【事件の表示】
　特許第３３８６０５８号「半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法」の請求項１〜６に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８６０５８号の請求項１〜５に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３８６０５８号は、平成６年２月２３日に出願した特願平６−２５２８２号の一部を平成１３年１１月３０日に新たな特許出願としたものであって、平成１５年１月１０日に特許の設定登録がなされたものであって、その特許につき、中島和美より特許異議の申立がなされ、その特許異議申立の理由と証拠に基づき、取消理由を通知したところ、権利者より平成１６年１０月１２日付けで訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否
II−１．訂正事項
　平成１６年１０月１２日付け訂正請求は、本件明細書につき、訂正請求書に添付された訂正明細書に記載されるとおりの、次の〈イ〉〜〈チ〉の訂正を求めるものである。
　以下、訂正前の明細書を「特許明細書」といい、訂正請求書に添付された訂正明細書を「訂正明細書」という。
〈イ〉特許明細書の請求項１における、
「・・・均質化を行うことによりガラスを製造する・・・」を、
「・・・均質化を行うことにより、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下であるガラスを製造する・・・」に訂正する。
〈ロ〉特許明細書の請求項１における、
「・・・主成分とするものであることを特徴とする・・・」を、
「・・・主成分とするものであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うことを特徴とする・・・」に訂正する。
〈ハ〉特許明細書の請求項２における、
「・・・均質化を行うことによりガラスを製造する・・・」を、
「・・・均質化を行うことによりＵの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下であるガラスを製造する・・・」に訂正する。
〈ニ〉特許明細書の請求項２における、
「・・・ルツボであることを特徴とする・・・」を、
「・・・ルツボであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うことを特徴とする・・・」に訂正する。
〈ホ〉特許明細書の請求項３における、
「・・・均質化を行うことによりガラスを製造する・・・」を、
「・・・均質化を行うことによりＵの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下であるガラスを製造する・・・」に訂正する。
〈ヘ〉特許明細書の請求項３における、
「・・・主成分とするものであることを特徴とする・・・」を、
「・・・主成分とするものであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うことを特徴とする・・・」に訂正する。
〈ト〉特許明細書の請求項６を削除する。
〈チ〉特許明細書の発明の名称における、「半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法」を、「半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法」に訂正する。
　
II−２．訂正の適否の判断
II−２−１．訂正の目的の適否
　上記〈イ〉、〈ハ〉及び〈ホ〉の訂正は、それぞれ、特許明細書の請求項１、２及び３において、製造するガラスを、「Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下である」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記〈ロ〉、〈ニ〉及び〈ヘ〉の訂正は、それぞれ、特許明細書の請求項１、２及び３において、均質化工程を、「前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記〈ト〉の訂正は、特許明細書の請求項６を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記〈チ〉の訂正は、発明の名称の記載を、特許請求の範囲の記載に整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　したがって、上記〈イ〉〜〈チ〉の訂正の目的は、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書きの規定に適合する。
II−２−２．新規事項の有無
　上記〈イ〉、〈ハ〉及び〈ホ〉の訂正は、特許明細書の段落００１４、００１５、００２１及び００２９の記載に基づくものである。
　上記〈ロ〉、〈ニ〉及び〈ヘ〉の訂正は、特許明細書の段落００１３の記載に基づくものである。
　上記〈ト〉及び〈チ〉の訂正は、特許明細書の記載に基づくことは明白である。
　したがって、上記〈イ〉〜〈チ〉の訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内でなされるものであり、新規事項の追加には当たらない。
II−２−３．拡張・変更の存否
　上記〈イ〉〜〈チ〉の訂正は、発明の目的の範囲内で請求項に記載される発明を限定し、請求項を削除し、又は、明細書の記載を明瞭化するだけのものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものには該当しない。
II−２−４．訂正の適否の結論
　よって、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．本件発明
　本件明細書は、前記のとおり、平成１６年１０月１２日付けで訂正請求がなされ、その請求どおり訂正されたものであって、訂正後の本件特許第３３８６０５８号の請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ、必要に応じて、「本件発明１」〜「本件発明５」という）は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載されるとおりのものであり、その請求項１〜３には次のことが記載されている。
【請求項１】ガラスの原料バッチを溶融ガラス化し、得られたガラスを脱泡・均質化し、さらに脈理除去のための均質化を行うことにより、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下であるガラスを製造する方法であって、少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、かつ前記耐火物が石英（ＳｉＯ２）を主成分とするものであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うことを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項２】ガラスの原料バッチを溶融ガラス化し、得られたガラスを脱泡・均質化し、さらに脈理除去のための均質化を行うことによりＵの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下であるガラスを製造する方法であって、少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、かつ前記耐火物容器がＳｉＯ２製ルツボであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うことを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項３】ガラスの原料バッチを溶融ガラス化し、得られたガラスを脱泡・均質化し、さらに脈理除去のための均質化を行うことによりＵの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下であるガラスを製造する方法であって、少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、かつ前記耐火物がクレー（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２）を主成分とするものであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うことを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
　
IV．特許異議申立及び取消理由の概要
IV−１．特許異議申立
　特許異議申立人は、以下の証拠を提示し、次のように主張する。
【理由−１】特許明細書の請求項１〜６に係る発明（訂正後の本件発明１〜５）は、甲第１〜１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
【理由−２】特許明細書の請求項１、２及び５に係る発明（訂正後の本件発明１、２及び５）は、特願平５−１６４１０５号の願書に最初に添付した明細書に替わる甲第１３号証に記載の発明と同一であり、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、特許明細書の請求項１〜６に係る発明の特許は取り消されるべきものである。
甲第１号証：特開平５−２７９０７４号公報
甲第２号証：特開平４−２１９３４２号公報
甲第３号証：特開昭６２−６５９５４号公報
甲第４号証：特開昭６４−４２３４３号公報
甲第５号証：特公平２−３３６５６号公報
