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【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽圧呼吸療法の提供に用いられるインタフェースにおいて、前記インタフェースが、
マスクシールとマスクベースとを含むマスクアセンブリであって、全面的に使用者の顔の鼻の鼻梁より下側に位置決めされるように構成された、且つ前記使用者の前記鼻の鼻尖の露出をもたらすように構成されたマスクアセンブリ；
を含み、
前記マスクベースが、中心部分と、前記中心部分の後方に湾曲する一対のウィングとを含み、前記ウィングが前記中心部分より大きい垂直方向の広がりを有し、前記マスクベースの前記中心部分にコネクタ用の開口が形成され；
前記マスクシールが前記マスクベースに連結され、前記マスクシールが前記マスクベースに隣接して肉厚化領域を含み、前記マスクシールが、下側部分にある少なくとも１つの口用開口と、上側部分にある少なくとも１つの鼻用開口とを含み、前記少なくとも１つの口用開口が、前記コネクタ用の前記開口の反対側に位置決めされ、前記少なくとも１つの鼻用開口が、前記コネクタ用の前記開口と前記口用開口との間に前後方向に位置決めされ；
且つ、前記マスクシールが第１のパドルと第２のパドルとを含み、前記第１のパドルと前記第２のパドルとの間に上面が位置決めされ、それにより前記第１のパドルと前記上支持面と前記第２のパドルとによって上方に開放した谷部が画定され、前記少なくとも１つの鼻用開口の少なくとも一部分が、前記谷部の範囲内で前記上面に位置決めされ、前記第１のパドルが第１のポケットを含み、前記第２のパドルが第２のポケットを含み、前記第１及び第２のポケットが、前記マスクアセンブリ内に画定されるチャンバと流体連通している、インタフェース。
【請求項２】
前記マスクシールが、前記使用者の前記鼻の下で、前記鼻に隣接する前記使用者の顔の一部分に沿って、且つ前記使用者の口の周りで密閉するように適合される、請求項１に記載のインタフェース。
【請求項３】
前記マスクアセンブリが、前記使用者の前記鼻の前方に向く部分を一切覆わないように構成される、請求項１又は２に記載のインタフェース。
【請求項４】
前記上面が、前記第１及び第２のパドルの内側部分の間にハンモック状に吊り下がる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインタフェース。
【請求項５】
前記上面に対する下向きの圧力により、前記第１及び第２のパドルが互いの方に撓む、請求項４に記載のインタフェース。
【請求項６】
前記シール部材が、前記使用者の前記顔に接触するように適合された後面を含み、前記後面が第１の突起と第２の突起とを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインタフェース。
【請求項７】
前記第１の突起の少なくとも一部分及び前記第２の突起の少なくとも一部分が、垂直方向において前記上面と前記少なくとも１つの口用開口の最上部との間に位置決めされる、請求項６に記載のインタフェース。
【請求項８】
前記第１の突起の前記一部分が第１の尖端を含み、前記第２の突起の前記一部分が第２の尖端を含む、請求項７に記載のインタフェース。
【請求項９】
前記第１の尖端及び前記第２の尖端が、垂直方向において前記少なくとも１つの鼻用開口の一部分と前記少なくとも１つの口用開口との間に位置決めされる、請求項８に記載のインタフェース。
【請求項１０】
前記第１の尖端及び前記第２の尖端が、垂直方向において前記少なくとも１つの口用開口と比べて前記少なくとも１つの鼻用開口のより近くに位置決めされる、請求項９に記載のインタフェース。
【請求項１１】
前記マスクシールが、前記顔の２つの位置に係留するように適合される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のインタフェース。
【請求項１２】
前記マスクシールが、前記下唇より下側及び前記鼻より下側に係留するように構成される、請求項１１に記載のインタフェース。
【請求項１３】
前記マスクシールが、前記下唇より下側ながら前記顎よりは上側及び前記鼻より下側に係留するように構成される、請求項１１に記載のインタフェース。
【請求項１４】
前記２つの位置は前記鼻の底部より下側にあるが、前記マスクシールは前記鼻の前記底部を越えて上方に延在する、請求項１１に記載のインタフェース。
【請求項１５】
前記マスクシールが、垂直方向において最上係留位置より上側の位置で顔に当接して密閉するように適合される、請求項１４に記載のインタフェース。
【請求項１６】
前記上面が、前記少なくとも１つの鼻用開口を取り囲む領域で下方及び後方に傾斜している、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインタフェース。
【請求項１７】
前記第１のパドル及び前記第２のパドルの内側に向く部分と比べて、外周部分の硬さが増加している、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインタフェース。
【請求項１８】
前記第１のパドル及び前記第２のパドルの前記内側に向く部分と比べて、前記外周部分の厚さが増加している、請求項１７に記載のインタフェース。
【請求項１９】
前記マスクアセンブリと前記使用者の前記顔との間に僅かに上向きの力の加力を提供するように適合されたヘッドギアアセンブリをさらに含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のインタフェース。
【請求項２０】
前記マスクアセンブリ及び前記ヘッドギアアセンブリが、垂直方向には前記眼より上側のいかなる位置においても、水平方向には前記眼の外側の間の位置で、前記マスクアセンブリ又は前記ヘッドギアアセンブリの一部分が前記使用者の前記顔に接触しないように構成される、請求項１９に記載のインタフェース。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月21日(2015.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オシロメトリック測定から導出される末梢脈波形を処理して対応する動脈内波形を推定する方法であって、
前記末梢脈波形をそれぞれのフィルタを用いてフィルタリングして複数の波形を提供するステップと、
前記複数の波形を時分割多重化して、前記推定された動脈内波形を表す結合波形を提供するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記末梢脈波形が、第１周波数でフィルタリングされて第１フィルタリング波形を提供し、第２周波数でフィルタリングされて第２フィルタリング波形を提供し、
前記第１周波数が心周期の第１時相に関連し、前記第２周波数が前記心周期の第２時相に関連する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の波形のうちの少なくとも１つが、結合される前に変換されるか、および／または、
前記複数の波形のうちの少なくとも１つが、結合される前に増幅される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１時相が、前記心周期の収縮期であるか、
前記第１時相が、前記心周期の収縮期を開始する急な立上りであるか、および／または、
