【事件の表示】
　特許第３２０３１０２号「光起電力装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０３１０２号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２０３１０２号の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、平成５年７月２６日に特許出願され、平成１３年６月２２日に設定登録がなされ、近藤英生より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年７月８日に訂正請求がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年８月２７日に前記訂正請求が取り下げられるとともに、新たに訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正の内容
　訂正事項ａ
　請求項１を削除する。
　訂正事項ｂ
　請求項２を新たな請求項１に繰り上げ、記載形式を独立形式に変更すると共に、「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、前記非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを前記凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高いハイドープ領域を選択的に形成したことを特徴とする、光起電力装置。」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　請求項３を新たな請求項２に繰り上げ、記載形式を独立形式に変更すると共に、「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、前記非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成したことを特徴とする、光起電力装置。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　特許明細書段落番号【０００５】を、「【課題を解決するための手段】この発明は、凹凸基板および凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高いハイドープ領域を選択的に形成したことを特徴とする、或いは、非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、凹凸基板の凹部に相当する非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成したことを特徴とする、光起電力装置である。」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　特許明細書段落番号【０００６】を、「【作用】凹凸基板上の凹部に相当する非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高〈導電率の高い高活性化領域を選択的に形成する。高活性化領域は、ハイドープ領域または微結晶化領域として形成される。したがって、光起電力装置のバルク内での電位分布の偏りを低減して電位分布を均一化し、凹部近傍における内部電界が弱められるのを防ぐ。その結果、生成キャリアの再結合速度の上昇および内部量子効率の低下を抑える。」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　特許明細書段落番号【０００８】を、「【実施例】図１（Ｄ）を参照して、この実施例の光起電力装置１０は、いわゆる順タイプに構成され、ガラス基板などの透光性基板１２を含む。透光性基板１２上には、テクスチャ構造を有するＳｎＯ２などの透明電極１４，ｐ型のａ−ＳｉＣの非晶質半導体層（ｐ層）１６，ノンドープのａ−Ｓｉからなる非晶質半導体層（ｉ層）１８，ｎ型のａ−Ｓｉからなる非晶質半導体層（ｎ層）２０，およびたとえばＡｇまたはＡｌ等の金属からなる裏面電極２２が、順に積層形成される。ここで、透明電極１４の凹部２４に相当するｐ層１６の凸部には、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い高活性化領域２６が選択的に形成される。」と訂正する。
　訂正事項ｇ
　特許明細書段落番号【００１７】を、「表２からわかるように、実施例１によれば、太陽電池特性の曲線因子（Ｆ．Ｆ．）が改善され、変換効率（Ｅｆｆ．）が向上することがわかる。次に、ドーパントの活性化率が高く導電率の高い高活性化領域２６を微結晶化領域として形成する場合、ｐ層１６は、アモルファス半導体層として形成され、その中に微結晶化領域が形成される。その方法としては固相成長法やレーザを利用した方法がある。」と訂正する。
　訂正事項ｈ
　特許明細書段落番号【００１２】を、「このように形成される光起電力装置１０において，ｐ層１６の高活性化領域２６は以下のように形成される。まず、高活性化領域２６をハイドープ領域として形成する場合について述べる。ｐ層１６は、図２に示すように、原料ガスを透光性基板１２表面に対して平行（矢印Ａに示す）に導入して形成される。ガス口（図示せず）は基板を囲むように周りに配置される。このように原料ガスを透光性基板１２表面に対して平行に導入することによって、透明電極１４の凸部２８は原料ガスに直接さらされるが、凹部２４はさらされない。したがって、透明電極１４の表面で温度分布が生じ、凹部２４は凸部２８に比べて高温になる。このときの凸部２８と凹部２４との間に生じる温度差は、ガス流量によって異なり、ガス流量が多いほど温度差が大きくなる。」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、上記訂正事項ａに伴って、請求項２を新たな請求項１とするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　また、訂正事項ｂの請求項２（新たな請求項１）に係る発明を「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、前記非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを前記凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高いハイドープ領域を選択的に形成」する点に減縮する訂正は、特許明細書の段落【００１２】〜【００１４】に記載された事項から直接的かつ一義的に導き出される事項である。
