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　特願２００８−５５０５５４「低抵抗及び低インダクタンスの裏面貫通ビア及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月２６日国際公開、ＷＯ２００７／０８４８７９、平成２１年　６月２５日国内公表、特表２００９−５２４２２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００７年１月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年１月１３日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年７月１９日付けの拒絶理由通知（最初）に対して、同年１０月２３日に手続補正書及び意見書が提出され、さらに同年１１月８日付けの拒絶理由通知（最初）に対して、平成２５年２月１２日に意見書が提出されたが、同年３月４日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月１２日に審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年１０月２３日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項９に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項９】
　表面及び対向する裏面を有する基板と、
　前記基板内の誘電体分離と、
　前記基板の前記表面上の第１誘電体層と、
　前記第１誘電体層、前記誘電体分離、及び前記基板を貫通して延びて、前記基板の前記裏面に露出する導電性貫通ビアと、
　を備え、さらに、
　前記基板内部及びその上に形成されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタと、
　前記へテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタに物理的及び電気的に接触する、前記第１誘電体層内のデバイス・コンタクトと、
　前記第１誘電体層の上に形成された第２誘電体層と、
　前記デバイス・コンタクト及び前記貫通ビアと直接物理的及び電気的に接触する、前記第２誘電体層内のワイヤと、
　を含む、構造体。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平５−１５２５２９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１〜３とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において付与したものである。以下、同じ。）
　
「【００１０】この発明はこのような点に鑑みなされたものであり従ってこの発明の目的は従来より高集積化が図れる構造を有する半導体装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るため、
この発明の半導体装置によれば、半導体基板の表面及び裏面の一方側に少なくとも半導体素子を設けてあり、
「【００１３】また、
半導体素子とはバイポーラトランジスタ、ユニポーラトランジスタ、ダイオードなどをはじめとする各種半導体素子をいうものとする。
「【００１７】１．第１実施例
　図１は第１実施例の半導体装置の説明に供する切り欠き斜視図である。
【００１８】
この第１実施例の半導体装置は、半導体基板３１としての例えばシリコン基板の表面及び裏面のうちの一方の面に半導体素子としての例えば電界効果トランジスタ３３と配線３５とを設けてあり、他方の面に比較的大面積を要するボンディングパッドや電源配線、グランド配線など（以下、「大面積配線部３７」という。）を設けてあり、さらに、基板３１に基板表裏を結ぶ貫通孔３９と、貫通孔経由配線としてこの場合配線３５及び大面積配線部３７間を接続するための配線４１とを設けたものである。
「【００２４】次に、第１実施例の半導体装置の理解を深めるために、この第１実施例の半導体装置の製造手順の一例を簡単に説明する。図２（Ａ）及び（Ｂ）と図３（Ａ）及び（Ｂ）とはその説明に供する工程図である。いずれの図も、第１実施例の半導体装置をその電界効果トランジスタ３３のチャネル長方向と平行な方向に切って示した断面図で示してある。
【００２５】
先ず、半導体基板としてのシリコン基板３１表面に従来周知の方法を用いることによって素子間分離用絶縁膜４５を形成し、次いで、電界効果トランジスタ３３を形成し、その後中間絶縁膜４７を形成する（図２（Ａ））。
【００２６】
