【事件の表示】
　特許第３２１９３９１号「反射型液晶表示装置とその製造方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２１９３９１号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２１９３９１号の請求項１〜７に係る発明についての出願は、平成１１年５月１９日に特許出願されたものであって、平成１３年８月１０日にその特許の設定の登録がなされ、その後、大沢敏昭及び工藤美智子により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１４年８月３０日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
ａ.特許請求の範囲の請求項１の「第１の基板の１主面上に・・・特徴とする反射型液晶表示装置。【数１】D=(π(R１/２)２×N)/S」を「第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極面が形成され、前記反射電極面には反射と散乱との機能を有する平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成され、第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極からなる対向電極が形成され、第１の基板と第２の基板との対向内面に液晶層が挟持され、前記第２の基板の他の主面側に偏光フィルムが配設され、前記反射電極面において、前記拡散用凹面が前記平坦面における孔状の凹構造群として設けられるとともに該凹構造群のパターンがランダムに設けられており、１画素の面積をSとし、前記凹構造群の外接円の直径をR１、前記凹構造群の１画素あたりの個数をNとしたとき、(数１)で定義される１画素あたりの前記凹構造群の面積比率Dが０.３≦D≦０.８(０.８を除く)であることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【数１】D=(π(R１/２)２×N)/S」と訂正する。
ｂ.特許請求の範囲の請求項４の「少なくともマトリックス状に配置された・・・を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。」を「少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する基板上に層間絶縁膜を介して、平坦面における孔状の凹構造群とコンタクトホールが形成された反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法であって、第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群に相当する場所に孔を形成する工程と、第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲面状にする工程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、前記画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程と、前記感光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応させる工程と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
ｃ.特許請求の範囲の請求項５の「第１に前記基板上に…反射型液晶表示装置の製造方法。」を「第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群に相当する場所に孔を形成する工程」と訂正する。
ｄ.明細書の段落【００３２】の「次に有機アルカリを用いて…凹構造の側面形状を曲面状に形成した。」を「次に有機アルカリを用いて一定時間現像を行った。このとき、反射基板１０上の層間絶縁膜１８には、画素部表示領域に凹構造群の孔のみが形成されていた。次に、孔を形成した有機の層間絶縁膜１８の全面に感光性アクリル樹脂(例えば、ＰＣ３３５：ＪＳＲ(株)製)を塗布して膜厚約１μｍの有機の層間絶縁膜(図示せず)を形成し、凹構造の側面形状を曲面状に形成した。」と訂正する。
ｅ.明細書の段落【００３４】の「このことから、…１０μｍの孔が形成されていた。」を「このことから、反射基板１０上の層間絶縁膜１８に画素部表示領域に凹構造群の孔のみをまず形成し、次に層間絶縁膜１８の全面に感光性樹脂を塗布して凹構造の側面形状を曲面状にすると同時に、フォトマスクを用いて画素部表示領域のコンタクトホール１７とドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の層間絶縁膜部分を露光、現像し、感光性樹脂を除去することで、画素部表示領域の凹構造の表面形状が均一になることがわかった。その後、２００℃のクリーンオーブンの中で熱処理を行いて、感光性アクリル樹脂を架橋させた。熱処理後、凹構造、コンタクトホールに相当する部分では、それぞれ平均深さ約０.６〜０.８μｍと３.２μｍ、凹構造群の外接円の直径R１が１０μｍの孔が形成されていた。」と訂正する。
ｆ.明細書の段落【００３５】の「次に、・・・反射電極８形成した。」を「次に、前記有機の層間絶縁膜上にアルミニュウムを成膜し、フォトレジストと所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射し、その後燐酸系のエッチング液を用いて、反射電極８形成した。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　ア）訂正事項aのうち「前記第２の基板の他の主面側に偏光フィルムが配設され」とする訂正は請求項１に記載された「反射型液晶表示装置」をより下位概念である「前記第２の基板の他の主面側に偏光フィルムが配設された反射型液晶表示装置」に限定しようとするものである。この「第２の基板の他の主面側に偏光フィルムが配設された」構成は特許明細書の段落【００３９】及び図１に記載されている。
　また、「前記反射電極面において、前記拡散用凹面が前記平坦面における孔状の凹構造群として設けられる」とする訂正は、「凹構造」をより下位概念である「平坦面における孔状の凹構造」に限定しようとするものである。この「平坦面における孔状の凹構造」は、特許明細書の図２における、六角形の凹構造パターンが離散して形成されたフォトマスクの平面形状の記載と、特許明細書の段落【００２８】〜【００３５】の反射基板１０の製造方法の記載、特に段落【００３４】中の「感光性アクリル樹脂を架橋させた。熱処理後、凹構造、コンタクトホールに相当する部分では、それぞれ平均深さ０.６〜０.８μｍと３.２μｍ・・・の孔が形成されていた。」という記載と、図１における、平坦部２０から凹構造１９が凹むように形成された反射電極８の断面形状の記載とから導き出せる事項である。
　また、「０.３≦D≦０.８(０.８を除く)」とする訂正は、請求項１に記載された「０.３≦D≦０.８」を、より狭い範囲である「０.３≦D≦０.８(０.８を除く)」に限定しようとするものである。
　なお、特許明細書の【数１】には、もともと誤記はない。
　従って、訂正事項aは特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　イ）訂正事項bは、請求項４に記載された「凹構造群」をより下位概念である「平坦面における孔状の凹構造群」に限定しようとするものであり、上記訂正事項ａについて述べたと同様に、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　ウ）訂正事項cは、請求項５において、請求項４の「第１に・・・する工程」と「第２に・・・する工程」とが混同して記載されていたものを、「第１に・・・する工程」に訂正して前記混同を解消したものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。また、この「第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群に相当する場所に孔を形成する工程」は訂正前の請求項４に記載されていたものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　エ）訂正事項d〜fは、特許明細書の段落【００２８】〜【００３５】における反射基板１０の製造方法に関する記載が、特許明細書の【００１３】の記載及び図１に示された反射基板１０の構造と矛盾していたものを、その矛盾が解消するよう訂正したものである。従って、これらの訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（３）訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　　
