【事件の表示】
　特願２００６−２５２５００「溶融シリカガラスおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年４月５日出願公開、特開２００７−８４４２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１８年９月１９日（パリ条約による優先権主張、２００５年９月１６日　米国、２００５年１２月３０日、米国）の出願であって、平成２４年４月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２５年１月１６日付けで拒絶査定されたので、同年５月２２日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに同日付けで手続補正書により特許請求の範囲が補正され、同年８月１９日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされたが回答書は提出されなかったものである。
                         　
第２　平成２５年５月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年５月２２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正前及び補正後の本願発明
（１）本件補正は、特許請求の範囲についてするものであって、補正前後の特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである（審決注：下線部は補正箇所。）。
（補正前）
「３００ｎｍ未満の波長で動作するリソグラフィーデバイスのリソグラフィー照射の光路に使用できるシリカガラス材料であって、水素分子がドープされ、５×１０１５分子／ｃｍ３以上かつ１×１０１８分子／ｃｍ３以下の平均水素分子濃度［Ｈ２］（平均）、最大水素分子濃度［Ｈ２］（最大）および最小水素分子濃度［Ｈ２］（最小）を有する、０．１０≦［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）≦０．９５であるシリカガラス材料。」
（補正後）
「３００ｎｍ未満の波長で動作するリソグラフィーデバイスのリソグラフィー照射の光路に使用できるシリカガラス材料であって、水素分子がドープされ、５×１０１５分子／ｃｍ３以上かつ１×１０１８分子／ｃｍ３以下の平均水素分子濃度［Ｈ２］（平均）、最大水素分子濃度［Ｈ２］（最大）および最小水素分子濃度［Ｈ２］（最小）を有する、
０．８
　　　　
（２）補正の適否
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１についてするものであって、特定事項である「［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）」の数値範囲の下限を「０．１０」から「０．８」とすることで、該数値範囲を減縮するものであり、補正前後の請求項１に係る発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。このため、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許法第１７条の２第３項の規定に反する新規事項を追加するものではない。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかを、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について検討する。
　本願補正発明は、上記の（補正後）に記載されたものである。
                                     　
２　刊行物の記載事項
（１）引用例１の記載事項
　これに対し、本願優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由で引用された特開平１０−３２４５３８号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】超高純度の合成シリカガラスからなる波長１６５〜１９５ｎｍの高出力真空紫外線用合成シリカガラス光学材料において、・・・水素分子濃度が１×１０17〜１×１０19分子／ｃｍ3、水素分子濃度変動幅（ΔＨ2／ｃｍ）が１×１０17分子／ｃｍ3以下、・・・であることを特徴とする高出力真空紫外線用合成シリカガラス光学材料。
・・・
【請求項７】超高純度の珪素化合物から火炎加水分解法で得たシリカガラスインゴットを・・・水素分子濃度の均一化処理を施したのち光学材料に加工することを特徴とする高出力真空紫外線用合成シリカガラス光学材料の製造方法。
・・・
【請求項９】水素分子濃度均一化処理がシリカガラスインゴットを水素ガス雰囲気中で６００〜１２００℃下に加熱する処理であることを特徴とする請求項７又は８に記載の高出力真空紫外線用合成シリカガラス光学材料の製造方法。」
（イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高出力真空紫外線用合成シリカガラス光学材料、さらに詳しくは波長１６５〜１９５ｎｍのエキシマレーザー、エキシマランプ等の高出力真空紫外線を光源とする照射装置に組み込まれるレンズ、プリズム、ウインドウ、リフレクター、チューブ等の光学材料及びその製造方法に関する。」
（ウ）「【００１１】
・・・
また、合成シリカガラス中に水素分子が溶存するとＥ'センター吸収帯の生成が抑制されるので、本発明の合成シリカガラス光学材料にあっては水素分子を１×１０17〜１×１０19分子／ｃｍ3の範囲の濃度で含有する。勿論、前記水素分子の溶存は均一である必要があり、光入射軸方向からみて１ｃｍ当たりの水素分子濃度変動幅（ΔＨ2／ｃｍ）は１×１０17分子／ｃｍ3以下、光学材料全体の水素分子濃度変動幅（ΔＨ2）は３×１０17分子／ｃｍ3以下とするのがよい。」
（エ）「【００１４】本発明の合成シリカガラス光学材料をリソグラフィー装置の光学材料として使用する場合には、上記特性に加えて３方向脈理フリー、屈折率変動幅（Δｎ）を２×１０-6以下、複屈折量を１ｎｍ／ｃｍ以下とするのがよい。」
（オ）「【００１９】
【実施例】
実施例１〜４
・・・
【００２２】（４）水素分子濃度均一化処理および仮想温度設定処理
上記円柱状シリカガラスインゴットをステンレススチール製ジャケットでタングステンメッシュヒーターの電気炉内に導入し、内部雰囲気を実施例１では１ｋｇｆ／ｃｍ2、１００％水素ガス、実施例２では１０ｋｇｆ／ｃｍ2、１００％水素ガスとし、まず１１００℃に昇温し５０時間保持し、次いで８００℃まで２００〜１０００時間の範囲内で徐令し、その後雰囲気を保持しつつ室温まで放冷した。」
（カ）「表１
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　                                 　
（２）　引用例２の記載事項
　本願優先日前に頒布され、原査定の拒絶理由の備考のなお書きにおいて引用された特開２００１−１１４５２９号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（サ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  波長１５５〜１９５ｎｍのエキシマレーザ・・・からの光線用シリカガラス光学材料であって、超高純度であり、・・・、Ｈ2を５×１０１６〜５×１０19分子／ｃｍ３、・・・含有し、・・・であることを特徴とするシリカガラス光学材料。
・・・
【請求項３】  Ｈ２濃度変動幅ΔＨ２が３×１０１７分子／ｃｍ３以内である請求項１または２のシリカガラス光学材料。
・・・
【請求項１２】　・・・最後に水素分子含有ガス雰囲気熱処理により水素ガスドープ処理を行うことを特徴とするシリカガラス光学材料の製造方法。」
（シ）「【０００２】
【従来の技術】上記のようなシリカガラス光学材料は、波長１５５〜１９５ｎｍのエキシマレーザ装置・・・を光源とする光洗浄用照射装置、集積回路作成用露光装置（光リソグラフィー装置）等に組み込まれるレンズ、プリズム、ウインドウ、リフレクター、フォトマスク、チューブ等に用いられている。」
（ス）「【表１】[実施例]
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　　　　　　　　　　　　　　
３　対比と判断
（１）引用例発明
ア　引用例１に記載された発明
　記載事項（イ）によれば、引用例１には、波長１６５〜１９５ｎｍのエキシマレーザー等を光源とする照射装置に組み込まれる合成シリカガラス光学材料に関する発明が記載されている。そして、その合成シリカガラス光学材料の水素分子濃度に関しては、同（ア）によれば、「水素分子濃度が１×１０17〜１×１０19分子／ｃｍ3、水素分子濃度変動幅（ΔＨ2／ｃｍ）が１×１０17分子／ｃｍ3以下であり、その用途に関しては、同（エ）によれば、リソグラフィー装置用である。
　また、同（オ）（カ）によれば、この発明を具体化した実施例１として、シリカガラスインゴットを水素雰囲気下で加熱処理を施す水素分子均一化処理により得られた、Ｈ2平均濃度が２×１０１７分子／ｃｍ３であり、水素分子濃度変動幅（ΔＨ2）が５×１０１６分子／ｃｍ３である合成シリカガラス光学材料が記載されている。
　したがって、引用例１の実施例１には次の発明（以下「引用例１発明」という。）が記載されているとすることができる。
「波長１６５〜１９５ｎｍのエキシマレーザー等を光源とするリソグラフィー装置に組み込まれる合成シリカガラス光学材料であって、水素分子濃度均一化処理により得られた、Ｈ2平均濃度が２×１０１７分子／ｃｍ３であり、水素分子濃度変動幅（ΔＨ2）が５×１０１６分子／ｃｍ３である合成シリカガラス光学材料。」
　　　　
イ　引用例２に記載された発明
　記載事項（シ）によれば、引用例２には、光リソグラフィー装置に組み込まれるシリカガラス光学材料に関する発明が記載されており、同（サ）によれば、これは、波長１５５〜１９５ｎｍのエキシマレーザ等からの光線用シリカガラス光学材料であって、水素ガスドープによりＨ2を５×１０１６〜５×１０19分子／ｃｍ３含有するものである。
