【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザチップであって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、活性領域を含み、前記活性領域は、光を発生する、エピタキシャル構造と、
第１の方向に延在する前記エピタキシャル構造中に形成される導波路であって、端面発光レーザを画定する前面エッチングファセットおよび後面エッチングファセットを有する、導波路と、
前記エピタキシャル構造中に形成される第１の陥凹領域であって、前記導波路からある距離を置いて配設され、前記後面エッチングファセットに隣接した開口部を有し、前記レーザチップのシンギュレーション前に、隣接レーザチップの試験を容易にする、第１の陥凹領域と、を備える、レーザチップ。
【請求項２】
前記第１の陥凹領域は、第１の末端壁を有する、請求項１に記載のレーザチップ。
【請求項３】
前記第１の末端壁は、前記第１の方向に対して直角以外の角度にある、請求項２に記載のレーザチップ。
【請求項４】
前記後面エッチングファセットは、高反射性材料でコーティングされる、請求項３に記載のレーザチップ。
【請求項５】
前記エピタキシャル構造中に形成され、前記導波路から第２の距離を置いて配設されて、前記前面エッチングファセットに隣接した開口部を有する、第２の陥凹領域を更に備え、前記第２の陥凹領域は、第２の末端壁を含む、請求項１に記載のレーザチップ。
【請求項６】
前記第２の末端壁は、前記第１の方向に対して直角以外の角度にある、請求項５に記載のレーザチップ。
【請求項７】
前記第１の陥凹領域への前記開口部および前記第２の陥凹領域への前記開口部は、相互に整列される、請求項６に記載のレーザチップ。
【請求項８】
前記端面発光レーザは、リッジレーザである、請求項１に記載のレーザチップ。
【請求項９】
前記リッジレーザは、ファブリペロー（ＦＰ）型のものである、請求項８に記載のレーザチップ。
【請求項１０】
前記リッジレーザは、分布帰還（ＤＦＢ）型のものである、請求項８に記載のレーザチップ。
【請求項１１】
前記端面発光レーザは、埋め込みヘテロ構造（ＢＨ）レーザである、請求項１に記載のレーザチップ。
【請求項１２】
前記ＢＨレーザは、ファブリペロー（ＦＰ）型のものである、請求項１１に記載のレーザチップ。
【請求項１３】
前記ＢＨレーザは、分布帰還（ＤＦＢ）型のものである、請求項１１に記載のレーザチップ。
【請求項１４】
前記基板は、ＩｎＰである、請求項１に記載のレーザチップ。
【請求項１５】
前記基板は、ＧａＡｓである、請求項１に記載のレーザチップ。
【請求項１６】
前記基板は、ＧａＮである、請求項１に記載のレーザチップ。
【請求項１７】
レーザチップであって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、活性領域を含み、前記活性領域は、光を発生する、エピタキシャル構造と、
第１の方向に延在する前記エピタキシャル構造中に形成される第１の導波路であって、第１の端面発光レーザを画定する第１の前面エッチングファセットおよび第１の後面エッチングファセットを有する、第１の導波路と、
第１の方向に延在する前記エピタキシャル構造中に形成される第２の導波路であって、第２の端面発光レーザを画定する第２の前面エッチングファセットおよび第２の後面エッチングファセットを有する、第２の導波路と、
前記エピタキシャル構造中に形成される陥凹領域であって、前記第１の後面エッチングファセットおよび前記第２の後面エッチングファセットのうちの１つに隣接した開口部を有し、前記レーザチップのシンギュレーション前に、隣接レーザチップの試験を容易にする。陥凹領域と、を備える、レーザチップ。
【請求項１８】
前記第１および第２の端面発光レーザのうちの少なくとも１つは、リッジ分布帰還（ＤＦＢ）レーザである、請求項１７に記載のチップ。
【請求項１９】
前記第１および第２の端面発光レーザのうちの少なくとも１つは、埋め込みヘテロ構造（ＢＨ）分布帰還（ＤＦＢ）レーザである、請求項１７に記載のチップ。
【請求項２０】
レーザチップであって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、活性領域を含み、前記活性領域は、光を発生する、エピタキシャル構造と、
第１の方向に延在する前記エピタキシャル構造中に形成される導波路であって、端面発光レーザを画定する前面エッチングファセットおよび後面エッチングファセットを有する、導波路と、
