【事件の表示】
　特願２００４−３２８９９３「薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日出願公開、特開２００５−１５０７３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年１１月１２日（パリ条約による優先権主張２００３年１１月１２日、韓国）の出願であって、平成２３年　７月　７日付けで最初の拒絶理由が通知され、これに対して、同年１０月１１日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年　２月　１日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年　５月　１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１０月　３日付けで同年　５月　１日提出の手続補正が却下されると共に同日付けで拒絶査定がなされたところ、平成２５年　２月　１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　補正の却下の決定
　平成２５年　２月　１日提出の手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理　由］
　１　本件補正の内容
　本件補正は、平成２３年１０月１１日提出の手続補正書により補正された（以下、「本件補正前の」という。）特許請求の範囲の請求項１〜１６のうち請求項１を下記のとおりに補正しようとする事項を含むものである。
　
　本件補正後の請求項１
　「【請求項１】
　絶縁基板と、
　前記絶縁基板上に形成されており、不純物がドーピングされない物質から形成される、前記不純物がドーピングされない領域と；前記不純物がドーピングされて形成された物質から形成される、少なくとも一つの第１不純物ドーピング領域と、当該第１不純物領域と前記不純物がドーピングされない領域との間に形成され、前記不純物の濃度が前記第１不純物ドーピング領域よりも低い、少なくとも一つの第２不純物ドーピング領域と；を有する第１多結晶シリコン層と、
　前記第１多結晶シリコン層上に形成される第１絶縁膜と、
　前記第１絶縁膜上に形成される第１電極と、
　前記第１絶縁膜と前記第１多結晶シリコン層との間に形成される第２絶縁膜と、
　を含み、
　前記第２不純物ドーピング領域は、前記第１不純物ドーピング領域にドーピングするために使用されるエネルギより高いエネルギを使用してドーピングされる前記不純物を含
み、
　
前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成することにより、当該傾斜の水平方向の幅に対応して、前記不純物がドーピングされない領域の角部は、垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成される
ことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。」
　（なお、上記の下線を付した部分は補正箇所を示す。）
　
　２　補正の適否について
　（１）補正の目的
　　上記請求項１に関する補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１における、第１絶縁膜及び第２絶縁膜の形状並びに不純物がドーピングされない領域について、平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項２号に規定する減縮を目的として、
　「前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成することにより、当該傾斜の水平方向の幅に対応して、前記不純物がドーピングされない領域の角部は、垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成される」
との限定を追加しようとするものである。
　
　（２）本件補正における上記構成の追加が、新規事項の追加に当たるか否かについての判断
　　　ア　本願当初明細書の記載事項
　　　（ア）絶縁膜を利用したドーピングに関して、本願当初明細書には、以下の事項が記載されている。（なお、以下において付されている下線は、当審合議体によって付加したものである。）　
（本ア）「【背景技術】
【０００２】・・（略）・・
【０００５】
  従来の技術による低濃度ドーピング領域の形成方法は、先ず、半導体層上に
ゲート電極を二重の導電膜でパターニング
一つの導電膜は低濃度ドーピング領域を画定
他の導電膜は
ソース領域とドレイン領域を画定
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
  しかし、上記した従来例の形成方法では、
一度のフォトエッチング工程で二つの導電膜を異なるパターンに形成
工程が複雑になり、低濃度ドーピング領域の幅を規定し難い
  また、従来の技術によるソース領域及びドレイン領域の形成方法では、基板上に形成されているゲート絶縁膜（当審注：背景技術及び上記野問題点から「ゲート電極」の誤記と推定される。）の厚さのため、高エネルギで導電型不純物を半導体層に注入してチャネル領域とソース領域及びドレイン領域を形成するので、イオン注入チャンバに高電圧がかかるようになっている。そのため、危険であるとともに、チャンバにかかった高電圧によって素子が不良となる問題点がある。