　そして、同（ス）によれば、この発明を具体化した実施例１として、Ｈ2平均濃度が３×１０１７分子／ｃｍ３、Ｈ2濃度変動幅（ΔＨ2）が５×１０１６分子／ｃｍ３未満であるシリカガラス光学材料が記載されている。
　したがって、引用例２の実施例１には、次の発明（以下「引用例２発明」という。）が記載されている。
「波長１５５〜１９５ｎｍのエキシマレーザ等からの光線を用いる光リソグラフィー装置に組み込まれるシリカガラス光学材料であって、水素ガスがドープされ、Ｈ2平均濃度が３×１０１７分子／ｃｍ３、Ｈ2濃度変動幅（ΔＨ2）が５×１０１６分子／ｃｍ３未満であるシリカガラス光学材料。」
　　　　　
（２）対比
　本願補正発明と引用例１発明とを比較する。
　引用例１発明における「波長１６５〜１９５ｎｍのエキシマレーザー」は波長が３００ｎｍ未満であるので、引用例１発明における「波長１６５〜１９５ｎｍのエキシマレーザー等を光源とするリソグラフィー装置に組み込まれる合成シリカガラス光学材料」は、本願補正発明における「３００ｎｍ未満の波長で動作するリソグラフィーデバイスのリソグラフィー照射の光路に使用できるシリカガラス材料」に相当することは明らかである。
　また、引用例１発明におけるシリカガラス材料も、「水素分子濃度均一化処理」されたものであるから、水素分子がドープされたものであることは明らかである。そして、その濃度は、「Ｈ2平均濃度が２×１０１７（分子／ｃｍ３）であり、光学材料全体の水素分子濃度変動幅（ΔＨ2）が５×１０１６分子／ｃｍ３」である。
　そこで、引用例１発明における水素濃度に関する数値範囲を、本願補正発明における数値範囲とを比較する。
　まず、平均水素分子濃度［Ｈ２］（平均）は、引用例１発明では２×１０１７分子／ｃｍ３であるので、本願補正発明における「５×１０１５分子／ｃｍ３以上かつ１×１０１８分子／ｃｍ３以下」に包含される。
　次に、引用例１発明における「［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）」（以下、「Ｈ２濃度比」という。）の数値範囲を計算すると、Ｈ２濃度比の下限値は、水素分子濃度変動幅（ΔＨ2）が５×１０１６分子／ｃｍ３であることからすると、０．７５（（2.0×1017−5×1016）÷（2.0×1017））となる。同様にＨ２濃度比の上限値は、０．８（2.0×1017÷（2.0×1017+5×1016））となる。このため、下限値を０．８、上限値を０．９５とする本願補正発明とは、その数値範囲が異なる。
　とすると、本願補正発明と引用発明１とは、「３００ｎｍ未満の波長で動作するリソグラフィーデバイスのリソグラフィー照射の光路に使用できるシリカガラス材料であって、水素分子がドープされ、５×１０１５分子／ｃｍ３以上かつ１×１０１８分子／ｃｍ３以下の平均水素分子濃度［Ｈ２］（平均）、及び最大水素分子濃度［Ｈ２］（最大）および最小水素分子濃度［Ｈ２］（最小）を有するシリカガラス材料。」に関する発明である点で一致し、次の点で相違する（以下、「相違点」という。）。
　Ｈ２濃度比に関し、本願補正発明では、「０．８≦［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）≦０．９５」であるのに対し、引用例１発明では、「０．７５≦［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）≦０．８」である点。
　　　
（３）判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　記載事項（ア）によれば、合成シリカガラス光学材料は、「水素分子濃度変動幅（ΔＨ2／ｃｍ）が１×１０17分子／ｃｍ3以下」であるとして、水素分子濃度変動幅は小さいことが好ましい旨記載されているし、同（ウ）によれば、「水素分子の溶存は均一である必要」があるので、水素分子濃度変動幅（ΔＨ2）の値は小さい方が好ましいことは技術的には明らかである。
　そして、引用例１発明で行う「水素分子濃度均一化処理」は、同（ア）によれば「シリカガラスインゴットを水素ガス雰囲気中で６００〜１２００℃下に加熱する処理」であるが、具体的には、同（オ）によれば、「内部雰囲気を実施例１では１ｋｇｆ／ｃｍ2、１００％水素ガス、・・・とし、まず１１００℃に昇温し５０時間保持し」て行っているが、シリカガラス中の水素分子濃度は、水素ガス雰囲気下で高温での加熱保持時間をより長期化すれば均一化され、これにより水素分子濃度変動幅が減少することは、技術的には明らかである。
　したがって、引用例１発明におけるＨ２濃度比の数値範囲は、本願補正発明におけるＨ２濃度比の数値範囲よりも低い範囲に設定されているが、シリカガラス材料の光学特性の向上を求めて、水素ガス雰囲気下で高温での保持をより長時間行うことにより水素分子濃度変動幅を減少させ、もって、Ｈ２濃度比をより高い数値範囲に移動させようとすることは、当業者が容易に想到するところである。また、本願補正発明において、Ｈ２濃度比の上限値を０．９５とすることに、水素分子の溶存を均一にする以外、技術的に格別の意味があるとすることもできない。
　このため、引用例１発明において上記相違点に関する事項を採用することは当業者が容易になしうるところであり、本願補正発明は、引用例１の記載に基づいて、当業者が容易になし得るものである。
