【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４３１４８８７号発明「窒化物半導体素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件特許第４３１４８８７号についての手続の経緯の概要は以下のとおりである。 
平成１５年　５月２６日　本件分割出願（特願２００３−１４８３５９号）
　　平成１０年　５月１５日　原出願（特願平１０−１３２８３１号：国内
　　　　　　　　　　　　　　優先権主張　平成　９年１１月２６日
　　　　　　　　　　　　　　（特願平９−３２４９９７号））
平成２１年　５月２９日　設定登録 
平成２４年　３月２３日　無効審判請求書（請求人） 
平成２４年　６月２２日　答弁書（被請求人） 
平成２４年　７月１２日　審理事項通知書
平成２４年　８月３１日　口頭審理陳述要領書（請求人） 
平成２４年　８月３１日　口頭審理陳述要領書（被請求人） 
平成２４年　９月１４日　口頭審理の実施 
平成２４年１０月　５日　上申書（請求人）
平成２４年１０月１７日　無効理由通知書
平成２４年１０月１７日　職権審理結果通知書
平成２４年１１月１９日　意見書並びに訂正請求書及び訂正明細書（被請求人）
平成２４年１２月２７日　審判事件弁駁書（請求人）
　
　なお、上記手続の経緯において、審判請求書に記載された「請求の理由」及び口頭陳述要領書における請求人の主張が不明瞭であり、口頭審理において、前記請求人の主張が整理されたところ、上記請求人の主張を整理したものを改めて「請求の理由」として請求人が上申書を提出し、この整理された「請求の理由」に対する意見及び訂正の機会を確保するために、当審において上記上申書の内容をもって無効理由として通知し、被請求人に反論の機会を与えたものである。
　
　
第２　訂正の請求の可否
１　訂正の内容
　平成２４年１１月１９日付け訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）による訂正（以下、「本件訂正」或いは単に「訂正」という。）の要旨は、設定登録された本件特許第４３１４８８７号の願書に添付した明細書を本件訂正請求書に添付された全文訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、訂正の内容は以下のとおりである。（なお、下線部は訂正箇所である。）
　
（１）訂正事項１
　訂正前の特許請求の範囲
　
「【請求項１】　少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板と、
　前記ＧａＮ基板の上に積層された、活性層を含む窒化物半導体層と、
　前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと、該リッジストライプ上に形成されたｐ電極と、
　前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電極と、
　を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】　前記ＧａＮ基板は、結晶欠陥が１×１０６個／ｃｍ２以下の領域を有する請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】　前記窒化物半導体層にはｎ側クラッド層、活性層、ｐ側クラッド層が順に積層されており、該ｐ側クラッド層には前記リッジストライプが形成されている請求項１に記載の窒化物半導体素子。」
　
において、上記請求項１に記載されている「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」に、「
厚みが５０μｍ以上であり、
厚みが５０μｍ以上であり、
　
（２）訂正事項２
　訂正前の明細書の
　
「【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の窒化物半導体素子は、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板と、前記ＧａＮ基板の上に積層された、活性層を含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の表面層に形成されたｐ電極と、前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電極と、を備えたことを特徴とする。」
　
において、「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」との記載に、「
厚みが５０μｍ以上であり、
厚みが５０μｍ以上であり、
　
２　訂正の適否
（１）訂正事項１について
　ア　訂正の目的
　訂正事項１に係る訂正は、訂正前の請求項１における「厚さ方向に５μｍよりも上の領域」を有している「ＧａＮ基板」の厚みを、「５０μｍ以上」に限定するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。
　
　イ　訂正の根拠(新規事項の有無)
　願書に添付した明細書の【００１３】の下記記載において、「第２の窒化物半導体層」は、請求項１の「ＧａＮ基板」に対応するから、訂正事項１に係る訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、平成２３年法律第６３号改正前の特許法（以下、「特許法」という。）第１３４条の２第５項で準用する第１２６条第３項に規定された要件を満たす。
「【００１３】
　一方、前記下地層が除去されて素子構造とされる場合、第２の窒化物半導体層の厚さが５０μｍ以上であることが望ましい。これは５０μｍ以上の膜厚であると、結晶欠陥の少ない領域がさらに多くなって、その上に活性層を含む窒化物半導体を成長させると、非常に結晶欠陥の少ない素子構造が形成できることによる。」
　
　ウ　訂正により実質上特許請求の範囲を拡張又は変更することの有無
　訂正事項１に係る訂正は、訂正前の請求項１における「厚さ方向に５μｍよりも上の領域」を有している「ＧａＮ基板」の厚みを、「５０μｍ以上」に限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第５項で準用する第１２６条第４項に規定された要件を満たす。
　
（２）訂正事項２について
　訂正事項２に係る訂正は、訂正事項１に係る訂正に伴って特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるものであるから、上記訂正事項１と同様の理由により、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当しないから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第３号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とし、特許法第１３４条の２第５項で準用する第１２６条第３項及び４項に規定された要件を満たす訂正である。
　
（３）まとめ
　したがって、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項並びに特許法第１３４条の２第５項で準用する特許法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するので、適法な訂正と認める。
　
　
第３　本件発明 
１　本件の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明
　上記「第２　訂正の請求の可否」のとおり、本件訂正は認められるので、本件の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、訂正された本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される下記のとおりのものである（以下、それぞれ、「本件訂正発明１」、「本件訂正発明２」、「本件訂正発明３」という。）。（なお、下記請求項の下線は、訂正箇所を示す。）
　
「【請求項１】　
厚みが５０μｍ以上であり、
　前記ＧａＮ基板の上に積層された、活性層を含む窒化物半導体層と、
　前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと、該リッジストライプ上に形成されたｐ電極と、
　前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電極と、
　を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】　前記ＧａＮ基板は、結晶欠陥が１×１０６個／ｃｍ２以下の領域を有する請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】　前記窒化物半導体層にはｎ側クラッド層、活性層、ｐ側クラッド層が順に積層されており、該ｐ側クラッド層には前記リッジストライプが形成されている請求項１に記載の窒化物半導体素子。」 
 　 
　
第４　請求人の主張 
１　請求人の主張の概要
　請求人は、審判請求書において、「本件発明１」〜「本件発明３」に係る特許を無効とする、審判費用は披請求人の負担とする、との審決を求めている。
　
　ここで、上記「第１　手続の経緯」のように、請求人の主張は、口頭審理を踏まえて上記上申書によって整理され、その後、本件特許が被請求人により上記訂正明細書のように訂正され、当該訂正明細書及び訂正請求書に基づく被請求人の意見書に対して、請求人は審判事件弁駁書を提出したものであるところ、上記上申書及び審判事件弁駁書によって整理された請求の理由及び主張の概要を整理すると以下のとおりである。
　
　「本件訂正発明１ないし本件訂正発明３は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証ないし甲第８号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件訂正発明１ないし本件訂正発明３に係る特許は特許法第１２３条第１項第２号の規定により、無効とされるべきである。」
　また、上記主張に伴い、審判請求書において下記甲第１号証〜甲第６号証を、口頭審理陳述要領書において下記甲第７号証及び甲第８号証が、上申書において甲第９号証及び甲第１０号証が、さらに審判事件弁駁書において甲第１１号証及び甲第１２号証が提出された。
　
　＜各甲号証＞
（１）　甲第１号証：国際公開第９７／１１５１８号
（２）　甲第２号証：Akira Usui　他、Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy、 Jpn. J. Appl. Phys.、15 July 1997、Vol. 36(1997)、Part 2, No. 7B、 pp. L899-L902
（３）　甲第３号証：特開平９−１１５８３２号公報
（４）　甲第４号証：伊賀健一編著、「応用物理学シリーズ　半導体レーザ」、平成６年１０月２５日、オーム社、１９９〜２１４頁
（５）　甲第５号証：小沼　稔他編著、「よくわかる半導体レーザ」、平成７年４月１０日、工学図書、１４１〜１４９頁、１５８〜１６０頁
（６）　甲第６号証：特開平８−１１６０９０号公報 　
（７）　甲第７号証：特開平７−２７３３６７号公報
（８）　甲第８号証：柴田巧他、”ＣＰＭ９７−１９　ＨＶＰＥ法による選択成長を用いた高品質ＧａＮバルク単結晶の作製及び評価”、「電子情報通信学会技術研究報告」、信学技報、１９９７年５月２３日、Ｖｏｌ．９７、Ｎｏ．６１、３５〜４０頁
（９）　甲第９号証：知財高裁平成２２年（行ケ）第１０３３４号判決
　　　　　　　　　　　　　　（平成２３年７月１１日判決言渡）
（１０）甲第１０号証；東京高裁平成１５年（行ケ）第２８７号判決
　　　　　　　　　　　　　　　（平成１７年２月１日判決言渡）
（１１）甲第１１号証：特開平７−１６５４９８号公報、
（１２）甲第１２号証：特開平９−７１４９６号公報
　
２　上申書および審判事件弁駁書による請求人の主張
（１）上申書による主張
　なお、上申書による請求人の主張は、訂正前の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明をそれぞれ本件発明１〜３としており、本項目（１）ではそのままの記載を用いている。（なお、下線は当審で引いたものである。）
　
ア　本件発明１における「ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）」の技術的意義について
　「本件発明１において、「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である」ＧａＮ基板の形成方法を、
ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）に特定することに格別の技術的意義があるとすべき記載は全く存在しない
　
イ　本件発明１における「結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である」の技術的意義について
　「すなわち、本件発明１において、
半導体素子の機能に関係しないＧａＮ基板の領域について結晶欠陥の数を１×１０
７
個／ｃｍ
２
以下とすることには何らの技術的意義もない
本件発明１の「結晶欠陥の数が１×１０
７
個／ｃｍ以下である」とは、半導体素子としての機能に関係するＧａＮ基板の領域について、結晶欠陥の数が１×１０
７
個／ｃｍ
２
以下であることを意味するものと解される
　
ウ　甲第１号証に記載された発明の認定
　「したがって、甲第１号証には、図６Ａ（２）の構成を採用して形成した図６Ｂの素子構造として、半導体素子の機能に関係する領域の結晶欠陥密度が１０４〜１０５ｃｍ−２の範囲であるｎ型クラッド層６２を備えることが開示されている。・・・