前記第２時相が、前記心周期の拡張期である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１周波数が、前記心周期の収縮期の最高周波数に対応するか、
前記第１周波数が、３Ｈｚと２０Ｈｚとの間の周波数であるか、
前記第１周波数がおよそ３．２Ｈｚであるか、
前記第２周波数が、前記心周期の拡張期の最高周波数に対応するか、
前記第２周波数が、１．５Ｈｚと２０Ｈｚとの間の周波数であるか、および／または、
前記第２周波数がおよそ１．７５Ｈｚである、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記末梢脈波形が、第１ハイパスフィルタによってフィルタリングされて前記第１フィ
ルタリング波形を提供し、
第２ハイパスフィルタによってフィルタリングされて前記第２フィルタリング波形を提供する、請求項２〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１ハイパスフィルタが、前記第２ハイパスフィルタより高次であるか、
前記第１ハイパスフィルタが７次フィルタであるか、および／または、
前記第２ハイパスフィルタが４次フィルタである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
平滑化フィルタを用いて前記結合波形を平滑化するステップをさらに含み、
前記平滑化フィルタが２０Ｈｚを超える周波数を減衰させる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記平滑化フィルタが、カットオフ周波数がおよそ６Ｈｚであるローパスフィルタである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記平滑化フィルタが、前記第１ハイパスフィルタおよび前記第２ハイパスフィルタより低次であるか、または、前記平滑化フィルタが３次フィルタである、請求項４に従属する請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記結合波形が全心周期である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記末梢脈波形が、対象となるヒトから収集された測定データのものであり、
前記対象となるヒトの末梢収縮期血圧および拡張期血圧が得られ、
前記方法が、前記推定された動脈内波形、前記末梢収縮期血圧および前記拡張期血圧を使用して真の平均動脈内圧を計算するステップと、前記真の平均動脈内圧を使用して推定された中心圧力波形を計算するステップと、をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のフィルタのうちの少なくとも１つがバターワースフィルタである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
オシロメトリック測定から導出される末梢脈波形を処理して対応する動脈内波形を推定する装置であって、
前記末梢脈波形を受け取る入力と、
前記末梢脈波形を第１周波数でフィルタリングして第１フィルタリング波形を提供するように構成された第１フィルタと、
末梢脈波形を第２周波数でフィルタリングして第２フィルタリング波形を提供するように構成された第２フィルタと、
時分割マルチプレクサと、
前記推定された動脈内波形を出力する出力と、
を具備し、
前記時分割マルチプレクサが、前記第１フィルタリング波形および前記第２フィルタリング波形を結合して、前記推定された動脈内波形を生成する、装置。
【請求項１５】
前記第１周波数が３Ｈｚと２０Ｈｚとの間の周波数であるか、
前記第１周波数がおよそ３．２Ｈｚであるか、
前記第２周波数が１．５Ｈｚと２０Ｈｚとの間の周波数であるか、および／または、
前記第２周波数がおよそ１．７５Ｈｚである、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１フィルタおよび前記第２フィルタがハイパスフィルタであり、
前記第１フィルタが前記第２フィルタより高次であり、
前記出力波形をフィルタリングする平滑化フィルタをさらに具備し、
前記平滑化フィルタが、２０Ｈｚを超える周波数を減衰させる、請求項１４または１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記平滑化フィルタが、カットオフ周波数がおよそ６Ｈｚであるローパスフィルタである、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記推定された動脈内波形が、前記第１フィルタリング波形、前記第２フィルタリング波形およびフィルタリングされていない末梢脈波形の時分割多重を含む、請求項１６または１７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月2日(2015.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融ブローシステムであって、
対設されたエンドプレートの間で互いに締め付けられ固定された複数のプレートを有したダイ集成体と、
前記ダイ集成体に形成され第１流体を移送する第１流路と、
前記第１流路に連通するように１または複数の前記プレートに形成され前記第１流体を収集する第１のキャビティであって、アキュムレーターキャビティを形成する第１のキャビティと、
１または複数の前記プレートに形成され前記エンドプレートの一方に形成された流体入口から第２の流体を受入れる入口流路と、
１または複数の前記プレートに形成され前記入口流路から前記第２の流体を受け取り第２流体を前記ダイ集成体を通じて流通させる第１通路と、
１または複数の前記プレートに形成され前記入口流路から前記第２の流体を受け取る第２通路と、
前記ダイ集成体に形成され前記第１通路に連通し、複数の第１のスリットを具備する複数の第１ノズルと、
前記ダイ集成体に形成され前記第２通路に連通し、前記複数の第１のスリットとは異なる複数の第２のスリットを具備する複数の第２ノズルと、
前記ダイ集成体に形成され前記アキュムレーターキャビティに連通し、複数の第２のスリットを具備する複数の第３ノズルとを具備し、
前記複数の第３のノズルは第１の方向に所定間隔で配置され、前記複数の第１のノズルと第２のノズルの少なくとも一方が前記第１の方向に配置された第３のノズルの間に交互に配置されており、
前記複数の第１のスリットと複数の第２のスリットは、前記複数のプレートのうちの同一のプレートに形成されている溶融ブローシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月11日(2015.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の半導体材料を含み、アスペクト比が1.0〜2.0の間の、但し1.0及び2.0を含まない、異方性ナノ結晶コア、及び
異方性ナノ結晶コアを少なくとも部分的に取り囲む第二の、異なる半導体材料を含むナノ結晶シェル、を含む半導体構造。
【請求項２】
異方性ナノ結晶コアのアスペクト比が約1.01〜1.2である、請求項１記載の半導体構造。
【請求項３】
異方性ナノ結晶コアがナノ結晶シェルに対して非対称な向きで配置される、請求項１記載の半導体構造。
【請求項４】
ナノ結晶シェルが長軸を有し、及び、異方性ナノ結晶コアが該長軸方向に中心からずれて配置される、請求項３記載の半導体構造。
