(57)【要約】【課題】半導体パッケージを高精度に配置する。【解決手段】半導体パッケージ配置装置（Ｃ）は、半導体パッケージ（１０）を吸着するための吸着機構（１４）と、半導体パッケージ（１０）を配置するための樹脂シート（１８）と、樹脂シート（１８）を支持するための支持基台（１０）と、支持基台（１０）の開口（３２）を撮像するための第１の撮像部（２７）とを備えている。第１の撮像部（２７）は、赤外光源（５２）と、赤外線撮像素子（５１）と、赤外光源（５２）から樹脂シート（１８）を通して支持基台（２０）に入射する入射光（５４ｂ）と支持基台（２０）で反射する反射光（５５）とを同軸とするための光学部材（５３）とを備えている。半導体パッケージ（１０）の撮像データと、開口（３２）の撮像データとに基づいて、開口（３２）に対する半導体パッケージ（１０）の位置合わせを行って、半導体パッケージ（１０）を樹脂シート（１８）上に配置する。【選択図】図１
2018160583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージを吸着するための吸着機構と、
前記半導体パッケージを配置するための樹脂シートと、
前記樹脂シートを支持するための支持基台と、
前記支持基台の開口を撮像するための第１の撮像部と、を備え、
前記第１の撮像部は、赤外光源と、赤外線撮像素子と、前記赤外光源から前記樹脂シートを通して前記支持基台に入射する入射光と前記入射光が前記支持基台で反射する反射光とを同軸とするための光学部材と、を備え、
前記吸着機構に吸着された前記半導体パッケージの撮像データと、前記赤外線撮像素子により撮像される前記開口の撮像データとに基づいて、前記開口に対する前記半導体パッケージの位置合わせを行って、前記半導体パッケージを前記樹脂シート上に配置する、半導体パッケージ配置装置。
【請求項２】
前記吸着機構に吸着された前記半導体パッケージを撮像するための第２の撮像部をさらに備え、
前記吸着機構は、前記半導体パッケージの吸着位置の上方と前記樹脂シートの上方との間を一軸方向に移動可能であり、
前記吸着機構の移動の間に前記第２の撮像部は前記吸着機構に吸着された前記半導体パッケージを下方から撮像する、請求項１に記載の半導体パッケージ配置装置。
【請求項３】
前記支持基台は前記開口を複数備え、
前記開口の複数が前記一軸方向に整列するように前記樹脂シートおよび前記支持基台を回転させるための回転機構をさらに備えた、請求項２に記載の半導体パッケージ配置装置。
【請求項４】
前記樹脂シートおよび前記支持基台を前記一軸方向と直交する第２の一軸方向に移動させることが可能な搬送機構をさらに備えた、請求項２または請求項３に記載の半導体パッケージ配置装置。
【請求項５】
前記半導体パッケージを作製するために半導体パッケージ基板を切断するための半導体パッケージ基板切断装置と、
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体パッケージ配置装置と、を備えた、製造装置。
【請求項６】
半導体パッケージを吸着機構により吸着する工程と、
前記吸着機構に吸着された前記半導体パッケージの撮像データを取得する工程と、
前記吸着機構に吸着された前記半導体パッケージを配置するための樹脂シートを支持する支持基台の開口の撮像データを取得する工程と、
前記半導体パッケージの撮像データと、前記開口の撮像データとに基づいて、前記開口に対する前記半導体パッケージの位置合わせを行う工程と、
前記半導体パッケージを前記樹脂シート上に配置する工程と、を含み、
前記開口の撮像データを取得する工程は、赤外光源から前記樹脂シートを通して前記支持基台に入射光を入射させ、前記入射光が前記支持基台で反射した反射光を赤外線撮像素子を含む第１の撮像部で撮像する工程を含み、前記入射光と前記反射光とは同軸とされる、半導体パッケージの配置方法。
【請求項７】
前記吸着機構を前記半導体パッケージの吸着位置の上方から前記樹脂シートの上方までを一軸方向に移動させる工程をさらに含み、
前記半導体パッケージの撮像データを取得する工程は、第２の撮像部を用いて前記半導体パッケージの撮像データを取得する工程を含み、
