【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対する試料塗布装置の位置決め方法であって、前記方法は、
前記試料塗布装置に対応する直接像領域と、前記基板の表面から反射された前記試料塗布装置の像に対応する第１の反射像領域を含む、基板に近接した試料塗布装置の像を得て、
前記直接像領域における前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、
前記第１の反射像領域における反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、
前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離を判定し、および
前記エッジ間の距離に基づいて、前記基板に対する前記試料塗布装置の位置を判定する
ことを含む、基板に対する試料塗布装置の位置決め方法。
【請求項２】
前記基板に近接した前記試料塗布装置の像を得ることは、前記基板の表面に対してある角度に検出器を向けることと、前記検出器を用いて前記像を記録することを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記基板に対する前記試料塗布装置の位置は、前記基板の表面の上方の前記試料塗布装置の高さを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記基板の表面の上方の前記試料塗布装置の高さを判定することは、前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離を前記高さに関連付ける相関情報を含む基準情報に基づいた前記高さの算出を含む請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離の一組を測定することをさらに含み、前記距離の一組の各部分を測定することは、
前記試料塗布装置を前記基板の表面の上方の、新たな高さに移動させ、
前記試料塗布装置に対応する直接像領域と、前記基板の表面から反射された前記試料塗布装置の像に対応する第１の反射像領域を含む、前記新たな高さで前記基板に近接した前記試料塗布装置の第２の像を得て、
前記第２の像の前記直接像領域における前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、
前記第２の像の前記第１の反射像領域における反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、および
前記第２の像の前記直接像領域における前記試料塗布装置のエッジと、前記第２の像の前記第１の反射像領域における前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離を判定する
ことを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
測定された距離の一組における距離間で内挿することによって、前記試料塗布装置の目標位置に関連する制御の設定を定めることをさらに含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記制御の設定および前記基板に対する前記試料塗布装置の位置に関する情報を記憶装置に記憶することをさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記距離の一組が、少なくとも２つの距離を含む請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記距離の一組が、少なくとも１０の距離を含む請求項５記載の方法。
【請求項１０】
前記試料塗布装置の中心軸に垂直な方向で、前記試料塗布装置を前記基板に対する新たな位置へ移動させ、
前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離の一組を測定し、
前記新たな位置で前記試料塗布装置の目標位置に関連する制御の設定を定め、および
前記制御の設定および前記新たな位置に関する情報を前記記憶装置に記憶することをさらに含む請求項７記載の方法。
【請求項１１】
前記試料塗布装置の中心軸に垂直な方向で、前記試料塗布装置を前記基板に対する新たな位置へ移動させ、前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離の一組を測定し、前記新たな位置で前記試料塗布装置の目標位置に関連する制御の設定を定め、および、前記制御の設定と前記新たな位置に関する情報を前記記憶装置に記憶するステップを、
情報が記憶された位置の数が３つまたはそれ以上になるまで繰り返すことをさらに含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
情報が記憶された位置の数が６つまたはそれ以上である請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の表面の等式の係数を求めることをさらに含む請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記試料塗布装置の中心軸に垂直な面に対する前記基板の方向を判定することをさらに含み、前記基板の方向の判定が、前記試料塗布装置の中心軸に垂直な面に対する前記基板表面の傾斜を判定することを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記直接像領域における前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することは、
前記試料塗布装置の中心軸に平行の方向に延びる前記直接像領域における画素列を選択し、
それぞれの選択された列に関して、前記列内の明度が最も変化する位置を判定し、
それぞれの選択された画素列における前記明度が最も変化する位置に基づいて、前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１６】
それぞれの選択された列内の前記明度が最も変化する位置を判定することは、
前記選択された列における隣接画素の各対に関して明度変化を判定し、
前記選択された列における隣接画素の対間の最大の明度変化を判定し、および
前記選択された列内の前記明度が最も変化する位置を判定するために、関数形式を前記隣接画素の対間の最大の明度変化に当てはめる
ことを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することは、それぞれの選択された列内の前記明度が最も変化する位置を関数形式に当てはめることを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することは、前記当てはめられた関数形式に基づいて前記試料塗布装置の頂点を判定することを含む請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の反射像領域における前記反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することは、
前記試料塗布装置像の伸長した軸に垂直の方向に延びる第１の反射像領域における画素行を選択し、
それぞれの選択された行に関して、前記行における最高画素明度ｍ個の平均を求め、および前記行における最低画素明度ｋ個の平均を求め、
前記最高画素明度ｍ個の平均と前記最低画素明度ｋ個の平均との差として、前記行に関連するコントラストレベルを求め、および
前記それぞれの選択された行における前記コントラストレベルに基づいて、前記反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することを含む請求項１記載の方法。
【請求項２０】
前記それぞれの選択された行における前記コントラストレベルに基づいて、前記反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することは、
