【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年6月3日(2015.6.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
急速コンデンサ放電を使用して磁気金属ガラスを急速かつ均一に加熱する方法であって、
均一な断面を有する金属ガラス形成合金で形成された強磁性金属ガラスのサンプルを準備する段階と、
電気エネルギを生成及び放出することができる電気エネルギ供給源に前記サンプルを電気的に接触させる段階と、
前記サンプルを通して均一に電気エネルギを放出し、前記金属ガラスのガラス転移温度と前記金属ガラス形成合金の平衡融点との間の処理温度まで該サンプルを均一に加熱し、該電気エネルギの放出が、該サンプルに電界を生成し、生成された該動的電界の電磁表皮深さが、該サンプルの半径、幅、厚み、及び長さと比較して大きいが、電気エネルギの放出による電流パルスの立上り時間が、冷却不足液体領域における最適形成温度での該サンプルの結晶化に要する時間を超えない段階と、
前記加熱されたサンプルが依然として前記金属ガラスの前記ガラス転移温度と前記金属ガラス形成合金の前記平衡融点の間の温度にある間に、該加熱されたサンプルを成形するために変形力を印加する段階と、
前記金属ガラスの前記ガラス転移温度よりも低い温度まで前記サンプルを冷却する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記金属ガラスは、温度と共に増加しない抵抗率を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記サンプルの前記温度は、少なくとも５００Ｋ／秒の速度で上昇することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属ガラスは、１ｘ１０-4℃-1よりも大きくない温度変化（Ｓ）の単位当たりの抵抗率の相対変化と８０と３００μΩ−ｃｍの間の室温での抵抗率（ρ0）とを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電気エネルギは、少なくとも１００Ｊであり、前記電流パルスの前記立上り時間は、１ｍｓと１００ｍｓの間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理温度は、前記金属ガラスの前記ガラス転移温度と前記金属ガラス形成合金の前記平衡融点との間の中間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記処理温度は、前記加熱されたサンプルの粘性が１から１０4Ｐａ−ｓになる温度であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記サンプルは、欠陥がないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記電流パルスの前記立上り時間は、電気回路のインダクタンスを増加させることによって制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記インダクタンスは、インダクタを前記サンプルと直列に追加することによって増加されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記放電の時定数が、電気回路のキャパシタンスを増加させることによって制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記電気エネルギを放出する前に前記サンプルをキュリー温度よりも高い予熱温度まで予熱する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記予熱温度は、前記キュリー温度よりも高く、かつ前記ガラス転移温度よりも低いことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記予熱処理は、容量放電パルスを使用して行われることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記電気エネルギを放出する前記段階は、前記サンプルの両端に接続された少なくとも２つの電極を通じて行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記加熱されたサンプルに対する前記変形力は、前記電気エネルギの放出が完了された後に印加されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
強磁性金属ガラスを急速に加熱するための急速コンデンサ放電装置であって、
