【事件の表示】
　特願２００６−２１７４３９「半導体基板並びに電極の形成方法及び太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月２１日出願公開、特開２００８−　４２０９５、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１８年８月９日の出願であって、平成２４年１月５日付けの拒絶理由通知に対して、同年２月２０日に意見書及び手続補正書が提出され、同年９月２５日付けの最後の拒絶理由通知に対して、同年１１月３０日に意見書が提出されたが、平成２５年６月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月２４日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなされたものである。
　
　
第２．本願発明について
１．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項６に係る発明は、平成２４年２月２０日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載されている事項によって特定される、以下のとおりのものと認められる。
　
「　【請求項１】
　少なくとも、電極が形成された半導体基板であって、前記電極は二層以上の多層構造を有するものであり、前記多層構造のうち、少なくとも前記半導体基板に直接接合する第一電極層は、少なくとも、銀と、ガラスフリットとを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有するものであり、前記第一電極層上に形成される電極層のうち、少なくとも配線と接合される最表層の電極層は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しないものであり、前記配線とハンダで接合されていることを特徴とする半導体基板。
　　【請求項２】
　前記少なくとも第一電極層に含有される添加物の含有量が１ｗｔ％以上１５ｗｔ％未満であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
　　【請求項３】
　請求項１または請求項２に記載の半導体基板であって、該半導体基板は、ｐｎ接合を有し、前記電極は表面電極であり、該表面電極側に反射防止膜を具備し、裏面側に裏面電極を具備するものであり、太陽電池として動作するものであることを特徴とする半導体基板。
　　【請求項４】
　少なくとも、銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有する導電性ペーストを、半導体基板上に塗布し、加熱して第一電極層を形成する工程と、該第一電極層より上に、少なくとも銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、前記添加物を含有しない導電性ペーストを塗布し、加熱して、配線とハンダで接合される最表層の電極層を形成する工程とを有することを特徴とする電極の形成方法。
　　【請求項５】
　前記少なくとも第一電極層を形成する導電性ペーストに含有される前記添加物の含有量を１ｗｔ％以上１５ｗｔ％未満とすることを特徴とする請求項４に記載の電極の形成方法。
　　【請求項６】
　少なくとも、ｐｎ接合を有する半導体基板の表面側に反射防止膜を形成する工程と、該反射防止膜部分に表面電極を形成する工程と、裏面側に裏面電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法であって、少なくとも前記表面電極の形成は、請求項４または請求項５に記載の電極の形成方法により形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。」
　
（以下、本願の請求項１に係る発明を「本願発明１」という。また、本願の請求項２ないし請求項６に係る発明を、それぞれ、「本願発明２」ないし「本願発明６」という。）
　
２．原査定の理由
　原査定の拒絶の理由の概要は、本願の請求項１ないし請求項６に係る発明は、平成２４年９月２５日付けの最後の拒絶理由通知で引用された刊行物である、特開２００１−３１３４００号公報、特開昭５９−１６７０５６号公報、特開２００４−２３５２７６号公報にそれぞれ記載された発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
  
３．引用例及び引用発明
（１）引用例１の記載事項と引用発明
　　ア．本願の出願前に日本国内において頒布され、前記最後の拒絶理由通知において「引用文献１」として引用された刊行物である特開２００１−３１３４００号公報（以下「引用例１」という。）には、「太陽電池素子の形成方法」（発明の名称）について、図１とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したもの。以下、他の刊行物についても同様。）。
　
ａ．「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池素子の形成方法に関し、特に反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の形成方法に関する。」
　
ｂ．「【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】シリコン基板を用いて太陽電池素子を形成する場合、まずシリコン基板の切断面を清浄化するために表面をエッチングする。
