【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３９３３５９２号発明「窒化物系半導体素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　本件の概要及び経緯
１　本件の概要
　本件は、請求人（日亜化学工業株式会社）が、被請求人（三洋電機株式会社）が特許権者である特許第３９３３５９２号（以下、「本件特許」という。特許登録時の請求項の数は８である。）の請求項１〜８に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
　なお、本審決において、摘記箇所を行により特定する場合、行数は空行を含む。
　
２　出願の経緯概要
　本件特許の出願の経緯概要は、次のとおりである。
　
　平成１４年　３月２６日　先の出願（特願２００２−８５０８５号）
　平成１５年　３月１９日　本件出願（優先権主張、特願２００３−７４９６６号）（以下、「本願」という。）
　平成１８年１２月２５日　手続補正書
　平成１９年　１月３０日　特許査定
　平成１９年　３月３０日　設定登録（特許第３９３３５９２号）
　平成１９年　６月２０日　特許公報発行
　
３　本件審判の経緯
　本件審判の経緯は、次のとおりである。
　
　平成２３年１０月　７日　特許無効審判請求
　平成２３年１２月２６日　答弁書、訂正請求書
　平成２４年　２月２４日　審理事項通知書（合議体）
　平成２４年　３月２８日　口頭審理陳述要領書（請求人）
　平成２４年　４月１１日　口頭審理陳述要領書（被請求人）
　平成２４年　４月２５日　口頭審理
　平成２４年　５月１４日　上申書（請求人）
　平成２４年　５月２８日　上申書（被請求人）
　平成２４年　７月　３日　上申書（請求人）
　
　なお、請求人が平成２４年３月２８日付けで提出した口頭審理陳述要領書（１３ページ１行目から１５ページ２７行目、２５ページ１８行目から３０ページ２行目、３５ページ１７行目から３７ページ１７行目、及び、３７ページ１９行目から３８ページ８行目）による請求の理由の補正については、同年４月２５日の口頭審理において、特許法第１３１条の２第２項の規定に基づき、許可しないと決定した。
　
第２　訂正請求についての当審の判断
１　訂正請求の内容
　被請求人は、平成２３年１２月２６日に訂正請求書を提出して訂正を求めた（以下、「本件訂正」という。）。本件訂正の内容は、本件特許発明の明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、以下の事項をその訂正内容とするものである（訂正による変更部分に当審で下線を付した。）。
　
（１）訂正事項１
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
　
（本件訂正前）
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０9ｃｍ-2以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ2以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。」
　
（本件訂正後）
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型
の窒
板から
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０9ｃｍ-2以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ2以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。」
　
（２）訂正事項２
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項５を次のとおり訂正する。
　
（本件訂正前）
「【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。」
　
（本件訂正後）
「【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工され
、該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去され
　
２　訂正の可否に対する判断
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１について、「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層」から「窒化物系半導体層および」及び「のいずれか」を削除し、「ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層」に限定するものである。そして、これにより、訂正前の請求項１記載の第１半導体層はｎ型の窒化物系半導体基板へ減縮されることになるから、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項１は、新規事項の追加ではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正前の請求項５に対して、新たな発明特定事項を付加するものである。そして、これにより、訂正前の請求項５に記載された窒化物系半導体素子の第１半導体層は、新たな発明特定事項をさらに備える窒化物形半導体素子の第１半導体層へと減縮されることになるから、訂正事項２は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項２は、訂正前の明細書の段落【００４５】【００４６】【００５１】【００５６】【００５８】の記載から導き出すことができる事項であるから新規事項の追加ではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
（３）本件訂正についてのむすび
　したがって、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書各号に掲げる事項を目的とするものに該当し、同条第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　両当事者の主張の概要
１　請求人の主張の概要
