【事件の表示】
　特許第３１９５３１５号「半導体装置用接着層付き配線テープ及びその製造方法」の請求項１ないし１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１９５３１５号の請求項１ないし２、４ないし８、１０ないし１５に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１９５３１５号の発明についての出願は、平成８年５月３０日に出願した特願平８−１３６１５９号の一部を平成１１年６月３日に新たな特許出願としたものであって、平成１３年６月１日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、金子しのより特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１月２８日に訂正請求がなされたものである。
　    
II．訂正の適否
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１、７中の「接着するための接着層」を、「接着するための接着用フィルムからなる接着層」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ  
　請求項１中の「１ＭＰａ以上である」を、「１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下である」と、また、請求項７中の「１ＭＰａ以上の」を、「１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下である」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　請求項１、７中の「半導体装置」を、「ボールグリッドアレイ構造半導体装置」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　請求項８中の「からなる半導体装置」を、「からなり、上記接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であるボールグリッドアレイ構造半導体装置」と、また、請求項１４中の「ることを特徴とする半導体装置」を、「り、上記接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であることを特徴とするボールグリッドアレイ構造半導体装置」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　請求項３、９を削除する。　
（６）訂正事項ｆ
　請求項４、５中の「請求項３において」を、「請求項１において」と、また、請求項１０、１３中の「請求項９において」を、「請求項８において」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項ａは、請求項１、７において、接着するための接着層を接着用フィルムからなると限定し、また、上記訂正事項ｂは、請求項１、７において、接着用フィルムからなる接着層について、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であるとその弾性率を限定し、更に、上記訂正事項ｃは、請求項１、７において、半導体装置をボールグリッドアレイ構造半導体装置と、それぞれ構成を限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものである。そして、接着層が、接着用フィルムからなることは、明細書段落【0003】〜【0005】の発明が解決しようとする課題、課題を解決するための手段欄、及び実施例に記載され、また、接着用フィルムからなる接着層について、そのフィルム全体の弾性率が２５℃で５０００ＭＰａ以下であることは、同【0078】表１の実施例２に２５℃で５０００ＭＰａであること、実施例１〜１３には、５０００ＭＰａより小さいことが記載され、更に、半導体装置がボールグリッドアレイ構造であることは、同【0002】の従来の技術欄、及び実施例に記載され、それぞれこれらの記載によって支持されている。
　したがって、訂正事項ａ〜ｃは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）上記訂正事項ｄは、請求項８、１４の接着用フィルムの接着層について、実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であると具体的に弾性率を限定し、更に、半導体装置について、ボールグリッドアレイ構造からなる半導体装置と限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものである。そして、これらの点は上記（１）で示したとおり、明細書の記載によって支持されている。
　したがって、訂正事項ｄは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）上記訂正事項ｅ、ｆは、上記請求項１、８の訂正に基づき、請求項３、９を削除し、更に、請求項３、９の削除に基づき請求項３、９を引用していた請求項の引用項番号を変えるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。又、該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立てについて
１．特許異議申立ての概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１〜３号証を提出して、訂正前の請求項１〜15に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜15に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特表平６−５０４４０８号公報（以下、「刊行物１」という）
甲第２号証：Memory　Package　with　LOC　Structure　using　New　Adhesive　Material、１９９４年（平成６年）、IEEE発行（以下、「刊行物２」という）
甲第３号証：特開平６−２３６９０６号公報（以下、「刊行物３」という）
　  　
２．本件発明
　本件特許第３１９５３１５号の請求項１、２、４〜８、10〜15に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明15」という）は、平成１５年１月２８日付の訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２、４〜８、10〜15に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】誘電体フィルムよりなる基材上に配線が施された配線テープと、上記配線テープを半導体素子に絶縁的に接着するための接着用フィルムからなる接着層とを有し、上記接着層は応力緩衝層であって、上記接着層の弾性率は実装リフロー温度領域で１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であることを特徴とするボールグリッドアレイ構造半導体装置用接着層付き配線テ−プ。
【請求項２】請求項１において、上記実装リフロー温度は２００〜２５０℃であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
【請求項４】請求項１において、上記接着用フィルムが支持体の両面に接着剤層を有する三層構造であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
【請求項５】請求項１において、上記接着用フィルムが多孔質の支持体に接着剤が含浸された構成であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
【請求項６】請求項１において、上記接着層は、室温での弾性率が４０００ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体用接着層付き配線テープ。
【請求項７】誘電体フィルムよりなる基材上に配線が施された配線テープと、上記配線テープを半導体素子に絶縁的に接着するための接着用フィルムからなる接着層とを含んで構成され、上記接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下である接着用フィルムからなり、上記接着用フィルムは多孔質の支持体に接着剤が含浸されていることを特徴とするボールグリッドアレイ構造半導体装置用接着層付き配線テープ。
【請求項８】誘電体フィルムよりなる基材上に配線が施された長尺の配線テープと、上記配線テープ上に所定の大きさでもって連続的に貼り付けられた接着用フィルムとからなり、上記接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であるボールグリッドアレイ構造半導体装置用接着層付き配線テープ。
【請求項10】請求項８において、上記実装リフロー温度が２００〜２５０℃であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