【請求項５】
ナノ結晶シェルが短軸を有し、及び、異方性ナノ結晶コアが該短軸方向に中心からずれて配置される、請求項３記載の半導体構造。
【請求項６】
ナノ結晶シェルが長軸を有し、及び異方性ナノ結晶子が、該長軸方向に中心からさらにずれて配置される、請求項５記載の半導体構造。
【請求項７】
ナノ結晶シェルがロッド形状のナノ結晶シェルである、請求項１記載の半導体構造。
【請求項８】
第一及び第二の半導体材料が、夫々、第II-VI族材料、第III-V族材料、第IV-VI族材料、第I-III-VI族材料、及び第II-IV-VI族材料からなる群より選ばれる、請求項１記載の半導体構造。
【請求項９】
第一及び第二の半導体材料の双方が第II-VI族材料であり、第一の半導体材料がセレン化カドミウム(CdSe)であり、第二の半導体材料が硫化カドミウム (CdS)、硫化亜鉛(ZnS)及びセレン化亜鉛(ZnSe)からなる群より選ばれる、請求項８記載の半導体構造。
【請求項１０】
ナノ結晶シェルを少なくとも部分的に取り囲むナノ結晶外側シェルさらに含み、該ナノ結晶外側シェルは、第一及び第二の半導体材料と異なる第三の半導体材料を含む、請求項１記載の半導体構造。
【請求項１１】
第一の半導体材料はセレン化カドミウム(CdSe)であり、第二の半導体材料は硫化カドミウム(CdS)であり、及び第三の半導体材料は硫化亜鉛(ZnS)である、請求項１０記載の半導体構造。
【請求項１２】
ナノ結晶シェルが長軸及び短軸を有し、長軸は約5〜40ナノメートルの長さを有し、短軸は、ナノ結晶シェルの短軸と平行な方向の異方性ナノ結晶コアの直径より約1〜5ナノメートル大きい、請求項１記載の半導体構造。
【請求項１３】
異方性ナノ結晶コアが約2〜5ナノメートルの直径を有する、請求項１２記載の半導体構造。
【請求項１４】
異方性ナノ結晶コアが約2〜5ナノメートルの直径を有し、及び、異方性ナノ結晶コア上の、ナノ結晶シェルの短軸に沿った方向のナノ結晶シェルの厚みが、約1〜5ナノメートルの第二の半導体材料である、請求項１記載の半導体構造。
【請求項１５】
第一及び第二の半導体材料が単結晶である、請求項１記載の半導体構造。
【請求項１６】
異方性ナノ結晶コア及びナノ結晶シェルが量子ドットを形成する、請求項１記載の半導体構造。
【請求項１７】
量子ドットが少なくとも90％のフォトルミネッセンス量子収率(PLQY)を有する、請求項１６記載の半導体構造。
【請求項１８】
量子ドットの吸収スペクトル及び発光スペクトルが本質的に重複しない、請求項１６記載の半導体構造。
【請求項１９】
量子ドットの、400ナノメートルでの吸収対量子ドットの励起子ピークでの吸収の吸収比が約5〜35である、請求項１６記載の半導体構造。
【請求項２０】
第一の半導体材料を含むナノ結晶コア；及び
ナノ結晶コアを少なくとも部分的に取り囲む第二の、異なる半導体材料を含むナノ結晶シェル、
を含む量子ドットであって、少なくとも90％のフォトルミネッセンス量子収率(PLQY)を有する、量子ドット。
【請求項２１】
発光ダイオード、及び
複数の量子ドット、
を含む照明装置であって、各量子ドットが
第一の半導体材料を含むナノ結晶コア；及び
ナノ結晶コアを少なくとも部分的に取り囲む第二の異なる半導体材料を含む、ナノ結晶シェル、
を含み、該量子ドットが少なくとも90％のフォトルミネッセンス量子収率(PLQY)を有する、照明装置。
【請求項２２】
各量子ドットからの発光が、ほとんど又は全部、ナノ結晶コアからである、請求項２１記載の照明装置。
【請求項２３】
各量子ドットの吸収スペクトル及び発光スペクトルが本質的に重複しない、請求項２１記載の照明装置。
【請求項２４】
各量子ドットの、400ナノメートルでの吸収対量子ドットの励起子ピークでの吸収の吸収比が約5〜35である、請求項２１記載の照明装置。
【請求項２５】
各量子ドットがダウンコンバートする量子ドットである、請求項２１記載の照明装置。
【請求項２６】
第一の半導体材料を含む異方性ナノ結晶コア；及び
異方性ナノ結晶コアを少なくとも部分的に取り囲む第二の、異なる半導体材料を含むナノ結晶シェルであって、異方性ナノ結晶コアはナノ結晶シェルに対して非対称な向きで配置されている、ナノ結晶シェル
を含む半導体構造。
【請求項２７】
ナノ結晶シェルが長軸を有し、及び、異方性ナノ結晶コアが、長軸方向に中心からずれて配置される、請求項２６記載の半導体構造。
【請求項２８】
ナノ結晶シェルが短軸を有し、及び異方性ナノ結晶コアが短軸方向に中心からずれて配置される、請求項２６記載の半導体構造。
【請求項２９】
ナノ結晶シェルが長軸を有し、及び異方性ナノ結晶コアが長軸方向に中心からさらにずれて配置される、請求項２８記載の半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月26日(2015.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライドリング（１）と、カウンタリング（２）と、前記スライドリングの弾性マウント部（３）とを備える、アキシアル軸受であって、前記スライドリング（１）は一部構成であり、前記スライドリング（１）の動作面において、安定した流体潤滑膜が構築されるのを可能とする構造体を有し、前記動作面は、該動作面が３つ以上のエレベーション（６）を有するような方式で構造化され、前記動作面の接触領域（８）は、前記カウンタリング（２）に向かって平坦である、アキシアル軸受。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月10日(2015.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の内輪ケージランドの間に内輪溝を有する、回転する内輪と、
前記内輪を取り囲むことにより、その間に環状形状の空洞を画定し、一対の外輪ケージランドの間にあり前記内輪溝と対向する、回転しない外輪溝を有する外輪と、
前記内輪と前記外輪の間に配設され、回転する際、前記内輪溝および前記外輪溝と接触する回転要素と、
前記回転要素の間を分離して維持するために前記内輪と前記外輪の間に配設されるケージであって、側部レールと、その間のスペーサとを備え、これらが一緒にポケットを画定し、前記ポケットの中で前記各々の回転要素が個々に収容され、前記側部レールが、前記外輪の前記外輪ケージランドに面する前記ケージの一対の外側の対立する面と、前記内輪の前記内輪ケージランドに面する、前記ケージの対向するように配設された一対の内側の対立する面とを画定するケージと、
前記内輪と前記外輪の間の前記空洞に潤滑剤を取り込むための手段と、
前記ケージの前記ポケットの中に空気が進入することを可能にする前記ケージ内の機構と
を備え、
前記ケージ内の機構は、前記ケージの前記側部レールの少なくとも一方を貫通する貫通穴機構を含み、
前記貫通穴機構は、前記軸受の一対の軸方向の端部の少なくとも一方を取り囲む外部環境に前記ケージの前記内側の対立する面を流体式に直接相互接続し、
前記ケージ内の機構は、前記ポケットに進入した空気が前記潤滑剤を前記軸受の前記空洞から排出させるよう構成され、
前記貫通穴機構は、前記ケージの前記側部レールの１つにある第１の穴と、前記ケージの前記内輪の内径にある少なくとも１つの第２の穴とを備え、該第１及び第２の穴が流路により流体的に直接相互接続している
動的に潤滑される軸受。
【請求項２】
前記貫通穴機構が、前記回転要素が前記内輪溝および外輪溝の中で進行する方向に対して鋭角で傾斜されるように配向される、請求項１記載の動的に潤滑される軸受。