甲第６号証：特開昭５８−９９１２５号公報
甲第７号証：丹生光雄著、「新しい低レベルα線測定技術の材料検査への
　　　　　　応用」、インスペック、１９８５年春号、Ｎｏ．３、第８３
　　　　　　〜８８頁
甲第８号証：平野弘道他著、「超低レベルα線測定装置」、電子材料、１
　　　　　　９８８年８月号別刷、第９１〜９５頁
甲第９号証：美濃部正夫他著「低レベル・アルファー線測定装置の開発」
　　　　　　住友化学１９８７−Ｉ別冊、第９２〜９９頁
甲第10号証：山根正之著「セラミックス基礎講座４　はじめてガラスを
　　　　　　作る人のために」、１９９１年５月２０日、株式会社内田老
　　　　　　鶴圃、第１１３〜１１７頁
甲第11号証：森谷太郎他編「ガラス工学ハンドブック」、昭和４５年８月
　　　　　　１０日、株式会社朝倉書店、第３６１、３６２及び７０９頁
甲第12号証：特開平５−３４３６５９号公報
甲第13号証：特願平５−１６４１０５号の願書に最初に添付した明細書
　　　　　　に替わる特開平６−３４５４８０号公報
参考資料１：特開平５−１７５４７４号公報
参考資料２：特開平８−３０６８９４号公報
参考資料３：特許第３２８８１６９号の特許異議意見書
IV−２．取消理由
　特許異議申し立てと同じ理由及び証拠により、特許明細書の請求項１〜６に係る発明の特許は取り消されるべきものであるというものである。
　
Ｖ．証拠の記載内容
Ｖ−Ａ．甲第１号証（特開平５−２７９０７４号公報）には、以下のことが記載される。
（Ａ−１）「【請求項１】ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。
【請求項２】ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」（特許請求の範囲第１及び２項）
（Ａ−２）「【従来の技術】固体撮像素子は、受光素子であるＬＳＩチップをアルミナセラミックパッケージ内に納め、・・・さらにその上にカバーガラスを・・・を用いて封着した構造となっている。ここで用いられるカバーガラスは、アルミナセラミックパッケージとの気密封着によりＬＳＩチップを保護するだけではなく受光面へ効率的に光を導入するため、内部欠陥の少ない光学的に均質な材料特性、高い透過率特性が要求される。」（段落０００２の抜粋）
（Ａ−３）「本発明者らは、ＣＣＤなど固体撮像素子の窓ガラスがα線放出性元素を大量に含有しα線粒子を放出する場合、固体撮像素子に一過性の誤動作を引き起こしノイズとなることを見出した。α線粒子は、天然に存在するウラン（Ｕ），トリウム（Ｔｈ），ラジウム（Ｒａ）など放射性同位元素がα崩壊する際に放出される荷電粒子である。α線粒子に起因するノイズをなくすためには、ガラス中に不純物として含まれる放射性同位元素を除去すればよい。このためにはできるだけ高純度に精製された原料を使用し、溶融工程における不純物の混入を防止してガラスを製造する必要がある。原料精製には物理的・化学的各種方法があるが、技術的・経済的に限界があり、特に放射性同位元素の分離が容易な原料と困難な原料が存在するため、α線源となる放射性同位元素を含まないガラスを容易に得ることは難しかった。
　本発明は、これらの事情を考慮してなされたもので、実質的にガラス、特にガラス中のα線放出性元素に起因する固体撮像素子のノイズ発生がない固体撮像素子パッケージ用窓ガラスを提供することを目的とする。」（段落０００５及び０００６）
（Ａ−４）「上記ガラスは、その有効組成を形成するため原料を精製することができ、含有されるα放射性元素（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）を１００ｐｐｂ以内に抑えることが可能である。また、α放射性元素の濃度が１００ｐｐｂを越えると、α線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以上に増大し、固体撮像素子のノイズ発生の原因となる。したがって固体撮像素子パッケージ用窓ガラスからのα線放出率を０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下に抑えることが好ましい。」（段落００１２）
（Ａ−５）「また、α放射性元素の精製分離が困難なＦｅ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＰｂＯ，ＺｒＯ２等については、原料や溶融工程からの混入を防止する必要がある。」（段落００１３の抜粋）
（Ａ−６）「表１に示した組成に従い、各種高純度に精製された原料を使用し最終ガラス組成として１０００ｇとなるよう調合し混合した後、１４８０℃の電気炉中で５時間白金ルツボを使用して溶融した。その後炉内より取り出し、鉄板上に成形したブロックを６００℃の温度の電気炉に移し室温まで徐冷し、得られたガラスを所定の寸法に光学研磨加工した。これらガラス板より放出されるα線量の測定は、２πガスフロー式比例計数管を用いた超低レベルα線測定装置で行ない、同時に遷移元素とα線放射元素の化学分析をＩＣＰ−ＭＡＳＳにより測定し、ＴＭＡ分析装置により平均熱膨張係数を測定した。そして、これらのガラスを実際に有効画素数３８万画素のＣＣＤチップを内臓したアルミナパッケージに封着して、固体撮像素子に使用した場合のノイズの有無を調査した。」（段落００１６の抜粋）
　
Ｖ−Ｂ．甲第２号証（特開平４−２１９３４２号公報）には、以下のことが記載される。
（Ｂ−１）「【産業上の利用分野】本発明は蛍光測定に使用される試料セルや、固体撮像素子を保護するカバーガラスに使用される低蛍光性ガラスに関する。」（段落０００１）
（Ｂ−２）「従って、本発明は、蛍光測定用溶液セルや、固体撮像素子のカバーガラス等に好適な、安価で、蛍光の少ない低蛍光性ガラスを提供することを目的とする。」（段落０００４）
（Ｂ−３）「【実施例】ガラス原料として、遷移金属不純物およびＣｅＯ２が１ｐｐｍ以下の超高純度原料を用い、これらの混合物を白金製ルツボまたはアルミナ製ルツボで１４００〜１６００℃、２〜５時間熔融し、徐冷して得られたガラスを１０×１０×３０ｍｍの角柱に研磨して、合計１５種の本発明の低蛍光性ガラス試料（・・・）を得た。」（段落００１４）
　
Ｖ−Ｃ．甲第３号証（特開昭６２−６５９５４号公報）には、以下のことが記載される。
（Ｃ−１）「本発明は、ＣＣＤ等の固体撮像素子を収納するアルミナパッケージの窓ガラスおよびアルミナ基板上に設置される固体撮像素子ないし薄膜撮像素子のキャップガラスの用途に特に適したアルミナ封着用硼珪酸ガラスに関するものである。」（第１頁右下欄第６〜１１行）
（Ｃ−２）「また、イメージセンサの窓ガラスあるいはキャップガラスとしては、均質で、泡、ブツ、脈理などの欠陥を含まない耐風化性に優れたガラスが必要である。均質で欠陥のないガラスを得るためには、溶融が容易であること、すなわち、溶融時のガラス粘度が低いことが必要である。粘度が低いと、ガラスからの脱泡が容易で、ガラスの均質化が促進される。さらに、ガラス溶融槽の温度を下げることができ、これにより槽壁耐火物の浸食が抑制され、浸食耐火物によるガラスの汚染を防ぐことができる。」（第２頁左下欄末行〜右下欄第１１行）
（Ｃ−３）「表に示された組成に調合したガラス原料を白金ルツボに入れ、電気炉で１５００℃４時間加熱した後、グラファイト板上に流し出し、板状に成型した。」（第４頁右上欄第３〜６行）
　
Ｖ−Ｄ．甲第４号証（特開昭６４−４２３４３号公報）には、以下のことが記載される。
（Ｄ−１）「本発明は主に光電子増倍管、撮像管その他科学工業的電子装置等の光電変換素子あるいは・・・ファイバープレート用被覆ガラスとして用いられる低屈折率の光素子用硼珪酸ガラスに関するものである。」（第１頁左下欄下から第３行〜右下欄第２行）
（Ｄ−２）「本発明の光素子用硼珪酸ガラスは、本質的にＫ２Ｏを含有せず、また溶融から管引き製造工程において揮発が小さいためガラス成分の不均質層の生成を抑制し、溶融が容易であるから石英坩堝、高純度シリカ耐火物による製造が可能であり、従って耐火物からのＫ２Ｏ汚染を防止できることから４０Ｋによる雑音の発生を極限まで低減させることができる。」（第５頁右下欄第２〜９行）
（Ｄ−３）「なお、本発明のガラスは上記用途に限定されず、熱膨張係数がアルミナと適合しているためアルミナと直接的に封着することができ、またＫ２Ｏフリーのためα線の放出量が少なく半導体素子の誤作動に与える影響が小さいため電子部品に用いられる窓材としても使用できる。」（第６頁左上欄第１〜７行）
　
Ｖ−Ｅ．甲第５号証（特公平２−３３６５６号公報）には、以下のことが記載される。
（Ｅ−１）「［産業上の利用分野］
　本発明は光学ガラス溶融装置に関するものである。
［従来の技術とその問題点］
　光学ガラスの溶融装置は、一般に溶融槽と清澄槽と作業槽とにそれぞれ分けられ、各槽間をパイプで連結した構造のものがよく知られている。ここで溶融槽は原料をガラス化する働きを有し、清澄槽は脱泡機能を持ち、作業槽は、清澄槽で揮発により生じた脈を攪拌によつて完全に拡散除去すると同時にガラスの流出成形に適切な温度に調節する機能を持つている。・・・。これらの各槽は光学ガラスの場合は白金又は白金合金が使用されているが、最近では溶融槽は非金属製の耐火物を使用する場合が多くなつて来ている。その理由は溶融槽ではバッチ（ガラスの調合原料）のはげしい溶融槽反応があるうえ、原料の投下による機械的衝撃が加わり、溶融槽の破損が著しいためである。又このはげしい溶融反応は、白金をガラス中に溶かし込み、ガラスを着色させる他、この白金は粒子状でもガラス中に混入し、インクルージヨン（異物）として最後までガラス中に残る場合もある。このため溶融槽に非金属製耐火物を使用するようになつたが、この場合、この耐火物から生ずる破片がガラス中に混入し、最後までイシ（ｓｔｏｎｅ）として残るという問題点が解決されていない。」（第１欄第１４行〜第２欄第１６行）
