【事件の表示】
　特願２０１０−１７８４４８「窒化物半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月２７日出願公開、特開２０１１−　１８９１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年５月１０日に出願した特願２００４−１３９９１９号の一部を平成２２年８月９日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年６月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２７日に意見書が提出されたが、平成２５年２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月２７日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされ、その後、当審において同年１２月３日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年２月１０日に手続補正がなされたものである。
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２６年２月１０日になされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「少なくとも表面の一部が窒化物半導体である窒化物半導体基板又は当該窒化物半導体基板上に窒化物半導体薄膜を積層した基板に、少なくとも１つの凹部からなって[１−１００]方向に延びるストライプ状の掘り込み領域と掘りこまれていない領域である丘部を形成して加工基板を作製する第１ステップと、前記加工基板が備える掘り込み領域と前記丘部表面双方に、複数の窒化物半導体薄膜からなる窒化物半導体積層部を積層する第２ステップと、前記窒化物半導体積層部上に絶縁膜を形成するとともに該絶縁膜上にｐ側電極パッドを形成する第３ステップと、を備えた窒化物半導体素子の製造方法において、
　前記第１ステップ、前記第２ステップ及び前記第３ステップの順に行われ、
　前記第１ステップ及び第２ステップにおいて、
　前記凹部の開口幅が１００μｍより大きい場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの０．８倍以下とし、
　前記凹部の開口幅が３０μｍより大きく１００μｍ以下である場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの２倍以下とし、
　前記凹部の開口幅が２μｍ以上３０μｍ以下である場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの３倍以下とし、
　前記凹部の延在する方向に対して垂直な面で切り取った前記凹部の断面部分と前記丘部表面から伸張する前記丘部表面に平行な線とによって囲まれる領域の断面積をＡとするとともに、前記凹部に積層された前記窒化物半導体薄膜の占める断面積をＢとし、
　前記第２ステップにおいて全ての窒化物半導体薄膜を形成した後の状態での前記窒化物半導体薄膜による前記凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下とし、
　前記第３ステップにおいて、前記ｐ側電極パッドを前記掘り込み領域の上部に形成しないことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
第２　平成２５年１２月３日付け拒絶理由通知
　平成２５年１２月３日付け拒絶理由通知の理由の概要は、以下のとおりである。
［理由１］
「膜成長条件、凹部の形状、及び凹部内の窒化物半導体の厚さにかかわらず、『埋め込み具合Ｂ／Ａが０．８以下』という条件を満たせば、表面平坦性が良好な半導体素子が作成できるという」構成を備える本願発明１が、本願明細書に記載されているものということはできないから、本願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
［理由２］
　本願発明は、引用文献（特開２００３−１２４５７３号公報）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
［理由３］
　本願発明は、引用文献（特開２００３−１２４５７３号公報）に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第３　当審の判断
１　特許法第３６条第６項第１号（［理由１］）について
（１）本願明細書の発明の詳細な説明（以下、単に「本願明細書」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。
ア　「【０００９】
上述した特許文献２に記載された技術を用いて窒化物半導体レーザ素子を作製する際、例えば、その窒化物半導体成長層が図１２のように構成される。・・・
　【００１３】
又、「
加工基板
掘り込み領域と丘が形成された基板
【先行技術文献】
【特許文献】
　【００１５】
　　【特許文献１】特開平５−３１５６４６号公報
　　【特許文献２】特開２００２−２４６６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
　【００１６】
しかしながら、
上述の特許文献２による技術で
窒化物半導体レーザ素子を作製したところ、クラックの低減には効果があったが、
