【事件の表示】
　特願２００８−５１２８６５「ホスホン酸ビニルモノマー由来の構造制御された共重合体、その合成方法、および、その利用」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月３０日国際公開、ＷＯ２００６／１２５８９２、平成２０年１１月２７日国内公表、特表２００８−５４２４６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１８年５月１８日（パリ条約による優先権主張　２００５年５月２３日、２００５年１２月２１日　いずれもフランス（ＦＲ））を国際出願日とする特許出願であって、平成２３年１月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２５日に意見書が提出されるとともに誤訳訂正がなされ、同年１０月６日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２４年４月１１日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、該手続補正について同年１１月５日付けで補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで平成２３年１０月６日付けで通知された拒絶理由によって拒絶査定がなされた。これに対し、平成２５年３月１３日に拒絶査定に対する審判が請求されると同時に手続補正がなされ、同年４月１８日に審判請求書の手続補正書（方式）が提出され、同年５月１３日付けで前置報告がなされ、当審において同年６月３日付けで審尋がなされたが、請求人より回答書が提出されなかったものである。
　
第２．補正の却下の決定
［結論］
　平成２５年３月１３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．手続補正の内容
　平成２５年３月１３日付け手続補正（以下、「本件手続補正」という。）は、平成２３年７月２５日付け誤訳訂正書により訂正及び補正された特許請求の範囲をさらに補正するものであって、補正前の特許請求の範囲の記載である
「　【請求項１】
　アクリル酸（ＡＡ）、アクリルアミド（Ａｍ）及びアクリル酸と直鎖又は分枝鎖状の炭素原子数１〜８個のアルコールとのエステルから選択されるモノマーを少なくとも一つ含有するモノマーの混合物（Ａ０）を重合することにより得られたブロックＡと、エチレン性不飽和を有するモノマーの混合物であって、ホスホン酸ビニル基を一つ以上有するモノマーＢ１の１種以上で５０モル％以上を占める混合物（Ｂ０）を重合することにより得られたブロックＢとからなる構造制御されたジブロック共重合体。
　　【請求項２】
　アクリル酸と直鎖又は分枝鎖状の炭素原子数１〜８個のアルコールとのエステルがメチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート又はｔ−ブチルアクリレートであることを特徴とする請求項１に記載の共重合体。
　　【請求項３】
　ブロックＡが、ポリアクリル酸であることを特徴とする請求項１又は２に記載の共重合体。
　　【請求項４】
　モノマーの混合物Ａ０が、アクリル酸（ＡＡ）、またはアクリルアミドから選択されるモノマーを少なくとも一つ含有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の共重合体。
　　【請求項５】
　混合物（Ｂ０）が
−ホスホン酸ビニル基を有するモノマーＢ１の１種以上を５０〜１００モル％と、
−請求項１又は２に記載の（Ａ０）のモノマーから選択されたモノマーＢ２の１種以上を０〜５０モル％、
含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の共重合体。
　　【請求項６】
　モノマーＢ１は下記の化学式（Ｉ）の化合物またはその混合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の共重合体：
　　【化１】
　式中、
　−Ｙは、水素原子、１〜６個の炭素原子をもつアルキル基、シアノ基、フェニル基、エステル基（−ＣＯＯＲ）、アセテート基（−ＯＣＯＲ’）、ホスホン酸、ホスホン酸メチル、ホスホン酸エチルまたはホスホン酸イソプロピルから選択される基であり；
　−ＲおよびＲ’は、同一でも異なっていてもよく、１〜１２個の炭素原子をもつアルキル基であり；
　−Ｒ１およびＲ２は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、または、１〜６個の炭素原子をもち随意にハロゲン原子で置換されているアルキル基である；
ただし、Ｙが水素原子以外のとき、ブロックＢはＹが水素原子であるモノマーＢ１も含有する。
　　【請求項７】
　モノマーＢ１が、ビニルホスホン酸、ビニルホスホン酸のジメチルエステル、ビニルホスホン酸のビス（２−クロロエチル）エステル、ビニリデンジホスホン酸、ビニリデンジホスホン酸のテトライソプロピルエステル、α−スチレンホスホン酸、または、それらの混合物から選択されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の共重合体。
　　【請求項８】
　モノマーＢ１が、遊離酸もしくは塩の形態であるか、または、任意に、アミンで、部分的にもしくは完全に中和されている形態であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の共重合体。
　　【請求項９】
　モノマーＢ１が、ビニルホスホン酸であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の共重合体。
　　【請求項１０】
