【事件の表示】
　特許第３１８５８９０号「光学情報記録媒体の製造方法、およびこの方法で製造された光学情報記録媒体」の請求項１ないし７、１０、１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１８５８９０号の請求項１ないし１１に係る特許を維持する。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　特願平１０−５４３７３８　平成１０年　４月１５日
（優先権主張１　特願平９−９９１１３　　平成　９年　４月１６日
　　　　　　２　特願平９−２６６９１９　平成　９年　９月３０日
　　　　　　３　特願平９−２８３０８７　平成　９年　９月３０日）
　設定登録（特許第３１８５８９０号）  　平成１３年　５月１１日
　特許異議申立（斉藤美和）　　　　　　　平成１４年　１月１０日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　平成１４年　６月　４日
　意見書・訂正請求書　　　　　　　　　　平成１４年　８月　８日
　
２　訂正請求に対する判断
（１）　訂正請求の概要
訂正事項ａ
　平成１３年１月１８日付手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１、２、および５中の「この結晶化促進層の直上に記録層を成膜する」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「この結晶化促進層の直上に記録層を成膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とする」と訂正する。
　
訂正事項ｂ
　平成１３年１月１８日付手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項４中の「基板の一方の面に、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）化合物、およびビスマス（Ｂｉ）化合物の少なくともいずれか一つを含む材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜することを特徴とする請求の範囲第１乃至３項のいずれか１項に記載の」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「前記結晶化促進層をなす材料は、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）化合物、およびビスマス（Ｂｉ）化合物の少なくともいずれか一つを含む材料である請求の範囲第２項に記載の」と訂正する。
　
訂正事項ｃ
　平成１３年１月１８日付手続補正書により補正された明細書第３頁第２３行の「成膜する」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「成膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とする」と訂正する。
　
訂正事項ｄ
　平成１３年１月１８日付手続補正書により補正された明細書第４頁第１８行の「膜する」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とする」と訂正する。
　
訂正事項ｅ
　明細書第８頁第１４〜１５行の「含有させさせる」を、誤記の訂正を目的として「含有させる」に訂正する。
　
訂正事項ｆ
　明細書第１８頁第２６行の「［実施例２−７］」を不明瞭な記載の釈明を目的として「［比較例２−３］」に訂正する。
　
訂正事項ｇ
　明細書第１９頁第９行の「［実施例２−８］」を不明瞭な記載の釈明を目的として「［比較例２−４］」に訂正する。
　
訂正事項ｈ
　明細書第１９頁第１７行の「［実施例２−９］」を不明瞭な記載の釈明を目的として「［比較例２−５］」に訂正する。
　
訂正事項ｉ
　明細書第１９頁第２５行の「［実施例２−１０］」を不明瞭な記載の釈明を目的として「［比較例２−６］」に訂正する。
　
訂正事項ｊ
　明細書第２０頁第８〜９行の「実施例２−１〜２−１０、および比較例２−１，２−２の」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「実施例２−１〜２−６、および比較例２−１〜２−６の」と訂正する。
　
訂正事項ｋ
　明細書第２０頁第２２〜２５行の「実施例２−１〜２−３、実施例２−８，２−９、および比較例２−１のサンプルは、初回の記録周波数を１．０８ＭＨｚ、２回目の記録周波数を３．８９ＭＨｚとした。また、実施例２−４〜２−７，２−１０、および比較例２−２のサンプルは、」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「実施例２−１〜２−３および比較例２−１，２−４，２十５のサンプルは、初回の記録周波数を１．０８ＭＨｚ、２回目の記録周波数を３．８９ＭＨｚとした。また、実施例２−４〜２−６および比較例２−２，２−３，２−６のサンプルは、」と訂正する。
　
訂正事項ｌ　
　明細書第２１頁第１行の「なお、実施例２−８〜２−１０の」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「なお、比較例２−４〜２−６の」と訂正する。
　
訂正事項ｍ
　明細書第２１頁第１６〜１７行の「録層の組成が異なる実施例２−３〜２−５と実施例２−７〜２−１０を比較すると、実施例２−７〜２−１０のサンプルは記録層の組成を示す」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「録層の組成が異なる実施例２−３〜２−５と比較例２−３〜２−６を比較すると、比較例２−３〜２−６のサンプルは記録層の組成を示す」と訂正する。
　
訂正事項ｎ
　明細書第４０頁の表３の「実施例２−７」を「比較例２−３」に、「実施例２−８」を「比較例２−４」に、「実施例２−９」を「比較例２−５」に、「実施例２−１０」を「比較例２−６」に、それぞれ不明瞭な記載の釈明を目的として訂正する。
　
（２）　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ｂ〜ｄ、ｆ〜ｎは、不明瞭な記載の釈明を目的としており、訂正事項ｅは誤記の訂正を目的としており、いずれの訂正事項も新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張するものでなく、変更するものでもない。
　
（３）　訂正許諾
　以上のとおりであるので、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する特許法第１２６条第２項、第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３　特許異議申立についての判断
（１）　本件発明
　訂正が認められるので、本件発明は、訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲請求項１〜１１に記載されたとおりの次のものである。
「【請求項１】基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体の製造方法において、
 基板の一方の面に、結晶構造が面心立方格子系である材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とすることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項２】基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体の製造方法において、
 記録層の主成分をなす各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）は、下記の（１）式〜（３）式を同時に満たすものであり、
　　　０．１≦ｘ≦０．４　・・・・（１）
　　０．０８≦ｙ　　　　　・・・・（２）
　　０．４５≦ｚ≦０．６５・・・・（３）
　基板の一方の面に、結晶構造が菱面体格子系であって、且つテルル（Ｔｅ）を含有しない材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とすることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項３】結晶化促進層の結晶構造と記録層の結晶構造との格子不整合の絶対値が８％以下であることを特徴とする請求の範囲第１項または第２項記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項４】前記結晶化促進層をなす材料は、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）化合物、およびビスマス（Ｂｉ）化合物の少なくともいずれか一つを含む材料である請求の範囲第２項に記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項５】基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体の製造方法において、基板の一方の面に、ビスマス（Ｂｉ），および／またはビスマス（Ｂｉ）化合物を含む材料により島状の不連続膜に形成された、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とすることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項６】記録層の成膜は、成膜中の基板温度を４５℃以上であって基板の変形温度以下にして行うことを特徴とする請求の範囲第１項〜第５項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項７】ポリカーボネート製の基板を用い、記録層の成膜は、成膜中の基板温度を４５℃以上１１０℃以下にして行うことを特徴とする請求の範囲第１項〜第５項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項８】結晶化促進層の成膜は、成膜雰囲気中に窒素ガスを添加して行うことを特徴とする請求の範囲第１項〜第７項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項９】基板と結晶化促進層との間となる位置に第１誘電体層を形成する工程および／または記録層の結晶化促進層とは反対側の面に第２誘電体層を形成する工程を有する請求の範囲第１項〜第８項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法において、第１誘電体層および／または第２誘電体層の成膜は、成膜雰囲気中に窒素ガスおよび／または酸素ガスを添加して行うことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１０】基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体において、請求の範囲第１項〜第９項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法により製造されたものであり、記録層が結晶状態で成膜されていて、記録層の基板側の面に接する結晶化促進層を有することを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１１】記録層の主成分をなす各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）は、下記の（１）式〜（３）式を同時に満たすものであることを特徴とする請求の範囲第１０項記載の光情報記録媒体。
　　　０．１≦ｘ≦０．４　・・・・（１）
　　０．０８≦ｙ　　　　　・・・・（２）
　　０．４５≦ｚ≦０．６５・・・・（３）」
　
（２）　異議申立の概要
　特許異議申立人斉藤美和は、
甲第１号証（＝引用例１　「電子情報通信学会技術研究報告（信学技法）Ｖｏｌ．８７　Ｎｏ．３１０、ＣＰＭ８７−８８，ｐ２５−３０」「相変化型メモリー材料」　１９８７年１２月１８日）、
甲第２号証（＝引用例２　J. of Crystal. Growth 88(1988) p411−414, M.A.Mousa,et.al）、
甲第３号証（＝引用例３　Japan J. Appl. Phys. 8(1969) p1056, Fumiya Oki, et.al）、
甲第４号証（＝引用例４　Appl. Phys. Lett. 69(14), 30th Sept. 1996, p2039−2041）、
甲第５号証（＝引用例５　特開平５−３４２６２９号公報）
を提出し、
　請求項１〜１１に係る特許発明は、甲第１号証〜甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから取り消すべきであると主張する。
　
（３）　取消理由の概要
