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　特願２００９−５４６５６９「外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月３１日国際公開、ＷＯ２００８／０９１８４６、平成２２年　５月２０日国内公表、特表２０１０−５１７２７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２０年１月２２日（パリ条約による優先権主張２００７年１月２２日、同年１０月２６日、同年１１月９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年９月１５日付け及び平成２４年８月６日付けで手続補正がなされたところ、同年１０月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月１８日に拒絶査定不服審判請求がなされ、その後、当審において同年７月２５日付けで拒絶理由が通知されたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２４年８月６日付け手続補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「高電圧発光体であって、
　発光素子をその上に形成する第１の共通の基板により機械的に相互接続する第１の複数の発光素子と、
　相互接続サブマウントであって、前記複数の発光素子を機械的および電気的に接続し、その上に電気回路を有する相互接続サブマウントと、
を含み、
　前記発光素子は前記相互接続サブマウントにより電気的に相互接続されて、並列接続された発光素子の部分集合の直列接続を含むアレイを形成する、
高電圧発光体。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−２７０９０５号（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  サブマウント素子上に発光素子が実装された複合発光素子であって、前記発光素子が複数個の発光素子で構成されたブロック発光素子からなることを特徴とする複合発光素子。
…
【請求項３】  前記サブマウント素子に、前記ブロック発光素子を構成する複数個の発光素子が直列、並列またはその組み合わせで接続される配線を設けたことを特徴とする請求項１記載の複合発光素子。」
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合発光素子に係り、特に発光素子をサブマウント素子にチップ接合させて複合素子化し、このサブマウント素子によって機能改善を可能とした複合発光素子に関する。」
　ウ　「【００１９】図１は本発明の複合発光素子に用いるブロック発光素子の詳細であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視による断面図である。
【００２０】図において、ブロック発光素子１はサファイア基板１ａの上にＧａＮ系化合物半導体を積層した青色発光のもので、ＧａＮ系化合物半導体のｎ型層の上面にｎ側電極１ｂを形成するとともに、ｐ型層の上面にｐ側電極１ｃを形成したものである。…
【００２１】図２はサブマウント素子の詳細であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【００２２】サブマウント素子２は、１つの静電気保護用のツェナーダイオードを利用してｎ型のＳｉ基板２ａの下面に裏面電極２ｂを形成するとともに上面にはＳｉＯ２の絶縁膜２ｃを形成したものである。Ｓｉ基板２ａの一部には不純物を注入してｐ型半導体領域２ｄを形成している。絶縁膜２ｃはＳｉ基板２ａの全体に形成されているが、ｐ型半導体領域２ｄを開放するｐ側窓２ｅ及びＳｉ基板２ａのｎ型層を開放するｎ側窓２ｆを一部に設けている。そして、絶縁膜２ｃの上にはｐ側窓２ｅに被さってｐ型半導体領域２ｄに導通するｐ側電極３ａと、ｎ側窓２ｆに被さってＳｉ基板２ａのｎ型層に導通するｎ側電極３ｂが形成されている。また、絶縁膜２ｃにはｐ側電極３ａ及びｎ側電極３ｂとともにブロック発光素子のｎ側電極１ｂ及びｐ側電極１ｃのパターンを直列配置するための配線パターンとして第１電極４ａ，第２電極４ｂ，第３電極４ｃがそれぞれ形成されている。