【請求項３】
前記貫通穴機構が、２．５ｍｍミリメートル未満の直径を有する、請求項１記載の動的に潤滑される軸受。
【請求項４】
前記ケージの前記ポケットの角に画定される凹部をさらに備え、前記凹部が、前記ポケット内で前記回転要素の周りに潤滑剤の流路を画定する、請求項１記載の動的に潤滑される軸受。
【請求項５】
前記機構の数が、前記回転要素の数に一致する、請求項１記載の動的に潤滑される軸受。
【請求項６】
前記潤滑剤取込み手段が、前記内輪を貫通する少なくとも１つのオリフィスである、請求項１記載の動的に潤滑される軸受。
【請求項７】
前記回転要素の各々の隣接する対が、前記ケージの前記スペーサの１つによって隔てられ、前記ケージが、前記回転要素に面する前記スペーサの面上にへこんだくぼみを備える、請求項１記載の動的に潤滑される軸受。
【請求項８】
請求項１の前記動的に潤滑される軸受を動的に潤滑する方法であって、
前記軸受をガスタービンエンジン内に設置することで、前記ガスタービンエンジンの圧縮機とタービンを相互接続するシャフトを支持するステップと、
前記内輪と前記外輪の間の前記空洞内に潤滑剤を取り込むステップと、
前記外輪に対して前記内輪を回転させることで、前記機構を介して前記ケージの前記ポケットに空気が進入し、前記潤滑剤が前記軸受の前記空洞を出るようにするステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月19日(2015.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結ニッケル−チタン−希土類（Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ）合金を形成する方法であって、
電源に連結可能な電気伝導性ダイおよびパンチを含む粉末固結ユニットにＮｉ、Ｔｉ、および希土類成分の少なくとも１つをそれぞれ含む１つ以上の粉末を添加することと、
約３５℃／ｍｉｎ以下のランプ速度で前記１つ以上の粉末を、該粉末を通してパルス電流を通すことによって焼結温度にまで加熱することと、
前記焼結温度で前記粉末に圧力を加えることと、
約３５ａｔ．％〜約６５ａｔ．％の濃度のＮｉ、
約３５ａｔ．％〜約６５ａｔ．％の濃度のＴｉ、および
約１．５ａｔ．％〜約１５ａｔ．％の濃度の希土類成分、
を含む焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金を形成することと、
を含む、
方法。
【請求項２】
前記焼結温度が前記希土類成分の軟化温度範囲内にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記軟化温度範囲が約０．４５・Ｔｍ〜約０．６・Ｔｍに等しく、ここで、Ｔｍは、前記希土類成分の絶対融解温度である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記軟化温度範囲が、前記希土類成分が１７〜２０のロックウェル（Ｅ）硬度を有する焼結温度範囲である、請求項1乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記希土類成分が、希土類元素または希土類元素を含む化合物を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金が前記焼結温度で形成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ランプ速度が約２５℃／ｍｉｎである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記圧力が約４５ＭＰａ〜約１１０ＭＰａの間にある、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金が理論密度の少なくとも約９５％の密度を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記希土類成分が、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｙ、およびＹｂからなる群から選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記焼結温度が約６５０℃〜約８５０℃である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記希土類成分がＥｒであり、かつ前記焼結温度が約７５０℃〜約８００℃である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ以上の粉末がＮｉ元素粉末およびＴｉ元素粉末を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つ以上の粉末が予合金Ｎｉ−Ｔｉ粉末を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記１つ以上の粉末が予合金ＲＥ−Ｘ粉末を含み、ここで、Ｘは、ＡｇおよびＡｕから選択される元素である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記１つ以上の粉末が希土類元素粉末を含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記希土類成分を含む前記１つ以上の粉末が、ＦｅおよびＢから選択されるドーパントをさらに含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金を熱間加工することをさらに含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
焼結中の前記圧力を増大させて焼結温度の低下を補償することが可能である、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記粉末の平均粒子サイズを低減して焼結温度の低下を補償することが可能である、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
約３５ａｔ．％〜約６５ａｔ．％の濃度のＮｉ、
約３５ａｔ．％〜約６５ａｔ．％の濃度のＴｉ、および
約１．５ａｔ．％〜約１５ａｔ．％の濃度の希土類（ＲＥ）成分、
を含む焼結ニッケル−チタン−希土類（Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ）合金であって、
前記焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金が、マトリックス相および第２相を含み、前記第２相が、前記マトリックス相中に個別の領域を構成するとともにＲＥ元素を含む、焼結ニッケル−チタン−希土類（Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ）合金。
【請求項２２】
前記合金が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｄ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、ＴＩ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ｖ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＳｃおよびＹからなる群から選択される追加の合金元素をさらに含む、請求項２１に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項２３】
