【手続補正書】
【提出日】平成27年10月2日(2015.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の段階を含む方法：
第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む第一のドープされた反応生成物を提供する段階；
中性型および酸化型を有する少なくとも1つの共役ポリマーを提供する段階；
第一のドープされた反応生成物を、中性型の少なくとも1つの共役ポリマーと、第二の溶媒系中で組み合わせる段階であって、共役ポリマーの酸化型およびアニオンを含む第二のドープされた反応生成物を生成する、段階；ここでドーピングは第一の化合物の中性型を生じる。
【請求項２】
以下の段階を含む、請求項1記載の方法：
中性型および酸化型を有する少なくとも1つの第一の化合物を提供する段階、
カチオンおよびアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントを提供する段階、
中性型の少なくとも1つの第一の化合物を、少なくとも1つのカチオンおよび少なくとも1つのアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントと、第一の溶媒系中で組み合わせる段階であって、第一のドープされた反応生成物を提供し、ここで組み合わせはカチオンの中性型を生じ、かつここで第一のドープされた反応生成物は第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む、段階；
第一のドープされた反応生成物からカチオンの中性型を除去することを含む、固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階。
【請求項３】
共役ポリマーがポリ（アルコキシチオフェン）を含み、かつ第一の化合物の第一の仕事関数は共役ポリマーの仕事関数よりも負である、請求項1または2記載の方法。
【請求項４】
第一の化合物が、少なくとも約0.001cm2/Vsの正孔移動度を有する、請求項2記載の方法。
【請求項５】
イオンドーパントのカチオンが、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、またはAuの酸化種であり；かつイオンドーパントのアニオンが以下の構造の少なくとも1つによって表される、請求項1または2記載の方法：ビス(トリフルオロメタン)スルホンアミド、過フルオロブタンスルホン酸、過フルオロオクタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、4,4,5,5,6,6-ヘキサフルオロ-1,3,2-ジチアジナン-2-イド1,1,3,3-テトラオキシド、ヘキサフルオロリン酸、テトラフルオロホウ酸。
【請求項６】
イオンドーパントが、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸銀、テトラキス(2-(1,3,4,5,6,7-ヘプタフルオロ)ナフチル)ホウ酸銀、またはその組み合わせである、請求項1または2記載の方法。
【請求項７】
カチオンの中性型を除去することが、第一のドープされた反応生成物の生成後に、銀粉末を用いて第一の溶液からゼロ価の金属を除去することを含む、請求項2記載の方法。
【請求項８】
固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階を、ハロゲン化溶媒を用いて実施する、請求項2記載の方法。
【請求項９】
共役ポリマーが、-4.7eVよりも小さく、負の程度が小さい仕事関数を有するか、-4.5eVよりも小さく、負の程度が小さい仕事関数を有する、請求項1または2記載の方法。
【請求項１０】
共役ポリマーと単離した第一のドープされた反応生成物との間の仕事関数の差が少なくとも0.3eVであるか、または少なくとも0.5eVである、請求項1または2記載の方法。
【請求項１１】
単離したドープされた反応生成物を中性型の少なくとも1つの共役ポリマーと第二の溶媒中で組み合わせる段階を50℃未満の温度で実施する、請求項1または2記載の方法。
【請求項１２】
第二の溶媒系が少なくとも1つの芳香族炭化水素溶媒および少なくとも1つのニトリル溶媒を含む、請求項1または2記載の方法。
【請求項１３】
インクを第二のドープされた反応生成物から配合し、かつ該インクは、アリールアミン側基または縮合芳香族側基、およびパラ-ヒドロキシフェニル側基を含む少なくとも1つのコポリマーを含む少なくとも1つのマトリックス材料をさらに含む、請求項1または2記載の方法。
【請求項１４】
第一の化合物がアルコキシ置換基を含まない、請求項3記載の方法。
【請求項１５】
ポリ(アルコキシチオフェン)がポリエーテル側基を含む、請求項3記載の方法。
【請求項１６】
