【事件の表示】
　特許第３２４４６３３号「電子線描画方法及び電子線描画装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２４４６３３号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３２４４６３３号は、平成８年９月５日に特許出願され、平成１３年１０月２６日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人中田美代子から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１１月１９日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年３月４日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要　
　異議申立人中田美代子は、甲第１号証（Electron-beam direct writing of n-MOS devices and analysis of overlay and linewidth accuracies; S. Okazaki, F. Mulai, Y. Takeda, K. Mochiji, E. Takeda, H. Kume, S. Asai;J ournal of Vacuum ScienceTechnology, 19(4)）、甲第２号証（特開平6-275496号公報）、甲第３号証（特願平8-89357号（特開平9-283404号公報参照））及び甲第４号証（特開平8-97114号公報）を提出し、以下の理由により、本件請求項１〜６に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　請求項１に係る発明及び請求項１を引用する請求項５に係る発明は、甲第２号証記載の発明と同一であるから、本件請求項１及び請求項５に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものである。
　本件請求項１、本件請求項２、本件請求項４及び本件請求項５に係る発明のうち請求項１、請求項２、請求項４を引用する発明及び本件請求項６に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項１、本件請求項２、本件請求項４、本件請求項５に係る発明及び本件請求項６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項３に係る発明及び本件請求項５に係る発明のうち請求項３の電子線描画方法を用いた発明は、甲第１号証、甲第２号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものあるから、本件請求項３に係る発明及び本件請求項５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項１、本件請求項２及び本件請求項５のうち請求項１及び請求項２を引用する部分は、特許異議申立書に記載された理由により、その出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された上記の先願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、本件請求項１、本件請求項２及び本件請求項５は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
１．２　異議申立人中田美代子が提出した甲第１〜４号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証第９２７頁左欄２３行目〜２５行目には、「この研究で使用した電子線直接描画装置は、電磁ポストレンズ偏向を有するベクタスキャン装置である。」と記載され、同号証第９２９頁左欄２０行目〜２３行目には、「レジストレーションマークは処理の第一歩にてパターン化され、４〜８ステップの電子ビーム描画を含む製造処理の間中、保存される。」と記載され、同号証第９３０頁左欄１７行目〜３０行目には、「ＩＶ．結果と議論
　レジストレーション精度は、レーザー光線走査方法（ニコン製の ＬＡＭＰＡＳ）を使用して、特に設計されたレジストレーション・テストパターンによって測定された。図４は前の層パターンの相対的なレジストレーションエラ一の一例を示すことによって、ウェハーマーク・レジストレーション処理の結果を示している。前の層パターン位置からの変位が示されている。各格子点は各チップ上のある点を表す。ウェハーサイズは３インチで、チップサイズは６×９ｍｍであった。変位の平均値は非常に小さく、標準偏差はｘ軸とｙ軸の両方について０．１２μｍであった。図５は完成した回路の電子顕微鏡写真であり、何層かの間で良い重ね合わせ精度を示している。」と記載され、図１にはウェハーと複数のチップが図示されている。
　同号証第９２７頁右欄１７行目〜第９２８頁左欄４行目には、「チップバイチップレジストレーション処理によるマーク位置は図１（ｂ）に示されている。チップマークは１０μｍ平方である。２つのウェハマークは、ウェハの回転角を計測するために、ウェハの下側に配置されている。チップバイチップレジストレーションのレジストレーションアルゴリズムは、ウェハレジストレーションと同じである。これらのレジストレーション手順の違いは、単にマーク間の距離に過ぎない。チップバイチップレジストレーションのレジストレーション精度は、ウェハマークレジストレーションよりもよいと予想される。
　検出されたマーク位置は、次の式に従って補間（ｉｎｔｅｒｐｏｌａｔｅ）される。
　Ｕ′Ｍｎ＝（１＋ρ１，２）ＵＭｎ＋ρ１，３ＶＭｎ＋
ρ１，４Ｕ２Ｍｎ＋ρ１，５ＵＭｎＶＭｎ＋ρ１，６Ｖ２Ｍｎ　Ｖ′Ｍｎ＝ρ２，２ＵＭｎ＋（１＋ρ２，３）ＶＭｎ＋
ρ２，４Ｕ２Ｍｎ＋ρ２，５ＵＭｎＶＭｎ＋ρ２，６Ｖ２Ｍｎ　ここで、（ＵＭｎ，ＶＭｎ）は設計上のマーク位置であり、（Ｕ′Ｍｎ，Ｖ′Ｍｎ）はウエハ上の実際のマーク位置である。ρｉ，ｊは最小自乗法で決定された。第１のマーク（Ｕ′Ｍ１，Ｖ′Ｍ１）の位置は、ウェハ上の座標系の原点としてセットされた。」と記載されている。
　同号証第９２８頁左欄５行目〜右欄２行目には、「仮に、ウェハ上に２つのウェハマークだけが存在する場合、我々は
