【事件の表示】
　平成　６年特許願第１９２３９２号「非点収差補正方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　２月２７日出願公開、特開平　８−　５５３６０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１.手続の経緯、本願発明
　本願は、平成６年８月１６日の出願であって、その請求項１及び２に係る各発明は、原審及び当審において補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】水平方向の放射角が垂直方向の放射角より狭いレーザ光を出射する半導体レーザと、
　前記半導体レーザから出射されたレーザ光を屈折させて収束傾向の略平行光にするコリメートレンズと、
　前記コリメートレンズにより、収束傾向の略平行光とされたレーザ光の前記水平方向を拡大し、該レーザ光の断面を円形に近付ける整形プリズムと、
　前記整形プリズムを通過したレーザ光を微小スポットへ収束させる集光レンズとからなる光学系における半導体レーザの非点収差を補正する非点収差補正方法において、
　前記コリメートレンズの焦点距離よりも長い既知の数値によって前記コリメートレンズと前記半導体レーザとの間隔を決め、予めその間隔が設けられるように前記コリメートレンズに対して前記半導体レーザを設置することを特徴とする非点収差補正方法。」(以下、「本願発明１」という。)
　「【請求項２】前記設定位置は、半導体レーザの前記水平方向の出射位置のレーザ端面からのずれである非点収差量をΔｄ、整形プリズムの拡大比をＫとしたとき、
　前記半導体レーザの出射面位置をコリメートレンズの焦点位置から略Δｄ／(Ｋ−１)だけ遠ざけて設定することを特徴とする請求項１に記載の非点収差補正方法。」(以下、「本願発明２」という。)
　なお、請求項２には「Δｄ(Ｋ−１)」と記載されているが、これは明細書全体の記載からみて「Δｄ／(Ｋ−１)」の誤記と認められるから、請求項２に係る発明を上記のとおり認定した。
　
２.引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２５００２４号公報(以下、「引用刊行物」という。)には、「半導体レーザを使用した光学装置」に関する発明が記載されており、さらに次の事項についても記載されている。
　[産業上の利用分野]として
　 (a)「本発明は、光メモリ装置用の光学装置(中略)などに使用されるもので、レーザ光束をビーム整形するアナモルフィックプリズムなどによるビーム整形面が設けられている光学装置に係り、特に半導体レーザの有している非点隔差を補正することのできる光学装置に関する。」(第1頁右下欄5〜11行)
　[従来の技術]として
　 (b)「第６図は従来の光メモリ装置用の光学装置を示す光学部品の配置図である。
　半導体レーザ１から発せられたレーザ光束は、コリメートレンズ２により平行光束とされ、アナモルフィックプリズム３のビーム整形面３ａによりビーム整形される。さらに(中略)対物レンズ５により集光され、光ディスク６の記録面に微小スポットが形成される。この収束されたレーザにより情報の書き込みが行なわれ、またこの光ディスク６からの反射光が(中略)受光素子により検知されて情報が再生される。」(第1頁右下欄13行〜第2頁左上欄4行)
　 (c)「第５図は半導体レーザ内のチップ１ａを斜視図により示している。半導体レーザ１のチップ１ａから照射されるレーザ光束の断面は、縦長円となっており、θ⊥方向の径がθ‖方向の径よりも大きくなっている。前記アナモルフィックプリズム３のビーム整形面３ａの傾斜面方向に、レーザ光束のθ‖方向が入射され、ビーム整形面３ａによりこのθ‖方向の径が拡大されて、断面がほぼ真円形状のビーム光束が得られるようになっている。」(第2頁左上欄5〜14行)
　[発明が解決しようとする課題]として
　 (d)「第５図に示すように、半導体レーザでは、θ⊥方向とθ‖方向とで見かけ上の発光点位置の差が生じており、これが非点隔差ΔＺとなっている。この非点隔差ΔＺは半導体レーザを使用した光学装置に少なからず影響を与える場合がある。」(第2頁左上欄16〜20行)