前記開口の撮像データを取得する工程は、前記吸着機構に取り付けられた前記第１の撮像部の前記赤外線撮像素子を用いて前記開口の撮像データを取得する工程を含み、
前記移動させる工程の間に、前記第２の撮像部を用いて前記半導体パッケージの撮像データを取得する工程を行う、請求項６に記載の半導体パッケージの配置方法。
【請求項８】
前記支持基台は前記開口を複数備え、
前記開口の複数が前記一軸方向に整列するように前記樹脂シートおよび前記支持基台を回転させる工程をさらに含む、請求項７に記載の半導体パッケージの配置方法。
【請求項９】
前記樹脂シートおよび前記支持基台を前記一軸方向と直交する第２の一軸方向に移動させる工程をさらに含む、請求項７または請求項８に記載の半導体パッケージの配置方法。
【請求項１０】
前記半導体パッケージを作製するために半導体パッケージ基板を切断するための半導体パッケージ基板を切断する工程と、
請求項６〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体パッケージの配置方法により前記半導体パッケージを前記樹脂シート上に配置する工程と、
前記樹脂シート上に配置された前記半導体パッケージに導電性膜を形成する工程と、を含む、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ配置装置、製造装置、半導体パッケージの配置方法および電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば特許文献１には、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）半導体パッケージにスパッタリングによりＥＭＩ（電磁干渉）シールディングを形成する方法が開示されている。特許文献１に記載の方法は以下のように行われる。
【０００３】
まず、貫通ホールが多数形成された型板上に両面接着手段を設置する。次に、型板の貫通ホールに対応する箇所の両面接着手段を除去して、両面接着手段に多数の開口を形成する。次に、両面接着手段の開口内にボール電極が収まるように両面接着手段上にＢＧＡ半導体パッケージを配置する。その後、ＢＧＡ半導体パッケージのボール電極側と反対側の表面上にスパッタリングにより金属膜である電磁シールド膜を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国特許第１０−１５９０５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法において、両面接着手段としてポリイミド等の着色した樹脂シートを用いた場合には、両面接着手段の開口にボール電極が収まらず、両面接着手段上または型板上にボール電極が乗り上げることがあった。この場合には、スパッタリング時に金属粒子がＢＧＡ半導体パッケージのボール電極側に回り込んで製品不良が生じることがある。そのため、両面接着手段上にはＢＧＡ半導体パッケージを高精度に配置することが求められるが、特許文献１には、ＢＧＡ半導体パッケージを高精度に配置する技術について何ら開示されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ここで開示された実施形態によれば、半導体パッケージを吸着するための吸着機構と、半導体パッケージを配置するための樹脂シートと、樹脂シートを支持するための支持基台と、支持基台の開口を撮像するための第１の撮像部と、を備え、第１の撮像部は、赤外光源と、赤外線撮像素子と、赤外光源から樹脂シートを通して支持基台に入射する入射光と入射光が支持基台で反射する反射光とを同軸とするための光学部材と、を備え、吸着機構に吸着された半導体パッケージの撮像データと、赤外線撮像素子により撮像される開口の撮像データとに基づいて、開口に対する半導体パッケージの位置合わせを行って、半導体パッケージを樹脂シート上に配置する、半導体パッケージ配置装置を提供することができる。
【０００７】
