【事件の表示】
　特願２００７−２６６３１２「炭化珪素装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　４月３０日出願公開、特開２００９−　９４４３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１９年１０月１２日の出願であって、平成２４年９月１９日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月２８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２５年３月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１０日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなさるとともに手続補正書が提出され、同年８月２７日付けで審尋がなされたが、これに対する回答書は提出されなかったものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．平成２５年６月１０日付けでなされた手続補正について
　平成２５年６月１０日に提出された手続補正書により、特許請求の範囲が補正されるとともに、明細書が補正された。
　そのうち、前記特許請求の範囲の補正は、補正前の請求項１を削除するとともに、補正前の請求項２を補正後の請求項１に繰り上げるものである。
　そして、前記明細書の補正は、前記特許請求の範囲の補正に整合させて、補正前の段落【０００９】の記載の一部を削除して、補正後の段落【０００９】とするものである。
　したがって、前記特許請求の範囲の補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　そして、前記特許請求の範囲の補正及び前記明細書の補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、あらたな技術的事項を導入しないことは明らかであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　よって、平成２５年６月１０日付けでなされた手続補正は、特許法第１７条の２の規定に適合する。
 　
２．本願発明
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年６月１０日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項によって特定される、次のとおりのものである。
　
「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面がIVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属とIVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイド（但し、TiとNiの組み合わせを除く）であるJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオードであって、炭化珪素基板上にIVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属（但し、TiとNiの組み合わせを除く）を堆積し熱処理を行って形成したものであることを特徴とする炭化珪素ショットキーバリアダイオード。」
　
３．引用例の記載事項と引用発明
３−１．引用例１
　　ア．本願の出願前に外国において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、R.Perez et al,“Analysis of 1.2kV JBS rectifiers fabricated in 4H-SiC”,Semiconductor Science and Technology,2006年,Volume 21,Issue 5,pp.670-676（以下「引用例１」という。）には、Figure１〜10とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下同じ。）。
　
ａ．“2. Experimental details
An n-type 4H-SiC(0001) Si-faced substrate (1×1019cm-3,350μm) with a high-quality n-doped (9×1015cm-3,10μm) epitaxial layer from CREE Research Inc. was used as a starting material. JBS, Schottky and PiN diodes were processed on the same wafer. The p+ implanted regions for both anodes of the PiN diodes and p+ grid regions of JBS diodes were simultaneously created by multiple-energy Al+ implantation at 400℃,forming an impurity box profile with a junction depth of 0.25μm.……Table 1 summarizes the implantation profiles performed in the p-type grid regions of the different fabricated JBS diodes.
　　The p-type grid layout of the JBS structure was designed with concentric rings 6μm wide with a spacing of 6μm between them, thus obtaining 50% of Schottky area. To achieve high blocking voltages, the same optimized single junction termination extension (JTE) was implemented in the three types of diodes [9]. The activation annealing of all implanted regions was carried out simultaneously at 1700℃ during 30 min without a capping layer in Ar ambient. Ni was deposited on the backside for ohmic contact formation. Then, a SiO2 layer was locally deposited on the top