【事件の表示】
　特許第３１９４４１０号「ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１９４４１０号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第３１９４４１０号に係る発明は、平成６年９月９日（優先権主張平成６年８月５日）に特許出願され、平成１３年６月１日にその特許の設定登録がされ、その後、異議申立人田辺まさ子及び須田武より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年６月１０日に訂正請求がなされ、その後、訂正拒絶理由通知がなされたが、応答がされなかったものである。
１．１　異議申立ての概要  
　異議申立人田辺まさ子は、甲第１号証（特開平６−８３０３４号公報）並びに参考資料１（特開昭５７−１０４１４１号報）、参考資料２（特開昭６３−５２１４１号報）、参考資料３（特開昭６３−５２１４２号報）及び参考資料４（特開平５−２１３１０号報）を提出し、本件請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件請求項１及び２に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　異議申立人須田武は、甲第１号証（特開平６−１７５３４６号公報）、甲第２号証（特開平６−７５３６１号公報）及び甲第３号証（特開平５−２８９３０５号公報）を提出し、本件請求項１及び２に係る発明は、甲第１〜甲第３号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件請求項１及び２に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　また、異議申立人須田武は、本件特許第３１９４４１０号は、その明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載が、不備のため、本件請求項１及び２に係る特許は、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に係る発明に対してされたものであるので、本件本件請求項１及び２に係る特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の(【０１７５】〜【０１８５】欄)には、「【０１７５】実施例１６
次に、この露光マスク用基板を用い前述した例と同様の方法で露光用マスクを形成する。ここでは前記実施例１１で作成した露光マスク用基板を用いる。この露光マスク用基板は、ＫｒＦエキシマレーザ用位相シフトマスクを作成するための基板であり、厚さ２．５mmの酸化シリコン基板９０上に、位相シフタとなる半透明膜として窒化シリコン膜ＳｉＮ0.9 ９１を形成し、この上層に遮光膜としてＣｒ膜９２を形成しさらにこの上層を反射防止層としてのＣｒＯ膜９３で被覆して構成されている。
【０１７６】まず、図１０(a) に示すように露光マスク用基板表面に電子線レジスト９４を膜厚５００nmで形成し、さらに塗布性導電膜９５を膜厚２００nmとなるように形成する。
【０１７７】次いで、図１０(b) に示すように電子線により４μＣ／ｃｍ2 でデバイスパターンとデバイスパターン外領域を含むデータにより描画を行い、現像しレジストパターン９４ａを形成する。ここでも、塗布性導電膜９５上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパタ―ン９４ａを形成する。また図中Ｂはパターン領域とパターン外領域の境界を示す。
【０１７８】次いで、図１０(c) に示すように、レジストパタ―ンをマスクとしてＣｌ2 ガスによる反応性イオンエッチングにより、レジストパタ―ンから露出するＣｒ膜およびＣｒＯ膜をエッチング除去したのち、ガスを切り換えＣＦ4 とＯ2 との混合ガスによる反応性イオンエッチングにより、露出している窒化シリコン膜ＳｉＮ0.9 ９１をエッチング除去する。
【０１７９】この後、図１０(d) に示すように、硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりレジストパターンを除去する。これにより遮光膜と半透明膜からなる位相シフトパターンが形成されるが、この際同時に不要な遮光膜を除去するための露光を行うためのアライメントマークＭが形成される。
【０１８０】このようにして図１０(e) に示すように遮光膜と半透明膜からなる位相シフトパターンを形成した後、電子線レジスト９６を膜厚５００nmで形成し、さらに塗布性導電膜９７を膜厚２００nmとなるように形成する。
【０１８１】次いで、図１０(f) に示すように電子線により４μＣ／ｃｍ2 でデバイスパターン外領域にレジスト膜が残るように作成されたデータにより描画を行い、現像しレジストパターン９６ａを形成する。ここでも、塗布性導電膜９７上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパタ―ン９６ａを形成する。
【０１８２】次いで、図１０(g) に示すように、このレジストパタ―ンをマスクとしてＣｌ2 ガスによる反応性イオンエッチングにより、ＣｒＯ膜９３／Ｃｒ膜９２をエッチング除去する。
