【事件の表示】
　平成　３年特許願第　４３８１６号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１０月　６日出願公開、特開平　４−２８１２９２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年３月８日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、平成１１年９月２２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認める。
「リセット期間にゲートが所定の電位に維持されるプリチャージ用Ｎチャネルトランジスタと、前記プリチャージ用Ｎチャネルトランジスタを介して高電位電源に導通される信号線と、前記信号線に接続され、入力信号が供給される信号入力部と、前記信号線に接続されるＮチャネルトランスファゲートトランジスタと、前記リセット期間に高電位電源と該Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのドレインとを導通させるプリチャージ用Ｐチャネルトランジスタとを有し、前記入力信号を前記Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのドレインを経由して出力する信号出力部とを備えた半導体装置において、前記Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのスレッシュホールド電圧を前記プリチャージ用Ｎチャネルトランジスタのスレッシュホールド電圧よりも高くして、前記入力信号に基づいて前記信号線が低電位に設定されない場合に該Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのドレインの電位を高電位に維持することにより、該Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのドレインと前記信号線との間に必要な電位差を確保して該Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタの誤導通を防止することを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由で引用された特開昭６２−２３１４９７号公報（以下「引用例」という）には、「高電位の電源ＶＤＤとノード１４（第１のノード、ビット線）との間には、プリチャージ制御信号φＰに基づいてこのノード１４をプリチャージするための負荷回路１５が挿入されている」（公報第４頁右上欄第１１行乃至第１４行）、「ある時刻に信号φＰが“１”レベルに立ち上がると、負荷回路１５内においてＮチャネルＭＯＳトランジスタ１６及びＰチャネルＭＯＳトランジスタ１７が共に導通してノード１４がＶＤＤレベルにプリチャージされる」（公報第４頁左下欄第１８行乃至同頁右下欄第２行）、「次に、信号φＰが“０”レベルに下がり、プリチャージ期間が終了すると、負荷回路１５によるノード１４のプリチャージ動作が終了する」（公報第５頁左上欄第１３行乃至第１５行）、「チャージシェア補償回路は、電源ＶＤＤとノード１１との間にソース、ドレイン間が挿入され、ゲートに上記プリチャージ制御信号φＰが供給されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ３１と、ノード１１と１４との間にソース、ドレイン間が挿入されゲートに上記カラム選択信号Ｃｊが供給されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２とで構成されている。そして、トランジスタ３１の閾値電圧がトランジスタ３２のそれよりも小さく設定される」（公報第６頁左下欄第１７行乃至同頁右下欄第６行）、「この選択された直列回路１０内の全てのメモリセル用ＭＯＳトランジスタ１３のうち活性化されているワード線信号Ｒｋが供給されるメモリセル用ＭＯＳトランジスタ１３がデプレッション型のものであれば、このデプレッション型ＭＯＳトランジスタは導通しているので、ノード１１及び１４がこの直列回路１０を介して放電され、出力データｏｕｔが“０”レベルに低下する。他方、選択された直列回路１０内のうち活性化されているワード線信号Ｒｋが供給されるメモリセル用ＭＯＳトランジスタ１３がエンハンスメント型のものであれば、このエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタは非道通となり、ノード１１及び１４はこの直列回路１０を介して放電されず、出力データｏｕｔは“１”レベルのままとなる」（公報第５頁左上欄第２０行乃至同頁右上欄第１４行）、ことが記載されている。
　よって引用例には、ノード１１と１４間にＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２のソース、ドレイン間が挿入され、プリチャージ期間にはプリチャージ制御信号φＰが立ち上がり電源ＶＤＤに接続されたチャージシェア補償回路内のＮチャネルＭＯＳトランジスタ３１及び負荷回路内のＰチャネルＭＯＳトランジスタがそれぞれ導通してノード１１及び１４をプリチャージし、その後、ワード線信号Ｒｋが直列回路内のメモリセル用ＭＯＳトランジスタ１３に供給され、前記メモリセル用ＭＯＳトランジスタ１３がデプレッション型であれば、ノード１１及び１４がこの直列回路１０を介して放電し、出力データｏｕｔが“０”レベルとなり、メモリセル用ＭＯＳトランジスタ１３がエンハンスメント型であれば、ノード１１及び１４はこの直列回路１０を介して放電されず、出力データｏｕｔは“１”レベルを維持する半導体装置において、トランジスタ３１の閾値電圧がトランジスタ３２の閾値電圧より小さく設定することが記載されているものと認められる。
