【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年4月1日(2015.4.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】その上で成長するカーボンナノチューブを含有する炭素繊維基材及びその製造方法
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概略的にはカーボンナノチューブに関し、より詳細には、カーボンナノチューブ成長に関する。
【０００２】
（関連出願の記載）
本出願は、米国特許法１１９条（ｅ）の規定に基づき、２０１０年９月２２日に出願された米国特許仮出願第６１／３８５，５３２号の優先権を主張し、それらの全内容は参照により本出願に組み込まれる。本出願はまた、２００９年１１月２日に出願された米国特許出願第１２／６１１，１０１号に関し、それらの全内容もまた参照により本出願に組み込まれる。
【０００３】
（連邦支援研究又は開発に関する記載）
適用なし。
【背景技術】
【０００４】
カーボンナノチューブは、数ある性質の中で、その大きな有効表面積、機械強度、そして熱及び電気伝導性のため、数多くの用途にその有用性が提案されてきた。これらの用途の多くは、特に、炭素繊維基材上で成長するカーボンナノチューブに非常に適している。炭素繊維基材上で成長すると、炭素繊維基材の性質をカーボンナノチューブにより強化できる。例えば、カーボンナノチューブがその上で成長すると、炭素繊維基材の機械強度は強化され、炭素繊維基材は導電性を有することができる。
【０００５】
カーボンナノチューブを合成する場合、触媒は一般に、カーボンナノチューブ成長を媒介するために必要とされる。ほとんどの場合、触媒は金属ナノ粒子であって、特にゼロ価の遷移金属ナノ粒子である。カーボンナノチューブを合成する数多くのプロセスは、当該技術分野において周知とされているが、例えば、微小共振動、熱又はプラズマ助長化学蒸着技術（ＣＶＤ）、レーザアブレーション、アーク放電、火炎合成、及び高圧一酸化炭素（ＨｉＰＣＯ）技術が含まれる。一般に、カーボンナノチューブを合成するこのようなプロセスには、カーボンナノチューブ成長に適した条件下における、反応性気相炭素種の発生が含まれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
固体基材上でのカーボンナノチューブの合成は、これら多くの技術を用いて実行できる。しかしながら、炭素繊維基材上でカーボンナノチューブを成長させることは、当該技術分野においてとても困難であると考えられている。カーボンナノチューブ成長を助長する金属ナノ粒子触媒に高い量の反応性気相炭素種を十分に溶解することの困難性が、この試みを妨げるものであると考えられている。他の種類の基材（例えば、金属、ガラス等）とは異なり、炭素繊維基材及び反応性気相炭素種はどちらも炭素から成っており、お互いの相互作用を非常に強め、カーボンナノチューブ成長を促進する金属ナノ粒子に反応性気相炭素種が溶解されにくくなる。加えて、金属ナノ粒子と炭素繊維基材との好ましくない相互作用により、反応性気相炭素種の機能は金属ナノ粒子への拡散が制限されてしまい、カーボンナノチューブ成長がさらに妨げられる。
【０００７】
前述したことを考慮すると、炭素繊維基材上でカーボンナノチューブを成長させるための信頼性のあるプロセスは、当該技術分野において大きな利点となるだろう。本開示は、この要求を満たし、関連する利点をも提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ある実施形態において、本明細書に記載のカーボンナノチューブ成長プロセスは、炭素繊維基材上に触媒前駆体を配置すること、炭素繊維基材上に非触媒材料を配置すること、及び触媒前駆体及び非触媒材料を配置した後、その上でカーボンナノチューブを成長させるようカーボンナノチューブ成長条件に炭素繊維基材をさらすことを含む。カーボンナノチューブ成長条件は、触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換可能である。
【０００９】
ある実施形態において、本明細書に記載のカーボンナノチューブ成長プロセスは、サイジング剤を含んでいない炭素繊維基材上に触媒前駆体を配置すること、炭素繊維基材上に非触媒材料を配置すること、触媒前駆体及び非触媒材料を配置した後、その上でカーボンナノチューブを成長させるようカーボンナノチューブ成長条件に炭素繊維基材をさらすこと、及びカーボンナノチューブが成長している間、炭素繊維基材を輸送することを含む。非触媒材料は触媒前駆体より前、後、又は同時に配置される。カーボンナノチューブ成長条件は、触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換可能である。
【００１０】
ある実施形態において、本明細書に記載のカーボンナノチューブ成長プロセスは、サイジング剤を含まず、且つ、その上に配置されたバリアコーティングを有する炭素繊維基材を提供すること、バリアコーティング上に触媒前駆体を配置すること、触媒前駆体を配置した後、その上でカーボンナノチューブを成長させるようカーボンナノチューブ成長条件に炭素繊維基材をさらすこと、及びカーボンナノチューブが成長している間、炭素繊維基材を輸送することを含む。バリアコーティングは、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルモキサン、アルミナナノ粒子、スピンオンガラス（spin on glass）、ガラスナノ粒子、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される。カーボンナノチューブ成長条件は、触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換可能である。
【００１１】
ある実施形態において、本カーボンナノチューブ成長プロセスによりその上で成長するカーボンナノチューブを有する炭素繊維基材が本明細書に記載される。
【００１２】
前記では、以下の詳細な説明に従ってよりよく理解できるように、本開示の特徴をいくぶん概略的に述べてきた。本開示の追加の特徴及び利点が以下に記載され、特許請求の範囲の主題を形成する。
【００１３】
本開示及びその利点のより完全な理解のために、以下の詳細な説明を本開示の具体的な実施形態を記載した添付の図面と一致させて説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】非触媒ガラス材料の中間層上で非触媒硝酸アルミニウムと同時に配置された酢酸鉄触媒前駆体によりコーティングされた炭素繊維基材の例示的なＳＥＭ画像を示す。
【図１Ｂ】ガラス繊維材料の中間層上で非触媒硝酸アルミニウムと同時に配置された酢酸鉄触媒前駆体によりコーティングされた炭素繊維基材の例示的なＳＥＭ画像を示す。
【図１Ｃ】６５０度の温度及び２ｆｔ／ｍｉｎのラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上で成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、酢酸鉄触媒前駆体は、非触媒ガラス材料の中間層上に非触媒硝酸アルミニウムと同時に配置された。
【図１Ｄ】７５０度の温度及び２ｆｔ／ｍｉｎのラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上で成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、酢酸鉄触媒前駆体は、非触媒ガラス材料の中間層上に非触媒硝酸アルミニウム材料と同時に配置された。
【図２Ａ】６５０度の温度及び２ｆｔ／ｍｉｎのラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上で成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、酢酸鉄触媒前駆体は、非触媒材料の中間層上に配置された。
【図２Ｂ】６５０度の温度及び２ｆｔ／ｍｉｎのラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上で成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、酢酸鉄触媒前駆体は、非触媒材料の中間層上に配置された。
【図３】７５０度の温度及び２ｆｔ／ｍｉｎのラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上で成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、酢酸鉄触媒前駆体は、非触媒ガラス材料の層の下に、非触媒硝酸アルミニウム材料と同時に配置された。
【図４】６７５度の温度及び２ｆｔ／ｍｉｎのラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上で成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、酢酸鉄触媒前駆体は、非触媒硝酸アルミニウム材料及び非触媒ガラス材料と同時に配置された。
【図５】７５０度の温度及び２ｆｔ／ｍｉｎのラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上で成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、酢酸鉄触媒前駆体は、非触媒ガラス材料の層の下に、非触媒硝酸アルミニウム材料と同時に配置された。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本開示は、１つには、炭素繊維基材上でカーボンナノチューブを成長させるプロセスを対象とする。また本開示は、１つには、炭素繊維基材を対象とするが、この場合、炭素繊維基材は、その上に本カーボンナノチューブ成長プロセスにより生成されたカーボンナノチューブを有する。
【００１６】
カーボンナノチューブは、例えば、大きな表面積、機械強度、電気伝導性及び熱伝導性を含む、その特異な構造及び性質を活用する数多くの用途においてその有用性を実証している。炭素繊維基材上で成長すると、カーボンナノチューブ及び炭素繊維基材は、カーボンナノチューブの有益な性質を炭素繊維基材に付与することができる複合材料製品を形成する。このような炭素繊維が使用可能な用途のうちには、複合材料、電池、スーパーキャパシタ等が含まれる。
【００１７】
炭素繊維基材上でカーボンナノチューブを成長させることにより実現可能な潜在的利益があるにもかかわらず、このような成長は、当該技術分野において特に困難であることが証明されている。先述の通り、そして理論又は機構に制限されず、反応性気相炭素種と炭素繊維基材との間、又は金属ナノ粒子と炭素繊維基材との間の好ましくない相互作用が原因で、この困難性が生じうると考えられている。好ましくない基材相互作用により、反応性気相炭素種をカーボンナノチューブ成長に利用できなくなるか、又は成長割合が厳しく制限されてしまう。このような低成長率は、特に、スループットを向上させるため、カーボンナノチューブ成長中に炭素繊維基材を輸送する場合に、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブの商業生産に適していない。
【００１８】
炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブのハイスループット合成に必要な迅速な成長をサポートするために、触媒材料と併せて非触媒材料又は任意選択的なバリアコーティングを使用することにより、炭素繊維基材との相互作用を大幅に低減できることがわかっている。さらに、カーボンナノチューブ成長条件にさらしている間、単純金属塩触媒前駆体から活性触媒を原位置で形成可能であることもわかっている。
【００１９】