　モノマーＢ２が、アクリル酸、アクリルアミドまたはそれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の共重合体。
　　【請求項１１】
　モノマーＢ２が、アクリル酸であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の共重合体。
　　【請求項１２】
　重量平均分子量が１０００〜１０００００であり、多分散性インデックスが１．３〜２．５であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の共重合体。
　　【請求項１３】
　ブロックＡとＢの比が１：９９〜９９：１であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の共重合体。
　　【請求項１４】
　アクリル酸（ＡＡ）、アクリルアミド（Ａｍ）及びアクリル酸と直鎖又は分枝鎖状の炭素原子数１〜８個のアルコールとのエステルから選択されるモノマーを少なくとも一つ含有するモノマーの混合物（Ａ０）を重合することにより得られたブロックＡと、エチレン性不飽和を有するモノマーの混合物であって、ホスホン酸ビニル基を一つ以上有するモノマーＢ１の１種以上で５０モル％以上を占める混合物（Ｂ０）を重合することにより得られたブロックＢとからなる構造制御されたジブロック共重合体を合成する方法であって、以下のステージを含む方法：
　（ａ）制御ラジカル重合を実施することで、制御ラジカル重合反応において、制御剤として使用する官能性重合体を生成し、このステージは、下記のものを接触させることで実施される：
−　前記Ａ０又はＢ０を構成するモノマーの分子
−　フリーラジカルの供給源
−　少なくとも一種の制御剤
（ｂ）ステージ（ａ）に続いて、制御ラジカル重合の単一ステージ、または制御ラジカル重合の複数の連続的なステージが実施され、このステージでは、制御ラジカル重合を実行することで、制御ラジカル重合反応において、制御剤として使用する官能性ブロック共重合体を生成し、このステージは、下記のものを接触させることで実施される：
−　前のステージとは異なるモノマー分子
−　フリーラジカルの供給源
−　前のステージで得られた機能性高分子
　上記のステージ（ａ）および（ｂ）の一方により、ホスホン酸ビニル基を有するブロックであるブロックＢを生成し、また、上記のステージ（ａ）および（ｂ）のもう一方により、他のブロック、この場合ブロックＡを生成し、
ステージ（ａ）および（ｂ）において使用されるモノマーは上記の構造制御された共重合体を得るための適切なモノマーから選択され、ここで、
−　媒体中のモノマーの混合物Ｂ０の濃度は、固体のレベルが５０％を超えるようにし、固体のレベルは以下の方法によって定義される：
Ｂ０を最初のブロックとして重合する場合、Ｂ０の重量／（Ｂ０＋溶媒）の重量；
Ｂ０を二つ目のブロックとして重合する場合、（Ａ０＋Ｂ０）の重量／（Ａ０＋Ｂ０＋溶媒）の重量であり；
−　開始剤の累積または総濃度は、モノマー混合物Ｂ０に対して０．５〜２０モル％である。
　　【請求項１５】
　制御剤が、チオカルボニルチオ化合物RS(C=S)Zから選択されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
　　【請求項１６】
　制御剤が、ジチオエステル、チオエーテル−チオン、トリチオカーボネート、ジチオカルバメート（N,N−ジアルキルジチオカルバメート、ジチオカルバザート、およびザンテートを含む）から選択されることを特徴とする請求項１４または１５に記載の方法。
　　【請求項１７】
　制御剤が、N,N−ジアルキルジチオカルバメート、ジチオカルバザート、およびザンテートから選択されることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項１８】
　制御剤が、ザンテートから選択されることを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項１９】
　制御剤は下記の化学式（ＩＩ）の化合物であることを特徴とする請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の方法：
　　【化２】
ここで、
−　Ｒは、
−　ＨまたはＣｌ;
−　アルキル基、アリール基、アルケニル基、 または、アルキニル基、;
−　飽和炭素環または不飽和炭素環、任意に芳香族炭素環;
−　飽和複素環または不飽和複素環、任意に芳香族複素環;
−　アルキルチオ基;
−　アルコキシルカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、アシルオキシ基、またはカルバモイル基;
−　シアノ基、ジアルキルホスホナト基、ジアリールホスホナト基、ジアルキルホスファナト基、または、ジアリ−ルホスファナト基;
−　重合体チェーン;
−　（Ｒ２）Ｏ、または（Ｒ２）（Ｒ’２）Ｎ基、
ここでＲ２およびＲ’２は独立であるか、または異なる基であり、
−　アルキル基、アシル基、アリール基、アルケニル基、またはアルキニル基; 
−　飽和炭素環または不飽和炭素環、任意に芳香族炭素環;
−　飽和複素環または不飽和複素環、任意に芳香族複素環;であり、
および
-Ｒ１は、:
−　アルキル基、アシル基、アリール基、アルケニル基、またはアルキニル基; 
−　飽和炭素環または不飽和炭素環、任意に芳香族炭素環;
−　飽和複素環または不飽和複素環、任意に芳香族複素環;
−　重合体チェーン;
である。
　　【請求項２０】
　制御剤はＲがエチル基であり、Ｒ１が（メトキシカルボニル）エチル基である式（ＩＩ）の化合物であることを特徴とする請求項１９の方法。
　　【請求項２１】