【００２３】図３はサブマウント素子２にブロック発光素子１を搭載したときの詳細であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【００２４】ブロック発光素子１は図１の姿勢をそのまま反転してサブマウント素子２の上に被せたものであり、サブマウント素子２のｐ側電極３ａ，ｎ側電極３ｂ及び第１〜第３電極４ａ，４ｂ，４ｃに予め形成したバンプ５によって導通接続されている。このとき、ブロック発光素子１の４組のｎ側電極１ｂ及びｐ側電極１ｃとサブマウント素子２の各電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ，４ｃの対応は図４に示す通りである。このような導通構造により、図５の等価回路に示すように、１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が直列配列されることになる。
【００２５】以上の構造において、サブマウント素子２の上に導通搭載されたブロック発光素子１には４個の発光素子が含まれているので、従来のものに比べて高輝度の発光が得られ、植物栽培用光源や照明用光源として最適に利用できる。また、ブロック発光素子１は４個の発光素子を直列配列しているので駆動電圧を家庭用電源の１００Ｖに近づけることができ、植物栽培や照明施設等での使用が簡単になる。そして、駆動電流が大きくて発光素子による発熱が大きくても、Ｓｉ基板２ａを用いたサブマウント素子２による放熱が促進されるので、発熱輝度が低下することもない。」
　エ　「【００２６】図６はブロック発光素子１を並列配置するサブマウント素子２の詳細であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【００２７】サブマウント素子２は、先の例と同様にｎ型のＳｉ基板２ａの下面に裏面電極２ｂを形成するとともに上面にはＳｉＯ２の絶縁膜２ｃを形成したものである。Ｓｉ基板２ａの一部には不純物を注入してｐ型半導体領域２ｄを形成している。絶縁膜２ｃはＳｉ基板２ａの全体に形成されているが、ｐ型半導体領域２ｄを開放するｐ側窓２ｅ及びＳｉ基板２ａのｎ型層を開放するｎ側窓２ｆ，２ｇを一部に設けている。そして、絶縁膜２ｃの上にはｐ側窓２ｅに被さってｐ型半導体領域２ｄに導通するｐ側電極３ａと、ｎ側窓２ｆに被さってＳｉ基板２ａのｎ型層に導通するｎ側電極３ｂと、ｎ側窓２ｇに被さってＳｉ基板のｎ型層に導通するｎ側電極３ｃが形成されている。
【００２８】図６に示したサブマウント素子２に対するブロック発光素子１の実装は、ブロック発光素子１を図１の姿勢からそのまま反転してサブマウント素子２の上に被せたものである。すなわち、ブロック発光素子１の４組のｎ側電極１ｂ及びｐ側電極１ｃとサブマウント素子２の各電極３ａ，３ｂ，３ｃの対応は図７に示す通りである。このような導通構造により、図８の等価回路に示すように、１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が並列配列されることになる。
【００２９】なお、上記実施形態では、ブロック発光素子１は、４分割の４個の発光素子で構成されているが、これに限ったものではなく、発光効率への効果は、分割が細かいほど、すなわち構成される発光素子の数が多いほど、また、電流が大きいほど大きくなる。
【００３０】このようにサブマウント素子２にブロック発光素子１を導通搭載することで、ブロック発光素子１の発光素子を並列配列することができ、高輝度の光源として利用できる。」
　オ　上記ウ及び図１〜５に照らせば、該ウ及び図１〜５には、「１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が直列配列される実施の形態」が示され、また、上記エ及び図６〜８に照らせば、該エ及び図６〜８には、「１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が並列配列される実施の形態」が示されているといえる。
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「サブマウント素子上に発光素子が実装され、前記発光素子が複数個の発光素子で構成されたブロック発光素子からなり、前記サブマウント素子に、前記ブロック発光素子を構成する複数個の発光素子が直列、並列またはその組み合わせで接続される配線を設けた複合発光素子であって、
