【事件の表示】
　特許第３３３７３１１号「新規オキソ−チタン錯体、その製造方法およびその錯体を用いたβ−ヒドロキシケトンまたはα−ヒドロキシカルボン酸エステルの製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３３７３１１号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３３７３１１号の請求項１、２に係る発明は、平成６年３月１１日に出願され、平成１４年８月９日に特許権の設定登録がなされ、その後、平成１５年４月２１日に宮崎幸雄（以下、「異議申立人」という。）から特許異議の申立てがなされたものである。
（なお、その後、異議申立人から、特許異議申立書の誤記の訂正に関する平成１５年５月２日付け手続補正書が提出されている。）
　
２．本件発明
　本件特許の請求項１、２に係る発明は、明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】一般式（Ｉ）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ）
（Ｒ1 、Ｒ2 は同じまたは異なっており、水素原子、低級アルキル基、フェニル基、置換基としてハロゲン原子、低級アルキル基、水酸基から選ばれる原子あるいは官能基を有するフェニル基、トリアルキルシリル基、モノアルキルジフェニルシリル基、ジアルキルモノフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、置換基として低級アルキル基を有するトリフェニルシリル基または低級アルコキシカルボニル基を示し、Ｒ1とＲ2 とで炭化水素環または置換基としてハロゲン原子、低級アルキル基、水酸基から選ばれる原子あるいは官能基を有する炭化水素環を形成してもよく、Ｒ3、Ｒ4 は同じまたは異なっており、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基またはハロゲン原子を示すか、Ｒ3 とＲ4 とで炭化水素環または置換基として低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトリル基、ハロゲン原子、水酸基から選ばれる官能基あるいは原子を有する炭化水素環を形成してもよく、ｎは１ないし２である。）
で表されるオキソ−チタン錯体。
【請求項２】一般式（ＩＩ）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ＩＩ）
（Ｒ1 、Ｒ2 は同じまたは異なっており、水素原子、低級アルキル基、フェニル基、置換基としてハロゲン原子、低級アルキル基、水酸基から選ばれる原子あるいは官能基を有するフェニル基、トリアルキルシリル基、モノアルキルジフェニルシリル基、ジアルキルモノフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、置換基として低級アルキル基を有するトリフェニルシリル基または低級アルコキシカルボニル基を示し、Ｒ1とＲ2 とで炭化水素環または置換基としてハロゲン原子、低級アルキル基、水酸基から選ばれる原子あるいは官能基を有する炭化水素環を形成してもよく、Ｒ3、Ｒ4 は同じまたは異なっており、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ベンゾイル基、ベンゼンスルホニル基またはハロゲン原子を示すか、Ｒ3 とＲ4 とで炭化水素環または置換基として低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトリル基、ハロゲン原子、水酸基から選ばれる官能基あるいは原子を有する炭化水素環を形成してもよく、Ｒ5 は低級アルキル基を示す。）
で表される化合物を、水を含む有機溶媒中で加熱することを特徴とする
下記一般式（Ｉ）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ）
（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は前記と同じ意味である。）
で表されるオキソ−チタン錯体の製造方法。」
　
３．異議申立て理由の概要
　異議申立人は、証拠として甲第１号証〜甲第４号証を提出し、本件特許の請求項１、２に係る発明は、甲第２号証〜甲第４号証を参酌すれば甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し（理由１）、あるいは、本件特許の請求項１、２に係る発明は、甲第２号証〜甲第４号証を参酌すれば甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（理由２）、したがって、本件特許の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　
４．各甲号証の記載内容
(１)甲第１号証（Tetrahedron Letters, Vol.33, No.37(1992), 第5391-5394頁．）
　甲第１号証には、「キラル性ビナフトール誘導体は、その非常に高いキラル性認識特性のために多くの非対称反応における効果的なキラル助剤として使用されてきた」（第５３９１行第１〜２行）こと、及びキラル性ビナフトール誘導体の製法について、典型的な手順として、「２ｍｌ乾燥トルエン中のＲ−（＋）−ビナフトール（０．１０ｍｍｏｌ）の溶液に、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）４（０．０５ｍｍｏｌ）およびＨ２Ｏ（１．０ｍｍｏｌ）を室温、窒素雰囲気下で滴下添加した。その後、１時間攪拌」（第５３９１行第１０〜１２行）したこと、が記載されている。