　Ｕ′Ｍ２＝（１＋ρ１，２）ＵＭ２＋ρ１，３ＶＭ２　　Ｖ′Ｍ２＝ρ２，２ＵＭ２＋（１＋ρ２，３）ＶＭ２を得る。
　ρ１，２＝ρ２，３，ρ１，３＝ρ２，２と仮定する。この場合、ウェハ回転と熱膨張のような線形成分を補正することができる。３つのウェハマークは、非直交性の補正を可能にする。台形歪は４つのウェハマークを用いることによって補正することができ、６以上のウェハマークならば、高次項を補正できる。設計上のチップマーク位置と実際のチップマーク位置の関係もウェハレジストレーション手順と同じである。」と記載されている。
　同号証第９２７頁右欄５行目〜７行目には、「このシステムでは、２つのレジストレーション手順、即ち、ウェハレジストレーション手順とチップバイチップ手順を処理することができる。」と記載されている。
　同号証第９３０頁左欄３１行目〜３５行目には、「幾つかの測定値とレジストレーション処理は、レジストレーション誤差の原因を分離するために工夫を凝らされた。表１はウェハーマークレジストレーション処理の解析結果を示しいる。レジストレーション精度に影響のある多数のパラメータが存在している。」と記載され、表１には重ね合わせ精度が示されている。
　同号証第９２７頁上欄１５行目〜１７行目には、「電子線直接描画は卓越した線幅制御と重ね合わせ精度を提供することが判った。３シグマ値は、それぞれ０．１μｍと０．５μｍである。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
 甲第２号証の【０１２２】段落には、「本発明はステップ・アンド・リピート方式の露光装置（例えば縮小投影型のステッパーや等倍投影型のステッパー）のみならず、所謂ステップ・アンド・スキャン露光方式の露光装置、又はプロキシミティタイプのステッパー（Ｘ線露光装置等）等にも広く適用できるものである。」と記載されている。
　甲第２号証の【００１０】段落には、「本発明は斯かる点に鑑み、統計的手法を用いて予測した配列座標に基づいて感光基板上の各ショット領域とレチクルとの位置合わせを行う方法において、各ショット領域に転写されるチップパターン自体の伸縮や回転などの影響を小さく抑え、感光基板上の各ショット領域のチップパターンとレチクルのパターンの投影像とをより高精度に重ね合わせることができるようにすることを目的とする。」と記載されている。
　甲第２号証の【００２８】段落には、「各ショット領域２７−ｎには、それぞれ４個の位置合わせ用のアライメントマーク２９−ｎ，３０−ｎ，３４−ｎ，３５−ｎが付随して設けられている。」と記載されている。
　甲第２号証の【００２７】段落には、「各ショット領域２７−ｎには前工程での露光及び現像等によりそれぞれチップパターンが形成されている。」と記載されている。
　甲第２号証の【００５８】段落には、「ウエハ上のショット領域から予め選択されたショット領域（サンプルショット）内で、更に選択されたアライメントマークの座標位置を計測し、この計測結果を（数１０）に適用して最小自乗法により１０個のパラメータを求め、このパラメータに基づいて各ショット領域の配列座標を算出している」と記載されている。
　甲第２号証の【００７１】段落には、「チップローテーション、チップの直交度誤差及びチップスケーリングのパラメータよりなる変換行列Ｂをも考慮している」と記載されている。
　甲第２号証の【００７０】段落には、「計算により得られた配列座標（ＧXn，ＧYn）及び予め求めてあるベースライン量に基づいて、ウエハ８上の各ショット領域２７−ｎの基準点２８−ｎを順次図２の投影光学系７の露光フィールド内の所定の位置に位置合わせして、当該ショット領域２７−ｎに対してレチクル２のパターン像を投影露光する。そして、ウエハ８上の全てのショット領域への露光が終了した後に、ウエハ８の現像等の処理が行われる。」と記載されている。
　甲第２号証の【０１２５】段落には、「本発明によれば、被処理基板上の複
数のショット領域の基準位置全てに対して、位置合わせの誤差が平均的に小さくなると同時に、それらショット領域上のチップパターン全てに対してマスクのパターン像との重ね合わせの誤差が平均的に小さくなる。」と記載されている。
　甲第２号証の【０１０８】段落には、「即ち、Ｗ１−ＥＧＡ方式では、パラメータＳを適当な値に設定することにより、ＥＧＡ方式とダイ・バイ・ダイ方式との中間の効果を得ることができる。例えば、非線形成分が大きなウエハに対しては、パラメータＳの値を小さく設定することで、ダイ・バイ・ダイ方式とほぼ同等の効果（アライメント精度）を得ることができ、非線形成分によるアライメント誤差を良好に除去することができる。ま
た、アライメントセンサーの計測再現性が悪い場合には、パラメータＳの値を大きく設定することで、ＥＧＡ方式とほぼ同等の効果を得ることができ、平均化効果によりアライメント誤差を低減することができる。」と記載されている。
　甲第２号証の【００９９】段落には、「上述実施例のように、ウエハ内のショット配列誤差が線形であるものとしたアライメント方式は、ＥＧＡ方式に属するものである。更に、上述実施例のＥＧＡ方式では、ショット領域毎のチップローテーションやチップ倍率（ディストー
ションを含む）の誤差が同一ウエハ内では一定であるものとして、チップローテーションやチップ倍率誤差を求めていた。このため、ウエハ上の局所的な配列誤差やディストーション成分の変動（非線形性）が大きいと、上述実施例では重ね合わせ精度を向上させることが難しくなる。そこで、非線形な歪みを持つウエハであっても、それらチップローテーションやチップ倍率誤差を良好に補正して、高精度に位置合わせができるアライメント方式が望まれる。以下では、上述のＥＧＡ方式を改良してより高精度に位置合わせができる実施例につき説明する。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証の【０００１】段落には、「【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光方法に関し、特にＬＳＩ製造でのリソグラフイ技術における電子線直接描画技術に係り、詳しくは電子線露光によりパターンを試料に描画する際の試料の位置合わせ方法に係る電子線露光方法に関する。」と記載されている。
