【事件の表示】
　特許第３１０３６５５号「半導体装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０３６５５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
特許第３１０３６５５号の請求項１ないし４に係る発明の手続きの経緯は、以下のとおりである。
出願　　　　　　　　　　　　　　平成４年２月７日
設定登録　　　　　　　　　　　　平成１２年８月２５日
特許異議の申立て　　　　　　　　平成１３年４月２６日
（吉田春男）
取消理由通知・審尋　　　　　　　平成１３年６月２８日(起案日)
意見書・訂正請求書・回答書　　　平成１３年９月７日
取消理由通知　　　　　　　　　　平成１４年１０月２９日(起案日)
平成１３年９月７日付け訂正請求取下書　　平成１４年１１月６日
訂正請求書　　　　　　　　　　　平成１４年１１月６日
　
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている平成１４年１１月６日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
訂正事項ａ．特許請求の範囲の請求項１をつぎのとおり訂正する。
「【請求項１】　一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け、かつ一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷN、 一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷｂｉとしたとき、０＜ＷN≦２Ｗｂｉであるように構成した半導体装置において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル(φX）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φM）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とする半導体装置。」
　
訂正事項ｂ．特許請求の範囲の請求項３を削除する。
　
訂正事項ｃ．特許請求の範囲の請求項４を次のとおりに訂正し、項番号を繰り上げて請求項３とする。
「【請求項３】　一導電型半導体の表面形状を凹凸状とし、その凹部の底面又は側面又はそれら両面に逆導電型半導体領域を形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。」
　
訂正事項ｄ．明細書中の【０００２】段落中の「（２）」、【０００６】段落中の「（３）」、【００１１】段落中の「（４）」、【００１４】段落中の「（５）」、【００１８】段落中の「（６）」、【００２１】段落中の「（７）」、【００２６】段落中の「（８）」、【符号の説明】欄中の「（９）」の記載を、削除する。
　
訂正事項ｅ．【０００３】段落中の「Ｎ+」を「Ｎ＋」に、「Ｐ+」を「Ｐ＋」に訂正する。
　
訂正事項ｆ．【０００５】段落を次のとおり訂正する。
「一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け、かつ一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷN、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷbiとしたとき、０＜ＷN≦２Ｗbiであるように構成した半導体装置において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル（φＸ）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φＭ）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とすることにより前記の課題を解決する。」
　
訂正事項ｇ．【０００７】段落中の「Ｐ+」を「Ｐ＋」に訂正する。
　
訂正事項ｈ．【０００７】段落中の「関係にあることが、本発明の主たる特徴である。」を「関係にあること及び一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル（φX）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φM）の高さより大きくなるように構成したことが、本発明の主たる特徴である。」と訂正する。
　
訂正事項ｉ．【０００８】段落中の「いずれもａ及びｂの曲線が本発明構造による特性を示し、」を「ｂの曲線が本発明構造による特性を示し、」に訂正する。
　
訂正事項ｊ．【００１１】段落中の「ａ及びｂに本発明構造の曲線を示した。」を「ｂに本発明構造の曲線を示した。」に訂正する。
　
訂正事項ｋ．【００１１】段落中の「Ｐ+半導体領域６は不純物表面濃度１×１０20Ａtoms／ｃｍ3、」を「Ｐ＋半導体領域６は不純物表面濃度１×１０20Ａtoms／ｃｍ3」に、「Ｐ+半導体領域６の拡散深さ２μｍ、Ｐ+半導体領域６の幅２μｍの場合における一対のＰ+半導体領域６の最短距離ＷNの中央点０からＮ型半導体１の深さ方向への距離Ｘに至る電子ポテンシアルを示している。」を「Ｐ＋半導体領域６の拡散深さ２μｍ、Ｐ＋半導体領域６の幅２μｍの場合における一対のＰ＋半導体領域６の最短距離ＷNの中央点０からＮ型半導体１の深さ方向への距離Ｘに至る電子ポテンシアルを示している。」に訂正する。
　
訂正事項ｌ．【００１２】段落中の「Ｐ+」を「Ｐ＋」に訂正する。
　
訂正事項ｍ．【００１３】段落中の「Ｐ+半導体領域から延びるポテンシアルの中心線ＯＸ上におけるｘの位置での伝導帯ポテンシアルはφNに一致する。又、ＷN＜２Ｗbiのときは、中心線ＯＸ上のポテンシアルはφより高い位置で、二つのＰ+半導体領域から延びるポテンシアルが交差する。従って、図７のａ及びｂに示すように、中心線ＯＸ上のＮ型半導体は不純物濃度を操作することなく、隣接するＰ+半導体領域の距離を接近させるだけで、高いポテンシアルを得られる。」を「Ｐ＋半導体領域から延びるポテンシアルの中心線ＯＸ上におけるｘの位置での伝導帯ポテンシアルはφNに一致する。又、ＷN＜２Ｗbiのときは、中心線ＯＸ上のポテンシアルはφより高い位置で、二つのＰ＋半導体領域から延びるポテンシアルが交差する。従って、図７のａ及びｂに示すように、中心線ＯＸ上のＮ型半導体は不純物濃度を操作することなく、隣接するＰ＋半導体領域の距離を接近させるだけで、高いポテンシアルを得られる。」に訂正する。
　
