【事件の表示】
　特願２０１２−　　　　５７「量子井戸と超格子とを有するＩＩＩ族窒化物系発光ダイオード構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月　５日出願公開、特開２０１２−　７０００８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２００２年５月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００１年５月３０日　米国（３件）、２００２年５月７日　米国）を国際出願日とする特願２００３−５００９８７号（以下「原出願」という。）の一部を平成２１年８月７日に新たな特許出願とした特願２００９−１８４９１０号の一部を、平成２４年１月４日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年１月９日に手続補正がなされたが、同年２月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２６日に審判請求がなされるとともに手続補正がなされたものである。 
 　  　 
第２　平成２５年６月２６日の手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２５年６月２６日の手続補正を却下する。 
 　 
［理由］ 
１　補正の内容 
　平成２５年６月２６日の手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２５年１月９日の手続補正後のもの）の請求項１として、 
「ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスであって、
　ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮ（ここで０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、ＸとＹは等しくない）の繰り返しの層を５周期以上有する超格子と、
　前記超格子上のアンドープの第１の層と、
　前記第１の層とは反対側の前記超格子上の、ｎ型層である第２の層とを含み、
　前記第１と第２の層は、前記超格子の繰り返し層とは異なる厚さをそれぞれ有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。」 
　とあったものを、以下のように補正して新たな請求項１とすることを含むものである。
「ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスであって、
　ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮ（ここで０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、ＸとＹは等しくない）の繰り返しの層を５周期以上有
し、ｎ型の不純物がドープされた
　前記超格子上のアンドープの第１の層と、
　前記第１の層とは反対側の前記超格子上の、
　
ｎ型の不純物がドープされた
　
前記超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性層とを含み、
　
前記第１の層は前記活性層と前記超格子の間にあり、
　前記第１と第２の層は、前記超格子の繰り返し層とは異なる厚さをそれぞれ有
し、
　
前記第２の層上の前記超格子は窒素雰囲気中で成長させる
　ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。」 　 
 　 
２　補正の目的 
　上記請求項１についての補正は、発明を特定するために必要な事項である「超格子」について、「ｎ型の不純物がドープされた」点及び「窒素雰囲気中で成長させる」点を限定し、同じく「第２の層」について、「ｎ型の不純物がドープされた」点を限定し、同じく「ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス」の有する層構造について、「超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性層」を有する点を限定し、同じく「第１の層」について、前記「活性層」と「超格子」の間にある点を限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
 　 
３　独立特許要件  
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
（１）　本願補正発明の認定 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正により補正された請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものと認める。 　 
　　
（２）　引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の最先の優先権主張の日（２００１年５月３０日。以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物である特開２０００−３４９３３７号公報（以下「引用例」という。）には、次のアないしエの記載がある。
ア　「【００１４】また、本発明においてｎ型不純物を含む層とは、基本的にはｎ型不純物が意図的にドープされた層であるが、例えば隣りあった層や別の層に含まれるｎ型不純物が拡散することによって含まれた層や、原料または装置からのコンタミネーションにより不純物が混入した層もそれに含む。特に拡散により混入するｎ型不純物は層内において不純物濃度に勾配がついている場合もある。」
　
イ　「【００２５】また本発明において、活性層以外のデバイス構造としては、特に限定されず、種々の層構造を用いることができる。デバイス構造の具体的な実施の形態としては、例えば後述の実施例に記載されているデバイス構造が挙げられる。また、電極等も特に限定されず種々のものを用いることができる。」
　
ウ　「【００２６】
【実施例】以下に本発明の一実施の形態である実施例を示す。しかし、本発明はこれに限定されない。
［実施例１］図１を元に実施例１について説明する。
【００２７】（基板１）サファイア（Ｃ面）よりなる基板１をＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。この基板１としてはその他にＲ面またはＡ面を主面とするサファイア基板、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板などでも良い。
