【事件の表示】
　特願２０００−３７４１３１「半導体素子の銅金属配線形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月１０日出願公開、特開２００１−２１７２０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年１２月８日（パリ条約に基づく優先権主張　１９９９年１２月２２日、大韓民国）を出願日とする特許出願であって、平成２２年１２月２０日付けの拒絶理由通知に対して平成２３年４月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２４年３月１４日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年７月２０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年１１月１９日付けで審尋がなされ、それに対する回答書は提出されなかった。
　
第２　補正の却下の決定
【結論】
　平成２４年７月２０日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１　補正の内容
　平成２４年７月２０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４６を、補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４２に補正するものであり、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜にコンタクトホール及びトレンチを形成した後、前記コンタクトホール及びトレンチを含む層間絶縁膜の表面に拡散障壁層を形成する段階と、
　反応チャンバ及びリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法により、前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅を蒸着する段階と、
　化学的機械的研磨処理して銅金属配線を形成する段階とを含み、
　前記リキッドデリバリシステムが、バブラーであり、
　前記バブラーを用いた銅蒸着条件が、
　前記バブラーのキャニスタの温度を30〜70℃の範囲内とし、
　前記バブラーのキャニスタから前記反応チャンバに至るガスライン及びソースラインの温度を前記バブラーのキャニスタの温度と同一に維持することを含む
ことを特徴とする半導体素子の銅金属配線形成方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜にコンタクトホール及びトレンチを形成した後、前記コンタクトホール及びトレンチを含む層間絶縁膜の表面に拡散障壁層を形成する段階と、
　反応チャンバ及びリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法により、前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅を蒸着する段階と、
　化学的機械的研磨処理して銅金属配線を形成する段階とを含み、
　前記リキッドデリバリシステムが、バブラーであり、
　前記バブラーを用いた銅蒸着条件が、
　前記バブラーのキャニスタの温度を30〜70℃の範囲内とし、
　前記バブラーのキャニスタから前記反応チャンバに至るガスライン及びソースラインの温度を前記バブラーのキャニスタの温度と同一に維持させ、
　前記反応チャンバのシャワーヘッドと前記反応チャンバのサセプタプレートとの間隔を1〜50mmの範囲内とすることを特徴とする半導体素子の銅金属配線形成方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１、１２、２４、３５の「することを含むことを特徴とする半導体素子の銅金属配線形成方法。」を、「させ、　前記反応チャンバのシャワーヘッドと前記反応チャンバのサセプタプレートとの間隔を1〜50mmの範囲内とすることを特徴とする半導体素子の銅金属配線形成方法。」と補正して、各々補正後の請求項１、１１、２２、３２とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項２４の「前記ベイパライザから前記反応チャンバに至るガスライン及びソースラインの温度を前記ベイパライザの熱交換器の温度と同一温度〜20℃高い温度の範囲に維持」を、「前記ベイパライザから前記反応チャンバに至るガスライン及びソースラインの温度を前記ベイパライザの熱交換器の温度と同一温度或いは5〜20℃高い温度の範囲に維持」と補正して、補正後の請求項２２とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項８、１９、３１、４２を削除するとともに、当該削除に伴って補正前の請求項の番号及び引用する請求項の番号を補正すること。
　
３　新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面を「当初明細書等」という。）の００３５段落、００３７段落、００３９段落、及び００４１段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１、１２に記載されていた発明特定事項である「反応チャンバ及びリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法により、前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅を蒸着する段階」、
