【事件の表示】
　特許第３３８１９３９号「フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心」の請求項１、３ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８１９３９号の請求項１、３ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３３８１９３９号の請求項１ないし請求項６に係る発明についての特許出願は、平成４年５月１５日になされ、平成１４年１２月２０日にその特許の設定登録がなされ、その後、雨山範子により請求項１，請求項３ないし請求項６に係る発明について特許異議の申立てがなされ、平成１６年９月３日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年１１月１１日に訂正請求書及び意見書が提出され、その後、平成１７年６月２８日付けで２回目の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１７年７月２２日に訂正請求書及び意見書が提出されるとともに、平成１６年１１月１１日付けの訂正請求は取り下げられた。
　
第２　平成１７年７月２２日付け訂正請求の訂正の適否についての判断
　１．訂正事項について
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の「【請求項１】　Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 を５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。」を
　「【請求項１】　Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 のみを５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。」と訂正する。
（２）訂正事項２
　明細書の【００１０】段落の記載について、
「このような目的は、下記（１）〜（６）の本発明によって達成される。
（１）　Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 を５０ppm以上１０００ppm未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。」とあるのを
「このような目的は、下記（１）〜（６）の本発明によって達成される。
（１）　Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 のみを５０ppm以上１０００ppm未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。」と訂正する。
（３）訂正事項３
　明細書の「 【００１７】
【作用】
　本発明のフェライト焼結体は、原料段階におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト成分中にＢ2 Ｏ3 が５０ppm以上１０００ppm 未満、好ましくは２００〜９００ppm 、より好ましくは４００〜８００ppm の範囲内で添加されているか、あるいはＳｉＯ2 ：０．１〜１５重量％、好ましくは３〜１２重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜４０重量％、好ましくは２０〜３５重量％、ＰｂＯ：０．１〜４０重量％、好ましくは３〜２０重量％、ＺｎＯ：２０〜７０重量％、好ましくは４５〜６５重量％およびＡｌ2 Ｏ3 ：０〜６重量％のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系のガラスが２５０〜４０００ppm 、好ましくは１０００〜２０００ppm の範囲内で添加されていることを必要とする。これらガラス成分の含有量が上記範囲内において初めて磁気特性μｉ、ＬおよびＱの顕著でかつ臨界的な向上効果が認められる。」を
「 【００１７】
【作用】
　本発明のフェライト焼結体は、原料段階におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト成分中にＢ2 Ｏ3 のみが５０ppm以上１０００ppm 未満、好ましくは２００〜９００ppm 、より好ましくは４００〜８００ppm の範囲内で添加されているか、あるいはＳｉＯ2 ：０．１〜１５重量％、好ましくは３〜１２重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜４０重量％、好ましくは２０〜３５重量％、ＰｂＯ：０．１〜４０重量％、好ましくは３〜２０重量％、ＺｎＯ：２０〜７０重量％、好ましくは４５〜６５重量％およびＡｌ2 Ｏ3 ：０〜６重量％のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系のガラスが２５０〜４０００ppm 、好ましくは１０００〜２０００ppm の範囲内で添加されていることを必要とする。これらガラス成分の含有量が上記範囲内において初めて磁気特性μｉ、ＬおよびＱの顕著でかつ臨界的な向上効果が認められる。」と訂正する。　
　
　２．訂正の内容
（１）訂正事項１について
　特許請求の範囲の請求項１の「原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 を５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して」を
　「原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 のみを５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して」と訂正するものである。
（２）訂正事項２について
　明細書の段落【００１０】の「（１）　Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 を５０ppm以上１０００ppm未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。」を
　「（１）　Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 のみを５０ppm以上１０００ppm未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。」と訂正するものである。
（３）訂正事項３について
　明細書の段落【００１７】の「本発明のフェライト焼結体は、原料段階におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト成分中にＢ2 Ｏ3 が５０ppm以上１０００ppm 未満、好ましくは２００〜９００ppm 、より好ましくは４００〜８００ppm の範囲内で添加されているか」を