【００２８】（バッファ層２）続いて、温度を５１０℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上にＧａＮよりなるバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。なおこの低温で成長させる第１のバッファ層２は基板の種類、成長方法等によっては省略できる。また、このバッファ層はＡｌの割合の小さいＡｌＧａＮを用いることもできる。
【００２９】（第１のアンドープＧａＮ層３）バッファ層２成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガスを用い、第１のアンドープＧａＮ層３を１μｍの膜厚で成長させる。
【００３０】（ｎ型コンタクト層４）続いて１０５０℃で、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを３×１０19／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を４μｍの膜厚で成長させる。
【００３１】（ｎ型第１多層膜層５）次にシランガスのみを止め、１０５０℃で、ＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮからなる下層５ａを３０００オングストロームの膜厚で成長させ、続いて同温度にてシランガスを追加しＳｉを４．５×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮからなる中間層５ｂを３００オングストロームの膜厚で成長させ、更に続いてシランガスのみを止め、同温度にてアンドープＧａＮからなる上層５ｃを５０オングストロームの膜厚で成長させ、３層からなる総膜厚２３５０オングストロームのｎ型第１多層膜層５を成長させる。
【００３２】（ｎ型第２多層膜層６）次に、同様の温度で、アンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を４０オングストローム成長させ、次に温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い、アンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体層を２０オングストローム成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ、最後にＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を４０オングストローム成長さた超格子構造の多層膜よりなるｎ型第２多層膜層６を６４０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００３３】（活性層７）次にＴＭＧ、アンモニアを用いアンドープのＧａＮよりなる障壁層を２００オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、さらにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、シランガスを用いＳｉを５×１０17／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。さらにアンドープのＧａＮよりなる障壁層を２００オングストロームと、Ｓｉを５×１０17／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で成長させ、アンドープからなる障壁層を１６層、最初の３層のみＳｉがドープされ、残りの１２層はアンドープからなる井戸層１５層を交互に積層して、総数３１層、総膜厚３６５０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させる。
【００３４】（ｐ型多層膜層８）次に、温度１０５０℃でＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを５×１０19／ｃｍ3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第３の窒化物半導体層を４０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇを５×１０19／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎよりなる第４の窒化物半導体層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第３＋第４の順で交互に５層ずつ積層し、最後に第３の窒化物半導体層を４０オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造の多層膜よりなるｐ型多層膜層８を３６５オングストロームの膜厚で成長させる。
【００３５】（ｐ型コンタクト層９）続いて１０５０℃で、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇを１×１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層８を７００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００３６】反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。
【００３７】アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出し、最上層のｐ型コンタクト層９の表面に所定の形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置でｐ型コンタクト層側からエッチングを行い、図１に示すようにｎ型コンタクト層４の表面を露出させる。
【００３８】エッチング後、最上層にあるｐ型コンタクト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉとＡｕを含む透光性のｐ電極１０と、エッチングにより露出させたｎ型コンタクト層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ電極１１を形成してＬＥＤ素子とした。」 
　　
エ　「【００６６】・・・
【図面の簡単な説明】
【図１】
　図１は本発明の一実施の形態であるＬＥＤ素子の構造を示す模式断面図である。
【符号の簡単な説明】
　１・・・サファイア基板
　２・・・バッファ層
　３・・・アンドープＧａＮ層
　４・・・ｎ型コンタクト層
　５・・・ｎ型第１多層膜層
