【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉで表される、化合物。
ＤＡＣ  −  Ｍ  −  Ｘ                                      Ｉ
［式中、
ＤＡＣは、飽和Ｎ−複素環ジアミノカルベン（ｓＮＨＣ）、非環式ジアミノカルベン、置換された飽和ｓＮＨＣ、または置換された非環式ジアミノカルベンであるジアミノカルベンであり、
Ｍは、ＤＡＣ成分にカルベン原子で結合した金属、たとえば１１族金属であり、
Ｘは陰イオン配位子であり、
ここで、化合物はアリールまたはヘテロアリール基を含まず、ＭはＸの非ハロゲン原子に結合している。］
【請求項２】
式Ｉａ、
ｓＮＨＣ  −  Ｍ  −  Ｘ                                      Ｉａ
式ＩＩａ、
【化１】
2014518944.tif 000001
［式中、
Ｙは、ＣＲ５Ｒ６、（ＣＲ５Ｒ６）２、またはＮＲ９であり、
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、ここで、Ｒ１およびＲ２はハロ置換基を含まず、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、
Ｒ９は、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基である。］、または
式ＩＩｂ、
【化２】
2014518944.tif 000002
［式中、
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、ここで、Ｒ１およびＲ２はハロ置換基を含まない。］
で表される、
請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
（ｉ）Ｘが酸素−金属結合を介してＭに結合しておらず、および／または、
（ｉｉ）Ｘが、複素環、ピペリジニル、ピロリジニル、シクロペンタジエニル、アルコキシド、アルキル、ヒドリド、ヒドロキシド、ジケトナート、ジケチミナート、アミジナートまたはグアニジナート、または以下の構造を有するアミドであるか、
【化３】
2014518944.tif 000003
［式中、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、前記脂肪族基または前記置換された脂肪族基は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルもしくはヘテロアルキル、Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキルもしくは環式ヘテロアルキル、分枝もしくは直鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキルシリル、または置換された分枝もしくは直鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキルシリルであり得るか、またはＲ７およびＲ８は、アミド窒素と一緒に複素環、または置換された複素環を形成する。］または
（ｉｉｉ）Ｘが−Ｎ（ＳｉＭｅ３）２である
請求項１または２に記載の化合物。
【請求項４】
式ＩＩａで表される化合物であって、
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６がそれぞれ独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルもしくはヘテロアルキル、またはＣ３〜Ｃ１２シクロアルキルもしくは環式ヘテロアルキルであるか、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６がそれぞれ独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキルもしくはヘテロアルキル、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキルもしくは環式ヘテロアルキルであるか、または
Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、１−メチルプロピル、またはｔ−ブチルであり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６がそれぞれ独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキルもしくはヘテロアルキル、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキルもしくは環式ヘテロアルキルである、
請求項２に記載の化合物。
【請求項５】
Ｍが銅、銀または金である、
