【事件の表示】
　特許第３２２２４５１号「アクティブ型表示装置およびカメラ」の請求項１ないし１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２２４５１号の請求項１ないし１２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２２２４５１号の発明についての出願は、平成３年２月１６日に出願された特願平３−７７３１７号の一部を平成１２年１月２４日に新たな特許出願である特願２０００−１３６５０号としたものの一部をさらに平成１３年５月２９日に新たな特許出願としたものであり、平成１３年８月１７日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、山枡幸文より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１０月１日に訂正請求がなされたものである。
　　　　
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
ａ．特許請求の範囲について
１）請求項１において、「薄膜トランジスタ」を「ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」と訂正し、「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」と訂正し、「コンタクトホールの直上に重ならず」を「コンタクトホールに重ならず」と訂正し、「前記薄膜トランジスタの半導体膜」を「前記薄膜トランジスタの前記半導体膜」と訂正する。
２）請求項２において、「薄膜トランジスタ」を「ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」と訂正し、「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」と訂正し、「コンタクトホールの直上に重ならず」を「コンタクトホールに重ならず」と訂正し、「前記薄膜トランジスタの半導体膜」を「前記薄膜トランジスタの前記半導体膜」と訂正する。
３）請求項３において、「薄膜トランジスタ」を「ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」と訂正し、「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」と訂正し、「コンタクトホールの直上に重ならず」を「コンタクトホールに重ならず」と訂正し、「前記薄膜トランジスタの半導体膜」を「前記薄膜トランジスタの前記半導体膜」と訂正する。
４）請求項７において、「薄膜トランジスタ」を「ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」と訂正し、「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」と訂正し、「コンタクトホールの直上に重ならず」を「コンタクトホールに重ならず」と訂正し、「前記薄膜トランジスタの半導体膜」を「前記薄膜トランジスタの前記半導体膜」と訂正する。
５）請求項８において、「薄膜トランジスタ」を「ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」と訂正し、「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」と訂正し、「コンタクトホールの直上に重ならず」を「コンタクトホールに重ならず」と訂正し、「前記薄膜トランジスタの半導体膜」を「前記薄膜トランジスタの前記半導体膜」と訂正する。
６）請求項９において、「薄膜トランジスタ」を「ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」と訂正し、「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」と訂正し、「コンタクトホールの直上に重ならず」を「コンタクトホールに重ならず」と訂正し、「前記薄膜トランジスタの半導体膜」を「前記薄膜トランジスタの前記半導体膜」と訂正する。
ｂ．発明の詳細な説明について
　段落【０００７】における「薄膜トランジスタ」を「ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」と訂正し、「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」と訂正し、「第１のコンタクトホールの直上に重ならず」を「第１のコンタクトホールに重ならず」と訂正し、「前記薄膜トランジスタの半導体膜」を「前記薄膜トランジスタの前記半導体膜」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ−１）〜６）において、「薄膜トランジスタ」を「ガラス基板上に形成され、チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ」とする訂正は、明細書の段落【００１３】及び【００２５】の記載に基づいて薄膜トランジスタについて限定するものであって特許請求の範囲の減縮に該当し、「画素電極」を「透明導電膜でなる画素電極」とする訂正は、明細書の段落【００２９】の記載に基づいて画素電極について限定するものであって特許請求の範囲の減縮に該当し、「コンタクトホールの直上に重ならず」を「コンタクトホールに重ならず」とする訂正は、重複する語意のものを単純化するものであって明りょうでない記載の釈明に該当し、「前記薄膜トランジスタの半導体膜」を「前記薄膜トランジスタの前記薄膜トランジスタ」とする訂正は、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　訂正事項ｂは、訂正事項ａ−１）〜６）による特許請求の範囲の訂正との整合を図るために発明の詳細な説明の段落【０００７】の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項の規定及び第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　
３．特許異議申立てについて
ア．本件発明
　本件の請求項１〜１２に係る発明（以下、それぞれ本件発明１〜１２という）は、平成１４年１０月１日付けで提出された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に各々記載されるとおりの次のものである。
