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　特願２００７−５００８９４「フォトアニール時に温度を均一化させるためのシリコン層」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　９日国際公開，ＷＯ２００５／０８３３４１，平成１９年　９月　６日国内公表，特表２００７−５２５８４４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年２月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年２月２６日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２２年１０月２２日付けで拒絶の理由が通知され，平成２３年２月２５日に意見書と手続補正書が提出され，同年１０月２６日付けで最後の拒絶の理由が通知され，平成２４年４月２日に意見書と手続補正書が提出されたが，前記平成２４年４月２日に提出された手続補正書でした補正は，同年７月２７日付けで却下されるとともに，同日付けで拒絶査定がなされた。
　その後，同年１１月３０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２５年３月１９日付けで審尋を行い，同年６月７日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１１月３０日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２４年１１月３０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−２６を補正して，補正後の請求項１−２６とするとともに，明細書を補正するものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　上面と，内部に形成されたプロセス領域と，を有するシリコンウェハであって，前記シリコンウェハの前記上面は不均一な反射率を示し，前記シリコンウェハの前記プロセス領域は，アニール放射線に直接照射された場合，前記上面が不均一な反射率有するために，不均一に過熱されやすい，前記シリコンウェハをアニールするための方法であって，
　アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に形成し，前記プロセス領域を被覆し，前記プロセス領域を前記アニール放射線の前記シリコン層への入射角から見えないようにする工程（ａ）と，
　前記シリコン層によって吸収される波長を有する１又は複数のパルスのアニール放射線を前記シリコン層に照射する工程（ｂ）と，
　を含み，
　前記１又は複数のパルスのそれぞれが，前記シリコンウェハの前記上面の温度を，前記シリコンウェハにクラックを発生させずに，前記シリコン層からの熱拡散により，前記シリコンウェハに形成された前記プロセス領域を活性化させる均一な臨界温度に上昇させるために十分なエネルギーを有する方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　上面と，内部に形成された１つ又は複数のプロセス領域と，を有するシリコンウェハであって，前記シリコンウェハの前記上面は，前記プロセス領域に形成された構造を含む１つ又は複数の前記プロセス領域の表面を含み，かつ，前記プロセス領域の前記表面とそれ以外の前記上面との間で不均一な反射率を示し，前記シリコンウェハの前記プロセス領域は，アニール放射線に直接照射された場合，前記上面が不均一な反射率有するために，不均一に過熱されやすい，前記シリコンウェハをアニールするための方法であって，
　アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に直接形成し，前記プロセス領域を被覆し，前記プロセス領域を前記アニール放射線の前記シリコン層への入射角から見えないようにする工程（ａ）と，
　前記シリコン層によって吸収される波長を有する１又は複数のパルスのアニール放射線を前記シリコン層に照射する工程（ｂ）と，
　を含み，
　前記１又は複数のパルスのそれぞれが，前記シリコンウェハの前記上面の温度を，前記シリコンウェハにクラックを発生させずに，前記シリコン層からの熱拡散により，前記シリコンウェハに形成された前記プロセス領域を活性化させる均一な臨界温度に上昇させるために十分なエネルギーを有する方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「上面と，内部に形成されたプロセス領域と，を有するシリコンウェハ」を補正して，補正後の請求項１の「上面と，内部に形成された１つ又は複数のプロセス領域と，を有するシリコンウェハ」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記シリコンウェハの前記上面は不均一な反射率を示し」を補正して，補正後の請求項１の「前記シリコンウェハの前記上面は，前記プロセス領域に形成された構造を含む１つ又は複数の前記プロセス領域の表面を含み，かつ，前記プロセス領域の前記表面とそれ以外の前記上面との間で不均一な反射率を示し」にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に形成」を補正して，補正後の請求項１の「アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に直接形成」にすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１５の「上面と，内部に形成されたドープ領域とを有するシリコンウェハ」を補正して，補正後の請求項１５の「上面と，内部に形成された１つ又は複数のドープ領域とを有するシリコンウェハ」にすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項１５の「前記シリコンウェハの前記上面は不均一な反射率を示し」を補正して，補正後の請求項１５の「前記シリコンウェハの前記上面は，前記ドープ領域に形成された構造を含む１つ又は複数の前記ドープ領域の表面を含み，かつ，前記ドープ領域の前記表面とそれ以外の前記上面との間で不均一な反射率を示し」にすること。
　
（６）補正事項６
　補正前の請求項１５の「アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に形成」を補正して，補正後の請求項１５の「アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に直接形成」にすること。
　
