【事件の表示】
　特許第３２１３７９０号「液晶表示装置及びその製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２１３７９０号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２１３７９０号は、平成７年１月１３日に特許出願され、平成１３年７月２７日に特許権の設定登録がなされたが、株式会社コーエン及び葛城範子より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、訂正請求がなされ、この訂正に対する拒絶理由が通知され、意見書が提出され、再度の取消理由が通知され、前の訂正請求が取り下げられるとともに、平成１４年１１月２８日に新たな訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否
（１）訂正事項
ａ．請求項１中の「絶縁基板の一主面上の少なくとも一部に透明導電膜パタ−ンを設けてなる絶縁基板と、絶縁基板の一主面上の少なくとも一部に対向電極を設けてなる絶縁基板を」を「絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を」と訂正する。
ｂ．請求項５中の「絶縁基板の一主面上の少なくとも一部に透明導電膜パタ−ンを設けてなる絶縁基板と、絶縁基板の一主面上の少なくとも一部に対向電極を設けてなる絶縁基板を」を「絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を」と訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明の欄の段落番号【００１５】の「（１）少なくとも一部に透明導電膜パターンを設けた液晶表示装置において」を、「（１）絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を、互いの一主面側が対向するように向い合わせて得られる間隙に液晶を挟持した構造を有する液晶表示装置において」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、請求項１に係る発明の液晶表示装置を構成する２つの絶縁基板を明確に区別するために、同発明の特徴に係る一方の絶縁基板の構成を明確に規定するものであり、特許請求の範囲の減縮及び明りようでない記載の釈明を目的するものである。
　そして、この「絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ」は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落番号【００１１】、【００５２】、【００５６】、【００５７】の記載に基づくものであり、また、「これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板」は、同段落番号【００７４】、【００７５】等の記載に基づくものであり、また、「絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板」は、同段落番号【００５３】の記載に基づくものであって、この訂正事項は、本件特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正である。
　また、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂは、実質的に訂正事項ａと同じ訂正であり、特許請求の範囲の減縮及び明りようでない記載の釈明を目的し、本件特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｃに係る発明の詳細な説明の欄の訂正は、請求項１の訂正に整合させるものであるから、明りようでない記載の釈明を目的するものであり、また、本件特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定並びに同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　申立人株式会社コーエンは、甲第１号証（特開平６−６７１８６号公報、以下、「刊行物１」という。）、甲第２号証（特開平６−１２２９７３号公報、以下、「刊行物２」という。）及び甲第３号証（特開昭６４−４５００５号公報、以下、「刊行物３」という。）を提出して、本件特許の請求項１及び２に係る発明は、刊行物１に記載された発明と実質的に同一、または、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものであり、また、請求項３に係る発明は、刊行物１に記載された発明と刊行物３に記載された発明を組み合わせることにより、また、請求項４に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明を組み合わせることにより、当業者が容易に発明できたものであるから、それぞれ、特許法第２９条第１項第３号または第２項の発明に該当し、特許を受けることができないものである旨の主張をしている。
　また、申立人葛城範子は、本件特許の請求項１ないし６に係る発明について、本件明細書の発明の詳細な説明に当業者が容易に実施できる程度に記載されておらず、本件明細書は、特許法第３６条第４項の規定を満たしていない旨の主張をしている。
　なお、第３６条について平成６年に改正された特許法の施行日は、平成７年７月１日であるので、平成７年１月１３日の出願である本件に対する３６条の適用については、平成６年に改正される前の特許法が適用される。
　
（２）本件発明
　平成１４年１１月２８日付けの訂正請求書により訂正された請求項１ないし６に係る発明は、次のとおりである。
「【請求項１】絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を、互いの一主面側が対向するように向い合わせて得られる間隙に液晶を挟持した構造を有する液晶表示装置において、
　前記透明導電膜は、酸化インジウムに酸化スズが添加された多結晶酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)膜であって、各結晶粒は柱状晶で、(２２２)面に対する(４００)面のＸ線回折ピ−ク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記透明導電膜の膜厚は、３０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記透明導電膜パタ−ンの端部の段差形状は、テ−パ−角が４５度以下の順テ−パ−形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記透明導電膜の結晶粒径は、１７〜２３ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を、互いの一主面側が対向するように向い合わせて得られる間隙に液晶を挟持した構造を有する液晶表示装置の製造方法において、
　前記透明導電膜を、酸化インジウムに酸化スズが添加された多結晶酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)膜であって、各結晶粒は柱状晶で、(２２２)面に対する(４００)面のＸ線回折ピ−ク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向するように形成し、該透明導電膜をウエットエッチング法によりパタ−ニングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】前記ウエットエッチング法のエッチャントとして、塩化第二鉄／塩酸溶液、または塩酸、シュウ酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン酸、または王水を用いることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。」（以下、それぞれ、「本件発明１」ないし「本件発明６」という。）
　
（３）各刊行物の記載