　甲第３号証の【００１７】段落には、「チップ歪補正，ウェハ歪補正それぞれのために配置あるいは検出する位置合わせマークの個数は、２ヶ所以上であれば任意の個数で良く、それに合わせて補正の次数も任意の次数に適宜変更可能である。更に、チップ歪の補正を行う際、２個以上の複数のチップについて位置合わせマーク検出を行い、統計処理を用いてチップ歪補正を行うことも可能である。」と記載されている。
　甲第３号証の【００１３】段落には、「少なくとも１チップ、例えばチップ(Ａ)に配置された位置合わせマーク(Ａ1，Ａ2，Ａ3，Ａ4)の位置を検出し、チップ歪を補正する。この場合、４ヶ所の位置合わせマークの位置からチップの一次歪(倍率，回転)及び台形歪をチップ歪の補正式により補正する。」と記載されている。
　甲第３号証の【００１７】段落には、「チップ歪の補正を行う際、２個以上の複数のチップについて位置合わせマーク検出を行い、統計処理を用いてチップ歪補正を行うことも可能である。」と記載されている。
　甲第３号証の【００１９】段落には、「本発明は、以上詳記したとおり、電子線露光によってウェハ上の図形に重ね合わせを行うための位置合わせマークの検出において、任意の代表チップを用いてウェハ上の全てのチップのチップ歪を一括して補正することを特徴とし」と記載されている。
　甲第３号証の【００１８】段落には、「例えばウェハ上のチップをステッパー等を用いて露光した場合、マスク上に複数のチップが形成されている等の理由により、チップ歪の異なるチップがウェハ上に混載されている場合がある。このような場合には、予めチップ歪の異なる複数のチップについて位置合わせマーク位置の検出を行い、それぞれに対してチップ歪補正式を求めておき、実際の露光を行うときには、指定されたチップに対して指定されたチップ歪補正式を用いて露光を行うことも可能である。」と記載されている。
　甲第３号証の【０００５】段落には、「上記従来法１(グローバルアライメント法)と共に一般的に用いられているアライメント方法としては、「ダイ−バイ−ダイ(Die−by−Die)アライメント法」(以下“従来法２”という)が知られている。」と記載されている。
　甲第３号証の【００１９】段落には、「【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、電子線露光によってウェハ上の図形に重ね合わせを行うための位置合わせマークの検出において、任意の代表チップを用いてウェハ上の全てのチップのチップ歪を一括して補正することを特徴とし、これにより、従来のダイ−バイ−ダイアライメント法と同等の高い重ね合わせ精度が得られ、かつ、アライメント時間を大幅に短縮することができる効果が生じる。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第４号証の【００２６】段落には、「図４は、アライメントを行ったときのアライメント計測誤差を示した例である。図の縦軸４１は、アライメントマーク座票の理論値と実測値を格子点補正した位置との差を示したものである。
横軸４２はウエハの中心を原点としたときのアライメントＸマーク位置を示した。この図から、Ｎｏ．６とＮｏ．１０のマークが０．１μｍほどはずれていることが分かる。このようにマークの検出誤差が大きい場合には異常であることを認識し、格子点補正計算時に上記の方法で異常値を除けばよい。本発明は電子ビーム装置を用いて説明したが、光縮小投影露光装置のアライメントに適用できるのは当然として、あらゆる位置測定装置にも適用できる。」と記載されている。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１中の「２個」を、「３個」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項１中の「各チップの形状歪とウェハ座標」を、「各チップの形状歪と当該チップのウェハ面内座標と訂正し、「前記チップの形状歪とウェハ座標」を、「前記チップの形状歪と該チップのウェハ面内座標」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項１中の「各チップに」を、「各チップ毎に」と訂正する。
２．２　訂正後の請求項
請求項１
「ウェハ上に電子線を走査し、ウェハ上に設定された複数のチップに対して所望のパターンを描画する電子線描画方法において、
　前記チップ内に形成されている少なくとも３個のマークを所定数のチップについて各々検出し、検出されたマークの位置と該マークの設計位置とからウェハ面内における各チップの形状歪と当該チップのウェハ面内座標との関係を統計処理により求めるステップと、
　前記ステップで求められた前記チップの形状歪と該チップのウェハ面内座標との関係を用いて前記各チップ毎に描画すべきパターンを補正しながら全てのチップにパターンを描画するステップとを含むことを特徴とする電子線描画方法。」
請求項２
「前記チップの形状歪とウェハ座標との関係を複数系列もつことを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。」
請求項３
「求められたチップの歪形状の情報を用いてマークの誤検出を判定することを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。」
請求項４
「前記複数のチップへの露光順序とチップの形状歪との関係を求め、各チップに描画するパターンを前記露光順序と形状歪の関係を用いて補正することを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。」
請求項５
「請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子線描画方法と、他の電子線描画方法とを選択可能なことを特徴とする電子線描画装置。」
請求項６
「請求項１に記載の電子線描画方法による重ね合わせ精度を演算する機能と、演算された重ね合わせ精度が予め設定された精度以内のときは前記請求項１に記載の電子線描画方法を選択し、演算された重ね合わせ精度が予め設定された精度より低いときは前記他の電子線描画方法に自動的に切り替える機能を備えることを特徴とする請求項５記載の電子線描画装置。」