【請求項11】請求項８において、上記接着用フィルムが支持体の両面に接着剤層を有する三層構造であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
【請求項12】請求項８において、上記接着用フィルムが多孔質の支持体に接着剤が含浸された構成であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
【請求項13】請求項８において、上記接着用フィルムの室温での弾性率が４０００ＭＰａ以下であることを特徴とする接着層付き配線テープ。
【請求項14】配線層を形成した長尺配線テープをリールにより搬送し、接着用フィルムを所定の大きさに打ち抜きながら上記配線テープに連続的に貼り付け、上記接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であることを特徴とするボールグリッドアレイ構造半導体装置用接着層付き配線テープの製造方法。
【請求項15】請求項14において、長尺接着用フィルムをリールにより搬送することを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープの製造方法。」　　     
３．各刊行物の記載事項
（１）刊行物１：（特表平６−５０４４０８号公報）
（１ａ）「複数の表面を有し且つ上記表面の少なくとも１つの上に接点を有する半導体チップ及び上記接点に電気的に接続されている端子をその上に有する柔軟性シート状素子を含む形式の半導体チップアセンブリにおいて、上記シート状素子及び上記端子の少なくとも幾つかが上記チップの１つの上記表面の上に置かれており、上記端子が上記チップに対して可動であり且つ上記アセンブリが上記端子の上記チップへの運動を許容するための弾性手段を含むことを特徴とする半導体チップアセンブリ。」（特許請求の範囲第１項）
（１ｂ）12頁左下欄２行〜13頁右上欄22行には、挿入物、リード、しなかやな層およびチップからなる半導体チップアセンブリが記載され、図16、図17に具体的にアセンブリが示され、このアセンブリは、挿入物8336と、この挿入物のチップに対向している面8369に形成されたリード8350と、この挿入物8336に含まれるしなやかな層8340と、チップ8320とを有していることが示されている。
（１ｃ）挿入物8336に関して、「挿入物は、ポリイミド等の高分子材料、フルオロポリマ、熱可塑性ポリマあるいはエラストマから成る薄い柔軟性のシートであることが望ましい。」（６頁右上欄６〜８行）、「挿入物は以下に更に論じられるようなしなやかな圧縮性の層を含むのが好ましい。」（８頁左上欄20〜21行）、挿入物及び端子及び接点のアセンブリは実質的に連続のシート又はストリップ状に形成され、第６図に示されるように挿入物は、複数の挿入物42がテープに沿って長さ方向に離間し、チップ28は各チップの１つの挿入物42へ関連の端子及びリードへの組立の際にテープに接続されること（９頁右上欄12〜23行、第５Ｂ、６図）、「底層840のしなやか低弾性率材料はエラストマであり得る。この低弾性率材料はショアＡ押込コード約20乃至70のやわらかなゴムに匹敵する弾性特性（弾性率を含む）を有している。」（10頁左下欄末〜右下欄２行）
（１ｄ）半導体チップアセンブリにおける応力緩和機構について、「チップと裏打ち素子上の端子の間の相対的運動を許容する能力によって、アセンブリはチップと基板の間の差異的な熱膨張を許容することができる。裏打ち素子上の端子はまた、上記に論じられたようにチップの底面に向かう方向にチップに対して相対的に可動であることが望ましく、アセンブリは底面に向かう端子の運動を許容するが斯かる運動に抵抗するための弾性手段を含み得る。例えば、アセンブリはチップの背面と端子の間に配置されたしなやかな材質の層を組み込み得る。」（７頁左上欄19〜25行）、
「各リード50の接触端56は関連の端子48に対して相対的に可動となっている。第３図から最もよく判るように、リード50ａの接触端56ａはその通常の変形されていない位置（実線で示されている）から挿入物42の面44及び46に平行で且つチップ28の前面38に平行な方向に変位し得る。例えば、接触端56ａは56ａ’において破線で示される位置に変位し得る。この変位はリード50の柔軟性によって且つ挿入物の座屈及びちりめんじわ（wrinkling）によって可能となる。」（８頁右上欄11〜16行）
（１ｅ）「代替の全体的に類似の構成は、第11図乃至第14図に言及して上記に論じられた挿入物の上層838に類似の柔軟上層を組み込んでいる挿入物を含んでいる。・・・挿入物はまた、上層とチップの前面の間に、また端子の下に、即ち端子とチップとの間い配置さている別のしなやかな下層を含み得る。このしなやかな層は、上層及び端子がしなやかな層に配置される前にチップ表面上に配置され得る。この場合、しなやかな層は上層をチップに結合するべくその上面及び底面に接着剤を組み込み得る。・・・あるいは、しなやかな層はいわゆる「Ｂ段階」シリコンエラストマ等の部分的に硬化したエラストマから形成され得る。上層の組立の後、この部分的に硬化した材料は、例えばそれを加熱することにより更に完全に硬化され、これによりエラストマは上層及びチップ表面と結合する。」（12頁右上欄９〜23行）が記載されている。
　
（２）刊行物２：（Memory　Package　with　LOC　Structure　using　New　Adhesive　Material）
（２ａ）「要約」として、「LOC（Lead　on　Chip）構造は、大きなLSIメモリーチップを小さなパッケージに封入するための効果的な技術であると考えられている。該構造の主な特徴は、アクティブチップエリア上のリードフレームが、接着剤を介してチップと接触していることにある。従って、LOCのコンセプト設計は、フィルム接着剤の特徴に大きく依存する。LOC開発の鍵となる技術は、次のようなものであると考えられる。
１．ダイ接着やワイヤボンディングによるチップの損傷を軽減する。
２．有機接着剤上のワイヤの十分な接着性を確保する。
３．はんだリフロー作業におけるパケージの亀裂発生率を低下させる。
　熱可塑性ポリイミドシロキサンの単層からなる新規な接着テープを開発した。該単層接着剤は基材フィルムを持たないため、望ましい厚さに形成することが可能である。厚く形成された接着フィルムは、軟化工程において、チップの表面を傷つける虞のあるダストを封入する。高温でのフィルムの高いヤング率と、汚染されていないリードの表面を提供することにより、リードとワイヤの充分な接着性を確保することができる。該接着剤の他の実利的な利点は、低い吸湿性である。低い吸湿性により、はんだリフロー作業により生じるパッケージの亀裂に対して、高い耐亀裂性が得られる。」（575頁左欄）
（２ｂ）「次に、接着テープのワイヤーボンド温度におけるヤング率とインナリードの接着力との関係を評価した。・・・ヤング率が変化した時のインナーリードの変形をシュミレートした。結果をFig．７に示す。ヤング率が１×１０９Ｐａ以上の領域では、インナリードは殆ど生じなかった。他方、ヤング率が１×１０７Ｐａ以下の領域ではインナーリードの変形は急速に増加する。」（577頁右欄）、「熱可塑性接着テープのインナーリードに対する接着性を、ワイヤーボンド温度にて異なるヤング率を用い評価した。結果を表８に示す。接着剤Ｄ（ヤング率：１×１０７Ｐａ以下）は、接着剤Ｂ（ヤング率：１×１０９Ｐａ以上）と比べ、インナーリードのワイヤーオープン率が高い。接着剤Ｄを用いた場合、超音波力（US）を上げてもインナーリード上のワイヤーステッチ幅は変化しないが、接着剤Ｂを用いた場合、超音波力を上げるとワイヤーステッチ幅が増す。このことから、ワイヤーボンド工程において、高いヤング率を維持する接着剤、つまり、高いガラス転移温度を持つ接着剤は、インナーリードの変形を引き起こさず、超音波力を効率的にインナーリードに伝え、高い接着性が得られる。シュミレーションと評価の結果を考慮し、接着性を得るためにワイヤーボンド温度において１×１０９Ｐａ以上のヤング率を持つ接着剤Ｂを選択した。」（578頁左欄）
（２ｃ）「LOC接着材料　
　・・・接着テープは、構造と材料により、以下のように分類される。
接着剤構造
　ペースト型の接着剤は一般的なパッケージ構造に適しているが、アクティブチップエリア上での湿潤性の制御が困難である。一方、シート型接着剤は適した形状に容易に切断でき、扱いも容易である。接着テープの構造は、ポリイミドフィルムの両面に接着剤を塗布してなる三層構造と、単一の接着フィルムからなる単層構造とに分けられる。
接着材料
　接着材料は、熱硬化性接着剤と熱可塑性接着剤とに分類される。・・・熱可塑性接着剤としては、主にポリイミド・シロキサン樹脂（表１の接着剤Ｂ）、およびポリエーテル・アミド・イミド樹脂（表１の接着剤Ｃ）が使用される。これらの接着性樹脂は、以下のような特徴を持つ。・・・ポリイミド・シロキサン樹脂は、吸湿性が低いためダイ接着前の予備加熱が不要であり、ポリエーテル・アミド・イミド樹脂では、吸水後の接着強度が低下しない。」（576頁左欄）が記載されている。
　　
（３）刊行物３：（特開平６−２３６９０６号公報）
（３ａ）「【請求項１】絶縁フィルム上に、接着剤層及び保護層を設けてなる半導体用接着テープにおいて、該接着剤層の20℃〜300℃における硬化後のヤング率が４×１０8 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 以上であることを特徴とする半導体用接着テープ。」（【請求項１】）