　６・・・ｎ型第２多層膜層
　７・・・活性層
　８・・・ｐ型多層膜層
　９・・・ｐ型コンタクト層
１０・・・ｐ電極
１１・・・ｎ電極」
　
オ　上記イの記載で言及されている図１は、次のものである。
　
（３）　引用発明の認定
ア　上記（２）ウの【００２７】ないし【００３５】には、基板１（同【００２７】によれば、サファイア、スピネルのような絶縁性基板、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板）上に、以下の（ア）ないし（ク）の層を順に積層することが記載され、同【００３７】及び【００３８】には、ｐ型コンタクト層９上にｐ電極１０、エッチングにより露出させたｎ型コンタクト層４上にｎ電極１１を形成し、ＬＥＤ素子とすることが記載されているものと認められる。
（ア）　バッファ層２
「ＧａＮよりなるバッファ層」
　
（イ）　アンドープＧａＮ層３
　「アンドープＧａＮ層」
　
（ウ）　ｎ型コンタクト層４
「厚さ４μｍで、ＳｉがドープされたＧａＮよりなるｎ型コンタクト層」
　
（エ）　ｎ型第１多層膜層５
「アンドープＧａＮの下層、ＳｉドープのＧａＮからなる中間層及びアンドープＧａＮの上層からなるｎ型第１多層膜層」
　
（オ）　ｎ型第２多層膜層６
「アンドープＧａＮよりなる厚み４０オングストロームの第２の窒化物半導体層とアンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる厚み２０オングストロームの第１の窒化物半導体層とを、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ、最後に第２の窒化物半導体層を積層した、超格子構造の多層膜よりなる厚み６４０オングストロームのｎ型第２多層膜層」
　
（カ）　活性層７
「アンドープＧａＮの障壁層と、ＳｉをドープしたＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層とからなる、多重量子井戸構造の活性層」
　
（キ）　ｐ型多層膜層８
「Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層とＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層とからなる、超格子構造の多層膜よりなるｐ型多層膜層」
　
（ク）　ｐ型コンタクト層９
「ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層」
　
イ　上記（２）エによれば、上記図１は、上記ＬＥＤ素子の構造を示す模式断面図である。上記（２）エに記載された各層及び電極の名称を参照しつつ、上記図１を見ると、図１に示されたＬＥＤ素子は、次のものである。
「サファイア基板１上に、順に、バッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型コンタクト層４、ｎ型第１多層膜層５、ｎ型第２多層膜層６、活性層７、ｐ型多層膜層８、ｐ型コンタクト層９が積層され、前記ｐ型コンタクト層９上にｐ電極１０、前記ｎ型コンタクト層４上にｎ電極１１が設けられたＬＥＤ素子。」
　
ウ　上記ア及びイによれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板１上に、順に、
　ＧａＮよりなるバッファ層、
　アンドープＧａＮ層、
　厚さ４μｍで、ＳｉがドープされたＧａＮよりなるｎ型コンタクト層、
　アンドープＧａＮの下層、ＳｉドープのＧａＮからなる中間層及びアンドープＧａＮの上層からなるｎ型第１多層膜層、
　アンドープＧａＮよりなる厚み４０オングストロームの第２の窒化物半導体層とアンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる厚み２０オングストロームの第１の窒化物半導体層とを、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ、最後に第２の窒化物半導体層を積層した、超格子構造の多層膜よりなる厚み６４０オングストロームのｎ型第２多層膜層、
　アンドープＧａＮの障壁層と、ＳｉをドープしたＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層とからなる、多重量子井戸構造の活性層、
　Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層とＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層とからなる、超格子構造の多層膜よりなるｐ型多層膜層、及び
　ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層が積層され、
　前記ｐ型コンタクト層上にｐ電極、前記ｎ型コンタクト層上にｎ電極が設けられたＬＥＤ素子。」
　
（４）　周知例１の記載事項
　優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２８６５０９号公報（以下「周知例１」という。）には、次のア及びイの記載がある。
ア　「【００３２】上記のｎ側第２多層膜層６は、例えば、図１に示すように、活性層７を挟んで下部にあるｎ側窒化物半導体層に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層６を有している。ｎ側第２多層膜層６において、第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層はそれぞれ少なくとも一層以上形成し、合計で２層以上、好ましくは３層以上、さらに好ましくはそれぞれ少なくとも２層以上積層し合計で４層以上積層することが望ましい。
【００３３】ｎ側第２多層膜層６は、活性層と離間して形成されていても良いが、最も好ましくは活性層に接して形成されているようにする。活性層に接して形成する方がより出力が向上しやすい傾向にある。ｎ側第２多層膜層６が活性層に接して形成されている場合、活性層の最初の層（井戸層、若しくは障壁層）と接する多層膜層は第１の窒化物半導体層でも、第２の窒化物半導体層いずれでも良く、ｎ側第２多層膜層６の積層順序は特に問うものではない。なお、図１ではｎ側第２多層膜層６が、活性層７に接して形成されているが、このｎ側第２多層膜層６と活性層との間に、他のｎ型窒化物半導体よりなる層を有していても良い。
