【事件の表示】
　特願２００８−５０８８３２「無アルミニウムＩＩＩ族窒化物ベースの高電子移動度トランジスタおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　９日国際公開、ＷＯ２００６／１１８６３２、平成２０年１１月１３日国内公表、特表２００８−５３９５８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００６年２月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年４月２９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１０月１９日付けの最初の拒絶理由通知に対して、平成２４年４月２０日に意見書及び手続補正書が提出され、同年６月１５日付けの最後の拒絶理由通知に対して、同年１２月２１日に意見書が提出されたが、平成２５年２月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１０日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに同日に手続補正書が提出され、同年８月２７日付けの審尋に対して、平成２６年２月２８日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年６月１０日に提出された手続補正書によりなされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、その内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項１〉
　本件補正前の請求項１の「前記障壁層と前記チャネル層との間の、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含む第１のドープされたＧａＮ層」との記載を、本件補正後の請求項１にあっては、「前記障壁層と前記チャネル層との間の、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含む、０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する第１のドープされたＧａＮ層」と補正する。
　
〈補正事項２〉
　本件補正前の請求項１０を削除する。
　
〈補正事項３〉
　本件補正前の請求項１１ないし請求項２２を、それぞれ、本件補正後の請求項１０ないし請求項２１に繰り上げるとともに、各請求項が引用する請求項の項番を補正する。
　
〈補正事項４〉
　本件補正前の請求項２３の「前記障壁層と前記チャネル層との間の、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含む第１のドープされたＧａＮ層を形成すること」との記載を、本件補正後の請求項２２にあっては、「前記障壁層と前記チャネル層との間の、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含む、０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する第１のドープされたＧａＮ層を形成すること」と補正する。
　
〈補正事項５〉
　本件補正前の請求項３２を削除する。
　
〈補正事項６〉
　本件補正前の請求項２４ないし請求項３１を、それぞれ、本件補正後の請求項２３ないし請求項３０に繰り上げ、また、本件補正前の請求項３３ないし請求項５４を、それぞれ、本件補正後の請求項３１ないし請求項５２に繰り上げるとともに、各請求項が引用する請求項の項番を補正する。
　
２．新規事項の有無
（１）補正事項１及び補正事項４について
　補正事項１及び補正事項４は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００４２】における、「本発明のいくつかの実施形態では、ドープされたＧａＮ層２３０がＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎおよび／またはＯでドープされていてもよく…（中略）…さらに、ドープされたＧａＮ層２３０は約０．２ｎｍから約１０ｎｍの厚さを有することができる。」の記載、及び、本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１３及び同請求項４３の記載に基づいていると認められるから、補正事項１及び補正事項４は本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、補正事項１及び補正事項４は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　
（２）補正事項２、補正事項３、補正事項５、及び、補正事項６について
　補正事項２、補正事項３、補正事項５、及び、補正事項６が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないことは明らかである。
　
（３）新規事項の有無のまとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定を満たす。
　
３．補正目的の適否
（１）補正事項１及び補正事項４について
　補正事項１及び補正事項４は、本件補正前の請求項１及び請求項２３に係る発明における「第１のドープされたＧａＮ層」に対して、「０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する」という事項を付加することで、技術的に限定するものである。
　したがって、補正事項１及び補正事項４は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２、補正事項３、補正事項５、及び、補正事項６について
　補正事項２及び補正事項５は、請求項の削除を目的としている。