side to form a field oxide at the rectifier periphery. After contact opening, Ti and Ni layers were sequentially deposited by sputtering and patterned to define planar circular diodes. All fabricated and reported diodes have circular geometry with a 200μm anode contact diameter. The thickness of the Ti and Ni layers was in the range 25-35 and 90-110 nm, respectively. Figure 1 shows a schematic cross-section of the fabricated 4H-SiC JBS diode with the highest p-type grid doping concentration and figure 2 shows an optical picture of a processed JBS diode before the Al+ JTE implantation.
　　In order to analyse the influence of the RTA contact anneals on the electrical characteristics of the two types of metal-semiconductor formed junctions (Schottky and ohmic), several sequential rapid thermal anneals (RTA) were performed at different temperatures, up to 900℃ for 3 min. The electrical characterization of the Ni/Ti contact under the different thermal anneals was carried out by measuring the I-V characteristics of Schottky diodes at room temperature and by extracting the contact resistivity value (ρC) from rectangular transmission line model (TLM) structures. ”（第６７１頁左欄第２３行〜第６７２頁左欄第３行）
（訳：２．実験の詳細細部
CREE社製の、
高品質のｎ型にドープされた(９×10
15
cm
-3
,10μm)エピタキシャル層を有するｎ型4H-SiC(0001)の基板(１×10
19
cm
-3
,350μm)を出発材料として使用した。
JBSダイオードのｐ
+
グリッド領域の
ｐ
+
注入領域
400℃での高エネルギーのAl
+
の注入により、0.25μmの深さのジャンクションを持つ箱状の不純物領域を形成するように、
製造された
　JBS構造のｐ型グリッドのレイアウトは、幅６μm、間隔６μmの同心円状のリングとして設計され、ショットキー領域の50％を占める。高いブロッキング電圧を達成するために、３つのタイプのダイオードでは、同様に最適化された一つのジャンクション・ターミネーション・エクステンション(JTE)構造を用いている。すべての注入領域の活性化のためのアニールは、キャッピング層無しのAr雰囲気中で、1700℃30分の条件で実行した。
Niを、オーミックコンタクト形成のために基板裏面に堆積させた
基板上面に、SiO
２
層を部分的に堆積させた。コンタクト部を開口した後、Ti層とNi層を連続してスパッタにより堆積し、平面円形ダイオードを定義するためにパターン化した。製造し報告したダイオードはすべて、200μmの径のアノード電極を持つ
　２つのタイプの金属と半導体によって形成された接合（ショトキーとオーミック）の電気的の及ぼす、RTAのコンタクトアニールの影響を解析するために、
900℃までの異なる温度で３分間、いくつかのシーケンシャルの短時間加熱アニール(RTA)を実行した
　
ｂ．「高濃度でドープしたｐ型アノードグリッドを有する4H-SiC整流器の断面図（Figure１の説明）」であるFigure１には、Ｎ+のドープ濃度１×1019cm-3の4H-SiC基板の下面にカソードコンタクトを備え、前記4H-SiC基板の上面にＮ−のドープ濃度９×1015cm-3の4H-SiCエピ層を備え、前記4H-SiCエピ層の上部に幅６μm間隔６μmでｐ+の注入領域を設け、前記ｐ+の注入領域が設けられた前記4H-SiCエピ層の上面にアノードコンタクトを備えることが、示されている。
　
　　イ．さて、引用例１の「JBSダイオード」は、ａで摘記したように、「２つのタイプの金属と半導体によって形成された接合（ショトキーとオーミック）」を有する。このうち、「Ni」を「基板裏面に堆積させた」ことにより「形成」された接合は「オーミックコンタクト」を「形成」している。したがって、「前記SiC層の上面に、前記Ti層と前記Ni層をスパッタして堆積した」形成されたｂのアノードコンタクトは、少なくとも、「ｐ+注入領域」がなく「前記SiC層」の「上面」が露出する面と、「ショットキー」コンタクトを形成していることは、技術常識を参酌すれば自明である。
　
　そうすると、以上のａ、ｂの記載を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ｎ型4H-SiC(0001)基板上に、ドープ濃度９×1015cm-3のｎ型4H-SiCエピタキシャル層を形成し、前記SiCエピタキシャル層の上部にｐ+グリッド領域となるｐ+注入領域を設け、前記SiCエピタキシャル層の上面を開口するコンタクト部の上に連続してスパッタにより堆積したTi層とNi層をパターン化してショットキーコンタクトを形成するアノードコンタクトとしたJBSダイオードであって、
　前記SiCエピタキシャル層の上面に前記Ti層と前記Ni層とを連続して堆積した後に、900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施したことを特徴とするJBSダイオード。」
　
３−２．引用例２の記載事項
　　ア．本願の出願前に外国において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、F. Roccaforte et al,“Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal annealing”,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2004年10月15日,Volume 96,Number 8,pp.4313-4318（以下「引用例２」という。）には、Fig.１〜７とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．“II. EXPERIMENTAL DETAILS