訂正事項ｎ．【００１３】段落中の「Ｃ曲線」を「ｃ曲線」に訂正する。
　
訂正事項ｏ．【００１４】段落中の「Ｐ+」を「Ｐ＋」に誤記の訂正を目的として訂正する。
　
訂正事項ｐ．【００１４】段落中の「ポテンシアルφXは、φM≧φX＞φN、又はφM＜φXの状態に変化し得る。」を「ポテンシアルφXは、φM＜φXの状態に変化し得る。」に訂正する。
　
訂正事項ｑ．【００１７】段落中の「１×１０20Ａtoms／cm3」を「１×１０20Ａtoms／cm3」に、「Ｐ+」を「Ｐ＋」に、「１cm2」を「１cm２」に訂正する。
　
訂正事項ｒ．【００１８】段落中の「Ｐ+」を「Ｐ＋」に訂正する。
　
訂正事項ｓ．【００２０】段落中の「されなくとも、Ｐ+」を「されなくとも、Ｐ＋」に、「上端はＰ+」を「上端はＰ＋」に、「領域はＰ+」を「領域はＰ＋」に訂正する。
　
訂正事項ｔ．【００２２】段落中の「即ち、Ｐ+」を「即ち、Ｐ＋」に、「ホ−ルはＰ+」を「ホ−ルはＰ＋」に、「困難であり、Ｐ+」を「困難であり、Ｐ＋」に訂正する。
　
訂正事項ｕ．【００２３】段落中の「（Ｐ+）」を「（Ｐ＋）」に訂正する。
　
訂正事項ｖ．【図面の簡単な説明】の欄の図７の空欄を「電子ポテンシアルダイアグラムである。」に訂正する。
　
訂正事項ｗ．【符号の説明】の欄中の「１′      高濃度一導電型半導体（例えば、Ｎ+型）」を「１′      高濃度一導電型半導体（例えば、Ｎ+型）」に、「２      ガ−ドリング領域（例えばＰ+型）」を「２      ガ−ドリング領域（例えばＰ+型）」に、「６      逆導電型半導体領域（例えば、Ｐ+型）」を「６      逆導電型半導体領域（例えば、Ｐ+型）」に訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア．訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、訂正前の特許請求の範囲の請求項１に請求項３を加えたものであり、訂正前の請求項３に「【請求項３】　一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアルの高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアルの高さより大きくなるように構成したことを特徴とする請求項１又は請求項２の半導体装置。」と記載されており、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシャルについて、「一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル(φX）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φM）の高さより大きくなるように構成した」と限定しているので減縮となっている。
　したがって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　
イ．訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂについては、特許請求の範囲の請求項３を削除するものである。
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
ウ．訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃについては、請求項４を請求項３に繰り上げることは、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　
エ．訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄについては、明細書中の記載としては不要である「（２）」、「（３）」、「（４）」，「（５）」、「（６）」、「（７）」、「（８）」、「（９）」という数字を各々削除するものであり、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　
オ．訂正事項ｅ、ｇ、ｋ〜ｍ、ｏ、ｑ〜ｕ、ｗについて
　訂正事項ｅ、ｇ、ｋ〜ｍ、ｏ、ｑ〜ｕ、ｗについては、上付き文字、下付き文字に関する訂正であり、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
カ．訂正事項ｎについて
　訂正事項ｎについては、図７に「φＮ−−ｃ（図１の特性）」なる記載があり、ｃ曲線は、このｃに基づいているから、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
キ．訂正事項ｖについて
　訂正事項ｖについては、図７は図８と同様の図であり、図８は「電子ポテンシアルダイアグラムである。」ので、図７についても図８と同じ説明とする、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
ク．訂正事項ｆ、ｈ〜ｊ、ｐについて
　訂正事項ｆ、ｈ〜ｊ、ｐについては、発明の詳細な説明において、上記特許請求の範囲を訂正する訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　
　そして、いずれの訂正事項も、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
３．特許異議の申立てについて
（１）申立の理由及び取消理由通知の概要
ア．申立の理由の概要
　特許異議申立人は、本件訂正前明細書の請求項１ないし請求項３に係る発明は、甲第１号証（特開平３−１８１１７２号）、甲第２号証（特開昭６０−７４５８２号公報）、甲第３号証（Ｈ−Ｒ　Ｃｈａｎｇ他、Ａ　ＳＯＦＴ−ＲＥＣＯＶＥＲＹ、ＨＩＧＨ　ＳＰＥＥＤ　ＰＯＷＥＲ　ＲＥＣＴＩＦＩＥＲ、ＩＥＥＥ−ＩＡＳ　Ａｎｎｕａｌ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　１９８９、ｐｐ１２９６−１３００）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、また、本件訂正前明細書の請求項４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、又は、甲第１号証および甲第５号証（特開平３−２７６７６２号公報）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、取り消されるべき旨主張している。
イ．取消理由通知の概要
　当審で通知した取消理由の概要は、以下のとおりである。