【０１８３】最後に、図１０(h) に示すように、硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりこのレジストパタ―ンを除去した。
【０１８４】このようにして形成された露光用マスクは、デバイスパターン領域では窒化シリコンとシリコンとの２層膜よりなる半透明膜、デバイスパターン領域外ではＣｒ膜を含む遮光膜となっている。
【０１８５】従ってパターン領域外の内少なくとも転写によるウェハ上に光が到達する領域で、露光光を遮光するようにしているため、複数回の露光を行う場合にもパターンの細りや焦点深度不足を防ぐことができる。」と記載されている。
１．３　異議申立人田辺まさ子が提出した参考資料１の記載内容
　参考資料１の特許請求の範囲第２項には、「透明基板上にクロムからなる薄膜層と、その上に積層された酸化クロム、窒化クロムの２種を主成分としてなる薄膜層とからなるパターン化された多層遮光層を設けてなることを特徴とするフォトマスク。」と記載されている。
１．４　異議申立人田辺まさ子が提出した参考資料２の記載内容
　参考資料２の特許請求の範囲には、「透明基板上に、…前記第２の薄膜層はクロムからなり、前記第１の薄膜層および前記第３の薄膜層は酸化クロムと窒化クロムの２種を主成分と…するフォトマスク。」と記載されている。
１．５　異議申立人田辺まさ子が提出した参考資料３の記載内容
　参考資料３の特許請求の範囲には、「透明基板上に…前記第１の薄膜層はクロムからなり、前記第２の薄膜層は酸化クロムと窒化クロムの２種を主成分と…するフォトマスク。」と記載されている。
１．６　異議申立人田辺まさ子が提出した参考資料４の記載内容
　参考資料４の【００１６】段落には、「通常、フォトマスク用の遮光膜としては、金属クロム膜上に酸化クロム、窒化クロムまたは酸化窒化クロム等の膜を積層させたものが用いられている。」と記載されている。
１．７　異議申立人須田武が提出した甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の請求項１には、「【請求項１】 透明基板上に、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部が設けられた位相シフトマスクを製造する位相シフトマスクの製造法において、前記透明基板上に前記位相シフト部を形成するための位相シフト膜を含む膜を形成する成膜工程と、少なくとも前記位相シフト膜にエッチング処理を含むパターン化処理を行なうパターン形成工程とを有し、前記成膜工程には、前記位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン形成工程における位相シフト膜のパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を備えたことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。」と記載されている。
　甲第1号証の【０００５】及び【０００６】段落には、「【０００５】さらに、図２０はハーフトーン型位相シフトマスクの構成を示す断面図である。図２０に示されるように、この位相シフトマスク９０は、透明基板９１上に、光通過部９３ａと半透光部９３ｂとで構成される半透光膜パターン９３が形成され、この半透光部９３ｂの上に位相シフト部９２ｂが重ねて形成され、非シフト部９２ａが上記光通過部９３ｂと同一の領域に形成されるようにした位相シフト膜パターン９２を設けたものである。半透光部９３ｂは実質的に露光に寄与しない程度の弱い光を透過させるものであるが、この半透光部９３ｂを透過する光に位相シフト部９２ａによって位相シフトを加えることにより、この半透光部９３ｂによる位相シフト量と位相シフト部９２ａによる位相シフト量との和が１８０°になるようにして、光通過部９３ａと半透光部９３ｂとを通過した光の位相が互いに反転するようにし、これによりこれらの境界部を通過した光が互いに打ち消しあって境界部のコントラストが向上されるようにしたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の位相シフトマスクは、いずれも位相シフト部と光通過部とを隣接させたときに両者を通過する光の位相差によってその境界部で光が互いに相殺されることを利用したものである。ここで、この境界部における相殺効果を良好に得るためには、位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になっている必要がある。これは、もし、この境界面が基板に対してある角度をなして断面がテーパ状になっていると、この境界部における位相シフト量がテーパ状面に沿って徐々に変化し、所定の相殺効果が得られなくなるからである。」と記載されている。
　甲第1号証の【００１３】段落には、　「【００１３】【作用】上述の構成１によれば、成膜工程に、位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、パターン形成工程で、この補助膜もパターン化し、その上にパターン形成用レジストパターンを設けてこれをマスクにしてエッチングを行うことにより、このエッチングが進行するにつれてある程度レジストもエッチングされるが、この補助膜のエッチング耐性作用によってその影響が位相シフト膜のパターンを仕切る境界面には及ばないようにすることができる。これにより、位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成することが可能になる。」と記載されている。
