【事件の表示】
　特許第２８１７８８４号「反射防止薄膜」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８１７８８４号の請求項１ないし８に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２８１７８８４号の請求項１ないし８に係る各発明についての出願は、平成２年９月６日（パリ条約による優先権主張：１９８９年９月６日：米国）に特許出願され、平成１０年８月２１日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その全請求項１ないし８に係る特許について、特許異議申立人 武井英夫 より特許異議の申立がなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１１年１０月２７日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由が通知され、意見書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否の判断
２．１　訂正明細書の請求項１〜６に係る発明
　平成１１年１０月２７日付けで提出された訂正明細書の請求項１〜６に係る発明（以下「訂正発明１〜６」という。）は、その特許請求の範囲の第１〜６項に記載された次のとおりのものである。
「（１）閉ざされた支持フレームの一端にしっかりと接着された光学薄膜を含む反射防止薄膜であって、前記光学薄膜は、
３５０〜４６０ナノメーターのバンドにおいて入射光の９７％以上を透過する膜であって、
前記コア層は、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリビニルブチラート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、及びセルロース誘導体からなる群から選択されたポリマーを含み、
Ｓ＝ｍａ／Ｍａ＋ｍｂ／Ｍｂ＋・・・＋ｍｉ／Ｍｉ≦１
　（２）前記反射防止層は、９９モル％のペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと補充量のテトラフルオロエチレンとのアモルファスコポリマーを含む請求項１に記載の反射防止薄膜。
　（３）前記コア層は、ニトロセルロースを含む請求項２に記載の反射防止薄膜。
　（４）前記光学薄膜は、コア層と、このコア層の一方の側に反射防止層を具備する請求項３に記載の反射防止薄膜。
　（５）前記光学薄膜は、コア層と、このコア層の両方の側に反射防止層を具備する請求項３に記載の反射防止薄膜。
　（６）前記反射防止層は、６５〜９０モル％のペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと３５〜１０モル％のテトラフルオロエチレンとのアモルファスコポリマーを含む請求項４又は５に記載の反射防止薄膜。」
２．２　引用刊行物記載の発明
　当審が通知した取消理由で引用した、特許異議申立人提出の甲第３号証（特開昭６０−２３７４５０号公報）、甲第４号証（特開昭６３−２６０９３２号公報）、甲第５号証（米国特許第４７５４００９号明細書）には、以下の事項が記載されている。
２．２．１　甲第３号証（特開昭６０−２３７４５０号公報）
「１　少なくとも、ニトロセルロース層が芯部をなし、屈折率が１．４２以下で反射防止すべき波長の光を吸収・散乱しないポリマーの最外側反射防止層が最外側に配設される多層膜を要部とする非反射性フォトマスク・レチクル用防塵カバー体
　・・（中略）・・
　３　少なくとも、ニトロセルロース層が芯部をなし、屈折率が１．４２以下で反射防止すべき波長の光を吸収・散乱しないポリマーの最外側反射防止層が最外側に配設され、・・（中略）・・多層膜を要部とする非反射性フォトマスク・レチクル用防塵体を製造するに際し、前記の各層をそのポリマーを溶媒に溶解せしめて回転塗布法によって形成することを特徴とする非反射性フォトマスク・レチクル用防塵体の製造方法」（特許請求の範囲）
「つぎに図面により本発明を説明する。第１図において、ニトロセルロース層１は多層膜２の芯部をなしている。・・（中略）・・膜の厚さは、通常、１〜１０μｍである。
　・・（中略）・・
