【事件の表示】
　特願２０１０−２８２５７４「微細スルーホールを有するプリント配線基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　５月　６日出願公開、特開２０１１−　９１４２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、２００６年９月４日（優先権主張：２００５年９月１５日、日本国）を国際出願日とする特願２００７−５３５４２４号（以下、「原出願」という。）の一部を平成２２年１２月２０日に新たな特許出願としたものであって、 平成２５年３月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年４月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　 　 
２．本願発明 
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２４年９月１８日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
無電解めっきされた直径２００μｍ以下の微細スルーホールを有するプリント配線基板であって、該プリント配線基板は分子内に貴金属を捕捉しえる官能基を有する化合物と貴金属化合物とからなる無電解めっき触媒を含む溶液で処理され、該配線基板のスルーホール側壁を含む被めっき面に触媒が付与された後、無電解めっきされたことを特徴とする、微細スルーホールの側壁においてもボイド発生なく無電解めっきされた直径２００μｍ以下の微細スルーホールを有するプリント配線基板。」
　
３．引用文献の記載事項 
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１−２７９７６４号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。 
ア．「１．２価のパラジウム化合物と低級アルキルアミン及びアミノピリジンとを、パラジウム化合物と低級アルキルアミンのモル比が1：1〜1：20、パラジウム化合物とアミノピリジンのモル比が1：0.5〜1：10となるようにアルカリ水溶液中で混合し、更にシランカップリング剤を、パラジウム化合物とシランカップリング剤のモル比が1：0.001〜1：0.05となるように添加して得られる無電解めっき用触媒。」（特許請求の範囲）
　
イ．「一般的に多層印刷回路板、特に高密度多層印刷回路板は、次のようにしてつくられる。」（１頁左下欄１９〜２０行）
　
ウ．「本発明は、ハローイング現象が発生せず、かつ、穴内のつきまわり性に優れた無電解めっき用触媒を提供することができる。」（２頁右上欄５行〜７行）
　
エ．「シランカップリング剤としては、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシランカップリング剤、及びγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシシランカップリング剤が使用される。」（２頁左下欄１７行〜同右下欄３行）
　
オ．「実施例１
　銅張りガラスエポキシ４層板（厚さ1.6mm）に穴径φ0.3の穴あけを行い洗浄後、塩化パラジウム0.05％（重量％以下同じ）、モノメチルアミン（40％水溶液）0.05％、２−アミノピリジン0.15％、水酸化ナトリウム0.1％、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン0.01％を含む30℃の水溶液で揺動しながら５分間処理を行い、液切を行った後、ジメチルアミンボラン0.1％、水酸化ナトリウム0.5％を含む30℃の水溶液で揺動しながら５分間処理を行った。次に無電解銅めっき液CUST-201（日立化成工業株式会社、商品名）で20分間処理した後水洗乾燥を行った。無電解銅めっきは銅張りガラスエポキシ４層板の穴に均一に析出し、バックライト試験による光の透過はみられなかった。また内層回路の侵食現象もみられなかった。」（３頁左上欄１７行〜同右上欄１３行）
　
カ．「本発明に於ては次の効果が達成される。
　ひとつは、高密度多層配線板の内層回路を浸食しないことであり、もうひとつは、高密度多層配線板の穴に高つきまわりの均一なめっきが得られるということである。」（３頁右下欄４行〜８行）
　
キ．記載事項オ．の「銅張りガラスエポキシ４層板（厚さ1.6mm）に穴径φ0.3の穴あけを行い」との記載から、「穴径φ0.3」は「穴径φ0.3mm」を意味するものであり、μｍに換算すると３００μｍであることが理解できる。
　
ク．記載事項ウの「穴内のつきまわり性に優れた無電解めっき用触媒を提供する」及び記載事項カの「穴に高つきまわりの均一なめっきが得られる」の「穴内」及び「穴」は「穴内面」であることが理解できる。
　
　以上の記載事項からみて、本願発明の記載ぶりに倣って整理すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　 
「無電解めっきされた穴径φ３００μｍの穴を有する高密度多層印刷回路板であって、該高密度多層印刷回路板は、モノメチルアミン、２−アミノピリジン、水酸化ナトリウム、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランと塩化パラジウムとからなる無電解めっき用触媒を含む水溶液で処理され、該高密度多層印刷回路板の穴内面に触媒が付与された後、無電解めっきされ、穴内面に高つきまわりの均一な無電解めっきがされた直径３００μｍの穴を有する高密度多層印刷回路板。」
 
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物であるＷＯ０１／４９８９８（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
サ．「１．　金属めっき方法であって、
　金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物をあらかじめ混合又は反応させて前処理剤を調製し、
　上記前処理剤で被めっき物を表面処理した後、
　上記被めっき物を無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法」（請求の範囲）
　
シ．「本発明は、半導体ウェハー上に銅配線を形成するための無電解めっき方法に関し、特に半導体ウェハー上に形成された微細なビアあるいはトレンチを、ボイドやシーム等の欠陥を発生させずに埋め込むことができる半導体ウェハーに好適な無電解めっき方法に関する。」（１頁５行〜８行）
　
　以上の記載事項、図面からみて、引用文献２には、次の事項（以下、「引用文献２に記載されている事項」という。）が記載されている。
　
「金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物をあらかじめ混合又は反応させて前処理剤を調製し、上記前処理剤で被めっき物を表面処理した後、上記被めっき物を無電解めっきして、半導体ウェハー上に形成された微細なビアあるいはトレンチを、ボイドやシーム等の欠陥を発生させずに埋め込む点。」
