【事件の表示】
　特許第３３０５８１８号「半導体製造装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３０５８１８号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３３０５８１８号の発明についての出願は、平成５年６月２８日に特許出願され、平成１４年５月１０日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人高橋学より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年３月３０日に訂正請求がなされたものである。
　    
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１中の「炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、」を、「炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置は前記内管よりも下方に設けられ、
（２）訂正事項ｂ  
　請求項２中の「該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、」を、「該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、
前記炉口を閉塞する炉口蓋と、
　又同中の「炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、」を、「炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置はウェーハ最下端より前記炉口蓋に近い位置に設けられ、
（３）訂正事項ｃ
　請求項３中の「前記ウェーハの処理は、」を、「
複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
　又同中の「ウェーハ上にＨＴＯ膜を成膜する処理である請求項１又は請求項２の半導体製造装置。」を、「ウェーハ上にＨＴＯ膜を成膜する処理であ
り、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを特徴とする
（４）訂正事項ｄ
　請求項４中の「前記ウエーハの処理は、」を、「
複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
　又同中の「ウェーハ上にＳｉ3Ｎ4膜を成膜する処理てある請求項１又は請求項２の半導体製造装置。」を、「ウェーハ上にＳｉ3Ｎ4膜を成膜する処理であ
り、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを特徴とする
（５）訂正事項ｅ
　明細書段落【００１０】を、「【課題を解決するための手段】本発明は、複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉ロフランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置は前記内管よりも下方に設けられ、
前記炉口を閉塞する炉口蓋と、
前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置はウェーハ最下端より前記炉口蓋に近い位置に設けられ、
複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
り、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させた
複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
り、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉ロフランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させた
　なお、下線部が訂正個所である。
　　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項ａは、請求項１において、反応炉の構成について、具体的に外管、内管、外管の下端に設けられた炉口フランジとを有することを限定し、ガス導入ノズルについて、炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置は内管よりも下方に設けられることを限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものである。そして、この点は、特許明細書段落【０００３】欄の従来の技術の説明、及び図１、２の記載によって裏付けられている。
　したがって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）上記訂正事項ｂは、請求項２において、半導体製造装置として、炉口を閉塞する炉口蓋を有することを限定し、反応炉の構成について、具体的に外管、内管、外管の下端に設けられた炉口フランジとを有することを限定し、ガス導入ノズルについて、炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置はウェーハ最下端より炉口蓋に近い位置に設けられることを限定するものであって、