　「本発明のフェライト焼結体は、原料段階におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト成分中にＢ2 Ｏ3 のみが５０ppm以上１０００ppm 未満、好ましくは２００〜９００ppm 、より好ましくは４００〜８００ppm の範囲内で添加されているか」と訂正するものである。
　
　３．訂正の目的の適否
（１）訂正事項１について
  「原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 を５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加」する際に、「Ｂ2 Ｏ3 のみ」と限定することにより、他の物質は添加しないことを明確にし、技術的に限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項１の訂正に伴って、その内容を整合させるためになすものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、特許請求の範囲の請求項１の訂正に伴って、その内容を整合させるためになすものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　４．明細書記載事項の範囲内外及び拡張・変更の有無について
　（１）訂正事項１について
　 特許明細書の００６７段落及び００６８段落に「【００６７】実施例１〜４、比較例１、２、３、３’、４、４’　最終組成でＦｅ2 Ｏ3 ：４９．４モル％、ＮｉＯ：１６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃にて仮焼した。この仮焼材にＢ2 Ｏ3 を０〜５０００ppm の範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径０．１〜０．３μm の粉体を作製した。【００６８】得られた粉体をトロイダル形状に成型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃で２時間焼成してトロイダルコイルを作製した。」と記載され、仮焼温度（７００℃）が焼成温度（８７０℃）より低いことは明らかであるから、「焼結温度よりも低い温度での仮焼後に」「原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 のみを５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で」添加することは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であることは明らかである。
（２）訂正事項２及び３について
　訂正事項２及び訂正事項３は、特許請求の範囲の請求項１の訂正に伴って、その内容を整合させるためになすものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であることは明らかである。
　
　５．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立について
　１．特許異議申立の概要
   特許異議申立人雨山範子は、証拠として本件出願前国内において頒布された
　１）甲第１号証　特開平４−　６１２０３号公報
　２）甲第２号証　特開平４−１３０６０７号公報
を提出し、本件請求項１，請求項３ないし請求項６に係る発明は、その出願前に頒布された甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１，請求項３ないし請求項６に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである旨主張している。
　
　２．取消理由通知の内容 
　平成１７年６月２８日付けの取消理由通知の内容は、以下のとおりである。
  「１）本件特許の請求項１及び請求項３ないし６に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１、２に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１及び請求項３ないし６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
 　　　　　　　　　　　　　　記 
　
 刊行物１，特開平４−６１２０３号公報（甲第１号証） 
 刊行物２，特開平４−１３０６０７号公報（甲第２号証） 
 　 
　異議申立人雨宮範子が提出した特許異議申立書の「３．申立ての理由」を参照されたい。なお、「甲第１号証」及び「甲第２号証」はそれぞれ、「刊行物１」及び「刊行物２」と読み替えるものとする。」
  　
　３．刊行物記載事項
（１）刊行物１（特開平４−６１２０３号公報）（特許異議申立人雨山範子提出の甲第１号証）
　刊行物１には以下の事項が記載されている。
「また、本発明に係る第二の銅導体一体焼成型フェライト素子は、銅導体とフェライト母体を非酸化雰囲気中で一体焼成してフェライト母体の内部に銅導体を形成されたフェライト素子であって、前記フェライト母体の原料組成が、ニッケル−亜鉛系フェライト１００重量部に対し、PbO成分を０．３重量部以上５．０重量部以下、B2O3成分を０．０３重量部以上１．５重量部以下、SiO2成分を０．０３重量部以上１．５重量部以下の割合で添加したものであることを特徴としている。」（第２頁左下欄第２行〜１１行）
「まず、主成分であるニッケル−亜鉛系フェライトの素原料を
　　Ｆｅ２Ｏ３　　　  　　４８．５mol％
　　ＮｉＯ　　　　　　　 ２１．５mol％
　　ＺｎＯ　　　　　　　 ２８．０mol％
　　ＣｕＯ　　　　　　　 　２．０mol％
となるように秤量し、これらの素原料を湿式ボールミルにかけて１６時間粉砕混合し、その後８５０℃で１時間仮焼した。この仮焼物を湿式ボールミルで２４時間粉砕した後、蒸発乾燥させた。このようにして得られた仮焼粉体に、各試料No.１〜１１毎に下記第１表の組成欄に示す比率となるように副成分であるPbOやB2O3，SiO2を添加し、さらに、それぞれトルエンを溶媒としたボールミルに入れ、１２時間かけて主成分であるニッケル−亜鉛系フェライトと副成分であるPbOやB2O3，SiO2の混合を行った。さらに、No.１〜１１の各試料毎に・・・トロイダルコアの形状に圧縮成形した。この試料No.１〜１１の各形成体を、窒素と水蒸気から成る雰囲気中において、８５０℃で２時間かけて脱脂した後、窒素雰囲気中において９５０〜１０３０℃で本焼成し、外径３０mm，内径２０mm，高さ８mmのトロイダルコアを作製した。　
　このようにして作製された試料No.１〜１１の各トロイダルコアの特性（密度、透磁率及びＱ値）を測定した。次に第１表には、その結果を示している。なお、第１表中の試料No.１〜９が、本発明の実施例に相当するものであり、試料No.１０及び１１は比較対象として作製されたものである。
　第１表から明らかなように、ニッケル−亜鉛系フェライト１００重量部に対してPbOを０．３重量部〜５重量部添加した組成を持つ試料No.１〜９では、・・・大きな（比）透磁率・・・とＱの値・・・を持つフェライト特性がえられた。・・・