  本発明が目的とする技術的課題は、製造工程を単純化して製造費用を最少化し、高電圧による素子の不良を防止することができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することにある。」
　
（本イ）「【課題を解決するための手段】
【０００７】
  このような課題を達成するために、本発明では
ゲート絶縁膜を薄い二重膜で形成し、ゲート電極をパターニングするための感光膜パターンで少なくとも一つまたは二重のゲート絶縁膜を異方性エッチングでパターニングしてソース領域及びドレイン領域を形成するためのイオン注入マスクとして用いる
  ・・（略）・・この時、
第１ゲート絶縁膜パターンは少なくとも二重の絶縁膜を含んでおり、少なくとも一つの絶縁膜がパターニングされてソース領域及びドレイン領域を除いた低濃度ドーピング領域及びチャネル領域と重畳する
　
（本ウ）「【００１１】・・（略）・・ 第１及び第２ゲート絶縁膜パターンは
第１絶縁膜と第１絶縁膜の上部に形成されている第２絶縁膜を含み、互いに異なる形態にパターニングされることができ
【００１３】・・（略）・・金属膜上に感光膜パターンを形成した後、
感光膜パターンをマスクとして利用した等方性エッチング工程で金属膜をパターニング
感光膜パターンをマスクとして利用した異方性エッチング工程で少なくとも一つの絶縁膜をパターニング
ゲート絶縁膜パターンをマスクとして導電型不純物を高濃度でドーピングしてソース領域及びドレイン領域を形成
ゲート電極をマスクとして多結晶シリコン層をドーピングしてチャネル領域の両側に低濃度ドーピング領域を形成
　
（本エ）「【発明の効果】
【００１５】
  本発明によると、基板に
ソース領域及びドレイン領域を形成するための導電型不純物をドーピングする時に低エネルギを用いる
ゲート絶縁膜をパターニングして低濃度ドーピング領域とソース領域及びドレイン領域を定義するドーピングマスクとして利用する
　
（本オ）「【発明を実施するための最良の形態】・・（略）・・
 【００２２】・・（略）・・この時、画素部と駆動部のＣＭＯＳ素子において
ゲート電極１２４ｄ、１２４ｎ及び維持電極１３３よりゲート絶縁膜パターン１４０ｄ、１４０ｑ、１４０ｎが広く、広い幅は低濃度ドーピング領域１５２ｄ、１５２ｎの幅と同一である
【００２７】
  上述の本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法・・（略）・・
【００３１】
  次いで、図９〜図１１に示したように、
感光膜パターン５３、５４ｄ、５４ｎ、５４ｐをマスクとしてゲート用金属膜１２０を等方性エッチングでアンダーカット構造になるようにパターニング
 【００３２】
  次に、図１２〜図１４に示したように、
感光膜パターン５３、５４ｄ、５４ｎ、５４ｐをエッチングマスクとして、第２絶縁膜４０２と第１絶縁膜４０１を異方性エッチングで順にパターニング
ゲート電極１２４ｄ、１２４ｎ、１２４ｐ及び維持電極１３３の幅より少し広い幅を有するゲート絶縁膜パターン１４０ｄ、１４０ｐ、１４０ｎを形成
ソース領域及びドレイン領域を形成するための導電型不純物をドーピングする場合にイオン注入マスクの役割も果たす
【００３３】
  その後、図１５及び図１６に示したように、
感光膜パターン５３、５４ｄ、５４ｎ、５４ｐを除去した後
ゲート絶縁膜パターン１４０ｄ、１４０ｑ、１４０ｎ、１４０ｐをマスクとして
３〜４０eＶの低エネルギでｎ型不純物イオンを高濃度でドーピング
ソース領域１５３ｄ、１５３ｎとドレイン領域１５５ｄ、１５５ｎ及びチャネル領域１５４ｄ、１５４ｎを形成
【００３４】
  そして、図１７及び図１８に示したように、
ゲート電極１２４ｄ、１２４ｎ及び維持電極１３３をマスクとして、高エネルギを用いてｎ型導電型不純物を
低濃度でドーピングして低濃度ドーピング領域１５２ｄ、１５２ｎを形成
　
　上記（本ア）〜（本オ）の記載によれば、本願当初明細書には、絶縁膜によるドーピングに関して、
 　「感光膜パターンをマスクとして」「等方性エッチングでアンダーカット構造になるようにパターニング」された「ゲート用金属膜」を介して、前記「感光膜パターンをエッチングマスクとして、第２絶縁膜と第１絶縁膜を
異方性エッチングで順にパターニング
ゲート電極及び維持電極の幅より少し広い幅を有するゲート絶縁膜パターン
　前記「感光膜パターンを除去した後、ゲート絶縁膜パターンをマスクとして」、「３〜４０eＶの低エネルギでｎ型不純物イオンを高濃度でドーピングして」「ソース領域とドレイン領域及びチャネル領域を形成」し、
　「図１７及び図１８に示したように、ゲート電極及び維持電極をマスクとして、高エネルギを用いてｎ型導電型不純物を」「低濃度でドーピングして低濃度ドーピング領域を形成する。」ことで、「ゲート電極及び維持電極より
ゲート絶縁膜パターンが広く、広い幅は低濃度ドーピング領域の幅と同一
　「２層のゲート絶縁膜を異方性エッチングによりゲート絶縁膜よりも幅広にパターニングし、ゲート電極よりも幅広の部分は、低濃度ドーピング領域の幅と同一である」
ことが記載されているものの、ゲート絶縁膜の側面形状として、傾斜を形成することについては、何ら記載されていない。
　
　　　（イ）「傾斜」自体に関しては、本願当初明細書に以下の事項が記載されている。
　
 （本カ）「【００２７】
  上述の本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法・・（略）・・
