【事件の表示】
　平成　７年特許願第　８３１６７号「薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年１０月　１日出願公開、特開平　８−２５５３１５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成　７年　３月１５日
　拒絶理由１　　　　　　　　　　　　　平成１０年１２月２１日
　意見書・手続補正書１　　　　　　　　平成１１年　３月　５日
　拒絶理由２　　　　　　　　　　　　　平成１１年　５月２５日
　意見書・手続補正書２　　　　　　　　平成１１年　７月２３日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１１年１２月１０日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　１月１９日
　手続補正書３　　　　　　　　　　　　平成１２年　２月１６日
　補正の却下（手続補正３）　　　　　　平成１３年　８月２７日
　
２　本件出願の発明
　審判請求後の手続補正書３は、補正却下された。手続補正書１及び２で補正された明細書及び図目の記載から見て、特許請求の範囲請求項１〜１１に係る発明は、その手続補正書２に記載された請求項１〜１１のとおりであり、そのうち請求項１に係る発明は次のとおりである。
「【請求項１】　非磁性材料層の上で一定の間隔を開け前記非磁性材料層から離れるにしたがって前記間隔が広がる傾斜面を有して形成された縦バイアス層と、前記縦バイアス層の上に形成され、前記縦バイアス層に形成された傾斜面と連続する傾斜面を有する電極層と、前記間隔内の非磁性材料層上から前記縦バイアス層および電極層に形成された傾斜面上に乗り且つ前記電極層の上面に延出しないように、下側から磁気抵抗効果層、非磁性層、横バイアス層の順に積層された３層と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。（以下、本願発明１という）」
　
３　先願発明
　本件出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされ、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人がこの特許出願の出願人と同一でもない、特願平６−３４０５０４号（特開平８−１８５６１３号）（以下、先願という。）には、次のことが記載されている。
　先願の特許請求の範囲には、
「【請求項１】下シールドと、この下シールドの上に形成された絶縁膜を構成する下ギャップと、この下ギャップの上に形成され、当該下ギャップに達する断面略々台形状の溝によって左右に分割されたリードと、この左右のリードを電気的に接続するように前記溝に沿って形成されたＭＲ膜を有する磁気センサ膜と、この磁気センサ膜の上に形成された絶縁膜を構成する上ギャップと、この上ギャップの上に形成された上シールドとを具備してなる磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記リードが、電気導電膜と磁石膜の積層体で構成され、当該磁石膜が前記溝の底部に位置するＭＲ膜に対する単磁区形成用永久バイアス磁石膜を構成してなる請求項１記載の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。」
　先願の発明の詳細な説明【００２６】、【００２７】、【００３２】には、
「【００２６】【作用】請求項１記載の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドによれば、上ギャップの上にリードを形成し、このリードに下ギャップに達する略々台形状の溝を形成してリードを左右に分割し、この溝に沿ってＭＲ膜を有する磁気センサ膜を形成したので、リードと磁気センサ膜の位置関係を一義的に決めることができ、活性部の位置を高精度に規定することができる。また、磁気センサ膜の下に前記図７の下シールド１８−２に代えてリードを配置するので、下シールドを２層に分けて形成しなくてすみ、構成が簡単になって製造工程を簡略化することができる。また、前記図２の従来構造では、トラック幅決め用絶縁材２９を積層してトラック幅を規定するため、実効ギャップｇ（上下シールド間の距離。図２（ａ）参照）が広くなって、再生分割能を低下させていたが、この発明によれば、溝の底面の幅でトラック幅を規定できるので、トラック幅決め用絶縁材を不要にすることができ、実効ギャップを狭くして再生分解能を向上させることができる。
【００２７】請求項２記載の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドによれば、磁石膜がＭＲ膜に対する単磁区形成用永久バイアス磁石膜を構成するので、ＭＲ膜の台形底面部分と傾斜面部分の境界部の段差による形状異方効果が減じられて、ＭＲ膜の一軸異方性が改善される。また、前記図２の従来構造によれば、ＭＲ膜４６の活性部の両側にＭＲ膜４６に対する単磁区形成用永久バイアス磁石膜を配置する場合、トラック幅決め用絶縁材２９を成膜してトラック幅決めカット（図３（３））を行った後、単磁区形成用永久バイアス磁石膜の成膜およびカットをし、さらにリード３０，３１の成膜およびカットをするため、各工程で位置合せが必要となる。そして、このときのわずかな位置のずれがヘッド活性部の左右の特性の変動の原因となる。特にヘッド活性部の幅が狭ければ狭いほどこの影響は大きくなる。これに対し、請求項２記載の磁気ヘッドによれば、リードを電気導電膜と磁石膜を積層して構成し、この積層体に対して溝を構成したので、ヘッド活性部とその両側の磁石材料の相対位置が高精度に決まり、ヘッド活性部の左右バランスずれを回避することができる。
