【事件の表示】
　特願２０１１−５８０６７号「有機金属化学気相堆積装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１１月１７日出願公開、特開２０１１−２３３８６６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、２０１１年３月１６日（パリ条約による優先権主張　２０１０年４月２９日　（ＴＷ）台湾）を出願日とする出願であって、平成２４年５月１８日付けの拒絶理由に対して、同年８月１５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年９月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２５年１月２５日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに同日付けで手続補正書が提出され、さらに同年５月１０日付けの当審審尋を通知したものの、回答がなかったものである。 
 
２．平成２５年１月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２５年１月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。  
［理由］  
(2-1)補正事項  
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の補正を含むものであり、そのうち補正前後の請求項１の記載は次のとおりである。  
（補正前）  
「【請求項１】
　開口部を有する反応室と、
　前記反応室に設けられる回転スタンドと、
　前記回転スタンドに設けられ、前記回転スタンドにより連動して回転し、その一表面に設けられて、複数のウエハを積込むことに適用されて、前記ウエハに対応する複数の多辺形窪み領域を含むウエハサセプタと、
　前記回転スタンド内で、前記ウエハサセプタの下に設けられるヒーターと、
　前記ウエハサセプタの前記表面に向かって反応気体を放出するように、前記反応室の前記開口部を覆うシャワーヘッドと、
　を含み、
　前記多辺形窪み領域の深さは、積込む前記ウエハの厚みより小さい有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）装置。」 
 　  
（補正後）  
「【請求項１】
　開口部を有する反応室と、
　前記反応室に設けられる回転スタンドと、
　前記回転スタンドに設けられ、前記回転スタンドにより連動して回転し、その一表面に設けられて、複数のウエハを積込むことに適用されて、前記ウエハに対応する複数の多辺形窪み領域を含むウエハサセプタと、
　前記回転スタンド内で、前記ウエハサセプタの下に設けられるヒーターと、
　前記ウエハサセプタの前記表面に向かって反応気体を放出するように、前記反応室の前記開口部を覆うシャワーヘッドと、
　を含み、
　
各前記多辺形窪み領域の少なくとも一辺は、隣接する前記多辺形窪み領域の少なくとも一辺と接合し、各前記多辺形窪み領域の深さは、積込む前記ウエハの厚みより小さい
 　 
(2-2)補正の適否  
　請求項１の補正事項は、複数の多辺形窪み領域に関して、補正前の「前記多辺形窪み領域の深さは、積込む前記ウエハの厚みより小さい」を、補正後の「各前記多辺形窪み領域の少なくとも一辺は、隣接する前記多辺形窪み領域の少なくとも一辺と接合し、各前記多辺形窪み領域の深さは、積込む前記ウエハの厚みより小さい」にする、換言すると、
(α)補正により、「前記多辺形窪み領域の深さは、積込む前記ウエハの厚みより小さい」（補正前）を、「各前記多辺形窪み領域の深さは、積込む前記ウエハの厚みより小さい」（補正後）にし、
(β)補正により、「各前記多辺形窪み領域の少なくとも一辺は、隣接する前記多辺形窪み領域の少なくとも一辺と接合し、」を付加するものである。
　ここで、(α)については、補正前後における技術的内容が同じであることから、単なる書き換えであり、(β)については、複数の多辺形窪み領域の配置関係を具体的に限定するものであり、かつ、補正後の請求項１に記載された発明は、補正前の請求項１に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、請求項１に係る補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的にするものであり、そして、これは、願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるので、特許法第１７条の２第３項の規定を満足するものである。  
　
(2-3)独立特許要件について  
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。                          　  
　
(2-3-1)引用例の記載事項及び図示内容  
