【事件の表示】
　特願２００８−　３７７６５「ダブルフリップ半導体デバイスおよび製作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月　４日出願公開、特開２００８−２０５４７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２０年２月１９日（パリ条約による優先権主張２００７年２月２０日、米国）の出願であって、平成２３年３月２３日付けで拒絶の理由が通知され、同年６月２９日に意見書の提出がなされたが、平成２４年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。　
　　　  
第２　平成２４年１２月２８日付け手続補正についての補正却下の決定  
　［補正却下の決定の結論］  
　平成２４年１２月２８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 　  
 　　　 　  
［理　由］  
１　補正内容 　  
　本件補正は、特許請求の範囲についてするものであり、その特許請求の範囲の請求項１については、 　  
　本件補正前（平成２０年４月１８日付け提出の翻訳文のもの）に、  
　「半導体デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有するキャリアウェーハと、
　ｐ型半導体材料の層と、
　ｎ型半導体材料の層と、
　前記ｐ型材料の層と前記ｎ型材料の層との間に挟まれた活性領域と、
　前記ｎ型材料の層の前記活性領域とは反対側の表面上に配設された反射要素であって、
前記ｎ型材料と前記キャリアウェーハとの間に挟まれるように、前記キャリアウェーハの、前記ｎ型材料の層と対向する前記第１の表面上に配設された反射要素とを備えることを特徴とする半導体デバイス。」とあったものを、
　 　　　　  
　「半導体発光デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有するキャリアウェーハと、
　ｐ型半導体材料の層と、
　ｎ型半導体材料の層と、
　前記ｐ型材料の層と前記ｎ型材料の層との間に挟まれた活性領域と、
　前記ｎ型材料の層の前記活性領域とは反対側の表面上に配設された反射要素であって、
　前記ｎ型材料と前記キャリアウェーハとの間に挟まれるように、前記キャリアウェーハの、前記ｎ型材料の層と対向する前記第１の表面上に配設された反射要素と、
　前記キャリアウェーハの、前記反射要素とは反対側の前記第２の表面上に配設されたキャリア電極と
　を備えることを特徴とする半導体発光デバイス。」と補正する内容を含むものである。  
　　　　　
 ２　補正目的  
（１）請求項１についての上記補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な「半導体デバイス」を「半導体発光デバイス」に特定するとともに、「キャリアウェーハ」を第２の表面上にキャリア電極を備えたものに特定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものと認められる。
　 　  
（２）よって、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、これが特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かを、以下に検討する。　  
　　　　　　　　　　　　　　　  
３　独立特許要件  
（１）刊行物に記載された事項  
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０３／０６５４６４号（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある。   　
　                       　
　ア　「本実施の形態における
窒化物半導体発光素子は、支持基板上に少なくとも第１の電極、発光層を有する窒化物半導体層、第２の電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、前記第１の電極は前記窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有し
アルミニウムはｎ型窒化物半導体に対してオーミック接触となるため電圧低下が可能となる
　・・・（省略）・・・
　前記
支持基板は導電性を示すことで対向電極構造を有する窒化物半導体発光素子となる
第１の電極をｎ側電極とすれば
　　　・・・（省略）・・・
　
前記第１の工程での貼り合わせ工程は、窒化物半導体を第１の基板（サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ等）上にｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層の順に形成した後、該ｐ型窒化物半導体層の成長面に第２の基板を加熱圧接により貼り合わせる
　  　
　イ　「以下に本実施形態３に係る窒化物半導体発光素子の製造工程を各工程ごとに図面を用いて示す。
（第１の工程）
　まず、