　アクリル酸と直鎖又は分枝鎖状の炭素原子数１〜８個のアルコールとのエステルがメチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート又はｔ−ブチルアクリレートであることを特徴とする請求項１４〜２０のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項２２】
　モノマーの混合物Ａ０が、アクリル酸（ＡＡ）、またはアクリルアミドから選択されるモノマーを少なくとも一つ含有していることを特徴とする請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項２３】
　混合物（Ｂ０）が
−ホスホン酸ビニル基を有するモノマーＢ１の１種以上を５０〜１００モル％と、
−請求項１４又は２１に記載の（Ａ０）のモノマーから選択されたモノマーＢ２の１種以上を０〜５０モル％、
含有することを特徴とする請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項２４】
　モノマーＢ１は下記の化学式（Ｉ）の化合物またはその混合物であることを特徴とする請求項１４〜２３のいずれか一項に記載の方法：
　　【化３】
式中、
　−Ｙは、水素原子、１〜６個の炭素原子をもつアルキル基、シアノ基、フェニル基、エステル基（−ＣＯＯＲ）、アセテート基（−ＯＣＯＲ’）、ホスホン酸、ホスホン酸メチル、ホスホン酸エチルまたはホスホン酸イソプロピルから選択される基であり；
　−ＲおよびＲ’は、同一でも異なっていてもよく、１〜１２個の炭素原子をもつアルキル基であり；
　−Ｒ１およびＲ２は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、または、１〜６個の炭素原子をもち随意にハロゲン原子で置換されているアルキル基である；
ただし、Ｙが水素原子以外のとき、ブロックＢはＹが水素原子であるモノマーＢ１も含有する。
　　【請求項２５】
　モノマーＢ１が、ビニルホスホン酸、ビニルホスホン酸のジメチルエステル、ビニルホスホン酸のビス（２−クロロエチル）エステル、ビニリデンジホスホン酸、ビニリデンジホスホン酸のテトライソプロピルエステル、α−スチレンホスホン酸、または、それらの混合物から選択されることを特徴とする請求項１４〜２４のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項２６】
　モノマーＢ１が、遊離酸もしくは塩の形態であるか、または、任意に、アミンで、部分的にもしくは完全に中和されている形態であることを特徴とする請求項１４〜２５のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項２７】
　モノマーＢ１が、ビニルホスホン酸であることを特徴とする請求項１４〜２６のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項２８】
　モノマーＢ２が、アクリル酸、アクリルアミドまたはそれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項１４〜２７のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項２９】
　モノマーＢ２が、アクリル酸であることを特徴とする請求項１４〜２８のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項３０】
　重合を、特にバルク条件で、溶媒中または分散媒中で、行うことを特徴とする請求項１４〜２９のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項３１】
　前記の溶媒は、エチルアセテート、または、エタノール、イソプロパノールもしくは、それらの水との混合物から選択されるアルコールであることを特徴とする請求項３０に記載の方法。」
　
から、
　
「　【請求項１】
　エチレン性不飽和を有するモノマーの混合物であって、ホスホン酸ビニル基を一つ以上有するモノマーＢ１の１種以上を５０モル％〜１００モル％並びにアクリル酸、アクリルアミド及びアクリル酸と直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ８アルコールとのエステルから選択される少なくとも１種のモノマーＢ２を０〜５０モル％含む混合物（Ｂ０）を重合することにより得られたブロックＢからなる重合体を合成する方法であって、以下のステージを含む方法：
　（ａ）制御ラジカル重合を実施することで、制御ラジカル重合反応において、制御剤として使用する官能性重合体を生成し、このステージは、下記のものを接触させることで実施される：
−　前記Ｂ０を構成するモノマーの分子
−　フリーラジカルの供給源
−　少なくとも一種の制御剤
ステージ（ａ）において使用されるモノマーは上記重合体を得るための適切なモノマーから選択され、ここで、
−　媒体中のモノマーの混合物Ｂ０の濃度は、固体のレベルが５０％を超えるようにし、固体のレベルは以下の方法によって定義される：
Ｂ０の重量／（Ｂ０＋溶媒）の重量；
−　開始剤の総濃度は、モノマー混合物Ｂ０に対して０．５〜２０モル％である。
（請求項２〜請求項１６は省略。いずれも、請求項１を直接または間接的に引用する請求項である。）」
　
へと変更するものである。
　
２．本件手続補正の目的の適否について
　本件手続補正後の請求項（以下、「新請求項」という。）と本件手続補正前の請求項（以下、「旧請求項」という。）との対応関係をみると、「重合体を合成する方法」というカテゴリーからみて、新請求項１に係る発明は旧請求項１４に係る発明に対応している。
