【事件の表示】
　平成１０年特許願第１３５７９１号「薄膜トランジスタの製造方法」において、平成１１年７月６日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原決定を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は昭和６２年４月２０日に出願した特願昭６２−９６７５６号の一部を、平成８年１２月９日に新たな特許出願とした特願平８−３２８１１１号の更にその一部を、平成１０年５月８日に新たな特許出願としたものであって、その後、平成１１年７月６日付けで明細書を補正する手続補正がなされたが、この補正は、平成１１年７月３０日付けで決定をもって却下されたものである。
２.原決定の理由
　原決定における却下の理由は、次のとおりである。
「補正後の請求項１には、ゲート電極を形成する点について何ら記載されていない。
　しかしながら、願書に最初に添付した明細書又は図面には、多結晶シリコン薄膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成することは記載されているものの、例えば、ゲート電極を形成後に多結晶シリコン薄膜を形成することは何等記載されておらず、かつ、同明細書又は図面の記載からみて、自明のこととも認められない。
　そして、この補正により、請求項１に係る発明は、ゲート電極を形成後に多結晶シリコン薄膜を形成することも含むものとなったから、この補正は、明細書の要旨を変更するものと認められる。
　　　　　　（以上を理由１と略記する）
　また、補正後の請求項１には、「第１及び第２多結晶シリコン薄膜を水素処理する」と記載されている。
　しかしながら、願書に最初に添付した明細書又は図面には、第１及び第２多結晶シリコン薄膜を水素プラズマ処理、水素イオン打ち込み処理または水素化のためのプラズマ窒化膜形成処理を施すことは記載されているものの、例えば、水素雰囲気中での熱処理など、その他の水素処理を行うことは何等記載されておらず、かつ、同明細書又は図面の記載からみて、自明のこととも認められない。そして、この補正により、請求項１に係る発明は、水素プラズマ処理、水素イオン打ち込み処理または水素化のためのプラズマ窒化膜形成処理以外の水素処理を含むものとなったから、この補正は、明細書の要旨を変更するものと認められる。　　　　　　（以上を理由２と略記する）
　したがって、この補正は、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。」
３．補正却下の当否に対する判断
（１）補正却下された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、次のとおりである。
「Pチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタとNチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタとを有する薄膜トランジスタの製造方法において、
　基板上に前記Pチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタの第１多結晶シリコン薄膜と前記Nチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタの第２多結晶シリコン薄膜を形成する工程と、
　前記Ｎチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタと前記Ｐチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタのうち、Ｎチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタのみの第２多結晶シリコン薄膜のチャネルとなる領域にP型不純物を低濃度にドーピングする工程と、
　前記第１多結晶シリコン薄膜に選択的にP型不純物を高濃度にドーピングする工程と、
　前記第２多結晶シリコン薄膜に選択的にＮ型不純物を高濃度にドーピングする工程と、しかる後に前記第１及び第２多結晶シリコン薄膜を水素処理する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
（２）次に出願当初の明細書の段落０００７には、
「【発明の実施の形態】
　実施例１を、図１により、工程図に従って説明する。同図（ａ）において、絶縁性透明基板１−１上に無添加多結晶シリコン薄膜の島１−２と１−３を形成する。前記無添加多結晶シリコン薄膜の島は、減圧ＣＶＤなどで堆積させられ、続いてフォトエッチングで形成される。次に同図（ｂ）に示すように、レジストマスク１−４を形成し、島１−３のみにボロンをチャネルドーピングする。このようにしてＮチャネル薄膜トランジスタにするべき島１−３のみを低濃度のボロンドープされたＰ型多結晶シリコンにする。１−５はボロンビームを示す。ただしＶｔｈのシフト量が１ボルト程度で、抵抗率が低下しないくらいのチャネルドープ打込み量に設定する必要があり、およそ１０１２ｃｍ−２から１０１３ｃｍ−２程度が適当である。その後レジストマスタ１−４は剥離される。続いて同図（ｃ）で示すように熱酸によりゲート酸化膜１−６を形成する。同図（ｄ）と（ｅ）は一般的なＣＭＯＳ工程である。１−７はゲート電極であり、ｎ型多結晶シリコンが使われる。該ゲート電極１−７をマスクとしてボロンあるいはリンを必要なところにイオン打込みして、ボロンドープ領域１−８及び、リンドープ領域１−９を形成する。