【事件の表示】
　特願２０１０−５１９２７４号「シリコン貫通ビア（ｔｈｒｏｕｇｈｓｉｌｉｃｏｎｖｉａ）の銅金属被膜」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年２月５日国際公開、ＷＯ２００９／０１８５８１、平成２２年１１月１８日国内公表、特表２０１０−５３５２８９号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成２０年８月４日（パリ条約による優先権主張　２００７年８月２日（ＵＳ）アメリカ合衆国、２００８年６月５日（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年８月３日付けで手続補正書が提出され、同年１２月１５日付けの拒絶理由の通知に対して平成２４年６月２０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月２日付けの拒絶理由の通知に対して同年１１月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２５年４月４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同日付けで手続補正書が提出され、その後、特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した同年７月５日付けの審尋の通知に対して、同年１０月２日付けで回答書が提出され、同年１２月２５日付けの当審による拒絶理由の通知に対して平成２６年５月１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。  
 　  
２．本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年５月１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体集積回路デバイス基板に、シリコン貫通ビアを形成するためのシリコンビアホールフィーチャー（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ　ｈｏｌｅ　ｆｅａｔｕｒｅ）を金属被膜する方法であって、前記半導体集積回路デバイス基板は前表面、後表面およびビアホールフィーチャーからなり、前記ビアホールフィーチャーは前記基板の前表面に開口、前記基板の前表面から延びる側壁、および底からなり、前記方法は：
　前記半導体集積回路デバイス基板を電解銅堆積組成物に浸漬する工程からなり、前記浸漬する工程において、前記シリコン貫通ビアフィーチャーは５μｍ〜３００μｍの入口寸法、５０μｍ〜２５０μｍの深さ寸法および０．３：１より大なるアスペクト比を有し、
堆積組成物は次を含む：
（ａ）有機スルホン酸銅である銅イオン源；
（ｂ）有機スルホン酸；
（ｃ）分極化合物から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物であって、ビア開口よりもビア底で速い銅堆積を促進する１つあるいはそれ以上の有機化合物であって、（ｉ）ビニルピリジン系化合物、または（ｉｉ）ビニルピリジン系化合物および次の一般構造（１）を有する有機硫黄化合物の組合せ：
ここで、
ＸはＯ、ＳあるいはＳ＝Ｏである；
ｎは１から６である；
Ｍは価数を満足するために必要な水素、アルカリ金属あるいはアンモニウムである；
Ｒ１は１から８の炭素原子のアルキレンあるいは環状アルキレン基、６から１２の炭素原子の芳香族炭化水素あるいは脂肪族芳香族炭化水素である；および
Ｒ２は水素、１から８の炭素原子を有するヒドロキシアルキルあるいは、ＭおよびＲ１は上記で定義されるＭＯ３ＳＲ１からなる群から選ばれ、さらにポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）、ランダム酸化エチレン／酸化プロピレンコポリマーから任意に選ばれ；
（ｄ）塩素イオン；および
底上げ充填し、それにより銅充填ビアホールフィーチャーを生成するために前記底および前記側壁上に銅金属を堆積するように前記電解堆積組成物に電流を供給することからなる。」
　
３．引用例に記載された事項 
　当審による拒絶理由通知において引用された特開２００７−１４６２８５号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の記載がある。 
（ア）「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は、一般的には、電解金属メッキ組成物の分野に関係する。詳細には、本発明は、銅電気メッキ組成物の分野に関係する。」 
 　 
（イ）「【００１２】
　本明細書全体を通じ、使用されている場合、『フィーチャー』は基体上の形状を表す。『開口』は凹所のフィーチャー、例えばビアおよびトレンチを表す。本明細書全体を通じ、使用されている場合、『メッキ』という用語は、基体への金属堆積を表す。『欠陥』は、例えば突起およびピットなどの金属層の表面欠陥、並びに例えば空隙などの金属層内の欠陥を表す。『広い金属線』は、１μｍより広い幅を有する金属線を表す。『層』および『皮膜』という用語は互換可能に使用され、文脈が他を明確に示していない限り、金属堆積物を表す。」 （当審注：当審において、「」内の「」を『』とした。以下同じ。）
　
（ウ）「【００１６】 
　広範囲にわたる様々な金属電気メッキ浴を本発明とともに使用することができる。金属電気メッキ浴は、典型的には、金属イオンのソース；電解質；および重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含んだポリマー平滑化剤；を含む。任意に、電気メッキ浴は、一以上の促進剤、抑制剤、ハロゲン化物イオンのソース、結晶微粒化剤およびそれらの混合物を含んでいてよい。また、他の添加剤も本電気メッキ浴において好適に使用することができる。 
【００１７】 
