【事件の表示】
　特許第３２９５１７１号「半導体基板の製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２９５１７１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３２９５１７１号の請求項１ないし４に係る発明の手続の経緯は、以下のとおりである。
　
出願日（特願平５−８０８２８号）　平成５年４月７日
設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１４年４月５日
特許異議の申立て（北垣哲郎）　　　平成１４年１２月２４日
取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１６年３月１日
意見書、訂正請求書　　　　　　　　平成１６年５月１０日
訂正拒絶理由通知　　　　　　　　　平成１６年９月３日
手続補正書（訂正請求書）　　　　　平成１６年９月９日
　
　
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正請求に対する補正の適否について
（１）平成１６年５月１０日付け訂正請求の内容
　特許権者が平成１６年５月１０日付け訂正請求書において求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
（訂正事項ａ）
　特許請求の範囲の請求項１の「前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄することにより」という記載を、「前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する工程を含み、前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返すことにより」と訂正する。
（訂正事項ｂ）
　特許請求の範囲の請求項１の「混入不純物」という記載を、「混入金属不純物」と訂正する。
（訂正事項ｃ）
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
（訂正事項ｄ）
　特許請求の範囲の請求項２を削除したことに伴い、請求項３を請求項２に繰り上げ、「請求項１または請求項２に記載」とある記載を、「請求項１に記載」と訂正する。
（訂正事項ｅ）
　特許請求の範囲の請求項２を削除したことに伴い、請求項４を請求項３に繰り上げ、「請求項３に記載」とある記載を、「請求項２に記載」と訂正する。
（訂正事項ｆ）
　明細書の段落【０００７】中の「前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄すること」という記載を、「前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する工程を含み、前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返すこと」と訂正する。
（訂正事項ｇ）
　明細書の段落【００１０】、【００１０】、【００１５】、【００１６】、【００２０】、【００２１】、【００２２】中に記載されている全ての「混入不純物」の記載を、「混入金属不純物」と訂正する。
（訂正事項ｈ）
　明細書の段落【００２１】中の「上記実施例２において」という記載を、「図４に示すように、上記実施例２において」と訂正する。
（訂正事項ｉ）
　明細書の段落【００２２】中の「混入した不純物」という記載を、「混入した金属不純物」と訂正する。
（訂正事項ｊ）
　明細書の図面の簡単な説明の欄の図１の説明中、「第１の実施例」という記載を、「実施例１」と訂正する。
（訂正事項ｋ）
　明細書の図面の簡単な説明の欄の図２の説明中、「実施例２」という記載を、「実施例１」と訂正する。
（訂正事項ｌ）
　明細書の図面の簡単な説明の欄の図３の説明中、「実施例３」という記載を、「実施例２」と訂正する。
（訂正事項ｍ）
　明細書の図面の簡単な説明の欄の図１の説明中、「実施例４」という記載を、「実施例３」と訂正する。
（訂正事項ｎ）
　明細書の段落【００２２】中の「よれば、不純物」という記載を、「よれば、金属不純物」と訂正する。
（訂正事項ｏ）
　明細書中の段落番号【００１４】〜【００２２】を、それぞれ順次【００１１】〜【００１９】に繰り上げるという訂正をする。
　
（２）平成１６年５月１０日付け訂正請求に対する平成１６年９月９日付け補正の概要
補正事項ア
　上記訂正事項の内、訂正事項ｂ、ｇ、ｉ、ｎ，ｏを削除する。
補正事項イ
　上記訂正事項ｍ中、訂正請求書第２頁第２２行に記載の「図１」を「図４」と補正する。
補正事項ウ
　上記ア．の訂正事項ｂ、ｇ、ｉ、ｎ，ｏの削除により、上記訂正事項の符号がａ〜ｏであったものを、順次ａ〜ｊと振り直すという補正をする。
　
（３）補正の適否についての判断
　上記補正事項アは、訂正事項の削除であり、また、上記補正事項イ及びウは、請求書の要旨を変更しない範囲での軽微な瑕疵の補正と認められる。
　したがって、上記訂正請求に対する補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１３１条第２項の規定に適合する。
