を支持するピン２７とガラス基板Ｗの位置決めを行うピン２８が設けられ、またスプラッシュバックミストの落下を防止するために乾燥ケース２１の内側壁には上下に離間して２種類のスカート部２９，３０を設け、更に傾斜面２２に設けたセンサ３１にてチャック２６にガラス基板Ｗが保持されているか否かを判断するようにしている。
　【００１１】
　また、乾燥ケース２１の側方にはアーム３２が水平方向に揺動自在に配置されている。そして、このアーム３２には空気、窒素ガス等の乾燥に用いるガスを下方または斜め下方に向けて噴出するノズル３３が取り付けられている。このノズル３３の取り付け位置はノズル３３の揺動軌跡がガラス基板Ｗの回転中心Ｏの真上を通る位置とされている。
　【００１２】
　一方、洗浄装置１０は乾燥装置２０とその構成部材の一部を共通にしている。即ち、洗浄ケース１１及びこの中に配置されるスピンナーとチャックは同一部材とし、また類似の部材として揺動アーム１２を備え、この揺動アーム１２の先端に洗浄水に振動を与えつつガラス基板Ｗに向けて噴出する超音波洗浄ユニット１３を設けている。
　【００１３】
　以上において、ガラス基板Ｗを洗浄装置１０の洗浄ケース１１内にセットし、ガラス基板Ｗを１００〜４００ｒｐｍで回転させつつ、アーム１２を必要な回数だけ往復揺動させ超音波洗浄ユニット１３でガラス基板Ｗ表面を洗浄する。
　【００１４】
　次いで、洗浄が終了したら、搬送装置にてガラス基板Ｗを乾燥装置２０のケース２１内のチャック２６上にセットする。次いで、スピンナー２５によってガラス基板Ｗを１７００ｒｐｍで回転させつつ、ガラス基板Ｗ表面にノズル３３から噴出する空気、窒素ガス等の乾燥ガスを真上から流下させ、ガラス基板Ｗ表面に沿って乾燥ガスを流してガラス基板Ｗ表面に残っている洗浄水を乾燥させ、更に乾燥ガスを下方の排出口３４から排出する。このときの乾燥ガスの噴出量は３０〜４０ｍｌ／分程度が好ましく、スピンナーの回転は１０００〜２０００ｒｐｍ程度が好ましい。
　【００１５】
　尚、ガラス基板Ｗの表面のみを乾燥させる場合にはノズル２３から乾燥ガスは噴出させない。この場合にはガスの流れは図３の右側に示すようになる。一方、ガラス基板Ｗの表裏両面を乾燥させる場合にはノズル２３からもノズル３３と同様に乾燥ガスを噴出させる。この場合にはガスの流れは図３の左側に示すようになる。
　【００１６】
　また、ノズル３３の位置は乾燥中ガラス基板Ｗの回転中心の上方に固定してもよいが、洗浄工程と同様にアーム３２を往復揺動させノズル３３をガラス基板Ｗの径方向に移動させつつ乾燥せしめるようにしてもよい。噴出させる乾燥ガスは空気、窒素ガス等のガスであることが好ましく、さらに静電気の発生を抑えるためにイオン化した空気、窒素ガスにすることが好ましい。
　【００１７】
　【発明の効果】
　以上に説明したように本発明によれば、回転する板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、下方から排出するようにしたので、常圧乾燥であるにも拘らず短時間で乾燥させることができる。また、イオン化した乾燥ガスを用いれば、板状被処理物に回転乾燥時に静電気が発生することがないので、ゴミの再付着が防止され、板状被処理物が半導体用基板であるときには半導体素子にダメージを与えることがない。
　【００１８】
　また、本発明に係る乾燥装置は、板状被処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付けられその揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を通る窒素ガス等の乾燥ガス噴出ノズルとから構成されるので、構造が簡単でパーティクルが発生しにくくメンテナンスが容易である。更に、乾燥装置を洗浄装置と隣接させ、しかも洗浄装置と乾燥装置の構成に共通箇所を設けることでライン構成上有利となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明に係る乾燥装置を組み込んだ洗浄乾燥ステーションの平面図
　【図２】同乾燥装置の平面図
　【図３】同乾燥装置の縦断面図
　【符号の説明】
　１…洗浄乾燥ステーション、１０…洗浄装置、２０…乾燥装置、２１…乾燥ケース、２２…傾斜面、２３，３３…乾燥ガス噴出ノズル、２５…スピンナー、２６…チャック、３２…アーム、Ｗ…ガラス基板（板状被処理物）。