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【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
本発明の範囲及び趣旨から逸脱しない本発明の様々な変更や改変は、当業者には明らかとなるであろう。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［２４］に記載する。
[１]
中空微小球を形成する方法であって、供給原料を分配することと、前記供給原料の少なくとも一部を中空微小球に変換するのに十分な条件を用いて、前記供給原料を加熱すること、とを含む方法であり、前記分配が振動エネルギーを用いて実行される、方法。
[２]
前記振動エネルギーが超音波エネルギーである、項目１に記載の方法。
[３]
前記中空微小球が実質的に単一のセル構造を有する、項目１又は２のいずれか一項に記載の方法。
[４]
前記分配システムが、超音波ホーン及び振とう器の中の１つを更に含む、項目１〜３のいずれか一項に記載の方法。
[５]
前記超音波ホーンが、圧電変換器に接続されたブースタに更に接続される、項目４に記載の方法。
[６]
前記分配システムが細長いハウジングを更に含み、前記細長いハウジングがその中の中心部に垂直に配置された中空内管を有し、前記供給原料が担体ガスを用いて前記中空内管内に導入される、項目１〜５のいずれか一項に記載の方法。
[７]
前記加熱が、真空下で提供される、項目１〜６のいずれか一項に記載の方法。
[８]
前記真空が、６，７７３Ｐａ（２インチＨｇ）以下の絶対圧で維持される、項目７に記載の方法。
[９]
前記真空が、３３，８６４Ｐａ（１０インチＨｇ）以下の絶対圧で維持される、項目７に記載の方法。
[１０]
前記供給原料が、ガラス、再生ガラス、パーライト、及びこれらの組み合わせの中の少なくとも１つから選択される、項目１〜９のいずれか一項に記載の方法。
[１１]
前記供給原料が、
（ａ）５０重量％と９０重量％の間のＳｉＯ２と、
（ｂ）２重量％と２０重量％の間のアルカリ金属酸化物と、
（ｃ）１重量％と３０重量％の間のＢ２Ｏ３と、
（ｄ）０重量％と０．５重量％の間のイオウと、
（ｅ）０重量％と２５重量％の間の二価金属酸化物と、
（ｆ）０重量％と１０重％の間のＳｉＯ２以外の四価金属酸化物と、
（ｇ）０重量％と２０重量％の間の三価金属酸化物と、
（ｈ）０重量％と１０重量％の間の五価原子の酸化物と、
（ｉ）０重量％と５重量％の間のフッ素と、を含む項目１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
[１２]
前記供給原料の少なくとも一部を中空微小球に変換するのに十分な条件を用いて、前記供給原料を加熱する前記工程が、前記供給原料を１３００℃を超える温度まで加熱することを含む、項目１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
[１３]
振動エネルギーを用いて供給原料を分配すること、及び前記供給原料の少なくとも一部を中空微小球に変換するのに十分な条件を用いて、前記供給原料を加熱することを含む方法を用いて作製された中空微小球。
[１４]
前記振動エネルギーが超音波エネルギーである、項目１３に記載の中空微小球。
[１５]
前記中空微小球が実質的に単一のセル構造を有する、項目１３又は１４に記載の中空微小球。
[１６]
前記加熱が真空下で実行される、項目１３、１４又は１５に記載の中空微小球。
[１７]
前記真空が、６，７７３Ｐａ（２インチＨｇ）以下の絶対圧で維持される、項目１６に記載の中空微小球。
[１８]
前記真空が、３３，８６４Ｐａ（１０インチＨｇ）以下の絶対圧で維持される、項目１６に記載の中空微小球。
[１９]
前記供給原料が、ガラス、再生ガラス、パーライト、及びこれらの組み合わせの少なくとも１つから選択される、項目１３、１４、１５、１６、１７又は１８に記載の中空微小球。
[２０]
前記供給原料が、
（ａ）５０重量％と９０重量％の間のＳｉＯ２と、
（ｂ）２重量％と２０重量％の間のアルカリ金属酸化物と、
（ｃ）１重量％と３０重量％の間のＢ２Ｏ３と、
（ｄ）０重量％と０．５重量％の間のイオウと、
（ｅ）０重量％と２５重量％の間の二価金属酸化物と、
（ｆ）０重量％と１０重％の間のＳｉＯ２以外の四価金属酸化物と、
（ｇ）０重量％と２０重量％の間の三価金属酸化物と、
（ｈ）０重量％と１０重量％の間の五価原子の酸化物と、
（ｉ）０重量％と５重量％の間のフッ素と、を含む項目１３、１４、１５、１６、１７、１８又は１９に記載の中空微小球。
[２１]
前記分配システムが細長いハウジングを更に含み、前記細長いハウジングがその中の中心部に垂直に配置された中空内管を有し、前記中空内管が上端部と下端部とを有し、更に、超音波ホーンが前記細長いハウジングの頂部から前記中空内管の前記上端部の直上まで延在する、項目１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９又は２０に記載の中空微小球。
[２２]
前記細長いハウジング内で供給原料を流動化させることと、担体ガスを用いて前記中空内管内に前記供給原料を導入することを更に含む、項目２１に記載の中空微小球。
[２３]
中空ガラス微小球を形成するための装置であって、
ハウジング及び超音波装置を有する分配システムと、
加熱システムとを含む装置であり、
前記加熱の条件が、前記供給原料の少なくとも一部を中空微小球に変換するのに十分であり、前記分配が超音波エネルギーを用いて実行される、装置。
[２４]
前記加熱システムが、真空システムを更に含む、項目２３に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空微小球を形成する方法であって、分配システムを用いて供給原料を分配することと、前記供給原料を１３００℃を超える温度まで加熱すること、とを含む方法であり、前記分配が振動エネルギーを用いて実行され、前記分配システムが細長いハウジングを含み、前記細長いハウジングがその中の中心部に垂直に配置された中空内管を有し、前記供給原料が担体ガスを用いて前記中空内管内に導入される、方法。
【請求項２】
前記加熱が、真空下で提供され、更に、前記真空が、６，７７３Ｐａ（２インチＨｇ）以下の絶対圧で維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記供給原料が、
（ａ）５０重量％と９０重量％の間のＳｉＯ２と、
（ｂ）２重量％と２０重量％の間のアルカリ金属酸化物と、
（ｃ）１重量％と３０重量％の間のＢ２Ｏ３と、
（ｄ）０重量％と０．５重量％の間のイオウと、
（ｅ）０重量％と２５重量％の間の二価金属酸化物と、
（ｆ）０重量％と１０重％の間のＳｉＯ２以外の四価金属酸化物と、
（ｇ）０重量％と２０重量％の間の三価金属酸化物と、
（ｈ）０重量％と１０重量％の間の五価原子の酸化物と、
（ｉ）０重量％と５重量％の間のフッ素と、を含む請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数のウォッシュコート層でコートされ、耐熱支持物質に支持された窒素酸化物貯蔵成分、少なくとも１つの貴金属及び分散した希土類酸化物を含む第１成分と、実質的に窒素酸化物貯蔵物質を有さないバルクの還元可能な酸化物に支持された貴金属を含む第２成分とを含む基体モノリスを有するＮＯｘ吸収触媒であって、第２成分中に存在する貴金属はＰｔ、Ｐｄ又はＰｔとＰｄ両方の組合せを含み、バルクの還元可能な酸化物はマンガン、鉄、コバルト、銅、すず又はセリウムのうち少なくとも１つを含む酸化物、複合酸化物又は混合酸化物である、ＮＯｘ吸収触媒。