【０００３】次に、シリコン基板上に反射防止膜として８５０Å程度の厚みを有する窒化シリコン膜または酸化シリコン膜などを形成し、この窒化シリコン膜または酸化シリコン膜における電極形成部を除去して、この部分にペースト状にした銀を主成分とする電極材料などを印刷して６００〜９００℃程度の温度で焼き付けることにより、電極を形成していた。この電極材料としては、０．１〜２μｍ程度の粒径を有する銀粉末１００重量部に対して、１０〜３０重量部の有機ビヒクル、０．１〜５重量部のガラスフリットから成るペースト状の電極材料などを用いていた。
　……（中略）……
【０００５】一方、反射防止膜の電極形成部の除去を行わずに、
ペースト状の電極材料を反射防止膜上に印刷してそのまま焼き付ける
電極材料の下部に位置する反射防止膜材料も溶融させて、この電極材料とシリコン基板を接触させてこの電極材料とシリコンとのオーミック接触を得ようとするもの
【０００６】ところが、
反射防止膜の電極形成部の除去を行わずに、ペースト状の電極材料を反射防止膜上に印刷してそのまま焼き付けた場合、安定したオーミック接触が得られず、電極の接着強度もモジュール化に耐えるに充分なものは得られなかった
　
ｃ．「【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明に係る太陽電池素子の形成方法によれば、一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、この半導体基板の一主面側に反射防止膜を形成し、この反射防止膜上と前記半導体基板の他の主面側に銀粉末、有機ビヒクル、およびガラスフリットから成る電極材料を焼き付ける太陽電池素子の形成方法において、前記反射防止膜上に焼き付ける電極材料が、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ成分のうちのいずれか一種または複数種を含有することを特徴とする。
【０００９】上記太陽電池素子の形成方法では、前記Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ粉末またはその酸化物粉末のいずれか一種または複数種を前記電極材料中の銀１００重量部に対して金属換算で０．０５〜５重量部含有することが望ましい。」
　
ｄ．「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の形成方法を示す図である。まず、半導体基板１を用意する（図１（ａ）参照）。この半導体基板lは、単結晶又は多結晶シリコンなどから成る。
　……（中略）……
【００１５】次に、
シリコン基板l
の表面部分にリン原子を拡散させて
他の導電型を呈する領域１ａを形成し
　……（中略）……
【００１７】次に、
シリコン基板１の一主面側に反射防止膜２を形成する
窒化シリコン膜などから成り
【００１８】次に、裏面電極材料４を塗布して乾燥した後、
表面電極材料５を塗布して乾燥する
銀と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添加してぺ一スト状にしたものをスクリーン印刷法で印刷して、６００〜８００℃で１〜３０分程度焼成することにより焼き付けられる
【００１９】この際に用いられる有機ビヒクルは粉末状のものをペースト状にするために用いられる樹脂であり、例えばセルロース系、アクリル系のものがある。これらは４００℃程度で分解、揮散するため、焼成後の電極にはその成分は残らない。また、ガラスフリットは焼き付けた電極に強度を持たすために用いられる。ガラスフリットは、鉛、ホウ素、珪素等を含み、３００〜６００℃程度の種々の軟化点をもつものがあるが、焼成後一部は電極中に残り、一部はシリコンに作用するために電極とシリコン基板間を接着する機能を持つ。
【００２０】この
電極材料５はＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ成分のいずれか１つ、または2つ以上を銀１００重量部に対して０．０５〜５重量部含有する
これらの成分は
酸化物粉末
の形でペースト中に含有される
【００２１】
前記成分は焼成中に、ガラスフリットに作用してその一部が溶け込む。その後、この混合体が窒化シリコン膜または酸化シリコン膜に作用する
その結果コンタクト性及び接着強度を向上させる
【００２２】このＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒの含有量が０．０５重量部以下では十分な強度が得られない。また、５重量部以上では電極材料の線抵抗が増大する。
【００２３】これらの成分を金属粉末や酸化物粉末などの粉末の形で配合する場合、平均粒径が０．１〜５μｍの範囲のものを用いることが望ましい。この粉末の平均粒径が０．１μｍ以下の場合は電極材料中での分散性が悪くなり、電極の十分な接着強度（引っ張り強度）を得られない。平均粒径が５μｍ以上の場合にはスクリーン印刷性（線切れ、線幅の均一性）が悪くなり、電極の十分な接着強度を得られない。なお、この場合の平均粒径はレーザー回折散乱法や光透過式遠心沈降法や音響法や拡散法等で定義されるもののいずれの場合にも当てはまる。
【００２４】なお、裏面電極材料４は、電極材料５と同一の材料である必要はないが、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ成分を願油させると接着強度が大きくくなるので好ましい。
【００２５】また、この裏面電極４と
表面電極５は、必要に応じて半田などで被覆
　
ｅ．「【００２７】
