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　特願２００１−５８７４９１「放射線を放出するＧａＮを基礎とするエピタキシー連続層を有するルミネセンスダイオードチップおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月２９日国際公開、ＷＯ０１／９１１９５、平成１５年１１月１８日国内公表、特表２００３−５３４６６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯
　本願は、平成１３年（２００１年）５月２８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年５月２６日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１１月１１日に手続補正がなされたが、平成２４年１月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、これと同時に誤訳訂正書により手続補正がなされた後、当審において、平成２５年２月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２２日に手続補正がなされたものである。
　
　２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年７月２２日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「活性帯域（１９）、ｎ−ドーピング層（４）およびｐ−ドーピング層（５）を有する、放射線を放出するＧａＮを基礎とするエピタキシー連続層（３）、および
放射線透過性接触層（１５）および反射層（１６）を有する、ｐ−ドーピング層（５）に配属される反射性接触金属被覆（６）
を有し、その際放射線透過性接触層（１５）がｐ−ドーピング層（５）および反射層（１６）の間に配置されており、
　前記反射層（１６）はＡｇを含有し、
　前記反射層（１６）は、ｐ−ドーピング層（５）の活性帯域（１９）から離れた主要平面（９）の５０％より多くを覆い、
　前記接触層（１５）は、インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）またはＺｎＯの少なくともいずれかの材料を含み、
　前記エピタキシー連続層（３）のエピタキシー成長後、成長基板（２）が除去されていることを特徴とする、
　ルミネセンスダイオードチップ（１）。」
　　
　３　刊行物の記載
（１）当審において平成２５年２月１８日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である登録実用新案第３０６８９１４号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
　
「【００１６】
　図３は、本考案の一実施形態による発光ダイオードを示している。そのダイオード構造３０は、透明基板３１を具備している。この透明基板３１は、サファイア、ガラス、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、または、他の透明な材料で製造することができる。積層構造の半導体は、
透明基板３１の主表面上を覆って配置されている。その積層構造は、前記主表面に隣接したｎ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、そのｎ形半導体層に隣接したｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを有する
【００１７】
　この実施形態では、その積層構造はまた、ｎ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に配置された活性層３４も有している。一方、本考案の他の実施形態においては、その積層構造が活性層３４を含まないこととすることができる。その積層構造を製造するための方法は、その技術においてよく知られており、したがって、それをここで詳細に説明する必要はない。
【００１８】
　電極３５は、エッチング工程によって形成されるウィンドウ内に設置され、ｎ形半導体層３２に電気的に接触している。電極３６は、ｐ形半導体層３３の外側表面の大部分を覆って配置されている。電極３６のサイズと厚さに対しては特別な制限は何もないので、電極３６の形状とサイズは、最も良く電流拡散の成果が得られるように設計することができ、これによって発光効率を充分増大させることができる。
【００１９】
　さらに、電極３６の材料は、光の反射率が高くなるように選択される。したがって、電極３６に向けられる光は、電極３６によって透明基板の方向へ反射され、これにより発光効率がさらに増大する。