第１の基板１０１上に窒化物半導体１０２を成長させる（図１３Ａ）。その後、窒化物半導体層をエッチングする（図１３Ｂ）。このエッチングは窒化物半導体層の割れ防止及びチップ分離を容易にするためであって、ｎ型窒化物半導体を露出させる。また、エッチング後の窒化物半導体は膜厚１μｍ以上残すことで、第１の基板除去時に割れが発生を抑制することができる。次に、前記窒化物半導体１０２のエッチングされていない領域に第２の電極（ｐ側電極）１０３を形成する（図１３Ｃ）。その後、該窒化物半導体１０２上に第２の基板１０５を貼り合わせる（図１３Ｄ）。
　前記第２の基板１０５は後工程で除去するため、それまで平坦度、強度を有していれば良く材質は特に限定されないが、好ましくは熱膨張係数が第１の基板と近い値を示すものとする。これは第４の工程で貼り合わせた時に熱膨張差が生じないようにする理由による。また、簡単に除去可能なものが好ましく、Ｃｕ−Ｗ、Ｗ、Ｍｇ、コバール材、インバー材、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂等がある。また、第２の電極は、前記活性層の面積Ｓ（μｍ２）とし、該第２の電極の外周長の和をＬ（μｍ）とすると、Ｌ／Ｓ≧０．０２である。この範囲とすることで、光取り出し効率は１．２倍以上を示す。また、第２の電極にはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｗ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｇ及びこれらの酸化物、窒化物からなる群から選ばれる少なくとも一種から成る。」（第３９頁第２１行ないし第４０頁第１５行）　
　
　ウ　「（第２の工程）
　次に、第１の基板を除去させ、窒化物半導体１０２の露出面を形成する（図１３Ｅ）。第１の基板１０１は研磨やエキシマレーザ照射によって除去される。第１の基板を除去した前記窒化物半導体１０２の露出面はさらにケミカルポリッシュにより平坦面を形成させる。」（第４０頁第１６ないし２０行）                                     　
　
　エ　「（第３の工程）
　次に、前記窒化物半導体層の露出面に段差を形成する（図１３Ｆ）。ここで、段差とは界面段差が０．１μｍ以上であって、段差形状はテーパー形状や逆テーパー形状である。また、前記段差形状の平面形状のパターンはストライプ状、格子状、島状、円状の凸部及び／又は凹部を有することで、矩形状、くし形状、メッシュ形状から選ぶことができる。例えば、円状の凸部を形成すれば、該円状凸部の直径幅は５μｍ以上、凹部溝の間隔は３μｍ以上とする。ＬＥＤ光の取り出し効率を向上させるには上記段差を有するのが効果的であって、さらに光反射率の高いアルミニウムを後工程で界面に介することで段差を有さない窒化物半導体発光素子に比べて光取り出し効率が１．５倍以上を実現できる。」（第４０頁第２１行ないし第４１頁第１行）
　
　オ　「（第４の工程）
　次に、前記段差形成面に第１の電極１０６を形成し（図１４Ａ）、次に支持基板１１１を貼り合わせる（図１４Ｂ）。貼り合わせ方法としては、ＡｕＳｎ系、ＰｄＳｎ系、ＩｎＰｄ系等のメタライズ材料を表面に形成した支持基板１１１と、表面に第１の電極１０６を形成した窒化物半導体１０２とを向かい合わせて、プレスをしながら熱を加える。張り合わせ面には導電層１１３が形成される。この時の貼り合わせ温度は１２０℃以上、好ましくは１５０℃以上、３００℃以下である。前記第１の電極は、前記窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有する。また、支持基板８は、第１の電極と合金共晶によって接合されるため第１の電極１０６の表面にはＳｎ，Ｉｎなどの共晶させるための金属を形成する。また、アルミニウムと共晶させるための金属との合金化を防止するために、Ｐｔ，Ｗ，Ｎｉ，Ｔｉなどの高融点金属よりなるバリア層を形成しても良い。
　前記第１の電極１０６としては、Ａｌ−Ｐｔ−Ｓｎ，Ａｌ−Ｗ−Ｉｎ等となる。該第１の電極はトータル膜厚を５０００００Å以下とする。また、アルミニウムの膜厚は５００以上１００００Å以下とする。アルミニウムは上記膜厚範囲であれば２回の貼り合わせ工程後もチップ内で均一な膜厚となる。例えば、前記第１の電極１０６の膜厚は２０００Å−２０００Å−３００００Åとなる。
　ＡｌＮを支持基板とすれば絶縁性基板であるのでプリント基板などの回路上にチップを載せるときに有利である。またＳｉを用いる利点は安価でチップ化がしやすい点である。支持基板の好ましい膜厚としては５０〜５００μｍである。前記範囲に支持基板を薄くすることで放熱性が良くなる。前記支持基板の貼り合わせ面には後工程で共晶により合金化される密着層、バリア層、共晶層を備えた構造が好ましい。例えば、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ、Ｔｉ−Ｐｔ−Ｐｄ、又はＴｉ−Ｐｔ−ＡｕＳｎ、Ｗ−Ｐｔ−Ｓｎ、ＲｈＯ−Ｐｔ−Ｓｎ、ＲｈＯ−Ｐｔ−Ａｕ、ＲｈＯ−Ｐｔ−（Ａｕ、Ｓｎ）等の金属膜である。また、貼り合わせの表面金属は支持基板側と窒化物半導体層側が異なることが好ましい。この理由は低温で共晶が可能で、共晶後の融点が上がるためである。」（第４１頁第２ないし２８行）