　しかしながら、旧請求項１４に係る発明は、ブロックＡとブロックＢとからなるジブロック共重合体を合成する方法であるのに対し、新請求項１に係る発明はブロックＢからなる重合体を合成する方法であり、補正前の重合体とは異なる重合体の合成方法に係るものになっている。このため、旧請求項１４を新請求項１とする補正事項は、補正前の、発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）をさらに限定したもの、すなわち、いわゆる「限定的減縮」にあたるということはできない。
　また、新請求項１の「ブロックＢからなる重合体を合成する方法」との記載における「ブロック」は、複数種類のブロックを有する共重合体であるブロック共重合体の場合に用いられる技術用語であって、新請求項１の「（Ｂ０）を重合することにより得られた」重合体（全体がＢ０から構成されており、ブロックがそもそも存在しない重合体）が最終的に得ようとする重合体である場合には、通常用いられない技術用語である。このことからみて、新請求項１に係る発明は、新請求項１に明記はなされていないものの、最終的にブロック共重合体を合成することを前提とし、該ブロック共重合体の合成方法のうちの、ブロックＢ部分を合成する部分のみを記載したものとも考えられるが、その場合であっても、旧請求項１４がブロックＡとブロックＢとからなるジブロック共重合体を合成する方法の発明であったのに対し、新請求項１は、ブロックＢを含む全てのブロック構造を有するブロック共重合体（ブロックＢ以外のブロックについて何も特定されていない全てのブロック構造を有するブロック共重合体）の合成方法のうちの、ブロックＢを合成する部分のみについての方法の発明であって、ブロック構造に関しては拡張しているから、補正前の発明特定事項をさらに限定したもの、すなわち、いわゆる「限定的減縮」にあたるということはできない。
　また、上記補正事項は、請求項の削除、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれかを目的とするものでもない。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
　
第３．本願発明について
　上記第２．のとおり、平成２５年３月１３日付けの手続補正は、決定をもって却下されたので、本願の請求項１〜３１に係る発明は、平成２３年７月２５日提出の誤訳訂正書によって訂正及び補正された特許請求の範囲及び明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「アクリル酸（ＡＡ）、アクリルアミド（Ａｍ）及びアクリル酸と直鎖又は分枝鎖状の炭素原子数１〜８個のアルコールとのエステルから選択されるモノマーを少なくとも一つ含有するモノマーの混合物（Ａ０）を重合することにより得られたブロックＡと、エチレン性不飽和を有するモノマーの混合物であって、ホスホン酸ビニル基を一つ以上有するモノマーＢ１の１種以上で５０モル％以上を占める混合物（Ｂ０）を重合することにより得られたブロックＢとからなる構造制御されたジブロック共重合体。」
　
　ここで、「アクリル酸（ＡＡ）、アクリルアミド（Ａｍ）及びアクリル酸と直鎖又は分枝鎖状の炭素原子数１〜８個のアルコールとのエステルから選択されるモノマーを少なくとも一つ含有するモノマーの混合物（Ａ０）」に関して、「混合物」との記載はなされてはいるが、「少なくとも一つ」には「一つ」、すなわちモノマーが１種類のものも含まれ、具体的に、請求項１を引用する請求項３（上記第２．１．参照）に「ブロックＡが、ポリアクリル酸であること」と記載されていることからみて、本願発明に係る「モノマーの混合物（Ａ０）」は、複数種類のモノマーの混合物だけでなく１種類のモノマーからなるものを包含し、「ブロックＡ」はホモポリマーを包含していると解釈して、以下検討する。
　同様に、「エチレン性不飽和を有するモノマーの混合物であって、ホスホン酸ビニル基を一つ以上有するモノマーＢ１の１種以上で５０モル％以上を占める混合物（Ｂ０）」には、モノマーＢ１が１種類であるものが含まれ、具体的に、請求項１を引用する請求項９（上記第２．１．参照）に「モノマーＢ１が、ビニルホスホン酸であること」と記載されていることと、「５０モル％以上」には「１００モル％」も含まれ、具体的に、請求項１を引用する請求項５には、「Ｂ１の１種以上を５０〜１００モル％」と記載されていることから、本願発明に係る「混合物（Ｂ０）」は、モノマーＢ１が１種類かつ１００％であるものを包含し、「ブロックＢ」はホモポリマーを包含していると解釈して、以下検討する。
　
第４．原査定における拒絶の理由の概要
　原審において拒絶査定の理由とされた、平成２３年１０月６日付け拒絶理由通知書に記載した理由１は、この出願の請求項１〜３１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないというものであり、刊行物２として、以下の刊行物が提示されている。
　国際公開第２００３／７６５２９号
　
第５．当審の判断
１．引用刊行物
　本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００３／０７６５２９号（以下、「引用文献」という。平成２３年１０月６日付け拒絶理由通知書における刊行物２に同じ。摘示個所としては対応する英語公報である米国特許出願公開第２００５／０１８１２２５号明細書を用い、当審において翻訳した。）には、以下の記載がある。
　
ア．　「４１．　A process for rendering effective and lasting a subsequent application of a composition (F) on a metal surface, comprising the step of depositing first on said metal surface a layer of a block copolymer whose at least one block has phosphate and/or phosphonate functional groups, said copolymer optionally being dissolved in a solventwater or a water/alcohol mixture.