【００２０】
　本考案において、電極３６は、光透過形の導電層とアルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）の層とを有する多層構造にすることとしてもよい。本考案の一実施形態においては、電極３６は、ニッケル／金／チタン／アルミニウム（Ｎｉ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｌ）の多層構造とすることができる。この構造において、ニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）は、ｐ形半導体層３３を直接覆う光透過形の金属層となるように形成される。そして、チタン（Ｔｉ）層がそのＮｉ／Ａｕ層の上に形成され、最後に、アルミニウム（Ａｌ）層がそのＴｉ層の上に形成される。
【００２１】
　電極３６は、低いオーム接触抵抗と高い光の反射率の双方である必要がある。
Ｎｉ／Ａｕは、ｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層に対して良好な光透過形オーム接触層として形成され得る材料の一つである。Ａｌ層は、光の反射率を良好にすることができる。しかしながら高温状態のもとでは、ＡｌとＡｕは互いの中へ拡散し、Ａｌの反射率を消失させる。そこで、Ｔｉ層がＡｌとＡｕとの間の拡散障壁となるように利用されている。Ｔｉ層は、それ自身もまた、光の反射率が良好である。本考案の他の実施形態においては、
電極３６は、ＩＴＯ／ＡｌまたはＩＴＯ／Ａｇの多層構造であってもよい。この多層構造において、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide；酸化インジウム−スズ）は光透過形の導電層として形成され、反射率はＡｌ層またはＡｇ層によって与えられる
【００２２】
　図３に示された実施形態において、絶縁層３７は、ベースの電極との接触に使用される各電極の一部だけを露出しつつ、ダイオード３０の側方表面上および上側表面上に被覆されているものとすることができる。その絶縁層の材料は、ＳｉＯx、ＳｉＮy等でよい。絶縁層３７は、ｐ／ｎの接合部を保護しかつ絶縁するためのもので、導電性の接着剤によって短絡が起こることを避けるとともに、漏洩を防ぐ。」
　
（２）同じく特開平９−８４０３号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
「【００２１】［実施例１］
サファイア基板１の表面に窒化物半導体層２が積層されたウェーハを用意する
窒化物半導体層２はサファイア基板１から順にドナー不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｎ型層２１と、ＩｎYＧａ1-YＮ（０＜Y＜１）よりなる活性層２２と、アクセプター不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｐ型層２３とを少なくとも有するダブルへテロ構造を有している
【００２２】次に図１に示すように
窒化物半導体層２の表面のほぼ全面にＮｉとＡｕを含むオーミック電極３０を５００オングストロームの膜厚で形成する
オーミック電極３０の上にに接着性を良くするためにＡｕ薄膜を０．１μｍ形成する
【００２３】一方、
導電性基板として、サファイア基板１とほぼ同じ大きさを有するｐ型ＧａＡｓ基板５０を用意し、このｐ型ＧａＡｓ基板５０の表面にＡｕ−Ｚｎよりなる第二のオーミック電極４０を５００オングストロームの膜厚で形成する
さらにその第二のオーミック電極４０の上に接着性を良くするためにＡｕ薄膜を０．１μｍ形成する
【００２４】次に、図２に示すように
第一のオーミック電極３０を有する窒化物半導体ウェーハと、第二のオーミック電極４０を有するｐ型ＧａＡｓ基板５０とのオーミック電極同士を貼り合わせ、加熱により圧着する
【００２５】次にｐ型ＧａＡｓ基板５０を接着したウェーハを研磨器に設置し、サファイア基板１のラッピングを行い、
サファイア基板を除去して、窒化物半導体層２のｎ型層２１を露出させる
【００２６】最後に露出したｎ型層２１の表面をポリシングした後、
ｎ型層にオーミック用の電極としてＴｉ−Ａｌよりなる負電極２５を形成し、一方ｐ型ＧａＡｓ基板５０には同じくオーミック電極としてＡｕ−Ｚｎよりなる正電極５５を全面に形成する
【００２７】以上のようにして正電極および負電極が形成されたウェーハを、ｐ型ＧａＡｓ基板の劈開性を利用して
２００μｍ角の発光チップに分離する
この発光チップは電極２５と５５間に通電することにより、活性層２２が発光するＬＥＤ素子の構造を示している
活性層２２の発光が第一のオーミック電極３０とｐ型層２３との界面で反射され、ｐ型ＧａＡｓ基板５０に吸収されることがない
　
　４　引用発明
