【事件の表示】
　特許第３２１６２６０号「低温焼成セラミックス多層基板及びその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２１６２６０号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許３２１６２６０号の請求項１ないし４に係る発明についての出願は、平成４年９月１６日に特許出願され、平成１３年８月３日にその発明について特許権の設定登録（請求項の数４）がなされ、その後、京セラ株式会社より全請求項について、寺尾健吾、寺尾幸代よりそれぞれ、請求項１及び３について特許異議の申立がなされ、平成１４年６月１１日付で当審より特許取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年８月１２日付で、特許異議意見書の提出と共に訂正請求がされたものである。
　　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のとおりである。
　訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の請求項１及び３の「内部銅導体」を、「酸化銅還元内部銅導体」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　　特許請求の範囲の請求項２及び４の「該グリーンシート積層体中の有機バインダを分解・飛散させる脱バインダ工程と、」を「該グリーンシート積層体中の有機バインダを空気中で分解・飛散させる脱バインダ工程と、」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　　明細書中、段落番号【００１５】（第９頁第５行）、及び段落番号【００１７】（第９頁２２行）の「内部銅導体」を、「酸化銅還元内部銅導体」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　　明細書中、段落番号【００１６】（第９頁第１７行）、及び段落番号【００１８】（第１０頁第７行）における「該グリーンシート積層体中の有機バインダを分解・飛散させる脱バインダ工程と、」と、「該グリーンシート積層体中の有機バインダを空気中で分解・飛散させる脱バインダ工程と、」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　　明細書中、段落番号【００５５】（第２３頁第７行）の「セラミッックス」を、「セラミックス」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　  上記訂正事項ａ，ｂは、いわゆる構成要件の直列的付加であり、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、また、この点については、願書に添付された明細書の段落【００３１】に記載されている。そして、上記訂正事項ｃ，ｄは、上記訂正事項ａ，ｂと同趣旨の訂正をして、明細書の前後における齟齬の解消を図るもので、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。また、上記訂正事項ｅは、「セラミッックス」が誤記であることは明かであるから、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当する。
　　さらに、上記各訂正事項はいずれも新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
（３）むすび
　　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項各号に規定される目的及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正の請求を認める。
　　
３．特許異議申立についての判断
（１）本件特許発明
　　上記２．で示したように上記訂正請求が認められるから、特許異議申立に係る本件特許発明は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次のとおりのものである。
　　「【請求項１】　酸化銅還元内部銅導体に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粒子が存在することを特徴とする低温焼成セラミックス多層基板。
　　　【請求項２】　セラミックス原料に、有機バインダ及び可塑剤を混合してグリーンシートを作製する工程と、
該グリーンシートに、酸化銅からなる主成分に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末との混合粉末を主成分とするペーストを所望の回路パターンに印刷する工程と、
　該回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、
　該グリーンシート積層体中の有機バインダを空気中で分解・飛散させる脱バインダ工程と、
　該脱バインダ工程の後、銅の融点以下の温度の還元雰囲気中で前記酸化銅を還元すると同時にセラミックスを焼成する還元焼成工程と
を含んでいることを特徴とする請求項１記載の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法。
　　　【請求項３】酸化銅還元内部銅導体に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粒子、及び銅の融点以下の軟化点を有するガラス粒子が存在することを特徴とする低温焼成セラミックス多層基板。
　　　【請求項４】セラミックス原料に、有機バインダ及び可塑剤を混合してグリーンシートを作製する工程と、
　該グリーンシートに、酸化銅からなる主成分に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末との混合粉末及び銅の融点以下の軟化点を有するガラス粉末を主成分とするペーストを所望の回路パターンで印刷する工程と、
　該回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、
　該グリーンシート積層体中の有機バインダを空気中で分解・飛散させる脱バインダ工程と、
　該脱バインダ工程の後、銅の融点以下の温度の還元雰囲気中で前記酸化銅を還元すると同時にセラミックスを焼成する還元焼成工程と
を含んでいることを特徴とする請求項３記載の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法。」
　　　
（２）刊行物の記載事項
　　当審からの取消理由通知で引用した刊行物と、その記載事項の概要は次のとおりである。
　［引用刊行物］
　刊行物１：特開平３−２１２９９３号（特許異議申立人京セラ株式会社が引用した「甲第２号証」）