刊行物１：特開平３−１８１１７２号公報（申立人の提出した甲第１号証）
刊行物２：特開昭６０−７４５８２号公報（申立人の提出した甲第２号証）
刊行物３：Ｈ−Ｒ　Ｃｈａｎｇ他、Ａ　ＳＯＦＴ−ＲＥＣＯＶＥＲＹ、ＨＩＧＨ　ＳＰＥＥＤ　ＰＯＷＥＲ　ＲＥＣＴＩＦＩＥＲ、ＩＥＥＥ−ＩＡＳ　Ａｎｎｕａｌ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　１９８９、ｐｐ１２９６−１３００（申立人の提出した甲第３号証）
刊行物４：半導体ハンドブック（第２版、第３刷）、（昭５７−１２−１０）、オーム社、ｐｐ６２−６４（申立人の提出した甲第４号証）
刊行物５：特開平３−２７６７６２号公報（申立人の提出した甲第５号証）
  請求項１ないし３に記載の発明は、刊行物１ないし３に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に該当する。
　請求項４に記載の発明は、刊行物１に記載の凹部の底面に逆導電型半導体領域を形成した発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当する。
　請求項１ないし４に記載の発明は、刊行物１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に成し得たものである。
　したがって、本件請求項１ないし４に係る発明の特許は、取り消されるべきである。
　
（２）本件請求項１ないし３に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１ないし請求項３に係る発明は、訂正明細書に係る手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け、かつ一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷN、 一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷbiとしたとき、０＜ＷN≦２Ｗbiであるように構成した半導体装置において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル(φX）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φM）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】　一導電型半導体の表面と逆導電型半導体領域にまたがって電極を設け、その電極は一導電型半導体の表面とはショットキ接触又はオ−ミック接触を形成し、逆導電型半導体領域とはオ−ミック接触を形成していることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】　一導電型半導体の表面形状を凹凸状とし、その凹部の底面又は側面又はそれら両面に逆導電型半導体領域を形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。」
　
（３）引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物１（特開平３−１８１１７２号公報（申立人の提出した甲第１号証））には、以下のような事項が記載されている。
　第３頁右上欄１６行〜同頁左下欄１１行には「本発明の半導体装置は、第１図に例示するように（ａ）一導電型第１半導体層（Ｎ＋基板）２１と該層より低不純物濃度の一導電型第２半導体層（Ｎ−層）２２とを積層して成る半導体基板２１と、（ｂ）該基板の一方の主面側（上方）の第２半導体層（Ｎ−層）２２の表面に所定の間隔をもって露出して配置されると共に該露出面２３ａが第２半導体層２２の表面２２ａより凹んだ構造の底の部分に形成される反対導電型第３半導体領域（Ｐ＋領域）２３と、（ｃ）第２半導体層２２の前記表面２２ａ及び第３半導体領域２３の前記露出面２３ａに接する第１電極膜２４と、（ｄ）前記半導体基板の他方の主面（下方）に第１半導体層２１に接して設けられる第２電極膜２５とを具備することを特徴とする半導体装置である。」と、第１図と共に記載されている。　
　第５頁左上欄３〜８行には、「上記実施例では、Ｎ−層２２とアノード電極膜２４とがショットキー接触をするＳＢＤについて述べたが、これに限定されない。
　又Ｐ＋領域２３は相互間隔を十分近接して配置し、ゼロ電圧又は微少逆電圧でその空乏層が結合し、主通電路を遮断することも可能である。」ことが記載されている。
　第３頁左上欄４〜１２行には、「アノード電極膜４ａとＮ＋層２ａとは、極めて低いショットキーバリアを形成するように、電極材料及び不純物濃度が選択されている。ＳＢＤ１０１においては、アノード電極膜４ａとカソード電極膜５とを短絡若しくは微小逆電圧を印加した場合、相隣るＰ＋領域３から伸びる空乏層がＮ＋層・Ｎ−層界面上で結合し、Ｎ＋層２ａを経由する通電路がピンチオフされるようになっている。」ことが、第１０図と共に記載されている。
　第２頁右上欄１４行〜同頁左下欄１９行には、「ＳＢＤ１００は、このピンチオフ現象を利用し、逆電流の低減と逆方向降伏電圧の向上を計ったものである。このため隣接するＰ＋領域３の間隔が、第７図に示すように、ｄ１、ｄ２、ｄ３（ただし、ｄ３＞ｄ２＞ｄ１）と異なると、前記通電路が遮断されるピンチオフ電圧ＶＰ等が変化し、順方向及び逆方向電流電圧特性は大きく違ってくる。第８図は、Ｐ＋領域３の間隔を変えた時のＳＢＤの逆電圧ＶＲと逆電流ＩＲとの関係を概念的に示す特性図である。曲線ａ１、ａ２、ａ３は、Ｐ＋領域３の間隔がそれぞれｄ１，ｄ２，ｄ３の場合の特性で、破線で示す曲線ｃは、Ｐ＋領域３を持たない、即ち電流をピンチオフする構造を持たない場合の特性である。横軸の逆電圧ＶＲ１、ＶＲ２及びＶＲ３は、間隔ｄ１，ｄ２，ｄ３のＳＢＤのピンチオフ電圧を表わす。同図より明らかなように、逆電圧ＶＲを印加し、その値を順次増加していくと、逆電流ＩＲは増加する。逆電圧ＶＲがピンチオフ電圧に達すると、高密度の逆電流通電路は遮断され、その後、逆電流ＩＲはゆるやかに漸増する。一般に逆電流ＩＲは小さいほど望ましく、曲線ａ１、ａ２、ａ３を比較すると、曲線ａ１の場合即ちＰ＋領域３の間隔が最も小さいｄ１の場合が好ましい。即ちＰ＋領域３の間隔を狭くすれば逆電流特性は良くなることがわかる。」ことが記載されている。
　したがって、以上の記載から、甲第１号証には、
　一導電型第２半導体層（２２）の表面に複数の反対導電型第３半導体領域（２３）が複数形成され、反対導電型第３半導体領域（２３）ではさまれた、一導電型第２半導体層（２２）の表面に第１電極膜（２４）を設けた半導体装置が記載されている。