前記追加の合金元素が、ＦｅおよびＡｇからなる群から選択される、請求項２２に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項２４】
前記第２相が前記追加の合金元素を含む、請求項２２または２３に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項２５】
前記第２相が式ＭｘＲＥｙを有し、式中、Ｍは、前記追加の合金元素である、請求項２２〜２４のいずれか一項に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項２６】
前記Ｍが、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒｄ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、希土類元素、およびＹからなる群から選択される、請求項２５に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項２７】
前記第２相がＮｉを含む、請求項２１乃至２６のいずれかに記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項２８】
前記第２相が式ＲＥｘＮｉｙを有する、請求項２７に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項２９】
前記第２相が、ＧｄｘＮｉｙ、ＮｄｘＮｉｙ、およびＥｒｘＮｉｙからなる群から選択される、請求項２８に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項３０】
前記第２相が前記追加の合金元素およびＮｉを含む、請求項２1〜２９のいずれか一項に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項３１】
前記第２相がＴｉを含む、請求項２１〜３０のいずれか一項に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項３２】
前記第２相の個別粒子が約１〜約５００ミクロンの平均サイズを有する、請求項２１〜３１のいずれか一項に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項３３】
前記マトリックス相がＮｉＴｉを含む、請求項２１〜３２のいずれか一項に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【請求項３４】
約４５ａｔ％〜５５ａｔ％の濃度のＮｉ、
約４５ａｔ％〜５５ａｔ％の濃度のＴｉ、および
約２．５ａｔ％〜１２．５ａｔ％の濃度の希土類（ＲＥ）成分
を含む、請求項２１〜３３のいずれか一項に記載の焼結Ｎｉ−Ｔｉ−ＲＥ合金。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板上にバリア層を製造する方法であって、
大気圧プラズマを利用して前記フレキシブル基板上に無機酸化物層を堆積させる第１のステップと、
前記無機酸化物層上に１〜７０層の原子層（ＡＬＤ）を連続的に堆積させることを含む第２のステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のステップは、大気圧グロー放電（ＡＰＧＤ）プラズマ装置を利用して実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のステップは、前記無機酸化物層を１０〜１００ｎｍの厚さに堆積させることを含む、請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のステップは，０．３〜１０％の気孔率を有する前記無機酸化物層を堆積させることを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のステップは、プラズマアシスト原子層堆積（ＡＬＤ）法を利用して実行される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のステップは、熱原子層堆積（ＡＬＤ）法のステップを利用して実行される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記無機酸化物層は、シリコン酸化物層である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のステップで堆積されたＡＬＤ層は、０．５〜１０ｎｍ、より好ましくは０．５〜５ｎｍの厚さを有するＡｌ２Ｏ３である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
気孔率が０．３〜１０％である、厚さ１０〜１００ｎｍの無機酸化物層と、０．５〜１０ｎｍのＡＬＤ層から成る、フレキシブルバリア基板。
【請求項１０】
前記ＡＬＤ層は０．５〜５ｎｍの厚さを有する、請求項９に記載のフレキシブルバリア基板。
【請求項１１】
前記無機酸化物層はＳｉＯ２層であり、
前記ＡＬＤ層はＡｌ２Ｏ３層である、
請求項９に記載のフレキシブルバリア基板。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー・ダイレクト・ストラクチャリング基板中のシードを活性化し、銅層を無電解堆積するための方法で、以下のステップからなる：
・ネルンスト還元ポテンシャルＥ°が＋０．３５Ｖ以下である還元剤を含む活性剤溶液と、レーザー・ダイレクト・ストラクチャリング基板を接触させ、レーザー・ダイレクト・ストラクチャリング基板の曝露金属シード（種）を活性化するステップ；および
・前記活性化基板を無電解銅めっき組成物と接触させ、銅を堆積させるステップ。
【請求項２】
前記基板が、活性剤溶液と５℃〜９５℃の範囲の温度で接触される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記基板が、前記活性剤溶液と１０秒〜３０分間の範囲の時間、接触処理される、請求項１または２の方法。
【請求項４】
前記基板が、ポリアミド（ＰＡ）、  ポリウレタン（ＰＵ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、これらのブレンド、コポリマーまたは複合構造体からなる群の材料から少なくとも部分的に作られる、請求項１から３の何れかによる方法。
【請求項５】
前記還元剤が、アルカリ水素化ホウ素、アルカリ亜硫酸塩、アルカリジチオン酸塩、アルカリチオ硫酸塩、および亜鉛、またはそれらの混合物からなる群の少なくとも一つの化合物である、請求項１〜３の何れかによる方法。
【請求項６】
前記還元剤が、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、ジメチルアミノホウ素、亜硫酸ソーダ、次亜リン酸ソーダ、チオ硫酸リチウム、ホルムアルデヒド、ギ酸アンモニウム、グリオキザール酸、レゾルシン、ヒドラジン、ヒドラジン水和物、またはこれらの混合物からなる群の少なくとも一つの化合物である請求項１〜３の何れかの方法。
【請求項７】