【実施例】
比抵抗が１．５Ωｃｍのシリコン基板の一主面側に、Ｐを１×１０
１７
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
拡散させ、反射防止膜として厚み８５０Åの窒化シリコン膜を形成した。その後、前記粉末を添加しない銀ペーストと、平均粒径１μｍの酸化チタン粉末を銀１００重量部に対して金属換算で０．０４重量部〜５．５重量部を含有するペーストを７００℃で焼き付けて
酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化鉄、酸化クロムのそれぞれの粉末を金属換算で０．０４重量部〜５．５重量部を含有するペーストを７００℃で焼き付け
　……（中略）……
【００２９】
前記各粉末の含有により電極強度の向上およびオーミック接触の改善がみられた
　
　　イ．前記アのａ〜ｅの記載を総合すれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「リン原子を拡散させてｎ型を呈する領域１ａを形成したシリコン基板１の一主面側に、窒化シリコン膜などから成る反射防止膜２を形成する工程と、
　銀に、有機ビヒクル、ガラスフリット、及び、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれか１つまたは２つ以上を酸化物粉末の形で添加してぺ一スト状にした表面電極材料を、前記反射防止膜２上に、塗布して乾燥させ、さらに、焼成することにより焼き付けて、前記領域１ａにオーミック接触する表面電極５を形成する工程と、
　前記表面電極５を半田などで被覆する工程と、
を有することを特徴とする太陽電池素子の表面電極の形成方法。」
　
　　ウ．そうすると、引用例１には、引用発明１の「方法」をシリコン基板に対して使用することで得られる物についての、次の発明（以下「引用発明２」という。）も記載されていると認められる。
　
「表面電極５が形成されたシリコン基板１であって、
　前記シリコン基板１のｎ型を呈する領域１ａにオーミック接触し、銀に、少なくとも、ガラスフリット、及び、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれか１つまたは２つ以上の酸化物が添加された表面電極５と、
　前記表面電極５を被覆する半田などと、
を備えることを特徴とする太陽電池素子の表面電極が形成されたシリコン基板１。」
　
（２）引用例２の記載事項
　　ア．本願の出願前に日本国内において頒布され、前記最後の拒絶理由通知において「引用文献２」として引用された刊行物である特開昭５９−１６７０５６号公報（以下「引用例２」という。）には、「シリコン半導体電極」（発明の名称）について、第１図〜第６図とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「本発明は導電ペーストを用いた低価格のシリコン半導体電極に関する。」（第１頁下左欄第２０行〜同頁下右欄第１行）
　
ｂ．「近年、とりわけ低価格化が要望されている
太陽電池の分野において、シリコン半導体電極
　
ｃ．「本発明はこれに対し導電ペーストを用いてシリコンに対して良好なオーム接触を呈するシリコン半導体電極を提供することを目的とする。
　この目的は、シリコン半導体電極が炭素を含む導電ペーストを塗布硬化させてなり、半導体に接して設けられる第一層と、その上に金属のみを含む導電ペーストを塗布、硬化させてなる第二層との積層体であることによつて達成される。半導体に接する第一層のための導電ペーストには炭素のほかに金属を添加してもよい。
　
本発明は半導体に接触する層としてシリコンと低接触抵抗を示す炭素を含む導電ペーストにより形成される層を用い、その上には通電にのみに役立つ層として従来の導電ペーストと同様に金属のみを含む導電ペーストにより形成される層を用いたものである。すなわち、電極を複層構造とし集電機能と通電機能とを分離した
　……（中略）……
　以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第１図に示す太陽電池は、ガラス板などを用いる共通透明基板１の上に複数の太陽電池素子を形成したものであり、各素子はＩＴＯなどからなる透明電極２、アモルフアスシリコン（以下ａ―Ｓｉと記す）のｐ層３、ａ―Ｓｉｉ層４、ａ―Ｓｉｎ層５および電極６が積層されてなる。電極６は本発明により炭素あるいは炭素と銀などの金属を含む導電ペーストの塗布、硬化により形成された第一層７と銀などの金属のみを含む導電ペーストの塗布、硬化により形成された第二層８からなる。第二層８は延長されて隣接素子の透明電極２と接続されており、これによつて光９により光起電力を生ずる各太陽電池素子が直列接続される。」（第１頁下右欄第１６行〜第２頁上右欄第１２行）
　
ｄ．「実施例１
　
黒鉛２０ｗｔ％、アセチレンブラツク１０ｗｔ％、およびフエノール樹脂７０ｗｔ％からなる導電ペーストを調製
厚さ１０μｍの第一層７を形成した。ついで銀８０ｗｔ％、フエノール樹脂２０ｗｔ％からなる導電ペーストを調製し、隣接する素子の表面電極を接続できるようにスクリーン印刷し、１００℃で１０分間の予備乾燥後１５０℃の空気中で１時間硬化させ、厚さ２０μｍの第二層８を形成した
実施例２
　
アセチレンブラツク２５ｗｔ％、平均粒径１０μｍ以下の銀粉末３５ｗｔ％、およびフエノール樹脂４０ｗｔ％からなる導電ペーストを調製し、実施例１と同様の方法で厚さ１０μｍの第一層を形成した
銀８０ｗｔ％、フエノール樹脂２０ｗｔ％からなる導電ペーストを調製し、厚さ２０μｍの第二層８を形成した
　
ｅ．「このように、
