【事件の表示】
　特許第３４３０４９９号「半導体ウェ−ハおよびその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４３０４９９号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４３０４９９号の請求項１ないし４に係る発明は、平成８年８月９日に特許出願され、平成１５年５月２３日にその特許権の設定登録がなされ、その後、信越半導体株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年１月１７日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
2.1　訂正の内容
2.1.1　訂正事項ａ
　設定登録時の明細書における【発明の名称】を、「
半導体ウェーハの製造方法
　
2.1.2　訂正事項ｂ
　設定登録時の明細書における特許請求の範囲の請求項１，２を削除する。
　
2.1.3　訂正事項ｃ
　設定登録時の明細書における特許請求の範囲の請求項３を、新たな請求項１として、次のとおりに訂正する。
「　【
請求項１
ラップ後の半導体ウェーハを酸エッチングするエッチング工程と、
　このエッチング工程の後、半導体ウェーハの一面にライトポリッシングを施す研磨工程と、
　この研磨工程の後、この半導体ウェーハの他の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、を含む半導体ウェーハの製造方法にあって、
　上記ライトポリッシングでは、高い平坦度を得るための酸エッチングを施した半導体ウェーハについて、
この酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、
　
2.1.4　訂正事項ｄ
　設定登録時の明細書における特許請求の範囲の請求項４を、新たな請求項２として、次のとおりに訂正する。
「　【
請求項２
請求項１
　
2.1.5　訂正事項ｅ
　設定登録時の明細書における段落【０００１】を、次のとおりに訂正する。
「この発明は、片面を鏡面研磨した
半導体ウェーハの製造方法
　
2.1.6　訂正事項ｆ
　設定登録時の明細書の段落【０００８】を、次のとおりに訂正する。
「【課題を解決するための手段】」
　
2.1.7　訂正事項ｇ
　設定登録時の明細書の段落【０００９】の内容を削除する。
　
2.1.8　訂正事項ｈ
　設定登録時の明細書の段落【００１０】を、次のとおりに訂正する。
「
請求項１に記載の発明は、ラップ後の半導体ウェーハを酸エッチングするエッチング工程と、このエッチング工程の後、半導体ウェーハの一面にライトポリッシングを施す研磨工程と、この研磨工程の後、この半導体ウェーハの他の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、を含む半導体ウェーハの製造方法にあって、
　上記ライトポリッシングでは、高い平坦度を得るための酸エッチングを施した半導体ウェーハについて、
この酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、
2.1.9　訂正事項ｉ
　設定登録時の明細書の段落【００１１】を、次のとおりに訂正する。
「
請求項２
３成分素
１
　
2.1.10　訂正事項ｊ
　設定登録時の明細書の段落【００１２】を、次のとおりに訂正する。
「　【作用】
　
請求項１，２
により製造された
　
2.1.11　訂正事項ｋ
　設定登録時の明細書の段落【００１３】を、次のとおりに訂正する。
「
請求項１，２
この酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、
　
2.1.12　訂正事項ｌ
　設定登録時の明細書の段落【００１８】を、次のとおりに訂正する。
「次の表は、酸エッチング後のウェーハ表面光沢度に対するライトポリッシングでの好適な研磨量の範囲を示している。すなわち、光沢度が６０％程度以上であって鏡面にならない範囲での研磨除去量を示している。例えば酸エッチングで光沢度が１０％のときのウェーハを、ライトポリッシングで０．１μｍ未満の除去量ではウェーハの光沢度は６０％未満であり、
０．６μｍ
　
　なお、下線は、訂正個所を明確化するために、当審で付したものである。
　
2.2　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
2.2.1　訂正事項ｂにつき
　上記訂正事項ｂは、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とし、新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
2.2.2　訂正事項ｃにつき
　上記訂正事項ｃは、設定登録時における請求項３に「この酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、」という発明を特定する事項を加えるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とし、新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