（Ｅ−２）「第１図は本発明によるガラス溶融装置の断面図を示す。この装置は非金属耐火物製溶融槽１、白金製清澄槽５、及び白金製作業槽７からなり、溶融槽１の底部には流出管２が設けられ、・・・保持されている。」（第３欄第２５〜３０行）
　
Ｖ−Ｆ．甲第６号証（特開昭５８−９９１２５号公報）には、以下のことが記載される。
（Ｆ−１）「（１）ノズル付き白金ルツボとその内側に配置された流出孔付き耐火物ルツボとよりなる二重ルツボ粗融解装置に於て、内側のルツボに光学ガラス原料を供給して加熱融解し、融解したガラスを流出孔から一担外側の白金ルツボに導き、該白金ルツボのノズルより流下させることを特徴とする光学ガラス原料の粗溶解方法。（２）耐火物ルツボが、石英、アルミナ質耐火物、又はジルコニア質耐火物よりなる特許請求の範囲第（１）項記載の粗溶解方法」（特許請求の範囲第１及び２項）
（Ｆ−２）「流下した粗融解ガラス１１は、例えば、水槽中で急冷、破砕後乾燥すると、未融解原料成分を全く含まない均質な細粒状ガラスが得られ、これを用いて白金ルツボで再融解することにより均質な光学ガラスを得ることができる。」（第２頁右下欄第１２〜１７行）
　
Ｖ−Ｇ．甲第７号証（「新しい低レベルα線測定技術の材料検査への応用」）には、以下のことが記載される。
（Ｇ−１）「ＩＣやＬＳＩの信頼性にかかわる故障の原因については、種々の発生メカニズムが解明されているが、ＩＣチップ周辺やパッケージ材料から放出されるα線も故障の原因の一つである。」（第８３頁左欄第２〜５行）
（Ｇ−２）「現在、サーディップ等のパッケージ用として大量に使用されているアルミナは、主としてボーキサイト鉱からバイヤー法（・・・）で製造されている。天然のボーキサイト鉱中には、ＵおよびＴｈがそれぞれ５〜１０ｐｐｍ、２０〜４０ｐｐｍ程度含有されているが、バイヤー法で普通に製精されたアルミナは、ＵおよびＴｈがそれぞれ０．０５〜１ｐｐｍ、０．０１〜０．１ｐｐｍ程度まで減少している。・・・。低α線アルミナは、さらに・・・α線を０．０１ｃ／ｃｍ２・ｈ以下に減らしたアルミナである。」（第８６頁右欄第２〜１５行）
（Ｇ−３）「６．その他の分野での応用
　ＩＣの高集積化が、ますます進行するにつれて、アルミナに限らず、ＩＣを構成する素材すべてについて、低Ｕ（Ｔｈ）化がのぞまれるようになった。すなわち、セラミック・パッケージを低α化するためには、主原料のアルミナ以外に、焼結体をつくるための鉱化剤（カオリン、タルク等）、有機バインダ、顔料等にいたるまで、低Ｕ（Ｔｈ）の原材料が必要となる。またＩＣチップ近傍で使用される素材、たとえばボンディング・ワイヤや封止用ガラス等についても同様である。
　一方、それぞれの材料や製品において、低Ｕ（Ｔｈ）化を実現するためには、それぞれの製造工程での品質管理が重要な課題である。アルミナの場合では、粉末を製造中に粉砕等の工程で汚染を受けることを考慮して、最近ではミルのボールやライナーに至るまで、低α線アルミナが使用されている。またセラミックパッケージ等の製造工程において、焼成時のセッター、敷粉、焼成炉の炉材にいたるまで低α化しようとする動きがあり、一部は実行されている。」（第８７頁右欄第１８行〜第８８頁左欄第７行）
　
Ｖ−Ｈ．甲第８号証（「超低レベルα線測定装置」）には、以下のことが記載される。
（Ｈ−１）「半導体関連材料のα線量測定例を表４に、Ｕ・Ｔｈ濃度とα線量の関係を表５に示した。」（第９５頁左欄下から第８及び下から第７行）
（Ｈ−２）「表５　Ｕ濃度とα線量の関係
　　　　　　　　　ＬＡＣＳα線量　　　放射化分析（ｐｐｂ）
　　試料　　　　（Ｃ／ｃｍ２・ｈｒ）　ウラン値　　トリウム値
　アルミナＡ　　　０．００３　　　　　＜３０　　　＜１０
　　　　　Ｂ　　　０．０１６　　　　　１９０　　　＜３０
　シリカ　Ａ　　　０．０３８　　　　　１００
　　　　　Ｂ　　　０．００２　　　　　＜０．１
　　　　　Ｃ　　　０．００３　　　　　＜０．１
　　　　　Ｄ　　　０．００８　　　　　＜０．１」旨（第９５頁上段）
　
Ｖ−Ｊ．甲第９号証（「低レベル・アルファー線測定装置の開発」）には、以下のことが記載されている。
（Ｊ−１）「　　　第４表　各種物質のα線量測定結果
　　　　　　　　Ｕ　ｐｐｍ　　　　　Ｔｈ　ｐｐｍ
　アルミナ　　　＜０．０３　　　　　　＜０．０１
　　　　　　　　　０．１９　　　　　　＜０．０３
　　　　　　　　　０．４　　　　　　　＜０．０３
　　　　　　　　　１．０　　　　　　　　０．０１５
　シリカ粉末　　　０．０００５
　　　　　　　　　０．１　　　　　　　　　　」旨（第９８頁右上欄）
（Ｊ−２）「　　第５表　各種物質のＵ・Ｔｈ濃度
　　　　　　　　　　Ｕ（ｐｐｍ）　Ｔｈ（ｐｐｍ）
　土　人形峠鉱区外　　５．５　　　　１５
　　　　〃  鉱区内　　２１００　　　１９　」旨（第９８頁右中欄）
　
Ｖ−Ｋ．甲第１２号証（特開平５−３４３６５９号公報）には、以下のことが記載される。
（Ｋ−１）「【請求項２】Ｕ及びＴｈの合計の濃度を３０ｐｐｂ以下としたカバーガラスを固体撮像素子に対向させたことを特徴とする固体撮像装置。」（特許請求の範囲第２項）
（Ｋ−２）「このカバーガラス４は、放射性元素であるＵ及びＴｈの合計の濃度が３０ｐｐｂ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下となっている。Ｕ及びＴｈの合計の濃度が３０ｐｐｂ付近を越えると画像欠陥（点欠陥、線欠陥）の発生率が急激に増大する。また、カバーガラスの場合、精製できる限度としては１ｐｐｂ程度である。」（段落００１４）
　
Ｖ−Ｌ．甲第１３号証（特開平６−３４５４８０号公報）には、以下のことが記載されている。
（Ｌ−１）「【請求項２】重量百分率で、ＳｉＯ２　５０〜７５％、Ｂ２Ｏ３　５〜２５％、Ａｌ２Ｏ３　０〜３．５％、Ｋ２Ｏ　１〜２５％、Ｎａ２Ｏ　０〜２０％、Ｌｉ２Ｏ　０〜５％、ただし、Ｋ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏ　７〜２５％、Ａｓ２Ｏ３＋Ｓｂ２Ｏ３　０〜１％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ２、ＰｂＯ、ＺｎＯをそれぞれ０〜５％、および上記各金属元素の１種または２種以上の酸化物の一部または全部と置換した弗化物の弗素（Ｆ）として０．５〜１０％含有する調合組成物を、１２５０〜１５００℃の温度のガラス溶融装置で溶融後、徐冷してからなり、かつ、該ガラスのα線量が０．０２（ｃｏｕｎｔ／ｃｍ２・ｈｒ）以下であることを特徴とする低レベルα線ガラスの製造方法。」（特許請求の範囲第２項）
（Ｌ−２）「【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子等の半導体構成素材に用いられるカバーガラスや封止用ガラスフィラーに適したα線放出の少ない低レベルα線ガラスおよびその製造方法に関する。」（段落０００１）
（Ｌ−３）「従来問題視されていなかったα線によるソフトエラーが大きな問題となってきた。これは、カバーガラスや・・・等を含む半導体構成素材中に、不純物として含まれる極微量（ｐｐｍ〜ｐｐｂ程度）のウラン（Ｕ）やトリウム（Ｔｈ）等の天然放射性元素がα崩壊する際に、放出されるα線（α粒子）が原因であることが、Ｔ．Ｃ．Ｍａｙらによって明らかにされている。」（段落０００２の抜粋）
（Ｌ−４）「適宜選択して混合したガラス原料を石英または白金坩堝に投入し、これを約１２５０〜１５００℃の温度で約２〜１０時間溶融し充分な攪拌によって泡切れを行った後、適当な温度に下げて鋳込み成形またはその他の成形方法によって製造することができる。」（段落００１１の抜粋）
　
VI．当審の判断
VI−１．理由−１について
VI−１−１．本件発明１
　甲第１号証には、その前記摘示（Ａ−１）、（Ａ−４）及び（Ａ−６）によれば、「高純度に精製された原料を、５時間白金ルツボを使用して溶融し、α放射性元素（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）が１００ｐｐｂ以下である固体撮像素子パッケージ用窓ガラスを製造する方法」に関する発明（以下、必要に応じて、「甲第１号証の発明」という）が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第１号証の発明とを対比する。
　甲第１号証の発明における原料は、最終的にはガラスとなるのであるから、当該原料はガラス原料バッチであるということができる。また、甲第１号証の発明における溶融処理については、その溶融時間は長く、また、その溶融により固体撮像素子パッケージ用窓ガラスのような光学的に均質で高い透明性を有するガラスを得ているのであるから、そこでは、原料を溶融ガラス化するだけでなく、それに続く脱泡、均質化、及び脈理除去のための均質化に相当する処理が、実質上、実施されているものと認められる。
　そして、甲第１号証の発明の「固体撮像素子パッケージ用窓ガラス」は、本件発明１の「半導体パッケージ用カバーガラス」に相当する。
　よって、両者は、「ガラスの原料バッチを溶融ガラス化し、得られたガラスを脱泡・均質化し、さらに脈理除去のための均質化を行うことによりガラスを製造する、半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法」である点で共通し、以下の点で相違する。
【相違点１】該半導体パッケージ用カバーガラスが、本件発明１では、「Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下あり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下」であるのに対し、甲第１号証の発明では、α放射性元素（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）が１００ｐｐｂ以下であるものの、Ｕ及びＴｈの含有量の当該数値が示されず、更に、甲第１号証の発明では、白金ブツにつき示されるものはなく、したがって、当該構成を具備しない点