　上記引用例１〜引用例５に加えて、
引用例６　特開平９−１６１３１６号公報、
引用例７　特開平５−６２２４９号公報
を提示し、
　請求項１〜１１に係る特許発明は、引用例１〜引用例７記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから取り消すべきであるというものである。
　
（４）　引用例記載事項
　引用例１には、「ＴｅＧｅＳｂ系材料は上述した系よりＳｅを除去した組成であるが、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂの比を適当に選択することにより上述した１ビームオーバーライトに必要な結晶化時間を達成することが可能である」（第２７頁右欄第３０行目〜末行目）と記載され、
「したがって、結晶化を速くする上で必要とされる結晶構造は単純でかつ、単一の化合物である。
　ＧｅＳｂＴｅより構成されるＧｅＳｂ２Ｔｅ４、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、ＧｅＳｂ４Ｔｅ７は、いずれもｈｅｘａｇｏｎａｌからなる結晶構造ではあるが、これは高温で安定な構造であり、レーザ照射によって得られる結晶構造は、いずれもｆｃｃ構造で、単純な構造であるＮａＣｌ型と同型である。ＧｅＴｅは結晶化速度の速い材料として知られているが、［１１］、この組成の結晶構造はＮａＣｌ型である。」（第３０頁左欄第２３行目〜第３２行目）と記載されている。
　
　引用例２には、ガラス状ＳｅＧｅ２０アロイ試料について、「ドーピングされた各ガラスの結晶化速度（Ｋ）はＢｉ＞Ｉｎ＞Ｓｂ＞Ｔｌ＞Ａｓの順に増加し、この増加順序から、電子的コンフィグレーション、イオン化ポテンシャル、原子径のような物理的性質に基いて検討すると、ドーピング元素の原子径の変化のみが結晶化割合の変化によく関係すること」（第４１３頁右欄第６〜１５行目）が記載されている。
　
　引用例３には、Ｇｅの結晶化温度について「Ｇｅ単独ではアモルファス相から結晶相への転移は４００〜４２０℃で完了すること」（第１０５６頁左欄第１１行）、（表１）から「材料の各個蒸着によるＧｅ蒸着膜−各種金属（Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ）蒸着膜積層体の場合、α相からの結晶化温度はそれら各Ｇｅ−金属系の共融温度より低いこと」、（図１）から「前記Ｇｅ−各金属に関して、周期率表の第ＩＶ族（Ｐｂ，Ｓｎ）及び第Ｖ族（Ｂｉ，Ｓｂ）の場合（グラフＡ）は、第Ｉ族（Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ）、第ＩＩ族（Ｚｎ，Ｃｄ）及び第ＩＩＩ族（Ａｌ）の場合（グラフＢ）よりも、結晶化温度が共融温度よりかなり低いこと」が読みとれる。
　「ゲルマニウム薄膜のアモルファス相から結晶相への転移は４００〜４２０℃で完了するが、しかし転移過程は薄膜の製作条件に強く依存し、或る場合にはより低い転移温度が生じ、これは、薄膜資料の作成中に外部原子が薄膜中に取り込まれることにより生ごろと考えられる旨の報告が既にあること」（第１０５６頁左欄第１１〜２１行目）、「ゲルマニウムと共融アロイ（合金）を構成するような金属がアモルファスＧｅ薄膜に蒸着されたときには４００℃よりかなり低い温度で転移が生じると本報告者は考えていること」（同頁左欄第２１〜２５行目）と記載されている。
　
　引用例４には、「金属Ｂｉ粒子の減少はＧｅ半導体について、ＭＩＣ（金属導入による結晶化：metal−Induced crystallization）を導き、結晶化温度（Ｂｉ−Ｇｅの２重層の場合１７０−２５０℃）は金属一半導体系の共融温度（Ｔ＝５４４）の８１−９１％に低下すること、積層されたＢｉ粒子膜を有するα−Ｇｅ膜の結晶化過程は、積層膜を形成している粒子相互の内部への拡散によるものでなく、さらに、結晶核生成サイトはＢｉ粒子構造に明確には関係してなく、而してこれらの結果は、Ｇｅ結晶化のメカニズムが相互の境界面でコントロールされていること、を示し、また、Ｂｉ−Ｇｅ系のような両元素が相互に低い相溶性を有する共融系へのレーザ照射は、著しい境界内部融合のない金属層において、微構造上の変化によるそのエネルギー減少によって内界面の性質変化のための適当な手段であること」（第２０３９頁要約部）と記載されている。
　
　引用例５には、「【請求項１】エネルギービームの照射によって情報の記録が可能な記録媒体において、記録膜の少なくとも一部分に接して補助層として結晶化しやすい連続膜あるいは島状の不連続膜を形成していることを特徴とする情報記録媒体」と記載され、また「【請求項４】請求項１または２において、上記補助層は記録膜よりもＴｅ含有量が多い情報記録媒体」「【請求項５】請求項４において、上記補助層においてＴｅを７０原子％以上含んでいる情報記録媒体」と記載されている。
　
　引用例６には、
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一部の相変化媒体は初期結晶化が著しく困難で生産性が良くない。例えば、Ｓｂ７１Ｔｅ２９の組成を有する記録層は、非晶質−結晶相変化による記録消去は極めて高速に行なうことができるものであるが、基板上に記録層として成膜し、レーザービームを照射して初期結晶化を試みると、膜の多くの部分が結晶化しないままアモルファス状態として残ってしまう。」、
「【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、初期結晶化が困難である記録層を有する光学的情報記録用媒体に、記録層の結晶化を促す結晶化促進層を設けることにより初期結晶化をスムースに行なおうとするものである。結晶化促進層としては、結晶核となり記録層の結晶化のきっかけとなる。または、結晶化促進層上に設けられる記録層がそ堆積時に結晶化し易い構造となると考えられるものであれば良く、例えば、結晶化し易い金属等、たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等でもよいが、結晶構造が似ており、スパッタリング等による堆積時既に結晶化しており、記録層と屈折率が近い等の性質のものが好ましいため、ＳｂｘＴｅ１−ｘ（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする記録層を用いる場合には、結晶化促進層はＳｂｚＴｅ１−ｚ（０．２≦ｚ≦０．７）を主成分とする組成が好ましい。」、
　その実施例４として、【００３５】に、Ｓｂ２Ｔｅ３からなる結晶化促進層、Ｓｂからなる組成補正層、Ｇｅ１０Ｓｂ６７Ｔｅ２３からなる記録層をこの順に成膜し、【００３６】にレーザを照射して、初期結晶化していることが記載されている。
　
　引用例７には、「結晶化促進層」の直上に記録層を形成することが記載されているが、この「結晶化促進層」を設けることで得られる効果は、記録・消去の繰り返し特性の向上である。また、「結晶化促進層」の構成材料として挙げられているものは【００２０】に記載され、「結晶化抑制層，或は結晶化促進層５の構成材料及び成膜条件は、保護層、及び記録薄膜３の組合せによって変わってくるが、例えば、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯｘ，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２等の酸化物、ＡｌＮｘ，ＢＮ，ＮｂＮ，ＳｉＮｘ等の窒化物、Ｂ，Ｃ等の元素、或はこれらの適当な組合せからなる。」としており、結晶構造が明確には示されていない。
　【００３５】では、実施例３として、「・・・実施例３では、結晶化促進層を用いたディスクについて説明する。ここでは、記録薄膜としてＧｅ４Ｓｂ５Ｔｅ１０組成を選ぶ。・・・」、
【００３６】「図１（ｂ）にディスク構造を示す。基板１の材質はφ１３０のガラスとし、記録領域はφ６０〜φ１２８とする。基板１上に、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）保護層、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなる結晶化促進層１０、Ｇｅ４Ｓｂ５Ｔｅ１０記録薄膜３、Ｓｉ３Ｎ４保護層、Ａｕ反射層６を順次積層する。・・・」と記載されている。
　
（５）　訂正発明と引用例との対比
（優先権主張１）
　引用例６は、平成９年６月２０日に公開された刊行物であり、優先権主張１に係る発明に対しては、公知ではない。
　優先権主張１の発明は、【特許請求の範囲】に、
「【請求項１】　少なくとも記録層、誘電体層及び反射層が順次形成された構成で、光学的特性の変化により情報を記録する光情報記録媒体において、該記録層の直下に第ＶＩ族に属する元素を除く元素からなる結晶化促進層を設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】　結晶化促進層が記録層を積層する前に結晶化していることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項３】　結晶化促進層に積層した記録層が成膜終了時に結晶化していることを特徴とする請求項１又は２に記載の光情報記録媒体。」とされ、
実施例として、
「【００１９】
【実施例１】
　比較例１と同様の基板１上にＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い、ＲＦスパッタリング法によりおよそ１４００Åの第１の保護層２を形成した。次にこの保護層の上に、結晶化促進層３である
Ｓｂ
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金
【００２１】
【実施例２】
　比較例１と同様の基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い、ＲＦスパッタリング法によりおよそ１４００Åの第１の保護層２を形成した。次にこの保護層の上に、結晶化促進層３である
Ｓｂ
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金
【００２３】
【実施例３】
　比較例１と同様の基板１上にＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い、ＲＦスパッタリング法によりおよそ１４００Åの第１の保護層２を形成した。その後、ハロゲンランプによる光照射を加え、基板に歪みが生じない程度に加熱する。次にこの保護層の上に、結晶化促進層３である
Ｂｉ
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金
　
（訂正発明１）
　訂正請求された請求項１の発明（以下、訂正発明１という。２〜１１も同様。）と引用例とを対比する。
　訂正発明１は、「結晶構造が面心立方格子系である材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層」の特定される事項があり、この事項は上記優先権主張１の発明ではない。また、この事項の結晶化促進層を用いることで、初期化工程を不要にできる効果を奏する。
　そして、上記引用例１〜４には、特定される事項である「結晶構造が面心立方格子系である材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた」ことは示されていない。
　また、引用例５の実施例１では、Ｔｅからなる補助層の上にＧｅ１３Ｓｂ３０Ｔｅ５７からなる記録層を設けており、この場合にレーザ光１回の照射で初期化を完了できることが記載されている。Ｔｅは、六方晶形であり、面心立方ではない。
　引用例６の結晶構造が菱面体格子系であるＳｂ−Ｔｅを主成分とするものも、面心立方ではない。
　引用例７の結晶化促進層の結晶構造は明確ではないが、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）は結晶構造が普通は斜方晶系であり、面心立方格子系である材料ではない。
　従って、訂正発明１は引用例１〜７記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（訂正発明２）
　訂正発明２は、「結晶構造が菱面体格子系であって、且つテルル（Ｔｅ）を含有しない材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層」という特定される事項があり、この事項は上記優先権主張１の発明ではない。また、この事項の結晶化促進層を用いることで、初期化工程を不要にできる効果を奏する。
　引用例１には、結晶化促進層が示されておらず、引用例６は結晶化促進層はＳｂｚＴｅ１−ｚ（０．２≦ｚ≦０．７）を用いており、結晶構造が菱面体格子系であるがテルルを含んでいる。
　Ｂｉは、菱面体格子系であるが、引用例２、３、４は記録層がそれぞれＳｅＧｅ２０、Ｇｅ、Ｇｅであり、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層に対する結晶化促進層に適用できるとはいえない。
