【事件の表示】
　特許第３４２６２５５号「アクティブマトリクス基板」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４２６２５５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本件特許第３４２６２５５号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平３−９２１２１号）　　　　平成　３年　４月２３日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　５月　９日
　特許異議申立（特許異議申立人：日本電気株式会社）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年１２月２６日
　取消理由通知　　　　　　　　　　（起案日）平成１６年１０月１９日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　平成１６年１２月２２日
　
　
第２　訂正の適否についての判断
　
１．訂正事項について
　
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の「【請求項１】　絶縁基板上に形成され前記絶縁基板よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」を、
「【請求項１】　絶縁基板上に形成され前記絶縁基板よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」と訂正する。
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の「【請求項２】　絶縁基板上に形成された絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」を、
「【請求項２】　絶縁基板上に形成された絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」と訂正する。
　
（３）訂正事項３
　０００７段落の「本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁基板上に形成され前記絶縁基板よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備えることを特徴とする。
　また、本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁基板上に形成された絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備えることを特徴とする。」を、
　「本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁基板上に形成され前記絶縁基板よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであることを特徴とする。
　また、本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁基板上に形成された絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであることを特徴とする。」と訂正する。
　
２．訂正の内容
　
（１）訂正事項１
　訂正事項１は、「水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタ」を「ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタ」と訂正すること（訂正事項１−１）と、「備る」を「備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものである」と訂正すること（訂正事項１−２）とに区分できる。
　
（２）訂正事項２
　訂正事項２は、「水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタ」を「ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタ」と訂正すること（訂正事項２−１）と、「備る」を「備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものである」と訂正すること（訂正事項２−２）とに区分できる。
　
（３）訂正事項３
　訂正事項３は、２箇所ある「水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタ」をそれぞれ「ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタ」と訂正すること（訂正事項３−１）と、２箇所ある「備る」をそれぞれ「備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものである」と訂正すること（訂正事項３−２）とに区分できる。
　
３．訂正の目的の適否、新規事項及び拡張・変更の有無について
　
（１）訂正事項１−１、訂正事項２−１について
　これらの訂正事項は、「薄膜トランジスタ」の構成を限定するものであって、「薄膜トランジスタ」が「ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し」ていることは、特許明細書の００１１段落及び図面の図２に記載されている。
　よって、これらの訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものである。
