【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板内の共通注入領域の全面にわたって配置された複数の垂直ホール素子接点と、
複数の垂直ホール素子であり、各垂直ホール素子が前記複数の垂直ホール素子接点の中から選択された垂直ホール素子接点のそれぞれのグループからなる、複数の垂直ホール素子と
を備えた、円形垂直ホール（ＣＶＨ）検知素子
を備えた磁場センサであって、
複数の接続ノードを備えたスイッチングネットワークであり、前記複数の接続ノードの一部が前記複数のホール素子接点につなげられた、スイッチングネットワークと、
複数の駆動回路であり、前記複数の接続ノードの別の一部が前記複数の駆動回路につなげられ、前記スイッチングネットワークが、前記複数の垂直ホール素子のうちの少なくとも第１の素子の選択された垂直ホール素子接点に前記複数の駆動回路をつなげるように動作可能であり、かつ通常モード構成へとおよび前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子に関係する第１の自己検査モード構成へと切り替えるように動作可能である、複数の駆動回路と
をさらに備え、
前記通常モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点間にそれぞれの通常モード電圧を与え、前記通常モード電圧が磁場に応答し、
前記第１の自己検査モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点のそれぞれの選択された対の間にそれぞれの第１の自己検査電圧を与え、前記第１の自己検査電圧が、それぞれ、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点間の抵抗に関係し、前記第１の自己検査電圧は前記磁場にほとんどまたは全く応答しない、
磁場センサ。
【請求項２】
前記スイッチングネットワークが、前記複数の駆動回路への接続を変えることによって前記第１の自己検査モード構成を第２の異なる自己検査モード構成へと変えるようにさらに動作可能であり、前記第２の自己検査モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点の前記それぞれの選択された対の間にそれぞれの第２の自己検査電圧を与え、前記第２の自己検査電圧が、それぞれ、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点間の抵抗にやはり関係し、前記第２の自己検査電圧は前記磁場にほとんどまたは全く応答しない、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項３】
前記第１の自己検査電圧および前記第２の自己検査電圧が、バイアス電圧に対して実質的に反対の電圧である、請求項２に記載の磁場センサ。
【請求項４】
前記スイッチングネットワークにつなげられ、かつシミュレーションした磁場のシミュレーションした回転をもたらすように選択されたさまざまな時刻において前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子に前記第１および第２の自己検査モード構成を前記スイッチングネットワークに設定させるように構成された自己検査プロセッサをさらに備えた、請求項２に記載の磁場センサ。
【請求項５】
前記スイッチングネットワークが、前記複数の垂直ホール素子の各々１つへと切り替えるように、かつ前記複数の垂直ホール素子の各々１つに関係する前記通常モード構成、前記第１の自己検査モード構成、および前記第２の自己検査モード構成を生成するようにさらに動作可能である、請求項２に記載の磁場センサ。
【請求項６】
前記スイッチングネットワークが、前記複数の垂直ホール素子のうちの少なくとも第２の素子へと切り替えるように、かつ前記通常モード構成へとおよび前記複数の駆動回路への接続を変えることによって前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子に関係する第２の異なる自己検査モード構成へと切り替えるようにさらに動作可能であり、
前記通常モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子の垂直ホール素子接点間にそれぞれの通常モード電圧を与え、前記通常モード電圧が磁場に応答し、
前記第２の異なる自己検査モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子の垂直ホール素子接点のそれぞれの選択された対の間にそれぞれの第２の自己検査電圧を与え、前記第２の自己検査電圧が、それぞれ、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子の垂直ホール素子接点間の抵抗にやはり関係し、前記第２の自己検査電圧は前記磁場にほとんどまたは全く応答しない、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項７】
前記第１の自己検査電圧および前記第２の自己検査電圧が、バイアス電圧に対して実質的に反対の電圧である、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項８】
