【事件の表示】
　特願２００９−　　７４６６「電解コンデンサに使用するために有機酸でエッチングされた焼結アノードペレット」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　８月　６日出願公開、特開２００９−１７７１７４、請求項の数（２６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
【第１】手続の経緯
　
［１］手続の概要
　本願は，平成２１年１月１６日（パリ条約による優先権主張，平成２０年１月２２日，米国）の出願であって，手続きの概要は以下のとおりである。
　
　拒絶理由通知　　　　　：平成２４年　５月１０日（起案日）
　意見書提出　　　　　　：平成２４年　８月２０日
　補正書提出　　　　　　：平成２４年　８月２０日
　拒絶査定　　　　　　　：平成２４年１０月２４日（起案日）
　拒絶査定不服審判請求　：平成２５年　３月　５日
　補正書提出　　　　　　：平成２５年　３月　５日
　前置報告　　　　　　　：平成２５年　５月１７日
　審尋　　　　　　　　　：平成２５年　６月１７日（起案日）
　回答書　　　　　　　　：平成２５年　９月２４日
　拒絶理由通知　　　　　：平成２５年１１月１４日（起案日）
　意見書提出　　　　　　：平成２５年１１月２０日
　補正書提出　　　　　　：平成２５年１１月２０日
　
【第２】本願発明
　本願の請求項１〜２６に係る発明は，本願特許請求の範囲，明細書及び図面（平成２４年８月２０日，平成２５年３月５日，平成２５年１１月２０日付けの手続補正書により補正されたもの）の記載からみて，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１〜２６に記載した事項により特定される下記のとおりのものである。（なお，下線部は，拒絶査定後の平成２５年３月５日及び平成２５年１１月２０日付けの手続補正書で手続補正された部分を示す。）。
　以下，本願の請求項１，２，・・・に係る発明を，「本願発明１」，「本願発明２」，・・・などという。）
　
　　　　　　　　　　　　記
【請求項１】
　電解コンデンサのアノードを形成する方法であって，
　弁金属組成物を含有する粉末を圧縮ペレットに圧縮成形する段階であって，前記弁金属組成物は，タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する，前記段階と，
　前記圧縮ペレットを焼結させてアノード本体を形成する段階と，
　前記アノード本体を，２５℃の温度で０から１１の範囲の第１の酸解離定数を有する有機多塩基酸でエッチングする段階
であって，前記有機多塩基酸は，エッチング溶液内に含有されており，前記有機多塩基酸が，前記エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成し，前記有機多塩基酸は，前記アノード本体上の任意の酸化物の少なくとも一部分をエッチング除去する，前記段階
　その後，前記エッチングされたアノード本体を電解質の存在下で陽極酸化処理し，誘電体層を形成する段階と，
　を含むことを特徴とする方法。
　　【請求項２】
　前記
有機多塩基酸
　　【請求項３】
　前記
有機
　　【請求項４】
　前
記有機多塩基酸
　　【請求項５】
　前記エッチング溶液は，２から１２のｐＨを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記エッチング溶液は，２０℃から７５℃の温度を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記アノード本体は，前記エッチング溶液内に浸漬されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記アノード本体は，前記電解質内に浸漬されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】
　前記弁金属組成物は，１：１．０±０．３のニオブ対酸素の原子比率を有するニオブの酸化物を含有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】
　前記弁金属組成物は，１：１．０±０．１のニオブ対酸素の原子比率を有するニオブの酸化物を含有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項１１】
　請求項１に記載の方法に従って形成されたコンデンサアノード。
　　【請求項１２】
　請求項１１に記載のコンデンサアノードを含む固体電解コンデンサであって，
　誘電体層の上に重なる固体電解質層，
　を更に含むことを特徴とするコンデンサ。
　　【請求項１３】
　２５℃の温度で０から１１の範囲の第１の酸解離定数を有する有機多塩基酸でエッチングされた表面を有し，タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する焼結圧縮アノードペレット
であって，前記有機多塩基酸が，エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成し，前記有機多塩基酸は，前記アノードペレット上の任意の酸化物の少なくとも一部分をエッチング除去する，前記アノードペレット
　前記アノードペレットの前記エッチングされた表面の上に重なる誘電体層と，
　前記誘電体層の上に重なる固体電解質層と，
　を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ。
　　【請求項１４】
　前記アノード本体は，１：１．０±０．３のニオブ対酸素の原子比率を有するニオブの酸化物を含有することを特徴とする請求項１３に記載の固体電解コンデンサ。
　　【請求項１５】
　前記アノード本体は，１：１．０±０．１のニオブ対酸素の原子比率を有するニオブの酸化物を含有することを特徴とする請求項１３に記載の固体電解コンデンサ。
　　【請求項１６】
　前記電解質層の上に重なり，カーボン層，銀層，又はこれらの組合せを含む少なくとも付加的な層を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の固体電解コンデンサ。
　　【請求項１７】
　前記アノード本体から延びるアノードリードを更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の固体電解コンデンサ。
　　【請求項１８】
　前記電解質層と電気的に連通するカソード端子と，
　前記アノード本体と電気的に連通するアノード端子と，
　コンデンサを封入し，前記アノード及びカソード端子の少なくとも一部分を露出させておくケースと，
　を更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の固体電解コンデンサ。
　　【請求項１９】
　前記固体電解質層は，導電性ポリマーを含有することを特徴とする請求項１３に記載の固体電解コンデンサ。
　　【請求項２０】
　前記固体電解質層は，二酸化マンガンを含有することを特徴とする請求項１３に記載の固体電解コンデンサ。
　　【請求項２１】
　前記カルボン酸は，α−酒石酸，メソ酒石酸，シュウ酸，クエン酸又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