　請求人は、「特許第３９３３５９２号の請求項１ないし８に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は次の理由により無効とすべきものであると主張している。
　
（１）本件特許発明１についての無効理由
　本件特許発明１は、甲第２号証に記載された発明と同一であるか、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、又は同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号の規定により、無効とすべきである。
  
（２）本件特許発明２〜８についての無効理由
　本件特許発明２〜８も、甲第２号証に記載された発明と同一であるか、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、又は同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号の規定により、無効とすべきである。
　
（３）証拠方法
　請求人が提出した甲第１号証ないし甲第３３の２号証（以下、それぞれ「甲１」〜「甲３３の２」という。）は次のとおりである。
　
　甲１：特許第３９３３５９２号公報（本件特許）
　甲２：特開２００１−１４８３５７号公報
　甲３：特開２０００−３４０５１１号公報
　甲４：特開２０００−２２３７７９号公報
　甲５：特開２０００−２２３７９０号公報
　甲６：特開２００１−１０２６９０号公報
　甲７：特開２００１−１９２３００号公報
　甲８：特開２００２−８４０４０号公報
　甲９：特開２００１−３３２８１７号公報
　甲１０：平田照二著、「わかる半導体レーザの基礎と応用」、ＣＱ出版株式会社、２００１年１１月２０日発行、１１２〜１３１ページ、奥付
　甲１１：奥野保男著、「発光ダイオード」、産業図書株式会社、平成５年１月２０日発行、１０６〜１１３ページ、奥付
　甲１２：特開２００１−１７６８２３号公報
　甲１３：特開２００１−８５７３６号公報
　甲１４：特開２００１−３１３４２２号公報
　甲１５：特開２００１−３２２８９９号公報
　甲１６：特開２００３−５１６１４号公報
　甲１７：Ｊｏｏｎ Ｓｅｏｐ Ｋｗａｋら著、「Ｃｒｙｓｔａｌ−ｐｏｌａｒｉｔｙ ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ ｏｆ Ｔｉ／Ａｌ ｃｏｎｔａｃｔｓ ｔｏ ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ ｎ−ＧａＮ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ」、ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．７９、Ｎｏ．２０、２００１年１１月１２日発行、３２５４〜３２５６ページ
　甲１８：特開２０１０−６７８５８号公報
　甲１９：平成２３年（ワ）第２６６７６号特許権侵害差止損害賠償等請求事件（原告　三洋電機株式会社、被告　日亜化学工業株式会社）原告第４準備書面（平成２４年２月２０日付け）
　甲２０：口頭審理における技術説明で請求人が用いた資料
　甲２１：結晶成長学辞典編集委員会編、「結晶成長学辞典」、共立出版株式会社、２００１年７月２５日発行、２２０〜２２１ページ、奥付
　甲２２：特開平１１−２３３４８４号公報
　甲２３：特開２００２−３３４８５４号公報
　甲２４：松永正久ら著、「エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術」、株式会社サイエンスフォーラム、昭和６０年１月３０日発行、５７７〜５８４ページ、奥付
　甲２５：志村忠夫著、「半導体シリコン結晶工学」、丸善株式会社、平成５年９月３０日発行、１１１〜１１４ページ、奥付
　甲２６：特開２０００−２５２２１７号公報
　甲２７：有田潔ら著、「プラズマによるウエハ加工変質層の除去技術」、８ｔｈ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ “Ｍｉｃｒｏｊｏｉｎｉｎｇ ａｎｄ Ａｓｓｅｍｂｌｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”予稿集、２００２年１月３１日〜２月１日開催、８７〜９２ページ
　甲２８：大谷昇ら著、「大口径・高品質炭化珪素単結晶基板」、新日鉄技報第３７４号、２００１年発行、３２〜３６ページ
　甲２９：特開２００２−２８９５７９号公報
　甲３０：特表２００１−５１８８７０号公報
　甲３１：Ｊ． Ｊａｓｉｎｓｋｉら著、「Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ ｈｙｄｒｉｄｅ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ ＧａＮ」、ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．７８、Ｎｏ．１６、２００１年４月１６日発行、２２９７〜２２９９ページ
　甲３２：Ｇ． Ｎｏｗａｋら著、「Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆ ｈｉｇｈｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ＧａＮ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ２２２、２００１年発行、７３５〜７４０ページ
　甲３３の１：平成２３年（ワ）第２６６７６号特許権侵害差止損害賠償等請求事件（原告　三洋電機株式会社、被告　日亜化学工業株式会社）原告第５準備書面（平成２４年６月１５日付け）
　甲３３の２：特開２００１−１４８３５７号公報（甲２）
　
２　被請求人の主張の概要
　被請求人は、「本件請求は成り立たない。」との審決を求め、請求人が主張する無効理由はいずれも存在しないと主張している。
　
　被請求人が提出した乙第１号証ないし乙第４号証（以下、それぞれ「乙１」〜「乙４」という。）は次のとおりである。
　
　乙１：特開平１１−２１９９１０号公報
　乙２：陳述書（平成２４年４月１０日、被請求人従業者作成）
　乙３：分析結果報告書（平成２４年２月１４日、株式会社ＵＢＥ科学分析センター作成）
　乙４：口頭審理における技術説明で被請求人が用いた資料
　
第４　本件特許発明に対する当審の判断
１　本件特許発明