　
(２)甲第２号証（Synthesis, Communications, April 1989, 第291-292頁．）
　甲第２号証には、下記
反応式（第２９１頁右欄第１行）が記載され、また、これに関連して、
「（＋）または（−）−１，１’一ビナフタレン−２，２’−ジイルジオキシ（ジイソプロポキシ）チタニウム［（＋）または（−）−５］：
　（＋）または（−）−２，２’−ジヒドロキシ−１，１’−ビナフタレン（７．０５ｇ、２．１ｍｍｏｌ）を、ベンゼン（１２０ｍＬ）を含む２５０ｍＬ三首フラスコ中に入れた。これに、（ｉ−ＰｒＯ）４Ｔｉを（７ｇ、２．４ｍｍｏｌ）を攪拌しながら滴下添加した。添加が完了した後、混合物を１．５時間還流させた。その後、溶媒を蒸発させ、そして残渣を減圧下で乾燥させて茶黄色固形分として生成物５を得た：収量０．８８ｍｇ（９８％）。生成物は、３００℃以上で不安定な斜方晶結晶性物質である。」（第２９１頁右欄下より９行〜最下行）ことが記載されている。
　
(３)甲第３号証(Organometallics, Vol.11, No.3(1992), 第1112-1126頁．)
　甲第３号証には、下記
反応スキーム（第１１２２頁右欄，Scheme III ）が記載され、また、これに関連して、「［（Ｍｅ2ＢＩＮＯ）Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2］2 錯体の転位は、概念上、２通りの経由（スキームIII）で起こるであろう。：（ａ）アルコキシド架橋の切れた２核錯体のフラグメンテーションが、最初の２核構造に戻り結合するような２つのＣ２−対称性モノマーのフラグメント（iii）を生成する。（ｂ）ナフトキシド架橋分子内でＴｉ−Ｏ結合が分子内解裂することにより、ナフトキシド架橋のキレートが存在しないＤ２−対称性２核中間体（iv）ができる。」（第１１２２頁左欄下から５行〜右欄第５行）こと、及び、［（Ｍｅ2ＢＩＮＯ）Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2］2の製法として、「Ｈ２Ｍｅ２ＢＩＮＯ（１．５ｇ、４．８ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（１２５ｍｌ）をシュレンクフラスコに導入する。Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４（１．４ｍｌ、４．０ｍｍｏｌ）をシリンジで加えると、黄色−オレンジ色の溶液となる。１０分後に、溶媒を真空下で留去し残留する黄色の固体を２回、最小限の量の冷やしたペンタンで洗って未反応のＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４を取り除く。残りの物を最小限の量のジエチルエーテルに溶解させて、その溶液を−２０℃で冷やす。真空下で乾燥すると曇る大きめのオレンジ色の［（Ｍｅ2ＢＩＮＯ）Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2］2の結晶が（収率９０％）で単離された。」（第１１２４頁左欄第３４〜４３行）ことが記載されている。
　
(４)甲第４号証（「化学大辞典」、東京化学同人、１９８９年１０月２０日発行、第９９８頁．）
　甲第４号証には、「室温」について、「実験室内の温度．通常は１５〜３０℃の範囲をいうが，ＪＩＳ Ｋ ００５０では５〜３５℃と規定している．」（左欄第３２〜３４行）ことが記載されている。
　
５．当審の判断
(１)理由１について
(ア)本件特許の請求項１に係る発明について
　本件特許の請求項１に係る発明と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証には本件特許の請求項１に係る発明である一般式(Ｉ)で表されるオキソ−チタン錯体（以下、「一般式(Ｉ)の錯体」という。）が記載されていない。
　すなわち、甲第１号証には、先に指摘したように、「２ｍｌ乾燥トルエン中のＲ−（＋）−ビナフトール（０．１０ｍｍｏｌ）の溶液に、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）４（０．０５ｍｍｏｌ）およびＨ２０（１．０ｍｍｏｌ）を室温、窒素雰囲気下で滴下添加した。その後、１時間攪拌」したこと（第５３９１行第１０〜１２行。以下、この反応を「甲第１号証の反応」という。）が記載されているが、この甲第１号証の反応により得られる反応生成物がどのようなものであるのかは明らかにされていない。しかし、甲第１号証の反応で用いられている反応原料であるＲ−（＋）−ビナフトールとＴｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）４とのモル比は２：１であること、及び、一般式(Ｉ)の錯体におけるチタン原子と有機配位子とのモル比は１：１であるとともに、本件特許明細書の実施例１で用いられている反応原料であるＲ−（＋）−ビナフトールとチタンテトライソプロポキシド（Ｔｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）４）とのモル比は１：１であること、を考え併せると、甲第１号証の反応により得られる反応生成物は、一般式(Ｉ)の錯体に包含される、１つのチタン原子に対し１つの有機配位子（ビナフトール）が配位してなる環構造のオキソ−チタン錯体であるとは考えにくく、むしろ、１つのチタン原子に対し２つの有機配位子（ビナフトール）が配位してなるオキソ−チタン錯体であると推認される。