　以上のことから、本件発明１の構成要件にあわせて記載すれば、甲第１号証には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
ａ：半導体素子の機能には関係しない領域の結晶欠陥密度は最大１０６〜１０７cｍ−２程度又は１０８〜１０１１ｃｍ-２であるが、半導体素子の機能に関係する領域の結晶欠陥密度が１０４〜１０５ｃｍ−２の範囲であり、有機金属気相成長法を用いて形成され、ＧａＮ層にｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２と、
ｂ：ｎ型クラッド層６２の上に積層された、ｎ型のＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層からなる光導波層６３、アンドープのＩｎＧａＮ多重量子井戸層からなる活性層６６、ｐ型のＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなる光導波層、ｐ型のＧａＮからなるクラッド層６５、ｐ型ＧａＮのキャップ層６８から形成された層と、
ｃ：活性層６６におけるキャリア注入領域を制限するためにｐ型のクラッド層６５に埋め込まれて形成されたｎ型のＧａＮ層６７と、ｐ型ＧａＮのキャップ層６８上に形成されたｐ型電極１０と、
ｄ：ｎ型クラッド層６２の下面に形成されたｎ型電極１１と、
ｅ：を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。」（上申書１７頁１行〜１８頁１３行）
　
エ　本件発明１と引用発明との対比・判断について
（ア）本件発明１と引用発明との対比
　「したがって、本件発明１と引用発明とを対比すると、両者は、・・・である点で一致しており、次の点で相違している。
相違点１：　ＧａＮ層が、本件発明１ではＧａＮ基板であるのに対し、引用発明の「層６２」は基板であることが明記されていない点。
相違点２：　本件発明１では、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下であるのに対し、引用発明では、結晶欠陥密度が１０４〜１０５ｃｍ−２の範囲であるものの、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域の密度として特定されていない点。
相違点３：　本件発明１では、ＧａＮ基板がハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されるのに対し、引用発明では有機金属気相成長法である点。
相違点４：　本件発明１では、リッジストライプが窒化物半導体層に形成され、ｐ電極が該リッジストライプ上に形成されるのに対し、引用発明では、活性層６６におけるキャリア注入領域を制限するためにｎ型のＧａＮ層６７がｐ型のクラッド屑６５に埋め込まれて形成され、ｐ型電極１０はｐ型ＧａＮのキャップ層６８上に形成される点。」（１９頁７〜３１行）
　
（イ）相違点の判断
　「ア　相違点１について
　引用発明の「層６２」は、・・・実質的にはＧａＮ基板であるということができる。
　また、本件発明１・・・「第２の窒化物半導体層４」が、・・・本件発明１の「ＧａＮ基板」に相当する。引用発明の「層６２」も、・・・本件特許明細書の実施例７における「ＧａＮ基板」に相当する「第２の窒化物半導体層４」と同様に機能する層・・・図６Ｂにおける層６２がＧａＮ基板であることは、甲第１号証に実質的に記載・・・
　イ　相違点２について
　・・・一般に基板に対応するＧａＮ層は、・・・５μｍよりも厚く形成・・・単体の素子に切り出すに際し十分な強度を維持するためにも、基板に対応するＧａＮ層の厚さは、当然に５μｍ以上は必要・・・引用発明では、結晶欠陥密度が１０４〜１０５ｃｍ−２の範囲であるから、ＧａＮ層の下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域での結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下・・・
　ウ　相違点３について
　（ア）・・・甲第１号証の「引用発明」において、結晶欠陥密度が低い（１０４〜１０５ｃｍ−２の範囲）窒化物半導体層が形成される理由は、「結晶成長技術１」の選択性結晶成長を行うことにあり、有機金属気相成長方法を用いるのは、単に、ＧａＮ層をエピタキシャル成長する目的による・・・
　（イ）・・・ＧａＮ系化合物半導体索子の製造・・・ＧａＮ層のエピタキシャル成長のために、有機金属気相成長法を用いることも、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いることも、当業者のよく知る、周知技術・・・
　（ウ）・・・本件発明１において、ＧａＮ基板の形成方法をハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）に特定することに格別の技術的意義があるとすべき記載は全く存在しない。
　（エ）・・・クラッド層６２はＧａＮ基板であり、機械的強度の点から厚い層であることが有利である・・・ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）は、有機金属気相成長方法と比べて、成長速度が速く、厚い層を作製するのに有利・・・引用発明のＧａＮ基板を、有機金属気相成長方法に代えて、厚膜の結晶を得るのに適しているハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）により形成しようとする動機付けは、甲第１号証自体に十分に存在する。
　（オ）・・・甲第１号証の「結晶成長技術１」において、・・・ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）に代えたとしても、上記の選択性成長が行われ、有機金属気相成長方法の場合と同様に、１０４〜１０５ｃｍ−２の範囲の結晶欠陥密度の窒化物半導体層が得られると推測・・・甲第１号証・・・本件発明１の１０７ｃｍ−２よりも２桁以上低いことからすれば、たとえハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）に代えたことにより、結晶欠陥密度が多少高くなったとしても、１０７ｃｍ−２以下の結晶欠陥密度が十分得られるものと推測・・・
　工　相違点４について
　（ア）・・・甲第１号証に・・・半導体光素子の効果を高めるにあたり、リッジストライプ構造の採用が有効であることが記載・・・実施例１及び１１〜１３として、ｐ型光導波層７にリッジストライプを形成し、該リッジストライプ上にｐ電極を形成すること・・・図７Ｃ、図１６Ｃ、図１７Ｃの素子は、リッジストライプ構造のない素子からリッジストライプ構造を有する素子への変形例・・・図６Ｂの半導体装置に関しても、半導体光素子の効果を高めるためにリッジストライプ構造を採用できることは、甲第１号証の記載全体から十分に読み取れる・・・
　（イ）・・・該リッジストライプ上にｐ電極を形成すること・・・甲第４号証ないし甲第６号証・・・半導体レーザにおいて従来周知の技術であり、また、ｐ側クラッド層にリッジストライプを形成し、該リッジストライプ上にｐ電極を形成した窒化物半導体レーザも、甲第６号証に記載・・・
　（３）・・・
　（４）・・・
本件発明１の「結晶欠陥の数が１×１０
７
個／ｃｍ
２
以下である」・・・仮に、半導体素子の機能に関係しないＧａＮ基板の領域を含め全部の領域で結晶欠陥の数が１×１０
７
個／ｃｍ
２
以下の意味であると解釈された場合
引用発明では、半導体素子の機能に関係しない領域において結晶欠陥の数が最大１０
６
〜１０
７
ｃｍ
−２
程度又は１０
８
〜１０
１１
ｃｍ
−２
となる点で本件発明１と相違があることになる
　まず、知財高裁平成２２年（行ケ）第１０３３４号判決（平成２３年７月１１日判決言渡）（甲第９号証）・・・本件発明の相違点として、何らかの構成を採用した場合において、その構成により何らかの技術的意義があると認めることができないときには、実質的な相違点とはならないものであり、その構成とすることは容易に想到することできたといえると判示している。
　また、東京高裁平成１５年（行ケ）第２８７号判決（平成１７年２月１日判決言渡）（甲第１０号証）・・・本件発明の構成が、他の発明と比校して格別の作用効果を奏する発明の特定事項ではない場合には、このような構成については、取り立てて本件発明の進歩性判断の要素とするのは相当でないと判示している。
　そうすると、これらの判示事項を踏まえて、本件についてみると、
本件発明１において、半導体素子の機能に関係しない領域について結晶欠陥の数を１×１０
７
個／cｍ
２
以下とすることに、何らかの技術的意義があると認めることはできない
本件発明１において、半導体素子の機能に関係しない領域について結晶欠陥の数を１×１０
７
個／ｃｍ
２
以下とすることが、引用発明と比較して格別の作用効果を奏する発明の特定事項ではない
本件発明１と引用発明とはともに、半導体素子の機能に関係する領域について、結晶欠陥の数を１×１０
７
個／ｃｍ
２
以下としているのであるから、本件発明１に、発明の進歩性が認められるべきものではない
　
オ　本件発明２について
　「本件発明２は、本件発明１に対して、「前記ＧａＮ基板は、結晶欠陥が１×１０６個／ｃｍ２以下の領域を有する」と限定したものである。
　しかしながら、引用発明のＧａＮ層にｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２は、結晶欠陥密度が１０４〜１０５ｃｍ−２の範囲・・・特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。」（上申書２９頁４〜１１行）
　
カ　本件発明３について
　「本件発明３は、本件発明１に対して、・・・限定したものである。
　しかしながら、半導体層としてｎ側クラッド層、活性層、ｐ側クラッド層を順に積層し、該ｐ側クラッド層にリッジストライプを形成することは、・・・甲第４号証ないし甲第６号証・・・半導体レーザにおいて従来周知の技術・・・特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。」（上申書２９頁１３〜２４行）
　
（２）審判事件弁駁書（以下、「弁駁書」という。）の主張（反論）
　ア　被請求人の主張する相違点１に対する請求人の反論
（ア）「本件特許明細書には、・・・ＧａＮ基板の厚みを５０μｍ以上とすることで、結晶欠陥がどの程度の数になるのかについては、記載されていない。・・・結晶欠陥の数は、「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域」で得られるのであるから、ＧａＮ基板の厚みを５０μｍ以上とすることとは、無関係・・・
本件訂正発明１では、本件特許明細書の段落【００１９】〜【００２２】に記載されているような結晶欠陥を横方向に伸ばすことによって厚さ方向に伸びる結晶欠陥を少なくしたものであることが特定されていない
厚くすることによって結晶欠陥の少ない領域が多くなるという作用効果を奏するものではない
技術的意義は存在しない
　
（イ）「引用発明では、単体の素子に切り出す前に基板１側をラッピングしており、・・・甲第１２号証・・・窒化ガリウム単結晶の厚さが１００μｍに満たないと、成長用の基板を剥離する際の強度が不足して崩れてしまい・・・甲第７号証・・・ｎ型ＧａＮ基板の厚さを２００μｍとすることが開示・・・サファイア基板をラッピングしてから単体の素子に切り出す甲第１号証の図６Ｂの素子構造では、十分な強度を維持するためには、基板に対応するＧａＮ層の厚みが当然に５０μｍ以上は必要であることは明らか・・・」（弁駁書４頁１２行〜５頁２０行）
　
（ウ）「本来所望の第２の窒化物半導体層を得るためには、その厚さが３μｍ以上であれば足りるが、下地層が除去されて素子構造とされる場合には５０μｍ以上必要・・・この違いは、下地層が除去されるか否か、すなわち、第２の窒化物半導体層を基板とするか否かにより生じている・・・本件訂正発明１においても、ＧａＮ基板の厚みを５０μｍ以上としているのは、専ら下地層が除去された後に十分な強度を維持するためと解される。」（弁駁書５頁下から２行〜６頁６行）
　
（エ）「引用発明のクラッド層６２と記されたＧａＮからなる層は、乙第５号証〜乙第１１号証に記載されたクラッド層とは機能的に全く別の層であり、乙第５号証〜乙第１１号証に記載されたクラッド層の厚みを根拠にした被請求人の主張は、引用発明を正解しない・・・」（６頁２３〜２７行）
　
（オ）「本件訂正発明１において、ＧａＮ基板の厚みを５０μｍ以上とすることに
技術的意義は存在せず
みは５０μｍ以上必要
　
　イ　被請求人の主張する相違点２に対する請求人の反論
「ア　・・・引用発明における基板に対応するＧａＮ層の厚みが、当然に５０μｍ以上である・・・したがって、下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域の結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下とすることも、本件訂正発明１と引用発明との実質的な差異ではない。
　イ　・・・甲第７号証の実施例６・・・厚みは２００μｍ・・・引用発明と同様に、サファイア基板上にＧａＮ基板となるＧａＮ層、及び活性層を含む窒化物半導体層を形成し、その後、サファイア基板を除去・・・
　ウ　・・・乙第５号証〜乙第１１号証・・・基板に対応する層の上に形成される層は一般に薄いため、基板・・・により切り出しの際の強度を確保・・・乙第１２号証は、・・・未公知の文献・・・チップ全体でみても厚みが５〜８μｍ程度にすぎず、このような厚さの素子は機械的な強度が弱いので実現は疑わしい・・・したがって、乙第１２号証に基づく被請求人の主張は誤り・・・甲第１１号証・・・基板に対応する層は８０μｍ以上・・・」（弁駁書７頁２行〜９頁４行）
　
　ウ　被請求人の主張する相違点３に対する請求人の反論