ある実施形態において、炭素繊維基材上で成長するカーボンナノチューブは、炭素繊維基材へ化学的又は機械的に付着できる。開示されたプロセスにより炭素繊維基材上で成長するカーボンナノチューブ（すなわち導入されたカーボンナノチューブ（infused carbon nanotube））は、予め合成されたカーボンナノチューブが単純なファンデルワールス力により所定の位置に固定されるよりも炭素繊維基材により強く付着できる。したがって、その上に成長したカーボンナノチューブを有する本炭素繊維基材は、その上に配置され、予め形成されたカーボンナノチューブ（例えば、カーボンナノチューブ溶液又は懸濁液）を有する炭素繊維基材とは区別される。ある実施形態において、カーボンナノチューブは炭素繊維基材と直接結合できる（例えば、共有結合により）。他の実施形態において、カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブの合成を媒介するために使用される触媒材料、又は炭素繊維基材上に配置された非触媒材料を介して、炭素繊維基材と間接的に結合できる。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、バリアコーティングを介して炭素繊維基材と間接的に結合できる。
【００２０】
本明細書において、用語「導入される（infused）」とは結合することを意味し、用語「導入（infusion）」とは、結合プロセスを意味する。本明細書において、用語「カーボンナノチューブが導入された繊維（carbon nanotube-infused fiber）」とは、カーボンナノチューブが結合した繊維材料を意味する。繊維材料に対するカーボンナノチューブのこのような結合には、機械的連結、共有結合、イオン結合、π−π相互作用（π重層相互作用）、又はファンデルワールス力の介在した物理吸着などが包含され得る。
【００２１】
本明細書において、用語「触媒」とは、カーボンナノチューブ成長条件にさらされた場合に、カーボンナノチューブを形成することができる物質（substance）を意味する。
【００２２】
本明細書において、用語「触媒材料」とは触媒及び触媒前駆体を意味する。本明細書において、用語「触媒前駆体」とは、適切な条件、特にカーボンナノチューブ成長条件の下で触媒に変化することができる物質を意味する。本明細書に特に記載がない限り、用語「触媒材料」は、記載された実施形態において、予め形成された触媒か触媒前駆体のいずれかが使用可能であることを示すために用いられるだろう。
【００２３】
本明細書において、用語「ナノ粒子」とは、相当球径で約０．１ｎｍから約１００ｎｍの直径を有する粒子を意味するが、ナノ粒子は必ずしも球形である必要はない。本明細書において、用語「触媒ナノ粒子」とは、カーボンナノチューブ成長を媒介する触媒作用を有したナノ粒子を意味する。
【００２４】
本明細書において、用語「遷移金属」とは、周期表のｄブロック（第３属から第１２属）におけるあらゆる元素又はその合金を意味し、用語「遷移金属塩」とは、例えば、例えば遷移金属酸化物、硝酸塩、塩化物、臭化物、沃化物、フッ化物、酢酸塩、クエン酸塩、炭化物、窒化物などのあらゆる遷移金属化合物を意味する。カーボンナノチューブの合成に適した触媒ナノ粒子の形成が可能な例示的な遷移金属には、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、これらの合金、これらの塩、及びこれらの混合物が含まれる。
【００２５】
本明細書において、用語「巻き取り可能な長さ」又は「巻き取り可能な寸法」とは、長さに限定されない少なくとも１つの寸法を有する材料を意味し、それにより材料をスプール（spool）又はマンドレル（mandrel）に、例えばオープンリール式で巻き取っておくことを可能にする。「巻き取り可能な長さ」又は「巻き取り可能な寸法」の材料は、材料を輸送している間、カーボンナノチューブの成長を可能にする少なくとも１つの寸法を有する。しかしながら、巻き取り可能な長さは、所望するなら、バッチ式の方法で成長したカーボンナノチューブを有することも可能である。
【００２６】
本明細書において、用語「カーボンナノチューブ成長条件」とは、適切な触媒の存在下でカーボンナノチューブを成長させることが可能なあらゆるプロセスを意味する。一般に、カーボンナノチューブ成長条件は、有機化合物の熱分解によりしばしば反応性炭素種を生成する。
【００２７】
本明細書において、用語「搬送する（convey）」及び「搬送する（conveying）」は、「移動する（moving）」又は「輸送する（transporting）」と同義であることが理解されるだろう。
【００２８】
本明細書において、用語「サイジング剤（sizing agent）」とは、繊維材料の健全性を保護するためのコーティングとして、繊維材料の製造において用いられる材料を総称するものである。炭素繊維材料についてほとんどの場合、サイジング剤はエポキシ樹脂である。
【００２９】
ある実施形態において、本明細書に記載のカーボンナノチューブ成長プロセスには、炭素繊維基材上に触媒前駆体を配置すること、炭素繊維基材上に非触媒材料を配置すること、及び触媒前駆体及び非触媒材料を配置した後、その上でカーボンナノチューブを成長させるよう炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらすことが含まれる。カーボンナノチューブ成長条件は、触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換可能である。
【００３０】
ある実施形態において、本明細書に記載のカーボンナノチューブ成長プロセスには、サイジング剤を含んでいない炭素繊維基材上に触媒前駆体を配置すること、炭素繊維基材上に非触媒材料を配置すること、触媒前駆体及び非触媒材料を配置した後、その上でカーボンナノチューブを成長させるよう炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらすこと、及びカーボンナノチューブが成長している間、炭素繊維基材を輸送することが含まれる。非触媒材料は触媒前駆体より前、後、又は同時に配置可能である。カーボンナノチューブ成長条件は、触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換可能である。
【００３１】
ある実施形態において、本明細書に記載のカーボンナノチューブ成長プロセスには、サイジング剤を含まず、且つ、その上に配置されたバリアコーティングを有する炭素繊維基材を提供すること、バリアコーティング上に触媒前駆体を配置すること、触媒前駆体を配置した後、その上でカーボンナノチューブを成長させるよう炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらすこと、及びカーボンナノチューブが成長している間、炭素繊維基材を輸送することが含まれる。バリアコーティングは、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルモキサン、アルミナナノ粒子、スピンオンガラス（spin on glass）、ガラスナノ粒子、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択可能である。カーボンナノチューブ成長条件は、触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換可能である。
【００３２】
カーボンナノチューブの形状は、本実施形態において制限なく変更可能である。ある実施形態において、炭素繊維基材は、カーボンナノチューブ成長中に炭素繊維基材を輸送することと両立可能なように（例えば、オープンリール式で）、連続的な炭素繊維基材とすることができる。カーボンナノチューブ成長中に輸送することができる適切な炭素繊維基材形状には、例えば、個々の炭素フィラメント、又は個々の炭素フィラメントから作成される様々な炭素繊維形状が含まれる。ある実施形態において、炭素繊維基材には、例えば、炭素繊維フィラメント、炭素繊維ロービング、炭素繊維ヤーン、炭素繊維トウ、炭素繊維テープ、炭素繊維リボン、炭素繊維メッシュ、炭素繊維チューブ、炭素繊維フィルム、炭素繊維編組、織物炭素繊維製品、不織炭素繊維製品、炭素繊維プライ、炭素繊維マット等が含まれる。例えば、織物及び不織布炭素繊維製品、炭素繊維プライ、及び炭素繊維メッシュ等のより高度な秩序の繊維形状は、例えば、炭素フィラメント、炭素繊維及び炭素繊維トウ等のより低度な秩序の炭素繊維基材から形成可能である。すなわち、炭素繊維、炭素フィラメント、又は炭素繊維トウはその上で成長したカーボンナノチューブを有し、その後、より高度な秩序構造の炭素繊維形状が生じる。他の実施形態において、このような高度な秩序の繊維形状は予め製造され、その後、カーボンナノチューブの成長が生じる。本明細書において、特に明記しない限り、前述した炭素繊維形状は総称して炭素繊維基材を意味する。
【００３３】
フィラメントには、一般に、大きさが約１μｍから約１００μｍまでの直径を有する高アスペクト比の繊維が含まれる。ロービング（rovings）には、撚り合わせて、細くした異物の入っていない繊維の軟らかいストランドが含まれる。
【００３４】
ヤーン（yarns）には撚り合わされたフィラメントを密に結合した束が含まれるが、この場合、ヤーンにおける各フィラメントの直径は、比較的均一である。ヤーンには、「テックス（tex）」（１０００リニアメーター当たりのグラム重量として示される）、又は「デニール（denier）」（１０，０００リニアメーター当たりのポンド重量として示される）で表される様々な重量がある。ヤーンの場合、標準的なテックス範囲は、通常、約２００テックスから約２０００テックスまでである。
【００３５】
繊維編組は、繊維が高密度に詰め込まれたロープ状構造体を示す。このようなロープ状構造体は、例えば、ヤーンから組まれる。編組構造体は中空部分を含んでもよい。あるいは、編組構造体は別のコア材料の周囲に組まれてもよい。
【００３６】
繊維トウには、撚り合わされていないフィラメントを結合した束が含まれる。ヤーンと同様に、繊維トウにおけるフィラメントの直径は概して均一である。また、繊維トウも様々な重量、及び通常、約２００テックスから約２０００テックスの間であるテックス範囲を有する。加えて、繊維トウは、例えば、１２Ｋトウ、２４Ｋトウ、４８Ｋトウなどの繊維トウ内にある数千のフィラメントの数により、しばしば特徴付けられる。
【００３７】
テープは、例えば、織物又は不織の扁平繊維トウとして組まれる繊維材料である。テープは様々な幅をもち、一般にはリボンと同様に両面構造体である。本明細書に記載される様々な実施形態において、カーボンナノチューブは、テープの片面又は両面のテープで成長可能である。加えて、種類、直径又は長さの異なるカーボンナノチューブが、テープの各面で成長可能であり、これは特定の用途において有益とされる。
【００３８】
ある実施形態において、繊維材料は織物又はシート様構造に形成可能である。これには、例えば、上記のテープに加えて、織物製品、不織繊維マット（non-woven fiber mat）、メッシュ、及び繊維プライが含まれる。
【００３９】
あらゆる種類の炭素繊維が本プロセスにおいて使用可能であるが、当該技術分野において通常使用される３種類の炭素繊維がある。これらは、レーヨン、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）及びピッチ（pitch）等の炭素繊維の生成に用いられる前駆体に基づいて分類される。セルロース系材料であるレーヨン前駆体から作られる炭素繊維は、炭素含有量が約２０％と比較的低く、その繊維は低強度かつ低剛性の傾向にある。対照的に、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）前駆体が提供する炭素繊維は、炭素含有量が約５５％であり、表面欠陥が最小限であるため、極めて優れた引張強度を有する。石油アスファルト、コールタール及びポリ塩化ビニルに基づくピッチ前駆体もまた、炭素繊維を生成するために用いられる。ピッチは、比較的低コストで炭素収率が高いが、炭素繊維に対する既知の特定量において不均一性という問題がある。