　
２．訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１６年９月９日付け手続補正書（訂正請求書）に添付された全文訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
（訂正事項ａ）
　特許請求の範囲の請求項１中の「前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄することにより、」を「前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する工程を含み、
　前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返すことにより、」と訂正する。
（訂正事項ｂ）
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
（訂正事項ｃ）
　特許請求の範囲の請求項３を請求項２に繰り上げ、「請求項１または請求項２に記載」を「請求項１に記載」と訂正する。
（訂正事項ｄ）
　特許請求の範囲の請求項４を請求項３に繰り上げ、「請求項３に記載」を「請求項２に記載」と訂正する。
（訂正事項ｅ）
　明細書の段落【０００７】中の「前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄すること」を「前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する工程を含み、前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返すこと」と訂正する。
（訂正事項ｆ）
　明細書の段落【００２１】中の「上記実施例２において」の記載を、「図４に示すように、上記実施例２において」と訂正する。
（訂正事項ｇ）
　明細書の図面の簡単な説明の欄の図１の説明中、「第１の実施例」の記載を「実施例１」と訂正する。
（訂正事項ｈ）
　明細書の図面の簡単な説明の欄の図２の説明中、「実施例２」の記載を「実施例１」と訂正する。
（訂正事項ｉ）
　明細書の図面の簡単な説明の欄の図３の説明中、「実施例３」の記載を「実施例２」と訂正する。
（訂正事項ｊ）
　明細書の図面の簡単な説明の欄の図４の説明中、「実施例４」の記載を「実施例３」と訂正する。
　
３．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明において、「前記１２５０度以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返す」点を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。そして、この点の構成は、訂正前の特許請求の範囲の請求項２、特許明細書の段落番号【００１２】に記載されていたものである。
　
（２）訂正事項ｂ〜ｄについて
　上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項２を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　上記訂正事項ｃ、上記訂正事項ｄは、請求項を繰り上げる訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
（３）訂正事項ｅについて
　上記訂正事項ｅは、上記訂正事項ａの特許請求の範囲の訂正に伴い、明細書の記載内容を訂正後の特許請求の範囲と対応させるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
（４）訂正事項ｆについて
　上記訂正事項ｆは、図４が実施例３を説明する図面であることを明らかにするための訂正であり、このことは、出願当初の明細書の図面の簡単な説明の欄及び平成１３年１２月２５日付手続補正書における手続補正８により裏付けられる。よって上記訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
（５）訂正事項ｇ〜ｊについて
　上記訂正事項ｇは、「第１の実施例」を「実施例１」と訂正するものであり、誤記の訂正を目的とするものである。
　上記訂正事項ｈは、「実施例２」を「実施例１」と訂正するものであり、図２が実施例１を説明する図面であることは特許明細書の段落番号【００１１】に記載されている事項であるから、誤記の訂正を目的とするものである。
　上記補正事項ｉは、「実施例３」を「実施例２」と訂正するものであり、図３が実施例２を説明する図面であることは特許明細書の段落番号【００１３】に記載されている事項であるから、誤記の訂正を目的とするものである。
　上記補正事項ｊは、「実施例４」を「実施例３」と訂正するものであり、図４が実施例３を説明する図面であることについては前記（４）で述べたとおりであるから、誤記の訂正を目的とするものである。
　
