【事件の表示】
　特許第３１６２７６７号「真空処理方法および真空処理装置」の請求項１〜９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６２７６７号の請求項１〜９に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
特許第３１６２７６７号（平成３年１２月９日出願、平成１３年２月２３日設定登録）は、異議申立人関戸美千代及び松原いづみにより特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年９月３０日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　明細書中の特許請求の範囲の請求項１を、特許請求の範囲の減縮を目的として、次のように訂正する。
　「【請求項１】　被処理基板を真空処理室内の電極上に静電チャックを用いて保持し、真空中でプラズマを発生させるか、該被処理基板を荷電粒子で処理する工程と、次いで、前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる工程とを有することを特徴とする真空処理方法。」
　
（１−２）訂正事項ｂ
　明細書中の特許請求の範囲の請求項２を、特許請求の範囲の減縮を目的として、次のように訂正する。
　「【請求項２】　被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着する工程と、次いで、前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる工程とを有することを特徴とする真空処理方法。」
　
（１−３）訂正事項ｃ
　明細書中の特許請求の範囲の請求項６を、特許請求の範囲の減縮を目的として、次のように訂正する。
　「【請求項６】真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処理基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒子で処理する真空処理装置において、電極上に前記被処理基板が静電チャックを用いて保持されている真空容器内の圧力を制御する圧力制御手段を設け、前記圧力制御手段により前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させることを特徴とする真空処理装置。」
　
（１−４）訂正事項ｄ
　上記訂正事項ａ〜ｃに示す特許請求の範囲の訂正に伴い、明細書中の段落番号【０００６】の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、次のように訂正する。
　「【課題を解決するための手段】本発明による真空処理方法は上記目的達成のため、被処理基板を真空処理室内の電極上に静電チャックを用いて保持し、真空中でプラズマを発生させるか、該被処理基板を荷電粒子で処理する工程と、次いで、前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させることを特徴とするものである。
　また、本発明による真空処理方法は上記目的達成のため、被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着する工程と、次いで、前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる工程とを有することを特徴とするものである。
　また、本発明による真空処理装置は上記目的達成のため、真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処理基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒子で処理する真空処理装置において、電極上に前記被処理基板が静電チャックを用いて保持されている真空容器内の圧力を制御する圧力制御手段を設け、該圧力制御手段により前記真空容器内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させることを特徴とするものである。」
　
（２）訂正の適否
（２−１）訂正事項ａ、ｂ、ｃについて
　上記訂正事項ａ、ｂ、ｃの内、「静電チャックを用いて保持し」の点及び「リフトピンを用いて静電チャックから離脱させる」の点については、明細書の段落【０００９】〜【００１０】、【００１５】、【００１８】、【００２２】、【００２６】、及び【００２９】等に記載されており、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
　
（２−２）訂正事項ｄについて
　上記訂正事項ｄについては、特許請求の範囲を訂正したことにあわせて発明の詳細な説明を訂正したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　
　そして、上記訂正事項ａ、ｂ、ｃについては、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。                 　　　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての概要
（１−１）異議申立人関戸美千代は、証拠として、
　
　甲第１号証：特開平２−１１０９２７号公報
　甲第２号証：特開平２−２３４４２６号公報
　甲第３号証：特開平３−４８４２１号公報
　甲第４号証：特開昭６２−２３５７３６号公報
　
を提出して、本件特許の請求項１〜９に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許の請求項１〜９に係る発明についての特許は、同法第１１３条第１項の規定に該当し、取り消すべきものである旨主張している。
　
（１−２）異議申立人松原いづみは、証拠として、
　
　甲第１号証：特開平３−１６１９２７号公報
　甲第２号証：特開昭６２−１６３３２５号公報
　甲第３号証：特開昭６３−１５６３２１号公報
　甲第４号証：特開平２−２５６２５６号公報
　甲第５号証：特開昭６０−１５０６３２号公報
　甲第６号証：特開昭６０−７９７２５号公報
　甲第７号証：特開昭６１−２２７１８４号公報
　資料１：特開昭６２−７４０８２号公報
　資料２：特開昭６２−２１６３２７号公報
　資料３：特開昭６０−２４０１８号公報
　
を提出して、本件特許の請求項１〜９に係る発明は、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件特許の請求項１〜９に係る発明についての特許は、発明の詳細な説明及び特許請求の範囲の記載に不備があり、同法第３６条第４、５項に規定する要件を満たさない特許出願に対してされたものであり、それぞれ同法第１１３条第１項の規定に該当し、取り消すべきものである旨主張している。
　
（２）本件発明
　訂正が認められた訂正明細書の請求項１〜９に係る発明（以下、「本件発明１〜９」という。）は、訂正明細書の請求項１〜９に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　被処理基板を真空処理室内の電極上に静電チャックを用いて保持し、真空中でプラズマを発生させるか、該被処理基板を荷電粒子で処理する工程と、次いで，前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる工程とを有することを特徴とする真空処理方法。
　【請求項２】　被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着する工程と、次いで、前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる工程とを有することを特徴とする真空処理方法。
　【請求項３】　前記圧力は真空容器内にガスを流すことにより調整されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空処理方法。
　【請求項４】　前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ乃至０．５Ｔｏｒｒにしてから前記被処理基板を前記電極から離脱させることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれかに記載の真空処理方法。