　
３．本件発明
　本件の請求項１〜７に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明７」という。）は、訂正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりの次のものである。
「【請求項１】第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極面が形成され、前記反射電極面には反射と散乱との機能を有する平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成され、第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極からなる対向電極が形成され、第１の基板と第２の基板との対向内面に液晶層が挟持され、前記第２の基板の他の主面側に偏光フィルムが配設され、前記反射電極面において、前記拡散用凹面が前記平坦面における孔状の凹構造群として設けられるとともに該凹構造群のパターンがランダムに設けられており、１画素の面積をＳとし、前記凹構造群の外接円の直径をＲ１、前記凹構造群の１画素あたりの個数をＮとしたとき、（数１）で定義される１画素あたりの前記凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８（０．８を除く）であることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【数１】Ｄ＝（π（Ｒ１／２）２×Ｎ）／Ｓ
　【請求項２】　凹構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦Ｒ１≦１２μｍ、前記凹構造の１画素あたりの個数Ｎが４０≦Ｎ≦３５０の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
　【請求項３】　凹構造群を有する反射電極面が、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極上とに層間絶縁膜を介して形成され、前記反射電極面はコンタクトホールを有し、前記凹構造群の平均深さをｂ１、前記コンタクトホールの平均深さをｂ２とすると、ｂ１＜ｂ２の関係を満たし、０．３μｍ≦ｂ１≦１．０μｍであり、層間絶縁膜で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の反射型液晶表示装置。
　【請求項４】　少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する基板上に層間絶縁膜を介して、平坦面における孔状の凹構造群とコンタクトホールが形成された反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法であって、第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群に相当する場所に孔を形成する工程と、第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲面状にする工程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、前記画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程と、前記感光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応させる工程と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】　第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群に相当する場所に孔を形成する工程において、前記基板上に塗布され得る層間絶縁膜の膜厚をＭとすると、２μｍ≦Ｍ≦４μｍであることを特徴とする請求項４記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いて前記画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程において、前記層間絶縁膜上に塗布され得る有機系感光性樹脂の膜厚をＰとすると、０．５μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであることを特徴とする請求項４記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　前記凹構造群に相当する孔を形成する工程において、フォトマスク面に設けた凹構造形成用のパターンは、正多角形であり、前記正多角形に外接する円の直径をＲ２とすると、５μｍ≦Ｒ２≦１０μｍであることを特徴とする請求項４または請求項５記載の反射型液晶表示装置の製造方法。」　
　
４．特許異議申立の概要
　ア）申立人大沢敏昭の主張は概ね下記のものである。
（１）本件の請求項１ないし３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、それに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）本件の請求項４ないし７に係る発明は、甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）本件出願は、請求項５の記載に不備があり、特許を受けようとする発明が明確でないから、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない。
　イ）申立人工藤美智子の主張は概ね下記のものである。
（１）本件の請求項４ないし７に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
５．当審の判断
５．１　請求項１ないし３に対する特許法２９条違反について
（１）刊行物記載の事項
　申立人大沢敏昭の提出した甲第１号証：特開平８−１８４８４６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、下記の記載が認められる。
「【請求項５】
　凹凸のある反射板を画素電極として有する絶縁性基板と透明電極を有する絶縁性基板で液晶層を挟み込んだ構造よりなる反射型液晶表示装置において、前記反射板が不規則凹凸構造反射板であり、かつ前記反射板画素電極表面内部の前記絶縁性基板水平面に対する傾斜角度０度の領域が、前記画素領域の２０％以下であり、前記反射板における画素電極上の全方位において、全表面凹凸平均傾斜角度が５〜１０度であることを特徴とする反射型液晶表示装置。」（特許請求の範囲の請求項５）、
「【００１７】
　・・・図８には、凹凸平均傾斜角度が全て同一であるが、反射板である画素内部に含まれる平坦領域の占める割合いが（ａ）０％、（ｂ）３０％、（ｃ）４５％と異なる場合の凹凸断面図を示す。図９には前記反射板（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に対応する反射性能を示す。同一平均傾斜角度でも、画素電極内部の平坦領域の占める割合が大きい場合、反射性能の正反射成分が非常に大きく、散乱性に欠ける特性となる。該反射板を用いたパネル表示は暗く、そして、写り込みが起こるため、実用化できない。これに対して、前記平坦領域が２０％以下では、前記凹凸平均傾斜角度を満たす場合、正反射成分の突出した反射性能になることはない。
【００３３】
　ただし、凹凸平均傾斜角度が全て同一とし、前記反射板画素内部に含まれる平坦領域の占める割合いが（ａ）０％、（ｂ）３０％、（ｃ）４５％と異なる場合、前記作用に記載の図９に示す異なる反射性能が得られる。本実施例より、画素電極内部の平坦領域の占める割合が、前記平坦領域が２０％以下とし、かつ、前記凹凸平均傾斜角度を満たすことにより、反射性能の反射率が強く、かつ散乱性の優れた特性を有する反射板が得られる。該反射板を用いたパネル表示は広い視野範囲条件下で明るい、反射型液晶表示装置が得られる。」