ここで開示された実施形態によれば、半導体パッケージを作製するために半導体パッケージ基板を切断するための半導体パッケージ基板切断装置と、上記の半導体パッケージ配置装置とを備えた製造装置を提供することができる。
【０００８】
ここで開示された実施形態によれば、半導体パッケージを吸着機構により吸着する工程と、吸着機構に吸着された半導体パッケージの撮像データを取得する工程と、吸着機構に吸着された半導体パッケージを配置するための樹脂シートを支持する支持基台の開口の撮像データを取得する工程と、半導体パッケージの撮像データと、開口の撮像データとに基づいて、開口に対する半導体パッケージの位置合わせを行う工程と、半導体パッケージを樹脂シート上に配置する工程と、を含み、開口の撮像データを取得する工程は、赤外光源から樹脂シートを通して支持基台に入射光を入射させ、入射光が支持基台で反射した反射光を赤外線撮像素子を含む第１の撮像部で撮像する工程を含み、入射光と反射光とは同軸とされる半導体パッケージの配置方法を提供することができる。
【０００９】
ここで開示された実施形態によれば、半導体パッケージを作製するために半導体パッケージ基板を切断するための半導体パッケージ基板を切断する工程と、上記の半導体パッケージの配置方法により半導体パッケージを樹脂シート上に配置する工程と、樹脂シート上に配置された半導体パッケージに導電性膜を形成する工程とを含む電子部品の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１０】
半導体パッケージを高精度に配置することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態の製造装置の模式的な平面図である。
【図２】半導体パッケージの一方の面の一例の模式的な拡大平面図である。
【図３】（ａ）は支持基台の表面の一例の模式的な平面図であり、（ｂ）は開口の形成後の樹脂シートの表面の一例の模式的な平面図である。
【図４】図１の破線で取り囲まれた領域の模式的な拡大平面図である。
【図５】吸着機構が半導体パッケージを吸着している動作の一例を図解する模式的な側面図である。
【図６】吸着機構が半導体パッケージを吸着している動作の他の一例を図解する模式的な断面図である。
【図７】吸着機構によって吸着された半導体パッケージの下側から第２の撮像部が半導体パッケージの撮像データを取得する動作の一例を図解する模式的な側面図である。
【図８】第１の撮像部が上方から配置部材の開口の撮像データを取得する動作の一例を図解する模式的な側面図である。
【図９】第１の撮像部が支持基台の開口の撮像データを取得する方法の一例を図解する模式的な側面図である。
【図１０】半導体パッケージの位置合わせを行う動作の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１１】半導体パッケージの配置を行う動作の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１２】半導体パッケージのボール電極の設置側と反対側の表面を導電性膜で被覆する工程の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１３】実施形態の製造装置により製造された電子部品の一例の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態について説明する。なお、実施形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１３】
図１に、実施形態の製造装置の模式的な平面図を示す。図１に示す実施形態の製造装置１は、半導体パッケージ基板供給装置Ａ（以下、「基板供給装置Ａ」という。）と、半導体パッケージ基板切断装置Ｂ（以下、「基板切断装置Ｂ」という。）と、半導体パッケージ配置装置Ｃ（以下、「配置装置Ｃ」という。）と、図示しない導電性膜形成装置（以下、「膜形成装置」という。）とを備えている。
【００１４】
