【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月25日(2015.3.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃ4画分（１）（ブタン、ブテン及び当該Ｃ4画分の合計質量に対して０．５〜３質量％のアセチレン類と共に１，３−ブタジエンを含む画分）から選択溶媒を用いた抽出蒸留によって純粋な１，３−ブタジエンを単離する方法であって、
前記Ｃ4画分中に含まれるアセチレン類の合計質量に対して９０〜９９質量％の割合を選択的に水素化して部分的に水素化されたＣ4画分を得る第１プロセス工程と、
続いて、選択溶媒を用いた抽出蒸留及び純粋蒸留を行い、純粋な１，３−ブタジエンを得るさらなるプロセス工程と、を有し、
当該部分的な水素化に続くプロセス工程において、前記部分的に水素化されたＣ4画分に残留するアセチレン類が排出され、
前記抽出蒸留を、抽出蒸留塔（Ｋ２）で、及び抽出蒸留・予備脱気塔（Ｋ３）の上部領域で、選択溶媒が１，３−ブタジエンに対するよりも低い親和性を有するＣ4画分（１）の成分が実質的に気相に留まり、且つ抽出蒸留塔（Ｋ２）から塔頂流（５）として取り出される一方で、１，３−ブタジエン及び選択溶媒が１，３−ブタジエンに対するよりも高い親和性を有するさらなる炭化水素が実質的に完全に選択溶媒によって吸着されるように実施し、
粗１，３−ブタジエン流（６）が、抽出蒸留・予備脱気塔（Ｋ３）の上部領域における下端で取り出され、
選択溶媒に吸着された炭化水素が、選択溶媒に対するそれらの親和性とは逆の順序で抽出蒸留・予備脱気塔（Ｋ３）の下部領域及び脱気塔（Ｋ４）中に脱着されて抽出蒸留塔（Ｋ２）へと再利用される精製された選択溶媒流（１１）をもたらし、且つ
粗１，３−ブタジエン流（６）が、純粋な１，３−ブタジエンが単離される純粋蒸留塔（Ｋ５）へと供給され、
部分的に水素化されたＣ4画分（２）に残留するＣ4−アセチレン類の一部が、精製された選択溶媒（１１）が取り出される脱気塔（Ｋ４）に属する側塔を介して排出され（流れ１０）、
残部が純粋蒸留塔（Ｋ５）から塔底流（９）を介して排出されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記気相に留まる、前記Ｃ4画分（１）の成分が、ブタン及びブテンであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｃ4画分（１）が、Ｃ4画分（１）の合計質量に対して０．５〜２．０質量％の割合のアセチレン類を含有する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
プロピンが純粋蒸留塔（Ｋ５）から塔頂流（７）を介して取り出される請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
選択溶媒が８５〜９５質量％のＮＭＰ及び６〜１２質量％の水を含む請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
一般に、１，３−ブタジエンは、Ｃ4画分、すなわち、Ｃ4炭化水素、特に、１−ブテン、ｉ−ブテン及び１，３−ブタジエンが優勢を占める炭化水素の混合物から工業的に得られる。少量のＣ3−及びＣ5−炭化水素を除いては、Ｃ4画分は一般にプロピン及びブチンを、特に、１−ブチン（エチルアセチレン）及びブテニン（ビニルアセチレン）を含むアセチレン類を含有する。ここで、粗１，３−ブタジエン、すなわち、約８９〜９９．５質量％の１，３−ブタジエンとバランス不純物とを含む混合物が最初に得られる。所要の規格を満たすために、これは続いて純粋な１，３−ブタジエンを得るための蒸留によってさらに精製されなければならない。純粋な１，３−ブタジエンのために要求される規格は、最低で９９．６質量％の１，３−ブタジエン含量と、アセチレン類及び１，２−ブタジエンのそれぞれの場合において２０ｐｐｍという最大許容含有量とを規定する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
アセチレン類、特に、プロピン、１−ブチン及びブテニンを含むもののＣ4画分中の含有量は、一般にＣ4画分の総質量に対して０．５〜３質量％の範囲であるので、純粋な１，３−ブタジエンのために要求される規格を満たすためには、そのアセチレン類はＣ4画分から分離されなければならない。アセチレン類のこの除去は、抽出蒸留に先行するフロントエンド選択的水素化により実施され得る；これは、その後の抽出蒸留における装置と安全性リスクの点で経費が大幅に削減され、且つ実質的にブタンとブテンを含むラフィネート１、及び１，３−ブタジエンの収率が増大するという利点がある。加えて、アセチレン系Ｃ4不純物、１−ブチン及びブテニンは、フロントエンド選択的水素化で価値ある生成物に転化される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
しかしながら、フロントエンド選択的水素化は、選択的水素化のための供給流中、すなわち、Ｃ4画分中におけるアセチレン類の割合が小さく、そのために高い選択性の触媒及び複雑な装置がそのフロントエンド選択的水素化のために必要であるという欠点を有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
フロントエンド選択的水素化のための方法はＵＳ４，２７７，３１１又はＣＮ１０１，１７２，９２９等に記載されており、それによると、最初のプロセス工程においてＣ4画分中のアセチレン類の割合が選択的水素化によって１．５質量％未満のブタジエン損失で５〜５０ｐｐｍへと低減される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
