【事件の表示】
　特許第３１８６７５０号「半導体製造・検査装置用セラミック板」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１８６７５０号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３１８６７５０号発明は、平成１１年１２月９日の出願であって、平成１３年５月１１日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人竹宮茂文及び森田昭司より、それぞれ全請求項である請求項１〜２に対して、２件の特許異議の申立てがなされた。これに対し、当審より平成１４年４月５日付で取消しの理由を通知したところ、その指定期間内である平成１４年６月１８日に特許権者より特許異議意見書及び全文訂正明細書を添付した訂正請求書が提出された。更に、当審より平成１４年１１月１日付で特許異議申立人竹宮茂文に対して審尋を行ったが指定期間内の応答はなかった。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正事項
（１）訂正事項ａ
　本件登録時の明細書（以下「特許明細書」という。）の特許請求の範囲に記載の、
　「【請求項１】セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを前記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
前記セラミック基板のＪＩＳ　Ｒ　０６０１に基づく面粗度は、Ｒｍａｘ＝０．１〜２５０μｍであり、かつ、前記セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、５０％以下であることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック板。
【請求項２】前記セラミック基板は、円板状であり、その直径は２００ｍｍ以上、その厚さは５０ｍｍ以下である請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミック板。」
を、
　「【請求項１】セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを前記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり、
Ｂ
前記セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、５０％以下であ
り、かつ、セラミックヒータとして使用される
【請求項２】
前記セラミック基板の厚さは、
と訂正する。
　上記請求項１〜２の訂正箇所は、アンダーライン部分である。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【０００９】を、下記の通り訂正する。
「【０００９】
　即ち本発明は、セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを上記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
　直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり、上記セラミック基板のＪＩＳ　Ｂ　０６０１に基づく面粗度は、Ｒｍａｘ＝０．１〜２５０μｍであり、上記セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、５０％以下であり、かつ、セラミックヒータとして使用されることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック板である。
　上記半導体製造・検査装置用セラミック板において、上記セラミック基板の厚さは５０ｍｍ以下であることが望ましい。」
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の段落【００１０】を、下記の通り訂正する。
「【００１０】
【発明の実施の形態】
　本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板は、セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを上記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
　直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり、上記セラミック基板のＪＩＳ　Ｂ　０６０１に基づく面粗度は、Ｒｍａｘ＝０．１〜２５０μｍであり、上記セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、５０％以下であり、かつ、セラミックヒータとして使用されることを特徴とする。」
（４）訂正事項ｄ
　特許明細書の段落【００４３】を、下記の通り訂正する。
　「【００４３】次に、本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板の製造方法について説明する。
まず、図１に示したセラミック基板１１の底面に発熱体１２が形成されたセラミック板の製造方法について説明する。」
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａ
　訂正事項ａについては、請求項１の「直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板」は、訂正前請求項２の構成要件を請求項１に繰り入れ、その形態や寸法を限定したものであり、「セラミックヒータとして使用される」と「セラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり」とは、半導体製造・検査装置用セラミック板の用途を、セラミックヒータとして使用される半導体製造・検査装置用セラミック板に限定したことに伴う訂正である。
　従って、これら訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、これらの訂正事項は、明細書の段落番号【００１４】、【００２４】、図面の図２、３、明細書の実施例１．２に記載されている。
　また、「ＪＩＳ　Ｒ　０６０１」を、「ＪＩＳ　Ｂ　０６０１」とする訂正は、明らかに誤記の訂正を目的とするものである。
　更に、請求項２の訂正は、請求項１の訂正に伴い、請求項１との整合を図るための訂正である。従って、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。　
　そして、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂ及びｃ            
　訂正事項ｂ及びｃについては、上記の特許請求の範囲の請求項１〜２を訂正することに伴い、明細書の発明の詳細な説明における記載の整合性を確保しようとするものであり、これらの訂正は、明りようでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（３）訂正事項ｄ
　明らかに誤記を訂正するものであり、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立ては、上記の如く２件なされており、その特許異議申立ての理由の概要は、次の（１）〜（２）の如きものである。
（１）特許異議申立人竹宮茂文によるもの
　特許異議申立人竹宮茂文は、甲第１号証として「加工技術データファイル：事例番号１２９５」、平成元年３月発行、発行所　財団法人機械振興協会技術研究所を、甲第２号証として「加工技術データファイル：事例番号３５７３」、発行所　財団法人機械振興協会技術研究所を、甲第３号証として「加工技術データファイル：事例番号３５６４」、発行所　財団法人機械振興協会技術研究所を、参考資料１として「加工技術データファイル」、発行所　財団法人機械振興協会技術研究所を、参考資料２として加工技術データファイルの発行年月を証明する証明書を提出して、本件特許の請求項１〜２に係る発明は、甲第１号証に記載の発明であるか、若しくは甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第１項第３号若しくは第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件特許の請求項１の記載が不明であって、特許法第３６条の規定に違反していて特許を受けることができないものであるから、本件特許は、特許法第１１３条第１項第２号及び第４号の規定により取り消すべきものであると主張している。
（２）特許異議申立人森田昭司によるもの