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲に記載されていた「少なくとも２個」を下位概念である「少なくとも３個」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、訂正事項ａは、願書に添付した明細書の【００６４】段落に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂは、チップの形状歪とウェハ座標の関係を明確化したものであり、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、訂正事項ｂは、願書に添付した明細書の【００３９】段落に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．３　訂正事項ｃについて
　上記訂正事項ｃは、「各チップに描画すべきパターンを補正しながら」の意味するところを明確化したものであり、明りょでない記載の釈明に相当する。
　また、訂正事項ｃは、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ〜ｃは、上記３．１〜３．３のとおりであるから、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第３項までの規定に適合するので、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜６に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．３　判断
　本件請求項１に係る発明及び請求項１に係る発明を引用する請求項２〜６に係る発明（以下、「本件発明」という。）と甲第１号証〜甲第４号証との対比、判断
　本件発明が、「ウェハ上に電子線を走査し、ウェハ上に設定された複数のチップに対して所望のパターンを描画する電子線描画方法」であって、「検出されたマークの位置と該マークの設計位置とからウェハ面内における各チップの形状歪と当該チップのウェハ面内座標との関係を統計処理により求めるステップと、
　前記ステップで求められた前記チップの形状歪と該チップのウェハ面内座標との関係を用いて前記各チップ毎に描画すべきパターンを補正」する構成（以下、「本件発明の特徴的構成」という。）を有しているのに対し、甲第１〜４号証に記載された発明は、上記本件発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　従って、本件発明は、甲第２号証に記載された発明であるとすることができない。
　また、本件発明は、甲第３号証に記載された発明と同一であるとすることができない。
　さらに、本件発明は、甲第１、２及び４号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜６に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜６に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜６に係る発明の特許についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月１７日（２００３．３．１７）
【訂正の要旨】
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１中の「２個」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「３個」と訂正する。
▲２▼　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１中の「各チップの形状歪とウェハ座標」を明瞭でない記載の釈明を目的として「各チップの形状歪と当該チップのウェハ面内座標」と訂正し、「前記チップの形状歪とウェハ座標」を明瞭でない記載の釈明を目的として「前記チップの形状歪と該チップのウェハ面内座標」と訂正する。
▲３▼　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項１中の「各チップに」を明瞭でない記載の釈明を目的として「各チップ毎に」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電子線描画方法及び電子線描画装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ウェハ上に電子線を走査し、ウェハ上に設定された複数のチップに対して所望のパターンを描画する電子線描画方法において、
　前記チップ内に形成されている少なくとも
３
当該チップの
面内
　前記ステップで求められた前記チップの形状歪と
該チップの
面内
毎
　【請求項２】　前記チップの形状歪とウェハ座標との関係を複数系列もつことを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。
　【請求項３】　求められたチップの歪形状の情報を用いてマークの誤検出を判定することを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。
　【請求項４】　前記複数のチップへの露光順序とチップの形状歪との関係を求め、各チップに描画するパターンを前記露光順序と形状歪の関係を用いて補正することを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。
　【請求項５】　請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子線描画方法と、他の電子線描画方法とを選択可能なことを特徴とする電子線描画装置。
　【請求項６】　請求項１に記載の電子線描画方法による重ね合わせ精度を演算する機能と、演算された重ね合わせ精度が予め設定された精度以内のときは前記請求項１に記載の電子線描画方法を選択し、演算された重ね合わせ精度が予め設定された精度より低いときは前記他の電子線描画方法に自動的に切り替える機能を備えることを特徴とする請求項５記載の電子線描画装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、電子線描画方法及び電子線描画装置に関し、特に既に描画されているパターン上に高精度に重ね露光することのできる電子線描画方法及び電子線描画装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、電子線描画装置と光縮小露光装置とを併用し、重ね露光される複数のパターンのうち比較的微細なパターンを多く含むパターンを電子線描画装置によって描画し、その他のパターンを光縮小露光装置を用いて露光することで多層構造を有するＬＳＩを作製するハイブリッド露光が行われている。