　以上をまとめると、上記訂正事項ａ、ｂは特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項ｃ〜ｆは明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項ｇ〜ｊは誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当するものである。そして、上記訂正事項ａ〜ｊは、いずれも願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
第３　特許異議の申立てについて
１．申立の理由及び取消理由通知の概要
（１）申立の理由の概要
　特許異議申立人北垣哲郎は、本件出願前に頒布された刊行物である、甲第１号証（津屋英樹監修　ＵＬＳＩプロセス材料実務便覧、１９９２年１月３０日株式会社サイエンスフォーラム発行、７０頁〜８０頁）、甲第２号証（特開昭６３−１４２６５５号公報）、甲第３号証（特開平４−２４９３２３号公報）、甲第４号証（PROCEEDINGS OF THE FOURTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND DEVICES、Proceedings Volume ９０−６、１５４頁−１６０頁（１９９０年））、甲第５号証（特開昭６１−５０３２８号公報）、甲第６号証（特開平２−２６７９３５号公報）、甲第７号証（特開平４−３５０４４号公報）、甲第８号証（特開昭５２−６９５７１号公報）、甲第９号証（特開昭４９−４０８５６号公報）を証拠として提出し、本件特許の請求項１、３に係る発明は、上記甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない、また本件特許の請求項１、３に係る発明は、上記甲第１号証〜甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、また、本件特許の請求項２に係る発明は、上記甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、また、本件特許の請求項３に係る発明は、上記甲第１号証〜甲第６号証及び甲第８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、また、本件特許の請求項４に係る発明は、上記甲第１号証〜甲第６号証、甲第８号証及び甲第９号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると主張すると共に、甲第１０号証（特願平５−８１３４８号）を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は、本件出願前になされた他の特許出願であってその出願後に出願公開された特願平５−８１３４８号（特開平６−２８３４２０号公報参照）の願書に最初に添附した明細書又は図面に記載された発明と同一の発明であると認められ、しかも、本件出願の発明者が上記引用発明の発明者と同一であるとも、また、本件出願の時にその出願人が上記引用発明の出願人と同一であるとも認められないから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、取り消すべきものである旨の主張をしている。
　
（２）取消理由通知の概要
「理由１
請求項１、３に係る発明は、下記刊行物１又は２に記載された発明と同一であると認められる。
よって、本件請求項１、３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
 理由２
（１）請求項１に係る発明は、下記刊行物１又は２に記載の発明に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものと認められる。
（２）請求項２に係る発明は、下記刊行物１又は２、及び７に記載の発明に基づいて、或いは下記刊行物１乃至７に記載の発明に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものと認められる。
（３）請求項３に係る発明は、下記刊行物１又は２、及び８、９に記載の発明に基づいて、或いは下記刊行物１乃至９に記載の発明に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものと認められる。
（４）請求項４に係る発明は、下記刊行物１又は２、及び８、９に記載の発明に基づいて、或いは下記刊行物１乃至９に記載の発明に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものと認められる。
よって、本件請求項１乃至４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１（甲第１号証）：津屋英樹監修　ＵＬＳＩプロセス材料実務便覧、１９９２年１月３０日株式会社サイエンスフォーラム発行、７０頁〜８０頁
刊行物２（甲第２号証）：特開昭６３−１４２６５５号公報
刊行物３（甲第３号証）：特開平４−２４９３２３号公報
刊行物４（甲第４号証）：PROCEEDINGS OF THE FOURTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND DEVICES、Proceedings Volume ９０−６、１５４頁−１６０頁（１９９０年）