　さらに、これらの訂正事項は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではない。
　
（２）訂正事項１−２、訂正事項２−２について
　これらの訂正事項は、「熱伝導層」について「前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものである」ことを限定するものであって、「熱伝導層」が「前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている」ものであることは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１及び請求項２の「前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタ」という記載から明らかであるとともに、この「熱伝導層」が「前記薄膜トランジスタの熱を放散するものである」ことは、特許明細書の００１４段落に「熱伝導層に金属のクロム（Ｃｒ）を用い、これが絶縁膜を介して薄膜トランジスタのシリコン薄膜に発した熱を放散する構造になっている」と明確に記載されている。
　よって、これらの訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものである。
　さらに、これらの訂正事項は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではない。
　
（３）訂正事項３−１、訂正事項３−２について
　訂正事項３−１は訂正事項１−１及び訂正事項２−１に整合させて、また、訂正事項３−２は訂正事項１−２及び訂正事項２−２に整合させて、それぞれ、発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものである。
　さらに、これらの訂正事項は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は、変更するものではない。
　
４．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
第３　特許異議申立について
　
１．特許異議申立の概要
　特許異議申立人日本電気株式会社は、証拠として本件出願前に頒布された刊行物である、
　　１）甲第１号証　　特開昭６３−１４２８５１号公報
　　２）甲第２号証　　特開昭５８−２０４５７０号公報
　　３）甲第３号証　　特開昭５８−１４２５６６号公報
　　４）甲第４号証　　特開昭５９−２０４２７５号公報
　　５）甲第５号証　　特開昭６４−６１０６２号公報
　　６）甲第６号証　　特開平２−３０４５３２号公報
　　７）甲第７号証　　特開平３−８４９６３号公報
　　８）甲第８号証　　特開昭６２−９８７７４号公報
　　９）甲第９号証　　特開平２−５５６７号公報
　１０）甲第１０号証　Journal of Non-Crystalline Solids, Vol.115, 1989, p.147-149
を提出し、
　本件請求項１及び請求項３に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１及び請求項３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（異議理由１）、
　本件請求項１及び請求項３に係る発明は、甲第２号証、甲第４号証及び甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１及び請求項３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（異議理由２）、　
　本件請求項２及び請求項３に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証及び甲第９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項２及び請求項３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（異議理由３）、
　本件請求項２及び請求項３に係る発明は、甲第２号証、甲第４号証、甲第６号証及び甲第９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項２及び請求項３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（異議理由４）、
　本件特許明細書の記載が不備であるから、本件請求項１ないし請求項３に係る発明についての特許は、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものである（異議理由５）
と主張している。
　
２．取消理由通知の概要
　当審で通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
「１）本件特許の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２）本件特許は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項、第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない。
　
 　　　　　　　　　　　　　　 　記
　
刊行物１．特開昭６３−１４２８５１号公報（申立人の提出した甲第１号証）
刊行物２．特開昭５８−２０４５７０号公報（申立人の提出した甲第２号証）
刊行物３．特開昭５８−１４２５６６号公報（申立人の提出した甲第３号証）
刊行物４．特開昭５９−２０４２７５号公報（申立人の提出した甲第４号証）
