【事件の表示】
　特願２００７−５５８０７７「レイヤ転送プロセス用の基板強化方法および結果のデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月　８日国際公開，ＷＯ２００６／０９３８１７，平成２０年　８月１４日国内公表，特表２００８−５３２３１７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００６年２月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年２月２８日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年１２月２０日付けで拒絶の理由が通知され，平成２４年５月７日に意見書と手続補正書が提出され，同年８月２９日付けで最後の拒絶の理由が通知され，同年１２月１１日に誤訳訂正書と意見書及び手続補正書が提出され，平成２５年４月２２日付けで，平成２４年１２月１１日に提出した手続補正書でした補正を却下するとともに，拒絶査定がされたものである。
　その後，平成２５年９月９日に，前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年１２月９日付けで審尋がおこなわれ，平成２６年３月１７日に前記審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年９月９日に提出された手続補正書でした手続補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年９月９日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２５年９月９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてするものであって，そのうち補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　第１たわみ特性を有し，さらに，背面，正面，劈開領域を有するとともに前記劈開領域と前記正面との間で決められる材料の層を含むドナー基板を用意すること，
　前記ドナー基板の前記正面をハンドル基板の正面に結合することと，
　マルチレイヤ構造を形成するためにバッキング基板を前記ドナー基板の前記背面に連結することであって，前記バッキング基板は，前記ドナー基板の前記第１たわみ特性を所定のレベルまで減少させるのに適切であり，前記所定のレベルは，材料の前記層をハンドル基板の前記正面に転写するのに適切なたわみ特性である，前記連結することと，
　前記バッキング基板が少なくとも前記適切なたわみ特性を維持するために前記ドナー基板に対して損なわれないままである間に，前記劈開領域の部分で前記ドナー基板からの材料の前記層の除去を開始するために　前記ドナー基板の前記劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始することと
　を含み，
　前記バッキング基板は，前記ドナー基板と比較してより厚いシリコン・ウエハであり，
　前記バッキング基板と前記ドナー基板との間の前記連結することは，結合プロセスを使用してもたらされ，前記結合プロセスは，共有結合，陽極結合，化学結合，静電結合，プラズマ活性化結合から選択されることを特徴とする
マルチレイヤ基板を製造する方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　第１たわみ特性を有し，さらに，背面，正面，劈開領域を有するとともに前記劈開領域と前記正面との間で決められる材料の層を含むドナー基板を用意すること，
　前記ドナー基板の前記正面をハンドル基板の正面に結合することと，
　マルチレイヤ構造を形成するためにバッキング基板を前記ハンドル基板に結合された前記ドナー基板の前記背面に連結することであって，前記バッキング基板は，前記ドナー基板の前記第１たわみ特性を所定のレベルまで減少させるのに適切であり，前記所定のレベルは，材料の前記層をハンドル基板の前記正面に転写するのに適切なたわみ特性である，前記連結することと，
　前記バッキング基板が少なくとも前記適切なたわみ特性を維持するために前記ドナー基板に対して損なわれないままである間に，前記劈開領域の部分で前記ドナー基板からの材料の前記層の除去を開始するために　前記ドナー基板の前記劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始することと
　を含み，
　前記劈開プロセスでは，前記ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは前記材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンまたは希ガスイオンを含み，前記エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり，
　前記バッキング基板は，前記ドナー基板と比較してより厚いシリコン・ウエハであり，
　前記バッキング基板と前記ドナー基板との間の前記連結することは，結合プロセスを使用してもたらされ，前記結合プロセスは，共有結合，陽極結合，化学結合，静電結合，プラズマ活性化結合から選択されることを特徴とする
マルチレイヤ基板を製造する方法。」
　
２　補正の適否について
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「マルチレイヤ構造を形成するためにバッキング基板を前記ドナー基板の前記背面に連結すること」を補正して，補正後の「マルチレイヤ構造を形成するためにバッキング基板を前記ハンドル基板に結合された前記ドナー基板の前記背面に連結すること」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「劈開プロセスを開始することと
　を含み」を補正して，
　補正後の「劈開プロセスを開始することと
　を含み，
　前記劈開プロセスでは，前記ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは前記材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンまたは希ガスイオンを含み，前記エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項４を削除して，補正前の請求項５−６を，補正後の請求項４−５にすること。
　
３　新規事項の追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項２について
ア　特許法第１７条の２（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２をいう。以下同じ。）第３項は，拒絶査定不服審判を請求する場合において，その審判の請求と同時にする補正の要件を定めるものであり，特許法第３６条の２（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第３６条の２をいう。以下同じ。）第２項の外国語書面出願にあっては，同条第４項の規定により明細書，特許請求の範囲及び図面とみなされた同条第２項に規定する外国語書面の翻訳文（以下「翻訳文」という。）に記載した事項の範囲内においてしなければならないことを規定する。
