【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年1月5日(2015.1.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池または他の光起電素子を製造する際にバンドギャップシフトを減少させるかまたはなくすための方法であって、ここで該製造方法が、少なくとも１種のシリコン化合物を含有する配合物で基板をコーティングする段階を含む、方法において、
前記配合物が追加的に少なくとも１種のゲルマニウム化合物を含有すること、ならびに、
前記ゲルマニウム化合物が、
式  ＧｅnＨ2n+2またはＧｅnＨ2n（ｎ＝４〜８）の化合物と、
質量平均分子量５００〜１００００ｇ／ｍｏｌを有するオリゴマーのゲルマニウム化合物  ＧｅnＲ2n+2またはＧｅnＲ2n（当該式中、Ｒは、Ｈ、ハロゲン、またはオルガニルであり、ここで、各々のＲは独立して選択されていてよい）と
の混合物であること、
を特徴とする、方法。
【請求項２】
少なくとも１種の、大部分がシリコンからなる層を含む光起電素子の製造方法であって、ここで該方法が、少なくとも１種のシリコン化合物を含有する配合物で基板をコーティングする段階を含む、方法において、
前記配合物が追加的に少なくとも１種のゲルマニウム化合物を含有すること、ならびに、
前記ゲルマニウム化合物が、
式  ＧｅnＨ2n+2またはＧｅnＨ2n（ｎ＝４〜８）の化合物と、
質量平均分子量５００〜１００００ｇ／ｍｏｌを有するオリゴマーのゲルマニウム化合物  ＧｅnＲ2n+2またはＧｅnＲ2n（当該式中、Ｒは、Ｈ、ハロゲン、またはオルガニルであり、ここで、各々のＲは独立して選択されていてよい）と
の混合物であること、
を特徴とする方法。
【請求項３】
有利には太陽電池の製造のための、請求項２に記載の方法であって、以下の段階：
ａ）  基板を準備する段階、
ｂ）  少なくとも１種のシリコン化合物を含有する配合物を準備する段階、
ｃ）  該配合物で基板をコーティングする段階、
ｄ）  コーティングされた基板を、少なくとも部分的に多形であり且つ大部分がシリコンからなる層を形成しながら電磁照射および／または熱処理する段階
を含み、形成された層が、少なくとも部分的に多形であり且つ大部分がシリコン−ゲルマニウムからなる層が存在するようにゲルマニウムを含有するために、該配合物が追加的に少なくとも１種のゲルマニウム化合物を含有することを特徴とする方法。
【請求項４】
前記オリゴマーのゲルマニウム化合物  ＧｅnＲ2n+2またはＧｅnＲ2nが、質量平均分子量８００〜５０００ｇ／ｍｏｌを有することを特徴とする、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記配合物中のゲルマニウムの割合が、純粋なシリコンとゲルマニウムの割合に対して０．５〜１５．０ｍｏｌ％であることを特徴とする、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
大部分がシリコン−ゲルマニウムからなる層中のゲルマニウムの割合が、純粋なシリコンとゲルマニウムの割合に対して０．５〜１５．０ｍｏｌ％であることを特徴とする、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン化合物が、シリコンと水素との化合物、好ましくは一般式  ＳｉnＨ2n+2（ｎ＝３〜１０）またはＳｉnＨ2n（ｎ＝４〜８）の化合物；  シリコンハロゲン化物；  シリコン−オルガニル；  オリゴマーのシリコン化合物  ＳｉnＲ2n+2またはＳｉnＲ2n（ｎ＝８〜１００且つＲが、Ｈ、ハロゲン、またはオルガニルであり、ここで、各々のＲは独立して選択されていてよい）；  またはかかるシリコン化合物の任意の混合物であることを特徴とする、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記のシリコンを含みかつゲルマニウムを含む配合物が、液体の配合物であり、該液体の配合物が、場合によっては溶剤を含み、且つ、コーティング溶液の粘度が２００〜２０００ｍＰａｓであることを特徴とする、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記のシリコンを含みかつゲルマニウムを含む配合物が、
一般式ＳｉnＨ2n+2（ｎ＝３〜１０）またはＳｉnＨ2n（ｎ＝４〜８）の少なくとも１種のシランと、
一般式ＧｅnＨ2n+2（ｎ＝３〜１０）またはＧｅnＨ2n（ｎ＝４〜８）の少なくとも１種のゲルマンと、