【相違点２】該半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法が、本件発明１では、「少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、かつ前記耐火物が石英（ＳｉＯ２）を主成分とするものであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う」とするのに対し、甲第１号証の発明では、白金ルツボという単一の容器内で溶融ガラス化と脈理除去のための均質化とを実施しているだけであり、当該特定事項を具備しない点
　以下、上記相違点につき検討する。
　まず、相違点２に係る構成が容易に想到できるか否かにつき検討する。
【相違点２について】
　本件発明１につき、訂正明細書には、「通常、各種光学系に使用されるレンズ等に代表される光学ガラスは、極めて高い均質度が要求される。ところが、耐火物槽ではガラスの溶融温度が高いため、侵蝕され易く、ガラス中に脈理や泡を生じてしまう。そこで、ガラスの溶融槽には、耐熱性と耐蝕性に優れた白金又は白金合金が多用されている。パッケージ用ガラスを製造する場合にも、比較的高温溶融を必要とすることから、同様に通常、耐熱性が高く、溶融ガラスによって侵蝕されにくい白金製容器を用いる。ところが、・・・意外なことに、白金製容器で溶融ガラス化するとガラス中のＵ及びＴｈの量も増大することが明らかとなった。それに対して、少なくとも原料バッチの溶融ガラス化を耐火物製の容器中で行うと、・・・Ｕ及びＴｈの量の増大も著しく抑制できることを見出して本発明を完成した。」（段落００１０）、「本発明では、耐火物としては、好ましくはＵの含有量が２０ｐｐｍ以下、・・・のセラミックスを挙げることができる。Ｕの含有量が２０ｐｐｍを超えると、パッケージ用ガラスとして望ましいα線放出量が０．００４ｃ／ｃｍ２・ｈ以下のガラスが得にくくなる。」（段落００１１の抜粋）及び「溶融ガラス化に比べて、脱泡・均質化及び脈理除去のための均質化では、容器の侵蝕は起きにくく、白金製の容器でも、放射性同位元素・・・の混入は少ないからである。特に、脈理除去のための均質化は白金製の容器中で行うことが好ましい。均質化を白金製容器中で行うことで、より容易にガラス中の内部欠陥である泡や脈理を除去できる。」（段落００１３の抜粋）と記載されており、これとその請求項１の記載からみて明らかなとおり、通常用いられる耐熱性と耐蝕性に優れた白金製容器により半導体パッケージ用カバーガラスを溶融した場合には同ガラス中のＵ及びＴｈの量が増大する等の問題点が生じたところ、本件発明１は、
　半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法において、「溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うこと」との構成を採択することにより、その余の構成と相俟って、α線放出量が０．００４ｃ／ｃｍ２・ｈ以下と少なく、かつ、ガラス中に脈理や泡の生じない半導体パッケージ用カバーガラスを容易に製造することができる等の有用な効果を奏したものである。
　これに対して、甲第１号証の発明では、前記摘示（Ａ−３）及び（Ａ−４）によれば、固体撮像素子パッケージ用窓ガラスについて、放射性元素であるＵ及びＴｈが１００ｐｐｂ以下でα線放出量が０．００５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下である固体撮像素子パッケージ用ガラスを得るために、その溶融工程におけるＵ、Ｔｈ等の混入を防止することが示されるものの、具体的には、そこで示されるものは、前記（Ａ−５）によれば、α放射性元素の精製分離が困難であるＦｅ２Ｏ３等につき、そのＦｅ２Ｏ３等の溶融工程における混入を防止するというだけであって、それ以上の詳細な説明はない。そうであれば、甲第１号証の発明においては、ガラス化容器の材質と均質化容器の材質の組み合わせにつき示唆されるものはなく、当然のこととして、「溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うこと」につき、示唆ないし教示されるものは何もないものである。
　してみれば、甲第１号証に記載の発明において、上記相違点２に関する構成を採択して本件発明１のようにすることが当業者の容易になし得るものではない。
　次に、上記相違点２につき、甲第２〜１２号証の記載を順次みる。
　甲第２号証には、その前記摘示（Ｂ−１）及び（Ｂ−３）によれば、ガラス原料を白金製ルツボ又はアルミナ製ルツボで溶融して固体撮像素子を保護するカバーガラス（本件発明１の半導体パッケージ用カバーガラスに相当）を製造することが示されるものの、ここでは、本件発明１のようにＵ含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器と白金製の容器とを用いることについてまで具体的に示されるものでない。そもそも、ここでの発明は、その（Ｂ−１）によれば、低蛍光性ガラスを得ることをその発明の目的とするものであって、本件発明１のようにα線の放出量が抑制された、かつ、ガラス中に脈理や泡の生じないガラスを製造することについてまで配慮するものではない。したがって、そこには、甲第２号証に記載の発明を甲第１号証の発明に適用して、本件発明１のようにする動機づけが存在し得ないものである。
　甲第３号証には、その前記摘示（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）によれば、硼珪酸ガラス原料を耐火物からなる溶融槽でガラス化して固体撮像素子を収納するアルミナパッケージの窓ガラス（本件発明１の半導体パッケージ用カバーガラスに相当）を製造するとき、そのガラスは溶融時のガラス粘度が低いので浸食耐火物によるガラスの汚染が防止できる旨示される。しかし、甲第３号証に記載の発明ではガラスの汚染がガラスの粘度が低いことにより防止できることが示唆されれるにとどまり、その発明からは、本件発明１のようにＵ含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器と白金製の容器を用いることにつき具体的に示唆するものはない。そもそも、甲第３号証に記載の発明は、溶融が容易なガラスを得ることをその発明の目的とするものであり、本件発明１のようにα線の放出量が抑制された、かつ、ガラス中に脈理や泡の生じないガラスを製造することについてまで配慮するものではなく、したがって、そこでは、甲第３号証に記載の発明を甲第１号証の発明に適用して本件発明１のようにする動機づけが存在し得ないものである。
　甲第４号証には、その前記摘示（Ｄ−２）及び（Ｄ−３）によれば、そこでの硼珪酸ガラスが電子部品用窓ガラスとして適用できるものであり、また、そのガラスが「溶融が容易であるから石英坩堝、高純度シリカ耐火物による製造が可能であり、従って耐火物からのＫ２Ｏ汚染を防止できることから４０Ｋによる雑音の発生を極限まで低減させることができる」ことが記載される。しかし、甲第４号証に記載の発明で教示されるのは、電子部品用窓ガラスにおける４０Ｋによる雑音の低減が、そこで用いられる硼珪酸ガラスの溶融容易性により実現できることにとどまり、その発明では、α線の放出量が抑制された、かつ、ガラス中に脈理や泡の生じないガラスを得る上で必要な、「溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うこと」との構成につき説明するものは何もないものである。したがって、甲第４号証に記載の発明を甲第１号証に記載の発明に組み合わせたとしても、そこから、上記相違点２に関する構成が容易に導き出せない。
　甲第５及び６号証に記載の発明では、光学ガラスを製造するに際して、「溶融ガラス化を耐火物製容器内で行い、脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うこと」が、実質上、示されるものである。しかし、甲第５及び６号証に記載の発明では、本件発明１のようにα線の放出量が抑制されたガラスを製造することにつき配慮するものではなく、当然のこととして、α線の放出量が抑制された半導体パッケージ用カバーガラスの製造に際して、当該技術を適用することにつき示唆するものはなく、更に、その場合の効果についても教示するものでもない。したがって、そこでは、甲第５及び６号証に記載の発明を甲第１号証に記載の発明に適用して本件発明１のようにする動機づけが存在しないものである。
　甲第７〜９号証には、「ＩＣを構成する素材について、それぞれの材料や製品において、低Ｕ（Ｔｈ）化を実現するためには、それぞれの製造工程での品質管理が重要な課題である」こと及び「セラミックパッケージ等の製造工程において、焼成時のセッター、敷粉、焼成炉の炉材にいたるまで低α化しようとする動きがある」こと等が記載され、また、「各種アルミナ、シリカのＵ及びＴｈ含有量は、それぞれ、１ｐｐｍ以下、０．１ｐｐｍ以下」であること等が記載される。しかし、反面、これら甲第７〜９号証に記載されるのはそれだけであり、本件発明１の如きガラスの製造につき記載されるものは何もなく、当然のこととして、溶融ガラス化のための耐火物製容器に含まれるウラン含有量が２０ｐｐｍ以下であることが示されるものではない。したがって、半導体パッケージ用カバーガラスの脈理除去の均質化のために白金製容器を用いることはもとより、半導体パッケージ用カバーガラスの溶融ガラス化のためにウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器を用いることが、これら甲７〜９号証の記載から容易に導き出すことができない。