前記活性剤溶液に含有される前記還元剤が、０．００１モル／ｌ〜５．０モル／ｌの範囲である請求項１〜３の何れかによる方法。
【請求項８】
前記活性剤溶液は、安定剤、錯化剤、および界面活性剤からなる群の少なくとも一つの添加剤を追加して含む、請求項１〜３の何れかによる方法。
【請求項９】
前記活性剤溶液が、０〜１４の範囲のｐＨ値を有する、請求項１〜３の何れかによる方法。
【請求項１０】
活性剤溶液とレーザー・ダイレクト・ストラクチャリング基板を接触させるステップの前に、金属シード（種）を放出し、レーザー・ダイレクト・ストラクチャリング基板を生成する、非導電性基板に埋め込まれた非導電性金属−有機化合物を含む基板をレーザー・ダイレクト・ストラクチャリングするステップを含む、請求項１〜３の何れかによる方法。
【請求項１１】
活性剤溶液とレーザー・ダイレクト・ストラクチャー基板とを接触させるステップ、および無電解めっき組成物と活性化基板とを接触させるステップの間に銅めっき操作を行なわずに、前記無電解銅めっき組成物と接触させるステップが行われる、請求項１〜３の何れかによる方法。
【請求項１２】
前記銅の堆積が単一の堆積ステップで行われる、請求項１〜３の何れかによる方法。
【請求項１３】
レーザー・ダイレクト・ストラクチャリング基板の表面に無電解銅堆積を施す方法で、当該方法は、以下の工程からなる：
レーザー・ダイレクト・ストラクチャリング基板内の曝露金属シーズを活性化するために、ネルンスト還元ポテンシャルＥoが＋０．３５Ｖ以下である還元剤を含む活性剤溶液とレーザー・ダイレクト・ストラクチャリング基板を接触するステップ；
その後で、活性化剤溶液とは異なる金属塩溶液と前記基板を接触させ；および
その後で、無電解めっき組成物と前記活性化基板を接触させるステップ。
【請求項１４】
前記基板が、少なくともＣｕＳＯ４、またはＰｄＣｌ２の何れか１種を含む金属塩溶液と接触される、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記金属塩溶液中の濃度が、０．０００１モル／ｌ〜０．１モル／ｌの範囲にある請求項１３または１４による方法。
【請求項１６】
活性剤溶液とレーザー・ダイレクト・ストラクチャー基板とを接触させるステップ、および無電解めっき組成物と活性化基板とを接触させるステップの間に銅めっき操作を行なわずに、前記無電解銅めっき組成物と接触させるステップが行われる、請求項１３または１４による方法。
【請求項１７】
前記銅堆積が単一の堆積ステップで行われる、請求項１３または１４による方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
今日、レーザー活性化が行なわれるときは、必要な金属シード（種）を放出する、既にドープされている金属−有機錯体でコンパウンドされた異なるキャリア材料が、入手可能である。そのようなキャリア材の例は、ポリカーボネート、ポリカーボネート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレンの混合物、ポリアミド、ポリウレタン樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、およびそれらの共重合体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の態様によれば、活性化溶液は、ネルンスト還元ポテンシャルＥ°≦＋０．３５Ｖを有する還元剤を含む。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年7月21日(2015.7.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関のシース形グロープラグの表面温度を測定する方法であって、表面温度（Ｔプラグ）を検出するために物理的パラメータ（Ｒプラグ，Ｐプラグ）を使用し、シース形グロープラグ（２）の表面温度（Ｔプラグ）を測定するためにシース形グロープラグ（２）のみの少なくとも２つの物理的パラメータ（Ｒプラグ，Ｐプラグ）を使用する方法において、
少なくとも２つの物理的パラメータとして、前記シース形グロープラグ（２）の抵抗（Ｒプラグ）およびシース形グロープラグ（２）によって消費された電力（Ｐプラグ）、またはシース形グロープラグ（２）の抵抗（Ｒプラグ）およびシース形グロープラグ（２）の実効電流、またはシース形グロープラグ（２）の抵抗（Ｒプラグ）およびシース形グロープラグ（２）の電圧を使用することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記シース形プラグ（２）の作動時にシース形グロープラグ（２）でシース形グロープラグ（２）の前記表面温度（Ｔプラグ）を測定するために、少なくとも２つの前記物理的パラメータ（Ｒプラグ，Ｐプラグ）のうちの少なくとも１つを測定する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
前記シース形グロープラグ（２）の作動時にシース形グロープラグ（２）で測定される少なくとも１つの他の物理的パラメータから、シース形グロープラグ（２）の２つの前記物理的パラメータ（Ｒプラグ，Ｐプラグ）のうちの少なくとも１つを計算する方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
測定された前記シース形グロープラグ（２）の電流および電圧から、シース形グロープラグ（２）の抵抗（Ｒプラグ）および／またはシース形グロープラグ（２）によって消費された電力（Ｐプラグ）を計算する方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法において、
特に内燃機関（４）の少なくとも１つの作動パラメータ（ｎ，ｑ，ｍ空気）に依存した補正係数（ΔＴ）を用いて、検出された前記表面温度（Ｔプラグ）を補正する方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
作動パラメータとして、前記内燃機関（４）の回転数（ｎ）および／または噴射量（ｑ）および／または空気質量（ｍ空気）および／または空気質量の充填圧力を使用する方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の方法において、
検出された前記シース形グロープラグ（２）の表面温度（Ｔプラグ）を実際温度としてシース形グロープラグ（２）の温度調整のために使用する方法。
【請求項８】
内燃機関のシース形グロープラグの表面温度を測定するための装置であって、表面温度（Ｔプラグ）を検出するために物理的パラメータ（Ｒプラグ，Ｐプラグ）が使用され、シース形グロープラグ（２）の表面温度（Ｔプラグ）を測定するためにシース形グロープラグ（２）のみの少なくとも２つの物理的パラメータ（Ｒプラグ，Ｐプラグ）を使用する手段（５，７）が設けられている装置において、
前記手段が、少なくとも２つの物理的パラメータとして、前記シース形グロープラグ（２）の抵抗（Ｒプラグ）およびシース形グロープラグ（２）によって消費された電力（Ｐプラグ）、またはシース形グロープラグ（２）の抵抗（Ｒプラグ）およびシース形グロープラグ（２）の実効電流、またはシース形グロープラグ（２）の抵抗（Ｒプラグ）およびシース形グロープラグ（２）の電圧を使用することを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置において、
