【手続補正書】
【提出日】平成27年4月17日(2015.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の表面のそれぞれにより第１及び第２の横断方向に延びる平面を画定する第１及び第２の表面と、前記第１及び第２の表面間にて延びる第１及び第２の開口とを有する基板であって、前記第１の開口が前記第１の横断方向に延びる長手寸法を有し、前記第２の開口が前記第２の横断方向に延びる長手寸法を有し、前記第１及び第２の開口の長手寸法が前記第１及び第２の開口の短手寸法よりも大きな長さを有し、前記第１及び第２の開口の短手寸法がそれぞれ前記第２及び第１の横断方向に延びている、基板と、
前記第１の表面と向き合う前面と、前記前面から離れた裏面と、互いに向き合った第１及び第２の縁部と、前記第１及び第２の縁部間の方向に延びると共に前記前面及び前記裏面間にて延びる第３の縁部と、前記第１の開口と真直ぐに並んだ前記前面の中央領域におけるボンドパッドとを有する第１の超小型電子素子であって、前記中央領域が前記第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、第１の超小型電子素子と、
前記第１の超小型電子素子の裏面と向き合って、前記第１の超小型電子素子における第３の縁部を超えて突出した前面と、前記第２の開口と真直ぐに並んだ第２の超小型電子素子における前面の中央領域のボンドパッドとを有する第２の超小型電子素子であって、前記中央領域が、第２の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、第２の超小型電子素子と
を備え、
前記第１及び第２の超小型電子素子のボンドパッドが前記基板の導電要素に電気的に接続されている、超小型電子アセンブリ。
【請求項２】
前記第１の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第１の開口と真直ぐに並んだ部分を有する第１のリードによって前記導電要素に電気的に接続されており、
前記第２の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第２の開口と真直ぐに並んだ部分を有する第２のリードによって前記導電要素に電気的に接続されている、請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項３】
前記第１のリードが前記第１の開口を通って延びていない構成、及び前記第２のリードが前記第２の開口を通って延びていない構成の少なくとも一方となっている、請求項２に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項４】
前記ボンドパッドが、前記第１の開口を通って延びる第１のワイヤボンド、及び前記第２の開口を通って延びる第２のワイヤボンドによって前記導電要素に電気的に接続されている、請求項１に記載に超小型電子アセンブリ。
【請求項５】
前記第１及び第２の超小型電子素子の少なくとも１つにおける少なくとも一部と熱連通するヒートスプレッダをさらに備えている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項６】
前記基板の導電要素に電気的に接続された端子をさらに備え、
前記端子が前記超小型電子アセンブリを外部コンポーネントに電気的に接続するように構成されている、請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項７】
前記基板の導電要素を介して、前記端子の少なくともいくつか及び前記超小型電子素子の１つ又は複数に電気的に接続されたバッファ素子をさらに備え、
前記バッファ素子が、前記端子の少なくとも１つにて受信した少なくとも１つの信号を再生し、該再生した少なくとも１つの信号を前記導電要素の少なくとも１つを介して前記１つ又は複数の超小型電子素子に伝達するように構成されている、請求項６に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項８】
前記第１の超小型電子素子と向き合って、前記第１の超小型電子素子の第３の縁部とは反対側の第４の縁部を超えて突出した前面を有する第３の超小型電子素子をさらに備え、
前記第３の超小型電子素子が前記前面にボンドパッドを有し、
前記ボンドパッドが、前記基板の第３の開口と真直ぐに並んでおり、前記導電要素に電気的に接続されている、請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項９】
前記第３の超小型電子素子のボンドパッドが前記第３の超小型電子素子における前面の中央領域に配置されており、
前記中央領域が、前記第３の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、請求項８に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１０】
前記第３の超小型電子素子におけるボンドパッドの５つ以上から成る少なくとも１つの列が、前記第３の超小型電子素子の周縁部に隣接して配置されている、請求項８に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１１】
前記基板の第１の表面と向き合う前面及び該前面から離れた裏面を有する第４の超小型電子素子をさらに備え、
前記第４の超小型電子素子が前記前面にボンドパッドを有しており、
前記ボンドパッドが、前記基板の第４の開口と真直ぐに並んでおり、前記導電要素に電気的に接続されている、請求項８に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１２】