（３ｂ）「【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの組立工程において、デバイスの多ピン化、小型化、高密度実装に際し注目されているTAB（Tape　Automated　B-onding）方式に用いられる、保護フィルム、接着剤、絶縁フィルムの３層構造からなるTAB用テープ、リードフレーム固定用テープおよびリードフレームとTABテープをワイヤーボンディングにより接続するシート等からなる半導体用接着テープに関する。」（【0001】）、「以上のような問題点から、現状TAB用テープ製造工程において、ボンディング不良を発生し、歩留低下の原因となっている。またTAB用テープを利用したワイヤーボンディング等の実装方法では、現状のTAB用テープでは実装が困難であり、実用化されていない。・・・本発明の目的は、接着剤の高温時における軟化、劣化を防止し、ボンディング特性に優れたTAB用テープ、また、従来の接着剤では実現し難かったTAB用テープのトランスファーモールド実装、TAB用テープでのワイヤーボンディング実装を可能にしたTAB用テープを提供することにある。」（【0004】）
（３ｃ）ヤング率の測定について、「ヤング率測定用サンプルは、20μｍの接着剤層のみを100℃で1m／secのスピードの条件で高温ラミネーターにより順次積層し、最終的に８枚（20μm×8）積層した後、60℃で６時間、80℃で８時間、160℃で５時間順次加熱して接着剤の硬化を行った。その後、所定の形状としたサンプルを用い、ヤング率の測定を行った。」（【0024】）が記載されている。
　
４．対比判断
　本件各発明は、ボールグリッドアレイ構造半導体装置において、半導体素子を実装するために、はんだリフロー工程で２００〜２５０℃の高温で処理されるため、吸湿した半導体装置は水分が蒸発してその蒸気圧でフィルム材料が膨潤し、発泡現象を生じ、ボイド、剥離等の欠陥を生じてしまう、そのため用いる接着用フィルム材料はできるだけ吸湿率が低いことと同時にリフロー温度での弾性率が高いことが要求され、各種フィルム材料を検討してリフロー工程の温度領域での接着材料の弾性率が１ＭＰａ以上であればリフロー特性に優れていることを見い出したものである。
　そして、本件各発明は、ボールグリッドアレイ構造半導体装置用接着層付き配線テープ、及びその製造方法に関わり、接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であることを要件として含むものである。
（１）本件発明１について
　刊行物１には、チップと裏打ち素子上の端子の間の相対的運動を許容することによって、アセンブリはチップと基板の間の差異的な熱膨張を許容する応力緩和のために（上記摘記事項（１ｄ））、パッケージ構造をボールグリッドアレイ構造(BGA)とした半導体装置で、接点を有する半導体チップ及び接点に電気的に接続されている端子をその上に有する柔軟性シート状素子を含む形式の半導体チップアセンブリにおいて、シート状層入物にしなやかな低弾性率のエラストマ、即ち「Ｂ段階」シリコンエラストマを介してチップを接着したことが記載されており、本件発明１のボールグリッドアレイ構造半導体装置であって、基材上に配線が施された配線テープと、上記配線テープを半導体素子に絶縁的に接着するための接着用フィルムからなる接着層とを有し、上記接着層は応力緩衝層であることが記載されていることになる。
　しかしながら、本件発明１の「接着層の弾性率は実装リフロー温度領域で１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であること」が記載されていない点で、両者は相違している。
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物２には、パッケージ構造がリードオンチップ構造（LOC）であって、アクティブチップエリア上のリードフレームを接着剤を介してチップと接触させるフィルム接着剤として、熱可塑性ポリイミドシロキサンの単層からなる新規な接着テープを開発したこと、ワイヤーボンド工程において、高いヤング率を維持する接着剤は、インナーリードの変形を引き起こさず、超音波力を効率的にインナーリードに伝え、高い接着性が得られること、シュミレーションと評価の結果を考慮し、接着性を得るためにワイヤーボンド温度において１×１０９Ｐａ以上のヤング率を持つ接着剤Ｂを選択したことは記載されている。
　しかしながら、刊行物２の記載は、パッケージ構造がリードオンチップ構造（LOC）であって、刊行物１記載のボールグリッドアレイ構造(BGA)とは異なり、はんだボールをリフローさせて電気的接続を行う工程はない。そして、はんだリフロー工程のため、吸湿した半導体装置は水分が蒸発してその蒸気圧でフィルム材料が膨潤し、発泡現象を生じ、ボイド、剥離等の欠陥を生じるのを防止するという技術課題もない。
　そうすると、実装リフロー時のフィルム材料が膨潤、発泡し、ボイド、剥離等を防止するという問題認識がない刊行物１の記載において、その接着層として、同様に実装リフロー時の問題認識のない刊行物２に記載された接着剤でのヤング率を適用する契機はなく、上記相違点を容易には想到し得ないものである。
　刊行物３には、接着剤の高温時における軟化、劣化を防止し、ボンディング特性に優れたTAB用テープ、また、従来の接着剤では実現し難かったTAB用テープのトランスファーモールド実装、TAB用テープでのワイヤーボンディング実装を可能にしたTAB用テープを提供するために、絶縁フィルム上に、接着剤層及び保護層を設けてなる半導体用接着テープにおいて、該接着剤層の20℃〜300℃における硬化後のヤング率が４×１０8 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 以上であることは記載されている。
　しかしながら、刊行物３の記載は、TAB用テープであって、刊行物１記載のボールグリッドアレイ構造(BGA)とは異なっており、はんだリフロー工程のため、吸湿した半導体装置は水分が蒸発してその蒸気圧でフィルム材料が膨潤し、発泡現象を生じ、ボイド、剥離等の欠陥を生じるのを防止するという技術課題もなく、ここでの接着剤層のヤング率を刊行物１記載に適用する契機はなく、上記相違点を容易には想到し得ないものである。
　よって、本件発明１の「接着層の弾性率は実装リフロー温度領域で１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であること」なる構成を、これら刊行物１〜３の記載から、当業者が容易に想到し得るものではない。
　そして、本件発明１は、上記した構成により明細書に記載された、はんだリフロー工程時、吸湿した半導体装置は水分が蒸発してその蒸気圧でフィルム材料が膨潤し、発泡現象を生じ、ボイド、剥離等の欠陥を生じることがないという刊行物１〜３の記載からは予測することのできない格別な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）本件発明２、４〜６について
　本件発明２、４〜６は、本件発明１を引用し、更に構成を限定するものであるから、上記と同じ理由によって、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）本件発明７、８について
　本件発明７、８は、本件発明１と同様、接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下である接着用フィルムからなる点を構成要件とするボールグリッドアレイ構造半導体装置用接着層付き配線テープであるので、上記（１）で述べたと同じ理由によって、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４）本件発明10〜13について
　本件発明10〜13は、本件発明８を引用し、更に構成を限定するものであるから、上記と同じ理由によって、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）本件発明14について
　本件発明14は、本件発明１と同様、接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下である接着用フィルムからなる点を構成要件とするボールグリッドアレイ構造半導体装置用接着層付き配線テープの製造方法であるので、上記（１）で述べたと同じ理由によって、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（６）本件発明15について
　本件発明15は、本件発明14を引用し、更に構成を限定するものであるから、上記と同じ理由によって、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　
VI．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件請求項１、２、４〜８、１０〜１５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、２、４〜８、１０〜１５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月１３日（２００３．３．１３）
【訂正の要旨】
　▲１▼訂正事項１