【００３２】リード３０，３１の上には、溝６６に沿ってＭＲ膜４６、スペーサ４８、ＳＡＬバイアス膜５０を積層した磁気センサ膜２８が成膜されている。これにより、ＭＲ膜４６には、再生時にトラックの記録信号の磁化反転境界線に対し略々平行に配置される（言い換えれば、書き込みギャップ３８に対し略々平行に配置される）直線部４６−１（台形の底面部）と、その両側において直線部４６−１に対し（したがって、トラックの記録信号の磁化反転境界線に対し）角度θをもって傾斜して形成された傾斜部４６−２，４６−３と、さらにその外側においてリード３１の頂面上に形成された外縁部４６−４，４６−５が構成されている。直線部４６−１は下ギャップ２０に接している。傾斜部４６−２，４６−３および外縁部４６−４，４６−５はリード３０，３１と電気的に接続されている。これにより、ＭＲ膜４６は、リード３０，３１の内側下端部の尖った部分で峻別された直線部４６−１が活性部４６ｃを構成してトラック幅Ｔｗを規定し、リード３０，３１と接続された傾斜部４６−２，４６−３および外縁部４６−４，４６−５がリード部４６ａ，４６ｂを構成して直線部４６−１に電流を供給する。」
　即ち、先願には、下シールドの上に形成された絶縁膜を構成する下ギャップと、
この下ギャップの上に形成され、当該下ギャップに達する断面略々台形状の溝によって左右に分割されたリードと、リードが、電気導電膜と磁石膜の積層体で構成され、当該磁石膜が前記溝の底部に位置するＭＲ膜に対する単磁区形成用永久バイアス磁石膜を構成しており、この左右のリードを電気的に接続するように前記溝に沿って形成されたＭＲ膜を有する磁気センサ膜、磁気センサ膜の上に形成された絶縁膜を構成する上ギャップと、この上ギャップの上に形成された上シールドとを具備してなる磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドが記載されている。（以下、この記載事項を先願発明という。）
　
３　本願発明１と先願発明との対比
（一致点）
　先願発明の「磁石膜」、「電気導電膜」、「下ギャップ」、「磁気センサ膜」、「ＭＲ層」、「スペーサ層」、「ＳＡＬバイアス層」は、それぞれ本願発明１の「縦バイアス層」、「電極層」、「非磁性材料層」、「３層膜」「磁気抵抗効果層」、「非磁性層」、「横バイアス層」に相当するから、本願発明１と先願発明は、次の点で一致する。
「非磁性材料層の上で一定の間隔を開け前記非磁性材料層から離れるにしたがって前記間隔が広がる傾斜面を有して形成された縦バイアス層と、前記縦バイアス層の上に形成され、前記縦バイアス層に形成された傾斜面と連続する傾斜面を有する電極層と、前記間隔内の非磁性材料層上から前記縦バイアス層および電極層に形成された傾斜面上に乗り、下側から磁気抵抗効果層、非磁性層、横バイアス層の順に積層された３層と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
（一応の相違点）
　そして、本願発明１では、「前記電極層の上面に延出しないように３層」が形成されているのに対して、先願発明では、前記磁気センサ膜２８は、外縁部４６−４，４６−５として、電気導電膜６４の上面まで延出して形成されている点で一応相違する。
（一応の相違点の判断）
　請求人は、請求の理由で、「薄膜磁気ヘッドの分野において重要なテーマの一つは、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを如何にして製造すべきかである。
　高記録密度化に対応するには、磁気的なトラック幅のバラツキを抑制し、狭トラック化を実現し、さらにバルクハウゼンノイズの発生を抑制することが必要になっている。
　上記したトラック幅は、３層膜のトラック幅方向への幅寸法によって規制されるものであり、前記３層膜が前記トラック幅よりもトラック幅方向へ長く延ばされて形成されると、トラック幅からはみ出した部分でも、記録信号を拾ってしまいこれがノイズとなって発生し、今後の高記録密度化に対応するには、できる限りトラック幅からはみ出す３層膜の部分を最小限に抑えることが必要である。
　本願は上記した高記録密度化に対応すべく、電極層の上面にまで延出した３層膜をわざわざ除去し、前記３層膜のトラック幅からはみ出す部分を最小限に抑えているのであり、これによりバルクハウゼンノイズの発生の抑制、磁気的なトラック幅のバラツキ、及び狭トラック化を実現でき、実用性の高い薄膜磁気ヘッドの製造に成功したのである。
　このようにトラック幅の狭小化、高精度化は、再生特性の善し悪しを決定づける重要な指標の一つであり、本願のように電極層上面に延出した３層膜を除去して、トラック幅からのはみ出しを小さくした場合と、引用例５のように、電気導電膜６４上に磁気センサ膜２８（３層膜）が無造作に延ばされている場合とでは、歴然とした効果の相違があることは明確である」と主張している。
　しかしながら、第１図に対応し、本件出願の発明の詳細な説明における、本願発明１に係る記述において、【００２９】で、電極層５の表面には３層膜２がほとんど乗っていないとの記載はあるものの、請求人の上記主張は記載されていない。
　そして、３層膜への検出電流の流れは、磁気センサ膜２８は、外縁部４６−４，４６−５として、電気導電膜６４の上面まで延出しても、延出した部分を流れるのではなく、傾斜面上を通じて流れると見るのが技術常識であり、上記の請求人主張の効果が格別であるともいえない。
　また、先願発明において、
ＭＲ膜の台形底面部分と傾斜面部分の境界部の段差による形状異方効果が減じられて、ＭＲ膜の一軸異方性が改善されるとされ、また、リードを電気導電膜と磁石膜を積層して構成し、この積層体に対して溝を構成したので、ヘッド活性部とその両側の磁石材料の相対位置が高精度に決まり、ヘッド活性部の左右バランスずれを回避することができるとされ、磁気センサ膜２８は、外縁部４６−４，４６−５に延出させることをやめ、延出しないようにエッチングすることに技術的な阻害要件も見あたらない。
　してみると、この一応の相違点は、当業者が、任意に設定できた設計的事項である認められ、実質的なお相違点ではないと認められるので、本願発明１と先願発明は同一である。
　
４　本願発明１の特許性
　従って、本願発明１は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。してみると、請求項２〜１１に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、上記結論とおり審決する。