前記第４の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第４の超小型電子素子における前面の中央領域に配置されており、
前記中央領域が、前記第４の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、請求項１１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１３】
前記第４の超小型電子素子におけるボンドパッドの５つ以上から成る少なくとも１つの列が、前記第４の超小型電子素子の周縁部に隣接して配置されている、請求項１１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１４】
請求項１に記載の超小型電子アセンブリと、前記超小型電子アセンブリに電気的に接続された１つ又は複数の他の電子コンポーネントとを備えているシステム。
【請求項１５】
ハウジングをさらに備え、
前記超小型電子アセンブリ及び前記他の電子コンポーネントが前記ハウジング内に実装されている、請求項１４に記載のシステム。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
本発明をここでは特定の実施形態を参照して説明してきたが、これらの実施形態は、本発明の原理及び用途の単なる例示にすぎないことを理解されたい。従って、例示的な実施形態に対して多くの修正がなされてもよいこと、並びに添付の請求項に記載される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の構成が考案されてもよいことを理解されたい。
なお、本発明の実施形態例を以下にさらに示す。
［実施形態例１］
第１及び第２の表面のそれぞれにより第１及び第２の横断方向に延びる平面を画定する第１及び第２の表面と、前記第１及び第２の表面間にて延びる第１及び第２の開口とを有する基板であって、前記第１の開口が前記第１の横断方向に延びる長手寸法を有し、前記第２の開口が前記第２の横断方向に延びる長手寸法を有し、前記第１及び第２の開口の長手寸法が前記第１及び第２の開口の短手寸法よりも大きな長さを有し、前記第１及び第２の開口の短手寸法がそれぞれ前記第２及び第１の横断方向に延びている、基板と、
前記第１の表面と向き合う前面と、前記前面から離れた裏面と、互いに向き合った第１及び第２の縁部と、前記第１及び第２の縁部間の方向に延びると共に前記前面及び前記裏面間にて延びる第３の縁部と、前記第１の開口と真直ぐに並んだ前記前面の中央領域におけるボンドパッドとを有する第１の超小型電子素子であって、前記中央領域が前記第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、第１の超小型電子素子と、
前記第１の超小型電子素子の裏面と向き合って、前記第１の超小型電子素子における第３の縁部を超えて突出した前面と、前記第２の開口と真直ぐに並んだ第２の超小型電子素子における前面の中央領域のボンドパッドとを有する第２の超小型電子素子であって、前記中央領域が、第２の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、第２の超小型電子素子と
を備え、
前記第１及び第２の超小型電子素子のボンドパッドが前記基板の導電要素に電気的に接続されている、超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２］
前記第１の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第１の開口と真直ぐに並んだ部分を有する第１のリードによって前記導電要素に電気的に接続されており、
前記第２の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第２の開口と真直ぐに並んだ部分を有する第２のリードによって前記導電要素に電気的に接続されている、実施形態例１に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３］
前記第１のリードが前記第１の開口を通って延びていない構成、及び前記第２のリードが前記第２の開口を通って延びていない構成の少なくとも一方となっている、実施形態例２に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４］
前記ボンドパッドが、前記第１の開口を通って延びる第１のワイヤボンド、及び前記第２の開口を通って延びる第２のワイヤボンドによって前記導電要素に電気的に接続されている、実施形態例１に記載に超小型電子アセンブリ。
［実施形態例５］
前記第１の開口を通って延びる第１のリード及び第２のリードをさらに備え、
前記第１のリードが、前記第１の超小型電子素子におけるボンドパッドの少なくともいくつかを前記基板の導電要素に電気的に接続しており、
前記第２のリードが前記第２の開口と真直ぐに並んだ部分を有し、
前記第２のリードが前記第２の開口を通って延びておらず、
前記第２のリードが、前記第２の超小型電子素子における前記ボンドパッドの少なくともいくつかを前記基板の導電要素に電気的に接続している、実施形態例１に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例６］
前記第２のリードがリードボンドとなっている、実施形態例５に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例７］