複層構造の導電ペースト電極を用いることにより太陽電池の出力特性が向上したのは、炭素を主成分とする第一層がシリコンとの接触抵抗が低く、銀を主成分となる第二層がシート抵抗が低いことによる電極の直列抵抗損失の減少に起因する
　
ｆ．「以上のように本発明はシリコン半導体電極を半導体との接触抵抗の低い層と固有抵抗の低い層との複層構造としたもので、これにより特に太陽電池電極に導電ペーストを用いる場合の直列抵抗増大が防止され、安価で変換効率の高い太陽電池を得るのに極めて有効である。」（第３頁下左欄第１８行〜同頁下右欄第３行）
　
（３）引用例３の記載事項
　　ア．本願の出願前に日本国内において頒布され、前記最後の拒絶理由通知において「引用文献３」として引用された刊行物である特開２００４−２３５２７６号公報（以下「引用例３」という。）には、「太陽電池素子およびその形成方法」（発明の名称）について、図１〜図３とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽電池素子とその形成方法に関し、特に半田よって電極を被覆した太陽電池素子とその形成方法に関する。」
　
ｂ．「【０００３】
表面電極４は例えば反射防止膜３の上に表面電極材料を塗布して焼成することによって表面電極材料の下の反射防止膜３を溶融させて半導体基板１と直接接触させるいわゆるファイヤースルー法で形成される。電極材料としては、０．１〜２μｍ程度の粒径を有する銀粉末１００重量部に対して、１０〜３０重量部の有機ビヒクル、０．１〜５重量部のガラスフリットから成るペースト状の電極材料などが用いられている。しかし、この方法によれば安定したオーミック接触が得られず、表面電極４の接着強度も充分なものが得られないという問題があった。
【０００４】
この問題を回避するために、
反射防止膜３上に焼き付ける電極材料にＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｒもしくはこれらの酸化物のうちのいずれか一種または複数種を含有させることが行われている（例えば、特許文献１参照）。この方法によればオーミックコンタクト性がよく接着強度の強い太陽電池素子を得ることができ
【０００５】
しかし、上記Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｒは銀の焼結を阻害する傾向があり、装置のトラブルなど何らかの原因によって半田被覆の作業温度が上昇すると表面電極４の焼結し切れなかったＡｇが半田中のＳｎと化合物を形成して半田に溶解してしまういわゆる銀喰われが発生する
　
ｃ．「【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る太陽電池素子によれば、半導体接合部を有する半導体基板の表面側に表面電極を設けるとともに裏面側に裏面電極を設け、
この表面電極を半田で被覆した太陽電池素子において、前記表面電極はＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ、またはこれらの酸化物のうちのいずれか一種または複数種を含有する
前記半田はＢｉを２７〜７３重量％含有するとともに鉛を実質的に含まないＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ系の半田である
　
ｄ．「【００２０】
そして、表裏面に電極材料を塗布して焼き付けることよって表面電極５および裏面電極６を形成する。この電極材料は
銀と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添加してぺースト状にしたもの
【００２１】
この際に用いられる有機ビヒクルは粉末状のものをペースト状にするために用いられる樹脂であり、例えばセルロース系やアクリル系のものがある。これらは４００℃程度で分解して揮散するため焼成後の電極５、６にはその成分は残らない。また、ガラスフリットは焼き付けた電極５、６に強度を持たすために用いられる。ガラスフリットは、鉛、ホウ素、珪素等の酸化物を含み、３００〜６００℃程度の種々の軟化点をもつものがあるが、焼成後に一部は電極５、６中に残り、一部はシリコンと溶着するために電極５、６とシリコン基板１との間を接着する機能を持つ。
【００２２】
本発明においては、この表面電極材料には粒径０．１〜５μｍ程度のＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ、またはこれらの酸化物のいずれか１種または複数種を含有する
【００２３】
また、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ、またはこれらの酸化物を用いることにより、反射防止膜上から前記電極材料を塗布すれば、オーミックコンンタクト性が良く電極強度の強い太陽電池素子が得られる。」
　
ｅ．「【００２６】
Ｂｉは半田の溶融温度を下げる作用し、Ｓｎは銀と化学結合していわゆる半田接合部を形成するように作用し、Ａｇは銀電極と半田濡れ性を改善するように作用する。
【００２７】
この場合、Ｂｉは２７〜７３重量％添加される。６２Ｓｎ−３８Ｐｂ共晶半田よりもＳｎ含有量を少なくして融点（６２Ｓｎ−３６Ｐｂでは１８３℃）が低い組成にするためである。
　……（中略）……
【００３０】
ファイヤースルーによる良好なコンタクトおよび電極強度を得るためにはＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ、またはこれらの酸化物のうちのいずれか一種または複数種を含有することが必要であったが、この電極ではＳｎ−Ｐｂでの半田被覆で銀喰われが起こるという問題があった。今回この問題をＳｎ濃度の低い半田種へ変更することにより改善するものである。
