【事件の表示】
　特願２００９−５４０７０２「電磁バルブの制御装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月１９日国際公開、ＷＯ２００８／０７１５５７、平成２２年　４月３０日国内公表、特表２０１０−５１３７９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は，２００７年（平成１９年）１１月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年１２月１４日，ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年９月２日付けで拒絶の理由が通知され，平成２４年２月８日付けで意見書及び手続補正書が提出され，さらに，平成２４年２月２９日付けで拒絶の理由が通知され，平成２４年７月１２日付けで意見書及び手続補正書が提出されたところ，平成２５年１月３０日付けで補正の却下の決定がなされるとともに同日付けで拒絶査定がなされ，それに対して，平成２５年５月２７日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに同日付けで手続補正書が提出されたものである。 
   
第２　平成２５年５月２７日付け手続補正書による手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２５年５月２７日付け手続補正書による手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。　  
          
［理由］  
１．本件補正後の本願発明  
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１は，次のように補正された。  
（１）本件補正前  
「【請求項１】
 電磁バルブの制御のための装置において，
　読み取り手段を有しており，該読み取り手段はアナログ／デジタル変換器並びにＤＭＡを含み，電流及び／又は電圧に対する複数の測定値を経過のマッピングのために第１のメモリへ書き込み，
　評価手段を有しており，該評価手段は経過分析を実施し，
　算定手段を有しており，該算定手段は前記経過分析に基づいて，駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量を補正し，それを第２のメモリに書き込み，
　さらに制御手段を有しており，該制御手段は前記制御量に基づいて出力段を駆動制御するように構成されていることを特徴とする装置。」（平成２４年２月８日付け手続補正書参照。）  
   
（２）本件補正後  
「【請求項１】
電磁バルブの制御のための装置において，
　
アナログ／デジタル変換器及びＤＭＡを含む
は，複数の
及び
値を検出し，
前記複数の電流及び電圧の経過を
（２１０）
　評価手段を有しており，該評価手段は経過分析を実施し，
　算定手段を有しており，該算定手段は前記経過分析に基づいて，駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量を補正し，それを第２のメモリ
（２２０）
かつ，前記算定手段は，前記経過分析に基づいてバルブの開閉時点を求め，
　さらに制御手段を有しており，該制御手段は前記制御量に基づいて出力段を駆動制御するように構成されていることを特徴とする装置。 」
（下線は，当審が補正箇所を明示するために付したものである。） 　
　
　上記補正は，補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「読み取り手段」について，それが「複数の電流及び電圧値を検出」し，「複数の電流及び電圧の経過を第１のメモリ（２１０）へ書き込」む点，「算定手段」について，それが「経過分析に基づいてバルブの開閉時点を求め」る点を限定事項とするものであって，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　そこで，本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。  
    
２．刊行物  
（１）原査定の拒絶の理由に引用文献１として示された特開平１１−３０８１０７号公報（以下「刊行物１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。 
 ・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，誘導性負荷に流れる電流をデューティ制御するのに好適な信号入力装置，制御装置及び誘導性負荷の電流制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より，電磁弁や電磁式のアクチュエータには，その動力源としてリニアソレノイドが設けられており，電磁弁の開度やアクチュエータによる駆動対象物の変位量を調整する際には，リニアソレノイドへの通電電流量を制御するようにしている。
【０００３】また，こうしたリニアソレノイド等の誘導性負荷に流れる電流量を制御する際には，通常，誘導性負荷をトランジスタ等のスイッチング素子を介して直流電源に接続し，このスイッチング素子を，デューティ比を制御したパルス幅変調信号（以下，ＰＷＭ信号という）にてオン・オフさせることにより，誘導性負荷に流れる電流を制御するようにしており，更に，電磁弁の開度や駆動対象物の変位量を高精度に制御する必要がある場合には，誘導性負荷に流れた電流を検出し，その検出電流値が，制御目標である目標電流値となるように，スイッチング素子を駆動するＰＷＭ信号のデューティ比を増・減する，所謂電流フィードバックを行うようにしている。