「【請求項１】ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体膜は、ホウ素を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度で含むことを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項２】ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体膜は、ホウ素を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度で含み、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項３】ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体膜は、ホウ素を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度で含み、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて前記第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記平坦化膜は、有機樹脂からなることを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記層間絶縁物は、酸化珪素膜を含むことを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載のアクティブ型表示装置は、アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項７】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体膜は、ホウ素を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度で含むことを特徴とするカメラ。
　【請求項８】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体膜は、ホウ素を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度で含み、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
　【請求項９】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールに重ならず、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体膜は、ホウ素を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度で含み、
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて前記第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
　【請求項１０】請求項７乃至請求項９のいずれか一において、前記平坦化膜は、有機樹脂からなることを特徴とするカメラ。
　【請求項１１】請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、前記層間絶縁物は、酸化珪素膜であることを特徴とするカメラ。
　【請求項１２】請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載のアクティブ型表示装置は、アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするカメラ。」
イ．引用刊行物記載の発明
　上記取消理由において引用され、本件発明１〜１２についての出願前に頒布された刊行物である特開昭５５−３２０２６号公報（申立人の提出した甲第１号証。以下、引用例１という）には、次のように記載されている。
　「表示セルを構成する一方の基板に、複数個の能動素子及び受動素子をマトリツクス状に配置した半導体基板を用いた液晶表示パネルにおいて、該半導体基板は表面平坦化処理が施された基板表面上に該能動素子及び受動素子に対応してマトリツクス状に電極膜が形成されておりかつ該半導体基板表面は配向処理膜にて覆われていることを特徴とする液晶パネル。」（特許請求の範囲第１項）
　「第１図は従来の液晶表示パネルの構造図を示すものであり、図中の１は能動素子もしくは受動素子を含む半導体基板である。半導体基板表面には、液晶駆動電極２がマトリツクス状に配置されている。・・・・第２図は、半導体基板の断面図である。第２図の二点鎖線で囲まれた領域が一画素に相当する。一画素中には、トランジスタとコンデンサーがそれぞれ１個づつ含まれている。図中の７は、たとえばｎ型のシリコン基板、８はｐ型の拡散層、９はｎ＋型の拡散層である。１０はフイールド酸化膜、１１はＳｉＯ２膜、１２はドープドポリシリコン膜である。１３はＣＶＤ　ＳｉＯ２膜、１４はアルミニウム膜で電極と配線を成す。１５は保護膜であり通常はＣＶＤ　ＳｉＯ２膜である。第２図のＡ部がトランジスター部、Ｂ部がコンデンサー部である。」（第２頁左上欄第７行〜右上欄第４行）
　「第５図は、半導体基板の表面段差を少なくした基板断面構造図である。第５図中の７〜１４までの番号は、第２図中の番号と対応している。第５図中の２１は、本発明のポイントである所の半導体基板表面を平坦にするための層である。また該層２１には液晶駆動電極として、透明導電膜層もしくは金属層２２が形成される。この液晶駆動電極は、スルーホールにより下部配線１４と接続されている。半導体基板表面を平坦化する層２１は、ポリイミド樹脂、低融点ガラスあるいはその他の絶縁材がよい。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第３行）
　また、第５図には、半導体基板の断面構造が示されており、この図で、右側のｐ型拡散層８（ドレイン）はフイールド酸化膜１０のスルーホールを介してフイールド酸化膜１０の上側に形成された下部配線１４に接続され、下部配線１４は、その上側に形成された半導体基板表面を平坦化する層２１の上側に形成された液晶駆動電極としての透明導電膜層もしくは金属層２２とスルーホールを介して接続されており、このフイールド酸化膜１０のスルーホールと半導体基板表面を平坦化する層のスルーホールとは重なっておらず、また、半導体基板表面を平坦化する層のスルーホールは上から下に向かって径が減少する形状になっていることがみてとれる。
　以上の記載からすれば、引用例１には、「半導体基板にトランジスタが形成され、トランジスタの上側に形成されたフイールド酸化膜の上にトランジスタのドレインとフイールド酸化膜のスルーホールを介して接続された下部配線が形成され、その上側にポリイミド等の絶縁材からなる半導体基板表面を平坦化する層が形成され、その上側に液晶駆動電極としての透明導電膜層が形成され、透明導電膜層は半導体基板表面を平坦化する層のスルーホールを介してドレインに接続された下部配線と接続され、フイールド酸化膜のスルーホールと半導体基板表面を平坦化する層のスルーホールとが重なっておらず、半導体基板表面を平坦化する層のスルーホールは上から下に向かって径が減少する形状になっているようにした液晶表示パネル」が記載されているものと認める。
　同じく引用された特開昭６３−２３７５７１号公報（申立人の提出した甲第３号証。以下、引用例２という）には、次のように記載されている。