　
　カ　「（第５の工程）
　その後、第５の工程で、第２の基板１０５を除去する（図１４Ｃ）。これは貼り合わせ時よりも高い温度に加熱する。２００℃以上に加熱すれば接合（接着）力が低下するため、第２の基板５は接着層４と共に除去される。この方法はエポキシ系樹脂を用いた接着を除去するのに有効である。また、アセトンやＮ−メチル−２−ピロリドンなどの有機溶剤で接着層を溶解することも出来る。ＡｕＳｎ等を用いて共晶させている場合には、酸に浸漬して接合部を溶解させて分離させる。これらの方法は研磨との組み合わせでも用いることができる。
　第２の基板を除去後、窒化物半導体層の露出面に絶縁性の保護膜１０７を成膜する（図１４Ｄ）。次に、保護膜の開口部にパット電極を形成する（図１５Ａ）。
その後、ダイシングによりチップ化することで窒化物半導体発光素子とする
前記第１の電極はｎ側電極としたが、本発明はこれに限定されない
　  　
　キ　図１３Ｃは、以下のものである。
　
　ク　図１４Ｂは、以下のものである。
　
　ケ　図１５Ａは、以下のものである。
　　　
（２）引用文献に記載された発明  
　ア　上記（１）アの記載によれば、
　引用文献には、
　「支持基板上に少なくとも第１の電極、発光層を有する窒化物半導体層、第２の電極とを備え、支持基板が導電性を示すことで対向電極構造を有する、窒化物半導体発光素子であって、
　第１の電極は前記窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有する、　
　窒化物半導体発光素子。」
が記載されているものと認められる。　  　
　              　
　イ　上記（１）アの「窒化物半導体を第１の基板（サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ等）上にｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層の順に形成した後、該ｐ型窒化物半導体層の成長面に第２の基板を加熱圧接により貼り合わせる。」との記載、及び上記（１）イの記載を踏まえて、図１３Ｃを見ると、
　第１の基板１０１上には、ｎ型窒化物半導体層、発光層及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物半導体１０２が成長し、その上に第２の電極（ｐ側電極）１０３が形成されていることが把握できる。      　
  　
　ウ　上記イの検討内容、及び上記（１）カの「前記第１の電極はｎ側電極とした」との記載を踏まえて、図１５Ａを見ると、
　上記アの「窒化物半導体発光素子」は、
　支持基板１１１上に、導電層１１３、第１の電極（ｎ側電極）１０６、ｎ型窒化物半導体層、発光層及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物半導体１０２及び第２の電極（ｐ側電極）１０３を、この順で備えたものであってもよいことが理解できる。
　　　  　        　
　エ　上記アないしウから、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　　  
 　  
　「支持基板上に少なくとも第１の電極、発光層を有する窒化物半導体層、第２の電極とを備え、支持基板が導電性を示すことで対向電極構造を有する、窒化物半導体発光素子であって、
　第１の電極は前記窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有し、
　支持基板上に、導電層、第１の電極（ｎ側電極）、ｎ型窒化物半導体層、発光層及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物半導体及び第２の電極（ｐ側電極）を、この順で備えた、
　窒化物半導体発光素子。」　　
　　
（４）対比   　
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「窒化物半導体発光素子」は本願補正発明の「半導体発光デバイス」に相当し、同様に、
　「支持基板」は「キャリアウェハー」に、
　「ｎ型窒化物半導体層」は「ｎ型半導体材料の層」に、
　「ｐ型窒化物半導体層」は「ｐ型半導体材料の層」に、
　「発光層」は「活性領域」に、
　「アルミニウム」は「反射要素」に、　
　「第１の電極」及び「第１の電極（ｎ側電極）」は「キャリア電極」に、それぞれ、相当する。
　　　     　
　イ　上記アより、引用発明と本願補正発明とは「半導体発光デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有するキャリアウェーハと、
　ｐ型半導体材料の層と、
　ｎ型半導体材料の層と、
　前記ｐ型材料の層と前記ｎ型材料の層との間に挟まれた活性領域と」を備える点で一致する。　
　
　ウ　本願明細書の段落【００２３】の「層、領域、または基板などの要素が、別の要素『上に』あるといわれる場合、その要素は、直接他の要素上にあってもよく、介在する要素が存在してもよいことが理解されよう。」との記載に照らせば、
