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　特願２００９−５４４２１８「サファイア基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月１０日国際公開、ＷＯ２００８／０８３０７３、平成２２年　５月　６日国内公表、特表２０１０−５１４５８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本件発明
　本願は２００７年１２月２１日の国際出願（優先権主張２００６年１２月２８日、アメリカ合衆国（ＵＳ））であって、平成２１年８月１４日に翻訳文と手続補正書が提出された後、平成２３年１２月１３日付の拒絶理由通知に対して平成２４年３月１９日に意見書と手続補正書が提出されたが、平成２４年４月１９日付で拒絶査定がなされたのもである。これに対して本件審判が平成２４年８月２４日に請求され、当審による平成２５年２月１３日付拒絶理由通知に対して平成２５年５月２０日に意見書と手続補正書が提出されている。
　本願の請求項１ないし８にかかる発明は、平成２５年５月２０日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「ａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面配向からなる群から選択される結晶配向を有し且つ０．０３７μｍ／ｃｍ２以下のｎＴＴＶを有する概ね平坦な表面を含むサファイア基板であって、
　ｎＴＴＶが該概ね平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は９．０ｃｍ以上、１０ｃｍ以下の直径を有し、該基板が０．１９０μｍ／ｃｍ２以下のｎワープを有し、ｎワープは該概ね平坦な表面の表面積で規格化された該基板のワープである、
　サファイア基板。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．当審の拒絶理由の概要
　当審が平成２５年２月１３日付で通知した拒絶理由は、概略、以下のとおりである。
理由１
理由２
理由３
　そこで、上記理由３が解消されているか、以下に検討する。
　
３．刊行物に記載された基板
　当審の拒絶理由通知に引用された特開平１０−１６６２５９号公報（以下、単に「刊行物」という。）には、以下の記載がなされている。
ａ．（発明の詳細な説明、段落１）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サファイア基板の表面を高精度に研削研磨するサファイア基板研削研磨方法およびその装置に関する。」
ｂ．（同、段落３）
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、サファイアはシリコンよりも硬く、また人工衛星に搭載される半導体デバイスとしては超ＬＳＩが使用され、ウエハに対する品質要求がより厳しく、例えば直径６インチのウエハでは、表面の平坦度ＴＴＶが１μｍ、粗さＲａ（Ｒｙ）が０．００２μｍ（２ｎｍ）を要求される。基板としてサファイアを使用し、しかもこのような高精度に仕上げることは、従来の技術ではかなり難しく、産業界の要望に十分答えられなかった。」
ｃ．（同、段落５）
「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するために、従来は粒度４００番程度のダイヤモンド砥石を使用して研削していたのを６００程度のダイヤモンド砥石を使用することにより、サファイア基板の表面の粗さをＲａ０．５μｍ程度に研削し、続いてメカノケミカル研削技術を利用してＲａ０．１〜０．０５μｍ程度まで研削研磨し、最後にメカノケミカル研磨技術を利用してＲａ０．００２μｍ程度を実現するようにしたものである。」
ｄ．（同、段落１１〜１４）
「【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。図１は本発明のサファイア研削研磨方法の一実施例を示す。まず（ａ）の第１工程において、ターンテーブル１の表面に真空吸着したサファイア基板２の表面を、上部のスピンドル３に固定したダイヤモンド砥石４により研削する。ダイヤモンド砥石４は、ダイヤモンドチップ４ａを台金に放射状に固定したものであり、粒度は６００番のものが使用される。シリコンウエハをダイヤモンド砥石で研削する場合は２０００番の砥石を使用するが、シリコンよりも硬いサファイアを研削する場合は、６００番を越えると砥石が目詰まりを起こして使用できない。スピンドル３をターンテーブル１よりも高速に回転させながら、研削負荷が少なくなるに連れて送り速度を速めていく。この時、サファイアはシリコンよりも硬く、剛性が高いので、研削負荷によってスピンドル３が逃げる傾向にあり、これを抑えるためにスピンドル３自体の剛性を６０ｋｇ／μｍ程度に高める必要がある。また、ターンテーブル１の回転振れも０．１μｍ以下に抑える必要がある。さらに従来のシリコンウエハの研削と同様に、スピンドル３の軸をサファイア基板２に接触する側に少し傾斜させて研削を行う。このような条件で研削を行うことにより、サファイア基板２の表面粗さをＲａ５００ｎｍ程度まで研削することができる。