【０００４】ところで，こうした電流フィードバックを行う際には，誘導性負荷に流れた電流を検出する必要があるが，誘導性負荷には，ＰＷＭ信号により周期的にオン・オフされるスイッチング素子を介して電流が流れることから，誘導性負荷に流れる電流は脈動しており，例えば，誘導性負荷の通電経路に設けた電流検出用抵抗の両端電圧から誘導性負荷に流れた電流を検出するようにしただけでは，検出電流値が変動するので，安定した制御を実行できない。」
・「【００１６】本発明は，こうした問題に鑑みなされたものであり，誘導性負荷に流れる電流をパルス幅変調信号にてデューティ制御する誘導性負荷の電流制御装置等において，検出信号のフィードバック系或いは駆動系で生じる信号の応答遅れによって，制御の応答性が低下するのを防止することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するためになされた請求項１記載の信号入力装置においては，まず，Ａ／Ｄ変換手段が，一定周期で変化するアナログ入力信号を，この入力信号が変化する周期時間よりも短いＡ／Ｄ変換周期でデジタル値に変換する。そして，このＡ／Ｄ変換手段にて変換されたデジタル値は，記憶手段に順次記憶され，平均値演算手段が，記憶手段に記憶されたデジタル値を，入力信号のｍ周期時間分取り込み，その取り込んだデジタル値を算術平均し，この演算結果が，入力信号をＡ／Ｄ変換したデジタル値として制御手段に出力される。
【００１８】つまり，請求項１記載の信号入力装置においては，一定周期で変化するアナログ入力信号を外部の制御手段に入力するに当たって，前述した従来の電流制御装置のように，入力信号を積分回路等を用いて平滑化し，その平滑化後の入力信号をＡ／Ｄ変換するのではなく，Ａ／Ｄ変換手段にて入力信号を直接Ａ／Ｄ変換し，そのＡ／Ｄ変換後の入力信号ｍ周期時間分のデジタル値を算術平均する。
【００１９】このため，本発明によれば，一定周期で変化する入力信号の平均レベルを，入力信号のＡ／Ｄ変換値として制御手段に入力するに当たって，積分回路の時定数の影響を受けることなく，制御手段に必要なＡ／Ｄ変換値を入力することが可能になる。よって，本発明を，前述した誘導性負荷の電流制御装置における検出信号の入力装置として利用すれば，この信号入力の遅れを低減して，制御の応答性を向上でき，上記目的を達成できる。
【００２０】尚，本発明の信号入力装置は，一定周期で変化する入力信号の平均レベルをデジタル値として外部の制御手段に入力するシステムであれば，誘導性負荷の電流制御装置に限らず，どのような制御システムにも適用できる。つまり，従来より，入力信号をＡ／Ｄ変換して制御手段に入力するシステムとしては，前述した誘導性負荷の電流制御装置のように，制御対象の動作状態を検出して，その検出結果が目標状態となるように制御対象をフィードバック制御するフィードバック制御システム以外にも，例えば，検査対象となる装置の動作状態を検出して，その検出結果を表示又は記録する検査システム，或いは，制御対象となる装置の動作状態を検出して，その動作状態が異常或いは適正範囲からずれた場合に，制御対象の動作を停止させたり，制御対象の動作を安全側に切り替えるといったオープンループ制御システム等が知られているが，こうしたシステムにおいても本発明は適用できる。そして，このようなシステムに本発明を適用すれば，一定周期で変化する入力信号の平均レベルをデジタル値として制御手段に入力する際の信号入力系での遅れを低減できるため，制御対象の制御や検査対象の検査の応答性を向上できる。」
・「【００５９】
【発明の実施の形態】以下に，本発明の一実施例を図面と共に説明する。図１は，本発明が適用された自動車用リニアソレノイド制御装置１０の構成を表すブロック図である。
【００６０】本実施例のリニアソレノイド制御装置１０は，自動車に搭載された内燃機関を目標状態に制御するために，内燃機関に設けられた複数（本実施例では４個）のリニアソレノイドＬ０〜Ｌ３（図ではＬ０のみを示す）を個々に通電制御するためのものであり，エンジンコントロール用のホストＣＰＵ１２にて演算された各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３に流すべき電流を表すデータ（以下，目標電流値という）に従い，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３に流れる電流をフィードバック制御するリニアソレノイド制御ＩＣ１４を備える。
【００６１】リニアソレノイド制御ＩＣ１４は，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３をＰＷＭ信号にてデューティ駆動するためのデューティ比を演算し，その演算結果を，ＰＷＭデータ（駆動データ）としてＰＷＭデータ受渡用のＲＡＭ（請求項１４に記載の駆動データ記憶手段に相当する）２２に格納する，演算手段としての制御ＣＰＵ２０と，ホストＣＰＵ１２に内蔵されたＲＡＭから各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３の目標電流値を読み込み，制御ＣＰＵ２０に入力する，ダイレクト・メモリ・アクセス回路（ＤＭＡ）２４と，ＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２から各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３に対するＰＷＭデータを夫々読み込み，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３をデューティ駆動するためのＰＷＭ信号PWM0，PWM1，PWM2，PWM3を夫々生成する，パルス幅変調信号生成手段としてのＰＷＭ信号出力回路２６を備える。
