【事件の表示】
　特許第３１８９５０８号「弾性表面波フィルタ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１８９５０８号の請求項２ないし３に係る特許を取り消す。
　同請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
【1】   手続きの経緯
　特許第3189508号の発明に係る出願は、平成5年7月8日に特許出願されたものであって、その発明の特許（請求項の数3）は平成13年5月18日に設定登録がなされ、平成13年7月16日に特許公報が発行され、平成14年1月10日に渡辺文雄からその特許（請求項1、2）について特許異議の申立がなされ、平成14年1月10日に市川久仁子からその特許（請求項1乃至3）について特許異議の申立がなされ、平成14年1月16日に田辺恵からその特許（請求項1、2）について特許異議の申立がなされ、その後、その特許（請求項1乃至3）について期間を指定して平成14年3月18日付で取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成14年12月9日に訂正請求がなされたものである。
　
【2】   訂正の適否についての判断
（1）訂正の内容
訂正事項ａ．
特許第３１８９５０８号発明の明細書中の特許請求の範囲を次の通り訂正する。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィル夕において、
前記弾性表面波共振子フィル夕の入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ボート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定され、前記弾性表面波共振子フィル夕を縦結合型弾性表面波フィル夕で構成するとともに前記縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にしたことを特徴とする、弾性表面波フィルタ。
【請求項２】圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィル夕の入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定されて、
前記圧電基板が３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３基板からなり、
前記１ポート型弾性表面波共振子の共振周波数をｆ。（ＭＨｚ）、電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ボート型表面波共振子が１個の場合には、
【数１】
Ｎ×Ａ／ｆ。 ≦３０−−−−（１）
を満たし、
前記１ポート型表面波共振子が複数個並列に接続された場合には、個々の共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が３０以下となるように、前記１ボート型表面波共振子のインターデジタルトランスデューサが構成されている、弾性表面波フィルタ。
【請求項３】圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定されて、
前記圧電基板が６４０Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３からなり、
前記１ボート型表面波共振子の共振周波数をｆ。（ＭＨｚ）、インターデジタルトランスデューサの電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ポート型表面波共振子が１個の場合には、
【数２】
Ｎ×Ａ／ｆ。　≦４５−−−−（２）
を満たし、
前記１ポート型表面波共振子が複数個並列に接続された場合には、個々の表面波共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が４５以下となるように、前記１ボート型表面波共振子のインターデジタルトランスデューサが構成されている、弾性表面波フイルタ。」と訂正する。
訂正事項ｂ．
特許第３１８９５０８号発明の明細書中の【００１１】欄を次の通り訂正する。
「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のＩＤＴを配置してなるＳＡＷ共振子フィルタにおいて、前記ＳＡＷフィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のＩＤＴを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子（以下、ＳＡＷ共振子）が並列に接続されており、かつ前記１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数がＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定され、前記ＳＡＷ共振子フィルタを縦結合型弾性表面波フィルタで構成するとともに前記縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にしたことを特徴とする、ＳＡＷフィル夕である。」と訂正する。
訂正事項ｃ．
特許第３１８９５０８号発明の明細書中の【００４１】欄を次の通り訂正する。
「【００４１】
なお、１ポート型ＳＡＷ共振子を複数個接続した場合には、個々の１ポートＳＡＷ共振子について（Ｎ×Ａ）／ｆ。を求め、その合計が上記Ｍの値となる。上記Ｍの値が大きくなるとインピーダンス整合範囲が狭くなり、挿入損失が増加する。インピーダンス不整合による挿入損失の増大分は、実用的には０．５ｄＢが限度であり、挿入損失増大量はこれ以下に抑えることが必要である。また、圧電基板の温度特性を考慮すると、比帯域は１％以上必要である。」と訂正する。
　
（2）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａの請求項1について、訂正前の弾性表面波フィルタを「弾性表面波共振子フィル夕を縦結合型弾性表面波フィル夕で構成するとともに前記縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にした」と限定するものであり、特許法第120条の4第2項ただし書き第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、この減縮に係る構成は、特許公報の段落【００４１】に記載されており、新規事項ではない。　