【請求項２】
第２成分が第１成分を含む層とは別の層にある、請求項１に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項３】
第１成分を含む層が、バルクの還元可能な酸化物に支持された貴金属を含む第４成分を含み、第２成分中に存在する貴金属が、Ｐｔ、Ｐｄ又はＰｔとＰｄ両方の組合せを含む、請求項２に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項４】
バルクの還元可能な酸化物に、貯蔵物質の総重量に基づき、０．５から８０ｗｔ％のジルコニウム、ケイ素、スカンジウム、イットリウム、ランタン及び希土類金属又はこれらの混合物からなる群より選択される元素の少なくとも１つの酸化物がドープされる、請求項１に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項５】
第１成分中の耐熱支持物質が、アルミナ、マグネシア、非晶質シリカ−アルミナ、チタニア、ジルコニア、モレキュラーシーブ又はこれらの任意の２つ以上の混合物、複合酸化物又は混合酸化物である、請求項１に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項６】
耐熱支持体が均質なアルミン酸マグネシウムである、請求項５に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項７】
第１成分中の分散した希土類酸化物が、セリウム、プラセオジム、ネオジウム、ランタン、サマリウム及びこれらの混合物からなる群より選択される元素の酸化物を含む、請求項１に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項８】
窒素酸化物貯蔵成分が、アルカリ土類金属、アルカリ金属、希土類金属及びこれらの任意の２つ以上の組合せからなる群より選択される、請求項１に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項９】
複数の層を有し、ここで下層が第１成分を有し、下層を覆う層が耐熱支持物質に支持されたロジウムを含む第３成分を含む、請求項１に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項１０】
下層を覆う層が、少なくとも１つのモレキュラーシーブを含む、請求項９に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項１１】
３層を有し、ここでモレキュラーシーブを含む層が、下層を有する層と第３成分を含む層の間に配置される、請求項１０に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項１２】
３層を有し、ここでモレキュラーシーブを含む層が、第３成分を含む層を覆う、請求項１０に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項１３】
モレキュラーシーブが、シリコアルミノホスフェート（ＳＡＰＯ）又はアルミノケイ酸塩ゼオライトである、請求項１０に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項１４】
外層が第２成分を含む、請求項９に記載のＮＯｘ吸収触媒。
【請求項１５】
リーンバーン内燃エンジンからの排気ガスを処理する方法であって、該方法が、一酸化窒素を含むリーン排気ガスを請求項１のＮＯｘ吸収触媒と接触させるステップと、ＮＯｘ吸収触媒を濃縮された排気ガスと断続的に接触させるステップを有する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
国際出願第２００４／０２５０９３号は、ＮＯｘ吸収剤、少なくとも１つの卑金属プロモーターと会合した第１支持物質に支持されたパラジウム及び第２支持物質に支持された白金を含む基体モノリスを開示している。卑金属プロモーターは、マンガン、鉄、銅、すず、コバルト又はセリウムの酸化物などの還元可能な酸化物であり、第１支持物質上に分散されてもよく、又は支持物質自体が粒子状のバルクの還元可能な酸化物であってもよい。ＮＯｘ吸収剤は、少なくとも１つのアルカリ金属、少なくとも１つのアルカリ土類金属、少なくとも１つの希土類金属、例えばランタン又はイットリウム又はこれらの任意の２つ以上の組合せでありうる。特定の実施態様では、ＮＯｘ吸収剤はＰｔとＲｈの両方を含み、ＲｈはＮＯｘ吸収剤の下流に配置されうるがＮＯｘのＮ２への還元を触媒する。一実施態様では、支持されたＰｔ成分は第１層に存在し、支持されたＰｄ成分及び会合した少なくとも１つの卑金属プロモーターは第１層を覆う第２層に存在する。あるいは、全成分は一つのウォッシュコート層に存在しうる。基体モノリスは、フロースルー基体モノリス又はフィルターでありうる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現在ブロックの周辺ブロックの１つに関する第１の動き情報が前記現在ブロックに関する動き情報として用いられるか否かを示す第１の情報と、前記現在ブロックの周辺ブロックの１つに関する第２の動き情報に基づいて前記現在ブロックに関する動き情報を導出するための第２の情報であって、前記第１の情報が前記現在ブロックの周辺ブロックの１つに関する前記第１の動き情報が前記現在ブロックに関する動き情報として用いられないことを示す場合にシグナリングされる第２の情報と、を有する前記現在ブロックに関する情報を受信するステップと、
前記現在ブロックに関する、前記第１の情報を用いて前記第１の動き情報に基づいて、または、前記第１の情報および前記第２の情報を用いて前記第２の動き情報に基づいて、前記現在ブロックに対する予測を実行し、前記現在ブロックに関する予測サンプルを導出するステップと、
前記予測された前記現在ブロックのサンプルおよび前記現在ブロックのレジデュアルサンプルに基づいて前記現在ブロックに関する復元されたサンプルを導出するステップと、を有することを特徴とする、映像復号化装置による映像の復号化方法。
【請求項２】
前記現在ブロックに関する情報における少なくとも１つの情報要素は、２つの変数に対する値を指定する、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項３】
前記２つの変数は、前記現在ブロックのパーティションを指定する変数と、前記現在ブロックがスプリットか否かを示す変数と、である、請求項２に記載の映像の復号化方法。
【請求項４】
前記現在ブロックの周辺ブロックは、前記現在ブロックの空間周辺ブロック、または、前記現在ブロックの時間周辺ブロックを有する、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項５】
前記第１の動き情報は、前記現在ブロックの周辺ブロックの１つの参照ピクチャを示す参照ピクチャ情報と、前記現在ブロックの周辺ブロックの１つの動きベクトルを指定する動きベクトル情報と、を有する、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項６】