　刊行物１（特開平６−６７１８６号公報）には、「カラーフィルタをコーティングした透明基板上にスパッタリング法による透明導電膜を有するカラー表示用基板」（第２頁第１欄第１４〜１６行）に関し、「低抵抗でかつエッチング性能の優れた透明導電膜を有するカラー液晶表示用基板」（同頁第２欄第４７〜４８行）を提供することを課題とする発明が記載されている。
　その課題を解決するため、刊行物１には、「カラーフィルターを形成した透明基板上にスパッタリング法により成膜した酸化すずを１〜２５重量％含む酸化インジウム膜の酸化インジウムの基板に対する平行な結晶面（２１１）、（２２２）および（４００）面のそれぞれのＸ線回折強度Ｉ（２１１）、Ｉ（２２２）およびＩ（４００）の関係が、Ｉ（４００）／Ｉ（２１１）＝０．５〜２．５およびＩ（４００）／Ｉ（２２２）＝０．１〜２．５で、キャリア密度は、５×１０２０／ｃｍ３以上である透明導電膜を有することを特徴とするカラー液晶表示用基板。」（第２頁第１欄第２〜１１行）が記載されている。
　また、その実施例３として、Ｉ（４００）／Ｉ（２２２）が０．３８のものが記載されている。（第４頁第５欄３７行〜第６欄８行及び第５頁表１）
　
　刊行物２（特開平６−１２２９７８号公報）には、「ＩＴＯ（酸化インジュウム錫）の透明電極薄膜をスパッタリング法を用いて形成する透明電極薄膜形成方法」（第２頁第１欄第１８〜２０行）に関し、「エッチングのパターン精度および表面平滑性に優れ、かつ低抵抗なＩＴＯ透明電極薄膜を提供すること」（第２頁第２欄第３１〜３３行）を目的とする発明が記載されている。
　かかる目的を達成するため、刊行物２には、「２〜３Ｐａのスパッタリング圧力で形成膜厚の１／４〜１／３または５０ｎｍのどちらか小さいほうの膜厚を形成した後、０．５〜１Ｐａのスパッタリング圧力で前記所定膜厚を形成する」（第２頁第２欄第３８〜４１頁）ことが記載されている。
　また、「透明電極の成膜初期に２〜３Ｐａのスパッタリング圧力で結晶粒の小さな薄膜を形成し、その後０．５〜１Ｐａで低抵抗な膜を、小さな結晶粒上に形成するので、電気抵抗を決めるバルク抵抗は小さく、かつ結晶粒が小さい透明電極膜が形成されることとなる。」（同第２頁第２欄第５０行〜第３頁第３欄第４行）と記載されている。
　
　刊行物３（特開昭６４−４５００５号公報）には、「酸化インジウムを主成分とする透明導電膜」（第１頁左下欄第１４〜１５行）に関し、「比抵抗が小さく、かつアンダーカット量の小さい即ち微細パターンニング可能な透明導電膜」（第２頁右上欄第１〜３行）を提供することを課題する発明が記載されている。
　かかる課題を解決するため、刊行物３には、「透明基板表面に形成された酸化インジウムを主成分とする透明導電膜において、該透明導電膜の酸化度が最外表面に近い程小さくする」（第２頁右上欄第１０〜１３行）ことが記載されている。
　
　刊行物４（特開昭５６−９７９３８号公報）には、「カラーカメラ用撮像管等に用いる透明導電性電極」（第１頁右下欄第１２〜１３行）に関し、「透明導電性電極の断面形状を制御する」（第２頁右上欄第１６行）ことを課題とする発明が記載されている。
　かかる課題を解決する発明として、刊行物４には、透明導電性膜上にポジ形有機感光性材料よりなるマスクパターンを形成し、このマスクパターンを加熱してその端部分に傾斜をつくり、酸素を含有する不活性ガス中で透明導電性膜をスパッタエッチングすることにより加工することが開示されている。
　
　刊行物５（特開平４−３１６０２２号公報）には、「工程数を増やさずに各透明電極の断面形状に丸みを持たせて配線不良が回避できるＬＣＤの製造方法を提供すること」（第２頁第２欄第２２〜２４行）を課題とする発明が記載されている。
　かかる課題を解決する発明として、刊行物５には、透明導電膜上のホトレジスト層を形成してプリベーク、露光・現像を行なった後のポストベーク工程で、その温度を５０〜９０℃に設定することが開示されている。
　
　刊行物６（特開平２−１９４９４３号公報）には、有機高分子成型物上に耐久性及び信頼性に優れた導電性積層体を形成することを目的として、結晶粒径が０．０２〜０．０８μｍのインジウム・スズ酸化物膜を形成した旨記載されている。（第６頁第１表実施例１）
　
　刊行物７（表示デバイスと材料　'93　5月号）には、ＩＴＯ膜の結晶構造について、「各種のＳＥＭ、ＴＥＭ写真及びＸＤ解析からＩＴＯ膜は一次粒子、二次粒子の集積体となり、柱状構造を示している（図２）。」（第４２頁左下欄４〜６行）と記載されている。
　
　
（４）対比及び特許法第２９条についての判断
　本件発明１と刊行物１に記載された発明を比較する。
　刊行物１には、カラーフィルターを形成した透明基板上にスパッタリング法により透明導電膜を成膜したカラー液晶表示用基板のみが記載され、本件発明１の「絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を、互いの一主面側が対向するように向い合わせて得られる間隙に液晶を挟持した構造を有する液晶表示装置」については記載されていない。
　しかしながら、液晶表示装置として本件発明１で規定する上記の構造のものは周知であると認められ、刊行物１に記載されたカラー液晶表示用基板は、上記周知の液晶表示装置における他方の基板として用いられるものであると認められる。
　したがって、刊行物１には、実質的に
「絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を、互いの一主面側が対向するように向い合わせて得られる間隙に液晶を挟持した構造を有する液晶表示装置において、
　前記他方の絶縁基板として、カラーフィルターを形成した透明基板上にスパッタリング法により成膜した酸化すずを１〜２５重量％含む酸化インジウム膜の酸化インジウムの基板に対する平行な結晶面（２２２）および（４００）面のそれぞれのＸ線回折強度Ｉ（２２２）およびＩ（４００）の関係がＩ（４００）／Ｉ（２２２）＝０．１〜２．５である透明導電膜を有する基板を用いた液晶表示装置。」の発明が記載されているものと認められる。
　ここで、両者を比較するに、本件発明１は、前記一方の基板の少なくとも前記画素電極の透明導電膜が酸化インジウムに酸化スズが添加された多結晶酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)膜であって、各結晶粒は柱状晶で、(２２２)面に対する(４００)面のＸ線回折ピ−ク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向している液晶表示装置であるのに対し、刊行物１には、前記一方の基板の画素電極に使用する透明導電膜については何ら記載されていない点で相違する。
　この点について検討するに、刊行物１に実施例３として記載される透明導電膜を前記一方の基板の画素電極に使用すれば、これは、Ｉ（４００）／Ｉ（２２２）＝０．３８であるから、(２２２)面に対する(４００)面のＸ線回折ピ−ク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向していることになり、また、刊行物７に記載されるように、ＩＴＯ膜は柱状構造を示しているから、本件発明１が構成されることになるが、刊行物１には、上記のように成膜した透明導電膜を一方の基板の画素電極に使用することについては記載も示唆もない。
　むしろ、刊行物１における上記の透明導電膜は、耐熱性が２００℃以下であるカラーフィルター上に成膜するために開発されたものと認められ、この透明導電膜を前記一方の基板の画素電極に使用することは想定されていないものと考えられる。
　また、仮に上記刊行物１の透明導電膜を前記一方の基板の画素電極に適用するにしても、Ｉ（４００）／Ｉ（２２２）＝０．１〜２．５のうち、本件発明１のように０．２５〜０．７５の範囲のもののみとする理由がない。
　そして、本件発明１は、上記構成によりエッチング端部の段差形状が改善される等の本件明細書記載の刊行物１の記載からは予測できない作用効果を奏するものと認められる。
　なお、刊行物１には、「エッチング性能の優れた」との記載があるが、これはエッチング速度が速いことを意味しているのであって、本件発明のようなエッチング端部の段差形状の改善を意味するものではない。
　以上のとおりであるから、本件発明１について、刊行物１に記載された発明と実質的に同一のものとはいえないし、また、周知技術及び他の提出された刊行物の記載を参照しても、これらの刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたということもできない。　
