【事件の表示】
　特願２００９−２３３２４０「半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月２１日出願公開，特開２０１１−　８２３３１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２１年１０月７日の出願であって，平成２４年１０月２９日に手続補正がされ，平成２５年１月９日付けで拒絶理由が通知され，同年２月２８日に手続補正がされるとともに意見書が提出され，同年５月２０日付けで，同年２月２８日にされた手続補正が却下されるとともに拒絶査定がされ，これに対して同年７月４日に審判請求がされるとともに手続補正がされたものである。
　その後，平成２５年９月９日付けで審尋がされ，同年１０月１１日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年７月４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲及び明細書を補正するものである。平成２５年２月２８日にされた手続補正は却下されているので，本件補正の前後で特許請求の範囲は以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
　少なくとも，ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層を含んで構成され，上記第二層は，上記第一層，及び上記第三層の間に配置されていて，これにより形成される分極接合を有し，
上記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあり，
上記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあり，
上記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあり，
上記第二層における膜厚Ｔ，及びＡｌ組成ｘは，膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図において，膜厚３０９.９ｎｍでＡｌ組成０.０８の第一の頂点から膜厚１８ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第二の頂点に向かって少なくとも膜厚１４９.９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点，膜厚９１.９ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，膜厚６１.９ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４４.９ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３.９ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２６.９ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，及び膜厚２１.９ｎｍでＡｌ組成０.３６の点を通って非直線的に減衰する第一の線分と，前記第二の頂点と膜厚１４.９ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第三の頂点とを結ぶ第二の線分と，前記第三の頂点から膜厚９２ｎｍでＡｌ組成０.０８の第四の頂点に向かって少なくとも膜厚１７ｎｍでＡｌ組成０.３６の点，膜厚２０ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，膜厚２３ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２７ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４３ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，及び膜厚５９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点を通って非直線的に増加する第三の線分と，前記第四の頂点と前記第一の頂点とを結ぶ第４の線分とにより囲まれる範囲内にあり，前記第一層，第二層，及び第三層は，意図的な不純物のドーピングを行わずに形成されていることを特徴とする半導体素子。
　【請求項２】
　前記第二層と前記第三層とのヘテロ接合界面に平行な前記第三層の表面に，アクセブタ不純物をドーピングしてなるコンタクト層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
　【請求項３】
　少なくとも，前記第一層及び前記第二層の間，又は，前記第二層及び前記第三層の間に，任意の組成をもつＡｌＮ，ＩｎＮ，ＡｌＧａＮ，及びＩｎＧａＮなどの窒化物半導体からなるスペーサ層が設けられており，かつ，上記スペーサ層の膜厚は２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体素子。
　【請求項４】
　前記コンタクト層の表面に正孔に対してオーミック特性を有する補助電極が形成され，前記第二層の表面に電子に対してオーミック特性を有する電極が形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体素子。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　基板上にＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層の順で積層された三層構造であり，上記第二層は，上記第一層，及び上記第三層の間に配置されていて，これにより形成される分極接合を有し，
　前記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあり，
　前記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあり，
　前記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあり，
　前記第一層は膜厚が２００ｎｍ〜６μｍであり，
　前記第二層における膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘは，
　前記膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図において，膜厚３０９.９ｎｍでＡｌ組成０.０８の第一の頂点と膜厚１８ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第二の頂点とを結ぶ第一の線分と，前記第二の頂点と膜厚１５.１ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第三の頂点とを直線的に結ぶ第二の線分と，前記第三の頂点と膜厚９２ｎｍでＡｌ組成０.０８の第四の頂点とを結ぶ第三の線分と，前記第四の頂点と前記第一の頂点とを直線的に結ぶ第４の線分とにより囲まれる範囲内にあり，