　また、補正事項３、及び、補正事項６のうち本件補正前の請求項２４ないし請求項３１をそれぞれ本件補正後の請求項２３ないし請求項３０に繰り上げるとともに、本件補正後の請求項２３ないし請求項３０が引用する請求項の項番を補正する補正は、補正事項２の請求項の削除を目的とする補正に伴い、特許請求の範囲の記載を形式的に補正するものであるから、請求項の削除を目的としていると認められる。
　そして、補正事項６のうち本件補正前の請求項３３ないし請求項５４をそれぞれ本件補正後の請求項３１ないし請求項５２に繰り上げるとともに、本件補正後の請求項３３ないし請求項５２が引用する請求項の項番を補正する補正は、補正事項２及び補正事項５の請求項の削除を目的とする補正に伴い、特許請求の範囲の記載を形式的に補正するものであるから、請求項の削除を目的としていると認められる。
　したがって、補正事項２、補正事項３、補正事項５、及び、補正事項６は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３）補正目的の適否のまとめ
　以上から、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
４．独立特許要件
　以上のとおり、本件補正は、前記改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含んでいる。
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうかを、前記特許請求の範囲の減縮を目的とする補正がなされた請求項１について検討する。
　
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
「無アルミニウムＩＩＩ族窒化物障壁層と、
　前記障壁層上の無アルミニウムＩＩＩ族窒化物チャネル層と、
　前記チャネル層上の無アルミニウムＩＩＩ族窒化物キャップ層と、
　前記障壁層と前記チャネル層との間の、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含む、０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する第１のドープされたＧａＮ層と
　を含むことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。」
　
（２）各引用例の記載事項と引用発明
（２−１）引用例１の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特表２００３−５３５４８１号公報（以下「引用例１」という。）には、「後面にドナーをドープしたヘテロ構造」（発明の名称）に関して、図１〜図１４とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したもの。以下、他の引用例及び周知例についても同様である。）。
　
ａ．「【０００１】
　この発明は、たとえばパワーエレクトロニクスおよび高温エレクトロニクスにおいて、電界効果トランジスタなどに利用可能なヘテロ構造に関する。これには、とくに、Ｉｎ（Ｇａ）Ｎチャネル、（Ａｌ）ＧａＮキャップ層、および
ＧａＮバッファ層
　
ｂ．「【０００４】
　文献によれば、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系の電界効果トランジスタとして、変調ドープ（ＭＯＤＦＥＴ）、チャネルドープ、およびアンドープ（ピエゾＦＥＴ）の電解効果トランジスタがある。ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系においても、応力により、境界面に分極電荷を生じさせる圧電電界が発生する。ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系とは対照的に、両境界面電荷はチャネルに存在するのではなく、負電荷は２ＤＥＧ（２次元電子ガス）としてＡｌＧａＮ／ＧａＮ境界面に存在し、正電荷はＡｌＧａＮ表面に存在する。
　　　【０００５】
　このような構造の欠点は、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ境界面において束縛された境界面電荷が、分極電場によって生じた反対の極性を有する表面電荷と相互作用することである。ＧａＮベースのトランジスタのＤＣ動作において、表面電荷は出力特性にほとんど影響を及ぼさない。ＲＦ動作においては、表面の電荷は、その相互作用により、チャネルの電子に追随しなければならない。表面電荷よりもチャネルの電荷の方が速く移動すると仮定すると、ＲＦ動作における特性周波数において、表面電荷はもはやチャネルの電荷に追随できない。このとき、反対の極性を有する準静止電荷は、中性条件が破れ、チャネルの自由電子をトラップする結果、出力電流が減少し、最大ＲＦ出力はＤＣ出力に比べて低くなる。
　　　【０００６】
　ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系に比べ、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系では、試料表面に圧電分極による境界面電荷が生じない。圧電分極電荷と表面電荷との相互作用が回避される。これにより、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系のトランジスタにおいて観察される、高周波の入力に対する電流補償の効果、およびその結果生じる出力の減少は軽減される。
　　　【０００７】
　ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮにおいて、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ境界面の後面の正の境界面電荷およびＧａＮ／ＩｎＧａＮ境界面の前面に誘起された負の境界面電荷は、電流の輸送に寄与する。ＧａＮまたはＡｌＧａＮに比べ、ＩｎＧａＮにおける電子移動度はかなり高く、理論計算によれば４５００ｃｍ２／Ｖｓｅｃである。しかし、ＩｎＧａＮにおける正孔の移動度は、電子の移動度に比べてかなり小さい。正の境界面電荷と負の境界面電荷による正味の電流は、電荷の中性条件により決定される。すなわち、より遅い正孔による電流が、構成要素のカットオフ周波数を決定する。さらに、チャネルはｐｎ転移によりブロックされる。
