【事件の表示】
　特願２００７−５５７２０２「フリップ・チップ・デバイスを形成するための構造および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月３１日国際公開、ＷＯ２００６／０９１８５６、平成２０年　８月１４日国内公表、特表２００８−５３２２９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、２００６年２月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００５年２月２４日　（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年６月６日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２４年１０月１１日に拒絶査定に対する不服の審判が請求されると同時に手続補正がされ、その後当審において平成２５年８月１９日付けで拒絶の理由を通知したところ、平成２６年２月１９日付けで特許請求の範囲を対象とする手続補正がなされるとともに意見書が提出された。
　そして、本願の各請求項に係る発明は、平成２６年２月１９日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　はんだバンプを形成するための方法であって、
半導体基板に形成されたトレンチ内に第１の導電パッドを形成する工程と、前記第１の導電パッドは露出上表面を有し、
　前記上表面の上に保護層を形成する工程と、
　前記第１の導電パッドの上表面を露出するために前記保護層内に開口部を形成する工程と、
　前記第１の導電パッドの前記上表面と接触して前記開口部を通して、前記開口部に近接する前記保護層の領域に延在する第２の導電パッドを形成する工程と、
　前記第２の導電パッドの露出表面上にバンプ下地金属構造部を形成する工程と、
　前記バンプ下地金属構造部の上表面上に前記はんだバンプを形成する工程とを有し、
　前記バンプ下地金属構造部は、前記第２の導電パッドの露出上表面及び露出側面上に形成される
方法。」
　　　　　
２．引用文献及びその記載事項   
（１）　当審の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００４／０５９７０８号（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　ア　「[0015] Beginning in Figure 5, there is illustrated one prior art process for forming an aluminum layer and solder bumps for a copper interconnect structure, including the aforementioned copper oxide cleaning step. A copper bond pad 200 is formed within a trench or opening of a substrate 201 as shown. As described above, the substrate 201 comprises multiple alternating layers of dielectric and interconnects overlying a semiconductor substrate comprising doped regions.
[0016] A passivation stack 202 (typically a stack of dielectric material layers comprising silicon dioxide and/ or silicon nitride) is formed over the bond pad 200. A photoresist layer (not shown in Figure 5) is deposited, masked, patterned and developed to create an opening therein. An opening 204 is then formed in the passivation stack 202 according to the pattern in the photoresist layer. See Figure 6.
[0017] Copper oxide on a surface 206 of the copper pad 200 is removed during a sputter clean process (also referred to as a back sputter process) wherein energetic argon ions (produced in a radio-frequency back sputter tool) represented by arrowheads 208 in Figure 6, impinge upon the copper pad 200 through the opening 204. 
[0018] An aluminum layer is deposited and etched according to a mask pattern (not shown), forming an aluminum pad 212 as illustrated in Figure 7. This step represents a first one of the two required additional mask layers referred to above. At the interface between the copper pad 200 and the aluminum pad 212, intermetallic compounds can be formed as metal atoms of one material diffuse into the other material. Such intermetallic compounds may be brittle and susceptible to cracking, causing irregularities in the interface conductivity and degrading device performance. To avoid the formation of the intermetallic layer, a barrier layer (not shown in Figure 7) is formed between the aluminum pad 212 and the copper pad 200. Exemplary materials comprising the barrier layer include: tantalum, tantalum-nitride and titanium nitride.
[0019] A passivation layer 214 (see Figure 8) is formed and patterned, defining an opening 216 according to a patterned photoresist layer (not shown in Figure 8). This photoresist step represents a second of the two required additional mask layers. 
[0020] Hence, either the semiconductor fabrication facility or the bumping house forms aluminum pads over the copper bond pads, as described above. The wafer is delivered for solder bump formation with exposed aluminum pads. The first process performed in a bump-bonding packaging operation is cleaning of the aluminum pad 212. In this cleaning step argon ions, represented by arrowheads 217 in Figure 8, are produced in a radio-frequency (RF) back-sputtering tool and impinge upon the almr-inum pad 212 to reduce any alurninum oxide formed thereon. This oxide removal step is typically carried out in the same sputter deposition tool where the under-bump metallization (UBM) material is deposited, as described below.