　　【請求項２２】
　前記エッチングする段階は，前記アノード本体に均一な表面を付与することを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項２３】
　前記誘電体層は，均一な厚さ及び均質なアモルファス構造を有することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
　　【請求項２４】
　前記粉末は，６０，０００μＦ*Ｖ／ｇ又はそれよりも大きい比電荷を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項２５】
　前記エッチングされたアノードペレットは，均一な表面を有することを特徴とする請求項１３に記載の固体電解コンデンサ。
　　【請求項２６】
　前記誘電体層は，均一な厚さ及び均質なアモルファス構造を有することを特徴とする請求項２５に記載の固体電解コンデンサ。
　
　【第３】原査定
　原査定の理由は，概略，以下のとおりである。
　
　なお，審判請求と同日にされた平成２５年３月５日付け手続補正により，請求項５，７，８が削除され同補正前の請求項６，９〜２９が同補正後は請求項５，６〜２６に繰り上がったので，請求項番号は，同補正後の請求項番号（現在の請求項番号に同じ）で示し，同補正前の請求項番号を（）内に示した。
　
　本願の請求項１〜３，５（６），６（９）〜２６（２９）に係る各発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物１〜３に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開２００３−０５９７７７号公報
　刊行物２：特開２００７−３２４２５３号公報
　刊行物３：国際公開第０２／０９３５９６号
　
　（なお，前置報告も，平成２５年３月５日付け手続補正による発明は，査定と同じ理由により独立して特許を受けることができない，とするものである。）
　
【第４】当審の判断  
 　 
［１］引用刊行物の記載の摘示 
　
　（１）刊行物１：特開２００３−０５９７７７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である上記刊行物１には，以下の記載（下線は，注目箇所を示すために当審で施したものである。また，「○１」は「１」を「○」で囲んだ記号を示す。）が認められる。
　                  
　〈請求項１３〉
　(K1)「【請求項１３】
弁作用金属
誘電体皮膜形成前に化学洗浄によりＮｂからなる多孔質体の表面のＮｂ気相酸化物または不純物を除去する表面清浄化工程
化成処理
誘電体形成工程
加熱
欠陥検出工程
化学洗浄
欠陥除去工程
化成処理
欠陥修復工程
　
　〈分野〉
　(K2)「【０００１】
【発明の属する分野】本願発明は，Ｎｂ金属表面に形成されるアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化方法に関するものであり，ひいてはＮｂ固体電解コンデンサの製造方法に関するものである。」
　
　〈従来技術〉
　(K3)「【０００２】
【従来の技術】固体電解コンデンサは，陽極−誘電体−陰極の構成となっており，
一般的に陽極として弁作用を有する金属（弁作用金属）の表層に誘電体層として酸化皮膜を形成し，その上に陰極として固体電解質層が形成された構造となっている。ここで，弁作用金属とは，陽極酸化によって厚みの制御可能な酸化皮膜を形成させることのできる金属であり，Ｎｂ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒなどを指す
【０００３】しかしながら，現在多孔質焼結体タイプの電解コンデンサ用の金属として使用されているＴａは高価であるため，・・・今後Ｎｂ固体電解コンデンサが主流になることが期待されている。
【０００４】以下に，図４を参照しながら，Ｎｂ固体電解コンデンサの標準的な製造工程を説明する。
（１）Ｎｂ多孔質体の形成
○１　
Ｎｂ粉末調合
プレス成形性を向上させるためにＮｂ粉末にバインダーを添加して混合する。
○２　
プレス・焼結
前記Ｎｂ混合粉末の中に陽極の素子リード線を挿入し，円柱状にプレス成形する。ついで，そのプレス成形品を高真空中（１０−４Ｐａ以下）で，１０００〜１４００℃に加熱することによって焼結し，
Ｎｂ多孔質体を形成する
【０００５】（２）誘電体形成（化成処理（Ｓ９１））
前記Ｎｂ多孔質体を陽極として対向電極とともに燐酸などの電解水溶液中に浸漬し，化成電圧を印加することによってＮｂ多孔質体表面に誘電体と
なるＮｂ酸化皮膜を形成する（陽極酸化法
【０００６】（３）陰極形成（Ｓ９２）
前段階で形成されたＮｂ多孔質体の酸化皮膜の上に，陰極として固体電解質層が形成される。固体電解質としては，二酸化マンガンや，ピロール，チオフェン及びその誘導体を重合させた導電性高分子などを用いる。
【０００７】（４）グラファイト層形成（Ｓ９３），Ａｇ層形成（Ｓ９４），リードフレーム接合（Ｓ９５），モールド外装（Ｓ９６）
前記固体電解質層の上にグラファイト層，さらにＡｇペースト層を形成する。つぎに陽極の素子リード線にリードフレーム陽極部をスポット溶接によって接合し，Ａｇペースト層にリードフレーム陰極部を接着銀によって接合する。最後に全体を樹脂でモールド外装し，図５に示すような構成のＮｂ固体電解コンデンサが完成する。」
　
　〈課題，目的〉
　(K4)「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来の工程で製造されるＮｂ固体電解コンデンサにはつぎのような問題があった。
（１）誘電体形成時点で漏れ電流（Ｌｅａｋａｇｅ  Ｃｕｒｒｅｎｔ（以下ＬＣと称す））が大きく，かつ不安定であり，
（２）コンデンサ製造時のモールド外装の段階，コンデンサ実装時のハンダ接合の段階，あるいはコンデンサ実装以降の使用時の熱影響によって，ＬＣ特性が悪化し，同一形状，同一構造ではＴａ固体電解コンデンサ並みの性能が出ない。このことが，古くからＮｂがコンデンサとして使用できることが知られていながら，実用化されていない原因となっていた。
【０００９】本願発明は，以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり，健全で，コンデンサとして十分な耐熱強度を有するアモルファスＮｂ酸化皮膜を提供する。また，高性能のＮｂ固体電解コンデンサを提供し，最終的には同一形状，同一構造でＴａ固体電解コンデンサ並みの性能を有する安価で軽量のＮｂ固体電解コンデンサを提供するすることを目的とする。」
　
　〈課題を解決するための手段〉
　(K5)「【００１０】
【課題を解決するための手段】発明者はＮｂ固体電解コンデンサを検討するに当り，
Ｎｂ表面に形成される誘電体が欠陥部分を含む不完全なものであるために実用化レベルの品質に到達しない点に着目し，その欠陥部分とはＮｂ表面に存在するＭｇ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｍｎなどの不純物やその他の原因によって，誘電体として必要な特性が損なわれた酸化物部分である
【００１１】このうち，
Ｎｂ表面に存在するＭｇ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｍｎなどの不純物はＮｂ精製工程でも除去しきれずに不可避的に残存している物質である