　前記第一の線分は，前記第一の頂点と前記第二の頂点との間で，膜厚１４９.９ｎｍでＡｌ組成０.１２の第一の点と，膜厚９１.９ｎｍでＡｌ組成０.１６の第二の点と，膜厚６１.９ｎｍでＡｌ組成０.２０の第三の点と，膜厚４４.９ｎｍでＡｌ組成０.２４の第四の点と，膜厚３３.９ｎｍでＡｌ組成０.２８の第五の点と，膜厚２６.９ｎｍでＡｌ組成０.３２の第六の点と，膜厚２１.９ｎｍでＡｌ組成０.３６の第七の点とのうち，前記第一の頂点と前記第一の点とを直線的に結び，前記第一の点から前記第七の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記第七の点と前記第二の頂点とを直線的に結ぶ線分であり，
　前記第三の線分は，前記第三の頂点と前記第四の頂点との間で，膜厚１７.１ｎｍでＡｌ組成０.３５９の第八の点と，膜厚２０.１ｎｍでＡｌ組成０.３１９の第九の点と，膜厚２３.１ｎｍでＡｌ組成０.２７９の第十の点と，膜厚２７.１ｎｍでＡｌ組成０.２３９の第十一の点と，膜厚３３.１ｎｍでＡｌ組成０.１９９の第十二の点と，膜厚４３.１ｎｍでＡｌ組成０.１５９の第十三の点と，膜厚５９.１ｎｍでＡｌ組成０.１１９の第十四の点とのうち，前記第三の頂点と前記第八の点とを直線的に結び，前記第八の点から前記第十四の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記十四の点と前記第四の頂点とを直線的に結ぶ線分であり，
　前記第一層，第二層，及び第三層は，意図的な不純物のドーピングを行わずに形成されるとともに，前記第二層と前記第三層とのヘテロ接合界面に平行な前記第三層の表面に，アクセプタ不純物をドーピングしてなるコンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体素子。
　【請求項２】
　少なくとも，前記第一層及び前記第二層の間，又は，前記第二層及び前記第三層の間に，任意の組成をもつＡｌＮ，ＩｎＮ，ＡｌＧａＮ，及びＩｎＧａＮなどの窒化物半導体からなるスペーサ層が設けられており，かつ，上記スペーサ層の膜厚は２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
　【請求項３】
　前記コンタクト層の表面に正孔に対してオーミック特性を有する補助電極が形成され，前記第二層の表面に電子に対してオーミック特性を有する電極が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりとなる。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「少なくとも，ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層を含んで構成され」を，補正後の請求項１の「基板上にＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層の順で積層された三層構造であり」とすること。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項１の「上記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあり，上記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあり，上記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあり，」を，補正後の請求項１の「　前記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあり，　前記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあり，　前記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあり，」とすること。
〈補正事項３〉
　補正後の請求項１に，補正前の請求項１には無かった「前記第一層は膜厚が２００ｎｍ〜６μｍであり，」との文言を追加する。
〈補正事項４〉
　補正前の請求項１の「上記第二層における膜厚Ｔ，及びＡｌ組成ｘは，膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図において，膜厚３０９.９ｎｍでＡｌ組成０.０８の第一の頂点から膜厚１８ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第二の頂点に向かって少なくとも膜厚１４９.９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点，膜厚９１.９ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，膜厚６１.９ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４４.９ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３.９ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２６.９ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，及び膜厚２１.９ｎｍでＡｌ組成０.３６の点を通って非直線的に減衰する第一の線分と，前記第二の頂点と膜厚１４.９ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第三の頂点とを結ぶ第二の線分と，前記第三の頂点から膜厚９２ｎｍでＡｌ組成０.０８の第四の頂点に向かって少なくとも膜厚１７ｎｍでＡｌ組成０.３６の点，膜厚２０ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，膜厚２３ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２７ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４３ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，及び膜厚５９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点を通って非直線的に増加する第三の線分と，前記第四の頂点と前記第一の頂点とを結ぶ第４の線分とにより囲まれる範囲内にあり」を，補正後の請求項１の「前記第二層における膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘは，　前記膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図において，膜厚３０９.