【００３４】第１の窒化物半導体層はＩｎを含む窒化物半導体、好ましくは３元混晶のＩｎkＧａ1-kＮ（０＜ｋ＜１）とし、さらに好ましくはｋ値が０．５以下のＩｎkＧａ1-kＮ、最も好ましくはｋ値が０．２以下のＩｎkＧａ1-kＮとする。一方、第２の窒化物半導体層は第１の窒化物半導体層と組成が異なる窒化物半導体であれば良く、特に限定しないが、結晶性の良い第２の窒化物半導体を成長させるためには、第１の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい２元混晶あるいは３元混晶のＩｎmＧａ1-mＮ（０≦ｍ＜１、ｍ＜ｋ）を成長させ、好ましくはＧａＮである。第２の窒化物半導体をＧａＮとすると、全体に結晶性の良い多層膜層が成長できる。好ましい組み合わせとしては、第１の窒化物半導体をＩｎkＧａ1-kＮ（０＜ｋ＜１）とし、第２の窒化物半導体をＩｎmＧａ1-mＮ（０≦ｍ＜１、ｍ＜ｋ）、好ましくはＧａＮとする組み合わせが挙げられる。更に好ましい組み合わせとしては、第１の窒化物半導体層のｋ値が０．５以下のＩｎkＧａ1-kＮであり、第２の窒化物半導体層がＧａＮとの組み合わせである。
【００３５】第１および第２の窒化物半導体層は両方ともアンドープでも、両方にｎ型不純物がドープされていても、またいずれか一方に不純物がドープ（変調ドープ）されていてもよい。結晶性を良くするためには、両方がアンドープであることが最も好ましく、次に変調ドープ、その次に両方ドープの順である。なお両方にｎ型不純物をドープする場合、第１の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度と、第２の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度は異なっていても良い。また、第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層のいずれか一方に、ｎ型不純物がドープされていることを変調ドープと呼ぶが、このような変調ドープをすることにより、出力が向上しやすい傾向を有する。」
　　
イ　「【００７９】・・・
【図１】図１は、本発明の一実施の形態であるＬＥＤ素子の構造を示す模式断面図である。
・・・
【符号の説明】
１・・・サファイア基板
２・・・バッファ層
３・・・アンドープＧａＮ層
４・・・ｎ側コンタクト層
５・・・ｎ側第１多層膜層
５ａ・・・アンドープの下層
５ｂ・・・ｎ型不純物ドープの中間層
５ｃ・・・アンドープの上層
６・・・ｎ側第２多層膜層
７・・・活性層
８・・・ｐ側クラッド層
９・・・Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層
１０・・・ｐ電極
１１・・・ｎ電極」
　
ウ　上記ア及びイで言及されている図１は、次のものである。
　
エ　上記イによれば、図１に示されたＬＥＤ素子は、次のものと認められる。
「サファイア基板１上に、順に、
　バッファ層２、
　アンドープＧａＮ層３、
　ｎ型コンタクト層４、
　ｎ型第１多層膜層５、
　ｎ型第２多層膜層６、
　活性層７、
　ｐ側クラッド層８、及び
　Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９が積層され、
　前記Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９上にｐ電極１０、前記ｎ型コンタクト層４上にｎ電極１１が設けられたＬＥＤ素子。」
　
オ　上記アの【００３３】によれば、ｎ側第２多層膜層６は、活性層と離間して形成されていても良く、ｎ側第２多層膜層６と活性層との間に、他のｎ型窒化物半導体よりなる層を有していても良い。
　
カ　同【００３４】によれば、ｎ側第２多層膜層６の第１の窒化物半導体層はＩｎＧａＮであり、第２の窒化物半導体層は、ＧａＮまたは第１の窒化物半導体層よりもＩｎの組成比が小さいＩｎＧａＮである。
　
キ　同【００３５】によれば、ｎ側第２多層膜層６の第１および第２の窒化物半導体層は、両方ともアンドープでも、両方にｎ型不純物がドープされていても、またいずれか一方に不純物がドープ（変調ドープ）されていてもよく、両方ともアンドープであると結晶性が良くなり、変調ドープであると出力が向上する。
　
（５）　周知例２の記載事項
　優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２４４０１３号公報（以下「周知例２」という。）には、次のア及びイの記載がある。
ア　「【００２３】次に、本発明において、ｎ側第２多層膜層６は、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側多層膜層からなり、前記第１の窒化物半導体層、または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚が１００オングストローム以下である。好ましくは第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層の両方を１００オングストローム以下、さらに好ましくは７０オングストローム以下、最も好ましくは５０オングストローム以下にする。このように膜厚を薄くすることにより、多層膜層が超格子構造となって、多層膜層の結晶性が良くなるので、出力が向上する傾向にある。ここで、前記ｎ側第１多層膜層と、上記ｎ側第２多層膜層とを組み合わせると、発光出力が向上し、順方向電圧（Ｖｆ）が低下し好ましい。この理由は定かではないが、ｎ側第２多層膜層上に成長させる活性層の結晶性が良好となるためと考えられる。
【００２４】第１の窒化物半導体層はＩｎkＧａ1-kＮ（０＜ｋ＜１）とし、第２の窒化物半導体層はＩｎmＧａ1-mＮ（０≦ｍ＜１、ｍ＜ｋ）、好ましくはＧａＮとすることが最も好ましい。
【００２５】さらに、前記第１の窒化物半導体層または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚が、近接する第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層同士で互いに異なっても、同一でもよい。また。膜厚が近接する層同士で互いに異なるとは、第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層を複数層積層した多層膜層を形成した場合に、第２の窒化物半導体層（第１の窒化物半導体層）を挟んだ第１の窒化物半導体層（第２の窒化物半導体層）の膜厚が互いに異なることを意味する。
【００２６】さらにまた、前記第１の窒化物半導体層、または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方のIII族元素の組成が、近接する第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層の同一III族元素の組成同士で互いに異なることが好ましい。このことは、第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層を複数層積層した多層膜層を形成した場合に、第２の窒化物半導体層（第１の窒化物半導体層）を挟んだ第１の窒化物半導体層（第２の窒化物半導体層）のIII族元素の組成比が互いに異なることを意味する。
