【事件の表示】
　特許第３４４０７２２号「固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ」の請求項１、２、６、７、１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４４０７２２号の請求項１、５、９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４４０７２２号の請求項１ないし１１に係る発明は、平成８年１１月１３日に特許出願（優先権主張平成８年９月２０日）され、平成１５年６月２０日にその特許の設定登録がなされ、その後、島田洋より、請求項１、２、６、７、１１に係る発明について特許異議の申立てがなされ、平成１６年９月２１日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年１１月３０日に訂正請求（後日取下げ）がなされ、平成１７年３月９日付けで再度取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１７年５月１６日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
ア．訂正事項ａ
　元の請求項１、及び、請求項６を削除し、請求項２ないし５の項数を一つ繰り上げて、新たな請求項１ないし４とし、元の請求項７ないし１１の項数を２つ繰り上げて、新たな請求項５ないし９とする。
　
イ．訂正事項ｂ
　請求項２を「【請求項１】オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における
、
　
前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
ことを特徴とする固体撮像装置。」と訂正する。
　
ウ．訂正事項ｃ
　請求項３を「【請求項２】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　露
光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光期間中とする
ことを特徴とす
る固
　
エ．訂正事項ｄ
　請求項４を「【請求項３】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内
（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）
ことを特徴とす
る固
　
オ．訂正事項ｅ
　請求項５を「【請求項４】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内
（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）
ことを特徴とす
る固
　
カ．訂正事項ｆ
　請求項７を「【請求項５】オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
　
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における
と共に、
　
前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。」と訂正する。
　
キ．訂正事項ｇ
　請求項８を「【請求項６】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、
　
前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光期間中とする
ことを特徴とす
る固
　
ク．訂正事項ｈ
　請求項９を「【請求項７】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、
　前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内
（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）
ことを特徴とす
る固
　
ケ．訂正事項ｉ
　請求項１０を「【請求項８】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、
　前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内
（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）
ことを特徴とす
る固
　
コ．訂正事項ｊ
 　請求項１１を「【請求項９】オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　前記固体撮像素子の撮像エリアに対して入射光を導く光学系と、
　前記光学系による前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光期間を決める遮光手段と、
　
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における
、　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
ことを特徴とするカメラ。」と訂正する。
　
サ．訂正事項ｋ
第８段落を「【問題を解決するための手段】
　本発明による固体撮像装置は、オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記
、当該駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
　
また、本発明による他の固体撮像装置は、露光完了後に当該固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、当該駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする構成となっている。
　
シ．訂正事項ｌ
　第９段落を「本発明による駆動方法は、オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記
と共に、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
　
また、本発明による他の駆動方法は、オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、露光完了後に当該固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とするようにする。
　
ス．訂正事項ｍ
第１０段落を
　「本発明によるカメラは、オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、この固体撮像素子の撮像エリアに対して入射光を導く光学系と、この光学系による前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光期間を決める遮光手段と、
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記
、当該駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
　
セ．訂正事項ｎ
　第１１段落を「上記の構成において、遮光時には、センサ部の信号電荷の一部が時間の経過とともにオーバーフロードレインへ放出される。そこで、少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において、この信号電荷の減少を見込んでオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする
と共に、オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
　
ソ．訂正事項ｐ