　引用例５の実施例１では、Ｔｅからなる補助層の上にＧｅ１３Ｓｂ３０Ｔｅ５７からなる記録層を設けており、テルルを含んでいる。引用例６もＳｂ−Ｔｅであり、テルルを含んでいる。
　引用例７の結晶化促進層の結晶構造は明確ではないが、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）は結晶構造が普通は斜方晶系であり、さらに「非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とすること」とは異なり結晶化する初期工程を有しており、この点で引用例７と異なり、初期化工程が不要な効果を奏する。
　従って、訂正発明２は引用例１〜７記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（訂正発明３）
　請求の範囲第１項または第２項記載の光情報記録媒体の製造方法であり、従属項形式の発明である。上記（訂正発明１）、（訂正発明２）と同様である。
　
（訂正発明４）
　請求の範囲第２項記載の光情報記録媒体の製造方法であり、従属項形式の発明である。上記（訂正発明２）と同様である。
　
（訂正発明５）
　引用例７の結晶化促進層羽島上の不連続膜に形成されているが、その結晶構造は明確ではなく、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）は結晶構造が普通は斜方晶系であり、さらに「非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とすること」とは異なり結晶化する初期工程を有しており、この点で引用例７と異なり、初期化工程が不要な効果を奏する。
　
（訂正発明６）
　請求の範囲第１項〜第５項記載の光情報記録媒体の製造方法であり、従属項形式の発明である。上記（訂正発明１）〜（訂正発明５）と同様である。
　
（訂正発明７）
　請求の範囲第１項〜第５項記載の光情報記録媒体の製造方法であり、従属項形式の発明である。上記（訂正発明１）〜（訂正発明５）と同様である。
　
（訂正発明８、９）
　特許異議の申し立てのない請求項である。
　（請求項１〜７の訂正により、訂正発明８，９も訂正されたが、上記により、訂正発明１〜７は独立特許要件を満たすので、訂正発明８，９も独立特許要件を満たし、訂正を拒絶する理由を発見しない。）
　
（訂正発明１０、１１）
　訂正発明の１０，１１は、請求項１〜９によって製造されたものとなっているが、その製造方法に限定されるものでなく、できあがったものの構成で引用例と対比すべきである。しかしながら、記録層が初期化工程を行わないで、結晶化したものと、引用例のごとく初期化工程を行って結晶化したものとのその結晶構造において構造が同じであるとは、一般的にはいえないし、特許異議申立人もその点について証明していない。従って、甲第１号証〜甲第５号証、引用例６，７の証拠では、訂正発明１０，１１が引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（６）　異議申立及び取消理由通知のまとめ
　訂正発明は、引用例１〜７と同一でもなくまたいずれの引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　また、訂正発明を取り消しする、他の理由を発見しないので、いずれの訂正発明を維持する。
　
５　まとめ
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月２７日（２００３．２．２７）
【訂正の要旨】
▲１▼訂正事項ａ
　平成１３年１月１８日付手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１、２、および５中の「この結晶化促進層の直上に記録層を成膜する」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「この結晶化促進層の直上に記録層を成膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とする」と訂正する。
▲２▼訂正事項ｂ
　平成１３年１月１８日付手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項４中の「基板の一方の面に、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）化合物、およびビスマス（Ｂｉ）化合物の少なくともいずれか一つを含む材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜することを特徴とする請求の範囲第１乃至３項のいずれか１項に記載の」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「前記結晶化促進層をなす材料は、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）化合物、およびビスマス（Ｂｉ）化合物の少なくともいずれか一つを含む材料である請求の範囲第２項に記載の」と訂正する。
▲３▼訂正事項ｃ
　平成１３年１月１８日付手続補正書により補正された明細書第３頁第２３行の「成膜する」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「成膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とする」と訂正する。
▲４▼訂正事項ｄ
　平成１３年１月１８日付手続補正書により補正された明細書第４頁第１８行の「膜する」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「膜し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品とする」と訂正する。
▲５▼訂正事項ｅ
　明細書第８頁第１４〜１５行の「含有させさせる」を、誤記の訂正を目的として「含有させる」に訂正する。
▲６▼訂正事項ｆ
　明細書第１８頁第２６行の「［実施例２−７］」を不明瞭な記載の釈明を目的として「［比較例２−３］」に訂正する。
▲７▼訂正事項ｇ
　明細書第１９頁第９行の「［実施例２−８］」を不明瞭な記載の釈明を目的として「［比較例２−４］」に訂正する。
▲８▼訂正事項ｈ
　明細書第１９頁第１７行の「［実施例２−９］」を不明瞭な記載の釈明を目的として「［比較例２−５］」に訂正する。
▲９▼訂正事項ｉ
　明細書第１９頁第２５行の「［実施例２−１０］」を不明瞭な記載の釈明を目的として「［比較例２−６］」に訂正する。
▲１０▼訂正事項ｊ
　明細書第２０頁第８〜９行の「実施例２−１〜２−１０、および比較例２−１，２−２の」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「実施例２−１〜２−６、および比較例２−１〜２−６の」と訂正する。
▲１１▼訂正事項ｋ
　明細書第２０頁第２２〜２５行の「実施例２−１〜２−３、実施例２−８，２−９、および比較例２−１のサンプルは、初回の記録周波数を１．０８ＭＨｚ、２回目の記録周波数を３．８９ＭＨｚとした。また、実施例２−４〜２−７，２−１０、および比較例２−２のサンプルは、」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「実施例２−１〜２−３および比較例２−１，２−４，２−５のサンプルは、初回の記録周波数を１．０８ＭＨｚ、２回目の記録周波数を３．８９ＭＨｚとした。また、実施例２−４〜２−６および比較例２−２，２−３，２−６のサンプルは、」と訂正する。
▲１２▼訂正事項ｌ
　明細書第２１頁第１行の「なお、実施例２−８〜２−１０の」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「なお、比較例２−４〜２−６の」と訂正する。
▲１３▼訂正事項ｍ
　明細書第２１頁第１６〜１７行の「録層の組成が異なる実施例２−３〜２−５と実施例２−７〜２−１０を比較すると、実施例２−７〜２−１０のサンプルは記録層の組成を示す」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「録層の組成が異なる実施例２−３〜２−５と比較例２−３〜２−６を比較すると、比較例２−３〜２−６のサンプルは記録層の組成を示す」と訂正する。
▲１４▼訂正事項ｎ
　明細書第４０頁の表３の「実施例２−７」を「比較例２−３」に、「実施例２−８」を「比較例２−４」に、「実施例２−９」を「比較例２−５」に、「実施例２−１０」を「比較例２−６」に、それぞれ不明瞭な記載の釈明を目的として訂正する。
（５４）【発明の名称】
光学情報記録媒体の製造方法、およびこの方法で製造された光学情報記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体の製造方法において、
　基板の一方の面に、結晶構造が面心立方格子系である材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜
し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品と
　【請求項２】　基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体の製造方法において、
　記録層の主成分をなす各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）は、下記の（１）式〜（３）式を同時に満たすものであり、
　　　０．１≦ｘ≦０．４　‥‥（１）
　　０．０８≦ｙ　　　　　‥‥（２）
　　０．４５≦ｚ≦０．６５‥‥（３）
　基板の一方の面に、結晶構造が菱面体格子系であって、且つテルル（Ｔｅ）を含有しない材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜
し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品と
　【請求項３】　結晶化促進層の結晶構造と記録層の結晶構造との格子不整合の絶対値が８％以下であることを特徴とする請求の範囲第１項または第２項記載の光情報記録媒体の製造方法。
　【請求項４】　
前記結晶化促進層をなす材料は
であ
２
　【請求項５】　基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体の製造方法において、
　基板の一方の面に、ビスマス（Ｂｉ）および／またはビスマス（Ｂｉ）化合物を含む材料により島状の不連続膜に形成された、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜
し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品と
　【請求項６】　記録層の成膜は、成膜中の基板温度を４５℃以上であって基板の変形温度以下にして行うことを特徴とする請求の範囲第１項〜第５項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法。
　【請求項７】　ポリカーボネート製の基板を用い、記録層の成膜は、成膜中の基板温度を４５℃以上１１０℃以下にして行うことを特徴とする請求の範囲第１項〜第５項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法。
　【請求項８】　結晶化促進層の成膜は、成膜雰囲気中に窒素ガスを添加して行うことを特徴とする請求の範囲第１項〜第７項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法。
　【請求項９】　基板と結晶化促進層との間となる位置に第１誘電体層を形成する工程および／または記録層の結晶化促進層とは反対側の面に第２誘電体層を形成する工程を有する請求の範囲第１項〜第８項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法において、
　第１誘電体層および／または第２誘電体層の成膜は、成膜雰囲気中に窒素ガスおよび／または酸素ガスを添加して行うことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
　【請求項１０】　基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体において、
　請求の範囲第１項〜第９項のいずれか一つに記載の光情報記録媒体の製造方法により製造されたものであり、記録層が結晶状態で成膜されていて、記録層の基板側の面に接する結晶化促進層を有することを特徴とする光情報記録媒体。
　【請求項１１】　記録層の主成分をなす各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）は、下記の（１）式〜（３）式を同時に満たすものであることを特徴とする請求の範囲第１０項記載の光情報記録媒体。
　　　０．１≦ｘ≦０．４　‥‥（１）
　　０．０８≦ｙ　　　　　‥‥（２）