請求項1記載の方法によって調製した少なくとも1つの共役ポリマーを含む組成物。
【請求項１７】
インク配合物である、請求項16記載の組成物。
【請求項１８】
請求項1記載の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含むデバイス。
【請求項１９】
OLED、OPV、SMOLED、PLED、ESD、センサー、スーパーキャパシタ、誘電コンデンサ、カチオン変換器、薬物放出デバイス、エレクトロクロミックデバイス、トランジスタ、電界効果トランジスタ、電極修飾剤、有機電界トランジスタの電極修飾剤、アクチュエータ、透明電極、プリント回路のためのシード層、または電池の伝導性補助剤である、請求項18記載のデバイス。
【請求項２０】
中性型および酸化型を有し、分子量が1,000g/mol未満である、少なくとも1つの第一の化合物を提供する段階；カチオンおよびアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントを提供する段階、ならびに中性型の少なくとも1つの第一の化合物を、少なくとも1つのカチオンおよび少なくとも1つのアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントと、第一の溶媒系中で組み合わせる段階であって、第一のドープされた反応生成物を提供し、ここで組み合わせはカチオンの中性型を生じ、かつここで第一のドープされた反応生成物は第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む、段階；ならびに第一のドープされた反応生成物からカチオンの中性型を除去することを含む、固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階によって調製した少なくとも1つの粉末；
少なくとも1つの共役ポリマーを含む少なくとも1つの組成物
を含むキットであって、粉末が共役ポリマーをドープするよう適合している、キット。
【請求項２１】
少なくとも1つの溶媒を含むHILまたはHTLインク、任意にドープされた少なくとも1つの共役ポリマー、および、該共役ポリマーとは異なりかつ下記を含む少なくとも1つのコポリマーを含む、組成物：
（A）（i）少なくとも1つのアリールアミン側基、または（ii）少なくとも1つの縮合芳香族側基、および
（B）少なくとも1つのヒドロキシル置換基を含む少なくとも1つの芳香族側基。
【請求項２２】
1つのみのヒドロキシル基が存在する、請求項21記載の組成物。
【請求項２３】
請求項1記載の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含む少なくとも1つの正孔注入層を含むOLEDデバイスであって、正孔注入層は、25nmから100nmの厚さに関して400nmから750nmの少なくとも95％の透過を有する、デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、少なくともいくつかの態様のもう1つの利点は、低いpHまたは水性媒質に感受性の透明な酸化物の使用によるより良い結果でありうる。
[本発明1001]
以下の段階を含む方法：
中性型および酸化型を有する少なくとも1つの第一の化合物であって、分子量が1,000g/mol未満である第一の化合物を提供する段階；
カチオンおよびアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントを提供する段階；
中性型の少なくとも1つの第一の化合物を、少なくとも1つのカチオンおよび少なくとも1つのアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントと、第一の溶媒系中で組み合わせる段階であって、第一のドープされた反応生成物を提供し、ここで組み合わせはカチオンの中性型を生じ、かつここで第一のドープされた反応生成物は第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む、段階；
第一のドープされた反応生成物からカチオンの中性型を除去することを含む、固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階；
中性型および酸化型を有する少なくとも1つの共役ポリマーを提供する段階；
中性型の該少なくとも1つの共役ポリマーと、単離した第一のドープされた反応生成物を、第二の溶媒系中で組み合わせる段階であって、共役ポリマーの酸化型およびアニオンを含む第二のドープされた反応生成物を生成する、段階；ここでドーピングは第一の化合物の中性型を生じる。
[本発明1002]
第一の化合物が正孔輸送化合物または非正孔輸送化合物である、本発明1001の方法。
[本発明1003]