 【００３０】
  この時、ゲート用金属膜１２０は物理的性質が異なる二つの膜を含むのが好ましい。・・（略）・・一つの例としてアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）の
導電膜はアルミニウムに対して全て側面傾斜を与え
湿式エッチングで形成
同一なエッチング条件で側面傾斜を与えながらエッチングする
二つの導電膜を連続して側面傾斜を与えながらエッチングする
【００３１】
  次いで、図９〜図１１に示したように、
感光膜パターン５３、５４ｄ、５４ｎ、５４ｐをマスクとしてゲート用金属膜１２０を等方性エッチングでアンダーカット構造になるようにパターニング
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の切断面側壁は以後に形成される上部層との密着性を増加させるために傾斜するように形成する
・・（略）・・
【００３８】・・（略）・・
データ用金属膜もゲート用金属膜と同一導電物質及びエッチング方法でパターニングすることができ、データ線１７１及びドレイン電極１７５ｄ、１７５ｎ、１７５ｐの切断面は上部層との密着性のために一定の傾斜を有するテーパ構造に形成する
　
　上記（本カ）の記載によれば、傾斜を設ける部材或いは部位に関しては、等方性エッチングとして周知の「湿式エッチング」を用いて、エッチングした「ゲート用金属膜」の「側面」並びに「ゲート用金属膜と同一導電物質及びエッチング方法でパターニング」した「データ線及びドレイン電極の切断面」に関してのみであり、また、その目的も、「上部層との密着性を増加させるために傾斜するように形成」しているにすぎず、ゲート絶縁膜の側面を傾斜させることで、ドーピングされない領域に所定の形状の角部を形成することに関して何ら記載されていない。
　
　　　イ　判断
　　　（ア）請求人は、審判請求書において、補正の根拠について下記の主張を行っている。
　「（２）補正の根拠の明示
　（ａ）請求項１に係る発明について
　図１７等には、第１絶縁膜４０１および第２絶縁膜４０２が、平坦な傾斜を有するように形成されることが記載されております。また、同図には、当該第１絶縁膜４０１および第２絶縁膜４０２の傾斜の下に、当該傾斜に対応するように、不純物がドーピングされないチャネル領域の角部を垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成することが記載されております。」
　即ち、本件補正の根拠を「図１７等」によるとしている。
　　　（イ）本願当初明細書には、上記「（２）ア」で摘記・検討したように、ゲート絶縁膜を構成する「前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成すること」及び「当該傾斜の水平方向の幅に対応して、前記不純物がドーピングされない領域の角部は、垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成」する事自体について、記載されておらず、まして、そのような形状とすることによる作用効果、そのような形状を得るための具体的な製造方法について何らの記載もなされていない。
　　　（ウ）したがって、上記本件補正については、単に図面に記載されている事実のみから本件補正の適否を判断する。
　　　（エ）そこで、以下、第１絶縁膜及び第２絶縁膜をパターニングする際の説明図である図１３及び請求人の主張している図１７を精査してみる。
　　　　　ａ　図１３について
　まず、第１絶縁膜と第２絶縁膜の側面を形成する段階を示す図１３について検討すると、図１３に関連して、本願当初明細書の【００３２】には、「感光膜パターン５３、５４ｄ、５４ｎ、５４ｐをエッチングマスクとして、第２絶縁膜４０２と第１絶縁膜４０１を異方性エッチングで順にパターニングして、ゲート電極１２４ｄ、１２４ｎ、１２４ｐ及び維持電極１３３の幅より少し広い幅を有するゲート絶縁膜パターン１４０ｄ、１４０ｐ、１４０ｎを形成」と記載されており、これを参照しつつ、図１３を看取すると、図１３には、
　　　　　（ａ）半導体層１５０ｄの上に左右端部を傾斜させた平坦な上面を有したゲート絶縁膜パターン１４０ｄが積層され、その上面にゲート電極１２４ｄ、或いは維持電極１３３（以下、まとめて「ゲート電極」という。）を積層し、更に感光膜パターン５４ｄ、５３が積層された構造が示されており、
　　　　　（ｂ）ゲート電極の幅は、感光膜パターンの下面の幅よりも狭く、且つ、感光膜パターンの下面の内側に、前記ゲート電極の両側面が共に入るように配置されており、
　　　　　（ｃ）ゲート絶縁膜パターン１４０ｄの平坦な上面は、ゲート電極の両下端よりも更に左右に広がった幅広であり、前記感光膜パターンの下面の両端とゲート絶縁膜上面平坦部の両端との水平位置が揃えられており、
　　　　　（ｄ）ゲート電極が感光膜パターンの下端からエッチバックにより内側にエッチングされた幅の分だけゲート絶縁膜の上面平坦部が所定の幅を有しており、平坦部の左右端部から、半導体層１５０ｄの上面にかけて、およそ６０°程度の連続したほぼ平らな傾斜面が側面として形成されていることが看取できる。
　
　　　　　ｂ　図１７について
　次に、上記ａで摘示した図１３から看取できた形状を踏まえて、本願当初明細書の【００３３】、【００３４】の工程を参照しつつ、図１７を看取すると図１７には、