刊行物５．特開昭６４−６１０６２号公報（申立人の提出した甲第５号証）刊行物６．特開平２−３０４５３２号公報（申立人の提出した甲第６号証）刊行物７．特開平３−８４９６３号公報（申立人の提出した甲第７号証）
刊行物８．特開昭６２−９８７７４号公報（申立人の提出した甲第８号証）
刊行物９．特開平２−５５６７号公報（申立人の提出した甲第９号証）
刊行物１０．Journal of Non-Crystalline Solids, Vol.115, 1989 p.147-149（申立人の提出した甲第１０号証）
　
・理由１
・請求項１〜３
・刊行物１〜１０
・備考
　刊行物１〜１０には、特許異議申立書第７頁第６行〜第８頁第３１行に記載された発明が記載されている（ただし、「甲第１〜１０号証」はそれぞれ「刊行物１〜１０」と読み替える）。
　そして、特許異議申立書第８頁第３２行〜第１１頁第２７行に記載された理由（ただし、「甲第１〜１０号証」はそれぞれ「刊行物１〜１０」と読み替える）により、本件請求項１ないし３に係る発明は、上記刊行物１〜１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
・理由２
・請求項１〜３
　特許異議申立書第６頁第２６行〜第７頁第５行に記載された理由を参照のこと。 」
　
３．刊行物記載事項
　
（１）刊行物１．特開昭６３−１４２８５１号公報（申立人の提出した甲第１号証）
　刊行物１には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。
「ガラス基板上に、導電性膜が設けられ、前記導電性膜の上に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の上に薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
「第１図は本発明の第１の実施例における、Ｃ−ＭＯＳ回路の模式的断面図を示すものである。
　第１図において、１は例えば、石英ガラスのようなガラス基板、２は例えば、不純物を拡散したポリシリコンや、モリブデン・シリサイド、またはタングステン・シリサイドのような高融点金属などを用いた、導電性膜、３は例えばＳｉＯ２を用い膜厚は１μｍ以下である絶縁膜、４はｎ−ｃｈトランジスタ、５はｐ−ｃｈトランジスタ、６はチャネル領域、７はゲート電極を示すものである。
　以上のように構成された、ガラス基板１上の、Ｃ−ＭＯＳ回路について、以下に説明する。
　導電性膜２の電位をグランドレベルに接地すれば、導電性膜２と、チャネル領域６とは、絶縁膜３をかいして大きな容量を持つ、そのため、特に周波数の高いパルスの変調によるチャネル領域６の電位変化は抑制され、従来問題になった、Ｃ−ＭＯＳ回路の誤動作は防止できる。
　また、本発明では、導電性膜２をポリシリコンや高融点金属材料を用いたこと、さらに絶縁体３にはＳｉＯ２を用いたことにより、耐熱性がすぐれている。」（第２頁左上欄第１０行〜同頁右上欄第１１行）
　
（２）刊行物２．特開昭５８−２０４５７０号公報（申立人の提出した甲第２号証）
　刊行物２には、第３図ないし第５図とともに、以下の事項が記載されている。
「第３図〜第５図に例を挙げ、以下に本発明について説明する。
　第３図に示すように絶縁基板１１の上にＰ型多結晶シリコン基板１２を形成し、エッチング分離したその上に熱酸化膜１３を形成する。そして、その上に多結晶シリコンをデポジットしてＮ＋拡散をした後、レジスト１５をマスクに多結晶シリコンをエッチングしてゲート電極１４を形成する。そして、レジスト１５が形成されているその上から１×１０１５／ｃｍ３以上の高濃度のリンイオンを打込んでＮ型のソース・ドレイン拡散層を形成する。さらに第４図に示すようにレジスト１５をマスクにゲート電極をオーバエッチングする。そして、第１５図に示すように、レジスト１５を剥離して、ゲート電極１４をマスクに５×１０１２／ｃｍ３〜５×１０１４／ｃｍ３と比較的低濃度の打込みをして、ソース・ドレイン拡散層１７を形成する。」（第２頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第１３行）（なお、「第１５図」は「第５図」の誤記である。）
　
（３）刊行物３．特開昭５８−１４２５６６号公報（申立人の提出した甲第３号証）
　刊行物３には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。
「第１図は、本発明の構造を持つＭＯＳ型薄膜トランジスタの断面図である。高濃度Ｎ型拡散層１，２と薄膜基体３の間にゲート配線４に自己整合して低濃度のＮ型拡散層５，６を形成する。」（第１頁右下欄第１２行〜第１５行）
　
（４）刊行物４．特開昭５９−２０４２７５号公報（申立人の提出した甲第４号証）
　刊行物４には、第４図とともに、以下の事項が記載されている。
「第４図（ａ）〜（ｅ）は、本発明による薄膜トランジスタの製造方法の１例を示す図である。まず第４図（ａ）のように、絶縁基板１８上にシリコン薄膜１９を形成する。次に第４図（ｂ）のように、ゲート絶縁膜２０，ゲート電極２１を形成した後に、ソース領域２２及びドレイン領域２３を形成する。次に第４図（ｃ）のように、層間絶縁膜２４を堆積させる。以上の製造方法は従来と同様である。次に第４図（ｄ）のように水素もしくは水素と窒素を主成分とする雰囲気中でプラズマ処理を施す。２５は発生した水素のプラズマを示している。後に示すように、このプラズマ処理により薄膜トランジスタの特性、特にＯＮ電流は大幅に改善される。」（第３頁左上欄第７行〜第１９行）