基板供給装置Ａは、半導体パッケージ基板４を基板切断装置Ｂに供給するための基板供給部３を備えている。本実施形態においては、基板供給装置Ａは、基板供給装置Ａ、基板切断装置Ｂ、配置装置Ｃ、および膜形成装置のすべての動作の制御を行う制御部２も備えている。なお、制御部２は、基板供給装置Ａが備えていることに限定されるものではなく、製造装置１の他の装置内に設けられていてもよい。また、制御部２は、複数に分割して、基板供給装置Ａ、基板切断装置Ｂ、配置装置Ｃ、および膜形成装置のうちの少なくとも二つに設けられていてもよい。
【００１５】
半導体パッケージ基板４は、最終的に切断されて複数の半導体パッケージ１０に個片化される切断対象物である。半導体パッケージ基板４は、たとえば、プリント基板またはリードフレームなどからなる基材と、基材が有する複数の領域にそれぞれ装着された半導体チップ状部品と、複数の領域が一括して覆われるようにして形成された封止樹脂とを備え得る。
【００１６】
基板切断装置Ｂは、切断前の半導体パッケージ基板４または切断後の半導体パッケージ１０を載置するための切断テーブル７と、切断テーブル７を回転させるための回転機構６と、回転機構６および切断テーブル７を移動させるための移動機構５と、半導体パッケージ基板４を切断するための回転刃９と、回転刃９を有する切断機構８と、を備えている。
【００１７】
基板切断装置Ｂは、たとえば以下のように動作する。まず、基板供給装置ＡからＸ軸方向に供給された半導体パッケージ基板４を、回転機構６上に設置された切断テーブル７上に設置する。次に、移動機構５が切断テーブル７を回転機構６とともにＹ軸方向に半導体パッケージ基板４の切断位置にまで移動させる。次に、回転機構６が切断テーブル７を回転させることによって切断される半導体パッケージ基板４の向きを調整するとともに、切断機構８がＸ軸方向に移動することによって半導体パッケージ基板４に対する回転刃９の切断位置を調整する。
【００１８】
次に、回転刃９により半導体パッケージ基板４の切断を行う。半導体パッケージ基板４を切断して複数の半導体パッケージ１０に分割した後には、複数に分割された半導体パッケージ１０が設置された切断テーブル７を切断前とは逆方向にＹ軸方向に移動させて元の位置に戻す。これにより、基板切断装置Ｂの動作が完了する。
【００１９】
配置装置Ｃは、半導体パッケージ基板４の切断後の半導体パッケージ１０を設置して半導体パッケージ１０を検査するための検査テーブル１２と、検査テーブル１２上に設置された半導体パッケージ１０を検査するための検査機構１１と、検査後の半導体パッケージ１０を設置するための保管テーブル１５とを備えている。
【００２０】
配置装置Ｃは、また、半導体パッケージ１０を吸着するための吸着機構１４と、吸着機構１４に吸着された半導体パッケージ１０を撮像するための第２の撮像部２８と、吸着機構１４に吸着された半導体パッケージ１０を配置するための後述する支持基台２０の開口３２を撮像するための第１の撮像部２７とを備えている。本実施形態において、吸着機構１４はＸ軸方向にのみ移動可能とされており、第１の撮像部２７の少なくとも一部は吸着機構１４に対して固定された状態で取り付けられている。
【００２１】
配置装置Ｃは、また、配置部材供給部１９と、配置部材２２と、配置部材２２を設置するための配置テーブル１６と、配置部材２２を整列するための整列機構１７と、配置テーブル１６をＹ軸方向に移動可能とする搬送機構（図示せず）と、真空ポンプ２３とを備えている。配置部材２２は、たとえば金属製のステンシル等の支持基台２０と、支持基台２０上の樹脂シート１８とを備えている貼付部材である。
【００２２】
樹脂シート１８としては、たとえば、樹脂製のシート状基材と、当該シート状基材の少なくとも片面に塗布された接着剤からなる接着層（粘着層）と、を備えたシートを用いることができる。接着剤としては、たとえば粘着剤（感圧接着剤：pressure sensitive adhesive）を用いることができる。樹脂シート１８として、たとえば、ポリイミドフィルムの両面にシリコーン系粘着剤が塗布された樹脂シート等を用いることができる。ここで、樹脂シート１８は、少なくとも半導体パッケージ１０が貼り付けられる側の面に接着剤が塗布されて接着層が形成されていればよいが、半導体パッケージ１０が貼り付けられる側の面とその反対側の面に接着剤が塗布されて接着層が形成されてもよい。このように、樹脂シート１８における少なくとも半導体パッケージ１０の配置面に接着層（粘着層）が設けられるため、貼付部材である配置部材２２には、半導体パッケージ１０を貼り付けることができる。