　そこで，上記補正事項２が，翻訳文に記載した事項の範囲内においてしたものであるかについて検討する。
　
イ　上記補正事項２は，補正前の発明の「劈開プロセス」を，「前記劈開プロセスでは，前記ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは前記材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンまたは希ガスイオンを含み，前記エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」という技術的事項によって特定しようとするものである。
　
ウ　一方，翻訳文には，例えば，審判請求人が回答書において，本件補正が新規事項の追加に該当するものでないことが明らかであるとする根拠として主張する【０１０７】−【０１０９】に，以下の記載がある。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
（翻ａ）「【０１０７】
　
実施形態に応じて，劈開領域を，さまざまな技法を使用して形成することができる
【０１０８】
　応用例に応じて，より小さい質量の粒子が，一般に，好ましい実施形態に従って材料領域の層への損傷の可能性を減らすために選択される。すなわち，
より小さい質量の粒子は，その粒子が通る材料領域の層に実質的に損傷を与えずに，基板材料を通って選択された深さまで簡単に移動する
特定の実施形態で，粒子は，実施形態に応じて，水素とその同位元素のイオン，ヘリウムとその同位元素，ネオンなどの希ガス・イオンまたは他のイオンなどのイオンを含む中性のおよび／または帯電した粒子とすることができる
【０１０９】
　
例として，シリコン・ウエハに注入される種として水素を使用すると
注入プロセスは，条件の特定の組を使用して実行される
注入線量は，約１０
15
原子／ｃｍ
2
から約１０
18
原子／ｃｍ
2
までの範囲にわたり
注入エネルギは，約１ＫｅＶから約１ＭｅＶまでの範囲にわたり
もちろん，使用されるイオンの種類やプロセス条件は，応用例に依存する
　
エ　そうすると，上記補正事項２のうち，「ドナー基板」が「シリコン・ウエハ」であって，「エネルギ粒子」が「水素イオン」であるという組合せについては，「注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」というプロセス条件が，翻訳文に記載されていることが理解できる。
　
オ　しかしながら，上記補正事項２によって特定しようとする技術的事項は，「ドナー基板」を「シリコン・ウエハ」に限定しておらず，また，「エネルギ粒子」は「水素イオン」である場合とともに，「希ガスイオン」である場合をも含むものである。
　他方，翻訳文には，シリコン・ウエハ「以外」のドナー基板を用いる場合，あるいは，エネルギ粒子として「希ガスイオン」を用いる場合に，「注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」というプロセス条件を適用することは記載されていない。
　すなわち，翻訳文には，「ドナー基板」が「シリコン・ウエハ」であって，「エネルギ粒子」が「水素イオン」であるという組合せ以外の場合について，プロセス条件が記載されていない。
　
カ　一方，イオン注入において，より小さい質量の粒子が，基板材料を通って簡単に移動することは技術常識といえる。また，上記摘記（翻ａ）の「より小さい質量の粒子は，その粒子が通る材料領域の層に実質的に損傷を与えずに，基板材料を通って選択された深さまで簡単に移動する。」との記載からも，エネルギ粒子の保有する質量の大きさが，その粒子が通る材料領域の層に与える損傷の程度，及び，前記エネルギ粒子が到達する深さ等を左右することを理解できる。
　そうすると，「水素イオン」と「ネオンなどの希ガスイオン」の質量が異なることは周知であるから，「ドナー基板」が「シリコン・ウエハ」であって，「エネルギ粒子」が「水素イオン」であるという組合せにおける「注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」というプロセス条件が，「エネルギ粒子」が「ネオンなどの希ガスイオン」である場合においても，そのまま妥当するといえないことは明らかである。
　しかも，「ドナー基板」が，「シリコン・ウエハ」であるか，他の材料の基板であるかの違いによっても，適切なプロセス条件が異なることは，当業者にとって自明といえる。
　そうすると，「ドナー基板」が「シリコン・ウエハ」であって，「エネルギ粒子」が「水素イオン」であるという組合せにおける，「注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」というプロセス条件が，「ドナー基板」が「シリコン・ウエハ」以外の材料からなる基板であり，「エネルギ粒子」が「ネオンなどの希ガスイオン」である場合においても妥当するといえることが自明であると認めることもできない。
　
キ　そうすると，補正事項２によって補正しようとする技術的事項のうち，「ドナー基板」が「シリコン・ウエハ」以外の材料からなる基板であり，「エネルギ粒子」が「ネオンなどの希ガスイオン」である場合のプロセス条件を「注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」とする部分は，翻訳文に記載された事項ではなく，また，記載された事項から自明な事項であるとも認められない。
　したがって，補正事項２は，翻訳文のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものということはできない。
　
ク　以上検討したように，補正事項２が，翻訳文のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものということはできないから，他の補正事項については検討するまでもなく，本件補正は，翻訳文に記載された事項の範囲内においてしたものということはできない。
　
４　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
＜予備的検討＞
　なお，仮に，上記補正事項を含む本件補正が特許法第１７条の２第３項の規定に違反しないとしても，下記のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　すなわち，平成２５年９月９日に提出された手続補正書による補正は，補正前の請求項１の「劈開プロセス」を，「前記ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは前記材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンまたは希ガスイオンを含み，前記エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」と限定する上記補正事項２を含むから，本件補正は，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とした補正を含むこととなる。
