【事件の表示】
　特許第３３３６１７５号「シリコンウエ−ハおよびその洗浄方法」の請求項２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３６１７５号の請求項２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　訂正の適否
１　訂正の内容
(1) 訂正事項ａ
　設定登録時の願書に添付した明細書又は図面（以下「特許明細書等」という。）の特許請求の範囲の請求項２に記載された
「シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄した後、オゾンを少なくとも３〜１０ｐｐｍ含む純水中にこのシリコンウェーハを浸漬させたシリコンウェーハの洗浄方法。」を、
「シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄し、
この洗浄後の
オゾンを３〜１０ｐｐｍ含む純水中に所定時間だけ浸漬することにより、このシリコンウェーハの表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成するとともに、この自然酸化膜中のボロン濃度を１０
１０
個／ｃｍ
２
以下に管理した
(2) 訂正事項ｂ
　特許明細書等の発明の詳細な説明（特許掲載公報第３欄第１５−１８行（段落【０００７】参照））に記載された
「請求項２に記載の発明は、シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄した後、このシリコンウェーハをオゾンを少なくとも３〜１０ｐｐｍ含む純水中に浸漬させたシリコンウェーハの洗浄方法である。」を、
「請求項２に記載の発明は、シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄し、
この洗浄後の
オゾンを３〜１０ｐｐｍ含む純水中に所定時間だけ浸漬することにより、このシリコンウェーハの表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成するとともに、この自然酸化膜中のボロン濃度を１０
１０
個／ｃｍ
２
以下に管理した
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、請求項２における「オゾンを少なくとも３〜１０ｐｐｍ含む純水中にこのシリコンウェーハを浸漬させた」ことを、より下位概念である「オゾンを３〜１０ｐｐｍ含む純水中に所定時間だけ浸漬することにより、このシリコンウェーハの表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成するとともに、この自然酸化膜中のボロン濃度を１０１０個／ｃｍ２以下に管理した」ことに限定しようとするものであるので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ａは、特許明細書等に記載されていた事項である（特許掲載公報第３欄第２９−３１行（段落【０００９】参照））。
　以上のとおりであるから、訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項並びに同条第３項において準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するものである。
　また、訂正事項ｂについても特許法第１２０条の４第２項並びに同条第３項において準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するものであるので、上記訂正を認める。
　
第２　特許異議の申立てについての判断
１　本件発明
　前記第１の２のとおり、訂正が認められたので、本件特許第３３３６１７５号の請求項２に係る発明（以下「本件発明」という。）は、訂正請求書に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載された次のとおりのものと認める。
「シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄し、この洗浄後のシリコンウェーハをオゾンを３〜１０ｐｐｍ含む純水中に所定時間だけ浸漬することにより、このシリコンウェーハの表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成するとともに、この自然酸化膜中のボロン濃度を１０１０個／ｃｍ２以下に管理したシリコンウェーハの洗浄方法。」
２　引用例記載事項
　取消理由通知書に記載の引用例１（特開平４−１１３６２０号公報）及び引用例２（特開平３−２１８０１５号公報）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１
ア　特許請求の範囲
「シリコン半導体基板を洗浄するにあたり、該シリコン半導体基板をオゾンを含む純水中に入れて、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分の表面に厚さ２０Å以下の清浄なシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。」
イ　第２頁右上欄第１２行−左下欄第７行
「この洗浄は、・・・希フッ酸、・・・に浸せきする。次に、・・・オゾンを含む純水中に浸せきする。その後・・・乾燥をおこなう。この洗浄の時、純水中のオゾン濃度は５ppm、・・・均一で清浄なシリコン酸化膜が形成される。このシリコン酸化膜厚とオゾン濃度、浸せき時間の関係を第１図にしめす。オゾン濃度は高いほど短時間に、浸せき時間は長いほど厚く、該シリコン酸化膜は成長するが３０Åより厚くなることはない。」
（２）引用例２
ア　特許請求の範囲
「半導体基板上のシリコン酸化膜をエッチングするエッチング液と、このエッチング液の前記シリコン酸化膜に対するエッチング速度より酸化反応速度の早い非金属性の酸化剤と、金属をイオン化する強酸とを有することを特徴とする半導体基板の洗浄液。」
イ　第３頁左上欄第１７行−右上欄第１行
「また、オゾンは０℃・１atmで３８．５ppmまで純水に溶解することができるので、２２℃ではほぼ２５ppmであり、オゾン濃度は０．８ppmから２５ppmまでが有効範囲である。」
３　本件発明と引用例記載事項との対比・判断
　本件発明と引用例１及び引用例２に記載された事項とを対比すると、本件発明を特定する事項である「オゾンを３〜１０ｐｐｍ含む純水中に所定時間だけ浸漬することにより、このシリコンウェーハの表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成するとともに、この自然酸化膜中のボロン濃度を１０１０個／ｃｍ２以下に管理した」ことについては、引用例１及び引用例２のいずれにも記載されておらず、かつ示唆もされていない。
　したがって、本件発明は、引用例１に記載された発明又は引用例２に記載された発明であるとすることはできず、また、引用例１及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとすることもできない。
