【事件の表示】
　平成　３年特許願第　３０３５２号「露光方法及び半導体素子の形成方法」において、平成１１年　７月２９日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成３年２月２５日の出願であって、その明細書について、平成１０年２月２４日の出願人以外の者からの出願審査請求に関する通知に対する指定期間内である平成１０年８月１０日に手続補正書が提出されたが、当該手続補正が明細書の要旨を変更する旨をもって、平成１１年７月２９日付（平成１１年８月３１日謄本発送）で決定により却下された。本件は、審判請求人（出願人）が当該決定に不服である旨により、平成１１年９月２２日付で請求されたものである。
２．原決定の理由
　原決定の理由は、以下の通りのものである。
「上記手続補正書には、マスクパターンの透過部と半透過部との位相差について、請求項１には「透過光の位相を異ならせ」という記載が、請求項１０、２３、３２及び３６には「位相を変化させる」という記載があるが、これらの記載によると、透過部と半透過部との位相差は（２ｎ＋１）πに限定されず、（２ｎ＋１）π以外の様々な位相差が含まれることになる。
　一方、願書に最初に添付された明細書又は図面には、「ほぼ（２ｎ＋１）πの位相差」を有するマスクに関する記載があるだけであり、【００３０】段落の「所定の位相差」という記載も、発明の詳細な説明の記載全体からみて(２ｎ＋１)πもしくは、ほぼ（２ｎ＋１）πの位相差を示しているに過ぎない。
　さらに、出願当時の技術常識からみても、願書に最初に添付された明細書又は図面には、（２ｎ＋１）π以外の位相差のマスクについての示唆は認められない。
　したがって、この補正によって、この露光方法についての発明の構成に関する技術的事項は、出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内でないものとなり、この補正は明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。」
３．当審の判断
（１）本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「原明細書」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ａ）「【請求項１】照明光学系からの光束でマスク上の微細パターン群を照明し、該微細パターン群を投影光学系を介して感光性基板に投影露光する露光方法において、
　前記微細パターン群中の各微細パターンは、前記光束に対する透過率がほぼ１である透過部と、該透過部を透過する光束に対してほぼ（２ｎ＋１）π（ｎは整数）の位相差を与えるとともに、前記光束に対する透過率が前記透過部の１／４程度以下である半透過部とで構成され、
　前記マスクのフーリエ面となる前記照明光学系中の面、若しくはその近傍の面内を通る前記光束を、前記照明光学系の光軸から偏心した位置に中心を有する局所領域に規定することによって、前記マスクを照射する光束を所定の方向に前記微細パターン群の微細度に応じた角度だけ傾けたことを特徴とする露光方法。」
（特許請求の範囲請求項１）
（ｂ）「【課題を解決するための手段】
　上記目的の為に本発明では、照明光学系（１〜１０）からの光束でマスク（１４）上の微細パターン群（１２）を照明し、微細パターン群（１２）を投影光学系（１３）を介して感光性基板（１４）に投影露光する露光方法において、微細パターン群（１２）中の各微細パターンは、光束に対する透過率がほぼ１である透過部（１２ａ）と、透過部（１２ａ）を透過する光束に対してほぼ（２ｎ＋１）π（ｎは整数）の位相差を与えるとともに、光束に対する透過率が透過部（１２ａ）の１／４程度以下である半透過部（１２ｂ）とで構成され、マスク（１１）の微細パターン群（１２）が存在する面のフーリエ面となる照明光学系中の面（１５）、若しくはその近傍の面内の、照明光学系の光軸（ＡＸ）から偏心した位置に中心を有する局所領域を通過するように制限された光束を用いることによって、光束をマスク（１１）に対して所定の方向に微細パターン群（１２）の微細度に応じた角度だけ傾けて入射させることとした。
【作用】
　本発明においては、照明光束に対して高い透過率を有する透過部と、この透過部を透過する光束に対してほぼ（２ｎ＋１）π（ｎは整数）の位相差を与えるとともに、照明光束に対する透過率が上記透過部の１／４程度以下である半透過部とで構成された回路パターンを有するレチクルを使用する。半透過部の透過率を制御することによってレチクルパターンから発生する回折光の強度（例えば周期的パターンから発生する０次回折光と１次回折光の強度）、及びその比を制御することができる。従って、各パターンの線幅、周期性（ピッチ）、方向性等に応じた最適の透過率を与えることで、各パターンに最適の結像状態を与えることができる。」
（段落【０００９】〜【００１０】）