　同じく訂正事項ａの請求項2、3について、前記のとおり請求項1についての減縮が行われたことにより、訂正前の請求項1を引用した引用形式での記載を、単に引用しない独立形式の記載に訂正したものである。
　したがって、この請求項2、3についての訂正は、特許法第120条の4第2項ただし書き第3号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当し、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
　上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａの減縮に伴って、【課題を解決するための手段】の記載を整合させるために訂正するものである。したがって、訂正事項ｂは、特許法第120条の4第2項ただし書き第3号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当するものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって新規事項ではない。
　
　上記訂正事項ｃは、Ｍの値を「小さくなる」から「大きくなる」に訂正するものであって、特許法第120条の4第2項ただし書き第2号に規定する誤記の訂正に相当するものである。そして、この記載は図9、図10の記載及び明細書全般の記載からみて、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって新規事項ではない。
　
　よって、上記訂正事項ａ〜ｃはいずれも、新規事項には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（3）以上のとおり、上記訂正は、特許法第120条の4第2項及び第3項において準用する特許法第126条第2項及び第3項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
【3】   特許異議の申立てについて
（1）申立ての理由の概要
　異議申立人渡辺文雄は、本件発明の請求項1、2に対して、証拠方法として甲第1号証（平成2年4月16日発行日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第2回研究会資料）、甲第2号証（特開平4-94208号公報）、甲第3号証（1992年9月22日社団法人電子情報通信学会発行信学技報Ｖｏｌ．92　Ｎｏ．232）を提出し、本件発明の特許は第29条第2項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明の特許は同法第113条第2号の規定に該当し取り消すべき旨、同じく本件発明の請求項2に対して、特許法第36条第4、5項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明の特許は同法第113条第4号の規定に該当し取り消すべき旨、主張している。
　また、異議申立人市川久仁子は、本件発明の請求項1乃至3に対して、証拠方法として甲第1号証（特開平4-54011号公報）、甲第2号証（特開平4-94208号公報）、甲第3号証（日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第2回研究会資料、第32〜35ページ（昭和60年6月27日））、甲第4号証（電子情報通信学会、信学技報ＵＳ92−52、第9〜16ページ（1992年））、甲第5号証（特開平4-207615号公報）を提出し、本件発明の特許は第29条第2項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明の特許は同法第113条第2号の規定に該当し取り消すべき旨、同じく本件発明の請求項2、3に対して、特許法第36条第5項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明の特許は同法第113条第4号の規定に該当し取り消すべき旨、主張している。
また、異議申立人田辺恵は、本件発明の請求項1、2に対して、証拠として甲第1号証
（特開昭59-97216号公報）、甲第2号証（応用物理学会　第5回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演予稿集（昭和59年12月：第119〜120頁））を提出し、本件発明の特許は第29条第2項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明の特許は同法第113条第2号の規定に該当し取り消すべき旨、主張している。
（2）取消理由通知の概要
　当審で通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
「Ｉ．本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第36条第4項、第5項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　−−−略−−−
II. 本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
                       　　　　　　記 
刊行物1　　特開平4-94208号公報
刊行物2　　特開昭59-97216号公報
刊行物3　　1992年9月22日　社団法人電子情報通信学会発行　信学技報　       　　　　　　　　Vol.92 　No.232　p.9〜p.16
刊行物4　　特開平4-207625号公報
　　　　　　　　　−−−略−−− 」
【4】　当審の判断
（1）本件発明
　上記【2】 のとおり訂正が認められるから、本件の請求項1乃至3に係る発明（以下、「本件発明1」、「本件発明2」、「本件発明3」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項1乃至3に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィル夕において、
