【事件の表示】
　特願２００８−　７０５７９「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月　１日出願公開、特開２００９−２２３２４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２０年３月１９日の出願であって、平成２４年１０月９日付けで手続補正がなされ、平成２５年５月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月５日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２５年８月５日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年８月５日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容 
　平成２５年８月５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２４年１０月９日付け手続補正後のもの）の請求項として、
　
「【請求項１】
　液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
　前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に前記液晶を駆動する電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
　前記対向電極は、ゲート信号線をも被って形成される第１絶縁膜上に、少なくともゲート信号線を跨って隣接する画素に及んで形成される面状の透明導電膜で構成され、
　前記画素電極は、前記対向電極をも被って形成される第２絶縁膜上に、前記対向電極に重畳して画素領域ごとに並設して形成される線状部と、この線状部の端部をその周囲において互いに接続させ一体に形成した枠部を備える透明導電膜で構成され、
　ゲート信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　前記第１画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、前記第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成され、前記第１画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部と、前記第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部との間に形成される隙間部をゲート信号線上に位置付けるように配置することを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項２】
　前記第２基板に前記ゲート信号線と重畳して配置される遮光膜を備え、該遮光膜の幅は前記ゲート信号線の幅よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　【請求項３】
　ドレイン信号線を境にして互いに隣接する一方の画素と他方の画素にあって、
　前記一方の画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の枠部は該ドレイン信号線の前記一方の画素側の辺に重畳して形成され、前記他方の画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の辺は該ドレイン信号線の前記他方の画素側の辺に重畳して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　【請求項４】
　液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
　前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に前記液晶を駆動する電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
　前記対向電極は、ドレイン信号線をも被って形成される第１絶縁膜上に、少なくともドレイン信号線を跨って隣接する画素に及んで形成される面状の透明導電膜で構成され、
　前記画素電極は、前記対向電極をも被って形成される第２絶縁膜上に、前記対向電極に重畳して画素領域ごとに並設して形成される線状部と、この線状部の端部をその周囲において互いに接続させ一体に形成した枠部を備える透明導電膜で構成され、
　ドレイン信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　前記第１画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の枠部は該ドレイン信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、前記第２画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の枠部は該ドレイン信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成され、前記第１画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の枠部と、前記第２画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の枠部との間に形成される隙間部をドレイン信号線上に位置付けるように配置することを特徴とする液晶表示装置。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】
　互いに対向して配置され液晶を挟持する第１基板と第２基板を外囲器とし、前記第１基板と第２基板との固定を兼ねるシール材によって前記液晶を封入し、該シール材によって囲まれた領域によって表示領域が構成され、前記第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面であって前記表示領域内に、一方向に延在し直交する他方向に並設されるゲート信号線が、また、他方向に延在し一方向に並設されるドレイン信号線が形成され、隣接する一対のゲート信号線と隣接する一対のドレイン信号線とで囲まれる矩形状の領域を画素領域とし、
　前記画素領域に、前記ゲート信号線からの走査信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、基準信号（電圧）が印加され前記画素電極との間に前記液晶を駆動する電位差によって電界を生じせしめる対向電極を備え、前記画素電極と前記対向電極は共に同じ前記第１基板に形成されてなる液晶表示装置であって、
