【事件の表示】
　特許第３３２９５９３号「サファイヤ製ダミーウエハの製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３２９５９３号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３２９５９３号の請求項１ないし４に係る発明の手続きの経緯は、以下のとおりである。
　出願（特願平６−２３３８７６号）　平成６年９月２８日
　設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１４年７月１９日
　特許異議の申立て（京セラ株式会社）平成１５年３月３１日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１５年１２月５日（発送日）
　意見書、訂正請求書（後日取り下げ）平成１６年２月３日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１７年４月２０日（発送日）
　意見書、訂正請求書　　　　　　　　平成１７年４月２０日
　
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１７年４月２０日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
訂正事項ａ．訂正前の請求項１、請求項２を削除する。
　
訂正事項ｂ．
「【請求項３】　請求項１又は請求項２に記載したサファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、表面を磨く工程に於いて用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。」を、
「　【請求項１】　サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程１０１）と、
　サファイヤの原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程１０２）と、
　サファイヤの円形の板（２３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
　外周を仕上げたサファイヤの円形の板（２３）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
　表面を磨いたサファイヤの円形の板（２４）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　前記表面を磨く工程に於いて用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用することを特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。
　【請求項２】　サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程２０１）と、
　サファイヤ原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程２０２）と、
　円形に加工されたサファイヤの板（２３）の外周面仕上げをする工程（工程２０３）と、
　外周面仕上げ加工されたサファイヤの板（２３）の表面を研削する工程（工程２０４）と、
　表面を研削加工されたサファイヤの板（２４）を表面を研磨する工程（工程２０５）と、
　表面を研磨加工されたサファイヤの板（２４）にオリフラ又はノッチ等位置合わせ用切り欠き（２６）を加工する工程（工程２０６）と、
　切り欠きを加工されたサファイヤの板（２６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　前記表面を研磨する工程に於いて用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用することを特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。」と訂正する。
　
訂正事項ｃ．
「【請求項４】　請求項１又は請求項２に記載したサファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用する半導体製造用工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。」を、
「　【請求項３】　サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程１０１）と、
　サファイヤの原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程１０２）と、
　サファイヤの円形の板（２３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
　外周を仕上げたサファイヤの円形の板（２３）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
　表面を磨いたサファイヤの円形の板（２４）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用することを特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。
　【請求項４】　サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程２０１）と、
　サファイヤ原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程２０２）と、
　円形に加工されたサファイヤの板（２３）の外周面仕上げをする工程（工程２０３）と、
　外周面仕上げ加工されたサファイヤの板（２３）の表面を研削する工程（工程２０４）と、
　表面を研削加工されたサファイヤの板（２４）を表面を研磨する工程（工程２０５）と、