補正前の請求項２４、３５に記載されていた発明特定事項である「反応チャンバ及びリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法により、前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅層を形成する段階」について、「前記反応チャンバのシャワーヘッドと前記反応チャンバのサセプタプレートとの間隔を1〜50mmの範囲内」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により補正された部分は、当初明細書の００３９段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２は、補正前の請求項２４に記載されていた発明特定事項である「前記ベイパライザから前記反応チャンバに至るガスライン及びソースラインの温度」について、「前記ベイパライザの熱交換器の温度と同一温度〜20℃高い温度の範囲に維持」から「前記ベイパライザの熱交換器の温度と同一温度或いは5〜20℃高い温度の範囲に維持」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（４）新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討のまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について、以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜にコンタクトホール及びトレンチを形成した後、前記コンタクトホール及びトレンチを含む層間絶縁膜の表面に拡散障壁層を形成する段階と、
　反応チャンバ及びリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法により、前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅を蒸着する段階と、
　化学的機械的研磨処理して銅金属配線を形成する段階とを含み、
　前記リキッドデリバリシステムが、バブラーであり、
　前記バブラーを用いた銅蒸着条件が、
　前記バブラーのキャニスタの温度を30〜70℃の範囲内とし、
　前記バブラーのキャニスタから前記反応チャンバに至るガスライン及びソースラインの温度を前記バブラーのキャニスタの温度と同一に維持させ、
　前記反応チャンバのシャワーヘッドと前記反応チャンバのサセプタプレートとの間隔を1〜50mmの範囲内とすることを特徴とする半導体素子の銅金属配線形成方法。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
　ア　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１１−３３０２４４号公報（以下「引用例１」という。）には、図１及び１１〜１６とともに次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。）。
　
　（ア）「【００１０】
【実施例】
本発明は、集積回路（ＩＣ）内のデバイスを相互接続する導体に関する
【００１１】より特定すれば、本発明は一般的には集積回路（ＩＣ）の製造における相互接続を形成するために用いられるダマシン構造に関する。そのようなダマシン構造は、単独層ダマシン構造、多層ダマシン構造およびスロット化されたダマシン構造を含んでいる。単独層ダマシン構造においては、単に１つの単独金属ラインだけが形成（ビアなし）されている。多層ダマシン構造では、ラインおよび／またはビアの組み合わせが使用されており、スロット化されたダマシン構造では、ダマシン構造のビアレベルが導電性ワイヤとして用いられている。」
　
　（イ）「【００１２】
図１を参照すると、集積回路構造の断面図が示されている。示されているように、この構造はシリコンウェファのような基板を含んでいる。ガリウム砒素、ゲルマニウム、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）または他の半導体材料のような他の半導体基板もまた有用である
【００１３】
この基板は、基板内に、および／または基板上に形成された（詳細には示されていない）フィーチャーを含んでいる。このフィーチャーはＩＣを形成するデバイスに相当している
デバイス層は、高度にドープされたシリコン、ポリシリコン層、または例えばトランジスタのソースまたはドレイン領域のような何らかの型式の能動デバイスの一部である
　
　（ウ）「【００３６】
図１１以下を参照すると、絶縁層２３０が基板２０１を覆うように形成され、デバイスフィーチャー及びデバイス層２２０を覆っている
絶縁層は例えば、デバイスフィーチャーを導電層から絶縁する中間レベル誘電体として働いている
【００３７】
絶縁層はパターン化されて、その中にデュアル・ダマシン構造２４５を提供する
デュアル・ダマシン構造はトレンチ部分２４２とビア部分２４４とを含んでいる
【００３８】
図１２を参照すると、ライナ２３７が、誘電層の表面、及びダマシン構造のトレンチ及びビア部分を下張りして、絶縁層２３０を覆うようにデポジットされている
【００３９】
１つの実施例においては、ライナは例えば、結果的にライナが拡張された結晶粒配向ランダムさ及び／又はアモルフォス特性を有するような処理条件の下でのＣＶＤ又はＰＶＤによってデポジットされたＴｉＮを含んでいる
【００４０】
導電層２５８は、下張り層２３７が形成された後、例えばＣＶＤ
によってデポジットされる
導電層は、例えば
Ｃｕ
を含んでいる
導電材料がダマシン構造を満たすのを確実にするため、標準的にはオーバーフィルが利用される
【００４１】
図１３に示されるように、ライナ２３７及び導体２５８からの過剰な材料は次に、磨かれ、平坦表面２３１を提供する。磨きは、誘電層２３０をポリッシュストップとして利用して、例えば化学機械ポリッシュ（ＣＭＰ）によって実行される。ライナ及び導体材料は誘電層の表面から除去され、平坦表面２３１及び、その内壁を内張りするライナ２３７を有するダマシン構造を出現させる
【００４２】図１４を参照すると、ダマシン構造の表面がエッチされ、表面２３１より下の導電材料とライナにくぼみが付けられる。このくぼみは、領域２５５を提供する。この領域の中にライナ材料が提供されて、デュアル・ダマシン構造が本発明によるライナで封入される。標準的には、このくぼみはライナ２３７の厚さにおおよそ等しい。磨き効率に依存して、このくぼみは、引き続く磨きステップによる材料除去による付加的深さを含むことができる。