　……（中略）……
　　The evolution of the electrical properties of the Ni/Ti/6H-SiC contact after thermal annealing processes was monitored by measuring the current-voltage(I-V) characteristics of test Schottky diodes. …… The diodes were fabricated onto 4 μm thick epitaxial layers (n-type doped) with an epilayer carrier concentration of about 3×1015cm-3. The carrier concentration of the heavily doped substrate was 〜5×1018cm-3. ”（第４３１４頁左欄第１１〜４５行）
（２．実験の詳細
　……（中略）……
　
熱アニール処理を行った後の、Ni/Ti/6H-SiCコンタクトの電気的特性の評価は
試験したショットキーダイオード
ダイオードは、キャリア密度約３×10
15
cm
-3
のエピ層からなる、ｎ型にドープされた厚さ４μmのエピタキシャル層上に形成した
　
ｂ．“B. Electrical characterization
　　The structural changes of the Ni/Ti/SiC system observed after annealing affect the electrical properties, i.e., of Schottky barrier height. For that reason, the electrical characteristics of Schottky diodes were analyzed. In Fig. 6 schematic of the diode structure is reported. The active area of the diode was defined by the circular windows (whose diameter is about 200μm) opened onto the oxide and the Schottky contact was formed by the bilayer Ni/ Ti.”（第４３１６頁左欄第２７〜３５行）
（訳：Ｂ．電気的特徴
　
Ni/Ti/SiCシステムの構造的変化は
アニール処理の後に観察した
ショトキーコンタクトはNi／Tiの障壁によって形成された
　
ｃ．“IV. DISCUSSION
　　On the basis of the experimental results a possible scenario of the reaction mechanism of the Ni/Ti/6H-SiC bilayer system is the following. According to thermodynamic considerations concerning the ternary phase diagrams and the enthalpy changes during reactions,2,15,21,22 Ni and Ti can react with SiC by forming silicides (i.e.,Ni31Si12,Ni2Si,Ti5Si3,etc.), carbides(TiC), or ternary phases (Ti3SiC2). In particular, Ni reacts with SiC above 450℃ by forming nickel silicides(Ni31Si12 and Ni2Si), while the carbon liberated during reaction form precipitates.22 On the other hand,above 500-600℃ Ti can form the metal rich silicide (Ti5Si3) and TiC. These two phases can coexist and, under certain annealing conditions, can even arrange in a two-layer structure.2,15 At higher temperatures (900-1000℃), Ti can also form the ternary phase Ti3SiC2.2 ”（第４３１７頁左欄第４〜１９行）
（訳：４．検討
　実験結果に基づくと、Ni/Ti/6H-SiCの障壁システムの反応メカニズムの可能なシナリオは以下のようになる。三原子の状態図と反応の進行におけるエンタルピーの変化とを考慮した熱力学的考察から、2,15,21,22 NiとTiは、シリサイド(たとえば、Ni31Si12,Ni2Si,Ti5Si3　等)、炭化物(TiC)、または、三元系化合物(Ti３SiC２)を形成するように、SiCと反応できる。特に、 
NiはSiCと反応して、450℃以上でニッケルシリサイド(Ni
３１
Si
１２
 及び Ni
２
Si)を形成し、この反応の間に炭素を解放してその析出物を形成する。
20
 他方、500-600℃を超えると、Tiは、金属がリッチなシリサイド(Ti
５
Si
３
)とTiCとを形成する。これらの２つの段階は共存することができ、そして、ある特定のアニール条件の下では、２層の構造を整えさえすることができる。
2,15
 より高温(900-1000℃)では、Tiは、三元系化合物(Ti
３
SiC
２
)を形成できる
　
ｄ．「コンタクトの電気的特性をモニターするために使用したショットキーダイオードの断面図（Fig.６の説明）」であるFig.６には、Ｎ+のドープ濃度が略５×1018cm-3の基板の下面にNi2Siのオーミックコンタクトを備え、前記基板の上にＮ-のドープ濃度が略３×1015cm-3のSiC層を備え、前記SiC層の上面にTi層、Ni層の順で積層したコンタクトを備えることが、示されている。
　
　　イ．以上のａ〜ｄを総合すると、引用例２には、以下の公知の事項が記載されている。
　
「Ｎ−のドープ濃度が略３×1015cm−3の6H-SiCエピタキシャル層の上面にTi層、Ni層の順で積層したショットキーコンタクトからなり、ショットキーダイオードを形成するための、Ni/Ti/6H-SiCコンタクト構造のアニール処理において、処理温度が、450℃以上で、NiはSiCと反応してニッケルシリサイド(Ni31Si12 及び Ni2Si)を形成するとともに、その間にSiCからCを解放して析出させ、500-600℃を超えると、TiがSiC及びCと反応してチタンシリサイド(Ti5Si3)とTiCとを形成し、さらに、より高温(900-1000℃)になると三元系化合物(Ti3SiC2)が形成される。」