　上記訂正事項ｃは、請求項３を請求項１、２の従属項であったものを独立項とし、反応炉の構成について、具体的に外管、内管、外管の下端に設けられた炉口フランジとを有することを限定し、ガス導入ノズルについて、炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に炉口フランジに突出する様取付けられると共に、複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを限定するものであって、
　又上記訂正事項ｄは、請求項４を請求項１、２の従属項であったものを独立項とし、反応炉の構成について、具体的に外管、内管、外管の下端に設けられた炉口フランジとを有することを限定し、ガス導入ノズルについて、炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に炉口フランジに突出する様取付けられると共に、複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを限定するものであって、いずれも特許請求の範囲を減縮するものである。
　そして、これらの点は、特許明細書段落【０００３】欄の従来の技術の説明、及び図１、２の記載によって裏付けられている。
　したがって、訂正事項ｂ〜ｄは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）上記訂正事項ｅは、上記特許請求の範囲の訂正に基づき訂正後の請求項と整合するよう発明の詳細な説明の記載を訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明に該当し、又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
III．特許異議申立てについての判断
１．本件発明
　上記II．で示したとおり上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明４」という）は、上記訂正に係る平成１６年３月３０日付の訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置は前記内管よりも下方に設けられ、前記複数のガス導入ノズルの内少なくとも１つのノズルを屈曲させてノズルの先端を近接させたことを特徴とする半導体製造装置。
　【請求項２】　複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口を閉塞する炉口蓋と、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置はウェーハ最下端より前記炉口蓋に近い位置に設けられ、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを特徴とする半導体製造装置。
　【請求項３】 複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、前記ウェーハの処理は、反応炉内に反応ガスとしてＳｉＨ4又はＳｉ2Ｈ6とＮ2Ｏを導入し、ウェーハ上にＨＴＯ膜を成膜する処理であり、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを特徴とする半導体製造装置。
　【請求項４】　複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、前記ウエーハの処理は、反応炉内に反応ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2とＮＨ3とを導入し、ウェーハ上にＳｉ3Ｎ4膜を成膜する処理であり、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを特徴とする半導体製造装置。」
　　     
２．刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物１（特開平５−５９５５５号公報）、刊行物２（特開平４−３０８０８６公報）及び刊行物６（特開平２−１３８７３３号公報）には、次の事項が記載されている。
（１）刊行物１
（１ａ）「【請求項１】反応室と、前記反応室内に設置され、被処理基板を支持する基板支持台と、前記反応室内に、ガス供給口の近傍で複数の反応性ガスが所定の角度をなして交わり混合されて、前記基板支持台上の被処理基板表面に導かれるように、先端が所定の角度をなして互いに近接せしめられた複数のガス導入管とを具備し、減圧下で前記反応性ガスを混合せしめ、前記被処理基板表面に薄膜形成あるいはエッチングを行う表面処理装置。」
（１ｂ）従来の技術に関し、「【０００４】しかしながら近年、半導体基板の大口径化に伴い、図３に示すように、反応容器内へのガス導入口１，２と試料基板との距離も小さくなる一方である。このため、ガス導入口付近の試料基板３上ではガスの混合比が均一にならず、その結果、試料基板面内での膜厚の均一性が、上部すなわちガス導入口から離れた位置にある試料基板に比べて低下するという問題があった。
　【０００５】【発明が解決しようとする課題】このように従来の減圧ＣＶＤ装置においては、ガス導入口付近ではガスの混合比が均一にならず、その結果、試料基板面内での膜厚の均一性が、悪いという問題があった。