　表面を研磨加工されたサファイヤの板（２４）にオリフラ又はノッチ等位置合わせ用切り欠き（２６）を加工する工程（工程２０６）と、
　切り欠きを加工されたサファイヤの板（２６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　前記表面を研磨する工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用することを特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア．上記訂正事項ａは、訂正前の特許請求の範囲の請求項１、２を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
イ．上記訂正事項ｂは、訂正前の請求項３の請求項１、２を引用して記載した部分を、それぞれ独立形式の請求項として請求項１、２とし、かつ、訂正後の請求項１において、訂正前の「表面を磨く工程に於いて用いる」を、訂正前の請求項１に「表面を磨く工程」が記載されているので、前記という言葉を加えて「前記表面を磨く工程に於いて用いる」と訂正し、訂正後の請求項２において、訂正前の「表面を磨く工程に於いて用いる」を、訂正前の請求項２には「表面を研磨する工程」と記載されているので、この記載に合わせて「前記表面を研磨する工程に於いて用いる」と訂正し、また、訂正後の請求項２において、訂正前の「半導体製造用工程用」を他の請求項の記載に合わせて「半導体製造工程用」と統一するように訂正したものであり、これらの訂正は、すべて明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
ウ．上記訂正事項ｃは、訂正前の請求項４の請求項１、２を引用して記載した部分を、それぞれ独立形式の請求項として請求項３、４とし、かつ、訂正後の請求項３において、訂正前の「表面を磨く工程において用いる」を、訂正前の請求項１に「表面を磨く工程」が記載されているので、前記という言葉を加えて「前記表面を磨く工程において用いる」と訂正し、訂正後の請求項４において、訂正前の「表面を磨く工程において用いる」を、訂正前の請求項２には「表面を研磨する工程」と記載されているので、この記載に合わせて「前記表面を研磨する工程において用いる」と訂正し、また、訂正後の請求項３において、訂正前の「半導体製造用工程用」を他の請求項の記載に合わせて「半導体製造工程用」と統一するように訂正し、訂正後の請求項４において、訂正前の「半導体製造用工程用」（２箇所）を他の請求項の記載に合わせて「半導体製造工程用」と統一するように訂正したものであり、これらの訂正は、すべて明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
３．特許異議の申立てについて
（１）申立の理由及び取消理由通知
ア．申立の理由の概要について
　特許異議申立人京セラ株式会社は、証拠として本件出願前国内において頒布された甲第１号証（”エレクトロニク・セラミクス”　’７９夏号　セラミック基板特集　　ｐ．１４−１９）、甲第２号証（特開昭５９−５８８２７号公報）、甲第３号証（「特開平６−２６３５３１号公報）、甲第４号証（特開昭５５−２０２６２号公報）、甲第５号証（”日本物理学会誌”第２４巻　第４号　１９６９年　ｐ．２３７−２５３）を提出し、本件請求項１ないし４に係る発明は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第第２９条第２項の規定に違反しており特許を受けることができないものであり、また、本件明細書の記載は不備のため、特許法第３６条の規定を満たしておらず、特許法第１１３条第１項第２号又は第４号の規定により取り消されるべきものである旨主張している。
　
イ．取消理由通知について
　当審で通知した取消理由の概要は、以下のとおりである。
「１）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１．”エレクトロニク・セラミクス”　’７９夏号　セラミック基板特集　　ｐ．１４−１９（申立人の提出した甲第１号証）
刊行物２．特開昭５９−５８８２７号公報（申立人の提出した甲第２号証）
刊行物３．特開平６−２６３５３１号公報（申立人の提出した甲第３号証）
刊行物４．特開昭５５−２０２６２号公報（申立人の提出した甲第４号証）
刊行物５．”日本物理学会誌”第２４巻　第４号　１９６９年　ｐ．２３７−２５３（申立人の提出した甲第５号証）
 
　本件の請求項１ないし４に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載されたとおりのものである。
　上記刊行物１〜５には、特許異議申立書第６頁第１行〜第９頁第１０行記載の発明が記載されており（ただし、「甲第１号証」〜「甲第５号証」は、それぞれ「刊行物１」〜「刊行物５」と読み替える。）。
　そして、請求項１ないし４に係る発明は、特許異議申立書第９頁第１１行〜第１２頁最終行記載の理由（ただし、「甲第１号証」〜「甲第５号証」は、それぞれ「刊行物１」〜「刊行物５」と読み替える。）により、上記刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
２）本件出願は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項、第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　請求項３、４に係る発明の記載は、特許異議申立書第１３頁第１〜２１行に記載の理由により、不備である。
　また、発明の詳細な説明中に、請求項３、４に係る発明について、当業者が容易に実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されていない。
　なお、特許異議申立書第１３頁第１〜２１行に記載されている参考資料１は、特開平６−３１５３７１号公報であり、参考資料２は、特開平１１−３６１７１号公報である。」
　
　