「ア　・・・ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）に変更してＧａＮ基板を形成しても、その結晶欠陥密度が１０７ｃｍ−２以下となることは明らかである。
　イ　・・・本件訂正発明１は、・・・
ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）による具体的な製造方法が特定されている訳ではない
　ウ　・・・引用発明における基板に対応するＧａＮ層を厚膜に形成する必要があることは、前示（１）のとおり・・・厚膜の結晶を得るのに適しているハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）により形成しようとする動機付けは、甲第１号証自体に十分に存在する。」（弁駁書９頁６行〜１０頁下から６行）
　
　エ　被請求人の主張する相違点４に対する請求人の反論
　「図６Ｂの半導体装置に関しても、半導体光素子の効果を高めるためにリッジストライプ構造を採用できることは、甲第１号証の記載全体から十分に読み取れ・・・図６Ｂの半導体装置において、窒化物半導体層の形成された活性層におけるキャリア注入領域を制限するための構造に代えて、窒化物半導体層にリッジストライプを形成し、該リッジストライプ上にｐ電極を形成したリッジストライプ構造の素子とすることも、実質的に甲第１号証に記載・・・リッジストライプを採用することに格別の困難性は存在しない。」（弁駁書１１頁３〜１２行）
　
　　
第５　被請求人の主張
１　被請求人主張の概要
　被請求人は、答弁書において、本件発明は、甲第１号証の引用発明及び請求人が主張する周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとはいえず、本件無効審判請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とするとの審決を求めると主張した。
　また、「第１　手続の経緯」のように、請求人の主張を整理した上申書の内容を無効理由として通知したところ、被請求人は、訂正請求書及び訂正明細書を提出すると共に意見書において、「本件訂正発明は、甲１などに基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。したがって、本件無効審判請求は成り立たない。」と主張した。
　そして、上記主張に伴い、答弁書において下記乙第１号証〜乙第３号証が、口頭審理陳述要領書において下記乙第４号証が、そして意見書において下記乙第５号証〜乙第１２号証が提出された。
　
　＜各乙号証＞
（１）　乙第１号証：米津宏雄著、「光通信素了光学（４版）」、工学図書株式会社、平成３年５月２５日
（２）　乙第２号証：米津宏雄著、「半導体基礎用語辞典（４版）」、工学図書株式会社、平成４年６月１日
（３）　乙第３号証：物理学辞典編集委員会編、「物理学辞典（改訂第４刷）」、株式会社培風館、平成１０年１２月１０日
（４）　乙第４号証：「平成２４年３月３０日付被告第２準備書面」と題する書面
（５）　乙第５号証　　特開平６−３２６４１６号公報
（６）　乙第６号証　　特開平９−１４８２４７号公報
（７）　乙第７号証　　特開平８−１１６０９２号公報
（８）　乙第８号証　　特開平８−８３９２８号公報
（９）　乙第９考証　　特開平１０−２７０７５６号公報
（１０）乙第１０号証　特開平８−１２５２７５号公報
（１１）乙第１１号証　特開平７−２４９８２０号公報
（１２）乙第１２号証　特開平１１−２３８９１３号公報
　
２　意見書の主張
　意見書では、本件訂正発明１を単に本件訂正発明と記載しており下記の引用箇所の記載ではそのままの標記を用いている。また、意見書に記載された注意書きについては、番号と共に「（）」書きで標記した。
　
ア　本件訂正発明１について
　「本件訂正発明は、５０μｍ以上の厚みを有するＧａＮ基板を用いた発明である。さらに、本件明細書で記載されているとおり、本件訂正発明では、結晶欠陥が横方向に伸びることによって、結晶欠陥の少ない領域がさらに多くなって、その上に活性層を含む窒化物半導体層を成長させると、非常に結晶欠陥の少ない素子構造が形成できるとの作用効果を奏する（本件明細書の段落００１３参照）。」（意見書３頁下から４行〜４頁２行）
　
イ　甲第１号証に記載された発明（引用発明）について
　「結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２ 以下である、有機金属気相成長法を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板１（１　正確には「ＧａＮ結晶層」とでもいうべき層ではあるが、ここではこの点は措いて、「ＧａＮ基板」とする。）、
　・・・とする窒化物半導体素子。
　引用発明は、結晶欠陥が目空き部上では真っ直ぐ伸び、保護膜上では横方向に成長してきたＧａＮ結晶が合体することで、その中央部分で結晶欠陥密度が高くなるとの成長方法を採用した発明である。そのため、引用発明では、厚膜に成長させても、結晶欠陥の少ない領域がさらに多くなるということはない。」（意見書４頁８〜１８行）
　
ウ　本件訂正発明１と引用発明との対比・判断について
（ア）対比について
　「本件訂正発明と引用発明とを対比させると、・・・次の点で相違する。
　（１）相違点１
　・・・引用発明では、ＧａＮ基板の厚みが不明である点。
　（２）相違点２
　・・・引用発明では、ＧａＮ基板が５μｍ以上の厚みを有しているかどうかが不明であるため、結晶欠陥の数を検討する対象となる５μｍよりも上の領域を観念できない点。
　（３）相違点３
　本件訂正発明では、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いてＧａＮ基板が形成されるのに対し、引用発明では、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いてＧａＮ基板が形成される点。
　（４）相違点４
　・・・引用発明では、このようなリッジストライプが形成されず、したがってその上に形成されるｐ電極を有さない点。」（意見書４頁最終行〜６頁１行）
　
（イ）各相違点１〜４について
　「（１）相違点１について
　・・・一般的に、クラッド層の厚みは、厚めに見積もってもせいぜい数μｍ程度であって（乙５〜１１）・・・引用発明の・・・ＧａＮ基板では、多数の結晶欠陥が目空き部（窓領域）の上方に伸びる結果、本件訂正発明とは異なり、これをたとえ厚膜に成長させたとしても結晶欠陥の少ない領域がさらに多くなるわけではなく、結晶欠陥の数の分布に変化はない。・・・引用発明では、当該ＧａＮ基仮に厚膜を採用すべき理由がない。・・・
　　（２）相違点２について
　・・・引用発明ではクラッド層を基板としており、ＧａＮ基板が５μｍ以上の厚みを有していない・・・下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域における結晶欠陥の数を議論する前提を欠いている。・・・甲２及び甲６は、当該ＧａＮ層を半導体層の成長用の基板として使用している例であるからある程度の厚みが必要なだけ・・・から、引用発明とはその前提が異かる甲２、甲６を根拠に引用発明のＧａＮ層の厚みが５μｍ以上あるとはいえない。
・・・切り出しの際の強度は、素子全体の厚みで決まる・・・ＧａＮ層のみを問題にするとしても、例えば、乙１２では、・・・ＧａＮ層を４μｍに成長させ、その後、チップに切り出しているから（乙１２の段落０００６）、単体の素子に切り出すために５μｍ以上の厚みが必要であるとする請求人の主張はそれ自体誤り・・・
　（３）相違点３について
　・・・横方向成長技術を用いた甲１（ＭＯＣＶＤを採用）と甲２（ＨＶＰＥを採用）であっても、それぞれ結晶欠陥の数は・・・異なっているのであるから、ＭＯＣＶＤをＨＶＰＥに代えた場合に、同じ結晶欠陥の数が得られるとはいえない・・・それぞれの引例ではそれぞれが規定する前提条件があるのであって、これを無視して、常にＭＯＣＶＤに代えてＨＶＰＥを用いることでできるなどともいえるはずがない。・・・各証拠を見ても、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を甲１の成長方法・・・に使った例はないから、この意味においても、甲１にＨＶＰＥを適用することは単なる周知技術の転用などとはいえない。・・・甲２ではＨＶＰＥを用いて得られた結晶における結晶欠陥密度が本件訂正発明の１×１０７／ｃｍ２よりも劣る６×１０７／ｃｍ２・・・請求人が主張するような「推測」にも根拠がない。・・・引用発明にはＧａＮ基板を厚膜に形成する動機がないから、引用発明のＧａＮ基板をハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）で形成する理由は存在しない３。（３これに対し、本件訂正発明の場合は、厚膜にすることによって、結晶欠陥の少ない領域がさらに多くなるから・・・成長速度の速いハライド気相成長法ＨＶＰＥ）を採用することに意味がある。）数μｍ程度の薄膜であるクラッド層を形成するために、厚膜成長に適するハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いる理由などない・・・
　（４）相違点４について
　図６Ｂに記載のとおり、引用発明では、電流狭窄するために層６７を設ける層構造を採用しているのであるから、その層構造を全体的に入れ替えてリッジストライプを採用する積極的な理由はない。」（意見書６頁３行〜９頁１８行）
　
　
第６　無効理由に対する当審の判断　
１　本件訂正発明１〜３
　上記「第２　訂正の請求の可否」のとおり、本件訂正は認められるので、本件発明は、上記「第３　本件発明」で認定した訂正された本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明である「本件訂正発明１」〜「本件訂正発明３」のとおりである。
　
２　各甲号証の記載事項及び引用発明並びに各乙号証の記載事項
＜各甲号証＞
（１）甲第１号証（国際公開第９７／１１５１８号）　
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１号証には、「半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体装置」（発明の名称）に関する発明について、図面と共に以下の記載がある。（下線は、当審で付した。以下、他の甲号証の記載事項に関する下線も同様。）
　
（甲１ア）「本発明者は、上述の本発明の半導体レーザ素子を絶縁膜にＳｉＯ２を用いて数ロット作製し、・・・観察した。
半導体レーザ素子
サファイア（α−Ａｌ
２
Ｏ
３
）単結晶基板の（０００１）Ｃ面上に第１の窒化物半導体層、目空き部（窓領域）を有する絶縁膜、第２の窒化物半導体層を順次積層
絶縁膜の目空き部には第２の窒化物半導体層の一部が形成され、目空き部の底部にて第１の窒化物半導体層に接合
　知見１：
ＳｉＯ
２
膜（絶縁膜）上で成長した第２の窒化物半導体層の結晶欠陥密度は１０
４
〜１０
５
ｃｍ
−２
の範囲かこれよりも低い。これに対し、ＳｉＯ
２
の目空き部にて第１の窒化物半導体層の上面から成長した第２の窒化物半導体層の結晶欠陥密度は、これまで報告されているような１０
９
〜１０
１１
ｃｍ
−２
のレベル
　・・・ｃ軸方向に延伸する
欠陥は絶縁膜上の窒化物半導体層には殆ど見られない
　そこで、本発明者は次の結論を得た。
　結論１：
窒化物半導体の結晶は、絶縁膜の目空き部にて結晶構造を有する領域の表面から当該表面の原子配列に倣って縦方向（即ち、当該表面に対し垂直方向）に延伸するように成長し、絶縁膜上にて目空き部から突出して成長した窒化物半導体の側面を新たな成長界面として横方向（即ち、当該絶縁膜上面に略平行な方向）に成長
選択性結晶成長
　
（甲１イ）「発明を実施するための最良の形態
１．総論
　まず、本発明の基本概念たる半導体結晶成長技術について説明・・・
　＜結晶成長技術１＞
　・・・第１の工程として、例えばサファイア基板１の（０００１）表面上にＳｉＯ２膜を形成する。この工程は、・・・
サファイア基板表明にＳｉＯ
２
膜を気相成長法により直接形成
目空き部を・・・ＳｉＯ
２
膜のウェットエッチングで形成する
　次の第３の工程から、図３Ａ〜３Ｄを参照して説明する。まず、第２の工程で得られた
目空き部４０付ＳｉＯ
２
膜４（以降、ＳｉＯ
２
膜マスク４と呼ぶ）が形成されたサファイア基板１を窒化物半導体結晶成長炉に入れる
既存のＭＯＣＶＤ装置を利用し、原料ガスの供給路の一つをアンモニアガス供給用に用いた
炉の圧力を略大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）にして、この炉にアンモニア（ＮＨ
３
）ガスを毎分２〜５リットル（２〜５ＳＬＭ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを毎分約１０ｃｃ（１０ｓｃｃｍ）で連続的に供給し、炉内にセットされたサファイア基板を成長温度１０３０℃に加熱
　図３Ａ−３Ｃは、第３の工程における窒化物半導体層たるＧａＮ結晶の成長を時系列的に示す。まず、
目空き部４０内でサファイア基板表面上にＧａＮの微結晶５０が形成される（図３Ａ）
　従って、微結晶が成長するにつれて結晶間の成長面が擦れ合い、食い込み合う現象が生じる。その結果、
微結晶から成長してきた複数のＧａＮ結晶は目空き部にて合体するものの、合体面を中心に結晶内に掛かる応力が原因で多数の転位を形成する（図３Ｂ）
目空き部に成長したＧａＮ結晶は、サファイア基板とのヘテロ接合界面の原子配列により結晶構造が規定されるため、便宜的にヘテロエピタキシャル部５１と呼ぶ
　この
ヘテロエピタキシャル部５１が目空き部より突出して成長すると、目空き部４０の縁に沿うヘテロエピタキシャル部５１の側面を新たな成長界面としてＳｉＯ
２
膜マスク４上面に沿うようにＧａＮ結晶のホモエピタキシャル成長が始まる（図３Ｃ）
ＳｉＯ
２
膜マスク４上に形成された領域を便宜的にホモエピタキシャル部５２と呼ぶ
