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　平成　１年特許願第２５７１８４号「半導体ウェーハの不純物除去方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　２年　６月　１日出願公開、特開平　２−１４３５３２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１，発明の要旨
　本願は平成1年10月3日（優先権主張、1988年10月3日米国）の出願であって、その発明の要旨は、平成12年4月25日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１に記載された下記のとおりのものである。
  「１，第１および第２の表面を有する半導体ウエハから不純物を除去する方法であって；
　第１および第２のウエハ表面に機械的損傷を与える段階；
　少なくとも素子を形成すべき側のウエハ表面を研削せずに、ウエハを約１０００℃で１時間加熱して不純物を損傷領域にゲッターさせる段階であって、前記加熱は、約１０００℃より低い温度で開始して約１０００℃に昇温させ、約１０００℃以下にほぼ直線的に下げることにより半導体ウエハの反りを防止するところの、段階；および
　前記損傷領域を除去してゲッターした不純物を除去する段階；
からなる方法。」
２，引用例
　一方、当審における平成11年10月15日付け拒絶理由通知書において引用した特開昭５６−１３７３７号公報（以下「第１引用例」という。）には、以下の内容が記載されている。
「半導体ロッドを切断して基板を形成すれば、基板の両面には切断歪層が発生するので、この状態で熱処理を行なっても、不純物などのゲッタリングは一応可能である。」（第２頁右上欄第９〜１２行）、「半導体結晶ロッドから切断によって切り出された半導体基板１の両面には、第１図(a)に示すように、切断歪層２，２’が生ずる。この切断歪層２，２’の厚さは、切断の条件によって若干異なるが、通常はほぼ30μm程度である。一方の表面上に形成されている上記切断層２を研削加工によって除去すると、第１図(b)に示すように、切断歪層２は除去されるが、そのかわりに、研削歪層３が生じる。…つぎに、基板全体を、熱処理し、基板中に含まれる不純物を切断歪層２’および研削歪層３に集中させる。この際の熱処理条件は、不純物の種類や量によって異なることは勿論であるが、通常は、ほぼ1100℃、2〜3時間程度の熱処理を行なう。化学エッチングまたは化学・機械エッチングによって、第１図(c)に示すように、上記研削歪層３を除去し、基板１の表面を露出させる。このようにして形成された基板１は、不純物が歪層２’、３に集中されているので、表面領域は、不純物や結晶欠陥がほとんどなく、半導体装置の形成に極めて適している。」（第２頁左下欄下から第２行〜第３頁右上欄第６行）、「切断歪層２’のみを残し、研削歪層３のみを除去することができる。切断歪層２’を完全に除去しても、不純物や結晶欠陥の除去には有効であり、実用上十分な場合も多い。しかし、切断歪層２を残しておけば、それ以降の工程によって導入される不純物やそれにもとづく結晶欠陥を除去することができるので、さらに好ましい。」（第３頁左上欄第１０〜１６行）
　これらの記載と第１図からすると、同引用例には、半導体ウェハの両面に切断歪層を形成して、その内一方の面を研削歪層に変換し、もう一方の面の切断歪層を残し、1100℃、2〜3時間の熱処理によって、不純物を研削歪層と切断歪層とにゲッターし、その後研削歪層を除去するようにした不純物除去方法が記載されており、この記載に加えて、一方の面の研削歪層への変換を行わないで、両面が切断歪層を有する状態で熱処理を行ってゲッタリングを行うこともできる旨の記載、ならびに、ゲッタリングを行った後、両面の歪層を除去しても良い旨の記載もなされている。