　第５２段落を「【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、センサ部がオーバーフロードレイン構造を持つ固体撮像素子において、露光完了後に固体撮像素子の撮像エリアを遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に、少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする
と共に、オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を、高速撮像期間終了直前の露光開始前（この場合の動作モードでは、高速撮像期間終了直前の露光完了後であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す）、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
　
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項の削除及びそれに伴う請求項数の繰り上げであり、特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
　訂正事項ｂは、元の請求項２を独立項形式に書き直し、さらに、明細書第３５段落及び図８の記載に基づいて、全画素読み出し期間及びオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くするタイミングを限定して新たな請求項１とするものであるから、明りょうでない記載の釈明および特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
　訂正事項ｃは、元の請求項３を独立形式に書き直して新たな請求項２としたもので、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
訂正事項ｄは、元の請求項４を独立形式に書き直し、さらに、明細書第３５段落及び図８の記載に基づいて、オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くするタイミングを限定して新たな請求項３としたもので、明りょうでない記載の釈明および特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
訂正事項ｅは、元の請求項５を独立形式に書き直し、さらに、明細書第３５段落及び図８の記載に基づいて、オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くするタイミングを限定して新たな請求項４としたもので、明りょうでない記載の釈明および特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
訂正事項ｆは、元の請求項７を独立項形式に書き直し、さらに、明細書第３５段落及び図８の記載に基づいて、全画素読み出し期間及びオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くするタイミングを特定して新たな請求項５としたたものであるから明りょうでない記載の釈明および特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
訂正事項ｇは、元の請求項８を独立形式に書き直して新たな請求項６としたもので、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
訂正事項ｈは、元の請求項９を独立形式に書き直し、さらに、明細書第３５段落及び図８の記載に基づいて、オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くするタイミングを限定して新たな請求項７としたもので、明りょうでない記載の釈明、及び、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
訂正事項ｉは、元の請求項１０を独立形式に書き直し、さらに、明細書第３５段落及び図８の記載に基づいて、オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くするタイミングを限定して新たな請求項８としたもので、明りょうでない記載の釈明、及び、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
　訂正事項ｊは、元の請求項１１に、明細書第３５段落及び図８ないし１１の記載に基づいて、全画素読み出し期間及びオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くするタイミングを特定し、新たな請求項９とするものであるから特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
訂正事項ｋないしｐは、上記訂正事項ａないしｊとの整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）独立特許要件
　訂正明細書の請求項３、４、７、８に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
（４）むすび
　よって、上記訂正は、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内において訂正することを求めるものであるから、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立理由の概要
　　申立人島田洋は、刊行物１（甲第１号証）：特開平９−１６３２３９号公報、刊行物２（甲第２号証）：特開平５−３１６４０９号公報、刊行物３（甲第３号証）：特開平８−９２６３号公報、を示し、本件特許の請求項１、６、１１に係る発明は、甲第１号証と同一であり、請求項１、６、１１に係る発明は、甲第２号証、甲第３号証に記載された発明と同一もしくは甲第２号証、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第１項第３号もしくは第２項の規定により特許を取り消すべきであり、請求項２、７に係る発明は、甲第３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
　
（２）取り消し理由の概要
取り消し理由は以下のとおりである。
「１）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公告又は出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。 
 ２）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 
 ３）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　記 
 　 
 刊行物１（甲第１号証）：特願平７−３１９３１９号（特開平９−１６３２３９号公報） 
 刊行物２（甲第２号証）：特開平５−３１６４０９号公報 
 刊行物３（甲第３号証）：特開平８−９２６３号公報 
 　 
 　特許異議申立人が提出した特許異議申立書の「３．申立ての理由」記載の理由により、本件請求項１、６、１１に係る発明は、刊行物１に記載された発明と同一であり、また、刊行物２に記載された発明であり、さらに、請求項１、２、６、７、１１に係る発明は、刊行物２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 」
 　 
（３）本件の新たな請求項１、５、９に係る発明（元の請求項２、７、１１に該当する。元の請求項１、６は削除された。）について
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１、５、９に係る発明（以下本件発明という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
請求項１
「オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　高速撮像期間終了直前の露光完了後であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
