【事件の表示】
　特許第３１１４８７３号「プラズマ処理装置、及び、蒸着或いはエッチングの方法」の請求項１〜２７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１４８７３号の請求項１〜２７に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３１１４８７３号（平成２年８月３日（優先権主張１９８９年８月１日、米国）出願、平成１２年９月２９日設定登録）は、異議申立人大森　巌及び仲沢潤四郎により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１１月６日に訂正請求がなされたものである。
 
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　請求項１の「無線周波エネルギを・・・無線周波エネルギ源とを備え」を、「無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間で前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え」と訂正する。
　
（１−２）訂正事項ｂ
　請求項３の「前記基板を横切る方向にほぼ均一な磁場」を、「前記基板の面に沿ってほぼ均一な磁場」と訂正する。
　
（１−３）訂正事項ｃ
　請求項２０の「電気伝導コイルから・・・活性化する活性化工程とを有し」を、「前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する部分の上に配置された電気伝導コイルから前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバ内に無線周波エネルギを伝えることにより、ほぼ均一なプラズマが前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シ一ルドと前記基板支持体との間に形成されるように、前記処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し」と訂正する。
　
（１−４）訂正事項ｄ
　請求項２２の「平面状コイルを有する」を、「平面状コイルてある」と訂正する。
　
（１−５）訂正事項ｅ
　請求項２３の「前記基板を横切る方向に均一な磁場」を、「前記基板の面に沿って均一な磁場」と訂正する。
　
（１−６）訂正事項ｆ
　請求項２７の「無線周波エネルギを・・・電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え」を、「無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間で前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え」と訂正する。
　
（１−７）訂正事項ｇ
　請求項２７の「前記電気伝導コイルは・・・寸法及び配置位置が定められている」を、「前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、その外周部が前記内部空間の横方向サイズよりも小さく前記絶縁シールドと前記囲い部材とを連結する部分の付近で前記囲い部材に対向しないように、寸法及び配置位置が定められている」と訂正する。
　
（２）訂正の適否
（２−１）訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書に添付した図２等の記載に基づくものであって、「絶縁シールド」と「電気伝導コイル」との位置関係及びプラズマの生成位置を具体化するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−２）訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂは、特許明細書に添付した図５等に基づくものであって、「磁場」の態様を明りょうにするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−３）訂正事項ｃについて
　上記訂正事項ｃは、特許明細書に添付した図２等の記載に基づくものであって、「絶縁シールド」と「電気伝導コイル」との位置関係及びプラズマの生成位置を特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−４）訂正事項ｄについて
　上記訂正事項ｄは、特許明細書に添付した図１、図２、図５等に基づくものであって、電気伝導コイルが平面状コイルであることを明りょうにするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−５）訂正事項ｅについて
　上記訂正事項ｅは、特許明細書に添付された図５等に基づくものであって、「磁場」の態様を明りょうにするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−６）訂正事項ｆについて
　上記訂正事項ｆは、特許明細書に添付した図２等の記載に基づくものであって、「絶縁シールド」と「電気伝導コイル」との位置関係及びプラズマの生成位置を特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−７）訂正事項ｇについて
　上記訂正事項ｇは、特許明細書に添付した図２等に基づくものであって、「被駆動部」の寸法及び配置位置を明りょうにするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項ａ〜ｇについては、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての概要
（１−１）異議申立人大森　巌は、証拠として、
　
　甲第１号証：特開昭６３−１４８６２号公報
　甲第２号証：特開昭６２−６３１７９号公報
　甲第３号証：特開昭５８−１７５８３２号公報
　甲第４号証：特開昭６３−１１２４０９号公報
　甲第５号証：特願平１−３３８９００号（特開平２−２３５３３２号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面
　
を提出して、本件特許の請求項１〜２７に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また本件特許の請求項１〜２７に係る発明は、甲第５号証に記載された発明と同一であるから、同法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許の請求項１〜２７に係る発明の特許は、それぞれ同法第１１３条第１項の規定に該当し、取り消すべきである旨主張している。
　
（１−２）異議申立人仲沢潤四郎は、証拠として、
　
　甲第１号証：特願平１−３３９８００号（特開平２−２３５３３２号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面
　甲第２号証：特開昭６３−２１１６３１号公報
　甲第３号証：平成１２年５月１２日付け応対記録
　甲第４号証：平成１２年５月１２日起案拒絶理由通知
　甲第５号証：特開昭５７−９８６７８号公報
　甲第６号証：米国特許第４２３２０５７号明細書
　
を提出して、本件特許の請求項１〜３、５〜９、１３〜１５、１８〜２７に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、また本件特許の請求項１、２０、２７に係る発明は、甲第２、５、６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、さらに本件特許に係る明細書（以下、「特許明細書」という。）の全請求項の記載は明りょうでなく、同法第３６条第４項の規定の要件を満たさず、本件特許の請求項１〜２７に係る発明の特許は、同法第１１３条第１項の規定に該当し、取り消すべきである旨主張している。
　
（２）本件発明
　訂正明細書の請求項１〜２７に係る発明（以下、「本件発明１〜２７」という。）は、訂正明細書の請求項１〜２７に記載された以下のとおりのものである。
　「（１）少なくとも一部の境界が絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間にある基板を支持する基板支持体であって、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する内部面を有するように配置された基板支持体と、
　処理用ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間で前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、前記内部空間の横方向のサイズより小さな横方向のサイズを有することを特徴とするプラズマ処理システム。
（２）前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドの近傍に配置され、
　前記プラズマ処理チャンバはＣＶＤプラズマ反応器或はプラズマエッチング反応器を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（３）前記電気伝導コイルは、１回以上の巻数をもち、
　前記電気伝導コイルは、前記基板の面に沿ってほぼ均一な磁場を生成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（４）前記プラズマ処理チャンバはその壁にポートを有し、
　前記絶縁シールドは前記壁を密閉するように前記ボートを覆っていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（５）前記無線周波エネルギ源は、前記電気伝導コイルの被駆動部に接続される無線周波発生器を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（６）前記電気伝導コイルの被駆動部は前記電気伝導コイルの内部タップと外部タップとの間にあり、
　前記内部タップと外部タップとは前記絶縁シールドの外周の内側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（７）前記電気伝導コイルは前記プラズマ処理チャンバに磁場を誘導し、
　前記ガス供給部は、前記電気伝導コイルによって誘導された磁場の最大強度の領域の周囲に前記処理用ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（８）前記無線周波エネルギ源は、電位が前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に印加されるように、無線周波エネルギを前記基板支持体に供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（９）前記プラズマ処理チャンバは真空チャンバを有し、