　前記第１基板の表面に、前記ゲート信号線をも被って第１絶縁膜が形成され、該第１絶縁膜の上に、前記薄膜トランジスタをも被って表面を平坦化させる保護膜が形成され、
　前記保護膜の上面に、少なくともゲート信号線を跨って隣接する画素に及んで形成され、前記画素ごとに画素領域のほぼ全域を被って形成される面状電極として構成される対向電極が透明導電膜によって構成され、
　前記対向電極の上に該対向電極をも被って第２絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の上の各画素領域に、前記対向電極に重畳して配置される複数の並設された線状部と、この線状部の端部をその周囲において互いに接続させ一体に形成した枠部を備える透明導電膜で構成される画素電極が形成され、
　ゲート信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　前記第１画素の画素電極の上側の辺を、該第１画素の上側にあるゲート信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、前記第１画素の画素電極の下側の辺を、該第１画素の下側にあるゲート信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、前記第１画素の画素電極の右上側の辺を、該第１画素の右上側にあるゲート信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、前記第１画素の画素電極の左側の辺を、該第１画素の左側にあるゲート信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、
　前記第２画素の画素電極の上側の辺を、該第２画素の上側にあるゲート信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、前記第２画素の画素電極の下側の辺を、該第２画素の下側にあるゲート信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、前記第２画素の画素電極の右上側の辺を、該第２画素の右上側にあるゲート信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、前記第２画素の画素電極の左側の辺を、該第２画素の左側にあるゲート信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、
　前記第１画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部と、前記第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部との間に形成される隙間部をゲート信号線上に位置付けるように配置する
　ことを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項２】
　前記第２基板に前記ゲート信号線と重畳して配置される遮光膜を備え、
　前記ゲート信号線を間にして隣接する画素のそれぞれの画素電極との間に発生する電界の領域の範囲を狭め、前記隙間部をゲート信号線で遮光して前記第２基板に前記ゲート信号線と重畳して配置する前記遮光膜の幅を少なくともゲート信号線の幅よりも小さな幅に形成する
　ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　【請求項３】
　ドレイン信号線を境にして互いに隣接する一方の画素と他方の画素にあって、
　前記一方の画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の枠部を該ドレイン信号線の前記一方の画素側の辺に重畳して形成し、
　前記他方の画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の辺を該ドレイン信号線の前記他方の画素側の辺に重畳して形成してなる
　ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　【請求項４】
　互いに対向して配置され液晶を挟持する第１基板と第２基板を外囲器とし、前記第１基板と第２基板との固定を兼ねるシール材によって前記液晶を封入し、該シール材によって囲まれた領域によって表示領域が構成され、前記第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面であって前記表示領域内に、一方向に延在し直交する他方向に並設されるゲート信号線が、また、他方向に延在し一方向に並設されるドレイン信号線が形成され、隣接する一対のゲート信号線と隣接する一対のドレイン信号線で囲まれる矩形状の領域を画素領域とし、
　前記画素領域に、前記ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、基準信号（電圧）が印加され前記画素電極との間に前記液晶を駆動する電位差によって電界を生じせしめる対向電極を備え、前記画素電極と前記対向電極は共に同じ前記第１基板に形成されてなる液晶表示装置であって、
　前記第１基板の表面に、前記ドレイン信号線をも被って第１絶縁膜が形成され、該第１絶縁膜の上に、前記薄膜トランジスタをも被って表面を平坦化させる保護膜が形成され、
　前記保護膜の上面に、少なくともドレイン信号線を跨って隣接する画素に及んで形成され、前記画素ごとに画素領域のほぼ全域を被って形成される面状電極として構成される対向電極が透明導電膜によって構成され、
　前記対向電極の上に該対向電極をも被って第２絶縁膜が形成され、前記第２絶縁膜の上の各画素領域に、前記対向電極に重畳して配置される複数の並設された線状部と、この線状部の端部をその周囲において互いに接続させ一体に形成した枠部を備える透明導電膜で構成される画素電極が形成され、
　ドレイン信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　前記第１画素の画素電極の上側の辺を、該第１画素の上側にあるドレイン信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、前記第１画素の画素電極の下側の辺を、該第１画素の下側にあるドレイン信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、前記第１画素の画素電極の右上側の辺を、該第１画素の右上側にあるドレイン信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、前記第１画素の画素電極の左側の辺を、該第１画素の左側にあるドレイン信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、
