【事件の表示】
　特願２０１０−２７３０２２「磁気ディスク用ガラス基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月２８日出願公開、特開２０１１−　８６３７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【第１】経緯
　
［１］手続の経緯 
　本願は、平成１８年９月２６日（優先権主張平成１７年９月２６日）に出願した特願２００６−２６００６８号の一部を、平成２２年１２月７日に新たな特許出願（特願２０１０−２７３０２２号）としたものであって，手続の概要は以下のとおりである。
　
　拒絶理由通知　　　　　　　：平成２３年１１月１０日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２４年　１月１５日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２４年　１月１５日
　拒絶理由通知　　　　　　　：平成２４年　９月１０日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２４年１１月１９日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２４年１１月１９日
　拒絶査定　　　　　　　　　：平成２５年　５月３０日（起案日）
　拒絶査定不服審判請求　　　：平成２５年　９月　４日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２５年　９月　４日
　前置審査報告　　　　　　　：平成２５年１１月１２日
　審尋　　　　　　　　　　　：平成２５年１２月１３日（起案日）
　回答書　　　　　　　　　　：平成２６年　２月１７日
　
［２］査定 
　原査定の理由は，概略，以下のとおりである。 
　
〈査定の理由の概略〉 
　
　本願の各請求項に係る発明は，下記の刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。 
　　　
　　　　　　記（刊行物等一覧） 
　刊行物１：特開２００３−３４６３１６号公報
　刊行物２：特開平０３−０３６４４７号公報
　刊行物３：特開昭６４−０６３７４２号公報
　刊行物４：特開平０９−２２９４４２号公報
　
【第２】補正の却下の決定　 
　平成２５年９月４日付けの補正（以下「本件補正」という。）について次のとおり決定する。 
　
　《結論》
　平成２５年９月４日付けの補正を却下する。
　
　《理由》
　
【第２-１】本件補正の内容
　
　本件補正は特許請求の範囲についてする補正であり，補正前特許請求の範囲の独立請求項である補正前請求項１，２，７の記載を，補正後請求項１，２，７とする補正であり，本件補正前および本件補正後の請求項１，２，７の記載は下記のとおりである。
　
　　　　　記（補正前，平成２４年１１月１９日補正によるもの）  
　　【請求項１】
　ロードアンロード方式であり，かつ，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって，
　複数の工程を経由して製造され，
　前記複数の工程を，互いに区画された複数の区域内において実施し，
　前記複数の工程は，研磨砥粒を用いてガラス基板を研磨する粗研磨工程と，この粗研磨工程の後に実施され，前記粗研磨工程にて使用される研磨砥粒よりも粒子径の小さな研磨砥粒を用いて前記ガラス基板を研磨する精研磨工程とを含み，
　該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する区域に流入することを阻止するように，前記複数の区域のうち，前記精研磨工程を行う区域においては，前記粗研磨工程が実施される区域へ向けた気流が生じている
　ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
　　【請求項２】
　ロードアンロード方式であり，かつ，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって，
　複数の工程を経由して製造され，
　前記複数の工程を，互いに区画された複数の区域内において実施し，
　前記複数の工程は，研磨砥粒を用いてガラス基板を研磨する粗研磨工程と，この粗研磨工程の後に実施され，前記粗研磨工程にて使用される研磨砥粒よりも粒子径の小さな研磨砥粒を用いて前記ガラス基板を研磨する精研磨工程とを含み，
　該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する区域に流入することを阻止するように，前記複数の区域のうち，前記粗研磨工程を行う区域においては，前記精研磨工程が実施される区域からの気流が流入している
　ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
　　【請求項７】
　ロードアンロード方式であり，かつ，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって，
　研磨砥粒を用いてガラス基板を研磨する粗研磨工程と，この粗研磨工程にて使用される研磨砥粒よりも粒子径の小さな研磨砥粒を用いて前記ガラス基板を研磨する精研磨工程とを含み，該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記粗研磨工程を実施する場所と，前記精研磨工程を実施する場所とを遮断し，これら場所間の遮断が解かれたときに，前記精研磨工程を実施する場所から，前記粗研磨工程を実施する場所へ向けた気流が生じることよって，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する場所に流入することを阻止する
　ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
　
　　　　　記（補正後，補正部分をアンダーラインで示す。）  
　　【請求項１】
　ロードアンロード方式であり，かつ，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ
，主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下であ
　複数の工程を経由して製造され，
　前記複数の工程を，互いに区画された複数の区域内において実施し，
　前記複数の工程は，研磨砥粒
を含む研磨液と研磨パッドと
を含む研磨液と研磨パッドと
　該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する区域に流入することを阻止するように，前記複数の区域のうち，前記精研磨工程を行う区域においては，前記粗研磨工程が実施される区域へ向けた気流が生じている
　ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
　　【請求項２】
　ロードアンロード方式であり，かつ，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ
，主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下であ
　複数の工程を経由して製造され，
　前記複数の工程を，互いに区画された複数の区域内において実施し，
　前記複数の工程は，研磨砥粒
を含む研磨液と研磨パッドと
を含む研磨液と研磨パッドと
　該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する区域に流入することを阻止するように，前記複数の区域のうち，前記粗研磨工程を行う区域においては，前記精研磨工程が実施される区域からの気流が流入している
　ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
　　【請求項７】
　ロードアンロード方式であり，かつ，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ
，主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下であ
　研磨砥粒
を含む研磨液と研磨パッドと
を含む研磨液と研磨パッドと
遮断し，これら場所間の遮断が解かれたときに，前記精研磨工程を実施する場所から，前記粗研磨工程を実施する場所へ向けた気流が生じることよって，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する場所に流入することを阻止する
　ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
　
　〈補正内容〉
　そして，その補正内容は，
　補正前請求項１，２，７に記載された「磁気ディスク用ガラス基板の製造方法」を「
主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下であ