　１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が直列配列される実施の形態として、ブロック発光素子１はサファイア基板１ａの上にＧａＮ系化合物半導体を積層した青色発光のもので、ＧａＮ系化合物半導体のｎ型層の上面にｎ側電極１ｂを形成するとともに、ｐ型層の上面にｐ側電極１ｃを形成したものであり、サブマウント素子２は、１つの静電気保護用のツェナーダイオードを利用してｎ型のＳｉ基板２ａの下面に裏面電極２ｂを形成するとともに上面にはＳｉＯ２の絶縁膜２ｃを形成したものであり、Ｓｉ基板２ａの一部には不純物を注入してｐ型半導体領域２ｄを形成しており、絶縁膜２ｃはＳｉ基板２ａの全体に形成されているが、ｐ型半導体領域２ｄを開放するｐ側窓２ｅ及びＳｉ基板２ａのｎ型層を開放するｎ側窓２ｆを一部に設けており、絶縁膜２ｃの上にはｐ側窓２ｅに被さってｐ型半導体領域２ｄに導通するｐ側電極３ａと、ｎ側窓２ｆに被さってＳｉ基板２ａのｎ型層に導通するｎ側電極３ｂが形成されており、また、絶縁膜２ｃにはｐ側電極３ａ及びｎ側電極３ｂとともにブロック発光素子のｎ側電極１ｂ及びｐ側電極１ｃのパターンを直列配置するための配線パターンとして第１電極４ａ，第２電極４ｂ，第３電極４ｃがそれぞれ形成されており、ブロック発光素子１は姿勢をそのまま反転してサブマウント素子２の上に被せ、サブマウント素子２のｐ側電極３ａ，ｎ側電極３ｂ及び第１〜第３電極４ａ，４ｂ，４ｃに予め形成したバンプ５によって導通接続されており、このような導通構造により、１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が直列配列されることになり、ブロック発光素子１は４個の発光素子を直列配列しているので駆動電圧を家庭用電源の１００Ｖに近づけることができ、
　１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が並列配列される実施の形態として、サブマウント素子２は、ｎ型のＳｉ基板２ａの下面に裏面電極２ｂを形成するとともに上面にはＳｉＯ２の絶縁膜２ｃを形成したものであり、Ｓｉ基板２ａの一部には不純物を注入してｐ型半導体領域２ｄを形成しており、絶縁膜２ｃはＳｉ基板２ａの全体に形成されているが、ｐ型半導体領域２ｄを開放するｐ側窓２ｅ及びＳｉ基板２ａのｎ型層を開放するｎ側窓２ｆ，２ｇを一部に設けており、絶縁膜２ｃの上にはｐ側窓２ｅに被さってｐ型半導体領域２ｄに導通するｐ側電極３ａと、ｎ側窓２ｆに被さってＳｉ基板２ａのｎ型層に導通するｎ側電極３ｂと、ｎ側窓２ｇに被さってＳｉ基板のｎ型層に導通するｎ側電極３ｃが形成されており、サブマウント素子２に対するブロック発光素子１の実装は、ブロック発光素子１をそのまま反転してサブマウント素子２の上に被せ、このような導通構造により、１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が並列配列されることになる、
　複合発光素子。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開２００５−１１７０２８号（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
　本発明は、ＬＥＤ照明光源に関し、特に、一般照明用の白色ＬＥＤ照明光源に関する。」
　イ　「【００２３】
　図５は、基板１１上に４個のＬＥＤ素子１０が配列されたＬＥＤ照明光源４００を示している。図５のＬＥＤ照明光源４００では、４つのＬＥＤ素子１０を直列に接続すれば、図６（ａ）に示す回路４１０が形成される。一方、４つのＬＥＤ素子１０を並列に接続すれば、図６（ｂ）に示す回路４２０が形成される。
【００２４】
　ＬＥＤ照明光源に含まれるＬＥＤ素子１０の数が多くなると、直列接続と並列接続とを組み合わせることも可能である。例えば、ＬＥＤ素子１０を４×４＝１６個のマトリックス状に配列させたＬＥＤ照明光源では、直列に接続した４個のＬＥＤ素子１０の組を並列に接続し、図７に示す回路４３０を形成することができる。並列に接続した４個のＬＥＤ素子１０の組を直接に接続すれば、図８に示す回路４４０を形成することができる。」
　ウ　上記イ（【００２４】）に照らして図８を見ると、「並列に接続した４個のＬＥＤ素子１０の組を」４つ直列に接続することにより「（ＬＥＤ照明光源の）回路４４０」を形成することが見て取れる。
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＬＥＤ素子１０を４×４＝１６個のマトリックス状に配列させたＬＥＤ照明光源であって、