　前記第２画素の画素電極の上側の辺を、該第２画素の上側にあるドレイン信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、前記第２画素の画素電極の下側の辺を、該第２画素の下側にあるドレイン信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、前記第２画素の画素電極の右上側の辺を、該第２画素の右上側にあるドレイン信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、前記第２画素の画素電極の左側の辺を、該第２画素の左側にあるドレイン信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成してなる
　前記第１画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の枠部と、前記第２画素の画素電極の前記ドレイン信号線側の枠部との間に形成される隙間部をドレイン信号線上に位置付けるように配置する
　ことを特徴とする液晶表示装置。」
　
と補正することを含むものである。
　
　そして、本件補正は、補正前の請求項１の「（ゲート信号線を境にして互いに隣接する）第１画素と第２画素」について、
（１）「第１画素の画素電極の右上側の辺を、該第１画素の右上側にあるゲート信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、前記第１画素の画素電極の左側の辺を、該第１画素の左側にあるゲート信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し」（以下「本件補正事項１」という。）と補正するとともに、
（２）「第２画素の画素電極の右上側の辺を、該第２画素の右上側にあるゲート信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、前記第２画素の画素電極の左側の辺を、該第２画素の左側にあるゲート信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し」（以下「本件補正事項２」という。）と補正すること、
を含むものである。
　
２　新規事項
　本件補正が、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものであるか否かにつき検討する。
　
　本件補正事項１、２に関し、当初明細書等には、以下の記載がある。
　
（１）「【請求項１】
　液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
　前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に前記液晶を駆動する電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
　…
　ゲート信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　前記第１画素の画素電極の前記ゲート信号線側の辺は該ゲート信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、前記第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の辺は該ゲート信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成され、
　前記第１画素の対向電極の前記ゲート信号線側の枠部と前記第２画素の対向電極の前記ゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線上において該ゲート信号線を跨いで共通に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」
（２）「【請求項４】
　液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
　前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に前記液晶を駆動する電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
　…
　前記画素電極は、前記対向電極をも被って形成される第２絶縁膜上の各画素領域に、前記対向電極に重畳して配置される複数の並設された線状部とこの線状部の端部を接続する枠部を備える透明導電膜で構成され、
　ゲート信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　前記第１画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、前記第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」
（３）「【００１３】
　…
　ゲート信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　前記第１画素の画素電極の前記ゲート信号線側の辺は該ゲート信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、前記第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の辺は該ゲート信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成され、
　…。」
（４）「【００１６】
　…
　前記画素電極は、前記対向電極をも被って形成される第２絶縁膜上の各画素領域に、前記対向電極に重畳して配置される複数の並設された線状部とこの線状部の端部を接続する枠部を備える透明導電膜で構成され、
　ゲート信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　前記第１画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、前記第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成されている。」
（５）「【００４０】
