【事件の表示】
　平成　１年特許願第　２２２４４号「高純度三水素化砒素およびこれを用いた化合物半導体の気相成長方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　２年　８月１０日出願公開、特開平　２−２０１９１８、平成　７年　８月２３日出願公告、特公平　７−　７９０９１、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．本願発明
　本願は、平成１年１月３０日に特許出願され、原審において平成７年８月２３日に出願公告されたところ、特許異議の申立てがなされ、特許異議の決定に記載された理由により拒絶されたものであって、その請求項１および２に係る発明は、公告後の平成１２年６月９日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１および２に記載された次のとおりのものと認める。　
請求項１に係る発明：『ゲルマニウム、シリコンおよび硫黄を含む揮発性不純物を四水素化ゲルマニウム換算で１．４ｍｏｌｐｐｂ以下含むことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル気相成長用の高純度三水素化砒素。
（ただし、該四水素化ゲルマニウム換算値は、該高純度三水素化砒素を用いて、厚さ６μｍのＧａＡｓ層を成長させ、Ｃ−Ｖ法により求められた該ＧａＡｓ層の残留キャリア濃度から、予め同成長条件下で既知濃度の四水素化ゲルマニウムを添加して作製されたＧａＡｓ層のＣ−Ｖ法により計測されたキャリア濃度と添加された四水素化ゲルマニウム濃度とから作成された検量線を用いることにより求められたものである。）』（以下、「本願発明１」という。）
請求項２に係る発明：『砒素原料として三水素化砒素を用いる砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル気相成長法において、ゲルマニウム、シリコンおよび硫黄を含む揮発性不純物を四水素化ゲルマニウム換算で１．４ｍｏｌｐｐｂ以下とした三水素化砒素を用いることを特徴とする気相成長法。
（ただし、該四水素化ゲルマニウム換算値は、該高純度三水素化砒素を用いて、厚さ６μｍのＧａＡｓ層を成長させ、Ｃ−Ｖ法により求められた該ＧａＡｓ層の残留キャリア濃度から、予め同成長条件下で既知濃度の四水素化ゲルマニウムを添加して作製されたＧａＡｓ層のＣ−Ｖ法により計測されたキャリア濃度と添加された四水素化ゲルマニウム濃度とから作成された検量線を用いることにより求められたものである。）』（以下、「本願発明２」という。）
ＩＩ．原査定の拒絶の理由
　原査定の理由の概要は次のとおりである。 
『本願発明１及び本願発明２は、本出願前に頒布された刊行物である、「表面」第２４巻第２号（１９８６年）の第８９頁から第１０１頁に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。』　
ＩＩＩ．引用発明　
　原査定で引用された刊行物（以下、引用刊行物という。）には、　
（ア）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）が化合物半導体のエピタキシャル成長に適していること（第８９頁左欄第１パラグラフ参照）、
（イ）ＴＭＧａとアルシン（ＡｓＨ３　）を原料としてＧａＡｓ膜をＭＯＣＶＤで成長させる際の反応が次式で示されること（第９０頁右欄１．２の項参照）、
（ＣＨ３　）３　Ｇａ＋ＡｓＨ３　→　ＧａＡｓ＋３ＣＨ４　（ウ）ＧａＡｓ結晶中に含まれる不純物としてはゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）および硫黄（Ｓ）などがあり、このような不純物が存在しなければＧａＡｓは高い電気抵抗を示すこと、ドーピングの制御を正確にするために礎の結晶の純度は高くなければならないこと（第９１頁の第４図及び同頁右欄下から５〜２行参照）、
（エ）ＭＯＣＶＤ膜には、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅなどのドナー、Ｃ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｍｎなどのアクセプター不純物が同定されること（第９２頁左欄１３〜１５行参照）、