(2-3-1-1)原査定の拒絶理由において引用文献１として引用した特開２０１０−６２３８３公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の記載及び図示がある。  
(ア)「【００５３】
　（実施の形態１）
　図１は、実施の形態１に係る気相成長装置１の構成を示す断面図である。気相成長装置１は、縦型シャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置によって構成されている。気相成長装置１は、反応炉１４を備えている。反応炉１４の中には、被処理基板１５を載置した円盤状の基板保持部材１６が設けられている。基板保持部材１６の下側には、軸状の回転伝達部材２０が結合されており、図示しない駆動機構により、被処理基板１５の表面に垂直な回転伝達部材２０の周りに回転可能に基板保持部材１６が設けられている。基板保持部材１６の下側には、基板保持部材１６を加熱する加熱ヒータ１７がさらに設けられている。
【００５４】
　反応炉１４の上側には、略円筒形状をしたガス供給部１８が設けられている。ガス供給部１８は、シャワープレート２とシャワープレート３とを有している。シャワープレート２は、反応炉１４内の被処理基板１５を載置する基板保持部材１６に対向して配置されて被処理基板１５に向かって第１ガスを供給するために設けられている。シャワープレート３は、シャワープレート２に対して基板保持部材１６の反対側に配置されて被処理基板１５に向かって第２ガスを供給するために設けられている。
【００５５】
　図２は気相成長装置１に設けられたガス供給部１８の詳細な構造を示す断面図であり、図３は図２に示すＡ部の拡大断面図である。図４は、気相成長装置１に設けられたガス供給部１８を被処理基板１５側から見た平面図である。図５は、気相成長装置１に設けられたシャワープレート２・３を説明するための斜視図である。
【００５６】
　シャワープレート２には、被処理基板１５に向かって第１ガスが流れる複数個のガス流路４ａが、所定の間隔を空けて配置されて形成されている。シャワープレート２は、基板保持部材１６に対向する壁面２６を有しており、壁面２６には各ガス流路４ａの流路出口２５が形成されている。壁面２６と反応炉１４の内壁とによって反応室１９が形成されている。反応炉１４の側壁の基板保持部材１６よりも低い位置には、ガス排出口２１が形成されている。反応炉１４とシャワープレート２との間には、反応室１９を封止するためのＯリング２２ａが設けられている。」
　
(イ)「【００７２】
　基板保持部材１６は、回転伝達部材２０の一端に備え付けられており、回転伝達部材２０は、図示しない回転機構によって、自転可能となっている。」
　
(ウ)「【００７４】
　次に、ガス供給部１８の構造を、より具体的に説明する。図１において、ガス供給部１８は、反応炉１４と、Ｏリング２２ａによって、気密状態を保持するよう封止されており、ガス供給部１８と反応炉１４とは取り外し可能なように構成されている。」
　
(エ)【図１】には、「反応炉１４の上側に、Ｏリング２２ａを介してガス供給部１８を設ける（反応炉１４の上側をガス供給部１８で覆う）」ことの図示がある。
　
(2-3-1-2)原査定の拒絶理由において引用文献４として引用した特開２００２−２１７１２１公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の記載及び図示がある。  
(オ)「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法に関するものであり、特に、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）において成長ガス雰囲気中に塩素を添加してIII-Ｖ族化合物半導体結晶を成長させる際の不純物の混入を防止するための装置構成に特徴のある有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法に関するものである。」
　
(カ)「【０００６】以下において、図６及び図７を参照して、従来のＭＯＶＰＥ装置における成長基板の概略的載置状態を説明する。
図６（ａ）参照
図６（ａ）は、円形のＩｎＰ基板を複数枚載置するための大型のサセプタを用いた場合の成長基板の配置状態の説明図であり、この場合には、カーボンサセプタ４１に設けた３つの円形の窪み面４２に、夫々ＩｎＰ成長基板４３を収容・載置し、この状態において原料ガスを供給してＩｎＰ成長基板４３上に、ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓＰ層、或いは、ＩｎＧａＡｓ層等を結晶成長する。
【０００７】図６（ｂ）参照