　…保護膜ＰＡＳの上面には、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜によって画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、画素ごとに画素領域のほぼ全域を被って形成される面状電極として構成されている。この場合、前記画素電極ＰＸの図中上側の辺は、当該画素の図中上側にあるゲート信号線ＧＬの当該画素側の辺に重畳するよう（図中ｏｖｒで示す）に形成され、図中下側の辺は、当該画素の図中下側にあるゲート信号線ＧＬの当該画素側の辺に重畳するよう（図中ｏｖｒで示す）にして形成されている。これにより、図１に示すように、ゲート信号線ＧＬにおいて、その走行方向に平行な各辺のうち一方の辺には当該画素の画素電極ＰＸが重畳して形成され（図中ｏｖｒで示す）、他方の辺には当該画素と前記ゲート信号線ＧＬを境にして隣接する他の画素の画素電極ＰＸが重畳して形成される（図中ｏｖｒで示す）ことになる。また、図３に戻り、前記画素電極ＰＸの図中左側の辺は、当該画素電極ＰＸの図中左側にあるドレイン信号線ＤＬの当該画素電極ＰＸ側の辺に重畳するよう（図中ｏｖｒ'で示す）に形成され、図中右側の辺は、当該画素の図中右側にあるドレイン信号線ＤＬの当該画素側の辺に重畳するよう（図中ｏｖｒ'で示す）にして形成されている。これにより、図４（ｂ）に示すように、ドレイン信号線ＤＬにおいて、その走行方向に平行な各辺のうち一方の辺には当該画素の画素電極ＰＸが重畳して形成され（図中ｏｖｒ'で示す）、他方の辺には当該画素と前記ドレイン信号線ＤＬを境にして隣接する他の画素の画素電極ＰＸが重畳して形成される（図中ｏｖｒ'で示す）ことになる。」
（６）「【００５６】
　…画素電極ＰＸは、画素領域ごとに独立して形成され、複数の並設された線状部の周辺の端部を接続する枠部ＰＸ（ＦＲ）、ＰＸ（ＦＲ'）を備えて構成されている。…
【００５７】
　図６に示すように、当該画素とゲート信号線ＧＬを境にして隣接する他の画素において、当該画素の画素電極ＰＸの前記ゲート信号線ＧＬ側の枠部ＰＸ（ＦＲ）は該ゲート信号
線ＧＬの当該画素側の辺に重畳して（図中ｏｖｒで示す）形成され、他の画素の画素電極ＰＸの前記ゲート信号線ＧＬ側の枠部ＰＸ（ＦＲ）は該ゲート信号線ＧＬの前記他の画素側の辺に重畳して（図中ｏｖｒで示す）形成されている。
【００５８】
　これにより、ゲート信号線ＧＬを境にして互いに隣接するある画素の画素電極ＰＸと他の画素の画素電極ＰＸとの間の隙間部を小さく構成できるとともに、該隙間部を前記ゲート信号線ＧＬ上に位置づけることができるようになる。
…
【００６０】
　また、図７（ｂ）に示すように、当該画素とドレイン信号線ＤＬを境にして隣接する他の画素において、当該画素の画素電極ＰＸの前記ドレイン信号線ＤＬ側の枠部ＰＸ（ＦＲ'）は該ドレイン信号線ＤＬの当該画素側の辺に重畳して（符号ｏｖｒ'で示す）形成され、他の画素の画素電極ＰＸの前記ドレイン信号線ＤＬ側の枠部ＰＸ（ＦＲ'）は該ドレイン信号線ＤＬの前記他の画素側の辺に重畳して（符号ｏｖｒ'で示す）形成されている。
【００６１】
　これにより、ドレイン信号線ＤＬを境にして互いに隣接するある画素の画素電極ＰＸと他の画素の画素電極ＰＸとの間の隙間部を小さく構成できるとともに、該隙間部を前記ドレイン信号線ＤＬ上に位置づけることができるようになる。…」
　
　上記（１）〜（６）によれば、当初明細書等には、
　ａ　ゲート信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、
　（ａ）第１画素の画素電極のゲート信号線側の辺が、該ゲート信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、第２画素の画素電極のゲート信号線側の辺が、該ゲート信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成されること（上記（１）、（３）参照。）、
　（ｂ）第１画素の画素電極のゲート信号線側の（画素電極に配置される複数の並設された線状部の端部を接続する）枠部が、該ゲート信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、第２画素の画素電極のゲート信号線側の（画素電極に配置される複数の並設された線状部の端部を接続する）枠部が、該ゲート信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成されること（上記（２）、（４）参照。）、
　ｂ　画素電極ＰＸの左側の辺は、当該画素電極ＰＸの左側にあるドレイン信号線ＤＬの当該画素電極ＰＸ側の辺に重畳するように形成され、右側の辺は、当該画素の右側にあるドレイン信号線ＤＬの当該画素側の辺に重畳するようにして形成されていること（上記（５）参照。）、
　ｃ　画素とドレイン信号線ＤＬを境にして隣接する他の画素において、当該画素の画素電極ＰＸの前記ドレイン信号線ＤＬ側の枠部ＰＸ（ＦＲ'）は該ドレイン信号線ＤＬの当該画素側の辺に重畳して形成され、他の画素の画素電極ＰＸの前記ドレイン信号線ＤＬ側の枠部ＰＸ（ＦＲ'）は該ドレイン信号線ＤＬの前記他の画素側の辺に重畳して形成されていること（上記（６）参照。）、
は記載されているものと認められる。
　しかしながら、当初明細書等には、上記本件補正事項１（「第１画素の画素電極の右上側の辺を、該第１画素の右上側にあるゲート信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成し、前記第１画素の画素電極の左側の辺を、該第１画素の左側にあるゲート信号線の第１画素側の辺に重畳するように形成」すること）及び本件補正事項２（「第２画素の画素電極の右上側の辺を、該第２画素の右上側にあるゲート信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成し、前記第２画素の画素電極の左側の辺を、該第２画素の左側にあるゲート信号線の第２画素側の辺に重畳するように形成」すること）については記載されていない。
　また、前記本件補正事項１、２が当初明細書等の記載から自明な事項である、ということもできない。
　したがって、本件補正事項１、２を含む本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるということはできず、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年１０月９日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１において、補正前の請求項１として示したとおりのものである。
　
２　刊行物記載の発明
（１）引用刊行物１
　本願の出願前に頒布された、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００８−３２８９７号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００２】