2.2.3　訂正事項ａ，ｄ〜ｈ，ｊ，ｋにつき
　上記訂正事項ａ，ｄ〜ｈ，ｊ，ｋは、いずれも、訂正された特許請求の範囲の請求項１及び２との整合を図るためのみの訂正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
2.2.4　訂正事項ｉにつき
　上記訂正事項ｉは、訂正された請求項２との整合を図るとともに、誤記を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正を目的とするものであり、新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
2.2.5　訂正事項ｌにつき
　願書に添付された明細書における段落【００１９】及び【００２１】の記載から、研磨量の上限が０．６μｍであることは明らかであるから、上記訂正事項ｌは、誤記の訂正を目的とするものであることは明白であり、新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
2.3　むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項、第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
3.1　本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１及び２に係る発明（以下、「本件発明１及び２」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記2.1.3訂正事項ｃおよび2.1.4訂正事項ｄ参照。）
　
3.2　引用刊行物に記載された事項
　当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物１（米国特許第５４２９７１１号明細書）には、以下の事項が記載されている。
　
イ．（要約）
「まず単結晶インゴットが複数のウェーハにスライスされ、各々のウェーハの両面に研削またはラッピングが施される、ウェーハ製造方法が開示される。次に、該ウェーハの表面と裏面にはエッチングが施される。その後、該ウェーハの裏面はメカノケミカル研磨を施されハーフポリッシュされる。続いて、ウェーハはハーフポリッシュされた裏面がキャリアプレートに接着されて研磨機に装着され、ウェーハの表面が鏡面研磨される。前記において、エッチングされたウェーハの裏面に、ハーフポリッシングの前に、エクストリンジックゲッタリングのためのポリシリコン膜を形成してもよい。」
　
ロ．（請求項３）
「前記メカノケミカル研磨工程が、０．０１〜０．２μｍの平均除去量で前記ウェーハの裏面を除去することを含む、請求項１に記載のウェーハの製造方法。」
　
ハ．（第８欄第３３〜４５行）
「直径８インチのシリコンの単結晶インゴットが厚さ０．８ｍｍのウェーハにスライスされ、ウェーハの両面は＃２０００の研磨工具を用いて研磨と面取りを施された。
　ウェーハの前記両面は（ＨＮＯ３＋ＨＦ＋ＣＨ３ＣＯＯＨ）を含むエッチャントに浸漬され、ダメージ層が除去された。エッチング完了時のウェーハ表面粗さは東京精密社により製造された接触式の粗さ計を用いて計測され、その結果は図５に示される。平均粗さＲａは０．３１μｍ、最大粗さＲｍａｘは２．２２μｍであった。」
　
　上記摘記事項イないしハの記載を本件発明２に照らして整理すると、刊行物１には、
「ラッピング後のウェーハをエッチングするエッチング工程と、このエッチング工程の後、半導体ウェーハの一面にハーフポリッシュを施す研磨工程と、この研磨工程の後、このウェーハの他の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、を含む半導体ウェーハの製造方法にあって、上記ハーフポリッシングでは、エッチングを施したウェーハについて、その一面を、０．０１〜０．２μｍの量だけメカノケミカル研磨を施し、上記エッチング工程では、（ＨＮＯ３＋ＨＦ＋ＣＨ３ＣＯＯＨ）を含むエッチャントによるエッチングを施す半導体ウェーハの製造方法。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
が記載されていると認められる。
　
3.3　対比
　本件発明２と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「ラッピング後」、「ウェーハ」、「エッチング」、「ハーフポリッシュ」及び「（ＨＮＯ３＋ＨＦ＋ＣＨ３ＣＯＯＨ）を含むエッチャントによるエッチング」は、前者の「ラップ後」、「半導体ウェーハ」、「酸エッチング」、「ライトポリッシング」及び「フッ酸と硝酸と酢酸との混酸を含む３成分素による酸エッチング」にそれぞれ相当することは明白である。
　また、上記摘記事項ハ中の、エッチング完了時のウェーハ表面粗さの値から、刊行物１記載の発明においても、「高い平坦度を得るための酸エッチングを施し」ているというべきである。
　したがって、本件発明２と刊行物１記載の発明とは、以下の点で一致及び相違するものと認められる。
　