　刊行物２：特開昭６１−２９２３９４号（同じく「甲第１号証」）
　刊行物３：特公平４−２０２８０号（同じく「甲第４号証」）
　　
　刊行物１
　　刊行物１には、「多層セラミツク回路基板の製造方法とビア形成方法」に関し、第１〜６図と共に、次の事項が記載されている。
　　イ）「セラミックグリーンシートのビア形成位置を穴開けしてスルーホールを形成する工程と、金属粉にセラミック粉末を加えてなる導体ペーストを前記スルーホールに充填してビアを形成する工程と、前記グリーンシート上に導体ペーストを印刷し、導体パターンを形成する工程と、該グリーンシートを位置合わせして積層し、一体化する工程と、該積層体をバインダ抜きした後、焼成する工程と、を含むことを特徴とする多層セラミック回路基板の製造方法。」（公報第１頁左下欄第６〜１８行）
　　ロ）「前記多層セラミック回路基板の製造におけるビア形成において、金属粉とセラミック粉末との混合粉末を直接にスルーホールに充填することを特徴とする多層セラミック回路基板のビア形成方法。」（公報第１頁左下欄第１９行〜右下欄第３行）
　　ハ）「前記金属粉が銅からなることを特徴とする請求項２記載の多層セラミック回路基板のビア形成方法。」（公報第１頁右下欄第４〜６行）
　　ニ）「前記セラミック粉末がアルミナ、ムライト、シリカのうち何れか一つからなることを特徴とする請求項２記載の多層セラミック回路基板のビア形成方法。」（公報第１頁右下欄第７〜１０行）
　　ホ）「多層セラミック回路基板に形成されている電子回路は、セラミック層を穴開けして設けた径１００μｍ程度のビアにより回路接続されている。」（公報第３頁左上欄第１７〜１９行）
　　ヘ）「Ｃｕ粉に３％のＡｌ２Ｏ３粉を混ぜた圧粉成形体９はガラスセラミックス８に似た特性を示し、温度と共に収縮率は増加するが、８００℃を過ぎるとＣｕの過焼成効果が現れて収縮率は減少してゆく」（公報第４頁左上欄第１５〜１８行）
　　ト）「セラミック粉末：Ａｌ２Ｏ３粉・・・３０重量部、
　　　　　ガラス粉末：硼珪酸ガラス粉・・・５０　〃
　　　　　バインダ：ポリメチルメタクリレート・・・１２重量部、
　　　　　可塑剤：　ジメチルフタレート　　　　・・・５　〃
からなる混合物１重量部に対してアセトンを３重量部加え、混練した後にアセトンを蒸発させて作ったスラリーをドクターブレード法で、マイラーシートの上に３００μｍの厚さに成形し、グリーンシートを作った。そして、このグリーンシートに・・・スルーホールを形成した。」（公報第４頁左下欄第２〜１４行）
　　チ）「導体ペーストとしてはＣｕ粉に対して平均粒径が０．３μｍのＡｌ２Ｏ３粉を５％混合したものを用意し、第６図に示す装置を用いてスルーホールの充填を行った。そして、湿潤したＮ２雰囲気中で８００℃で４時間に亙ってバインダ抜きを行い、更にＮ２雰囲気中で１０００℃、４時間の焼成を行った結果、ポアのない良好なビアを形成することができた。」（公報第４頁左下欄第１５行〜右下欄第２行）
　　リ）「この第５図の結果からＳｉＯ２をＣｕに対して２容量％添加した導体ペーストを用意し第６図に示す装置を用いてスルーホールの充填を行った。そして、湿潤したＮ２雰囲気中で８００℃で４時間に亙ってバインダ抜きを行い、更にＮ２雰囲気中で１０００℃，４時間の焼成を行った結果、ポアのない良好なビアを形成することができた。」（公報第５頁第左上欄８〜１４行）
　　以上より、刊行物１には、「導体ペーストの材料として、銅粉末にアルミナもしくはシリカガラスを混入した多層セラミック回路基板」の発明（上記ロ）〜ニ）、リ）参照。以下、「引用発明１」という。）及び「セラミック粉末にバインダ及び可塑剤を混合してグリーンシートを作製する工程と、グリーンシートに、Ｃｕ粉にアルミナもしくはシリカガラスを加えてなる導体ペーストを印刷し導体パターンを形成する工程と、導体パターンが印刷されたグリーンシートを積層し一体化する工程と、積層体のバインダ抜きをした後、焼成する工程とを含む多層セラミック基板の製造方法」の発明（上記イ）、ト）〜リ）参照。以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　刊行物２
　　刊行物２には、「セラミツク配線基板用メタライズ組成物」に関し、次の事項が記載されている。
　　ヌ）「本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ、チップ部品などを搭載し、かつそれらを相互配線した回路の高密度実装用基板として用いることのできるセラミック配線基板用メタライズ組成物に関するものである。」（公報第１頁右下欄第１〜４行）
　　ル）「そこで、特願５９−１４７８３３号公報において、酸化銅ペーストを用い、絶縁ペーストと導体ペーストの印刷を繰り返し行ない多層化し、炭素に対して充分な酸化雰囲気で、かつ内部の有機成分を熱分解させるに十分な温度で熱処理を行ない、しかる後、Ｃｕに対して非酸化性となる雰囲気とし、印刷された酸化銅が金属Ｃｕに還元され、焼結する事を特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法について、すでに開示されている。この方法により、焼成時の雰囲気制御が容易になり、同時焼成が可能となった。しかしながら、以下に示すような問題点が新たに見い出された。それは、ＣｕＯペーストの場合、焼成工程で、ＣｕＯからＣｕへの還元が起こり、そのために収縮が生じる。特に多層構造にした場合、・・・ひいては導体パターンの断線、接着強度の低下につながるというものである。」（公報第２頁右上欄第１８行〜左下欄第１９行）
　　ヲ）「本発明は・・・酸化銅ペーストであるという事で、導体ペースト中の有機成分を完全に燃焼除去するという工程と、酸化銅を金属Ｃｕに還元させるという工程を分離してセラミック配線基板の製造を行う事が出来る。すなわち、脱バインダ時には、有機バインダの除去のため充分な酸化雰囲気で熱処理をし、焼成時には、酸化銅の還元のみを考えてＨ２を含む雰囲気で熱処理すれば良く・・・雰囲気制御が非常に容易となる。」（公報第３頁左上欄第１４行〜右上欄第６行）
　　ワ）「次にこの脱バインダ済基板を焼成する。その焼成条件は昇温／降温スピードが３００℃／時間で、９５０℃で２時間保持し、雰囲気としてはＮ２＋Ｈ２（Ｈ２／Ｎ２＝２０／８０：流量２ｌ／ｍｉｎ）で行った。」（公報第４頁左下欄第１９行〜右下欄第３行）
　　カ）「ＣｕＯ粉に、添加物として、Ｐｔ粉、ＭｎＯ２粉、さらにＡｌ２Ｏ３とガラスの主要成分（ＭｇＯ、ＳｉＯ２、ＣａＯ）を重量比で９６対４に混合したものを・・・混合し・・・導体ペーストとした。」（公報第６頁左上欄第２〜６行）
　刊行物３
　　刊行物３には、「銅ペースト」に関し、次の事項が記載されている。
　　ヨ）「ガラスセラミツク基板に塗布・焼成して製造した銅層にワイヤ配線をはんだ付けした場合、接着力が適切であり、接着されたワイヤ配線に張力が印可されても、ガラスセラミツク基板を破損することがない銅ペーストを提供する」（公報第３欄第１８〜２２行）