　甲第1号証の【００１８】〜【００２３】段落には、「【００１８】次いで、この位相シフト膜２０上に、半透光膜３０と同じ材料であるＣｒをスパッタリング法で膜厚２０ｎｍに成膜して補助膜４０を形成して位相シフトマスクブランク１００を得る（図１参照）。
【００１９】こうして得た位相シフトマスクブランク１００は、透明基板１の上に半透光膜３０、位相シフト膜２０及び補助膜４０が順次形成されたものである。
【００２０】パターン形成工程　次に、上記位相シフトマスクブランク１００の補助膜４０の上に、ポジ型電子線レジスト（例えば、東レ株式会社製のＥＢＲー９ＨＳー３１（商品名）がある。）を膜厚５５０ｎｍに塗布し、ベークした後、このレジストに所定のパターンの電子線露光を施し、現像してレジストパターン５を形成する（図２参照）。
【００２１】次に、このレジストパターン５をマスクにして、所定のエッチング液により補助膜４０をエッチングして補助膜パターン４を形成する（図３参照）。
【００２２】次に、このレジストパターン５及び補助膜パターン４をマスクにして、位相シフト膜２０をドライエッチングして位相シフト膜パターン２を得る（図４参照）。なお、このドライエッチングは、反応性ドライエッチング方式（ＲＩＥ）の平行平板型装置を用いる。その場合の条件は、エッチングガスとしてＣＦ4とＯ2との混合ガスを用い、ガス圧を０．１Ｔｏｒｒとし、高周波出力を２００Ｗとする。
【００２３】次いで、残存レジストパターンを熱濃硫酸で除去し（図５参照）、しかる後、所定のエッチング液を用い、位相シフト部２ｂ上に残存する補助膜４をエッチングにより除去すると同時に、半透光膜３０のうち非シフト部２ａの下方の領域の部分をエッチングして除去して透光部３ａと半透光部３ｂとからなる半透光膜パターン３を形成し、位相シフトマスク１０を得る（図６参照）。」と記載されている。
　甲第1号証の【００５２】段落には、　「【００５２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の位相シフトマスクの製造方法は、透明基板上に位相シフト部を形成するための位相シフト膜を含む膜を形成する成膜工程に、位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、位相シフト部の輪郭を仕切る境界面をほぼ透明基板表面に対して垂直に形成できるようにしたものであり、本発明の位相シフトマスクブランクは、本発明の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ているものである。」と記載されている。
１．８　異議申立人須田武が提出した甲第２号証の記載内容
　甲第２号証の請求項１８には、「【請求項１８】 透光性基板と、前記透光性基板上に配設されたマスクパターンを具備したマスクに於いて、前記マスクパターンとして半透明膜と遮光膜を含み、且つ半透明膜を含むパターン形成領域とパターン非形成領域の境界に沿って、パターン非形成領域の部分的或いは全域に遮光膜が配置されていることを特徴とする露光用マスク。」と記載されている。
１．９　異議申立人須田武が提出した甲第３号証の記載内容
　甲第３号証の請求項１には、「【請求項１】 少なくとも基板とその表面に遮光パターンを介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターンとからなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板表面にＣｒＯx 、ＣｒＮy 、ＣｒＣz 、ＣｒＯx Ｎy 、ＣｒＯx Ｃz 又はＣｒＯx ＮyＣz からなるエッチングストッパー層を備えてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。」と記載されている。
２．訂正の適否について
２．１　本件訂正請求の概要
　平成１４年６月１０日付訂正請求の概要は、請求項１の「金属膜をハーフトーン材料膜の上に残して」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「金属膜をメインパターン部領域内のハーフトーン材料膜の上に残して」と訂正し、特許明細書詳細な説明【００２４】段落【実施例】の「Ｃｒ膜」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「Ｃｒ膜の上にＣｒＯ膜を設けた複合膜」と訂正することを含むものである。
２．２　訂正拒絶理由の概要
『メインパターンとハーフトーン材料膜について、【００２２】段落には、「しかしながら、金属膜の利用形態は、そのようなハーフトーン材料膜用のマスクに限られるものではなく、その他の任意の用途に利用できる。例えば、ハーフトーン型位相シフトマスクには、ウェハ等といった露光対象物上に画像として露光される部分であるメインパターンが形成される。露光光は、当然のことながらそのメインパターンを通過するが、それ以外の部分は通過してはならない。ハーフトーン材料膜は、本来、そのような露光光の通過を遮蔽する働きを有しているが、その性質上、露光光のうちの何割かはそのハーフトーン材料膜を通過する。通常、このような微弱な透過光はウェハ等を露光するに足るような十分な光量の光ではないが、何らかの理由によりこの光が２重、３重、４重 ‥‥‥ 等のように重なり合うと、本来は露光してはならないウェハ上の領域が感光してしまうおそれがある。このように、ハーフトーン材料膜を透過する微弱光がウェハ等の上で重なり合うことが考えられる場合には、ハーフトーン型位相シフトマスクのうち透過微弱光がウェハ等の上で重なり合うと考えられる部分に、遮光層を形成することが望ましい。本発明に係るハーフトーン型シフトマスク用ブランクの金属膜は、そのような遮光層として用いることもできる。」と記載されている。
