Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月21日(2015.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＭＯＳトランジスタであって、
シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造であって、
前記ＳＯＩ構造が、上面を有するバルク領域と、前記バルク領域の前記上面に接し、上面と底面とを有する絶縁層と、前記絶縁層の前記上面に接する単結晶半導体領域とを有し、
前記単結晶半導体領域が、前記絶縁層に接する第１の導電型のドープ領域と、前記絶縁層に接する第２の導電型のドリフト領域とを有する、前記ＳＯＩ構造と、
前記絶縁層の前記底面の一部を露出させる、前記バルク領域内のキャビティであって、前記絶縁層の前記底面の前記一部が、前記ドリフト領域の直下に位置する、前記キャビティと、
を含む、ＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項２】
請求項１に記載のＤＭＯＳトランジスタであって、
前記単結晶半導体領域が、前記ドリフト領域に接し且つ前記ドープ領域から離間して位置する前記第２の導電型のドレイン領域と、前記ドープ領域に接し且つ前記ドリフト領域から離間して位置する前記第２の導電型のソース領域とを更に有し、
前記ドリフト領域と前記ソース領域との間に水平に位置し且つそれらに接する前記ドープ領域のチャネル領域を更に含む、ＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項３】
請求項２に記載のＤＭＯＳトランジスタであって、
前記ドープ領域が、
前記絶縁層に接するウェル領域と、
前記ウェル領域より高いドーパント濃度を有し、前記ウェル領域に接し、前記チャネル領域を含む、ボディ領域と、
前記ボディ領域より高いドーパント濃度を有し、前記ボディ領域に接するコンタクト領域と、
を含む、ＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項４】
請求項２に記載のＤＭＯＳトランジスタであって、
前記チャネル領域に接し、その上に位置する非導電層と、
前記非導電層に接し、前記チャネル領域の上に位置するゲートと、
を更に含む、ＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項５】
請求項４に記載のＤＭＯＳトランジスタであって、
前記ドリフト領域が前記ドープ領域に接する、ＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項６】
請求項４に記載のＤＭＯＳトランジスタであって、
前記ドープ領域が前記ドリフト領域と前記絶縁層との間に垂直に位置する、ＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項７】
請求項４に記載のＤＭＯＳトランジスタであって、
前記キャビティが前記ゲートの一部の直下に位置する、ＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項８】
請求項４に記載のＤＭＯＳトランジスタであって、
前記キャビティのいかなる部分も、前記ゲートの任意の部分の直下に位置しない、ＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項９】
請求項８に記載のＤＭＯＳトランジスタであって、
前記ゲートの最も近くに位置する前記キャビティのエッジが、前記キャビティの最も近くに位置する前記ゲートのエッジに一致して位置する垂直ラインから水平に離間する、ＤＭＯＳトランジスタ
【請求項１０】
ＤＭＯＳトランジスタを形成する方法であって、
上面を有するバルク領域と、前記バルク領域の上面に接する絶縁層であって、上面と底面とを有する、前記絶縁層と、前記絶縁層の上面に接する単結晶半導体領域とを含む、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造を提供することと、
前記絶縁層に接する第１導電型のドープボディ領域と、前記絶縁層に接する第２導電型のドリフト領域とを形成することと、
前記単結晶半導体領域の複数の隔離された領域を形成するために、前記単結晶半導体領域を通して前記絶縁層に延びるトレンチ隔離構造を形成することと、
前記単結晶半導体領域の上にパッド酸化物層を堆積することであって、続いて、前記パッド酸化物層の上にシリコン窒化物層を堆積する、前記パッド酸化物層を堆積することと、
前記シリコン窒化物層上に露出された領域を形成するために前記シリコン窒化物層の上面にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記パターニングされたフォトレジスト層をマクスとして用いてハードマスクを形成することであって、前記シリコン窒化物層と前記パッド酸化物層との上の前記露出された領域をエッシングして前記単結晶半導体領域の表面上に露出された領域を結果として形成する、前記ハードマスクを形成することと、
前記単結晶半導体領域と前記絶縁層とを通ずる複数の開口を形成するために前記ハードマスクを用いて前記単結晶半導体領域の表面上の前記露出された領域を選択的にエッチングすることであって、それにより、前記シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造のバルク領域の上面上に対応する複数の領域を露出させ、前記複数の開口が複数の側壁を有する、前記露出された領域を選択的にエッチングすることと、
前記複数の開口の前記複数の側壁に接する複数の側壁スペーサを形成することと、
前記複数の開口の各々の下に位置する単一のキャビティを形成するように、前記複数の開口を介して前記バルク領域をウェットエッチングすることであって、前記単一のキャビティが前記絶縁層の底面の一部を露出し、前記絶縁層のウェットエッチングすることと、
前記複数の開口を覆うが前記複数の開口を充填しないキャップ酸化物層を形成することと、
前記単結晶半導体領域の上面が露出されるまで前記パッド酸化物層と前記キャップ酸化物層の一部を除去するように前記ＳＯＩ構造の上面を平坦化することと、
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記複数の開口を塞ぐ複数の非導電プラグを形成することを更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、
前記ドリフト領域が前記ドープボディ領域に接する、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記キャビティが前記ドリフト領域の全ての直下に位置する、方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、
前記キャビティが前記ドリフト領域の全てより少ない部分の直下に位置する、方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法であって、