　前記電気伝導コイルは前記基板の露出表面に平行に配置された平面状コイルを有し、前記基板の露出表面はほぼ均一なプラズマに晒されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１０）前記電気伝導コイルの平面度は、ずれが前記電気伝導コイルの横方向サイスの０．２倍未満であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１１）前記ガス供給部は前記内部空間に導入された処理用ガスに流れのパターンができるように配列されたノズルを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１２）前記ガス供給部は前記基板支持体の周囲を取り囲む複数のノズルを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１３）前記電気伝導コイルの外周は、前記内部空間の外周の内側に位置することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１４）前記電気伝導コイルは、平面領域内に前記プラズマを誘導することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１５）前記電気伝導コイルは、前記内部空間の中心に向かってより強度が大きくなる磁場を生成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１６）前記内部空間は複数の金属壁によって囲まれており、その１つの金属壁は、少なくとも一部に、前記絶縁シールドによって密閉されたアクセスポートを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１７）前記ガス供給部はガス分配リングを有していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１８）前記電気伝導コイルは、螺旋状或は同心円ループ状に構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１９）前記電気伝導コイルは電子の流れを誘導し、前記電子は前記基板に平行な平面に集められることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（２０）基板の露出表面上に層を蒸着し或はエッチングを行なう方法であって、
　前記基板を、前記基板に対向した絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって少なくとも一部の境界が構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバに設けられた基板支持体上に設置する設置工程と、
　処理用ガスを処理ガス供給部から前記プラズマ処理チャンバ内に供給する供給工程と、
　前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する部分の上に配置された電気伝導コイルから前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバ内に無線周波エネルギを伝えることにより、ほぼ均一なプラズマが前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に形成されるように、前記処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、
　前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、前記内部空間の横方向のサイズより小さな横方向のサイズを有し、
　前記基板の露出表面は前記プラズマの中におかれ、物質の層が前記露出表面に蒸着され或は前記露出表面がエッチングされるように前記露出表面が反応することを特徴とする方法。
（２１）前記電気伝導コイルは、前記基板の露出表面に平行な平面領域に前記プラズマを誘導することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２２）前記電気伝導コイルは、前記基板の露出表面に平行に配置された平面状コイルであることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
（２３）前記電気伝導コイルは、１回以上の巻数をもち、
　前記電気伝導コイルは、前記基板の面に沿って均一な磁場を生成することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２４）無線周波発生器が前記電気伝導コイルの内部及び外部タップを通して前記電気伝導コイルの被駆動部に接続されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２５）前記電気伝導コイルは前記プラズマ処理チャンバに磁場を誘導し、　前記ガス供給部は前記磁場の最大強度の領域の周囲に前記処理用ガスを供給することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２６）電位が前記電気伝導コイルと前記基板支持体とを横切って印加されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２７）少なくとも一部の境界が絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバーと、　　　　　　前記プラズマ処理チャンバの内部空間にある基板を支持する基板支持体であって、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する内部面を有するように配置された基板支持体と、
　処理用ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間で前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、その外周部が前記内部空間の横方向サイズよりも小さく前記絶縁シールドと前記囲い部材とを連結する部分の付近で前記囲い部材に対向しないように、寸法及ひ配置位置が定められていることを特徴とするプラズマ処理システム。」
　
（３）異議申立人大森　巌の提出した甲第１〜５号証の記載事項
（３−１）甲第１号証
　甲第１号証の特開昭６３−１４８６２号公報には、ＬＴＥプラズマによって放射光や反応活性種を作成し、これを用いて半導体デバイスの絶縁膜、保護膜、半導体膜金属膜等の薄膜形成、エッチング、表面クリーニング、表面改質等の表面処理を行なう表面処理装置に関する発明が第５図とともに開示され（１頁右欄３〜７行参照）、さらに以下の事項が記載されている。
　第５図の説明として、「図示しない気体供給装置からバルブ９を通して、所定の放電気体を石英管で作られた放電室１の中に導くとともに、この放電室１に連通する処理室３に設けられた排気バルブ１１・・・で両室内の気体を排気して気体圧力を所定値に保ち、１３．５６ＭＨｚの高周波電源８の出力電圧を、放電室の回りに巻回された放電用コイル７に印加して、放電室１内に前記放電気体のプラズマ２を発生させる。」（１頁右欄１４行〜２頁左上欄２行）、
　「放電室１内に生ずる放電は、放電室１内の気体の種類、圧力、印加される高周波電力の大小によって異なるが、一般に、圧力が高く電力が小さい領域では高周波グロー放電となり、圧力が低く、電力が大きい領域ではＬＴＥ・・・プラズマ放電・・・となる。・・・この第５図の装置は、このＬＴＥプラズマ放電を利用するもので、プラズマ中の反応活性種等の放電生成物は、両室１、３の境界１５０から処理室３内に導入され、これを用いて基体表面に所定の処理が施されるものである。このようにプラズマによって表面処理をする場合、プラズマに基体５が直接接するときは、プラズマ中の荷電粒子が基体５に衝撃を与えて損傷を生じ、基体５上の半導体デバイスの電気的特性を劣化させる等の不都合を生ずることがある。・・・この不都合を除くため、第５図に示したように、放電室１と処理室３の境界１５０には、荷電粒子の移動を阻止乃至調整するための、電圧が印加された金網５０が設置されることがある。この場合は、プラズマからの反応活性種と短波長光のみによって成膜が行われるため、基体５の表面には荷電粒子が全く存在しないか少なくなるのである。」（２頁左上欄１７行〜左下欄１６行）
　以上の記載をまとめると、甲第１号証には、石英管で作られた放電室、及び処理室によって構成された内部空間を有するプラズマ処理室と、プラズマ処理室の内部空間にある基体を支持する基体ホルダーであって、石英管が前記基体ホルダーに面する内部面を有するように配置された基体ホルダーと、放電気体を前記プラズマ処理室に供給するバルブと、高周波のエネルギを石英管を経て放電室の内部空間へと伝えて前記内部空間で放電気体を活性化して前記石英管と基体ホルダーとの間に前記基体を処理するためのプラズマを生成するために、石英管の上に配置された放電用コイルを有する高周波電源と、を備えたプラズマ処理システムが開示されている。
　
（３−２）甲第２号証
　甲第２号証の特開昭６２−６３１７９号公報には、ＲＦ型イオン・エンジンに適したＲＦ型イオン源に関する発明であって、放電容器の上蓋にインダクションコイルを設けて電極中心部でのプラズマ生成量を増加させプラズマの一様性を改善したこと（２頁左上欄４〜７行参照）が、第１、３、４図とともに開示されている。
　
（３−３）甲第３号証
　甲第３号証の特開昭５８−１７５８３２号公報には、半導体基板にプラズマ流によりエッチングまたはデポジション処理するためのプラズマ処理装置に関する発明が、第３図とともに開示され（１頁右欄１５〜１７行）、さらに以下の事項が記載されている。
　第３図の説明として、「同図で２９は冷却管（「列却管」は誤記）、３０は石英管である。この石英管３０はプラズマ発生室（導波管）２５の内壁より放電により金属等が蒸発してプラズマ内部に混入されるのを防止すると共に、この場合プラズマ発生のための放電部分を大気圧より気密に保ち導入した放電ガスを放電に適した圧力に保つ役割をする。プラズマ発生室２５の周囲に支持台３１を介して設けられた電磁石３２は２電極２７、２８間に発生する高周波電場により加速される電子の軌道長を長くしてこの間に発生するプラズマの電離密度を大にする働きをする。プラズマ処理室３２は非磁性のステンレス鋼等により形成され、・・・石英よりなるプラズマ流出管３３を通してプラズマ発生室２５内に発生したプラズマが導入される。」（３頁右下欄１４行〜４頁左上欄９行）
　
（３−４）甲第４号証
　甲第４号証の特開昭６３−１１２４０９号公報には、高周波熱プラズマ法を用い、カルシウム含有物を炭化する炭化カルシウム微粉末の製造方法に関する発明であって、第１図には、石英管２の外側に高周波コイル１が設けられ、この高周波コイル１は、石英管２と反応容器８との連結する部分で反応容器８に対向しない位置に配置されたものであることが記載されている。
　
（３−５）甲第５号証