（２）本件請求項１ないし４に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１ないし４に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程１０１）と、
　サファイヤの原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程１０２）と、
　サファイヤの円形の板（２３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
　外周を仕上げたサファイヤの円形の板（２３）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
　表面を磨いたサファイヤの円形の板（２４）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　前記表面を磨く工程に於いて用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用することを特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。
　【請求項２】　サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程２０１）と、
　サファイヤ原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程２０２）と、
　円形に加工されたサファイヤの板（２３）の外周面仕上げをする工程（工程２０３）と、
　外周面仕上げ加工されたサファイヤの板（２３）の表面を研削する工程（工程２０４）と、
　表面を研削加工されたサファイヤの板（２４）を表面を研磨する工程（工程２０５）と、
　表面を研磨加工されたサファイヤの板（２４）にオリフラ又はノッチ等位置合わせ用切り欠き（２６）を加工する工程（工程２０６）と、
　切り欠きを加工されたサファイヤの板（２６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　前記表面を研磨する工程に於いて用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用することを特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。
　【請求項３】　サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程１０１）と、
　サファイヤの原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程１０２）と、
　サファイヤの円形の板（２３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
　外周を仕上げたサファイヤの円形の板（２３）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
　表面を磨いたサファイヤの円形の板（２４）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用することを特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。
　【請求項４】　サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程２０１）と、
　サファイヤ原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程２０２）と、
　円形に加工されたサファイヤの板（２３）の外周面仕上げをする工程（工程２０３）と、
　外周面仕上げ加工されたサファイヤの板（２３）の表面を研削する工程（工程２０４）と、
　表面を研削加工されたサファイヤの板（２４）を表面を研磨する工程（工程２０５）と、
　表面を研磨加工されたサファイヤの板（２４）にオリフラ又はノッチ等位置合わせ用切り欠き（２６）を加工する工程（工程２０６）と、
　切り欠きを加工されたサファイヤの板（２６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　前記表面を研磨する工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用することを特徴とする半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法。」
　
（３）引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消理由で引用した刊行物１（”エレクトロニク・セラミクス”　’７９夏号　セラミック基板特集　　ｐ．１４−１９（申立人の提出した甲第１号証））には、サファイア基板の応用に関するものであって、第１５頁左欄第１行〜１２行には、単結晶サファイアが機械的強度や耐摩耗性、耐薬品性にすぐれる点が記載されている。 
 　また、第１５頁右欄第１行〜第１１行には、引き上げ法の一種であるＥＦＧ法によって、アルミナから単結晶サファイアを引き上げてサファイアを用意する工程が記載されている。 
 　さらに第１６頁左欄第１５行〜同頁右欄第４行、及び図９には、単結晶サファイアを角形の基板に加工する工程、表面を荒仕上げ、メカニカルポリッシュ、ケミカルポリッシュによって両面鏡面基板などに研磨する工程を経て、サファイア基板を加工する方法が示されている。 
　
　同刊行物２（特開昭５９−５８８２７号公報（申立人の提出した甲第２号証））には、「サフアイヤ・・・等からなる半導体ウエーハと、その製造方法・・・に関する。」（第１頁右下欄第３〜５行）ものであり、単結晶棒からスライスして円形のウエーハを作成し、その外周部をベベル加工して面仕上げし、その後ウエーハの両面を鏡面仕上げすること（第１頁右下欄第１０行〜第２頁左上欄第１０行、第２頁右下欄第１０行〜第３頁左上欄第３行、第１図、第４図）が、示されている。
　