　特許異議申立人森田昭司は、甲第１号証として特開平５一３６８１９号公報を、甲第２号証として特開平９一１３４９５１号公報を、甲第３号証として特開昭６１一８４０３７号公報を、甲第４号証として特開昭６１一１９７４８５号公報を、甲第５号証として特開昭６２一２２４９５２号公報を、甲第６号証として特開昭５９一４７８２２号公報を、甲第７号証として特開平１一２０１８２６号公報を、甲第８号証として特開平１１一４０３３０号公報を、甲第９号証として特開平７一２９６３７７号公報を、甲第１０号証として特許第２９４３２７５号公報を、甲第１１号証として特開平１１一７４０６４号公報を、甲第１２号証として特開平４一３２５４６２号公報をそれぞれ提出して、本件特許の請求項１〜２に係る発明は、甲第１〜１２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものであると主張している。
２　取消しの理由の概要　
　当審の平成１４年４月５日付取消しの理由は、上記特許異議申立人竹宮茂文及び森田昭司の申立ての理由に沿ったものであり、特許法第２９条第２項の規定に該当するというものである。
３　異議申立てについての判断
（１）本件特許発明
　上記のように本件特許については訂正が認められており、本件特許の請求項１〜２に係る発明（以下「本件発明１〜２」という。）は、上記第２の１（１）に記載された、訂正後の請求項１〜２に記載されたとおりのものと認める。
（２）特許異議申立人竹宮茂文の申立ての理由に沿ったもの
ア　甲号証の証拠としての適否
　取消理由に引用された、甲第２号証〜甲第３号証に証拠として採用することに疑義が生じたため、上記審尋がなされた。その内容は次のとおりのものである。
　「平成１４年１月１１日付特許異議申立書に添付された甲第２号証及び甲第３号証と、参考資料２の関係が不明である。次の１又は２の手続きで対応して下さい。
１．書証については、原本の閲読が必要です。甲第２号証及び甲第３号証の発行年月日の確認ができる原本を提出して下さい。
２．原本の提出ができない場合は、甲第２号証及び甲第３号証が、本件特許の出願日前に発行されたことを証明して下さい（参考資料２は、甲第２号証及び甲第３号証との関係が明確ではありません。例えば、証明書に甲第２号証及び甲第３号証と同じものを添付し、添付した書面が、いつ、どのような形で発行されたかを証明するようなものを提出して下さい。）。
　なお、平成１４年６月１８日付特許異議意見書第４頁第１３〜２１行の記載も参照して下さい。」
　上記審尋に対して、特許異議申立人竹宮茂文の応答は無く、甲第２号証及び甲第３号証の発行された年月日は、依然として不明である。また、原本の提出もないから、甲第２号証及び甲第３号証を証拠として採用することはできない。
イ　甲第１号証の記載内容
（ア）　「大径アルミナセラミックス円板の平面研磨加工」（標題）
（イ）　「半導体ウエファーを加工するための保持板であるアルミナセラミックス円板の平面研磨加工を行なった。」（同号証第１頁第１〜２行）
（ウ）　第１頁図１及び図１付表を参照すると、アルミナセラミックス円板の寸法は直径４５７ｍｍ、厚さ１４ｍｍであり、平坦度は両面ともに０．００５以下で、表面粗さはＲｍａｘ０．５μｍ以下であることが認められる。
　上記（ア）〜（ウ）の記載事項より甲第１号証には、次の発明が、記載されているとみとめられる。
　セラミックス円板の表面に半導体ウエファーを保持するための半導体製造装置用セラミック板であって、その面粗度がＲｍａｘ０．５μｍ以下であって、セラミックス円板の直径４５７ｍｍ、厚さ１４ｍｍであるもの。
ウ　対比・判断
　本件発明１（前者）と甲第１号証に記載の発明（後者）を対比すると、後者のセラミックス円板、半導体ウエファーが、前者のセラミック基板、半導体ウェハに相当しており、直径４５７ｍｍは２００ｍｍ以上に含まれること、Ｒｍａｘ０．５μｍ以下とＲｍａｘ＝０．１〜２５０μｍは０．１〜０．５μｍの範囲で重なることから、両者は、
　セラミック基板の表面に半導体ウェハを保持するための半導体製造装置用セラミック板であって、その面粗度がＲｍａｘ０．１〜０．５μｍであって、セラミック基板の直径４５７ｍｍの半導体製造装置用セラミック板。
で一致しているが、次の３点で相違している。
Ａ　前者は、セラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されているのに対して、後者はこのように構成されていない点。
Ｂ　前者は、セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、５０％以下であるのに対して、後者はこのように構成されていない点。
Ｃ　前者は、セラミックヒータとして使用されるのに対して、後者はこのように構成されていない点。
　上記の如く前者と後者は、Ａ〜Ｃの３点で相違しており、また、Ａ〜Ｃの点が当業者に想到容易な事項であったともいえないことから、したがって、本件発明１を甲第１号証に記載の発明であるとも、甲第１号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　また、本件発明２は、本件発明１の請求項１を引用しているので、上記の本件発明１と同様に、甲第１号証に記載の発明であるとも、甲第１号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものともすることはできない。
エ　明細書の記載不備について
　特許異議申立人竹宮茂文は、特許異議申立書において、本件特許の請求項１において「面粗度は、Ｒｍａｘ＝０．１〜２５０μｍ」と数値限定した根拠が不明であると主張している（第６頁第１３行〜第７頁第１６行参照）。しかし、比較例２及び３のセラミック基板の一方の大きい面粗度は、それぞれ０．０８及び２６０μｍであること、また、実施例１〜４のセラミック基板の一方の大きい面粗度は、２．３〜７．５μｍであり、従来例の大きい面粗度は、Ｒｍａｘ＝２〜２００μｍであることを、勘案すると、請求項１において面粗度を、Ｒｍａｘ＝０．１〜２５０μｍとしたことの根拠が不明であるということはできない。
（３）特許異議申立人森田昭司の申立ての理由に沿ったもの
ア　各甲号証の記載内容
（ア）甲第１号証
ａ　「窒化珪素、窒化アルミニウムなどの窒化物を主成分とするセラミック板状体に内部電極を備えるとともに、該セラミック板状体の表面に物体を吸着するための吸着面を形成してなる静電チャック。」（請求項１）
ｂ　「本発明は、半導体の製造装置等において、シリコンウエハ等の固定、搬送を行うために用いられるセラミック製静電チャックに関するものである。」（段落０００１）
ｃ　「さらに、上記セラミック板状体１の吸着面１ａは、表面粗さ（Ｒｍａｘ）０．８ｓ以下の滑らかな面としてあり、そのため、優れた吸着力を得ることができる。」（段落００１６）
ｄ　「そして、これらのセラミック原料をテープ成形法、乾式プレス成形法、静水圧プレス成形法等により板状に成形し、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）などからなる内部電極２を形成した後、板状成形体を積層して一体焼成することにより、内部電極２を有するセラミック板状体１を得ることができる。」（段落００１９）
ｅ　「いずれも、大きさは直径１５０ｍｍで、内部電極２と吸着面１ａの距離は３００μｍとし、吸着面１ａはラップ加工して、表面粗さ（Ｒａ）０．２μｍとした。」（段落００２３）
（イ）　甲第２号証
ａ　「本発明は、静電チャックに関するものである。」（段落０００１）
ｂ　「本発明に係る静電チャックは、被処理物を吸着するためのものであり、基体と、絶縁性誘電層と、基体と絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、電極上に絶縁性誘電層を介して被処理物を吸着するように構成されており、絶縁性誘電層の平均厚さが０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下であることを特徴とする。」（段落００１５）
ｃ　「また、本発明の静電チャックにおいては、絶縁性誘電層の最大粗さＲｍａｘを３μｍ以下とすることが好ましく、これによって特に吸着力が増大した。」（段落００２６）
ｄ　「基体および絶縁性誘電層を構成するセラミックスとしては、窒化珪素、窒化アルミニウム、・・・・が好ましい。」（段落００３９）
ｅ　「また、最大粗さＲｍａｘを３μｍ以下とした場合に気孔率を３％以下とすることによって、やはり吸着力が最も向上することがわかった。」（段落００８２）
（ウ）　甲第３号証
ａ　「（１）主として窒化アルミニウムで形成されているセラミックス基板であって、表面あらさがＲｍａｘ≦１０μｍであることを特徴とする窒化アルミニウム系セラミックス基板」（特許請求の範囲）
ｂ　「セラミックス基板の製造過程におけるセラミックス材料の粉砕粒径および成形密度、焼結温度等を正当に調整することによってセラミックス焼結後の基板に所望の表面あらさを具備させることもできる。」（第２頁左下欄第２〜６行）