それぞれの選択された画素行におけるコントラストレベルに基づいて、前記第１の反射像領域の、前記試料塗布装置の像を含まない第１の部分を識別し、
それぞれの選択された画素行におけるコントラストレベルに基づいて、前記第１の反射像領域の、前記試料塗布装置の像を含む第２の部分を識別し、
前記第１の反射像領域の前記第１の部分と前記第２の部分とのコントラストレベルの差に基づいて、前記反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することを含む請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
ｍはそれぞれの選択された行における画素総数の少なくとも５分の１に相当し、ｋはそれぞれの選択された行における前記画素総数の少なくとも５分の１に相当し、それぞれの選択された行における画素は、前記ｍ個の画素と前記ｋ個の画素とに共通するものでないことを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２２】
前記基板の表面が前記試料塗布装置に最も近い前記基板の上面である請求項１記載の方法。
【請求項２３】
前記基板に近接した前記試料塗布装置の像は、前記基板の下面から反射された前記試料塗布装置の像に対応する第２の反射像領域を含み、
前記第２の反射像領域における反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、
前記第１の反射像領域および前記第２の反射像領域における前記反射された前記試料塗布装置のエッジ間の距離を判定し、
前記第１の反射像領域および前記第２の反射像領域における前記反射された前記試料塗布装置のエッジ間の前記距離に基づいて、前記基板の厚さを判定することをさらに含む請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記基板の厚さを判定することは、前記反射された前記試料塗布装置のエッジ間の前記距離と前記厚さとを関連付ける相関情報を含む基準情報に基づいて前記厚さを算出することを含む請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の反射像領域における反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することが、
前記試料塗布装置像の伸長した軸に垂直の方向に延びる前記第２の反射像領域における画素行を選択し、
それぞれの選択された行に関して、前記行における最高画素明度ｐ個の平均を求め、および前記行における最低画素明度ｑ個の平均を求め、
前記最高画素明度ｐ個の平均と前記最低画素明度ｑ個の平均との差として、前記行に関連するコントラストレベルを求め、および
前記第２の反射像領域におけるそれぞれの選択された画素行における前記コントラストレベルと前記第１の反射像領域におけるそれぞれの選択された画素行における前記コントラストレベルとの差に基づいて、前記第２の反射像領域における前記反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定することを含む請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
ｐはそれぞれの選択された行における画素総数の少なくとも５分の１に相当し、ｑはそれぞれの選択された行における前記画素総数の少なくとも５分の１に相当し、それぞれの選択された行における画素は、前記ｐ個の画素と前記ｑ個の画素とに共通するものでないことを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記相関情報を較正することをさらに含み、前記相関情報を較正することは、
前記試料塗布装置のアクチュエータに重力がわずかに打ち勝つ上向きの力を与えさせるオフセット制御信号値を求め、
前記オフセット制御信号値を記憶し、
前記アクチュエータの移動エラーに関連する信号がエラー閾値の範囲内になるまで、前記試料塗布装置を前記基板の方へ移動させ、および
前記アクチュエータの前記移動エラーに関連する前記信号が前記エラー閾値の範囲内になるときの前記試料塗布装置の位置を記憶することを含む請求項４記載の方法。
【請求項２８】
前記相関情報を較正することは、前記記憶された位置で、前記試料塗布装置の高さをゼロと設定することを含む請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
試料塗布装置と、
基板を支持するように構成されたステージと、
検出器と、
電子プロセッサとを備えるシステムであって、
基板が前記ステージに支持されるとき、
前記検出器は、前記基板に近接した前記試料塗布装置の像を得るように構成され、
前記像が、前記試料塗布装置に対応する直接像領域と、前記基板の表面から反射された前記試料塗布装置の像に対応する第１の反射像領域とを含み、
前記電子プロセッサは、
前記直接像領域における前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、
前記第１の反射像領域における反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、
前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離を判定し、
前記エッジ間の距離に基づいて、前記基板に対する前記試料塗布装置の位置を判定する
ように構成されるシステム。
【請求項３０】
前記基板に対する前記試料塗布装置の位置が、前記基板の表面の上方の前記試料塗布装置の高さを含み、前記電子プロセッサが、前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離を前記高さに関連付ける相関情報を含む基準情報に基づいて、前記試料塗布装置の高さを判定するように構成されることを特徴とする請求項２９記載のシステム。
【請求項３１】
前記電子プロセッサが、前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離の一組を測定するように構成され、該距離の一組の測定が、
前記試料塗布装置を前記基板の表面の上方の新たな高さへ移動させ、
前記試料塗布装置に対応する直接像領域と、前記基板の表面から反射された前記試料塗布装置の像に対応する第１の反射像領域を含む、前記新たな高さで前記基板に近接した前記試料塗布装置の第２の像を得て、
前記第２の像の前記直接像領域における前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、
前記第２の像の前記第１の反射像領域における反射された前記試料塗布装置のエッジの位置を判定し、
前記第２の像の前記直接像領域における前記試料塗布装置のエッジと前記第２の像の前記第１の反射像領域における前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離を判定することである請求項３０記載のシステム。
【請求項３２】
前記電子プロセッサが、前記測定された距離の一組における距離間で内挿することによって、前記試料塗布装置の目標位置に関連する制御の設定を定めるように構成される請求項３１記載のシステム。
【請求項３３】
前記電子プロセッサに接続された記憶装置をさらに備え、前記電子プロセッサが、前記制御の設定および前記基板に対する前記試料塗布装置の位置に関する情報を、前記記憶装置に記憶するように構成される請求項３２記載のシステム。
【請求項３４】
前記電子プロセッサが、
前記試料塗布装置の中心軸に垂直な方向で、前記試料塗布装置を前記基板に対する新たな位置へ移動させ、
前記試料塗布装置のエッジと前記反射された前記試料塗布装置のエッジとの間の距離の一組を測定し、
前記新たな位置で前記試料塗布装置の目標位置に関連する制御の設定を定め、および
前記制御の設定および前記新たな位置に関する情報を前記記憶装置に記憶する
ようにさらに構成される請求項３３記載のシステム。
【請求項３５】
前記電子プロセッサが、前記記憶された制御の設定に基づいて、前記基板の表面に対応する面の等式の係数を求めるように構成される請求項３４記載のシステム。