前記弾性表面波共振子フィル夕の入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ボート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定され、前記弾性表面波共振子フィル夕を縦結合型弾性表面波フィル夕で構成するとともに前記縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にしたことを特徴とする、弾性表面波フィルタ。
【請求項２】圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィル夕の入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定されて、
前記圧電基板が３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３基板からなり、
前記１ポート型弾性表面波共振子の共振周波数をｆ。（ＭＨｚ）、電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ボート型表面波共振子が１個の場合には、
【数１】
Ｎ×Ａ／ｆ。 ≦３０−−−−（１）
を満たし、
前記１ポート型表面波共振子が複数個並列に接続された場合には、個々の共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が３０以下となるように、前記１ボート型表面波共振子のインターデジタルトランスデューサが構成されている、弾性表面波フィルタ。
【請求項３】圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定されて、
前記圧電基板が６４０Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３からなり、
前記１ボート型表面波共振子の共振周波数をｆ。（ＭＨｚ）、インターデジタルトランスデューサの電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ポート型表面波共振子が１個の場合には、
【数２】
Ｎ×Ａ／ｆ。　≦４５−−−−（２）
を満たし、
前記１ポート型表面波共振子が複数個並列に接続された場合には、個々の表面波共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が４５以下となるように、前記１ボート型表面波共振子のインターデジタルトランスデューサが構成されている、弾性表面波フイルタ。」
　
（2）請求項1（特許法第29条第2項違反）について、
　
（2-1）引用刊行物に記載された発明
　当審が平成14年2月27日付で通知した取消しの理由で引用した刊行物1乃至4（特開平4-94208号公報、特開昭59-97216号公報、1992年9月22日　社団法人電子情報通信学会発行　信学技報　Vol．92　No．232　p.9〜p.16、特開平4-207625号公報）には以下のような事項が記載されている。
（イ）刊行物1（特開平4-94208号公報）には、圧電基板上に複数のインタ−デジタルトランスジュ−サを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、出力側に、低域側の遮断周波数近傍にその共振周波数を設定したSAW共振器を並列接続したSAW共振器フィルタ。（特許請求の範囲、第6頁左欄下第19行〜同頁右欄下第5行、第1図）
（ロ）刊行物2（特開昭59-97216号公報）には、圧電基板上に複数のすだれ状電極を配置し、入力または出力用すだれ状電極に、フィルタの減衰域に中心周波数をおいた不要波励振用すだれ状電極を、直列または並列に接続した弾性表面波フィルタ。（特許請求の範囲、第2頁右欄下第18行〜第19行、第3図）
（ハ）刊行物3、4（1992年9月22日　社団法人電子情報通信学会発行　信学技法　Vol．92　No．232　p.9〜p.16、特開平4-207625号公報）にはそれぞれ圧電基板に36°Yカット−LiTaO3、 64°Yカット −LiNbO3 を用いることが記載されている。（刊行物3については第12頁左欄中程、刊行物4については特許請求の範囲を参照）
　
（2-2）対比・判断
　本件発明1について、本件発明1と刊行物1に記載された発明とを比べると、刊行物1に記載された発明の「SAW共振器フィルタ」は本件発明1の「弾性表面波フィルタ」に相当するから、両者は、
「圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィル夕において、
前記弾性表面波共振子フィル夕の入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ボート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定され、前記弾性表面波共振子フィル夕を縦結合型弾性表面波フィル夕で構成する弾性表面波フィルタ。」で一致し、次の点で相違する。（ａ）弾性表面波フィルタが、本件発明1では、縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にしたと限定しているのに対して刊行物1に記載された発明のものはこの様な限定が付されていない点。
　次に、この相違点について検討する。
　上記刊行物2は不要波励振用すだれ状電極を直列または並列に接続する構成が開示されているにとどまるものであり、また上記刊行物3、4は、圧電基板に係るものであって、上記相違点 （ａ）についての本件発明1の構成は、上記刊行物1乃至4、及び本件異議申立てに係るその余の刊行物を参酌しても、何ら記載ないし示唆もされておらず、また、当業者に自明又は周知の事項でもない。そして、この相違点（ａ）に係る「比帯域を1％以上にした」構成が、1ポート型表面波共振子を並列に接続するものにおいて当業者の技術常識であるとも単なる設計上の事項であるとも認めることができない。
　したがって、本件発明1は、少なくとも上記相違点（ａ）に係る構成において当業者が容易に発明できたものでない。
　
（2-3）まとめ
　以上のとおり、請求項1については、特許法第29条第2項に違反するものではない。
　
（3）請求項2、3（特許法第36条第4、5項違反）について、