　　タ）「少なくとも銅粉と無機質バインダと有機質バインダとを含有してなり、ホウ珪酸ガラスとアルミナとの組成物よりなるガラスセラミツク基板上に塗布された後焼成されて銅層に転換される銅ペーストにおいて、
　前記無機質バインダは、前記ガラスセラミツク基板を製造するために使用する組成成分と同一のホウ珪酸ガラスの粉状体とアルミナの粉状体とを含んでなることを特徴とする銅ペースト」（特許請求の範囲）
　　レ）「銅ペーストを構成するガラスも・・・５００℃程度の温度で軟化する」（公報第４欄第１３、１４行）
　　
（３）発明の対比・判断
　３−１　請求項１について
　　本件請求項１の発明（以下、「本件発明１」という。）と引用発明１を対比する。
　　上記刊行物１に関するチ）の記載内容からすれば、引用発明１の「多層セラミック回路基板」は、銅の融点以下の温度で焼成するものであるから、「低温焼成セラミック多層基板」といいうる。また、引用発明１の「導体ペースト」は銅を主成分とするものであり、これが焼成されることによって「内部銅導体」を形成するものであることは当業者には明かである。さらに、「アルミナ」は「銅の融点以上の融点を有するセラミックス」材料であるし、「シリカガラス」は「銅の融点以上の軟化点を有するガラス」である。そして、引用発明１の「多層セラミック回路基板」が低温焼成基板であることから、上記「アルミナ」、「シリカガラス」は基板焼成後も粒子状であると認められる。
　　したがって、本件発明１と引用発明１を比較すると、どちらも、内部銅導体に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子が存在する低温焼成セラミックス多層基板である点で一致し、次の点で相違する。
　＜相違点１＞
　　本件発明１の内部銅導体が酸化銅還元銅導体であるのに対し、引用発明１ではそのような言及がない点。
　＜相違点２＞
　　本件発明１の内部銅導体は銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粒子が存在するものでも可とするのに対し、引用発明では、この点について言及が無い点。
　　上記相違点について検討する。
　＜相違点１＞について
　　上記刊行物２及び、例えば特開昭６１−２６２９３号公報にも開示されているように、銅導体の材料として酸化銅ペーストを使用することは当業者には周知の技術であって、酸化銅ペースト使用の優位性（酸化雰囲気中で脱バインダ工程が行える）もよく知られるところである（刊行物２の上記ヲ）の記載参照。）。
　　よって、引用発明１の内部銅導体の材料として、従来周知の酸化銅を用いることは当業者であれば容易に想到し得たものである。
　＜相違点２＞について
　　上記刊行物２に関する上記ヌ）カ）の記載内容からすれば、セラミック基板用銅導体において、セラミックスとガラスを混合して存在させるということが示唆されているし、また、このようなことは常識的な技術事項でもあるから、引用発明１に記載のものにおいて、セラミックス粒子とガラス粒子を混合してビア内に存在させるようにすることは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　　なお、請求項１に係る発明の効果は刊行物１及び刊行物２に記載の事項より当業者であれば予測しうる程度のものである。
　３−２　請求項２について　
　　本件請求項２の発明（以下、「本件発明２」という。）と引用発明２を対比する。
　　上記刊行物１に関するチ）の記載内容からすれば、引用発明２も本件発明２もどちらも銅の融点以下の温度で焼成するものであるから、「低温焼成セラミック多層基板の製造方法」に関する発明であるといいうる。また、引用発明２の「セラミック粉末」は本件発明２の「セラミックス原料」に相当し、同様に「ペースト」、「回路パターン」は「導体ペースト」、「導体パターン」に相当する。また、「バインダ」として「有機バインダ」を使用することは常套手段であるし、「グリーンシートを積層し一体化する」ことは、「グリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する」ことに、「バインダ抜き」することは「バインダを分解・飛散させる」ことに他ならない。そして、「アルミナ」は「銅の融点以上の融点を有するセラミックス」材料であるし、「シリカガラス」は「銅の融点以上の軟化点を有するガラス」である。
　　したがって、本件発明２と引用発明２は、セラミックス原料に、有機バインダ及び可塑剤を混合してグリーンシートを作製する工程と、
　　該グリーンシートに、金属導体からなる主成分に金属導体の融点以上の融点を有するセラミック粉末、もしくは金属導体の融点以上の軟化点を有するガラス粉末を主成分とする金属導体ペーストを所望の回路パターンに印刷する工程と、
　　該回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、
　　該グリーンシート積層体中の有機バインダを分解・飛散させる脱バインダ工程と、
　　該脱バインダ工程の後、セラミックスを焼成する焼成工程と
　を含んでいる低温焼成セラミックス多層基板の製造方法である点で一致し、次の点で相違している。
　＜相違点３＞
　　本件発明２はペーストの主成分として酸化銅を用い、このため脱バインダ工程を空気中で行うと共に、この脱バインダ工程の後のセラミックス焼成工程を行う際、これと並行して還元雰囲気中で酸化銅を還元する還元工程を行うものであるのに対し、引用発明２ではペーストの主成分はＣｕであり、脱バインダ工程は湿潤したＮ２雰囲気中で行い（上記記載チ）参照）、還元工程については言及が無い点。
　＜相違点４＞
　　本件発明２のペーストは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粉末を成分とするものでも可とするのに対し、引用発明２には、この点について言及が無い点。
　上記相違点について検討する。
　＜相違点３＞について
　　上記相違点１について説示のとおり、低温焼成セラミックス多層基板の導体ペーストの主成分として酸化銅を用いることは当業者であれば容易に想到し得たものであるといい得るし、酸化銅を使用すれば、脱バインダ工程を酸化雰囲気下（空気中）で行えることも、酸化銅を還元する工程と、セラミックスとを焼成する工程を同時に行えることも、刊行物２に開示されている（記載ル）、ヲ）参照）。
　　したがって、引用発明２に上記刊行物２に記載の上記技術を応用し、導体ペーストの主成分として酸化銅を用い、脱バインダ工程を空気中で行い、その後、セラミックス焼成工程と並行して酸化銅を還元する工程を還元雰囲気中で行う工程とすることは当業者であれば容易に想到できたものである。
　＜相違点４＞について