【００４０】
炭素繊維基材で成長するカーボンナノチューブの種類は、一般に、制限されることなく変更可能である。様々な実施形態において、炭素繊維基材で成長するカーボンナノチューブは、例えば、単層カーボンナノチューブ、２層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ及びこれらのあらゆる組み合わせなど、フラーレン族のうち円筒状をしたあらゆる炭素数の同素体であってよい。カーボンナノチューブ成長条件を調節することにより、炭素繊維基材上で成長するカーボンナノチューブの種類を変更できるということは、当該技術分野において通常の知識を有する者に理解されるであろう。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、フラーレン様構造で閉塞可能である。換言すれば、このような実施形態では、カーボンナノチューブは閉塞端を有している。しかしながら、他の実施形態では、カーボンナノチューブは端部が開口した状態である。ある実施形態において、端部が閉塞したカーボンナノチューブは、適切な酸化剤（例えば、ＨＮＯ3／Ｈ2ＳＯ3）による処理により開口可能である。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、炭素繊維基材上で成長した後に、他の物質を封入することができる。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、炭素繊維基材上で成長した後に共有結合的に機能化できる（covalently functionalized）。ある実施形態において、プラズマプロセスは、カーボンナノチューブの機能化を促進するために用いられる。
【００４１】
カーボンナノチューブは、そのキラリティに応じて、金属的、半金属的又は半導体的となり得る。カーボンナノチューブのキラリティを指定するために公認の命名法が当業者に受け入れられており、２つの指数（ｎ，ｍ）を用いて識別している。ここで、ｎとｍは、六方晶系のグラファイトが管状構造に形成された場合、グラファイトの切断部及び巻き方を表す整数である。様々な実施形態において、本実施形態に従って炭素繊維基材上で成長したカーボンナノチューブは、任意の指定されたキラリティのもの、又はキラル型の混合物とされる。
【００４２】
また、キラリティに加えてカーボンナノチューブの直径も、その電気伝導性と熱伝導性に関する性質とに影響を与える。カーボンナノチューブの合成において、カーボンナノチューブの直径は、一定サイズの触媒ナノ粒子を用いることにより制御可能である。カーボンナノチューブの直径は、通常、その形成に触媒作用を及ぼす触媒ナノ粒子の直径程度である。このため、カーボンナノチューブの性質は、例えば、カーボンナノチューブの合成に用いられる触媒ナノ粒子のサイズを調整することで、さらに制御可能である。限定しない例として、直径約１ｎｍから約５ｎｍの触媒ナノ粒子が、主に、単層カーボンナノチューブを成長させるために使用可能である。より大きな触媒ナノ粒子は、主に、多層カーボンナノチューブを成長させるために使用可能であり、これは、その複数のナノチューブ層であるために、より大きな直径を有する。また、単層カーボンナノチューブと多層カーボンナノチューブの混合を、カーボンナノチューブ合成に、より大きな触媒ナノ粒子を使用することにより成長させることができる。また、所望の大きさの触媒ナノ粒子は、様々な商業的供給源から購入するか、又は本実施形態に従い触媒前駆体からその場で作成できる。ある実施形態において、ナノ粒子触媒前駆体は、遷移金属塩及び過酸化水素水を包含する水性の水溶液からその場で作成できる。
【００４３】
本明細書に記載の様々な実施形態において、炭素繊維基材上で成長するカーボンナノチューブの直径は、約１ｎｍから約５００ｎｍの範囲とすることができて、その間の全ての値及び部分的な範囲を含んでいる。ある実施形態において、カーボンナノチューブの直径は、約１ｎｍから約１０ｎｍの範囲とされる。他の実施形態において、カーボンナノチューブの直径は、約１ｎｍから約３０ｎｍ、又は約５ｎｍから約３０ｎｍ、又は約１５ｎｍから約３０ｎｍの範囲とされる。ある実施形態において、カーボンナノチューブの直径は、約１０ｎｍから約５０ｎｍ、又は約５０ｎｍから約１００ｎｍの範囲とされる。他の実施形態において、カーボンナノチューブの直径は、約１００ｎｍから約３００ｎｍ、又は約３００ｎｍから約５００ｎｍの範囲とされる。一般に、より大きなカーボンナノチューブは、触媒材料のより高い充填量で形成することができて、その場合、ナノ粒子凝集により、より大きなカーボンナノチューブの直径となる。触媒材料のより低い充填量では、カーボンナノチューブの直径は、凝集効果に対して感受性が低く、一般に、カーボンナノチューブの直径は、通常、例えば、約１ｎｍから約５０ｎｍの範囲となる。
【００４４】
ある実施形態において、炭素繊維基材上で成長するカーボンナノチューブの平均長さは、約１μｍから約１０００μｍの範囲とすることができて、その間の全ての値及び部分的な範囲を含んでいる。ある実施形態において、カーボンナノチューブの平均長さは、例えば、約０．５μｍを含む約１μｍ未満とされる。ある実施形態において、カーボンナノチューブの平均長さは、約１μｍから約１０μｍの範囲とすることができて、その間の全ての値及び部分的な範囲を含んでいる。さらに他の実施形態において、カーボンナノチューブの平均長さは、約５００μｍを上回ることも可能である。一般に、本実施形態において触媒材料のより高い充填量が、より高いカーボンナノチューブ成長割合及びより長いカーボンナノチューブにとって好適である。ある実施形態において、１．３μｍ／秒までのカーボンナノチューブ成長割合が実現可能である。
【００４５】
ある実施形態において、炭素繊維基材上で成長するカーボンナノチューブは、個々のカーボンナノチューブとして存在できる。すなわち、カーボンナノチューブはほぼ束化していない状態で存在できる。ある実施形態において、炭素繊維基材上で成長するカーボンナノチューブは、連結されたカーボンナノチューブを包含した炭素ナノ構造として存在することができる。このような実施形態において、ほぼ束化していないカーボンナノチューブは、カーボンナノチューブの連結されたネットワークとして存在することができる。ある実施形態において、連結されたネットワークには、他のカーボンナノチューブから樹枝状態に分岐するカーボンナノチューブが含まれる。ある実施形態において、連結されたネットワークには、カーボンナノチューブ間を架橋するカーボンナノチューブも含まれる。ある実施形態において、また、連結されたネットワークには、他のカーボンナノチューブと共有される少なくとも一部の側壁を有するカーボンナノチューブも含まれる。
【００４６】
ある実施形態において、グラフェン又は他の炭素ナノ材料は、成長条件の適切な変更により炭素繊維基材上で成長することができる。このような変更は、当該技術分野において通常の知識を有する者にとって明らかであろう。本開示の精神及び範囲内で属していれば、カーボンナノチューブを特に参照する本明細書に記載のあらゆる実施形態は、グラフェン又は他の炭素ナノ材料にも利用できることが理解されるべきである。
【００４７】
様々な実施形態において、本プロセスの触媒材料は、触媒又は触媒前駆体であってもよい。すなわち、触媒材料は、ある実施形態のカーボンナノチューブの形成を直接触媒できる活性触媒であってもよい。例えば、触媒材料は、さらなる変形を必要とせずにカーボンナノチューブの形成を直接触媒できる触媒ナノ粒子（例えば、遷移金属ナノ粒子又はランタノイド金属ナノ粒子）であってもよい。他の実施形態において、触媒材料は、初期には触媒的に不活性だが、１つ以上の化学変換により変換可能な触媒前駆体であってもよい。活性触媒へのこのような変換は、炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらす前、又はその間に生じる。ある実施形態によると、触媒前駆体は、適切なカーボンナノチューブ成長条件にさらされる前に、離散的な還元ステップ（例えばＨ2）にさらすことなく活性触媒に変換可能である。ある実施形態において、触媒前駆体は、適切なカーボンナノチューブ成長条件にさらして活性触媒に変換する前に、触媒中間状態（例えば金属酸化物）に達する。例えば、遷移金属塩は、カーボンナノチューブ成長条件にさらすことにより活性触媒へ実質的に変換される遷移金属酸化物に変換可能である。ある実施形態において、触媒中間状態の形成は、カーボンナノチューブ成長条件にさらす前又はその間に、炭素繊維基材の活発な加熱の結果として生じる。
【００４８】
様々な実施形態において、触媒材料は、遷移金属、繊維金属合金、遷移金属塩、又はそれらの組み合わせであってもよい。ある実施形態において、触媒材料は触媒ナノ粒子の形状であってもよい。ある実施形態において、触媒材料は触媒前駆体の形状であってもよい。ある実施形態において、触媒前駆体は、例えば、遷移金属硝酸塩、遷移金属酢酸塩、遷移金属クエン酸塩、遷移金属塩化物、遷移金属フッ化物、遷移金属臭化物、遷移金属沃化物、又はそれらの水酸化物等の遷移金属塩、又は遷移金属塩の組み合わせであってもよい。ある実施形態において、このような遷移金属塩は加熱により遷移金属酸化物に変換され、その後、活性触媒への変換が生じる。代替の実施形態において、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物又は遷移金属酸化物は、触媒材料として使用可能である。本プロセスを実施するために適切とされる例示的な遷移金属塩には、例えば、硝酸鉄（II）、硝酸鉄（III）、硝酸コバルト（II）、硝酸ニッケル（II）、硝酸銅（II）、酢酸鉄（II）、酢酸鉄（III）、酢酸コバルト（II）、酢酸ニッケル（II）、酢酸銅（II）、クエン酸鉄（II）、クエン酸鉄（III）、アンモニア塩基クエン酸鉄（III）、クエン酸コバルト（II）、クエン酸ニッケル（II）、クエン酸銅（II）、塩化鉄（II）、塩化鉄（III）、塩化コバルト（II）、塩化ニッケル（II）、塩化銅（II）、それらの水酸化物、及びそれらの組合せが含まれる。ある実施形態において、適切な触媒前駆体は酢酸鉄（II）又はその水酸化物であってもよい。代替の実施形態において、触媒材料には、例えば、ＦｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4、及びそれらの組み合わせなどの物質が含まれるが、そのいずれもがナノ粒子の形状をとり得る。さらなる実施形態において、ランタノイド金属塩、それらの水酸化物、及びそれらの組み合わせは、触媒前駆体として使用可能である。
【００４９】
触媒前駆体から触媒中間状態が形成された実施形態では、触媒中間状態は、炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらす前に、行われる別個の触媒活性化段階なしで活性触媒（例えば触媒ナノ粒子）に変換可能である。対照的に、カーボンナノチューブ成長を進行させる前に、水素によりカーボンナノチューブ触媒を活性化させることは、当該技術分野において従来行われてきたことである。本実施形態において、活性触媒の形成は、触媒中間状態をカーボンナノチューブ成長条件にさらすことにより生じる。例えば、カーボンナノチューブの合成中に、カーボンナノチューブ成長反応器でのアセチレンの熱分解は、水素ガス及び原子状炭素の形成をもたらす。水素ガスは、遷移金属酸化物、又は触媒中間状態等と反応し、カーボンナノチューブをコーティングするゼロ価の遷移金属触媒ナノ粒子を生成する。このことは、特に、活発に加熱されている炭素繊維基材の場合とされる。その後生じる金属炭化物の形成、及び続いて生じる触媒粒子への炭素蒸気拡散は、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブの形成をもたらす。