（エ）　甲第４号証
　「基板ホルダ５上に焼結体Ａｌ２０３セラミック基板８を載せた後、るつぼ６内に基板８の材料と同一物質の焼結体Ａｌ２０３セラミック粉末９を入れてから、・・・・・・・基板８をクリーニングする。基板８のクリーニング終了後、・・・・・・るつぼ６内の焼結体Ａｌ２０３セラミック粉末を加熱蒸発させると、基板温度２００℃に設定された基板面にＡｌ２０３セラミック粒子が被着する。・・・・・その後、Ａｌ２０３微粉末によるバフ研摩を行ない被覆層を４μｍまで研摩した。この結果、最大表面粗さＲｍａｘは、被覆層形成前の値１．４μｍから、被覆層形成後（研摩後）は、０．０５μｍまで減少し、著るしく改善されたことが確認できた。」（第３頁右上欄第９行〜左下欄第１６行）
（オ）　甲第５号証
　「窒化アルミニウム粉末に３重量％の酸化イットリウムを加え、粉砕混合し、バインダを添加してドクターブレード法によりシート成形した。得られたグリーンシートを５０ｍｍ×５０ｍｍなど適当な大きさに切断し、窒素雰囲気中で１８００℃、２時間加熱して焼成した。得られたＡｌＮ基板の表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、２〜５μｍであった。」（第２頁右上欄第２〜８行）
（カ）　甲第６号証
　「弾性表面波用の基板としてＬｉＮｂ０３、ＬｉＴａＯ３、水晶等の圧電性単結晶体から切出された種々の方位を有する単結晶板が試みられている。・・上記弾性表面波用基板の製造は、従来、先ず裏面を粗面化し、次いで主面を鏡面化する方法で行なわれている。ところがこの方法の場合、裏面の粗面化を行なった段階で基板は裏面が凸になるようになる現象がある。この反りは裏面の粗さが大きい程、基板が薄い程、基板が大きくなる程顕著である。」（第１頁左下欄第１５行〜右下欄第１２行
（キ）　甲第７号証
ａ　「このＡｌ又はＡｌ合金基板は、種々の検討の結果、Ｎ及び/又はＯを含むＣｏ−Ｎｉ合金薄膜の加熱処理により反り変形を起し易いことが認められた。本発明は、熱処理後の平坦度に優れた磁気記録媒体用基板の平坦化方法を提供するものである。」（第２頁左上欄第９〜１５行）
ｂ　「また基板の表裏においてアルマイト被膜のテクスチャー処理の程度（表面粗さの程度）に差があると、これによっても熱処理に伴って反りが発生することが認められた。この表面粗さの差異に起因する反りは、表面の粗い側が縮み表面の粗くない側が伸びるように作用し、表裏両面の粗さの差異が大きいほど反りが大きくなる。」（第２頁左下欄第６〜１３行）
（ク）　甲第８号証
ａ　「【請求項１】窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体の表面に、金属粒子を焼結して形成した発熱体を設けてなることを特徴とするヒーター。」（請求項１）
ｂ　「本願発明は、主に半導体産業において使用される乾燥用のヒーターに関し、特には、温度制御しやすく、また、薄くて軽いヒーターに関する。」（段落０００１）
ｃ　「半導体製品は、シリコンウエハー上に感光性樹脂をエッチングレジストとして形成し、・・・・・・塗布したシリコンウエハーをヒーター上に載置して加熱することになる。」（段落０００２）
ｄ　「本願発明では、板状体（以下ヒーター板と称す）は、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなることが必要である。窒化物セラミックまたは炭化物セラミックは、熱膨張係数が金属より小さく、薄くしても、加熱によりそったり、歪んだりしない。」（段落００１１）
ｅ　「前記ヒーター板は、０．５〜５ｍｍ程度がよい。薄すぎると破損しやすくなるからである。」（段落００１２）
ｆ　「また、図２に示すようにヒーター板１に貫通孔８を複数設けてその孔８に支持ピン７を挿入し、半導体ウエハー９をそのピン７上に載置することができる。」（段落００２２）
ｇ　「生成形体を１８００℃、圧力２３０ｋｇ/ｃｍ２でホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に切り出してセラミック製の板状体（ヒーター板）１とした。」（段落００３０）
ｈ　図２を参照すると、セラミック製の板状体１の底面に、発熱体が設けられていることが、認められる。
　上記ａ〜ｈの記載事項より、甲第８号証には、次の発明が、記載されていると認められる。
　窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体の表面に半導体ウエハー載置するか、または、半導体ウエハーを前記窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体の表面から一定の距離の支持ピン上に載置する半導体製造用セラミック製の板状体において、
　直径２３０ｍｍの円状に切り出したセラミック製の板状体の底面に発熱体が設けられ、セラミック製のヒーターとして使用される半導体製造用セラミック製の板状体。
（ケ）　甲第９号証
ａ　「ハードディスク基板において、該基板がセラミックスであり、その剛性が、ヤング率で２００ＧＰａ以上であることを特徴とするハードディスク基板」（請求項１）
ｂ　「得られた焼結体を・・・・・・０．２μｍのダイアモンド砥粒にて両面を鏡面仕上げした。」（段落００３４）
（コ）　甲第１０号証
ａ　「窒化アルミニウムを１００重量部、炭素を０．００５重量部以上０．５重量部以下、・・・・・含み、その熱伝導率が・・・・２７０Ｗ/ｍ・Ｋ以下である、高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体。」（請求項１）
ｂ　「この発明は、ＩＣ基板材料、パッケージ材料を初めとする電子材料等に使用されるセラミックス焼結体に関し、」（第２頁第３欄第４７〜４８行）
（サ）　甲第１１号証
ａ　「円盤状をしたセラミック基体の上面をウエハの保持面とし、その内部に抵抗発熱体を埋設してなるウエハ加熱装置において、上記保持面とは反対側の下面を基準面とし、該基準面から上記セラミック基体の厚みの０．０２〜０．６倍の距離に前記抵抗発熱体を配置する・・・・・・ウエハ加熱装置。」（請求項１）
ｂ　「セラミック基体２の上面に研摩加工を施してウエハＷの保持面３を形成するとともに、下面に研摩加工を施して基準面５を形成」（段落００３１）
ｃ　「外径３００ｍｍ、厚みＴ１７ｍｍの円盤状をしたセラミック基体２を、純度９９．９％の窒化アルミニウム質焼結体により形成し、その内部にシート膜状のタングステンからなる抵抗発熱体４を埋設したものを使用した。」（段落００３４）
（シ）　甲第１２号証
ａ　「本発明は、・・・・・適切な抵抗値を有し、ＡｌＮとの密着性がよく、経時抵抗変化の少ないＡｌＮセラミックヒータ用発熱抵抗体用ペーストを提供することを目的とする。」（段落０００７）
ｂ　段落００１４には、導電ペースト中に含まれるＷ（タングステン）粉末の「平均粒径１．３μｍ」であることが記載されている。
イ　対比・判断
（ア）　本件発明１について
　本件発明１（前者）と甲第８号証に記載の発明（後者）を対比すると、後者の
窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体、半導体ウエハー、半導体製造用セラミック製の板状体、セラミック製のヒーターが、前者のセラミック基板、半導体ウエハ、半導体製造・検査装置用セラミック板、セラミックヒータにそれぞれ相当しており、両者は、
　セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを前記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の底面に発熱体が形成されてなり、
セラミックヒータとして使用される半導体製造・検査装置用セラミック板。
で一致しているが、次の２点で相違している。
Ａ　前者は、セラミック基板のＪＩＳ　Ｂ　０６０１に基づく面粗度は、Ｒｍａｘ＝０．１〜２５０μｍであるのに対して、後者はこのように構成されていない点。
Ｂ　前者は、セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、５０％以下であるのに対して、後者はこのように構成されていない点。
　上記相違点Ａ及びＢについて検討すると、前者は、相違点Ａ及びＢの両構成要件を備えることにより、格別な作用効果を奏するものと認められるところ（段落００８９の記載参照）、甲第１〜７号証及び甲第９〜１２号証の何れにも相違点Ａ及びＢの前者の構成要件を両方満たしている記載は、認められず、また、これを示唆する記載も認められないので、本件発明１は、甲第１〜１２号証に記載の発明であるとも、甲第１〜１２号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　また、本件発明２は、本件発明１の請求項１を引用しているので、上記の本件発明１と同様に、甲第１〜１２号証に記載の発明であるとも、甲第１〜１２号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものともすることはできない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件発明１〜２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月１１日（２００３．３．１１）
