【事件の表示】
　特願２０１０−２６７８５９号「フォトレジストの除去方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２１日出願公開、特開２０１２−１１９４９１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２２年１１月３０日の出願であって、平成２５年７月５日付けで手続補正がなされたが、同年７月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、請求と同時に同時に手続補正がなされ、その後、平成２６年１月８日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年３月１７日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２５年１０月３０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１０月３０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「基体表面に形成されたフォトレジストを、式（１）
　ｐ＝Ｈｘ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（１）
（但し、式中、ｐは気相内のオゾンの分圧、ＨはＨｅｎｒｙ定数、ｘは溶液中のオゾンの濃度（モル分率）を、それぞれ表す）
　および式（２）
　Ｈ＝３．８４２×１０７［ＯＨ−］０．０３５ｅｘｐ（−２４２８／Ｔ）・・・（２）
（但し、式中、ＯＨ−は水酸イオンの濃度、Ｔは液温を表し、Ｈは前記と同じ意味を表す）
によって算出される飽和濃度であって、式（２）における液温が７０℃であるときの飽和濃度を越える濃度のオゾンの過飽和水溶液で除去する除去操作を行うことを特徴とするフォトレジストの除去方法。」
と補正された。
　
　本件補正は、平成２５年７月５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項２に記載した発明を特定するために必要な事項である「オゾンの飽和濃度」について、「式（２）における液温が７０℃であるときの飽和濃度」に限定する補正を含むものであるから、この補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（２）引用例
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−３１９７２号公報（以下「引用例」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
記載事項ア
「【請求項１】
半導体ウエハをオゾン水により洗浄する洗浄方法において、オゾン水を昇温して洗浄槽に供給し、該供給されたオゾン水を用いて洗浄することを特徴とする半導体ウエハのオゾン水洗浄方法。
【請求項２】
前記
オゾン水は
７０℃に昇温される
半導体ウエハのオゾン水洗浄方法。
　
記載事項イ
「【００１１】
本発明は、上記状況に鑑みて、半導体ウエハからのレジストの除去時間が短縮され、
効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエハのオゾン水洗浄方法を提供する
　
記載事項ウ
「【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２９】
図１は本発明の第１実施例を示す半導体ウエハのオゾン（Ｏ３　）水洗浄システムの模式図である。
【００３０】
この図に示すように、Ｏ３　水生成装置６には、冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ３　ガスを生成するための酸素（Ｏ２　）ガスライン９が接続されている。そのＯ３　水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、途中ヒータ５が接続されている。オゾン水ライン４の出口にはオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００３１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ３　水生成装置６にＯ２　ガスライン９を介して導入されるＯ２　ガスと混合されることにより、Ｏ３　水が生成される。生成されたＯ３　水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ３　濃度が高くなる。その
Ｏ
３
　水はヒータ５を通して２０℃から７０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ
３
　水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００３２】
このように第１実施例によれば、
供給されたＯ
３
　水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽２に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ
３
　が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
　
　上記記載事項アないしウの記載内容からして、引用例には、
「Ｏ３水はヒータを通して７０℃に昇温され、昇温されたＯ３水はオゾン水拡散器を通して洗浄槽に供給され、供給されたＯ３水は温度が高いため、過飽和状態となっており、このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ３が急激に反応を起こすため、半導体ウエハからのレジストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエハのオゾン水洗浄方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「半導体ウエハ」に「ついた」「レジスト」は、本願補正発明の「基体表面に形成されたフォトレジスト」に相当する。そうすると、引用発明の「昇温されたＯ３水はオゾン水拡散器を通して洗浄槽に供給され、」「洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ３が急激に反応を起こすため、半導体ウエハからのレジストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうことができる」ことは、本願補正発明の「基体表面に形成されたフォトレジストを」「除去する除去操作を行う」ことに相当する。
　
（ｂ）引用発明の「ヒータを通して７０℃に昇温され」「温度が高いため、過飽和状態となって」いる「Ｏ３水」は、本願補正発明の「液温が７０℃であるときの飽和濃度を越える濃度のオゾンの過飽和水溶液」に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「半導体ウエハのオゾン水洗浄方法」は、本願補正発明の「フォトレジストの除去方法」に相当する。
