【事件の表示】
　特願２００９−５４９１４２「半極性｛１１−２ｎ｝バルク窒化ガリウム基板上で成長したへき開型ファセットの（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ）Ｎ端面放射型レーザダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２１日国際公開、ＷＯ２００８／１００５０４、平成２２年　５月２７日国内公表、特表２０１０−５１８６２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成２０年　２月１２日　国際特許出願（外国庁受理　パリ条約による優先権主張平成１９年２月１２日　米国）
　平成２４年　７月２０日　拒絶理由通知（同年７月２６日発送）
　平成２５年　１月２２日　意見書・手続補正書
　平成２５年　２月１３日　拒絶査定（同年２月１８日送達）
　平成２５年　６月　７日　本件審判請求・手続補正書
　平成２５年　９月　９日　審尋（同年９月１０日発送）
　審尋に対する回答書は提出されなかった。
　
２　本願発明
　本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成２５年６月７日に補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「半極性バルクＩＩＩ族窒化物基板の半極性成長表面上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイスであって、該半極性バルクＩＩＩ族窒化物基板は、１つ以上のへき開型ファセットを作り出すために、該半極性バルクＩＩＩ族窒化物基板の該半極性成長表面と実質的に垂直な方向に沿ってへき開させられる、ＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイス
　を備える、オプトエレクトロニクスデバイス。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用する刊行物と引用発明
（１）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開２００６−１２８６６１号公報（以下「刊行物」という。）には、図面とともに以下の記載がある（当審注：下線は、引用発明の認定と特に関係する箇所に、当審が付したものである。）。
　
ア　「【請求項１】
窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の（１１−２２）面上に形成された、活性層と前記活性層を挟む２つのクラッド層とを有する積層体と、
を有することを特徴とする窒化物系半導体レーザ。
【請求項２】
前記窒化物半導体層の（１１−２２）面と垂直な共振器端面を有する請求項１に記載の窒化物系半導体レーザ。」　
　
イ　「【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物系半導体レーザに関するものである。」
　
ウ　「【背景技術】
…
【０００４】
しかしながら、図１０の半導体レーザでは、ｎ型ＧａＮ基板の（０００１）面（Ｃ面）上にデバイスを形成している。ＧａＮ結晶は、Ｃ軸方向に分極を有する。ＧａＮ上にＡｌＧａＮを形成すると、ＧａＮとＡｌＧａＮの格子定数が異なるため、界面では歪みが生じる。この歪みがピエゾ分極による電荷を発生させ、バンド構造が曲がるため、電子と正孔の再結合効率が下がり、結果として半導体レーザや発光ダイオードの発光効率を低下させてしまう。その現象は、長波長（例えば青緑色や緑色の波長）の窒化物発光素子を作製する場合、特に顕著となる。
…
【０００７】
さらに、非特許文献１や非特許文献２では、ピエゾ分極を低減させるために、ｃ面とは異なる面を無極性面として利用できることが報告されている。しかしながら、これらの非特許文献は、ピエゾ分極の抑制の一般的な手法を提案するに留まっており、本願発明者の主たる目的である長波長（例えば青緑色や緑色の波長）の窒化物発光素子（特に半導体レーザ）を作製するには至っておらず、その実現のためにはさらに付加すべき技術が必要となる。」
　
エ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、半導体レーザや発光ダイオードの発光効率を改善するため、ピエゾ効果を低減し高い発光効率を有する青色、緑色半導体レーザを提供することである。」
　
オ　「【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明の半導体レーザは、窒化物半導体層と、窒化物半導体層の（１１−２２）面上に形成された、活性層と上記活性層を挟む２つのクラッド層とを有する積層体と、を有することを特徴とする。
【００１０】
なお、上記窒化物半導体層の（１１−２２）面と垂直な共振器端面を有することが好ましい。
…」
　
カ　「【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体レーザによれば、ピエゾ分極による発光効率の低下を防止することができ、低しきい値電流の半導体レーザを作製することができる。」
　
キ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面に基き本発明の半導体レーザの一例について詳細に説明する。この例は、III族窒化物系半導体レーザの場合の例である。
【００１７】
図１に、本発明の半導体レーザの一例の斜視図を示す。図示のように、