【００５０】
ある実施形態において、非触媒材料はまた、本プロセスで触媒材料と併せて使用可能である。カーボンナノチューブは、非触媒材料が存在せずとも、本プロセスに従って炭素繊維基材上で成長できるが、触媒材料と併せて非触媒材料を使用することにより、改善されたカーボンナノチューブ成長割合、及びより高いカーボンナノチューブ被覆率がもたらされる。理論又は機構に制限されず、非触媒材料が触媒材料と炭素繊維基材との相互作用を抑制すると考えられているが、そうでない場合には、カーボンナノチューブの成長が妨げられる。さらにまた、非触媒材料により、活性触媒への触媒前駆体の解離が容易になり、そして炭素繊維基材へのカーボンナノチューブの定着が促進されると考えられている。
【００５１】
ある実施形態において、触媒前駆体と併せて非触媒材料を使用することにより、触媒前駆体をカーボンナノチューブ成長に適切な活性触媒に変換する別個の工程を使用せずに、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブの成長が可能となる。すなわち、ある実施形態において、触媒前駆体は非触媒材料と併せて使用され、カーボンナノチューブ成長条件にさらすことにより炭素繊維基材上でカーボンナノチューブを直接成長させる。ある実施形態において、触媒前駆体からの活性触媒の形成には、触媒中間状態（例えば、遷移金属酸化物）の形成が含まれる。ある実施形態において、触媒中間状態は、金属酸化物（例えば遷移金属酸化物）が形成されるような、その分解温度まで触媒前駆体を加熱することにより形成される。ある実施形態において、本プロセスには、炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらしている間、任意選択的には、炭素繊維基材を輸送している間に、触媒前駆体から触媒ナノ粒子を形成することが含まれる。代替の実施形態において、本プロセスには、炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらす前に、触媒前駆体又は触媒中間状態から触媒ナノ粒子を形成することが含まれる。例えば、所望するなら、触媒前駆体又は触媒中間状態を水素にさらすこと等により、別個の触媒活性化段階を行うことが可能である。ある実施形態において、触媒前駆体又は触媒中間状態は、炭素繊維基材上に配置されるか、又は形成され、その後、炭素繊維基材は後の使用のために保存可能である。すなわち、炭素繊維基材には、触媒前駆体又は触媒中間状態が充填され、それから後に、カーボンナノチューブ成長条件にさらされる。
【００５２】
本プロセスを実施するために適切とされる非触媒材料は、一般に、カーボンナノチューブ成長条件に対して不活性な物質である。上記のように、このような非触媒材料はさらに、触媒材料を安定させることができて、それによりカーボンナノチューブ成長が容易となる。ある実施形態において、非触媒材料は、アルミニウム含有化合物、シリコン含有化合物、又はそれらの組み合わせであってもよい。例示的なアルミニウム含有化合物には、アルミニウム塩（例えば、硝酸アルミニウム又は酢酸アルミニウム）又はその水酸化物が含まれる。例示的なシリコン含有化合物には、ガラス及び二酸化ケイ素製剤、ケイ酸塩あるいはシラン等が含まれる。
【００５３】
非触媒材料が本プロセスに使用される場合、触媒材料は、触媒材料より前、後、又は同時に配置可能である。ある実施形態において、触媒材料は非触媒材料より前に配置可能である。すなわち、このような実施形態において、触媒材料は炭素繊維基材と非触媒材料との間に配置可能である。他の実施形態において、触媒材料は非触媒材料より後に配置可能である。すなわち、このような実施形態において、非触媒材料は炭素繊維基材と触媒材料との間に配置可能である。さらに他の実施形態において、触媒材料は非触媒材料と同時に配置可能である。配置順序にかかわらず、触媒材料と非触媒材料の組み合わせは、炭素繊維基材上に触媒コーティングを形成することができる。ある実施形態において、触媒コーティングの厚さは、約５ｎｍから約１００ｎｍの間の範囲とすることができる。他の実施形態において、触媒コーティングの厚さは、約１０ｎｍから約１００ｎｍの間、又は約１０ｎｍから約５０ｎｍの間の範囲とすることができる。
【００５４】
ある実施形態において、触媒前駆体はバリアコーティングと併せて使用可能である。ある実施形態において、触媒前駆体は非触媒材料及びバリアコーティングと併せて使用可能である。炭素繊維へのカーボンナノチューブの導入と併せたバリアコーティングの使用は、２００９年１１月２日に出願された本出願人の共同の米国特許出願第１２／６１１，１０１号明細書に記載されており、それらの全内容は参照により本出願に既に組み込まれた。ある実施形態において、バリアコーティングは、炭素繊維基材の周囲に適合的に（conformally）配置可能である。ある実施形態において、バリアコーティングは、炭素繊維基材へのカーボンナノチューブの間接的な導入を可能にする。すなわち、このような実施形態において、カーボンナノチューブは、炭素繊維基材上でバリアコーティングから成長することができる。ある実施形態において、バリアコーティングは、ひとたび触媒前駆体から形成されると、炭素繊維基材により触媒の相互作用を抑制することができる。加えて、バリアコーティングは、炭素蒸気の炭素繊維基材との相互作用を抑制すると共に、炭素繊維基材の熱分解を妨げることができる熱障壁として機能することが可能である。
【００５５】
例示的なバリアコーティングには、例えば、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルモキサン、アルミナナノ粒子、スピンオンガラス（spin on glass）、及びガラスナノ粒子が含まれる。例えば、一実施形態において、バリアコーティングは、「Ａｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）Ｔ−１１のスピンオンガラス（Honeywell International Inc., Morristown, NJ）」であってもよい。ある実施形態において、バリアコーティングは、触媒材料又は非触媒材料のどちらかより前に炭素繊維基材の周囲に配置可能である。他の実施形態において、非触媒材料はバリアコーティング上に配置可能である。さらなる他の実施形態において、触媒材料は、未硬化バリアコーティングと組み合わされ、一緒に繊維基材へ塗布され、その後硬化が生じる。ある実施形態において、非触媒材料はまた、バリアコーティングと併合可能であるか、又は、非触媒材料は、触媒材料も含んだバリアコーティング上に配置可能である。ある実施形態において、バリアコーティング、触媒材料及び非触媒材料は全て一緒に併合可能である。ある実施形態において、バリアコーティングは十分に薄いため、カーボンナノチューブ成長中に、触媒又は触媒前駆体を炭素原料ガスにさらすことが可能である。ある実施形態において、バリアコーティングは、カーボンナノチューブ成長の媒介に用いられる触媒ナノ粒子の有効直径未満か、又は略等しい厚さであってもよい。
【００５６】
ある実施形態において、バリアコーティングの厚さは、約１０ｎｍから約１００ｎｍの間の範囲とすることができる。他の実施形態において、バリアコーティングの厚さは、約１０ｎｍから約５０ｎｍの間とすることができる。さらに、他の実施形態において、バリアコーティングの厚さは、約１０ｎｍ未満であってもよい。
【００５７】
理論に制限されず、バリアコーティングは、互いの付着を促進するよう炭素繊維基材とカーボンナノチューブとの間の中間層として機能する。バリアコーティングを使用して炭素繊維基材上で成長した場合、基材へのカーボンナノチューブの組織化及び付着のための強固な基盤を提供しながら、なおも、カーボンナノチューブの有益な性質を炭素繊維基材へ与えることができる。
【００５８】
一般に、バリアコーティングと非触媒材料の両方は、お互いにいくつかの化学的類似性を有する物質を利用できる。ある実施形態において、バリアコーティングは、非触媒材料と同一でない物質であってもよい。例えば、ある実施形態において、バリアコーティングは、例えば、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルモキサン、アルミナナノ粒子、スピンオンガラス（spin on glass）、及びガラスナノ粒子等の物質から選択され、非触媒材料は金属塩であってもよい。ある実施形態において、バリアコーティングと組み合わせて使用される非触媒材料は、アルミニウム塩又はその水酸化物であってもよい。より詳細な実施形態においては、非触媒材料として使用されるアルミニウム塩は、硝酸アルミニウム又はその水酸化物であってもよい。
【００５９】
炭素繊維基材は、通常、サイジング剤で繊維をコーティングすることにより、商業的に製造されている。市販の繊維には様々なサイジング剤が用いられているが、ほとんどの場合、エポキシ樹脂製のサイジング剤が炭素繊維と共に用いられている。サイジング剤の存在は、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブの成長の弊害となり得ることが、本開示と併せて発見された。より詳細には、炭素繊維基材と共に最も一般的に使用されているエポキシ樹脂製のサイジング剤は、炭素繊維トウ、又は繊維構造等の個々の炭素フィラメントが、その上でカーボンナノチューブを成長させる前に適切に開繊されるのを阻んでしまう。炭素繊維基材を適切に開繊することができない場合、触媒材料が炭素繊維基材を不完全にコーティングして、その結果、カーボンナノチューブの低い成長がみられるというケースが時々生じる。しかしながら、カーボンナノチューブ成長が生じる前にサイジング剤が除去されると、炭素繊維はより簡単に開繊でき、触媒材料が容易に塗布可能となる。したがって、炭素繊維基材からサイジング剤を除去すること、炭素繊維基材を開繊すること、及び炭素繊維基材へ触媒材料を塗布することにより、その上でのカーボンナノチューブの被覆率を改善することができる。理論又は機構に制限されず、それらのことにより炭素繊維基材上での触媒材料の低被覆率を生じさせるからだけでなく、また、エポキシ樹脂が一般に、カーボンナノチューブを成長させるのに不十分な表面であるから、エポキシ樹脂製のサイジング剤はカーボンナノチューブ成長の弊害であると考えられている。
【００６０】
ある実施形態において、本プロセスにはさらに、炭素繊維基材からサイジング剤を除去すること（例えば、加熱により）が含まれる。他の実施形態において、炭素繊維基材は、サイジング剤を含まないようにして得られるか、又は生成可能である。ある実施形態において、サイジング剤を含んでいない炭素繊維基材は、その上での触媒材料の配置を促進するよう開繊可能である。ある実施形態において、サイジング剤を含んでいない炭素繊維基材は、その上に配置されたバリアコーティングを有することができる。
【００６１】
ある実施形態において、触媒材料及び非触媒材料は、例えば、スプレーコーティング、浸コーティング、ローラーコーティング、又は溶液ベースの配置技術等の技術又はそれらの組み合わせにより配置可能である。ある実施形態において、触媒材料及び非触媒材料はそれぞれ、少なくとも１つの溶液で配置可能である。ある実施形態において、触媒材料は第１の溶液で配置可能で、非触媒材料は第２の溶液で配置可能である。このような実施形態において、触媒材料は、非触媒材料より前、後、同時に配置可能である。他の実施形態において、触媒材料及び非触媒材料は、同一の溶液で同時に配置可能である。ある実施形態において、少なくとも１つの溶液は溶媒として水を含有することができる。
【００６２】
ある実施形態において、触媒材料及び非触媒材料はそれぞれ、少なくとも１つの溶液内で約０．１ｍＭから約１．０ｍＭに及ぶ濃度を有する。他の実施形態において、触媒材料及び非触媒材料はそれぞれ、少なくとも１つの溶液内で約０．１ｍＭから約５０ｍＭ、又は約１０ｍＭから約１００ｍＭ、又は約５０ｍＭから約１．０ｍＭに及ぶ濃度を有する。触媒材料及び非触媒材料が同一の溶液内にある場合、前述の濃度範囲は、溶液全体の濃度ではなく、溶液内のそれぞれの成分の濃度を意味する。