前記第２の導電型のソース及びドレイン領域を形成することを更に含み、前記ソース領域が前記ドープ領域に接し且つ前記ドリフト領域から離間し、前記ドレイン領域が前記ドリフト領域に接し且つ前記ドープ領域から離間する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１固定磁性層、第１自由磁性層、及び第２自由磁性層を含む磁気メモリ素子であって、
前記第１固定磁性層は固定磁化方向を有し、膜面に対して垂直方向に磁化される物質から形成された薄膜であり、
前記第１自由磁性層は外部から印加される電流によって磁化方向が変わり、膜面に対して垂直方向に磁化される物質から形成された薄膜であり、
前記第２自由磁性層は外部から印加される電流によって磁化方向が変わり，膜面に対して水平方向に磁化される物質から形成された薄膜であり、
前記第１固定磁性層と第１自由磁性層との間及び第１自由磁性層と第２自由磁性層との間には各々第１非磁性層及び第２非磁性層を含むことを特徴とする磁気メモリ素子。
【請求項２】
前記磁気メモリ素子は第２固定磁性層をさらに含み、前記第２自由磁性層と第２固定磁性層との間には第３非磁性層をさらに含み、
前記第２固定磁性層は前記第１固定磁性層と反対になる固定磁化方向を有し、膜面に対して垂直方向に磁化される物質から形成された薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項３】
前記水平方向に磁化される物質の飽和磁化値は３００−２０００ｋＡ／ｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項４】
前記第１固定磁性層及び第２固定磁性層全て又はこの中でいずれか１つは反強磁性層、第１磁性層、非磁性層、及び第２磁性層から形成された交換バイアスされた反磁性体構造素子であって、
前記反強磁性層はＩｒ、Ｐｔ、Ｍｎ、及びこれらの混合物の中から選択された物質から形成され、
前記第１磁性層及び第２磁性層は各々独立的にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びこれらの混合物の中から選択された物質から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項５】
前記第１磁性層及び第２磁性層の中の少なくとも１つ以上はＸ層及びＹ層から形成された２重層がｎ個積層されて形成された多層薄膜（ｎ≧１）であり、前記Ｘ層及びＹ層は各々独立的にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びこれらの混合物の中から選択された物質から形成されたことを特徴とする請求項４に記載の磁気メモリ素子。
【請求項６】
前記第１自由磁性層はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びこれらの混合物の中から選択された物質から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項７】
前記第１自由磁性層はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びこれらの混合物の中から選択される物質から形成された層と、Ｘ層及びＹ層から形成された２重層がｎ個積層されて形成された層（ｎ≧１）と、から形成された多層薄膜であり、前記Ｘ層及びＹ層は各々独立的にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｐｔ、及びＰｄの中から選択された物質から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項８】
前記第１非磁性層、第２非磁性層、及び第３非磁性層は互いに異なる物質から形成され、各々独立的にＲｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ａｕ、Ａｇ、ＡｌＯｘ、ＭｇＯ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ、及びこれらの混合物の中から選択された物質から形成されることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項９】
前記第１非磁性層、第２非磁性層、及び第３非磁性層は前記第１固定磁性層、第１自由磁性層、第２自由磁性層、及び第２固定磁性層より電気伝導度が高いことを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項１０】
前記第１非磁性層、第２非磁性層、及び第３非磁性層は前記第１固定磁性層、第１自由磁性層、第２自由磁性層、及び第２固定磁性層より電気伝導度が低いことを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、該第１の面から離れた第２の面とを有し、熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃よりも小さい基板と、
前記第１の面と前記第２の面とを結ぶ方向に延在する開口部と、
前記開口部内に延在している導電性ビアであって、それぞれが、第１の金属とは異なる第２の金属の層で略被覆され、前記第１の金属でできた第１の金属領域を有する複数の基材粒子を含んでおり、前記基材粒子同士は冶金接合されており、前記粒子の前記第２の金属層は、前記第１の金属領域内に少なくとも部分的に拡散し、該導電性ビアは前記接合された基材粒子同士の間に散在する空隙を有し、該空隙は、該導電性ビアの体積の１０％以上を占める、導電性ビアと
を含んでなるコンポーネント。
【請求項２】
前記接合された基材粒子同士の間に散在し、前記導電性ビアの体積の１０％以上を占める前記空隙は、空気で充填されている、請求項１に記載のコンポーネント。
【請求項３】
それぞれの前記基材粒子は、前記第１の金属領域と前記第２の金属層との間のバリア層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接合された基材粒子同士の間に散在し前記開口部内で前記第１の面及び前記第２の面のうちの少なくとも一方から少なくとも貫入深さまで延在するポリマー媒体を更に含む、請求項１に記載のコンポーネント。
【請求項５】
前記接合された基材粒子同士の間に散在し前記開口部内で前記第１の面及び前記第２の面のうちの少なくとも一方から少なくとも貫入深さまで延在するはんだを更に含む、請求項１に記載のコンポーネント。
【請求項６】
前記導電性ビアは、導電性パッドと電気的に接続された前記基板内の第２の導電性ビアに接続しており、前記第２のビアは不純物をドープされた半導体材料を含む、請求項１に記載のコンポーネント。
【請求項７】
前記第２の金属層のうちの少なくともいくつかの部分は、溶融温度が前記第１の金属領域よりも低い、請求項１に記載のコンポーネント。
【請求項８】
前記導電性ビアのヤング率は、最大で前記ビアに含まれる前記金属のヤング率の５０％である、請求項１に記載のコンポーネント。
【請求項９】
前記基材粒子のうちの少なくともいくつかは、前記第１の金属領域に囲まれた非金属の核領域を更に有する、請求項１に記載のコンポーネント。
【請求項１０】