　
　上記（ａ）ないし（ｃ）に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、
「基体表面に形成されたフォトレジストを、液温が７０℃であるときの飽和濃度を越える濃度のオゾンの過飽和水溶液で除去する除去操作を行うフォトレジストの除去方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点
　本願補正発明は、式（１）および式（２）によって算出される飽和濃度であって、式（２）における液温が７０℃であるときの飽和濃度を越える濃度のオゾンの過飽和水溶液で除去する除去操作を行うものであるのに対し、引用発明では、そのようなオゾンの過飽和水溶液で除去する除去操作を行うものであるか否かが不明である点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　本願補正発明の式（１）および式（２）は、ヘンリーの法則という広く周知な式であって、一般に、過飽和水溶液とは、ヘンリーの法則で定められる飽和濃度を越える濃度を有する水溶液と認められるから、引用発明の「７０℃に昇温され」「過飽和状態となって」いる「Ｏ３水」は、式（１）および式（２）によって算出され、式（２）における液温が７０℃であるときの飽和濃度を越える濃度となっているものと認められる。そうすると、上記相違点は実質的な相違点とはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年７月５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「基体表面に形成されたフォトレジストを、オゾンの過飽和水溶液を用いて除去する除去操作を行うことを特徴とするフォトレジストの除去方法。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−２０７５１５号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
記載事項ア
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
高い効率で基板表面のレジストを除去することができる
レジスト除去方法
　
記載事項イ
「【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施の形態に則して説明する。
図２は、本発明のレジスト除去装置の１実施態様を示す概略図である。
図２に示す態様のレジスト除去装置は、オゾン発生器４、オゾンガス検出器５、オゾン溶解モジュール６、オゾン水濃度検出器７、反応部８、及び、ポンプ９から構成されている。
【００２０】
オゾン発生器４では、オゾンガスが生成される。オゾン発生器４としては特に限定されず、公知のオゾン発生器を用いることができる。オゾン発生器４で生成されたオゾンガスの濃度はオゾンガス検出器５により測定・監視される。オゾンガス検出器５により測定されたオゾンガス濃度の値がオゾン発生器４にフィードバックされオゾン発生器４で生成されるオゾンガスの濃度が随時調整される。
【００２１】
オゾン発生器４で生成したオゾンガスは、オゾン溶解モジュール６において水に溶解される。
オゾン溶解モジュール６は、非多孔性膜からなるガス透過膜が収容されているものが好ましい。このようなオゾン溶解モジュールを用いれば、一旦レジスト除去に用いたオゾン水を再度循環させて利用しても目詰まりが起こることがない。
オゾン溶解モジュール６において生成したオゾン水は、オゾン水流出口６１から往路管１０に排出されてオゾン水濃度検出器７に送られ、上記オゾン水の溶存オゾンガス濃度が監視・管理される。
【００２２】
得られたオゾン水は、往路管１０を通ってオゾン水流入口８２から反応部８の内部に送られ、この反応部８において基板表面のレジストを除去するために用いられる。なお、反応部８については、後で詳述する。
また、反応部８は、紫外線を照射する手段が付加されていてもよい。基板表面のレジストを除去する際、紫外線を照射することにより、オゾンの分解速度が促進され、それに伴いレジストの除去効果を上げることができる。従って、オゾン水と紫外線照射とを併用することによって、より高いレジスト除去効果を得ることができる。
上記紫外線を照射する手段としては特に限定されず、例えば、ＵＶランプ等が挙げられる。照射される紫外線の波長は、オゾンが吸収する２５４ｎｍ近辺であることが好ましい。
【００２３】
本発明のレジスト除去装置においては、生成したオゾン水を循環させて用いることが好ましい。オゾン水を循環させて用いることにより、必要なオゾン水量を節約できることに加え、より高い濃度のオゾン水を容易に得ることができる。
上記オゾン水を循環させるには、例えば、反応部８のオゾン水流出口８１から復路管１１に排出されたオゾン水を、ポンプ９を用いてオゾン溶解モジュール６のオゾン水流入口６２に送り込めばよい。
【００２４】
また、本発明のレジスト除去装置は、オゾン水を加熱する手段を有することが好ましい。レジスト除去は、レジストとオゾンとの化学反応によりなされるものであることから、温度をかけることによってレジスト除去速度を高めることができる。
更に、本発明のレジスト除去装置は、装置内を加圧する手段を有することが好ましい。装置内を加圧することにより、
過飽和のオゾン水を生成させることができ、このような高濃度のオゾン水を用いることにより、更に高い効率でレジスト除去を行うことができる。
　
　上記記載事項ア、イの記載内容からして、引用例１には、
「基板表面のレジストを過飽和のオゾン水を用いることにより高い効率でレジスト除去を行うことができるレジスト除去方法。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
５．対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
（ａ）引用発明１の「基板表面のレジスト」は、本願発明の「基体表面に形成されたフォトレジスト」に相当する。
　
（ｂ）引用発明１の「過飽和のオゾン水を用いることにより高い効率でレジスト除去を行うこと」は、本願発明の「オゾンの過飽和水溶液を用いて除去する除去操作を行うこと」に相当する。
　
（ｃ）引用発明１の「レジスト除去方法」は、本願発明の「フォトレジストの除去方法」に相当する。
　
　上記（ａ）ないし（ｃ）に記載したことからして、本願発明と引用発明１は、
「基体表面に形成されたフォトレジストを、オゾンの過飽和水溶液を用いて除去する除去操作を行うフォトレジストの除去方法。」
である点で一致し、両者の間に相違点はない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。