　最外側反射防止層３はニトロセルロース層１の表面に積層され、全体として多層膜２を構成する。最外側反射防止層３は屈折率が１．４２以下で反射防止すべき波長の光を吸収・散乱しないポリマーで形成される。反射防止層の屈折率が１．４２より大きい場合には干渉波の減少が少なく、干渉により反射波が最大となる最低光線透過率は９２％以下となり、反射防止効果が不充分となる。屈折率が１．４２以下の場合には、例えばシリコン樹脂（屈折率≒１．４１）を用いれば、その最低光線透過率は９３％となるので、・・（中略）・・、９２％以上の光線透過率が得られる。ポリマーとしては、たとえばシリコン重合体、弗素系重合体が屈折率が１．４２以下であり、又、吸収・散乱がほとんど無く良好である。特に弗素系重合体については、共重合モノマー種類、共重合組成により各種の性状の重合体が得られるが、本発明に用いることのできる重合体は、その内、屈折率が１．４２以下でかつ、露光する光を吸収・散乱しない重合体であることが必要であり、更には、表面にベタツキがないものが好しい。・・（中略）・・かかる弗素系重合体としては、テトラフロロエチレン（以下、ＴＦＥと略すことあり）とビニリデンフロライド（以下、ＶｄＦと略すことあり）の共重合体、又は、ＴＦＥとＶｄＦとヘキサフロロプロピレン（以下、ＨＦＰと略すことあり）の三元共重合体のうち・・（中略）・・範囲である重合体が挙げられる。上記以外の組成については、結晶性の為に散乱が生じたり、エラストマーとなって表面がベタツキ、本発明に用いるには適さない。」（３頁右上欄１３行〜４頁左上欄８行）
「以上説明した多層膜の各態様を製造する方法として・・（中略）・・最も容易で高精度に製造する方法として回転塗布法が最適である。・・（中略）・・回転塗布法によれば、充分満足しうる精度でニトロセルロース層に中間層、中間反射防止層、最外側反射防止層を形成することができることを見出した。
　・・（中略）・・たとえば反射防止層の厚みがλ／４〔λ：反射防止すべき波長〕で、λ＝４００ｎｍの場合、反射防止層を形成する溶液のポリマー濃度を０．５〜１．５ｗｔ％に調製し、スピンコーターの回転数を５００〜２０００ｒｐｍ程度に調節して１０秒〜５分間回転させることにより目的とする膜厚みを得ることができる。実際の膜厚みは約０．１μｍと極めて薄く、かつ複合化されている為、直接測ることは困難であるが、この膜の分光特性測定に於ける、反射防止性能が最良の波長、即ち、干渉波が最も小さくなる波長がλ／４に相当することからして反射防止膜の膜厚を推定することができる。」（５頁左上欄１行〜右上欄１５行）
「実施例１、比較例１
　ニトロセルロース（旭化成(株)製、Ｈ−２０）を酢酸ｎ−ブチルに溶解させ、７重量％液とした。又、ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦの三元共重合体（ＴＦＥ＝５０．１重量％、ＨＦＰ＝２９．２重量％、ＶｄＦ＝２０．７重量％、ｎ２０Ｄ＝１．３５）を、パーフロロ−２−メチル−１−オキシ−３−チアシクロヘキサン−３，３−ジオキシド（…略…）に溶解させ、０．６重量％溶液とした。
　シリコンウエハ（１２５ｍｍφ）をスピンコーターにセットし、ニトロセルロース溶液を滴下し、ウエハ上に均一なニトロセルロース塗膜を形成させた。このものを赤外線ランプで乾燥後、更に、この上にＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ三元共重合体溶液を滴下し、７００ｒｐｍで２０秒間回転させた後、赤外ランプで乾燥させた。次いで、１００ｍｍφ（外径）のアルミリングにエポキシ接着剤を塗布し、前記のように形成した膜面と重ね合せ、硬化させた。
　このものを、水の中に浸漬し、３０分放置後、ウエハと膜を分離し、水中よりアルミリングに固着された薄膜を回収し、風乾させ、再度スピンコーターに膜面が上となる様セットし、ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ共重合体溶液を塗布し、回転成膜後、乾燥させることにより、目的とする防塵カバー体を得た。第５図のように、この反射防止膜は、分光光度計（島津製作所(株)製、ＵＶ−２４０）による分光特性測定から、４００ｎｍ付近の光線透過率は９６．５〜９９．５％で平均透過率は９８％であった。一方、ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦの三元共重合体を塗布しなかったニトロセルロース単独の防塵カバー体の分光特性は、光線透過率８４〜９９％と大きな干渉波が観察され、平均透過率も９２％であった。
　・・（中略）・・
　実施例３
　実施例１のＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ三元共重合体に代えて、ＴＦＥ／ＶｄＦ共重合体（ＴＦＥ含量＝４９．７重量％、ｎＤ＝１．４０）のヘキサメチルリン酸トリアミド溶液を使用して成膜することにより防塵カバー体を得た。このものの分光特性の測定から、３５０〜４５０ｎｍ間の光線透過率は、９２．５〜９９．５％であり、平均透過率も９６％と反射防止効果があった。」（５頁左下欄７行〜６頁左上欄１８行）