　【００２２】
上述の図１４（ａ）の状態から、窒化物半導体薄膜のエピタキシャル成長が進行していくと、図１４（ｂ）のように、掘り込み領域１６の底面部１４４上に成長した窒化物半導体薄膜から成る底面成長部１４２が掘り込み領域１６をほとんど埋めてしまい、丘の上面部１４３表面で成長した窒化物半導体薄膜から成る上面成長部１４１と成長部１４５を介して連結した状態になる。このような状態になると、丘の上面部１４３上で成長した
窒化物半導体薄膜表面
マイグレーションなどによる原子・分子の移動
ウエーハ面内で非常に不均一に発生
の結果、
表面の平坦性が悪化する
　【００２８】
このような問題を鑑みて、本発明は、窒化物半導体基板上に窒化物半導体成長層を積層し窒化物半導体レーザ素子などの窒化物半導体素子を作製するに際し、クラックの発生を防止し、併せて、丘表面の上面成長部からマイグレーションなどにより、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域に移動して窒化物半導体薄膜を形成することを抑制することにより、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い窒化物半導体素子の製造方法を提案することを目的とする。」、
「【発明の効果】
　【００４８】
本発明によると、加工基板上に窒化物半導体成長層を積層し窒化物半導体素子を作製するに際し、窒化物半導体薄膜による掘り込み領域における凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下とすることにより、クラックの発生を防止する。又、このように埋め込み具合を設定することで、丘部表面に窒化物半導体薄膜が積層した上面成長部からマイグレーションなどにより、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域に移動して窒化物半導体薄膜を形成することを抑制することができる。以上より、窒化物半導体基板上に、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成することができる。」
　
イ　「【００５５】
次に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、本実施形態において、窒化物半導体素子の一例として窒化物半導体レーザ素子について説明を行うが、本発明は他の窒化物半導体素子にも適用可能である。図１（ａ）は、本実施形態における窒化物半導体レーザ素子の概略断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の上面図である。図３（ｂ）は、本発明の実施形態の、窒化物半導体薄膜を成長させる前の加工基板１０の概略断面図であり、図３（ａ）は図３（ｂ）の上面図である。面方位も併せて表示する。図３に示した加工基板１０上に、例えば、図１２のような構成の窒化物半導体成長層１１を積層させるなどして、図１の窒化物半導体レーザ素子を得る。
　【００５６】
本実施形態の窒化物半導体レーザ素子では、凹部となる掘り込み領域１６を備えた窒化物半導体基板より成る加工基板１０に窒化物半導体成長層１１を成長させることで作製される。このような窒化物半導体レーザ素子において、まず、加工基板１０の作製方法について、図面を参照して説明する。尚、本実施形態では加工基板１０としてｎ型ＧａＮ基板を用いるものとする。まず、ｎ型ＧａＮ基板の全面に膜厚１μｍのＳｉＯ2などをスパッタ蒸着し、引き続き、一般的なフォトリソグラフィ工程において、ストライプ形状のフォトレジストパターンを、レジスト開口部の幅５μｍ、ストライプ中心部と隣接するストライプ中心部との[１１−２０]方向と平行な方向での間隔（以下、周期）が４００μｍとなるように、[１−１００]方向に形成する。次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）技術などのドライエッチング技術を用い、
ＳｉＯ
2
及びｎ型ＧａＮ基板をエッチングすることで、掘り込み深さＹを５μｍ、開口幅Ｘを５μｍとする掘り込み領域１６を形成する
　【００５８】
上述のようにして得られた加工基板１０上に、ＭＯＣＶＤ法などの周知の技術を適宜用いて、図１２で示したような窒化物半導体成長層１１をエピタキシャル成長させることで、図１に示された窒化物半導体レーザ素子を作製する。・・・
　【００６３】
このような窒化物半導体レーザ素子において、掘り込み領域１６における窒化物半導体薄膜の成長過程と丘上に成長した窒化物半導体薄膜の平坦性との相関について、以下に説明する。
　【００６４】
掘り込み領域１６が形成された加工基板４０に対して、エピタキシャル成長を開始させると、図４（ａ）に示すように、丘の上面部４３と、掘り込み領域１６内の側面部４４及び底面部４５とに、窒化物半導体薄膜がそれぞれ、上面成長部４１、掘り込み領域内成長部４２として成長する。尚、窒化物半導体薄膜を成長させる前の加工基板４０に形成された掘り込み領域１６の開口幅をＸ、深さをＹとする。又、丘の上面部４３の表面上から表面と平行に延長した線を掘り込み領域境界線４６とする。このとき、更に、掘り込み領域１６において、側面部４４と底面部４５と掘り込み領域境界線４６で囲まれた部分の断面積をＡとする。即ち、断面積Ａの値は、Ｘ×Ｙと同じ値である。
　【００６５】