　また、本件発明２〜４は、本件発明１の全てをその構成として含むものであるから、本件発明１と同様な理由により、刊行物１に記載された発明と同一ではなく、また、刊行物１〜８に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたともいえない。
　また、本件発明５、６は、本件発明１と同様に、一方の基板の少なくとも画素電極の透明導電膜が酸化インジウムに酸化スズが添加された多結晶酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)膜であって、各結晶粒は柱状晶で、(２２２)面に対する(４００)面のＸ線回折ピ−ク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向していることを構成として備えていることから、本件発明１と同様な理由により、刊行物１に記載された発明と同一ではなく、また、刊行物１〜８に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたともいえない。
　
（５）特許法第３６条についての判断
　申立人葛城範子が主張する特許法第３６条第４項違反に係る理由は、次のとおりである。
　ａ．請求項１及び６について
　請求項１にはＩＴＯ膜が「各結晶粒は柱状晶であり」と記載されている。ところが、発明の詳細な説明には「各結晶粒は柱状晶であり、各結晶粒の結晶方向は特定方向に偏っていない、すなわちランダム配向しているものを用いた。」（第５欄第７〜９行目）と記載されているのみであり、具体的にどの様にしてランダムに配向した柱状晶の結晶を得たのかが全く記載されていないし、柱状晶にすることによりどの様な効果が得られるのかについても記載がない。
　ｂ．請求項３について
　請求項３には、「透明導電膜パターンの端部の段差形状は、テーパー角が４５度以下の順テーパー形状である」と記載されている。ところが、発明の詳細な説明には「サイドエッチ量は１２０ｓのエッチングで１μｍ以下である。」（第８欄第３〜４行）と記載されているのみであり、具体的にどの様な条件でエッチングをすればテーパー角が４５度以下になるのかが記載されていない。
　ｃ．請求項４について
　請求項４には、「結晶粒径は、１７〜２３ｎｍ」と記載されている。ところが、発明の詳細な説明には「（４００）／（２２２）ピーク強度比が本発明の範囲内（領域Ｂ）にある膜は、結晶粒径は１７〜２３ｎｍの範囲内であり…」と記載されているのみであり、具体的にどの様にしてこの様な粒径範囲にしたのかが全く記載されていない。
　よって、本件特許公報における発明の詳細な説明は、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないものである。
  
　なお、平成６年改正前特許法第３６条第４項の規定するところは、明細書の発明の詳細な説明は、当業者が容易にその実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果を記載しなければならないというものであり、本件明細書がこの要件に違反するかについて以下検討する。
　主張ａについて
　「柱状晶」の結晶をどの様に得るかについては、刊行物２第３頁第４欄第７〜８行に「スパッタリング法で形成する薄膜が柱状に成長する性質」を有するとの記載があるように、また、刊行物７に「ＩＴＯ膜は一次粒子、二次粒子の集積体となり、柱状構造を示している」と記載されているように、スパッタリング法で形成する薄膜の結晶粒は柱状晶になるものと認められる。
　また、「どの様にしてランダムに配向した結晶」を得るかについてであるが、本件明細書の段落【００４４】には、「透明導電膜のランダム配向の度合いは、（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピーク強度比（（４００）／（２２２））が２５〜７５％の範囲（Ｂ領域）である。」と記載されており、本件発明１でいうランダム配向とは、図１のＢ領域のＸ線回折ピーク強度比（（４００）／（２２２））が示す配向性を意味しているものと認められる。
　そして、図１の膜の配向性（（４００）／（２２２）Ｘ線回折ピーク強度比）については、段落【００４０】に「多結晶酸化インジウムスズ膜はＲＦスパッタリング法、またはＤＣスパッタリング法において条件を変えて形成した。例えば、ターゲットは酸化スズの添加量が３〜１２重量％の酸化インジウムスズを用い、スパッタガスはＡｒ、または約５％の酸素添加Ａｒを用いた。スパッタパワーは１００〜１０００Ｗ、スパッタガス圧力は２〜１０ｍＴｏｒｒ、基板温度１８０〜３５０℃とした。膜厚は３０〜５００ｎｍである。」と記載されているとおり、ターゲット、スパッタガス、スパッタパワー、スパッタガス圧力、基板温度等のスパッタリング条件を変えて形成したことが記載されている。（なお、ターゲットと膜厚については、段落【００４９】に「図１〜図４で説明した酸化インジウムスズ膜の膜構造とエッチング挙動との関係は，検討の範囲内で酸化インジウムスズの膜厚、及び酸化スズの添加量には依存しない。例えば、酸化スズの添加量が３〜１２重量％、膜厚が３０〜５００nmの範囲においても膜の配向が等しければ同じエッチング挙動を示すことを確認した。」と記載されている。）
　ここで、刊行物１には「（４００）面の配向制御は、スパッタリングにおける基板温度と放電ガスの酸素分圧およびスパッタリング前の残存ガスの圧力すなわち背圧の制御により行うことができる。基板温度が２００℃を越え、かつ酸素分圧が１×１０−５Ｔｏｒｒより低くするとＩ（４００）／Ｉ（２２２）が２．５を超えエッチング性を低下させる。また残存ガスの全圧力が１×１０−４Ｔｏｒｒ以上となると（４００）配向が２．５を超え、エッチング性を悪くし電極パターニング工程でエッチング後膜が残存し白濁するトラブルが生じる。したがって背圧は、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下にしなければならない。」（第３頁第４欄７〜１８行）、「（４００）面配向を抑えるには、スパッタリング時の基板温度を２００℃以下としなければならない。基板温度を低下させると（４００）面配向を抑制できるが、キャリヤ密度が低下し低抵抗膜が得られない。基板温度を１００℃以下にすると（４００）面配向を抑制でき、Ｉ（４００）／Ｉ（２２２）を１以下にすることができ、」（同欄２１〜２７行）と記載されている。
　また、本件明細書で従来技術として引用している特開平４−４８５１６号公報には、「ベルジャー５内の圧力、基板１０の温度を変えて、種々の条件によりＩＴＯ膜１１を形成し、これらの結晶方位を調べたところ、第１表に示すような結果が得られる。」と記載され、第１表が第３頁左上欄に示され、これによれば、基板温度の上昇に伴い、結晶性が非晶質、（２２２）配向、（４００）配向へと変化することがみてとれ、また、圧力が低くなるにしたがって非晶質から多結晶になる傾向がみてとれる。
　これら、刊行物１や特開平４−４８５１６号公報の記載によれば、スパッタリング条件を変えることによりＩＴＯ膜の配向性を変えることは当業者に周知であり、また、その際、基板温度の上昇に伴い（４００）／（２２２）Ｘ線回折ピーク強度比が大きくなることもこれらの記載からみて周知であると認められる。
　してみれば、本件発明１に係る、（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピーク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向している柱状晶のＩＴＯ膜は、本件明細書に開示したスパッタリング条件の範囲内で、基板温度やスパッタガス圧力等のスパッタリング条件を適宜採用すれば得られるものと認められ、本件明細書には、本件発明１等について、当業者が容易にその実施をすることができる程度に記載されているものと認められる。
　なお、「柱状晶にすることによりどの様な効果が得られるのかについても記載がない。」との主張もされているが、効果については、本件明細書中にエッチング端部の形状が良好となる等記載されているところであり、この主張は採用できない。
　主張ｂについて