　補正前請求項１，２，７に記載された
　「前記複数の工程は，研磨砥粒を用いてガラス基板を研磨する粗研磨工程」，「前記粗研磨工程にて使用される研磨砥粒よりも粒子径の小さな研磨砥粒を用いて前記ガラス基板を研磨する精研磨工程」を，それぞれ，
　「前記複数の工程は，研磨砥粒
を含む研磨液と研磨パッドと
を含む研磨液と研磨パッドと
　
【第２-２】本件補正の適否１（範囲，目的）
　
　〈補正の範囲（第１７条の２第３項）〉
　本件補正は，当初明細書の段落【００９７】，【００９８】，【０１３７】〜【０１４０】の記載を根拠とするものと認められ，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてする補正であるといえ，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　〈補正の目的（第１７条の２第４項）〉
　本件補正は，補正後請求項１，２，７は，対応する補正前請求項１，２，７に記載のあった特定事項である「磁気ディスク用ガラス基板」，「研磨砥粒を用いてガラス基板を研磨する粗研磨工程」，「研磨砥粒を用いて前記ガラス基板を研磨する精研磨工程」について，上記の下線部分を付加して限定するものであり，かつ，補正の前後において，産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であるから，特許法第１７条の２第４項第２号でいう特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。すなわち，本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
【第２-３】本件補正の適否２　独立特許要件（第１７条の２第５項）
　そこで，独立特許要件について検討するに，補正後請求項１に記載される発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　本件補正後の請求項１に記載される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由の詳細は，以下のとおりである。　
　
　　《理由：独立特許要件に適合しない理由の詳細》
　
　補正後の請求項１に記載される発明を「補正後発明」という。
　
［１］補正後発明 
　
　補正後発明（補正後の請求項１）について検討する。
　補正後発明は，前記【第２-１】の補正後の【請求項１】のとおりであるところ，
　下記の様に分説することができる。
　
　　　　　　記（補正後発明，分説）
Ａ　：ロードアンロード方式であり，かつ，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ
，主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下であ
Ｂ０：複数の工程を経由して製造され，
Ｂ１：前記複数の工程を，互いに区画された複数の区域内において実施し，
Ｂ２：前記複数の工程は，研磨砥粒
を含む研磨液と研磨パッドと
を含む研磨液と研磨パッドと
Ｃ　：該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する区域に流入することを阻止するように，前記複数の区域のうち，前記精研磨工程を行う区域においては，前記粗研磨工程が実施される区域へ向けた気流が生じている
Ａ　：ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
　
［２］引用刊行物の記載の摘示 
　
（１）刊行物１：特開２００３−３４６３１６号公報　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である上記刊行物１には，以下の記載（下線は，注目箇所を示すために当審で施したものである。）が認められる。（〔〕は引用箇所を示す。）
　
　(K1)〔１頁左下欄〕
【要約】
【課題】  例えば，
ＨＤＤにおけるテイク・オフ・ハイト（ＴＯＨ）を低くすることができる情報記録媒体並びに該情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
　
　(K2)
【請求項９】  基板上に記録層が形成された情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において，
前記ガラス基板の表面を，１００％モデュラスが７８４０〜２４５００ｋＰａである樹脂を加工した研磨部材によって研磨する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
　
　(K3)〈技術分野，従来の技術，目的〉
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，情報記録媒体並びに該情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および該方法によって製造された情報記録媒体用ガラス基板に関し，特に，パワースペクトルによって表面形状が評価された情報記録媒体並びに該情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および該方法によって製造された
情報記録媒体用ガラス基板に関する
【０００２】
【従来の技術】近年，情報のデジタル化は目覚ましく進展しており，デジタル化された情報を情報記録媒体に記録するための情報記録装置が各種開発製造されている。これら情報記録媒体の改良進歩はまさに日進月歩であり，これら情報記録媒体の記録容量，並びに情報記録装置の記録速度，および再生速度が年率十数％で向上している。このような状況において，現在最も広く使用されている情報記録装置は，ハードディスクドライブ（Hard Disk Drive：以下，「ＨＤＤ」と省略することがある）であり，このＨＤＤの改良進歩速度は，他の情報記録装置のそれ以上である。
【０００３】ハードディスク用媒体（以下，「ディスク」ということがある）は，ディスク用基板上に情報記録層が形成され，この情報記録層にデジタル化された情報が記録される（書き込まれる）。
【０００４】ＨＤＤにおける磁気ヘッドのロード・アンロード方式には，ＣＳＳ（contactstart stop：コンタクト・スタート・ストップ）方式と
ランプロード方式
【０００５】ここで，ディスクのＣＳＳゾーンとは，ディスクの主に内周または外周に沿って，高さ数十ｎｍオーダーの均一な凹凸が意図的に設けられた領域をいう。
【０００６】また，
ランプロード方式は，ディスクが回転中であるときは，磁気ヘッドがディスク上を滑空し，ディスクが回転を停止するときは，磁気ヘッドが格納位置に収納される方式である
【０００７】以下，この磁気ヘッドの
最低浮上高さをテイク・オフ・ハイト（以下，「ＴＯＨ」と省略することがある）という。
【０００８】ＣＳＳ方式または
ランプロード方式においては，ハードディスクが回転中であるときは，磁気ヘッドがＴＯＨをもってその情報記録領域上を滑空するので，記録情報高密度化を体現するためには，ＴＯＨを小さくすることが求められる
【０００９】磁気ヘッドによりディスクに情報の記録再生を行う場合において，
ハードディスクの表面に大きい凹凸が形成されているときは，ハードディスクの回転中に磁気ヘッドがハードディスクの表面の大きい凸部に接触または衝突し
【００１０】また，ヘッドクラッシュの発生に至らないまでも，
上記接触または衝突により磁気ヘッドに熱が発生し，発生した熱により磁気ヘッドが異常な信号を検知する，いわゆるサーマルアスペリティー(thermal asperity)が発生し易い
【００１１】特に，最近の磁気ヘッドでは，高精度に読込みを行うＭＲ（磁気抵抗型）ヘッド，またはＧＭＲ（巨大磁気抵抗型）ヘッドが主流となっており，高精度に読込みを行うがゆえに，
サーマルアスペリティーの発生し難いものが求められている
【００１２】従来，ハードディスク用基板としては，アルミニウム基板が主流であったが，現在ではガラス基板に置き替わりつつある。ハードディスク用基板を
ガラス基板とすると，高精度な研磨加工を施すことができるので，ヘッドの滑空高さを低くすることができる
表面平坦性や表面平滑性
　
【００３１】本発明の目的は，例えば
ＨＤＤにおける磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリを低減し，ＴＯＨを低くすることができる
ガラス基板の製造方法
　
　(K4)〈課題を解決するための手段〉
【００４８】本発明の第２形態である請求項９記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は，基板上に記録層が形成された情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において，前記
ガラス基板の表面を，１００％モデュラスが７８４０〜２４５００ｋＰａ（８０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2）である樹脂を加工した研磨部材
