【事件の表示】
　特願２００８−５０５６６６「歪み、反り、及びＴＴＶが少ない７５ミリメートル炭化珪素ウェハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１２日国際公開、ＷＯ２００６／１０８１９１、平成２０年　９月　４日国内公表、特表２００８−５３５７６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００６年４月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年４月７日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１月２６日付けで拒絶査定が起案され、同年５月３０日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、同年９月２１日付けで特許法第１６４条第３項の報告書を引用した審尋の起案がなされ、同年１２月２０日に回答書が提出されたものであり、その後、当審から、平成２５年６月１０日付けで拒絶理由が起案され、同年９月１０日付けで意見書（以下、「意見書」という。）と手続補正書が提出されたものである。
　本願の請求項１〜１９に係る発明（以下、それぞれを「本願発明１〜１９」という。）は、平成２５年９月１０日付けの手続補正（以下、「本補正」という。）によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
　　【請求項１】
単結晶のＳｉＣウェハであって、直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）であり、該ウェハの各側における損傷レベルは等しく、該ウェハを溶剤中の研磨剤でラッピングし、次いで化学機械的研磨することを含み、歪みが５μｍ未満であり、反りが５μｍ未満であり、ＴＴＶが２．０μｍ未満であることを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項２】
請求項１記載のＳｉＣウェハにおいて、前記歪みが２μｍ未満であることを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項３】
請求項１記載のＳｉＣウェハにおいて、前記歪みが１μｍ未満であることを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項４】
請求項１記載のＳｉＣウェハにおいて、前記反りが２μｍ未満であることを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項５】
請求項１記載のＳｉＣウェハにおいて、前記反りが１μｍ未満であることを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項６】
請求項１記載のＳｉＣウェハにおいて、前記ＴＴＶが１．５μｍ未満であることを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項７】
請求項１記載のＳｉＣウェハにおいて、前記ＴＴＶが１μｍ未満であることを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項８】
請求項１記載のＳｉＣウェハにおいて、前記結晶は、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、及び１５Ｒのポリタイプから成る群から選択されたポリタイプを有することを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項９】
請求項１記載のＳｉＣウェハであって、該ウェハは４Ｈポリタイプを有し、
　前記ウェハは、歪みが０．０５μｍ及び５μｍの間であり、反りが０．０５μｍ及び５μｍの間であり、ＴＴＶが０．５及び２．０μｍの間であることを特徴とするＳｉＣウェハ。
　　【請求項１０】
半導体ウェハであって、
　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）である炭化珪素ウェハであって、該ウェハの各側における損傷レベルは等しく、該ウェハを溶剤中の研磨剤でラッピングし、次いで化学機械的研磨することを含み、歪みが５μｍ未満であり、反りが５μｍ未満であり、ＴＴＶが２．０μｍ未満である炭化珪素ウェハと、
　前記炭化珪素ウェハの前記表面上にある少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、
を備えていることを特徴とする半導体ウェハ。
　　【請求項１１】
請求項１０記載の半導体ウェハにおいて、前記ＩＩＩ族窒化物層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、及びこれら組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする半導体ウェハ。
　　【請求項１２】
