【事件の表示】
　特許第３２１５０１４号「フィルム状有機ダイボンディング材のラミネ−ト方法、ダイボンディング方法、ラミネ−ト装置、ダイボンディング装置、半導体装置および半導体装置の製造法」の請求項１〜３９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２１５０１４号の請求項１〜３６に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３２１５０１４号は、平成７年７月１０日（優先権主張　平成６年１０月３１日、平成６年１１月１７日、平成６年１２月２６日、平成７年４月２８日）の出願であって、平成１３年７月２７日に請求項１〜３９に係る発明について特許権の設定登録がなされ、その後、平成１４年４月１日に特許異議申立人本山千晴より特許異議の申立てがなされ、平成１６年３月２２日付で取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月１日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否について
［２−１］訂正事項ａ
  本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲を次のとおりに訂正する。
「【請求項１】所定の大きさに切断され又は打ち抜かれたフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子で、支持部材上に押し付け圧着することを特徴とするフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項２】圧着子が、平滑先端面を有する圧着子本体と圧着子本体先端部を被覆する板状弾性体で構成されている請求項１記載のラミネート方法。
【請求項３】圧着子本体の平滑先端面の面精度が、中心線平均粗さ１５μｍ以下の精度である請求項２記載のラミネート方法。
【請求項４】弾性体のヤング率が０．２〜５０ＭＰａである請求項１〜３のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項５】弾性体の表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項６】圧着子の圧力が０．０３〜２ＭＰａである請求項１〜５のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項７】所定の大きさに切断され又は打ち抜かれたフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に平面状弾性体で押し付け圧着することを特徴とするフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項８】所定の大きさに切断され又は打ち抜かれたフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下であるローラで押し付け圧着することを特徴とするフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項９】平面状弾性体の表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下である請求項７記載のラミネート方法。
【請求項１０】フィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に５０〜３０００ｇの荷重で押し付け圧着する請求項７〜９のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項１１】フィルム状有機ダイボンディング材をダイボンディング材のガラス転移温度Ｔｇ以上でかつ熱分解温度以下の温度に加熱された支持部材上に押し付け圧着する請求項１〜１０のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項１２】フィルム状有機ダイボンディング材を８０〜３００℃に加熱された支持部材上に押し付け圧着する請求項１〜１０のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項１３】所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材がフィルム打ち抜き装置により打ち抜かれたものである請求項１〜１２のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項１４】フィルム打ち抜き装置により打ち抜かれる前のフィルム状有機ダイボンディング材のフィルム張力を０．０５〜１０ＭＰａに調整する請求項１３記載のラミネート方法。
【請求項１５】所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材がフィルム切断装置により切断されたものである請求項１〜１２のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項１６】所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材の加工精度が±２００μｍ以下である請求項１３〜１５のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項１７】所定の大きさに加工されたフィルム状有機ダイボンディング材を、２以上の真空吸着口を設けた保持部材で保持し支持部材の所定の位置に載置する請求項１〜１６のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項１８】フィルム状有機ダイボンディング材が、材料ワニスをキャリアフィルムに塗工し溶剤を揮発させキャリアフィルムから剥離したものであり、フィルム状有機ダイボンディング材のキャリアフィルム側に接していた面の反対側の面を支持部材に接するようにしてフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に載置する請求項１〜１７のいずれかに記載のラミネート方法。
【請求項１９】所定の大きさで、吸水率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする請求項１、７及び８のいずれかに記載のフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項２０】所定の大きさで、飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする請求項１、７及び８のいずれかに記載のフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項２１】所定の大きさで、残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする請求項１、７及び８のいずれかに記載のフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項２２】所定の大きさで、表面エネルギーが４０ｅｒｇ／ｃｍ２以上のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする請求項１、７及び８のいずれかに記載のフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項２３】所定の大きさで、半導体素子を支持部材に接着する段階でダイボンディング材中及びダイボンディング材と支持部材との界面に存在するボイドがボイド体積率１０％以下であるフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする請求項１、７及び８のいずれかに記載のフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項２４】所定の大きさで、半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする請求項１、７及び８のいずれかに記載のフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法。
【請求項２５】請求項１〜２４のいずれかに記載の方法により、所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置にラミネートし、半導体素子を支持部材上のフィルム状有機ダイボンディング材の所定の位置に加熱圧着させることを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項２６】フィルム状有機ダイボンディング材を一定量送り出す供給装置と、フィルム状有機ダイボンディング材を打ち抜く装置と、打ち抜かれたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上の所定の位置に載置し仮付けするフィルム仮付け装置と、仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着するフィルム圧着装置とを備え、上記フィルム圧着装置が、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つを備えることを特徴とするラミネート装置。
【請求項２７】フィルム状有機ダイボンディング材を一定量送り出す供給装置と、フィルム状有機ダイボンディング材を切断する切断装置と、切断したフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上の所定の位置に載置し仮付けするフィルム仮付け装置と、仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着するフィルム圧着装置とを備え、上記フィルム圧着装置が、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つを備えることを特徴とするラミネート装置。
【請求項２８】圧着子が、平滑先端面を有する圧着子本体と圧着子本体先端部を被覆する板状弾性体で構成されている請求項２６又は２７記載のラミネート装置。
【請求項２９】圧着子本体の平滑先端面の面精度が、中心線平均粗さ１５μｍ以下の精度である請求項２８記載のラミネート装置。
【請求項３０】弾性体のヤング率が０．２〜５０ＭＰａである請求項２６〜２９のいずれかに記載のラミネート装置。
【請求項３１】フィルム圧着装置の圧着面の表面平滑性が中心線平均粗さ１μｍ以下である請求項２６〜３０のいずれかに記載のラミネート装置。
【請求項３２】請求項２６〜３１のいずれかに記載のラミネート装置と、半導体素子を支持部材上のフィルム状有機ダイボンディング材の所定の位置に加熱圧着させるチップ圧着装置とを備えたダイボンディング装置。
【請求項３３】請求項２６〜３１のいずれかに記載のラミネート装置と、半導体素子を支持部材上のフィルム状有機ダイボンディング材の所定の位置に加熱圧着させるチップ圧着装置とを備えたダイボンディング装置であって、支持部材であるリードフレームを予熱するためのヒートブロック、リードフレームにフィルム状有機ダイボンディング材を加熱圧着するためのヒートブロック、フィルム状有機ダイボンディング材の上に半導体素子を加熱圧着するためのヒートブロック、加熱圧着した半導体素子を再加熱して本圧着させるためのヒートブロックを有し、これらのヒートブロックがそれぞれ独立に温度調節が可能であるダイボンディング装置。
【請求項３４】請求項１〜２４のいずれかに記載のラミネート方法、請求項２６記載のダイボンディング方法、請求項２６〜３１のいずれかに記載のラミネート装置または請求項３２〜３３のいずれかに記載のダイボンディング装置の少なくとも一つを使用してフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材にラミネートし、半導体素子をフィルム状有機ダイボンディング材を介して支持部材にダイボンディングし、半導体素子を樹脂封止した半導体装置。
【請求項３５】請求項１〜２４のいずれかに記載のラミネート方法、請求項２６記載のダイボンディング方法、請求項２６〜３１のいずれかに記載のラミネート装置または請求項３２〜３３のいずれかに記載のダイボンディング装置の少なくとも一つを使用してフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材にラミネートし、半導体素子をフィルム状有機ダイボンディング材を介して支持部材にダイボンディングし、半導体素子を樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造法。
【請求項３６】請求項３５記載の半導体装置の製造法に於いて、半導体素子の面積と同等以下の面積を有し半導体素子を支持部材に接着した段階で半導体素子の大きさからはみ出さないフィルム状有機ダイボンディング材を使用する半導体装置の製造法。」
　　
［２−２］訂正事項ｂ
　発明の名称を次のとおりに訂正する。
「フィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法、ダイボンディング方法、ラミネート装置、ダイボンディング装置、半導体装置および半導体装置の製造方法」