　
　請求項2について、平成14年3月18日付の当審での取消の理由の【1】の3、として、「「電極膜厚」が共振周波数に影響を与えるものであること、比帯域が「電極膜厚」その他によって変化するものであることから（1992年9月22日　社団法人電子情報通信学会発行　信学技報　Vol.92 No.232 p.9〜p.16（下記刊行物3）、特開平4-207615号公報（第3頁左欄、第3図、第4図）（下記刊行物4）参照）、比帯域が1％以上とするためにはN×A／foの値を30以下とすることによるのみでは達成されるものではなく、「電極膜厚」との関連構成を規定していない限り技術的意義が不明確な事項を規定するにすぎない。したがって、M ≦30や比帯域を規定するためには、少なくとも「電極膜厚」の要件を欠いており、発明の構成に欠くことができない事項が特許請求の範囲の請求項2に記載されていない。」点、
　また、請求項3について、同じく平成14年3月18日付の当審での拒絶の理由の【2】の6、として、「「電極膜厚」が共振周波数に影響を与えるものであること、比帯域が「電極膜厚」その他によって変化するものであることから（1992年9月22日　社団法人電子情報通信学会発行　信学技報　Vol.92 No.232 p.9〜p.16（下記刊行物3）、特開平4-207615号公報（第3頁左欄、第3図、第4図）（下記刊行物4）参照）、比帯域が1％以上とするためにはN×A／foの値を45以下とすることによるのみでは達成されるものではなく、「電極膜厚」との関連構成を規定していない限り技術的意義が不明確な事項を規定するにすぎない。したがって、M≦45や比帯域を規定するには、少なくとも「電極膜厚」の要件を欠いており、発明の構成に欠くことができない事項が特許請求の範囲の請求項3に記載されていない。」点を指摘した。
　これに対して特許権者は意見書を提出し、電極膜厚は実用的な膜厚の範囲であればよいから、電極膜厚は影響がないものである旨主張している。しかしながら、電極膜厚は比帯域を変動させるパラメータであり（この点は特許権者も認めるところである。）、電極膜厚の寸法の大小が本発明の目的とする挿入損失の特性とどのように関連するのか明細書に何ら開示されておらず、この電極膜厚と挿入損失及び比帯域との関連が不明確のままで、本発明の構成を前記「数1」「数2」の「N×A／fo≦30」「N×A／fo≦45」と規定することは、この構成に係る技術的意義も不明確なものとなるのであるから、本件発明2、3の構成は、依然として不明のままである。そして、この電極膜厚は単に実用上の範囲であれば良いとはいえず、「数1」「数2」を規定する構成だけで、挿入損失を少なくする等、比帯域が1％以上に達成される本発明の目的、作用効果を奏するものとなるのかどうか不明である。
　したがって、請求項2、3については、特許法第36条第4、5項に規定する要件を満たしていない。
　
（4）むすび
　以上のとおりであるから、異議申立人渡辺文雄、市川久仁子、田辺恵による異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項1についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項1を取り消すべき理由を発見しない。　
　さらに、本件請求項2及び3については、その発明の構成に欠くことができない事項が明確に記載されているものとはいえないから、本件請求項2及び3についての特許は、特許法第36条第4、5項の規定に違反してなされたものであり、本件請求項2及び3についての特許は、特許法第113条第4号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月２０日（２００２．６．２０）
【訂正の要旨】
▲１▼特許第３１８９５０８号発明の明細書中の特許時の特許請求の範囲を訂正する。訂正後の特許請求の範囲は次の通りである。
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定され
、前記弾性表面波共振子フィルタを縦結合型弾性表面波フィルタで構成するとともに前記縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にした
　【請求項２】　
圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定されて
　前記圧電基板が３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３基板からなり、
　前記１ポート型弾性表面波共振子の共振周波数をｆ０（ＭＨｚ）、電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ポート型表面波共振子が１個の場合には、
　【数１】
を満たし、
前記１ポート型表面波共振子が複数個並列に接続された場合には、個々の共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が３０以下となるように、前記１ポート型表面波共振子のインターデジタルトランスデューサが構成されている、弾性表面波フィルタ。
　【請求項３】　
圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定されて、
　前記圧電基板が６４°Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３からなり、
　前記１ポート型表面波共振子の共振周波数をｆ０（ＭＨｚ）、インターデジタルトランスデューサの電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ポート型表面波共振子が１個の場合には、
　【数２】
を満たし、
前記１ポート型表面波共振子が複数個並列に接続された場合には、個々の表面波共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が４５以下となるように、前記１ポート型表面波共振子のインターデジタルトランスデューサが構成されている
、
▲２▼特許第３１８９５０８号発明の明細書中の【００１１】欄を次の通り訂正する。
「【００１１】