　【０００３】
　ところで光縮小露光装置による露光パターンには、光縮小露光装置のレンズに固有の露光歪みや、光縮小露光時の環境変化に伴う露光誤差が含まれている。したがって、光縮小露光装置で露光したパターンの上に重ねて電子線描画装置によって設計通りのパターン描画を行うと、上下層のパターン間での合わせ誤差が発生するという問題がある。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　前記した光縮小露光装置による露光パターンと電子線描画装置による描画パターンの間の重ね精度を改善するために、ウェハ上に光縮小露光装置によって形成されたマークの位置を測定して光縮小露光装置に固有の露光歪みを求め、電子線描画時にこの露光歪みを補正して描画する方法が特開昭６２−５８６２１号公報に記載されている。しかし、この方法では、光縮小露光装置の動的な特性変化に対応するためには、ウェハ上の全チップに対してチップアライメントを実施する必要があり、また高頻度でマークを計測する必要がある。
　【０００５】
　また、パターン周辺部に露光歪みを評価するのに十分なマークを配置し、描画時にマークを検出して補正する方法が特開昭５７−１８６３３１号公報に記載されている。しかし、この方法では、歪みを評価するためのマーク検出点数が多いためスループットを向上することができない。
　一方、光縮小露光装置では、最近、特開昭６２−１６９３２９号公報に記載されているように、露光時間の短縮のためアライメント法としてウェハ内の指定点のマークを検出し、ウェハ全体のチップの配列情報に補正をかけるアライメント方法が用いられている。この方法には、（１）統計処理することによりマーク検出誤差による影響を低減できる、（２）マーク検出のために要する時間を短縮することができる、というメリットがある。しかし、この方法は、配列情報のみの補正であるため、チップの倍率変化や回転といった補正は露光結果を見てマニュアルにて微調整しているのが実状である。
　【０００６】
　本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、下層露光装置、特に光縮小露光装置によって形成された静的歪み及び動的歪みを有するパターンに対して高精度な重ね合わせ露光を高スループットで行うことのできる電子線描画方法及び電子線描画装置を提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明においては、ウェハ上の各チップ内に予め形成されているマークの位置を所定数のチップに関して計測し、計測されたマークの位置と、そのマークの設計位置とから、統計処理により、各チップのウェハ座標とそのチップの形状歪との関係を求める。そして、その関係を用いて各チップに描画するパターンに補正をかけることで重ね精度を高めるとともに、スループットを高める。
　【０００８】
　すなわち、本発明は、ウェハ上に電子線を走査し、ウェハ上に設定された複数のチップに対して所望のパターンを描画する電子線描画方法において、チップ内に形成されている少なくとも２個のマークを所定数のチップについて各々検出し、検出されたマークの位置と該マークの設計位置とからウェハ面内における各チップの形状歪とウェハ座標との関係を統計処理により求めるステップと、前記ステップで求められたチップの形状歪とウェハ座標との関係を用いて各チップに描画すべきパターンを補正しながら全てのチップにパターンを描画するステップとを含むことを特徴とする。
　【０００９】
　チップの形状歪とウェハ座標との関係は複数系列もつことができる。
　また、求められたチップの歪形状の情報を用いてマークの誤検出を判定することができる。誤検出と判定されたマーク位置の情報を除外して前記統計処理を行うことにより、チップの形状歪みを高精度に求めることができる。
　時間的に変化する歪みあるいはチップ毎に変化する動的歪みに対しては、例えば複数のチップへの露光順序とチップの形状歪との関係を求め、各チップに描画するパターンをこうして求められた露光順序と形状歪の関係を用いて補正することで対応することができる。
　【００１０】
　本発明による電子線描画装置は、統計処理によって各チップの形状歪みを求め、その形状歪みを補正して描画する前記描画方法と、チップ毎に形状歪みを求め、歪みを補正して描画する描画方法等、他の電子線描画方法とを選択可能なことを特徴とする。
　【００１１】
　本発明による電子線描画装置は、前記統計処理によってチップの形状歪みを求める電子線描画方法による重ね合わせ精度を演算する機能と、演算された重ね合わせ精度が予め設定された精度以内のときは前記統計処理によってチップの形状歪みを求める電子線描画方法を選択し、演算された重ね合わせ精度が予め設定された精度より低いときは前記他の電子線描画方法に自動的に切り替える機能を備えることを特徴とする。
　本発明の電子線描画方法及び電子線描画装置は、半導体素子の製造に使用することができる。
　【００１２】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
　図１に、本発明の方法に用いられる電子線描画装置の概略図を示す。電子源１より照射された電子線は第一マスク（矩形成形絞り）２を透過し、成形レンズ４を通過し、第二マスク（可変成形絞り）６に到達する。第二マスク６に照射する場合、成形偏向器３に制御計算機１９より成形偏向制御回路１５に成形寸法が指定され、成形偏向制御回路１５より成形偏向器３に電圧がかかりウェハ１２上で指定寸法となるような矩形ビームが第二マスク６を透過する。
　【００１３】
　第二マスクを透過した電子線（成形ビーム）９は縮小レンズ７にて縮小され、制御用計算機１９にて指定された偏向位置を位置決め偏向制御回路１６に設定することにより位置決め偏向器８に偏向信号が設定され、成形ビーム９は指定の位置に偏向され対物レンズ１０を通して試料台１３上のウェハ１２に照射される。試料台１３の移動は、試料台位置決め機構１４と試料台位置制御回路１８にて制御計算機１９からの指令により実施される。
　【００１４】
　このような成形ビーム９の制御と、試料台１３の制御により、ウェハ１２上の指定された位置に指定された形状のＬＳＩパターンを描画することができる。