この半導体レーザでは、（０００１）面を有する基板１０１上に、選択成長マスク１１０、ＧａＮ層１０２、ｎ型のクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型のクラッド層１０５、コンタクト層１０６、絶縁層１０７が順次積層されている。ＧａＮ層１０２は台形状を成しており、台形の斜面は（１１−２２）面から成る
（１１−２２）面上の絶縁層１０７には共振器方向に延びるストライプ状の開口部がコンタクト層１０６を露出させるように設けられており、電流狭窄構造１１５を形成している
絶縁層１０７および開口部から露出したコンタクト層１０６の上面には、電極１２０が配置
基板１０１の裏面には、電極１２１が配置
【００１８】
前記電流狭窄構造に直交する面である（１−１００）面は、容易にへき開することができ、良好な共振器端面を得る
前記電流狭窄構造に直交する方向でへき開した２つの共振器端面は、それぞれ、誘電体多層膜でコーティングされ
【００１９】
前記ＧａＮ層１０２は台形状としているが、（１１−２２）面が形成されれば三角形状でも構わない。
【００２０】
前記
基板１０１としては、
ｎ型ＧａＮ基板
などを用いる
【００２１】
前記選択成長マスク１１０としては、例えば、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉやＷおよびそれらの窒化物などを用いることができる。前記選択成長マスク１１０には前記基板１０１が露出するようにストライプ状に開口部が設けられており、その開口部の幅は、例えば、０．５〜１０００μｍの範囲、好ましくは、１〜４００μｍの範囲である。この開口部は、前記選択成長マスク１１０に複数個設けられていても構わない。開口部および選択成長マスク１１０の長さは、前記基板と同様である。前記選択成長マスク１１０の厚さは、例えば、０．００１〜３μｍの範囲であり、好ましくは、０．００２〜２μｍの範囲であり、より好ましくは、０．００５〜１μｍの範囲である。
【００２２】
前記ＧａＮ層１０２は、前述の選択成長マスク１１０に形成された開口部から成長しており、
【００２３】
前記
ｎ型のクラッド層１０３としては
ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層
などを用いる
…
【００２４】
前記
活性層１０４としては
ＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造からなる量子井戸活性層などを用いる
【００２５】
前記
ｐ型のクラッド層１０５としては
ｐ型ＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型クラッド層
などを用いる
【００２６】
なお、
前記ｎ型のクラッド層１０３、前記活性層１０４、および前記ｐ型のクラッド層１０５は、それぞれ（１１−２２）面を成長面として形成される
…
【００３９】
本実施の形態に示す
半導体レーザは、活性層が（１１−２２）面上に形成され、（１１−２２）面の法線と９０度を成す法線を有する面、即ち（１１−２２）面と垂直な面である（１−１００）面を共振器端面とする
【００４０】
図１に示すような本実施の形態では、選択成長マスクを用いて同一面上にデバイスを作製する場合について述べたが、（１１−２２）面を形成できる手段であれば他の方法を用いても良く、例えば、空隙（エアギャップ）を利用して（１１−２２）面を形成する方法を用いても良い。
【００４１】
本実施形態では、主面であるｃ面と約５８．４°の角度を成す面を（１１−２２）面としているが、必ずしも正確に５８．４°である必要はなく、５８．４°±５°の範囲であれば本発明の範疇に含まれるものとする。
【００４２】
本実施形態では、
ＧａＮ基板の主面に（０００１）面を用いているが、（１１−２２）面を主面とするＧａＮ基板を用いることで、選択成長という工程を排除することもできる。（１１−２２）面を主面とするGaN基板の育成には、必ずしも選択成長に適した成長技術を用いる必要はなく、HVPE法のほか、アルカリ金属など用いたフラックス法、高温高圧下での液相成長法、安熱法などを用いることができる。
　
（２）引用発明
ア　上記「（１）キ」【００１７】〜【００１８】によれば、
「（０００１）面を有する基板１０１上に、選択成長マスク１１０、ＧａＮ層１０２、ｎ型のクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型のクラッド層１０５、コンタクト層１０６、絶縁層１０７が順次積層された半導体レーザであって、
　ＧａＮ層１０２は、斜面が（１１−２２）面から成る台形状を成しており、
　（１１−２２）面上の絶縁層１０７には共振器方向に延びるストライプ状の開口部がコンタクト層１０６を露出させるように設けられて、電流狭窄構造１１５を形成しており、
　絶縁層１０７および開口部から露出したコンタクト層１０６の上面には、電極１２０が配置されており、
　基板１０１の裏面には、電極１２１が配置されており、
　前記電流狭窄構造に直交する面である（１−１００）面でへき開して得た２つの共振器端面は、それぞれ、誘電体多層膜でコーティングされている、
　半導体レーザ。」
が記載されている。
　
イ　上記「（１）キ」【００２０】の記載によれば、基板１０１としては、ｎ型ＧａＮ基板などを用いる。
　
ウ　上記「（１）キ」【００２２】の記載によれば、
「前記ＧａＮ層１０２は、前述の選択成長マスク１１０に形成された開口部から成長し」たものである。
　
エ　上記「（１）キ」【００２３】の記載によれば、ｎ型のクラッド層１０３としては、ｎ型ＡｌＧａＮなどを用いる。
　
オ　上記「（１）キ」【００２４】の記載によれば、活性層１０４としては、ＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造などを用いる。
　