　なお、訂正事項ｂは、訂正請求書の「（３）訂正の事項」に明記されていないが、添付された訂正明細書において、【発明の名称】の末尾が「‥‥‥の製造方法」と訂正されているので、上記のとおり訂正事項と認定した。
　　
［２−３］訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項２，８，３０を削除し、以降の項番号を繰り上げ、従属項において引用する項番号を整合させ、訂正後の請求項１，７，８に、フィルム状有機ダイボンディング材が切断され又は打ち抜かれたものである旨の要件を付加し、訂正後の請求項１９〜２４を、訂正後の請求項１，７，８を引用する従属項としたものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、上記訂正事項ａの、訂正後の請求項１，７，８に、フィルム状有機ダイボンディング材が切断され又は打ち抜かれたものである旨の要件を付加し、また、訂正後の請求項１９〜２４を同請求項１，７，８の従属項とする訂正は、訂正前の特許明細書の段落【００２６】，【００３１】の記載に基づくものであるから、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　また、上記訂正事項ｂも、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］本件発明
　上記［２］で述べたとおり、上記訂正が認められるので、本件特許の訂正後の請求項１〜３６に係る発明（以下、「本件発明１〜３６」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３６に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記［２］［２−１］訂正事項ａ参照）
　　
［４］取消理由の概要
　平成１６年３月２２日付で通知した取消理由の概要は、本件出願の優先権主張日前に頒布された下記刊行物１〜１１及び参考資料１〜６を引用し、訂正前の請求項１〜３０、３３〜３９に係る発明は、下記刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるというものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平６−２１８８８０号公報（特許異議申立人の提示した甲第１号証）
刊行物２：特開平６−２６４０３５号公報（同上、甲第２号証）
刊行物３：特開平６−１４５６３９号公報（同上、甲第３号証）
刊行物４：特開平５８−５７７３０号公報（同上、甲第４号証）
刊行物５：特開昭６４−１９７３５号公報（同上、甲第５号証）
刊行物６：実願昭６２−１１４４１６号（実開昭６４−２２７４４号）
　　　　　のマイクロフイルム（同上、甲第６号証）
刊行物７：実開平１−１６５６３５号公報（同上、甲第７号証）
刊行物８：特開平２−２５６２５１号公報（同上、甲第８号証）
刊行物９：特開平６−１０４３００号公報（同上、甲第９号証）
刊行物１０：特開昭６０−１４５６３０号公報（同上、甲第１０号証）
刊行物１１：特開平６−７７２６３号公報
参考資料１：参考資料６の表１、２に記載された吸水率と飽和吸湿率の関係をグラフ化したもの。（特許異議申立人の提示した参考資料１）
参考資料２：「化学大辞典　縮刷版」共立出版株式会社（１９８９年８月１５日発行）第５３８〜５３９頁（同上、参考資料２）
参考資料３：「化学便覧　応用化学編II　材料編」丸善株式会社（平成３年７月１０日発行）第１２２７〜１２３６頁（同上、参考資料３）
参考資料４：特許第３２１５０１４号公報（同上、参考資料４）
参考資料５：「ゴム・エラストマー活用ノート」株式会社工業調査会（１９９１年７月２０日発行）第４〜５頁（同上、参考資料５）
参考資料６：特許第３１１７９７１号公報（同上、参考資料６）
　　
［４−１］刊行物及び参考資料の記載事項
［４−１−１］刊行物１：特開平６−２１８８８０号公報
　刊行物１には、図１、図２が示されるとともに、
「【請求項１】絶縁性基体上の両面又は片面に熱可塑性ポリイミドを必須成分とする熱可塑性重合体の層を有し、該熱可塑性重合体のガラス転移温度が１８０℃〜２８０℃の温度範囲であり、弾性率が、２５℃に於いて１０１０〜１０１１dyne/cm2の範囲であり、２５０〜３００℃において１０２〜１０９dyne/cm2の範囲であることを特徴とする接着性絶縁テープ
‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
【請求項１２】半導体リードフレームのインナーリードが請求項１〜５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の片面に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項１３】半導体リードフレームのインナーリードが請求項１〜５記載の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の片面に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定されており、かつ少なくともその固定された部分が樹脂封止材で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】半導体リードフレームのインナーリードが請求項１〜５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の両面に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定されており、ＩＣチップあるいはヒートスプレッダと接着可能になったことを特徴とする半導体リードフレーム。
【請求項１５】リードオンチップあるいはチップオンリード構造の半導体装置に於てインナーリードとＩＣチップが請求項１〜５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の両面に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定されていることを特徴とする半導体装置。」（【特許請求の範囲】）、
「【発明が解決しようとする課題】本願発明は、近年の半導体産業に求められている、リードフレーム、ヒートスプレッダ及びＩＣチップ等の金属導電体及び半導体等の電子部品との接着において優れた特性、信頼性と量産性を有する接着性絶縁テープを提供することおよびそのテープを用いた半導体装置を提供することにある。さらには、米国特許４５４３２９５のいわゆる熱可塑性ポリイミドにおいて、半導体材料の量産接着に、はるかに短時間で、且つより優れた接着力を与える、好適な他の熱可塑性ポリイミド接着剤を見いだすことにより、半導体接着用の非常に優れた接着性絶縁テープを供給することにある。その接着性絶縁テープは長期間の使用信頼性に優れた絶縁性能を有すること、また、半導体産業に好適に利用される為に、接着温度が４００℃以下、接着時間が１０秒以下の短時間接着で各種半導体材料にたいし十分な接着力が得られ、その接着の際、リードフレームやＩＣチップ表面にワイヤーボンドに有害な汚染をしないこと、また、リードフレームとＩＣチップの配線の為のワイヤーボンディング工程での加熱に対して、リードの位置移動等の無い優れた耐熱性を有すること等が必要である。」（段落【０００９】）、
「また、該基体上に形成された熱可塑性重合体に含まれる溶剤量が１％以下であること、熱可塑性ポリイミドが実質的にイミド化反応が完結していることも本発明を実施する上でより好ましい事である。これにより高温（一般的に２７０℃以上）での短時間熱溶融接着での溶剤揮発やイミド化反応で生ずる水分の揮発によるリードフレームやＩＣチップ表面の有害な汚染、接着層等に生ずるボイドを防止できる。」（段落【００２６】）、
「また、本発明の熱可塑性重合体の吸水率は１．２％以下（２３℃の純水に２４時間浸漬）である。この値は一般的なポリエーテルアミドやポリエーテルアミドイミドの１／２〜１／５であり高温短時間で接着する際に発生し易い水の蒸気圧によるボイドの発生確率が大幅に減少する事ができる。」（段落【００２９】）、
「これらの乾燥により熱可塑性重合体に残存する溶剤は１％以下、更に好ましくは０．１％以下、特に好ましくは０．０５％以下にすることが加熱溶融圧着時に発生するガスを低下できるので望ましい。これらの乾燥工程を経ることにより、ポリアミド酸は実質的にポリイミドに変化する。これらの乾燥はクリーン度１０００以下、好ましくは１００以下の空気中で行なう。必要に依っては同一クリーン度の窒素中で行う場合もある。熱可塑性重合体層を基体上に形成する場合は通常３００mm以上の幅のシートとして行い、しかる後、使用に適した幅にスリットを行い接着性絶縁テープとする。」（段落【００３２】）、　
「かくして形成された本発明の絶縁テープの使用方法の一例により更に詳細に説明する。リードフレーム及びＩＣチップ等の電子器材と接着性絶縁テープとの接着方法は、基本的な加熱圧着法で行うことができる。接着温度としては、２５０℃〜４５０℃の温度範囲が好ましく更に２７０℃〜４００℃の温度範囲が好ましい。接着時間としては、特に制限はないが、半導体産業に好適に利用できることから、０．１秒〜１０秒間の範囲が好ましく更に０．１秒〜５秒の時間範囲が好ましい。圧力としては１〜５０Kg/cm2の圧力範囲が好ましく更に５〜３０Kg/cm2の圧力範囲が好ましい。」（段落【００４４】）と記載されている。
　　
［４−１−２］刊行物２：特開平６−２６４０３５号公報
　刊行物２には、
「【請求項１】（Ａ）次の化１〔式（Ｉ）〕‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥で表されるテトラカルボン酸二無水物が、全酸二無水物に対し７０モル％以上含まれるテトラカルボン酸二無水物に、ジアミンを反応させて得られるポリイミド系樹脂；
（Ｂ）エポキシ樹脂；
（Ｃ）フェノール樹脂；
（Ｄ）硬化促進剤；及び
（Ｅ）無機物質フィラー、
を含有してなる接着フィルム。
‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
【請求項３】半導体素子と支持部材の間に請求項１の接着フィルムを挾み、加熱圧着することを特徴とする半導体素子と支持部材との接着法。」（【特許請求の範囲】）、
「【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩとリードフレームの接合材料、すなわちダイボンディング用材料として用いられる接着フィルム、その製造法及び接着法に関する。」（段落【０００１】）、
「こうして得たペースト状混合物を、例えばプロピレン製シート等のベースフィルム上に均一に塗布し、使用した溶媒が充分に揮散する条件、すなわち、おおむね６０〜２００℃の温度で、０．１〜３０分間加熱し、接着フィルムを得る。」（段落【００２４】）、
「第一に、接着フィルムをテープリボン状に形成し、これを半導体素子の大きさに合わせて切断し、リードフレームと半導体素子の間に挟み込んで、加熱接着させる方法がある。この方法で接着する場合には、例えば半田リボン用のダイボンディング装置等を応用した装置で接着させることができる。
　第二に、接着フィルムをまずリードフレームに形成しておき、次に半導体素子を加熱接着させる方法がある。リードフレームに接着フィルムを形成するには、接着フィルムを半導体素子の大きさに合わせて切断し、加熱して貼り付ける方法あるいは溶媒を塗布して貼り付ける方法等がある。また、接着フィルムのワニスをリードフレーム上に印刷塗布する方法で形成させることもできる。リードフレームに接着フィルムを形成した後、半導体素子を接着するには、例えば、従来、銀ペーストで用いられていたダイボンディング装置等を応用した装置で接着させることができる。」（段落【００２７】，【００２８】）、
「次に、得られた接着フィルムの接着力を試験した。　接着フィルムを４×４mmの大きさに切断し、これを４×４mmのシリコンチップと銀メッキ付４２アロイリードフレームの間に挟み、１０００gの荷重をかけて、２６０℃、３秒間圧着させたのち、剪断接着力をプッシュプルゲージを用いて、室温時及び３５０℃加熱２０秒後の熱時に、接着力を測定した（表２）。」（段落【００３６】）と記載されるとともに、段落【００３７】の【表２】に、上記接着フィルムの接着力が室温において１０．３〜１４．０（Kg/chip）であり、３５０℃において２．０〜３．２（Kg/chip）であることが示されている。
　　　
［４−１−３］刊行物３：特開平６−１４５６３９号公報　　
　刊行物３には、
「【請求項１】（Ａ）式（Ｉ）‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥で表されるテトラカルボン酸二無水物、の含量が全テトラカルボン酸二無水物の７０モル％以上であるテトラカルボン酸二無水物と、ジアミンを反応させて得られるポリイミド樹脂、及び
（Ｂ）導電性フィラー、
を含有してなる導電性接着フィルム。
‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
【請求項７】半導体素子と支持部材の間に請求項１〜６のいずれかの導電性接着フィルムを挾み、加熱圧着する、半導体素子と支持部材との接着法。」（【特許請求の範囲】）、
「【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩとリードフレームの接合材料、すなわちダイボンディング用材料として用いられる導電性接着フィルム、その製造法及び接着法に関する。」（段落【０００１】）、