【００３１】
半田浸漬時間と銀喰われ状態（削減された線幅）を表１に示した。銀ペーストは酸化亜鉛を添加したものについてはＳｎ−Ｐｂ共晶半田に１．５重量％の銀を加えたものとＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ系半田（Ｂｉ含有量（重量％）：２５、２７、４０、５７、７０、７５）でディップした。銀ペーストに添加剤を加えなかったものはＳｎ−Ｐｂ共晶半田に１．５重量％の銀を加えたもののみの評価を行った。」
　
ｆ．「【００３３】
銀ペーストに対する添加剤の有無による銀喰われは各々の浸漬時間において
添加剤を含まないものの喰われは少ない
銀ペーストに添加剤が入っているものでもＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ系半田では銀喰われは少ない
　
４．対比・判断
（１）本願発明１について
（１−１）対比
　本願発明１と引用発明２とを対比する。
　
　　ア．引用発明２の「表面電極５が形成されたシリコン基板１」は、本願発明１の「少なくとも、電極が形成された半導体基板」に相当する。
　
　　イ．引用発明２の「前記シリコン基板１のｎ型を呈する領域１ａにオーミック接触」する「表面電極５」と、本願発明１の「少なくとも前記半導体基板に直接接合する第一電極層」と「前記第一電極層上に形成される電極層」とからなる「二層以上の多層構造を有するもの」である「前記電極」とは、「少なくとも前記半導体基板に直接接合する」「前記電極」である点で共通する。
　
　　ウ．引用発明２の「銀に、少なくとも、ガラスフリット、及び、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれか１つまたは２つ以上の酸化物が添加された表面電極５」と、本願発明１の「少なくとも、銀と、ガラスフリットとを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有するもの」である「第一電極層」とは、「少なくとも、銀と、ガラスフリットとを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有するもの」である「電極」の「層」である点で一致する。
　
　　エ．引用発明２において「前記表面電極５」が「半田など」で「被覆」されていることと、本願発明１において「少なくとも配線と接合される最表層の電極層」が「前記配線とハンダで接合されている」こととは、「電極」の「層」の上に「ハンダ」層が存在する点で共通する。
　
　　オ．以上から、引用発明２と本願発明１とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
　
（一致点）
「少なくとも、電極が形成された半導体基板であって、少なくとも前記半導体基板に直接接合する前記電極は、少なくとも、銀と、ガラスフリットとを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有するものである前記電極の層であり、前記電極の層の上にハンダ層が存在することを特徴とする半導体基板。」
　
（相違点１）
　本願発明１においては、「前記電極は二層以上の多層構造を有するもの」であり、「少なくとも前記半導体基板に直接接合する」「電極層」は「前記多層構造のうち」の「第一電極層」であるのに対して、引用発明２の「表面電極５」は一層構造である点。
　
（相違点２）
　本願発明１は、「前記第一電極層上に形成される電極層のうち、少なくとも配線と接合される最表層の電極層は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しない」電極層を有するのに対して、引用発明２は、そのような電極層を有していない点。
　
（相違点３）
　本願発明１の前記「少なくとも配線と接合される最表層の電極層」は「前記配線とハンダで接合されている」のに対して、引用発明２の「前記表面電極５」は「半田など」で「被覆」されている点。
　
（１−２）判断
　相違点１及び相違点２について、検討する。
　
　　ア．引用発明２の「表面電極５」は、その表面が「半田など」で「被覆」されているものの、前記「表面電極５」自体は一層構造の「電極」である。
　そして、第２．３．（１）ア．ｂで摘記したように、引用例１の段落【０００３】には「シリコン基板上……の窒化シリコン膜または酸化シリコン膜における電極形成部を除去して、この部分にペースト状にした銀を主成分とする電極材料などを印刷して６００〜９００℃程度の温度で焼き付けることにより、電極を形成していた。」と記載され、引用例１の「従来の技術」においても、「電極」は一層構造であった。
　したがって、引用例１には、「表面電極５」を多層構造にすることは記載も示唆もされていない。
　
　　イ．ところで、引用発明２が「Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれか１つまたは２つ以上の酸化物が添加された表面電極５」を用いたのは、第２．３．（１）ア．ｂで摘記したように「反射防止膜の電極形成部の除去を行わずに、ペースト状の電極材料を反射防止膜上に印刷してそのまま焼き付けた場合、安定したオーミック接触が得られず、電極の接着強度もモジュール化に耐えるに充分なものは得られなかった。」からであり、前記「酸化物」の「添加」により、「Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ成分」が「焼成中に、ガラスフリットに作用してその一部が溶け込む。その後、この混合体が窒化シリコン膜または酸化シリコン膜に作用する」ことで「コンタクト性及び接着強度を向上させる。」という効果を奏することは、第２．３．（１）ア．ｄで摘記したとおりである。