　具体的にどの様な条件でエッチングをすればテーパー角が４５度以下になるのかが記載されていないとの主張であるが、テーパー角が４５度以下のものが得られることについては、段落【００４４】に「このような透明導電膜のランダム配向の度合いは、(２２２)面に対する(４００)面のＸ線回折ピ−ク強度比((４００)/(２２２))が２５〜７５％の範囲(領域Ｂ)である。この範囲内では均一な大きさの結晶粒が緻密に充填される膜構造となり、そのため、結晶粒内及び結晶粒界が均一にエッチングされて、良好なエッチング端部形状１０３が得られる。この場合のエッチング端部形状１０３は、傾斜角４５度以下の順テ−パ−となる。」と記載されているように、結晶の配向条件としてＸ線回折ピ−ク強度比((４００)/(２２２))が２５〜７５％の範囲のものを使用すれば良い旨記載され、Ｘ線回折ピ−ク強度比((４００)/(２２２))が２５〜７５％の範囲のものの使用については、上記主張ａにおける検討で述べたとおりであり、また、エッチング条件については、段落【００４８】に「５０℃の塩化第二鉄／塩酸溶液(３８％ＦｅＣｌ3：３６％ＨＣｌ＝１：１)を用いた」と記載され、また、段落【００５０】に「また、エッチャントとして塩化第二鉄／塩酸溶液、または塩酸、シュウ酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン酸、または王水を用いたが、エッチング速度の絶対値は変わるものの、得られたエッチング挙動はエッチャントの種類、組成及び濃度、液温には依存しないことを確認した。」と記載されているところであり、本件請求項３に係る発明について、本件明細書の発明の詳細な説明において、当業者が容易にその実施をすることができる程度に記載がなされていないとはいえない。
　主張ｃについて
　具体的にどの様にして１７〜２３ｎｍという粒径範囲にしたのかが全く記載されていないとの主張であるが、本件明細書の発明の詳細な説明の段落【００４７】には、「図２に（４００）／（２２２）ピーク強度比と結晶粒径の関係を示す。（４００）／（２２２）ピーク強度比が本発明の範囲内（領域Ｂ）にある膜は、結晶粒径は１７〜２３ｎｍの範囲内であり」と記載されている。
　そして、（４００）／（２２２）ピーク強度比を、本発明の範囲内（領域Ｂ）にすることについては、上記主張ａについての検討で述べたとおりであり、本件請求項４に係る発明について、本件明細書の発明の詳細な説明において、当業者が容易にその実施をすることができる程度に記載がなされていないとはいえない。　
　以上のとおりであり、本件明細書の記載が平成６年改正前特許法第３６条第４項の規定に違反しているとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし６に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月３日（２００２．１２．３）
【訂正の要旨】
訂正要旨
ａ．請求項１中の「絶縁基板の一主面上の少なくとも一部に透明導電膜パターンを設けてなる絶縁基板と、絶縁基板の一主面上の少なくとも一部に対向電極を設けてなる絶縁基板を」を「絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を」と訂正する。
ｂ．請求項５中の「絶縁基板の一主面上の少なくとも一部に透明導電膜パターンを設けてなる絶縁基板と、絶縁基板の一主面上の少なくとも一部に対向電極を設けてなる絶縁基板を」を「絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を」と訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明の欄の段落番号【００１５】の「（１）少なくとも一部に透明導電膜パターンを設けた液晶表示装置において」を、「（１）絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を、互いの一主面側が対向するように向い合わせて得られる間隙に液晶を挟持した構造を有する液晶表示装置において」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁基板の一主面上
に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方
に前記画素電極に対向する
他方の
　前記透明導電膜は、酸化インジウムに酸化スズが添加された多結晶酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜であって、各結晶粒は柱状晶で、（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピーク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向していることを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項２】　前記透明導電膜の膜厚は、３０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　【請求項３】　前記透明導電膜パタ−ンの端部の段差形状は、テ−パ−角が４５度以下の順テ−パ−形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
　【請求項４】　前記透明導電膜の結晶粒径は、１７〜２３ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　【請求項５】　絶縁基板の一主面上
に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の
に前記画素電極に対向する
他方の
　前記透明導電膜を、酸化インジウムに酸化スズが添加された多結晶酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜であって、各結晶粒は柱状晶で、（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピ−ク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向するように形成し、該透明導電膜をウエットエッチング法によりパタ−ニングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　前記ウエットエッチング法のエッチャントとして、塩化第二鉄／塩酸溶液、または塩酸、シュウ酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン酸、または王水を用いることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、特にエッチング端部形状及び段差部分の付周りが良好な透明導電膜を用いて、歩留りを改善した液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶表示装置においては、透明導電膜を配線、または画素電極、または端子の一部として使用している。透明導電膜のパタ−ニング方法としては、透明導電膜を形成後、フォトリソグラフィ−法によりレジストパタ−ンを形成し、ウエットエッチングにより膜をパタ−ニングする方法が用いられる。
　【０００３】
　透明導電膜としては、通常酸化インジウムに酸化スズが添加された酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜が用いられる。酸化インジウムスズ膜は一般にスパッタ法により形成されるが、スパッタ方式の違い、スパッタパワ−やガス圧、基板温度、雰囲気ガスの種類等により膜の性質が変わりやすいことが知られている。
　【０００４】
　透明導電膜の膜質の違いは、膜をウエットエッチングする際のエッチング速度のばらつきの原因となるが、最適なエッチング速度を決定する要因が定かでないために、透明導電膜のパターンニング不良が発生し、液晶表示装置の歩留りが低下することが知られていた。
　【０００５】
　透明導電膜のウエットエッチングに関して、例えば特開平３−１６６５１８においては、透明導電膜を遷移温度以下で形成してアモルファス状態でパタ−ニング後、遷移温度以上でアニ−ル処理をして多結晶化することにより、膜のエッチング速度を大きくしてパタ−ニングすることが提案されている。