第一の化合物が正孔輸送化合物である、本発明1001の方法。
[本発明1004]
第一の化合物がアリールアミン化合物である、本発明1001の方法。
[本発明1005]
第一の化合物がDMFL-TPDまたはAMBである、本発明1001の方法。
[本発明1006]
第一の化合物が、少なくとも約0.001cm2/Vsの正孔移動度を有する、本発明1001の方法。
[本発明1007]
第一の化合物が、750g/mol未満の分子量を有する、本発明1001の方法。
[本発明1008]
第一の化合物が、少なくとも-4.7eVの仕事関数を有する、本発明1001の方法。
[本発明1009]
第一の化合物が、共役ポリマーの仕事関数よりも大きい仕事関数を有する、本発明1001の方法。
[本発明1010]
イオンドーパントのカチオンが、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、またはAuの酸化種であり；かつイオンドーパントのアニオンが、以下の構造の少なくとも1つによって表される、本発明1001の方法：
2015504446.tif 000001
2015504446.tif 000002
2015504446.tif 000003
式中、独立に、R1からR10のそれぞれは、H、アルキル、過フルオロアルキル（C1〜C10）、ポリエーテル、F、Cl、Br、I、CN、置換されていてもよいフェニル、または置換されていてもよいナフチルであり；「A」は、ホウ素、ガリウム、リン、アンチモン、SO3、またはCO2であり；Xは、F、Cl、Br、I、またはCNであり；nは0から6であり；かつmは≦6-nである。
[本発明1011]
イオン化合物のカチオンが、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、またはAuであり；かつイオン化合物のアニオンが、以下の構造の少なくとも1つによって表される、本発明1001の方法：
2015504446.tif 000004
式中、独立に、R1からR9のそれぞれは、H、アルキル、過フルオロアルキル（C1〜C10）、ポリエーテル、F、Cl、Br、I、CN、置換されていてもよいフェニル、または置換されていてもよいナフチルであり；「A」は、ホウ素、ガリウム、リン、またはアンチモンであり；かつnは1〜6である。
[本発明1012]
イオンドーパントのカチオンが、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、またはAuの酸化種であり；かつイオンドーパントのアニオンが以下の構造の少なくとも1つによって表される、本発明1001の方法：ビス(トリフルオロメタン)スルホンアミド、過フルオロブタンスルホン酸、過フルオロオクタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、4,4,5,5,6,6-ヘキサフルオロ-1,3,2-ジチアジナン-2-イド1,1,3,3-テトラオキシド、ヘキサフルオロリン酸、テトラフルオロホウ酸。
[本発明1013]
カチオンが銀である、本発明1001の方法。
[本発明1014]
アニオンがアリールホウ酸アニオンである、本発明1001の方法。
[本発明1015]
カチオンが銀であり、アニオンがアリールホウ酸アニオンである、本発明1001の方法。
[本発明1016]
イオンドーパントが、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸銀、テトラキス(2-(1,3,4,5,6,7-ヘプタフルオロ)ナフチル)ホウ酸銀、またはその組み合わせである、本発明1001の方法。
[本発明1017]
中性型の第一の化合物を少なくとも1つのカチオンおよび少なくとも1つのアニオンと第一の溶媒中で組み合わせる段階を、約50℃未満の温度で実施する、本発明1001の方法。
[本発明1018]
第一の溶媒系が少なくとも90重量％の有機溶媒を含む、本発明1001の方法。
[本発明1019]
第一の溶媒系がテトラヒドロピランまたはジクロロメタンを含む、本発明1001の方法。
[本発明1020]
カチオンの中性型を除去することが、第一のドープされた反応生成物の生成後に、銀粉末を用いて第一の溶液からゼロ価の金属を除去することを含む、本発明1001の方法。
[本発明1021]
固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階を、ハロゲン化溶媒を用いて実施する、本発明1001の方法。
[本発明1022]
単離した第一のドープされた反応生成物が、-4.7eVよりも大きく、より負である仕事関数を有する、本発明1001の方法。
[本発明1023]
単離した第一のドープされた反応生成物が、-5.0eVよりも大きく、より負である仕事関数を有する、本発明1001の方法。
[本発明1024]