　したがって、この訂正事項ｂは、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｃについて
　この訂正事項ｃは、上記訂正事項ｂに伴って、請求項３を新たな請求項２とするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　また、この訂正事項ｃの請求項３（新たな請求項２）に係る発明を「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、前記非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成」する点に減縮する訂正は、本件特許明細書の段落【００１７】〜【００２３】に記載された事項から直接的かつ一義的に導き出される事項である。
　したがって、この訂正事項ｃは、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｄ〜ｈについて
　訂正事項ｄ〜ｈは、上記訂正事項ａ〜ｃに整合するように本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものであり、訂正前の本件特許明細書の段落【００１２】〜【００１４】及び段落【００１７】〜【００２３】に記載された事項から直接的かつ一義的に導き出される事項である。
　したがって、訂正事項ｄ〜ｈは、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　ウ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号第６項第１号の規定により、訂正についてはなお従前の例によるとされる改正特許法第１２０条の４第２項及び同法同条第３項で準用する特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明
　訂正後の本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明（以下、本件発明１及び２という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】
　凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
　前記非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを前記凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高いハイドープ領域を選択的に形成したことを特徴とする、光起電力装置。
　【請求項２】
　凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
　前記非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、
　前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成したことを特徴とする、光起電力装置。」
　イ．異議申立の理由の概要
　異議申立人 近藤英生は、証拠として甲第１号証〜甲第８号証を提出し、訂正前の本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定、同法第２９条の２の規定、若しくは、同法第３６条第４項又は第６項の規定に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．刊行物に記載の発明
　取消理由通知において引用した刊行物１（甲第１号証：特開昭５９−２２４１８３号公報）には、次の事項が記載されている。
「さらに本発明はかかる混合層のうち、非結晶成分が３０〜２０００Åのピッチを有するその表面を凹凸表面または繊維状または針状表面（以下単に凹凸表面という）にせしめ、
　　　　　…（中略）…
　本発明はさらにこの凹凸表面に密接して、透光性導電膜（以下ＣＴＦという）を設け、さらにこの導電膜に密着して反射性金属（以下ＲＭという）設けたものである。
さらに本発明はこの凹凸部にて半導体と電極とを密接せしめ、この接触面積を大きくし、ひいてはこの界面での接触抵抗を減少させることにより光電変換装置としての曲線因子の向上を図ったものである。」（第２頁右上欄第２〜１９行）
「このため本発明においてはこの微結晶Ｎ型半導体層を作製してしまった後、同一反応炉にてさらに水素を多量に導入し、珪化物気体／水素＝３０〜５０例えば３５として被膜作製を行った。するとかくのごとき多量の水素がプラズマ化されると、この活性プラズマが非結晶領域の半導体層を選択的にエッチングしてしまう性質があることが判明した。
このようにすることにより、Ｎ型半導体層は従来の約５０％の結晶率から７０〜１００％の結晶のみとすることが可能となった。さらにこの半導体上の電極に接する面には、結晶層のみが主として露呈し、凹凸表面を有せしめることも可能となった。
この結晶化率の向上に加えて、形成されるＮ型半導体層のうち、微結晶粒の周囲の非結晶成分のみを選択的に除去するため、結果としてＮ型半導体層の微結晶粒の大きさとピッチを有する凹凸表面を構成させることができた。
　　　…（中略）…
かくの如くして、第２図（Ａ）に構成を示すＮ型の凹凸表面を有する結晶半導体層を作製した。
　　　…（中略）…
かくの如くして１つのＰＩＮ接合を有する光電変換装置を作り、ｌｃｍ２（４ｍｍ×３ｃｍ＝１．０５ｃｍ２）の面積にてＡＭ１（１００ｍＷ）の条件下にて効率を測定したところ、１１．８％（開放電圧０．８８Ｖ，短絡電流１８．８ｍＡ／ｃｍ２，曲線因子７１％）を最高効率として作ることができた。」（第３頁右下欄第１０行〜第４頁右上欄第７行）
　取消理由通知において引用した刊行物２（甲第２号証：特開平２−９６３８２号公報）には、次の事項が記載されている。
「表面にＳｉ０２によって凹凸が付与（凹凸の山と谷の高さの差は概ね５０００Åである）された、厚さが１．１ｍｍのガラス基板上にＣＶＤ法により厚さが１００００Åの二酸化スズ（０．１重量％のフッ素が添加されたもの）からなる透明電極を形成した。
そののち、ＳｉＨ４　１０　ＳＣＣＭ、ＣＨ４　２０　ＳＣＣＭおよびＢ２Ｈ６　３００　ＳＣＣＭを導入しつつプラズマＣＶＤ法によって厚さが５０Åの高濃度不純物層を形成した。ついで同じくプラズマＣＶＤ法によって厚さが１５０Åのｐ型半導体層（ＳｉＨ４　１０　ＳＣＣＭ、ＣＨ４　２０　ＳＣＣＭおよびＢ２Ｈ６　１００　ＳＣＣＭを導入）、５０００Åのｉ型半導体層（ＳｉＨ４　１００　ＳＣＣＭを導入）、および３００Åのｎ型半導体層（ＳｉＨ４　１０　ＳＣＣＭおよびＰＨ３　２００　ＳＣＣＭを導入）を形成した。
