【事件の表示】
　平成　３年特許願第　９７８６８号「メモリカードの記憶管理方式」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１０月２９日出願公開、特開平　４−３０７６４７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
  本願は、平成３年４月４日の出願であって、その発明の要旨は、平成９年１２月１１日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「記憶素子として、フラッシュ型のＥＥＰＲＯＭを備えて、該ＥＥＰＲＯＭにデータとともにその管理情報を追記的に記憶させるメモリカードの記憶管理方式において、前記ＥＥＰＲＯＭの内容がすべて同値状態である初期状態にて、該ＥＥＰＲＯＭに、データが書き込まれる複数個のデータ領域と、該複数のデータ領域の管理情報が書き込まれる管理領域とを形成して、前記管理領域には、前記データ領域のそれぞれの記憶状態が良か不良かを、それぞれのデータ領域に対応して１ビットづつ割り当てられたビット符号にて示すエラービットマップが形成され、前記データ領域の各々に前記データを書き込むごとにベリファイを行い、該ベリファイの結果、該データ領域が不良であると判断するごとに、該データ領域に対応する前記エラービットマップ内のビット位置に、前記データ領域の記憶状態が不良であることを示す情報を書き込み、該エラービットマップのそれぞれのビット符号は、そのデータ領域の記憶状態が良の場合には、前記初期状態と同じ値のまま保持され、そのデータ領域にエラーが生じた場合に、消去動作を行うことなく、初期状態の値を反転した値が書き込まれてそのデータ領域が不良であることを示すことを特徴とするメモリカードの記憶管理方式。」（以下、「本願発明」という。）
２．引用例
　これに対して、拒絶理由に引用された特開昭６４−８１０２８号公報（以下、「引用例」という。）には、次の技術的事項が記載されている。
（１）記憶領域（ブロック）を固定長のレコード単位に区分すると共に、不良レコード区域の場所を「１」か「０」で示すエラービットマップを記憶場所の所定のレコード区域に格納し、レコード単位でデータを所定のレコード区域に書き込むごとに照合を取り、不一致であれば該レコード区域は不良であるとしてビットマップを更新すること。（第５頁右下欄第１９行から第６頁左上欄第６行）
（２）メモリカード１１ｅは、ＥＥＰＲＯＭはＲＡＭにより構成され、複数のブロックを有し、各ブロックはレコードに分割され、最初の１６レコード区域はヘッダーと称されてエラービットマップ等が記憶され、エラーマップエリアＥＭＡ及びデータエリアＤＴＡを有すること。（第２頁左下欄第２０行から右下欄第１５行）
（３）エラーマップエリアにはエラーマップ管理情報とエラービットマップが記憶され、エラービットマップＥＲＢＭは２５６ビットからなり、各ビットに２５６個のレコード区域の良、不良が「０」、「１」で記憶されること。（第２頁右下欄第１５行から第３頁右上欄第４行）
　上記（１）〜（３）を斟酌すると、上記引用例には、
記憶素子として、ＥＥＰＲＯＭを備えて、該ＥＥＰＲＯＭにデータとともにその管理情報を記憶させるメモリカードの記憶管理方式において、該ＥＥＰＲＯＭに、データが書き込まれる複数個のレコード区域と、該複数のレコード区域の管理情報が書き込まれるエラーマップエリアとを形成して、前記エラーマップエリアには、前記レコード区域のそれぞれの記憶状態が良か不良かを、それぞれのレコード区域に対応して１ビットずつ割り当てられたビット符号にて示すエラービットマップが形成され、前記レコード区域の各々に前記データを書き込むごとに照合を取り、該照合の結果、不一致であれば、該レコード区域に対応する前記エラービットマップ内のビット位置に、前記レコード区域の記憶状態が不良であるとしてビットマップを更新することを特徴とするメモリカードの記憶管理方式（以下、「引用例記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
３．対比
