【事件の表示】
　平成　９年特許願第　４６５２５号「位置検出方法及び半導体基板と露光マスク」拒絶査定に対する審判事件〔平成１０年　９月１１日出願公開、特開平１０−２４２０３５、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．本願は、平成９年２月２８日の出願であって、原審において、拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月２８日に手続補正書が提出され、その後、拒絶査定がなされ、その後、拒絶査定不服の審判請求がなされたものである。　その発明は、平成１２年６月２８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、請求項１〜６に記載された次のとおりのものである。
請求項１
「入射光を散乱させるエッジを有するウエハマークを露光面上に有するウエハであって、該ウエハマークのエッジが、露光面と平行な平面へ垂直投影した像が曲線状になる曲線状部分を有する前記ウエハと、入射光を散乱させるエッジを有するマスクマークを表面上に有する露光マスクであって、該マスクマークのエッジが、露光マスクの表面と平行な平面へ垂直投影した像が曲線状になる曲線状部分を有する前記露光マスクとを、前記露光面が前記露光マスクに対向するように間隙を挟んで配置する工程と、
　前記ウエハマーク及びマスクマークのエッジのうち曲線状部分に照明光を照射し、曲線状部分からの散乱光を前記露光面に対して斜め方向から観測して、前記ウエハと前記露光マスクとの相対位置を検出する工程と
を含む位置検出方法。」
請求項２
「前記マスクマーク及びウエハマークのエッジのうち曲線状部分を露光面もしくはマスク表面へ垂直投影した像の曲率半径が、観測光学系の分解能とほぼ等しいかまたはそれ以下である請求項１に記載の位置検出方法。」
請求項３
「前記相対位置を検出する工程において、前記露光面に対して斜めの観測光軸を有する光学系で前記散乱光を観測し、前記照明光は前記ウエハマーク及びマスクマークからの正反射光が前記光学系に入射しない方向から照射される請求項１または２に記載の位置検出方法。」
請求項４
「前記照明光の光軸と前記観測光軸とが共通である請求項３に記載の位置検出方法。」
請求項５
「前記ウエハマークが、前記照明光の入射面に対して垂直な向に沿って複数個配列し、前記マスクマークが、前記照明光の入射面に対して垂直な方向に沿って複数個配列し、
　前記相対位置を検出する工程において、前記照明光の入射面に対して垂直な方向に関する相対位置を検出する請求項４に記載の位置検出方法。」
請求項６
「前記ウエハマークのエッジと前記マスクマークのエッジとは、位置合わせが完了した状態では一方を平行移動して他方に重ねることができるように配置されており、前記相対位置を検出する工程が、前記ウエハマークのエッジと前記マスクマークのエッジのうち一方を平行移動すると他方に重ね合わせることができるように、前記ウエハと前記露光マスクとの位置を移動する工程を含む請求項５に記載の位置検出方法。」
２．原審の拒絶査定で引用した引用例
２．１　原審の拒絶査定で引用した、特許法第２９条第２項に関する引用例
２．１．１　特開平９−２７４４９号公報（以下、「引用例１」という。）
２．１．２　特開平３−１７７０１３号公報（以下、「引用例２」という。）
２．１．３　特開平２−２２４３１８号公報（以下、「引用例３」という。）
２．１．４　特開昭６２−４３１４２号公報（以下、「引用例４」という。）
２．１．５　特開平２−４６４５８号公報（以下、「引用例５」という。）
２．２　引用例に記載された発明の内容
２．２．１　引用例１に記載された発明の内容
　引用例１には、入射光を散乱させるエッジを有するウエハマークを露光面上に有するウエハであって、露光マスクを、前記露光面が前記露光マスクに対向するように間隙を挟んで配置する工程と、
　前記ウエハマーク及びマスクマークのエッジのに照明光を照射し、散乱光を前記露光面に対して斜め方向から観測して、前記ウエハと前記露光マスクとの相対位置を検出する工程と
を含む位置検出方法が開示されている。
２．２．２　引用例２に記載された発明の内容
　引用例２には、ウエハアライメントにおいて、検出光をウエハに斜めから照射し、アライメントマークのエッジ検出することが開示されている。
２．２．３　引用例３に記載された発明の内容