[0021] Prior to formation of the UBM layer, sometimes the bumping house prefers to deposit an additional aluminum layer on the aluminum pad 212 to present a clean surface for the UBM layer. Another mask step is required to form this aluminum layer, thus increasing the cost and process cycle time.
[0022] An under-bump metallization layer 218 (see Figure 9) is formed and patterned according to a mask layer pattern not shown in Figure 9. Exemplary compounds for the UBM layer 218 comprise: titanium-nickel-vanadium or copper-chromium-nickel. A solder bump 220 is formed by conventional techniques overlying the under-bond metallization layer 218 as shown in Figure 10.」（第４ページ第３１行〜第６ページ第１１行）
｛［００１５］図５以下は、銅相互接続構造のためのアルミニウム層およびはんだバンプを形成するための従来技術によるプロセスの１つを示したもので、前述の銅酸化物浄化工程が含まれている。図に示すように、基板２０１のトレンチすなわち開口内に銅ボンドパッド２００が形成される。上で説明したように、基板２０１は、複数の交番する誘電体層およびドープ領域を備えた半導体基板を覆っている相互接続を備えている。
［００１６］パッシベーションスタック２０２（通常、二酸化ケイ素および／または窒化ケイ素からなる誘電体材料層のスタック）がボンドパッド２００の上に形成される。フォトレジスト層（図５には示されていない）が蒸着され、マスクされ、パターン化され、かつ、現像され、それによりフォトレジスト層に開口が生成される。次に、フォトレジスト層のパターンに従ってパッシベーションスタック２０２の中に開口２０４が形成される。図６参照。
［００１７］図６に矢印２０８で示す高エネルギーアルゴンイオン（無線周波数バックスパッタツール内に生成される）が開口２０４を通って銅パッド２００に衝突するスパッタ浄化プロセス（バックスパッタプロセスとも呼ばれる）の間に、銅パッド２００の表面２０６の銅酸化物が除去される。
［００１８］図７に示すように、マスクパターン（図示せず）に従ってアルミニウム層が蒸着され、かつ、エッチングされ、それによりアルミニウムパッド２１２が形成される。この工程は、上で参照した必要な２つの追加マスク層のうちの最初の１つを表している。銅パッド２００とアルミニウムパッド２１２の間の界面には、１つの材料の金属原子が他の材料に拡散する際に金属間化合物が形成される。このような金属間化合物は、脆く、かつ、ひび割れを生じやすく、界面導電率に不規則性をもたらし、デバイスの性能を低下させる。金属間化合物層の形成を回避するために、アルミニウムパッド２１２と銅パッド２００の間に障壁層（図７には示されていない）が形成される。障壁層を構成する例示的材料には、タンタル、窒化タンタルおよび窒化チタンがある。
［００１９］パターン化されたフォトレジスト層（図８には示されていない）に従って、パッシベーション層２１４（図８参照）が形成され、かつ、パターン化され、それにより開口２１６が画定される。このフォトレジスト工程は、必要な２つの追加マスク層のうちの第２のマスク層を表している。
［００２０］したがって、上で説明したように、半導体製造設備もしくはバンピングハウスのいずれかによって、銅ボンドパッドの上にアルミニウムパッドが形成される。ウェハは、アルミニウムパッドが露出した状態で引き渡され、はんだバンプが形成される。バンプボンディング実装操作で実施される第１のプロセスは、アルミニウムパッド２１２を浄化することである。この浄化工程では、図８に矢印２１７で示すアルゴンイオンが無線周波数（ＲＦ）バックスパッタリングツール内に生成され、アルミニウムパッド２１２に衝突して、アルミニウムパッド２１２上に形成されているあらゆるアルミニウム酸化物が還元される。この酸化物除去工程は、通常、以下で説明するように、アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）材料が蒸着される同じスパッタ蒸着ツール内で実施される。
［００２１］バンピングハウスは、場合によっては、ＵＢＭ層に清浄な表面を提供するために、ＵＢＭ層の形成に先立って、アルミニウムパッド２１２に追加アルミニウム層を蒸着させることが好ましい。このアルミニウム層を形成するためには、もう１つのマスク工程が必要であり、したがってコストが高くなり、かつ、プロセスサイクル時間が長くなる。
［００２２］マスク層のパターン（図９には示されていない）に従ってアンダーバンプメタライゼーション層２１８（図９参照）が形成され、かつ、パターン化される。ＵＢＭ層２１８のための例示的化合物は、チタン−ニッケル−バナジウムあるいは銅−クロム−ニッケルからなっている。図１０に示すように、従来の技法を使用して、アンダーボンドメタライゼーション層２１８を覆ってはんだバンプ２２０が形成される。｝