　上記記載によれば、メインパターン部以外にハーフトーン材料膜が形成されていることは明らかであり、特許明細書の他の段落を参照しても、メインパターン部にハーフトーン材料膜が形成されている記載はない。
　そうすると、訂正後の、「金属膜をメインパターン部領域内のハーフトーン材料膜の上に残して」については、願書に添付した明細書又は図面に記載されておらず、また、願書に添付した明細書又は図面から直接的かつ一義的に導き出せる事項でもない。　
　特許明細書詳細な説明【００２４】段落【実施例】の「Ｃｒ膜」を、「Ｃｒ膜の上にＣｒＯ膜を設けた複合膜」と訂正することは、明らかに特許明細書にない実施例を追加するものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載されておらず、また、願書に添付した明細書又は図面から直接的かつ一義的に導き出せる事項でもない。　
　従って、本件訂正請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第１項ただし書の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。』
旨の訂正拒絶理由を通知した。
２．３　訂正の適否についての判断
　本件訂正請求に対して、平成１４年６月１９日付けで訂正拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは何らの応答もない。
　そして、上記訂正拒絶理由は妥当なものと認められるので、本件訂正請求は認められない。
３．異議申立に対する判断
３．１　本件特許の請求項に係る発明
【請求項１】
　透明基板の上に希望パターンのハーフトーン材料膜を形成してなるハーフトーン型位相シフトマスクを製造する製造方法において、
（１）透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層し、
（２）ハーフトーン材料膜の上に該ハーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜を積層し、該金属膜はＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮを積層した複合膜によって構成され、
（３）金属膜の上にレジスト膜を積層し、（４）レジスト膜をパターニングし、
（５）パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパターニングし、
（６）パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングし、さらに
（７）所望パターンの金属膜をハーフトーン材料膜の上に残してレジスト膜を剥離することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】
　請求項１において、前記金属膜の最表面層はＣｒＯによって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
３．２　取消理由通知の概容
『（１．）本件特許第３１９４４１０号の請求項１及び２に係る発明は、その請求項１及び２に記載されたとおりのものである。
（２．）第２９条第２項違反について
（２．１）　引用例
　引用例１（異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１号証）：特開平６−８３０３４号公報
　引用例２（異議申立人須田武が提出した甲第１号証）：特開平６−１７５３４６号公報
　引用例３（異議申立人須田武が提出した甲第２号証：特開平６−７５３６１号公報
　引用例４（異議申立人須田武が提出した甲第３号証）：特開平５−２８９３０５号公報
（２．２）　
　本件請求項１及び２に係る発明は、異議申立人田辺まさ子が提出した異議申立書記載の理由により、上記引用例１記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項１及び２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（２．３）　
　本件請求項１及び２に係る発明は、異議申立人須田武が提出した異議申立書記載の理由により、上記引用例２〜４記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項１及び２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（３．）第３６条違反について
