【事件の表示】
　特願２０１１−　４６２６６「半導体発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月２７日出願公開、特開２０１２−１８６１９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成２３年３月３日の出願であって、平成２５年５月２７日付けで手続補正がなされ、同年６月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後当審において平成２６年６月２３日付けで前記平成２５年９月１７日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年８月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、平成２６年８月１２日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載される事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ可視光を放出する発光層と、を有する構造体であって、前記第１半導体層から前記第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが２０マイクロメートル以下である構造体と、
　前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられた第２電極層であって、前記方向に沿った厚さが１０ナノメートル以上、５０ナノメートル以下である金属部と、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、前記方向にみたときの外形の円相当直径が１０ナノメートル以上、３００ナノメートル以下である複数の開口部と、を有するシート抵抗が１０Ω／□以下の第２電極層と、
　前記構造体の前記第１半導体層の側に設けられ、前記第１半導体層と接する部分を有し、前記方向に沿った厚さが１マイクロメートル以上である金属製の第１電極層と、
　を備え、
　前記発光層から放出された光は前記第２金属層から出射することを特徴とする半導体発光素子。」
　　
２．引用例
　これに対して、当審の平成２６年６月２３日付け拒絶理由通知書に引用された特開２００９−２３１６８９号公報（以下「引用例」という。）には、次の記載がある。
　
　ア「【０００１】
  本発明は、微小開口を含む光透過性を有する金属電極を具備してなる半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
  半導体発光素子の半導体層上に形成される電極として金属電極が広く使用されている。電極材料として金属を用いて、合金化法により電極を形成させた場合、電極は半導体層との間の接触が良好なオーミック接触となり、活性層に多量の電流を注入することが出来る。また、接触抵抗が低くなるためデバイスの安定した動作も可能となる。
【０００３】
  しかしながら、金属電極を使用した場合、電極直下または近傍にしか電流が流れないため発光領域は狭く、また活性層から発生する光が不透明な金属電極により遮断されるという問題がある。その結果、半導体発光素子の光取り出し効率は低下し、十分な出力を得ることが難しい。このような金属電極における問題の解決策として、パッド電極に金属細線を加えて発光領域を広げる方法や、電流分布を広げる目的で半導体層と電極の間に電流拡散層を形成する方法があるが、十分な強度の全面発光を得るまでには至ってない。」
　
　イ「【０００６】
  以上の通り、従来の半導体発光素子においては、導電性酸化物を使用した電極を用いた場合には電極と半導体層との間の接触抵抗が十分に低くすることができず、金属電極を用いた場合には、金属電極の不透明性のために十分高い発光強度が得られない、とのジレンマがあった。本発明はこのような問題を考慮してなされたもので、従来の金属電極より光透過性が優れ、従来の導電性酸化物電極より良好なオーミック接触を示す金属電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を目的とするものである。」
　
　ウ「【０００７】
