【事件の表示】
　特許第３１１６５７７号「半導体封止用エポキシ組成物」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１１６５７７号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１１６５７７号に係る出願は、平成４年７月１７日に特許出願され、平成１２年１０月６日に特許の設定登録がなされ、その後、請求項１〜３に係る発明の特許について、氏原さちより特許異議の申立てがなされ、当審から取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年９月５日に特許異議意見書が提出されたものである。
　
２．本件発明
　本件請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、溶融シリ力（Ｃ）、変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）およびハイドロタルサイト系化合物（Ｅ）を必須成分として含有してなる樹脂組成物であって、前記変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）がスチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させたものであり、ハイドロタルサイト系化合物（Ｅ）を０．０１〜１０重重％含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ組成物。
　【請求項２】さらに四酸化アンチモン（Ｆ）を含有する請求項１記載の半導体封止用エポキシ組成物。
　【請求項３】請求項１または２いずれかに記載の半導体封止用エポキシ組成物を用いて封止したことを特徴とする半導体装置。」
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記甲第１〜７号証を提示して、本件発明１〜３は甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明に係る特許は特許法第２９条第２項に違反してなされたものである旨主張する。
　　甲第１号証：特開平２−２２２４４１号公報
　　甲第２号証：「ケミカルス ガイド １９８８−８９年版」化学工業時報社出版部、昭和６３年７月２５日発行、１７頁
　　甲第３号証：協和化学工業株式会社発行のパンフレット「ＤＨＴ−４Ａ」全４頁（注．発行日の記載はないが、第１，４頁のフッター部における当該会社名表示欄には、平成３年１月実施の桁数改編が施される以前の電話番号が記載されていることが認められる。）
　　甲第４号証：特開平３−２５５１５４号公報
　　甲第５号証：特開平４−５０２５７号公報
　　甲第６号証：特開平１−２０６６５５号公報
　　甲第７号証：特開平２−１７５７４７号公報
　
４．甲各号証等に記載の事項
〈甲第１号証〉
　ア．「（１）(ａ) ガラス転移温度が１９０℃以上の熱硬化性樹脂、
　(ｂ) 溶融シリカからなる充填剤、
　(ｃ) ＭＢＳ又はＡＢＳからなる添加剤、　　
　(ｄ) シリコーンゴム又はシリコーンゲルからなる添加剤、及び
　(ｅ) 金属キレート化合物を含む離型剤
を含有することを特徴とする封止用樹脂組成物。」(特許請求の範囲第１項)
　イ．「熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂又はマレイミド樹脂を用いることが望ましい。」（２頁左下欄４〜６行）
　ウ．「エポキシ樹脂に対しては、通常、硬化剤が用いられる。」（３頁左上欄１０〜１１行）
　エ．「ＭＢＳとはメチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共重合体の一般名称である。ＭＢＳはラテックス状のスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴムなどに、メチルメタクリレートとスチレンを主成分とするモノマーをグラフト重合することにより製造される。」（６頁右下欄３〜９行）
　オ．「ＭＢＳ又はＡＢＳは……０．１〜１０重量％が好ましい。添加量が０．１重量％以下では十分な耐熱衝撃性が得られず、」（７頁右上欄１８行〜左下欄３行）
　カ．「本発明の樹脂組成物には前記各成分のほかにも、必要に応じて、……また、特に高い耐湿信頼性が要求される場合には、各種イオン捕捉剤の添加が有効である。イオン捕捉剤の具体例としては、ＤＨＴ-４Ａ（協和化学）ＩＸＥ-６００（東亞合成）などが挙げられる。」（９頁左下欄３〜１１行）
　キ．「［２］（注．原文では丸数字。以下、この項において同じ。）耐熱衝撃性を調べるために以下の試験を行った。すなわち、……−６５℃→室温→１５０℃を１サイクルとする冷熱サイクルを５０〜４００サイクル繰り返し、デバイスの動作特性チェックにより不良発生率を調べた。