場合によっては溶剤および／またはドーピング剤と
を含有する混合物のオリゴマー化および／またはポリマー化によって製造され、有利には該混合物の電磁照射および／または熱処理によって製造されることを特徴とする、
請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記のシリコンを含みかつゲルマニウムを含む配合物に、コーティング前、コーティングの間、および／またはコーティング後に、場合によっては追加的に、溶剤、および／またはドーピング剤を添加することを特徴とする、
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
基板のコーティングが、スピンオン堆積、流し込み、液相からの噴霧、ドクターブレード塗布、またはロール塗布を用いて行われることを特徴とする、
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
コーティングされた基板を、電磁照射するか、もしくは３００〜１０００℃、有利には４００〜９００℃、さらに好ましくは５００〜８００℃の温度で熱処理を行うことを特徴とする、
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法を使用して製造された、光起電素子、殊に太陽電池または太陽電池の組み合わせ物。
【請求項１４】
少なくとも１種のシリコン化合物を含有する配合物で基板をコーティングする段階を含む、光起電素子を製造する方法の際の、殊に、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法の際の、ゲルマニウム化合物の使用であって、
前記配合物が追加的に少なくとも１種のかかるゲルマニウム化合物を含有すること、ならびに、
前記ゲルマニウム化合物が、
式  ＧｅnＨ2n+2またはＧｅnＨ2n（ｎ＝４〜８）の化合物と、
質量平均分子量５００〜１００００ｇ／ｍｏｌを有するオリゴマーのゲルマニウム化合物  ＧｅnＲ2n+2またはＧｅnＲ2n（当該式中、Ｒは、Ｈ、ハロゲン、またはオルガニルであり、ここで、各々のＲは独立して選択されていてよい）と
の混合物であること、
を特徴とする、使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、シリコン化合物含有配合物による基板のコーティングを用いた光起電素子の製造の際の、例えば液体シラン配合物で基板をコーティングする段階を含む太陽電池製造の際の、バンドギャップ（Ｂａｎｄｌｕｅｃｋｅ）シフトの減少またはなくす方法に関する。本発明は、かかる光起電素子の製造方法にも関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
この課題は、本発明によれば、太陽電池または他の光起電素子の際に観察されるバンドギャップシフトを減少またはなくすための方法によって解決され、ここで、この太陽電池または光起電素子の製造方法は、少なくとも１つのシリコン化合物を含有する配合物で基板をコーティングする段階を含み、ここで該方法は、該配合物が追加的に少なくとも１つのゲルマニウム化合物を含有することを特徴とする。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明による方法の好ましい実施態様において、ゲルマニウム化合物は、ゲルマニウムと水素との化合物、好ましくは一般式ＧｅnＨ2n+2またはＧｅnＨ2n（ｎ＝１ないし１０、好ましくはｎ＝４ないし８）；  ゲルマニウムのハロゲン化物；  ゲルマニウム−オルガニル；  オリゴマーゲルマニウム化合物  ＧｅnＲ2n+2またはＧｅnＲ2n（ｎ＝８ないし１００、且つＲ＝Ｈ、ハロゲン、オルガニルであり、ここで、各々のＲは独立して選択されていてよい）；  混合されたゲルマニウム−シリコン−水素−オルガニル、例えばＲＨ2ＧｅＳｉＨ3、またはかかるゲルマニウム化合物の任意の混合物である。特に好ましくは、化合物  ＧｅnＨ2n+2またはＧｅnＨ2n（ｎ＝４ないし８）と、質量平均分子量５００〜１００００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは８００〜５０００を有するオリゴマーゲルマニウム化合物ＧｅnＲ2n+2またはＧｅnＲ2nとの混合物である。さらに、かかる混合されたゲルマニウム−シリコン−水素−オルガニル、例えばＧｅＨ2ＰｈＳｉＨ3、そこからのオリゴマー、あるいはむしろそこからのシランとのコオリゴマー。