　本発明者は、・・・観察した結果、既に説明したようにヘテロエピタキシャル部５１に比べてホモエピタキシャル部５２に発生する結晶欠陥の密度が格段に低いことを発見した。図１９は、図３Ｄに相当する透過電子顕微鏡の写真である。この写真の中央付近で縦芳香に走る線はＳｉＯ２膜マスク４の開口端部を示すが、これを境に左側の領域に見られる多数の筋状の欠陥が右の領域で殆ど見られないことが確認できる。即ち、
結晶欠陥の密度は左側の領域（図３Ｄのヘテロエピタキシャル部５１）で１０
８
〜１０
１１
ｃｍ
−２
、左側の領域（図３Ｄのホモエピタキシャル部５２）で１０
４
〜１０
５
ｃｍ
−２
の範囲
ホモエピタキシャル部は合体し、合体部の欠陥密度も最大１０
６
〜１０
７
ｃｍ
−２
程度
　
上述のＳｉＯ
２
膜マスク４を利用した窒化物半導体の新たな結晶成長技術に関し、本発明者は窒化物半導体を用いた半導体装置の量産技術として図６Ａの（１）と（２）に示すプロセスを提案
キャリア注入により素子動作を行う領域をホモエピタキシャル部上に形成することであり、僅かの結晶欠陥にも性能が左右される素子においては、マスク４上における結晶の合体領域上部を避けて素子動作を行う領域を形成する図６Ａ（２）の構成を採用することが望ましい
電極１０を形成した後に矢印方向にダイシングを行い、図６Ｂに示すような単体の半導体レーザ素子を得る
半導体レーザ素子は、マスク４上に形成されたホモエピタキシャル部（ＧａＮ層）にｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２とｎ型のＡ１
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎ層からなる光導波層６３、アンドープのＩｎＧａＮ多重量子井戸層からなる活性層６６、p型のＡ１
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎからなる光導波層（図示せず）、ｐ型のＧａＮからなるクラッド層６５、p型クラッド層６５より高い濃度の不純物を含むｐ型ＧａＮのキャップ層６８，ｐ型電極１０を積層して形成され、ｐ型のクラッド層６５に埋め込まれて形成されたｎ型のＧａＮ層６７（ｎ型クラッド層と同レベルの不純物を含有）で活性層６６におけるキャリア注入領域を制限する
ｎ型のＧａＮ層６７が形成されない領域の下部の活性層が実質上の素子動作に関与するため、この部分をヘテロエピタキシャル部の上方から外している
図６Ａの（１）及び（２）の量産技術においては、単体の素子に切り出す前に基板１側をラッピングし、ｎ型クラッド層の下面を露出させることでこの面にｎ型電極１１を形成することもできる。図６Ｂの素子構造は、このようにして作製された一例を示すものである
　
（甲１ウ）図１Ａには、半導体レーザ素子構造の断面が示されており、サファイア基板上の第１の窒化物半導体層には、結晶欠陥を示す線が全面的に上方に伸びており、第１の窒化物半導体層上の絶縁マスクの目空き部においては、前記結晶欠陥を示す線が第２の窒化物半導体層においても、引き続き上方に伸びているが、前記絶縁マスク上の第２の窒化物半導体層には、前記結晶欠陥を示す線が無いことが看取できる。
　
（甲１エ）図６Ａには、図６Ｂとして示された半導体装置のダイシング前の積層構造５５のダイシングを位置を示した、結晶成長技術１或いは結晶成長技術２を応用した半導体装置の量産プロセスを説明する図が示されている。
　図６Ａ（１）から、サファイア基板１の上に複数の目空き部を設けたＳｉＯ２膜マスク４が配置され、各ＳｉＯ２膜マスク４の中央上方に、ｐ型のクラッド層６５に埋め込まれたｎ型のＧａＮ層６７で制限された領域が有り、各目空き部の中央にダイシング方向下向きを示す矢印が記載されていることが看取できる。
　また、図６Ａ（２）から、上記制限された領域がＳｉＯ２膜マスク４の目空き部の中央とＳｉＯ２膜マスク４の中央との間のＳｉＯ２膜マスク４の上方に配置され、ダイシング方向下向きを示す矢印が、目空き部の中央とＳｉＯ２膜マスク４の中央にそれぞれ記載されていることが看取できる。
　
（甲１オ）図６Ｂには、半導体装置の一完成例の縦断面図が示されており、ｎ型クラッド層６２の素子形成領域と反対の面全面に直接ｎ型電極１１が形成されていることが看取できる。
　
　上記記載事項（甲１ア）〜（甲１オ）及び図６Ａ（２）をまとめると、甲第１号証には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「サファイア基板１の（０００１）表面上にＳｉＯ２膜(絶縁膜)を気相成長法により直接形成し、上記ＳｉＯ２膜にストライプ状に複数の目空き部を形成して、ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４とし、
　前記ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４が形成されたサファイア基板１を窒化物半導体結晶成長炉（ＭＯＣＶＤ装置）に入れ、
　アンモニア（ＮＨ３）ガス、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを連続的に供給し、サファイア基板１を成長温度１０３０℃に加熱し、
　前記ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４の目空き部にて結晶構造を有する領域の表面から縦方向に延伸するように成長し、ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク上にて目空き部から突出して成長した窒化物半導体の側面を新たな成長界面として横方向（即ち、当該ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク上面に略平行な方向）に成長させることで、成長したＧａＮ結晶の結晶欠陥の密度が、目空き部の上側において１０８〜１０１１ｃｍ−２、ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４の上側で１０４〜１０５ｃｍ−２、また、ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４の上側であって前記横方向に成長したＧａＮ結晶の合体部の欠陥密度が最大１０６〜１０７ｃｍ−２程度となる、ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４を利用した窒化物半導体の結晶成長技術を用いて形成した半導体レーザ素子において、
　キャリア注入により素子動作を行う領域をＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４上に形成された領域であるホモエピタキシャル部上であって、ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４上における結晶の合体領域上部を避けて素子動作を行う領域が形成されるように、ＳｉＯ２膜（絶縁膜）マスク４上に形成されたホモエピタキシャル部（ＧａＮ層）にｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２とｎ型のＡ１0.15Ｇａ0.85Ｎ層からなる光導波層６３、アンドープのＩｎＧａＮ多重量子井戸層からなる活性層６６、p型のＡ１0.15Ｇａ0.85Ｎからなる光導波層、ｐ型のＧａＮからなるクラッド層６５、p型クラッド層６５より高い濃度の不純物を含むｐ型ＧａＮのキャップ層６８，ｐ型電極１０を積層して形成され、前記ｐ型のクラッド層６５に埋め込まれて前記活性層６６におけるキャリア注入領域を制限するｎ型のＧａＮ層６７から成る積層構造５５を形成し、
　サファイア基板１側をラッピングし、ｎ型クラッド層の下面を露出させ、ｎ型クラッド層の露出した下面にｎ型電極１１を形成し、
  その後、単体の素子に切り出すために、各目空き部の中央と各ＳｉＯ２膜マスク４の中央に、積層構造５５の上から下に向けてそれぞれダイシングして、
形成した半導体レーザ素子。」
　
 （２）甲第２号証（“Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy ”(ハイドライド気相成長エピタキシーによる低転位密度の厚いＧａＮエピタキシャル成長）：以下、英文の後の日本語は請求人による甲第２号証翻訳文を参照した当審による翻訳である。）
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第２号証には、以下の記載がある。（なお、以下の記載では、ミラー指数における負の成分を示すオーバーライン（アッパーバー）を標記できないため、前に「−」をつけ、「−１」と標記する。）
（甲２ア）「Thick GaN layers were grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) with the aim of using these layers as a homoepitaxial substrate to improve device quality of laser diodes or light emitting diodes.　HVPE is very useful for thick layer growth since the growth rate can reach from several ten up to one hundred micron per hour. In this experiment, the growth began as selective growth through openings formed in a SiO2 mask. Facets consisting of {1-101} planes were formed in the early stage and a continuous film developed from the coalescence of these facets on the SiO2 mask. As a result, GaN layers with a dislocation density as low as ６×107 cm -2  were grown on 2-inch-diameter sapphire wafers. （ハイドライド気相成長エピタキシー（ＨＶＰＥ）により、厚膜ＧａＮ層を成長させた。その目的は、これらの層をホモエピタキシャル基板として用いることで、レーザダイオードや発光ダイオードのデバイス品質の向上を図ることである。ＨＶＰＥは成長速度が毎時数十から百ミクロンに達することから厚膜層の成長に極めて有用である。本実験では、Ｓｉ０２マスクにより形成した開口を通して膜を選択成長させることから成長を開始した。{1-101}面から成るファセットが初期段階で形成され、これらのファセット構造がＳｉ０２マスク上で合体することにより連続膜を成長させた。その結果、６×１０７ｃｍ-２の低転位密度のＧａＮ層を２インチ径のサファイアウェハ上に成長できた。）」（L８９９頁要約）
  
（甲２イ）「Using a hydride VPE system, thick GaN with a dislocation density as low as 6×107 cm -2  was successfully grown. The growth began with selective growth at stripe openings formed in a SiO2 mask. The continuous film was grown by the coalescence of a selectively grown facet structure. A crack-free mirror-like surface was obtained on a 2-inch-diameter wafer. Photoluminescence measurements showed a very strong band-edge emission with a narrow FWHM of 1.6meV and distinct free-exciton emission was observed. By using the thick GaN as a substrate, the crystalline quality for InGaN/GaN laser diodes and light emitting diodes could be significantly improved.（ハイドライドＶＰＥ装置を使用することで、６×１０７ｃｍ−２という低い転位密度を持つ厚膜ＧａＮを成長させることができた。まずＳｉＯ２マスクに形成された複数のストライプ状の窓への選択成長を開始し、選択成長させたファセット構造同士を合体させることで連続的な膜を形成した。その結果、亀裂のない鏡状の表面を持つ２インチ径ウェハを作製することができた。また、光ルミネセンス測定により、１．６ｍｅｖという狭いＦＷＨＭを持つ非常に強いバンド端発光が測定され、自由励起子発光も確認された。この厚膜ＧａＮを基板として使用することで、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系レーザダイオードや発光ダイオードの結晶品質を大幅に向上させることができるだろう。）」（Ｌ９０２頁左欄「４．Conclusion（結論）」）
　 
（甲２ウ）Ｌ９００頁の図１には、この実験で用いられた基板構造の断面図が示されており、サファイア基板の上に、ＭＯＶＰＥ成長によるＧａＮ層（１〜１．５μｍ）、その上に窓を複数形成したＳｉ０２マスク（１〜４μｍの幅）を形成したものが看取できる。
　
（甲２エ）Ｌ９００頁の図３には、２．５分経過、５分経過、１０分経過後の成長面のＳＥＭ像が示されており、三角形状の面が成長し、合体していく様子が看取できる。また、第３図の説明として、「Figure3(a) shows an SEM image of the facet structure as it appeared after 2.5min of growth.（図３（ａ）は成長開始から２．５分経過した後に発生したファセット構造を撮影したＳＥＭ画像である。）」（Ｌ９００頁１５〜１６行）との記載がある。
