【事件の表示】
　特許第３２１９０７６号「積層体の形成方法」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２１９０７６号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第３２１９０７６号は、平成１１年４月２６日（優先権主張　平成１０年４月２４日　日本国）に出願された特願平１１−１１８４０６号の特許出願に係り、平成１３年８月１０日にその特許権の設定登録がなされたものであって、その請求項１〜１０に係る発明（以下、請求項ｍ（ｍ＝１〜１０）に係る発明を「本件発明ｍ」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　基材の表面に付着汚れ除去性光触媒薄膜層を積層した積層体の形成方法であって、この方法は、前記基材表面に金属アルコキシドを被覆する前に、予め基材表面の温度が５０℃以上になるように予備加熱する工程と、基材表面に金属アルコキシドを被覆する工程と、その後、予備加熱以上の温度で且つ６００℃以下になるように加熱する工程を含むことを特徴とする積層体の形成方法。
　【請求項２】　前記金属アルコキシドは、チタンアルコキシドであることを特徴とする請求項１に記載の積層体の形成方法。
　【請求項３】　請求項１に記載の積層体の形成方法において、前記薄膜は高い平滑性、硬度を有するとともに、光励起により親水性が増大する特性及び有機物に対する分解力を有し、前記薄膜表面の５μｍ四方の領域において、その中心線平均粗さが２ｎｍ以上１５ｎｍ以下である平滑性を有することを特徴とする積層体の形成方法。
　【請求項４】　請求項３に記載の積層体の形成方法において、光励起後の前記付着汚れ除去性光触媒薄膜表面の水の接触角が、光励起前の前記付着汚れ除去性光触媒薄膜表面の水の接触角より５°以上３０°以下の範囲で小さくなる親水性を発現することを特徴とする積層体の形成方法。
　【請求項５】　請求項３又は４に記載の積層体の形成方法において、前記付着汚れ除去性光触媒薄膜が、光触媒機能を呈する半導体酸化物である酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛の少なくとも一つの酸化物から構成されることを特徴とする積層体の形成方法。
　【請求項６】　請求項５に記載の積層体の形成方法において、前記付着汚れ除去性光触媒薄膜が、前記半導体酸化物に、絶縁体酸化物を配合して構成されることを特徴とする積層体の形成方法。
　【請求項７】　請求項５又は６に記載の積層体の形成方法において、前記付着汚れ除去性光触媒薄膜が、遷移金属または遷移金属酸化物を配合して構成されることを特徴とする積層体の形成方法。
　【請求項８】　請求項３から請求項７に記載の積層体の形成方法において、前記付着汚れ除去性光触媒薄膜において、光触媒粒子が露出してなることを特徴とする積層体の形成方法。
　【請求項９】　請求項３から請求項８に記載の積層体の形成方法において、前記積層体の表面のモース硬度が４以上である硬度を有することを特徴とする積層体の形成方法。
　【請求項１０】　請求項３から請求項９に記載の積層体の形成方法において、前記積層体の基材が、ガラス、タイル等の陶磁器、セメントまたはコンクリート製品等の酸化物からなるセラミックスであることを特徴とする積層体の形成方法。」
　
２．申立ての理由の概要
　これに対し、特許異議申立人・独立行政法人産業技術総合研究所（以下、「申立人」という。）は、甲第１号証（シンポジウム「光触媒反応の最近の展開」講演要旨集、１２頁、会期：１９９４年１１月１〜２日、場所：東京都文京区本郷７−３−１　東京大学理学部化学教室講堂）、甲第２号証（Ａｎｎｕａｌ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｒｅｐｏｒｔ，Ｆｕｊｉｓｈｉｍａ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ，Ｖｏｌ.