【事件の表示】
　特願２００９−２９５７８７「太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月　６日出願公開、特開２０１１−　　３８７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成２１年１２月２５日（パリ条約による優先権主張２００９年６月１９日、大韓民国）の出願であって、平成２４年３月１５日付けで手続補正がなされたが、平成２４年９月５日に拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年１月７日付けで拒絶査定不服審判請求がなされ、これと同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。　
　
第２　本件補正についての補正却下の決定　　
　
１　結論
　
　本件補正を却下する。
　
２　理由
　
（１）補正の内容
　
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（平成２４年３月１５日付け手続補正後のもの）の
　　
　「基板上の金属電極層と、
前記金属電極層上の光吸収層と、
前記光吸収層上のインジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ、０＜Ｘ＜１）を含むバッファ層と、
前記バッファ層上の透明電極層と、を含み、
前記インジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）において、Ｘは前記光吸収層から離れるほど小さくなることを特徴とする太陽電池。」
　
を、
　
　「基板上の金属電極層と、
前記金属電極層上の光吸収層と、
前記光吸収層上のインジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ、０＜Ｘ＜１）を含むバッファ層と、
前記バッファ層上の透明電極層と、を含み、
前記インジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）において、Ｘは前記光吸収層から離れるほど漸進的に小さくなることを特徴とする太陽電池。」　
　
と補正するものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
（２）独立特許要件についての検討　　
　
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。　
　
ア　刊行物の記載
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−１１１０７４号公報（以下「刊行物」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審にて付した）。
　
（ア）「【請求項１６】　
基板上に、少なくとも、組成式がＡｌ
X1
Ｇａ
Y1
Ｉｎ
Z1
Ｎ
W1
で表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層、及び組成式がＡｌ
X2
Ｇａ
Y2
Ｉｎ
Z2
Ｎ
W2
で表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層をこの順に有し、前記Ｘ１，Ｙ１及びＺ１は組成比を表し、０．６≦Ｚ１／（Ｘ１＋Ｙ１＋Ｚ１）≦１．０を満たし、前記Ｘ２，Ｙ２及びＺ２は組成比を表し、０≦Ｚ２／（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２）≦０．９を満たし、かつ、Ｚ１及びＺ２がＺ２≦Ｚ１を満たすことを特徴とする太陽電池
　
（イ）「【００３４】
−第２の発明−
　第２の発明の
太陽電池は、基板上に、少なくとも２層以上の化合物半導体層を有し、更に必要に応じて、電極等を有してなる
　　　【００３５】
（基板）　第２の発明の太陽電池における基板は、特に限定されるものではなく、太陽電池の基板として用いられている従来公知の基板を使用することができる。なかでも、前記第１の発明の太陽電池における基板と同様に、結晶シリコンからなるものが、赤外域や長波長の可視光の利用の点で好ましい。
　　　【００３６】
（化合物半導体層）　
本発明の太陽電池は、前記基板上に、少なくとも、組成式がＡｌ
X1
Ｇａ
Y1
Ｉｎ
Z1
Ｎ
W1
で表される窒化物系化合物半導体を含有する第１の化合物半導体層、及び組成式がＡｌ
X2
Ｇａ
Y2
Ｉｎ
Z2
Ｎ
W2