　最後に非晶質半導体層上に厚さが１μｍのＡｌからなる裏面電極を真空蒸着法により形成した。
　えられた半導体装置について、ＡＭ−１、１００ｍＶ／ｃｍ２のソーラーシミュレーターを用いてＶ−Ｉ特性を測定した。結果を第２図に示す。」（第３頁左上欄第１３行〜右上欄第１１行）
「第２図より、本発明の半導体装置によれば変換効率が改善されることがわかる。
［発明の効果］
　以上説明したとおり、本発明の半導体装置によれば、透明電極と非晶質半導体層の第１不純物層とのあいだに該第１不純物層よりも高い不純物濃度を有する同一導電型の層が設けられているので、接触抵抗を少なくしてＦＦを改善することができ、これにより太陽電池の効率を向上させることができる。」（第３頁左下欄第４〜１３行）
　取消理由通知において引用した刊行物３（甲第３号証：特開平４−１９２３７３号公報）には、次の事項が記載されている。
「第１図は本発明の一実施例の光起電力素子の構成を示す断面模式図である。
この光起電力素子は、非晶質半導体による光起電力素子であって、基板１０１の上に、下部電極１０２、ｎ型半導体層１０３、ｉ型半導体層１０４、ｐ型半導体層１０５、透明電極１０６が順次積層されたものであり、さらに透明電極１０６の上面に集電電極１０７が設けられている。」（第８頁左上欄第１１〜１９行）
「また、前記基板１０１の表面はいわゆる平滑面であっても、微小の凹凸面であってもよい。
　微小の凹凸面とする場合にはその凹凸形状は半球状、円錐状、角錐状などであって、かつその最大高さ（Ｒｍａｘ）を好ましくは５００Åないし５０００Åとすることにより、該表面での光反射が乱反射となり、該表面での反射光の実質的な光路長の増大をもたらす。」（第８頁右下欄第１２〜１９行）
「第１図に示すｐｉｎ型へテロ接合による光起電力素子を第３図に示す堆積膜形成装置により作製した。」（第１２頁右下欄第８〜１０行）
「まず、表面を鏡面研磨し最大表面高さ（Ｒｍａｘ）を０．０５μｍ以下とした５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさのステンレス（ＳＵＳ３０４）製の基板１０１を不図示のスパッタリング装置内に入れ、該装置内を１０−５Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、Ａｒをスパッタ用ガスとして用い、前記基板１０１上に下部電極１０２（第１図）となる１０００Åの厚さのＡｇ薄膜を堆積した。この基板を取り出し、ロードロック室５１３内にある基板搬送手段５０６上の基板搬送カセット５０３上に、下部電極１０２の堆積された面を第３図に示すように下側に向けて固定し、ロードロック室５１３内を不図示の排気ポンプで１０−５Ｔｏｒｒ以下の圧力に真空排気した。この間、成膜室５０１は排気ポンプ５１５により１０−５Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気されている。両室に圧力がほぼ等しくなった時点で両者を仕切るゲートバルブ５０７を開け、基板搬送手段５０６を用いて基板搬送カセット５０３を成膜室５０１内に移動し再び前記ゲートバルブ５０７を閉じた。
　次に、ヒーター５０５にて基板１０１の表面温度が２００℃となるように加熱を行った。基板温度が安定した時点で、不図示のボンベに貯蔵されたＳｉ２Ｈ６ガス１０ｓｃｃｍとＰＨ３ガス（水素ガスにて１％希釈）１２ｓｃｃｍ及びＨ２ガス３００ｓｃｃｍを混合しつつ、ガス導入管５０８，５０９より導入した。次いで、排気バルブ５１４の開度を調節し、成膜室５０１の内圧を１．５Ｔｏｒｒに保った。高周波電源５１０はマチングボックス５１１を介してアノード電極５１２に接続されており、前記高周波電源５１０より１３．５６ＭＨｚの高周波電力２０Ｗを直ちに投入することにより、アモルファスｎ型Ｓｉ：Ｈ膜からなるｎ型半導体層１０３の成膜が開始される。
　ｎ型半導体層１０３が厚さ２００Åにわたって形成されたら、ガスの導入と高周波電力の供給を停止し、排気ポンプ５１５により成膜室５０１内を１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した。」（第１３頁左下欄第９行〜第１４頁左上欄第６行）
　取消理由通知において引用した刊行物４（甲第４号証：特開平４−２１９９８１号公報）には、次の事項が記載されている。
「【００１６】図１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の光起電力装置としての層構成の典型的な例を模式的に示す断面図である。
【００１７】図１（Ａ）に示す例は、支持体１０１上に下部電極１０２、ｎ型半導体層１０３、ｉ型半導体層１０４、ｐ型半導体層１０５、ｎ型半導体層１０６、ｉ型半導体層１０７、ｐ型半導体層１０８、透明電極１０９、及び集電電極１１０を順に堆積形成した光起電力装置１２０である。なお、本例の光起電力装置では透明電極１０９側より光１３０の入射が行われる。また光入射側ｐｉｎ接合型光起電力セル１１１を第１のセルとし、光入射側でないｐｉｎ接合型光起電力セル１１２を第２のセルとする。」（第３頁第３欄【００１６】〜【００１７】）
「【００２４】また支持体の形状は、目的、用途により平滑表面、或いは凹凸表面の板状、長尺ベルト状、円筒状等であることができ、その厚さは、所望通りの光起電力装置を形成しうる様に適宜決定するが、光起電力装置として可撓性が要求される場合、又は支持体の側より光入射がなされる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くすることができる。…（略）…」（第３頁第４欄【００２４】）
「【００７３】（実施例１）図１（Ａ）に示すｐｉｎ接合型積層光起電力装置を、図２に示す構成の堆積膜形成装置を用いて、前述の本発明実験例１及び実験例２の成膜方法により以下の手順で作製した。
　【００７４】５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさのステンレス製基板１０１を、不図示のスパッタリング装置内に入れ、１０−５Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、Ａｒをスパッタ用ガスとして用い、前記基板１０１上に下部電極１０２となる約１０００ÅのＡｇ薄膜を堆積した。
