【手続補正書】
【提出日】平成27年9月2日(2015.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電イオントラップの同調方法であって、自動電子制御のもと、
ｉ）前記イオントラップのパラメータを測定すること、  
ｉｉ）その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節すること、および
ｉｉｉ）前記イオントラップの設定を用いて、特定の圧力のテストガスからテストスペクトルを生成すること
を備え、
前記トラップがイオン源を含み、そのイオン源が電子源を含む方法。
【請求項２】
イオントラップの設定を調節することが、電子源の設定を調節することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イオントラップのパラメータを測定することが、さらに、電子と特定の圧力のテストガスとの衝突によって形成されるイオンの量を電子源リペラバイアスの関数として測定することを含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
イオントラップの設定を調節することが、さらに、電子源フィラメント電流で形成される前記イオンの量を増大させることを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記電子源リペラポテンシャルバイアスを、電子源フィラメント電流で最大の基準線イオン電流をもたらす設定にすることをさらに備える請求項３に記載の方法。
【請求項６】
形成される前記イオンの量を増大させることが、電子源フィラメント電流で形成される前記イオンの量を最大限まで増大させることを含む請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記イオントラップのパラメータを測定することが、特定の圧力のテストガスについて前記トラップ内のイオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）を測定することを含む請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ＩＰＥＤを測定することが、ＩＰＥＤオンセット値を測定することを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記トラップが、さらに、イオン出口ゲートポテンシャルバイアスを有するイオン出口ゲートを含み、イオントラップの設定を調節することが、さらに、前記イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）と前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことが、ＩＰＥＤオンセット値に基づいて前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスを設定することを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＩＰＥＤオンセット値と前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことが、さらに、前記ＩＰＥＤオンセット値に基づいて電子増倍管シールドポテンシャルバイアスを設定することを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことが、電子源リペラポテンシャルバイアスおよび電子源フィラメントバイアスを調節して特定のＩＰＥＤオンセット値をもたらすことを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオントラップのパラメータを測定することが、特定のイオン質量のイオン信号を検出するのに必要な印加ＲＦ励起の最小量を測定することを含む請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＲＦ励起を、特定のピーク比をもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに備える請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記イオントラップのパラメータを測定することが、さらに、前記イオン信号を印加ＲＦ励起の関数として測定することを備える請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記イオントラップのパラメータを測定することが、イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）オンセット値を測定することと、テストＲＦ励起設定でのイオン励起ポテンシャルエネルギー分布（ＥＰＥＤ）オンセット値を測定することとを含む請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記テストＲＦ励起設定を、前記ＥＰＥＤオンセット値と前記ＩＰＥＤオンセット値との間に特定の差をもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記テストＲＦ励起設定を、特定のスペクトル分解能をもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記テストＲＦ励起設定を、特定のダイナミックレンジをもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記テストＲＦ励起設定を、テストスペクトルにおける特定のピークによる特定のピーク比をもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
ｉ）静電イオントラップ、および
ｉｉ）前記イオントラップのパラメータを測定し、その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節し、そのイオントラップの設定を用いて、特定の圧力のテストガスからテストスペクトルを生成する電子機器
を備え、
前記トラップがイオン源を含み、そのイオン源が電子源を含む装置。
【請求項２２】
前記電子源が、
入口板ポテンシャルバイアスを有する入口板を含む入口スリット組立体と、
フィラメントと、