「こうして得たペースト状混合物を、例えばポリエステル製シート等のベースフィルム上に均一に塗布し、使用した溶媒が充分に揮散する条件、すなわち、おおむね６０〜２００℃の温度で、０．１〜３０分間加熱し、導電性接着フィルムとし、通常、使用時にベースフィルムを除去して接着に用いる。」（段落【００２２】）、
「実施例１
　表１に示す配合表に従い、まず、２種類のペースト状混合物を調合した。なお、表１中、TCG-1とあるのは、徳力化学（株）製の銀粉を意味する。
【表１】‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
　このペースト状混合物を３０〜５０μｍの厚さにポリエステルフィルム上に塗布し、８０℃で１０分、つづいて１５０℃で３０分加熱し、２種類の導電性接着フィルムを得た。フィルム形成性は、いずれも良好であった（表２）。」（段落【００４３】，【００４４】）、
「試験例 １
　実施例１で得られた導電性接着フィルムの剪断接着力を測定すると、表７に示す通りであった。なお、試験方法は、導電性接着フィルムを４×４mmの大きさに切断し、これを４×４mmのシリコンチップと銀メッキ付リードフレームの間に挟み、１０００gの荷重をかけて、２６０℃、３秒間圧着させたのち、プッシュプルゲージを用いて、室温時及び３５０℃加熱２０秒後の熱時に、剪断接着力を測定した。」（段落【００５１】）と記載されるとともに、同段落の【表７】に、上記導電性接着フィルムの剪断接着力が室温において１５．０（Kg/chip），１４．５（Kg/chip）であり、３５０℃において０．５（Kg/chip），０．４（Kg/chip）であることが示されている。
「試験例 ２
　実施例２で得られた導電性接着フィルムの剪断接着力を測定すると、表８に示す通りであった。なお、試験方法は、導電性接着フィルムを４×４mmの大きさに切断し、これを４×４mmのシリコンチップと銀メッキ付リードフレームの間に挟み、５０gの荷重をかけて、２００℃、３分間圧着させたのち、プッシュプルゲージを用いて、室温時及び３５０℃加熱２０秒後の熱時に、剪断接着力を測定した。表７及び表８を比較すると、熱硬化性樹脂含有の導電性接着フィルム（No.３〜７）は、熱硬化性樹脂非含有の導電性接着フィルム（No.１〜２）よりも、３５０℃における剪断接着力が高いことが分かる。」（段落【００５２】）と記載されるとともに、同段落の【表８】に、上記導電性接着フィルムの剪断接着力が室温において９．８〜１３．４（Kg/chip）であり、３５０℃において１．８〜３．０（Kg/chip）であることが示されている。
　　
［４−１−４］刊行物４：特開平５８−５７７３０号公報
　刊行物４には、第２図が示されるとともに、
「１　離型性を有する基体シート上に接着性を有する金ペースト層を設けてなる転写材を用いて、セラミック基板上に設けられた凹部の底面に金ペースト層を形成した後、焼成して金膜を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。」（特許請求の範囲）、
「転写は、前記転写材を金ペースト層２が凹部４に位置するように載置し、しかる後、例えばゴム製の加圧体８を加熱したものを用いて加熱加圧し、金ペースト層２のみを凹部４の底面に転写せしめる。」（第２頁右上欄１３〜１７行）と記載されている。
　　
［４−１−５］刊行物５：特開昭６４−１９７３５号公報
  刊行物５には、第３図が示されるとともに、
「本発明のテープを用いて半導体素子をボンディングするプロセスを第３図を参照しつつ説明すればリードフレーム２１の中央部に本発明の接着テープ２２をそのリール２３からセパレーター２４を剥ぎ取りながら接着剤部分（テープ化している）５を露出させてその一定長をカッティングするかパンチングして８０〜１２０℃で密接着させる。次にこの接着剤部分２５の上にＩＣチップ２６を載せて１２０〜１５０℃に加熱し接着保持する。しかる後、２５０℃で６０秒接着剤をキュアする。これによって容易に半導体素子をリードフレームに固定することができる。」（第３頁左下欄１〜１２行）と記載されている。
　　
［４−１−６］刊行物６：実願昭６２−１１４４１６号（実開昭６４−２２７４４号）のマイクロフイルム
  刊行物６には、第３図が示されるとともに、
「第３図において、図面中左方向へピッチ送りされるリードフレーム（16）に対して、接着剤付きテープ（10）は、これと同期し、接着剤層（12）をリードフレーム（16）に向けて、接着剤供給ポジションＡに供給される。接着剤供給ポジションＡでは、プレヒータ（17）によりリードフレーム（16）を予熱しながら上下動する押圧ピン（18）が所定のタイミングで接着剤付きテープ（10）をリードフレーム（16）の放熱板に押え付ける。この結果接着剤層（12）は、軟化しながら放熱板上に略完全に転写される。ペレット供給ポジションＢでは、ペレットマウンタのコレット（19）が転写した接着剤層（12a）の上に半導体ペレット（4）を載置して所定の圧力で押え付ける。このとき、リードフレーム（16）の下側に配置されたヒータ（20）によって接着剤層（12a）は、さらに加熱されて接着力が増大し、半導体ペレット（4）は薄くて均一な厚さの接着剤層（12a）によって固着される。」（第６頁７行〜第７頁７行）と記載されている。
　　
［４−１−７］刊行物７：実開平１−１６５６３５号公報
  刊行物７には、第１図が示されるとともに、
「（1）固形のソルダーを加熱されたステムのマウントベース面上に供給し、該ソルダーにてチップをマウントするチップマウンタにおいて、耐熱性、断熱性、非浸透性をもち、かつチップと同一幅のテープに蒸着させたテープソルダーを、耐熱性、断熱性を有する多角形状のスタンピングローラに巻き付け、このスタンピングローラを１回につき１ピッチ回転させ、加熱されたステムのマウントベース上にスタンピングすることによって一定の領域に一定厚で一定量のソルダーを供給する機構を有することを特徴とするチップマウンタのソルダ供給装置。」（実用新案登録請求の範囲）と記載されている。
　　
［４−１−８］刊行物８：特開平２−２５６２５１号公報
  刊行物８には、第１〜１１図が示されるとともに、
「（6）半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂からなり、実質的に均一な厚みをもつテープ状の接着剤を順次送り出し、送り出されたテープ状の接着剤を所定の寸法に切断し、切断されたテープ片を加熱したリードフレームのダイパッド表面に転写し、その後、上記ダイパッド表面に転写された接着剤の表面にチップの裏面を押しつけ、上記チップを上記接着剤を介して上記ダイパッドに接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（7）テープ状の接着剤層のみからなる接着剤またはテープ状の接着剤層の片面のみにテープ状の剥離紙を貼りつけた接着剤を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の半導体装置の製造方法。
（8）半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂からなり、実質的に均一な厚みをもつテープ状の接着剤をテープ状の剥離紙を貼りつけた接着テープをリードフレームのダイパッド表面に沿わせて順次送り出し、加熱転写治具を用いて上記接着テープを上記剥離紙側から上記ダイパッド表面に加熱しながら押しつけて上記接着剤のみを上記ダイパッド表面に転写し、その後上記ダイパッド表面に転写された接着剤の表面にチップの裏面を押しつけ、上記チップを上記接着剤を介して上記ダイパッドに接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）、
「まず、第１図のリール１１から、接着剤９及び剥離紙１０を引き出し、ダイパッド２の上まで来た時に、８０〜１５０℃に熱せられた加熱転写治具１３で、剥離紙１０を通して接着剤９に熱を伝えつつ、接着剤９をダイパッド２に押し付ける。」（第３頁右下欄２〜６行）、
「そして第２図に示すように、ダイパッド２に転写された接着剤９を加熱しながら、コレット７によりチップ６を圧着し、接着剤９が半硬化状態の樹脂の場合には完全硬化のための熱処理をすることにより、チップ６をダイパッド２に接着する。」（第３頁右下欄１８行〜第４頁左上欄２行）、
「テープ状の接着剤をあらかじめ必要な寸法に切断した後、ダイパッド２の表面に転写する」（第４頁右上欄１８〜２０行）、
「このテープ片１５を第５図に示すように真空チャック１６で吸着し、第６図に示すようにリードフレーム１のダイパッド２に圧着する。」（第４頁左下欄４〜７行）、
「ヒータープレート２４は軸２５に上下動自在に取付けられており、軸２５にはめ込まれたコイルスプリング２６により常時上方向に押し上げられ、通常はストッパ２７に当たる位置に静止している。この状態から、駆動手段（図示せず）によりヒータープレート２４をスプリング２６の付勢力に抗して押し下げると‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥リードフレームのダイパッド表面にテープ２３の接着剤を圧着し、かつヒータープレート２４の熱によって接着剤をダイパッド表面に転写させた後、剥離紙のみを巻取リール１９へ巻取ることができる。」（第４頁右下欄５〜２０行）、
「第１図の実施例に示したリール用の加熱転写治具１３及び第７図，第８図に示したカセット用のヒータープレート２４は、いずれもその先端（テープ押圧面）が平坦である。この場合、テープ押圧面の面粗度（平坦度）および平行度が厳しく要求される。発明者らの実験によれば、面粗度、平行度共に２〜３μｍ以内であれば良好な熱転写が行われる。」（第５頁右上欄９〜１６行）と記載されている。
　　
［４−１−９］刊行物９：特開平６−１０４３００号公報
  刊行物９には、図１、図２が示されるとともに、
「【請求項１】吸着面(3a)が円柱面をなす吸着ヘッド(3) を有し、該吸着ヘッド(3) がその吸着面(3a)に真空吸着して基板(2) 上に搬送したダイボンドテープ(1) を該基板(2) に押圧した後、該吸着面(3a)から圧気を噴射するように構成したことを特徴とするダイボンドテープ貼付け装置。」（【特許請求の範囲】）、
「このダイボンドテープ貼付け装置は、テープ供給部、テープ切断部、テープ搬送部、基板装着部等からなり、テープ供給部の送り機構（例えばグリップフィーダ）がダイボンドテープをリールから所定の寸法だけ引出し、これをテープ切断部のカッタが切断し、これをテープ搬送部の吸着ヘッドが真空吸着して搬送し、基板装着部に装着したカード基板上に貼り付けるように構成されている。」（段落【００１３】）、
「図２(a) 〜(d) は本発明の実施例の方法の説明図である。先ず所定の寸法に切断されたダイボンドテープ１を吸着ヘッド３の吸着面3a（図１参照）に真空吸着する。次に吸着ヘッド３がカード基板２直上に移動し（図２(a) 参照）、更に降下してダイボンドテープ１をカード基板２に押圧する（図２(b) 参照）。その直後、光センサからの信号により電磁切替え弁４（図１参照）が管路を切り替えると共に電磁開閉弁５（図１参照）が開いて、真空吸着が解除されると共に吸引孔3b（図１参照）から圧気（N2）が噴射する。その後、吸着ヘッド３が上昇を開始し（図２(c) 参照）、間もなく電磁開閉弁５が閉じて圧気の噴射が終了する。この圧気噴射によりダイボンドテープ１は全面にわたりカード基板２に密着する（図２(d) 参照）。」（段落【００１６】）と記載されている。
　　
［４−１−１０］刊行物１０：特開昭６０−１４５６３０号公報
  刊行物１０には、第１〜５図が示されるとともに、
「あらかじめ、融着材ＡｕＳｎ６は、直径３０μｍ程度のワイヤ状に引き伸ばしてある。このＡｕＳｎワイヤ６を、表面にＴｉ−Ｐｔ電極を付けた台８の上のシリコンウェーハ１の上に所定の間隔で平行に並べる。ＡｕＳｎが溶けない程度に加熱しその上を台５図のように、ＡｕＳｎワイヤの長さ方向にローラ７をころがし、ＡｕＳｎワイヤを押しつぶすことによって、第２図のようなＡｕＳｎ箔５が付いたシリコンウェーハが得られる。後は前記の実施例と同様に切断してサブマウント部材が得られる。」（第３頁左上欄６〜１６行）と記載されている。
　　
［４−１−１１］刊行物１１：特開平６−７７２６３号公報
　刊行物１１には、
「【請求項１】ウェハーシートからピックアップされた半導体ペレットを一端中間ステージに載置し、位置補正した後、加熱及び加圧によってリードフレームに圧着するダイボンディング装置において、前記リードフレームと前記半導体ペレットを熱圧着する熱圧着ステーションを少なくとも２つ以上有し、各ステーションごとに加熱温度、加圧力、加圧時間をそれぞれ独立して設定することを可能としたことを特徴とするダイボンディング装置。」（【特許請求の範囲】）と記載されている。
　　
［４−１−１２］参考資料１
　参考資料１には、図１として、参考資料６の特許第３１１７９７１号公報（特許権者　日立化成工業株式会社）の明細書に記載された表１、表２のフィルム状有機ダイボンディング材の吸水率の値と飽和吸湿率の値をグラフ化したものが開示され、このグラフにより、該フィルム状有機ダイボンディング材の吸水率の値と飽和吸湿率の値がほぼ正比例することが示されている。
　　
［４−１−１３］参考資料２：「化学大辞典　縮刷版」共立出版株式会社
（１９８９年８月１５日発行）第５３８〜５３９頁
　参考資料２には、表面エネルギーと表面張力とが同じものであることが説明されている。