【訂正の要旨】
（ａ）請求項１を特許請求の範囲の限縮を目的として、次の通りに訂正し、この訂正と整合させるため、請求項２を訂正する。更に、請求項３を削除する。
「［請求項１］　セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを前記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されなり、
前記セラミック基板のＪＩＳ　
Ｂ
前記セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、５０％以下であ
り、かつ、
セラミックヒータとして使用される
「［請求項２］　
前記セラミック基板の厚さは、
（ｂ）特許請求の範囲の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との整合を図るため、段落番号［０００９］、［００１０］を次のとおりに訂正する。
「［０００９］即ち本発明は、セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを上記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり、
Ｂ
り、かつ、セラミックヒータとして使用される
「［００１０］［発明の実施の形態］本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板は、セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを上記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり、
Ｂ
り、かつ、セラミックヒータとして使用される
（ｃ）　誤記の訂正を目的として・段落番号［００４３］を次のとおりに訂正する。
「［００４３］次に、本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板の製造方法について説明する。
まず、図１に示したセラミッ
ク
（５４）【発明の名称】
半導体製造・検査装置用セラミック板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを前記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり、
前記セラミック基板のＪＩＳ　
Ｂ
前記セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、５０％以下であ
り、かつ、
セラミックヒータとして使用される
　【請求項２】　
前記セラミック基板の厚さは、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
本発明は、主に半導体製造・検査装置に使用されるセラミック板関し、特には、大型のシリコンウエハを載置でき、ウエハの破損等が起きない半導体製造・検査装置用セラミック板に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
半導体は種々の産業において必要とされる極めて重要な製品であり、半導体チップは、例えば、シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウエハを作製した後、このシリコンウエハに種々の回路等を形成することにより製造される。
このような半導体チップの製造工程において、例えば、静電チャック、ホットプレート、ウエハプローバ、サセプタなど、セラミック基板をベースとして使用する半導体製造・検査装置が盛んに用いられている。
　【０００３】
このような半導体製造・検査装置として、例えば、特許第２５８７２８９号公報、特開平１０−７２２６０号公報などには、これらの用途に使用されるセラミック基板が開示されている。
　【０００４】
上記公報などに開示されているセラミック基板は、いずれもその直径が６インチ（１５０ｍｍ）程度か、厚さが８ｍｍ以上のものであった。ところが、最近のシリコンウエハの大型化にともない、セラミック基板に関しても、直径が８インチ以上のものが求められるようになってきている。
　【０００５】
また、シリコンウエハの製造工程では、セラミック基板の内部に発熱体が埋設されたものを使用して加熱する必要があり、さらに、その熱容量を小さくして温度追従性を向上させるために、厚さを１０ｍｍ未満にすることが必要となってきている。さらに、特開平７−２８０４６２号公報によれば、このセラミックヒータでは、シリコンウエハを載置するか、または、一定の間隔保って保持する面（以下、ウエハ載置・保持面という）のＪＩＳ　Ｒ　０６０１に基づく面粗度をＲｍａｘ＝２μｍ未満とし、その反対側面の上記面粗度を、熱線の乱反射が起こるのに充分な粗度、すなわちＲｍａｘ＝２〜２００μｍに調整している。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような粗化処理を施した大型で薄いセラミック基板に発熱体を形成したセラミックヒータを用いると、高温領域で反りが発生するという問題が生じた。
そこで、このような問題が生じる原因を探究したところ、次のようなメカニズムであることが判った。
　【０００７】
このセラミックヒータでは、ウエハ載置・保持面よりもその反対側面の方が面粗度が大きい。このため高温でヤング率が低下すると、粗度の大きいウエハ載置・保持面に対向する面の方が若干伸長しやすくなり、そのために反りが発生してしまう。
また、セラミック基板の両主面の面粗度が大きすぎると、面粗度をウエハ載置・保持面とその反対側面とで同一としても、ウエハ載置・保持面の方が収縮しやすくなって反りが発生し、一方、面粗度を極めて小さくして平坦化しようとすると、研磨やブラスト処理の条件を過酷にしなければならなくなり、そのために研磨処理等に起因して、セラミック基板の表面に応力が残存し、この応力が高温で開放されるために逆に反りが発生しやすくなる。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
本発明者らは、このようなセラミック基板の反り発生の問題を解決するために研究を重ねた結果、セラミック基板の両主面の面粗度を所定の範囲内に調節し、かつ、ウエハ載置・保持面と反対側面との面粗度の差を５０％以下に調整することにより、セラミック基板に反りが発生するのを防止することができることを見いだし、本発明を完成するに至った。
　【０００９】
即ち本発明は、セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを上記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり、
Ｂ
り、かつ、セラミックヒータとして使用される
上記半導体製造・検査装置用セラミック板において、
上記セラミック基板の厚さは、
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板は、セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを上記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、
直径が２００ｍｍ以上の円板状のセラミック基板の内部または底面に発熱体が形成されてなり、
Ｂ
り、かつ、セラミックヒータとして使用される
　【００１１】
本明細書で面粗度の差とは、下記の（１）式により計算される値をいうものとする。
　　面粗度の差（％）＝〔（大きい面粗度−小さい面粗度）／大きい面粗度〕×１００・・・（１）
従って、本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板では、ウエハ載置・保持面の方が面粗度が大きくてもよく、ウエハ載置・保持面の反対側面の方が面粗度が大きくてもよい。
　【００１２】
本発明では、まず、セラミック基板のＪＩＳ　Ｒ　０６０１に基づく面粗度がＲｍａｘ＝０．１〜２５０μｍに調節されているため、「従来技術」の項に記載したような問題、すなわちウエハ載置・保持面が収縮しやすくなったり、表面に応力が残留することはない。さらに、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、または、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が５０％以下に調整されているため、面粗度の相違が大きすぎることに起因する反りの発生もない。