９，（１９９４）、３３０頁、３９３頁）、甲第３号証（特開平６−６５０１２号公報）、甲第４号証（特開平１０−１０１３７４号公報）、甲第５号証（国際公開第９６／２９３７５号パンフレット）、甲第６号証（特開平７−１００３７８号公報）、甲第７号証（特開平９−２７８９０６号公報）、甲第８号証（愛知県産業技術研究所長証明の成績書、１４産研常窯第１−８号）及び甲第９号証（「環境管理」、Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．８（１９９６）、９４３〜９４９頁）（以下、甲第ｎ号証（ｎ＝１〜９）を「甲ｎ」、該甲号証記載の発明を「甲ｎ発明」という。）を提出し、
　１）本件発明１は、甲１、甲２及び甲５発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、
　２）本件発明２〜１０は、本件発明１同様、甲１、甲２及び甲５発明に基づき、または、それらの発明に甲３〜甲４、甲６〜９発明の１つ以上を組み合わせることにより当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２〜１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである、
と主張する。
　
３．申立人の主張の適否の判断
　３の１．甲各号証の記載内容
　ａ．甲１
　ａ−１．「ガラス基板上への透明かつ高活性なＴｉＯ２光触媒薄膜の開発」（１２頁１行、表題）、
　ａ−２．「＜緒言＞　近年、酸化チタンの光触媒作用を用いて、快適な室内空間の創出を目的とした、……防汚などの研究が盛んに行われている。我々は、その中でも最も光を有効に利用できる窓ガラスをイメージし、ガラス基板上に透明でかつ高活性な酸化チタン光触媒薄膜を成膜する事に成功したので報告する。酸化チタン薄膜の成膜には、超音波によりアトマイズしたミストを空気を用いて加熱したガラス基板上へ気相輸送し、熱分解反応するパイロゾル法（常圧ＣＶＤ法）を用いた。」（１２頁４〜１１行）、
　ａ−３．「＜実験＞　各種透明基板を……超音波洗浄した後に乾燥させ、電気炉内で所定の温度となるように十分加熱した後に、チタンテトライソプロポオキシド……の有機溶剤溶液を用いて、上述のパイロゾル法で基板上で熱分解させ、酸化チタン薄膜を形成させた。……薄膜特性は……アセトアルデヒドの光触媒分解により調査した。」（１２頁１５〜２３行）。
　ｂ．甲２
　ｂ−１．「弱いＵＶ光照射を用いる光触媒反応」（３３０頁１行「表題」。当審により和訳）、
　ｂ−２．「光源として住環境に存在する弱いＵＶ光を用いる新規なタイプの光触媒作用について、ここで報告する。これらのケースにおいて、光触媒はタイル、ガラス……等の各種基材上に被覆された透明なＴｉＯ２薄層……である。ＴｉＯ２で被覆された……これらの材料は、通常の部屋の照明下で脱臭、殺菌及び防汚機能を発揮することを明らかにする。」（同１７〜２７行。同）、
　ｂ−３．「ＴｉＯ２膜を種々の方法で被覆した。例えば、予めＳｉＯ２を被覆したガラス上に、パイロゾル法、すなわち、有機溶媒中のチタンテトライソプロポオキシドの熱分解により、透明なＴｉＯ２膜を調製した。半透明の焼結ＴｉＯ２膜は、６００〜８００℃に加熱した基材上にＴｉＯ２溶液をスプレーすることにより、セラミックタイル及び金属上に調製された。」（同２９〜３４行。同）、
　ｂ−４．「酸化チタン・酸化亜鉛混合薄膜上に成膜した無電解金めっき膜の密着機構」（３９３頁、表題）、
　ｂ−５．「１．目的
　我々はこれまでに酸化チタン・酸化亜鉛混合薄膜を中間層として用いることでアルミナ基板上に高密着性の無電解金めっき膜の作製を可能にし報告してきた。本研究では、……混合薄膜成膜後の熱処理によりその表面状態を変化させ、熱処理が……無電解金めっき膜の密着性に及ぼす影響について検討を行い、密着の機構の解明を試みた。」（同左欄１〜９行）、
　ｂ−６．「２．方法
