【事件の表示】
　平成　５年特許願第　９４４９４号「半導体集積回路素子とそのバイアス調整方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年１１月　４日出願公開、特開平　６−３１０３１１、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
  本願は、平成５年４月２１日の出願であって、その請求項１ないし５に係る発明は、平成１１年１２月２０日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　増幅回路を構成する半導体集積回路素子のバイアス条件を決定するための電圧分割抵抗が、半導体素子基板の表面に並列に設けられた抵抗と、これらの抵抗の個々に接続された抵抗調整のためにレーザによって溶断される金属配線部分とからなり、さらに前記金属配線部分が金属配線により共通に接続されていることを特徴とする半導体集積回路素子。
　【請求項２】　電圧分割抵抗が、能動素子である電界効果トランジスタのゲートに接続された固定抵抗とグランドとの間の設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路素子。
　【請求項３】　電圧分割抵抗のレーザビームが当たって溶断される金属配線部分にパターン認識用の目印を有すると同時に、同部分において半導体素子表面に設けられた保護膜が除去されていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路素子。
　【請求項４】　請求項１記載の半導体集積回路素子の抵抗調整をウエハープローバー上に設けたレーザトリマヘッドを制御して移動させることにより、個々の電圧分割抵抗用の金属配線部分を順次溶断し、実際に半導体素子に流れる電流をモニタしながらオンウエハーで行うことを特徴とする半導体集積回路素子のバイアス調整方法。
　【請求項５】　請求項１，２または３記載の半導体集積回路素子を少なくとも１つ以上有するハイブリッド半導体集積回路において、ダイスボンド工程およびワイヤボンド工程後、封じ工程前に、動作試験装置上に設けたレーザトリマを制御して移動させることにより、個々の電圧分割抵抗用の金属配線部分を順次溶断し、実際に半導体素子に流れる電流をモニタしながらハイブリッド半導体集積回路上で行う抵抗調整工程と、特性検査工程とを同時に行うことを特徴とする半導体集積回路素子のバイアス調整方法。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、引用例１ないし５には、それぞれ、以下の点が記載されている。
　引用例１（特開平４−２０９５０１号公報）
・従来のレーザトリミング法では、抵抗膜だけでなく保護膜をも除去するため、トリミングを施すと、抵抗膜が外部雰囲気にさらされ外部雰囲気に含まれる湿気を経時的に吸収して、抵抗値が狂う結果となること、本発明は、トリミングによる抵抗値の調整後に、外的要因による経時的な抵抗値の狂いを防止することを目的とすること、（第１欄第３７行〜第２欄１行）
・本発明の半導体装置用基板は、所定間隔離れて平行に設けられた一対の帯状導体膜と、互いに所定間隔離れて並列に設けられ、かつ、一端が一方の帯状導体膜に他端が他方の帯状導体膜にそれぞれ接合された複数の抵抗膜と、この抵抗膜と帯状導体膜とを被覆する保護膜と、を具備すること、（第２欄第４〜１０行）
・抵抗膜を一つずつトリミングして切断すると、切断した抵抗膜を覆う保護膜も除去されるが、他の切断していない抵抗膜については保護膜が除去されずに残るので、抵抗となりえる抵抗膜が外部雰囲気の湿気を吸収することがないこと、（第２欄第１２〜２０行）
　引用例２（特開昭６０−５３０６９号公報）
・セラミック基材よりなる電気部品およびセラミック基材上に構成された混成回路を印刷配線基板上に配置してファンクショントリミングすること、（第１頁左下欄第４〜７行）
・印刷配線基板の表面に電気部品、チップ抵抗を配置し端面にリード片を介して治具の受口に挿入し、モニタテレビを見ながらハンドルを操作し、トリミングするチップ抵抗の位置までＸＹテーブルを移動させた後、波形測定器の値が目標値になるまでレーザ発生装置より発生されるレーザー光にてチップ抵抗の抵抗パターンをファンクショントリミングすること、（第２頁右上欄第３〜１２行）
　引用例３（実願平２−１１６５５１号（実開平４−７２６５０号）のマイクロフィルム）
・機能トリミング調整用抵抗体と、複数の半導体チップを持つ部品とを分離して形成し、トリミング前に部品部分をキャップで覆うこと、（明細書第１頁第４〜７行）