　　
［４−１−１４］参考資料３：「化学便覧　応用化学編II　材料編」丸善株式会社（平成３年７月１０日発行）第１２２７〜１２３６頁
　参考資料３には、接着剤に使用される高分子の表面張力が一般に３０〜６０dyne　cm-1であることが記載されている。
　　
［４−１−１５］参考資料４：特許第３２１５０１４号公報
　参考資料４は、本件特許公報に該当する。
　　
［４−１−１６］参考資料５：「ゴム・エラストマー活用ノート」株式会社工業調査会（１９９１年７月２０日発行）第４〜５頁
　参考資料５には、原料ゴムのヤング率が約０．２〜０．８ＭＰａであり、加硫ゴムのヤング率が約０．５〜５０ＭＰａであることが述べられている。
　　
［４−１−１７］参考資料６：特許第３１１７９７１号公報（特許権者　日立化成工業株式会社）
　参考資料６には、フィルム状有機ダイボンディング材及びその接着方法について記載されており、表１、表２に、フィルム状有機ダイボンディング材の吸水率の値と飽和吸湿率の値が開示されている。
　　
［５］上記取消理由について
　上記取消理由の対象であった訂正前の請求項２、８、３０は削除され、訂正前の請求項１、３〜７、９〜２９、３３〜３９に係る発明は本件発明１〜２７、３０〜３６にそれぞれ対応するので、本件発明１〜２７、３０〜３６について、以下検討する。
［５−１］本件発明１、７、８について
　本件発明１、７、８と刊行物１〜１１に記載されたものとを対比すると、本件発明１、７、８はそれぞれ、当該発明を特定するために必要な事項として、半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、平面状弾性体、又は表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下であるローラで該支持部材上に押し付け圧着することを具備するものであるが、刊行物１〜１１のいずれにも、上記の事項は記載されておらず、それを示唆するものも見当たらない。即ち、刊行物１〜３には、半導体装置用接着性絶縁テープ、半導体装置用接着フィルム、又は半導体装置用導電性接着フィルムの材質、圧着条件、及び接着力について記載されているが、押し付け圧着手段については記載も示唆もされていない。また、刊行物５、６、８、９には、ダイボンディング用接着テープ、キャリアテープ上の接着剤層、又はダイボンドテープを押し付け圧着する手段について記載されているが、当該手段は、支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたテープ又は接着剤層を、先端が弾性体で構成された圧着子、平面状弾性体、又はローラで押し付け圧着するものではなく、そのように押し付け圧着することを示唆する記載もない。また、刊行物４、７、１０には、金ペースト、ソルダー、ＡｕＳｎ等の融着材を押し付け圧着する手段について記載されているが、当該手段は、支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を該支持部材上に押し付け圧着するものではなく、そのように押し付け圧着することを示唆する記載もない。また、刊行物１１には、半導体ペレットをリードフレームに圧着する装置が記載されているが、フィルム状有機ダイボンディング材を載置仮付けし、それを押し付け圧着することについては記載も示唆もされていない。
　そして本件発明１、７、８は、半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を、先端が弾性体で構成された圧着子、平面状弾性体、又は表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下であるローラで該支持部材上に押し付け圧着することにより、該支持部材上に接着性の良いフィルム状有機ダイボンディング材をボイド無くかつ生産性良く圧着でき、半導体装置実装のはんだリフロー時においてリフロークラックの発生を回避でき、信頼性に優れるという、訂正明細書に記載されたとおりの顕著な効果を奏したものと認められる。
　したがって、本件発明１、７、８は、刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
［５−２］本件発明２〜６、９〜２５について
　本件発明２〜６、９〜２５はいずれも、請求項１、７、８のいずれかを引用することにより、又はその引用する請求項を更に引用することにより、本件発明１、７、８と同じく、半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、平面状弾性体、又は表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下であるローラで該支持部材上に押し付け圧着することを具備する発明であるから、本件発明２〜６、９〜２５は、上記［５−１］欄に記載した本件発明１、７、８と同じ理由により、刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
［５−３］本件発明２６、２７について
  本件発明２６、２７と刊行物１〜１１に記載されたものとを対比すると、本件発明２６、２７は、支持部材上の所定の位置に載置し仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着する、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つのフィルム圧着装置を具備するものであるが、刊行物１〜１１のいずれにも、上記のフィルム圧着装置を開示する記載乃至示唆する記載は見当たらない。即ち、刊行物１〜３には、半導体装置用接着性絶縁テープ、半導体装置用接着フィルム、又は半導体装置用導電性接着フィルムの材質、圧着条件、及び接着力について記載されているが、それらを押し付け圧着する装置については記載も示唆もされていない。また、刊行物５、６、８、９には、ダイボンディング用接着テープ、キャリアテープ上の接着剤層、又はダイボンドテープを押し付け圧着する装置について記載されているが、当該装置は、支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたテープ又は接着剤層を、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つのフィルム圧着装置で押し付け圧着するものではなく、そのように押し付け圧着することを示唆する記載もない。また、刊行物４、７、１０には、金ペースト、ソルダー、ＡｕＳｎ等の融着材を押し付け圧着する装置について記載されているが、当該装置は、支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を該支持部材上に押し付け圧着するものではなく、そのように押し付け圧着することを示唆する記載もない。また、刊行物１１には、半導体ペレットをリードフレームに圧着する装置が記載されているが、フィルム状有機ダイボンディング材の圧着装置については記載も示唆もされていない。
　そして本件発明２６、２７は、支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着する、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つのフィルム圧着装置を具備することにより、支持部材上に接着性の良いフィルム状有機ダイボンディング材をボイド無くかつ生産性良く圧着することができ、半導体装置実装のはんだリフロー時においてリフロークラックの発生を回避でき、信頼性に優れるという、訂正明細書に記載されたとおりの顕著な効果を奏したものと認められる。
　したがって、本件発明２６、２７は、刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
［５−４］本件発明３０〜３６について
　本件発明３０〜３６はいずれも、請求項１、７、８、２６、２７のいずれかを引用することにより、又はその引用する請求項を更に引用することにより、本件発明１、７、８、２６、２７と同じく、半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、平面状弾性体、又は表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下であるローラで支持部材上に押し付け圧着すること、又は、支持部材上の所定の位置に載置し仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着する、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つのフィルム圧着装置を具備する発明であるから、本件発明３０〜３６は、上記［５−１］欄に記載した本件発明１、７、８と同じ理由、又は上記［５−３］欄に記載した本件発明２６、２７と同じ理由により、刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
［５−５］取消理由についての結論
　以上のとおりであるから、本件発明１〜２７、３０〜３６は、刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできず、上記取消理由によって本件発明１〜２７、３０〜３６に係る特許を取り消すことはできない。
　　
［６］特許異議申立てについて
　特許異議の申立ての理由は、訂正前の請求項１〜２、７〜９、１１，１２、１５、１７、１９、２１〜２７、３０に係る発明が、甲第１〜３、５、６、８、９号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反しており、また、訂正前の請求項１〜３９に係る発明が、甲第１〜１０号証に記載された発明に基づいて当業者であれば容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反しており、また、訂正前の請求項１〜３９に係る発明を特定するために必要な事項が、当該発明の目的を達成できるように記載されておらず、当該発明の内容が不明瞭であり、当業者が容易に実施できる程度に開示されていないから、本件明細書の記載が、特許法第３６条第４項、及び第６項（４号を除く）に規定する要件を満足しないというものである。
　しかしながら、上記［５］欄で述べたとおり、訂正前の請求項１、３〜７、９〜２９、３３〜３９に対応する本件発明１〜２７、３０〜３６は、刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないのであるから、刊行物１〜１１のいずれかに該当する甲第１〜１０号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。また、訂正前の請求項３１、３２に対応する本件発明２８、２９は、本件発明２６、２７と同じフィルム圧着装置を具備するのであるから、上記［５−３］欄で述べた本件発明２６、２７と同じ理由により、刊行物１〜１０に該当する甲第１〜１０号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　したがって、上記異議申立ての理由及び証拠から、本件発明１〜３６に係る特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
　また、上記［５−１］、［５−３］欄で述べたとおり、訂正前の請求項１、７、９、１１，１２、１５、１７、１９、２１〜２７に対応する本件発明１、６、７、９、１０、１３、１５、１７、１９〜２５はいずれも、半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、平面状弾性体、又は表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下であるローラで該支持部材上に押し付け圧着すること、又は、支持部材上の所定の位置に載置し仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着する、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つのフィルム圧着装置を具備しているのに対し、上記刊行物１〜３、５、６、８、９に該当する甲第１〜３、５、６、８、９号証には、これらの事項が記載も示唆もされていないのであるから、本件発明１、６、７、９、１０、１３、１５、１７、１９〜２５は、甲第１〜３、５、６、８、９号証に記載された発明であるとすることができない。
　したがって、上記異議申立ての理由及び証拠から、本件発明１、６、７、９、１０、１３、１５、１７、１９〜２５に係る特許が特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものとすることはできない。
　また、訂正明細書の段落【００１５】，【００２２】，図３，図４，図９には、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、平面状弾性体、又はローラで圧着することにより、脱気が効率良く行え、気泡、ボイドの混入を防ぐことができ、均一で信頼性の高い接着性を得ることができると記載されるとともに、上記圧着子、平面状弾性体、ローラの材質、構造等が開示され、更に同段落【００３４】の実施例１には、仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である図３の圧着子で圧着することにより、ボイドが観察されなかった旨記載されているのであるから、フィルム状有機ダイボンディング材の吸水率、飽和吸湿率、残存揮発分、表面エネルギー、ボイド体積率、ピール強度、フィルムサイズ、乾燥条件、圧着条件等の条件を備えていないからといって、リフロークラックの原因となるボイドの発生を防ぎ、信頼性に優れる半導体装置を生産性良く製造するという本件発明の目的が達成できないとはいえない。