　上記第２のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許の請求項１〜８に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」〜「本件特許発明８」という。）は、訂正明細書、訂正特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０9ｃｍ-2以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ2以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。
【請求項２】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０6ｃｍ-2以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０17ｃｍ-3以上である、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
　前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工され、該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
　【請求項６】
　前記第１半導体層のｎ型ドーパントが酸素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
　【請求項７】
　前記第１半導体層の上面上に、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。
　【請求項８】
　前記第１半導体層は、HVPE法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。」
　
２　甲２に記載された発明（以下、「甲２発明」という。）
（１）甲２の記載事項
　請求人が提出した甲２には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ア　「【請求項１】  
ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体基板
前記半導体基板上に形成された複数のＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体層、および
前記半導体基板上に形成された
ｎ型電極
を備え
前記半導体基板はｎ型であり、かつ前記ｎ型電極は、前記半導体基板の窒素終端面上に形成されている
　
イ　「【００１８】典型的に、
本発明において、半導体基板中のｎ型不純物の濃度は、１×１０
17
ｃｍ
-3
〜１×１０
21
ｃｍ
-3
の範囲内である
好ましくは、半導体基板中のｎ型不純物の濃度は、１×１０
17
ｃｍ
-3
〜１×１０
19
ｃｍ
-3
の範囲内である
　
ウ　「【００３２】また、基板上にレーザ等の素子構造の作製するため、ＭＯＣＶＤ法が好ましく使用される。そのほか、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法等の他のエピタキシャル成長方法を用いてもよい。ＭＯＣＶＤ法に使用される原料には、たとえば、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ＮＨ3、およびビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）がある。これら以外でも、必要な化合物を成長できる原料であれば任意のものを使用することができる。ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体基板、特にＧａＮ基板、および
レーザ等の素子構造へのドーパントとして
Ｓｉ
Ｇｅ
Ｓｅ
　
エ　「【００３５】実施例１
以下に示すように、サファイア基板上に
Ｈ−ＶＰＥ法によりＧａＮ厚膜を成長させ、得られた厚膜を基板として使用し
　
オ　「【００３９】
成長後、研磨によりサファイア基板、ＭＯＣＶＤ法によるアンドープＧａＮ膜、ＳｉＯ
2
膜を除去し、Ｎ終端面が出るまで研磨して、図１（ａ）に示すＧａＮ基板１０２を得る
ＧａＮ基板の研磨を行った面はＮ終端面であり
【００４０】得られたＧａＮ厚膜を基板として使用し、以下のとおり、ＭＯＣＶＤ法により発光素子構造を成長させる。まず、基板をＭＯＣＶＤ装置内に導入し、Ｎ2とＮＨ3をそれぞれ５Ｌ／ｍｉｎ流しながら１０５０℃まで昇温する。温度が上がればキャリアガスをＮ2からＨ2に代えて、ＴＭＧを１００μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＳｉＨ4を１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ導入して、図１に示すｎ型ＧａＮ層１０３を４μｍ成長させる。その後、ＴＭＧの流量を５０μｍｏｌ／ｍｉｎに調整し、ＴＭＡを４０μｍｏｌ／ｍｉｎ導入して、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４を０．５μｍの厚さで成長させる。Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎの成長が終了すると、ＴＭＡの供給を停止し、ＴＭＧを１００μｍｏｌ／ｍｉｎに調整して、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０５を０．１μｍの厚さになるように成長させる。その後、ＴＭＧ、ＳｉＨ4の供給を停止して、キャリアガスをＨ2からＮ2に再び代えて、７００℃まで降温し、インジウム原料であるトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＧを１５μｍｏｌ／ｍｉｎ導入し、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなる４ｎｍ厚の障壁層を成長させる。その後、ＴＭＩの供給量を５０μｍｏｌ／ｍｉｎに増加し、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる２ｎｍ厚の井戸層を成長させる。井戸層は合計３層、同様の手法で成長させ、井戸層と井戸層との間および両側に合計４層の障壁層が存在するような多重量子井戸（ＭＱＷ）の発光層１０６を成長させる。