　【請求項５】　前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ乃至０．１Ｔｏｒｒにしてから前記被処理基板を前記電極から離脱させる工程とを有することを特徴とする請求項４に記載の真空処理方法。
　【請求項６】　真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒で処理する真空処理装置において、電極上に前記被処理基板が静電チャックを用いて保持されている真空容器内圧力を制御する圧力制御手段を設け、前記圧力制御手段により前記真空処理内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピン用いて前記静電チャックから脱させることを特徴とする真空処理装置。
　【請求項７】　前記真空容器内の圧力制御は、真空容器内にガスを流すことにより行われることを特徴とする請求項６に記載の真空処理装置。
　【請求項８】　前記圧力制御手段により前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ乃至０．５Ｔｏｒｒにしてから前記被処理基板を前記電極から離脱させることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の真空処理装置。
　【請求項９】　前記圧力制御手段により前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ乃至０．１Ｔｏｒｒにしてから前記被処理基板を前記電極から離脱させることを特徴とする請求項８に記載の真空処理装置。」
　
（３）証拠の記載事項
（３−１）異議申立人関戸美千代の提出した甲第１〜４号証
＜甲第１号証＞
　甲第１号証の特開平２−１１０９２７号公報には、静電吸着により試料を保持するプラズマ処理装置に関する発明が第１〜３図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　従来技術について、「一般のドライエッチング装置では、通常０．１Ｔｏｒｒ程度のプロセスガス圧によって被加工物質をエッチング処理しており」（２頁左上欄１６〜１８行）
　実施例について、「第１図ないし第３図のドライエッチング装置で、・・・下部電極２０への基板５０の載置完了後、・・・プラズマにより基板５０のエッチング処理が開始される。また、これと共に下部電極２０には、直流電源１０３より直流電圧が印加される。基板５０のプラズマによるエッチング処理の開始により、このプラズマ処理プロセスによって生じるセルフバイアス電圧と直流電圧１０３によって下部電極２０に印加される直流電圧とにより、基板５０は下部電極２０に静電吸着されて実質的に密着し、固定される。」（４頁左上欄３行〜右上欄３行）
　「エッチングの終了に伴って、放電空間３０への処理ガスの供給と、下部電極２０への直流電圧および高周波電力の印加が停止される。その後、引続き基板５０に生じている静電吸着力は解除、この場合、電気的に電極上板２６と同電位に保たれたピン１１３が基板５０に当接することによって静電気の除去が行われる。ピン１１３の作動により基板５０は、公知の搬送装置により真空処理室１０外へ搬出される。」（４頁左下欄１〜１０行）
　
＜甲第２号証＞
　甲第２号証の特開平２−２３４４２６号公報には、被処理物を固定保持するための静電吸着装置を用いた反応性イオンエッチング装置に関する発明が第１〜８図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「本実施例の静電吸着装置１を使用する場合には、まずスイッチ６を開いた状態で被処理物９を静電吸着装置１の表面に載せ、平板電極３に直流電圧を印加し、被処理物９を吸着固定する。
　ついで、被処理物９に所定の処理（例えばプラズマエッチング）を施し、処理終了後、平板電極３への直流電圧の印加を止める。そして、スイッチ５を閉じて導電体層４を介して被処理物９に帯電した電荷を放散する。本実施例の静電吸着装置１では導電体層４と被処理物９との接触面積が大きいため、被処理物９の帯電放散が効果的に行われ、短時間で被処理物９を静電吸着装置１の表面から脱離することができる。」（３頁左下欄１５行〜右下欄８行）
　「第６図に示すように陰極ブロック１１の本体中央部には被エッチング材の昇降装置３１が設けられており、アルミニウムブロック１２を貫通するシャフト３２およびシャフト３２に取り付けられた静電吸着装置１０１の開口部１５に配設されたウエーハ受けアーム１４を上下させて、被エッチング材の昇降を行なう。」（４頁右下欄２〜８行）
　「反応容器３４内を高真空に排気した後、・・・反応ガス、またはこの反応ガスと共に・・・不活性ガスを、それぞれ流量制御バルブ４４および４５を介して反応容器３４内に導入する。ここで反応ガスの流量および反応容器３４内の圧力は、流量制御バルブ４４および４５ならびにコントロールバルブ４５によって制御される。」（５頁左上欄１５行〜右上欄３行）
　「第８図に示した反応性イオンエッチング装置を用いて被エッチング材２７をエッチングする際の条件は、通常、以下に示すとおりである。・・・エッチング時圧力１〜１００ｍＴｏｒｒ、好ましくは２〜８０ｍＴｏｒｒ」（５頁左下欄８行〜右下欄６行）
　「第８図に示す構成の反応性イオンエッチング装置の真空反応容器３４内に配置し、反応室内を３ｍＴｏｒｒに減圧し、上記静電吸着装置１０１に被エッチング材２７・・・を乗せ、・・・電圧を印加してウエーハを吸着固定した。」（６頁右下欄４〜１０行）
　
＜甲第３号証＞
　甲第３号証の特開平３−４８４２１号公報には、反応生成物が被処理体に付着することを確実に防止して、所定の処理を施すことができるプラズマ処理方法に関する発明が開示されている。
　
＜甲第４号証＞
　甲第４号証の特開昭６２−２３５７３６号公報には、ゴミの巻き上がりによる製品の汚染を抑えながらベントおよびバキュームの時間を短縮したドライエッチング装置のベントおよびバキューム制御装置に関する発明が開示されている。
　
（３−２）異議申立人松原いづみの提出した甲第１〜７号証
＜甲第１号証＞
　甲第１号証の特開平３−１６１９２７号公報には、プラズマエッチング方法に関する発明が第１〜５図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「第１図は本発明のプラズマエッチング装置の構成図である。・・・プラズマエッチング時には、可動自在な上部電極３が下方に降り、処理ガス容器１０から切換弁１２を介して処理ガスが供給され、上部電極３内に形成された多くの孔からシャワー状にウエハ５上に供給される。一方、上部電極３にはＲＦ電源２が印加され、プラズマエッチングが行われる。その処理が完了すると、排気（真空）ポンプ１３を駆動することにより、酸素容器１１から切換弁１２を介して酸素を供給し、上部電極３内に形成された多くの孔からシャワー状にウエハ５上に供給する。そこで、所定時間後、酸素の供給を停止し、排気（真空）ポンプ１３を駆動しながらエッチングチャンバ１内を所定真空度まで排気する。・・・以下、具体的実施例について説明する。酸化膜のエッチングは、例えば、圧力１．７Ｔｏｒｒ　Ａｒ・・・の条件でＲＦ電力７５０Ｗを印加して行われる。エッチングが終了したら、ＲＦ電力を停止し、Ａｒ・・・の供給を停止するのと平行して酸素を、・・・エッチングチャンバ内に導入する。この酸素を停止してから、真空ポンプにより、エッチングチャンバ内を・・・排気する。ここで、エッチングチャンバ内の真空度が１０ｍＴｏｒｒになったら、ウエハを搬出する。」（２頁左下欄１３行〜３頁左上欄１６行）
　
＜甲第２号証＞
　甲第２号証の特開昭６２−１６３３２５号公報には、微細加工を行なうドライエッチング方法に関する発明が第１〜３図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　従来技術の第３図について、「真空容器２内でエッチング物８がエッチング終了した後、・・・ガス供給を停止し、真空容器２の排気口１３から排気手段により所定の圧力に達するまで排気する。次にゲートバルブ６を開き、エッチング前の被エッチング物７とエッチング後のエッチング物８を・・・移載手段により移しかえを行なった後、ゲートバルブ６を閉じる。真空予備容器１内に移しかえられたエッチング後のエッチング物８は真空予備容器１をバルブ１４を開きＮ２を流して大気圧にもどしたのち、・・・新しいエッチング前の被エッチング物と移しかえられ、・・・真空容器２に移しかえられたエッチング前の被エッチング物７はエッチングガスボンベ３からガス流量調節器４を通して、エッチング条件である一定流量のエッチングガスを流すと共に真空容器の排気口１３から・・・圧力調整バルブと・・・排気手段によって、真空容器１内をエッチング条件の一定圧力に保つ。その後、・・・エッチング前の被エッチング物７のドライエッチングを行なう。」（２頁右上欄２行〜左下欄９行）