【００２３】
配置部材２２は、支持基台２０および樹脂シート１８に加えて、支持基台２０の外周に金属製等のフレーム状部材を設けた構成としてもよい。この場合には、たとえば、樹脂シート１８に対して同じ側に支持基台２０とフレーム部材とを配置する構成としてもよい。支持基台２０よりも樹脂シート１８のサイズを大きくし、支持基台２０よりも大きな開口が内側に形成されたフレーム状部材に樹脂シート１８を取り付ければよく、さらにフレーム状部材の厚さを支持基台２０の厚さよりも厚くすることができる。このような構成の配置部材２２とすることによって、フレーム状部材を搬送用部材として用いることができる。
【００２４】
配置装置Ｃは、たとえば以下のように動作する。まず、半導体パッケージ１０が載置された検査テーブル１２をＸ軸方向に移動させる。この検査テーブル１２の移動中に検査機構１１によって半導体パッケージ１０が良品であるか否かの検査が行われる。この検査によって、半導体パッケージ１０が良品でないと判断された場合には、この時点でまたはこの後に半導体パッケージ１０が廃棄用ボックス等に収納される。一方、半導体パッケージ１０が良品であると判断された場合には、半導体パッケージ１０を反転させて、半導体パッケージ１０が保管テーブル１５上に設置される。半導体パッケージ１０は、たとえば図２の模式的拡大平面図に示されるボール電極１３が下側（保管テーブル１５側）を向いた状態で保管テーブル１５上に設置される。その後、保管テーブル１５は、吸着機構１４による半導体パッケージ１０の吸着位置までＹ軸方向に移動する。
【００２５】
また、配置部材供給部１９から、支持基台２０と、支持基台２０上の樹脂シート１８とを備えた配置部材２２を供給する。配置部材２２をＸ軸方向に移動させて、配置部材２２を配置テーブル１６上に設置する。そして、たとえば図３（ａ）の模式的平面図に示される支持基台２０の開口３２に相当する樹脂シート１８の箇所に、たとえばレーザ光を照射することによって、たとえば図３（ｂ）の模式的平面図に示すように、樹脂シート１８にも複数の開口３３を形成する。
【００２６】
図４に、この段階での図１の破線２１で取り囲まれた領域の模式的な拡大平面図を示す。配置装置Ｃのこの段階以降の動作は、図４〜図１１を参照して説明する。まず、吸着機構１４は、保管テーブル１５上に配置された半導体パッケージ１０の吸着位置の上方までＸ軸方向に移動する。次に、たとえば図５の模式的側面図に示すように、吸着機構１４は吸着部材３０によって、半導体パッケージ１０のボール電極１３側と反対側を吸着する。
【００２７】
なお、図５に示す例では、説明の便宜のため、吸着機構１４が半導体パッケージ１０を１つのみ吸着する場合を示しているが、この場合に限定されず、たとえば図６の模式的断面図に示すように、吸着機構１４は複数の半導体パッケージ１０を同時に吸着してもよい。なお、図６に示される隣り合う吸着部材３０の間の間隔はＬ１とされている。
【００２８】
次に、半導体パッケージ１０を吸着した吸着機構１４は、半導体パッケージ１０の吸着位置の上方から配置部材２２の上方に向かってＸ軸方向に移動する。このとき、たとえば図７の模式的側面図に示すように、吸着機構１４によって吸着された半導体パッケージ１０の下側から第２の撮像部２８が当該半導体パッケージ１０の撮像データを取得する。第２の撮像部２８によって取得される撮像データとしては、たとえば半導体パッケージ１０の位置データ等が挙げられる。第２の撮像部２８によって取得された撮像データは基板供給装置Ａの制御部２に送信される。
【００２９】
第２の撮像部２８によって半導体パッケージ１０の撮像データを取得した後には、吸着機構１４は、第２の撮像部２８の上方から配置部材２２の上方に向かってさらにＸ軸方向に移動する。その後、たとえば図８の模式的側面図に示すように、吸着機構１４に取り付けられた第１の撮像部２７が上方から支持基台２０の開口３２の撮像データを取得する。
