【事件の表示】
　特願２００９−５２６４７５「複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　２月１２日国際公開、ＷＯ２００９／０２０１５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年８月６日（優先権主張２００７年８月８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年９月２７日に手続補正がなされたが、平成２５年３月１日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年６月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、同年７月１８日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年９月２４日に回答書が提出された。
　
第２　平成２５年６月１２日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年６月１２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由１］
　本件補正は、新たな請求項１を引用する新たな請求項２、９及び１０を追加する補正を含むものである。
　すなわち、当該補正は、補正前の特許請求の範囲には記載されていなかった新たな発明を追加するものであり、特許法第１７条の２第５項に掲げる何れの事項（請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明）にも該当しない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［理由２］
１．補正後の請求項の記載
　本件補正により、本件補正前の請求項１に特許請求の範囲の減縮を目的として発明特定事項が付加され、本願の特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりのものに補正された。
　
「第１のイオンを発生させる液体金属イオン源を備えた第１のイオンビーム照射系と、
　第２のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第２のイオンビーム照射系と、
　前記第１のイオンビーム照射系の軸と前記第２のイオンビーム照射系の軸に直交するチルト軸を有し、試料を支持する支持台と、を有し、
　前記第２のイオンビーム照射系から射出される第２のイオンビームのビーム径が、前記第１のイオンビーム照射系から射出される第１のイオンビームのビーム径よりも小さく、
　前記ガスフィールドイオン源が、原子レベルで尖鋭化された先端部を持ち当該先端部から前記第２のイオンを発生させるエミッタを備えることを特徴とする複合集束イオンビーム装置。」
　
２．判断
　上記請求項１は「原子レベルで尖鋭化された先端部」という発明特定事項を有する。しかしながら、当該発明特定事項の指し示す具体的内容、特にその技術的外縁（どのようなものが当該事項に含まれ、どのようなものは含まれないのか）が、本願明細書及び図面の記載を参酌しても明らかではない。
　また、当該発明特定事項が指し示す具体的内容が、本願の優先日時点において当業者にとって自明の事項であるとする根拠もない。
　してみると、当該発明特定事項を有する本願の請求項１及び請求項１を引用する請求項２〜１１に記載された発明は明確ではない。
　なお、請求人は上記回答書（「第１　手続の経緯」参照）で、「原子の大きさが一般的に１×１０−１０ｍ＝０．１ｎｍ＝１オングストロームであることは周知の事項であり明確であることから、先端部の曲率半径が特定の値に規定されなくても、文言自体が明確である」旨主張しているが、上記発明特定事項の「原子レベル」自体が、その技術的外縁を含め何を指すのかが明らかでない以上、請求人の上記主張には理由がない。
　したがって、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．小括
　以上のとおりであるから、補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年９月２７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。
　
「第１のイオンを発生させる液体金属イオン源を備えた第１のイオンビーム照射系と、
　第２のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第２のイオンビーム照射系と、
　前記第１のイオンビーム照射系の軸と前記第２のイオンビーム照射系の軸に直交するチルト軸を有し、試料を支持する支持台と、を有し、
　前記第２のイオンビーム照射系から射出される第２のイオンビームのビーム径が、前記第１のイオンビーム照射系から射出される第１のイオンビームのビーム径よりも小さいことを特徴とする複合集束イオンビーム装置。」
　
２．引用例及びその記載内容
　原査定の拒絶の理由引用され、本願の優先日前に頒布された特開平１０−２２３５７４号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明では、集束イオンビームを照射して、試料表面を加工する加工用イオンビーム照射系と、集束イオンビームを照射して、試料から二次荷電粒子を放出させる観察用イオンビーム照射系と、加工用イオンビーム照射軸および観察用イオンビーム照射軸の交点に試料表面を支持するための試料支持部と、上記二次荷電粒子を検出し、検出結果を出力する検出器と、該検出器の出力を表示する表示装置とを備える加工観察装置が提供される。」