　また、図１には、スイッチング側絶縁基板１３のドレイン電極８が、凹凸形成絶縁層１２上の反射画素電極板５とスルーホールを介して接続され、該スルーホールの深さが前記凹凸形成絶縁層１２の凹部の深さより深い反射型液晶表示装置の断面構造が図示されている。
　
（２）対比・判断
 （本件発明１について）
　本件発明１と刊行物１の請求項５に記載された発明（以下、「引用発明１」という。）とを対比するに、引用発明１の「反射板を画素電極として有する絶縁性基板」、「透明電極を有する絶縁性基板」、「不規則凹凸構造」、「絶縁性基板水平面に対する傾斜角度０度の領域」は、本件発明１の「第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極面が形成され」、「第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極からなる対向電極が形成され」、「凹構造群のパターンがランダム」、「平坦面」に各々相当する。
　よって、両者は、「第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極面が形成され、第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極からなる対向電極が形成され、第１の基板と第２の基板との対向内面に液晶層が挟持され、凹構造群のパターンがランダムに設けられた反射型液晶表示装置。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点１：本件発明１は、第２の基板の他の主面側に偏光フィルムが配設されているのに対し、引用発明１にはこの点の記載がない。
　相違点２：本件発明１は、反射電極面には反射と散乱との機能を有する平坦面と拡散用面とが所定の面積比率で形成され、前記反射電極面において、前記拡散用凹面が前記平坦面における孔状の凹構造群として設けられるとともに、１画素の面積をＳとし、前記凹構造群の外接円の直径をＲ１、前記凹構造群の１画素あたりの個数をＮとしたとき、（数１）で定義される１画素あたりの前記凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８（０．８を除く）である
【数１】Ｄ＝（π（Ｒ１／２）２×Ｎ）／Ｓ
　と規定しているのに対し、引用発明１は、拡散用凹面が平坦面における孔状の凹構造群として設けられることは記載されておらず、画素電極表面内部の傾斜角度０度の領域（平坦面）が、画素領域の２０％以下であり、反射板における画素電極上の全方位において、全表面凹凸平均傾斜角度が５〜１０度であると規定されている点。
　
　上記相違点２について検討する。
　本件発明１は、１画素あたりの前記凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８（０．８を除く）であるから、これを平坦面に置き換えると、その面積比率は０．２（２０％）〜０．７（７０％）の範囲となる。
　これに対して、刊行物１には、前掲のとおり、画素内部に含まれる平坦領域の占める割合いが３０％及び４５％の場合についても記載されている。しかし、この記載に続き、さらに、「同一平均傾斜角度でも、画素電極内部の平坦領域の占める割合が大きい場合、反射性能の正反射成分が非常に大きく、散乱性に欠ける特性となる。該反射板を用いたパネル表示は暗く、そして、写り込みが起こるため、実用化できない。これに対して、前記平坦領域が２０％以下では、前記凹凸平均傾斜角度を満たす場合、正反射成分の突出した反射性能になることはない。」と記載され、平坦領域の占める割合が２０％より大きいものは排除されている。いいかえれば、引用発明１は、もともと、平坦領域の占める割合を少なくし、全表面凹凸平均傾斜角度を５〜１０度と規定しようとするものであり、本件発明１のような反射と散乱との機能を有する平坦面と拡散用面とを所定の面積比率で形成しようとする考えはない。
　そして、本件発明１の上記相違点２の構成がこの出願前周知であると認めるべき証拠もない。
　したがって、本件発明１は、相違点１について検討するまでもなく、刊行物１に記載された発明であるとも、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　
（本件発明２及び３について）
　本件発明２及び３は、本件発明１または、本件発明１を引用する本件発明２をさらに引用し、さらに具体的な限定を付加するものであるから、上記本件発明１に対すると同様の理由により、刊行物１に記載された発明であるとも、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　
５．２　請求項４ないし７に対する特許法２９条違反について
（１）刊行物記載の発明
　申立人大沢敏昭の提出した甲第２号証：特開平９−１５２５９７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、反射型液晶表示装置の製造方法に関し、
「【００６７】・・・各素子が形成された基板３１の上に、・・・感光性樹脂をスピンコート方式により塗布し、有機絶縁樹脂層１２を形成する。・・・有機絶縁膜１２としては、アクリル系の感光性樹脂を用い、・・・厚さが約２．５μｍになるように塗布している。
【００６８】次に、有機絶縁層１２が形成されたガラス基板３１を、例えば９０℃で３０秒間プリベークする。続いて、・・・フォトマスク１３を有機絶縁層１２の上方に配置し、フォトマスク１３の上方から図３（ｂ）に矢印で示すように光線を照射する（露光）。フォトマスク１３は、例えば、図５に示すように、板体１３ｃに２種類大きさの円形のパターン孔１３ａ及び１３ｂが形成されているフォトマスク１３を使用することができる。・・・
【００６９】次に、・・・有機絶縁層１２の現像を行う。これにより、・・・基板３１の表面には、パターン孔１３ａ及び１３ｂに対応して、高さの異なる微細な凸部１４ａ’及び１４ｂ’が多数形成される。・・・
【００７０】次に、凸部１４ａ’及び１４ｂ’を形成した基板３１を、約２００℃で約６０秒間加熱して・・・上端部の断面が略円形状の凸部１４ａ及び１４ｂを形成する。
【００７１】次に、・・・有機絶縁層１２と同じ感光性樹脂をスピンコート方によって塗布し、有機絶縁膜１５を形成する。・・・
【００７２】次に、有機絶縁膜１５が形成された基板３１を、例えば９０℃で３０秒プリベークする。続いて、・・・フォトマスク１６を有機絶縁膜１５の上方に配置し、フォトマスク１６の上方から光線を照射して露光を行う。・・・有機絶縁膜１５にコンタクトホール４３が形成される。」と記載されている。
　
　同じく、甲第３号証：特開昭５８−２８２１号公報（以下、「刊行物３」という。）には、液晶駆動電極表面に円形、六角形等の穴あるいは突起が多数存在すること、穴と穴の間隔が隣り合う穴同士で異なること（特許請求の範囲の請求項１及び請求項４参照。）が記載されている。
　
　申立人工藤美智子の提出した甲第１号証：特開平１０−４８６１１号公報（以下、「刊行物４」という。）には、
「【００４０】アクティブマトリクス基板１の対向基板２側上面には、マトリクス状に配された画素電極からなる画素電極層６が絶縁膜５を介して設けられている。・・・
【００４２】・・・ガラス等からなる絶縁性基板７上に、・・・ゲート電極を含んだゲートバス配線８を形成する。・・・
【００４４】次に、この基板上の全面に、・・・ソースバス配線１２およびドレインバス配線１３を形成する。以上により、絶縁性基板７上にＴＦＴ素子１４が完成する。・・・
【００４６】これより、このＴＦＴ素子１４上に形成される絶縁膜５上の凹凸の作成工程を示す。まず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板７・・・上に形成されたＴＦＴ素子１４上に、・・・感光性樹脂材料を・・・スピンコートして、レジスト層１５を・・・１．２μｍの厚みで成膜した。
【００４７】次に、・・・基板を、１００℃の温度で３０分プリベークした後、所定の円状パターンが形成されたフォトマスクを配置し、露光、現像・・・を行い、・・・表面に微細な複数の円柱からなる凹凸面を形成した。
【００４８】上述の凹凸面を好ましくは１２０〜２５０℃で熱処理すると、・・・角がとれて滑らかな凹凸面が形成される。・・・
【００４９】続いて、凹凸部を形成した基板上に再び感光性樹脂材料ＯＦＰＲ−８００を・・・スピンコートすることによって、上記凹凸部上に、より緩やか且つ滑らかな平滑化層１６が成膜される。上記レジスト層１５および平滑化層１６により、滑らかな微細凹凸面を有した絶縁膜５が基板上を覆うように形成される。本実施の形態では、・・・厚さ約１μｍの平滑化層１６を形成した。