誘電体として必要な特性が損なわれた酸化物部分とは
導電性があり，ＬＣ特性を劣化させる結晶質のＮｂ酸化物を指している
結晶質のＮｂ酸化物
ＬＣ特性を劣化させている
【００１２】発明者はさらに検討を進め，
前記結晶質のＮｂ酸化物には，コンデンサ製造の過程の中で
○１　
金属Ｎｂ表面が大気と接触し，大気中の酸素と結合することによって形成されるＮｂ気相酸化物
○２　金属Ｎｂは酸素との親和力が強く，
陽極酸化の段階で
○３　前記金属Ｎｂ表面に存在する不純物によって，
Ｎｂの陽極酸化処理段階で
【００１３】以上の知見により固体電解コンデンサの性能，すなわち
誘電体としてのアモルファスＮｂ酸化皮膜の性能を低下させる欠陥部分の根本的な原因がＮｂ表面に存在するＭｇ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｍｎなどの不純物と，アモルファスＮｂ酸化皮膜中（Ｎｂ気相酸化物としてはＮｂ表層）の結晶質のＮｂ酸化物とであり，それぞれ不可避的に形成されてしまうが，不純物，結晶質Ｎｂ酸化物それぞれが形成された後に除去することによって，その除去後に健全なアモルファスＮｂ酸化皮膜を形成することが可能であることを見出し，本願発明をなすに至った
　
　(K6)「【００１４】前記課題を解決するために提供する本願第一の発明に係るアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化方法は，
表層にアモルファスＮｂ酸化皮膜が形成されたＮｂ金属体を加熱する第一処理
Ｎｂ金属体
Ｎｂ金属体
【００１５】ここで第一処理とはアモルファスＮｂ酸化皮膜の欠陥部分にクラックを発生させる処理であり，第二処理とは前記欠陥部分を除去する処理であり，第三処理とは前記欠陥部分を修復する処理である。
【００１６】略
【００１７】なお，ここでいう
Ｎｂ金属体
Ｎｂ箔
Ｎｂ金属体
【００１８】〜【００２６】略
【００２７】前記課題を解決するために提供する本願第十の発明に係るＮｂ固体電解コンデンサの製造方法は，弁作用金属からなる多孔質体を化成液中で陽極として電気化学反応による化成処理を行うことによって多孔質体表面に誘電体皮膜を形成し，その表層に固体電解質層を形成し，さらにその上に電極を形成し，全体をモールド外装してなる固体電解コンデンサの製造方法において，
誘電体皮膜形成前に化学洗浄によりＮｂからなる多孔質体の表面のＮｂ気相酸化物または不純物を除去する表面清浄化工程
アモルファスＮｂ酸化皮膜として欠陥部分の原因となるＮｂ気相酸化物または不純物を予め除去し，Ｎｂ多孔質体表面を清浄化することによって，後から行う化成処理で形成される誘電体としてのアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化を図る
　
　〈実施の形態〉
　(K7)「【００３６】
【発明の実施の形態】以下に，本願発明の一実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本願発明に係るＮｂ固体電解コンデンサの製造方法の一実施の形態を示すフローチャート図である。
本実施の形態は図４に示される従来の製造方法の誘電体形成工程（Ｓ９１）の前後に誘電体であるアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化を図るための工程を付加したものである
【００３７】（ステップＳ１）
表面清浄化工程
Ｎｂ粉末を真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１を６ｗｔ．％硝酸水溶液または６ｗｔ．％水酸化カリウム水溶液のいずれか１つの水溶液中に浸漬して多孔質体表面を化学洗浄を行った。この化学洗浄によってＮｂ多孔質体１表層に存在したＮｂ気相酸化物や不純物が除去され，Ｎｂ多孔質体１表面が清浄化される。ここで用いるＮｂ多孔質体１に関する粉末のプレス成形および焼結条件は従来の技術として説明した条件と同一であり
上記水溶液以外に同等の化学洗浄力を有する酸，アルカリ水溶液として硫酸水溶液，水酸化ナトリウム水溶液，アンモニア水溶液がある
【００３８】（ステップＳ２）
誘電体形成工程
表面清浄化が完了したＮｂ多孔質体１について
従来の製造方法と同様の陽極酸化法により，その表面に誘電体皮膜２を形成した
【００３９】（ステップＳ３）欠陥検出工程
誘電体皮膜２が形成されたＮｂ多孔質体１について，大気中で２６０℃に加熱し，１０秒間保持し，加熱後自然冷却とした。これによって，欠陥部分２９にクラック２９ａが生じる。
【００４０】（ステップＳ４）欠陥除去工程
欠陥検出工程が完了したＮｂ多孔質体１を６ｗｔ．％硝酸水溶液または６ｗｔ．％水酸化カリウム水溶液のいずれか１つの水溶液中に浸漬して多孔質体表面を化学洗浄を行った。この化学洗浄によって欠陥部分２９（クラックが生じた欠陥部分も含む）や不純物（図示せず）が除去され，誘電体皮膜２中に空隙２９ｂができる。なお，上記水溶液以外に同等の化学洗浄力を有する酸，アルカリ水溶液として硫酸水溶液，水酸化ナトリウム水溶液，アンモニア水溶液がある。この化学洗浄が完了したＮｂ多孔質体１について，その表面を乾燥させることなく常に水膜に覆われているように管理しながら，上記化学洗浄液が残存しないように中和洗浄し，つぎの工程に供した。
【００４１】（ステップＳ５）欠陥修復工程
誘電体皮膜２の欠陥部分２９の除去が完了したＮｂ多孔質体１について陽極酸化法により誘電体皮膜２の修復を行った。このとき，化成液として８０℃の０．６ｖｏｌ．％の燐酸水溶液を使用し，誘電体皮膜形成時と同じ化成電圧の値Ｖｆで化成電流が飽和するまで陽極酸化を行った。この処理により，空隙２９ｂが健全なアモルファスＮｂ酸化皮膜で埋められ，修復される。
【００４２】（ステップＳ６）固体電解質層形成工程
誘電体皮膜２が形成されたＮｂ多孔質体１について，以下のいずれか１つの方法により誘電体皮膜２上に固体電解質層を形成させた。これらの形成条件は従来の製造方法と同一条件である。
誘電体皮膜２の上にチオフェン誘導体を酸化重合させて導電性高分子層を形成する。
硝酸マンガン溶液中に浸漬した後，加熱分解によって誘電体皮膜２の上に二酸化マンガン層を形成する。
【００４３】（ステップＳ７〜Ｓ１０）グラファイト層形成，Ａｇペースト層形成，リードフレーム接合，モールド外装
前記固体電解質層の上にグラファイト層，さらにＡｇペースト層を形成する。つぎに陽極の素子リード線にリードフレーム陽極部をスポット溶接によって接合し，Ａｇペースト層にリードフレーム陰極部を接着銀によって接合し，最後に全体を樹脂でモールド外装する。これらの工程の製造条件は従来の製造方法と同一条件である。」
　
　（２）刊行物２：特開２００７−３２４２５３号公報
　同じく，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である上記刊行物２には，以下の記載が認められる。（下線は，注目箇所を示すために当審で施したものである。）
　
　(L1)「【請求項１】
  アルミニウム箔をエッチング液中でエッチングしてエッチング箔を得るエッチング工程と，当該エッチング箔を洗浄液で洗浄する洗浄工程と，洗浄後の前記エッチング箔に対して水和処理および／または熱処理を行う後処理工程とを有する電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法において，