　　　　　（ａ）半導体層１５０ｄにおいて、ゲート電極１２４ｄの左外方からゲート絶縁膜パターン１４０ｄの左傾斜面を形成する左側面の下面左端部の下にまで、ソース領域１５３ｄが形成され、ゲート電極１２４ｄの右外方からゲート絶縁膜パターン１４０ｄの右傾斜面を形成する右側面の下面右端部の下にまで、ドレイン領域１５５ｄが形成され、
　　　　　（ｂ）ゲート絶縁層１４０ｄの平坦部分を介して、ゲート電極１２４ｄの左下端の下の半導体層１５０ｄの表面部分から、前記ソース領域右端の深さ方向中程にかけて下に凸の曲線状に形成された低濃度ドーピング領域１５２ｄが形成され、
　　　　　（ｃ）ドレイン領域１５５ｄについても、ソース領域１５３ｄと同様に、ゲート絶縁層１４０ｄの平坦部分を介して、ゲート電極１２４ｄの右下端の下の半導体層１５０ｄの表面部分から、前記ドレイン領域左端の深さ方向中程にかけて下に凸の曲線状に形成された低濃度ドーピング領域１５２ｄが形成されていることが看取できる。
　　　　　（ｄ）そして、本願当初明細書【００３３】及び【００３４】の記載によれば、感光膜パターンを除去した後、ドーピングが行われるが、低濃度ドーピング領域の形成時には、ゲート電極１２４ｄがマスクとして機能することが説明されており、ゲート電極が積層されていない部分のゲート絶縁膜の領域にも低濃度のドーピングが成されるのであるから、この点も合わせて参酌してみれば、不純物がドーピングされていない領域１５４ｄは、ゲート絶縁膜パターン１４０ｄの両下端それぞれ下方のソース領域の右端及びドレイン領域の左端の間に形成されており、不純物がドーピングされていない領域１５４ｄのその両端それぞれの上側部分は、ゲート絶縁膜パターンの下方に曲面でえぐられた形状を成し、当該えぐられた形状は、半導体層１５０ｄの上面であって、ゲート電極１２４ｄの両下端のそれぞれの下方から、ゲート絶縁膜パターン１４０ｄの両下端のそれぞれの下方であって、ソース領域の右端の深さ方向中程、ドレイン領域の左端深さ方向中程にかけて、下に凸の曲線状に形成されていること、即ち、上記えぐられた形状の幅は、ゲート絶縁膜パターンの上面平坦部の所定幅と側面である傾斜面の水平面射影部分の幅とにかけて形成されていることが看取できる。
　
　　　（オ）したがって、本件補正の「前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成すること」自体は、図示されているものの、「不純物がドーピングされない領域の角部」と称している部分に対応すると思われる部分については、図１７では、上記（ｄ）で摘示した「えぐられた形状」の部分に相当し、これは、ゲート電極１４０ｄの左右の下端から、ゲート絶縁膜パターン１４０ｄ左右の下端にかけて形成されており、ゲート絶縁膜パターン１４０ｄ左右側面の傾斜面を形成しているそれぞれ水平方向射影部分の幅よりも広いことから、本件補正事項の「当該傾斜の水平方向の幅に対応して」いない。
　
　　　ウ　新規事項の追加に関する補正の適否のまとめ
　よって、「前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成することにより、当該傾斜の水平方向の幅に対応して、前記不純物がドーピングされない領域の角部は、垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成される」との構成を追加する本件補正は、本願当初明細書に記載されていない技術事項を特定するものであり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　（３）独立特許要件
　　　ア　次に、本件補正が図１７の形状を表現するものとして、即ち、新規事項の追加ではないものと仮定すると、本件補正は上記「２（１）補正の目的」で検討したように限定的減縮を目的とするものであるから、独立特許要件（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について以下、検討する。
　
　　　イ　刊行物及びその摘記事項
　　　（ア）原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−４５８９２号公報（以下「刊行物１」という。）には、「薄膜トランジスタ装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図２５〜図３０、並びに、図３１及び図３３〜図４１と共に次の事項が記載されている。
（刊１ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる少なくとも２種類の薄膜トランジスタを有する
薄膜トランジスタ装置
周辺回路一体型液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置に適用できる薄膜トランジスタ装置
【０００２】
【従来の技術】・・（略）・・
【０００４】・・（略）・・ポリシリコン膜１２には、
ｎ型不純物を高濃度に導入して形成された一対の高濃度不純物領域（ソース・ドレイン）１３
ｎ型不純物を低濃度に導入して形成された低濃度不純物領域（LightlyDoped Drain ：以下、ＬＤＤ領域ともいう）１４
　
（刊１イ）「【０１１８】（第４の実施の形態）図２５（ａ）は本発明の第４の実施の形態の
薄膜トランジスタ装置（液晶表示装置）