  　焼成セラミック基板における導体回路を構成する金属導体は導体ペーストを焼成することにより得られるものであることからすれば、相違点４と相違点２の差異は焼成の前かそれとも後かということから生じる差異にすぎない。よって、相違点４は上記相違点２と実質的に同じである。したがって、相違点４は上記相違点２について説示した理由と同様の理由により当業者が容易に想到できたものである。
　　なお、請求項２に係る発明の効果は刊行物１及び刊行物２に記載の事項より当業者であれば予測しうる程度のものである。
　３−３　請求項３について
　　上記請求項３に係る発明は、実質的には、本件発明１に、「銅の融点以下の軟化点を有するガラス粒子が存在する」という構成を付加してなるものである。
　　そこで、上記の付加された構成について検討すると、セラミック基板において、回路を構成する金属導体と基板との接着性を向上させるためにガラスフリット等の低融点のガラス材料を混合することは、当業者には周知の技術であり（例えば、特開平４−１６４８７０号公報、特開平４−１２４０７７号公報、参照。）、また、上記刊行物３の上記ヨ）タ）レ）の記載内容からすれば、刊行物３には、セラミック基板の配線銅層用材料である銅ペーストに銅の融点以下の軟化点を有するホウ珪酸ガラスの粉状体を含ませることが記載されているから、導体ペースト材料中に銅の融点以下の軟化点を有するガラス粒子を存在させることは当業者であれば容易に想到し得たものである。
　　したがって、請求項３に係る発明は刊行物１乃至刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　３−４　請求項４について
　　上記請求項４に係る発明は、実質的には、本件発明２に、「銅の融点以下の軟化点を有するガラス粉末」がペースト中に含まれるという構成を付加するものである。
　　よって、請求項４に係る発明は、本件発明２及び請求項３に係る発明について指摘した上記と同様の理由で刊行物１乃至刊行物３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
（４）特許異議意見書中における主張について
　　特許権者は、刊行物２に記載の酸化銅ペーストはアルミナ焼結済み基板上に形成される導体を前提としているから、導体回路と基板とを同時焼成する本件各請求項に係る発明の内部導体の材料としては適用し得ない旨主張する。
　　しかしながら、上記刊行物２には、そのル）の記載内容からすれば、アルミナ基板と酸化銅ペーストとの同時焼成時の両者の収縮率の差による問題点の示唆があるし、引用発明１のセラミックス粒子、ガラス粒子が内部銅導体の収縮率を抑制方向にコントロールする物質として添加されているものであることからすれば、引用発明１の内部銅導体の材料として銅に代えて、酸化銅を採用することについての阻害要因は存しない。
　　また、特許権者は、刊行物３のホウ珪酸ガラスの粉状体を銅ペーストに添加する目的と、請求項３，４に係る発明のガラス粒子を添加する目的は異なっている旨主張している。
　　しかしながら、上記刊行物３のホウ珪酸ガラス粉状体が、導体回路と基板との接着を図るために添加されるものであるという点では、請求項３，４に係る発明のガラス粒子と同じ目的をもつものであるといいうるから、特許権者の上記主張は採用できない。
　　
４．むすび
　　以上のとおりであるから、本件発明１，２はいずれも上記刊行物１，２に記載された発明に基づいて、また、本件請求項３，４に係る発明は、いずれも上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定によって、特許を受けることができない発明に該当し、請求項１乃至４に係る本件特許は、拒絶すべき出願に対してされたことになるから、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づき適用される、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定によって取り消すべきものである。
　　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月８日（２００２．１１．８）
【訂正の要旨】
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１及び３の「内部銅導体」を、「酸化銅還元内部銅導体」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２及び４の「該グリーンシート積層体中の有機バインダを分解・飛散させる脱バインダ工程と、」を「該グリーンシート積層体中の有機バインダを空気中で分解・飛散させる脱バインダ工程と、」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　明細書中、段落番号【００１５】（第９頁第５行）、及び段落番号【００１７】（第９頁２２行）の「内部銅導体」を、「酸化銅還元内部銅導体」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　明細書中、段落番号【００１６】（第９頁第１７行）、及び段落番号【００１８】（第１０頁第７行）における「該グリーンシート積層体中の有機バインダを分解・飛散させる脱バインダ工程と、」と、「該グリーンシート積層体中の有機バインダを空気中で分解・飛散させる脱バインダ工程と、」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　明細書中、段落番号【００５５】（第２３頁第７行）の「セラミッックス」を、「セラミックス」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
低温焼成セラミックス多層基板及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
酸化銅還元
　【請求項２】　セラミックス原料に、有機バインダ及び可塑剤を混合してグリーンシートを作製する工程と、
　該グリーンシートに、酸化銅からなる主成分に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末との混合粉末を主成分とするペーストを所望の回路パターンに印刷する工程と、
　該回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、
　該グリーンシート積層体中の有機バインダを
空気中で
　該脱バインダ工程の後、銅の融点以下の温度の還元雰囲気中で前記酸化銅を還元すると同時にセラミックスを焼成する還元焼成工程と
を含んでいることを特徴とする請求項１記載の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法。
　【請求項３】　
酸化銅還元
　【請求項４】　セラミックス原料に、有機バインダ及び可塑剤を混合してグリーンシートを作製する工程と、