【００２７】ｎ側第２多層膜層６は、活性層と離間して形成されていても良いが、最も好ましくは活性層に接して形成されているようにする。活性層に接して形成する方がより出力が向上しやすい傾向にある。
【００２８】また、ｎ側第２多層膜層６の第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層がアンドープであることが好ましい。アンドープとは意図的に不純物をドープしない状態を指し、例えば隣接する窒化物半導体層から拡散により混入される不純物も本発明ではアンドープという。なお拡散により混入される不純物は層内において不純物濃度に勾配がついていることが多い。
【００２９】第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層のいずれか一方に、ｎ型不純物がドープされていてもよい。これは変調ドープと呼ばれるもので、変調ドープすることにより、出力が向上しやすい傾向にある。なおｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等のIV族、VI族元素を好ましく選択し、さらに好ましくはＳｉ、Ｓｎを用いる。
【００３０】また、第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層の両方にｎ型不純物がドープされていてもよい。ｎ型不純物をドープする場合、不純物濃度は５×１０21／cm3以下、好ましくは１×１０20／cm3以下に調整する。５×１０21／cm3よりも多いと窒化物半導体層の結晶性が悪くなって、逆に出力が低下する傾向にある。これは変調ドープの場合も同様である。」
　
イ　「【００７３】・・・
【図１】図１は、本発明の一実施の形態であるＬＥＤ素子の構造を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１・・・サファイア基板
２・・・バッファ層
３・・・アンドープＧａＮ層
４・・・ｎ側コンタクト層
５・・・ｎ側第１多層膜層
６・・・ｎ側第２多層膜層
７・・・活性層
８・・・ｐ側クラッド層
９・・・Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層
１０・・・ｐ電極
１１・・・ｎ電極」
　
ウ　上記イで言及されている図１は、次のものである。
　
エ　上記イによれば、図１に示されたＬＥＤ素子は、次のものと認められる。
「サファイア基板１上に、順に、
　バッファ層２、
　アンドープＧａＮ層３、
　ｎ型コンタクト層４、
　ｎ型第１多層膜層５、
　ｎ型第２多層膜層６、
　活性層７、
　ｐ側クラッド層８、及び
　Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９が積層され、
　前記Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９上にｐ電極１０、前記ｎ型コンタクト層４上にｎ電極１１が設けられたＬＥＤ素子。」
　
オ　上記アの【００２７】によれば、ｎ側第２多層膜層６は、活性層と離間して形成されていても良い。
　
カ　同【００２４】によれば、ｎ側第２多層膜層６の第１の窒化物半導体層はＩｎＧａＮであり、第２の窒化物半導体層は、ＧａＮまたは第１の窒化物半導体層よりもＩｎの組成比が小さいＩｎＧａＮである。
　
キ　同【００２８】によれば、ｎ側第２多層膜層６の第１および第２の窒化物半導体層は、アンドープであることが好ましく、同【００２９】によれば、両層のいずれか一方に不純物がドープされた変調ドープでもよく、変調ドープは出力が向上しやすく、同【００３０】によれば、両層にドープされていてもよく、両層にドープした場合も変調ドープの場合も、不純物濃度が高すぎると結晶性が悪くなって、出力が低下する。
　
（６）　周知例３の記載事項
　優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−３３５７５７号公報（以下「周知例３」という。）には、次のアないしエの記載がある。
ア　「【請求項２】　１又は多層のｎ型窒化物半導体層と１又は多層のｐ型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記ｐ型窒化物半導体層及び前記ｎ型窒化物半導体層のうちの少なくとも一つは、超格子層であることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項３】　前記超格子層は、１００オングストローム以下の膜厚を有す
る窒化物半導体からなる第１の層と、該第１の層と組成が異なりかつ１００オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第２の層とが積層された請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。」
　
イ　「【００２８】しかしながら、本発明では、超格子層には、第１の層及び第２の層に導電型を決定する不純物がドープされていなくてもよい。この不純物がドープされない超格子層は、ｎ型窒化物半導体層領域であれば活性層と基板との間におけるいずれの層であってもよく、一方、ｐ型窒化物半導体層領域であれば、キャリア閉じ込め層（光閉じ込め層）と、活性層との間におけるいずれの層であってもよい。
【００２９】以上のように構成された超格子層は、第１の層、及び第２の層を弾性歪み限界以下の膜厚にして積層して形成しているので、結晶の格子欠陥を低下させることができ、かつ微少なクラックを減少させることができ、結晶性を飛躍的に良くすることができる。この結果、結晶性をあまり損なうことなく、不純物のドープ量を多くでき、これによって、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層のキャリア濃度を増加させることができ、かつ該キャリアが結晶欠陥によって散乱されることなく移動できるので、超格子構造を有しないｐ型又はｎ型の窒化物半導体に比較して抵抗率を１桁以上低くすることができる。」　
　
ウ　「【００３１】また、本実施形態１では、前記のように好ましくは第１の層（第２の層）をＩｎXＧａ1-XＮ（０≦Ｘ≦１）とし、第２の層（第１の層）をＡｌYＧａ1-YＮ（０≦Ｙ≦１、Ｘ≠Ｙ＝０）で構成することにより、結晶性のよいクラックのない超格子層を形成することができるので、素子寿命を向上させることができる。」
　