　同刊行物３（特開平６−２６３５３１号公報（申立人の提出した甲第３号証））には、半導体装置のダミーウェハに関するものであり、「【０００４】さらに、ウェハ上に成膜を行う場合に、予めダミーウェハを用いて成膜条件等を決定することが行われているが、このダミーウェハとしてはＡｌ２Ｏ３の単結晶体であるサファイアが用いられている。」ことが、記載されている。
　
　同刊行物４（特開昭５５−２０２６２号公報（申立人の提出した甲第４号証））には、サファイア単結晶基板の製造方法に関して、第１頁右下欄１２行〜第２頁左欄７行に、サファイア単結晶塊体を切片に切断する工程、この切片の両面をダイヤモンドまたは炭化けい素微粉末などを用いて研削またはラッピング加工する工程、その後加工歪み層を除去した後に、ダイヤモンドまたはコロイダルシリカなどを用いて鏡面研磨する工程が示されている。
　
　同刊行物５（”日本物理学会誌”第２４巻　第４号　１９６９年　ｐ．２３７−２５３（申立人の提出した甲第４号証））には、結晶を研磨するための技術条件が記載されており、第２４３頁の第６表には、サファイアに対するラッピング条件として、２５μｍ、１５μｍのダイヤモンド砥粒を用いることが示され、ポリッシング条件として、８μｍ、３μｍ、１μｍのダイヤモンド砥粒を用いることが示されている。
　
　
（４）対比・判断
ア．特許法第３６条についての判断
　特許法第３６条の点については、平成１７年４月２０日付け特許異議意見書第９頁第１３行〜第１０頁第２５行記載のとおりであるから、本件請求項１ないし４に係る発明は、特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしているものである。
　
イ．特許法第２９条第２項についての判断
・本件請求項１に係る発明について 
 　本件請求項１に係る発明は、「鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用する」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、刊行物４には、サファイア単結晶基板の製造方法において、コロイダルシリカによって鏡面研磨する工程が示されているものの、コロイダルシリカはシリコン乳剤とはその組成が異なるものであって、研磨剤としてコロイダルシリカが公知であるとしても、シリコン乳剤は鏡面仕上げの研磨剤として公知でないから、シリコン乳剤を鏡面仕上げ研磨剤として用いることは当業者が容易に想到できたとはいえない。 
　また、刊行物１〜３及び５においても、何ら、本件請求項１に係る発明の特徴的構成の記載または当該構成を示唆する記載を有していない。 
　さらに、本件請求項１に係る発明は、本件請求項１に係る発明の特徴的構成を有することにより、平成１７年４月２０日付け特許異議意見書第９頁第２３行〜第１０頁第２行記載の効果を有する。 
　したがって、本件請求項１に係る発明は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたすることはできない。 
 　 
・本件請求項２ないし４に係る発明について 
　本件請求項２ないし４に係る発明は、本件請求項１に係る発明と同様に「鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用する」構成を有するから、本件請求項１に係る発明と同様に、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたとすることはできない。 
　
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１ないし４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年４月２６日（２００５．４．２６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
サファイヤ製ダミーウエハの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程１０１）と、
　
サファイヤの原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程１０２）と、
　サファイヤの円形の板（２３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
　
外周を仕上げたサファイヤの円形の板（２３）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
　
表面を磨いたサファイヤの円形の板（２４）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　
前記
　【請求項２】　
サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程２０１）と、
　
サファイヤ原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程２０２）と、
　
円形に加工されたサファイヤの板（２３）の外周面仕上げをする工程（工程２０３）と、
　
外周面仕上げ加工されたサファイヤの板（２３）の表面を研削する工程（工程２０４）と、
　
表面を研削加工されたサファイヤの板（２４）を表面を研磨する工程（工程２０５）と、
　
表面を研磨加工されたサファイヤの板（２４）にオリフラ又はノッチ等位置合わせ用切り欠き（２６）を加工する工程（工程２０６）と、
　
切り欠きを加工されたサファイヤの板（２６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　
前記
研磨する
　【請求項３】　
サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程１０１）と、
　
サファイヤの原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程１０２）と、
　
サファイヤの円形の板（２３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