それぞれの前記基材粒子の前記第１の金属領域は、厚さが前記基材粒子の前記第２の金属層の厚さよりも厚い、請求項９に記載のコンポーネント。
【請求項１１】
コンポーネントを製造する方法であって、
第１の面と、該第１の面から離れた第２の面とを有する基板を準備するステップであって、該基板は熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃よりも小さく、該基板は前記第１の面から前記第２の面に向かって延在する開口部を有する、準備するステップと、
前記開口部内に複数の基材粒子を堆積させるステップであって、それぞれの基材粒子は、第１の金属領域と、該第１の金属領域を被覆する第２の金属層とを含み、該第２の金属層は融点が４００℃よりも低く、前記第１の金属領域は融点が５００℃以上である、堆積させるステップと、
それぞれの前記第２の金属層が前記基材粒子を溶融して互いと一体にして前記開口部内に延在する連続的な導電性ビアを形成するように、前記基材粒子を加熱するステップであって、前記導電性ビアは、前記接合された基材粒子同士の間に散在する空隙を有し、該空隙は前記導電性ビアの体積の１０％以上を占める、加熱するステップと
を含んでなる、コンポーネントを製造する方法。
【請求項１２】
前記接合された基材粒子同士の間に散在し、前記導電性ビアの体積の１０％以上を占める前記空隙は、空気で充填されている、請求項１１に記載のコンポーネント。
【請求項１３】
それぞれの前記基材粒子は、前記第１の金属領域と前記第２の金属層との間のバリア層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基材粒子は液体キャリア材料内に設けられており、前記液体キャリア材料は流動性の成分を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の金属層は前記第１の金属領域を被覆するバイメタル層であり、前記加熱するステップは、前記基材粒子を転移液相反応温度まで加熱し、それぞれの前記バイメタル層は前記第１の金属領域の回りで低融点共晶を形成する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体視野（４）を像視野（８）に結像するための結像光学ユニット（７；１７；２８；５０；５３；５６；５９）であって、
前記物体視野（４）と前記像視野（８）の間の結像ビーム経路（２７；ＡＳ）が、複数の部分結像ビーム経路（２２，２３；ＴＡＳ）に再分割され、
結像光学ユニット（７；１７；２８；５０；５３；５６；５９）は、前記部分結像ビーム経路（２２，２３；ＴＡＳ）が、互いから完全に分離される方式、及び結像光学ユニット（７；１７；２８；５０；５３；５６；５９）の光学構成要素（１８，１９；Ｍ１からＭ６；ＧＩ，Ｍ１からＭ６）によって誘導される方式で前記物体視野（４）と前記像視野（８）の間で延びるように、すなわち、該物体視野（４）と該像視野（８）の間の前記ビーム経路内のいかなる場所においても、該部分結像ビーム経路（２２，２３，ＴＡＳ）が、結像光学ユニット（７；１７；２８；５０；５３；５６；５９）のビーム誘導面（２０）の同一領域上に当たらないように具現化される、
ことを特徴とする結像光学ユニット。
【請求項２】
前記部分結像ビーム経路（２２，２３；ＴＡＳ）を誘導する部分光学ユニット（２９，３０；５１，５２；５４，５５；５７，５８）の少なくとも２つの互いに分離された部分瞳（３３から３６；４１から４９）を特徴とする請求項１に記載の結像光学ユニット。
【請求項３】
前記部分結像ビーム経路（ＴＡＳ）を誘導する結像光学ユニットの前記部分光学ユニット（２９，３０；５１，５２；５４，５５；５７，５８）の前記部分瞳（３３から３６；４１から４９）は、前記瞳（３２；４０）と垂直に延びる中心光軸（ｏＡ）に関する多重対称性を伴って結像光学ユニットの瞳（３２；４０）に配置されることを特徴とする請求項１及び請求項２に記載の結像光学ユニット。
【請求項４】
前記部分光学ユニット（２９，３０；５１，５２；５４，５５；５７，５８）は、前記光軸（ｏＡ）に関する多重対称性を伴って配置されることを特徴とする請求項３に記載の結像光学ユニット。
【請求項５】
結像光学ユニットの前記光学構成要素（１８，１９；Ｍ１からＭ６）は、前記光軸（ｏＡ）が延びる鏡面対称平面（ＳＥ）に関する鏡像反転によって互いに移行を行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の結像光学ユニット。
【請求項６】
２つの部分光学ユニット（１８，１９；２９，３０；５１，５２）の前記光学構成要素（１８，１９；Ｍ１からＭ６）の各々が、前記光軸（ｏＡ）が延びる半空間分離平面（ＨＴ）によって互いから分離された２つの半空間（３８，３９）の一方にそれぞれ完全に配置されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の結像光学ユニット。
【請求項７】
前記部分光学ユニット（５３，５４；５７，５８）のうちの少なくとも１つの前記光学構成要素（ＭｌからＭ６；ＧＩ，ＭｌからＭ６）は、前記半空間分離平面（ＨＴ）によって互いから分離された両方の半空間（３８，３９）に分散方式で配置されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の結像光学ユニット。
【請求項８】
前記物体側において、結像光学ユニット（５６）の少なくとも２つの部分光学ユニット（５７，５８）の前記部分結像ビーム経路（ＴＡＳ）は、
中心物体視野点から進み、
半空間分離平面（ＨＴ）と垂直に拡がる子午平面（ｙｚ）内で進み、
同じ半空間（３８）内で進む、
主光線（ＨＳ１，ＨＳ２）を有する、
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の結像光学ユニット。
【請求項９】
前記部分光学ユニット（２９，３０；５１，５２；５４，５５；５７，５８）の少なくとも１つが、０．２の像側開口数を有することを特徴とする請求項２から請求項８のいずれか１項に記載の結像光学ユニット。
【請求項１０】
反射光学ユニットとして具現化されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の結像光学ユニット。
【請求項１１】
前記光学構成要素（６０）の少なくとも１つが、モノリシックな方式で具現化され、かつそれぞれの部分結像ビーム経路（ＴＡＳ）を誘導するための少なくとも２つの互いに分離されたビーム誘導領域（６１，６２）を有することを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の結像光学ユニット。
【請求項１２】
物体視野（４）を照明するための照明光学ユニット（６）を含み、
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の結像光学ユニットを含む、
ことを特徴とする光学系。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光学系を含み、
光源（２）を含み、
物体ホルダ（１１）を含み、
像ホルダ（１３）を含む、
ことを特徴とする投影露光装置（１）。
【請求項１４】
パターン付き構成要素を生成する方法であって、