前記第２の動き情報は、前記現在ブロックの周辺ブロックの１つの動きベクトルを指定する動きベクトル情報を有し、
前記第２の情報は、前記現在ブロックの動きベクトルと前記現在ブロックの周辺ブロックの１つの動きベクトルとの間の動きベクトル差を指定する動きベクトル差情報を有し、
前記現在ブロックの動きベクトルは、前記現在ブロックの周辺ブロックの１つの前記動きベクトルと、前記動きベクトル差と、に基づいて導出される、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項７】
前記第１の情報が、前記現在ブロックの周辺ブロックの１つに関する前記第１の動き情報が前記現在ブロックの動き情報として用いられることを示す場合、スキップモードおよびマージモードの１つが、前記現在ブロックに適用される、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項８】
前記情報を受信するステップにおいて、前記第１の動き情報が、レジデュアルサンプルと共に用いられるか、または、前記レジデュアルサンプルを伴わずに用いられるか、を示す第３の情報が受信され、
前記第３の情報が、前記第１の動き情報が前記レジデュアルサンプルを伴わずに用いられることを示す場合、前記現在ブロックの復元されたサンプルは、前記予測されたサンプルとして導出され、
前記第３の情報が、前記第１の動き情報が前記レジデュアルサンプルと共に用いられることを示す場合、前記現在ブロックの復元されたサンプルは、前記予測されたサンプルを前記レジデュアルサンプルに加えることによって導出される、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項９】
前記情報を受信するステップにおいて、前記第３の情報が、前記第１の動き情報が前記レジデュアルサンプルと共に用いられることを示す場合、パーティション情報が受信され、
前記パーティション情報は、サブブロックへの分割が行われるか否かを示し、
前記パーティション情報が、前記サブブロックへの分割が行われることを示す場合、前記現在ブロックは、前記サブブロックへ分割される、請求項８に記載の映像の復号化方法。
【請求項１０】
動きベクトルが前記現在ブロックの動きベクトルを導出するのに用いられる周辺ブロックは、前記パーティション情報に基づいて分割されたサブブロックである、請求項９に記載の映像の復号化方法。
【請求項１１】
前記サブブロックは、Ｎが整数かつＮ＞０とすると、２Ｎ×２Ｎブロックから分割され、前記サブブロックは、ｎＵ、ｎＤ、ｎＬおよびｎＲが整数かつ０＜ｎＵ、ｎＤ、ｎＬ、ｎＲ＜２Ｎとすると、２Ｎ×ｎＵ、２Ｎ×ｎＤ、ｎＬ×２ＮおよびｎＲ×２Ｎの１つである、請求項９に記載の映像の復号化方法。
【請求項１２】
前記第１の情報および前記第２の情報は、ネットワークもしくは格納媒体を介して映像符号化装置からシグナリングされる、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項１３】
動きベクトルが前記現在ブロックの動きベクトルを導出するのに用いられる周辺ブロックは、前記現在ブロックの周辺ブロックから予め定められた順序で選択される、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項１４】
前記現在ブロックの左側の周辺ブロックが前記現在ブロックの動きベクトルを導出するのに用いることができない場合、前記現在ブロックの上側の周辺ブロックの動きベクトルが、前記現在ブロックの動きベクトルを導出するのに用いられる、請求項１３に記載の映像の復号化方法。
【請求項１５】
前記第１の動き情報は、第１の動きベクトルであり、前記第２の動き情報は、第２の動きベクトルであり、
前記第１の情報が前記第１の動きベクトルが用いられることを示す場合、前記現在ブロックの動きベクトルは、前記第１の動きベクトルと同様に導出されるか、または、前記第１の情報が前記第１の動きベクトルが用いられないことを示す場合、前記現在ブロックの動きベクトルは、前記第２の動きベクトルおよび動きベクトル差を用いて導出され、
前記予測を実行するステップにおいて、前記現在ブロックの前記予測サンプルは、前記現在ブロックの動きベクトルを用いて導出される、請求項１に記載の映像の復号化方法。
【請求項１６】
前記動きベクトル差は、前記現在ブロックの動きベクトルと前記第２の動きベクトルとの間の差であり、前記第２の情報に有される、請求項１５に記載の映像の復号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月14日(2014.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置するための載置台を備える処理容器と、
第１のガスの導入口を介して前記処理容器内に第１のガスを供給するように構成された第１のガス供給ユニットと、
前記第１のガスの導入口を介して供給された前記第１のガスの少なくとも一部を第１のプラズマへと転化させるように構成された第１のプラズマ発生ユニットと、
第２のガスの導入口を介して前記処理容器内に第２のガスを供給するように構成された第２のガス供給ユニットと、
前記第２のガスの導入口を介して供給された前記第２のガスの少なくとも一部を第２のプラズマへと転化させるように構成された第２のプラズマ発生ユニットと、
を具備し、
前記第２のプラズマは、前記第１のプラズマとは別個に前記第２のプラズマ発生ユニットを用いて生成されるプラズマであり、
前記載置台からの前記第２のガスの導入口の高さが、前記載置台からの前記第１のガスの導入口の高さよりも低く、
前記第１のガスの導入口は、前記第１のプラズマ発生ユニットによって生成される前記第１のプラズマを、前記載置台に対して垂直な方向に拡散するよう構成されており、
前記第２のガスの導入口は、前記第２のプラズマ発生ユニットによって生成される前記第２のプラズマを、前記載置台に平行な方向に拡散するよう構成されている、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第２のプラズマ発生ユニットは、前記第２のガスが前記処理容器内に進入した直後に、前記第２のガスの少なくとも一部を前記第２のプラズマへと転化させる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２のガスの前記導入口が、前記処理容器の側壁部に位置する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のプラズマ発生ユニット及び前記第２のプラズマ発生ユニットが、互いに分離している、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のプラズマ発生ユニットが、第１のマイクロ波を発生するように構成された第１の機構を備え、前記第２のプラズマ発生ユニットが、第２のマイクロ波を発生するように構成された第２の機構を備え、前記第１のマイクロ波及び前記第２のマイクロ波の周波数が、互いに異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のガス及び前記第２のガスの量比を調節するための制御装置を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のガスが、臭化水素を含有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第２のプラズマ発生ユニットが、