　これに対し、副成分が上記添加量の範囲を外れた組成については、・・・材料特性の改善効果が少なかった。例えば、PbOの添加量の少ない試料No.１０では・・・透磁率（μ＝１１０）も極めて小さかった。」（第３頁左上欄第１５行〜同頁右下欄第１７行）
  なお、「試料No.１〜１１」の組成は第３頁の「第１表」に記載されており、PbOについては、試料No.２，４〜９で２重量部、試料No.１で０．３重量部、試料No.３で５重量部、試料No.１０で０．１重量部、試料No.１１で７重量部であって、B2O3については、試料No.４〜９で、０．０３ないし１．５重量部であり、試料No.１〜３，１０、１１では０重量部であり、トロイダルコアの特性はPbOの組成変化により特性は変化するが（試料No.１０、１１では透磁率が極めて小さい）、トロイダルコアの特性は、B2O3の組成変化によりほとんど影響がない。
　
（２）刊行物２（特開平４−１３０６０７号公報）（特許異議申立人雨山範子提出の甲第２号証）
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
　「［実施例］
　　　　　　　　　　実施例１
　配合１の化合物を各々秤量し、これらの化合物を水とともにボールミルで混合して混合物を得た。
　配合１
　化合物　　　　　　　比率
　Ｆｅ２Ｏ３　　　　４９．０ｍｏｌ％
　ＮｉＯ　　　　　　２１．０　〃
　ＺｎＯ　　　　　　２０．０　〃
　ＣｕＯ　　　　　　１０．０　〃
　次に、この混合物を乾燥させ、大気中において８００℃で２時間仮焼して仮焼物（フェライト）を形成させた。そして、この仮焼物を水とともにボールミルで１５時間粉砕し、乾燥させ、解砕してフェライト粉末を得た。」（第４頁右上欄第３〜１８行）　　
　
　４．本件発明
　上記第２　５のとおり、訂正請求は容認されたので、本件発明は平成１７年７月２２日付けの訂正請求書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１，請求項３ないし請求項６に係る発明は次のとおりである。
   「【特許請求の範囲】
　　「【請求項１】　Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 のみを５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。」
　「【請求項３】　フェライトの組成がＦｅ2 Ｏ3 ：４０〜５２mol%、ＮｉＯ：０〜５０mol%、ＣｕＯ：０〜２０mol%およびＺｎＯ：０〜５０mol%である請求項１または２のフェライト焼結体。
　　【請求項４】　フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるインダクタ部を有するチップインダクタ部品であって、前記フェライト磁性層が請求項１ないし３のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とするチップインダクタ部品。
　　【請求項５】　フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるチップインダクタ部を少なくとも有する複合積層部品であって、前記フェライト磁性層が請求項１ないし３のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とする複合積層部品。
　　【請求項６】　請求項１ないし３のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とする磁心。」
　
　５．対比・判断
　刊行物１に記載される発明は、ＣｕＯを含有するニッケル−亜鉛系フェライト素子において、ＰｂＯとＢ２Ｏ３をともに添加することが記載されており、ＰｂＯの組成変化により上記フェライト素子としてのトロイダルコアの透磁率は改善されるが、Ｂ２Ｏ３の組成変化によっては、トロイダルコアの特性は変化していない。
　結局、刊行物１には、ＣｕＯを含有するニッケル−亜鉛系フェライト素子において、「Ｂ２Ｏ３のみ」を添加した実施例は何ら記載されていない。
　したがって、本件の請求項１に係る発明の特徴ある構成である「原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 のみを５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加」することは、刊行物１には、記載も示唆もされていない。
　また、刊行物２には、ＣｕＯを含有するニッケル−亜鉛系フェライト材料の焼成を８００℃で行うことは記載されているものの、フェライト材料にＢ２Ｏ３を添加することは、記載も示唆もされていない。
　よって、本件の請求項１に係る発明及び、少なくとも請求項１を引用する請求項３ないし６に係る発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　本件の請求項１に係る発明及び、少なくとも請求項１を引用する請求項３ないし６に係る発明は、「原料段階におけるフェライト材料にＢ2 Ｏ3 のみを５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内で焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加」するという構成を備えることにより、本件特許明細書の０１００段落（「発明の効果」）に記載される如く、「本発明のフェライト焼結体は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系のフェライトにＢ2 Ｏ3」を「所定範囲内の量で添加したことにより、これを磁心や積層型チップインダクタに使用した場合には、μｉ、インダクタンスＬおよびＱが高い値に保持され、従って、このようなセラミックインダクタ部品を少なくとも有する複合積層部品はその性能に優れ、各種電子機器に有用である。」という明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　６．特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び取消理由によっては本件の請求項１，請求項３ないし６に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１，請求項３ないし６に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件の請求項１，請求項３ないし６に係る発明についての特許は、拒絶をすべき査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年８月２２日（２００５．８．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ２Ｏ３　
のみを