４７．　The process as claimed in  claim 41 , wherein the block comprising phosphate and/or phosphonate functional groups is a homopolymer based on a monomer comprising phosphate or phosphonate functional groups.
５１．　The process as claimed in any one of claims 47 , wherein the monomer comprising phosphate or phosphonate functional groups is: 
vinylphosphonic acid, optionally substituted by cyano, phenyl, ester or acetate groups, ・・・.
５３．　The process as claimed in  claim 41 , wherein the block copolymer is obtained as the result of a controlled radical polymerization process optionally using, as control agent, a dithioester, a thioethers-thione, a dithiocarbamate or a xanthate, said polymerization being carried out under bulk conditions, in a solvent or in an aqueous emulsion, so as to directly obtain the copolymer in the form of a solution in a solvent, water or a water/alcohol mixture.」
（４１．下塗り効果のため、及び、引き続いて金属表面へ組成物（Ｆ）を適用したものが耐久性を有するための方法であって、
ブロック共重合体の層を該金属表面に最初に被覆するステップを含み、
該ブロック共重合体の少なくとも１つのブロックがフォスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を含み、
該共重合体は、任意に、溶媒水または水／アルコール混合物に溶解される。
４７．請求項４１に記載の方法であって、
フォスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を含むブロック共重合体は、フォスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を含むモノマーからなるホモポリマーである。
５１．請求項４７に記載の方法であって、
フォスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を含むモノマーは以下のものである：
ビニルホスホン酸、任意に、シアノ、フェニル、エステルまたはアセテートで置換されたもの（ビニルホスホン酸のシアノ基置換誘導体、フェニル基置換誘導体、エステル誘導体及び酢酸エステル誘導体）、・・・。
５３．請求項４１に記載の方法であって、ブロック共重合体は制御ラジカル重合により得られるものであって、
制御ラジカル重合は、任意に、制御剤として、ジチオエステル、チオエステル−チオン（チオケトン）、ジチオカルバメートまたはキサンタンを用いることができ、
該重合は、溶媒、水、あるいは水／アルコール混合物中での溶液として共重合体を直接得るために、溶媒中または水性エマルジョン中でのバルク重合により行われる。）
（特許請求の範囲　請求項４１、４７、５１及び５３）
　
イ．　「During the application of the block copolymers of the invention to a metal surface, the anchoring block or blocks functionalized by the phosphate and/or phosphonate functional groups create chemical bonds with the atoms of the metal surface. These chemical reactions take place on the sites capable of being corroded and, for this reason, bring about protection of the metal surface.」
（本発明のブロック共重合体を金属表面に適用する間に、アンカーブロック、すなわち、フォスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を含むブロックは、金属表面の原子と化学結合を形成する。これらの化学反応は、腐食され得るサイトで生じ、このため、金属表面を保護する。）
（[0049]）
　
ウ．　「The block copolymers of the present invention exhibit at least one block comprising phosphate and/or phosphonate functional groups. 