　甲第５号証の特願平１−３３８９００号（特開平２−２３５３３２号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、電子回路チップ或いはパッケージ材料から除去する処理（蝕刻処理）装置及びチップ或いはパッケージ材料に付加する処理（被着処理）装置に関する発明が第１、３図とともに開示され（２頁左上欄７〜１１行）、さらに以下の事項が記載されている。
　「第１図はプラズマ処理によって処理される被加工物を含む半導体ウエハ１１を含む真空の処理チャンバ１０を有するプラズマ処理装置９を示す図である。この装置は、蝕刻または被着によってウエハ１１を処理するためのプラズマを形成するのに用いられる。円形状外壁を形成するライナ１６は、プラズマを形成するために付勢されるガスを囲んでいる。
　ライナ１６は、・・・プラズマを汚染しない石英、または他の材料である。プラズマ処理チャンバ１０のカバーも石英で作られている。従って、チャンバ１０は底部のウエハ１１に対して、側壁を構成しているライナ１６の石英及び処理チャンバの上部カバー１７の石英によって取り囲まれている。ウエハ１１は金属の基台２３に支持されているが、基台２３の上表面に設けられた絶縁リング４０によって基台から絶縁されている。ウエハ１１の縁を支持するための窪み３２を有する平坦な絶縁リング４０は、ウエハ１１の周囲を取り囲んで基台２３の上面に与えられている。絶縁リング４０はその表面からプラズマを分離し、そして、チャンバ１０の基台の中央の位置にウエハ１１を支持する窪み３２を持つ図示の形状を持っている。
　ガスの流入口ブロック１２からパイプ１３を通り、円形状ベース２７及び処理チャンバの上部カバー１７により形成された円形状マニホールド１４を経てガスが処理チャンバ１０に与えられる。マニホールド１４は・・・円形状オリフィス１５を経て処理チャンバ１０に連続しており、この狭い円形状オリフィス１５は、チャンバ１０の上方の全体の周囲に亘って均一な圧力でガスが配分されるように、マニホールド１４のガスの圧力を維持する。・・・処理チャンバ１０から排出されるガスは、ライナ１６の基部、または磁石２１の間に設けられた円形状のオリフィス１８から、出口８９を通り真空ポンプ・・・に接続されている排出室１９に通される。」（４頁右上欄９行〜右下欄１７行）、
　「ＲＦコイル２２は、第３図に示したような処理チャンバ１０の石英の上部カバー１７の上側に渦巻状、即ちスパイラル状に巻かれている。スパイラル・コイル２２はガスのイオン流、・・・ＲＦ周波数の発信源によって付勢される。発信源３０の他の側は回路スパイラル・コイル２２の内側端子は、端子２８から電線４６に接続されたスイッチ４８を通って、プラズマ装置９の接地された側壁３１に設けられている接地端子２９に接続されている。」（５頁左上欄１７行〜右上欄８行）、
　「スパイラル・コイル２２からのＲＦエネルギは、ウエハ１１の付加的処理か、または、除去的処理を行うために、処理チャンバ１０中のガスを持続するプラズマにイオン化する。・・・金属の基台２３は、ウエハ１１に直流バイアスに導くＲＦバイアス源２４に接続されており、このＲＦバイアス源２４は、・・・ＲＦバイアスを、ウエハ１１とプラズマとの間に設定する。」（５頁右下欄１６行〜６頁左上欄１０行）
　以上の記載をまとめると、甲第５号証には、石英からなる上部カバー、及び石英からなるライナと金属からなる基台とによって構成された内部空間を有する処理チャンバと、処理チャンバの内部空間にあるウエハを支持する基台であって、上部カバーが基台に面する内部面を有するように配置された基台と、ガスを処理チャンバに供給するパイプと、ＲＦ周波数のエネルギーを上部カバーを経て処理チャンバの内部空間へと伝えて内部空間でガスを活性化して上部カバーと基台との間にウエハを処理するためのプラズマを生成するために、上部カバーの内部面の上に配置されたＲＦコイルを有する発信源と、を備えたプラズマ処理システムが開示されている。
　
（４）異議申立人仲沢潤四郎の提出した甲第１〜６号証の記載事項
（４−１）甲第１号証
　甲第１号証の特願平１−３３８９００号（特開平２−２３５３３２号公報参照）は、異議申立人大森　巌の提出した上記甲第５号証と同一である。
　
（４−２）甲第２号証
　甲第２号証の特開昭６３−２１１６３１号公報には、高周波放電により発生させたプラズマによる半導体基板の処理装置に関する発明が、第３、６図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「絶縁材料からなり、放電用ガスを封入するための真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるために、前記真空容器の外側から該真空容器を通して高周波電力を印加する手段と、前記真空容器内に処理すべき基板を配置する手段と、前記真空容器内のプラズマの電位を前記基板に対し規制しプラズマ中のイオンが前記基板に到着するエネルギーを制御するために、前記基板に交流を印加する手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。」（特許請求の範囲）
　「第３図は高周波放電を用いたプラズマによるエッチング装置の場合の構成図である。真空槽５には、外側に発振器３と容量型に結合した電極１０、１１が位置せしめられ、真空槽５の内部の保持板７の上に基板６がおかれる。ガス導入孔２より、・・・ガスを適当厚に導入し放電プラズマ９を発生せしめれば弗素イオンによりシリコン基板やシリコン酸化膜がエッチングされる。」（２頁左上欄７〜１５行）、
　「第５図において、・・・真空容器５は絶縁材料により構成され、・・・第５図（Ａ）は、放電形式としては第３図に相当している。」（２頁右上欄１５行〜左下欄３行）
　さらに第１図には、真空容器５の上部にプラズマが生成される放電管１が形成され、この放電管１の外周に放電コイル４を配置したものが記載され、第６図には、高周波電極１０が、真空容器５の内部空間の横方向のサイズより小さな横方向サイズを有することが記載されている。
　
（４−３）甲第３号証
　−省略−
　
（４−４）甲第４号証
　−省略−
　
（４−５）甲第５号証
　甲第５号証の特開昭５７−９８６７８号公報には、半導体材料等のドライエッチング装置に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　第１図について、「前記間隙（２）において、ステンレス製の対向電極（陽極）（通常接地電位（１７））（４）とほぼ平行する磁力線（Ｂ）を発生させる。」（３頁左上欄１３〜１４行）
　
（４−６）甲第６号証
　甲第６号証の米国特許第４２３２０５７号明細書には、半導体基板のプラズマ処理装置において、プラズマ領域に対応する容器の外周に電極として誘導コイルを配置することがＦＩＧ．１とともに記載されている。
　
（５）対比・判断
（５−１）異議申立人大森　巌及び同仲沢潤四郎の主張する特許法第２９条の２違反について
　異議申立人大森　巌及び同仲沢潤四郎は、それぞれ同一の証拠である上記先願明細書に基づいて、本件発明１〜２７は特許法第２９条の２の規定に違反する旨の主張しているので、以下まとめて検討する。
　
＜本件発明１＞
　本件発明１と先願明細書に記載の発明とを対比すると、先願明細書に記載の「上部カバー」、「ライナ、基台」、「ウエハ」、「基台」、「パイプ」、「ＲＦ周波数」のエネルギ、「ＲＦコイル」、及び「発信源」は、本件発明１の「絶縁シールド」、「囲い部材」、「基板」、「基板支持体」、「ガス供給部」、「無線周波エネルギ」、「電気伝導コイル」、及び「無線周波エネルギ源」に相当する。
　また、先願明細書に記載の上部カバーは基台の上部に設けられているから、この上部カバーは基台に面する内部面を有することは当然であり、さらに、先願明細書に記載の「ＲＦコイル」はＲＦ周波数の発信源によって駆動されるから、被駆動部を有することは明らかであるが、ＦＩＧ．１の記載からみて、その横方向のサイズは処理チャンバの内部空間よりも大きいことがわかる。
　してみると、両者は、「少なくとも一部の境界が絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間にある基板を支持する基板支持体であって、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する内部面を有するように配置された基板支持体と、処理用ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給するガス供給部と、無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間で前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有するプラズマ処理システム。」の点で一致するものの、本件発明１の電気伝導コイルの被駆動部は、プラズマ処理チャンバの内部空間の横方向サイズより小さな横方向のサイズを有するのに対し、先願明細書に記載の発明のＲＦコイルの被駆動部は、処理チャンバの内部空間の横方向のサイズより大きい点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、先願明細書には、この「ＲＦコイル」の横方向のサイズをプラズマ処理チャンバの内部空間の横方向のサイズより小さくするような記載はなく、異議申立人大森　巌の提出した甲第１〜４号証、仲沢潤四郎の提出した甲第２〜６号証をみても、先願明細書に記載のＲＦコイルのような構成の電気伝導コイルについては何らの記載もないから、このＲＦコイルをプラズマ処理チャンバの内部空間の横方向サイズより小さな横方向のサイズにすることは単なる設計的事項であるとすることもできない。
　したがって、本件発明１は先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
＜本件発明２〜１９＞
　本件発明２〜１９は本件発明１の構成を全て含むものであるから、本件発明１が先願明細書に記載された発明と同一であるとすることができない以上、本件発明２〜１９は先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
＜本件発明２０＞
　本件発明２０は、本件発明１のプラズマ処理システムを方法の発明としたものであって、本件発明２０は、基板を基板支持体上に設置する設置工程と、処理用ガスをプラズマ処理チャンバ内に供給する供給工程と、処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、物質の層が基板の露出表面に蒸着され或いは露出表面がエッチングされるように露出表面が反応するものである。一方、先願明細書に記載の発明においても、本件発明１と同様に、ウエハを基台に設置する設置工程と、ガスを処理チャンバ内に供給する供給工程と、ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、ウエハを蝕刻または被着によって処理するようにしたものであることは、上記（３−５）の記載からみて明らかである。