　【請求項２】Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料に、ＳｉＯ２：０．１〜１５重量％、Ｂ２Ｏ３：１０〜４０重量％、ＰｂＯ：０．１〜４０重量％、ＺｎＯ：２０〜７０重量％およびＡｌ２Ｏ３：０〜６重量％を含有するガラスを２５０〜４０００ｐｐｍの範囲内で、焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。
　【請求項３】フェライトの組成がＦｅ２Ｏ３：４０〜５２ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ％である請求項１または２のフェライト焼結体。
　【請求項４】フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるインダクタ部を有するチップインダクタ部品であって、前記フェライト磁性層が請求項１ないし３のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とするチップインダクタ部品。
　【請求項５】フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるチップインダクタ部を少なくとも有する複合積層部品であって、前記フェライト磁性層が請求項１ないし３のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とする複合積層部品。
　【請求項６】請求項１ないし３のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とする磁心。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、各種磁性材料として用いられるフェライト焼結体、この焼結体を磁性材料として用いるチップインダクタ、ＬＣ複合部品等の複合積層部品および磁心に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　各種フェライトが、その優れた磁気特性から各種磁心材料や複合積層部品として用いられている。積層ＬＣ複合部品は、セラミック誘電体層と内部電極層とを積層して構成されるコンデンサチップ体と、フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるインダクタチップ体とを一体的に形成したものである。このような複合積層部品は、体積が小さいこと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多用されている。
　【０００３】
　これらの部品、例えばＬＣ複合部品は、通常、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によって積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成することにより製造される。この場合、磁性層に用いられる磁性材料としては、低温焼成が可能であることからＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトが一般に用いられている。
　【０００４】
　また、このようなフェライトにガラスを添加して、その特性を改質する試みも幾つか提案されている。例えば、特開平２−２８８３０７号公報には、Ｎｉ−フェライトにホウケイ酸ガラスを２０〜３０重量％添加した磁性体を用いて、自己共振周波数を向上させた積層インダクタが開示されている。
　【０００５】
　また、特開平１−３１８２３号公報には、金属磁性粉末と低融点ガラス粉末の混合物を加圧成型したインダクタ部品およびその製造方法が開示されている。さらに、特開平１−１１０７０８号公報には、焼結密度を向上させ機械的強度の改善等のために、フェライトにホウケイ酸ガラスを１５〜７５重量％添加したフェライト焼結体、チップインダクタおよびＬＣ複合部品が開示されている。
　【０００６】
　その他にも、フェライトにガラスを添加して種々の特性の改善を図った技術が知られている（特開昭５１−１５１３３１号公報、米国特許第４５４０５００号明細書、特開昭５８−１３５１３３号公報、特開昭５８−１３５６０６〜１３５６０９号公報等）。
　【０００７】
　上述のようにフェライトにガラスを添加して、その特性を改質する試みはこれまでに種々なされてきたが、磁心やチップインダクタにおけるμｉ、ＬおよびＱの特性を十分に向上させることのできるガラスの配合系はこれまで知られていなかった。
　【０００８】
　そこで本発明者らは、かかる特性を十分に向上し得るガラスの配合系を見い出すべく鋭意検討した結果、磁心またはチップインダクタの磁性材料としてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用い、これに特定のガラスを特定量範囲で添加することにより、上記特性を向上させることができることを突き止めた。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、フェライト焼結体におけるフェライト中の特定ガラスの含有量を所定範囲内に設定して、μｉ、ＬおよびＱを高い値に保持することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　このような目的は、下記（１）〜（６）の本発明によって達成される。
　（１）Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料にＢ２Ｏ３　
のみを
　（２）Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト材料に、ＳｉＯ２：０．１〜１５重量％、Ｂ２Ｏ３：１０〜４０重量％、ＰｂＯ：０．１〜４０重量％、ＺｎＯ：２０〜７０重量％およびＡｌ２Ｏ３：０〜６重量％を含有するガラスを２５０〜４０００ｐｐｍの範囲内で、焼結温度よりも低い温度での仮焼後に添加して８００〜９３０℃の温度で焼結したフェライト焼結体。
　（３）フェライトの組成がＦｅ２Ｏ３：４０〜５２ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ％である上記（１）または（２）のフェライト焼結体。
　（４）フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるインダクタ部を有するチップインダクタ部品であって、前記フェライト磁性層が上記（１）ないし（３）のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とするチップインダクタ部品。
　（５）フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるチップインダクタ部を少なくとも有する複合積層部品であって、前記フェライト磁性層が上記（１）ないし（３）のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とする複合積層部品。