  前記洗浄液として，クエン酸および／または酒石酸と，過酸化水素とを含む水溶液を用いることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法。
【請求項２】
  請求項１において，前記洗浄液における過酸化水素濃度が０．２〜０．５ｗｔ％であり，当該洗浄液には，１０．０〜４５．０ｗｔ％のクエン酸および／または１５．０〜５０．０ｗｔ％の酒石酸が含まれていることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法。」
　
　(L2)「【技術分野】
【０００１】
  本発明は，電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
  低圧用の電解コンデンサに用いられる電解コンデンサ用アルミニウム電極箔は，一般に，
塩酸に対して硫酸，硝酸，リン酸等を混合したエッチング液中でアルミニウム原箔に化学的または電気化学的なエッチングを行って粗面化するエッチング工程
エッチング箔に付着している塩化物イオン，硫化物イオン等を除去する洗浄工程とを経て製造される
　
　(L3)「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
  電子機器の小形化と共に，電解コンデンサの小形化が進み，電解コンデンサ用アルミニウム電極箔に対しては高容量化の要求が強くなる一方である。また，電解コンデンサには低インピーダンス特性が要求される結果，従来の駆動用電解液に比べて反応性の高い電解液が使用されているため，電解コンデンサ用電極箔には駆動用電解液に対する高い安定性が求められている。
【０００７】
  しかしながら，このような要望に充分対応できる電解コンデンサ用電極箔が得られていないのが現状である。すなわち，駆動用電解液に対して高い安定性を示すには，化成前に表面処理した後処理皮膜が清浄であることが望ましいが，従来の洗浄方法で，箔に付着している塩化物イオン，硫化物イオン等を確実に除去するには，洗浄を強く行わなければならず，その結果，エッチング工程で形成された微細なピットが溶解し，静電容量が低下してしまう。
【０００８】
  また，高容量の電解コンデンサ用電極箔を得るためには，効果的な後処理皮膜を形成することが必要となるが，その後処理皮膜の形成と洗浄工程との間には密接な関係が存在し，効果的に塩化物イオン，硫化物イオン等を除去できる洗浄方法であっても，後処理皮膜の形成に不都合となる場合もあり，この場合も高容量化の要求に対応できないという問題点がある。
【０００９】
  以上の問題点に鑑みて，本発明の課題は，エッチング箔に付着している塩素イオン等を効果的に除去でき，かつ，静電容量を増大させることのできる電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法を提供することにある。」
　
　(L4)「【課題を解決するための手段】
【００１０】
  上記課題を解決するために，本発明では，アルミニウム箔をエッチング液中でエッチングしてエッチング箔を得る
エッチング工程
当該エッチング箔を洗浄液で洗浄する洗浄工程
【００１１】
  本発明では，エッチング箔に対する洗浄液として，クエン酸および／または酒石酸と，過酸化水素とを含む水溶液を用いるため，
エッチング箔に付着していた塩化物イオン，硫化物イオン等を確実に除去でき，清浄な後処理皮膜を形成できる
【００１２】
  本発明において，前記
洗浄液における過酸化水素濃度が０．２〜０．５ｗｔ％であり，当該洗浄液には，１０．０〜４５．０ｗｔ％のクエン酸および／または１５．０〜５０．０ｗｔ％の酒石酸が含まれていることが好ましい
【００１３】
  本発明において，前記洗浄工程における前記
洗浄液の液温が３５〜９０℃であることが好ましい
　
　（３）刊行物３：国際公開第０２／０９３５９６号公報
　同じく，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である上記刊行物３には，以下の記載が認められる。（下線は，注目箇所を示すために当審で施したものである。）
　
 　(M1)「本発明の目的は，単位質量当たりの容量が大きく，等価直列抵抗（ＥＳＲ）が低く，漏れ電流値が小さいコンデンサ及び耐湿性の高いコンデンサ，この電極材料となり高い容量出現率の得られる焼結体，この焼結体材料として好ましく，成形時の作業上流れ性が良好で，連続成形が容易であり，コンデンサの安定した生産が可能な一酸化ニオブ粉，及びそれらの製造方法を提供することにある。
　本発明者らは，前述の課題を鋭意検討した。その結果，
特定の細孔分布を持つ一酸化ニオブ焼結体，
一酸化ニオブ焼結体をコンデンサ電極に用いると，高い容量出現率が得られ，漏れ電流が低く，耐湿性の良好なコンデンサが生産できることを見出した
　(M2)「ニオブの酸化物は，一酸化ニオブ，二酸化ニオブ，五酸化二ニオブの３種類が知られている。
　ｘが０から１の間にある酸化ニオブでは，金属ニオブと一酸化ニオブとが共存することとなる。金属ニオブは一酸化ニオブに比べて焼結されやすく，金属ニオブが多量に存在すると焼結体の比表面積を大きくし難く，コンデンサの容量が小さくなってしまう傾向がある。
　また，ｘが１から２の間にあるニオブ酸化物は，一酸化ニオブと二酸化ニオブとが共存することとなる。
一酸化ニオブは導電性であるが二酸化ニオブは絶縁性である
　(M3)「例えば，
一酸化ニオブ解砕粉を成形，焼結し，コンデンサ用焼結体を次のような方法により得ることができる
　後述するバインダーをトルエンやメタノールなどの有機溶剤に溶解させた溶液に，コンデンサ用一酸化ニオブ解砕粉を入れ，これを振とう混合機，Ｖ型混合機などを用いて十分に混合する。その後，コニカルドライヤーなどの乾燥機を用い，減圧下，有機溶媒を留去して，バインダーを含んだ一酸化ニオブ調合粉を作製する。」（17頁22行〜18頁15行）
　
［２］刊行物１に記載された発明（以下，「引用発明」という。）
　
　ア　概要（請求項１３）
　刊行物１には，「Ｎｂ金属表面に形成されるアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化」する「Ｎｂ固体電解コンデンサの製造方法」｛前掲(K2)｝に関し，前掲(K3)の従来の「Ｎｂ固体電解コンデンサの標準的な製造工程」をベースに，前掲(K4)の課題を解決を解決するため，
　その製造方法が，
　「
弁作用金属
誘電体皮膜形成前に化学洗浄によりＮｂからなる多孔質体の表面のＮｂ気相酸化物または不純物を除去する表面清浄化工程
化成処理
誘電体形成工程
加熱
欠陥検出工程
化学洗浄
欠陥除去工程
化成処理
欠陥修復工程
　を備える」｛前掲(K1)，請求項１３｝方法が示され，
　これにより，「
アモルファスＮｂ酸化皮膜として欠陥部分の原因となるＮｂ気相酸化物または不純物を予め除去し，Ｎｂ多孔質体表面を清浄化することによって，
誘電体としてのアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化を図る
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（→引用発明のｐ〜ｖ）
　イ　詳細
