【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型電子パッケージにおいて、
第１の領域および第２の領域を有する基板であって、第１の表面および前記第１の表面から遠く離れた第２の表面を有している、基板と、
前記第１の領域内において前記第１の表面の上に重なる少なくとも１つの超小型電子素子と、
前記第２の領域内において前記基板の前記第１の表面および前記第２の表面の少なくとも１つに露出した第１の導電要素であって、前記導電要素の少なくともいくつかは、前記少なくとも１つの超小型電子素子に電気的に接続されている、第１の導電要素と、
前記第１の導電要素のそれぞれに接合された基部と、前記基板から遠く離れてかつ前記基部から遠く離れた端面とを有する複数のワイヤボンドであって、各ワイヤボンドは、その前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定しており、第１のワイヤボンドは、第１の信号電位を送るように構成されており、第２のワイヤボンドは、前記第１の信号電位と異なる第２の信号電位を同時に送るように構成されている、複数のワイヤボンドと、
前記第１または第２の表面の少なくとも１つから延在する誘電体封止層であって、前記封止層は、前記ワイヤボンドが前記封止層によって互いに分離されるように前記ワイヤボンド間の空間を充填しており、前記封止層は、前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なっており、前記ワイヤボンドの未封止部分は、少なくとも前記封止層によって覆われていない前記ワイヤボンドの前記端面の一部によって画定されている、誘電体封止層と、
前記ワイヤボンドの前記未封止部分に電気的に接続されている第２の導電要素であって、前記第１の導電要素と接触しない第２の導電要素と、
を備えている、ことを特徴とする超小型電子パッケージ。
【請求項２】
前記ワイヤボンドの少なくとも１つの前記端面に隣接する少なくとも一部は、前記封止層の表面と直交している、ことを特徴とする請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項３】
前記第２の導電要素は、前記第１のワイヤボンドの少なくともいくつかの前記端面に接合された複数のスタッドバンプを備えている、ことを特徴とする請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４】
前記ワイヤボンドの少なくとも１つは、その前記基部と前記未封止部分との間で実質的に直線に沿って延在しており、前記実質的な直線は、前記基板の前記第１の表面に対して９０°未満の角度をなしている、ことを特徴とする請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項５】
超小型電子パッケージにおいて、
第１の領域および第２の領域を有する基板であって、第１の表面および前記第１の表面から遠く離れた第２の表面を有している、基板と、
前記第１の領域内において前記第１の表面の上に重なる少なくとも１つの超小型電子素子と、
前記第２の領域内において前記基板の前記第１の表面および前記第２の表面の少なくとも１つに露出した導電要素であって、前記導電要素の少なくともいくつかは、前記少なくとも１つの超小型電子素子に電気的に接続されている、導電要素と、
前記導電要素のそれぞれに接合された基部と、前記基板から遠く離れてかつ前記基部から遠く離れた端面とを有する複数のワイヤボンドであって、各ワイヤボンドは、その前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定しており、第１の前記ワイヤボンドは、第１の信号電位を送るように構成されており、第２の前記ワイヤボンドは、前記第１の信号電位と異なる第２の信号電位を同時に送るように構成されている、複数のワイヤボンドと、
前記第１または第２の表面の少なくとも１つから延在する誘電体封止層であって、前記封止層は、前記ワイヤボンドが前記封止層によって互いに分離されるように、前記ワイヤボンド間の空間を充填しており、前記封止層は、前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なっており、前記ワイヤボンドの未封止部分は、少なくとも前記封止層によって覆われていない前記ワイヤボンドの前記端面に隣接する前記縁面の一部によって画定されており、前記封止層によって覆われていない前記縁面の前記一部の最長寸法は、前記封止層の前記表面と平行な方向に延在している、誘電体封止層と、
を備えている、ことを特徴とする超小型電子パッケージ。
【請求項６】