　　　【０００８】
　本発明の目的は、圧電分極物質のチャネルを有するヘテロ構造における上述の欠点を回避することにある。」
　
ｃ．「【００１０】
　本発明によれば、たとえば、チャネル、バッファ、または基板における少量のｎ−ドープにより、バッファとチャネルの間の境界面における正の分極電荷が補償され、電子のみのチャネルとなる。これは、図１Ｂおよび図１Ｃに示される。図１Ｂには、静止ドナー１２をドープすることにより、チャネルに移動可能な電子１３がもたらされるが、それは圧電電荷１０と再結合し、チャネルにおける移動可能な電荷担体として電子１１のみが残る様子が示される。
　　　【００１１】
　図１Ｂは、ＩｎＧａＮにドナーをドープしたＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ構造における電荷の分布を示す。図１Ｃは、さらなる可能性として、
ＧａＮバッファにドナーをドープしたＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ
ドナー層４
ＩｎＧａＮチャネル
　　　【００１２】
　図４Ａおよび図４Ｂは、
図１Ｃに示した系、すなわち、チャネルの下にあるＧａＮバッファにドナー層として厚さ１０ｎｍのＮ−補償ドープ（１×１０
１９
ｃｍ
−３
）をした
　　　【００１３】
　図３Ｂおよび図４Ｂを図２Ｂと対比すると、バッファとチャネルの間の境界面における正の圧電電荷が完全に補償され、その結果、正孔の伝導はもはやチャネルに存在しないことが分かる。」
　
 ｄ．「【００１４】
　図５は、本発明による後面にドナーをドープした逆ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ電界効果トランジスタの層構造を示す。ここでは、バッファ１とチャネル２の間の境界面に存在する厚さ１０ｎｍのＩｎＧａＮ層に静止ドナー（２×１０１８ｃｍ−３）としてケイ素が導入される。電界効果トランジスタは、サファイアの基板上に形成され、さらに、コンタクト電極７、８およびゲート電極９が設けられる。
　　　【００１５】
　チャネル２の１０ｎｍ厚のアンドープＩｎＧａＮ層と、厚さ１０ｎｍのドープされたＩｎＧａＮ：Ｓｉ層４、２のインジウム含有率は約７％である。厚さ３μｍのバッファ１および厚さ２０ｎｍの
キャップ層３
　
ｅ．「【００１８】
  図８は、同様に実現された、
後面にドナーをドープされたＩｎＧａＮベースの逆ＨＥＭＴ
　　　【００１９】
　１×１０１９ｃｍ−３のドナーが、
ＩｎＧａＮチャネル２の下の１０ｎｍ厚のＧａＮ層４
厚さ３μｍのＧａＮバッファ１および厚さ２０ｎｍのＧａＮキャップ層３はアンドープである
　　　【００２０】
　図１Ｂおよび図１Ｃに本質的に対応する上記の例により、ＩｎＧａＮベースの逆ＨＥＭＴ構造において、自由な正孔を補償するドナードーピングにより自由な電子のチャネルが生じることが示された。しかしながら、自由な電子を補償するアクセプターをドープすることにより自由な正孔のチャネルを生成することも可能である。これにより、相補型論理回路（ＣＭＯＳ回路に相似する）を構成することができる。図１１は、ＩｎＧａＮベースのｎ−チャネルおよびｐ−チャネルのＨＦＥＴの構成を示す。同様の層には同じ参照符号を用い、ｐ−チャネル系において対応する参照符号は、アポストロフィを付した参照符号として示される（たとえば、
キャップ層には３
　
ｆ．「【図面の簡単な説明】
　　【図１】　ヘテロ構造における電荷分布を説明するための図である。
　……（中略）……
　　【図５】　後面にドナーをドープした逆ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ電界効果トランジスタの層構造を示す図である。
　……（中略）……
　　【図８】　
後面にドナーをドープされたＩｎＧａＮベースの逆ＨＥＭＴ
　……（中略）……
　　【図１１】　ＩｎＧａＮベースのｎ−チャネルおよびｐ−チャネルのＨＦＥＴの構成を示す図である。」
　
ｇ．図１Ｃには、下から、「ＧａＮ」と記載された層１、「ＧａＮ：Ｓｉ」と記載されたドナー層４、「ＩｎＧａＮ」と記載された層２、「ＧａＮ」と記載された層３が形成されることが記載されている。
　
ｈ．「後面にドナーをドープされたＩｎＧａＮベースの逆ＨＥＭＴの層構造を示す図である」（図面の簡単な説明）図８には、「サファイヤ」基板２０上に、下から、「０.５μｍ ＧａＮ 低速成長」と「２.５μｍ ＧａＮ 高速成長」とからなる層１、「１０ｎｍ ＧａＮ Ｓｉ-ドープ」と記載された層４、「ＧａＮ スペーサ」と記載された層２１、「２０ｎｍ ＩｎＧａＮ アンドープ」と記載された層２、「２０ｎｍ ＧａＮ アンドープ」と記載された層３が形成されることが記載されている。
　
（２−２）引用発明
　第２．４．（２）（２−１）のａ〜ｈの記載、特に、図１Ｃに関する記載を総合すれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「ＧａＮバッファにドナーをドープしたＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴであって、
　ＧａＮバッファ層１と、
　前記ＧａＮバッファ層１にＳｉをドナーとして１×１０１９ｃｍ−３だけドープした、厚さ１０ｎｍのＮ−ＧａＮドナー層４と、
　前記Ｎ−ＧａＮドナー層４上のＩｎＧａＮチャネル２と、
　前記ＩｎＧａＮチャネル２上のＧａＮキャップ層３と、
　を含むことを特徴とするＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ。」
　
（２−３）引用例２の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００４−２６０１４０号公報（以下「引用例２」という。）には、「ＩＩＩ族窒化物半導体を有する半導体素子」（発明の名称）に関して、図１〜図４とともに、次の記載がある。