　またウェハ１２上のマークに照射された成形ビーム９の反射電子信号は反射電子検出器１１にて検出され、マーク検出回路１７にて処理され、制御用計算機１９にウェハ１２上に形成されたマークの位置を通知することができる。
　【００１５】
　次に、この電子線描画装置を用いた本発明の電子線描画方法について説明する。はじめに、光縮小露光装置によって形成されたパターンの歪みに関して以下に説明する。
　図２は、ウェハ１２上に形成されたチップの配列を示す。図２に破線で示した矩形形状２０は設計チップ形状である。これに対して実線で示した四角形は光縮小露光装置によって露光されたチップ形状を誇張して表したものである。この例では、各チップにはパターンと一緒にチップの４隅に十字形のマーク２１が露光され、実線の四角形はチップの四隅に配置されたマークを結んでできた図形である。
　【００１６】
　光縮小露光装置が１ショットで１チップを露光する場合、各チップの形状は設計形状２０に対して次の１〜４に示すような種々の歪みを有する。
１．レンズ収差による固有の歪み。
２．露光時の環境（温度、気圧）変化による倍率変化。
３．露光位置に依存する各チップ形状の回転。
４．各チップの配列誤差。
　【００１７】
　レンズ収差による歪みは、チップ中心に対して静的な高次の歪みである。倍率変化は、１ウェハ露光中に発生する量は微少であり、ウェハ毎に変化する量である。各チップの回転は、光縮小露光装置の試料台のヨーイング等に起因して発生するものである。また、各チップの配列誤差はステージ測長系の誤差、例えば気圧の変化によるレーザー測長系のレーザー波長の変化やステージに設定されている測長用ミラーの歪みによって発生するものである。
　【００１８】
　前記チップ形状の歪みを数式で表現すると以下のようになる。
　いま、ウェハ上にＸＹ座標系を設定し、各チップのウェハ中心からの座標を（Ｘｗ，Ｙｗ）、チップ内の露光位置の座標を（Ｘｃ，Ｙｃ）、歪みを考慮した補正後のチップ内の露光位置を（Ｘ’ｃ，Ｙ’ｃ）とすれば、Ｘ’ｃ，Ｙ’ｃは次の〔数１〕及び〔数２〕で表すことができる。
　【００１９】
　【数１】
　　Ｘ’ｃ＝ｆ０（Ｘｗ，Ｙｗ）＋ａ１・Ｘｃ＋ｆ２（Ｘｗ，Ｙｗ）Ｙｃ＋ｆ３（Ｘｃ，Ｙｃ）
　【００２０】
　【数２】
　　Ｙ’ｃ＝ｇ０（Ｘｗ，Ｙｗ）＋ｇ１（Ｘｗ，Ｙｗ）Ｘｃ＋ｂ２・Ｙｃ＋ｇ３（Ｘｃ，Ｙｃ）
　【００２１】
　上記〔数１〕及び〔数２〕において、関数ｆ０（Ｘｗ，Ｙｗ）及びｇ０（Ｘｗ，Ｙｗ）はシフトすなわち平行移動を表し、ａ１，ｂ２は倍率変動を表す。また、関数ｆ２（Ｘｗ，Ｙｗ）及びｇ１（Ｘｗ，Ｙｗ）は回転を表し、関数ｆ３（Ｘｃ，Ｙｃ）及びｇ３（Ｘｃ，Ｙｃ）は静的な歪みを表す。
　【００２２】
　一方、光縮小露光装置はレンズに照射され蓄積されたエネルギーによりレンズの温度が変化しレンズが変形する。したがってこの変化分を考慮し、ａ１，ｂ２を座標（Ｘｗ，Ｙｗ）の関数とすると、前記〔数１〕及び〔数２〕は以下の〔数３〕及び〔数４〕のように表すことができる。
　【００２３】
　【数３】
　　Ｘ’ｃ＝ｆ０（Ｘｗ，Ｙｗ）＋ｆ１（Ｘｗ，Ｙｗ）Ｘｃ＋ｆ２（Ｘｗ，Ｙｗ）Ｙｃ＋ｆ３（Ｘｃ，Ｙｃ）
　【００２４】
　【数４】
　　Ｙ’ｃ＝ｇ０（Ｘｗ，Ｙｗ）＋ｇ１（Ｘｗ，Ｙｗ）Ｘｃ＋ｇ２（Ｘｗ，Ｙｗ）Ｙｃ＋ｇ３（Ｘｃ，Ｙｃ）
　【００２５】
　上記〔数３〕及び〔数４〕のｆ０，ｆ１，ｆ２，ｆ３，ｇ０，ｇ１，ｇ２，ｇ３を算出することにより、下層露光装置にて露光されたチップのウェハ全面での関係式を求めることができる。そして、この関係式を使用してウェハ全面を描画すれば高い重ね精度で露光することができる。
　次に、図３のフローチャートを参照して上記関係式を求め、描画位置を補正して描画する手順を説明する。
　【００２６】
　まず、指定されたチップ内のマーク位置が成形ビーム９の偏向ゼロ点の位置にくるように試料台１３を移動させる。その後、ステップ３０において、マーク２１上を成形ビームにて走査し、マークの位置をマーク検出回路１７にて検出する。その結果を制御計算機１９に取り込む。このような処理をチップ内の指定マーク個数分繰り返し、ステップ３１において、以下の〔数５〕及び〔数６〕の合わせ係数式を最小自乗法にて算出する。ここで、チップ内のマーク位置の設計座標を（Ｘｍｃ，Ｙｍｃ）とし、チップ内のマーク位置の計測座標を（ＸｍｃｍＹｍｃｍ）とする。
　【００２７】
　【数５】
　　Ｘｍｃｍ＝ａ０＋ａ１Ｘｍｃ＋ａ２Ｙｍｃ＋ａ３ＸｍｃＹｍｃ
　【００２８】
　【数６】
　　Ｙｍｃｍ＝ｂ０＋ｂ１Ｘｍｃ＋ｂ２Ｙｍｃ＋ｂ３ＸｍｃＹｍｃ
　【００２９】
　上記式はチップ内に４点マークが存在した場合の合わせ係数であるが、マークの個数を増やせばさらに高次の合わせ補正係数を算出することが可能である。このマーク検出と合わせ補正係数の作成を指定チップ分繰り返す（ステップ３２）。
　次に、各チップに対して計測された合わせ係数ａ０，ａ１，ａ２，ａ３，ｂ０，ｂ１，ｂ２，ｂ３とチップのウェハ中心からの座標を（Ｘｗ，Ｙｗ）の関係式を、以下の〔数７〕〜〔数１４〕のように仮定する。
　【００３０】
　【数７】
　　ａ０＝Ａ００＋Ａ０１Ｘｗ＋Ａ０２Ｙｗ＋Ａ０３ＸｗＹｗ
　【００３１】
　【数８】
　　ａ１＝Ａ１０＋Ａ１１Ｘｗ＋Ａ１２Ｙｗ＋Ａ１３ＸｗＹｗ
　【００３２】
　【数９】
　　ａ２＝Ａ２０＋Ａ２１Ｘｗ＋Ａ２２Ｙｗ＋Ａ２３ＸｗＹｗ
　【００３３】
　【数１０】
　　ａ３＝Ａ３０
　【００３４】
　【数１１】
　　ｂ０＝Ｂ００＋Ｂ０１Ｘｗ＋Ｂ０２Ｙｗ＋Ｂ０３ＸｗＹｗ
　【００３５】
　【数１２】
　　ｂ１＝Ｂ１０＋Ｂ１１Ｘｗ＋Ｂ１２Ｙｗ＋Ｂ１３ＸｗＹｗ
　【００３６】
　【数１３】
　　ｂ２＝Ｂ２０＋Ｂ２１Ｘｗ＋Ｂ２２Ｙｗ＋Ｂ２３ＸｗＹｗ
　【００３７】
　【数１４】
　　ｂ３＝Ｂ３０
　【００３８】
　そして、ステップ３３において、上記〔数７〕〜〔数１４〕式の係数Ａ００，Ａ０１，Ａ０２，・・・・，Ｂ２２，Ｂ２３，Ｂ３０を最小自乗法で算出することにより、関係式ｆ０，ｆ１，ｆ２，ｆ３，ｇ０，ｇ１，ｇ２，ｇ３を算出することが可能となる。
　上記〔数７〕〜〔数１４〕の係数の次数は下層露光装置に合わせ、さらに高次に補正することも可能である。特に、〔数７〕及び〔数１１〕で表されるチップの配列位置に関しての補正式は、試料台１３に固定され試料台１３の位置を測定するレーザ干渉計のミラーの直線性に依存するので、３次もしくは５次の近似式すればさらに高精度の近似が可能である。