前記第１及び第２の超小型電子素子の少なくとも１つにおける少なくとも一部と熱連通するヒートスプレッダをさらに備えている実施形態例１に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例８］
前記ヒートスプレッダが、前記第１及び第２の超小型電子素子のそれぞれにおける少なくとも一部と熱連通するようになっている、実施形態例７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例９］
前記ヒートスプレッダが前記第２の超小型電子素子のみと熱連通するようになっている、実施形態例７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１０］
前記基板の導電要素に電気的に接続された端子をさらに備え、
前記端子が前記超小型電子アセンブリを外部コンポーネントに電気的に接続するように構成されている、実施形態例１に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１１］
前記基板の導電要素を介して、前記端子の少なくともいくつか及び前記超小型電子素子の１つ又は複数に電気的に接続されたバッファ素子をさらに備え、
前記バッファ素子が、前記端子の少なくとも１つにて受信した少なくとも１つの信号を再生し、該再生した少なくとも１つの信号を前記導電要素の少なくとも１つを介して前記１つ又は複数の超小型電子素子に伝達するように構成されている、実施形態例１０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１２］
前記バッファ素子が、能動素子を内部に有する超小型電子素子となっている、実施形態例１１に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１３］
前記第１の超小型電子素子と向き合って、前記第１の超小型電子素子の第３の縁部とは反対側の第４の縁部を超えて突出した前面を有する第３の超小型電子素子をさらに備え、
前記第３の超小型電子素子が前記前面にボンドパッドを有し、
前記ボンドパッドが、前記基板の第３の開口と真直ぐに並んでおり、前記導電要素に電気的に接続されている、実施形態例１に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１４］
前記第３の超小型電子素子のボンドパッドが前記第３の超小型電子素子における前面の中央領域に配置されており、
前記中央領域が、前記第３の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、実施形態例１３に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１５］
第３のリードをさらに備え、
前記第３の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第３のリードによって前記基板の導電要素の少なくともいくつかに電気的に接続されている、実施形態例１３に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１６］
前記第３のリードがワイヤボンドとなっている、実施形態例１５に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１７］
前記第３の超小型電子素子におけるボンドパッドの５つ以上から成る少なくとも１つの列が、前記第３の超小型電子素子の周縁部に隣接して配置されている、実施形態例１３に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１８］
前記第２及び第３の超小型電子素子のそれぞれにおける前面が単一平面上に位置している、実施形態例１３に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例１９］
前記第３の超小型電子素子が前記第２の超小型電子の少なくとも一部と重なっている、実施形態例１３に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２０］
前記基板の第１の表面と向き合う前面及び該前面から離れた裏面を有する第４の超小型電子素子をさらに備え、
前記第４の超小型電子素子が前記前面にボンドパッドを有しており、
前記ボンドパッドが、前記基板の第４の開口と真直ぐに並んでおり、前記導電要素に電気的に接続されている、実施形態例１３に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２１］
前記第４の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第４の超小型電子素子における前面の中央領域に配置されており、
前記中央領域が、前記第４の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、実施形態例２０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２２］
第４のリードをさらに備え、
前記第４の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第４のリードによって前記基板の導電要素の少なくともいくつかに電気的に接続されている、実施形態例２０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２３］
前記第４のリードがワイヤボンドとなっている、実施形態例２２に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２４］