【００４９】ただし，１００％モデュラスとは，断面積１ｃｍ2の試料片を２倍の長さに伸ばすのに要する力をいう。
　
　(K5)〈実施の形態，製造方法〉
【００７８】また本発明者は，基板上に記録層が形成された情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において，前記ガラス基板の表面を，１００％モデュラスが７８４０〜２４５００ｋＰａ（８０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2）である樹脂を加工した研磨部材によって研磨すると，例えばＨＤＤの磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリ成分の低減することができる。その結果，ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティーの発生を防止でき，ＴＯＨを低くすることができることを見出した。
【００８０】以下，本発明の実施の形態に係る情報記録媒体の製造方法を，図面を参照しながら説明する。
【００８１】図１は，本発明の実施の形態に係る情報記録媒体の製造方法の工程図である。
　
　《
一次研磨加工
【００９９】
一次研磨加工工程
次に，
ラッピング加工工程を施した際に，ワーク表面に生じた凹凸の表面粗さを改善し，かつクラックや傷等を除去するため
研磨剤と
平均粒径が１．５μｍ程度
ランタノイド酸化物（酸化セリウムおよび酸化ランタンなど
【０１００】研磨機には，ワークと接触する面に，酸化セリウムを含浸させた
発泡ウレタン系樹脂の研磨パッド
　《
二次研磨加工
【０１０２】
精密研磨加工工程
次に，
二次研磨加工として精密研磨加工
【０１０３】
研磨パッドは，その最表面層がナップ層
このナップ層には，表面硬度の指標としての１００％モデュラスが７８４０〜２４５００ｋＰａ（８０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2）の範囲にある硬さの樹脂を溶融し発泡させたのちに，その最表面を削りとって空孔を露出させることで製造される研磨部材
ナップ層に用いる
【０１０５】例えば結晶化度の大きい樹脂，すなわち１００％モデュラスが大きな樹脂で作ったナップ層は，微視的にみると硬く，巨視的にみるとナップ層に含まれる空孔があるため柔らかいという性質を持つ。詳細なメカニズムは定かでないが，ナップ層の微視的な硬さが波長０．１〜５ｍｍのウネリ除去に有効と考えている。
　・・・（中略）・・・
【０１１１】
研磨液
研磨剤としての酸化セリウムおよび／または酸化ランタンを含有するランタノイド酸化物系スラリー，または微粒子状のシリカを含有するシリカ系スラリーが用いられる
【０１１２】スラリーを用いて精密研磨加工を施す場合においては，ランタノイド酸化物系スラリー固形分の最大粒径が３μｍ以下であることが好ましい。これにより，ワークの情報記録面の波長１〜１０μｍのウネリ成分が減少し，また，研磨斑やファインスクラッチ等の発生を防止することができる。さらに，研磨剤の粒径が１〜３μｍ程度のものの含有量が研磨剤の固形分質量の１０％以下とすると，波長１〜１０μｍのウネリ成分がさらに減少するので好ましい。
【０１１３】ランタノイド酸化物系スラリー固形分の
平均粒径は，特に限定されないが，例えば平均粒径を０．１〜１．６μｍとしてもよい
【０１１４】微粒子状のシリカを含有するスラリーを用いて研磨加工を施す場合においては，市販のコロイダルシリカまたはヒュームドシリカを用いることができる。コロイダルシリカは，平
均粒径０．０３〜０．５μｍのシリカ
【０１１５】精密研磨加工が施されたワークは，そのままでも情報記録媒体用ガラス基板製品とできるほどに，ウネリが改善されている。ウネリが改善されているので，後述する工程を行うことなく，ハードディスク用ガラス基板として，その最表面に円周状にテクスチャー処理を施してもよい。
【０１１６】次に，精密研磨加工を施す際にワーク表面に軟弱に付着した研磨剤およびスラリーに簡易洗浄処理を施す。例えば，精密研磨加工停止前にスラリーを水に切り替えてリンスを施したり，シャワー洗浄を施したり，ワークを取り上げて純水浴中に投入後超音波を付与しながら純水洗浄を施したりする。
　・・・（中略）・・・
【０１３７】例えば，ＴＯＨが４．５ｎｍ以下であるハードディスク用媒体は，優れた記録再生特性を有し，磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリが低減され，ヘッド揺らぎが小さく，ヘッドクラッシュが発生しにくい。また，サーマルアスペリティーも発生しにくいハードディスク用媒体である（以下，このことを優れたメディア特性を有する，と称する）。
　
　(K6)〈実施例，製造方法〉
【０１６７】
【実施例】以下，本発明の実施例を説明する。
【０１６８】本発明者等は，図１の情報記録媒体の製造方法にしたがって以下の工程を順に実行し，情報記録媒体のサンプル１〜１９および比較例１〜１１を作製した。
　
《
一次研磨加工工程
【０１７４】
一次研磨加工工程
次に，
平均粒径が０．０５〜１．６μｍ
酸化セリウムを含浸させた発泡ウレタン系樹脂からなる研磨パッドを貼り付けた研磨機を用いて，この研磨パッド
《
精密研磨加工工程
【０１７６】
精密研磨加工工程
キャリアの自転の回転速度の範囲が，０．０１６６／秒〜０．２８３３／秒（１〜１７ｒｐｍ）程度となるように，上定盤回転数および下定盤回転数を調整して，ワークの上面および下面同時に精密研磨加工を施した。精密研磨加工を施す際に，
スウェードタイプの研磨パッドを用いた
スウェードタイプの研磨パッドにおけるナップ層は，
研磨部材
　・・・（中略）・・・
【０１８５】以下，第１の実施例に係る情報記録媒体のサンプル１〜１９および比較例１〜１１について，それぞれ説明する。
【０１８６】そして，図１のステップＳ１１で実行された検査工程において，作製されたサンプル１〜１９および比較例１〜１１のＴＯＨ〔ｎｍ〕，ファインスクラッチ〔有／無〕，研磨斑〔有／無〕，およびウネリの大きさ〔ｎｍ〕を測定し，１００％モデュラスで表記した樹脂硬さ〔ｋＰａ（ｋｇ／ｃｍ2）〕とＰＳＤ×ｆの最大値〔ｃｍ2〕との関係（サンプル１〜７，比較例１〜３），キャリアの自転の回転速度である〔／秒（ｒｐｍ）〕とＰＳＤ×ｆの最大値〔ｃｍ2〕との関係（サンプル８〜１２，比較例４〜６），および研磨剤の最大粒径〔μｍ〕とＰＳＤ×ｆの最大値〔ｎｍ2〕との関係（サンプル１３〜１９，比較例７〜１１）等を研究した。
【０１８７】なお，ＴＯＨ〔ｎｍ〕は，情報記録媒体の回転速度を徐々に下げることによってヘッドの滑空高さを小さくし，そのときヘッドに装着したピエゾ信号検出装置によりピエゾ信号の変化を検出し，信号出力が急激に立ち上がったときの回転速度から算出した。
【０１８８】以下，研究における測定結果を表１に示す。
【０１８９】
【表１】
【０２０２】［サンプル１３］
精密研磨加工工程において
平均粒径が０．１μｍ
酸化セリウムを主な成分
ＴＯＨが３．４ｎｍ
【０２０６】［サンプル１７］
精密研磨加工工程において
平均粒径が０．０３μｍ
シリカを主な成分とするスラリー固形分を用いた
ＴＯＨが３．３ｎｍ
【０２０７】［サンプル１８］
精密研磨加工工程において
平均粒径が０．１μｍ
シリカを主な成分とするスラリー固形分を用いた
ＴＯＨが３．３ｎｍ
【０２４０】以下，第４の実施例を説明する。
【０２４１】図１のステップＳ１１で実行された検査工程において，第１の実施例に係る情報記録媒体のサンプル１３〜１９および比較例７〜１１の１μｍ平方〜５０μｍ平方における円周状テクスチャー近傍の表面形状をNanoscopeIVの探針を用いて，円周方向に沿って所定の波長νの範囲が１〜５０μｍで測定し，平均粗さＲａ〔ｎｍ〕を測定し，サンプルの平均粗さＲａ〔ｎｍ〕とＴＯＨ〔ｎｍ〕との関係，およびＰＳＤ×ｆの最大値〔ｎｍ2〕とＴＯＨ〔ｎｍ〕との関係について研究した。
【０２４２】以下，測定された結果を表４および図９に示す。
【０２４３】
【表４】
　
（２）刊行物２：特開平０３−０３６４４７号公報
　同じく，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である上記刊行物２には，以下の記載（下線は，注目箇所を示すために当審で施したものである。）が認められる。（〔〕は引用箇所を示す。）
　
　(L1)〈特許請求の範囲〉〔１頁左下欄〕
２．特許請求の範囲
（１）
第１制御，第２制御及び第３制御区画の順に配置され独立した３区画を有する清浄加工室であって，第１制御区画に所定のクリーン度及び温湿度に制御された空気流が導入され，第２区画には第１区画から空気流が，又第３区画には第２区画から空気流が導入されるようになされた清浄加工室
（２）
上記第２及び第３区画の任意の箇所にクリーン度及び温湿度が制御された空気流が別途に導入されるようになされた請求項（１）に記載の清浄加工室
（３）