エピタキシャル成長を始めた初期段階では、図４（ａ）に示すように、丘の上面部４３表面に窒化物半導体薄膜が成長した上面成長部４１と、掘り込み領域１６内の側面部４４及び底面部４５に窒化物半導体薄膜が成長した掘り込み領域内成長部４２とが、分離している。又、窒化物半導体薄膜の成長が進行していくと、図４（ｂ）に示すように、丘の上面部４３上に成長した上面成長部４１と、掘り込み領域１６において成長した掘り込み領域内成長部４２とが、成長部４７を介して、結合してしまう。尚、このように掘り込み領域１６より成長する掘り込み領域内成長部４２の断面積をＢとし、上述した断面積Ａに対する断面積Ｂの割合（％）をＣとし、掘り込み領域１６における窒化物半導体薄膜の埋め込み具合を表すものとする。・・・
　【００６７】
又、平坦性の評価方法について、以下に説明する。図１に示す掘り込み領域１６を備えた加工基板１０に、複数の窒化物半導体薄膜から成る窒化物半導体成長層１１を積層することで得られたウエーハを、光学干渉顕微鏡を用いて、リッジ構造を形成するエッチング前のｐ層厚を測定した。このｐ層厚のウエーハ面内のばらつきを、平坦性の指標とした。即ち
、このときのｐ層厚の設計値を０．６７０μｍとしてウエーハ面内で２０箇所測定し、その平均偏差をσを求めた
　【００６８】
図５に、掘り込み領域１６における窒化物半導体薄膜の埋め込み具合Ｃと、リッジ構造を形成するエッチング前のｐ層厚のばらつき度合いを示す平均偏差σとの関係を示す
　
　ここで、図５は、次のものである。
　
ウ　「【００６９】
上述の掘り込み領域１６の埋め込み具合Ｃを８０％以下に抑える方法として、窒化物半導体薄膜の合計膜厚を制御する方法、掘り込み領域１６の開口幅Ｘ、深さＹを制御する方法などがある。・・・
　【００７０】
このような良好な膜の平坦性を得るためには、掘り込み領域１６の開口幅Ｘが１００μｍより大きい場合には、掘り込み領域１６の底面部４５に成長する掘り込み領域内成長部４２は、掘り込み領域１６が形成されていない丘の上面部４３表面に成長する上面成長部４１と同じ成長速度で成長し、同じ膜厚となる。よって、合計膜厚が掘り込み領域１６の深さＹの０．８倍以下であれば、掘り込み領域１６の埋め込み具合Ｃは８０％以下となる。
　【００７１】
又、掘り込み領域１６の開口幅Ｘが、２μｍ以上３０μｍ以下の場合は、掘り込み領域１６の開口部が狭いために、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域１６内に十分に入り込むことができない。このため、掘り込み領域１６の底面部４５における掘り込み領域内成長部４２の成長速度は、掘り込み領域１６が形成されていない丘の上面部４３表面における上面成長部４１の成長速度よりも小さな値をとり、膜厚も丘の上面部４３表面における上面成長部４１より小さな値となる。よって、合計膜厚が掘り込み領域１６の深さＹの３倍以下であれば、掘り込み領域１６の埋め込み具合Ｃは８０％以下となる。
　【００７２】
又、掘り込み領域１６の開口幅Ｘが、３０μｍより大きく１００μｍ以下の場合は、Ｘが上述した２つの領域の間の値をとり、合計膜厚が掘り込み領域１６の深さＹの２倍以下であれば、掘り込み領域１６の埋め込み具合Ｃは８０％以下となる。尚、掘り込み領域１６の開口幅Ｘが、２μｍより小さいと、図６（ｃ）のような状態になり、好ましくない。よって、本実施形態では掘り込み領域１６の開口幅Ｘが２μｍ以上とする。
　【００７３】
又、このような掘り込み領域１６が形成された加工基板１０上に各種の窒化物半導体薄膜から成る窒化物半導体成長層１１を積層し、クラックについて評価したところ、埋め込み具合Ｃが８０％以下での膜中のクラック密度が０本／ｃｍ2に対し、埋め込み具合Ｃが８０％以上で３〜４本／ｃｍ2、埋め込み具合Ｃが１００％では略１０本／ｃｍ2であった。即ち、上述のようにして埋め込み具合Ｃを８０％以下にすることで、ｐ層厚のばらつきが抑えられ窒化物半導体薄膜の平坦性が良好で、更に、クラックの発生が抑えられた窒化物半導体レーザ素子が作製できる。」
　
（２）上記（１）アによれば、本願発明の技術的意義に関し、本願明細書には、以下の事項が記載されていることが認められる。
ア　掘り込み領域と丘が形成された加工基板を用いる特許文献２による技術で窒化物半導体レーザ素子を作製したところ、クラックの低減には効果があったが、ウエーハ面内で非常に不均一に発生するマイグレーションなどによる原子・分子の移動の結果、窒化物半導体薄膜表面の平坦性が悪化する。
　
イ　本願発明は、加工基板上に窒化物半導体成長層を積層し窒化物半導体素子を作製するに際し、窒化物半導体薄膜による掘り込み領域における凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下とすることにより、クラックの発生を防止するとともに、丘部表面に窒化物半導体薄膜が積層した上面成長部からマイグレーションなどにより、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域に移動して窒化物半導体薄膜を形成することを抑制し、窒化物半導体基板上に、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成することができるようにしたものである（上記（１）アの段落【００４８】参照。）。
　
（３）また、上記（１）イによれば、本願明細書には、以下の知見が示されているものと認められる。
ア　図１に示される本願発明の実施形態では、加工基板１０に掘り込み深さＹを５μｍ、開口幅Ｘを５μｍとする掘り込み領域１６を形成し（【００５６】）、図１に示す掘り込み領域１６を備えた加工基板１０に窒化物半導体成長層１１を積層することで得られたウエーハについて、リッジ構造を形成するエッチング前のｐ層厚を測定し、このｐ層厚のウエーハ面内のばらつきを、平坦性の指標とした。即ち、このときのｐ層厚の設計値を０．６７０μｍとしてウエーハ面内で２０箇所測定し、その平均偏差σを求めた（【００６７】）。