　【００１３】
特に、面粗度の差は、２０％以下が最適である。面粗度の差を２０％以下とすることで、直径２００ｍｍ以下の円板セラミック基板の反り量を５μｍ以下とすることができ、半導体ウエハの加熱特性を向上させ、ウエハプローバの検査誤差を無くし、また、静電チャックのチャック力を向上させることが可能になるからである。
従って、この半導体製造・検査装置用セラミック板の上にシリコンウエハ等を載置して加熱しても、反りに起因してシリコンウエハが破損することはない。
　【００１４】
本発明で使用するセラミック基板は、直径が２００ｍｍ以上、厚さが５０ｍｍ以下であることが望ましい。これは、半導体ウエハの直径が８インチ以上が主流となり、大型化が求められているからである。
　【００１５】
また、８インチ以上の直径の大きなセラミック基板ほど、高温での反りが発生しやすく、本発明の構成が効果的に作用する大きさである。上記セラミック基板の直径は、１２インチ（３００ｍｍ）以上であることがより望ましい。次世代の半導体ウエハの主流となる大きさだからである。
　【００１６】
上記セラミック基板の厚さは５０ｍｍ以下が好ましいとしているのは、５０ｍｍを超えると、セラミック基板の熱容量が大きくなり、温度制御手段を設けて加熱、冷却すると温度追従性が低下してしまうからである。
　【００１７】
また、５０ｍｍ以下の薄いセラミック基板ほど、高温での反りが発生しやすく、本発明の構成が効果的に作用するのである。
セラミック基板の厚さは、５ｍｍ以下がより望ましい。５ｍｍを超えると熱容量が大きくなり、温度制御性、ウエハ載置・保持面の温度均一性が低下するからである。
　【００１８】
本発明のセラミック板では、２５〜８００℃まで温度範囲におけるヤング率が２８０ＧＰａ以上であるセラミックを使用することが望ましい。このようなセラミックとしては特に限定されないが、例えば、窒化物セラミック、炭化物セラミック等が挙げられる。
　【００１９】
ヤング率が２８０ＧＰａ未満であると、剛性が低すぎるため、加熱時の反り量を小さくすることが困難となる。
　【００２０】
窒化物セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素等が挙げられる。炭化物セラミックとしては、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。
上記窒化アルミニウムを使用する場合には、５０重量％を超えた量が窒化アルミニウムから構成される組成のものが好ましい。この場合に使用される他のセラミックとしては、例えば、アルミナ、サイアロン、炭化ケイ素、窒化ケイ素等が挙げられる。
　【００２１】
上記セラミック基板のヤング率は、２種類以上のセラミックを混合あるいは積層して使用することにより、また、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、カーボン等を添加することにより制御することができる。上記アルカリ金属、アルカリ土類金属としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｒｂなどが望ましく、希土類金属としてはＹが望ましい。またカーボンは非晶質、結晶質いずれのものも使用することができる。さらにカーボンは１００〜５０００ｐｐｍの含有量が望ましい。このような含有量とすることにより、セラミック板を黒色化することができるからである。
　【００２２】
本発明では、セラミック基板の内部に導体層を設け、この導体層を、例えば、発熱体、ガード電極、グランド電極、静電電極などとして機能させることができる。また、セラミック基板の表面に導体層を設け、この導体層を、例えば、発熱体、チャックトップ電極などとして機能させることができる。
さらに、セラミック基板の内部に、発熱体とガード電極とグランド電極のような、複数の導体層を設けることもできる。
また、静電電極を設けた場合には、静電チャックとして機能する。
　【００２３】
上記導体層を構成する材料としては、例えば、金属焼結体、非焼結性金属体、導電性セラミックの焼結体などが挙げられる。
上記金属焼結体、上記非焼結性金属体の原料としては、例えば、高融点金属等を使用することができる。上記高融点金属としては、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケルおよびインジウムなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステンまたはモリブデンの炭化物が挙げられる。
　【００２４】
このような発熱体、ガード電極、グランド電極などが設けられたセラミック板は、例えば、ホットプレート（セラミックヒータ）、静電チャック、ウエハプローバなどとして使用することができる。
　【００２５】
図１は、本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板の一実施形態であるセラミックヒータの一例を模式的に示す平面図であり、図２は、上記セラミックヒータの一部を模式的に示す部分拡大断面図である。
セラミック基板１１は、円板状に形成されており、発熱体１２は、セラミック基板１１のウエハ載置・保持面の全体の温度が均一になるように加熱するため、セラミック基板１１の底面に同心円状のパターンに形成されている。
　【００２６】
また、これら発熱体１２は、互いに近い二重の同心円同士を１組として、１本の線になるように接続され、その両端に入出力の端子となる端子ピン１３が接続されている。また、中央に近い部分には、支持ピン１６を挿入するための貫通孔１５が形成され、さらに、測温素子を挿入するための有底孔１４が形成されている。
　【００２７】
また、図２に示したように、支持ピン１６は、その上にシリコンウエハ１９を載置して上下させることができるようになっており、これにより、シリコンウエハ１９を図示しない搬送機に渡したり、搬送機からシリコンウエハ１９を受け取ったりすることができる。
発熱体１２は、セラミック基板１１の内部で、その中心または中心よりウエハ載置・保持面に偏芯した位置に形成されていてもよい。
　【００２８】
発熱体１２のパターンとしては、例えば、同心円、渦巻き、偏心円、屈曲線などが挙げられるが、ヒータ板全体の温度を均一にすることができる点から、図１に示したような同心円状のものが好ましい。
　【００２９】
セラミック基板の内部または底面に発熱体１２を形成するためには、金属や導電性セラミックからなる導電ペーストを用いることが望ましい。
即ち、セラミック基板の内部に発熱体を形成する場合には、グリーンシート上に導体ペースト層を形成した後、グリーンシートを積層、焼成することにより、内部に発熱体を作製する。一方、表面に発熱体を形成する場合には、通常、焼成を行ってセラミック基板を製造した後、その表面に導体ペースト層を形成し、焼成することにより発熱体を作製する。
　【００３０】
上記導体ペーストとしては特に限定されないが、導電性を確保するための金属粒子または導電性セラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むものが好ましい。
　【００３１】
上記金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有するからである。
　【００３２】
上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これら金属粒子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるからである。
　【００３３】
上記金属粒子の形状は、球状であっても、リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよい。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を保持しやすくなり、発熱体１２と窒化物セラミック等との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有利である。
　【００３４】
導体ペーストに使用される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースなどが挙げられる。
　【００３５】
上記導体ペーストには、上記したように、金属粒子に金属酸化物を添加し、発熱体１２を金属粒子および金属酸化物を焼結させたものとすることが望ましい。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、セラミック基板である窒化物セラミックと金属粒子とを密着させることができる。