（｛｝内は、当審による翻訳文。なお、翻訳文作成にあたり、引用文献１に対応する国内公表である特表２００６−５１１９３８号公報を参照した。）
　　　　　
　イ　図６〜１０を参照すると、ボンドパッド２００の開口２０４部分の上と、パッシベーションスタック２０２の上記開口２０４の周辺部分の上とに、アルミニウムパッド２１２が形成されている。
　また、アルミニウムパッド２１２上にパッシベーション層２１４が設けられ、該パッシベーション層２１４に開口２１６が画定され、アルミニウムパッド２１２の上記開口２１６の部分の上からパッシベーション層２１４の上記開口２１６の周辺部分の上にかけて、アンダーバンプメタライゼーション層２１８が形成されているといえる。
　　　　　
　上記の記載事項及び図面の記載を総合すると、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されている。
「基板２０１のトレンチにボンドパッド２００が形成され、
  二酸化ケイ素および／または窒化ケイ素からなるパッシベーションスタック２０２がボンドパッド２００の上に形成され、
　フォトレジスト層が蒸着され、マスクされ、パターン化され、かつ、現像され、それによりフォトレジスト層に開口が生成され、フォトレジスト層のパターンに従ってパッシベーションスタック２０２の中に開口２０４が形成され、
　マスクパターンに従ってアルミニウム層が蒸着され、かつ、エッチングされ、それにより、ボンドパッド２００の開口２０４部分の上と、パッシベーションスタック２０２の上記開口２０４の周辺部分の上とに、アルミニウムパッド２１２が形成されており、
　アルミニウムパッド２１２上にパッシベーション層２１４が設けられ、該パッシベーション層２１４に開口２１６が画定され、アルミニウムパッド２１２の上記開口２１６の部分の上からパッシベーション層２１４の上記開口２１６の周辺部分の上にかけて、アンダーバンプメタライゼーション層２１８が形成され、
　アンダーバンプメタライゼーション層２１８を覆ってはんだバンプ２２０を形成する、
方法。」
　　　　　
（２）　当審の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である米国特許公開第２００３／０２１６０３９号明細書（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　ウ　「［0010］ It is another object of invention to provide aluminum cap protection without using silicon nitride (SiN) passivation or benzocyclobutene (BCB), or polyimide (P1) repassivation, to prevent damage or undercut by etching solutions. 」（段落［００１０］）
｛［００１０］発明の別の目的として、窒化ケイ素（ＳｉＮ）のパッシベーションや、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）や、ポリイミド（Ｐ１）の再パッシベーションを使用せずに、エッチング液によるダメージやアンダーカットから、アルミニウムキャップを保護することである。｝（｛｝内は、当審による翻訳文。以下、同様。）
　　　　　
　エ　「［0027］  Bonding pad  12  is preferably comprised of copper or aluminum. Passivation layer  14  is preferably comprised of SiN. Layer  16  cap of bonding pad  12  is preferably comprised of aluminum. 
［0028］ FIG. 2  illustrates a cross-sectional representation of a Prior Art under bump metal (UBM) layer  18 / 20  formed over aluminum cap layer  16 . UBM layer  18 / 20  is preferably 1000 to 6000 Å thick. UBM layer  18 / 20  is preferably comprised of sublayer  18  formed of titanium (Ti) or chrome (Cr), and upper metallization layer  20  comprised of NiVor Cr/Cu, Cu. 
［0029］ FIG. 3  shows a cross-sectional view of a Prior Art approach illustrating an organic repassivation layer  22  comprising of polyimide (PI) or benzocyclobutene (BCB) or equivalent high temperature polymer. 