　
イ　掘り込み領域１６における窒化物半導体薄膜の埋め込み具合Ｃと、リッジ構造を形成するエッチング前のｐ層厚のばらつき度合いを示す平均偏差σとの関係を示す図５のグラフから、埋め込み具合Ｃが８０％より大きくなるとｐ層厚の平均偏差σが急激に大きくなり、埋め込み具合Ｃが８０％以下であれば、ｐ層厚の平均偏差σが小さな値に抑えられることが分かった（【００６７】）。
　
（４）しかし、上記（２）アのマイグレーションの発生の状況は、膜の成長条件、凹部の形状、窒化物半導体の厚さなどによって変わり得るものと考えられるところ、同イのとおり、本願発明は、膜の成長条件などを特定するものではなく、掘り込み領域における凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下とすることにより、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成することができるとするものである。
　ここで、埋め込み具合Ｃと平均偏差σとの関係を示す図５が具体的にどのような条件で製造されたウエーハについてのものなのか、上記（３）ア以上の内容は定かでないが、図５からは、膜の成長条件、凹部の形状、窒化物半導体の厚さなどにかかわらず、掘り込み領域における凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下とすれば表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成することができるとはいえない。
　したがって、上記（３）の知見を、膜の成長条件、凹部の形状、窒化物半導体の厚さなどを特定することのない本願発明の範囲にまで拡張ないし一般化することはできない。
　よって、本願発明が本願明細書に実質的に記載されているものとは認められない。
　
（５）なお、上記（１）ウによれば、掘り込み領域１６の開口幅Ｘが１００μｍより大きい場合には、合計膜厚が掘り込み領域１６の深さＹの０．８倍以下、開口幅Ｘが２μｍ以上３０μｍ以下の場合は合計膜厚が深さＹの３倍以下、開口幅Ｘが３０μｍより大きく１００μｍ以下の場合は深さＹの２倍以下であれば、掘り込み領域１６の埋め込み具合Ｃは８０％以下となるとされていることが認められる。
　
（６）そして、請求人は、平成２６年２月１０日に提出された意見書において、
「〔ｂ〕拒絶理由１について
　本願請求項１において、「前記凹部の開口幅が１００μｍより大きい場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの０．８倍以下とし」、「前記凹部の開口幅が３０μｍより大きく１００μｍ以下である場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの２倍以下とし」、「前記凹部の開口幅が２μｍ以上３０μｍ以下である場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの３倍以下と」することにより、凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下にすることを明確にいたしました。
　これにより、請求項１に係る発明は発明の詳細な説明に記載したものとなります（本願段落［００６９］〜［００７２］ご参照）。
　したがって、拒絶理由１は解消するものと思料いたします。」（本件意見書１頁下から６行〜２頁４行）と主張する。
　しかし、同主張は、上記（４）の判断を左右するものではない。
　
（７）以上のとおり、本願発明が本願明細書に記載されているものとは認められないから、本願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
２　特許法第２９条第１項３号（［理由２］）及び特許法第２９条第２項（［理由３］）について
（１）当審において拒絶の理由に引用した、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−１２４５７３号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法に関し、例えば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオードあるいは電子走行素子の製造に適用して好適なものである。」
　
イ　「【００９３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。図１および図２はこの発明の第１の実施形態において用いるＧａＮ基板１を示し、図１Ａは斜視図、図１Ｂは領域Ｂの最近接方向の断面図、図２は平面図である。このＧａＮ基板１はｎ型で（０００１）面（Ｃ面）方位である。・・・