刊行物５（甲第５号証）：特開昭６１−５０３２８号公報
刊行物６（甲第６号証）：特開平２−２６７９３５号公報
刊行物７（甲第７号証）：特開平４−３５０４４号公報
刊行物８（甲第８号証）：特開昭５２−６９５７１号公報
刊行物９（甲第９号証）：特開昭４９−４０８５６号公報
　
 理由３
本件の請求項１に係る発明は、本件出願日前に出願され本件出願後に出願公開された特願平５−８１３４８号（特開平６−２８３４２０号公報参照）の願書に最初に添附した明細書又は図面に記載された発明と同一の発明であると認められ、しかも、本件出願の発明者が上記引用発明の発明者と同一であるとも、また、本件出願の時にその出願人が上記引用発明の出願人と同一であるとも認められないから、本件の請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。」
　
２．本件請求項１ないし３に係る発明
　上記「第２」で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１ないし３に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ表面シリコン層を有する半導体基板の製造において、
　前記シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ後、前記シリコン基板を１２５０℃以上の温度で高温熱処理する際、
　雰囲気中に酸化性ガスを含ませることにより、前記表面シリコン層の表面に酸化シリコン膜を形成し、
　前記表面シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去し、
　前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する工程を含み、
前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返すことにより、
　前記表面シリコン層に混入した混入不純物を前記埋め込み酸化シリコン膜を通過させて前記シリコン基板中あるいは前記埋め込み酸化シリコン膜中あるいは表面酸化シリコン膜中へ移動させることを特徴とする半導体基板の製造方法。
　　【請求項２】　前記高温熱処理の前に、前記シリコン基板にゲッタリング領域を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
　　【請求項３】　前記ゲッタリング領域がシリコン基板裏面に形成され、前記高温熱処理後、前記ゲッタリング領域を除去することを特徴とする請求項２に記載の半導体基板の製造方法。」
　
３．引用刊行物等に記載された発明
　当審の取消理由通知で引用した刊行物１（津屋英樹監修　ＵＬＳＩプロセス材料実務便覧、１９９２年１月３０日株式会社サイエンスフォーラム発行、７０頁〜８０頁（申立人の提出した甲第１号証））には、
（１ａ）「ＳＩＭＯＸウェハは，シリコンウェハの内部に薄いＳｉＯ2の膜を埋め込んだ構造をしており，表面側から表層Ｓｉ，埋め込みＳｉＯ2層，基板Ｓｉの３層に分類される（図−２）。」（第７１頁左欄下から１０〜７行）ことが図−２と共に記載されている。さらに
（１ｂ）「ＳＩＭＯＸウェハ製造プロセスでの主要工程は酸素イオン注入とその後のアニールである。必要に応じて保護膜形成や洗浄等の処理が行われる。」（第７１頁右欄第３〜５行）こと、
（１ｃ）「アニール効果を上げるために，処理温度の高温化および処理時間の長時間化が図られてきた。温度に関しては１４００℃以上のシリコンの融点付近の処理がなされたことも報告されているが，最近は１３００〜１３５０℃の温度範囲で６〜１０ｈｒ程度のアニールが行われることが多い。」（第７３頁左欄第８〜１２行）こと、
（１ｄ）「最近注目されている低ドーズ注入法を用いた場合，ドーズ量１．２×１０18ｃｍ-2以下，アニール温度１３００℃以上の条件において，転位密度は１０2ｃｍ-2まで減少した事が報告されている。このうちイオン注入条件，アニール条件がそれぞれ１８０ｋｅＶ，０．４×１０18ｃｍ-2，１３５０℃，４ｈｒの試料の断面ＴＥＭ像を図−１２に示す。」（第７５頁右欄第２６行〜第７６頁左欄第３行）ことが図−１２と共に記載されている。
　
　同刊行物２（特開昭６３−１４２６５５号公報（申立人の提出した甲第２号証））には、
（２ａ）「第２図の左側の分枝に示されるように（低温の）臨界値以下の酸素注入に続いて、酸素の多い注入層から本質的に化学量論的組成のＳｉＯ2が形成されるよう、適当な熱処理が行われる。そのような熱処理は典型的な場合アモルファスＳｉを再結晶化させる低温アニール（たとえば５００ないし８００℃、好ましくは７００℃を越えない温度で３０分ないし３時間）を含むと有利である。加熱処理はまた適当に長い時間、たとえば３時間以上、典型的な場合１２００℃以上の温度の高温アニールも含む。」（第４頁右下欄第６〜１７行）こと、