　【０００６】
　また、酸化インジウムスズ膜は酸化インジウムの結晶構造である立方晶ｂｉｘｂｙｉｔｅ型の構造をとるが（ＡＳＴＭ　Ｃａｒｄ　６−０４１６）、特開平４−４８５１６においては、特定配向の多結晶膜を形成することにより、膜のエッチング速度を大きくしてパタ−ニングすることが提案されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記従来例のように、アモルファス状態の膜を用いる、あるいは特定配向の多結晶膜を用いることにより、透明導電膜のエッチング速度は大きくなる。
　【０００８】
　しかしながら、実際に膜のエッチング速度を大きくすると、エッチング時間の制御が難しくなり、再現性良く透明導電膜パタ−ンを形成することはかえって難しくなる。
　【０００９】
　また、上記従来例の様にアモルファス状態でパタ−ニングする場合には、膜中に少しでも結晶成分を含むとエッチングが不均一となり、エッチング後に残渣を生じてしまうという問題がある。
　【００１０】
　特定配向の多結晶膜を用いる場合においても同様に、結晶粒界に沿ってエッチングが不均一に進行するという問題がある。このような膜では、膜厚方向及び膜の横方向に不均一にエッチングされるため、エッチング端部の形状が膜厚方向に切り立った形状となり、極端な場合はオ−バ−ハングの逆テ−パ−形状となる。
　【００１１】
　また膜の横方向の凹凸も激しくなり、パタ−ンの仕上がり寸法のバラツキも大きくなる。透明導電膜のパタ−ニング不良は、その上に積層する膜の付周り不良をも誘発する。液晶表示装置、特にアクティブマトリックス基板を用いる液晶表示装置においては、透明導電膜を画素電極、または配線、またはこれらの端子の一部として使用しているが、透明導電膜パタ−ン上に直接、または絶縁膜を介して配線、半導体膜等が接続、または交差する場所では、下層となる透明導電膜パタ−ンのエッチング端部の段差形状が上述のように膜の断面方向に切り立った形状であると、上層の配線、半導体、及び絶縁膜の透明導電膜パタ−ン端部での段差付周りが悪くなり、断線や短絡不良を生じてしまっていた。
　【００１２】
　また、反対に配線、半導体膜、絶縁膜、または絶縁膜と半導体膜の積層膜の段差部分を透明導電膜パタ−ンが乗り越える場所においても、段差部分での前記透明導電膜自身の付周りが悪いために、段差部分と交差する透明導電膜パタ−ンのエッチング端部から横方向に段切れを起し、前記透明導電膜の断線不良を生じてしまっていた。従って、上記従来例においては、前記透明導電膜パタ−ンのエッチング端部の形状、及び段差部分での前記透明導電膜パタ−ン自身の付周りに関して全く考慮されておらず、結果としてこれを用いる液晶表示装置の歩留りを低下させる原因となっていた。加えて、アモルファス状態の膜では比抵抗、透過率等の透明導電膜としての基本特性が悪くなるために、エッチング後にアニ−ル処理をして多結晶化しなければならず、工程も複雑化していた。
　【００１３】
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、液晶表示装置の透明電極膜のパターン形成に係る工程を増やすことなく、エッチングによるパターン形成を改善して、歩留りの向上を図ることを課題とする。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　上記した目的を達成するために，本発明では以下の手段を講じた点に特徴がある。
　【００１５】
　（１）
絶縁基板の一主面上に少なくとも画素電極と配線とスイッチング素子電極と引出し端子とが設けられ、これらのうちの少なくとも前記画素電極が透明導電膜を有して形成されてなる一方の絶縁基板と、絶縁基板の一主面上に前記画素電極に対向する対向電極を設けてなる他方の絶縁基板を、互いの一主面側が対向するように向い合わせて得られる間隙に液晶を挟持した構造を有する
　【００１６】
　（２）上記（１）の液晶表示装置において、前記透明導電膜として、（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピ−ク強度比が２５〜７５％の範囲内でランダム配向した多結晶酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を用いることが好ましい。
　【００１７】
　（３）上記（１）、（２）の液晶表示装置において、前記透明導電膜の膜厚は３０〜５００ｎｍの範囲とすることができる。
　【００１８】
　【００１９】
　【００２０】
　【００２１】
　【００２２】
　【００２３】
　（４）上記（１）〜（３）の液晶表示装置において、前記液晶表示装置の一部に、前記透明導電膜パタ−ン上の少なくとも一部分に絶縁膜を積層した構造とすることが好ましい。
　【００２４】
　【００２５】
　【００２６】
　【００２７】
　【００２８】
　【００２９】
　【００３０】
　（５）上記（４）の液晶表示装置において、前記金属膜、合金膜、または金属シリサイド膜として、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ等の金属膜、合金膜、金属シリサイド膜、またはこれらの積層膜を、前記絶縁膜として窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または前記金属の一部表面を酸化して形成した酸化膜、またはこれらの積層膜を、前記半導体膜として非晶質シリコン、または多結晶シリコン膜をそれぞれ用いることができる。
　【００３１】
　【００３２】
　【００３３】
　【作用】
　上記（１）、（２）、（３）の膜構造の多結晶酸化インジウムスズ膜を液晶表示装置の透明導電膜として用いることで、透明導電膜パタ−ンの端部の段差形状をテ−パ角が４５度以下の順テ−パ−形状にすることができ、良好なエッチング端部形状が容易に得られる。
　【００３４】
　【００３５】
　具体的には上記（４）〜（５）の構成によれば、透明導電膜パタ−ン上に絶縁膜、配線、半導体を積層する場合においても、透明導電膜パタ−ン端部での段差付周りが良くなり、短絡や断線不良がない液晶表示装置が得られる。
　【００３６】
　また、絶縁膜、配線、半導体、及び絶縁膜と半導体膜の積層膜の段差部分を透明導電膜パタ−ンが乗り越える場合においても、段差部分での前記透明導電膜自身の付周りが改善されるため、前記透明導電膜の断線不良がない液晶表示装置が得られる。
　【００３７】
　【００３８】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
　【００３９】
　本発明の発明者達が，酸化インジウムスズ膜の膜構造とエッチング挙動との関係を調査したところ、これらの間に強い相関を有することを発見した。実施例の説明に先立ち、初めに図１〜図４を参照して、膜の配向性（基板面に対する結晶の成長方位の依存性）、結晶粒径、表面の凹凸等の膜構造とエッチング端部形状、エッチング速度、サイドエッチ量との関係について新たに見出した事実について説明する。
　【００４０】
　図１は多結晶酸化インジウムスズの膜構造とエッチング端部形状との関係を、膜の配向、具体的にはＸ線回折スペクトル測定により得られるピ−ク強度比に着目してまとめた結果を示している。多結晶酸化インジウムスズ膜はＲＦスパッタリング法、またはＤＣスパッタリング法において条件を変えて形成した。例えば、タ−ゲットは酸化スズの添加量が３〜１２重量％の酸化インジウムスズを用い、スパッタガスはＡｒ、または約５％の酸素添加Ａｒを用いた。スパッタパワ−は１００〜１０００Ｗ、スパッタガス圧力は２〜１０ｍＴｏｒｒ、基板温度１８０〜３５０℃とした。膜厚は３０〜５００ｎｍである。エッチャントは塩化第二鉄／塩酸溶液、または塩酸、シュウ酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン酸、または王水を用いた。図１中のエッチング端部の表面形状、及び断面形状において、符号１０１は多結晶酸化インジウムスズ膜、１０２はガラス基板、１０３は良好なエッチング端部形状を示す部分である。
　【００４１】