（１）上記２（１）によれば、刊行物１には、
「透明基板３１の主表面上を覆って積層構造の半導体が配置されている発光ダイオードであって、前記積層構造は、前記主表面に隣接したｎ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、そのｎ形半導体層に隣接したｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、ｎ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に配置された活性層３４を有し、ｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の外側表面の大部分を覆って、ＩＴＯ／ＡｌまたはＩＴＯ／Ａｇの多層構造である電極３６が配置されており、この多層構造において、ＩＴＯは光透過形の導電層として形成され、反射率はＡｌ層またはＡｇ層によって与えられる発光ダイオード」
の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）上記２（２）によれば、刊行物２には、
「サファイア基板１の表面に、サファイア基板１から順にドナー不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｎ型層２１と、ＩｎYＧａ1-YＮ（０＜Y＜１）よりなる活性層２２と、アクセプター不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｐ型層２３とを少なくとも有するダブルへテロ構造を有している窒化物半導体層２が積層されたウェーハを用意し、次に窒化物半導体層２の表面のほぼ全面にＮｉとＡｕを含むオーミック電極３０を形成し、さらにそのオーミック電極３０の上にＡｕ薄膜を形成する一方、導電性基板として、サファイア基板１とほぼ同じ大きさを有するｐ型ＧａＡｓ基板５０を用意し、このｐ型ＧａＡｓ基板５０の表面にＡｕ−Ｚｎよりなる第二のオーミック電極４０を形成し、さらにその第二のオーミック電極４０の上にＡｕ薄膜を形成し、第一のオーミック電極３０を有する窒化物半導体ウェーハと、第二のオーミック電極４０を有するｐ型ＧａＡｓ基板５０とのオーミック電極同士を貼り合わせ、加熱により圧着し、次に、サファイア基板を除去して、窒化物半導体層２のｎ型層２１を露出させた後、ｎ型層にオーミック用の電極としてＴｉ−Ａｌよりなる負電極２５を形成し、一方ｐ型ＧａＡｓ基板５０には同じくオーミック電極としてＡｕ−Ｚｎよりなる正電極５５を全面に形成して正電極および負電極が形成されたウェーハを発光チップに分離した、活性層２２の発光が第一のオーミック電極３０とｐ型層２３との界面で反射されるＬＥＤ素子」
の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
　５　引用発明１との対比、判断
（１）対比
　ア　本願発明と引用発明１とを対比するに、引用発明１の「『前記主表面に隣接したｎ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、そのｎ形半導体層に隣接したｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、ｎ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間に配置された活性層３４を有』する『積層構造』」、「『ｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の外側表面の大部分を覆って』配置されている『ＩＴＯ／ＡｌまたはＩＴＯ／Ａｇの多層構造である電極３６』」は、それぞれ、本願発明の「活性帯域（１９）、ｎ−ドーピング層（４）およびｐ−ドーピング層（５）を有する、放射線を放出するＧａＮを基礎とするエピタキシー連続層（３）」、「放射線透過性接触層（１５）および反射層（１６）を有する、ｐ−ドーピング層（５）に配属される反射性接触金属被覆（６）」に相当し、引用発明１は、本願発明の「前記反射層（１６）は、ｐ−ドーピング層（５）の活性帯域（１９）から離れた主要平面（９）の５０％より多くを覆い」との構成を備えるものといえる。
　
　イ　ここで、引用発明１の「電極３６」は、ＩＴＯ／Ａｇの多層構造であってよいものであるところ、引用発明１は、「この多層構造において、ＩＴＯは光透過形の導電層として形成され、反射率はＡｌ層またはＡｇ層によって与えられる」ものであるから、本願発明の「前記反射層（１６）はＡｇを含有し」、「前記接触層（１５）は、インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）またはＺｎＯの少なくともいずれかの材料を含み」との構成を備えるものといえる。
　