（２ｂ）「当業者には明らかであろうが、熱処理は非酸化条件又は不活性雰囲気下で行うのが有利である。従来技術は高温アニール中Ｓｉ上部層を保護するための手段として、比較的厚い（たとえば５００ｎｍ）酸化物キャップ層を形成することを知っている。我々は高温アニール中Ｓｉ上部層を保護するための有利な技術を考案した。現在我々が好ましいと考えるその技術は、アニールを主成分として少くとも一種類の不活性ガス（たとえば９９％のＡｒ）と、少数成分（たとえば１％）として酸素を含む雰囲気中で行うことを含む。酸素濃度は熱処理中薄い（たとえば２０ｎｍ）保護ＳｉＯ2をゆっくり成長させる効果がある。」（第５頁左上欄第６〜１９行）ことが第２図と共に記載されている。
　
　同刊行物３（特開平４−２４９３２３号公報（申立人の提出した甲第３号証））には、
（３ａ）「シリコン基板の主表面に、該シリコン基板の主表面から下方の位置で最大値となるような酸素濃度分布を与える第１の高エネルギで、第１の酸素イオンを注入する工程と、前記第１の酸素イオンが注入された前記シリコン基板を熱処理し、それによって前記シリコン基板中にＳｉＯ2層を形成する工程と、前記シリコン基板の主表面に、前記ＳｉＯ2層と、該ＳｉＯ2層の上に存在するＳｉ層との、界面付近で最大値となるような酸素濃度分布を与える第２の高エネルギで、第２の酸素イオンを注入する工程と、前記第２の酸素イオンが注入された前記シリコン基板を熱処理する工程と、を備えた、シリコン基板中に埋込絶縁膜を形成する方法。」（請求項１）、
（３ｂ）「熱処理については１３００℃以上の温度で行なうのが好ましい。雰囲気は、アルゴンと酸素の混合気体を用いる。」（明細書【００２９】段落）ことが記載されている。
　
　同刊行物４ないし６（PROCEEDINGS OF THE FOURTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND DEVICES　Proceedings Volume ９０−６１５４頁−１６０頁（１９９０年）（申立人の提出した甲第４号証）、特開昭６１−５０３２８号公報（申立人の提出した甲第５号証）、特開平２−２６７９３５号公報（申立人の提出した甲第６号証））には、半導体基板の表面に酸化膜を形成して該酸化膜に不純物を移動させ、その後酸化膜をエッチングすることによって不純物を除去することが示されている。
　
　同刊行物７（特開平４−３５０４４号公報（申立人の提出した甲第７号証））には、
（７ａ）「本発明は欠陥密度の高い半導体基板の表面に欠陥密度の低い半導体基板層を形成した半導体基板を絶縁膜を介して別の基板に貼り合わせて、研磨と、高い欠陥密度による選択エッチング、更に犠牲酸化とを組み合わせて、絶縁膜上に１μｍ以下の均一で薄い半導体基板層を有する半導体基板の製造方法を提供するものである。」（第１頁右欄第１〜７行）こと、
（７ｂ）「更にエピ層２の表面の酸化により酸化膜５を形成することによりエピ層２の厚みをより薄く制御し、選択エッチングにより生じたエピ層２の表面の欠陥も取り除くことができる（第１図（ｇ）参照）。そして酸化膜５をエッチング除去して本発明の半導体基板を完成させることができる（第１図（ｈ）参照）。
　また、エピ層の厚みが所望の厚みより厚い場合は、酸化膜５を形成し除去する工程（第１図（ｇ）〜（ｈ）参照）を繰り返せば良いことは明らかであり、これによって絶縁膜上の半導体基板層の厚みを０．５μｍ以下にすることが可能である。」（第２頁左下欄第５〜１６行）が第１図と共に記載されている。
　
　同刊行物８（特開昭５２−６９５７１号公報（申立人の提出した甲第８号証））には、シリコンウェーハに酸化膜を形成する前に、裏面に多結晶シリコンを形成しておきゲッタリング作用を持たせることが示されている。
　
　同刊行物９（特開昭４９−４０８５６号公報（申立人の提出した甲第９号証））には、「半導体基体表面に多結晶半導体層を形成し、上記半導体基体を高温処理することにより半導体基体内の結晶欠陥および重金属を上記多結晶半導体層に集め、然る後に上記多結晶半導体層を除去することを特徴とする半導体基体処理法。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　
　また、特許異議申立人が提出した甲第１０号証（特願平５−８１３４８号）には、単結晶シリコン基板内に埋込ＳｉＯ2層を形成した後、１３００℃以上の高温にて、Ａｒ／Ｏ2またはＮ2／Ｏ2の混合ガス雰囲気中で熱処理を行い、その後表面に形成した二酸化ケイ素薄膜を除去することが示されている。
　
４．対比・判断
（１）特許法第２９条第１項第３号についての判断
ア．本件請求項１に係る発明について
ａ．上記刊行物１には、１３５０℃、４ｈｒ、Ａｒ＋Ｏ2雰囲気での熱処理により表面に酸化膜が形成されること（摘記事項（１ｄ）参照）、必要に応じて保護膜形成や洗浄等の処理が行われること（摘記事項（１ｂ）参照）、及び、最終的なＳＩＭＯＸ基板表面には酸化膜が存在しないこと（摘記事項（１ａ）及び図２参照）が示されており、これらを総合すると、刊行物１には、表面シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去し、前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する工程が記載されているものと認める。