「図面の簡単な説明
　第１図は本発明の要部である多層膜の一例を示す拡大断面図、第２図は防塵カバー体の全体の断面図、第３図は本発明を使用する態様の模式図、・・（中略）・・第５図は実施例１および比較例１の波長と光線透過率を示す図、・・（中略）・・である。
１…ニトロセルロース層　２…多層膜　３…最外側反射防止層　４…支持枠　５…接着層　６…粘着層　７…画像　８…フォトマスク又はレチクル」（７頁左上欄２〜１２行）
（第１図）
（第２図）
（第３図）
（第５図）
２．２．２　甲第４号証（特開昭６３−２６０９３２号公報）
「主鎖に環構造を有する含フッ素ポリマーが厚さ５０μ以下に薄膜化されていることを特徴とする含フッ素ポリマーの薄膜。」（特許請求の範囲第１項）
「本発明者は、種々研究、検討を重ねた結果、主鎖に環構造を有する含フッ素ポリマーを採用することにより、パーフルオロポリマーの場合であっても、薄膜化が容易であり、５０μ以下で欠陥のない薄膜を円滑有利に製造可能であることを見出した。さらには、前記特定の含フッ素ポリマーをフッ素系溶媒などに溶かし、その溶液を用いることによって、これまでには得られなかったような２０μ以下、例えば０．０２〜５μ程度の超薄膜でも欠陥のない膜とすることができることを見出した。」（２頁右上欄８〜１８行）
「本発明において、主鎖に環構造を有する含フッ素ポリマーとしては、例えば一般式
　・・（中略）・・
一般式−（ＣＦ − ＣＦ）−（ただしＲ１はＦ又はＣＦ３、
　　　　　｜　　　｜　　　　Ｒ２はＦ又はＣＦ３）
　　　　　Ｏ　　　Ｏ
　　　　　　＼　／
　　　　　　　Ｃ
　　　　　　／　＼
　　　　　Ｒ１　　Ｒ２　
の如き環構造を有するものが挙げられる。これらの内、次の如き環構造を有するポリマーが代表的である。
　・・（中略）・・
　　　−（ＣＦ − ＣＦ）−
　　　　　｜　　　｜　　　
　　　　　Ｏ　　　Ｏ
　　　　　　＼　／
　　　　　　　Ｃ
　　　　　　／　＼
　　　　　ＣＦ３　ＣＦ３　
これら重合体の製造法を示すと、次の２通りである。・・（中略）・・
１．環化重合によるもの
　・・（中略）・・
２．環状モノマーを使用するもの（ＵＳＰ３９７８０３０など）
　ＣＦ ＝ ＣＦ　　　　　　　　　−（ＣＦ − ＣＦ）−
　｜　　　｜　　　　　　　　　　　　｜　　　｜　
　Ｏ　　　Ｏ　　　ラジカル重合　　　Ｏ　　　Ｏ
　　＼　／　　　　−−−−−−→　　　＼　／
　　　Ｃ　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ
　　／　＼　　　　　　　　　　　　　　／　＼
　ＣＦ３　ＣＦ３　　　　　　　　　　ＣＦ３　ＣＦ３　
　・・（中略）・・
　また、これらの成分の本質を損なわない程度に共重合成分を使用することは何ら差し支えがない。共重合せしめる他の単量体としては、ラジカル重合性を有するモノマーであれば、特に限定されずに含フッ素系、炭化水素系その他が広範囲にわたって例示され得る。当然のことであるが、これら他の単量体は一種単独で前記の如き特定環構造を主鎖に導入可能なモノマーとラジカル共重合せしめても良く、あるいは適宜の２種類以上を併用して上記共重合反応を行なわせても良い。本発明においては、通常は他の単量体としてフルオロオレフィン、フルオロビニルエーテルなどの含フッ素系モノマーを選定するのが望ましい。例えば、テトラフルオロエチレン、パーフルオロビニルエーテルなどは好適な具体例であり、弗化ビニリデン、弗化ビニル、クロロトリフルオロエチレンなども例示され得る。
　共重合体組成としては、溶解性、製膜性および含フッ素ポリマーとしての特性などを生かすために、環状構造の組成が２０％以上が好ましく、更に好ましくは４０％以上であることが望ましい。」（２頁左下欄４行〜３頁左下欄２０行）
「薄膜化方法は上記の溶液を用い、ロールコーター法、キャスト法、ディッピング法、スピンコート法、水上キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法等の溶液から膜を形成させる方法であれば特に限定はない。」（３頁右下欄１４〜１８行）
「薄膜は、ピンホールなどの欠陥がなく、透明で屈折率が低く、耐熱性、耐薬品性に優れているため、各種コーティング材、電子部材、光学部材、分離膜等に用いることができる。」（４頁左上欄１２〜１５行）
「〔発明の効果〕