　【課題を解決するための手段】本発明は、圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のＩＤＴを配置してなるＳＡＷ共振子フィルタにおいて、前記ＳＡＷフィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のＩＤＴを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子（以下、ＳＡＷ共振子）が並列に接続されており、かつ前記１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数がＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定され
、前記ＳＡＷ共振子フィルタを縦結合型弾性表面波フィルタで構成するとともに前記縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にした
▲３▼特許第３１８９５０８号発明の明細書中の【００４１】欄を次の通り訂正する。
「【００４１】
　なお、１ポート型ＳＡＷ共振子を複数個接続した場合には、個々の１ポートＳＡＷ共振子について（Ｎ×Ａ）／ｆ０を求め、その合計が上記Ｍの値となる。上記Ｍの値が
大きく
（５４）【発明の名称】
弾性表面波フィルタ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定され
、前記弾性表面波共振子フィルタを縦結合型弾性表面波フィルタで構成するとともに前記縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にした
　【請求項２】　
圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定されて
　前記圧電基板が３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３基板からなり、
　前記１ポート型弾性表面波共振子の共振周波数をｆ０（ＭＨｚ）、電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ポート型表面波共振子が１個の場合には、
　【数１】
を満たし、
前記１ポート型表面波共振子が複数個並列に接続された場合には、個々の共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が３０以下となるように、前記１ポート型表面波共振子のインターデジタルトランスデューサが構成されている、弾性表面波フィルタ。
　【請求項３】　
圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサを配置してなる弾性表面波共振子フィルタにおいて、
前記弾性表面波共振子フィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子が並列に接続されており、かつ前記１ポート型表面波共振子の共振周波数が弾性表面波共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定されて、
　前記圧電基板が６４°Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３からなり、
　前記１ポート型表面波共振子の共振周波数をｆ０（ＭＨｚ）、インターデジタルトランスデューサの電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ポート型表面波共振子が１個の場合には、
　【数２】
を満たし、
前記１ポート型表面波共振子が複数個並列に接続された場合には、個々の表面波共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が４５以下となるように、前記１ポート型表面波共振子のインターデジタルトランスデューサが構成されている
、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のインターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴ）を配置してなる弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタ）に関し、特に、通過帯域近傍における減衰量を高め得る構造を備えたＳＡＷフィルタに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】ＳＡＷフィルタは、小型であり、かつ急峻なフィルタ特性を有することを特徴としている。従って、従来より種々の構造のＳＡＷフィルタが提案され、使用されている。
　【０００３】図１は、従来の弾性表面波フィルタの一例として、３電極型ＳＡＷフィルタを示す略図的平面図である。ＳＡＷフィルタ１は、矩形の圧電基板２上に３個のＩＤＴ３〜５を配置した構造を有する。なお、６，７は反射器を示す。ＳＡＷフィルタ１では、ＩＤＴ３，５の一方の櫛歯電極が共通接続されて入力端とされており、ＩＤＴ４の一方の櫛歯電極が出力端とされている。ＩＤＴ３〜５の他方の櫛歯電極は、アース電位に接続されている。
　【０００４】図２は、従来のＳＡＷフィルタの他の例を示す略図的平面図である。ＳＡＷフィルタ８は、圧電基板２の上面に２個のＩＤＴ９，１０を表面波伝搬方向に沿って配置した構造を有する。ＩＤＴ９，１０の両側には反射器６，７が配置されている。この２電極型ＳＡＷフィルタ８では、ＩＤＴ９の一方の櫛歯電極が入力端として、ＩＤＴ１０の一方の櫛歯電極が出力端として用いられる。ＩＤＴ９，１０の他方の櫛歯電極はアース電位に接続されている。
　【０００５】図３は、従来のＳＡＷフィルタのさらに他の例を示す略図的平面図である。ＳＡＷフィルタ１１は矩形の圧電基板２の上面に表面波伝搬方向に沿って７個のＩＤＴ１２〜１８を配置した構造を有し、多電極形ＳＡＷフィルタと称されているものである。ＩＤＴ１２，１４，１６，１８の一方の櫛歯電極が共通接続されて入力端として用いられ、ＩＤＴ１３，１５，１７の一方の櫛歯電極が共通接続されて出力端として用いられている。また、ＩＤＴ１２〜１８の他方の櫛歯電極は、それぞれ、アース電位に接続される。