　かかる製造方法の詳細が，前掲(K7)，図１に示されていて，以下のようである。
　　（ステップＳ１）
表面清浄化工程
　「
Ｎｂ粉末を真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１
６ｗｔ．％硝酸水溶液または６ｗｔ．％水酸化カリウム水溶液
　（ステップＳ２）
誘電体形成工程
「表面清浄化が完了したＮｂ多孔質体１について
従来の製造方法と同様の陽極酸化法により，その表面に誘電体皮膜２を形成した
　（ステップＳ３）欠陥検出工程　　
　「誘電体皮膜２が形成されたＮｂ多孔質体１について，大気中で２６０℃に加熱し，１０秒間保持し，加熱後自然冷却とした。これによって，欠陥部分２９にクラック２９ａが生じる。」　　　　　　　　　　（→ｓ１）
　（ステップＳ４）欠陥除去工程
　「欠陥検出工程が完了したＮｂ多孔質体１を６ｗｔ．％硝酸水溶液または６ｗｔ．％水酸化カリウム水溶液のいずれか１つの水溶液中に浸漬して多孔質体表面を化学洗浄を行った。この化学洗浄によって欠陥部分２９（クラックが生じた欠陥部分も含む）や不純物（図示せず）が除去され，誘電体皮膜２中に空隙２９ｂができる。」　　　　　　　　　　　　　（→ｔ１）
　（ステップＳ５）欠陥修復工程
　「誘電体皮膜２の欠陥部分２９の除去が完了したＮｂ多孔質体１について陽極酸化法により誘電体皮膜２の修復を行った。」　　　　（→ｕ１）
　（ステップＳ６）固体電解質層形成工程
　「誘電体皮膜２が形成されたＮｂ多孔質体１について」，「誘電体皮膜２の上にチオフェン誘導体を酸化重合させて導電性高分子層を形成する」か，「硝酸マンガン溶液中に浸漬した後，加熱分解によって誘電体皮膜２の上に二酸化マンガン層を形成する。」　　　　　　　　　　　　（→ｗ）
  （ステップＳ７〜Ｓ１０）グラファイト層形成，Ａｇペースト層形成，リードフレーム接合，モールド外装　　　　　　　　　　　　（→ｘ）
　「前記固体電解質層の上にグラファイト層，さらにＡｇペースト層を形成する。つぎに陽極の素子リード線にリードフレーム陽極部をスポット溶接によって接合し，Ａｇペースト層にリードフレーム陰極部を接着銀によって接合し，最後に全体を樹脂でモールド外装する。これらの工程の製造条件は従来の製造方法と同一条件である。」　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（→引用発明のｑ２〜ｘ）
　
　ウ　上記（ステップＳ１）
表面清浄化工程
Ｎｂ粉末を真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１
　上記のように，上記Ｓ１の
表面清浄化工程
Ｎｂ粉末を真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１
Ｎｂ気相酸化物や不純物
　また，係る「
Ｎｂ多孔質体１
Ｎｂ粉末調合
プレス・焼結
　「
Ｎｂ表面に存在するＭｇ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｍｎなどの不純物はＮｂ精製工程でも除去しきれずに不可避的に残存している物質である
　「
前記結晶質のＮｂ酸化物には，コンデンサ製造の過程の中で
○１　
金属Ｎｂ表面が大気と接触し，大気中の酸素と結合することによって形成されるＮｂ気相酸化物
○２　金属Ｎｂは酸素との親和力が強く，
陽極酸化の段階で
○３　前記金属Ｎｂ表面に存在する不純物によって，
Ｎｂの陽極酸化処理段階で
　とあり，これらによれば，
　上記「
Ｎｂ粉末
Ｎｂ粉末を真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１
Ｎｂ気相酸化物
　これらの表層に存在する「不純物」や「
Ｎｂ気相酸化物
　「
アモルファスＮｂ酸化皮膜として欠陥部分の原因となる
　前掲(K5)の段落0010〜0013の下線を施した部分｛特に，「
Ｎｂ表面に形成される誘電体が欠陥部分を含む不完全なものである
その欠陥部分とはＮｂ表面に存在するＭｇ
などの不純物やその他の原因によって，誘電体として必要な特性が損なわれた酸化物部分である
誘電体としてのアモルファスＮｂ酸化皮膜の性能を低下させる欠陥部分の根本的な原因がＮｂ表面に存在するＭｇ
などの不純物と，アモルファスＮｂ酸化皮膜中（Ｎｂ気相酸化物としてはＮｂ表層）の結晶質のＮｂ酸化物とであり，それぞれ不可避的に形成されてしまう
　「
不可避的に形成されてしまう
アモルファスＮｂ酸化皮膜の性能を低下させる欠陥部分
　このうち，「
Ｎｂ気相酸化物
導電性があり，ＬＣ特性を劣化させる結晶質のＮｂ酸化物
Ｎｂ表面に形成される誘電体
欠陥部分
　また，「
弁作用金属とは，陽極酸化によって厚みの制御可能な酸化皮膜を形成させることのできる金属であり
Ｎｂ
　
　以上からすれば，
　上記Ｓ１の
表面清浄化工程
　
弁作用金属
真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１
Ｎｂ多孔質体１
不純物
導電性があり，ＬＣ特性を劣化させる結晶質のＮｂ酸化物
Ｎｂ気相酸化物
Ｎｂ表面に形成される
アモルファスＮｂ酸化皮膜
誘電体
欠陥部分
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（→引用発明のｑ１）
　
　エ　製造されたコンデンサ
　上記の製造工程によって製造されたコンデンサは，
　上記ア〜ウ，「
不純物，結晶質Ｎｂ酸化物それぞれが形成された後に除去することによって，その除去後に健全なアモルファスＮｂ酸化皮膜を形成することが可能であることを見出し，本願発明をなすに至った
アモルファスＮｂ酸化皮膜として欠陥部分の原因となるＮｂ気相酸化物または不純物を予め除去し，Ｎｂ多孔質体表面を清浄化することによって，後から行う化成処理で形成される誘電体としてのアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化を図る
　上記請求項３，「電解水溶液中に浸漬し，化成電圧を印加することによって
Ｎｂ多孔質体表面に誘電体となるＮｂ酸化皮膜を形成する（陽極酸化法
　「不純物」及び「
導電性があり，ＬＣ特性を劣化させる結晶質のＮｂ酸化物
　
　オ　引用発明
　以上を総合すると，刊行物１に記載された発明（引用発明）として　以下の発明を認めることができる。
　
  　　　　　　　　　記（引用発明）
ｐ　：Ｎｂ金属表面に形成されるアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化するＮｂ固体電解コンデンサの製造方法であって，
　弁作用金属からなる多孔質体を化成液中で陽極として電気化学反応による化成処理を行うことによって多孔質体表面に誘電体皮膜を形成し，その表層に固体電解質層を形成し，さらにその上に電極を形成し，全体をモールド外装してなる固体電解コンデンサの製造方法において，
ｑ　：誘電体皮膜形成前に化学洗浄によりＮｂからなる多孔質体の表面のＮｂ気相酸化物または不純物を除去する表面清浄化工程と，
ｒ　：化成処理によりＮｂからなる多孔質体の表面にアモルファスＮｂ酸化物からなる誘電体皮膜を形成する誘電体形成工程と，
ｓ　：加熱により前記誘電体皮膜の欠陥部分にクラックを発生させる欠陥検出工程と，
ｔ　：化学洗浄により前記欠陥部分を除去する欠陥除去工程と，
ｕ　：化成処理により前記欠陥部分を修復する欠陥修復工程と，を備え，
