【事件の表示】
　特願２００７−２０６７４６「調剤装置におけるガンマ硬化されたＲＦＩＤタグの使用」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月２１日出願公開、特開２００８−　４１１０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　　
　本願は，平成１９年８月８日（パリ条約による優先権主張２００６年８月９日　米国）を出願日とする出願であって，
平成１９年８月８日付けで審査請求がなされ，
平成２２年５月２１日付けで拒絶理由通知がなされ，
同年８月２５日付けで手続補正がなされ，同年９月１日付けで意見書が提出されれたが，
平成２３年１月２８日付けで拒絶査定がなされ，
同年６月１日付けで審判請求がされ，
その後，当審において平成２４年１２月１１日付けで拒絶理由通知がなされ，
平成２５年６月１８日付けで意見書の提出がなされたものであって，
その請求項１１に係る発明は，平成２２年８月２５日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下，「本願発明」という。）
　
「書き換え可能なメモリ素子を含む装置であって，ガンマ線を受けるとき，前記メモリ素子のコンテンツを保持し，電荷蓄積に基づかない記憶機構を利用するメモリ素子を含む装置。」
　
　
２．引用文献
　
（１）引用文献１
　これに対して，本願の第１国出願前に頒布され，当審において平成２４年１２月１１日付けで通知した拒絶の理由に引用した，特表２００５−５０３８７０号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下，同じ。）。
　
　Ａ「【０００６】
　次に，
この種のＲＦＩＤ装置／チップ／マイクロチップ（以下では「チップ」と呼ぶ）を対象に統合することができる。チップまたはチップを統合する先の対象は，自身上に小型アンテナを有し
チップを装着することができる。
このようなチップ・アセンブリはガンマ線に耐えることができ，実際にガンマ線に耐性があることが好ましく，したがってアセンブリ全体（チップ・装置／アセンブリおよびチップ・アセンブリを装着した対象）をガンマ線で殺菌することができる
チップは，
データを上書き可能にすることができる。
　
　以下に，引用文献１の記載事項について検討する。
　
（ア）上記Ａの「チップは，」「データを上書き可能にすることができる。」との記載から，引用文献１には，“データを上書き可能なチップ”が記載されていると言える。
　
（イ）上記“チップ”とは，上記Ａの「この種のＲＦＩＤ装置／チップ／マイクロチップ（以下では「
チップ
チップ
　
（ウ）上記Ａの「このようなチップ・アセンブリはガンマ線に耐えることができ，実際にガンマ線に耐性があることが好ましく，したがってアセンブリ全体（チップ・装置／アセンブリおよびチップ・アセンブリを装着した対象）をガンマ線で殺菌することができる。」との記載によれば，「アセンブル」全体をガンマ線で殺菌することができることから，アセンブル全体にガンマ線を照射することができることは明らかである。したがって，“前記チップはガンマ線に耐性があり，チップおよびチップを装着した対象からなる全体に，ガンマ線を照射することができる”ものであることがよみとれる。
　
　以上，（ア）ないし（ウ）を踏まえると，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
　対象に装着される，データを上書き可能なチップであって，
　前記チップはガンマ線に耐性があり，チップおよびチップを装着した対象からなる全体に，ガンマ線を照射することができる，チップ。
　
（２）引用文献２
　本願の第１国出願前に頒布され，当審において平成２４年１２月１１日付けで通知した拒絶の理由に引用した，特表２００５−５０３６６９号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下，同じ。）。
　
　Ｂ．「【０００２】
キャパシタの充電状態に基づくメモリ（ＤＲＡＭ，ＳＲＡＭ，フラッシュメモリ）は，元素トランジスタのサイズが小さくなるに伴なって，イオン化放射線（たとえば宇宙線等）の影響を益々受け易くなってきている。また，強誘電体に基づくメモリ（ＦＲＡＭ）は経年劣化の問題が深刻である。磁気−電子分野における近年の研究開発の結果は，磁気接合の磁気抵抗に基づく新規なタイプのメモリを設計することを可能にした。換言すれば，これらの新規な
メモリの動作原理は
電荷の蓄積には基づいておらず
このような磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）は
イオン化放射線の影響を受け難い
　
（３）引用文献３
　本願の第１国出願前に頒布され，当審において平成２４年１２月１１日付けで通知した拒絶の理由に引用した，特開昭５２−１２５２４５号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下，同じ。）。
　