エ　「【００４２】このように、超格子層を活性層４と基板１との間のｎ型窒化物半導体層領域に設ける場合、超格子層を構成する第１の層、第２の層には不純物をドープしなくても良い。なぜなら窒化物半導体はアンドープでもｎ型になる性質があるからである。但し、ｎ層側に形成する場合においても上述のように、第１の層、第２の層にＳｉ、Ｇｅ等のｎ型不純物をドープして、不純物濃度の差を設ける方が望ましい。
【００４３】以上のように、超格子層をｎ型窒化物半導体層領域に形成した場合の効果は、超格子層をｐ型窒化物半導体層領域に設けた場合と同様に、結晶性の向上が挙げられる。」
　
オ　上記ア及びウの記載によれば、窒化物半導体素子において、多層のｎ型窒化物半導体層と活性層の間に、ＩｎＧａＮからなる第１の層と、ＧａＮまたは第１の層よりもＩｎの組成比が小さいＩｎＧａＮからなる第２の層を積層して形成した、結晶性のよいクラックのない超格子を設けることで、素子寿命を向上させることができる。   
　
カ　上記イの【００２８】の記載によれば、該超格子は、活性層と基板との間におけるいずれの層であってもよい。
　
キ　上記イ及びエの記載によれば、該超格子は、結晶性を飛躍的に良くするものであり、不純物がドープされていなくてもｎ型であり、不純物がドープされていてもよく、結晶性をあまり損なうことなく、不純物のドープ量を多くすることで、抵抗率を低くできる。
　
（７）　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　 引用発明の「ＬＥＤ素子」は、各層がＩＩＩ族窒化物系半導体からなるから、本願補正発明の「ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス」に相当する。　　
イ　本願補正発明の「ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮ（ここで０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、ＸとＹは等しくない）の繰り返しの層を５周期以上有し、ｎ型の不純物がドープされた超格子」は、Ｘ＝０、Ｙ＝０．１３、繰り返しの層が１０周期の場合、「ＧａＮとＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎの繰り返しの層を１０周期有し、ｎ型の不純物がドープされた超格子」となる。
　よって、引用発明の「アンドープＧａＮよりなる厚み４０オングストロームの第２の窒化物半導体層とアンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる厚み２０オングストロームの第１の窒化物半導体層とを、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ、最後に第２の窒化物半導体層を積層した、超格子構造の多層膜よりなる厚み６４０オングストロームのｎ型第２多層膜層」は、「ＧａＮとＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎの繰り返しの層を１０周期有する、ｎ型の超格子」である点で、本願補正発明の「ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮ（ここで０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、ＸとＹは等しくない）の繰り返しの層を５周期以上有し、ｎ型の不純物がドープされた超格子」と共通している。
　なお、引用発明の「ｎ型第２多層膜層」が、アンドープＧａＮとアンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなるにも拘わらずｎ型とされているのは、元々含まれる不純物や他から拡散して混入した不純物等によりｎ型になるものと解される（上記（２）アの記載及び上記（５）ア【００２８】の記載参照。）。
　
ウ　引用発明の「厚さ４μｍで、ＳｉがドープされたＧａＮよりなるｎ型コンタクト層」は、本願補正発明の「超格子上の、ｎ型の不純物がドープされたｎ型層である第２の層」に相当する。
　
エ　引用発明において、本願補正発明の「第２の層」に相当する「ｎ型コンタクト層」の厚さは４μｍ（４０，０００オングストローム）であり、本願補正発明の「超格子の繰り返し層」に相当する「第２の窒化物半導体層」及び「第１の窒化物半導体層」の厚みは、それぞれ、４０オングストローム及び２０オングストロームである。
　よって、引用発明は、本願補正発明の「第２の層は、超格子の繰り返し層とは異なる厚さを有し」との構成を備えている。
　
オ　引用発明の「アンドープＧａＮの障壁層と、ＳｉをドープしたＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎの井戸層とからなる、多重量子井戸構造の活性層」は、本願補正発明の「超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性層」に相当する。
　
カ　上記アないしオによれば、本願補正発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違するものと認められる。　
＜一致点＞
「ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスであって、
　ＧａＮとＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎの繰り返しの層を１０周期有する、ｎ型の超格子と、
　前記超格子上の、ｎ型の不純物がドープされたｎ型層である第２の層と、
　前記超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性層とを含み、
　前記第２の層は、前記超格子の繰り返し層とは異なる厚さを有する、
　ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。」
　
＜相違点１＞
　「ｎ型の超格子」について、本願補正発明の「ｎ型の超格子」は、「ｎ型の不純物がドープされた超格子」であり、かつ「窒素雰囲気中で成長させる」のに対して、引用発明の「ｎ型の超格子」は、アンドープのＧａＮ層とアンドープのＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ層からなる超格子であり、かつ窒素雰囲気中で成長させるものか否か不明である点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明は、「ｎ型の超格子」に対して「第２の層」がある側とは反対側の、「活性層」と「ｎ型の超格子」の間の位置に、「アンドープの第１の層」があり、かつ、該「アンドープの第１の層」は、「超格子の繰り返し層とは異なる厚さを有し」ているのに対して、引用発明は「アンドープの第１の層」を有しない点。
