【事件の表示】
　特願２００９−　９５２１８「高速光配線素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　６月１０日出願公開、特開２０１０−１２９９９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、２００９年４月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年１１月２９日、韓国）を出願日とする出願であって、平成２４年２月６日に手続補正がなされたが、同年８月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判請求がなされ、これと同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。 　　
たものである。　
　    
第２　本願発明　
　本願の請求項に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。　
「ＳＯＩ基板上の第１半導体チップと、　
　前記ＳＯＩ基板上の前記第１半導体チップから電気信号を受信して光信号を出力する光放出器と、　
　前記ＳＯＩ基板上の前記光信号を感知して電気信号に変換する光検出器と、　
　前記ＳＯＩ基板上の前記光検出器によって変換された電気信号を受信する第２半導体チップとを含み、　
　前記光放出器は、発光ダイオードを含み、　
　前記光放出器は、前記ＳＯＩ基板上の中間層及び前記中間層上の３族−５族化合物半導体層を含み、前記中間層の格子常数は、前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層の格子常数より大きく、前記３族−５族化合物半導体層の格子常数より小さい　
　ことを特徴とする高速光配線素子。」（上記「格子常数」は「格子定数」の誤記であると解されるので、以降は「格子定数」とする。）　
　
第３　刊行物の記載　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である韓国公開特許第２００２−００１２９４５号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。　
上記記載の日本語訳は以下のとおりである（下線は当審で付した。以下同じ。）。　
「[実施例１]
　図４は本発明の第1実施形態による
光配線回路素子
シリコン基板（２１１）の上面には、第１半導体チップ（２１８）、第２半導体チップ（２１８’）、光放出器（２１２）、および光検出器（２１５）が配置されている。
３−５族化合物半導体で構成され
発光ダイオードの光放出器（２１２）
　
　光板（２１１）は、光を伝播させることができるよう光導波路、レンズ等を含んでいる。半導体チップの（２１８、２１８’）と他のデバイスに影響を与えないために高分子を用いて光導波路を形成することが可能である。　
　
光放出器（２１２）は、第１電気配線（２１９）を介して第１半導体チップ（２１８）からの電気信号の入力を受け、これをシリコン基板（２１１）によって吸収されない波長範囲を有する光信号に変換して下方向に出力する。　
　光放出器（２１２）の出力光は、シリコン基板（２１１）によって吸収されない波長範囲を持つため、シリコン基板（２１１）を通過して光板（２１７）に到達することになる。
光信号は、光板（２１７）に沿って水平伝播した上部に分岐されて光検出器（２１５）に到達することになる。光検出器（２１５）は、このように入力された光を電気信号に変換して、第２電気配線（２１９’）を介して第２半導体チップ（２１８’）に伝達する。
       　                    
第４　引用発明　
　
　１　上記第３によれば、刊行物１には、光配線素子回路に関し、「シリコン基板（２１１）の上面には、第１半導体チップ（２１８）、第２半導体チップ（２１８’）、光放出器（２１２）、および光検出器（２１５）が配置されている。発光ダイオードの光放出器（２１２）は、３−５族化合物半導体で構成される。光放出器（２１２）は、第１電気配線（２１９）を介して第１半導体チップ（２１８）からの電気信号の入力を受け、これをシリコン基板（２１１）によって吸収されない波長範囲を有する光信号に変換して下方向に出力する。光信号は、光検出器（２１５）に到達する。光検出器（２１５）は、入力された光を電気信号に変換して、第２電気配線（２１９’）を介して第２半導体チップ（２１８’）に伝達する。」との事項が記載されているものと認められる。　
　　
　２　以上によれば、刊行物１には、「シリコン基板上の第１半導体チップと、
　前記第１半導体チップから電気信号を受信して光信号を出力する前記シリコン基板上の光放出器と、
　前記光信号を感知して電気信号に変換する前記シリコン基板上の光検出器と、　