清浄加工室を第１制御，第２制御及び第３制御の３つに区画し，第１制御区画に所定のクリーン度及び温湿度に制御された空気流を導入し，この第１区画よりその第２区画へ，又第２区画より第３区画へ順次その空気流の一部を移動せしめることを特徴とする清浄加工室制御方法
　
　(L2)〈利用分野，従来技術，課題〉〔２頁左上欄１行〜右上欄６行）〕
〔産業上の利用分野〕
　本発明は清浄加工室並びにその清浄制御方法に関し，更に詳しくは高度清浄加工を行うための極めて有効な清浄加工室並びにその利用方法に関する。
〔従来の技術〕
　近年半導体関連分野，医薬，化学，その他の分野に於いて清浄加工室は必要不可欠であり，又その清浄度もより高度なものが要求されている。従来の清浄加工室は１区画から構成されており，同区画内に於いて化学的，物理的汚染を発生するような工程と超高清浄雰囲気を必要とする工程が共存しえない構造となっている。しかしながら汚染発生工程といえども通常の大気中で作業を行うのは好ましくなく一般に清浄加工室で作業するために他の工程への汚染が大きな問題となる。汚染を避けるために汚染発生工程の内の一部工程のみを清浄加工室内で行い，その他の極力他工程への汚染の影響の少ない工程のみを清浄加工室で行う場合に於いても
清浄加工室への，物，人の出入りが頻繁となり作業が煩雑となる
〔発明が解決しようとする課題］
　
本発明が解決しようとする課題は，汚染を発生する工程と超高清浄雰囲気を必要とする工程を同一清浄加工室内に於いて合理的，且つ機能的に進行しうる清浄加工室を開発することである
　
　(L3)〈解決手段〉〔２頁右上欄７行〜左下欄末行〕
〔課題を解決するための手段〕
　
この課題は同一清浄加工室を３つの区画に分け原則的には各区画を各々独立した形態となし，各区画を垂直下向方式のエアーカーテン，隔壁，カーテン等適宜な手段で隔離し第１区画に所定のクリーン度及び温湿度に制御された空気流を導入し，この空気流を該区画内に常時存在せしめると共に，その一部を第２区画に移動せしめ，同第２区画内では第１区画内よりも低いクリーン度及び広い温湿度領域となるように制御して，常時存在せしめ，次いで第２区画より第３区画に空気流を移動せしめ，第２区画内よりも更に低いクリーン度と更に広い温湿度領域を有する空気流を存在せしめると共にこれをドラフト等適宜な手段で排出するようになし，加えて被加工物は第３区画から第１区画に向かって順次移送せしめるようになすことにより解決される
　又
必要に応じ第２区画及び第３区画の任意の箇所には順次導入される空気流とは別途に所定のクリーン度及び温湿度が制御された空気流を別途に導入することもでき，これにより完全に所定のクリーン度及び温湿度に制御できる
　更に若干説明すると，上記の如くすることにより
同一清浄加工室内で汚染発生の工程と超清浄工程を合理的，且つ機能的に併進しうる構造
このような構造を採ることにより一連の工程を短時間に且つ汚染皆無の状態で完結しうる
即ち化学工程等の場合合成時に
粉塵
が多量に発生するが，まずこの工程は３区画の第３区画たる最下流部で行う
粉塵
何等他の区画に影響はない
　
　(L4)〈構成，作用〉〔２頁右下欄１行〜３頁左下欄１行〕
〔発明の構成並びに作用〕
　本発明をその構成を模擬的に示した説明図を用いて説明する。
　第１図は３区画から構成された清浄加工室を示す，
１０１は所定のクリーン度
に制御された空気流を導入し，常時循環して存在せしめると共に一定量を次の第２区画に供給せしめる第１区画
被加工物は原則的には，第３区画から順次第２，第１区画へと空気流と対向方向に移動せしめられる
　
上流超高清浄区画に外部より粒子制御された空気流を供給することにより気流方向は常に１０１より１０３側へ維持しうる。従って気流の上流側は超高清浄雰囲気を確保できる構造である
物理的汚染を発生する工程を行う場合先ず汚染発生工程を１０３の一次加工室で行い，次に加工物を１０２の二次加工室に移動し中間仕上げ工程を行う，最後に加工物を１０３の三次加工室に移動し最終仕上げ工程を行う
このように気流と加工物の移動方向を向流にすることにより清浄気流中で加工する必要のある汚染発生工程を含む加工工程を機能的，且つ合理的に完結しうるものである
　本発明に於いて，第２区画及び第３区画に供給する空気流，及び第１区画に供給する空気流のクリーン度，温度及び湿度を示せば下記の通りである。
　
　
各区画を仕切る隔壁は各区画が独立して又所定の空気流が循環しうる構造
好ましい例としてエアーカーテン，隔壁，カーテン等を例示できる
被加工物の移送手段としても被加工物を第３区画から順次第２，第１区画に移送しうる手段であれば良い
　
［３］刊行物１に記載された発明（以下，「引用発明」という。）　
　
　ア　概要
　前掲(K1)〜(K4)によれば，刊行物１は，ランプロード方式のハードディスクにも用いるガラス基板を対象にしたものと想定され，
　そこには，高精度な研磨加工を施して表面を平坦平滑にして，ヘッドの滑空高さが低くてもヘッドとディスクの接触によるヘッドクラッシュやサーマルアスペリティーの発生を抑制しようとするものであって，
　特定の研磨部材により研磨することで，ＨＤＤにおける磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリを低減し，ＴＯＨを低くすることができる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法が認められる。
　ここに，特定の研磨部材は，１００％モデュラスが７８４０〜２４５００ｋＰａ（８０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2）である樹脂を加工した研磨部材であり（請求項9，【0048】），
　ＴＯＨ（
テイク・オフ・ハイト
最低浮上高さ
ハードディスクが回転中であるときは，磁気ヘッドがＴＯＨをもってその情報記録領域上を滑空する
　
　イ　製造方法
　上記ガラス基板の製造方法の具体は，実施の形態，実施例に示され，以下のようである。
　
　イ-１　実施の形態｛前掲(K5)｝　
　ガラス基板は図１の製造工程，すなわち，母材ガラス選択工程（ステップＳ１），シート状ガラス生産工程（ステップＳ２），ワーク抜出工程（ステップＳ３），端面研磨加工工程（ステップＳ４），ラッピング加工工程（ステップＳ５），一次研磨加工工程（ステップＳ６），精密研磨加工工程（ステップＳ７），化学強化処理工程（ステップＳ８），スクラブ処理工程（ステップＳ９）で製造される（摘示はしていない）。　
　前掲(K5)によれば，ステップＳ６の
一次研磨加工工程
ラッピング加工工程を施した際に，ワーク表面に生じた凹凸の表面粗さを改善し，かつクラックや傷等を除去するため
研磨剤と
平均粒径が１．５μｍ程度
発泡ウレタン系樹脂の研磨パッド
　次の工程であるステップＳ７の
二次研磨加工工程
精密研磨加工
　
研磨液
研磨剤として
酸化セリウムおよび／または酸化ランタンを含有するランタノイド酸化物系スラリー，または微粒子状のシリカを含有するシリカ系スラリーが用いられ
　前者（
ランタノイド酸化物系スラリー
平均粒径を０．１〜１．６μｍ
シリカ系スラリー
均粒径０．０３〜０．５μｍの
　
　イ-２　実施例｛前掲(K6)｝
　前掲(K6)によれば，実施例でも上記と同様図１の製造法にしたがい，サンプル１〜１９（比較例は比較例１〜１１）が製造され，
　その製造工程中，
　
一次研磨加工工程
平均粒径が０．０５〜１．６μｍ
発泡ウレタン系樹脂からなる研磨パッド
平均粒径が１．５μｍ程度
　精密研磨加工工程（ステップＳ７）では，上記特定の研磨部材を用いた
スウェードタイプの研磨パッドを用い
　このうち，サンプル１３，１７，１８について，表１と表４と併せ，結果と共に示せば以下のとおりである。
　
サンプル　研磨材主成分　平均粒径　　最大粒径　　粒径１μｍ以上％
　１３　　酸化セリウム　０．１μｍ　　１．１μｍ　　０．１％
　１７　　シリカ　　　　０．０３μｍ　０．１μｍ　　０％
　１８　　シリカ　　　　０．１μｍ　　０．１５μｍ　０％
サンプル　ＴＯＨ　　　Ｒａ　　　　　　研磨部材の樹脂硬さ
　１３　　３．４ｎｍ　０．３７ｎｍ　　１１７６０ｋＰａ
　１７　　３．３ｎｍ　０．２１ｎｍ　　１９８００ｋＰａ
　１８　　３．３ｎｍ　０．２５ｎｍ　　１９８００ｋＰａ
　
 ウ　引用発明
　以上を総合すれば，引用発明として，下記の発明を認めることができる（便宜上，ｐ〜ｓ２に分説しておく）。
　
　　　　　　　記（引用発明）　
ｐ　：ランプロード方式のハードディスクに用いるガラス基板を高精度な研磨加工を施して表面を平坦平滑にして，ヘッドの滑空高さが低くてもヘッドとディスクの接触によるヘッドクラッシュやサーマルアスペリティーの発生を抑制しようとするものであって，
ｑ　：特定の研磨部材により研磨することで，ＨＤＤにおける磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリを低減し，ＴＯＨを低くすることができる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって，
　但し，