　【０００６】なお、このような均一性低下の問題は、薄膜形成のみならず、２種類以上の反応性ガスを用いて行うエッチング等においても同様であった。」
（１ｃ）「【０００９】【作用】上記構成によれば、複数のガス導入管が先端近傍で、互いに所定の角度を成して交わるように近接せしめられているため、反応室へのガス供給口の近傍で複数の反応性ガスが所定の角度をなして噴出せしめられて交わり良好に混合されて、被処理基板表面に導かれ、ガス供給口近傍の基板表面でも均一な薄膜形成あるいはエッチングを行うことが可能となる。」
（１ｄ）実施例として、「【００１１】図１は、本発明実施例の減圧ＣＶＤ装置の概略構成図である。
　【００１２】この減圧ＣＶＤ装置は、反応容器１０内に配設された基板支持台１４に、互いに所定の間隔を隔てて平行にシリコン基板１３が配列され、これらのシリコン基板１３に向けてＳｉＨ2Ｃｌ2を供給する第１の導入管１１とＮＨ3を導入する第２の導入管１２とがその先端で直交するように設置されていることを特徴とするものである。
　【００１３】他の部分については従来の装置と同様に形成されている。
　【００１４】すなわち、この装置は、１Torr反応容器１０内に、被処理基板１３を載置するとともに基板を所定の温度に維持するヒータを兼ねた基板支持台１４を配設し、第１の導入管１１と第２の導入管１２との先端近傍で、ガスの噴射方向を交差させ良好に混合させて、基板支持台１４表面に載置された被処理基板１３上に導き、シリコン薄膜を形成するようにしたものである。ここでは、基板温度は８００℃程度に維持するとともに、第１および第２のガス供給管からＳｉＨ2 Ｃｌ2 およびＮＨ3 がそれぞれ１：１０の割合で供給されるとともにガス排出口（図示せず）から排出され反応容器１０内が１Torr程度の減圧状態を維持するようになっている。
　【００１５】この減圧ＣＶＤ装置によれば、第１の導入管１１と第２の導入管１２との先端近傍で、ガスの噴射方向を交差させガスを良好に混合させて、被処理基板１３上に導くことができるため、均一で信頼性の高い薄膜形成を行う事が可能となる。なお、前記実施例では、第１および第２のガス供給管を直交させるようにしたが、図２(a) および(b) に示すように、互いに鋭角または鈍角を成して交わるようにしても良い。ガス供給口と被処理基板との間が比較的長い場合には、図２(a) に示すようにを互いに鋭角をなすように設置するのがよい。一方ガス供給口と被処理基板との間が比較的短い場合には、図２(b) に示すように互いに鈍角をなして交わるように設置するのがよい。
　【００１６】さらにまた、図２(c) および(d) に示すように、３本以上のガス供給管を用いる場合にも適用可能である。」が記載されるとともに、図１には、反応容器１０内に配設された基板支持台１４に、互いに所定の間隔を隔てて平行にシリコン基板１３が複数枚多段に配列され、第１のガス導入管１１と第２のガス導入管１２とが反応容器内の基板支持台１４の下方に設けられていることが示されている。
　
（２）刊行物２
（２ａ）「【請求項１】フランジ部に支持された縦型炉芯管を持ち、炉芯管内にボートにより支持されたウエハースを入れ、減圧に保ちながら炉芯管内に前記フランジ部の内側面に設けた材料ガス導入部から材料ガスを導入してヒーター加熱し、気相成長を行うＬＰＣＶＤ装置において、材料ガスの導入部をフランジ部内側面の円周方向に沿って均等に１種類の材料ガス当り複数個設けたことを特徴とするＬＰＣＶＤ装置。」
（２ｂ）「【０００２】【従来の技術】従来のＬＰＣＶＤ装置は、縦型もしくは横型のいずれにおいても、１種類の材料ガス当り１個の材料ガス導入部を有しており、例えば窒化膜成長の場合、材料ガスはジクロールシランガスとアンモニアガスの２種類を、それぞれ別々の材料ガス導入部から炉内に流し、その２種類のガスがヒーターの熱エネルギーによりウエハース上で化学変化を起こし、窒化膜成長が行われていた。材料ガスは、炉芯管を固定するフランジ部にそれぞれ設けられた材料ガス導入部から炉芯管内に導かれていたが、一般にフランジに設けられる材料ガス導入部は、複数のガスを流し炉芯管内でミキシングする場合、フランジの対向する側に各々１個ずつ設置され、そこから炉芯管内のボートに支持されたウエハースに至るまでの間に複数のガスはミキシングされる構造になっていた。」
（２ｃ）「【０００３】【発明が解決しようとする課題】この従来のＬＰＣＶＤ装置の材料ガス導入方式では、１種類の材料ガス当り１個の導入部を有しており、それらはフランジの対向する内側面に各々設置されていた。しかし、窒化膜成長の場合を例にとれば、ジクロールシランガスとアンモニアガスの導入部を対向する内側面に設置すると、２個の導入部の距離が離れるため、炉内の縦方向に複数枚を平行にして入れたウエハースのうちの導入部に最も近い側のウエハースでは、材料ガスがまだ十分にミキシングされておらず、面内の膜厚均一性が悪いという問題があった。又、単に２個の導入部を近ずけた場合では、ガスは十分にミキシングされるものの、導入部が炉芯管の円周方向の一部に片寄るために、その片寄った側寄りのウエハースの面内で膜厚が厚くなってしまうという問題があった。」