前記未封止部分の少なくとも１つは、前記封止層によって覆われていない前記端面の少なくとも一部によって更に画定されている、ことを特徴とする請求項５に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項７】
前記封止層によって覆われず、前記封止層の前記表面と平行に延在する前記縁面の前記一部の長さは、前記ワイヤボンドの断面幅よりも大きくなっている、ことを特徴とする請求項５に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項８】
前記基板の前記第１の表面は、第１および第２の横方向に延在しており、
各横方向は、前記第１および第２の表面間において前記基板の厚みの方向を横断しており、
前記ワイヤボンドの少なくとも１つの前記未封止部分は、前記少なくとも１つのワイヤボンドが接合された前記導電要素から前記横方向の少なくとも１つにおいて変位している、ことを特徴とする請求項１または５に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項９】
前記封止層は、前記基板の前記第１の表面から第１の距離を隔てた主面と、前記基板の前記第１の表面から前記第１の距離よりも短い第２の距離を隔てた凹面と
を備えており、
前記ワイヤボンドの少なくとも１つの前記未封止部分は、前記凹面において前記封止層によって覆われていない、ことを特徴とする請求項１または５に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１０】
前記封止層は、前記封止層の表面から前記基板に向かって延在するように形成された空洞を有しており、
前記ワイヤボンドの１つの前記未封止部分は、前記空洞内に配置されている、ことを特徴とする請求項１または５に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１１】
前記ワイヤボンドの少なくとも１つは、その長さに沿って長軸を画定しており、
各ワイヤボンドは、前記長軸に沿って延在する第１の材料の内層と、前記長軸から遠く離れ、このようなワイヤボンドの長さ方向に延在する長さを有する第２の材料の外層と、を備えている、ことを特徴とする請求項１または５に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１２】
前記封止層の前記表面に沿って延在する再分配層をさらに備えており、
前記再分配層は、前記封止層の主面に隣接する第１の面を有する再分配基板を備えており、
前記再分配層は、
前記第１の表面から遠く離れた第２の表面と、
前記再分配基板の前記第１の表面上に露出し、前記ワイヤボンドのそれぞれの未封止部分と真っ直ぐに並んで機械的に接続された第１の導電パッドと、
前記基板の前記第２の表面に露出し、前記第１の導電パッドに電気的に接続された第２の導電パッドと、をさらに備えている、ことを特徴とする請求項１または５に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１３】
超小型電子パッケージにおいて、
第１の領域および第２の領域を有する基板であって、第１の表面および前記第１の表面から遠く離れた第２の表面を有し、横方向に延在している、基板と、
前記第１の領域内において前記第１の表面の上に重なる超小型電子素子であって、前記基板から遠く離れた主面を有している、超小型電子素子と、
前記第２の領域内において前記基板の前記第１の表面に露出した導電要素であって、前記導電要素の少なくともいくつかは、前記超小型電子素子に電気的に接続されている、導電要素と、
前記第１の導電要素のそれぞれに接合された基部と、前記基板から遠く離れてかつ前記基部から遠く離れた端面とを有するワイヤボンドであって、各ワイヤボンドは、その前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定しており、第１のワイヤボンドは、第１の信号電位を送るように構成されており、第２のワイヤボンドは、前記第１の信号電位と異なる第２の信号電位を同時に送るように構成されている、ワイヤボンドと、
前記第１または第２の表面の少なくとも１つから延在する誘電体封止層であって、前記封止層は、前記ワイヤボンドが前記誘電体層によって互いに分離されるように、前記ワイヤボンド間の空間を充填しており、前記封止層は、前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なっており、前記ワイヤボンドの未封止部分は、少なくとも前記封止層によって覆われていない前記ワイヤボンドの前記端面の一部によって画定されている、誘電体封止層と、
を備えており、