　This block, known as anchoring block, can be a homopolymer based on a monomer comprising phosphate or phosphonate functional groups.」
（本発明のブロック共重合体は、少なくとも１つのブロックがフォスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を含む。
　アンカーブロックとして知られるこのブロックは、フォスフェイトまたはホスホネートの官能基を含むモノマーからなるホモポリマーであり得る。）
（[0053]〜[0054]）
　
エ．　「The monomer comprising phosphonates can be chosen, for example, from:
・・・vinylphosphonic acid, optionally substituted by cyano, phenyl, ester or acetate groups, ・・・.」
（フォスフェイトを含むモノマーは、例えば、以下の中から選択される。・・・ビニルホスホン酸、任意に、シアノ、フェニル、エステルまたはアセテートで置換されたもの（ビニルホスホン酸のシアノ基置換誘導体、フェニル基置換誘導体、エステル誘導体及び酢酸エステル誘導体）、・・・。）
（[0056]〜[0063]）
　
オ．　「Preference is given, among the phosphonate-comprising or phosphate-comprising monomers which come within the scope of the present invention, to the use of the following monomers:
　vinylphosphonic acid, ・・・.」
（本発明の範囲内で、好ましくは、ホスホネート含有またはフォスフェイト含有モノマーは、以下のモノマーが用いられる：ビニルホスホン酸・・・。）
（[0072]〜[0077]）
　
カ．　「The other monomers of the anchoring block which are involved in the context of the present invention can be monomers having a hydrophilic (h) or hydrophobic (H) nature.
　Mention may be made, among monomers having a hydrophilic nature (h), of: 
　unsaturated ethylenic mono- and dicarboxylic acids, such as acrylic acid, ・・・
　amides of unsaturated carboxylic acids, such as acrylamide or methacrylamide， ・・・」
（アンカーブロックの他方のモノマーは、本発明に関して、親水性（ｈ）または疎水性（Ｈ）の性質を有するモノマーであり得る。
　親水性（ｈ）を有するモノマーのなかで、以下のものが挙げられる：
　エチレン性不飽和モノ−またはジカルボン酸、例えばアクリル酸・・・
　不飽和カルボン酸のアミド、例えば、アクリルアミドまたはメタクリルアミド・・・。）
（[0079]〜[0083]）
　
キ．　「Preferably, the hydrophilic monomer units (h) are chosen from acrylic acid (AA), ・・・.
　More preferably still, use is made of acrylic acid (AA) units or of ethylenic monomers comprising ureido groups.」
（好ましくは、親水性モノマー単位（ｈ）はアクリル酸（ＡＡ）、・・・から選ばれる。
　さらに好ましくは、アクリル酸（ＡＡ）単位またはウレイド基を有するエチレンモノマーが用いられる。）
（[0090]〜[0091]）
　
ク．　「The hydrophobic monomer units (H) of the block copolymer employed in the preparation of the deposited layer of the invention are preferably esters of acrylic acid with linear or branched C１-C８ and in particular C１-C４ alcohols, such as, for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate or 2-ethylhexyl acrylate, or else styrene derivatives, such as styrene.」
（本発明の被覆層の調製において用いるブロック共重合体の疎水性モノマーユニット（Ｈ）は、好ましくは、直鎖または分枝鎖状のＣ１−Ｃ８アルコール、特にＣ１−Ｃ４アルコール、とアクリル酸とのエステル、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ブチルアクリレートまたは２−エチルヘキシルアクリレート、そうでなければ、例えばスチレンなどのスチレン誘導体である。）
（[0099]）
　
ケ．　「The other blocks of the block copolymer employed in the preparation of the deposited layer of the invention can be homopolymers of a monomer chosen from the list of (h) or (H) monomers.
　The other blocks of the block copolymer employed in the preparation of the deposited layer of the invention can also be random polymers of at least two monomers chosen from the list of (h) or (H) monomers.