「本発明によりこのように特性が大幅に改善される理由は以下の通りである。一般にシリコン薄膜は単結晶薄膜として形成することは不可能であり、多結晶状態あるいは非晶質状態となっている。このため、シリコン原子の配列に多くの不規則性を有し、この結果、多数の不対結合手（ダングリングボンド）を含有している。このようなダングリングボンドはシリコンの禁止帯中に準位を作り、キヤリアをトラツプする作用を有するばかりでなく、帯電することにより空間電荷を形成する。すなわち、キヤリアのトラツプによりキヤリアの易動度は低下し、また空間電荷を形成することによりＶｔｈは上昇する。本発明のプラズマ処理は、かかるダングリングボンドを水素原子で埋めることにより、ダングリングボンドの密度を低減させるものである。その結果、易動度は増大し、Ｖｔｈは低下し、極めて大きいＯＮ電流を有する薄膜トランジスタが実現される。」（第３頁左下欄第８行〜同頁右下欄第５行）
　
（５）刊行物５．特開昭６４−６１０６２号公報（申立人の提出した甲第５号証）
　刊行物５には、以下の事項が記載されている。
「ところで一般に、ポリシリコン（多結晶シリコン）を用いたＭＯＳ型薄膜トランジスタにおいては、ポリシリコン結晶粒界でダングリングボンドや結晶格子の乱れによるトラップ準位が存在するためキャリアの捕獲が起こり粒界に沿って障壁ポテンシャルが形成されて、キャリア移動度が低下してしまうという欠陥を有している。
　こうした欠陥を解消する対策としては、通常、ポリシリコン結晶粒界に水素原子を水素プラズマによって導入し、結晶格子の乱れを正しダングリングボンドの密度を低減させ、前記トラップ準位を小さくして、キャリア移動度を向上させる手段が採用されている。」（第１頁右下欄第７行〜第１９行）
　
（６）刊行物６．特開平２−３０４５３２号公報（申立人の提出した甲第６号証）
　刊行物６には、第１図及び第５図とともに、以下の事項が記載されている。
「第１図の本発明液晶表示装置に用いるＴＦＴを製造工程に従って、以下に説明する。
　まず、ガラス基板上に透明な表示電極１[材料は例えばＩＴＯ］を形成しパターニングし、続いて第１ゲート電極２[ニッケル、クロム、金クロム二層、等]が延在した走査配線（第５図のＧ）を形成しパターニングする。そしてさらにコンタクト金属３[クロム、チタン等]を設ける。
　その後、第１ゲート絶縁膜４[ＳｉＮｘ等]とａ−Ｓｉ膜５そしてｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をプラズマＣＶＤ法などで連続形成する。次に、ａ−Ｓｉ膜５とｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をそれぞれ所望のパターンによってエッチングしてＴＦＴ領域に島状構造として残存させる。
　さらにドレイン、ソース両電極７、８[アルミニウム、クロム等]をパターニング形成した後、ＴＦＴのチャネル部に露出したｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をエッチング除去する。・・・
　以上の工程に続き、第２ゲート絶縁膜９[ＳｉＮｘ等]、第２ゲート電極１０[アルミニウム、クロム等]を形成してアクテブマトリクス基板のデュアルゲートＴＦＴを得る。」（第３頁左下欄第８行〜同頁右下欄第１６行）
　
（７）刊行物７．特開平３−８４９６３号公報（申立人の提出した甲第７号証）
　刊行物７には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。
「このデュアルゲート薄膜トランジスタの構成を説明すると、第１図において、図中１１はガラス等からなる絶縁性基板、Ｇ１１は上記基板１１上に形成された第１のゲート電極、１２は上記第１のゲート電極Ｇ１１の上に基板１１全面にわたって形成された窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第１のゲート絶縁膜、１３ａは上記第１のゲート絶縁膜１２の上に前記第１のゲート電極Ｇ１１と対向させて形成されたｉ−ａ−Ｓｉ（ｉ型アモルファス・シリコン）からなる第１のｉ型半導体層、Ｓ，Ｄは上記第１のｉ型半導体層１３ａの上にｎ＋−ａ−Ｓｉ（ｎ型不純物をドープしたアモルファス・シリコン）からなるｎ型半導体層１４ａを介して形成されたソース，ドレイン電極であり、これらによって第１の薄膜トランジスタ（逆スタガー型薄膜トランジスタ）が構成されている。
　また、１３ｂは前記ソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄおよび前記第１のｉ型半導体層１３ａのソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄ間の部分の上に形成されたｉ−ａ−Ｓｉからなる第２のｉ型半導体層、Ｇ１２は上記第２のｉ型半導体層１４ｂの上に窒化シリコンからなる第２のゲート絶縁膜１５を介して形成された第２のゲート電極であり、この第２のゲート電極Ｇ１２と第２のゲート絶縁膜１５と第２のｉ型半導体層１４ｂおよび前記第１の薄膜トランジスタのソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄとによって第２の薄膜トランジスタ（スタガー型薄膜トランジスタ）が構成されている。」（第３頁左上欄第１６行〜同頁左下欄第３行）    
　
（８）刊行物８．特開昭６２−９８７７４号公報（申立人の提出した甲第８号証）
　刊行物８には、第４図とともに、以下の事項が記載されている。
「第４図は、デュアルゲート電極２の外に、結晶化されたシリコン４ａの活性層上にも絶縁膜９を介してもう１つのゲート電極膜１０が設けられており、下のデュアルゲート電極２をバックゲートに使用したＪＦＥＴ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を示したものである。」（第３頁左上欄第１３行〜第１８行）
　
（９）刊行物９．特開平２−５５６７号公報（申立人の提出した甲第９号証）
　刊行物９には、以下の事項が記載されている。