レチクル（１０）及びウェーハ（１２）を与える段階と、
請求項１３に記載の投影露光装置を用いて前記レチクル（１０）上の構造を前記ウェーハ（１２）の感光層上に投影する段階と、
前記ウェーハ（１２）上に微細又はナノ構造を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月29日(2015.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構築積層物を形成するよう複数の層を構築するための付加的構築方法であって、
構築積層物を設けるために、連続して重なる層に堆積されるよう、帯電した粒子を転写媒体に供給するステップと、
連続的に重なる層の帯電粒子の層のうちの１つを基板上に堆積させて第１の層を設けるステップと、
第１の層上に次に堆積される層のうち第２の層のために第１の層の残留電荷を低減させるステップと、
帯電粒子の層のうち第２の層を転写媒体から第１の層上に堆積させるステップとを含み、
第１の層の残留電荷を低減させるために電磁波またはイオン化放射が用いられる、方法。
【請求項２】
堆積された層を熱源を用いて溶融するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の層が熱に対して粘着性質を有する場合に圧力の印加により転写媒体から第２の層を第１の層上に堆積させるステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
各層を堆積するステップは、
均一に分散された静電荷を転写媒体の表面上に形成するステップと、
調光とともに表面上に均一な電荷を当てることにより潜像を作成するステップと、
可視画像を形成するために転写媒体の表面に粒子が引寄せられるように、潜像を有する転写媒体に静電荷粒子を施すステップと、
基板または予め堆積された層上に層として可視画像を堆積するステップと、
堆積された層の残留電荷を低減するために電磁波またはイオン化放射を用いるステップとを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
層への堆積材料は、磁気トナー、非磁気トナー、ポリマー、セラミック、半導電性材料、カプセルに包まれた導電性材料、有機材料、導電性材料、および無機的材料からなる群から選択される材料のうち１つ以上を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
構築積層物を形成するよう複数の層を構築するための付加的構築装置であって、
構築積層物を設けるために、連続して重なる層に堆積されるよう、帯電した粒子を供給するよう構成される転写媒体と、
第１の層上に次に堆積される層のうち第２の層に対する、堆積させた層のうち第１の層の残留電荷を低減させるための手段とを含み、
残留電荷を低減させるための手段は電磁波源またはイオン化放射源を含む、装置。
【請求項７】
構築積層物を設けるために、連続して重なる層に堆積されるよう、帯電した粒子を供給するよう構成される転写媒体と、
第１の層上に次に堆積される層のうち第２の層に対する、堆積させた層のうち第１の層の残留電荷を低減させるための手段とを含み、
残留電荷を低減させるための手段は電磁波源またはイオン化放射源を含み、
転写された堆積材料を自由面に溶融させるための溶融手段をさらに含む、システム。
【請求項８】
溶融手段は、固着化学剤、仮接着剤または永久接着剤、超音波凝固、架橋および／または印加圧力から選択される群のうち１つ以上である、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
溶融手段は熱源である、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
転写媒体は転写ローラである、請求項６から９のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
各層の堆積を支援するための構築積層物の表面に圧力を印加するために転写媒体が配列される、請求項６，７，８，１０のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】
各層の堆積を支援するための構築積層物の表面に圧力を印加するために転写媒体が配列される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
第１の層が熱に対して粘着性質を有する場合に圧力の印加により第１の層上に第２の層が堆積されるように熱源および転写媒体が配列される、請求項１２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月13日(2015.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５５】
本明細書に引用したすべての参照文献及び刊行物は、本開示と直接矛盾し得る場合を除いて、それらの全容を参考として本開示に明確に援用するものである。以上、本明細書において特定の実施形態について図示及び説明してきたが、当業者であれば、本開示の範囲から逸脱することなく、様々な代替的及び／又は同等の実施形態を、図示及び説明した特定の実施形態に置き換えることが可能である点は認識されるであろう。本出願は、本明細書において考察した特定の実施形態のあらゆる適合形態又は変形形態を網羅するものである。したがって、本開示は、特許請求の範囲によってのみ限定されるものとする。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［２０］に記載する。
[１]
光制御フィルムであって、
第１の主表面及び反対側の第２の主表面と、
前記第１の主表面と前記第２の主表面との間に延在する光吸収材料と、
前記第１の主表面と前記第２の主表面との間に少なくとも部分的に延在する複数の光学的に絶縁された光透過性空洞と、を備え、
前記複数の空洞のそれぞれが、前記第１の主表面と一致する第１の開口と、前記第２の主表面に隣接する第２の開口と、前記第１の開口及び前記第２の開口の間に延在する少なくとも１つの側壁と、を備え、
更に、前記第２の開口及び前記第２の主表面が、０．１マイクロメートルを超えるランド厚さを有する前記光吸収材料によって分離される、光制御フィルム。
[２]
前記第１の主表面に平行な前記空洞のそれぞれの断面が、円形、楕円形、又は多角形を含む、項目１に記載の光制御フィルム。
[３]
前記側壁が、約０度〜約１０度の角度で前記第１の主表面に対する垂線に交差する、項目１に記載の光制御フィルム。
[４]
前記複数の光学的に絶縁された光透過性空洞のそれぞれが、前記第１の主表面に直交する視野平面と関連付けられる、前記第１の開口と前記第２の開口との間の深さＤ、第１の開口幅Ｗ１、及び第２の開口幅Ｗ２を有し、前記視野平面において、Ｄ／（（Ｗ１＋Ｗ２）／２）が、少なくとも１．２５であり、Ｄ／（（Ｗ１＋Ｗ２）／２）が、８．２５以下である、項目１に記載の光制御フィルム。
[５]
前記ランド厚さが、０．１マイクロメートル〜約１０マイクロメートルである、項目１に記載の光制御フィルム。
[６]
前記第１の主表面及び前記第２の主表面のうちの少なくとも１つに隣接して配設される光学的に透過性のフィルムを更に備える、項目１に記載の光制御フィルム。