【００６２】一方，電流制御の対象となるリニアソレノイドＬ０は，バッテリの正極側に接続された電源ライン（電源電圧Ｖｂ）からバッテリの負極側に接続されたグランドラインに至る通電経路上に配置されており，その通電経路のリニアソレノイドＬ０よりも電源ライン側には，所謂ハイサイドスイッチとしてＦＥＴ２８が設けられ，更に，このＦＥＴ２８のゲートには，エミッタがグランドラインに設置されたＮＰＮトランジスタ２９のコレクタが接続されている。
【００６３】ＮＰＮトランジスタ２９は，ＦＥＴ２８のゲートをグランドラインに接地することにより，ＦＥＴ２８をオンさせるためのものであり，そのベースには，ＰＷＭ信号出力回路２６からリニアソレノイドＬ０通電用のＰＷＭ信号PWM0が入力される。この結果，ＮＰＮトランジスタ２９及びＦＥＴ２８は，ＰＷＭ信号PWM0がHighレベルであるときにオン状態となって，バッテリからリニアソレノイドＬ０への通電経路を導通させ，逆に，ＰＷＭ信号PWM0がLow レベルであれば，オフ状態となって，リニアソレノイドＬ０の通電経路を遮断する。
【００６４】尚，図示しない他のリニアソレノイドＬ１〜Ｌ３にも，リニアソレノイドＬ０と同様のスイッチング素子（具体的にはＮＰＮトランジスタ２９及びＦＥＴ２８）が設けられており，ＰＷＭ信号出力回路２６から出力されるＰＷＭ信号ＰＷ１〜ＰＷＭ３に従い，各スイッチング素子がオン・オフして，各リニアソレノイドＬ１〜Ｌ３に流れる電流をデューティ制御できるようにされている。
【００６５】また，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３のグランドライン側の通電経路には，電流検出用の抵抗（本発明の検出手段に相当する）Ｒ０が設けられており，その両端電圧から，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３に流れた電流を検出できるようにされている。そして，この抵抗Ｒ０の両端電圧は，抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して，差動増幅器３０に入力され，差動増幅器３０にて差動増幅された後，信号選択用のマルチプレクサ（ＭＰＸ）３２を介して，Ａ／Ｄ変換手段としてのＡ／Ｄ変換器３４に選択的に入力される。
【００６６】そして，Ａ／Ｄ変換器３４は，ＭＰＸ３２を介して，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３に流れた電流を表す電流検出信号（電圧）を一定のＡ／Ｄ変換周期で順に取り込み，デジタル値に変換し，そのデジタル値（検出電流値）を，Ａ／Ｄデータ受渡用のＲＡＭ（請求項１〜３に記載の記憶手段，請求項４に記載の電流値記憶手段に相当）３６に格納する。
【００６７】また，Ａ／Ｄデータ受渡用のＲＡＭ３６は，制御ＣＰＵ２０からもアクセスできるようにされており，制御ＣＰＵ２０側では，ＲＡＭ３６に格納された各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３毎の検出電流値の和を，例えば，デジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）等を用いて高速に演算し，その演算結果から各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３に流れた平均電流値を求め，この平均電流値が，夫々，ＤＭＡ２４を介して入力される各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３の目標電流値となるように，ＰＷＭ信号PWM0〜PWM3のデューティ比を算出し，その算出したデューティ比に基づき，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３通電用のＰＷＭデータを設定し，これをＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２に格納する。
【００６８】尚，制御ＣＰＵ２０には，演算処理実行用のプログラムや各種データが格納されたＲＯＭ３８，及び，演算処理実行時に制御用のデータを一時格納するためのＲＡＭ３９が接続されている。そして，制御ＣＰＵ２０は専用の発振子２０ａにて生成されたクロック信号を受けて動作し，ＰＷＭ信号出力回路２６及びＡ／Ｄ変換器３４は，この発振子２０ａとは異なるＰＷＭ信号生成用の発振子２６ａにて生成されたクロック信号を受けて動作する。つまり，ＰＷＭ信号出力回路２６及びＡ／Ｄ変換器３４は，同一発振子２６ａからのクロック信号により同期して動作し，制御ＣＰＵ２０は，ＰＷＭ信号出力回路２６及びＡ／Ｄ変換器３４とは異なる発振子２０ａからのクロック信号により，これら各回路とは非同期に動作する。