金属ガラス形成合金で形成された金属ガラスの均一な断面を有するサンプルと、
電気エネルギ供給源と、
前記金属ガラスのサンプルに前記電気エネルギ供給源を相互接続し、電極と該サンプルの間に接続が形成されるように該サンプルに取り付けられた少なくとも２つの電極と、
前記サンプルとの形成関係に配置された成形ツールと、
を含み、
前記電気エネルギ供給源は、前記金属ガラスのガラス転移温度と前記金属ガラス形成合金の平衡融点との間の処理温度まで前記サンプルを均一に加熱するのに十分な電気エネルギを生成及び放出することができ、該電気エネルギの放出が、該サンプルに電界を生成し、生成された該動的電界の電磁表皮深さが、該サンプルの半径、幅、厚み、及び長さと比較して大きいが、電気エネルギの放出による電流パルスの立上り時間が、冷却不足液体領域における最適形成温度での金属ガラスの結晶化に要する時間を超えず、
前記成形ツールは、前記加熱されたサンプルをネット形状物品に形成するのに十分な変形力を印加することができる、
ことを特徴とする装置。
【請求項１８】
前記成形ツールは、射出成形モールド、動的鍛造、スタンプ鍛造、及びブロー成形モールドから構成された群から選択されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記成形ツールは、前記電極の少なくとも１つから少なくとも部分的に形成されることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記成形ツールは、該ツールをキュリー温度よりも高く、かつ前記金属ガラスの前記ガラス転移温度よりも低い温度まで加熱するための温度制御式加熱要素を更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
前記金属ガラスは、温度と共に増加しない抵抗率を有することを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２２】
前記サンプルの温度が、少なくとも５００Ｋ／秒の速度で増大することを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２３】
前記金属ガラスは、１ｘ１０-4℃-1よりも大きくない温度変化（Ｓ）の単位当たりの抵抗率の相対変化と８０と３００μΩ−ｃｍの間の室温での抵抗率（ρ0）とを有することを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２４】
前記電気エネルギは、少なくとも１００Ｊであり、前記電流パルスの立上り時間は、１ｍｓと１００ｍｓの間であることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２５】
前記処理温度は、前記金属ガラスの前記ガラス転移温度と前記金属ガラス形成合金の前記平衡融点との間の中間であることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２６】
前記処理温度は、前記加熱されたサンプルの粘性が１から１０4Ｐａｓ−ｓｅｃになる温度であることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２７】
前記サンプルは、欠陥がないことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２８】
電極材料が、Ｃｕ、Ａｇ、又はＮｉ、又は少なくとも９５ａｔ％のＣｕ、Ａｇ、又はＮｉのうちの１つを含有する合金から構成された群から選択されることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２９】
前記電流パルスの前記立上り時間は、回路のインダクタンスを増加させることによって修正されることを特徴とする請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記放電の時定数が、少なくとも１つの付加的なインダクタを前記サンプルと直列に追加することによって修正されることを特徴とする請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記放電の時定数が、回路のキャパシタンスを増加させることによって修正されることを特徴とする請求項２８に記載の装置。
【請求項３２】
前記供給源は、前記電気エネルギを放出する前にキュリー温度よりも高い予熱温度まで前記サンプルを予熱するように構成された予熱放電を供給するように更に構成されることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項３３】
前記予熱温度は、前記キュリー温度よりも高く、かつ前記ガラス転移温度よりも低いことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