【０１２２】次に、高電圧駆動用ＴＦＴの構成について説明する。図２５（ｂ）に示すように、ガラス基板２２１上には下地絶縁膜２２２が形成されており、下地絶縁膜２２２の上にはポリシリコン膜２２３が選択的に形成されている。このポリシリコン膜２２３には、ソース・ドレインとなる一対の高濃度不純物領域２２３ａと、高濃度不純物領域２２３ａのチャネル領域側の端部に配置された一対のＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）２２３ｂとが設けられている。
【０１２３】
ポリシリコン膜２２３のチャネル領域及びＬＤＤ領域２２３ｂの上には、厚さが１００ｎｍのシリコン酸化膜２２４と、厚さが３０ｎｍのシリコン酸化膜２２５とが積層されている
・・（略）・・　
【０１２５】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法について、図２６〜図３０を参照して説明する。・・（略）・・
【０１３１】次に、図２９（ａ），（ｂ）に示すように、ゲート電極２２６ａ，２２６ｂ及びゲート絶縁膜２２４，２２５をマスクとして、
加速エネルギーが１０ｋｅＶ、注入量が１×１０
１５
ｃｍ
−２
の条件でポリシリコン膜２２３にＰ（リン）をイオン注入し、・・（略）・・高電圧駆動用ＴＦＴのソース・ドレインとなる高濃度不純物領域２２３ａを形成
【０１３２】・・（略）・・更に、
加速エネルギーが９０ｋｅＶ、注入量が１×１０
１４
ｃｍ
−２
の条件で、シリコン酸化膜２２５，２２４を介して高電圧駆動用ＴＦＴ形成領域のポリシリコン膜２２３にＰ（リン）をイオン注入し、ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）２２３ｂを形成
ゲート絶縁膜の有無、及びゲート絶縁膜の厚さに応じて不純物の加速エネルギーを調整し、高濃度不純物領域２２３ａ
高電圧駆動用ＴＦＴのＬＤＤ領域２２３ｂを形成
　
（刊１ウ）「【０１３７】（第５の実施の形態）図３１は本発明の第５の実施の形態の
薄膜トランジスタ装置
【０１３８】まず、高電圧駆動用ＴＦＴの構造について説明する。図３１（ａ），（ｂ）に示すように、
ガラス等の透明材料からなる基板３０１の上には、下地絶縁膜として、シリコン窒化膜３０２ａ及びシリコン酸化膜膜３０２ｂが積層して形成
シリコン酸化膜３０２ｂ上の所定領域には、ポリシリコン膜３０３が形成
ポリシリコン膜３０３には、ＴＦＴのソース・ドレインとなる一対の高濃度不純物領域３０３ａがチャネル領域を挟んで形成されており、更に高濃度不純物領域３０３ａとチャネル領域との間にはＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）３０３ｂが形成
【０１３９】
ポリシリコン膜３０３のチャネル領域及びＬＤＤ領域３０３ｂの上には、厚さが１００ｎｍのシリコン酸化膜３０４と、厚さが３０ｎｍのシリコン酸化膜３０５とが積層さ
シリコン酸化膜３０４，３０５により、高電圧駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜が構成
シリコン酸化膜３０５の上には、ゲート電極３０６ａが形成
ゲート電極３０６ａの幅は、ゲート絶縁膜（シリコン酸化膜３０４，３０５）の幅よりも狭くなっている。また、上から見たときに、ＬＤＤ領域３０３ａのチャネル領域側のエッジは、ゲート電極３０６ａのエッジとほぼ同じ位置にある
【０１４０】・・（略）・・
【０１４２】・・（略）・・以下、上述した２種類のＴＦＴを用いた本実施の形態の
薄膜トランジスタ装置（液晶表示装置）
【０１４３】まず、図３３（ａ），（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、ガラス基板３０１の上に下地絶縁膜として、厚さが約５０ｎｍのシリコン窒化膜３０２ａと、厚さが約２００ｎｍのシリコン酸化膜３０２ｂを順次形成する。その後、
プラズマＣＶＤ法により、シリコン酸化膜３０２ｂの上にアモルファスシリコン膜を約５０ｎｍの厚さに形成する。そして、このアモルファスシリコン膜にエキシマレーザを照射し、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる。その後、ポリシリコン膜の上に所定のパターンのレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクにしてポリシリコン膜をエッチングする
シリコン酸化膜３０２ｂ上の所定の領域にポリシリコン膜３０３を形成
【０１４４】次に、
基板３０１の上側全面にシリコン酸化膜３０４を約１００ｎｍの厚さに形成
【０１４６】次に、図３５（ａ），（ｂ）に示すように、
基板３０１の上側全面に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜３０５を例えば３０ｎｍの厚さに形成
Ａｌ−Ｎｄ膜３０６の上に所定のゲート電極形状のレジストパターン３１５を形成
【０１４７】次に、図３６（ａ），（ｂ）に示すように、
レジストパターン３１５をマスクにしてＡｌ−Ｎｄ膜３０６をエッチングして、ゲート電極３０６ａ、・・（略）・・を形成する。このとき、Ａｌ−Ｎｄ膜３０６はサイドエッチングして、レジスト膜３１５よりも狭い幅とする
シリコン酸化膜３０４，３０５は、レジスト膜３１５をマスクとして垂直方向にドライエッチングして、レジスト膜３１５とほぼ同じ幅とする。このようにして、ゲート電極３０６ａ，３０６ｂとゲート絶縁膜であるシリコン酸化膜３０５との間に段差を設ける
【０１４８】このとき、高電圧駆動用ＴＦＴ形成領域では、ゲート電極３０６ａの下方にシリコン酸化膜３０４，３０５が残り（図３１（ｂ）参照）、・・（略）・・
【０１４９】次に、図３７（ａ），（ｂ）に示すように、・・（略）・・