請求項１０記載の半導体ウェハにおいて、該ウェハは、
　互いに対向するそれぞれの第１及び第２表面と、
　前記炭化珪素基板上にある複数のデバイスであって、該デバイスの各々が、
　　前記基板上に配置されたエピタキシャル層であって、前記エピタキシャル層を第１導電型にするのに適したドーパント原子濃度と、ソース、チャネル、及びドレイン部分のそれぞれとを有する、エピタキシャル層と、
　　前記チャネル部分上にある金属酸化物層と、
　　前記金属酸化物層上にあり、バイアスが印加されるとアクティブ・チャネルを形成する金属ゲート・コンタクトと、
からなる、複数のデバイスと、
を備えていることを特徴とする半導体ウェハ。
　　【請求項１３】
請求項１０記載の半導体ウェハにおいて、該ウェハは、
　互いに対向するそれぞれの第１及び第２表面と、
　前記炭化珪素基板上にある複数のデバイスであって、該デバイスの各々が、
　　前記基板上にある導電性チャネルと、
　　前記導電性チャネル上にあるソース及びドレインと、
　　前記導電性チャネル上の前記ソース及び前記ドレイン間にあり、バイアスを印加するとアクティブ・チャネルを形成する金属ゲート・コンタクトと、
からなる、複数のデバイスと、
を備えていることを特徴とする半導体ウェハ。
　　【請求項１４】
請求項１０記載の半導体ウェハにおいて、該ウェハは、
　互いに対向するそれぞれの第１及び第２表面と、
　前記単結晶炭化珪素基板上に配置された複数の接合型電界効果トランジスタと、
を備えていることを特徴とする半導体ウェハ。
　　【請求項１５】
請求項１０記載の半導体ウェハにおいて、該ウェハは、
　互いに対向するそれぞれの第１及び第２表面と、
　前記単結晶炭化珪素基板上に配置された複数のヘテロ電界効果トランジスタと、
を備えていることを特徴とする半導体ウェハ。
　　【請求項１６】
請求項１０記載の半導体ウェハにおいて、該ウェハは、
　互いに対向するそれぞれの第１及び第２表面と、
　前記単結晶炭化珪素基板上に配置された複数のダイオードと、
を備えていることを特徴とする半導体ウェハ。
　　【請求項１７】
ＳｉＣの高品質単結晶の形成方法において、
　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）で厚さが少なくとも６００μｍのＳｉＣブールを形成するステップと、
　その後、前記ブールを薄切りにして少なくとも１つのウェハとするステップと、
　２００ｇの下方への力を用いて溶剤中の研磨剤で前記ウェハをラッピングするステップと、
　ラッピングされたウェハを、化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨により、該ウェハの各側の表面及び内層面の表面損傷レベルが同一となるように処理して、歪みが５μｍ未満、反りが５μｍ未満、ＴＴＶが２．０μｍ未満となるようにウェハを処理する処理ステップと、
　その後、化学機械的研磨により、前記ウェハを研磨するステップと、
　前記歪み、反り、及びＴＴＶを測定するステップと、
を備えていることを特徴とする方法。
　　【請求項１８】
請求項１７記載の方法において、前記処理ステップは、前記薄切りにしたウェハを研削又は追加のラッピングをして、該ウェハの各表面における表面損傷レベルが同一となるようにするステップを備えていることを特徴とする方法。
　　【請求項１９】
請求項１７記載の方法において、該方法は更に、前記研磨したウェハ上に、炭化珪素及びＩＩＩ族窒化物から成る群から選択された少なくとも１つのエピタキシャル層を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。
　
第２．当審からの拒絶理由の概要
　当審からの平成２５年６月１０日付けの拒絶理由は、次の１．の内容を含むものである。
１．本願発明１〜１６に係るウェハは、「歪みが５μｍ未満であり、反りが５μｍ未満であり、ＴＴＶが２．０μｍ未満であること」を発明特定事項（以下、「発明特定事項Ｘ」という。）としているが、かかる発明特定事項は、どのような操作・処理によって得ることができるのか、発明の詳細な説明を見ても判然としないし、ラッピングと「標準的な両面又は単面研磨」との違いが不明であることを差し置いても、このウェハを製造するに当たり、技術常識を考慮しても、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要があるから、当業者がこれら発明を実施することができる程度に発明の詳細な説明の記載が記載されていない。また、仮に、特定のウェハについて、上記発明特定事項を満足することができたとしても、単結晶からの切断精度、機械歪、加工変質層の存在態様等の異なる他のウェハについて、上記発明特定事項を満足することができるとはいえないから、発明の詳細な説明に記載されている事項を本願発明１〜１６の範囲まで、拡張ないし一般化することはできない。
　これらのことは、本願発明１７〜１９にも当てはまる。
　よって、特許請求の範囲の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていないし、発明の詳細な説明の記載は同法同条第４項第１号の規定を満たしていない。