そのフィラメントから電子のビームを形成し、その電子が前記入口スリットを通るように導くリペラであって、前記フィラメントと前記入口板との間に位置する延長部を有し、前記フィラメントを前記入口板ポテンシャルからシールドするリペラと
を含む請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記電子源が、前記フィラメントと入口スリットとの間に位置する静電レンズを有する入口スリット組立体を含み、前記静電レンズが、前記フィラメントからの電子ビームを平行にして前記入口スリットを通す請求項２１または２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記電子源が、電子源と入口スリット組立体を統合して含む請求項２１から２３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２５】
イオントラップの設定の調節が、電子源の設定の調節を含む請求項２１から２４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２６】
前記電子機器が、さらに、電子と特定の圧力のテストガスとの衝突によって形成されるイオンの量を測定し、さらに、電子源の設定を調節して電子源フィラメント電流で形成される前記イオンの量を増大させる請求項２１から２５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２７】
形成される前記イオンの量の増大が、電子源フィラメント電流で形成される前記イオンの量の最大限への増大を含む請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
前記電子機器が、さらに、電子源リペラポテンシャルバイアスを、電子源フィラメント電流で最大の基準線イオン電流をもたらす設定にする請求項２６に記載の装置。
【請求項２９】
前記トラップが、さらに、イオン出口ゲートポテンシャルバイアスを有するイオン出口ゲートを含み、前記電子機器が、さらに、イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）と前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行う請求項２１から２８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３０】
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間での相互の調節が、ＩＰＥＤオンセット値に基づく前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスの設定を含む請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間での相互の調節が、さらに、前記ＩＰＥＤオンセット値に基づく電子増倍管シールドポテンシャルバイアスの設定を含む請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間での相互の調節が、ＩＰＥＤオンセット値の測定と、特定のＩＰＥＤオンセット値をもたらす、電子源リペラポテンシャルバイアスおよびフィラメントバイアスの調節とを含む請求項２９に記載の装置。
【請求項３３】
前記電子機器が、さらに、特定のイオン質量のイオン信号を検出するのに必要な印加ＲＦ励起の最小量を測定する請求項２１から３２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３４】
前記電子機器が、さらに、前記ＲＦ励起を、特定のピーク比をもたらす作動ＲＦ励起設定にする請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
前記電子機器が、さらに、前記イオン信号を、印加ＲＦ励起の関数として測定する請求項３３に記載の装置。
【請求項３６】
前記イオントラップのパラメータの測定が、イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）オンセット値と、テストＲＦ励起設定でのイオン励起ポテンシャルエネルギー分布（ＥＰＥＤ）オンセット値との測定を含む請求項２１から３５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３７】
前記電子機器が、さらに、前記テストＲＦ励起設定を、前記ＥＰＥＤオンセット値と前記ＩＰＥＤオンセット値との間に特定の差をもたらす作動ＲＦ励起設定にする請求項３６に記載の装置。
【請求項３８】
前記電子機器が、さらに、前記テストＲＦ励起設定を、特定のスペクトル分解能をもたらす作動ＲＦ励起設定にする請求項３６に記載の装置。
【請求項３９】
前記電子機器が、さらに、前記テストＲＦ励起設定を、特定のダイナミックレンジをもたらす作動ＲＦ励起設定にする請求項３６に記載の装置。
【請求項４０】
前記電子機器が、さらに、前記テストＲＦ励起設定を、テストスペクトルにおける特定のピークによる特定のピーク比をもたらす作動ＲＦ励起設定にする請求項３６に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
ここに引用されるすべての特許、公開出願および参考資料の関係する教示は、援用することで、その全体がここに組み込まれる。
本発明は、その実施形態を参照して特別に示され記述されているが、当業者であるならば、そこに、添付される特許請求の範囲で定められる発明の範囲から逸脱することなく、形状や詳細における様々な変更を加えても良いことが理解される。例えば、ここに記述される同調に受入可能なパラメータの範囲は、図１Ａに例示される特定のイオントラップ設計にのみ適用されている。したがって、異なるトラップの設計や異なる作動パラメータについては、新しいパラメータ範囲が必要となる。
なお、本発明は、実施の態様として以下の内容を含む。
［態様１］
静電イオントラップの同調方法であって、自動電子制御のもと、
ｉ）前記イオントラップのパラメータを測定すること、および
ｉｉ）その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節すること
を備える方法。
［態様２］
前記イオントラップの設定を用いて、特定の圧力のテストガスからテストスペクトルを生成することをさらに含む態様１に記載の方法。