　「本発明は、透明性絶縁基板上に形成されるアクティブマトリクスあるいはイメージセンサーの画素のスイッチング素子或いは駆動用回路に用いられるＣＭＯＳ・・・・型多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、低駆動電圧で大電流が得られ、さらに両チャネルトランジスタのスレッシホルド電圧の絶対値が一致するＣＭＯＳ型多結晶シリコン膜トランジスタ及びその製造方法に関する。（第１頁左下欄下から２行〜右下欄第８行）」
　「第１図により、本発明の実施例を工程図に従って説明する。同図（ａ）において、絶縁性透明基板１−１上に無添加多結晶シリコン薄膜の島１−２を形成する。前記無添加多結晶シリコンは、減圧ＣＶＤなどで堆積させられる。さらに島１−２はフォトエッチングで形成される。次にウェハ前面にわたってイオン打込み法によって、多結晶シリコンに対してＰ型不純物であるボロンをチャネル打込みしてライトＰ型多結晶にする。１−３はボロンビームを示す。ただし、Ｖｔｈのシフト量が１ボルト程度で、抵抗率が低下しないくらいの打込み量に設定する必要があり、およそ１０１２ｃｍ−２から１０１３ｃｍ−２程度が適当である。続いて同図（ｂ）で示すように熱酸化によりゲート酸化膜１−４を形成する。・・・・同図（ｃ）、（ｄ）はＣＭＯＳ構造を製造する一般的な工程である。１−５はゲート電極であり、該ゲート電極をマスクとし、ボロン及びリンを選択的にイオン打込みし、ソース及びドレイン部を形成する。（ｄ）に示すようにＰチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ１−８及びＮチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ１−９を形成する。」（第２頁左下欄第７行〜右下欄第１６行）
「・・・・本発明によれば、従来の水素プラズマ処理でＮチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタがデプレッション方向にシフトし、そしてＰチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタがエンハンスメント方法にそれぞれシフトするという異常シフトの問題を、チャネル部の多結晶シリコンにボロンを低濃度（１０１２ｃｍ−２から１０１３ｃｍ−２程度）にチャネルドーピングしてライトＰ型多結晶シリコンにしたことにより防止することができる。・・・・」（第３頁左上欄第１２〜右上欄第１行）
　同じく引用された特開昭６２−２１９５７４号公報（申立人の提出した参考資料１。以下、引用例３という）には、次のように記載されている。
　「本発明の目的は、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ等において、スイッチングマトリクスアレイの駆動回路構成用トランジスタに適するような、閾値電圧が小さく、大きなＯＮ電流の得られる薄膜トランジスタを提供することにある。」（第２頁右上欄第３〜７行）
　「・・・・パイレックスガラス基板１を有機洗浄し、次いで酸洗浄した後、真空蒸着法によってｐｏｌｙ　Ｓｉ膜を形成する。・・・・膜厚は１０００Åであった。そして、フォトリソグラフィー法を利用し、活性層となるｐｏｌｙ　Ｓｉ部２を残し、六弗化硫黄（ＳＦ６）ガスを用いるプラズマエッチング法によつて他の部分を除去した（第１図（ａ））。
　次いで・・・・ゲート絶縁膜となるＳｉＯ２膜３を形成した（第１図（ｂ））。・・・・
　次いで、ボロンイオン（１１Ｂ＋）をイオン注入法により５０ＫｅＶで１１０１３ｃｍ−２注入した。これにより、ｐｏｌｙ　Ｓｉ部２に、ボロン（不純物）がドープされる。」（第２頁左下欄第８行〜右下欄第５行）
　同じく引用された特開平１−２８９９１７号公報（申立人の提出した参考資料２。以下、引用例４という）には、次のように記載されている。
　「第３図（ａ）において、７１はガラス、石英等の絶縁基板であり、その上にＰ形ＴＦＴ９９及びＮ形ＴＦＴ１００が形成されている。７３、７６はチャネル領域となるシリコン薄膜、７２、７４、７５、７７はソース領域又はドレイン領域となるシリコン薄膜であり、・・・・８０、８１は多結晶シリコン、金属、金属シリサイド等によるゲート電極、８２はＳｉＯ２等による層間絶縁膜、８３は金属等による配線層、・・・・である。」（第４頁右下欄第１９行〜第５頁左上欄第１３行）
　「応用例の一つは、本発明のアクティブマトリクスパネルを用いて構成される、ビデオカメラ等の電子ビューファインダー（・・・・ＥＶＦと略記する）である。・・・・第１７図に例示する様な構造のＥＶＦが実現可能となっている。」（第１２頁右上欄第１６行〜左下欄第６行）
ウ．対比、判断
　本件発明１と、引用例１に記載のものとを対比する。
　引用例１に記載のものにおける「半導体基板を平坦化する層」、「フイールド酸化膜」、「液晶駆動電極としての透明導電膜層」、「ドレインと接続された下部配線」、「フイールド酸化膜のスルーホール」、「半導体基板表面を平坦化する層のスルーホール」は、それぞれ「平坦化膜」、「層間絶縁物」、「透明導電膜でなる画素電極」、「ドレイン電極」、「第１のコンタクトホール」、「第２のコンタクトホール」に相当するものであり、また、引用例１に記載の液晶表示パネルはマトリツクス状に配置された能動素子により駆動されるアクティブ型表示装置であって、複数の画素を有し、各画素はトランジスタと、半導体基板表面を平坦化する層上に形成されドレインと接続された下部配線に接続された液晶駆動電極としての透明導電膜層とを有するものである。
　したがって、本件発明１と引用例１に記載のものとは、「基板上に形成され、トランジスタ、前記トランジスタ上に形成された平坦化膜および前記トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記トランジスタのドレインに接続され、前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールに重ならないことを特徴とするアクティブ型表示装置」である点で一致するが、次の点において相違する。
　相違点ａ：本件発明１におけるトランジスタがガラス基板上に形成され半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタであるのに対し、引用例１に記載のものにおけるトランジスタは半導体基板上に形成されたものであり、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタとして形成されていない点。
　相違点ｂ：本件発明１における薄膜トランジスタの半導体膜はホウ素を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度で含むのに対し、引用例１においては、トランジスタの半導体部分の不純物及びその濃度について明記していない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点ａについて：
　液晶表示装置において、ガラス基板上に半導体膜を形成し、その上にゲート絶縁膜、さらにその上にゲート電極を形成すること、すなわち絶縁基板上に半導体膜がゲート電極の下に設けられた薄膜トランジスタを形成することは、周知の事項（例えば、引用例４を参照）であるから、引用例１に記載のものにおける半導体基板に代えてガラス基板を用い、その上に半導体膜がゲート電極の下に設けられた薄膜トランジスタを形成することは、当業者が容易に想到し得るところである。