　同じく引用した特許出願公表公報第５８−５０１９２７号公報（以下「第２引用例」という。）には、「温度サイクルの形が半導体ウエハのクラック(crack)や反り(warpage)の原因である事が認識された。その後の開発は、高温処理に先だって半導体を緩やかに加熱（ランプ・アップ）し高温処理の後に半導体を緩やかに冷却（ランプ・ダウン）するように温度サイクルの形を変更する事によってウエハの反り又はクラックを制御するように試みて来た。例えば米国特許第３７２３０５３号において、半導体材料の歩留まり点を超えるストレスの原因となる臨界的な温度勾配を決定し、温度勾配が臨界温度勾配よりも低いように加熱及び冷却の速度を制御する事によって、半導体ウエハからのデバイスの歩留まりが増加された。同様のランプ・アップ／ランプ・ダウン温度サイクルが、ウエハのクラック又は反りを制御するために広く採用されて来た。」（第２頁左下欄第６行〜第１９行）、「第１図に示したデータは、第２図に示されている典型的な従来技術のランプ・アップ／ランプ・ダウン温度サイクルを３枚のウェハに施すことによって得られた。第２図に示すように、ウエハは８００℃の炉に挿入され、８００℃に１５分間維持された。その後ウエハは７．５゜／分の割合で２０分間９５０℃まで緩やかにランプ・アップされた。次にウエハは９５０℃で９０分間熱処理され、３．２５゜／分の割合で４０分間８００℃になるまでランプ・ダウンされた。次にウエハは８００℃に１５分間維持された。」（第３頁右上欄第８〜１５行）という記載がなされており、これらの記載と第２図からすると、同引用例には、半導体ウエハの熱処理において、ウエハを８００℃から１０００℃に近い９５０℃まで直線的に昇温させ、その温度に９０分間維持され、次にその温度より直線的に８００℃まで下げることによって半導体ウエハの反りを抑制するようにした技術が存在したことが示されている。また、同引用例には、「第３図を参照すると、急速挿入／ランプ・ダウン温度サイクルの結果として酸素の析出の劇的な減少が示されている。…さらに、第３図のウエハは第１図のウエハと比較して反り又はクラックの度合いが大きくない。」（第３頁左下欄第１０〜１６行）、「ウエハの反り及びクラックは主に温度サイクルの冷却部分の間に起き、昇温中は起きないことも明らかである。反り及びクラックは冷却中のウエハ表面の局所的温度勾配の結果として起きる。従ってウエハが緩やかに、即ち約１５度／分以下の速度で冷却する事が可能な場合、局所的温度勾配は、許容できない反りやクラックを誘起する値よりも低く保たれる。」（第３頁右下欄第７〜１２行）という記載がなされており、これらの記載と第３、４図からすると、同引用例には、半導体ウェハの熱処理において、昇温を８００℃より低い温度から１０００℃に近い９５０℃まで急速に行い、その温度に９０分間維持し、その後その温度より直線的に８００℃まで下げる場合でも、酸素析出が劇的に減少すると共に、半導体ウェハの反りを従来と同じように抑制することができることが示されている。
３，対比
　本願発明と第１引用例記載の発明とを対比すると、第１引用例の「切断歪層」は本願発明の「機械的損傷」に対応し、同引用例の発明におけるゲッタリングのための熱処理に際しては当然昇温させかつ温度を下げる過程を含み、さらに同引用例には、ゲッタリングを行った後、両面の歪層（損傷領域）を除去することも示されているから、両者は「第１および第２の表面を有する半導体ウェハから不純物を除去する方法であって；第１および第２のウェハ表面に機械的損傷を与える段階；ウェハを所定時間加熱して不純物を損傷領域にゲッターさせる段階であって、前記加熱は、約１０００℃より低い温度で開始して昇温させ、下げる段階；および前記損傷領域を除去してゲッターした不純物を除去する段階；からなる方法。」という点で一致する。しかしながら、両者は以下の各点で相違する。
Ａ、本願発明においては、第１および第２のウェハ表面に機械的損傷を与えた後、少なくとも素子を形成すべき側のウェハ表面を研削しないで熱処理を行うものであるのに対し、第１引用例の発明においては、第１および第２のウェハ表面に機械的損傷を与えた後、素子を形成すべき側のウェハ表面を研削して熱処理を行っている（相違点Ａ）。
Ｂ、本願発明においては、不純物を損傷領域にゲッターさせるために約１０００℃で１時間の熱処理を行うものであるのに対し、第１引用例の発明においては、１１００℃で２〜３時間の熱処理を行うものである（相違点Ｂ）。
