【事件の表示】
　特願２００８−５１１６０３「有機半導体溶液」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月２３日国際公開、ＷＯ２００６／１２２７３２、平成２０年１２月１８日国内公表、特表２００８−５４５８１６、請求項の数（２２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、２００６年５月１５日（パリ条約による優先権主張２００５年５月１８日、独国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年３月２６日付けの拒絶理由が通知され、同年７月３日付けで特許請求の範囲についての手続補正がされ、平成２５年４月３０日付け（平成２５年５月７日：発送日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年９月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その請求と同時に特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、前置報告書に基づく平成２５年１２月１０日付けの審尋がされ、平成２６年６月５日付けで回答書が提出されている。
　
第２　平成２５年９月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
　
　１　補正の内容
　
　　(1)　本件補正は、平成２４年７月３日付けの手続補正によって補正された（以下、「本件補正前」という。）特許請求の範囲の記載を、以下の（Ａ）から（Ｂ）に補正するものである。
　なお、下線は、補正箇所を示す。
　
（Ａ）「　　【請求項１】
　トリプレット状態から発光し即ち燐光を呈し、非晶質膜を形成することができる少なくとも１つの有機半導体及び少なくとも１つの有機溶媒を含む液体組成物であって、ここで、使用されるトリプレットエミッターが、３８より大きい原子番号を有する少なくとも１つの金属を含む金属錯体であり、溶液中のトリプレット消光剤の含有量は１０ｐｐｍより小であることを特徴とする液体組成物。
　　【請求項２】
　溶液、分散液若しくは乳濁液の形であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
　　【請求項３】
　組成物が、単一相系の形であることを特徴とする請求項２記載の組成物。
　　【請求項４】
　有機溶媒若しくは有機溶媒の混合物中の有機半導体の溶解度が、室温で大気圧下、少なくとも１ｇ/ｌであることを特徴とする請求項１乃至３何れか１項記載の組成物。
　　【請求項５】
　有機半導体の少なくとも１つの成分が、３０００g/molより大きい分子量ＭＷを有する高分子量であることを特徴とする請求項１乃至４何れか１項記載の組成物。
　　【請求項６】
　トリプレットエミッターが、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金及び金から選択される少なくとも１つの金属を含むことを特徴とする請求項５記載の組成物。
　　【請求項７】
　トリプレット消光剤のトリプレットレベルが、トリプレットエミッターのトリプレットレベルより少なくとも０．０５ｅＶ小であることを特徴とする請求項１乃至６何れか１項記載の組成物。
　　【請求項８】
　トリプレット消光剤が、分子状酸素であることを特徴とする請求項１乃至７何れか１項記載の組成物。
　　【請求項９】
　トリプレット消光剤の含有量が、１ｐｐｍより小であることを特徴とする請求項１乃至８何れか１項記載の組成物。
　　【請求項１０】
　０．０１〜２０重量％の有機半導体を含むことを特徴とする請求項１乃至９何れか１項記載の組成物。
　　【請求項１１】
　溶媒が、モノ-若しくはポリ置換芳香族溶媒又は、蟻酸誘導体、Ｎ-アルキルピロリドン及び高沸点エーテルから選択される非芳香族溶媒からなる群より選択されることを特徴とする請求項１乃至１０何れか１項記載の組成物。
　　【請求項１２】
　モノ-若しくはポリ置換芳香族溶媒が、置換ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル及びピリジンである請求項１１記載の組成物。
　　【請求項１３】
　モノ-若しくはポリ置換芳香族溶媒が、アルキル基（フッ化されていてもよい）、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基或いはエステル基により置換された、請求項１１記載の組成物。
　　【請求項１４】
　少なくとも１つの溶媒が、3-フルオロベンゾトリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、ジオキサン、トリフルオロメトキシベンゼン、4-フルオロベンゾトリフルオリド、3-フルオロピリジン、トルエン、2-フルオロトルエン、2-フルオロベンゾトリフルオリド、3-フルオロトルエン、ピリジン、4-フルオロトルエン、2,5-ジフルオロトルエン、1-クロロ-2,4-ジフルオロベンゼン、2-フルオロピリジン、3-クロロフルオロベンゼン、1-クロロ-2,5-ジフルオロベンゼン、4-クロロフルオロベンゼン、クロロベンゼン、2-クロロフルオロベンゼン、p-キシレン、m-キシレン、o-キシレン、2,6-ルチジン、2-フルオロ-ｍ-キシレン、3-フルオロ-o-キシレン、2-クロロベンゾトリフルオリド、ジメチルホルムアミド、2-クロロ-6-フルオロトルエン、2-フルオロアニソール、アニソール、2,3-ジメチルピラジン、ブロモベンゼン、4-フルオロアニソール、3-フルオロアニソール、3-トリフルオロメチルアニソール、2-メチルアニソール、フェネトール、ベンゾジオキソール、4-メチルアニソール、3-メチルアニソール、4-フルオロ-3-メチルアニソール、1,2-ジクロロベンゼン、2-フルオロベンゾニトリル、4-フルオロベラトロール、2,6-ジメチルアニソール、アニリン、3-フルオロベンゾニトリル、2,5-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、ベンゾニトリル、3,5-ジメチルアニソール、Ｎ,Ｎ-ジメチルアニリン、1-フルオロ-3,5-ジメトキシベンゼン、フェニルアセテート、Ｎ-メチルアニリン、メチルベンゾエート、Ｎ-メチルピロリドン、3,4-ジメチルアニソール、o-トルニトリル、ベラトロール、エチルベンゾエート、Ｎ,Ｎ-ジエチルアニリン、プロピルベンゾエート、1-メチルナフタレン、ブチルベンゾエート、2-メチルビフェニル、2-フェニルピリジン及び2,2’-ビトリルからなる群より選択されることを特徴とする請求項１２記載の組成物。