（２ｄ）「【０００６】【実施例】・・。図１は本発明の実施例１の概略図で、同図（ａ）は縦断面図、同図（ｂ）はそのフランジ部を示すＡ−Ａ矢視図である。図（ａ）全体はＬＰＣＶＤ装置を表わし、縦方向にヒーター１が巻かれ、その内側にアウター側炉芯管２が入れられ、フランジ３の上面にアウター側炉芯管２の下部が固定されている。又、フランジ３の中程にはインナー側炉芯管４も固定され、さらにインナー側炉芯管４の内側には、ボート５によって固定されたウエハース６が入る。ボート５は、ガスのミキシング及び昇温のための助走部である保温筒７の上に乗せられ、保温筒７の下側にハッチ８がある。ハッチ８はフランジ３と密着できるように上下に動作可能で、ウエハース６をインナー側炉芯管４内に入れた後、ハッチ８と密着する。
　【０００７】フランジ３には真空引き用のポート９が設けられており、アウター側炉芯管２の中を真空に引く。フランジ３の下部には、１組の材料ガス導入部１０が設けられ、ここからインナー側炉芯管４内に材料ガスを導入する。窒化膜成長を例にとれば、ジクロールシランガスの導入部１０Ａとアンモニアガスの導入部１０Ｂを１組として３組設けてある。フランジ３内に入った材料ガスは、それぞれフランジ３内を一周する孔に沿って流れ、フランジ３内面の３組のガス導入部からインナー側炉芯管４内に導入される。このようにして、インナー側炉芯管４内に導入された材料ガスは、ミキシング及び昇温のための助走部である保温筒７を通り、ボート５上のウエハース６に到達し、ウエハース６上で窒化膜が成長する。余ったガスは、インナー側炉芯管４の上部からアウター側炉芯管２の内壁面に回り込んで、フランジ３の真空引き用ポート９から排出される。」が記載されるとともに、図１（ａ）には、材料ガス導入部１０が左側外部からフランジ３の下部を貫通して水平状態でインナー側炉心管４と保温筒７との空間部にまで設けられていることが示されている。
　
（３）刊行物６
（３ａ）第１図を参照した実施例の説明には、「第１図は、本発明の一実施例の縦型熱処理装置の構成を示す説明図である。この縦型熱処理装置は、半導体ウエハをバッチ処理する縦型CVD装置を構成している。図中１は、縦型炉を構成する二重構造の反応管である。反応管１は、その長手方向を垂直にして設置されている。反応管１は、外管1aと、この外管1aと非接触状態の内管1bとで構成されている。」（３頁右上欄１８行〜左下欄５行）
（３ｂ）「反応管１の下端部は、蓋体10によって開閉自在になっている。また、反応管１の下端部には、排気管９が接続されている。・・・。蓋体10には、内管1bの内部に、所定の処理ガスを供給するためのガス供給管８が１本又は複数本取り付けられている。・・・。ガス供給管８から反応管１内に定められたプログラムにより所定の処理ガスが供給される。供給された処理ガスは、内管1bの下部から上部へと流れ、上部で内管1bと外管1a間を流下し、排気管９から外部に放出される。このような処理ガスの連続した流下状態の中で、半導体ウエハ３に所定の熱処理が施されるようになっている。・・・。保温筒11上には、被処理体例えば半導体ウエハ３を搭載したボート４が設置されるようになっている。このボート４上には、通常100〜150枚の半導体ウエハ３が垂直方向に所定間隔を設けて搭載されるようになっている。」（３頁左下欄１７行〜右下欄末行）
（３ｃ）「蓋体10は、反応管１とほぼ平行に立設された搬送機構５に取り付けられている。すなわち、蓋体10は、搬送機構５を構成するボールネジ5aに沿って昇降し、反応管１の直下のローディング領域６からボート４を反応管１内壁に非接触で搬出入するようになっている。」（４頁左上欄６〜１１行）が記載されている。
　
３．対比・判断
（3-1）本件発明１について
　刊行物１には、上記摘記事項（１ｂ）によれば、発明が解決しようとする課題として、従来の減圧ＣＶＤ装置においては、ガス導入口付近ではガスの混合比が均一にならず、その結果、試料基板面内での膜厚の均一性が、悪いという問題があった（【０００５】）のを解決するために、反応室と、前記反応室内に設置され、被処理基板を支持する基板支持台と、前記反応室内に、ガス供給口の近傍で複数の反応性ガスが所定の角度をなして交わり混合されて、前記基板支持台上の被処理基板表面に導かれるように、先端が所定の角度をなして互いに近接せしめられた複数のガス導入管とを具備し、減圧下で前記反応性ガスを混合せしめ、前記被処理基板表面に薄膜形成あるいはエッチングを行う表面処理装置（上記摘記事項（１ａ））としたもので、図１には、反応容器１０内に配設された基板支持台１４に、互いに所定の間隔を隔てて平行にシリコン基板１３が複数枚多段に配列さていること、及び第１のガス導入管１１と第２のガス導入管１２とが反応容器内の基板支持台１４の下方に設けられていることが示されており（上記摘記事項（１ｄ））、第１のガスと第２のガスを反応容器の下方から導入し、反応容器内を上昇させる様に流しているものである。
　そうすると、刊行物１には、「反応室と、前記反応室内に設置され、被処理基板を互いに所定の間隔を隔てて平行に複数枚多段に配列支持する基板支持台と、前記反応室内に、ガス供給口の近傍で複数の反応性ガスが所定の角度をなして交わり混合されて、前記基板支持台上の被処理基板表面に導かれるように、先端が所定の角度をなして互いに近接せしめられた複数のガス導入管とを具備し、複数のガスを複数のガス導入管から反応容器内に下方から導入し、反応容器内を上昇する様に流し、減圧下で前記反応性ガスを混合せしめ、前記被処理基板表面に薄膜形成あるいはエッチングを行う表面処理装置」（以下、「引用発明１」という）が記載されていることになる。