ＭＱＷの成長が終了すると、ＴＭＩおよびＴＭＧの供給を停止して、再び１０５０℃まで昇温し、キャリアガスを再びＮ2からＨ2に代えて、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＡを３０μｍｏｌ／ｍｉｎ、Ｐ型ドーピング原料であるビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ流し、２０ｎｍ厚のｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎキャリアブロック層１０７を成長させる。キャリアブロック層の成長が終了すると、ＴＭＡの供給を停止し、ＴＭＧの供給量を１００μｍｏｌ／ｍｉｎに調整して、０．１μｍの厚さのｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８を成長させる。その後、ＴＭＧの供給を５０μｍｏｌ／ｍｉｎに調整し、ＴＭＡを４０μｍｏｌ／ｍｉｎ導入し、０．４μｍ厚のｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０９を成長させ、最後に、ＴＭＧの供給を１００μｍｏｌ／ｍｉｎに調整して、ＴＭＡの供給を停止し、０．１μｍ厚のｐ型ＧａＮコンタクト層１１０の成長を行い、発光素子構造の成長を終了する。成長が終了すると、ＴＭＧおよびＣｐ2Ｍｇの供給を停止して降温し、室温で基板をＭＯＣＶＤ装置より取り出す。
【００４１】その後、ドライエッチング装置を用いて、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１０を５μｍ幅のストライプ状に残し、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ光ガイド層１０９までエッチングを行い、光導波路を形成する。次いで、ｐ−ＧａＮ部分にＰｄを１５０Å、Ａｕを１０００Å順次蒸着して、ｐ型電極１１１を形成する。また、基板温度を２００℃程度に保ち、
ＧａＮ基板のＮ終端面１０２Ａに、Ｔｉを厚さ１５０Å、Ａｌを１０００Å順次蒸着し、ｎ型電極１０１を形成する
　
カ　「【００５２】また、レーザの作製に使用した
ＧａＮ基板のＮ終端面側にｎ電極を形成し、Trans Mission Line Model（ＴＬＭ）法により、不純物濃度に対する接触比抵抗を調べた
【００５３】
図１０は、ＧａＮ基板中の不純物濃度と接触比抵抗との関係を示す
接触比抵抗が１×１０
-5
Ω・ｃｍ
2
以下となり
　
キ　「【００５５】実施例３
以下に示すように、
ＧａＮ基板のキャリア濃度
Ｓｉ高ドープＧａＮ層１００２ａ（Ｓｉ不純物濃度：８．０×１０
18
ｃｍ
-3
）
　
ク　「【００８８】このようにして得られたレーザ素子の閾値電圧および閾値電流密度は、それぞれ５Ｖ程度、１．０ｋＡ／ｃｍ2程度という低い値であった。このようにｎ型不純物としてＳｉだけでなくＧｅも使用できることがわかる。また、Ｏもｎ型不純物として利用でき、実際効果を確認している。具体的には、Ｈ−ＶＰＥ法において、ＨＣｌガスに含まれるＯ量を調整したり、ＧａＮ成長中に酸素ガスを流して膜中にＯを導入することができる。」
　
ケ　図１、図１０、図１１はそれぞれ次のとおりである。
　
【図１】
　
【図１０】
　
【図１１】
　
（２）甲２発明
　前記摘記事項ア〜ケを含む甲２の全記載からみて、甲２には、次の発明が記載されていると認められる。
　
「ｎ型のＧａＮ基板と、
前記ＧａＮ基板のＮ終端面側に形成されたｎ電極とを備え、
前記ｎ電極と前記ＧａＮ基板との界面において、接触比抵抗が１×１０-5Ω・ｃｍ2以下である、ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置。」
　
３　対比・判断
（１）本件特許発明１について
Ａ　本件特許発明１と甲２発明の一致点、相違点
　そこで、本件特許発明１と甲２発明とを対比すると、甲２発明（この段落において、以下、「前者」という。）の「ｎ型のＧａＮ基板」は本件特許発明１（この段落において、以下、「後者」という。）の「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層」に相当し、前者の「前記ＧａＮ基板のＮ終端面側」は後者の「前記第１半導体層の裏面上」に相当し、前者の「ｎ電極」は後者の「ｎ側電極」に相当し、前者の「接触比抵抗」は後者の「コンタクト抵抗」に相当し、前者の「ｎ型のＧａＮ基板」を備えた「ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置」は後者の「窒化物系半導体素子」に相当する。
　
　したがって、本件特許発明１と甲２発明とは、次の一致点において一致し、次の相違点において相違する。
　
［一致点］
「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ2以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。」
　
［相違点］
　本件特許発明１においては、「前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０9ｃｍ-2以下」であるのに対し、甲２発明においては、前記ＧａＮ基板の前記ｎ電極との界面近傍における転位密度は不明である点。
　
Ｂ　甲各号証（甲１、甲２、甲１９〜甲２１を除く）に記載された事項の概要
ア　甲３
　ＨＶＰＥ法等を使って得られた高品質のＧａＮ基板の転位密度が従来１０5〜１０7ｃｍ-2であったこと（【０００５】）、さらに転位密度を低減させた成長方法を採用したところＧａＮ半導体結晶層の転位密度が１０2ｃｍ-2まで低下したこと（【００２８】【００２９】）等が記載されている。
　
イ　甲４
　ＨＶＰＥ法を使って得られたｎ型ＧａＮ基板の転位密度が１０4ｃｍ-2以下であったこと（【００２４】）等が記載されている。
　
ウ　甲５
　ＨＶＰＥ法を使って得られたｎ型ＧａＮ基板の転位密度が１０4ｃｍ-2以下であったこと（【００２６】）等が記載されている。
　
エ　甲６
　ＨＶＰＥ法を使って得られたｎ型ＧａＮ基板の転位密度が１０4ｃｍ-2以下であったこと（【００１１】）等が記載されている。
　
オ　甲７
　ＨＶＰＥ法を使って得られたＧａＮ基板の表面及び裏面を研磨してエピタキシャル成長用の基板に加工し、断面ＴＥＭ観察したところ、貫通転位密度は１０4ｃｍ-2と見積もられたこと（【００４３】）等が記載されている。
　
カ　甲８