【００４３】図１５に示されているように、ライナ層２３９は表面２３１上にデポジットされて、くぼみを満たす。図１６を参照すると、ライナ２３９はＣＭＰによって磨かれ、結果としてデュアル・ダマシン構造２６０はライナ２６２と、そしてさらなる処理のための平坦表面２５１とによって封入される。ライナによってデュアル・ダマシン構造を封入することによって、導体材料がランダム結晶粒配向を有するようにされ、改善された信頼性が達成される。」
　
　イ　以上を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「デバイスが形成された半導体基板２０１を覆うように、デバイスを導電層から絶縁するための絶縁層２３０が形成され、
　絶縁層２３０がパターン化されて、絶縁層内にトレンチ部分２４２とビア部分２４４とを含むデュアル・ダマシン構造２４５が形成され、
　ＴｉＮからなるライナ２３７が、絶縁層２３０の表面、及びダマシン構造２４５のトレンチ部分２４２及びビア部分２４４を下張りして、絶縁層２３０を覆うように堆積される段階と、
　ライナ２３７が形成された後、Ｃｕからなる導電層２５８が、ダマシン構造２４５を満たすようにＣＶＤによって堆積される段階と、
　化学機械ポリッシュ（ＣＭＰ）によって過剰な材料が研磨されて、ダマシン構造２４５にライナ２３７とＣｕからなる導電層２５８が埋め込まれた構造を得る段階とを含む集積回路内のデバイスを相互接続する導体の形成方法。」
　
　ウ　本願の優先権主張の日前の１９９９年８月１５日に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である Sang-Woo Kang, Sang-Ho Han, Shi-Woo Rhee，(hfac)Cu(I)(MP) (hfac=hexafluoroacetylacetonate, MP=4-methyl-1-pentene) and (hfac)Cu(I)(DMB) (DMB=3,3-dimethyl-1-butene) for the chemical vapor deposition of copper film，Thin Solid Films，Volume 350, Issues 1-2，Pages 10-13 （以下「引用例２」という。）には、図１〜２とともに次の記載がある。
　
　（ア）「Abstract
　
New organometallic precursors for the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) of copper
(hfac)Cu(I)(DMB) (DMB=3,3-dimethyl-1-butene) were studied
Copper films could be deposited at the precursor vaporization temperature of 45 and 35℃
The deposition rate was about four to seven times higher than previously reported precursors
　（当審訳：要約
　
銅の有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）のための新しい有機金属の前駆体である
(hfac)Cu(I)(DMB)（DMB=3,3-ジメチル-1-ブテン）が検討された。銅薄膜は45と35℃の前駆体気化温度で堆積することができた。その堆積速度は、
従来報告された前駆体よりも約４〜７倍高かった
　
　（イ）「1. Introduction
　
Copper is an important material in the advanced metallization for ultralarge-scale integrated (ULSI) circuits due to its lower electrical resistivity (1.67 μΩ cm for Cu, vs. 2.7 μΩ cm for Al), higher electomigration resistance (up to 4 orders of magnitude greater than Al) and higher resistance to stress-induced deformation
　In considering methods to deposit copper, chemical vapor deposition (CVD) processes have several advantages such as the ability to achieve conformal coverage and the possibility of selective deposition. Currently, a challenging issue is to develop MOCVD precursors of deposing a high-purity metal film at low temperature and a high deposition rate. It is also important to understand the effect of the difference in molecular structure on the property of the copper precursor. The molecular structure of Cu(I) precursor is (β-diketonate)Cu(I)-L (L=Lewis base ligand or neutral ligand). The nature of the neutral ligand L is known to affect the precursor properties and the properties of the copper thin film derived from MOCVD [1-3] and the effect of the neutral ligand on the Cu(I) precursor has been rarely reported.