　実施例の第１図について、「Ａは双方共通に取ったエッチング終了時点（高周波電源停止、エッチングガス供給停止、圧力調整バルブ全開）である。この時点でエッチングガスの供給を止めると共に真空容器２を排気によりＢ点まで減圧し、その状態を保ってエッチング物８と被エッチング物７との移し替えを行う（ここまで従来法と同じ）。この移し替え終了時点Ｃが、従来同様エッチングガス供給開始時点となる・・・なお、Ｂはゲートバルブ６が開く時点、Ｃはゲートバルブ６が閉じられる時点、それらＢ、Ｃ点の間のＢ１点はエッチング物８と被エッチング物７との移し替え時点である。」（３頁左下欄２行〜右下欄３行）
　さらに、第１図には、ゲートバルブが開く時点であるＢ点のエッチング圧力が１００ｍＴｏｒｒであることが記載されている。
　
＜甲第３号証＞
　甲第３号証の特開昭６３−１５６３２１号公報には、プラズマエッチング
がなされている基板温度を一定にすることが可能なプラズマ処理装置に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「一般にプラズマエッチング法で用いるプラズマはグロー放電であり、プラズマ中の分子温度は比較的低温（２００〜３００℃程度）でありまた低圧（０．１ｔｏｒｒ程度）である。このためウエハをプラズマエッチングする場合、レジストの耐熱温度以下にウエハを冷却する必要があり、又エッチングの温度により大きく変化依存することが知られている。・・・従来、ウエハ温度を一定に保つため、静電吸着による方法、メカニカルクランプによる方法及びメカニカルクランプと熱伝導を併用する方法があった。」（１頁右欄９行〜２頁左上欄４行）
　「静電吸着による方法及びメカニカルクランプによる方法は共にウエハと該ウエハと接触する温調された平面又は曲面間に微少なゴミが介在しただけで熱伝導が急速に悪化し、ウエハの温度調整が不安定であった。」（２頁右上欄２〜７行）
　「本発明によればプラズマ処理中ウエハを均一な力（静電吸着）でクランプすることが可能であり、しかも静電吸着装置とウエハ間に均一な冷却が供給され、効率のよいウエハ温調が可能となる。」（３頁左欄１３〜１７行）
　
＜甲第４号証＞
　甲第４号証の特開平２−２５６２５６号公報には、半導体ウエハを静電チャックに吸着保持させてプロセス処理を行う半導体ウエハ処理装置のウエハ保持機構に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「従来では静電チャックに吸着されているウエハを電圧印加停止後に強制離脱させる手段として、電極への電圧印加停止後にウエハの背面側からウエハの板面に向けて・・・不活性ガスをブローとして吹き付け、静電チャックの残留電荷による吸着力に抗してウエハをチャック面から強制離脱させるガスブロー離脱方式が知られている。」（２頁左上欄１８〜右上欄５行）
　「なお、前記したガスブローによるウエハ離脱方式の他に、ノックアウトピンなどを用いた機械的な離脱機構でウエハを静電チャックより強制的に離脱させる方式も試みられている」（３頁左上欄１４〜１７行）
　
＜甲第５号証＞
　甲第５号証の特開昭６０−１５０６３２号公報には、静電チャックにより固定された被処理物の離脱方式に関する発明が第２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「被処理物Ａのエッチングが終了した後、・・・ガスをガス供給管１１から被処理物Ａの裏面に直接吹き付けるようになされる。これにより、被処理物Ａの裏面部分の誘電体膜４に蓄積された電荷がガス中に放電するので、被処理物Ａは誘電体膜４から容易に離脱して支持台１８上に載置される。」（３頁左欄１〜１０行）
　
＜甲第６号証＞
　甲第６号証の特開昭６０−７９７２５号公報には、静電チャックにより固定された被処理物の離脱装置に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「エッチング終了後・・・設置電位状態の支持台１８をエアシリンダ１６により上昇させて被処理物Ａに接触させ、被処理物Ａに蓄積された電荷を支持台１８を通して逃がす。その後、・・・Ｎ２ガス・・・を送り、誘電体膜４をわずかに膨出させることにより、被処理物Ａを離脱させる。」（２頁左上欄１４行〜右上欄２行）
　
＜甲第７号証＞
　甲第７号証の特開昭６１−２２７１８４号公報には、連続処理型プラズマエッチング装置に関する発明が第２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「第２図に示すように本発明装置は処理室２０と予備室２２とを備えそれぞれの室はバルブ２４で区切られており、このバルブ２４を開閉し、搬送機構２３にてウエハースを予備室２２よりテーブル２１またはテーブル２１から予備室２２へ運び、処理室２０は反応ガス源２８より流れたガスをコントロールするガスコントロール機構２７と、反応ガスを排気する排気機構３０と、・・・反応ガス圧力をコントロールする圧力コントロール機構３２とからなり、高周波２６を印加し、プラズマを発生させている。」（２頁右上欄１３行〜左上欄４行）
　
（４）対比・判断
（４−１）異議申立人関戸美千代の主張について
＜本件発明１＞
　本件発明１と甲第１、２号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証に記載の「ピン１１３」、甲第２号証に記載の「シャフト３２、ウエーハ受けアーム１４」は、それぞれ本件発明１の「リフトピン」に相当するから、本件発明１と甲第１、２号証に記載の発明とは、「被処理基板を真空処理室内の電極上に静電チャックを用いて保持し、真空中でプラズマを発生させる工程と、次いで、前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる工程とを有する真空処理方法」の点で一致するものの、本件発明１が「真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから被処理基板を静電チャックから離脱させる」（以下、「構成Ａ」という。）のに対し、甲第１、２号証に記載の発明はそのようなものではない点で相違する。
　そこで上記相違点について以下検討する。
　甲第１号証に記載の発明はピンにより基板を下部電極より除去するようにしたものであって、甲第１号証には０．１Ｔｏｒｒ程度のプロセスガス圧によってエッチング処理することが記載されているものの、基板の除去前に真空処理室内の圧力を調整するものではないし、また甲第２号証に記載の発明は処理終了後、静電吸着装置の導電体層を介して被処理物に帯電した電荷を放散することにより被処理物を静電吸着装置の表面から脱離するようにしたものであって、甲第２号証にはエッチング時の圧力を１〜１００ｍＴｏｒｒにすることが記載されているものの、この圧力は被処理基板を離脱させる際の圧力ではないから、甲第１、２号証のいずれにも本件発明１の上記構成Ａについては記載も示唆もされていないし、また甲第３、４号証についても、本件発明１の上記構成Ａについては記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は上記構成Ａを採用することにより、スパーク放電を起こさずに被処理基板を静電チャックから離脱させることができるという作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２＞
　本件発明２は、本件発明１と同様に上記構成Ａを有するものであるから、本件発明２についても、本件発明１と同じ理由により、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明３〜５＞
　本件発明３〜５は、本件発明３が本件発明１、２のいずれかを引用する発明であり、本件発明４が本件発明１〜３のいずれかを引用する発明であり、本件発明５が本件発明４を引用する発明であって、本件発明３は本件発明１と同様に上記構成Ａを有するものであり、本件発明４、５は本件発明１の上記構成Ａの数値範囲をさらに限定したものであるから、本件発明３〜５についても、本件発明１と同じ理由により、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明６＞
　本件発明６は、本件発明１と同様に上記構成Ａを有するものであるから、本件発明６についても、本件発明１と同じ理由により、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明７〜９＞