　
　　ウ．これに対して、平成２４年９月２５日付けの最後の拒絶理由通知において「引用文献２」として引用された引用例２には、第２．３．（２）ア．ｃで摘記したように、太陽電池の「シリコン半導体電極」として、「半導体に接触する層としてシリコンと低接触抵抗を示す炭素を含む導電ペーストにより形成される層を用い、その上には通電にのみに役立つ層として従来の導電ペーストと同様に金属のみを含む導電ペーストにより形成される層を用いたものである。すなわち、電極を複層構造とし集電機能と通電機能とを分離した」電極を採用したことが記載されている。
　引用例２において、この「集電機能と通電機能とを分離」した「複層構造」の「電極」を採用したのは、第２．３．（２）ア．ｂで摘記したように「導電材料として銀を含む導電ペーストを塗布、硬化した場合、シリコンと導電体との間にバリアが生じて接触抵抗が高く、その結果電極としての必要条件である良好なオーム接触が得られない。」からであり、前記「複層構造」の「電極」を採用した結果、「シリコンとの接触抵抗が低」い「炭素を主成分とする第一層」と「シート抵抗が低い」「銀を主成分となる第二層」とにより「電極の直列抵抗損失」が減少するという効果を奏することは、第２．３．（２）ア．ｅ及びｆで摘記したとおりである。
　
　　エ．以上のとおり、引用例２に記載の「炭素を主成分とする第一層」の「電極」は「シリコンとの接触抵抗が低」いという特徴を有するものであり、「Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ成分」が「焼成中に、ガラスフリットに作用してその一部が溶け込む」ことで「安定したオーミック接触」と「向上」した「電極の接着強度」が得られるという特徴を有する引用発明２の「表面電極５」とは、シリコン基板及びその上の構造物に対する作用を異にしており、前記「シリコンとの接触抵抗が低」いという特徴と「安定したオーミック接触」と「向上」した「電極の接着強度」が得られるという特徴も一致しない。
　したがって、「表面電極５」を多層構造にすることが記載も示唆もされていない引用例１に記載された引用発明２に、「集電機能と通電機能とを分離」した「複層構造」の「電極」を採用した引用例２に記載の技術を適用すること、さらに、引用発明２の「表面電極５」を「第一層」の電極層とし、その上に、引用例２に記載の前記「銀を主成分となる第二層」を形成することを、当業者が容易に想到し得たとは認められない。
　
　　オ．さらに、引用例２の「実施例」には、「複層構造の導電ペースト電極」は、たとえば、「第一層」が、「黒鉛」と「アセチレンブラツク」及び「フエノール樹脂」、あるいは、「アセチレンブラツク」と「銀粉末」及び「フエノール樹脂」からなる「導電ペースト」で形成され、「第二層」が「銀」と「フエノール樹脂」からなる「導電ペースト」で形成されることしか記載されていない。
　すなわち、引用例２には、「複層構造の導電ペースト電極」の「第一層」はもちろん、「第二層」にも、ガラスフリットが含まれることは記載も示唆もされていない。
　したがって、仮に、引用発明２の「表面電極５」に、引用例２記載の「複層構造の導電ペースト電極」構造を適用することができたとしても、本願発明１のように、「第一電極層上に形成され」、「少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しない」、「少なくとも配線と接合される最表層の電極層」を備える「電極」構造を得ることはできない。
　　
　　カ．一方、引用例３には、第２．３．（３）ア．ｂで摘記したように、「オーミックコンタクト性がよく接着強度の強い太陽電池素子を得る」ために「反射防止膜３上に焼き付ける電極材料にＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｒもしくはこれらの酸化物のうちのいずれか一種または複数種を含有させる」と、「上記Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｒは銀の焼結を阻害する傾向」があるため「表面電極４の焼結し切れなかったＡｇが半田中のＳｎと化合物を形成して半田に溶解してしまういわゆる銀喰われが発生する」ことが記載されている。
　この記載は、本願明細書の段落【０００７】に記載された「背景技術」が有する「問題」点に関する記載と同趣旨の記載である。
　
　　キ．しかしながら、引用例３には、第２．３．（３）ア．ｃで摘記したように「表面電極」の上を「半田」で被覆することは記載されているものの、前記「表面電極」自体を多層構造にすることは記載も示唆もされていない。
　また、引用例３には、同ｃで摘記したように、「この表面電極を半田で被覆した太陽電池素子において、前記表面電極はＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ、またはこれらの酸化物のうちのいずれか一種または複数種を含有する」ときに生じる前記「問題」点を解決するために、「前記半田はＢｉを２７〜７３重量％含有するとともに鉛を実質的に含まないＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ系の半田」としたことが記載されている。
　