シリコン酸化膜３０５，３０４を介してポリシリコン膜３０３に不純物をイオン注入する
イオン注入条件を適切に設定することにより
先端がゲート絶縁膜のエッジの真下に位置する高濃度不純物領域（ソース・ドレイン）３０３ａを形成
ゲート電極３０６ａのエッジの真下とゲート絶縁膜３０５のエッジの真下との間の領域に低濃度不純物領域（ＬＤＤ層）３０３ｂを形成
【０１５０】・・（略）・・
【０１５３】次いで、図４１（ａ），（ｂ）に示すように、スパッタ法により、基板３０１の上側全面にＩＴＯ膜を例えば７０ｎｍの厚さに成膜し、フォトリソグラフィ技術を使用して、
ＩＴＯ膜をパターニングして、画素電極３１１を形成する。このようにして、液晶表示装置が形成される
高電圧駆動用ＴＦ（当審注：ＴＦＴの誤記）のＬＤＤ構造をゲート電極３０６ａをマスクとして自己整合的に形成する
　
（刊１エ）図３１（ａ）には、第５の実施の形態の薄膜トランジスタ装置の高電圧駆動用ＴＦＴのゲート電極に直交する方向の断面図が示され、ポリシリコン膜中、外方から、その先端が、積層されたシリコン酸化膜３０４、３０５からなるゲート絶縁膜のエッジの真下にまで達する高濃度不純物領域（ソース・ドレイン）３０３ａと、それに接続されゲート絶縁膜のエッジの真下からゲート電極３０６ｂのエッジの真下までの間の領域に低濃度不純物領域（ＬＤＤ層）３０３ｂが形成され、左右２つの低濃度不純物領域（ＬＤＤ層）３０３ｂの間、即ち、ゲート電極３０６ｂの両エッジ真下の間の区間がチャネル領域となっていることが看取できる。
　また、図３１、図３６〜図４１には、積層されたシリコン酸化膜３０４、３０５からなるゲート絶縁膜の上面が平坦となっており、上面の左右端部からそれぞれポリシリコン膜３０３にかけて、連続した直線状の傾斜面からなる側面が形成されていることが看取できる。
　
　上記摘示事項（刊１ア）、（刊１ウ）及び（刊１エ）を整理すると、刊行物１には次の発明が開示されている。
  「下地絶縁膜３０２ａ、３０２ｂが形成されたガラス等の透明材料からなる基板３０１と、
　下地絶縁膜３０２ａ、３０２ｂの上の所定領域に形成されており、ＴＦＴのソース・ドレインとなる一対の高濃度不純物領域３０３ａがチャネル領域を挟んで形成されており、更に各高濃度不純物領域３０３ａとチャネル領域とのそれぞれの間には低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）３０３ｂが形成されたポリシリコン膜３０３と、
　ポリシリコン膜３０３のチャネル領域及び低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）３０３ｂの上に積層され、厚さが１００ｎｍのシリコン酸化膜３０４と、厚さが３０ｎｍのシリコン酸化膜３０５とからなるゲート絶縁膜と、
　シリコン酸化膜３０５の上に形成したゲート電極３０６ｂとを含み、
　積層されたシリコン膜３０４、３０５からなるゲート絶縁膜の左右両側面が、それぞれ連続した直線状の傾斜面を形成しており、上から見たときに、低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）３０３ｂのチャネル領域側のエッジは、ゲート電極３０６ａのエッジとほぼ同じ位置にあり、ゲート電極３０６ａの両端下方の間の区間がチャネル領域となっている、
薄膜トランジスタ装置を有する液晶表示装置」（以下「刊行物発明」という。）
　
　　　ウ　対比・判断
　　　（ア）対比
　本願補正発明と刊行物発明とを対比すると、
　　　　　ａ　刊行物発明の「ガラス等の透明材料からなる基板３０１」が、本願補正発明の「絶縁基板」に相当し、同様に「ポリシリコン膜３０３」、「ゲート電極３０６ｂ」、及び、「薄膜トランジスタ装置を有する液晶表示装置」が、それぞれ「第１多結晶シリコン層」、「第１電極」、及び、「薄膜トランジスタ表示板」に相当する。
　　　　　ｂ　刊行物１の摘記事項（刊１ア）によれば、一対の高濃度不純物領域（ソース・ドレイン）は、ｎ型不純物を高濃度に導入して形成された領域であり、低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）は、ｎ型不純物を低濃度に導入して形成された領域であることが説明されている。
　また、刊行物発明の「チャネル領域」は、刊行物１の摘記事項（刊１ウ）によれば、「プラズマＣＶＤ法により、シリコン酸化膜３０２ｂの上にアモルファスシリコン膜を約５０ｎｍの厚さに形成する。そして、このアモルファスシリコン膜にエキシマレーザを照射し、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させ」、その後のチャネル領域を挟む「低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）３０３ｂ」及び「高濃度不純物領域３０３ａ」を形成するためのイオン注入処理においてイオンが注入されない領域であるから、本願補正発明の「不純物がドーピングされない物質から形成される、前記不純物がドーピングされない領域」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「下地絶縁膜３０２ａ、３０２ｂの上の所定領域に形成されており、ＴＦＴのソース・ドレインとなる一対の高濃度不純物領域３０３ａがチャネル領域を挟んで形成されており、更に各高濃度不純物領域３０３ａとチャネル領域とのそれぞれの間には低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）３０３ｂが形成されたポリシリコン膜３０３」は、本願補正発明の「絶縁基板上に形成されており、不純物がドーピングされない物質から形成される、前記不純物がドーピングされない領域と；前記不純物がドーピングされて形成された物質から形成される、少なくとも一つの第１不純物ドーピング領域と、当該第１不純物領域と前記不純物がドーピングされない領域との間に形成され、前記不純物の濃度が前記第１不純物ドーピング領域よりも低い、少なくとも一つの第２不純物ドーピング領域と；を有する第１多結晶シリコン層」に相当する。