　　　　　　　　　　　　　　　……
　　［４］耐半田浸漬性を調べるために、以下の試験を行った。すなわち、……２６０℃の半田浴に５秒間浸漬した。この時点でパッケージのクラック発生率を調べた。……
　以上の測定結果を第２表にまとめて示す。」（１１頁左上欄２行〜右上欄５行）
　ク．「以上詳述したように本発明の樹脂組成物の硬化物は、耐熱衝撃性、耐半田浸漬性に優れ、」（１２頁左下欄８〜９行）
　ケ．第１，２表（各組成の実施例及び比較例における樹脂性状及び試験結果が示される。）
〈甲第２号証〉
　コ．「ＤＨＴ-４Ａ　〈Ｒ〉合成ハイドロタルサイト。ハロゲンキャッチャー　　[Ｍ]（注．原文では丸にＭ）協和化学工業」（１７頁右欄）　
〈甲第３号証〉
　サ．「　　　　　　　　　ＤＨＴ-４Ａ
　　　　　　　　〔ハイドロタルサイト類化合物〕
　　……ＤＨＴ-４Ａ〔Ｍｇ４・５Ａｌ２(ＯＨ)１３ＣＯ３・３．５Ｈ２Ｏ〕は、ハイドロタルサイト類化合物であり、」（ヘッダー部に「Kyowa Chemical Industry Co.,Ltd.」とある頁の上部標題欄）
〈甲第４号証〉
　シ．「（１）エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填剤（Ｃ）および変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）からなる半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（Ｉ）で表される骨格を有するエポキシ樹脂（ａ）を必須成分として含有し、変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）がスチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させたものであることを特徴とする半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。
（ただし、Ｒ１〜Ｒｎは水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）」（特許請求の範囲第１項）
　ス．「このようにスチレン系ブロック共重合体を変性して用いることにより、未変性のスチレン系ブロック共重合体のみを用いる場合に比較して、半田耐熱性および耐湿信頼性を著しく改良することができる。」（６頁左下欄１３〜１７行）
　セ．「半田耐熱性の測定は、……２６０℃の半田浴に１０秒間浸漬し、クラックの発生しないＳＯＰの割合を求め、半田耐熱性を求めた。」（８頁右上欄７〜１２行）
〈甲第５号証〉
　ソ．「（１）エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、溶融シリカ（Ｃ）、ハイドロタルサイト系化合別（Ｄ）、臭素化合物（Ｅ）およびアンチモン化合物（Ｆ）からなる樹脂組成物であって、」（特許請求の範囲第１項）
〈甲第６号証〉
　タ．「（１）下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する臭素含有量０．５〜５重量％のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
　（Ａ）エポキシ樹脂。
　（Ｂ）フェノール樹脂。
　（Ｃ）臭素含有量２０〜６０重量％の臭素化エポキシ樹脂。
　（Ｄ）下記の一般式（Ｉ）で表されるハイドロタルサイト類化合物。
ＭｇxＡｌy(ＯＨ)２ｘ＋３ｙ−２ｚ(ＣＯ３)２・ｍＨ２Ｏ　　……（Ｉ）」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（特許請求の範囲第１項）
　チ．「また、高温状態における素子不良の測定は、半導体素子を樹脂封止して半導体装置を組み立て、全量２０個を高温にさらし、導通不良になる個数を求めて評価した。」（７頁５〜８行）
〈甲第７号証〉
　ツ．「（１）エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填材、酸化アンチモン及びハロゲン化合物を含有するエポキシ樹脂組成物において、酸化アンチモンとして四酸化アンチモンを０．２〜４重量％含有させたことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項）
　テ．「本発明では、従来使用されている三酸化アンチモンよりも熱安定性に優れた四酸化アンチモンを使用することにより、難燃性を損なうことなく、高温重量減少を低減でき、これにより硬化樹脂のハンダ浸漬後における電気特性や耐熱性の向上が達成されるものと考えられる。」（３頁右上欄１９行〜左下欄４行）
　
５．対比・判断
　５-１．本件発明１について
