【事件の表示】
　特願２０１０−１４３４５６「耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月１４日出願公開、特開２０１０−２３２６８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１０月１３日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成１５年１０月１４日　米国（ＵＳ））を国際出願日として出願した特願２００６−５３５４５１号の一部を平成２２年６月２４日に新たな特許出願としたものであって、同日付けで手続補正がなされ、平成２４年１２月２６日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２５年６月２６日付けで手続補正がなされたが、同年７月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月１２日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年６月２６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　複数の層（３２、３４、４０、３６）で被覆された電気伝導性材料において、
　電気伝導性基体（２６）；
　前記基体（２６）上に堆積され、前記複数の層（３２、３４、４０、３６）へ前記基体（２６）の成分が拡散するのを防ぐのに有効な障壁層（３２）；
　前記障壁層（３２）上に堆積された、錫との金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層（３４）；
　前記犠牲層（３４）上に堆積された低抵抗率酸化物金属層（４０）；及び
　前記低抵抗率酸化物金属層（４０）上に直接堆積された錫又は錫基合金（３６）の最外層；
　を含む、上記電気伝導性材料。」
　
３．引用列
（１）引用例１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−１７１７９０号公報（公開日：平成１５年６月２０日。以下、「引用例１」という。）には、「めっき材料」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
　ア．「【請求項１】  
導電性基体の表面に
下地めっき層と、ＣｕまたはＣｕ合金から成る中間めっき層と、ＳｎまたはＳｎ合金から成る表面めっき層とがこの順序で形成されていることを特徴とするめっき材料
　　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【請求項３】  
前記下地めっき層が、Ｎｉ，Ｃｏ，もしくはＦｅのいずれか１種の金属、または前記金属を主成分とする合金から成る
　
　イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は
嵌合型コネクタや接触子の材料として好適なめっき材料に関する
  
　ウ．「【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明のめっき材料は、後述するような４層構造になっている
本発明のめっき材料は、図１で示したように、全体として、導電性基材１の上に、後述する下地めっき層２、中間めっき層３、および表面めっき層４がこの順序で形成されている。このめっき材料は、下地めっき層２と表面めっき層４の間に、中間めっき層３が介在し、この中間めっき３が後述する機能を発揮することにより、高温環境下における表面めっき層４の消失が抑制されるところに最大の特徴を有している
【００２１】まず、導電性基材１の材料は格別限定されるものではなく、例えば接続コネクタとしての用途を考慮し、要求される機械的強度、耐熱性、導電性に応じて、例えば、純銅；リン青銅、黄銅、洋白、ベリリウム銅、コルソン合金のような銅合金；純鉄、ステンレス鋼のような鉄合金；各種のニッケル合金；Ｃｕ被覆Ｆｅ材やＮｉ被覆Ｆｅ材のような複合材料などから適宜に選定すればよい。
【００２２】これらの材料のうち、ＣｕまたはＣｕ合金が好適である。なお、導電性基材１がＣｕ系材料でない場合は、その表面にＣｕまたはＣｕ合金のめっきを施してから実使用に供すると、めっき膜の密着性や耐食性が更に向上する。この
導電性基材１の上に形成されている下地めっき層２は、基材１と表面めっき層との密着強度を確保するために設けられるとともに、基材の成分が表層側に熱拡散することを防止するバリア層としても機能する
【００２３】これらの金属はいずれも融点が１０００℃以上の高融点金属である。そして、例えば接続コネクタの使用環境温度は一般に２００℃以下であるため、このような使用環境下では、この下地めっき層２は熱拡散を起こしにくいことはもち論のこと、基材成分の表層側への熱拡散を有効に防止する。上
記した金属のうち、価格の点、めっき処理が行いやすい点などから、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅが好適である
　
　エ．「【００２６】次に、この下
地めっき層２の上に形成される中間めっき層３は、ＣｕまたはＣｕ合金から成る