　そこで、本件発明１と上記引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「反応室」、「基板支持台」、「複数のガス導入管」は、順に本件発明１の「反応炉」、「ボート」、「複数のガス導入ノズル」に相当しているから、両者は共に、導入された複数の反応ガスの混合状態を改善し、炉口部近傍のウェーハの膜厚均一性を向上しようとする課題を有するものであって、「複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、前記複数のガス導入ノズルの内少なくとも１つのノズルを屈曲させてノズルの先端を近接させた半導体製造装置」で一致するものの、次の点で相違している。
（相違点１）本件発明１がボートを反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータを備えているのに対して、引用発明１ではこの点が記載されていない点。
（相違点２）本件発明１では反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを備えているのに対して、引用発明１ではこの点が記載されていない点。
（相違点３）ガス導入ノズルが、本件発明１では炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置は前記内管よりも下方に設けられているのに対して、引用発明１では反応室の下方に設けられている点。
　
　そこで、上記相違点１〜３について検討する。
（相違点１）引用発明１には、具体的にボートを反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータが記載されていないが、複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートを備える縦型反応炉において、ボートを反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータを有することは周知のことであるから（必要ならば、刊行物６の「搬送機構」参照）、引用発明１において当該ボートエレベータを備えるようにすることは当業者ならば適宜なし得ることである。
（相違点２）引用発明１には、具体的に反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを備えることが記載されていないが、反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有することは、例えば刊行物２に、ＬＰＣＶＤ装置がアウター側炉芯管２、インナー側炉芯管４、フランジ３を備えること（上記摘記事項（２ｄ））が記載されているように周知のことであるから、引用発明１において当該反応炉の構成を備えるようにすることは当業者ならば適宜なし得ることである。
（相違点３）引用発明１にはガス導入ノズルの取付が反応室の下方に設けられている以外は具体的に記載されていない。
　しかし、刊行物２には上記摘記事項（２ｄ）によれば、図１に材料ガス導入部１０が左側外部からフランジ３の下部を貫通して水平状態でインナー側炉心管４と保温筒７との空間部にまで設けられていることが示されており、この材料ガス導入部は、当然にフランジ部の中程に固定されるインナー側炉心管よりも下方に設けられていることになる。又ガス導入ノズルを炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に炉口フランジに突出する様取付けることも周知技術である（必要ならば、特開平５−２１５８１号公報の図７従来の技術でのガス導入管１２、特開平４−１８７２７号公報の第１図でのガス導入管８、９、実開平３−５０３３１号公報の第１図での原料ガス供給管１６ａ、１６ｂ参照）。
　そうすると、引用発明１での反応室の下方に設けられているガス導入ノズルを、炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置は前記内管よりも下方に設けるようにすることは設計的事項であって当業者ならば適宜なし得ることである。
　なお、これら相違点１〜３は、本件特許明細書の段落【０００２】〜【０００６】において記載されている従来の半導体製造装置の構造に相当しているものにすぎない。
　そして、本件発明１による効果も上記刊行物１、２、６及び周知技術から予測し得る程度のもので格別なものとは認められない。
　よって、本件発明１は、上記刊行物１、２、６に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（3-2）本件発明２について
　上記（3-1）で述べたとおり引用発明１には、「前記反応室内に、ガス供給口の近傍で複数の反応性ガスが所定の角度をなして交わり混合されて、前記基板支持台上の被処理基板表面に導かれるように、先端が所定の角度をなして互いに近接せしめられた複数のガス導入管とを具備する表面処理装置」が記載され、この「先端が所定の角度をなして互いに近接せしめられた複数のガス導入管」とを具備することは、上記摘記事項（１ｄ）によれば、「第１および第２のガス供給管を直交させるようにしたが、図２(a) および(b) に示すように、互いに鋭角または鈍角を成して交わるようにしても良い。・・図２(a) に示すようにを互いに鋭角をなすように設置するのがよい。・・図２(b) に示すように互いに鈍角をなして交わるように設置する」（段落【００１５】）と記載されている如く先端でノズルの向きを交差させたことにもなっている。