で表される窒化物系化合物半導体を含有する第２の化合物半導体層をこの順に有し、前記Ｘ１，Ｙ１及びＺ１は組成比を表し、０．６≦Ｚ１／（Ｘ１＋Ｙ１＋Ｚ１）≦１．０を満たし、前記Ｘ２，Ｙ２及びＺ２は組成比を表し、０≦Ｚ２／（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２）≦０．９を満たし、かつ、Ｚ１及びＺ２がＺ２≦Ｚ１を満たす
　　　【００３７】
　前記
第１の化合物半導体層は、前記基板に近い側に設けられ、前記第２の化合物半導体層は、前記第１の化合物半導体層上であって、前記基板から離れた側、即ち光入射側に設けられる。
窒化物系化合物半導体は、Ｉｎを必須成分とするが、ＡｌやＧａを含んでいなくてもよい
　　　【００３８】
　また、第２の化合物半導体層は、組成式がＡｌX2ＧａY2ＩｎZ2ＮW2で表される窒化物系化合物半導体を含有し、IIIＡ族元素の組成比の合計に対するＩｎの組成比、即ち、Ｚ２／（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２）の値が０〜０．９であることが必要であり、０〜０．８であることがより好ましい。Ｚ２／（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２）の値が０．９を超えると、第１の化合物半導体層の光学ギャップとの差がなくなり、効果が少なくなる。ここで、第２の化合物半導体層に含有される窒化物系化合物半導体は、前記第１の化合物半導体層に含有される窒化物系化合物半導体と異なり、Ｉｎを必須成分としなくてもよい。
　　　【００３９】
　また、
第１の化合物半導体層に含有される窒化物系化合物半導体におけるＩｎの組成比（Ｚ１）と、第２の化合物半導体層に含有される窒化物系化合物半導体におけるＩｎの組成比（Ｚ２）とは、Ｚ２≦Ｚ１の関係を満たすことが必要である。Ｚ１及びＺ２が、Ｚ２＞Ｚ１の関係であると、下層への光透過量が減少し、光変換損失が増大してしまう
　　　【００４０】
　シリコン基板上に、化合物半導体層を１層形成した場合には、４００〜６００ｎｍの広い可視領域では吸収しない領域あるいは損失の大きい領域のいずれかが発生し、全体の放射光量の電気への非変換割合が増加してしまうことがあるため、本発明のように化合物半導体層を２層以上形成することがより好ましい。この場合には、太陽光の入射側の光学ギャップが大きくなるように、化合物半導体層を積層することにより、変換効率を最大とすることができる。本発明の太陽電池は、前記第１の化合物半導体層上に前記第２の化合物半導体層を有しているため、吸収されても電気に変換されない部分を最小限にすることができる。」
　
（ウ）「【００４４】
　前記第１の発明及び第２の発明の太陽電池において、前記
基板上に、直接、化合物半導体層を形成する場合、基板との間に半導体接合を作るようにすることが好ましい。即ち、前記基板の伝導型と前記基板に接する化合物半導体層の伝導型とが異なることが好ましい。例えば、ｎ型の基板の上にはｐ型の化合物半導体層、ｐ型の基板の上にはｎ型の化合物半導体層を形成することが好ましい。このようにすることによって、基板と化合物半導体層との界面に光学ギャップの異なる接合が形成され、大きな内部電場が形成されることによって、広い波長領域で変換効率を改善することができる
　
（エ）「【００７３】
（実施例７）　実施例５と同じ基板を用い、実施例５と同じ方法で基板温度を４００℃とし、Ｎ2ガスを第１の原料活性化−供給部１３のガス導入管９より直径２５ｍｍの石英管５内に１０００ｓｃｃｍ導入し、マイクロ波導波管８を介して２．４５ＧＨｚのマイクロ波を出力２５０Ｗにセットしチューナでマッチングを取り、放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。一方、Ｈ2ガスを第２の原料活性化−供給部１４のガス導入管１０より直径３０ｍｍの石英管６内に２００ｓｃｃｍ導入した。１３．５６ＭＨｚの高周波の出力を１００Ｗにセットした。反射波は０Ｗであった。この状態で第１の原料活性化−供給部１３のガス導入管１１より０℃で保持されたトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）の蒸気を窒素をキャリアガスとして用い、バブリングしながらマスフローコントローラーを通して１ｓｃｃｍ導入した。一方、２０℃に保持され、水素稀釈したシランを１０００ｐｐｍ導入したトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）の蒸気を窒素をキャリアガスとして、第２の原料活性化−供給部１４のガス導入管１２より２ｓｃｃｍ導入した。更に、第１の原料活性化−供給部１３のガス導入管１１より水素稀釈したシランを１０００ｐｐｍ導入した。この時バラトロン真空計で測定した反応圧力は６５．５Ｐａであった。成膜を６０分行い