　多結晶酸化インジウムスズ膜のエッチングは結晶粒内、及び結晶粒界に沿って進行するが、結晶粒界に沿ったエッチングが支配的になると、膜厚方向及び膜の横方向（膜厚方向に垂直な方向）にエッチングの不均一を生じるため、良好なエッチング端部形状が得られない。具体的には，膜の（２２２）配向が強くなると（領域Ａ）、（２２２）配向粒子が突起状の異常成長を起す。このような膜では粒界に沿ってエッチングが進み、異常成長粒子１０４の脱離が起こるためにエッチングが不均一となり、良好なエッチング端部形状が得られない。エッチング端部の断面は逆テ−パ−形状となる。また突起状の異常成長粒子１０４のために、膜表面の凹凸が膜厚の３０％以上になり、透過率の低下を招く。
　【００４２】
　一方、膜の（４００）配向が強くなると（領域Ｃ）、結晶粒界１０５の明瞭な膜となる。この場合に結晶粒界に沿ってエッチャントがしみ込むため、結晶粒単位の急激な剥離状エッチングが起り、エッチング端部形状を全く制御できなくなる。パタ−ンのエッチング端部は横方向に細かい亀裂状の凹凸１０６が生じ、端部の断面も逆テ−パ−形状となる。
　【００４３】
　これらのことから逆に、透明導電膜として基板に対して、各結晶粒の結晶方位が特定方向に偏っていない、すなわちランダム配向した多結晶酸化インジウムスズ膜を用いることにより、上述のような異常エッチングを防止でき、良好なエッチング端部形状１０３を得ることができることがわかる。
　【００４４】
　このような透明導電膜のランダム配向の度合いは、（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピ−ク強度比（（４００）／（２２２））が２５〜７５％の範囲（領域Ｂ）である。この範囲内では均一な大きさの結晶粒が緻密に充填される膜構造となり、そのため、結晶粒内及び結晶粒界が均一にエッチングされて、良好なエッチング端部形状１０３が得られる。この場合のエッチング端部形状１０３は、傾斜角４５度以下の順テ−パ−となる。
　【００４５】
　また、結晶粒界に沿ったエッチャントの横方向のしみ込みがなくなるため、パタ−ン端部に生じる亀裂状の凹凸１０６も低減される。下地であるガラス基板１０２との密着性も良好である。なお、完全なランダム配向を示す粉末標準試料の（４００）／（２２２）ピ−ク強度比は３０％であり（ＡＳＴＭ　Ｃａｒｄ　６−０４１６）、良好なエッチング端部形状１０３を示す本発明の範囲（領域Ｂ）は、標準試料の０．８〜２．５倍のピ−ク強度比の範囲内にあたる。
　【００４６】
　また、（２２２）面に対する（４００）面以外の面、例えば（４４０）面の（２２２）面に対するＸ線回折ピ−ク強度比は、（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピ−ク強度比の大きさに係らず３０〜４０％付近で一定であり、ほぼランダム配向を示していることも追確認した。なお、完全なランダム配向を示す、粉末標準試料の（４４０）／（２２２）ピ−ク強度比は３５％であり（ＡＳＴＭ　Ｃａｒｄ　６−０４１６）、３０〜４０％の範囲は標準試料の０．８５〜１．１５倍のピ−ク強度比にあたる。
　【００４７】
　図２に（４００）／（２２２）ピ−ク強度比と結晶粒径の関係を示す。（４００）／（２２２）ピ−ク強度比が本発明の範囲内（領域Ｂ）にある膜は、結晶粒径は１７〜２３ｎｍの範囲内であり、均一な大きさの結晶粒が緻密に充填された膜構造を示している。
　【００４８】
　図３に（４００）／（２２２）ピ−ク強度比と膜のエッチング速度との関係を、図４に（４００）／（２２２）ピ−ク強度比とサイドエッチ量との関係をそれぞれ、示す。これらの図において本発明の範囲内（領域Ｂ）の膜のエッチング速度は、５０℃の塩化第二鉄／塩酸溶液（３８％ＦｅＣｌ３：３６％ＨＣｌ＝：１：１）を用いた場合で１〜４ｎｍ／ｓである。サイドエッチ量は１２０ｓのエッチングで１μｍ以下である。この範囲を外れると、膜のエッチング速度、及びサイドエッチ量は急激に大きくなり、パタ−ンの寸法精度も急激に低下する。
　【００４９】
　以上、図１〜図４で説明した酸化インジウムスズ膜の膜構造とエッチング挙動との関係は，検討の範囲内で酸化インジウムスズの膜厚、及び酸化スズの添加量には依存しない。例えば、酸化スズの添加量が３〜１２重量％、膜厚が３０〜５００ｎｍの範囲においても膜の配向が等しければ同じエッチング挙動を示すことを確認した。
　【００５０】
　また、エッチャントとして塩化第二鉄／塩酸溶液、または塩酸、シュウ酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン酸、または王水を用いたが、エッチング速度の絶対値は変わるものの、得られたエッチング挙動はエッチャントの種類、組成及び濃度、液温には依存しないことを確認した。
　【００５１】
　以下、図５〜図１７を用いて、アクティブマトリックス基板を例にとり、液晶表示装置において、透明導電膜が関与する各段差部分の付周りへの本発明の適用例について説明する。
　【００５２】
　図５は、上記した透明導電膜をアクティブマトリックス基板の一部に利用した、カラ−液晶表示装置の構成を示した斜視図である。同図において、ガラス基板１０２上には前記した透明導電膜からなる画素電極５０１、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０２、ＴＦＴ５０２を駆動するための信号を各ＴＦＴ５０２に伝達、保持するための走査配線５０３、信号配線５０４等が形成されてアクティブマトリックス基板５０５を構成している。
　【００５３】
　アクティブマトリックス基板５０５の表面には、液晶層５０６を介して対向電極５０７上にカラ−フィルタ５０８が形成され、カラ−フィルタ５０８上には絶縁基板５０９が形成されている。前記ガラス基板１０２及び絶縁基板５０９の外部に露出した主表面には偏光板５１０が形成されている。このような構成のアクティブマトリックス基板では、ＴＦＴ５０２を介して画素電極５０１へ電圧を印加し、光源からの光を調整することによってカラ−表示が可能になる。
　【００５４】
　本実施例では、本発明の透明導電膜を画素電極５０１に用いているため、画素電極５０１が関与する段差部分の付周りを改善することができる。この場合の付周りとしては大別して次の２通りがあるが、そのどちらにおいても次の改善効果が得られ、従って段差部分での断線、短絡不良を低減することができる。▲１▼画素電極５０１の段差を他の膜が乗り越える場合においても、画素電極５０１が均一な大きさの結晶粒が緻密に充填された膜構造となるため、結晶粒内及び結晶粒界が均一にエッチングされ、画素電極５０１のエッチング端部は順テ−パ−の良好なエッチング端部形状となる。これにより、画素電極５０１の段差の上を他の膜が乗り越える場合においても、良好な付周りが確保できる。▲２▼反対に他の膜の段差を画素電極５０１が乗り越える場合においても、画素電極５０１が均一な大きさの結晶粒が緻密に充填された膜構造となり、結晶粒内及び結晶粒界が均一にエッチングされるため，結晶粒界に沿ったエッチャントの横方向のしみ込みを防止でき、従って、パタ−ンの交差部分のように粒界の生じやすい段差部分においても、画素電極５０１のエッチング端部からの段切れを低減できる。下地との密着性も良好となり、段差部分での画素電極５０１自身の付周りが確保できる。
　【００５５】
　次に、図５で述べたアクティブマトリックス基板において、本発明の透明導電膜を、透明導電膜が関与する各段差部分の付周りに適用した実施例の具体例を示す。
　【００５６】
　図６は逆スタガ型のＴＦＴをスイッチング素子に用いたアクティブマトリックス基板の、一画素の断面の実施例を示す。図６において、ガラス基板１０２上の一部にゲ−ト電極６０１、本発明の透明導電膜からなる画素電極５０１が形成され、その上にゲ−ト絶縁膜６０２が全面に形成される。ゲ−ト電極６０１上には、ゲ−ト絶縁膜６０２を介してＴＦＴ５０２のチャネル半導体層となる非晶質シリコン膜６０３、及びコンタクトを補償するためにリン等の不純物をド−プした非晶質シリコン膜からなる電極層６０４を積層した島が形成される。この島上の一部に、ソ−ス／ドレイン電極６０５が形成される。ソ−ス／ドレイン電極６０５のパタ−ンをマスクに、不純物をド−プした非晶質シリコン膜からなる電極層６０４の一部分が除去され、ＴＦＴ５０２のチャネル部分６０６が形成される。
　【００５７】
　また画素電極５０１上のゲ−ト絶縁膜６０２の一部に開口部６０７が設けられ，この開口部６０７を介して画素電極５０１とソ−ス／ドレイン電極６０５が接続される。