　　ク．さて、引用例３には、第２．３．（３）ア．ｄで摘記したように「表面電極５」を「銀と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添加してぺースト状にしたもの」から形成すること、「本発明においては、この表面電極材料には粒径０．１〜５μｍ程度のＴｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ、またはこれらの酸化物のいずれか１種または複数種を含有」させること、が記載されている。
　そして、引用例３には、同ｅ及びｆで摘記したように「銀ペーストに添加剤を加えなかったもの」で形成した表面電極であれば「Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田」で被覆しても最も「銀喰われ」が少ないこと、これと比較して、「銀ペーストに添加剤が入っているもの」で形成した表面電極でも「Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ系半田」で被覆した場合は同程度に「銀喰われは少ない」ことが記載されている。
　すなわち、前記の「銀ペーストに添加剤を加えなかったもの」で形成した場合は最も「銀喰われ」が少ないという記載は、前記「鉛を実質的に含まないＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ系の半田」の効果を立証するための記載である。
　
　　ケ．してみると、引用例３には、「表面電極」を「銀と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添加してぺースト状にしたもの」に前記「添加剤を加えなかった」場合は「Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田」で被覆しても最も「銀喰われ」が少ないことが記載されているとしても、この記載は、「添加剤が入っている」一層構造の「表面電極」を「鉛を実質的に含まないＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ系の半田」で被覆することの効果を示すための記載にすぎないから、この引用例３に当業者が接したとしても、引用発明２の「表面電極」の上に、「最表層の電極層」として「少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しない」電極層を設けることで、前記「表面電極５」とともに「多層構造」をなす電極層を形成することを、想起できたとは認められない。
　
　　コ．そして、本願発明１の「二層以上の多層構造を有する」電極は、各「層」が「ガラスフリット」を「含有し」ているから、当業者の技術常識を参酌すれば、電極材料を単なる加熱でなく焼成することにより形成されるものであることは、自明である。
　そうすると、本願発明１は、「前記半導体基板に直接接合する第一電極層は、少なくとも、銀と、ガラスフリットとを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有する」ものであるため電極材料の焼成の際に「銀の焼結が阻害」されても、「少なくとも配線と接合される最表層の電極層は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しないもの」であるため「電極の焼成工程において、銀の焼結が十分に行われ、電極層の固有抵抗も十分低下させることができ、銀喰われの発生も抑制できる。」という、本願明細書の段落【００３４】に記載された格別な効果を奏するものである。
　
　　サ．以上から、引用発明２において、「表面電極５」上に他の電極層を形成することで「表面電極」を多層構造とするとともに、前記他の電極層のうち「少なくとも配線と接合される最表層の電極層は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しない」電極層とすることを、引用例１〜引用例３の記載に基づいて、当業者が容易になし得たとは認められない。
　よって、相違点３について検討するまでもなく、本願発明１が、引用発明２及び引用例２〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（２）本願発明２及び本願発明３について
　本願の請求項２ないし請求項３は、いずれも本願の請求項１を直接または間接に引用する請求項である。
　したがって、本願発明１が引用発明２及び引用例２〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない以上、本願発明１の発明特定事項をすべて有する本願発明２及び本願発明３も、引用発明２及び引用例２〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（３）本願発明４について
（３−１）対比
　本願発明４と引用発明１とを対比する。
　
　　ア．引用発明１の「銀に、有機ビヒクル、ガラスフリット、及び、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれか１つまたは２つ以上を酸化物粉末の形で添加してぺ一スト状にした表面電極材料」は、「有機ビヒクル」を有機溶媒で溶解させて「ペースト状にした」ものであることは、当業者の技術常識を参酌すれば、自明である。