　【００７５】この基板１０１を取り出し、ロードロック室２１３内にある基板搬送治具２０６上の基板保持用カセット２０２上に下部電極１０２の堆積された面を図中下側に向けて固定し、ロードロック室２１３内の不図示の排気ポンプ２員５により１０−５Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気されている。両室に圧力がほぼ等しくなった時点でゲートバルブ２０７を開け、基板搬送治具２０６を用いて、基板保持用カセット２０２を成膜室２０１内に移動し、再びゲートバルブ２０７を閉じた。
　【００７６】次にヒーター２０５にて基板２０３の表面温度が３５０℃となるように加熱を行なった。基板温度が安定した時点で不図示のボンベに貯蔵されたＳｉ２Ｈ６ガス１０ｓｃｃｍとＨ２ガス４４０ｓｃｃｍを混合しつつ、ガス供給パイプ２０８より成膜室２０１内へ導入した。同時に、不図示のボンベに貯蔵されたＰＨ３（Ｈ２にて１％希釈）を５０ｓｃｃｍの流量でガス供給パイプ２０９より成膜室２０１内へ導入した。次いで排気バルブ２１４の開度を調節し、成膜室２０１の内圧を１．２Ｔｏｒｒに保ちつつ、１３．５６ＭＨｚの高周波電源２１０より１５Ｗの電力を成膜室２０１へ投入した。
　【００７７】以上の操作によりｎ型半導体層としてのａ−Ｓｉ：Ｈ膜１０３が形成された（以上はｎ型半導体層形成方法である表３の成膜条件に順じた。）。」（第８頁第１３欄【００７３】〜【００７７】段落）
　取消理由通知において引用した刊行物５（甲第５号証：特開平４−１９８４８０号公報）には、次の事項が記載されているか、若しくは読みとることができる。
「この発明は機能性堆積膜、殊に半導体デバイス、薄膜半導体素子、画像入力用のラインセンサー、撮像デバイス、電子写真感光体デバイス等の用途に有用な機能性堆積膜、特に光起電力素子などの大面積薄膜半導体デバイスの製造に好適な装置に関する。」（第１頁右下欄第４〜９行）
「第１図に示す機能性堆積膜製造装置を用いて以下に示すアモルファスシリコン膜を成膜した。
　まず基体１０３を十分脱脂、洗浄を行い、その基体の材質はステンレスＳＵＳ４３０ＢＡであり、その大きさは幅１２０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，厚さ０．２５ｍｍであった。これを装置内にセットした後に、真空容器１０１および成膜空間１０４を排気口１１１に接続されているロータリーポンプ＊で減圧し、更にメカニカルブースターポンプ＊で約１０−３Ｔｏｒｒまで真空にする。その後基体表面温度を２８０℃に保持しながら原料ガス加熱ヒーター１０６を２５０℃に保持し、…（中略）…その後ボンベ＊よりシランガスＳｉＨ４、水素ガスＨ２をそれぞれ１５ｓｃｃｍ，１５０ｓｃｃｍをマスフローコントローラー＊を通して導入し、真空計１１０が１．２Ｔｏｒｒになるようにメカニカルブースターボンプ＊の回転数を調整する。１時間原料ガスを導入した後に高周波電源１１２より１３．５６ＭＨｚ，実効パワー１５Ｗを成膜空間１０４に放電し１時間成膜した。」（第４頁右下欄第１６行〜第５頁右上欄第５行）
「高性能な光起電力素子を安価に市場に供給することが可能になった。」（第７頁左下欄第１〜２行）
　取消理由通知において引用した刊行物６（甲第６号証：特公平４−３２５３３号公報）には、次の事項が記載されている。
「本発明は夕ンデム型のバンドギャップを調整された半導体の光感応性の高効率太陽電池の大量生産に最も重要な応用性を有する。」（第３頁第６欄第４１〜４３行）
「本発明の好ましい実施例においては基板上に沈積された第１の層はアモルファスｐ−導電型半導体層であり、基板上に沈積された第２の層は真性半導体層であり、基板上に沈積された第３の層はアモルファスｎ−導電型半導体層である。」（第６頁第１２欄第２１〜２５行）
「最も通常的な場合には基板材料１１はステンレスステイール、アルミニウム、タンタル、モリブデン又はクロームからなる連続ウエプであろう。」（第９頁第１７欄第４２行〜第１８欄第１行）
「次に、Ｆｉｇｌｌには、この発明の沈積装置２６の２８のような１つの沈積チヤンバーの断面を示している。
…（中略）…
沈積チャンバー２８を通る混合反応ガスの経路はＦｉｇｌｌにおいて記号Ａによって示される。混合反応ガスは、（１）供給導管２９ａの長さ方向に沿って間隅をおいた開口を経由して沈積チャンバーに入り、（２）入口反応ガスマニフオールドシステム２９において基本的に層状の流速に減速され、（３）力ソード３８と基板１１との間を通過するときイオン化されたプラズマとなり、（４）力ソード板３８の端部の近傍を流れ、（５）パウダートラップ３７の遮蔽板３７ｄを通り、そして、（６）出口ボード３３を経由して沈積チャンバー２８から出て行くことに注意されたい。」（第３０頁第５９欄第２７行〜第６０欄第９行）
　取消理由通知において引用した刊行物７（甲第７号証：特開平５−７５１５３号公報）には、次の事項が記載されている。
「【０００４】一方、太陽電池においては、変換効率向上の手段として、透明導電膜に凹凸状の組織（テクスチャー）を付けることが行われている。これは凹凸状の組織を付けることにより、光を閉じ込むことができ、変換効率の向上に寄与することによる。」（第２頁【０００４】）
「【００３５】次に、前記透明導電膜１を用いた太陽電池１０について図９を参照して説明する。
　【００３６】１モル％のアルミニウム添加の透明導電膜１としての膜厚１μｍの酸化亜鉛スパッタ膜（ヘーズ率１５％）３上に、ｐ型ａ−ｓｉｃ：Ｈ層（膜厚１００オングスト口一ム）５，ｉ型ａ−ｓｉ：Ｈ層（膜厚５０００オングスト口‐ム）６及びｎ型ａ−ｓｉ：Ｈ層７からなるａ−ｓｉ半導体層８をＣＶＤ法により成膜し、このａ−ｓｉ半導体層８上に金属電極としてＡｌ電極９を形成し太陽電池１０を構成した。」（第３頁【００３５】〜【００３６】）
「【００４２】【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、ヘーズ率を適切にした組織を具備する酸化亜鉛スパッタ膜からなるので、光電変換素子を作製した場合変換効率が良好で、かつ、素子特性の安定した透明導電膜を提供できる。」（第３頁【００４２】）
　取消理由通知において引用した刊行物８（甲第８号証：特開平６−２３２４２９号公報）には、次の事項が記載されている。
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、半導体積層膜及びその形成方法及びその連続形成装置に関し、特に、プラズマＣＶＤ法により、帯状基板上に、太陽電池等の光起電力素子に用いるシリコン系非単結晶半導体の積層膜及びその形成方法及びその連続形成装置に関する。」（第２頁【０００１】）
「【０１０２】図６は本発明の装置における高周波プラズマＣＶＤ法による成膜室の好適な一例を示す模式的断面図である。
　【０１０３】（放電室）図６において帯状基板６０１は、真空容器６０２にガスゲート６０３から入り、図中左方から右方へ移動して、ガスゲート６０４へ出る。
