【事件の表示】
　平成　２年特許願第１１５８３０号「流速センサ」拒絶査定に対する審判事件〔平成　４年　１月１７日出願公開、特開平　４−　１３９７０、平成　７年　１月３０日出願公告、特公平　７−　　７００８、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
（手続の経緯・本願発明）
   本願は、平成２年５月７日に特許出願され、平成７年１月３０日に出願公告されたものであって、本願の請求項１及び２に係る発明は、出願公告後の平成１０年１月２３日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものと認める。
「請求項１　基台上に、薄膜ヒータエレメントと該ヒータエレメントの両側に各々独立した薄膜感温抵抗エレメントからなる流速検出部を設け、この流速検出部の下側を、その基台表面に設けたエッチング用開口部を介して溶液による異方性エッチングで除去して、前記流速検出部を該基台から隔離して支持したダイアフラム構造を有し、前記エッチング用開口部は、前記流速出部の基台表面に、その［１００］方向に伸びた細いスリット状開口を単位要素とし、これを多数個組み合わせて各々のスリット状開口を対角線とする正方形のエッチング領域が重なるように配置するとともに、前記ダイアフラム構造を含む半導体基台は、その［１１０］方向に直辺を形成する矩形状とし、かつその矩形状の一辺が被検流体に直角に衝合するように配置したことを特徴とする流速センサ。
　請求項２　請求項１において、前記半導体基台の上流側直辺部の基台表面と被検流体衝合面とが接する前縁部は斜めの面取りがしてあることを特徴とする流速センサ。」
（原査定の理由）
  これに対して、原査定の拒絶の理由となった特許異議の決定の理由の概要は、本件請求項１，２に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−２３５７２６号公報（以下、「引用例１」という。）および特開昭６１−８８５３２号公報（以下、「引用例２」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というにある。
（引用例）
  引用例１には、マスフローメータ及び流量制御装置に関し、「第１図はフローメータ及び制御装置１０の全体を示し、制御装置は、ガス通路１２及び閉塞通路１３の片側を構成すると共に薄膜フローセンサＲＦと薄膜澱みフローセンサＲＳとを有する単結晶半導体センサ基層１１ａを有する。…略…。エッチングされてなる溝を有するがセンサ要素を備えていない対応するカバー基層１１ｂが、センサ基層１１ａに整合して接着され、澱み通路１２及び通路１３を形成している。」（６頁右下欄１０行〜同２０行）、「第２図及び第３図はセンサチップの一実施例を示す。シリコンなどから成る半導体基層２０の上面に形成された絶縁膜上に薄膜抵抗器２５，３１及び３４が被着されている。後記するように又半導体処理技術に於て公知のマスキングその他の過程を経た後、上面をエッチングすることにより、基層の軸線方向の全体に亘る通路溝２２が形成される。ウエブ２６の下側をエッチングにより除去し、かつ通路溝２２の形成する完了するのを効率的に行い得るように絶縁膜２６内に孔３３がエッチングにより形成されている。これらの孔３３は、ウエブをチップ本体を熱的に絶縁する働きもする。ウエブ２６は薄膜抵抗器２５を支持する。」（７頁右下欄１９行〜８頁左上欄１２行）、「第８図は閉塞された澱み通路又は通路に用いられる膜即ちセンサ８０を拡大して示す。先ず、相互接続パッドに至る導電路７４を有する抵抗器の波状のパターン７３が、あらかじめ基層７１に被着された酸化窒化シリコン膜の上に形成される。酸化窒化シリコン膜の一部がマスク処理及びエッチング処理により大型の端部開口７６及び小型のスリット状の開口７７を有するようにされ、膜８０を形成するべき部分の下にエッチング剤が到達し得るようにする。基層の、開口７６，７７の下の部分及びセンサの上流及び下流の部分をエッチングすることにより溝７９を形成するに伴い、溝を横切るように膜８０が一体的に架設される。開口７６は、センサを基層７１から熱的に絶縁する働きもする。実際の使用状態にあっては、ガスが開口７６，７７を通過することが意図されていない。膜の上面及び底面に沿って平行に流れるガスは、第３図の通路２２，４２を形成するセンサ及びカバー基層の溝を横切るに伴い層流を為す。」（１１頁左下欄９行〜同右下欄７行）、「センサは以下の過程に従って製造される。１，上面の結晶学的配向が〈１００〉である、…略…  。１２，…シリコンをエッチングし、シリコン通路を形成すると共に、ブリッジ構造をアンダーカットし、通路内に支持された状態にする。このエッチング材は、結晶学的な配向に対する選択性を有し、シリコンの〈１１１〉面に直交する方向に対して遅いエッチング速度を有し、…略…通路の側壁がウエーハの〈１１１〉面に平行となるように注意深くセンサ構造を整合させ、…略…、側壁の角度が、〈１１１〉面と〈１００〉面との間の角度（シリコンの場合５４度）により定められる。」（８頁右上欄６行〜９頁左上欄１５行）と記載されている。　
  以上の記載からみて、引用例１には、ガス通路１２及び閉塞通路１３の片側を構成すると共に薄膜フローセンサＲＦと薄膜澱みフローセンサＲＳとを有する単結晶半導体センサ基層１１ａと、エッチングされてなる溝を有するがセンサ要素を備えていない対応するカバー基層１１ｂが整合して接着され、澱み通路１２及び通路１３を形成してなるマスフローメータが記載されている。
  引用例２には、一対の薄膜熱センサ２２，２４およびヒータ２６がダイアフラムに支持され、薄膜熱センサ２２，２４がヒータ２６の両側にそれぞれ配置されている流速センサが記載されている。
（対比・判断）
  そこで、本件請求項１に係る発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明は、従来の流体センサが、その角部を流体の流れ方向に向けるため、高流速の流体を計測する際に、黒雲状に示される渦を含む乱れが流速検出部に掛かってしまいセンサ出力が不安定になるのを防止することを目的とし、その技術的課題を達成するために、前記ダイアフラム構造を含む半導体基台は、その［１１０］方向に直辺を形成する矩形状とし、かつその矩形状の一辺が被検流体に直角に衝合するように配置したものであり、引用例１に記載されたものは、被検流体が一対の基層から構成された流体通路を流れるものであって、前記ダイアフラム構造を含む半導体基台は、その［１１０］方向に直辺を形成する矩形状とし、かつその矩形状の一辺が被検流体に直角に衝合するように配置した構成が記載されていない。
　また、引用例２に記載されたものにも、上記構成が記載されていない。
  してみると、本件請求項１に係る発明は引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できたものとすることができない。
　そして、本件請求項１に係る発明は上記構成を有することにより明細書記載の作用効果を奏するものである。
  次に、本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明を引用しているものであり、本件請求項１に係る発明は引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できたものとすることができない以上、本件請求項２に係る発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できたものとすることができない。
（結び）
  したがって、本件請求項１、２に係る発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
   また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
   よって、結論のとおり審決する。