　　【請求項１５】
　使用されるすべての溶媒の沸点が、８０℃以上であることを特徴とする請求項１乃至１４何れか１記載の組成物。
　　【請求項１６】
　使用される溶媒は、１０ｐｐｍより小であるトリプレット消光剤を含むことを特徴とする請求項１乃至１５何れか１項記載の組成物。
　　【請求項１７】
　組成物は、不活性雰囲気下調製され、及び/又は脱気された溶媒を使用して調製され、及び/又は組成物は、調製後脱気されることを特徴とする請求項１乃至１６何れか１項記載の組成物の調製方法。
　　【請求項１８】
　組成物は、液体組成物中に少なくとも１５分間不活性ガスを通すことにより脱気されることを特徴とする請求項１７記載の方法。
　　【請求項１９】
　基板への有機半導体層製造のための請求項１乃至１６何れか１項記載の組成物の使用。
　　【請求項２０】
　有機電子素子のための請求項１乃至１５項の何れか１項記載の組成物の使用。
　　【請求項２１】
　有機電子素子が、有機若しくはポリマー発光ダイオード、有機太陽電池及び有機レーザーダイオードである請求項２０記載の組成物の使用。
　　【請求項２２】
　請求項１９及び/又は２０の何れか１項記載の組成物の印刷プロセスでの使用。
　　【請求項２３】
　印刷プロセスがインクジェット印刷であることを特徴とする請求項２２記載の使用。」
　
（Ｂ）「　　【請求項１】
　トリプレット状態から発光し即ち燐光を呈し、非晶質膜を形成することができる少なくとも１つの有機半導体及び少なくとも１つの有機溶媒を含む液体組成物であって、ここで、使用されるトリプレットエミッターが、３８より大きい原子番号を有する少なくとも１つの金属を含む金属錯体であり、溶液中のトリプレット消光剤
である分子状酸素
　　【請求項２】
　溶液、分散液若しくは乳濁液の形であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
　　【請求項３】
　組成物が、単一相系の形であることを特徴とする請求項２記載の組成物。
　　【請求項４】
　有機溶媒若しくは有機溶媒の混合物中の有機半導体の溶解度が、室温で大気圧下、少なくとも１ｇ/ｌであることを特徴とする請求項１乃至３何れか１項記載の組成物。
　　【請求項５】
　有機半導体の少なくとも１つの成分が、３０００g/molより大きい分子量ＭＷを有する高分子量であることを特徴とする請求項１乃至４何れか１項記載の組成物。
　　【請求項６】
　トリプレットエミッターが、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金及び金から選択される少なくとも１つの金属を含むことを特徴とする請求項５記載の組成物。
　　【請求項７】
　トリプレット消光剤
である分子状酸素
　　【請求項８】
　トリプレット消光剤
である分子状酸素
７
　　【請求項９】
　０．０１〜２０重量％の有機半導体を含むことを特徴とする請求項１乃至
８
　　【請求項１０】
　溶媒が、モノ-若しくはポリ置換芳香族溶媒又は、蟻酸誘導体
及び
ンか
９
　　【請求項１１】
　モノ-若しくはポリ置換芳香族溶媒が、置換ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル及びピリジンである請求項
１０
　　【請求項１２】
　モノ-若しくはポリ置換芳香族溶媒が、アルキル基（フッ化されていてもよい）、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基或いはエステル基により置換された、請求項
１０
　　【請求項１３】
　少なくとも１つの溶媒が、3-フルオロベンゾトリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、ジオキサン、トリフルオロメトキシベンゼン、4-フルオロベンゾトリフルオリド、3-フルオロピリジン、トルエン、2-フルオロトルエン、2-フルオロベンゾトリフルオリド、3-フルオロトルエン、ピリジン、4-フルオロトルエン、2,5-ジフルオロトルエン、1-クロロ-2,4-ジフルオロベンゼン、2-フルオロピリジン、3-クロロフルオロベンゼン、1-クロロ-2,5-ジフルオロベンゼン、4-クロロフルオロベンゼン、クロロベンゼン、2-クロロフルオロベンゼン、p-キシレン、m-キシレン、o-キシレン、2,6-ルチジン、2-フルオロ-ｍ-キシレン、3-フルオロ-o-キシレン、2-クロロベンゾトリフルオリド、ジメチルホルムアミド、2-クロロ-6-フルオロトルエン、2-フルオロアニソール、アニソール、2,3-ジメチルピラジン、ブロモベンゼン、4-フルオロアニソール、3-フルオロアニソール、3-トリフルオロメチルアニソール、2-メチルアニソール、フェネトール、ベンゾジオキソール、4-メチルアニソール、3-メチルアニソール、4-フルオロ-3-メチルアニソール、1,2-ジクロロベンゼン、2-フルオロベンゾニトリル、4-フルオロベラトロール、2,6-ジメチルアニソール、アニリン、3-フルオロベンゾニトリル、2,5-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、ベンゾニトリル、3,5-ジメチルアニソール、Ｎ,Ｎ-ジメチルアニリン、1-フルオロ-3,5-ジメトキシベンゼン、フェニルアセテート、Ｎ-メチルアニリン、メチルベンゾエート、Ｎ-メチルピロリドン、3,4-ジメチルアニソール、o-トルニトリル、ベラトロール、エチルベンゾエート、Ｎ,Ｎ-ジエチルアニリン、プロピルベンゾエート、1-メチルナフタレン、ブチルベンゾエート、2-メチルビフェニル、2-フェニルピリジン及び2,2’-ビトリルからなる群より選択されることを特徴とする請求項