前記第４の超小型電子素子におけるボンドパッドの５つ以上から成る少なくとも１つの列が、前記第４の超小型電子素子の周縁部に隣接して配置されている、実施形態例２０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２５］
前記第１及び第４の超小型電子素子のそれぞれにおける前面が単一平面上に位置している、実施形態例２０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２６］
前記第２の超小型電子素子が前記第４の超小型電子素子の少なくとも一部と重なっている、実施形態例２０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２７］
互いに向き合った第１及び第２の表面と、前記第１及び第２の表面間にて延びる少なくとも１つの第１の開口と、前記第１及び第２の表面間にて延びる少なくとも１つの第２の開口とを有する基板と、
前記第１の表面と向き合う前面と、前記前面から離れた裏面と、互いに向き合った第１及び第２の縁部と、前記第１及び第２の縁部間の方向に延びると共に前記前面及び前記裏面間にて延びる第３の縁部とを有し、かつ前記前面の中央領域にて第１の方向に延びて、前記少なくとも１つの第１の開口と真直ぐに並んでいる５つ以上のボンドパッドから成る少なくとも１つの列を有する第１の超小型電子素子であって、前記中央領域が、前記第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、第１の超小型電子素子と、
前記第１の超小型電子素子の裏面と向き合って、前記第１の超小型電子素子の第３の縁部を超えて突出した前面を有し、かつ前記第２の超小型電子素子における前面の中央領域にて第２の方向に延びて、前記少なくとも１つの第２の開口と真直ぐに並んでいる５つ以上のボンドパッドから成る少なくとも１つの列を有する第２の超小型電子素子であって、前記第２の方向が前記第１の方向を横断しており、前記中央領域が前記第２の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、第２の超小型電子素子と
を備え、
前記第１及び第２の超小型電子素子のボンドパッドが前記基板の導電要素に電気的に接続されている、超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２８］
前記少なくとも１つの第１の開口が前記第１の方向に延びる複数の第１の開口を含んでいる、実施形態例２７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例２９］
前記少なくとも１つの第２の開口が前記第２の方向に延びる複数の第２の開口を含んでいる、実施形態例２７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３０］
前記第１の超小型電子素子と向き合って、前記第１の超小型電子素子における第３の縁部とは反対側の第４の縁部を超えて突出した前面を有する第３の超小型電子素子をさらに備え、
前記第３の超小型電子素子が前記前面にボンドパッドを有しており、
前記ボンドパッドが、前記基板の第３の開口と真直ぐに並んでおり、前記導電要素に電気的に接続されている、実施形態例２７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３１］
前記第３の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第３の超小型電子素子における前面の中央領域に配置されており、
前記中央領域が、前記第３の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、実施形態例３０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３２］
第３のリードをさらに備え、
前記第３の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第３のリードによって前記基板の導電要素の少なくともいくつかに電気的に接続されている、実施形態例３０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３３］
前記第３のリードがワイヤボンドとなっている、実施形態例３２に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３４］
前記第３の超小型電子素子におけるボンドパッドの５つ以上から成る少なくとも１つの列が、前記第３の超小型電子素子の周縁部に隣接して配置されている、実施形態例３０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３５］
前記第２及び第３の超小型電子素子のそれぞれにおける前面が単一平面上に位置している、実施形態例３０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３６］
前記第３の超小型電子素子が前記第２の超小型電子素子の少なくとも一部と重なっている、実施形態例３０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３７］
前記基板の第１の表面と向き合う前面及び該前面から離れた裏面を有する第４の超小型電子素子をさらに備え、
前記第４の超小型電子素子が前記前面にボンドパッドを有しており、