前記スイッチングネットワークにつなげられ、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子に前記第１の自己検査モード構成を設定し、かつシミュレーションした磁場のシミュレーションした回転をもたらすように選択されたさまざまな時刻において前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子に前記第２の自己検査モード構成を設定することを前記スイッチングネットワークにさせるように構成された自己検査プロセッサをさらに備えた、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項９】
前記スイッチングネットワークが、前記複数の垂直ホール素子の各々１つへと切り替えるように、かつ前記複数の垂直ホール素子の各々１つに関係する前記通常モード構成、前記複数の垂直ホール素子のうちの第１の部分に関係する前記第１の自己検査モード構成、および前記複数の垂直ホール素子のうちの第２の異なる部分に関係する前記第２の自己検査モード構成を生成するようにさらに動作可能である、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項１０】
前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子が、第１の垂直ホール素子を備え、前記第１の垂直ホール素子が、それぞれの第１の垂直ホール素子接点、前記第１の垂直ホール素子接点に近接するそれぞれの第２の垂直ホール素子接点、前記第２の垂直ホール素子接点に近接するそれぞれの第３の垂直ホール素子接点、前記第３の垂直ホール素子接点に近接するそれぞれの第４の垂直ホール素子接点、および前記複数の垂直ホール素子接点の中から前記第４の垂直ホール素子接点に近接するそれぞれの第５の垂直ホール素子接点を備え、前記第１の自己検査モード構成であるときには、前記第１の垂直ホール素子接点が基準電圧につなげられ、前記第２の垂直ホール素子接点が前記第４の垂直ホール素子接点につなげられかつ各々が前記複数の駆動回路からそれぞれの第１の電流を受け取るようにつなげられ、前記第３の垂直ホール素子接点が前記複数の駆動回路から第２の電流を受け取るようにつなげられ、前記第５の垂直ホール素子接点が前記基準電圧につなげられ、前記第１の自己検査電圧が前記第２および第３の垂直ホール素子接点間ならびに前記第４および第３の垂直ホール素子接点間に生じる、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１１】
前記第２の電流が、自己検査電流値に等しい値を有し、前記第１の電流がバイアス電流値と前記自己検査電流値との間の差に等しい値を有する、請求項１０に記載の磁場センサ。
【請求項１２】
前記バイアス電流値および前記自己検査電流値が、所定の電圧範囲内である前記第１の自己検査電圧をもたらすように選択される、請求項１１に記載の磁場センサ。
【請求項１３】
前記第２の電流が、第１の時刻において前記第１の自己検査電圧を、および第２の異なる時刻において第２の異なる自己検査電圧を与えるために時々方向を反転される、請求項１１に記載の磁場センサ。
【請求項１４】
前記バイアス電流値および前記自己検査電流値が、所定の電圧範囲内である前記第１および第２の自己検査電圧をもたらすように選択される、請求項１３に記載の磁場センサ。
【請求項１５】
前記通常モード構成が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子のチョッピングを行うために第１、第２、第３、および第４の通常モード構成で構成される、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１６】
前記ＣＶＨ検知素子から出力信号を表す信号を受信するようにつなげられたｘｙ方向成分回路をさらに備え、前記ｘｙ方向成分回路は、前記ＣＶＨ検知素子が受ける磁場の方向を表すｘｙ角度信号を生成するように構成される、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１７】
前記ｘｙ角度信号を受信するようにつなげられ、かつ前記ｘｙ角度信号に従って不合格フラッグ値を生成するように構成された自己検査プロセッサをさらに備え、前記不合格フラッグ値は、前記ｘｙ角度信号が選択された限度外であることを示す、請求項１６に記載の磁場センサ。
【請求項１８】
前記ｘｙ方向成分回路が、前記磁場の強度を表すｘｙ強度信号を生成するようにやはり構成される、請求項１６に記載の磁場センサ。
【請求項１９】
前記ｘｙ角度信号または前記ｘｙ強度信号のうちの少なくとも一方を受信するようにつなげられ、かつ前記ｘｙ角度信号または前記ｘｙ強度信号のうちの少なくとも一方に従って不合格フラッグ値を生成するように構成された自己検査プロセッサをさらに備え、前記不合格フラッグ値は、前記ｘｙ角度信号または前記ｘｙ強度信号のうちの少なくとも一方が、それぞれの選択された限度外であることを示す、請求項１８に記載の磁場センサ。
【請求項２０】
前記ＣＶＨ検知素子から出力信号を表す信号を受信するようにつなげられたｘｙ方向成分回路をさらに備え、前記ｘｙ方向成分回路が、前記磁場の強度を表すｘｙ強度信号を生成するように構成されている、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２１】
前記ｘｙ強度信号を受信するようにつなげられ、かつ前記ｘｙ強度信号に従って不合格フラッグ値を生成するように構成された自己検査プロセッサをさらに備え、前記不合格フラッグ値は、前記ｘｙ強度信号が選択された限度外であることを示す、請求項２０に記載の磁場センサ。
【請求項２２】