１１
　　【請求項１４】
　使用されるすべての溶媒の沸点が、８０℃以上であることを特徴とする請求項１乃至
１３
　　【請求項１５】
　使用される溶媒は、１０ｐｐｍより小である
分子状酸素である
１４
　　【請求項１６】
　組成物は、不活性雰囲気下調製され、及び/又は脱気された溶媒を使用して調製され、及び/又は組成物は、調製後脱気されることを特徴とする請求項１乃至
１５
　　【請求項１７】
　組成物は、液体組成物中に少なくとも１５分間不活性ガスを通すことにより脱気されることを特徴とする請求項
１６
　　【請求項１８】
　基板への有機半導体層製造のための請求項１乃至
１５
　　【請求項１９】
　有機電子素子のための請求項１乃至１５項の何れか１項記載の組成物の使用。
　　【請求項２０】
　有機電子素子が、有機若しくはポリマー発光ダイオード、有機太陽電池及び有機レーザーダイオードである請求項
１９
　　【請求項２１】
　請求項
１８
１９
　　【請求項２２】
　印刷プロセスがインクジェット印刷であることを特徴とする請求項
２１
　
　　(2)　上記の本件補正は、以下の補正事項ア、イからなる。
　
　　　ア　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を削除し、本件補正前の特許請求の範囲の請求項８を独立形式にするとともに、請求項１に繰り上げた上で、「トリプレット消光剤が、分子状酸素であること」との記載を「トリプレット消光剤
である分子状酸素
　
　　　イ　請求項１０において、「溶媒が、モノ-若しくはポリ置換芳香族溶媒又は、蟻酸誘導体、Ｎ-アルキルピロリドン及び高沸点エーテルから選択される非芳香族溶媒」を「溶媒が、モノ-若しくはポリ置換芳香族溶媒又は、蟻酸誘導体
及び
ンか
　
　２　補正の適否
　
　　(1)　補正事項アについて
　
　本件補正の補正事項アは、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を削除するとともに、当該請求項の削除に伴い、他の請求項の引用請求項を整理したものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。また、補正事項アについては、特許法第１７条の２第３項に違反するところはない。
　
　　(2)　補正事項イについて
　
　本件補正の補正事項イは、拒絶査定において明確ではないと指摘された選択肢の１つである「高沸点エーテル」を削除する補正であるから、同法第１７条の２第４項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。また、補正事項イについては、特許法第１７条の２第３項に違反するところはない。
　
　なお、本補正事項イにより、平成２５年４月３０日付け拒絶査定で通知された理由３については、解消している。
　
　　(3)　小括
　
　補正事項ア、イについては、特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に適合する。
　したがって、本件補正は適法になされたものである。
　
第３　本願発明
　
　本願の請求項１〜２２に係る発明は、平成２５年９月９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２２にそれぞれ記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「　　【請求項１】
　
　トリプレット状態から発光し即ち燐光を呈し、非晶質膜を形成することができる少なくとも１つの有機半導体及び少なくとも１つの有機溶媒を含む液体組成物であって、
　
　ここで、使用されるトリプレットエミッターが、３８より大きい原子番号を有する少なくとも１つの金属を含む金属錯体であり、
　
　溶液中のトリプレット消光剤である分子状酸素の含有量は１０ｐｐｍより小であることを特徴とする液体組成物。」
　
第４　刊行物の記載事項（なお、下線の一部は当審が付与した。）
　
　１　引用例１
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開２００２−１７０６７７号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「【特許請求の範囲】
【請求項１】　基材、透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を有する発光素子において、前記発光層が燐光発光性化合物を含有し、前記有機化合物層の少なくとも一層が、脱酸素処理した塗布液を用いた湿式製膜法により製膜した層であることを特徴とする発光素子。」
　
　　(2)　「【０００２】
【従来の技術】有機物質を使用した有機発光素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されており、近年活発な研究開発が進められている。一般に有機発光素子は発光層を含む有機化合物層及び該有機化合物層を挟んだ一対の対向電極から構成される。このような有機発光素子に電圧を印加すると、有機化合物層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られる。」