相違点ｂについて：
　引用例２において、多結晶シリコン薄膜にＰ型不純物としてのボロンを、Ｖｔｈのシフト量が１ボルト程度で、抵抗率が低下しないように打込むこと、打込み量はおよそ１０１２ｃｍ−２から１０１３ｃｍ−２程度が適当であることが示され、また、引用例３において、ｐｏｌｙ　Ｓｉ部にボロンイオンを５０ＫｅＶで１×１０１３ｃｍ−２注入することが示されている。これらの打込み量は、半導体薄膜の厚さが１０００Å程度とすると、半導体薄膜における濃度としては、前者で１０１７から１０１８ｃｍ−３、後者で１０１８ｃｍ−３程度である。それゆえ、薄膜トランジスタのホウ素の濃度を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３とすることは、従来の濃度範囲の程度であり、格別なものではない。
  また、相違点ａ及びｂを総合しても、何ら格別な技術的特徴は与えられない。
　したがって、本件発明１は、引用例１〜３に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明２は、本件発明１を特定する事項に加えて、第２のコンタクトホールが平坦化膜の上面から第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有するものであるが、この「湾曲した面」の形状について、明細書には特に記載されていない。そして、その形状を示す図６（Ｆ）で見れば、このコンタクトホールの形状は「湾曲」の通常の意味である曲線形状であると解されるが、そのようなコンタクトホールの形状は、正確な角部が形成困難なことから、製造上生じるものでもあり、引用例１あるいは２に記載されるような従来のコンタクトホールの場合と格別に異なるものとは言えない。
　したがって、本件発明２は、本件発明１と同様に、刊行物１〜３に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明３は、本件発明１を特定する事項に加えて、平坦化膜の上面から第２のコンタクトホールの内面にかけて第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ湾曲した面を有するものであるが、引用例１において、半導体基板表面を平坦化する層のスルーホールが上から下に向かって径が減少する形状になっていることが記載されており、また、コンタクトホールの形状が湾曲した面を有することは、本件発明２に関して前述したように、引用例１に記載されるような従来のコンタクトホールの場合と格別に異なるものではないので、本件発明３と引用例１に記載のものとの相違点は、本件発明１に関して前述した相違点ａ及びｂである。
　したがって、本件発明３は、本件発明１と同様に、引用例１〜３に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明４は、本件発明１〜３のいずれか一において、平坦化膜が有機樹脂からなることを規定するものであるが、引用例１において、半導体基板を平坦にするための層としてポリイミド樹脂等を用いることが示されているように、平坦化層を有機樹脂で形成するのは周知の事項であり、この点も何ら格別な技術的特徴を有するものではないから、本件発明４は、引用例１〜３に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明５は、本件発明１〜４のいずれか一において、層間絶縁物が酸化珪素膜を含むものであるが、引用例３において層間絶縁膜をＳｉＯ２で形成することが示されているように、薄膜トランジスタと配線層との間の層間絶縁膜を酸化珪素で形成するのは周知の事項であるから、本件発明５は、引用例１〜３に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明６は、本件発明１〜５のいずれか一において、アクティブ型表示装置がアクティブ型液晶表示装置であるものであるが、アクティブ型表示装置としてアクティブ型液晶表示装置は周知のものであるから、本件発明６は、引用例１〜３に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明７は、アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、アクティブ型表示装置として本件発明１のアクティブ型表示装置を用いたものであるが、アクティブ型表示装置をカメラのビューファインダーに用いることは、引用例４に示されるように周知の事項であり、本件発明１のアクティブ表示装置をカメラのビューファインダに用いることに何ら困難性はなく、また、半導体膜のホウ素の濃度が１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３であることによりカメラのビューファインダに適用した場合に格別な効果が奏せられることはないので、本件発明７は、引用例１〜４に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明８は、アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、アクティブ型表示装置として本件発明２のアクティブ型表示装置を用いたものであるが、アクティブ型表示装置をカメラのビューファインダーに用いることは、引用例４に示されるように周知の事項であり、本件発明２のアクティブ表示装置をカメラのビューファインダに用いることに何ら困難性はなく、また、半導体膜のホウ素の濃度が１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３であることによりカメラのビューファインダに適用した場合に格別な効果が奏せられることはないので、本件発明８は、引用例１〜４に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明９は、アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、アクティブ型表示装置として本件発明３のアクティブ型表示装置を用いたものであるが、アクティブ型表示装置をカメラのビューファインダーに用いることは、引用例２に示されるように周知の事項であり、本件発明３のアクティブ表示装置をカメラのビューファインダに用いることに何ら困難性はなく、また、半導体膜のホウ素の濃度が１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３であることによりカメラのビューファインダに適用した場合に格別な効果が奏せられることはないので、本件発明９は、引用例１〜４に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明１０は、本件発明７〜９のいずれか一において、平坦化膜が有機樹脂からなることを規定するものであるが、引用例１において、半導体基板を平坦にするための層としてポリイミド樹脂等を用いることが示されているように