（７）補正事項７
　補正前の請求項２０の「内部に形成されたプロセス領域を有する半導体ウェハ」を補正して，補正後の請求項２０の「内部に形成された１つ又は複数のプロセス領域を有する半導体ウェハ」にすること。
　
（８）補正事項８
　補正前の請求項２０の「前記半導体ウェハの前記上面は不均一な反射率を示し」を補正して，補正後の請求項２０の「前記半導体ウェハの前記上面は，前記プロセス領域に形成された構造を含む１つ又は複数の前記プロセス領域の表面を含み，かつ，前記プロセス領域の前記表面とそれ以外の前記上面との間で不均一な反射率を示し」にすること。
　
（９）補正事項９
　補正前の請求項２０の「アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有し，前記半導体ウェハの前記上面の上に形成され，前記プロセス領域を被覆し，前記プロセス領域を前記アニール放射線の前記シリコン層への入射角から見えないようにするシリコン層」を補正して，補正後の請求項２０の「アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有し，前記半導体ウェハの前記上面の上に直接形成され，前記プロセス領域を被覆し，前記プロセス領域を前記アニール放射線の前記シリコン層への入射角から見えないようにするシリコン層」にすること。
　
（１０）補正事項１０
　補正前の明細書の【０００７】，【００１２】，【００１６】，【００２０】，【００３３】及び【００３８】を補正して，それぞれ，補正後の明細書の【０００７】，【００１２】，【００１６】，【００２０】，【００３３】及び【００３８】にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１，４，７について
　補正事項１，４，７により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１，４，７は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１，４，７は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１，４，７は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１，４，７は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２，５，８について
　補正事項２，５，８により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項２，５，８は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項２，５，８は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２，５，８は，補正前の各請求項における，シリコンウェハの上面を「構造」を含む表面とするように限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項２，５，８は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３，６，９について
　補正事項３，６，９により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項３，６，９は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項３，６，９は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項３，６，９は，補正前の請求項におけるシリコン層のシリコンウェハの上面の上への形成を「直接」形成と限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項３，６，９は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正事項１０について
　補正事項１０は，誤記の訂正，及び，請求項の記載に明細書の記載を整合させることを目的とした補正であって，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項１０は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１０は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（５）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項１】
　上面と，内部に形成された１つ又は複数のプロセス領域と，を有するシリコンウェハであって，前記シリコンウェハの前記上面は，前記プロセス領域に形成された構造を含む１つ又は複数の前記プロセス領域の表面を含み，かつ，前記プロセス領域の前記表面とそれ以外の前記上面との間で不均一な反射率を示し，前記シリコンウェハの前記プロセス領域は，アニール放射線に直接照射された場合，前記上面が不均一な反射率有するために，不均一に過熱されやすい，前記シリコンウェハをアニールするための方法であって，
　アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に直接形成し，前記プロセス領域を被覆し，前記プロセス領域を前記アニール放射線の前記シリコン層への入射角から見えないようにする工程（ａ）と，
　前記シリコン層によって吸収される波長を有する１又は複数のパルスのアニール放射線を前記シリコン層に照射する工程（ｂ）と，
　を含み，
　前記１又は複数のパルスのそれぞれが，前記シリコンウェハの前記上面の温度を，前記シリコンウェハにクラックを発生させずに，前記シリコン層からの熱拡散により，前記シリコンウェハに形成された前記プロセス領域を活性化させる均一な臨界温度に上昇させるために十分なエネルギーを有する方法。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開２００３−５９８５４号公報
（１ａ）「【請求項８】　半導体基板の光源に対向する処理領域上に光吸収膜を形成するステップと，
　前記光源から光エネルギーを前記半導体基板上の前記光吸収膜に向けて放射するステップと，
　前記光源から放射され，前記光吸収膜を通過した光エネルギーにより前記半導体基板を熱処理するステップとを備えたことを特徴とする光加熱方法。
【請求項９】　前記光吸収膜は，シリコン膜からなり，前記シリコン膜には，シリコンに対するキャリアを供給できる不純物が添加されていることを特徴とする請求項８に記載の光加熱方法。