　そこで，平成２５年９月９日に提出された手続補正書により補正された補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否かについて検討する。
　
５　サポート要件について
（１）本願補正発明１は，「ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは前記材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンまたは希ガスイオンを含み，前記エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」を発明特定事項として含むものである。
　
（２）一方，本願の明細書及び図面には，「【０１０９】
　例として，シリコン・ウエハに注入される種として水素を使用すると，注入プロセスは，条件の特定の組を使用して実行される。注入線量は，約１０15原子／ｃｍ2から約１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，好ましくは，線量は，約１０16原子／ｃｍ2を超える。注入エネルギは，約１ＫｅＶから約１ＭｅＶまでの範囲にわたり」と記載されている。
　しかしながら，シリコン・ウエハ「以外」のドナー基板を用いた場合，あるいは，エネルギ粒子として，「希ガスイオン」を用いた場合の，「注入線量」及び「注入エネルギ」については，記載も示唆もない。
　
（３）そして，イオン注入において，より小さい質量の粒子が，基板材料を通って簡単に移動することは技術常識であり，イオンを注入する基板の材料の違いによって，当該イオン注入時のエネルギ粒子の挙動が異なることも周知の事項である。
　
（４）そうすると，「ドナー基板」が「シリコン・ウエハ」以外であり，あるいは，「エネルギ粒子」が「希ガスイオン」を含むものである場合においても，「エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」というプロセス条件によって，本願の明細書に記載された，発明が解決しようとする課題を解決することができるとまで，発明の詳細な説明に記載された，前記「例として，シリコン・ウエハに注入される種として水素を使用すると，注入プロセスは，条件の特定の組を使用して実行される。注入線量は，約１０15原子／ｃｍ2から約１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，好ましくは，線量は，約１０16原子／ｃｍ2を超える。注入エネルギは，約１ＫｅＶから約１ＭｅＶまでの範囲にわたり」という記載から把握できる発明を，一般化することができるとは認められない。
　したがって，本願補正発明１は，発明の詳細な説明に記載されたものであるとは認めることはできない。
　
（５）すなわち，特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　したがって，本願補正発明１は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６　進歩性について
（１）本願補正発明１
　本願補正発明１を再掲すると，以下のとおりである。
　
「【請求項１】
　第１たわみ特性を有し，さらに，背面，正面，劈開領域を有するとともに前記劈開領域と前記正面との間で決められる材料の層を含むドナー基板を用意すること，
　前記ドナー基板の前記正面をハンドル基板の正面に結合することと，
　マルチレイヤ構造を形成するためにバッキング基板を前記ハンドル基板に結合された前記ドナー基板の前記背面に連結することであって，前記バッキング基板は，前記ドナー基板の前記第１たわみ特性を所定のレベルまで減少させるのに適切であり，前記所定のレベルは，材料の前記層をハンドル基板の前記正面に転写するのに適切なたわみ特性である，前記連結することと，
　前記バッキング基板が少なくとも前記適切なたわみ特性を維持するために前記ドナー基板に対して損なわれないままである間に，前記劈開領域の部分で前記ドナー基板からの材料の前記層の除去を開始するために前記ドナー基板の前記劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始することと
　を含み，
　前記劈開プロセスでは，前記ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは前記材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンまたは希ガスイオンを含み，前記エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり，
　前記バッキング基板は，前記ドナー基板と比較してより厚いシリコン・ウエハであり，
　前記バッキング基板と前記ドナー基板との間の前記連結することは，結合プロセスを使用してもたらされ，前記結合プロセスは，共有結合，陽極結合，化学結合，静電結合，プラズマ活性化結合から選択されることを特徴とする
マルチレイヤ基板を製造する方法。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の理由で引用した，本願の優先権の主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。
　
ア　引用例１：特開２００５−５７０８号公報
（１ａ）「【請求項１】
　
第１の物質の層を，第２の物質によって構成される基板上に形成する方法
　前記第１および第２の物質は異なる熱膨張係数を有し，
　第１の物質によって構成される第１の基板と，第２の物質によって構成される第２の基板と，前記第１および第２の物質の一方または他方と同じである物質から形成されるか，或いは前記第１および第２の物質の一方または他方の熱膨張係数と近似するかまたは同じである熱膨張係数を有する物質で構成される第３の基板とを選択する工程と，
　
前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わさるように
前記第１
の基板
と前記第３の基板とが貼り合わさるように集合体を形成する
　
前記第１の基板の厚み内に亀裂を生じさせる
【請求項２】
　前記第１および第２の基板のうちの１つと前記第３の基板とを貼り合わせてから，前記第１および第２の基板を貼り合わせる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　
前記第１
の基板と前記第３の基板とを貼り合わせる前に，前記第１および第２の基板を貼り合わせる
【請求項４】
　
前記第１の基板の内部に脆弱化層が形成
【請求項５】
　
前記脆弱化層は
イオン打ち込み