［態様３］
前記トラップがイオン源を含む態様１または２に記載の方法。
［態様４］
前記イオン源が電子源を含む態様３に記載の方法。
［態様５］
イオントラップの設定を調節することが、電子源の設定を調節することを含む態様４に記載の方法。
［態様６］
前記イオントラップのパラメータを測定することが、さらに、電子と特定の圧力のテストガスとの衝突によって形成されるイオンの量を電子源リペラバイアスの関数として測定することを含む態様１から５のいずれか一態様に記載の方法。
［態様７］
イオントラップの設定を調節することが、さらに、電子源フィラメント電流で形成される前記イオンの量を増大させることを含む態様６に記載の方法。
［態様８］
前記電子源リペラポテンシャルバイアスを、電子源フィラメント電流で最大の基準線イオン電流をもたらす設定にすることをさらに備える態様６に記載の方法。
［態様９］
形成される前記イオンの量を増大させることが、電子源フィラメント電流で形成される前記イオンの量を最大限まで増大させることを含む態様６に記載の方法。
［態様１０］
前記イオントラップのパラメータを測定することが、特定の圧力のテストガスについて前記トラップ内のイオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）を測定することを含む態様１から９のいずれか一態様に記載の方法。
［態様１１］
前記ＩＰＥＤを測定することが、ＩＰＥＤオンセット値を測定することを含む態様１０に記載の方法。
［態様１２］
前記トラップが、さらに、イオン出口ゲートポテンシャルバイアスを有するイオン出口ゲートを含み、イオントラップの設定を調節することが、さらに、前記イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）と前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことを含む態様１０に記載の方法。
［態様１３］
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことが、ＩＰＥＤオンセット値に基づいて前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスを設定することを含む態様１２に記載の方法。
［態様１４］
前記ＩＰＥＤオンセット値と前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことが、さらに、前記ＩＰＥＤオンセット値に基づいて電子増倍管シールドポテンシャルバイアスを設定することを含む態様１３に記載の方法。
［態様１５］
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことが、電子源リペラポテンシャルバイアスおよび電子源フィラメントバイアスを調節して特定のＩＰＥＤオンセット値をもたらすことを含む態様１２に記載の方法。
［態様１６］
前記イオントラップのパラメータを測定することが、特定のイオン質量のイオン信号を検出するのに必要な印加ＲＦ励起の最小量を測定することを含む態様１から１５のいずれか一態様に記載の方法。
［態様１７］
前記ＲＦ励起を、特定のピーク比をもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに備える態様１６に記載の方法。
［態様１８］
前記イオントラップのパラメータを測定することが、さらに、前記イオン信号を印加ＲＦ励起の関数として測定することを備える態様１６に記載の方法。
［態様１９］
前記イオントラップのパラメータを測定することが、イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）オンセット値を測定することと、テストＲＦ励起設定でのイオン励起ポテンシャルエネルギー分布（ＥＰＥＤ）オンセット値を測定することとを含む態様１から１８のいずれか一態様に記載の方法。
［態様２０］
前記テストＲＦ励起設定を、前記ＥＰＥＤオンセット値と前記ＩＰＥＤオンセット値との間に特定の差をもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに含む態様１９に記載の方法。
［態様２１］
前記テストＲＦ励起設定を、特定のスペクトル分解能をもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに含む態様１９に記載の方法。
［態様２２］
前記テストＲＦ励起設定を、特定のダイナミックレンジをもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに含む態様１９に記載の方法。
［態様２３］
前記テストＲＦ励起設定を、テストスペクトルにおける特定のピークによる特定のピーク比をもたらす作動ＲＦ励起設定にすることをさらに含む態様１９に記載の方法。
［態様２４］
ｉ）静電イオントラップ、および
ｉｉ）前記イオントラップのパラメータを測定し、その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節する電子機器
を備える装置。
［態様２５］
前記電子機器が、さらに、前記イオントラップの設定を用いて、特定の圧力のテストガスからテストスペクトルを生成する態様２４に記載の装置。
［態様２６］
前記トラップが、さらにイオン源を含む態様２４または２５に記載の装置。
［態様２７］
前記イオン源が、さらに電子源を含む態様２６に記載の装置。
［態様２８］
前記電子源が、
入口板ポテンシャルバイアスを有する入口板を含む入口スリット組立体と、
フィラメントと、
そのフィラメントから電子のビームを形成し、その電子が前記入口スリットを通るように導くリペラであって、前記フィラメントと前記入口板との間に位置する延長部を有し、前記フィラメントを前記入口板ポテンシャルからシールドするリペラと
を含む態様２７に記載の装置。
［態様２９］
前記電子源が、前記フィラメントと入口スリットとの間に位置する静電レンズを有する入口スリット組立体を含み、前記静電レンズが、前記フィラメントからの電子ビームを平行にして前記入口スリットを通す態様２７または２８に記載の装置。
［態様３０］
前記電子源が、電子源と入口スリット組立体を統合して含む態様２７から２９のいずれか一態様に記載の装置。
［態様３１］
イオントラップの設定の調節が、電子源の設定の調節を含む態様２７から３０のいずれか一態様に記載の装置。