　したがって、引用発明１の「銀に、有機ビヒクル、ガラスフリット、及び、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれか１つまたは２つ以上を酸化物粉末の形で添加してぺ一スト状にした表面電極材料」と、本願発明４の「少なくとも、銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有する導電性ペースト」とは、「少なくとも、銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有する導電性ペースト」である点で一致する。
　
　　イ．引用発明１の「一主面側に、窒化シリコン膜などから成る反射防止膜２を形成」した「リン原子を拡散させてｎ型を呈する領域１ａを形成したシリコン基板１」は、本願発明４の「半導体基板」に相当する。
　
　　ウ．前記アで指摘したように、引用発明１の「銀に、有機ビヒクル、ガラスフリット、及び、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれか１つまたは２つ以上を酸化物粉末の形で添加してぺ一スト状にした表面電極材料」は「有機ビヒクル」を溶解させる有機溶媒を有していることは自明である。
　そして、前記有機溶媒を有する「ぺ一スト状にした表面電極材料」を「塗布」したものを、「乾燥させ」る際には、当該「表面電極材料」を少なからず加熱していることも、当業者の技術常識を参酌すれば、明らかである。
　したがって、前記ア及びイから、引用発明１の「銀に、有機ビヒクル、ガラスフリット、及び、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれか１つまたは２つ以上を酸化物粉末の形で添加してぺ一スト状にした表面電極材料を、前記反射防止膜２上に、塗布して乾燥させ、さらに、焼成することにより焼き付けて、前記領域１ａにオーミック接触する表面電極５を形成する工程」と、本願発明４の「少なくとも、銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有する導電性ペーストを、半導体基板上に塗布し、加熱して第一電極層を形成する工程」とは、「少なくとも、銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有する導電性ペーストを、半導体基板上に塗布し、加熱して」「電極層を形成する工程」である点で共通する。
　
　　エ．引用発明１の「前記表面電極５を半田などで被覆する工程」と、本願発明４の「該第一電極層より上に、少なくとも銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、前記添加物を含有しない導電性ペーストを塗布し、加熱して、配線とハンダで接合される最表層の電極層を形成する工程」とは、「ハンダ」層がその上に存在する「電極層を形成する工程」である点で共通する。
　
　　オ．以上から、引用発明１と本願発明４とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
　
（一致点）
「少なくとも、銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有する導電性ペーストを、半導体基板上に塗布し、加熱して電極層を形成する工程と、ハンダ層がその上に存在する電極層を形成する工程とを有することを特徴とする電極の形成方法。」
　
（相違点４）
　本願発明４においては「半導体基板上に塗布し、加熱して第一電極層を形成する」とともに、「該第一電極層より上に」も「再表層の電極層を形成する」のに対して、引用発明１においては「表面電極５」のみを「形成する」点。
　
（相違点５）
　本願発明４は「該第一電極層より上に、少なくとも銀粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、有機溶媒とを含有し、前記添加物を含有しない導電性ペーストを塗布し、加熱して」「最表層の電極層を形成する」のに対して、引用発明１は、そのような電極層を形成していない点。
　
（相違点６）
　本願発明４においては「配線とハンダで接合される」のは「最表層の電極層」であるのに対して、引用発明１においては「前記表面電極５を半田などで被覆する」点。
　
（３−２）判断
　　ア．相違点４及び相違点５は、本願発明１と引用発明２との相違点である相違点１及び相違点２と、物の発明と方法の発明の違いに基づく違いこそあるが、それぞれ、実質的には同じ相違点であると認められる。
　
　　イ．そうすると、第２．４．（１）（１−２）で指摘したものと同じ理由により、本願発明４が、引用発明１及び引用例２〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（４）本願発明５及び本願発明６について
　本願の請求項５ないし請求項６は、いずれも本願の請求項４を直接または間接に引用する請求項である。
　したがって、本願発明４が引用発明１及び引用例２〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない以上、本願発明４の発明特定事項をすべて有する本願発明５及び本願発明６も、引用発明１及び引用例２〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
　
第３．まとめ  
　以上のとおりであるから、本願の請求項１ないし請求項６に係る発明が、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原査定の判断は妥当でなく、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。