【事件の表示】
　平成６特許願第２９０１４９号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成７年１０月２０日出願公開、特開平７−２７３２５２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．出願の経緯及び本願発明
　本願は、平成２年６月１９日に出願した特願平２−１６０４６５号の、特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（所謂、分割出願）として、平成６年１１月２４日に出願したものであって、その請求項１及び２に係る発明（以下「本願発明１」、「本願発明２」という。）は、平成１２年７月３１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】下記の一般式（１）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を、下記の一般式（２）で示され、軟化点６０〜１２０℃、水酸基当量１６０〜２００のフェノールアラルキル樹脂を含む硬化剤とともに用いてなる下記の特性（Ａ）および（Ｂ）を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなるフラットパッケージ型の半導体装置。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（１）
［上記式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基である。］
　　
［上記式（２）において、ｍは０または正の整数である。］
　（Ａ）硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が６０容量％以上。
　（Ｂ）硬化体中のガラス転移温度が１２５℃以下。
【請求項２】上記の式（１）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂の含有量が、全エポキシ樹脂の５０重量％以上に設定されている請求項１記載の半導体装置。」
　なお、平成９年１０月２０日付けの手続補正書による補正は、平成１１年８月１２日付けで却下された。
　
II．引用例の記載事実
　先の平成１２年５月１７日付けの拒絶理由通知書で引用した引用例１（特開平３−２３２２５８号公報）には、以下の記載がある。
(1-1)「下記の特性（Ａ）および（Ｂ）を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置。
　（Ａ）硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が６０容量％以上。
　（Ｂ）硬化体中のガラス転移温度が１２５℃以下。」（特許請求の範囲）
(1-2)「この発明は、耐熱衝撃信頼性、耐半田クラック特性および耐湿信頼性に優れた半導体装置に関するものである。」（第１頁左下欄第１３〜１５行）
(1-3)「この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機質充填剤とを用いて得られるものであって」（第２頁左下欄第６〜８行）
(1-4)「上記エポキシ樹脂は・・・・なかでも、例えばビフェニル型エポキシ樹脂で、下記の一般式（Ｉ）で表されるものが好適に用いられる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（Ｉ）
［上記式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基である。］・・・そして、上記一般式（Ｉ）で表される特殊なエポキシ樹脂のみでエポキシ樹脂組成物のエポキシ樹脂成分（エポキシ樹脂のみからなり硬化剤成分を除く）を構成してもよいし、それ以外の通常用いられるエポキシ樹脂と併用するようにしてもよい。」（第２頁左下欄第１０行〜右下欄第７行）
(1-5)「上記（Ｉ）の特殊なエポキシ樹脂と通常のエポキシ樹脂の両者を併用する場合には、上記一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分全体の５０重量％以上に設定するのが好ましく」（第３頁左上欄第１〜５行）
(1-6)「上記硬化剤としては、例えば下記の一般式（II）で表される特殊なフェノールアラルキル樹脂が用いられる。　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（II）
［上記式（II）において、ｍは０または正の整数である。］
　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
　このようなフェノールアラルキル樹脂としては、特に、軟化点６０〜１２０℃、水酸基当量１６０〜２００を有するものを用いるのが好ましい。なお、上記フェノールアラルキル樹脂は、通常用いられるフェノール樹脂と併用しても差し支えはない。」（第３頁左上欄第６行〜右上欄第１行）
(1-7)「特に、この発明は、薄形フラットパッケージの表面実装等において高い信頼性を有し最適である。」（第４頁左下欄第６〜８行）
(1-8)実施例において、「この半導体装置は・・・四方向フラットパッケージ（ＱＦＰ）・・・で・・ものである。」（第６頁左上欄第４〜８行）
　
III．分割出願の適否について
(III-1)もとの特許出願
　本件分割出願のもとの特許出願（特願平２−１６０４６５号）は、平成２年６月１９日に特許出願（優先権主張　平成１年１２月２８日　日本）され、その後、平成６年１月１０日付けの手続補正書で明細書が補正された後、平成６年９月７日付けで拒絶査定され、その後、拒絶査定不服審判が請求され（平成６年審判第１８２５９号）、平成８年５月２２日付けで審判の請求は成り立たないとの審決がなされ、その審決が確定したものである。
　そして、もとの特許出願の各請求項に係る発明は、その請求項１〜７に記載されたとおりの、以下のものである。
（IIIa）「（１）下記の一般式（Ｉ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を、その硬化剤とともに用いてなる下記の特性（Ａ）および（Ｂ）を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（Ｉ）
［上記式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基である。］
　（Ａ）硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が６０容量％以上。
　（Ｂ）硬化体のガラス転移温度が１２５℃以下。
（２）上記の式（Ｉ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂の含有量が、全エポキシ樹脂の５０重量％以上に設定されている特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
（３）硬化剤が下記の一般式（II）で示されるフェノールアラルキル樹脂を含む硬化剤である特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（II）
［上記式（II）において、ｍは０または正の整数である。］
（４）硬化剤が、上記一般式（II）で示されるフェノールアラルキル樹脂と、フェノール樹脂との併用物からなる特許請求の範囲第３項記載の半導体装置。
（５）フェノールアラルキル樹脂の使用量が、フェノールアラルキル樹脂とフェノール樹脂の合計量の５０重量％以上に設定されている特許請求の範囲第３項記載の半導体装置。