                                 　
４　本件補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　なお、本願補正発明は、次の理由から引用例２発明と同一の特定事項からなるとすることができるので、本願補正発明は引用例２に記載された発明となり、本願補正発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものとすることもできる。
　すなわち、引用例２発明における「波長１５５〜１９５ｎｍのエキシマレーザ等からの光線を用いる光リソグラフィー装置に組み込まれるシリカガラス光学材料」は、本願補正発明における「３００ｎｍ未満の波長で動作するリソグラフィーデバイスのリソグラフィー照射の光路に使用できるシリカガラス材料」に相当することは明らかである。
　また、ドープされた水素分子の平均水素分子濃度に関しては、引用例２発明は「Ｈ2 平均濃度が３×１０１７分子／ｃｍ３」であり、これは、本願補正発明の「５×１０１５分子／ｃｍ３以上かつ１×１０１８分子／ｃｍ３以下の平均水素分子濃度［Ｈ２］（平均）」に包含される。
　また、引用例２発明のＨ２濃度比を引用例１発明と同様に計算すると、Ｈ2濃度変動幅（ΔＨ2）が５×１０１６分子／ｃｍ３未満であることから、Ｈ２濃度比の下限値は次の数値範囲をとることは明らかであり、これは、本願補正発明のＨ２濃度比の数値範囲に包含される。
　（（3×1017−5×1016）÷（3×1017））＜Ｈ２濃度比の下限値＜（3×1017÷（3×1017+5×1016））
　すなわち、０．８３＜Ｈ２濃度比の下限値＜０．８６、となり、引用例２発明は、本願補正発明のＨ２濃度比の数値範囲の下限値である０．８より大きい下限値を有することになる。　
　さらに、Ｈ２濃度比の上限値は、「５×１０１６分子／ｃｍ３未満」とされるΔＨ2の値にもよるが、上記したＨ２濃度比の下限値である０．８６と１．０との間の数値となることは明らかである。
　したがって、引用例２発明では、Ｈ２濃度比の数値範囲においても、本願補正発明のものに包含される蓋然性が高いといえる。
　このため、結局、引用例２発明は、本願補正発明と同一である蓋然性が高い。
                                   　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年５月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２４年１０月９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２、１　本件補正前及び補正後の本願発明」の（補正前）に記載したとおりのものである。
                                    　
２　新規性・進歩性の判断
　本願発明は、上記第２［理由］で検討した本願補正発明のＨ２濃度比の数値範囲に関し、「０．８≦［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）≦０．９５」を「０．１０≦［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）≦０．９５」としたものである。
　これに対し、引用例１発明は、上記「第２、３、（１）引用発明」に認定したとおりのものである。
　そうすると、本願補正発明と引用例１発明との相違点は、上記したとおり、Ｈ２濃度比に関し、本願補正発明では、「０．８≦［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）≦０．９５」であるのに対し、引用例１発明では、「０．７５≦［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）≦０．８」である点であったが、本願発明におけるＨ２濃度比の数値範囲は、「０．１０≦［Ｈ２］（最小）／［Ｈ２］（最大）≦０．９５」である。
　このため、Ｈ２濃度比の数値範囲については、本願発明は引用例１発明の数値範囲を包含するものである。
　そうすると、上記した相違点は、本願発明と引用例１発明との間では存在せず、このため、本願発明は引用例１発明と同一となり、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない。
　また、仮にＨ２濃度比の数値範囲が、本願発明と引用例１発明と異なるものであるとしても、上記「第２、３、（３）判断」で述べたとおり、Ｈ２濃度比は、水素濃度均一化処理における加熱保持時間を調整することにより適宜設定できるものであるので、シリカガラス材料に求められる光学特性と長時間加熱処理することに関する経済的負担を考慮して、引用例１発明におけるＨ２濃度比の数値範囲を本願発明の数値範囲に設定することは、当業者が容易になし得るものである。
          　
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し又は同条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。