　
４．対比
４−１．本願発明と引用発明との対比
　本願発明と、引用発明とを対比する。
　
　　ア．引用発明の「Ni」は、VIIIa族の金属である。
　したがって、引用発明の「前記SiCエピタキシャル層の上面に前記Ti層と前記Ni層とを連続して堆積した後に、900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施した」「ショットキーコンタクト」と、本願発明の「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面がIVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属とIVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイド（但し、TiとNiの組み合わせを除く）である」コンタクトとは、「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属」との間の「ショットキー電極界面」を有するコンタクトである点で、共通する。
　また、引用発明の「前記エピタキシャル層の上部にｐ+グリッド領域となるｐ+注入領域を設け」て「ショットキーコンタクトを形成するアノードコンタクトとしたJBSダイオード」は、本願発明の「JBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード」に相当する。
　以上から、引用発明の「ｎ型4H-SiC(0001)基板上に、ドープ濃度９×1015cm−3のｎ型4H-SiCエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層の上部にｐ+グリッド領域となるｐ+注入領域を設け、前記SiCエピタキシャル層の上面を開口するコンタクト部の上に連続してスパッタにより堆積したTi層とNi層」とを「連続して堆積した後に、900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施し」て「形成」した「ショットキーコンタクト」を、「アノードコンタクトとしたJBSダイオード」と、本願発明の「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面がIVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属とIVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイド（但し、TiとNiの組み合わせを除く）であるJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード」とは、「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属」との間の「ショットキー電極界面」を有する「JBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオード」である点で共通する。
　
　　イ．引用発明の「ｎ型4H-SiC(0001)基板上に、ドープ濃度９×1015cm-3のｎ型4H-SiCエピタキシャル層を形成し」て「前記SiCエピタキシャル層の上面を開口するコンタクト部の上に連続してスパッタにより堆積したTi層とNi層」とを「連続して堆積した後に、900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施した」ことと、本願発明の「炭化珪素基板上にIVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属（但し、TiとNiの組み合わせを除く）を堆積し熱処理を行って形成したものであること」とは、「炭化珪素基板上にIVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」を「堆積し熱処理を行って形成したものであること」である点で共通する。
　
４−２．一致点及び相違点
　以上から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
（一致点）
「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属との間のショットキー電極界面を有するJBS構造の炭化珪素ショットキーバリアダイオードであって、炭化珪素基板上にIVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属を堆積し熱処理を行って形成したものであることを特徴とする炭化珪素ショットキーバリアダイオード。」
　
（相違点１）
　本願発明においては、「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面がIVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属とIVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイド」であるのに対して、引用発明は、「前記SiCエピタキシャル層の上面に前記Ti層と前記Ni層とを連続して堆積した後に、900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施したこと」により「ショットキーコンタクトを形成する」点。
　
（相違点２）
　「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」の「組み合わせ」が、本願発明においては「（但し、TiとNiの組み合わせを除く）」のに対して、引用発明は「Ti層とNi層」とを「堆積」することで「Ti」と「Ni」を組み合わせている点。
　
５．当審の判断
５−１．相違点１について
　　ア．本願発明は、「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面」が「IVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属」と「IVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイド」である。すなわち、「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面」は、「IVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属」と「IVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイド」とにより形成されている。