　そこで本件の請求項１に係る発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、「シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ表面シリコン層を有する半導体基板の製造において、前記シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ後、前記シリコン基板を１２５０℃以上の温度で高温熱処理する際、雰囲気中に酸化性ガスを含ませることにより、前記表面シリコン層の表面に酸化シリコン膜を形成し、前記表面シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去し、前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する工程を含み、前記表面シリコン層に混入した混入不純物を前記埋め込み酸化シリコン膜を通過させて前記シリコン基板中あるいは前記埋め込み酸化シリコン膜中あるいは表面酸化シリコン膜中へ移動させることを特徴とする半導体基板の製造方法。　」である点で一致するが、
刊行物１に記載された発明は「前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返す」との構成を有さない点（以下、「相違点１」という）で相違する。
　
ｂ．本件の請求項１に係る発明と上記刊行物２又は３に記載された発明とを対比すると、両者は、「シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ表面シリコン層を有する半導体基板の製造において、前記シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ後、前記シリコン基板を１２５０℃以上の温度で高温熱処理する際、雰囲気中に酸化性ガスを含ませることにより、前記表面シリコン層の表面に酸化シリコン膜を形成し、前記表面シリコン層に混入した混入不純物を前記埋め込み酸化シリコン膜を通過させて前記シリコン基板中あるいは前記埋め込み酸化シリコン膜中あるいは表面酸化シリコン膜中へ移動させることを特徴とする半導体基板の製造方法。」である点で一致するが、
刊行物２又は３に記載された発明は「前記表面シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去し、前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する工程」を有するか明らかでない点（以下「相違点２」という）、及び、「前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返す」との構成を有さない点（相違点１）で相違する。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明と上記刊行物１ないし３に記載された発明とは上記ａ．ないしｂ．で述べた相違点を有するから、本願の請求項１に係る発明は上記刊行物１ないし３に記載された発明ではない。
　
イ．本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明を引用し、さらに限定した発明であるので、上記ａ．ないしｂ．と同様な理由により、上記刊行物１ないし３に記載された発明ではない。
　
（２）特許法第２９条第２項についての判断
ア．本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１〜３に記載された発明とを対比した相違点である、上記相違点１について検討する。
　上記刊行物４ないし６には、半導体基板の表面に酸化膜を形成し該酸化膜に不純物を移動させ、その後酸化膜をエッチングすることによって不純物を除去することが示されているが、これを繰り返すことについては記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物７に関する摘記事項（７ａ）及び（７ｂ）を総合すると、上記刊行物７には、貼り合わせＳＯＩ基板のエピタキシャル層を薄く形成するために、エピタキシャル層表面への酸化膜形成と該酸化膜のエッチング除去を繰り返すことが示されているものと認められる。しかしながら、上記刊行物７には不純物除去について記載されていないこと、及び、そもそも極めて清浄な膜であるエピタキシャル層に対して不純物除去を行う必要はないことからみて、上記刊行物７には、高温熱処理による表面酸化シリコン膜の形成、該酸化シリコン膜の除去及び洗浄を複数回に亙り繰り返すことにより不純物を低減するという技術的思想が記載され、あるいは示唆されているとは認められない。
　さらに、上記相違点１の構成は、上記刊行物８ないし９に記載も示唆もされていない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、この点で明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記相違点２について検討するまでもなく、刊行物１ないし９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
イ．本件請求項２ないし３に係る発明について