3.3.1〈一致点〉
「ラップ後の半導体ウェーハを酸エッチングするエッチング工程と、このエッチング工程の後、半導体ウェーハの一面にライトポリッシングを施す研磨工程と、この研磨工程の後、この半導体ウェーハの他の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、を含む半導体ウェーハの製造方法にあって、上記ライトポリッシングでは、高い平坦度を得るための酸エッチングを施した半導体ウェーハについて、その一面を、０．０５〜０．２μｍの量だけメカノケミカル研磨を施し、上記エッチング工程では、フッ酸と硝酸と酢酸との混酸を含む３成分素による酸エッチングを施す半導体ウェーハの製造方法。」
　
3.3.2〈相違点１〉
　ライトポリッシングにおける研磨量について、前者では「酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、」その一面を「他の面を基準として」決定しているのに対し、後者ではこれらのことについて明記がない点。
　
〈相違点２〉　
　酸エッチングについて、前者では「フッ酸と硝酸と酢酸との混酸を水で希釈した３成分素による」のに対し、後者では混酸の水による希釈について記載がない点。
　
3.4　当審の判断
　以下に、上記相違点について検討する。
　
3.4.1　相違点１につき
　本件発明２において、「酸エッチングで得られた光沢度」及び「要求される光沢度」とは、ライトポリッシングを施す前の表面粗さ及びライトポリッシングを施した後に要求される表面粗さを示すものである。研磨工程を施す前の表面粗さと、施した後に要求される表面粗さとに基いて研磨量を決定することは、研磨作業において従来周知の技術であり、表面粗さの尺度として光沢度を用いることも、従来周知であるから、研磨量を「酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、」決定することは、当業者が容易に想到し得る。
　研磨量を何らかの基準点を用いて決定することはを研磨作業において慣用技術であり、基準をウェーハの他の面におくことに格別の技術的な意義も認めることはできないから、研磨量を他の面を基準として決定することは、当業者が容易に採用し得る事項である。
　
3.4.2　相違点２につき
　酸エッチングにおいて、要求されるエッチング条件に応じてエッチング液の濃度を調節することは、当業者が容易になし得ることであり、エッチング液である混酸を水で希釈することは、濃度を調節する方法として従来より周知慣用である。そして、水で希釈することによって格別の作用効果を生じるとも認められないから、フッ酸と硝酸と酢酸との混酸を水で希釈した３成分素により酸エッチングを行うことは、当業者が容易になし得るものである。
　
　本件発明２の作用効果は、刊行物１記載の発明及び上記周知技術より予測され得る範囲を超えるものではない。
　よって、本件発明２は、刊行物１記載の発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　本件発明２は、本件発明１の発明を特定する事項をすべて含む。
　よって、本件発明１も、本件発明２と同様の理由によって、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
3.5　むすび　
　以上のとおり、本件の請求項１及び２に係る発明は刊行物１記載の発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本件の請求項１，２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件の請求項１及び２に係る特許は特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月３日（２００５．２．３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体ウェーハの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　
【請求項１】
　このエッチング工程の後、半導体ウェーハの一面にライトポリッシングを施す研磨工程と、
　この研磨工程の後、この半導体ウェーハの他の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、を含む半導体ウェーハの製造方法にあって、
　上記ライトポリッシングでは、高い平坦度を得るための酸エッチングを施した半導体ウェーハについて、
この酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、
　【請求項２】　上記エッチング工程では、フッ酸と硝酸と酢酸との混酸を水で希釈した３成分素による酸エッチングを施す
請求項１に記載の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、
片面を鏡面研磨した半導体ウェーハの製造方法