【００６９】次に，ＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２及びＡ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６の構成及びこれら各部に格納されるデータ構造について説明する。まず，ＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２は，図２（ａ）に示すように，４個のリニアソレノイドＬ０〜Ｌ３を夫々デューティ駆動するためのＰＷＭデータとして，各ＰＷＭ信号PWM0〜PWM3毎に，各ＰＷＭ信号PWM0〜PWM3の周期CYCL(0)〜CYCL(3)を表すデータ（周期データ）と，各ＰＷＭ信号PWM0〜PWM3の１周期内に，ＰＷＭ信号PWM0〜PWM3をHighレベルにして，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３の通電経路に設けられたスイッチング素子をオンするためのオン時間ＴON(0)〜ＴON(3)を表すデータと，このデータが制御ＣＰＵ２０にて更新された直後であるか，或いは，データ更新後に既にＰＷＭ信号の生成に使用されたかを表す更新フラグOVW(0)〜OVW(3)と，からなる３種類のデータを各々格納できるように構成されている。
【００７０】そして，このＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２内のＰＷＭデータは，制御ＣＰＵ２０が各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３をデューティ駆動するためのデューティ比を演算する度に更新され，更新フラグOVW(0)〜OVW(3)は，その更新の度にセット（OVW ←High）される。また，ＰＷＭ信号出力回路２６は，このＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２からＰＷＭデータを読み出すことにより，各リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３をデューティ駆動するためのＰＷＭ信号を生成するが，ＰＷＭデータを読み出した際に，対応する更新フラグOVW(0)〜OVW(3)がセットされていれば，これをリセット（OVW ←Low ）することにより，そのＰＷＭデータは更新直後の値ではないことを記憶する。
【００７１】一方，Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６は，図２（ｂ）に示すように，制御対象となる４個のリニアソレノイドＬ０〜Ｌ３に対応したデータ値を，夫々，チャンネル０（ch0） 〜チャンネル３（ch3） のデータ値（検出変換値）として，各チャンネルch0〜ch3毎に，過去１６個分記憶できるようにされている。そして，Ａ／Ｄ変換器３４は，例えば，リニアソレノイドＬ０の検出電流値については，チャンネル０（ch0） のデータ記憶領域に，dat[0,0]，dat[0,1]，… dat[0,15]と記憶してゆき，その後は，データ番号順に，検出電流値を順に更新してゆくことで，各チャンネルch0〜ch3毎に，夫々，最新の検出電流値を，過去１６個分記憶させる。」
・「【００８８】次に，図５は，制御ＣＰＵ２０において，例えば２ｍsec.毎に繰り返し実行される制御量演算処理を表すフローチャートであり，図６は，その動作を説明するタイムチャートである。図５に示す如く，この制御量演算処理では，まずＳ３１０にて，Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６に各チャンネルch0〜ch3毎に記憶された電流値の和を表す演算データ（以下電流積算値という）SUM を値「０」に初期化し，続くＳ３２０にて，カウンタmmに，Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６の最大アドレス値SN2 を設定する。そして，続くＳ３３０では，Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６に記憶されたチャンネルchm の検出電流値の中から，上記カウンタmmの値に対応したアドレスの検出電流値dat[chm，mm]を読み出し，この検出電流値dat[chm，mm]を電流積算値SUM に加えることにより，電流積算値SUM を更新する。そして更に，続くＳ３４０では，カウンタmmの値をデクリメント（−１）し，続くＳ３５０にて，カウンタmmの値が負になったか否かを判断し，カウンタmmの値が負でなければ，再度Ｓ３３０に移行する。
【００８９】つまり，上記Ｓ３１０〜Ｓ３５０の処理では，Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６に記憶されたチャンネルchm の１６個の検出電流値[chm，0]〜[chm，15] を，アドレスが最も大きい検出電流値[chm，15] から順に読み出し，電流積算値SUM に加算することにより，これら１６個の検出電流値[chm，0]〜[chm，15] の和を算出するのである。尚，Ｓ３３０で読み出す検出電流値のチャンネルchm は，当該処理を実行する度に，０〜３のいずれかに順に更新されるカウンタchm の値によって特定される。
【００９０】次に，Ｓ３５０にて，カウンタmmの値が負になったと判断されると（換言すれば，チャンネルchm の検出電流値の和を表す電流積算値SUM が求められると），Ｓ３６０に移行して，この電流積算値SUM をｎ回（本実施例では６回）右にシフトすることにより平均電流値VIO を算出する。
【００９１】つまり，積算値SUM を構成するＡ／Ｄ変換１回当たりのＡ／Ｄ変換値の個数は，６４個（＝４×１６）であり，２６ 個となる。そして，デジタルデータを２nで除算するには，デジタルデータを除算すべき値の指数ｎ分右へシフトさせ，デジタルデータの下位ｎビット分を除去若しくは小数点以下のデータとした上位のビットデータをとればよい。そこで，Ｓ３５０では，電流積算値SUM からＡ／Ｄ変換１回当たりのＡ／Ｄ変換値（＝SUM ／２６ ）を求めるために，デジタルデータである電流積算値SUM を，除算すべき値２ｎの指数ｎ（＝６）分だけ右へシフトさせることにより，Ａ／Ｄ変換値の平均値（平均電流値）VI0 を算出するのである。尚，Ｓ３６０の処理は，請求項１〜請求項３に記載の平均値演算手段，請求項４，５に記載の平均電流演算手段に相当する。