　該グリーンシートに、酸化銅からなる主成分に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末との混合粉末及び銅の融点以下の軟化点を有するガラス粉末を主成分とするペーストを所望の回路パターンで印刷する工程と、
　該回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、
　該グリーンシート積層体中の有機バインダを
空気中で
　該脱バインダ工程の後、銅の融点以下の温度の還元雰囲気中で前記酸化銅を還元すると同時にセラミックスを焼成する還元焼成工程と
を含んでいることを特徴とする請求項３記載の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は低温焼成セラミックス多層基板及びその製造方法、より詳細にはＬＳＩ、チップ部品などを実装し、かつそれらを相互配線するための導体材料としてＣｕを用いた低温焼成セラミックス多層基板及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、ＬＳＩ、チップ部品などの実装基板としては、卓越した絶縁性、熱伝導性、安定性及び機械的強度を有するアルミナが広く使用されている。しかし、アルミナ基板は、誘電率が高く、また高温で焼成する必要があることから配線導体として導通抵抗の高いＷやＭｏを使用しなければならず、またシリコンとの熱膨張率の整合性が悪い等の欠点があるため、ＬＳＩやＩＣを搭載した場合、電気信号の処理速度の高速化、電気信号の高周波化または信頼性の向上を図ることが困難であった。近年、これらの問題を解決するためにＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の導通抵抗の低い導体材料を使用し、これらの金属の融点以下の温度で焼成することができるセラミックス材料を絶縁体として用い、導体を同時焼成する低温焼成セラミックス多層基板が開発されている。
　【０００３】
　しかしながら、これらの導体材料のうちＡｕなどの貴金属は酸化性雰囲気で焼成できるので信頼性が高いものの資源的に乏しく、高価で価格変動も激しく、経済的に使用することが困難である。
　【０００４】
　一方、Ｃｕは酸化しないような非酸化性雰囲気で焼成する必要はあるものの、安価であるうえに低抵抗であり、かつ耐マイグレーション性に優れているので、内部導体層間の間隔を狭くすることができ、高密度化、高周波化に対応することができる実装基板用の最有力な導体材料として注目されている。しかし、非酸化性雰囲気の焼成ではグリーンシートや導体ペースト中に含まれる有機バインダの分解・飛散が困難となる。その結果、有機バインダが炭化して基板内に残り、銅粉末やセラミックス粉末の焼結が阻害されてしまうため、導体の導通性、絶縁性及び耐電圧性などの基板特性を劣化させるという問題点を有していた。
　【０００５】
　このような問題点を解決するために、水蒸気を含む窒素雰囲気で脱バインダを行う方法（特開昭６０−２５４６９７号公報及び特開平２−１４１４５８号公報）が提案されているが、この方法では脱バインダ工程に長時間の焼成を要するので経済的でないという問題点を有していた。
　【０００６】
　また、空気雰囲気下で脱バインダ工程を行う方法（特開平２−１５５２９４号公報）も提案されているが、この方法では、脱バインダ工程後の焼成物中のカーボン残量を６００から１５００ｐｐｍもしくは６００から３０００ｐｐｍの範囲内に調整しなければならなず、脱バインダ工程の条件設定がきわめて困難である。さらに、銅導体をセラミックスと同時焼成した場合は、銅が少しでも酸化すれば膨張するのでセラミックス層にクラックが入りやすく、酸化性雰囲気中での脱バインダ処理は銅の非酸化状態を保つのがきわめて困難であるという問題点を有していた。
　【０００７】
　さらに、弱酸化性雰囲気での熱処理で脱バインダ処理を行なった後、還元雰囲気下で焼成する方法（特開平２−２５０９４号公報）が提案されているが、この方法も樹脂バインダの酸化燃焼と銅の酸化防止とのバランスを保つための焼成雰囲気の調整はきわめて微妙であり、両者を同時に達成することは困難であるため生産性は低い。また積層体の積層枚数およびサイズ、さらに導体パターンが変われば樹脂バインダの酸化燃焼と銅の酸化防止とのバランスも変わるため焼成雰囲気も新たに調整しなければならないという問題点を有していた。
　【０００８】
　さらに、極微量の水蒸気及び酸素を含む窒素雰囲気下で焼成して銅導体の多層基板を得る方法（特開昭６３−２９２６９２号公報）が提案されているが、この方法では焼成雰囲気の設定及び調整は容易ではなく連続生産は困難であるという問題点を有していた。また易分解性樹脂を使用する方法（特開平２−１６７９５号公報）が提案されているが、この方法でも焼成雰囲気の調整は同様に容易でないという問題点を有していた。
　【０００９】
　上記のような問題点を解決するために、導体配線材料に酸化銅を用い、酸化雰囲気中での焼成で内部の有機成分を熱分解して飛散させ、その後に該酸化銅が金属銅に還元される雰囲気下で銅とセラミックスを焼結させて多層配線基板を得る方法（特開昭６１−２６２９３号公報）及び、導体配線材料に酸化銅を用い、空気中の熱処理による脱バインダ工程と、酸化第二銅を金属銅に還元する還元工程と、さらに銅と基板材料を焼結一体化する焼結工程とを行なうことにより、有機バインダの除去が完全に行える方法（特公平３−２１１０９号公報）等が提案されている。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記特開昭６１−２６２９３号公報及び特公平３−２１１０９号公報における方法では、導体部と低温焼成セラミックス絶縁部との収縮量に差がありすぎるため、基板の変形あるいは導体配線の断線等の欠点がある。つまり、導体部の体積収縮量は酸化銅の銅への還元の段階で約４４％あり、さらに銅の焼結による収縮約２５％が加わるのに対し、低温焼成セラミックス部の体積収縮量は焼結による収縮のみであり、一般に約４４％であるため、両者の体積収縮の差が大きいことにより、基板の変形あるいは導体配線の断線が生じ易いという問題があった。
　【００１１】
　また酸化銅の還元工程において還元ガスが内部導体層の酸化銅を還元するために、低温焼成セラミックス層は還元ガスが浸透することができるように未焼結ポーラスでなければならない。このことから、この段階のセラミックス層は非常に脆い状態にあり、酸化銅の還元による体積収縮で生じる応力で基板にクラックや変形が発生することがあるという問題もあった。
　【００１２】
　このように酸化銅を導体原材料として使用して作製された基板には変形やクラック等の形状欠陥、または配線部の断線が生じることがあるので、小型の電子部品を高密度に実装することが出来ないという問題があった。
　【００１３】