「１．絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、絶縁基板と薄膜トランジスタ部との間に絶縁膜が介在されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲）
　
（１０）刊行物１０．Journal of Non-Crystalline Solids, Vol.115, 1989 p.147-149（申立人の提出した甲第１０号証）
　刊行物１０には、Ｆｉｇ．２（ａ）とともに、第１４８頁左欄第１１行〜第３１行の記載を参照すると、ボロンシリケートガラス基板上にＳｉＯｘ膜を介してコプラナー型のＴＦＴを形成することが記載されている。　
　
４．本件発明
　上記第２　４．で示したように上記訂正は認められるから、本件請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」、「本件発明２」及び「本件発明３」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりの次のものである。
「【請求項１】　絶縁基板上に形成され前記絶縁基板よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】　絶縁基板上に形成された絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入されたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタとを備え、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項３】　前記熱伝導層は約２０００オングストロームのクロム層を形成していることを特徴とする請求項１または請求項２記載のアクティブマトリクス基板。」
　
５．対比・判断（異議理由１ないし４について）
　
（１）本件発明１について
　刊行物１には、「ガラス基板上に、不純物を拡散したポリシリコンや、モリブデン・シリサイド、またはタングステン・シリサイドのような高融点金属などを用いた導電性膜が設けられ、前記導電性膜の上に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の上に薄膜トランジスタが設けられ、前記導電性膜の電位をグランドレベルに接地したことを特徴とする半導体装置。」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　刊行物１発明の「導電性膜」は、「基板」と「薄膜トランジスタ」との間に形成されたものであり、また、刊行物１の第１図も参照すれば、複数の薄膜トランジスタの領域にわたって形成された上で、「電位をグランドレベルに接地した」ものであるので、接地配線層としての機能を有するものであることは明らかであるから、本件発明１の「配線層」に相当する。
　しかし、刊行物１発明の「導電性膜」の材質は、「不純物を拡散したポリシリコンや、モリブデン・シリサイド、またはタングステン・シリサイドのような高融点金属など」であり、この「高融点金属」が、高融点金属そのものではなく、モリブデンまたはタングステンのような高融点金属のシリサイドを意味していることは明らかであるから、本件発明１の「配線層」の材質である「金属」ではない。
　そして、本件発明１は「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層」を備えること、すなわち、「配線層」が「金属」でなり、「熱伝導層」を兼ねるものとすることにより、「薄膜トランジスタの熱を放散する」という作用効果を奏するものであるが、刊行物１には、「導電性膜」の材質を、熱伝導層としての機能を持たせるために金属とすることについては、記載も示唆もされていない。
　刊行物２及び刊行物３には、ソース、ドレイン拡散層が低濃度拡散層と高濃度拡散層とで構成された、いわゆるＬＤＤ構造の薄膜トランジスタが記載されているが、本件発明１の「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層」を有することは、記載も示唆もされていない。
　刊行物４及び刊行物５には、水素プラズマ処理でシリコン中に水素が注入された薄膜トランジスタが記載されているが、本件発明１の「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層」を有することは、記載も示唆もされていない。
　
　刊行物６には、「ガラス基板上に形成され、クロムからなる第１ゲート電極が延在した走査配線と、前記走査配線が形成されたガラス基板上に形成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜上のＴＦＴ領域に島状構造に形成されたａ−Ｓｉ膜と、前記ａ−Ｓｉ膜上にｎ＋ａ−Ｓｉ膜を介して形成されたドレイン、ソース両電極と、前記ドレイン、ソース両電極が形成された前記ａ−Ｓｉ膜上に形成された第２ゲート絶縁膜と、前記第２ゲート絶縁膜上に形成された第２ゲート電極とからなる、アクテブマトリクス基板のデュアルゲートＴＦＴ。」（以下、「刊行物６発明」という。）が記載されているが、刊行物６発明の「クロムからなる第１ゲート電極が延在した走査配線」はゲート電極としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の一部を構成するものであって、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と絶縁膜を介して形成された配線ではないから、刊行物６発明は、本件発明１の「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し」た「薄膜トランジスタ」の構成を備えておらず、刊行物６には、本件発明１の「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層」を有することについては、記載も示唆もされていない。