　
４．対比 
　本願発明と引用発明を対比すると、その意味、機能または構造からみて、
　後者の「無電解めっきされた穴径φ３００μｍの穴を有する高密度多層印刷回路板」と前者の「無電解めっきされた直径２００μｍ以下の微細スルーホールを有するプリント配線基板」とは、「無電解めっきされたスルーホールを有するプリント配線基板」という限りにおいて共通する。
　後者の「γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン」は、シランカップリング剤であり、前者の「分子内に貴金属を捕捉しえる官能基を有する化合物」として本願明細書段落【００１３】には「分子内に貴金属を捕捉しえる官能基を有する化合物として好ましいものは、シランカップリング剤であり」と記載されているので、後者の「γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン」は前者の「分子内に貴金属を捕捉しえる官能基を有する化合物」に相当し、前者の「貴金属化合物」として本願明細書段落【００２０】に塩化パラジウムが記載されているから、後者の「塩化パラジウム」は前者の「貴金属化合物」に相当するので、後者の「モノメチルアミン、２−アミノピリジン、水酸化ナトリウム、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランと塩化パラジウムとからなる」「無電解めっき用触媒」と前者の「分子内に貴金属を捕捉しえる官能基を有する化合物と貴金属化合物とからなる」「無電解めっき触媒」とは、「分子内に貴金属を捕捉しえる官能基を有する化合物と貴金属化合物とを含む」「無電解めっき触媒」という限りにおいて共通する。
　また、後者の「水溶液」は前者の「溶液」に含まれ、後者の「穴内面」は前者の「スルーホール側壁」及び「スルーホール側壁を含む被めっき面」に相当する。
　
　そうすると、両者は本願発明の用語を用いて表現すると、次の点で一致する。
［一致点］ 
「無電解めっきされたスルーホールを有するプリント配線基板であって、該プリント配線基板は分子内に貴金属を捕捉しえる官能基を有する化合物と貴金属化合物とを含む無電解めっき触媒を含む溶液で処理され、該配線基板のスルーホール側壁を含む被めっき面に触媒が付与された後、無電解めっきされたプリント配線基板。」
　
　そして、両者は次の点で相違する。 
［相違点１］ 
　本願発明は、分子内に貴金属を捕捉しえる官能基を有する化合物と貴金属化合物とからなる無電解めっき触媒であるのに対し、
　引用発明は、モノメチルアミン、２−アミノピリジン、水酸化ナトリウム、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランと塩化パラジウムとからなる無電解めっき用触媒である点。
　
［相違点２］
　本願発明のスルーホールは、「直径２００μｍ以下の微細スルーホール」であり、「微細スルーホールの側壁においてもボイド発生なく」無電解めっきされるのに対し、
　引用発明の穴は、「穴径φ３００μｍの穴」であり、「穴内面に高つきまわりの均一な」無電解めっきがされる点。　
　
５．判断 
（１）上記相違点１の検討
　引用文献２には、３．（２）のとおり、「金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物をあらかじめ混合又は反応させて前処理剤を調製し、上記前処理剤で被めっき物を表面処理した後、上記被めっき物を無電解めっきして、半導体ウェハー上に形成された微細なビアあるいはトレンチを、ボイドやシーム等の欠陥を発生させずに埋め込む点。」が記載されている。引用文献２に記載されている事項の「前処理剤」は、引用発明の「無電解めっき用触媒」に相当するものであり、かつ、金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物とからなる無電解めっき用触媒といえる。
　そして、引用文献２に記載された事項は、引用発明と同じ配線用の穴内面に無電解めっきをする技術に関するものであり、かつ、引用発明と同様に無電解めっきをする前に触媒により表面処理を行うことで、めっきの欠陥の防止を図るものであるから、引用発明の「無電解めっき用触媒」を引用文献２に記載されている事項の「前処理剤」に置換することは可能であり、また、めっきの欠陥としてボイドの発生も防止するために、引用発明の「無電解めっき用触媒」に代えて引用文献２に記載されている事項の「前処理剤」を採用する動機付けはあるといえる。
　よって、引用発明の「モノメチルアミン、２−アミノピリジン、水酸化ナトリウム、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランと塩化パラジウムとからなる無電解めっき用触媒」に代えて引用文献２に記載されている事項の「金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物とからなる前処理剤」を採用し、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）上記相違点２の検討
　引用発明は、高密度多層印刷回路板の穴径φ３００μｍの穴内面に無電解めっきを行うものであるが、小型化、高性能化に伴う素子の高密度化配置により微細なスルーホールを必要とすることは、特開平１１−１８９８８０号公報（段落【０００３】，【００４４】）等に示されるように技術常識であるとともに、スルーホールとして直径が０．２ｍｍ以下のものも周知・慣用な事項である。
　そして、引用発明は、高密度化の要請により、スルーホールの穴として、周知・慣用である穴径φ３００μｍより小さい穴を採用する動機付けは十分にあるので、引用発明において、穴径φ３００μｍに代えて穴径φ２００μｍ以下の穴にすることは当業者であれば適宜になし得ることである。
　また、相違点１で検討したとおり、引用発明の「無電解めっき用触媒」に代えて引用文献２に記載されている事項の「前処理剤」を採用すれば、ボイドが生じなくなるものである。
　よって、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（３）作用効果について
　本願発明の奏する作用効果は、引用発明、引用文献２に記載されている事項及び周知技術から、当業者が予測できる範囲内のものであって、格別ではない。 
　
（４）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載されている事項及び周知技術に基づいて容易に発明できたものである。
　　 
６．むすび 
　以上総合すると、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明、引用文献２に記載されている事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができない以上、本願の請求項２ないし４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。