【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
一実施形態では、ＶＣＳＥＬは、（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓを有する１つまたは複数の量子井戸と、１つまたは複数の量子井戸層の境界を定め、Ａｌ（Ｉｎ）ＧａＡｓを有する２つまたはそれより多くの量子井戸バリアと、それぞれの量子井戸層と量子井戸バリアとの間に堆積された１つまたは複数の遷移単一層と、を含みうる。なお、量子井戸、バリア、および遷移単一層は、実質的にトラップを有していない。１態様では、１つまたは複数の遷移単一層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、および／またはＧａＡｓＰを含む。別の態様では、２つまたはそれより多くの遷移単一層がＡｌＩｎＧａＡｓを含んでおり、より高いＩｎおよびより低いＡｌを有する量子井戸側の単一層と比較すると、バリア側の単一層がより低いＩｎおよびより高いＡｌを有する。また別の態様では、１つまたは複数の遷移単一層は、ＡｌおよびＩｎを欠いている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
一実施形態では、ＶＣＳＥＬを準備する方法は、１つまたは複数の量子井戸と、１つまたは複数の量子井戸のそれぞれの境界を定める２つまたはそれよりも多くの量子井戸バリアと、それぞれの量子井戸層と量子井戸バリアとの間に堆積された１つまたは複数の遷移単一層と、を有する結晶構造を成長させるために分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）を用いる工程を含みうる。この方法は、Ｉｎが約２％から約１１％の範囲にあり、Ｇａが約８９％から約９８％の範囲にあるＩｎＧａＡｓを有する１つまたは複数の量子井戸、または、Ａｌが約６％から約１１％の範囲にあり、Ｉｎが約８％から約２０％の範囲にあり、Ｇａが約６９％から約８６％の範囲にあるＡｌＩｎＧａＡｓを有する１つまたは複数の量子井戸と、Ａｌが約２５％から約４０％の範囲にあり、Ｉｎが約０％から約２％の範囲にあり、Ｇａが約６０％から約７５％の範囲にあるＡｌＧａＡｓまたはＡｌ（Ｉｎ）ＧａＡｓを有する１つまたは複数の量子井戸バリアと、量子井戸と量子井戸バリアとの間にあり、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、またはＧａＡｓＰＳｂを有する１つまたは複数の遷移層と、を含むようにＶＣＳＥＬを形成する工程を含みうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
一実施形態では、ＶＣＳＥＬは、高いＩｎおよび低いＡｌを有する１つまたは複数の量子井戸と、高いＡｌおよび低いＩｎを有しており１つまたは複数の量子井戸層の境界を定める２つまたはそれより多くの量子井戸バリアと、それぞれの量子井戸層と量子井戸バリアとの間に堆積された１つまたは複数の遷移単一層と、を含みうる。ただし、量子井戸、バリア、および遷移単一層は実質的にトラップを有していない。この実施形態では、１つまたは複数の量子井戸は、以下によって特徴付けられる。すなわち、高いＩｎは約２％から約６％の範囲にあり、低いＡｌは約０％から約１２％の範囲にある。また、１つまたは複数の量子井戸バリアにおいては、高いＡｌは約２５％から約４０％の範囲にあり、低いＩｎは約０％から約２％の範囲にある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
ＶＣＳＥＬ４００に関する以下の説明は例として用いられうるが、当該技術分野において知られている変更を適用することは可能である。結晶基板４２０は、ＧａＡｓまたは他の材料でありうる。ＧａＡｓ基板上に位置する第１のミラー領域４１６は、１つまたは複数の屈折率を有する複数の第１のミラー層を有する場合がある。第１の導通領域４１４は、活性領域４１２に動作可能に結合することができる。接点４２８は、活性領域４１２が電流で充電されると電子のための経路を提供するように、第１の導通領域４１４と関連付けることが可能である。本明細書でより詳細に説明されるように、活性領域４１２は、それぞれの量子井戸と量子井戸バリアとの間に遷移層が存在するように、１つまたは複数の量子井戸バリアと境界を接する１つまたは複数の量子井戸を含むことがありうる。酸化物層４２２は、二酸化シリコンなど任意の保護のための酸化物でありうるが、保護のための窒化物または炭化物を用いることもできる。第２の導通領域４１０は、活性領域４１２と動作可能に結合することができる。第２のミラー領域４１８は、第２の導通領域の上の活性領域とは反対側に配置することができる。第２のミラー領域は、１つまたは複数の屈折率を有する複数の第２のミラー層を有する。接点４２４は、活性領域が動作するための電気的導通のための任意のタイプの電気的接点でよい。レーザ出力アパーチャ４２６は、動作可能なＶＣＳＥＬフォーマットに配列することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