　また、刊行物７及び刊行物８にも、刊行物６と同様の、半導体層の上下にそれぞれゲート電極を備えたデュアルゲート型薄膜トランジスタが記載されているが、これらの刊行物に記載された発明も、本件発明１の「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し」た「薄膜トランジスタ」の構成を備えるものではなく、刊行物７及び刊行物８には、本件発明１の「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層」を有することは、記載も示唆もされていない。
　
　そして、刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、本件発明１は、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の構成において、さらに「絶縁基板」と「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層」との間に「絶縁膜」を形成したものに相当するが、本件発明１の構成に相当する部分が、刊行物１ないし８に記載された発明から、当業者が容易に想起し得たものでないことは、上記「（１）本件発明１について」に示したとおりである。
　また、刊行物９及び刊行物１０には、絶縁基板上に絶縁膜を介して薄膜トランジスタを形成することが記載されているが、本件発明２の「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層」を備えることは、記載も示唆もされていない。
　よって、刊行物１ないし１０に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、本件発明２は、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１又は本件発明２の構成を、「金属でなる熱伝導層」は「約２０００オングストロームのクロム層を形成していること」で限定するものであるから、刊行物１ないし１０に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、本件発明３は、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
６．異議理由５について
　特許異議申立人日本電気株式会社は、「本件発明の請求項１及び請求項２の特徴事項である「配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層」は、本件明細書では、どのように配線を作成して接続するのか、どのように配線構成すると通常の構造以上に有効に作用するかがが全く不明瞭である。」（特許異議申立書第６頁第３４行〜第７頁第１行）と主張しているが、本件発明１ないし本件発明３における「配線層」をどのように作成して接続するかは、当業者が任意に設定しうる設計的事項であり、その設計条件に、薄膜トランジスタの熱を放散することができる「熱伝導層」としてのパターンと厚み等の熱伝導性に関する要件を加えれば足りるものである。
　よって、本件特許明細書は、当業者がその発明を容易に実施することができる程度に記載されているものと認められるから、特許法第３６条第４項の規定に違反するものではない。
　
７．特許異議申立についての判断の結び
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び取消理由によっては本件特許の請求項１ないし３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の請求項１ないし３に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件特許の請求項１ないし３に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおりに決定する。
【異議決定日】
平成１７年５月３０日（２００５．５．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
アクティブマトリクス基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁基板上に形成され前記絶縁基板よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、
ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、
、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであ
　【請求項２】　絶縁基板上に形成された絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、
ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、
、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであ
　【請求項３】　前記熱伝導層は約２０００オングストロームのクロム層を形成していることを特徴とする請求項１または請求項２記載のアクティブマトリクス基板。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は液晶表示体に用いられる薄膜トランジスタの構造に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の薄膜トランジスタは、例えば「１９８９年Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　（ＩＥＤＭ）Ｔｅｃｈ−ｎｉｃａｌ　Ｄｉｇｅｓｔ，ｐ．ｐ．１５７−１６０，Ｈ．Ｏｈｓｈｉｍａｅｔ．ａｌ．」にあるように、基本的には図１のような構造をしており、絶縁基板１０１あるいは絶縁膜上にドレイン電極１０２、ソース電極１０３、チャネル領域１０４からなるシリコン薄膜１０５とシリコン薄膜１０５を覆うゲート絶縁膜１０６、ゲート絶縁膜１０６を介してチャネル領域１０４と対向するゲート電極１０７、これらを覆う層間絶縁膜１０８、そしてゲート絶縁膜１０６と層間絶縁膜１０８に開けたコンタクトホールでシリコン薄膜１０５のドレイン電極１０２とソース電極１０３にそれぞれつながるドレイン電極配線１０９とソース電極配線１１０からなる。
　【０００３】
　このような薄膜トランジスタは、シリコン薄膜１０５がアモルファスシリコンのものと多結晶シリコンのものに大別されるが、キャリアの易動度などその性能の面では多結晶シリコンがよい。
　【０００４】
　多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化、即ち半導体シリコン中のキャリアの易動度向上によるＯＮ電流の増加のために幾つかの技術が使われる。例えばシリコン薄膜に高エネルギーのレーザー光を照射することでシリコンの結晶化を促進したり、溶融再結晶化させてキャリアトラップの低減を図ることで、レーザー光照射の無い場合に比べて易動度が非常に大きく高性能な薄膜トランジスタが得られる。また、水素プラズマ技術によるシリコン中のトラップの不動態化や、長時間の加熱処理を施すいわゆる固相成長法も薄膜トランジスタの高易動度化に有効である。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述のような方法による薄膜トランジスタの高性能化によって、薄膜トランジスタにより大きな電流（ＯＮ電流）を流せるようになった。しかし、それにともない、薄膜トランジスタを流れる電流による薄膜トランジスタ自身の劣化が問題になる。その問題の１つはいわゆるホットエレクトロンのゲート絶縁膜への注入などによる劣化であり、もう１つは薄膜トランジスタ自身の発熱による劣化である。前者については薄膜トランジスタのドレインのゲート電極に近い部分の不純物濃度を小さくするいわゆるＬＤＤ構造とすることで改善が図られている。
　【０００６】
　シリコン基板上に形成されたトランジスタでは、シリコン基板の熱伝導率が比較的大きいためトランジスタ個々の熱はすぐに基板中に拡散してしまう。これに対し、アクティブマトリクス型の液晶表示体などに用いられる薄膜トランジスタでは、ガラスなどの熱伝導率の小さい基板上に薄膜トランジスタが形成されるため、薄膜トランジスタ個々の発熱は拡散されにくい。そのような場合に、上記のように薄膜トランジスタに流れる電流が大きくなり発熱が大きくなると、その熱のために薄膜トランジスタを構成するシリコン薄膜の結晶状態が変化して新たな欠陥が生じたり、水素プラズマ技術によって導入したシリコン薄膜中の水素の再脱離によってキャリアトラップが増加し、薄膜トランジスタの特性が変化して、設計通りの初期特性を長時間維持できないなど信頼性を欠く。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁基板上に形成され前記絶縁基板よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、
ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、
、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであ
　また、本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁基板上に形成された絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも熱伝導率が大きく、配線層を兼ねた金属でなる熱伝導層と、前記熱伝導層上に絶縁膜を介して形成され、
ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極を有し、
、前記薄膜トランジスタの下に前記絶縁膜を介して形成されている前記熱伝導層は、前記薄膜トランジスタの熱を放散するものであ
　また、熱伝導層は約２０００オングストロームのクロム層を形成していることを特徴とする。
　【０００８】
　【実施例】
　本発明の薄膜トランジスタの１例を図２により、以下に工程を追いながら具体的に説明する。
　【０００９】
　ガラス基板２０１はガラスそのままであってもよいが、ガラスの表面にＳｉＯ２などの絶縁膜を形成してから用いることもある。ここではガラスそのままで用いている。このガラス基板２０１の上に熱伝導層２０２としてスパッタリング法でＣｒ薄膜を約２０００Åの膜厚で堆積し、その上に絶縁膜２０３としてＳｉＯ２薄膜を約２０００Åの膜厚で化学気相成長法（ＣＶＤ法）により堆積した。
　【００１０】
　この上に多結晶シリコンからなるシリコン薄膜２０４を減圧ＣＶＤ法により形成し、これにレーザー光の照射を行ってからフォトリソグラフィ技術によりパターニングしたうえで、ゲート絶縁膜２０５としてＳｉＯ２薄膜を全面にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって形成した。シリコン薄膜へのレーザー光の照射はシリコン薄膜２０４のパターニング後に行う事もある。また、シリコン薄膜２０４としてプラズマＣＶＤ法でアモルファスシリコンを堆積した後、レーザー光照射によって結晶化することもある。ゲート絶縁膜２０５は、シリコン薄膜２０４の熱酸化によっても形成できる。
　【００１１】
