【事件の表示】
　平成　３年特許願第１５６５９０号「半導体発光装置およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　１月１４日出願公開、特開平　５−　　７０４９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年６月２７日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１１年６月７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「半導体基板上方に、一対のクラッド層により挟まれた活性層と、活性層の前記基板と対向する側に形成されたストライプ状のリッジと、リッジの両側面に埋め込まれる電流ブロック層と、を備えたAlGaInP系の半導体発光装置であって、
　前記リッジは、少なくともBeドープGaInP中間層、BeドープGaAsコンタクト層がこの順で積層された構造を含んでなることを特徴とする半導体発光装置。」
　なお、上記「BeドープGaAsコンタクト層 」について、上記明細書の特許請求の範囲の請求項１には、「BeドープGaAaコンタクト層 」と記載されているが、誤記と思われるので上記のとおり認定した。
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−３３９８７号公報（以下、「引用例」という。）には、その特許請求の範囲（第１頁左下欄第５〜１３行）に、
「アンドープ活性層を導電型の異なるクラッド層により挟み、上部クラッド層にはこの多層方向に垂直な方向にストライプ状に延びるメサ部を設け、このメサ部に同一導電型のオーミック層を重ね、前記メサ部を反対導電型の電流阻止部で埋めたリブ導波路型発光半導体装置において、このストライプ状のクラッド層とオーミック層の間に隣接層より高不純物濃度中間層を設置することを特徴とするリブ導波路型発光半導体装置。」と記載され、その第１図には、基板１、下部クラッド層２、活性層３、上部クラッド層４、中間層５、オーミック層６、電流阻止部９が図示されている。
　また、第２頁右上欄第９行〜左下欄第７行には、発明の（作用）として、
「このように本発明ではp-クラッド層とp-オーミック層間に形成される異種接合の価電子帯の電位差を小さくすることによって電圧降下を解消するように配慮したもので、この両層間にp導電型で高不純物濃度中間層を配置した。〜
　〜
　傾斜形接合を持ち、しかも高不純物濃度中間層の禁制帯幅が上記の条件を満足するには、上部クラッド層と下部クラッド層がIn1-x(Ga1-yAly)xPで、活性層が、In1-x(Ga1-zAlz)xPで、高不純物濃度中間層は、In1-x(Ga1-rAlr)xPで表され、y≧z、rかつ０＜y≦１が夫々好適する。」と記載されている。
　そして、第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第６行には、発明の一実施例の各層の組成及び濃度が、
基板１　　　　　　：n-GaAs
下部クラッド層２　：n-In0.49（Ga0.3Al0.7）0.51P 　(Siドープ；3×1017cm-3)
活性層３　　　　　：In0.49Ga0.51P 　　　　　　(アンドープ)
上部クラッド層４　：p-In0.49（Ga0.3Al0.7)0.51P 　　(Znドープ；3×1017cm-3）
中間層５　　　　　：p-In0.49（Ga0.8Al0.2)0.51P 　　(Znドープ；5×1018cm-3）
オーミック層６　　：p-GaAs 　　　　　　　(Znドープ；1×1018cm-3）
である旨記載されている。
　これらの記載によると、引用例には、
「基板１上方に、下部クラッド層２と上部クラッド層４により挟まれた活性層３と、活性層３の基板１と対向する側に形成されたストライプ状のメサ部と、メサ部の両側面に埋め込まれる電流阻止部９と、を備えたAlGaInP系の発光半導体装置において、前記メサ部のストライプ状上部クラッド層４とオーミック層６の間に高不純物濃度中間層５を設置した半導体発光装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
３．対比
　本願発明と引用発明を対比すると、両者はともに、AlGaInP系の半導体発光装置の発明であって、引用例の「基板１」、「下部クラッド層２及び上部クラッド層４」、「活性層３」、「メサ部」、「電流阻止部９」、「高不純物濃度中間層５」、「オーミック層６」が、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「一対のクラッド層」、「活性層」、「リッジ」、「電流ブロック層」、「中間層」、「コンタクト層」に対応しており、両者は、