　してみると、訂正明細書には、本件発明１〜３６を特定するために必要な事項が、当該発明の目的を達成できるように記載されておらず、当該発明の内容が不明瞭であり、当業者が容易に実施できる程度に発明が開示されていないとすることはできない。
　したがって、上記異議申立ての理由から、訂正前の請求項１、３〜７、９〜２９、３１〜３９に対応する本件発明１〜３６に係る特許が特許法第３６条第４項、及び第６項（４号を除く）の規定に違反してされたものとすることはできない。
　　
［７］むすび
　以上のとおりであるから、上記取消理由及び上記異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月２９日（２００４．９．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
フィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法、ダイボンディング方法、ラミネート装置、ダイボンディング装置、半導体装置および半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】所定の大きさ
に切断され又は打ち抜かれた
　【請求項２】圧着子が、平滑先端面を有する圧着子本体と圧着子本体先端部を被覆する板状弾性体で構成されている請求項１記載のラミネート方法。
　【請求項３】圧着子本体の平滑先端面の面精度が、中心線平均粗さ１５μｍ以下の精度である請求項
２
　【請求項４】弾性体のヤング率が０．２〜５０ＭＰａである請求項１
〜３
　【請求項５】弾性体の表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下である請求項１
〜４
　【請求項６】圧着子の圧力が０．０３〜２ＭＰａである請求項１
〜５
　【請求項７】　所定の大きさ
に切断され又は打ち抜かれた
　【請求項８】所定の大きさ
に切断され又は打ち抜かれた
　【請求項９】平面状弾性体の表面平滑性が中心線平均粗さ１０μｍ以下である請求項
７
　【請求項１０】フィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に５０〜３０００ｇの荷重で押し付け圧着する請求項
７
　【請求項１１】フィルム状有機ダイボンディング材をダイボンディング材のガラス転移温度Ｔｇ以上でかつ熱分解温度以下の温度に加熱された支持部材上に押し付け圧着する請求項１
〜１０
　【請求項１２】フィルム状有機ダイボンディング材を８０〜３００℃に加熱された支持部材上に押し付け圧着する請求項１
〜１０
　【請求項１３】所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材がフィルム打ち抜き装置により打ち抜かれたものである請求項１
〜１２
　【請求項１４】フィルム打ち抜き装置により打ち抜かれる前のフィルム状有機ダイボンディング材のフィルム張力を０．０５〜１０ＭＰａに調整する請求項１
３
　【請求項１５】所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材がフィルム切断装置により切断されたものである請求項１
〜１２
　【請求項１６】所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材の加工精度が±２００μｍ以下である請求項１
３
５
　【請求項１７】所定の大きさに加工されたフィルム状有機ダイボンディング材を、２以上の真空吸着口を設けた保持部材で保持し支持部材の所定の位置に載置する請求項１
〜１６
　【請求項１８】フィルム状有機ダイボンディング材が、材料ワニスをキャリアフィルムに塗工し溶剤を揮発させキャリアフィルムから剥離したものであり、フィルム状有機ダイボンディング材のキャリアフィルム側に接していた面の反対側の面を支持部材に接するようにしてフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に載置する請求項１
〜１７
　【請求項１９】所定の大きさで、吸水率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする
請求項１，７及び８のいずれかに記載の
　【請求項２０】　所定の大きさで、飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする
請求項１，７及び８のいずれかに記載の
　【請求項２１】所定の大きさで、残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする
請求項１，７及び８のいずれかに記載の
　【請求項２２】所定の大きさで、表面エネルギーが４０ｅｒｇ／ｃｍ２以上のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする
請求項１，７及び８のいずれかに記載の
　【請求項２３】所定の大きさで、半導体素子を支持部材に接着する段階でダイボンディング材中及びダイボンディング材と支持部材との界面に存在するボイドがボイド体積率１０％以下であるフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする
請求項１，７及び８のいずれかに記載の
　【請求項２４】所定の大きさで、半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とする
請求項１，７及び８のいずれかに記載の
　【請求項２５】請求項１
〜２４
　【請求項２６】フィルム状有機ダイボンディング材を一定量送り出す供給装置と、フィルム状有機ダイボンディング材を打ち抜く装置と、打ち抜かれたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上の所定の位置に載置し仮付けするフィルム仮付け装置と、仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着するフィルム圧着装置とを備え、
　上記フィルム圧着装置が、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つを備えることを特徴とするラミネート装置。
　【請求項２７】フィルム状有機ダイボンディング材を一定量送り出す供給装置と、フィルム状有機ダイボンディング材を切断する切断装置と、切断したフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上の所定の位置に載置し仮付けするフィルム仮付け装置と、仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着するフィルム圧着装置とを備え、
　上記フィルム圧着装置が、先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面の圧着前の形状が凸状曲面である圧着子、ローラおよび平面状弾性体から選ばれる少なくとも一つを備えることを特徴とするラミネート装置。
　【請求項２８】圧着子が、平滑先端面を有する圧着子本体と圧着子本体先端部を被覆する板状弾性体で構成されている請求項２
６
７
　【請求項２９】圧着子本体の平滑先端面の面精度が、中心線平均粗さ１５μｍ以下の精度である請求項
２８
　【請求項３０】弾性体のヤング率が０．２〜５０ＭＰａである請求項２
６〜２９
　【請求項３１】フィルム圧着装置の圧着面の表面平滑性が中心線平均粗さ１μｍ以下である請求項２
６〜３０
　【請求項３２】請求項２
６〜３１
　【請求項３３】請求項２
６〜３１
　【請求項３４】請求項１
〜２４
６
６〜３１
２
３
　【請求項３５】請求項１
〜２４
６
６〜３１
２
３
　【請求項３６】請求項３
５
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体素子をフィルム状有機ダイボンディング材を用いてリードフレーム等の支持部材に接着させるためのフィルム状有機ダイボンディング材のラミネ−ト方法、ダイボンディング方法、ラミネ−ト装置及びダイボンディング装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、半導体素子をリードフレームに接着させる方法としては、リードフレーム上にダイボンディング材料を供給し半導体チップを接着する方法が用いられてきた。これらの材料としては、例えばＡｕ−Ｓｉ共晶、半田、樹脂ペーストなどが知られている。この中で、Ａｕ−Ｓｉ共晶は高価かつ弾性率が高く又接着部分を加振する必要があるという問題がある。半田は融点温度以上に耐えられずかつ弾性率が高いという問題がある。樹脂ペーストでは銀ペーストが最も一般的であり、銀ペーストは、他材料と比較して最も安価で耐熱信頼性が高く弾性率も低いため、ＩＣ、ＬＳＩのリードフレームの接着材料として最も多く使用されている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、近年になって高集積化が進み半導体素子が大型化したため、接着時に銀ペーストを塗布部全面に均一に塗ることが困難となってきている。均一に樹脂ペーストが塗布できないと接着部にボイドが発生し、実装時の半田付け熱処理でパッケージクラックを起こす原因となり問題となっていた。
　【０００４】
　また電子機器の小型・薄型化による高密度実装の要求が、近年、急激に増加してきており、半導体パッケージは、従来のピン挿入型に代わり、高密度実装に適した表面実装型が主流になってきた。
　この表面実装型パッケージは、リードをプリント基板等に直接はんだ付けするために、加熱方法としては、赤外線リフローやベーパーフェーズリフロー、はんだディップなどにより、パッケージ全体を加熱して実装される。
　この際、パッケージ全体が２１０〜２６０℃の高温にさらされるため、パッケージ内部に水分が存在すると、水分の爆発的な気化により、パッケージクラック（以下リフロークラックという）が発生する。
　このリフロークラックは、半導体パッケージの信頼性を著しく低下させるため、深刻な問題・技術課題となっている。
　【０００５】
　ダイボンディング材に起因するリフロークラックの発生メカニズムは、次の通りである。半導体パッケージは、保管されている間に（１）ダイボンディング材が吸湿し、（２）この水分がリフローはんだ付けの実装時に、加熱によって水蒸気化し、（３）この蒸気圧によってダイボンディング層の破壊やはく離が起こり、（４）リフロ−クラックが発生する。
　封止材の耐リフロークラック性が向上してきている中で、ダイボンディング材に起因するリフロ−クラックは、特に薄型パッケージにおいて、重大な問題となっており、耐リフロークラック性の改良が強く要求されている。
　本発明は、パッケージクラックが起こらず信頼性に優れる半導体パッケ−ジを生産性良く製造することを可能とするラミネ−ト方法、ダイボンディング方法、ラミネ−ト装置及びダイボンディング装置を提供するものである。
　更に本発明は、フィルム状有機ダイボンディング材を使用し、リフロ−クラックが発生せず、信頼性に優れる半導体装置及びその製造法を提供するものである。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明では、フィルム状有機ダイボンディング材を用いる。これはたとえばエポキシ樹脂、シリコ−ン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料を主体にした（有機材料に金属フィラ−、無機質フィラ−を添加したものも含む）フィルム状のもので、リードフレーム等の支持部材上にフィルム状有機ダイボンディング材を加熱した状態で圧着させ、更に、その上に半導体素子を重ねて加熱圧着させるものである。すなわち樹脂ペーストをフイルム化することによって接着部分に均一にダイボンディング材料を付けようとするものである。このようなフィルム状有機ダイボンディング材は圧力をかけてフィルム状ダイボンディング材料の半導体素子及びリードフレームへのぬれ性を確保する必要がある。
　本発明のフィルム状有機ダイボンディング材は、例えばポリイミド、エポキシ樹脂等の有機材料、必要に応じて金属フィラ−等の添加物等の材料を有機溶媒に溶解・分散させ塗工用ワニスとし、この塗工用ワニスを二軸延伸ポロプロピレンフィルム等のキャリアフィルムに塗工し溶剤を揮発させキャリアフィルムから剥離して製造する。溶剤を揮発させる乾燥工程で、空気側に接していた面（キャリアフィルム側に接していた面の反対の面）をＡ面と、キャリアフィルム側に接していた面をＢ面とする。
　本発明は、フィルム状有機ダイボンディング材を実際の半導体装置組立て工程に適用するための、ボイド発生がなくかつ生産性のよいフィルム状有機ダイボンディング材のラミネ−ト方法、ダイボンディング方法、ラミネ−ト装置およびダイボンディング装置を提供するものである。
　【０００７】
　本発明のフィルム状有機ダイボンディング材のラミネ−ト方法は、所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することを特徴とするものである。