  本発明による半導体発光素子は、「結晶基板の一方の面に電極層を具備し、もう一方の面にｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とが順次積層されてなる半導体化合物層と、前記半導体化合物層上に積層された金属電極層とを具備してなる半導体発光素子であって、前記金属電極層が貫通する複数の開口部を有しており、前記金属電極層の金属部位の任意の２点間は切れ目無く連続しており、前記金属電極層における前記開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、前記活性層から発生する光の波長の１／３以下である部位が、全面積の９０％以上であり、平均開口部径が１０ｎｍ以上、前記光の波長の３分の１以下の範囲にあり、前記金属電極層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にある」ことを特徴とするものである。」
　
　エ「【００１４】
  典型的な金属ではプラズマ周波数は紫外領域に存在するため、可視光は反射される。たとえば、Ａｇにおいてはキャリア密度ｎ＝６．９×１０２２［ｃｍ−３］であり、プラズマ周波数に対応する波長は約１３０ｎｍの紫外域にある。
【００１５】
  一方、酸化物半導体系のＩＴＯについて考えると、そのプラズマ周波数に対応する波長は赤外域にある。キャリア密度は電気伝導率に比例、抵抗率に逆比例するため、抵抗率を下げるためにドーパントを添加することはプラズマ周波数の増加につながる。したがって、ドーパントの添加量を増加させていくと、ある値から可視光の長波長側でプラズマ反射が生じ、透過率が減少してしまう。
【００１６】
  以上のように、前記酸化物半導体系材料が可視光領域において、透過率を確保するためにはプラズマ周波数に対応する波長が赤外領域になくてはならず、この原理によってキャリア密度の上限が規定されてしまう。このような理由によって、一般に製造されているＩＴＯではそのキャリア密度はおよそ０．１×１０２２［ｃｍ−３］であり、金属の数十分の一である。この値から算出される抵抗率の下限は約１００μΩ・ｃｍとなり、これ以上抵抗率を下げることは原理上困難である。」
　
　オ「【００１９】
  本発明による半導体発光素子の一実施態様は図１に示すとおりのものである。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の半導体発光素子の構成例を示す斜視図及び上部平面図である。図１（Ａ）に示すように、結晶基板上１にｎ型半導体層２、活性層３、及びｐ型半導体層４が順次形成されている。ｐ型半導体層４の上には、本発明において特定された、金属からなるｐ型電極５が形成されている。ｐ型半導体層４とｐ型電極５との間には、ｐ型電極５が金属からなるものであるためにオーミック接触が形成されている。また、結晶基板１下部にはｎ型電極６が形成されている。ｐ型電極５は、金属部７と、その金属部を貫通する微細な開口部８を有する。このｐ型電極５は電極として作用すると同時に、活性層から発生する光を透過することができるものである。
【００２０】
  そして、本願発明による半導体発光素子は、金属部７に設けられた開口部８の面積の総和から期待される以上の光透過性を有すること、言い換えれば、金属部７が本来有する反射の性質を低減させて光を透過させることに大きな特徴を有するものである。」
　
　カ「【００３９】
  まず、結晶基板の一方の面に、半導体化合物層を形成させる。ここで半導体化合物層とは、ｐ型半導体層とｎ型半導体層と、それらに狭持された活性層とからなる層をいう。一般的には、基板上にｎ型またはｐ型の半導体を堆積させ、その上に活性層を堆積させ、さらにその上にｐ型またはｎ型の反動体操を堆積させることにより形成させる。ここでは、結晶基板１上にｎ型半導体層２を形成させ、さらに活性層３を形成させ、活性層３上にある光取り出し側のｐ型半導体層４に、スパッタリング法または真空蒸着法により、例えば、金属薄膜９及び合金薄膜１０を順次堆積させる（図２（Ａ））。次に、熱処理を行うことで、ｐ型半導体層４と金属膜９との界面部分にオーミック接触を形成させる。このときの熱処理は、オーミック接触が実現できれば特に限定されないが、好ましくは２００〜５００℃で１０〜１２０分間行う。その後、必要に応じて、イオンミリングまたはドライエッチングにより合金薄膜１０上部を除去することで、開口部を形成させる前のｐ型電極層５が形成される（図２（Ｂ））。この電極層の膜厚は大きいほど抵抗値が低くなり、また小さいほど光透過性が高くなるが、本発明においては１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされる。」                        