マイクロ波を発生するように構成された機構と、
前記マイクロ波の偏波特性を変更するように構成された部材と、
を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記部材が、
第１の誘電体窓及び第２の誘電体窓と、
複数のスロットを備え、前記第１の誘電体窓と前記第２の誘電体窓との間に位置する導体と、
を具備する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第２のプラズマ発生ユニットが、誘導結合プラズマを発生するように構成されたコイルを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記第２のガスが、異なる解離定数を有する少なくとも２つのガスを含有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
基板を載置するための載置台を備える処理容器と、
第１のガスの導入口を介して前記処理容器内に第１のガスを供給するように構成され、前記第１のガスの導入口が、前記処理容器の上側部分に位置する、第１のガス供給ユニットと、
前記第１のガスの少なくとも一部を第１のプラズマへと転化させるように構成された第１のプラズマ発生ユニットと、
第２のガスの導入口を介して前記処理容器内に第２のガスを供給するように構成され、前記第２のガスの導入口が、前記処理容器の側壁部に位置する、第２のガス供給ユニットと、
前記第２のガスの少なくとも一部を第２のプラズマへと転化させるように構成された第２のプラズマ発生ユニットと、
を具備し、
前記第２のプラズマは、前記第１のプラズマとは別個に前記第２のプラズマ発生ユニットを用いて生成されるプラズマであり、
前記第１のガスの導入口は、前記第１のプラズマ発生ユニットによって生成される前記第１のプラズマを、前記載置台に対して垂直な方向に拡散するよう構成されており、
前記第２のガスの導入口は、前記第２のプラズマ発生ユニットによって生成される前記第２のプラズマを、前記載置台に平行な方向に拡散するよう構成されている、
プラズマ処理装置。
【請求項１３】
基板を載置するための載置台を備える処理容器内において実施されるプラズマ処理方法であって、
第１のガスの導入口から前記処理容器内に第１のガスを供給する工程と、
第１のプラズマ発生ユニットを用いて、前記第１のガスの少なくとも一部を第１のプラズマへと転化させる工程と、
第２のガスの導入口から前記処理容器内に第２のガスを供給する工程と、
前記第２のガスの少なくとも一部を第２のプラズマへと転化させる工程と、
を含み、
前記第２のプラズマは、前記第１のプラズマとは別個に第２のプラズマ発生ユニットを用いて生成されるプラズマであり、
前記載置台からの前記第２のガスの導入口の高さが、前記載置台からの前記第１のガスの導入口の高さよりも低く、
前記第１のガスの導入口は、前記第１のプラズマ発生ユニットによって生成される前記第１のプラズマを、前記載置台に対して垂直な方向に拡散するよう構成されており、
前記第２のガスの導入口は、前記第２のプラズマ発生ユニットによって生成される前記第２のプラズマを、前記載置台に平行な方向に拡散するよう構成されている、
方法。
【請求項１４】
前記第２のガスの少なくとも一部は、前記第２のガスが前記処理容器内に進入した直後に、前記第２のプラズマへと転化される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２のガスの導入口が、前記処理容器の側壁部に位置する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のガスが、臭化水素を含有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のガスが、プラズマ発生ユニットにより転化され、前記ユニットが、
マイクロ波を発生するように構成された機構と、
前記マイクロ波の偏波特性を変更するように構成された部材と、
を備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のガスが、プラズマ発生ユニットにより転化され、前記ユニットが、誘導結合プラズマを発生するように構成されたコイルを備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のガスが、異なる解離定数を有する少なくとも２つのガスを含有する、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ジオプトリ補償した眼底照明を用いる眼底カメラ
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月23日(2015.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学デバイスと、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーを含む組成物とを含む光学アセンブリを形成する方法であって、前記光学デバイスと前記組成物とを組み合わせて、前記光学アセンブリを形成する工程を含み、
前記樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ、
各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロックの中に配置された式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］の４０〜９０モルパーセントのジシロキシ単位と、
各々が少なくとも５００ｇ／モルの重量平均分子量を有する、非直鎖状ブロックの中に配置された式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］の１０〜６０モルパーセントのトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基と、を含み、
式中、Ｒ１が、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２が、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、
前記非直鎖状ブロックの少なくとも３０重量パーセントが、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
各直鎖状ブロックが少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結される、方法。
【請求項２】
組み合わせる前記工程が、前記組成物が前記光学デバイス上に配設されるように、前記組成物を溶融することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記組成物が、前記光学デバイスに直接接触している、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