９ｎｍでＡｌ組成０.０８の第一の頂点と膜厚１８ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第二の頂点とを結ぶ第一の線分と，前記第二の頂点と膜厚１５.１ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第三の頂点とを直線的に結ぶ第二の線分と，前記第三の頂点と膜厚９２ｎｍでＡｌ組成０.０８の第四の頂点とを結ぶ第三の線分と，前記第四の頂点と前記第一の頂点とを直線的に結ぶ第４の線分とにより囲まれる範囲内にあり，　前記第一の線分は，前記第一の頂点と前記第二の頂点との間で，膜厚１４９.９ｎｍでＡｌ組成０.１２の第一の点と，膜厚９１.９ｎｍでＡｌ組成０.１６の第二の点と，膜厚６１.９ｎｍでＡｌ組成０.２０の第三の点と，膜厚４４.９ｎｍでＡｌ組成０.２４の第四の点と，膜厚３３.９ｎｍでＡｌ組成０.２８の第五の点と，膜厚２６.９ｎｍでＡｌ組成０.３２の第六の点と，膜厚２１.９ｎｍでＡｌ組成０.３６の第七の点とのうち，前記第一の頂点と前記第一の点とを直線的に結び，前記第一の点から前記第七の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記第七の点と前記第二の頂点とを直線的に結ぶ線分であり，　前記第三の線分は，前記第三の頂点と前記第四の頂点との間で，膜厚１７.１ｎｍでＡｌ組成０.３５９の第八の点と，膜厚２０.１ｎｍでＡｌ組成０.３１９の第九の点と，膜厚２３.１ｎｍでＡｌ組成０.２７９の第十の点と，膜厚２７.１ｎｍでＡｌ組成０.２３９の第十一の点と，膜厚３３.１ｎｍでＡｌ組成０.１９９の第十二の点と，膜厚４３.１ｎｍでＡｌ組成０.１５９の第十三の点と，膜厚５９.１ｎｍでＡｌ組成０.１１９の第十四の点とのうち，前記第三の頂点と前記第八の点とを直線的に結び，前記第八の点から前記第十四の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記十四の点と前記第四の頂点とを直線的に結ぶ線分であり」��すること。
〈補正事項５〉
　補正前の請求項１を削除するとともに，補正前の請求項２を独立形式で記載して補正後の請求項１とすること。
〈補正事項６〉
　補正前の請求項３について，補正前の請求項３が引用していた「請求項１又は２」を，補正後には引用する請求項を「請求項１」として補正後の請求項２とすること。
〈補正事項７〉
　補正前の請求項４について，補正前の請求項４が引用していた「請求項２」を，補正後には引用する請求項を「請求項１」として補正後の請求項３とすること。
　
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　
〈補正事項１について〉
　補正事項１は，補正前の請求項１において，「分極接合」を「形成」するものについての発明特定事項である，「少なくとも，ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層を含んで構成され」るものについて，「基板上に」ある旨を特定し，また，「ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層の順で積層された三層構造であ」るとして，積層順を特定するとともに，「三層構造」であることも特定して，技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「分極接合」を「形成」するものが，「ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層の順で積層された三層構造」が「基板上に」あることは，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００２７】〜【００３１】及び図６に記載されているから，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
〈補正事項２について〉
　補正事項２は，補正前の請求項１における「上記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあり，上記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあり，上記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあり，」との記載における「上記」を，補正後においては「前記」とするものであるから，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものである。また，当該補正が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
〈補正事項３について〉
　補正事項３は，補正前の請求項１の発明特定事項である「第一層」について，その膜厚の範囲を特定して，技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層」の膜厚を「２００ｎｍ〜６μｍ」の範囲とすることは，当初明細書等の段落【００２９】に記載されているから，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　次に〈補正事項５〉〜〈補正事項７〉について検討する。
〈補正事項５〜７について〉
　補正事項５は，補正前の請求項１を削除するものであり，補正事項６及び７は，補正事項５に係る補正前の請求項１を削除に伴い，請求項番号を繰り上げるとともに，引用する請求項を整合させるものであるから，補正事項５〜７は，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。また，補正事項５〜７が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
〈補正事項４について〉