ことを特徴とする固体撮像装置。」
　請求項５
「オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
　高速撮像期間終了直前の露光完了後であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、
　前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。」
　請求項９
「オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　前記固体撮像素子の撮像エリアに対して入射光を導く光学系と、
　前記光学系による前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光期間を決める遮光手段と、
　高速撮像期間終了直前の露光完了後であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記遮光手段によって前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを具備し、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
ことを特徴とするカメラ。」
　
（４）刊行物等
　特許異議申立人が証拠として提示した刊行物にはそれぞれ、以下のような発明が記載されている。
ア．先願１（甲第１号証）：特願平７−３１９３１９号（特開平９−１６３２３９号公報）
　先願１には、
「【００４１】第１の実施の形態の電子カメラの基本的な構成は図１の従来例の電子カメラ３０の構成と同一であるので、異なるところのみ説明する。
【００４２】第１の実施の形態の電子カメラにおいては、ＣＰＵ２０による制御の下で電子ボリューム（ＥＶＲ）１６を経由してＣＣＤ４に印加するＳＵＢ電圧ＶＳＵＢ、即ち基板電圧のレベルを時間的に制御する。
【００４３】バイアス回路１３は、本実施の形態ではメカシャッタ２の遮光期間のみ基板電圧を下げることにより、光電変換領域と基板間とのポテンシャル障壁を大きく（高く）し、この遮光期間に光電変換領域に蓄積された電荷が基板側に排出されるのを防止するようにしている。」（第４１段落〜第４３段落）が第１図、第４図と共に記載されている。
「【００５０】次のフィールドになると、ＣＰＵ２０は再びレンズドライバ１５にメカシャッタ２の動作、即ちＣＬＯＳＥ（閉）からＯＰＥＮ（開）への切り替え動作指示を出す。切り替えのタイミング期間は１フィールド期間内（図２に示す５の画像のフィールド）であればよい。
【００５１】ＣＰＵ２０はメカシャッタ２の切り替え動作指示と同時に、ＳＵＢ電圧ＶＳＵＢの電圧値を直接制御する手段としての電子ボリューム（ＥＶＲ）１６へ電圧を元の電圧値に戻す動作指示を出す。
【００５２】ＥＶＲ１６はＣＰＵ２０より得たデータを基に電圧値を設定する。この電圧値はバイアス回路１３、即ち時間的なＳＵＢ電圧設定手段へ供給され、ＳＵＢクロックに重畳されているＤＣレベルを初期の電圧値に戻す（上げる）。
【００５３】上記メカシャッタ２がＣＬＯＳＥ（閉）している遮光期間ではＳＵＢ電圧ＶＳＵＢは下げられて光電変換された電荷は基板側に殆ど漏れない状態を保つように設定されているので、図２の４の画像の４（ＥＶＥＮ）は殆ど０となり、また３（ＥＶＥＮ）は３（ＯＤＤ）と殆ど等しくなる。つまり、ＩＣカード１０に記録された１フレーム画像の奇偶フィールドの両画像は輝度差のない画像となる。
【００５４】このため、ＩＣカード１０に記録された１フレーム画像を再生してモニタの画面に表示した場合にも、奇偶フィールドの両画像は輝度差のない画質の良い画像となる。従って、本実施の形態は以下の効果を有する。
【００５５】メカシャッタ２を併用したフレーム蓄積の記録において、記録されるフレーム画像を構成する２つのフィールド画像のうちメカシャッタ２で閉じられている露光期間中のＳＵＢ電圧ＶＳＵＢを下げる制御を設けたため、記録されるフレーム画像を構成する２つのフィールド画像は輝度差のない画像が出力できる。」（第５０段落〜第５５段落）が、図２、図３および図８と共に記載されている。
　
イ．刊行物２（甲第２号証）：特開平５−３１６４０９号公報
刊行物２には、
　「【００１９】図１は、本発明の一実施例を示す電子的撮像装置のブロック構成図で、この図１が前記従来例における図４と異なる点は、測光・露出制御部１４から撮像素子３に向け、光電変換部とオーバーフロードレイン間に存在する障壁の高さを可変するためのオーバーフロードレイン制御電圧ＶＳＵＢを印加するようにしたことである。この点を除けば前記従来例と異なるところがないので、同じ構成部材には同じ符号を付してその説明を省略し、上記障壁の高さ可変についてのみ図２を用いて説明する。
【００２０】図２（Ａ）は、上記図１における撮像素子３の構成を説明する模式図で、ここではインターライン型ＣＣＤを想定している。
【００２１】図２（Ａ）おいて、光電変換部は２次元に配置されたフォトダイオード２１ａ，２１ｂ，…，２１ｃ，２１ｄ，…から形成されている。第１列のフォトダイオード２１ａ，２１ｂ…の図における左側に垂直転送レジスタ２２ａが、図における右側に細い実線で示した、オーバーフロードレイン制御電圧が印加される障壁２６ａを介して、太い実線で示したオーバーフロードレイン２５ａが、それぞれ配置されている。第２列以降も上記配置の繰り返しになっている。そして、上記垂直転送レジスタ２２ａ，２２ｂ，…は、水平転送レジスタ２３に纏められて、出力回路２４を介して外部に接続されている。
【００２２】図２（Ｂ）は横型オーバーフロードレインの、つまり上記図２（Ａ）における丸印１００で囲まれたエリアを拡大して示した垂直断面図で、信号電荷が蓄積されたフォトダイオード２１ｎの図における左側に垂直転送レジスタ２２ｎが、また図の右側にオーバーフロードレイン制御電圧ＶＳＵＢが印加される障壁２６ｎを挾んで、上記フォトダイオード２１ｎから溢れた信号電荷を排出するオーバーフロードレイン２５ｎが、それぞれ配置されている。そして、上記障壁２６ｎの高さが、この障壁２６ｎに印加されるオーバーフロードレイン制御電圧ＶＳＵＢにより可変されるようになっている。
【００２３】このように構成された本実施例においては、２次元に配置された各フォトダイオードからなる光電変換面に強い光が照射されると、測光・露出制御部１４（図１参照）がこれを検知し、撮像素子３に供給するオーバーフロードレイン制御電圧ＶＳＵＢを制御する。即ち、強い光が照射されたときは上記障壁２６の高さを低くし、この障壁２６を乗越えてオーバーフロードレイン２５へ排出される余剰電荷量を増大して光電変換部に蓄積される信号電荷の飽和量最大値を下げる。これにより多重露光の１回毎に光電変換部で蓄積される信号電荷量を、全多重露光回数分加算した総露光量でも垂直転送レジスタでブルーミングを生じないように制御する。」（第１９段落〜第２３段落）が、図１、図２と共に記載されている。　
　
ウ．刊行物３：特開平８−９２６３号公報
　刊行物３には、
「【００１６】また、図１０に示すＶｓｕｂ電位による光電変換部のＤレンジ変化に注目し、フレームモ−ド時にはフィールドモ−ド時よりもシリコン基板電位を下げることで、光電変換部の最大蓄積電荷容量を拡大することが従来より行われている。」（第１６段落）
「【００２７】
【実施例】
（第１の実施例）本発明の第１実施例のデジタルカメラのシステムブロックを図１に示す。
【００２８】図１において、１は被写体からの反射光を電気信号に変換するＣＣＤ等の撮像素子、２は撮像素子１を動作させるために必要なタイミング信号を発生するタイミング信号発生回路（以降ＴＧとする）、３は撮像素子１を駆動するための電圧を発生する駆動電圧設定回路、４はタイミング信号発生回路２からの信号を撮像信号駆動可能なレベルに増幅する撮像素子駆動回路、５は撮像素子１の出力ノイズ除去のためのＣＤＳ（相関２重サンプリング）回路やＡＧＣ（自動利得制御）回路を備えた前置処理回路、６はＡ／Ｄ変換器、７はＡ／Ｄ変換されたデジタル信号を撮像信号処理する撮像信号処理回路、８は記録媒体９に信号を記録するための変調等を行う記録媒体Ｉ／Ｆ（インタ−フェ−ス）回路、１０はカメラの撮影開始やフレームモ−ド・フィールドモ−ドを外部撮影者が制御するための操作部、１１は操作部１０により設定されたモード設定に応じて駆動電圧を変更するための信号を出力する設定切換回路である。