　液晶表示装置の広視野角化を図る手段の一つとして、同一基板上の電極間に横方向の電界を発生させ、この電界により液晶分子を基板に平行な面内で回転させることで光スイッチング機能を持たせる方式が開発されている。この技術として、インプレイン・スイッチング（In-plane Switching，以降、「ＩＰＳ」と略称する）方式や、ＩＰＳ方式を改良したフリンジフィールド・スイッチング（Fringe-Field Switching，以降、「ＦＦＳ」と略称する）方式が知られている。
【０００３】
　次に、従来例に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置について図面を参照して説明する。図４は従来例に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置を示す平面図である。この液晶表示装置には複数の画素がマトリクス状に配置されているが、図４では、その中から後述する表示信号線ＤＬを跨いで隣接する２つの画素１Ｃ，１Ｄのみを示している。図５は、そのＺ−Ｚ線に沿った断面図であり、画素１Ｃ，１Ｄの境界近傍を示している。
【０００４】
　その概略構成を説明すると、図４に示すように、ガラス基板等の透明基板であるＴＦＴ基板１０には、画素選択信号が供給されるゲート線ＧＬと表示信号が供給される表示信号線ＤＬが交差するように配置されている。ＴＦＴ基板１０に形成された画素１Ｃには、コンタクトホールＣＨ６を通して表示信号線ＤＬと接続された画素選択用の薄膜トランジスタＴＲが配置されている。薄膜トランジスタＴＲより上層には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明金属からなり、共通電位が供給される共通電極層５１が配置されている。共通電極層５１には開口部５１Ｗが設けられている。さらに絶縁膜を介して、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を通して薄膜トランジスタＴＲに接続され、表示信号が供給される画素電極層５３が形成されている。画素電極層５３はＩＴＯ等の透明金属からなる。画素１Ｃの画素電極層５３には複数の画素電極部５３Ａ及びスリット部Ｓが配置されている。なお、共通電極層５１は、コンタクトホールＣＨ９を通して共通電位線ＣＯＭに接続されている…。この構成は画素１Ｄについても同様であり、複数の画素電極部５３Ｂ及びスリット部Ｓが配置されている。
【０００５】
　さらに、断面構成について説明すると、図５に示すように、ＴＦＴ基板１０の光源ＢＬと対向する側には、光源ＢＬの光を直線偏光する第１の偏光板１１が形成されている。ＴＦＴ基板１０の光源ＢＬと対向しない側には、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなるバッファ膜１２が形成されている。
【０００６】
　バッファ膜１２上には、不図示の薄膜トランジスタＴＲが配置されている。薄膜トランジスタＴＲは、ポリシリコン等からなる不図示の能動層と、能動層を覆うゲート絶縁膜１３と、その上に配置された不図示のゲート線からなる。薄膜トランジスタは、さらに層間絶縁膜１４により覆われている。層間絶縁膜１４上には、薄膜トランジスタＴＲのドレイン領域と接続された表示信号線ＤＬが配置されている。表示信号線ＤＬは、パッシベーション膜１７及び平坦化膜１８に覆われている。平坦化膜１８上には、共通電極層５１、これを覆う絶縁膜５２、画素電極部５３Ａ，５３Ｂがこの順で積層されている。なお、絶縁膜５２上には、画素電極部５３Ａ，５３Ｂを覆う不図示の配向膜が形成されている。
【０００７】
　また、ＴＦＴ基板１０と対向して、ガラス基板等の透明基板であるカラーフィルタ基板（以降、「ＣＦ基板」と略称する）３０が配置されている。ＴＦＴ基板１０と対向する側のＣＦ基板３０には、表示信号線ＤＬと対向するブラックマトリクスＢＭ、及び不図示のカラーフィルタ及び配向膜が形成されている。また、ＴＦＴ基板１０と対向しない側のＣＦ基板３０には、第１の偏光板１１とクロスニコル配置された第２の偏光板３１が形成されている。また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間には、液晶層ＬＣが封止されている。液晶層ＬＣの液晶分子は、例えば正の誘電率異方性を有したネマティック液晶である。この液晶分子の長軸の平均的な配向方向（以降、単に「配向方向」と略称する）は、配向膜のラビング方向によって第１の偏光板１１の偏光軸と平行になっている。
【０００８】
　上記液晶表示装置では、画素電極部５３Ａ，５３Ｂに電圧が印加されない状態では、液晶層ＬＣの液晶分子の配向方向が第１の偏光板１１の偏光軸と平行な傾きとなる。このとき、液晶層ＬＣを透過する直線偏光は、その偏光軸が第２の偏光板３１の偏光軸と直交するため、第２の偏光板３１から出射されない。即ち表示状態は黒表示となる。
【０００９】
　一方、画素電極部５３Ａ，５３Ｂに電圧が印加され、画素電極部５３Ａ，５３Ｂと共通電極層５１との間に電界が生じると、液晶分子の配向方向がその電界の電気力線に沿うようにして回転する。このとき、液晶層ＬＣに入射した直線偏光は複屈折により楕円偏光となるが、第２の偏光板３１を透過する直線偏光成分を有することになり、この場合の表示状態は白表示となる。」
　イ　上記アに照らして図４をみると、「画素１Ｃ」及び「画素１Ｄ」において、「（画素電極部５３に形成された複数の）スリット部Ｓ」両端の「画素電極部５３」の接続部分のうちの一方（左側）は、「ゲート線ＧＬ」と重畳していること、がみてとれる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「複数の画素がマトリクス状に配置され、表示信号線ＤＬを跨いで隣接する２つの画素１Ｃ，１Ｄを有する、ＩＰＳ方式を改良したフリンジフィールド・スイッチングＦＦＳ方式の液晶表示装置であって、
　透明基板であるＴＦＴ基板１０には、画素選択信号が供給されるゲート線ＧＬと表示信号が供給される表示信号線ＤＬが交差するように配置されており、ＴＦＴ基板１０に形成された画素１Ｃには、コンタクトホールＣＨ６を通して表示信号線ＤＬと接続された画素選択用の薄膜トランジスタＴＲが配置されており、薄膜トランジスタＴＲより上層には、ＩＴＯ等の透明金属からなり、共通電位が供給される共通電極層５１が配置されており、共通電極層５１には開口部５１Ｗが設けられており、さらに絶縁膜を介して、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を通して薄膜トランジスタＴＲに接続され、表示信号が供給される画素電極層５３が形成されており、画素電極層５３はＩＴＯ等の透明金属からなり、画素１Ｃの画素電極層５３には複数の画素電極部５３Ａ及びスリット部Ｓが配置されており、この構成は画素１Ｄについても同様であり、複数の画素電極部５３Ｂ及びスリット部Ｓが配置されており、前記スリット部Ｓ両端の画素電極部５３の接続部分のうちの一方（左側）は、ゲート線ＧＬと重畳しており、ＴＦＴ基板１０の光源ＢＬと対向する側には、光源ＢＬの光を直線偏光する第１の偏光板１１が形成されており、ＴＦＴ基板１０の光源ＢＬと対向しない側には、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなるバッファ膜１２が形成されており、バッファ膜１２上には、薄膜トランジスタＴＲが配置されており、薄膜トランジスタＴＲは、ポリシリコン等からなる能動層と、能動層を覆うゲート絶縁膜１３と、その上に配置されたゲート線からなり、薄膜トランジスタは、さらに層間絶縁膜１４により覆われており、層間絶縁膜１４上には、薄膜トランジスタＴＲのドレイン領域と接続された表示信号線ＤＬが配置されており、表示信号線ＤＬは、パッシベーション膜１７及び平坦化膜１８に覆われており、平坦化膜１８上には、共通電極層５１、これを覆う絶縁膜５２、画素電極部５３Ａ，５３Ｂがこの順で積層されており、