　金属イオンの典型的なソースは、電気メッキ浴に可溶性のあらゆる金属化合物である。好適な金属化合物としては、これらに限定するものではないが、無機および有機の金属塩、例えば金属硫酸塩、銅過硫酸塩、金属ハロゲン化物、塩素酸金属塩、過塩素酸金属塩、アルカンスルホン酸金属塩、例えばメタンスルホン酸金属塩など、アルカノールスルホン酸金属塩、アリールスルホン酸金属塩、フルオロホウ酸金属塩、金属硝酸塩、金属酢酸塩、金属クエン酸塩および金属グルコン酸塩が挙げられる。例示的な金属としては、これらに限定されないが、銅、スズ、銀、金、ビスマス、ニッケル、亜鉛、イリジウムおよびアンチモンが挙げられる。一つの実施態様では、金属イオンのソースは銅イオンのソースである。更なる実施態様では、金属イオンのソースは硫酸銅である。同じ金属または異なる金属を含有する金属化合物の混合物も使用することができる。金属の例示的な混合物としては、これらに限定するものではないが、銅−スズ、銅−スズ−ビスマス、スズ−ビスマス、スズ−銅−銀、スズ−銀、および銅−銀が挙げられる。かかる金属化合物の混合物は金属合金の堆積物をもたらす。かかる金属イオンのソースは、一般的に、商業的に入手することができる。 
【００１８】 
　これらの金属イオンのソースは、比較的広い濃度範囲において、本電気メッキ浴中で使用することができる。典型的には、金属イオンソースは、メッキ浴中において１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌの金属イオンの量を提供するのに充分な量で存在する。より典型的には、金属イオンのソースは、メッキ浴中において１０ｇ／Ｌ〜８０ｇ／Ｌの金属イオンを提供する。 
【００１９】 
　電解質はアルカリ性であってもよいし、または酸性であってもよく、典型的には酸性である。金属化合物と適合する任意の酸を本発明において使用することができる。好適な酸としては、これらに限定するものではないが：硫酸、酢酸、フルオロホウ酸、硝酸、スルファミン酸、リン酸、ハロゲン化水素酸、例えば塩酸、アルカンスルホン酸およびアリールスルホン酸、例えばメタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、フェノールスルホン酸およびベンゼンスルホン酸、ならびにハロゲン化酸、例えばトリフルオロメチルスルホン酸およびハロ酢酸、例えばトリフルオロ酢酸；が挙げられる。典型的には、酸は、硫酸、アルカンスルホン酸またはアリールスルホン酸である。酸の混合物も使用することができる。一般的に、これらの酸は、電気メッキ浴に導電性を付与するのに充分な量で存在する。本発明の酸性電解質のｐＨは７未満の値を有しており、典型的には２未満である。例示的なアルカリ性電気メッキ浴は、電解質としてピロリン酸塩を使用するが、他の電解質も使用することができる。当業者であれば、この電解質のｐＨは、必要な場合、任意の好適な方法により調節され得ることを認識する。 
【００２０】 
　本電気メッキ浴で使用される酸性電解質の合計量は、０〜２００ｇ／Ｌであってよく、典型的には０〜１２０ｇ／Ｌであるが、特定の用途では、もっと多量の酸、例えば２２５ｇ／Ｌまでなどの量の酸、更には３００ｇ／Ｌもの量の酸を使用することもできる。当業者であれば、金属イオンのソースとして金属硫酸塩、アルカンスルホン酸金属塩またはアリールスルホン酸金属塩を使用することにより、何ら酸を加えることなく、酸性の電解質を得られることを認識する。」 
 　 
(エ)「【００２２】 
　本発明のポリマー平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含む。このような平滑化剤は、重合単位として架橋剤を更に含んでよい。任意に、平滑化剤は、重合単位として（メタ）アクリレートモノマーを更に含むことができる。一つの更なる実施態様では、本平滑化剤はイオウ含有基を含む。 
【００２３】 
　本発明に有用な、エチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーおよびそれらのチオ類似体としては、これらに限定されないが：ビニルピリジン、例えば２−ビニルピリジンまたは４−ビニルピリジン；低級アルキル（Ｃ１−Ｃ８）置換Ｎ−ビニルピリジン、例えば２−メチル５−ビニル−ピリジン、２−エチル−５−ビニルピリジン、３−メチル−５−ビニルピリジン、２，３−ジメチル−５−ビニル−ピリジン、および２−メチル−３−エチル−ビニルピリジン；メチル置換キノリンおよびイソキノリン；Ｎ−ビニルカプロラクタム；Ｎ−ビニルブチロラクタム；Ｎ−ビニルピロリドン；ビニルイミダゾール；Ｎ−ビニルカルバゾール；Ｎ−ビニル−スクシンイミド；（メタ）アクリロニトリル；ｏ−、ｍ−、またはｐ−アミノスチレン；マレイミド；Ｎ−ビニル−オキサゾリドン；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル−ビニル−エーテル；エチル−２−シアノアクリレート；ビニルアセトニトリル；Ｎ−ビニルフタルイミド；Ｎ−ビニル−ピロリドン、例えばＮ−ビニル−チオ−ピロリドン、３−メチル−１−ビニル−ピロリドン、４−メチル−１−ビニル−ピロリドン、５−メチル−１−ビニル−ピロリドン、３−エチル−１−ビニル−ピロリドン、３−ブチル−１−ビニル−ピロリドン、３，３−ジメチル１−ビニル−ピロリドン、４，５−ジメチル−１−ビニル−ピロリドン、５，５−ジメチル−１−ビニル−ピロリドン、３，３，５−トリメチル−１−ビニル−ピロリドン、４−エチル−１−ビニル−ピロリドン、５−メチル−５−エチル−１−ビニル−ピロリドンおよび３，４，５−トリメチル−１−ビニル−ピロリドンなど；ビニルピロール；ビニルアニリン；ならびにビニルピペリジン；が挙げられる。一つの実施態様では、エチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーは芳香族である。」 
 　 
(オ)「【００３１】 
　本発明の平滑化剤はコポリマーまたはホモポリマーであってよく、及びより典型的にはコポリマーである。一般的に、本ポリマー平滑化剤は、重合単位として１重量％〜１００重量％の窒素含有ヘテロ環式モノマーを含み、より典型的には５重量％〜９０重量％、より一層典型的には１０重量％〜７５重量％の窒素含有ヘテロ環式モノマーを含む。かかる平滑化剤は、一般的に、重合単位として、窒素含有ヘテロ環式モノマーではない、０〜９９重量％のモノマーを含む。典型的には、かかる非窒素含有ヘテロ環式モノマーは、平滑化剤における重合単位として１０重量％〜９５重量％の量で存在し、より典型的には２５重量％〜９０重量％の量で存在する。ポリマー平滑化剤の分子量は、典型的には１，０００〜１，０００，０００の範囲であり、好適には５，０００〜５００，０００、より好適には１０，０００〜１００，０００の範囲である。これらの材料の多分散性は１〜２０、好適には１．００１〜１５、より好適には１．００１〜１０の範囲である。」 