　してみると、両者は、「基板の露出表面上に層を蒸着し或はエッチングを行なう方法であって、前記基板を、前記基板に対向した絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって少なくとも一部の境界が構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバに設けられた基板支持体上に設置する設置工程と、処理用ガスを処理ガス供給部から前記プラズマ処理チャンバ内に供給する供給工程と、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する部分の上に配置された電気伝導コイルから前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバ内に無線周波エネルギを伝えることにより、ほぼ均一なプラズマが前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に形成されるように、前記処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記基板の露出表面は前記プラズマの中におかれ、物質の層が前記露出表面に蒸着され或は前記露出表面がエッチングされるように前記露出表面が反応する方法」の点で一致するものの、本件発明２０の電気伝導コイルの被駆動部は、プラズマ処理チャンバの内部空間の横方向サイズより小さな横方向のサイズを有するのに対し、先願明細書に記載の発明のＲＦコイルの被駆動部は、プラズマ処理チャンバの内部空間の横方向のサイズより大きい点で相違する。
　してみると、本件発明１の場合と同じく、本件発明２０は先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
＜本件発明２１〜２６＞
　本件発明２１〜２６は本件発明２０の構成を全て含むものであるから、本件発明２０が先願明細書に記載された発明と同一であるとすることができない以上、本件発明２１〜２６は、本件発明１と同じ理由により、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
＜本件発明２７＞
　本件発明２７は、本件発明１の被駆動部が「プラズマ処理チャンバの内部空間の横方向サイズより小さな横方向のサイズを有する」構成を、「その外周部が内部空間の横方向サイズよりも小さく絶縁シールドと囲い部材とを連結する部分の付近で囲い部材に対向しないように、寸法及び配置位置が定められている」構成としたものであって、先願明細書に記載のＲＦコイルの被駆動部がそのようなサイズを有していない以上、本件発明２７は、本件発明１と同じ理由により、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（５−２）異議申立人大森　巌の主張する特許法第２９条第２項違反について
＜本件発明１＞
　本件発明１と甲第１号証の第５図に記載の発明とを対比すると、甲第１号証に記載の「処理室」の部材は不明であるが、通常プラズマ処理が行われる処理室は金属により形成されているから、甲第１号証に記載の「石英管」、「処理室」の部材は、本件発明１の「絶縁シールド」、「導体を含む囲い部材」に相当する。
　また、甲第１号証に記載の「基体ホルダー」は、本件発明１の「基板支持体」に相当し、上記放電室の上部が基体ホルダーに面する内部面を有することは第５図の記載からみて明らかであり、甲第１号証に記載の「バルブ」が処理用ガスを供給するガス供給部に接続していることは当然のことである。　そして、甲第１号証に記載の「高周波電源」、「放電用コイル」は、本件発明１の「無線周波エネルギ源」、「電気伝導コイル」に相当し、また、甲第１号証に記載の放電室と処理室とによって構成された内部空間のうち、放電室によって構成された内部空間で放電気体を活性化して、放電室と基体ホルダーとの間に基体を処理するための反応活性種を放電室から処理室へ導入しているから、これは、本件発明１の「内部空間で処理用ガスを活性化して絶縁シールドと基板支持体との間に基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成する」ことに相当する。
　さらに、甲第１号証に記載の放電用コイルは高周波電源によって駆動されるから、被駆動部を有することは明らかであり、しかも、第５図の記載からみて、その横方向のサイズは処理室の内部空間よりも小さい。
　してみると、両者は、「少なくとも一部の境界が絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間にある基板を支持する基板支持体であって、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する内部面を有するように配置された基板支持体と、処理用ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給するガス供給部と、無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間で前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源を備え、前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、前記内部空間の横方向のサイズより小さい横方向のサイズを有するプラズマ処理システム。」の点で一致するものの、本件発明１の電気伝導コイルが、絶縁シールドの基板支持体に面する内部面の上に配置されているのに対し、甲第１号証に記載の発明の放電用コイルはそのようなものではない点で相違する。
　そこで上記相違点について検討すると、甲第２号証はＲＦ型イオン・エンジンに関する発明であって、本件発明１のプラズマ処理装置とは発明の対象が全く異なり、甲第１号証に記載の発明と容易に組み合わせることはできないし、また、甲第３号証に記載の高周波発振コイル５、１６、６７、甲第４号証に記載の高周波コイル１は、本件発明１の電気伝導コイルのように、絶縁シールドと基板支持体との間に基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、絶縁シールドの内部面の上に配置したものではないから、甲第１号証に記載の放電コイルに甲第３、４号証に記載の高周波コイルものを組み合わせてみても、本件発明１を容易に想到することはできない。
　したがって、本件発明１は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２〜１９＞
　本件発明２〜１９は本件発明１の構成を全て含むものであるから、本件発明１が甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明２〜１９は甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２０＞
　本件発明２０は、本件発明１のプラズマ処理システムを方法の発明としたものであって、本件発明２０は、基板を基板支持体上に設置する設置工程と、処理用ガスをプラズマ処理チャンバ内に供給する供給工程と、処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、物質の層が基板の露出表面に蒸着され或いは露出表面がエッチングされるように露出表面が反応するものである。一方、甲第１号証に記載の発明においても、本件発明１と同様に、基体を基体ホルダーに設置する設置工程と、放電気体を放電室内に供給する供給工程と、放電気体をプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、基体の薄膜形成、エッチング等によって処理するようにしたものであることは、上記（３−１）の記載からみて明らかである。
　してみると、両者は、「基板の露出表面上に層を蒸着し或はエッチングを行なう方法であって、前記基板を、前記基板に対向した絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって少なくとも一部の境界が構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバに設けられた基板支持体上に設置する設置工程と、処理用ガスを処理ガス供給部から前記プラズマ処理チャンバ内に供給する供給工程と、電気伝導コイルから前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバ内に無線周波エネルギを伝えることにより、ほぼ均一なプラズマが前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に形成されるように、前記処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、前記内部空間の横方向のサイズより小さな横方向のサイズを有し、前記基板の露出表面は前記プラズマの中におかれ、物質の層が前記露出表面に蒸着され或は前記露出表面がエッチングされるように前記露出表面が反応する方法」の点で一致するものの、本件発明２０の電気伝導コイルが、絶縁シールドの基板支持体に面する部分の上に配置されているに対し、甲第１号証に記載の発明の放電用コイルはそのように配置されてはいない点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、上記（５−２）＜本件発明１＞の場合と同様に、本件発明２０は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２１〜２６＞
　本件発明２１〜２６は本件発明２０の構成を全て含むものであるから、本件発明２０が甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件発明２１〜２６は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２７＞
　本件発明２７は、本件発明１の被駆動部の「プラズマ処理チャンバの内部空間の横方向サイズより小さな横方向のサイズを有する」構成を、「その外周部が内部空間の横方向サイズよりも小さく絶縁シールドと囲い部材とを連結する部分の付近で囲い部材に対向しないように、寸法及び配置位置が定められている」構成としたものであって、本件発明２７の電気伝導コイルが、本件発明１の電気伝導コイルと同一の構成を有する以上、本件発明２７は、上記（５−２）＜本件発明１＞の場合と同様に、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５−３）異議申立人仲沢潤四郎の主張する特許法第２９条第２項違反について
＜本件発明１＞
　本件発明１と甲第２号証の第３、６図に記載の発明とを対比すると、甲第２号証に記載の「真空容器」の上部、「保持板」、「ガス導入孔」、及び「高周波発振器」は、本件発明１の「絶縁シールド」、「基板支持体」、「ガス供給部」、及び「無線周波エネルギー源」に相当する。