　【０００６】このような多電極型ＳＡＷフィルタ１１では、多数のＩＤＴ１２〜１８を配置してなるものであるため、挿入損失を低減することができる。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＳＡＷフィルタとして、挿入損失を低減するために種々の構造のものが提案されている。しかしながら、挿入損失の低減を図った場合、ＳＡＷフィルタの通過帯域近傍における減衰量があまり大きくならず、特に上記のような表面波共振子を用いたＳＡＷフィルタにおいては、通過帯域近傍の減衰量が小さいという問題があった。
　【０００８】通過帯域近傍における減衰量を高めるには、ＳＡＷフィルタの段数を増大し、多段接続すればよいと考えられる。しかしながら、ＳＡＷフィルタの段数を増大させた場合には、段数に比例して挿入損失が増加することになる。
　【０００９】従って、挿入損失を増大させることなく、通過帯域近傍における減衰量を大きくし得るＳＡＷフィルタの登場が望まれている。特に、携帯電話などの移動体通信においては、送信側及び受信側の周波数間隔が狭く、通過帯域近傍の減衰量を十分に確保する必要がある。しかしながら、従来のＳＡＷフィルタでは、このような要求を満たすことが困難であった。
　【００１０】本発明の目的は、通過帯域のフィルタ特性を損なうことなく、通過帯域近傍における減衰量、特に通過帯域の低域側における減衰量を高め得る構造を備えたＳＡＷフィルタを提供することにある。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】本発明は、圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のＩＤＴを配置してなるＳＡＷ共振子フィルタにおいて、前記ＳＡＷフィルタの入出力側の少なくとも一方側に、少なくとも１個のＩＤＴを有する少なくとも１個の１ポート型表面波共振子（以下、ＳＡＷ共振子）が並列に接続されており、かつ前記１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数がＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に設定され
、前記ＳＡＷ共振子フィルタを縦結合型弾性表面波フィルタで構成するとともに前記縦結合型弾性表面波フィルタの比帯域を１％以上にした
　【００１２】上記圧電基板上に表面波伝搬方向に沿って複数のＩＤＴを配置してなるＳＡＷフィルタとしては、前述したような２電極型もしくは３電極型のＳＡＷ共振子フィルタの他、多電極型ＳＡＷフィルタも含まれる。本発明では、上記のような各種ＳＡＷフィルタにおいて、上記少なくとも１個の１ポート型ＳＡＷ共振子が並列に接続されていることを特徴とする。
　【００１３】請求項２に記載の発明では、前記圧電基板が３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３基板からなり、前記１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数をｆ０（ＭＨｚ）、電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ポートＳＡＷ共振子が１個の場合には、下記の式
（１）
　【００１４】
　【数３】
　【００１５】を満たし、前記１ポート型ＳＡＷ共振子が複数個の場合には、個々の共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が３０以下となるように、前記１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴが構成されている。
　【００１６】また、請求項３の記載の発明では、前記圧電基板が６４°Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３からなり、前記１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数をｆ０（ＭＨｚ）、インターデジタルトランスデューサの電極指の対数をＮ、交差幅をＡ（μｍ）としたときに、１ポート型ＳＡＷ共振子が１個の場合には、下記の式（２）
　【００１７】
　【数４】
　【００１８】を満たし、前記１ポート型ＳＡＷ共振子が複数個の場合には、個々のＳＡＷ共振子の（Ｎ×Ａ）／ｆ０の合計が４５以下となるように、前記１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴが構成されている。
　【００１９】
　【作用】請求項１に記載の発明では、ＳＡＷフィルタの入出力側の少なくとも一方に、少なくとも１個の上記１ポート型ＳＡＷ共振子が並列に接続されている。この１ポート型ＳＡＷ共振子は、その共振周波数ｆ０がＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に位置するように構成されている。従ってＳＡＷフィルタ全体の通過帯域特性において、通過帯域の低周波数側において上記１ポート型ＳＡＷ共振子の共振点が位置するため、通過帯域の低域側における減衰量が高められる。請求項２に記載の発明では、後述の実施例から明らかなように、３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を用いたＳＡＷフィルタにおいて、上述した式（１）を満たすように１ポート型ＳＡＷ共振子が構成されているので、挿入損失をあまり増大させることなく、通過帯域の低域側における減衰量を効果的に改善することができる。
　【００２０】同様に、請求項３に記載の発明では、Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３基板を用いたＳＡＷフィルタにおいて、上述した式（２）を満たすように上記１ポート型ＳＡＷ共振子が構成されているため、請求項２に記載の発明の場合と同様に、挿入損失をあまり増大させることなく、通過帯域の低域側における減衰量を著しく改善することができる。
　【００２１】なお、上記請求項２，３に記載の発明における式（１）及び（２）は、後述の実施例から明らかなように、本願発明者により理論的に確かめられたものである。
　【００２２】
　【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
　【００２３】図４は、本発明の第１の実施例に係るＳＡＷフィルタを示す略図的平面図である。ＳＡＷフィルタ２１は、矩形の圧電基板２２を用いて構成されている。圧電基板２２の上面２２ａ上には、端縁２２ｂ側において、複数のＩＤＴ２３〜２９が表面波伝搬方向に沿って配置されている。