　
　キ「【００４７】
  以下に本発明を実施するにあたって用いることができる材料について詳細に述べる。
【００４８】
  本発明における半導体発光素子内の半導体層に用いられる材料としては、例えばＧａＰ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰや窒化物半導体等が挙げられる。これらの層を形成させる方法としては、有機化学金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法や、気相エピタキシー（ＶＰＥ）法等が挙げられる。結晶基板としては、例えば、ガリウム砒素、サファイア、シリコン、窒化シリコン、炭化珪素、及び酸化亜鉛からなる群から選択される。
【００４９】
  また、半導体発光素子の構造としては、上部電極がｐ型、下部電極がｎ型の構造に限ることはなく、上部電極がｎ型、下部電極がｐ型の逆の場合でも適用可能である。必要に応じて、結晶基板と半導体層の間にバッファ層が形成されている。電極層と半導体層の間においても、電流拡散層及びコンタクト層が形成されていても良い。活性層としては、単純なｐｎ接合の構造に限らず、公知のいずれかの構造、例えばダブルへテロ（ＤＨ）構造、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造、または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造であっても良い。
【００５０】
  本発明における半導体発光素子の電極層を構成する材料は、金属から選択される。金属であれば、半導体層とオーミック接触が可能である。具体的には、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｔ、Ｒｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、及びＺｒからなる群から選択される少なくとも一つから構成される金属または合金であることが好ましい。特に、活性層から発光する光の周波数より高いプラズマ周波数を有する金属であることが好ましい。電極層は、単一層構造であっても、異なった金属で形成された層が積層された多層構造であってもよい。」
　
　ク「【００５３】
（実施例１）
  活性層にＩｎＧａＡｌＰのＤＨ構造を有する半導体発光素子の作製を行った。
  結晶基板としては、Ｓｉドープされたｎ型（１００）面ＧａＡｓを用いた。その上に、ＭＯＣＶＤ法によりトリメチルインジウム（以下、ＴＭＩという）、トリメチルガリウム（以下、ＴＭＧという）、トリメチルアルミニウム（以下、ＴＭＡという）、ＰＨ３、及びＳｉＨ４を原料に用いてｎ型半導体層としてＳｉドープｎ‐Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐ層（膜厚１μｍ）を形成させた。次に、ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、及びＰＨ３を用いて、活性層として膜厚０．６μｍのＩｎ０．５（Ｇａ０．８Ａｌ０．２）０．５Ｐを成長させ、さらに、ｐ型半導体層として、ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＰＨ３、及びジメチルジンク（以下、ＤＭＺという）を原料として用いて、Ｚｎドープｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐ（膜厚１μｍ）を成長させた。さらに、電流拡散層として、ＴＭＧ、ＰＨ３、及びＤＭＺを用いて、Ｚｎドープｐ‐ＧａＰ（膜厚５μｍ）を成長させた。
【００５４】
  次に、ｎ型ＧａＡｓ基板の下部全面に、真空蒸着法によりＡｕ薄膜（膜厚５０ｎｍ）を堆積させた後、ＡｕＧｅ合金薄膜（膜厚２００ｎｍ）を堆積させｎ型電極層とした。また、電流拡散層上には、真空蒸着法によりＡｕ薄膜（膜厚５０ｎｍ）、ＡｕＺｎ合金薄膜（膜厚２００ｎｍ）を順次形成させて、ｐ型電極層とした。続いて、窒素雰囲気中で４００℃、２０分間熱処理することで、ｎ型電極層／ｎ型ＧａＡｓ基板及びｐ−ＧａＰ／ｐ型電極層界面にオーミック接触を形成させた。さらに、Ａｒイオンビームによるミリングにより、ｐ型電極層上部を膜厚５０ｎｍになるまで除去した。」
　
　ケ「【００６４】