[７]
前記光学的に透過性のフィルムは、接着材を更に備える、項目６に記載の光制御フィルム。
[８]
それぞれの空洞が、光学的に透明な材料で充填される、項目１に記載の光制御フィルム。
[９]
前記光学的に透明な材料が、空気、透明ポリマー、又は透明接着材を含む、項目８に記載の光制御フィルム。
[１０]
前記光学的に透明な材料が、前記吸収材料の屈折率より低い屈折率を有する、項目８に記載の光制御フィルム。
[１１]
前記光吸収材料が、硬化性樹脂及び着色剤を含む、項目１に記載の光制御フィルム。
[１２]
前記硬化性樹脂が、放射線硬化性樹脂を含む、項目１１に記載の光制御フィルム。
[１３]
前記硬化性樹脂が、エポキシ、ポリエステル、ポリエーテル、及びウレタンから誘導されるアクリル系樹脂、エチレン系不飽和化合物、少なくとも１つのペンダントアクリレート基を有するアミノプラスト誘導体、イソシアネート及びポリオール（又はポリアミン）から誘導されるポリウレタン（ポリ尿素）、少なくとも１つのペンダントアクリレート基を有するイソシアネート誘導体、アクリル化エポキシ以外のエポキシ樹脂、並びにこれらの混合物及び組み合わせからなる群から選択される、項目１１に記載の光制御フィルム。
[１４]
前記着色剤が、顔料又は染料を含む、項目１１に記載の光制御フィルム。
[１５]
前記着色剤が、カーボンブラック、フクシン、カルバゾールバイオレット、又はＦｏｒｏｎブリリアントブルーを含む、項目１１に記載の光制御フィルム。
[１６]
前記側壁が、コーティングを更に含む、項目１に記載の光制御フィルム。
[１７]
前記コーティングが、反射材料を含む、項目１６に記載の光制御フィルム。
[１８]
前記光学的に透過性のフィルムが、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、及び線状低密度ポリエチレンのうちの少なくとも１つを含む、項目６に記載の光制御フィルム。
[１９]
項目１に記載の光制御フィルムを備える表示デバイス。
[２０]
項目１に記載の光制御フィルムを備える窓フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光制御フィルムであって、
第１の主表面及び反対側の第２の主表面と、
前記第１の主表面と前記第２の主表面との間に延在する光吸収材料と、
前記第１の主表面と前記第２の主表面との間に少なくとも部分的に延在する複数の光学的に絶縁された光透過性空洞と、を備え、
前記複数の空洞のそれぞれが、前記第１の主表面と一致する第１の開口と、前記第２の主表面に隣接する第２の開口と、前記第１の開口及び前記第２の開口の間に延在する少なくとも１つの側壁と、を備え、
更に、前記第２の開口及び前記第２の主表面が、０．１マイクロメートルを超えるランド厚さを有する前記光吸収材料によって分離される、光制御フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の：
−車両の前方周辺部を捉えるカメラを用いて画像シーケンスの撮影する、
−画像シーケンスから、前方を走行中の車両の後方ランプ類を割出し、トラッキング（追跡）する、
−トラッキングされた後方ランプ類の位置と動きを分析し、この分析から周辺情報を演繹する、
ステップを包含する前方を走行中の車両の後方ランプ類を認識することによる周辺情報の演繹方法。
【請求項２】
該周辺情報として、少なくとも、可能性のある車線の推移が、トラッキングされた後方ランプ類から演繹されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前方を走行中の車両の認識されたリヤフォグランプから、霧又は非常に悪い視界が演繹されて、この認識されたリヤフォグランプの動きから推定された来たるべき車線の位置が車両の左右方向へのガイダンスのサポートに用いられることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
付加的に、トラッキングされた後方ランプ類の数を分析し、周辺情報として、少なくとも、前方を走行中の車両の密度、及び／或いは、数珠つなぎの車列が、トラッキングされた後方ランプ類から演繹されることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
付加的に、トラッキングされた赤色の後方ランプ類の輝度が分析され、この分析から、前方を走行中の車両のブレーキ作動、及び／或いは、霧が、周辺情報として演繹されることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
数珠つなぎの車列が認識されている状況において、トラッキングされた後方ランプ類の突然な輝度の上昇が、頻繁に起こる場合、集団的ブレーキング・フェースが演繹されることを特徴とする請求項４あるいは５に記載の方法。
【請求項７】
トラッキングされた後方ランプ類の左右方向への動きからカーブ、或いは、車線の分岐が割出されることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
トラッキングされた後方ランプ類の水平方向への動きから路面の起伏、上り坂や下り坂が割出されることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
画像シーケンスからの後方ランプ類の認識が、自動ライト制御やハイビーム・アシスタント・システムの方法に採用されることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
以下：
−車両前方の周辺部を捉え、画像シーケンスを撮影するカメラ、
−画像シーケンスから、前方を走行中の車両の後方ランプ類を演繹し、トラッキング（追跡）するための第一処理手段、
−トラッキングされた後方ランプ類の位置と動きを分析し、この分析から周辺情報を演繹するための第二処理手段、
−これを介して周辺情報が転送されるデータ転送ユニット、
を包含することを特徴とする前方を走行中の車両の後方ランプ類を認識することによって周辺情報を演繹する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体サンプル中のヒト血小板因子４（ＰＦ４）／ヘパリン抗体の存在を検出するデバイスにおいて、固体サポートに固定したＰＦ４／ポリアニオン複合体と、非粒子状蛍光染料でラベル化した抗ヒト抗体とを側方流動フォーマットで具え、前記ラベル化した抗ヒト抗体が前記固定したＰＦ４／ポリアニオン複合体の上流側で前記固体サポートに放出可能に取り付けられていることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスにおいて、前記固体サポートがテストストリップであることを特徴とするデバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のデバイスにおいて、前記ポリアニオンが、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアネトールスルホン酸、ポリビニルリン酸塩、ポリビニルホスホン酸塩、ポリビニル硫酸塩、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とするデバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のデバイスにおいて、前記テストストリップが：