　更に検討すると、仮に、甲第７〜９号証の上記記載に基づき（耐火物の主要成分だけでなく助剤成分等にも配慮したうえで）耐火物製容器を作製した場合には当該容器のウラン含有量が２０ｐｐｍ以下になるとしても、甲第７〜９号証はもとより、甲第１〜６号証のいずれにおいても、α線の放出量が抑制されたガラスを製造するに際して、その溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下の耐火物製容器内で実施した場合の利点につき教示されるものが何もないのであるから、甲第７〜９号証に記載の発明に、甲第１〜６号証の記載を併せてみても、そこから、α線の放出量が抑制された半導体パッケージ用カバーガラスを容易に製造するための構成である「溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行うこと」を容易に導き出せるものではない。
　甲第１０及び１１号証に記載される発明では、ガラスないしは光学ガラスのルツボとして、アルミナ磁器からなる又は粘土からなるルツボを用いること等が示されるものの、半導体パッケージ用カバーガラスの溶融ガラス化のためにウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器を用いることにつき教示するものは何もなく、したがって、甲第１１及び１２号証に記載の発明を甲第１〜９号証に記載の発明に併せてみても、そこから、上記相違点２に関する構成が容易に導き出せるものではない。。
　甲第１２号証に記載の発明では、固体撮像素子に対向するカバーガラスにつき、α線放射性元素であるＵ及びＴｈの合計の濃度が１０ｐｐｂ〜１ｐｐｂ程度にできることが示されるだけで、上記相違点２につき教示するものは何もない。
　このように、甲第２〜１２号証に記載の発明からは、半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法において、「溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うこと」との構成が容易に導き出すことができない。
　したがって、上記相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は甲第１〜１２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
VI−１−２．本件発明２
　甲第１号証には、前記VI−１−１．で説示したとおりの事項が記載されている。
　そこで、本件発明２と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、両者は以下の点で相違する。
【相違点イ】該半導体パッケージ用カバーガラスが、本件発明２では、「Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下あり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下」であるのに対し、甲第１号証の発明では、α放射性元素（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）が１００ｐｐｂ以下であるものの、Ｕ及びＴｈの含有量の当該数値が示されず、更に、甲第１号証の発明では、白金ブツにつき示されるものはなく、したがって、当該構成を具備しない点
【相違点ロ】該半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法が、本件発明２では、「少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、かつ前記耐火物容器がＳｉＯ２製ルツボであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う」とするのに対し、甲第１号証の発明では、白金ルツボという単一の容器内で溶融ガラス化と脈理除去のための均質化とを実施しているだけであり、当該特定事項を具備しない点
　そして、この相違点ロにおける「溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うこと」との構成については、前記VI−１−１．の相違点２の箇所で説示したとおり、甲第２〜１２号証に記載の発明からは容易に導き出すことはできない。
　したがって、上記相違点イについて検討するまでもなく、本件発明２は甲第１〜１２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
VI−１−３．本件発明３
　甲第１号証には、前記VI−１−１．で説示したとおりの事項が記載されている。
　そこで、本件発明３と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、両者は以下の点で相違する。
【相違点ａ】該半導体パッケージ用カバーガラスが、本件発明３では、「Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下あり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下」であるのに対し、甲第１号証の発明では、α放射性元素（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）が１００ｐｐｂ以下であるものの、Ｕ及びＴｈの含有量の当該数値が示されず、更に、甲第１号証の発明では、白金ブツにつき示されるものはなく、したがって、当該構成を具備しない点
【相違点ｂ】該半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法が、本件発明３では、「少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、かつ前記耐火物がクレー（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２）であり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う」とするのに対し、甲第１号証の発明では、白金ルツボという単一の容器内で溶融ガラス化と脈理除去のための均質化とを実施しているだけであり、当該特定事項を具備しない点
　そして、この相違点ｂにおける「溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うこと」との構成については、前記VI−１−１．の相違点２の箇所で説示したとおり、甲第２〜１２号証に記載の発明からは容易に導き出すことはできない。
　したがって、上記相違点ａについて検討するまでもなく、本件発明３は甲第１〜１２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
VI−１−４．本件発明４及び５
　本件発明４及び５は、それぞれ、本件請求項１〜３を直接又は間接的に引用し、本件発明１、２又は３の構成を、実質上全て具備するものであり、したがって、上記VI−１−１．〜VI−１−３．で説示した理由と同じ理由により、本件発明４及び５は甲第１〜１２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるすることができない。
　
VI−２．理由−２について
VI−２−１．本件発明１
　甲第１３号証には、その前記摘示（Ｌ−２）〜（Ｌ−４）によれば、「ガラス原料を石英または白金坩堝に投入し、これを約１２５０〜１５００℃の温度で約２〜１０時間溶融し充分な攪拌によって泡切れを行った後、適当な温度に下げて成形してなる、半導体構成素材に用いられるカバーガラス」に関する発明（以下、必要に応じ、「先願発明」という）が記載されている。
　そこで、本件発明１と先願発明とを対比する。
　先願発明におけるガラス原料は最終的にはガラスとなるのであるから、当該原料はガラス原料バッチであるということができる。また、先願発明における溶融処理については、その溶融時間は長く、また、充分な撹拌によって泡切れを行っているのであるから、そこでの溶融処理においては、原料を溶融ガラス化するだけでなく、それに続く脱泡、均質化、及び脈理除去のための均質化に相当する処理が、実質上、実施されているものと認められる。
　そして、先願発明の「半導体構成素材に用いられるカバーガラス」は、本件発明１の「半導体パッケージ用カバーガラス」に相当する。
　よって、両者は、「ガラスの原料バッチを溶融ガラス化し、得られたガラスを脱泡・均質化し、さらに脈理除去のための均質化を行うことによりガラスを製造する、半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法」である点で共通し、以下の点で相違する。
【相違点Ａ】該半導体パッケージ用カバーガラスが、本件発明１では、「Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下あり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下」であるのに対し、先願発明では、当該構成を具備しない点
【相違点Ｂ】該半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法が、本件発明１では、「少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、かつ前記耐火物が石英（ＳｉＯ２）を主成分とするものであり、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う」とするのに対し、先願発明では、石英又は白金坩堝という単一の容器内で溶融ガラス化と脈理除去のための均質化とを実施しているだけであり、当該特定事項を具備しない点