上記に照らして、本発明の目的は、公知の方法と比べて選択性がそれほど高くない触媒を用いて、且つ単純な装置を用いて実施することができる、アセチレン類のフロントエンド選択的水素化を用いてＣ4画分から純粋な１，３−ブタジエンを単離するための改良された方法を提供することにある。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
この目的は、Ｃ4画分（１）（ブタン、ブテン及びこのＣ4画分の合計質量に対して０．５〜３質量％のアセチレン類と共に１，３−ブタジエンを含む画分）から選択溶媒を用いた抽出蒸留によって純粋な１，３−ブタジエンを単離する方法であって、
前記Ｃ4画分中に含まれるアセチレン類の合計質量に対して９０〜９９質量％の割合を選択的に水素化して部分的に水素化されたＣ4画分を得る第１プロセス工程と、
続いて、選択溶媒を用いた抽出蒸留及び純粋蒸留を行い、純粋な１，３−ブタジエンを得るさらなるプロセス工程と、を有し、
当該部分的な水素化に続くプロセス工程において、前記部分的に水素化されたＣ4画分に残留するアセチレン類が排出されることを特徴とする方法によって達成される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
フロントエンド選択的水素化をただ部分的に実施し、この部分的な選択的水素化の後に残留するアセチレン類は、以降に続くプロセス工程で、他の分離課題のために既に存在していると考えられる装置内で導き出すことができることがわかった。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
Ｃ4画分のアセチレン類の割合は、特に、Ｃ4画分の合計質量に対して０．５〜１．５質量％の範囲である。アセチレン類はプロピン及びＣ4−アセチレン（ブチン）、すなわち、１−ブチン（エチルアセチレン）及びブテニン（ビニルアセチレン）である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
Ｃ4画分の抽出蒸留はしばしば、選択溶媒が１，３−ブタジエンに対するよりも低い親和性を有するＣ４画分の成分、特に、ブタン及びブテンが実質的に気相に留まる一方で、１，３−ブタジエン及びアセチレン類並びに選択溶媒が１，３−ブタジエンに対するよりも高い親和性を有するさらなる炭化水素が選択溶媒によって実質的に完全に吸着されるような方法で運転される。気相は塔頂流として取り出され、そしてしばしばラフィネート１と呼ばれる。そのような方法はＤＥ−Ａ１９８１８８１０等に記載されており、そこでは、ラフィネート１は、図１及び２にＧｂｃと記載された、抽出蒸留塔ＥＩからの塔頂流である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
上記運転のモードでは、部分的に水素化されたＣ4画分に残留するＣ4アセチレン類の一部が、精製された選択溶媒が取り出される脱気塔に属する側塔を介して排出され、残部は塔底流を介して純粋蒸留塔から排出される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
１，３−ブタジエンよりも低揮発性の成分、特に、Ｃ5+−炭化水素、カルボニル等の成分及びＣ4アセチレン類が側部取出し口を介して脱気塔Ｋ４から取り出され、溶媒の逆洗のために提供された小さな側塔へと供給され、この側塔の塔頂部から流れ１０として排出される。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
好ましくは分割壁塔として構成されている純粋蒸留塔Ｋ５では、プロピン及び１，３−ブタジエンよりも低い沸点を有するさらなる成分が塔頂流７を介してＣ4画分から排出され、高沸点成分及びＣ4−アセチレン類は塔底流９を介して排出され、純粋な規格に適合した１，３−ブタジエンが分割壁塔の取出し領域から側部取出し口を介して排出される。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
アセチレン類のこれらの残留含有量を、実質的に完全にその後のプロセス工程で排出する：プロピンを実質的に完全に純粋塔Ｋ５から塔頂流７を介して分離し、１−ブチンを脱気塔Ｋ４に属する側塔を介して流れ１０（１４．７９ｋｇ／ｈ）として、及び純粋塔Ｋ５から塔底流９（２６．５９ｋｇ／ｈ）を介して分離する。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
純粋塔Ｋ５からの側部取出し流８は、９９．７２質量％の１，３−ブタジエン及びさらに０．２８質量％のブテン（イソブテン、トランス−２−ブテン及びシス−２−ブテン）を有する規格内の１，３−ブタジエンを含む。アセチレン類（プロピン、１−ブチン及びビニルアセチレン）の割合は必要な生成物規格の制限を下回っている。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
純粋塔Ｋ５からの側部取出し流８は、９９．８質量％を超える１，３−ブタジエンを有する規格内の１，３−ブタジエンを含む。加えて、小さい割合のブテン（ｎ−ブテン、イソブテン、トランス−２−ブテン及びシス−２−ブテン）を含んでいる。アセチレン類（プロピン、１−ブチン及びビニルアセチレン）の割合はそれぞれの場合において必要な生成物規格の制限を下回っている。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
純粋塔Ｋ５からの側部取出し流８は、９９．８質量％を超える１，３−ブタジエンを有する規格内の１，３−ブタジエンを含有する。加えて、小さい割合のブテン（ｎ−ブテン、イソブテン、トランス−２−ブテン及びシス−２−ブテン）を含む。アセチレン類（プロピン、１−ブチン及びビニルアセチレン）の割合はそれぞれの場合において必要な生成物規格の制限を下回っている。