ｖ　：アモルファスＮｂ酸化皮膜として欠陥部分の原因となるＮｂ気相酸化物または不純物を予め除去し，Ｎｂ多孔質体表面を清浄化することによって，後から行う化成処理で形成される誘電体としてのアモルファスＮｂ酸化皮膜の健全化を図る，方法であって，
　
ｑ１：上記表面清浄化工程（ステップＳ１）は，
　弁作用金属であるＮｂを粉末にしたＮｂ粉末ににバインダーを添加したものをプレス・真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１であって，
　そのＮｂ粉末，Ｎｂ多孔質体１表層には不可避的に形成されてしまう不純物（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｍｎなど）と導電性がありＬＣ特性を劣化させる結晶質のＮｂ酸化物であるＮｂ気相酸化物が存在しており，いずれも，Ｎｂ表面に形成されるアモルファスＮｂ酸化皮膜の誘電体に欠陥部分を生じるものである，Ｎｂ多孔質体１を用意し，
ｑ２：上記Ｎｂ多孔質体を，１６ｗｔ．％硝酸水溶液または６ｗｔ．％水酸化カリウム水溶液のいずれか１つの水溶液中に浸漬して多孔質体表面を化学洗浄を行い，この化学洗浄によってＮｂ多孔質体１表層に存在したＮｂ気相酸化物や不純物が除去され，Ｎｂ多孔質体１表面が清浄化される工程であって，上記水溶液以外に同等の化学洗浄力を有する酸，アルカリ水溶液として硫酸水溶液，水酸化ナトリウム水溶液，アンモニア水溶液がある，工程であり，
ｒ１：上記誘電体形成工程（ステップＳ２）は，
　表面清浄化が完了したＮｂ多孔質体１について従来の製造方法と同様の陽極酸化法により，その表面に誘電体皮膜２を形成する工程であって，このとき形成された誘電体皮膜（アモルファスＮｂ酸化皮膜）２にはコンデンサとしての性能を損なう欠陥部分２９が含まれていることがある，工程であり，
ｓ１：上記欠陥検出工程（ステップＳ３）は，
　誘電体皮膜２が形成されたＮｂ多孔質体１について，大気中で２６０℃に加熱し，１０秒間保持し，加熱後自然冷却する工程であって，これによって，欠陥部分２９にクラック２９ａが生じる，工程であり，
ｔ１：上記欠陥除去工程（ステップＳ４）は，
　欠陥検出工程が完了したＮｂ多孔質体１を６ｗｔ．％硝酸水溶液または６ｗｔ．％水酸化カリウム水溶液のいずれか１つの水溶液中に浸漬して多孔質体表面を化学洗浄を行う工程であって，この化学洗浄によって欠陥部分２９（クラックが生じた欠陥部分も含む）や不純物が除去され，誘電体皮膜２中に空隙２９ｂができる，工程であり，
ｕ１：上記欠陥修復工程（ステップＳ５）は，
　誘電体皮膜２の欠陥部分２９の除去が完了したＮｂ多孔質体１について陽極酸化法により誘電体皮膜２の修復を行う工程であり，
　
ｗ　：これらの工程後，誘電体皮膜２が形成されたＮｂ多孔質体１について，誘電体皮膜２の上に，導電性高分子層か二酸化マンガン層を形成する固体電解質層形成工程（ステップＳ６）と，
ｘ　：その後，グラファイト層形成，Ａｇペースト層形成，リードフレーム接合，モールド外装する工程（ステップＳ７〜Ｓ１０）を備える，
ｐ　：製造方法，
　
ｙ　：及び，以上の製造方法で製造された，不純物及び導電性がありＬＣ特性を劣化させる結晶質のＮｂ酸化物が除去されて存在しない，表面が清浄化されたＮｂ多孔質体の表面に，図２の最下図に示されるように，アモルファスＮｂ酸化皮膜２（誘電体皮膜）が形成された，Ｎｂ固体電解コンデンサ。
　
［３］本願各発明について
　
  まず，独立請求項である請求項１及び１３に係る各発明（本願発明１，１３）について検討する。
　
［３-１］本願発明１について　
　
　（１）本願発明１の分説
　本願発明１は【第２】に記載したとおりであるところ，構成要件に分説すれば，以下のようである。
　
　　　　　　　　　本願発明１（分説）
Ａ　：電解コンデンサのアノードを形成する方法であって，
Ｂ　：　弁金属組成物を含有する粉末を圧縮ペレットに圧縮成形する段階であって，前記弁金属組成物は，タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する，前記段階と，
Ｃ　：前記圧縮ペレットを焼結させてアノード本体を形成する段階と，
Ｄ　：前記アノード本体を，２５℃の温度で０から１１の範囲の第１の酸解離定数を有する有機多塩基酸でエッチングする段階であって，前記有機多塩基酸は，エッチング溶液内に含有されており，前記有機多塩基酸が，前記エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成し，前記有機多塩基酸は，前記アノード本体上の任意の酸化物の少なくとも一部分をエッチング除去する，前記段階と，
Ｅ　：その後，前記エッチングされたアノード本体を電解質の存在下で陽極酸化処理し，誘電体層を形成する段階と，
　を含むことを特徴とする
Ａ　：方法。
　
　（２）本願発明１と引用発明との対比，一致点・相違点　
　
　ア　要件Ａについて
　Ａ「電解コンデンサのアノードを形成する方法であって，」，「方法」
　引用発明の工程（特にｐ〜ｕ，ｑ１〜ｕ１の工程）が，本願発明でいう「電解コンデンサのアノードを形成する」工程を含んでいることは明らかであり，したがって，要件Ａにおいて，本願発明１と相違しない。
　
　イ　要件Ｂについて
　要件Ｂ「弁金属組成物を含有する粉末を圧縮ペレットに圧縮成形する段階であって，前記弁金属組成物は，タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する，前記段階と，」は，
　「
タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する弁金属組成物
　
　要件Ｂの「
弁金属組成物
　一般に，弁金属（弁作用金属）とは，
陽極酸化により形成される表面酸化物の皮膜が電流を一方向にのみ流し逆方向には流さない弁作用
金属
　要件Ｂの「
弁金属組成物
弁作用
　すなわち，上記「
タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する弁金属組成物
弁作用
　このことは，明細書の記載｛例えば，「アノード本体は，誘電体層がアノードの上及び内部に形成されるように陽極酸化処理することができる。陽極酸化処理は，電気化学処理であり，それによってアノードが酸化されて
比較的高い誘電率を有する材料が形成される。例えば，酸化ニオブ（ＮｂＯ）アノードは，陽極酸化処理されて五酸化ニオブ（Ｖ2Ｏ5）が形成される
　
　引用発明のｑ１の「弁作用金属であるＮｂを粉末にしたＮｂ粉末にバインダーを添加したものをプレス」したものであって，真空焼結前の「Ｎｂ多孔質体１」は，「粉末を圧縮ペレットに圧縮成形したもの」といえるところ，
　その「Ｎｂ粉末」は，表層に「不可避的に形成されてしまう不純物（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｍｎなど）と導電性がありＬＣ特性を劣化させる結晶質のＮｂ酸化物であるＮｂ気相酸化物が存在しており，いずれも，Ｎｂ表面に形成されるアモルファスＮｂ酸化皮膜の誘電体に欠陥部分を生じるもの」が存在しているものである。
　そして，引用発明の『「Ｎｂ粉末」の表層以外』は，Ｎｂ（金属）であって弁作用を奏するから，引用発明も「
弁金属組成物
　もっとも，『「Ｎｂ粉末」の表層以外』のＮｂ（金属）は，「タンタル又はニオブの導電性酸化物」ではない。