　してみると、本件発明１と甲第２号証の第３、６図に記載の発明とは、「内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間にある基板を支持する基板支持体であって、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する内部面を有するように配置された基板支持体と、処理用ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給するガス供給部と、無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間で前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、高周波電極を有する無線周波エネルギ源とを備え、前記高周波電極は、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、前記内部空間の横方向のサイズより小さい横方向のサイズを有することを特徴とするプラズマ処理システム。」の点で一致するものの、以下の点で相違する。
（ａ）本件発明１のプラズマ処理チャンバが、「少なくとも一部の境界が絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって構成された」ものであるのに対し、甲第２号証の第３図に記載の真空容器は絶縁材料により構成されたものである点。
（ｂ）高周波電極として、本件発明１が、絶縁シールドの基板支持体に面する内部面の上に配置された電気伝導コイルを有するのに対し、甲第２号証の第３図に記載の発明はこのような構成の電極を有していない点。
　そこで、上記相違点（ａ）について検討すると、通常プラズマ処理が行われる処理室は金属により形成されているにしても、甲第２号証の第３図に記載の発明は、絶縁物で形成した真空容器の外部にプラズマ生成のための電極を配置したものであって、導体を含む部材で真空容器を形成することについては何も記載されていないし示唆もないから、真空容器を少なくとも一部の境界が絶縁シールド、及び導体を含む部材で形成することは容易に想到することはできない。
　また相違点（ｂ）について検討すると、甲第２号証の第１図、甲第６号証のＦＩＧ．１には、内部空間で処理用ガスを活性化して基板を処理するためのプラズマを生成するための電気伝導コイルに相当するものが記載されているものの、いずれも、真空容器の上に形成された放電管の基板支持体に面しない内部面に対応する外周に配置されており、しかも甲第２号証の第３図に記載された高周波電極は電気伝導コイルを用いるものではないから、この第３図に記載された真空容器の上に配置された高周波電極として、甲第２号証の第１図、甲第６号証のＦＩＧ．１に記載されているような電気伝導コイルを採用することは容易に想到することはできない。
　したがって、本件発明１は、甲第２〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
＜本件発明２〜１９＞
　本件発明２〜１９は本件発明１の構成を全て含むものであるから、本件発明１が甲第２〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明２〜１９は、甲第２〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
＜本件発明２０＞
　本件発明２０は、本件発明１のプラズマ処理システムを方法の発明としたものであって、本件発明２０は、基板を基板支持体上に設置する設置工程と、処理用ガスをプラズマ処理チャンバ内に供給する供給工程と、処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、物質の層が基板の露出表面に蒸着され或いは露出表面がエッチングされるように露出表面が反応するものである。一方、甲第２号証に記載の発明においても、本件発明１と同様に、処理基板を保持板に設置する設置工程と、放電ガスを真空容器内に供給する供給工程と、放電ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、処理基板の薄膜形成、エッチング等によって処理するようにしたものであることは、上記（３−１）の記載からみて明らかである。
　してみると、本件発明２０と甲第２号証の第３、６図に記載の発明とは、「基板の露出表面上に層を蒸着し或はエッチングを行なう方法であって、前記基板をプラズマ処理チャンバに設けられた基板支持体上に設置する設置工程と、処理用ガスを処理ガス供給部から前記プラズマ処理チャンバ内に供給する供給工程と、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する部分の上に配置された高周波電極から前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバ内に無線周波エネルギを伝えることにより、ほぼ均一なプラズマが前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に形成されるように、前記処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し、前記高周波電極は、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、前記内部空間の横方向のサイズより小さな横方向のサイズを有し、前記基板の露出表面は前記プラズマの中におかれ、物質の層が前記露出表面に蒸着され或は前記露出表面がエッチングされるように前記露出表面が反応することを特徴とする方法。」の点で一致するものの、以下の点で相違する。
（ａ）本件発明１のプラズマ処理チャンバが、基板に対向した絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって少なくとも一部の境界が構成された内部空間を有するものであるのに対し、甲第２号証の第３、６図に記載の真空容器は絶縁材料により構成されたものである点。
（ｂ）高周波電極として、本件発明２０が電気伝導コイルを採用したのに対し、甲第２号証に記載の電極はこのような構成のものではない点。
　そこで、上記相違点（ａ）、（ｂ）について検討すると、上記（５−３）＜本件発明１＞の場合の相違点と同じであるから、本件発明２０は、甲第２〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２１〜２６＞
　本件発明２１〜２６は本件発明２０の構成を全て含むものであるから、本件発明２０が甲第２〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件発明２１〜２６は、甲第２〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２７＞
　本件発明２７は、本件発明１の被駆動部の「プラズマ処理チャンバの内部空間の横方向サイズより小さな横方向のサイズを有する」構成を、「その外周部が内部空間の横方向サイズより小さな横方向のサイズよりも小さく絶縁シールドと囲い部材とを連結する部分の付近で囲い部材に対向しないように、寸法及び配置位置が定められている」構成としたものであって、本件発明２７には、本件発明１の構成である、絶縁シールドの基板支持体に面する内部面の上に配置された電気伝導コイルが含まれている以上、本件発明１と同様に、甲第２〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５−４）異議申立人仲沢潤四郎の主張する特許法第３６条第４項違反について
　請求項１、２０、２７に記載の「導体を含む囲い部材」については、本件発明１、２０、２７がプラズマ処理に関する発明である以上、プラズマ処理が可能であることが前提である。そして、囲い部材が導体を含むことを明らかにすることにより、この導体を含む囲い部材が絶縁シールドとともにプラズマ処理チャンバを構成し、このプラズマ処理チャンバにおいてプラズマ処理を可能としたものであるから、「導体を含む囲い部材」という限定は充分明りょうである。
　また、請求項１、２０、２７に記載の「電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し」については、「被駆動部」は駆動部によって駆動される部分という意味であって、電気伝導コイルが駆動部によって電気的に駆動される以上、電気伝導コイルが被駆動部を有することは明らかである。
　さらに、請求項２７に記載の「被駆動部は、その外周部が内部空間の横方向サイズより小さな横方向のサイズよりも小さく絶縁シールドと囲い部材とを連結する部分の付近で囲い部材に対向しないように、寸法及び配置位置が定められている」については、特許明細書に添付した図面の第２図を参酌すると、被駆動部となる平面上コイルの外周部が、絶縁シールドと囲い部材とを連結する部分の付近で、囲い部材に対向しないように配置されていることがわかる。
　したがって、異議申立人の上記記載はそれぞれ明確でないとの主張は採用できない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜２７の特許について拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　また、他に本件発明１〜２７の特許について拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月１３日（２００２．１２．