共役ポリマーが、-4.7eVよりも小さく、負の程度が小さい仕事関数を有する、本発明1001の方法。
[本発明1025]
共役ポリマーが、-4.5eVよりも小さく、負の程度が小さい仕事関数を有する、本発明1001の方法。
[本発明1026]
共役ポリマーと単離した第一のドープされた反応生成物との間の仕事関数の差が少なくとも0.3eVである、本発明1001の方法。
[本発明1027]
共役ポリマーと単離した第一のドープされた反応生成物との間の仕事関数の差が少なくとも0.5eVである、本発明1001の方法。
[本発明1028]
共役ポリマーがポリチオフェンを含む、本発明1001の方法。
[本発明1029]
共役ポリマーが位置規則性ポリチオフェンを含む、本発明1001の方法。
[本発明1030]
共役ポリマーが、3位、4位、または両方のうち、いずれかにアルコキシ置換基を含む少なくとも1つのポリチオフェンを含む、本発明1001の方法。
[本発明1031]
共役ポリマーが少なくとも5,000g/molの数平均分子量を有する、本発明1001の方法。
[本発明1032]
単離したドープされた反応生成物を中性型の少なくとも1つの共役ポリマーと第二の溶媒中で組み合わせる段階を50℃未満の温度で実施する、本発明1001の方法。
[本発明1033]
第二の溶媒系が少なくとも1つの芳香族炭化水素溶媒および少なくとも1つのニトリル溶媒を含む、本発明1001の方法。
[本発明1034]
インクを第二のドープされた反応生成物から配合し、かつ該インクは少なくとも1つのマトリックス材料をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1035]
インクを第二のドープされた反応生成物から配合し、かつ該インクは、アリールアミン側基およびパラ-ヒドロキシフェニル側基を含む少なくとも1つのコポリマーを含む少なくとも1つのマトリックス材料をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1036]
インクを第二のドープされた反応生成物から配合し、かつ該インクは、縮合芳香族側基およびパラ-ヒドロキシフェニル側基を含む少なくとも1つのコポリマーを含む少なくとも1つのマトリックス材料をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1037]
カチオンが銀であり、かつ第一のドープされた反応生成物中の銀の量が500ppm未満である、本発明1001の方法。
[本発明1038]
カチオンが銀であり、かつ第一のドープされた反応生成物中の銀の量が250ppm未満である、本発明1001の方法。
[本発明1039]
第一の化合物が正孔輸送化合物であり、イオンドーパントがアリールホウ酸銀ドーパントであり、かつ共役ポリマーがポリチオフェンである、本発明1001の方法。
[本発明1040]
第一の化合物がアリールアミン化合物であり、イオンドーパントがアリールホウ酸銀ドーパントであり、かつ共役ポリマーがポリ(アルコキシチオフェン)であり、かつ単離した第一のドープされた反応生成物の仕事関数が、共役ポリマーの仕事関数よりも大きく、より負である、本発明1001の方法。
[本発明1041]
以下の段階を含む方法：
第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む第一のドープされた反応生成物を提供する段階；
中性型および酸化型を有する少なくとも1つの共役ポリマーを提供する段階；
第一のドープされた反応生成物を、中性型の少なくとも1つの共役ポリマーと、第二の溶媒系中で組み合わせる段階であって、共役ポリマーの酸化型およびアニオンを含む第二のドープされた反応生成物を生成する、段階；ここでドーピングは第一の化合物の中性型を生じる。
[本発明1042]
第一のドープされた反応生成物が固体型である、本発明1041の方法。
[本発明1043]
第一の化合物が正孔輸送化合物である、本発明1041の方法。
[本発明1044]
第一の化合物がアリールアミンである、本発明1041の方法。
[本発明1045]
アニオンがアリールホウ酸アニオンである、本発明1041の方法。
[本発明1046]
アニオンが下記の少なくとも1つによって表される、本発明1041の方法：
2015504446.tif 000005
2015504446.tif 000006
2015504446.tif 000007
式中独立に、R1からR10のそれぞれはH、アルキル、過フルオロアルキル（C1〜C10）、ポリエーテル、F、Cl、Br、I、CN、置換されていてもよいフェニル、または置換されていてもよいナフチルであり；「A」はホウ素、ガリウム、リン、アンチモン、SO3またはCO2であり；XはF、Cl、Br、IまたはCNであり；nは0から6であり；かつmは≦6-nである。
[本発明1047]