　 (e)「本発明は上記課題を解決するものであり、半導体レーザのもつ非点隔差を補正できるようにして、(中略)非点隔差による悪影響を排除できるようにした半導体レーザを使用した光学装置を提供することを目的としている。」(第2頁右上欄18行〜同左下欄3行)
　[実施例]として
　 (f)「第１図において、符号１は半導体レーザであり、符号13はアナモルフィックプリズムである。このアナモルフィックプリズム13のビーム整形面13ａの傾斜方向に、半導体レーザ１から発せられるレーザ光束のうちのθ‖方向が向けられて入射する。このビーム整形面13ａによりレーザ光束のθ‖方向が拡大され、これにより断面形状がほぼ真円のレーザ光束となるようにビーム整形される。
　半導体レーザ１とアナモルフィックプリズム13との間にはレンズ11が介装されている。半導体レーザ１の発光点０から発せられたレーザ光束はこのレンズ11によりわずかに発散する光束とされて前記ビーム整形面13ａに入射する。
　ビーム整形面13ａに発散光が斜めに入射すると、ビーム整形面13ａへの入射角度が、ビーム整形面13ａの上下において相違する(第１図のθ１とθ２参照)。このように入射角の非対称性が生じることにより、ビーム整形面13ａを通過したレーザ光束に非点収差が生じる。第３図はこの非点収差が生じる状態を模式的に説明するための図である。仮にθ‖方向とθ⊥方向の見かけの発光点位置の差がなく、両方向の光が同じ発光点０から発せられることとする。さらにビーム整形面13ａを通過した光束が集光レンズ15により集光されると仮定する。この場合、θ‖方向の焦点位置Ｆ1とθ⊥方向の焦点位置Ｆ2との間に非点収差ｌが生じる。この非点収差の生じる方向と第５図に示す半導体レーザの非点隔差ΔＺの方向とが互いに相殺される方向となる。(中略)これにより半導体レーザの非点隔差ΔＺを補正できることになる。」(第3頁左上欄5行〜同右上欄19行)
　 (g)「第２図は、本発明の第２実施例を示している。
　この実施例では、アナモルフィックプリズム13のビーム整形面13ａが出光側に位置している。そして半導体レーザ１から発せられるレーザ光束のθ⊥方向がビーム整形面13ａの傾斜方向へ向けられている。これにより半導体レーザから発せられるビームはθ⊥方向が縮小され、これによってほぼ真円の断面を有するレーザ光束に整形される。また半導体レーザ１とアナモルフィックプリズム13との間にはレンズ18が介装されており、このレンズ18によりレーザ光束がわずかに収束されてビーム整形面13ａに入射する。この場合ビーム整形面13ａの傾斜方向ではビーム出射角度にθ3とθ4で示すような差が生じ、非点収差が生じる。この非点収差の方向は第３図に示した実施例とは逆方向であり、(中略)よってこの場合もビーム整形面13ａにより生じる非点収差により、半導体レーザの非点隔差ΔＺが補正される。」(第3頁左下欄17行〜同右下欄18行)
　上記(a)〜(g)の記載及び第１〜３,５,６図によれば、上記引用刊行物には、ビーム整形するアナモルフィックプリズムなどのビーム整形面に発散又は収束するレーザ光束を入射させることにより非点収差を生じさせて、半導体レーザの非点隔差を補正することが記載されており、特に上記(g)の記載及び第２図をみれば、以下の発明が記載されていることになる。
　「θ‖方向の放射角がθ⊥方向の放射角より狭いレーザ光を出射する半導体レーザ(1)と、
　前記半導体レーザ(1)から出射されたレーザ光を屈折させてわずかに収束された光束にするレンズ(18)と、
　前記レンズ(18)により、わずかに収束された光束とされたレーザ光の前記θ⊥方向を縮小し、該レーザ光の断面を真円に近付けるアナモルフィックプリズム(13)と、
　前記アナモルフィックプリズム(13)を通過したレーザ光を微小スポットへ収束させる対物レンズとからなる光学系における半導体レーザ(1)の非点隔差を補正する非点隔差補正方法。」
　
３.対比及び当審の判断
　(1)本願発明１について
　 本願発明１(前者)と引用刊行物に記載された発明(後者)とを比較すると、後者における「θ‖方向」、「θ⊥方向」、「わずかに収束された光束」、「レンズ」、「真円」、「アナモルフィックプリズム」、「対物レンズ」及び「非点隔差」は、それぞれ前者における「水平方向」、「垂直方向」、「収束傾向の略平行光」、「コリメートレンズ」、「円形」、「整形プリズム」、「集光レンズ」及び「非点収差」に相当するものであるから、両者は、