（オ）ＭＯＣＶＤの成長はＶ／ＩＩＩ比が１０以上の条件がほとんどであり、このことは、ＡｓＨ３　中の不純物量がＴＭＧａのそれより１０倍以上重要であることを意味していること（第９７頁左欄下から３行〜右欄１行参照）、
（カ）ＡｓＨ３　中にはＳｅ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｆｅなどの金属不純物が数ｐｐｍの高いレベルで含まれており、Ｓｉ及びＧｅは２〜４ｐｐｍであること（第９８頁左欄の下から６〜４行及び表８参照）、
（キ）半導体材料用に提案されたＡｓＨ３　中の不純物として全硫黄が１ｐｐｍであること（第９７頁右欄２〜５行及び表７参照）、
（ク）Ｓｉ０．２ｐｐｍ、Ｓｎ，Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕが０．１ｐｐｍ以下の高純度ＴＭＧａと、メーカーやロットにより純度を変えてＤ＞Ｃ＞Ｂ＞Ａの順に高純度とした４種類のＡｓＨ３　とを用いて成長させたＧａＡｓ膜の、ホールキャリアー濃度とＶ／ＩＩＩモル比との関係図、及び、ＰＮ反転が一番高いＶ／ＩＩＩモル比で起こったのはＤを用いたときであり、最も低いＶ／ＩＩＩモル比で起こったのはＡを用いたときであって、ＡｓＨ３　中の不純物はドナー性不純物が主要と考えられること（第９８頁右欄の図１７と２〜１６行参照）、
（ケ）現在のところＡｓＨ３　中の不純物が何であるかわかっていないままであり、この解明が今後の大きな課題となるであろうこと（第９９頁左欄６〜８行参照）
が記載されている。
　してみると、引用刊行物には、砒素原料として三水素化砒素を用いる砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル気相成長法において、ゲルマニウム、シリコンおよび硫黄を含む不純物を含んだ三水素化砒素を用いることを特徴とする気相成長法に係る発明（以下、引用発明という。）が記載されていると解される。
ＩＶ．比較・検討
　本願発明１及び本願発明２と引用発明とを比較すると、両者は、ともに、「砒素原料として三水素化砒素を用いる砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル気相成長法において、ゲルマニウム、シリコンおよび硫黄を含む不純物を含んだ三水素化砒素を用いることを特徴とする気相成長法」である点で一致し、（１）上記「ゲルマニウム、シリコンおよび硫黄を含む不純物」について、前者は「揮発性不純物」であると限定しているのに対し、後者はそのような限定を有さない点、（２）砒素原料として用いられる三水素化砒素（ＡｓＨ３　）に含まれる不純物量について、前者は、請求項１及び２に記載されたＣ−Ｖ法による四水素化ゲルマニウム換算で、「１．４ｍｏｌｐｐｂ以下含む」と限定しているのに対し、後者はそのような限定を有さない点で相違する。
　そこで、上記（２）の相違点について検討するに、本願発明１及び本願発明２は、上記限定を有することにより、高抵抗結晶を得るＡｓ／Ｇａ比の許容範囲が広がり、ＦＥＴを始めとする高速電子デバイスに供しうる高抵抗で高純度のエピタキシャル結晶を安定的に供給することができるという、明細書及び図面に記載されたとおりの選択的な効果を奏するものであるところ、引用刊行物には、上記限定範囲に対応する量の不純物を含有する三水素化砒素について記載も示唆もなく、上記本願発明１及び本願発明２の上記効果についても示唆するところがない。
　してみれば、上記（１）の相違点について検討するまでもなく、本願発明１及び本願発明２が引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　なお、引用刊行物には、上記（ク）の記載はあるが、Ａ〜ＤのＡｓＨ３　について不純物量は不明であるうえに、そこに示されたキャリア濃度の値もホール法に基づくもので、本願発明１及び本願発明２のＣ−Ｖ法に基づくものと異なるものであるから、上記（ク）の記載から本願発明１及び本願発明２の効果が示唆されるとすることはできない。
Ｖ．むすび　
　以上のとおりであるから、本願発明１及び本願発明２は、原査定の理由によって拒絶すべきものとすることはできない。　
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり審決する。