　特許請求の範囲の【請求項１】、及び【請求項７】の「接着するための接着層」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「接着するための接着用フィルムからなる接着層」と訂正する。
　▲２▼訂正事項２
　特許請求の範囲の【請求項１】、及び【請求項７】の「１ＭＰａ以上である」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下である」と訂正する。
　▲３▼訂正事項３
　特許請求の範囲の【請求項１】、及び【請求項７】の「半導体装置」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「ボールグリッドアレイ構造半導体装置」と訂正する。
　▲４▼訂正事項４
　特許請求の範囲の【請求項８】の「からなる半導体装置」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「からなり、上記接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であるボールグリッドアレイ構造半導体装置」と訂正し、【請求項１４】の「ることを特徴とする半導体装置」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「り、上記接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であることを特徴とするボールグリッドアレイ構造半導体装置」と訂正する。
　▲５▼訂正事項５
　特許請求の範囲の【請求項３】、及び【請求項９】を、明瞭でない記載の釈明を目的として、削除する。
　▲６▼訂正事項６
　特許請求の範囲の【請求項４】、及び【請求項５】を、明瞭でない記載の釈明を目的として、請求項１を引用するものとする。また、特許請求の範囲の【請求項１０】、及び【請求項１３】を、明瞭でない記載の釈明を目的として、請求項８を引用するものとする。
（５４）【発明の名称】
半導体装置用接着層付き配線テープ及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　誘電体フィルムよりなる基材上に配線が施された配線テープと、上記配線テープを半導体素子に絶縁的に接着するための
接着用フィルムからなる
であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下
ボールグリッドアレイ構造
　【請求項２】
　請求項１において、上記実装リフロー温度は２００〜２５０℃であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
　【請求項３】　　削　除
　【請求項４】
　請求項
１
　【請求項５】
　請求項
１
　【請求項６】
　請求項１において、上記接着層は、室温での弾性率が４０００ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体用接着層付き配線テープ。
　【請求項７】
　誘電体フィルムよりなる基材上に配線が施された配線テープと、上記配線テープを半導体素子に絶縁的に接着するための
接着用フィルムからなる
であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下である
ボールグリッドアレイ構造
　【請求項８】
　誘電体フィルムよりなる基材上に配線が施された長尺の配線テープと、上記配線テープ上に所定の大きさでもって連続的に貼り付けられた接着用フィルムとからな
り、上記接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であるボールグリッドアレイ構造
　【請求項９】　　　削　除
　【請求項１０】
　請求項
８
　【請求項１１】
　請求項８において、上記接着用フィルムが支持体の両面に接着剤層を有する三層構造であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
　【請求項１２】
　請求項８において、上記接着用フィルムが多孔質の支持体に接着剤が含浸された構成であることを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープ。
　【請求項１３】
　請求項
８
　【請求項１４】
　配線層を形成した長尺配線テープをリールにより搬送し、接着用フィルムを所定の大きさに打ち抜きながら上記配線テープに連続的に貼り付け
、上記接着用フィルムの接着層は実装リフロー温度領域での弾性率が１ＭＰａ以上であり、フィルム全体の弾性率は２５℃で５０００ＭＰａ以下であることを特徴とするボールグリッドアレイ構造
　【請求項１５】
　請求項１４において、長尺接着用フィルムをリールにより搬送することを特徴とする半導体装置用接着層付き配線テープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は電気特性，実装信頼性，組立性に優れた高密度，多ピン化，高速伝送対応の配線テープ，半導体装置及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年電気，電子部品の高性能化に伴い半導体装置の高集積化および高密度化が強く望まれている。そのため半導体素子はＬＳＩ，ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩへと高集積，高機能化され、素子の大型化，多ピン化，高速化，高消費電力化が進んできた。これに対応して多ピン用の半導体装置のパッケージ構造は素子の二辺に接続端子を有する構造から四辺すべてに端子を有する構造に変化してきた。さらに多ピン化対応として多層キャリア基板を用いて実装面全体に接続端子が格子上に有するグリッドアレイ構造が実用化されている。このグリッドアレイ構造の中には高速信号伝送を可能にするため接続端子長を短縮したボールグリッドアレイ構造（ＢＧＡ）が適用されている。接続端子としてのボール型構造は導体幅も太くなるため低インダクタンス化にも効果的である。さらに最近ではより高速対応として多層キャリア基板に比較的誘電率の低い有機材料が検討されている。しかし有機材料は一般に半導体素子に比べて熱膨張率が大きいため、その熱膨張率差により発生する熱応力のため接続信頼性等に問題がある。最近このようなＢＧＡパッケージにおいて、キャリア基板を用いない構造が提案されている。即ち、半導体素子と実装基板との熱膨張率差により発生する熱応力を低弾性率のエラストマ材料で緩和することにより接続信頼性を向上させる新しい半導体素子パッケージ構造が提案されている（米国特許第５１４８２６５号）。このパッケージ構造は半導体素子と実装基板の電気的接続をキャリア基板の代わりにポリイミド等から構成される配線テープを用いている。そのため電気的接続箇所としては半導体素子と配線テープはワイヤボンディング法あるいはリードによるボンディング接続がとられており、配線テープと実装基板ははんだボール端子による電気的接続がなされている。この従来技術に用いられるエラストマは耐熱性に優れた低弾性率材料という観点からシリコーン系材料が一般的に用いられている。シリコーン系材料を用いた応力緩衝層の一般的な形成方法としては配線テープに未硬化の液状樹脂をマスク等を用いて印刷して、その後硬化物を得る工程が用いられている。この方法は印刷により得られる緩衝層の平坦性を確保することが困難なことと印刷工程が繁雑で時間がかかる問題点を有する。そのため量産工程に対して不利であると同時に緩衝層の平坦性が確保できないため組立歩留り及び実装信頼性に問題を有する。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は半導体装置において、熱応力を低減するためのエラストマ材料としてフィルム材料を用いることにより平坦性に優れた応力緩衝層を得られる技術を開示するとともに量産性に優れた半導体装置を提供することにある。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため、本発明は以下の手段を提供する。その手段は配線層を有するテープ材料と半導体素子が電気的に接続され、その配線テープ上に実装基板と電気的に接続するための外部端子を有し、配線テープと半導体素子を絶縁性を保持した状態で接着する材料にフィルム材料を用いた半導体装置において、接着用フィルム材料の物性として実装リフロー条件の温度領域（２００〜２５０℃）の弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体装置を提供することにより達成される。
　【０００５】
　前記接着用フィルム材料としては、半導体装置の製造工程において実装基板と接続するためのはんだボール等による外部端子を形成する工程、あるいは実装基板に本発明の半導体素子を実装するためのはんだリフロー工程を経る。このリフロー温度は一般に２００〜２５０℃の高温で処理されるため、吸湿した半導体装置は水分が蒸発してその蒸気圧でフィルム材料が膨潤してあるしきい値を超えると発泡現象を生じ、ボイド，剥離等の欠陥を生じる。そのため用いるフィルム材料はできるだけ吸湿率が低いことと同時にリフロー温度での弾性率が高いことが要求される。本発明では各種フィルム材料を検討してリフロー工程の温度領域での接着材料の弾性率が１ＭＰａ以上であればリフロー特性に優れていることを見い出した。材料の弾性率の温度依存性の例を図１に示す。
　【０００６】