【請求項６】
　前記脆弱化層が原子打ち込みまたはイオン打ち込みによって形成され，
　
打ち込まれるイオンが
水素イオン
ヘリウムイオン
【請求項７】
　前記第１の基板は，２５０℃〜６００℃の範囲の温度で亀裂が生じる請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
　前記第１および第２の基板は，接着剤による接合または分子接合によって貼り合わせられている請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
　前記第１および第２の基板の集合体の界面を強化するために昇温する工程をさらに含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
　前記第１の基板が半導体によって形成されている請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
　前記
第２の基板の厚さが５００μｍ〜８００μｍの範囲
【請求項１２】
　前記
第３の基板の厚さが７００μｍ〜１２００μｍの範囲
【請求項１３】
　前記第１の物質の前記層および前記第２の物質によって構成される前記基板が，シリコン−石英，シリコン−ガラス，シリコン−サファイア，ゲルマニウム−シリコン，ゲルマニウム−ガラス，シリコンカーバイド（ＳｉＣ）−石英，またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）−ガラスの構造を形成している請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
　前記第１の物質がシリコンであり，前記第２の物質および前記第３の基板を構成する第３の物質が石英である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。」
　
（１ｂ）「【００１３】
　用意される２つの基板１０および１２は，比肩しうるまたは近似する厚さである。それらは，
ウェハ接合技術（直接接合技術）
陽極接合
【００１４】
　次に，
所定の温度で且つ基板１０に熱的に亀裂が入る熱的見積もり量（thermal budget）よりも低い熱的見積もり量で，予備的な熱処理が行われる
【００１５】
　熱的見積もり量（thermal budget）は，熱処理の継続時間と熱処理の温度との積で与えられる。
【００１６】
　このように，基板１０に熱的に亀裂が入ることがない条件が採用される。
【００１７】
　
基板１０は，機械的に，たとえば必要な力を加えるためのブレードを用いて，分離される
　
（１ｃ）「【００２９】
　２つの基板のうちの一方または他方への
第３の基板の利用（貼り合わせ）は
湾曲を実質的に減少させる
【００３０】
　第３の基板は，第１の基板上に配置してもよいし，第２の基板上に配置してもよい。
【００３１】
　シリコン−石英系では，第３の基板または石英板（ウェハ）が用いられ，それは石英の一方の側に配置される。
【００３２】
　第３の基板の厚さは，第３の基板の厚さと第３の基板が配置される基板の厚さとの合計が，第３の基板が配置されない基板の厚さよりも大きくなるような厚さであることが好ましい。第３の基板および第３の基板が配置される基板が石英からなる場合，それらのトータルの厚さは，１８００マイクロメートル（μｍ）〜２５００μｍの範囲であってもよい。」
　
（１ｄ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
　
本発明の第１の例
背景技術について説明した技術を，必要に応じて本発明に適用してもよい
【００３６】
　図３（Ａ）において，
符号２０は，第１の物質から形成された第１の基板
符号２２は，第２の物質から形成された第２の基板
【００３７】
　一例では，第１の基板はシリコンからなり，第２の基板は石英からなる。また，シリコン−サファイア系やシリコン−ガラス系であってもよい。
【００３８】
　
第１の工程（図３（Ａ））では，基板２０への原子打ち込みまたはイオン打ち込みが行われ，その結果，脆弱領域または亀裂領域となる層（脆弱化層）２３が形成される。このようにして，基板２０は，物質２２上に形成される層となる下側の領域２５（厚さ５０ｎｍ〜５００ｎｍ）と，基板２０の大部分を構成する上側の領域２４とに分離される。通常，水素が打ち込まれるが，他の種を打ち込んでもよく，２つ以上の種（たとえば，水素／ヘリウム）をともに打ち込んでもよい
【００３９】
　脆弱な亀裂層または亀裂面２３は，ポーラス層（porous layer）を形成することによっても形成できる。そのようなポーラス層は，Ｋ．Ｓａｔａｇｕｃｈｉらの「ELTRAN by Splitting Porous Si Layers，Proceedings of the 9th Int. Symposium on Silicon-on-Insulator Tech. and Device, 99-3, The Electrochemical Society, Seattle, p 117-121 (1999)」などに記載されている。
【００４０】
　
このようにして用意された２つの基板２０および２２は，面２７が面２８と対向するように貼り合わされる
【００４１】
　
基板２２は，基板２６に接触されて貼り合わされる
貼り合わせは，たとえば，分子接合や接着剤を用いて行うことができる
【００４２】
　基板２６（第３の基板）の熱膨張係数は，（第３の基板が貼り合わされる）基板２２の熱膨張係数に近く，それらの熱膨張係数の常温における相対的な差は，１０％未満である。一例では，基板２６は基板２２の物質と同一の物質で形成され，たとえば両者は石英で形成される。
【００４３】
　基板２０および２２を貼り合わせたのち
，たとえば熱処理および／または機械的圧力（ブレードまたは加圧されたウォータージェット）を用いて脆弱面２３に沿って亀裂を生じさせ，基板２０の一部２４が除去される
【００４４】
　昇温工程において，基板２０および２２の熱膨張係数が異なるにもかかわらず，また，石英のカウンタープレート２６がない場合よりもより高い応力を層２５が受けるにもかかわらず，基板２６は，系を平坦にし，２つの基板２０および２２の湾曲を防止する。
【００４５】
　
基板２６がない場合
２つの基板２０および２２は初めは比肩しうる厚さ
薄層２５を基板２２に移動させる際に，貼り合わせられた薄層２５−基板２２の構造が破壊されるおそれがある
２つの基板２０および２２の接合界面が接合されないおそれもある
【００４６】
　
上記のおそれは，より高い応力が基板２２および／または層２５に存在するとしても，基板２６を用いることによって回避できる
【００４７】
　このようにして，図３（Ｂ）に示される構造が得られる。
【００４８】
　次に，基板２２上に堆積または形成された層２５を含む全体から，基板２６が分離される（図３（Ｃ））。
【００４９】
　基板２６および２２が分子接合によって貼り合わされている場合，それらは，２つの基板の界面にブレードを挿入することによって分離できる。それらが接着剤によって貼り合わされている場合，それらを分離するために溶剤を用いてもよい。