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より、片面鏡面研磨シリコンウェーハの製造にあっては、シリコン単結晶のブロックインゴットをスライシングし、そのソーマーク等をラッピングで除去している。そして、このラッピングでの加工ひずみ（ダメージ）はエッチングで除去している。エッチング後、シリコンウェーハは、研磨機を用いてその片面（表面）がポリッシュされて片面鏡面ウェーハが作製される。図５にはこの従来の製法を示している。さらに、この鏡面ウェーハはデバイス工程等に供される。そして、このデバイス工程で要求されるウェーハは、その表面がデバイス形成面として超高平坦度かつ超高光沢度の鏡面研磨面であって、その裏面は所定の高平坦度・高光沢度を有する必要がある。ウェーハ裏面が低光沢度の状態では、デバイス工程でセンサが働かないおそれがあるからである。また、ウェーハ裏面を鏡面化すると、表面との判別が困難となるからである。
　【０００３】
　ところで、上記従来のエッチング工程では、シリコンウェーハ表裏面の平坦度または光沢度のいずれかが犠牲になる。通常使用されるＨＦ／ＨＮＯ３液によるエッチングの場合、シリコンウェーハ表裏面の平坦度とその光沢度とが、図６に示すように、逆相関の関係を呈するからである。エッチング面で高平坦度を得ると、そのエッチング面の光沢度は低くなる関係である。また、エッチング可能なウェーハ枚数は、図７に示すように、光沢度が高くなるにつれて、少なくなる関係にある。
　【０００４】
　よって、この高光沢度を得るための条件でのエッチングを行うと、ウェーハの周辺部に周辺ダレが発生するという不都合があった。周辺ダレとは、ウェーハの周辺部のＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ　Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が基準値を満たさないことである。図８はこのエッチング量と残るダメージ量との関係を示している。ラップダメージは５μｍ以上のエッチングで除去することができる。また、このエッチングはある程度以上行わないと、光沢度を高めることができない。また、図９はエッチング量とウェーハの周辺部に発生する周辺ダレ量との関係を示している。
　【０００５】
　そこで、この対策として、ラップドウェーハに対してアルカリエッチングを施し、さらに、その凹凸面（ウェーハ裏面）に３μｍ程度の研磨を施す技術が提案されている（特開平６−３４９７９５号公報）。この裏面研磨により所定の平坦度・光沢度を得るとするものである。なお、この場合、ウェーハ表面には鏡面研磨が施される。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、このようなアルカリエッチングと裏面研磨との組合せによる製法にあっては、アルカリによるエッチングでその裏面凹凸が急峻であるため、裏面研磨での除去量が大きいという課題があった。
　【０００７】
　【発明の目的】
　この発明の目的は、表面が超高平坦度・超高光沢度の鏡面で、裏面が所定の高光沢度の半導体ウェーハを得ることである。この発明の目的は、半導体ウェーハ表面の周辺部のダレを防ぎ、かつ、表面からリップル（魔境観察で観察されるウェーハ面のうねり）を除去した半導体ウェーハを提供することである。また、この発明の目的は、超高平坦度・超高光沢度の表面でかつ高光沢度の裏面を有する半導体ウェーハの製造する際の研磨除去量を低減することである。また、この発明の目的は、裏面に任意の光沢度を得ることができる半導体ウェーハの製法を提供することである。
　【０００８】
　
【課題を解決するための手段】
　【０００９】
　【００１０】
　
請求項１に記載の発明は
　上記ライトポリッシングでは、高い平坦度を得るための酸エッチングを施した半導体ウェーハについて、
この酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、
　【００１１】
　
請求項２に記載の発明は、上記エッチング工程では、フッ酸と硝酸と酢酸との混酸を水で希釈した３成分素による酸エッチングを施す請求項１に記載の
　【００１２】
　【作用】
　
請求項１，２に記載の発明により製造された
　【００１３】
　
請求項１，２に記載の発明では、
この酸エッチングで得られた光沢度および要求される光沢度に対応させて、
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。図１〜図４はこの発明に係る半導体ウェーハの製造方法の一実施例を説明するための図である。
　【００１５】
　まず、この発明方法にあっては、ＣＺ法により引き上げられたシリコンインゴットからスライスされたシリコンウェーハに、面取り、ラップ処理を施した後、図１に示すように、酸エッチングを施したものとする。この酸エッチングは、ラップした後のシリコンウェーハを、例えばＨＦ／ＨＮＯ３／ＣＨ３ＣＯＯＨ／Ｈ２Ｏ（＝１：６：５：１）溶液中に所定時間浸漬して行う。このエッチング液の液温は５０度とする。この結果、高平坦度の表裏面を有するシリコンウェーハが形成されることとなる。
　【００１６】