　本発明は上記課題に鑑み発明されたものであって、銅の有する導通抵抗が小さいという特性を十分に発現させることができ、また脱バインダ工程を完全に完了させることができ、さらに導体部とセラミックス絶縁部との収縮量を合わせることにより、基板に変形やクラック等の形状欠陥が発生すること及び断線の発生を押えることができ、小型の電子部品を高密度に実装することができる低温焼成セラミックス多層基板及びその製造方法を提供することを目的としている。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために本発明者は低温焼成セラミックス多層基板及びその製造方法について研究を重ねた結果、導体材料として酸化銅粉末を用いることで空気中での脱バインダ工程を可能とし、脱バインダを完全に行なうことができ、さらに収縮抑制剤を前記酸化銅粉末に添加することで、後の還元・焼成工程における導体部とセラミックス絶縁部の収縮量を一致させセラミックス多層基板に変形やクラック等の形状欠陥が発生すること及び断線の発生を抑えることができることを知見し、本発明を完成するに至った。
　【００１５】
　本発明の要旨とするところの本発明に係る低温焼成セラミックス多層基板は、
酸化銅還元
　【００１６】
　また、本発明に係る上記低温焼成セラミックス多層基板の製造方法は、セラミックス原料に、有機バインダ及び可塑剤を混合してグリーンシートを作製する工程と、該グリーンシートに、酸化銅からなる主成分に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末との混合粉末を主成分とするペーストを所望の回路パターンに印刷する工程と、該回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、該グリーンシート積層体中の有機バインダを
空気中で
　【００１７】
　また、本発明に係る別の低温焼成セラミックス多層基板は、
酸化銅還元
　【００１８】
　また、本発明に係る上記別の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法は、セラミックス原料に、有機バインダ及び可塑剤を混合してグリーンシートを作製する工程と、該グリーンシートに、酸化銅からなる主成分に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末との混合粉末及び銅の融点以下の軟化点を有するガラス粉末を主成分とするペーストを所望の回路パターンで印刷する工程と、該回路パターンが印刷されたグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、該グリーンシート積層体中の有機バインダを
空気中で
　【００１９】
　上記方法に使用する酸化銅としては酸化第一銅もしくは酸化第二銅のどちらでもよく、粒径はペースト化が可能な０．５μｍから１０μｍ程度が望ましい。粒径が０．５μｍ未満では、粉末がかさ高くなるため、ペースト中の粉末含量が低くなり、良好な導体を形成することが困難となり、また還元銅の焼結による体積収縮率がきわめて大きく、基板の変形がおこり易くなるため好ましくない。また粒径が１０μｍを超えると、印刷性が低下するので好ましくない。
　【００２０】
　また、本発明においては銅導体の収縮を収縮抑制剤の作用を利用して抑えているので、多孔質状に焼結した銅導体が形成されるが、粒界が５μｍ以上の酸化銅粉末を用いれば、銅導体の導電ネット網のネック径が約３μｍ以上になり、良好な導電性が得られる。粒径が小さい酸化銅粉末を用いた場合、銅導体の導電ネット網のネック径も小さくなり、導電性が低下する。
　【００２１】
　上記収縮抑制剤としては銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粉末が用いられており、前記銅の融点以上の融点を有するセラミックス粉末としては、空気中での脱バインダ工程及び還元雰囲気下での還元・焼成工程においても化学的に安定であることが必要であることから、アルミナ、ジルコニア、マグネシアまたはシリカ等の酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の窒化物、もしくはこれらの混合物が使用可能であるが、コストの点からアルミナが好ましい。また銅の融点以上の軟化点を有するガラスとしては、脱バインダ工程及び還元雰囲気化での還元・焼成工程において化学的に安定である必要があり、例えばＡｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣａＯ系ガラスが使用できる。収縮抑制剤の粒径の上限はペーストにして印刷可能な１０μｍ以下であればよく、前記粒径の下限の制限は特にない。収縮抑制剤による収縮抑制効果は、粒径が小さいほど均一に分散するために大きく、収縮抑制剤の最適な粒径は１μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下である。収縮抑制剤の添加量は酸化銅１００重量部に対して１０重量部未満である。収縮抑制剤の添加量が酸化銅１００重量部に対して、１０重量部以上であると、焼成後の銅導体配線の導電性が低下するので好ましくない。なお、粒径の小さい収縮抑制剤ほど収縮抑制効果が高いため、添加量を低減させることができる。また、好ましい収縮抑制剤の粒径と添加量の組み合わせは、粒径が０．５μｍ以下の収縮抑制剤の場合、酸化銅１００重量部に対し、９重量部以下である。
　【００２２】
　また銅導体とセラミックス絶縁層との接着性向上のために酸化銅ペーストに銅の融点以下の軟化点を有するガラス粉末を添加しても良い。これら接着剤は焼成時に反応して、銅導体部とセラミックス絶縁層とを接着させる。前記ガラス粉末としては公知のものが使用可能であり、鉛ホウケイ酸系ガラスが上記軟化点の条件を満足するので好ましい。前記ガラス粉末の添加量は酸化銅１００重量部に対し、５重量部未満が望ましい。５重量部以上になると銅の導通抵抗が大きくなるので好ましくない。
　【００２３】
　酸化銅のペースト化には、溶剤及び可塑剤に樹脂を溶解させたビヒクル中に酸化銅粉末と収縮抑制剤または酸化銅粉末、収縮抑制剤及び銅の軟化点以下のガラス粉末を３本ロールミルにより混練すればよい。樹脂としてはエチルセルロースもしくはアクリル樹脂、溶剤としてはテルピネオール、可塑剤としてはジブチルフタレートが使用可能である。
　【００２４】
　本発明に使用可能な低温焼成セラミックスは銅の融点以下で焼成できる必要があり、ガラスと無機フィラーとを混合したガラス複合セラミックス、結晶化ガラス系セラミックス、非ガラス系セラミックス等が挙げられる。例えばホウケイ酸系ガラスにアルミナ、ムライト、フォルステライト等の無機フィラーを複合化したセラミックスが望ましい。
　【００２５】
　該セラミックス原料のスラリー化は、セラミックス原料を溶剤中で湿式微粉砕混合したのち、有機バインダ、分散剤、可塑剤等を適宜配合した後、混合することにより行う。
　【００２６】