【００５０】
　基板２０の一部２４は，初期の構造が異質構造であったのにもかかわらず，回収して再利用することができる。
【００５１】
　さらに，
上述した従来の方法で得られる層の品質に比べて，層２５は品質（物質中にずれ面や転移面が存在しない）が高い
【００５２】
　本発明によれば，上記構造を得るために，「スマートカット（Smart Cut：登録商標）」または基板亀裂タイプの技術を実施することが可能である。」
　
（１ｅ）「【００５５】
　
基板２２とを貼り合わせる前に，基板２０上に基板２６を配置（たとえば，分子接合または接着剤を用いる）する
本発明の１つのバリエーション
【００５６】
　
上述したように，亀裂２３の面において基板２０を割ったのち，基板２６と基板２０の一部２４とが取り去られる
【００５７】
　
１つのバリエーションでは
シリコン（基板２０）−サファイア（基板２２）の集合体では，シリコンの膨張係数と同じ膨張係数を有する基板２６が用いられる。基板２６は，たとえば，シリコンからなる基板であり，基板２０の側に配置される
　
（１ｆ）「【００５８】
　第１の実施例（図３（Ａ））の場合，プレート（ウェハ）２６を用いることによって，通常の厚さよりも薄い基板２２を用いることが可能となる。
【００５９】
　従来の方法では，厚さ８００μｍ以下の石英からなる基板２２は，基板２０の層２５を移動させるための熱処理の間に破壊されてしまう。そのため，実質的に１０００μｍ以上の厚さの基板を使用しなければならない。
【００６０】
　これに対して，本発明によれば，より薄い基板，８００μｍ未満の厚さの基板，特に，５００μｍ〜８００μｍの範囲の基板，たとえば厚さ５２５μｍの石英基板を用いることができる。」
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ｄ）の【００３５】−【００５２】では，引用例１に記載された発明の「第１の例」が，また，引用例１の上記摘記（１ｅ）の【００５５】−【００５７】では，引用例１に記載された発明の「１つのバリエーション」が説明されている。
　そうすると，前記【００５５】−【００５７】に記載された，前記「１つのバリエーション」についての説明では，前記【００３５】−【００５２】に記載された「第１の例」についての説明と共通する部分については省略されているものと理解することが自然といえる。
　したがって，上記摘記（１ｄ）と上記摘記（１ｅ）の記載から，引用例１には，引用例１に記載された発明の「１つのバリエーション」として，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「（ａ）シリコンからなる第１の基板２０を用意する工程と，
（ｂ）サファイアからなる第２の基板２２を用意する工程と，
（ｃ）前記第１の基板２０へ水素イオンを打ち込み，脆弱領域または亀裂領域となる層（脆弱化層）２３を形成することで，前記第１の基板２０を，前記第２の基板２２上に形成される層となる下側の領域２５（厚さ５０ｎｍ〜５００ｎｍ）と，前記第１の基板２０の大部分を構成する上側の領域２４とに分離する工程と，
（ｄ）前記第１の基板２０と前記第２の基板２２とを貼り合わせる前に，前記第１の基板２０上に，シリコンからなる第３の基板２６を配置（たとえば，分子接合または接着剤を用いる）する工程と，
（ｅ）前記第１の基板２０および前記第２の基板２２を貼り合わせる工程と，
（ｆ）熱処理および機械的圧力（ブレードまたは加圧されたウォータージェット）を用いて，前記脆弱領域または亀裂領域となる層（脆弱化層）２３に沿って亀裂を生じさせ，前記第３の基板２６及び前記第１の基板２０の大部分を構成する上側の領域２４を，前記領域２５から除去する工程と，
を含む，
シリコンの層をサファイアによって構成される第２の基板２２上に形成する方法。」
　
（３）対比
ア　引用発明の「脆弱領域または亀裂領域となる層（脆弱化層）２３」及び「領域２５」は，それぞれ，本願補正発明１の「劈開領域」及び「前記劈開領域と前記正面との間で決められる材料の層」に相当する。
　また，引用発明の「シリコンからなる第１の基板２０」が，背面及び正面を有することは自明であり，また，固有の「たわみ特性」を有することも明らかである。
　したがって，引用発明の「第１の基板２０」は，本願補正発明１の「第１たわみ特性を有し，さらに，背面，正面，劈開領域を有するとともに前記劈開領域と前記正面との間で決められる材料の層を含むドナー基板」に相当する。
　
イ　引用発明の「サファイアからなる第２の基板２２」は，本願補正発明１の「ハンドル基板」に相当する。
　したがって，引用発明の「前記第１の基板２０および前記第２の基板２２を貼り合わせる工程」は，本願補正発明１の「前記ドナー基板の前記正面をハンドル基板の正面に結合すること」に相当する。
　
ウ　引用発明の「シリコンからなる第３の基板２６」及び「配置（たとえば，分子接合または接着剤を用いる）」は，本願補正発明１の「『シリコン・ウエハであ』る『バッキング基板』」及び「連結」に相当する。
　
エ　引用発明の「熱処理および機械的圧力（ブレードまたは加圧されたウォータージェット）を用いて，前記脆弱領域または亀裂領域となる層（脆弱化層）２３に沿って亀裂を生じさせ，前記第３の基板２６及び前記第１の基板２０の大部分を構成する上側の領域２４を，前記領域２５から除去する」は，本願補正発明１の「前記劈開領域の部分で前記ドナー基板からの材料の前記層の除去を開始するために前記ドナー基板の前記劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始する」に相当する。
　
オ　引用発明の「前記第１の基板２０へ水素イオンを打ち込み，脆弱領域または亀裂領域となる層（脆弱化層）２３を形成することで，前記第１の基板２０を，前記第２の基板２２上に形成される層となる下側の領域２５（厚さ５０ｎｍ〜５００ｎｍ）と，前記第１の基板２０の大部分を構成する上側の領域２４とに分離する」と，本願補正発明１の「前記ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは前記材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンまたは希ガスイオンを含み，前記エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたり」とは，「ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンを含み」の点で一致する。
　
カ　引用発明の「シリコンの層をサファイアによって構成される第２の基板２２上に形成する方法」は，本願補正発明１の「マルチレイヤ基板を製造する方法」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明１と，引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「第１たわみ特性を有し，さらに，背面，正面，劈開領域を有するとともに前記劈開領域と前記正面との間で決められる材料の層を含むドナー基板を用意すること，