「水平方向の放射角が垂直方向の放射角より狭いレーザ光を出射する半導体レーザと、
　前記半導体レーザから出射されたレーザ光を屈折させて収束傾向の略平行光にするコリメートレンズと、
　前記コリメートレンズにより、収束傾向の略平行光とされたレーザ光の断面を円形に近付ける整形プリズムと、
　前記整形プリズムを通過したレーザ光を微小スポットへ収束させる集光レンズとからなる光学系における半導体レーザの非点収差を補正する非点収差補正方法。」
である点において一致しており、次の点において相違している。
　[相違点]
　 (i)整形プリズムが、前者においてはレーザ光の水平方向を拡大するのに対して、後者ではレーザ光の垂直方向を縮小する点。
　 (ii)前者においては、コリメートレンズの焦点距離よりも長い既知の数値によって前記コリメートレンズと半導体レーザとの間隔を決め、予めその間隔が設けられるように前記コリメートレンズに対して前記半導体レーザを設置するのに対して、後者ではこれらの構成について明らかにしていない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　[相違点(i)について]
　整形プリズムにより楕円形状のレーザ光の断面を円形に近付けるとき、レーザ光の水平方向(短径)を拡大するか又は垂直方向(長径)を縮小するかは、引用刊行物にも記載されているとおり〔上記(f),(g)及び第1〜2図参照〕通常行われていることであり、どちらを採用するかは適宜選択できる事項であるから、引用刊行物に記載された発明において整形プリズムによってレーザ光の水平方向を拡大することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　[相違点(ii)について]
　引用刊行物に記載された発明では、コリメートレンズにより半導体レーザから出射されたレーザ光を収束傾向の略平行光にして前記半導体レーザの非点収差を補正しているのであるから、前記コリメートレンズと前記半導体レーザとの間隔はコリメートレンズの焦点距離よりも長く、且つ前記半導体レーザの非点収差を補正し得る所定の距離に設定されていることが明らかである。
　そして、前記コリメートレンズの焦点距離は既知の値であり、また前記半導体レーザが均一な特性を有するように作られているのであれば、この半導体レーザの垂直方向の出射位置と水平方向の出射位置との距離も既知の値である。
　そうであれば、コリメートレンズや半導体レーザを設置するとき、コリメートレンズの焦点距離よりも長い既知の数値によってそれらの間隔を決め、予めその間隔が設けられるようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　(2)本願発明２について
　 本願発明２(前者)と引用刊行物に記載された発明(後者)とを比較すると、上記相違点(i)及び(ii)の他に、次の点においても相違する。
　[相違点]
　 (iii)コリメートレンズに対して半導体レーザを設置する設定位置が、前者においては、半導体レーザの前記水平方向の出射位置のレーザ端面からのずれである非点収差量をΔｄ、整形プリズムの拡大比をＫとしたとき、前記半導体レーザの出射面位置をコリメートレンズの焦点位置から略Δｄ／(Ｋ−１)だけ遠ざけて設定されているのに対して、後者ではどの程度に設定されているのか明らかでない点。
　そこで、上記相違点(iii)について検討する。
　半導体レーザ、コリメートレンズ、整形プリズム、及び集光レンズからなる光学系において、前記整形プリズムに収束傾向の略平行光を入射させて前記半導体レーザの非点収差を補正する場合に、前記半導体レーザの出射面位置と前記コリメートレンズの焦点位置との間隔がΔｄ／(Ｋ−１)になることは、前記光学系から当業者が当然に導き出すことができる事項である。
　してみれば、前記半導体レーザの出射面位置をコリメートレンズの焦点位置から略Δｄ／(Ｋ−１)だけ遠ざけて設定することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
４.むすび
　以上のとおりであって、本願発明１及び２は、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。