　
第３．当審の判断
１．総論
ア　本補正により、本願発明１〜１６は、「該ウェハの各側における損傷レベルは等しく、該ウェハを溶剤中の研磨剤でラッピングし、次いで化学機械的研磨することを含み」という発明特定事項（以下、「発明特定事項Ａ」という。）をさらに有するようになった。
イ　この発明特定事項Ａの「該ウェハの各側における損傷レベルは等しく、該ウェハを溶剤中の研磨剤でラッピングし」は、本願明細書の発明の詳細な説明の説明の【００２２】（以下、段落番号のみの表記は、本願明細書の発明の詳細な説明の段落番号である。）に、同「次いで化学機械的研磨すること」は、【００２３】に、それぞれ記載はされている。
ウ　当審からの拒絶理由において指摘された上記第２．１．の記載不備は、本願発明１〜１６に係る発明は発明特定事項Ｘを有するＳｉＣウェハはどのような操作・処理によって得ることができるのか、技術常識を考慮しても、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要があるから、当業者がこれら発明を実施することができる程度に発明の詳細な説明の記載が記載されていないという特許法第３６条第４項第１号違反と、特定のＳｉＣウェハについて、発明特定事項Ｘを満足することができても、単結晶からの切断精度、機械歪、加工変質層の存在態様等の異なる他のさまざまなＳｉＣウェハについても、発明特定事項Ｘを満足することができるとは技術常識に基づいていえないから、発明の詳細な説明に記載されている事項を本願発明１〜１６の範囲まで、拡張ないし一般化することはできないという同法同条第６項第１号違反と、を含んでいる。
エ　特許法第３６条第４項第１号違反について
　本願明細書の発明の詳細な説明に断片的に記載された事項を組合せて本願発明１〜１６に発明特定事項Ａとして付け加えたとしても、本補正により、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された事項は何ら変更されていないし、この発明特定事項Ａによって本願明細書の発明の詳細な説明に記載された事項の解釈が変更されないし、さらに、意見書において本願明細書の発明の詳細な説明の記載事項を補足する説明もなされていないから、上記記載不備は解消していないことは明らかである。
オ　特許法第３６条第６項第１号違反について
　本願発明１〜１６に発明特定事項Ａを追加しても、技術常識に基づいて本願明細書の発明の詳細な説明の記載をみても、単結晶からの切断精度、機械歪、加工変質層の存在態様等の異なるあらゆるＳｉＣウェハについて、発明特定事項Ｘを満足することができるととれる説明がなされているとはいえないし、意見書において補足説明もなされていないから、上記記載不備は解消してないといわざるを得ない。
カ　そして、本願発明１７〜１９についても同様に記載不備は解消していない。
キ　よって、本補正によっても、特許請求の範囲の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていないし、発明の詳細な説明の記載は同法同条第４項第１号の規定を満たしていない。
ク　次に、本補正によって補正された特許請求の範囲の記載を本願明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて解釈して、上記第２．の拒絶理由が解消していないことを、本願発明１〜１６と１７〜１９に分けて、詳述する。
　
２．本願発明１〜１６について
ア　本願明細書の発明の詳細な説明の説明の【００２２】には、「薄切りにしたウェハを処理し、各側における表面及び内層面の損傷レベルが、既に論じたラッパ(lapper)によって誘発される損傷レベルと同等となるようにする。両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力を用いて、ラッピング・プロセスを開始する。例えば、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力が適している可能性が高い。得られたウェハには、反りが誘発されているが、特異な損傷(differential damage)によるものではなく、標準的な両面又は単面研磨によって処理し、歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハを生産することができる。」との記載がなされており、「ウェハの各側における表面及び内層面の損傷レベルをラッパによって誘発されるものに等しく、ラッピング・プロセス」を行うこと、具体的には、両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力を用いて、ラッピングをすること、一例として、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力を用いてラッピングを行い、続いて、標準的な両面又は単面研磨によって処理を行えば、本願発明１〜６に係るウェハが得られると、とれる記載がなされている。