図５Ａは、ＶＣＳＥＬの活性領域５００ａの少なくとも一部の実施形態の概略的な表現を含む。活性領域５００ａは、第１の量子井戸バリア（ＱＷバリア）５１０と、遷移層５１１と、第１の量子井戸（ＱＷ）５１２と、遷移層５１１と、次いで、第２のＱＷバリア５１４とを直列的に含むように示されている。示されているように、活性領域５００ａは、本発明によるＶＣＳＥＬのための活性領域の最小の単位である。というのは、間に遷移層５１１を有する２つの量子井戸バリア５１０および５１４と境界を接する量子井戸５１２はただ１つだけ存在するからである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
一実施形態では、量子井戸のいずれの側の量子井戸バリアも、約４０Ａから約１００Ａ、または約４５Ａから約７５Ａ、または約５０Ａから約６０Ａ、または約５５Ａの厚さを有しうる。この相対的な薄さのために、拡散長を減少させ、量子井戸上での少数キャリアの量を増加させることにより、利得飽和が改善される。この相対的な薄さはまた、トンネリングによる量子井戸を通過するキャリアの移動を向上させることができる。一実施形態では、量子井戸は、約４０Ａから約１００Ａ、または約４５Ａから約７５Ａ、または約５０Ａから約６０Ａ、または約５０Ａの厚さを有しうる。活性領域の境界を定める外側の量子井戸バリアは、１００Ａから約１４０Ａ、または約１１０Ａから約１３０Ａ、または約１２０Ａから約１２５Ａ、または約１３０Ａというように、より厚くなる可能性がある。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
改善された活性領域の例には、厚さが約５５〜６０ＡであるＩｎ０．０４Ｇａ０．９６Ａｓの４つの量子井戸層、約１〜１０の単位層の厚さであるそれぞれの量子井戸のそれぞれの表面に隣接するＧａＰもしくはＧａＡｓ、または、ＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５の遷移層、遷移層が量子井戸とバリア層とのそれぞれを分離するようにそれぞれの遷移層に隣接している約５０ＡのＡｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓのバリア層などが含まれる。態様では、活性領域の境界を定めるバリア層は、活性領域の内部にあるバリア層よりも大きい場合があり、その場合、より大きなバリア層は５０から１３０Ａの範囲でありうる。異なる層における元素の量の変動により、レーザを８５０〜９００ｎｍの間で変動させることができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
一実施形態では、ＶＣＳＥＬは、（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓを有する１つまたは複数の量子井戸と、１つまたは複数の量子井戸層の境界を定め、Ａｌ（Ｉｎ）ＧａＡｓを有する２つまたはそれより多くの量子井戸バリアと、それぞれの量子井戸層と量子井戸バリアとの間に堆積された１つまたは複数の遷移単一層と、を含みうるのであって、量子井戸とバリアと遷移単一層とは、実質的にトラップを有していない。１態様では、１つまたは複数の遷移単一層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、および／またはＧａＡｓＰを含む。別の態様では、２つまたはそれより多くの遷移単一層がＡｌＩｎＧａＡｓを含んでおり、より高いＩｎとより低いＡｌとを有する量子井戸側の単一層と比較すると、バリア側の単一層がより低いＩｎとより高いＡｌとを有する。また別の態様では、１つまたは複数の遷移単一層は、ＡｌとＩｎとを欠いている。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
一実施形態では、ＶＣＳＥＬは、１つまたは複数の量子井戸バリア層と、量子井戸バリア層の境界を定める第１の導通領域と第２の導通領域との少なくとも一方との間に、酸化物層を含みうる。この酸化物層は、キャパシタンスを減少させるように構成された複酸化物でありうる。あるいは、この酸化物層は、１つまたは複数の量子井戸と関連するミラー領域とに関する第１の消失点にありうる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
一実施形態では、ＶＣＳＥＬを準備する方法は、１つまたは複数の量子井戸と、１つまたは複数の量子井戸のそれぞれの境界を定める２つまたはそれよりも多くの量子井戸バリアと、それぞれの量子井戸層と量子井戸バリアとの間に堆積された１つまたは複数の遷移単一層と、を有する結晶構造を成長させるために分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）を用いる工程を含みうる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
一実施形態では、ＶＣＳＥＬは、高いＩｎと低いＡｌとを有する１つまたは複数の量子井戸と、高いＡｌと低いＩｎとを有しており１つまたは複数の量子井戸層の境界を定める２つまたはそれより多くの量子井戸バリアと、それぞれの量子井戸層と量子井戸バリアとの間に堆積された１つまたは複数の遷移単一層と、を含みうる。ただし、量子井戸とバリアと遷移単一層とは実質的にトラップを有していない。例えば、１つまたは複数の遷移単一層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、および／またはＧａＡｓＰを含みうる。あるいは、２つまたはそれより多くの遷移単一層はＡｌＩｎＧａＡｓを含んでおり、より高いＩｎとより低いＡｌとを有する量子井戸側の単一層と比較すると、バリア側の単一層がより低いＩｎとより高いＡｌとを有している。