　酸化チタン・酸化亜鉛混合薄膜は、０.０５Ｍアセチルアセトンチタンおよび酢酸亜鉛エタノール溶液を８：２に混合させたものを４００℃に加熱したアルミナ基板上に……噴霧することにより成膜した。成膜後の基板はそれぞれ空気中４００〜１０００℃で２時間熱処理した。……金めっき膜は、市販の無電解金めっき液……中で６０分間浸漬して形成した。」（同左欄〜行１０〜２０行）、
　ｂ−７．「３．結果
　写真１に示すように……混合薄膜の成膜後に熱処理を行うと、温度の上昇に伴い比較的滑らかな表面状態から凹凸を有する表面状態に徐々に変化することが……認められた。……したがって、混合膜上における金皮膜の密着性を左右する要因として、表面の凹凸……が考えられるが、詳細については現在検討を行っている。」（頁左欄２１行〜右欄１３行）。
　ｃ．甲３
　ｃ−１．「銀、銅……の内から選ばれた少なくとも一種の金属イオンを含有した酸化チタン膜を基板に被覆したことを特徴とする抗菌抗カビ性セラミックス」（請求項１）、
　ｃ−２．「本発明に用いられる基板の材質は、必要な強度を持っていればコンクリート、ガラス、プラスチック、セラミックス……など、何でもよい。」（段落【０００７】）、
　ｃ−３．「本発明に用いられる酸化チタン膜は……チタンのアルコキシドからチタニアゾル液を作り、……スプレー熱分解法などによって基板上にコートした後、焼成して製造した方が好ましい。……そして、そのときの焼成温度は５００℃〜５５０℃程度が最も好ましい。」（段落【００１２】）。
　ｄ．甲４
　ｄ−１．「【請求項１】基板の表面に形成した薄膜が、金属アルコキシド系化合物と平衡水蒸気圧が低い酸化物微粒子および光触媒活性なアナターゼ結晶形のチタニア微粒子を分散した溶液から成膜してなる複合酸化物膜であることを特徴とする防曇性薄膜。
　　　（略）
　【請求項７】前記防曇性薄膜における被膜の表面が数ｎｍピッチの凹凸状であり、表面粗さ（中心線平均粗さ）が８〜１５ｎｍであることを特徴とする請求項１……記載の防曇性薄膜。」（請求項１及び７）。
　ｅ．甲５
　ｅ−１．「基材の表面をチタニア等の光触媒性半導体材料を含む層で被覆する行程と、前記光触媒性材料を光励起して前記層の表面の水との接触角を約１０°以下にする行程からなる表面の親水化方法
　　　（略）
　また前記親水化方法が適用された物品は、表面への汚染物の付着が防止され、降雨や水洗によって容易に清浄化される。」（「（５７）要約」項）、
　ｅ−２．「無定形チタニアの焼成による光触媒層の形成
　　　（略）
　（１）有機チタン化合物の加水分解と脱水縮重合
　チタンのアルコキシド、例えば、……テトライソプロポキシチタン……に……加水分解抑制剤を添加し、……アルコールで希釈した後、部分的に加水分解を進行させながら又は完全に加水分解を進行させた後、混合物をスプレーコーティング……その他のコーティング法により、基材の表面に塗布し、常温から２００℃の温度で乾燥させる。乾燥により、……無定形チタニアの層が基材の表面に形成される。
　　　（略）
　（４）焼成温度
　無定形チタニアの焼成は少なくともアナターゼの結晶化温度以上の温度で行う。４００℃〜５００℃以上の温度で焼成すれば、無定形チタニアをアナターゼ型チタニアに変換させることができる。６００℃〜７００℃以上の温度で焼成すれば、無定形チタニアをルチル型チタニアに変換させることができる。」（１２頁２１行〜１３頁２７行）。
　ｆ．甲６
　ｆ−１．「【請求項１】結晶形がアナターゼであることを特徴とする酸化チタン薄膜光触媒。
　【請求項２】チタニアゾルを基板にコーティングした後、室温から徐々に６００℃から７００℃の最終温度にまで加熱昇温して焼成することを特徴とする酸化チタン薄膜光触媒の製造方法。」（請求項１〜２）、
　ｆ−２．「本発明の酸化チタン薄膜光触媒の性能をさらに上げるため、その表面に白金や……銀、銅……などの金属被膜を被覆しても良い。」（段落【００１０】）。
　ｇ．甲７
　ｇ−１．チタニア結晶とは、ルチル相のモース硬度が約７〜７.５、アナターゼ相のモース硬度が約５.５〜６であること（段落【０００５】）。
　ｈ．甲８
　ｈ−１．後記甲９の図１記載の方法で作成した光触媒薄膜コーティングスライドガラスを試料とし、１０段階表示法でモース硬度を測定すると、結果は「４.５」であったこと。