４　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件請求項２に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１０月２８日（２００４．１０．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
シリコンウェーハおよびその洗浄方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成したシリコンウェーハであって、
　この自然酸化膜中のボロン濃度を１０１０個／ｃｍ２以下に管理したシリコンウェーハ。
　【請求項２】　シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄し、
この洗浄後の
オゾンを３〜１０ｐｐｍ含む純水中に所定時間だけ浸漬することにより、このシリコンウェーハの表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成するとともに、この自然酸化膜中のボロン濃度を１０１０個／ｃｍ２以下に管理した
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明はシリコンウェーハおよびその洗浄方法、詳しくはオゾン水を用いたシリコンウェーハの洗浄技術の改良に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、洗浄後のシリコンウェーハは、その表面に自然酸化膜が形成され、デバイス工程に供給されていた。これは、活性なシリコン面を自然酸化膜で被覆することで、ごみ等の吸着を防ぐためである。
　【０００３】
　このようなシリコンウェーハを得るための洗浄方法は、例えばＨＦ溶液での浸漬洗浄の後、ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２）洗浄によりその表面に自然酸化膜を成長させていた。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、このような従来のシリコンウェーハにあっては、その自然酸化膜中にボロンが高濃度に含まれているという課題があった。例えば１０１２個／ｃｍ２以上であった。よって、このボロンＢがデバイス工程で悪影響を及ぼすことがあった。
　【０００５】
　【発明の目的】
　そこで、この発明は、表面のボロン濃度を低減した自然酸化膜付きのシリコンウェーハを提供することにより、デバイス工程での悪影響を排除したシリコンウェーハを提供することを、その目的としている。また、この発明は、ボロン濃度を低減した自然酸化膜付きのシリコンウェーハを作製するための洗浄方法を提供することを、その目的としている。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に記載の発明は、表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成したシリコンウェーハであって、この自然酸化膜中のボロン濃度を１０１０個／ｃｍ２以下に管理したシリコンウェーハである。
　【０００７】
　請求項２に記載の発明は、シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄し、
この洗浄後の
オゾンを３〜１０ｐｐｍ含む純水中に所定時間だけ浸漬することにより、このシリコンウェーハの表面に５〜７Åの厚さの自然酸化膜を形成するとともに、この自然酸化膜中のボロン濃度を１０１０個／ｃｍ２以下に管理した
　【０００８】
　【作用】
　請求項１に記載の発明では、ボロン濃度を低減したため、デバイス工程での悪影響が大幅に減少することとなる。例えばドーパント濃度の管理が容易となり所望特性のデバイスの形成が容易となる。
　【０００９】
　請求項２に記載の発明では、自然酸化膜厚を５〜７Å（０．５〜０．７ｎｍ）とし、かつ、ボロン濃度を１０１０個／ｃｍ２以下に低減することができる。同時にシリコンウェーハ表面の金属汚染をも低減することができる。例えばＡｌ，Ｆｅ，Ｃｕ等の濃度を１０９個／ｃｍ２未満に低減することができる。
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。図１〜図５はこの発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗浄方法を説明するための図である。図１は自然酸化膜厚とオゾン水への浸漬時間との関係を示している。図３は自然酸化膜厚とオゾン水への浸漬時間との関係を示している。図４はボロン濃度とオゾン水への浸漬時間との関係を示している。
　【００１１】
　図１に示すオゾン水洗浄装置は、洗浄水槽１１にオゾン水発生器１２を連結したものである。ＨＦ洗浄後のシリコンウェーハ１３はラック１４に保持されてこの洗浄水槽１１中に浸漬される。
　【００１２】
　図２にはオゾン水の濃度とオゾン水中へのシリコンウェーハの浸漬時間との関係を示している。この浸漬時間はシリコンウェーハ表面の自然酸化膜が５〜７Å（０．５〜０．７ｎｍ）に成長するに要する時間である。自然酸化膜厚の測定は公知のＸＰＳ法による。また、浸漬されるシリコンウェーハには前処理として希ＨＦ酸溶液での洗浄処理が施されている。その条件は、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１００である。このグラフから解るように、３〜１０ｐｐｍの範囲が自然酸化膜厚およびボロン濃度が好適なものとなる。ボロン濃度の測定は公知のＳＩＭＳ法で行っている。
　【００１３】
　図３には、８ｐｐｍのオゾン水にＨＦ処理後のシリコンウェーハを浸漬した場合、その自然酸化膜厚の成長速度を示している。自然酸化膜厚の測定はＸＰＳ法で行った。この結果、１５秒間の浸漬で所望の膜厚（５Å以上）が得られることが確認できた。
　【００１４】
　図４には、同じオゾン水への浸漬でのボロン濃度の関係を示す。ボロン濃度を好適な範囲に保持するには、１５秒未満の時間でよいことがわかる。なお、ボロン濃度の測定はＳＩＭＳ法による。
　【００１５】
　また、下表はボロン濃度とＰＮ反転特性との関係を示している。ボロン濃度によりＰＮ反転の特性は変化していることがわかる。なお、ＰＮ反転の測定は公知のリーク電流の測定で行った。すなわち、Ｐ型・１０Ωのシリコンウェーハと、Ｎ型・１０Ωのシリコンウェーハとを張り合わせた場合、その張り合わせ界面のＰＮ反転をリーク電流を測定するものである。次表はその測定結果を示している。
　【００１６】
　【表】
　【００１７】
　【発明の効果】
　この発明に係るシリコンウェーハによれば、デバイス工程での収率を高める等の効果を奏することができる。また、ボロン濃度の低減されたシリコンウェーハを作製することができる。また、このシリコンウェーハによれば張り合わせを良好に行うこともできるという効果もある。また、ＶＤＭＯＳでのｏｎ抵抗を下げることもできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の一実施例に係る洗浄装置の概略を示す断面図である。
　【図２】
　この発明の一実施例に係るオゾン濃度と浸漬時間との関係を示すグラフである。
　【図３】
　この発明の一実施例に係るオゾン水への浸漬時間と自然酸化膜厚との関係を示すグラフである。
　【図４】
　この発明の一実施例に係るオゾン水への浸漬時間とボロン濃度との関係を示すグラフである。
　【符号の説明】
　１２　オゾン発生器、
　１３　シリコンウェーハ。