　
（３）甲第３号証（特開平９−１１５８３２号公報）
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第３号証には、「ＩＩＩ族窒化物半導体基板とその製造方法」（発明の名称）に関する発明に関して、図面と共に以下の記載がある。
（甲３）「【００４２】尚、これら実施例では、窒化物の結晶成長方法として有機金属気相成長方法を用いたが、ハライド気相成長法や分子線成長方法など他の結晶成長方法を用いても可能なことは言うまでもない。また、製造するＩＩＩ族窒化物層の組成は、実施例に記載のものに限定されるものではなく、Ａ１ｘＧａｙＩｎｚＮ：ｘ十ｙ十ｚ＝１の任意の組成を含むことは言うまでもない。」 
 　 
（４）甲第４号証（「応用物理学シリーズ　半導体レーザ」） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第４号証には、以下の事項が記載されている。
（甲４）図９・１（ｂ）リッジストライプ構造（ＳＢＲ）として、ＩｎＧａＡｌＰ半導体レーザの素子構造例である、ｎ電極、ｎ−ＧａＡｓ基板、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、ＩｎＧａＰ活性層、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、ｐ電極が順に積層され、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層にリッジストライプ構造を形成するｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層を形成したＩｎＧａＡｌＰ半導体レーザが図示されている。
　
（５）甲第５号証（「半導体レーザ」） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第５号証には、以下の事項が記載されている。
（甲５）半導体レーザの構造として、レーザ光を閉じ込めるためのストライプ構造として、図６−４（ｃ）には、利得導波型の基本構造の例として内部ストライプ形を示し、クラッド層／ブロック層を部分的にＮ／Ｐ構造にして電流を狭窄したものが、図７−３（ａ）には、代表的素子の製作工程概念図として、エピタキシャル結晶成長による積層構造の形成後、エッチングによりリッジを形成するリッジ導波型の製造工程が図示されている。
　
（６）甲第６号証（特開平８−１１６０９０号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第６号証には、「半導体発光素子の製法」（発明の名称）に関する発明に関して、図面と共に以下の記載がある。
（甲６ア）図３にリッジストライプ型の半導体レーザの断面図が示されている。
（甲６イ）「【００４４】実施例２
　本実施例は半導体レーザ型発光素子の実施例で、各層の形成および電極の形成までは実施例１と全く同様に形成し、電極形成後に上部電極１１（審決注：「電極１０」の誤記。）の両側のキャップ層９およびｐ型クラッド層８の上部をエッチングしてメサ型形状にしたものである。このような構造にすることにより電流を活性層の中心部だけに集中させることができ、しかも劈開により端面が鏡面になっているため、端面で反射させて発振させることができ、出力が０．２ｍＷ程度の青色半導体レーザ型発光素子がえられた。」
　
（７）甲第７号証（特開平７−２７３３６７号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第７号証には、「半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法」（発明の名称）に関する発明に関して、図面と共に以下の記載がある。
（甲７ア）「【０００２】【従来技術】・・・基板１上にＺｎＯ等より成るバッファ層２を形成し・・・バッファ層２上にＧａＮ層４をＨＶＰＥ・・・法等により高速度成長させた後、図４（ｃ）に示すように酸等により上記バッファ層をエッチング除去してＧａＮ基板Ｓを得るものである。」　
（甲７イ）「【００１５】上記マスク３を構成する材料は、その上に実質的に結晶が成長し得ないものであることが必要である。・・・
【００１６】・・・該間隔が上記範囲内であれば、マスク３上での半導体層４のオーバーグロウスもなく、製造コストも低く抑えることができる。」
（甲７ウ）「【００２１】上記半導体層４の形成方法としてはＨＶＰＥ、ＭＯＶＰＥ，・・・半導体層４として・・・ＨＶＰＥまたはＭＯＶＰＥが好適に用いられ・・・」　
（甲７エ）図１及び図３には、マスク３のバッファ層を露出した部分から半導体層が成長し、マスク３の上には半導体層が成長していないことが看取できる。
　　
（８）甲第８号証（信学技報、「ＨＶＰＥ法による選択成長を用いた高品質ＧａＮバルク単結晶の作製及び評価」） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第８号証には、以下の記載がある。
（甲８ア）「現在までにＨＶＰＥ法・・・を用いることによりＧａＮバルク単結晶を作成する研究が進められてきた。・・・ＨＶＰＥ法は、成長速度が大きいために厚膜の結晶が得られる、・・・ＭＯＶＰＥ法で用いられている選択成長をＨＶＰＥ法に適用した。・・・転位の低減の２点に注目してＧａＮバルク単結晶の高品質化を目指した。」（３６頁左欄２０〜最終行）
（甲８イ）「＜１−１００＞方向への横方向成長は｛１−１０１｝ファセットを形成して成長する様子が観察される。」（３８頁左欄下から５〜３行）
（甲８ウ）「４．まとめ　本研究では、ＧａＮバルク単結晶を作製するにあたって、選択成長法を用いることにより高品質のＧａＮを得ることを目的とした。その結果、成長領域を小さくして歪みを低減させたことにより、クラックのない結晶性の良好なＧａＮが得られた。・・・」（４０頁左欄「４．まとめ」）
　
  （９）甲第９号証（知財高裁平成２２年（行ケ）第１０３３４号判決） 
　上記判決には、以下の事項が判示されている。
（甲９）「相違点３は、本件補正発明においては、「エレベータの巻上機によって駆動されるトラクションシーブ」の外側直径が「たかだか約２５０mm」であるとの構成を採用した点にある。
　・・・比較して、少なくとも軽量であることが示されているといいえても、それを超えて
何らかの技術的な内容を開示するものではない
何らかの技術的な意義があると認めることはできない。したがって相違点３は、実質的な相違点ではない
  以上によれば、本件補正発明のうち、「該エレベータの巻上機によって駆動される前記トラクションシープの外側直径はたかだか約２５０mm」とすることは、容易に想到することができたといえる。」（２２頁〜２３頁の「第５、１（１）イ（イ）」）
　
  （１０）甲第１０号証（東京高裁平成１５年（行ケ）第２８７号判決） 
　上記判決には、以下の事項が判示されている。
（甲１０）「以上の記載によれば。第２の略台形部分については・・・という作用効果を奏するものであることが認められる。これに対し、第１の略台形部分については、・・・
どのような作用効果を奏するのかは判然としない
本件発明１と比較して、格別の作用効果を奏する発明の特定事項であるとは認めることができない。そして、このような構成については、取り立てて本件発明２の進歩性判断の要素とするのは相当でない
　
（１１）甲第１１号証（特開平７−１６５４９８号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１１号証には、「ＧａＮ単結晶およびその製造方法」（発明の名称）に関する発明に関して、図面と共に以下の記載がある。
（甲１１ア）「【０００３】・・・結晶を成長させる方法がＭＯＶＰＥであるために膜厚が
５μｍ程度しか得られず非常に薄いので、ＧａＮ単結晶をもとの基板から分離し、例えば半導体発光素子の基板として、単独に用いることは困難であった。このためＧａＮ単結晶を利用する場合は、もとの基板上に形成された状態のまま用いることを余儀なくされていた
（甲１１イ）「【０００８】・・・本発明のＧａＮ単結晶は、・・・単独で基板として用いることができる程、充分な厚み８０μｍ以上・・・」
（甲１１ウ）「【００１５】・・・ＧａＮやバッファ層となる物質をエピタキシャル成長させる成膜法が最も好ましく、・・・ＨＶＰＥ，ＭＯＶＰＥ・・・」
　
（１２）甲第１２号証（特開平９−７１４９６号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１２号証には、「窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法」（発明の名称）に関する発明に関して、図面と共に以下の記載がある。
（甲１２ア）「【００１５】・・・Ｇａペロブスカイト基板・・・上に窒化ガリウムの単結晶層をエピタキシャル成長させた後に、該成長層を前記基板から剥離して窒化ガリウム単結晶の厚膜を得ること・・・」
（甲１２イ）「【００１８】・・・ハイドライドＶＰＥ法を採用する理由は、・・・ＭＯＣＶＤ法・・・に比べ格段に速く、・・・」
（甲１２ウ）「【００１９】・・・窒化ガリウム単結晶・・・厚さが１００μｍに満たないと、強度が不足して剥離させる際に崩れてしまうからである。厚さが２００μｍ以上であれば、発光素子製作のプロセスで割れ難いと言う利点がある。・・・」
　
＜各乙号証＞
（２１）乙第１号証（光通信素子工学）
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第１号証には、ＭＨ−ＣＶＤとＭＯ−ＣＶＤについての一般的な説明が記載されている。
　
（２２）乙第２号証（半導体基礎用語辞典）
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第２号証には、エピタキシャル成長、ＭＯＣＶＤについての定義が記載されている。
　
（２３）乙第３号証（物理学辞典）
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前において、未公知である乙第３号証には、エピタキシー成長についての定義が記載されている。
　
（２４）乙第４号証（平成２３年（ワ）第３４２３７号　被告第２回準備書面）
　乙第４号証の１６頁「第４．１．（１）」で、上記事件で提示された乙第２号証（本件事案の甲第１号証と同じ刊行物）には、結晶成長技術２による図６Ｂの素子構造を有する半導体装置が記載され、さらにリッジストライプが採用可能であることを主張し、結晶成長に有機金属気相成長法とハライド気相成長法の何れを選択するかは設計的事項であるから、結晶成長技術２においてハライド気相成長法を使用することが当然行われる旨主張している。
　
（２５）乙第５号証（特開平６−３２６４１６号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第５号証には、「化合物半導体素子」（発明の名称）に関して、ＳｉＣ等の基板上に形成するクラッド層は、光を発光層に閉じ込めるための層であり、０．２μｍ程度の薄い層であることが【０００３】に記載されている。
　
（２６）乙第６号証（特開平９−１４８２４７号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第６号証には、「ｎ型窒化物半導体の成長方法」（発明の名称）に関して、レーザダイオードにおいては、クラッド層で活性層の光を閉じ込めるため、０．１μｍ以上の厚膜を必要とすることが【０００４】に記載され、【００１１】、【００１８】に、サファイア基板上のクラッド層を０．５μｍ程度とすることが記載されている。
　
（２７）乙第７号証（特開平８−１１６０９２号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第７号証には、「半導体発光素子およびその製法」（発明の名称）に関して、ｎ電極を下面に配置した５０〜５００μｍの厚さのＧａＡｓ基板等の上に、低温バッファ層４、２〜５μｍの厚さの高温バッファ層５、０．１〜２μｍの厚さのｎ型クラッド層６、活性層７、ｐ型クラッド層８、キャップ層９、ｐ電極１０と積層し、ｐ型クラッド層８上部をメサ型にエッチングした半導体レーザが図２に示されている。
　
（２８）乙第８号証（特開平８−８３９２８号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第８号証には、「半導体発光素子およびその製法」（発明の名称）に関して、図１に、【００２１】〜【００２４】の記載を参酌すれば、１００〜３００μｍの基板の上に、０．０１〜０．２μｍの低温バッファ層、２〜５μｍの高温バッファ層、０．１〜０．３μｍのｎ型クラッド層、０．０５〜０．１μｍの活性層、０．１〜０．３μｍのｐ型クラッド層、０．３〜２μｍのキャップ層が順次積層した半導体が示されている。
　
（２９）乙第９号証（特開平１０−２７０７５６号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前において、未公知である刊行物である乙第９号証には、「窒化ガリウム系化合物半導体装置」（発明の名称）に関して、図４に、サファイア基板上に、バッファ層を介して０．３μｍのｎ型クラッド層他が積層されることが示されている。
　
（３０）乙第１０号証（特開平８−１２５２７５号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第１０号証には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、図１に、裏面にｎ電極を設けたＳｉＣ基板上に、２〜４μｍのｎ型のＧａＮ層を介して、０．８〜１μｍのｎ型クラッド層他が積層されることが示されている。
　　