１３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　請求項１の「無線周波エネルギを・・・無線周波エネルギ源とを備え」を、「無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間て前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　請求項３の「前記基板を横切る方向にほぼ均一な磁場」を、「前記基板の面に沿ってほぼ均一な磁場」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　請求項２０の「電気伝導コイルから・・・活性化する活性化工程とを有し」を、「前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する部分の上に配置された電気伝導コイルから前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバ内に無線周波エネルギを伝えることにより、ほぼ均一なプラズマが前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シ一ルドと前記基板支持体との間に形成されるように、前記処理用ガスをプラズマ状態に活性化する活性化工程とを有し」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　請求項２２の「平面状コイルを有する」を、「平面状コイルてある」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　請求項２３の「前記基板を横切る方向に均一な磁場」を、「前記基板の面に沿って均一な磁場」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　請求項２７の「無線周波エネルギを・・・電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え」を、「無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝えて前記内部空間て前記処理用ガスを活性化して前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に前記基板を処理するためのほぼ均一なプラズマを生成するために、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　請求項２７の「前記電気伝導コイルは・・・寸法及び配置位置が定められている」を、「前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、その外周部が前記内部空間の横方向サイズよりも小さく前記絶縁シールドと前記囲い部材とを連結する部分の付近で前記囲い部材に対向しないように、寸法及び配置位置が定められている」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置、及び、蒸着或いはエッチングの方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）少なくとも一部の境界が絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間にある基板を支持する基板支持体であって、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する内部面を有するように配置された基板支持体と、
　処理用ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝え
て
前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に
を生成する
に、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された
　前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、前記内部空間の横方向のサイズより小さな横方向のサイズを有することを特徴とするプラズマ処理システム。
（２）前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドの近傍に配置され、
　前記プラズマ処理チャンバは、ＣＶＤプラズマ反応器或はプラズマエッチング反応器を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（３）前記電気伝導コイルは、１回以上の巻数をもち、
　前記電気伝導コイルは、前記基板
の面に沿って
（４）前記プラズマ処理チャンバはその壁にポートを有し、
　前記絶縁シールドは前記壁を密閉するように前記ポートを覆っていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（５）前記無線周波エネルギ源は、前記電気伝導コイルの被駆動部に接続される無線周波発生器を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（６）前記電気伝導コイルの被駆動部は前記電気伝導コイルの内部タップと外部タップとの間にあり、
　前記内部タップと外部タップとは前記絶縁シールドの外周の内側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（７）前記電気伝導コイルは前記プラズマ処理チャンバに磁場を誘導し、
　前記ガス供給部は、前記電気伝導コイルによって誘導された磁場の最大強度の領域の周囲に前記処理用ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（８）前記無線周波エネルギ源は、電位が前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に印加されるように、無線周波エネルギを前記基板支持体に供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（９）前記プラズマ処理チャンバは真空チャンバを有し、
　前記電気伝導コイルは前記基板の露出表面に平行に配置された平面状コイルを有し、前記基板の露出表面はほぼ均一なプラズマに晒されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１０）前記電気伝導コイルの平面度は、ずれが前記電気伝導コイルの横方向サイズの０．２倍未満であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１１）前記ガス供給部は前記内部空間に導入された処理用ガスに流れのパターンができるように配列されたノズルを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１２）前記ガス供給部は前記基板支持体の周囲を取り囲む複数のノズルを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１３）前記電気伝導コイルの外周は、前記内部空間の外周の内側に位置することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１４）前記電気伝導コイルは、平面領域内に前記プラズマを誘導することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１５）前記電気伝導コイルは、前記内部空間の中心に向かってより強度が大きくなる磁場を生成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１６）前記内部空間は複数の金属壁によって囲まれており、その１つの金属壁は、少なくとも一部に、前記絶縁シールドによって密閉されたアクセスポートを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１７）前記ガス供給部はガス分配リングを有していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１８）前記電気伝導コイルは、螺旋状或は同心円ループ状に構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（１９）前記電気伝導コイルは電子の流れを誘導し、前記電子は前記基板に平行な平面に集められることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
（２０）基板の露出表面上に層を蒸着し或はエッチングを行なう方法であって、
　前記基板を、前記基板に対向した絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって少なくとも一部の境界が構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバに設けられた基板支持体上に設置する設置工程と、
　処理用ガスを処理ガス供給部から前記プラズマ処理チャンバ内に供給する供給工程と、
　
前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する部分の上に配置された
の前記絶縁シールドと前記基板支持体との間
　前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、前記内部空間の横方向のサイズより小さな横方向のサイズを有し、
　前記基板の露出表面は前記プラズマの中におかれ、物質の層が前記露出表面に蒸着され或は前記露出表面がエッチングされるように前記露出表面が反応することを特徴とする方法。
（２１）前記電気伝導コイルは、前記基板の露出表面に平行な平面領域に前記プラズマを誘導することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２２）前記電気伝導コイルは、前記基板の露出表面に平行に配置された平面状コイル
である
（２３）前記電気伝導コイルは、１回以上の巻数をもち、
　前記電気伝導コイルは、前記基板
の面に沿って
（２４）無線周波発生器が前記電気伝導コイルの内部及び外部タップを通して前記電気伝導コイルの被駆動部に接続されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２５）前記電気伝導コイルは前記プラズマ処理チャンバに磁場を誘導し、
　前記ガス供給部は前記磁場の最大強度の領域の周囲に前記処理用ガスを供給することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２６）電位が前記電気伝導コイルと前記基板支持体とを横切って印加されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
（２７）少なくとも一部の境界が絶縁シールド、及び導体を含む囲い部材によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間にある基板を支持する基板支持体であって、前記絶縁シールドが前記基板支持体に面する内部面を有するように配置された基板支持体と、
　処理用ガスを前記プラズマ処理チャンバに供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを経て前記プラズマ処理チャンバの内部空間へと伝え
て
前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に
を生成するために、前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置された
　前記電気伝導コイルは、電気的に駆動される被駆動部を有し、前記被駆動部は、その外周部が
前記内部空間の横方向サイズよりも小さく
、
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
　（産業上の利用分野）
　本発明は、プラズマ処理装置、及び、蒸着或いはエッチングの方法に係り、特に、半導体ウェハ等の基板を処理するために好適に使用され得るほぼ均一な平面状プラズマの生成に関する。
　（従来の技術）
　従来から、プラズマの生成はエッチング、レジスト除去、パッシベーショシ、蒸着などいろいろな半導体製造過程において有用である。
　一般に、プラズマは個々の電子−ガス分子間での衝突による運動エネルギの移動を介して個々のガス分子をイオン化する電子の流れを誘導することによって低圧力の加工用ガスから生成される。通常、電子は電場内、典型的には半導体ウェハに平行に向けられた対向する一対の電極間で生み出される無線周波電場内で加速される。