　本件発明７〜９については、本件発明７は本件発明６を引用する発明であり、本件発明８は本件発明６、７のいずれかを引用する発明であり、本件発明９は本件発明８を引用する発明であって、本件発明７は本件発明１と同様に上記構成Ａを有するものであり、本件発明８、９は本件発明１の上記構成Ａの数値範囲をさらに限定したものであるから、本件発明７〜９についても、本件発明１と同じ理由により、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４−２）異議申立人松原いづみの主張について
（４−２−１）本件発明１〜９と甲第１〜７号証との対比・判断
＜本件発明１＞
　本件発明１と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証に記載の発明は１０ｍＴｏｒｒにしてから被処理基板を離脱させているから、両者は、「被処理基板を真空処理室内の電極上に保持し、真空中でプラズマを発生させる工程と、次いで、真空処理室内の圧力を１０ｍＴｏｒｒにしてから被処理基板を離脱させる工程とを有する真空処理方法」の点で一致するものの、本件発明１が、「真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから被処理基板をリフトピンを用いて静電チャックから離脱させる」（以下、「構成Ｂ」という。）工程を有するのに対し、甲第１号証に記載の発明はそのような工程を有しない点で相違する。
　そこで上記相違点について検討すると、甲第１号証には、チャンバ内を排気してエッチングガスを１０ｍＴｏｒｒに減圧してから、ウエハを搬出する工程が記載されているものの、スパーク放電を起こさずにウエハを搬出することについては記載も示唆もされていないから、静電チャックによりウエハを電極に静電吸着させることが甲第３〜６号証に記載されているように周知の技術にすぎないとしても、甲第１号証に記載の真空処理方法に上記周知の技術である静電チャックを適用して、１０ｍＴｏｒｒに減圧してからウエハを静電チャックから離脱させることを容易に想到することはできない。
　また、本件発明１と甲第２号証に記載の発明とを対比すると、甲第２号証に記載の発明は１００ｍＴｏｒｒにしてから被処理基板を離脱させているから、両者は、「被処理基板を真空処理室内の電極上に保持し、真空中でプラズマを発生させる工程と、次いで、真空処理室内の圧力を１００ｍＴｏｒｒにしてから被処理基板を離脱させる工程とを有する真空処理方法」の点で一致するものの、本件発明１が、上記構成Ｂを有するのに対し、甲第２号証に記載の発明はそのような工程を有しない点で相違する。
　そこで上記相違点について検討すると、甲第２号証には、エッチングガスの供給を停止して排気し、１００ｍＴｏｒｒまで減圧し、その状態を保ってエッチング物の移し替えを行う工程が記載されているものの、スパーク放電を起こさずにウエハの移し替えを行うことについては記載も示唆もされていないから、静電チャックによりウエハを電極に静電吸着させることが甲第３〜６号証に記載されているように周知の技術にすぎないとしても、甲第２号証に記載の真空処理方法に上記周知の技術である静電チャックを適用して、１００ｍＴｏｒｒまで減圧してからウエハを静電チャックから離脱させることを容易に想到することはできない。
　そして、本件発明１は、上記構成Ｂを採用することにより、スパーク放電を起こさずに被処理基板を静電チャックから離脱させることができるという作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２＞
　本件発明２は、本件発明１と同様に上記構成Ｂを有するものであって、静電チャックによりウエハを電極に静電吸着させることが甲第３〜６号証に記載されているように周知の技術にすぎないとしても、甲第１、２号証に記載の発明において上記周知の技術を適用する理由はないから、本件発明２についても、本件発明１と同じ理由により、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明３〜５＞
　本件発明３〜５については、本件発明３は本件発明１、２のいずれかを引用する発明であり、本件発明４は本件発明１〜３のいずれかを引用する発明であり、本件発明５は本件発明４を引用する発明であって、本件発明３は本件発明１と同様に上記構成Ｂを有するものであり、本件発明４、５は本件発明１の上記構成Ｂの数値範囲をさらに限定したものであるから、本件発明３〜５についても、本件発明１と同じ理由により、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明６＞
　本件発明６は、本件発明１と同様に上記構成Ｂを有するものであるから、真空容器内の圧力を制御する圧力制御手段が甲第７号証に記載されているように周知の技術にすぎないとしても、本件発明６については、本件発明１と同じ理由により、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明７〜９＞
　本件発明７〜９については、本件発明７は本件発明６を引用する発明であり、本件発明８は本件発明６、７のいずれかを引用する発明であり、本件発明９は本件発明８を引用する発明であって、本件発明７は本件発明１と同様に上記構成Ｂを有するものであり、本件発明８、９は本件発明１の上記構成Ｂの数値範囲をさらに限定したものであるから、本件発明７〜９についても、本件発明１と同じ理由により、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４−２−２）記載不備
　異議申立人松原いづみは、明細書の実施例に記載されているのは、被処理基板をプラズマまたはイオンビームを用いて処理するものだけであり、訂正前の請求項２〜５、６〜９に記載されているように、これらの処理を行わずに、単に被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着し、真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから前記被処理基板をリフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させることは、何も記載されていないから、発明の詳細な説明には当業者が容易に発明を実施することができる程度に記載されていないし、また特許請求の範囲の記載は特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものではない旨主張している。
　しかしながら、訂正後の請求項２に記載された発明は、被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着する工程と、次いで、真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下にしてから被処理基板をリフトピンを用いて静電チャックから離脱させる工程の２工程を有する真空処理方法の発明であって、明細書の発明の詳細な説明には、荷電粒子等による処理を行わない場合について記載されていないとしても、訂正後の請求項２に記載の上記２工程を有する真空処理方法については少なくとも開示され（段落【００１２】参照）、上記２工程を有する真空処理により、スパーク放電を起こさずに被処理基板を静電チャックから離脱させることができるという作用効果を奏するから、異議申立人の主張は採用できない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜９についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　また、他に本件発明１〜９についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１月１７日（２００３．１．１７）
【訂正の要旨】
　▲１▼　訂正事項ａ
　明細書中の特許請求の範囲の請求項１を、特許請求の範囲の減縮を目的として、次のように訂正する。
「【請求項１】被処理基板を真空処理室内の電極上に
静電チャックを用いて保持し
次いで、
リフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる
　▲２▼　訂正事項ｂ
　明細書中の特許請求の範囲の請求項２を、特許請求の範囲の減縮を目的として、次のように訂正する。