　また、実装リフロー条件の温度領域（２００〜２５０℃）の弾性率が１ＭＰａ以上を維持する材料を用いることにより耐リフロー特性に良好な結果が得られることを見い出している。膨潤量は蒸気圧と弾性率の比で決まり、弾性率が高いほど膨潤量が小さくなる。この膨潤量が材料の機械特性である破断伸び量を超えると発泡現象が生じる。また弾性率は接着用フィルム材料の機械強度とも相関があり、弾性率が高いほど一般的に破断強度，破断伸び量は大きくなる傾向にある。そのためリフロー温度域での弾性率の高い材料を用いることにより膨潤量，機械特性の両面の観点からリフロー特性がよくなる。この時接着用フィルム材料としては熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂から構成される。
　【０００７】
　また接着層としては上記材料による接着剤の他、粘着性樹脂，粘接着性樹脂から構成される場合もある。リフロー工程の温度領域で１ＭＰａ以上の弾性率を維持するためには熱可塑性樹脂の場合にはリフロー工程の温度領域（２００〜２５０℃）以上に弾性率の変化点であるガラス転移温度があることが望ましい。また熱硬化性樹脂の場合には、ガラス転移温度より高温のゴム領域である程度の化学的ないし物理的な橋架け構造を有することが必要である。即ち、ゴム領域の弾性率と橋架け密度は一般に比例関係にあり、弾性率を高くするためには橋架け密度を高くすることが必要である。またフィルム材料は応力緩衝層として機能するため室温の弾性率が４０００ＭＰａ以下の低弾性率樹脂から構成されていることが望ましい。
　【０００８】
　またフィルム材料の特性としてはリフロー特性の観点から８５℃／８５％ＲＨ，１６８時間での吸湿率が３％以下であることが望ましい。フィルム材料の場合シリコーン系以外の低弾性率材料が適用可能である。またフィルム材料の構成としては接着剤成分のみからなる均一構造だけでなく、例えば支持体の両面に接着剤層を有する三層構造で構成されている場合、多孔質の支持体に接着剤が含浸されて構成されている場合等もある。フィルム形状としては各種打抜きによる形状，メッシュ形状等がある。メッシュ形状は貼付け面積を小さくすることができ吸湿時の耐リフロー性向上にさらに効果的である。
　【０００９】
　三層構造で代表される多層構造の場合、支持体，接着層は上記の熱硬化性樹脂，熱可塑性樹脂，粘着性樹脂，粘接着性樹脂等二種類以上を組み合わせることが可能である。また接着層は両面あるが、それぞれ違う材料であることも可能である。例えば配線テープ側の配線層の凹凸を埋めるためには流動性の高い熱硬化性樹脂を用い、反対側の平坦な半導体素子を接着する部分には高温で短時間で接着可能な熱可塑性樹脂の組み合わせ等がある。
　【００１０】
　本発明の一般的な半導体装置の製造工程を図２に示す。代表的な製造工程は次の３種類に分類される。ひとつは（図２−ａ）（１）配線層を有するテープに接着用フィルムを貼り付ける工程、（２）配線層を有するテープに接着用フィルムを介して半導体素子と絶縁性を保持した状態で貼り付ける工程、（３）テープ上に形成されている配線層と半導体素子上のパッドとを電気的に接続する工程、（４）上記電気的に接続した箇所を絶縁物により封止する工程、（５）テープ上に実装基板と接続するための外部端子を形成する工程、からなる半導体素子の製造方法である。
　【００１１】
　この方法は後述するように配線テープとフィルム材料を長尺のリール工程で扱うことができ、量産性を上げるのに効果的な製造方法である。また第二の製造方法としては（図２−ｂ）（１）半導体素子に接着用フィルムを形成する工程、（２）配線層を有するテープを接着用フィルムを介して半導体素子と絶縁的に貼り付ける工程、（３）テープ上に形成されている配線層と半導体素子上のパッドとを電気的に接続する工程、（４）上記電気的に接続した箇所を絶縁物により封止する工程、（５）テープ上に実装基板と接続するための外部端子を形成する工程、からなる半導体素子の製造方法がある。この方法はウエハ段階の状態で半導体素子上に応力緩衝層を形成することも可能で、半導体素子そのものの分留り向上に効果的な製造方法である。
　【００１２】
　三つ目の方法としては（図２−ｃ）（１）接着用フィルムを介して配線層を有するテープと半導体素子を位置合わせして一括で絶縁的に貼り合わせる工程、（２）テープ上に形成されている配線層と半導体素子上のパッドとを電気的に接続する工程、（３）上記電気的に接続した箇所を絶縁物により封止する工程、（４）テープ上に実装基板と接続するための外部端子を形成する工程、からなる半導体素子の製造方法がある。これは製造工程数を減少することができ、製造時間の短縮に有効である。
　【００１３】
　これら製造方法は基本的には次の工程から形成されている。即ち配線層を形成したテープ材料と半導体素子の間に本発明における接着性フィルム材料を何らかの方法で設置して所定温度，所定圧力，所定時間の条件により一括あるいは逐次で両者を接着する。その後テープ上の配線層と半導体素子の接続パッドを電気的に接続する。接続方法としてはあらかじめ配線テープに回路により形成された接続リードを用いて半導体素子と接続する方法、この場合はシングルポイントボンディングあるいは一括ギャングボンディング法等が用いられる。
　【００１４】
　また別の接続技術としては両者をワイヤボンディングにより接続する方法等が用いられる。次に接続部分を絶縁材料により封止して、最後に配線テープ上に実装基板との電気的接続端子である外部端子を形成する。外部端子としては一般的にははんだボールを用いる場合、めっきによるボール形成法を用いることが多い。めっきの場合金属としては金，ニッケル，銅，はんだ等が挙げられる。
　【００１５】
　製造工程で量産性を上げるためには、例えば（図２−ａ）で示したように接着用フィルム材料をあらかじめ配線テープと一体化する工程が重要である。
　【００１６】
　この場合の一般的な製造方法としては図３に示すように配線層を形成したテープを長尺のリール工程で搬送して接着用フィルムを所定の大きさに打抜きながら貼り付けていく方法が量産性に有効である。この場合接着層が熱硬化性樹脂の場合は未硬化のＡステージあるいは半硬化のＢステージの状態で配線テープに接着する。得られた接着性フィルム付配線テープを用いて半導体素子と接着する工程で樹脂はさらに硬化が進み最終的にＣステージに達する。あるいは接着剤が配線テープと一体化する工程で既にＣステージに達する場合には硬化したフィルム部分の上に接着成分を新たに形成する場合もある。
　【００１７】
　形成法として一般的には塗布法，フィルム貼付け法がある。接着成分が室温で粘着性がない場合が望ましいが、粘着性が有する時は離型紙等を用いる場合がある。
　【００１８】
　図４にこの場合の接着性フィルム付配線テープの構成を示す。この配線テープは半導体素子と接着が可能である。この場合、配線テープ側の接着層に熱硬化性樹脂を用い、半導体素子を接着する側を熱可塑性樹脂を用いることによりより簡便に図４に示す接着能を有する配線テープを供給することができる。
　【００１９】
　次に接着層が熱可塑性，粘着性あるいは粘接着性材料の場合は配線テープとの接着と半導体素子との接着の二段階の条件は全く同じにすることも可能である。熱硬化性樹脂の場合と異なり反応を途中段階で制御する必要がなく、作業性に優れた製造工程を提供することが可能である。
　【００２０】
　粘着性あるいは粘接着性材料の場合、接着温度は室温も可能で半導体素子の反りの点からも有利な材料である。あらかじめ接着用フィルムが配線テープと一体化している場合は半導体素子を接着する際の位置合せが容易になる。そのため接着装置の治具も非常に簡便になり、量産性工程に有利である。
　【００２１】
　また本発明における半導体装置は配線テープ上の配線回路の凹凸をフィルムの接着層で埋め込む場合もあり、この場合も配線テープとの接着時に埋め込み性の良否を配線テープとの一体化の工程で確認でき、半導体素子を接続する前に不良を除くことが可能で、半導体素子の無駄を防ぐことができ歩留り向上の点からも有利である。
　【００２２】
　フィルム材料の接着成分を構成する代表的な熱硬化性及び熱可塑性樹脂としてはエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，ポリアミド樹脂，シアネート樹脂，イソシアネート樹脂，含フッ素樹脂，含ケイ素樹脂，ウレタン樹脂，アクリル樹脂，スチレン樹脂，マレイミド樹脂，フェノール樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，ジアリルフタレート樹脂，シアナミド樹脂，ポリブタジエン樹脂，ポリアミドイミド樹脂，ポリエーテル樹脂，ポリスルホン樹脂，ポリエステル樹脂，ポリオレフィン樹脂，ポリスチレン樹脂，ポリ塩化ビニル樹脂，トランスポリイソプレン樹脂，ポリアセタール樹脂，ポリカーボネート樹脂，ポリフェニレンエーテル樹脂，ポリフェニレンスルフィド樹脂，ポリアリレート樹脂，ポリエーテルイミド樹脂，ポリエーテルスルホン樹脂，ポリエーテルケトン樹脂，液晶ポリエステル樹脂，ポリアリルエーテルニトリル樹脂，ポリベンゾイミダゾール樹脂、その他各種ポリマーブレンド，ポリマーアロイ等が挙げられる。
　【００２３】
　これら熱硬化及び熱可塑性樹脂は加熱により溶融あるいは軟化により接着性を有する材料である。これに対して粘着及び粘接着性材料は圧力をかけることにより接着性を有する材料である。
　【００２４】