前記導波路に平行な方向にあり、かつそれからある距離を置いた、前記エピタキシャル構造中の完全な開口部であって、前記レーザチップのシンギュレーション前に、隣接レーザチップの試験を容易にする、完全な開口部と、を備える、レーザチップ。
【請求項２１】
レーザ構造であって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、光を発生するための活性領域を含む、エピタキシャル構造と、
前記エピタキシャル構造中に形成される第１の方向に延在する導波路であって、端面発光レーザを画定する前面エッチングファセットおよび後面エッチングファセットを有する、導波路と、
前記エピタキシャル構造中に形成される第１の陥凹領域であって、第１の末端壁を含み、前記後面エッチングファセットに隣接した開口部を有し、前記基板からの第１の隣接レーザチップのシンギュレーション前に、前記第１の隣接レーザチップの試験を容易にする、第１の陥凹領域と、
前記エピタキシャル構造中に形成される第２の陥凹領域であって、第２の末端壁を含み、前記前面エッチングファセットに隣接した開口部を有し、前記基板からの第２の隣接レーザチップのシンギュレーション前に、前記第２の隣接レーザチップの試験を容易にする、第２の陥凹領域と、を備える、レーザ構造。
【請求項２２】
レーザ構造であって、
基板と、
前記基板上のエピタキシャル構造であって、前記エピタキシャル構造は、光を発生するための活性領域を含む、エピタキシャル構造と、
前記エピタキシャル構造の第１の部分に形成される第１の方向に延在する第１の導波路であって、第１の端面発光レーザを画定する第１の前面エッチングファセットおよび第１の後面エッチングファセットを有する、第１の導波路と、
前記エピタキシャル構造の第２の部分に形成される前記第１の方向に延在する第２の導波路であって、第２の端面発光レーザを画定する第２の前面エッチングファセットおよび第２の後面エッチングファセットを有する、第２の導波路と、
前記エピタキシャル構造の前記第１の部分に形成される陥凹領域であって、前記第２の導波路の前記第２の前面エッチングファセットに直接対向する開口部を有し、前記基板からの前記エピタキシャル構造の前記第２の部分のシンギュレーション前に、前記第２の導波路の試験を容易にする、陥凹領域と、を備える、レーザ構造。
【請求項２３】
半導体レーザを製作する方法であって、
基板上に光を発生するための活性領域を含む構造をエピタキシャルに堆積するステップと、
前記構造の第１及び第２の部分に第１及び第２の導波路をそれぞれ形成するステップであって、前記第１の導波路が、第１の前面エッチングファセットおよび第１の後面エッチングファセットを有し、前記第２の導波路が、第２の前面エッチングファセットおよび第２の後面エッチングファセットを有する、前記第１及び第２の導波路を形成するステップと、
前記構造の前記第１の部分に陥凹領域を形成するステップであって、前記陥凹領域が、前記第２の導波路の前記第２の前面エッチングファセットに直接対向する開口部を有し、前記基板からの前記構造の前記第２の部分のシンギュレーション前に、前記第２の導波路の試験を容易にする、前記陥凹領域を形成するステップと、を備える、方法。
【請求項２４】
半導体レーザを試験する方法であって、
第１の導波路の金属接触部に電流を供給するステップであって、前記第１の導波路が第２の導波路に隣接して配置されており、前記第１及び第２の導波路が、基板上に形成されたエピタキシャル構造の第１及び第２の部分にそれぞれ形成されており、前記エピタキシャル構造が光を発生するための活性領域を含み、前記第１の導波路が、第１の前面エッチングファセットおよび第１の後面エッチングファセットを有し、前記第２の導波路が、第２の前面エッチングファセットおよび第２の後面エッチングファセットを有し、前記エピタキシャル構造の前記第２の部分が、前記第２の部分に形成された陥凹領域を有し、前記陥凹領域が、前記第１の導波路の前記第１の前面エッチングファセットに直接対向する開口部を有し、前記陥凹領域が、前記基板からの前記エピタキシャル構造の前記第１の部分のシンギュレーション前に、前記第１の導波路の試験を容易にするように、前記第１の導波路の前記第１の前面エッチングファセットからある距離を置いて配設された少なくとも１つの末端壁を有する、電流を供給するステップと、
前記陥凹領域の前記第１の導波路の前記第１の前面エッチングファセットから発光された光の特性を測定するステップと、を備える、方法。