【００６３】
ある実施形態において、触媒材料を含有した少なくとも１つの溶液には、過酸化水素又は酸化物等も含有することができる。少なくとも１つの溶液内に過酸化水素を用いることは、溶液が炭素繊維基材上に配置される場合に、ナノ粒子触媒前駆体が水溶性材料から直接形成されるという点で特に有益とされる。酢酸鉄（II）が触媒材料として使用される場合に、少なくとも１つの溶液内に過酸化水素を含有することは特に有益とされる。理論又は機構に制限されず、過酸化水素と酢酸鉄（II）との間の反応から形成された触媒前駆体が、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長に特に効果のある活性触媒に変換可能であると考えられている。さらに、過酸化水素を含有する触媒溶液は、長期間に備えて貯蔵及び使用可能な非常に安定した水溶液である。対照的に、過酸化水素が存在しない場合、同一の触媒溶液は貯蔵中に沈殿物を形成してしまう。
【００６４】
もし少なくとも１つの溶液に用いられる溶媒が、触媒材料及び非触媒材料（存在する場合に）を効果的に可溶化又は分散するとすれば、それらは、一般に制限なく変更可能である。特に適した溶媒には、例えば、水、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、又はイソプロパノール）、エステル（例えば、酢酸メチル、又は酢酸エチル）、ケトン（例えば、アセトン又はブタノン）、及びそれらの混合物が含まれる。ある実施形態において、少量の共有溶媒は、溶媒内で遷移金属塩が溶解できるように加えることができるが、そうしない場合には、遷移金属塩が十分に溶解されない。このような共有溶媒の例示的な例には、例えば、グリム（glyme）、ジグリム（diglyme）、トリグリム（triglyme）、ジメチルホルムアミド（dimethylformamide）、及びジメチルスルホキシド（dimethylsulfoxide）が含まれる。一般に、炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらす前に溶媒を容易に移動できるように、比較的低い沸点を有する溶媒が好まれている。溶媒の迅速な除去により、触媒材料の均一なコーティングの形成が促進できる。より高い沸点の溶媒、又は炭素繊維基材の表面にたまりやすい溶媒においては、触媒材料は不均一な分布となり、それによりカーボンナノチューブ成長及び被覆率が不十分となる。この点で、炭素繊維上でのカーボンナノチューブのより均一な分布につながるので、カーボンナノチューブの表面を湿らせるのに効果的な溶媒が特に有益とされる。
【００６５】
非触媒材料の混入は、一般に、本プロセスにおいて有益とされるが、非触媒材料の量に上限があり、これを越えた場合には、カーボンナノチューブ成長が困難又は実行不可能となる。このことは、非触媒材料が触媒材料より後、又は同時に配置された場合に特に当てはまる。このような制限は、非触媒材料が触媒材料より前に配置された場合には必ずしもあてはまるわけではない。過剰な触媒材料が含まれるなら、非触媒材料は触媒材料を過剰にオーバーコーティングしてしまい、それにより触媒材料への炭素原料ガスの拡散が妨げられ、カーボンナノチューブ成長が妨害される。触媒材料がバリアコーティングと同時に配置された場合に、バリアコーティングにも同じことが当てはまる。ある実施形態において、触媒材料に対する非触媒材料のモル比は、最大でおよそ８：１とされる。他の実施形態において、触媒材料に対する非触媒材料のモル比は、最大でおよそ６：１とされる。さらに、他の実施形態において、触媒材料に対する非触媒材料のモル比は、最大でおよそ４：１とされる。さらにまた、他の実施形態において、触媒材料に対する非触媒材料のモル比は、最大でおよそ２：１とされる。
【００６６】
炭素繊維基材上への触媒材料の配置後、カーボンナノチューブを成長させるための化学気相蒸着（ＣＶＤ）ベースのプロセス又は他のプロセスが、炭素繊維基材上でカーボンナノチューブを成長させるために用いられる。カーボンナノチューブ合成の例示的なプロセスには、例えば、微小共振器、熱又はプラズマ助長ＣＶＤ技術、レーザアブレーション、アーク放電、火炎合成、及び高圧一酸化炭素（ＨｉＰＣＯ）合成が含まれ、これら全ては当業者には周知とされている。ある実施形態において、ＣＶＤベースの成長プロセスは、プラズマ助長される。ある実施形態において、カーボンナノチューブを成長させるプロセスは、カーボンナノチューブ成長条件にさらされている間、炭素繊維基材が連続的な方法で反応器を通って搬送されることにより、連続的に生じる。
【００６７】
本明細書に記載の実施形態において、カーボンナノチューブ成長は、連続的な方法（すなわち、炭素繊維基材を移動すること）又はバッチ式の条件（すなわち、静止した炭素繊維基材）の下で生じる。一般に、商業生産に適したハイスループット合成を促進するために、カーボンナノチューブ成長中に炭素繊維基材を輸送することが好まれる。制限されない実施形態において、カーボンナノチューブの成長は、連続的なカーボンナノチューブに適合された反応器で生じる。このような特徴を有する例示的な反応器は、本出願人の共同の米国特許出願第１２／６１１，１０１号明細書に記載されており、それらの全内容は既に参照により本出願に組み込まれた。上記の反応器は、カーボンナノチューブ成長条件にさらすために、基材を反応器に通して連続的に搬送するように設計されているが、所望するなら、反応器はまた、基材を静止させたままバッチ式のモードで稼働可能である。例示的なカーボンナノチューブ成長反応器のさらなる詳細、及びカーボンナノチューブを成長させる特定のプロセスの詳細は、本明細書に詳しく明記されている。本明細書に記載のプロセスは、特定のカーボンナノチューブ反応器について限定するものではなく、また、当業者には周知のあらゆる適切な反応器を本プロセスで利用できることが留意されるべきである。
【００６８】
カーボンナノチューブ成長は、高温で生じる化学気相蒸着プロセスに基づいている。具体的な温度については、触媒の選択によるが、通常、約５００度から約１０００度に及ぶものとされる。ある実施形態において、温度は約５５０度から約８００度に及ぶものであってもよい。様々な実施形態において、温度はカーボンナノチューブ成長割合又は得られたカーボンナノチューブの直径に影響を及ぼすことができる。
【００６９】
様々な実施形態において、カーボンナノチューブ成長は、ＣＶＤベースのプロセスにより生じ、プラズマ助長される。ＣＶＤプロセスは、例えば、アセチレン、エチレン、又はメチレン等の炭素含有原料ガスにより促進できる。カーボンナノチューブ成長プロセスは、一般に、炭素含有原料ガスと併せて、主なガスとして不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン、又はヘリウム）を使用できる。炭素含有原料ガスは、通常、混合物全体の約０．１％から約５０％に及ぶ範囲まで供給される。ある実施形態において、炭素含有原料ガスは、混合物全体の約０．１％から約１０％に及ぶ範囲であってもよい。ＣＶＤ成長用の略不活性環境は、成長チャンバーから蒸気及び酸素を除去することにより作成可能である。
【００７０】
プラズマが生成する強電場を任意に用いて、カーボンナノチューブ成長の方向に作用させることが可能である。プラズマは、成長プロセス中に電場を供給することにより生成可能である。垂直配列されたカーボンナノチューブ（すなわち、炭素繊維基材に垂直な）は、プラズマスプレー及び電場の配置を適切に調整することにより合成可能である。特定の条件下では、プラズマが存在せずとも、密集したナノチューブは、略垂直な成長方向を維持し、その結果、カーペット又は森のようなカーボンナノチューブの密な配列を生じさせる。
【００７１】
ある実施形態において、アセチレンガスはイオン化されて、カーボンナノチューブ合成用の低温炭素プラズマの噴流を生み出す。炭素プラズマは、カーボンナノチューブ合成中に、炭素繊維基材へ向けられる。したがって、ある実施形態において、炭素繊維基材上でカーボンナノチューブを成長させるプロセスには、（ａ）炭素プラズマを形成すること、及び（ｂ）炭素繊維基材上に配置された触媒材料に炭素プラズマを誘導することが含まれる。ある実施形態において、炭素繊維基材は、約５５０度から約８００度まで活発に加熱され、カーボンナノチューブ成長を促進する。カーボンナノチューブの成長を開始させるために、２つ以上のガス（例えば、アルゴン、ヘリウム又は窒素等の不活性搬送ガス、及びアセチレン、エチレン、エタノール又はメタン等の炭素含有原料ガス）が反応器内に注気される。
【００７２】
ある実施形態において、カーボンナノチューブ成長は、連続合成及び繊維材料上でのカーボンナノチューブの成長用に設計された特別な矩形反応器で生じる。このような反応器は、本出願人の共同、同時係属中の米国特許出願第１２／６１１，１０１号明細書に記載されており、それらの全内容は参照により本出願に組み込まれる。この反応器は大気圧でのカーボンナノチューブの大気圧成長を利用することができ、連続カーボンナノチューブ成長プロセスへの組み込みが容易である。加えて、所望するなら、反応器は、炭素繊維基材を固定させたままバッチ式の方法で稼働可能である。静的なカーボンナノチューブ成長には、より従来の反応器も使用可能である。ある実施形態において、カーボンナノチューブは、ＣＶＤプロセスを介して、マルチゾーン（multi-zone）反応器内において、大気圧かつ約５５０度から約８００度に及ぶ範囲の高温で成長することができる。カーボンナノチューブ合成が大気圧で生じ得るという事実は、炭素繊維基材上におけるカーボンナノチューブ成長にとっては、反応器を連続プロセスラインに組み込むことが容易となる一要因である。このようなマルチゾーン反応器を使用する連続インラインプロセスと一致するもう１つの利点は、ＣＮＴ成長が、当該技術分野では標準的な他のプロセス又は装置構成では数分（又はそれ以上）で生じるのに対し、数秒で生じることである。
【００７３】
上記実施例に従って設計されたカーボンナノチューブ合成反応器には、以下の特徴が含まれる。
【００７４】
（矩形に構成された合成反応器）
当該技術分野で周知の典型的なカーボンナノチューブ合成反応器の断面は円形である。これには、例えば、歴史的理由（例えば、研究所では多くの場合円筒形反応器が使用される）、利便性（例えば、円筒形反応器では、流体力学のモデル化が容易であり、加熱システムは円環（例えば石英等）に容易に対応する）、及び製造の容易さを含む多くの理由がある。円筒形の慣習から離れ、本開示は、断面が矩形のカーボンナノチューブ合成反応器を提供する。離脱する理由には、少なくとも以下の理由が含まれる。
【００７５】
１）反応器容量の非効率な使用。反応器により処理されることになる多くの炭素繊維基材は、比較的平面（例えば、平らなテープ、シート様形態、又は開繊されたトウ又はロービング）であるため、円形断面は反応器容量の使用が非効率である。この非効率性により、円筒形カーボンナノチューブ合成器には、以下のようないくつかの欠点が生じる：
ａ）十分なシステムパージを維持：増加した反応器容量は、同レベルのガスパージを維持するために、さらなるガス流量を必要とし、解放環境におけるカーボンナノチューブの大量生産にとって非効率となる。
ｂ）増加する炭素含有原料ガス流量：システムパージのための不活性ガス流内での相対的な増加は、上記ａ）のように、さらなる炭素含有原料ガス流量を必要とする。