　
　当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物２（特開昭６０−７４５８２号公報（申立人の提出した甲第２号証））には、以下のような事項が記載されている。
　第３頁右下欄９行〜第４頁右下欄１０行には、「第１図には、本発明の第１の実施例のピンチ整流器１００の断面図が示されている。ピンチ整流器１００はＮ導電型にドープされ、好ましくはシリコンで形成されている第１および第２の半導体層１０２および １０４を有する。第１の層１０２はその導電性を増加するように高濃度にドーブされたバルク基板で構成することが好ましい。第２の層１０４は、基板１０２上にエピタキシャル成長させた低濃度にドープ処理された層で構成することが好ましく、層１０４の厚さおよびドーバント濃度は、本技術分野において専門知識を有する者に明らかなように整流器１００の逆方向降服電圧を決定する。基板１０２の下側にはアルミニウムのような電極１０６が設けられており、この電極はピンチ整流器１００のカソードを形成し、高濃度にドープされた層１０２とオーミック接触を形成する。
　本発明によれば、ピンチ整流器１００は、複数の半導体領域部分１０８を有する。この半導体領域部分はエビタキシャル層１０４の上部に隣接し、Ｐ導電型に高濃度にドープされている 。このＰ＋領域部分１０８は、本明細書で「電流ピンチオフ手段」と称するものを構成し、その目的は第３図乃至第５図に関連して後で説明する。Ｐ＋領域部分１０８の各々に隣接して、アルミ二ウムからなる別の電極１１０が設けられ、この電極はピンチ整流器１００のアノードを構成する。アノード １１０がＰ＋領域部分１０８とオーミック接触を形成するように、Ｐ＋領域部分 １０８は好ましくは １×１０18／ｃｍ3以上のドーパント濃度を有する。
　ピンチ整流器１００は更にアノード１１０とエビタキシャル層１０４との間に挟まれた第３の半導体層部分１１２を有する。この第３の半導体層部分１１２はＮ導電型に高濃度にドープされており、このためアノード１１０がエピタキシャル層１０４に対しオーミック接触する。
　Ｐ＋領域部分１０８と第３の半導体層部分１１２との好ましい構造が第２図に示されている。第２図においては、ピンチ整流器１００の３次元の六角形の部分図が示されているが、アノード１１０の一部は整流器の詳細部分をよく示すために取り除かれている。この好ましい構造においては、Ｎ＋層部分１１２は、密に間隔をおいて配列された複数の個々の領域で構成され、例えば、N＋領域都分１１４が６つの他の同様な部分によって対称的に囲まれる。従って、Ｐ＋領域部分１０８は、対称的に設けられたN十層部分１１２を相互接接する領域を構成している。しかしながら、他の構造のもの、例えばＮ＋層部分１１２が矩形または平行な細長い領域で形成されるようなものを使用してもよい。
　第１図または第２図のＰ＋領域部分１０８の機能は、以下第３図乃至第５図を参照してピンチ整流器１００の動作を説明することにより詳しく理解できるであろう。
　第３図は、ピンチ整流器１００がゼロ雷圧でバイアスされた時、すなわちアノード１１０がカソード１０６に電気的に短絡された時のピンチ整流器１００の電気的状態を示しているものである。このゼロバイアス状態においては、Ｐ＋領域部分１０８は、Ｐ＋領域部分１０８からそれぞれ層１０４内に伸びる空乏領域部分１１４をエピタキシャル層１０４内に誘起する。この空乏領域部分１１４は、より高濃度にドープされたＰ＋領域部分１０８および反対の導電型のＮ− 層１０４の間の固有の電位差から生じるものである。隣り合う空乏領域部分１１４は、矢印１１６で示す位置において、好ましくはＮ＋ 層部分１１２とエピタキャル層１０４との間の界面１１８において互いに合併する。これは、Ｎ＋ 層部分１１２の直径が十分に小さいことを必要とする。この直径は典型的には、少なくともＰ＋領域部分１×１０18／ｃｍ3の濃度にドープ処理され、Ｎ−エピタキシャル領域１０４が１０１６／ｃｍ3の濃度にドープされている場合には、０．６ミクロンである。隣り合う空乏領域部分１１４が界面 １１８の所で合併することはそれほど重要なことではない。しかしながら、これらの空乏領域部分１１４が界面１１８の所で合併しない場合には、逆方向漏洩電流が理想的な値よりも大きくなり、また隣り合う空乏領域部分１１４がゼロバイアスおよび低い順方向バイアス電圧(すなわち、アノード１１０がカソード１０６よりわすかに正にバイアスされた場合 )において合併する場合には、理想的な順万向電圧降下より高い電圧降下が生じる。」ことが、特に第３図と共に記載されている。
　第５頁左上欄１６行〜右上欄６行には、「第６図を参照すると、本発明の他の実施例のピンチ整流器２００の一部が示されている。ピンチ整流器２００においては、基板を構成する層２０２、エピタキシャル層２０４およびカソード２０６は、それぞれピンチ整流器１００（第１図）の基板の層１０２、エピタキシャル層１０４およびカソード１０６に本質的に同じである。
　ピンチ整流器２００においては、アノード２３０を形成するため導電性材料は、エピタキシャル層２０４とショットキー接触部分２３２を形成するように選択される」ことが、第６図と共に記載されている。
　第５頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行には、「隣り合う空乏領域部分２３６を合併させてもよく、また他の極端な場合として、隣り合う空乏領域部分２３６がまだ合併しない程度にピンチ整流器２００を逆バイアスした時にショットキー接触部分２３２が好ましくないほど高レベルの逆方向漏洩電流を防止する限りにおいて、隣り合う空乏領域部分２３６を可能な限り互いから大きく隔てることができるからである。」と記載されている。
　
　当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物３（Ｈ−Ｒ　Ｃｈａｎｇ他、Ａ　ＳＯＦＴ−ＲＥＣＯＶＥＲＹ、ＨＩＧＨ　ＳＰＥＥＤ　ＰＯＷＥＲ　ＲＥＣＴＩＦＩＥＲ、ＩＥＥＥ−ＩＡＳ　Ａｎｎｕａｌ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　１９８９、ｐｐ．１２９６−１３００（申立人の提出した甲第３号証））には、以下のような事項が記載されている。
　Ｆｉｇｕｒｅ．１には、Ｎ−ＤＲＩＦＴ層の表面に複数のＰ＋領域が形成され、そのＰ＋領域で挟まれたの表面に電極を設け、Ｎ−ＤＲＩＦＴ層と電極がショットキー接触(ｓｃｈｏｔｔｋｙ　ｒｅｇｉｏｎ)している半導体装置が記載されている。
　Ｆｉｇｕｒｅ．２にはＰ＋領域の間隔が１μm〜１３μmに対するブレークダウン電圧について記載されている。