　（６）上記（１）ないし（３）のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを特徴とする磁心。
　【００１１】
　【００１２】
　【００１３】
　【００１４】
　【００１５】
　【００１６】
　【００１７】
　【作用】
　本発明のフェライト焼結体は、原料段階におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト成分中にＢ２Ｏ３　
のみが
　【００１８】
　本発明において、このように特定のガラスを所定量添加することによりμｉが向上する理由は、低融点化合物によって液相焼結を形成し、焼結性が向上すると共に、フェライトの粒成長を低温から促進させるためと考えられる。一方、Ｑ特性が向上する理由としては、フェライト焼結体の比抵抗が向上することにより、フェライト磁気損失中の渦電流損失が小さくなるためと考えられる。
　【００１９】
　本発明で用いるフェライトはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系のいずれかであれば、それ以外に特に制限はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択すればよいが、例えば、Ｆｅ２Ｏ３：４０〜５２ｍｏｌ％、特に４５〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、特に３〜４０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、特に５〜１５ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ％、特に６〜３３ｍｏｌ％の組成範囲内であることが好ましい。
　【００２０】
　Ｆｅ２Ｏ３の配合量が多すぎるとα−Ｆｅ２Ｏ３の析出により、焼結性が悪くなると共に焼結体の比抵抗が低くなるため、μｉ、Ｑの劣化の原因となり、好ましくない。また、ＮｉＯ量の多い高周波の組成領域の組成においては、Ｆｅ２Ｏ３が多すぎると同様な現象が生じてくる。
　【００２１】
　内部導体にＡｇを用いる積層チップインダクタでは、焼結温度が８５０〜９２０℃程度に設定されるため、充分な焼結性が得られないと磁気特性だけでなく信頼性に欠け、好ましくないが、上記の組成範囲では良好な焼結性が得られる。この場合、ＣｕＯ量が適量範囲より多い場合には、フェライトの結晶組織が不均一となり、μｉおよびＱ特性の劣化原因となる。Ｆｅ２Ｏ３量とＣｕＯ量とが固定されている場合は、フェライトの適用周波数と磁気特性はＮｉＯ量とＺｎＯ量によって決定される。ＺｎＯ量が多くＮｉＯ量が少ない組成においては低周波数で高μｉ組成となり、一方ＺｎＯ量が少なくＮｉＯ量の多い組成では高周波で低μｉ組成となる。なお、ＺｎＯ量が適量範囲より多くなると、フェライトのキュリー点が１００℃以下となり、実用上、信頼性に欠けるため、好ましくない。
　【００２２】
　ところで、本発明において使用するガラスＢ２Ｏ３またはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系のガラスの添加効果は、フェライトの組成によって下記の様な変化が観られる。すなわち、ＺｎＯ量が多くＮｉＯ量の少ない適用周波数４００ＫＨｚ付近の組成領域では、特にμｉの向上が著しい。また、適用周波数１ＭＨｚ付近の組成領域では、μｉ、Ｑ共に向上が著しい。さらに、ＮｉＯ量が多くＺｎＯ量の少ない３０〜７０ＭＨｚ付近の組成においては、本来のμｉが小さいことから、μｉＱ積の向上も比較的小さい。
　【００２３】
　次に、Ｂ２Ｏ３単独添加による場合のフェライト組成との関係において、ＺｎＯ量が多い組成領域ではμｉＱ積が大きく向上し、従ってこのガラス組成においてはフェライトのＺｎＯが主成分であることがμｉＱ積を向上させることになる。
　【００２４】
　これに対し、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系ガラスの単独添加による場合のフェライト組成との関係では次のような傾向が観られる。
　【００２５】
　すなわち、このガラス中のＳｉＯ２成分が適量より多くなるとフェライトの焼結性が劣化し、μｉＱ積が小さくなる。また、ガラス中のＰｂＯの成分が適量より多くなるとＡｇを導体とする積層チップインダクタでは、導体の直流抵抗やＡｇの拡散、断線の原因となる。さらに、ガラス中のＡｌ２Ｏ３の成分が適量より多くなるとフェライトの焼結性が劣化し、μｉＱ積が小さくなる。
　【００２６】
　以上のことから、本発明の条件を満たすフェライト焼結体を用いたフェライトチップインダクタ部品を少なくとも有する複合積層部品は、優れた性能を有し、電子部品として多くの用途を有し得るものである。
　【００２７】
　【具体的構成】
　以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。本発明の複合積層部品の好適実施例である積層ＬＣ複合部品を図１に示す。
　【００２８】
　図１に示される本発明の一例ＬＣ複合部品１は、セラミック誘電体層２１と内部電極層２５とを積層して構成されるコンデンサチップ体２と、フェライト磁性層３１と内部導体３５とを積層して構成されるインダクタチップ体３とを一体化したものであり、表面に外部電極５１を有する。
　【００２９】
　インダクタチップ体３のフェライト磁性層３１の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系あるいはＣｕ−Ｚｎ系のフェライトを用いる。この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５ｗｔ％　程度以下含有されていてもよく、またＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ等が１ｗｔ％　程度以下含有されていてもよい。
　【００３０】本発明において、内部導体３５を構成する導電材は、インダクタとして実用的なＱを得るためには抵抗率の小さいことが必要であるので、Ａｇを主体とする導電材を用いることが好ましい。この際、銀の含有量が９０重量％以上のもの、特に純度９９．９重量％以上の純銀を用いることが好ましい。このように、特に純銀を用いることにより比抵抗をきわめて小さくすることができる。
　【００３１】
　ＬＣ複合部品１のインダクタチップ体３は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部導体３５は磁性層３１内にて通常スパイラル状に配置されて内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極５１、５１に接続されている。
　【００３２】
　このような場合、内部導体３５の巻線パターン、すなわち閉磁路形状は種々のパターンとすることができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択すればよい。また、インダクタチップ体３の各部寸法等には制限はなく、用途に応じ適宜選択すればよい。
　【００３３】