　本件請求項２ないし３に係る発明は、少なくとも本件請求項１に係る発明を引用し、さらに限定した発明であるので、上記ア．と同様な理由により、上記刊行物１ないし９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（３）特許法第２９条の２についての判断
　本件の請求項１に係る発明と、本件出願日前に出願され本件出願後に出願公開された特願平５−８１３４８号（特開平６−２８３４２０号公報参照）の願書に最初に添附した明細書又は図面に記載された発明（以下「先願発明」という）とを比較すると、先願発明は「前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返す」構成を有さない点で本願の請求項１に係る発明と相違し、当該相違点は課題解決のための具体化手段における微差ではないから、両者は同一ではない。
　したがって、本件の請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　そして、他に本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１ないし３に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月１０日（２００４．９．１０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体基板の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ表面シリコン層を有する半導体基板の製造において、
　前記シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ後、前記シリコン基板を１２５０℃以上の温度で高温熱処理する際、
　雰囲気中に酸化性ガスを含ませることにより、前記表面シリコン層の表面に酸化シリコン膜を形成し、
　前記表面シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去し、
　前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する
工程を含み、
　前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返す
　前記表面シリコン層に混入した混入不純物を前記埋め込み酸化シリコン膜を通過させて前記シリコン基板中あるいは前記埋め込み酸化シリコン膜中あるいは表面酸化シリコン膜中へ移動させることを特徴とする半導体基板の製造方法。
　【請求項
２
１に
　【請求項
３
２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ半導体基板（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ。以下、ＳＯＩ基板と称する）の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、ＳＯＩ基板は、各種の方法で製作されている。例えば、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｏｘｙｇｅｎ）は、シリコン基板に酸素イオンを注入することにより、シリコンを内部酸化して埋め込み酸化シリコン膜を形成し、表面に単結晶シリコン層を残すことにより、ＳＯＩ基板を製作している。
　【０００３】
　このＳＩＭＯＸ法によりＳＯＩ基板を製造した場合、酸素イオン注入の行程において、酸素イオンビームが装置の構成部材をスパッタし、望ましくない不純物をＳＩＭＯＸ基板に混入させることがある。ＳＩＭＯＸ法により製造したＳＯＩ基板に限らず、ＳＯＩ基板の表面シリコン層に混入不純物があると、基板の表面シリコン層に形成した半導体装置の特性を劣化させるという問題があった。
　【０００４】
　通常の半導体基板では、埋め込み酸化シリコン膜がないため、半導体装置を形成する表面シリコン部分にある混入不純物を基板内部あるいは基板裏面にゲッタリング領域を形成することにより混入不純物を固着して、表面シリコン層に形成した半導体装置への悪影響を避けている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながらＳＯＩ基板は、半導体装置を形成する表面シリコン層の下に、裏面シリコン層への混入不純物の移動を妨げる埋め込み酸化シリコン膜があるため、半導体装置を形成する表面シリコン層に混入した不純物を除去することが困難であった。
　【０００６】
　そこで、本発明の目的は、ＳＯＩ基板において、混入不純物を低減することにより、清浄なＳＯＩ基板を得ることができる半導体基板の製造方法を提供することにある。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するための本発明は、シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ表面シリコン層を有する半導体基板の製造において、前記シリコン基板内部に酸化シリコン膜を埋め込んだ後、前記シリコン基板を１２５０℃以上の温度で高温熱処理する際、雰囲気中に酸化性ガスを含ませることにより、前記表面シリコン層の表面に酸化シリコン膜を形成し、前記表面シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去し、前記シリコン層表面に形成した該酸化シリコン膜を除去したことにより露出した前記表面シリコン層を洗浄する