　
In this study, new liquid precursors for the deposition of copper films
(hfac)Cu(I)(DMB) (DMB=3,3-dimethyl-1-butene) were studied
　（当審訳：１．はじめに
　
銅は、その低い電気抵抗率（Ｃｕは1.67μΩcmに対して、Ａｌは2.7μΩcm）、高いエレクトロマイグレーション耐性（Ａｌよりも最大４桁大きい）、ストレス誘発性変形耐性ゆえに、超大規模集積回路（ULSI）のための高度な金属被覆における重要な材料である
　銅の堆積方法の検討に際し、化学気相成長(CVD)プロセスは、コンフォーマルのカバレージを達成する能力、及び選択的な堆積の可能性のようないくつかの利点がある。現在、取り組むべき課題は、低温および高い堆積付着速度で高純度金属薄膜を堆積させるMOCVD前駆体を開発することである。銅前駆体の特性上の分子構造の違いによる影響を理解することも重要である。１価の銅前駆体の分子構造は、（β-ジケトネート）Cu(I)-L（L=ルイス塩基配位子、又は中性配位子)である。中性配位子Lの性質は、前駆体の特性、及びMOCVDによる銅薄膜の特性に影響を与えることが知られているが[1-3]、１価の銅前駆体における中性配位子の影響は、ほとんど報告されていない。
　
この研究では、銅薄膜堆積用の新しい液体前駆体である
(hfac)Cu(I)(DMB)（DMB=3,3-ジメチル-1-ブテン）が検討された
　
　（ウ）「2. Materials and methods
　New liquid precursors, (hfac)Cu(I)(MP) and (hfac)Cu(I)(DMB) were supplied by Nano-Tera Materials, Inc. 
MOCVD was carried out in a system consisting of a cold wall stainless-steel reactor with downward vertical flow arrangement
The precursor was evaporated from a stainless steel bubbler maintained at appropriate temperature (45 and 35℃) and carried to the reactor by Ar carrier gas at a rate of 50 sccm
　（当審訳：２．材料及び方法
　新しい液体前駆体である(hfac)Cu(I)(MP)と(hfac)Cu(I)(DMB)は、ナノ−テラマテリアルズ社によって供給された。
MOCVDは、ダウンフロー型のコールドウォール・ステンレススチール反応炉から成るシステムで行われた
前駆体は、適切な温度(45と35℃)に維持されたステンレススチールのバブラーから蒸発させられ、50 sccmの速さでArキャリヤーガスによって反応炉に導かれた
　
　（エ）「3. Results and discussion
　Cu film was deposited on TiN at various temperatures and the deposition rate was measured as a function of the deposition temperature. Arrhenius plot of the deposition rates from the two precursors along with others to compare is shown in Fig. 2. 
