【事件の表示】
　特願２０１０−２２６９８６「光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月２９日出願公開、特開２０１２−　６４９１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２２年９月１７日の特許出願であって、平成２２年１１月１６日付けで拒絶理由が通知されたところ、平成２３年１月２３日に特許請求の範囲、明細書及び図面の補正がなされるとともに意見書が提出され、さらに、同年５月２３日付けで拒絶理由が通知されたところ、同年６月１３日に意見書が提出されたが、同年９月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審において平成２４年９月１０日付けで審尋がなされたところ、同年１１月１２日に回答書が提出されたものである。
　
２．原査定の理由
　原査定の理由の一つは、平成２３年１月２３日に明細書及び特許請求の範囲についてした補正（以下「本件補正」という）は、平成２３年５月２３日付けで通知された拒絶理由のとおり、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないというものである。
　
３．本件補正の内容
　本件補正は、当初明細書等の【００１９】の記載
「【００１９】
　尚、太陽電池の製造プロセスは、蒸着、露光、蝕刻（エッチング）など、従来からの、半導体、液晶パネルの製造プロセスを踏襲しており、前記括れ形成部９、および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を形成することは、ＣＶＤ法や選択式露光、等方性エッチング、選択式エッチング、あるいはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械研磨）法であるダマシン法やデュアルダマシン法を選択的に駆使して形成することが出来る。」を
「【００１９】
　尚、太陽電池の製造プロセスは、蒸着、露光、蝕刻（エッチング）など、従来からの、半導体、液晶パネルの製造プロセスを踏襲しており、前記括れ形成部９、および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を形成することは、ＣＶＤ法や選択式露光、等方性エッチング、選択式エッチング、あるいはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械研磨）法であるダマシン法やデュアルダマシン法を選択的に駆使して形成することが出来る。
次に詳しく説明する。シリコン系は結晶の状態により結晶シリコンと薄膜シリコンに分類できる。結晶シリコンは単結晶シリコンと多結晶シリコンに分類できる。薄膜シリコンは微結晶シリコンとアモルファス（非晶質）シリコンに分類できる。シリコン系の結晶型の違いはシリコンの結晶粒界面、つまり結晶欠陥の数の違いであり、結晶欠陥の少ない順に、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、アモルファス（非晶質）シリコンとなる。一般的に前記結晶欠陥の数が少ない、および前記結晶欠陥に伴う不純物の数が少ないほど太陽電池の変換効率は高くなる。つまり、結晶欠陥が多いほど、電気が効率良く流れなくなる。本願発明の括れをどのように生成するかを詳しく説明する。本光電変換装置の基板にｐ型半導体３を使用する。結晶シリコン太陽電池は一般的に高純度シリコンインゴットからシリコンウエーハという薄い板状にしたものを使用する。薄膜シリコンの場合はシリコンウエーハもしくはガラス基板などが使用される。ｐ型半導体３はホウ素原子をｐ型不純物として熱拡散により混ぜて作る。薄膜シリコンの場合は一般的にプラズマＣＶＤ（化学的気相成長法）装置を使用して、シランガスを放電により分解し、結晶シリコンやガラスなどの基板に化学的にシリコンを付着させる。次いで、ホウ素原子をｐ型不純物として熱拡散により混ぜて作り、ｐ型半導体３を形成する。次に括れ形成について説明する。