　【００５８】
　さらにＴＦＴ５０２、及び画素電極５０１上の全面を覆うように、パッシベ−ション膜６０８が形成される。ゲ−ト電極６０１、及びソ−ス／ドレイン電極６０５は、延長部分でそれぞれ図５中の走査配線５０３，信号配線５０４になる。ゲ−ト電極６０１、及びソ−ス／ドレイン電極６０５は、例えばスパッタリング、または蒸着法等で形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ等の金属，合金または金属シリサイド、またはこれらの積層膜で構成されている。
　【００５９】
　ゲ−ト絶縁膜６０２、及びパッシベ−ション膜６０８は、例えばプラズマＣＶＤ、またはスパッタリング法等で形成された窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜等の絶縁膜で構成される。ゲ−ト絶縁膜６０２は、ゲ−ト電極６０１、及び走査配線５０３の一部表面を酸化して形成しても良い。
　【００６０】
　また、これらの酸化膜と窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜等との積層膜で構成しても良い。
　【００６１】
　配線または、ゲ−トチャネル半導体層６０３、及び電極層６０４は、例えばプラズマＣＶＤ法で形成された非晶質シリコン膜、または熱処理によって多結晶化した多結晶シリコン膜で構成される。
　【００６２】
　本実施例において、画素電極５０１のエッチング端部の形状６０９は順テ−パ−の良好なエッチング端部形状となるため、ゲ−ト絶縁膜６０２を介してソ−ス／ドレイン電極６０５のエッチング端部での段差付周りが良くなり、端部での段切れによる断線不良を防止できる。
　【００６３】
　また、画素電極５０１の反対側のエッチング端部６１０においても、ゲ−ト絶縁膜６０２、及びパッシベ−ション膜６０８の段差付周りが良くなり、端部での絶縁破壊による短絡不良を防止できる。
　【００６４】
　図７は、図６の実施例における走査配線５０３と信号配線５０４の交差部分の断面の構成例を示している。同図において走査配線５０３と信号配線５０４はゲ−ト絶縁膜６０２を挟んで互いに直交している。
　【００６５】
　図８は，図６の実施例における走査配線５０３の、外部駆動回路との接続のための引出し端子部分の断面の構成例を示す。走査配線５０３の露出部分は、大気に曝されると容易に腐食されてしまうため、露出部分を透明導電膜で被覆する端子構成となる。具体的にはガラス基板１０２上の一部に走査配線５０３が形成され、その上に端子の露出部分を覆うように、本発明の透明導電膜からなる保護電極８０１が形成される。
　【００６６】
　保護電極８０１は画素電極と同時に形成され、ゲ−ト絶縁膜６０２、及びパッシベ−ション膜６０８は、保護電極８０１が露出するように、保護電極８０１上の一部分がエッチングにより除去される。
　【００６７】
　走査配線５０３の端部段差部分８０２においても、透明導電膜からなる保護電極８０１の付周りが確保されるため、端子の被覆保護が完全となり、従って、腐食による走査配線５０３の端子部分での断線を防止できる。
　【００６８】
　図９は、図６の実施例における信号配線５０４の端子部分の断面の構成例を示している。図８で述べた走査配線５０３の端子部分の構成と同じ理由で、信号配線５０４を露出させることはできない。そこで，走査配線５０３を形成する際に、信号配線５０４の端子部分に信号配線引出用の引き出し電極９０１が形成される。信号配線５０４は引き出し電極９０１に接続され、引き出し電極９０１を中継して外部へ露出される。引き出し電極９０１の表面には、図８で述べた走査配線５０３の端子部分の構成と同じように、本発明の透明導電膜からなる保護電極８０１が形成される。
　【００６９】
　引き出し電極９０１の端部段差部分９０２部分においても、図８と同様に保護電極８０１の付周りが確保されるため、腐食による信号配線５０４の端子部分での断線を防止できる。
　【００７０】
　また、保護電極８０１のエッチング端部の段差部分は良好な端部形状が確保されるため、信号配線５０４が引き出し電極９０１へ接続する部分９０３においても、ゲ−ト絶縁膜６０２を介した信号配線５０４の段切れによる断線を防止できる。
　【００７１】
　図６〜図９の実施例では、画素電極５０１はゲ−ト電極６０１と同層で、最下層に形成されていたが、画素電極５０１はゲ−ト電極６０１より上層に形成されてもよい。
　【００７２】
　図１０は画素電極５０１がチャネル半導体層となる非晶質シリコン膜６０３と同層にある場合の実施例である。この場合、画素電極５０１のエッチング端部の段差１００１をソ−ス／ドレイン電極６０５が直接乗り越えることになる。
　【００７３】
　図１１は画素電極５０１がソ−ス／ドレイン電極６０５の上層にある場合の実施例である。この場合、図１０の実施例とは反対にソ−ス／ドレイン電極６０５の段差１１０１を画素電極５０１が直接乗り越えることになる。図１０、図１１のいずれの実施例においても、本発明の透明導電膜を適用することによりソ−ス／ドレイン電極６０５、または画素電極５０１の断線を防止できる。
　【００７４】
　図６〜図１１の実施例では、本発明の透明導電膜を画素電極５０１、及び端子部分の保護電極８０１のみに適用しているが、配線に適用しても良い。
　【００７５】
　図１２は、画素電極５０１と、例えばソ−ス／ドレイン電極６０５及び信号配線５０４を兼用して、本発明の透明導電膜を適用した実施例である。図１２において、１２０１は画素電極５０１とソ−ス／ドレイン電極６０５が一体となったパタ−ンである。この場合、透明導電膜パタ−ン１２０１は、チャネル半導体層となる非晶質シリコン膜６０３、及び不純物をド−プした非晶質シリコン膜からなる電極層６０４を積層した島パタ−ンの端部１２０２を直接乗り越えるとともに、ゲ−ト電極６０１の端部１２０３をゲ−ト絶縁膜６０２、チャネル半導体層となる非晶質シリコン膜６０３、及び不純物をド−プした非晶質シリコン膜からなる電極層６０４を介して乗り越えることになる。透明導電膜を配線と兼用することにより、透明導電膜が関与する段差の付周り部分が多くなるが、本発明の透明導電膜を適用することで付周り部分の断線、短絡不良を防止できる。
　【００７６】
　図１３は、図１２の実施例における走査配線５０３と信号配線５０４の交差部分の断面の構成例を示す。図７で説明したように、走査配線５０３と信号配線５０４はゲ−ト絶縁膜６０２を挟んで互いに直交するが、信号配線５０４に本発明の透明導電膜を適用することにより、信号配線５０４の断線不良を防止できる。図１４は、図１２の実施例における走査配線５０３の端子部分の断面の構成例、図１５は、図１２の実施例における信号配線５０４の端子部分の断面の構成例をそれぞれ、示している。
　【００７７】
　図１４において、透明導電膜からなる保護電極８０１は、走査配線の段差部分１４０１、及びゲ−ト絶縁膜６０２の段差部分１４０２を乗り越えることになる。また、図１５において、透明導電膜からなる信号配線５０４は、ゲ−ト絶縁膜６０２の段差部分１５０１を乗り越えることになる。図１４、図１５の実施例のいずれの場合も、透明導電膜が関与する付周り部分の断線、短絡不良を防止できる。
　【００７８】
　図６〜図１５の実施例では、本発明の透明導電膜を、逆スタガ型のＴＦＴをスイッチング素子に用いたアクティブマトリックス基板に適用した例を説明したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、例えば正スタガ型のＴＦＴ等、異なる構造のＴＦＴを用いた場合にも適用可能である。
　【００７９】
　図１６は正スタガ型のＴＦＴをスイッチング素子に用いたアクティブマトリックス基板の、一画素の断面の実施例を示す。図１６において、ガラス基板１０２上の一部に、層間絶縁膜１６０１を介して、裏面からの光照射を遮るための遮光膜１６０２を設ける。遮光膜１６０２は、例えばスパッタリング、または蒸着法等で形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ等の金属、合金または金属シリサイド膜等で構成されている。
　【００８０】