図６（ｂ）は、矩形状の小さなＩｎＰ基板を複数枚載置するためのサセプタを用いた場合の成長基板の配置状態の説明図であり、この場合には、カーボンサセプタ５１に設けた円形の窪み面５２に、４枚の矩形状のＩｎＰ成長基板５３を載置するとともに、矩形状のＩｎＰ成長基板５３の周囲に窪み面５２との間を埋めるＩｎＰダミー基板５４を収容・配置し、この状態において原料ガスを供給してＩｎＰ基板５１上に、ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓＰ層、或いは、ＩｎＧａＡｓ層等を結晶成長する。」
　
(キ)「【００４２】次に、図５を参照して、本発明の第３の実施の形態のＭＯＶＰＥ装置を説明するが、サセプタカバーの製造工程が異なるだけで、他の構成は上記の第１の実施の形態と実質的に同様であるので、サセプタカバーの製造工程のみを説明する。
図５（ａ）参照
まず、主面が（１００）面で、直径が、例えば、４インチ（≒１０１．６ｍｍ）のバルクＩｎＰ基板３６を、例えば、厚さ、３ｍｍに切り出したのち、表面を研磨する。
【００４３】図５（ｂ）参照
次いで、通常のフォトリソグラフィー工程を用いて、８０ｍｍ×８０ｍｍの矩形状の窪み面３７を設けることによって、サセプタカバー３８を形成する。
【００４４】この第３の実施の形態においても、サセプタカバー３８の表面は（１００）面で構成されているので、上記第１の実施の形態と全く同様に、不純物汚染の原因となるＩｎＰ多結晶がサセプタカバー３８の表面に付着することがない。
【００４５】この場合、サセプタカバー３８を形成する際に、ヘテロエピタキシャル成長工程が不要になるが、大径化が困難になる。但し、現状では、ＩｎＰ成長基板１５は小面積の矩形状の場合が多いので、このようなＩｎＰ成長基板１５に対して好適となる。」
　
(ク)【図５】（ｂ）には、「バルクＩｎＰ基板の一表面に１つの矩形の窪みが設けられた基板サセプタカバー３８」の図示がある。
　
(ケ)【図６】（ｂ）には、「カーボンサセプタ５１とＩｎＰダミー基板とで形成された窪みの中に４つの矩形のＩｎＰ成長基板を載置する」ことの図示がある。
　
(2-3-2)引用例記載の発明 　
(2-3-2-1)引用例１記載の発明
(Ａ)上記(エ)の図示内容からして、接合している反応炉１４とガス供給部１８を分離したとき、反応炉の上部に開口部が現れるとみるのが妥当であるので、引用例１には、「開口部を有する反応炉１４」が記載されているということができる。
　
　上記(ア)ないし(エ)の記載事項及び図示内容、上記(Ａ)の検討事項より、引用例１には、「開口部を有する反応炉１４と、前記反応炉１４に設けられる回転伝達部材２０と、前記回転伝達部材２０に設けられ、前記回転伝達部材２０により連動して回転し、被処理基板１５を載置する基板保持部材１６と、前記基板保持部材１６の下に設けられる加熱ヒータ１７と、前記基板保持部材１６の表面に向かってガスを放出するように、前記反応炉１４の前記開口部を覆うガス供給部１８と、を含む、ＭＯＣＶＤ装置。」の発明が記載されている。 
　
(2-3-2-2)引用例２記載の発明
(Ｂ)上記(カ)で示した「【０００６】以下において、図６及び図７を参照して、従来のＭＯＶＰＥ装置における成長基板の概略的載置状態を説明する。・・・」及び上記(キ)で示した「【００４２】次に、図５を参照して、本発明の第３の実施の形態のＭＯＶＰＥ装置を説明する・・【００４３】図５（ｂ）参照・・・【００４４】この第３の実施の形態においても・・・【００４５】この場合、サセプタカバー３８を形成する際に、ヘテロエピタキシャル成長工程が不要になるが、大径化が困難になる。但し、現状では、ＩｎＰ成長基板１５は小面積の矩形状の場合が多いので、このようなＩｎＰ成長基板１５に対して好適となる。」との記載事項からして、上記(ク)で示した「バルクＩｎＰ基板の一表面に１つの矩形の窪みが設けられた基板サセプタカバー３８」（【図５】（ｂ））との図示内容は、上記(ケ)で示した従来技術としての「カーボンサセプタ５１とＩｎＰダミー基板とで形成された窪みの中に４つの矩形のＩｎＰ成長基板を載置する」（【図６】（ｂ））との図示内容を前提にすると共に、小面積で矩形のＩｎＰ成長基板１５を用いる場合を想定するものであるということができるので、引用例２には、「基板サセプタカバー３８が、バルクＩｎＰ基板の一表面に設けられた１つの矩形の窪みの中に複数の小面積で矩形のＩｎＰ成長基板を載置するものである場合」が記載されているものと認める。
　
　上記(オ)ないし(ケ)の記載事項および図示内容、上記(Ｂ)の検討事項より、引用例２には、「バルクＩｎＰ基板の一表面に設けられた１つの矩形の窪みの中に複数の小面積で矩形のＩｎＰ成長基板を載置する基板サセプタカバー３８を含む、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）装置。」の発明が記載されている。
　
(2-3-3)対比・判断  
　本願補正発明と引用例１記載の発明とを対比する。  
○引用例１記載の発明の「反応炉１４」、「回転伝達部材２０」、「被処理基板１５」、「載置する」、「基板保持部材１６」、「加熱ヒータ１７」、「ガス」、「ガス供給部１８」、「ＭＯＣＶＤ装置」は、本願補正発明の「反応室」、「回転スタンド」、「ウエハ」、「積込む」、「ウエハサセプタ」、「ヒーター」、「反応気体」、「シャワーヘッド」、「有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）装置」にそれぞれ相当する。