工程を含み、前記１２５０℃以上の高温熱処理、前記酸化シリコン膜の除去および前記洗浄を複数回に亙り繰り返す
　【０００８】
　【作用】
　上述のように構成された本発明の半導体基板の製造方法は、高温熱処理により、混入不純物を、表面シリコン層から埋め込み酸化シリコン膜を通過させてシリコン基板へ移動させることにより、表面シリコン層から除去するものである。熱処理の際、温度が高いほど、混入不純物のシリコン・酸化シリコン内での移動が早いため、短時間でも移動させられる。また、熱処理の際、雰囲気中に酸化性ガスを含ませることにより、表面シリコン層表面に酸化シリコン膜を形成して、表面シリコン層の混入不純物を形成した酸化シリコン膜中に吸いだし、形成した酸化シリコン膜を除去し、基板を洗浄することによって、より表面を清浄にする。さらに、シリコン基板に熱処理の前に、あらかじめゲッタリング領域を形成しておくことにより、シリコン基板に形成したゲッタリング領域により移動してきた混入不純物が元の表面シリコン層に戻らないようにする。ＳＯＩ基板のゲッタリング領域をＳＯＩ基板の裏面に形成し、混入不純物を固着した裏面を混入不純物と共に除去すると、半導体装置を形成する行程において固着された混入不純物が再び表面シリコン層・埋め込み酸化シリコン層の界面へ戻ることがなくなる。
　【０００９】
　【実施例】
　以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
　【００１０】
　実施例１
　図１に示すＳＯＩ基板において、埋め込み酸化シリコン膜２の膜厚は０．４μｍ、表面シリコン層３の膜厚は０．１５μｍであり、表面シリコン層に含まれる混入不純物が鉄１０×１０１１／ｃｍ２、銅１０×１０１１／ｃｍ２であった。
　【００１１】
　【００１２】
　【００１３】
　【００１４】
　このＳＯＩ基板において、１３００℃で６時間の高温熱処理する際の炉の雰囲気に０．５％の酸素ガスを混入し、図２に示すように、表面に０．０６μｍの酸化シリコン膜４を形成した。この酸化シリコン膜４を弗酸の希薄水溶液で除去し、さらに塩酸と過酸化水素水とを混合した酸系の洗浄液で表面シリコン層３を僅かに除去しつつ洗浄した。
　【００１５】
　（ａ）ＳＯＩ基板の表面から２μｍまでに含まれる混入不純物は、鉄１×１０１１／ｃｍ２、銅６×１０１１／ｃｍ２と減少した
　（ｂ）高温熱処理による表面シリコン層３の酸化の工程と表面の酸化シリコン膜４と表面シリコン層３の表面付近を除去・洗浄する工程との組み合わせを２回繰り返すと、ＳＯＩ基板の表面から２μｍまでに含まれる混入不純物は、鉄０．２×１０１１／ｃｍ２、銅４×１０１１／ｃｍ２と、さらに減少した。また、複数回に亙り高温熱処理および表面酸化シリコン膜と表面シリコン層に表面付近の除去・洗浄を繰り返すと、さらに、ＳＯＩ基板表面の混入不純物が減少した。
　【００１６】
　実施例２
　上記実施例１のＳＯＩ基板において、図３に示すように、ＳＯＩ構造を形成する前に、基板シリコン１の裏面に混入不純物を固着するゲッタリング領域５を次のように形成した。
　【００１７】
（ａ）ゲッタリング領域として、基板シリコンの裏面に０．３μｍの多結晶シリコン膜を付けた。
　【００１８】
（ｂ）ゲッタリング領域として、基板シリコンの裏面に研磨剤を吹き付けて粗面とした。
　【００１９】
（ｃ）ゲッタリング領域として、基板シリコンの内部に酸化シリコンの微細な析出物を形成した。
　【００２０】
　上記のようにあらかじめゲッタリング領域５を形成した後、ＳＯＩ構造を形成し、混入不純物を除去した。その後、１０００℃の熱処理をしたところ、固着された混入不純物は、固着状態に留まり、表面シリコン層およびその近傍に移動することはなかった。
　【００２１】
　実施例３
　
図４に示すように、
　【００２２】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の半導体基板の製造方法によれば、不純物が混入したＳＯＩ基板を、１２５０℃以上に高温熱処理して混入不純物を移動させ、その後に表面付近を除去・洗浄し、あるいは、あらかじめＳＯＩ基板の内部・裏面に混入不純物を固着する領域を形成し、あるいは、混入不純物を固着領域と共に排除することにより、表面シリコン層に混入した不純物を低減できる。したがって、この表面シリコン層に半導体装置を形成してもＳＯＩ基板形成時に混入した不純物の悪影響を現れなくするという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明による半導体基板の製造方法の実施例
１
　【図２】　本発明による半導体基板の製造方法の実施例
１
　【図３】　本発明による半導体基板の製造方法の実施例
２
　【図４】　本発明による半導体基板の製造方法の実施例
３
　【符号の説明】
　１…シリコン基板、
　２…埋め込み酸化シリコン膜、
　３…表面シリコン層、
　４…酸化シリコン膜、
　５…ゲッタリング領域。