　引用発明の『「Ｎｂ粉末」の表層』の「不純物」と「Ｎｂ気相酸化物」は，いずれも「Ｎｂ表面に形成されるアモルファスＮｂ酸化皮膜の誘電体に欠陥部分を生じるもの」，すなわち，弁作用をなす「アモルファスＮｂ酸化皮膜の誘電体」を欠陥物とし弁作用を妨げるものであるから，上記
弁作用
弁作用
　
　そうすると，引用発明の「Ｎｂ粉末」は，「弁金属組成物を含有する粉末」とはいえても，「
タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する弁金属組成物
　
　したがって，本願発明１と引用発明とは，
　「弁金属組成物を含有する粉末を圧縮ペレットに圧縮成形する段階であって」では相違しないものの，
　引用発明は，「前記弁金属組成物は，タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する」ものではなく，この点，本願発明１と相違する。
　
　ウ　要件Ｃについて
　Ｃ「前記圧縮ペレットを焼結させてアノード本体を形成する段階と，」
　引用発明のｑ１の「弁作用金属であるＮｂを粉末にしたＮｂ粉末にバインダーを添加したものをプレス」した，真空焼結前の「Ｎｂ多孔質体１」は，次に，「真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１」となるところ，「真空焼結して形成したＮｂ多孔質体１」は「アノード本体」ということができる。
，したがって，本願発明１も要件Ｃを備えているといえ，要件Ｃにおいて，本願発明１と相違しない。
　
　エ　要件Ｄについて
　Ｄ「前記アノード本体を，２５℃の温度で０から１１の範囲の第１の酸解離定数を有する有機多塩基酸でエッチングする段階であって，前記有機多塩基酸は，エッチング溶液内に含有されており，前記有機多塩基酸が，前記エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成し，前記有機多塩基酸は，前記アノード本体上の任意の酸化物の少なくとも一部分をエッチング除去する，前記段階と，」　
　
　引用発明のｑ「誘電体皮膜形成前に化学洗浄によりＮｂからなる多孔質体の表面のＮｂ気相酸化物または不純物を除去する表面清浄化工程」であって，ｑ２「上記Ｎｂ多孔質体を，１６ｗｔ．％
硝酸水溶液
酸
硫酸水溶液
　「前記アノード本体」（Ｎｂ多孔質体１）から，「Ｎｂ多孔質体１表層に存在したＮｂ気相酸化物や不純物」を，
硝酸水溶液
硫酸水溶液
　しかしながら，「２５℃の温度で０から１１の範囲の第１の酸解離定数を有する有機多塩基酸でエッチングする段階であって，前記有機多塩基酸は，エッチング溶液内に含有されており，前記有機多塩基酸が，前記エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成し，」とはしておらず，この点，本願発明１と相違する。
　
　オ　要件Ｅについて
　Ｅ「その後，前記エッチングされたアノード本体を電解質の存在下で陽極酸化処理し，誘電体層を形成する段階と，
　を含むことを特徴とする」
　引用発明の，ｒ，ｒ１は，上記要件Ｅと同じ工程といえ，したがって，要件Ｅにおいて本願発明１と相違しない。
　
　カ　一致点・相違点
　以上の対比結果によれば，本願発明１と引用発明の一致点，相違点は次のとおりであることが認められる。 
　
　［一致点］ 
Ａ　　電解コンデンサのアノードを形成する方法であって，
Ｂ’　
弁金属組成物
Ｃ　　前記圧縮ペレットを焼結させてアノード本体を形成する段階と，
Ｄ’　前記アノード本体を，
酸
酸
酸
Ｅ　　その後，前記エッチングされたアノード本体を電解質の存在下で陽極酸化処理し，誘電体層を形成する段階と，
　を含むことを特徴とする
Ａ　　方法。
　
　［相違点］
　
　［相違点１］
　上記Ｂ’の前記
弁金属組成物
　本願発明１では，タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する
　のに対して，
　引用発明では，Ｎｂである点
　
　［相違点２］
　上記Ｄ’の
酸
　本願発明１では，
　２５℃の温度で０から１１の範囲の第１の酸解離定数を有する有機多塩基酸であって，前記有機多塩基酸が，前記エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成する，とするのに対して，
　引用発明では，硝酸または硫酸である点
　
　
　（３）判断（容易想到性）
　
　ア　相違点の克服
　引用発明を基点として，
　［相違点１の克服］
　引用発明の，Ｂ’の「
弁金属組成物
弁金属組成物
　［相違点２の克服］
　引用発明の，Ｄ’の「
酸
　本願発明１に達する。
　
　イ　相違点の判断（［相違点の克服］の容易想到性判断）
　
　上記［相違点２の克服］の容易想到性について検討する。
　
　〈刊行物２〉
　刊行物２には，前掲(L1)〜(L4)によれば，下記の技術が認められる。
　　　　　　　　記（刊行物２記載技術）
　
アルミニウム箔
アルミニウム原箔に化学的または電気化学的なエッチングを行って粗面化し
粗面化されたエッチング箔を得るエッチング工程
当該エッチング箔を洗浄液で洗浄する洗浄工程
電解コンデンサ用アルミニウム電極箔
  前記
洗浄液として，クエン酸および／または酒石酸と，過酸化水素とを含む水溶液を用いる
　前記洗浄液における過酸化水素濃度が０．２〜０．５ｗｔ％であり，当該洗浄液には，
１０．０〜４５．０ｗｔ％のクエン酸および／または１５．０〜５０．０ｗｔ％の酒石酸
　前記洗浄工程における前記
洗浄液の液温が３５〜９０℃
　これにより，
エッチング箔に付着していた塩化物イオン，硫化物イオン等を確実に除去でき
　方法。　
　
　本願発明１の「有機多塩基酸」は，明細書の記載
　「【０００８】
  本発明に使用される有機酸は，一般的に「弱酸」であり，約０から約１１，一部の実施形態では約１から約１０，及び一部の実施形態では約２から約１０の２５℃で判断された第１の酸解離定数（ｐＫa1）を有する。アクリル酸，メタクリル酸，マロン酸，コハク酸，サリチル酸，スルホサリチル酸，アジピン酸，マレイン酸，リンゴ酸，オレイン酸，没食子酸，
酒石酸
クエン酸
α−酒石酸（２．９８のｐＫa1
クエン酸（３．１３のｐＫa1
多塩基酸
  「クエン酸」または「酒石酸」を含んでいうもの，といえ，
　上記「刊行物２記載技術」の「
クエン酸
酒石酸
　
　上記［相違点２の克服］のためには，少なくとも，引用発明のｑ２の硝酸または硫酸（Ｄ’の「
酸
クエン酸
酒石酸
　しかしながら，「刊行物２記載技術」の「
クエン酸
酒石酸
　「アルミニウム原箔に化学的または電気化学的なエッチングを行って粗面化し，粗面化されたエッチング箔を得るエッチング工程」において「
エッチング箔に付着」した「塩化物イオン，硫化物イオン等」を除去するため
　・引用発明の「表面清浄化工程」において，多孔質体（アノード本体）自体を
エッチング
　・引用発明が「表面清浄化工程」においてする，多孔質体（アノード本体）表面の酸化物等（不純物，Ｎｂ気相酸化物）をエッチング除去するもの，でもない。
　また，引用発明の，硝酸または硫酸が適用される多孔質体１（アノード本体）は，Ｎｂ粉末をプレス（圧縮）・真空焼結して形成した多孔質体であって，その表面積が大きいことを利用して電解コンデンサに利用するものであって，