　【０１０４】真空容器６０２の内部には放電室６０５が設けられ、電気的に接地された帯状基板６０１と放電電極６０６との間に不図示の高周波電源から高周波電力を投入することにより、放電室６０５内にプラズマを形成し、帯状基板の下面（表面）にシリコン系非単結晶半導体を形成する。放電室６０５には不図示の原料ガス供給系に接続された原料ガス導入管６０７および不図示の排気装置に接続された排気管６０８が設けられ、帯状基板の移動方向と平行なガスの流れを形成する。」（第１１頁【０１０２】〜【０１０４】）
「【０１５８】帯状基板の表面性としてはいわゆる平滑面であっても、微小の凹凸面であってもよい。微小の凹凸面とする場合、その表面粗さは、形成される半導体層に凹凸に起因する欠陥を生じず、且ついわゆる光の閉じこめ効果によって入射光の光路長の増大をもたらす範囲内であることが好ましい。」（第１５頁【０１５８】）
「【０２６７】（実施例１）装置例１で示した本発明の半導体積層膜の連続形成装置を用い、ｉ型半導体層が非晶質Ｓｉからなる光起電力素子用のｎｉｐ構造のシリコン系非単結晶半導体の積層膜を連続的に形成した。
　【０２６８】まず、ＳＵＳ４３０ＢＡ製の帯状のステンレス板（幅１２ｃｍ×
長さ２００ｍ×厚さ０．１５ｍｍ）の表面にスパッタリング法により５００ｎｍのＡｇ層と約２μｍのＺｎＯ透明導電層とを積層した、微小な凹凸表面を有する帯状基板をボビン１０９に巻き付けた状態で帯状基板の巻き出し室１０１にセットし、該帯状基板を各ガスゲート１０７と成膜室１０２〜１０５とを貫通させ、帯状基板の巻き取り室１０６まで渡し、弛まない程度に張力をかけた。」（第２１頁【０２６７】〜【０２６８】）
「【０２７２】各室の圧力が安定したところで、帯状基板の巻き取り室１０６の巻き取りボビン１１０を回転させ、帯状基板１０８を成膜室１０２から１０５に向かう方向に１００ｃｍ／分の一定速度で連続的に移動させた。また、各成膜室１０２〜１０５内に設けた不図示の温度制御装置により、移動する帯状基板が各趣膜室の成膜空間内で所定の温度になるように温度制御を行なった。
　【０２７３】帯状基板の温度が安定したところで、成膜室１０２、１０４に平行平板電極から１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、成膜室１０３内部に設けた３個の成膜室にそれぞれの成膜室の片側の壁面に設けたマイクロ波導入窓から２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力を、成膜室１０５に平行平板電極から７５ｋＨｚの億周波電力をそれぞれ不図示の電源からマッチング装置を介して投入した。」（第２２頁【０２７２】〜【０２７３】）
「【０２８１】作製した太陽電池モジュールについて、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ２）の疑似太陽光照射下にて特性評価を行なったところ、その光電変換効率の平均値は、ｉ型半導体層をマイクロ波プラズマＣＶＤ法のみで形成し、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層を高周波プラズマＣＶＤ法によって形成するロール・ツー・ロール方式の装置を用いて作製した太陽電池モジュールの光電変換効率の平均値を１．００とした相対値で１．１５と良好な値を示した。また、上記装置を用いて作製した場合に±５％あったモジュール間の光電変換効率のバラツキは実施例１の装置では±２％以内に減少した。」（第２２頁【０２８１】）
　エ．当審の判断
　（１）特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定の違反、若しくは、特許法第２９条の２の規定の違反について
　本件発明１について
　本件発明１の「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
　前記非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを前記凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高いハイドープ領域を選択的に形成する」ことは、刊行物１〜８のいずれにも記載も示唆もされていないし、周知の慣用技術でもない。
　そして、本件発明１は、「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
　前記非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを前記凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高いハイドープ領域を選択的に形成する」ことにより、テクスチャー構造に起因して生じる電位分布の偏りを低減して均一化し、テクスチャー構造の凹部近傍の内部電界が弱められるのを防ぎ、生成キャリアの再結合速度の上昇および内部量子効率の低下を抑えることができるという作用効果を呈するものである。
　したがって、本願発明１は、刊行物１〜６に記載されたに等しい発明であるとすることができないし、刊行物１〜７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることもできないし、そして、刊行物８に記載された発明と同一の発明であるとすることもできない。
　本件発明２について
　本件発明２の「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
　前記非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、
　前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成する」ことは、刊行物２〜８のいずれにも記載も示唆もされていないし、周知の慣用技術でもない。
　そして、本願発明２は、「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
　前記非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、
　前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成する」ことにより、テクスチャー構造に起因して生じる電位分布の偏りを低減して均一化し、テクスチャー構造の凹部近傍の内部電界が弱められるのを防ぎ、生成キャリアの再結合速度の上昇および内部量子効率の低下を抑えることができるという作用効果を呈するものである。