【請求項１０】　前記光吸収膜の下面には反射膜を形成することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の光加熱方法。
【請求項１１】　前記光吸収膜と前記半導体基板との間には絶縁膜を緩衝膜として介在させることを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の光加熱方法。
【請求項１２】　前記光源にフラッシュランプを用いる場合において，前記絶縁膜の膜厚ｄ１及び前記絶縁膜上の前記光吸収膜の膜厚ｄ２は，次式（１）及び（２）で表わされることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の光加熱方法。
　ｍ１×λ／２ｎ１−λ／８ｎ１≦ｄ１≦ｍ１×λ／２ｎ１＋λ／８ｎ１　・・・（１）
　（２ｍ２−１）×λ／４ｎ２−λ／８ｎ２≦ｄ２≦（２ｍ２−１）×λ／４ｎ２＋λ／８ｎ２　　・・・（２）
　但し，ｍ１，ｍ２は，１以上の正の整数を表わし，λは，前記フラッシュランプのピーク波長を表わし，ｎ１は，前記絶縁膜の屈折率，ｎ２は，前記光吸収膜の屈折率をそれぞれ表わす。
【請求項１３】　前記光吸収膜は，１μｍ以下の波長に対して吸収性を有し，前記
フラッシュランプの通電時間は，１０ｍｓｅｃ以下
　
（１ｂ）「そこで近年になって，
極短時間で活性化率を向上する手法として
フラッシュランプを使ったアニール法
フラッシュランプのアニール時の条件は，通電時間が１０ｍｓｅｃ以下
レーザーやフラッシュランプによる照射により，急激な温度上昇が生じると，とくに酸化膜，ゲート電極，配線電極等が混在したパターンを有する半導体ウェハの場合には膜種による熱応力の違いから，シリコンなどの半導体ウエハ中にクラックや膜剥がれといった熱ダメージの問題を引き起こしていた
光を利用した加熱処理を行なう場合において，均熱性を高め，且つ急激な温度上昇に伴う熱ダメージを低減させる光加熱方法及び半導体装置の製造方法を提供する
　
（１ｃ）【課題を解決するための手段】…（省略）…　また，
第２の発明は
光吸収膜を介在させることにより，均熱性を向上させるとともに熱効率を上げて下地である半導体基板への光照射による熱ダメージを低減させることができる
　
（１ｄ）「…（省略）…　本発明の光加熱方法は，半導体基板の光源に対向する処理領域上に光吸収膜を形成するステップと，前記光源から光エネルギーを前記半導体基板上の前記光吸収膜に向けて放射するステップと，前記光源から放射され，前記光吸収膜を通過した光エネルギーにより前記半導体基板を熱処理するステップとを備えたことを特徴としている。
光吸収膜を成膜しているため半導体基板上の如何なる場所でも吸収される光量は同一となり，下地である半導体基板に伝わる照射エネルギーの均一性が向上する
　また，本発明の光加熱方法は，前記光吸収膜がシリコン膜からなるようにしても良く，また，前記シリコン膜にはシリコンに対するキャリアを供給できる不純物を添加するようにしても良い。
シリコン膜を光吸収膜に適用した場合において，下地の半導体基板がシリコンである場合，シリコン膜は，シリコン半導体基板と同一の熱応力を持つために，加熱された層の収縮に伴う変形が緩和され，光加熱による急激な温度上昇に対するダメージ耐性が上がる
また，前記光吸収膜の下面には反射膜を形成するようにしても良い。また，本発明の光加熱方法は，前記光吸収膜と前記半導体基板との間に酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜などの絶縁膜を緩衝膜として介在させるようにしても良い。光吸収膜の下層に絶縁膜を成膜することにより，これが緩衝膜として働くため，過剰なエネルギーが投下されても下地の半導体基板への熱ダメージを抑制することが一層可能になる
　
（１ｅ）「【発明の実施の形態】以下，図面を参照して発明の実施の形態を説明する。本発明は，放射される光エネルギーにより被処理基板を熱処理する光源に対向している前記被処理基板と，この光源との間に光源から放射された光エネルギーを均一化する手段を介在させたことに特徴があり，第１の発明は，光を使った半導体装置のアニール技術において，光源と半導体基板との間に光強度フィルタを挿入することを特徴としている。
第２の発明は，半導体装置の製造工程における熱処理方法において，光照射によりアニールを行う際に，最表層の基板表面に光吸収性を有する光吸収膜を形成することを特徴としている
　
（１ｆ）「次に，図９及び図１０を参照して第９の実施例を説明する。図９は，この実施例における半導体装置の製造工程を説明する工程断面図，図１０は，従来のＭＯＳトランジスタの製造工程を説明する工程断面図である。この実施例及びこれ以降の実施例は，半導体装置の製造工程における熱処理方法において，光照射によりアニールを行う際に最表層の基板表面に光吸収性を有する光吸収膜を形成することを特徴とする第２の発明を説明する。第９の実施例では光吸収膜として窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）を用いている。まず，通常のＭＯＳトランジスタの製造方法に従って単結晶シリコンなどの半導体基板３１にＳＴＩ(Shallow Trench Isolation)などからなる素子分離領域３２を形成した後，素子分離領域３２に区画された素子領域にゲート酸化膜３３を介して，ポリシリコンなどからなるゲート電極３４を形成する。その後，ゲート電極３４をマスクとして，ソース／ドレイン領域３５に不純物のイオン注入層３９を形成する。ソース／ドレイン領域に注入する不純物としては，例えば，ｎ型不純物としてはリン（Ｐ）あるいは砒素（Ａｓ）を用い，ｐ型不純物としてはボロン（Ｂ）を用いる。この拡散領域の形成によりｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴあるいはｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを製造することができる（図９（ａ））。