　引用例３には、マスクパターン、基板のパターンがともに円形のパターンであって、それらの半径が互いに異なるものであり、マスクパターン及び基板のパターンの重なり具合からマスクと基板の位置合わせを行うことが開示されている。
２．２．４　引用例４に記載された発明の内容
　引用例４には、
　楕円形の合わせマークを用い、オリエンテーションフラットのいらないウエハについて開示されている。
２．２．５　引用例５に記載された発明の内容
　引用例５には、マスクパターン、基板のパターンがともに円形のパターンであって、マスクパターン及び基板のパターンの重なり具合からマスクと基板の位置合わせを行うことが開示されている。
３．対比、判断
　原査定では、本願請求項１〜６に係る発明は、斜め方向から散乱光をアライメントマークに入射させ反射光を検出する引用例１又は２に対して、引用例３〜５に記載された周知の曲線状アライメントマークを単に適用して容易に相当できた旨の認定をしたが、この認定について検討する。
　本願請求項１に係る発明が、「ウエハマークのエッジが、露光面と平行な平面へ垂直投影した像が曲線状になる曲線状部分を有する前記ウエハと、入射光を散乱させるエッジを有するマスクマークを表面上に有する露光マスクであって、該マスクマークのエッジが、露光マスクの表面と平行な平面へ垂直投影した像が曲線状になる曲線状部分を有する前記露光マスクとを、前記露光面が前記露光マスクに対向するように間隙を挟んで配置する」及び「前記ウエハマーク及びマスクマークのエッジのうち曲線状部分に照明光を照射し、曲線状部分からの散乱光を前記露光面に対して斜め方向から観測して、前記ウエハと前記露光マスクとの相対位置を検出する」構成（以下、「本発明の特徴的構成」という。）を有し、「曲線状エッジからの散乱光による像はほぼ点状となり、その光強度はほぼ一点で最大値となる。すなわち、頂点を有するウエハマークの頂点からのとほぼ同様の像が得られる」（明細書【００６４】段落）ことにより、「本発明によれば、斜方からウエハマーク及びマスクマークのエッジからの散乱光を観測して、高精度に位置検出することができる」（【００７１】段落【発明の効果】）という効果を有するのに対し、引用例１記載の発明は、本願請求項１に係る発明の従来技術に相当し、上記本願請求項１に係る発明の構成及び効果がない点で相違する。
　また、引用例３〜５記載の発明は、アライメントマークが曲線状部分のエッジを有するものであるが、アライメントマークに対する光の照射及び観測の形態が、「マークのエッジのうち曲線状部分に照明光を照射し、曲線状部分からの散乱光を前記露光面に対して斜め方向から観測して、前記ウエハと前記露光マスクとの相対位置を検出する」ものではなく、従って、「曲線状エッジからの散乱光による像はほぼ点状となり、その光強度はほぼ一点で最大値となる。すなわち、頂点を有するウエハマークの頂点からのとほぼ同様の像が得られる」効果は有しない。
　そうすると、引用例１と引用例３〜５では、アライメントマークに対する光の照射及び観測の形態が互いに異なり、これは、両者の光学系が異なることを意味し、光学系が異なる引用例１と引用例３〜５を結びつける動機付けがなく、また、両者の光学系が異なることは、両者を結び付けることを阻害する要因となる。
　従って、本願請求項１に係る発明は、引用例１に引用例３〜５を単に適用して容易に相当できたとはいえない。
　また、本願請求項１に係る発明が、引用例２と引用例３〜５を単に適用して容易に相当できたか否かについて検討する。
　引用例２記載の発明も、上記本発明の特徴的構成を有していないから、本願請求項１に係る発明が、引用例１と引用例３〜５を単に適用して容易に相当できたか否かについての上記検討と同様に、本願請求項１に係る発明は、引用例２に引用例３〜５を単に適用して容易に相当できたとはいえない。
　本願請求項１に係る発明を引用し、本願請求項１に係る発明をさらに減縮した本願請求項２〜６に係る発明は、本願請求項１に係る発明と同様に、引用例１又は２に引用例３〜５を単に適用して容易に相当できたとはいえない。
４．むすび
　本願請求項１〜６に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原査定は妥当ではない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　よって、結論のとおり審決する。