溶媒中の前記組成物の溶液を提供する工程と、任意に前記光学デバイスと前記組成物とを組み合わせる前記工程の前に、前記組成物を形成するために前記溶媒を除去する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記溶媒を除去する前記工程の後、かつ前記光学デバイスと前記組成物とを組み合わせる前記工程の前に、シートに前記組成物を形成する工程を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記組成物を更に硬化させる工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
光学デバイスと、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーを含む組成物とを含み、
前記樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ、
各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロックの中に配置された式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］の４０〜９０モルパーセントのジシロキシ単位と、
各々が少なくとも５００ｇ／モルの重量平均分子量を有する、非直鎖状ブロックの中に配置された式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］の１０〜６０モルパーセントのトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基と、を含み、
式中、Ｒ１が、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２が、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、
非直鎖状ブロックの少なくとも３０重量パーセントが、別の非直鎖状ブロックに架橋され、ナノドメインに凝集され、
各直鎖状ブロックが少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結される、光学アセンブリ。
【請求項８】
前記光学アセンブリが固体ライトを含む、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項９】
前記光学デバイスが、少なくとも１つの干渉性の光源又は非干渉性／部分的に干渉性の光源を含む、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１０】
前記光学デバイスが、少なくとも１つの干渉性の光源を含む、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１１】
前記光学デバイスが、少なくとも１つの非干渉性／部分的に干渉性の光源を含み、前記少なくとも１つの非干渉性／部分的に干渉性の光源が、ＬＥＤを含む、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１２】
前記組成物が、前記光学デバイスと直接接触している、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１３】
前記光学アセンブリが、蛍光体を含む、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１４】
前記ジシロキシ単位が式［（ＣＨ３）（Ｃ６Ｈ５）ＳｉＯ２／２］を有する、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１５】
前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも３０重量パーセントのジシロキシ単位を含む、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１６】
Ｒ２がフェニルである、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１７】
前記組成物が、２５℃〜２００℃の溶融流動温度を有する、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１８】
前記組成物が、ＡＳＴＭ  Ｄ１００３を用いて判定される際、９５％を超える光透過率を有する、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項１９】
前記組成物が１．４を超える屈折率を有する、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月24日(2015.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ヒンジラッチ２９０は、キャップＴＰＡ装置１２０をキャップ端子台１１８から結合解除するために戻り止め２７６から解放されるように、例えば、キャップＴＰＡ装置１２０を後方位置即ちロック位置から前方位置に移動させたり、キャップＴＰＡ装置１２０をキャップ端子台１１８から完全に取り外させたりするように構成される。支持壁１５６（図２（ｂ）に示す）は、キャップＴＰＡ装置１２０がキャップ端子台１１８から結合解除され、前方位置即ち非阻止位置に移動されたり、キャップ端子台１１８から完全に取り外されたりする時に、阻止位置から移動する。非阻止位置即ち前方位置では、キャップ端子台１１８のラッチ１５８（図２（ｂ）に示す）は、キャップ端子チャネル１５４（図２（ｂ）に示す）からキャップ端子を取り外すために解除されることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
キャップＴＰＡ装置１２０は、キャップ端子台１１８（図２（ｂ）に示す）に完全に結
合され、キャップハウジング１１０に収容されている。ワイヤカバー１１２は、キャップ
ハウジング１１０に結合されている。取付クリップ１１４は、キャップコネクタ１０４を
パネル１０２に固定するようにロックされている。同様に、プラグＰＴＡ装置１４０は、
プラグ端子台１３８（図２（ａ）に示す）結合された状態で示されている。プラグＴＰＡ
装置１４０は、キャップＴＰＡ装置１２０と同様の方法によってプラグ端子台１３８に固
定されてもよい。例えば、プラグＴＰＡ装置１４０は、プラグ端子台１３８から延出する
戻り止めに固定されるヒンジラッチを含んでもよい。ワイヤカバー１３２は、プラグハウ
ジング１３０に結合されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層リードレスキャリアパッケージであって、
半導体レーザチップと、
前記半導体レーザチップを支持する基板であって、積層された複数の導電層及び誘電層と、前記基板の縁部にくぼんで配置された縁部くぼみ領域と、を備え、前記縁部くぼみ領域に隣接して前記半導体レーザチップが実装される、基板と、
前記基板の上面の上に位置付けられたワイヤボンドパッドと、
前記半導体レーザチップ及び前記ワイヤボンドパッドに結合されたワイヤボンドと、
前記半導体レーザチップ、前記縁部くぼみ領域、前記ワイヤボンド、及び前記基板の前記上面の少なくとも一部を覆うカプセル化封止であって、成形材料であるカプセル化封止と、
を備える、積層リードレスキャリアパッケージ。
【請求項２】
前記半導体レーザチップが端面発光レーザである、請求項１に記載の積層リードレスキャリアパッケージ。
【請求項３】