【００１２】次に（ｂ）の第２工程において、今度は上部のスピンドル３にシリコン砥石５を取り付けてサファイア基板２の表面を研削する。シリコン砥石５は、台金にシリコンリング５ａを固定したものであるが、台金全体にシリコンプレートを固定してもよい。この研削はメカノケミカル研削と呼ばれるもので、モース硬度７程度のシリコン砥石５によりモース硬度８程度のサファイア基板２を研削する場合、通常は軟らかい砥石で硬いワークは削れないが、高温高圧下で削ると両者が固相反応を起こし、この反応相が摩擦力により脱落することで削れるようになる。これをメカノケミカル反応またはメカノケミカル現象という。この反応を起こすためには、８００度Ｃ〜１０００度Ｃの高温と、４０ｋｂａｒ程度の高圧が必要となるので、スピンドル３で１０００ｇ／ｃｍ２  程度に加圧する必要がある。このような条件で研削を行うことにより、サファイア基板２の表面粗さをＲａ１００ｎｍ〜５０ｎｍ程度まで研削することができる。
【００１３】次に（ｃ）の第３工程において、今度は上部のスピンドル３に固定された吸着パッド６にサファイア基板２を真空吸着し、表面に研磨布７を固定した定盤８を回転軸９により回転させながら、研磨剤１０をサファイア基板２と研磨布７との間に供給して研磨を行う。研磨剤１０はシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁したもので、上記した第２工程と同様にメカノケミカル反応が発生する。この第３工程では、シリカ粒子とサファイア粒子との接触による摩擦熱により容易に高温、高圧が発生するので、スピンドル３に加える荷重は２００ｇ／ｃｍ２  〜４００ｇ／ｃｍ２ 程度でよく、微小反応部の摩擦力によりオングストロームレベルでの研磨が行われる。このような条件で研磨を行うことにより、６インチのサファイア基板２の表面粗さをＲａ２ｎｍ、平坦度ＴＴＶを１μｍまで超精密に仕上げることができる。
【００１４】図２は上記第２工程の変更例を示しており、シリコン砥石を用いたメカノケミカル研削に代えて、上部のスピンドル３に固定されて定盤１１に研磨布１２を貼り付けて、下部のターンテーブル１上のサファイア基板２の表面を、シリカ粉１３を供給しながら研磨布１２で研磨するメカノケミカル研磨技術を用いたものである。この方法は、上記の第３工程の代替えとしても行えるので、要求される精度が第３工程を行わなくても済む場合に適している。」
　
　上記記載事項を整理すると、刊行物には次の発明が記載されていると認められる。
「直径６インチのサファイア基板を、第１工程で表面粗さをＲａ５００ｎｍ程度まで研削し、ついで第２工程で表面粗さをＲａ１００ｎｍ〜５０ｎｍ程度まで研削し、さらに第３工程で表面粗さをＲａ２ｎｍ、平坦度ＴＴＶを１μｍまで超精密に仕上げること。」（以下、「刊行物記載の発明」という。）
　ここで、サファイア基板の直径６インチは換算すると１５．２４ｃｍであり、直径１５．２４ｃｍの円形基板の表面積を求めると、１８２．４ｃｍ２となる。また、平担度ＴＴＶが、総厚みばらつきＴＴＶであることは自明であり、ＴＴＶ１μｍを表面積１８２．４ｃｍ２で規格化すると、仕上げられたサファイア基板のｎＴＴＶは約０．００５μｍ／ｃｍ２となる。
　そうしてみると、刊行物には、次のサファイア基板が記載されているということができる。
「約０．００５μｍ／ｃｍ２のｎＴＴＶを有する概ね平坦な表面を含むサファイア基板であって、ｎＴＴＶが該概ね平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は１５．２４ｃｍの直径を有する、サファイア基板。」（以下、「刊行物記載の基板」という。）
　
４．対比
　本件発明のサファイア基板と刊行物記載の基板とを対比すると、約０．００５μｍ／ｃｍ２が０．０３７μｍ／ｃｍ２以下であること、及び直径１５．２４ｃｍが９．０ｃｍ以上であること、は明白であるから、両者は以下の点において一致及び相違すると認められる。
＜一致点＞
「０．０３７μｍ／ｃｍ２以下のｎＴＴＶを有する概ね平坦な表面を含むサファイア基板であって、ｎＴＴＶが該概ね平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は９．０ｃｍ以上の直径を有する、サファイア基板。」である点。
＜相違点１＞
　サファイア基板が、前者ではａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面配向からなる群から選択される結晶配向を有するのに対し、後者ではこのような特定がない点。
＜相違点２＞
　サファイア基板の概ね平坦な表面の表面積で規格化されたワープであるｎワープが、前者では基板が０．１９０μｍ／ｃｍ２以下であるのに対し、後者ではこのような特定がない点。
＜相違点３＞
　サファイア基板の直径が、前者では１０ｃｍ以下であるのに対し、後者では１５．２４ｃｍである点。