　第１２９７頁左欄第１８〜２０行には、「エピタキシャル層の厚さは４７．５μm、不純物濃度は１×１０１３ｃｍ−３であるＰ−Ｉ−Ｎ整流器の耐圧は８３０Ｖとなる。」と記載されている。
　第１２９７頁左欄第４４〜４７行には、「ｐ−ｎ接合のビルトインポテンシャル(φ=０．８Ｖ)より低いバリアハイト（φＢ＝０．６５Ｖ）を有するショットキー接触を通して全体の電流の３０パーセントが流れる。」と記載されている。
　
　当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物４（半導体ハンドブック（第２版、第３刷）、（昭５７−１２−１０）、オーム社、ｐｐ．６２−６４（申立人の提出した甲第４号証））には、以下のような事項が記載されている。
　第６３頁右欄下から第３行〜第６４頁左欄第８行には、「電界の式（２・１４）は、図２・３のような三角形の分布を示す。なお、実用上は、ＮＡ，ＮＤの一方がほかより非常に大きいことが多い。仮にＮＡ＞＞ＮＤとすれば、式（２．１６）は次のように簡単となる。
Ｗｄｅｐ≒√（２εｓ（Ｖｂｉ−Ｖ）／ｑＮＤ），Ｅｍ≒√（２ｑＮＤ（Ｖｂｉ−Ｖ）／εｓ）」と記載されている。
　
 当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物５（特開平３−２７６７６２号公報（申立人の提出した甲第５号証））には、以下のような事項が記載されている。
　第１頁右下欄１４行〜第２頁左上欄２行には、「即ち本発明は、前記一導電型半導体領域をシヨットキ接合を形成する第１領域６と、高抵抗の第２領域５及び第３の領域３の三層積層領域により形成すると共に前記第１及び第２領域６及び５に跨ってこれと逆導電型の複数個の島状領域７を設け、又、前記第1領域表面より、夫々島状領域に達する深さの凹部１０を形成し、 ショットキバリア金属１を該第１領域６の凹凸表面上に設けたことを特徴とする」と記載されている。
　第２頁右下欄２行〜３行には、「第２図構造を表１に示す条件でショットキバリアダイオードを製作した。」ことが、第２頁右下欄の表１には「表１：記号６及びｄ、Ｎ型〃　２μｍ　０．５Ω・ｃｍ：記号７．Ｐ＋型シリコン　ボロン１×１０２４ケ／ｃｍ３　ＤＯＳＥ　２．５μｍ　厚」ことが、第２図と共に記載されている。なお、記号６及びｄにおける「〃」は記号３及び記号ｈにおける記載を参照すると「エピタキシャル層」を表しているものと認められる。」
　
（４）対比及び判断
ア．本件請求項１に係る発明について
  本件請求項１に係る発明と前記刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１の「一導電型第２半導体層（２２）」、「反対導電型第３半導体領域（２３）」、「第１電極膜（２４）」は、それぞれ本件請求項１に係る発明の「一導電型半導体」、「逆導電型半導体領域」、「電極」に相当する。
　また、刊行物１における第５頁左上欄３〜８行の「上記実施例では、Ｎ−層２２とアノード電極膜２４とがショットキー接触をするＳＢＤについて述べたが、これに限定されない。又，Ｐ＋領域２３は相互間隔を十分近接して配置し、ゼロ電圧又は微少逆電圧でその空乏層が結合し、主通電路を遮断することも可能である」という記載から、逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体領域では、空乏層が形成されている半導体装置の構成が開示されており、この構成は、本件請求項１に係る発明において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷN、 一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷbiとしたとき、０＜ＷN≦２Ｗbiであるように構成した半導体装置に相当する。
　よって、両者の一致点は以下のとおりである。
（一致点）
　「一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け、かつ一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷN、 一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷbiとしたとき、０＜ＷN≦２Ｗbiであるように構成した半導体装置。」
　他方、両者の相違点は以下のとおりである。
(相違点）
　本件請求項１に係る発明は、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル(φX）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φM）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とする半導体装置であるのに対して、刊行物１には、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアルについて、明記されていない点。
　以下、上記相違点について検討する。
　上記相違点について、刊行物２ないし刊行物５に記載の発明を検討すると、各刊行物は、上記相違点に関する記載も示唆もない。
　すなわち、刊行物２にはNー層１０４の表面に複数のP＋領域１０８が形成され、そのP＋領域１０８で挟まれたN＋層１１２の表面に電極１１０を設けNー層１０４と電極１１０がオーミックしている半導体装置が記載され、刊行物３には、Ｎ−ＤＲＩＦＴ層の表面に複数のP＋領域が形成され、そのP＋領域で挟まれたの表面に電極を設け、Ｎ−ＤＲＩＦＴ層と電極がショットキー接触（ｓｃｈｔｏｏｋｙ　ｒｅｇｉｏｎ）している半導体装置が記載され、 刊行物４には、Wｄｅｐ(ゼロ電位時の空乏層幅)を求める式が記載され、刊行物５には、Ｎ半導体層６の表面に複数のP＋領域７が形成され、該P＋領域で挟まれたＮ半導体層６の表面に電極を設け、N半導体層６はその表面形状を凹凸状とし、その凹部の底面および側面にＰ＋領域７が形成されている半導体装置が記載されているが、「一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル(φX）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φM）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とする半導体装置」については、記載も示唆もない。