【００５０】さらに、露光／現像により上記絶縁膜５にスルーホール１７を形成し、絶縁膜５上に上記スルーホール１７を介してドレインバス配線と接続された金属薄膜を形成する。・・・本実施の形態ではＡｌを真空蒸着することにより、金属薄膜を形成した。こののち、通常の露光／現像／エッチングプロセスを経て、反射板としての役割を兼用する反射画素電極（画素電極）１８を形成する。以上の工程により、アクティブマトリクス基板１が完成する。・・・
【００５５】このようにして作成された反射型カラー液晶表示装置は、図１（ａ）（ｂ）に示すように、反射画素電極１８の凹凸形成に用いた絶縁膜５の形成位置はシール材４内にあり、端子部、シール材４下部には存在しない。・・・
【００７８】また、本実施の形態では、絶縁膜２８の材料として感光性樹脂ＯＦＰＲ−８００を用いたが、これに限定されるものではなく、例えば、アクリル系やポリイミド系の感光性樹脂を用いてもよい」と記載されている。
　
　同じく、甲第２号証：「２インチ画像表示用２２０×１８０画素ＭＯＳ−ＬＣＤ」、笠原幸一他、テレビジョン学会誌　Ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．４（１９８４），３５７〜３６１頁（以下、「刊行物５」という。）には、液晶を挟む一方の基板にＭＯＳアレイを用いる形式のアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤに関し、「ポリイミド層間絶縁膜は２度に分けてスピンコートされる。まず第１層目が塗布された後、フォトリソグラフィーおよびドライエッチング技術を用いて多数の小孔があけられる。次に、この上に第２層目が塗布されると、その表面には多数の小さな凹凸が形成される。続いて１層目および２層目を貫通するコンタクトホールがあけられた後、その上に薄いアルミ層が形成されると共に、・・・表示電極表面にも下地のポリイミド表面と同様の凹凸が形成される。」（３５９頁右欄１５行〜３６０頁左欄５行）と記載されている。
　
　同じく、甲第３号証：特開平１０−３１１９８２号公報（以下、「刊行物６」という。）には、
「【００４２】さらに、光を散乱させるための凹凸形状を表面に備えた反射画素電極４２３の形成方法について図４を用いて以下に説明する。まず、・・・レジスト４２０として例えばＯＦＰＲ−８００（商品名：東京応化社製）をスピンコート法により約１．０μｍの膜厚で成膜した。次に、１００℃で３０秒間プリベークした後、ゲート信号配線２０４や共通電極配線２０５等の遮光領域をマスクとして基板の裏面から露光する。・・・凹凸部に継ぎ目むらが生じない。
【００４３】続いて、ドレイン電極２１３上にコンタクトホールを形成すべく、フォトマスクを前面に設置して露光した後・・・現像し、レジスト４２０を微細な凹凸として成形した。さらに、・・・基板を・・・熱処理し、レジスト４２０の残り部分の角がとれた後、２００℃、３０分間の熱処理により硬化させると基板表面にはなめらかな凹凸連続面が形成される。
【００４４】次に、さらに凹凸をなめらかにするために、・・・２層目のレジスト４２２・・・をスピンコート法により約０．３μｍの膜厚となるよう塗布した。次に、・・・ドレイン電極上の２層目のレジスト領域にコンタクトホールを形成・・・
【００４５】続いて、・・・加熱処理を行うことによって２層目のレジスト４２２が熱だれを起こし、更になめらかで平坦部分の少ない凹凸形状が形成される。
【００４６】最後に・・・反射画素電極・・・形成した・・・」と記載されている。
　
　同じく、甲第４号証：特開平５−２３２４６５号公報（以下、「刊行物７」という。）には、基板上に感光性樹脂の第１膜を形成し、露光し、パターニングすることにより多数の微細な凹凸を作成し、該凹凸が形成された基板１の上層にアクリル系樹脂等を塗布、硬化し第２膜を形成し、さらに反射膜からなる電極を形成して反射板とすることが記載され、図２〜図４には、第１膜が円錐台形状の凸部に形成されていることが示されている。
　
  同じく、甲第５号証：特開平６−２７４８１号公報（以下、「刊行物８」という。）には、ガラス基板上に光感光性樹脂から成るレジスト膜を厚さ２．５μｍにスピンコートし、フォトマスクを用いて高さの異なる凸部を形成し、熱処理により、該凸部の角部を丸くし、この上に高分子樹脂をスピンコートし、上表面が連続する波状の高分子膜を形成し、さらに、この上にＡｌからなる絵素電極を形成した液晶表示装置について記載されている。
　　
（２）対比・判断
（本件発明４について）
　本件発明４と刊行物２または刊行物４記載のものとを対比するに、
両刊行物に記載のものは、本件発明４が前提とする、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する基板上に層間絶縁膜を介して反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法であって、第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域に凹凸を形成する工程と、第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布する工程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、前記画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成する工程と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少なくとも含む反射型液晶表示装置の製造方法に関するものである点で共通する。
　しかし、本件発明４と刊行物２または刊行物４記載のものとでは、少なくとも、下記の点で相違する。
　相違点１；本件発明４は、反射電極に平坦面における孔状凹構造群が形成されるものにおいて、第１の層間絶縁膜の画素部表示領域の凹構造群に相当する場所に孔を形成するものであるのに対し、両刊行物に記載のものは、画素部表示領域に凹凸を形成するために、円柱からなる凸部を形成し、次に加熱して該円柱の上端部の断面を略円形状の凸部とする点、
　相違点２；本件発明４は、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程を有するのに対し、刊行物２にはこの点の記載がなく、また刊行物４には、層間絶縁膜がシール内にある旨の記載があり、非画素部表示領域にはないことが示唆されているが、具体的にどの段階で除去するのか（あるいは、初めから形成しないのか）については記載がない点。
　そこで、上記相違点１について検討するに、反射電極の下地となる層間絶縁膜に穴を形成することは、刊行物３及び刊行物５に記載されているが、これらの層間絶縁膜は感光性樹脂を用いるものではなく、本件発明４とは前提となる製造方法が異なっている。
　そうしてみると、刊行物２または刊行物４記載のものに、刊行物３及び刊行物５に記載のものを直ちに適用することは困難であり、本件発明４の上記相違点の構成を導き出すことは容易とはいえない。
　そして、本件発明４は、上記相違点１の構成により、非画素表示領域に第１の層間絶縁膜が残ることになるので、相違点２の工程とあいまって、「画素部表示領域とドライバー実装部分を含む非画素領域間の段差により塗布むらが発生し、画素表示領域の凹構造の表面形状が不均一となり、反射率むらが発生した。」（本件特許公報第９欄７〜１０行）というような従来の問題点も解消し得るものと認められる。
　また、刊行物６記載のものの「２００℃、３０分間の熱処理により硬化させる」ことは架橋反応に相当し、刊行物８には、本件発明４の第１層間絶縁膜に相当するレジスト膜の厚さを２．５μｍとすることが記載されていることが認められるものの、刊行物６ないし刊行物８記載のものは、本件発明４の上記相違点１及び２の構成を有するものではない。
　したがって、本件発明４は、刊行物２〜刊行物８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（本件発明５ないし７について）
　本件発明５ないし７は、本件発明４を引用し、あるいは本件発明４を引用する本件発明５をさらに引用し、限定を付加するものであるから、本件発明４に対すると同様の理由により、刊行物２〜刊行物８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　また、さらに、刊行物１ないし刊行物８記載のものを寄せ集めても、本件発明１ないし７が容易に発明できたものともいえない。