　　　　　ｃ　刊行物発明の「厚さが１００ｎｍのシリコン酸化膜３０４」、「厚さが３０ｎｍのシリコン酸化膜３０５」は、いずれも絶縁膜であり、ポリシリコン膜３０３のチャネル領域及びＬＤＤ領域３０３ｂの上に積層されものであるから、刊行物発明の「ポリシリコン膜３０３のチャネル領域及びＬＤＤ領域３０３ｂの上に積層され、厚さが１００ｎｍのシリコン酸化膜３０４と、厚さが３０ｎｍのシリコン酸化膜３０５とからなるゲート絶縁膜と、シリコン酸化膜３０５の上に形成したゲート電極３０６ｂ」は、本願補正発明の「第１多結晶シリコン層上に形成される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成される第１電極と、前記第１絶縁膜と前記第１多結晶シリコン層との間に形成される第２絶縁膜」に相当する。
　　　　　ｄ　刊行物発明の「積層されたシリコン膜３０４、３０５からなるゲート絶縁膜の左右両側面が、それぞれ連続した直線状の傾斜面を形成しており」は、本願補正発明の「第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成した」に相当する。
　
　そうすると、両者は、
　「絶縁基板と、
　前記絶縁基板上に形成されており、不純物がドーピングされない物質から形成される、前記不純物がドーピングされない領域と；前記不純物がドーピングされて形成された物質から形成される、少なくとも一つの第１不純物ドーピング領域と、当該第１不純物領域と前記不純物がドーピングされない領域との間に形成され、前記不純物の濃度が前記第１不純物ドーピング領域よりも低い、少なくとも一つの第２不純物ドーピング領域と；を有する第１多結晶シリコン層と、
　前記第１多結晶シリコン層上に形成される第１絶縁膜と、
　前記第１絶縁膜上に形成される第１電極と、
　前記第１絶縁膜と前記第１多結晶シリコン層との間に形成される第２絶縁膜と、
　を含み、
　前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成した
　薄膜トランジスタ表示板。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　＊相違点１：本願補正発明では、「第２不純物ドーピング領域は、前記第１不純物ドーピング領域にドーピングするために使用されるエネルギより高いエネルギを使用してドーピングされる前記不純物を含」んでいるのに対して、刊行物発明では、そのようなことが明示されていない点。
　
　＊相違点２：本願補正発明では、「第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成することにより、当該傾斜の水平方向の幅に対応して、前記不純物がドーピングされない領域の角部は、垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成され」ているのに対して、刊行物発明では、そのような形状が特定されていない点。　
　
　　　（イ）相違点についての判断
　ここで、上記各相違点について検討する。
　　　　　ａ　相違点１について
　　刊行物１の摘記事項（刊１ウ）の【０１４９】には、第５の実施の形態の説明として「
イオン注入条件を適切に設定することにより
先端がゲート絶縁膜のエッジの真下に位置する高濃度不純物領域（ソース・ドレイン）３０３ａを形成
ゲート電極３０６ａのエッジの真下とゲート絶縁膜３０５のエッジの真下との間の領域に低濃度不純物領域（ＬＤＤ層）３０３ｂを形成
加速エネルギーが１０ｋｅＶ、注入量が１×１０
１５
ｃｍ
−２
の条件で・・（略）・・高電圧駆動用ＴＦＴのソース・ドレインとなる高濃度不純物領域２２３ａを形成
加速エネルギーが９０ｋｅＶ、注入量が１×１０
１４
ｃｍ
−２
の条件で、シリコン酸化膜２２５，２２４を介して高電圧駆動用ＴＦＴ形成領域のポリシリコン膜２２３にＰ（リン）をイオン注入し、ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）２２３ｂを形成
　
　　　　　ｂ　相違点２について
　　　　　（ａ）本願明細書には、「第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成すること」及び「傾斜の水平方向の幅に対応して、前記不純物がドーピングされない領域の角部は、垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成」すること自体、及び製造方法、技術的意義について何ら記載されていないことは、上記「２　（２）本件補正における上記構成の追加に係る補正が、新規事項の追加に当たるか否かについての判断」で指摘したとおりであり、その根拠は、図１７等の図以外にはない。
　　　　　（ｂ）そして、本願補正発明においては、