　【００３９】
　次に、ウェハ全面を描画する場合は、ステップ３４において、前記〔数７〕〜〔数１４〕で表されるａ０，ａ１，ａ２，ａ３，ｂ０，ｂ１，ｂ２，ｂ３に関する関係式に目標とするチップのウェハ面内座標を代入し、歪み係数を算出する。続いて、ステップ３５において、１チップ内の偏向目標データにステップ３４で算出された歪み係数を適用し、指定座標に対し補正を行って目標座標とし、ステップ３６で１チップを描画する。この処理をウェハ全面のチップに対して行って全チップの描画を終了する（ステップ３７）。
　【００４０】
　次に、図４に示すように、光縮小露光装置で用いられるレティクル５１上に複数のパターン（図４ではＡ，Ｂ、２種類のパターン）が形成されており、片側のパターンをマスクして１つのパターンずつ露光する場合がある。このときウェハ１２上には、図示するように、パターンＡのチップとパターンＢのチップが２つのグループに分けて形成される。
　【００４１】
　このような場合、前記手順で補正すると、パターンＡのチップとパターンＢのチップとでチップ固有の歪みは異なるため、前記〔数７〕〜〔数１４〕の関係式をウェハ全面で共通に使用する場合、パターンＡとパターンＢとでは固有の歪みが異なるため固有歪みの差が生じ、重ね合わせ上の問題が生じる。そこでパターンＡのチップに関する関係式と、パターンＢのチップに関する関係式というように複数の関係式を持つことにより、いずれのパターンのチップに対しても高精度な重ね合わせで描画することができる。
　【００４２】
　このとき、パターンＡのチップに関する〔数７〕〜〔数１４〕で表されるａ０，ａ１，ａ２，ａ３，ｂ０，ｂ１，ｂ２，ｂ３に関する関係式は、パターンＡのチップ内に設けられたマークを検出することにより算出し、パターンＢのチップに関する補正の関係式は、パターンＢのチップ内に設けられたマークを検出することにより算出するのは言うまでもないことである。
　【００４３】
　上では、倍率の係数ａ１，ｂ２をチップの座標Ｘｗ，Ｙｗの関係式にて算出している。しかし、図５に示すように、光縮小露光装置の場合、倍率は、未露光状態つまりレンズに光が照射されていない状態から、安定露光状態つまりレンズに光が照射され、光照射によるレンズの温度上昇が飽和してレンズの温度が一定になるまで変化する。このように変化するものを位置Ｘ，Ｙの関係式であらわすのは困難である。
　【００４４】
　そこで、あらかじめ制御計算式に下層露光装置の各チップの露光順序を記憶させておき、この露光順序Ｔｎと倍率変化の係数ａ１，ｂ２の関係式を次の〔数１５〕及び〔数１６〕により算出する。
　【００４５】
　【数１５】
　　ａ１＝Ｃ０＋Ｃ１Ｔｎ＋Ｃ２Ｔｎ２
　【００４６】
　【数１６】
　　ｂ２＝Ｄ０＋Ｄ１Ｔｎ＋Ｄ２Ｔｎ２
　【００４７】
　倍率の変化は、ある時間経過するとレンズの温度が安定状態になるので、倍率が変化しなくなる。上記近似式をすべてのチップに当てはめると誤差が生じる。そこで下層露光開始のチップより次の計測対象チップに対して順次倍率変化量を求め、ある一定量以下になったチップまでを上記関係式に当てはめ、それ以後のチップを、それ以降のチップの平均倍率にて露光を実施する。
　【００４８】
　このような下層を露光した露光順序に関しての関係式により露光を実施することにより、下層露光装置の露光順に依存した倍率変化に対応した重ね露光が可能となる。マーク計測の対象とするチップも、下層露光時の露光開始後のチップを密に指定しておき、安定状態になったと予想されるチップに関しては荒く指定することにより、スループットの低下を押さえつつ、高精度な露光を実施することができる。
　【００４９】
　以上説明した方法によれば各係数の関係式ｆ０，ｆ１，ｆ２，ｆ３，ｇ０，ｇ１，ｇ２，ｇ３を算出するのに最小自乗法を適用しているため、１チップ毎にマーク検出を行い、その検出結果に従って１チップを描画する従来のチップアライメント方式に比較し、マーク検出自身に伴う微少誤差を軽減できる。しかし、マーク破損等により発生する大きな誤差は回避できず、その影響が描画結果に反映される。このようなマーク検出誤差を除去する方法として、検出されたマーク座標全体を一次近似し、その差分から異常マークを判定する方法が考えられている。しかしこの方法では、異常マークも含めてマーク座標全体を一次近似するため、異常マークの近傍のマークに対して正常に計測されたマークであるにもかかわらず、異常マークとみなされる可能性がある。
　【００５０】
　本発明の方法では、各チップ毎のチップ形状が算出される。そこで、このチップ形状の変化を利用することにより、正確なエラー判定が可能である。
　前述のように、ウェハ上のＸＹ座標に関し２次以上の歪みは装置固有の静的な歪みである。そこで、各計測チップ毎に算出される〔数５〕〔数６〕内のａ３，ｂ３値及びウェハ面内で算出された〔数１０〕〔数１４〕のＡ３０，Ｂ３０値をマーク異常検出評価に使用する。
　【００５１】
　図６のフローチャートを用いて、異常マークを除外した歪み係数の算出方法について説明する。
　まず、ステップ６０において、計測チップに関して、個々のチップに対して求められたａ３，ｂ３値と最小自乗法により全チップに対して求められたＡ３０，Ｂ３０値の差分をとり、この差分値に次の〔数１７〕〔数１８〕のように、マークのチップ中心からの各座標データを当てはめる。
　【００５２】
　【数１７】
　　ｄＸ＝｜（Ａ３０−ａ３）ＸｍｃＹｍｃ｜
　【００５３】
　【数１８】
　　ｄＹ＝｜（Ｂ３０−ｂ３）ＸｍｃＹｍｃ｜
　【００５４】
　ステップ６１では、〔数１７〕〔数１８〕で計算されたデータとあらかじめ制御用計算機１９に指定しておいた許容値ｐ１とを比較し、ｐ１を超えるマークが存在するチップに関してその位置とマーク及び歪み係数情報を記憶する。また、すべてがｐ１を超えないチップに関してのみの係数式〔数７〕〜〔数１４〕を再演算し、以下の〔数１９〕〜〔数２６〕を得る（ステップ６２、ステップ６４）。
　【００５５】
　【数１９】
　　ａ０＝Ａ’００＋Ａ’０１Ｘｗ＋Ａ’０２Ｙｗ＋Ａ’０３ＸｗＹｗ
　【００５６】
　【数２０】
　　ａ１＝Ａ’１０＋Ａ’１１Ｘｗ＋Ａ’１２Ｙｗ＋Ａ’１３ＸｗＹｗ
　【００５７】
　【数２１】
　　ａ２＝Ａ’２０＋Ａ’２１Ｘｗ＋Ａ’２２Ｙｗ＋Ａ’２３ＸｗＹｗ
　【００５８】
　【数２２】
　　ａ３＝Ａ’３０
　【００５９】
　【数２３】
　　ｂ０＝Ｂ’００＋Ｂ’０１Ｘｗ＋Ｂ’０２Ｙｗ＋Ｂ’０３ＸｗＹｗ
　【００６０】