　
ａ．「【００２２】
（第１実施例）
　図１は、第１実施例の電界効果トランジスタの断面図を示す。このトランジスタでは、基板２０上に、下側ｎ−型層（第４層）２２が形成されている。基板２０は、Ａｌ２Ｏ３（サファイア）で構成されている。
下側ｎ
−
型層２２は、ｎ型不純物であるＳｉ（シリコン）がドーピングされたＧａＮ（窒化ガリウム）で構成されている
ｎ型不純物としてＧｅ（ゲルマニウム）等をドーピングしてもよい
　
ｂ．「【００３３】
  また、図４に示すようにノッチ部４６は、その上方に位置する３次元的に広がった領域に比べて、２次元的に狭まった領域となっている。
電子は、この２次元的に狭まったノッチ部４６に形成されるチャネルを流れる。よって、いわゆる２次元電子ガスが形成される
　
（２−４）引用例３の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００４−１８６５５８号公報（以下「引用例３」という。）には、「電流遮断器付きＧａＮ系半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜図２とともに、次の記載がある。
　
ａ．「【００１６】
【発明の実施の形態】
（回復可能な電流遮断器付きＨＦＥＴ装置の場合）
図１に、本発明の電流遮断器付きＨＦＥＴ装置の一実施例を示す。
図１（ａ）に示すように、本発明の装置１０は、ＨＦＥＴ１０Ａ及び回復機能を持つポリマスイッチ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｄｅｖｉｃｅ）１０Ｂとで構成されている。具体的には、ＨＦＥＴ１０Ａはノーマリオンタイプで、ソース電極Ｓ側を接地し、ドレイン電極Ｄ側に入力された電圧Ｖｉｎによる電流がゲート電極Ｇ側のゲート駆動バイアスに合わせてソース電極Ｓ側に流れる。また、ポリマスイッチ１０Ｂは、ＨＦＥＴ１０Ａのドレイン側の前段に直列に接続されている。」
　
ｂ．「【００１８】
ＨＦＥＴ１０Ａは、半絶縁性のサファイア基板１１の上に、ＧａＮバッファ層１２を介して、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層であるアンドープの高抵抗のＧａＮ層１３が形成され、このＧａＮ層１３の上に、ＧａＮ層１３よりバンドギャップエネルギーの大きいＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層であるアンドープの高抵抗のＡｌＧａＮ層１４が形成されている。また、ＧａＮ層１３とＡｌＧａＮ層１４とのヘテロ接合部に接続して、低抵抗のｎ型ＧａＮ層１５がＧａＮ層１３の上に二個形成されている。したがって、
ＧａＮ層１３とＡｌＧａＮ層１４とのヘテロ接合界面近傍には、２次元電子ガス層（図中の破線で示す）１９が発生する。また、ｎ型ＧａＮ層１５上にオーミック接合して、ソース電極１６及びドレイン電極１７がそれぞれ形成されている
　
ｃ．「【００２５】
エッチング後、
Ｓｉを２×１０
１９
ｃｍ
−３
ドープした厚さ４０ｎｍのｎ型ＧａＮ層１５
このようにすると、ｎ型ＧａＮ層の上に形成させたソース及びドレイン電極のオーミックコンタクト性を高めることができる。また、ＧａＮ層１３とＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層１４のヘテロ接合界面に発生する２次元電子ガス層１９の端部をｎ型ＧａＮ層１５の側部に接して配置できるため、２次元電子ガス層１９とｎ型ＧａＮ層１５との電気的な導通が良好になる。
【００２６】
なお、
ｎ型ドーパントとしては、ＴｅやＳｎ等も好適に用いることができる
　
（３）対比
（３−１）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア．「ＨＥＭＴ」は、High Electron Mobility Transistor（高電子移動度トランジスタ）の略語であり、さらに、引用例１には、第２．４．（２）（２−１）ｂ．で摘記したように、段落【０００７】に「ＧａＮまたはＡｌＧａＮに比べ、ＩｎＧａＮにおける電子移動度はかなり高く、理論計算によれば４５００ｃｍ２／Ｖｓｅｃである。」と記載されている。
　したがって、「ＩｎＧａＮチャネル２」を有する引用発明の「ＧａＮバッファにドナーをドープしたＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ」は、補正発明の「高電子移動度トランジスタ」に相当する。
　
　　イ．引用発明の「ＧａＮバッファ層１」において、「ＧａＮ」は「ＩＩＩ族窒化物」である。
　したがって、引用発明の「ＧａＮバッファ層１」と、補正発明の「無アルミニウムＩＩＩ族窒化物障壁層」とは、少なくとも、「ＩＩＩ族窒化物障壁層」である点で共通する。
　
　　ウ．引用発明の「Ｎ−ＧａＮドナー層４」上にある「ＩｎＧａＮチャネル２」は、「ＩＩＩ族窒化物」である「ＩｎＧａＮ」からなる「チャネル」の層である。
　これに対して、補正発明の「無アルミニウムＩＩＩ族窒化物チャネル層」は、「前記障壁層上」にあるものの、「前記障壁層と前記チャネル層との間」には「第１のドープされたＧａＮ層」が存在する。
　したがって、引用発明の「前記Ｎ−ＧａＮドナー層４上のＩｎＧａＮチャネル２」と、補正発明の「前記障壁層上の無アルミニウムＩＩＩ族窒化物チャネル層」とは、少なくとも、「前記障壁層上」の「ＩＩＩ族窒化物チャネル層」である点で共通する。
　
　　エ．引用発明の「前記ＩｎＧａＮチャネル２上のＧａＮキャップ層３」において、「ＧａＮキャップ層３」を形成する「ＧａＮ」は「ＩＩＩ族窒化物」である。
　したがって、引用発明の「前記ＩｎＧａＮチャネル２上のＧａＮキャップ層３」と、補正発明の「前記チャネル層上の無アルミニウムＩＩＩ族窒化物キャップ層」とは、少なくとも、「前記チャネル層上」の「ＩＩＩ族窒化物キャップ層」である点で共通する。
　
　　オ．引用発明の「Ｎ−ＧａＮドナー層４」にとって「Ｓｉ」はｎ型ドーパントである。