イ　【００２３】には、「次いで、ＳｉＣウェハを研磨しエッチングすることが好ましい場合もある。好ましい研磨は、化学機械的研磨であり、好ましいエッチングは、溶融ＫＯＨエッチング(molten KOH etch)である。」と記載されているから、「標準的な両面又は単面研磨」後の化学機械的研磨は、発明特定事項Ｘを満足するＳｉＣウェハを得るための必須の処理ではないことが説明されているといえる。
ウ　ここで、「ラッパ、ラッピング」とは、適量の水又はその他の溶剤中に懸濁させた研ぎ粉（研磨剤）を使った研磨のことであり（【０００８】を参照。）、「各側における表面及び内層面の損傷レベルが、既に論じたラッパ(lapper)によって誘発される損傷レベルと同等となるようにする」とは、切削加工によって影響を受けたウェハ表面部分（いわゆる「加工変質層」と推認される。）をラッパ、ラッピングによって除去し、「ウェハ各側における損傷レベルを等しく」するものと解される。また、化学機械的研磨とは、本願明細書の発明の詳細な説明には説明されていないが、「ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）」、「化学的機械研磨」ともよばれるものと推察され、具体的には、回転する研磨テーブル上に貼付した研磨布に砥粒などを含む研磨液を供給しながら、キャリアで保持したウエハを研磨布に押しつけて研磨する高精密な研磨と解される。
　一方、「標準的な両面又は単面研磨」とは、どのような研磨をいうのか本願明細書の発明の詳細な説明に記載されておらず、また、「標準的な両面又は単面研磨」のための装置が本願の図面に示されてもいないから、「標準的な両面又は単面研磨」とはどのようなものか不明であって、ラッパ、ラッピングと「標準的な両面又は単面研磨」との違いは依然として不明であるし、「標準的な両面又は単面研磨」が化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨であると認めるべき説明も見当たらない。しかも、【００２３】では、「化学機械的研磨」との用語が使われているから、「標準的な両面又は単面研磨」と「化学機械的研磨」は同一の研磨ではなく、使い分けられているととれないこともない。
　そして、このことは、ラッパ、ラッピングを粗研磨、化学機械的研磨を高精密な仕上げ研磨とすれば、研磨は粗から精密に段階を経てなされるものであって、この２つの研磨の間に精密研磨があっても良いとの研磨加工の考え方にも整合する。
エ　そうすると、本願の発明の詳細な説明の記載によれば、発明特定事項Ｘを満足するＳｉＣウェハを得るために、「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力を用いる、溶剤中に懸濁させた研磨剤によるラッピングによって、切削加工によって影響を受けたウェハ表面の加工変質層を除去し、その後、標準的な両面又は単面研磨によって処理を行い、続いて、化学機械的研磨を行うことが好ましい場合がある」と解される。
オ　一方、本願発明１〜１６では、発明特定事項Ｘを満足するＳｉＣウェハを得るために、発明特定事項Ａは、「標準的な両面又は単面研磨」を行うことが任意であることを特定しているから、当該ＳｉＣウェハを得ることに関し、上記エでみた本願明細書の発明の詳細な説明から導出される事項と整合していないともいえる。
カ　よって、発明特定事項Ａを有する本願発明１〜１６は、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたものとはいえないから、これら発明に係る特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。
キ　しかし、上記ウで述べたように「標準的な両面又は単面研磨」とはどのようなものか不明ではあるものの、以下では、（１）溶剤中の研磨剤でラッピングし、次いで化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨する処理、（２）溶剤中の研磨剤でラッピングし、標準的な両面又は単面研磨、次いで化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨する処理、の２通りの処理によって、発明特定事項Ｘを満足するＳｉＣウェハを得ることができるかについて、さらに検討する。
ク　そこで、上記当審からの拒絶理由において、従来技術を記載した文献として引用した
本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−１３１３２８号公報（以下、「刊行物１」という。）をみてみると、そこには、次の（ア）及び（イ）が記載されている。
（ア）「ＳｉＣ単結晶を研磨する場合、他の半導体単結晶材料において採用されているように、切断したウェハを両面同時に研磨する、いわゆる両面ラップ研磨によって実施することが、研磨ウェハ製造効率の観点から好ましい。両面ラップ研磨を実施する際には、ウェハへ局部的な研磨加重が加わることを避け、極力均一な負荷加重を実現する目的から、切断した薄板状単結晶材の切り出し厚や反りなどを均一にするなど、かなりの切断精度が要求される。