少なくとも１つのワイヤボンドの前記未封止部分は、前記未封止部分が前記超小型電子素子の前記主面の上に重なるように、前記少なくとも１つのワイヤボンドが接続された前記導電要素から前記第１の表面に沿って少なくとも１つの横方向に変位している、ことを特徴とする超小型電子パッケージ。
【請求項１４】
前記導電要素は、第１の所定の形態の第１のアレイに配置されており、
前記ワイヤボンドの前記未封止部分は、前記第１の所定の形態と異なる第２の所定の形態の第２のアレイに配置されている、ことを特徴とする請求項１３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１５】
絶縁層が、前記超小型電子素子の少なくとも表面を覆って延在しており、
前記絶縁層は、前記超小型電子素子の前記表面と、前記超小型電子素子の前記主面の上に重なる未封止部分を有する前記少なくとも１つのワイヤボンドと、の間に配置されている、ことを特徴とする請求項１３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１６】
前記ワイヤボンドのそれぞれの複数の前記未封止部分は、前記超小型電子素子の前記主面の上に重なっている、ことを特徴とする請求項１３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１７】
超小型電子アセンブリにおいて、
請求項１３に記載の第１の超小型電子パッケージと、
第１の表面および第２の表面を有する基板と、前記第１の表面に取り付けられた超小型電子素子と、前記第２の表面に露出し、前記超小型電子素子に電気的に接続された接触パッドと、を備える第２の超小型電子パッケージと、
を備えており、
前記第２の超小型電子パッケージは、前記第２のパッケージの前記第２の表面が前記誘電体層の前記表面の少なくとも一部の上に重なるように、かつ前記接触パッドの少なくともいくつかが前記ワイヤボンドの前記未封止部分の少なくともいくつかに電気的かつ機械的に接続されるように、前記第１の超小型電子パッケージに取り付けられている、ことを特徴とする超小型電子アセンブリ。
【請求項１８】
前記第１の所定の形態は、第１のピッチによって特徴付けられており、
前記第２の所定の形態は、前記第１のピッチよりも細い第２のピッチによって特徴付けられている、ことを特徴とする請求項１４に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１９】
前記第１の超小型電子パッケージの前記導電要素は、第１の所定の形態の第１のアレイに配置されており、
前記第２の超小型電子パッケージの前記接触パッドは、前記第１の所定の形態と異なる第２の所定の形態の第２のアレイに配置されている、ことを特徴とする請求項１７に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２０】
前記第１の超小型電子パッケージの前記ワイヤボンドの前記未封止部分の少なくともいくつかは、前記第２の所定の形態に対応する第３のアレイに配置されている、ことを特徴とする請求項１７に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２１】
前記第１の所定の形態は、第１のピッチによって特徴付けられており、
前記第２の形態は、前記第１のピッチよりも細い第２のピッチによって特徴付けられている、ことを特徴とする請求項１７に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２２】
超小型電子パッケージにおいて、
第１の領域および第２の領域を有する基板であって、第１の表面および前記第１の表面から遠く離れた第２の表面を有している、基板と、
前記第１の領域内において前記第１の表面の上に重なる少なくとも１つの超小型電子素子と、
前記第２の領域内において前記基板の前記第１の表面に露出した導電要素であって、前記導電要素の少なくともいくつかが、前記少なくとも１つの超小型電子素子に電気的に接続されている、導電要素と、
複数のボンド要素であって、各々が、第１の基部と、第２の基部と、前記基部間に延在する縁面と，を有しており、前記第１の基部は、前記導電要素の１つに接合されており、前記縁面は、接触パッドから前記基板から遠く離れた前記縁面の頂部に延在する第１の部分を備えており、前記縁面は、前記頂部から前記第２の基部に延在する第２の部分をさらに備えており、前記第２の基部は、前記基板の特徴部に接合されており、前記ボンド要素うちの第１のボンド要素が第１の信号電位を送るようになっており、前記ボンド要素うちの第２のボンド要素が前記第１の信号電位と異なる第２の信号電位を同時に送るようになっている、複数のボンド要素と、