　本発明は、主鎖に環構造を有するパーフルオロポリマーを特殊な溶媒に溶解し、この溶液を用い薄膜を形成することにより、５０μ以下の薄膜を工業的に円滑有利に製造することができるという効果を有し、また主鎖にパーフルオロ環構造を有するポリマーはホモポリマーでも溶媒に可溶なため、フッ素含量の高い重合体、共重合体であっても可溶である。したがって得られた薄膜はフッ素樹脂としての特性、例えば低屈折率、耐熱性、低透湿性、高い抵抗、高い絶縁破壊強度等を低下することがない。
　さらに主鎖に環構造を有しているため結晶性が低く透明な薄膜を得ることができるという特徴を有する。
　共重合体においては、コモノマーとして種々の有用な機能を有するものを選択できるため、薄膜にさらに多くの機能を付与せしめることができる。」（５頁右下欄６行〜６頁左上欄４行）
２．２．３　甲第５号証（米国特許第４７５４００９号明細書）
「Ｒｅｓｎｉｃｋの米国特許第３９７８０３０号明細書には、下記の構造式を有するパーフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール（ＰＤＤ）のポリマーがいくつか記載されている：
　ＣＦ ＝ ＣＦ　
　｜　　　｜　　
　Ｏ　　　Ｏ　　
　　＼　／　　　
　　　Ｃ　　　　
　　／　＼　　　
　ＣＦ３　ＣＦ３　
　上記特許には、ＰＤＤのホモポリマー（それ以上は特定されていない）と、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）との結晶質のコポリマー（約２６５℃の融点を有する）とが、記載されている。」（１欄４２〜５５行）
「本発明によれば、６５〜９９モル％のパーフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと補充量の以下の化合物群から選ばれるコモノマーとのアモルファスコポリマーが提供される：
（ａ）テトラフルオロエチレン、
（ｂ）クロロトリフルオロエチレン、
（ｃ）弗化ビニリデン、
（ｄ）へキサフルオロプロピレン、
（ｅ）トリフルオロエチレン、
（ｆ）式ＣＦ２＝ＣＦＯＲＦ（式中、ＲＦは１〜３の炭素原子を有する直鎖パーフルオロアルキルラジカルを示す）のパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、
（ｇ）式ＣＦ２＝ＣＦＯＱＺ（式中、Ｑは０〜５のエーテル酸素原子を含むパーフルオロアルキレンラジカルであり、ＱにおけるＣとＯの合計は２〜１０であり；Ｚは−ＣＯＯＲ、−ＳＯ２Ｆ、−ＣＮ、−ＣＯＦ及び−ＯＣＨ３からなる群から選択された基であり、ＲはＣ１〜Ｃ４のアルキル基を示す）のフルオロビニルエーテル、
（ｈ）弗化ビニル、及び
（ｉ）式ＲｆＣＨ＝ＣＨ２（式中、ＲｆはＣ１〜Ｃ８の直鎖パーフルオロアルキルラジカル）の（パーフルオロアルキル）エチレン；
コポリマーのガラス転移点は１４０℃以上であり；
コポリマー中のコモノマーの最大モル％Ｍａ・・・Ｍｉは、下記のとおり：
（ａ）テトラフルオロエチレンの場合Ｍａ＝３５、
（ｂ）クロロトリフルオロエチレンの場合Ｍｂ＝３０、
（ｃ）弗化ビニリデンの場合Ｍｃ＝２０、
（ｄ）へキサフルオロプロピレンの場合Ｍｄ＝５、
（ｅ）トリフルオロエチレンの場合Ｍｅ＝３０、
（ｆ）ＣＦ２＝ＣＦＯＲＦの場合Ｍｆ＝３０、
（ｇ）ＣＦ２＝ＣＦＯＱＺの場合Ｍｇ＝２０、
（ｈ）弗化ビニルの場合Ｍｈ＝２５、及び
（ｉ）ＲｆＣＨ＝ＣＨ２の場合Ｍｉ＝１０
であり、１種を越えるコモノマーを含むコポリマーの場合、それぞれのコモノマーの量は対応する最大モル％Ｍａ・・・Ｍｉに対するモル％ｍａ・・・ｍｉの比の合計Ｓが、下記式に示すように、１より大きくない：
Ｓ＝ｍａ／Ｍａ＋ｍｂ／Ｍｂ＋・・・＋ｍｉ／Ｍｉ＜１」（２欄９〜５３行）
「ＰＤＤが上記の１種以上のモノマーとアモルファスコポリマーを共重合で生成することを見いだした。・・（中略）・・加えて、下記の優れた物性を有する。
１．高いガラス転移温度
・・（中略）・・
６．溶剤に溶かすことでフィルムや塗膜に製造可能
・・（中略）・・
８．めったにないほど低い屈折率（unusually low refractive indices）
・・（中略）・・
　そして、化学的に不活性であり、光学的物性、機械的物性が良好であるため、これらコポリマーは、光学レンズの製造に適している。」（３欄４５行〜４欄５行）
２．３　対比・判断
　訂正発明１と甲第３号証に記載された発明とを対比する。