　この点につき、本願明細書には、実施例に裏付けられた具体的な記載としては、段落【００２５】に「次に例えば炭化珪素基板上に１層目として炭化金属を形成しにくいニッケルを、２層目として炭化珪素を形成しやすいチタンを蒸着し、1000℃でアニールすることで、ショットキー界面にはニッケルシリサイド層とともに、炭化チタンが同時に界面に存在することが、オージェ分析により確認されている。このように、炭化金属を形成しにくい金属を利用する場合でも、炭化金属を形成しやすい金属と合金又は混合物又は層状に堆積した構造から反応させることにより特性劣化を引き起こすと懸念される炭素原子は界面において炭化チタンの形態を取り、ショットキーバリアダイオードの特性が安定化する。」ことが記載されている。また、この記載とともに、段落【００２６】には「ニッケル以外のIVa、Va、VIa族金属以外の金属でも、IVa、Va、VIa族金属との合金又は混合物又は層状に堆積した構造を用いて反応させることにより、炭素原子が炭化金属又は金属とシリコンと炭素の３元系化合物を形成して炭素原子のない安定したショットキー界面を形成するため、IVa、Va、VIa族金属を用いてシリサイド又は炭化金属又は金属とシリコンと炭素の３元系化合物を形成した構造やIVa、Va、VIa族金属とIVa、Va、VIa族金属以外の金属の組み合わせによりシリサイド層又は炭化金属又は金属とシリコンと炭素の３元系化合物を形成した構造でも本発明の効果は得られる」と記載されている。
　
　　イ．前記段落【００２５】の「例えば炭化珪素基板上に１層目として炭化金属を形成しにくいニッケルを、２層目として炭化珪素を形成しやすいチタンを蒸着し、1000℃でアニールすることで、ショットキー界面にはニッケルシリサイド層とともに、炭化チタンが同時に界面に存在することが、オージェ分析により確認されている。このように、炭化金属を形成しにくい金属を利用する場合でも、炭化金属を形成しやすい金属と合金又は混合物又は層状に堆積した構造から反応させることにより特性劣化を引き起こすと懸念される炭素原子は界面において炭化チタンの形態を取り、ショットキーバリアダイオードの特性が安定化する。」という記載によれば、「炭化珪素とIVa、Va、VIa族以外の金属とのショットキー電極界面」を形成する本願発明の「IVa、Va、VIa族の金属からなる炭化金属」と「IVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイド」は、「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」の「合金」、又は、その「混合物」、又は、「例えば炭化珪素基板上に１層目として炭化金属を形成しにくいニッケルを、２層目として炭化珪素を形成しやすいチタンを蒸着」して得た「層状に堆積した構造」から「反応させる」ことで得られることが、本願明細書の発明の詳細な説明には記載されている。
　ここで、前記「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」の「合金」又はその「混合物」を「反応」させて、前記「炭化金属」と「金属シリサイド」を得る場合は、本願発明の「IVa、Va、VIa族以外の金属」が形成する「ショットキー電極」は、「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」の「合金」又はその「混合物」として得られるものと認められる。
　
　　ウ．さて、「３−２．引用例２の記載事項」の「イ」で指摘したように、引用例２には、
「Ｎ−のドープ濃度が略３×1015cm-3の6H-SiCエピタキシャル層の上面にTi層、Ni層の順で積層したショットキーコンタクトからなり、ショットキーダイオードを形成するための、Ni/Ti/6H-SiCコンタクト構造のアニール処理において、処理温度が、450℃以上で、NiはSiCと反応してニッケルシリサイド(Ni31Si12 及び Ni2Si)を形成するとともに、その間にSiCからCを解放して析出させ、500-600℃を超えると、TiがSiC及びCと反応してチタンシリサイド(Ti5Si3)とTiCとを形成し、さらに、より高温(900-1000℃)になると三元系化合物(Ti3SiC2)が形成される。」
との公知の事項が記載されている。
　これに対して、引用発明は、「ｎ型4H-SiC(0001)基板上に、ドープ濃度9×1015cm-3のｎ型4H-SiCエピタキシャル層を形成し」、「前記SiCエピタキシャル層の上面」に「前記Ti層と前記Ni層とを連続して堆積」した後に、「900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施した」ものである。
　引用発明と引用例２の記載とを比較すると、両者は、同様に六方晶の結晶構造を有して同一オーダーで「ｎ型」にドープされた「ＳｉＣエピタキシャル層」の上面に、「Ｔｉ層」と「Ｎｉ層」をこの順で堆積した後に、少なくとも「900℃までの温度」で「アニール」する点で一致する。
　
　　エ．そうすると、引用発明において、「900℃までの温度」で「アニール」するとき、そのときの「温度」の上限である「900℃」は引用例２の「より高温(900-1000℃)」との記載における下限であることから、前記上限である「900℃」に達した時点で、引用例２と同様に三元系化合物(Ti3SiC2)が形成されるとは、直ちには断定できない。
　しかし、少なくとも、前記「900℃までの温度」で「アニール」する過程においては、引用例２と同様に、450℃以上に加熱すると、「Ni」は「SiC」と反応してニッケルシリサイドが形成されるとともに前記「SiC」から解放された「C」が析出され、500−600℃を超えて加熱すると、「Ti」が前記「SiC」及び前記「C」と反応してチタンシリサイドとTiCとが形成されていることは、明らかである。
　ここで、「Ni」が「SiC」と反応してニッケルシリサイドを形成する際、「Ni」と反応する相手の「Si」は、「SiCエピタキシャル層」の結晶構造の格子点の位置にあるから、ニッケルシリサイドは、主に「SiCエピタキシャル層」の表面に形成されると認められる。同様に、前記「SiC」から解放された「C」も、「SiCエピタキシャル層」の表面に析出すると認められる。
　そうすると、引用発明においては、「ショットキーコンタクト」の上層である「Ni層」中の「Ni」が、下層の「Ti層」内を拡散して「SiCエピタキシャル層」の表面に達し、そこで「SiC」と反応してニッケルシリサイドを形成すると認められる。すなわち、ニッケルシリサイド形成時に引用発明の「ショットキーコンタクト」の下層である「Ti層」内に少なからず「Ni」が拡散して、前記「Ti層」は「Ti」と「Ni」の「混合物」となっており、この「混合物」を「SiC」と「反応させる」という、イで指摘した本願明細書の記載と同じ方法により、「SiCエピタキシャル層」の表面にニッケルシリサイドが得られると認められる。
