【手続補正書】
【提出日】平成27年6月18日(2015.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータセル、第１の補助セル、及び第２の補助セルを含む複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルと接続されたリフレッシュ論理回路と、を有し、
前記リフレッシュ論理回路は、
第１のリフレッシュレート、前記第１のリフレッシュレートより遅い第２のリフレッシュレート、及び前記第２のリフレッシュレートより遅い第３のリフレッシュレートのキャリブレーションを行い、
前記第１のリフレッシュレートで前記複数のデータセルをリフレッシュし、
前記第２のリフレッシュレートで前記第１の補助セルをリフレッシュし、
前記第３のリフレッシュレートで前記第２の補助セルをリフレッシュし、
前記第１の補助セルにおける電荷の減少が所定レベル以下であることを示す第１の値を前記第１の補助セルから読み出したことに応じて、前記第１のリフレッシュレートを増加させ、
前記第２の補助セルに保持されている電荷が前記所定レベル未満でないことを示す第２の値を前記第２の補助セルから読み出したことに応じて、前記第１のリフレッシュレートを減少させ、
前記キャリブレーションにおいて、前記リフレッシュ論理回路は、
前記複数のデータセル内の１つのデータセル、前記第１の補助セル、及び前記第２の補助セルをサンプリングし、
前記１つのデータセルからサンプリングされたデータと前記第１の補助セルからサンプリングされたデータとを比較することで、前記第２のリフレッシュレートをキャリブレートし、
前記１つのデータセルからサンプリングされたデータと前記第２の補助セルからサンプリングされたデータとを比較することで、前記第３のリフレッシュレートをキャリブレートする、装置。
【請求項２】
前記第１の補助セル及び前記第２の補助セルは、前記第２の値を格納されることによってリフレッシュされる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の値は、ハイ及びローのいずれかとなる論理値の内のハイの論理値であり、前記第２の値はローの論理値である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第２のリフレッシュレート及び前記第３のリフレッシュレートはそれぞれ、前記第１のリフレッシュレートを整数で割った値である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第２のリフレッシュレートは前記第３のリフレッシュレートの２倍である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の補助セル及び前記第２の補助セルは、前記複数のメモリセルの列に配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記リフレッシュ論理回路は、当該装置の初期化時に前記第１のリフレッシュレート、前記第２のリフレッシュレート、及び前記第３のリフレッシュレートのキャリブレーションを行う、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
当該装置は、動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイスを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記補助セルは、前記データセルに欠陥が生じたことに応じてデータを格納する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
プロセッサとメモリデバイスを備え、
前記メモリデバイスは、
複数のデータセル、第１の補助セル、及び第２の補助セルを含む複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルと接続されたリフレッシュ論理回路と、を有し、
前記リフレッシュ論理回路は、
第１のリフレッシュレート、前記第１のリフレッシュレートより遅い第２のリフレッシュレート、及び前記第２のリフレッシュレートより遅い第３のリフレッシュレートのキャリブレーションを行い、
前記第１のリフレッシュレートで前記複数のデータセルをリフレッシュし、
前記第２のリフレッシュレートで前記第１の補助セルをリフレッシュし、
前記第３のリフレッシュレートで前記第２の補助セルをリフレッシュし、
前記第１の補助セルにおける電荷の減少が所定レベル以下であることを示す第１の値を前記第１の補助セルから読み出したことに応じて、前記第１のリフレッシュレートを増加させ、
前記第２の補助セルに保持されている電荷が前記所定レベル未満でないことを示す第２の値を前記第２の補助セルから読み出したことに応じて、前記第１のリフレッシュレートを減少させ、
前記キャリブレーションにおいて、前記リフレッシュ論理回路は、
前記複数のデータセル内の１つのデータセル、前記第１の補助セル、及び前記第２の補助セルをサンプリングし、
前記１つのデータセルからサンプリングされたデータと前記第１の補助セルからサンプリングされたデータとを比較することで、前記第２のリフレッシュレートをキャリブレートし、
前記１つのデータセルからサンプリングされたデータと前記第２の補助セルからサンプリングされたデータとを比較することで、前記第３のリフレッシュレートをキャリブレートする、システム。
【請求項１１】
前記第１の補助セル及び前記第２の補助セルは、前記第２の値を格納されることによってリフレッシュされる、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１の値は、ハイ及びローのいずれかとなる論理値の内のハイの論理値であり、前記第２の値はローの論理値である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２のリフレッシュレート及び前記第３のリフレッシュレートはそれぞれ、前記第１のリフレッシュレートを整数で割った値である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第２のリフレッシュレートは前記第３のリフレッシュレートの２倍である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１の補助セル及び前記第２の補助セルは、前記複数のメモリセルの列に配置されている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
前記リフレッシュ論理回路は、当該システムの初期化時に前記第１のリフレッシュレート、前記第２のリフレッシュレート、及び前記第３のリフレッシュレートのキャリブレーションを行う、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１７】
前記メモリデバイスは、動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイスを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１８】
前記補助セルは、前記データセルに欠陥が生じたことに応じてデータを保存する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１９】
第１のリフレッシュレート、前記第１のリフレッシュレートより遅い第２のリフレッシュレート、及び前記第２のリフレッシュレートより遅い第３のリフレッシュレートのキャリブレーションを行うステップと、
前記第１のリフレッシュレートで複数のデータセルをリフレッシュするステップと、
前記第２のリフレッシュレートで第１の補助セルをリフレッシュするステップと、
前記第３のリフレッシュレートで第２の補助セルをリフレッシュするステップと、
前記第１の補助セルにおける電荷の減少が所定レベル以下であることを示す第１の値を前記第１の補助セルから読み出したことに応じて、前記第１のリフレッシュレートを増加させるステップと、
前記第２の補助セルに保持されている電荷が前記所定レベル未満でないことを示す第２の値を前記第２の補助セルから読み出したことに応じて、前記第１のリフレッシュレートを減少させるステップと、を有し、
前記キャリブレーションを行うステップにおいて、
前記複数のデータセル内の１つのデータセル、前記第１の補助セル、及び前記第２の補助セルをサンプリングし、
前記１つのデータセルからサンプリングされたデータと前記第１の補助セルからサンプリングされたデータとを比較することで、前記第２のリフレッシュレートをキャリブレートし、
前記１つのデータセルからサンプリングされたデータと前記第２の補助セルからサンプリングされたデータとを比較することで、前記第３のリフレッシュレートをキャリブレートする、方法。
【請求項２０】
前記第１の補助セル及び前記第２の補助セルは、前記第２の値を格納されることによってリフレッシュされ、
前記第１の値は、ハイ及びローのいずれかとなる論理値の内のハイの論理値であり、前記第２の値はローの論理値である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のリフレッシュレート及び前記第３のリフレッシュレートはそれぞれ、前記第１のリフレッシュレートを整数で割った値である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２のリフレッシュレートは前記第３のリフレッシュレートの２倍である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
各前記セルの初期化時に、前記第１のリフレッシュレート、前記第２のリフレッシュレート、及び前記第３のリフレッシュレートのキャリブレーションを行う、請求項１９に記載の方法。