【００２９】以下に図１を用いて第１の実施例について説明する。
【００３０】まず撮影者が操作部１０を制御することにより撮像動作を開始し、不図示の絞りとタイミング信号発生器による電子シャッター動作により撮像素子の露光を行い、撮像素子の出力を読みだす。読みだした撮像出力に対して前置処理回路５でＣＤＳ処理やゲインコントロール等の信号処理を行う。この際ゲインコントロール回路のゲインは撮像素子の感度によって決まるので撮像装置製造時に設定される。その前置回路５の出力はＡ／Ｄ変換器６にてデジタル信号に変換されて撮像信号処理回路７に入力される。撮像信号処理回路７の出力は記録媒体Ｉ／Ｆによって特定フォーマットへの変換処理（変調）がされた後、記録媒体９に記録される。」（第２７段落〜第３　 段落）が、図４、図１０と共に記載されている。
　
（５）対比・判断
（５−１）　本件請求項１、５に係る発明
特許法第２９条第２項について
　請求項１、５に係る発明と上記刊行物２、３に記載の発明とを対比すると、
　刊行物２に記載の発明は、「強い光が照射されたときは上記障壁２６の高さを低くし、この障壁２６を乗越えてオーバーフロードレイン２５へ排出される余剰電荷量を増大して光電変換部に蓄積される信号電荷の飽和量最大値を下げる。」（第２３段落）と記載されており、本件発明のオーバーフローバリアのポテンシャルの変化とは逆の変化となる制御が行われている。よって、本件請求項１、５に係る発明を刊行物２に記載の発明から容易に為し得たとは認められない。
　刊行物３に記載の発明は、「【００１６】また、図１０に示すＶｓｕｂ電位による光電変換部のＤレンジ変化に注目し、フレームモ−ド時にはフィールドモ−ド時よりもシリコン基板電位を下げることで、光電変換部の最大蓄積電荷容量を拡大する」ものであり、「オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系と備え、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前、」とする本件請求項１、５に記載の発明とは相違する。よって、本件請求項１、５に係る発明を刊行物３に記載の発明から、容易になし得たとは認められない。　
　また、刊行物２、３に記載の発明を組み合わせることも容易になし得たこととは認められない。
　
（５−２）　本件請求項９に係る発明
特許法第２９条の２について
　本件請求項９に係る発明と先願１の発明とを対比すると、
　先願１の発明の個体撮像素子は、「オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを具備し、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）と」なっており、この点について、先願１には記載がないので、請求項９に係る発明が、先願１の発明と同一とは認められない。
　
特許法第２９条第１項第３号及び第２項について
　本件請求項９に係る発明と上記刊行物２、３に記載の発明とを対比すると、
　刊行物２に記載の発明は、「強い光が照射されたときは上記障壁２６の高さを低くし、この障壁２６を乗越えてオーバーフロードレイン２５へ排出される余剰電荷量を増大して光電変換部に蓄積される信号電荷の飽和量最大値を下げる。」（第２３段落）と記載されており、本件請求項９に係る発明のオーバーフローバリアのポテンシャルの変化とは逆の変化となる制御が行われている。よって、刊行物２に記載の発明と、同一とも容易とも認められない。
　刊行物３に記載の発明は、「【００１６】また、図１０に示すＶｓｕｂ電位による光電変換部のＤレンジ変化に注目し、フレームモ−ド時にはフィールドモ−ド時よりもシリコン基板電位を下げることで、光電変換部の最大蓄積電荷容量を拡大する」ものであり、「オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを具備し、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）」発明とは相違する。よって、本件請求項９に係る発明は、刊行物３に記載の発明と同一とも、刊行物３に記載の発明に基づいて容易に為し得たとも認められない。
　また、刊行物２と刊行物３とに記載の発明を、組み合わせて請求項９係る発明をなすことが容易になし得ることとも認められない。
　
（５−３）対比のむすび
　よって、請求項１、５に係る発明は、刊行物２、３に記載の発明に基づいて当業者が容易に為し得たものでないので、特許法第２９条第２項に規定に違反しない。
　本件特許の請求項９係る発明は、先願１の発明と同一でないので、特許法２９条の２に該当せず、刊行物２、３に記載された発明と同一でなく、刊行物２、３に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものでもないので、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、かつ特許法第２９条第２項の規定に違反しない。
　
（６）むすび
  　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１、５、９に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１、５、９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年６月１日（２００５．６．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における
　
前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
　ことを特徴とする固体撮像装置。
　【請求項２】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光期間中とする
　ことを特徴とす
る固
　【請求項３】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内
（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）
　ことを特徴とす
る固
　【請求項４】
オーバフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、
　前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内
（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）
　ことを特徴とす
る固
　【請求項５】オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
　
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における
と共に、
　
前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
　ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。　
　【請求項６】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、
　前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光期間中とする
　ことを特徴とす
る固
　【請求項７】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、
　前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内
（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）