　前記ドナー基板の前記正面をハンドル基板の正面に結合することと，
　マルチレイヤ構造を形成するためにバッキング基板を前記ドナー基板の前記背面に連結することと，
　前記劈開領域の部分で前記ドナー基板からの材料の前記層の除去を開始するために前記ドナー基板の前記劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始することと
　を含み，
　前記劈開プロセスでは，前記ドナー基板の選択された深さまでエネルギ粒子が導入され，選択された深さは前記材料の層の厚さを定義し，前記エネルギ粒子は水素イオンまたは希ガスイオンを含み，
　前記バッキング基板は，シリコン・ウエハであり，
　前記バッキング基板と前記ドナー基板との間の前記連結することは，結合プロセスを使用してもたらされる
マルチレイヤ基板を製造する方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１では，「バッキング基板を前記ハンドル基板に結合された前記ドナー基板の前記背面に連結する」のに対して，引用発明では，「前記第１の基板２０と前記第２の基板２２とを貼り合わせる前に，前記第１の基板２０上に，シリコンからなる第３の基板２６を配置（たとえば，分子接合または接着剤を用いる）」している点。
　すなわち，「バッキング基板」を「ドナー基板」に連結するタイミングが，本願補正発明１では，「ハンドル基板」に「ドナー基板」を結合した「後」であるのに対して，引用発明では，「第３の基板」を「第１の基板」に配置するタイミングが，「第２の基板」に「第１の基板」を貼り合わせる「前」である点。
　
・相違点２：本願補正発明１では，「前記バッキング基板は，前記ドナー基板の前記第１たわみ特性を所定のレベルまで減少させるのに適切であり，前記所定のレベルは，材料の前記層をハンドル基板の前記正面に転写するのに適切なたわみ特性である」のに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。
　
・相違点３：本願補正発明１は，「前記バッキング基板が少なくとも前記適切なたわみ特性を維持するために前記ドナー基板に対して損なわれないままである間に」劈開プロセスを開始するのに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。
　
・相違点４：本願補正発明１では，「前記エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわた」るのに対して，引用発明では，第１の基板２０へ水素イオンを打ち込む条件が特定されていない点。
　
・相違点５：本願補正発明１では，バッキング基板は，ドナー基板と比較して「より厚い」のに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。
　
・相違点６：本願補正発明１では，バッキング基板とドナー基板との間の連結が，「共有結合，陽極結合，化学結合，静電結合，プラズマ活性化結合から選択される」結合プロセスを使用してもたらされるのに対して，引用発明では，第１の基板２０上に，シリコンからなる第３の基板２６を配置する方法として「（たとえば，分子接合または接着剤を用いる）」ことが例示されている点。」
　
（４）相違点についての判断
・相違点１について
　引用例１の上記摘記（１ａ）に「【請求項２】
　前記第１および第２の基板のうちの１つと前記第３の基板とを貼り合わせてから，前記第１および第２の基板を貼り合わせる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記第１および第２の基板のうちの１つの基板と前記第３の基板とを貼り合わせる前に，前記第１および第２の基板を貼り合わせる請求項１に記載の方法。」と記載されている。
　すなわち，引用例１に記載された発明においては，「第３の基板」を「第１の基板」に配置するタイミングを，「第２の基板」に「第１の基板」を貼り合わせる「前」とするか，「後」とするかは，適宜選択し得た設計事項であると理解できる。
　そして，引用発明は，引用例１に記載された発明の「１つのバリエーション」であることから，引用発明において，「第３の基板」を「第１の基板」に配置するタイミングとして，「第２の基板」に「第１の基板」を貼り合わせた「後」を選択することは当業者が適宜なし得たことと認められる。また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものである。
　したがって，引用発明において，上記相違点１について本願補正発明１の構成とすることは，当業者にとって容易である。
　
・相違点２について
ア　本願の明細書の【００２２】，【０１１９】−【０１２０】及び【０１７２】には以下の記載がある。
「【００２２】
　・・・＜省略＞・・・　さらに，
用語たわみ特性（たとえば，第１たわみ特性）は
ある厚さの材料の能力である曲げパラメータによって定義することができる
そのようなより強い有効たわみ特性は，ボイド，破損，粗い表面，膜剥離などの実質的な望ましくない特性を一切伴わずに劈開を介して材料の薄膜を除去することを可能にする
「【０１１９】
　
好ましい実施形態では
バッキング基板は，ドナー基板からの材料の層をハンドル基板の正面に転写するのに適切な，少なくともバッキング基板とドナー基板からなるマルチレイヤ構造の有効たわみ特性を与えるのに適切な厚さと材料を有する
【０１２０】
　単に例として，
バッキング基板は，シリコン・ウエハである
バッキング基板は，７２５μ±１５μの厚さを有し
「【０１７２】
　式１〜８を使用して，８００μ厚石英ウエハの片持ばり堅さを＜１１０＞方向で曲げられるシリコン・ウエハの片持ばり堅さと等しくなるようにするために８００μ厚石英ウエハに追加される，ヤング率Ｅを有するレイヤの正しい層を計算することができる。
図５１を参照すると
材料の層に対してたわみ（ｍ）をプロットした
示されているのは
たわみ特性である
　また，図５１には，表題を「石英複合物「試験片持ばり」のたわみ対厚さ」とする，横軸が「厚さ（μ）」，縦軸が「たわみ（ｍ）」であるグラフが示されている。
　そうすると，本願補正発明１における「たわみ特性」は，材料の層の「試験片持ばり」によって評価される曲げパラメータ，すなわち，材料の層に，他から力を加えた場合の，曲がりやすさ，という特性を示す指標であると理解することが自然である。
　そして，上記「そのようなより強い有効たわみ特性は，ボイド，破損，粗い表面，膜剥離などの実質的な望ましくない特性を一切伴わずに劈開を介して材料の薄膜を除去することを可能にする。」との記載に照らして，本願補正発明１の前記「所定のレベル」，すなわち「材料の前記層をハンドル基板の前記正面に転写するのに適切なたわみ特性」は，「ボイド，破損，粗い表面，膜剥離などの実質的な望ましくない特性を一切伴わずに劈開を介して材料の薄膜を除去することを可能にする」「より強い有効たわみ特性」に相当するものと認められ，具体的には，バッキング基板が，シリコン・ウエハである場合には，例えば，７２５μ±１５μの厚さを備えることによって可能とされる程度のレベルであると理解することができる。