　The block copolymers of the invention can also be triblock copolymers.」
（本発明の被覆層の調製において用いるブロック共重合体のうちの他方のブロックは、（ｈ）または（Ｈ）のモノマーのリストから選択されたモノマーのホモポリマーであり得る。
　本発明の被覆層の調製において用いるブロック共重合体のうちの他方のブロックは、また、（ｈ）または（Ｈ）のモノマーのリストから選択された少なくとも２つのモノマーのランダムポリマーであってもよい。
　本発明のブロック共重合体は、また、トリブロック共重合体であってもよい。）
（[0100]〜[0102]）
　
コ．　「Whatever its precise chemical composition, the block copolymer employed in producing the deposited layer of the invention can advantageously be prepared according to a controlled radical polymerization process carried out in the presence of a control agent. 
　The term “controlled radical polymerization” is to be understood as a specific radical polymerization process, also denoted by the term of “living polymerization”,・・・.」
（どれだけその化学組成が正確であっても、本発明の被覆層を形成する際に用いるブロック共重合体は、有利に、制御剤の存在下での制御ラジカル重合プロセスにより得られる。
　「制御ラジカル重合」なる語は、特別なラジカル重合プロセスとして理解され、「リビングラジカル重合」という語でも表される・・・）
（[0107]〜[0108]）
　
サ．　「Generally, it is preferable for the block copolymers employed according to the invention to result from a controlled radical polymerization process employing, as control agent, one or more compounds chosen from dithioesters, thioethers-thiones, dithiocarbamates and xanthates. In a particularly advantageous way, the block copolymers used according to the invention result from a controlled radical polymerization carried out in the presence of control agents of xanthate type.」
（通常、本発明により得られるブロック共重合体は、制御ラジカル重合プロセスにより得られたものであって、制御剤が、ジチオエステル、チオエステル−チオン（チオケトン）、ジチオカルバメート及びキサンタンの中から選ばれる１つ以上であることが好ましい。特に有利には、本発明で用いられるブロック共重合体は、キサンタンタイプの制御剤の存在下での制御ラジカル重合により得られるものである。）
（[0120]）
　
２．引用文献に記載された発明
　摘示ア．には、下塗り効果のための、及び、引き続いて金属表面へ組成物（Ｆ）を適用したものが耐久性を有するための方法に関して、最初に該金属表面をブロック共重合体の層で被覆すること、該ブロック共重合体の少なくとも１つのブロックは、ホスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を有していること（請求項４１）が記載されている。そして、該ホスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を有するブロックは、ホスフェイトまたはホスホネート官能基を有するモノマーからなるホモポリマーであること（摘示ア．（請求項４７）及び摘示ウ．）、該ホスフェイトまたはホスホネート官能基を有するモノマーが、ビニルホスホン酸、並びに、ビニルホスホン酸のシアノ基置換誘導体、フェニル基置換誘導体、エステル誘導体及び酢酸エステル誘導体であること（摘示ア．（請求項５１）、エ．及びオ．）が記載されている。
　引用文献には、上記のブロック共重合体それ自体についても記載されているといえる。したがって、引用文献には、
「ビニルホスホン酸、並びに、ビニルホスホン酸の、シアノ基置換誘導体、フェニル基置換誘導体、エステル誘導体及び酢酸エステル誘導体のいずれかをモノマーとするホモポリマーからなるブロックを少なくとも１つ含むブロック共重合体」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
３．本願発明と引用発明との対比
　引用発明における「ビニルホスホン酸、並びに、ビニルホスホン酸の、シアノ基置換誘導体、フェニル基置換誘導体、エステル誘導体及び酢酸エステル誘導体のいずれかをモノマーとするホモポリマーからなるブロック」は、本願発明における「エチレン性不飽和を有するモノマーの混合物であって、ホスホン酸ビニル基を一つ以上有するモノマーＢ１の１種以上で５０モル％以上を占める混合物（Ｂ０）を重合することにより得られたブロックＢ」に相当している。
　したがって、両者は、