　同じ電解コンデンサに利用するといっても，刊行物２記載技術のアルミニウム箔と異なり，そもそも，「化学的または電気化学的なエッチングを行って粗面化」して，表面積を拡大する「粗面化されたエッチング箔を得るエッチング工程」を行わないものであり，したがって，刊行物２記載技術が必要とする洗浄工程が不要なものである。
　
　以上のことからすれば，
　引用発明の，Ｎｂ多孔質体１の表層に存在する不純物やＮｂ気相酸化物を除去する「表面清浄化工程」に，刊行物２記載技術の，粗面化するエッチング工程において付着した塩化物イオン，硫化物イオン等を除去するための洗浄液に用いる「クエン酸」「酒石酸」を，適用する動機付けがある，とまではいえず，そのように適用することが，当業者が容易に想到し得ることである，とはいえない。
　
　ましてや，上記［相違点１の克服］をしたもの（引用発明の「
弁金属組成物
　さらに，引用発明のｑ２の硝酸または硫酸を，「クエン酸」又は「酒石酸」であって「エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成する」ものに変更することまで，当業者が容易に想到し得ることである，とはいえない。
　
　〈刊行物３〉
　刊行物３には，前掲(M1)〜(M3)によれば，「導電性のある一酸化ニオブ解砕粉を成形，焼結し，コンデンサ用焼結体に用いる」技術，すなわち，「弁金属組成物をニオブの導電性酸化物とすること」は記載されているものの，上記［相違点２の克服］に関する技術についての記載はなく，［相違点２の克服］が刊行物３に基づいて当業者が容易に想到し得ることである，とはいえない。
　
　以上のとおりであるから，刊行物１〜３の記載に基づいて上記［相違点２の克服］をすることが当業者が容易に想到し得る，とはいえない。
　
　ウ　まとめ（判断）
　以上のとおりであるから，本願発明１は刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。　
　
［３-２］本願発明１３について　
　
　（１）本願発明１３の分説
　本願発明１３は【第２】に記載したとおりであるところ，構成要件に分説すれば，以下のようである。
　
　　　　　　　　　本願発明１３（分説）
Ｆ　：２５℃の温度で０から１１の範囲の第１の酸解離定数を有する有機多塩基酸でエッチングされた表面を有し，タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する焼結圧縮アノードペレットであって，前記有機多塩基酸が，エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成し，前記有機多塩基酸は，前記アノードペレット上の任意の酸化物の少なくとも一部分をエッチング除去する，前記アノードペレットと，
Ｇ　：前記アノードペレットの前記エッチングされた表面の上に重なる誘電体層と，
Ｈ　：前記誘電体層の上に重なる固体電解質層と，
　を含むことを特徴とする
Ｉ　：固体電解コンデンサ。
　
　（２）本願発明１３と引用発明との対比，一致点・相違点
　上記［３-１］でした本願発明１との対比結果を踏まえた上，本願発明１３と引用発明とを対比する。
　
　ア　要件Ｉについて
　引用発明のｙの「製造された」「固体電解コンデンサ」が，要件Ｉ「固体電解コンデンサ」を満たすことは明らかである。
　
　イ　要件Ｆについて
　引用発明のｙの「不純物及び導電性がありＬＣ特性を劣化させる結晶質のＮｂ酸化物が除去されて存在しない，表面が清浄化されたＮｂ多孔質体」は，上記［３-１］イでの検討結果によれば，
　「酸でエッチングされた表面を有」する「焼結圧縮アノードペレット」ということができるものの，それはＮｂ金属であり「タンタル又はニオブの導電性酸化物」を含有しないものである。
　また，引用発明の上記の「酸」は「アノードペレット上の任意の酸化物の少なくとも一部分をエッチング除去する」ともいうことができる。
　したがって，引用発明も，
　「酸でエッチングされた表面を有」する「焼結圧縮アノードペレットであって，前記「酸は，前記アノードペレット上の任意の酸化物の少なくとも一部分をエッチング除去する，前記アノードペレットと，」ということができる点では，本願発明１３と相違せず，その他の要件Ｆでは相違する。
　
　ウ　要件Ｇについて
　引用発明も，「アノードペレットの前記エッチングされた表面の上に重なる誘電体層と」（を含む）といえることは，引用発明のｙ「・・・表面が清浄化されたＮｂ多孔質体の表面に，図２の最下図に示されるように，アモルファスＮｂ酸化皮膜２（誘電体皮膜）が形成され」から明らかである。
　したがって，要件Ｇにおいて，本願発明１３と相違しない。
　
　エ　要件Ｈについて
　引用発明も，「前記誘電体層の上に重なる固体電解質層と，を含むことを特徴とする」といえることは，引用発明のｗ「これらの工程後，誘電体皮膜２が形成されたＮｂ多孔質体１について，誘電体皮膜２の上に，導電性高分子層か二酸化マンガン層を形成する固体電解質層形成工程（ステップＳ６）」から明らかである。
　したがって，要件Ｈにおいて，本願発明１３と相違しない。
　
　オ　一致点・相違点
　以上の対比結果によれば，本願発明１３と引用発明の一致点，相違点は次のとおりであることが認められる。 
　
　［一致点］ 
Ｆ’　
酸
焼結圧縮アノードペレット
酸
Ｇ　　前記アノードペレットの前記エッチングされた表面の上に重なる誘電体層と，
Ｈ　　前記誘電体層の上に重なる固体電解質層と，
　を含むことを特徴とする
Ｉ　　固体電解コンデンサ。
　
　［相違点］
　
　［相違点１］
　上記Ｆ’の
焼結圧縮アノードペレット
　本願発明１３では，タンタル又はニオブの導電性酸化物を含有する
　のに対して，
　引用発明では，Ｎｂである点
　
　［相違点２］
　上記Ｆ’の酸が，
　本願発明１３では，
　２５℃の温度で０から１１の範囲の第１の酸解離定数を有する有機多塩基酸であって，前記有機多塩基酸が，エッチング溶液の０．５重量％から１０重量％を構成し，とするのに対して，
　引用発明では，硝酸または硫酸である点
　
　（３）判断（容易想到性）
　上記相違点２は，上記［３-１］でした本願発明１と引用発明との相違点２と実質的に同じである。
　したがって，その判断も上記［３-１］でした判断と同じであり，刊行物１〜３の記載に基づいて上記相違点２を克服をすることが当業者が容易に想到し得る，とはいえない。
　よって，本願発明１３も，刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである，とすることはできない。
　
［３-３］従属請求項記載の本願発明２〜１２，１４〜２６について
　従属請求項である請求項２〜１２，１４〜２６は，いずれも，独立請求項である請求項１又は１３を引用する請求項であるところ，
　独立請求項１及び１３記載のいずれの発明も，刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないのであるから，
　従属請求項である請求項２〜１２，１４〜２６に係る発明は，いずれも，刊行物１〜３記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
【第５】むすび
　以上のとおり，本願の請求項１〜２６に係る発明は，いずれも，刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり審決する。