【００９２】こうして，平均電流値VIO が算出されると，今度は，この平均電流値VIO とＤＭＡ２４を介してホストＣＰＵ１２から取り込んだ目標電流値VR(chm) との偏差EV(chm) に基づき，チャンネルchm のリニアソレノイドをデューティ駆動するためのデューティ比D0(chm) を求め，このデューティ比に基づきＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２に書き込むＰＷＭデータを算出するフィードバック計算を行う（Ｓ３７０〜Ｓ４１０）。
【００９３】このフィードバック計算では，まず，前回求めたチャンネルchm の電流偏差EV(chm) をEVOLD として設定（Ｓ３７０）した後，Ｓ３６０で今回求めたチャンネルchm の平均電流値VIO と目標電流値VR(chm) との偏差EV(chm) を算出し（Ｓ３８０），この偏差EV(chm) と，前回求めた偏差EVOLD と，予め設定された制御ゲインKP，KI（KP；比例ゲイン，KI；積分ゲイン）とをパラメータとする次式に基づき，デューティ比D0(chm) の補正値DD0(chm)を求める（Ｓ３９０）。
【００９４】
DD0＝KP×［｛EV(chm)−EVOLD｝＋KI×EV(chm)］
そして，現在設定されているチャンネルchmのデューティ比D0(chm) に補正値DD0（chm）を加えることにより，デューティ比D0（chm）を更新し（Ｓ４００），更に，この更新したデューティ比D0（chm） と，チャンネルchm のリニアソレノイドＬ(chm) に対して予め設定されたＰＷＭ信号の周期CYCL(chm) とから，ＰＷＭ信号１周期当たりのスイッチング素子（ＮＰＮトランジスタ２９，ＦＥＴ２８）のオン時間ＴON(chm) を，次式の如く算出する（Ｓ４１０）。
【００９５】
ＴON(chm) ＝（D0(chm)／100）×CYCL(chm)
尚，上式において，デューティ比D0(chm) を「１００」で割っているのは，デューティ比D0（chm）の単位がパーセント（％）であるためである。次に，このようにチャンネルchm のＰＷＭデータとして，スイッチング素子のオン時間ＴON(chm) が算出されると，今度は，Ｓ４２０にて，このオン時間ＴON(chm) と，ＰＷＭ信号の周期CYCL(chm) とを，夫々，ＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２の対応するチャンネルのアドレス領域に格納し，続くＳ４３０にて，ＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２内のチャンネルchm の更新フラグOVW(chm)をセットすることにより，ＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２内のチャンネルchm のリニアソレノイドＬ(chm) に対するＰＷＭデータを書き換える。
【００９６】そして，続くＳ４５０では，平均電流値及びＰＷＭデータの対象となるリニアソレノイドＬ(chm)のチャンネルを特定するカウンタchm の値をインクリメント（＋１）し，続くＳ４５０にて，このカウンタchm の値が，リニアソレノイドＬ０〜Ｌ３のチャンネル数SNCH（本実施例では４）以上になったか否かを判断する。そして，カウンタchm の値がチャンネル数SNCH以上であれば，Ｓ４６０にて，カウンタchm の値を初期値「０」に設定した後，当該処理を終了し，逆にカウンタchm の値がチャンネル数SNCH未満であれば，そのまま当該処理を終了する。
【００９７】以上のように，制御ＣＰＵ２０においては，所定の演算周期（２ｍsec.）毎に，カウンタchm の値で特定されるリニアソレノイドＬ(chm) に流れた平均電流値VIO を求め，この平均電流値VIO と目標電流値VRとからリニアソレノイドＬ(chm) をデューティ駆動するためのデューティ比を算出し，このデューティ比に応じてＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２内のチャンネルchm のＰＷＭデータを書き換える。そしてカウンタchm は，ＰＷＭデータの書き換えが完了する度に，上記Ｓ４４０〜Ｓ４６０の処理によって０〜３のいずれかの値に順に更新されることから，ＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２内の各チャンネルch0〜ch3のＰＷＭデータは，制御量演算処理が４回実行される度（換言すれば，８ｍsec.毎）に書き換えられることになる（図６参照）。」
     
・段落【００６６】より，Ａ／Ｄ変換器３４は電流検出信号（電圧）を一定のＡ／Ｄ変換周期で順に取り込むものだから，読み取り手段であるといえる。また，段落【００７７】より，Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６は，最新の検出電流値を過去１６個分記憶させるものであるから，読み取り手段であるＡ／Ｄ変換器３４は，複数の電流を検出しているといえる。
・段落【００８８】〜【００９５】より，制御用ＣＰＵ２０では，平均電流値VIOと目標電流値VRとの偏差EVからデューティ比の補正値DDOを求めて，デューティ比DOを更新し，デューティ比DOに基づき受渡用ＲＡＭ２２に書き込んでいるから，制御ＣＰＵ２０は，デューティ比を補正し，これをＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２に書き込んでいるといえる。