　なお、内部導体３５の厚さは、通常５〜３０μｍ　程度、巻線ピッチは通常１０〜４００μｍ　程度、巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度とされる。また、磁性層３１のベース厚は通常１００〜５００μｍ　程度、内部導体３５、３５間の磁性層厚は通常１０〜１００μｍ　程度とする。
　【００３４】
　コンデンサチップ体２のセラミック誘電体層２１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよいが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させるために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させてもよい。
　【００３５】
　具体的には、酸化チタン系としては、必要に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ２等が、チタン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３やこれらの混合物等が、ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＭｇＺｒＯ３やこれらの混合物等が挙げられる。
　【００３６】
　本発明において、内部電極層２５を構成する導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これらを１種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。
　【００３７】
　ＬＣ複合部品１のコンデンサチップ体２は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部電極層２５の一端は外部電極５１に接続されている。
　【００３８】
　コンデンサチップ体２の各部寸法等には特に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよい。なお、誘電体層２１の積層数は目的に応じて定めればよいが、通常１〜１００程度である。また、誘電体層２１の一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０μｍ程度であり、内部電極層２５の一層あたりの厚さは、通常５〜３０μｍ程度である。
　【００３９】
　本発明のＬＣ複合部品１の外部電極５１を構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合金などのこれらを１種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。また、外部電極５１の形状や寸法等には特に制限がなく、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚さは、通常１００〜２５００μｍ程度である。
　【００４０】
　本発明のＬＣ複合部品１の寸法には特に制限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよいが、通常（１．６〜１０．０ｍｍ）×（０．８〜１５．０ｍｍ）×（１．０〜５．０ｍｍ）程度である。本発明の複合積層部品は、前述したＬＣ複合部品に限定されるものではなく、前述した構成を一部に有するものであれば、この他各種の複合積層部品であってもよい。
　【００４１】
　本発明のＬＣ複合部品１等の複合積層部品は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により製造することができる。
　【００４２】
　フェライト磁性層用ペーストは、次のようにして作製する。
　【００４３】
　まず、フェライトの原料粉末、例えばＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３等の各種粉末を、所定量ボールミル等により湿式混合する。こうして湿式混合したものを、通常スプレードライヤーにより乾燥し、その後仮焼する。得られた仮焼材に所定量のＢ２Ｏ３またはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系のガラスを添加し、これを通常は、ボールミルで粉体粒径０．０１〜０．５μｍ程度の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥する。
　【００４４】
　得られたフェライト粉末を、エチルセルロース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤と混練してペースト化する。なお、Ｂ２Ｏ３やガラスを仮焼結前に添加すると、その成分が蒸発しやすくなるので仮焼後に添加する。
　【００４５】
　セラミック誘電体層用ペーストの構成に特に制限はなく、上記したようなフェライト誘電体層の組成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体となる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練して調製すればよい。
　【００４６】
　原料粉末としては、通常、酸化チタン系およびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いればよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の酸化物を用いればよい。またこれらは焼成により酸化物になる化合物、例えば炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等を用いてもよい。
　【００４７】
　これらの原料粉末は、通常、平均粒子径０．１〜５μｍ程度のものが用いられる。
　【００４８】
　また、必要に応じ、各種ガラスが含有されていてもよい。
　【００４９】
　また、焼結助剤等として、必要に応じて各種ガラスや酸化物を含有させてもよい。
　【００５０】
　内部導体用ペースト、内部電極層用ペースト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製する。
　【００５１】
　上記した各ペースト中のバインダおよび溶剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５ｗｔ％　程度、溶剤は１０〜５０ｗｔ％　程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０ｗｔ％　以下であることが好ましい。
　【００５２】
　ＬＣ複合部品１を製造するに際しては、例えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体用ペ−ストをＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。
　【００５３】
　なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップを形成してもよい。この場合、磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよい。
　【００５４】
　次いで、外部電極用ペーストをグリーンチップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペーストおよび外部電極用ペーストを同時焼成する。
　【００５５】
　また、先にチップ体を焼成し、その後に外部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。
　【００５６】
　焼成温度は、８００〜９３０℃、特に８５０〜９００℃とすることが好ましい。また、焼成時間は、０．０５〜５時間、特に０．１〜３時間とすることが好まい。焼成は、ＰＯ２＝１〜１００％で行なう。
　【００５７】
　また、外部電極焼き付けのための焼成温度は、通常５００〜７００℃程度、焼成時間は、通常１０分〜３時間程度であり、焼成は通常、空気中で行なう。
　【００５８】
　本発明では、焼成時および焼成後、大気より酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好ましい。
　【００５９】
　酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうことによって、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ２Ｏ、Ｚｎ２Ｏ等の抵抗が低い酸化物の形で析出した物や析出していた物をＣｕＯ、ＺｎＯ等の抵抗が高く実害のない酸化物の形で析出させることができる。このため部品の回路抵抗がより一層向上する。
　【００６０】
　また、前記熱処理は、最後の焼成時および最後の焼成後に行なうことが好ましい。
　【００６１】
　例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時およびこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付ける時や外部電極を焼き付けた後に所定の熱処理を行なうことが好ましい。なお、後者のように２度焼成を行なう場合は、場合によっては、さらにチップ体の焼成時やチップ体の焼成後に熱処理を行なってもよい。
　【００６２】
　熱処理雰囲気中の酸素分圧比は、２０〜１００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましくは１００％が好ましい。前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｕ２Ｏ、ＺｎＯ等の析出を抑制する能力が低下する。
　【００６３】
　このような酸素過剰雰囲気中での熱処理は、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行われるため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条件や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみを単独で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００℃、特に、６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２時間、特に１〜１．５時間とすることが好ましい。
　【００６４】
　なお、ＬＣ複合部品以外の複合積層部品の場合も前記のとおり作製すればよい。
　【００６５】
　このようにして製造されたＬＣ複合部品等の本発明の複合積層部品は、外部電極に半田付等を行なうことにより、プリント基板上等に実装され、各種電子機器等に使用される。
　【００６６】
　【実施例】
　以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
　【００６７】
　実施例１〜４，比較例１、２、３、３’、４、４’
　最終組成でＦｅ２Ｏ３：４９．４モル％、ＮｉＯ：１６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃にて仮焼した。この仮焼材にＢ２Ｏ３を０〜５０００ｐｐｍの範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径０．１〜０．３μｍの粉体を作製した。
　【００６８】
　得られた粉体をトロイダル形状に成型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロイダルコアの外径は１１．１ｍｍ、内径は５．１ｍｍ、厚みは２．４ｍｍ、巻数は２０ターン、線径は０．３５ｍｍである。
　【００６９】
　また、上記粉体１００重量部に対し、エチルセルロース３．８４重量部およびテルピネオール７８重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペーストとした。
　【００７０】
　次に、内部導体用ペーストを、平均粒径０．８μｍ　のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．５重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本ロールにて混練することにより作製した。
　【００７１】
　このようにして作製された磁性層用ペーストと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法により、表１に示すようなＢ２Ｏ３の含有量の異なる種々の積層積層型チップインダクタを製造した。
　【００７２】
　この場合、焼成温度は８７０℃、焼成時間は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
　【００７３】
　得られた積層型チップインダクタの寸法は、４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．１ｍｍで、巻数は９．５ターンとした。
　【００７４】
　これら積層型チップインダクタおよびトロイダルコアについて、測定周波数１ＭＨｚの条件にてμｉ、Ｌ（μＨ）およびＱを求めた。得られた結果を表１に示す。
　【００７５】
　【表１】
　【００７６】
　表１に示す結果から分かるように、Ｂ２Ｏ３の添加量が５０〜１０００ｐｐｍ未満の範囲内のときは無添加の場合と比較して、積層型チップインダクタのＬＱ積およびトロイダルコアのμｉＱ積は共に約２５％以上向上している。特に、Ｂ２Ｏ３の添加量が２００〜９００、特に４００〜８００ｐｐｍのときに最も向上しており、トロイダルコアのμｉＱ積は無添加の場合と比較して約１３５％、積層型チップインダクタのＬＱ積は無添加の場合と比較して約７５％以上まで向上している。
　【００７７】
　実施例７〜１３，比較例５〜７