、平坦化層を有機樹脂で形成するのは周知の事項であるから、本件発明１０は、引用例１〜４に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明１１は、本件発明７〜１０のいずれか一において、層間絶縁物が酸化珪素膜であるものであるが、引用例３において層間絶縁膜をＳｉＯ２で形成することが示されているように、薄膜トランジスタと配線層との間の層間絶縁膜を酸化珪素で形成するのは周知の事項であるから、本件発明１１は、引用例１〜４に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明１２は、本件発明７〜１１のいずれか一において、アクティブ型表示装置がアクティブ型液晶表示装置であるものであるが、アクティブ型表示装置としてアクティブ型液晶表示装置は周知のものであるから、本件発明１２は、引用例１〜４に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜１２は、いずれも引用例１〜３に記載された発明または引用例１〜４に各々記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件発明１〜１２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年４月１６日（２００３．４．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
アクティブ型表示装置およびカメラ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた
透明導電膜でなる
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホール
に重ならず
　前記薄膜トランジスタの
前記
　【請求項２】
　
ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた
透明導電膜でなる
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールに
重ならず
　前記薄膜トランジスタの
前記
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項３】
　
ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた
透明導電膜でなる
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホール
に重ならず
　前記薄膜トランジスタの
前記
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて前記第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項４】
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記平坦化膜は、有機樹脂からなることを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項５】
　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記層間絶縁物は、酸化珪素膜を含むことを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項６】
　請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載のアクティブ型表示装置は、アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
　【請求項７】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　
ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた
透明導電膜でなる
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホール
に重ならず
　前記薄膜トランジスタの
前記
　【請求項８】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　
ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた
透明導電膜でなる
　前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホール
に重ならず
　前記薄膜トランジスタの
前記
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
　【請求項９】
　アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであって、
　前記アクティブ型表示装置は、
　
ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた
透明導電膜でなる
　前記トレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、
　前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
　前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホール
に重ならず
　前記薄膜トランジスタの
前記
　前記平坦化膜の上面から前記第２のコンタクトホールの内面にかけて前記第２のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり、かつ、湾曲した面を有することを特徴とするカメラ。
　【請求項１０】
　請求項７乃至請求項９のいずれか一において、前記平坦化膜は、有機樹脂からなることを特徴とするカメラ。
　【請求項１１】
　請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、前記層間絶縁物は、酸化珪素膜であることを特徴とするカメラ。
　【請求項１２】
　請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載のアクティブ型表示装置は、アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、アクティブ型表示装置、特にアクティブ型液晶表示装置に関するもので、明確な階調のレベルを設定できるようにしたものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶組成物はその物質特性から、分子軸に対して水平方向と垂直方向の誘電率が異なるため、外部の電界に対して水平方向に配列したり、垂直方向に配列したりさせることが容易にできる。液晶電気光学装置はこの誘電率の異方性を利用して、光の透過光量または分散量を制御することで、ＯＮ／ＯＦＦの表示を行っている。
　【０００３】