例示的な１２Ｋガラス繊維ロービングの容量は、断面が矩形の合成反応器の全容量のおよそ２０００分の１であると考えられたい。同等な円筒形反応器（すなわち、矩形断面反応器と同一の平面的なガラス繊維材料に対応する幅を有する円筒形反応器）において、ガラス繊維材料の容量は、反応器の容量のおよそ１７，５００分の１である。ＣＶＤ等のガス蒸着プロセスは、通常、圧力及び温度のみに影響されるが、容量は蒸着の効率に大きな影響力を有する。矩形反応器を用いても、それでもまだ容量は過剰であり、この過剰な容量は望ましくない反応を促進する。しかしながら、円筒形反応器は、望ましくない反応の促進に使用可能な約８倍の容量を有する。反応と競合するためのより大きな機会が生じるため、所望の反応は、円筒形反応器内で実際はよりゆっくりと生じる。カーボンナノチューブ成長のこのような減速は、連続成長プロセスの進行にとっては問題とされる。矩形反応器構成のもう１つの利点は、高さの低い矩形反応器を使用することにより、反応器容量をさらに減少させて、容量比をより良好にし、反応をより効率的にすることである。本明細書に開示のある実施形態において、矩形合成反応器の全容量は、合成反応器を通過する炭素繊維基材の全容量のわずか約３０００倍に過ぎない。さらなる実施形態において、矩形合成反応器の全容量は、合成反応器を通過する炭素繊維基材の全容量のわずか約４０００倍に過ぎない。また、さらなる実施形態において、矩形合成反応器の全容量は、合成反応器を通過する炭素繊維基材の全容量の約１０，０００倍未満である。さらに、円筒形反応器を使用した場合、矩形断面の反応器と同じ流率（low percent）を提供するために、より多くの炭素含有原料ガスが必要となることは注目すべきである。他の実施形態において、合成反応器は、矩形ではないが、比較的それに類似しており、円形断面の反応器に対して反応器容量を同様に減少させる多角形形状で表される断面を有することは評価されてよい。
ｃ）問題のある温度分布：比較的小さな直径の反応器が使用される場合、チャンバーの中央からその壁面までの温度勾配は最小となるが、工業規模の生産に使用される等、反応器の規模が大きくなるにつれ、このような温度勾配は大きくなる。
温度勾配により、炭素繊維基材全域での製品品質にばらつきが生じる（すなわち、製品の品質は半径方向の位置の関数として変化する）。矩形断面の反応器を使用した場合、この問題を実質的に避けることができる。特に、平面的な基材が使用される場合、反応器の高さを、基材の上向きの大きさに一定に保つことができる。反応器の頂部と底部との間の温度勾配は、基本的にごくわずかであり、結果として熱問題及びこれにより生じる製品品質のばらつきは避けられる。
【００７６】
２）ガス導入。当該技術分野では管状炉が通常使用されるため、一般的なカーボンナノチューブ合成反応器は、ガスを一端から導入し、反応器を通ってそれを他端へ引き込む。本明細書に開示のある実施形態において、ガスは、反応器の側面を通るか、又は頂板及び底板を通って、反応器の中央部又は目標成長領域に、対称的に導入することができる。流入する原料ガスがシステムの最も高温の（カーボンナノチューブ成長が最も活発な）部分に連続的に補給されるため、これはＣＮＴ成長割合全体を向上させる。
【００７７】
（領域化）
比較的低温のパージ領域を提供するチャンバーは、矩形合成反応器の両端から広がる。高温のガスが外部環境（すなわち矩形反応器の外側）と接した場合、炭素繊維基材の劣化が増すことを究明している。低温のパージ領域は、内部システムと外部環境との間の緩衝材を提供する。当該技術分野で周知のカーボンナノチューブ合成反応器構成は、通常、基材を注意深く（及びゆっくりと）冷却することが求められる。本矩形カーボンナノチューブ成長反応器の出口の低温パージ領域は、連続インラインプロセスに適切とされる短時間で冷却することができる。
【００７８】
（非接触、ホットウォール型（hot-walled）、金属反応器）
ある実施形態において、金属（例えば、ステンレス）製のホットウォール型反応器が使用可能である。金属、特にステンレスは、炭素堆積（すなわち、煤及び副生成物形成）の影響を受けやすいため、このタイプの反応器の使用は、直感に反するように思える。したがって、炭素の堆積がより少なく、石英は清掃がより容易であり、石英は試料の観測を容易にするため、ほとんどのカーボンナノチューブ合成反応器は石英でできている。しかしながら、ステンレス鋼上の煤及び炭素堆積の増大により、より着実で、より効率的で、より速く、より安定したカーボンナノチューブ成長がもたらされることが認められた。理論に制限されず、大気稼働と併せて、反応器内で生じるＣＶＤプロセスは拡散律速であることが指摘された。すなわち、カーボンナノチューブ形成触媒は「過剰供給」され、その相対的に（反応器が不完全な真空の下で稼働した場合よりも）高い分圧により過剰な炭素が反応器システム内で得られる。結果として、解放システム、特にクリーンなものにおいて、過剰な炭素がカーボンナノチューブ形成触媒の粒子に付着してしまい、カーボンナノチューブ合成能力を低下させる。ある実施形態において、矩形反応器は、反応器が「汚れている」場合、すなわち、金属製反応器壁面に煤が堆積している場合、故意に稼働される。炭素が反応器の壁面の単分子層に堆積すると、炭素はその上に容易に堆積するだろう。この機構により、得られる炭素の一部が「回収される」ため、ラジカルの形態で残っている炭素含有原料は、触媒を害さない速度でカーボンナノチューブ形成触媒と反応する。既存のシステムは、「クリーンに」稼働し、それらが連続プロセスのために開放された場合に、減少した成長速度でカーボンナノチューブのはるかに低い収率を生じることとなる。
【００７９】
上記のように、カーボンナノチューブ合成を「汚い」状態で行うことは、通常、有益であるが、それにもかかわらず、装置の特定の部分（例えば、ガスマニホールド及び吸入口）は、煤が妨害物（blockage）を生成した場合には、カーボンナノチューブ成長プロセスに悪影響を与えることがある。この問題を解決するために、カーボンナノチューブ成長反応チャンバーのこのような領域を、例えば、シリカ、アルミナ又はＭｇＯ等の煤抑制コーティングにより保護することができる。実際には、装置のこれらの部分を、これらの煤抑制コーティングで浸漬被覆することができる。ＩＮＶＡＲ（登録商標）（ＡｒｃｅｌｏｒＭｉｔｔａｌから入手可能な市販のニッケル鋼合金）は、高温でのコーティングの適切な付着を確実なものとし、煤が重要な領域に著しく蓄積するのを妨げる類似したＣＴＥ（熱膨張係数）を有するため、ＩＮＶＡＲ（登録商標）等の金属をこれらのコーティングと共に使用することができる。
【００８０】
（併合された触媒還元とカーボンナノチューブ合成）
本明細書に開示のカーボンナノチューブ合成反応器において、触媒還元とカーボンナノチューブ成長はどちらも反応器内で生じる。当該技術分野で周知の典型的なプロセスにおいて、還元ステップを行うのに通常は１〜１２時間かかる。炭素含有原料ガスが、円筒形反応器を使用する当該技術分野において一般的な端部ではなく、反応器の中央部に導入されることにより、どちらの工程も、少なくともある程度、本開示に係る反応器内で生じる。触媒前駆体を含有する炭素繊維基材が加熱領域に入ると、還元ステップが行われる。この時点までには、（水素ラジカル相互作用を介しての）触媒の還元よりも前に、ガスは壁面と反応して冷却されるだけの時間を得てしまっている。ある実施形態において、還元はこの遷移領域で行われる。システムにおいて最も高温な等温領域でカーボンナノチューブ成長は生じ、反応器の中央部付近のガス吸入口近傍で最大成長速度となる。
【００８１】
当然のことながら、本発明の様々な実施形態の活性に実質的に影響を及ぼさない変形もまた、本明細書に提供された発明の定義内に含まれる。したがって、下記実施例は説明を意図しているが、本発明を限定するものではない。
【実施例１】
【００８２】
（バリアコーティングの中間層上に配置された鉄触媒及び非触媒材料を使用した、温度６５０度での連続ＣＶＤ条件下における炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長）
この実施例では、２．５容量％のＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）Ｔ−１１のスピンオンガラス（Honeywell International, Inc, Morristown, New Jersey）溶液が脱イオン水で作成された。溶液はその後、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）で除去された。２０ｍＭの酢酸鉄（II）及び７．５ｍＭの硝酸アルミニウム九水和物の溶液が脱イオン水で作成され、その後浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、そして、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）でもう一度除去された。図１Ａ及び１Ｂは、非触媒ガラス材料の中間層上に、非触媒硝酸アルミニウム材料と同時に配置された酢酸鉄触媒前駆体によりコーティングされた炭素繊維基材の例示的なＳＥＭ画像を示す。図１Ａに示すように、コーティングにより炭素繊維の表面全体が覆われた。熱線銃（華氏６００°Ｆ）の使用により、熱分解を起こすことが可能となり、図１Ｂに示す触媒ナノ粒子の形成が生じる。コーティングされた基材はその後、６５０度の温度、２ｆｔ／分のラインスピードで連続ＣＶＤカーボンナノチューブ成長反応器を通って輸送された。これらの条件の下で、最大０．０５μｍ／秒までのカーボンナノチューブ成長速度に対応して、長さが最大３μｍまでのカーボンナノチューブを得た。図１Ｃは、６５０度の温度及び２ｆｔ／分のラインスピードでの連続化学蒸着条件の下、酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上に成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示すが、ここでは、酢酸鉄触媒前駆体が、非触媒ガラス材料の中間層上に非触媒硝酸アルミニウム材料と同時に配置された。カーボンナノチューブ成長が７５０度で繰り返される場合、長さが最大３５μｍまでのより長いカーボンナノチューブが、最大０．５８μｍまでのカーボンナノチューブ成長速度に対応して同様の成長時間観測された。図１Ｄは、７５０度の温度及び２ｆｔ／分のラインスピードでの連続化学蒸着条件の下、酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上に成長したカーボンナノチューブの例示的なＳＥＭ画像を示し、ここでは、酢酸鉄触媒前駆体が、非触媒ガラス材料の中間層上に非触媒硝酸アルミニウム材料と同時に配置された。
【実施例２】
【００８３】
（バリアコーティングの中間層上に配置された鉄触媒を使用した、温度６５０度での連続ＣＶＤ条件下における炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長）
触媒溶液が非触媒硝酸アルミニウム材料を含有していないことを除いて、実施例１のカーボンナノチューブ成長が６５０度で繰り返された。この実施例では、２．５容量％のＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）Ｔ−１１のスピンオンガラス（Honeywell International, Inc, Morristown, New Jersey）溶液が脱イオン水で作成された。溶液はその後、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）で除去された。２０ｍＭの酢酸鉄（II）の溶液が脱イオン水で作成され、その後浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、そして、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）でもう一度除去された。コーティングされた基材はその後、６５０度の温度、２ｆｔ／分のラインスピードで連続ＣＶＤカーボンナノチューブ成長反応器を通って輸送された。これらの条件の下で、最大０．０２５μｍ／秒までのカーボンナノチューブ成長速度に対応して、長さが最大１．５μｍまでのカーボンナノチューブを得た。図２Ａ及び２Ｂは、６５０度の温度及び２ｆｔ／分のラインスピードでの連続化学蒸着条件の下、酢酸鉄触媒前駆体を使用して、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長の例示的なＳＥＭ画像を示し、ここでは、酢酸鉄触媒前駆体が、非触媒ガラス材料の中間層上に配置された。実施例１と比較した場合、カーボンナノチューブ成長及び被覆の行き渡りが大幅に低下した。