　
○引用例１記載の発明の「回転伝達部材２０（回転スタンド）に設けられ、回転伝達部材２０により連動して回転し、被処理基板１５（ウエハ）を載置する基板保持部材１６（ウエハサセプタ）」と、本願補正発明の「回転スタンドに設けられ、回転スタンドにより連動して回転し、その一表面に設けられて、複数のウエハを積込むことに適用されて、ウエハに対応する複数の多辺形窪み領域を含むウエハサセプタ」とは、「回転スタンドに設けられ、回転スタンドにより連動して回転し、ウエハを積込むウエハサセプタ」という点で共通する。
　
　上記より、本願補正発明と引用例１記載の発明とは、「開口部を有する反応室と、前記反応室に設けられる回転スタンドと、前記回転スタンドに設けられ、前記回転スタンドにより連動して回転し、ウエハを積込むウエハサセプタと、前記ウエハサセプタの下に設けられるヒーターと、前記ウエハサセプタの前記表面に向かって反応気体を放出するように、前記反応室の前記開口部を覆うシャワーヘッドと、を含む、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）装置。」という点で一致し、以下の点で相違している。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明では、「回転スタンド内で、」回転スタンドにより連動して回転するウエハサセプタの下に設けられるヒーターであるのに対して、引用例１記載の発明では、回転伝達部材２０（回転スタンド）により連動して回転する基板保持部材１６（ウエハサセプタ）の下に設けられる加熱ヒータ１７（ヒーター）であるものの、上記「」内の事項の特定がない点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明では、回転スタンドにより連動して回転し、「その一表面に設けられて、複数の」ウエハを積込む「ことに適用されて、ウエハに対応する複数の多辺形窪み領域を含む」ウエハサセプタであり、「各多辺形窪み領域の少なくとも一辺は、隣接する多辺形窪み領域の少なくとも一辺と接合し」ているのに対して、引用例１記載の発明では、回転伝達部材２０（回転スタンド）により連動して回転し、被処理基板１５（ウエハ）を載置する（積込む）基板保持部材１６（ウエハサセプタ）であるものの、上記「」内の事項の特定がない点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明では、「各多辺形窪み領域の深さは、積込むウエハの厚みより小さい」のに対して、引用例１記載の発明では、上記「」内の事項の特定がない点。
　
　上記各相違点について検討する。
＜相違点１＞について
　一般に、気相成長装置において、「回転スタンド内で、」回転スタンドにより連動して回転するウエハサセプタの下に設けられるヒーターを用いることは、従来より周知（例えば、特開平２−６８９２４号公報の特に第１図参照）の技術であり、引用例１記載の発明と上記周知技術とは、気相成長装置において、回転スタンドにより連動して回転するウエハサセプタの下に設けられるヒーターを用いるという点で共通している。
　そうすると、引用例１記載の発明の「回転伝達部材２０（回転スタンド）により連動して回転する基板保持部材１６（ウエハサセプタ）の下に設けられる加熱ヒータ１７（ヒーター）」について、上記周知技術を適用することで、「回転伝達部材２０（回転スタンド）内で、」回転伝達部材２０により連動して回転する基板保持部材１６（ウエハサセプタ）の下に設けられる加熱ヒータ１７（ヒーター）にすることは、当業者であれば容易に想起し得ることである。
　したがって、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、引用例１記載の発明及び周知技術に基いて当業者であれば容易になし得ることである。 
　
＜相違点２＞について
　上記(2-3-2-2)で示したように、引用例２には、「バルクＩｎＰ基板の一表面に設けられた１つの矩形の窪みの中に複数の小面積で矩形のＩｎＰ成長基板を載置する基板サセプタカバー３８を含む、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）装置。」の発明が記載されている。