  作製した前記発光半導体素子のｐ型電極層は、平均開口径が１００ｎｍであり、全面積に占める開口率は約３５％であった。また、電極層の連続部が、活性層からの発光波長の１／３（約２１０ｎｍ）以下となる面積が、全面積の約９８％を占めた。
【００６５】
（比較例１）
  比較例の発光素子として、ｐ型電極層がＡｕ／ＡｕＺｎのパッド電極を有する以外は、実施例１と同様の構造からなる半導体発光素子を作製した。パッド電極の形成には、電流拡散層ｐ−ＧａＰ上に感光性レジストを塗布した後、露光装置を用いて露光し、ついで現像することにより、直径１００μｍの開口を有するレジストマスクを形成させた。次に、真空蒸着法により、Ａｕ薄膜及びＡｕＺｎ合金膜を順次堆積し、膜厚５０ｎｍの積層膜を形成させた。続いて、レジスト部分を酸素プラズマＲＩＥにより除去することで直径１００μｍのパッド電極を得た。その後、電流拡散層とオーミック接触を形成させるために窒素雰囲気中で熱処理を行い、続いて３５０μｍ角のチップに分断することにより比較例の
半導体発光素子を得た。
【００６６】
  実施例１で作製した半導体発光素子の効果を検証した。実施例１及び比較例１において作製された半導体発光素子の全出力をチップテスターで測定した結果、比較例１の素子と比較して、実施例１の素子は１．４倍の出力を示した。」
　
　コ「（実施例２）  
  第二に、ＩｎＧａＡｌＰのＤＨ構造で、光取り出し側にｎ型半導体層が配置された半導体発光素子を作製した。
【００６８】
  ｐ‐ＧａＡｓ基板上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型半導体層のＺｎドープｐ‐Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐ層（膜厚１μｍ）を形成した。次に、活性層として膜厚０．６μｍのＩｎ０．５（Ｇａ０．８Ａｌ０．２）０．５Ｐを成長させ、さらに、ｐ型半導体層として、Ｓｉドープｎ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐ（膜厚１μｍ）を成長させた。さらにｎ‐ＧａＰ（５μｍ）を成長させた。
【００６９】
  次に、ｐ−ＧａＡｓ基板の下部全面に、真空蒸着法によりＡｕ薄膜（膜厚５０ｎｍ）を堆積した後、ＡｕＺｎ合金薄膜（膜厚２００ｎｍ）を堆積させｐ型電極層とした。また、電流拡散層上には、真空蒸着法によりＡｕ薄膜（膜厚５０ｎｍ）、ＡｕＧｅ合金薄膜（膜厚２００ｎｍ）を順次形成して、ｎ型電極層とした。続いて、窒素雰囲気中で４００℃、２０分間熱処理することで、ｐ型電極層／ｐ−ＧａＡｓ基板及びｎ−ＧａＰ／ｎ型電極層界面にオーミック接触を形成させた。さらに、Ａｒイオンビームによるミリングにより、ｎ型電極層上部を膜厚５０ｎｍになるまで除去した。
【００７０】
  ｎ型電極層に開口を形成させる方法は、実施例１と同様とした。
【００７１】
  本実施例で半導体発光素子の全出力をチップテスターで測定した結果、比較例１の場合と比較して、１．２倍の出力を示した。」
　
　上記ウによれば、引用例には、
「結晶基板の一方の面に電極層を具備し、もう一方の面にｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とが順次積層されてなる半導体化合物層と、前記半導体化合物層上に積層された金属電極層とを具備してなる半導体発光素子であって、前記金属電極層が貫通する複数の開口部を有しており、前記金属電極層の金属部位の任意の２点間は切れ目無く連続しており、前記金属電極層における前記開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、前記活性層から発生する光の波長の１／３以下である部位が、全面積の９０％以上であり、平均開口部径が１０ｎｍ以上、前記光の波長の３分の１以下の範囲にあり、前記金属電極層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にある半導体発光素子。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明と本願発明は、ともに「半導体発光素子」の発明であって、引用発明の「ｎ型半導体層」、「ｐ型半導体層」、「活性層」及び「半導体化合物層」は、それぞれ、本願発明の「第１導電形の第１半導体層」、「第２導電形の第２半導体層」、「発光層」及び「構造体」に相当する。
　また、引用例は、上記２．エに記載されるように「可視光」の反射及び透過を問題とするものであり、さらに、上記２．ケの【００６４】には、「活性層からの発光波長の１／３（約２１０ｎｍ）」と記載されていることからすれば、引用発明の「活性層」は、本願発明の「発光層」と同様に「可視光を放出する」ものであると認められる。　