「半導体基板上方に、一対のクラッド層により挟まれた活性層と、活性層の前記基板と対向する側に形成されたストライプ状のリッジと、リッジの両側面に埋め込まれる電流ブロック層と、を備えたAlGaInP系の半導体発光装置であって、
　前記リッジは、少なくとも中間層、コンタクト層がこの順で積層された構造を含んでなる半導体発光装置。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
ａ．「中間層」が本願発明では「BeドープGaInP」であるのに対し、引用発明では、一実施例として「Znドープp-In0.49（Ga0.8Al0.2)0.51P」が記載され、「BeドープGaInP」は記載されていない点。
ｂ．「コンタクト層」が本願発明では「BeドープGaAs」であるのに対し、引用発明では、一実施例として「Znドープp-GaAs」が記載され、「BeドープGaAs」は記載されていない点。
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明の一実施例では、クラッド層にIn0.49（Ga0.3Al0.7)0.51P、 活性層にIn0.49Ga0.51P、中間層にIn0.49（Ga0.8Al0.2)0.51Pが用いられ、これは、前記の「クラッド層がIn1-x(Ga1-yAly)xPで、活性層がIn1-x(Ga1-zAlz)xPで、高不純物濃度中間層は、In1-x(Ga1-rAlr)xPで表され、y≧z、rかつ０＜y≦１」という条件の内、x＝0.51、y＝0.7、z＝0、r＝0.2が採用されたものであるが、ここで、x=0.5、r＝0、すなわち、高不純物濃度中間層をInGaPとしても上記の条件を満たすことが明らかであり、また、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２６０４８６号公報の第２頁右上欄第１８行〜左下欄第３行には「p-InGaAlPクラッド層５５のAl組成が大きい場合、p-GaAs／p-InGaAlPヘテロ接合界面で大きなヘテロバリヤーが存在し、電圧降下が生じるのに対して、中間のバンドギャップを持つp-InGaP層を挟むとバリヤーが低くなり電圧降下を減少させることができる。」と記載されているように、p-GaAsとp-InGaAlPの異種接合による電圧降下を解消するために両層間に設置される中間層としてInGaPが使用されているところであるから、引用発明における中間層としてGaInPを採用することは、当業者が普通に成し得たものと認められる。
　また、高不純物濃度中間層をp導電型とするために、引用発明の一実施例では、p型ドーパントとしてZnが用いられているが、引用発明は、上記の条件「クラッド層がIn1-x(Ga1-yAly)xPで、活性層がIn1-x(Ga1-zAlz)xPで、高不純物濃度中間層は、In1-x(Ga1-rAlr)xPで表され、y≧z、rかつ０＜y≦１」を満たす層構造において、隣接層より高不純物濃度の中間層を設置するというものであって、原理的にp型ドーパントの種類を問題とするものでないことが明らかであり、さらに、AlGaInP系半導体のp型ドーパントとしてBeは、例えば、原査定の拒絶の理由に引用された電子情報通信学会技術研究報告89[284](1989)p.41-48(ED89-104)の第４３頁左欄第２３〜２４行に「また、ドーパントは、p型にはBeを、n型にはSiを用いた。」と記載されているように、また、同じく昭和60年度電子通信学会半導体・材料部門全国大会S1-7 p.1-279-280の第1-280頁第１０行に「Beドープ（p〜１×1018/cm3）」と記載されているように、さらに、同じく特開平３−５０８８２号公報の第３頁右上欄第１行に「p型ドーパントとしてはBeを用いた。」と記載されているように周知であるから、本願発明のごとくp型ドーパントとしてBeを用いることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、GaAsオーミック層をp導電型とするためのp-ドーパントとして、引用発明の一実施例におけるZnに代えてBeを用いるようにすることも、同様の理由で当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例及び前記各刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものと認められる。
５．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。