カ　上記「（１）キ」【００２５】の記載によれば、ｐ型のクラッド層１０５としては、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮなどを用いる。
　
キ　上記「（１）キ」【００２６】の記載によれば、前記ｎ型のクラッド層１０３、前記活性層１０４、および前記ｐ型のクラッド層１０５は、それぞれ（１１−２２）面を成長面として形成される。
　
ク　上記「（１）キ」【００３９】の記載によれば、半導体レーザは、活性層が（１１−２２）面上に形成され、（１１−２２）面の法線と９０度を成す法線を有する面、即ち（１１−２２）面と垂直な面である（１−１００）面を共振器端面とするものである。
　
ケ　上記ア〜クより、刊行物には、以下の発明が記載されている。
「（０００１）面を有するｎ型ＧａＮ基板などの基板１０１上に、選択成長マスク１１０、ＧａＮ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＮなどのｎ型のクラッド層１０３、ＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造などの活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮなどのｐ型のクラッド層１０５、コンタクト層１０６、絶縁層１０７が順次積層された半導体レーザであって、
　前記ＧａＮ層１０２は、前記選択成長マスク１１０に形成された開口部から成長し、斜面が（１１−２２）面から成る台形状を成しており、
　前記ｎ型のクラッド層１０３、前記活性層１０４、および前記ｐ型のクラッド層１０５は、それぞれ（１１−２２）面を成長面として形成されており、
　（１１−２２）面上の絶縁層１０７には共振器方向に延びるストライプ状の開口部がコンタクト層１０６を露出させるように設けられて、電流狭窄構造１１５を形成しており、
　絶縁層１０７および開口部から露出したコンタクト層１０６の上面には、電極１２０が配置されており、
　基板１０１の裏面には、電極１２１が配置されており、
　前記電流狭窄構造に直交する面である（１−１００）面でへき開して得た２つの共振器端面は、それぞれ、誘電体多層膜でコーティングされており、
　活性層が（１１−２２）面上に形成され、（１１−２２）面の法線と９０度を成す法線を有する面、即ち（１１−２２）面と垂直な面である（１−１００）面を共振器端面とする、
　半導体レーザ。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
ア　引用発明の「半導体レーザ」が本願発明の「オプトエレクトロニクスデバイス」に相当し、引用発明の「順次積層された」「ｎ型ＡｌＧａＮなどのｎ型のクラッド層１０３、ＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造などの活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮなどのｐ型のクラッド層１０５、コンタクト層１０６、絶縁層１０７」が本願発明の「ＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイス」に相当する。
　
イ　引用発明は、「前記ｎ型のクラッド層１０３、前記活性層１０４、および前記ｐ型のクラッド層１０５は、それぞれ（１１−２２）面を成長面として形成されて」いるところ、「前記ｎ型のクラッド層１０３、前記活性層１０４、および前記ｐ型のクラッド層１０５」が形成される成長面の「（１１−２２）面」は、本願発明の「半極性成長表面」に相当する。
　
ウ　引用発明は、「２つの共振器端面」を「（１−１００）面でへき開して得」ているところ、「（１１−２２）面」は「（１１−２２）面と垂直な面」である。そうすると、引用発明の「（１１−２２）面と垂直な面である（１−１００）面」の２つの「共振器端面」を得るために「（１−１００）面でへき開」することは、本願発明の「１つ以上のへき開型ファセットを作り出すために」、「該半極性成長表面と実質的に垂直な方向に沿ってへき開させられる」ことに相当する。
　
エ　上記ア〜ウにより、本願発明と引用発明は、
「半極性成長表面上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイスであって、１つ以上のへき開型ファセットを作り出すために、該半極性成長表面と実質的に垂直な方向に沿ってへき開させられる、ＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイス
　を備える、オプトエレクトロニクスデバイス。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：「ＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイス」が形成され、「１つ以上のへき開型ファセットを作り出すために」「実質的に垂直な方向に沿ってへき開させられる」「半極性成長表面」が、本願発明では、「半極性バルクＩＩＩ族窒化物基板の半極性成長表面」であるのに対し、引用発明では、「（０００１）面を有するｎ型ＧａＮ基板などの基板１０１上に」、「選択成長マスク１１０に形成された開口部から成長」した「（１１−２２）面から成る台形状を成」す「ＧａＮ層１０２」の「斜面」である点。
　