　
イ　一方，引用発明は，シリコンからなる第１の基板２０上に，シリコンからなる第３の基板２６を配置（たとえば，分子接合または接着剤を用いる）する工程を有するものである。
　そして，前記第１の基板上に前記第３の基板を配置することによって，前記第１の基板のたわみ易さが抑えられることは自明である。
　そうすると，引用発明の第３の基板は，第１の基板のたわみ特性を減少させるものといえる。
　
ウ　さらに，引用例１の上記摘記（１ｄ）には次の記載がある。
「【００４５】
　基板２６がない場合，２つの基板２０および２２は初めは比肩しうる厚さであり異なる熱膨張係数を有するため，薄層２５を基板２２に移動させる際に，貼り合わせられた薄層２５−基板２２の構造が破壊されるおそれがある。さらに，２つの基板２０および２２の接合界面が接合されないおそれもある。このおそれは，熱膨張係数の差によって生じる応力および湾曲と関連する。
【００４６】
　上記のおそれは，より高い応力が基板２２および／または層２５に存在するとしても，基板２６を用いることによって回避できる。」及び
「【００５１】
　さらに，上述した従来の方法で得られる層の品質に比べて，層２５は品質（物質中にずれ面や転移面が存在しない）が高い。」
　
エ　そうすると，引用発明は，第１の基板上に第３の基板を配置する等の構造を備えることによって，薄層２５を基板２２に移動させる際に，貼り合わせられた薄層２５−基板２２の構造が破壊されるおそれ，及び，２つの基板２０および２２の接合界面が接合されないおそれのいずれをも回避し，また，従来の方法で得られる層の品質に比べて，品質（物質中にずれ面や転移面が存在しない）が高い，層２５を得ることができるという効果を奏するものと理解できる。
　
オ　そして，前記エにおいて検討した各効果は，前記アで検討した「ボイド，破損，粗い表面，膜剥離などの実質的な望ましくない特性を一切伴わずに劈開を介して材料の薄膜を除去することを可能にする」という効果と類似の効果であると認められる。
　
カ　してみれば，引用発明において，前記エにおいて検討した効果が得られる場合には，引用発明の第３の基板が配置された第１の基板のたわみ特性は，「材料の前記層をハンドル基板の前記正面に転写するのに適切なたわみ特性である」という条件を満たすものといえる。
　そして，引用発明において，記第１の基板に配置する第３の基板の厚さを，前記エにおいて検討した効果を得るために十分なだけの厚さとすることは，当然に考慮すべきことであるから，引用発明において，第３に基板の厚さを十分なものとすることで，第１の基板のたわみ特性を，材料の層をハンドル基板の前記正面に転写するのに適切なたわみ特性である所定のレベルまで減少させるのに適切であるものとすることは，容易になし得たことである。
　また，引用例１の上記摘記（１ａ）の「【請求項１２】
　前記第３の基板の厚さが７００μｍ〜１２００μｍの範囲である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。」との記載に照らして，引用発明の「シリコンからなる第３の基板２６」の厚さとして，７００μｍ〜１２００μｍ程度の範囲が想定されていることが認められるところ，上記アで検討したように，本願補正発明１における「所定のレベル」は，バッキング基板が，シリコン・ウエハである場合には，例えば，７２５μ±１５μの厚さを備えることによって可能とされる程度のレベルであると理解することができ，両者のたわみ特性において顕著な相違は認められないから，上記相違点２について，本願補正発明１の構成を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　したがって，引用発明において，上記相違点２について本願補正発明１の構成とすることは，当業者にとって容易である。
　
・相違点３について
　引用発明の「（ｄ）前記第１の基板２０と前記第２の基板２２とを貼り合わせる前に，前記第１の基板２０上に，シリコンからなる第３の基板２６を配置（たとえば，分子接合または接着剤を用いる）する工程」と，「（ｆ）熱処理および機械的圧力（ブレードまたは加圧されたウォータージェット）を用いて，前記脆弱領域または亀裂領域となる層（脆弱化層）２３に沿って亀裂を生じさせ，前記第３の基板２６及び前記第１の基板２０の大部分を構成する上側の領域２４を，前記領域２５から除去する工程」との間には，前記「シリコンからなる第３の基板２６」が損なわれる工程は存在しない。
　したがって，引用発明の前記「（ｆ）熱処理および機械的圧力（ブレードまたは加圧されたウォータージェット）を用いて，前記脆弱領域または亀裂領域となる層（脆弱化層）２３に沿って亀裂を生じさせ，前記第３の基板２６及び前記第１の基板２０の大部分を構成する上側の領域２４を，前記領域２５から除去する工程」が開始される時点において，前記第３の基板２６は，前記第１の基板２０上に配置されたままであり，損なわれていないものと認められる。
　そうすると，引用発明においては，前記第３の基板２６が少なくとも適切なたわみ特性を維持するために前記第１の基板２０に対して損なわれないままである間に劈開プロセスが開始されると認められるから，上記相違点３は実質的なものではない。
　
・相違点４について
　シリコンからなる基板へ水素イオンを打ち込み，脆弱領域または亀裂領域となる層を形成する際に，イオン注入の条件として，「エネルギ粒子の注入線量は，１０15原子／ｃｍ2から１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり，注入エネルギは，１ＫｅＶから１ＭｅＶまでの範囲にわたる」という範囲に含まれる条件を用いることは，下記の周知例の（周ａ）の記載からも明らかなように，周知であるから，引用発明において，当該範囲に含まれるイオン注入の条件を用いること，すなわち，引用発明において，上記相違点４について本願補正発明１の構成とすることは，当業者にとって容易である。
　
・周知例：特表２００１−５２５９９１号公報
（周ａ）「例として
シリコンウェハへの注入スペシーとして水素を使用
注入ドーズは約１０
15
乃至１０
18
アトム／ｃｍ
2
の範囲
注入エネルギは約１ＫｅＶ乃至約１ＭｅＶの範囲
　
（周ｂ）「代わりに，
取外されるフィルムを有する基体は制御された劈開プロセスの前に
転送基体上に一時的に配置される
転送基体は
静電的
原子間接合
を使用してフィルムを有する基体に一時的に接合される
　
（周ｃ）「その代わりに，自己結合プロセスは
ウェハ表面の一方をプラズマ洗浄により結合されるように活性化する
　
（周ｄ）「代わりに，種々のその他の低温技術がドナーウェハをターゲットウェハに接合するために使用されることができる。例えば
静電結合技術が２つのウェハを共に接合するために使用される
　
・相違点５について
ア　引用例１の上記摘記（１ｄ）の「２つの基板２０および２２は初めは比肩しうる厚さ」との記載から，引用発明において，第１の基板と第２の基板とを同程度の厚さとする場合があることは想定されているものと理解できる。
　一方，引用例１の上記摘記（１ａ）の「【請求項１１】