前記第１または第２の表面の少なくとも１つから延在する誘電体封止層であって、前記封止層は、前記ボンド要素が前記封止層によって互いに分離されるように、前記ボンド要素の前記第１および第２の部分間の空間および前記複数のボンド要素間の空間を充填しており、前記封止層は、少なくとも前記基板の前記第２の領域の上に重なっており、前記ボンド要素の未封止部分は、前記封止層によって覆われていない前記頂部の周りの前記ボンド要素の前記縁面の少なくとも一部によって画定されている、誘電体封止層と、
を備えている、ことを特徴とする超小型電子パッケージ。
【請求項２３】
前記ボンド要素は、ワイヤボンドである、ことを特徴とする請求項２２に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２４】
前記ボンド要素は、ボンドリボンである、ことを特徴とする請求項２２に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２５】
前記基板の前記第２の基部が接合される前記基板の前記特徴部は、前記第１の基部が接続される前記導電要素である、ことを特徴とする請求項２３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２６】
前記基板の前記第２の基部が接合される前記基板の前記特徴部は、前記第１の基部が接合される前記導電要素と異なる各導電要素である、ことを特徴とする請求項２３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２７】
超小型電子パッケージを製造する方法において、
誘電体封止層を処理中ユニット上に形成するステップを含み、
前記処理中ユニットは、第１の表面およびそこから遠く離れた第２の表面を有する基板であって、前記第１の表面が横方向に延びている、基板と、 前記基板の前記第１の表面に実装された超小型電子素子と、前記第１の表面に露出した複数の導電要素であって、前記導電要素の少なくともいくつかは、前記超小型電子素子に電気的に接続されている、複数の導電要素と、前記導電要素に接合された基部および前記基部から遠く離れた端面を有するワイヤボンであって、各ワイヤボンドは、前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定しており、前記ワイヤボンドの第１のものは、第１の信号電位を送るように構成されており、前記ワイヤボンドの第２のものは、前記第１の信号電子と異なる第２の信号電位を同時に送るように構成されている、ワイヤボンドと、を備え、
少なくとも１つの前記ワイヤボンドの未封止部分は、前記ワイヤボンドの前記端面が、前記少なくとも１つのワイヤボンドが接合された前記導電要素から、少なくとも１つの前記横方向に変位しおり、
前記封止層は、前記第１の表面および前記ワイヤボンドの一部を少なくとも部分的に覆うように形成されており、前記ワイヤボンドの未封止部分は、前記封止層によって覆われていない前記端面または前記縁面の少なくとも１つの一部によって画定されている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２８】
前記基板は、リードフレームであり、前記導電要素は、前記リードフレームのリードである、ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記封止層を形成する前記ステップは、誘電体材料塊を前記第１の表面および前記ワイヤボンドの実質的に全てを覆って堆積させ、その前記未封止部分を画定するために、前記誘電体材料塊の部分を除去し、前記ワイヤボンドの一部を露出させることを含んでいる、
ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記ワイヤボンドの少なくとも１つは、前記導電要素の少なくとも２つの各々に接合されたループをなすように延ばされており、
前記誘電体材料塊は、前記第１の表面および前記少なくとも１つのワイヤボンドループを少なくとも部分的に覆うように堆積されており、
前記誘電体材料塊の一部を除去する前記ステップは、前記少なくとも１つのワイヤボンドループを前記封止層によって覆われていないそれぞれの自由端を有する第１および第２のワイヤボンドに切断し、その未封止部分を形成するように、前記少なくとも１つのワイヤボンドループの一部を除去することをさらに含んでいる、ことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