　
（カ)「【００４１】 
　広範囲にわたる様々な促進剤を本金属電気メッキ浴で使用することができる。かかる促進剤は、単独で使用されてよく、または２以上の混合物として使用されてもよい。一つの実施態様においては、本電気メッキ浴が銅電気メッキ浴である場合、促進剤は、ジスルフィド含有促進剤である。一般的に、ジスルフィド含有促進剤は、５０００以下の分子量、より典型的には１０００以下の分子量を有している。スルホン酸基も有するジスルフィド含有促進剤が一般的に好適であり、特に、式Ｒ’−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ（式中、Ｒは、任意に置換されたアルキル、場合によって置換されていてもよいヘテロアルキル、場合によって置換されていてもよいアリール基、または場合によって置換されていてもよいヘテロ脂環式基であり；Ｘは、水素または例えばナトリウムまたはカリウムをはじめとする対イオンであり；並びにＲ’は、水素または有機残基、例えば式−Ｒ−ＳＯ３Ｘの基もしくはもっと大きな化合物の置換基である）の基を含む化合物が好適である。アルキル基は、典型的には１個〜１６個の炭素を有し、より典型的には１個〜１２個の炭素を有する。ヘテロアルキル基は、その連鎖に一以上のヘテロ（Ｎ、ＯまたはＳ）原子を有し、且つ、典型的には１個〜１６個の炭素、より典型的には１個〜１２個の炭素を有する。炭素環式アリール基としては、これらに限定するものではないが、フェニルおよびナフチルが挙げられる。ヘテロ芳香族基も好適なアリール基であり、典型的には１個〜３個の一以上のＮ、ＯおよびＳ原子および１個〜３個の分離または縮合した環を含み、例えばクマリニル、キノリニル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジル、フリル、ピロリル、チエニル、チアゾリル、オキサゾリル、オキシジゾリル、トリアゾール、イミダゾリル、インドリル、ベンゾフラニルおよびベンゾチアゾールを含む。ヘテロ脂環式基は、典型的には１個〜３個の一以上のＮ、ＯおよびＳ原子および１個〜３個の分離または縮合した環を有し、例えばテトラヒドロフラニル、チエニル、テトラヒドロピラニル、ピペリジニル、モルホリノおよびピロリンジニルを含む。置換されたアルキル、ヘテロアルキル、アリールまたはヘテロ脂環式基の置換基としては、例えばＣ１−８アルコキシ；Ｃ１−８アルキル；ハロゲン；シアノ；およびニトロが挙げられる。 
【００４２】 
　より詳細には、有用なジスルフィド含有促進剤は以下の式のものを含む：ＸＯ３Ｓ−Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３ＸおよびＸＯ３Ｓ−Ａｒ−Ｓ−Ｓ−Ａｒ−ＳＯ３Ｘ（式中、Ｒは、場合によって置換されていてもよいアルキル基であり、典型的には１個〜６個の炭素原子、より典型的には１個〜４個の炭素原子を有するアルキル基であり；Ａｒは、場合によって置換されていてもよいアリール基、例えば場合によって置換されていてもよいフェニルまたはナフチルなどであり；およびＸは、水素または好適な対イオン、例えばナトリウムまたはカリウムである）。例示的なジスルフィド含有促進剤としては、これらに限定されないが、ビス−スルホプロピルジスルフィドおよびビス−ナトリウム−スルホプロピルジスルフィドが挙げられる。」 
 　 
（キ)「【００４７】
　特に有用な抑制剤としては、これらに限定するものではないが：エチレンオキシド／プロピレンオキシド（「ＥＯ／ＰＯ」）ブロックコポリマーまたはランダムコポリマー；１２モルのエチレンオキシド（「ＥＯ」）を有するエトキシル化ポリスチレン化フェノール、５モルのＥＯを有するエトキシル化ブタノール、１６モルのＥＯを有するエトキシル化ブタノール、８モルのＥＯを有するエトキシル化ブタノール、１２モルのＥＯを有するエトキシル化オクタノール、１３モルのＥＯを有するエトキシル化ベータ−ナフトール、１０モルのＥＯを有するエトキシル化ビスフェノールＡ、３０モルのＥＯを有するエトキシル化スルフェート化ビスフェノールＡ、および８モルのＥＯを有するエトキシル化ビスフェノールＡ；が挙げられる。」
　
（ク）「【００５２】
　一般的に、本金属電気メッキ浴は、使用中、攪拌される。任意の好適な攪拌方法を本発明と共に使用することができ、かかる方法は当技術分野において広く知られている。好適な攪拌方法は、これらに限定するものではないが、空気散布、ワークピース攪拌（ｗｏｒｋ  ｐｉｅｃｅ  ａｇｉｔａｔｉｏｎ）、衝突（ｉｍｐｉｎｇｅｍｅｎｔ）などを含む。本発明が、例えばウェーハをはじめとする集積回路基板をメッキするために使用されるときには、ウェーハを、例えば１分間当たり１回転〜２５０回転（『ＲＰＭ』）で回転させ、メッキ液を、例えばポンピングまたは吹き掛けすることなどにより、回転しているウェーハと接触させてもよい。あるいは、メッキ浴の流れが所望の金属堆積物をもたらすのに充分であるときには、ウェーハを回転させる必要はない。
【００５３】 
　基体は、基体を本発明の金属メッキ浴と接触させ、その基体上に金属層が堆積する時間の間、電流密度を加えることにより電気メッキされる。基体は、典型的には陰極として機能する。メッキ浴は陽極を含み、この陽極は可溶性であってよく、または不溶性であってもよい。電位は典型的には陰極に加えられる。充分な電流密度が加えられ、基体上に所望の厚みを有する金属層、例えば銅層などを堆積させるのに充分な時間の間、メッキが実行される。電子装置上に銅をメッキする場合、好適な電流密度は、これらに限定するものではないが、１ｍＡ／ｃｍ２〜２５０ｍＡ／ｃｍ２の範囲を包含する。典型的には、電流密度は、本発明が集積回路の製造において銅を堆積させるために使用されるときには、１ｍＡ／ｃｍ２〜７５ｍＡ／ｃｍ２の範囲である。堆積させるべき具体的の金属、およびメッキされる具体的の基体、選択される架橋されたポリマー平滑化剤、並びに当業者にとって既知の他の考慮すべき事項に依存して、他の電流密度も有用であり得る。かかる電流密度の選択は、当業者の能力の範囲内である。 