請求項１から４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
以下の化学式で表される化合物のうちの少なくともいずれかである、
請求項１に記載の化合物。
【化４】
2014518944.tif 000004
【請求項７】
３−ジイソプロピル−イミダゾリン−２−イリデン銅ヘキサメチルジシラジドである、
請求項２に記載の化合物。
【請求項８】
（ｉ）１６０℃以下で少なくとも約１トールの蒸気圧を有し、
（ｉｉ）少なくとも約１００℃、１５０℃、２００℃、３００℃、３５０℃または４００℃の温度で長期間安定であり、
（ｉｉｉ）少なくとも９５％の純度であり、および／または、
（ｉｖ）少なくとも９８％の純度である、
請求項１から７のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項９】
Ｍが１１族金属である請求項１から８のいずれか一項に記載の化合物を前駆化合物として使用する化学的気相成長法（ＣＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、プラズマ助長化学的気相成長法（ＰＥ−ＣＶＤ）またはプラズマ助長原子層堆積法（ＰＥ−ＡＬＤ）を含む、
基材に金属膜を堆積させる方法。
【請求項１０】
金属を含む薄膜を形成するプロセスであって、
（Ａ）（ａ）式Ｉで表される化合物の前駆化合物を含む蒸気に前駆化合物の吸着を可能にする条件下で基材を曝露し、基材に単分子層を形成し、
（ｂ）過剰前駆化合物をパージし、
（ｃ）（ａ）で形成された、吸着した前駆体単分子層を反応体の前駆化合物に曝露し前駆体単分子層を還元して金属層を形成し、
（ｄ）薄膜が所望の厚さに到達するまで（ａ）〜（ｃ）を繰り返し、
（Ｂ）式Ｉの化合物である前駆化合物および反応ガスを含む蒸気に基材を曝露して基材の表面に金属膜を形成し、または
（Ｃ）（ａ）１１族モノ金属前駆化合物を揮発させて前駆体蒸気を形成し、
（ｂ）前駆体が式Ｉの化合物である前駆体蒸気と基材を接触させて、前記基材に１１族金属含有膜を形成する
プロセス。
ＤＡＣ  −  Ｍ  −  Ｘ                                      Ｉ
［式中、ＤＡＣは、飽和Ｎ−複素環ジアミノカルベン（ｓＮＨＣ）、非環式ジアミノカルベン、置換された飽和ｓＮＨＣ、または置換された非環式ジアミノカルベンであるジアミノカルベンであり、
Ｍは、ｓＮＨＣ成分にカルベン原子で結合した１１族金属であり、
Ｘは陰イオン配位子であり、
ここで、前駆化合物はアリールまたはヘテロアリール基を含まず、ＭはＸの非ハロゲン原子に結合している。］
【請求項１１】
反応体前駆体がプラズマか、
酸素、オゾン、水、過酸化水素、酸化窒素、二酸化窒素、そのラジカル種もしくは酸化ガスの任意の２種以上の混合物などであり得る酸化ガスか、
または水素、混合ガス（すなわち、〜５％水素、〜９５％窒素の混合物）、アンモニア、シラン、ボラン、アミノボラン、アラン、ギ酸、ヒドラジン（例えば、ジメチルヒドラジン）、そのラジカル種、もしくはこれらの還元剤の任意の２種以上の混合物の１つなどであり得る還元剤である、
請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
前駆化合物が式Ｉａの化合物、
ｓＮＨＣ  −  Ｍ  −  Ｘ                                      Ｉａ
式ＩＩａの化合物、
【化５】
2014518944.tif 000005
［式中、
Ｙは、ＣＲ５Ｒ６、（ＣＲ５Ｒ６）２またはＮＲ９であり、
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、ここで、Ｒ１およびＲ２はハロ置換基を含まず、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、
Ｒ９は存在せず、またはＨ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、ここで、Ｒ９が存在しない場合、Ｎと隣接するＣとの間の結合は二重結合であり、Ｒ３もしくはＲ４は存在しない。］
式ＩＩｂの化合物であって、および／または、
【化６】
2014518944.tif 000006
［式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、ここで、Ｒ１およびＲ２はハロ置換基を含まない。］
請求項３から７のいずれか一項に記載の化合物である、
請求項１０または１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
化合物の蒸発の温度が５０℃を超え、および／または、
前記プロセスは、さらに基材を加熱する、
請求項１０から１２のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