　
外周を仕上げたサファイヤの円形の板（２３）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
　
表面を磨いたサファイヤの円形の板（２４）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　
前記
半導体製造工程用
　【請求項４】　
サファイヤの原石（２１）を用意する工程（工程２０１）と、
　
サファイヤ原石（２１）を円形の板（２３）に加工する工程（工程２０２）と、
　
円形に加工されたサファイヤの板（２３）の外周面仕上げをする工程（工程２０３）と、
　
外周面仕上げ加工されたサファイヤの板（２３）の表面を研削する工程（工程２０４）と、
　
表面を研削加工されたサファイヤの板（２４）を表面を研磨する工程（工程２０５）と、
　
表面を研磨加工されたサファイヤの板（２４）にオリフラ又はノッチ等位置合わせ用切り欠き（２６）を加工する工程（工程２０６）と、
　
切り欠きを加工されたサファイヤの板（２６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有する半導体製造工程用サファイヤ製ダミーウエハの製造方法において、
　
前記
研磨する
半導体製造工程用
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、半導体製造工程、特に拡散、酸化、蒸着を行う炉の中でウエハを処理する際、対流及び温度条件を均一にするためのサファイヤ製ダミーウエハの製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来は、主にシリコンウエハがダミーウエハと使用されており、機械的耐久性或は化学的耐久性が低い為、発塵や汚染を起こし安く頻繁な交換が必要だった。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　この発明は次の技術的問題を解決する目的で開発された。繰り返し使用されるダミーウエハを機械的硬度が高く化学的に安定な素材で作ることによって従来技術で問題となっている発塵及び汚染を軽減し、強いてはダミーウエハの交換頻度を減少させることを課題とする。
　【０００４】
　サファイヤガラスはモース硬度９と機械的強度に優れ、また対薬品耐久性は沸騰燐酸（９０％）に数分浸すと徐々に溶解をするがその他耐フッ酸や耐水酸化ナトリウム性といった強酸、強アルカリ耐久性に優れている。また、サファイヤガラス原材の供給も安定しており加工面での製造方法が本発明の課題でもある。
　【０００５】
　そこで、この発明の目的は、半導体製造の拡散、酸化、蒸着工程に於て温度や流れの条件を均一にするためのダミーウエハとして物理的及び化学的耐久性の高いサファイヤガラスを素材として用い供給することにある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記の課題を解決すべくなされたものであり、機械的及び化学的耐久性の高いダミーウエハを供給する。アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からサファイヤの単結晶を作成する。
　【０００７】
　作成されたサファイヤの単結晶を、必要なウエハの大きさと厚みに合わせサファイヤの円形の板に切断加工する。サファイヤの円形の板を外周整形機を用いて外周仕上げを行う。外周整形の終わった円形の板の表面の研磨を行なう。研磨方法は両面同時及び片面づつ行う方法が取られる。
　【０００８】
　表面研磨の終わったサファイヤの円形の板を洗浄する。
　【０００９】
　【実施例】
　以下に、本発明の実施例を図面により説明する。
　（１）実施例１
　図１は、本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造行程の実施例１の工程図である。
　【００１０】
　図１において、引き上げ法或はベルヌーイ法を用いてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からサファイヤの単結晶２１を作成する（工程１０１）。サファイヤの単結晶の大きさは、例えば、３インチ丸、４インチ丸、５インチ丸、６インチ丸、８インチ丸の平面が充分取れる大きさを持つ。
　【００１１】
　作成されたサファイヤの単結晶２１を作成するウエハの大きさと厚みに合わせサファイヤの円形の板２３に切断加工する（工程１０２）。サファイヤの円形の板２３を外周整形機を用いて外周仕上げを行う。
（工程１０３）。
　【００１２】
　外周整形の終わった円形の板２３の表面の研磨を行なう（工程１０４）。研磨方法には、例えば２重研磨及び３重研磨方法が有る。研磨条件は、図５及び図６に示すものが好ましい。図５は、本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造行程における３重研磨で使用する研磨粒子の範囲の関係を示す説明図である。
　【００１３】
　図５において、粗研磨においては、研磨に用いられるダイヤモンド粒子は２ミクロン以上で２０ミクロン以下が好ましい。特に、４ミクロン以上で８ミクロン以下が好ましい。仕上げにおいては、研磨に用いられるダイヤモンド粒子は０．２ミクロン以上で５ミクロン以下が好ましい。特に、０．５ミクロン以上で３ミクロン以下が好ましい。
　【００１４】
　鏡面仕上げにおいては、シリコン乳剤を用いるのが好ましい。図６は、本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造行程における２重研磨で使用する研磨粒子の範囲の関係を示す説明図である。図６において、粗研磨においては、研磨に用いられるダイヤモンド粒子は０．２ミクロン以上で２０ミクロン以下が好ましい。特に、０．５ミクロン以上で８ミクロン以下が好ましい。
　【００１５】
　鏡面仕上げにおいては、シリコン乳剤を用いるのが好ましい。また、必要に応じてバフ法による研磨を行う。この時の総研磨代は片面で、例えば、５０ミクロン程度が好ましい。表面研磨の終わった切り欠きを入れたサファイヤの板２５を、６種類の１１工程の洗浄工程を経て（工程１０５）、ダミーウエハが完成する（工程１０６）。