結晶シリコンでは、前記状態のｐ型半導体３の表面にフォトリソグラフィを使用して、露光の深さ方向のフォーカス位置をずらすことで、レジストのパターンプロファイルが少々肩部が垂れる形状になることを利用してパターンを形成し、次にウエットまたはドライエッチングを行って、きのこ柱状の頭部側を形成できる。あるいは、前記状態のｐ型半導体３の表面を薄く酸化した後、シリコンナイトライド膜をＣＶＤで堆積する。次いでフォトリソグラフィを使用してパターンを形成した後に、シリコンナイトライド膜をウエットまたはドライエッチングする。レジストを除去し、残ったシリコンナイトライド膜をマスクにして、前記酸化膜をフッ酸でエッチングする。次いで異方性エッチングをするとＶ字的形状に形成される。一般的にはＫＯＨ−ＩＰＡ系水溶液が知られている。残った酸化膜とシリコンナイトライド膜はウエットまたはドライエッチングする。この方法でも、きのこ柱状の頭部側を形成できる。次いでフォトリソグラフィを使用して前記Ｖ字的形状の開口パターンより小さいパターンをレジストで形成した後に、等方性エッチングのドライエッチングまたはウエットエッチングをする。エッチングが回り込むことによって、アンダーカット（サイドエッチング）が得られる。次いでレジストは除去する。このようにして括れ形成部９を得ることができる。エッチング底面も同時に波形状を得ることができる。薄膜シリコンの場合は、前記薄膜シリコンのｐ型半導体３を形成後に前記結晶シリコンと同様に、エッチングを２段階に行って、括れ形成部９を得ることができる。あるいは、前記プラズマＣＶＤ装置を使用して、シランガスを放電により分解し、結晶シリコンやガラスなどの基板に、化学的にシリコンを付着させた後に、酸化膜またはシリコンナイトライド膜を堆積し、次いでフォトリソグラフィを使用してパターンを形成した後に、前記パターンをマスクにして前記酸化膜または前記シリコンナイトライド膜をドライエッチングすると、開口が得られる。次いで前記プラズマＣＶＤ装置を使用して、シランガスを放電により分解し、前記開口パターン形成済の酸化暎またはシリコンナイトライド膜上に化学的にシリコンを付着させる。次いで、余分な薄膜シリコンをＣＭＰして、薄膜シリコン柱を形成する。次いで、前記薄膜シリコン柱を形成済みの上面に、酸化膜またはシリコンナイトライド膜を堆積し、次いで、フォトリソグラフィを使用して前記薄膜シリコン柱の上面サイズより少々大きいレジストパターンを形成した後に、前記レジストパターンをマスクにして前記酸化膜または前記シリコンナイトライド膜をドライエッチングする。次いで、前記プラズマＣＶＤ装置を使用して、シランガスを放電により分解し、前記パターン形成済の酸化膜またはシリコンナイトライド膜上に化学的にシリコンを付着させる。次いで、余分な薄膜シリコンをＣＭＰすると、Ｔ字状断面形を成す薄膜シリコン柱が形成される。つまり、ダマシン法を２回行うことで、Ｔ字状断面形を成す薄膜シリコン柱が形成される。あるいは、デュアルダマシン法を利用しても良い。デュアルダマシン法を利用する場合は、前記プラズマＣＶＤ装置を使用して、シランガスを放電により分解し、結晶シリコンやガラスなどの基板に、化学的にシリコンを付着させた後に、第１の酸化膜を堆積し、次いで前記プラズマＣＶＤ装置を使用してシリコンナイトライド膜を堆積し、さらに前記プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の酸化膜を堆積する。次いでフォトリソグラフィを使用してレジストパターンを形成した後に、前記レジストパターンをマスクにして前記第２の酸化膜と、前記シリコンナイトライド膜と、前記第１の酸化膜をドライエッチングして開口する。次いで、フォトリソグラフィを使用して前記開口より少々大きいレジスト開口パターンを形成した後に、前記レジストパターンをマスクにして前記第２の酸化膜をドライエッチングする。前記第２の酸化膜の開口サイズは、前記シリコンナイトライド膜と、前記第１の酸化膜の開口サイズより少々大きくなる。これはシリコンナイトライド膜のエッチング速度が酸化膜のエッチング速度に比べて十分小さく、シリコンナイトライド膜がエッチングストップの作用を生じるからである。次いで、前記プラズマＣＶＤ装置を使用して、シランガスを放電により分解し、前記パターン形成済の酸化膜またはシリコンナイトライド膜上に化学的にシリコンを付着させる。