　そうすると、本件発明２と引用発明１とを対比すると、両者は、「複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させた半導体製造装置」で一致するものの、次の点で相違している。
（相違点４）本件発明１がボートを反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、炉口を閉塞する炉口蓋を備えているのに対して、引用発明１ではこの点が記載されていない点。
（相違点５）本件発明１では反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを備えているのに対して、引用発明１ではこの点が記載されていない点。
（相違点６）ガス導入ノズルが、本件発明１では炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置はウェーハ最下端より前記炉口蓋に近い位置に設けられているのに対して、引用発明１では反応室の下方に設けられている点。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、相違点５は上記相違点２と同じでありその検討は上記で述べたとおりであるから、次に相違点４、６について検討する。
（相違点４）引用発明１には、具体的にボートを反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、炉口を閉塞する炉口蓋が記載されていないが、複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートを備える縦型反応炉において、ボートを反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータを有することは（必要ならば、刊行物６の「搬送機構」参照）、炉口を閉塞する炉口蓋を有すること（必要ならば、刊行物２の「ハッチ８」、刊行物６の「蓋体10」参照）は周知のことであるから、引用発明１において当該ボートエレベータ、蓋体を備えるようにすることは当業者ならば適宜なし得ることである。
（相違点６）引用発明１にはガス導入ノズルの取付が反応室の下方に設けられている以外は具体的に記載されていない。
　しかし、刊行物２には上記摘記事項（２ｄ）によれば、図１に材料ガス導入部１０が左側外部からフランジ３の下部を貫通して水平状態でインナー側炉心管４と保温筒７との空間部にまで設けられていることが示されており、この材料ガス導入部は、当然にウェーハ最下端より炉口蓋に近い位置に設けられていることになる。又ガス導入ノズルを炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に炉口フランジに突出する様取付けることも上記相違点３で示したとおり周知技術である。
　そうすると、引用発明１での反応室の下方に設けられているガス導入ノズルを、炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置はウェーハ最下端より炉口蓋に近い位置に設けるようにすることは設計的事項であって当業者ならば適宜なし得ることである。
　そして、本件発明２による効果も上記刊行物１、２、６及び周知技術から予測し得る程度のもので格別なものとは認められない。
　よって、本件発明２は、上記刊行物１、２、６に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（3-3）本件発明３について
　上記（3-1）（3-2）で述べた引用発明１における被処理基板表面に薄膜形成あるいはエッチングを行う表面処理とは、上記摘記事項（１ｄ）によれば、シリコン基板１３に向けて第１の導入管１１からＳｉＨ2Ｃｌ2を第２の導入管１２からＮＨ3を導入するものであるから（【００１２】）、ウエーハ上にＳｉ3Ｎ４膜を形成するものと認められ、本件発明３と上記引用発明１とを対比すると、両者は、「複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、前記ウエーハの処理は、反応炉内に反応ガスを導入し、ウエーハ上に成膜する処理であり、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させた半導体製造装置」で一致するものの、次の点で相違している。
（相違点７）本件発明３がボートを反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータを備えているのに対して、引用発明１ではこの点が記載されていない点。
（相違点８）ウエーハの処理が、本件発明３では反応ガスとしてＳｉＨ4又はＳｉ2Ｈ6とＮ2Ｏを導入し、ウェーハ上にＨＴＯ膜を成膜する処理であるのに対して、引用発明１では反応ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2とＮＨ3を導入し、ウェーハ上にＳｉ3Ｎ４膜を形成する処理である点。
（相違点９）本件発明３では反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを備えているのに対して、引用発明１ではこの点が記載されていない点。