　ことを特徴とす
る固
　【請求項８】
オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像素子において、
　
露光完了後に前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、
　前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内
（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）
　ことを特徴とす
る固
　【請求項９】オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
　前記固体撮像素子の撮像エリアに対して入射光を導く光学系と、
　前記光学系による前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光期間を決める遮光手段と、
　
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における
し、
　
前記駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、露光完了タイミング及び信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
　ことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、固体撮像装置およびその駆動方法、並びに撮像デバイスとして固体撮像装置を用いたカメラに関し、特にオーバーフロードレイン（ＯＦＤ）構造を持つＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）型固体撮像素子（以下、ＣＣＤ撮像素子と称する）を用いた固体撮像装置およびその駆動方法、並びにメカニカルシャッタ等の遮光手段を備えたカメラに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＣＣＤ撮像素子の読み出し方式として、図１３に示すように、各画素において１／６０秒（１フィールド相当期間）だけ信号電荷を蓄積し、各画素から読み出した信号電荷を垂直ＣＣＤ中において垂直方向にて隣り合う２画素間で混合し、また混合する垂直２画素の組み合わせを奇数フィールドおよび偶数フィールドで変えることによってインターレース走査を実現するいわゆるフィールド読み出し方式と、図１４に示すように、１／３０秒の蓄積時間で奇数ラインの信号電荷と偶数ラインの信号電荷をフィールドごとに交互に読み出すいわゆるフレーム読み出し方式と、図１５に示すように、各画素の信号電荷を垂直ＣＣＤ中で混合せずに同一時刻に独立に読み出すいわゆる全画素読み出し方式とがある。
　【０００３】
　これらの読み出し方式のうち、フィールド読み出し方式は、各画素における信号電荷の蓄積時間が１／６０秒であり、蓄積時間が１／３０秒のフレーム読み出し方式と比較して半分であることから、動画像の撮像を良好に行うことができるため、ビデオカメラ等には適している。その反面、垂直方向において２画素間で信号電荷を混合しているために垂直解像度が低いという欠点がある。このため、垂直解像度も要求される電子スチルカメラでは、メカニカルシャッタを使用したフレーム読み出し方式、あるいは全画素読み出し方式が用いられている。
　【０００４】
　ところで、フレーム読み出し方式では、１枚（１フレーム）の画像を得るためには、２つのフィールドの信号が必要である。これに対し、電子スチルカメラのように１回の露光で１枚の画像を得る場合には、２つのフィールド間で画像を変化させないようにする必要があり、そのためには、露光完了後にメカニカルシャッタ等の遮光手段を用いて遮光する必要がある。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、オーバーフロードレイン構造を持つＣＣＤ撮像素子において、露光完了後に遮光した場合、蓄積されている信号電荷のフェルミ準位とオーバーフローバリアのポテンシャル差が時間の経過とともに増加し、ある一定値になるまでオーバーフローバリアを越えて信号電荷の一部がオーバーフロードレインへ放出される。
　【０００６】
　このため、メカニカルシャッタを閉じてから信号電荷を読み出すまでの間に、時間の経過とともに飽和信号電荷量Ｑｓが減少し、また第２フィールドでは、メカニカルシャッタを閉じてから信号電荷を読み出すまでの期間が第１フィールドの場合よりも１フィールド相当期間だけさらに長いので、飽和信号電荷量Ｑｓがさらに減少し、第１フィールドと第２フィールドの飽和信号電荷量Ｑｓに段差が生じることになる。これらの飽和信号電荷量Ｑｓの減少は、Ｓ／Ｎやダイナミックレンジ等の特性を悪化させるので好ましくない。
　【０００７】
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間に生ずる飽和信号電荷量の減少によるＳ／Ｎやダイナミックレンジ等の特性の悪化を防止した固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラを提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明による固体撮像装置は、オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記
、当該駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
　
また、本発明による他の固体撮像装置は、露光完了後に当該固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすべく駆動する駆動系とを備え、当該駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする構成となっている。
　【０００９】
　本発明による駆動方法は、オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記
と共に、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前とする
　
また、本発明による他の駆動方法は、オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置において、露光完了後に当該固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くすると共に、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とするようにする。
　【００１０】
　本発明によるカメラは、オーバーフロードレイン構造を持つ行列状に配列された複数のセンサ部およびこれらのセンサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を有する固体撮像素子と、この固体撮像素子の撮像エリアに対して入射光を導く光学系と、この光学系による前記固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光期間を決める遮光手段と、
高速撮像期間終了直前の
であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における前記
、当該駆動系は、前記固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を前記高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
　【００１１】
　上記の構成において、遮光時には、センサ部の信号電荷の一部が時間の経過とともにオーバーフロードレインへ放出される。そこで、少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において、この信号電荷の減少を見込んでオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする
と共に、オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を高速撮像期間終了直前の露光開始前、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
　【００１２】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本実施形態では、インターライン転送（ＩＴ）方式のＣＣＤ撮像素子に適用した場合を例に採って説明するものとする。
　【００１３】
　図１は、本発明に係る固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。図１において、行（垂直）方向および列（水平）方向にマトリクス状に配列され、かつ入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換して蓄積する複数のセンサ部１１と、これらセンサ部１１の垂直列ごとに設けられ、各センサ部１１から読み出しゲート部１２によって読み出された信号電荷を垂直転送する複数本の垂直ＣＣＤ１３とによって撮像エリア１４が構成されている。
　【００１４】
　この撮像エリア１４において、センサ部１１は例えばＰＮ接合のフォトダイオードからなっている。このセンサ部１１に蓄積された信号電荷は、読み出しゲート部１２に後述する読み出しパルスＸＳＧが印加されることにより垂直ＣＣＤ１３に読み出される。垂直ＣＣＤ１３は、例えば４相の垂直転送クロックφＶ１〜φＶ４によって転送駆動され、読み出された信号電荷を水平ブランキング期間の一部にて１走査線（１ライン）に相当する部分ずつ順に垂直方向に転送する。
　【００１５】
　ここで、垂直ＣＣＤ１３において、１相目および３相目の転送電極は、読み出しゲート部１２のゲート電極を兼ねている。このことから、４相の垂直転送クロックφＶ１〜φＶ４のうち、１相目の転送クロックφＶ１と３相目の転送クロックφＶ３が低レベル、中間レベルおよび高レベルの３値を採るように設定されており、その３値目の高レベルのパルスが読み出しゲート部１２に与えられる読み出しパルスＸＳＧとなる。
　【００１６】
　撮像エリア１４の図面上の下側には、水平ＣＣＤ１５が配されている。この水平ＣＣＤ１５には、複数本の垂直ＣＣＤ１３から１ラインに相当する信号電荷が順次転送される。水平ＣＣＤ１５は、例えば２相の水平転送クロックφＨ１，φＨ２によって転送駆動され、複数本の垂直ＣＣＤ１３から移された１ライン分の信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間において順次水平方向に転送する。
　【００１７】
　水平ＣＣＤ１５の転送先の端部には、例えばフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷電圧変換部１６が設けられている。この電荷電圧変換部１６は、水平ＣＣＤ１５によって水平転送されてきた信号電荷を順次電圧信号に変換して出力する。この電圧信号は、出力回路（図示せず）を経た後、被写体からの光の入射量に応じたＣＣＤ出力ＯＵＴとして、出力端子１７から外部に出力される。
　【００１８】
　上述したセンサ部１１、読み出しゲート部１２、垂直ＣＣＤ１３、水平ＣＣＤ１５および電荷電圧変換部１６等は半導体基板（以下、単に基板と称す）１８上に形成される。以上により、インターライン転送方式のＣＣＤ撮像素子１０が構成されている。このＣＣＤ撮像素子１０を駆動するための４相の垂直転送クロックφＶ１〜φＶ４および２相の水平転送クロックφＨ１，φＨ２は、タイミング発生回路１９から発生される。
　【００１９】
　４相の垂直転送クロックφＶ１〜φＶ４は、基板１８上に形成された端子（パッド）２２−１〜２２−４を介して垂直ＣＣＤ１３に供給される。２相の水平転送クロックφＨ１，φＨ２は、端子２３−１，２３−２を介して水平ＣＣＤ１５に供給される。タイミング発生回路１９はさらに、これらの転送クロックの外に、センサ部１１に蓄積された信号電荷を基板１８へ掃き出すためのシャッタパルスφＳＵＢなどの各種のタイミング信号をも適宜発生する。
　【００２０】
　基板１８上にはさらに、当該基板１８をバイアスするバイアス電圧（以下、基板バイアスと称する）Ｖｓｕｂを発生するバイアス電圧発生回路２０も形成されている。このバイアス電圧発生回路２０で生成された基板バイアスＶｓｕｂは、トランジスタＱ１を介して基板１８に印加される。この基板バイアスＶｓｕｂの作用については、後で詳述する。
　【００２１】
　図２は、センサ部１１の周辺の基板深さ方向の構造を示す断面図である。図２において、例えばＮ型の基板１８の表面にＰ型のウェル領域３１が形成されている。このウェル領域３１の表面にはＮ＋型の信号電荷蓄積領域３２が形成され、さらにその上にＰ＋型の正孔蓄積領域３３が形成されることにより、いわゆるＨＡＤ（正孔蓄積ダイオード）構造のセンサ部１１が構成されている。
　【００２２】
　このセンサ部１１に蓄積される信号電荷ｅの電荷量は、図３のポテンシャル分布図に示すように、Ｐ型のウェル領域３１で構成されるオーバーフローバリアＯＦＢのポテンシャルバリアの高さによって決定される。すなわち、このオーバーフローバリアＯＦＢは、センサ部１１に蓄積される飽和信号電荷量Ｑｓを決めるものであり、蓄積電荷量がこの飽和信号電荷量Ｑｓを越えた場合に、その越えた分の電荷がポテンシャルバリアを越えて基板１８側へ掃き出される。
　【００２３】
　以上により、いわゆる縦型オーバーフロードレイン構造のセンサ部１１が構成されている。縦型オーバーフロードレイン構造においては、基板１８がオーバーフロードレインとなる。このセンサ部１１において、飽和信号電荷量Ｑｓは、デバイスのＳ／Ｎ特性、垂直ＣＣＤ１３の取り扱い電荷量などによって決定されるが、製造ばらつきにより、オーバーフローバリアＯＦＢのポテンシャルがばらつくことになる。このオーバーフローバリアＯＦＢのポテンシャルは、オーバーフロードレインバイアス、即ち先述した基板バイアスＶｓｕｂによって制御可能である。
　【００２４】
　センサ部１１の横方向には、読み出しゲート部１２を構成するＰ型領域３４を介してＮ＋型の信号電荷転送領域３５およびＰ＋型のチャネルストッパ領域３６が形成されている。信号電荷転送領域３５の下には、スミア成分の混入を防止するためのＰ＋型の不純物拡散領域３７が形成されている。さらに、信号電荷転送領域３５の上方には、ゲート絶縁膜３８を介して例えば多結晶シリコンからなる転送電極３９が配されることにより、垂直ＣＣＤ１３が構成されている。転送電極３９は、Ｐ型領域３４の上方に位置する部分が、読み出しゲート部１２のゲート電極を兼ねている。
　【００２５】
　垂直ＣＣＤ１３の上方には、転送電極３９を覆うようにして層間膜４０を介してＡｌ（アルミニウム）遮光膜４１が形成されている。このＡｌ遮光膜４１は、センサ部１１において選択的にエッチング除去されており、外部からの光Ｌはこのエッチング除去によって形成された開口４２を通してセンサ部１１内に入射する。そして、基板１８には、上述したように、センサ部１１に蓄積される信号電荷の電荷量を決定する、即ちオーバーフローバリアＯＦＢのポテンシャルを決める基板バイアスＶｓｕｂが印加されるようになっている。
　【００２６】
　基板バイアスＶｓｕｂは、図１に示す基板バイアス発生回路２０において、デバイス個々の製造ばらつきに伴うセンサ部１１におけるオーバーフローバリアＯＦＢ（図３を参照）のポテンシャルのばらつきを考慮してチップごとに最適値に設定され、バイポーラトランジスタＱ１でインピーダンス変換された後基板１８に与えられる。このバイポーラトランジスタＱ１も、基板バイアス発生回路２０と共に基板１８上に形成されている。
　【００２７】
　一方、電子シャッタ動作時に、タイミング発生回路１９から発生されるシャッタパルスφＳＵＢは、コンデンサＣ８で直流カットされた後、端子２４を介してバイポーラトランジスタＱ１のエミッタに印加される。バイポーラトランジスタＱ１は、シャッタパルスφＳＵＢの低レベルを基板バイアスＶｓｕｂの直流レベルにクランプするためのクランプ回路２１を構成している。端子２４とグランドとの間には、抵抗Ｒ１が接続されている。