【００３０】
なお、ここでは、第２の撮像部２８によって半導体パッケージ１０の撮像データを取得した後に、第１の撮像部２７によって支持基台２０の開口３２の撮像データを取得する場合について説明したが、第１の撮像部２７による撮像データの取得と第２の撮像部２８による撮像データの取得との順番を入れ替えて、第１の撮像部２７によって支持基台２０の開口３２の撮像データを取得した後に、第２の撮像部２８によって半導体パッケージ１０の撮像データを取得してもよい。
【００３１】
図９に、第１の撮像部２７が支持基台２０の開口３２の撮像データを取得する方法の一例を図解する模式的な側面図を示す。図９に示すように、まず、赤外光源５２が光学部材としてのビームスプリッタ５３に対してたとえばＸ軸方向またはＹ軸方向に赤外光５４ａを照射する。次に、赤外光源５２により照射された赤外光５４ａはビームスプリッタ５３によってその進行方向をＺ軸方向に変えられる。なお、赤外光源５２は、後述する赤外線撮像素子５１により撮像可能な赤外領域の光を少なくとも一部として発する光源であればよく、赤外領域のみの光を発する光源だけを意味しない。
【００３２】
次に、ビームスプリッタ５３によって進行方向を変えられた赤外光５４ｂは、樹脂シート１８に入射する。ここで、樹脂シート１８がたとえばポリイミド樹脂から形成されている場合には樹脂シート１８は黄色に着色しているが、赤外光５４ｂは黄色に着色した樹脂シート１８をＺ軸方向に透過する。その結果、赤外光５４ｂはたとえば金属製のステンシル等の支持基台２０の平坦な表面にＺ軸方向の下向きに入射して、Ｚ軸方向の上向きに反射する反射光５５を生成する。その後、支持基台２０で反射した反射光５５は、赤外線撮像素子５１にＺ軸方向に入射し、赤外線撮像素子５１に入射した反射光５５によって、支持基台２０の位置を認識することが可能な撮像データを取得することができる。
【００３３】
なお、第１の撮像部２７は少なくとも赤外線撮像素子５１を含んでいればよく、ここに示した例では、第１の撮像部２７は、赤外線撮像素子５１を含むとともに、赤外光源５２およびビームスプリッタ５３も含んでいる。また、第１の撮像部２７において、赤外線撮像素子５１に対して、赤外光源５２およびビームスプリッタ５３の少なくとも一方が一体化されていてもよい。ビームスプリッタ５３は、後述するように入射光５４ｂと反射光５５とを同軸とするための光学部材である。光学部材としては、ビームスプリッタ５３以外にも、赤外光５４ａを反射し反射光５５を透過させることによって入射光５４ｂと反射光５５とを同軸とすることができるハーフミラー等を用いることもできる。
【００３４】
このように、本実施形態においては、赤外光源５２から樹脂シート１８を通して支持基台２０に入射する入射光５４ｂと、入射光５４ｂが支持基台２０で反射することによって生成した反射光５５とを同軸（本実施形態においてはＺ軸に平行な軸）とすることができる。これにより、本実施形態においては、支持基台２０の開口３２の位置を高精度に特定することができる。第１の撮像部２７によって取得された支持基台２０の開口３２の位置に関する撮像データも、基板供給装置Ａの制御部２に送信される。
【００３５】
なお、上記において、樹脂シート１８としては、上記のポリイミド樹脂から形成された黄色に着色した樹脂シートに限定されないことは言うまでもない。また、赤外光５４ｂとしては、その少なくとも一部が、着色した樹脂シート１８を透過して支持基台２０に入射し、当該赤外光５４ｂと同軸となるように支持基台２０で反射する反射光５５を生成する光であれば特に限定されない。また、「同軸」は、完全に軸が一致している場合に限定されず、本実施形態における効果が得られるのであれば、入射光である赤外光５４ｂの軸と反射光５５の軸との間に少しズレが生じていてもよい。
【００３６】
その後、制御部２は、第１の撮像部２７により撮像された支持基台２０の開口３２の撮像データと、第２の撮像部２８により撮像された半導体パッケージ１０の撮像データとに基づいて、支持基台２０の開口３２に対する半導体パッケージ１０の位置合わせを行う。