ｑ１：特定の研磨部材：１００％モデュラスが７８４０〜２４５００ｋＰａ（８０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2）である樹脂を加工した研磨部材，
ｑ２：ＴＯＨ（テイク・オフ・ハイト）：「最低浮上高さ」であり，ランプロード方式においては，ハードディスクが回転中であるときは，磁気ヘッドがＴＯＨをもってその情報記録領域上を滑空するもの
　
ｒ　：ガラス基板の製造方法は，ラッピング加工工程を施した際に，ワーク表面に生じた凹凸の表面粗さを改善し，かつクラックや傷等を除去するための一次研磨加工工程（ステップＳ６）と，その次の精密研磨加工を施す二次研磨加工工程（ステップＳ７）とを含み，
ｒ１：一次研磨加工工程では，
　研磨剤として，平均粒径が１．５μｍ程度のランタノイド酸化物（酸化セリウムおよび酸化ランタンなど）を含有するスラリーと，発泡ウレタン系樹脂の研磨パッドを用いて行われ，
ｒ２：二次研磨加工工程（精密研磨加工工程）では，
　研磨液としては，研磨剤として，平均粒径を０．１〜１．６μｍ（最大粒径が３μｍ以下，粒径が１〜３μｍ程度のものの含有量が研磨剤の固形分質量の１０％以下）のランタノイド酸化物系スラリー，または，平均粒径０．０３〜０．５μｍのシリカ系スラリー）と，表面が上記特定の研磨部材である研磨パッドを用いて行われる，製造方法であって，
ｓ　：実施例として，
ｓ１：一次研磨加工工程で，平均粒径が０．０５〜１．６μｍの酸化セリウムおよび酸化ランタンを含有するランタノイド酸化物系スラリーと，発泡ウレタン系樹脂からなる研磨パッドを用い，
ｓ２：二次研磨加工工程（精密研磨加工工程）で，上記特定の研磨部材を用いたスウェードタイプの研磨パッドと，次の研磨材を用いて製造し，以下のサンプル１３，１７，１８を得る，製造方法。
　
サンプル　研磨材主成分　平均粒径　　最大粒径　　粒径１μｍ以上％
　１３　　酸化セリウム　０．１μｍ　　１．１μｍ　　０．１％
　１７　　シリカ　　　　０．０３μｍ　０．１μｍ　　０％
　１８　　シリカ　　　　０．１μｍ　　０．１５μｍ　０％
サンプル　ＴＯＨ　　　Ｒａ　　　　　　研磨部材の樹脂硬さ
　１３　　３．４ｎｍ　０．３７ｎｍ　　１１７６０ｋＰａ
　１７　　３．３ｎｍ　０．２１ｎｍ　　１９８００ｋＰａ
　１８　　３．３ｎｍ　０．２５ｎｍ　　１９８００ｋＰａ
　
［４］補正後発明と引用発明との対比（対応関係）  
　
　ア　要件Ａについて
　Ａ「ロードアンロード方式であり，かつ，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ，主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下である磁気ディスク用ガラス基板の製造方法」
　
　〈「ロードアンロード方式であ」る「磁気ディスク用ガラス基板の製造方法」の点〉
　要件Ａでいう「ロードアンロード方式」とは，別名「ランプロード方式」ともいう（本願明細書の段落【0005】）方式であるから，引用発明のｐ「ランプロード方式」と同じものである。
　したがって，引用発明は，要件Ａでいう「ロードアンロード方式であ」る「ハードディスクに用いるガラス基板」といえ，上記の点において，補正後発明と一致する。
　
　〈「主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下」（である磁気ディスク用ガラス基板）の点〉
　引用発明も，ｓ（実施例）のサンプル１３，１７，１８で　「
主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下
　
　〈「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ」（る磁気ディスク用ガラス基板）の点〉
　引用発明｛ｓ（実施例）｝のサンプル１３，１７，１８のＴＯＨは，３．３ｎｍ，３．４ｎｍであるから，引用発明は，
ＴＯＨが３．４ｎｍ程度の磁気ディスクに用いられるものである
　ここに，ＴＯＨ（テイク・オフ・ハイト）とは，「
ランプロード方式においては
ＴＯＨをもってその情報記録領域上を滑空するも
情報記録領域上を滑空
　もっとも，「ＴＯＨ」は，段落【0187】において「情報記録媒体の回転速度を徐々に下げることによってヘッドの滑空高さを小さくし，そのときヘッドに装着したピエゾ信号検出装置によりピエゾ信号の変化を検出し，信号出力が急激に立ち上がったときの回転速度から算出した。」と説明され，
　また，「ＴＯＨ」は「最低浮上高さ」である（引用発明のｑ２）ともしていて，これは「ヘッド浮上量」の最低高さを意味すると考えられる。
　これらのことからすれば，「ＴＯＨが３．４ｎｍ程度」とは，
　それ以下では浮上せずそれ以上では浮上状態を維持するヘッドの浮上量（浮上高さ）の下限値が３．４ｎｍ程度であること，すなわち，「浮上が維持できる浮上量の下限が３．４ｎｍ程度」であること，と解される。
　一方，本願明細書には「ヘッド浮上量」についての特段の説明はない。
　そうすると，「浮上が維持できる浮上量の下限が３．４ｎｍ程度」であるから，「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下」を満たすことが十分可能である，ということができる。
　もっとも，「浮上が維持できる浮上量の下限が３．４ｎｍ程度の磁気ディスクに用いられる」ことと，「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられる」こと，が全く同じとはいえず，両者間には相違が存在する。
　
　〈まとめ〉
　補正後発明と引用発明は，
　Ａ’「ロードアンロード方式であり，磁気ディスクに用いられ，
主表面の
　磁気ディスク用ガラス基板が，
　補正後発明では，，「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ」とするのに対して，
　引用発明では，ＴＯＨ（浮上が維持できる浮上量の下限）が３．４ｎｍ程度の磁気ディスクに用いられ，とするものであって，「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ」とはしていない点，　
　で相違する。
　
　イ　Ｂ０，Ｂ１，Ｂ２について
　
　イ-１　Ｂ０「複数の工程を経由して製造され」について
　引用発明も，ｒ「ガラス基板の製造方法は，ラッピング加工工程を施した際に，ワーク表面に生じた凹凸の表面粗さを改善し，かつクラックや傷等を除去するための
一次研磨加工工程
二次研磨加工工程
　
　イ-２　Ｂ１「前記複数の工程を，互いに区画された複数の区域内において実施し」について
　引用発明では，上記「
一次研磨加工工程
二次研磨加工工程
　
　イ-３　Ｂ２「前記複数の工程は，研磨砥粒を含む研磨液と研磨パッドとを用いてガラス基板を研磨する粗研磨工程と，この粗研磨工程の後に実施され，前記
粗研磨工程にて使用される研磨砥粒よりも粒子径の小さな研磨砥粒を含む
　
　引用発明の「
一次研磨加工工程
　また，引用発明の「
二次研磨加工工程
　
　「精研磨工程」で使用される研磨液が，「
前記粗研磨工程にて使用される研磨砥粒よりも粒子径の小さな研磨砥粒を含む研磨液
　引用発明の
二次研磨加工工程
研磨材
酸化セリウム
平均粒径０．１μｍ
　○サンプル１７：主成分が
シリカ
平均粒径：０．０３μｍ
　○サンプル１８：主成分が
シリカ
平均粒径：０．１μｍ
　であって，
平均粒径が０．１〜０．０３μｍ
　
一次研磨加工工程
平均粒径が１．５μｍ程度
酸化セリウム
　｛なお，ｓ１（実施例）では，サンプルを製造する実施例であるにもかかわらず，
平均粒径
０．０５〜１．６μｍとその範囲
粒径
平均粒径が１．５μｍ程度
　ことから，
　
二次研磨加工工程
　
　また，一般に，二次研磨加工工程（精密研磨加工工程）で使用される研磨液に，一次研磨加工工程（「粗研磨工程」）にて使用される研磨砥粒よりも粒子径の小さな研磨砥粒を含むようにすることが周知技術にすぎない｛例えば，特開２００１−２５０２２６号公報（段落【0059】【0060】，「後記［６］（２-２）相違点２について」に摘示した。），特開２０００−３４８３３８号公報（段落【0065】〜【0069】等），特開２００２−３５２４２２号公報（段落【0038】），国際特許公開２００５／００５０９９（段落【0152】）｝ことからも，平均粒径の関係が上記のようであると普通に想定される。
　
　イ-４　まとめ
　補正後発明と引用発明は，
　Ｂ０「複数の工程を経由して製造され，」
　Ｂ２「前記複数の工程は，研磨砥粒を含む研磨液と研磨パッドとを用いてガラス基板を研磨する粗研磨工程と，この粗研磨工程の後に実施され，前記粗研磨工程にて使用される研磨砥粒よりも粒子径の小さな研磨砥粒を含む研磨液と研磨パッドとを用いて前記ガラス基板を研磨する精研磨工程とを含み，」とする点で一致し，
　補正後発明が，Ｂ１「前記複数の工程（粗研磨工程と精研磨工程）を，互いに区画された複数の区域内において実施し」とするのに対して，
　引用発明では，そのようにする，とはしていない点
　で相違する。