　
　　(3)　「【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、
三重項励起子を利用する燐光発光素子は、
酸素の影響を受けやすく、酸素により消光現象が引き起こされる事実を見出し、予め脱酸素処理した塗布液を用いて有機化合物層を製膜することにより、発光特性に優れた燐光発光素子が得られることを発見し、本発明に想到した。
【０００８】即ち、本発明の発光素子は基材、透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を有し、該発光層が燐光発光性化合物を含有する素子であって、有機化合物層の少なくとも一層が、脱酸素処理した塗布液を用いた湿式製膜法により製膜した層であることを特徴とする。本発明の発光素子は発光輝度及び発光効率に優れているとともに、低コストで製造でき、また大面積化が可能であるためにフルカラーディスプレイ、バックライト、照明光源等の面光源、プリンター等の光源アレイ等に有効に利用できる。」
　
　　(4)　「【００１６】脱酸素処理の方法は、塗布液の劣化を引き起こさない方法であれば特に限定されず、加熱による脱酸素処理法、真空による脱酸素処理法、不活性ガスのバブリングによる脱酸素処理法、分離膜による脱酸素処理法等が使用できる。中でも、真空ラインを用いた脱酸素処理が、簡便で短時間にほぼ完全に酸素を除去できる点から好ましい。
脱酸素処理は塗布液中の酸素ガス溶解濃度が100ppm以下となるように行えばよい。酸素ガス溶解濃度は50ppm以下とするのが好ましく、30ppm以下とするのがより好ましい。
　
　　(5)　「【００３５】(D)発光層
本発明の発光素子において、発光層は燐光発光性化合物を含有する。本発明で用いる燐光発光性化合物は、
三重項励起子から発光することができる化合物
【００３６】本発明でいうオルトメタル化錯体とは、山本明夫著「有機金属化学　基礎と応用」, 150頁及び232頁, 裳華房社（1982年）、H. Yersin著「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」, 71〜77頁及び135〜146頁, Springer-Verlag社（1987年）等に記載されている化合物群の総称である。オルトメタル化錯体を形成する配位子は特に限定されないが、2-フェニルピリジン誘導体、7,8-ベンゾキノリン誘導体、2-(2-チエニル)ピリジン誘導体、2-(1-ナフチル)ピリジン誘導体又は2-フェニルキノリン誘導体であるのが好ましい。これら誘導体は置換基を有してもよい。また、これらのオルトメタル化錯体形成に必須の配位子以外に他の配位子を有していてもよい。オルトメタル化錯体を形成する中心金属としては、遷移金属であればいずれも使用可能であり、本発明ではロジウム、白金、金、イリジウム、ルテニウム、パラジウム等を好ましく用いることができる。中でもイリジウムが特に好ましい。このようなオルトメタル化錯体を含む有機化合物層は、発光輝度及び発光効率に優れている。オルトメタル化錯体については、特願2000-254171号の段落番号0152〜0180にもその具体例が記載されている。」
　
　　(6)　「【００５２】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００５３】
実施例１
厚み0.2mmのガラス板を2.5cm角に切断して基材を作製し、これを真空チャンバー内に導入した。この基板上に、SnO2含有率が10質量％であるITOターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ（条件：基材温度100℃、酸素圧１×10-3Pa）により、ITO透明電極を形成した。透明電極の厚みは0.2μmとし、その表面抵抗は10Ω／□であった。
【００５４】透明電極を形成した基材を洗浄容器に入れIPA洗浄した後、UV−オゾン処理を30分間行った。続いてこの透明電極上にポリ(エチレンジオキシチオフェン)・ポリスチレンスルホン酸水分散物（BAYER社製、Baytron P：固形分1.3％）をスピンコートし、150℃で２時間真空乾燥して厚み100nmの正孔注入層を形成した。
【００５５】次に、
ポリビニルカルバゾール（Mw＝63000、アルドリッチ製、正孔輸送材料兼ホスト材料）、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム錯体（燐光発光材料）、及び2-(4-ビフェニリル)-5-(4-t-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール（PBD、電子輸送材料）を40：１：12の質量比でジクロロエタンに溶解し、塗布液を調製した。
【００５６】
得られた塗布液を図１に示す装置を用いて脱酸素処理した。
この操作を５回繰り返し、酸素ガスの泡が出なくなったことを確認した。このとき塗布液の酸素ガス溶解濃度は30ppmであった。
【００５７】脱酸素処理した塗布液をスピンコーターを用いて上記正孔注入層の上に塗布し、室温で乾燥させて厚み100nmの発光層を形成した。更にこの発光層上にパターニングしたマスク（発光面積が５mm×５mmとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム／銀合金（マグネシウム：銀＝10：１（モル比））を0.25μm蒸着し、銀を0.3μm蒸着して背面電極を形成した。透明電極及び背面電極からアルミニウムのリード線を結線し、積層構造体を形成した。この積層構造体を窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止容器で紫外線硬化型接着剤（長瀬チバ製、XNR5493）を用いて封止し、実施例１の発光素子を作成した。
【００５８】