しかしながら、・・・両面ラップ研磨時に偏加重などが原因となってウェハ割れが発生し易く、結果としてウェハの製造歩留まりが低下しまう。
・・・いわゆる片面研磨プロセスによって研磨を実施する方が、上記の問題を回避して、結果的に製造歩留まりを向上できる長所がある。
しかしながら、片面研磨プロセスでは、研磨処理を完了してポリッシングブロックからウェハを取り剥す際に、研磨面が大きく反り、表平坦度が著しく劣化する現象が発生する。すなわち、研磨プロセス完了後、ポリッシングブロックから取り剥す前のウェハは、１μｍ以下の極めて良好な表面平坦度を有しているが、取り剥し後に研磨面側が大きく凹面化し、研磨直後の良好な表面平坦度が大きく劣化する。
発明者らの詳しい調査によれば、この平坦度の劣化は、特に本材料のＳｉＣ単結晶ウェハの場合に著しく大きく、また、ウェハ口径や厚さにも依存することが明らかになった。たとえば厚さ７００μｍの口径７６ｍｍＳｉＣ単結晶ウェハの場合、取り剥し後のウェハの表面平坦度は、最大約５０μｍを大きく超える場合があることが明らかになった。」（【００１５】〜【００１９】）
（イ）「・・・研磨面が大きく反り返って凹面化する現象について、その原因を調査したところ、反りを引き起こしている力学的駆動力の起源として、研磨工程前の時点で既に結晶内部に蓄積されている残留応力によるものが支配的であることを突き止めた。特に、スライス切断時に導入される機械歪による寄与が大きい。
・・・このため研削面に相当する単結晶の切断面の近傍では、大きな応力や加工歪が発生し、その影響が最終的にＳｉＣ単結晶内に、結晶格子歪や転位をはじめとする各種の結晶欠陥として残留する。」（【００３０】〜【００３１】）
ケ−１　まず、発明特定事項Ａの「溶剤中の研磨剤でラッピング」、すなわち、【００２２】の「両面ラッパ上のラッピング」とは「両面ラップ研磨」と考えると、上記刊行物１の（ア）の記載によれば、「両面ラップ研磨時に偏加重などが原因となってウェハ割れが発生し易」いといえるから、両面ラッピング・プロセスによって加工変質層を除去する際にウェハに割れを発生させないようにするため、更には、ウエハの各側における損傷レベルを等しくするためには何らかの工夫が必要であると推定される。
ケ−２　しかし、この工夫について本願明細書の発明の詳細な説明には何も記載がなされていない。
　仮に、この工夫が、【００２２】の「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力を用いて、ラッピング・プロセスを開始」することであるとすると、このラッピング・プロセスでは、下方力を単に限定したにすぎない。
　一方、上記刊行物１の（ア）に記載されている、割れの発生の原因は切断精度が実現できないための研磨時の偏加重であるとすることは、技術常識に照らし妥当なものである。
　そうすると、下方力を単に限定しただけでは偏荷重をなくしたことにはならずウェハの割れが防止できないことや、偏荷重がなくならないとウエハの各側における損傷レベルを等しくすることも困難であることは技術常識からみて明らかである。
ケ−３　仮に、下方力の限定のみによってウェハの割れが防止でき、ウエハの各側における損傷レベルを等しくできたとしても、【００２２】よれば、ラッピング・プロセス後に反りが誘発されている。この反りを解消するために化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨あるいは「標準的な両面又は単面研磨」し、次いで化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨を行っても、化学機械的研磨は、上記エで述べたものであるし、「標準的な両面又は単面研磨」も研磨である以上、何らかの工夫をしなければ、ラッピング・プロセスと同様に研磨時に偏加重が生じる可能性が否定できず、化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨あるいは「標準的な両面又は単面研磨」を何らかの工夫をして実施しなければ、ラッピング・プロセスで誘発した反りが解消するともいえない。
　そして、化学機械的研磨では加工速度を上げると、加工変質層がＳｉＣウェハの内部深くにできることが知られているから（特開２００５−６４３９２号公報の【０００５】等を参照）、化学機械的研磨によって、加工変質層等に起因する新たな欠陥が生じる可能性も否定できないし、同様なことは「標準的な両面又は単面研磨」でも起こり得ると推定される。