The deposition rate of copper film
from (hfac)Cu(I)(DMB) is about seven times higher at the same precursor vaporization temperature at 45℃
　（当審訳：３．結果及び考察
　銅薄膜は、様々な温度でTiN上に堆積させ、堆積速度は、堆積温度の関数として測定された。２種の前駆体での堆積速度のアレニウス・プロットが、比較のために他の結果と一緒に図２に示される。
４５℃の同じ前駆体気化温度において、
従来報告された前駆体よりも
(hfac)Cu(I)(DMB)での堆積速度は約７倍高かった
　
（３）補正発明と引用発明との対比
　ア　引用発明の「デバイスが形成された半導体基板２０１」、「デバイスを導電層から絶縁するための絶縁層２３０」、「ビア部分２４４」、「トレンチ部分２４２」は、各々補正発明の「半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板」、「層間絶縁膜」、「コンタクトホール」、「トレンチ」に相当する。
　また、ＴｉＮが、Ｃｕの拡散の障壁として機能することは、当業者における技術常識であるから、引用発明の「ＴｉＮからなるライナ２３７」は、補正発明の「拡散障壁層」に相当する。
　したがって、引用発明の「デバイスが形成された半導体基板２０１を覆うように、デバイスを導電層から絶縁するための絶縁層２３０が形成され、　絶縁層２３０がパターン化されて、絶縁層内にトレンチ部分２４２とビア部分２４４とを含むデュアル・ダマシン構造２４５が形成され、　ＴｉＮからなるライナ２３７が、絶縁層２３０の表面、及びダマシン構造２４５のトレンチ部分２４２及びビア部分２４４を下張りして、絶縁層２３０を覆うように堆積される段階」は、補正発明の「半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜にコンタクトホール及びトレンチを形成した後、前記コンタクトホール及びトレンチを含む層間絶縁膜の表面に拡散障壁層を形成する段階」に相当する。
　
　イ　引用発明の「ＣＶＤ」、「Ｃｕ」は、各々補正発明の「化学気相蒸着法」、「銅」に相当する。
　したがって、引用発明の「ライナ２３７が形成された後、Ｃｕからなる導電層２５８が、ダマシン構造２４５を満たすようにＣＶＤによって堆積される段階」と、補正発明の「反応チャンバ及びリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法により、前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅を蒸着する段階」とは、「化学気相蒸着法により、前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅を蒸着する段階」である点で共通する。
　
　ウ　引用発明の「化学機械ポリッシュ（ＣＭＰ）」は、補正発明の「化学的機械的研磨処理」に相当する。
　また、引用発明の「ダマシン構造２４５にライナ２３７とＣｕからなる導電層２５８が埋め込まれた構造」による「集積回路内のデバイスを相互接続する導体」は、補正発明の「半導体素子の銅金属配線」に相当する。
　したがって、引用発明の「化学機械ポリッシュ（ＣＭＰ）によって過剰な材料が研磨されて、ダマシン構造２４５にライナ２３７とＣｕからなる導電層２５８が埋め込まれた構造を得る段階とを含む集積回路内のデバイスを相互接続する導体の形成方法」は、補正発明の「化学的機械的研磨処理して銅金属配線を形成する段階とを含」む「半導体素子の銅金属配線形成方法」に相当する。
　
　エ　したがって、補正発明と引用発明とは、
　「半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜にコンタクトホール及びトレンチを形成した後、前記コンタクトホール及びトレンチを含む層間絶縁膜の表面に拡散障壁層を形成する段階と、
　化学気相蒸着法により、前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅を蒸着する段階と、
　化学的機械的研磨処理して銅金属配線を形成する段階とを含む半導体素子の銅金属配線形成方法。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　「前記コンタクトホール及びトレンチが埋め込まれるように銅を蒸着する段階」の「化学気相蒸着法」について、補正発明は、「反応チャンバ及びリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法」と特定され、さらに、