（２）「【００１６】なお、加工用イオンビーム照射系は、内部を真空にすることのできるイオンビーム照射鏡筒を備え、さらに、この鏡筒内に、イオンビームを発生させるイオン源と、該イオン源からのイオンビームを集束するイオンビーム集束手段とを備える。さらに、イオンビームを偏向するイオンビーム偏向手段を備えていてもよい。」
（３)「【００１９】観察用イオンビーム照射系は、加工用と同様、イオンビーム照射鏡筒、イオン源、および、イオンビーム集束手段を備える。この観察用イオンビーム照射系としては、例えば、プローブ電流３０ｐＡ以下の領域で使用可能な集束イオンビーム装置であれば足りる。なお、観察用イオンビーム照射系も、イオンビーム偏向手段を備えていてもよい。」
（４）「【００２４】また、本発明の加工観察装置は、加工用イオンビーム照射鏡筒内にガスを供給する手段を、さらに備えることが望ましい。このようにすれば、鏡筒内にガスを供給することが容易にできるため、供給するガスを適宜選択することにより、ビームエネルギ支援デポジションやビームエネルギ支援エッチングを行なったり、二次イオンの生成効率向上させたりすることができる。なお、本発明の加工観察装置は、加工部に不活性元素イオンを照射する手段を備えてもよい。」
（５）「【００２９】加工用イオンビーム照射系１は、鏡筒１ａと、イオン源８と、引出電極９と、イオンビーム集束手段（コンデンサレンズ（集束レンズ）１０、対物レンズ１６、ブランキング電極１２、ビーム制限絞り１３、精密制限絞り機構１４およびアライナ機構１１）と、イオンビーム偏向手段（走査電極１５）と、モード切換手段（図示せず）とを備える。
【００３０】本実施例では、イオン源８としてＧａ液体金属イオン源を使用しており、エミッタおよび引出電極９の間に印加された電界によりＧａイオンが放出される。このイオンはコンデンサーレンズ１０、対物レンズ１６によって試料７上に集束される。
【００３１】加工用イオンビーム照射系１は、レンズの動作モードを変更することにより（すなわち、プローブ電流およびレンズ電圧などを変更することにより）、試料を加工することも、観察することもできる。モード切換手段は、制御部３からの指示に応じて、ビーム制限絞り１３の径とレンズ電圧などを変更することにより、動作モードを変更する。
【００３２】観察モードは、対物レンズ１６のみを動作させるモードであり、プローブ電流を１００ｐＡ以下、プローブ径を１００ｎｍ以下として動作させるモードである。このモードは電流が少ないため、試料がスパッタされる量は比較的少なく、ビーム径が細いため観察するのに適している。
【００３３】一方、加工モードは、イオンビームを、コンデンサレンズ１０と対物レンズ１６との間に一度集束させるモードである。このモードは、プローブ電流を１０ｎＡ以上とするため、試料表面の加工に適している。実際に加工する場合は、試料表面の加工位置付近の像を観察モードにより取得し、この像上で加工位置を決定し、次に加工モードに変更して加工を行うようにすれば、加工位置の設定が容易にできる。
【００３４】試料上のプローブ径とプローブ電流とは、レンズ径が一定の場合、ビームの開き角（すなわちビーム制限絞り１３の径）と、レンズモード（すなわちレンズ電圧）とによって決定される。なお、本実施例における、各動作モードでのビーム電流（ビーム制限絞りの径に比例）とビーム径との関係を、図２に示す。」
（６）「【００３６】観察用イオンビーム照射系２は、イオンビーム照射鏡筒２ａと、イオン源８と、引出電極９と、イオンビーム集束手段（対物レンズ１６、ブランキング電極１２およびビーム制限絞り１３）と、イオンビーム偏向手段（走査電極１５）とを備える。イオンビームの照射を受けて試料が放出する２次荷電粒子（本実施例では二次電子）を検出器が検出することにより、表示画面にＳＩＭ像が表示される。ＳＩＭ像は、ＳＥＭ像に比べて原子番号の違いによる二次電子信号量の違いが大きいため、ＬＳＩなどの複合材料の断面観察には好適である。
【００３７】観察用イオンビーム照射系２は、観察モード専用のため、集束レンズ１０やモード切換手段、精密制限絞り機構１４およびアライナ機構１１がない。しかし、この他の構成については、加工用イオンビーム照射系１および観察用イオンビーム照射系２の間で、共通するものが多い。従って、本実施例では、２つの照射系１，２の間で、モード切換に関するもの以外の制御系のほとんどを共用している。また、２つの照射系１，２の鏡筒部１ａ，２ａの排気は、共通のイオンポンプ５により行なわれる。
【００３８】観察モードは、プローブ電流を変化させることが少ないため、ビーム制限絞りの径を変える必要はほとんど無い。プローブ電流は、通常、１〜２ｐＡとする。ご場合のプローブ径は１０ｎｍ以下になり、これは、加工用イオンビーム照射系１により加工された断面を観察するのに十分である。」
（７）「【００５４】＜実施例４＞本実施は、実施例３の加工観察装置に、さらに、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）２４と、不活性元素イオン供給手段２９と、Ｘ線検出器２８とが追加されている加工観察装置の実施例である。本実施例によれば、Ｘ線検出器２８により特性Ｘ線を検出することができ、さらに、加工断面をＳＥＭにより観察することができる。