　溶剤としてはアルコール、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、トリクロロエチレンまたはこれらの混合物などの有機溶剤や水などが使用可能である。有機バインダとしてはメタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレン重合体、テトラフルオロエチレン重合体等の易熱分解性の有機バインダが使用可能である。しかし、有機バインダとして広く使用されているポリビニルブチラール、酢酸ビニルなどは脱バインダに高温を要するので好ましくない。分散剤としてはオクタデシルアミン、グリセリルモノオレート、ソルビタンモノオレエートなどが用いられる。可塑剤としてはジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ポリエチレングリコール、グリセリンなどが使用可能である。
　【００２７】
　上記方法により得られたスラリーからドクターブレード法などの公知の方法によって均一な厚みのグリーンシートを形成し、ハンドリング可能な状態まで乾燥させる。このグリーンシートをカッターあるいは打ち抜き型によって所望の形状に加工し、必要に応じてさらに打ち抜き型等により所望の位置にスルーホールを形成する。その後、加工されたグリーンシート上に前記酸化銅ペーストをスクリーン印刷して配線パターンを形成し、前記配線パターン形成ずみのグリーンシートを所定枚数重ね、プレスして積層体を作成する。
　【００２８】
　該積層体の熱処理は空気中における脱バインダ工程と還元雰囲気下における還元焼成工程の２工程あるが、いずれも連続生産性の高いベルト炉で行なうことができる。
　【００２９】
　積層済グリーンシートの脱バインダ工程は空気中において５５０℃から低温焼成セラミックスの焼結開始温度以下に加熱することが望ましい。加熱温度が５５０℃未満では脱バインダが不十分となり、逆に前記焼結開始温度を超えると前記低温焼成セラミックスが焼結収縮を開始して緻密化し、後の還元ガスによる内部酸化銅の還元が困難となり、また空気中においては銅の融点以下の温度では酸化銅の焼結収縮はほとんどないため、前記低温焼成セラミックスのみが焼結収縮し、多層体が変形するので好ましくない。
　【００３０】
　脱バインダ工程後の還元焼成工程は３％以下の水素を含む窒素ガス雰囲気中で８００℃〜１０５０℃に加熱することで行なうことが望ましい。水素濃度が３％を超えると爆発の危険があり安全上問題がある。また温度８００℃未満の還元ではセラミックスが焼結しない場合があり、１０５０℃を超えると銅が溶融流動化し、配線パターンが崩れてしまうので好ましくない。また、還元工程を４００℃程度で処理した後、中性雰囲気下で焼成工程を行なっても構わない。
　【００３１】
　【作用】
　請求項１記載の低温焼成セラミックス多層基板にあっては、導体材料の出発材料として酸化銅を用いることで脱バインダ工程を空気中で行うことが可能となり、樹脂バインダを完全に除去できるので良好な導体特性および基板特性が得られる。また、前記酸化銅に収縮抑制剤として銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粒子が添加されており、前記収縮抑制剤により酸化銅から銅への還元による収縮量、及び銅の焼結による収縮量を抑えて、該収縮量とセラミックス絶縁部の収縮量とを一致させることにより、基板に変形やクラック等の形状欠陥が発生すること及び断線の発生を抑えることが可能となり、小型の電子部品を高密度に実装することが可能となる。
　【００３２】
　また前記収縮抑制剤を前記銅の融点以上を有するものとしたのは、もし銅の融点未満のものにすれば、低温焼成セラミックスの焼成時の焼成温度が銅の融点以下の温度であるので、前記低温焼成セラミックスを焼成する際に、前記収縮抑制剤としてのセラミックス粉末またはガラス粉末がそれぞれ、溶融、軟化して流動化し、酸化銅の還元による収縮及び還元銅の焼結による収縮と同時に流動することとなり、導体部の収縮を抑制することができないためである。
　【００３３】
　請求項２記載の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法によれば、請求項１記載の低温焼成セラミックス多層基板を確実にかつ容易に得ることが可能である。
　【００３４】
　請求項３記載の低温焼成セラミックス多層基板にあっては、請求項１記載の銅導体に、さらに銅の融点以下の軟化点を有するガラス粒子が存在するので、請求項１記載のものと同様の作用を有しており、さらに前記ガラス粒子が焼成時に反応して、銅導体部とセラミックス絶縁層との接着性を向上させることが可能となる。
　【００３５】
　請求項４記載の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法によれば、請求項３記載の低温焼成セラミックス多層基板を確実にかつ容易に得ることが可能である。
　【００３６】
　【実施例及び比較例】
　以下、本発明に係る低温焼成セラミックス多層基板及びその製造方法の実施例及び比較例を説明する。
　まず、アルミナ粉末とホウケイ酸系ガラス粉末をそれぞれ５０重量％調合し、粉砕混合してセラミックス原料とする。このセラミックス原料６９％とメタクリル酸エステル樹脂９％、ＤＯＰ３％、トルエン９％、イソプロピルアルコール１０％にオクタデシルアミン系分散剤を極微量加え、ボールミルで混合してセラミックススラリーを作った。このスラリーを真空脱泡機で脱泡した後、ドクターブレード法により、前記セラミックススラリーから厚み２５０μｍのグリーンシートを作製した。このグリーンシートを所定の大きさに切断した後、必要な箇所に直径２００μｍのスルーホールを形成した。
　【００３７】
　次に、表１に示す酸化銅粉末及び表２に示す収縮抑制剤としてのアルミナ粉末（融点２０５５℃）及び、ＳｉＯ２−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラス（軟化点１３００℃、粒径３μｍ）及び接着用のガラス粉末としてホウケイ酸ガラス（軟化点５００℃、粒径５μｍ）を表３に示す組成で配合し、混合した。
　【００３８】
　【表１】
　【００３９】
　【表２】
　【００４０】
　【表３の１】
　【００４１】
　【表３の２】
　【００４２】
　【表３の３】
　【００４３】
　【表３の４】
　【００４４】
　次に、前記混合物をエチルセルロール５％、テルピネオール５５％、ジブチルフタレート４０％とからなるビヒクルに分散させ、３本ロールミルで混練してペースト化した。この酸化銅を主成分とするペーストを前記加工剤グリーンシート上にスクリーン印刷により塗布して配線パターンを形成した。また、前記グリーンシートへの酸化銅ペーストの印刷面積率はシートの約６０％に設定した。
　【００４５】
　なお、この印刷工程において、前記スルーホールの内部にも酸化銅ペーストが充てんされる。