　窒化物半導体基板は、一般に転位密度が低く、例えば、その転位密度は１０7ｃｍ-2以下であること、したがって、窒化物系半導体基板を用いることにより、貫通転位密度の少ない（貫通転位密度が約３×１０7ｃｍ-2以下）、結晶性のよい窒化物半導体発光素子を作成できること、擬似窒化物系半導体基板を用いる場合、他の結晶材料上に成長させられた窒化物半導体結晶膜の転位密度は１０7ｃｍ-2以下であることが好ましいこと、貫通転位密度は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により測定することができること（【００１１】）等が記載されている。
　
キ　甲９
　表面転位密度が１０8ｃｍ-2未満の窒化ガリウム系材料からなる下地層を用い、この上にクラッド層及び活性層を積層させた窒化物半導体素子（【００２９】）等が記載されている。
　
ク　甲１０
　半導体レーザの作成方法において、ウエハ裏面にｎ側電極を付ける前にウエハを研磨し厚さ１００μｍ程度にし、研磨後表面をエッチングできれいに整え、金の薄膜を真空蒸着で取り付けてｎ側電極プロセスを終了すること（１１５ページ１６行〜２１行）、劈開前にラッピングによって基板を削り、厚さを約１００μｍにし、ラッピング後の表面は非常にざらざらしていて表面状態が悪いので、全面を硫酸などのエッチング液で数μｍさらにエッチングし、そのあとで裏面側の電極を蒸着すること（１２１ページ１２行〜２０行）等が記載されている。ただし、例示されているのはＧａＡｓ系であり、窒化物半導体素子の作成方法ではない。
　
ケ　甲１１
　材料を特定しない発光ダイオードのアセンブリ技術において、結晶成長後の結晶の裏面をラッピングにより目的とする厚さに調整し、バフ上でポリッシングを行い、有機溶媒中などで超音波洗浄し、最後に表面の加工歪を取り除くために化学エッチングが施される場合もあり、この結晶上にオーミック性の電極として適合する金属を蒸着すること（１０７ページ８行〜１９行）等が記載されている。
　
コ　甲１２
　ウエハのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して厚さを１００μｍにし、鏡面出しをし、次に、フッ酸又は熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で、前記ウエハをエッチング処理すること、前記エッチング処理は研磨によって生じた表面歪及び酸化膜を除去し、ｐ型、ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために行うこと（【００４０】）等が記載されている。
　
サ　甲１３
　ウエハのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して厚さを１５０μｍにし、鏡面出しをし、次に、フッ酸又は熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で、前記ウエハをエッチング処理すること、前記エッチング処理は研磨によって生じた表面歪及び酸化膜を除去し、ｐ型、ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために行うこと（【００４０】）、ウエハのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して厚さを１００μｍにし、鏡面出しをし、次に、フッ酸又は熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で、前記ウエハをエッチング処理すること、前記エッチング処理は研磨によって生じた表面歪及び酸化膜を除去し、ｐ型、ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために行うこと（【００９５】、【０２７１】）等が記載されている。
　
シ　甲１４
　サファイアＣ面を基板として用い、バッファ層を介してｎ型窒化物半導体層、活性層等を形成すること（【００４８】）、その後、前記基板を前記ｎ型窒化物半導体層が露出するまで研磨すること、ｎ型窒化物半導体層の研磨によりダメージを受けた領域をＲＩＥにて１〜２μｍ程度エッチングを行うこと、その後、露出した前記ｎ型窒化物半導体層にｎ電極を形成すること（【００５４】）等が記載されている。
　
ス　甲１５
　窒化ガリウム半導体基板を粒径が非常に小さい砥粒を用いて研磨速度を徐々に遅くしながら表面を研磨することにより、基板の表面平坦性が大幅に改善されること（【００１６】）、研磨後の窒化ガリウム系半導体基板は、研磨によって表面に物理的なダメージを受けているため、表面ダメージ層が発生していること（【００７８】）、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング装置）を用いて、低いエッチングレートで基板の表面をエッチングし、表面ダメージ層を除去すること（【００８０】【００８１】）により、研磨直後のピットの少ない、かつ平坦性のすぐれた表面を維持した状態で、基板表面の結晶性が改善されることを見出したこと（【００１７】【００８２】【００８３】）等が記載されている。
　
セ　甲１６
　本件特許の優先日より後に公開された特許公報である。
　研磨過程でＧａＮ基板の下面部が損傷するので、前記下面部にダメージ層が形成されること（【０００６】）、機械的に研磨されたｎ型ＧａＮ基盤の下面部に形成されたダメージ層は、乾式又は湿式エッチングによって除去されること、ダメージ層を完全に除去するため、前記乾式又は湿式エッチングは、ダメージ層が除去されると見積もった時間よりも長い時間実施されることが望ましいこと（【００３６】）等が記載されている。
　
ソ　甲１７
　ＧａＮウエハは、平滑なエピレディ面を得るため、Ｇａ面とＮ面の両方を、機械研磨とドライエッチ処理したこと（３２５４ページ右欄６行〜８行）、Ｇａ面及びＮ面ともに、標準的な転位密度は１０7ｃｍ-2よりも低かったこと（３２５４ページ右欄１３行〜１５行）、ｎ型ＧａＮのＧａ面の電極の場合、アニール温度が５００℃から６００℃に上昇するにつれて電流が大幅に増加し、６００℃〜８００℃で３０秒アニールした後、ＴＬＭから計算された接触抵抗率は２×１０-5Ωｃｍ2であったこと（３２５５ページ右欄１行〜５行）等が記載されている。
　
タ　甲１８
　本件特許の優先日より後に公開された特許公報である。