［0030］ FIG. 4  is a cross-sectional view of the preferred structure of the invention. In a key feature of the invention, aluminum cap  16  as shown is protected without requiring passivation layer  14  (SiN) or repassivation layer  22  (e.g., PI or BCB). Passivation layer  24  is preferably comprised of Si 3 N 4 , SiO 2 , Si 3 N 4 /SiO 2  and is more preferably comprised of Si 3 N 4 /SiO 2 . 
［0031］ Key Steps of the Invention 
［0032］ The process of the invention may be understood with respect to  FIGS. 1 and 4 . Beginning with the structure of  FIG. 1 , seed layer  18 , comprised of Ti or Cr, is deposited by, for example, sputtering. Subsequently, upper metallization layer  20  comprised of NiVor Cr/Cu, Cu, is also deposited. An initial patterning of top layer  20  is performed, by methods known in the art, using a bump-based size mask, with the resultant width of layer  20  shown in  FIG. 4 . Subsequently, in a key step of the invention, a second, larger, mask is used to pattern seed layer  18 , also as shown in  FIG. 4 . This second patterning step prevent damage to the aluminum pad  16 , and has other advantages as described below. 
［0033］ Advantages of the Present Invention 
［0034］ The advantages of the present invention include: 
［0035］ 1. Elimination of the PI/BCB/SiN passivation process steps reduces cost and exposure to yield detractors, such as, interfacial delamination and reliability issues. 
［0036］ 2. UBM etching solution damage to aluminum cap and copper pad is prevented. 
［0037］ 3. UBM acid etching undercut prevention leads to the formation of a robust UBM structure. 」（段落［００２７］〜［００３７］）
｛［００２７］ボンディングパッド１２は、好ましくは銅またはアルミニウムで構成される。パッシベーション層１４は、好ましくはＳｉＮで構成される。ボンディングパッド１２のキャップとなる層１６は、好ましくはアルミニウムで構成される。
［００２８］図２は、先行技術の断面図で、アルミニウムキャップ層１６の上に、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）層１８／２０が形成されている。ＵＢＭ層１８／２０は、１０００〜６０００Åの厚さである。ＵＢＭ層１８／２０は、チタニウム（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）からなるサブ層１８と、ＮｉＶ、Ｃｒ／Ｃｕ、またはＣｕからなる上部金属被覆層２０から構成される。
［００２９］図３は、先行技術の断面図で、有機的な再パッシベーション層２２は、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、または等価な耐熱ポリマーから構成される。
［００３０］図４は、発明の好ましい構造の断面図である。発明の重要な特徴として、図示されるようなアルミニウムキャップ１６は、パッシベーション層１４（ＳｉＮ）または再パッシベーション層２２（例えば、ＰＩまたはＢＣＢ）がなくとも保護される。パッシベーション層２４は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２、より好ましくはＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２で構成される。