　図２にネマチック液晶の電気光学特性を示す。印加電圧が小さいＶａ（Ａ点２０１）のときには、透過光量がほぼ０％、Ｖｂ（Ｂ点２０２）の場合には２０％ほど、Ｖｃ（Ｃ点２０３）の場合には７０％ほど、Ｖｄ（Ｄ点２０４）の場合には１００％ほどになる。つまり、Ａ、Ｄ点のみを利用すれば、白黒の２階調表示が、Ｂ、Ｃ点のように電気光学特性の立ち上がりの部分を利用すれば、中間階調表示が可能となる。
　【０００４】
　従来、ＴＦＴを利用した液晶電気光学装置の階調表示の場合、ＴＦＴのゲート印加電圧もしくはソース・ドレイン間の印加電圧を変化させてアナログ的に電圧を調整し、階調表示をおこなっていた。
　【０００５】
　しかしながら、マトリクス構成をなす多数のＴＦＴ素子の全てが均一な特性を有するように作成するのには困難を有し、特に階調表示に必要な中間の電圧の微調整およびその維持は非常な困難を要していた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　そこで本発明では、従来のアナログ的階調表示ではなく、デジタル的階調表示を行うことで、明確な階調表示レベルを液晶に供給する手段を提案するものである。また、一般的に知られるように、明確な階調表示を得るには明確な階調表示レベルを液晶に供給した後、階調表示に必要な中間電圧を維持することが必要である。そのため、本発明では、階調表示に必要な中間の電圧を維持することで、明確な階調表示と高品位な表示を可能とすることを課題とする。
　【０００７】
　【問題を解決するための手段】
　本発明のアクティブ型表示装置は、階調表示に必要な中間の電圧を維持するために、
ガラス基板上に形成され、半導体膜がゲイト電極の下に設けられた
透明導電膜でなる
に重ならず
前記
　【０００８】
　上記構成において、前記平坦化膜の上面から前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの内面にかけて湾曲した面を有するようにしても良い。また、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールの直径が連続的に小さくなるようにしても良い、さらに、上記構成を有したアクティブ型表示装置をカメラのビューファインダーに用いても良い。
　以下に実施例をもってさらに詳細な説明を加える。
　【０００９】
　【実施例】
『実施例１』
　本実施例では、従来のアナログ的階調表示ではなく、デジタル的階調表示を行うことで、明確な階調表示レベルを液晶に供給する手段について説明する。上記明確な階調表示レベルを液晶に供給するために、本実施例では、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、任意の画素に書き込む単位時間ｔと１画面を書き込む時間Ｆで関係される表示タイミングを有する表示駆動方式を用いた表示装置の階調表示を、前記時間Ｆを変更すること無しに前記時間ｔの書込み時間中の信号を時分割とし、このことによって時間ｔに画素の液晶に加わる電界の平均値を分割の割合に応じて変化させ、階調を表示可能にする。
　【００１０】
　説明のために図３に示す様な４×４のマトリクスを用いる。従来の表示装置の場合、図４に示す様に、データ方向の信号線２１０〜２１３の電界の強さの強弱で２２０〜２２３に示すような画素電極にかかる電界が決まり、それによって液晶の透過率が決定される。なお、図３と図４の符号が対応していることはいうまでもない。
　【００１１】
　本実施例では、このようなアナログ的な階調制御を行うのでは無く、図１に示す様に、任意の画素に書き込む単位時間ｔ２２５の書込み時間中の信号を時分割とし、分割数分の階調を表示可能にしている。その際、書き込み時間における電界変化２２７、２２９、２３１が図１のように変化した場合、非書き込み時間ではその平均値２２８、２３０、２３２のようになり、明確な階調表示が可能となる。
　【００１２】
　また、図３に示すような回路構成を用いた液晶表示装置に対応する実際の画素に設けられた電極等の配置構成を図５に示している。これらは説明を簡単にする為２×２に相当する部分のみ記載されている。また、実際の駆動信号波形を図１に示す。これも説明を簡単にする為に４×４のマトリクス構成とした場合の信号波形で説明を行う。
　【００１３】
　まず、本実施例で使用する液晶表示装置の作製方法を図６において説明する。
　図６（Ａ）において、石英ガラス等の高価でない７００℃以下、例えば約６００℃の熱処理に耐え得るガラス５０上にマグネトロンＲＦ（高周波）スパッタ法を用いてブロッキング層５１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成膜温度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａとした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成膜速度は３０〜１００Å／分であった。
　【００１４】
　この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃でジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）またはトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）をＣＶＤ装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜３００Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å／分であった。ＮＴＦＴのスレッシュホ−ルド電圧（Ｖｔｈ）を制御するため、ホウ素をジボランを用いて１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度として成膜中に添加してもよい。
　【００１５】
　スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧を１×１０−５Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲットとして、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであった。
　【００１６】
　プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン（ＳｉＨ４）またはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を用いた。これらをＰＣＶＤ装置内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成膜した。
　【００１７】