（２）引用発明の「前記半導体化合物層上に積層された金属電極層」は、本願発明でいう「前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられた第２電極層」といえ、引用発明の「複数の開口部」と「金属部位」は、それぞれ、本願発明の「複数の開口部」と「金属部」に相当するから、引用発明の「前記半導体化合物層上に積層された金属電極層」と本願発明の「第２電極層」は、「前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられた第２電極層であって、金属部と、前記金属を貫通する複数の開口部と、を有する第２電極層」の点で一致する。
　また、引用発明の「複数の開口部」は、「平均開口部径が１０ｎｍ以上、前記光の波長の３分の１以下の範囲にあり」というものであるところ、ここで、光の波長の３分の１は、上記２．ケの【００６４】に記載されるように２１０ｎｍ程度と認められ、また、上記２．ケ【００６４】には、「平均開口径が１００ｎｍ」の記載もあることから、引用発明の「開口部」も本願発明の「開口部」と同様に「円相当直径が１０ナノメートル以上、３００ナノメートル以下である」と認められる。
（３）引用発明の「（結晶基板の一方の面の）電極層」は、「ｎ型半導体層」側に設けられた電極層といえるから、本願発明の「第１電極層」と、「前記構造体の前記第１半導体層の側に設けられる第１電極層」の点で一致する。
　また、上記２．キ【００５０】には、「本発明における半導体発光素子の電極層を構成する材料は、金属から選択される。」と記載され、また、上記２．ク、コには、基板に「Ａｕ薄膜（膜厚５０ｎｍ）を堆積させた後、ＡｕＧｅ合金薄膜（膜厚２００ｎｍ）を堆積させ」たと記載されているから、引用発明の上記「（結晶基板の一方の面の）電極層」は金属製であると認められる。
（４）引用発明の「半導体発光素子」において、活性層から放出された光が「前記半導体化合物層上に積層された金属電極層」から出射することは、上記２．オの「このｐ型電極５は電極として作用すると同時に、活性層から発生する光を透過することができるものである。」等の記載から明らかであるから、本願発明と引用発明は、「前記発光層から放出された光は前記第２金属層から出射する」点で一致する。
（５）以上のことから、両者は、
「第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ可視光を放出する発光層と、を有する構造体と、
　前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられた第２電極層であって、金属部と、前記金属部を貫通し、外形の円相当直径が１０ナノメートル以上、３００ナノメートル以下である複数の開口部と、を有する第２電極層と、
　前記構造体の前記第１半導体層の側に設けられた金属製の第１電極層と、
　を備え、
　前記発光層から放出された光は前記第２金属層から出射する半導体発光素子。」の点で一致する。
（６）一方、両者は、次の点で相違する。
　ａ．本願発明の「構造体」は、「前記第１半導体層から前記第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが２０マイクロメートル以下である構造体」とされているのに対し、引用発明の「化合物半導体層」がこのようなものであるか不明な点。
　ｂ．本願発明の「第２電極層」は、厚さについて「前記方向に沿った厚さが１０ナノメートル以上、５０ナノメートル以下である」とされ、また、「シート抵抗」について「シート抵抗が１０Ω／□以下」とされているのに対し、引用発明の「半導体化合物層上に積層された金属電極層」がこのようなものであるか不明な点。
　ｃ．本願発明の「第１電極層」は、「前記第１半導体層と接する部分を有し、前記方向に沿った厚さが１マイクロメートル以上である」とされているのに対し、引用発明の「電極層」は、「ｎ型半導体層」に接しておらず、また、厚さについても実施例においては、上記ク、コに記載されるように１マイクロメートル以上の厚さでない点。　
　　　　
４．相違点についての判断