「前記リキッドデリバリシステムが、バブラーであり、
　前記バブラーを用いた銅蒸着条件が、
　前記バブラーのキャニスタの温度を30〜70℃の範囲内とし、
　前記バブラーのキャニスタから前記反応チャンバに至るガスライン及びソースラインの温度を前記バブラーのキャニスタの温度と同一に維持させ、
　前記反応チャンバのシャワーヘッドと前記反応チャンバのサセプタプレートとの間隔を1〜50mmの範囲内とする」と特定されているのに対し、引用発明は、そのような特定がなされていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
　ア　引用例２には、上記（２）ウに摘記したように、銅薄膜を、液体前駆体として(hfac)Cu(I)(DMB)を用いた有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）により形成すること、このＭＯＣＶＤは、ダウンフロー型の反応炉から成るシステムで行われたこと、前駆体(hfac)Cu(I)(DMB)は、適切な温度(４５℃)に維持されたステンレススチールのバブラーで蒸発させられ、キャリヤーガスによって反応炉に導かれたこと、４５℃の前駆体気化温度において、(hfac)Cu(I)(DMB)での堆積速度は、従来報告された前駆体よりも約７倍高かったこと、がそれぞれ記載され、超大規模集積回路（ULSI）の金属被覆工程への適用が示唆されている。
　ここで、引用例２に記載された「バブラー」は、反応炉に前駆体を供給するために、液体前駆体を蒸発させるものであるから、補正発明の「リキッドデリバリシステム」に相当し、引用例２記載された「反応炉」及び「バブラー」を有する「銅薄膜」の「ＭＯＣＶＤ」を行うための装置は、補正発明の「反応チャンバ及びリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置」に相当する。また、引用例２に記載された「適切な温度(４５℃)に維持されたステンレススチールのバブラー」にキャニスタ（容器）があることは技術常識であり、そのキャニスタの温度が４５℃であることは自明である。
　すなわち、引用例２には、超大規模集積回路（ULSI）の金属被覆工程に適用できる銅薄膜形成技術であって、反応チャンバ、及びバブラーからなるリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法に関する技術が示され、さらに、銅蒸着条件として、バブラーのキャニスタの温度を４５℃とする技術が示されていると言える。
　
　イ　また、一般に、バブラーを用いたリキッドデリバリシステムにおいて、バブラーのキャニスタ（容器）から反応チャンバに至るガスライン乃至ソースラインにおける前駆体の凝縮、分解を防ぐために、ガスライン乃至ソースラインの温度をバブラーのキャニスタの温度と同一に維持することは、下記周知例１及び２に記載されているように、当業者における周知技術である。
　
　ウ　そして、補正発明の「前記反応チャンバのシャワーヘッドと前記反応チャンバのサセプタプレートとの間隔を1〜50mmの範囲内とする」ことは、本願明細書の００３５段落を根拠にするものと認められるが、００３５段落には「シャワーヘッド８０とサセプタプレート９０との間隔は、1〜50mmとする。」と記載されているのみであって、本願明細書には、他の間隔との比較等は何ら示されておらず、「1〜50mm」という範囲に臨界的意義があるとは認められない。
　一方、ダウンフロー型のＣＶＤ装置に、シャワーヘッドとサセプタプレートを備えることは、下記周知例３及び４に記載されているように、通常のことであって、シャワーヘッドとサセプタプレートとの間隔として、「1〜50mm」に包含される１０〜２０ｍｍや０．２５インチ（６．３５ｍｍ）〜０．５インチ（１２．７ｍｍ）は、下記周知例３及び４に記載されているように、通常用いられている値である。
　
　エ　そうすると、引用発明の「ライナ２３７が形成された後、Ｃｕからなる導電層２５８が、ダマシン構造２４５を満たすようにＣＶＤによって堆積される段階」における「ＣＶＤ」について、引用例２の記載に基づいて、反応チャンバ、及びバブラーからなるリキッドデリバリシステムを有する銅蒸着装置において、(hfac)Cu(DMB)を銅前駆体として用いる有機金属化学気相蒸着法とし、銅蒸着条件が、バブラーのキャニスタの温度を４５℃とするとともに、周知技術を考慮して、バブラーのキャニスタから反応チャンバに至るガスライン乃至ソースラインの温度をバブラーのキャニスタの温度と同一に維持させることで、ガスライン乃至ソースラインにおける前駆体の凝縮、分解を防ぐものとし、また、反応チャンバのシャワーヘッドとサセプタプレートとの間隔を例えば１０〜２０ｍｍ程度とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、引用発明において、引用例２の記載、及び周知技術に基づいて、相違点に係る構成を備えるようにすることは、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