　そして、かかる相違点により、本件請求項１に係る発明は、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアルの高さを、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φM）の高さより小さい半導体装置に比較して、小さな逆漏れ電流となり、順方向電圧が若干大となるものの、ＰＩＮ接合のしきい値電圧よりは低く抑えられ、さらに、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアルをコブ状ポテンシャルが形成するまで高めるとコブ状ポテンシャル形成部分に蓄積された多量のホールが、擬似Ｐ領域を形成し、この擬似Ｐ領域が形成する内部電界により、逆回復時間を通常のショットキ接触領域のＰＩＮ接合の１／８以下に高速化できるという明細書記載の顕著の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、前記刊行物１ないし３に記載の発明であるとはいえず、また、前記刊行物１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
イ．本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明を引用し、さらに限定したものである。
　したがって、請求項２に係る発明は本件請求項１に係る発明と同様に、前記刊行物１ないし３に記載の発明であるとはいえず、また、前記刊行物１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
ウ．本件請求項３に係る発明について
　本件請求項３に係る発明は、本件請求項１又は２に係る発明を引用し、さらに限定したものである。
　したがって、請求項３に係る発明は本件請求項１又は２に係る発明と同様に、前記刊行物１に記載の発明であるとはいえず、また、前記刊行物１ないし５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１ないし３に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月１３日（２００２．１１．１３）
【訂正の要旨】
（１）特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
「【請求項１】　一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け、かつ一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷＮ、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷｂｉとしたとき、０＜ＷＮ≦２Ｗｂｉであるように構成した半導体装置において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル（φＸ）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φＭ）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とする半導体装置。」
（２）特許請求の範囲の請求項３を削除する。
（３）特許請求の範囲の請求項４を次のとおりに訂正し、項番号を繰り上げて請求項３とする。
「【請求項３】　一導電型半導体の表面形状を凹凸状とし、その凹部の底面又は側面又はそれら両面に逆導電型半導体領域を形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。」
（４）明細書中の【０００２】段落中の「（２）」、【０００６】段落中の「（３）」、【００１１】段落中の「（４）」、【００１４】段落中の「（５）」、【００１８】段落中の「（６）」、【００２１】段落中の「（７）」、【００２６】段落中の「（８）」、【符号の説明】欄中の「（９）」の記載を、削除する。
（５）【０００３】段落中の「Ｎ＋」を「Ｎ＋」に、「Ｐ＋」を「Ｐ＋」に訂正する。
（６）【０００７】段落中の「Ｐ＋」を「Ｐ＋」に訂正する。
（７）【００１１】段落中の「Ｐ＋半導体領域６は不純物表面濃度１×１０２０Ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、」を「Ｐ＋半導体領域６は不純物表面濃度１×１０２０Ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」に、「Ｐ＋半導体領域６の拡散深さ２μｍ、Ｐ＋半導体領域６の幅２μｍの場合における一対のＰ＋半導体領域６の最短距離ＷＮの中央点０からＮ型半導体１の深さ方向への距離Ｘに至る電子ポテンシアルを示している。」を「Ｐ＋半導体領域６の拡散深さ２μｍ、Ｐ＋半導体領域６の幅２μｍの場合における一対のＰ＋半導体領域６の最短距離ＷＮの中央点０からＮ型半導体１の深さ方向への距離Ｘに至る電子ポテンシアルを示している。」に訂正する。
（８）【００１２】段落中の「Ｐ＋」を「Ｐ＋」に訂正する。
（９）【００１３】段落中の「Ｐ＋半導体領域から延びるポテンシアルの中心線ＯＸ上におけるｘの位置での伝導帯ポテンシアルはφＮに一致する。又、ＷＮ＜２Ｗｂｉのときは、中心線ＯＸ上のポテンシアルはφより高い位置で、二つのＰ＋半導体領域から延びるポテンシアルが交差する。従って、図７のａ及びｂに示すように、中心線ＯＸ上のＮ型半導体は不純物濃度を操作することなく、隣接するＰ＋半導体領域の距離を接近させるだけで、高いポテンシアルを得られる。」を「Ｐ＋半導体領域から延びるポテンシアルの中心線ＯＸ上におけるｘの位置での伝導帯ポテンシアルはφＮに一致する。又、ＷＮ＜２Ｗｂｉのときは、中心線ＯＸ上のポテンシアルはφより高い位置で、二つのＰ＋半導体領域から延びるポテンシアルが交差する。従って、図７のａ及びｂに示すように、中心線ＯＸ上のＮ型半導体は不純物濃度を操作することなく、隣接するＰ＋半導体領域の距離を接近させるだけで、高いポテンシアルを得られる。」に訂正する。
（１０）【００１３】段落中の「Ｃ曲線」を「ｃ曲線」に訂正する。
（１１）【００１４】段落中の「Ｐ＋」を「Ｐ＋」に誤記の訂正を目的として訂正する。
（１２）【００１７】段落中の「１×１０２０Ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」を「１×１０２０Ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」に、「Ｐ＋」を「Ｐ＋」に、「１ｃｍ２」を「１ｃｍ２」に訂正する。
（１３）【００１８】段落中の「Ｐ＋」を「Ｐ＋」に訂正する。