アニオンが下記の少なくとも1つによって表される、本発明1041の方法：
2015504446.tif 000008
式中独立に、R1からR9のそれぞれはH、アルキル、過フルオロアルキル（C1〜C10）、ポリエーテル、F、Cl、Br、I、CN、置換されていてもよいフェニル、または置換されていてもよいナフチルであり；「A」はホウ素、ガリウム、リン、またはアンチモンであり；かつnは1から6である。
[本発明1048]
共役ポリマーがポリチオフェンである、本発明1041の方法。
[本発明1049]
共役ポリマーが位置規則性ポリチオフェンを含む、本発明1041の方法。
[本発明1050]
共役ポリマーが、3位、4位、または両方のうち、いずれかにアルコキシ置換基を含む少なくとも1つのポリチオフェンを含む、本発明1041の方法。
[本発明1051]
以下の段階を含む方法：
中性型および酸化型を有する少なくとも1つの第一の化合物を提供する段階、
カチオンおよびアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントを提供する段階、
中性型の少なくとも1つの第一の化合物を、少なくとも1つのカチオンおよび少なくとも1つのアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントと、第一の溶媒系中で組み合わせる段階であって、第一のドープされた反応生成物を提供し、ここで組み合わせはカチオンの中性型を生じ、かつここで第一のドープされた反応生成物は第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む、段階；
第一のドープされた反応生成物からカチオンの中性型を除去することを含む、固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階；
中性型および酸化型を有する、ポリ(アルコキシチオフェン)を含む少なくとも1つの共役ポリマーを提供する段階、
単離した第一のドープされた反応生成物を中性型の少なくとも1つの共役ポリマーと、第二の溶媒系中で組み合わせる段階であって、共役ポリマーの酸化型およびアニオンを含む第二のドープされた反応生成物を生成する、段階；ここでドーピングは第一の化合物の中性型を生じ、かつ
ここで第一の化合物の第一の仕事関数は共役ポリマーの仕事関数よりも負である。
[本発明1052]
第一の仕事関数および第二の仕事関数が少なくとも1eV異なる、本発明1051の方法。
[本発明1053]
第一の仕事関数および第二の仕事関数が少なくとも1.3eV異なる、本発明1051の方法。
[本発明1054]
共役ポリマーが、-4.6eVよりも小さく、負の程度が小さい仕事関数を有し、かつドープされた第一の反応生成物が、-5.5よりも大きく、より負である仕事関数を有する、本発明1051の方法。
[本発明1055]
第一の化合物がアルコキシ置換基を含まない、本発明1051の方法。
[本発明1056]
第一の化合物が正孔輸送化合物である、本発明1051の方法。
[本発明1057]
第一の化合物がアリールアミンである、本発明1051の方法。
[本発明1058]
アニオンがアリールホウ酸アニオンである、本発明1051の方法。
[本発明1059]
カチオンが銀である、本発明1051の方法。
[本発明1060]
ポリ(アルコキシチオフェン)がポリエーテル側基を含む、本発明1051の方法。
[本発明1061]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つの共役ポリマーを含む組成物。
[本発明1062]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含むインク配合物。
[本発明1063]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含むデバイス。
[本発明1064]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含む有機電子デバイス。
[本発明1065]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含むOLEDデバイス。
[本発明1066]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含む有機光起電力デバイス。
[本発明1067]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含むトランジスタ。
[本発明1068]
OLED、OPV、SMOLED、PLED、ESD、センサー、スーパーキャパシタ、誘電コンデンサ、カチオン変換器、薬物放出デバイス、エレクトロクロミックデバイス、トランジスタ、電界効果トランジスタ、電極修飾剤、有機電界トランジスタの電極修飾剤、アクチュエータ、透明電極、プリント回路のためのシード層、または電池の伝導性補助剤である、本発明1063のデバイス。