（相違点10）ガス導入ノズルが、本件発明３では炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられるのに対して、引用発明１では反応室の下方に設けられている点。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、相違点７は上記相違点１と、相違点９は上記相違点２、５と、相違点10は実質的に相違点３の一部と同じであってその検討は上記で述べたとおりであるから、次に相違点８について検討する。
（相違点８）半導体製造装置として、ウェーハ上にＨＴＯ膜を成膜するのに反応ガスとしてＳｉＨ4又はＳｉ2Ｈ6とＮ2Ｏを用いることは周知のことであるから、引用発明１での反応ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2とＮＨ3を導入し、ウェーハ上にＳｉ3Ｎ４膜を形成する処理にかえて、反応ガスとしてＳｉＨ4又はＳｉ2Ｈ6とＮ2Ｏを導入し、ウェーハ上にＨＴＯ膜を成膜することは当業者ならば適宜なし得ることである。
　なお、上記相違点８は、本件特許明細書の段落【０００７】において記載されている従来の成膜処理における反応ガス、生成膜にすぎない。
　そして、本件発明３による効果も上記刊行物１、２、６及び周知技術から予測し得る程度のもので格別なものとは認められない。
　よって、本件発明３は、上記刊行物１、２、６に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（3-4）本件発明４について
　本件発明４と本件発明３は、ウエーハの処理が、本件発明３では反応ガスとしてＳｉＨ4又はＳｉ2Ｈ6とＮ2Ｏを導入し、ウェーハ上にＨＴＯ膜を成膜する処理であるのに対して、本件発明４では反応ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2とＮＨ3を導入し、ウェーハ上にＳｉ3Ｎ４膜を形成する処理である点で異なっている。
　そうすると、本件発明４と引用発明１とを対比すると、上記の点は相違点にはならず、両者の相違点は、上記（3-3）で示した相違点７、９、10と同じになり、その検討は上記で述べたとおりである。
　そして、本件発明４による効果も上記刊行物１、２、６及び周知技術から予測し得る程度のもので格別なものとは認められない。
　よって、本件発明４は、上記刊行物１、２、６に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
VI．むすび
 以上のとおりであるから、本件の請求項１〜４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件の請求項１〜４に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月１６日（２００４．９．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置は前記内管よりも下方に設けられ、
　【請求項２】　複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、
前記炉口を閉塞する炉口蓋と、
前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置はウェーハ最下端より前記炉口蓋に近い位置に設けられ、
　【請求項３】　
複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
り、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを特徴とする
　【請求項４】　
複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
り、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させたことを特徴とする
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体製造装置、特に反応炉の反応ガス導入ノズルの改良に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図２、図３に於いて、従来の半導体製造装置の反応炉について説明する。
　【０００３】
　半導体製造装置の反応炉は外管１、該外管１内に同心に挿入された内管２、前記外管１の下端に設けられた炉口フランジ３、及び前記外管１を囲繞して設けられたヒータ（図示せず）から構成され、前記内管２内にはボート４がボートエレベータ（図示せず）により装入される。該ボート４にはウェーハ５が水平姿勢で多段に装入され、該ボート４はボートキャップ６を介して炉口蓋７に乗載され、該炉口蓋７は前記図示しないボートエレベータに設けられ昇降可能であり、上昇時には前記炉口フランジ３に密着し、炉口を閉塞する。
　【０００４】
　前記炉口フランジ３には前記内管２内部に開口する第１ガス導入ノズル８、第２ガス導入ノズル９が設けられ、又前記外管１と内管２が成す円筒状の空間１１には排気口１０が設けられている。
　【０００５】
　前記第１ガス導入ノズル８、第２ガス導入ノズル９は図３に見られる様に、直管であり、内管２に対して放射状に設けられている。
　【０００６】
　ウェーハ５の成膜処理は図示しないヒータにより炉内を加熱した状態で、ウェーハ５を装填したボート４をボートエレベータにより炉内に装入し、前記炉口蓋７により炉口を閉塞して前記排気口１０より排気する。真空排気後、前記第１ガス導入ノズル８、前記第２ガス導入ノズル９より第１反応ガス、第２反応ガスがそれぞれ導入され、導入後ボート下部に於いて混合して上昇し、混合した反応ガスが加熱され、ウェーハ５に接触することでウェーハ表面に蒸着し、薄膜を生成する。更に、反応後のガスは前記内管２の上端より前記円筒状の空間１１に回込み、下降後前記排気口１０から排気される。