　　０．４５≦ｚ≦０．６５‥‥（３）
【発明の詳細な説明】
技術分野
　本発明は、照射光の強度に応じて結晶状態と非晶質状態との間の相変化がなされる記録層を備えた相変化型の光情報記録媒体に関し、特に、初期化工程を不要にできる光情報記録媒体の製造方法に関する。
背景技術
　近年、光情報記録媒体は、膨大な量の情報を記録・再生・消去する手段として盛んに研究開発が行われている。特に、記録層が結晶質と非晶質との二状態間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・消去を行ういわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光のパワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら同時に新たな情報を記録すること（以下「オーバーライト」と称する）が出来るという利点を有していることから、有望視されている。
　このオーバーライト可能な相変化型光ディスクの記録材料としては，低融点でかつレーザー光の吸収効率の高いＩｎ−Ｓｅ系合金（「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．第５０巻、６６７ページ、１９８７年」参照、）やＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．第５０巻、１６ページ、１９８７年」参照、）、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金（日本国特開昭６２−５３８８６公報参照）等のカルコゲン合金が主として用いられている。
　一方、これらのカルコゲン合金を用いて実際に記録・消去を行う場合は、記録・消去時の熱による基板の変形を防止したり、記録層の酸化や案内溝に沿っての物質移動あるいは変形を防止するために、通常、記録層の直下と直上のいずれか一方または双方に、金属あるいは半金属の酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、および窒化物から選ばれた少なくとも一種類からなる誘電体層を設けている。
　そして、カルコゲン合金からなる記録層と、記録層の直下および／または直上に設けた誘電体層と、記録層の基板側とは反対側に設けた冷却層を兼ねた反射層（例えばＡｌ合金）を透明基板上に備えた三層または四層構造のものが、記録・消去特性の点で好適であるために相変化型光ディスクの主流となっている。
　通常の相変化型光ディスクは、記録層に記録パワーのレーザビームを照射して融点以上の温度に加熱した後急冷することにより、記録層材料が非晶質化されて記録マークが形成され、消去パワーのレーザビームを照射して結晶化温度以上に加熱した後徐冷することにより、記録層材料が結晶化されて記録マークが消去される。
　このような相変化型光ディスクは、スパッタリング法や蒸着法等により各層をなす薄膜を基板に対して順次形成することによって作製されるが、成膜直後の記録層が非晶質状態にあるため、レーザビームを照射して全面を結晶化した後に出荷される。この工程は一般に初期化工程と称される。
　しかしながら、この初期化工程は、最も効率の良いレーザビーム照射法によっても、直径１２０ｍｍの光ディスク全体を初期化するために１分弱の時間を要し、光ディスクを製造する上でコスト上昇の原因となっている。すなわち、光ディスクの各製造工程で一枚の処理にかかる時間（タクト時間）を考えた時、初期化工程にかかる時間は基板の成形工程や成膜工程と比較して長い。したがって、例えば成膜工程のタクト時間が８秒である場合に、初期化工程への移行時のタイムロスをなくすためには、非常に高価な初期化装置が少なくとも６〜７台は必要となる。その結果、初期化工程を行うことで光ディスクの製造コストが高くなっている。
　初期化工程にかかる時間を短縮する方法としては、例えば日本国特開平５−３４２６２９号公報に、結晶化し易い連続膜あるいは島状の不連続膜からなる補助層を、記録層に接して設けることが記載されている。また、この補助層の構成材料としては、テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）、またはＴｅとＳｅとを含む化合物が挙げられている。
　しかしながら、上述のＴｅ、Ｓｅ、またはＴｅとＳｅとを含む化合物からなる補助層を記録層に接して設ける方法では、記録層の初期化にかかる時間を短縮することはできるが、補助層と記録層の両方が極端に結晶成長しやすい材料からなる場合を除いて、原則的に初期化工程を不要にすることはできない。
　本発明の課題は、初期化工程を不要にすることのできる光情報記録媒体を提供することにある。
発明の開示
　本発明は、基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料（以下「Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金」と称する）からなる記録層を有する光情報記録媒体の製造方法において、基板の一方の面に、結晶構造が面心立方格子系である材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜
し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品と
　Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金は、結晶相として面心立方格子系結晶構造と六方晶系結晶構造の２形態を取り、非晶質状態から温度を上げていくと面心立方格子、六方晶の順に相変化することが知られている。本発明では、記録層と同じ面心立方格子系の結晶構造を有する結晶化促進層の存在により、記録層は成膜時に容易に結晶化される。
　面心立方格子系の結晶構造としては、面心立方格子、面心正方格子、ダイヤモンド形構造、ＣｕＡｕ形規則格子、ＣｕＰｔ形規則格子、Ｎｉ２Ｃｒ形規則格子、Ｃｕ３Ａｕ形規則格子、Ｎｉ４Ｍｏ形規則格子、Ａｇ３Ｍｇ形規則格子、Ｎｉ３Ｖ形規則格子、Ｃｕ３Ｐｄ形規則格子、Ａｕ３Ｍｎ形規則格子、ＮａＣｌ形構造、ＮａＴｌ形構造、ＺｎＳ形構造、ＣａＦ２形構造、ＦｅＳ２形構造、クリストバライト高温形構造、Ｌａｖｅｓ相ＭｇＣｕ２形構造、Ｃｕ３Ａｕ形構造、Ａｌ３Ｔｉ形構造、　Ｃｕ２ＡｌＭｎ形構造、Ａｌ２ＭｇＯ４形構造、Ｂｉ２Ｔｅ３構造およびこれらの侵入型固溶体、置換型固溶体などがある。
　本発明はまた、基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体の製造方法において、記録層の主成分をなす各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）は、下記の（１）式〜（３）式を同時に満たすものであり、
　　　０．１≦ｘ≦０．４　‥‥（１）
　　０．０８≦ｙ　　　　　‥‥（２）
　　０．４５≦ｚ≦０．６５‥‥（３）
　基板の一方の面に、結晶構造が菱面体格子系であって、且つテルル（Ｔｅ）を含有しない材料からなり、記録層を成膜時に結晶化させる結晶化促進層を設けた後、この結晶化促進層の直上に記録層を成膜
し、非晶質状態の記録層を結晶化する初期化工程を行わないで完成品と
　本発明においては、結晶化促進層の結晶構造と記録層の結晶構造との格子不整合の絶対値が８％以下であることが好ましい。ここで、格子不整合は以下の（ａ）式で表される。
　　格子不整合（％）＝（（Ｂ−Ａ）／Ａ）×１００‥‥（ａ）
（ただし、
　Ａ；記録層が面心立方格子系の結晶である時の＜１１０＞方向の原子
間隔
　Ｂ；結晶化促進層が結晶化したときの原子間隔のうち、前記Ａとの差
が最も小さい原子間隔。面心立方格子系の場合は、一般に＜１００＞方向または＜１１０＞方向の原子間隔となる。）
　上記（ａ）式において、２種類以上の元素からなる結晶の場合には、異種原子同士の距離を原子間隔としてよい。また、上記（ａ）式のＡ、Ｂの値が大きく異なるときは、結晶化促進層の原子間隔Ｂを原子間距離の整数倍または整数分の１としてもよい。
　格子不整合の範囲は−４．５〜＋８％がより好ましく、−３〜＋７％がさらに好ましい。
　結晶構造が面心立方格子系であって、且つ記録層の結晶構造との格子不整合の絶対値が８％以下である材料の具体例としては、ＰｂＴｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３等が挙げられる。
　結晶構造が菱面体格子系であって、且つ記録層の結晶構造との格子不整合の絶対値が８％以下であって、且つテルル（Ｔｅ）を含有しない材料の具体例としては、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）化合物、およびビスマス（Ｂｉ）化合物等が挙げられる。Ｓｂ化合物としては、Ｓｂ合金およびＳｂと他の金属または半金属との金属間化合物、Ｂｉ化合物としては、Ｂｉ合金およびＢｉと他の金属または半金属との金属間化合物が挙げられる。
　本発明において、結晶化促進層の膜厚は２００Å以下であることが好ましい。この膜厚が２００Åより厚いと記録消去特性が劣化する。より好ましい結晶化促進層の膜厚は１００Å以下である。また、結晶化促進層が薄すぎると、記録層の結晶化作用が不十分となる場合があるため、１Å以上とすることが好ましい。
　本発明における結晶化促進層は、連続膜であってもよいし、記録層に島状で不連続に接する不連続膜であってもよいが、ビスマス（Ｂｉ）および／またはビスマス（Ｂｉ）化合物を含む材料により島状の不連続膜に形成されたものであることが特に好ましい。
　記録層の基板側の面に接するように設けた結晶化促進層により記録層が結晶化されている光情報記録媒体は、初期化工程を不要とすることができるが、この結晶化促進層として、ビスマス（Ｂｉ）および／またはビスマス（Ｂｉ）化合物を含む材料からなる連続膜を使用すると、初回記録時のＣＮＲに比べてオーバーライトによる２回目以降の記録時のＣＮＲ（搬送波対雑音比）が若干低下する。
　これに対して、結晶化促進層として、ビスマス（Ｂｉ）および／またはビスマス（Ｂｉ）化合物を含む材料からなる島状の不連続膜を用いると、オーバーライトによる２回目以降の記録時のＣＮＲは初回記録時のＣＮＲから低下しないようになる。
　島状の不連続膜は、例えば、スパッタリング法により膜厚が所定値以下となるように成膜することにより形成される。
　結晶化促進層上に積層する記録層の結晶性が不十分な場合は、記録層の成膜を、成膜中の基板温度を４５℃以上基板の変形温度以下（基板がポリカーボネート製である場合には１１０℃以下）にして行うことが好ましい。これにより、記録層が安定的な結晶状態となる。
　記録層成膜中の基板温度を高く保持する方法としては、▲１▼記録層の成膜直前に基板または下地である結晶化促進層を加熱することにより基板温度を予め高くしておく方法、▲２▼記録層の成膜開始後に基板または結晶化促進層を加熱し始め、成膜中加熱し続ける方法、▲３▼記録層の成膜終了直後に基板または成膜面を加熱する方法、▲４▼記録層の成膜前に行われた成膜により発生して基板に蓄積された熱を利用して、記録層の成膜をその直前の成膜終了直後に開始する方法がある。
　加熱方法としては、基板の成膜面（結晶化促進層の表面）に熱線を含む光を照射する方法、基板ホルダー自体をヒータ等で加熱する方法、高周波誘導による加熱、フラッシュ露光による加熱、およびプラズマ処理による加熱等が挙げられる。
　本発明の製造方法において、結晶化促進層の成膜は、成膜雰囲気中に窒素ガスを添加して行うことが好ましい。
　本発明の製造方法において、基板と結晶化促進層との間となる位置に第１誘電体層を形成する工程および／または記録層の結晶化促進層とは反対側の面に第２誘電体層を形成する工程を有する場合は、第１誘電体層および／または第２誘電体層の成膜は、成膜雰囲気中に窒素ガスおよび／または酸素ガスを添加して行うことが好ましい。
　本発明はまた、基板の一方の面に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルル（Ｔｅ）を主成分とする材料からなる記録層を有する光情報記録媒体において、前記各製造方法により製造されたものであって、記録層が結晶状態で成膜されていて、記録層の基板側の面に接する結晶化促進層を有することを特徴とする光情報記録媒体を提供する。
　本発明の光情報記録媒体において、記録層の主成分をなす各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）は、下記の（１）式〜（３）式を同時に満たすものであることが好ましい。この範囲を図２の三角グラフに斜線で示す。
　　　０．１≦ｘ≦０．４　‥‥（１）
　　０．０８≦ｙ　　　　　‥‥（２）
　　０．４５≦ｚ≦０．６５‥‥（３）
　ここで、ｘ＜０．１の場合は、光情報記録媒体としての安定性の点で好ましくない。ｘ＞０．４、ｙ＜０．０８、ｚ＜０．４５、ｚ＞０．６５の場合は、記録層を結晶化させることが難しいため好ましくない。
　記録層の主成分をなす各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）のより好ましい範囲は、下記の（４）式〜（６）式を同時に満たすものである。