　不純物注入後，ＬＰＣＶＤ(Low Pressure Chemical Vapour Deposition) 法により５００℃の温度で酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜３６を５０ｎｍ程度成膜し，さらに引き続いてその上にスパッタリング法により窒化チタン（ＴｉＮ）膜３７を５０ｎｍ程度成膜する。前記酸化シリコン膜３６は，プラズマＣＶＤ法や塗布法により形成することもできる。また，前記ＴｉＮ膜３７は，ＣＶＤ法により形成しても良い。但し，ＳｉＯ2 膜３６及びＴｉＮ膜３７を形成する時に下地である半導体基板３１に形成されたイオン注入層３９が欠陥を残した状態で中途半端に活性化しないように６００℃以下の低温で成膜する必要がある。また，半導体基板３１上に成膜する絶縁膜は，緩衝膜として用いられる。絶縁膜は，ＳｉＯ2 膜３６に限らない。例えば，Ｓｉ3 Ｎ4 膜，ＳｉＯＮ膜，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2膜，Ｔａ2 Ｏ5 膜，ＰＳＧ(Phospho Silicate Glass)膜，ＢＳＧ(Boro-Silicate Glass) 膜，ＢＰＳＧ(Boro-Phospho Silicate Glass) 膜のような誘電体膜でも良い（図９（ｂ））。その後，フラッシュランプを基板温度約５００℃，３０Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度なる条件で半導体基板（ウェハ）３９の全面に照射して注入した不純物の活性化処理を行なって不純物拡散領域（ソース／ドレイン領域）３５を完成させる（図９（ｃ））。
　図１０は，上記実施例のように，単結晶シリコンなどの半導体基板３１及びゲート電極３４上に，ＳｉＯ2 膜３６及びＴｉＮ膜３７を設置しない比較例である。図１０では，直接，ゲート電極上にフラッシュランプ光をこの実施例と同じ条件下で照射したものである。この比較例において，イオン注入層の活性化について調べたところ，半導体基板１０１であるウェハ面内でソース／ドレイン領域１０５のシート抵抗のばらつきが大きいことが判明した。さらに，ゲート電極１０４にアブレーションが生じ，半導体基板１０１の内部にはスリップや膜剥がれ等のダメージが発生していた。一方，この実施例では（図９参照），半導体基板内にダメージが形成されず，イオン注入層も十分に活性化され，シート抵抗の低減化及びその面内ばらつきもσ＜２．０％内に抑えられて半導体装置の素子特性が向上した。この実施例の場合，異種材料上に共通してＴｉＮ膜３７が存在し，これが光吸収膜として作用するため，いずれの場所でも吸収されるフラッシュランプの光量は同一となる。その結果，光吸収膜は，１０００℃以上にまで昇温し，その熱量が下層のＳｉＯ2 膜３６の蓄熱作用で補償され，さらに緩衝膜として働く。その結果，半導体基板へ徐々に熱エネルギーが伝達し，ソース／ドレイン領域に注入された不純物が熱ダメージなく均一に，且つ十分に活性化されたものと考察される。光吸収膜は，フラッシュランプの主たる発光波長に対する反射率が０．５０以下であればよく，例えば，上記ＴｉＮ膜の他に，Ｔｉ，Ｇｅ，Ｓｎのような金属膜あるいはそれらの合金もしくはＣ，ＳｉＣ等カーボンを含む膜であればこの実施例と同様な効果が得られる。
　また，半導体基板上にはＳｉＯ2 膜３６とＴｉＮ膜３７の積層構造を形成配置することにより，選択的にエッチングすることが可能となり，フラッシュランプのアニール処理後において，役割を終えた上記の絶縁膜及び光吸収膜を下地の半導体基板にダメージを与えることなく除去することができる。例えば，ＴｉＮ膜３７は，硫酸過水によって除去することができ，ＳｉＯ2 膜３６は，希フッ酸処理によって容易に除去することが可能になる。また，ＳｉＯ2 膜を緩衝膜として用いた場合には，あえて剥離をしなくても，そのまま残して後工程の層間絶縁膜として使用することも可能であり，さらに，Ｓｉ3 Ｎ4 膜を用いた場合には，配線コンタクト開口の際のエッチングストッパーとして使用することも可能であり，生産コストの抑制にも繋がる。従来では吸収される熱量そのものが少なくなり，その熱量も基板に十分に伝わる前に放熱されてしまっていたと考えられる。さらに，異種材料間の熱膨張差の違いから，フラッシュランプ光による急激な熱応力の発生に耐えられず，半導体基板内にはスリップや膜剥がれ等のダメージが発生していたものと考察される。」（【００３２】−【００３５】）
　
（１ｇ）「次に，図１４を参照して第１０の実施例を説明する。図１４は，半導体装置の製造工程を説明する工程断面図である。この実施例も光吸収膜を緩衝膜上に形成している点で第９の実施例と同様であるが，光吸収膜がシリコン膜である点で第９の実施例と相違している。通常のＭＯＳトランジスタの製造方法に従って単結晶シリコンなどの半導体基板４１にＳＴＩなどの素子分離領域４２を形成した後，素子分離領域に区画された素子領域にゲート酸化膜４３を介してポリシリコンなどのゲート電極４４を形成する。その後，ゲート電極４４をマスクとして，ソース／ドレイン領域４５に不純物を注入する。ソース／ドレイン領域に注入する不純物として，例えば，ｎ型不純物としてはリン（Ｐ）あるいは砒素（Ａｓ）を用い，ｐ型不純物としてはボロン（Ｂ）を用いることにより，ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴあるいはｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを製造する（図１４（ａ））。不純物注入後は，例えば，ＬＰＣＶＤ法により約５００℃の温度で酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜し，さらに引き続いてその上に，例えば，ＬＰＣＶＤ法により約５００℃の温度でシリコン（Ｓｉ）膜４７を５０ｎｍ程度成膜する。
　前記酸化シリコン膜４６及びシリコン膜４７は，プラズマＣＶＤ法や塗布法を用いて形成しても良い。但し，酸化シリコン膜４６及びシリコン膜４７の形成時に，下地である半導体基板４１の内部のイオン注入層４９が欠陥を残した状態で中途半端に活性化してないように６００℃以下の低温で成膜する必要がある。また，半導体基板１上に成膜する絶縁膜は，緩衝膜として用いられる。絶縁膜は，ＳｉＯ2 膜３６に限らず，Ｓｉ3 Ｎ4 膜，ＳｉＯＮ膜，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 膜，Ｔａ2 Ｏ5 膜，ＰＳＧ膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜のような誘電体膜でも良い（図１４（ｂ））。その後，フラッシュランプを基板温度５００℃で，３０Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度で半導体基板（ウェハ）全面に照射し，注入した不純物の活性化処理を行なった（図１４（ｃ））。イオン注入層の活性化について調べたところ，半導体基板内にダメージは形成されず，イオン注入層も十分に活性化され，シート抵抗の低減化及びその面内ばらつきもσ＜１．８％内に抑えられ，半導体素子としての特性向上を望むことができた。