　（ア）周知例１：特開平２−１９０４７３号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例１には、第１図とともに次の記載がある。
　
　「・・（略）・・反応容器の外で常温で固相の原料をバブラーに入れ、加熱により液相に融解し、液相の該原料に対するキャリヤガスのバブリングにより気相の原料ガスを得、該原料ガスを配管及び弁を経て反応容器に供給する構造のプラズマＣＶＤ用原料ガス供給装置が検討されている。この場合、
配管を経ての原料ガスの供給中に該配管の温度が低いと、原料ガスが該配管の内面に析出し、これが不純物の原因となる
［発明が解決しようとする課題］
　しかしながら、ヒータを巻き付けての加熱では、配管及び弁を均一に加熱することが難しく、いずれかの部分に温度が低い箇所が生ずると、そこに原料ガスの析出が生ずる問題点があった。
　本発明の目的は、配管及び弁を均一に加熱することができるプラズマＣＶＤ用原料ガス供給装置を提供する。
［課題を解決するための手段］
　上記の目的を達成するための本発明の構成を説明すると、
本発明は常温で固相の原料をバブラー内で液相に融解し、液相の前記原料に対するキャリヤガスのバブリングにより気相の原料ガスを得、該原料ガスを配管及び弁を介してプラズマＣＶＤ用反応容器内に供給するプラズマＣＶＤ用原料ガス供給装置において、前記バブラー、前記配管及び前記弁が恒温槽内に収容されている
［作用］
　このようにバブラー、配管及び弁を恒温槽内に収容すると、配管や弁を容易に均一に加熱できる。
［実施例］
　・・（略）・・
　このような
作業中、バブラー１０
第１〜第３キャリヤガス配管１５〜１７、バブリング用キャリヤガス配管１３、外部原料ガス配管１１
は恒温槽２２内で均一に加熱されている
　
従って、これらの各部に対する原料ガスの析出は生じない。また恒温槽２２と反応容器１との間の短い外部原料ガス配管１１の部分、及び反応容器１内の内部原料ガス配管８も、恒温槽２２内と同じ温度にヒータ２３、９で加熱されている
　
　（イ）周知例２：特開平３−３９４７６号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には、図とともに次の記載がある。
　
　「（従来の技術）
　従来、化合物半導体やセラミック高温超伝導体の薄膜を成長させるＣＶＤ装置では、
凝縮性の成膜ガスを使用することがあり、この場合、該ＣＶＤ装置の成膜用反応管へ成膜ガスを送るガス導入管、制御用のバルブ及び成膜ガスを発生させるバブラーのガス導入装置を線ヒータなどで加熱し、成膜ガスがガス導入管内で凝縮したり或いは凝縮によってガス導入管が詰まることを防止している
（発明が解決しようとする課題）
　前記のように、線ヒータなどをガス導入管やバルブに巻き付けて加熱するように構成したものは、均一に加熱することができず、部分的に温度の高いところと低いところとが発生し、温度の低いところに成膜ガスが凝縮してガス導入管の詰まりを起こす欠点があった。
また成膜ガスの種類によっては、温度を高くしすぎると分解を起こすものがあり、この場合、分解が生ずると望む膜質が得られなくなる
　「（実施例）
　本発明の実施例を別紙図面に基づき説明するに、図面に於いて符号(1)はＣＶＤ装置の成膜用反応管、(2)は該成膜用反応管(1)へ成膜ガスを導入するガス導入装置を示す。該ガス導入装置(2)は、Cu(DPM)2その他の原料物質のガスを発生させるバブラー(3)と、該バブラー(3)で発生したガス（蒸気）を制御用の空気圧作動型のバルブ(4a)や手動型のバルブ(4b)等のバルブ(4)を介在した導入ガス管(5)とで構成され、これらの構成部品はオーブン(6)内に収められて恒温状態に加熱される。
　
該ガス導入装置(2)は、原料物質が１種類の場合、１個のバブラー(3)が設けられるが、この場合バルブ(4)及び導入ガス管(5)と共に１つのオーブン(6)に収め、該オーブン(6)の温度と該バブラー(3)内の物質のガスを発生させるに適した温度に制御する。これによって、ガス導入装置(2)の全体をガスが凝縮或いは分解しない恒温状態に維持され、良好なＣＶＤ処理を行える
　