０．３μｍのｎ型ＧａＩｎＮ層（組成式はＧａ
0.3
Ｉｎ
0.7
Ｎ）をｐ型Ｓｉ基板上に直接作製した
　　　【００７４】
　このＧａＩｎＮ層の組成をＲＢＳ（ラザフォード・バックスキャタリング）にて測定したところ、窒素元素の組成比に対するIIIＡ族元素の組成比の合計、即ち（Ｇａ＋Ｉｎ）／Ｎの値は０．９９であった。また、IIIＡ族元素の組成比の合計に対するＩｎの組成比、即ちＩｎ／（Ｇａ＋Ｉｎ）の値は０．７であり、光学ギャップは２．１ｅＶであった。
　　　【００７５】
　続いて、第１の原料活性化−供給部１３のガス導入管１１より、０℃で保持されたトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）の蒸気を窒素をキャリアガスとして用い、バブリングしながらマスフローコントローラーを通して１ｓｃｃｍ導入した。一方、２０℃に保持されたトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）の蒸気を窒素をキャリアガスとして、第２の原料活性化−供給部１４のガス導入管１２より０．５ｓｃｃｍ導入した。更に、第２の原料活性化−供給部１４のガス導入管１４より水素希釈したシランを３０００ｐｐｍ導入した。この時バラトロン真空計で測定した反応圧力は６５．５Ｐａであった。成膜を３０分行い、
上記０．３μｍのｎ型ＧａＩｎＮ層（組成式はＧａ
0.3
Ｉｎ
0.7
Ｎ）上に、ｎ型にドーピングした０．１μｍのＧａＩｎＮ層（組成式はＧａ
0.7
Ｉｎ
0.3
Ｎ）を作製した
　　　【００７６】
　このＧａＩｎＮ層の組成をＲＢＳ（ラザフォード・バックスキャタリング）にて測定したところ、窒素元素の組成比に対するIIIＡ族元素の組成比の合計、即ち（Ｇａ＋Ｉｎ）／Ｎの値は０．９９であり、IIIＡ族元素の組成比の合計に対するＩｎの組成比、即ちＩｎ／（Ｇａ＋Ｉｎ）の値は０．３であった。また、光学ギャップは２．５ｅＶであった。ｐ型Ｓｉ基板に対してｎ型ＧａＩｎＮ層（組成式はＧａ0.3Ｉｎ0.7Ｎ）は、接合時に接合部に伝導帯にバリアを作らず、また価電子帯にもバリアを作らず、更に、その層上に設けられたｎ型ＧａＩｎＮ層（組成式はＧａ0.7Ｉｎ0.3Ｎ）に対しても、電子正孔ともに障壁を作らず、かつ内部電場を生成し、発生した電流をすみやかに輸送することができる。この組み合わせによって得られる理論変換効率は４５％となった。ＡＭ１．０の光を照射して、上記と同じ装置により光起電力特性を測定したところ変換効率は２０％であり、光起電力は１．２Ｖと高かった。
　　　【００７７】
（実施例８）　洗浄した面方位（１００）のｎ型Ｓｉ基板を用い、この基板上に実施例７と同様の方法により、２層のＧａＩｎＮ層を形成した。但し、ｎ型Ｓｉ基板に接する第１のＧａＩｎＮ層には、水素稀釈したシランの代わりにシクロペンタジエニルＭｇを２０００ｐｐｍ導入し、第１のＧａＩｎＮ層上に設けられた第２のＧａＩｎＮ層には、水素稀釈したシランの代わりにシクロペンタジエニルＭｇを５０００ｐｐｍ導入した。これら第１及び第２のＧａＩｎＮ層は、ｐ型となった。ｎ型Ｓｉ基板に対してｐ型ＧａＩｎＮ層（組成式はＧａ0.3Ｉｎ0.7Ｎ）は、接合時に接合部に伝導帯にバリアを作らず、また価電子帯にもバリアを作らず、更に、その層上に設けられたｐ型ＧａＩｎＮ層（組成式はＧａ0.7Ｉｎ0.3Ｎ）に対しても、電子正孔ともに障壁を作らず、かつ内部電場を生成し、発生した電流をすみやかに輸送することができる。この組み合わせによって得られる理論変換効率は４５％となった。ＡＭ１．０の光を照射して、上記と同じ装置により光起電力特性を測定したところ変換効率は２２％であり、光起電力は１．２Ｖと高かった。」
　
イ　刊行物記載の発明
　
　上記ア（特に（ア））によれば、刊行物には、
　
　「基板上に、少なくとも、組成式がＡｌX1ＧａY1ＩｎZ1ＮW1で表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層、及び組成式がＡｌX2ＧａY2ＩｎZ2ＮW2で表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層をこの順に有し、更に電極等を有し、Ｘ１，Ｙ１及びＺ１は組成比を表し、０．６≦Ｚ１／（Ｘ１＋Ｙ１＋Ｚ１）≦１．０を満たし、Ｘ２，Ｙ２及びＺ２は組成比を表し、０≦Ｚ２／（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２）≦０．９を満たし、かつ、Ｚ１及びＺ２がＺ２≦Ｚ１を満たす太陽電池。」
　
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
ウ　対比・判断
　
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