　
５．当審の判断
　そこで、上記各相違点について検討する。
　
5.1　＜相違点１＞について
　サファイアの結晶が、ａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面配向の結晶面をもつことは当業者間の常識である。
　そうしてみると、サファイア基板の主面をａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面のいずれかの面に沿って広がるものとすること、すなわちサファイア基板の結晶配向をａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面配向からなる群から選択されるものとすることは、当業者が普通に選択する事項である。
　
5.2　＜相違点２＞について
　サファイア基板のワープ及び規格化されたｎワープの値が小さいほど好ましいことは当業者間の常識である。また、刊行物記載の発明における「第１工程」、「第２工程」及び「第３工程」は、各工程後の平均表面粗さが、本願の明細書に開示された製造方法における各工程後の平均表面粗さと一致する（本願明細書の段落３０，４２，５９参照。）ことから、本願の明細書に開示された製造方法における「粗研削加工」、「精研削加工」及び「研磨加工」にそれぞれ相当することが明らかであるので、本願の明細書に開示された製造方法が刊行物記載の発明の方法と比較して格別のものと認めることはできない。したがって、刊行物記載の発明の方法によってもｎワープを０．１９０μｍ／ｃｍ２以下とすることは可能と考えられ、本件発明においてｎワープを０．１９０μｍ／ｃｍ２以下と特定することが格別の特徴ということはできない。
　なお、請求人は平成２５年５月２０日付意見書において、
「本願明細書に実施例として開示された製造方法では、砥石速度、送り速度、チャック速度、研磨スラリーのｐＨ、研磨スラリーの組成、研磨スラリーの流量といった加工条件が特定されておりますが、刊行物（特開平１０−１６６２５９号公報）に記載された製造方法には、そのような加工条件の特定は有りません。
　よって、前記刊行物に記載された製造方法は、本願明細書に開示された製造方法と同様の製造方法であるとは言えません。
　なお、既述のとおり、本願明細書に開示された製造方法は、ｎワープ、ＴＴＶ及びｎＴＴＶの何れの値についても、本願発明で特定された値に制御できるという、従来の方法では達成できない格別の技術的特徴を有するものです。
　また、請求項１、請求項５（補正前の請求項９）及び請求項８（補正前の請求項１４）で特定された０．１９０μｍ／ｃｍ２以下というｎワープは、単なる希望的な目標値ではなく、本願明細書の［表５］（段落［００８４］）に示すように、本願の実施例において、実際に達成可能であることが確認された値です。
　また、前記刊行物には、サファイア基板のＲａとＴＴＶとが所定の値となるように研削研磨する方法が開示されておりますが、サファイア基板のワープについては全く言及されておらず、ｎワープを０．１９０μｍ／ｃｍ２以下に制御するための方法又は加工パラメータにつきましても、記載も示唆もされておりません。
　よって、「基板のワープの値が小さいほど好ましいことは当業者間の常識」であったとしても、ｎワープの制御方法等について何ら記載も示唆されていない前記刊行物に基づいて、実際に０．１９０μｍ／ｃｍ２以下というｎワープを達成することが、当業者にとって容易であったとは到底言えるものではありません。」（８．（１）参照。）
と主張している。
　しかしながら、本件発明では製造方法についても、加工条件または加工パラメータについても特定されていないため、上記主張は特許請求の範囲の記載に基づいたものではないから、採用することができない。
　
5.3　＜相違点３＞について
　一般的に、基板の直径が大きくなる程、表面粗さ、総厚みばらつき、ワープともに、所定値以下に保つことがより困難となることは、技術常識である。このことは、逆に言えば、基板の直径が小さくなれば、表面粗さ、厚みばらつき及びワープを所定値以下に保つことがより容易になるということである。
　そうしてみると、表面粗さ、厚みばらつき及びワープの値を維持しつつ、刊行物記載の基板の直径を１５．２４ｃｍから１０ｃｍ以下へ縮小することは、要求される基板の寸法に応じて、当業者が格別の創意を要することなく、容易になしえることである。
　
5.4　本件発明の作用効果等について
　本件発明の作用効果には、刊行物記載の基板及び技術常識に基づいて当業者が普通に予測し得る範囲を超える格別のものを見出すことができない。
　したがって、本件発明は刊行物記載の基板及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は刊行物記載の基板及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
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