【００５４】 
　本発明は、金属層、特に銅層を、様々な基体上に、特に様々なサイズの開口を有する基体上に堆積させるのに有用である。従って、本発明は、金属層、例えば銅層を基体上に堆積させる方法を提供し、この方法は：メッキさせるべき基体を銅メッキ浴を用いて銅と接触させる工程；および、次いで、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間の間、電流密度を加える工程を含み、ここで、銅メッキ浴は、銅イオンのソース、酸性電解質、および重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤を含む。例えば、本発明は、小さな直径のビア、トレンチまたは他の開口を伴う集積回路基板、例えば半導体装置上に銅を堆積させるのに特に好適である。一つの実施態様では、半導体装置が本発明によりメッキされる。かかる半導体装置には、これらに限定するものではないが、集積回路の製造において使用されるウェーハが包含される。
【００５５】
　金属、特に銅が、本発明により、金属堆積物内に空隙を実質的に形成することなく、開口部に堆積される。『実質的に空隙を形成することなく』という用語は、メッキされた開口部のうちの９５％より多くに空隙がないことを意味する。メッキされた開口部には空隙がないことが好適である。」 
 　 
（ケ)「【００５７】 
　本発明の一つの利点は、オーバープレーティング、特にマウンディングが低減されることである。かかるオーバープレーティングの低減は、特に半導体製造において、続く化学的−機械的研磨プロセス過程で、金属、例えば銅などの除去に費やす時間および労力が少なくて済むことを意味している。本発明の更なる利点は、抑制された局部めっきを実質的に伴うことなく、単一の基体内における広範囲にわたる種々の開口サイズを充填できることである。従って、本発明は、様々な開口サイズ、例えば０．０１μｍ（もしくはそれ以下）から１００μｍまたはそれ以上などの開口サイズを有する基体内の種々の開口を実質的に充填するのに特に好適である。本平滑化剤は、単一の基体内における広範囲にわたる種々のフィーチャーサイズ（例えば０．１８μｍおよび２μｍのトレンチ）上に、本メッキ浴を用いて水平な金属堆積物をもたらす。例えば、密集した０．１８μｍのフィーチャー上の１５００Å以下のマウンディングおよび２μｍの開口上の２０００Å以下のディッシングを有する堆積物を本発明により得ることができる。」 
 　 
（コ）「【００７３】
実施例１８
　硫酸銅（４０ｇ／Ｌの銅イオン）、硫酸（１０ｇ／Ｌ）、塩酸（５０ｍｇ／Ｌの塩化物イオン）、ジスルフィド含有スルホン酸促進剤（１０ｍＬ／Ｌ）、ＥＯ／ＰＯコポリマー抑制剤（５ｍＬ／Ｌ）、実施例１から得られた平滑化剤（３ｍＬ／Ｌ）および水を組み合わせることにより、銅メッキ浴を調製した。促進剤は、スルホン酸基を有し、１０００未満の分子量を有するジスルフィド化合物であった。抑制剤は、５，０００未満の分子量を有するＥＯ／ＰＯコポリマーであった。
【００７４】
　回転しているウェーハ（２００ＲＰＭ）を２５℃において上述のメッキ浴と接触させることにより、開口を有するウェーハ基体上に銅の層を電気メッキした。銅メッキは、直流および以下の３段波形を用いて果たされた：７ｍＡ／ｃｍ２、続いてフィーチャーに充填するための１０ｍＡ／ｃｍ２、次いで５９ｍＡ／ｃｍ２。銅の堆積後、ウェーハをすすぎ、乾燥させた。銅は約１μｍ堆積された。次いで、この銅堆積物を二次イオン質量分析法（「ＳＩＭＳ」）により合計不純物レベルについて分析したところ、不純物として酸素、窒素、塩素、イオウおよび炭素を含んでいることが判明した。深さ４０００Åにおけるこの銅堆積物中の不純物（Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｃｌ）の平均量は以下の通りであった：Ｃｌ＝３８０ｐｐｍ；Ｓ＝８０ｐｐｍ；Ｃ＝３１０ｐｐｍ；Ｎ＝１０ｐｐｍおよびＯ＝１５ｐｐｍ。この深さにおける平均不純物の合計量は７９５ｐｐｍであった。最初の１０００Åの銅の堆積後における不純物の平均量は、Ｃｌ＝１ｐｐｍ、Ｓ＝１ｐｐｍ、Ｃ＝６ｐｐｍおよびＮ＝５ｐｐｍであり、最初の１０００Åの堆積での平均合計不純物レベルは１３ｐｐｍであった。
【００７５】
実施例１９〜２０
　使用される平滑化剤の量を増やした点を除き、実施例１８の手順を繰り返した。実施例１７では４ｍＬ／Ｌの平滑化剤を使用し、実施例１８では５ｍＬ／Ｌの平滑化剤を使用した。４０００Åにおける不純物の平均量を決定した。その値が以下の表に報告されている。」
　
（サ）「【００７８】
実施例２１〜２６
　実施例１から得られた平滑化剤の量を変えた点を除き、実施例１８の手順を繰り返した。特定の試料では平滑化剤の混合物が使用された。１μｍの銅堆積物中における平均不純物（Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、ＮおよびＯ）のおおよその合計量を実施例１６の手順により決定した。その結果が以下の表に報告されている。『平滑化剤１』は実施例１から得られた平滑化剤である。『平滑化剤２』は、約４０００の重量平均分子量を有する、イミダゾールとブタンジオールジグリシジルエーテルとの１：１の反応生成物である。」
　
（シ）「【００８３】
実施例２９
　４０ｇ／Ｌの銅イオン（硫酸銅から）、１０ｇ／Ｌの硫酸、５０ｐｐｍの塩化物イオン、１０ｍＬ／Ｌのジスルフィド含有スルホン酸促進剤、５ｍＬ／ＬのＥＯ／ＰＯコポリマー抑制剤、水、および実施例１、２７または２８から得られた平滑化剤を含有する銅メッキ浴を調製した。６０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度にランピングするＤＣ波形を用いて、ブランケットウェーハに銅をメッキした。銅の堆積後、ウェーハをすすぎ、乾燥させた。銅は約１μｍの厚みで堆積された。メッキされた銅皮膜を原子間力顕微鏡を用いて分析し、表面粗さを評価した。これらの結果が以下の表に報告されている。
【００８４】
【表６】
　　　・・省略・・
【００８５】