　ｎ型ＧａＮ基板が所定の厚みを有するようにｎ型ＧａＮ基板の下面を研磨し、研磨によるダメージ層をドライエッチングにより除去した後、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上にｎ側電極を形成すること（【００２８】【００７５】）等が記載されている。
　
チ　甲２２
　湿式エッチングを施すことにより、単結晶シリコンインゴットから基板をスライスして切り出すときに基板表面の深さ数十μｍの領域にまで生成される結晶構造の歪である加工歪を取り除くと同時に基板表面に凹凸構造を形成する方法が知られていること（【０００８】）、第一工程は、基板表面の深さ数十μｍの領域にまで生成された加工歪、及び表面の付着物を除去することが目的であるので、基板表面の深さ数十μｍの領域までエッチング除去する工程であることが望ましいこと（【００２０】）等が記載されている。
　
ツ　甲２３
　本件特許の優先日より後に公開された特許公報である。
　半導体装置の製造方法において、＃２０００程度の砥石を用いたグラインド研削により所望の厚みとされたシリコンウエハは、その表面が加工欠陥や不完全結晶域を含む加工歪層となっていること（【０００６】）、シリコンウエハの表面を化学的・機械的ポリッシング法（ＣＭＰ）により鏡面加工して、グラインド研削による加工歪層を除去すること（【０００７】）、グラインド研削工程における加工欠陥や不完全結晶領域である加工歪層が残っていると、デバイス形成後に加工欠陥によりリーク電流が大きくなり、デバイス特性を劣化させてしまうこと（【０００９】）等が記載されている。
　
テ　甲２４
　エレクトロニクス用結晶材料の加工方法として、グラインディングとポリッシングがあり、その両者とも適用対象は単結晶、多結晶、非晶質であり、被加工系への影響として加工面付近の塑性変形があり、エッチングとの併用があること（５７７ページの表−１）、単結晶表面に対し、前記表−１に示す加工を行ったとすると、モデル的には、１クラック層、２モザイク層、３多結晶層（均等分布構造）、４多結晶層（双晶構造）、５多結晶層（異方構造）、６非晶質層が、単独あるいはそのいくつかが組み合わさって生ずると考えられること（５７８ページ右欄２２行〜５７９ページ左欄１２行）等が記載されている。
　
ト　甲２５
　ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッピングの機械加工プロセスを経たシリコンウエハは表面にダメージ層すなわち加工変質層を有していること（１１１ページ２行〜３行）、機械加工プロセスでシリコンウエハに導入された加工変質層は化学エッチングによって完全に除去されること（１１１ページ１６行〜１７行）等が記載されている。
　
ナ　甲２６
　ＧａＮ単結晶基板上に形成された窒化物系半導体層を備える化合物半導体の製造方法に関する。ＧａＮ単結晶基板の研磨時に基板表面にダメージが導入され、このダメージを含む加工変質層はデバイスの特性に悪影響を与えること、加工変質層を除去するためには、化学研磨やメカノケミカル研磨を用いる必要があるが、加工変質層を完全に除去することは難しく、特に、研磨キズ部に入ったやや深い加工変質層は除去が難しいこと（【００４４】）等が記載されている。
　
ニ　甲２７
　シリコンウエハの加工変質層の除去技術に関する。ウエハの薄型加工は、主に、ウエハを機械的に研削するグラインディング工程と、グラインディング時にウエハに導入されたマイクロクラック等を含むストレス層（加工変質層）を除去するストレスリリーフ工程からなっていること（８７ページ左欄８行〜１５行）、グラインディング処理後、フッ素系ガスによるプラズマエッチングによってウエハ裏面に導入された加工変質層の除去を行うこと（第８７ページ右欄第２行〜第１６行）、プラズマストレスリリーフする前後で透過型電子顕微鏡により断面観察した写真に示すように、最終仕上げ＃２０００でグラインディング処理されたままのウエハには、厚さ約０．２μｍの加工変質層が観察されたこと（８８ページ左欄１行〜１９行、Ｆｉｇ．２）等が記載されている。
　
ヌ　甲２８
　炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶基板開発に関するものである。ダメージのない高平坦な表面を得るには、メカノケミカル研磨（ＣＭＰ）が通常用いられていること、表面酸化とＣＭＰを組み合わせた方法を採用すると、５０ｎｍ程度あった加工損傷層は、酸化によりその大部分が酸化膜となり、ＣＭＰにより簡単に除去できること、酸化＋ＣＭＰにより得られた基板表面の断面ＴＥＭ写真と、ダイヤモンド研磨のみのものを比較すると、ダイヤモンド研磨で取りきれていなかった基板表面の加工損傷層が酸化＋ＣＭＰにより取り除かれていること（３４ページ左欄２７行〜同ページ右欄１０行、図３）等が記載されている。
　
ネ　甲２９
　本件特許の優先日より後に公開された特許公報である。
　ＧａＮ結晶表面の平坦性、基板厚の均一性、厚み精度の要求からＣＭＰによる研磨加工・仕上げは必然的なものであるが、特にＨＶＰＥ法により厚膜成長したＧａＮ結晶の場合、ＣＭＰによる研磨加工・仕上げの必要性は顕著に高まること（【００１８】）、しかし、ＣＭＰによる研磨加工・仕上げ加工は、ＧａＮ結晶表面に大きな損傷を与えること（【００１９】）、エッチングガスを用いたエッチングを行うことによって、処理後に損傷を残さないように、ＧａＮ結晶の表層を好適に除去し得ること（【００２０】）、ガスエッチングによるＧａＮ結晶のうちの表層の除去は、ＧａＮ結晶層のうちの表面から０．０１μｍ〜１０μｍ程度の厚さまでを除去することが好ましいが、研磨損傷は数十μｍ入っている場合もあり、対象とするＧａＮ基板表面の損傷深さに応じて、適宜、除去すべき表層の厚さを決定すればよいこと（【００２６】）、ＨＶＰＥ法で厚膜成長された後、ＭＣＰによって鏡面研磨仕上げされたＧａＮ基板を平行平板型ＲＩＥ装置に装填して、厚さ２．５μｍの表層を除去するガスエッチング処理を行ったこと（【００５２】）等が記載されている。
　
ノ　甲３０
　ＧａＮ単結晶の基板表面をダイヤモンドマイクロパウダーで研磨するとともに高温アニール処理するとエピタキシャル層の成長に重大な悪影響を与える好ましくない欠陥表面が生成されること、機械・化学研磨として、化学エッチング処理剤の存在下においてソフトパッドで研磨することにより、他の結晶の不規則表面を除去する方法が知られていること（３ページ９行〜２４行）、本発明の利点は原子単位での平滑性を達成し得ることであること（４ページ１０行〜１１行）、ＧａＮ六方板状結晶の表面は、ダイヤモンドマイクロパウダーを用いて、数個の原子間隔単位まで平滑となるように機械的に研磨され、このようにして得られた平滑領域は、およそ１００原子間隔の深さのスクラッチ間において形成されること（４ページ２０行〜２８行）、さらに、この研磨は、高い位置ずれ密度を有する欠陥度の大きい結晶を含む厚さ数ミクロンの隣接層を生成すること（４ページ２９行〜５ページ１行）、次いで、結晶の表面は、エッチング溶液で飽和している研磨クロスで覆われた研磨パッドで研磨され、その際、研磨クロス上に１秒間当たり１滴の割合で化学的薬剤を連続的に加えながら研磨が行われること（５ページ２行〜１２行）等が記載されている。