　【００２８】
　また、外部から与えられる基板電圧コントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．は、抵抗Ｒ２を介してバイポーラトランジスタＱ２のベースに印加される。このバイポーラトランジスタＱ２のエミッタは接地されており、そのコレクタは抵抗Ｒ３を介して端子２５に接続されている。端子２５には、バイポーラトランジスタＱ１のベースが接続されている。バイポーラトランジスタＱ２および抵抗Ｒ２，Ｒ３により、基板電圧コントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．に基づいて基板バイアスＶｓｕｂを一時的に下げるべく駆動する駆動系２６が構成されている。
　【００２９】
　すなわち、この駆動系２６において、基板電圧コントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．が低レベルのときには、バイポーラトランジスタＱ２がオフ状態にあるため、基板バイアス発生回路２０で生成された基板バイアスＶｓｕｂはそのままバイポーラトランジスタＱ１を介して基板１８に印加される。一方、基板電圧コントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．が高レベルになると、バイポーラトランジスタＱ２がオン状態となり、バイポーラトランジスタＱ１のベースを抵抗Ｒ３を介して接地するため、基板バイアス発生回路２０で生成された基板バイアスＶｓｕｂが、抵抗Ｒ３の抵抗値に応じた電位だけ低下する。
　【００３０】
　図４は、上記構成の本実施形態による固体撮像装置を撮像デバイスとして用いた本発明に係るカメラの概略構成図である。図４において、被写体（図示せず）からの光は、レンズ５１等の光学系およびメカニカルシャッタ５２を経てＣＣＤ固体撮像素子５３の撮像エリアに入射する。メカニカルシャッタ５２は、ＣＣＤ固体撮像素子５３の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光時間を決めるためのものである。
　【００３１】
　ＣＣＤ固体撮像素子５３としては、先述した本実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子が用いられる。このＣＣＤ固体撮像素子５３は、先述したタイミング発生回路１９や駆動系２６などを含むＣＣＤ駆動回路５４によって駆動される。ＣＣＤ固体撮像素子５３の出力信号は、次段の信号処理回路５５において、自動ホワイトバランス調整などの種々の信号処理が行われた後、撮像信号として外部に導出される。メカニカルシャッタ５２の開閉制御、ＣＣＤ駆動回路５４の制御、信号処理回路５５の制御などは、システムコントローラ５６によって行われる。
　【００３２】
　次に、上記構成のカメラの基本的な動作について、図５のタイミングチャートを用いて説明する。
　【００３３】
　先ず、シャッタ（図示せず）が押されると、これに応答して数ｍｓのパルス幅のトリガパルスＴＲＩＧ．が発生し、その期間においてシャッタパルスφＳＵＢが数個発生することで、全てのセンサ部１１の信号電荷が基板１８に掃き捨てられる。そして、ある一定の露光期間が経過すると、メカニカルシャッタ５２が閉じ、例えばフレーム読み出しによって全画素の信号電荷を読み出す全画素読み出し期間に入る。
　【００３４】
　この全画素読み出し期間において、先ず、垂直ＣＣＤ１３の高速転送駆動によって垂直ＣＣＤ１３中の電荷が掃き出される。そして、垂直転送クロックφＶ１に読み出しパルスＸＳＧが立つことで、第１フィールドの各画素の信号電荷が読み出される。第１フィールドの信号電荷の読み出し後、再び高速転送駆動によって垂直ＣＣＤ１３中の電荷が掃き出され、続いて垂直転送クロックφＶ３に読み出しパルスＸＳＧが立つことで、第２フィールドの各画素の信号電荷が読み出される。
　【００３５】
　その後、メカニカルシャッタ５２が開き、高速撮像期間に移行する。この高速撮像期間では、撮像中の画像をモニタに映し出すモニタリングや、アイリス（図示せず）の開度を制御することによって露光を調整する自動アイリス制御や、レンズ５１の光軸方向の位置を制御することによって焦点を調整する自動フォーカス制御や、ホワイトバランスをとる自動ホワイトバランス制御などの各種の自動制御が行われる。
　【００３６】
　さて、課題の項で述べたように、露光完了から信号電荷の読み出しまでの間には、センサ部１１の飽和信号電荷の一部が時間の経過とともに放出されることによって飽和信号電荷量Ｑｓが減少する。この露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間と飽和信号電荷量Ｑｓの関係を図６に示す。この飽和信号電荷量Ｑｓの減少によるＳ／Ｎやダイナミックレンジ等の特性の悪化を防ぐには、飽和信号電荷が時間の経過とともに放出されないだけの十分なポテンシャルバリア差を確保すれば良い訳であるが、この飽和信号電荷量Ｑｓは、ＣＣＤ固体撮像素子１０の垂直ＣＣＤ１３の取扱い電荷量やブルーミング特性等によって決定されるため、当該ポテンシャルバリア差を確保するのは困難である。
　【００３７】
　また、先述した基板バイアスＶｓｕｂを下げて、時間の経過とともに減少する前の飽和信号電荷量Ｑｓをその減少分を見込んで予め増加させることによっても、飽和信号電荷量Ｑｓの減少によるＳ／Ｎやダイナミックレンジ等の特性の悪化を防ぐことができる。ここで、図５において、基板バイアスＶｓｕｂを全ての期間で変えた場合、全画素読み出し期間では、露光期間に垂直ＣＣＤ１３の取扱い電荷量以上の信号やブルーミング等の成分が発生しても、掃き出し期間にて掃き捨てられ、またメカニカルシャッタ５２が閉じていることから、上記成分が信号出力中に発生しないため問題とはならない。
　【００３８】
　これに対し、モニタリングや、自動アイリス制御／自動フォーカス制御／自動ホワイトバランス制御等の自動制御などに用いる高速撮像期間では、メカニカルシャッタ５２が開いているので、垂直ＣＣＤ１３の取扱い電荷量以上の信号やブルーミング等の成分が発生し、これを掃き捨てる期間も無いため問題となってしまう。そこで、本発明では、少なくとも信号電荷の読み出し期間、即ち全画素読み出し期間において基板バイアスＶｓｕｂを下げることにより、飽和信号電荷量Ｑｓをその減少分を見込んで予め増加させるようにしている。
　【００３９】
　この基板バイアスＶｓｕｂを下げるための制御信号、即ち先述した基板バイアスコントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．は、例えばシステムコントローラ５６から出力される。基板バイアスコントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．をタイミング発生回路１９から出力することも可能である。この基板バイアスコントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．が、図１のバイポーラトランジスタＱ２のベースに抵抗Ｒ２を介して印加されることにより、先述したように、抵抗Ｒ３の抵抗値に応じた電位だけ基板バイアスＶｓｕｂが低下する。この低下分は、センサ部１１におけるオーバーフローバリアＯＦＢ（図３を参照）の遮光時のポテンシャル低下分を見込んで設定される。
　【００４０】
　このように、少なくとも全画素読み出し期間において、基板バイアスＶｓｕｂを下げることにより、その低下した分だけセンサ部１１におけるオーバーフローバリアＯＦＢのポテンシャルが浅くなり、遮光時に時間の経過とともに減少する前の飽和信号電荷量Ｑｓをその減少分を見込んで増加させることができるため、飽和信号電荷量Ｑｓを向上できる。したがって、飽和信号電荷量Ｑｓの減少によるＳ／Ｎやダイナミックレンジ等の特性の悪化を防ぐことができる。
　【００４１】
　以下に、基板バイアスＶｓｕｂを下げる開始タイミングの４つの具体例について、図８〜図１０のタイミングチャートを用いて説明する。
　【００４２】