Ｃ、本願発明においては、不純物を損傷領域にゲッターさせるための熱処理の段階において、加熱を約１０００℃より低い温度で開始して約１０００℃に昇温させ、約１０００℃以下にほぼ直線的に下げることにより半導体ウェハの反りを防止するものであるのに対し、第１引用例の発明においては、そのような半導体ウェハの反りを防止する方法は示されていない（相違点Ｃ）。
　よって、上記各相違点につき以下検討する。
Ａ、相違点Ａについて
　第１引用例には、一方の面の研削歪層への変換を行わず、両面が切断歪層を有する状態で熱処理を行ってゲッタリングを行うこともできる旨の記載があるから、同引用例には、第１および第２のウェハ表面に機械的損傷を与えた後、少なくとも素子を形成すべき側のウェハ表面を研削しないで熱処理を行う考え方も示されているので、同引用例の発明において、、第１および第２のウェハ表面に機械的損傷を与えた後、素子を形成すべき側のウェハ表面を研削して熱処理を行うことに代えて、第１および第２のウェハ表面に機械的損傷を与えた後、少なくとも素子を形成すべき側のウェハ表面を研削しないで熱処理を行うようにすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
Ｂ、相違点Ｂについて
　半導体ウエハの表面に、機械的損傷または機械的歪を与えた後、約１０００℃、１時間の熱処理でゲッタリングを行うことは、周知慣用されていることと認められる（特開昭55-150237号公報、特公昭55-6293号公報、特開昭61-224426号公報等を参照のこと。）。従って、第１引用例の発明における、１１００℃、２〜３時間のゲッタリング熱処理を、約１０００℃、１時間という条件に変更することは、当業者が当業者が任意に選択することができ、容易になし得たことである。
Ｃ、相違点Ｃについて
　上記第２引用例には、半導体ウェハの熱処理において、ウェハを８００℃から１０００℃に近い９５０℃まで直線的に昇温させ、その後その温度より直線的に８００℃まで下げることによって半導体ウェハの反りを抑制するようにした技術が存在したことが示されており、また同引用例には、昇温を８００℃より低い温度から１０００℃に近い９５０℃まで急速に行い、その温度に９０分間維持し、その後その温度より直線的に８００℃まで下げる場合でも、半導体ウェハの反りを抑制することができることが示されている。したがって、半導体ウエハの熱処理の段階において、加熱を約１０００℃より低い温度で開始して約１０００℃に昇温させ、約１０００℃以下にほぼ直線的に下げることにより半導体ウェハの反りを防止することは、本願出願前に既に知られていることであるから、第１引用例の発明において、半導体ウエハの熱処理の段階において、加熱を約１０００℃より低い温度で開始して約１０００℃に昇温させ、約１０００℃以下にほぼ直線的に下げることにより半導体ウェハの反りを防止する方法を採用することは、当業者にとって格別困難なこととは認められない。
　なお、請求人は当審拒絶理由通知に対する意見書において、本願発明における「第１および第２のウエハ表面に機械的損傷を故意に与え、少なくとも素子を形成すべき側の表面を研削しないこと」が第１引用例引用例には示されていない旨の主張を行っているが、本願明細書には、「次に、結晶をワイヤーまたはブレードソーでひいて多数の半導体ウェーハを形成する。このようなウェーハ10の甚だしく拡大した図を第１図に示す。機械的損傷を半導体ウェーハ10の表面11に作る。」（本願公開公報第２頁右下欄第１３〜１７行）と記載されているように、本願明細書に記載されている「機械的損傷」とは、結晶（半導体インゴット）を通常のスライシング用具であるワイヤーまたはブレードソーでひいて形成するところの切断歪のことであるから、本願発明における“機械的損傷領域”と第１引用例における“切断歪層”とは同義である。さらに、同引用例には、一方の面の研削歪層への変換を行わないで、両面が切断歪層のままの状態で熱処理を行ってゲッタリングを行うこともできる旨の記載もなされているから、請求人の上記主張は当を得ない。
４，むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は第１引用例〜第２引用例の技術内容に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。