　甲第３号証に記載された発明は、「非反射性フォトマスク・レチクル用防塵体」であり、第２図、第３図の構成から、これは、訂正発明１の「閉ざされた支持フレームの一端にしっかりと接着された光学薄膜を含む反射防止薄膜」に相当している。また、「ニトロセルロース層が芯部をなし、ポリマーの最外側反射防止層が最外側に配設される多層膜」である点及び第１図の構成は、訂正発明１の「光学薄膜は、コア層と、少なくとも１つの反射防止層とを具備し、コア層はセルロース誘導体のポリマーを含み、」に相当している。また、多層膜２の芯部をなしているニトロセルロース層の「膜の厚さは、通常、１〜１０μｍである」から、この層の厚さは、訂正発明１のコア層の「０．３〜２０μｍの厚さ」の範囲内である。また、ニトロセルロース層の屈折率は甲第３号証には直接的な記載はないが、本件の実施例でニトロセルロースはコア層に用いられていることから、訂正発明１のコア層の「１．３２〜１．８０の屈折率」を満足することは明らかである。（なお、異議申立人が提出した参考資料１（特開昭６１−２０９４４９号公報）の５頁右下欄３〜４行には、「ニトロセルロース（…，ｎＤ＝１．５１，…）」と記載されている。）また、「各層を…回転塗布法によって形成する」との記載は、訂正発明１の「回転塗布法により形成されたコア層」「回転塗布法により形成された反射防止層」に相当している。また、甲第３号証に記載された発明において、反射防止層に用いられる弗素系重合体等について「反射すべき波長の光を散乱しない」との記載は、別の箇所での「結晶性の為に散乱が生じたり」という記載からしても、弗素系重合体等が「非晶質」すなわち「アモルファス」であることに相当している。なお、甲第３号証に記載された発明において反射防止層に用いられているＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ三元共重合体、ＴＦＥ／ＶｄＦ共重合体等は弗素系重合体すなわちフッ素系ポリマーであるが、訂正発明１において反射防止層に用いられているペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと他のフッ素系のコモノマーとのコポリマーも、フッ素系ポリマーの一種である。
　したがって、訂正発明１と甲第３号証に記載された発明とは、
「閉ざされた支持フレームの一端にしっかりと接着された光学薄膜を含む反射防止薄膜であって、前記光学薄膜は、１．３２〜１．８０の屈折率および０．３〜２０μｍの厚さを有し、回転塗布法により形成されたコア層と、回転塗布法により形成された少なくとも１つの反射防止層とを具備し、前記コア層は、セルロース誘導体からなるポリマーを含み、前記反射防止層は、フッ素系アモルファスポリマーを含む反射防止薄膜。」である点で一致し、次の点で相違している。
（相違点１）訂正発明１は、光学薄膜が「３５０〜４６０ナノメーターのバンドにおいて入射光の９７％以上を透過する膜」であるのに対し、甲第３号証に記載された発明では、「ニトロセルロース膜の両面にＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ三元共重合体（ｎ２０Ｄ＝１．３５）を塗布した膜では４００ｎｍ付近の光線透過率は９６．５〜９９．５％（実施例１；３５０〜４６０ｎｍ間の光線透過率では９５％以上（第５図参照））であり、ＴＦＥ／ＶｄＦ共重合体（ｎＤ＝１．４０）を塗布した膜では３５０〜４５０ｎｍ間の光線透過率は９３．５〜９９．８％（実施例３）」であって、３５０〜４６０ナノメーターのバンドにおいて入射光の９７％以上を透過する膜ではない点。
（相違点２）訂正発明１では、反射防止層として、ペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール（以下、「ＰＤＤ」という。）と他のフッ素系のコモノマーａ）〜ｉ）との特定比率でのコポリマー（以下、「本件ＰＤＤコポリマー」という。）を含んでいるのに対して、甲第３号証に記載された発明では、反射防止層のポリマーについては、屈折率１．４２以下等と規定され、「ポリマーとしては、たとえばシリコン重合体、弗素系重合体が屈折率が１．４２以下であり、又、吸収・散乱がほとんど無く良好である。」と記載されてはいるが、フッ素系重合体については、ＴＦＥ／ＶｄＦ共重合体とＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ三元共重合体とが開示されているだけで、本件ＰＤＤコポリマーの使用については記載がない点。
　そこで、まず上記相違点２について検討する。