誘電体材料塊を前記基板の前記第１の表面から離れた位置から、前記ワイヤボンドの前記少なくとも１つが前記誘電体材料塊を貫通するように、前記ワイヤボンドの上に押圧し、前記基板の前記第１の表面に接触させることによって、前記封止層が前記処理中ユニット上に形成されるようになっている、ことを特徴とする、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記処理中ユニットは、前記ワイヤボンドの少なくとも１つが前記導電要素と前記少なくとも１つのワイヤボンドの前記端面との間に位置する実質的に湾曲した部分を備えるように、前記ワイヤボンドを形成するステップを含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
前記基板は、第１の領域および第２の領域を備えており、
前記超小型電子素子は、前記第１の領域の上に重なっており、前記基板から遠く離れた主面を有しており、
前記第１の導電要素は、前記第１の領域内に配置されており、
前記処理中ユニットは、前記ワイヤボンドの少なくとも１つの少なくとも一部が前記超小型電子素子の前記主面を覆って延在するように、
前記ワイヤボンドを形成するステップを含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３４】
前記封止層を形成する前記ステップは、前記封止層の主面から前記基板の方に延在する少なくとも１つの空洞を形成することを含んでおり、
前記少なくとも１つの空洞は、前記ワイヤボンドの１つの前記未封止部分を包囲している、ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３５】
前記ワイヤボンドは、その長さに沿って長軸を画定しており、
前記ワイヤボンドは、前記長軸に沿って延在する第１の材料の内層と、前記長軸から遠く離れて前記ワイヤボンドの前記長さに沿って延在する第２の材料の外層と、を備えている、ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３６】
前記ワイヤボンドの少なくとも１つの前記未封止部分上にスタッドバンプを形成することをさらに含んでいる、ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３７】
前記ワイヤボンドの少なくとも１つの前記未封止部分上に半田ボールを堆積させることをさらに含んでいる、ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３８】
超小型電子アセンブリを製造する方法において、請求項２７の前記ステップによって作製された第１の超小型電子パッケージを第２の超小型電子パッケージに接合するステップを含んでおり、
前記第２の超小型電子パッケージは、第１の表面を有する基板および前記基板の前記第１の表面に露出した複数の接点を備えており、
前記第１の超小型電子パッケージを前記第２の超小型電子パッケージに接合する前記ステップは、前記第１の超小型電子パッケージの前記ワイヤボンドの前記未封止部分を前記第２の超小型電子パッケージの前記接点に電気的かつ機械的に接続することを含んでいる、ことを特徴とする方法。
【請求項３９】
超小型電子パッケージを製造する方法において、
誘電体材料塊を処理中ユニットを覆って配置するステップであって、前記処理中ユニットは、第１の表面およびそこから遠く離れた第２の表面を有する基板と、前記第１の表面に露出した複数の薄い導電要素と、前記薄い導電要素のそれぞれに接合された基部と、前記基板から遠く離れてかつ前記基部から遠く離れた端面と、を有するワイヤボンドであって、各ワイヤボンドは、その前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定しており、第１の前記ワイヤボンドは、第１の信号電位を送るように構成されており、第２のワイヤボンドは、前記第１の信号電位と異なる第２の信号電位を同時に送るように構成されている、ワイヤボンドと、を備えている、ステップと、
前記ワイヤボンドが前記誘電体材料塊を貫通するように、前記誘電体材料塊を前記ワイヤボンドの上に押圧し、前記基板の前記第１の表面に接触させることによって、封止層を前記処理中ユニット上に形成するステップであって、前記封止層は、前記ワイヤボンドが前記封止層によって互いに分離されるように、前記ワイヤボンド間の空間を充填し、前記封止層は、前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なり、前記第１のワイヤボンドの未封止部分は、前記第１のワイヤボンドの一部が前記封止層によって覆われないように、前記ワイヤボンドが前記封止層の一部を貫通することによって形成されるようになっている、ステップと、
を含んでいる、ことを特徴とする方法。
【請求項４０】
超小型電子パッケージを製造する方法において、