　しかも、異議申立人が、甲第１号証の反応により得られる反応生成物が一般式(Ｉ)の錯体であることを裏付ける証拠を提出しているわけでもない。
　したがって、本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるということはできない。
　
(イ)本件特許の請求項２に係る発明について
　本件特許の請求項２に係る発明も、甲第１号証に記載された発明であるということはできない。理由は以下の(ａ)及び(ｂ)で示すとおりである。
(ａ)本件特許の請求項２に係る発明は一般式(Ｉ)の錯体の製造方法に関するものであるから、先に指摘したように甲第１号証には一般式(Ｉ)の錯体が記載されていない以上、甲第１号証に一般式(Ｉ)の錯体の製造方法が記載されているということはできない。
(ｂ)本件特許の請求項２に係る発明は、一般式(II)で示される、１つのチタン原子に対し１つの有機配位子と２つのＯＲ５が配位してなる化合物を原料とし、それを水を含む有機溶媒中で反応させることにより一般式(Ｉ)の錯体を製造する方法に関するものである。これに対し、甲第１号証には、Ｒ−（＋）−ビナフトールとＴｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）４を原料として、それを水を含む有機溶媒中で反応させる方法が記載されている。
　したがって、本件特許の請求項２に係る発明と甲第１号証に記載されたものとは原料化合物が相違しているので、本件特許の請求項２に係る発明が甲第１号証に記載されているということはできない。
　
　なお、異議申立人は、「甲第１号証はその反応機構について詳細に記載してはいないが、甲第２号証および甲第３号証から解るように、室温での２，２’−ジヒドロキシ−１，１’−ビナフタレンとＴｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）４との反応により、次式
で表されるチタネート化合物（・・・）が生成されることは明らかである。また、生成後、前記チタネート化合物は本件請求項２に規定される反応条件、即ち、水およびトルエンを含む混合溶媒中かつ室温に保たれるので、前記チタネート化合物は直ちに本件請求項１の一般式（１）で表されるオキソーチタン錯体となる。」とした上で、「本件請求項１および２に係る発明は、例えば甲第１号証に記載されるように従来技術において公然知られていた触媒形成反応の生成物を、単にその化学構造式を用いて表したものに過ぎない。」と主張している。
　しかしながら、甲第２号証及び甲第３号証に記載されているチタネート化合物の製造方法は、何れも、ビナフトール類とＴｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）４とを水を含まない有機溶媒中で反応させるものであるから、Ｒ−（＋）−ビナフトールとＴｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）４とを水を含む有機溶媒中で反応させる甲第１号証に記載された製造方法とは反応条件が相違するので、甲第１号証に記載された製造方法においても、甲第２号証及び甲第３号証に記載されている製造方法と同様に、次式
で表されるチタネート化合物が生成していると認めることはできない。
　したがって、異議申立人の主張を考慮しても上記判断に変わりはない。
　
(２)理由２について
(ア)本件特許の請求項１に係る発明について
　甲第１号証〜甲第４号証には、本件特許の請求項１に係る発明である一般式(Ｉ)の錯体は記載されておらず、しかも、甲第１号証〜甲第４号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に本件特許の請求項１に係る発明をすることができたものであると認めるべき理由は見いだせないので、本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
(イ)本件特許の請求項２に係る発明について
　甲第１号証〜甲第４号証には、本件特許の請求項２に係る発明である一般式(Ｉ)の錯体の製造方法は記載されておらず、しかも、甲第１号証〜甲第４号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に本件特許の請求項２に係る発明をすることができたものであると認めるべき理由は見いだせないので、本件特許の請求項２に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　なお、異議申立人は、「甲第１号証には、次式
で表されるチタネート化合物から出発する例のみしか記載されていないけれども、当業者ならば、Ｒ１〜Ｒ５が甲第１号証に記載された組み合わせ以外のものについて甲第１号証に記載の方法が同様に適用できることは容易に推測可能である。」と主張しているが、先に指摘したように、甲第１号証には次式
で表されるチタネート化合物から出発する例が記載されていると認めることはできないので、異議申立人の主張を考慮しても上記判断に変わりはない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１、２に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の請求項１、２に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件特許の請求項１、２に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月３０日（２００３．７．３０）