　【０００８】
　本発明のダイボンディング方法は、所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けし、そのフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着することにより、所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置にラミネ−トし、半導体素子を支持部材上のフィルム状有機ダイボンディング材の所定の位置に加熱圧着させることを特徴とするものである。
　【０００９】
　本発明の第一のラミネ−ト装置は、フィルム状有機ダイボンディング材を一定量送り出す供給装置と、フィルム状有機ダイボンディング材を打ち抜く装置と、打ち抜かれたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上の所定の位置に載置し仮付けするフィルム仮付け装置と、仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着するフィルム圧着装置とを備えている。
　【００１０】
　本発明の第二のラミネ−ト装置は、フィルム状有機ダイボンディング材を一定量送り出す供給装置と、フィルム状有機ダイボンディング材を切断する切断装置と、切断したフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上の所定の位置に載置し仮付けするフィルム仮付け装置と、仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着するフィルム圧着装置とを備えている。
　【００１１】
　本発明のダイボンディング装置は、前記第一または第二のラミネ−ト装置と、半導体素子を支持部材上のフィルム状有機ダイボンディング材の所定の位置に加熱圧着させるチップ圧着装置とを備えている。
　【００１２】
　本発明の装置は、フィルム状有機ダイボンディング材を一定量送り出すフィルム供給／巻き取り部と、フィルム状有機ダイボンディング材を精度良く打ち抜く打ち抜き部、打ち抜かれたフィルム状有機ダイボンディング材をリードフレーム上の定位置に仮圧着する仮圧着部（フィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上の所定の位置に載置し仮付けするフィルム仮付け装置）と、仮圧着後加熱圧着する本圧着部（仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着するフィルム圧着装置）から構成される。フィルム状有機ダイボンディング材はリール状で供給されるので、フィルム供給／巻き取り部は、フィルムを巻き取ったリールから供給する機構と打ち抜かれ残ったフィルムを巻き取る機構から構成される。打ち抜き部は、フィルムを打ち抜くダイ／パンチ機構から構成され、仮圧着部は打ち抜かれたフィルム状有機ダイボンディング材を保持し、リードフレーム上の目的の位置に仮圧着（フィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上の所定の位置に載置し仮付け）する機構から構成される。本圧着部は、リードフレーム及び／またはフィルム状有機ダイボンディング材を加熱する機構と、フィルムを本圧着（フィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着）する機構で構成される。なお、これらの機構が各々分離できない機構であってもかまわない。例えば、フィルムの打ち抜きパンチが仮圧着の圧着子を兼ねているなどの場合で、各機能が達成できれば特に機構を分離する必要はない。
　【００１３】
　図１〜４により説明する。フィルム供給部では、リール１より供給されたフィルム状有機ダイボンディング材（以下図１〜４についての説明ではフィルムと略す）２が、定テンションローラ１０とガイドローラ１２、送りローラ１３により一定の張力に御制され、送りローラ１１とガイドローラ１３により定寸法でピッチ送りされ、打ち抜き部を通り巻き取りリール３により巻き取られる。定テンションローラ１０は、フィルムの張力を制御できる調整機構とパウダーブレーキ、摩擦ブレーキなどで構成されるがこれらに限定されるものではない。送りローラ１１は、フィルムを定寸法でピッチ送りできるステッピングモータなどで駆動されるがこれらに限定されるものではない。巻き取りリール３は、送りローラで送られたフィルムを巻き取る。フィルム供給時の適正な張力としては、０．０５〜１０ＭＰａであることが好ましい。０．０５ＭＰａ未満ではフィルムに弛みが発生し横方向のずれを引き起こしたり、打ち抜き不良が発生する。一方、張力が１０ＭＰａを超えると、フィルムが伸びて打ち抜き不良を発生したり、伸びによりフィルム厚さが不均一になりボイドが発生する傾向がある。また張力が打ち抜き後のフィルム破断強度を超えればフィルムが破断するからである。
　【００１４】
　打ち抜き部でフィルム２は、パンチ４が降下することによりダイ６の位置で所定形状に打ち抜かれる。打ち抜かれる前のフィルム張力は０．０５〜１０ＭＰａに調整するのが好ましい。０．０５ＭＰａ未満ではフィルムの張力が不足して打ち抜き時の精度が低下するまた１０ＭＰａを超えるとフィルムの伸びによる変形が起りフィルムの厚さが不均一になり、ボイドが発生する傾向がある。
　フィルム２は必要に応じ固定パンチ５により固定される。パンチ４には、真空吸着などのフィルム吸着機構を設ける。この機構により打ち抜かれたフィルムは、パンチ４に吸着保持される。フィルム吸着機構としては２以上の真空吸着口を設けるのが好ましい。１つの真空吸着口ではフィルムが動き位置精度が低下するからである。真空吸着口の大きさは、直径２ｍｍ以下が好ましい。２ｍｍを超えると穴の跡がフィルムに残りボイドが発生する傾向がある。仮圧着部では、走行テーブル８が、リードフレーム７を定位置に保持してＡの位置に停止している。パンチ４は打ち抜き後フィルムを保持しながら更に降下し、リードフレームにフィルムを仮圧着する。仮圧着はリードフレーム上のパターン数により必要回数行う。図２にリ−ドフレ−ムの平面図を示す。
　【００１５】
　次に、走行テーブルを本圧着部のＢ位置まで移動させる。走行テーブルには加熱機構が内蔵され、リードフレームを所定の温度に加熱している。仮圧着されたリードフレーム上の各フィルムは、Ｂ位置で圧着子９により脱気と同時に本圧着される。圧着子表面は脱気と加熱圧着を効率良く行うために、耐熱性弾性体であることが好ましい。弾性体でないと脱気が効率良く行えないからである。また、弾性体形状は圧着前の断面形状は中央が凸状の曲面であることが好ましい。中央が凸型の曲面であれば、圧着が中央から行われボイド無くフィルムが圧着できるからである。
　【００１６】
　この凸状の曲面を備えた圧着子の例を図３、図４に示した。図３は表面を凸型に加工した弾性体１４を圧着子本体の先端表面に固定したものであり、図４は均一厚みの板状の弾性体１４を圧着子本体の側面から固定して取り付けたものである。１５は固定金具である。図４の圧着子は平滑先端面を有する圧着子本体と圧着子本体先端部を被覆する板状弾性体で構成されている。板状弾性体はコアの平滑先端面により加圧される。圧着子本体の平滑先端面の面精度は中心線平均粗さ１５μｍ以下の精度であることが好ましい。表面精度が中心線平均粗さ１５μｍを超えると弾性体を通して圧着子本体先端面の凹凸状態が転写されボイドが発生する場合がある。
　弾性体のヤング率は０．２〜５０ＭＰａが好ましい。０．２ＭＰａ未満では弾性体が柔らかすぎてボイドを十分押し出すことができない場合があり、５０ＭＰａを超えると弾性体が硬すぎて同様にボイドを十分押し出すことができない場合がある。弾性体としては、シリコンゴム、フッ素ゴム、イソブチレンイソプレンゴム、ニトリルブタジエンゴム等のゴム、弾性率をコントロールするためにプラスチックで変性したプラスチック変性ゴム、ゴムで変性したゴム変性プラスチック等が使用でき、これ以外の弾性体であっても耐熱性が充分であれば構わない。弾性体の表面平滑性は中心線平均粗さ１０μｍ以下が好ましい。１０μｍを超えるとボイドが発生する傾向がある。
　【００１７】
　フィルムの圧着条件としては、ボイドが残留せず必要な接着強度が得られるようにするため、加熱温度が８０〜３００℃、圧着力が０．０３〜２ＭＰａが好ましい。加熱温度が８０℃未満では加熱圧着がうまくいかず、３００℃を超えると温度が高すぎて同様に加熱圧着がうまくいかない場合があるからである。また、０．０３ＭＰａ未満では圧着力が弱すぎてボイドが残留してしまい、２ＭＰａを超えると圧着力が強すぎてフィルムが変形する場合があるからである。
　【００１８】
　リードフレーム上にフィルムが接着されたリードフレームは、次工程で半導体素子（チップ）を加熱圧着後硬化させ強固に接着させる。この工程は、通常行われている樹脂ペーストを用いた方法と同一方法の方法が採用される。
　【００１９】
　図５〜１０は本発明の他の装置を示すもので、図５は正面図、図６は平面図、図７はフレ−ム搬送レ−ル部の簡略平面図、図８は供給装置、切断装置部の簡略断面図、図９はフィルム状有機ダイボンディング材を均一に押しつけるフィルム圧着装置部の簡略断面図、図１０はリードフレームの平面図である。
　図５〜１０に於て、２１はフィルム状有機ダイボンディング材（フィルムと略す）リ−ル、２２はフィルム送り用ピンチロ−ラ、２３はフィルム押えシリンダ、２４はフィルムカット用シリンダ、２５はフレ−ム搬送用アクチュエ−タ、２６はフレ−ム搬送レ−ル、２７はフィルム吸着パッド送りシリンダ、２８は予熱ヒ−タ、２９はフィルム加熱張り付け部、３０はチップ加熱張り付け部、３１は加熱圧着部、３２は圧着部位置決め、３３はチップトレイ、３４はフィルム吸着パッド、３５はチップ張り付け装置、３６はフィルム、３７はカッタ−、３８ａはリードフレームを余熱するためのヒートブロック、３８ｂはリードフレームにフィルムを加熱圧着するためのヒートブロック、３８ｃはフィルム上に半導体素子を加熱圧着するためのヒートブロック、３８ｄは加熱圧着した半導体素子を再加熱して本圧着させるためのヒートブロック、３９はリ−ドフレ−ム、４０はロ−ラ、４１はリ−ドフレ−ムのダイパッド部である。
　【００２０】
　フィルム状有機ダイボンディング材（フィルム）は切断装置により所定の大きさに切断されるが、切断等の加工精度は±２００μｍ以内であることが確認された。これより切断精度が悪く、フィルムがチップより大きくなった場合にははみ出してクラックが発生する起点となり、チップより小さくなった場合には、接着性が低下する。
　【００２１】
　本発明のリードフレームを予熱するためのヒートブロック（３８ａ）は、リードフレームをフィルム状有機ダイボンディング材を加熱圧着するためのヒートブロック（３８ｂ）に移動させたときに短時間で目的の温度に到達させることができる。本発明のそれぞれ独立に温度調節が可能なリードフレームを予熱するためのヒートブロック（３８ａ）、リードフレームにフィルム状有機ダイボンディング材を加熱圧着するためのヒートブロック（３８ｂ）、フィルム状有機ダイボンディング材の上に半導体素子を加熱圧着するためのヒートブロック（３８ｃ）、加熱圧着した半導体素子を再加熱して本圧着させるためのヒートブロック（３８ｄ）は、それぞれ別々の温度に設定することが可能であり、フィルム状有機ダイボンディング材の最も好適な温度条件で接着することができる。
　【００２２】
　本発明の仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を均一に押しつけるローラー装置等のフィルム圧着装置は、半導体素子をリードフレーム等の支持部材に接着させたときのダイボンディング材層の中への気泡・ボイドの混入を防ぎ、均一で信頼性の高い接着性を得ることができる。
　フィルム圧着装置としては、ステンレス等の金属製、テフロン製等のロ−ラ、シリコンゴム等の平面状弾性体が好ましい。シリコンゴムとしては、ＪＩＳ硬度でＪＩＳ−Ａ４０〜８０度の耐熱シリコンゴムが好ましく、ＪＩＳ−Ａ４５〜５５度の耐熱シリコンゴムが更に好ましい。
　フィルム圧着装置の圧着部分の表面平滑性は重要であり、中心線平均粗さ１０μｍ以下である。これより値が大きいと圧着装置の凹凸がフィルムに転写され接着性が低下することが確認された。
　【００２３】
　リ−ドフレ−ム等の支持部材上に載置したフィルムをフィルム本圧着装置で圧着する荷重は５０〜３０００ｇである。圧着荷重が５０ｇ未満であると張り付け性が悪くなり、３０００ｇを超えるとリ−ドフレ−ムがゆがむため好ましくない。
　【００２４】
　フィルム状ダイボンディング材料（フィルム）をリ−ドフレ−ム等の支持部材上に圧着する温度は、フィルムのガラス転移温度Ｔｇ（動的粘弾性測定におけるα緩和ピ−ク温度）以上で熱分解温度（熱重量分析における重量減少開始温度）以下である。フィルム圧着温度がＴｇ未満では張り付け性が低下し、熱分解温度を超えるとフィルムが熱分解し接着性が低下するので好ましくない。
　半導体素子をリ−ドフレ−ム等の支持部材上に圧着されたフィルムに接着する温度は、Ｔｇ＋７０℃以上で熱分解温度以下である。半導体素子の接着温度がＴｇ＋７０℃未満であると接着性が低下し、熱分解温度を超えるとフィルムが熱分解し接着性が低下するので好ましくない。
　【００２５】