（３１）乙第１１号証（特開平７−２４９８２０号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第１１号証には、「半導体発光素子」（発明の名称）に関して、図１に、サファイア基板能重にＧａＮバッファ層を介して厚さ１μｍのｎ型ＧａＮクラッド層他が順次積層されることが示されている。
　
（３２）乙第１２号証（特開平１１−２３８９１３号公報） 
　分割出願としての本件特許に係る原出願の優先権主張の日において、未公知である刊行物である乙第１２号証には、「半導体発光デバイスチップ」（発明の名称）に関する発明に関して、【０００６】、【０００７】に、図１にサファイア基板の上に、ＧａＮバッファー層、４μｍのｎ型ＧａＮ層を４μｍ成長させ、その他活性層等を成長させた後、基板及びバッファー層を除去し、Ｎ，Ｐ電極を両面に形成後、チップに分割して発光素子を得ることが記載ないし図示されている。
　
　
３　本件訂正発明１と引用発明との対比・判断 
（１）本件訂正発明１の技術的意義について
　本件請求人は、上申書の「５．２．３．１本件発明１について」のなお書き（４）において、「
本件発明１の「結晶欠陥の数が１×１０
７
個／ｃｍ
２
以下である」・・・仮に、半導体素子の機能に関係しないＧａＮ基板の領域を含め全部の領域で結晶欠陥の数が１×１０
７
個／ｃｍ
２
以下の意味であると解釈された場合
引用発明では、半導体素子の機能に関係しない領域において結晶欠陥の数が最大１０
６
〜１０
７
ｃｍ
−２
程度又は１０
８
〜１０
１１
ｃｍ
−２
となる点で本件発明１と相違があることになる
　
＜素子自体の信頼性・寿命について＞
　そもそも、結晶欠陥がない基板と結晶欠陥が偏在している基板とでは、基板自体が物として異なることは明らかである。
　そして、従来法による結晶欠陥を偏在させたＧａＮ基板を用いた場合の素子の課題として、本件訂正明細書の【０００７】には、　「しかしながら、・・・窒化物半導体素子についても、
結晶欠陥が未だ偏在するため、信頼性も十分とは言えない
一枚のウェーハからレーザ素子を多数作製しても、満足できる寿命を有しているものはわずかしか得られない
　結晶欠陥が偏在している素子の場合、素子の機能領域と結晶欠陥の少ない領域とが精度良く位置合わされる事が必要なことは明らかであり、一枚のウェーハからレーザ素子を多数作製する場合において、結晶欠陥が偏在するような素子では、結晶欠陥の少ない領域と素子機能領域との位置合わせに精密さが要求され、上記訂正明細書に記載されているような課題である、信頼性の低い、或いは寿命の短い素子となり得る可能性が高くなるものである。
　一方、結晶欠陥の領域が偏在せず、素子機能として直接関係ないと思われる領域を含めた全面において結晶欠陥の極めて少ない領域となっていれば、位置合わせの精度に従来程度の精度が要求されず、結果、信頼性をあげ、満足できる寿命を有しているものも増えるで有ろうことは明らかであり、素子領域の機能に関係のない領域を含め全部の領域で結晶欠陥の程度を低くするとの特定をすることには技術的意義を有しているものである。
　また、素子機能領域以外の領域において、結晶欠陥が極めて多くなっても、素子としての機能に全く何らの影響をもなさないとし得る根拠も不明である。
　
＜本件訂正発明１の製造方法に起因する技術的意義について＞
ア　従来の成長方法による結晶欠陥の偏在（厚さ方向に直角な面方向における偏在）について
　本件訂正明細書の【０００６】【発明が解決しようとする課題】には、
　「従来の窒化物半導体の成長方法によると、・・・ＬＯＧによって、結晶欠陥を部分的に集中させられることによる。この方法では、保護膜の上部に結晶欠陥を集中させて、窓部に結晶欠陥の少ない領域を作製・・・即ち、意図的に結晶欠陥を偏在させる・・・」
事が記載されている。
　これは、従来の製造方法では、三角形状の一般的にファセットと呼ばれる形状で成長が開始されることにより、下記の記載及び図５〜７に示されているように、結晶欠陥が偏析する事を説明しているものである。
　「【００２４】・・・最初の成長で、図５に示すように窓部から成長した第２の窒化物半導体層４’は、その窓部において三角形状（屋根状）に成長する。第２の窒化物半導体層４’が三角形状に成長すると、第１の窒化物半導体層２’から第２の窒化物半導体層４’に伸びる結晶欠陥は、その三角形状の辺部（屋根部）に向かう。
【００２５】・・・成長を続けると、第２の窒化物半導体層４’は横方向に成長して、三角形の底辺である保護膜の表面において先に繋がる。さらに成長を続けると、屋根部に向かう結晶欠陥は上方向にも伸びてくる。
【００２６】・・・第２の窒化物半導体層４’の結晶欠陥は、
図７に示すように、保護膜上部で繋がり第２の窒化物半導体層の表面に貫通転位となって現れる
第２の窒化物半導体層の表面には結晶欠陥の多い領域と少ない領域とが偏在する
　
イ　厚さ方向に直角な面方向における結晶欠陥の偏在による問題点　
（ア）上記のような貫通転位等の結晶欠陥が偏在することにより、【０００７】には、
　「しかしながら、・・・窒化物半導体素子についても、結晶欠陥が未だ偏在するため、信頼性も十分とは言えない。そのため
一枚のウェーハからレーザ素子を多数作製しても、満足できる寿命を有しているものはわずかしか得られない
（イ）厚膜に成長させた基板を用いて窒化物半導体を成長させ、リッジストライプを形成する場合、
　ａ　膜成長後に炉から基板（ウェーハ）を取り出すと膜成長させた基板が反るので、この段階で下地基板及び保護膜を除去して平面とした後に、リッジストライプを形成すること、及び、
　ｂ　上記ａでは、反りの回避のために下地基板と共に保護膜も除去しているので、リッジストライプを形成すべき位置と、除去してしまった保護膜の窓部の位置とを一致させることが困難である旨、下記の【００５８】、【００５９】の実施例７に記載されている。
　してみると、従来の成長法によって成長を行った場合は、保護膜を除去したことにより、結晶欠陥の偏在位置を特定しづらくなるため、従来法による結晶欠陥の少ない窓部とリッジストライプの形成すべき位置とを一致させることが困難であり信頼性が劣ることになる一方、結晶欠陥が偏在していなければ、窓部等との一致をさせずとも、信頼性関係を損なうことがないことを示しているのは明らかである。
　
　「【００５８】［実施例７］
　実施例１において、第２の窒化物半導体層４を成長させる際に、Ｓｉをドープして膜厚を
９０μｍの膜厚で成長
成長後、反応容器からウェーハを取り出したところ、
ウェーハが皿のように反っていた。そこで、このウェーハの異種基板側を研磨して、異種基板１、第１の窒化物半導体層２、及び保護膜３を除去する。この異種基板の除去によってウェーハはほぼ平面が得られるようになった
【００５９】
　次に、実施例１と同様にしてｐ側クラッド層１８から上をリッジ形状とし、ｐ電極２０及びｐパッド電極２１を形成する。但し、
リッジストライプの位置は保護膜が除去されているので、窓部に一致させることは困難
　
ウ　したがって、本件訂正明細書に記載されている発明は、１枚のウェーハから多数の素子を製作する場合の上記イ（ア）に記載した信頼性の確保を課題とするだけではなく、イ（イ）に記載の、厚膜のＧａＮ基板上にリッジストライプを有しＧａＮ基板形成用の下地基板を取り除いた素子を形成する場合において、従来法では、反りの発生とそのための製造工程によるリッジストライプの形成位置と、結晶欠陥の少ない部位である窓部だった場所の上部領域とを一致させることが困難であることから、結晶欠陥を偏在させる箇所を極力減らして、全面的に結晶欠陥を少なくさせることで、これを解決したものである。
　そして、本件訂正明細書には、結晶欠陥の偏在を極力減らすためには、下記【００１８】〜【００２２】に記載のように、窓部の下地基板から発生した結晶欠陥が保護膜の上部において横方向に伸びるように成長させればよい旨説明されていることから、結晶の成長方法として、有機金属成長方法、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）の何れを採用しても、結晶欠陥を保護膜上で横方向に伸ばし、直上方に向かわないように成長させることで、結晶欠陥の偏在を極力減らした基板となることは明らかである。
　「【００１８】
  異種基板１の上に成長した第１の窒化物半導体層２は、その層内においてほぼ均一に結晶欠陥を有している。そして、その
第１の窒化物半導体層２の表面に部分的（例えばストライプ状）に保護膜３を形成
【００１９】・・・図１に示すように
窓部（保護膜が形成されていない部分）から成長した第２の窒化物半導体４が、保護膜３の上においてほぼ垂直な方向、若しくは逆台形に近い形状で成長
結晶欠陥は、第２の窒化物半導体層４にも伸びてくる
保護膜上部において、結晶欠陥が横方向（端面方向）に伸びる傾向にある
【００２０】・・・ 本発明の方法によると、第２の窒化物半導体４の端面が、異種基板水平面に対してほぼ垂直に成長するので、図２に示すように第２の窒化物半導体４は、保護膜に近い側よりも、
保護膜から離れた側で先に繋がるか、若しくは端面同士がほぼ同時に繋がる
第２の窒化物半導体層に発生している結晶欠陥は、横方向に伸びているため、第２の窒化物半導体層表面に現れにくい
【００２１】・・・第２の窒化物半導体層４は上に向かっても成長するが、図３に示すように、保護膜の真上にある
空隙部を埋めるために横方向、若しくは下方向に成長
第２の窒化物半導体層４の結晶欠陥は、保護膜３の方向を向いて成長するか若しくは、真横に広がる
【００２２】・・・図４に示すように
第２の窒化物半導体層の結晶欠陥が
横方向にのみ伸びて、表面にまで繋がって貫通転位とならないため、表面に現れてくるものは非常に少なくなる
厚膜で成長させると結晶欠陥が成長中に止まるものもある
厚膜で成長していくに従って結晶欠陥は少なくなる傾向にあり
　
エ　そして、本件訂正発明１において、「ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」として、「
厚みが５０μｍ以上であり、
厚みが５０μｍ以上であり、
　更に、本件訂正明細書には、窓部から保護膜上へ伸びる結晶欠陥の数が厚くなるに従い、減っていくことは、前記【００２２】及び図１〜図４に示されており、また、本件訂正明細書の実施例１のようにＧａＮが３０μｍ程度の厚さでは、「リッジストライプ位置を結晶欠陥がやや現れやすい傾向を有するストライプ状の窓部中央部を避ける位置とする。」（【００４３】）旨記載されている。
　この場合、窒化物半導体層を成長させるための下地層としての異種基板（下地基板）及び保護膜を除去せずに残しているため、リッジストライプ位置をストライプ状の窓部中央部を避ける位置とすることができるものの、実施例７のように厚膜で下地基板を除去する場合は、【００１３】に記載のように、５０μｍ以上であれば結晶欠陥の少ない領域が更に多くなることで、窓部の位置が不明であっても、リッジストライプの形成に際して信頼性を得る事ができることは明らかである。
　
　実施例１におけるリッジストライプの位置について
　「【００４３】・・・ウェーハを反応容器から取り出し、・・・ｐ側クラッド層１７とをエッチングして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ形状とする。重要なことは・・・
リッジストライプ位置を結晶欠陥がやや現れ易い傾向を有するストライプ状の窓部中央部を避ける位置とする
　
　下地基板を除去する場合の第２の窒化物半導体層厚さについて
「【００１３】・・・下地層が除去されて素子構造とされる場合、第２の窒化物半導体層の厚さが５０μｍ以上であることが望ましい。こ
れは５０μｍ以上の膜厚であると、結晶欠陥の少ない領域がさらに多くなって、その上に活性層を含む窒化物半導体を成長させると、非常に結晶欠陥の少ない素子構造が形成できることによる
　
オ　したがって、本件訂正発明１による「ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」として、「
厚みが５０μｍ以上であり、
　そして、全面的に結晶欠陥を少なくしていることにより、従来の結晶欠陥が一部の領域において偏在する場合に有する場合の課題である一枚の厚膜基板から多数の素子を形成する際のリッジストライプ形成における信頼性の欠如を回避していることから、結晶欠陥を表面において全面的に結晶欠陥を少なくしている本件訂正発明１による「ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」として、「
厚みが５０μｍ以上であり、
　
カ　なお、本件訂正発明は、ＧａＮ基板の下面にｎ電極を形成したものであり、上記ウで摘記した製造方法によってのみ製造されたものに限定されるべきものであることは上記エで摘記したとおりであり、このような成長方法によれば、層の下層では結晶欠陥が多く、上層では結晶欠陥が少ないという、厚み方向で結晶欠陥に差が生じている層となる。
　この点に関して、本件訂正明細書には素子の機能として、
「【００１２】・・・窒化物半導体では
結晶欠陥が多いものは、結晶欠陥が少ないものよりもキャリア濃度が大きくなる傾向にある。従って、第２の窒化物半導体層の結晶欠陥の多い領域は自然とｎ＋となっており、このｎ＋の方にｎ電極を設けると、閾値、Ｖｆ（順方向電圧）が低下しやすい
「【００１４】・・・第２の窒化物半導体層が
同一組成で結晶欠陥の少ない低キャリア濃度領域と、結晶欠陥の多い高キャリア濃度領域とを有しているので、この高キャリア濃度領域にｎ電極を設けることにより、効率のよい素子を作製することができる
との効果を有する旨説明されているが、結晶欠陥が窓部に偏在し、保護膜等のマスク上に結晶欠陥がほとんど成長しない本件訂正明細書に記載された選択成長方法と異なる選択成長方法による素子の場合は、上記効果が期待できないことも明らかである。
　
　
（２）本件訂正発明１と引用発明との対比 