　【００３６】
上記金属酸化物を混合することにより、窒化物セラミック等との密着性が改善される理由は明確ではないが、金属粒子表面や窒化物セラミックの表面は、わずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミック等とが密着するのではないかと考えられる。
　【００３７】
上記金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
これらの酸化物は、発熱体１２の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックとの密着性を改善することができるからである。
　【００３８】
上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリア、チタニアの割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０であって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整されていることが望ましい。
これらの範囲で、これらの酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミックとの密着性を改善することができる。
　【００３９】
上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。また、このような構成の導体ペーストを使用して発熱体１２を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□が好ましい。面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、表面に発熱体１２を設けたセラミック基板１１では、その発熱量を制御しにくいからである。なお、金属酸化物の添加量が１０重量％以上であると、面積抵抗率が５０ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性が低下する。
　【００４０】
発熱体１２がセラミック基板１１の表面に形成される場合には、発熱体１２の表面部分に、図２に示すような金属被覆層１２ａが形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。形成する金属被覆層１２ａの厚さは、０．１〜１０μｍが好ましい。
　【００４１】
金属被覆層１２ａを形成する際に使用される金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが好ましい。
　【００４２】
本発明では、必要に応じてセラミック基板に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対により発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて、温度を制御することができるからである。熱電対の金属線の接合部位の大きさは、各金属線の素線径と同一か、もしくは、それよりも大きく、かつ、０．５ｍｍ以下がよい。このような構成によって、接合部分の熱容量が小さくなり、温度が正確に、また、迅速に電流値に変換されるのである。このため、温度制御性が向上してウエハの加熱面の温度分布が小さくなるのである。
上記熱電対としては、例えば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるように、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対が挙げられる。
　【００４３】
次に、本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板の製造方法について説明する。
まず、図１に示したセラミッ
ク
　【００４４】
（１）セラミック板の作製工程
上述した窒化アルミニウムなどの窒化物セラミックに必要に応じてイットリア等の焼結助剤やバインダ等を配合してスラリーを調製した後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状にし、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより板状などに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。
　【００４５】
次に、生成形体に、必要に応じて、シリコンウエハを支持するための支持ピン１６を挿入する貫通孔１５となる部分や熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔１４となる部分を形成する。
　【００４６】
次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定の形状に加工することにより、セラミック基板１１を作製するが、焼成後にそのまま使用することができる形状としてもよい。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔のないセラミック基板１１を製造することが可能となる。加熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、窒化物セラミックでは、１０００〜２５００℃である。
　【００４７】
（２）セラミック基板に導体ペーストを印刷する工程
導体ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からなる粘度の高い流動物である。この導体ペーストをスクリーン印刷などを用い、発熱体を設けようとする部分に印刷を行うことにより、導体ペースト層を形成する。発熱体は、セラミック基板全体を均一な温度にする必要があることから、図１に示すような同心円状からなるパターンに印刷することが望ましい。
導体ペースト層は、焼成後の発熱体１２の断面が、方形で、偏平な形状となるように形成することが望ましい。
　【００４８】
（３）導体ペーストの焼成
セラミック基板１１の底面に印刷した導体ペースト層を加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒子を焼結させ、セラミック基板１１の底面に焼き付け、発熱体１２を形成する。加熱焼成の温度は、５００〜１０００℃が好ましい。
導体ペースト中に上述した金属酸化物を添加しておくと、金属粒子、セラミック基板および金属酸化物が焼結して一体化するため、発熱体とセラミック基板との密着性が向上する。
　【００４９】
（４）金属被覆層の形成
発熱体１２表面には、金属被覆層１２ａを設けることが望ましい（図２参照）。金属被覆層１２ａは、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等により形成することができるが、量産性を考慮すると、無電解めっきが最適である。
　【００５０】
（５）端子等の取り付け
発熱体１２のパターンの端部に電源との接続のための外部端子１３を半田で取り付ける。また、有底孔１４に熱電対を挿入し、ポリイミド等の耐熱樹脂、セラミックで封止し、セラミックヒータ１０とする。
　【００５１】
次に、セラミック基板の内部に発熱体が形成されたセラミック板の製造方法について説明する。
（１）セラミック基板の作製工程
まず、窒化物セラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混合してペーストを調製し、これを用いてグリーンシートを作製する。
上述したセラミック粉末としては、窒化アルミニウムなどを使用することができ、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤を加えてもよい。
イットリアの量は、５重量％以上が好ましい。焼結体中に１重量％以上のイットリウムを残留させることができ、ヤング率を２５〜８００℃の温度領域で２８０ＧＰａ以上に調整することができるからである。
イットリウムの残留量が１重量％未満の場合、ヤング率が２５℃付近で２８０ＧＰａ未満となるため好ましくない。
　【００５２】
また、バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
　【００５３】
これらを混合して得られるペーストをドクターブレード法でシート状に成形してグリーンシートを作製する。
グリーンシートの厚さは、０．１〜５ｍｍが好ましい。
次に、得られたグリーンシートに、必要に応じて、シリコンウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔となる部分、発熱体を外部の端ピンと接続するためのスルーホールとなる部分等を形成する。後述するグリーンシート積層体を形成した後に、上記加工を行ってもよい。