　そして、さらにシリコン薄膜を堆積した後、パターニングしゲート電極２０６を形成した。シリコン薄膜２０４のパターニングの際のマスクであるフォトレジスト２０７は、この薄膜トランジスタをドレイン電極のゲート電極に近い部分の不純物濃度が小さい、いわゆるＬＤＤ構造（Ｌｉｇｈｔｌｙ　ＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ構造）にするため、後の工程で必要になるので残しておく。次にゲート電極２０６とフォトレジスト２０７をマスクにしてシリコン薄膜２０４中に不純物として燐イオンあるいはホウ素イオンを第１のイオンシャワー２０８により高濃度で打ち込み、自己整合的にソース電極２０９とドレイン電極２１０を形成した。
　【００１２】
　この後、プラズマエッチング法によりゲート電極２０６をさらにエッチングする。前の工程でフォトレジスト２０７を残してあるので、ゲート電極２０６は両端のみがエッチングされ細くなる。ここでフォトレジスト２０７を取り除き、第２のイオンシャワー２１１で第１のイオンシャワー２０８と同じイオンを第１のイオンシャワー２０８より低濃度で打ち込んだ。この低濃度のイオンを打ち込んだ部分がＬＤＤ部分２１２であり、ゲート電極２０６の下のイオンの打ち込まれなかった部分がチャネル領域２１３である。ソース電極２０９側にもイオンを低濃度で打ち込んだ領域が存在するが、これもＬＤＤ部分２１２と呼ぶ。この後、加熱あるいはレーザー光照射によって打ち込んだイオンの活性化を行った。
　【００１３】
　この上に層間絶縁膜２１４としてＳｉＯ２を約５０００ÅＣＶＤ法で堆積し、ソース電極２０９とドレイン電極２１０の上のゲート絶縁膜２０５と層間絶縁膜２１４にコンタクト穴を開け、ソース電極配線２１５及びドレイン電極配線２１６を形成し、さらに水素プラズマ中に暴露してシリコン薄膜２０４中のキャリアトラップの不動態化処理を施し薄膜トランジスタを完成した。
　【００１４】
　本実施例においては、薄膜トランジスタと絶縁基板あるいは絶縁膜の間の熱伝導層に金属のクロム（Ｃｒ）を用い、これが絶縁膜を介して薄膜トランジスタのシリコン薄膜に発した熱を放散する構造になっているが、熱伝導層に用いる金属は後の工程における熱に耐えるものであればＣｒでなくても良い。また、この熱伝導層が金属である場合には、例えば本発明の薄膜トランジスタをアクティブマトリクス基板に応用した場合など、何らかの配線層をこの熱伝導層が兼ねるか、少なくとも同層に形成することができる。
　【００１５】
　また、熱伝導層に絶縁物を用いれば、金属を用いた場合のように薄膜トランジスタとの間に絶縁膜を介する必要がないので、より有効に熱を放散でき、また、工程を簡略化できる。熱伝導層に用いることのできる絶縁物あるいは絶縁物に近い材料としては、例えばセラミクス薄膜やダイアモンド薄膜等が考えられる。特にダイアモンド薄膜は透明であり、本発明の薄膜トランジスタを液晶表示体などに応用する場合、パターニング等の加工を施す必要がなく、従来の薄膜トランジスタと比べても工程が大きく増えることはない。
　【００１６】
　〔従来の技術〕及び〔発明が解決しようとする課題〕の項で述べたような薄膜トランジスタの劣化の１例を、熱伝導層の無い従来の薄膜トランジスタ（図１の薄膜トランジスタ）について図３に示す。チャネル幅１０μｍ、チャネル長５μｍの薄膜トランジスタにおいて、数分の直流通電の後、ゲートソース間電圧（Ｖｇｓ）−ドレインソース間電流（Ｉｄｓ）のグラフに、電流の立ち上がり電位の変化、電流値の全体的低下がみられた。特に水素プラズマ技術によりシリコン中のキャリアトラップを不動態化した薄膜トランジスタでは、温度が約４００℃以上になると水素プラズマでシリコン中に注入した水素が脱離しはじめて、薄膜トランジスタの特性が劣化する。そして温度が高いほど劣化が激しい。また、薄膜トランジスタのドレイン電極あるいはソース電極に不純物として注入した燐イオンやホウ素イオンの、チャネル領域での発熱によるチャネル領域への拡散も特性変化の原因と考えられる。このような事情からも考えられるように、上述のような工程を経て作られた本発明の薄膜トランジスタは、ガラスのような熱伝導率の小さい基板上に直接あるいはＳｉＯ２膜を介しただけで形成した従来の薄膜トランジスタに比べ、自己の発熱に対する放熱の能力が高いことからその特性の劣化は小さい。更に熱伝導層の効果として考えられるのは、ガラス基板などからの有害な不純物の熱による拡散の抑制効果である。ＳｉＯ２薄膜などによっても不純物拡散の抑制は可能であるが、不純物の拡散が高温ほど速いことを考えれば熱伝導層を設けることで不純物の拡散を更に遅くでき、長期に渡る薄膜トランジスタの信頼性の確保に効果がある。
　【００１７】
　【発明の効果】
　以上述べたように、本発明の液晶表示体用薄膜トランジスタは、従来の薄膜トランジスタに比べて自己の発熱に対する放熱能力が大きく、高性能化が進み大電流を流せるようになった液晶表示体用薄膜トランジスタにおいて特に信頼性の向上に寄与する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　従来の薄膜トランジスタの構造を示す説明図。
　【図２】　本発明の薄膜トランジスタの工程と構造を示す説明図。
　【図３】　従来の薄膜トランジスタの特性の劣化を示すゲートソース間電位（Ｖｇｓ）−ドレインソース間電流（Ｉｄｓ）のグラフ。
　【符号の説明】
　１０１　絶縁基板
　１０２　２１０　ドレイン電極
　１０３　２０９　ソース電極
　１０４　チャネル領域
　１０５　２０４　シリコン薄膜
　１０６　２０５　ゲート絶縁膜
　１０７　２０６　ゲート電極
　１０８　層間絶縁膜
　１０９　２１６　ドレイン電極配線
　１１０　２１５　ソース電極配線
　２０１　ガラス基板
　２０２　熱伝導層
　２０３　絶縁膜
　２０７　フォトレジスト
　２０８　第１のイオンシャワー
　２１１　第２のイオンシャワー
　２１２　ＬＤＤ部分
　２１３　チャネル領域
　２１４　層間絶縁膜