　【００２４】ＩＤＴ２３〜２９は、多電極型ＳＡＷフィルタを構成するために設けられている。ＩＤＴ２３，２５，２７，２９の一方の櫛歯電極は、図示のように共通接続されて入力端として用いられる。ＩＤＴ２３，２５，２７，２９の他方の櫛歯電極は、図示のようにアース電位に接続される。
　【００２５】また、ＩＤＴ２４，２６，２８の一方の櫛歯電極は、図示のように共通接続されて、出力端に接続される。ＩＤＴ２４，２６，２８の他方の櫛歯電極は、図示のようにアース電位に接続される。
　【００２６】ここまでは、図３に示した従来の多電極型ＳＡＷフィルタ１１と同様である。本実施例の特徴は、出力側において上記ＩＤＴ２３〜２９で構成される多電極型ＳＡＷフィルタに並列に、１ポート型ＳＡＷ共振子３０が接続されていることにある。１ポート型ＳＡＷ共振子３０は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対の櫛歯電極３０ａ，３０ｂからなり、一方の櫛歯電極３０ａが出力端に、他方の櫛歯電極３０ｂがアース電位に接続されている。
　【００２７】本実施例では、上記１ポート型ＳＡＷ共振子３０の共振周波数ｆ０が、ＩＤＴ２３〜２９で構成される多電極型ＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に位置するように構成されている。従って、ＳＡＷフィルタ２１のフィルタ特性において、通過帯域の低域側における減衰量を高めることが可能とされている。
　【００２８】図５は、本発明の第２の実施例に係るＳＡＷフィルタ３１を示す略図的平面図である。矩形の圧電基板３２の上面３２ａ上に２個のＩＤＴ３３，３４が配置されている。ＩＤＴ３３の一方の櫛歯電極が入力端に、他方の櫛歯電極がアース電位に接続されている。ＩＤＴ３４の一方の櫛歯電極は出力端に、他方の櫛歯電極がアース電位に接続されている。また、３５，３６は反射器を示す。すなわち、ＩＤＴ３３，３４及び反射器３５，３６により、図２に示した２電極型ＳＡＷフィルタと同一の構造が構成されている。
　【００２９】本実施例では、上記出力側においてＳＡＷフィルタと並列に、２個の１ポート型ＳＡＷ共振子３７，３８が接続されている。ＳＡＷ共振子３７，３８は、第１の実施例のＳＡＷ共振子３０と同様に、それぞれ、一対の櫛歯電極３７ａ，３７ｂ，３８ａ，３８ｂを有する。また、一方の櫛歯電極３７ａ，３８ａが出力端に、他方の櫛歯電極３７ｂ，３８ｂがアース電位に接続されている。
　【００３０】第２の実施例においても、１ポート型ＳＡＷ共振子３７，３８は、それぞれ、その共振周波数が２電極型ＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数域側に位置するように設計されている。従って、第１の実施例の場合と同様に、１ポート型表面波共振子３７，３８の共振点が２電極型ＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に位置するため、通過帯域よりも低周波数側における減衰量を増大させることが可能とされている。
　【００３１】図６は、本発明の第３の実施例に係るＳＡＷフィルタを示す略図的平面図である。ＳＡＷフィルタ４１は、矩形の圧電基板４２を用いて構成されている。圧電基板４２の上面４２ａ上には、中央において３電極型弾性表面波フィルタが構成されている。すなわち、ＩＤＴ４３〜４５が弾性表面波伝搬方向に沿って配置されている。ＩＤＴ４４の一方の櫛歯電極が入力端に、ＩＤＴ４３，４５の一方の櫛歯電極が出力端に接続されている。また、ＩＤＴ４３〜４５の他方の櫛歯電極は、それぞれ、アース電位に接続されている。４６，４７は、反射器を示す。
　【００３２】本実施例の特徴は、上記入力側においてＳＡＷフィルタに並列に１個の１ポート型表面波共振子４８が接続されており、出力側にも１個の１ポート型ＳＡＷ共振子４９が並列に接続されていることにある。
　【００３３】１ポート型ＳＡＷ共振子４８，４９は、ＩＤＴ４３〜４５を用いて構成された３電極型ＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に共振周波数ｆ０を有するように構成されている。
　【００３４】従って、第３の実施例においても、１ポート型ＳＡＷ共振子４８，４９を付加したことにより、通過帯域よりも低周波数側における減衰量が増大される。なお、第２，第３の実施例のように、複数の１ポート型ＳＡＷ共振子を接続する場合には、共振周波数やインピーダンスの異なるＳＡＷ共振子を用いることにより、ＳＡＷフィルタ全体の特性を所望の特性により一層近づけることができる。
　【００３５】なお、上述した第１〜第３の実施例において圧電基板２２，３２，４２としては、従来より公知の圧電セラミックスからなるもの、あるいは絶縁性基板上に圧電薄膜を形成したもの等を用いることができ、絶縁性基板上に圧電性薄膜を形成した構造にあっては、各ＩＤＴ及び反射器は圧電薄膜の上面及び下面のいずれに形成されていてもよい。
　【００３６】次に、本発明の動作原理を、具体的な実験結果に基づき説明する。１ポート型ＳＡＷ共振子は、一般に、図７に示す等価回路で表される。図７を参照して、１ポート型ＳＡＷ共振子５１は、互いに直列に接続されたインダクタンスＬ１、容量Ｃ１及び抵抗Ｒ１と、該インダクタンスＬ１、容量Ｃ１及び抵抗Ｒ１に並列に接続された容量Ｃ０とを有する。このＳＡＷ共振子５１のインピーダンス−周波数特性は図８に示す通りであり、共振周波数ｆ０付近でインピーダンスが最小値となり、反共振子周波数ｆａ付近でインピーダンスが最大値となる。
　【００３７】前述した多電極型ＳＡＷフィルタや２電極型もしくは３電極型ＳＡＷフィルタにおいて、上記１ポート型ＳＡＷ共振子を入出力側の少なくとも一方において並列に接続した場合、１ポート型ＳＡＷ共振子の反共振周波数ｆａをＳＡＷフィルタの通過帯域内に位置させることにより、挿入損失をあまり増加させることなく、通過帯域を構成することができる。
　【００３８】また、上記の場合、１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数ｆ０付近では、入力インピーダンスが短絡状態に近くなり、減衰極を構成する。従って、共振周波数ｆ０では、通過帯域の低域側における減衰量を増大させることができる。