次に、中間絶縁膜４７の貫通孔３９形成予定領域表面から、この中間絶縁膜４７、素子間分離用絶縁膜４５及び基板３１を、公知のホトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって基板３１に所定の深さのトレンチ５１が形成されるまで、除去する。次に、この基板を熱酸化することによりトレンチ５１内に絶縁膜３９ａを形成する。次に、このトレンチ５１内及び基板上に例えばアルミニウムを堆積後、公知のエッチバック法によりこのアルミニウムをエッチングしトレンチ５１内に貫通孔経由配線４１としてのアルミニウムを選択的に残存させる（図２（Ｂ））。
「【００２８】
次に、中間絶縁膜４７の所定部分、この場合は電界効果トランジスタ３３のソース・ドレイン領域３３ｃ，３３ｄと対応する部分にコンタクトホール４７ａを公知の方法により形成する。次に、配線３５を公知の方法により形成する。そして、基板３１の電界効果トランジスタ３３を形成していない面側からこの基板を貫通孔経由配線４１が露出されるまで研磨する。これによりトレンチ５１は貫通孔３９となる（図３（Ａ））。
【００２９】
次に、基板３１の研磨した面に公知の好適な方法により絶縁膜４３を形成し、次いで、この絶縁膜４３の貫通孔経由配線４１と対向する部分に開口部４３ａを形成し、その後、貫通孔経由配線４１に接続する大面積配線部３７例えばボンディングパッドを形成する（図３（Ｂ））。これにより第１実施例の半導体装置が得られる。
　
（３−２）引用刊行物の段落【００１８】の「この第１実施例の半導体装置は、半導体基板３１としての例えばシリコン基板の表面及び裏面のうちの一方の面に半導体素子としての例えば電界効果トランジスタ３３と配線３５とを設けてあり、・・・」という記載及び図１から、「半導体基板３１」は、表面及び対向する裏面を有しているものと認められる。
　
（３−３）引用刊行物の段落【００２５】の「半導体基板としてのシリコン基板３１表面に従来周知の方法を用いることによって素子間分離用絶縁膜４５を形成し、次いで、電界効果トランジスタ３３を形成し、その後中間絶縁膜４７を形成する（図２（Ａ））。」という記載及び図２から、「素子間分離用絶縁膜４５」が、「半導体基板３１」表面に形成され、さらに、該「半導体基板３１」の表面上に「中間絶縁膜４７」が形成されているものと認められる。
　
（３−４）引用刊行物の段落【００２６】の「・・・中間絶縁膜４７の貫通孔３９形成予定領域表面から、この中間絶縁膜４７、素子間分離用絶縁膜４５及び基板３１を、・・・基板３１に所定の深さのトレンチ５１が形成されるまで、除去する。次に、この基板を熱酸化することによりトレンチ５１内に絶縁膜３９ａを形成する。次に、このトレンチ５１内及び基板上に例えばアルミニウムを堆積後、公知のエッチバック法によりこのアルミニウムをエッチングしトレンチ５１内に貫通孔経由配線４１としてのアルミニウムを選択的に残存させる（図２（Ｂ））。」、段落【００２８】の「・・・基板３１の電界効果トランジスタ３３を形成していない面側からこの基板を貫通孔経由配線４１が露出されるまで研磨する。これによりトレンチ５１は貫通孔３９となる（図３（Ａ））。」という記載及び図２（Ｂ）、図３（Ａ）から、「貫通孔経由配線４１」が、「中間絶縁膜４７」、「素子間分離用絶縁膜４５」及び「半導体基板３１」を貫通して延びているものと認められる。
　
（３−５）引用刊行物の段落【００１８】の「この第１実施例の半導体装置は、半導体基板３１としての例えばシリコン基板の表面及び裏面のうちの一方の面に半導体素子としての例えば電界効果トランジスタ３３と配線３５とを設けてあり、他方の面に比較的大面積を要するボンディングパッドや電源配線、グランド配線など（以下、「大面積配線部３７」という。）を設けてあり、さらに、基板３１に基板表裏を結ぶ貫通孔３９と、貫通孔経由配線としてこの場合配線３５及び大面積配線部３７間を接続するための配線４１とを設けたものである。」という記載及び図１から、「大面積配線部３７」が「半導体基板３１」の「裏面」に形成され、該「大面積配線部３７」は、「貫通孔経由配線４１」と接続されているものと認められる。
　
（３−６）引用刊行物の段落【００１８】の「・・・半導体基板３１としての例えばシリコン基板の表面及び裏面のうちの一方の面に半導体素子としての例えば電界効果トランジスタ３３と配線３５とを設けてあり、・・・」という記載及び図１から、「半導体基板３１」の内部及びその上に「電界効果トランジスタ３３」が形成されているものと認められる。
　
（３−７）引用刊行物の段落【００１８】の「この第１実施例の半導体装置は、半導体基板３１としての例えばシリコン基板の表面及び裏面のうちの一方の面に半導体素子としての例えば電界効果トランジスタ３３と配線３５とを設けてあり、・・・さらに、基板３１に基板表裏を結ぶ貫通孔３９と、貫通孔経由配線としてこの場合配線３５及び大面積配線部３７間を接続するための配線４１とを設けたものである。」、段落【００２８】の「・・・中間絶縁膜４７の所定部分、この場合は電界効果トランジスタ３３のソース・ドレイン領域３３ｃ，３３ｄと対応する部分にコンタクトホール４７ａを公知の方法により形成する。次に、配線３５を公知の方法により形成する。・・・」という記載及び図１、図３（Ａ）から、「配線３５」が「電界効果トランジスタ３３」の「ソース・ドレイン領域３３ｃ」と「貫通孔経由配線４１」に物理的及び電気的に接触しているものと認められる。
　