前記積層リードレスキャリアパッケージが、プリント回路基板上にサイドルッカー構成で実装されるように構成され、前記半導体レーザチップのアクティブエリアが前記プリント回路基板に垂直である、請求項２に記載の積層リードレスキャリアパッケージ。
【請求項４】
前記積層リードレスキャリアパッケージが、プリント回路基板上にトップルッカー構成で実装されるように構成され、前記半導体レーザチップのアクティブエリアが前記プリント回路基板に平行である、請求項２に記載の積層リードレスキャリアパッケージ。
【請求項５】
前記複数の導電層及び誘電層が、下部導電層と、上部導電層と、前記上部及び下部導電層間の誘電層と、を備える、請求項１に記載の積層リードレスキャリアパッケージ。
【請求項６】
前記上部導電層と前記下部導電層との間の電気的接続及び熱導管を与える複数の導電バイアを更に備える、請求項５に記載の積層リードレスキャリアパッケージ。
【請求項７】
前記成形材料が光学的に透明である、請求項１に記載の積層リードレスキャリアパッケージ。
【請求項８】
積層リードレスキャリアパッケージであって、
半導体レーザチップと、
前記半導体レーザチップを支持する基板であって、積層された複数の導電層及び誘電層と、前記基板の縁部におけるくぼみ内に配置された縁部くぼみ領域と、を備え、前記縁部くぼみ領域に隣接して前記半導体レーザチップが実装される、基板と、
前記基板の上面の上に位置付けられたワイヤボンドパッドと、
前記光電子チップ及び前記ワイヤボンドパッドに結合されたワイヤボンドと、
前記光電子チップ、前記ワイヤボンド、及び前記基板の前記上面の少なくとも一部を覆うカプセル化封止であって、成形材料であるカプセル化封止と、
を備え、前記積層リードレスキャリアパッケージが、前記光電子チップのアクティブエリアがプリント回路基板に垂直である前記プリント回路基板上のサイドルッカー構成、及び前記光電子チップの前記アクティブエリアがプリント回路基板に平行である前記プリント回路基板上のトップルッカー構成から成る群からの構成で実装されるように構成されている、積層リードレスキャリアパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月14日(2015.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
一実施形態では、水素化脱金属（ＨＤＭ）と水素化脱硫（ＨＤＳ）を実行する一連の触
媒は以下のとおり：
ａ．  ＨＤＭ区域での触媒は概して、約１４０〜２４０ｍ２／ｇの表面積を有するガ
ンマアルミナの担持体をベースにしたものである。この触媒は、非常に高い細孔体積、例
えば、１ｃｍ３／ｇ超を有するものとして最も良く言い表される。細孔サイズそのものは
典型的には、圧倒的にマクロ多孔性である。このことが要求されるのは、触媒表面上に金
属、そして随意にドーパントを取り込むために大容量を提供するためである。典型的には
触媒表面上で活性な金属は、ニッケルとモリブデンの硫化物であって、そのが比Ｎｉ／Ｎ
ｉ＋Ｍｏ＜０．１５となるものである。ニッケルの濃度は、ＨＤＭ触媒上ではその他の触
媒よりも低く、これは、幾分かのニッケルとバナジウムが、除去の間に原料それ自体から
堆積し、触媒として作用すると予想されるからである。使用するドーパントは、リン（例
えば、参照により本明細書において援用される、米国特許公開第２００５／０２１１６０
３号を参照されたい）、ホウ素、ケイ素、及びハロゲンの一つ又は複数が可能である。触
媒は、アルミナ押し出し物又はアルミナビーズの形態であってもよい。特定の実施形態で
は、金属の取り込みが床の頂部で３０％〜１００％の間で変化するであろうことから、ア
ルミナビーズを使用すると反応器中での触媒ＨＤＭ床の非担持が容易になる。
ｂ．  中間触媒を使用して、ＨＤＭ及びＨＤＳの機能間の移行を行うこともできる。
それは、中間金属の担持、及び細孔サイズ分布を有する。ＨＤＭ／ＨＤＳ反応器中のこの
触媒は、実質的にアルミナをベースにした担持体であり、これは押し出し物の形態をとり
、随意にＶＩ族（例えば、モリブデン及び／又はタングステン）の少なくとも一つの触媒
金属、及び／又はＶＩＩＩ族（例えば、ニッケル及び／又はコバルト）の少なくとも一つ
の触媒金属である。触媒はまた、ホウ素、リン、ハロゲン及びケイ素から選択される随意
に少なくとも一つのドーパントを含有する。物理的特性には、約１４０〜２００ｍ２／ｇ
の表面積、少なくとも０．６ｃｍ３／ｇの細孔体積、及び細孔１２〜５０ｎｍの範囲のメ
ソ細孔性の細孔が挙げられる。
ｃ．  ＨＤＳ区域中の触媒は、ガンマアルミナをベースにした担持物質を有するもの
を含んでいてもよく、その典型的な表面積は、ＨＤＭ範囲の高い方の端に近い、例えば約
１８０〜２４０ｍ２／ｇの範囲である。これは、ＨＤＳのために高い表面積を要求し、結果として、比較的小さい細孔体積、例えば１ｃｍ３／ｇ未満が得られる。触媒は、ＶＩ族の元素の少なくとも一つ、例えば、モリブデンと、ＶＩＩＩ族の元素の少なくとも一つ、例えばニッケルとを含有する。触媒はまた、ホウ素、リン、ケイ素及びハロゲンから選択される少なくともの一つのドーパントを含む。特定の実施形態では、コバルトを使用して、比較的高いレベルの脱硫を行う。活性相のための金属担持は、要求される活性が高いほど高く、Ｎｉ／Ｎｉ＋Ｍｏのモル比が０．１〜０．３の範囲であり、（Ｃｏ＋Ｎｉ）／Ｍｏのモル比が０．２５〜０．８５の範囲にある。
ｄ．  最終触媒（随意に第２の及び第３の触媒と置き換わり得る）は、原料の水素化
（ＨＤＳの主機能ではなく）を実行するように設計され、例えば、Ａｐｐｌ．Ｃａｔａｌ
．ＡＧｅｎｅｒａｌ、２０４（２０００）２５１に記載のとおりである。触媒はまた、Ｎ
ｉにより促進されることになり、担持体は、細孔の大きいガンマアルミナである。物理的
特性には、ＨＤＭの範囲の高い方の端に近い表面積、例えば、１８０〜２４０ｍ２／ｇが
挙げられる。これは、ＨＤＳのために高い表面積を要求し、その結果、比較的小さい細孔
体積、例えば、１ｃｍ３／ｇ未満が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
支承部３２に孔状の受け部２７が形成されており、この受け部はここでは示されていない負圧源と接続され、吸引機構１４の一部となっている。この受け部２７に円形断面の管コンポーネント２９が回動軸受２６を形成すべく、管コンポーネント２９が受け部２７の中で、両方向矢印Ａで示されているように、回動軸Ｃの周りに回転あるいは回動できるように、狭い嵌め合いで挿入されている。管コンポーネント２９はその外側の端面部でシールされており、それによって負圧が管コンポーネント２９の内部空間２８においても作用することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
フレーム３１に付加的に把手３４が取付けられている。これは一方では、操作者がフレーム３１を把手３４で掴み、刃先１３をカバーする作動ポジションに回動するのに役立つ。吸引機構１４とアンチロール機構１９は１つの構成ユニットとして回動軸受２６の回動軸Cの周りを回動可能である。操作者は上述の構成ユニットを把手３４で掴み、回動軸Ｃの周りに図２に示されたポジションに回動することにより、この回動動作を行うことができる。このポジションでは刃は完全に解放されており、容易に洗浄することができる。吸引機構１４とアンチロール機構１９とで形成されたこの構成ユニットは、管コンポーネント２９を受け部から長手方向に、すなわち図の平面に垂直に引抜くことによって、支承部３２から取り外すことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの刃（１２）を支持する１つの刃ホルダー（１１）と、この刃で作成された１つの切片プレパラート（Ｐ）を安定化することができる１つのアンチロール機構（１９）と、この切片プレパラート（Ｐ）を吸引し排出することができる１つの吸引機構（１４）とを備え、