　審判請求書の【請求の理由】中の３．「（ｂ）補正の根拠の明示」及び３．「（ｃ）理由１に対する意見」における記載，ならびに，同記載において参照されている平成２５年２月２８日に提出された意見書の【意見の内容】中の「［３］理由１及び２に対する意見」及び「参考図」の記載によれば，補正事項４について，請求人は，「第一の頂点が参考図の（１），第二の頂点が参考図の（２），第三の頂点が参考図の（３），第四の頂点が参考図の（４），第一の点〜第十四の点が参考図の（Ｐ１）〜（Ｐ１４）である。そして，第一の点（Ｐ１）〜第十四の点（Ｐ１４）はいずれも図３の線分Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｆ上ではなく，線分Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｆに極めて近接し，かつ，線分Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｆで囲まれた範囲内の点を示していることは，」明らかであり，「「前記第一の頂点と前記第一の点とを直線的に結び，前記第一の点から前記第七の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記第七の点と前記第二の頂点とを直線的に結ぶ第一の線分」は，図３の線分Ａに極めて近接し，かつ，線分Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｆで囲まれた範囲内の線分を示して」おり，「同様に，「前記第三の頂点と前記第八の点とを直線的に結び，前記第八の点から前記第十四の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記十四の点と前記第四の頂点とを直線的に結ぶ第三の線分」は，図３の線分Ｇに極めて近接し，かつ，線分Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｆで囲まれた範囲内の線分を示して」おり，「上記の第一の線分及び第三の線分と，第二の頂点（参考図の（２））と第三の頂点（参考図の（３））とを結ぶ第二の線分（図３の線分Ｂ）と，第四の頂点（参考図の（４））と第一の頂点（参考図の（１））とを結ぶ第四の線分（図３の線分Ｆ）とで囲まれた範囲は，図３の線分Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｆで囲まれた範囲内の領域範囲を示していることは明らかである」と主張する。
　ところで，当初明細書等の図３を参照すると，横軸は「Ａｌ組成ｘ」となっており，縦軸は「膜厚Ｔ（ｎｍ）」となってはいるものの，縦軸は対数スケールとなっている。それゆえ，仮に，請求人の上記主張のとおり，線分Ａ及びＧを近似的に規定できるとしても，当該主張は，前記図３の記載に基づいたものであるから，「前記第一の頂点と前記第一の点とを直線的に結び，前記第一の点から前記第七の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記第七の点と前記第二の頂点とを直線的に結ぶ第一の線分」，及び「前記第三の頂点と前記第八の点とを直線的に結び，前記第八の点から前記第十四の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記十四の点と前記第四の頂点とを直線的に結ぶ第三の線分」ぶことによって，それぞれ線分Ａ及びＧを近似的に規定できるのは，前記図３と同じく，横軸は「Ａｌ組成ｘ」をリニアスケール（線形軸）とし，縦軸は「膜厚Ｔ（ｎｍ）」を対数スケール（対数軸）として表した特性図に限られるというべきである。
　すなわち，本願請求項１の記載においては，「特性図」の縦／横両軸のスケールについて特定は無く，通常のリニアスケールによるものと解されるところ，例えば，横軸は「Ａｌ組成ｘ」とし，縦軸は「膜厚Ｔ（ｎｍ）」とし，両軸ともリニアスケールとして，請求項１に係る「前記第一の頂点と前記第一の点とを直線的に結」ぶ線は，当該両軸ともリニアスケールのグラフにおいては，「Ａｌ組成ｘ」が増加するにつれ「膜厚Ｔ（ｎｍ）」が低下する直線として描かれるが，当該直線を構成する点集合を，横軸はそのままで，縦軸を対数スケールとしたものにおいてプロットすると，「Ａｌ組成ｘ」が増加するにつれ「膜厚Ｔ（ｎｍ）」は低下するものの，上に凸となる曲線として描かれることは明らかである。そうすると，当該上に凸となる曲線を構成する点集合には，前記図３と同じく，横軸は「Ａｌ組成ｘ」をリニアスケールとし，縦軸は「膜厚Ｔ（ｎｍ）」を対数スケールとして，「前記第一の頂点と前記第一の点とを直線的に結」ぶ線を構成する点集合よりも「膜厚Ｔ（ｎｍ）」の値が大きい点が存在することになる。
　このことは，「第一の点から前記第七の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記第七の点と前記第二の頂点とを直線的に結ぶ」各線についても同様である。当該各線は「膜厚Ｔ（ｎｍ）」の上限を規定するものとなるところ，当該上限は，特に前述の「上に凸とな」っている部分において，前記図３において「前記第一の頂点と前記第一の点とを直線的に結び，前記第一の点から前記第七の点までは隣接する二つの点同士を直線的に結び，前記第七の点と前記第二の頂点とを直線的に結ぶ第一の線分」により規定される範囲よりも大きくなることは明らかである。そのような，前記図３に示された範囲よりも大きな膜厚Ｔを採ることは，当初明細書等には記載も示唆もされておらず，当初明細書等の記載から自明な事項ともいえない。
　したがって，補正事項４は，当初明細書等を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものであり，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものではないから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
４　まとめ
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年７月４日にされた手続補正は上記のとおり却下され，平成２５年２月２８日にされた手続補正は却下されているので，本願の請求項１ないし４に係る発明は，平成２４年１０月２９日にされた手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て，その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（再掲。以下「本願発明」という。）
　
「【請求項１】
　少なくとも，ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層を含んで構成され，上記第二層は，上記第一層，及び上記第三層の間に配置されていて，これにより形成される分極接合を有し，
上記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあり，
上記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあり，
上記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあり，