めっき材料が高温環境下に曝されると、表面めっき層４のＳｎ成分の中間めっき層３への熱拡散が進行し、結果として、中間めっき層３は、図２で示したように、Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物から成る層３’に転化していく。同時に、めっき材料の表面めっき層４のＳｎ成分は、中間めっき層３との界面を起点として中間めっき層３の方へ拡散移動して上記金属間化合物に転化していく。その結果、Ｓｎ（またはＳｎ合金）が残存している層であるめっき層４’の厚みは薄くなる。そして、中間めっき層３のＣｕ成分が上層側から拡散してくるＳｎやＳｎ合金を受容し終わった時点で、ＳｎやＳｎ合金とＣｕやＣｕ合金間の相互拡散は停止する
【００２７】
その結果、図２で示したように、図１の中間めっき層３と表面めっき層４の一部は、金属間化合物から成る層３’になる。また図１の表面めっき層４は、その厚みが薄くなっているが、ＳｎやＳｎ合金から成る層４’として残ることになる。このように、下地めっき層２とＳｎやＳｎ合金から成る層４’の間に金属間化合物の層３’が介在していることにより、層４’と下地めっき層２の間の反応は抑制されることになる
【００２８】し
たがって、このめっき材料の場合、高温環境下にあっては図２で示した層構造の状態、すなわち、ＳｎやＳｎ合金とＣｕやＣｕ合金の相互拡散は抑制された状態で使用されることになる。そのため、ＳｎやＳｎ合金から成る表面めっき層が使用過程で消失してしまうことはなくなる。Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物としては、Ｃｕ
6
Ｓｎ
5
やＣｕ
3
Ｓｎがよく知られている
　
　オ．「【００３７】なお、
本発明のめっき材料においては
下地めっき層と中間めっき層の間、または中間めっき層と表面めっき層の間に、各めっき層の厚みよりも薄い異種材料のめっき層を介在させてもよい
　
　・上記引用例１に記載の「めっき材料」は、上記「イ．」の記載事項によれば、嵌合型コネクタや接触子の材料として好適なめっき材料に関するものである。
　・上記「ア．」の【請求項１】、「ウ．」の段落【００２０】の記載事項によれば、めっき材料は、導電性基材１と、その表面に所定の金属またはその金属を主成分とする合金からなる下地めっき層２、ＣｕまたはＣｕ合金からなる中間めっき層３、ＳｎまたはＳｎ合金からなる表面めっき層４の３つのめっき層がこの順序で積層形成されてなるものである。
　・上記「ア．」の【請求項３】、「ウ．」の段落【００２２】〜【００２３】の記載事項によれば、下地めっき層２は、Ｎｉ，Ｃｏ，もしくはＦｅのいずれか１種の金属、またはそれら金属を主成分とする合金からなり、導電性基材１の成分が表層側に熱拡散することを防止するバリア層として機能するものである。
　・上記「ウ．」の段落【００２０】、「エ．」の記載事項によれば、ＣｕまたはＣｕ合金からなる中間めっき層３は、そのＣｕ成分が表面めっき層のＳｎ成分との間でＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（Ｃｕ6Ｓｎ5やＣｕ3Ｓｎ）となることにより、Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物からなる層に転化していくものである。
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「嵌合型コネクタや接触子の材料として好適なめっき材料であって、
　３つのめっき層がその表面に積層される導電性基材と、
　前記導電性基材上に形成され、Ｎｉ，Ｃｏ，もしくはＦｅのいずれか１種の金属、またはそれら金属を主成分とする合金からなり、前記導電性基材の成分が表層側に熱拡散することを防止するバリア層として機能する下地めっき層と、
　前記下地めっき層上に形成され、ＣｕまたはＣｕ合金からなり、そのＣｕ成分が表面めっき層のＳｎ成分との間でＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（Ｃｕ6Ｓｎ5やＣｕ3Ｓｎ）となることにより、Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物からなる層に転化していく中間めっき層と、
　前記中間めっき層上に形成されたＳｎまたはＳｎ合金からなる表面めっき層と、
　を含む、めっき材料。」
　
（２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−２０９４９号公報（以下、「引用例２」という。）には、「電気接点材料」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
　ア．「【０００２】
【従来の技術】一般に各種の導電性基材の表面を銀，銀合金又は
内部酸化された銀合金で被覆した材料は、基材が具備する特性に加えて
内部酸化された銀合金特有の耐食性，半田付け性や電気接続性等を発現する
　
　イ．「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記
内部酸化された銀合金は、上記の他の銀や銀合金に比べて耐摩耗性及び耐アーク性に優れている
　
　ウ．「【０００６】即ち
本発明接点材料は、導電性基材上にＮｉ及び／又はＣｏの金属層を設け、その上に濃度勾配があり、且つ内部酸化された銀合金層を設けたことを特徴とする
内部酸化された銀合金としてはＡｇ−Ｓｎ
2
 Ｏ
3
 合金
が良好である
　
　エ．「【０００９】本発明で用いる導電性基材としては、表面にメッキし得る程度の導電性を有しておればよく、例えば銅，各種銅合金，さらには銅被覆鋼材や銅被覆アルミニウム材のような銅又は銅合金で異種材料を被覆してなる複合金属、またはＮｉ，Ｆｅもしくはこれらの合金からなる基材等をあげることができる。
【００１０】また