【００９４】領域Ｂの配列周期（最近接の領域Ｂの中心同士の間隔）は例えば４００μｍ、その直径は例えば２０μｍである。・・・このＧａＮ基板１は、結晶成長技術を用いて例えば次のようにして製造することができる。このＧａＮ基板１の製造に用いる基本的な結晶成長メカニズムは、ファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、所定の位置に集合させるものである。このファセット面により成長した領域は、転位の移動により、低密度の欠陥領域となる。そのファセット面斜面下部には、明確な境界を持った高密度の欠陥領域を有して成長が行われ、転位は、高密度の欠陥領域の境界あるいはその内部に集合し、ここで消滅あるいは蓄積する。この高密度の欠陥領域の形状によって、ファセット面の形状も異なる。・・・欠陥領域がストライプ状の場合は、ストライプを谷底として、その両側にファセット面斜面を有し、横に倒した三角形のプリズム状のファセット面となる。その後、成長層の表面に研削、研磨を施すことにより、表面を平坦化し、基板として使用することができる形態とすることができる。・・・このＧａＮ基板１の具体的な製造方法は次のとおりである。まず、
下地基板を用意
この下地基板上に、
ＳｉＯ
2
膜からなる
ストライプ状
の種
形成
ハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）により、ＧａＮを厚膜成長させ
下地基板を除去し、さらにＧａＮの厚膜層を研削加工、研磨加工し、表面を平坦化
ＧａＮ基板１を製造
【００９５】図４にこのＧａＮ基板１の領域Ｂに存在する転位を破線で模式的に示す。このようなＧａＮ基板１上に図５に示すようにＧａＮ系半導体層Ｌを成長させると、このＧａＮ系半導体層Ｌには下地のＧａＮ基板１の領域Ｂから転位が伝播して品質が低下する。
【００９６】そこで、この第１の実施形態においては、図６に示すように、エッチングにより領域Ｂの上部を深さＤだけ除去する。深さＤは例えば１〜１０μｍとする。こうすることで、領域Ｂの表面を、ＧａＮ基板１の主面から十分に離すことができる。そして、図７に示すように、
このＧａＮ基板１上に、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などにより素子構造を形成するＧａＮ系半導体層Ｌを
【００９７】領域Ｂのエッチングは次のようにして行うことができる。・・・このエッチングにより、領域Ｂを約５μｍの深さまで除去することができる。・・・
【０１０６】
次に、
ＧａＮ系半導体層を成長させたＧａＮ基板１
【０１０７】次に、このＳｉＯ2膜をマスクとしてＲＩＥ法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２の厚さ方向の所定の深さまでエッチングを行うことにより、図９に示すように、〈１−１００〉方向に延在するリッジ１４を形成する。このリッジ１４の幅は例えば３μｍである。このＲＩＥのエッチングガスとしては例えば塩素系ガスを用いる。
【０１０８】次に、エッチングマスクとして用いたＳｉＯ2膜をエッチング除去した後、基板全面に例えば
ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより
ＳｉＯ
2
膜のような絶縁膜１５を成膜
【０１０９】次に、リソグラフィーにより
ｐ側電極形成領域を除いた領域の絶縁膜１５の表面を覆うレジストパターン
を形成
このレジストパターンをマスクとして絶縁膜１５をエッチングすることにより、開口１５ａを形成
【０１１０】次に、
レジストパターンを残したままの状態で、基板全面に真空蒸着法により例えばＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターンをその上に形成されたＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜とともに除去する
によって、絶縁膜１５の開口１５ａを通じてｐ型ＧａＮコンタクト層１３にコンタクトしたｐ側電極１６が形成される
【０１１２】次に、図１０に示すように、素子領域２（太い実線で囲まれた一区画）の輪郭線に沿って、上述のようにしてレーザ構造が形成されたＧａＮ基板１のスクライビングを劈開により行ってレーザバー４に加工して両共振器端面を形成する。次に、これらの共振器端面に端面コーティングを施した後、再びこのレーザバー４のスクライビングを劈開などにより行ってチップ化する。・・・
【０１１４】図１０に示す例においては、ＧａＮ系半導体レーザのサイズが例えば６００μｍ×３４６μｍであり、横方向（長辺方向）は領域Ｂを結ぶ直線に沿って、縦方向（短辺方向）は領域Ｂを通らない直線に沿って、それぞれ基板のスクライビンを行うことによってそのサイズのＧａＮ系半導体レーザに分離する。
【０１１５】この場合、領域Ｂは各ＧａＮ系半導体レーザの長辺の端面部分にのみ存在することになるので、レーザストライプ３が短辺の中点同士を結ぶ直線の近傍に位置するように素子の設計を行うことにより、領域Ｂの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。共振器のミラーについては、図１０中の縦方向の直線に沿って、劈開などにより基板のスクライビングを行うことにより端面に形成されるが、その直線が領域Ｂを通らないので、領域Ｂにおける転位の影響を受けることはない。したがって、発光特性が良く、信頼性が高いＧａＮ系半導体レーザを得ることができる。以上により、図１１に示すように、目的とするリッジ構造およびＳＣＨ構造を有するＧａＮ系半導体レーザが製造される。」
　
ウ　「【０１３９】この第２１の実施形態においては、領域Ｂの中心同士を結ぶ直線からなる、素子領域２の輪郭線に沿って劈開によりスクライビングを行うことにより共振器のミラーが形成されることが第１の実施形態と異なっている。ここで、領域Ｂは転位が多いので、領域Ａよりも壊れやすいと考えられる。したがって、領域Ｂ同士を結ぶ直線に沿ってスクライビングを行うと、領域Ｂがいわばミシン目のような役割を果たして領域Ａの部分もきれいに劈開される。この際、領域Ｂの部分の端面は転位が多いため、必ずしも平坦にならないが、その間の領域Ａの部分の端面は平坦となる。」