上記第二層における膜厚Ｔ，及びＡｌ組成ｘは，膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図において，膜厚３０９.９ｎｍでＡｌ組成０.０８の第一の頂点から膜厚１８ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第二の頂点に向かって少なくとも膜厚１４９.９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点，膜厚９１.９ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，膜厚６１.９ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４４.９ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３.９ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２６.９ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，及び膜厚２１.９ｎｍでＡｌ組成０.３６の点を通って非直線的に減衰する第一の線分と，前記第二の頂点と膜厚１４.９ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第三の頂点とを結ぶ第二の線分と，前記第三の頂点から膜厚９２ｎｍでＡｌ組成０.０８の第四の頂点に向かって少なくとも膜厚１７ｎｍでＡｌ組成０.３６の点，膜厚２０ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，膜厚２３ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２７ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４３ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，及び膜厚５９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点を通って非直線的に増加する第三の線分と，前記第四の頂点と前記第一の頂点とを結ぶ第４の線分とにより囲まれる範囲内にあり，前記第一層，第二層，及び第三層は，意図的な不純物のドーピングを行わずに形成されていることを特徴とする半導体素子。」
　
２　刊行物に記載された発明
　
引用例：特開２００７−１３４６０７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された特開２００７−１３４６０７号公報（以下，「引用例」という。）には，図１〜１５とともに以下の記載がある。
・「【０００１】
　本発明は，半導体素子に関し，
特に半導体の分極接合を有する半導体素子に関するものである
・「【００１６】
　本発明の解決しようとする課題は，分極による正及び負の両方の固定電荷を積極的に利用し，それにより形成される分極接合を利用した半導体素子を提供することである。」
・「【００１７】
　本発明は，分極により生じる正及び負の固定電荷を積極的に利用するものであり，次のような半導体素子を提供することにより課題は解決される。
（1）
２種類以上の半導体を，少なくとも２個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように３層以上積層した半導体素子において
上記ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷による第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有することを特徴とする半導体素子
（２）上記分極接合は，分極による正及び負の固定電荷に対して，分極以外の正及び負の固定電荷量低く抑えることにより，半導体中の正及び負の固定電荷量を等しくしたことを特徴とする半導体素子。
（３）上記分極接合は，意図的なドーピングを行わずに形成することにより，分極による正及び負の固定電荷に対して，分極以外の正及び負の固定電荷量を低く抑え，これにより半導体中の正及び負の固定電荷量を等しくしたことを特徴とする半導体素子。
（４）上記分極接合は，異なる種類の半導体の接合において，接合界面における半導体の組成の空間的な変化を調整することで，前記半導体層の積層方向に対する，分極電荷の空間的な分布を調整することを特徴とする半導体素子。
（５）上記分極接合は，異なる種類の半導体の接合において，半導体の組成を緩やかに変化させることで空間的な電荷の集中を低下させたことを特徴とする半導体素子。
（６）上記ヘテロ接合は，組成の異なるIII−V族化合物半導体により，形成された半導体素子。
（７）上記III−V族化合物半導体は，III族窒化物半導体であり，その化学式はＢｘＡｌｙＧａｚＩｎ１−ｘ−ｙ−ｚＮで表される半導体素子。
（式中ｘ，ｙ及びｚは，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１を満足させる数値を持つものとする。）
（８）上記III族窒化物半導体は，ｃ軸方向に積層されたことを特徴とする半導体素子。
　・・・（後略）・・・」
・「【００１８】
　本発明によれば耐圧を犠牲にせずに，
分極により発生したキャリアの分だけオン抵抗を低減することができるため，この分極接合を，整流ダイオードや電界効果型トランジスタなどに応用すれば，オン抵抗と耐圧のトレードオフを改善することができる
　また分極による正又は負の固定電荷により発生する，少なくとも第一の導電型のキャリア又は第二の導電型のキャリアの高い移動度を用いることにより上記半導体素子のオン抵抗がさらに低減され，高周波特性も向上させることができる。
【００１９】
　次に上記（２）〜（３）記載の半導体素子では，接合の性能は，半導体中の正及び負の固定電荷量の誤差が小さいほど向上するため，これにより上記半導体素子の耐圧をさらに向上させることができる。
　次に上記（４）記載の半導体素子では，前記半導体層の積層方向に対する，分極電荷の空間的な分布を調整することができる。
　次に上記（５）記載の半導体素子では，異なる種類の半導体の接合において，半導体の組成を緩やかに変化させることで空間的な電荷の集中を低下させることができる。」
・「【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
　図1に，2種類の半導体である半導体Ａ１と半導体Ｂ２を交互に積層した場合の，分極の様子を示す。積層した半導体の種類や，その結晶方位，結晶歪の有無にもよるが，分極が起こるような半導体の場合，電荷量が同じで符号が逆の固定電荷が，面密度ｐｐ　ｃｍ−２の大きさで，交互に発生する。半導体の結晶歪及び結晶方位の影響を無視すれば，面密度ｐｐは，半導体Ａと半導体Ｂの種類で一義的に決定する。例えば，図２のように半導体Ａ１と半導体Ｂ２の界面において，その組成をなだらかに変化させたとする。その場合，分極電荷は，組成をなだらかに変化させた層３に広がって分布するため固定電荷の体積密度は減少する。しかし，面密度ｐｐは，変化しない。