　ここで、上記「ＩｎＰ成長基板」、「基板サセプタカバー３８」、「有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）装置」は、「ウエハ」、「ウエハサセプタ」、「有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）装置」にそれぞれ相当しているということができることから、引用例２記載の発明は、「その一表面に設けられた１つの矩形の窪みに複数の小面積で矩形のウエハを載置するウエハサセプタを含む、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）装置。」であるということができ、引用例１、２記載の発明は、ウエハ（被処理基板１５）を載置するウエハサセプタ（基板保持部材１６）を含む、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）装置という点で共通している。
　そうすると、引用例１記載の発明の「回転伝達部材２０（回転スタンド）により連動して回転し、被処理基板１５（ウエハ）を載置する（積込む）基板保持部材１６（ウエハサセプタ）」について、上記周知技術を適用することで、回転伝達部材２０（回転スタンド）により連動して回転し、「その一表面に設けられて、複数の小面積で矩形の」被処理基板１５（ウエハ）を載置する（積込む）「ことに適用されて、１つの矩形の窪みを含む」基板保持部材１６（ウエハサセプタ）にすることは、当業者であれば容易に想起し得ることである。
　そして、上記における、複数の小面積で矩形の被処理基板１５（ウエハ）が載置される（積込まれる）１つの矩形の窪みは、「ウエハに対応する複数の多辺形窪み領域の少なくとも一辺が、隣接する多辺形窪み領域の少なくとも一辺と接合し」たものの一例であるということができる。
　したがって、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、引用例１、２記載の発明に基いて当業者であれば容易になし得ることである。 
　
＜相違点３＞について
　一般に、気相成長装置において、ウエハサセプタに設けられた窪み領域の深さを、積込むウエハの厚みより小さくすることは、従来より周知（例えば、原査定において周知例１として引用した特開２００３−７３１８９号公報の特に【００３４】ないし【００３６】及び【図４】参照）の技術であり、引用例１記載の発明と上記周知技術とは、気相成長装置において、ウエハサセプタ（基板保持部材１６）にウエハ（被処理基板１５）を積込む（載置する）という点で共通している。
　そうすると、上記「＜相違点２＞について」で検討したように、引用例１記載の発明において、ウエハサセプタ（基板保持部材１６）に複数の小面積で矩形のウエハ（被処理基板１５）を積込む（載置する）１つの矩形の窪みを設ける際、上記周知技術を適用することで、「各多辺形窪み領域の深さは、積込むウエハの厚みより小さい」ようにすることは、当業者であれば適宜行う設計事項であるということができる。
　したがって、相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、引用例１、２記載の発明及び周知技術に基いて当業者であれば容易になし得ることである。 
　
　そして、本願補正発明の「ウエハサセプタの表面積の利用率を大幅に向上することができる」等の作用効果は、当業者であれば十分に予測し得るものである。
 　 
　したがって、本願補正発明は、引用例１、２記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
 　  
(2-3-3)まとめ  
　上記からして、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　  
３．本願発明について  
(3-1)本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年８月１５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記２．(2-1)の（補正前）で示したものである。  
 　  
(3-2)引用例記載の発明  
　原査定の拒絶理由において引用した引用例に記載の発明は、上記２．(2-3-2)で示したとおりである。  
 　  
(3-3)対比・判断  
　上記２．(2-2)で示したように、本件補正における請求項１の補正事項は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであることから、本願発明は、本願補正発明を包含している。  
　そうすると、本願補正発明が、上記２．(2-3-2)で示したように、引用例１、２記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本願補正発明を包含する本願発明も同じく、引用例１、２記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものということができる。  
 　 
(3-4)むすび  
　したがって、本願発明は、引用例１、２記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　それゆえ、本願は、特許請求の範囲の請求項２ないし９に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。