　【数２４】
　　ｂ１＝Ｂ’１０＋Ｂ’１１Ｘｗ＋Ｂ’１２Ｙｗ＋Ｂ’１３ＸｗＹｗ
　【００６１】
　【数２５】
　　ｂ２＝Ｂ’２０＋Ｂ’２１Ｘｗ＋Ｂ’２２Ｙｗ＋Ｂ’２３ＸｗＹｗ
　【００６２】
　【数２６】
　　ｂ３＝Ｂ’３０
　【００６３】
　このようにすれば、異常マークを排除してより現実に近いチップの高次歪みを算出することができる。しかし、チップのシフト、回転、倍率に関してはより多くの情報があるほうが精度よく近似することができる。そこで〔数１９〕〜〔数２６〕の関係式を使用し、許容値ｐ１を超えたチップ（エラーチップ）に関して以下の処理を実施し、エラーマークを判定する。ステップ６５の判定で処理チップがエラーチップであるときはステップ６６に進む。ステップ６６では、〔数１９〕〜〔数２６〕を用い、エラーチップに関しての歪み係数を算出する。そして、その算出結果にチップ座標を代入し、各マークに対する推定座標を算出し、その座標と計測マーク座標の差分の絶対値をとり、あらかじめ制御計算機に記憶させておいた許容値ｐ２と比較する。
　【００６４】
　ステップ６７の判定で比較結果が許容値ｐ２内のマークはステップ６９、ステップ７１で歪み係数の計算に使用し、許容値ｐ２を超えるものは異常マークとして扱い、ステップ６７からステップ７０に進んで、チップの歪みの計算に使用しない。ここで説明している例ではマークの個数はチップ内４個で、係数はシフト、回転、倍率、ＸＹ項の４個で表現しているので、マーク個数が減った場合は、マークの個数に合わせ算出可能な係数までを算出する。
　【００６５】
　このようにして得られたエラーマークを含むチップに関しての歪み係数と正常なチップの歪み係数（ステップ６８）を使用し、さらにステップ７３で〔数７〕〜〔数１４〕の係数を再々演算し、ウェハ面内での係数を作成する。こうして得られた係数を用いて露光することにより、さらに異常マークの影響を受け難い高精度の露光が可能となる。
　【００６６】
　ところで、このような方法によればウェハ全面にわたり高精度な露光が可能であるが、すべて近似計算を実施しているため、下層露光装置の描画結果においてランダムな歪みが存在する場合、その歪み成分は誤差として残る。
　プロセス上のマークの破損がなくマーク検出精度が高ければ、スループットの点では問題となるが、チップ毎にマークを検出し描画を行うチップアライメントが有効であり、またチップアライメントは、研究試作等でウェハ面内において１チップでも高精度な露光結果がほしい場合にも有効である。そこで以上述べた本発明の統計処理によるアライメント方式と、チップ毎のアライメント等その他のアライメント方式の指定をあらかじめ制御用計算機１９にて可能とし、指定されたアライメント方式にて切り替えて描画することによりユーザーが希望する精度のＬＳＩ製品を作製することができる。
　【００６７】
　また、本発明の統計処理によるアライメント方式で算出された係数を用い、各マークのマーク理想座標を逆算することができる。こうして逆算された結果と実際に検出されたマーク座標とを比較する。比較結果の分散値を算出し、その分散値と制御用計算機１９に予め記憶されている許容値ｐ３とを比較し、分散値が許容値ｐ３を超える場合は、光縮小露光装置のランダムな歪み成分が大きいとみなし、チップ毎にマーク検出をし、チップを描画するアライメント方式に切り替える機能を付加することにより、スループットは低下するがランダムな歪みを持つ下層に対しても高精度の描画を自動的に実施することができる。
　【００６８】
　ここでは可変成形の電子線描画装置に関して説明したが、本発明はスポット型の電子線描画装置に対しても適用可能である。また、チップ内の複数マークを計測できかつ、チップ内の描画位置を任意に変更可能な露光装置であれば本発明を適用することは可能である。
　また、ここではマークがチップの４隅に配置されている場合について説明したが、光縮小露光装置のチップ（１ショット）内の歪みは、光縮小露光装置のレンズが複数個のレンズの組み合わせであることにより、高次（３次以上）の歪み式の合成で表される。したがって、チップ内部の補正を正確に行い、本発明の統計処理によるアライメント方式で対応するためには、チップ内に多数（１０個以上）のマークを配置する必要があり、スループット上問題がある。そこで特開昭６２−５８６２１号公報に記載されているように、チップ内の歪みをあらかじめ計測する方法が考えられる。
　【００６９】
　しかし、チップ内の歪みには光縮小露光装置の動的な変化によるものがあり、そのままでは動的な変化に対応することができない。光縮小露光装置の動的な変化にも対応するためには、高頻度で歪みを計測する必要がある。そこで計測結果より、倍率、回転といった項目を除去したものを光縮小露光装置の静的な歪みとして記憶しておく。この静的な歪みは各ウェハにて計測する必要はなく、光縮小露光装置１台につきレンズの機械的変更がないかぎり１回計測しておけばよい。
　【００７０】
　マーク検出結果よりこの静的な歪み成分を除去して本発明を適用し、描画時のチップ内データに本発明の歪み補正係数のデータ及び記憶されている静的な歪み成分を合成する方法をとればチップ内の合わせ精度とともにスループットを向上することができる。
　【００７１】
　【発明の効果】
　本発明によれば、マニュアルの調整なく、高スループット、高精度で下層との重ね合わせ露光を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の方法に用いられる電子線描画装置の概略図。
　【図２】
　下層の露光結果を説明する図。
　【図３】
　本発明による描画方法を説明するフローチャート。
　【図４】
　複数のパターンが形成されたレティクルを用いた露光方法の説明図。
　【図５】
　光露光装置による露光順序と各チップの倍率変化の関係を示す図。
　【図６】
　異常マークを除外した歪み係数の算出方法を説明するフローチャート。
　【符号の説明】
　１…電子源、２…矩形成形絞り、３…成形偏向器、４…成形レンズ、５…ブランカ、６…可変成形絞り、７…縮小レンズ、８…位置決め偏向器、９…成形ビーム、１０…対物レンズ、１１…マーク検出用反射電子検出器、１２…ウェハ、１３…試料台、１４…試料台位置決め機構、１５…成形偏向制御回路、１６…位置決め偏向制御回路、１７…マーク検出回路、１８…試料台位置制御回路、１９…制御計算機、２０…露光対象チップ設計形状、２１…チップ歪み計測用マーク、５１…光縮小露光装置用レティクル