　　
（８）　判断 
　上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞について検討する。
ア　＜相違点１＞について
（ア）　「ｎ型の不純物がドープされた超格子」とする点について
　上記（４）のエとカ、上記（５）のエ、カ及び上記（６）のオによれば、窒化物半導体素子の活性層と基板の間の、ｎ型積層構造に、ＩｎＧａＮからなる第１の層と、ＧａＮまたは第１の層よりもＩｎの組成比が小さいＩｎＧａＮからなる第２の層を多重に積層したｎ型超格子を設けることは、優先日時点で周知の技術事項であり、上記（４）のキ、上記（５）のキ及び上記（６）のキによれば、該超格子を、アンドープとするか不純物をドープするかは、結晶性向上、出力向上及び抵抗率等を考慮して選択できる設計事項と認められる。
　よって、引用発明において、ｎ型第２多層膜層（ｎ型超格子）を、「ｎ型の不純物がドープされた超格子」とすることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
（イ）　「ｎ型の超格子を窒素雰囲気中で成長させる」点について
　優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−４０８５０号公報には、次の記載がある。
「【００１６】次に、基板１の温度を600 ℃にして
N
2
又はH
2
N
2
又はH
2
３０周期の超格子層３を形成した
　
　同じく特開平９−２３２６２９号公報には、次の記載がある。
「【００４２】その上にｎ−ＧａＮ層とｎ−ＩｎＧａＮ層を臨界膜厚以下で交互に成長させた
歪超格子層
【００４３】次に７５０℃において、
水素、窒素キャリアガス
　
　してみると、活性層近傍の窒化物半導体層からなる超格子を、窒素雰囲気中で成長させることは、優先日時点で周知の技術事項と認められる。
　よって、引用発明において、ｎ型第２多層膜層（ｎ型超格子）を、「窒素雰囲気中で成長させる」ことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。　
　
（ウ）　上記（ア）及び（イ）によれば、引用発明において、本願補正発明の＜相違点１＞に係る構成を備えることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
イ　＜相違点２＞について
　一般に、ドープされて不純物濃度が高い層があると、隣接する層に該不純物が拡散する可能性があること（例えば、上記（２）アの記載及び上記（５）アの【００２８】参照。）、及び不純物濃度が低い層を介在させることで該拡散を防げること（例えば、特開平１１−２０４８３１号公報の「【００２８】さらに、ｎ型不純物が低濃度の層を活性層(206)と第２の窒化物半導体層（204）との間に介在させることにより、ｎ型不純物が高濃度にドープされた第２の窒化物半導体層(204)から活性層(206)へのｎ型不純物の拡散を抑制させることもできる。」との記載参照。）は、周知の技術事項と認められる。
　してみると、引用発明において、ｎ型第２多層膜層（ｎ型超格子）を、「ｎ型の不純物がドープされた超格子」とした際に、ｎ型第２多層膜層（ｎ型超格子）から活性層への不純物拡散を防止するために、ｎ型第２多層膜層（ｎ型超格子）の、活性層のある側に、不純物濃度の低いアンドープの層を設けることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　その際、該「不純物濃度の低いアンドープの層」は、不純物拡散を防止できる厚みとすればよいのであって、ｎ型第２多層膜層（ｎ型超格子）を構成する繰り返し層と同じ厚みにする必要はないものと認められる。
　よって、引用発明において、本願補正発明の＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　　
ウ　上記ア及びイによれば、引用発明において、本願補正発明の＜相違点１＞及び＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。 
　したがって、本願補正発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　 
３　本件補正についてのむすび 
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について 
１　本願発明の認定 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、本件補正前の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのもの（以下「本願発明」という。）と認める。
　
２　引用例の記載事項及び引用発明の認定
　引用例の記載事項及び引用発明の認定は、それぞれ、上記「第２　［理由］　２」の（２）及び（３）に記載したとおりである。
 　 
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）　引用発明の「ＬＥＤ素子」は、各層がＩＩＩ族窒化物系半導体からなるから、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス」に相当する。　　
（２）　本願発明の「ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮ（ここで０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、ＸとＹは等しくない）の繰り返しの層を５周期以上有する超格子」は、Ｘ＝０、Ｙ＝０．１３、繰り返しの層が１０周期の場合、「ＧａＮとＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎの繰り返しの層を１０周期有する超格子」となる。
　よって、引用発明の「アンドープＧａＮよりなる厚み４０オングストロームの第２の窒化物半導体層とアンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる厚み２０オングストロームの第１の窒化物半導体層とを、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ、最後に第２の窒化物半導体層を積層した、超格子構造の多層膜よりなる厚み６４０オングストロームのｎ型第２多層膜層」は、「ＧａＮとＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎの繰り返しの層を１０周期有する超格子」である点で、本願発明の「ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮ（ここで０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、ＸとＹは等しくない）の繰り返しの層を５周期以上有する超格子」と一致する。