（１）相違点ａについて検討するに、上記２．ク、コに記載されるように、引用発明の実施例１及び２において、「ｎ型半導体層」及び「ｐ型半導体層」の膜厚はそれぞれ「１μｍ」、「活性層」の膜厚は「０．６μｍ」、電流拡散層の膜厚が「５μｍ」とされており、「ｎ型半導体層」から「ｐ型半導体層」に向かう方向に沿った「半導体化合物層」の厚さは、電流拡散層を含めても７．６μｍであるから、引用発明における「半導体化合物層」の厚さとしては、本願発明の「構造体」の厚さと同様、２０マイクロメートル以下が採用されるものと認められるところであり、この点は、本願発明と引用発明の実質的な相違点とはいえない。
（２）相違点ｂについて検討する。
　まず、引用発明の「半導体化合物層上に積層された金属電極層」の厚さについて検討するに、これについては「膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にある」とされており、上記２．カには、「この電極層の膜厚は大きいほど抵抗値が低くなり、また小さいほど光透過性が高くなるが、本発明においては１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされる。」と記載され、その実施例においては、上記２．ク【００５４】、コ【００６９】に「電極層上部を膜厚５０ｎｍになるまで除去した。」と記載されているように「５０ｎｍ」が採用されていることからすれば、この点は、本願発明と引用発明の実質的な相違点とはいえない。
　次に、シート抵抗について検討するに、引用発明の「半導体化合物層上に積層された金属電極層」は、実施例においては、上記２．ク、コに記載されるように、膜厚５０ｎｍのＡｕ薄膜とされている。
  一方、引用例の上記２．エの【００１６】には、「ＩＴＯではそのキャリア密度はおよそ０．１×１０２２［ｃｍ−３］であり、金属の数十分の一である。この値から算出される抵抗率の下限は約１００μΩ・ｃｍとなり、これ以上抵抗率を下げることは原理上困難である。」と記載されている。
　ここで、シート抵抗は、抵抗率を厚さで除したものであるから、厚さ５０ｎｍの「ＩＴＯ」についてそのシート抵抗を計算すると、１００μΩ・ｃｍ／５０ｎｍ＝２０Ω／□となる。してみると、キャリア密度が金属の数十分の一であるＩＴＯのシート抵抗がこの程度であるとすれば、膜厚５０ｎｍのＡｕ薄膜のシート抵抗が本願発明で規定する１０Ω／□以下であることは明らかである。　
　また、本願明細書の【００９４】には、「Ｎｉ（１ｎｍ）／Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（３０ｎｍ）の積層膜による金属層２０Ａ」が本願発明の「シート抵抗が１０Ω／□以下の第２電極層」の実施例として記載されているところであり、この点からみても、引用発明の実施例である膜厚５０ｎｍのＡｕ薄膜のシート抵抗が１０Ω／□以下であることは明らかである。
　してみると、この点についても、本願発明と引用発明の実質的な相違点とはいえない。
（３）相違点ｃについて検討する。
　引用発明は、「電極層」と「半導体化合物層」の間に「結晶基板」が介在する構造のものであるが、上記平成２６年６月２３日付け拒絶理由通知書において指摘したように、半導体発光素子において、結晶基板を介在することなく、電極層が半導体化合物層に接する構造は、例えば、特開２００８−１８７２０４号公報（Ｐ型台座電極１３とＰ型電極１２がＰ型窒化物系化合物半導体コンタクト層６に接している点。）、特開２００５−６４４７５号公報（保持電極７００とｐ型オーミック電極７１がＰ型窒化物系化合物半導体コンタクト層６に接している点。）、特開２００４−７１６５５号公報（図４において、ｎ電極３９がＳｉドープＧａＮ層３４に接している点。）、特表２０１０−５２０６４０号公報（図６Ａ〜図１０に示される基板を含まない構造、【００６５】参照。）にみられるように周知であり、このような構造のものとすることに格別の困難性は認められない。
　また、その際、電極層の厚さを本願発明のごとく１マイクロメートル以上とすることについても、上記特開２００８−１８７２０４号公報において【００４３】に記載されるように、Ｐ型台座電極１３の厚さが１００ミクロンとされていること、また、上記特開２００５−６４４７５号公報において【００１９】に記載されるように、保持電極７００の厚さが１０μｍ〜３００μｍ（より好ましくは７０μｍ〜１００μｍ）とされていることに照らせば、当業者が普通に採用し得ることにすぎない。
（４）請求人が主張する本願発明の作用効果についても、引用発明の構造によって奏されるものにすぎず、当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。