　この実施例の場合，異種材料上に共通してシリコン膜４７が存在し，これが光吸収膜として作用するため，いずれの場所でも吸収されるフラッシュランプの光量は同一となる。その結果，光吸収膜は，１０００℃以上にまで昇温し，その熱量が下層の酸化シリコン膜４６の蓄熱作用で補償され，なお且つ緩衝膜として働くため，半導体基板４１へ徐々に熱エネルギーが伝達し，ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物が熱ダメージなく均一に，且つ十分に活性化されたと考察される。さらに，シリコン膜４７と下層の半導体基板（Ｓｉ）４１とは同一元素であるため，熱応力が同じとなり，フラッシュランプ光による急激な温度上昇に対する応力耐性が上がり，高出力照射条件下でも半導体基板内に収縮や変形等の熱的ダメージのない半導体素子の製造が実現でき，プロセスウィンドウが拡大する。また，半導体基板上に光吸収膜として酸化シリコン膜４６とシリコン膜４７の積層構造を用いると，これらの選択的なエッチングが可能となり，フラッシュアニール処理後に，役割を終えた光吸収膜を下層の半導体基板にダメージを与えることなく除去することができる。例えば，シリコン膜４７は，ＳＦ6 ガス等のドライエッチングによって除去することができ，また，酸化シリコン膜４６は，希フッ酸処理によって容易に除去することが可能になる。」（【００３６】−【００３８】）
　
（１ｈ）「なお，以上述べてきた実施例では，光源としてＸｅフラッシュランプを使ったアニール装置の場合について説明したが，本発明は，これに限定されるものではなく，従来のタングステン（Ｗ）ハロゲンランプによるＲＴＡ装置あるいはエキシマレーザや他のパルスレーザを光源としたレーザーアニール装置を用いる場合にも適用することが可能である。しかしながら，レーザアニールの場合には，イオン注入層をプリアモルファス化しておかないと，十分に不純物を活性化させることができない場合があり，フラッシュランプアニール装置を用いることがより好ましい。また，各実施例では，イオン注入層の活性化を例に取り上げて説明したが，本発明は，これに限定されるものではなく，トランジスタ形成に要求される各種の熱処理工程で適用することが可能である。」（【００４６】）
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ｇ）の記載から，引用例１には，「第１０の実施例」として，以下に示す発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「（ａ）通常のＭＯＳトランジスタの製造方法に従って単結晶シリコンなどの半導体基板４１にＳＴＩなどの素子分離領域４２を形成した後，素子分離領域に区画された素子領域にゲート酸化膜４３を介してポリシリコンなどのゲート電極４４を形成する工程と
（ｂ）その後，ゲート電極４４をマスクとして，ソース／ドレイン領域４５に不純物を注入する工程と，
（ｃ）酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程と，
（ｄ）さらに引き続いてその上に，シリコン（Ｓｉ）膜４７を５０ｎｍ程度成膜する工程と，
（ｅ）その後，フラッシュランプを基板温度５００℃で，３０Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度で半導体基板（ウェハ）全面に照射し，注入した不純物の活性化処理を行う工程と
　を含む，半導体基板内にダメージが形成されることなくイオン注入層を十分に活性化させる，単結晶シリコンなどの半導体基板に注入した不純物のフラッシュランプの照射による活性化処理のための方法であって，
（ｆ）異種材料上に共通してシリコン膜４７が存在し，これが光吸収膜として作用するため，いずれの場所でも吸収されるフラッシュランプの光量は同一となり，その結果，光吸収膜は，１０００℃以上にまで昇温し，その熱量が下層の酸化シリコン膜４６の蓄熱作用で補償され，なお且つ緩衝膜として働くため，半導体基板４１へ徐々に熱エネルギーが伝達され，ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物が熱ダメージなく均一に，且つ十分に活性化されるものであり，
（ｇ）さらに，シリコン膜４７と下層の半導体基板（Ｓｉ）４１とは同一元素であるため，熱応力が同じとなり，フラッシュランプ光による急激な温度上昇に対する応力耐性が上がり，高出力照射条件下でも半導体基板内に収縮や変形等の熱的ダメージのない半導体素子の製造が実現できる，
　単結晶シリコンなどの半導体基板に注入した不純物のフラッシュランプの照射による活性化処理のための方法。」
　
（３）本願補正発明１と引用発明との対比
ア　引用発明の「ソース／ドレイン領域４５」，「単結晶シリコンなどの半導体基板４１」，『「ゲート酸化膜４３を介して」形成された「ポリシリコンなどのゲート電極４４」』及び「フラッシュランプの照射による活性化処理のための方法」は，それぞれ，本願補正発明１の「内部に形成された１つ又は複数のプロセス領域」，「シリコンウェハ」，「プロセス領域に形成された構造」及び「アニールするための方法」に相当する。
　また，引用発明の「フラッシュランプ」から照射される光は，本願補正発明１の「アニール放射線」に相当する。
　
イ　引用発明の「単結晶シリコンなどの半導体基板４１」は，その上面に『「ソース／ドレイン領域４５」の表面』，『「ゲート酸化膜４３を介して」形成された「ポリシリコンなどのゲート電極４４」』及び「ＳＴＩなどの素子分離領域４２」を含むものであるところ，一般に，部材表面の反射率が，部材を構成する材料の差異，形状，表面性状等の違い等により異なることは当業者において周知であるから，引用発明の前記『「ソース／ドレイン領域４５」の表面』と，それ以外の前記「単結晶シリコンなどの半導体基板４１」の上面にあたる，前記『「ゲート酸化膜４３を介して」形成された「ポリシリコンなどのゲート電極４４」』及び「ＳＴＩなどの素子分離領域４２」の上面との間で，不均一な反射率を示すものと認められる。
　そして，不均一な反射率を有する部材にフラッシュランプを直接照射した場合，前記部材が不均一に過熱されやすいことは当業者が直ちに理解することである。
　
ウ　そうすると，上記ア及びイから，引用発明と本願補正発明１は「上面と，内部に形成された１つ又は複数のプロセス領域と，を有するシリコンウェハであって，前記シリコンウェハの前記上面は，前記プロセス領域に形成された構造を含む１つ又は複数の前記プロセス領域の表面を含み，かつ，前記プロセス領域の前記表面とそれ以外の前記上面との間で不均一な反射率を示し，前記シリコンウェハの前記プロセス領域は，アニール放射線に直接照射された場合，前記上面が不均一な反射率有するために，不均一に過熱されやすい，前記シリコンウェハをアニールするための方法」である点で一致する。
　