　　０．１５≦ｘ≦０．３　‥‥（４）
　　０．１２≦ｙ　　　　　‥‥（５）
　　　０．５≦ｚ≦０．６　‥‥（６）
　記録層をなす材料としては、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂに加えてＢｉを含有するＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｂｉ系合金を用いることが好ましい。また、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金またはＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｂｉ系合金に、例えば、水素、窒素、酸素、炭素、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ等を含有したものであってもよい。これらの元素は、記録層の成膜時にターゲットから、またはガス状で雰囲気ガス中に添加することによって含
有さ
　本発明の光情報記録媒体において、記録層の膜厚は、５０Å以上１０００Å以下であることが望ましい。５０Å未満であると充分な記録感度を得ることができず、１０００Åを超えると記録感度及び分解能の点で問題が生じるため好ましくない。
　本発明の光情報記録媒体は、結晶化促進層、記録層、誘電体層、および反射層が、基板上にこの順に形成された４層構造であることが好ましい。更に好ましくは、第１の誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２の誘電体層、および反射層が、基板上にこの順に形成された５層構造とする。また、これ以外に更に必要な層を加えることも可能である。
　第１および第２の誘電体層としては、耐熱性が高く融点が１０００℃以上の材料、例えば、ＳｉＯ２、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４等が用いられる。第１の誘電体層の膜厚については特に規定しないが、第２の誘電体層の膜厚は５０Å以上５００Å以下が好ましい。５０Å未満では十分な記録感度が得られなくなり、５００Åを超えると十分な繰り返し特性が得られなくなる。反射層の膜厚は３００Å以上が好ましい。
　各層の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法が挙げられる。
　なお、光情報記録媒体に結晶化促進層が存在していることを確認する方法について以下に述べる。
　第１の方法は、光情報記録媒体の断面を透過型電子顕微鏡を用いて観察する方法である。電子線回折装置やエネルギー分散型Ｘ線分析装置を併用すれば、結晶化促進層をなす元素を特定することもできる。但し、この方法で結晶化促進層の存在を確認することは、結晶化促進層が島状である場合や、膜厚が非常に薄い場合には難しい。
　第２の方法は、光情報記録媒体の基板上の積層膜をスパッタリング法でゆっくりと基板面と垂直な方向に掘りながら、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）やオージェ電子分光法（ＡＥＳ）により、各位置に存在する元素を分析する方法であって、結晶化促進層が島状である場合や、膜厚が非常に薄い場合に有効な方法である。
　この方法によれば、記録層を、結晶化促進層が存在する界面に向けてゆっくりと掘りながら分析を行うと、結晶化促進層とその下の層（通常は誘電体層）との界面に近づくにつれて、結晶化促進層をなす元素の量が増えてゆき、界面に到達した後に急激に減少する。この現象を見出すことによって結晶化促進層の存在が分かる。
　一例として、層構成が、基板／第１誘電体層／結晶化促進層／記録層／第２誘電体層／反射層／ＵＶ硬化樹脂層である光ディスクについて、第２の方法で結晶化促進層の存在を確認する方法を示す。先ず、ＵＶ硬化樹脂層の上に粘着テープを接着し、この粘着テープにより基板から積層膜を剥がす。この時、通常は第２誘電体層と記録層との間で剥離が生じるため、記録層と結晶化促進層が残っている基板を、二次イオン質量分析装置またはオージェ電子分光装置に入れて、記録層側からゆっくりと掘りながら元素分析を行う。
　記録層がＧｅＴｅＳｂからなり、結晶化促進層がＢｉからなる島状の不連続膜である光ディスクの場合には、元素分析により、先ずＧｅ、Ｔｅ、Ｓｂの各元素の存在が確認され、堀り進んで行くとＢｉの存在が認められる。さらに進むとＢｉの量が増加するとともに、徐々にＧｅ、Ｔｅ、Ｓｂの量が減少し、誘電体層に達するとＧｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｂｉの存在は認められなくなる。したがって、第２の方法によりこのような現象が見られた場合には、この光ディスクは、Ｂｉからなる島状の不連続膜を結晶化促進層として備えたものであると判断できる。
　また、本発明のように記録層が成膜直後に結晶状態となっている光ディスクと、初期化工程によって記録層の結晶化が行われた光ディスクとは、容易に区別することができる。
　すなわち、通常のレーザビーム照射法による初期化装置で記録層の結晶化が行われた光ディスクは、初期化装置の構成上、記録層のディスク最内周部と最外周部は初期化されずに非晶質状態になっている。そのため、ディスク最内周部および最外周部とこれらの間の部分とで反射率に差が生じており、この反射率の差は当業者であれば目視で分かる。これに対して、記録層が成膜直後に結晶状態となっていて、初期化工程が行われていない光ディスクは、記録層の全面が結晶化しているためにこのような反射率の差が生じない。
図面の簡単な説明
　図１は、本発明の一実施形態に相当する光情報記録媒体の層構造を示す断面図である。
　図２は、記録層の主成分をなすＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの、各元素の存在比の好ましい範囲を示す三角グラフである。
　図３は、第２実施形態のＸ線回折用サンプルＡ〜Ｃについて、Ｘ線回折により得られた回折Ｘ線スペクトルを示すグラフである。
　図４は、実施例３−１の結晶化促進層に相当する薄膜を示す写真である。
　図５は、実施例３−２の結晶化促進層に相当する薄膜を示す写真である。
　図６は、第３実施形態のＸ線回折用サンプルＡ〜Ｇについて、Ｘ線回折により得られた回折Ｘ線スペクトルを示すグラフである。
発明を実施するための最良の形態
　【第１実施形態】
　以下のようにして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　先ず、基板１として、直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍで、中心穴を有し、幅０．７４μｍの案内溝をトラックピッチ１．４μｍで螺旋状に有するポリカーボネート基板を用意した。
　次に、この基板１に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（ＳｉＯ２の含有率３０モル％）からなる厚さ２５００Åの第１誘電体層２、表１に示す各材料および厚さからなる結晶化促進層３、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなる厚さ２００Åの記録層４、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（ＳｉＯ２の含有率３０モル％）からなる厚さ１５０Åの第２誘電体層５、Ａｌ−Ｔｉ合金（Ｔｉの含有率１．１原子％）からなる厚さ８００Åの反射層６をこの順に積層した。なお、比較例１−１では結晶化促進層３を形成しなかった。さらに、反射層６の上にＵＶ硬化樹脂層７を形成した。
　第１誘電体層２と第２誘電体層５の成膜は、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（ＳｉＯ２の含有率３０モル％）をターゲットとして用い、ＲＦスパッタリング法により行った。スパッタリングの雰囲気ガスとしてはアルゴンガスを用いた。
　結晶化促進層３の成膜は、純度９９．９原子％の各材料からなるターゲットを用い、ＤＣスパッタリング法で行った。雰囲気ガスとしてはアルゴンガスを用いた。
　記録層４の成膜は、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなるターゲットを使用し、ＤＣスパッタリング法により行った。雰囲気ガスとしてはアルゴンガスを用いた。蛍光Ｘ線による分析の結果、成膜後の記録層の組成は、Ｇｅ＝２１ａｔ％、Ｔｅ＝２４ａｔ％、Ｓｂ＝５５ａｔ％であった。
　反射層６の成膜は、Ａｌ−Ｔｉ合金（Ｔｉの含有率１．１原子％）からなるターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング法で行った。雰囲気ガスとしてはアルゴンガスを用いた。
　ＵＶ硬化樹脂層７の形成は、反射層６の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して硬化させることにより行った。
　各実施例および比較例の結晶化促進層について、材料と厚さ、結晶構造、前記（ａ）式のＢの値（結晶の原子間隔）、および前記（ａ）式により算出した格子不整合の値を表１に示す。
　なお、前記（ａ）式のＡの値は４．３２５Åである。また、結晶構造が六方晶系の場合のＢの値は、ａ軸方向の原子間隔とｃ軸方向の原子間隔のうち、上記Ａとの差が小さい方である。結晶構造が体心立方格子系の場合のＢの値は、＜１００＞方向の原子間隔と＜１１１＞方向の原子間隔のうち、上記Ａとの差が小さい方である。結晶構造が単斜晶系の場合のＢの値は、最近接原子間隔である。
　このようにして得られた実施例１−１〜１−４および比較例１−１〜１−７の各光ディスクについて、先ず、初期化しないそのままの状態で反射率および記録特性（ＣＮＲ（搬送波対雑音比）と消去比）を測定した。次に、初期化を行った後の反射率および記録特性（ＣＮＲと消去比）を測定した。
　ＣＮＲと消去比の測定は、１回記録後とオーバーライトによる１００回記録後に行った。反射率および記録特性の測定は、波長６４０ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．６のレーザを用いて行った。
　初期化は、ディスクを線速５ｍ／ｓで回転させ、波長８２０ｎｍのレーザ光を同一箇所について１０回以上走査することにより行った。使用したレーザ光のビームの断面形状は、長軸９６μｍ、短軸１．５μｍの楕円である。そのため、案内溝間の平坦な領域も案内溝と同じ状態に初期化されることになる。
　反射率の測定は、初期化前も初期化後も同様に、ディスク上の案内溝のない平坦な部分で行った。また、初期化後の反射率の測定は、初期化工程で十分に結晶化されて、反射率が飽和していることを確認した後に行った。
　Ｃ／Ｎ比の測定は、各ディスクを線速度６ｍ／ｓで回転させながら、マーク長およびスペース長が０．６１μｍである単一信号を１回記録した後と、同じ信号を１００回オーバーライトした後に行った。
　消去比の測定は、マーク長およびスペース長が０．６１μｍである信号を１回記録または１００回オーバライトした上に、マーク長およびスペース長が２．８５μｍである信号を１回オーバーライトした後、マーク長およびスペース長が０．６１μｍである信号の搬送波の低下量を測定することにより行った。
　これらの結果を表２に併せて示す。
　表２の結果から分かるように、実施例１−１〜１−４は、結晶化促進層をなす材料の結晶構造が面心立方格子系であって、格子不整合の絶対値が８％以下であることから、初期化前で、Ｃ／Ｎ比が４５ｄＢ以上、消去比が２０ｄＢ以上、反射率が１５％以上の良好な結果が得られている。また、反射率、Ｃ／Ｎ比、消去比のいずれについても初期化前後の差が小さくなっている。また、１回記録後と１００回記録後でＣ／Ｎ比および消去比に大きな差は無い。したがって、初期化工程を不要とすることができる。
　これに対して、比較例１−１〜１−７は、初期化前の特性で、Ｃ／Ｎ比が４５ｄＢ以上、消去比が２０ｄＢ以上、反射率が１５％以上の全てを満たす結果は得られず、初期化後に良好な特性となる。したがって、初期化工程を不要とすることができない。なお、比較例１−４および１−５の結晶化促進層をなす材料は、結晶構造は菱面体格子系であるが、Ｔｅを含有するため、このような結果になっている。
　また、比較例１−４は、結晶化促進層の材料としてＴｅに加えＳｅを含む材料を使用している。Ｓｅは毒性の関係上、ターゲット作製時および成膜時の取り扱いに注意を要するため使用しないことが好ましい。したがって、比較例１−４の構成は、初期化工程を不要にできないばかりでなく、製造工程が煩雑になるという点からも好ましくない。
　【第２実施形態】
［実施例２−１］
　以下のようにして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　先ず、レーザビームの案内溝を設けた直径９０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い、ＲＦスパッタリング法により約１４００Åの第１の誘電体層２を形成した。次に、この第１の誘電体層２の上に、Ｓｂからなるターゲットを用い、スパッタリング法により厚さ５０ÅのＳｂ膜を結晶化促進層３として形成した。