　
５．３　明細書の記載不備について
　申立人大沢敏昭は、請求項５に記載される「第１に〜孔を形成する工程」は請求項４の「第１に前記基板上に層間絶縁膜として・・・孔を形成する工程」、「第２に前記層間絶縁膜状に樹脂膜として・・・曲面状にする工程」のいずれの工程を特定しているか不明確である。従って、層間絶縁膜の膜厚はどの膜厚を意味するかわからないので、請求項５は特許法第３６条第６項違反である旨主張している。
　しかし、請求項５は訂正され、請求項４の「第１に前記基板上に層間絶縁膜として・・・孔を形成する工程」を特定するものであることが明らかとなった。また、当審で指摘した請求項４に対応する実施例の記載不備も訂正により解消された。
　
６．むすび
　したがって、特許異議申立の理由及び証拠によっては、請求項１ないし７に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月２５日（２００２．９．２５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲の請求項１の「第１の基板の１主面上に・・・特徴とする反射型液晶表示装置。【数１】Ｄ＝（π（Ｒ１／２）２×Ｎ）／Ｓ」を「第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極面が形成され、前記反射電極面には反射と散乱との機能を有する平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成され、第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極からなる対向電極が形成され、第１の基板と第２の基板との対向内面に液晶層が挟持され、
前記第２の基板の他の主面側に偏光フィルムが配設され、
において、前記拡散用凹面が前記平坦面における孔状の凹構造群として設けられるとともに該
（０．８を除く）
）２×
ｂ．特許請求の範囲の請求項４の「少なくともマトリックス状に配置された・・・を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。」を「少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する基板上に層間絶縁膜を介して、
平坦面における孔状の
ｃ．特許請求の範囲の請求項５の「第１に前記基板上に・・・反射型液晶表示装置の製造方法。」を［第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、
前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群に相当する場所に孔を形成する工程
ｄ．明細書の段落【００３２】の「次に有機アルカリを用いて・・・凹構造の側面形状を曲面状に形成した。」を「次に有機アルカリを用いて一定時間現像を行った。このとき、反射基板１０上の層間絶縁膜
１８
有機
１８
（図示せず）
ｅ．明細書の段落【００３４】の「このことから、・・・１０μｍの孔が形成されていた。」を「このことから、反射基板１０上の層間絶縁膜
１８
１８
ｆ．明細書の段落【００３５】の「次に、・・・反射電極８形成した。」を「次に、
前記
膜上
（５４）【発明の名称】
反射型液晶表示装置とその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極面が形成され、前記反射電極面には反射と散乱との機能を有する平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成され、第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極からなる対向電極が形成され、第１の基板と第２の基板との対向内面に液晶層が挟持され、
前記第２の基板の他の主面側に偏光フィルムが配設され、
において、前記拡散用凹面が前記平坦面における孔状の凹構造群として設けられるとともに該
（０．８を除く）
　　【数１】Ｄ＝（π（Ｒ１／２
）２×
　【請求項２】　凹構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦Ｒ１≦１２μｍ、前記凹構造の１画素あたりの個数Ｎが４０≦Ｎ≦３５０の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
　【請求項３】　凹構造群を有する反射電極面が、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極上とに層間絶縁膜を介して形成され、前記反射電極面はコンタクトホールを有し、前記凹構造群の平均深さをｂ１、前記コンタクトホールの平均深さをｂ２とすると、ｂ１＜ｂ２の関係を満たし、０．３μｍ≦ｂ１≦１．０μｍであり、層間絶縁膜で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の反射型液晶表示装置。
　【請求項４】　少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する基板上に層間絶縁膜を介して、
平坦面における孔状の
　【請求項５】　第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、
前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群に相当する場所に孔を形成する工程
　【請求項６】　第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いて前記画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程において、前記層間絶縁膜上に塗布され得る有機系感光性樹脂の膜厚をＰとすると、０．５μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであることを特徴とする請求項４記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　前記凹構造群に相当する孔を形成する工程において、フォトマスク面に設けた凹構造形成用のパターンは、正多角形であり、前記正多角形に外接する円の直径をＲ２とすると、５μｍ≦Ｒ２≦１０μｍであることを特徴とする請求項４または請求項５記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、表示装置である反射型液晶表示装置とその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　反射型液晶ディスプレイ（以下、反射型ＬＣＤと称す）は、パネル前面より入射した外光を液晶パネルにより変調し、パネル裏面に設けた反射板によって反射させて、表示を行う方式である。このため透過型液晶ディスプレイ（以下、透過型ＬＣＤと称す）に不可欠なバックライトが不要であり、消費電力の低減が可能であるので、反射型ＬＣＤは、携帯情報端末や携帯機器に最適である。
　【０００３】
　しかし、反射型ＬＣＤでは、外光の反射により表示を行うために、入射光の調節機能がない。このため外光の照度が弱い場合、例えば、屋内や夜間使用する場合では、入射する外光が少ないため、表示画面が非常に暗くなり、視認性が劣化する欠点を有している。このため、反射型ＬＣＤでは、入射した外光をできるだけ効率よく反射させるように、反射率を高める必要がある。
　【０００４】
　反射率を高める手段として、液晶セルや光学部材での光の伝搬損失を防ぐことと反射板での反射率を高めることが挙げられる。液晶セルや光学部材による光の伝播損失を低減する方法としては、偏光板での光の透過損失が最も大きいことに着目して、偏光板を用いないゲストホスト型表示方式（特開平７−１４６４６９号公報）や偏光板を１枚にした１枚偏光板方式（特開平７−８４２５２号公報）などが開示されている。
　【０００５】
　また、反射板での反射率を高める方法として、従来液晶セルの外側に設けていた反射板を液晶セルの内部に設け、かつ反射板の構成材料として、反射率が高く、電気抵抗値の低いアルミニュウムを用いて、反射板としての機能と電極としての機能を兼ね備えた反射電極を形成する方式（特開平８−１０１３８４号公報）が開示されている。
　【０００６】