　ウ　この際、引用発明１において、反射率を与えるＡｇ層の外側にＩＴＯを配置するのでは、「光透過形」の導電層を用いる意義が想定困難であることを考慮すると、光透過形の導電層として形成されるＩＴＯがｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とＡｇ層の間に配置されるものと解するのが相当であるから、引用発明１は、本願発明の「放射線透過性接触層（１５）がｐ−ドーピング層（５）および反射層（１６）の間に配置されており」との構成を備えるものといえる。
　
　エ　そして、引用発明１の「発光ダイオード」は、本願発明の「ルミネセンスダイオードチップ（１）」に相当する。
　
　オ　以上によれば、本願発明と引用発明１とは、
「活性帯域、ｎ−ドーピング層およびｐ−ドーピング層を有する、放射線を放出するＧａＮを基礎とするエピタキシー連続層、および
放射線透過性接触層および反射層を有する、ｐ−ドーピング層に配属される反射性接触金属被覆
を有し、その際放射線透過性接触層がｐ−ドーピング層および反射層の間に配置されており、
　前記反射層はＡｇを含有し、
　前記反射層は、ｐ−ドーピング層の活性帯域から離れた主要平面の５０％より多くを覆い、
　前記接触層は、インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）またはＺｎＯの少なくともいずれかの材料を含む、
　ルミネセンスダイオードチップ」
である点で一致し、
「本願発明は、『前記エピタキシー連続層（３）のエピタキシー成長後、成長基板（２）が除去されている』のに対し、引用発明１は、成長基板が除去されていない点」（以下「相違点１」という。）。
で相違するものと認められる。
　　　　
（２）判断
　ア　当審において通知して拒絶の理由に示したとおり、成長基板を除去した発光素子は、前記３（２）に挙げた刊行物２のほか、特開平１０−６５２１４号公報や特開２０００−１０１１３９号公報（例えば各要約欄を参照。）にみられるように、本願優先日当時において周知であるから、引用発明１における発光ダイオードを、成長基板である透明基板を除去したタイプのものとして、相違点に係る本願発明の特定事項を備えるものとすることは、当業者が容易に想到し得る程度のことである。
　また、本願発明において、引用発明１及び周知技術から当業者が予測し得る域を超える程の格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。
　
　イ　請求人は、平成２５年７月２２日に提出した意見書において、引用発明１では、透明基板３１は、発光ダイオードを機械的に支持する役割を担っているので、透明基板３１を除去することは不可能である旨、引用発明１では、透明基板３１を除去する必要性が全くない旨主張する。
　しかし、刊行物１に「発光ダイオード３０は、透明基板を最上層とし、電極３５及び３６を下向きとする」（【００２４】）と記載されるとおり、透明基板３１は最上層となるものであって、発光ダイオードを機械的に支持する役割を担っているものではないし、上記特開２０００−１０１１３９号公報に「ヒートシンクと接していない側にはサファイア基板がついており、やはり放熱性が悪い。」と記載されるところであり、例えば放熱性の改善のために透明基板を除去する意義が想定されるから、請求人の上記主張は、採用できない。
　なお、本願明細書においても、成長基板を除去しない例（図１ａ）とともに、除去する例（図２）が説明されるところであり、成長基板を残すこと、あるいは、除去することのいずれも適宜選択し得ることの証左を示すものといえる。
　
　ウ　以上によれば、本願発明は、当業者が引用発明１及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　６　引用発明２との対比、判断
（１）対比
　ア　本願発明と引用発明２とを対比するに、引用発明２の「ドナー不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｎ型層２１と、ＩｎYＧａ1-YＮ（０＜Y＜１）よりなる活性層２２と、アクセプター不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｐ型層２３とを少なくとも有するダブルへテロ構造を有している窒化物半導体層２」、「『窒化物半導体層２の表面のほぼ全面に』形成した『ＮｉとＡｕを含むオーミック電極３０』」は、本願発明の「活性帯域（１９）、ｎ−ドーピング層（４）およびｐ−ドーピング層（５）を有する、放射線を放出するＧａＮを基礎とするエピタキシー連続層（３）」に相当する。また、引用発明２は、「活性層２２の発光が第一のオーミック電極３０とｐ型層２３との界面で反射される」ものであるから、引用発明２の「『窒化物半導体層２の表面のほぼ全面に』形成した『ＮｉとＡｕを含むオーミック電極３０』」は、本願発明の「反射層（１６）を有する、ｐ−ドーピング層（５）に配属される反射性接触金属被覆（６）」に相当し、引用発明２は、本願発明の「前記反射層（１６）は、ｐ−ドーピング層（５）の活性帯域（１９）から離れた主要平面（９）の５０％より多くを覆い」との構成を備えるものといえる。