【００３７】
位置合わせは、たとえば、複数の開口３２の配列方向をＸ軸と平行にするために回転機構（図示せず）によって支持基台２０を回転して、支持基台２０の複数の開口３２の整列方向と吸着機構１４の軸方向（Ｘ軸方向）とが整列するように搬送機構（図示せず）によって支持基台２０をＹ軸方向に移動すること等により行うことができる。これにより、支持基台２０の開口３２に対する半導体パッケージ１０のＹ軸方向の位置合わせが完了する。
【００３８】
半導体パッケージ１０の位置合わせは、たとえば図１０の模式的断面図に示すように、吸着機構１４による半導体パッケージ１０のＸ軸方向への移動、隣り合う吸着部材３０の間の間隔のＬ１からＬ２への変更に伴う半導体パッケージ１０のＸ軸方向への移動、またはこれらの組み合わせによる半導体パッケージ１０のＸ軸方向への移動により行うことができる。これにより、支持基台２０の開口３２内に半導体パッケージ１０のボール電極１３が収まるように、支持基台２０の開口３２に対する半導体パッケージ１０のＸ軸方向の位置合わせが完了する。
【００３９】
たとえば上述のようにして、支持基台２０の開口３２に対する半導体パッケージ１０のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置合わせが完了した後には、たとえば図１１の模式的断面図に示すように、半導体パッケージ１０のボール電極１３が支持基台２０の開口３２内に収まるように吸着部材３０に吸着された半導体パッケージ１０を下方に下ろし、樹脂シート１８上に半導体パッケージ１０を配置して貼り付ける。
【００４０】
たとえば半導体パッケージ１０が半導体パッケージ１０の一方の面上にボール電極１３を設置したＢＧＡ半導体パッケージである場合には、たとえば図２に示すように、半導体パッケージ１０の周縁１０ａに近接してボール電極１３が設置され、半導体パッケージ１０のボール電極１３から周縁１０ａまでの距離が非常に短くなることがある。この場合には、たとえば図１１に示すように、ボール電極１３を支持基台２０の開口３２内に収めつつ、ボール電極１３から周縁１０ａまでの短い距離の領域をすべて開口３２外に設置する必要があることから、非常に高精度の配置技術が要求される。
【００４１】
本実施形態においては、図９に示すように、赤外光源５２から樹脂シート１８を通して支持基台２０に入射する入射光としての赤外光５４ｂと同軸の反射光５５が赤外線撮像素子５１に入射して支持基台２０の開口３２の位置を示す撮像データを取得している。そのため、支持基台２０の開口３２の位置を高精度に特定することができる。したがって、本実施形態においては、半導体パッケージ１０のボール電極１３が支持基台２０の開口３２内に高精度に収まるように、高精度に半導体パッケージ１０を樹脂シート１８上に配置することができる。
【００４２】
ここで、支持基台２０の表面が平滑であっても、入射光５４ｂと反射光５５とを同軸とすることにより、支持基台２０の開口３２を撮像することができる。また、ポリイミドなどの赤外領域より可視光域の吸収が多い樹脂を用いた樹脂シート１８であっても、赤外光源５２と赤外線撮像素子５１とを用いることにより、樹脂シート１８を通して支持基台２０の開口３２を撮像することができる。
【００４３】
さらに、本実施形態において、吸着機構１４がＸ軸方向のみに移動可能とされ、支持基台２０の開口３２を撮像する第１の撮像部２７の少なくとも一部が吸着機構１４に対して固定された状態で取り付けられている場合には、第２の撮像部２８による半導体パッケージ１０の検出位置のＹ軸方向へのズレが生じにくくなるだけでなく、第１の撮像部２７による開口３２の検出位置のＹ軸方向へのズレも生じにくくなる。そのため、支持基台２０の開口３２内にボール電極１３が収まるように樹脂シート１８上に半導体パッケージ１０を高精度に配置することができる。
【００４４】
なお、図１および図４は、吸着機構１４のＸ軸方向に隣り合う位置に第１の撮像部２７が取付けられた構成を示している。第１の撮像部２７は、吸着機構１４に対して固定された状態で取付けられていればよく、たとえば、吸着機構１４のＹ軸方向に隣り合う位置に取付けられてもよい。