　そこで、本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、本願発明の「データ領域」、「管理領域」、「ベリファイ」、「データ領域が不良であると判断する」点及び「不良であることを示す情報を書き込む」点は、それぞれ、引用例記載の発明の「レコード領域」、「エラーマップエリア」、「不一致である」点及び「ビットマップを更新する」点に相当していると認められるから、両者は、
　記憶素子として、ＥＥＰＲＯＭを備えて、該ＥＥＰＲＯＭにデータとともにその管理情報を記憶させるメモリカードの記憶管理方式において、該ＥＥＰＲＯＭに、データが書き込まれる複数個のデータ領域と、該複数のデータ領域の管理情報が書き込まれる管理領域とを形成して、前記管理領域には、前記データ領域のそれぞれの記憶状態が良か不良かを、それぞれのデータ領域に対応して１ビットずつ割り当てられたビット符号にて示すエラービットマップが形成され、前記データ領域の各々に前記データを書き込むごとにベリファイを行い、該ベリファイの結果、該データ領域が不良であると判断して、該データ領域に対応する前記エラービットマップ内のビット位置に、前記データ領域の記憶状態が不良であることを示す情報を書き込むことを特徴とするメモリカードの記憶管理方式である点で一致し、
　以下の点で相違していると認められる。
（１）本願発明では、ベリファイの結果、該データ領域が不良であると判断して、該データ領域に対応する前記エラービットマップ内のビット位置に、前記データ領域の記憶状態が不良であることを示す情報を書き込む場合に、この書き込みをデータ領域が不良であると判断するごとに行う点。
（２）本願発明では、フラッシュ型のＥＥＰＲＯＭを用いており、ＥＥＰＲＯＭへのデータと管理情報の記憶を追記的に行う点。
（３）本願発明では、データが書き込まれる複数個のデータ領域と、該複数のデータ領域の管理情報が書き込まれる管理領域とを、ＥＥＰＲＯＭの内容がすべて同値状態である初期状態にて形成する点。
（４）本願発明では、エラービットマップのそれぞれのビット符号は、そのデータ領域の記憶状態が良の場合には、前記初期状態と同じ値のまま保持され、そのデータ領域にエラーが生じた場合に、消去動作を行うことなく、初期状態の値を反転した値が書き込まれてそのデータ領域が不良であることを示す点。
４．当審の判断
　そこで、上記相違点について検討すると、
（１）の点については、ベリファイの結果、データ領域が不良であると判断するごとに、対応するエラービットマップ内のビット位置に、不良であることを示す情報を書き込んでいくことは、通常の手順であると認められ、当業者が必要に応じて容易に想到しうることと認められる。
　なお、引用例の特許請求の範囲及び実施例に記載されたデータ記憶方式の発明では、レコード領域の不良の場合、ワーキングメモリに読出してあるエラービットマップに不良であることを示す情報を記憶しているが、これは、エラービットマップの記憶領域のベリファイを行うためのものであると認められ、エラービットマップ領域のベリファイを行わない場合に、単に、データ領域が不良であると判断するごとに、エラービットマップに書き込む簡単な構成を採用することは、当業者が容易になしうることと認められる。
（２）〜（４）の点については、この出願の出願時点では、フラッシュ型のＥＥＰＲＯＭは周知技術である（特開平２−２１３１６９号公報、特開平３−２８８４００号公報：第２頁左下欄第１６行から第３頁左上欄第９行等、参照）と認められ、フラッシュ型のＥＥＰＲＯＭは、ブロック単位で電気的に消去が可能であり、かつ、電気的に書き込みが可能であると認められ、フラッシュ型のＥＥＰＲＯＭを使用して、記憶を追記的に行うこと、初期状態で領域の設定を行うこと、記憶を追記的に行う際に、消去動作を行うことなく、初期状態の値を反転した値を書き込むことは、通常の使用方法であると認められ、上記（２）〜（４）のいづれも、当業者が容易に想到しうる構成であると認められる。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。