　次いで、酸エッチング後のシリコンウェーハの一面（ウェーハ裏面）についてライトポリッシングを施す。このライトポリッシングは以下のようにして施される。すなわち、シリコンウェーハを枚葉式研磨装置の上定盤にワックスレス状態で固定した後、下定盤に固定された研磨布をこのウェーハ裏面に当接させ（すなわち表面基準）、ＳｉＯ２（コロイダルシリカ）等の微細な研磨粒子を含有するアルカリ性研磨液を供給しつつ、各定盤を相対回転させ、メカノケミカル研磨を行うものである。このメカノケミカル研磨は、ウェーハ表面に対する鏡面研磨での仕上げ研磨に相当する。図２にはこのライトポリッシングの前後でのウェーハ裏面状態を断面で示している。
　【００１７】
　ライトポリッシングでのシリコン層の平均除去量は、要求される光沢度に対応させて０．０５〜０．６μｍとする。例えばエッチング後の光沢度が１０％のときのシリコンウェーハについてライトポリッシングにより０．１μｍを除去すると、その光沢度は約７０〜８０％となる。図３にはこのライトポリッシングでの研磨時間（研磨量）と光沢度との関係を示している。この関係は、エッチング条件（エッチャントの組成、温度等）、ライトポリッシュ条件（研磨布・圧力等）により種々に変化するものである。なお、この場合のライトポリッシングしたウェーハは、エッチング後のシリコンウェーハの光沢度が１０％であったものを用いている。
　【００１８】
　次の表は、酸エッチング後のウェーハ表面光沢度に対するライトポリッシングでの好適な研磨量の範囲を示している。すなわち、光沢度が６０％程度以上であって鏡面にならない範囲での研磨除去量を示している。例えば酸エッチングで光沢度が１０％のときのウェーハを、ライトポリッシングで０．１μｍ未満の除去量ではウェーハの光沢度は６０％未満であり、
０．６μｍを越えて
　【００１９】
　【表】
　【００２０】
　ライトポリッシング装置では、例えば研磨布の下に１ｍｍの厚さの発泡樹脂製のシートを取り付けている。このため、研磨布を下定盤上面に直接貼付した場合より沈み込みが大きくなり、ウェーハの凸部分が研磨布により強く押し込まれ、メカノケミカル反応が促進されて、凸部が優先的に研磨除去されるものである。したがって、異常突起部分も研磨布に強く押し込まれて研磨除去されることとなる。
　【００２１】
　ライトポリッシング時のシリコン層の好適な平均除去量は、上述の表に示すように、０．０５〜０．６μｍである。この場合、０．０５μｍ未満では裏面（ポリッシング面）が表面（後の鏡面）に転写されて微小うねりが生じる。また、０．６μｍを越えると、鏡面が形成されてしまい、デバイス工程で吸着の問題を生じるからである。
　【００２２】
　また、この場合の研磨布に対する当接圧力は５０〜４００ｇｆ／ｃｍ２程度、研磨液のｐＨ濃度は１０〜１１、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は０．１μｍ程度が好ましい。これらの範囲を外れると、いずれの場合もウェーハ裏面の研磨むらや異常突起がつぶれてパーティクルとなり、スクラッチが生じる可能性があるからである。
　【００２３】
　さらに、このシリコンウェーハの非ライトポリッシング面（反対側の面）には、通常の鏡面研磨が施される。これにより、表面が鏡面で裏面が高光沢度のシリコンウェーハが得られる。
　【００２４】
　図４には、エッチング液での累計処理枚数と光沢度との関係を示している。これはこのエッチング液の寿命を示すものである。このときのエッチング液の組成は、ＨＦ／ＨＮＯ３／ＣＨ３ＣＯＯＨ／Ｈ２Ｏ（＝１：６：５：１）であり、その液温は５０度とする。口径が８インチで結晶方位が〈１００〉のシリコンウェーハでエッチング取代は（２０μｍ×２）とする。なお、ライトポリッシュでの目標の光沢度は１００％である。図中、○はエッチング後の光沢度、●はさらにライトポリッシュ後の光沢度である。このようにエッチング液の寿命は延びる。
　【００２５】
　【発明の効果】
　この発明によれば、ラップダメージ除去目的のエッチングだけでも高平坦度・裏面高光沢度の半導体ウェーハを作製することができる。また、半導体ウェーハでのエッチング量が減少する。よって、エッチング処理時間が短縮される。また、１枚のシリコンウェーハからのエッチング量も低減される。よって、１本のシリコンインゴットから作製することができるシリコンウェーハの枚数が増える。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの製造方法を実施した場合の各工程を示す断面図である。
　【図２】
　この発明の一実施例に係るライトポリッシング前後のウェーハ裏面を示す断面図である。
　【図３】
　この発明の一実施例に係るライトポリッシングでの研磨量（研磨時間）と光沢度との関係を示すグラフである。
　【図４】
　この発明の一実施例に係るエッチング後のウェーハ裏面の光沢度と累計処理枚数との関係を示すグラフである。
　【図５】
　従来の半導体ウェーハの製造方法を説明するための工程図である。
　【図６】
　ＨＦ／ＨＮＯ３溶液でのエッチングにおける半導体ウェーハの平坦度と光沢度との関係を示すグラフである。
　【図７】
　高光沢度を得るためのエッチング液でのウェーハ処理枚数とその光沢度との関係を示すグラフである。
　【図８】
　半導体ウェーハのエッチング量と残ダメージ量との関係を示すグラフである。
　【図９】
　半導体ウェーハのエッチング量と周辺ダレ量との関係を示すグラフである。