ケ−４　さらに、発明特定事項Ｘで規定される反りの他の歪みやＴＴＶを所定の範囲内とするための具体的な手段及び当該手段の制御についても、本願明細書の発明の詳細な説明には何ら説明がなされていない。すなわち、「歪み」及び「ＴＴＶ」とは、【０００９】によれば、それぞれ、「基準面から測定したウェハ表面の最小値及び最大値間の差」、「ウェハの最も厚い部分と最も薄い部分との間の厚さの絶対差」であるから、ＳｉＣウェハの厚さの変動とも関連するものであり、厚さの変動をなくすためには、ＳｉＣウェハの全面にわたって均一な厚みとなるようなラッピング・プロセス、化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨、「標準的な両面又は単面研磨」の各処理を行う必要があると認められるところ、上記ケ−３で述べたように、化学機械的研磨及び「標準的な両面又は単面研磨」は、何らかの工夫をしなければ偏加重が生じる可能性が否定できず、この工夫について本願明細書の発明の詳細な説明には何も教示されていないし、この工夫は当業者の技術常識でもない。
ケ−５　そうすると、発明特定事項Ａを有する本願発明１〜１６において、発明特定事項Ｘを満足するＳｉＣウェハをどのようにしたら得ることができるのかが、本願明細書の発明の詳細な説明から明らかでないし、また、このことは技術常識から導出できるものでもない。
コ−１　次に、【００２２】の「両面ラッパ上のラッピング」とは「片面ラップ研磨」であると考えると、この片面ラップ研磨後の反り、表平坦度の劣化は、刊行物１の（ア）によれば、厚さ７００μｍ、口径７６ｍｍのウェハにおいて最大約５０μｍを超える場合があるとされているから、【００２２】に記載の直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハでもほぼ同程度の反り、表平坦度となると推認される。
コ−２　この最大で約５０μｍを超える反り、表平坦度の劣化を解消するための処理とはどのようなものなのか、「標準的な両面又は単面研磨」であるのか、「標準的な両面又は単面研磨」後の化学的機械研磨を用いた両面又は単面研磨、あるいは、「標準的な両面又は単面研磨」をせず、化学的機械研磨を用いた両面又は単面研磨であるのかが不明であるものの、いずれの研磨であっても上記ケ−３で述べたように、この反り、表平坦度の劣化を解消できるとも考えがたい。
コ−３　歪みやＴＴＶについては、上記ケ−４で述べたとおりである。
コ−４　そうすると、両面ラップ、ラッピングが「片面研磨」であると考えても、発明特定事項Ｘを有する本願発明１〜１６に係るＳｉＣウェハをどのようにして得るのかが技術常識を考慮しても不明である。
サ　なお、刊行物１の（イ）には、研磨工程前に既に（スライス切断時に）、ウェハ内部に結晶歪みによって反りが生じるとの記載があるから、加工変質層を単に除去しただけで、この歪みによって生じるＳｉＣウェハの反りがなくなるとは考えにくいし、さらには、研磨自体によっても加工変質層は生成するもの（例えば、特開２００１−２０５５５５号公報の【０００４】、【００１０】、【００１１】等を参照。）であるから、研磨による加工変質層の除去は難しく、研磨の結果、ウェハ内部に不均一な残留応力が存在すればＳｉＣウェハには反り等の欠陥が発生するから、これら欠陥を少なくすることはかなり難しいことと判断される。
シ　よって、発明特定事項Ａを有する本願発明１〜１６に係るＳｉＣウェハを製造するに当たり、技術常識を考慮しても、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要があるといえる。
ス　ここで、発明特定事項Ａの「ウェハを溶剤中の研磨剤でラッピング」の一態様として、【００２２】に「直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハに、約２００ｇに等しい力でラッピング・プロセスを開始」することが記載され、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力の一例として約２００ｇという値が示されている。この約２００ｇという値は、加工変質層を除去するための値（上記エを参照）であると推認されるものの、この加工変質層の性状（存在態様）は、ＳｉＣウェハ切削時の切削条件等によって変化するものであるし、ラッピング・プロセスにおいて加工変質層の除去に影響する因子として、下方力のほかに、研磨材粒子の形状・大きさや量、研磨テーブルの回転速度等があり、これらの因子をどのように考慮すれば、この２００ｇという最適な下方力は導出されるのかも何も示されていない。言い換えると、仮に、特定のＳｉＣウェハにおいて、発明特定事項Ｘを満足することができたとしても切削条件等によって加工変質層の性状（存在態様）が異なる他の様々なＳｉＣウェハにおいて、この発明特定事項Ｘを満足するとはいえない。
セ　よって、発明の詳細な説明に記載されている事項を本願発明１〜１６の範囲まで、拡張ないし一般化することもできない。
ソ　以上のとおり、本願発明１〜１６が発明特定事項Ａをさらに有するようになっても、本願の明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号の規定を満たしていないし、これら発明に係る特許請求の範囲の範囲の記載は、同法同条第６項第１号の規定を満たしていない。
　
３．本願発明１７〜１９について