更に別の実施形態において、本発明は、非晶質材料を成形する急速コンデンサ放電装置に関する。１つのそのような実施形態において、非晶質材料のサンプルは、実質的に均一な断面を有する。別のそのような実施形態において、少なくとも２つの電極は、非晶質材料のサンプルに電気エネルギ供給源を接続する。そのような実施形態において、電極は、実質的に均一な接続が電極とサンプルの間に形成されるようにサンプルに取り付けられる。更に別のそのような実施形態において、動的電界の電磁表皮深さは、装填物の半径、幅、厚み、及び長さと比較して大きい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
更に別の実施形態において、本発明は、
・実質的に均一な断面を有する強磁性非晶質金属のサンプルを準備する段階と、
・電気エネルギの量子を生成及び放出することができる電気エネルギ供給源とサンプルを電気的に接触させる段階と、
・サンプルを通じて均一に電気エネルギの量子を放出し、ガラス転移温度と非晶質金属の平衡融点の間の処理温度までサンプルの全体を急速かつ均一に加熱し、電気エネルギの量子の放出が、サンプルにおいて電界を生成し、動的電界の電磁表皮深さが、サンプルの半径、幅、厚み、及び長さと比較して大きいが、電流パルスの立上り時間が、冷却不足液体領域において最適形成温度で非晶質金属を結晶化させることに関連付けられた時間を超えない段階と、
・加熱されたサンプルが依然としてガラス転移温度と平衡融点の間の温度にある間に加熱されたサンプルを成形するために変形力を印加する段階と、
・非晶質材料のガラス転移温度未満の温度に物品を冷却する段階と、
を含む急速コンデンサ放電を使用して磁気非晶質金属を急速かつ均一に加熱する方法に関する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
更に別の実施形態において、本発明は、
・実質的に均一な断面を有する強磁性非晶質金属のサンプルと、
・電気エネルギ供給源と、
・非晶質材料のサンプルに電気エネルギ供給源を接続し、実質的に密接な接続が電極とサンプルの間に形成されるようにサンプルに取り付けられた少なくとも２つの電極と、
・サンプルとの形成関係に配置された成形ツールと、
を含み、
・電気エネルギ供給源が、ガラス転移温度と非晶質金属の平衡融点の間の処理温度までサンプルの全体を均一に加熱するのに十分な電気エネルギの量子を生成及び放出することができ、電気エネルギの量子の放出が、サンプルにおいて電界を生成し、動的電界の電磁表皮深さが、サンプルの半径、幅、厚み、及び長さと比較して大きいが、電流パルスの立上り時間が、冷却不足液体領域において最適形成温度で非晶質金属を結晶化させることに関連付けられた時間を超えず、
・成形ツールが、加熱されたサンプルをネット形状物品に形成するのに十分な変形力を印加することができる、
強磁性非晶質金属を急速に加熱する急速コンデンサ放電装置に関する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
容量放電中に円筒体内の電流が均一であるには、動的電界の電磁表皮深さΛがサンプルに関連付けられた寸法（半径、長さ、幅、又は厚み）の特性と比較して大きいことが必要である。円筒体の例では、関連の特徴的な寸法は、明らかに装填物の半径及び深さＲ及びＬであると考えられる。この条件は、Λ＝［ρ0τ／μ0］1/2≧Ｒ（Ｌ）の時に満たされる。ここで、τはコンデンサの「ＲＣ」時定数であり、サンプルシステムμ0＝４π×１０-7（ヘンリー／ｍ）は空き領域の誘電率である。Ｒ及びＬ〜１ｃｍに対して、これは、τ＞１０〜１００μｓを意味する。このような一般的な寸法及び非晶質合金の抵抗率の値を使用して、これには、適切にサイズ設定をされた典型的に約１０，０００μＦのキャパシタンス又はそれよりも大きいコンデンサが必要である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
上述したように、加熱を通して均一な温度を維持するために、電流のエネルギ消散は、金属ガラス装填物を通して均一でなければならず、従って、印加された電界は、断面にわたって金属ガラス装填物に通過すべきである。電界の通過の尺度は、表皮深さΛであり、表皮深さΛは、外部的に印加された電界が材料内で１／ｅまで低下する距離として定義され、良導体に対して次式；
Λ＝［ρ0τ／μrμ0］1/2      （式６）