　
　イ　引用発明２は、「サファイア基板を除去」したものであるから、本願発明の「前記エピタキシー連続層（３）のエピタキシー成長後、成長基板（２）が除去されている」との特定事項を備えるものといえる。
　
　ウ　引用発明２の「ＬＥＤ素子」は、本願発明の「ルミネセンスダイオードチップ（１）」に相当する。
　
　エ　以上によれば、本願発明と引用発明１とは、
「活性帯域、ｎ−ドーピング層およびｐ−ドーピング層を有する、放射線を放出するＧａＮを基礎とするエピタキシー連続層、および
反射層を有する、ｐ−ドーピング層に配属される反射性接触金属被覆を有し、
　前記反射層は、ｐ−ドーピング層の活性帯域から離れた主要平面の５０％より多くを覆い、
　前記エピタキシー連続層のエピタキシー成長後、成長基板が除去されている
　ルミネセンスダイオードチップ」
である点で一致し、
「反射性接触金属被覆が、本願発明は、放射線透過性接触層（１５）および反射層（１６）を有するものであり、放射線透過性接触層（１５）がｐ−ドーピング層（５）および反射層（１６）の間に配置されており、前記反射層（１６）はＡｇを含有し、前記接触層（１５）は、インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）またはＺｎＯの少なくともいずれかの材料を含むのに対し、引用発明２は、ＮｉとＡｕを含むオーミック電極３０である点」（以下「相違点２」という。）。
で相違するものと認められる。
　　　　
（２）判断
　ア　前記５（２）ア及びイのとおり、引用発明１の「電極３６」は、ＩＴＯ／Ａｇの多層構造であってよいものであって、ＩＴＯがｐ形ＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とＡｇ層の間に配置されるものと解されるところ、この電極は、ｐ型窒化物半導体層を覆って形成され、活性層からの発光を反射させる電極である点において、引用発明２のオーミック電極３０と共通するものと認められるから、引用発明２において、オーミック電極３０に代えて、引用発明１の電極３６の上記構造を適用して、相違点２に係る本願発明の「反射性接触金属被覆が、放射線透過性接触層（１５）および反射層（１６）を有するものであり、放射線透過性接触層（１５）がｐ−ドーピング層（５）および反射層（１６）の間に配置されており、前記反射層（１６）はＡｇを含有し、前記接触層（１５）は、インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）またはＺｎＯの少なくともいずれかの材料を含む」との構成を備えるものとすることは、当業者が容易に想到し得る程度のことである。
　また、本願発明において、引用発明２及び引用発明１から当業者が予測し得る域を超える程の格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。
　
　イ　請求人は、平成２５年７月２２日に提出した意見書において、刊行物２に「活性層２２の発光が第一のオーミック電極３０とｐ型層２３との界面で反射させて、ｐ型ＧａＡｓ基板５０に吸収されることがないので、従来の発光素子に比べて発光出力が５０％以上増大した」との記載があることから、第一及び第二のオーミック電極３０，４０を、刊行物１記載の発明の電極３６と組み合わせて、発光効率の向上を計ろうとする動機がない旨、刊行物２には、第一及び第二のオーミック電極３０，４０が圧着により接着されることが記載されているが、これらの電極に、刊行物１記載のＩＴＯを含む電極３６を適用したときに、この接着が同様に機能するとは、当業者は考えない旨主張する。
　しかし、上記アのとおり、引用発明１の電極３６も活性層からの発光を反射させる電極であるから、これを引用発明２のオーミック電極に代えて用いることは、当業者が容易に想到し得ることであるし、そのようにしても、第一及び第二のオーミック電極３０，４０の接着に格別の妨げがあるものとは認められないから、請求人の上記主張は、採用できない。
　
　ウ　以上によれば、本願発明は、当業者が引用発明２及び引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明１及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであり、また、当業者が引用発明２及び引用発明１に基づいて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。