制御器（５，７）が、内燃機関（４）の燃焼室（３）内に突入するシース形グロープラグ（２）に接続されており、前記制御器（５，７）が少なくとも２つの前記物理的パラメータ（Ｒプラグ，Ｐプラグ）を測定する装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明によれば、この課題は、シース形グロープラグのみの少なくとも２つの物理的パラメータがシース形グロープラグの表面温度を測定するために使用されることにより解決される。このことは、部分的に単に推定された内燃機関の作動パラメータを使用したことに起因する具体的でない情報を排除できるという利点を有する。これにより、適用が容易になり、より良好な機能特性が得られる。シース形グロープラグにのみ関係した物理的パラメータを使用した場合、シース形グロープラグの表面温度測定における開発コストが低減される。これによりシース形グロープラグの表面温度の正確な測定が非定常作動時にも定常作動時にも可能となる。シース形グロープラグに配置され、表面温度のための測定素子として用いられる付加的な熱電素子を使用することなしに適用が可能となる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の一実施形態は、内燃機関のシース形グロープラグの表面温度を測定するための装置において、物理的パラメータが表面温度の検出のために使用される装置に関する。演算もしくは開発コストが減じられていても正確な表面温度を検出するために、シース形グロープラグの表面温度を測定するためにシース形グロープラグのみの少なくとも２つの物理的パラメータを使用する手段が設けられている。このことは、特に簡単に、しかも正確に表面温度を測定することができるという利点を有する。内燃機関の変化する作動条件下に、したがってシース形グロープラグの特性が変化した場合に、自動車の内部に提供された装置自体によって表面温度が簡単に測定される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
このような手法に基づいて、大きい演算コストなしに、より簡単かつ確実に、シース形グロープラグ２の表面温度Ｔプラグを測定することが可能である。エンジン回転数ｎ、吸気量ｍ空気、噴射量ｑなどを介したシース形グロープラグ２の表面温度Ｔプラグの補正は、例外的な場合にのみ不可欠となる。なぜなら、シース形グロープラグ２の表面温度Ｔプラグは、シース形グロープラグ２のみの少なくとも２つの物理パラメータにより既に極めて正確に測定されるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月22日(2015.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気ネットワークの共有部分２７と、
母線のセットである一対のネットワーク分割部分２５，２６と、
前記共有部分と前記分割部分との間の合流点に配置されたスイッチ２８とを備える電気スイッチ装置であって、
前記スイッチは、前記共有部分に接続された第一の固定接点１６と、
前記分割部分にそれぞれ接続され、それぞれが凹部２２を有する接続部を備える二つの固定接点１４，１５と、
前記第一の固定接点１６に電気的に接続され前記接続部間に配置された可動接点２１と、
前記接続部を共に接続するラインに前記可動接点を移動する制御装置と、を備え、
前記二つの固定接点は、スイッチ内に互いに対向して配置され、前記凹部は、互いに対向し、
前記電気スイッチ装置には、一つの可動接点のみが設けられ、該可動接点は、前記接続部間の距離より大きいが、前記距離に前記凹部の一つの深さを加えた距離より短い長さを有すること、
を特徴とする電気スイッチ装置。
【請求項２】
前記スイッチが、その中を前記可動接点２１が延在し、スライドし、第１の固定接点へ向かう垂直方向の線よりも接続部分に接続する方向の線の方がより小さな寸法を有するスライドする支持体１７をさらに備え、
前記制御装置が、前記スイッチのケーシング１３を貫通し、前記支持体の領域内に終端する旋回シャフト１８であって、前記可動接点２１が、前記第１の固定接点１６と前記領域との間に延在するようにする旋回シャフト１８と、
前記支持体内で移動可能で、前記シャフトに剛性を有して接続されるレバー１９と、
前記レバーと前記可動接点２１をヒンジで固定したリンク２０とを備えること、
を特徴とする請求項１に記載の電気スイッチ装置。
【請求項３】
前記分割部分が、前記スイッチに隣接する接地手段に係合する分離器２９，３０を備えること、
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気スイッチ装置。
【請求項４】
前記制御装置が、前記分離器に依存するロッキング機構を備えること、
を特徴とする請求項３に記載の電気スイッチ装置。
【請求項５】
前記ロッキング機構が、前記制御装置の支持体３５上に取り外し可能な方法で係合し、前記制御装置の駆動手段を前記可動接点２１に接続する伝達装置の一部を形成するクランク４４ａをブロックするように使用される南京錠７４，７５とからなること、
を特徴とする請求項４に記載の電気スイッチ装置。
【請求項６】
前記ロッキング機構が、前記制御装置の駆動手段を前記可動接点２１に接続する伝達装置の一部を形成する要素３９，６５をブロックするための可動部分６６に設置された電磁石５８，５９，６０，６１と、前記分離器の状態にしたがって励磁される巻線６７からなること、
を特徴とする請求項４に記載の電気スイッチ装置。
【請求項７】
前記巻線６７が励磁されていないとき前記移動可能なブロック部分を、前記伝達装置の前記要素３９，６５をブロックする定位置に配置すること、
を特徴とする請求項６に記載の電気スイッチ装置。
【請求項８】
前記電磁石が、両方の前記ネットワーク分割部分が前記可動接点２１により前記共有部分に接続する定位置に前記伝達装置の前記要素３９，６５を保持するのに好適な２個の中央電磁石５８，５９と、
２個の横方向電磁石６０，６１であって、各々が、一方の前記ネットワーク分割部分のみが前記可動接点２１により前記共有部分に接続する位置に前記伝達装置の前記要素を保持するのに好適な２個の横方向電磁石６０，６１とからなること、
を特徴とする請求項６または請求項７に記載の電気スイッチ装置。
【請求項９】
前記伝達装置が、一方の前記ネットワーク分割部分のみが前記可動接点により前記共有部分に接続する前記位置を離れたときのみ、前記横方向の電磁石が、前記伝達装置の前記要素３９，６５をブロックするのに好適である移動可能な部分を有すること、
を特徴とする請求項８に記載の電気スイッチ装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の電気スイッチ装置が備える前記スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月27日(2015.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線アクセス技術間（ＩＲＡＴ）ハンドオーバ中、インターネットプロトコル（ＩＰ）コンテキストを維持する方法であって、
ユーザ機器（ＵＥ）が、第１のＲＡＴのセルにとどまる場合、第２のＲＡＴのアタッチパケットデータネットワーク（ＰＤＮ）に、ハンドオーバアタッチ要求メッセージを送信することと、
前記第２のＲＡＴの１つ以上の他のアクティブなＰＤＮに、ＰＤＮ接続性要求を送信することと、