（ｃ）「次に本発明の実施例に用いられるレチクルのパターンについて図４を用いて説明する。図４は、本発明の実施例による露光方法に用いられるレチクルのパターンの様子を示す図である。光透過性のガラス基板であるレチクル１１の一表面には回路パターン１２として所定の透過率を有する半透過部１２ｂと高い透過率を有する透過部１２ａとが形成されている。半透過部１２ｂを透過する透過光は、透過部１２ａを透過する透過光に対してほぼ（２ｎ＋１）π（ｎは整数）だけ位相差を有し、且つ透過エネルギーは１／４程度以下となるようになっている。この透過部１２ａはレチクル１１の裸面であればよい。また半透過部１２ｂは、金属薄膜、誘電体薄膜（特に吸収性誘電体薄膜）、或いはこれらの材料の多層膜で形成されている。尚、図４のうち、Ａ部は所謂ラインアンドスペースパターンを、またＢ部は孤立スペースパターン、Ｃ部は孤立ラインパターンを夫々表わしている。
　これらのパターンは、レチクル１１の一表面に上記の材料の膜を成膜した後、１度のパターニングにより形成可能である。従って位相シフトレチクルが、遮光部材と位相シフターの２度のパターニングと、それらパターン間のアライメントを要するのに比べ、格段に製造が容易である。
　以上のように、透過部と、透過光の位相を透過部からの透過光に対して（２ｎ＋１）π異ならせ、且つ透過エネルギーが１／４程度以下である半透過部とで構成されたパターンを有するレチクルを、照明光学系の瞳面において光軸から偏心した位置に中心を有する局所領域を通過する光束で照明し、投影光学系を介してウェハ上に投影露光する。この露光方法について図５を参照して説明する。」
（段落【００１５】〜【００１６】）
（ｄ）「【発明の効果】
　以上のように本発明によれば、透過部とこの透過部からの透過光に対して所定の位相差と透過率とを有する半透過部とで構成されたパターンの描画されたレチクルを使用することによって０次回折光と１次回折光との強度比を任意に制御するため、パターンの投影像のコントラストを向上させることができる。また、製造の容易な従来と同等の構造のパターンを有するレチクルを使用して、位相シフト用レチクルと同等の解像度を得ることができる。」
（段落【００３０】）
（２）そこで、原明細書の記載と補正後の明細書の記載を対比すると、原明細書の特許請求の範囲の請求項１における「該透過部を透過する光束に対してほぼ（２ｎ＋１）π（ｎは整数）の位相差を与えるとともに」が、上記補正後には、「前記透過部と前記半透過部とでその透過光の位相を異ならせ」に変更されている。
　上記の変更された点について検討すると、補正後の表現は、透過部の透過光と半透過部の透過光とが位相差を有することを規定したにとどまり、当該位相差の程度に関しては規定されておらず、原明細書の表現に対して技術概念上拡張されているものと解される。
　そこで、原明細書の記載内容を検討すると、上記（１）（ｄ）で摘示した部分を除き、一貫して当該位相差については、「ほぼ（２ｎ＋１）π」ないしは「（２ｎ＋１）π」とのみ記載されており、当業者が認識し得る範囲の「ほぼ（２ｎ＋１）π」以外の位相差の場合に係る記載ないしは示唆する記載はなく、当業者にとって自明な事項でもない。
　そして、原明細書の上記（１）（ｄ）で摘示した部分における「所定の位相差」なる記載についてさらに検討すると、当該記載は、本願発明の効果に係るものであり、原明細書の特許請求の範囲、課題を解決するための手段、作用および実施例に係る部分には、一貫して当該位相差が「ほぼ（２ｎ＋１）π」ないしは「（２ｎ＋１）π」である旨の記載のみであるから、当該「所定の位相差」なる表現は、「（ほぼ）（２ｎ＋１）πの位相差」を単に言い換えたものと解するのが相当であり、「（ほぼ）（２ｎ＋１）π」以外の位相差を含む表現であると解すべき根拠となる事項は、原明細書に記載ないし示唆されていない。
　してみると、上記「該透過部を透過する光束に対してほぼ（２ｎ＋１）π（ｎは整数）の位相差を与えるとともに」なる表現を「前記透過部と前記半透過部とでその透過光の位相を異ならせ」なる表現に変更する点は、技術概念上拡張するものであって、当該拡張された技術概念に係る記載が原明細書にはないから、特許請求の範囲を原明細書に記載された事項の範囲を越えて変更するものであり、他の点を検討するまでもなく、明細書の要旨を変更するものである。
（３）なお、本件審判請求人（出願人）は、本件審判請求書第２頁第３２行〜第３頁第２行において、原明細書に記載の「所定の位相差」が、「（２ｎ＋１）π」に限定解釈されるべき記載は原明細書にない点および「ほぼ（２ｎ＋１）π」なる表現が厳密な「（２ｎ＋１）π」以外の複数の位相差を含む表現である点をもって、明細書の要旨を変更するものではない旨主張しているが、上記（２）に記載のとおり、原明細書には、当業者が技術常識に照らして認識し得る「ほぼ（２ｎ＋１）π」の範囲以外の位相差を有する場合に係る記載ないし示唆はないのであるから、当該場合を技術概念上含むように補正することは、原明細書に記載された事項の範囲を越えて拡張するものとせざるを得ない。
　したがって、審判請求人の上記主張は、当を得ないものであるから、採用することができない。
（４）したがって、上記手続補正は、特許請求の範囲を、原明細書に記載された事項の範囲を越えて拡張するものであるから、明細書の要旨を変更するものであり、特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
４．むすび
　以上のとおりであるから、上記補正却下の決定の理由は妥当なものである。
　よって、結論のとおり審決する。