　したがって、本件発明２は、刊行物２〜６に記載されたに等しい発明であるとすることができないし、刊行物２〜７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることもできないし、そして、刊行物８に記載された発明と同一の発明であるとすることもできない。
　（２）特許法第３６条第３項又は第４項の規定違反について
　訂正前の本件発明１及び２の「前記非晶質半導体層の凸部にドーパントの活性化率が高い高活性化領域を形成」は、「前記非晶質半導体層の凸部にドーパントの活性化率が高く導電率の高い高活性化領域を選択的に形成」に訂正され、明りょうとなっている。
　また、訂正前の本件特許明細書段落【００１２】の「このときの凸部２８と凹部２４との間に生じる温度差は、ガス流量によって異なり、ガス流量が１００ｓｃｃｍ程度では２０〜３０℃であるが、ガス流量が多いほど温度差が大きくなり、１ＳＬＭ以上では５０℃以上になる。」は、「このときの凸部２８と凹部２４との間に生じる温度差は、ガス流量によって異なり、ガス流量が多いほど温度差が大きくなる。」に訂正され、明りょうとなっている。
　なお、ｐ層のような薄膜半導体の「形成温度」が、その薄膜半導体を形成する際の下地（基板）の温度であることは、薄膜半導体の技術分野において周知である。
　更にまた、本件特許明細書には本件発明１及び２の「非晶質半導体層からなる起電力装置」に使用する薄膜形成装置の形成条件は具体的には示されていないが、使用する薄膜形成装置により形成温度、形成時間、ガス流量等の最適な形成条件は異なるから、本件特許明細書に記載された本件発明１及び２の「非晶質半導体層からなる起電力装置」を形成するように、使用する薄膜形成装置に応じて、その形成温度、形成時間、ガス流量等の形成条件を最適化することは当業者であれば適宜になし得ることである。
　したがって、本件発明１及び２は特許法第３６条第４項又は第６項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　オ．むすび
　以上のとおり、異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１及び２についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月２日（２００２．９．２）
【訂正の要旨】
訂正事項
▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を、特許請求の範囲の限縮を目的として削除する。これに伴い、もとの請求項２を新たな請求項１に繰り上げ、記載形式を独立形式に訂正すると共に、特許請求の範囲の限縮を目的として、「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、前記非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを前記凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高いハイドープ領域を選択的に形成したことを特徴とする、光起電力装置。」と訂正する。
▲２▼訂正事項ｂ
　上記訂正事項ａに伴いもとの請求項３を新たな請求項２に繰り上げ、記載形式を独立形式に変更すると共に、特許請求の範囲の減縮を目的として、「凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、前記非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成したことを特徴とする、光起電力装置。」と訂正する。
　また、上記訂正事項ａ，ｂに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【０００５】を、「【課題を解決するための手段】この発明は、凹凸基板および凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高いハイドープ領域を選択的に形成したことを特徴とする、或いは、非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、凹凸基板の凹部に相当する非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成したことを特徴とする、光起電力装置である。」と訂正する。
　また、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【０００６】を、「【作用】凹凸基板上の凹部に相当する非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い高活性化領域を選択的に形成する。高活性化領域は、ハイドープ領域または微結晶化領域として形成される。したがって、光起電力装置のバルク内での電位分布の偏りを低減して電位分布を均一化し、凹部近傍における内部電界が弱められるのを防ぐ。その結果、生成キャリアの再結合速度の上昇および内部量子効率の低下を抑える。」と訂正する。
　さらに、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【０００８】を、「【実施例】図１（Ｄ）を参照して、この実施例の光起電力装置１０は、いわゆる順タイプに構成され、ガラス基板などの透光性基板１２を含む。透光性基板１２上には、テクスチャ構造を有するＳｎＯ２などの透明電極１４，ｐ型のａ−ＳｉＣの非晶質半導体層（ｐ層）１６，ノンドープのａ−Ｓｉからなる非晶質半導体層（ｉ層）１８，ｎ型のａ−Ｓｉからなる非晶質半導体層（ｎ層）２０，およびたとえばＡｇまたはＡｌ等の金属からなる裏面電極２２が、順に積層形成される。ここで、透明電極１４の凹部２４に相当するｐ層１６の凸部には、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い高活性化領域２６が選択的に形成される。」と訂正する。
　加えて、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【００１７】を、「表２からわかるように、実施例１によれば、太陽電池特性の曲線因子（Ｆ．Ｆ．）が改善され、変換効率（Ｅｆｆ．）が向上することがわかる。次に、ドーパントの活性化率が高く導電率の高い高活性化領域２６を微結晶化領域として形成する場合、ｐ層１６は、アモルファス半導体層として形成され、その中に微結晶化領域が形成される。その方法としては固相成長法やレーザを利用した方法がある。」と訂正する。