エ　引用発明の「シリコン膜４７」は，「これが光吸収膜として作用するため，いずれの場所でも吸収されるフラッシュランプの光量は同一となり」という特性を備えているところ，前記「いずれの場所でも吸収されるフラッシュランプの光量は同一」であることは，前記「シリコン膜４７」が，フラッシュランプから照射される光に対して，均一な反射率と光吸収率を有することを意味するものと理解できるから，引用発明の前記「シリコン膜４７」は，本願補正発明１の「アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層」に相当するものと認められる。
　
オ　引用発明の「シリコン（Ｓｉ）膜４７」は，「単結晶シリコンなどの半導体基板４１にＳＴＩなどの素子分離領域４２を形成した後」に，「ゲート電極４４をマスクとして，ソース／ドレイン領域４５に不純物を注入する工程」，「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」等の工程を経て，「さらに引き続いてその上に」成膜されるものであるから，当該「シリコン（Ｓｉ）膜４７」は，「単結晶シリコンなどの半導体基板４１」の上面の上に形成されているものと認められる。また，前記「シリコン（Ｓｉ）膜４７」を形成する工程が，前記「ソース／ドレイン領域４５」を被覆し，前記「ソース／ドレイン領域４５」を「フラッシュランプ」から照射される光の「シリコン（Ｓｉ）膜４７」への入射角から見えないようにする工程に該当することは当業者にとって明らかである。
　
カ　そうすると，上記エ及びオから，引用発明と本願補正発明１は「アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に形成し，前記プロセス領域を被覆し，前記プロセス領域を前記アニール放射線の前記シリコン層への入射角から見えないようにする工程（ａ）」を含む発明である点で共通する。
　
キ　「パルス」とは，「極めて短い時間だけ継続する変化。（株式会社岩波書店 広辞苑第六版）」程度の意味を有するものと解されるところ，引用例１の上記摘記（１ａ）の「【請求項１３】前記光吸収膜は，１μｍ以下の波長に対して吸収性を有し，前記
フラッシュランプの通電時間は，１０ｍｓｅｃ以下
極短時間で活性化率を向上する手法として
フラッシュランプを使ったアニール法
フラッシュランプのアニール時の条件は，通電時間が１０ｍｓｅｃ以下
　また，引用発明は「異種材料上に共通してシリコン膜４７が存在し，これが光吸収膜として作用するため，いずれの場所でも吸収されるフラッシュランプの光量は同一となり，その結果，光吸収膜は，１０００℃以上にまで昇温」するのであるから，引用発明の「フラッシュランプ」から照射される光が，前記「シリコン膜４７」によって吸収される波長を有することは明らかである。
　したがって，引用発明と本願補正発明１は「前記シリコン層によって吸収される波長を有する１又は複数のパルスのアニール放射線を前記シリコン層に照射する工程（ｂ）」を含む発明である点で一致する。
　
ク　引用発明は「異種材料上に共通してシリコン膜４７が存在し，これが光吸収膜として作用するため，いずれの場所でも吸収されるフラッシュランプの光量は同一となり，その結果，光吸収膜は，１０００℃以上にまで昇温し，その熱量が下層の酸化シリコン膜４６の蓄熱作用で補償され，なお且つ緩衝膜として働くため，半導体基板４１へ徐々に熱エネルギーが伝達され，ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物が熱ダメージなく均一に，且つ十分に活性化されるものであ」るから，引用発明の「ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物」の活性化は，１０００℃以上にまで昇温した光吸収膜からの熱拡散により行われているものと認められる。
　また，「ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物が熱ダメージなく均一に，且つ十分に活性化されるものであ」ることから，引用発明の「フラッシュランプ」から照射される光が，「単結晶シリコンなどの半導体基板４１」の上面を，ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物を活性化させる均一な臨界温度に上昇させるために十分なエネルギーを有していることは，当業者であれば理解できるといえる。
　さらに，引用例１の上記摘記（１ｂ）の「また，
レーザーやフラッシュランプによる照射により，急激な温度上昇が生じると，とくに酸化膜，ゲート電極，配線電極等が混在したパターンを有する半導体ウェハの場合には膜種による熱応力の違いから，シリコンなどの半導体ウエハ中にクラックや膜剥がれといった熱ダメージの問題を引き起こしていた
　そうすると，引用発明と本願補正発明１は「前記１又は複数のパルスのそれぞれが，前記シリコンウェハの前記上面の温度を，熱ダメージなく，前記シリコン層からの熱拡散により，前記シリコンウェハに形成された前記プロセス領域を活性化させる均一な臨界温度に上昇させるために十分なエネルギーを有する方法」である点で共通する。
　
ケ　したがって，上記ア−クの対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりであるといえる。
　
＜一致点＞
　上面と，内部に形成された１つ又は複数のプロセス領域と，を有するシリコンウェハであって，前記シリコンウェハの前記上面は，前記プロセス領域に形成された構造を含む１つ又は複数の前記プロセス領域の表面を含み，かつ，前記プロセス領域の前記表面とそれ以外の前記上面との間で不均一な反射率を示し，前記シリコンウェハの前記プロセス領域は，アニール放射線に直接照射された場合，前記上面が不均一な反射率有するために，不均一に過熱されやすい，前記シリコンウェハをアニールするための方法であって，
　アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に形成し，前記プロセス領域を被覆し，前記プロセス領域を前記アニール放射線の前記シリコン層への入射角から見えないようにする工程（ａ）と，
　前記シリコン層によって吸収される波長を有する１又は複数のパルスのアニール放射線を前記シリコン層に照射する工程（ｂ）と，
　を含み，
　前記１又は複数のパルスのそれぞれが，前記シリコンウェハの前記上面の温度を，熱ダメージなく，前記シリコン層からの熱拡散により，前記シリコンウェハに形成された前記プロセス領域を活性化させる均一な臨界温度に上昇させるために十分なエネルギーを有する方法。
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１では，シリコン層を，シリコンウェハの上面の上に「直接」形成するのに対して，引用発明では，シリコン（Ｓｉ）膜４７は，酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程に引き続いてその上に成膜する点。