　（ウ）周知例３：特開平９−１８６１１１号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例３には、図２とともに次の記載がある。
　
　「【００１６】本発明に係る成膜処理装置３８、４０は、ウエハ表面に金属薄膜、例えばアルミニウム膜を熱ＣＶＤにより成膜する装置であり、図２及び図３に基づいてこの成膜処理装置３８、４０について説明する。・・（略）・・
【００１７】この
処理容器５６内には、例えばアルミナ製の円板状の載置台６８が設けられ
【００１８】・・（略）・・
【００１９】また、
処理容器５６の天井部には、シャワーヘッド９６が一体的に設けられた天井板９８がＯリング等のシール部材１００を介して気密に取り付けられており、上記シャワーヘッド９６は載置台６８の上面の略全面を覆うように対向させて設けられ、載置台６８との間に処理空間Ｓを形成している。このシャワーヘッド９６は処理容器５６内に処理ガスをシャワー状に導入するもの
【００２０】・・（略）・・尚、この
シャワーヘッド９８と載置台６８との間の距離Ｌは略１０〜２０ｍｍ程度に設定されている
　
　（エ）周知例４：特開平８−２５５７６０号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例４には、図２とともに次の記載がある。
　
　「【００１７】
【発明の実施の形態】本発明は、典型的な単一ウエハ、ＣＶＤ、半導体ウエハ処理リアクタに至って断面図である図２について一般的に図示されている。図示されているように、
リアクタ２０は、内部にサセプタ２６が配置されている処理チャンバ２４を画成するハウジング２２を含んでいる
サセプタは、その上面で半導体ウエハ２８をシャワーヘッド３０の下で支持し、シャワーヘッド３０は密接に間隔を開けて配置された孔の平面配列を有し、そこを通じて金属原子を含むガスがチャンバ２４の中に放射され、ウエハ２８上に堆積される
【００３０】サセプタ２６が上方に移動し続けるにつれて、それはシールドリング４０を僅かにポンププレート４２から上に持ち上げ、シールドリング４０とポンププレート４２間に曲がりくねった領域５８を形成する。
ウエハが、シャワーヘッド３０からおよそ０. ２５０インチから０. ５００インチ（６. ３５から１２. ７ｍｍ）にあるときの位置で、サセプタ２６は停止し、処理が始められる
　
　オ　相違点についての判断のまとめ
　補正発明と引用発明との相違点についての判断は以上のとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、周知技術を勘案することにより引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に違反する。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成２４年７月２０日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４６に係る発明は、平成２３年４月４日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２　１の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１１−３３０２４４号公報（引用例１）には、上記第２　４（２）ア〜イに記載したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められ、本願の優先権主張の日前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である Sang-Woo Kang, Sang-Ho Han, Shi-Woo Rhee，(hfac)Cu(I)(MP) (hfac=hexafluoroacetylacetonate, MP=4-methyl-1-pentene) and (hfac)Cu(I)(DMB) (DMB=3,3-dimethyl-1-butene) for the chemical vapor deposition of copper film，Thin Solid Films，Volume 350, Issues 1-2，Pages 10-13 （引用例２）には、上記第２　４（２）ウに記載したとおりの事項が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２　４において検討したとおり、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。