この吸引機構（１４）が１つのノズル（１５）を有し、このノズル（１５）が位置調整可能に支持された１つのノズル胴体（１６）と１つの吸引チャネル（１７）とを備えているミクロトームであって、
該アンチロール機構（１９）が該ノズル胴体（１６）に支持され、このノズル胴体（１６）と一緒に位置調整可能であることを特徴とするミクロトーム。
【請求項２】
前記ノズル胴体（１６）が、１つの回動軸受（２６）で回動可能に支持されていることを特徴とする請求項１に記載のミクロトーム。
【請求項３】
前記吸引チャネル（１７）が、前記回動軸受（２６）を通って延びていることを特徴とする請求項２に記載のミクロトーム。
【請求項４】
前記回動軸受（２６）が、１つの受け部（２７）とこの受け部（２７）に回転可能に挿入された１つの管コンポーネント（２９）とを有していることを特徴とする請求項２または３に記載のミクロトーム。
【請求項５】
前記ノズル胴体（１６）が、前記管コンポーネント（２９）で保持されていることを特徴とする請求項４に記載のミクロトーム。
【請求項６】
前記吸引チャネル（１７）の一部が、前記ノズル胴体（１６）の中に形成されており、前記管コンポーネント（２９）の内部空間（２８）と流体技術的に接続されていることを特徴とする請求項４または５に記載のミクロトーム。
【請求項７】
前記管コンポーネント（２９）が、前記受け部（２７）から取り外し可能であることを特徴とする請求項４〜６の１つに記載のミクロトーム。
【請求項８】
前記アンチロール機構（１９）が、前記ノズル胴体（１６）の前記刃（１２）から遠い側に配置されていることを特徴とする請求項１〜７の１つに記載のミクロトーム。
【請求項９】
前記アンチロール機構（１９）に位置調整可能な１つの指ガード（３０）が支持されていることを特徴とする請求項１〜８の１つに記載のミクロトーム。
【請求項１０】
前記指ガード（３０）が、回動可能な１つのフレーム（３１）で形成されていることを特徴とする請求項９に記載のミクロトーム。
【請求項１１】
前記指ガード（３０）が、１つの把手（３４）を有することを特徴とする請求項９または１０に記載のミクロトーム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記気化させる流体が冷媒である請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記分離容器がスロッシュ抑制バッフルを含む請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月7日(2015.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定装置であって、
プローブと表面との接触電位差を測定することができる測定デバイスと、
使用中に前記表面上に提供される又は前記表面を形成するサンプルからの光電子放出をトリガするための放射を放出するように構成される光源と、
前記光源から放出される放射をフィルタする波長セレクタと、
を備え、
前記プローブ及び前記表面が気体環境に露出又は収容され、
前記プローブが、相対仕事関数測定の実行のための前記プローブ及び前記表面が前記表面に垂直な方向の動き成分をもって互いに対して発振する第１のモードと、検出された光電子放出から導出される絶対仕事関数測定の実行のための前記プローブが前記表面に垂直な方向に前記表面と固定関係にある、連続フォトンエネルギー測定のための第２のモードで選択的に動作可能である、測定装置。
【請求項２】
前記気体環境が空気を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プローブ及び／又は前記表面を収容するハウジングをさらに備え、前記ハウジング内の前記環境が、制御された相対湿度を有するガス又は空気、若しくは窒素のような制御されたガスを有する気体環境を提供するように制御される、請求項１又は請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記測定装置がケルビンプローブを含む、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記プローブに印加される電位を或る電圧範囲を通して変化させる手段をさらに備える、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記光源から放出される放射が一定の強度（ＤＣ）である、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記光源から放出される放射が変調（ＡＣ）される、請求項１から請求項５までのいずれかに記載の装置。
【請求項８】
光チョッパを備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
ピークツーピーク電流データが、選択的にウィンドウを平均する様態で得られる、請求項７又は請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
位相情報を用いて、実効ノイズを低減させる、請求項７から請求項９までのいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
ＣＰＤ電圧がオフヌル線形外挿技術によって求められる、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
前記第１のモード及び前記第２のモードで同時に又は準同時に測定を行うように構成される、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
前記光源が紫外広帯域光源である、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記光源が、１つ以上の発光ダイオードを含む、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
複数のＬＥＤを、それらの強度特徴、位相特徴、及び変調周波数特徴のうちの１つ又は複数に関して個々に自動的に又は選択的に制御することができる、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
可視範囲及び／又は赤外範囲内の放射を放出するための光源を備える、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
前記光源が、表面光起電力技術の実行のために使用されてもよい単一周波数の光を放出するように構成される、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