　引用発明の「アルミニウム」は、「ｎ型窒化物半導体層」の「発光層」とは反対側の表面上に配設され、「ｎ型窒化物半導体層」と「支持基板」との間に挟まれるように、「支持基板」の、前記「ｎ型窒化物半導体層」と対向する表面上に配設されているといえる。
　してみると、引用発明と本願補正発明とは「前記ｎ型材料の層の前記活性領域とは反対側の表面上に配設された反射要素であって、
　前記ｎ型材料と前記キャリアウェーハとの間に挟まれるように、前記キャリアウェーハの、前記ｎ型材料の層と対向する前記第１の表面上に配設された反射要素」を備える点で一致する。
   　
　エ　以上のことから、本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致する。
　＜一致点＞  
　「半導体発光デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有するキャリアウェーハと、
　ｐ型半導体材料の層と、
　ｎ型半導体材料の層と、
　前記ｐ型材料の層と前記ｎ型材料の層との間に挟まれた活性領域と、
　前記ｎ型材料の層の前記活性領域とは反対側の表面上に配設された反射要素であって、
　前記ｎ型材料と前記キャリアウェーハとの間に挟まれるように、前記キャリアウェーハの、前記ｎ型材料の層と対向する前記第１の表面上に配設された反射要素と、
　キャリア電極と
　を備える、半導体発光デバイス。」　
　　　　
　オ　一方で、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞ 　  
　キャリア電極の位置に関し、
　本願補正発明は、「前記キャリアウェーハの、前記反射要素とは反対側の前記第２の表面上に配設された」のに対して、
　引用発明は、そのような位置ではない点。    　
　    　　　　
（５）判断 　　  
　ア　上記＜相違点＞について検討する。  
（ア）引用発明は、支持基板が導電性を示すことで対向電極構造を有するものであるところ、
　「半導体層」の表面と「導電性の支持基板」の裏面に電極を設けた対向電極構造を有する半導体発光素子は、特開２００６−２４７０１号公報（【要約】及び図１を参照。）、特開２００５−２５９９１０号公報（【要約】及び図１を参照。）及び特開２００１−３３９１００号公報（【要約】及び図１（ａ）を参照）に記載されているように、本願の優先日時点で周知である（以下「周知技術」という。）。
　       
　上記特開２００１−３３９１００号公報の図１（ａ）は、以下のものである。                                　
　
（イ）してみると、引用発明の「窒化物半導体発光素子」において、「導電性の支持基板」の裏面に電極を設けることで、対向電極構造とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　　  　 　             　　
（ウ）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術に基づいて容易になし得たことである。
        　　 　
　イ　また、本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明及び周知技術から予測し得る範囲内のものである。　　 
 　　　　　　　　　　  
（６）独立特許要件についてのまとめ 　  
　本願補正発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　　　　　 　 　  
４　補正却下の決定のむすび 　  
　上記「３」のとおり、本願補正発明は特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。
　したがって、本件補正は、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明  
１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたため、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２　１」にて本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。  
 　　　 　  
２　引用文献  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献及びその記載事項は、前記「第２　３（１）」に記載したとおりである。  
 　　　　　　　　　　  
３　対比・判断  
　本願発明は、前記「第２　２（１）」によれば、本願補正発明から、半導体デバイスの種類及びキャリア電極に関する発明特定事項を省いたものと認められ、前記「第２　２（４）」での検討に照らせば、引用発明との間に実質的な相違点は認められない。
　したがって、本願発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　    　
４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。  
　　　　      　        　      　
　よって、結論のとおり審決する。