  　
　以上の記載を整理し，本願補正発明にならって表現すると，刊行物１には，次の発明が記載されていると認めることができる（以下，この発明を「刊行物１記載の発明」と言う。）。  
　「電磁弁等の動力源であるリニアソレノイドの制御のための装置において，Ａ／Ｄ変換器３４を含む読み取り手段を有しており，該読み取り手段は，電流検出用の抵抗Ｒ０の両端端子電圧から複数の電流を検出し，最新の検出電流値を過去１６個分Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６に記憶させ，
　制御ＣＰＵ２０を有しており，制御ＣＰＵ２０はＡ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６に記憶させた検出電流値の電流平均値VIOを算出し，
　制御ＣＰＵ２０は平均電流値VIOと目標電流値VRとの偏差EVを算出して，デューティ比を補正し，これをＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２に書き込み，
　さらにＰＷＭ信号出力回路２６を有しており，該ＰＷＭ信号出力回路２６は前記デューティ比に基づいてリニアソレノイドをデューティ駆動するように構成されている装置。」
　
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用文献２として示された特開２００１−２８０１８９号公報（以下「刊行物２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。  
 ・「【特許請求の範囲】
【請求項１】パルス状制御信号を印加することで導通遮断する半導体スイッチング素子によってコイルに流れる電流を通流遮断して電磁弁を開閉弁するものにおいて，
弁の全開位置および全閉位置に現れる駆動電流の変位点の少なくともいずれか一方を検出し，
当該駆動電流のいずれかの変位点と前記パルス状制御信号の立ち上がり点，もしくは立ち下がり点との関係から前記半導体スイッチング素子に印加する制御信号のパルス幅を制御する電磁式燃料噴射弁の制御方法。
【請求項２】前記弁の全開位置および全閉位置に現れる駆動電流の変位点から弁の全開点もしくは全閉点を検出し，
当該弁の全開点，全閉点のいずれかと前記パルス状制御信号の立ち上がり点，もしくは立ち下がり点のいずれかとの関係から，開弁もしくは閉弁遅れ時間の少なくとも一方を検出し，
当該開，閉弁遅れ時間に基づいて前記半導体スイッチング素子に印加する制御信号のパルス幅を制御する請求項１記載の電磁式燃料噴射弁の制御方法。」
・「０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は内燃機関の電磁式燃料噴射弁の制御方法に関し，具体的にはパルス状制御信号を印加することで導流遮断する半導体スイッチング素子によってコイルに流れる電流を通流遮断して電磁弁を開閉弁する電磁式燃料噴射弁の制御方法に関し，燃料としてはガソリンだけでなくＣＮＧガスであっても良い。」
・「【００４６】図３は，上記噴射弁に印加される駆動パルス，コイルに流れる駆動電流，および可動弁のリフトの時間的変化状況を示す図である。
【００４７】この図に示すように，駆動電流はコイルの抵抗とインダクタンスからなる立ち上がり特性で立ち上がり，印加電圧と供給電流の関係によって決まる飽和電流値に落ちつく。
【００４８】また，印加パルスがカットされると電流はすぐに立ち下がるように駆動回路が構成されている。
【００４９】噴射弁の開弁時における，電流変化（流れ初めから飽和電流に到達するまでの間の変化）を見ると，プランジャ３のショルダ部１８がストッパ１７に衝突した直後に，磁路内のインダクタンスがそれまでの変化とは異なった変化を生じ，その結果電流の変化に変位点が生じることが分かった。
【００５０】そこでこの駆動電流の変化を微分してみると，電流の変位点で微分値に変極点が現れることが分かった。
【００５１】従って，この変位点と駆動パルスの立ち上がり点との時間差を求めれば開弁遅れＴａが検出できる。
【００５２】一方，閉弁時における，電流変化（電流の立ち下がり点から零電流に到達するまでの間の変化）を見ると，可動弁体４が弁座６に衝突した直後に，磁路内のインダクタンスがそれまでの変化とは異なった変化を生じ，その結果電流の変化に変位点が生じることが分かった。
【００５３】そこでこの駆動電流の変化を微分してみると，電流の変位点で微分値に変極点が現れることが分かった。
【００５４】従って，この変位点と駆動パルスの立ち下がり点との時間差を求めれば閉弁遅れＴｂが検出できる。
【００５５】かくして求めた開弁遅れＴａ，閉弁遅れＴｂと初期の開弁遅れＴａ，閉弁遅れＴｂとを比較してその変化分ΔＴａ，ΔＴｂを検出し，ΔＴａ，ΔＴｂに基づいて駆動パルスＴｐを補正制御すれば噴射弁の経年劣化や，異常による燃料噴射量の変動を抑制でき，常時適正な燃料量を供給できる。
【００５６】ここで，開弁遅れＴａは吸引力からスプリング力を引いた力できまるが，閉弁遅れＴｂはスプリング力のみによって決まっているため，各部の摩耗で摺動抵抗が増えたり，引っ掛かりが出たりして変化する影響，すなわち噴射弁の経年劣化や，異常が，閉弁遅れＴｂにはっきりと現れる。
【００５７】このように，閉弁遅れＴｂの変化によって噴射量が変動する割合の方が大きいので閉弁遅れＴｂの変化による補正だけでも十分効果が認められるが，好適には開弁遅れＴａの変化による補正も付加した方がより正確な補正ができる。」