　次に、この結晶化促進層３の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなるターゲットを用い、Ｇｅ２Ｔｅ５Ｓｂ２からなる膜厚２００Åの記録層４を、この記録層４の上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い２００Åの第２の誘電体層５を、Ａｌ合金からなるターゲットを用い１５００Åの反射層６を、順次スッパッタリング法により形成した。この反射層６の上に、ＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により塗布して硬化させることにより、ＵＶ硬化樹脂層７を積層した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）がｘ＝０．２２、ｙ＝０．２２、ｚ＝０．５６であり、前記（１）式〜（３）式を同時に満たすものである。
［比較例２−１］
　結晶化促進層３を形成しなかった以外は実施例２−１と同様にして、相変化型光ディスクを作製した。
［実施例２−２］
　以下のようにして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　実施例２−１と同様の基板１上に、実施例２−１と同様にして約１４００Åの第１の誘電体層２を形成し、この第１の誘電体層２の上に、結晶化促進層３として厚さ６５ÅのＳｂ膜を実施例２−１と同様にして積層した。その後、この結晶化促進層３にハロゲンランプによる光照射（５００ｗのパワーで５分間）を行うことによって、結晶化促進層３を更に結晶化させた。
　次に、この結晶化促進層３の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなるターゲットを用い、Ｇｅ３１Ｔｅ５７Ｓｂ１２からなる膜厚２２５Åの記録層４を、スッパッタリング法により形成した。この記録層４の上に、実施例２−１と同様にして、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる厚さ２００Åの第２の誘電体層５、Ａｌ合金からなる厚さ１５００Åの反射層６を、順次スッパッタ法により形成した。この反射層６の上に、実施例２−１と同様にしてＵＶ硬化樹脂層７を積層した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）がｘ＝０．３１、ｙ＝０．２１、ｚ＝０．５７であり、前記（１）式〜（３）式を同時に満たすものである。
［実施例２−３］
　以下のようにして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　実施例２−１と同様の基板１上に、実施例２−１と同様にして約１４００Åの第１の誘電体層２を形成した。次に、この第１の誘電体層２の上に、Ｂｉからなるターゲットを用い、スパッタリング法により厚さ５０ÅのＢｉ膜を結晶化促進層３として形成した。その後、この結晶化促進層３にハロゲンランプによる光照射（５００ｗのパワーで５分間）を行うことによって、結晶化促進層３を更に結晶化させた。
　次に、この結晶化促進層３の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなるターゲットを用い、Ｇｅ２３Ｔｅ５４Ｓｂ２３からなる膜厚２２５Åの記録層４を、スッパッタリング法により形成した。この記録層４の上に、実施例２−１と同様にして、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる厚さ２００Åの第２の誘電体層５、Ａｌ合金からなる厚さ１５００Åの反射層６を、順次スッパッタ法により形成した。この反射層６の上に、実施例２−１と同様にしてＵＶ硬化樹脂層７を積層した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）がｘ＝０．２３、ｙ＝０．２３、ｚ＝０．５４であり、前記（１）式〜（３）式を同時に満たすものである。
［実施例２−４］
　以下のようにして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　実施例２−１と同様の基板１上に、実施例２−１と同様にして約１４００Åの第１の誘電体層２を形成した。次に、この第１の誘電体層２の上に、Ｂｉからなるターゲットを用い、スパッタリング法により厚さ５０ÅのＢｉ膜を結晶化促進層３として形成した。
　次に、この結晶化促進層３の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなるターゲットを用い、Ｇｅ１７Ｔｅ５５Ｓｂ２８からなる膜厚２２５Åの記録層４を、スッパッタリング法により形成した。この記録層４の上に、実施例２−１と同様にして、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる厚さ２００Åの第２の誘電体層５、Ａｌ合金からなる厚さ１５００Åの反射層６を、順次スッパッタ法により形成した。この反射層６の上に、実施例２−１と同様にしてＵＶ硬化樹脂層７を積層した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）が、ｘ＝０．１７、ｙ＝０．２８、ｚ＝０．５５であり、前記（１）式〜（３）式を同時に満たすものである。
［実施例２−５］
　記録層４として膜厚２２５ÅのＧｅ３７Ｔｅ５４Ｓｂ９からなる膜を形成した以外は、全て実施例２−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）が、ｘ＝０．３７、ｙ＝０．０９、ｚ＝０．５４であり、前記（１）式〜（３）式を同時に満たすものである。
［実施例２−６］
　ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第１の誘電体層２の厚さを、１２００Åとし、結晶化促進層３をなすＳｂ膜の厚さを１００Åとし、Ｇｅ２Ｔｅ５Ｓｂ２合金からなる記録層４の膜厚を２５０Åとし、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第２の誘電体層５の厚さを１５０Å、Ａｌ合金からなる反射層６の厚さを５００Åとしたこと以外は全て実施例２−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　また、平滑なガラス基板上に、これと全く同じ構成の各層を設けることによりＸ線回折用のサンプルＡを作製した。
　また、平滑なガラス基板上に、結晶化促進層３をなすＳｂ膜の厚さを１８０Åとし、記録層４と反射層６とＵＶ硬化樹脂層７を設けなかったこと以外は、前記と同様にしてＸ線回折用のサンプルＢを作製した。
［比較例２−２］
　結晶化促進層３を形成しなかった以外は実施例２−６と同様にして、相変化型光ディスクを作製した。
　また、平滑なガラス基板上に、これと全く同じ構成の各層を設けることによりＸ線回折用のサンプルＣを作製した。
［
比較
３
　記録層４として膜厚２２５ÅのＧｅ４３Ｔｅ５２Ｓｂ４からなる膜を形成した以外は、全て実施例２−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）がｘ（＝４３／９９）＝０．４３、ｙ（＝４／９９）＝０．０４、ｚ（＝５２／９９）＝０．５３であり、ｘが前記（１）式の範囲より大きな値となり、ｙが前記（２）式の範囲より小さな値となっている。
［
比較
４
　記録層４として膜厚２２５ÅのＧｅ２５Ｔｅ４０Ｓｂ３５からなる膜を形成した以外は、全て実施例２−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）が、ｘ＝０．２５、ｙ＝０．３５、ｚ＝０．４０であり、ｚが前記（３）式の範囲より小さな値となっている。
［
比較
５
　記録層４として膜厚２２５ÅのＧｅ２５Ｔｅ３２Ｓｂ４３からなる膜を形成した以外は、全て実施例２−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）が、ｘ＝０．２５、ｙ＝０．４３、ｚ＝０．３２であり、ｚが前記（３）式の範囲より小さな値となっている。
［
比較
６
　記録層４として膜厚２２５ÅのＧｅ２０Ｔｅ６７Ｓｂ１３からなる膜を形成した以外は、全て実施例２−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　この相変化型光ディスクの記録層４は、各構成元素の存在比ｘ，ｙ，ｚ（Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝ｘ：ｙ：ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）が、ｘ＝０．２０、ｙ＝０．１３、ｚ＝０．６７であり、ｚが前記（３）式の範囲より大きな値となっている。
［結晶化促進層の効果について］
　このようにして得られた実施例２−１〜２−
６
〜
６
　初期化は、（株）シバソク製「ＭＯ　Ｄｉｓｋ　Ｂｕｌｋ　Ｅｒａｓｅｒ　ＬＫ１０１Ａ」を用い、波長６８０ｎｍのレーザ光照射により行った。
　記録特性の測定は以下のようにして行った。先ず、波長６８０ｎｍのレーザ光を、各サンプル毎に最適なピークパワーと最適なバイアスパワーの間で変調させた。この変調させたレーザ光を、１８００ｒｐｍで回転させた各光ディスクのサンプルに対して照射することにより、初回の記録を行ってＣＮＲを測定した。次に、初回の記録信号の上にこれとは２０　　異なる記録信号をオーバーライトし、初回の記録信号の消去比を測定した。
　ここで、実施例２−１〜２−
３お
，２−４，２−５
６
，２−３，２−６
　これらの結果を表３に併せて示す。なお、
比較
４
６
　表３の結果から分かるように、実施例２−１〜２−６のサンプルは、結晶化促進層のない比較例２−１，２−２のサンプルと比較して、反射率、ＣＮＲ、消去比のいずれについても初期化前後の差が小さくなっている。すなわち、実施例２−１〜２−６のサンプルは、結晶化促進層により記録層の結晶化が行われており、記録特性にも優れていることが分かる。特に、記録層の成膜前に結晶化促進層の結晶化を行った実施例２−２および２−３については、反射率、ＣＮＲ、消去比のいずれについても初期化前後の差がほとんどないため、初期化工程を不要にできることが分かる。また、実施例２−１〜２−３のサンプルでは、ＣＮＲ５３Ｂ以上且つ消去比２５ｄＢ以上という、実用上特に好ましい結果が得られた。
　また、結晶化促進層として同じ５０ÅのＢｉ層を備えてはいるが、記録層の組成が異なる実施例２−３〜２−５と
比較
３
６
比較
３
６
［Ｘ線回折の結果について］
　前記のようにして作製したＸ線回折用サンプルＡ〜ＣをＸ線回折装置にかけて、結晶化促進層および記録層の結晶の配向を調べた。（株）リガク製のＸ線回折装置を使用し、光源としてはＣｕＫα１を用いた。
　なお、相変化型光ディスクの記録層（Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系）の結晶相における結晶構造はＮａＣｌ構造であるため、記録層の結晶構造はＮａＣｌ構造であるとして指数づけを行った。また、結晶化促進層材料としてＳｂまたはＢｉを用いているため、結晶化促進層の結晶構造はＲｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ構造として指数づけを行った。Ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ構造の指数づけは、通常行われているように、六方晶格子系に変換して行った。
　各サンプルＡ〜Ｃについて得られた回折Ｘ線スペクトル（縦軸：回折強度（Ｉ）、横軸：回折角θの２倍値（２θ））を図３に示す。
　なお、サンプルＣは、そのままＸ線回折を行うと回折ピークが全く観察されず、記録層が非晶質状態であることが分かったため、このサンプルをオーブンに入れて２７５℃で１０分間加熱したものをサンプルＣとして、再びＸ線回折を行って得られたスペクトルを図３に示した。
　このチャートから、サンプルＡ（記録層の直下に結晶化促進層を有するサンプル）は、２θ＝２５．７度である（１１１）のピーク、２θ＝５２．９度である（２２２）のピーク、２θ＝２３．７度付近の（００３）のピークを有することが分かる。また、サンプルＢ（第１の誘電体層と結晶化促進層のみのサンプル）は、２θ＝２３．７度である（００３）のピーク、２θ＝４８．５度である（００６）のピークを有することが分かる。また、サンプルＣ（結晶化促進層がない以外はサンプルＡと全く同じサンプル）は、２θ＝２９．７度である（２００）のピーク、２θ＝４２．７度である（２２０）のピーク、２θ＝５２．９度である（２２２）のピークを有することが分かる。
　サンプルＡのＸ線回折パターンにＧｅＳｂＴｅ結晶の（１１１）のピークおよび（２２２）のピークが現れたことから、サンプルＡの記録層は成膜後に結晶化していることが分かる。