【００２１】
　・・・（中略）・・・
【００２２】
　ここで，III族窒化物半導体の一種であるＧａＮ，及びＡｌｙＧａ１−ｙＮを積層した場合を例に，実際の電子と正孔の発生の様子を説明する。図4は，真性半導体であるＧａＮ，及びＡｌｙＧａ１−ｙＮをｃ軸方向に積層した場合のバンドラインナップの模式図である。このように，ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０００−１）／ＧａＮ（０００１）及びＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０００１）／ＧａＮ（０００−１）
界面に，正及び負の分極による固定電荷による，電子及び正孔を，それぞれ発生させることができる
【００２３】
　・・・（中略）・・・
【００２４】
　以下では，図５をもとに分極接合の基本的な設計方法を説明する。まず，量子効果及び熱の影響を無視し，かつドーピング及び結晶欠陥に起因するキャリアはすべて活性化しているものとした。また，半導体A及び半導体Bの各層の厚さに比べ，分極電荷及びキャリアの厚さ方向への広がりは無視できるとし，かつ正及び負の分極電荷をもつ半導体界面において，フェルミ準位ＥＦはバンドギャップエネルギーの小さい半導体Ａの伝導帯下端及び価電子帯上端にそれぞれ固定されているとした場合，半導体A及び半導体Bの各層の1サイクル分の，積層方向から見た電子及び正孔の面密度ｎ及びｐは，それぞれ次式で表される。
【００２５】
【数１】
　　　　（数式略）　　　　　　　　　　　　　　式（１）
　　　　（数式略）　　　　　　　　　　　　　　式（２）
【００２６】
　ここで，ｐｐは各界面の分極電荷の面密度の大きさ，EgAは半導体Aのバンドギャップエネルギー，ｄＡ及びｄＢは半導体A及び半導体Bの各層の厚さ，eA及びeBは半導体A及び半導体Bの誘電率，及びｐA及びｐBは半導体A及び半導体Bの分極以外の原因による固定電荷の面密度を，それぞれ表す。
　式(1)及び式(2)は，変数が多く複雑なので，ｄＡ≒ｄＢ＝ｄ，eA≒eB＝e，及びｐA≒ｐB＝ｐｂａｃｋと近似すると次式が得られる。
【００２７】
【数２】
　　　　（数式略）　　　　　　　　　　　　　　式（３）
　　　　（数式略）　　　　　　　　　　　　　　式（４）
【００２８】
この式(3)及び(4)をもとに，分極接合の設計指針をいくつか示す。まず，半導体各層がｎ型でありｐｂａｃｋが正の定数とし，ｐｐは一定として，ｄに対するｎ及びｐの変化を見積もった。図６がその概略図である。電子及び正孔を同時に発生させ，分極接合を実現するためには，ｄの最小値ｄｍｉｎとｄの最大値ｄｍａｘが存在することが分かる。また，理想に近い超接合の効果を発揮させるためには電子と正孔の比ｎ／ｐは，1に近いことが望ましいが，そのための最適な接合距離ｄｏｐｔがあることも分かる。
【００２９】
　次に，d及びｐｐを一定に保ち，ｐｂａｃｋを変化させた場合に，ｎとｐに与える影響を図7に示す。同図からｐｂａｃｋの変化に対してｎ及びｐが，直線的に増加又は減少することが分かる。やはり，ｎ及びｐを同時に発生させ，分極接合を実現するためには，ｐｂａｃｋに許容範囲があることが分かる。また，ｎ／ｐ比を1に近づけるためには，ｐｂａｃｋが小さいほど望ましいことが分かる。式(3)及び(4)から分かるように，ｐｂａｃｋの影響を小さくするためにはｐｐ ｐｂａｃｋｄであることが望ましい。
つまり，分極接合を形成するためには，分極により界面に発生する固定電荷に対し，各半導体層に含まれる固定電荷の総量を，小さくする必要がある。また，そのためには，各半導体層は意図的なドーピングを行わずに形成することが望ましい
【００３０】
　また，分極接合における各界面の分極電荷密度を積層方向に対して変化させることでｎ／ｐ比を1に近づける手法が考えられる。図８は，この手法をＧａＮとＡｌｙＧａ１−ｙＮを用いた分極接合に適用した場合の概略図である。アンドープのIII族窒化物半導体はｎ型になりやすいため，図８のように段階的にＡｌ組成を変化させて，分極による正及び負の固定電荷量に差をもうけ，それにより分極以外の固定電荷を補償し，ｎ／ｐ比を１に近づけている。
【００３１】
　・・・（中略）・・・
【００３４】
　また，半導体四元混晶を用いれば，格子整合を保ちながらｐｐを変化させることができるため，図９に示した臨界膜厚の制約は無くなり，分極接合の設計が容易になる。図１１は，III族窒化物半導体の分極接合において，この手法を適用した場合の概略図である。ＧａＮに対して格子整合するＡｌｙ１Ｇａｚ１Ｉｎ１−ｙ１−ｚ１Ｎ層１４及びＡｌｙ２Ｇａｚ２Ｉｎ１−ｙ２−ｚ２Ｎ層１５を用いることで，臨界膜厚を無視して分極接合を設計することが可能になる。」
・「【００３５】
　次に本発明を適用した分極接合を有するｐｎ接合ダイオードと，本発明を適用していない通常のpn接合ダイオードとの特性の比較を行う。図１２は，本発明を適用していない通常のpn接合ダイオードの構造の概略図である。ドリフト層であるｎ−ＧａＮ層1９の両端にｐ＋ＧａＮ層1８及びｎ＋ＧａＮ層２０を形成したｐｉｎ構造である。そして，ｎ−ＧａＮ層1９のドナー濃度ｐｂａｃｋ及び，その長さｄｄｒｉｆｔを変化させてその特性を調べた。
【００３６】
　
図１３は，本発明を適用したpn接合ダイオードの構造の概略図である。分極接合領域２２は，Al組成９％のｎ
−
Ａｌ
０．０９
Ｇａ
０．９１
Ｎ層及びｎ
−
ＧａＮ層の積層構造により形成した。各層の厚さは，１００　ｎｍとした。各へテロ界面の分極電荷密度ｐ
ｐ
の大きさは，理論値より５×１０
１２
　ｃｍ
−２
とした。分極接合領域の両端にはアクセプタ及びドナー不純物をドーピングし，p型化分極接合領域２１及びn型化分極接合領域２３を形成した
【００３７】
　まず，図１２の構造に逆バイアスをかけたときの素子の耐圧を，アバランシェモデルにより求めた。図１４はそのシミュレーション結果である。まず，ｄｄｒｉｆｔにより決定されるＧａＮ固有の耐圧限界があることが分かる。つまり，不純物や欠陥のまったく存在しない完全な真性半導体であれば，耐圧はｄｄｒｉｆｔのみで決定され，これを長くすれば，いくらでも耐圧は大きくなることを示している。一方で，現実の半導体では，必ず有限のｐｂａｃｋが存在し，これも耐圧の限界を決定する。同図からｐｂａｃｋが小さいほど，耐圧の限界が向上することが分かる。
【００３８】
　図１５は，本発明を適用した図１３の構造の逆方向耐圧のシミュレーション結果である。耐圧の限界はＧａＮの材料限界と，ｐｂａｃｋの大きさでほぼ決定されており，図１４と見比べてみると分かるように，本発明を適用していないｐｎ接合ダイオードの結果とほとんど一致した。図１４及び図１５の結果は，
分極による固定電荷は，耐圧にほとんど影響を与えず，ｐ
ｂａｃｋ
の大きさで耐圧が決定されることを示している。つまり，正及び負の分極電荷はお互いに補償しあい，その結果残ったｐ
ｂａｃｋ