［００３１］発明の重要なステップ
［００３２］発明のプロセスは図１、４を参照することにより理解できる。図１に示すように、ＴｉまたはＣｒからなるシード層１８は、例えばスパッタリングにより堆積される。続いて、ＮｉＶ、Ｃｒ／Ｃｕ、またはＣｕからなる上部金属被覆層２０が堆積される。上部層２０のパターン形成は、公知の方法を用いて、図４に示す層２０の幅で、バンプベースのサイズのマスクを用いて行われる。図４に示すように、発明の重要なステップとして、シード層１８のパターン形成に大きなマスクが使用される。このパターンのステップは、アルミニウムパッド１６へのダメージを防ぎ、また、下記のような利点もある。
［００３３］発明の利点。
［００３４］本発明の利点は次のとおりである。
［００３５］１．ＰＩ／ＢＣＢ／ＳｉＮのパッシベーションプロセスの除去により、コストを下げ、界面剥離や信頼性の問題を減らす。
［００３６］２．ＵＢＭエッチング液によるアルミニウムキャップと銅のパッドが損傷することを防止する。
［００３７］３．ＵＢＭエッチング液によるアンダーカットを防止することにより、強固なＵＢＭ構造を形成する。｝
　　　　　
　オ　図３及び上記記載を参照すると、先行技術として、アルミニウムキャップ１６上に再パッシベーション層２２が設けられ、該パッシベーション層２２に開口が設けられ、アルミニウムキャップ１６の上記開口の部分から再パッシベーション層２２の上記開口の周辺部分の上にかけて、シード層１８が形成され、更に、その上に上部金属被覆層２０が設けられている。
　　　　　
　カ　図４及び上記記載を参照すると、ボンディングパッド１２は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２からなるパッシベーション層２４により覆われ、該パッシベーション層２４に開口が設けられており、その上に、アルミニウムキャップ１６が設けられている。
　また、シード層１８のパターンに大きなマスクを使用しており、これによって、アルミニウムキャップ１６の上面及び側面は、シード層１８により覆われており、シード層の上に、バンプベースのサイズのマスクを使用して、上部金属被覆層２０が設けられている。
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「はんだバンプ２２０」は、本願発明の「はんだバンプ」に相当する。
　以下、同様に「基板２０１」は「半導体基板」に、「トレンチ」は「トレンチ」に、「ボンドパッド２００」は「第１の導電パッド」に、「二酸化ケイ素および／または窒化ケイ素からなるパッシベーションスタック２０２」は「保護層」に、「開口２０４」は「開口部」に、「アルミニウムパッド２１２」は「第２の導電パッド」に、「アンダーバンプメタライゼーション層２１８」は「バンプ下地金属構造部」に、それぞれ相当する。
　引用発明では、最終的にはんだバンプ２２０を形成しているから、引用発明は本願発明の「はんだバンプを形成するための方法」との構成を備える。
　引用発明では、「基板２０１のトレンチにボンドパッド２００が形成され」ているから、引用発明は本願発明の「半導体基板に形成されたトレンチ内に第１の導電パッドを形成する工程」との構成を備える。
　引用発明では、「二酸化ケイ素および／または窒化ケイ素からなるパッシベーションスタック２０２がボンドパッド２００の上に形成され」ているところ、この形成する時の「ボンドパッド２００の上」は本願発明の「第１の導電パッド」の「露出上表面」に相当するから、引用発明は本願発明の「前記第１の導電パッドは露出上表面を有し、前記上表面の上に保護層を形成する工程」の構成を備える。
　引用発明では、「フォトレジスト層が蒸着され、マスクされ、パターン化され、かつ、現像され、それによりフォトレジスト層に開口が生成され、フォトレジスト層のパターンに従ってパッシベーションスタック２０２の中に開口２０４が形成され」ているから、引用発明は本願発明の「前記第１の導電パッドの上表面を露出するために前記保護層内に開口部を形成する工程」の構成を備える。
　引用発明では、「マスクパターンに従ってアルミニウム層が蒸着され、かつ、エッチングされ、それにより、ボンドパッド２００の開口２０４部分の上と、パッシベーションスタック２０２の上記開口２０４の周辺部分の上とに、アルミニウムパッド２１２が形成されて」いるから、引用発明は本願発明の「前記第１の導電パッドの前記上表面と接触して前記開口部を通して、前記開口部に近接する前記保護層の領域に延在する第２の導電パッドを形成する工程」の構成を備える。
　引用発明では、「アルミニウムパッド２１２上にパッシベーション層２１４が設けられ、該パッシベーション層２１４に開口２１６が画定され、アルミニウムパッド２１２の上記開口２１６の部分の上からパッシベーション層２１４の上記開口２１６の周辺部分の上にかけて、アンダーバンプメタライゼーション層２１８が形成され」ているところ、ここで、上記「アルミニウムパッド２１２の上記開口２１６の部分」は、本願発明の「第２の導電パッドの露出表面」に相当するから、引用発明は本願発明の「前記第２の導電パッドの露出表面上にバンプ下地金属構造部を形成する工程」の構成を備える。