▲３▼訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【００１２】を、「このように形成される光起電力装置１０において、ｐ層１６の高活性化領域２６は以下のように形成される。まず、高活性化領域２６をハイドープ領域として形成する場合について述べる。ｐ層１６は、図２に示すように、原料ガスを透光性基板１２表面に対して平行（矢印Ａに示す）に導入して形成される。ガス口（図示せず）は基板を囲むように周りに配置される。このように原料ガスを透光性基板１２表面に対して平行に導入することによって、透明電極１４の凸部２８は原料ガスに直接さらされるが、凹部２４はさらされない。したがって、透明電極１４の表面で温度分布が生じ、凹部２４は凸部２８に比べて高温になる。このときの凸部２８と凹部２４との間に生じる温度差は、ガス流量によって異なり、ガス流量が多いほど温度差が大きくなる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光起電力装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
　
前記非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを前記凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、
、当該非晶質半導体層の凹部よりも
く導電率の高いハイドープ領域
　【請求項２】
凹凸基板および前記凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
前記非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、
前記凹凸基板の凹部に相当する前記非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成したことを特徴とする、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】この発明は光起電力装置に関し、特にたとえば太陽電池や光センサなどに用いられる光起電力装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】非晶質半導体層を用いた従来の光起電力装置において、変換効率の向上をめざした技術の１つに、表面に微細な凹凸（以下「テクスチャ」という）を持たせた透明電極がその上に形成された基板（以下「テクスチャ基板」という）を用いた光閉じ込め技術がある。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】この従来技術は、短絡光電流の改善に大きな効果があり、太陽電池特性の向上に有効な技術であるが、フラット基板を用いた太陽電池に比べると、内部量子効率が低下することが計算機シミュレーションから明らかになっている。その原因の１つとして、テクスチャ構造に起因して光起電力装置のバルク内に電位分布の偏りが生じるため、テクスチャ基板表面の凹部近傍で内部電界の弱い部分が生じ、その結果として部分的に生成キャリアの再結合速度が大きくなる個所が生じるためであることがシミュレーションの結果から予想されている（１９９１年　第５２回応用物理学会学術講演会予稿集　９ｐ−Ｄ−８）。その結果、変換効率の向上が妨げられていた。
　【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、変換効率を向上できる、光起電力装置を提供することである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】この発明は、凹凸基板および凹凸基板上に形成される非晶質半導体層を含む光起電力装置において、
非晶質半導体層を１５０℃以下の温度で、且つ原料ガスを凹凸基板表面に対して平行に導入して形成することにより、
、当該非晶質半導体層の凹部よりも
く導電率の高いハイドープ領域
を特徴とする、或いは、非晶質半導体層はアモルファス層として形成され、凹凸基板の凹部に相当する非晶質半導体層の凸部に、当該非晶質半導体層の凹部よりもドーパントの活性化率が高く導電率の高い微結晶化領域を選択的に形成したこと
　【０００６】
　【作用】凹凸基板上の凹部に相当する非晶質半導体層の凸部に、
当該非晶質半導体層の凹部よりも
く導電率の高い
選択的に
　【０００７】
　【発明の効果】この発明によれば、生成キャリアの再結合速度の上昇および内部量子効率の低下を抑えることができるので、光起電力装置の変換効率を向上させることができ、高効率の光起電力装置が得られる。この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
　【０００８】
　【実施例】図１（Ｄ）を参照して、この実施例の光起電力装置１０は、いわゆる順タイプに構成され、ガラス基板などの透光性基板１２を含む。透光性基板１２上には、テクスチャ構造を有するＳｎＯ２などの透明電極１４，ｐ型のａ−ＳｉＣの非晶質半導体層（ｐ層）１６，ノンドープのａ−Ｓｉからなる非晶質半導体層（ｉ層）１８，ｎ型のａ−Ｓｉからなる非晶質半導体層（ｎ層）２０，およびたとえばＡｇまたはＡｌ等の金属からなる裏面電極２２が、順に積層形成される。ここで、透明電極１４の凹部２４に相当するｐ層１６の凸部には、
当該非晶質半導体層の凹部よりも
く導電率の高い
選択的に
　【０００９】このような光起電力装置１０は、たとえば以下に示すように形成される。まず、図１（Ａ）に示すように、透光性基板１２上に、たとえば熱ＣＶＤ法などでテクスチャ構造を有する透明電極１４が形成される。テクスチャのヘイズ率は１０％以上であり、テクスチャの底から頂点までの高さＨおよび頂点相互間の距離Ｌはいずれもたとえば５０〜５００ｎｍに形成される。次いで、その状態でチャンバ内に入れられ、図１（Ｂ）に示すように、透明電極１４上にｐ層１６が、たとえばプラズマＣＶＤ法などによって形成される。ｐ層１６は、たとえば５０〜２００Åに形成される。図２（Ｃ）に示すように、ｐ層１６の高活性化領域２６は後述のようにしてハイドープ領域または微結晶化領域として形成されることによって、ドーパントの活性化率が高くなる。そして、図１（Ｄ）に示すように、ｉ層１８，ｎ層２０および裏面電極２２が、それぞれたとえばプラズマＣＶＤ法などによって形成される。ｉ層１８は、たとえば３０００〜７０００Åに形成され、ｎ層は、たとえば５０〜４００Åに形成され、裏面電極２２は、たとえば３０００Å以上に形成される。
　【００１０】なお、表１に、ｐ層１６，ｉ層１８およびｎ層２０の形成条件を示す。
　【００１１】
　【表１】