ア　本補正により、本願発明１７〜１９は、「２００ｇの下方への力を用いて溶剤中の研磨剤で」ウェハをラッピングすること（以下、「発明特定事項Ｂ」という。）、「ラッピングされたウェハを、化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨」すること（以下、「発明特定事項Ｃ」という。）を特定事項として有するようになった。
イ　しかし、上記発明特定事項Ｃは、【００２２】に記載されている「ラッピング・プロセスの後に標準的な両面又は単面研磨」を行うことと整合せず、上述のとおり「標準的な両面又は単面研磨」が化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨であると直ちにいうこともできない（上記ウを参照。）。
ウ　そうすると、本願発明１７〜１９は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、これら発明に係る特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定の規定を満たしていない。
エ　仮に、【００２２】の「標準的な両面又は単面研磨」とは、「化学機械的研磨を用いた両面又は単面研磨」であるとしても、本補正により上記発明特定事項Ｂ及びＣを有するようになった本願発明に関し、上記２．で述べたように、発明特定事項Ｘを満足するＳｉＣウェハを製造するに当たり、技術常識を考慮しても、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要があるから、当業者がこれら発明を実施することができる程度に発明の詳細な説明は、明確かつ十分に記載されていないし、発明の詳細な説明に記載されている事項を本願発明１７〜１９の範囲まで、拡張ないし一般化することもできない。
カ　よって、本願発明１７〜１９に係る特許請求の範囲の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていないし、本願の明細書の発明の詳細な説明の記載は、同法同条第４項第１号の規定を満たしていない。
４．平成２５年９月１０日付けの意見書について
ア　請求人は、上記第２．の拒絶理由に対し平成２５年９月１０日付けの意見書において、（１）「補正後の請求項１は、特徴「ウェハの各側における損傷レベルは等しく、該ウェハを溶剤中の研磨剤でラッピングし、次いで科学（当審注：「化学」の誤記と認める。）機械的研磨することを含み」を包含する。これにより、請求項１に記載の「歪みが５μｍ未満であり、反りが５μｍ未満であり、ＴＴＶが２．０μｍ未満である」という発明特定事項は、どのような操作・処理によって得ることができるのか、明確になったものと思量する。」
（２）「ラッピングと研磨との違いは明確である。たとえば、ラッピング・プロセスは、両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力を用いて行われる（本願明細書、段落〔００２２〕）。ラッピング・プロセスに次いで研磨が行われる。好ましい研磨は化学機械的研磨である（本願明細書、段落〔００２３〕）。これらの操作、処理により、請求項１に記載のウェハを得ることができる。」
と、主張している。
イ　そこで、これらの主張について順に検討すると、
（１）について
　請求人は、「ウェハの各側における損傷レベルは等しく、該ウェハを溶剤中の研磨剤でラッピングし、次いで化学機械的研磨すること」を発明特定事項とすれば、発明が明確になり、上記第２．の拒絶理由が解消していると述べているが、発明が明確になったか否かの判断は差し置いても、発明が明確となることと、特許法第３６条第４項第１号及び同法同条第６項第１号に係る記載不備が解消することとは直ちに関連し合うものでないことであり、上記１．〜２．で述べたように、上記発明特定事項、すなわち、発明特定事項Ａを付け加えるだけでは、発明特定事項Ｘを満足するＳｉＣウェハを得ることは困難であって、加えて、当該拒絶理由に対し本願明細書の発明の詳細な説明の記載事項を補足するような説明もなされていないから、拒絶理由は解消していない。
（２）について
　ラッピングについては、【００２２】の記載に基づいて説明をしているものの、「標準的な両面又は単面研磨」を根拠を示さず「研磨」と言い換え、「好ましい研磨は化学機械的研磨」との【００２３】に記載されている文章を単に引用するだけでは、「標準的な両面又は単面研磨」はどのようなものかを説明しているとはいえないし、「標準的な両面又は単面研磨」が化学機械的研磨を用いた両面又は単面を研磨ということも直ちにできない。
ウ　よって、意見書の上記主張を採用することはできない。
第４．むすび
　上記第３．述べたように、本願の明細書の発明の詳細な説明の記載は同法同条第４項第１号の規定を満たしていないし、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号の規定を満たしていない。
　当審からの平成２５年６月１０日付けの拒絶理由で通知したその余の拒絶理由について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。