　サンプルＢのチャートから結晶化促進層を構成するＳｂの配向が分かる。すなわち、粉末のＳｂは（０１２）および（１０４）のピーク強度が強いが、第１の誘電体層の上に成膜されたＳｂは（００３）面および（００６）面に配向することが分かる。
　また、サンプルＡとＣを比較すると、同じ組成で同じ厚さの記録層が形成されていても、結晶化促進層の有無によって結晶の配向が異なることが分かる。すなわち、ここでは、結晶化促進層の存在によって（２００）および（２２０）のピークが消えている。
　【第３実施形態】
［実施例３−１］
　以下のようにして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　先ず、レーザビームの案内溝を設けた直径９０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い、ＲＦスパッタリング法により約１００ｎｍの第１の誘電体層２を形成した。次に、この第１の誘電体層２の上に、Ｂｉからなるターゲットを用い、スパッタリング法により膜厚が約３ｎｍとなるようにＢｉ膜を成膜することにより、結晶化促進層３を形成した。
　次に、この結晶化促進層３の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなるターゲットを用い、Ｇｅ２０．３Ｔｅ５６．７Ｓｂ２３．０からなる膜厚２０ｎｍの記録層４を、この記録層４の上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い１２ｎｍの第２の誘電体層５を、Ａｌ合金からなるターゲットを用い７０ｎｍの反射層６を、順次スッパッタリング法により形成した。この反射層６の上に、ＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により塗布して硬化させることにより、ＵＶ硬化樹脂層７を積層した。
　このようにして得られた光ディスクについて、初期化しないそのままの状態で以下のようにして記録特性を測定した。すなわち、先ず、波長６８０ｎｍのレーザ光をピークパワー１２ｍＷとバイアスパワー５ｍＷの間で変調させ、この変調させたレーザ光を、線速度６ｍ／ｓで回転させた光ディスクのサンプルに対して照射することにより、初回の記録を行ってＣＮＲを測定した。記録周波数は５ＭＨｚであり、読みとりパワーは１ｍＷとした。次に、同じ条件でオーバーライトを行い、２、３、４回記録後のＣＮＲを測定した。
　初回記録後のＣＮＲは４９．７ｄＢであり、２回記録後は４８．８ｄＢ、３回記録後は４８．７ｄＢ、４回記録後は４８．３ｄＢであった。すなわち、２回目でＣＮＲが０．９ｄＢ低下した。
　また、このサンプルの結晶化促進層３を積層した後（記録層４の積層前）の状態を、高分解能ＳＥＭ（ＵＨＲＳＥＭ、日立製作所製、ＨＩＴＡＣＨＩ、Ｓ−５０００）により、加速電圧１５ｋＶで観察した。その反射電子像を図４に写真で示す。
　この写真から、結晶化促進層３は島状の不連続膜に形成されていることが分かる。結晶化促進層３をなす島状物は、長さが８〜４０ｎｍのものがほとんどであり、最も大きな島状物の長さは７０ｎｍであった。また、島状物同士の間隔は最大で２０ｎｍであった。さらに、島状物の厚さを原子間力走査型顕微鏡（ＡＦＭ：Ｔｏｐｏ　Ｍｅｔｒｉｘ　ＴＭＸ−２０００）を用いてコンタクトモードにより測定したところ、平均厚さは２．０４ｎｍであった。
［実施例３−２］
　結晶化促進層３として膜厚が約１．５ｎｍとなるようにＢｉ膜を成膜したこと以外は実施例３−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　得られた光ディスクについて、初期化しないそのままの状態で実施例３−１と同様にして記録特性を測定したところ、初回記録後のＣＮＲは５１．７ｄＢであり、２回記録後は５２．１ｄＢ、３回記録後は５１．８ｄＢ、４回記録後は５２．０ｄＢであった。すなわち、２回目以降にＣＮＲの低下は発生しなかった。
　また、このサンプルの結晶化促進層３を積層した後（記録層４の積層前）の状態を、実施例３−１と同様にして高分解能ＳＥＭにより観察した。その反射電子像を図５に写真で示す。
　この写真から、結晶化促進層３は島状の不連続膜に形成されていることが分かる。結晶化促進層３をなす島状物は、長さが４〜２０ｎｍのものがほとんどであり、最も大きな島状物の長さは２５ｎｍであった。また、島状物同士の間隔は最大で１３ｎｍであった。さらに、島状物の厚さを実施例３−１と同様にして測定したところ、平均厚さは１．７３ｎｍであった。
［実施例３−３］
　結晶化促進層３として膜厚が約０．６５ｎｍとなるようにＢｉ膜を成膜したこと以外は実施例３−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　得られた光ディスクについて、初期化しないそのままの状態で実施例３−１と同様にして記録特性を測定したところ、初回記録後のＣＮＲは５０．８ｄＢであり、２回記録後は５１．１ｄＢ、３回記録後は５１．３ｄＢ、４回記録後は５１．３ｄＢであった。すなわち、２回目以降にＣＮＲの低下は発生しなかった。
［実施例３−４］
　結晶化促進層３として膜厚が約０．３ｎｍとなるようにＢｉ膜を成膜したこと以外は実施例３−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　得られた光ディスクについて、初期化しないそのままの状態で実施例３−１と同様にして記録特性を測定したところ、初回記録後のＣＮＲは５４．０ｄＢであり、２回記録後は５４．１ｄＢ、３回記録後は５３．９ｄＢ、４回記録後は５４．２ｄＢであった。すなわち、２回目以降にＣＮＲの低下は発生しなかった。
　また、このサンプルの結晶化促進層３を積層した後（記録層４の積層前）の状態を、実施例３−１と同様にして、高分解能ＳＥＭにより観察したが、島状物を確認することはできなかった。この装置の分解能は０．７ｎｍであるため、この結晶化促進層３をなす島状物の大きさは０．７ｎｍ未満であると考えられる。さらに、島状物の厚さを実施例３−１と同様にして測定したところ、平均厚さは１．０１ｎｍであった。
［実施例３−５］
　第１の誘電体層２の膜厚を１１５ｎｍとし、Ｂｉからなる結晶化促進層３の膜厚を１．５ｎｍとし、記録層４を膜厚２２ｎｍのＧｅ２２．１Ｔｅ５６．４Ｓｂ２１．５層とし、Ａｌ合金からなる反射層６の膜厚を５０ｎｍとした以外は実施例３−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　得られた光ディスクについて、初期化しないそのままの状態で実施例３−１と同様にして記録特性を測定したところ、初回記録後のＣＮＲは５３．２ｄＢであり、２回記録後は５３．３ｄＢ、３回記録後は５３．２ｄＢ、４回記録後は５３．２ｄＢであった。すなわち、２回目以降にＣＮＲの低下は発生しなかった。
［実施例３−６］
　結晶化促進層３として膜厚が約５．０ｎｍとなるようにＢｉ膜を成膜したこと以外は実施例３−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　得られた光ディスクについて、初期化しないそのままの状態で実施例３−１と同様にして記録特性を測定したところ、初回記録後のＣＮＲは５０．７ｄＢであり、２回記録後は４７．５ｄＢ、３回記録後は４７．９ｄＢ、４回記録後は４７．２ｄＢであった。すなわち、２回目でＣＮＲが３．２ｄＢ低下した。
　また、このサンプルの結晶化促進層３を積層した後（記録層４の積層前）の状態を、実施例３−１と同様にして高分解能ＳＥＭにより観察したところ、結晶化促進層３は連続膜に形成されていた。
［結晶化促進層の効果について］
　実施例３−１〜３−６の結果から、Ｂｉからなる結晶化促進層３が島状の不連続膜として形成されていると、その上に成膜された記録層が結晶化されるため初期化工程を不要とすることができるとともに、オーバーライトによる２回目以降の記録時のＣＮＲが初回記録時のＣＮＲから低下しないことが分かる。
　また、Ｂｉからなる結晶化促進層３は、通常のスパッタリング法（スパッタリング条件が、例えば、スパッタリングガス：Ａｒ、スパッタリング圧力：０．５Ｐａ、投入電力：ＤＣ１０ｗの場合）で膜厚が３ｎｍ以下となるように成膜することにより、島状の不連続膜として形成されることが分かる。
　なお、結晶化促進層をなす島状物の長さが１００ｎｍ以下であると、パターニング等を行わない通常のスパッタリング法により、簡単に島状の不連続膜が得られる。また、結晶化促進層３をなす島状物は、島状物の長さが８０ｎｍ以下であって島状物同士の最大間隔が５０ｎｍ以下であることが好ましい。
［記録層および結晶化促進層の結晶構造について］
　カバーガラスに、ＵＶ硬化樹脂層７を設けなかった以外は実施例３−５と同じ構成の各層を設けることにより、Ｘ線回折用のサンプルＡを作製した。
　結晶化促進層３を設けなかった以外は前記サンプルＡと同じ構成の各層を設けることにより、Ｘ線回折用のサンプルＢを作製した。
　記録層４の組成をＧｅ１８．７Ｓｂ２６．９Ｔｅ５４．４とした以外は前記サンプルＡと同じ構成の各層を設けることにより、Ｘ線回折用のサンプルＣを作製した。
　記録層４の組成をＧｅ２６．４Ｓｂ１７．６Ｔｅ５６．０とした以外は前記サンプルＡと同じ構成の各層を設けることにより、Ｘ線回折用のサンプルＤを作製した。
　記録層４の組成をＧｅ３０．８Ｓｂ１２．９Ｔｅ５６．３とした以外は前記サンプルＡと同じ構成の各層を設けることにより、Ｘ線回折用のサンプルＥを作製した。
　記録層４の組成をＧｅ３６．５Ｓｂ９．３Ｔｅ５４．２とした以外は前記サンプルＡと同じ構成の各層を設けることにより、Ｘ線回折用のサンプルＦを作製した。
　記録層４の組成をＧｅ４９．７Ｔｅ５１．３とした以外は、前記サンプルＡと同じ構成の各層を設けることにより、Ｘ線回折用のサンプルＧを作製した。
　サンプルＡ，Ｃ〜Ｆは、結晶化促進層３としてＢｉからなる島状の不連続膜が形成されているため、この結晶化促進層３により記録層４が結晶化されている。サンプルＢは結晶化促進層３がないため、その記録層４は結晶化されていない。そのため、サンプルＢをオーブンに入れて２７５℃１０分間加熱することにより、記録層を結晶化させた。この加熱処理を行ったものを用いてサンプルＢのＸ線回折を行った。また、サンプルＧは結晶化促進層３を有するが、その記録層４は成膜直後に結晶化されていなかった。
　これらの各Ｘ線回折用サンプルＡ〜ＧをＸ線回折装置にかけて、結晶化促進層および記録層の結晶の配向を調べた。（株）リガク製のＸ線回折装置を用い、光源としてはＣｕＫα１を用いた。なお、相変化型光ディスクの記録層（Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系）の結晶相における結晶構造はＮａＣｌ構造であるため、記録層の結晶構造はＮａＣｌ構造であるとして指数づけを行った。
　各サンプルＡ〜Ｇについて得られた回折Ｘ線スペクトル（縦軸：回折強度（Ｉ）、横軸：回折角θの２倍値（２θ））を図６に示す。
　このチャートから分かるように、サンプルＡ〜Ｆは２θ＝２９．７度である（２００）のピークを有するが、サンプルＧにはこのピークがない。また、このピークの強度は、記録層のＧｅ含有率が大きくなってＳｂの含有率が小さくなるほど小さくなる傾向にある。
　また、サンプルＢは、２θ＝２９．７度である（２００）のピーク以外に、２θ＝４２．７度である（２２０）のピークおよび２θ＝５２．９度である（２２２）のピークを有する。これは、サンプルＢに結晶化促進層３がないことに起因すると考えられ、結晶化促進層３としてＢｉからなる島状の不連続膜を形成し、その上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる記録層４を形成することにより、記録層４の結晶は（２００）面のみに強く配向しやすくなることが分かる。
　【第４実施形態】
［Ｎｏ．４−１］
　以下のようにして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　先ず、レーザビームの案内溝とアドレス信号用の凹凸を設けた直径９０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用いたＲＦスパッタリング法により、厚さ１００ｎｍの第１誘電体層２を形成した。次に、この第１誘電体層２の上に、Ｂｉからなる結晶化促進層３を厚さ１．５ｎｍで成膜した。
　次いで、Ｇｅ２３Ｔｅ５４Ｓｂ２３合金からなる記録層４を厚さ２３ｎｍで成膜した。記録層４を積層する前の基板１の温度は３５℃であり、成膜中に基板の温度は上昇しなかった。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第２誘電体層５を厚さ２０ｎｍで、Ａｌ合金からなる反射層６を厚さ１５０ｎｍで、順次スッパッタリング法により成膜した。さらに、その上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、紫外線を照射して硬化させることによりＵＶ硬化樹脂層７を形成した。
［Ｎｏ．４−２］