　
エ　「【０１６１】また、上述の実施形態において、
ＧａＮ基板
サファイア基板などの異種基板上に設けられた
　
オ　「【０１６４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば、発光素子構造あるいは素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、あるいは半導体層、あるいは各種の材料からなる層が、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板、あるいは半導体基板、あるいは基板の主面上で、第１の領域より平均転位密度が高い、あるいは平均欠陥密度が高い、あるいは結晶性が悪い第２の領域と直接接触しないようにしているので、発光素子構造あるいは素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、あるいは半導体層、あるいは各種の材料からなる層に第２の領域による悪影響が及ばないようにすることができる。このため、発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子あるいは特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子あるいは特性が良好で信頼性も高く長寿命の各種の素子を実現することができる。」
　
カ　図７及び図１１は、次のとおりである。
　
キ　また、上記イ（【００９６】）を踏まえて上記カの図７をみると、ＧａＮ基板１は、エッチングにより上部を深さＤだけ除去したストライプ状の凹部からなる領域Ｂと、領域Ｂ以外のエッチングにより上部を深さＤだけ除去されてはいない領域Ａを備えることが見てとれる。
　さらに、図７から、素子構造を形成するＧａＮ系半導体層Ｌは、領域Ｂと、領域Ａ双方に成長させるものであって、ＧａＮ系半導体層Ｌが上記凹部を完全には埋めていないことが見てとれる。
　
（２）引用発明
　上記（１）によれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる。
「まず、サファイア基板などの異種基板上に設けられたＧａＮ基板、又は、下地基板を用意し、この下地基板上に、ＳｉＯ2膜からなるストライプ状の種を形成し、ハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）により、ＧａＮを厚膜成長させ、下地基板を除去し、さらにＧａＮの厚膜層を研削加工、研磨加工し、表面を平坦化したＧａＮ基板を製造し、エッチングにより上部を深さＤだけ除去したストライプ状の凹部からなる領域Ｂと、領域Ｂ以外のエッチングにより上部を深さＤだけ除去されてはいない領域Ａを設けるステップと、
　このＧａＮ基板上に、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などにより素子構造を形成するＧａＮ系半導体層を領域Ｂと、領域Ａ双方に成長させるステップと、
　次に、ＧａＮ系半導体層を成長させたＧａＮ基板上に、ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などによりＳｉＯ2膜のような絶縁膜を成膜し、ｐ側電極形成領域を除いた領域の絶縁膜の表面を覆うレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜をエッチングすることにより、開口を形成し、レジストパターンを残したままの状態で、基板全面に真空蒸着法によりＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターンをその上に形成されたＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜とともに除去することによって、絶縁膜の開口を通じてｐ型ＧａＮコンタクト層にコンタクトしたｐ側電極が形成されるステップを備え、
　前記ＧａＮ系半導体層が上記凹部を完全には埋めていない半導体素子の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比・判断
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「（サファイア基板などの異種基板上に設けられたＧａＮ基板、又は、下地基板を用意し、この下地基板上に、ＳｉＯ2膜からなるストライプ状の種を形成し、ハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）により、ＧａＮを厚膜成長させ、下地基板を除去し、さらにＧａＮの厚膜層を研削加工、研磨加工し、表面を平坦化した）ＧａＮ基板」、「（エッチングにより上部を深さＤだけ除去したストライプ状の凹部からなる）領域Ｂ」、「（領域Ｂ以外のエッチングにより上部を深さＤだけ除去されてはいない）領域Ａ」、「ＧａＮ基板上に、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などにより素子構造を形成するＧａＮ系半導体層Ｌを領域Ｂと、領域Ａ双方に成長させる」、「（ＧａＮ系半導体層を成長させたＧａＮ基板上に成膜した）ＳｉＯ2膜のような絶縁膜」、「（ｐ側電極形成領域を除いた領域の絶縁膜の表面を覆うレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜をエッチングすることにより、開口を形成し、レジストパターンを残したままの状態で、基板全面に真空蒸着法により順次形成したＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜からなる）ｐ側電極」、及び、「半導体素子の製造方法」は、本願発明の「（少なくとも表面の一部が窒化物半導体である）窒化物半導体基板」、「（少なくとも１つの凹部からなる）掘り込み領域」、「（掘りこまれていない領域である）丘部」、「前記加工基板が備える掘り込み領域と前記丘部表面双方に、複数の窒化物半導体薄膜からなる窒化物半導体積層部を積層する」、「（窒化物半導体積層部上に形成した）絶縁膜」、「（絶縁膜上に形成した）ｐ側電極パッド」、及び、「窒化物半導体素子の製造方法」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明は、まず、「（サファイア基板などの異種基板上に設けられたＧａＮ基板、又は、下地基板を用意し、この下地基板上に、ＳｉＯ2膜からなるストライプ状の種を形成し、ハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）により、ＧａＮを厚膜成長させ、下地基板を除去し、さらにＧａＮの厚膜層を研削加工、研磨加工し、表面を平坦化したＧａＮ基板を製造し、エッチングにより上部を深さＤだけ除去したストライプ状の凹部からなる領域Ｂと、領域Ｂ以外のエッチングにより上部を深さＤだけ除去されてはいない領域Ａを設ける）ステップ」（以下「ステップＡ」という。）、この「（ＧａＮ基板上に、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などにより素子構造を形成するＧａＮ系半導体層を領域Ｂと、領域Ａ双方に成長させる）ステップ」（以下「ステップＢ」という。）、次に、「（ＧａＮ系半導体層を成長させたＧａＮ基板上に、ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などによりＳｉＯ2膜のような絶縁膜を成膜し、ｐ側電極形成領域を除いた領域の絶縁膜の表面を覆うレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜をエッチングすることにより、開口を形成し、レジストパターンを残したままの状態で、基板全面に真空蒸着法によりＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターンをその上に形成されたＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜とともに除去することによって、絶縁膜の開口を通じてｐ型ＧａＮコンタクト層にコンタクトしたｐ側電極が形成される）ステップ」（以下「ステップＣ」という。）からなるから、ステップＡ、ステップＢ及びステップＣの順に行われるものであるといえる。
　また、上記（ア）によれば、引用発明の「ステップＡ」、「ステップＢ」及び「ステップＣ」は、本願発明の「第１ステップ」、「第２ステップ」及び「第３ステップ」にそれぞれ相当する。
　
（ウ）引用発明は、エッチングにより上部を深さＤだけ除去したストライプ状の凹部からなる領域Ｂと、領域Ｂ以外のエッチングにより上部を深さＤだけ除去されてはいない領域Ａを設け、ｐ側電極形成領域にｐ側電極が形成されるものであるところ、上記（１）イによれば、「領域Ｂは各ＧａＮ系半導体レーザの長辺の端面部分にのみ存在することになるので、レーザストライプ３が短辺の中点同士を結ぶ直線の近傍に位置するように素子の設計を行うことにより、領域Ｂの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。」（【０１１５】）とされるから、ｐ側電極形成領域であるレーザストライプ３は領域Ｂの影響が及ぶことが避けられ、各ＧａＮ系半導体レーザの長辺の端面部分にのみ存在することになるから、引用発明のｐ側電極は、実質的に、上記ステップＣにおいてエッチングにより上部を深さＤだけ除去したストライプ状の凹部からなる領域Ｂの上部に形成しないものであるといえる。
　したがって、引用発明は、本願発明の「前記第３ステップにおいて、前記ｐ側電極パッドを前記掘り込み領域の上部に形成しない」との構成を備える。
　
（エ）以上によれば両者は
「少なくとも表面の一部が窒化物半導体である窒化物半導体基板又は当該窒化物半導体基板上に窒化物半導体薄膜を積層した基板に、少なくとも１つの凹部からなる掘り込み領域と掘りこまれていない領域である丘部を形成して加工基板を作製する第１ステップと、前記加工基板が備える掘り込み領域と前記丘部表面双方に、複数の窒化物半導体薄膜からなる窒化物半導体積層部を積層する第２ステップと、前記窒化物半導体積層部上に絶縁膜を形成するとともに該絶縁膜上にｐ側電極パッドを形成する第３ステップと、を備えた窒化物半導体素子の製造方法において、
　前記第１ステップ、前記第２ステップ及び前記第３ステップの順に行われ、
　前記第３ステップにおいて、前記ｐ側電極パッドを前記掘り込み領域の上部に形成しない窒化物半導体素子の製造方法。」
である点で一致し、下記ａ及びｂの点で一応相違するものと認められる。
　
ａ　本願発明の「掘り込み領域」は、「[１−１００]方向に延びる」のに対して、引用発明の「ストライプ状の凹部からなる領域Ｂ」は、このような方向に伸びるものと特定されるものではない点（以下「相違点１」という）。
　