　【００１２】このように形成される光起電力装置１０において、ｐ層１６の高活性化領域２６は以下のように形成される。まず、高活性化領域２６をハイドープ領域として形成する場合について述べる。ｐ層１６は、図２に示すように、原料ガスを透光性基板１２表面に対して平行（矢印Ａに示す）に導入して形成される。ガス口（図示せず）は基板を囲むように周りに配置される。このように原料ガスを透光性基板１２表面に対して平行に導入することによって、透明電極１４の凸部２８は原料ガスに直接さらされるが、凹部２４はさらされない。したがって、透明電極１４の表面で温度分布が生じ、凹部２４は凸部２８に比べて高温になる。このときの凸部２８と凹部２４との間に生じる温度差は、ガス流量によって異なり
、
る
　【００１３】ここで図３に、ｐ層１６の形成温度とその導電率との関係を示す。ガス流量はトータルで１．５ＳＬＭである。図３からわかるように、ｐ層１６の温度が高いほど導電率は高くなり、これは、高温になるほどドーパントの活性化率が高いことを示している。ただし、ｐ層１６の温度が２５０℃以上になると、導電率の変化は小さくなるので、実際には１５０℃以下の温度でｐ層１６が形成されることが望ましい。
　【００１４】この実施例によれば、透明電極１４のテクスチャ表面に形成されるｐ層１６は、温度の高い凹部２４ほどドーパントの活性化率が高くなり、凹部２４に相当するｐ層１６の凸部にこの実施例の特徴である高活性化領域２６が形成される。このようにハイドープ領域を形成することによって、光起電力装置１０のバルク内での電位分布の偏り（テクスチャ構造に起因して生じる）を低減して電位分布を均一化し、凹部２４近傍における内部電界が弱められるのを防ぐ。その結果、生成キャリアの再結合速度の上昇および内部量子効率の低下を抑えることができる。
　【００１５】図１に示す光起電力装置１０を用いて形成された太陽電池（実施例１）の太陽電池特性を、従来構造の太陽電池（従来例１）のそれと比較したものを表２に示す。
　【００１６】
　【表２】
　【００１７】表２からわかるように、実施例１によれば、太陽電池特性の曲線因子（Ｆ．Ｆ．）が改善され、変換効率（Ｅｆｆ．）が向上することがわかる。次に、ドーパントの活性化率が高
く導電率の高い
　【００１８】まず、固相成長法を利用して微結晶化領域を形成する方法について述べる。アモルファスＳｉの微結晶化に関して、出発材料の歪みエネルギの大きい場所に結晶核が発生しやすいことが固相成長法による薄膜多結晶シリコンの形成実験から知られている（参考文献１：Ｔ．Ｍａｔｓｕｙａｍａ　ｅｔ　ａｌ．“ＨＩＧＨ−ＱＵＡＬＩＴＹ　ＰＯＬＹＣＲＹＳＴＡＬＬＩＮＥ　ＳＩＬＩＣＯＮ　ＴＨＩＮ　ＦＩＬＭＳ　ＰＲＥＰＡＲＥＤ　ＢＹ　ＳＯＬＩＤ　ＰＨＡＳＥ　ＣＲＹＳＴＡＬＬＩＺＡＴＩＯＮ（ＳＰＣ）ＭＥＴＨＯＤ”Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ｔｈｅ　ＭＲＳ　Ｆａｌｌ　Ｍｅｅｔｉｇ，Ｎｏｖ．３０−Ｄｅｃ．４，１９９２，Ｂｏｓｔｏｎ）。この実験事実は、この実施例において透明電極１４の凹部２４に相当するｐ層１６の凸部、すなわち高活性化領域２６を選択的に微結晶化領域として形成するために応用できる。すなわち、高活性化領域２６は歪みエネルギが大きいため、結晶核が優先的に発生し、その部分のドーパントの活性化率を高めることができる。したがって、この実施例ではこの方法を用いることによって、透明電極１４上にｐ層１６がたとえばプラズマＣＶＤ法などを用いて形成された後、その状態の基板が短時間熱処理されて結晶核を発生させ、微結晶化領域を形成している。このとき、ｐ層１６はたとえば１００Åの膜厚に形成され、５００〜６００℃で熱処理される。そして、所望の結晶核が形成されると固相成長（ＳＰＣ）が止められるように処理時間を制御する。たとえば３０分で固相成長を止めれば、凹部２４上で所望の結晶核すなわち微結晶化領域が形成される。
　【００１９】このように微結晶化領域を形成することによって、光起電力装置１０のバルク内での電位分布の偏り（テクスチャ構造に起因して生じる）を低減して電位分布を均一化し、凹部２４近傍における内部電界が弱められるのを防ぐ。その結果、生成キャリアの再結合速度の上昇および内部量子効率の低下を抑えることができる。
　【００２０】このようにして高活性化領域２６を微結晶化して得られた光起電力装置を用いて形成された太陽電池（実施例２）と微結晶化処理していない従来の太陽電池（従来例２）との電流−電圧特性を図５に示す。図５において、ａは実施例２，ｂは従来例２の特性を示す。また、各々の太陽電池特性を表３に示す。
　【００２１】
　【表３】
　【００２２】図５および表３から明らかなように、実施例２の方が曲線因子が高く、また短絡電流が若干向上しており、変換効率が向上していることがわかる。したがって、実施例２によれば、太陽電池特性を向上させることができる。次いで、レーザを利用して微結晶化領域を形成する方法について述べる。まず、図１（Ａ）および（Ｂ）と同様に、透明電極１４上にｐ層１６がたとえばプラズマＣＶＤ法などを用いて形成された後、図４に示すように、透光性基板１２側から矢印Ｂに示すようにレーザ光が入射される。入射されたレーザ光は、透明電極１４とｐ層１６との屈折率の差によって、図４に示すように屈折する。その結果、凹部２４の底近辺にレーザ光のエネルギが集中する部分が生じ、その部分にのみ微結晶化領域を形成することができる。
　【００２３】この場合においても、上述の固相成長法を用いて微結晶化領域を形成する場合と同様の効果が得られる。なお、この発明は、透明電極１４上に、ｎ層２０，ｉ層１８およびｐ層１６の順に各層が積層形成される構造の光起電力装置に対しても用いることができる。この場合、たとえばハイドープ領域を形成するには、ｎ層形成時に原料ガスを透光性基板１２表面に対して平行に導入すればよい。
　【００２４】また、いわゆる逆タイプの光起電力装置の場合にも、その基板にテクスチャ構造のものを用いれば、利用できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】この発明の一実施例の製造工程を示す図解図である。
　【図２】透明電極上にｐ層およびハイドープ領域を形成する方法を示す図解図である。
　【図３】ｐ層の温度と導電率との関係を示すグラフである。
　【図４】レーザを用いて透明電極の凹部上に微結晶化領域を形成する方法を示す図解図である。
　【図５】微結晶化領域を有する光起電力装置を用いて得られた太陽電池および微結晶化処理していない従来の太陽電池のそれぞれの電流−電圧特性を示すグラフである。
　【符号の説明】
　１０　…光起電力装置
　１２　…透光性基板
　１４　…透明電極
　１６　…ｐ層
　１８　…ｉ層
　２０　…ｎ層
　２２　…裏面電極
　２４　…凹部
　２６　…高活性化領域
　２８　…凸部