ａ）コンジュゲートパッドであって：
（ｉ）抗ヒト抗体を含むコンジュゲートゾーンと；
（ｉｉ）流体サンプルを受けるように構成され、前記コンジュゲートゾーンの下流側に配置されているサンプルゾーンと；
（ｉｉｉ）サンプルバッファを受けるように構成され、前記コンジュゲートゾーンと前記サンプルゾーンの近くに配置されているサンプルバッファゾーンと；
を具えるコンジュゲートパッドと；
ｂ）前記コンジュゲートパッドの下流側に配置され、当該コンジュゲートパッドと流体連通している多孔膜であって：
（ｉ）その上に固定化したＰＦ４／ポリアニオン複合体を含む検出ゾーンと；
（ｉｉ）その上に固定化した捕捉試薬を含み、前記ラベル化した抗ヒト抗体に結合するように構成された、前記検出ゾーンの下流側に配置されている制御ゾーンと；
を具える多孔膜と；
を具えることを特徴とするデバイス。
【請求項５】
請求項４に記載のデバイスにおいて、前記コンジュゲートパッドが更に、コンジュゲートバッファを受けるように構成されたコンジュゲートバッファゾーンを具え、前記第２バッファゾーンが前記コンジュゲートバッファゾーンの上流側に配置されていることを特徴とするデバイス。
【請求項６】
請求項４に記載のデバイスにおいて、前記テストストリップが更に、コンジュゲートバッファを受けるように構成したコンジュゲートバッファゾーンを含む湿パッドを具え、当該湿パッドが前記コンジュゲートパッドの上流側に、前記コンジュゲートパッドと流体連通して配置されていることを特徴とするデバイス。
【請求項７】
請求項４に記載のデバイスにおいて、前記テストストリップが更に、前記多孔膜と流体連通する芯材パッドを具えており、前記膜が前記コンジュゲートパッドと前記芯材パッドの中間に配置されていることを特徴とするデバイス。
【請求項８】
請求項４に記載のデバイスにおいて、前記テストストリップが更に、前記多孔膜と流体連通する芯材パッドを具えており、前記膜が前記コンジュゲートパッドと前記芯材パッドの中間に配置されていることを特徴とするデバイス。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のデバイスにおいて、前記非粒子状蛍光ラベルがアミン反応性染料であることを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載のデバイスにおいて、前記アミン染料が、ＤｙＬｉｇｈｔ（商標）、Ａｌｅｘａ  Ｆｌｕｏｒ（登録商標）、ＨｉＬｙｔｅ  Ｆｌｕｏｒ（商標）、ＣｙＤｙｅ（商標）、Ｃｙ（登録商標）、ＣＦ（商標）、ＩＲＤｙｅ（登録商標）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とするデバイス。
【請求項１１】
流体サンプル中のヒト血小板因子４（ＰＦ４）／ヘパリン抗体の存在を検出する方法において：
ａ）請求項１乃至９のいずれか１項に係る側方流動アッセイデバイスを取得するステップと；
ｂ）ＰＦ４／ヘパリン抗体を含む又は含むと考えられるサンプルをサンプルゾーンに接触させるステップと；
ｃ）ＰＦ４／ヘパリン抗体がサンプル中に存在する場合はこれを検出ゾーンに運んで、固定化したＰＦ４／ポリアニオン複合体に結合させ、これによって、前記ＰＦ４／ヘパリン抗体を前記検出ゾーンに固定化するステップと；
ｄ）ステップｃ）に続いて、非粒子状蛍光染料でラベル化した抗ヒト抗体を運んで、固定化したＰＦ４／ヘパリン抗体に結合させ、これによって、前記ラベル化した抗ヒト抗体を検出ゾーン中に固定化するステップと；
ｅ）結合していないラベル化した抗ヒト抗体を制御ゾーンに運んで、固定化した捕捉試薬と結合させ、これによって、ラベル化した抗ヒト抗体を制御ゾーン中に固定化するステップと；
ｆ）検出ゾーンと制御ゾーン中の非粒子状蛍光ラベルからの蛍光を評価するステップであって、前記両ゾーン中の蛍光の存在が、サンプル中のＰＦ４／ヘパリン抗体の存在を表示するステップと；
を具えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
流体サンプル中のヒト血小板因子４（ＰＦ４）／ヘパリン抗体の存在を検出する方法において、固体サポートに固定されたＰＦ４／ポリアニオン複合体、ＰＦ４／ヘパリン抗体、及び非粒状蛍光染料でラベル化した抗ヒト抗体を含むサンドイッチ複合体を側方流動フォーマットで形成するステップを具えることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、前記ラベル化した抗ヒト抗体が、前記ＰＦ４／ヘパリン抗体が前記固定化したＰＦ４／ポリアニオン複合体に結合した後、前記ＰＦ４／ヘパリン抗体と接触することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の方法において、前記非粒子状蛍光ラベルがアミン反応性染料であることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載のデバイスにおいて、前記アミン染料が、ＤｙＬｉｇｈｔ（商標）、Ａｌｅｘａ  Ｆｌｕｏｒ（登録商標）、ＨｉＬｙｔｅ  Ｆｌｕｏｒ（商標）、ＣｙＤｙｅ（商標）、Ｃｙ（登録商標）、ＣＦ（商標）、ＩＲＤｙｅ（登録商標）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月27日(2015.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバを有する車両要求管理システムであって、
前記サーバは、
第１の装置及び車両に関連付けられた第２の装置と通信するように構成され、前記第１の装置から第１の場所を含む車両要求を受信するように更に構成され且つ前記第１の装置又は前記第２の装置から第２の場所を受信するように更に構成された通信手段と、
地図が範囲に含む地理的領域内の通行可能な経路の区分を表す複数の通行可能な区分を有するデジタル地図データを備えるデータ格納手段と、
前記デジタル地図データを使用して、前記第２の装置に関連付けられた前記車両により移動される前記受信した第１の場所と前記受信した第２の場所との間の経路を計算するように構成された処理手段とを備え、
前記通信手段は前記第２の装置の位置に関する位置データを経時的に受信するように更に構成され、前記処理手段は、前記受信した位置データと、前記第１の場所と前記第２の場所との間の前記計算された経路とを比較し、且つ前記車両が前記計算された経路から逸脱するかを判定するように構成されることを特徴とする車両要求管理システム。
【請求項２】
前記第１の装置は前記装置の現在の地理的位置を判定するように構成された場所判定手段を有する移動装置を含み、前記第１の場所は前記第１の装置の前記現在の地理的位置を含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記第１の装置は前記サーバに格納された関連付けられた場所を有し、前記第１の場所は前記関連付けられた場所に対応することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記第１の場所は乗車場所を含み、前記第２の場所は降車場所又は前記第２の装置の現在の地理的位置を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項５】