　粘着及び粘接着性材料としてはシリコーン系，ブタジエン，イソプレン等のゴム系，アクリル樹脂系，ポリビニルエーテル系等がある。このうち粘接着性材料には室温硬化型，熱、ＵＶ，ＥＢ等による硬化型，促進剤併用型等がある。このうち室温硬化型は空気中の水分で反応する湿気反応型，光開始剤を含有している太陽光反応型，過酸化物等を含む嫌気型材料がある。熱硬化型は一般的にはチウラム系，フェノール系，イソシアネート系等の架橋剤を含有しており、所定の温度で粘着成分が三次元架橋して接着層になる。
　【００２５】
　ＵＶ，ＥＢ反応型は各種光開始剤を含有した材料である。促進剤併用型は反応促進剤，架橋剤等を含んだ溶液が粘着層表面に塗布されており、接着圧力により両成分が混合して経時的に反応が進行して最終的に接着層を形成する。本発明における粘接着剤としては熱硬化性型が比較的好適である。これを用いることにより室温で配線テープと半導体素子を位置合わせして接着後、恒温槽等により多数個一度に所定温度に上げて硬化反応を進め接着強度を確保することにより量産性に優れ、かつ信頼性に優れた半導体装置を提供できる。
　【００２６】
　接着用フィルム材料の弾性率は高温域ではリフロー特性の観点から高弾性率であることが望ましいが室温域ではできるだけ弾性率が低いことが望ましい。それは半導体素子と実装基板は一般に熱膨張率が異なるため実装時にはんだボール等から構成される外部端子に熱応力が発生して接続信頼性が重要課題になる。
　【００２７】
　半導体素子と実装基板の間に存在する接着用フィルム材料の弾性率が低ければこの部分が応力緩衝層になり接続信頼性の観点から有利になる。室温の弾性率として４０００ＭＰａ以下であることが望ましい。さらに願わくば温度サイクル試験全域（−５５℃〜１５０℃）での弾性率が２０００ＭＰａ以下であることが望ましい。このような高温で弾性率を維持しつつ、室温を含む低温域で比較的低弾性率材料としてはシリコーン系材料が用いられることが多い。シリコーン系材料からなるフィルム材料は本発明において極めて重要な材料の一種である。
　【００２８】
　しかし上記特性を満足するシリコーン系以外のフィルム材料はシリコーンと比較して次の利点を有している。即ち、シリコーンは凝集エネルギーが小さいため高温放置等（例えば１５０℃以上）の長期加熱処理において環状の低分子化合物が徐々に熱分解して周囲への汚染の原因になる場合もある。
　【００２９】
　本発明のフィルム材料の構成としては接着剤成分のみからなる均一構造だけでなく、例えば支持体の両面に接着剤層を有する三層構造で構成されている場合、多孔質の支持体に接着剤が含浸され構成されている場合等もある。フィルム材料の支持体としてはポリイミド，エポキシ，ポリエチレンテレフタレート，セルロース，アセテート，含フッ素ポリマ等のフィルムあるいは多孔質材料が挙げられる。
　【００３０】
　フィルム形状としては各種打抜きによる形状，メッシュ形状等がある。メッシュ形状は貼付け面積を小さくすることができ吸湿時の耐リフロー特性の向上に有効である。三層構造の場合、両面の接着層の厚さ，種類を任意に制御することができ、貼り付け時の流動性の制御が容易である。また中央の支持体により確実に絶縁層が確保できる利点がある。
　【００３１】
　接着用フィルム材料の８５℃／８５％ＲＨの飽和吸湿率が３％以下の材料を用いることによりリフロー時の吸湿による蒸気圧の値を低く抑えることができ、良好なリフロー特性が得られる。
　【００３２】
　配線層を有するテープは一般にフレキシブル回路基板から構成される。即ち絶縁層としてはポリイミド系材料，導体との接着層としてはエポキシ系材料，ポリイミド系材料，フェノール系材料，ポリアミド系材料等が用いられる。また導体層としては多くの場合銅が用いられる。配線回路としては銅の上にニッケル，金めっき等で被覆されることもある。フレキシブル回路基板の中には導体との接着層を用いないポリイミド絶縁層に直接銅が形成された材料を用いることもある。また配線層を有するテープは多層配線構造をとる場合もある。この時は配線テープ内に信号配線層以外に電源層，グランド層等を形成することができ、電気特性に優れた半導体装置を提供することが可能になる。
　【００３３】
　配線層を有するテープ材料と半導体素子を電気的に接続するための半導体素子上のバッド端子の配置構造としては代表的には次の二つの型がある。
　【００３４】
　一つは図５に示すような周辺パッド配置構造である。この場合半導体装置の外部端子の配置構造として図６に示すように三種類の構造がある。即ち外部端子が半導体素子の下にある場合（Ｆａｎ　Ｉｎタイプ，図６−１）、半導体素子の外側にある場合（Ｆａｎ　Ｏｕｔタイプ，図６−２）、その両方にある場合（Ｆａｎ　Ｉｎ／Ｏｕｔタイプ，図６−３）が挙げられる。
　【００３５】
　パッド配置の別な場合としては図７に示す中央配置構造がある。この場合の半導体装置は図８に示す構造がとられる。
　【００３６】
　本発明において半導体素子とはＳｉ，ＧａＡｓ等の半導体からなるウエハ上にメモリ，ロジック，ゲートアレイ，カスタム，パワートランジスタ等のＩＣ，ＬＳＩ等を形成し、リード，バンプ等に接続する端子を有する素子である。
　【００３７】
　本発明は配線層を有するテープを半導体素子と実装基板の電気的接続の仲介材料として用いた半導体装置において配線テープと半導体素子との絶縁性を保持した状態で接着材料として高温域であるリフロー温度領域（２００〜２５０℃）での弾性率が１ＭＰａ以上のフィルム材料を用いることにより耐リフロー特性，接続信頼性に優れた半導体装置を提供することが可能になった。フィルム材料を用いることにより従来の印刷法等に比べてより量産性に優れた製造方法を提供することが可能になる。
　【００３８】
　【発明の実施の形態】
（実施例１）
　エポキシ系接着フィルム（日立化成，ＡＳ３０００，厚さ５０μｍ）を半導体素子と配線テープの間に位置合わせをして設置して１７０℃１分，圧力５０ｋｇｆ／ｃｍ２で接着して、さらに１８０℃６０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシングルポイントボンディングにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，ＲＣ０２１Ｃ）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−１に示す半導体装置を得た。
　【００３９】
　得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿層で１６８時間吸湿後、最高温度２４５℃の赤外線リフローに入れて接着層に発泡現象による剥離，ボイド等の欠陥が発生しないか確認した。さらに得られた半導体装置のリード及びはんだバンプの接続信頼性を確認した。このとき実装基板としてはガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板ＦＲ−４（日立化成，ＭＣＬ−Ｅ−６７）を用いた。信頼性試験は温度サイクル（−５５℃←→１５０℃，１０００回）条件で評価した。（実施例２）ポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ，厚さ５０μｍ）の両面にダイボンディング用フィルム材料からなる接着剤（日立化成，ＤＦ３３５）を各５０μｍ塗布して三層構造のフィルム材料とした。得られたフィルム材料を配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は１７０℃５秒，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。この条件では未接着の接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有している。
　【００４０】
　フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導体素子の接着は２００℃１分，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。さらに２００℃６０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，ＲＣ０２１Ｃ）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示す半導体装置を得た。
　【００４１】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００４２】
（実施例３）
　エポキシ樹脂とアクリル系ゴムから構成される低弾性率接着フィルム（日立化成，試作品，厚さ１５０μｍ）を半導体素子と配線テープの間に位置合わせをして設置して１８０℃３０秒，圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ２で接着して、さらに１８０℃６０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとワイヤボンディングにより電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材料（東芝シリコーン，ＴＳＪ３１５０）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
　【００４３】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００４４】
（実施例４）