「エチレン性不飽和を有するモノマーの混合物であって、ホスホン酸ビニル基を一つ以上有するモノマーＢ１の１種以上で５０モル％以上を占める混合物（Ｂ０）を重合することにより得られたブロックＢを含むブロック共重合体。」
である点で一致し、以下の相違点１及び２で、一応相違している。
　
相違点１：本願発明では、ブロック共重合体が「ジブロック共重合体」と特定され、ブロックＢと異なるブロックが「アクリル酸（ＡＡ）、アクリルアミド（Ａｍ）及びアクリル酸と直鎖又は分枝鎖状の炭素原子数１〜８個のアルコールとのエステルから選択されるモノマーを少なくとも一つ含有するモノマーの混合物（Ａ０）を重合することにより得られたブロックＡ」と特定されているのに対し、引用発明にはそのような特定がなされていない点。
　
相違点２：本願発明では、「構造制御された」ブロック共重合体であることが特定されているのに対し、引用発明にはそのような特定がなされていない点。
　
４．本願発明と引用発明との相違点に対する判断
（１）相違点１について
　引用文献には、ホスフェイト及び／またはホスホネートの官能基を有するモノマーからなるホモポリマーが「アンカーブロック」であること（摘示イ．及びウ．）、アンカーブロックに対する他方のブロックのモノマーとして、親水性（ｈ）または疎水性（Ｈ）のモノマーを用いること（摘示カ．及びケ．）、親水性（ｈ）モノマーの具体例として、アクリル酸、アクリルアミドが挙げられ（摘示カ．）、中でも好ましいものとしてアクリル酸（ＡＡ）が記載され（摘示キ．）、疎水性（Ｈ）モノマーの具体例として、直鎖または分枝鎖状のＣ１−Ｃ８アルコールとアクリル酸とのエステルが挙げられている（摘示ク．）。そして、アンカーブロックに対する他方のブロックが、親水性（ｈ）または疎水性（Ｈ）のモノマーとして具体的に挙げられた中から選ばれた１種のモノマーのホモポリマー、あるいは、具体的に挙げられた中から選ばれた少なくとも２つのポリマーのランダムコポリマーとすることができること（摘示ケ．）が記載されている。よって、引用文献には、アンカーブロックではないブロックが、アクリル酸、アクリルアミド、直鎖または分枝鎖状のＣ１−Ｃ８アルコールとアクリル酸とのエステルから選ばれた１種のモノマーのホモポリマーからなるブロックである態様、及び、アクリル酸、アクリルアミド、直鎖または分枝鎖状のＣ１−Ｃ８アルコールとアクリル酸とのエステルから選ばれた少なくとも２つのポリマーのランダムコポリマーからなるブロックである態様が包含され、それぞれのブロックは、本願発明の「アクリル酸（ＡＡ）、アクリルアミド（Ａｍ）及びアクリル酸と直鎖又は分枝鎖状の炭素原子数１〜８個のアルコールとのエステルから選択されるモノマーを少なくとも一つ含有するモノマーの混合物（Ａ０）を重合することにより得られたブロックＡ」に相当している。
　そして、引用発明のブロック共重合体がジブロック共重合体であるか否かに関して、引用文献には、アンカーブロックに対する
他方の
もまた
　したがって、相違点１は、実質的な相違点ではない。
　
（２）相違点２について
　構造制御されたブロック共重合体に関して、本願明細書には、「本発明によれば、構造制御された共重合体は、ジブロック、トリブロックなどのブロック重合体、・・・を有する共重合体である。」（【０００４】）、「構造制御された共重合体を合成する技術的な選択のひとつとして「リビング」ラジカル重合（“living”またはcontrolled radical polymerization）が挙げられる。」（【０００９】）と記載されている。
　一方、引用文献には、ブロック共重合体を、制御ラジカル重合（controlled radical polymerization）、別名リビング重合（living polymerization）、により得るのが好ましいこと（摘示コ．及び摘示サ．）が記載されている。上記本願明細書の記載からみて、引用文献のブロック共重合体は、構造制御されたブロック共重合体であるといえる。
　したがって、相違点２は、実質的な相違点ではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおり、上記相違点１及び２は実質的な相違点ではないから、本願発明は、引用文献に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
第６．審判請求人の主張について
　審判請求人は、平成２４年４月１１日提出の意見書２頁及び平成２５年４月１８日提出の審判請求書の手続補正書（方式）３頁において、概略、引用文献２には、ホスホン酸ビニル官能基を有する単量体から制御ラジカル重合により重合体を製造することが記載されているが、ホスホン酸ビニル基を有する単量体の含有量は、２５モル％を超えるものではないから、本願発明は引用文献２に記載された発明ではない旨主張している。
　しかし、上記第５．２．に記載のとおり、引用文献（上記「引用文献２」に同じ。）には、ビニルホスホン酸、並びに、ビニルホスホン酸の、シアノ基置換誘導体、フェニル基置換誘導体、エステル誘導体及び酢酸エステル誘導体のいずれかをモノマーとするホモポリマーからなるブロック、換言すれば、ホスホン酸ビニル基を有する単量体の含有量が１００モル％であるブロックが記載されているから、請求人の主張は採用できない。
　
第７．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明についての平成２３年１０月６日付け拒絶理由通知書における理由１は妥当なものである。
　したがって、原査定における他の理由及び他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願はこの理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。