【実施例３】
【００８４】
（バリアコーティングの中間層上に配置された鉄触媒、過酸化水素、及び非触媒材料を使用した、温度７８０度の連続ＣＶＤ条件下における炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長）
触媒溶液が過酸化水素及び高濃度の鉄触媒を含有していることを除いて、実施例１のカーボンナノチューブ成長が７８０度で繰り返された。この実施例では、２．５容量％のＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）Ｔ−１１のスピンオンガラス（Honeywell International, Inc, Morristown, New Jersey）溶液が脱イオン水で作成された。溶液はその後、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）で除去された。４０ｍＭの酢酸鉄（II）、７．５ｍＭの硝酸アルミニウム九水和物、及び０．０１５容量％の過酸化水素の溶液が脱イオン水で作成され、その後浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、そして、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）でもう一度除去された。コーティングされた基材はその後、連続ＣＶＤカーボンナノチューブ成長反応器を７８０度の温度、２ｆｔ／分のラインスピードで通って輸送された。これらの条件の下で、最大１．３μｍ／秒までのカーボンナノチューブ成長速度に対応して、長さが最大８０μｍまでのカーボンナノチューブを得た。
【実施例４】
【００８５】
（バリアコーティングの中間層の下に配置された鉄触媒、過酸化水素、及び非触媒材料を使用した、温度７５０度の連続ＣＶＤ条件下における炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長）
非触媒中間層と触媒溶液付加の順序が反転していることを除いて、実施例３のカーボンナノチューブ成長が７５０度で繰り返された。この実施例では、８０ｍＭの酢酸鉄（II）、１５ｍＭの硝酸アルミニウム九水和物、及び０．０１５容量％の過酸化水素の溶液が脱イオン水で作成された。溶液はその後、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）で除去された。２．５容量％のＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）Ｔ−１１のスピンオンガラス（Honeywell International, Inc, Morristown, New Jersey）溶液がイソプロパノールで作成され、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、そして、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）でもう一度除去された。コーティングされた基材はその後、７５０度の温度、２ｆｔ／分のラインスピードで連続ＣＶＤカーボンナノチューブ成長反応器を通って輸送された。これらの条件の下で、最大０．６７μｍ／秒までのカーボンナノチューブ成長速度に対応して、長さが最大４０μｍまでのカーボンナノチューブを得た。図３は、７５０度の温度及び２ｆｔ／分のラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用した、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長の例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、酢酸鉄触媒前駆体は、非触媒ガラス材料の中間層の下に非触媒硝酸アルミニウム材料と同時に配置された。
【００８６】
図３に示すように、「反転した」コーティング順序によるカーボンナノチューブ成長は、繊維基材で一貫性の低下したカーボンナノチューブの長さをもたらした。しかしながら、基材の強度を維持及び多くの場合で向上させるより高い能力など、このコーティング様式に関連する特定の利点があることは注目すべきである。加えて、このようなコーティング様式により、非触媒材料が基材表面からカーボンナノチューブの先端（the tips）への離昇（lifted off）がもたらされる。基材の表面から絶縁材料を除去する能力は、電気的、そして熱的応用、同様に界面の機械的性質にとって有益とされる。
【実施例５】
【００８７】
（バリアコーティングと同時に配置された鉄触媒、過酸化水素、及び非触媒材料を使用した、温度６７５度の連続ＣＶＤ条件下における炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長）
触媒溶液が非触媒ガラス材料と同時に配置されたことを除いて、実施例３のカーボンナノチューブ成長が６７５度で繰り返された。この実施例では、１００ｍＭの酢酸鉄（II）、１８．７５ｍＭの硝酸アルミニウム九水和物、及び０．０１５容量％の過酸化水素、及び１．２５容量％のＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）Ｔ−１１のスピンオンガラス（Honeywell International, Inc, Morristown, New Jersey）の溶液が脱イオン水で作成された。溶液はその後、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）で除去された。コーティングされた基材はその後、６７５度の温度、２ｆｔ／分のラインスピードで連続ＣＶＤカーボンナノチューブ成長反応器を通って輸送された。これらの条件の下で、最大０．０３μｍ／秒までのカーボンナノチューブ成長速度に対応して、長さが最大２μｍまでのカーボンナノチューブを得た。図４は、６７５度の温度及び２ｆｔ／分のラインスピードでの連続化学蒸着条件下で酢酸鉄触媒前駆体を使用した、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長の例示的なＳＥＭ画像を示し、ここでは、酢酸鉄触媒前駆体が、非触媒硝酸アルミニウム材料及び非触媒ガラス材料と同時に配置された。図４に示すように、単一の水溶液によるカーボンナノチューブ成長は、極めて均一な長さを有して現れ、繊維表面上でかなりの被覆率を維持した。
【実施例６】
【００８８】
（バリアコーティングの中間層の下に配置された鉄及びコバルト触媒を使用した炭素繊維基材上で、温度７５０度の連続ＣＶＤ条件の下におけるカーボンナノチューブ成長）
異なる触媒溶液が触媒前駆体の代わりに使用されたことを除いて、実施例４のカーボンナノチューブ成長が７５０度で繰り返された。この実施例では、５００ｍＭのクエン酸鉄（III）アンモニウム、５１８ｍＭの酢酸コバルト四水和物、及び１．０容量％のアンモニア、の溶液が脱イオン化水で作成された。溶液はその後、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）で除去された。２．５容量％のＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）Ｔ−１１のスピンオンガラス（Honeywell International, Inc, Morristown, New Jersey）溶液がイソプロパノールで作成され、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）でもう一度除去された。コーティングされた基材はその後、７５０度の温度、２ｆｔ／分のラインスピードで連続ＣＶＤカーボンナノチューブ成長反応器を通って輸送された。これらの条件の下で、最大０．６７μｍ／秒までのカーボンナノチューブ成長速度に対応して、長さが最大４０μｍまでのカーボンナノチューブを得た。
【実施例７】
【００８９】
（バリアコーティングの中間層の下に配置された鉄触媒、及び非触媒材料を使用した、温度７５０度の連続ＣＶＤ条件下における炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長）  代わりの鉄塩触媒前駆体が使用されたことを除いて、実施例４のカーボンナノチューブ成長が７５０度で繰り返された。この実施例では、４０ｍＭの硝酸鉄（III）九水和物、及び１０ｍＭの硝酸アンモニウム九水和物の溶液が脱イオン化水で作成された。溶液はその後、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）で除去された。２．５容量％のＡｃｃｕｇｌａｓｓ（登録商標）Ｔ−１１のスピンオンガラス（Honeywell International, Inc, Morristown, New Jersey）溶液が脱イオン化水で作成され、浸漬被覆プロセスを介して炭素繊維基材に塗布され、溶媒が熱線銃（華氏６００°Ｆ）でもう一度除去された。コーティングされた基材はその後、７５０度の温度、２ｆｔ／分のラインスピードで連続ＣＶＤカーボンナノチューブ成長反応器を通って輸送された。これらの条件の下で、最大０．０８μｍ／秒までのカーボンナノチューブ成長速度に対応して、長さが最大５μｍまでのカーボンナノチューブを得た。図５は、７５０度の温度及び２ｆｔ／分のラインスピードでの連続化学蒸着条件下で硝酸鉄触媒前駆体を使用した、炭素繊維基材上でのカーボンナノチューブ成長の例示的なＳＥＭ画像を示し、ここで、硝酸鉄触媒前駆体は、非触媒ガラス材料の中間層上に非触媒硝酸アルミニウム材料と同時に配置された。図５に示すように、カーボンナノチューブ成長割合及び被覆率は、この触媒材料により低下した。
【００９０】
本発明が開示された実施形態に関して説明されてきたが、当業者であれば、これらの実施形態が本発明の例示であることを容易に理解するだろう。本発明の精神から逸脱することなく様々な変更が可能であることを理解すべきである。上記の特定の実施形態は例示に過ぎず、本発明は、本明細書の教示の利益を有する当業者にとって自明の、異なるが均等な形で変更及び実行されてよい。さらに、本明細書に記載された構成又は設計の詳細が、添付の特許請求の範囲の記載以外により限定されることはない。したがって、上記の特定の例示的な実施形態が変形、組み合わせ、変更されてもよく、このような変形例は全て本発明の範囲及び精神に含まれることが明らかである。構成及び方法は、様々な構成要素又は段階を「含んで構成される」、「含んでいる」、又は「含む」と表して説明されるが、構成及び方法はまた、様々な構成要素及び工程「から実質的に成る」、又は「から成る」ことが可能である。上記の全ての数及び範囲は、ある量により変更可能である。下限と上限を備えた数値範囲が開示されている場合は常に、広範囲内にある全ての数及び全ての部分的な範囲も詳細に開示される。また、特許権者によりはっきりと且つ明確に定義されていなければ、特許請求の範囲における用語は、それらの平易な通常の意味を有する。本明細書、及び参照によりここに組込まれてよい１つ以上の特許又は他の文書中の単語又は用語の使用法に矛盾がある場合、本明細書と一致している定義が採用されるべきである。
出願当初の特許請求の範囲は以下のようであった。
［請求項１］
炭素繊維基材上に触媒前駆体を配置すること、
前記炭素繊維基材上に非触媒材料を配置すること、及び
前記触媒前駆体及び非触媒材料を配置した後、カーボンナノチューブをその上で成長させるよう前記炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらすこと、