　前記第２の基板の厚さが５００μｍ〜８００μｍの範囲である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
　前記第３の基板の厚さが７００μｍ〜１２００μｍの範囲である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。」との記載から，第３の基板を第２の基板よりも厚くするという技術的思想が理解できる。
　そうすると，上記摘記（１ｄ）及び（１ａ）の記載から，第１の基板の厚さを第２の基板とを同程度の５００μｍ〜８００μｍとなし，第３の基板の厚さを７００μｍ〜１２００μｍとすることで，第３の基板の厚さを第１の基板の厚さよりも大きくすること，すなわち，バッキング基板を，ドナー基板と比較して「より厚く」することは，当業者が適宜なし得たことである。
　
イ　また，仮に上記アの理由を認めることができなかったとしても，引用例１の上記摘記（１ｃ）の「２つの基板のうちの一方または他方への第３の基板の利用（貼り合わせ）は，第１および第２の基板の間の熱膨張係数の差に起因する湾曲を実質的に減少させる。これは，２つの基板に亀裂を生じさせるための昇温，または，第１および第２の基板の接触の質を向上させるための昇温のときの湾曲に特に関連がある。」との記載に照らして，第３の基板は，第１および第２の基板の間の熱膨張係数の差に起因する湾曲を実質的に減少させることを目的として配置されているといえるから，前記湾曲を減少させるために十分な厚さを確保することが望ましいことは直ちに理解できることである。
　そして，十分な厚さを確保するために，第３の基板の厚さを大きくすることは当業者が容易に想到し得たことと認められるから，前記第３の基板を，第１の基板と比較して「より厚く」することは当業者が適宜なし得たことである。
　しかも，バッキング基板の厚さを，ドナー基板の厚さとの比較において，「より厚く」したことによる，臨界的な意義は明細書及び図面の記載からは認められない。
　したがって，バッキング基板を，ドナー基板と比較して「より厚く」することは，当業者が適宜なし得たことである。
　
ウ　そうすると，上記アまたはイの理由によって，上記相違点５について本願補正発明１の構成とすることは，当業者にとって容易である。
　
・相違点６について
　引用発明の「分子接合」は，分子間を化学結合によって接合する接合形態を意味すると解されるから，本願補正発明１の「化学結合」の範疇に含まれる接合形態の一種であるといえる。したがって，相違点６は実質的なものではない。
　仮に，引用発明の「分子接合」が，本願補正発明１の「化学結合」の範疇に含まれないとしても，引用例１の上記摘記（１ｄ）の「本発明の第１の例を，図３（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。なお，背景技術について説明した技術を，必要に応じて本発明に適用してもよい。」との記載，及び，引用例１の上記摘記（１ｂ）の「それらは，ウェハ接合技術（直接接合技術），接着剤を用いた接合，分子接合（フランス語では「collage moleculaire」，英語ではたとえば「molecular bonding」），および／または陽極接合（anodic bonding）を用いて，表面１６と表面１８とが向き合うように貼り合わされる。」との記載に照らして，引用発明の第１の基板２０上に，シリコンからなる第３の基板２６を配置する方法として，本願補正発明１の「陽極結合」に相当する結合プロセスであると認められる「陽極接合（anodic bonding）」を必要に応じて適用すること，あるいは，上記周知例の（周ｂ）−（周ｄ）に記載される，本願補正発明１の「プラズマ活性化結合」及び「静電結合」に相当する結合プロセスであると認められる「ウェハ表面の一方をプラズマ洗浄により結合されるように活性化する」結合プロセス，あるいは，「静電結合技術」を適用することは容易になし得たことである。
　
（５）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明１は，上記引用発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
７　補正却下についてのむすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　また，仮に，本件補正が特許法第１７条の２第３項の規定に違反しないとしても，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年９月９日に提出された手続補正書でした補正は上記のとおり却下され，平成２４年１２月１１日に提出された手続補正書でした補正が，平成２５年４月２２日付けの補正の却下の決定によって却下されているので，本願の請求項１−６に係る発明は，平成２４年５月７日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−６に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　第１たわみ特性を有し，さらに，背面，正面，劈開領域を有するとともに前記劈開領域と前記正面との間で決められる材料の層を含むドナー基板を用意すること，
　前記ドナー基板の前記正面をハンドル基板の正面に結合することと，
　マルチレイヤ構造を形成するためにバッキング基板を前記ドナー基板の前記背面に連結することであって，前記バッキング基板は，前記ドナー基板の前記第１たわみ特性を所定のレベルまで減少させるのに適切であり，前記所定のレベルは，材料の前記層をハンドル基板の前記正面に転写するのに適切なたわみ特性である，前記連結することと，
　前記バッキング基板が少なくとも前記適切なたわみ特性を維持するために前記ドナー基板に対して損なわれないままである間に，前記劈開領域の部分で前記ドナー基板からの材料の前記層の除去を開始するために　前記ドナー基板の前記劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始することと
　を含み，
　前記バッキング基板は，前記ドナー基板と比較してより厚いシリコン・ウエハであり，
　前記バッキング基板と前記ドナー基板との間の前記連結することは，結合プロセスを使用してもたらされ，前記結合プロセスは，共有結合，陽極結合，化学結合，静電結合，プラズマ活性化結合から選択されることを特徴とする
マルチレイヤ基板を製造する方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項，及び，引用発明は，上記「第２　＜予備的検討＞　６　進歩性について　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　＜予備的検討＞　６　進歩性について　（４）相違点についての判断」に記載したとおり，引用発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
 
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。