　ｉ．甲９
　ｉ−１．「６．二酸化チタン透明薄膜光触媒の作製と応用」（９４３頁、表題）、
　ｉ−２．「図１に示すように、まず、チタンテトライソプロポキシドのアルコール溶液を純水に加え、……加水分解して、原料であるチタニアゾルをつくった。そして、それに……ガラス基板を浸して引き上げるというディップコーティング法を用いて、チタニアゾルを表面にコートした後、乾燥・焼成し、これを繰り返すことによって透明な二酸化チタン薄膜光触媒を作製した１）。焼成温度は５５０℃である。」（９４４頁左欄１１行〜同右欄４行）、
　ｉ−３．上記ｉ−２のとおりに、「二酸化チタン透明薄膜光触媒の作製」工程を図示した図１（９４４頁頁左欄上部）。
　
　３の２．対比・判断
　ａ．主張１）（＝本件発明１の進歩性）について
　本件発明１（前者）と甲１発明（後者）とを対比すると、
　後者は、ガラス基板上（＝基材の表面）に光触媒薄膜を成膜（＝積層）する（結果、積層体が形成される）（ａ−２参照）点で、前者の「基材の表面に付着汚れ除去性光触媒薄膜層を積層した積層体の形成方法」に相当し、
　後者で「基板を……所定の温度となるように十分加熱した後に、チタンテトライソプロポオキシド……の有機溶剤溶液を用いて、上述のパイロゾル法で基板上で熱分解させ、酸化チタン薄膜を形成」（ａ−３参照。該「チタンテトライソプロポオキシド」は金属アルコキシドである。）させる点は、前者の「前記基材表面に金属アルコキシドを被覆する前に、予め基材表面を予備加熱する工程と、基材表面に金属アルコキシドを被覆する工程と、その後、予備加熱以上の温度で加熱する工程」に相当する。
　なお、本件特許明細書の記載より、前者（＝本件発明１）でいう「予備加熱以上の温度で且つ６００℃以下になるように加熱する工程」とは、予備加熱温度を超え且つ６００℃以下の温度に積極的に加熱する、第一番目の態様（実施例１、３参照）に限らず、予備加熱した基材上に金属アルコキシドを配設した後の加熱処理は行わない、第２番目の態様（実施例２参照。この場合の薄膜形成は、予備加熱で蓄えられた「基材表面の熱……によりチタンアルコキシドを熱分解、重合（脱アルコール反応）させ、基材表面に酸化チタン薄膜を形成することにより」（段落【０００８】参照）達成されるものと解される。）をも含むものであり、後者（＝甲１発明）における上記「パイロゾル法による酸化チタン薄膜の形成」は、まさに前者の上記第２番目の加熱態様に相当するため、上記のように認定した。
　以上をまとめると、両者は、
「基材の表面に付着汚れ除去性光触媒薄膜層を積層した積層体の形成方法であって、この方法は、前記基材表面に金属アルコキシドを被覆する前に、予め基材表面を予備加熱する工程と、基材表面に金属アルコキシドを被覆する工程と、その後、予備加熱以上の温度で加熱する工程を含む積層体の形成方法。」
に係る点で一致するものの、
　甲１には、前者の発明特定事項である、前記請求項１の記載中の
「予め基材表面の温度が５０℃以上となるように予備加熱する工程と、」「その後、予備加熱以上の温度で且つ６００℃以下になるように加熱する工程を含む」
旨の構成（以下、予備加熱とその後の加熱に係る該一連の工程を「加熱制御要件」という。）について、記載されていない。
　申立人は、該「加熱制御要件」の想到容易性について甲２及び甲５発明を引用しているので、順次、それらの内容を検討する。
　まず、甲２発明のうち、ｂ−１〜ｂ−３に記載された発明（以下、「甲２の１発明」という。）は、基板上に被覆（＝積層）された防汚機能を発揮する光触媒（＝ＴｉＯ２）薄層（＝薄膜）の形成方法に係る点で、甲１発明と軌を一にするものの、甲２には、パイロゾル法による透明なＴｉＯ２膜の調製（ｂ−３参照）時における基板（ＳｉＯ２を被覆したガラス）の加熱温度については一切記載も示唆もないから、甲２の１発明は、本件発明１の前記「加熱制御要件」を教示するものとはいえない。