「【請求項２】被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着する工程と、
次いで、
リフトピンを用いて
　▲３▼　訂正事項ｃ
　明細書中の特許請求の範囲の請求項６を、特許請求の範囲の減縮を目的として、次のように訂正する。
「【請求項６】真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処理基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒子で処理する真空処理装置において、電極上に前記被処理基板が
静電チャックを用いて保持されている
リフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる
　▲４▼　訂正事項ｄ
　上記訂正事項ａ〜ｃに示す特許請求の範囲の訂正に伴い、明細書中の段落番号【０００６】の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、次のように訂正する。
「【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明による真空処理方法は上記目的達成のため、被処理基板を真空処理室内の電極上に
静電チャックを用いて保持し
次いで、
リフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる
　また、本発明による真空処理方法は上記目的達成のため、被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着する工程と、
次いで、
リフトピンを用いて
　また、本発明による真空処理装置は上記目的達成のため、真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処理基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒子で処理する真空処理装置において、電極上に前記被処理基板が
静電チャックを用いて保持されている
リフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる
（５４）【発明の名称】
真空処理方法および真空処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　被処理基板を真空処理室内の電極上に
静電チャックを用いて保持し
　
次いで、
リフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる
　【請求項２】　被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着する工程と、
　
次いで、
リフトピンを用いて
　【請求項３】　前記圧力は真空容器内にガスを流すことにより調整されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空処理方法。
　【請求項４】　前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ乃至０．５Ｔｏｒｒにしてから前記被処理基板を前記電極から離脱させることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれかに記載の真空処理方法。
　【請求項５】　前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ乃至０．１Ｔｏｒｒにしてから前記被処理基板を前記電極から離脱させる工程とを有することを特徴とする請求項４に記載の真空処理方法。
　【請求項６】　真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処理基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒子で処理する真空処理装置において、
　電極上に前記被処理基板が
静電チャックを用いて保持されている
リフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる
　【請求項７】　前記真空容器内の圧力制御は、真空容器内にガスを流すことにより行われることを特徴とする請求項６に記載の真空処理装置。
　【請求項８】　前記圧力制御手段により前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ乃至０．５Ｔｏｒｒにしてから前記被処理基板を前記電極から離脱させることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の真空処理装置。
　【請求項９】　前記圧力制御手段により前記真空処理室内の圧力を７ｍＴｏｒｒ乃至０．１Ｔｏｒｒにしてから前記被処理基板を前記電極から離脱させることを特徴とする請求項８に記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、真空処理方法および真空処理装置に係り、詳しくは、半導体集積回路の製造に用いられる真空処理方法および真空処理装置に適用することができ、特に、被処理基板をリフトピンを用いて電極から離脱させる際、スパーク放電を生じ難くして素子領域のゲート絶縁膜等にダメージを与え難くすることができる真空処理方法および真空処理装置に関する。
　【０００２】
　近年、高集積化が進むにつれて、より高精度でダメージのないプラズマ処理技術が求められている。このため、エッチング工程においても、よりダメージのないエッチング装置が要求されている。このため、ダメージのないエッチングを行う必要がある。
　【０００３】
　【従来の技術】
　図５は従来のエッチング装置の構成を示す概略図であり、図６は図５に示すカソード電極の詳細を示す図である。図５、６において、３１はカソード電極、３２は被処理基板、３３はカソード電極３１と対向するように配置された対向電極であり、３４はガス導入口、３５は圧力制御装置、３６はターボ分子ポンプである。エッチングの手順としては、先ずイン側カセット室４６にセットされた被処理基板３２をイン側ロードロック３７に搬送し、カソード電極３１まで搬送する。次いで、カソード電極３１まで搬送された被処理基板３２を静電チャック３９に吸着し、水冷ジャケット４０に水を流すことにより被処理基板３２を冷却する。この状態で、ターボ分子ポンプ３６を用いて１０−４Ｔｏｒｒまで排気した後、エッチングガスを反応室４１に導入し、圧力制御装置３５により、所定の圧力に設定する。そこで、高周波電極４２により反応室４１にプラズマを発生させ、被処理基板３２をエッチング処理する。次いで、エッチング終了後、ガスを止めて残留ガスを素早く排気するため、圧力制御装置３５を全開にする。次いで、被処理基板３２をアウト側ロードロック３８に搬送するため、反応室４１とアウト側ロードロック３８間のゲートバルブ４４を開け、静電チャック３９の電源を切り、図６に示す如くカソード電極３１の４カ所に開けられた穴４５からリフトピン４３を上昇させる。次いで、アウト側ロードロック３８に設置された搬送アームにより被処理基板３２を受けとり、アウト側ロードロック３８に被処理基板３２を輸送し、反応室４１とアウト側ロードロック３８間のゲートバルブ４４を閉じる。そして、処理された被処理基板３２をアウト側カセット室４６に挿入する。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記した従来の真空処理方法および真空処理装置では、エッチング終了後アウト側ロードロック３８に設置された搬送アームによりアウト側ロードロック３８へ被処理基板３２を搬送する際、カソード電極３１の４カ所に開けられた穴４５からリフトピン４３を上昇させてカソード電極３１から被処理基板３２を離間させていたため、図７に示すように、リフトピン４３を上昇させる時に、被処理基板３２とカソード電極３１との間で局部的にスパーク放電が生じることがあり、このスパーク放電により被処理基板３２の素子領域のゲート絶縁膜等が破壊されたりして歩留りを低下させてしまうという問題があった。
　【０００５】
　特に、図７に示すＡ部の如くリフトピン４３に沿ってスパーク放電が発生し、この部分で主に不良が発生し易かった。
　そこで本発明は、被処理基板をリフトピンを用いて電極から離脱させる際、スパーク放電を生じ難くすることができ、素子領域のゲート絶縁膜等にダメージを与え難くして歩留りを向上させることができる真空処理方法および真空処理装置を提供することを目的としている。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明による真空処理方法は上記目的達成のため、被処理基板を真空処理室内の電極上に