　【００１６】
　洗浄液の種類と使用する工程は、図７に示すものが好ましい。図７は、本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造行程における洗浄液の種類と使用する工程の説明図である。図７において、洗浄工程６においては、洗浄液として冷水を用いる。
　【００１７】
　洗浄工程１、洗浄工程３及び洗浄工程５においては、洗浄液として温水を用いる。洗浄工程４においては、洗浄液としてシロリンを用いる。洗浄工程２においては、洗浄液として酸（Ｓ−５９）を用いる。
　【００１８】
　洗浄工程７、洗浄工程８、洗浄工程９及び洗浄工程１０においては、洗浄液としてメタノールを用いる。洗浄工程１１においては、洗浄液として塩化メチレンを用いる。なお、洗浄工程の数、洗浄液の種類、洗浄液の利用の順番はこの実施例に限るものではない。
　【００１９】
　完成時において、ダミーウエハの厚みは、例えば、０．５ｍｍ〜４ｍｍの厚みを有する。図２は、本発明のサファイヤ製ダミーウエハを使用した横型拡散炉におけるダミーウエハと製品の配置の説明図である。
　【００２０】半導体を製造するための横型拡散炉３０５には、石英ボード３０１が配置されている。石英ボード３０１には、複数のダミーウエハ３０２と複数の製品３０３と複数のダミーウエハ３０４が、所定の間隔で配置される。
　【００２１】
　石英ボード３０１の両端部付近は、拡散の条件が不均一となるので、製品を配置することは好ましくなく、ダミーウエハの配置が必要である。本発明において製造したサファイヤ製ダミーウエハを、石英ボード３０１の両端部付近配置する複数のダミーウエハ３０２と複数のダミーウエハ３０４として使用する。
　【００２２】
　（２）実施例２
　図３は、本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造行程の実施例２の工程図である。図４は、本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造行程の実施例２の説明図である。
　【００２３】
　図３及び図４において、引き上げ法或はベルヌーイ法を用いて、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からサファイヤの単結晶２１を作成する（工程２０１）。サファイヤの単結晶の大きさは、例えば、５インチ角、６インチ角、７インチ角の平面が充分取れる大きさを持つ。
　【００２４】
　作成されたサファイヤの単結晶２１をセンタレス研削器を用い、必要なマスクの対角線の長さを直径とする太さで外周研削を行う（工程２０２）。次に、ラップ法を用いて一辺の値が希望するウエハサイズになるように切断し、円柱型のサファイヤの単結晶２２を作成する。
　【００２５】
　次に、ラップ法或いはバンド法を用い円柱型のサファイヤの単結晶２２を円形の板状２３に切断する。ラップ法の場合、研削用ダイアモンド粒子の大きさは４〜８ミクロンが好ましい。円形の板状に加工されたサファイヤの板２３を、外周整形機を用いて外周の面仕上げを行う（工程２０３）。
　【００２６】
　外周整形されたサファイヤの板２３の表面の研削を行なう。研磨に使われるダイヤモンド粒子は２０ミクロン以下が好ましい（工程２０４）。表面研削の終わった円形の板２３の表面の研磨を行なう（工程２０５）。研磨方法はラップ法を用い、ロータリー研磨機上で行う。実際の研磨方法は、例えば２重研磨及び３重研磨方法が有る。
　【００２７】
　研磨条件は、実施例１と同様で、図５及び図６に示すものが好ましい。また、必要に応じてバフ法による研磨を行う。この時の総研磨代は片面で、例えば、５０ミクロン内外が好ましい。位置合わせ機構がオリフラかノッチかに従い、研磨したサファイヤの円形の板２４にオリフラ或いはノッチの形状で切り欠き２６を加工をする（工程２０６）。
　【００２８】
　切り欠き２６を有するサファイヤの円形の板２５を、６種類の１１工程の洗浄工程を経て（工程２０７）、ダミーウエハが完成する（工程２０８）。洗浄液の種類と使用する工程は、実施例１と同様で、図７に示すものが好ましい。
　【００２９】
　完成時に於いてダミーウエハの厚みは、例えば、０．５ｍｍ〜４ｍｍの厚みが好ましい。
　【００３０】
　【発明の効果】
　サファイヤガラスは高い機械的耐久性と高い耐薬品性を有している。半導体製造工程中で拡散、酸化、蒸着を行う炉の中で使われるダミーウエハをサファイヤガラスを用いて実現することによって、発塵や汚染を軽減し、寿命の長いダミーウエハを供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造工程の実施例１の工程図である。
　【図２】
　本発明のサファイヤ製ダミーウエハを使用した横型拡散炉におけるダミーウエハと製品の配置の説明図である。
　【図３】
　本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造工程の実施例２の工程図である。
　【図４】
　本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造工程の実施例２の説明図である。
　【図５】
　本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造工程における３重研磨で使用する研磨粒子の範囲の関係を示す説明図である。
　【図６】
　本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造工程における２重研磨で使用する研磨粒子の範囲の関係を示す説明図である。
　【図７】
　本発明のサファイヤ製ダミーウエハの製造工程における洗浄液の種類と使用する工程の説明図である。
　【符号の説明】
　２１　サファイヤの原石
　２２　円柱型のサファイヤの単結晶
　２３　円形の板状に加工されたサファイヤの板
　２４　研磨したサファイヤの円形の板
　２５　切り欠きを加工されたサファイヤの板
　２６　切り欠き