　これらの方法によって形成された被膜は、酸素が５×１０２１ｃｍ−３以下であることが好ましい。この酸素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−ク電流が増加してしまう。そのため４×１０１９〜４×１０２１ｃｍ−３の範囲とした。水素は４×１０２０ｃｍ−３であり、珪素４×１０２２ｃｍ−３として比較すると１原子％であった。また、ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長させるため、酸素濃度を７×１０１９ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１９ｃｍ−３以下とし、ピクセル構成するＴＦＴのチャネル形成領域のみに酸素をイオン注入法により５×１０２０〜５×１０２１ｃｍ−３となるように添加してもよい。その時周辺回路を構成するＴＦＴには光照射がなされないため、この酸素の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有せしめることは、高周波動作をさせるためる有効である。
　【００１８】
　前記の様な方法によって、アモルファス状態の珪素膜を５００〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに作製の後、４５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて６００℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルファス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ルされる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水素は単に混入しているのみである。
　【００１９】
　アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈する。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しかしこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がなされるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラマン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２ｃｍ−１より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。それの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜５００Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アンカリング）がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させることができた。
　【００２０】
　結果として、被膜は実質的にグレインバウンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるＧＢの明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度となる。即ちホ−ル移動度（μｈ）＝１０〜２００ｃｍ２／ＶＳｅｃ、電子移動度（μｅ）＝１５〜３００ｃｍ２／ＶＳｅｃが得られる。
　【００２１】
　他方、上記の如き中温でのアニ−ルではなく、９００〜１２００℃の高温アニ−ルにより被膜を多結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害してしまう。結果として１０ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上の移動度がなかなか得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかくの如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリスタル構造を有するシリコン半導体を用いている。
　【００２２】
　この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜５４として５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナトリウムイオンの固定化をさせてもよい。
　【００２３】
　この後、この上側にリンが１〜５×１０２１ｃｍ−３の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とその上にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ），ＭｏＳｉ２またはＷＳｉ２との多層膜を形成した。これを第２のフォトマスク▲２▼にてパタ−ニングして図６（Ｂ）を得た。図６（Ｃ）において、ＮＴＦＴ用のソ−ス２０、ドレイン１８としてリンを１〜５×１０１５ｃｍ−２のドーズ量でゲート電極９をマスクとしてイオン注入法により添加した。また、ゲート電極材料としてアルミニウム（Ａｌ）を用いた場合、これを第２のフォトマスク▲２▼にてパタ−ニング後、その表面を陽極酸化することで、セルファライン工法が適用可能なため、ソース・ドレインのコンタクトホールをよりゲートに近い位置に形成することが出来るため、移動度、スレッシュホールド電圧の低減からさらにＴＦＴの特性を上げることができる。
　【００２４】
　これらはゲイト絶縁膜５４を通じて行った。しかし図６（Ｂ）において、ゲイト電極９をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その後、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよい。
　【００２５】
　次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加熱アニ−ルを行った。ＮＴＦＴのソ−ス２０、ドレイン１８を不純物を活性化してＮ＋として作製した。またゲイト電極９下にはチャネル形成領域２１がセミアモルファス半導体として形成されている。
　【００２６】
　かくすると、セルフアライン方式でありながらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えることがなくＮＴＦＴを作ることができる。そのため、基板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよく、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプロセスである。
　【００２７】