静電チャックを用いて保持し
次いで、
リフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる
　また、本発明による真空処理方法は上記目的達成のため、被処理基板を真空処理室内の静電チャックに静電吸着する工程と、
次いで、
リフトピンを用いて
　また、本発明による真空処理装置は上記目的達成のため、真空中でプラズマを発生させるか、あるいは真空中で被処理基板を静電吸着させて処理するか、若しくは真空中で該被処理基板を荷電粒子で処理する真空処理装置において、電極上に前記被処理基板が
静電チャックを用いて保持されている
リフトピンを用いて前記静電チャックから離脱させる
　【０００７】
　本発明においては、前記真空容器内の圧力制御は、真空容器内にガスを流すことにより行われる場合であってもよい。また、前記被処理基板を電極から離脱させる時の圧力は７ｍＴｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下であるのが好ましく、この場合、スパーク放電を生じないようにすることができ、従来のスパーク放電を生じさせる場合よりもデバイス不良を減らすことができ好ましい。好ましくは０．５Ｔｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下の範囲（不均一なグロー放電が生じる範囲）の場合であり、より好ましくは０．１Ｔｏｒｒ以上０．５Ｔｏｒｒより小さい範囲（均一なグロー放電が生じる範囲）であり、最も好ましくは７ｍＴｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒより小さい範囲（放電が生じない範囲
）である。
　【０００８】
　【作用】
　上記したように、従来のエッチング装置では、被処理基板をカソード電極から離脱させる時に被処理基板とカソード電極との間でスパーク放電が生じ、デバイスに不良を生じさせ、歩留りを低下させるという問題を生じていた。そこで、本発明者等は各種実験の結果、リフトピンを上昇させる時の圧力を適宜変化させることによりスパーク放電を生じさせないようにすることができることを見い出した。以下、図面を用いて具体的に説明する。
　【０００９】
　図１は本発明の原理説明のための真空処理装置におけるリフトピンを上昇させた時における圧力を変化させた時に観察されるグロー放電を示す図、図２は本発明の原理説明のためのリフトピンを上昇させた時における圧力を変化させた時の放電状態を説明する図、図３は本発明の原理説明のためのリフトピンを上昇させた時における圧力を変化させた時の不良の割合を説明する図である。図１において、１はカソード電極、２は被処理基板、３は静電チャックであり、４は水冷ジャケット、５はカソード電極１の４カ所に開けられた穴、６はリフトピンである。
　【００１０】
　スパーク現像はチャック電源を切りリフトピン６を上げるときの圧力が、２、３ｍＴｏｒｒ以下と低い時に発生することが判った。そして、リフトピン６を上げる時の圧力を１０−４Ｔｏｒｒから５Ｔｏｒｒまで変化させ、被処理基板２をカソード電極１から離脱させた時の放電状態を観察した結果、図２に示す比較例１、２の如く、リフトピン６を上昇させる時の圧力を１×１０−４Ｔｏｒｒ、５×１０−３Ｔｏｒｒにすると、スパーク放電が生じていたが、これに対し図２に示す本発明１〜５の如く、リフトピン６を上昇させる時の圧力を７ｍＴｏｒｒ以上にすると、従来問題になっていたスパーク放電を生じないようにすることができることを確認した。
　【００１１】
　具体的には、７ｍＴｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒより小さい範囲では被処理基板２をカソード電極１から離脱させた時、放電は観察されず、０．１Ｔｏｒｒ以上０．５Ｔｏｒｒより小さい範囲では被処理基板２の裏面で全体に広がったグロー放電が観察された（図１）。また、０．５Ｔｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下の範囲では、被処理基板２をカソード電極１から離脱させた時には不均一なグロー放電が観察された。更に、カソード電極１から被処理基板２を離脱させる時の圧力を変化させて放電の仕方を制御し、デバイスの不良との関係をとった結果、図３に示す如く、比較例１、２の如く５ｍＴｏｒｒ以下では不良の割合が多いのに対して、本発明１〜５の如く７ｍＴｏｒｒ以上の圧力では不良の割合が急激に減少していることが判った。更に詳しく見ると、７ｍＴｏｒｒ以上１Ｔｏｒｒより小さい範囲では、不良の割合が著しく減っており、０．１Ｔｏｒｒ以上０．５Ｔｏｒｒより小さい範囲では、７ｍＴｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒより小さい範囲の場合より不良の割合は増えているものの、従来のスパーク放電が発生している比較例１、２の７ｍＴｏｒｒより小さい範囲の場合より不良の割合は極端に減っている。また、１Ｔｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下の範囲では、０．１Ｔｏｒｒ以上０．５Ｔｏｒｒより小さい範囲の場合より不良の割合は増えているものの、従来のスパーク放電が発生している場合より不良の割合は極端に減っている。この不良の割合と、被処理基板２の離脱時の放電とは対応しており、放電しない場合には、不良が殆ど発生せず、均一にグロー放電する場合には、若干不良は発生するが、放電しない場合と大差はない。しかし、不均一にグロー放電する場合には、不良はさらに発生するが、従来のスパーク放電する場合よりはかなり不良は少なくなる。即ち、不良は、被処理基板２に溜まった電荷の抜け方が集中して抜ける程、不良を発生し、均一に抜けたり、溜まったまま搬送され、ゆっくり電荷が抜けていく場合には不良を発生しないことが判る。
　【００１２】
　このように、上記した課題を本発明では、真空中でプラズマを発生させたり、被処理基板を静電吸着させたり、電子ビームやイオンビームを用いた真空処理装置において、被処理基板が載置されている真空容器の圧力を適宜制御する圧力制御手段を設け、この圧力制御手段で圧力を適宜制御し、被処理基板を電極から離脱させる際の放電の形態を選択して被処理基板を電極から脱離させるように構成したため、スパーク放電を生じないように被処理基板を脱離させることができる。
　【００１３】
　従って、上記したように真空容器の圧力を例えば７ｍＴｏｒｒ以上に上げて被処理基板を離脱させることにより、スパーク放電を起こさせずに被処理基板を電極から離脱させることができ、素子領域のゲート絶縁膜等にダメージを与え難くして歩留りを向上させることができる。
　【００１４】
　【実施例】
　以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
（実施例１）
　図５で説明した従来のエッチング装置と同様の装置を用いて、ポリ−Ｓｉ（ゲート電極）のエッチングを行った。エッチング条件は、下記の通りである。
　【００１５】
　　ｒｆパワー　３００Ｗ
　　圧力　　　　０．２Ｔｏｒｒ
　　ガス　　　　ＨＢｒ　１００ｃｃ／分
　静電チャックは２極式（＋と−両方印加するタイプ）を用いた。エッチング終了後、被処理基板を搬送するために、リフトピンを用い被処理基板を静電チャックから離脱させた。この時の圧力を制御するために、ガス導入口からＮ２ガスを１０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分流し、圧力制御装置３５を用いて、圧力を５ｍＴｏｒｒから５Ｔｏｒｒまで変化させて放電を観察した。その結果、図２に示した結果と全く同じ放電の形態になった。また、圧力制御装置を用いずに、窒素ガスのみを流し調べた結果、やはり、被処理基板の離脱時の圧力のみに起因し、図２に示した結果と全く同じ結果が得られた。さらに、窒素ガスの代わりに、Ｈｅ、ＨＢｒ、Ａｒ、Ｏ２ガス等で確認した結果、窒素ガスと同様の結果が得られた。従って、被処理基板を電極から離脱させる時の圧力のみで放電は決定されており、被処理基板を離脱させる時の圧力を以下のように変化させ、デバイスの不良数との関係をとったところ、
　▲１▼　３ｍＴｏｒｒ（スパーク放電）
　▲２▼　５０ｍＴｏｒｒ（放電しない）
　▲３▼　０．１Ｔｏｒｒ（均一なグロー放電）
　▲４▼　１Ｔｏｒｒ（不均一なグロー放電）