　
　ウ　要件Ｃについて
　引用発明は，Ｃ「該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する区域に流入することを阻止するように，前記複数の区域のうち，前記精研磨工程を行う区域においては，前記粗研磨工程が実施される区域へ向けた気流が生じている」とはしておらず，この点，補正後発明と相違する。
　
［５］一致点，相違点 
　以上の対比結果によれば，補正後発明１と引用発明との一致点，相違点は次のとおりであることが認められる。 
　
　［一致点］ 
Ａ’：ロードアンロード方式であり，磁気ディスクに用いられ，主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下である
磁気ディスク用ガラス基板
Ｂ０：複数の工程を経由して製造され，
Ｂ２：前記
複数の工程
粗研磨工程
精研磨工程
Ａ　：ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
　
　〔相違点〕
　
　〔相違点１〕
　
磁気ディスク用ガラス基板
　補正後発明が，「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ」とするのに対して，
　引用発明では，ＴＯＨ（浮上が維持できる浮上量の下限）が３．４ｎｍ程度の磁気ディスクに用いられ，とするものであって，「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ」とはしていない点
　
　〔相違点２〕
　補正後発明１では，
Ｂ１：前記
複数の工程
Ｃ　：該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記
粗研磨工程
精研磨工程
精研磨工程
粗研磨工程
　とするのに対して，
　引用発明では，そのようにする，とはしていない点。
　
［６］相違点等の判断
　
　（１）［相違点の克服］
　引用発明を出発点とし，
　〈相違点１の克服〉
　引用発明の
磁気ディスク用ガラス基板
磁気ディスク用ガラス基板
　「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ」とすること（以下，［相違点１の克服］という）で上記〔相違点１〕は克服され，
　
　〈相違点２の克服〉
　引用発明の
粗研磨工程
精研磨工程
　・「互いに区画された複数の区域内において実施し」とし，
　（このようにすることで，Ｂ１の「前記
複数の工程
　・「該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく，前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する区域に流入することを阻止するように，前記複数の区域のうち，前記精研磨工程を行う区域においては，前記粗研磨工程が実施される区域へ向けた気流が生じている」
　とすること（以下，［相違点２の克服〕という）で，上記〔相違点２〕は克服され，補正後発明に到達する。
　
　（２）相違点についての判断（〔相違点の克服〕の容易想到性）
　
　（２-１）相違点１について
　引用発明の
磁気ディスク用ガラス基板
磁気ディスク
　それに接した当業者であれば，それより高い範囲を含む「１０ｎｍ以下の浮上量」の磁気ディスクに適用することを容易に想到するというべきである。
　また，最低浮上高さ３．４ｎｍと１０ｎｍとの差が６．６ｎｍ程度あることからみても，ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下のディスクに用いることを容易に想到するというべきである。
　また，ヘッド浮上量を１０ｎｍ以下とする磁気ディスクは周知であり
　｛例えば，特開２００２−１５０５０５号公報（請求項５），
　　特開２００２−２３０７３９号公報（段落【0046】等），
　　特開２００３−１２３２３２号公報（段落【0023】等），
　　特開２００３−１３２５２９号公報（段落【0021】等），
　　特開２００４−３４５０１８号公報（段落【0076】等），
　　特開２００５−　１１４９８号公報（段落【0034】等），
　　特開２００５−１４１８２４号公報（段落【0025】等，平成２３年１１月１０日付け拒絶理由通知で引用された引用文献１に同じ），
　　特開２００５−１４１８５２号公報（段落【0009】【0043】【0044】等，グライドハイト３．４ｎｍのディスクをヘッド浮上量を１０ｎｍとしている），
　　特開２００５−１４９６６８号公報（段落【0059】等），
　　国際特許公開２００５／０６８５８９（段落【0032】等）｝，
　このことからみても，「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下のディスクに用いられ」とすることを容易に想到するというべきである。
　以上，上記［相違点１の克服］，すなわち，引用発明の磁気ディスク用ガラス基板が「ヘッド浮上量が１０ｎｍ以下の磁気ディスクに用いられ」とすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
　（２-２）相違点２について
　
　ア　周知技術・技術常識
　表面平滑性に優れ（表面粗さがＲａ≦０．２ｎｍ，Ｒａ≦０．３ｎｍ程度に小さい），凸凹欠陥のない，ロードアンロード用ハードディスクのガラス基板を製造するのに，
　基板表面を平滑化する研磨工程に発塵性があること等から，
発塵性がある研磨工程をも含むこれ以降の工程で空気中に浮遊しているパーティクルが基板材料へ付着するのを防止できるようにするため
　・発塵性がある研磨工程を含むこれ以降の複数の工程を，クリーンルームで行い，工程が進むにつれてクリーン度が高くなるように，後の工程でのクリーン度が前の工程のクリーン度より高いクリーン度とした
各別のクリーンルーム環境区域に被研磨ディスクを搬送して
　・粗研磨工程（例えば，酸化セリウム；平均粒径１．３μｍを用いる）とその次に行われる精研磨工程（例えば，酸化セリウム；平均粒径０．８μｍやシリカ；平均粒径０．１μｍを用いる）を研磨工程毎に清浄度を設定する，すなわち，精研磨工程は，粗研磨工程が実施されるクリーン環境区域よりもクリーン度の高い
環境区域に被研磨ディスクを搬送して
　は，本願出願前，よく知られた普通の技術である。
　
　これには，特開２００１−２５０２２６号公報が参照される。同公報は，本願明細書中で従来例として挙げているもので，前置報告でも示されたものであり，下記に摘示する。（ちなみに，同公報は，本願の原出願の拒絶の理由にも示されている。）
　上記のように「
各別のクリーンルーム環境区域に被研磨基板を搬送して
環境区域に搬送して
各製造工程間
搬送
持ち込む
同じタイプ
　
　そして，ガラス基板に付着した
パーティクルやゴミ，研磨残り
サーマルアスペリティ
サーマルアスペリティ
　
　　　　　記（周知例：特開２００１−２５０２２６号公報，
　　　　　　　注目箇所を下線で示す。）
　【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板材料から研削工程及び研磨工程を含む製造工程により情報記録媒体用基板を製造する
情報記録媒体用基板の製造方法
研削工程を大気中で行い，
研磨工程及びそれ以降の工程をクリーンルームで行なう
【請求項１１】  前記情報記録媒体用基板の表面粗さは，Ｒｍａｘ≦３ｎｍ，
Ｒａ≦０．３ｎｍ
　
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報記録媒体用基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法に係り，特に
ハードディスク
【０００２】
【従来の技術】現在，
ハードディスク
【０００３】ディスクは，一般に，形状加工工程，研削工程，研磨工程，最終検査工程を経て製造される。ディスクの表面の平滑性は，
主に研磨工程で使用する研磨パッド
研磨砥粒の種類や粒径を選定
【０００４】また，特開平１０−１９４７８５には，最終研磨工程以後の清浄工程，化学強化工程，化学強化処理液の洗浄工程，乾燥工程，検査工程，収納工程のなかの少なくとも一工程を
，ガラス基板にパーティクルが付着しないように，クリーンルーム内で行う情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの製造方法はいずれも最終研磨工程や最終研磨工程以後の工程における製造環境を問題としている。しかし，これらの対策を講じてもなお，ディスク表面に微小な欠陥（凸状の欠陥や凹状の欠陥）が発生し，高密度記録化に適用できる情報記録媒体用基板が得られないという問題があった。その原因を究明した結果，今まで問題視されていなかった
最終研磨工程の前の研磨工程等での製造環境に原因があることが分かった。即ち，今までは研磨工程で使用する両面研磨装置は，発塵性がある等の理由からクリーンルーム外に置かれ