　結晶化促進層３の成膜後に、基板１に対してハロゲンランプによる光照射を行うことにより、基板を７５℃まで加熱し、その直後に記録層４の成膜を行った。これにより、記録層４の成膜中の基板温度は４５℃以上７５℃以下に保持された。これ以外の点はすべてＮｏ．４−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．４−３］
　結晶化促進層３の成膜後に、加熱ヒータを用いて基板１を５５℃まで加熱した。その直後に記録層４の成膜を行った。これにより、記録層４の成膜中の基板温度は４５℃以上５５℃以下に保持された。これ以外の点はすべてＮｏ．４−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．４−４］
　Ｎｏ．４−１と同様にして結晶化促進層３の成膜まで行った直後に、Ｇｅ２１Ｔｅ５４Ｓｂ２５合金からなる記録層４を膜厚２３ｎｍで成膜した。結晶化促進層３の成膜直後の基板の温度は４５℃であり、記録層４の成膜中の基板温度は４５℃に保持された。これ以外の点はすべてＮｏ．４−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．４−５］
　結晶化促進層３の成膜後に、基板１に対してハロゲンランプによる光照射を行うことにより、基板１を１１５℃まで加熱し、その直後にＧｅ２３Ｔｅ５３Ｓｂ２４合金からなる記録層４の成膜を膜厚２３ｎｍで行った。これ以外の点はすべてＮｏ．４−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［記録層成膜時の基板加熱の効果について］
　このようにして得られたＮｏ．４−１〜４−５の各光ディスクについて、初期化しない状態で、反射率および記録特性（ＣＮＲと消去比）を測定した。
　反射率の測定は、波長６８０ｎｍのレーザを用いて行った。また、反射率の測定は、各光ディスクとして得られた直後と、促進試験（温度８０℃湿度９０％の恒温恒湿槽中に３００時間保存）後に行った。
　記録特性の測定は以下のようにして行った。先ず、波長６８０ｎｍのレーザ光を、各サンプル毎に最適なピークパワーと最適なバイアスパワーの間で変調させた。この変調させたレーザ光を、１８００ｒｐｍで回転させた各光ディスクのサンプルに対して照射することにより、初回の記録（記録周波数１．０８ＭＨｚ）を行ってＣＮＲを測定した。
　次に、初回の記録信号の上にこれとは異なる記録信号（記録周波数３．８９ＭＨｚ）をオーバーライトし、初回の記録信号（記録周波数１．０８ＭＨｚ）の消去比を測定した。
　これらの結果を表４に併せて示す。反射率の結果は、矢印の右側が促進試験後の値である。なお、Ｎｏ．４−５の光ディスクは、測定装置にかけたが、多くの箇所でアドレス信号の読み取り不良が生じ、使用に耐えなかった。
　表４の結果から分かるように、記録層の成膜を、成膜中の基板温度が４５℃以上１１０℃以下となるようにして行ったＮｏ．４−２〜４−４の光ディスクは、促進試験により反射率がほとんど変化しなかった。これに対して、記録層成膜中の基板温度が３５℃であったＮｏ．４−１の光ディスクは、記録層の結晶化が不十分であったため、促進試験により反射率の変化が見られた。また、Ｎｏ．４−１に比べてＮｏ．４−２〜４−４の光ディスクは消去比が良好であった。
　以上のことから分かるように、この実施形態の構成では、記録層成膜中の基板温度を４５℃以上基板の変形温度以下として得られた光ディスクは、初期化工程を行わずに使用する場合に、記録層成膜中の基板温度を３５℃として得られた光ディスクよりも安定した特性が得られる。しかしながら、基板温度を４５℃未満にして記録層の成膜を行っても、記録層の結晶化が十分に行われて安定した特性が得られる場合も多い。
　【第５実施形態】
［Ｎｏ．５−１］
　以下のようにして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
　先ず、レーザビームの案内溝を設けた直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い、ＲＦスパッタリング法により約８０ｎｍの第１誘電体層２を形成した。次に、この第１誘電体層２の上に、Ｂｉからなるターゲットを用い、スパッタリング法により厚さ１．５ｎｍのＢｉ膜を結晶化促進層３として形成した。
　次に、この結晶化促進層３の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金からなるターゲットを用い、Ｇｅ２３Ｔｅ５４Ｓｂ２３からなる膜厚２２ｎｍの記録層４を、この記録層４の上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを用い１２ｎｍの第２誘電体層５を、Ａｌ合金からなるターゲットを用い１００ｎｍの反射層６を、順次スッパッタリング法により形成した。この反射層６の上に、ＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により塗布して硬化させることにより、ＵＶ硬化樹脂層７を積層した。
　なお、記録層４の成膜中に、基板温度は８５℃に保持されていた。また、第１誘電体層２、結晶化促進層３、記録層４、第２誘電体層５、および反射層６の成膜は、全てアルゴンガス雰囲気で行った。
［Ｎｏ．５−２］
　結晶化促進層３の成膜を、アルゴンガスに４体積％の窒素ガスを添加した雰囲気で行った以外はＮｏ．５−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．５−３］
　結晶化促進層３の成膜を、アルゴンガスに８体積％の窒素ガスを添加した雰囲気で行った以外はＮｏ．５−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．５−４］
　結晶化促進層３の成膜を、アルゴンガスに１６体積％の窒素ガスを添加した雰囲気で行った以外はＮｏ．５−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．５−５］
　結晶化促進層３の成膜を、アルゴンガスに２４体積％の窒素ガスを添加した雰囲気で行った以外はＮｏ．５−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．５−６］
　結晶化促進層３の成膜を、アルゴンガスに３２体積％の窒素ガスを添加した雰囲気で行った以外はＮｏ．５−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［結晶化促進層への窒素添加の効果について］
　得られたＮｏ．５−１〜Ｎｏ．５−６の各光ディスクについて、初期化しないそのままの状態で反射率および記録特性を測定した。先ず、波長６８０ｎｍのレーザ光を、記録信号に応じて、ピークパワー１１ｍＷとバイアスパワー５ｍＷの間で変調させた。この変調させたレーザ光を、線速度６ｍ／ｓで回転させた各光ディスクのサンプルに対して照射することにより、初回の記録を行った。この初回記録後に再生を行い、反射率とジッターを測定した。
　次に、初回の記録と同一の記録信号をオーバーライトし、１０回記録後、千回記録後、２万回記録後、３万回記録後、５万回記録後、１０万回記録後にそれぞれ再生を行って、ジッターを測定した。これらの結果を表５に併せて示す。
　表５の結果から分かるように、窒素ガスを含む雰囲気で結晶化促進層が成膜されたＮｏ．５−２〜Ｎｏ．５−６の光ディスクは、窒素ガスを含まない雰囲気で結晶化促進層が成膜されたＮｏ．５−１の光ディスクと比較して、繰り返し回数が２万回以上と多くなった場合のジッター値が小さく抑えられている。すなわち、Ｎｏ．５−２〜Ｎｏ．５−６の光ディスクは、Ｎｏ．５−１の光ディスクよりも繰り返し特性に優れている。
　窒素ガスを含む雰囲気で成膜された結晶化促進層は窒素を含むものとなり、この結晶化促進層に含まれる窒素により、繰り返し特性が向上すると考えられる。
　結晶化促進層に窒素を含有することにより繰り返し特性が向上する理由は、次のように推測することができる。すなわち、結晶化促進層中の窒素が記録・消去を繰り返すにつれて徐々に記録層に染み出して、結晶状態の記録層を微結晶化したり、結晶状態の記録層の粘度を上昇させたり、記録層の結晶化温度を上昇させたりすると予想される。特に、記録層の微結晶化により界面に形成される窒化物が、記録層の物質移動（記録層をなす物質が溶融時に回転方向に流動する現象）によって記録層の厚さが部分的に薄くなることを抑制するのではないかと考えられる。
　繰り返し特性が向上する効果は結晶化促進層に含まれる窒素の量が多いほど大きくなるが、この窒素の量が多すぎると結晶化が不十分になって反射率の低下が見られる。ただし、Ｎｏ．５−５およびＮｏ．５−６の反射率１５．５％および１５．２％は、使用可能なレベルであるため問題はない。また、成膜雰囲気中の窒素ガス含有率が高いＮｏ．５−５およびＮｏ．５−６の光ディスクは、千回記録後のジッター値が他の光ディスクと比較し１０　　て大きくなっているが、実用上問題ないとされている１５％以下になっている。
　なお、Ｊｏｉｎｔ　ＭＯＲＩＳ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ）／ＩＳＯＭ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｅｍｏｒｙ）’９７　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｇｅｓｔ　ｐ２９２には、記録層に窒素を添加することにより繰り返し特性が飛躍的に向上することが報告されている。
　本発明は、光情報記録媒体に結晶化促進層を設けて記録層を成膜時に結晶化させることにより、初期化工程を不要とすることを目的としているが、このような結晶化促進層を有する光情報記録媒体の記録層に窒素を含有させると、記録層を成膜時に結晶化させることができない。
　実際に、記録層４の成膜を、アルゴンガスに４体積％の窒素ガスを添加した雰囲気で行った以外はＮｏ．５−１と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した場合、得られた光ディスクの初期化前の反射率は４．３％となり、結晶化されていなかった。
　以上のように、結晶化促進層を有する光情報記録媒体においては、記録層には窒素を添加することなく、結晶化促進層に窒素を含有させることによって、初期化工程を不要にしながら、繰り返し特性を向上させることができる。
　【第６実施形態】
［Ｎｏ．６−１］
　第１誘電体層２の成膜を、アルゴンガスに０．１体積％の酸素ガスを添加した雰囲気で行った以外は第５実施形態のＮｏ．５−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．６−２］
　第１誘電体層２の成膜を、アルゴンガスに０．５体積％の窒素ガスを添加した雰囲気で行った以外は第５実施形態のＮｏ．５−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．６−３］
　第２誘電体層５の成膜を、アルゴンガスに０．１体積％の酸素ガスを添加した雰囲気で行った以外は第５実施形態のＮｏ．５−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［Ｎｏ．６−４］
　第２誘電体層５の成膜を、アルゴンガスに０．５体積％の窒素ガスを添加した雰囲気で行った以外は第５実施形態のＮｏ．５−４と同様にして、図１に示す層構造の相変化型光ディスクを作製した。
［誘電体層への酸素または窒素添加の効果について］
　得られたＮｏ．６−１〜Ｎｏ．６−４の各光ディスクについて、初期化しないそのままの状態で反射率および記録特性を、第５実施形態と同様にして測定した。これらの結果を表６に併せて示す。なお、表６には、比較のために、第５実施形態のＮｏ．５−４の結果も併記した。
　表６の結果から分かるように、結晶化促進層３に窒素を含有しているだけでなく、第１誘電体層または第２誘電体層に酸素または窒素を含有しているＮｏ．６−１〜Ｎｏ．６−４の各光ディスクは、結晶化促進層３に窒素を含有しているだけのＮｏ．５−４の光ディスクと比較して、ジッター値が小さく抑えられている。
　特に、繰り返し回数が非常に多い場合（例えば１０万回記録後）に両者のジッター値の差が大きく、第１誘電体層または第２誘電体層に酸素または窒素を含有することにより、繰り返し特性がさらに向上することが分かる。
　【表１】
　【表２】
　【表３】
　【表４】
　【表５】
　【表６】
産業上の利用可能性
　以上説明したように、本発明の製造方法により得られる光情報記録媒体は、所定の材料からなる結晶化促進層の存在により記録層が成膜直後に結晶状態となる。そのため、従来は必要であった初期化工程を不要にすることができる。その結果、光情報記録媒体の製造工程が簡略化されるため、コストが低減できる。
　特に、結晶化促進層をビスマス（Ｂｉ）および／またはビスマス（Ｂｉ）化合物を含む材料からなる島状の不連続膜とすることにより、安定した記録特性を有する光情報記録媒体が得られる。
　また、結晶化促進層に窒素を含有させることにより、初期化工程が不要であって、繰り返し特性にも優れた光情報記録媒体が得られる。