　先ず、図８に示す具体例１では、基板バイアスＶｓｕｂを下げる開始点を露光開始前としている。これによれば、露光期間も含めた全ての期間での飽和信号電荷量Ｑｓの減少を補うことが可能となる。したがって、ストロボ光のような露光期間中の一部の期間で飽和してしまう信号にも対応可能となる。なお、図８において、基板バイアスコントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．を露光完了前から数ｍｓ前としているのは、図７に示すように、基板バイアスコントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．が印加されてから基板バイアスＶｓｕｂが実際に下がるのに、図１の抵抗Ｒ１の抵抗値とコンデンサＣの容量値で決まる時定数によって数ｍｓの時間を要するためである。
　【００４３】
　次に、図９に示す具体例２では、基板バイアスＶｓｕｂを下げる開始点を露光期間中としている。これによれば、メカニカルシャッタ５２を閉じている期間での飽和信号電荷量Ｑｓの減少を補うことが可能となる。ここで、図８の場合のように、基板バイアスＶｓｕｂを下げる開始点を露光開始前としていないことによる利点は、図中のトリガ信号ＴＲＩＧ．がＯＮした状態（カメラのシャッタが押された状態）からメカニカルシャッタ５２が閉じる（露光完了）までの期間が速くなることである。
　【００４４】
　図１０に示す具体例３では、基板バイアスＶｓｕｂを下げる開始点を第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内としている。これによれば、第１フィールドの信号電荷を読み出すまでに飽和信号電荷量Ｑｓが減少してしまうものの、第２フィールドの飽和信号電荷量Ｑｓの減少を防ぐことができる。したがって、従来技術で問題となっていた第１フィールドと第２フィールドの飽和信号電荷量Ｑｓの違い（段差）を無くすことが可能となる。
　【００４５】
　図１１に示す具体例４では、基板バイアスＶｓｕｂを下げる開始点を露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内としている。これによれば、一部飽和信号電荷量Ｑｓが減少してしまう期間があるものの、露光期間中において基板バイアスＶｓｕｂを下げたことにより発生するブルーミング等の成分が減少し、露光完了直後に行う掃き出し期間での掃き捨てがよりし易くなる。
　【００４６】
　なお、上記実施形態においては、フレーム読み出し方式を例にとって説明したが、信号電荷の読み出し方式はフィールド読み出し方式や全画素読み出し方式であっても構わない。また、遮光手段としてメカニカルシャッタ５２を用いたが、メカニカルシャッタ５２に限定されるものではなく、液晶シャッタ等の他の遮光手段であっても良い。
　【００４７】
　また、上記実施形態では、基板バイアス発生回路２０およびクランプ回路２１がＣＣＤ固体撮像素子１０の内部に設けられた場合において、クランプ回路２１の入力端（バイポーラトランジスタＱ１のベース）を抵抗Ｒ３を介して接地するか否かを基板バイアスコントロール信号ＶｓｕｂＣｏｎｔ．によって選択的に切り替えることにより、少なくとも信号電荷の読み出し期間で基板バイアスＶｓｕｂを下げる構成としたが、基板バイアス発生回路２０およびクランプ回路２１がＣＣＤ撮像素子１０の外部に設けられた場合にも同様に適用することが可能である。
　【００４８】
　この場合の構成を図１２に示す。図１２において、ＣＣＤ撮像素子１０′の基本的な構成は先の実施形態に係るＣＣＤ撮像素子１０と同じである。このＣＣＤ撮像素子１０′の外部には、基板バイアスＶｓｕｂを発生する基板バイアス発生回路２７が設けられている。この基板バイアス発生回路２７で発生された基板バイアスＶｓｕｂは、クランプ回路２８を構成するバイポーラトランジスタＱ３のベースに印加される。
　【００４９】
　バイポーラトランジスタＱ３のコレクタは端子２９に接続され、そのエミッタは抵抗Ｒ４を介して接地されている。これにより、基板バイアスＶｓｕｂは、バイポーラトランジスタＱ１でインピーダンス変換された後、端子２９を介して基板１８に与えられる。一方、タイミング発生回路１９で発生されるシャッタパルスφＳＵＢは、コンデンサＣで直流カットされた後、バイポーラトランジスタＱ３のエミッタに印加される。このとき、シャッタパルスφＳＵＢはバイポーラトランジスタＱ３によってその低レベルが基板バイアスＶｓｕｂの直流レベルにクランプされる。
　【００５０】
　このように、基板バイアス発生回路２７およびクランプ回路２８がＣＣＤ撮像素子１０′の外部に設けられた固体撮像装置において、基板バイアスＶｓｕｂを下げるには、基板バイアス発生回路２７に対して基板バイアスＶｓｕｂ自体を一定期間だけ下げるためのタイミング信号を与えるとともに、このタイミング信号が与えられたら、基板バイアス発生回路２７から通常よりも一定の電位だけ低い基板バイアスＶｓｕｂが上記一定期間に亘って出力される構成とすれば良い。また、基板バイアスＶｓｕｂを下げる開始タイミングについては、先述した実施形態に係る具体例１〜４の場合と同様に設定すれば良い。
　【００５１】
　なお、上記実施形態では、縦型オーバーフロードレイン構造を持つＣＣＤ撮像素子に適用し、少なくとも信号電荷の読み出し期間においてオーバーフロードレインとなる基板１８に印加する基板バイアスＶｓｕｂを下げるようにした場合について説明したが、横型オーバーフロードレイン構造を持つＣＣＤ撮像素子にも同様に適用可能であり、この場合には、少なくとも信号電荷の読み出し期間において直接オーバーフロードレインバイアスを下げるようにすれば良い。
　【００５２】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、センサ部がオーバーフロードレイン構造を持つ固体撮像素子において、露光完了後に固体撮像素子の撮像エリアを遮光した状態で信号電荷を読み出す動作モード時に、少なくとも遮光状態での信号電荷の読み出し期間において固体撮像素子のオーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする
と共に、オーバーフローバリアのポテンシャルを浅くする開始点を、高速撮像期間終了直前の露光開始前（この場合の動作モードでは、高速撮像期間終了直前の露光完了後であって当該高速撮像期間直後の全画素読み出し期間における固体撮像素子の撮像エリアへの光の入射を遮光した状態で信号電荷を読み出す）、露光期間中、第１フィールドの信号電荷の読み出しから第２フィールドの信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）または露光完了から信号電荷の読み出しまでの期間内（但し、第１フィールドの信号電荷の読み出しタイミングを除く）とする
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る固体撮像装置の概略構成図である。
　【図２】
　センサ部周辺の断面構造図である。
　【図３】
　センサ部の基板深さ方向のポテンシャル分布図である。
　【図４】
　本発明に係るカメラの概略構成図である。
　【図５】
　基本的な動作を説明するためのタイミングチャートである。
　【図６】
　露光完了から読み出しまでの期間と飽和信号電荷量Ｑｓとの関係を示す特性図である。
　【図７】
　基板バイアス制御時のタイミングチャートである。
　【図８】
　具体例１の場合のタイミングチャートである。
　【図９】
　具体例２の場合のタイミングチャートである。
　【図１０】
　具体例３の場合のタイミングチャートである。
　【図１１】
　具体例４の場合のタイミングチャートである。
　【図１２】
　本発明の変形例を示す概略構成図である。
　【図１３】
　フィールド読み出し方式の説明図である。
　【図１４】
　フレーム読み出し方式の説明図である。
　【図１５】
　全画素読み出し方式の説明図である。
　【符号の説明】
　１０，１０′…ＣＣＤ撮像素子、１１…センサ部、１３…　垂直ＣＣＤ、１４…撮像エリア、１５…水平ＣＣＤ、１６…電荷電圧変換部、１８…半導体基板、１９…タイミング発生回路、２０，２７…基板バイアス発生回路、２１，２８…クランプ回路、５２…メカニカルシャッタ、５６…システムコントローラ、φＳＵＢ…シャッタパルス、Ｖｓｕｂ…基板バイアス、ＶｓｕｂＣｏｎｔ．…基板バイアスコントロール信号