【００４５】
また、図１および図４は、吸着機構１４を２つ用いた構成を示しているが、吸着機構１４を１つのみ用いてもよい。吸着機構１４を１つのみ用いた場合には、第１の撮像部２７および第２の撮像部２８をそれぞれ１つずつのみ用いることができる。
【００４６】
また、図１および図４は、２つの吸着機構１４のそれぞれに第１の撮像部２７および第２の撮像部２８を１つずつ合計で第１の撮像部２７および第２の撮像部２８を２つずつ用いた構成を示しているが、第１の撮像部２７および第２の撮像部２８を２つの吸着機構１４に共通化して、２つの吸着機構１４と１つの第１の撮像部２７と１つの第２の撮像部２８とを用いた構成とすることもできる。この場合には、１つの第２の撮像部２８を図１および図４のＹ軸方向に移動可能とすることにより、２つの吸着機構１４に対して１つの第２の撮像部２８を共通化することができる。また、１つの第１の撮像部２７を２つの吸着機構１４のうちの一方に固定された状態で取り付け、第１の撮像部２７により取得した撮像データに基づいて、たとえば支持基台２０の開口３２の座標データを生成することにより、２つの吸着機構１４に対して１つの第１の撮像部２７を共通化することができる。一例を示せば、１つの第１の撮像部２７により２つの吸着機構１４に対応する支持基台２０の開口３２の撮像データを取得し、この撮像データに基づいて２つの吸着機構１４に対応する支持基台２０の開口３２の座標データを生成すればよい。ここでの第１の撮像部２７および第２の撮像部２８による撮像データ取得の順番としては、たとえば、第２の撮像部２８による第１の吸着機構１４に吸着された半導体パッケージ１０の撮像、第１の撮像部２７による第１および第２の吸着機構１４に対応する支持基台２０の開口３２の撮像、および第２の撮像部２８による第２の吸着機構１４に吸着された半導体パッケージ１０の撮像という順番としてもよい。
【００４７】
次に、たとえば図１２の模式的断面図に示すように、図示しない膜形成装置によって半導体パッケージ１０のボール電極１３の設置側と反対側の表面をたとえば金属膜等からなる導電性膜２５で被覆する。その後、たとえば図１３の模式的断面図に示すように、導電性膜２５の形成後の半導体パッケージ１０からなる電子部品２４を配置部材２２から取り出すことによって、電子部品２４の製造が完了する。ここで、膜形成装置としては、たとえばスパッタリング装置などを用いることができる。また、半導体パッケージ１０に導電性膜２５を形成する面としては、ボール電極１３の設置面以外の面のすべてとすることができる。たとえば、半導体パッケージ１０の形状が略直方体である場合には、ボール電極１３の設置面以外の５面に導電性膜２５を形成することができる。また、導電性膜２５はたとえば電磁シールド膜として機能させることができる。
【００４８】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４９】
１  電子部品の製造装置、２  制御部、３  基板供給部、４  半導体パッケージ基板、５  移動機構、６  回転機構、７  切断テーブル、８  切断機構、９  回転刃、１０  半導体パッケージ、１０ａ  周縁、１１  検査機構、１２  検査テーブル、１３  ボール電極、１４  吸着機構、１５  保管テーブル、１６  配置テーブル、１７  整列機構、１８  樹脂シート、１９  配置部材供給部、２０  支持基台、２１  破線、２２  配置部材、２３  真空ポンプ、２４  電子部品、２５  導電性膜、２７  第１の撮像部、２８  第２の撮像部、３１  テープ基材、３２，３３  開口、５１  赤外線撮像素子、５２  赤外光源、５３  ビームスプリッタ、５４ａ，５４ｂ  赤外光、５５  反射光、Ａ  基板供給装置、Ｂ  基板切断装置、Ｃ  配置装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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