　ガラス布基材エポキシ樹脂積層板（日立化成，ＭＣＬ−Ｅ−６７９の両面銅箔エッチング除去品，厚さ５０μｍ）の両面にエポキシ樹脂とアクリル系ゴムから構成される低弾性率接着フィルム（日立化成，試作品，厚さ５０μｍ）を貼合せて三層構造のフィルム材料とした。
　【００４５】
　このフィルム材料を用いて半導体素子と配線テープの間に位置合わせをして設置して２００℃２０秒，圧力８０ｋｇｆ／ｃｍ２で接着して、さらに１８０℃６０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシングルポイントボンディングにより電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材料（東芝シリコーン，ＴＳＪ３１５３）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図８に示す半導体装置を得た。
　【００４６】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００４７】
（実施例５）
　三層構造を有するＬＯＣフィルム（日立化成，ＨＭ１２２Ｕ，厚さ１００μｍ）を配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は３００℃２秒，圧力１５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。貼り付けにあたっては図２に示した長尺の装置を用いてフィルムを所定の形状に打抜きながら配線テープに連続的に貼り付けた。このフィルムの接着層は熱可塑性樹脂のため、未接着部分の接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有している。
　【００４８】
　フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導体素子の接着は３００℃１０秒，圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシングルポイントボンディングにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（北陸塗料，チップコート８１０７）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−１に示す半導体装置を得た。
　【００４９】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００５０】
（実施例６）
　熱可塑性ポリイミドフィルム（三井東圧化学，レグルスＰＩ−ＵＡＹ，厚さ１００μｍ）を半導体素子に位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は２５０℃２秒，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。このフィルムは熱可塑性樹脂のため、さらに配線テープを貼り付けるのに十分な接着能を有している。
　【００５１】
　配線テープとフィルム材料を貼り付けた半導体素子の接着は２５０℃１０秒，圧力２０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとワイヤボンディングにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（北陸塗料，チップコート８１０７）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示す半導体装置を得た。
　【００５２】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００５３】
（実施例７）
　ポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ，厚さ５０μｍ）の片面に含フッ素ポリイミド（ヘキサフルオロビスフェノールＡＦとビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンの反応物，ガラス転移温度２６０℃）を５０μｍ塗布し、もう一方の片面にはポリエーテルエーテルケトン（ジヒドロオキシナフタレンとジフルオロベンゾフェノンの反応物，ガラス転移温度１５４℃）を５０μｍ塗布して二種類の接着剤層を有する三層構造のフィルム材料を作製した。
　【００５４】
　得られたフィルム材料のガラス転移温度の低い接着層を用いて配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は２００℃１分，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。このフィルムの接着層は熱可塑性樹脂のため、さらに半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有している。フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導体素子の接着は３００℃１０秒，圧力８０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（北陸塗料，チップコート８１０７）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
　【００５５】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００５６】
（実施例８）
　シリコーンフィルム（東レダウコーニング，ＪＣＲ６１２６，厚さ１５０μｍプレス成形品）の片面にシリコーン接着剤（信越化学，ＫＥ１８２０）を２０μｍ塗布し、配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は１５０℃１分，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。さらに半導体素子を貼り付けるためもう一方の片面に同様にシリコーン接着剤（信越化学，ＫＥ１８２０）を２０μｍ塗布し、フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導体素子を接着した。接着条件は２００℃３０秒，圧力２０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材料（東レダウコーニング，ＤＡ６５０１）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図８に示す半導体装置を得た。
　【００５７】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００５８】
（実施例９）
　両面ＢＴ樹脂を塗布した多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ジャパンゴアテック，厚さ１９０μｍ）を用いて配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は１５０℃１分，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。このフィルムの接着層は熱硬化性樹脂のＢステージ状態（半硬化）であるため、さらに半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有している。
　【００５９】
　フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導体素子の接着は２００℃２分，圧力７０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，Ｒ０２１Ｃ）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−１に示す半導体装置を得た。
　【００６０】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００６１】
（実施例１０）
　三層構造を有する粘着フィルム（寺岡製作所，テープＮｏ．７６０，厚さ１４５μｍ，カプトンフィルムの両面にシリコーン系粘着剤）を配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は室温５秒，圧力５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。貼り付けにあたっては図２に示した長尺の装置を用いてフィルムを所定の形状に打抜きながら配線テープに連続的に貼り付けた。このフィルムの接着層は粘着性樹脂のため、未接着部分の接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有している。
　【００６２】
　フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導体素子の接着は室温１０秒，圧力５ｋｇｆ／ｃｍ２とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシングルポイントボンディングにより電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材料（東芝シリコーン，ＴＳＪ３１５０）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示す半導体装置を得た。