ｂ　本願発明は、「前記第１ステップ及び第２ステップにおいて、
　前記凹部の開口幅が１００μｍより大きい場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの０．８倍以下とし、
　前記凹部の開口幅が３０μｍより大きく１００μｍ以下である場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの２倍以下とし、
　前記凹部の開口幅が２μｍ以上３０μｍ以下である場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの３倍以下とし、
　前記凹部の延在する方向に対して垂直な面で切り取った前記凹部の断面部分と前記丘部表面から伸張する前記丘部表面に平行な線とによって囲まれる領域の断面積をＡとするとともに、前記凹部に積層された前記窒化物半導体薄膜の占める断面積をＢとし、
　前記第２ステップにおいて全ての窒化物半導体薄膜を形成した後の状態での前記窒化物半導体薄膜による前記凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下」とするのに対して、引用発明は、凹部の埋め込み具合が明らかではない点（以下「相違点２」という）。
　
イ　判断
（ア）相違点１について検討する。
　引用文献の段落【０１５０】には、「第２９の実施形態」として、「このＧａＮ基板１においては、平均転位密度が低い結晶からなる領域Ａの中に、平均転位密度が高い結晶からなり、ＧａＮの〈１−１００〉方向に線状に延在する領域Ｂが〈１−１００〉方向と直交する〈１１−２０〉方向に例えば４００μｍ間隔で周期的に配列している。」と記載されており、引用発明の「ストライプ状の凹部からなる領域Ｂ」は、ＧａＮ基板１において、ＧａＮの〈１−１００〉方向に線状に延在するものであってよいから、相違点１は実質的な相違とはいえない。
　
（イ）相違点２について検討する。
ａ　上記（１）イの引用文献の記載（【００９６】）に照らして、引用発明は「領域Ｂの上部を深さＤだけ除去する」ことで、「領域Ｂの表面を、ＧａＮ基板１の主面から十分に離」して、「このＧａＮ基板上に」、「素子構造を形成するＧａＮ系半導体層Ｌを成長させる」ことで、「ＧａＮ系半導体層Ｌのうち領域Ｂの上に成長した部分には領域Ｂから転位が伝播するが、この転位が伝播する領域はごく一部に限定されるため、ＧａＮ基板の主面上に成長したＧａＮ系半導体層Ｌにその領域による悪影響が及ばないようにすることができる」ものである。
　すなわち、引用発明では、転位がＧａＮ基板の主面上に成長したＧａＮ系半導体層Ｌに伝播するのを防ぐために「領域Ｂの上部を深さＤだけ除去」している以上、この部分をＧａＮ系半導体層Ｌで埋めることはなく、さらに、上記（１）カの図７にみられるとおり、ＧａＮ系半導体層Ｌは上記凹部を完全には埋めていない。
　上記のとおり、引用発明が、転位をＧａＮ基板の主面上に成長したＧａＮ系半導体層Ｌに伝播するのを防ぐものであることに照らせば、凹部の埋め込み具合を０．８を超える程埋めるものではないと解され、少なくとも凹部の埋め込み具合が０．８以下との条件を満たすものであると通常想定されるところである。
　あるいは、凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下の条件を満たす程度のものとすることは、当業者が当然考慮する程度のことである。
　
ｂ（ａ）ここで、相違点２に係る「前記凹部の開口幅が１００μｍより大きい場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの０．８倍以下とし、前記凹部の開口幅が３０μｍより大きく１００μｍ以下である場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの２倍以下とし、前記凹部の開口幅が２μｍ以上３０μｍ以下である場合は、前記丘部上の前記窒化物半導体薄膜の合計膜厚を前記凹部の深さの３倍以下」とするとの構成について検討する。
　
（ｂ）本願明細書【００６９】〜【００７２】（上記１（１）ウを参照。）によれば、上記構成は、凹部の開口幅を三つの場合に分け、「窒化物半導体薄膜による凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下」とするための、それぞれの開口幅に応じた窒化物半導体薄膜の合計膜厚を示すものと認められる。
　そして、「窒化物半導体薄膜による凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下」とする際は、上記の三つの場合のいずれかの条件を満たすものと考えられる。
　してみると、「窒化物半導体薄膜による凹部の埋め込み具合Ｂ／Ａを０．８以下」とすることにより、上記構成も備えるものというべきである。
　
ｃ　そうすると、上記相違点２は実質的な相違とはいえない、あるいは、当業者が当然考慮する程度のことである。
　
（４）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用文献に記載された発明である、あるいは、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおりであって、この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　また、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。