を含んで構成され、
前記カーボンナノチューブ成長条件は、前記触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換する、カーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２］
さらに、前記カーボンナノチューブが成長している間、前記炭素繊維基材を輸送することを含んで構成される請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項３］
前記触媒前駆体は前記非触媒材料よりも前に配置される請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項４］
前記触媒前駆体は前記非触媒材料よりも後に配置される請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項５］
前記触媒前駆体は前記非触媒材料と同時に配置される請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項６］
前記炭素繊維基材はサイジング剤を含んでいない請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項７］
前記炭素繊維基材はバリアコーティングでコーティングされる請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項８］
前記バリアコーティングは前記非触媒材料と同一でない請求項７に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項９］
前記バリアコーティングは、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルモキサン、アルミナナノ粒子、スピンオンガラス（spin on glass）、ガラスナノ粒子、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される請求項７に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１０］
前記触媒前駆体は、遷移金属硝酸塩、遷移金属酢酸塩、遷移金属クエン酸塩、遷移金属塩化物、それらの水酸化物、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される遷移金属塩を含んで構成される請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１１］
前記遷移金属塩は、硝酸鉄（II）、硝酸鉄（III）、硝酸コバルト（II）、硝酸ニッケル（II）、硝酸銅（II）、酢酸鉄（II）、酢酸鉄（III）、酢酸コバルト（II）、酢酸ニッケル（II）、酢酸銅（II）、クエン酸鉄（II）、クエン酸鉄（III）、アンモニア塩基クエン酸鉄（III）、クエン酸コバルト（II）、クエン酸ニッケル（II）、クエン酸銅（II）、塩化鉄（II）、塩化鉄（III）、塩化コバルト（II）、塩化ニッケル（II）、塩化銅（II）、それらの水酸化物、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される請求項１０に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１２］
前記非触媒材料は、アルミニウム塩又はその水酸化物、ガラス、ケイ酸塩、シラン及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１３］
前記アルミニウム塩は、硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、それらの水酸化物、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される請求項１２に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１４］
前記触媒前駆体及び非触媒材料はそれぞれ、少なくとも１つの溶液で配置される請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１５］
前記少なくとも１つの溶液は溶媒として水を含んで構成される請求項１４に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１６］
前記触媒材料に対する前記非触媒材料のモル比は、最大でおよそ８：１である請求項１４に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１７］
さらに、前記少なくとも１つの溶液は過酸化水素を含んで構成される請求項１４に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１８］
前記触媒前駆体及び非触媒材料は、約５ｎｍから約１００ｎｍに及ぶ厚さを有する炭素繊維基材上の触媒コーティングを含んで構成される請求項１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項１９］
サイジング剤を含んでいない炭素繊維基材上に触媒前駆体を配置すること、
前記炭素繊維上に非触媒材料を配置すること、
前記触媒前駆体及び非触媒材料を配置した後、カーボンナノチューブを成長させるよう前記炭素繊維基材をカーボンナノチューブ成長条件にさらすこと、及び
前記カーボンナノチューブが成長している間、前記炭素繊維基材を輸送すること、
を含んで構成され、
前記非触媒材料は、前記触媒前駆体よりも前、後、又は同時に、前記炭素繊維基材上に配置され、
前記カーボンナノチューブ成長条件は、前記触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換する、カーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２０］
さらに、炭素繊維材料を開繊することを含んで構成される請求項１９に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２１］
さらに、前記炭素繊維材料にバリアコーティングを塗布することを含んで構成される請求項２０に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２２］
前記バリアコーティングは前記非触媒材料と同一でない請求項２１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２３］
前記バリアコーティングは、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルモキサン、アルミナナノ粒子、スピンオンガラス（spin on glass）、ガラスナノ粒子、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される請求項２１に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２４］
前記触媒前駆体は、遷移金属硝酸塩、遷移金属酢酸塩、遷移金属クエン酸塩、遷移金属塩化物、それらの水酸化物、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される遷移金属塩を含んで構成される請求項１９に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２５］
前記遷移金属塩は、硝酸鉄（II）、硝酸鉄（III）、硝酸コバルト（II）、硝酸ニッケル（II）、硝酸銅（II）、酢酸鉄（II）、酢酸鉄（III）、酢酸コバルト（II）、酢酸ニッケル（II）、酢酸銅（II）、クエン酸鉄（II）、クエン酸鉄（III）、アンモニア塩基クエン酸鉄（III）、クエン酸コバルト（II）、クエン酸ニッケル（II）、クエン酸銅（II）、塩化鉄（II）、塩化鉄（III）、塩化コバルト（II）、塩化ニッケル（II）、塩化銅（II）、それらの水酸化物、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される請求項２４に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２６］
前記非触媒材料は、アルミニウム塩又はその水酸化物、ガラス、ケイ酸塩、シラン及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される請求項１９に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２７］
前記アルミニウム塩は、硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、それらの水酸化物、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択される請求項２６に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２８］
前記触媒前駆体及び非触媒材料はそれぞれ、溶媒として水を含んで構成される少なくとも１つの溶液で配置される請求項１９に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項２９］
さらに、前記少なくとも１つの溶液は過酸化水素を含んで構成される請求項２８に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項３０］
サイジング剤を含まず、且つその上に配置されたバリアコーティングを有する炭素繊維基材を提供すること、
前記バリアコーティング上に触媒前駆体を配置すること、
前記触媒前駆体を配置した後、その上でカーボンナノチューブを成長させるようカーボンナノチューブ成長条件に前記炭素繊維基材をさらすこと、及び
前記カーボンナノチューブが成長している間、前記炭素繊維基材を輸送すること、
を含んで構成され、
前記バリアコーティングは、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルモキサン、アルミナナノ粒子、スピンオンガラス（spin on glass）、ガラスナノ粒子、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択され、
前記カーボンナノチューブ成長条件は、前記触媒前駆体を、カーボンナノチューブを成長させることができる触媒に変換する、カーボンナノチューブ成長方法。
［請求項３１］
前記バリアコーティングはアルミニウム塩又はその水酸化物を含んで構成される請求項３０に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項３２］
前記触媒前駆体は鉄（II）塩又はその水酸化物を含んで構成される請求項３０に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項３３］
さらに、前記バリアコーティング上に非触媒材料を配置することを含んで構成される請求項３０に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項３４］
前記触媒前駆体及び非触媒材料はそれぞれ、溶媒として水を含んで構成される少なくとも１つの溶液で配置される請求項３３に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項３５］
さらに、前記少なくとも１つの溶液は過酸化水素を含んで構成される請求項３４に記載のカーボンナノチューブ成長方法。
［請求項３６］
請求項３３に記載のカーボンナノチューブ成長方法によって作成されたその上で成長するカーボンナノチューブを有する炭素繊維基材。