　これらの銅メッキ浴は、密集した０．１８μｍの開口部および離れた２．０μｍの線を有するウェーハに銅を堆積させるためにも使用された。それぞれの試料において、これらの開口部および線が銅で充填され、実質的に平坦な銅表面が観測された。以下の如く、密集した開口部上に僅かなマウンディングが観測された：試料Ａ：１３００Å；試料Ｂ：１０８０Å；および試料Ｃ：６３０Å。以下の如く、離れた広い線上に僅かなディッシングが観測された：試料Ａ：１４３０Å；試料Ｂ：１７４０Å；および試料Ｃ：１９６０Å。」
　
４．引用例に記載の発明
(Ａ)上記（イ）の「本明細書全体を通じ、使用されている場合、『フィーチャー』は基体上の形状を表す。『開口』は凹所のフィーチャー、例えばビアおよびトレンチを表す。」（【００１２】）及び上記(ク)の「本発明は、金属層、特に銅層を、様々な基体上に、特に様々なサイズの開口を有する基体上に堆積させるのに有用である。従って、本発明は、金属層、例えば銅層を基体上に堆積させる方法を提供し、・・・例えば、本発明は、小さな直径のビア、トレンチまたは他の開口を伴う集積回路基板、例えば半導体装置上に銅を堆積させるのに特に好適である。一つの実施態様では、半導体装置が本発明によりメッキされる。かかる半導体装置には、これらに限定するものではないが、集積回路の製造において使用されるウェーハが包含される。」（【００５４】）からして、引用例には、「半導体集積回路基板に、『銅堆積されたウェーハのビアフィーチャー』を形成するためのウェーハのビアフィーチャーを銅堆積する方法」が記載されているということができる。
　
（Ｂ）上記（ウ）の「金属電気メッキ浴は、典型的には、金属イオンのソース；電解質；および重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含んだポリマー平滑化剤；を含む。任意に、電気メッキ浴は、一以上の促進剤、抑制剤、ハロゲン化物イオンのソース、結晶微粒化剤およびそれらの混合物を含んでいてよい。」（【００１６】）及び上記（コ）（サ）（シ）からして、引用例には、「銅塩である銅イオンのソース、電解質（酸）、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含んだポリマー平滑化剤、促進剤、ＥＯ／ＰＯコポリマー抑制剤、ハロゲン化物イオンのソース（塩酸）を含む電気メッキ浴（組成物）を用いる」ことが記載されているということができる。
　
（Ｃ）上記（ク）の「一般的に、本金属電気メッキ浴は、使用中、攪拌される。・・・本発明が、例えばウェーハをはじめとする集積回路基板をメッキするために使用されるときには、ウェーハを、例えば１分間当たり１回転〜２５０回転（『ＲＰＭ』）で回転させ、メッキ液を、例えばポンピングまたは吹き掛けすることなどにより、回転しているウェーハと接触させてもよい。あるいは、メッキ浴の流れが所望の金属堆積物をもたらすのに充分であるときには、ウェーハを回転させる必要はない。」（【００５２】）及び「従って、本発明は、金属層、例えば銅層を基体上に堆積させる方法を提供し、この方法は：メッキさせるべき基体を銅メッキ浴を用いて銅と接触させる工程；および、次いで、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間の間、電流密度を加える工程を含み」（【００５４】）からして、引用例には、「銅堆積する方法は、半導体集積回路基板を電気メッキ浴に接触させる工程を含む」ことが記載されているということができる。
　　
（Ｄ）上記（エ）からして、引用例には、「平滑化剤として、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含んだポリマーのビニルピリジン（有機化合物）を用いる」ことが記載されているということができる。
　
（Ｅ）上記（カ）からして、引用例には、「促進剤として、『ＸＯ３Ｓ−Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ（式中、Ｒは１〜６の炭素原子を有するアルキル基、Ｘは水素、ナトリウムまたはカリウム）』（有機化合物）を用いる」ことが記載されているということができる。　
　
　上記（ア）ないし（シ）の記載事項及び上記（Ａ）ないし（Ｅ）の検討事項より、引用例には、
「半導体集積回路基板に、『銅堆積されたウェーハのビアフィーチャー』を形成するためのウェーハのビアフィーチャーを銅堆積する方法であって、半導体集積回路基板はウェーハのビアフィーチャーを含み、銅堆積する方法は：半導体集積回路基板を電気メッキ浴（組成物）に接触させる工程を含み、接触させる工程において、ウェーハのビアフィーチャーは０．０１μｍ〜１００μｍの開口サイズを有し、電気メッキ浴（組成物）は次を含む：
（ａ）銅塩である銅イオンのソース；（ｂ）電解質(酸)；（ｃ）有機化合物である、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含んだポリマー平滑化剤としてのビニルピリジンおよび促進剤としての『ＸＯ３Ｓ−Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ（式中、Ｒは１〜６の炭素原子を有するアルキル基、Ｘは水素、ナトリウムまたはカリウム）』の組合せ、さらに抑制剤としてのＥＯ／ＰＯランダムコポリマー；（ｄ）塩素イオン；および
『銅堆積されたウェーハのビアフィーチャー』を生成するために銅金属を堆積するように電気メッキ浴（組成物）に電流を供給することからなる。」（以下、「引用例記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　
４．対比・判断
　本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
○引用例記載の発明の「半導体集積回路基板」、「銅堆積する方法」、「接触させる」、「銅イオンのソース」、「重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含んだポリマー平滑化剤としてのビニルピリジン」、「Ｘ」及び「開口サイズ」は、
　本願発明の「半導体集積回路デバイス基板」、「金属被膜する方法」と「方法」、「浸漬させる」、「銅イオン源」、「ビニルピリジン系化合物」、「Ｍ」及び「入口寸法」にそれぞれ相当する。
　