▲１▼＞＞▲４▼＞▲３▼＞▲２▼の順で不良数が違っており、３ｍＴｏｒｒ以外は、全て大幅に不良数は減少しており、中でも５０ｍＴｏｒｒの時が最も良好な結果が得られた。
　【００１６】
　また、静電チャックを用いずに、メカニカルに被処理基板を保持しエッチングした結果（エッチング条件は上記と同様）、圧力制御せずに、３ｍＴｏｒｒ前後で被処理基板を離脱させると、発生頻度は減るものの、スパーク放電が発生する。また、圧力制御し、７ｍＴｏｒｒ以上とすると、不良を起こすスパーク放電は観察されなくなった。
　【００１７】
　さらに、上記実施例において、２極式の代わりに１極式（一のみを印加しプラズマに曝すことで被処理基板を吸着させる方式）の静電チャックを用いた場合も上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
　次に、エッチングが終了したサンプルを用いて、プラズマに曝さずに搬送のみを行ったところ、圧力制御しない場合（３ｍＴｏｒｒ）、頻度は少なくなるものの、スパーク放電が観察され、不良数も多くなっていた。圧力制御した場合は、上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
（実施例２）
　図５で説明した従来のエッチング装置と同様な装置を用いて、ＳｉＯ２（ゲート絶縁膜）のエッチングを行った。エッチング条件は、下記の通りである。
　【００１８】
　　ｒｆパワー　８００Ｗ
　　圧力　　　　０．２Ｔｏｒｒ
　　ガス　　　　ＣＦ４　　１００ｃｃ／分
　　　　　　　　ＣＨＦ３　１００ｃｃ／分
　静電チャックは２極式（＋と−両方印加するタイプ）を用いた。実施例１と同様に、エッチング終了後、被処理基板を搬送するために、リフトピンを用い被処理基板を静電チャックから離脱させた。この時の圧力を制御するために、ガス導入口からＮ２ガスを１０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分流し、圧力制御装置３５を用いて、圧力を５ｍＴｏｒｒから５Ｔｏｒｒまで変化させて放電を観察した。その結果、図２に示した結果と全く同じ放電の形態になった。また、圧力制御装置を用いずに、窒素ガスのみを流し調べた結果、やはり、被処理基板の離脱時の圧力のみに起因し、図２に示した結果と全く同じ結果が得られた。さらに、窒素ガスの代わりに、Ｈｅ、ＣＦ４、Ａｒ、Ｏ２ガス等で確認した結果、窒素ガスと同様の結果が得られた。従って、被処理基板を電極から離脱させる時の圧力のみで放電は決定されており、被処理基板を離脱させる時の圧力を以下のように変化させ、デバイスの不良数との関係をとったところ、
　▲１▼　３ｍＴｏｒｒ（スパーク放電）
　▲２▼　５０ｍＴｏｒｒ（放電しない）
　▲３▼　０．１Ｔｏｒｒ（均一なグロー放電）
　▲４▼　１Ｔｏｒｒ（不均一なグロー放電）
▲１▼＞＞▲４▼＞▲３▼＞▲２▼の順で不良数が違っており、３ｍＴｏｒｒ以外は、全て大幅に不良数は減少しており、中でも５０ｍＴｏｒｒの時が最も良好な結果が得られた。
　【００１９】
　また、静電チャックを用いずに、メカニカルに被処理基板を保持しエッチングした結果（エッチング条件は上記と同様）、圧力制御せずに、３ｍＴｏｒｒ前後で被処理基板を離脱させると、発生頻度は減るものの、スパーク放電が発生する。また、圧力制御し、７ｍＴｏｒｒ以上とすると、不良を起こすスパーク放電は観察されなくなった。
　【００２０】
　さらに、上記実施例において、１極式の静電チャックを用いた場合も上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
　次に、エッチングが終了したサンプルを用いて、プラズマに曝さずに搬送のみを行ったところ、圧力制御しない場合（３ｍＴｏｒｒ）、頻度は少なくなるものの、スパーク放電が観察され、不良数も多くなっていた。圧力制御した場合は、上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
　【００２１】
　さらに、アノードカップルタイプ（被処理基板に高周波が印加されず、アノード電極側に高周波が印加されるタイプの装置）のエッチング装置を用い、同様にエッチングを行った結果、被処理基板を電極から離脱させる際、圧力制御を行う場合（３ｍＴｏｒｒ）、頻度としては少なくなるが、スパーク放電が観察された。また、被処理基板を電極から離脱させる際、圧力を制御すると、上記同様変化し、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力領域でスパーク放電しなくなった。
（実施例３）
　図５で説明した従来のエッチング装置と同様な装置を用いて、ＰＳＧ（層間絶縁膜）のエッチングを行った。エッチング条件は、下記の通りである。
　【００２２】
　　ｒｆパワー　８００Ｗ
　　圧力　　　　０．２Ｔｏｒｒ
　　ガス　　　　ＣＦ４　　１００ｃｃ／分
　　　　　　　　ＣＨＦ３　１００ｃｃ／分
　静電チャックは２極式（＋と−両方印加するタイプ）を用いた。実施例１と同様に、エッチング終了後、被処理基板を搬送するために、リフトピンを用い被処理基板を静電チャックから離脱させた。この時の圧力を制御するために、ガス導入口からＮ２ガスを１０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分流し、圧力制御装置３５を用いて、圧力を５ｍＴｏｒｒから５Ｔｏｒｒまで変化させて放電を観察した。その結果、図２に示した結果と全く同じ放電の形態になった。また、圧力制御装置を用いずに、窒素ガスのみを流し調べた結果、やはり、被処理基板の離脱時の圧力のみに起因し、図２に示した結果と全く同じ結果が得られた。さらに、窒素ガスの代わりに、Ｈｅ、ＣＦ４、Ａｒ、Ｏ２ガス等で確認した結果、窒素ガスと同様の結果が得られた。従って、被処理基板を電極から離脱させる時の圧力のみで放電は決定されており、被処理基板を離脱させる時の圧力を以下のように変化させ、デバイスの不良数との関係をとったところ、
　▲１▼　３ｍＴｏｒｒ（スパーク放電）
　▲２▼　５０ｍＴｏｒｒ（放電しない）
　▲３▼　０．１Ｔｏｒｒ（均一なグロー放電）
　▲４▼　１Ｔｏｒｒ（不均一なグロー放電）
▲１▼＞＞▲４▼＞▲３▼＞▲２▼の順で不良数が違っており、３ｍＴｏｒｒ以外は、全て大幅に不良数は減少しており、中でも５０ｍＴｏｒｒの時が最も良好な結果が得られた。
　【００２３】
　また、静電チャックを用いずに、メカニカルに被処理基板を保持しエッチングした結果（エッチング条件は上と同様）、圧力制御せずに、３ｍＴｏｒｒ前後で被処理基板を離脱させると、発生頻度は減るものの、スパーク放電が発生する。また、圧力制御し、７ｍＴｏｒｒ以上とすると、不良を起こすスパーク放電は観察されなくなった。
　【００２４】
　さらに、上記実施例において、１極式の静電チャックを用いた場合も上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
　次に、エッチングが終了したサンプルを用いて、プラズマに曝さずに搬送のみを行ったところ、圧力制御しない場合（３ｍＴｏｒｒ）、頻度は少なくなるものの、スパーク放電が観察され、不良数も多くなっていた。圧力制御した場合は、上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
　【００２５】
　さらに、アノードカップルタイプ（被処理基板に高周波が印加されず、アノード電極側に高周波が印加されるタイプの装置）のエッチング装置を用い、同様にエッチングを行った結果、被処理基板を電極から離脱させる際、圧力制御を行う場合（３ｍＴｏｒｒ）、頻度としては少なくなるが、スパーク放電が観察された。また、被処理基板を電極から離脱させる際、圧力を制御すると、上記同様変化し、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力領域でスパーク放電しなくなった。
（実施例４）
　図５で説明した従来のエッチング装置と同様な装置を用いて、Ａｌ（配線）のエッチングを行った。エッチング条件は、下記の通りである。
　【００２６】
　　ｒｆパワー　４００Ｗ
　　圧力　　　　０．１Ｔｏｒｒ
　　ガス　　　　ＢＣｌ３　　　　８０ｃｃ／分
　　　　　　　　ＳｉＣｌ４　３００ｃｃ／分
　　　　　　　　Ｃｌ２　　　８０ｃｃ／分