　前記光検出器によって変換された電気信号を受信する前記シリコン基板上の第２半導体チップとを含み、　
　前記光放出器は、前記シリコン基板上の３族−５族化合物半導体層で構成される発光ダイオードである、光配線回路素子。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　　　
  　                    
第５　対比               
　　
　本願発明と引用発明を対比すると、両者は 、「基板上の第１半導体チップと、前記基板上の前記第１半導体チップから電気信号を受信して光信号を出力する光放出器と、前記基板上の前記光信号を感知して電気信号に変換する光検出器と、前記基板上の前記光検出器によって変換された電気信号を受信する第２半導体チップとを含み、前記光放出器は、発光ダイオードを含み、前記光放出器は、３族−５族化合物半導体層を含む高速光配線素子。」である点で一致し、下記１、２の点で相違するものと認められる。　
　
　１　基板が、本願発明では、「ＳＯＩ基板」であるのに対し、引用発明では「シリコン基板」である点（以下「相違点１」という。）。　
　
　２　光放出器が、本願発明では、「前記ＳＯＩ基板上の中間層及び、中間層上の３族−５族化合物半導体層」を含み「前記中間層の格子定数は、前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層の格子定数より大きく、前記３族−５族化合物半導体層の格子定数より小さい」ものであるのに対して、引用発明ではそのような中間層を含むかどうか特定されていない点（以下「相違点２」という。）。
　
第６　判断　                      
　
　１　相違点１について　　
　半導体チップや光放出器、光検出器を実装する基板として、ＳＯＩ基板は周知であるから（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された、特開２０００−１８８４１８号公報、特開２００４−１７０６６８号公報参照。）、引用発明における「シリコン基板」をＳＯＩ基板とすることは、当業者が適宜なし得る設計事項である。　
　
　２　相違点２について
　（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−２９９２６１号公報（以下「刊行物２」という。）には、「【０００４】このような問題を解決するために、シリコン単結晶基板上にＩｎＰなどの化合物半導体結晶層をエピタキシャル成長させて半導体基板を得る方法が提案されてきた。シリコン単結晶は安価で、機械的強度に優れ且つ大きな熱伝導率を有しており、さらに直径６インチ以上の基板を容易に生産できる利点がある。従って、シリコン基板上に
ＩｎＰやＧａＡｓ等の化合物半導体結晶層
前記シリコン結晶基板の表面上にＳｉＧｅ結晶層が形成され、
該多孔質ＳｉＧｅ結晶層の表面に化合物結晶層が形成されてなるもの
Ｓｉに比べてＧａＡｓやＩｎＰ（格子定数：５．８６９Å）の格子定数により近い格子定数を有するＧｅ（格子定数：５．６５７Å）を含むＳｉＧｅ結晶層が、シリコン結晶基板と化合物結晶層の間に形成された半導体基板であれば、基板内の格子不整が小さく結晶性の良い化合物結晶層が形成された半導体基板とすることができる。
　
　（２）上記（１）によれば、刊行物２には、Ｓｉに比べてＩｎＰやＧａＡｓの格子定数により近い格子定数を有するＧｅを含むＳｉＧｅ結晶層を、シリコン結晶基板とＩｎＰやＧａＡｓ等の化合物半導体結晶層の間に形成して、格子不整が小さく結晶性を良くする技術が記載されているものと認められる。　
　
　（３）しかるところ、上記（２）のＩｎＰやＧａＡｓは、３族−５族化合物半導体であるから、引用発明において、３族−５族化合物半導体層と基板との間にＳｉＧｅ結晶層を形成する上記（２）の技術を適用することは、当業者が容易になし得る程度のことである。  　
　そして、刊行物２の「Ｓｉに比べてＧａＡｓやＩｎＰ（格子定数：５．８６９Å）の格子定数により近い格子定数を有するＧｅ（格子定数：５．６５７Å）を含むＳｉＧｅ結晶層」との記載に照らせば、該「ＳｉＧｅ結晶層」の格子定数は、シリコンの格子定数より大きく、ＧａＡｓやＩｎＰの格子定数より小さいものと認められる。　　
　
（４）してみると、引用発明において、相違点に係る本願発明の構成とすることは、刊行物２記載の技術に基づいて当業者が容易になし得たものというべきである。　
　
第７　むすび　　
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び刊行物２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　　
　　
　よって、結論のとおり審決する。