ア　本件訂正発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「欠陥密度」、「ｎ型のＡ１0.15Ｇａ0.85Ｎ層からなる光導波層６３、アンドープのＩｎＧａＮ多重量子井戸層からなる活性層６６、p型のＡ１0.15Ｇａ0.85Ｎからなる光導波層、ｐ型のＧａＮからなるクラッド層６５、p型クラッド層６５より高い濃度の不純物を含むｐ型ＧａＮのキャップ層６８・・・を積層して形成され、前記ｐ型のクラッド層６５に埋め込まれて前記活性層６６におけるキャリア注入領域を制限するｎ型のＧａＮ層６７から成る積層構造５５」、「ｎ型電極１１」、「ｐ型電極１０」および「半導体レーザ」は、それぞれ、本件訂正発明１における「結晶欠陥の数」、「積層された、活性層を含む窒化物半導体層」、「ｎ電極」、「ｐ電極」および「窒化物半導体素子」に相当する。 
　
イ　引用発明の「ｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」は、「第１の工程として、サファイア基板１の（０００１）表面上にＳｉＯ２膜を気相成長法により直接形成し、上記ＳｉＯ２膜ストライプ状に複数の目空き部を形成し、ＳｉＯ２膜マスク４とし、第２の工程として、前記ＳｉＯ２膜マスク４が形成されたサファイア基板１を窒化物半導体結晶成長炉（ＭＯＣＶＤ装置）に入れ、第３の工程として、アンモニア（ＮＨ３）ガス、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを連続的に供給し、サファイア基板を成長温度１０３０℃に加熱」する成長技術を利用してｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２を形成しており、「ｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」の成長に、窒化物半導体結晶成長炉（ＭＯＣＶＤ装置）を用いて、アンモニア（ＮＨ３）ガス、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスを連続的に供給して窒化物半導体を成長させているのであるから、有機金属気相成長法を利用していることは明らかである。
　また、「ｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」の成長後、窒化物半導体系の積層構造５５を形成し、サファイア基板１側をラッピングし、ｎ型クラッド層の下面を露出させ、ｎ型クラッド層の露出した下面にｎ型電極１１を形成してから、ダイシングを行っている。
　一方、本件訂正明細書に記載された下地基板を除去する場合の実施例７においては、サファイア基板上の窓部を有する保護膜上にハライド気相成長法により本件訂正発明１のｎ型不純物を含有するＧａＮ基板である第２の窒化物半導体を形成し、その上に活性層等を形成した後、サファイア基板及び保護膜を除去し、露出した第２の窒化物半導体の下面にｎ電極を形成するものである。
　したがって、素子構造の機能として「ｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」は、本願訂正発明１の「ＧａＮ基板」としての機能をも有している。
　してみると、引用発明の「サファイア基板１の〜窒化物半導体の結晶成長技術を用いて形成した半導体レーザ素子において、キャリア注入により素子動作を行う領域をＳｉＯ２膜マスク４上に形成された領域であるホモエピタキシャル部上であって、ＳｉＯ２膜マスク４上における結晶の合体領域上部を避けて素子動作を行う領域が形成されるように、ＳｉＯ２膜マスク４上に形成されたホモエピタキシャル部（ＧａＮ層）にｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」と、本件訂正発明１の「ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」とは、「気相成長方法を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」の点で一致する。
　
ウ　また、引用発明の「ｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」は、上記結晶成長技術１を用いて製造しているので、欠陥密度は、キャリア注入により素子動作を行う領域で１０４〜１０５ｃｍ−２であり、窓部領域では、１０８〜１０１１ｃｍ−２、ＳｉＯ２膜マスク４上における結晶の合体領域では、１０６〜１０７ｃｍ−２程度であるが、窓部と合体部とのそれぞれのダイシングに際して、欠陥密度の高い領域が全て除去されているのか否かは不明である。
　よって、引用発明の「ｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」と、本件訂正発明１の「ｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」とは、結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である領域を少なくとも部分的に有している点で一致している。
エ　引用発明の「ｐ型電極１０」は、積層構造５５の最上層に形成されていることから、引用発明の「ｐ型電極１０」と本件訂正発明１の「リッジストライプ上に形成されたｐ電極」とは、「窒化物半導体層の上に形成されたｐ電極」である点で一致している。
　
 　よって、両者は、 
　「結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下の領域を少なくとも部分的に有している、気相成長方法を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板と、
　前記ＧａＮ基板の上に積層された、活性層を含む窒化物半導体層と、
　前記窒化物半導体層の上に形成されたｐ電極と、
　前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電極と、
　を備えた窒化物半導体素子。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　
＜相違点１＞
　本件訂正発明１の「ｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」は、「厚みが５０μｍ以上であり、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下であ」り、「ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成され」ているのに対して、引用発明の「ｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」は、厚みに関する特定がなされておらず、結晶欠陥の数については、キャリア注入により素子動作を行う領域では１０４〜１０５ｃｍ−２であるが、ダイシング領域近傍において、１０８〜１０１１ｃｍ−２、１０６〜１０７ｃｍ−２程度の領域が除去されているか否か不明であり、有機金属気相成長法を用いて形成されている点で相違する。
　
＜相違点２＞
　本件訂正発明１は、「厚みが５０μｍ以上であり、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下であ」る「ｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」を用いた窒化物半導体素子において、「窒化物半導体層に形成されたリッジストライプ」を有し、ｐ電極が、該リッジストライプ上に形成されているのに対して、引用発明は、p型クラッド層６５中に「キャリア注入領域を制限するｎ型のＧａＮ層６７」を有し、ｐ型電極１０は、p型クラッド層６５に積層されたｐ型ＧａＮのキャップ層６８の上に形成されている点で相違する。
　
　
（３）上記相違点１、２についての判断 
　ア　相違点１について 
（ア）本件訂正発明１は、「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である」が、ｎ型不純物を含有するＧａＮ基板の面方向に関して、結晶欠陥の数が、１×１０７個／ｃｍ２を超えるような結晶欠陥の偏在箇所を有していないものであることは、上記「（１）本件訂正発明１の技術的意義」で、摘示したように明らかである。
　一方、引用発明は、甲第１号証の摘記事項（甲１イ）にあるように、図６Ａの（２）において、「要は、キャリア注入により素子動作を行う領域をホモエピタキシャル部上に形成することであり、僅かの結晶欠陥にも性能が左右される素子においては、マスク４上における結晶の合体領域上部を避けて素子動作を行う領域を形成する図６Ａ（２）の構成を採用することが望ましい。」と記載されており、また、甲第１号証において例示された実施例１〜５、７〜１２、１４を示す、図７Ａ〜図１８Ｃには、いずれも活性層に絶縁膜マスク及び活性層の中央領域以外の中央領域近傍において結晶欠陥密度が１０８〜１０１１ｃｍ−２である絶縁膜マスク窓部をそれぞれ複数有しているか、或いは、上下２層でずれた絶縁膜マスク窓を設けていることが図示されている。
　しかも、図７Ｃに示される構造は、甲第１号証の２５頁下から６、５行に、「図７Ｃに示す構成では、発光活性層内における低欠陥密度で低光損失の中央領域にのみ電流を注入するリッジストライプ構造を有している」と記載されており、リッジストライプを形成する際にも、結晶欠陥密度が１０８〜１０１１ｃｍ−２である絶縁膜マスク窓部を残してもよいことが説明されている。
　してみると、図６Ａ（１）、（２）において、結晶欠陥密度が「１×１０７個／ｃｍ２」よりも大きい、目空き部４０（１０８〜１０１１ｃｍ−２、）及び合体部（１０６〜１０７ｃｍ−２程度）をダイシングする際に、それらの欠陥密度の大きい領域を積極的に全て除去すべき動機づけがない。
　
（イ）ハライド成長法の適用について
　引用発明は、選択成長を用いる発明であるが、本件訂正明細書に記載されている選択成長と欠陥の成長方向が異なっている。
　即ち、引用発明では、結晶欠陥が、窓部では、上方まで貫通欠陥として偏在し、１０８〜１０１１ｃｍ−２となっており、マスク方向には欠陥が伸びないために、１０４〜１０５ｃｍ−２の低欠陥密度となるのに対して、本件訂正明細書に記載されている選択成長では、窓部に形成された結晶欠陥が保護膜上に横方向に伸び、保護膜の両側の窓部双方から伸びた結晶欠陥が合体し、上方には伸びないために、結晶欠陥が偏在することがないものである。
　また、高速成長、厚膜成長等の要求から、有機金属成長法を単純にハライド成長法に変えること自体は、請求人主張のように周知の技術手法であるが、有機金属成長法を単純にハライド成長法に変えただけで結晶欠陥等の品質が同一とは必ずしもならない事も同様に周知の事項であり、結晶品質を向上させるために適宜前処理を行ったり、成長条件を変更することが通常行われている。
　ところで、引用発明の結晶欠陥の伸びる方向が特定された選択成長では、マスク上方に結晶欠陥が伸びないことから、有機金属成長法を単純にハイドライド成長法に変えることで、マスク上方において、有機金属成長法と同程度の低欠陥密度となるであろう事は予想されるものの、依然として、マスクの窓部から表面まで達する貫通欠陥が偏在することは避けられず、当該窓部では、直接下地基板からのヘテロエピタキシャル成長を行うのであるから、一般的によく知られている有機金属成長法を用いた場合よりも結晶欠陥が多くなると言うことを考慮すれば、窓部における結晶欠陥もよく知られた通常の範囲において増加する事が推測される。
　したがって、引用発明において、ハライド成長法を採用することが可能であったとしても、ハライド成長法によって、「厚みが５０μｍ以上であり、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である」、「ｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」を成長させることはできないことは明らかである。
　
（ウ）厚みを５０μｍ以上とすることについて
　上記「（１）本件訂正発明１の技術的意義について」で、摘示したように、厚みを５０μｍ以上とし、且つ結晶欠陥の偏在を極力少なくするようにすることは技術的意義を有しているものである。
　請求人主張のように、窒化ガリウム単結晶基板を異種基板上に形成し、窒化ガリウム単結晶基板上に、窒化物種半導体層を形成し、当該異種基板を除去して半導体素子とする際に、所定の加工強度を得るために膜厚とすることは、下記甲第６号証或いは甲第１２号証記載のように周知ではあるものの、厚膜成長に際して、膜厚を厚くすることにより結晶欠陥の偏在を減少させ、結晶欠陥の偏在を生じさせない選択成長を用いることを示す証拠は提示されておらず、また、甲第１号証には、引用発明における結晶欠陥の偏在領域を、膜厚を厚くすることでこれを減少させることについては説明されていない。
　
　さらに、厚膜による反りの課題解決をはかりながら低欠陥領域とキャリア注入領域とを一致させる具体的な方法を示した証拠は、提示されておらず、また、周知技術であるとも言えない。
　例えば、甲第６号証には、メサ型形状（リッジストライプに相当）のｐ型クラッド層を有する素子の製造方法として、下地異種基板となる半導体単結晶基板に、ＭＯＣＶＤにより５０〜２００μｍの窒化ガリウム系半導体を成長させ、活性層等を形成する前に半導体単結晶基板を除去することが記載され、甲第１２号証には、結晶基板上に窒化ガリウムの単結晶をエピタキシャル成長させた後、成長層を結晶基板から剥離して厚膜の窒化ガリウムを得る際に、窒化ガリウム単結晶の厚さが１００μｍに満たないと、強度が不足して剥離させる際に崩れてしまい、厚さが２００μｍ以上であれば、発光素子製作のプロセスで割れ難いことから、厚膜の窒化ガリウム単結晶として、１００μｍ以上のものを得ることが必要であり、その際、膜成長速度が、ＭＯＣＶＤ法に比べ格段に速いハイドライドＶＰＥ法を用いる事が記載されているものの、何れも、結晶欠陥の偏在を生じさせない選択成長を用いること、及び、反りの課題解決をはかりながら低欠陥領域とキャリア注入領域とを一致させる手順について記載されていない。
　
　一方、本件訂正明細書の実施例１においては、下地基板を有し、第２の窒化物半導体層４を３０μｍ成長させた場合について、
「【００３１】
（第２の窒化物半導体層４）