実施例２
発光層上に2,2',2''-(1,3,5-ベンゼントリイル)トリス[3-(2-メチルフェニル)-3H-イミダゾ[4,5-b]ピリジン]を１nm／秒の速度で蒸着して厚み0.024μmの電子輸送層を設け、その上に背面電極を設けたこと以外は実施例１と同様に、実施例２の発光素子を作成した。
【００５９】比較例１
塗布液の脱酸素処理を行わないこと以外は実施例１と同様に、比較例１の発光素子を作成した。
【００６０】
発光輝度及び発光効率の評価
東洋テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、上記のように得られた各発光素子に直流電圧を印加して発光させ、輝度を測定した。各発光素子の最高輝度Lmax、最高輝度Lmaxが得られるときの電圧Vmax、輝度200cd/m2で発光させたときの発光効率η200、輝度2000cd/m2で発光させたときの発光効率η2000（外部量子効率）を併せて表１に示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】表１より、
塗布液の脱酸素処理を行っていない比較例１の発光素子と比較して、本発明の実施例１及び２の発光素子は優れた発光輝度及び発光効率を示す
【００６３】
【発明の効果】以上詳述したように、
三重項励起子を有効に利用した本発明の発光素子は、発光効率、発光輝度及び耐久性に優れ、製造コストが低く、且つ大面積化が可能である
　
　２　引用例２
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開２００５−１０８７４６号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「【００１７】
　・・・発光層２０は、ホールと電子とを再結合させ、発光を与えることができる材料組成物から形成されている。具体的には、本発明の発光層２０は、発光材料と、所望するスペクトルの発光を与えることが可能な色素と、本発明において使用する三重項消光剤とを含んで形成されている。これらの材料は、蒸着などの適切な方法により、ホール輸送層１８上に堆積されている。
【００１８】
　本発明において使用することができる発光材料としては、例えばＡｌｑ３といったアルミニウムーキノリノール錯体の他、これまで知られたいかなる発光性の低分子材料または高分子材料でも用いることができる。」
　
　　(2)　「【００３３】
　また、本発明において使用することができる添加剤は、いわゆる三重項消光剤として知られる化合物を挙げることができる。本発明において使用することができる添加剤は、三重項消光効率の良い、π電子共役系分子を使用することが好ましく、また上述した色素からの蛍光を吸収しない化合物であることが好ましい。上述した添加剤は、さらに、色素または顔料のＳ１レベルよりもエネルギー的に高いＳ１レベルを有することが、生成した色素のＳ１励起状態からのエネルギー移動による消光を防止する点から好ましい。
上述した三重項消光剤として使用することができる添加剤は、具体的には例えば、ナフタレンまたはナフタレン誘導体、アントラセン、またはアントラセン誘導体、ナフタセン、またはナフタセン誘導体、ピレン、またはピレン誘導体、ペリレン、ナフチル系消光剤などを挙げることができる。
　
　　(3)　「【００４８】
　本発明においては、発光層２０における色素の含有量は、発光層を形成する組成物に対して０．１〜３質量％とすることが好ましく、より好ましくは、０．１〜２質量％とすることができる。また、三重項消光剤の発光層２０における含有量は、色素または顔料よりも質量的に多く、１質量％〜１０質量％とすることができさらには発光材料の結晶形成の点から、４質量％〜５質量％の範囲とすることが好ましいことが見出された。また、本発明において上記添加量を三重項消光剤と色素または顔料との比で言えば、三重項消光剤：色素または顔料の比を０．５：１〜１００：１の範囲で添加することができ、本発明者等は鋭意検討の結果、発光寿命を実際的に有意義な範囲で改善するためのより好ましい範囲として、三重項消光剤：色素または顔料の比を１：１〜１０：１の範囲とすることができることを見出した。上記の比が１：１以下では、発光寿命の改善に対する改善度合いが充分ではなく、また、１０：１を超えると発光効率が低下する傾向が見られるためである。」
　
　３　引用例３
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開２００３−２５３２５７号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、燐光発光剤に関するものであり、さらに詳しくは、インクジェット方式で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子材料として好適に用いることができる燐光発光剤および燐光発光剤を含有してなる発光性組成物に関する。」
　
　　(2)　「【０００７】すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される構造単位を分子中に含有する燐光発光剤、
一般式(１)
【化３】
（式中、Ｎは窒素原子、Ｍは２〜４価の金属原子、Ｒ1は、水素原子、ハロゲン、アルキル基、アリール基から選ばれる１価の置換基、R2は水素原子もしくはメチル基、Yはなしか、カルボニルを含む２価の有機基から選ばれ、Ｌは有機配位子であり、ｍは１〜３の整数、ｐは１〜４の整数から選ばれる）ならびに前記一般式（１）で表される燐光発光剤を含有する発光性組成物を提供するものである。