５　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（１）上記「３（１）キ」【００４２】には、（１１−２２）面を主面とするＧａＮ基板を用いることで、（０００１）面を主面とするＧａＮ基板を用い選択成長して（１１−２２）面を形成する工程を排除する旨の技術事項が開示されている。ここで、（０００１）面を主面とするＧａＮ基板を用い選択成長して形成する（１１−２２）面は、引用発明における「（０００１）面を有するｎ型ＧａＮ基板などの基板１０１上に」、「選択成長マスク１１０に形成された開口部から成長」した「（１１−２２）面から成る台形状を成」す「ＧａＮ層１０２」の「斜面」である。そうすると、引用発明に上記技術事項を適用し、「（０００１）面を有するｎ型ＧａＮ基板などの基板１０１上に」、「選択成長マスク１１０に形成された開口部から成長」した「（１１−２２）面から成る台形状を成」す「ＧａＮ層１０２」の「斜面」に代えて（１１−２２）面を主面とするＧａＮ基板を用いることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。その際、基板としてバルクの基板を用いることにも困難性はない。
　従って、引用発明に上記刊行物に記載された技術事項を適用し、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項と為すことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
（２）効果について
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明と周知技術に基づいて当業者が容易に予測し得る程度のものである。　
　
（３）請求人の主張について
ア　請求人は、審判請求書の請求の理由において、以下のとおり主張する。
（ア）刊行物には、実施例を含め、どのようにしてそのようなデバイスを製造するかについての記載がないところ、そのようなデバイスについての開示（当審注：上記（１）で認定した技術事項についての開示）は存在しない。　
（イ）本発明は、半極性の配向上に（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｎデバイスを成長させる利点を、へき開型の鏡面ファセットによって達成される低損失キャビティと組み合わせることにより、高性能デバイスの製作を可能にするものであり、刊行物から予期し得ない効果を奏する。　
　
イ　以下、上記主張について検討する。
（ア）刊行物の【００４２】には、「（１１−２２）面を主面とするGaN基板の育成には、必ずしも選択成長に適した成長技術を用いる必要はなく、HVPE法のほか、アルカリ金属など用いたフラックス法、高温高圧下での液相成長法、安熱法などを用いることができる。」との記載があり、（１１−２２）面を主面とするGaN基板の育成方法が開示されている。
　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である
Mitsuru FUNATO, Masaya UEDA, Yoichi KAWAKAMI, Yukio NARUKAWA, Takao KOSUGI, Masayoshi TAKAHASHI and Takashi MUKAI，Blue, Green, and Amber InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Semipolar {11-22} GaN Bulk Substrates，Japan Journal of Applied Physics，日本，The Japan Society of Applied Physics，２００６年６月３０日，Vol.45, No.26，pp.L659-L662（当審注：{11-22}の「−」は、原文ではアッパーラインで表記されているが、審決ではアッパーラインが使用できないので、前記の通り表記した。以下同様である。）
には、半極性｛１１−２２｝バルクＧａＮ基板上にＩｎＧａＮ／ＧａＮの青色、緑色、アンバー色発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造したこと（審判請求書　３．２に記載された訳文参照。）が記載されており、また、「Semipolar ｛１１−２２｝ GaN substretes (made of Furukawa Co.,Ltd.) were cut out from a c-oriented GaN bulk crystal grown on sapphire (0001) by hydride vapor phase epitaxy.」（６５９頁左欄最下行〜同頁右欄２行）との記載があり、半極性｛１１−２２｝ＧａＮ基板は、Furukawa Co.,Ltd.製であることが記載されている。
　そうすると、刊行物に接した当業者は半極性｛１１−２２｝ＧａＮ基板を理解しうるものであるから、具体的な製造方法が記載されていないからといって、半極性｛１１−２２｝ＧａＮ基板の開示がない旨の請求人の主張は採用できない。
　
（イ）引用発明は、「活性層が（１１−２２）面上に形成され、（１１−２２）面の法線と９０度を成す法線を有する面、即ち（１１−２２）面と垂直な面である（１−１００）面を共振器端面」とし、「共振器端面は」「へき開」して得るものであるから、半極性の配向状にＧａＮデバイスを成長させる利点と、共振器端面をへき開して得る利点を備えている。そうすると、本願発明が奏する効果は、引用発明から当業者が予測しうる程度のものであるから、刊行物から予期し得ない効果を奏する旨の請求人の主張は採用できない。
　
（４）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明と刊行物に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
６　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と刊行物に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。