　甲第３号証においては、反射防止層に用いられるポリマーについては、「反射防止層の屈折率が１．４２より大きい場合には干渉波の減少が少なく、干渉により反射波が最大となる最低光線透過率は９２％以下となり、反射防止効果が不充分となる。屈折率が１．４２以下の場合には、例えばシリコン樹脂（屈折率≒１．４１）を用いれば、その最低光線透過率は９３％となるので、・・（中略）・・、９２％以上の光線透過率が得られる。」と記載されているように、９２％以上の光線透過率を得るために、屈折率が１．４２以下のもの（当然反射防止すべき波長の光を吸収・散乱しないもの）であることが、採用できるポリマーの条件であるが、屈折率が１．４２以下の場合であっても、反射防止層の屈折率が低い方がより望ましい（反射率が下がる：光線透過率が上がる）ことは、当業者に周知の技術事項である。すなわち、反射率を下げるには、コア層の屈折率の平方根の値であることが最も望ましい（例えば、コア層がニトロセルロース（ｎ≒１．５１）層であるとすると、ｎ≒１．２３）が、実際には、それほど屈折率の低い材料は得難いから、なるべく屈折率が低い材料が望ましいことになる。（甲第３号証においても、屈折率が比較的低いｎ２０Ｄ＝１．３５のＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ三元共重合体を塗布した膜（実施例１）の３５０〜４６０ｎｍ間の光線透過率は９５％以上（第５図参照）であり、ｎＤ＝１．４０のＴＦＥ／ＶｄＦ共重合体を塗布した膜（実施例３）の９３．５％以上よりも、光線透過率において優れている。）
　ところで、甲第４号証ないし甲第５号証には、それぞれ、本件ＰＤＤコポリマーと実質的に同一のＰＤＤのアモルファスコポリマーが記載されており、しかもそのＰＤＤのアモルファスコポリマーが低屈折率であり、薄膜化が容易で、光学用途に有用である点も記載されている。
　特に、甲第５号証に記載されたＰＤＤのコポリマー、すなわち
「
６５〜
（ａ）テトラフルオロエチレン、
（ｂ）クロロトリフルオロエチレン、
（ｃ）弗化ビニリデン、
（ｄ）へキサフルオロプロピレン、
（ｅ）トリフルオロエチレン、
（ｆ）式ＣＦ２＝ＣＦＯＲＦ（式中、ＲＦは１〜３の炭素原子を有する直鎖パーフルオロアルキルラジカルを示す）のパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、
（ｇ）式ＣＦ２＝ＣＦＯＱＺ（式中、Ｑは０〜５のエーテル酸素原子を含むパーフルオロアルキレンラジカルであり、ＱにおけるＣとＯの合計は２〜１０であり；Ｚは−ＣＯＯＲ、−ＳＯ２Ｆ、−ＣＮ、−ＣＯＦ及び−ＯＣＨ３からなる群から選択された基であり、ＲはＣ１〜Ｃ４のアルキル基を示す）のフルオロビニルエーテル、
（ｈ）弗化ビニル、及び
（ｉ）式ＲｆＣＨ＝ＣＨ２（式中、ＲｆはＣ１〜Ｃ８の直鎖パーフルオロアルキルラジカル）の（パーフルオロアルキル）エチレン；
コポリマーのガラス転移点は
１４０℃以上
コポリマー中のコモノマーの最大モル％Ｍａ・・・Ｍｉは、下記のとおり：
（ａ）テトラフルオロエチレンの場合
Ｍａ＝３５
（ｂ）クロロトリフルオロエチレンの場合
Ｍｂ＝３０
（ｃ）弗化ビニリデンの場合
Ｍｃ＝２０
（ｄ）へキサフルオロプロピレンの場合
Ｍｄ＝５
（ｅ）トリフルオロエチレンの場合Ｍｅ＝３０、
（ｆ）ＣＦ２＝ＣＦＯＲＦの場合Ｍｆ＝３０、
（ｇ）ＣＦ２＝ＣＦＯＱＺの場合Ｍｇ＝２０、
（ｈ）弗化ビニルの場合
Ｍｈ＝２５
（ｉ）ＲｆＣＨ＝ＣＨ２の場合Ｍｉ＝１０
であり、１種を越えるコモノマーを含むコポリマーの場合、それぞれのコモノマーの量は対応する最大モル％Ｍａ・・・Ｍｉに対するモル％ｍａ・・・ｍｉの比の合計Ｓが、下記式に示すように、１より大きくない：
Ｓ＝ｍａ／Ｍａ＋ｍｂ／Ｍｂ＋・・・＋ｍｉ／Ｍｉ＜１」と、
本件ＰＤＤコポリマー、すなわち訂正発明１のＰＤＤのコポリマー
「
３０〜
８０℃以上
Ｍａ＝７０
Ｍｂ＝７０
Ｍｃ＝７０
Ｍｄ＝１５
Ｍｈ＝７０
Ｓ＝ｍａ／Ｍａ＋ｍｂ／Ｍｂ＋・・・＋ｍｉ／Ｍｉ≦１」
とは、上記下線を施した点で一応相違しているが、本件ＰＤＤコポリマーは甲第５号証に記載されたＰＤＤのコポリマーを含む範囲のものであるから、本件ＰＤＤコポリマーは甲第５号証に記載されたＰＤＤのコポリマーと同一のものである。そして、甲第５号証にはＰＤＤのコポリマーが、アモルファスであること、めったにないほど低い屈折率（unusually low refractive indices）を示すこと、薄膜化できること、光学レンズの製造に適していること等も記載されている。