　本件発明１は、前記２で認定したとおりの構成からなる半導体封止用エポキシ組成物である。又、該構成を備えることにより、成形性、半田耐熱性、高温信頼性、耐湿信頼性に優れた半導体封止用エポキシ組成物を提供し得たものである（本件特許明細書【００５５】、表４等参照）。又、上記エポキシ組成物の成分の一たる「変性スチレン系ブロック共重合体」は、半田耐熱性を改良する効果がある（同【００３０】参照）。そして、本件発明１での半田耐熱性の測定は、半田浴浸漬後のチップと樹脂の界面の剥離の有無を調べることによる（同【００４５】参照）。
　これに対し、先ず、甲第１号証をみると、そこには、前記４．ア〜ケにみるように、「熱硬化性樹脂」及びその他の特定成分を含有し、耐熱衝撃性、耐半田浸漬性、耐湿信頼性に優れた封止用樹脂組成物について記載されている。それによれば、該封止用樹脂組成物の成分の一たる「ＭＢＳ」の使用により耐熱衝撃性が得られ（前記４．オ参照）、又、上記耐熱衝撃性は、−６５℃→室温→１５０℃の冷熱サイクルの繰り返し後の動作特性チェックを調べることにより求め、又、半田浸漬性は、半田浸漬後のパッケージのクラック発生率及び更にプレッシャークッカー処理を経た後の不良発生率を調べることにより求める（前記４．キ参照）。
　
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載のものを対比すると、後者における「熱硬化性樹脂」の一例として挙げられている「エポキシ樹脂」、該エポキシ樹脂に対して通常用いられるとする「硬化剤」、「溶融シリカからなる充填剤」は、それぞれ、前者における「エポキシ樹脂」、「硬化剤」、「溶融シリカ」と一致する。又、後者における「添加剤」の一として択一的に掲げられている「ＭＢＳ」は、甲第１号証に記載されるように、「スチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴムなどに、メチルメタクリレートとスチレンを主成分とするモノマーをグラフト重合することにより製造される」「メチルメタクリレート・ブタジエンゴム・スチレン共重合体」である（前記４．エ参照）ところ、「メチルメタクリレート」は「不飽和カルボン酸の誘導体」の一であるから、ゴム成分が「スチレン・ブタジエンゴム」である場合の上記「ＭＢＳ」は、（本件発明１の記載振りに倣って表現すれば、）“スチレン系共重合体に不飽和カルボン酸の誘導体をグラフト反応させたものである変性スチレン系共重合体”の一であるということができる。又、後者において必要に応じて添加し得るとする「イオン捕捉剤」の一例として挙げられている「ＤＨＴ-４Ａ」は、甲第２、３号証の記載によって明らかなように、前者でいう「ハイドロタルサイト系化合物」に該当する。従って、後者において上記「エポキシ樹脂」、「硬化剤」、「溶融シリカ」、「ＭＢＳ」、「ＤＨＴ-４Ａ」が用いられたものとの対比で考えれば、結局、本件発明１と甲第１号証に記載のものは、
　“エポキシ樹脂、硬化剤、溶融シリカ、変性スチレン系共重合体およびハイドロタルサイト系化合物を含有してなる樹脂組成物であって、前記変性スチレン系共重合体がスチレン系共重合体に不飽和カルボン酸の誘導体をグラフト反応させたものである半導体封止用エポキシ組成物。”
である点で共通し、次の点で相違する。
　相違点１：　“変性スチレン系共重合体”及びその変性前の化合物としての“スチレン共重合体”が、本件発明１ではいずれも「ブロック共重合体」であるのに対し、甲第１号証に記載のものでは、それらが「ブロック共重合体」であるかどうかについての記載はなく、不明である点。
　相違点２：　「ハイドロタルサイト系化合物」の含有量が、本件発明１では、「０．０１〜１０重量％」であるのに対し、甲第１号証に記載のものでは、（「イオン捕捉剤」として、上記「ＤＨＴ-４Ａ」とは別の物質である「ＩＸＥ-６００」を「０．７重量％」含有させた例（実施例１１）が示されるものの、）「ＤＨＴ-４Ａ」ないし「ハイドロタルサイト系化合物」の含有量についての記載はなく、不明である点。
　
　そこで、以下、上記相違点１，２について検討する。
　先ず、相違点１についてみるに、甲第４号証には、前記４．シ〜セにみるように、「式（Ｉ）で表される骨格を有するエポキシ樹脂」、「硬化剤」、「充填剤」および「スチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させ」た「変性スチレン系ブロック共重合体」からなる半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物について記載されており、ここで用いられる「変性スチレン系ブロック共重合体」は、本件発明１で用いられる「変性スチレン系ブロック共重合体」と物質として一致する。従って、この甲第４号証の「変性スチレン系ブロック共重合体」で甲第１号証の「ＭＢＳ」を置換することが当業者にとって容易であるかどうかを検討してみることとする。