　その後、配線パターン形成済みグリーンシートを所望枚重ね合わせて圧力３０ＭＰａ、温度１００℃で積層し一体化させた。図１は配線パターン圧着後のグリーンシート積層体を示しており、１１はグリーンシート、１２は内部導体ペースト、１３は表層導体ペーストをそれぞれ表わしている。
　【００４６】
　次に、この未焼結グリーンシートの積層体のバインダ除去を行う。空気中でピーク温度６００℃、ピーク保持時間９０分を含む３時間の加熱プロファイルで加熱した。
　【００４７】
　次に積層体中の酸化銅の金属銅への還元と該還元銅とセラミックスとの一体化焼成を含む熱処理を行う。前記脱バインダ済のグリーンシート積層体を１〜４％水素と窒素との混合ガス中でピーク温度９００℃、ピーク温度保持時間３０分を含む１．５時間の加熱プロファイルで焼成を行ない、内部銅導体を有する低温焼成セラミックス基板を作製した。
　【００４８】
　なお、最上層の銅導体回路はこの焼成済基板上に銅導体ペーストを所定パターンに印刷し、窒素雰囲気下でピーク温度９００℃、ピーク温度保持時間１０分を含む６０分間の加熱プロファイルで焼き付けて、最終的な回路基板を得た。
　【００４９】
　次に前記低温焼成セラミックス多層基板を用いて以下の実験を行ない、その結果を併せて表３に示した。
　【００５０】
　表面荒さ計にて測定した基板の表裏の各２つずつの対角線方向の凹凸の最高値と最低値（すなわち最も高い山と最も低い谷）の差の平均値を基板の変形量として表わしている。さらに、同表には内部銅配線の導通抵抗をシート抵抗値で表わした。
　【００５１】
　実施例Ｎｏ．１〜３５は酸化銅に収縮抑制剤としてアルミナ粒子を、実施例Ｎｏ．７１、７２は酸化銅に収縮抑制剤としてＳｉＯ２−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラス粉末を、実施例７３、７４は酸化銅に収縮抑制剤として前記アルミナ粉末及び前記ガラス粉末の混合粉末をそれぞれ添加した導体ペーストを用いたものであり、基板の変形は４μｍ以下と非常に小さく、またシート抵抗値も優れている。
　【００５２】
　さらに、実施例Ｎｏ．３６〜７０は酸化銅に収縮抑制剤としてアルミナ粒子及び接着用のＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスを、Ｎｏ．７６、７７は酸化銅に収縮抑制剤としてＳｉＯ２−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラス粉末及び接着用のＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスを、Ｎｏ．７５は酸化銅に収縮抑制剤として前記アルミナ粉末及び前記ガラス粉末及び接着用の前記ガラス粒子をそれぞれ添加した導体ペーストを用いたものであり、シート抵抗の値も優れており、また、基板の変形は実施例Ｎｏ．１〜３５、７１及び７２に比べ、さらに小さくなっているといえる。
　【００５３】
　また比較例１〜２は酸化銅ペーストに収縮抑制剤及び接着用ガラス粒子を含んでおらず、基板の変形は実施例のものと比べると非常に大きく、またシート抵抗も劣っている。さらに、比較例３〜６酸化銅ペーストに接着用ガラス粒子を含んでいるので、基板の変形は比較例１〜２と比べ小さくなっているが、実施例のものと比べると非常に大きいことがわかる。さらに比較例２、３のものは断線していた。
　【００５４】
　また、すべての実施例１〜７７は脱バインダ工程後の多層体の炭素量は５０ｐｐｍ以下と十分に低く、銅及び低温焼成セラミックスの焼結性や基板特性に悪影響を及ぼさない量である。
　【００５５】
　上記したように、実施例１〜３５、７１〜７４のものは銅の有する導通抵抗が小さいという特性を十分に発現させることができ、また脱バインダ工程を完全に完了させることができ、さらに前記酸化銅に収縮抑制剤として銅の融点以上の融点を有するセラミックスとしてアルミナもしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラスとしてＳｉＯ２−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラスもしくは前記アルミナとＳｉＯ２−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラスの混合粉末が添加され、ペースト化されており、前記収縮抑制剤により酸化銅の銅への還元及び銅の焼結による収縮量を抑えて、該収縮量とセラミックス絶縁部の収縮量とを一致させることにより、基板に変形やクラック等の形状欠陥が発生すること及び断線の発生を抑えることができ、小型の電子部品を高密度に実装することができる。
　【００５６】
　また、実施例３６〜７０、７５〜７７のものは前記ペーストに接着用の銅の融点以下の軟化点を有するガラス粉末としてホウケイ酸ガラスが添加されており、前記ガラス粒子が焼成時に反応して、銅導体部とセラミックス絶縁層との接着性を向上させることができ、基板の変形などを抑える効果をさらに高くすることができる。
　【００５７】
　【発明の効果】
　以上の説明により明らかなように、本発明に係る請求項１記載の低温焼成セラミックス多層基板にあっては、導体材料の出発材料として酸化銅を用いることで脱バインダ工程を空気中で行うことが可能となり、樹脂バインダを完全に除去できるので良好な導体特性および基板特性を得ることができる。また、前記酸化銅に収縮抑制剤として銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粒子が添加されており、前記収縮抑制剤により酸化銅の銅への還元及び銅の焼結による収縮量を抑えて、該収縮量とセラミックス絶縁部の収縮量とを一致させることにより、基板に変形やクラック等の形状欠陥が発生すること及び断線の発生を抑えることができ、小型の電子部品を高密度に実装することができる。
　【００５８】
　請求項２記載の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法によれば、請求項１記載の低温焼成セラミックス多層基板を確実にかつ容易に得ることができる。
　【００５９】
　請求項３記載の低温焼成セラミックス多層基板にあっては、請求項１記載の銅導体に、さらに銅の融点以下の軟化点を有するガラス粒子が存在するので、上記請求項１記載のものと同様の効果を有しており、さらに前記ガラス粒子が焼成時に反応して、銅導体部とセラミックス絶縁層との接着性を向上させることができる。
　【００６０】
　請求項４記載の低温焼成セラミックス多層基板の製造方法によれば、請求項３記載の低温焼成セラミックス多層基板を確実にかつ容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　低温焼成セラミックス多層基板の中間工程品の一例を示す断面図である。
　【符合の説明】
　１１　グリーンシート
　１２　内部導体ペースト
　１３　表層導体ペースト