　【０００７】
　前記ボートエレベータ５の成膜処理に於いて、ＨＴＯ膜（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　Ｆｉｌｍ）を成膜する場合は、第１、第２反応ガスとしてＳｉＨ４又はＳｉ２Ｈ６とＮ２Ｏを導入し、Ｓｉ３Ｎ４膜を成膜する場合は、第１、第２反応ガスとしてＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３を導入し、Ｐ−Ｄｏｐｅｄ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉ膜を生成する場合は、第１、第２反応ガスとしてＳｉＨ４とＰＨ３を導入する。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記従来例に於いては、第１反応ガス、第２反応ガスが導入された近傍では混合状態が充分でなく、ボート４上のウェーハ５に関して炉口部に近い位置にあるウェーハ程ウェーハ内での膜厚均一性が悪いという問題があった。
　【０００９】
　本発明は斯かる実情に鑑み、導入された複数の反応ガスの混合状態を改善し、炉口部近傍のウェーハの膜厚均一性を向上しようとするものである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置は前記内管よりも下方に設けられ、
前記炉口を閉塞する炉口蓋と、
前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、取付け位置はウェーハ最下端より前記炉口蓋に近い位置に設けられ、
複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
り、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させた
複数枚のウェーハを処理する反応炉と、該反応炉内で複数枚のウェーハを水平姿勢で多段に支持するボートと、該ボートを前記反応炉下端の炉口より反応炉内に装入するボートエレベータと、前記炉口付近より前記反応炉内に複数の反応ガスを導入する複数のガス導入ノズルとを有し、前記複数の反応ガスを前記炉口付近から炉内に導入し、炉内を上昇させる様に流す半導体製造装置に於いて、
り、前記反応炉は外管と、該外管内に設けられた内管と、前記外管の下端に設けられた炉口フランジとを有し、前記ガス導入ノズルは前記炉口フランジ内壁からノズル先端迄が水平となる様に前記炉口フランジに突出する様取付けられると共に、前記複数のガス導入ノズルの先端でノズルの向きを交差させた
　【００１１】
　【作用】
　ガス導入ノズルの先端が近接してあるので、導入されたガスは直ちに混合し、ウェーハには均質な混合ガスが供給される。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
　【００１３】
　図１は本実施例の要部を示すものであり、図中、図３と同一のものには同符号を付してある。
　【００１４】
　炉口フランジ３に内管２内部に開口する第１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３を設ける。前記第１ガス導入ノズル１２の先端部をＬ字状に屈曲させ、該第１ガス導入ノズル１２の先端を第２ガス導入ノズル１３先端に近接させる。
　【００１５】
　而して、第１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３から導入された第１、第２反応ガスは導入直後に混合し、内管２に供給される。又、導入後早期に混合することで均質な混合ガスが得られる。
　【００１６】
　単一ウェーハ内に於ける本実施例と従来例との膜厚の均一性の比較を表１に示す。
　【００１７】
　【表１】
　表１中、測定したウェーハはボートに装入されたものの内、最も均一性の悪かったものである。
　【００１８】
　尚、第１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３は先端の開口位置が近接しておればよく、第１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３がそれぞれＬ字状をしていても、或は第１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３を共に直管とし一方の管を他方の管に対して傾斜させ、先端の開口位置を近接させてもよい等、種々変更が可能であることは言う迄もない。又、本発明は縦型炉の他、横型炉にも実施可能であることも勿論である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例の要部を示すＡ−Ａ矢視図相当図である。
　【図２】
　縦型反応炉を示す断面概略図である。
　【図３】
　従来例の要部を示すＡ−Ａ矢視図である。
　【符号の説明】
　１　　　外管
　２　　　内管
　３　　　炉口フランジ
　４　　　ボート
　１０　　排気口
　１１　　円筒状の空間
　１２　　第１ガス導入管
　１３　　第２ガス導入管