次いで、余分な薄膜シリコンをＣＭＰすると、Ｔ字状断面形を成す薄膜シリコン柱が形成される。前記Ｔ字状断面形を成す薄膜シリコン柱の表面に、フォトリソグラフィを使用して、露光の深さ方向のフォーカス位置をずらすことで、レジストのパターンプロファイルが少々肩部が垂れる形状になることを利用してパターンを形成し、次に、ウエットまたはドライエッチングを行って、きのこ柱状の頭部側を形成できる。次いで、フォトリソグラフィを使用して、きのこ柱状の頭部サイズと同等の開口パターンをレジストで形成した後に、等方性エッチングのドライエッチングまたはウエットエッチングをする。エッチングが回り込むことによって、アンダーカット（サイドエッチング）が得られる。次いでレジストは除去する。このようにして括れ形成部９を得ることができる。エッチング底面も同時に波形状を得ることができる。ｐ型半導体３に括れ形成部９および括れの下方側に形成してなる抉れ部１０を得た後は、ｎ型半導体５を作る。ｎ型半導体５はリン元素をｎ型不純物として熱拡散により混ぜて作る。前記ｐ型不純物、ｎ型不純物濃度を微調整するときは、フォトリソグラフィを使用してパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクにしてホウ素イオンやリンイオンを使用してイオン注入を行う。前記イオン注入後に、ｐ＋拡散層４やｎ＋拡散層６が得られる。その後に加熱アニールにより、結晶性を整えてｐｎ接合ができる。ｐ＋拡散層４を作るためのリンイオン注入の実施順は、加熱アニールの前であれば良い。次に、光が当たるｎ型半導体５に、蒸着等を利用してＩＴＯ等の透明電極層７をつける。次に、蒸着等を利用して全面にアルミニウムやＡｇ等をつける。次いで、フォトリソグラフィを使用してパターンを形成し、次いで、ドライエッチング等で取り出し電極８を形成する。裏面については残していた酸化膜２に、フォトリソグラフィを使用してパターンを形成し、裏面からの電極取り出しのパターンを形成する。次いで、スクリーン印刷や蒸着を使用して、裏面電極層１を形成する。前記裏面電極層１については、一般的にアルミニウムやＡｇ等の使用が知られている
と補正することを含むものである。
　
４．当審の判断
（１）特許法第１７条の２（平成２３年法律第６３号による改正前のもの。以下同じ。）は、次に抜粋して示すものである。
「第十七条の二（略）
２ （略） 
３ 第一項の規定により明細書、特許請求の範囲又は図面について補正をするときは、誤訳訂正書を提出してする場合を除き、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（第三十六条の二第二項の外国語書面出願にあつては、同条第四項の規定により明細書、特許請求の範囲及び図面とみなされた同条第二項に規定する外国語書面の翻訳文（誤訳訂正書を提出して第二項に規定する外国語書面の翻訳文（誤訳訂正書を提出して明細書、特許請求の範囲又は図面について補正をした場合にあつては、翻訳文又は当該補正後の明細書、特許請求の範囲若しくは図面）。第三十四条の二第一項及び第三十四条の三第一項において同じ。）に記載した事項の範囲内においてしなければならない。
４以下（略）」
　
（２）しかるところ、本件補正により本願明細書の【００１９】に追加された上記下線が付された部分は、当初明細書等に記載されておらず、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえない。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないものである。
　
（３）請求人は、審判請求書において、『出願人は、新しい部品や材料を加えたり、「当初明細書等」に記載の無かった新たな効果や作用は加えていない』と主張するが、特許法第１７条の２第３項の規定は、上記（１）のとおりであって、部品や材料、あるいは効果や作用についての補正に限って適用されるものではないから、請求人の同主張は、上記（２）の判断を左右するものではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないものであるから、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。