　並列に接続した４個のＬＥＤ素子１０の組を４つ直列に接続することにより前記ＬＥＤ照明光源の回路４４０を形成する、ＬＥＤ照明光源。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１は、「発光素子が複数個の発光素子で構成されたブロック発光素子からなり」、「ブロック発光素子１はサファイア基板１ａの上にＧａＮ系化合物半導体を積層した青色発光のもの」であるから、引用発明１の「サファイア基板１ａ」及び「（複数個の発光素子で構成されたブロック）発光素子」は、それぞれ、本願発明の「第１の共通の基板」及び「（発光素子をその上に形成する第１の共通の基板により機械的に相互接続する第１の複数の）発光素子」に相当する。
（２）引用発明１の「サブマウント素子」は、「（その）上に発光素子が実装され」、「ブロック発光素子を構成する複数個の発光素子が直列、並列またはその組み合わせで接続される配線を設けた」ものであるから、
　ア　引用発明１の「サブマウント素子」は、本願発明の「（前記複数の発光素子を機械的および電気的に接続し、その上に電気回路を有する）相互接続サブマウント」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記発光素子は前記相互接続サブマウントにより電気的に相互接続され」との事項を備える。
（３）引用発明１の「複合発光素子」と、本願発明の「高電圧発光体」とは、「発光体」である点で一致する。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「発光体であって、
　発光素子をその上に形成する第１の共通の基板により機械的に相互接続する第１の複数の発光素子と、
　相互接続サブマウントであって、前記複数の発光素子を機械的および電気的に接続し、その上に電気回路を有する相互接続サブマウントと、
を含み、
　前記発光素子は前記相互接続サブマウントにより電気的に相互接続された、
発光体。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　本願発明は、並列接続された発光素子の部分集合の直列接続を含むアレイを形成する高電圧発光体であるのに対し、引用発明１は、「サブマウント素子」が、「ブロック発光素子を構成する複数個の発光素子が直列、並列またはその組み合わせで接続される配線を設けた」ものではあるものの、並列接続された発光素子の部分集合の直列接続を含むアレイを形成する高電圧発光体であるのか否か明らかではない点（以下「相違点」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
　引用発明１は、「１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が直列配列される実施の形態」及び「１個のサブマウント素子２に対して４個の発光素子が並列配列される実施の形態」を備え、「前記サブマウント素子に、…ブロック発光素子を構成する複数個の発光素子が直列、並列またはその組み合わせで接続される配線を設けた」ものであるところ、上記２（２）によれば、引用刊行物２には、「並列に接続した４個のＬＥＤ素子１０の組を４つ直列に接続することにより（ＬＥＤ素子１０を４×４＝１６個のマトリックス状に配列させた）ＬＥＤ照明光源の回路４４０を形成」する発明（引用発明２）が記載されているから、引用発明１において、複数個の「発光素子」の接続回路形態として、引用発明２の「（並列に接続した４個のＬＥＤ素子１０の組を４つ直列に接続する）回路４４０」の形態を採用することは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、本願明細書の「ここで用いる『高電圧』という表現は、発光体の両端の電圧降下がその発光体に含まれる発光素子の１つの電圧降下の少なくとも３倍であることを意味する。」（【００１５】）との記載に照らせば、本願発明の「高電圧発光体」は、複数の「発光素子」を３つ以上直列に接続したものを意味すると解されるところ、引用発明１において上記「（並列に接続した４個のＬＥＤ素子１０（発光素子）の組を４つ直列に接続する）回路４４０」の形態を採用した「複合発光素子」も、「発光素子」を３つ以上直列に接続したものであるから、上記「複合発光素子」も「高電圧」のものであるといえる。
　そして、本願発明の奏する効果が、引用発明１、２から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　よって、引用発明１において、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。