Ｎｉ又はＣｏの１種又は２種のメッキを行う理由は、銀とＳｎ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｃｄから選ばれる１種の金属の拡散のための熱処理において、基材が銀合金中及び表面に拡散するのを防止するため
【００１１】
銀メッキは0.2 μｍ以上の厚さでメッキを行い、その表面にＳｎ
の金属を銀メッキ層の1/1000〜５倍の厚さでメッキする
  
　オ．「【００１３】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。本発明に係るメッキ条材として表１に示すものを作製した。即ち
板厚0.3mm のＣｕ合金条の片面に表１に示すように厚さ0.1 又は0.5 μｍのＮｉ又はＣｏの下地メッキを行い、その上にＡｇを1.0 又は3.0 μｍの厚さにメッキし、さらにその上にＳｎ
を0.05〜0.5 μｍの厚さにメッキした
　
　・上記引用例２に記載の「電気接点材料」は、上記「ウ．」〜「オ．」の記載事項、及び表１のうちの特に「本発明例No.1」や「本発明例No.2」によれば、導電性基材上にＮｉの下地メッキ、銀メッキ、Ｓｎの上層メッキの３つの層をこの順序で積層形成してなるものに関し、Ｓｎの上層メッキは、最も外側に形成されるメッキ層であり、かかるメッキ層の下に銀のメッキ層が直接接するように形成されてなるものである。
　・上記「エ．」の段落【００１０】の記載事項によれば、下地メッキは、基材の成分が表面側へ拡散するのを防止するためのもの、すなわち、バリア層（障壁層）として機能するものである。
　・上記「ウ．」の記載事項によれば、銀メッキにおける銀は、内部酸化された銀合金（Ａｇ−Ｓｎ2 Ｏ3 合金）を形成することができる金属であると理解でき、上記「ア．」、「イ．」の記載事項によれば、内部酸化された銀合金は、半田付け性や電気的接続性に加えて、耐摩耗性等に優れるものである。
　
　したがって、本願発明と同様に、基材（基体）上に形成した複数の層を、その後の熱処理や使用中の加熱によって金属成分の拡散が生じて金属間化合物などが形成される前の状態として捉え、上記記載事項を総合勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。
「導電性基材上に複数のメッキ層を積層形成してなる電気接点材料において、Ｓｎからなる最外層の下に直接接するように〔バリア層（障壁層）とＳｎからなる最外層との間に〕、半田付け性や電気的接続性に加えて、耐摩耗性等に優れる内部酸化された銀合金を形成することができる金属である銀のメッキ層を設けること。」
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における「導電性基材」は、本願発明における「電気伝導性基体」に相当し、
　引用発明における「嵌合型コネクタや接触子の材料として好適なめっき材料であって、３つのめっき層がその表面に積層された導電性基材と、」によれば、
　「めっき材料」は、嵌合型コネクタや接触子の材料として好適に用いられるものであり、電気伝導性のものであることは自明であるから、本願発明における「電気伝導性材料」に相当し、さらに、複数の層（３つのめっき層）で被覆されるものであるといえるから、
　本願発明と引用発明とは、「複数の層で被覆された電気伝導性材料において、電気伝導性基体」を含むものである点で一致する。
　
（２）引用発明における「前記導電性基材上に形成され、Ｎｉ，Ｃｏ，もしくはＦｅのいずれか１種の金属、またはそれら金属を主成分とする合金からなり、前記導電性基材の成分が表層側に熱拡散することを防止するバリア層として機能する下地めっき層と」によれば、
　「下地めっき層」は、導電性基材の成分が表層側へ、すなわち中間めっき層や表面めっき層といった複数の層の側へ拡散するのを防ぐのに有効なバリア層として機能するものであることから、本願発明における「障壁層」に相当するといえ、
　本願発明と引用発明とは、「前記基体上に堆積され、前記複数の層へ前記基体の成分が拡散するのを防ぐのに有効な障壁層」を含むものである点で一致する。
　
（３）引用発明における「前記下地めっき層上に形成され、ＣｕまたはＣｕ合金からなり、そのＣｕ成分が表面めっき層のＳｎ成分との間でＳｎ−Ｃｕ金属間化合物（Ｃｕ6Ｓｎ5やＣｕ3Ｓｎ）となることにより、Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物からなる層に転化していく中間めっき層と」によれば、
　「中間めっき層」は、表面めっき層のＳｎ成分との間で金属間化合物を形成するのに有効な層であり、当該金属間化合物からなる層に転化していくものであることから、本願発明における「犠牲層」に相当するといえ、
　本願発明と引用発明とは、「前記障壁層上に堆積された、錫との金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層」を含むものである点で一致する。
　
（４）引用発明における「ＳｎまたはＳｎ合金からなる表面めっき層」は、表面すなわち最も外側に形成されるものであることから、本願発明における「錫又は錫基合金の最外層」に相当し、
　引用発明における「前記中間めっき層上に形成されたＳｎまたはＳｎ合金からなる表面めっき層と」によれば、
　本願発明と引用発明とは、後述の相違点はあるものの「錫又は錫基合金の最外層」を含むものである点で共通する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「複数の層で被覆された電気伝導性材料において、
　電気伝導性基体；
　前記基体上に堆積され、前記複数の層へ前記基体の成分が拡散するのを防ぐのに有効な障壁層；