誘電体封止層を処理中ユニット上に形成するステップであって、前記処理中ユニットは、第１の表面およびそこから遠く離れた第２の表面を有する基板と、前記第１の表面に露出した複数の薄い導電要素と、前記薄い導電要素の少なくとも２つのそれぞれに第１の基部および第２の基部において接合されたワイヤループであって、前記封止層は、前記第１の表面および前記少なくとも１つのワイヤループを少なくとも部分的に覆うように形成されている、ワイヤループと、を備えている、ステップと、
前記ワイヤループの各々を、前記第１および第２の基部のそれぞれに対応すると共に前記基板から遠く離れてかつ前記基部から遠く離れた端面を有する個別のワイヤボンドに分断するように、前記封止層の一部および前記ワイヤループの一部を除去するステップであって、各ワイヤボンドは、その前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定しており、前記封止層は、前記ワイヤボンドが前記封止層によって分離されるように、前記ワイヤボンド間の空間を充填しており、前記ワイヤボンドは、前記封止層によって少なくとも部分的に覆われていない前記ワイヤボンドの自由端によって形成された未封止部分を有しており、前記ワイヤボンドの第１のものは、第１の信号電位を送るように構成されており、前記ワイヤボンドの第２のものは、前記第１の信号電子と異なる第２の信号電位を同時に送るように構成されている、ステップと、
を含んでいる、ことを特徴とする方法。
【請求項４１】
超小型電子パッケージにおいて、
第１の領域および第２の領域を有する基板であって、第１の表面および前記第１の表面から遠く離れた第２の表面を有している、基板と、
前記第１の領域内において前記第１の表面の上に重なる少なくとも１つの超小型電子素子と、
前記第２の領域内において、前記基板の前記第１の表面および前記第２の表面の少なくとも１つに露出した第１の導電要素であって、前記第１の導電要素の少なくともいくつかは前記少なくとも１つの超小型電子素子に電気的に接続されている、第１の導電要素と、
前記第１の導電要素のそれぞれに接合された基部と、前記基板から遠く離れてかつ前記基部から遠く離れた端面とを有するワイヤボンドであって、各ワイヤボンドはその前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定している、ワイヤボンドと、
前記第１または第２の表面の少なくとも一方から延びる誘電体封止層であって、前記封止層は、前記封止層によって互いに分離されるように前記ワイヤボンド間の空間を満たし、前記封止層は前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なっており、前記ワイヤボンドの未封止部分は、前記封止層によって覆われていない前記ワイヤボンドの前記端面の少なくとも一部によって画定されている、誘電体封止層と、
前記第１の誘電要素と電気的に接続された複数の第２の導電要素と、
を備えている、ことを特徴とする超小型電子パッケージ。
【請求項４２】
前記ワイヤボンドが導電要素として役立つ、ことを特徴とする請求項４１に記載の超小型電子パッケージ。 
【請求項４３】
前記ワイヤボンドの、その前記基部と前記端面との間のそれぞれの前記縁面の少なくとも一部が、前記少なくとも１つの超小型電子要素を覆って延びており、 
前記ワイヤボンドの前記基部が接合される前記導電要素の前記部分は、第１のピッチを有する第１の形態の第１のアレイに配置されており、前記ワイヤボンドの前記端面は、第２のピッチを有する第２の形態の第２のアレイに配置されており、前記第１のピッチと前記第２のピッチは異なる、
ことを特徴とする請求項４１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４４】
前記封止層は、前記封止層の表面から前記基板に向かって延在するように形成された空洞を有しており、
前記ワイヤボンドの１つの前記未封止部分は、前記空洞内に配置されており、
前記空洞内の導電性材料が、前記１つの前記ワイヤボンドの前記未封止部分の少なくとも一部を被覆する、
ことを特徴とする請求項４１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４５】
前記第２の導電要素は、前記第１のワイヤボンドの少なくともいくつかの前記端面に接合された複数のスタッドバンプを備えている、ことを特徴とする請求項４１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４６】
前記基板の前記第１の表面は、第１および第２の横方向に延在しており、
各横方向は、前記第１および第２の表面間において前記基板の厚みの方向を横断しており、