　
３．対比
　そこで本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例記載の発明の「プリチャージ期間」、「ＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２」、「ノード１１」、「電源ＶＤＤ」、「ＮチャネルＭＯＳトランジスタ３１」、「ＰチャネルＭＯＳトランジスタ」、「ワード線信号Ｒｋ」、「“０”レベル」、「“１”レベルを維持する」、「閾値電圧」、「直列回路」は、それぞれ本願発明の「リセット期間」、「Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタ」、「信号線」、「高電位電源」、「プリチャージ用Ｎチャネルトランジスタ」、「プリチャージ用Ｐチャネルトランジスタ」、「入力信号」、「低電位」、「高電位に維持する」、「スレッシュホールド電圧」、「信号入力部」に相当する。また引用例では、ノード１４にＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２のドレインが接続されているものと認められ、さらにノード１４の電位が出力データｏｕｔとして出力されることからノード１４の出力側が半導体装置の出力部に相当すると認められる。
　よって両者は、
「リセット期間にゲートが所定の電位に維持されるプリチャージ用Ｎチャネルトランジスタと、前記プリチャージ用Ｎチャネルトランジスタを介して高電位電源に導通される信号線と、前記信号線に接続され、入力信号が供給される信号入力部と、前記信号線に接続されるＮチャネルトランスファゲートトランジスタと、前記リセット期間に高電位電源と該Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのドレインとを導通させるプリチャージ用Ｐチャネルトランジスタとを有し、前記入力信号を前記Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのドレインを経由して出力する信号出力部とを備えた半導体装置において、前記Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのスレッシュホールド電圧を前記プリチャージ用Ｎチャネルトランジスタのスレッシュホールド電圧よりも高くして、前記入力信号に基づいて前記信号線が低電位に設定されない場合に該Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのドレインの電位を高電位に維持する半導体装置」
である点で一致し、
　本願発明は、「Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタのドレインと前記信号線との間に必要な電位差を確保して該Ｎチャネルトランスファゲートトランジスタの誤導通を防止する」ものであるのに対し、引用例ではこの点が明らかでない点で相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　「電源電圧が、瞬間的であれ定格電圧範囲より上昇する場合には、ゲート電圧が上昇してトランスファゲートトランジスタＱ２が導通し、中間ノードａの電位が低下する」（段落番号１１）の記載からみて、本願発明の誤導通の原因は、トランスファゲートトランジスタＱ２のゲート電圧が電源電圧変動により上昇することであり、その結果、トランスファゲートトランジスタＱ２が導通して中間ノードａの電位が信号線の電位まで低下してしまう。本願発明は、この誤導通を防止するためにトランスファゲートトランジスタＱ２のスレッショルホールド電圧をプリチャージ用Ｎチャネルトランジスタのスレッシュホールド電圧よりも高くすることにより、電源電圧変動が生じてゲート電圧が上昇しても、スレッシュホールド電圧を高くしただけトランスファゲートトランジスタＱ２の誤導通を防止させるものである。
　ところで１チップ構成の半導体装置では、高集積化にともない電源電圧が変動することは一般に知られている。そして引用例のＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２の構成をみると、ゲートにはカラム選択信号Ｃｊが入力されている。このカラム選択信号は一般にアドレス信号を所定の論理回路に入力して作成されるものなので、電源電圧で駆動される論理回路の出力即ちカラム選択信号Ｃｊは、電源電圧の変動の影響を本願発明と同様に受けることになる。
　引用例にはＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２の誤導通を防止する点については記載されていないが、上記のようにＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２のゲートに入力されるカラム選択信号Ｃｊは、本願発明と同様に電源電圧の変動の影響を受けるものである。そしてカラム選択信号Ｃｊが電源電圧の変動により上昇した場合には、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２のスレッショルホールド電圧がＮチャネルＭＯＳトランジスタ３１のスレッショルホールド電圧より高く設定されているので、その高く設定された電圧分だけＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２は導通しにくくなっているものである。即ち引用例記載の発明の構成においても、電源電圧の変動によるＮチャネルＭＯＳトランジスタ３２の誤導通を防止できるものと認められるので、上記相違点に格別の差違があるとは認められない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。