　してみると、甲第３号証に記載された発明において、反射防止層に用いる屈折率が１．４２以下のフッ素系ポリマーとして、甲第４号証ないし甲第５号証に記載の知見に基づき、甲第５号証に記載された、めったにないほど低い屈折率を示すＰＤＤのアモルファスコポリマーを採用する程度のことは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　また、相違点１についても、「３５０〜４６０ナノメーターのバンドにおいて入射光の９７％以上を透過する膜」となることは、そのようなＰＤＤのアモルファスコポリマーを反射防止層に採用した結果にすぎないし、そのようなＰＤＤのアモルファスコポリマーを採用すれば、その屈折率のめったにないほどに低い程度に応じて、３５０〜４６０ｎｍ間の光線透過率が従来公知の９５％以上のものよりもかなり増大するであろうことは当業者が充分予期し得ることである。
　したがって、訂正発明１は、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
２．４　むすび
　よって、訂正発明１は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
　
３．特許異議の申立てについての判断
３．１　請求項１ないし８に係る発明
　請求項１ないし８に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、それぞれ、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】閉ざされた支持フレームの一端にしっかりと接着された光学薄膜を含む反射防止薄膜であって、前記光学薄膜は、１．３２〜１．８０の屈折率および０．３〜２０μｍの厚さを有し、回転塗布法により形成されたコア層と、回転塗布法により形成された少なくとも１つの反射防止層とを具備し、前記反射防止層は、３０〜９９モル％のペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと、補充量のコモノマーとのアモルファスコポリマーを含み、前記コモノマーは、ａ）テトラフルオロエチレン、ｂ）クロロトリフルオロエチレン、ｃ）弗化ビニリデン、ｄ）へキサフルオロプロピレン、ｅ）トリフルオロエチレン、ｆ）式ＣＦ２＝ＣＦＯＲＦ（式中、ＲＦは１〜３の炭素原子を有する直鎖ペルフルオロアルキルラジカルを示す）のペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）、ｇ）式ＣＦ２＝ＣＦＯＱＺ（式中、Ｑは１〜５のエーテル酸素原子を含む過弗化されたアルキレンラジカルであり、ＱにおけるＣとＯの合計は２〜１０であり、Ｚは−ＣＯＯＲ、−ＳＯ２Ｆ、−ＣＮ、−ＣＯＦ及び−ＯＣＨ３からなる群から選択された基であり、ＲはＣ１〜Ｃ４のアルキル基を示す）、ｈ）弗化ビニル、及びｉ）式ＲｆＣＨ＝ＣＨ２（式中、ＲｆはＣ１〜Ｃ８の直鎖ペルフルオロアルキルラジカル）の（ペルフルオロアルキル）エチレンからなる群から選択された少なくとも１種であり、コポリマーのガラス転移点は８０℃以上であり、コポリマー中のコモノマーの最大モル％Ｍａ・・・Ｍｉは、ａ）テトラフルオロエチレンの場合Ｍａ＝７０、ｂ）クロロトリフルオロエチレンの場合Ｍｂ＝７０、ｃ）弗化ビニリデンの場合、Ｍｃ＝７０、ｄ）へキサフルオロプロピレンの場合Ｍｄ＝１５、ｅ）トリフルオロエチレンの場合
Ｍｅ
Ｓ＝ｍａ／Ｍａ＋ｍｂ／Ｍｂ＋・・・＋ｍｉ／Ｍｉ≦１
【請求項２】前記反射防止層は、９９モル％のペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと補充量のテトラフルオロエチレンとのアモルファスコポリマーを含む請求項１に記載の反射防止薄膜。
【請求項３】前記コア層は、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリビニルブチラート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、及びセルロース誘導体からなる群から選択されたポリマーを含む請求項２に記載の反射防止薄膜。
【請求項４】前記コア層は、ニトロセルロースを含む請求項３に記載の反射防止薄膜。　
【請求項５】前記光学薄膜は３５０〜４６０ナノメーターのバンドにおいて入射光の９７％以上を透過する請求項４に記載の反射防止薄膜。
【請求項６】前記光学薄膜は、コア層と、このコア層の一方の側に反射防止
層
【請求項７】前記光学薄膜は、コア層と、このコア層の両方の側に反射防止
層
【請求項８】前記反射防止層は、６５〜９０モル％のペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと３５〜１０モル％のテトラフルオロエチレンとのアモルファスコポリマーを含む請求項６又は７に記載の反射防止薄膜。」
　なお、上記下線を施した点で特許請求の範囲に記載された事項と異なっている。すなわち、請求項１には「ｅ）トリフルオロエチレンの場合
Ｍｃ