　
・相違点２：本願補正発明１では，シリコンウェハにクラックを発生させずにアニールするのに対して，引用発明には，シリコンウェハのクラックについて特定していない点。
　
（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
ア　引用例１の特許請求の範囲における，上記摘記（１ａ）の「【請求項８】半導体基板の光源に対向する処理領域上に光吸収膜を形成するステップと，前記光源から光エネルギーを前記半導体基板上の前記光吸収膜に向けて放射するステップと，前記光源から放射され，前記光吸収膜を通過した光エネルギーにより前記半導体基板を熱処理するステップとを備えたことを特徴とする光加熱方法。
【請求項９】前記光吸収膜は，シリコン膜からなり，前記シリコン膜には，シリコンに対するキャリアを供給できる不純物が添加されていることを特徴とする請求項８に記載の光加熱方法。
【請求項１０】前記光吸収膜の下面には反射膜を形成することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の光加熱方法。
【請求項１１】前記光吸収膜と前記半導体基板との間には絶縁膜を緩衝膜として介在させることを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の光加熱方法。」との記載から，本願の請求項８には，「光吸収膜を形成するステップ」を備えた光加熱方法に係る発明が開示されており，請求項９，請求項１０及び請求項１１には，それぞれ，前記請求項８を引用する形式で，光吸収膜が「シリコン膜からなり前記シリコン膜にはシリコンに対するキャリアを供給できる不純物が添加されている」発明，光吸収膜の下面に「反射膜を形成する」発明，及び，光吸収膜と半導体基板との間に「絶縁膜を緩衝膜として介在させる」発明が開示されていることが認められる。
　そうすると，上記摘記（１ａ）の記載の態様から，当業者であれば，引用例１に「光吸収膜を形成するステップ」を備えた光加熱方法に係る発明が，基本の発明として開示されるとともに，前記基本の発明を元にしてさらに構成要素を附加することで発展させた応用の発明として，光吸収膜が「シリコン膜からなり前記シリコン膜にはシリコンに対するキャリアを供給できる不純物が添加されている」発明，光吸収膜の下面に「反射膜を形成する」発明，及び，光吸収膜と半導体基板との間に「絶縁膜を緩衝膜として介在させる」発明が開示されているものと理解することが自然といえる。
　
イ　このことは，発明の詳細な説明の記載における，上記摘記（１ｄ）の「
本発明の光加熱方法は，半導体基板の光源に対向する処理領域上に光吸収膜を形成するステップ
を備えたことを特徴としている
光吸収膜を成膜しているため半導体基板上の如何なる場所でも吸収される光量は同一となり，下地である半導体基板に伝わる照射エネルギーの均一性が向上する。また，入射光エネルギーは最も効率良く熱に変換されて半導体基板に伝達される
また，本発明の光加熱方法は
絶縁膜を緩衝膜として介在させるようにしても良い
絶縁膜を成膜することにより
一層可能になる
　すなわち，上記摘記（１ｄ）には「光吸収膜を形成するステップ」を備えた前記基本の発明が「光吸収膜を成膜しているため半導体基板上の如何なる場所でも吸収される光量は同一となり，下地である半導体基板に伝わる照射エネルギーの均一性が向上する。また，入射光エネルギーは最も効率良く熱に変換されて半導体基板に伝達される。」という効果を奏することが示されるとともに，「
また，本発明の光加熱方法は
絶縁膜を緩衝膜として介在させるようにしても良い
絶縁膜を成膜することにより
一層可能になる
　そうすると，上記摘記（１ｄ）の記載から，当業者であれば，引用例１には，「光吸収膜を成膜しているため半導体基板上の如何なる場所でも吸収される光量は同一となり，下地である半導体基板に伝わる照射エネルギーの均一性が向上する。また，入射光エネルギーは最も効率良く熱に変換されて半導体基板に伝達される。」という効果を奏する「光吸収膜を形成するステップ」を備えた基本の発明と，前記基本の発明に附加的に構成要素を追加した応用の発明である，光吸収膜と半導体基板との間に「絶縁膜」を介在させて「光吸収膜の下層に絶縁膜を成膜することにより，これが緩衝膜として働くため，過剰なエネルギーが投下されても下地の半導体基板への熱ダメージを抑制することが一層可能になる。」という効果を得る応用の発明との，いずれもが開示されていると理解することができる。
　
ウ　そうすると，シリコン（Ｓｉ）膜４７を５０ｎｍ程度成膜する工程に先だって，「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」を備えている引用発明は，上記ア，イにおいて検討した，光吸収膜と半導体基板との間に「絶縁膜」を介在させて「光吸収膜の下層に絶縁膜を成膜することにより，これが緩衝膜として働くため，過剰なエネルギーが投下されても下地の半導体基板への熱ダメージを抑制することが一層可能になる。」という効果を得た前記応用の発明の一実施例に相当するものと理解することができる。
　
エ　すなわち，上記ア，イで検討したように，引用例１には，「光吸収膜を形成するステップ」という構成要素を備え，「シリコン膜からなり前記シリコン膜にはシリコンに対するキャリアを供給できる不純物が添加されている」，「反射膜を形成する」及び「絶縁膜を緩衝膜として介在させる」という附加的な構成要素を含まない発明が，基本の発明として開示されるとともに，前記基本の発明が「光吸収膜を成膜しているため半導体基板上の如何なる場所でも吸収される光量は同一となり，下地である半導体基板に伝わる照射エネルギーの均一性が向上する。また，入射光エネルギーは最も効率良く熱に変換されて半導体基板に伝達される。」という効果を奏することが示されているものと認められることから，引用例１に接した当業者であれば，引用発明が，「光吸収膜の下層に絶縁膜を成膜することにより，これが緩衝膜として働くため，過剰なエネルギーが投下されても下地の半導体基板への熱ダメージを抑制することが一層可能になる。」という効果を得るために，「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」という附加的な工程を前記基本の発明に追加した応用の発明であると理解するとともに，前記「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」を省略しても，少なくとも「光吸収膜を成膜しているため半導体基板上の如何なる場所でも吸収される光量は同一となり，下地である半導体基板に伝わる照射エネルギーの均一性が向上する。また，入射光エネルギーは最も効率良く熱に変換されて半導体基板に伝達される。」という効果が得られるということを直ちに理解するものと認められる。