【０００６】また，このような研磨工程で使用する研磨液としては，酸化セリウムやコロイダルシリカの研磨砥粒と水道水を混合した研磨液を使用していた。しかし，大気中に浮遊している微小なパーティクル（例えば，アルミ，鉄，鉛，クロム，銅等）や，研磨液で使用されている水道水に含まれる微小なパーティクル（例えば，銅，鉄，鉛等）が研磨パッドとディスクとの間に介在してディスク表面に傷を与えたり，また，ディスクの搬送時にディスク表面に付着したパーティクルとディスクを収納，搬送するためのディスクケースが接触してディスク表面に傷を与えたりすることがあった。さらに，洗浄不良によってディスク表面にパーティクルが残存し，このパーティクルが例えば化学強化工程における熱処理によってディスクに強固に付着して平滑性を悪化させることが明らかになった。
【０００７】また，上記
各製造工程間では，ディスクは複数枚単位に収納するディスクケースで搬送される
全ての工程で共通のディスクケースを使用すると，前工程でディスクケースに付着した異物を後工程に持ち込むことになり，ディスクの平滑性を悪化させる原因となる
ディスクを搬送する
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため，本発明は以下の構成を有する。請求項１の発明は，基板材料から研削工程及び研磨工程を含む製造工程により情報記録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製造方法において，研削工程を大気中で行い，研磨工程及びそれ以降の工程をクリーンルームで行なう情報記録媒体用基板の製造方法である。
【０００９】
本発明における研磨工程は基板表面の平滑性の向上を目的とするものであり，この工程で空気中に浮遊しているパーティクルが基板へ付着するのを防止することにより，基板表面の傷の発生を防止することができる
【００１０】請求項２の発明は，基板材料から研削工程，形状加工工程，研磨工程，化学強化工程及び検査工程を含む工程により情報記録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製造方法において，研削工程と形状加工工程を大気中で行い，研磨工程から検査工程までをクリーンルーム中で行なう情報記録媒体用基板の製造方法である。本発明によれば，研磨工程，化学強化工程，検査工程をクリーンルーム中で行なうことにより，研磨工程で発生する凹欠陥，化学強化工程で基板に異物が付着することにより発生する凸欠陥，検査工程で発生する凸欠陥の発生率を低減することができる。
【００２２】本発明では，例えば，基板の平坦度と形状精度を向上と目的とした研削工程及び基板の端部形状の作り込みを行なう形状加工工程については大気中で行ない，
研磨工程以降の工程をクリーンルームで行ない
さらに，研磨工程（端面研磨工程，主表面の研磨工程を含む），化学強化工程，検査工程をそれぞれ一つの製造環境とし，クラス１０００００，クラス１００００，クラス１０００の環境下で行なうことにより実施することができる
主表面の研磨工程を複数の研磨工程で行なう場合は，さらに研磨工程毎に清浄度を設定することができる
【００２３】請求項１０の発明は，
工程単位毎に基板を収納するディスクケースを異ならせる
前工程で使用されれディスクケースに付着したパーティクルを次工程に持ち込むことがない
前工程からのパーティクルの持ち込みを確実に防止することができる
【００３３】請求項１１の発明は，前記情報記録媒体用基板の表面粗さは，Ｒｍａｘ≦３ｎｍ，
Ｒａ≦０．３ｎｍ
表面平滑性の高い基板であって欠陥（凹欠陥，凸欠陥）のない基板を提供することが可能になる
Ｒａ≦０．２ｎｍ
【００３９】
【実施例】以下，本発明の実施例について説明するが，本発明はこれに限定されるものではない。
〔実施例１〕本実施例では，磁気ディスク（ハードディスク）用ガラス基板を製造し，さらに，この
ガラス基板
【００４０】本実施例では，（１）粗ラッピング工程から（３）精ラッピング工程までを大気中にて行ない，（４）端面鏡面加工工程から（６）第２研磨工程までを第１クリーン環境で実施し，（７）化学強化工程を第２クリーン環境で，（８）検査工程を第３クリーン環境で，（９）磁気ディスク製造工程を第４クリーン環境にて実施した。それぞれのクリーン環境は，清浄度を，クラス１０００００（第１クリーン環境），クラス１００００（第２クリーン環境），クラス１０００（第３クリーン環境），クラス１００（第４クリーン環境）とし，クリーンルーム内の濾過した空気を循環させていた環境とした。
【００４１】また，上記（４）端面鏡面加工工程から（６）第２研磨工程までの研磨装置に使用する研磨液の水は，RO水を使用した。なお，
製造環境毎（第１，２，３，４クリーン環境）にディスク（基板）を収納するディスクケースとしてそれぞれ違った色に着色されたディスクケースを用いた
　・・・（中略）・・・
【００４７】（
５）第１研磨工程
次に，上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去するため第１研磨工程を両面研磨装置を用いて行なった。両面研磨装置においては，研磨パッドが貼り付けられた上下上盤の間にキャリアにより保持したガラス基板を密着させ，このキャリアをサンギアとインターナルギアとに噛合させ，上記ガラス基板を上下定番によって挟圧する。その後，研磨パッドとガラス基板の研磨面との間に研磨液を供給して回転させることによって，ガラス基板が定盤上で自転しながら公転して両面を同時に研磨加工するものである。以下，実施例で使用する両面研磨装置としては同一装置を用いた。
【００４８】具体的には，ポリシャとして硬質ポリシャ（硬質発泡ウレタン）を用い，研磨工程を実施した。研磨条件は，研磨液として
酸化セリウム（平均粒径１．３μｍ
【００４９】（
６）第２研磨工程
次に
第１研磨工程で使用したものと同じタイプの両面研磨装置を用い
第２研磨工程は，上述した第１研磨工程で得られた平坦な表面を維持しつつ，例えば表面粗さＲａを１．０〜０．３μｍ程度以下まで低減させることを目的とするものである
磨液として酸化セリウム（平均粒径０．８μｍ
【００５４】〔
実施例２
６）第１研磨工程
７）第２研磨工程
６）第１研磨工程を第２クリーン環境で実施し
７）第２研磨工程を第３クリーン環境で実施し
クラス１０００００（第２クリーン環境
クラス５００００（第３クリーン環境
　・・・（中略）・・・
【００５９】（５）第１研磨工程
次に，第１研磨工程を両面研磨装置を用いて行なった。詳しくは，ポリシャとして硬質ポリシャ（硬質発砲ウレタン）を用い，研磨工程を実施した。研磨条件は，研磨液として
酸化セリウム（平均粒径１．３μｍ
【００６０】（６）第２研磨工程
次に
第１研磨工程で使用したものと同じタイプの両面研磨装置を用い
研磨液としてコロイダルシリカ（平均粒径０．１μｍ
【００６１】（７）検査工程
次に，上記洗浄を終えたガラス基板の表面の目視検査及び顕微鏡による精密検査等を実施した。
その結果，ガラス基板表面に付着物による突起や，傷等の欠陥は発見されなかった
【００６２】これは，
表面の平滑性悪化の原因となる雰囲気中に浮遊しているパーティクルが研磨工程時に基板へ付着するのを防止し
研磨工程以降の工程（具体的には，研磨工程，検査工程）をクリーンルーム中で行なうことによって基板表面に発生する欠陥（凹欠陥，凸欠陥）を防止することができる
【００６３】また，上記工程を経て得られたガラス基板の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ，Ｒｍａｘ＝３．２３ｎｍ，
Ｒａ＝０．３１ｎｍと超平滑な表面を持つ磁気ディスク用ガラス基板を得た
【００７９】本発明は上述した実施例に限定されるものではなく，適宜変更して実施することが可能である。例えば，研磨工程以前のラッピング工程，形状加工工程をクリーンルーム内で行なってもよい。また，上述の
実施例では，ロードアンロード用磁気ディスク及び磁気ディスク用基板について説明した
【００８０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように，本発明によれば情報記録媒体用基板の製造工程において，
研磨工程以降の工程をクリーンルームで行うようにしたので，研磨工程以降の工程で空気中に浮遊しているパーティクルが基板材料へ付着するのを防止することができ，平滑性に優れた情報記録媒体用基板を製造することが可能になる
　
　イ　刊行物２記載技術
　［２］（２）に摘示した刊行物２には，
清浄加工室
への被加工物の移送，人の出入りに伴う作業の煩雑性を低減する
同一清浄加工室を３つの区画に分け
一連の工程を短時間に且つ汚染皆無の状態で完結しうる
　また，「汚染」に粉塵等が含まれていることは明らかである。
　
　刊行物２には，
　
清浄気流中で加工する必要のある粉塵等の汚染発生工程を含む一連の加工工程
　清浄加工室（クリーンルーム）への被加工物の移送，人の出入りに伴う作業が煩雑であることにかんがみ，これを低減し，かかる一連の加工工程を同一清浄加工室内に於いて合理的，且つ機能的に進行しうるようにするため，
　清浄加工室を，
垂直下向方式のエアーカーテン，隔壁，カーテン等適宜な手段で隔離し