（６）フェノールアラルキル樹脂の使用量が、フェノールアラルキル樹脂とフェノール樹脂の合計量の６０重量％以上に設定されている特許請求の範囲第３項記載の半導体装置。
（７）フェノールアラルキル樹脂として、軟化点６０〜１２０℃、水酸基当量１６０〜２００のものを用いる特許請求の範囲第２項、第３項および第４項のいずれか１項記載の半導体装置。」（特許請求の範囲）
　
　併せて、もとの出願の明細書には、以下の記載がなされている。
（IIIb）「特に、この発明は、薄形フラットパッケージの表面実装等において高い信頼性を有し最適である。」（第１３頁第６〜８行。公開公報第４頁左下欄第６〜８行参照。）
（IIIc）実施例において「この半導体装置は・・・四方向フラットパッケージ（ＱＦＰ）・・・で、・・・ものである。」（第１７頁第４〜８行。公開公報第６頁左上欄第４〜８行参照。）
（IIId）「このようなフェノールアラルキル樹脂としては、特に、軟化点６０〜１２０℃、水酸基当量１６０〜２００を有するものを用いるのが好ましい。」（第７頁下から第２〜５行。公開公報第３頁左上欄下から第２〜５行参照。）
　
(III-2)分割の適否の検討
　もとの特許出願の請求項７に係る発明は、フェノールアラルキル樹脂の軟化点及び水酸基当量を、好ましいとされる範囲（摘記IIId）に限定することにより、請求項３（及び請求項２、４）に係る発明を、より具体化した発明である。
　本願発明１と、もとの特許出願の当該請求項７に係る発明（摘記IIIa参照。以下「もとの発明」という。）とを対比すると、もとの発明は、請求項７に記載のとおり、請求項２〜４を引用するとともに、請求項２及び３においては請求項１を引用し、請求項４においては請求項３を引用した発明である。そして、本願発明１における一般式（１）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂は、もとの特許出願の請求項１に記載された一般式（Ｉ）のビフェニル型エポキシ樹脂と一致し、また、本願発明１における硬化剤に含まれる一般式（２）で示されるフェノールアラルキル樹脂は、もとの特許出願の請求項３に記載された硬化剤に含まれる一般式（II）のフェノールアラルキル樹脂と一致し、また両者はフェノールアラルキル樹脂の軟化点（６０〜１２０℃）及び水酸基当量（１６０〜２００）（IIId参照）の点でも一致している。さらに両者は、硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合（６０容量％以上）、及び硬化体のガラス転移温度（１２５℃以下）が一致し、また、当該エポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置である点でも一致している。
　してみれば、本願発明１は、もとの発明と、
　下記の一般式（１）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を、下記の一般式（２）で示され、軟化点６０〜１２０℃、水酸基当量１６０〜２００のフェノールアラルキル樹脂を含む硬化剤とともに用いてなる下記の特性（Ａ）および（Ｂ）を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（１）
［上記式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基である。］
　　
［上記式（２）において、ｍは０または正の整数である。］
　（Ａ）硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が６０容量％以上。
　（Ｂ）硬化体中のガラス転移温度が１２５℃以下。
の点で一致し、そして、
　（イ）本願発明１では半導体装置が、フラットパッケージ型の半導体装置に特定されているのに対して、もとの発明では、そのような特定がなされていない点で、本願発明１はもとの発明と一応相違している。
　そこで、この相違点（イ）について検討する。
　もとの特許出願の明細書には、もとの特許出願に係る発明について、特に薄形フラットパッケージの表面実装等において高い信頼性を有し最適であること（摘記IIIb）、及び実施例で用いた半導体装置はフラットパッケージ型の半導体装置であったこと（摘記IIIc）が記載されており、したがって、もとの特許出願に係る発明における半導体装置には、フラットパッケージ型の半導体装置が含まれるものと認められる。また、もとの発明に係る半導体装置において、特にフラットパッケージ型の半導体装置を除外すべき特段の理由があるとも認められない。
　してみれば、上記の相違点（イ）は、両者の発明の実質的な相違点とは言えず、したがって、両者は実質的に同一の発明である。
　以上のとおりであるから、本願は、もとの特許出願の明細書又は図面について補正をすることができる時又は期間内に、二以上の発明を包含するもとの特許出願の一部を新たな特許出願としたものということはできない。よって、本願はもとの特許出願の適法な分割出願とは認められず、その出願日は遡及せず、現実の出願日（即ち、平成６年１１月２４日）となる。
　
IV．引用例との対比、及び判断
（１）本願発明１について
　本願発明１と、本願の現実の出願前に頒布された刊行物である上記引用例１に記載された発明とを対比すると、本願発明１における一般式（１）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂は、引用例１に記載された一般式（Ｉ）のビフェニル型エポキシ樹脂（摘記1-4）と一致している。また、本願発明１における硬化剤に含まれる一般式（２）で示されるフェノールアラルキル樹脂は、引用例１に硬化剤として示された一般式（II）のフェノールアラルキル樹脂と一致し、その軟化点（６０〜１２０℃）及び水酸基当量（１６０〜２００）の点でも一致している（摘記1-6）。さらに両者は、硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合（６０容量％以上）、及び硬化体のガラス転移温度（１２５℃以下）が一致し（摘記1-1）、また、エポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置である点（摘記1-1）、及び半導体素子がフラットパッケージ型の半導体装置である点（摘記1-7、1-8）でも一致している。
　以上のとおりであるから、本願発明１の構成は全て引用例１に記載され、本願発明１は引用例１に記載された発明であり、なおかつ、発明の構成が同一である以上、発明の作用・効果においても、両者に差異があるということはできない。
　
（２）本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１について、式（１）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂の含有量を、「全エポキシ樹脂の５０重量％以上」に限定したものである。
　しかしながら、引用例１には、同ビフェニル型エポキシ樹脂について、これと一致する含有量が記載されており（摘記1-5）、したがって、本願発明１について前記（１）項に記載したと同様、本願発明２も引用例１に記載された発明である。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１及び２は、本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明であり、したがって、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。