[本発明1069]
中性型および酸化型を有し、分子量が1,000g/mol未満である、少なくとも1つの第一の化合物を提供する段階；カチオンおよびアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントを提供する段階、ならびに中性型の少なくとも1つの第一の化合物を、少なくとも1つのカチオンおよび少なくとも1つのアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントと、第一の溶媒系中で組み合わせる段階であって、第一のドープされた反応生成物を提供し、ここで組み合わせはカチオンの中性型を生じ、かつここで第一のドープされた反応生成物は第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む、段階；ならびに第一のドープされた反応生成物からカチオンの中性型を除去することを含む、固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階によって調製した少なくとも1つの粉末；
少なくとも1つの共役ポリマーを含む少なくとも1つの組成物
を含むキットであって、粉末が共役ポリマーをドープするよう適合している、キット。
[本発明1070]
少なくとも1つの溶媒を含むHILまたはHTLインク、任意にドープされた少なくとも1つの共役ポリマー、および、該共役ポリマーとは異なりかつ下記を含む少なくとも1つのコポリマーを含む、組成物：
（A）（i）少なくとも1つのアリールアミン側基、または（ii）少なくとも1つの縮合芳香族側基、および
（B）少なくとも1つのヒドロキシル置換基を含む少なくとも1つの芳香族側基。
[本発明1071]
コポリマーが縮合芳香族側基を含む、本発明1070の組成物。
[本発明1072]
コポリマーがアリールアミン側基を含む、本発明1070の組成物。
[本発明1073]
共役ポリマーがドープされている、本発明1070の組成物。
[本発明1074]
共役ポリマーが反復単位あたり約0.3モルから反復単位あたり約0.4モルの量でドープされている、本発明1070の組成物。
[本発明1075]
ヒドロキシル置換基を含む芳香族側基がパラ-ヒドロキシフェニル側基である、本発明1070の組成物。
[本発明1076]
1つのみのヒドロキシル基が存在する、本発明1070の組成物。
[本発明1077]
以下の段階を含む方法によって調製した組成物：
中性型および酸化型を有する少なくとも1つの第一の化合物であって、分子量が1,000g/mol未満の第一の化合物を提供する段階；
カチオンおよびアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントを提供する段階；
中性型の少なくとも1つの第一の化合物を、少なくとも1つのカチオンおよび少なくとも1つのアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントと、第一の溶媒系中で組み合わせて、第一のドープされた反応生成物を提供し、ここで組み合わせはカチオンの中性型を生じ、かつここで第一のドープされた反応生成物は第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む、段階；
第一のドープされた反応生成物からカチオンの中性型を除去することを含む、固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階。
[本発明1078]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含む少なくとも1つの正孔注入層を含むOLEDデバイスであって、正孔注入層は約20nmから約100nmの厚さを有する、デバイス。
[本発明1079]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含む少なくとも1つの正孔注入層を含むOLEDデバイスであって、正孔注入層は約60nmから約200nmの厚さを有する、デバイス。
[本発明1080]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含む少なくとも1つの正孔注入層を含むOLEDデバイスであって、正孔注入層は約100nmから約200nmの厚さを有する、デバイス。
[本発明1081]
本発明1001の方法によって調製した少なくとも1つのドープされた共役ポリマーを含む少なくとも1つの正孔注入層を含むOLEDデバイスであって、正孔注入層は、25nmから100nmの厚さに関して400nmから750nmの少なくとも95％の透過を有する、デバイス。