　また、ＴＦＴ基板１０と対向して、透明基板であるカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）３０が配置されており、ＴＦＴ基板１０と対向しない側のＣＦ基板３０には、第１の偏光板１１とクロスニコル配置された第２の偏光板３１が形成されており、
　また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間には、液晶層ＬＣが封止されている、液晶表示装置。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開２０００−８９２４０号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関し、さらに言えば、イン・プレイン・スイッチング（In-Plane-Switching、ＩＰＳ）モードで動作し、広視野角が実現できるアクティブマトリクス（active matrix）型液晶表示装置に関する。」
　イ　「【００２４】本発明の…目的は、新たな電界シールド層を設けることなしに、ＴＦＴ基板のような能動素子基板から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑制できるＩＰＳモードのアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにある。」
　ウ　「【００８４】（第２実施形態）図５〜図８は本発明の第２の実施形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す。この装置でも、液晶分子はＩＰＳモードで動作せしめられる。
【００８５】図７と図８に示されているように、この液晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数のＴＦＴ６を有するＴＦＴ基板１３と、カラーフィルタ層２２を有するＣＦ基板１５と、それら二枚の基板１３と１５の間に配置された液晶層１１８とを備えて構成されている。液晶層１８の周囲はシール材（図示せず）によって封止されて空間を形成しており、その封止された空間に液晶（図示せず）とスペーサが充填されている。
【００８６】以上の基本構成は第１実施形態のそれと同じである。
【００８７】ＴＦＴ基板１３の表面には、…ＴＦＴ６のゲート電極７がマトリックス状に配置され、ゲートバスライン１がそのマトリックスの行方向（Ｘ方向）に延在するように配置されている。複数のゲートバスライン１のそれぞれは、同じ行に属するＴＦＴ６のゲート電極７を電気的に接続している。…複数の共通電極５と共通バスライン３もＴＦＴ基板１３の表面に配置されている。
【００８８】…各共通バスライン３は、ＴＦＴ６のマトリックスの行方向（Ｘ方向）に延在しており、同じ行に属する共通電極５を電気的に接続している。
【００８９】ゲート電極７とゲートバスライン１と共通電極５と共通バスライン３は、ＴＦＴ基板１３の表面に形成されたゲート絶縁膜１１によって覆われている。
【００９０】ゲート絶縁膜１１の上には、複数のゲート電極７のそれぞれに対応して一対のドレイン電極８およびソース電極９と、一つのパターン化されたアモルファスシリコン層１０とが形成されている。一つのゲート電極７と、それに対応するドレイン電極８およびソース電極９と、アモルファスシリコン層１０とが、各ＴＦＴ６を構成する。各ＴＦＴ６は、ゲート電極７の上方にソース電極９とドレイン電極８が配置される「逆スタガー構造」である。…
【００９１】ゲート絶縁膜１１の上にはさらに、複数のデータバスライン２が形成されている。…
【００９２】複数のデータバスライン２は、互いに平行であっていずれもＹ方向（すなわち、ＴＦＴ６のマトリックスの列方向）に延在している。各データバスライン２は、Ｙ方向において隣接する（すなわち、ＴＦＴ６のマトリックスの同じ列に属する）複数のドレイン電極８を互いに電気的に接続している。
【００９３】ＴＦＴ６とデータバスライン２とは、図７および図８に示すように、ゲート絶縁膜１１の上に形成された層間絶縁膜（パッシベーション膜）１２によって覆われている。層間絶縁膜（パッシベーション膜）１２は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜により形成される。
【００９４】層間絶縁膜１２の表面には、図５に示すように、複数の画素電極４が形成されている。各画素電極４は、隣接する二つのゲートバスライン１と隣接する二つのデータバスライン２に挟まれた略矩形の画素領域Ｐの周縁に沿って配置されている。各画素電極４は、図７に示すように、層間絶縁膜１２を貫通して形成されたコンタクトホール１４を介して、対応するＴＦＴ６のソース電極９に電気的に接続されている。各画素電極４の形状は、略矩形の画素領域Ｐの周縁に沿って延在する四辺を持つ矩形であり、その二辺はゲートバスライン１に平行であり、他の二辺はデータバスライン２に平行である。
【００９５】図５に明瞭に示すように、各画素電極４のＸ方向に延在する一辺は、対応する画素領域Ｐの両側にある二本のゲートバスライン１と部分的に重なっていて、それらの略半分を覆っている。各画素電極４のＹ方向に延在する一辺は、対応する画素領域Ｐの両側にある二本のデータバスライン２と部分的に重なっていて、それらの略半分を覆っている。こうして、複数の画素電極４は、ゲートバスライン１とデータバスライン２のほぼ全体を覆っている。
【００９６】隣接する二つの画素電極４の間には、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ延在する隙間が形成されている。
…