基板内の共通注入領域の全面にわたって配置された複数の垂直ホール素子接点と、複数の垂直ホール素子とを備えた円形垂直ホール（ＣＶＨ）検知素子を有する磁場センサを自己検査する方法であって、各垂直ホール素子が前記複数の垂直ホール素子接点の中から選択された垂直ホール素子接点のそれぞれのグループから構成され、前記方法は、
前記複数の垂直ホール素子のうちの少なくとも第１の素子の選択された垂直ホール素子接点に複数の駆動回路をつなげるステップであり、
前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子に関係する通常モード構成へと第１の選択された時刻において前記接続を切り替えるステップと、
前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子に関係する第１の自己検査モード構成へと第２の異なる選択された時刻において前記接続を切り替えるステップと
を含む、ステップを含み、
前記通常モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点間にそれぞれの通常モード電圧を与え、前記通常モード電圧が磁場に応答し、
前記第１の自己検査モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点のそれぞれの選択された対の間にそれぞれの第１の自己検査電圧を与え、前記第１の自己検査電圧が、それぞれ、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点間の抵抗に関係し、前記第１の自己検査電圧は前記磁場にほとんどまたは全く応答しない、
方法。
【請求項２３】
前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子に関係する第２の自己検査モード構成へと第３の異なる選択された時刻において前記接続を切り替えるステップをさらに含み、前記第２の自己検査モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点の前記それぞれの選択された対の間にそれぞれの第２の自己検査電圧を与え、前記第２の自己検査電圧が、それぞれ、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子の垂直ホール素子接点間の抵抗にやはり関係し、前記第２の自己検査電圧は前記磁場にほとんどまたは全く応答しない、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の自己検査電圧および前記第２の自己検査電圧が、バイアス電圧に対して実質的に反対の電圧である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子を前記第１の自己検査モード構成へと切り替えるステップと、
シミュレーションした磁場のシミュレーションした回転をもたらすように選択されたさまざまな時刻において前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子を前記第２の自己検査モード構成へと切り替えるステップと
をさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記複数の垂直ホール素子のうちの少なくとも第２の素子の選択された垂直ホール素子接点に前記複数の駆動回路をつなげるステップであって、
前記複数の垂直ホール素子のうちの前記第２の素子に関係する前記通常モード構成へと第３の異なる選択された時刻において前記接続を切り替えるステップ
を含む、ステップと、
前記複数の垂直ホール素子のうちの前記第２の素子に関係する第２の自己検査モード構成へと第４の異なる選択された時刻において前記接続を切り替えるステップと
をさらに含み、
前記通常モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子の垂直ホール素子接点間にそれぞれの通常モード電圧を与え、前記通常モード電圧が磁場に応答し、
前記第２の異なる自己検査モード構成であるときには、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子の垂直ホール素子接点のそれぞれの選択された対の間にそれぞれの第２の自己検査電圧を与え、前記第２の自己検査電圧が、それぞれ、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第２の素子の垂直ホール素子接点間の抵抗にやはり関係し、前記第２の自己検査電圧は前記磁場にほとんどまたは全く応答しない、
請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記第１の自己検査電圧および前記第２の自己検査電圧が、バイアス電圧に対して実質的に反対の電圧である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記複数の駆動回路を前記つなげるステップが、
前記複数の垂直ホール素子の第１の部分に関係する前記第１の自己検査モード構成を生成するステップと、
シミュレーションした磁場のシミュレーションした回転をもたらすように選択されたさまざまな時刻において、前記複数の垂直ホール素子の第２の異なる部分に関係する前記第２の自己検査モード構成を生成するステップと