（１４）【００２０】段落中の「されなくとも、Ｐ＋」を「されなくとも、Ｐ＋」に、「上端はＰ＋」を「上端はＰ＋」に、「領域はＰ＋」を「領域はＰ＋」に訂正する。
（１５）【００２２】段落中の「即ち、Ｐ＋」を「即ち、Ｐ＋」に、「ホ−ルはＰ＋」を「ホ−ルはＰ＋」に、「困難であり、Ｐ＋」を「困難であり、Ｐ＋」に訂正する。
（１６）【００２３】段落中の「（Ｐ＋）」を「（Ｐ＋）」に訂正する。
（１７）【０００５】段落を次のとおり訂正する。
「一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け、かつ一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷＮ、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷｂｉとしたとき、０＜ＷＮ≦２Ｗｂｉであるように構成した半導体装置において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル（φＸ）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φＭ）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とすることにより前記の課題を解決する。」
（１８）【０００７】段落中の「関係にあることが、本発明の主たる特徴である。」を「関係にあること及び一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル（φＸ）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φＭ）の高さより大きくなるように構成したことが、本発明の主たる特徴である。」と訂正する。
（１９）【０００８】段落中の「いずれもａ及びｂの曲線が本発明構造による特性を示し、」を「ｂの曲線が本発明構造による特性を示し、」に訂正する。
（２０）【００１１】段落中の「ａ及びｂに本発明構造の曲線を示した。」を「ｂに本発明構造の曲線を示した。」に訂正する。
（２１）【００１４】段落中の「ポテンシアルφＸは、φＭ≧φＸ＞φＮ、又はφＭ＜φＸの状態に変化し得る。」を「ポテンシアルφＸは、φＭ＜φＸの状態に変化し得る。」に訂正する。
（２２）【図面の簡単な説明】の欄の図７の空欄を「電子ポテンシアルダイアグラムである。」に訂正する。
（２３）【符号の説明】の欄中の「１′　　　高濃度一導電型半導体（例えば、Ｎ＋型）」を「１′　　　高濃度一導電型半導体（例えば、Ｎ＋型）」に、「２　　　ガ−ドリング領域（例えばＰ＋型）」を「２　　　ガ−ドリング領域（例えばＰ＋型）」に、「６　　　逆導電型半導体領域（例えば、Ｐ＋型）」を「６　　　逆導電型半導体領域（例えば、Ｐ＋型）」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け、かつ一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷＮ、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷｂｉとしたとき、０＜ＷＮ≦２Ｗｂｉであるように構成した半導体装置において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル（φＸ）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φＭ）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】　一導電型半導体の表面と逆導電型半導体領域にまたがって電極を設け、その電極は一導電型半導体の表面とはショットキ接触又はオ−ミック接触を形成し、逆導電型半導体領域とはオ−ミック接触を形成していることを特徴とする請求項１の半導体装置。
　【請求項３】　一導電型半導体の表面形状を凹凸状とし、その凹部の底面又は側面又はそれら両面に逆導電型半導体領域を形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の構造に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】周知のように、半導体装置の特性、特に、順方向特性、逆方向特性、及びスイッチング特性の改善のための開発が進められ、種々の構造が提案されている。
　【０００３】図１に、周知のショットキバリア型半導体装置の断面構造図を示す。１は一導電型半導体（例えばＮ型）、１′は高濃度一導電型半導体（例えば
Ｎ＋
Ｐ＋
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】半導体装置の利用上、前記せる従来構造より、更に、逆漏れ電流が小さく、しかも順方向特性及びスイッチング特性がＰＮ接合構造のそれらより改善された半導体装置が要求されている。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設け、かつ一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をＷＮ、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をＷｂｉとしたとき、０＜ＷＮ≦２Ｗｂｉであるように構成した半導体装置において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアル（φＸ）の高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアル（φＭ）の高さより大きくなるように構成したことを特徴とすることにより前記の課題を解決する。
　【０００６】
　【実施例】図２及び図３は本発明の実施例を示す断面構造図であり、図１と同一符号は同一部分をあらわす、一導電型半導体１の表面形状を、図２では平面状に、又、図３では凹凸状とした実施例である。
　【０００７】６は逆導電型半導体領域（例えば、
Ｐ＋
一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体内に生じる電子ポテンシアルの高さが、一導電型半導体の表面と電極のみの構成によって生じる電子ポテンシアルの高さより大きくなるように構成したこと
　【０００８】電極４として周知のバリア金属を用いた本発明構造のショットキバリア半導体装置を製作し、図４に逆方向特性図、図５に順方向特性図、及び図６にスイッチング特性図をそれぞれ示し、本発明構造の優れた特性を、従来構造の特性に対比した。
ｂの曲線が