　最終組成でＦｅ２Ｏ３：４９．４モル％、ＮｉＯ：１６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃にて仮焼した。この仮焼材に、ＳｉＯ２：１０重量％、Ｂ２Ｏ３：２５重量％、ＰｂＯ：５重量％、ＺｎＯ：５９．５重量％およびＡｌ２Ｏ３：０．５重量％の組成を有するガラス（以下、ガラスＩ）を０〜５０００ｐｐｍの範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径０．１〜０．３μｍの粉体を作製した。
　【００７８】
　得られた粉体を前記のトロイダル形状に成型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロイダルコアの外径は１１．１ｍｍ、内径は５．１ｍｍ、厚みは２．４ｍｍ、巻数は２０ターン、線径は０．３５ｍｍである。
　【００７９】
　また、上記粉体１００重量部に対し、エチルセルロース３．８４重量部およびテルピネオール７８重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペーストとした。
　【００８０】
　次に、内部導体用ペーストを、平均粒径０．８μｍ　のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．５重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本ロールにて混練することにより作製した。
　【００８１】
　このようにして作製された磁性層用ペーストと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法により、表２に示すようなガラスＩの含有量の異なる種々の積層積層型チップインダクタを製造した。
　【００８２】
　この場合、焼成温度は８７０℃、焼成時間は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
　【００８３】
　得られた積層型チップインダクタの寸法は、４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．１ｍｍで、巻数は９．５ターンとした。
　【００８４】
　これら積層型チップインダクタおよびトロイダルコアについて、測定周波数１ＭＨｚの条件にてμｉ、Ｌ（μＨ）およびＱを求めた。得られた結果を表２に示す。
　【００８５】
　【表２】
　【００８６】
　表２に示す結果から分かるように、ガラスＩの添加量が２５０〜４０００ｐｐｍの範囲内のときは無添加の場合と比較して、積層型チップインダクタのＬＱ積およびトロイダルコアのμｉＱ積は共に約２５％以上向上している。特に、トロイダルコアではガラスの添加量が１５００〜２０００ｐｐｍの範囲ときに約１４０％以上まで向上しており、また積層型チップインダクタではガラスの添加量が１０００〜１５００ｐｐｍの範囲とき約７６％以上まで向上している。
　【００８７】
　実施例１４〜１７，比較例８〜１１
　最終組成でＦｅ２Ｏ３：４９．４モル％、ＮｉＯ：１６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃にて仮焼した。この仮焼材に表３に示す各種ガラスを夫々２０００ｐｐｍの範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径０．１〜０．３μｍ　の粉体を作製した。
　【００８８】
　比較用のガラスＸ〜ＸＩＶと本発明のガラスＩＩ〜Ｖの組成は下記表３のとおりである。
　【００８９】
　【表３】
　【００９０】
　得られた粉体を前記のトロイダル形状に成型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロイダルコアの外径は１１．１ｍｍ、内径は５．１ｍｍ、厚みは２．４ｍｍ、巻数は２０ターン、線径は０．３５ｍｍである。
　【００９１】
　このトロイダルコアの収縮率、焼結密度および測定周波数１ＭＨｚの条件におけるμｉおよびＱ特性を求めた。得られた結果を表４に示す。
　【００９２】
　【表４】
　【００９３】
　表４に示す結果から分かるように、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系ガラスの組成が本発明の範囲内のときは、トロイダルコアのμｉＱ積は無添加の場合と比較して約１３７％以上まで向上している。これに対し、かかるガラスの組成が本発明の範囲から逸脱している場合には、フェライト焼結体の密度が低いためにμｉおよびＱが低く、μｉＱ積がガラス無添加の場合に比較して悪くなっている。
　【００９４】
実施例１８〜２０
　最終組成が表５に示すような配合内容となるように原料を混合して原料粉体を得た。これら原料の混合は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃にて仮焼した。この仮焼材に、実施例８で使用したものと同じガラスＩを２０００ｐｐｍの範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径０．１〜０．３μｍの粉体を作製した。
　【００９５】
　得られた粉体を前記のトロイダル形状に成型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロイダルコアの外径は１１．１ｍｍ、内径は５．１ｍｍ、厚みは２．４ｍｍ、巻数は２０ターン、線径は０．３５ｍｍである。
　【００９６】
　このトロイダルコアの収縮率、焼結密度並びにμｉおよびＱ特性を求めた。なお、測定周波数は、各フェライト組成においてμｉＱ積が最も大きい周波数とした。得られた結果を表６に示す。
　【００９７】
　【表５】
　【００９８】
　【表６】
　【００９９】
　表６に示す結果から分かるように、フェライト組成には好適範囲が存在し、Ｆｅ２Ｏ３：４０〜５２ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ％組成範囲内のときは、トロイダルコアのμｉＱ積は無添加の場合と比較して約７０％以上まで向上している。
　【０１００】
　【発明の効果】
　本発明のフェライト焼結体は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系のフェライトにＢ２Ｏ３または特定組成比のＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系ガラスを所定範囲内の量で添加したことにより、これを磁心や積層型チップインダクタに使用した場合には、μｉ、インダクタンスＬおよびＱが高い値に保持され、従って、このようなセラミックインダクタ部品を少なくとも有する複合積層部品はその性能に優れ、各種電子機器に有用である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の複合積層部品の好適実施例であるＬＣ複合部品が示される断面図である。
　【符号の説明】
　１　ＬＣ複合部品
　２　コンデンサチップ体
　２１　セラミック誘電体層
　２５　内部電極
　３　インダクタチップ体
　３１　フェライト磁性層
　３５　内部導体
　５１　外部電極