　すると、第１に、上記置換において、（置換する側の）甲第４号証の上記「変性スチレン系ブロック共重合体」は、甲第４号証によれば、その添加により半田耐熱性および耐湿信頼性を改良するものである（前記４．ス参照）のに対し、（置換される側の）甲第１号証の上記「ＭＢＳ」は、甲第１号証によれば、その添加により（−６５℃→室温→１５０℃の冷熱サイクルの繰り返し後の動作特性チェックにより調べるところの）耐熱衝撃性が得られる（前記４．オ，キ参照）というものであって、上記「変性スチレン系ブロック共重合体」のように半田耐熱性ないし耐湿信頼性の改良に働くというものではない。
　もっとも、甲第１号証には、（半田浴浸漬後のクラック発生率を調べる（前記４．キ参照）点で、概念上、甲第４号証でいう半田耐熱性に一部相当すると認められる）耐半田浸漬性や、又、耐湿信頼性についても記載がなくはないが、これらは、他の成分との関係で述べられたものであるか、或いは、封止用樹脂組成物全体の構成との関係で述べられたものであるに止まり、直接に上記「ＭＢＳ」の効果として述べられたものではない。
　又、甲第１号証の第１，２表の比較データを精査してみても、「ＭＢＳ」の添加が、耐半田浸漬性（半田耐熱性）や耐湿信頼性の改良に直接に影響することを窺わせるものは見出せない。
　してみれば、甲第４号証の「変性スチレン系ブロック共重合体」と甲第１号証の「ＭＢＳ」とは、いわゆる機能的な同一性を欠くものであるから、これら相互を置換することが容易であるとはいえない。
　又、第２に、仮に、あえて上記両者の置換を考えてみた場合でも、本件発明１における半田耐熱性は、前記のように、半田浴浸漬後のチップと樹脂の界面剥離の有無を調べることにより求めるものであるのに対し、甲第４号証での半田耐熱性は、半田浴浸漬後のクラック発生の有無を調べることにより求めるものであり（前記４．セ参照）、両者における半田耐熱性は、同じ用語ながら調査対象の点で同一内容の概念とはいえない。しかも、チップと樹脂の界面剥離は、発生メカニズム上、一般に、クラック発生より初期の段階で生じる現象であることが知られている（例えば、日東技報、Vol．２５ No.２ (１９８７年８月刊行）３８〜４０頁参照）ことからみれば、クラック発生が抑えられるからといって、上記界面剥離も抑えられるということはできない。
　以上のことからみて、甲第４号証に、半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物の成分として、本件発明１におけると同一の「変性スチレン系ブロック共重合体」を添加することが記載されており、又、これにより（クラック発生率を抑えるという意味での）半田耐熱性及び耐湿信頼性が改良される旨記載されているとしても、この甲第４号証の「変性スチレン系ブロック共重合体」で甲第１号証の（半田耐熱性や耐湿信頼性との関係が上記のとおり直接には示されていない）「ＭＢＳ」を置換することが当業者にとって容易に着想し得ることであるとも、又、かかる置換によりチップと樹脂の界面の剥離を抑え得るという意味での半田耐熱性を獲得できることが当業者にとって容易に予測し得ることであるともいえない。
　
　次に、他の甲第２，３，５〜７号証について検討するに、本件発明１との関係でいえば専ら「ＤＨＴ-４Ａ」のみについて記載されているに過ぎない甲第２，３号証はもとより、その他の甲第５〜７号証のいずれにも、上記相違点１に係る「変性スチレン系ブロック共重合体」についての記載は何も無い。　
　
　してみれば、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
　５-２．本件発明２，３について
　本件発明２は、本件発明１に更に「四酸化アンチモン」を含有させる点を付加したものであり、又、本件発明３は、本件発明１，２のいずれかを用いて封止してなる半導体装置の発明であるから、本件発明１が、上述のとおり、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本件発明２，３も甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３に係る特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　また、他に本件発明に係る特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、平成６年改正特許法（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、同法の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年４月２５日（２００３．４．２５）