のように与えられ、ここで、τは、電流パルスの増加に関連付けられた時定数であり、ρ0は金属ガラスの抵抗率であり、μ0は空き領域の透磁率であり、μrは金属ガラスの比透磁率である。上述したように、均一な加熱をもたらすために、金属ガラス装填物の寸法は、Λより遥かに小さいものであるべきである。ＲＣＤＦに利用される一般的な放電時間τRCは、約１ｍｓである。非磁性金属ガラスに約２００μΩ−ｃｍの一般的な抵抗率及びμr≒１の比透磁率を使用すると、表皮深さは、約４０ｍｍである。このような表皮深さが入手可能な金属ガラスの実用的な寸法よりも遥かに大きいので、均一な加熱が保証されることになる。しかし、強磁性金属ガラスは、典型的には遥かに高い比透磁率（１０2〜１０4のμr）を有し、０．５〜５ｍｍの範囲の表皮深さΛが発生する。これらの表皮深さは、従って、金属ガラス装填物の実用的なサイズに相当する。その結果、約１ｍｓの従来の時間尺度で機能するＲＣＤＦを使用して強磁性ガラスを処理した時に不均一な加熱が発生することになる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
従って、一実施形態において、本発明は、パルスの時間を長くし、従って、電流パルスτの増加に関連付けられた時定数を増加させ、その結果、表皮深さ（Λ）を増加させることにより、非磁性金属ガラスの処理において達成される電磁表皮深さに同等の比較的大きい電磁表皮深さをもたらすことに関する。それによって高い比透磁率を有する金属ガラス合金を容量放電で均一に加熱することができる。しかし、パルス立上り時間は、冷却不足液体領域での最適形成温度で金属ガラスを結晶化させるのに要する時間（典型的に強磁性ガラスに対して０．１〜１ｓ間）に接近したり上回ったりすべきではない。好ましくは、電流パルスの立上り時間は、１ｍｓと１００ｍｓの間である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
このような磁気金属ガラスをオーム加熱する方法の一実施形態において、容量放電τのパルスの立上り時間は長くされ、従って、金属ガラス装填物に印加された周波数を低減し、表皮深さΛを増加させる。Ｒ、Ｌ、及びＣが、それぞれ回路の抵抗、インダクタンス、及びキャパシタンスである直列ＲＬＣ回路の減衰係数は、ζ＝（Ｒ／２）√（Ｃ／Ｌ）により与えられる。以下のようにパルス立上り時間を伸張することによって表皮深さを増加させることができる。
・システム応答がネーパー周波数により支配された場合に、パルス立上り時間は、τ＝２Ｌ／Ｒで判断される。従って、回路に付加的なインダクタンスを導入することによって表皮深さを増加させることができる。例えば、放電回路と直列にワイヤのループ又はコイルの形態でインダクタを追加することによってこれをもたらすことができる。
・システム応答が角度周波数により支配された場合に、パルス立上り時間は、τ＝√（ＬＣ）により決まる。従って、回路に付加的なインダクタンス及び／又は付加的なキャパシタンスを導入することによって表皮深さを増加させることができる。例えば、放電回路と直列にワイヤのループ又はコイルの形態でインダクタを追加することにより、及び／又は放電回路と直列に付加的なコンデンサを追加することによってこれをもたらすことができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
急速放電が行われる前に金属ガラス装填物の温度を上げることによって表皮深さを増加させることができる。強磁性金属ガラスの場合に、比透磁率は、温度の増加と共に下がり、キュリー温度よりも高い温度でほぼ１の値に到達する。強磁性ガラスのキュリー温度は、典型的には、あらゆる塑性成形又は結晶化が行われることなく低い透磁率値までの予熱を可能にするようにガラス転移よりも低い。従って、一実施形態において、強磁性金属ガラス装填物は、キュリー温度よりも高いがガラス転移温度よりも低い温度まで比較的遅い容量放電パルスにより加熱され、その後の加熱及び形成に向けて急速容量放電を受ける。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
サンプルＡ及びＢの最終形状が、図１４ｂ及び１４ｃに示されている。図１４ｂで分るように、小さいインダクタンス及びキャパシタンスに関連付けられた高周波数（短い立上り時間τ）により、結果的に非常に不均一な形状（サンプルＡ）の一部が発生し、非常に不均一な加熱という結果は、装填物サイズと比較すると小さい表皮深さに帰するものであった。これとは対照的に、図１４ｃで分るように、大きいインダクタンス及びキャパシタンスに関連付けられた低周波数（長い立上り時間τ）により、かなり均一なディスク状の部分（サンプルＢ）が得られ、かなり均一な加熱という結果は、より大きい表皮深さに関連するものであった。非晶質装填物に対する示差熱測定走査及び低周波急速容量放電（サンプルＢ）により製造された成形ディスクが図１５に示されている。結晶化（曲線の下の区域）のエンタルピーの大きさから、サンプルＢの成形ディスクは、本質的に完全に非晶質であると結論付けることができる。