　さらに、反射電極面に凹凸を設け、光散乱機能を付与した液晶セルと位相板と偏光板を用いて、表示を行う方式（特開平５−２１７７０１号公報）及び反射電極の凹凸をメルト法により形成する方式（特開平９−１４６０８７号公報）が開示されている。
　【０００７】
　図５は従来の反射型ＬＣＤ画像部分の一例を示す構造図である。
図５に示すように、偏光フィルム１とλ／４波長板２と対向基板３とカラーフィルタ４と透明電極５と液晶層７と凹凸を規則的に配置した凹凸状の反射電極８０と凹凸状の層間絶縁膜１８０と薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ素子と呼ぶ）１５と反射基板１０とで構成されている。この反射型ＬＣＤは偏光フィルム１を１枚にした１枚偏光板方式と凹凸状の反射電極８０を液晶層７内に設ける方式を併用したものであり、反射電極に散乱性を付与して拡散反射率を高め、視認性の向上を意図したものである。なお、ＴＦＴ素子１５は、ゲート電極１１，ソース電極１３，ドレイン電極１４および層間絶縁膜１２，１６で構成される。
　【０００８】
　凹凸状の反射電極８０は、凹凸状の層間絶縁膜１８０上に形成され、層間絶縁膜１８０に設けられたコンタクトホール１７を通して、ＴＦＴ素子１５のドレイン電極１４と電気的に接続されている。反射電極８０にはＴＦＴ素子１５のスイッチング動作により、電圧が印加される。反射電極８０は画素電極として液晶層７に電圧を印加する作用を行う。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　前記反射型ＬＣＤに入射した光は、偏光フィルム１を通過して直線偏光になり、液晶層７で変調された後、凹凸状の反射電極８０の表面で反射し、再度、液晶層７通過して偏光フィルム１に達する。１枚偏光板で白，黒の表示を行うには、反射電極８０面での反射光は、黒表示の場合には円偏光、白表示の場合には直線偏光であることが必要である。
　【００１０】
　しかし上記規則的な凹凸状の反射電極８０面では入射した偏光の消偏性と光の干渉が発生し、コントラスト低下と虹色の着色を引き起こす問題と、前記反射電極面の製造方法では凹表面形状の不均一性による反射率むらが発生するという問題を有していた。本発明は、散乱反射率を高めかつ反射面での消偏性、干渉及び反射率むらを抑制してコントラスト低下と着色を防ぐ反射型液晶表示装置とその製造方法を提供することを目的とする。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の反射型液晶表示装置は、反射電極面に反射と散乱の機能を有する平坦部分と、拡散用凹面に凹構造群のパターンがランダムに設けられ、所定の面積比率で形成されたことを特徴とするものである。
　【００１２】
　本発明によると、反射電極面には光を鏡面反射する平坦な反射面と、光を一定の範囲に拡散する凹構造からなる拡散反射面が得られ、拡散反射面を設けることで拡散反射率を高めかつ凹構造をランダムに配置することにより光の干渉を抑制するとともに、鏡面反射面を設けることでコントラスト低下の少ない反射型液晶表示装置が得られ、上記目的が達成される。
　【００１３】
　本発明の反射型液晶表示装置の製造方法は、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する反射基板上に層間絶縁膜を介して、凹構造群とコンタクトホールとが形成された反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法であって、第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群及びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成する工程と、第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲面状にする工程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、前記画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程と、前記感光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応させる工程と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とするものである。
　【００１４】
　本発明によると、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する反射基板上に、第１に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の凹構造群及びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、第２に層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布し、凹構造群の側面形状を曲面状にし、感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、前記画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去することにより、凹表面形状の不均一性による反射率むらを抑制でき、上記目的が達成される。
　【００１５】
　【発明の実施の形態】
　本発明の請求項１記載の発明によれば、第１の基板の１主面上に画素電極として反射電極面が形成され、前記反射電極面には反射と散乱との機能を有する平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成され、第２の基板の１主面上には少なくとも透明電極からなる対向電極が形成され、第１の基板と第２の基板との対向内面に液晶層が挟持されていることを特徴とする反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高めるとともにコントラスト低下及び干渉による着色を低減することができる。
　【００１６】
　さらに、反射電極面の拡散用凹面に凹構造群のパターンをランダムに設け、１画素の面積をＳとし、前記凹構造群の外接円の直径をＲ１、前記凹構造群の１画素あたりの個数をＮとしたとき、（数１）Ｄ＝（π（Ｒ１／２）２×Ｎ）／Ｓで定義される画素あたりの前記凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８の関係を満たす反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高めるとともにコントラスト低下と干渉による着色を低減することができる。
　【００１７】
　本発明の請求項２記載の発明によれば、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦Ｒ１≦１２μｍ、前記凹構造群の１画素あたりの個数Ｎが４０≦Ｎ≦３５０の関係を満たす反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高めるとともにコントラスト低下及び干渉による着色を低減することができる。
　【００１８】
　本発明の請求項３記載の発明によれば、凹構造群を有する反射電極面は、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極上とに層間絶縁膜を介して形成され、前記反射電極面はコンタクトホールを有し、前記凹構造群の平均深さをｂ１、前記コンタクトホールの平均深さをｂ２とすると、ｂ１＜ｂ２の関係を満たし、かつ０．３μｍ≦ｂ１≦１．０μｍであり、層間絶縁膜で形成されている請求項１記載の反射型液晶表示装置であり、拡散反射率を高めるとともに、コントラスト低下及び干渉による着色を低減することができる。
　【００１９】