前記第２の装置は、前記車両内に配置可能であり且つ前記車両により移動される前記第１の場所と前記第２の場所との間の経路を計算するように構成されたナビゲーション装置を含み、前記経路は前記サーバにおいて計算される前記経路とほぼ同一であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項６】
前記車両要求は、所望の乗車時刻を示すデータ、少なくとも１つの車両の好み、少なくとも１つの運転者の好み及び乗車人数を示すデータのうちの１つ以上を更に含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
前記通信手段は、オプションとして前記第１の装置上で表示するために、前記計算された経路の少なくとも一部分を示すデータ及び前記受信した位置データを前記第１の装置へ送信するように構成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項８】
前記車両が前記計算された経路から外れたと判定される場合、前記処理手段は、実際の移動時間及び／又は距離と前記計算された経路に関連する推定された移動時間及び／又は距離とを比較し且つ前記実際の移動時間及び／又は距離が前記推定された移動時間及び／又は距離より長いと前記比較が示す場合に運転者の評価を低下させるように更に構成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記処理手段は、前記計算された経路に関連するデータ及び前記受信した位置データを使用して、前記第１の場所及び前記第２の場所の少なくとも一方に対する前記車両の到着及び／又は前記車両の出発を判定して、前記第１の装置及び前記第２の装置の少なくとも一方へ送信するように構成されることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
第１の装置と車両に関連付けられた第２の装置との間でサーバにおいて車両要求を管理する方法であって、
前記サーバにおいて前記第１の装置から第１の場所を含む車両要求を受信することと、
前記サーバにおいて前記第１の装置又は前記第２の装置から第２の場所を受信することと、
地図が範囲に含む地理的領域内の通行可能な経路の区分を表す複数の通行可能な区分を有する前記サーバに格納されたデジタル地図データを使用して、前記第２の装置に関連付けられた前記車両により移動される前記受信した第１の場所と前記受信した第２の場所との間の経路を計算することと、
前記サーバにおいて前記第２の装置の位置に関する位置データを経時的に受信することと、
前記受信した位置データと、前記第１の場所と前記第２の場所との間の前記計算された経路とを比較することと、
前記車両が前記計算された経路から逸脱するかを判定することと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法を実行するために実行可能なコンピュータ可読命令を備えることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的にコンピューティングデバイスにより実施される方法であって、
一または複数のアプリケーションと関連するアイコンの第１のパネルを表示するステップと、
前記一または複数のアプリケーションの一アプリケーションに対する更新を受信するステップと、
前記アプリケーションに対する更新に基づいて、前記一アプリケーションに対する更新の表示を表示する前記アイコンの第２のパネルが表示されるまで、前記アイコンを３次元で回転しているように表示する、前記回転は前記アプリケーションが更新されるのに応じて自動的に起こる、ステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記一アプリケーションに対する更新の表示は、前記一アプリケーションにより受信された情報を含み、
前記一アプリケーションにより受信された情報は、テキスト情報、動くグラフィックス情報、または写真画像情報を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記一アプリケーションは第１のアプリケーションであり、
前記方法は、さらに、
前記一または複数のアプリケーションのうちの、前記アイコンの第１のパネルに関連する第２のアプリケーションに対する更新を受信するステップと、
前記アイコンの前記第１のパネルにアサインされたプライオリティに基づき、前記第２のアプリケーションに対する更新の表示を含む前記アイコンの第１のパネルが表示されるまで、前記アイコンを３次元で回転するように表示するステップとを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
所定時間後に、かつ前記アイコンの第２のパネルが表示された後に、前記アイコンの第１のパネルが再び表示されるまで、前記アイコンを３次元で回転するように表示するステップをさらに有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記一アプリケーションを、前記アイコンの第１のパネルまたは前記アイコンの第２のパネルにアサインするステップをさらに有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アイコンは立方体型アイコンであり、第１の面として前記第１のパネルを有し、第２の面として前記第２のパネルを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アイコンは円筒型アイコンであり、第１の面セグメントとして前記第１のパネルを有し、第２の面セグメントとして前記第２のパネルを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アイコンはタイル型アイコンであり、第１の面に前記第１のパネルを有し、第２の面に前記第２のパネルを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
プロセッサとメモリとを有するコンピューティングデバイスであって、前記メモリは、前記プロセッサにより実行されると前記コンピューティングデバイスに方法を実行させるコンピュータ実行可能命令を記憶し、
前記方法は、
一または複数のアプリケーションと関連するアイコンのパネルを表示するステップと、
前記一または複数のアプリケーションの一アプリケーションに対する更新を受信するステップと、
前記アプリケーションに対する更新に基づいて、前記一アプリケーションに対する更新の表示を含む前記アイコンの第２のパネルを見せる、前記アイコンの３次元回転を表示する、前記アイコンの３次元回転は前記更新後に自動的におこる、ステップとを有する、
コンピューティングデバイス。
【請求項１０】
コンピュータに、
第１のアプリケーションをアイコンの第１のパネルにアサインするステップと、