　これに対して、補正発明の「Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅ」も、本願明細書の段落【００４２】に「ドープされたＧａＮ層２３０がＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎおよび／またはＯでドープされていてもよく…（中略）…ドープされたＧａＮ層２３０は約０．２ｎｍから約１０ｎｍの厚さを有することができる。２ＤＥＧチャネルに十分な電子を供給する」と記載されるように、「第１のドープされたＧａＮ層」におけるｎ型ドーパントである。
　また、補正発明の「０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する」とは、「厚さ」が「０．２ｎｍ」から「１０ｎｍ」までの範囲にあるという条件を示したものであるが、引用発明の「厚さ１０ｎｍ」は、この条件に適合する。
　したがって、引用発明の「前記ＧａＮバッファ層１にＳｉをドナーとして１×１０１９ｃｍ−３だけドープした、厚さ１０ｎｍのＮ−ＧａＮドナー層４」と、補正発明の「前記障壁層と前記チャネル層との間の、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含む、０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する第１のドープされたＧａＮ層」とは、「前記障壁層と前記チャネル層との間の」、ｎ型ドーパントが「ドープされたＧａＮ層を含む、０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する第１のドープされたＧａＮ層」である点で共通する。
　
（３−２）一致点及び相違点
　以上から、補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「ＩＩＩ族窒化物障壁層と、
　前記障壁層上のＩＩＩ族窒化物チャネル層と、
　前記チャネル層上のＩＩＩ族窒化物キャップ層と、
　前記障壁層と前記チャネル層との間の、ｎ型ドーパントがドープされたＧａＮ層を含む、０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する第１のドープされたＧａＮ層と
　を含むことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。」
　
《相違点１》
　補正発明の「ＩＩＩ族窒化物障壁層」と「ＩＩＩ族窒化物チャネル層」と「ＩＩＩ族窒化物キャップ層」は、いずれも「無アルミニウム」の「層」であるのに対して、引用発明の「ＧａＮバッファ層１」と「ＩｎＧａＮチャネル２」と「ＧａＮキャップ層３」は、「無アルミニウム」の「層」であるかどうか不明である点。
　
《相違点２》
　補正発明の「第１のドープされたＧａＮ層」は「Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされた」のに対して、引用発明の「Ｎ−ＧａＮドナー層４」は「Ｓｉ」を「ドナー」とする点。
　
（４）相違点についての判断
（４−１）相違点１について
　　ア．引用発明の「バッファ層１」は「ＧａＮ」で形成され、「チャネル２」は「ＩｎＧａＮ」で形成され、「キャップ層３」は「ＧａＮ」で形成され、それぞれ、アルミニウムを含むものではない。
　そして、図１Ｃに記載の「ＧａＮバッファにドナーをドープしたＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ構造」（段落【００１１】）、及び、図８の「後面にドナーをドープされたＩｎＧａＮベースの逆ＨＥＭＴの層構造」（段落【００１８】）、それぞれの「構造」における各層がアルミニウムを含むことは、引用例１には記載も示唆もされていない。
　
　　イ．したがって、引用発明の前記「バッファ層１」、「チャネル２」、及び、「キャップ層３」は、いずれも、アルミニウムを含まない「無アルミニウム」の「層」であると認められる。
　よって、相違点１は、実質的な相違点ではない。
　
　　ウ．本願明細書には、段落【００２５】に「本明細書で使用されるとき、無アルミニウムは、ＩＩＩ族窒化物ベースのデバイスの活性層中に意図的に組み込まれたＡｌが存在しないことを指す。」と記載されるとともに、「約１％未満のＡｌを有する領域または層を、無アルミニウムとみなす」と記載されている。
　そこで、仮に、相違点１が実質的なものであったとして、引用発明の「ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ」における活性層が「層中に意図的に組み込まれたＡｌが存在しない」層であるかどうかについて、検討する。
　
　　エ．引用例１には、第２．４．（２）（２−１）ｂ．において摘記したように、「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系」のトランジスタにおいては「ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系とは対照的に、両境界面電荷はチャネルに存在するのではなく、負電荷は２ＤＥＧ（２次元電子ガス）としてＡｌＧａＮ／ＧａＮ境界面に存在し、正電荷はＡｌＧａＮ表面に存在する。」（段落【０００４】）こと、「このような構造の欠点」は「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ境界面において束縛された境界面電荷が、分極電場によって生じた反対の極性を有する表面電荷と相互作用すること」により「反対の極性を有する準静止電荷は、中性条件が破れ、チャネルの自由電子をトラップする結果、出力電流が減少し、最大ＲＦ出力はＤＣ出力に比べて低くなる。」こと（段落【０００５】）、これに対して、「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系に比べ、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系では、試料表面に圧電分極による境界面電荷が生じない。圧電分極電荷と表面電荷との相互作用が回避される。これにより、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系のトランジスタにおいて観察される、高周波の入力に対する電流補償の効果、およびその結果生じる出力の減少は軽減される。」と記載されている。