　本発明の請求項４記載の発明によれば、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタとゲート電極とソース電極とを有する基板上に層間絶縁膜を介して、凹構造群とコンタクトホールが形成された反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法であって、第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、画素部表示領域の前記凹構造群及びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成する工程と、第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布し、前記凹構造群の側面形状を曲面状にする工程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光、現像して、前記画素部表示領域の前記コンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程と、前記感光性樹脂に熱処理を施して、架橋反応させる工程と、前記基板に反射電極を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であり、拡散反射率が高く、消偏性と干渉による着色を低減できる均一な表面形状を有する反射電極基板を製造することができる。
　【００２０】
　本発明の請求項５記載の発明によれば、第１に前記基板上に層間絶縁膜として有機系感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いて画素部表示領域の前記凹構造群及びコンタクトホールに相当する場所に孔を形成する工程において、前記基板上に塗布され得る層間絶縁膜の膜厚をＭとすると、２μｍ≦Ｍ≦４μｍであることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であって、拡散反射率が高く、消偏性と干渉による着色を低減できる均一な表面形状を有する反射電極基板を製造することができる。
　【００２１】
　本発明の請求項６記載した発明によれば、第２に前記層間絶縁膜上に樹脂膜として有機系感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いて前記画素部表示領域の該コンタクトホールに相当する場所に孔を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の前記層間絶縁膜を除去する工程において、前記層間絶縁膜上に塗布され得る有機系感光性樹脂の膜厚をＰとすると、０．５μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であって、拡散反射率が高く、消偏性と干渉による着色を低減できる均一な表面形状を有する反射電極基板を製造することができる。
　【００２２】
　本発明の請求項７記載の発明によれば、前記凹構造群に相当する孔を形成する工程において、フォトマスク面に設けた凹構造形成用のパターンは、正多角形であり、前記正多角形に外接する円の直径をＲ２とすると、５μｍ≦Ｒ２≦１０μｍであることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であって、拡散反射率が高く、消偏性と干渉による着色を低減できる均一な表面形状を有する反射電極基板を製造することができる。
　【００２３】
　以下、本発明の反射型液晶表示装置の各実施の形態について説明する。
　【００２４】
（実施の形態１）
　図１は本発明の実施の形態１における反射型液晶表示装置の画素部分の１例を示す構造図である。図１に示すように画素部分は反射基板１０上の反射電極８と対向基板３上の透明電極５、液晶層７とから構成される。対向基板３側より入射した光を液晶層７で変調し、反射電極８面と対向基板３の方向に反射させて表示を行う。
　【００２５】
　図１に示す対向基板３には無アルカリガラスを用い、この対向基板３上に顔料分散レジストからなる赤、緑、青のストライプ状のカラーフィルタ４が形成されている。
　【００２６】
　その後、カラーフィルタ４上に酸化インジュウム錫（以下、ＩＴＯと呼ぶ）膜を成膜し透明電極５を形成した。
　【００２７】
　次に、無アルカリガラスを用いた反射基板１０の上に所定の方法により、アルミニュウムとタンタルからなるゲート電極１１，窒化シリコンからなる層間絶縁膜１２を介してチタンとアルミニュウムからなるソース電極１３およびドレイン電極１４をマトリックス状に配置し、ゲート電極１１とソース電極１２との各交差部にアモルファスシリコンからなるＴＦＴ素子１５を形成した。
　【００２８】
　次に反射基板１０上に窒化シリコンからなる無機の層間絶縁膜１６を形成し、フォトレジストと所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射し、その後、ドライエッチングにより窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極１４上にコンタクトホール１７形成した。無機の層間絶縁膜１６は、ＴＦＴ素子１５の層間絶縁膜として機能するとともに、ドライバー実装部分での電極保護膜としても機能する。
　【００２９】
　反射基板１０の全面に感光性アクリル樹脂（例えば、ＰＣ３３５：ＪＳＲ（株）製）を塗布して膜厚Ｍ約３μｍの有機の層間絶縁膜１８を形成した。
　【００３０】
　次に、図２は図１の実施の形態１で使用したフォトマスクの平面図を示すものである。図２に示すような面内に形状が正六角形でその外接円の直径Ｒ１が、８μｍの多数の凹構造形成用パターンが設けられたフォトマスクを用いて紫外線を８０〜１００ｍＪ／ｃｍ２照射した。
　【００３１】
　ここで、フォトマスクには正六角形の凹構造群の外接円の直径Ｒ１が８μｍ、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄが０．４となるよう凹構造群の１画素あたりの個数Ｎを９６個としたパターンをランダムに配置した。
　【００３２】
　次に有機アルカリを用いて一定時間現像を行った。このとき、反射基板１０上の層間絶縁膜
１８
有機
１８
（図示せず）
　【００３３】
　次に画素部表示領域のコンタクトホール１７とドライバー実装部分を含む非画素部表示領域のみ開口したフォトマスクを用いて、画素部表示領域のコンタクトホールに相当する場所とドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の層間絶縁膜部分を露光、現像し、感光性樹脂を除去した。反射基板１０上の層間絶縁膜１２に画素部表示領域に凹構造群を形成し、ドライバー実装部分を含む非画素部表示領域の層間絶縁膜部分を除去した後、無機の層間絶縁膜１６の全面に感光性樹脂を塗布して有機の層間絶縁膜１８を形成すると、画素部表示領域とドライバー実装部分を含む非画素部表示領域間の段差により塗布むらが発生し、画素部表示領域の凹構造の表面形状が不均一となり、反射率むらが発生した。
　【００３４】
　このことから、反射基板１０上の層間絶縁膜
１８
１８
　【００３５】
　次に、
前記
膜上
　【００３６】
　透明電極５および反射電極８上には固形分濃度５重量％のポリアミック酸溶液（ＳＥ−７２１１：日産化学工業（株））を印刷し、２２０℃で硬化した、ＴＮ配向になるようにレーヨン布を用いて回転ラビングして配向処理を行い、ポリイミドからなる膜厚１２０ｎｍの配向膜を形成した。
　【００３７】
　次に対向基板３の周辺部に熱硬化型のシール材（例えばストラクトボンド：三井東圧化学（株）製）を液晶注入口を設けて印刷形成し、反射基板１０上には直径３μｍのプラスチックからなる球状のスペーサを１５０〜２００個／ｍｍ２分散して、対向基板３と反射基板１０を互いに貼り合わせ、１５０℃でシール材を硬化した。
　【００３８】
　次に屈折率異方性が０．０９であるフッ素系ネマチック液晶組成物にカイラル組成物を添加した液晶層７を真空注入して、紫外線硬化樹脂により注入口を封口して、液晶セルを作製した。
　【００３９】
　上記により形成した液晶セルの対向基板３に、λ／４波長板２を積層した偏光フィルム１を貼付け、アクティブマトリックスタイプの反射型ＬＣＤを作製した。
　【００４０】
　図３は、本実施の形態１における反射電極８の反射特性である。
反射電極の反射特性は、図４に示す測定系により行った。比較例１として凹構造を設けない反射電極の反射特性と、比較例２として凹凸状の反射電極の反射特性をあわせて示したものである。本発明の実施の形態１では、鏡面成分と拡散成分の両方を有しているのに対して、凹構造を設けない反射電極特性（比較例１）は鏡面性のみ有し、凹凸状の反射電極（比較例２）では、等方的な拡散性を有する。
　【００４１】
　なお、図４の測定においては反射電極８上に直接、偏光フィルム１を置き、光源４０から光の反射率を受光器４１でもって測定した結果である。測定には色彩測色計（ＣＭ−５０８Ｄ、ミノルタ（株）製）を使用し、標準白色板を基準とした。
　【００４２】