基材が、ガラス、ＴａＮ、ＴｉＮ、サファイア、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ＳｉＯ２、シリコン、窒化ケイ素、シリコンオキシ窒化物、シリコンオキシ炭化物、融解石英、ポリマー材料、タングステン、タンタル、ルテニウム、有機材料、半導体製造でバリヤー層として使用される別種の金属または合金、または、これらの任意の組み合わせを含み、および／または、
前記金属がＣｕ、ＡｇまたはＡｕである、
請求項１０から１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
請求項１から８のいずれか一項に記載の前駆化合物を含む、基材に薄膜を形成する金属堆積で使用されるシステムであって、
（ｉ）Ｍが１１族金属であり、
（ｉｉ）前記前駆化合物が気密性容器中にあり、
前記気密性容器がＡＬＤツールを用いる使用のために構成されたバブラー、または
気密性の密封を得るために前記バイアルまたは管に取り除けるように結合された蓋を有する、火炎で密封したアンプル、またはバイアル、または管であり得、および／または、
（ｉｉｉ）前記前駆化合物が不活性雰囲気下で包装され、
前記不活性雰囲気が窒素またはアルゴンガスであり得る、
システム。
【請求項１６】
（ｉ）前記前駆化合物の自然分解を阻止するための乾燥剤、抗酸化剤または添加剤、および／または、
（ｉｉ）前記前駆化合物を揮発させる手段をさらに含み、
前記前駆化合物を揮発させる前記手段がＡＬＤまたはＣＶＤのツール内に含まれ得る、
請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
請求項１から８のいずれか一項に記載のモノ金属前駆化合物を含む、
ＡＬＤ前駆体配合物であって、
（ｉ）Ｍが１１族金属であり、および／または、
（ｉｉ）前記ＡＬＤ前駆体配合物は、不活性雰囲気下で気密容器に包装され、
前記不活性雰囲気が窒素またはアルゴンガスであり得る、
ＡＬＤ前駆体配合物。
【請求項１８】
式Ｉａの金属前駆化合物を合成する方法であって、
結合がＭとＸの非ハロゲン原子との間で形成されるように、陰イオン配位子の塩とＤＡＣ金属ハライドを反応させる
方法。
ＤＡＣ  −  Ｍ  −  Ｘ                                      Ｉａ
［式中、
ＤＡＣは、飽和Ｎ−複素環ジアミノカルベン（ｓＮＨＣ）、非環式ジアミノカルベン、置換された飽和ｓＮＨＣ、または置換された非環式ジアミノカルベンであるジアミノカルベンであり、
Ｍは、１１族金属であり得る、ｓＮＨＣ成分にカルベン原子で結合した金属であり、
Ｘは陰イオン配位子であり、
ここで、ＤＡＣおよびＸはアリールまたはヘテロアリール基を含まない。］
【請求項１９】
前記方法は、さらに
（ｉ）式ＩＶａの金属ハライドを陰イオン配位子Ｘの塩と反応させて式ＩＩａの化合物を生成し、
【化７】
2014518944.tif 000007
［式ＩＶａ中、Ｂはハライドであり、
Ｙは、ＣＲ５Ｒ６、（ＣＲ５Ｒ６）２またはＮＲ５であり、
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、ここで、Ｒ１およびＲ２はハライド原子を含まず、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基である。］
【化８】
2014518944.tif 000008
［式ＩＩａ中、前駆化合物はアリールまたはヘテロアリール基を含まず、ＭはＸの非ハロゲン原子に結合している。］および／または、
（ｉｉ）式ＩＶａの金属ハライドを陰イオン配位子Ｘの塩と反応させ、式ＩＩｂの化合物を生成し、
【化９】
2014518944.tif 000009
［式ＩＶａ中、Ｂはハライドであり、
Ｙは、ＣＲ５Ｒ６、（ＣＲ５Ｒ６）２またはＮＲ５であり、
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基であり、ここで、Ｒ１およびＲ２はハライド原子を含まず、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６はそれぞれ独立して、Ｈ、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基、または置換された、分枝、直鎖もしくは環式の脂肪族基である。］
【化１０】
2014518944.tif 000010
［式ＩＩｂ中、前駆化合物はアリールまたはヘテロアリール基を含まず、ＭはＸの非ハロゲン原子に結合している。］
Ｂが、クロリド、ブロミドまたはヨージドであり得る、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
陰イオン配位子Ｘの塩が、リチウム、ナトリウムまたはカリウム塩である、
請求項１８または１９に記載の方法。