【０００８】本発明の燐光発光剤は一般式（１）で表される構造単位を含有することを特徴し、好ましくは一般式（１）におけるLの少なくとも一つが一般式（２）で表されるフェニルピリジン誘導体のオルトメタレーション型に配位していることを特徴とする。一般式（１）の構造単位は燐光発光剤の分子中において末端もしくは主鎖中に含まれるものであり、末端及び主鎖両方にあってもよい。また、分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー　(以下GPCと略記）により分析し、ポリスチレン換算で求めた重量平均分子量として、１、０００〜１００、０００であり、好ましくは３、０００〜５０、０００である。重量平均分子量が１、０００未満、及び、１００、０００を越えた場合、塗布性が低下する為好ましくない。」
　
　　(3)　「【００１９】・・・本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用発光性組成物の成分として上述した燐光発光剤、有機溶剤を必須成分とするが、塗布性、発光色相、密着性などの特性を調整する目的で、これら以外に芳香族アミン類、カルバゾール類などの正孔輸送性の化合物、オキサジアゾール類、ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの電子輸送性の化合物、及び正孔輸送性と電子輸送性の化合物の共重合体を加えることができる。
【００２０】前述のピコリン酸含有高分子と反応して、燐光発光剤を形成する金属錯体は中心金属ＭがPd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Reから選ばれる金属錯体であり、好ましくはIr、Os、Ptの低分子金属錯体が用いられる。・・・」
　
　４　引用例４
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開２００３−２５３２５８号公報（以下、「引用例４」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子燐光発光剤に関するものであり、さらに詳しくは、インクジェット方式で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子材料として好適に用いることができる高分子燐光発光剤およびその製造方法並びにこの高分子燐光発光剤を含有してなる発光性組成物に関する。」
　
　　(2)　「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式（１）で表される構造単位を分子中に含有する分子量５００以上の高分子燐光発光剤、
【化３】
（１）
（式中、Ｎは窒素原子、Ｍは金属原子、Ｒ1、Ｒ2は、水素原子、ハロゲン、アルキル基、アリール基から選ばれる１価の置換基、Ｌは有機配位子であり、ｍ、ｎは１〜３の整数、ｐは１〜４の整数から選ばれる）下記一般式（2）で表される構造を有する重合体と金属錯体とを、反応させることを特徴とする、一般式（１）で表される高分子燐光発光剤の製造方法であり、
【化４】
（２）
（式中、Ｎ、Ｒ1、Ｒ2、ｍ、ｎは前記一般式（１）と同じ）で表される構造単位を分子中に含む高分子化合物と、金属元素M（一般式（１）中のMと同じ）第３の発明は、一般式（１）で表される高分子燐光発光剤、正孔輸送性ポリマー、および有機溶剤を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用の発光性組成物であり、第４の発明として、一般式（１）で表される高分子燐光発光剤とN―ビニルカルバゾールとビニル置換−１―オキサー３，４−ジアゾール化合物との共重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用の発光性組成物を提供するものである。」
　
　５　引用例５
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開２００３−２５２９６５号公報（以下、「引用例５」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「【００３０】３−２．発光材料
発光材料としては、例えば、スチルベン構造等の共役系構造を有する化合物、アルミニウムキノリウム錯体等の軽金属錯体や遷移金属錯体等があげられるが、安定性、設計自由性等の面で金属錯体が好ましい。
【００３１】本発明の発光素子に用いられる発光材料においては、さらに励起三重項状態からの発光あるいは励起三重項状態を経由する発光、いわゆる燐光発光物質を発光部位に有する化合物が好ましい。燐光発光物質は、励起三重項状態の量子効率の値として０．１以上が好ましく、更に好ましくは０．３以上であり、より一層好ましくは０．５以上である。尚、これらの励起三重項状態の量子効率が高い化合物は、例えば“Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｓｅｃｏｎｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ（Ｓｔｅｖｅｎ　Ｌ．　Ｍｕｒｏｖほか著，Ｍａｒｃｅｌ　Ｄｅｋｋｅｒ　Ｉｎｃ．，１９９３）などから選ぶことができる。
【００３２】本発明の好ましい発光材料の励起三重項状態からの発光あるいは励起三重項状態を経由する燐光発光部位としてはイリジウムや白金等の金属錯体構造及びこれらの誘導体があげられる。燐光性金属錯体構造は励起三重項状態が高温でも比較的安定であり好ましい。
【００３３】前記の燐光性金属錯体構造に使用される遷移金属としては、周期表において第１遷移元素系列は原子番号２１のＳｃから原子番号３０のＺｎまでを、第２遷移元素系列は原子番号３９のＹから原子番号４８のＣｄまでを、第３遷移元素系列は原子番号７２のＨｆから原子番号８０のＨｇまでを含める。また前記の励起三重項状態を経由して発光する燐光性金属錯体構造の他の具体的な例としては希土類金属錯体構造を例示することができるが、何らこれに限定されるものではない。この希土類金属錯体構造に使用される希土類金属としては、周期表において原子番号５７のＬａから原子番号７１のＬｕまでを含める。