ＩＰアドレスが前記アタッチＰＤＮから受信されるかどうかを決定することと、
前記ＵＥが前記第２のＲＡＴのアタッチＰＤＮから前記ＩＰアドレスを受信する場合、前記第１のＲＡＴのＰＤＮから前記第２のＲＡＴの前記１つ以上の他のアクティブなＰＤＮに、前記ＩＰコンテキストを転送すること、または前記アタッチＰＤＮからの前記ＩＰアドレスが、前記ＵＥにおいて受信されない場合、デタッチ要求を送信することと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記デタッチ要求は、前記ＵＥがデータスタックを使用して非アクセス層（ＮＡＳ）シグナリングを開始することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データスタックは、前記ＵＥが、前記ＵＥによって受信された前記アタッチＰＤＮの情報を保持することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記デタッチ要求は、前記ＵＥがサービスマネジャを使用してデタッチ手順を開始することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＵＥは、各アクティブなＰＤＮのための前記ＩＰコンテキストの情報を保持するように、前記デタッチ要求の後、前記ＵＥは前記第１のＲＡＴのセルと接続する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のＲＡＴは、発展型高レートパケットデータ（ｅＨＲＰＤ）であり、前記第２のＲＡＴは、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）である、請求項１に記載の方法。    
【請求項７】
無線アクセス技術間（ＩＲＡＴ）ハンドオーバ中、インターネットプロトコル（ＩＰ）コンテキストを維持するように構成されるモバイルデバイスであって、
前記モバイルデバイスが、第１のＲＡＴのセルにとどまる場合、第２のＲＡＴのアタッチパケットデータネットワーク（ＰＤＮ）に、ハンドオーバアタッチ要求メッセージを送信することと、
前記第２のＲＡＴの１つ以上の他のアクティブなＰＤＮに、ＰＤＮ接続性要求を送信することと、
ＩＰアドレスが前記アタッチＰＤＮから受信されるかどうかを決定することと、
前記ＵＥが前記第２のＲＡＴのアタッチＰＤＮから前記ＩＰアドレスを受信する場合、前記第１のＲＡＴのＰＤＮから前記第２のＲＡＴの前記１つ以上の他のアクティブなＰＤＮに、前記ＩＰコンテキストを転送すること、または前記アタッチＰＤＮからの前記ＩＰアドレスが受信されない場合、デタッチ要求を送信することと、
を備える、モバイルデバイス。
【請求項８】
前記デタッチ要求は、データスタックを使用して非アクセス層（ＮＡＳ）シグナリングを開始するように構成される前記モバイルデバイスを含む、請求項７に記載のモバイルデバイス。
【請求項９】
前記データスタックを使用することは、前記モバイルデバイスによって受信された前記アタッチＰＤＮの情報を保持するように構成される前記モバイルデバイスを含む、請求項８に記載のモバイルデバイス。
【請求項１０】
前記デタッチ要求は、サービスマネジャを使用してデタッチ手順を開始するように構成される前記モバイルデバイスを含む、請求項８に記載のモバイルデバイス。
【請求項１１】
前記モバイルデバイスは、デタッチ手順が成功した後に、前記第１のＲＡＴのＰＤＮとの接続を確立するように構成される、請求項７に記載のモバイルデバイス。
【請求項１２】
前記モバイルデバイスは、各アクティブなＰＤＮのための前記ＩＰコンテキストの情報を保持するように構成される、請求項１１に記載のモバイルデバイス。
【請求項１３】
前記第１のＲＡＴは、発展型高レートパケットデータ（ｅＨＲＰＤ）であり、前記第２のＲＡＴは、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）である、請求項７に記載のモバイルデバイス。
【請求項１４】
無線アクセス技術間（ＩＲＡＴ）ハンドオーバ中、インターネットプロトコル（ＩＰ）コンテキストを維持するための装置であって、
ユーザ機器（ＵＥ）が、第１のＲＡＴのセルにとどまる場合、第２のＲＡＴのアタッチパケットデータネットワーク（ＰＤＮ）に、ハンドオーバアタッチ要求メッセージを送信する手段と、
前記第２のＲＡＴの１つ以上の他のアクティブなＰＤＮに、ＰＤＮ接続性要求を送信する手段と、
前記アタッチＰＤＮからＩＰアドレスを受信する手段と、
前記ＵＥが前記第２のＲＡＴのアタッチＰＤＮから前記ＩＰアドレスを受信した後、前記第１のＲＡＴのＰＤＮから前記第２のＲＡＴの前記１つ以上の他のアクティブなＰＤＮに、前記ＩＰコンテキストを転送する手段と、
を備える、装置。
【請求項１５】
デタッチ要求を送信する手段をさらに備え、前記デタッチ要求を送信する手段は、データスタックを使用することを含む、
請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記データスタックを使用して前記デタッチ要求を送信する手段は、前記第１のＲＡＴの少なくとも１つのアクティブなＰＤＮのための前記ＩＰコンテキストを回復するための手段を含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記ＩＰコンテキストは、前記ＩＰアドレスおよびドメインネームサーバアドレスのうちの少なくとも１つを含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記デタッチ要求を送信するための手段は、前記第２のＲＡＴのＰＤＮからデタッチするためにサービスマネジャを使用することを含み、
前記サービスマネジャを使用することは、前記第１のＲＡＴから前記少なくとも１つのアクティブなＰＤＮのための前記ＩＰコンテキストを回復することを含む、
請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記装置は、任意のアクティブなＰＤＮのためのＩＰコンテキストにおけるロスなしに、デタッチ手順が成功した後に、前記第１のＲＡＴのアクティブなＰＤＮとの接続を確立するように構成される、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記第１のＲＡＴは、発展型高レートパケットデータ（ｅＨＲＰＤ）であり、前記第２のＲＡＴは、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）である、請求項１４に記載の装置。
【請求項２１】
少なくとも１つのプロセッサにおいて実行される場合、
ユーザ機器（ＵＥ）が、第１の無線アクセス技術（ＲＡＴ）のセルにとどまる場合、第２のＲＡＴのアタッチパケットデータネットワーク（ＰＤＮ）に、ハンドオーバアタッチ要求メッセージを送信することと、
前記第２のＲＡＴの１つ以上の他のアクティブなＰＤＮに、ＰＤＮ接続性要求を送信することと、
前記アタッチＰＤＮからインターネットプロトコル（ＩＰ）アドレスを受信することと、
前記ＵＥが前記第２のＲＡＴのアタッチＰＤＮから前記ＩＰアドレスを受信した後、前記第１のＲＡＴのＰＤＮから前記第２のＲＡＴの前記１つ以上の他のアクティブなＰＤＮに、前記ＩＰコンテキストを転送することと、
を備える無線アクセス技術間（ＩＲＡＴ）ハンドオーバ中、ＩＰコンテキストを維持するための方法を実行する、プログラム製品を記憶するように構成される非一時的なコンピュータ読取可能な記憶媒体。