【００５５】ＳＥＭにより観察に際して、加工時のけずりくずの再付着、加工イオンによる試料表面のミキシング等により電子ビームではうまく観察できない場合には、不活性元素（ここではアルゴン）イオン供給手段２９を用いて加工部に不活性イオンを照射することで、この不都合な層を削り取れば、明瞭なＳＥＭ像を得ることができる。このようにすれば、この不都合な層を加工用ビームにより除去するために試料を傾斜させる必要がない。従って、このように不活性元素イオン供給手段２９を設ければ、ＳＥＭを用いる場合にも、試料を傾斜させることなく断面を観察することができる。」
（８）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（９）「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　上記各記載事項を含む引用例１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれは、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「集束イオンビームを照射して、試料表面を加工する加工用イオンビーム照射系と、集束イオンビームを照射して、試料から二次荷電粒子を放出させる観察用イオンビーム照射系と、加工用イオンビーム照射軸および観察用イオンビーム照射軸の交点に試料表面を支持するための試料支持部を備える加工観察装置であって、
　加工用イオンビーム照射系は、イオンビーム照射鏡筒を備え、この鏡筒内に、イオンビームを発生させるイオン源と、該イオン源からのイオンビームを集束するイオンビーム集束手段とを備え、
　イオン源としてＧａ液体金属イオン源を使用しており、エミッタおよび引出電極の間に印加された電界によりＧａイオンが放出され、
　観察用イオンビーム照射系は、加工用イオンビーム照射系と同様、イオンビーム照射鏡筒、イオン源、および、イオンビーム集束手段を備え、この観察用イオンビーム照射系は、プローブ電流が通常１〜２ｐＡでプローブ径は１０ｎｍ以下になる、
加工観察装置。」（以下「引用発明」という。）
　
５．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「Ｇａイオン」、「Ｇａ液体金属イオン源」及び「加工用イオンビーム照射系」は、それぞれ本願発明の「第１のイオン」、「液体金属イオン源」及び「第１のイオンビーム照射系」に相当する。
（２）引用発明の「観察用イオンビーム照射系」と本願発明の「第２のイオンビーム照射系」は、ともに「第２のイオンビーム照射系」である点で共通する。
（３）引用発明の「試料支持部」は本願発明の「支持台」に相当する。
（４）引用発明の「プローブ径」は本願発明の「ビーム径」に相当し、上記摘記事項（３）、（５）及び（６）の記載に照らせば、引用発明の「観察用イオンビーム照射系のプローブ径」（本願発明の「第２のイオンビームのビーム径」に相当）が、「加工用イオンビーム照射系のプローブ径」（本願発明の「第１のイオンビームのビーム径」に相当）よりも小さいことは明らかである。
（６）引用発明の「加工観察装置」は本願発明の「複合集束イオンビーム装置」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「第１のイオンを発生させる液体金属イオン源を備えた第１のイオンビーム照射系と、
　第２のイオンビーム照射系と、
　試料を支持する支持台と、を有し、
　前記第２のイオンビーム照射系から射出される第２のイオンビームのビーム径が、前記第１のイオンビーム照射系から射出される第１のイオンビームのビーム径よりも小さい複合集束イオンビーム装置。」である点で一致し、次の各点で相違する。
　
（相違点１）
　第２のイオンビーム照射系が、本願発明では「第２のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた」ものであるのに対して、引用発明では「加工用イオンビーム照射系と同様」である点。
（相違点２）
　支持台が、本願発明では「第１のイオンビーム照射系の軸と第２のイオンビーム照射系の軸に直交するチルト軸を有」するのに対して、引用発明はそのような構成を有さない点。
　
６．判断
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用発明において、観察用イオンビーム照射系のビーム径を細くするのは観察に適するようにしているためであるところ（上記摘記事項（５）及び（６）参照）、そのような照射系として、ガスフィールドイオン源を備えたものは周知のものである。
　そして、引用発明の観察用イオンビーム照射系として当該周知のものを用いることに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　してみると、引用発明に上記相違点１に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
（相違点２について）
　２つの照射系を有する複合集束イオンビーム装置において、試料を支持する支持台が両照射系の軸に直交するチルト軸を有するよう構成を有することは、周知技術である。
　引用発明に当該周知技術を適用することに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　
　そして、本願発明の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測しうる範囲のものであって、格別のものではない。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。