【００３４】上述した金属錯体構造に使用される配位子の構造としては、アセチルアセトナート、２，２’−ビピリジン、４，４’−ジメチル−２，２’−ビピリジン、１，１０−フェナントロリン、２−フェニルピリジン、ポルフィリン、フタロシアニン、ピリミジン、キノリン及び／またはこれらの誘導体などを例示することができるが、何らこれらに限定されるものではない。これらの配位子は、１つの錯体について１種類または複数種類が配位される。また、前記の錯体化合物として二核錯体構造あるいは多核錯体構造や、２種類以上の錯体の複錯体構造を使用することもできる。
【００３５】前記の発光体層に用いられる発光材料はそれぞれ単独で各層を形成するほかに、高分子材料をバインダとして各層を形成することもできる。これに使用される高分子材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイドなどを例示できるが、特にこれらに限定されるものではない。」
　
　６　引用例６
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開２００５−０１１５７８号公報（以下、「引用例６」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「【００１１】
発光性材料とは、正孔及び電子を注入することによりエレクトロルミネセンスによる発光現象を発生させる材料である。このような発光性材料は、無機化合物にも有機化合物にも見られるが、本発明の如き溶液を塗布する方法においては、有機化合物を用いることが好ましい。また、発光性材料としては、一重項励起により蛍光を発する材料を用いても良いし、三重項励起により燐光を発する材料を用いても良い。また、正孔輸送性材料とは、正孔が移動し易い材料であり、電子輸送性材料とは、電子が移動し易い材料である。」
　
　７　引用例７
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開２００４−１７１９４３号公報（以下、「引用例７」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「【００２８】
発光性材料とは、正孔及び電子を注入することによりエレクトロルミネセンスによる発光現象を発生させる材料である。このような発光性材料は、無機化合物にも有機化合物にも見られるが、本発明の如き溶液を塗布する方法においては、有機化合物を用いることが好ましい。また、発光性材料としては、一重項励起により蛍光を発する材料を用いても良いし、三重項励起により燐光を発する材料を用いても良い。また、正孔輸送性材料とは、正孔が移動し易い材料であり、電子輸送性材料とは、電子が移動し易い材料である。」
　
　８　参考文献１
　
　当審において周知事項を例示するためのものであり、本願出願日前に頒布された特開平３−２６６８３０号公報（以下、「参考文献１」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「次にゲスト色素が分散されるマトリックスについて説明する。このマトリックスとしては、前記ゲスト色素と相溶し、且つ少なくとも前記ゲスト色素をホールバーニングさせる波長において透明な
非晶質固体
ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の有機非晶質高分子、
　
　９　参考文献２
　
　当審において周知事項を例示するためのものであり、本願出願日前に頒布された特開２００３−２０８１１２号公報（以下、「参考文献２」という。）には、以下の記載がある。
　
　　(1)　「【００３５】光導電層１５としては、（ａ）無機半導体材料は；アモルファス・シリコンや、ＺｎＳｅ、ＣｄＳなどの化合物半導体、（ｂ）
有機半導体材料は
ポリビニルカルバゾール
　
第５　当審の判断
　
　１　引用発明
　
　　(1)　上記第４の１の上記記載事項を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「三重項励起子から燐光発光し、ポリビニルカルバゾール（Mw＝63000、アルドリッチ製、正孔輸送材料兼ホスト材料）及びジクロロエタンを含む液体組成物であって、ここで、使用される三重項励起子から発光することができる化合物が、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム錯体（燐光発光材料）であり、塗布液中の消光現象が引き起こされる酸素ガスの含有量は３０ｐｐｍ以下である液体組成物。」
　
　２　対比
　
　　(1)　本願発明と引用発明とを対比すると、後者の「三重項励起子から燐光発光し、」は、前者の「トリプレット状態から発光し即ち燐光を呈し、」に相当し、後者の「ポリビニルカルバゾール（Mw＝63000、アルドリッチ製、正孔輸送材料兼ホスト材料）」は、上記参考文献１、２によると、当該ポリビニルカルバゾールが非晶質体であり、かつ有機半導体であることから、前者の「非晶質膜を形成することができる少なくとも１つの有機半導体」に相当し、後者の「ジクロロエタン」は、前者の「少なくとも１つの有機溶媒」に相当し、後者の「三重項励起子から発光することができる化合物」は、前者の「トリプレットエミッター」に相当し、後者の「トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム錯体（燐光発光材料）」は、それに含まれる金属であるイリジウムの原子番号が７７であることから、前者の「３８より大きい原子番号を有する少なくとも１つの金属を含む金属錯体」に相当し、後者の「塗布液」は、前者の「溶液」に相当し、後者の「消光現象が引き起こされる酸素ガス」は、前者の「トリプレット消光剤である分子状酸素」に相当する。