　
　　オ．前記記載から、引用発明が「ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ」構造を採用したのは、「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ境界面」を有する「構造の欠点」が生じないように、前記「逆ＨＥＭＴ」の各層に意図的に「Ａｌ」を組み込まなかったからであると認められる。
　すなわち、引用発明の「ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ」における「ＧａＮバッファ層１」、「ＩｎＧａＮチャネル２」及び「ＧａＮキャップ層３」は、いずれも、「層中に意図的に組み込まれたＡｌが存在しない」層であると認められる。
　また、本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参照しても、ＩＩＩ族窒化物ベースのデバイスの活性層のＡｌの含有量を「約１％未満」にすることに臨界的な意義があるとは認められない。
　そして、前記「意図的に組み込まれたＡｌが存在しない」層である、引用発明の「ＧａＮバッファ層１」、「ＩｎＧａＮチャネル２」及び「ＧａＮキャップ層３」が、仮に不可避な不純物として前記「Ａｌ」を含有するとしても、その含有量が「約１％未満」程度のものとなるように、引用発明の「逆ＨＥＭＴ」の製造工程を管理することは、当業者であれば当然になし得たものと認められる。
　
　　カ．以上から、相違点１は、実質的な相違点でないか、あるいは、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
　　ア．ＧａＮのｎ型ドーパントとして、Ｓｉの代わりにＧｅないしＳｎを使用できることは、第２．４．（２）の（２−３）及び（２−４）で摘記したように、引用例２ないし引用例３に記載されているように、周知技術である。
　さらに、以下に示す周知例１〜３には、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物層のｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｓｎ、ＯないしＧｅ等が、置換可能なものとして列記されている。
　
　　イ．してみれば、引用発明における「Ｎ−ＧａＮドナー層４」の「ドナー」として、「Ｓｉ」に代えて「Ｓｎ、Ｏ」及び「Ｇｅ」のいずれか一つを用いることは、当業者であれば、適宜なし得たものと認められる。
　
　　ウ．ところで、審判請求人は、平成２６年２月２８日に提出された回答書において、
ａ．「請求項１および２２の中核をなす点は、審判請求書の請求の理由に記載したとおり、「無アルミニウムＩＩＩ族窒化物障壁層と、その上の無アルミニウムＩＩＩ族窒化物チャネル層と、その上の無アルミニウムＩＩＩ族窒化物キャップ層と、を含む高電子移動度トランジスタ」の構成のうち、上記障壁層と上記チャネル層との間に、０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含むようにしたことを特徴とするものであって、このような構成を採用したことにより、チャネル層内の高いピーク電子濃度を、非常に薄いドープされたＧａＮ層で実現できるという顕著な作用効果を奏するものです。」
ｂ．「ＧｅやＳｎが、Ｓｉと同様にＧａＮに対してｎ型ドーパントとして用いることができるということが公知技術であったとしても、本願発明における「チャネル層内の高いピーク電子濃度を、非常に薄いドープされたＧａＮ層で実現できる」という目的で同様に使用できるということは引用文献には開示されておらず、本願明細書［００４２］においてのみ記載されています。すなわち、引用文献２、３に記載された事項を引用文献１に記載された発明に適用するにあたり、本願の明細書の記載を参酌していることとなり、その論理構成は認められないものと思料いたします。」
と主張している。
　
　　エ．しかしながら、本願明細書の段落【００４２】には、「本発明のいくつかの実施形態では、ドープされたＧａＮ層２３０がＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎおよび／またはＯでドープされていてもよく、ドープされたＧａＮ層２３０が、約１×１０１６ｃｍ−３から約１×１０２１ｃｍ−３のドーパント濃度を有することができる。特定の実施形態では、このドーパント濃度を約１×１０２０ｃｍ−３とすることができる。さらに、ドープされたＧａＮ層２３０は約０．２ｎｍから約１０ｎｍの厚さを有することができる。２ＤＥＧチャネルに十分な電子を供給するため、このドーピング濃度は十分に高くなければならず、この層は十分に厚くなければならないが、チャネル領域の外側に意図しない追加のｎ型領域を形成するほど、ドーピング濃度は高くなく、またはこの層は厚くない。特定の実施形態では、ドーパントをＳｎおよび／またはＧｅとすることができる。他の実施形態では、ドーパントをＳｉとすることができる。」と記載されている。
　すなわち、「ドープされたＧａＮ層２３０」のドーパントとして「Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎおよび／またはＯ」が列記されているだけであり、前記「ドープされたＧａＮ層２３０」が「２ＤＥＧチャネルに十分な電子を供給するため」に、前記「ドープされたＧａＮ層２３０」の「ドーパント」として、「Ｓｉ」に代えて、積極的に「Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅ」を用いることは、本願明細書には記載されていない。