　そして、500-600℃を超えて加熱することで、前記「Ti」と「Ni」の「混合物」となった「Ti層」中の「Ti」と、ニッケルシリサイド形成時に析出された「C」とを「反応させる」という、イで指摘した本願明細書の記載と同じ方法により、「SiCエピタキシャル層」の表面にTiCが得られると認められる。
　
　　オ．この、「SiCエピタキシャル層」の表面に得られる前記ニッケルシリサイドと前記TiCが、「Ti」と「Ni」の「混合物」となっている「Ti層」と「Ni層」とから形成される「ショットキーコンタクト」と、前記「SiCエピタキシャル層」とのショットキー接触における界面を成していると認められる。
　
　　カ．以上のア〜オから、引用発明においても、IVa、Va、VIa族の金属である「Ti」の炭化金属であるTiCと、IVa、Va、VIa族以外の金属からなる金属シリサイドであるニッケルシリサイドとは、「SiCエピタキシャル層」と、IVa、Va、VIa族の金属である「Ti」とIVa、Va、VIa族以外の金属である「Ni」との「混合物」の形態を取る「ショットキーコンタクト」とのショットキー電極界面を形成していると言うことができる。
　よって、相違点１は、実質的な相違点ではない。
　
５−２．相違点２について
　　ア．NiをSiC層上に形成する電極材料として用いると、熱処理によって前記NiをSiC中のSiと結合させてシリサイド化するときに余ったCが界面に析出されて、形成された電極が剥離しやすくなる等の問題を引き起こすこと、この問題を解決するために、電極材料として前記Niに加えてTiも用いることで、析出した前記Cを前記TiによってTiCとして消費させること、そして、IVa、Va、VIa族の金属は炭化物を形成し易いことから、前記Tiに代えてTi以外のIVa、Va、VIa族の金属を用いても前記Tiと同様の効果が得られることは、以下に示す周知例１〜３に記載されるように、本願出願前に既に周知の事項であった。
　
　　イ．ところで、前記周知例１〜３は、いずれも、オーミックコンタクトを形成する電極材料に関するものである。
　しかし、ｎ型SiCエピタキシャル層上に形成するショットキー電極材料として、Ni、Ti、及び、前記Ti以外のV、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、WなどのIVa、Va、VIa族の金属を、置換可能に列挙された金属材料として用いることは、以下に示す周知例４〜５に記載されるように、常套手段であった。このようにショットキー電極材料として用いる場合であっても、前記IVa、Va、VIa族の金属は、当然、上記の炭化物を形成し易いという性質を有するものと認められる。
　そして、「３−２．引用例２の記載事項」のイで示したように、引用例２には、「Ｎ-のドープ濃度が略３×1015cm-3のSiCエピタキシャル層の上面にTi層、Ni層の順で積層したショットキーコンタクト」の「アニール処理において、処理温度が、450℃以上で、NiはSiCと反応してニッケルシリサイド(Ni31Si12 及び Ni2Si)を形成するとともに、その間にSiCからCを解放して析出させ、500-600℃を超えると、TiがSiC及びCと反応してチタンシリサイド(Ti5Si3)とTiCとを形成」すると記載されている。してみれば、ｎ型のSiCエピタキシャル層の上面に「ショットキーコンタクト」を形成する過程においても、ニッケルシリサイドの形成によりSiCから解放して析出されるCが、前記周知技術と同様の問題を引き起こすこと、Cと反応してTiCを形成し易いTiは、前記周知技術と同様に、析出したＣを消費する能力を有していることは、当業者には自明であったと認められる。
　そうすると、ｎ型のSiCエピタキシャル層の上面に「ショットキーコンタクト」を形成する場合も、前記周知の事項の、NiがSiC中のSiと反応してシリサイド化するときに析出するCをTiがTiCとして消費するという事象が、引用例２の記載のとおり生じるのであるから、この場合にNiとともに使用する電極材料として、炭化物を形成し易いIVa、Va、VIa族の金属であればTiと同様に使用できることも、当業者には明らかであったと認められる。
　
　　ウ．さて、引用発明の「JBSダイオード」は、「ドープ濃度９×1015cm-3」で「ｎ型」に「ドープ」された「前記SiCエピタキシャル層の上面に前記Ti層と前記Ni層とを連続して堆積した後に、900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施した」ものである。
　そうすると、「５−１．相違点１について」のエで検討したように、引用発明において、「900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施した」過程で、450℃以上に加熱すると「Ni」は「SiC」と反応してニッケルシリサイドが形成されるとともに前記「SiC」から解放された「C」が析出され、500-600℃を超えて加熱すると「Ti」が前記「SiC」及び前記「C」と反応してチタンシリサイドとTiCとが形成されると認められる。
　
　　エ．してみれば、「900℃までの温度で３分間、短時間加熱アニール(RTA)を施した」ものである引用発明において、ニッケルシリサイドの形成により析出する「C」をTiCとして消費する「Ti」に代えて、前記「Ti」以外の炭化物を形成し易いIVa、Va、VIa族の金属を採用することは、イで指摘したように、この場合、前記「Ti」以外のIVa、Va、VIa族の金属を用いても前記「Ti」と同様の効果が得られることが当業者には明らかであったと認められることに鑑みれば、当業者であれば適宜になし得たものと認められる。
　
　　オ．ここで、「５−１．相違点１について」のイで指摘したように、本願発明の「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」の「組み合わせ」の具体例については、本願明細書の発明の詳細な説明には、前記段落【００２５】の「炭化金属を形成しにくいニッケル」と「炭化珪素を形成しやすいチタン」を組み合わせるとの記載があるだけである。そして、段落【００２６】の前記記載は、「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」の「組み合わせ」が、「ニッケル」と「チタン」の組み合わせでなくても、「本発明の効果は得られる」ことを、その組み合わせの実施例を示すことなく記載したものである。
　したがって、本願発明において、「炭化珪素基板上にIVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属（但し、TiとNiの組み合わせを除く）を堆積し熱処理を行って形成した」場合は、「炭化珪素基板上」に「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」として「TiとNiの組み合わせ」を「堆積し熱処理を行って形成した」場合と比較して、顕著な効果を示すとは認められない。
　