【０１０４】以上説明したように、本発明の第２実施形態の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１３上において、マトリックスの同じ列に属するＴＦＴ６のデータバスライン２のそれぞれと重なるように、且つそのマトリックスの同じ行に属するＴＦＴ６のゲートバスライン１のそれぞれと重なるように複数の画素電極４が配置されている。
【０１０５】そして、複数の画素電極４のそれぞれは、対応するデータバスライン２から液晶層１８に向かって放出される不要な電界を遮断する作用を持ち、また、対応するゲートバスライン１から液晶層１８に向かって放出される不要な電界をも遮断する作用を持っている。
【０１０６】よって、ＴＦＴ基板１３から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑制できる。例えば、帯電・分極を起こしやすいブラックマトリクスに起因するスミアや映像の焼き付きを防止できる。その結果、上述した従来例３の液晶表示装置よりも優れた表示品位が得られる。」
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「マトリックス状に配置された複数のＴＦＴ６を有するＴＦＴ基板１３と、カラーフィルタ層２２を有するＣＦ基板１５と、それら二枚の基板１３と１５の間に配置された液晶層１１８とを備えて構成されている、ＩＰＳモードで動作するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
　ＴＦＴ基板１３の表面には、ＴＦＴ６のゲート電極７がマトリックス状に配置され、ゲートバスライン１がそのマトリックスの行方向（Ｘ方向）に延在するように配置されており、複数のゲートバスライン１のそれぞれは、同じ行に属するＴＦＴ６のゲート電極７を電気的に接続しており、複数の共通電極５と共通バスライン３もＴＦＴ基板１３の表面に配置されており、各共通バスライン３は、ＴＦＴ６のマトリックスの行方向（Ｘ方向）に延在しており、同じ行に属する共通電極５を電気的に接続しており、ゲート電極７とゲートバスライン１と共通電極５と共通バスライン３は、ＴＦＴ基板１３の表面に形成されたゲート絶縁膜１１によって覆われており、ゲート絶縁膜１１の上には、複数のゲート電極７のそれぞれに対応して一対のドレイン電極８およびソース電極９と、一つのパターン化されたアモルファスシリコン層１０とが形成されており、一つのゲート電極７と、それに対応するドレイン電極８およびソース電極９と、アモルファスシリコン層１０とが、各ＴＦＴ６を構成し、ゲート絶縁膜１１の上にはさらに、複数のデータバスライン２が形成されており、複数のデータバスライン２は、互いに平行であっていずれもＹ方向（すなわち、ＴＦＴ６のマトリックスの列方向）に延在しており、各データバスライン２は、Ｙ方向において隣接する（すなわち、ＴＦＴ６のマトリックスの同じ列に属する）複数のドレイン電極８を互いに電気的に接続しており、ＴＦＴ６とデータバスライン２とは、ゲート絶縁膜１１の上に形成された層間絶縁膜（パッシベーション膜）１２によって覆われており、層間絶縁膜１２の表面には、複数の画素電極４が形成されており、各画素電極４は、隣接する二つのゲートバスライン１と隣接する二つのデータバスライン２に挟まれた略矩形の画素領域Ｐの周縁に沿って配置されており、各画素電極４は、層間絶縁膜１２を貫通して形成されたコンタクトホール１４を介して、対応するＴＦＴ６のソース電極９に電気的に接続されており、各画素電極４の形状は、略矩形の画素領域Ｐの周縁に沿って延在する四辺を持つ矩形であり、その二辺はゲートバスライン１に平行であり、他の二辺はデータバスライン２に平行であり、各画素電極４のＸ方向に延在する一辺は、対応する画素領域Ｐの両側にある二本のゲートバスライン１と部分的に重なっていて、それらの略半分を覆っており、各画素電極４のＹ方向に延在する一辺は、対応する画素領域Ｐの両側にある二本のデータバスライン２と部分的に重なっていて、それらの略半分を覆っており、こうして、複数の画素電極４は、ゲートバスライン１とデータバスライン２のほぼ全体を覆っており、隣接する二つの画素電極４の間には、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ延在する隙間が形成されており、
　以上のように、ＴＦＴ基板１３上において、マトリックスの同じ列に属するＴＦＴ６のデータバスライン２のそれぞれと重なるように、且つそのマトリックスの同じ行に属するＴＦＴ６のゲートバスライン１のそれぞれと重なるように複数の画素電極４が配置されており、複数の画素電極４のそれぞれは、対応するデータバスライン２から液晶層１８に向かって放出される不要な電界を遮断する作用を持ち、また、対応するゲートバスライン１から液晶層１８に向かって放出される不要な電界をも遮断する作用を持っており、ＴＦＴ基板１３から放射される不要な電界による悪影響をいっそう抑制できる、ＩＰＳモードで動作するアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１は、「ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板（カラーフィルタ基板）３０との間には、液晶層ＬＣが封止されて」おり、「複数の画素がマトリクス状に配置され」、「ＴＦＴ基板１０には、画素選択信号が供給されるゲート線ＧＬと表示信号が供給される表示信号線ＤＬが交差するように配置されて」いるから、
　ア　引用発明１の「液晶層ＬＣ」、「ＴＦＴ基板１０」、「ＣＦ基板３０」、「ゲート線ＧＬ」及び「表示信号線ＤＬ」は、それぞれ、本願発明の「液晶」、「第１基板」、「第２基板」、「ゲート信号線」及び「ドレイン信号線」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし」との事項を備える。
　
（２）引用発明１は、「ＴＦＴ基板１０に形成された画素１Ｃには、…表示信号線ＤＬと接続された画素選択用の薄膜トランジスタＴＲが配置されており、薄膜トランジスタＴＲより上層には、ＩＴＯ等の透明金属からなり、共通電位が供給される共通電極層５１が配置されており、…さらに絶縁膜を介して、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を通して薄膜トランジスタＴＲに接続され、表示信号が供給される画素電極層５３が形成されており」、「薄膜トランジスタＴＲは、ポリシリコン等からなる能動層と、能動層を覆うゲート絶縁膜１３と、その上に配置されたゲート線からな」るから、
　ア　引用発明１の「薄膜トランジスタＴＲ」、「画素電極層５３」及び「共通電極層５１」は、それぞれ、本願発明の「（ゲート信号線からの信号によってオンする）薄膜トランジスタ」、「（このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される）画素電極」及び「（この画素電極との間に前記液晶を駆動する電界を生じせしめる）対向電極」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に前記液晶を駆動する電界を生じせしめる対向電極を備え」との事項を備える。