　
ハ　甲３１
　ＨＶＰＥ法で成長させたＧａＮテンプレートを透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で特性評価し、断面ＴＥＭ、平面ＴＥＭにより測定したＮ面近傍の転位密度は、それぞれ３±１×１０7ｃｍ-2、４±１×１０7ｃｍ-2であったこと（２２９７ページ要約）、ＧａＮ層を機械研磨し、Ｇａ面をドライエッチして平滑なエピレディー面としたのに対して、Ｎ面はメカノケミカルポリッシングのみとしたこと（２２９７ページ左欄２１行〜２６行）、断面ＴＥＭから、Ｎ面（基板側）は比較的悪質であることが判明し、表面粗さは約０．１μｍであり、約０．２〜０．３μｍの表面下層は激しくダメージを受けており、多くの欠陥を含んでいたこと（２２９８ページ左欄５行〜９行）等が記載されている。
　
ヒ　甲３２
　バルクＧａＮサンプルを用い、Ｇａ面はダイヤモンド粒子で機械研磨することにより作成し、ＴＥＭで観察したところ、機械研磨で深さ２００ｎｍのワークダメージが入っていたこと（７３６ページ左欄第２４行〜４０行）、このエッチング方法は、ＧａＮ結晶のダイヤモンド研磨によって生じた残留ワークダメージの除去に使用できると判断したこと（７３９ページ右欄４１行から４４行）等が記載されている。
　
Ｃ　相違点についての判断
　ａ　甲３〜甲３３の２のうち、甲１９及び甲３３の１は本件特許権の侵害差止損害賠償等請求事件における原告（本件被請求人）の準備書面であり、甲２０は口頭審理における技術説明で請求人が用いた資料であり、甲２１は技術用語の解説であり、甲３３の２は甲２と同じものである。
　また、甲１６、甲１８、甲２３、甲２９は本件特許の優先日より後に公開された特許公報である。本件特許発明１は、優先権主張の基礎とされた先の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載された発明であるから、特許法第４１条第２項の規定により、本件特許発明１についての同法第２９条の規定の適用については、本件特許出願は先の出願の時、つまり優先日にされたものとみなされる。
　したがって、相違点についての判断に当って採用すべき証拠は、甲３〜甲１５、甲１７、甲２２、甲２４〜甲２８、甲３０〜甲３２である。
　
　ｂ　甲１０は、ＧａＡｓ系に関するものであり、甲１１は材料を特定しない発光ダイオードに関するものである。また、甲２２、甲２５、甲２７、甲２８はシリコンや炭化珪素の加工技術に関するものであり、甲２４は材料を特定しないエレクトロニクス用結晶材料の加工方法に関するものである。これら各号証に記載された事項が、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板にそのまま適用できるとすべき理由はない。
　
　ｃ　甲３〜甲９については、甲３に記載されているのは、ＧａＮ基板の転位密度（【０００５】）及びＧａＮ半導体結晶層の転位密度（【００２８】、【００２９】）であり、甲４（【００２４】）、甲５（【００２６】）、甲６（【００１１】）に記載されているのはＧａＮ基板の転位密度であり、甲７（【００４３】）に記載されているのはＧａＮ基板の貫通転位密度であり、甲８（【００１１】）に記載されているのは窒化物半導体基板の貫通転位密度及び他の結晶材料上に成長させられた窒化物系半導体結晶膜の転位密度であり、甲９（【００２９】）に記載されているのは窒化物半導体素子の表面転位密度であって、いずれにも、ｎ型の窒化物系半導体基板の裏面上に形成されたｎ側電極との界面近傍における転位密度どころか、窒化物系半導体基板の裏面の転位密度すら示されていない。
　
　ｄ　甲１２〜甲１５、甲１７、甲２６、甲３０〜甲３２の各号証に、表面のクラック等よりもさらに深いところまで伸びている転位をエッチングにより除去することが、明記されているとは認められない。
　また、これら各号証により、ＧａＮ又は窒化物系半導体の単結晶に研磨等の機械加工を加えた後、エッチングすることにより加工面のダメージ層を取り除き整えることが常套手段であり、本件特許の優先日当時、周知技術となっていたことが認められるとしても、研磨やエッチングをどの程度の深さまで進めるか（どの程度の深さで止めるか）についての設定基準が周知又は公知であったと認めることはできない。
　さらには、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板において機械加工面をエッチングする際に、転位が伸びている深さまでエッチングを進めるとともに、どの程度の深さまでエッチングするかの基準を、加工面における転位密度が特定の値以下になることに設定するという思想が、本件特許の優先日前に公知であったことを示す証拠は提示されていない。
　
　ｅ　仮に、ＧａＮ単結晶の加工法において、研磨加工後にエッチングを施すことは周知技術であるから、甲２発明においても研磨加工後のエッチングは当然実施されている、あるいは、甲２発明に研磨加工後のエッチングを採用することが当業者にとって容易であると仮定しても、本件特許発明の課題の認識がない以上、エッチングを加工面の転位密度が特定の値以下（具体的には１×１０9ｃｍ-2以下）になる深さまで進めるという着想に至ることはできないのであり、該着想を持たずに、当業者が甲２発明において研磨加工後にエッチングを施したとしても、必ずしも、ＧａＮ基板のＮ終端面の転位密度が１×１０9ｃｍ-2以下の窒化物系半導体素子は得られないのである。
　
　ｆ　したがって、前記相違点に係る本件特許発明１の構成が、甲各号証に記載されているとも、前記構成が甲各号証の記載事項により本件特許の優先日当時周知の技術となっていたとも認められないから、本件特許発明１は甲２発明及び甲各号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
Ｄ　本件特許発明１が甲２の記載事項から新規性を欠如するとの主張について
　ａ　請求人は、本件特許発明１は甲２の記載事項から新規性を欠如すると主張している（平成２４年５月１４日付け上申書５．（３）エ（第１９ページ〜２１ページ）参照。）ので、これについて検討する。