前記アイコンの第１のパネルにプライオリティをアサインするステップと、
前記アイコンの第１のパネルを表示するステップと、
前記アイコンの第２のパネルにアサインされた第２のアプリケーションに対する更新を受信するステップと、
前記第２のアプリケーションに対する更新に基づいて、前記アイコンを自動的に３次元で回転して、前記第２のパネルを表示する、前記第２のパネルは前記第２のアプリケーションに対する更新の表示を含むステップと、
前記第１のアプリケーションに対する更新を受信するステップと、
前記第１のパネルにアサインされたプライオリティに基づき、前記アイコンを３次元で回転して、前記第１のパネルを表示する、前記第１のパネルは前記第１のアプリケーションに対する更新の表示を含むステップと、
前記第１のパネルに関連するユーザインターラクションに応じて、前記第１のアプリケーションを起動するステップとを実行させる、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月1日(2015.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔の位置が検出される画像処理方法において、
場面の測定値から３Ｄの表面モデルを得るステップ、
前記３Ｄの表面モデルから角度データの２Ｄ画像を生成するステップであり、前記２Ｄデータは角度データを表し、前記２Ｄ画像における夫々の像点に対する前記角度データは、仮想の照明方向から得られる入射方向と、前記像点において前記２Ｄ画像で見られる、３Ｄ表面上の点における当該３Ｄ表面の法線との間の角度に依存して選択されている、前記生成するステップ、及び
前記２Ｄ画像に２Ｄの顔の位置アルゴリズムを適用するステップ、
を有する方法。
【請求項２】
夫々の仮想の照明方向に対する前記角度データを夫々表す複数の夫々の２Ｄ画像を前記３Ｄの表面モデルから生成するステップ、
前記夫々の２Ｄ画像に前記２Ｄの顔の位置アルゴリズムを適用するステップ、及び
前記夫々の２Ｄ画像から検出される顔の位置を結合するステップ、
を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記夫々の仮想の照明方向に対し、同じ視方向に対する複数の前記夫々の２Ｄ画像を生成するステップを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
異なる視方向から、夫々複数の前記夫々の２Ｄ画像を生成するステップであり、前記夫々複数とは複数の互いに異なる夫々の仮想の照明方向に対する夫々の２Ｄ画像を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の夫々の２Ｄ画像に対する平均的な検出される２Ｄの位置を決めるステップ、及び前記３Ｄの表面モデルに従って、前記平均的な検出される２Ｄの位置と関連付けられる３Ｄ表面の位置を決めるステップ、を有する請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記２Ｄの顔の位置アルゴリズムを適用するステップは、
前記画像の夫々の範囲にわたり複数の前記角度の合計を決めるステップ、
前記合計をしきい値と比較するステップ、及び
前記比較の結果を結合するステップ
を有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
夫々の検出される２Ｄの顔の位置と関連付けられる夫々の３Ｄ表面の位置を、前記３Ｄの表面モデルに従って決めるステップ、及び前記夫々の３Ｄ表面の位置の平均を決めるステップ、を有する請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記３Ｄの表面モデルは、前記場面から入力される光からなる１つ以上の他の２Ｄ画像からの情報を用いて得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
構造化光を用いて前記場面を照明するステップを有する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記夫々の２Ｄ画像は、前記場面から入力される光からなる前記１つ以上の他の２Ｄ画像の視方向に一致する視方向に対し生成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記夫々の２Ｄ画像は、もしあれば前記３Ｄ表面上の点と関連付けられる光反射特性とは関係なく生成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記検出した顔の位置に見ることができる３Ｄ表面上の点の３Ｄ位置を決めるために、前記２Ｄの顔の位置アルゴリズム及び前記３Ｄの表面モデルにより検出される顔の位置を使用するステップ、を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
プログラム可能な処理器により実施されるとき、請求項１乃至１２の何れか一項に記載の方法を前記プログラム可能な処理器に行わせる、前記プログラム可能な処理器への命令からなるプログラムを有する、コンピュータプログラムプロダクト。
【請求項１４】
ある場面に対し得られる３Ｄの表面モデルから２Ｄ画像を生成するように構成される２Ｄ画像生成器であり、前記２Ｄ画像は角度データを表し、前記２Ｄ画像における夫々の像点に対する角度データは、仮想の照明方向から得られる入射方向と、前記像点において前記画像で見られる、３Ｄ表面上の点における当該３Ｄ表面の法線との間の角度に依存して選択されている、２Ｄ画像生成器、及び
前記夫々の２Ｄ画像に２Ｄの顔の位置検出アルゴリズムを適用するように構成される２Ｄの顔の位置検出器、
を有する画像処理システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の画像処理システムにおいて、
前記２Ｄ画像生成器は、前記３Ｄの表面モデルから複数の夫々の２Ｄ画像を生成するように構成され、前記夫々の２Ｄ画像は夫々の仮想の照明方向に対する前記角度データを夫々表し、前記画像処理システムは、前記複数の夫々の２Ｄ画像から２Ｄの顔の位置検出器により検出された顔の位置の検出結果を結合するように構成されるデータ結合器を有する、画像処理システム。
【請求項１６】
カメラと、当該カメラからの画像データを用いて前記３Ｄの表面モデルを生成するように構成される３Ｄモデル生成器とを有する、請求項１４に記載の画像処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属薄層と、
光を前記金属薄層の方へ、及び前記金属薄層から離れる方へ方向付けるための、前記金属薄層上に配置される光学構造物と、
前記金属薄層上に前記光学構造物とは反対側に配置される吸収層であって、少なくとも０．４立法ナノメートルである平均細孔容積を有する固有ミクロ孔質のポリマーを備える吸収層と、を備える、表面プラズモン共鳴センサー素子。
【請求項２】
ｐ偏光源と、
請求項１に記載の表面プラズモン共鳴センサー素子と、
金属薄層から反射される光の最低強度に対応する像を検出し、それによって共鳴角を測定するための検出器と、を備える、表面プラズモン共鳴センサー。