　しかしながら、電子を加速するためウェハの法線方向の電場の使用では、イオン群に運動エネルギを効果的に与えることができない。特に、低周波数及び約０．１トール未満の圧力下では運動エネルギを付与できない。このような条件下では、電子エネルギの大部分は電子の処理チャンバの壁又は半導体ウェハ自体との衝突により消失される。半導体ウェハと電子との直接の衝突はエネルギ面で無駄であるのみならず、非常な不利益となるウェハの加熱を引き起こし得る。
　半導体処理装置において使用中プラズマ生成の効率を増加するべく幾つかの方法が提案されてきた。例えば、マイクロ波共振チャンバにおいて電子の振動幅を短くする超高周波数を使うことにより、処理槽の壁又は半導体ウェハよりもむしろ処理用ガスの分子に電子のエネルギを移す傾向が高まる。対称的に、電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）では処理用ガス内で円周状の電子流れを誘導する制御された磁場が使用される。
　上記両方の方法では、相対的に高いエネルギ変換効率が達成できるけれども、非常に均一性の悪いプラズマが生成される。従って、このプラズマを半導体ウェハに提供するのに先立って均一にする必要がある。通常、ウェハ又はウェハ群をプラズマに晒すのに先立ち、ある距離だけプラズマを流すことによってある程度の均一性が達成され得る。
　しかしながら、プラズマの効果を劣化させるある程度のイオン再結合が生ずる。また、上記それぞれのシステムでは、動作圧力の範囲を限定せざるを得ない。マイクロ波共振チャンバは約１トールから７６０トールまでの処理用ガスの圧力に対し一般的に効果的である。一方、ＥＣＲは０．０００１トールから０．１トールまでの処理用ガスの圧力に対し一般的に効果的である。さらに、プラズマに余計な流れ距離を与える必要性により、両システムの値段及び設計の複雑さが増加し、かつＥＣＲシステムに要求される磁場は制御が困難である。
　半導体処理装置においてプラズマ生成効率を高める他のアプローチは、共に誘導結合プラズマと呼ばれるが、磁気的に高められたプラズマ系（例えば、磁気的に高められた反応性イオンエッチング）、及び誘導結合された電子加速を含む。磁気的に高められたプラズマ系はウェハ表面に平行な定常磁場、及びウェハ表面に垂直な高周波数の電場を生み出す。定常磁場と高周波数の電場を組み合わせて得られる力により、電子はサイクロイドの路に沿って流れ、電場のみによって誘導される直線路と比較して流れ距離が増加する。
　な　お　、　Ｓｋｉｄｍｏｒｅ（１９８９），Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｊｕｎｅ１９８９，ｐｐ７４−７９は、電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）及び磁気的に高められた反応性イオンエッチング系（ＭＥＲＩＥ）を説明する批評記事である。合衆国特許番号４，３６８，０９２には、プラズマをエッチングチャンバの外側に生み出すための螺旋形の誘導共振体を用いるプラズマ生成系が説明されている。プラズマは非均一であり、使用前にチューブを通過する。合衆国特許番号４，４２１，８９８には、磁芯を有する変換器が処理用ガスを運ぶ絶縁管内で電子の回転運動を誘起する誘導的に結合されたプラズマ生成装置が説明されている。イオン化されたガスは均一ではなく、ウェハへの照射は下流で発生する。合衆国特許番号４，６２６，３１２には、ウェハが下方の電極上に位置付けられ、プラズマが下方の電極及び該電極に平行な上方の電極を横切って無線周波エネルギを与えることによって生成される従来の平行板プラズマエッチング器が説明されている。合衆国特許番号４，６６８，３３８及び４，６６８，３６５には、反応性イオンエッチングに対する磁気的に高められたプラズマ処理及び化学気相蒸着（ＣＶＤ）がそれぞれ説明されている。
　（発明が解決しようとする課題）
　しかしながら、上記のアプローチは良好なイオン生成効率を提供するが、半導体処理において要求される大きくて均一性の高い磁場を維持することが非常に難しいという問題があった。また、磁気的に高められたプラズマ系の動作は一般的に約０．０１トールから０．１トールまでの圧力範囲に限定されるという問題があった。
　また、誘導結合されたプラズマ処理では、延ばされた路に従って電子が流される。用語「誘導的に結合されたプラズマ」は２つの異なる技術に対し使われ、両方の技術は結合エネルギをガスへ移すため交流電流を用いる。第１は、主要な曲りとガスを介して閉鎖路から成る第２の曲りとの間で結合する変換器を高めるためフェライトの磁芯を使う。このような技術は、通常５５０ＫＨｚ未満の低周波数で使う。第２の技術は、イオン化された円筒状のガスを取り囲むソレノイドのコイルを用いる。この技術は低周波数、又は１３．５６ＭＨｚの範囲における周波数のいずれかに使用し得る。これらの技術のいずれもウェハの表面付近に対して、該表面に平行で均一なプラズマを提供しない。
　このような理由のため、半導体処理装置内に非常に均一なプラズマを生成するための方法及び装置（例えば、エッチング装置、蒸着装置、レジスト除去装置等を含む）の提供が望まれている。上記装置は非常に広い圧力範囲にわたって高密度のプラズマの流れを生成し得る。また、プラズマは直進性を有するイオンエネルギを殆ど或いは全く有しないよう生み出される。
　選択によっては、装置は、プラズマの流れの制御とは独立して直進エネルギを制御して直進エネルギをプラズマイオンに与えるべきである。特に、装置の設計が相対的に簡単で、装置の操作及び制御が容易で、かつ最小限の投資で済むならば望ましいことである。同様に、方法が分かりやすく、実行が容易で、かつ最小限の出費及び短時間に高い品質の製造物を与えることができるならば望ましいことである。
［発明の構成］
　（課題を解決するための手段及び作用）
　上記課題を解決するための本発明では、方法及び装置が相対的に広い範囲に渡って非常に均一で平面状のプラズマを生成するための方法及び装置が提供される。イオン種及び遊離基種が、プラズマによって非平面的な方向への加速を最小にして生み出され、得られるプラズマは非常に低い運動エネルギを有する。
　特徴的な利点として、本発明では、典型的に１０−５トールから５トール及びそれ以上の非常に広い圧力範囲に渡って均一で平面状のプラズマを生み出すことができる。この様な広い動作圧力範囲は、一般に、単一のプラズマ生成装置では得られなかった。本発明の方法及び装置は、特にＥＣＲ及びＭＥＲＩＥの磁場制御における要求との比較で、制作、操作、制御が相対的に簡単である。
　本発明の装置は、絶縁シールド又は窓によって少なくとも一部分において仕切られる一の内部を有する囲い部から構成される。平面状のコイルが上記シールドの最も近くに配置され、一の無線周波電源が上記コイルに結合される。通常、無線周波電源は、電力変換を最大にするためのインピーダンス整合回路と、操作時の周波数、典型的には１３．５６ＭＨｚでの共振に供するための同調回路とを介して結合される。入口部が、囲い部内に処理用ガスを供給するため与えられる。コイルを介して無線周波数電流を共振させるため、絶縁シールドを介して囲い部内に延びる平面状の磁場が誘導される。このようにして、電子の回転する流れが誘起される。電子の回転する流れは、電子が囲い部の壁に衝突する前の移動行程を大きく増加させる。さらに、電子が平面状のコイルに平行な一平面にしっかりと制限されるために、非平面方向への運動エネルギの転移が最小化される。
　好ましい実施例においては、囲い部は平面状の物品、典型的には半導体ウェハを支持する支持面を含む。この表面はコイルの平面に平行で、それからプラズマの平面に平行である一平面内にウェハを支持する。次いで、半導体ウェハは非常に均一なプラズマの流れに晒されて、これにより均一なプラズマ処理が補償される。プラズマ種は、非平面方向への運動速度が最小であるので、半導体ウェハ上への運動的な衝突は最小化される。つまり、処理は、半導体ウェハとのプラズマ種の化学相互作用に一般的に制限され得る。
　本発明の方法及び装置は、プラズマエッチング、蒸着処理、レジスト除去、プラズマによる化学気相蒸着など、様々な半導体処理操作に有用である。
　選択によっては、半導体ウェハの表面に対して法線方向への速度成分が、プラズマの平面に対して法線方向に無線周波数電位を印加することによって与えられる。例えば、そのような電位は、平面状のコイルと半導体ウェハが支持される支持表面とを横切って無線周波電源を接続することによって印加され得る。
　（実施例）
　本発明は、平面状のプラズマが生成される一般に空気が濡れ込まない内部チャンバを定める囲い部を用いる。囲い部は処理用ガスを導入するための少なくとも一の入口部と、囲い部の内部内で望ましい動作圧力を保持するべく真空系に接続するための少なくとも一の出口部とを含む。囲い部の内部内に予め選定された処理用ガスを供給して予め選定された圧力を保持するためのシステムは良く知られた技術であり、更に説明する必要はない。
　囲い部の内部には、通常、処理される物品群を支持するため一以上の載置面がある。典型的には、載置面は囲い部内に生成される平面状のプラズマに相対して予め選定された方向、通常はプラズマの平面に大体平行である方向へ配置されている。
　望ましい平面状のプラズマを誘導するため、電気的に導伝性を有する一のコイルが囲い部の外側に近接して配置される。コイルは実質的に平面であり、一般的には平面的な渦巻き又は一連の同心状の輪群から形成された単一導伝要素である。コイル内に無線周波数電流を誘導することによって、磁場が、コイルの表面に平行な平面領域内で大体において円形の電子の流れを誘導するよう生み出される。楕円体のパターン及び他の真の円形からの変位が許容されるけれども、平面状のコイルは大体において円形である。さらに、コイルはその径方向に対し真に平面、又は幾らか平面さからずれている。平面さからのずれはコイルの径の０．２未満であり、通常径の０．１未満である。コイルの輪郭の調整は生成される電場の形を改善するため成される。コイルの径は生成されるべきプラズマの寸法に大体において対応する。コイルの径は８ｃｍから２０ｃｍまでの範囲であり、通常１３ｃｍから１８ｃｍである。個々の半導体ウェハの処理のため、コイルの径は大体において約１３ｃｍから１８ｃｍである。
　コイルは、その全ての方向に渡って相対的に均一な磁場を生み出すため、十分な数の巻数を含む。巻数はコイルの径に依存し、個々の半導体ウェハを処理するため寸法付けられたコイルは通常約５乃至８個の巻数を有する。コイルの得られるインダクタンスは通常１．２μＨから３．５μＨで、インピーダンスは１００オームから３００オームまでの範囲内である。
　便宜上、平面状のコイルは電気的に導伝性を有する金属から形成され、通常、銅から形成される。コイルは約５オーム乃至３０オームのインピーダンスの範囲内で電荷を運ぶ流れを有する。