　【００５４】
（２）グリーンシート上に導体ペーストを印刷する工程
グリーンシート上に、金属ペーストまたは導電性セラミックを含む導電性ペーストを印刷する。
これらの導電ペースト中には、金属粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。
タングステン粒子またはモリブデン粒子の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好ましい。平均粒子が０．１μｍ未満であるか、５μｍを超えると、導体ペーストを印刷しにくいからである。
　【００５５】
このような導体ペーストとしては、例えば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が挙げられる。
　【００５６】
（３）グリーンシートの積層工程導体ペーストを印刷していないグリーンシートを、導体ペーストを印刷したグリーンシートの上下に積層する。
このとき、上側に積層するグリーンシートの数を下側に積層するグリーンシートの数よりも多くして、発熱体の形成位置を底面の方向に偏芯させる。
具体的には、上側のグリーンシートの積層数は２０〜５０枚が、下側のグリーンシートの積層数は５〜２０枚が好ましい。
　【００５７】
（４）グリーンシート積層体の焼成工程
グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシートおよび内部の導体ペーストを焼結させる。
加熱温度は、１０００〜２０００℃が好ましく、加圧の圧力は、１００〜２００ｋｇ／ｃｍ２が好ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素などを使用することができる。
　【００５８】
なお、焼成を行った後に、測温素子を挿入するための有底孔を設けてもよい。有底孔は、表面研磨後に、ドリル加工やサンドブラストなどのブラスト処理を行うことにより形成することができる。また、内部の発熱体と接続するためのスルーホールに端子を接続し、加熱してリフローする。加熱温度は、半田処理の場合には９０〜１１０℃が好適であり、ろう材での処理の場合には、９００〜１１００℃が好適である。
さらに、測温素子としての熱電対などを耐熱性樹脂で封止し、セラミックヒータとする。
　【００５９】
　【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）セラミックヒータ
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行て厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。
　【００６０】
（２）次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径１．８ｍｍ、３．０ｍｍおよび５．０ｍｍの貫通孔をそれぞれ形成した。これらの貫通孔は、シリコンウエハを支持する支持ピンを挿入するための貫通孔となる部分、スルーホールとなる部分等である。
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量および分散剤０．３重量部を混合して導電性ペーストＡを調整した。
　【００６１】
平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオール溶媒３．７重量
部
　【００６２】
この導電性ペーストＡをグリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、発熱体用の導体ペースト層を形成した。印刷パターンは、図１に示したような同心円パターンとした。上記処理の終わったグリーンシートに、印刷処理をしていないグリーンシートを上側（加熱面）に３７枚、下側に１３枚積層し、１３０℃、８０Ｋｇ／ｃｍ２の圧力で一体化することにより積層体を作製した。
また、スルーホールとなる貫通孔部分に導体ペーストＢを充填した。
　【００６３】
（４）次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２で１０時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを３００ｍｍの円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの発熱体を有するセラミックヒータとし、次に、平均粒子径２．５μｍのＳｉＣを両面に吹きつけるサンドブラスト処理を行い、ウエハ載置・保持面の面粗度をＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝２μｍ、反対側面の面粗度をＲｍａｘ＝２．３μｍとした。
なお、スルーホールの大きさは、直径０．２ｍｍ、深さ０．２ｍｍであった。
　【００６４】
（５）次に、上記（４）で得られた板状体を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔１４を設けた。
　【００６５】
（６）さらに、ドリル加工により直径５ｍｍ、深さ０．５ｍｍの袋孔を形成し、この袋孔にＮｉ−Ａｕ合金（Ａｕ：８１．５重量％、Ｎｉ：１８．４重量％、不純物：０．１重量％）からなる金ろうを用い、９７０℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子を接続した。
なお、外部端子は、タングステンからなる３個の金属層により支持、接続される構造となっている。
（７）次に、温度制御のための複数の熱電対を有底孔に埋め込み、セラミックヒータの製造を完了した。
　【００６６】
（実施例２）
（１）窒化アルミニウム粉末（平均粒径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
　【００６７】
（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。
　【００６８】
（３）加工処理の終った生成形体を１８００℃、圧力：２００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスし、厚さが３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。
次に、この板状体から直径３００ｍｍの円板体を切り出し、資平均粒子径５μｍのアルミナ粒子を両面に吹きつけるサンドブラスト処理を行い、ウエハ載置・保持面の面粗度をＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝７μｍ、反対側面の面粗度をＲｍａｘ＝７．５μｍとした。
さらに、板状体にドリル加工を施し、半導体ウエハの支持ピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対を埋め込むための有底孔１４となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。
　【００６９】
（４）上記（３）の加工を施した板状体に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、図１に示したような同心円状のパターンとした。導体ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。
この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）およびアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであった。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のものであった。
　【００７０】
（５）次に、導体ペーストを印刷したヒータ板１１を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにヒータ板１１に焼き付け、発熱体１２を形成した。銀−鉛の発熱体は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
　【００７１】
（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（５）で作製したヒータ板１１を浸漬し、銀−鉛の発熱体１２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）１２ａを析出させた。
　【００７２】
（７）電源との接続を確保するための外部端子１３を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。
ついで、半田層の上にコバール製の外部端子１３を載置して、４２０℃で加熱リフローし、外部端子１３を発熱体の表面に取り付けた。