  保護膜３形成後、・・・第２の窒化物半導体層４を３０μｍの膜厚で成長させる。成長後、第２の窒化物半導体層を断面ＴＥＭにより観察すると、第１の窒化物半導体層の界面からおよそ５μｍ程度までの領域は結晶欠陥の数が多く（１０８個／ｃｍ２以上）、５μｍよりも上の領域では結晶欠陥が少なく（１０６個／ｃｍ２以下）、十分に窒化物半導体基板として使用できるものであった。また成長後の表面は、保護膜上部にはほとんど結晶欠陥が見られず、
窓部上部（ストライプ中央部）にはやや結晶欠陥が表出する傾向があるが、従来の方法（Ｖ／III比が２０００より大）に比べて結晶欠陥の数は２桁以上少ない
「【００４３】
  ・・・重要なことはリッジストライプを形成する場合、図８に示すように
リッジストライプ位置を結晶欠陥がやや現れ易い傾向を有するストライプ状の窓部中央部を避ける位置とする
としている一方、実施例２において、膜厚を１０μｍとした場合
「【００５１】
［実施例２］
  実施例１において、第２の窒化物半導体を成長させる際、その膜厚を１０μｍとする他は同様にしてレーザ素子を作製したところ、
第２の窒化物半導体層の表面に現れる結晶欠陥の数は実施例１に比較して１桁ほど多い傾向
としており、下地基板を有して膜厚が３０μｍ程度以下の場合、
窓部上部（ストライプ中央部）にはやや結晶欠陥が表出する傾向がある
　
　したがって、単に加工に対する強度を得るという点で、膜厚を厚くすること自体が周知であったとしても、本件訂正発明１においては、製造工程時における反りの課題を解決するためのリッジストライプ形成前の基板及び保護膜除去への対処のために、膜厚を厚くすることにより、結晶欠陥の偏在を極力抑える事で、保護膜及び窓の位置にかかわらず信頼性のおける素子を得られるとの効果を有していることは明らかであり、引用発明において膜厚を厚くしても結晶欠陥の偏在を抑えることができないのであるから、リッジストライプを有して下地基板を除去する素子構造として且つ膜厚を５０μｍ以上とすることが容易に想到し得たとはいえない。
　
（エ）ところで、請求人は、上記上申書において、甲第９号証の「その構成により何らかの技術的意義があると認めることができないときには、実質的な相違点とはならない」及び甲第１０号証の「本件発明の構成が、他の発明と比校して格別の作用効果を奏する発明の特定事項ではない場合には、このような構成については、取り立てて本件発明の進歩性判断の要素とするのは相当でない」との判例を示し、「本件発明１において、半導体素子の機能に関係しない領域について結晶欠陥の数を１×１０７個／cｍ２以下とすることが、引用発明と比較して格別の作用効果を奏する発明の特定事項ではない・・・本件発明１と引用発明とはともに、半導体素子の機能に関係する領域について、結晶欠陥の数を１×１０７個／ｃｍ２以下としているのであるから、本件発明１に、発明の進歩性が認められるべきものではない」と主張しているが、上記「（１）ア〜カ」で摘示したように、本件訂正発明１において、素子領域以外の結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下とする事は技術的な意味を有しているものである。
　また、仮に、請求人が主張しているように、下地基板の除去及び素子単体へのスクライビング等の加工上の点から基板強度を得るために引用発明において「ｎ型の不純物をドープしたｎ型クラッド層６２」を５０μｍ以上の厚みとし、さらに半導体光素子の効果を高めるために周知のリッジストライプ構造を採用し得たとしても、下地基板が除去される素子構造においてリッジストライプを形成する場合の具体的な製造方法が、甲第１号証には記載されていないこと、甲第１号証の図６Ａ（１）、（２）、図６Ｂの例及び実施例１〜５、７〜１２、１４においては、キャリア注入により素子動作を行う領域で１０４〜１０５ｃｍ−２の低欠陥密度領域を対応させなければならず、低欠陥密度で低損失の中央領域であるマスク領域を正確に知る必要があることは明らかであること、加えて、甲第１号証には、本件訂正明細書に記載されている厚膜を形成する際に生じる反り発生の問題点（上記（１）イ（イ））について何ら認識しておらず、図６Ｂの素子構造を形成する際には、「
単体の素子に切り出す前に基板１側をラッピングし、
　これに対し、本件訂正発明１の「厚みが５０μｍ以上であり、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」との発明特定事項により、本件訂正発明１は、上記（１）ア〜カで検討したように、本件訂正明細書に記載された結晶欠陥を偏在させない方法によってのみ形成されるものであり、これにより、厚膜による反りに対する課題解決等を図ることができるという引用発明には見出せない効果を有しているものである。
　
（オ）甲第１号証以外の甲号証について
　　甲第２号証には、サファイア基板上でのＳｉＯ２マスクを用いたハイドライド気相成長エピタキシー（ＨＶＰＥ）選択成長によって、６×１０７ｃｍ-２の低転位密度のＧａＮ層を得ることが記載されているが、結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下ではなく、また、結晶欠陥が偏在しているか否か明確な記載はないもの、本件訂正明細書において、結晶欠陥が偏在する従来例として挙げられている窓部における三角形状（屋根状）であるファセットが形成される成長方法を用いているものであるから、「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域で結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である」か不明である。
　また、その他の甲号証の何れにも、「厚みが５０μｍ以上であり、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」及び結晶欠陥の偏在を生じさせない選択成長にハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて下地異種基板を有しない厚み５０μｍ以上のｎ型不純物を含有するＧａＮ基板の製造方法の何れについても、記載も示唆もされていない。
　
　したがって、甲第１号証に記載された引用発明において、甲第２号証〜甲第１２号証の何れの甲号証を参酌しても、上記相違点１に係る本件訂正発明１の発明特定事項の構成を当業者が容易に想到し得たとはいえない。
　
　
　イ　相違点２について 
　リッジストライプの採用に関して、甲第１号証の１３頁９〜１５行には、「本発明の半導体光素子の効果を高めるにあたり、以下に述べる導波路構造の採用は有効である。公知の導波路構造として、電流狭窄層によって利得が得られる発光活性層の領域を制限した利得導波型構造と、リッジストライプ構造や・・・等のストライプ構造によって発光活性層の横方向に屈折率差を設けた屈折率導波型構造がある。とりわけ、屈折率導波型構造は横モードを基本として安定に導波できるので、低閾値高効率動作には非常に有効である。」と記載され、電流狭窄層を用いた利得導波型構造とリッジストライプ構造等のストライプ構造を用いた屈折率導波型構造とが、半導体光素子の効果を高める構造として同列に説明されているとともに、後者が低閾値高効率動作には非常に有効である事も記載され、リッジストライプ構造自体は、請求人が主張するように周知である。
　しかしながら、甲第１号証に記載されている全てのリッジストライプ構造を有している実施例において、基板及びマスクを除去した例は無く、基板及びマスクを除去せずにマスク及び目空き部（窓）を複数設けた例のみが示されているにすぎない。
　また、一般的なリッジストライプ構造自体にも種々のものがあり、例えば、甲第４号証には、リッジを形成したクラッド層が電流狭窄層に挟まれた構造を内部に設けたものが例示され、甲第６号証の図３には、最上層のｐ型クラッド層をエッチングによりメサ形状とし、電流狭窄層を設けてはいないものが例示されているが、甲第１号証以外の甲号証において、リッジストライプを有する素子を形成する際に、選択成長を用いることは記載されていない。
　してみると、甲第１号証の図６Ａ、Ｂに記載された素子構造において、リッジストライプ構造を採用しようと考えること自体は容易かも知れないが、リッジストライプを採用する際に、具体的なマスクの大きさ及び窓部の大きさ等をどの様に設定するのか、また、上記「ア　相違点１について」で検討したように、厚膜とした場合の反りの問題解決の際におけるリッジストライプとマスクとの対応関係をどの様に図るのか他の甲号証を参酌してもこれを特定することはできない。
　
　したがって、信頼性をあげ、満足できる寿命を有した素子を増やした窒化物半導体素子として、窒化物半導体層にリッジストライプを形成しようとする際に、「厚みが５０μｍ以上であり、少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下であ」る「ｎ型不純物を含有するＧａＮ基板」とすることが容易であるとは言えない。
　
　したがって、甲第１号証に記載された引用発明において、甲第２号証〜甲第１２号証の何れの甲号証を参酌しても、上記相違点２に係る本件訂正発明１の発明特定事項の構成を当業者が容易に想到し得たとはいえない。
 
ウ　まとめ
　したがって、上記相違点１、２の検討に依れば、本件訂正発明１は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証ないし甲第８号証、甲第１１号証ないし甲第１２号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　 
　
　なお、被請求人は、当初、本件審判請求外の裁判事件における準備書面を乙第４号証として提出し、甲第１号証の「結晶成長技術２」を用いた準備書面の主張と本件無効審判における請求の理由とが同様の主張であるとの前提で反論を行っていた。
　本件請求人は請求の理由として、当初、甲第１号証において成長方法の異なる「結晶成長技術１」及び「結晶成長技術２」を同列に扱い、製造方法に係わらない「物」の発明を認定しながら、ハライド気相成長法の採用が容易であると言う特定の製造方法との関係を主張していたため、議論に混乱が生じていた。そのため、改めて、本願発明と引用発明との関係を、製造方法によって特定される物の発明として対比すべく、上申書により請求の理由を整理した経緯がある。
　上記裁判事件の準備書面である上記乙第４号証の１６頁「第４．１．（１）」には、明確に甲第１号証の「結晶成長技術２」を用いることが主張されており、一方、本件審判請求において最終的に整理された請求の理由では、「結晶成長技術１」を用いた主張となっていることから、両主張に差違があることは明白であるが、本件審判請求についても、「結晶成長技術」に関する主張について当初混乱が生じていたことから、「結晶成長技術２」の点についても、以下、付言する。
　  
　「結晶成長技術２」自体は、原料として有機金属を用いているものの、窓部を設けた選択成長ではなく、絶縁膜としての非晶質のＳｉＯ２膜上のみにＧａＮ膜の成長のための核となるＧａ原子を、核形成位置のみにＧａ原子の液滴からなる核を形成し、その後、核形成位置を中心にＧａＮ結晶の成長を行うものであり、下地基板の結晶性を利用するエピタキシャル成長ではない特殊な成長原理によるものである。
　そして、周知の有機金属気相成長法は、下地基板の結晶性を利用したエピタキシャル成長であり、上記結晶成長技術２のような特殊な成長原理のものが有機金属気相成長法として周知であるとは言えない。
　したがって、周知の有機金属気相成長法を前提とし、有機金属気相成長法に代えてハライド法を採用することが周知であるとの転用手法を、上記結晶成長技術２に適用することが容易であるとは言えない。
　
　
４　本件訂正発明２および３について 
（１）本件訂正発明２は、上記「１　本件訂正発明１〜３」で認定したように、上記「第３　本件発明」で認定した訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載されたとおりのものである。
　そうすると、上記「３（３）上記相違点１、２についての判断」のように、本件訂正発明１が、甲第１号証に記載された発明及び各甲号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができないのであるから、本件訂正発明１の発明特定事項を全て含み、ＧａＮ基板の結晶欠陥の数を更に「結晶欠陥が１×１０６個／ｃｍ２以下の領域を有する」と限定したものに相当する本件訂正発明２もまた、甲第１号証に記載された発明及び各甲号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
（２）本件訂正発明３は、上記「１　本件訂正発明１〜３」で認定したように、上記「第３　本件発明」で認定した訂正明細書の特許請求の範囲の請求項３に記載されたとおりのものである。
　そうすると、上記「３（３）上記相違点１、２についての判断」のように、本件訂正発明１が、甲第１号証に記載された発明及び各甲号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができないのであるから、本件訂正発明１の発明特定事項を全て含み、更に「窒化物半導体層にはｎ側クラッド層、活性層、ｐ側クラッド層が順に積層されており、該ｐ側クラッド層には前記リッジストライプが形成されている」と限定したものに相当する本件訂正発明３もまた、甲第１号証に記載された発明及び各甲号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
 　 
第７　むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件訂正請求によって訂正された請求項１〜３に係る発明の特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用は、特許法１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものである。 
 　よって、結論の通り審決する。