　静電チャックは２極式（＋と−両方印加するタイプ）を用いた。実施例１と同様に、エッチング終了後、被処理基板を搬送するために、リフトピンを用い被処理基板を静電チャックから離脱させた。この時の圧力を制御するために、ガス導入口からＮ２ガスを１０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分流し、圧力制御装置３５を用いて、圧力を５ｍＴｏｒｒから５Ｔｏｒｒまで変化させて放電を観察した。その結果、図２に示した結果と全く同じ放電の形態になった。また、圧力制御装置を用いずに、窒素ガスのみを流し調べた結果、やはり、被処理基板の離脱時の圧力のみに起因し、図２に示した結果と全く同じ結果が得られた。さらに、窒素ガスの代わりに、Ｈｅ、Ｃｌ２、Ａｒ、Ｏ２ガス等で確認した結果、窒素ガスと同様の結果が得られた。従って、被処理基板を電極から離脱させる時の圧力のみで放電は決定されており、被処理基板を離脱させる時の圧力を以下のように変化させ、デバイスの不良数との関係をとったところ、
　▲１▼　３ｍＴｏｒｒ（スパーク放電）
　▲２▼　５０ｍＴｏｒｒ（放電しない）
　▲３▼　０．１Ｔｏｒｒ（均一なグロー放電）
　▲４▼　１Ｔｏｒｒ（不均一なグロー放電）
▲１▼＞＞▲４▼＞▲３▼＞▲２▼の順で不良数が違っており、３ｍＴｏｒｒ以外は、全て大幅に不良数は減少しており、中でも５０ｍＴｏｒｒの時が最も良好な結果が得られた。
　【００２７】
　また、静電チャックを用いずに、メカニカルに被処理基板を保持しエッチングした結果（エッチング条件は上記と同様）、圧力制御せずに、３ｍＴｏｒｒ前後で被処理基板を離脱させると、発生頻度は減るものの、スパーク放電が発生する。また、圧力制御し、７ｍＴｏｒｒ以上とすると、不良を起こすスパーク放電は観察されなくなった。
　【００２８】
　さらに、上記実施例において、１極式の静電チャックを用いた場合も上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
　次に、エッチングが終了したサンプルを用いて、プラズマに曝さずに搬送のみを行ったところ、圧力制御しない場合（３ｍＴｏｒｒ）、頻度は少なくなるものの、スパーク放電が観察され、不良数も多くなっていた。圧力制御した場合は、上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
（実施例５）
　図４は本発明に適用できるイオンビーム装置の構成を示す概略図である。図４において、図５と同一符号は同一または相当部分を示し、１１はプラズマ生成室である。
　【００２９】
　図４に示すイオンビーム装置を用いて、ポリＳｉのエッチングを行った。エッチング条件は、以下の通りである。
　　マイクロ波パワー　　１ｋＷ
　　ガス　　　　　　　　Ｃｌ２　３０ｃｃ／分
　　圧力　　　　　　　　３×１０−４Ｔｏｒｒ
　　イオン引き出し電圧　４００Ｖ
　エッチングは、先ずカセットにセットされた被処理基板３２をイン側ロードロック３７に搬送し、サセプターまで搬送する。サセプターまで搬送された被処理基板３２は２極式の静電チャックに吸着され、水冷ジャケット（図５に示した従来と同じ構造）に水を流すことにより被処理基板３２を冷却している。この状態で、ターボ分子ポンプ３６を用い、１０−５Ｔｏｒｒまで排気した後、エッチングガスをプラズマ生成室１１に導入し、圧力制御装置３５を用いて、所定の圧力に合わせる。次いで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、プラズマ生成室１１にプラズマを発生させる。この時、マイクロ波と共鳴するような磁場強度（この場合は８７５ガウス）をプラズマ生成室１１内に発生させておく。このような状態にすることで、低圧で高密度なプラズマを発生させることができる。さらに、対向電極にイオンを加速し、電子を追い返すような電圧（この場合は、０Ｖと−４００Ｖ）を印加することで、イオンのみを被処理基板３２に加速しエッチングする。エッチング終了後、被処理基板を搬送するために、リフトピンを用い被処理基板を静電チャックから離脱させた。この時の圧力を制御するために、ガス導入口からＮ２ガスを１０ｃｃ／分から５００ｃｃ／分流し、圧力制御装置３５を用いて、圧力を５ｍＴｏｒｒから５Ｔｏｒｒまで変化させて放電を観察した。その結果、図２に示した結果と全く同じ放電の形態になった。また、圧力制御装置を用いずに、窒素ガスのみを流し調べた結果、やはり、被処理基板の離脱時の圧力のみに起因し、図２に示した結果と全く同じ結果が得られた。さらに、窒素ガスの代わりに、Ｈｅ、Ｃｌ２、Ａｒ、Ｏ２ガス等で確認した結果、窒素ガスと同様の結果が得られた。従って、被処理基板を電極から離脱させる時の圧力のみで放電は決定されており、被処理基板を離脱させる時の圧力を以下のように変化させ、デバイスの不良数との関係をとったところ、
　▲１▼　３ｍＴｏｒｒ（スパーク放電）
　▲２▼　５０ｍＴｏｒｒ（放電しない）
　▲３▼　０．１Ｔｏｒｒ（均一なグロー放電）
　▲４▼　１Ｔｏｒｒ（不均一なグロー放電）
▲１▼＞＞▲４▼＞▲３▼＞▲２▼の順で不良数が違っており、３ｍＴｏｒｒ以外は、全て大幅に不良数は減少しており、中でも５０ｍＴｏｒｒの時が最も良好な結果が得られた。
　【００３０】
　また、静電チャックを用いずに、メカニカルに被処理基板を保持しエッチングした結果（エッチング条件は上記と同様）、圧力制御せずに、３ｍＴｏｒｒ前後で被処理基板を離脱させると、発生頻度は減るものの、スパーク放電が発生する。また、圧力制御し、７ｍＴｏｒｒ以上とすると、不良を起こすスパーク放電は観察されなくなった。
　【００３１】
　次に、エッチングが終了したサンプルを用いて、プラズマに曝さずに搬送のみを行ったところ、圧力制御しない場合（３ｍＴｏｒｒ）、頻度は少なくなるものの、スパーク放電が観察され、不良数も多くなっていた。圧力制御した場合は、上記同様の結果が得られ、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されなくなった。
　また、図４に示すイオンビーム装置において、引き出し電極に上記実施例と逆の電圧（０Ｖと＋４００Ｖ）を印加し、エッチング後の基板を−に帯電させ、リフトピンを上げたところ、上記実施例と全く同様な現象が観察された。従って、電子ビームを用いた装置でも被処理基板と電極の離脱時の放電は発生し、デバイスの不良を起こしてしまうことが判る。
　【００３２】
　このように、被処理基板を電極から離脱させる際のスパーク放電の有無は、離脱時の圧力のみに決定されており、エッチングする膜が何であるかには依存していない。従って、ガスを流したり、圧力制御装置を用いて離脱時の圧力を制御することで、不良数を大幅に低減することが可能である。また、このスパーク放電の有無は、被処理基板が荷電粒子により処理（プラズマ、イオン、電子による処理）されたり、静電チャックで保持され、被処理基板に電荷が蓄積されて発生することが、上記実施例から判る。
（実施例６）
　実施例１〜実施例５においては、被処理基板をリフトピンを用いて電極から離脱させる方法について述べたが、リフトピンを用いずにガスを用いて離脱させる方法においてもＮ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｏ２等変化させ、離脱時の圧力を変化させた結果、リフトピンを用いた場合と同様な放電が観察された。
　【００３３】
　すなわち、７ｍＴｏｒｒ以上の圧力でスパーク放電は観察されず、不良数も７ｍＴｏｒｒ以上の圧力で大幅に減少した。
　このように、被処理基板を離脱させる方法として、リフトピンを用いたり、ガスを用いた場合でも全く同じ効果が得られ、離脱の方法に依らない事がわかる。
　【００３４】
　【発明の効果】
　本発明によれば、被処理基板を電極から離脱させる際、スパーク放電を生じ難くすることができ、素子領域のゲート絶縁膜等にダメージを与え難くして歩留りを向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の原理説明のための真空処理装置におけるリフトピンを上昇させた時の圧力を変化させた時に観察されるグロー放電を示す図である。
　【図２】
　本発明の原理説明のためのリフトピンを上昇させた時における圧力を変化させた時の放電状態を説明する図である。
　【図３】
　本発明の原理説明のためのリフトピンを上昇させた時における圧力を変化させた時の不良の割合を説明する図である。
　【図４】
　本発明に適用できるイオンビームを用いた真空処理装置の構成を示す概略図である。
　【図５】
　従来例のエッチング装置の構成を示す概略図である。
　【図６】
　図５に示すカソード電極の詳細を示す図である。
　【図７】
　従来例の課題を説明する図である。
　【符号の説明】
　１　　カソード電極
　２　　被処理基板
　３　　静電チャック
　４　　水冷ジャケット
　５　　穴
　６　　リフトピン
　１１　プラズマ生成室