　前記障壁層上に堆積された、錫との金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層；
　錫又は錫基合金の最外層；
　を含む、上記電気伝導性材料。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点］
　本願発明では、犠牲層上に堆積された「低抵抗率酸化物金属層」を含み、錫又は錫基合金の最外層が「前記低抵抗率酸化物金属層上に直接堆積され」ている旨特定するのに対し、引用発明では、そのような低抵抗率酸化物金属層を有していない点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２（上記「３．（２）」を参照）には、Ｓｎからなる最外層の下に直接接するように〔バリア層（障壁層）とＳｎからなる最外層との間に〕、、半田付け性や電気的接続性に加えて、耐摩耗性等に優れる内部酸化された銀合金を形成することができる金属である銀のメッキ層を設けるようにした技術事項が記載されており、このようにＳｎからなる最外層の下に直接接するように銀のメッキ層を設けるという技術事項は、さらに例えば特開平１１−３５０１８８号公報（特に段落【００５３】〜【００５４】、【００５８】〜【００６０】、【００７１】、図５を参照）、特開平６−８１１８９号公報（特に段落【０００６】〜【０００８】を参照）にも記載されているように周知ともいえるものである。
　なお、上記「銀のメッキ層」は、上記特開平１１−３５０１８８号公報の段落【００５４】の「・・Ａｇ層２Ｃが介装されている材料Ａ３は、材料が高温環境下に長期間曝されていても表面層の酸化に基づく不都合も起こらず、接触抵抗の上昇という問題も起こらない。むしろ逆に、Ａｇが表面層３へ拡散することにより、接触抵抗が安定化するだけでなく、低下する場合が多くなる・・」なる記載や、本願の請求項１に従属する請求項８や請求項９の記載事項から明らかなように、本願発明でいう「低抵抗率酸化物金属層」に相当するということができるものである。
　そして、引用発明においても、各めっき層の間に異種材料のめっき層を介在させてもよい（上記「３．（１）オ．」を参照）ものであることから、嵌合型コネクタや接触子の材料として一般的に望まれる耐摩耗性や高温環境下における接触抵抗の上昇の抑制等を図るために、上記技術事項を採用し、本願発明のように犠牲層上に堆積された「低抵抗率酸化物金属層」を含み、錫又は錫基合金の最外層が「前記低抵抗率酸化物金属層上に直接堆積され」たものとすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願発明が奏する効果についてみても、引用発明及び周知の技術事項から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　よって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
＜＜予備的見解＞＞
　本願発明と引用例２に記載された発明とを対比した場合についても検討しておく。
　引用例２（上記「３．（２）」を参照）には、以下の発明が記載されている。
「３つのメッキの層が積層形成される導電性基材と、
　前記導電性基材上に形成され、当該導電性基材の成分が表面側へ拡散するのを防止するためのＮｉの下地メッキ層と、
　前記下地メッキ層上に形成され、半田付け性や電気的接続性に加えて、耐摩耗性等に優れる内部酸化された銀合金を形成することができる金属である銀のメッキ層と、
　前記銀のメッキ層上に形成されたＳｎの上層メッキ層と、
　を含む電気接点材料。」
　
　そこで、本願発明と上記引用例２に記載された発明とを対比すると、引用例２に記載された発明における「銀のメッキ層」は、上述したとおり本願発明における「低抵抗率酸化物金属層」に相当するといえるものであることを踏まえると、両者は以下の点においてのみ相違し、その余の点で一致する。
［相違点］
　本願発明では、障壁層と低抵抗率酸化物金属層との間に「錫との金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層」を含む旨特定するのに対し、引用例２に記載された発明では、そのような犠牲層を有していない点。
　
　上記相違点について検討すると、
　いわゆる障壁層（Ｎｉめっき層）と錫の最外層との間に、錫との金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層（Ｃｕめっき層）を設けることは、例えば引用例１（上記「３．（１）」を参照）、さらには特開平１１−１３５２２６号公報（特に【要約】、段落【００２９】、【００３２】、図３（ａ）、図３（ｂ）を参照）に記載のように周知の技術事項であり、引用例２に記載された発明においても、かかる周知の技術事項を採用し、本願発明のように障壁層と低抵抗率酸化物金属層との間に「錫との金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層」を含むものとすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　よって、本願発明と引用例２に記載された発明とを対比した場合であっても、本願発明は、引用例２に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえ、いわゆる進歩性を有しない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。