・抵抗体を機能トリミングする場合、トリミングの残りかすがキャップの上に付着しても、キャップ内の部品の部分の付着することはないこと、（明細書第４頁第８〜１１行）
　引用例４（特開昭４９−８３３９０号公報）
・集積回路上に載置された通常の金属化部分の所定の導体路を設け、そのうちの個々の導体路部分を電流を用いて溶断することによって、金属化部分の調整または形成を行うようにした集積回路に含まれる電気回路素子の調整または形成の方法、（第１頁左下欄第６〜１１行）
・半導体に拡散された電気抵抗を４個の部分抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４による直列接続とし、部分抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４にはそれぞれ導体路部分Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４が形成され、それぞれ部分抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４を短絡していること、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４にはそれぞれ小径Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の狭幅部分を有していること、小径Ｓ３を電流を用いて溶断すると、調整抵抗Ｒは部分抵抗Ｒ１＋Ｒ３の和になること、（第２頁左下欄第５行〜同頁右下欄第４行、第１図）
　引用例５（実願昭５９−３６９８９号（実開昭６０−１４９１４７号）のマイクロフィルム）
・抵抗値のトリミングをレーザ光を使用しないで容易に行え且つ簡単な装置で実施できる構造の抵抗素子を提供することを目的とすること、（明細書第３頁第６〜９行）
・基板に定抵抗値の本体抵抗部と複数の異なる抵抗値のトリミング用抵抗部を並列接続し、トリミング用抵抗部はその一部に基板上に形成されて所定の電流値以上の通電で溶断される幅狭な金属連結部を有すること、このような抵抗素子の抵抗値のトリミングは、抵抗素子の両端子間に電圧を印加してこの電圧を徐々に増加させてトリミング用抵抗部の金属連結部を順次に溶断することにより行われること、（明細書第３頁第１１〜２０行）
　
３．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、本願発明１という）と引用例１ないし５に記載された事項とを対比すると、引用例１ないし５には、本願発明１の、並列に設けられた個々の電圧分割抵抗にレーザ溶断用の金属配線部分を接続すること、および金属配線部分が金属配線により共通に接続されていること、について記載がなく、これを示唆する記載もない。すなわち、引用例１は分割抵抗をトリミングにより切断して抵抗値を調整するものであり、引用例２および３は抵抗体自体をトリミングして抵抗値を調整するものである。また、引用例４および５は、抵抗値の調整を分割抵抗に接続された金属配線部分を溶断することにより行うものではあるが、レーザで溶断するのではなく、金属配線部分に通電しその際の発熱により溶断するものである。そして、引用例４または５に記載される抵抗値の調整手法における通電による溶断に代えて、引用例１ないし３に記載されるようなレーザによる溶断を適用し得たとしても、引用例４および５に設けられた調整用の分割抵抗および溶断用の金属配線部分の配列は、本願発明１における配列、すなわち、並列に設けられた個々の分割抵抗に溶断用の金属配線部分が接続され、かつ金属配線部分が金属配線により共通に接続されるもの、ではないから、引用例４または５に引用例１ないし３を組合わせることにより本願発明１を構成することができるとはいえない。
　したがって、本願発明１は引用例１ないし引用例５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　本願の請求項２ないし５は、請求項１を直接的または間接的に引用する請求項であるから、請求項１に係る構成以外の構成について検討するまでもなく、本願の請求項２ないし５に係る発明は、引用例１ないし引用例５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１ないし５に係る発明は、引用例１ないし引用例５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。