　　カ．以上から、引用発明において、「前記SiCエピタキシャル層の上面」に「前記Ni層」とともに「連続して堆積した」金属層として、「Ti層」に代えて、「Ti」以外のIVa、Va、VIa族の金属の層を「堆積」することで、「Ti」以外の「IVa、Va、VIa族の金属」からなる「炭化金属」を形成させることは、当業者であれば適宜になし得たものと認められる。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
　　キ．周知例１：特開２０００−２０８４３８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２０８４３８号公報には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に電子デバイスには、オーミック電極が必要であり、さらにこれをベース金属にはんだづけする場合が多い。
ＳｉＣデバイスにおいては、電導型がｎ型の場合にはニッケル（以下Ｎｉと記す）薄膜を形成し、これを熱処理してオーミック電極とすることができる。しかしその熱処理の際にＮｉは、ＳｉＣ中のシリコン原子と結合してシリサイドを形成する。ＳｉＣ中の余った炭素原子は、シリサイドの表面付近に堆積して、炭素層を形成し、はんだ付けの阻害要因となる
ｂ．「【００１３】この図から、
Ｔｉを加えたＮｉ合金を用いた試料Ａおよび試料Ｂで、密着性が格段に向上していることがわかる。この結果は、Ｔｉが炭化物を形成し易い金属であるため、炭化物を形成することで、Ｎｉシリサイド生成時に余った炭素が消費され、炭素層の形成を抑制できた
ｃ．「【００１６】表１に、
ＴｉおよびＩＶａ族のジルコニウム（Ｚｒ）、Ｖａ族のバナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ＶＩａ族のクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）
【００１７】
　……（中略）……
これらの金属は、いずれも炭化物を形成し易い金属であることから、これらの金属とＮｉとの合金を用いれば、同様の効果が得られると考えられる。他にデータは見当たらなかったが、同じ族のＨｆ、Ｍｏ等についても同様
　
　　ク．周知例２：特開２００６−０３２４５６号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−０３２４５６号公報には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００４】
　また、上記のＳｉＣに対してＮｉを蒸着して加熱する方法では、
ＳｉＣとＮｉが
｛ＳｉＣ＋Ｎｉ　→　Ｎｉ−Ｓｉ化合物＋Ｃ（炭素）｝
という化学反応をおこし、上記加熱後に黒鉛の微粉末が未反応ＮｉとＮｉ−Ｓｉ化合物層との間に層状に生じる。すると、ＳｉＣ基板についての実装時において上記黒鉛の微粉末の層で剥離が生じ易くなってしまう。
ｂ．「【００１６】
　以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
（第１実施形態）
　図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体素子の構造を示す断面図である。本半導体素子１０は、
ｎ型ＳｉＣ基板１と、ｎ型ＳｉＣ基板上に形成されてなる第１の貴金属膜２と、第１の貴金属膜２上に形成されてなる耐熱金属膜３と、耐熱金属膜３上に形成されてなる第２の貴金属膜４とを有して構成されている
【００１７】
　
ｎ型ＳｉＣ基板１は（０００−１）面を主面としており
第１の貴金属膜２としては、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれか１つ、これらの２つ以上からなる合金
第１の貴金属膜２としては、特にＮｉ
が好ましい
【００１８】
　耐熱金属膜３としては、炭素と結合して導電性炭化物を形成する金属元素及びそれらの合金を適用する。そこで、耐熱金属膜３は、長周期型の周期表における４ａ族と５ａ族
耐熱金属膜３は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｄｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｇ
そして、耐熱金属膜３としては、例えばＴｉを適用する
　……（中略）……
【００２６】
　また、本実施形態によれば、第４工程の加熱処理で、
ｎ型ＳｉＣ基板１と第１の貴金属膜２（例えばＮｉ）とが、｛ＳｉＣ＋Ｎｉ  →  Ｎｉ−Ｓｉ化合物＋Ｃ（炭素）｝というように化学反応して、炭素が発生しても、その炭素と耐熱金属膜３（例えばＴｉ）とが結合して導電性炭化物となる
　
　　ケ．周知例３：特開２００６−３４４６８８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−３４４６８８号公報には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１５】
　
上記ニッケル（Ｎｉ）もしくはニッケル（Ｎｉ）合金からなる第１金属の珪化物層は、第１金属がＳｉＣ基板のシリコン（Ｓｉ）と反応して形成された珪化物層であり、この第１金属の珪化物層によって、ＳｉＣ基板との良好なオーミック接続特性が確保される。また、チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）もしくはタングステン（Ｗ）からなる第２金属の炭化物層は、第２金属がＳｉＣ基板の分解物である炭素（Ｃ）原子と反応して形成された炭化物層であり、上記製造段階における高温の熱処理時において、ＳｉＣ基板の分解物であるＣ原子の表面への拡散を防止するストッパとして機能した後に形成された層である。従って、高温熱処理後の上記第２金属の炭化物層の表面には、上記第１金属の炭化物やＣ粒子が析出しない。このため、次に形成する電極や配線となる金属層の剥がれを防止することができる
　
　　コ．周知例４：特開２０００−１０１１００号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１０１１００号公報には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
（実施形態１）以下のようにして図１に示すようなショットキーダイオードを作製し、作製したショットキーダイオードの評価等を行った。
【００１５】まず、不純物濃度１０１８／ｃｍ３のｎ型伝導を示すＳｉＣ基板１（厚さ０．２ｍｍ）に、
不純物濃度５×１０
１５
／ｃｍ
３
のｎ型ＳｉＣ層（ＳｉＣエピタキシャル層２）
ＳｉＣ基板１の裏面にオーミック電極３としてＮｉを１μｍの厚さで蒸着した
ｂ．「【００２０】（実施形態２）
ショットキー電極の種類を換えて、第１の実施形態と同様に図１に示すようなショットキーダイオードを作製し
【００２１】
本実施形態では、ショットキー電極としてＴｉシリサイド、具体的にはＴｉ
３
Ｓｉ，ＴｉＳｉ及びＴｉＳｉ
２