前記ワイヤボンドの少なくとも１つの前記未封止部分は、前記少なくとも１つのワイヤボンドが接合された前記導電要素から前記横方向の少なくとも１つにおいて変位している、ことを特徴とする請求項４１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４７】
前記封止層は、前記基板の前記第１の表面から第１の距離を隔てた主面と、前記基板の前記第１の表面から前記第１の距離よりも短い第２の距離を隔てた凹面と
を備えており、
前記ワイヤボンドの少なくとも１つの前記未封止部分は、前記凹面において前記封止層によって覆われていない、ことを特徴とする請求項４１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４８】
前記ワイヤボンドの少なくとも１つは、その長さに沿って長軸を画定しており、
各ワイヤボンドは、前記長軸に沿って延在する第１の材料の内層と、前記長軸から遠く離れ、このようなワイヤボンドの長さ方向に延在する長さを有する第２の材料の外層と、を備えている、ことを特徴とする請求項４１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４９】
超小型電子パッケージにおいて、
第１の領域および第２の領域を有する基板であって、第１の表面および前記第１の表面から遠く離れた第２の表面を有している、基板と、
前記第１の領域内において前記第１の表面の上に重なる少なくとも１つの超小型電子素子と、
前記第２の領域内において、前記基板の前記第１の表面および前記第２の表面の少なくとも１つに露出した第１の導電要素であって、前記第１の導電要素の少なくともいくつかは前記少なくとも１つの超小型電子素子に電気的に接続されている、導電要素と、
前記第１の導電要素のそれぞれに接合された基部と、前記基板から遠く離れてかつ前記基部から遠く離れた端面とを有するワイヤボンドであって、各ワイヤボンドはその前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定している、ワイヤボンドと、
前記第１の誘電要素と電気的に接続された複数の第２の導電要素と、 
を備えている、ことを特徴とする超小型電子パッケージ。
【請求項５０】
少なくとも１つの前記ワイヤボンドの少なくとも１つの前記端面が半田で被覆されている、ことを特徴とする請求項４９に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項５１】
少なくとも１つの前記ワイヤボンドの前記縁面の少なくとも一部が半田で被覆されている、ことを特徴とする請求項４９に記載の超小型電子パッケージ。 
【請求項５２】
撮像装置において、
第１の領域および第２の領域を有する基板であって、第１の表面および前記第１の表面から遠く離れた第２の表面を有している、基板と、
前記第１の領域内において前記第１の表面の上に重なる少なくとも１つの超小型電子素子であって、第３の表面と、前記第３の表面から遠く離れた第４の表面を有し、前記第３の表面が前記第１の表面と対向している、少なくとも１つの超小型電子素子と、
前記少なくとも１つの超小型電子素子の前記第４の表面に重なる光をルーティングする光学デバイスと、
前記第２の領域内において、前記基板の前記第１の表面および前記第２の表面の少なくとも１つに露出した第１の導電要素であって、前記第１の導電要素の少なくともいくつかが前記少なくとも１つの超小型電子素子へ電気的に接続されている、導電要素と、
前記第１の導電要素のそれぞれに接合された基部と、前記基板から遠く離れてかつ前記基部から遠く離れた端面とを有するワイヤボンドであって、各ワイヤボンドはその前記基部と前記端面との間に延在する縁面を画定している、ワイヤボンドと、
前記第１または第２の表面の少なくとも一方から延びる誘電体封止層であって、前記封止層は、前記封止層によって互いに分離されるように前記ワイヤボンド間の空間を満たし、前記封止層は前記基板の少なくとも前記第２の領域の上に重なっており、前記ワイヤボンドの未封止部分は、前記封止層によって覆われていない前記ワイヤボンドの前記端面の少なくとも一部によって画定されている、誘電体封止層と、
前記第１の誘電要素と電気的に接続された複数の第２の導電要素と、
を備えている、ことを特徴とする撮像装置。
【請求項５３】
前記少なくとも１つの超小型素子は、前記第３の表面に導電性接触子を備えており、 
前記基板の前記第１の表面の前記第１の導電素子の少なくとも第２のものが、導体塊を介して、前記少なくとも１つの超小型電子素子の前記導電性接触子の少なくともいくつかに電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項５２に記載の撮像装置。
【請求項５４】
感光性要素を更に備えている、ことを特徴とする請求項５２に記載の撮像装置。