　
（３）引用発明１は、「『薄膜トランジスタＴＲ』が『ポリシリコン等からなる能動層』と『能動層を覆うゲート絶縁膜１３』と『その上に配置されたゲート線』からなり、『薄膜トランジスタ』が『層間絶縁膜１４』により覆われており、『層間絶縁膜１４』上には、薄膜トランジスタＴＲのドレイン領域と接続された『表示信号線ＤＬ』が配置されており、『表示信号線ＤＬ』が『パッシベーション膜１７』及び『平坦化膜１８』に覆われており、『平坦化膜１８』上には、『共通電極層５１』…が…積層されて」いるものであって、「（ＩＴＯ等の透明金属からなる）共通電極層５１」は「ゲート線ＧＬ」を跨って隣接する画素に及んで形成される面状の透明導電膜であるといえるから、
　ア　引用発明１の「層間絶縁膜１４」は、本願発明の「（ゲート信号線をも被って形成される）第１絶縁膜」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記対向電極は、ゲート信号線をも被って形成される第１絶縁膜上に、少なくともゲート信号線を跨って隣接する画素に及んで形成される面状の透明導電膜で構成され」との事項を備える。
　
（４）引用発明１は、「平坦化膜１８上には、共通電極層５１、これを覆う絶縁膜５２、画素電極部５３Ａ，５３Ｂがこの順で積層されており」、「『画素電極層５３』が『ＩＴＯ等の透明金属』からなり」、「画素１Ｃの画素電極層５３には複数の画素電極部５３Ａ及びスリット部Ｓが配置されており、この構成は画素１Ｄについても同様であり、複数の画素電極部５３Ｂ及びスリット部Ｓが配置されて」いるものであって、「スリット部Ｓ」は「共通電極層５１」に重畳して画素領域ごとに並設して形成され、また、該「スリット部Ｓ」の端部をその周囲において互いに接続させ一体に形成した「枠部」を備えるといえるから、
　ア　引用発明１の「絶縁膜５２」及び「スリット部Ｓ」は、それぞれ、本願発明の「（対向電極をも被って形成される）第２絶縁膜」及び「（前記対向電極に重畳して画素領域ごとに並設して形成される）線状部」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記画素電極は、前記対向電極をも被って形成される第２絶縁膜上に、前記対向電極に重畳して画素領域ごとに並設して形成される線状部と、この線状部の端部をその周囲において互いに接続させ一体に形成した枠部を備える透明導電膜で構成され」との事項を備える。
　
（５）引用発明１の「液晶表示装置」は、本願発明の「液晶表示装置」に相当する。
　
　したがって、両者は、　  
「液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
　前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に前記液晶を駆動する電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
　前記対向電極は、ゲート信号線をも被って形成される第１絶縁膜上に、少なくともゲート信号線を跨って隣接する画素に及んで形成される面状の透明導電膜で構成され、
　前記画素電極は、前記対向電極をも被って形成される第２絶縁膜上に、前記対向電極に重畳して画素領域ごとに並設して形成される線状部と、この線状部の端部をその周囲において互いに接続させ一体に形成した枠部を備える透明導電膜で構成される液晶表示装置。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
　ゲート信号線を境にして互いに隣接する第１画素と第２画素にあって、本願発明では、第１画素の画素電極のゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線の前記第１画素側の辺に重畳して形成され、第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部は該ゲート信号線の前記第２画素側の辺に重畳して形成され、前記第１画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部と、前記第２画素の画素電極の前記ゲート信号線側の枠部との間に形成される隙間部をゲート信号線上に位置付けるように配置するのに対し、引用発明では、画素１Ｃ（あるいは画素１Ｄ）における、スリット部Ｓ両端の画素電極部５３の接続部分のうちの一方（左側）がゲート線ＧＬと重畳しているものの、該ゲート線を挟んで（左側に）隣接する画素のスリット部Ｓ両端の画素電極部５３の接続部分のうちの他方（右側）が前記ゲート線ＧＬと重畳していない点（以下「相違点」という。）。
　
４　判断  
　上記相違点につき検討する。
　上記２（２）によれば、引用刊行物２には、「ＩＰＳモードで動作するアクティブマトリクス型液晶表示装置」において、「ＴＦＴ基板１３から放射される不要な電界による悪影響を…抑制」するべく、「マトリックスの同じ行に属するＴＦＴ６のゲートバスライン１のそれぞれと重なるように複数の画素電極４」を「配置」することにより、「複数の画素電極４のそれぞれ」が「対応するゲートバスライン１から液晶層１８に向かって放出される不要な電界をも遮断する」ようにした発明（引用発明２）が記載され、当該引用発明２に照らせば、引用発明１の「ＩＰＳ方式を改良したフリンジフィールド・スイッチングＦＦＳ方式の液晶表示装置」においても、その「（ＴＦＴ基板１０に配置された）ゲート線ＧＬ」から「液晶層ＬＣ」に向かって不要な電界が放出され得ることは当業者が直ちに理解し得るところ、引用発明１において、「ゲート線ＧＬ」から「液晶層ＬＣ」に向かって放出され得る前記不要な電界を遮断するために、前記引用発明２を適用し、「ゲート線ＧＬ」を境にして互いに隣接する２つの画素において、一方の画素の「画素電極部５３の（スリット部Ｓ両端の）ゲート線ＧＬ側の接続部分」を該「ゲート線ＧＬ」の前記一方の画素側の辺に重畳して形成するとともに、他方の画素の「画素電極部５３の（スリット部Ｓ両端の）前記ゲート線ＧＬ側の接続部分」を前記「ゲート線ＧＬ」の前記他方の画素側の辺に重畳して形成し、前記一方の画素の「画素電極部５３」の「ゲート線ＧＬ」側の接続部分と、前記他方の画素の「画素電極部５３」の「ゲート線ＧＬ」側の接続部分との間に形成される隙間部を前記「ゲート線ＧＬ」上に位置付けるように配置して、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１、２から当業者が予測し得る程度のものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。