　　
ウ　引用発明の「厚さ４μｍで、ＳｉがドープされたＧａＮよりなるｎ型コンタクト層」は、本願発明の「超格子上の、ｎ型層である第２の層」に相当する。
　
エ　引用発明において、本願補正発明の「第２の層」に相当する「ｎ型コンタクト層」の厚さは４μｍ（４０，０００オングストローム）であり、本願発明の「超格子の繰り返し層」に相当する「第２の窒化物半導体層」及び「第１の窒化物半導体層」の厚みは、それぞれ、４０オングストローム及び２０オングストロームである。
　よって、引用発明は、本願発明の「第２の層は、超格子の繰り返し層とは異なる厚さを有する」との構成を備えている。
　
オ　上記アないしエによれば、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違するものと認められる。　
＜一致点＞
「ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスであって、
　ＧａＮとＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎの繰り返しの層を１０周期有する超格子と、
　前記超格子上の、ｎ型層である第２の層とを含み、
　前記第２の層は、前記超格子の繰り返し層とは異なる厚さを有する、
　ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。」
　
＜相違点＞
　本願発明は、「超格子」に対して「第２の層」がある側とは反対側に、「アンドープの第１の層」があり、かつ、該「アンドープの第１の層」は、「超格子の繰り返し層とは異なる厚さを有する」のに対して、引用発明は「アンドープの第１の層」を有しない点。
　　
４　判断 
　上記＜相違点＞について検討する。
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された、優先日前に頒布された刊行物である国際公開第００／２１１４４号（以下「引用例２」という。）には、ＩｎＧａＮの量子井戸からなる活性層１２のｎ型層側に、アンドープＧａＮ層１４を形成した窒化物半導体ＬＥＤが記載されている（FiG.1参照。）。
　
（２）　引用例２には、次のア及びイの記載がある。
ア　The undoped gallium nitride layer 14, which in the preferred embodiment is the second gallium nitride layer overall, has been demonstrated to increase the brightness and the emission uniformity of the device.（８頁２８〜３０行。当審による訳を付す。「 前記具体例において、全体として見ると第二の窒化ガリウム層である、アンドーピングの窒化ガリウム層１４は、素子の輝度と発光の均一性を増大させることを示した。」）
　
イ　Alternatively, the undoped gallium nitride layer 14 may simply help release the strain that has been built up between the silicon carbide substrate and the Group III nitride layers thereon. As noted above, the undoped gallium nitride layer 14 is grown under a nitrogen atmosphere (as opposed to the n-type predecessor layer 20 of gallium nitride that was grown under a hydrogen atmosphere) and preferably at temperatures of between about 750℃ and 800℃ to a total thickness of about 200 angstroms. 　（９頁９〜１４行。「別法として、ドーピングされていない窒化ガリウム層１４は、炭化珪素基板とその上にあるＩＩＩ族窒化物層との間に蓄積された歪みを単純に解放することができる。上記したように、ドーピングされていない窒化ガリウム層１４は、（水素雰囲気下で成長させる窒化ガリウムのｎ型先行層２０とは対照的に）窒素雰囲気下で、好ましくは約７５０℃ 〜 ８００℃の温度において、約２００オングストロームの全厚まで成長させる。」）
　
ウ　上記ア及びイによれば、活性層のｎ型層側に、アンドープＧａＮ層を形成することは、素子の輝度と発光の均一性の増大、及び基板とＩＩＩ族窒化物層との間の歪み解法という、望ましい効果を奏するものである。
　よって、引用発明において、活性層のｎ型層側であって、活性層と超格子の間に、「アンドープＧａＮ層」を形成することは、当業者が引用例２の記載に基づいて容易に想到し得たことと認められる。
　その際、該「アンドープＧａＮ層」の厚さは約２００オングストロームであって、「超格子の繰り返し層」（アンドープＧａＮよりなる厚み４０オングストロームの第２の窒化物半導体層とアンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる厚み２０オングストロームの第１の窒化物半導体層）とは厚さが異なる。
　また、該「アンドープＧａＮ層」は、「超格子」（ｎ型第２多層膜層）に対して、「第２の層」（ｎ型コンタクト層）と反対側にある。
　
（３）　以上のことから、引用発明において、本願発明の＜相違点＞に係る構成を備えることは、当業者が引用例２の記載に基づいて容易に想到し得たことと認められる。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。 
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明及び引用例２の記載に基づいて容易に発明をすることができたものである。
 　 
５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び引用例または引用例２の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。