　
オ　一方，一般に作業の工程数が少ない方が，コストの削減等の観点から望ましいことは周知の事項である。
　してみれば，「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」が，省略可能な工程であると認められ，かつ，前記工程を省略しても所定の効果が得られることが理解できる引用発明において，前記「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」を省略して，前記「シリコン膜４７」を単結晶シリコンなどの半導体基板４１の上面の上に「直接」形成することは，当該「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６」を成膜することによって得られる利点・欠点と，当該「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６」を成膜しないことによって得られる利点・欠点とを比較考量して当業者が適宜選択し得た設計事項であると認められる。すなわち，引用発明において，「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」を省略して，「シリコン膜４７」を単結晶シリコンなどの半導体基板４１の上面の上に「直接」形成することで，上記相違点１について本願補正発明１の構成となすことは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
・相違点２について
　上記「相違点１について」で検討したように，引用発明において，「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」を省略して，「シリコン膜４７」を単結晶シリコンなどの半導体基板４１の上面の上に「直接」形成することは，当業者にとって容易である。
　一方，引用発明は「ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物が熱ダメージなく均一に，且つ十分に活性化されるものであり」，かつ，「シリコン膜４７と下層の半導体基板（Ｓｉ）４１とは同一元素であるため，熱応力が同じとなり，フラッシュランプ光による急激な温度上昇に対する応力耐性が上がり，高出力照射条件下でも半導体基板内に収縮や変形等の熱的ダメージのない半導体素子の製造が実現できる」ことを解決しようとする課題とする発明であるから，引用発明のフラッシュランプ光の通電時間，照射エネルギー，シリコン膜４７の膜厚等の種々のアニール条件は，ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物を「熱ダメージ」なく活性化できるように最適化又は好適化されているものと認められる。
　そうすると，引用発明において，「酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４６を５０ｎｍ程度成膜する工程」を省略して，「シリコン膜４７」を単結晶シリコンなどの半導体基板４１の上面の上に「直接」形成した場合において，前記フラッシュランプ光の通電時間，照射エネルギー，シリコン膜４７の膜厚等の種々のアニール条件を最適化又は好適化して，ソース／ドレイン領域４５に注入した不純物を「熱ダメージ」なく活性化できるようにすることは，発明が解決しようとする前記課題に照らして，当業者が適宜なし得たことと認められる。
　そして，引用例１の上記摘記（１ｂ）の「また，レーザーやフラッシュランプによる照射により，急激な温度上昇が生じると，とくに酸化膜，ゲート電極，配線電極等が混在したパターンを有する半導体ウェハの場合には膜種による熱応力の違いから，シリコンなどの半導体ウエハ中にクラックや膜剥がれといった熱ダメージの問題を引き起こしていた。」との記載から，引用例１の「熱ダメージ」は，『「シリコンなどの半導体ウエハ中」の「クラック」』，及び，「膜剥がれ」等を含む上位概念として用いられていることが理解できるから，前記「熱ダメージ」なく活性化できるようにアニール条件を最適化又は好適化するにあたり，考慮すべき具体的な「熱ダメージ」として，『「シリコンなどの半導体ウエハ中」の「クラック」』に着目して，当該『「シリコンなどの半導体ウエハ中」の「クラック」』が発生しないように前記アニール条件を最適化又は好適化することは当業者が容易に想到し得たことである。
　すなわち，上記相違点２について本願補正発明１の構成となすことは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
（５）本願補正発明１についての判断
　相違点１−２については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年１１月３０日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下され，平成２４年４月２日に提出された手続補正書による補正が，平成２４年７月２７日付けの補正の却下の決定によって却下されているので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２３年２月２５日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものであると認める。
　
「【請求項１】
　上面と，内部に形成されたプロセス領域と，を有するシリコンウェハであって，前記シリコンウェハの前記上面は不均一な反射率を示し，前記シリコンウェハの前記プロセス領域は，アニール放射線に直接照射された場合，前記上面が不均一な反射率有するために，不均一に過熱されやすい，前記シリコンウェハをアニールするための方法であって，
　アニール放射線に対して均一な反射率と光吸収率を有するシリコン層を，前記シリコンウェハの前記上面の上に形成し，前記プロセス領域を被覆し，前記プロセス領域を前記アニール放射線の前記シリコン層への入射角から見えないようにする工程（ａ）と，
　前記シリコン層によって吸収される波長を有する１又は複数のパルスのアニール放射線を前記シリコン層に照射する工程（ｂ）と，
　を含み，
　前記１又は複数のパルスのそれぞれが，前記シリコンウェハの前記上面の温度を，前記シリコンウェハにクラックを発生させずに，前記シリコン層からの熱拡散により，前記シリコンウェハに形成された前記プロセス領域を活性化させる均一な臨界温度に上昇させるために十分なエネルギーを有する方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　４　（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。