　本実施例では熱アニ−ルは図６（Ａ）、（Ｃ）で２回行った。しかし図６（Ａ）のアニ−ルは求める特性により省略し、双方を図６（Ｃ）のアニ−ルにより兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図６（Ｄ）において、層間絶縁物６５を前記したスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成はＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよい。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形成し、その後、フォトマスク▲３▼を用いて電極用の窓６６を形成した。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法により形成し、リ−ド７１、７２およびコンタクト６７、６８をフォトマスク▲４▼を用いて作製した後、表面を平坦化用の有機樹脂６９例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あけをフォトマスク▲５▼にて行った。
　【００２８】
　図６（Ｇ）に示す如くＴＦＴを形成し、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法によりＩＴＯ（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成した。それをフォトマスク▲６▼によりエッチングし、画素電極１７、画素電極とドレイン電極とのコンタクト７３を構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成就した。
　【００２９】
　かくの如くにしてＮＴＦＴ１３と画素電極である透明導電膜の電極１７とを同一ガラス基板５０上に作製した。得られたＴＦＴの特性は移動度は４０（ｃｍ２／Ｖｓ）、Ｖｔｈは５．０（Ｖ）であった。このようにして、第一の基板を得た。
　【００３０】
　次に第二の基板として、青板ガラス上にスパッタ法を用いて、酸化珪素膜を２０００Å積層した基板上に、やはりスパッタ法によりＩＴＯ（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成した。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成就した。
　【００３１】
　前記基板上に、オフセット法を用いて、ポリイミド前駆体を印刷し、非酸化性雰囲気たとえば窒素中にて３５０℃１時間焼成を行った。その後、公知のラビング法を用いて、ポリイミド表面を改質し、少なくとも初期において、液晶分子を一定方向に配向させる手段を設けて第二の基板とした。
　【００３２】
　その後、前記第一の基板と第二の基板によって、強誘電性を示す液晶組成物を挟持し、周囲をエポキシ性接着剤にて固定した。基板上のリードにＴＡＢ形状の駆動ＩＣを接続し、外側に偏光板を貼り、透過型の液晶表示装置を得た。
　【００３３】
　図１に示す駆動波形を加えた時の画素Ａ、Ｆ、Ｉの表示の様子を図７に示す。明解な階調表示がえられることが分かった。
　【００３４】
『実施例２』
　本実施例では前実施例１と同様の工程によって、第一の基板と第二の基板を得た。ただし、第二の基板上にはポリイミドの配向膜は形成しなかった。また用途としてビデオカメラのビューファインダー用途としたため、画素ピッチは６０μｍとし、縦２００×横３００ドットのマトリクス構成とした。
　【００３５】
　本実施例では、液晶組成物としてアクリル有機樹脂中にネマチック液晶組成物を分散させた分散型液晶表示装置とした。紫外線硬化性を有するエポキシ変成アクリル樹脂中に６２重量％のネマチック液晶を分散させ、第一の基板と第二の基板にて挟持した後に、１０００ｍＷの出力を有するＵＶ光源を２０秒照射によって硬化させた。
　【００３６】
『実施例３』
　階調表示のための時分割数を１６として、各色１６諧調、合計４０９６色の表示が可能な液晶表示装置とした例を示す。そのときの駆動波形を図８に示す。
　【００３７】
　従来、階調表示を行う方法として、複数の書込み（表示フレーム）を用いて、例えば１６フレームを利用して、そのＯＮ／ＯＦＦの割合に応じた階調表示を行う方法が提案されていた。これは、１６フレームの内、８フレームをＯＮ、残り８フレームをＯＦＦとした場合、その平均的な透過率である５０％の透過として、階調表示がなされる。また、１６フレームの内、４フレームがＯＮ、残り１２フレームがＯＦＦの場合、その平均的な透過率である２５％の透過として、階調表示がなされる。しかし、この方法を用いた場合、人間の目が確認不可能なフレームである３０フレームにあたる確認最低フレーム数を割り込む可能性が多きく表示品質を落とす要因となっていた。
　【００３８】
　しかしながら、ドライバーの駆動周波数を上げて階調表示を行う方式では、実質的なフレーム周波数を落とすことなく階調表示が可能になるために、視覚確認周波数を割り込むことなく、表示品質の低下をおこすことが無い、良質な画面を提供することができた。
　【００３９】
　本実施例の階調表示方法を行うのと同時にさらに前記従来の階調方法を同時に行うことによって、従来より階調表示能力を高めることは有用である。本実施例は１つの画素を表示させる際の液晶画素に加わる平均電圧をコントロールする方法であり、この時液晶を完全に応答させる必要がないという特徴を有する。これは従来、図２のＶｂやＶｃの電圧を画素に直接くわえることが困難であったものを画素電極へ加える平均の電圧を変化させることによって、あたかもＶｂやＶｃの電圧を直接加えたのと同じ効果を得られるからである。言い換えれば、本実施例は中途半端に応答する液晶をコントロールする方法である。
　【００４０】
　なお本明細書中においてはＮＴＦＴすなわちＮチャネル型電界効果トランジスタを用いたがＰＴＦＴすなわちＰチャネル型電界効果トランジスタを駆動素子として用いてもよい。
　【００４１】
　【発明の効果】
　図５及び図６（Ｇ）に示したような画素構造の表示装置としたことで、階調表示に必要な中間の電圧が維持され、明確な階調表示と高品位な表示が可能となっている。さらに、段落番号〔００１４〕に記載されたように、薄膜トランジスタの半導体膜にホウ素を１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３の濃度で含ませることで薄膜トランジスタのスレッシュホールド電圧を制御することができるため、所望の電圧を液晶にかけることができる。
　【００４２】
　また、任意の画素に書き込む単位時間ｔと１画面を書き込む時間Ｆで関係される表示タイミングを有する表示駆動方式を用いた表示装置の階調表示を、前記時間Ｆを偏向すること無しに前記時間ｔの書込み時間中の信号を時分割としたことで、デジタル制御された明解な階調表示をえることができ、ＴＦＴの面内特性ばらつきを補償することができた。かつ、複数フレームによる階調表示方法に比べて、表示周波数の低下が生じず、高品位な表示が可能となっている。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明例による駆動波形
　【図２】
　ネマチック液晶の電気光学特性を示す。
　【図３】
　ＮチャネルＴＦＴマトリクス回路図
　【図４】
　従来例の駆動波形
　【図５】
　本実施例によるデバイス平面図
　【図６】
　本実施例の作成工程
　【図７】
　本実施例による表示例
　【図８】
　本実施例による駆動波形
　【符号の説明】
　２２７、２２９、２３１・・・書込み時間における電界変化
　２２８、２３０、２３２・・・非書込み時間において画素電極に加わる電界
　２２５・・・画素に書込みを行う単位時