　まず、相違点Ｂにつき検討する。
　前記VI−１−１．の相違点２の箇所で説示したとおり、本件発明１は、
　半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法において、「溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行うこと」との構成を採択することにより、その余の構成と相俟って、α線放出量が０．００４ｃ／ｃｍ２・ｈ以下と少なく、かつ、ガラス中に脈理や泡の生じない半導体パッケージ用カバーガラスを容易に製造することができる等の有用な効果を奏したものである。
　これに対して、先願発明では、当該相違点Ｂに関する構成につき示唆するものはない。
　そうすると、本件発明１が、「少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う」とする点で、先願発明に対して別異の発明を構成するといえる。
　したがって、本件発明１は、甲第１３号証に記載の発明と同一であるということはできない。
VI−２−２．本件発明２〜５
　本件発明２及び３は、半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法に関するものであって、上記VI−２−１．の相違点Ｂに関する「少なくとも前記溶融ガラス化をウラン含有量が２０ｐｐｍ以下である耐火物製容器内で行い、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う」との構成を具備するものである。したがって、上記VI−２−１．で説示した理由と同じ理由により、本件発明１は、甲第１３号証に記載の発明と同一であるということはできない。
　また、本件発明４及び５は、本件請求項１〜３を直接又は間接的に引用し、本件発明１、２又は３の構成を、実質上全て具備するものであり、したがって、上記VI−２−１．で説示した理由と同じ理由により、本件発明４及び５は、甲第１３号証に記載の発明と同一であるということはできない。
　
VII.　まとめ
　特許異議申立の理由及び証拠によっては、訂正後の本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年３月１６日（２００５．３．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体パッケージ用カバー
ガラスの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】ガラスの原料バッチを溶融ガラス化し、得られたガラスを脱泡・均質化し、さらに脈理除去のための均質化を行うことにより、
Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下である
り、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う
　【請求項２】ガラスの原料バッチを溶融ガラス化し、得られたガラスを脱泡・均質化し、さらに脈理除去のための均質化を行うことにより
Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下である
り、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う
　【請求項３】ガラスの原料バッチを溶融ガラス化し、得られたガラスを脱泡・均質化し、さらに脈理除去のための均質化を行うことにより
Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であり、粒子径が２μｍ以上の白金ブツが１０ケ／１００ｍｌ以下である
り、前記脈理除去のための均質化を白金製の容器内で行う
　【請求項４】Ｕの含有量が３ｐｐｂ以下であり、かつＴｈの含有量が１５ｐｐｂ以下である高純度原料バッチを用いる請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
　【請求項５】前記ガラスの原料バッチが、重量パーセントで、
ＳｉＯ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０−７８％、
Ｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５−２５％、
Ａｌ２Ｏ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０−８％、
Ｌｉ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０−５％、
Ｎａ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０−１８％、
Ｋ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０−２０％、
（但し、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＝５−２０％）を含み、上記成分の含有量が少なくとも８０％以上であるホウケイ酸ガラスの原料バッチである請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
　【請求項６】（削除）
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ビデオカメラ等に使用されるＣＣＤ（固体撮像素子）等の半導体パッケージ用ガラスに関する。さらに詳しくは、本発明は、放射性同位元素の中でも特にα線放射量の多いＵ（ウラン）の含有量が少なく、固体撮像素子等のソフトエラーを有効に低減させることが可能であり、かつ半導体パッケージ用として種々の優れた特性を有するガラス及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＣＣＤ等の半導体は、パッケージ用ガラスから放出されるα線によりソフトエラーを生じるため、パッケージ用ガラスに含有されるα線を放出する放射性同位元素の量の低減が行われている。放射性同位元素としては、代表的にはウラン（Ｕ）、トリウム（Ｔｈ）及びラジウム（Ｒａ）が挙げられる。
　【０００３】
　ところで、放射性同位元素なかでも、ウラン（Ｕ）はα線放出量が多く、トリウム（Ｔｈ）に比べて５〜１０倍程度多い。従って、半導体の周辺材料におけるα線放出量の低減には、特にウラン（Ｕ）の含有量の低減が重要であるという報告がある。近年、固体撮像素子の高密度化に伴って、α線によるノイズやソフトエラーが画質向上の大きな障害になっている。そのため、α線放出量の低減が増々重要になって来ており、α線放出量は０．０１ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が目標とされていた〔インスベック１９８５春号（Ｎｏ．３）８３〜８８〕。しかし、α線放出量の低減化の要求はさらに厳しくなっており、最近では、０．００４ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が目標とされている。しかし、この目標を達成するためには、α線放出量が多いＵの含有量が１０ｐｐｂを超えるガラスでは、実質的に不可能であった。
　【０００４】
　これまで、ガラスに含まれる放射性同位元素は、ガラスの原料に起因するものが殆どであると考えられていた。しかるに、本発明者が、ガラスの原料として放射性同位元素の含有量が極めて少ない超高純度のものを用いてガラスを試作したところ、得られたガラスに含まれる放射性同位元素の量は、依然として高いレベルであった。また、超高純度のガラス原料は、実用上コスト的にも問題があった。そこで、ガラスに含まれる放射性同位元素の低減には、ガラスの原料を厳選する以外に、ガラス製造過程からの混入を抑制する必要があることが判明した。そこで、本発明の目的の１つは、放射性同位元素、特にα線放射量の多いＵ（ウラン）の混入を抑制できるガラスの製造方法の提供にある。
　【０００５】
　ところで、放射性同位元素の含有量の低減以外に、半導体パッケージ用ガラスには、（１）内部欠陥や表面欠陥のない光学的に均質な材料であること、（２）経時変質の少ない信頼性の高い材料であること、及び（３）アルミナセラミックパッケージと封着した時、割れや歪が発生しない材料であることが要求される。（１）に関しては、内部欠陥として泡、異物、脈理等、表面欠陥として研磨キズ、カケ等がある。これに加えて、近年、固体撮像素子等の高密度化に伴って微小な異物、特にガラス溶融容器として使われる白金に起因すると思われる白金製異物（以下白金ブツと称す）が大きな障害になって来ている。（２）に関しては、長期間の使用に際して、湿気によりガラス表面に曇りが発生したり、ソラリゼーション現象による透過率の低下が発生する場合がある。従って、パッケージ用カバーガラスとしては高い耐候性や耐ソラリゼーション性が要求される。（３）に関しては、例えばＣＣＤの場合、その受光面に三色モザイクフィルタを形成したＣＣＤチップをアルミナセラミックパッケージの中にセットし、その上にカバーガラスをエポキシ樹脂等で接着した構造になっている。そのため、カバーガラスとアルミナセラミックパッケージの熱膨張係数を整合させることが必要である。アルミナセラミックの熱膨張係数は通常６０〜７５×１０−７Ｋ−１の範囲にあり、ガラスの熱膨張係数は、これと同等か、若干小さな４５〜７５×１０−７Ｋ−１の範囲であることが望ましい。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　そこで本発明の第一の目的は、放射性同位元素のうち特にＵのガラスへの混入及び白金ブツのガラスへの混入が抑制できる半導体パッケージ用ガラスを製造する方法を提供することにある。