前記ボンドパッドが、前記基板の第４の開口と真直ぐに並んでおり、前記導電要素に電気的に接続されている、実施形態例３０に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３８］
前記第４の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第４の超小型電子素子における前面の中央領域に配置されており、
前記中央領域が、前記第４の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、実施形態例３７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例３９］
第４のリードをさらに備え、
前記第４の超小型電子素子のボンドパッドが、前記第４のリードによって前記基板の導電要素の少なくともいくつかに電気的に接続されている、実施形態例３７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４０］
前記第４のリードがワイヤボンドとなっている、実施形態例３９に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４１］
前記第４の超小型電子素子におけるボンドパッドの５つ以上から成る少なくとも１つの列が、前記第４の超小型電子素子の周縁部に隣接して配置されている、実施形態例３７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４２］
前記第１及び第４の超小型電子素子のそれぞれにおける前面が単一平面上に位置している、実施形態例３７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４３］
前記第２の超小型電子素子が前記第４の超小型電子素子の少なくとも一部と重なっている、実施形態例３７に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４４］
第１及び第２の表面のそれぞれにより第１及び第２の横断方向に延びる平面を画定する第１及び第２の表面と、前記第１及び第２の表面間にて延びる第１及び第２の開口とを有する基板であって、前記第１の開口が前記第１の横断方向に延びる長手寸法を有し、前記第２の開口が前記第２の横断方向に延びる長手寸法を有し、前記第１及び第２の開口の長手寸法が前記第１及び第２の開口の短手寸法よりも大きな長さを有し、前記第１及び第２の開口の短手寸法がそれぞれ前記第２及び第１の横断方向に延びている、基板と、
前記第１の表面に向き合う前面と、前記前面から離れた裏面と、互いに向き合った第１及び第２の縁部と、前記第１及び第２の縁部間の方向に延びると共に前記前面及び前記裏面間にて延びる第３の縁部と、前記第１の開口と真直ぐに並んだ前記前面の中央領域におけるボンドパッドとを有する第１の超小型電子素子であって、前記中央領域が前記第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、第１の超小型電子素子と、
前記第１の超小型電子素子の裏面と向き合って、前記第１の超小型電子素子における第１の縁部を超えて突出した前面と、前記基板の第１の表面及び第２の表面間にて延びる第３の開口と真直ぐに並んだ前記第２の超小型電子素子の前面におけるボンドパッドとを有する第２の超小型電子素子と、
前記第１の超小型電子素子の裏面と向き合って、前記第１の超小型電子素子における第３の縁部を超えて突出した前面と、前記第２の開口と真直ぐに並んだ前記第３の超小型電子素子における前面の中央領域のボンドパッドとを有する第３の超小型電子素子であって、前記中央領域が、前記第３の超小型電子素子の互いに向き合った第１及び第２の縁部間距離の３分割中央部分にて延びている、第３の超小型電子素子と、
前記第１の超小型電子素子の裏面と向き合って、前記第１の超小型電子素子における第３の縁部とは反対側の第４の縁部を超えて突出した前面と，前記基板の第１及び第２の表面間にて延びる第４の開口と真直ぐに並んだ前記第４の超小型電子素子の前面におけるボンドパッドとを有する第４の超小型電子素子と
を備え、
前記第１，第２，第３，及び第４の超小型電子素子のボンドパッドが前記基板の導電要素に電気的に接続されている、超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４５］
前記第３及び第４の超小型電子素子のそれぞれにおける前面が単一平面上に位置している、実施形態例４４に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４６］
前記第３の超小型電子素子が前記第２の超小型電子素子の少なくとも一部と重なっている、実施形態例４４に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４７］
前記第４の超小型電子素子が前記第２の超小型電子素子の少なくとも一部と重なっている、実施形態例４４に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４８］
前記第３及び第４の超小型電子素子がそれぞれ前記第２の超小型電子素子の少なくとも一部と重なっている、実施形態例４４に記載の超小型電子アセンブリ。
［実施形態例４９］
実施形態例１，２７、及び４４のいずれか一項に記載の超小型電子アセンブリと、前記超小型電子アセンブリに電気的に接続された１つ又は複数の他の電子コンポーネントとを備えているシステム。
［実施形態例５０］
ハウジングをさらに備え、
前記超小型電子アセンブリ及び前記他の電子コンポーネントが前記ハウジング内に実装されている、実施形態例４９に記載のシステム。