　本実施の形態１での反射率は、０．９％であり、比較例２の凹凸状の反射電極の反射率３．９％に対して、十分低い値を得ることができた。また、１画素の面積をＳとし、凹構造群の外接円の直径をＲ１、凹構造群の１画素あたりの個数をＮとしたとき、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄ（Ｄ＝（π（Ｒ１／２）２×Ｎ）／Ｓ）が、Ｄ＜０．３では、拡散反射成分が弱く、またＤ＞０．８では拡散反射成分が強すぎ、偏光変化が大きかった。このことから、面積比率Ｄは０．３≦Ｄ≦０．８が好ましかった。
　【００４３】
　本実施の形態のアクティブマトリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．３％、白状態で反射率が１６．９％であり、反射率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表示を実現することができた。
　【００４４】
（実施の形態２）
　次に、実施の形態２について説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相違点は凹構造形成に正八角形の外接円の直径Ｒ２が異なるフォトマスクを用いた点である。本実施の形態２では、外接円の直径Ｒ２が１０μｍのパターンを有するフォトマスクを用いた。具体的には、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄが０．４となるよう６１個の正八角形パターンをランダムに配置した。実施の形態１と同じ手順によって、反射型液晶表示装置を作製したところ、反射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１２μｍで、平均深さ約０．６〜０．９μｍの凹構造群が形成されていた。
　【００４５】
　本実施の形態２においても、アクティブマトリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．２％、白状態で反射率が１６．２％であり、反射率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表示を実現することができた。
　【００４６】
（実施の形態３）
　次に、実施の形態３について説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相違点は凹構造形成に正六角形の外接円の直径Ｒ２が異なるフォトマスクを用いた点である。本実施の形態３では、外接円の直径Ｒ２が５μｍのパターンを有するフォトマスクを用いた。具体的には、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄが０．４となるよう２９０個の正六角形パターンをランダムに配置した。実施の形態１と同じ手順によって、反射型液晶表示装置を作製したところ、反射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が５μｍで、平均深さ約０．５〜０．８μｍの凹構造群が形成されていた。
　【００４７】
　本実施の形態３においても、アクティブマトリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．７％、白状態で反射率が１５．４％であり、反射率の比較的高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表示を実現することができた。
　【００４８】
（実施の形態４）
　次に、実施の形態４について説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相違点は第１に反射基板１０上に塗布された層間絶縁膜１２の膜厚Ｍを２μｍ、第２に層間絶縁膜上に塗布された樹脂膜の膜厚Ｐを０．５μｍとした点である。本実施の形態４では、外接円の直径Ｒ２が８μｍのパターンを有するパターンを有するフォトマスクを用いた。具体的には、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄが０．４となるよう９６個の正六角形パターンをランダムに配置した。実施の形態１と同じ手順によって、反射型液晶表示装置を作製したところ、反射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１０．１μｍで、平均深さ約０．３〜０．６μｍの凹構造群が形成されていた。
　【００４９】
　本実施の形態４においても、アクティブマトリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．３％、白状態で反射率が１４．５％であり、反射率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表示を実現することができた。
　【００５０】
（実施の形態５）
　次に、実施の形態５について説明する。構成は実施の形態１と同じであるが、相違点は第１に反射基板１０上に塗布された層間絶縁膜１２の膜厚Ｍを４μｍ、第２に層間絶縁膜上に塗布された樹脂膜の膜厚Ｐを１．５μｍとした点である。本実施の形態５では、外接円の直径Ｒ２が８μｍのパターンを有するフォトマスクを用いた。具体的には、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄが０．４となるよう９６個の正六角形パターンをランダムに配置した。実施の形態１と同じ手順によって、反射型液晶表示装置を作製したところ、反射電極面には、凹構造群の外接円の直径Ｒ１が１０μｍで、平均深さ約０．７〜１．０μｍの凹構造群が形成されていた。
　【００５１】
　本実施の形態５においても、アクティブマトリックス型反射型液晶表示装置を駆動して、拡散光源下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．９％、白状態で反射率が１３．７％であり、反射率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。また、干渉による着色、反射率むらも見られず、無彩色な白黒表示を実現することができた。
　【００５２】
　上記各実施の形態の結果より、１画素あたりの凹構造群の面積比率Ｄが０．３≦Ｄ≦０．８、凹構造群が、直径に関して外接円の直径Ｒ１が５μｍ≦Ｒ１≦１２μｍ、平均深さｂ１に関して０．３μｍ≦ｂ１≦１．０μｍであると、拡散反射率及びコントラストが高く、かつ干渉による着色のない特性を実現することができた。
　【００５３】
　また、フォトマスク状の凹構造群形成用正多角形に外接する円の直径Ｒ２が、５μｍ≦Ｒ２≦１０μｍであれば、コントラスト低下と干渉による着色を抑制し、かつ拡散反射率の高い反射型液晶表示装置を実現できることが分かった。
　【００５４】
　また、第１に反射基板１０上に塗布された層間絶縁膜１２の膜厚Ｍが２μｍ≦Ｍ≦４μｍ、第２に層間絶縁膜１２上に塗布された樹脂膜の膜厚Ｐが０．５μｍ≦Ｐ≦１．５μｍであれば、コントラスト低下と干渉による着色を抑制し、かつ拡散反射率の高い反射型液晶表示装置を実現できることが分かった。
　【００５５】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、反射電極面に反射と散乱の機能を有する平坦部分と、拡散用凹面に凹構造群のパターンがランダムに設けられ、所定の面積比率で形成することにより、拡散反射率が高くかつコントラスト低下および干渉による着色、反射率むらを抑制した反射型液晶表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施の形態１における反射型液晶表示装置の画素部分の一例を示す構造図
　【図２】
　本発明の実施の形態１で使用したフォトマスクの平面図
　【図３】
　本発明の実施の形態１における反射電極の反射特性図
　【図４】
　本発明の実施の形態１における反射電極の反射特性の測定図
　【図５】
　従来の反射型液晶表示装置の画素部分の一例を示す構造図
　【符号の説明】
　１　偏光フィルム
　２　λ／４波長板
　３　対向基板
　４　カラーフィルタ
　５　透明電極
　７　液晶層
　８　反射電極
　１０　反射基板
　１１　ゲート電極
　１２　層間絶縁膜
　１３　ソース電極
　１４　ドレイン電極
　１５　ＴＦＴ素子
　１６　無機の層間絶縁膜
　１７　コンタクトホール
　１８　有機の層間絶縁膜
　１９　凹構造
　２０　鏡面性を有する平坦な部分
　２１　外接円
　２２　凹構造パターン