　平面状のコイルは処理用の囲い部内に形成された絶縁シールドに隣り合って配置される。絶縁シールドは、平面状のコイルによって生み出される磁場の透過を許すけれども、囲い部の内部の絶縁を保持する。囲い部の残り部は通常金属である。絶縁シールドは通常石英から成り、一方、他の絶縁材料、特に運転時の周波数でエネルギを吸収しないセラミックスが使用され得る。便宜上、絶縁シールドは囲い部の壁に形成される出入口に隣接して置かれる。出入口の形状は平面状のコイルの形状に通常対応し、典型的には円形である。平面状のコイルは、囲い部内に生み出される磁場の強度を最大にするため、絶縁シールドに密接、又は接触して配置される。絶縁シールドの厚みは重要な事ではなく、通常囲い部内の真空によって作られる差圧に耐えるに十分であるよう選択される。
　平面状のコイルは、半導体処理装置の操作において一般に用いられる型の無線周波（ＲＦ）発生器によって駆動される。ＲＦ発生器は約１８．５６ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚの範囲内にある周波数、典型的には１３．５６ＭＨｚの周波数で通常操作される。ＲＦ発生器は通常低いインピーダンスを有し、典型的には約５０オームであり、少なくとも約５０ボルト、通常少なくとも約７０ボルト以上であるＲＭＳ電圧器を用いて約１アンペア乃至６アンペア、通常約２アンペア乃至３．５アンペアを生み出すことができる。便宜上、ＲＦ発生器は、以下に詳細に説明されるように、本発明の一実施例に係わる回路に直接結合される同軸ケーブルの形状の出力端子を有する。
　以下に、第１図及び第２図を参照して個々の半導体ウェハをエッチングするために好適なプラズマ処理システムが説明される。
　プラズマ処理システム１０は、上壁１６内に形成されるアクセス部１４を有する囲い部１２を含む。絶縁シールド１８が上壁１６下方に配置され、アクセス部１４を横切って延びる。絶縁シールド１８は、囲い部１２の真空に耐える内部１９を定めるため上壁１６に強く密着される。
　平面状コイル２０が絶縁シールド１８に隣接したアクセス部１４内に配置される。平面状コイル２０は渦巻状に形成され、中央タップ２２及び外側タップ２４を有する。平面状コイル２０の平面は、絶縁シールド１８及び半導体ウェハＷを載置する支持載置面１３の両方に対し平行に向けられている。この様にして、平面状コイル２０は半導体ウェハＷに平行である囲い部１２の内部１９内で平面状のプラズマを生み出すことができ、以下に更に詳細に説明される。平面状コイル２０と支持載置面１３との距離は一般には３ｃｍ乃至１５ｃｍの範囲内であるが、特有の適用に依存して通常５ｃｍ乃至１０ｃｍの範囲内の正確な距離である。
　第１図乃至第３図を参照するに、平面状コイル２０は上述された型のＲＦ発生器３０によって作動される。ＲＦ発生器３０の出力は同軸ケーブル３２によって整合回路３４に供給される。整合回路３４は、回路の効果的な結合を調整し、動作時の周波数での回路への負荷を考慮に入れて、相互に位置付けられる主要コイル３６及び第２ループ３８を含む。便宜上、主要コイル３６は、結合を調整するため縦軸４２回りに回転されるディスク４０上に載置される。
　また、可変キャパシタ４４がＲＦ発生器３０の出力周波数に回路の共鳴周波数を調整するため、第２ループ３８に連なって与えられる。インピーダンス整合は平面状コイル２０への電力移送の効果を最大にする。付加キャパシタ４６が回路内の主要コイル３６の誘導リアクタンスの一部を打ち消すため、主要回路内に与えられる。
　また、平面状コイル２０の動作を共振において同調させるため、及びコイル回路のインピーダンスを整合させるために他の回路構成を採用することもできる。電気回路におけるそのような全ての変更は本発明の範囲内で考慮される。
　第２図乃至第４図を参照するに、処理用ガスは囲い部１２の側壁を貫通して形成される入口部５０を介して囲い部１２の内部１９内に導入される。入口部５０の一は重要なことではなく、内部１９を貫通して均一に分配して与えられるいかなる地点からガスが導入されても良い。
　ガス分配の均一さを更に高めるために、分配リング５２が与えられても良い。分配リング５２は、便宜上支持載置面１３上方に載置され、アクセス部１４の周囲を囲む。分配リング５２は環状の高圧部５４、及び該高圧部５４から分配リング５２の開口した中央部５８へ延びる一連のノズル５６群を含む。この様にして、入ってくる処理用ガスは平面状コイル２０によって誘導される磁場の最大強度の領域の回りに等しく分配される。好ましくは、ノズル５６は、入ってくる処理用ガスに渦巻状の流れパターンを分け与えるため、分配リング５２の半径方向から外れた方向へ向けられても良い。
　第５図を参照するに、平面状コイル２０は絶縁シールド１８を貫通する磁場を誘導し、破線で示されるように、磁場強度を示す曲線６０を有する。プラズマチャンバ内の可変磁場は渦巻状のコイルからの各磁場ベクトルの合成であり、磁場はプラズマ内の電子の流れによって引き起こされる。プラズマからの磁場はコイルからの磁場に対向するので、結果として均一な磁場はコイルからの磁場が中央へ向けてより強くなるよう要求する。渦巻状のコイルは結果として均一な磁場、即ち均一なプラズマを与えるため、このような特徴ある形状の磁場を与える。磁場の強さは平面状コイル２０の全ての径方向に対し非常に均一であり、平面状コイル２０及び絶縁シールド１８の両方に平行な一般に平面領域内で回転する電子群の非常に均一な流れを生み出すことができる。そのような電子群の平面的な回転は、引き続いて電子群が処理用ガスの個々の分子と衝突することによって形成されるプラズマ内にイオン群及び／又は遊離基群の非常に均一な流れを誘導することができる。プラズマイオン群及び遊離基群は小さな選択的な回転速度成分を有するに反し、平面状コイル２０の平面に対し法線方向へはほとんど又はいかなる速度成分をも有さない。ウェハＷ（又は他の物品が処理される）が平面状コイル２０に平行に向けられる限り、反応性プラズマ種は処理される表面に相対して非常に低い速度を有する。この様にして、処理される物品に相対して実質的に速度成分を有する高いエネルギのプラズマを用いることに関連する問題が避けられ得る。
　しかしながら、ある場合には処理される物品に相対して制御されたイオン速度を有することが望ましい。
　第６図を参照するに、ウェハＷに対し法線方向への速度成分は平面状コイル２０及び電気的に導伝性であるウェハ支持台７０を横切ってＲＦ電位を印加することによって達成され得る。第２ＲＦ発生器７２は低い周波数（約５５０ＫＨｚ未満）でも高い周波数（約１３．５６ＭＨｚ以上）でも動作し得る。従って、第２ＲＦ発生器７２は、平面状コイル２０内の共振電流を誘導する発生器３０と異なった周波数で動作し得る。例えば、ＲＦ発生器３０は、１３．５６ＭＨｚで駆動され、第２ＲＦ発生器７２は４００ＫＨｚで駆動される。第６図に示されたシステムの特有の利点は、（ＲＦ発生器３０を介してシステムへ導き入れられたエネルギ量を制御することによって）プラズマ内でのイオン流れ、及び（第２ＲＦ発生器７２の出力を制御することによって）反応種に分け与えられた法線方向の速度を独立して制御することが可能であることに起因する。
　第７図を参照するに、本発明の他の実施例に係わる平面状コイル８０に対する選択次第の形状が示されている。平面状コイル８０は一連の同心状の輪８２群から構成され、それぞれの続いた輪８２は短い横断部材８４によって接続される。平面状コイル８０は中央タップ８６及び外側タップ８８を含み、上述した本発明の一実施例に係わる残りの電気回路機構に接続される。
　動作時には、予め選定された処理用ガスが、上述したように、入口部５０を介して内部１９内へ導入される。動作時の圧力は遂行される特有の処理に依存する。
　本発明の特有の利点は、プラズマが生成される非常に広い圧力範囲に見出だされる。平面状コイル２０内に共振電流を誘導することによって、プラズマは、１０−５トール程度の低い圧力下でも５トール程度の高い圧力下でも生成される。
　上述の発明は理解を明確にする目的で詳細に述べられたけれども、いかなる改良も請求項の範囲内で実行できることは明らかである。
　以上説明したように本発明の１つの側面に係る磁気結合された平面状のプラズマを生成するための装置によれば、一の絶縁シールドによって少なくとも一部分を仕切られた該囲い部の内部に処理用のガスを導入する手段と、前記絶縁シールドに最も近い前記囲い部の外側に配置された電気的に導伝性である実質的に平面状の一のコイルと、該コイルに一の無線周波電源を結合する手段とを備え、前記結合する手段は、前記コイルに前記無線周波電源のインピーダンスを整合させる手段と、共振に備えるため共振回路を同調させる手段とを含むので、半導体処理に対し要求される大きく均一の磁場を保持することができ、かつ非常に広い圧力範囲に渡って高密度のプラズマの流れを生成し得る。
　また、本発明の１つの側面に係るプラズマで物品を処理するための装置によれば、一の絶縁シールドによって少なくとも一部分を仕切られた一の内部を有する一の囲い部と、該囲い部内にあって予め選定された平面内で処理される一の物品を支持するための手段と、前記絶縁シールドに最も近い前記囲い部の外側に配置された電気的に導伝性である平面状の一のコイルと、該平面状コイルに一の無線周波電源を結合する手段と、制御された圧力下で前記囲い部内に処理用のガスを導入する手段とを備え、前記平面状のコイルは予め選定された平面に平行に向けられたので、装置の設計が相対的に簡単で、装置の操作及び制御が容易で、かつ最小限の投資で済む。
　さらに、本発明の１つの側面に係るプラズマで物品群を処理するための方法によれば、一の囲い部内に物品群を置き、制御された圧力下で前記囲い部に処理用のガスを導入し、前記囲い部内に形成された一の絶縁シールドに最も近い前記囲い部の外側に配置された実質的に平面状の一のコイル内に無線周波数電流を共振させ、前記コイルに実質的に平行である一の平面状のプラズマが前記囲い部内に形成されたので、方法が分かりやすく、実行が容易で、かつ最小限の出費及び短時間に高い品質の製造物を与えることができる。
　［発明の効果］
　本発明によれば、例えば、基板を略均一なプラズマで処理することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例に係わる平面状のプラズマを生成するための装置の等角投影図、
　第２図は第１図に示された装置の断面図、
　第３図は第１図に示された装置の概略回路図、
　第４図は第１図に示された装置に用いられる処理用ガス導入リングの詳細図、
　第５図は第１図に示された装置によって作られる磁場強度を示す曲線の説明図、
　第６図は、共振コイルに対し法線方向の無線周波数電位に備えるため第３図に示された回路を改善した回路図、
　第７図は本発明の他の実施例に係わる共振コイルの選択的な構成を示す斜視図である。
　１０…プラズマ処理システム
　１２…囲い部
　１３…支持載置面
　１４…アクセス部
　１６…上壁
　１８…絶縁シールド
　１９…内部
　２０…平面状コイル
　２２…中央タップ
　２４…外側タップ
　３０…ＲＦ発生器
　３２…同軸ケーブル
　３４…整合回路
　３６…主要コイル
　３８…第２ループ
　４０…ディスク
　４４…可変キャパシタ
　４６…付加キャパシタ
　５２…分配リング
　５４…高圧部
　５６…ノズル
　５８…中央部