　本件特許第３１９４４１０号は、その明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載が、異議申立人須田武が提出した異議申立書記載の理由により、不備のため、本件請求項１及び２に係る特許は、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に係る発明に対してされたものである。』
３．３　引用例の内容
　上記１．２〜１．９に記載のとおり。
３．４　本件請求項１及び２に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
３．４．１　本件請求項１に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
　本件請求項１に係る発明と異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された「窒化シリコン膜９１」は、本件請求項１に係る発明の「ハーフトーン材料膜」に相当し、甲第１号証の【０１７５】に記載されたＣｒ９２膜とＣｒＯ膜９３の複合膜は、本件請求項１に係る発明の「金属膜」に相当し、甲第１号証に記載された発明において、Ｃｌ２ガスによる反応性イオンエッチングにより、Ｃｒ膜９２とＣｒＯ膜９３とを、エッチング除去したのち、ガスを切り換えＣＦ４とＯ２との混合ガスによる反応性イオンエッチングにより、露出している窒化シリコン膜９１をエッチングしていること及びレジストパターン９６ａをマスクとして、窒化シリコン膜９１を残し、Ｃｒ膜９２とＣｒＯ膜９３とをエッチング除去していることから、Ｃｒ膜９２とＣｒＯ膜９３とが積層された金属膜が、半透明膜に対して選択エッチングが可能であることは明らかであることを考慮し、【０１７５】〜【０１８５】段落を参照すると、両者は、「透明基板の上に希望パターンのハーフトーン材料膜を形成してなるハーフトーン型位相シフトマスクを製造する製造方法において、
（１）透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層し、
（２）ハーフトーン材料膜の上に該ハーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜を積層し、該金属膜は積層した複合膜によって構成され、
（３）金属膜の上にレジスト膜を積層し、（４）レジスト膜をパターニングし、
（５）パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパターニングし、
（６）パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングし、さらに
（７）所望パターンの金属膜をハーフトーン材料膜の上に残してレジスト膜を剥離するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」において一致し、本件請求項１に係る発明では、「該金属膜はＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮを積層した複合膜によって構成され」るのに対し、甲第１号証では、金属膜はＣｒ及びＣｒＯである点で相違する。
　フォトマスクにおいては、金属膜をＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮを積層した複合膜によって構成することは、上記参考資料１〜４からすると周知手段にすぎず、かつ、適用困難性は認められないから、金属膜をＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮを積層した複合膜によって構成することは、当業者が容易になし得たものである。
　なお、本件請求項１に係る発明を上位概念とする本件請求項２に係る発明において、請求項１において、前記金属膜の最表面層はＣｒＯによって構成される」と記載されているから、本件請求項１に係る発明の「金属膜はＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮを積層した複合膜」については、金属膜は、Ｃｒに対し、ＣｒＯ、ＣｒＮ及びＣｒＯＮのうち、任意選択するものと認められる。
　そうすると、上記相違点は、本質的相違をなすとはいえない。
　従って、本件請求項１に係る発明は、異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１号証及び周知手段に基づいて当業者が容易になし得たものである。
３．４．２　本件請求項２に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
　本件請求項２に係る発明の付加事項は、異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１号証の実施例１６に記載された事項であるから、本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明と同様に、異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１号証及び周知手段に基づいて当業者が容易になし得たものである。
４．むすび
  以上のとおりであるから、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月２６日（２００２．９．２６）