（３−８）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「表面及び対向する裏面を有する半導体基板３１と、
　前記半導体基板３１表面に形成された素子間分離用絶縁膜４５と、
  前記半導体基板３１の表面上に形成された中間絶縁膜４７と、
　前記中間絶縁膜４７、前記素子間分離用絶縁膜４５及び前記半導体基板３１を貫通して延びている貫通孔経由配線４１と、
　前記半導体基板３１の前記裏面に形成され、前記貫通孔経由配線４１と接続されている大面積配線部３７と、
　を備え、さらに、
　前記半導体基板３１の内部及びその上に形成された電界効果トランジスタ３３と、
　前記電界効果トランジスタ３３のソース・ドレイン領域３３ｃと前記貫通孔経由配線４１に物理的及び電気的に接触している配線３５と、
　を含む、半導体装置。」
　
４．対比
（４−１）刊行物発明の「半導体基板３１」、「素子間分離用絶縁膜４５」、「中間絶縁膜４７」及び「貫通孔経由配線４１」は、各々本願発明の「基板」、「誘電体分離」、「第１誘電体層」及び「導電性貫通ビア」に相当する。
　
（４−２）刊行物発明の「電界効果トランジスタ３３」と、本願発明の「ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ」は、「半導体素子」という点で共通する。
　
（４−３）刊行物発明の「半導体装置」は、本願発明の「構造体」に相当する
　
（４−４）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「表面及び対向する裏面を有する基板と、
　誘電体分離と、
　前記基板の前記表面上の第１誘電体層と、
　前記第１誘電体層、前記誘電体分離、及び前記基板を貫通して延びている導電性貫通ビアと、
　を備え、さらに、
　前記基板内部及びその上に形成された半導体素子と、
　を含む、構造体。」
である点で一致し、次の４点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、「誘電体分離」が「基板内」に形成されているのに対し、刊行物発明では、「素子間分離用絶縁膜４５」が「半導体基板３１表面」に形成されている点。
　
（相違点２）本願発明では、「導電性貫通ビア」が「前記基板の前記裏面に露出」しているのに対して、刊行物発明では、「貫通孔経由配線４１」は、「前記半導体基板３１の前記裏面に形成され」た「大面積配線部３７」と「接続されて」おり、「前記半導体基板３１の前記裏面に」露出されていない点。
　
（相違点３）本願発明では、「前記基板内部及びその上に」「ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ」が「形成され」ているのに対して、刊行物発明では、「前記半導体基板３１の内部及びその上に」「電界効果トランジスタ３３」が「形成され」ている点。
　
（相違点４）本願発明では、「前記へテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタに物理的及び電気的に接触する、前記第１誘電体層内のデバイス・コンタクトと、前記第１誘電体層の上に形成された第２誘電体層と、前記デバイス・コンタクト及び前記貫通ビアと直接物理的及び電気的に接触する、前記第２誘電体層内のワイヤ」を有するのに対して、刊行物発明では、「前記電界効果トランジスタ３３のソース・ドレイン領域３３ｃと前記貫通孔経由配線４１」との接続構成について、そのような特定がなされていない点。
　
５．判断
　以下、上記相違点について、検討する。
　
（５−１）相違点１について
　一般に、シャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）を用いて、半導体基板内に素子間分離用絶縁膜を形成することは、従来から周知の技術であり、刊行物発明において、このような周知の技術を用いて、「半導体基板３１」内に「素子間分離用絶縁膜４５」を形成することにより、本願発明のように、「前記基板内の誘電体分離」と構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点２について
　半導体基板の表面に形成された半導体素子を、該半導体基板を貫通して延びている貫通孔経由配線を用い、該半導体基板の裏面において、外部回路と接続する際に、該半導体基板の裏面の電極をどのような構造、形状、大きさにするかということは、半導体基板に形成された半導体装置の集積化の程度、接続する相手方の外部回路上の電極の構造、形状、大きさ、両者の接触抵抗など考慮しつつ、当業者が適宜設定し得る設計事項であり、半導体基板の裏面に露出した貫通孔経由配線を、そのまま外部回路との接続電極として用いることも、当業者が必要に応じて、適宜なし得る程度のことである。
　そうすると、刊行物発明において、「大面積配線部３７」を形成することなく、「半導体基板３１」の「裏面」に露出した「貫通孔経由配線４１」を裏面電極として使用することにより、本願発明のように、「前記基板の前記裏面に露出する導電性貫通ビア」という構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３）相違点３及び４について
　引用刊行物には、「【００１１】【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るため、この発明の半導体装置によれば、半導体基板の表面及び裏面の一方側に少なくとも半導体素子を設けてあり、・・・」、「【００１３】また、半導体素子とはバイポーラトランジスタ、ユニポーラトランジスタ、ダイオードなどをはじめとする各種半導体素子をいうものとする。・・・」及び「【００１８】この第１実施例の半導体装置は、半導体基板３１としての例えばシリコン基板の表面及び裏面のうちの一方の面に半導体素子としての例えば電界効果トランジスタ３３と配線３５とを設けてあり、・・・」と記載されている。そして、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタは、バイポーラ・トランジスタの一種として周知であるから、刊行物発明において、電界効果トランジスタを、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタに置き換えることにより、本願発明のように、「前記基板内部及びその上に形成されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ」という構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　その際、置き換えたへテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタ、ベースあるいはコレクタのうち、どの部分と「貫通孔経由配線４１」を接続するかということは、回路設計に応じて、当業者が適宜選択し得る設計的事項である。そして、半導体基板上に形成された半導体素子に接続する配線を、「プラグ」（本願発明の「第１誘電体層内のデバイス・コンタクト」に相当）と「ダマシン技術による配線構造」（本願発明の「第２誘電体層内のワイヤ」に相当）で構成することは、以下の周知例に記載されているように、従来から周知の技術である。
　
（周知例）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００１−３２６３２５号公報には、図２とともに、以下の事項が記載されている。
「【００２４】図２に示すように、半導体集積回路ウェハＷ１は、主表面の素子領域１１にＭＯＳＦＥＴなどの素子を含む集積回路が形成される。層間絶縁膜１４上において１層目の配線層となる配線溝を形成する前の段階（破線のレベル）で、フォトリソグラフィ技術を用い所定個所において裏面側に配線を引き出すために所定深さのトレンチＴＲを形成する。トレンチＴＲは、ウェハＷ１の最終的な厚さよりある程度深く形成する。トレンチＴＲは、素子分離領域２１下に形成すれば集積化に有利である。
【００２５】その後、トレンチＴＲ内壁に酸化膜等の絶縁膜１３を形成する。次に再び
フォトリソグラフィ技術を用いてその他の配線溝パターン２２を形成する。少なくとも配線溝パターン２２にはバリア金属２３をスパッタ法によって被覆する。
【００２６】
上記トレンチＴＲ及び配線溝パターン２２に、例えば無電解メッキ法により銅が埋め込まれる。
【００２７】その後、
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて不要な箇所の銅を削除する。これにより、銅配線１２，１２１のプラグが形成される。さらに、配線溝パターンの形成、銅の埋め込み、ＣＭＰ法を経てダマシン技術による銅配線１２，１２１の配線構造が形成される。
　
　そうすると、刊行物発明において、電界効果トランジスタを、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタに置き換えた際に、該ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタと「貫通孔経由配線４１」を上記周知の配線構造を採用して接続することにより、本願発明のように、「前記へテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタに物理的及び電気的に接触する、前記第１誘電体層内のデバイス・コンタクトと、前記第１誘電体層の上に形成された第２誘電体層と、前記デバイス・コンタクト及び前記貫通ビアと直接物理的及び電気的に接触する、前記第２誘電体層内のワイヤ」を有する構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点３及び４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−４）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、周知の技術思想を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。