薄膜
層
薄膜
層
３．２　引用刊行物記載の発明
　一方、当審が通知した取消理由で引用した甲第３号証ないし甲第５号証には、上記２．２で指摘した事項が記載されている。
３．３　対比・判断
３．３．１　請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明と甲第３号証に記載された発明は、上記２．３で検討したとおりの理由により、次の点で相違し、その他の点では一致している。
（相違点）請求項１に係る発明では、反射防止層として、ペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール（以下「ＰＤＤ」という。）と他のフッ素系のコモノマーａ）〜ｉ）との特定比率でのコポリマー（以下「本件ＰＤＤコポリマー」という。）を含んでいるのに対して、甲第３号証に記載された発明では、反射防止層のポリマーについては、屈折率１．４２以下等と規定され、「ポリマーとしては、たとえばシリコン重合体、弗素系重合体が屈折率が１．４２以下であり、又、吸収・散乱がほとんど無く良好である。」と記載されてはいるが、フッ素系重合体については、ＴＦＥ／ＶｄＦ共重合体とＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ三元共重合体とが開示されているだけで、本件ＰＤＤコポリマーの使用については記載がない点。
　しかし、上記２．３で記載した理由により、甲第３号証に記載された発明において、反射防止層に甲第５号証に記載されたＰＤＤのアモルファスコポリマーを採用する程度のことは、当業者ならば容易に想到し得ることであるから、請求項１に係る発明は、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
３．３．２　請求項２に係る発明について
　甲第４号証ないし甲第５号証には、それぞれ、４０モル％以上あるいは６５〜９９モル％のＰＤＤモノマーとテトラフルオロエチレン残部とのコポリマーが記載されている。
　したがって、請求項１に係る発明と同様の理由により、請求項２に係る発明は、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
３．３．３　請求項３ないし４に係る発明について
　甲第３号証には、コア層としてセルロース誘導体であるニトロセルロースを使用する点が記載されている。
　したがって、請求項２に係る発明と同様の理由により、請求項３ないし４に係る発明は、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
３．３．４　請求項５に係る発明について
　「３５０〜４６０ナノメーターのバンドにおいて入射光の９７％以上を透過する」ことは、ＰＤＤのアモルファスコポリマーを反射防止層に採用した結果にすぎないし、そのようなＰＤＤのアモルファスコポリマーを採用すれば、その屈折率のめったにないほどに低い程度に応じて、３５０〜４６０ｎｍ間の光線透過率が従来公知の９５％以上のものよりもかなり増大するであろうことは当業者が充分予期し得ることである。
　したがって、請求項４に係る発明と同様の理由により、請求項５に係る発明は、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
３．３．５　請求項６ないし７に係る発明について
　甲第３号証には、反射防止層をコア層の両方の側に設ける点が記載されている。また、反射防止層をコア層の一方の側のみに設けてもよいことは当業者に周知の技術事項である。
　したがって、請求項５に係る発明と同様の理由により、請求項６ないし７に係る発明は、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
３．３．６　請求項８に係る発明について
　請求項８に係る発明は請求項２に係る発明をも引用していることになるので、その反射防止層は、９９モル％のペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと補充量のテトラフルオロエチレンとのアモルファスコポリマーを含むものである。
　したがって、請求項６ないし７に係る発明と同一の理由により、請求項８に係る発明は、甲第３号証ないし甲第５号証に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
４．むすび
　上記のとおりであるから、本件の請求項１ないし８に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月６日（２００１．４．６）