が絶縁破壊を起こしていることが分かる。よって，本発明を適用した接合ダイオードでは，耐圧を犠牲にせずに，分極により発生したキャリアの分だけオン抵抗を低減することができる
【００３９】
　また，分極接合の性能を向上させるためには，正及び負の固定電荷量をできるだけ等しく保つ必要がある。例えば，ｐｐ=　１×１０１３ｃｍ−２，ｐｂａｃｋ＝　１×１０１６ｃｍ−３とし，分極接合の各層の厚さを１００ｎｍとすると，正及び負の固定電荷の大きさの誤差はわずか２％となる。」
　
「【図１３】
」
　
　ここにおいて，前記段落【００１７】及び【００３６】の記載とともに図１３を参照すると，少なくともｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層を少なくとも３層備え，各ｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層の間にそれぞれｎ−ＧａＮ層を備えた積層構造が見て取れる。この積層構造においては，各層の界面に，正及び負の分極による固定電荷による電子及び正孔がそれぞれ発生していることは，前記段落【００２２】の記載から明らかである。
　
　以上を総合し，図１３に示されたｐｎ接合ダイオードに注目すると，引用例には以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
「半導体の分極接合を有するｐｎ接合ダイオードであって，
　分極接合領域２２が，Al組成９％のｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層を少なくとも３層備え，各ｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層の間にそれぞれｎ−ＧａＮ層を備えた積層構造により形成され，各層の厚さは１００ｎｍであり，各層の界面に，正及び負の分極による固定電荷による電子及び正孔がそれぞれ発生しており，
　分極接合領域の両端にはアクセプタ及びドナー不純物をドーピングし，p型化分極接合領域２１及びn型化分極接合領域２３が形成されてなり，
　分極により発生したキャリアの分だけオン抵抗を低減することができるため，オン抵抗と耐圧のトレードオフが改善された，
ｐｎ接合ダイオード。」
　
３　対比
　引用発明を本願発明と対比する。
　
・引用発明の「分極接合領域２２が，Al組成９％のｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層を少なくとも３層備え，各ｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層の間にそれぞれｎ−ＧａＮ層を備えた積層構造により形成され」ていることから，少なくとも３層のｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層のうち，中間に位置するｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層は，ｎ−ＧａＮ層により挟まれており，各層の界面に，正及び負の分極による固定電荷による電子及び正孔がそれぞれ発生していることになる。そこで，当該中間に位置するｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層と，これを挟む２つのｎ−ＧａＮ層とに注目すると，当該引用発明の「ｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層」は，本願発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層」であって「上記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあ」るものに相当し，引用発明の一方の「ｎ−ＧａＮ層」は，本願発明の「ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層」であって「上記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあ」るものに相当し，引用発明の他方の「ｎ−ＧａＮ層」は，本願発明の「ＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層」であって「上記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあ」るものに相当する。よって，引用発明の「分極接合領域２２が，Al組成９％のｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層を少なくとも３層備え，各ｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層の間にそれぞれｎ−ＧａＮ層を備えた積層構造により形成され」るものにおける，中間に位置するｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層と，これを挟む２つのｎ−ＧａＮ層は，本願発明の「少なくとも，ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層を含んで構成され，上記第二層は，上記第一層，及び上記第三層の間に配置されていて，これにより形成される分極接合を有し，上記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあり，上記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあり，上記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあ」るものに相当する。
・上記のとおり，引用発明における，中間に位置する「Al組成９％のｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層」は，本願発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層」であって「上記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあ」るものに相当するところ，当該層の厚さは「１００ｎｍであ」るから，本願発明の「上記第二層における膜厚Ｔ，及びＡｌ組成ｘ」について「膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図」において，ｘ＝０．０９，Ｔ＝１００ｎｍの点に位置することになる。当該点が，本願発明に係る「上記第二層における膜厚Ｔ，及びＡｌ組成ｘは，膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図において，膜厚３０９.９ｎｍでＡｌ組成０.