　【００３９】このとき、付加される１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数におけるインピーダンスが小さい程、減衰量を増大させる効果は大きくなる。もっとも、１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数におけるインピーダンスが小さすぎる場合には、ＳＡＷフィルタのインピーダンス整合範囲が狭くなり、挿入損失が悪化する。従って、以下の実験例で示されるように、ＳＡＷフィルタの構成に応じて付加すべき１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴを設計することが望ましい。
　【００４０】いま、１ポート型表面波共振子の共振周波数をｆ０（ＭＨｚ）、電極指の対数をＮ（対）、交差幅をＡ（μｍ）とすると、Ｍ＝（Ｎ×Ａ）／ｆ０は、表面波共振子の電極間容量を周波数で規格化した値に比例した量となる。
　【００４１】なお、１ポート型ＳＡＷ共振子を複数個接続した場合には、個々の１ポートＳＡＷ共振子について（Ｎ×Ａ）／ｆ０を求め、その合計が上記Ｍの値となる。上記Ｍの値が
大きく
　【００４２】図９は、圧電基板として３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３基板を用いた場合に、上記Ｍの値を変動させたときに挿入損失の悪化が０．５ｄＢ以内に収まる比帯域を計算した結果を示す図である。図９から明らかなように、比帯域を１％以上確保するには、Ｍの値を３０以下とする必要がある。
　【００４３】図１０は、６４°Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３基板を用い、上記Ｍの値を変動させた場合の挿入損失の変化を示す図である。図１０から明らかなように、比帯域を１％以上確保するには、Ｍの値を４５以下とする必要のあることがわかる。
　【００４４】上記のように、挿入損失の増大を避けるには、上記Ｍ値を圧電基板材料に応じてある値以下とするように１ポート型ＳＡＷ共振子の電極構造を設計することが望ましい。
　【００４５】次に、図４に示した第１の実施例のＳＡＷフィルタの変形例について具体的に挿入損失−周波数特性を測定した実験例につき説明する。図４に示した第１の実施例のＳＡＷフィルタ２１では、出力側に１個のＳＡＷ共振子３０が接続されていたが、このＳＡＷ共振子３０を接続しない場合の挿入損失−周波数特性を図１１に示す。
　【００４６】また、上記図１１の特性を測定したＳＡＷフィルタの出力側に、図４に示したＳＡＷ共振子３０を４個接続した実施例のＳＡＷフィルタを作製し、同様に挿入損失−周波数特性を測定した。結果を図１２に示す。
　【００４７】なお、図１１及び図１２において、実線Ａは、それぞれ、通過帯域の要部を拡大して示す特性曲線であり挿入損失の大きさは図１１及び図１２の右側に示されているスケールにより表されている。
　【００４８】図１１及び図１２の比較から明らかなように、４個の１ポート型ＳＡＷ共振子を接続した実施例の構造では、通過帯域の低域側における減衰量が約５〜１０ｄＢ改善されることがわかる。
　【００４９】
　【発明の効果】請求項１に記載の発明では、ＳＡＷフィルタの入出力側の少なくとも一方に、少なくとも１個の１ポート型ＳＡＷ共振子が並列に接続されており、かつ該１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数がＳＡＷフィルタの通過帯域よりも低周波数側に位置するように１ポート型ＳＡＷ共振子が設計されているため、通過帯域外の減衰量が約５〜１０ｄＢ改善され、特に、通過帯域近傍の通過帯域よりも低周波数側における減衰量を著しく改善することができる。従って、通過帯域に比べて減衰域における減衰量が増大されるため、すなわち、フィルタ特性の急峻性が高められる。よって、携帯電話機における送受信側の周波数のように、周波数間隔の狭い用途に用いるのに適したＳＡＷフィルタを提供することが可能となる。
　【００５０】また、請求項２に記載の発明では、３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３を圧電基板材料として用いた場合、上述した式（１）を満たすように１ポート型ＳＡＷ共振子を設計することにより、あるいは請求項３に記載のように６４°Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３を圧電基板材料として用いた場合には上述した式（２）を満たすように１ポート型ＳＡＷ共振子を設計することにより、挿入損失を増大させることなく請求項１に記載の発明のように通過帯域外における減衰量、特に通過帯域よりも低周波数域における減衰量を効果的に高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】従来の３電極型ＳＡＷフィルタを示す略図的平面図。
　【図２】従来の２電極型ＳＡＷフィルタを示す略図的平面図。
　【図３】従来の多電極型ＳＡＷフィルタを示す略図的平面図。
　【図４】第１の実施例に係るＳＡＷフィルタを説明するための略図的平面図。
　【図５】第２の実施例に係るＳＡＷフィルタを示す略図的平面図。
　【図６】第３の実施例に係るＳＡＷフィルタを示す略図的平面図。
　【図７】１ポート型ＳＡＷ共振子の等価回路を示す図。
　【図８】１ポート型ＳＡＷ共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図。
　【図９】３６°Ｙカット−ＬｉＴａＯ３基板を用い、Ｍの値を変動させた場合の挿入損失の変化を示す図。
　【図１０】６４°Ｙカット−ＬｉＮｂＯ３基板を用い、Ｍの値を変動させた場合の挿入損失を変化を示す図。
　【図１１】比較のために用意した従来のＳＡＷフィルタの挿入損失−周波数特性を示す図。
　【図１２】４個の１ポート型ＳＡＷ共振子を接続した実施例のＳＡＷフィルタの挿入損失−周波数特性を示す図。
　【符号の説明】
　２１…ＳＡＷフィルタ
　２２…圧電基板
　２３〜３９…ＩＤＴ
　３０…１ポート型ＳＡＷ共振子
　３１…ＳＡＷフィルタ
　３２…圧電基板
　３３，３４…ＩＤＴ
　３５，３６…反射器
　３７，３８…１ポート型ＳＡＷ共振子
　４１…ＳＡＷフィルタ
　４２…圧電基板
　４３〜４５…ＩＤＴ
　４６，４７…反射器
　４８，４９…１ポート型ＳＡＷ共振子
　５１…１ポート型ＳＡＷ共振子