【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを抽出するために使用されるイオン源部品から残留物を除去するための方法であって、
第１伝導性ダクトと第２伝導性ダクトとの間で左右に接続された誘電性ダクトを含むガス供給ラインにおいて第１プラズマを生成し、
前記イオン源部品から第１残留物の除去を促進するために、フッ素を含む前記第１プラズマを使用し、
前記第１プラズマが使用された後、前記イオン源部品から、その位置で、前記第１残留物とは異なる第２残留物の除去を促進するために酸素ラジカルを含む第２プラズマを使用することを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記第１プラズマを発生させるために使用されるガスは、フッ化炭素種またはフッ化炭化水素種の少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１プラズマを発生させるために使用されるガスは、ＮＦ3を含まないことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の予め定められた条件が満たされているかどうかに基づいて、前記第１プラズマについての曝露を選択的に終了し、前記第１の予め定められた条件は、残留物の除去の範囲を示すことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の予め定められた条件は、前記第１プラズマについての曝露の開始時間から測定されたとき、予め定められた時間が経過しているかどうかに関連していることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の予め定められた条件は、前記第１プラズマが前記イオン源部品から前記第１残留物を完全に除去したかどうかを、第２プラズマ源を使用する光学的分光分析が示して
いるどうかに関連し、
前記残留物はプラズマが前記第２プラズマ源に点火されるときに光子または光を放出することを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の予め定められた条件は、前記第１プラズマが前記イオン源部品から前記第１残留物を完全に除去したかどうかを、残留ガス質量分析が示すかどうかに関連していることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の予め定められた条件は、前記第１プラズマが前記イオン源から前記第１残留物を完全に除去したかどうかを、温度測定が示すかどうかに関連していることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記第１残留物は、ホウ素に基づいた化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第２の予め定められた条件が満たされたかどうかに基づいて、前記第２プラズマについての曝露を選択的に終了することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２残留物は、炭素に基づく化合物を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の予め定められた条件は、前記第２プラズマについての曝露の開始時間から測定されたとき、予め定められた時間が経過しているかどうかに関連していることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の予め定められた条件は、前記第２プラズマが前記イオン源部品から前記第２残留物を完全に除去したかどうかを、第２プラズマ源を使用する光学的分光分析が示しているどうかに関連し、
前記残留物はプラズマが前記第２プラズマ源に点火されるときに光子または光を放出することを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の予め定められた条件は、前記第２プラズマが前記イオン源部品から前記第２残留物を完全に除去したかどうかを、残留ガス質量分析が示すかどうかに関連していることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
イオンビームを抽出するために使用されるイオン源部品から残留物を除去するための方法であって、
ビーム通路に沿って第１イオンビームを抽出し、前記イオン源部品における第１残留物を増加させ、前記第１イオンビームは、第１分子種を含む第１ガスを使用することによって発生され、
前記ビーム通路に沿って第２イオンビームを抽出し、前記イオン源部品における第２残留物を増加させ、前記第２イオンビームは、第２分子種を含む第２ガスを使用することによって発生され、前記第２残留物は、前記第１残留物と構成上異なっており、
第１伝導性ダクトと第２伝導性ダクトとの間で左右に接続された誘電性ダクトを含むガス供給ラインにおいて、第１クリーニングプラズマ放電および第２クリーニングプラズマ放電を選択的に発生させ、前記イオン源部品からの前記第１残留物および前記第２残留物それぞれの除去を促進させることを特徴とする、方法。