　
第１区画に所定のクリーン度に制御された空気流を導入し，この空気流を該区画内に常時存在せしめると共に，その一部を第２区画に移動せしめ，同第２区画内では第１区画内よりも低いクリーン度の領域となるように制御して常時存在せしめ
　
被加工物は第２区画から第１区画に向かって移送せしめる
気流と加工物の移動方向を向流にすることにより
気流の上流側は超高清浄雰囲気を確保できる構造
粉塵
　−このとき，第２区画の任意の箇所には順次導入される空気流とは
別途に所定のクリーン度が制御された空気流を別途に導入
より完全に所定のクリーン度に制御できる
　ことで，
清浄気流中で加工する必要のある粉塵等の汚染発生工程を含む一連の工程を短時間に且つ汚染皆無の状態で完結しうる
　が記載されている。
　
　ウ　容易想到性
　引用発明は，ｐ「ガラス基板を
高精度な研磨加工を施して表面を平坦平滑にして
サーマルアスペリティーの発生を抑制
　しかしながら，上記アで上述したように，ガラス基板に付着した
パーティクルやゴミ，研磨残り等によりサーマルアスペリティー
　そのような付着を防止するための技術として，
　・発塵性がある研磨工程を含むこれ以降の複数の工程を，クリーンルームで行い，工程が進むにつれてクリーン度が高くなるように，後の工程でのクリーン度が前の工程のクリーン度より高いクリーン度とした
各別のクリーンルーム環境区域に被研磨ディスクを搬送して
　・粗研磨工程とその次に行われる精研磨工程を研磨工程毎に清浄度を設定する，すなわち，精研磨工程は，粗研磨工程が実施されるクリーン環境区域よりもクリーン度の高い
環境区域に被研磨ディスクを搬送して
　刊行物１に接した当業者は，引用発明の「精研磨工程」も，上記周知技術と同様「粗研磨工程が実施されるクリーン環境区域よりもクリーン度の高い環境区域に被研磨ディスクを搬送して実施する」ようにすること（以下，簡単に『異なるクリーン環境区域に搬送して行う２段階研磨』ということとする）をごく普通に想定するものである。
　
　そして，かかる「粗研磨工程」→「精研磨工程」のような，連続して実施する粉塵の発生を伴う一連の工程であって，後工程は，前工程が実施されるクリーン環境区域よりもクリーン度の高い環境区域に被加工物を搬送して実施する場合，
　そのような場合の工程を前提・対象とし、その煩雑性等を改善する上記イに示した「刊行物２記載技術」、すなわち、
　
清浄気流中で加工する必要のある粉塵等の汚染発生工程を含む一連の加工工程
　清浄加工室（クリーンルーム）への被加工物の移送，人の出入りに伴う作業が煩雑であることにかんがみ，これを低減し，かかる一連の加工工程を同一清浄加工室内に於いて合理的，且つ機能的に進行しうるようにするため，　清浄加工室を，
垂直下向方式のエアーカーテン，隔壁，カーテン等適宜な手段で隔離し
　
第１区画に所定のクリーン度に制御された空気流を導入し，この空気流を該区画内に常時存在せしめると共に，その一部を第２区画に移動せしめ，同第２区画内では第１区画内よりも低いクリーン度の領域となるように制御して常時存在せしめ
　
被加工物は第２区画から第１区画に向かって移送せしめる
気流と加工物の移動方向を向流にすることにより
気流の上流側は超高清浄雰囲気を確保できる構造
　−このとき，第２区画の任意の箇所には順次導入される空気流とは
別途に所定のクリーン度が制御された空気流を別途に導入
より完全に所定のクリーン度に制御できる
　ことで，
清浄気流中で加工する必要のある粉塵等の汚染発生工程を含む一連の工程を短時間に且つ汚染皆無の状態で完結しうる
　が，本願出願前の古くから知られていて、
　刊行物１に接した当業者が普通に想定する上記『異なるクリーン環境区域に搬送して行う２段階研磨』においても，被加工物であるディスクの移送，人の出入りに伴う作業が煩雑である等の点では上記「刊行物２記載技術」と同じであることからすれば，同『２段階研磨』に，これを解決して一連の加工工程を合理的，且つ機能的に進行しうるようにする上記「刊行物２記載技術」を採用する動機付けが充分あるというべきである。
　
　そして，そのように採用すれば（このとき，上記「第１区画」において精研磨工程が実施され，「第２区画」において「粗研磨工程」が実施の形態されることとなる），
　引用発明の，前記一連の
複数の工程
粗研磨工程
精研磨工程
　「前記複数の区域のうち，前記精研磨工程を行う区域においては，前記粗研磨工程が実施される区域へ向けた気流が生じている」ことになると共に，「気流の上流側は超高清浄雰囲気を確保でき」，「下流の区画で発生した粉塵等が上流の区画に影響しな」くなる，すなわち，「前記粗研磨工程における発塵が，前記精研磨工程を実施する区域に流入することを阻止するように」なる。
　そして，そのようにすることが「サーマルアスペリティーの原因となるパーティクルやゴミ，研磨残り等の付着を防止する」ことに寄与することになるから，そのようにすることは「該製造工程により製造される磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクにおけるサーマルアスペリティ障害を抑止すべく」するためにすることであるということができる。
　すなわち，そのように採用すれば，上記［相違点２の克服〕がなされることとなる。
　
　なお，上記刊行物２記載技術の「第２区画の任意の箇所には順次導入される空気流とは
別途に所定のクリーン度が制御された空気流を別途に導入
別途に所定のクリーン度が制御された空気流を別途に導入
　
　以上によれば，上記［相違点２の克服］は，技術常識・周知技術および刊行物２に基づいて当業者が容易になし得ることである。
　
　エ　まとめ（相違点についての判断）
　引用発明を出発点とし，上記［相違点１の克服］及び［相違点２の克服］を併せてすることも当業者が容易に想到し得ることである。
　効果についてみても，構成の採用に伴って予測し得ない格別顕著なものがあるとも認められない。
　したがって，補正後発明は，刊行物１及び刊行物２及び技術常識・周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
［７］まとめ（理由：独立特許要件不適合）
　以上によれば，補正後の請求項１に係る発明は，上記刊行物１に記載された発明，上記刊行物２に記載された発明，及び技術常識・周知事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
【第３】査定の当否（当審の判断）　 
　
［１］本願発明　 
　平成２５年９月４日付けの補正は上記のとおり却下する。 
　本願の請求項１〜８に係る各発明は，本願特許請求の範囲，明細書及び図面（平成２４年１月１５日付け，平成２４年１１月１９日付けの手続補正を含む）の記載からみて，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載した事項により特定されるとおりのものと認められるところ，
　その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，前記【第２-１】に記載した補正前の【請求項１】のとおりである。
　
［２］引用刊行物の記載，引用発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１である特開２００３−３４６３１６号公報には，前記「【第２-３】［３］」で認定したとおりの引用発明が認められ，同じく，拒絶の理由に引用された刊行物２である特開平０３−０３６４４７号公報には，前記「【第２-３】［６］（２-２）イで示したとおりの「刊行物２記載技術」が認められる。
　
［３］対比，判断
　本願発明は，【第２-３】で検討した補正後発明から，発明特定事項である「磁気ディスク用ガラス基板」についての「
主表面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以下であ
を含む研磨液と研磨パッドと
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後発明が，上記【第２-３】［４］〜［７］に示したとおり，刊行物１に記載された発明，刊行物２に記載された発明，及び技術常識・周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，
　本願発明も，同様の理由により，刊行物１に記載された発明，刊行物２に記載された発明，及び技術常識・周知事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである，ということができる。
　
【第４】むすび　 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，上記刊行物１に記載された発明，上記刊行物２に記載された発明，及び技術常識・周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって，本願の他の請求項について特に検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。