○引用例記載の発明の「ウェーハのビアフィーチャー」は、ウェーハとしてシリコンウェーハを用いることは極めて一般的であることから、「シリコンウェーハのビアフィーチャー」を包含するものであり、これは、本願発明の「シリコンビアホールフィーチャー（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ　ｈｏｌｅ　ｆｅａｔｕｒｅ）」、「ビアホールフィーチャー」及び「シリコン貫通ビアフィーチャー」に相当する。
　
○引用例記載の発明の「銅堆積されたウェーハのビアフィーチャー」は、本願発明の「シリコン貫通ビア」及び「銅充填ビアホールフィーチャー」に相当する。
　
○引用例記載の発明の「電気メッキ浴（組成物）」は、本願発明の「電解銅堆積組成物」及び「堆積組成物」に相当する。
　
○引用例記載の発明の「（ｄ）塩素イオン；および
『銅堆積されたウェーハのビアフィーチャー』（銅充填ビアホールフィーチャー）を生成するために銅金属を堆積する」ことは、ウェーハのビアフィーチャーが開口、側壁、底からなることは当然のことであることから、「（ｄ）塩素イオン；および
『銅堆積されたウェーハのビアフィーチャー』（銅充填ビアホールフィーチャー）を生成するために底および側壁上に銅金属を堆積する」に言い換えることができ、これは、本願発明の「（ｄ）塩素イオン；および
銅充填ビアホールフィーチャーを生成するために底および側壁上に銅金属を堆積する」ことに相当する。
　
○引用例記載の発明の「半導体集積回路基板（半導体集積回路デバイス基板）はウェーハのビアフィーチャー（ビアホールフィーチャー）を含み」は、基板が前表面、後表面を有すること、及び、ウェーハのビアフィーチャーが開口、側壁、底からなることは当然のことであり、また、開口が設けられる基板の表面を前表面とするならば、「半導体集積回路基板（半導体集積回路デバイス基板）は前表面、後表面およびウェーハのビアフィーチャー（ビアホールフィーチャー）を含み、ウェーハのビアフィーチャー（ビアホールフィーチャー）は基板の前表面に開口、基板の前表面から延びる側壁、および底からなり」に言い換えることができ、
　一方、本願発明では、「半導体集積回路デバイス基板は前表面、後表面およびビアホールフィーチャーからなり、ビアホールフィーチャーは基板の前表面に開口、基板の前表面から延びる側壁、および底からなり」と特定されているものの、基板が前表面、後表面およびビアホールフィーチャーのみから形成されているとはいえず、側面も有していることは当然のことであることから、基板は前表面、後表面およびビアホールフィーチャーを有するものであるということができるので、「半導体集積回路デバイス基板は前表面、後表面およびビアホールフィーチャーを含み、ビアホールフィーチャーは基板の前表面に開口、基板の前表面から延びる側壁、および底からなり」に言い換えることができ、
　上記より、引用例記載の発明の「半導体集積回路基板（半導体集積回路デバイス基板）はウェーハのビアフィーチャー（ビアホールフィーチャー）を含み」は、本願発明の「半導体集積回路デバイス基板は前表面、後表面およびビアホールフィーチャーからなり、ビアホールフィーチャーは基板の前表面に開口、基板の前表面から延びる側壁、および底からなり」に相当する。
　
○引用例記載の発明の「銅堆積する方法は：半導体集積回路基板（半導体集積回路デバイス基板）を電気メッキ浴（電解銅堆積組成物）に接触させる（浸漬する）工程を含み」は、接触させる工程以外の工程を含むものであり、
　一方、本願発明では、「方法は：
　半導体集積回路デバイス基板を電解銅堆積組成物に浸漬する工程からなり」と特定されているものの、銅堆積する方法が浸漬する工程のみで構成されるとはいえず、浸漬以外の工程もあることは当然のことであることから、銅堆積する方法は浸漬する工程以外の工程を有するものであるということができるので、「方法は：半導体集積回路デバイス基板を電解銅堆積組成物に浸漬する工程を含み」に言い換えることができ、
　上記より、引用例記載の発明の「銅堆積する方法は：半導体集積回路基板（半導体集積回路デバイス基板）を電気メッキ浴組成物（電解銅堆積組成物）に接触させる（浸漬する）工程を含み」は、本願発明の「方法は：
　半導体集積回路デバイス基板を電解銅堆積組成物に浸漬する工程からなり」に相当する。
　
○引用例記載の発明の「銅塩である銅イオンのソース（銅イオン源）」と、本願発明の「有機スルホン酸銅である銅イオン源」とは、「銅塩である銅イオン源」という点で重複する。
　
○引用例記載の発明の「電解質（酸）」と、本願発明の「有機スルホン酸」とは、「酸」という点で共通する。
　
○引用例記載の発明の「ウェーハのビアフィーチャー（シリコン貫通ビアフィーチャー）は０．０１μｍ〜１００μｍの開口サイズ（入口寸法）を有し」と、本願発明の「シリコン貫通ビアフィーチャーは５μｍ〜３００μｍの入口寸法、５０μｍ〜２５０μｍの深さ寸法および０．３：１より大なるアスペクト比を有し」とは、「シリコン貫通ビアフィーチャーは５μｍ〜１００μｍの入口寸法を有し」という点で重複している。
　
○引用例記載の発明の「有機化合物である、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含んだポリマー平滑化剤としてのビニルピリジン（ビニルピリジン系化合物）および促進剤としての『ＸＯ３Ｓ−Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ（式中、Ｒは１〜６の炭素原子を有するアルキル基、Ｘは水素、ナトリウムまたはカリウム）』の組合せ、さらに抑制剤としてのＥＯ／ＰＯランダムコポリマー」と、本願発明の「分極化合物から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物であって、ビア開口よりもビア底で速い銅堆積を促進する１つあるいはそれ以上の有機化合物であって、（ｉ）ビニルピリジン系化合物、または（ｉｉ）ビニルピリジン系化合物および次の一般構造（１）を有する有機硫黄化合物の組合せ：
ここで、
ＸはＯ、ＳあるいはＳ＝Ｏである；
ｎは１から６である；
Ｍは価数を満足するために必要な水素、アルカリ金属あるいはアンモニウムである；
Ｒ１は１から８の炭素原子のアルキレンあるいは環状アルキレン基、６から１２の炭素原子の芳香族炭化水素あるいは脂肪族芳香族炭化水素である；および