【請求項１６】
前記第１クリーニングプラズマ放電および前記第２クリーニングプラズマ放電は、それぞれ前記第１プラズマ放電および前記第２プラズマ放電の下流である第１残光および第２残光を生じさせ、前記第１残光および前記第２残光は、前記第１残留物および前記第２残
留物それぞれを除去するために、前記第１残留物および前記第２残留物それぞれに接触することを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１ガスは、フッ素を含み、ＮＦ3を含まないことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１分子種は、ホウ素を含むことを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２ガスは、酸素を含むことを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２分子種は、炭素を含むことを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ビーム部品から残留物の除去を促進させるための反応性ガス供給システムであって、
複数の異なるドーパントガス供給と流動的に通じているフロー制御集合体と、複数の異なるクリーニングガス供給と、少なくとも１つのプラズマ室と、
前記異なるドーパントガス供給から１以上の少なくとも１室のプラズマ室にガスを選択的に供給するよう前記フロー制御集合体に指示し、ビームラインに沿った異なるそれぞれの種を有するイオンビームの抽出を促進させるのに適した制御装置とを備え、前記制御装置は、さらに、前記異なるクリーニングガス供給から選択的にガスを供給し、１以上の少なくとも１室のプラズマ室に異なるタイプのプラズマ放電を発生させ、前記異なるタイプのプラズマ放電は、異なる種を有する前記イオンビームが前記ビームラインに沿って抽出されたときに形成された、異なるタイプの残留物の増加を軽減するのに適していることを特徴とする、システム。
【請求項２２】
第１プラズマ室が第２プラズマ室に隣接して配置されるように、該第１プラズマ室を含むイオン源と、
複数のクリーニングガスのうちの１つを前記第１プラズマ室に向けて選択的に供給するのに適したガス供給ラインと、前記ガス供給ラインは、第１伝導性ダクトと第２伝導性ダクトとの間で左右に接続された誘電性ダクトを備え、
前記誘電性ダクトの内部表面によって定められる穴の中でプラズマを発生させるのに適したプラズマ発生部品とを備えることを特徴とする、イオン注入システム。
【請求項２３】
前記プラズマは、前記プラズマの残光が前記第１プラズマ室または前記第２プラズマ室の少なくとも１つにあちこちに飛ぶか、拡散するように発生され、前記イオン源内において形成された残留物を除去することを特徴とする、請求項２２に記載のイオン注入システム。
【請求項２４】
前記誘電性ダクトは、サファイアを含んでいることを特徴とする、請求項２２に記載のイオン注入システム。
【請求項２５】
前記プラズマ発生部品は、前記誘電性ダクトに巻きつけられている無線周波数（ＲＦ）コイルと、
前記ＲＦコイルを駆動するためのＲＦ電源とを含むことを特徴とする、請求項２２に記載のイオン注入システム。
【請求項２６】
前記プラズマ発生部品は、マイクロ波源を備えることを特徴とする、請求項２２に記載のイオン注入システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
図７は、ガス供給源ライン５１８内に位置する第２プラズマ源７０２内にクリーニングプラズマが実際に発生している、ある実施形態を示している。この実施形態において、反応ガス（図２におけるガスクリーニング供給２１０，２１２から供給される。）は、ガス供給源ライン５１８の長さ分（例えば、およそ２メートル）輸送される。この実施形態において、ガス供給源ライン５１８は、第１伝導性ダクト７０６と第２伝導性ダクト７０８
との間で連結された誘電性ダクト７０４を含む。第１伝導性ダクト７０６は、ガス供給ラインとして述べられていてもよく、一方、第２伝導性ダクト７０８は、残光供給ラインとして述べられている。いくつかの実施形態において、誘電性ダクト７０４は、サファイア（フッ素互換性用）および伝導性ダクト７０６を含んでもよい。誘導コイル７１０は、開口５２４に非常に近いガス供給源ライン５１８に巻きつけられている。マッチング回路７１４を介して、誘導コイル７１０に連結されたＲＦ電源７１２が活性化されると、高濃度プラズマは、ガス供給ライン５１８内の領域７１６において発生される。したがって、プラズマは、反応種が残留物を清浄するよう使用される第１および／または第２室５０２，５１６に非常に近接して発生される。図７は、ＲＦコイル７１０を含む実施形態を示しているが、他の実施形態は、開口５２４に近接しているマイクロ波源または他のプラズマ発生部品と共に使用することができる。