　
　ｂ　本件特許発明１の実施例と甲２発明とを対比すると、不純物濃度、電極の材質、電極の接着条件は一致する。そして、転位密度以外の条件が通常の条件であれば、本件特許発明の転位密度以下にすることでコンタクト抵抗も自ずと本件特許発明のコンタクト抵抗以下になるはずであるから、Ｎ終端面側に形成したｎ電極の接触比抵抗が１×１０-5Ωｃｍ2である甲２発明において、ＧａＮ基板のＮ終端面の転位密度が１×１０9ｃｍ-2以下である蓋然性が高いと請求人は主張している。
　
　ｃ　しかしながら、不純物濃度、電極の材質、電極の接着条件はコンタクト抵抗に影響を与える条件だとしても、それらがコンタクト抵抗に影響を与える条件のすべでではなく、その外にも条件がある。そして、本件訂正発明１と甲２発明とはその外の条件までが一致するか否かは不明なのであるから、甲２発明において、ＧａＮ基板のＮ終端面の転位密度は、必ずしも１×１０9ｃｍ-2以下の範囲に入っているとはいえない。
　よって、本件訂正発明１と甲２発明とが同一であるとはいえない。
　
　ｄ　請求人は、さらに、被請求人が甲３３の１において「転位の除去」は「コンタクト抵抗低下」の必要条件であることを述べており、そうであるとすれば、甲２発明では、コンタクト抵抗が本件訂正発明１よりもはるかに低くなっているのであるから、転位密度が本件訂正発明１の数値範囲に入る（甲２発明が前記相違点に係る本件訂正発明１の構成を充足する）ことに異論の余地はないと主張している（平成２４年７月３日付け上申書）ので、これについて検討する。
　
　ｅ　甲３３の１の１７ページ７行〜１８行において、被請求人は、機械研磨によって転位密度が高くなった状態では、転位の除去を行うことで所望のコンタクト抵抗値が実現可能となるということを定性的に述べているに過ぎず、これを、本件訂正発明１の転位密度の数値範囲（１×１０9ｃｍ-2以下）を充たさない限り、本件訂正発明１のコンタクト抵抗の数値範囲（０．０５Ωｃｍ2以下）を充たさないとの意味に解釈することはできない。
　すなわち、仮に、被請求人は甲３３の１において「転位の除去はコンタクト抵抗低下の必要条件である」ことを述べていると認めることができるとしても、「転位密度が１×１０9ｃｍ-2以下となるまで除去することがコンタクト抵抗低下の必要条件である」ことを述べているとまでは認めることはできない。当該被請求人の主張を前提として、甲２発明との関係でいうと、甲２発明は、コンタクト抵抗が低いことから、転位の除去を行っているのかもしれないが、そうだとしても、転位密度が１×１０9ｃｍ-2以下となるまで除去したかどうかはわからないということになる。
　したがって、甲３３の１の被請求人の主張を根拠にして、甲２発明は、コンタクト抵抗が本件訂正発明１の数値範囲を充たしているから、本件訂正発明１の転位密度の数値範囲を充たす（すなわち、前記相違点に係る本件訂正発明１の構成を充足する）ということはできない。
　よって、平成２４年７月３日付け上申書における請求人の主張を採用することはできない。
　
（２）本件特許発明２〜６及び本件特許発明８について
　本件特許発明２〜６及び本件特許発明８は、優先権主張の基礎とされた先の出願の当初明細書等に記載された発明であるから、特許法第４１条第２項の規定により、本件特許発明２〜６及び本件特許発明８についての同法第２９条の規定の適用については、本件特許出願は先の出願の時、つまり優先日にされたものとみなされる。
　本件特許発明１が、甲２発明と同一であるとも、甲２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないのであるから、本件特許発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件特許発明２〜６及び本件特許発明８が、甲２発明と同一であるとも、甲２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。
　
（３）本件特許発明７について
Ａ　本件特許発明７のうち、「前記第１半導体層の上面上に、Si及びSeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。」の発明（以下、「第１の選択発明」という。）は、優先権主張の基礎とされた先の出願の当初明細書等に記載された発明であるから、特許法第４１条第２項の規定により、第１の選択発明についての同法第２９条の規定の適用については、本件特許出願は先の出願の時、つまり優先日にされたものとみなされる。
　本件特許発明１が、甲２発明と同一であるとも、甲２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないのであるから、本件特許発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した第１の選択発明が、甲２発明と同一であるとも、甲２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。
　
Ｂ　本件特許発明７のうち、「前記第１半導体層の上面上に、Geがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。」の発明（以下、「第２の選択発明」という。）は、優先権主張の基礎とされた先の出願の当初明細書等に記載された発明であるとはいえない。よって、第２の選択発明についての特許法第２９条の規定の適用については、本件特許出願は、現実の出願日にされたものとすべきであり、したがって、甲３〜甲１５、甲１７、甲２２、甲２４〜甲２８、甲３０〜甲３２に加えて、甲１６、甲１８、甲２３、甲２９も採用すべき証拠となる。
　しかしながら、甲１６、甲１８、甲２３、甲２９にも、表面のクラック等よりもさらに深いところまで伸びている転位をエッチングにより除去することが明記されているとは認められないから、前記（１）Ｃで述べた事情は何ら変わらない。よって、第２の選択発明は、甲２発明と同一であるとも、甲２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　
第５　むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件特許発明１〜８についての特許を無効とすることはできない。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　
 よって、結論のとおり審決する。