　そして、特に申立人が引用する「半透明の焼結ＴｉＯ２膜は、６００〜８００℃に加熱した基材上にＴｉＯ２溶液をスプレーすることにより、セラミックタイル及び金属上に調製された。」（ｂ−３参照）旨の技術事項中の「６００〜８００℃」は、上記「パイロゾル法」とは化学反応上全く相違する、ＴｉＯ２溶液のスプレー法を採用する際の加熱条件として選択されているにすぎず、そうした別種の化学反応における加熱条件が、本件発明１の該「加熱制御要件」についてまで示唆しているとは到底いえない。
　また、甲２発明のうち、ｂ−４〜ｂ−７に記載された発明（以下、「甲２の２発明」という。）は、前記のとおり、酸化チタン・酸化亜鉛混合薄膜上に成膜した無電解金めっき膜の密着機構を解明するためのものであり（ｂ−４〜ｂ−５参照）、「基材の表面に付着汚れ除去性光触媒薄膜層を積層した積層体の形成方法」に係る甲１発明とは基本的な発明思想が相違する上、特に申立人の引用する「酸化チタン・酸化亜鉛混合薄膜は、０.０５Ｍアセチルアセトンチタンおよび酢酸亜鉛エタノール溶液を８：２に混合させたものを４００℃に加熱したアルミナ基板上に……噴霧することにより成膜した。成膜後の基板はそれぞれ空気中４００〜１０００℃で２時間熱処理した。」（ｂ−６参照）旨の技術事項中の「４００℃に加熱したアルミナ基板上に……成膜した。成膜後の基板はそれぞれ空気中４００〜１０００℃で２時間熱処理した。」（同１１〜１５行）との箇所の加熱条件は、アセチルアセトンチタンという、甲１発明のチタンテトライソプロポオキシドとはかけ離れた原材料を用いた全く別種の化学反応についての加熱条件にすぎない。
　そうすると、甲２の１発明についてと同様、甲２の２発明で採用された該加熱条件もまた、何ら本件発明の前記「加熱制御要件」を教示するものとはいえない。
　次に、甲５発明は、前記要約（ｅ−１参照）からみて、「基材の表面に付着汚れ除去性光触媒薄膜層を積層した積層体の形成方法」に係る点で、甲１発明と一致する。
　しかしながら、甲１発明がチタンテトライソプロポオキシド（＝金属アルコキシド）の有機溶剤溶液を基板上に気相輸送し、熱分解反応する「パイロゾル法」を用いている（ａ−２参照）のに対し、甲５発明では、当初の原材料であるチタンのアルコキシド（＝金属アルコキシド）について、「部分的に加水分解を進行させながら又は完全に加水分解を進行させた後、混合物を……コーティング法により、基材の表面に塗布」（ｅ−２参照）しており、その場合、上記加水分解の進行の結果、該チタンのアルコキシドは基材表面被覆時には最早金属アルコキシドのままではあり得ない点で、甲１、甲５両発明は基本的な構成が相違する結果、甲５発明の知見を甲１発明と組み合わせるべき動機は薄弱というほかはない。
　その上、そもそも、甲５には「予め基材表面の温度が５０℃以上となるように予備加熱する工程」について全く記載も示唆もされていない。
　そうすると、当業者といえども甲５発明から本件発明１の前記「加熱制御要件」を導き出すことはできない。
　一方、本件発明１は、前記「加熱制御要件」を具備することにより、請求項１記載の他の構成と相まって、本件特許明細書記載の顕著な効果（段落【００３７】参照）を奏するものと認められる。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１、甲２、及び甲５発明に基づき当業者に想到容易であったということはできない。　
　
　ｂ．主張２）（＝本件発明２〜１０の進歩性）について
　本件発明２〜１０（前者）は、請求項１を直接、あるいは間接的に引用し、発明１（後者）をさらに技術的に限定する関係にあるところ、前記のとおり、前提となる後者の進歩性が甲１、２及び５発明によっては否定できず、また、前記ｃ−１〜ｄ−１、ｆ−１〜ｉ−３から明らかなとおり、残る甲３〜４、甲６〜９の各発明も後者について何ら教示するものではないから、後者についてと同じ理由により、甲１〜９発明によっては前者の進歩性を否定することはできない。
　　
４．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１〜１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年８月２０日（２００３．８．２０）