（ア）引用発明の「基板」は、上記ア（ウ）に記載のように、化合物半導体層との間で半導体接合（ｐ−ｎ接合）を形成し、接合部に大きな内部電場を形成するものであるから、本願補正発明の「光吸収層」に相当する。
　
（イ）上記ア（ウ）の「窒化物系化合物半導体は、Ｉｎを必須成分とするが、ＡｌやＧａを含んでいなくてもよい。」との記載、及び上記ア（エ）の２層の化合物半導体層をＧａＩｎＮ層にて形成する実施例を踏まえると、引用発明の組成式がＡｌX1ＧａY1ＩｎZ1ＮW1で表される窒化物系化合物半導体、及び組成式がＡｌX2ＧａY2ＩｎZ2ＮW2で表される窒化物系化合物半導体において、Ａｌは必須成分ではなく、Ａｌを含まない組成とすることができるから、引用発明の「組成式がＡｌX1ＧａY1ＩｎZ1ＮW1で表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層、及び組成式がＡｌX2ＧａY2ＩｎZ2ＮW2で表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層」は、本願補正発明の「インジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ、０＜Ｘ＜１）を含むバッファ層」に相当する。
　
（ウ）太陽電池において、光吸収層の裏面側に基板及び金属電極層を設け、バッファ層の光入射側に透明電極層を設けることは技術常識であるから、引用発明は、基板の裏面側に「基板上の金属電極層」を、化合物半導体層の光入射側に「透明電極層」を備えるものと認められる。
　
（エ）本願補正発明の「インジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）において、Ｘは前記光吸収層から離れるほど漸進的に小さくなる」は、「漸進」の意味が一般的には「段階を追って次第に進むこと」（広辞苑を参照。）であり、本願明細書又は図面を参酌してもその他の意味に解すべき根拠は見あたらないから、「インジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）において、Ｘは前記光吸収層から離れるほど段階を追って次第に小さくなる」の意味と解されるところ、引用発明の化合物半導体層は、２層の化合物半導体層に含有される窒化物系化合物半導体のＩｎの組成比がＺ２≦Ｚ１の関係にあり、Ｚ２＜Ｚ１の場合はＩｎの組成比が基板から離れるほど段階を追って次第に小さくなっているといえるから、上記（ア）及び（イ）も踏まえると、引用発明は、「インジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）において、Ｘは光吸収層から離れるほど漸進的に小さくなる」との構成を備える。
　
　以上によれば、両者は、
　
　「基板上の金属電極層と、金属電極層上の光吸収層と、光吸収層上のインジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ、０＜Ｘ＜１）を含むバッファ層と、バッファ層上の透明電極層と、を含み、インジウムガリウム窒化膜（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）において、Ｘは光吸収層から離れるほど漸進的に小さくなる太陽電池。」
　
で一致し、相違するところは認められない。
　
　よって、本願発明は、刊行物に記載された発明である。
　
エ　小括
　
　以上のとおり、本願補正発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）補正却下の決定のむすび
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について　　
　
１　本願発明　
　
　本件補正は、前記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年３月１５日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」は、前記第２、２（１）において、本件補正前の請求項１として示したとおりのものである。
　
２　判断　　
　
　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定を付したものが本願補正発明であるところ、本願補正発明が、前記第２、２（２）において検討したとおり、刊行物に記載された発明であることに照らせば、本願発明が刊行物に記載された発明であることは明らかである。
　
３　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。