　本発明のダイボンディング装置は、好ましくはフィルム状有機ダイボンディング材を一定量送り出す供給装置と、フィルム状有機ダイボンディング材を切断する装置と、切断したフィルム状有機ダイボンディング材を吸着してヒートブロック上であらかじめ加熱されたリードフレーム上の決められた場所に加熱圧着させるフィルム仮付け装置と、仮付けしたフィルム状有機ダイボンディング材を均一に押しつけるフィルム圧着装置と、半導体素子をヒートブロック上で加熱されたリードフレームにつけたフィルム状有機ダイボンディング材の決められた位置に加熱仮圧着させるチップ仮圧着装置と、ヒートブロック上で加熱しながらリードフレームに付けたフィルム状有機ダイボンディング材と半導体素子を再加熱本圧着させるチップ本圧着装置とを備えるようにすることができる。
　【００２６】
　以上、本発明を打ち抜き装置または切断装置により所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材とする場合についてそれぞれ説明したが、所定の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材を半導体素子搭載用支持部材上の所定の位置に載置仮付けする方法および装置、フィルム状有機ダイボンディング材を支持部材上に押し付け圧着する方法および装置は、打ち抜き装置を使用した場合として説明したものは切断装置使用の場合に、切断装置を使用した場合として説明したものは打ち抜き装置使用の場合に、それぞれ相互に共通して使用すことができる。
　【００２７】
　本発明のラミネ−ト方法、ダイボンディング方法、ラミネ−ト装置またはダイボンディング装置を使用して支持部材に半導体素子を搭載し、更にワイヤボンディング、半導体素子の樹脂封止等通常の半導体装置製造で用いられる工程を経て半導体装置を製造する。
　【００２８】
　図１１は、本発明の半導体装置の製造工程の一例を示すものである。
　フィルム状有機ダイボンディング材１０１はロ−ルからカッタ−１０２で所定の大きさに切断される（図１１（ａ））。
　フィルム状有機ダイボンディング材１０１は本発明のラミネ−ト方法で熱盤１０７上でリ−ドフレ−ム１０５のダイパッド部１０６に圧着子１０４で圧着される（図１１（ｂ））。圧着条件は、温度１００〜２５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力１００〜５０００ｇが好ましい。
　ダイパッド部１０６に貼付られたフィルム状有機ダイボンディング材１０１に半導体素子１０８を載せ加熱圧着（ダイボンド）する（図１１（ｃ））。ダイボンドの条件は、温度１５０〜３５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力１０〜３０００ｇが好ましい。
　その後ワイヤボンド工程（図１１（ｄ））を経て、半導体素子の樹脂封止工程（図１１（ｅ））を経て、半導体装置を製造する。１０９は封止樹脂である。
　【００２９】
　本発明で、フィルム状有機ダイボンディング材を圧着する支持部材としては、リードフレームのダイパッド部、パッドレスのリ−ドフレ−ム部（ＬＯＣ）、セラッミク配線板、ガラスエポキシ配線板、ガラスポリイミド配線板の半導体素子搭載部等がある。
　本発明で、フィルム状有機ダイボンディング材としては単一層の場合について説明したが、二層、三層等多層の構造とすることができる。
　【００３０】
　本発明のラミネ−ト方法では、例えばポリイミド、エポキシ樹脂等の有機材料、必要に応じて金属フィラ−等の添加物等の材料を有機溶媒に溶解・分散させ塗工用ワニスとし、この塗工用ワニスを二軸延伸ポロプロピレンフィルム等のキャリアフィルムに塗工し溶剤を揮発させキャリアフィルムから剥離して製造したフィルム状有機ダイボンディング材の、溶剤を揮発させる乾燥工程で、空気側に接していた面（キャリアフィルム側に接していた面の反対の面）をＡ面と、キャリアフィルム側に接していた面をＢ面とすると、Ａ面を支持部材に接するようにしてラミネ−トするようにすれば、このラミネ−ト方法を使用して製造された半導体装置はリフロ−クラックの発生が回避でき、信頼性に優れる半導体装置を製造することができる。
　【００３１】
　発明では、
（１）吸水率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（２）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（３）残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（４）表面エネルギ−が４０ｅｒｇ／ｃｍ２以上のフィルム状有機ダイボンディング材、
（５）半導体素子を支持部材に接着する段階でダイボンディング材中及びダイボンディング材と支持部材の界面に存在するボイドがボイド体積率１０％以下であるフィルム状有機ダイボンディング材、
（６）半導体素子を支持部材に接着した段階でのピ−ル強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材
を使用すれば、リフロ−クラックが発生せず信頼性に優れる半導体装置の製造にとって更に好ましい。
　【００３２】
（１）吸水率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（２）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（４）表面エネルギ−が４０ｅｒｇ／ｃｍ２以上のフィルム状有機ダイボンディング材
（６）半導体素子を支持部材に接着した段階でのピ−ル強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材は、フィルム状有機ダイボンディングの組成、例えばポリイミド等のポリマ−の構造や銀等のフィラ−含量を調整することにより製造することができる。
（３）残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材
（５）半導体素子を支持部材に接着する段階でダイボンディング材中及びダイボンディング材と支持部材の界面に存在するボイドがボイド体積率１０％以下であるフィルム状有機ダイボンディング材は、フィルム状有機ダイボンディングの製造条件、例えば乾燥温度、乾燥時間等を調整することにより製造することができる。
　【００３３】
　本発明では、フィルム状有機ダイボンディング材は上記の物性・特性の二以上を兼ね備えることができる。
　兼ね備えることが好ましい物性・特性としては、例えば
（Ａ）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下かつ残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（Ｂ）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下かつ半導体素子を支持部材に接着した段階でのピ−ル強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材、
（Ｃ）残存揮発分が３．０ｗｔ％以下かつ半導体素子を支持部材に接着した段階でのピ−ル強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材、
（Ｄ）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下、残存揮発分が３．０ｗｔ％以下かつ半導体素子を支持部材に接着した段階でのピ−ル強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材
である。
　【００３４】
　【実施例】
　実施例１
　図２に示すリードフレームを、図１の走行テーブル８上に乗せＡ位置に移動した。走行テーブルのリードフレームは、走行テ−ブル内部に取り付けられたヒータにより１８０℃に加熱されている。ダイボンディングフィルムは、ポリイミド系樹脂に銀粉をメインフィラーとした幅１０ｍｍ、厚さ４０μｍ、長さ５ｍのものである。このフィルムを巻き取った直径１００ｍｍのリール１を供給部にセットし１ＭＰａの張力がテープにかかるよう定テンションローラ１０、送りローラ１１で、フィルム２を送りだした。次に、フィルム固定パンチ５でフィルムを固定し、パンチ４とダイ６でフィルムを打ち抜き、パンチ４に付けた真空吸着で打ち抜いたフィルムを吸着した。パンチ４は直径１．２ｍｍの吸着口を２つ持っている。このパンチ４はさらに降下し、リードフレーム上のダイパッドにフィルムを仮圧着後、真空吸着を解除して上昇させた。次に、巻き取りリール３により、フィルム２を１２ｍｍ送り出した。走行テーブルは半導体チップのピッチ２０ｍｍ分移動させた。この状態で再度フィルム２を打ち抜き仮圧着した。これを５回行いリードフレーム上の全てのダイパッド上にフィルムを仮圧着した。仮圧着の終了したリードフレームを、走行テーブルによりＢ位置に移動した。Ｂ位置で図３に示す圧着子により０．８ＭＰａの圧力で圧着した。図３の圧着子は、弾性体であるシリコンゴムの中央をわずか凸型に加工して圧着子先端表面に固定したものである。圧着したボンディングフィルム上に、通常の方法で１０×１５ｍｍの半導体チップを加熱圧着し２５０℃の温度で硬化した。この半導体チップ５個を搭載したリードフレーム４枚を軟Ｘ線によりボイド評価を行ったところボイドは観察されなかった。
　【００３５】
　比較例１
　従来から使用されてきた銀ペーストを実施例で使用したダイパッド上に塗布した。次に、通常の方法で１０×１５ｍｍの半導体チップを加熱圧着し２５０℃の温度で硬化した。この半導体チップ５個を搭載したリードフレーム４枚を軟Ｘ線によりボイド評価を行ったところ３個に１ｍｍ以下のボイドが、６個に０．５ｍｍ以下のボイドが観察された。
　【００３６】
　実施例２〜７、比較例２〜５
　ポリイミド１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く攪拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。この塗工ワニスをキャリアフィルム（二軸延伸ポリプロピレンフィルム）上に塗工し、加熱炉で１２０℃、７５分加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、ダイボンディングフィルムを製造する。この乾燥工程において、空気側に接していた面をＡ面、キャリアフィルム側に接していた面をＢ面とする。
　リードフレームのタブへダイボンディングフィルムを貼り付ける。Ａ面をリードフレーム側、Ｂ面を空気側にして貼り付けると、ダイボンディングフィルムとリードフレームとの界面及びフィルム中にボイドが発生することなく、良好な貼付を行うことができる。貼付には先端が弾性体で構成されかつその弾性体表面形状が凸状曲面である圧着子を使用した。
　界面のボイドは、目視により観察して評価する。フィルム中のボイドは、サンプルをポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して評価する。
　フィルムを貼り付けたリードフレームへ、温度２２０℃、荷重２００ｇ、時間５ｓｅｃで、チップをマウントする。封止材でモールドし半導体装置とする。
　封止後のサンプルを８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０ｓｅｃ加熱する。その後、サンプルをポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、リフロークラックの発生数を評価することにより耐リフロークラック性の評価を行った。耐リフロークラック性の評価結果を表１に示す。
　【００３７】
　【００３８】
　実施例８
　日立化成工業株式会社製ポリイミド（ビストリメリテ−ト系酸無水物と芳香族ジアミンとから合成されるホリイミド）１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表２に示す組成、吸水率のフィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　図１１に示すように、リードフレームのタブ上に、表２のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、荷重１０００ｇ、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した。（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロ−クラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表２に示す。
　【００３９】
　【００４０】
　吸水率測定方法。
　５０×５０ｍｍの大きさのフィルムをサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥重量を測定しＭ１とする。サンプルを蒸留水に室温で２４時間浸せきしてから取り出し、サンプル表面をろ紙でふきとり、すばやく秤量してＭ２とする。
　　［（Ｍ２−Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００＝吸水率（ｖｏｌ％）
として、吸水率を算出した。ｄはフィルム状有機ダイボンディング材の密度である。
　【００４１】
　実施例９