　層間絶縁膜１６０１上には、本発明の透明導電膜からなる画素電極５０１、及びソ−ス／ドレイン電極６０５が形成される。ソ−ス／ドレイン電極６０５の上部表面には、チャネル半導体層６０３とのコンタクトを補償するためにリン等の不純物をド−プした電極層１６０３が形成される。その上にゲ−ト絶縁膜６０２を介して、ＴＦＴ５０２のチャネル半導体層となる非晶質シリコン膜６０３の島が形成される。この島上の一部にゲ−ト電極６０１が形成される。
　【００８１】
　さらにＴＦＴ５０２、及び画素電極５０１上の全面を覆うように、パッシベ−ション膜６０８が形成される。ゲ−ト電極６０１、及びソ−ス／ドレイン電極６０５は、延長部分でそれぞれ走査配線５０３、信号配線５０４になる。
　【００８２】
　本実施例においても、画素電極５０１のエッチング端部の形状１６０４、１６０５は順テ−パ−の良好なエッチング端部形状となるため、ソ−ス／ドレイン電極６０５、ゲ−ト絶縁膜６０２、及びパッシベ−ション膜６０８のエッチング端部での段差付周りが良くなり、端部での断線、絶縁破壊による短絡不良を防止できる。
　【００８３】
　図１７は、図１６において画素電極５０１と、ソ−ス／ドレイン電極６０５及び信号配線５０４を兼用して、本発明の透明導電膜を適用した実施例である。図１７において、１７０１は画素電極５０１とソ−ス／ドレイン電極６０５が一体となったパタ−ンである。この場合、透明導電膜パタ−ン１７０１のエッチング端部１７０２を、チャネル半導体層となる非晶質シリコン膜６０３の島パタ−ンが直接乗り越えることになる。
　【００８４】
　また、透明導電膜パタ−ン１７０１は、層間絶縁膜１６０１を介して遮光膜１６０２の段差部分１７０３を乗り越えることになる。本実施例においても、本発明の透明導電膜を適用することで付周り部分の断線、短絡不良を防止できる。
　【００８５】
　以上の実施例において、絶縁膜、または金属膜、合金膜、金属シリサイド膜、または半導体膜、またはこれらの積層膜からなる段差部分での、前記透明導電膜パタ−ン自身の付周りの改善効果は、透明導電膜パタ−ンが乗り越える段差部分の形状に依存し、テ−パ−角が９０度以下の順テ−パ−形状において有効であることを確認した。
　【００８６】
　以上の実施例では、本発明の透明導電膜を、図５に示したカラ−液晶表示装置のアクティブマトリックス基板５０５に適用した例を説明したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、例えば透明導電膜をパタ−ニングした電極構成を一部に有する液晶表示装置であれば、本発明を適用することによって、透明導電膜が関与する段差の付周り改善に対して同様の効果を得ることができる。
　【００８７】
　【発明の効果】
　本発明によれば、透明導電膜として、基板に対してランダム配向した多結晶酸化インジウムスズ膜を用いることにより、均一な大きさの結晶粒が緻密に充填される膜構造が得られる。そのため、結晶粒内、及び結晶粒界が均一にエッチングされて良好なエッチング端部形状が得られる。これにより透明導電膜パタ−ン上に絶縁膜、配線、半導体を積層する場合においても、透明導電膜パタ−ン端部での段差付周りが良くなり、短絡や断線不良がない液晶表示装置が得られる。
　【００８８】
　また、絶縁膜、配線、半導体、及び絶縁膜に開口したスル−ホ−ルの段差部分を透明導電膜パタ−ンが乗り越える場合においても、段差部分での前記透明導電膜自身の付周りが改善されるため、前記透明導電膜の断線不良がない液晶表示装置が得られる。
　【００８９】
　以上のように、本発明によれば前記透明導電膜が関与する、段差部分での付周りが改善されるため、配線の断線、短絡不良を低減でき、歩留りの向上を図った液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　多結晶酸化インジウムスズの膜構造とエッチング端部形状の関係を示す模式図である。
　【図２】
　本発明に係る液晶表示装置に使用される多結晶酸化インジウムスズ膜の（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピ−ク強度比と結晶粒径の関係を示す説明図である。
　【図３】
　本発明に係る液晶表示装置に使用される多結晶酸化インジウムスズ膜の（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピ−ク強度比とエッチング速度の関係を示す特性図である。
　【図４】
　本発明に係る液晶表示装置に使用される多結晶酸化インジウムスズ膜の（２２２）面に対する（４００）面のＸ線回折ピ−ク強度比とサイドエッチ量の関係を示す特性図である。
　【図５】
　透明導電膜としてランダム配向の多結晶酸化インジウムスズ膜をアクティブマトリックス基板の一部に用いたカラ−液晶表示装置の一実施例の構成を示す斜視図である。
　【図６】
　本発明に係る液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板の一画素の断面構成の第１の例を示す断面図である。
　【図７】
　図６に示す本発明に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板における走査配線と信号配線の交差部分の断面構成例を示す断面図である。
　【図８】
　図６に示す本発明に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板における走査配線の端子部分の断面構成例を示す断面図である。
　【図９】
　図６に示す本発明に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板における走査配線の端子部分の断面構成例を示す断面図である。
　【図１０】
　本発明に係る液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板の一画素の断面構成の第２の例を示す断面図である。
　【図１１】
　本発明に係る液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板の一画素の断面構成の第３の例を示す断面図である。
　【図１２】
　本発明に係る液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板の一画素の断面構成の第４の例を示す断面図である。
　【図１３】
　図１２に示す本発明に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板における走査配線と信号配線の交差部分の断面構成例を示す断面図である。
　【図１４】
　図１２に示す本発明に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板における走査配線の端子部分の断面構成例を示す断面図である。
　【図１５】
　図１２に示す本発明に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板における信号配線の端子部分の断面構成例を示す断面図である。
　【図１６】
　本発明に係る液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板の一画素の断面構成の第５の例を示す断面図である。
　【図１７】
　本発明に係る液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板の一画素の断面構成の第６の例を示す断面図である。
　【符号の説明】
　１０１　多結晶酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜
　１０２　ガラス基板
　１０３　良好なエッチング端部形状を示す部分
　１０４　異常成長粒子
　１０５　結晶粒界
　５０１　画素電極
　５０２　ＴＦＴ
　５０３　走査配線
　５０４　信号配線
　５０５　アクティブマトリックス基板
　５０６　液晶層
　５０７　対向電極
　５０８　カラ−フィルタ
　５０９　絶縁基板
　５１０　偏向板
　６０１　ゲ−ト電極
　６０２　ゲ−ト絶縁膜
　６０３　非晶質シリコン膜
　６０４　不純物をド−プした非晶質シリコン膜
　６０５　ソ−ス／ドレイン電極
　６０６　ＴＦＴのチャネル部分
　６０７　開口部
　６０８　パッシベ−ション膜
　８０１　端子部分の保護電極
　９０１　端子部分の引き出し電極
　１２０１　透明導電膜パタ−ン
　１７０１　透明導電膜パタ−ン
　１６０１　層間絶縁膜
　１６０２　遮光膜，
　１６０３　不純物をド−プした電極層