表面光起電力分光法を行うために、前記光源から放出される光の周波数は可変であってもよい、請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記サンプルの前記表面にわたる前記パラメータをマッピングするために前記サンプルをプローブチップに対して走査するための機構を備える、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
チョッパを有するＵＶ光源と、チョッパを有する可視／赤外光源とを備え、２つの異なる光源を用いる測定を同時又は準同時の様態で行うことができるように、前記ＵＶ光源に対するチョッパのチョッピング周波数を、前記可視／赤外光源に対するチョッパのチョッピング周波数とは異なるように選択することができる、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項２１】
（バルク）金属、金属合金、半導体、絶縁体、液体、ポリマー、複合材、導電性ポリマー、生物学的組織、薄膜を有する又は有さない粉体又は液体表面のうちのいずれか１つを含むサンプルとともに使用される、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項２２】
前記プローブのチップが、円形の幾何学的形状を有し、前記サンプル表面上に入射する光の量を反射によって増大させるために除去される１つ以上の区域を備える、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
プローブチップが正電圧に一定に保たれ、且つ表面と固定関係に保たれ、フォトンのエネルギーが走査され、光電子放出電流がＤＣモードか又はＡＣモードのいずれかで検出され、ＤＯＳ（表面状態密度）情報が積分電流を微分することによって得られる、表面状態密度（ＤＯＳ）分光法を行うように構成されている、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項２４】
フォトンエネルギーが結果的に光電子放出を引き起こすエネルギーに一定に保たれ、且つプローブチップが表面と固定関係に保たれ、チップ電位が或る電圧範囲を通して走査され、光電子放出電流がＤＣモードか又はＡＣモードのいずれかで検出され、ＤＯＳ情報が積分電流を微分することによって得られる、表面状態密度（ＤＯＳ）分光法を行うように構成されている、請求項１から請求項２２までのいずれかに記載の装置。
【請求項２５】
表面を分析する方法であって、プローブと表面との接触電位差を測定するステップと、前記表面上に提供される又は前記表面を形成するサンプルからの光電子放出をトリガするための放射を放出するステップと、光源から放出される放射を波長セレクタを通してフィルタリングするステップと、を含み、前記プローブ及び前記表面が気体環境に露出又は収容され、前記プローブが、相対仕事関数測定の実行のための前記プローブ及び前記表面が前記表面に垂直な方向の動き成分をもって互いに対して発振する第１のモードと、検出された光電子放出から導出される絶対仕事関数の実行のための前記プローブが前記表面に垂直な方向に前記表面と固定関係にある、連続フォトンエネルギー測定のための第２のモードで選択的に動作可能である、方法。
【請求項２６】
コンピュータ上で実行するときに、前記コンピュータを請求項１から請求項２４までのいずれかに記載の装置及び／又は請求項２５に記載の方法に関する制御機構として機能させる命令でエンコードされるコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
濡れた皮膚または湿った皮膚上に適用するための化粧用または皮膚用の水性調製物であって、前記調製物は、本質的に乳化剤を含まず、かつ（ｉ）少なくとも２種の異なるポリアクリル酸ポリマーと、（ｉｉ）少なくとも２種の異なるＣ14〜Ｃ22−脂肪アルコールと、前記調製物の全質量に対して少なくとも１３質量％の（ｉｉｉ）微晶蝋とを含む前記調製物。
【請求項２】
請求項１に記載の調製物であって、前記ポリアクリル酸ポリマー（ｉ）は、アクリレート／Ｃ10〜Ｃ30−アルキルアクリレートのクロスポリマーおよびカルボマーから選択される前記調製物。
【請求項３】
請求項１に記載の調製物であって、前記ポリアクリル酸ポリマー（ｉ）は、乳化特性を有する少なくとも１種のポリマーを含む前記調製物。
【請求項４】
請求項１に記載の調製物であって、前記ポリアクリル酸ポリマー（ｉ）は、該調製物の知覚特性を向上させることと、該調製物の安定性を高めることの少なくとも１つを有する少なくとも１種のポリマーを含む前記調製物。
【請求項５】
請求項１に記載の調製物であって、前記調製物は、該調製物の全質量に対して、前記（ｉ）を全部で、０．０５〜２質量％含む前記調製物。
【請求項６】
請求項５に記載の調製物であって、前記調製物は、全体で、０．２〜１質量％の（ｉ）を含む前記調製物。
【請求項７】
請求項１に記載の調製物であって、前記調製物は、該調製物の全質量に対して、前記（ｉｉ）を全部で、３〜１４質量％含む前記調製物。
【請求項８】
請求項７に記載の調製物であって、前記調製物は、全体で、７〜９質量％の（ｉｉ）を含む前記調製物。
【請求項９】
請求項１に記載の調製物であって、前記（ｉｉ）は、ミリスチルアルコール、ステアリルアルコールおよびセテアリルアルコールの少なくとも２種を含む前記調製物。
【請求項１０】
請求項１に記載の調製物であって、前記調製物は、該調製物の全質量に対して、０．５〜２質量％のＣ14脂肪アルコールと、１．５〜３質量％のＣ18脂肪アルコールと、４〜６質量％のＣ16／Ｃ18脂肪アルコール混合物とを含む前記調製物。
【請求項１１】
請求項１に記載の調製物であって、前記調製物は、少なくとも１５質量％の（ｉｉｉ）を含む前記調製物。
【請求項１２】
請求項１に記載の調製物であって、前記調製物は、３５質量％以下の（ｉｉｉ）を含む前記調製物。
【請求項１３】
請求項１に記載の調製物であって、前記調製物は、更に、（ｉｖ）１種以上の炭化水素油を含む前記調製物。
【請求項１４】
請求項１３に記載の調製物であって、前記調製物は、該調製物の全質量に対して、少なくとも５質量％の（ｉｖ）を含む前記調製物。
【請求項１５】
請求項１３に記載の調製物であって、質量比（ｉｉｉ）：（ｉｖ）は、３：１〜１：１である前記調製物。
【請求項１６】
請求項１３に記載の調製物であって、前記調製物は、該調製物の全質量に対して、前記（ｉｉｉ）と（ｉｖ）を全部で、２０〜６０質量％含む前記調製物。
【請求項１７】
請求項１に記載の調製物であって、前記調製物は、該調製物の全質量に対して、少なくとも４５質量％の水を含む前記調製物。
【請求項１８】
請求項１に記載の調製物であって、前記調製物は、更に、少なくとも１種の保湿剤を含む前記調製物。
【請求項１９】
請求項１８に記載の調製物であって、前記少なくとも１種の保湿剤がグリセロールを含む前記調製物。
【請求項２０】
請求項１９に記載の調製物であって、前記調製物は、該調製物の全質量に対して、少なくとも４質量％のグリセロールを含む前記調製物。
【請求項２１】
皮膚のケア方法であって、請求項１に記載の調製物を皮膚に適用することを含む前記方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記皮膚が濡れているまたは湿っている前記方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の方法であって、前記調製物が、入浴中またはシャワー中に適用される前記方法。
【請求項２４】
請求項２１に記載の方法であって、前記調製物が、皮膚の洗浄に引き続いて適用される前記方法。