［態様３２］
前記電子機器が、さらに、電子と特定の圧力のテストガスとの衝突によって形成されるイオンの量を測定し、さらに、電子源の設定を調節して電子源フィラメント電流で形成される前記イオンの量を増大させる態様２７から３１のいずれか一態様に記載の装置。
［態様３３］
形成される前記イオンの量の増大が、電子源フィラメント電流で形成される前記イオンの量の最大限への増大を含む態様３２に記載の装置。
［態様３４］
前記電子機器が、さらに、電子源リペラポテンシャルバイアスを、電子源フィラメント電流で最大の基準線イオン電流をもたらす設定にする態様３２に記載の装置。
［態様３５］
前記トラップが、さらに、イオン出口ゲートポテンシャルバイアスを有するイオン出口ゲートを含み、前記電子機器が、さらに、イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）と前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行う態様２４から３４のいずれか一態様に記載の装置。
［態様３６］
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間での相互の調節が、ＩＰＥＤオンセット値に基づく前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスの設定を含む態様３５に記載の装置。
［態様３７］
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間での相互の調節が、さらに、前記ＩＰＥＤオンセット値に基づく電子増倍管シールドポテンシャルバイアスの設定を含む態様３６に記載の装置。
［態様３８］
前記ＩＰＥＤと前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間での相互の調節が、ＩＰＥＤオンセット値の測定と、特定のＩＰＥＤオンセット値をもたらす、電子源リペラポテンシャルバイアスおよびフィラメントバイアスの調節とを含む態様３５に記載の装置。
［態様３９］
前記電子機器が、さらに、特定のイオン質量のイオン信号を検出するのに必要な印加ＲＦ励起の最小量を測定する態様２４から３８のいずれか一態様に記載の装置。
［態様４０］
前記電子機器が、さらに、前記ＲＦ励起を、特定のピーク比をもたらす作動ＲＦ励起設定にする態様３９に記載の装置。
［態様４１］
前記電子機器が、さらに、前記イオン信号を、印加ＲＦ励起の関数として測定する態様３９に記載の装置。
［態様４２］
前記イオントラップのパラメータの測定が、イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）オンセット値と、テストＲＦ励起設定でのイオン励起ポテンシャルエネルギー分布（ＥＰＥＤ）オンセット値との測定を含む態様２４から４１のいずれか一態様に記載の装置。
［態様４３］
前記電子機器が、さらに、前記テストＲＦ励起設定を、前記ＥＰＥＤオンセット値と前記ＩＰＥＤオンセット値との間に特定の差をもたらす作動ＲＦ励起設定にする態様４２に記載の装置。
［態様４４］
前記電子機器が、さらに、前記テストＲＦ励起設定を、特定のスペクトル分解能をもたらす作動ＲＦ励起設定にする態様４２に記載の装置。
［態様４５］
前記電子機器が、さらに、前記テストＲＦ励起設定を、特定のダイナミックレンジをもたらす作動ＲＦ励起設定にする態様４２に記載の装置。
［態様４６］
前記電子機器が、さらに、前記テストＲＦ励起設定を、テストスペクトルにおける特定のピークによる特定のピーク比をもたらす作動ＲＦ励起設定にする態様４２に記載の装置。
［態様４７］
静電イオントラップの同調方法であって、電子と特定の圧力のテストガスとの衝突によって形成されるイオンの量を電子源リペラバイアスの関数として測定することを含む、前記イオントラップのパラメータを測定することと、その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節することとを備える方法。
［態様４８］
静電イオントラップの同調方法であって、特定の圧力のテストガスについて前記トラップ内のイオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）を測定することを含む、前記イオントラップのパラメータを測定することと、その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節することとを備える方法。
［態様４９］
前記トラップが、さらに、イオン出口ゲートポテンシャルバイアスを有するイオン出口ゲートを含み、前記イオントラップの設定を調節することが、さらに、前記イオン初期ポテンシャルエネルギー分布（ＩＰＥＤ）と前記イオン出口ゲートポテンシャルバイアスとの間で相互の調節を行うことを含む態様４８に記載の方法。
［態様５０］
静電イオントラップの同調方法であって、特定のイオン質量のイオン信号を検出するのに必要な印加ＲＦ励起の最小量を測定することを含む、前記イオントラップのパラメータを測定することと、その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節することとを備える方法。
［態様５１］
ｉ）Ａ）入口板ポテンシャルバイアスを有する入口板を含む入口スリット組立体と、
Ｂ）フィラメントと、
Ｃ）そのフィラメントからの電子のビームを形成し、その電子が前記入口スリットを通るように導くリペラであって、前記フィラメントと前記入口板との間に位置する延長部を有し、前記フィラメントを前記入口板ポテンシャルからシールドするリペラと
を備える電子源を有するイオン源を含む静電イオントラップ、および
ｉｉ）前記イオントラップのパラメータを測定し、その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節する電子機器
を備える装置。
［態様５２］
ｉ）電子源を有するイオン源を含む静電イオントラップであって、前記電子源が、フィラメントと入口スリットとの間に位置する静電レンズを有する入口スリット組立体を含み、前記静電レンズが、前記フィラメントからの電子ビームを平行にして前記入口スリットを通す静電イオントラップ、および
ｉｉ）前記イオントラップのパラメータを測定し、その測定したパラメータに基づいてイオントラップの設定を調節する電子機器
を備える装置。