　【００７３】
（８）温度制御のための熱電対をポリイミドで封止し、セラミックヒータ１０を得た。
　【００７４】
（実施例３）静電チャック（図３〜５参照）の製造
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部、ショ糖０．２重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。
　【００７５】
（２）次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥させた後、加工が必要なグリーンシートに対し、パンチングにより直径１．８ｍｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍの半導体ウエハ支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、外部端子と接続するためのスルーホールとなる部分を設けた。
　【００７６】
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製した。
平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を混合して導体ペーストＢを調製した。
この導電性ペーストＡをグリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体ペースト層を形成した。印刷パターンは、同心円パターンとした。また、他のグリーンシートに図４に示した形状の静電電極パターンからなる導体ペースト層を形成した。
　【００７７】
さらに、外部端子を接続するためのスルーホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。
抵抗発熱体のパターンが形成されたグリーンシート５００に、さらに、タングステンペーストを印刷しないグリーンシート５００′を上側（加熱面）に３４枚、下側に１３枚積層し、その上に静電電極パターンからなる導体ペースト層を印刷したグリーンシート５００を積層し、さらにその上にタングステンペーストを印刷していないグリーンシート５００′を２枚積層し、これらを１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で圧着して積層体を形成した（図５（ａ））。
　【００７８】
（４）次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの抵抗発熱体５０および厚さ１０μｍのチャック正極静電層２０、チャック負極静電層３０を有する窒化アルミニウム製の板状体とした（図５（ｂ））。
　【００７９】
（５）次に、（４）で得られた板状体を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔（直径：１．２ｍｍ、深さ：２．０ｍｍ）を設けた。このときのセラミック表面の粗度は、Ｒｍａｘ＝３μｍであった。
また、ウエハ載置・保持面を研磨して、Ｒｍａｘ＝１．５μｍとした。
　【００８０】
（６）さらに、スルーホールが形成されている部分をえぐり取って袋孔１３０、１４０とし（図５（ｃ））、この袋孔１３０、１４０にＮｉ−Ａｕからなる金ろうを用い、７００℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子６０、１８０を接続させた（図５（ｄ））。
なお、外部端子の接続は、タングステンの支持体が３点で支持する構造が望ましい。接続信頼性を確保することができるからである。
　【００８１】
（７）次に、温度制御のための複数の熱電対を有底孔に埋め込み、抵抗発熱体を有する静電チャックの製造を完了した。
完成した静電チャック（図３）は、セラミック基板１００中に、ヒータ（抵抗発熱体）パターン５０と正負極チャック静電層（静電電極）２０、３０が埋設されてなる。正負極チャック静電層（静電電極）２０、３０は、図４にあるように、櫛歯電極２０ｂと櫛歯電極３０ｂが対向し、櫛歯電極同士を電気的に接続する接続電極２０ａ、３０ａが存在する。
正負極チャック静電層（静電電極）２０、３０上には、厚さ約３００μｍのセラミック誘電体膜４０が形成されてなる。セラミック誘電体膜４０は、５０〜２０００μｍの範囲で設定できる。
　【００８２】
（
）
実施例３と同様であるが、（５）でセラミック基板１００の両面をサンドブラストで処理し、両面とも表面の粗度をＲｍａｘ＝３μｍとした。
　【００８３】
（比較例１）
本比較例では、実施例１の（１）〜（４）と同様にして窒化アルミニウム板状体を得た後、ウエハの載置面に平均粒子径０．５μｍのＳｉＣ粒子を吹きけるサンドブラスト処理を行い、一方、反対側面に５μｍのＳｉＣ粒子を吹きつけるサンドブラフト処理を行い、その後、実施例１の（５）〜（７）と同様にしてセラミックヒータを得た。
得られたセラミックヒータのウエハ載置・保持面の面粗度は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝１μｍであり、反対側面の面粗度は、Ｒｍａｘ＝４．８μｍであった。
　【００８４】
（比較例２）
本比較例では、実施例１の（１）〜（４）と同様にして窒化アルミニウム板状体を得た後、両面に平均粒子径０．１μｍのＳｉＣ粒子を吹きつけるサンドブラスト処理を行い、その後、実施例１の（５）〜（７）と同様にしてセラミックヒータを得た。
得られたセラミックヒータのウエハ載置・保持面の面粗度は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝０．０８μｍであり、反対側面の面粗度は、Ｒｍａｘ＝０．０７μｍであった。
　【００８５】
（比較例３）
本比較例では、実施例１の（１）〜（４）と同様にして窒化アルミニウム板状体を得た後、両面に平均粒子径２５０μｍのＳｉＣ粒子を吹きつけるサンドブラスト処理を行い、その後、実施例１の（５）〜（７）と同様にしてセラミックヒータを得た。
得られたセラミックヒータのウエハ載置・保持面の面粗度は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝２６０μｍであり、反対側面の面粗度は、Ｒｍａｘ＝２１０μｍであった。
（参考例）
比較例１と同様であるが、直径を１５０ｍｍ（６インチ）とした。
　【００８６】
評価方法
実施例１〜２および比較例１〜３で得られたセラミックヒータを６００℃まで昇温し、常温に戻した後、その反り量を調べた。反り量は、京セラ社製　形状測定器　「ナノウエイ」を使用して測定した。その結果を下記の表１に示した。
　【００８７】
　【表１】
　【００８８】
表１に示したように、実施例１〜２に係るセラミックヒータは、Ｒｍａｘ＝０．１〜２５０μｍの範囲にあり、かつ、両面の面粗度の差が１３％（実施例１）、７％（実施例２）と小さいので、その反り量も３μｍ（実施例１、２）と小さかったのに対し、比較例１に係るセラミックヒータは、両面の面粗度の差が７９％と大きいので、反り量が１０μｍと大きく、比較例２に係るセラミックヒータは、両面の面粗度の値が小さすぎるので、応力により反りが発生し、やはり反り量が１０μｍと大きく、比較例３に係るセラミックヒータは、両面の面粗度の値が大きすぎるので、やはり反り量が１０μｍと大きかった。
また、参考例にみられるように、直径２００ｍｍ未満では、反りは殆ど発生しない。
　【００８９】
　【発明の効果】
以上説明のように、本願発明の半導体製造・検査装置用セラミック板によれば、セラミック基板の両主面の面粗度が上記所定の範囲に調整され、かつ、ウエハ載置・保持面と反対側面との面粗度の差が５０％以下に調整されているので、セラミック基板に反りが発生し、この反りに起因してシリコンウエハに破損等が発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板の一例であるセラミックヒータを模式的に示す平面図である。
　【図２】
図１に示したセラミックヒータの一部を模式的に示す断面図である。
　【図３】
本発明の半導体製造・検査装置用セラミック板の一例である静電チャックを模式的に示す縦断面図である。
　【図４】
図３に示した静電チャックのＡ−Ａ線断面図である。
　【図５】
（ａ）〜（ｄ）は、静電チャックの製造工程を模式的に断面図である。
　【符号の説明】
　１０　セラミックヒータ
　１１　ヒータ板
　１１ａ　ウエハ載置・保持面
　１１ｂ　底面
　１２　発熱体
　１２ａ　金属被覆層
　１３　外部端子
　１４　有底孔
　１５　貫通孔
　１６　支持ピン
　１９　シリコンウエハ
　２０　チャック正極静電層
　３０　チャック負極静電層
　２０ａ、３０ａ　接続電極
　２０ｂ、３０ｂ　櫛歯電極
　４０　セラミック誘電体膜
　５０　抵抗発熱体
　１００　セラミック基板
　１０１　静電チャック