Ｒ２は水素、１から８の炭素原子を有するヒドロキシアルキルあるいは、ＭおよびＲ１は上記で定義されるＭＯ３ＳＲ１からなる群から選ばれ、さらにポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）、ランダム酸化エチレン／酸化プロピレンコポリマーから任意に選ばれ；」とは、「分極化合物から選ばれる有機化合物である、ビニルピリジン系化合物および『ＭＯ３Ｓ−Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｍ（式中、Ｒは１〜６の炭素原子を有するアルキレン、Ｍは水素、アルカリ金属（ナトリウムまたはカリウム））』の組合せ、さらにランダム酸化エチレン／酸化プロピレンコポリマー」という点で重複している。
　
　したがって、本願発明と引用例記載の発明とは、
「半導体集積回路デバイス基板に、シリコン貫通ビアを形成するためのシリコンビアホールフィーチャー（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ　ｈｏｌｅ　ｆｅａｔｕｒｅ）を金属被膜する方法であって、前記半導体集積回路デバイス基板は前表面、後表面およびビアホールフィーチャーからなり、前記ビアホールフィーチャーは前記基板の前表面に開口、前記基板の前表面から延びる側壁、および底からなり、前記方法は：前記半導体集積回路デバイス基板を電解銅堆積組成物に浸漬する工程からなり、前記浸漬する工程において、前記シリコン貫通ビアフィーチャーは５μｍ〜１００μｍの入口寸法を有し、堆積組成物は次を含む：
（ａ）銅塩である銅イオン源；（ｂ）酸；（ｃ）分極化合物から選ばれる有機化合物である、ビニルピリジン系化合物および『ＭＯ３Ｓ−Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｍ（式中、Ｒは１〜６の炭素原子を有するアルキレン、Ｍは水素、アルカリ金属（ナトリウムまたはカリウム））』の組合せ、さらにランダム酸化エチレン／酸化プロピレンコポリマー；（ｄ）塩素イオン；および
銅充填ビアホールフィーチャーを生成するために前記底および前記側壁上に銅金属を堆積するように前記電解堆積組成物に電流を供給することからなる。」という点で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点１＞
　本願発明では、「（ａ）有機スルホン酸銅であるである銅イオン源；
（ｂ）有機スルホン酸；」を含む堆積組成物であるのに対して、引用例記載の発明では、「（ａ）銅塩である銅イオンのソース（銅イオン源）；（ｂ）電解質（酸）；」を含む電気メッキ浴（堆積組成物）である点。
　
＜相違点２＞ 
　本願発明では、「ビア開口よりもビア底で速い銅堆積を促進する」ことで「底上げ充填し、それにより」銅充填ビアホールフィーチャーを生成するのに対して、引用例記載の発明では、銅堆積されたウェハーのビアフィーチャー（銅充填ビアホールフィーチャー）を生成するものの、上記「」内の事項を構成にするかどうか明らかでない点。 
　
＜相違点３＞ 
　本願発明では、シリコン貫通ビアホールフィーチャーは５μｍ〜３００μｍの入口寸法「、５０μｍ〜２５０μｍの深さ寸法および０．３：１より大なるアスペクト比」を有するのに対して、引用例記載の発明では、ウェハーのビアフィーチャー（シリコン貫通ビアホールフィーチャー）は０．０１μｍ〜１００μｍ（５μｍ〜１００μｍ）の開口サイズ（入口寸法）を有するものの、上記「」内の事項を構成にするかどうか明らかでない点。 
 　 
　上記各相違点について検討する。 
＜相違点１＞について
　一般に、ビアフィーチャーを銅充填（堆積）するために、「有機スルホン酸銅（銅塩である銅イオンのソース）と有機スルホン酸（酸）」を含む電気メッキ浴（堆積組成物）を用いることは、従来周知（例えば、特開２００１−１１５２９４号公報の特に【請求項１】参照）の技術であり、また、引用例の上記（ウ）の「金属イオンの典型的なソースは、電気メッキ浴に可溶性のあらゆる金属化合物である。好適な金属化合物としては、これらに限定するものではないが、・・・アルカンスルホン酸金属塩、例えばメタンスルホン酸金属塩など・・・が挙げられる。例示的な金属としては、これらに限定されないが、銅、スズ、銀、金、ビスマス、ニッケル、亜鉛、イリジウムおよびアンチモンが挙げられる。一つの実施態様では、金属イオンのソースは銅イオンのソースである。」（【００１７】）、同「電解質はアルカリ性であってもよいし、または酸性であってもよく、典型的には酸性である。金属化合物と適合する任意の酸を本発明において使用することができる。好適な酸としては、これらに限定するものではないが：硫酸・・・ハロゲン化水素酸、例えば塩酸、アルカンスルホン酸およびアリールスルホン酸、例えばメタンスルホン酸・・・が挙げられる。典型的には、酸は、硫酸、アルカンスルホン酸またはアリールスルホン酸である。」（【００１９】）及び上記（コ）（サ）（シ）からして、引用例には、「銅塩である銅イオンのソース（銅イオン源）として、アルカンスルホン酸銅（有機スルホン酸銅）を用いる」こと、「電解質（酸）として、アルカンスルホン酸（有機スルホン酸）を用いる」こと、及び、「銅塩である銅イオンのソースの酸と電解質（酸）とを同じものにする」こと、つまり、ウェーハのビアフィーチャーを銅堆積するために、「有機スルホン酸銅である銅イオンのソース（銅イオン源）；有機スルホン酸；」を含む電気メッキ浴（堆積組成物）を一例として用いることの記載があるということができ、ここで、引用例記載の発明と、上記周知の技術及び引用例記載の事項とは、ビアフィーチャーを銅堆積するために、「銅塩である銅イオンのソースと酸」を含む電気メッキ浴（堆積組成物）を用いるという点で共通していることから、引用例記載の発明の、「（ａ）銅塩である銅イオンのソース；（ｂ）電解質(酸)；」を含む電気メッキ浴（堆積組成物）について、上記の点で共通する、上記周知の技術及び引用例記載の事項を適用することで、「（ａ）有機スルホン酸銅であるである銅イオンのソース（銅イオン源）；（ｂ）有機スルホン酸；」を含む電気メッキ浴（堆積組成物）とすることは、当業者であれば容易に想起し得ることである。
　したがって、上記相違点１に係る本願発明の技術事項を採用することは、引用例記載の発明、周知の技術及び引用例記載の事項に基いて当業者であれば容易になし得ることである。 　
  
＜相違点２＞及び＜相違点３＞について 