このようにして、Ｐチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ１−１０及び、低濃度にボロンをチャネルドーピングされたＮチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ１−１１が作製される。次に層間絶縁膜１−１２を形成する。該層間絶縁膜はＣＶＤ法（減圧ＣＶＤあるいは常圧ＣＶＤ）によるＳｉＯ２を用いて形成される。続いて前記ボロンドープ領域１−８及びリンドープ領域１−９の活性化熱処理を約１０００℃で行なう。この段階でのＴＦＴ特性は、チャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ１−１０は通常の特性であるが、低濃度にボロンをチャネルドーピングされたＮチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ１−１１は、エンハンスメント方向にシフトしている。ここで水素プラズマ処埋あるいは水素イオン打込み処理が行なわれる。同図１−１３は、水素プラズマにより発生した反応性の高い水素ラジカル、あるいは水素イオンピームを示している。水素プラズマは平行平板型の一般的なプラズマ装置と水素ガスを用いることにより簡単に得ることができる。その後、コンタクトホール形成工程、続いて電極形成工程などそれれのデバイスに必要な工程へと続いてゆく。前記電極材料として、金属（アルミニウムあるいはクロムなど）を用いる場合には、電極形成後に水素プラズマ処理あるいは水素イオン打込み処理を行なっても何ら問題はない。ただし、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）あるいはＳｎＯ２などの透明導電膜を前記電極材料に用いる場合は、該透明導電膜が還元作用を受けるため、水素プラズマ処理あるいは水素イオン打込み処理は電極形成前に行なわなければならない。」と記載され、段落０００８の３０〜３８行には、
「これらの結果からわかるように、従来方法では、水素プラズマ処理あるいは水素イオン打込み処理あるいはプラズマ窒化膜形成など（以下まとめて水素処理と呼ぶ）によるＮチャネルのデプレッション方向への異常シフトを全面にボロンなチャネルドーピングという方向で行なっていたので、前記水素処理による異常シフトの小さいＰチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタはエンハンスメント方向へ異常シフトしてしまった。」と記載されている。
　また図２、３には、本発明の実施例１及び２が記載されている。
（３）理由１について
　そこで段落０００７及び図２の記載を参酌すれば、請求項に記載の「Pチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタとNチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタとを有する薄膜トランジスタの製造方法において、
　基板上に前記Pチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタの第１多結晶シリコン薄膜と前記Nチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタの第２多結晶シリコン薄膜を形成する工程と、
　前記Ｎチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタと前記Ｐチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタのうち、Ｎチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタのみの第２多結晶シリコン薄膜のチャネルとなる領域にP型不純物を低濃度にドーピングする工程と、
　前記第１多結晶シリコン薄膜に選択的にP型不純物を高濃度にドーピングする工程と、
　前記第２多結晶シリコン薄膜に選択的にＮ型不純物を高濃度にドーピングする工程と、しかる後に前記第１及び第２多結晶シリコン薄膜を水素処理する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」の構成は、全て記載されているものと認められる。
（「補正後の請求項１には、ゲート電極を形成する点について何ら記載されていない。」とする点は、発明の構成に欠くことができない事項が記載されているかどうか、或いは発明の詳細な説明の裏付けがあるかどうかが問題とされる特許法第３６条との関連において検討される事項である。）
（４）理由２について
　段落０００８の３０〜３８行には、
「これらの結果からわかるように、従来方法では、水素プラズマ処理あるいは水素イオン打込み処理あるいはプラズマ窒化膜形成など（以下まとめて水素処理と呼ぶ）によるＮチャネルのデプレッション方向への異常シフトを全面にボロンなチャネルドーピングという方向で行なっていたので、前記水素処理による異常シフトの小さいＰチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタはエンハンスメント方向へ異常シフトしてしまった。」と記載されており、これによれば、水素プラズマ処理あるいは水素イオン打込み処理あるいはプラズマ窒化膜形成などをまとめて水素処理と呼ぶことにするのであるから、この補正により、請求項１に係る発明は、水素プラズマ処理、水素イオン打ち込み処理または水素化のためのプラズマ窒化膜形成処理以外の水素処理を含むものとなったものとはいえない。
（５）してみれば、請求項１に記載の発明の構成は、全て出願当初の明細書及び図面に記載された技術事項である。
４.むすび
　したがって、これを却下すべきものとした原決定は妥当なものではない。
　よって、結論のとおり審決する