０８の第一の頂点から膜厚１８ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第二の頂点に向かって少なくとも膜厚１４９.９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点，膜厚９１.９ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，膜厚６１.９ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４４.９ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３.９ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２６.９ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，及び膜厚２１.９ｎｍでＡｌ組成０.３６の点を通って非直線的に減衰する第一の線分と，前記第二の頂点と膜厚１４.９ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第三の頂点とを結ぶ第二の線分と，前記第三の頂点から膜厚９２ｎｍでＡｌ組成０.０８の第四の頂点に向かって少なくとも膜厚１７ｎｍでＡｌ組成０.３６の点，膜厚２０ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，膜厚２３ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２７ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４３ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，及び膜厚５９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点を通って非直線的に増加する第三の線分と，前記第四の頂点と前記第一の頂点とを結ぶ第４の線分とにより囲まれる範囲内に」含まれることは明らかである。よって，引用発明の引用発明における「Al組成９％のｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層」であって，当該層の厚さは「１００ｎｍであ」るものは，本願発明に係る「上記第二層における膜厚Ｔ，及びＡｌ組成ｘは，膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図において，」当該各線分「により囲まれる範囲内にあ」るものに相当する。
・引用発明の「ｐｎ接合ダイオード」は，本願発明の「半導体素子」に相当する。
　
　よって，引用発明と本願発明とは，以下の点で一致する。
「少なくとも，ＩｎａＧａ１−ａＮからなる第一層，ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第二層，及びＩｎｂＧａ１−ｂＮからなる第三層を含んで構成され，上記第二層は，上記第一層，及び上記第三層の間に配置されていて，これにより形成される分極接合を有し，
上記ａは０≦ａ＜０.０２の範囲にあり，
上記ｂは０≦ｂ＜０.０２の範囲にあり，
上記ｙは０≦ｙ＜０.０２の範囲にあり，
上記第二層における膜厚Ｔ，及びＡｌ組成ｘは，膜厚Ｔ及びＡｌ組成ｘの一方を縦軸，他方を横軸として表した特性図において，膜厚３０９.９ｎｍでＡｌ組成０.０８の第一の頂点から膜厚１８ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第二の頂点に向かって少なくとも膜厚１４９.９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点，膜厚９１.９ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，膜厚６１.９ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４４.９ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３.９ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２６.９ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，及び膜厚２１.９ｎｍでＡｌ組成０.３６の点を通って非直線的に減衰する第一の線分と，前記第二の頂点と膜厚１４.９ｎｍでＡｌ組成０.３９９の第三の頂点とを結ぶ第二の線分と，前記第三の頂点から膜厚９２ｎｍでＡｌ組成０.０８の第四の頂点に向かって少なくとも膜厚１７ｎｍでＡｌ組成０.３６の点，膜厚２０ｎｍでＡｌ組成０.３２の点，膜厚２３ｎｍでＡｌ組成０.２８の点，膜厚２７ｎｍでＡｌ組成０.２４の点，膜厚３３ｎｍでＡｌ組成０.２０の点，膜厚４３ｎｍでＡｌ組成０.１６の点，及び膜厚５９ｎｍでＡｌ組成０.１２の点を通って非直線的に増加する第三の線分と，前記第四の頂点と前記第一の頂点とを結ぶ第４の線分とにより囲まれる範囲内にあることを特徴とする半導体素子。」
　
　一方，両者は以下の点で相違する。
《相違点》
　本願発明においては，「前記第一層，第二層，及び第三層は，意図的な不純物のドーピングを行わずに形成されている」が，当該「前記第一層，第二層，及び第三層」に対応する，引用発明における「ｎ−ＧａＮ層」，「ｎ−Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎ層」及び「ｎ−ＧａＮ層」について，引用発明では，意図的な不純物のドーピングを行わないとの特定がなされていない点。
　
４　判断
　上記相違点について検討する。
　
　引用例において，図１３に示されたｐｎ接合ダイオードについて，意図的な不純物のドーピングを行わない旨の記載は無いが，「【発明を実施するための最良の形態】」として，段落【００２８】〜【００２９】には「分極接合の設計指針」が示されており，特に段落【００２９】には，「式(3)及び(4)から分かるように，ｐｂａｃｋの影響を小さくするためにはｐｐ ｐｂａｃｋｄであることが望ましい。
つまり，分極接合を形成するためには，分極により界面に発生する固定電荷に対し，各半導体層に含まれる固定電荷の総量を，小さくする必要がある。また，そのためには，各半導体層は意図的なドーピングを行わずに形成することが望ましい
　よって，前記相違点は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
　よって，本願発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
５　まとめ
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。