を形成した
【００２２】作製した試料に対して、第１の実施形態と同様に熱処理を行った後リーク電流を測定した。その結果、Ｔｉ３Ｓｉの場合には１０−５（Ａ）台のリーク電流であったが、ＴｉＳｉでは４×１０−６（Ａ）、ＴｉＳｉ２では２×１０−６（Ａ）のリーク電流であった。また、界面のＸ線回析を第１の実施形態と同様に行った。その結果、Ｔｉ３Ｓｉでは同定不能なピークが見られたが、それ以外のものではそれぞれのシリサイド以外のピークは見られなかった。Ｔｉ３Ｓｉの場合にはリーク電流が若干高くＳｉＣとの反応が若干あるとも考えられるが、他の試料では良好な特性が得られている。なお、シリサイドはアニールによって結晶性が向上しており、これも特性向上に寄与していると考えられる。
【００２３】また、Ｔｉシリサイドを１００ｎｍの厚さで形成し、その上にＴｉを１μｍ形成した場合も、上記と同様にリーク電流を低下することができた。この場合は、Ｔｉシリサイドが厚い場合に比べて、熱処理による密着力の低下を抑制することができた。また、Ｔｉシリサイドの厚さが２０ｎｍでも効果が見られた。
【００２４】また、
Ｔｉ以外の金属のシリサイドをショットキー電極に用いて同様に熱処理を行った場合にもリーク電流の増加が少なく、リーク電流は１０
−５
（Ａ）以下であった
【００２５】金属シリサイドをＭＳｉＸ（Ｍは金属）とすると、ｘの値が１の近傍でシリサイドの生成エネルギーが最低となる。そのため、所定の割合でＳｉが含まれたシリサイドでは、ＳｉＣのＳｉを奪ってｘのより大きな化合物になるよりも、そのままの状態でいるほうが熱的に安定といえる。したがって、シリサイドを用いることにより、熱処理によってＳｉＣと反応しにくくなり、リーク電流の増加を抑制することができると考えられる。
【００２６】なお、
シリサイドを形成する金属Ｍとしては、仕事関数が５．２以下のものがＳｉＣに対するバリアの高さが小さく、オン抵抗を下げることができる。金属ＭとしてはＴｉ以外に、
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ
Ｎｉ
があげられる
　
　　サ．周知例５：特開２００３−１５８２５９号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−１５８２５９号公報には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００３４】＜ＪＢＳダイオードの製造方法＞次に、図１及び図２に示したＪＢＳダイオードの製造方法を図３及び図４を参照して説明する。図３及び図４の各分図は、ＪＢＳダイオードの製造する上での主要な製造工程を示す工程断面図である。
【００３５】（イ）まず最初に、図３（ａ）に示すように、
ｎ型高抵抗のＳｉＣ基板１４を用意する。具体的には、ｎ型不純物濃度１×１０
１９
ｃｍ
−３
、厚さ３００μｍのＳｉＣからなる低抵抗基板１の上に、エピタキシャル法により不純物濃度５×１０
１５
ｃｍ
−３
、厚さ１０μｍのｎ型高抵抗層２を形成する
ｂ．「【００４７】＜ＪＢＳダイオードの電気特性＞上記の製造方法により
製造されたＪＢＳダイオードの電気的特性を評価した結果は以下の通りである。即ち、ｎ型高抵抗層２とＮｉＳｉ
２
膜（アノード電極）７ａとのショットキー接続界面
【００４８】具体的には、耐圧１０００ＶのＪＢＳダイオードにおいて、逆方向電圧７００Ｖ印加時の逆方向電流は１×１０−６Ａ／ｃｍ２であり、順方向電流密度１００Ａ／ｃｍ２の時の順方向オン電圧は１．０Ｖであった。一方、
従来技術のＮｉショットキー接続を用いた、同じ耐圧（１０００Ｖ）のＪＢＳダイオードにおいては、バリアハイトが１．４ｅＶ程度と高い
炭化珪素（ＳｉＣ）基板１４とＮｉＳｉ
２
膜とのショットキー接続界面におけるバリアハイト（内蔵電位）が０．４ｅＶと非常に低い値となる
【００４９】なお、
高融点金属としてニッケル（Ｎｉ）を用いた場合に限らず、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどの他の高融点金属を用いた場合であっても、同様な方法によりダイシリサイド構造のアノード電極７ａを作製することができ、同様な評価結果を得ることができた
　
５−３．審判請求書の主張に対して
　　ア．審判請求人は、審判請求書において、
ａ．「すなわち、引用文献１を参照してみても、TiとNiの組み合わせを除くIVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属との組み合わせを用いること、は全く認識されておらず、かつ、そのことによる効果についても何らの記載もありません。」
ｂ．「また、引用文献４、５にも、TiとNiとを堆積して熱処理を行なってショットキー電極を形成することは記載されています。しかしながら、引用文献４、５においても、Niを用いたことによる遊離炭素の発生をTiを併用することによって防止できることについては何ら認識されておりません。従いまして、引用文献１の場合と同様の理由により、引用文献４、５にTiとNiとを用いることが記載されているとしても、炭素と化合物を作り難い金属と共に炭素と化合物を作りやすい金属としてのIVa、Va、VIa族の金属を採用することは当業者が容易に想到し得ること」はできない「と思料致します。」
と主張している。
　
　　イ．しかしながら、本願明細書においても、本願発明の「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」の「組み合わせ」の具体例については、段落【００２５】の「炭化金属を形成しにくいニッケル」と「炭化珪素を形成しやすいチタン」を組み合わせるとの記載があるだけであること、同段落【００２６】には「IVa、Va、VIa族の金属とIVa、Va、VIa族以外の金属」の「組み合わせ」は、「ニッケル」と「チタン」の組み合わせでなくても、「本発明の効果は得られる」ことが記載されているだけであることは、「５−１．相違点１について」のア及びイ、及び、「５−２．相違点２について」のオで指摘したとおりである。
　そして、引用発明において、「ニッケル」と「チタン」の組み合わせに代えて、「ニッケル」と「チタン」以外のIVa、Va、VIa族の金属の組み合わせを採用することを、当業者であれば適宜になし得たことは、「５−２．相違点２について」で指摘したとおりである。
　
　　ウ．したがって、審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
６．小括
　以上のとおりであるから、各相違点は、実質的な相違点ではないか、引用例２に記載の公知の事項及び周知の事項を参酌すれば引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載の公知の事項及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載の公知の事項及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。