　【０００７】
　さらに本発明の第二の目的は、白金ブツ及び放射性同位元素のうち特にＵの含有量が少なく、高い耐候性及び耐ソラリゼーション性とアルミナセラミックパッケージとの封着性も良好な、固体撮像素子等の半導体パッケージ用として有用なガラスを提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、少なくとも原料バッチの溶融ガラス化を耐火物製の容器内で行うことを特徴とするパッケージ用ガラスの製造方法に関する。
　【０００９】
　さらに本発明は、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、かつＴｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であるホウケイ酸塩ガラスであることを特徴とするパッケージ用ガラスに関する。
　【００１０】
　通常、各種光学系に使用されるレンズ等に代表される光学ガラスは、極めて高い均質度が要求される。ところが、耐火物槽ではガラスの溶融温度が高いため、侵蝕され易く、ガラス中に脈理や泡を生じてしまう。そこで、ガラスの溶融槽には、耐熱性と耐蝕性に優れた白金又は白金合金が多用されている。パッケージ用ガラスを製造する場合にも、比較的高温溶融を必要とすることから、同様に通常、耐熱性が高く、溶融ガラスによって侵蝕されにくい白金製容器を用いる。ところが、本発明者が検討したところ、原料バッチを白金製容器中で溶融ガラス化し、さらに白金製容器で精製すると多量の白金ブツが発生した。さらに、検討した結果、意外なことに、白金製容器で溶融ガラス化するとガラス中のＵ及びＴｈの量も増大することが明らかとなった。それに対して、少なくとも原料バッチの溶融ガラス化を耐火物製の容器中で行うと、白金ブツの発生を抑制でき、かつＵ及びＴｈの量の増大も著しく抑制できることを見出して本発明を完成した。
　【００１１】
　本発明において耐火物とは、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）、クレー（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）等を主成分とする耐熱性の高いセラミックスである。これらのセラミックスは、白金に比べて溶融ガラスにより侵蝕され易く、高い均質度が要求される光学系のガラスの製造においては、原料バッチの溶融ガラス化には用いられなかった。本発明者の検討によれば、セラミックス製容器の溶融ガラスへの混入量は、０．０３〜０．３％程度であるのに対して、白金製容器の溶融ガラス中への混入量は０．０００３〜０．００３％程度である。それにもかかわらず、セラミックス製容器を用いた場合のＵ及びＴｈの溶融ガラスへの混入量は、白金製容器を用いた場合に比べて遙に少なかった。従って、アルミナ、クレー、ジルコニア及び石英等のセラミックス製容器中に含まれるＵ及びＴｈの量は、白金製容器に比べて桁違いに少ないと推定される。本発明のようにセラミックス製の容器を用いて溶融ガラス化を行った場合、容器自体多少侵蝕されるが、ガラスへの放射性同位元素の混入量は白金に比べて著しく少ない。さらに、これらのセラミックス等はガラスの成分と通常、共通の元素からなることから、混入してもガラスの物性に対して支障が生じることもない。本発明では、耐火物としては、好ましくはＵの含有量が２０ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５ｐｐｍ以下のセラミックスを挙げることができる。Ｕの含有量が２０ｐｐｍを超えると、パッケージ用ガラスとして望ましいα線放出量が０．００４ｃ／ｃｍ・ｈ以下のガラスが得にくくなる。さらに、耐火物としては、アルミニウム、硅素、ジルコニウムの酸化物を主成分とするセラミックスであることが好ましい。
　【００１２】
　本発明の製造方法では、少なくとも原料バッチの溶融ガラス化を耐火物製の容器中で行う。ガラスの製造は、一般に、原料バッチを加熱溶融してガラス化し、脱泡・均質化し、さらにガラス中の脈理を除去するための均質化が行なわれる。原料バッチとしては、硅酸（ＳｉＯ２）、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３等の酸化物以外に、アルカリ金属やアルカリ土類金属の炭酸塩や硝酸塩（例えば、Ｌｉ２ＣＯ３、ＬｉＮＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）３）、ホウ酸（Ｈ３ＢＯ３）、ＮａＣｌ等を用いる。例えば、アルカリ金属の炭酸塩は、加熱すると脱炭酸反応を起こし、かつ同時に生じるアルカリ金属酸化物（例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等）が硅酸（ＳｉＯ２）等の酸化物を溶融してガラス化する。ところが、この溶融ガラス化反応時に生じるアルカリ金属酸化物等は活性が高く、容器の壁面を激しく侵蝕する。そこで本発明では、原料バッチの溶融ガラス化は、放射性同位元素の含有率が少なく、かつガラス成分になり得る耐火物製の容器中で行ない、容器の壁面が侵蝕されてもガラスへの放射性同位元素と白金の混入を抑制する。
　【００１３】
　本発明の製造方法では、少なくとも原料バッチの溶融ガラス化を耐火物製の容器中で行なうが、さらに脱泡・均質化及び脈理除去のための均質化も耐火物製の容器中で行なうこともできる。あるいは、脱泡・均質化及び脈理除去のための均質化は白金製の容器中で行うこともできる。溶融ガラス化に比べて、脱泡・均質化及び脈理除去のための均質化では、容器の侵蝕は起きにくく、白金製の容器でも、放射性同位元素と白金の混入は少ないからである。特に、脈理除去のための均質化は白金製の容器中で行うことが好ましい。均質化を白金製容器中で行うことで、より容易にガラス中の内部欠陥である泡や脈理を除去できる。
　【００１４】
　本発明の製造方法では、ガラス原料としては、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、硫酸塩等、いずれの形態の化合物も用いることができる。本発明の製造方法では、ガラス製造過程における容器からの放射性同位元素と白金の混入を抑制することができるが、得られるガラスの放射性同位元素の含有量を低減するという観点からは、原料バッチとして高純度原料バッチを用いることが好ましい。特に、高純度原料バッチは、Ｕの含有量が３ｐｐｂ以下であり、かつＴｈの含有量が１５ｐｐｂ以下であることが、Ｕ及びＴｈの含有量が少ないパッケージ用ガラスを製造するという観点から好ましい。このような原料を調合して原料バッチを作製し、溶融ガラス化することで、最終的にＵの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が２０ｐｐｂ以下のガラスを得ることができる。
　【００１５】
　次に本発明のガラスについて説明する。本発明のパッケージ用ガラスは、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、かつＴｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であるホウケイ酸塩ガラスである。Ｕ及びＴｈの含有量が上記数値以下であることにより、パッケージ用ガラスとして望ましい、α線放出量が０．００４ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であり、ソフトエラー率が著しく低いガラスを得ることができる。
　【００１６】
　本発明のホウケイ酸塩ガラスは、好ましくは重量パーセントで
ＳｉＯ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０〜７８％
Ｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５〜２５％
Ａｌ２Ｏ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜８％
Ｌｉ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜５％
Ｎａ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜１８％
Ｋ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜２０％
（但し、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　　５〜２０％）から成り、上記成分の含有量が少なくとも８０％以上であり、かつ熱膨張係数が４５〜７５×１０−７Ｋ−１であることが適当である。
　【００１７】
　以下に各成分の作用と数値を一定の範囲にする理由を説明する。ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３はホウケイ酸塩ガラスの骨格を作る成分である。ＳｉＯ２が５０％未満となり、Ｂ２Ｏ３が２５％を超えると耐候性が低下する傾向がある。また、ＳｉＯ２が７８％を超え、Ｂ２Ｏ３が５％未満では溶融性が悪化する傾向がある。従って、ＳｉＯ２は５０〜７８％の範囲であり、かつＢ２Ｏ３は５〜２５％の範囲であることが適当である。Ａｌ２Ｏ３はガラスの耐候性を向上させる成分である。しかし、８％を超えるとガラス内に脈理が発生し易くなり製造が困難になる傾向がある。従って、Ａｌ２Ｏ３の含有量は８％以下とすることが適当である。
　【００１８】
　Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏは融剤として作用し、かつ、耐失透性を良くする成分である。そのためには、これらの成分の１種又は２種以上の合計の含有量は５％以上であることが適当である。しかし、これらの成分の１種又は２種以上の合計の含有量が２０％を越えると耐候性が悪くなり、かつ熱膨張係数が大きくなり過ぎる傾向がある。さらにこれらの成分のうち、Ｌｉ２Ｏは、多量に添加すると耐失透性が悪化する傾向があり、かつ、耐火物の容器を侵触する作用も強い。そのため、Ｌｉ２Ｏの含有量は５％以下にすることが好ましい。Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏは、それぞれ１８％及び２０％を超えると耐候性が悪化し、かつ熱膨張係数も大きくなり過ぎる傾向がある。そのため、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの含有量は、それぞれ１８％以下及び２０％以下とすることが好ましい。
　【００１９】
　以上の成分の外に、耐候性、溶融性、耐失透性等の改善や、熱膨張係数の調整等の目的で２０％以内の範囲で、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等）、ＺｎＯ、塩素等のハロゲン等を添加することも可能である。さらに、Ａｓ２Ｏ３やＳｂ２Ｏ３等の脱泡剤も必要に応じて適宜添加することができる。また、その他の３価以上の多価金属酸化物も所望の特性を損なわない程度に添加することは可能である。
　【００２０】
　本発明のガラスでは、特に高い耐候性を必要とする場合には、ソラリゼーション防止剤としてＰｂＯ、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５等を添加することが有効である。但し、Ｕの含有量が３ｐｐｂ以下であり、かつＴｈの含有量が１５ｐｐｂ以下の原料が入手し易く、かつ、紫外部の吸収がシャープなＰｂＯを添加するのが最も好ましい。しかし、ＰｂＯ添加量を過度に添加する必要は無く、逆に紫外部の吸収が強くなり過ぎるなどの不都合も生じることから３％以下にすることが適当である。すなわち、ＰｂＯを０．０１〜３重量％含有させることで、長期間の露光に対して信頼性の高いガラスを得ることができる。
　【００２１】
　【実施例】
　以下本発明を実施例によりさらに説明する。まず、本発明の製造方法により得られるガラスに含まれる白金ブツとＵ及びＴｈ含有量を、従来の製造方法により得られるガラスと比較した。
　実施例１
　表１のＮｏ．４組成になるように、各種高純度原料を使用して原料バッチ（Ｕ含有量２ｐｐｂ、Ｔｈ含有量１４ｐｐｂ）を作製した（原料バッチ（１）とする）。この原料バッチ３００ｋｇを２００リットル容量のＳｉＯ２製ルツボを用いて１３００℃で溶融ガラス化した後、顆粒状のカレットを得た。このカレット３５ｋｇを用いて１６リットル容量の白金製ルツボで、１４６０℃の電気炉中で溶解・精製（脱泡及び均質化）した。鉄製金枠に鋳込み、所定のアニールをしてガラスブロックを得た（これをガラスＡとする）。次にガラスブロックから良品部分を撰魂して端面を研磨して内部欠陥を検査した。白金ブツ数は、まず、２０倍の実体顕微鏡で観察し、さらにカウントに際しては、粒子径が２μｍ以上の白金ブツを泡等と区別して１００倍の光学顕微鏡を用いて行った。ガラス製造条件を表２に示し、分析試験結果を表３に示す。
　【００２２】
　比較例１
　実施例１で用いたと同様の原料バッチ３５ｋｇを１６リットル容量の白金製ルツボに直接投入して１４６０℃で溶融ガラス化した後、引き続き白金製ルツボで溶融・精製（脱泡及び均質化）し、さらに鋳込み及びアニールをしてガラスブロックを得た（これを比較ガラスＡとする）。さらに、このガラスブロックのガラス内部の欠陥を、実施例１と同様の手順で検査した。ガラス製造条件を表２に示し、分析試験結果を表３に示す。
　【００２３】
　実施例２
　実施例１で用いたと同様の原料バッチ１８００ｋｇを用い、約８００リットル容量の粘土（クレー）製ルツボを使って、ガス加熱により１４５０℃で溶融ガラス化し、引き続き１４５０℃で溶融・精製（脱泡及び均質化）してガラスブロックを得た。（これをガラスＢとする）。さらに、このガラスブロックのガラス内部の欠陥を、実施例１と同様の手順で検査した。ガラス製造条件を表２に示し、分析試験結果を表３に示す。
　【００２４】
　上記実施例１、２及び比較例１の原料バッチ及び３種のガラス中に含まれるＵ及びＴｈの量をＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）−ＭＡＳＳ分析により定量した。それらの結果を表３に示す。表３に示されるように、溶融精製過程におけるガラスの汚染は、製造工程の全てを耐火物で構成された容器内で行なった実施例２のガラスＢが最も少なかった。また、実施例１の結果から、白金製容器を使用する場合は、初めの溶融ガラス化工程を耐火物で構成された容器で行うことにより著しく低減できることが明らかになった。尚、これらの例では間欠溶融方式を用いたが、連続溶融方式においても同様の傾向を示した。
　【００２５】
　実施例３
　表１のＮｏ．１組成になるように、更に高度に精製された超高純度原料を使用して原料バッチを調合した（これを原料バッチ（２）とする）。原料バッチ中のＵ量は１ｐｐｂ、Ｔｈ量は５ｐｐｂであった。この原料バッチ１８００ｋｇを用い、実施例２と同様に約８００リットル容量の粘土製ルツボを使って１４６０℃で溶融ガラス化した後、引き続き粘土製ルツボで１４６０℃で溶融・精製（脱泡及び均質化）し、ガラスブロックを得た（これをガラスＣとする）。このガラスブロックのガラス内部の欠陥を、実施例１と同様の手順で検査した。さらに、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ分析も行った。ガラス製造条件を表２に示し、分析試験結果を表３に示す。
　【００２６】
　比較例２
　実施例３で用いたと同様の超高純度原料バッチ（２）を白金製ルツボに直接投入して１４６０℃で溶融ガラス化し、引き続き白金製ルツボで溶融・精製（脱泡及び均質化）し、さらに鋳込み、アニールをしてガラスブロックを得た（これを比較ガラスＢとする）。このガラスブロックのガラス内部の欠陥を、実施例１と同様の手順で検査した。さらに、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ分析も行った。ガラス製造条件を表２に示し、分析試験結果を表３に示す。
　【００２７】
　実施例４
　次に表１のＮｏ．４組成にＵの含有量０．０２ｐｐｂ以下、Ｔｈの含有量０．０２ｐｐｂ以下のＰｂＯを外割で１％添加し、実施例１と同様に、ＳｉＯ２ルツボで溶融ガラス化し、得られたカレットを１６リットル容量の白金製ルツボで溶融精製してガラスブロックを得た。（これをガラスＤとする）。ガラスＤは表２のガラスＡとほぼ同程度のＵ及びＴｈ含有量であり、白金ブツも１０ケ／１００ｍｌ以下であった。このガラスＤとガラスＡから試料を切り出し、１０ｍｍ厚に対面研磨して島津ＭＰ−２０００で透過率を測定した。次に日本光学硝子工業会測定規格ＪＯＧＩＳ−０４に基づき紫外線を照射した後、透過率を測定し、照射前後の透過率変化を比較した。その結果、ガラスＡではわずかに透過率が減少したが、ガラスＤはまったく変化が認められなかった。即ち、ＰｂＯ添加が耐ソラリゼーション性の改善に有効であることが確認された。
　【００２８】
　試験例
　実施例で得られたガラスＡ、Ｂ及びＣ並びに比較ガラスＡ及びＢで作製したカバーガラスを有効画素数５８万画素のＣＣＤチップを内蔵したアルミナセラミックパッケージに封着して固体撮像素子に使用した場合のソフトエラーの有無を調査した。その結果を表３に示す。本発明によるカバーガラスを使用すれば、ソフトエラーを甚しく低減できることが判明した。
　【００２９】
　実施例５
　表１中、Ｎｏ．２、３及びＮｏ．５〜８の組成のガラスについても、各種高純度原料を使用して原料バッチ（Ｕ含有量３ｐｐｂ以下、Ｔｈ含有量１５ｐｐｂ以下）を作製し、実施例１と同様の方法により、本発明のガラスを作製した。このガラスについてＵ及びＴｈの含有量を測定した結果、いずれのガラスも実施例１のガラスＡとほぼ同様であり、Ｕ含有量は５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈ含有量は２０ｐｐｂ以下であった。さらにいずれのガラスも、白金ブツは１０ケ／１００ｍｌ以下であった。
　【００３０】
　表１に本発明のガラス組成を重量パーセント表示で示す。表中、熱膨張係数はＴＭＡ分析装置による測定値であり、耐候性は研磨試料を６５℃、相対温度９０％の雰囲気中に５００時間晒した時の表面状態を示した。いずれも、アルミナセラミックとの封着に適合した熱膨張係数と優れた耐候性を有している。
　【００３１】
　【表１】
　【００３２】
　【表２】
　【００３３】
　【表３】
　【００３４】
　【発明の効果】
　本発明によれば、白金ブツの含有量、並びにＵ及びＴｈの含有量が甚だしく少ない、ソフトエラー率が著しく低い固体撮像素子等の半導体用のパッケージ用ガラスを提供することができる。さらに、特定の組成範囲に限定することによって、耐候性に優れ、アルミナセラミックパッケージと整合性の良い熱膨張係数を持つ、ガラスを提供することもできる。本発明のガラスはＵ及びＴｈの含有量が著しく低く、ガラスからのα線に起因するソフトエラーの発生を著しく低減できる。又、光学的及び熱的特性や耐候性に優れている為、結像の歪が生じない、信頼性の高い固体撮像素子を作製することができ、固体撮像素子の高解像度化、高密度化に貢献することができる。また、本発明の製造方法によれば、製造工程における放射性同位元素及び白金ブツのガラスへの混入を大幅に抑制して、パッケージ用ガラスに適したガラスを得ることができる。特に、ガラス原料として高純度原料を用いることで、これまで得られているガラスより、Ｕ等の放射性同位元素の含有量が少ないガラスを製造することができる。