　日立化成工業株式会社製ポリイミド（ビストリメリテ−ト系酸無水物と芳香族ジアミンとから合成されるホリイミド）１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表３に示す組成、飽和吸湿率のフィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　図１１に示すように、リードフレームのタブ上に、表３のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、荷重１０００ｇ、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した。（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロ−クラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表３に示す。
　【００４２】
　【００４３】
　飽和吸湿率測定方法
　直径１００ｍｍの円形フィルム状有機ダイボンディング材をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥重量を測定しＭ１とする。サンプルを８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽中で吸湿してから取り出し、すばやく秤量して秤量値が一定になったとき、その重量をＭ２とする。
　　［（Ｍ２−Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００＝飽和吸湿率（ｖｏｌ％）
として、飽和吸湿率を算出した。ｄはフィルム状有機ダイボンディング材の密度である。
　【００４４】
　実施例１０
　日立化成工業株式会社製ポリイミド（ビストリメリテ−ト系酸無水物と芳香族ジアミンとから合成されるホリイミド）１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、溶媒としてジメチルアセトアミド１４０ｇ、シクロヘキサノン１４０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で８０℃から１２０℃の温度に加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表４に示す残存揮発分のダイボンディングフィルムを製造した。ただし、１２０℃より乾燥温度が高い場合には、ＯＰＰフィルム上で８０℃、３０分乾燥させた後、フィルム状有機ダイボンディング材をＯＰＰフィルムからはく離し、これを鉄枠にはさんで固定してから、乾燥機中であらためて加熱し、乾燥させた。
　図１１に示すように、リードフレームのタブ上に、表５のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、荷重１０００ｇ、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した。（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロ−クラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表４に示す。
　【００４５】
　【００４６】
　残存揮発分測定方法
　５０×５０ｍｍの大きさのフィルム状有機ダイボンディング材をサンプルとし、サンプルの重量を測定しＭ１とし、サンプルを熱風循環恒温槽中で２００℃２時間加熱後、秤量してＭ２とする。
　　［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００＝残存揮発分（ｗｔ％）
として、残存揮発分を算出した。
　【００４７】
　実施例１１
　日立化成工業株式会社製ポリイミド（ビストリメリテ−ト系酸無水物と芳香族ジアミンとから合成されるホリイミド）１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表５に示す組成、表面エネルギ−のフィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　図１１に示すように、リードフレームのタブ上に、表５のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、荷重１０００ｇ、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した。（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロ−クラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表５に示す。
　【００４８】
　【００４９】
　表面エネルギー測定方法
　フィルム状有機ダイボンディング材の表面に対する水及びジヨードメタンの接触角を接触角計を用いて測定した。測定した水及びジヨードメタンの接触角から、幾何平均法を使って、図１２に示す式により算出した。
　【００５０】
　実施例１２
　日立化成工業株式会社ポリイミド（ビストリメリテ−ト系酸無水物と芳香族ジアミンとから合成されるホリイミド）１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、溶媒としてジメチルアセトアミド１４０ｇ、シクロヘキサノン１４０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で８０℃から１２０℃の温度に加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表６に示すボイド体積率のダイボンディングフィルムを製造した。
　ただし、１２０℃より乾燥温度が高い場合には、ＯＰＰフィルム上で８０℃３０分乾燥させた後、フィルム状有機ダイボンディング材をＯＰＰフィルムからはく離し、これを鉄枠にはさんで固定してから、乾燥機中であらためて加熱し、乾燥させた。
　ここで、ボイド体積率とは、半導体素子を支持部材に接着する段階でダイボンディング材中及びダイボンディング材と支持部材の界面に存在するボイドのボイド体積率である。
　図１１に示すように、リードフレームのタブ上に、表５のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、荷重１０００ｇ、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した。（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロ−クラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表６に示す。
　【００５１】
　【００５２】
　ボイド体積率測定方法
　リードフレームとシリコンチップとをフィルム状有機ダイボンディング材で接着し、サンプルを作成し、軟Ｘ線装置を用いて、サンプル上面から観察した画像を写真撮影した。写真のボイドの面積率を画像解析装置によって測定し、上面から透視したボイドの面積率＝ボイドの体積率（％）とした。
　【００５３】
　実施例１３
　日立化成工業株式会社製ポリイミド（ビストリメリテ−ト系酸無水物と芳香族ジアミンとから合成されるホリイミド）１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表６に示す組成、ピ−ル強度のフィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　ここでピ−ル強度は、半導体素子を支持部材にフィルム状有機ダイボンディング材を介して接着した段階でのフィルム状有機ダイボンディング材のピ−ル強度である。
　図１１に示すように、リードフレームのタブ上に、表７のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、荷重１０００ｇ、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した。（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロ−クラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表７に示す。
　【００５４】
　【００５５】
　ピール強度測定方法
　リードフレームのタブ表面等の半導体素子を支持する支持部材に、５×５ｍｍの大きさのシリコンチップ（試験片）をフィルム状有機ダイボンディング材をはさんで接着したものを、２４０℃の熱盤上に２０秒間保持し、図１３に示すように、プッシュプルゲージを用いて、試験速度０．５ｍｍ／分でピール強度を測定した。図１３に於いて、１２１は半導体素子、１２２はフィルム状有機ダイボンディング材、１２３はリ−ドフレ−ム、１２４はブッシュブルゲ−ジ、１２５は熱盤である。尚、この場合は２４０℃、２０秒間に保持して測定したが、半導体装置の使用目的によって半導体装置を実装する温度が異なる場合は、その半導体装置実装温度で保持して測定する。
　【００５６】
　実施例１４
　日立化成工業株式会社製ポリイミド（ビストリメリテ−ト系酸無水物と芳香族ジアミンとから合成されるホリイミド）１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を７４ｇ加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させフィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　図１１に示すように、リードフレームのタブ上に、フィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、荷重１０００ｇ、時間５秒で、半導体素子をマウントた。このとき表７に示すサイズのフィルム状有機ダイボンディング材を使用した。次に、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した。（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロ−クラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表８に示す。
　【００５７】
　【００５８】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明の方法、装置を使用すれば、リードフレーム等の支持部材上に接着性の良いフィルム状有機ダイボンディング材をボイド無くかつ生産性良く圧着することができ、本発明の方法、装置を使用して製造された半導体装の置実装時のパッケージクラックを回避することができる。
　また本発明の半導体装置は、半導体装置実装のはんだリフロー時においてリフロ−クラックの発生を回避することができ、信頼性に優れる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明のラミネ−ト装置の一実施例の正面図。
　【図２】リードフレームの平面図。
　【図３】圧着子の一例を示す断面図。
　【図４】圧着子の他の一例を示す断面図。
　【図５】本発明のダイボンディング装置の一実施例の正面図。
　【図６】本発明のダイボンディング装置の一実施例の平面図。
　【図７】フレ−ム搬送レ−ル部の簡略平面図。
　【図８】供給装置、切断装置部の簡略断面図。
　【図９】フィルム圧着装置部の簡略断面図。
　【図１０】リードフレームの平面図。
　【図１１】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す断面図。
　【図１２】表面エネルギーを算出する計算式。
　【図１３】プッシュプルゲージを用いてピール強度測定する方法を説明する正面図。
　【符号の説明】
　　１：リール
　　２：フィルム状有機ダイボンディング材（フィルム）
　　３：巻き取りリール
　　４：パンチ
　　５：固定パンチ
　　６：ダイ
　　７：リードフレーム
　　８：走行テーブル
　　９：圧着子
　１０：定テンションローラ
　１１：送りロ−ラ
　１２：ガイドローラ
　１３：ガイドローラ
　１４：弾性体
　１５：固定金具
　２１：フィルムリ−ル
　２２：フィルム送り用ピンチロ−ラ
　２３：フィルム押えシリンダ
　２４：フィルムカット用シリンダ
　２５：フレ−ム搬送用アクチュエ−タ
　２６：フレ−ム搬送レ−ル
　２７：フィルム吸着パッド送りシリンダ
　２８：予熱ヒ−タ
　２９：フィルム加熱張り付け部
　３０：チップ加熱張り付け部
　３１：加熱圧着部
　３２：圧着部位置決め
　３３：チップトレイ
　３４：フィルム吸着パッド
　３５：チップ張り付け装置
　３６：フィルム
　３７：カッタ−
　３８ａ：リードフレームを余熱するためのヒートブロック
　３８ｂ：リードフレームにフィルムを加熱圧着するためのヒートブロック
　３８ｃ：フィルム上に半導体素子を加熱圧着するためのヒートブロック
　３８ｄ：加熱圧着した半導体素子を再加熱して本圧着させるためのヒートブロック
　３９：リ−ドフレ−ム、
　４０：ロ−ラ
　４１：リ−ドフレ−ムのダイパッド部
　　１０１．フィルム状有機ダイボンディング材
　　１０２．カッタ−
　　１０３．ガイドロ−ル
　　１０４．圧着子
　　１０５．リ−ドフレ−ム
　　１０６．ダイパッド部
　　１０７．熱盤
　　１０８．半導体素子
　　１０９．封止樹脂
　　１２１．半導体素子
　　１２２．フィルム状有機ダイボンディング材
　　１２３．リ−ドフレ−ム
　　１２４．ブッシュブルゲ−ジ
　　１２５．熱盤