　引用例記載の発明は、上記（ク）の「金属、特に銅が、本発明により、金属堆積物内に空隙を実質的に形成することなく、開口部に堆積される。『実質的に空隙を形成することなく』という用語は、メッキされた開口部のうちの９５％より多くに空隙がないことを意味する。メッキされた開口部には空隙がないことが好適である。」（【００５５】）等からして、空隙（空孔）のないウェハーのビアフィーチャーの銅堆積（充填）が達成されるものであるということができる。
　ここで、一般に、ビア底の銅堆積速度を側壁の銅堆積速度より速くする（底上げ充填する）ことで、空隙（空孔）のないビアフィーチャーの銅堆積（充填）を達成し得ることは、従来周知（例えば、特開２００７−８４８９１号公報の特に【００２２】、特開２００６−５７１７７号公報の特に【００１９】参照）の技術であり、また、ビアフィーチャーを銅充填（堆積）するとき、入口寸法が大きく且つアスペクト比（深さ寸法／入口寸法）が小さいとボイド（空隙）が発生しにくいことも従来周知（例えば、特開２００７−１３８２６５号公報の特に【０００４】、特開２００６−５７１７７号公報の特に【００２０】参照）の技術であり、さらに、ビアフィーチャーを銅充填（堆積）するとき、０．１：１〜４：１のアスペクト比を「低いアスペクト比」とみることも従来周知（例えば、特開２００４−２５０７９１号公報の特に【０００１３】ないし【００１６】参照）の技術であって、引用例記載の発明と上記周知の技術とは、ビアフィーチャーを銅充填（堆積）するものである点で共通することから、引用例記載の発明について、上記「空隙（空孔）のないウェハーのビアフィーチャーの銅堆積（充填）が達成される」ようにするために、上記の点で共通する上記周知の技術を適用することで、ウェーハのビアフィーチャ（シリコン貫通ビアホールフィーチャー）を、開口サイズ（入口寸法）が大きく且つアスペクト比が小さい（０．１：１〜４：１）ものにすると共に「ビア開口よりもビア底で速い銅堆積を促進する」ことで「底上げ充填し、それにより」銅堆積されたウェーハのビアフィーチャー（銅充填ビアホールフィーチャー）を生成しようとすることは、引用例記載の発明及び周知の技術に基いて当業者であれば容易になし得ることである。
　そして、１０μｍ〜１００μｍが大きい入口寸法に当たることは、当業者における技術常識であることから、引用例記載の発明の「０．０１μｍ〜１００μｍの開口サイズ（入口寸法）」が大きい開口サイズ（入口寸法）である１０μｍ〜１００μｍのとき、底上げ充填を達成する「１０μｍ〜１００μｍ内の何れかの開口サイズ（入口寸法）」と「０．１：１〜４：１内の何れかのアスペクト比」との組合わせを見いだすことは、当業者であれば適宜決定する設計事項であり、特に、「１０μｍ〜１００μｍ内において大きい範疇の例えば５０μｍ〜１００μｍの開口サイズ（入口寸法）、０．１：１〜４：１内において小さい範疇の例えば１：１〜１．５：１のアスペクト比（５０μｍ〜１５０μｍの深さ寸法）」を有するウェーハのビアフィーチャ（シリコン貫通ビアホールフィーチャ）であるとき、底上げ充填になっているとみるべきである。
　したがって、上記相違点２、３に係る本願発明の技術事項を採用することは、引用例記載の発明及び周知の技術に基いて当業者であれば容易になし得ることである。 
　
　そして、本願発明の「ビア開口よりもビア底で速い銅堆積を促進する」等の作用効果については、引用例記載の発明、周知の技術及び引用例記載の事項に基いて当業者であれば十分に予測し得るものである。 
　
　なお、請求人は、平成２６年５月１日付けの意見書において、「引用例において具体的に示されている入口寸法の数値が１３０ｎｍ、１．８μｍ、２．０μｍであることから、引用例記載の発明の『０．０１μｍ〜１００μｍの開口サイズ（入口寸法）』は、５μｍ〜１００μｍの入口寸法を想定するものではない旨」の主張をしていることから、以下、これについて検討する。
　上記で示したように、ビアホールフィーチャーを銅充填（堆積）するとき、入口寸法が大きく且つアスペクト比（深さ寸法／入口寸法）が小さいとボイド（空隙）が発生しにくいことは周知の技術であり、これは、小さい入口寸法でボイド（空隙）が発生しなければ、大きい入口寸法の実例を提示するまでもなく大きい入口寸法においてもボイド（空隙）が発生しないことを示すものであるということができ、引用例記載の発明と上記周知の技術とは、ビアフィーチャーを銅充填（堆積）するものである点で共通していることから、引用例記載の発明は、上記周知の技術と同じく、小さい入口寸法でボイド（空隙）が発生しなければ、大きい入口寸法の実例を提示するまでもなく大きい入口寸法においてもボイド（空隙）が発生しないものであるとみるのが妥当であり、また、引用例の上記（ク）の「本発明の更なる利点は、抑制された局部めっきを実質的に伴うことなく、単一の基体内における広範囲にわたる種々の開口サイズを充填できることである。従って、本発明は、様々な開口サイズ、例えば０．０１μｍ（もしくはそれ以下）から１００μｍまたはそれ以上などの開口サイズを有する基体内の種々の開口を実質的に充填するのに特に好適である。」（【００５７】）からして、「０．０１μｍ〜１００μｍの開口サイズ（入口寸法）」は、充填するのに好適な範囲として示されたものであることから、引用例記載の発明は、「０．０１μｍ〜１００μｍの開口サイズ（入口寸法）」の下限領域の１３０ｎｍ（０．１３μｍ）、１．８μｍ、２．０μｍにおいて空隙が発生しないことをもって、〜１００μｍにおいても空隙が発生しないことを示すものである（５μｍ〜１００μｍの入口寸法を想定するものである）とみるのが妥当であるので、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
　よって、本願発明は、引用例記載の発明、周知の技術及び引用例記載の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
５．むすび 
　本願発明は、引用例記載の発明、周知の技術及び引用例記載の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　それゆえ、本願は、特許請求の範囲の請求項２ないし１９に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。