【手続補正書】
【提出日】平成27年4月20日(2015.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第１のインジェクタ口３０２および第２のインジェクタ口３０４の個数、サイズ、および構成は、様々な利点を実現するための多数の組合せにおいて制御することができる。例えば、いくつかの実施形態においては、複数の第１のインジェクタ口３０２のうちのいくつかまたは全てが、複数の第２のインジェクタ口３０４のうちのいくつかまたは全てとは異なる直径を有してもよい。インジェクタ口の直径を制御することにより、それらの注入口を経由してプロセスチャンバに進入するプロセスガスの速度の制御が容易になる。より小さな直径の口は、所与の上流圧力において、より大きな直径の口よりも高速にてプロセスガスを供給する。例えば、いくつかの実施形態においては、複数の第２のインジェクタ口３０４はそれぞれ、図４Ａ〜図４Ｂに示すように、複数の第１のインジェクタ口３０２のそれぞれよりも大きな直径を有してもよい。例えば、各第２のインジェクタ口３０４は、第１のプロセスガスよりも低速にて第２のプロセスガスを注入するために、より大きな直径を有してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
温度制御される反応容積部１０１は、複数のチャンバ構成要素によるチャンバリッド１０６により形成され得る。例えば、かかるチャンバ構成要素は、チャンバリッド１０６、上方チャンバライナ１１６、下方チャンバライナ１３１、および基板支持体１２４を含み得る。温度制御される反応容積部１０１は、温度制御される反応容積部１０１を形成するチャンバ構成要素のうちの任意の１つまたは複数の表面などの、石英からなる内部表面を含み得る。温度制御される反応容積部１０１は、約２０から約４０リットルとすることができる。この容積部１０１は、例えば２００ｍｍまたは３００ｍｍ等々の任意の適切にサイズ設定された基板を収容することができる。例えば、いくつかの実施形態においては、基板１２５が、約３００ｍｍである場合には、例えば上方チャンバライナ１１６および下方チャンバライナ１３１などの内部表面は、基板１２５のエッジから最大で約５０ｍｍまで離れていてもよい。例えば、いくつかの実施形態においては、上方チャンバライナ１１６および下方チャンバライナ１３１などの内部表面は、基板１２５のエッジから、最大で基板１２５の直径の約１８％までの距離のところにあってもよい。例えば、いくつかの実施形態においては、基板１２５の処理表面１２３は、チャンバリッド１０６から、最大で約１００ｍｍまでとすることができ、または約２.０３センチメートルから約２．５４センチメートル（約０．８インチから約１インチ）の範囲とすることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
方法６００は、６０２で、基板１２５の処理表面１２３全体に第１のプロセスガスを流すことにより開始される。第１のプロセスガスは、インジェクタ１１４の複数の第１のインジェクタ口３０２に関して上記において論じた実施形態のうちの任意のものにより、処理表面１２３中全体に流されてもよい。いくつかの実施形態においては、第１のプロセスガスは、容易に分解してもよく、および／または、第２のプロセスガスよりも迅速に反応するものであってもよい。例えば、温度制御される反応容積部１０１内における第１のプロセスガスの滞留時間を、第２のプロセスガスに対して最小限に抑えることが必要となる場合がある。例えば、第１のプロセスガスの滞留時間を最小限に抑えることにより、第２のプロセスガスに対して第１のプロセスガスの消耗が最小限に抑えられ、１つまたは複数の層７００における組成および／または厚さの均一性が改善され得る。したがって、いくつかの実施形態においては、第１のプロセスガスが、分解または反応前に、基板１２５に、または基板１２５の中心に、または基板１２５の中心付近により迅速に到達するように、より小さな直径を第１のインジェクタ口３０２に対して与えて、第１のプロセスガスの速度をより高速にしてもよい。そのため、第１のプロセスガスは、第２のプロセスガスよりも高い流量で流されてもよい。同様に、第１のインジェクタ口３０２の直径が図３Ｃに図示されるようにインジェクタ１１４のエッジから中心にかけて小さくなり得るいくつかの実施形態においては、第１のプロセスガスの流量は、処理表面のエッジにわたるよりも処理表面の中心にわたる方がより高くなり得る。いくつかの実施形態においては、第１のプロセスガスは、第１のキャリアガス内に１つまたは複数のＩＩＩ族元素を含んでもよい。例示的な第１のプロセスガスは、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、またはトリメチルアルミニウムのうちの１つまたは複数を含む。また、ドーパントおよび塩化水素（ＨＣｌ）が、第１のプロセスガスに添加されてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
６０６では、第２のプロセスガスが、処理表面１２３全体に流されてもよい。第２のプロセスガスは、インジェクタ１１４の複数の第２のインジェクタ口３０４に関して上記において論じた任意の実施形態により、処理表面１２３全体に流されてもよい。例えば、第２のプロセスガスは、第１のプロセスガスに比べてより低速で分解しても、および／またはより低い反応性を有してもよい。したがって、上記において論じたように第２のインジェクタ口３０４の直径がより大きいことにより、第２のプロセスガスは、より低速になり得るため、これにより、第２のプロセスガスは、第１のプロセスガスに比べてより低速でプロセスチャンバ１００に進入し、基板の表面のより広い部分にわたり移動しつつ分解することが可能となる。そのため、第２のプロセスガスは、第１のプロセスガスに比べてより低流量にて流され得る。同様に、第２のインジェクタ口３０４の直径が、図３Ｃに示すようにインジェクタ１１４のエッジから中心にかけて小さくなり得るため、第２のプロセスガスの流量は、処理表面のエッジによりも処理表面の中心の方が高くなり得る。いくつかの実施形態においては、第２のプロセスガスは、第２のキャリアガス中に１つまたは複数のＶ族元素を含んでもよい。例示的な第２のプロセスガスは、アルシン（ＡｓＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、第三級ブチルアルシン、または第三級ブチルホスフィン等々のうちの１つまたは複数を含む。また、ドーパントおよび塩化水素（ＨＣｌ）が、第２のプロセスガスに添加されてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
６０８では、基板１２５の処理表面１２３の温度が、第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスで基板１２５の処理表面１２３に１つまたは複数の層７００を形成するために、調整されてもよい。例えば、温度を調整することは、容積部１０１を構成する構成要素および／または内部表面のうちの任意の１つまたは複数を加熱または冷却するなど、温度制御される反応容積部１０１を加熱および冷却することを含んでもよい。例えば、加熱することは、基板支持体１２４の裏側表面に対してエネルギーを供給することを含んでもよく、この場合に、基板は、基板支持体１２４の表側表面に載置される。加熱することは、第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスが流れる前および／または流れている間に実施されてもよい。加熱することは、連続的または不連続的に、および周期的になど任意の所望の方式で行われてもよい。加熱することは、処理表面１２３上への層７００の堆積を達成するために、第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスが流れる前および／または最中に基板１２５において任意の所望の温度プロファイルを実現するものであってもよい。加熱することは、ランプ１５２、１５４により実現されてもよい。ランプ１５２、１５４は、約５℃／秒から約２０℃／秒で基板温度を上昇させることが可能であってもよい。ランプ１５２、１５４は、約２００から約９００℃の範囲の温度を基板１２５に与えることが可能であってもよい。