　そして、前記段落【００４２】には「特定の実施形態では、ドーパントをＳｎおよび／またはＧｅとすることができる。」と記載されているものの、本願明細書には、それを具体的に説明する「実施形態」の記載はなく、段落【００１２】、【００１３】、【００４２】及び【００４５】に、「第１のドープされたＧａＮ層」、「第２のドープされたＧａＮ層」、「ドープされたＧａＮ層２３０」ないし「ドープされたＧａＮ層２５０」が、「Ｓｉ、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされ」てよいことが、記載されているだけである。
　本願明細書の段落【００５１】〜【００６２】と図４Ｃ〜図４Ｎには、「ドープされたＧａＮ層」を有する「トランジスタ」の「シミュレーション」で計算した「ピーク電子濃度」が示されている。しかし、これらの「シミュレーション」における「ドープされたＧａＮ層」のドーパントは、図４Ｃ〜図４Ｎに記載されるとおり、いずれも「Ｓｉ」であり、「Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅ」をドーパントとする「シミュレーション」結果は開示されていない。
　
　　オ．したがって、「高電子移動度トランジスタ」が、特に、「Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含むようにした」という「構成を採用したことにより、チャネル層内の高いピーク電子濃度を、非常に薄いドープされたＧａＮ層で実現できるという顕著な作用効果を奏する」との前記ウ．ａ．の主張は、本願明細書の発明の詳細な説明の記載に基づくものではない。
　本願明細書の発明の詳細な説明の記載からは、「０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さ」を有する「ドープされたＧａＮ層」において、「チャネル層内の高いピーク電子濃度」を実現するための前記「ＧａＮ層」のドーパントとして、「Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅ」を用いる場合は、「Ｓｉ」を用いた場合と同程度の効果が期待できることが、把握できるだけである。
　
　　カ．これに対して、引用例１には、段落【０００５】に「このような構造の欠点は、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ境界面において束縛された境界面電荷が、分極電場によって生じた反対の極性を有する表面電荷と相互作用することである。…（中略）…このとき、反対の極性を有する準静止電荷は、中性条件が破れ、チャネルの自由電子をトラップする結果、出力電流が減少し、最大ＲＦ出力はＤＣ出力に比べて低くなる。」と、段落【００１０】に「本発明によれば、たとえば、チャネル、バッファ、または基板における少量のｎ−ドープにより、バッファとチャネルの間の境界面における正の分極電荷が補償され、電子のみのチャネルとなる。」と、段落【００１３】に「図３Ｂおよび図４Ｂを図２Ｂと対比すると、バッファとチャネルの間の境界面における正の圧電電荷が完全に補償され、その結果、正孔の伝導はもはやチャネルに存在しないことが分かる。」と、図８の逆ＨＥＭＴを説明する段落【００１９】には「それぞれ６００ｎＡ／ｍｍおよび９００ｍＡ／ｍｍの最大飽和電流が達成される。」ことが、それぞれ、記載されている。
　したがって、引用発明の「ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ」は、「Ｓｉをドナーとして１×１０１９ｃｍ−３だけドープした、厚さ１０ｎｍのＮ−ＧａＮドナー層４」を有することで、「バッファとチャネルの間の境界面における正の分極電荷が補償」されて、「境界面電荷」が「チャネルの自由電子をトラップする」ことがなくなるから、「トラップ」される「チャネルの自由電子」がなくなる分だけ、「出力電流」に寄与する「チャネル」における「自由電子」を増大させていると認められる。
　
　　キ．ここで、前記ウ．ｂ．の「ＧｅやＳｎが、Ｓｉと同様にＧａＮに対してｎ型ドーパントとして用いることができるということが公知技術であったとしても、本願発明における「チャネル層内の高いピーク電子濃度を、非常に薄いドープされたＧａＮ層で実現できる」という目的で同様に使用できるということは引用文献には開示されておらず」という主張における『本願発明における「チャネル層内の高いピーク電子濃度を、非常に薄いドープされたＧａＮ層で実現できる」という目的で同様に使用できる』とは、「チャネル層内の高いピーク電子濃度を、非常に薄いドープされたＧａＮ層で実現できる」という目的で「Ｓｉと同様」に「ＧｅやＳｎ」を使用できる、ということである。
　そして、ＧａＮのｎ型ドーパントとして、Ｓｉと、Ｓｉ、Ｓｎ、ＯないしＧｅのいずれかとが置換可能であるという前記ア．で指摘した周知技術を参酌すれば、引用発明の「ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮの逆ＨＥＭＴ」において、「Ｓｎ、ＯないしＧｅのいずれか」を「ドナー」としても、「１×１０１９ｃｍ−３だけドープした、厚さ１０ｎｍのＮ−ＧａＮドナー層４」を形成することで、「Ｓｉをドナー」とした場合と同程度に、「トラップ」される「チャネルの自由電子」をなくして、「出力電流」に寄与する「自由電子」を増大させることは、当業者であれば予期し得たものと認められる。
　したがって、引用発明において、「出力電流」に寄与する増大した「自由電子」濃度を得るために、前記「Ｎ−ＧａＮドナー層４」の「ドナー」として、「Ｓｉ」に代えて「Ｓｎ、Ｏ」及び「Ｇｅ」のいずれか一つを用いることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　ク．以上から、相違点２は、周知技術を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
　　ケ．周知例１：特開平０８−１３０３２７号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である周知例１には、「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【００１３】
ｎ型コンタクト層２はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等のｎ型ドーパントを含む