を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子が、第１の垂直ホール素子を備え、前記第１の垂直ホール素子が、それぞれの第１の垂直ホール素子接点、第１の垂直ホール素子接点に近接するそれぞれの第２の垂直ホール素子接点、前記第２の垂直ホール素子接点に近接するそれぞれの第３の垂直ホール素子接点、前記第３の垂直ホール素子接点に近接するそれぞれの第４の垂直ホール素子接点、および前記複数の垂直ホール素子接点の中から前記第４の垂直ホール素子接点に近接するそれぞれの第５の垂直ホール素子接点を備え、前記方法が、
前記第１の自己検査モード構成であるときには、前記第１の垂直ホール素子接点を基準電圧につなげるステップと、
前記第２の垂直ホール素子接点を前記第４の垂直ホール素子接点につなげ、かつそれぞれの第１の電流を受け取るように各々をつなげるステップと、
第２の電流を受け取るように前記第３の垂直ホール素子接点をつなげるステップと、
前記第５の垂直ホール素子接点を前記基準電圧につなげるステップであって、前記第１の自己検査電圧が前記第２および第３の垂直ホール素子接点間ならびに前記第４および第３の垂直ホール素子接点間に生じる、ステップと
をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の電流が、自己検査電流値に等しい値を有し、前記第１の電流がバイアス電流値と前記自己検査電流値との間の差に等しい値を有する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記バイアス電流値および前記自己検査電流値が、所定の電圧範囲内である前記第１の自己検査電圧をもたらすように選択される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
第１の時刻において第１の自己検査電圧を与え、かつ第２の異なる時刻において第２の異なる自己検査電圧を与えるために時々前記第２の電流の方向を反転させるステップ
をさらに含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記バイアス電流値および前記自己検査電流値が、所定の電圧範囲内である前記第１および第２の自己検査電圧をもたらすように選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記通常モード構成が、前記複数の垂直ホール素子のうちの前記少なくとも第１の素子のチョッピングを行うために第１、第２、第３、および第４の通常モード構成で構成される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３５】
前記ＣＶＨ検知素子が受ける磁場の方向を表すｘｙ角度信号を生成するステップ
をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３６】
前記ｘｙ角度信号に従って不合格フラッグ値を生成するステップであって、前記不合格フラッグ値は、前記ｘｙ角度信号が選択された限度外であることを示す、ステップ
をさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記磁場の強度を表すｘｙ強度信号を生成するステップ
をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３８】
前記ｘｙ角度信号または前記ｘｙ強度信号のうちの少なくとも一方に従って不合格フラッグ値を生成するステップであって、前記不合格フラッグ値は、前記ｘｙ角度信号または前記ｘｙ強度信号のうちの少なくとも一方がそれぞれの選択された限度外であることを示す、ステップ
をさらに含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記磁場の強度を表すｘｙ強度信号を生成するステップ
をさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４０】
前記ｘｙ強度信号に従って不合格フラッグ値を生成するステップであって、前記不合格フラッグ値は、前記ｘｙ強度信号が選択された限度外であることを示す、ステップ
をさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
垂直ホール素子接点の前記それぞれの選択された対は、垂直ホール素子接点の隣接する対である請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項４２】
前記スイッチングネットワークは、前記磁場センサが応用装置に取り付けられるとき、前記第１の自己検査モード構成に切り替えるように動作可能である請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項４３】
垂直ホール素子接点の前記それぞれの選択された対は、垂直ホール素子接点の隣接する対である請求項２に記載の磁場センサ。
【請求項４４】
前記スイッチングネットワークは、前記磁場センサが応用装置に取り付けられるとき、前記第２の自己検査モード構成に切り替えるように動作可能である請求項２に記載の磁場センサ。
【請求項４５】
垂直ホール素子接点の前記それぞれの選択された対は、垂直ホール素子接点の隣接する対である請求項２２に記載の方法。
【請求項４６】
前記第２の異なる選択された時刻は、その間に前記磁場センサが応用装置に取り付けられる時間である請求項２２に記載の方法。
【請求項４７】
垂直ホール素子接点の前記それぞれの選択された対は、垂直ホール素子接点の隣接する対である請求項２３に記載の方法。
【請求項４８】
前記第３の異なる選択された時刻は、その間に前記磁場センサが応用装置に取り付けられる時間である請求項２３に記載の方法。