・「【００６６】電流検出回路６３はコイルに流れる電流ＩＡによって電流検出用抵抗６２の端子に発生する電圧を検出しエンジンコントロールユニットＥＣＵに送る。
【００６７】ＥＣＵを構成するマイクロコンピュータは，図７（ｂ）に示すタイマー割り込みによって定期的に実行されるサブルーチンに基づいて，電流検出回路６３の出力を読み込む。
【００６８】マイクロコンピュータは読み込んだ電流検出回路６３の出力を微分演算し，その結果から電流ＩＡの開弁時あるいは閉弁時の電流の変位点を検出する。
【００６９】この変位点のデータとメインルーチンで求めた燃料噴射パルスＴＰの立ち上がり点データ及び立ち下がり点データとから立ち上がり，立ち下がり遅れ時間データを算出する。
【００７０】メインルーチンではエンジンの回転数や吸入空気量の検出データを読み込み，燃料の基本噴射パルス幅ＴＰを演算する。
【００７１】次に，別途求められた立ち上がり，立ち下がり遅れ時間変化分に応じて基本噴射パルス幅ＴＰを補正し，補正された噴射パルスによってコイル９へ通電する。かくして立ち上がり，立ち下がり遅れ時間が変化しても初期状態と同じ燃料量（同じ開弁パルス幅に対し）が得られる。」
                                    
３．対比・判断  
（１）本願補正発明と刊行物１記載の発明を対比する。  
　後者の「電磁弁等の動力源であるリニアソレノイドの制御」は，前者の「電磁バルブの制御」に相当し，以下同様に，「Ａ／Ｄ変換器３４」は，「アナログ／デジタル変換器」に，「Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６」は，「第１のメモリ（２１０）」に，「制御ＣＰＵ２０」は，「評価手段」及び「算出手段」に，「ＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２」は，「第２のメモリ（２２０）」に，「ＰＷＭ信号出力回路２６」は，「制御手段」に，「デューティ比」は，「駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量」に，「リニアソレノイド」は，「出力段」に，「デューティ駆動」は，「駆動制御」に，それぞれ相当する。
　後者の「読み取り手段は，電流検出用の抵抗Ｒ０の両端端子電圧から複数の電流を検出し」は，電圧及び電流を検出しているといえるから，前者の「読み取り手段は，複数の電流及び電圧値を検出し」に相当する。
　後者の「最新の検出電流値を過去１６個分Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６に記憶させ」る態様と，前者の「経過のマッピングのために複数の電流及び電圧の経過を第１のメモリ（２１０）へ書き込」む態様とは，「複数の電流を第１のメモリへ書き込」む概念で共通する。
　そして，過去１６個分の検出電流値の電流平均値を算出することは，分析を実施することと解されるから，後者の「制御ＣＰＵ２０を有しており，制御ＣＰＵ２０は，Ａ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６に記憶させた検出電流値の電流平均値VIOを算出」する態様は，前者の「評価手段を有しており，該評価手段は経過分析を実施」する態様とは，「評価手段を有しており，該評価手段は分析を実施」という概念で共通する。
　後者の「制御ＣＰＵ２０は平均電流値VIOと目標電流値VRとの偏差EVを算出して，デューティ比を補正し，これをＰＷＭデータ受渡用ＲＡＭ２２に書き込」む態様と，前者の「算定手段を有しており，該算定手段は経過分析に基づいて，駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量を補正し，それを第２のメモリ（２２０）に書き込」む態様とは，「算定手段を有しており，該算定手段は分析に基づいて，駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量を補正し，それを第２のメモリに書き込」む概念で共通する。
   
　そうすると，両者の一致点及び相違点は，次のとおりである。  
[一致点]  
「電磁バルブの制御のための装置において，
　アナログ／デジタル変換器を含む読み取り手段を有しており，該読み取り手段は，複数の電流及び電圧値を検出し，前記複数の電流を第１のメモリへ書き込み，
　評価手段を有しており，該評価手段は分析を実施し，
　算定手段を有しており，該算定手段は前記分析に基づいて，駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量を補正し，それを第２のメモリに書き込み，
　さらに制御手段を有しており，該制御手段は前記制御量に基づいて出力段を駆動制御するように構成されている装置。」 
　   
[相違点１]  
　読み取り手段が，本願補正発明は，「アナログ／デジタル変換器及びＤＭＡ」を含むのに対し，刊行物１記載の発明は「アナログ／デジタル変換器」を含む点。
[相違点２]
　読み取り手段から第１のメモリへの書き込みに関して，本願補正発明は，「経過のマッピングのために複数の電流及び電圧の経過」を書き込むのに対し，刊行物１記載の発明では，「複数の電流」を書き込む点。  
[相違点３] 
　評価手段に関して，本願補正発明は，「経過分析」を実施するのに対し，刊行物１記載の発明は，「分析」を実施する点。また，算定手段に関して，本願補正発明は，「経過分析」に基づいて，駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量を補正するのに対し，刊行物１記載の発明は，「分析」に基づいて，駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量を補正する点。