　【０００９】図２及び図３の電極４は一導電型半導体１の表面と逆導電型半導体領域６の表面にまたがって設けられているが、実施の態様によっては必ずしもまたがって設ける必要はなく、少なくとも一対の一導電型半導体１の表面に存在すればよい。又、１又は６の表面の全部をおおわず、部分的に設けてもよい。
　【００１０】電極４の材料としてはショットキ接触をなすバリア金属でなくともよく、オ−ミック金属、その他の導電材料など電極を形成し得る材料のいずれであってもよい。
　【００１１】次いで、本発明構造の作用を具体的な実施例にもとづいて説明する。図７は電子ポテンシアルダイアグラムであり、
ｂに
Ｐ＋半導体領域６は不純物表面濃度１×１０２０Ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、
Ｐ＋半導体領域６の拡散深さ２μｍ、Ｐ＋半導体領域６の幅２μｍの場合における一対のＰ＋半導体領域６の最短距離ＷＮの中央点０からＮ型半導体１の深さ方向への距離Ｘに至る電子ポテンシアルを示している。
　【００１２】即ち、Ｎ型半導体１と電極４によるショットキ接触電位φＭ、
Ｐ＋
　【００１３】前記の最短距離ＷＮと零電位の空乏層幅Ｗｂｉの関係でみると、ＷＮ＞２Ｗｂｉのときは、
ｃ曲線
Ｐ＋
Ｐ＋
Ｐ＋
　【００１４】本発明構造は、擬似Ｐ領域の形成によって、
Ｐ＋
φＭ＜φＸの状態に変化し得る。
　【００１５】φＭ≧φＸ＞φＮの場合、順方向特性は、図５のａ曲線で示され、主として、φＭの高さで決まる。逆方向特性については、φＭで決まるのみでなく、φＸが形成する電極４とＮ型半導体１の接合面における電界強度Ｅは、図１の構造、及びＷＮ＞２Ｗｂｉの構造に較べて、前記せる擬似Ｐ領域の形成によるφＸの増加分だけ電界強度Ｅが小さくなる。従って、逆漏れ電流は、公知の逆漏れ電流の式から明らかなように減少し、電圧依存性も小さくなり、図４のａ曲線のごとく優れた特性を示す。又、φＭ＝φＸの場合、接合を横切る電界強度Ｅは、ほぼ、零となるため、逆漏れ電流は、そのバリア金属で決まるショットキバリア・ダイオ−ドとして最小の飽和電流値になる。
　【００１６】φＭ＜φＸの場合、順方向及び逆方向特性は、ショットキ接触電位φＭの高さで支配されなくなり、φＸの高さで支配される特性となる。即ち、逆漏れ電流は、前記の最小の飽和電流値より、更に小となり、図４のｂ曲線のようになる。しかしながら、順方向特性は、φＸに見合うだけのしきい値電庄が必要になり、ダイオ−ドとしての順方向電圧降下ＶＦはｂ曲線のように若干、大とならざるを得ない。ただし、点線で示すようにＰＩＮ接合のしきい値電圧より小となる。
　【００１７】次いで、図６のスイッチング特性図について説明する。ｔｒｒは、順方向電流通電時から逆極性にスイッチしてキャリアが消滅するまでの、いわゆる逆回復時間である。例えば、Ｎ型高抵抗層として５Ω・ｃｍ、厚さ３０μｍのシリコンに、
Ｐ＋
１×１０２０Ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
１ｃｍ２
　【００１８】本発明構造の０＜ＷＮ≦２Ｗｂｉで、Ｔｉ金属とＮ型半導体をショットキ接触し、
Ｐ＋
　【００１９】そのメカニズムを本発明構造のφＭ≧φＸ＞φＮとφＭ＜φＸの二つの実施態様に分けて説明する。φＭ≧φＸ＞φＮの範囲では、図７のポテンシアル分布でわかるようにφＭの影響の大なる範囲であり、Ｔｉショットキ性の少数キャリアの注入そのものが少ないこと、及びＷＮの比較的広いことから、図１のような単純なショットキ接合と同等の短いｔｒｒ、即ち、数ｎｓｅｃ〜２０ｎｓｅｃの高速を得る。
　【００２０】φＭ＜φＸの範囲では、図８の電子ポテンシアルダイアグラムに示すように、外部電圧が印加
されなくとも、Ｐ＋
上端はＰ＋
領域はＰ＋
　【００２１】本発明構造におけるスイッチング動作時の逆回復時間は、擬似Ｐ領域によるコブ状ポテンシアル形成部分の形成により、従来構造のごとく、単に、ホ−ルは陰極側へ、又、電子は陽極側に移動することにより、消滅する現象ではなく、特異な現象によって短縮することを発見した。
　【００２２】
即ち、Ｐ＋
ホ−ルはＰ＋
困難であり、Ｐ＋
　【００２３】以上の現象は、本発明構造である逆導電型半導体領域
（Ｐ＋）
　【００２４】本発明構造の他の実施例として、図９に高耐圧トランジスタの断面構造図、図１０にＳＩＴのゲ−ト部の断面構造図を示し、同一符号は同一部分をあらわす。その他ＩＧＢＴをはじめ各種の半導体装置に利用できる。
　【００２５】導電型の等価的変換をはじめ、本発明の構造要件を満足するならば、いずれの変形、付加、変換等の変更を行っても本発明の範囲に含まれるものである。
　【００２６】
　【発明の効果】以上、説明したごとく、本発明の半導体装置は特に、低損失、高耐圧、かつ高速の特性を得ることができ、パワ−用をはじめ各種の産業機器に利用される整流素子、トランジスタ、スイッチ素子等の半導体装置として広く適用でき、その効果きわめて大なるものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】従来の半導体装置の断面構造図である。
　【図２】本発明の実施例を示した断面構造図。
　【図３】本発明の他の実施例を示した断面構造図である。
　【図４】逆方向特性図である。
　【図５】順方向特性図である。
　【図６】スイッチング特性図である。
　【図７】
電子ポテンシアルダイアグラムである。
　【図８】電子ポテンシアルダイアグラムである。
　【図９】本発明を高耐圧トランジスタに実施した断面構造図である。
　【図１０】本発明をＳＩＴのゲート部に実施した断面構造図である。
　【符号の説明】
　１　　　　　一導電型半導体（例えば、Ｎ型）
　１′　　　　高濃度一導電型半導体（例えば、
Ｎ＋型）
　２　　　　　ガ−ドリング領域（例えば
Ｐ＋型）
　３　　　　　絶縁膜
　４　　　　　電極
　５　　　　　オ−ミック電極
　６　　　　　逆導電型半導体領域（例えば
、Ｐ＋型
　７　　　　　凹部
　Ａ　　　　　陽極
　Ｃ　　　　　陰極
　ＷＮ　　　　６ではさまれた１の最短距離
　Ｗｂｉ　　　１と６の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅
　φＭ　　　　１と４によるショットキ接触電位
　φＮ　　　　１と４のみの構成により生じる１内の伝導帯ポテンシアル
　φＸ　　　　６ではさまれた１内の伝導帯ポテンシアル
　ＶＦ　　　　順方向電圧
　ＩＦ　　　　順方向電流
　ＶＲ　　　　逆方向電圧
　ＩＲ　　　　逆方向電流
　ａ　　　　　本発明実施例φＭ≧φＸ＞φＮの特性曲線
　ｂ　　　　　本発明実施例φＭ＜φＸの特性曲線
　Ｅｃ　　　　伝導帯
　ＥＶ　　　　価電子帯