　【００６３】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００６４】
（実施例１１）
　三層構造を有する粘接着フィルム（厚さ１５０μｍ，アラミド不織布（１００μｍ）の両面にブタジェン系粘接着剤）を半導体素子と配線テープの間に位置合わせをして一括で貼り付けた。この時接着条件は室温５秒，圧力５０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。この状態では粘着状態なのである程度の位置合わせの修正が可能である。このフィルムの接着層は粘接着性樹脂のため、さらに１８０℃６０分恒温槽中で硬化させ三次元架橋構造の接着状態とした。
　【００６５】
　次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとシングルポイントボンディングにより電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材料（東芝シリコーン，ＴＳＪ３１５０）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−３に示す半導体装置を得た。
　【００６６】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００６７】
（実施例１２）
　ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（和光純薬）とビス−（４−（２−アミノフェノキシフェニル）エーテル（合成品）をジメチルアセトアミド中、５℃で等量反応させポリアミド酸を形成し、さらに２５０℃に加熱してポリイミドを得た。得られたポリイミド１００ｇ中に４，４′−グリシジル−３，３′，５，５′−テトラメチルビフェニルエーテル（油化シェル）１９．５ｇとフェノールノボラック（明和化成）１０．６ｇ，触媒としてトリフェニルフォスフェート（和光純薬）０．２ｇをジメチルアセトアミド中で混合して不揮発分２０重量％のワニスを作製して厚さ１００μｍのフィルムを作製した。
　【００６８】
　作製したフィルムを配線テープに位置合わせをして貼り付けた。この時接着条件は１７０℃１０秒，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。この条件では未接着の接着層は半導体素子を貼り付けるのに十分な接着能を有している。フィルム材料を貼り付けた配線テープと半導体素子の接着は２００℃１分，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。さらに２００℃６０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日立化成，ＲＣ０２１Ｃ）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示す半導体装置を得た。
　【００６９】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００７０】
（実施例１３）
　実施例１２で作製したワニスをポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ，厚さ５０μｍ）の片面に厚さ２０μｍ塗布（熱硬化性樹脂成分）して、さらにもう一方の片面は実施例７で作製したワニスである含フッ素ポリイミド（ヘキサフルオロビスフェノールＡＦとビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンの反応物，ガラス転移温度２６０℃）を１０μｍ塗布（熱可塑性樹脂成分）して三層構造のフィルムを作製した。熱硬化性樹脂成分側で配線テープに位置合わせをして貼り付けた。
　【００７１】
　この時接着条件は１７０℃１０秒，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。さらに２００℃６０分恒温槽中で後硬化を実施した。次に熱可塑性樹脂成分側を用いて半導体素子を貼り付けた。接着条件は３５０℃２秒，圧力８０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（北陸塗料，チップコート８１０７）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−２に示す半導体装置を得た。
　【００７２】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００７３】
（比較例１）
　シリコーン系樹脂（東レダウコーニング，ＪＣＲ６１２６）を配線テープに位置合わせをしてメタルマスクにより厚さ１５０μｍのエラストマを印刷により形成した。形成後１５０℃６０分恒温槽中で硬化反応印刷後のエラストマの平坦度をレーザ膜厚計により測定した。エラストマを有する配線テープに半導体素子を貼り付けるための接着層として、エラストマ上面にシリコーン接着剤（信越化学，ＫＥ１８２０）を２０μｍ塗布し、位置合わせをして半導体素子を貼り付けた。
　【００７４】
　この時接着条件は１５０℃１分，圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。次に配線テープ上にある接続リードを用いて半導体素子のパッドとギャングボンディングにより電気的に接続した。接続部分をシリコーン系封止材料（東芝シリコーン，ＴＳＪ３１５０）で封止した。最後に配線テープ上に実装基板との接続端子であるはんだボールを取り付けて図６−１に示す半導体装置を得た。
　【００７５】
　得られた半導体装置のリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００７６】
（比較例２）
　ポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ，厚さ５０μｍ）の両面に、２００℃以下に融点を有する熱可塑性樹脂（ポリアミド１２，融点１７５℃）を接着層（厚さ３０μｍ）として塗布した三層構造のフィルムを用いて実施例１と同様に半導体装置を作製してリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００７７】
（比較例３）
　ポリイミドフィルム（宇部興産，ＳＧＡ５０）の両面に、室温で高弾性率であるエポキシ樹脂（日立化成，Ｒ０２１Ｃ）を接着層（厚さ２０μｍ）として塗布した三層構造のフィルムを用いて実施例１と同様に半導体装置を作製してリフロー特性及びリード及びはんだバンプの接続信頼性を実施例１と同様な方法で確認した。
　【００７８】
　【表１】
　【００７９】
　【発明の効果】
　配線層を有するテープ材料と半導体素子が電気的に接続され、その配線テープ上に実装基板と電気的に接続するための外部端子を有し、配線テープと半導体素子を絶縁的に接着する材料にフィルム材料を用いた半導体装置において、接着用フィルム材料のリフロー温度域（２００〜２５０℃）の弾性率が１ＭＰａ以上の材料を用いることにより耐リフロー特性に優れた半導体装置を提供できる。半導体素子と実装基板との熱膨張率差により生じる熱応力を緩衝する部分にフィルム材料を用いることにより量産性に優れた製造方法を提供することができる。
　【００８０】
　またフィルム材料は平坦度に優れており、厚さ１５０μｍ程度に対して高低差５μｍ以内を確保することができ、作業性に優れた製造工程を提供することができる。フィルム材料の応力緩衝効果により、温度サイクル試験で配線テープと半導体素子を電気的に接合しているリード部分及び半導体装置と実装基板を電気的に接続しているバンプの両方の接続信頼性を同時に満足することが可能である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】材料の弾性率の温度依存性を示す図。
　【図２】本発明における半導体装置の製造工程を示す図、（２−ａ）フィルムを配線テープにあらかじめ貼り付ける製造方法、（２−ｂ）フィルムを半導体素子にあらかじめ貼り付ける製造方法、（２−ｃ）配線テープと半導体素子をフィルムを介して一括で貼り付ける製造方法。
　【図３】長尺リールを用いたフィルム貼り付けの連続工程を示す図。
　【図４】接着剤層付フィルムを有する配線テープを示す図。
　【図５】周辺パッドを有する半導体素子を示す図。
　【図６】周辺パッドを有する半導体素子を用いた半導体装置の例を示す図。
　【図７】中央部にパッドを有する半導体素子を示す図。
　【図８】中央部にパッドを有する半導体素子を用いた半導体装置の例を示す図。
　【符号の説明】
　２．１，４．１，６．１，８．１…配線テープ、２．１．１…バンプに接続されたリード、２．２，４．２，６．２，８．２…緩衝体フィルム、２．３，５．１，６．３，７．１，８．３…半導体素子、２．４，６．４，８．４…封止樹脂、２．５，６．５，８．５…外部端子（はんだバンプ）、３．１…配線テープの長尺リール、３．２…フィルムの長尺リール、３．３…打抜き治具、３．４…配線テープ上に形成されたフィルム、４．１．１…配線テープ上に形成されたリード、４．３…接着剤層、５．１．１，７．１．１…接続パッド、６．６…外枠（ヒートスプレッダ等）。