[相違点４] 
　算定手段に関して，本願補正発明は，「経過分析に基づいてバルブの開閉時点を求め」るのに対して，刊行物１記載の発明では，そのような構成を有していない点。  
            
（２）相違点について検討する。  
［相違点１］について  
　読み取り装置として，直接データ転送を行うＤＭＡを設けることは周知の技術であり，刊行物１においても，ホストＣＰＵ１２と制御ＣＰＵ２０との間にＤＭＡ２４を設けたことが開示されている。
　よって，刊行物１記載の発明において，読み取り装置として，アナログ／デジタル変換器及びＤＭＡを含むように構成することは，当業者が適宜なし得る程度のことである。
　
［相違点２］［相違点３］について  
　一般に，制御装置において，電流や電圧等のどの測定値を制御に用いるかは，制御の内容に応じて当業者が適宜設定し得るものであるところ，電磁バルブの制御装置において，電流及び電圧をフィードバックして制御することは，例えば，特開２００２−２３１５３０号公報の段落【００２５】，【００２６】に記載されているとおり，周知の技術である。
　よって，第１のメモリに複数の電流及び電圧を書き込むことは，当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
　一方，刊行物１記載の発明では，複数の電流を検出してＡ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６（第１のメモリ）に記憶させて，制御ＣＰＵ２０によりフィードバック制御を行うものであるが，刊行物１の段落【００２０】には，フードバック制御以外にも，例えば，制御対象となる装置の動作状態を検出して，その動作状態が適正範囲からずれた場合に，制御対象の動作を切り替える制御システムに適用できることが示唆されている（以下，「刊行物１記載の示唆」という。）。
　そして，刊行物１記載の示唆における装置の動作状態とは，動作状態の測定値の経過を意味するものであるといえる。また，経過をマッピングすることは，当業者が制御装置を設計するにあたり，必要に応じて適宜採用し得る事項にすぎない。
　以上を踏まえれば，刊行物１記載の発明のＡ／Ｄデータ受渡用ＲＡＭ３６（第１のメモリ）に，「経過のマッピングのために複数の電流及び電圧の経過」を書き込むこと，そして，「経過分析」を実施すること，「経過分析」に基づいて，駆動制御を特徴付ける少なくとも１つの制御量を補正することは，当業者が格別の創作能力を要することなく想到し得たことである。 
　
［相違点４］について 
　刊行物２には，駆動電流の変化から，弁の開閉時点を検出して，開弁遅れ時間及び閉弁遅れ時間を求め，これに基づいて制御信号のパルス幅を制御する電磁式燃料噴射弁の制御装置が開示されている（以下，「刊行物２記載の技術的事項」という。）。
　刊行物１記載の発明と刊行物２記載の技術的事項とは，電磁弁の制御装置という点で共通するものである。
　そして，刊行物１記載の示唆を踏まえれば，刊行物１記載の発明に刊行物２記載の技術的事項を適用し，第１のメモリに書き込まれた電流の経過分析に基づいて，バルブの開閉時点を求めることは，当業者が格別の創作能力を要することなくなし得たことである。 
　
　また，本願補正発明の効果についてみても，刊行物１記載の発明，刊行物２記載の技術的事項及び周知の技術からみて格別顕著な効果が奏されるということもできない。  
    
（３）以上を踏まえると，本願補正発明は，刊行物１記載の発明，刊行物２記載の技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明し得たものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。　　  
　
（４）まとめ  
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。  
    
第３　本願発明について  
１．本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の各請求項に係る発明は，原審において提出された平成２４年２月８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲に記載されたとおりのものであるところ，その請求項１は「第２　１．（１）」に記載したとおりである（以下，この請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。  
    
２．刊行物  
　刊行物１及びその記載事項並びに刊行物１記載の発明は，「第２　２．」に記載したとおりである。  
    
３．対比・判断  
　本願発明は，「第２」で検討した本願補正発明から前記の限定事項を省いたものに相当する。  
　そうすると，本願発明と刊行物１記載の発明とを対比した場合の相違点は，上記「第２　３．（１）」で述べた相違点１ないし３と同様のものになるから，上記「第２　３．（２）」の検討内容をふまえれば，本願発明は，刊行物１記載の発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものと言うことができる。  
    
４．むすび  
　以上のとおりであるから，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は，拒絶されるべきものである。  
　よって，結論のとおり審決する。