　Ｃ．「従って，本発明の１つの目的は，現在この技術分野の製品により保証されている書き込み／読み取りサイクル数を超えた
強誘電体装置
　
　Ｄ．「また，
本発明の装置は耐放射線性がある
本発明の装置は
放射線を受けても正常に機能しデータを残した
その際，該装置はガンマー線源に近接して位置させておいた
メモリー装置
　
３．対比　
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「データを上書き可能なチップ」は，本願発明の「書き換え可能なメモリ素子」に相当する。
　また，引用発明のチップが装着される「対象」に関し，上記Ａの「チップまたはチップを統合する先の対象は，自身上に小型アンテナを有し」との記載によれば，当該「対象」は「小型アンテナ」などの部品を有するもので，また一般にアンテナ等の部品を有するデバイスはよく知られた事項であることから，よって，引用発明のチップが装着される「対象」は装置に他ならず，本願発明の「装置」に相当するといえる。
　よって，引用発明の「チップ」が「装着される」「対象」は，本願発明の「書き換え可能なメモリ素子を含む装置」に相当する。
　
（２）本願発明の「メモリ素子」は，ガンマ線を受けるとき，「メモリ素子のコンテンツを保持」するものであるところ，これは上位概念において，“ガンマ線に対して耐性がある”ものといえる。
　一方，引用発明の「チップ」は，「ガンマ線に耐性があり」，また「チップおよびチップを装着した対象からなる全体に，ガンマ線を照射することができる」ことから，引用発明の「前記チップはガンマ線に耐性があり，チップおよびチップを装着した対象からなる全体に，ガンマ線を照射することができる，チップ」が装着される「対象」と，本願発明の「ガンマ線を受けるとき，前記メモリ素子のコンテンツを保持し，電荷蓄積に基づかない記憶機構を利用するメモリ素子を含む装置」とは，ともに，“ガンマ線を受けるとき，前記ガンマ線に対して耐性があるメモリ素子を含む装置”である点で共通するといえる。
　
　すると，両者は，
「書き換え可能なメモリ素子を含む装置であって，ガンマ線を受けるとき，前記ガンマ線に対して耐性があるメモリ素子を含む装置。」
　
　である点で一致し，次の点で相違する。　
　
（相違点１）メモリ素子がガンマ線を照射されるとき，
　本願発明は，「前記メモリ素子のコンテンツを保持」するものであるのに対し，
　引用発明は，「前記チップはガンマ線に耐性があ」るものの，「コンテンツを保持」するものであるかは明確でない点。
　
（相違点２）メモリ素子に関し，
　本願発明は，「電荷蓄積に基づかない記憶機構を利用する」ものであるのに対し，
　引用発明は，「チップ」がそのようなものであるかは明確でない点。
　
　
４．当審の判断　
　
　そこで，上記相違点１及び２について検討する。
　
　メモリ素子として，電荷蓄積に基づかない記憶機構を利用し，ガンマ線に対しデータを保持するように構成することは，周知の技術（例えば，引用文献２の上記Ｂには，磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）が，電荷の蓄積には基づかないメモリの動作原理を有することで，そのメモリ動作がイオン化放射線の影響を受け難いことが，また，引用文献３の上記Ｃ及びＤには，強誘電体装置よりなるメモリーが，ガンマー線の放射を受けても正常にデータを残すことが，それぞれ記載されている）であり，また，前記周知の技術は，引用発明と，メモリ素子に関するものである点で共通の技術分野に属するものであるといえることから，引用発明における「ガンマ線に耐性があ」る「チップ」の構成として，上記周知の技術を適用し，ガンマ線を受けるとき，「前記メモリ素子のコンテンツを保持し，電荷蓄積に基づかない記憶機構を利用するメモリ素子」の如く構成すること，すなわち，本願発明の上記相違点１及び２に係る構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　よって，相違点１及び２は格別なものではない。
　
（本願発明の作用効果について）
　そして，本願発明の構成によってもたらされる効果も，引用発明及び周知技術から当業者が容易に予測することができる程度のものであって，格別のものとはいえない。　
　
（付記：平成２５年６月１８日付けの意見書における請求人の主張について）
　
　請求人は，上記意見書において，本願発明が拒絶理由に該当しない理由を述べ主張しているが，請求人が上記意見書で述べた主張のうち「３．拒絶理由の検討（相違点について）」，「（１）検討１（引用文献２及び３は，当業者が通常有する知識の範囲外である）」で述べた点については，上記３．及び４．において検討したとおりであって採用することはできず，それ以外の主張については，いずれも本願の請求項１１の記載に基づかない主張であるから，採用することはできない。
　
　
５．むすび
　
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知技術に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。