　引用発明では、「アンダーバンプメタライゼーション層２１８を覆ってはんだバンプ２２０が形成され」ているからは、引用発明は本願発明の「前記バンプ下地金属構造部の上表面上に前記はんだバンプを形成する工程」の構成を備える。
　　　　　
　以上のことから、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　「はんだバンプを形成するための方法であって、
半導体基板に形成されたトレンチ内に第１の導電パッドを形成する工程と、前記第１の導電パッドは露出上表面を有し、
　前記上表面の上に保護層を形成する工程と、
　前記第１の導電パッドの上表面を露出するために前記保護層内に開口部を形成する工程と、
　前記第１の導電パッドの前記上表面と接触して前記開口部を通して、前記開口部に近接する前記保護層の領域に延在する第２の導電パッドを形成する工程と、
　前記第２の導電パッドの露出表面上にバンプ下地金属構造部を形成する工程と、
　前記バンプ下地金属構造部の上表面上に前記はんだバンプを形成する工程とを有する方法。」
　　　　　
　一方で、両者は次の点で相違する。
［相違点］
　本願発明では、「バンプ下地金属構造部は、前記第２の導電パッドの露出上表面及び露出側面上」に形成されているのに対して、引用発明では、「アルミニウムパッド２１２の上記開口２１６の部分の上からパッシベーション層２１４の上記開口２１６の周辺部分の上にかけて、アンダーバンプメタライゼーション層２１８が形成」されていることから、アンダーバンプメタライゼーション層２１８は、アルミニウムパッド２１２の、「露出上表面」に形成されてはいるものの、「露出側面上」には形成されていない点。
　　　　　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用文献２の前記記載事項「ウ」〜「カ」から、引用文献２には、図３に示すような、窒化ケイ素（ＳｉＮ）のパッシベーションや、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）や、ポリイミド（Ｐ１）のパッシベーションのプロセスを使用せずに行うこと、及び、そのために、図４に示すように、シード層１８のパターン形成に大きなマスクを使用して、アルミニウムキャップ１６の上面及び側面をシード層１８により覆い、シード層１８の上に上部金属被覆層２０を形成し、シード層１８と上部金属被覆層２０からなるＵＢＭ層とし、これによって、コストを下げ、界面剥離や信頼性の問題を減らし、エッチング液によるダメージやアンダーカットから、アルミニウムキャップを保護することが記載されているといえる。
　ここで、引用文献２の「アルミニウムキャップ１６」は、本願発明の「第２の導電パッド」（引用発明の「アルミニウムパッド２１２」）に相当し、同様に、引用文献２の「シード層１８」及び「上部金属被覆層２０」からなるＵＢＭ層は、「アルミニウムキャップ１６」の上に形成され、かつ、その上面に、はんだバンプが形成されるものであるから、本願発明の「バンプ下地金属構造部」（引用発明の「アンダーバンプメタライゼーション層２１８」）に相当する。
　また、引用文献２の「シード層１８」は、アルミニウムキャップ１６の上面及び側面を覆っているから、引用文献２では、「バンプ下地金属構造部は、第２の導電パッドの露出上表面及び露出側面上」に形成されているといえる。
　したがって、引用文献２には、窒化ケイ素（ＳｉＮ）のパッシベーションや、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）や、ポリイミド（Ｐ１）のパッシベーションを使用せずに、「バンプ下地金属構造部は、第２の導電パッドの露出上表面及び露出側面上」に形成することにより、コストを下げ、界面剥離や信頼性の問題を減らし、エッチング液によるダメージやアンダーカットから、第２の導電パッドを保護することが記載されているといえる。
　ところで、引用文献２における「窒化ケイ素（ＳｉＮ）のパッシベーションや、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）や、ポリイミド（Ｐ１）のパッシベーションを使用せず」に行うことは、引用発明において、パッシベーション層２１４を使用しないようにすることに相当するものである。
　すると、引用発明において、パッシベーション層２１４を使用しないで、「バンプ下地金属構造部」（引用発明の「アンダーバンプメタライゼーション層２１８」）として、「バンプ下地金属構造部は、第２の導電パッドの露出上表面及び露出側面上」に形成するものとなすことにより、本願発明の上記相違点に係る構成とすることは、引用文献２記載の事項から当業者が容易になし得たものといえる。
　　　　　　
　そして、本願発明により得られる作用効果も、引用発明及び引用文献２記載の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。 
　以上のことから、本願発明は、引用発明及び引用文献２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　　　　
５．むすび  
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明及び引用文献２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。