コンタクト層
好ましくＧａＮ
を形成する
　
　　コ．周知例２：特開２００２−１００８３８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である周知例２には、「窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【００１９】その後、基板温度が８００℃に下げられ、
厚さ８ｎｍのＧａＮ
０．９９
Ｐ
０．０１
障壁層
厚さ４ｎｍのＩｎ
０．１８
Ｇａ
０．８２
Ｎ井戸層
これらの障壁層と井戸層の成長の際には、それらの両方が１×１０
１８
／ｃｍ
３
のＳｉ不純物濃度を有するように、ＳｉＨ
４
が添加された
　
ｂ．「【００３７】ところで、本発明において、少なくとも
Ｉｎを含む窒化物半導体井戸層の具体例としては、前述のように、たとえばＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮなどの井戸層が用いられ得る
少なくともＡｓ、Ｐ、またはＳｂを含有する窒化物半導体障壁層としては、具体的には、たとえばＧａＮＡｓ、ＩｎＧａＮＡｓ、ＡｌＧａＮＡｓ、ＩｎＡｌＧａＮＡｓなどの障壁層が用いられ得る
【００３８】
障壁層の厚さは、１ｎｍ以上で２０ｎｍ以下であることが好ましい
井戸層の厚さは、０．４ｎｍ以上で２０ｎｍ以下であることが好ましい
　
ｃ．「【００４０】発光層の不純物の添加に関しては、本実施例のレーザダイオードでは井戸層と障壁層の両方に不純物としてＳｉＨ４（Ｓｉ）を添加したが、片方の層のみに添加してもよいし、…（中略）…本実施例では
Ｓｉ（ＳｉＨ
４
）を１×１０
１８
／ｃｍ
３
の濃度で添加したが
Ｓｉ以外にＯ
Ｇｅ
などを添加しても同様の効果が得られる
　
　　サ．周知例３：特開２００４−２３５４７３号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である周知例３には、「化合物半導体素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、
本発明の半導体素子をＨＥＭＴとして構成した例
、単結晶基板１０１は、ＳｉＣ基板に代えてサファイア基板あるいはシリコン基板を用いてもよい。
【００１７】
半導体素子層１０３は
Ｓｉ等によりｎ型にドープされたＧａＡｌＮ電子供給層１１０
電極とのコンタクト層として機能するｎ型ＧａＮ層１１１がこの順序にて積層されたもの
ｎ型ドーパントであるＳｉ等の不純物
　
ｂ．「【００２０】
以下、上記のＨＥＭＴ２００の製造方法について説明する。バッファ層１０２及び
半導体素子層１０３の形成は、公知のＭＯＶＰＥ法あるいはＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた気相成長法により行なう
・Ｉｎ源：トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）など。
・Ａｌ源；トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）など；
・Ｎ源：アンモニア（ＮＨ３）など。
また、ｐ型ドーパント源及び
ｎ型ドーパント源となるドーパントガス
・Ｍｇ源：ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）など。
・
Ｓｉ源：シラン
なお、本実施例においては、
ドーパント元素としてＳｉ
を採用しているが、ｎ型ドーパントとしてＣ、Ｇｅ、ＳｎなどのＩＶ族元素を
用いることができる
上記の各原料ガスは、キャリアガス（例えば窒素ガス）により適度に希釈した形で、基板１０１を配置した反応容器内に供給される。」
　
（５）独立特許要件の検討のまとめ
　以上のとおり、引用発明において、上記相違点１〜２に係る構成とすることは、周知技術を勘案すれば、当業者が容易に想到できたものである。
　したがって、補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２５年６月１０日に提出された手続補正書による手続補正）は却下されたので、本願の請求項１〜５４に係る発明は、平成２４年４月２０日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の記載からみて、その請求項１〜５４に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「無アルミニウムＩＩＩ族窒化物障壁層と、
　前記障壁層上の無アルミニウムＩＩＩ族窒化物チャネル層と、
　前記チャネル層上の無アルミニウムＩＩＩ族窒化物キャップ層と、
　前記障壁層と前記チャネル層との間の、Ｓｎ、Ｏおよび／またはＧｅがドープされたＧａＮ層を含む第１のドープされたＧａＮ層と
　を含むことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。」
　
２．各引用例の記載事項と引用発明
　引用例１〜引用例３の記載事項については、第２．４．（２）の（２−１）、（２−３）及び（２−４）において摘記したとおりである。
　そして、引用発明については、第２．４．（２）（２−２）において認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　第２．３．（１）で検討したように、本件補正後の請求項１に係る発明（すなわち、補正発明）は、本件補正前の請求項１に係る発明（すなわち、本願発明）の「第１のドープされたＧａＮ層」が、「０．２ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する」ことを技術的に限定したものである。
　逆に言えば、本願発明は、補正発明から、上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである補正発明が、第２．４．において検討したとおり、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。