　「第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、
平坦な傾斜を有するように形成することにより、
角部は、垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成される
と特定しているものであり、本願当初明細書の【００３２】によれば、第１絶縁膜と第２絶縁膜との積層膜のパターニングは、感光膜パターンをマスクとした異方性エッチングによりなされ、結果として、請求人が主張する「第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面」が「平坦な傾斜を有するように形成」されるものであり、そのような傾斜面を「形成することにより」上記所定の形状の角部が形成されるものである。
　　　　　（ｃ）一方、刊行物発明の「厚さが１００ｎｍのシリコン酸化膜３０４と、厚さが３０ｎｍのシリコン酸化膜３０５とからなるゲート絶縁膜」のパターニングも、刊行物１の摘記事項（刊１ウ）の【０１４７】の「
シリコン酸化膜３０４，３０５は、レジスト膜３１５をマスクとして垂直方向にドライエッチングして、レジスト膜３１５とほぼ同じ幅とする。
　
　　　　（ｄ）また、「低濃度不純物領域（ＬＤＤ層）」の形状として、下記の周知例１、２のように種々の形状が知られており、本願補正発明おける角部の形状に格別な技術的意義を見出すこともできない。
　＜周知例の記載事項＞
　周知例１：原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−２２４２７２号公報
　＊図１（ｅ）、図８（ｅ）、図１７（ｆ）、図１８（ｃ）、図１９（ｅ）の各図には、ソース・ドレイン領域５よりも不純物濃度が低いエクステンション領域４が、ゲート電極のエッジ下端から、なめらかな曲線を描いて、エクステンション領域４よりも深く形成されているいソース・ドレイン領域５の側面に達している事が看取できる。
　
　周知例２：特開平５−９５０００号公報
　＊図５（ｅ）には、ＴＦＴのオフセット構造として、ゲート電極３４の両エッジの下方の多結晶シリコン膜３１上面から垂直下方に伸び、垂直方向から水平方向に変化する曲面を形成しながらゲート電極３４外方近傍の高濃度のソースドレイン領域（ｎ＋拡散層）３９に隣接する低濃度層３７Ｓが形成されていることが看取できる。
　
　　　エ　独立特許要件に関するまとめ
　したがって、本願補正発明は、刊行物発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正発明における本件補正事項に係る構成が、新規事項の追加ではないものと仮定しても、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について　
　１　本願発明
　平成２５年　２月　１日提出の手続補正は上記「第２　補正の却下の決定」での検討のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１８に係る発明は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　絶縁基板と、
　前記絶縁基板上に形成されており、不純物がドーピングされない物質から形成される、前記不純物がドーピングされない領域と；前記不純物がドーピングされて形成された物質から形成される、少なくとも一つの第１不純物ドーピング領域と、当該第１不純物領域と前記不純物がドーピングされない領域との間に形成され、前記不純物の濃度が前記第１不純物ドーピング領域よりも低い、少なくとも一つの第２不純物ドーピング領域と；を有する第１多結晶シリコン層と、
　前記第１多結晶シリコン層上に形成される第１絶縁膜と、
　前記第１絶縁膜上に形成される第１電極と、
　前記第１絶縁膜と前記第１多結晶シリコン層との間に形成される第２絶縁膜と、
　を含み、
　前記第２不純物ドーピング領域は、前記第１不純物ドーピング領域にドーピングするために使用されるエネルギより高いエネルギを使用してドーピングされる前記不純物を含む　ことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。」
　
　２　刊行物１及び周知例１、２の摘記事項
　刊行物１及び周知例１、２の摘記事項は、上記「第２　２（３）イ　刊行物及びその摘記事項」、「第２　２（３）ウ　（イ）相違点についての判断」に記載されたとおりである。
　
　３　対比・判断
　本願発明は、上記「第２　２　（３）独立特許要件」で検討した本願補正発明の「前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との側面を、平坦な傾斜を有するように形成することにより、当該傾斜の水平方向の幅に対応して、前記不純物がドーピングされない領域の角部は、垂直方向から水平方向になだらかに変化する曲面を有するように形成される」との発明特定事項を削除したものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が上記「第２　２（３）独立特許要件」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　結言
　本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の請求項２〜１８に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。