　また、後者の、消光現象が引き起こされる酸素ガスの含有量は「３０ｐｐｍ以下」と前者の、トリプレット消光剤である分子状酸素の含有量は「１０ｐｐｍより小」とは、その含有量が「所定ｐｐｍ以下」という限りで共通する。
　
　　(2)　そうすると、両者は本願発明の用語を用いて表現すると、次の点で一致する。
　
[一致点]
　
「トリプレット状態から発光し即ち燐光を呈し、非晶質膜を形成することができる少なくとも１つの有機半導体及び少なくとも１つの有機溶媒を含む液体組成物であって、
　
　ここで、使用されるトリプレットエミッターが、３８より大きい原子番号を有する少なくとも１つの金属を含む金属錯体であり、
　
　溶液中のトリプレット消光剤である分子状酸素の含有量は所定ｐｐｍ以下である液体組成物。」
　
　　(3)　そして、両者は次の点で相違する。
　
［相違点］
　
「溶液中のトリプレット消光剤である分子状酸素の含有量」に関して、
　
　本願発明は、「１０ｐｐｍより小」であるのに対して、
　引用発明は、「３０ｐｐｍ以下」である点。
　
３　相違点についての判断
　
　　(1)　上記相違点について検討する。
　
　　　ア　本願発明の液体組成物は、「溶液中のトリプレット消光剤である分子状酸素の含有量は１０ｐｐｍより小であること」とされており、それによって、「ルミネッセンスの消光は、顕著に減少することが見出された。」（【００２０】）、「トリプレット状態から発光する有機半導体に関する本発明による液体組成物、特に溶液は、これらフィルムを形成された層のルミネッセンスは消光することはないし、消光しても顕著に低い程度であり、その結果顕著により効率的なエレクトロルミネセンスを呈することから、先行技術による溶液よりも有機電子素子の製造に顕著により適している。」（【００３６】）、という効果を奏するものであり、また、燐光を呈する素子として、「実際の適用に対してここで言及される重要な条件は、特に効率的な発光と長時間の駆動寿命である。」（【０００３】）というパラメーターについて言及しており、本願明細書に記載された溶液１〜４に対する実施例によると、「【００４７】
　表１　溶液１〜４からのＰＯＬＹ-２１４０についての素子の結果
【表１】
【００４８】
　結果から、酸素含有量１２ｐｐｍは素子性能に強い作用を示し、酸素含有量６８ｐｐｍは素子性能に非常に強い作用を示す。溶液３と４の場合にはわずかな相違もあるが、これらは、測定範囲及び素子調製での変動である。」とあり、ここから、特に、「初期輝度800Cd/m2での寿命LT-50[h]」に関して、酸素含有量が１０ｐｐｍより小である１．５ｐｐｍの溶液３と、酸素含有量が１０ｐｐｍ以上である１２ｐｐｍの溶液２を比較すると、溶液３は、溶液２に対して約１１９％であり、寿命の長時間化が図られていることが分かり、また、同様に、酸素含有量が１．５ｐｐｍの当該溶液３と、酸素含有量が０．１〜０．２ｐｐｍという酸素がほとんど存在しない溶液４を比較すると、「初期輝度800Cd/m2での寿命LT-50[h]」に関して、両者ともに同様の値を有していることから、酸素含有量が１０ｐｐｍより小である１．５ｐｐｍの当該溶液３は、酸素がほとんど存在しない溶液４における寿命の長時間化の特性を十分に備えていると認められることから、特に、寿命の観点については、「酸素含有量が１０ｐｐｍ以上」の溶液に対して、「酸素含有量が１０ｐｐｍより小」の溶液の方が顕著な効果を有しており、「酸素含有量」が「１０ｐｐｍより小」であることに技術的意義を見出したものと認められる。
　
　他方、上記引用発明は、「酸素含有量」に関し、「【００１６】脱酸素処理の方法は、塗布液の劣化を引き起こさない方法であれば特に限定されず、加熱による脱酸素処理法、真空による脱酸素処理法、不活性ガスのバブリングによる脱酸素処理法、分離膜による脱酸素処理法等が使用できる。中でも、真空ラインを用いた脱酸素処理が、簡便で短時間にほぼ完全に酸素を除去できる点から好ましい。
脱酸素処理は塗布液中の酸素ガス溶解濃度が100ppm以下となるように行えばよい。酸素ガス溶解濃度は50ppm以下とするのが好ましく、30ppm以下とするのがより好ましい。
　
　　　イ　周知技術等について
　
　　　　（ア）　上記「第４」の「２」の引用例２の記載は、燐光ではなく蛍光を発する組成物に関するものであるから、技術分野が相違し、また、トリプレット消光剤において「酸素」についての言及が全くされていない。
　
　　　　（イ）　上記「第４」の「３」〜「７」の引用例３〜７の記載は、燐光を発する組成物に関するものであるから、技術分野は同一であるものの、トリプレット消光剤自体に留意するものでなく、当然、「酸素」についての言及が全くされていない。
　
　　　ウ　以上のとおり、引用発明及び引用例２〜７には、トリプレット状態から発光し即ち燐光を呈し、非晶質膜を形成することができる少なくとも１つの有機半導体及び少なくとも１つの有機溶媒を含む液体組成物において、溶液中のトリプレット消光剤である分子状酸素の含有量を１０ｐｐｍより小であることという技術思想は、記載も示唆もされていないことから、上記相違点にかかる本願発明の発明特定事項は、引用発明及び引用例２〜７に記載された事項に基いて容易に導き出せるとは言えない。
　
　そして、本願発明は、上記相違点に係る発明特定事項により、上記の通りの効果を奏するものである。
　
　　　エ　よって、本願発明は、引用発明及び引用例２〜７に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　また、本願請求項１を引用する本願請求項２〜９に係る発明についても同様に、引用発明及び引用例２〜７に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
第６　むすび
　
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。