【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料であって、
成長セクタと、
前記成長セクタ内に位置する１つ又は２つ以上のタイプの複数個の点欠陥とを有し、
少なくとも１つのタイプの点欠陥は、前記成長セクタ内で点欠陥の結晶学的配向が選択的に整列しており、
前記少なくとも１つのタイプの点欠陥のうちの少なくとも６０％は、点欠陥の結晶学的配向の選択的整列状態を示し、
前記少なくとも１つのタイプの点欠陥は、負に帯電した窒素空孔欠陥（ＮＶ-）である、単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項２】
前記少なくとも１つのタイプの点欠陥のうちの少なくとも６５％、少なくとも７０％、少なくとも７５％、少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％、少なくとも９５％、少なくとも９８％又は少なくとも９９％は、前記選択的整列状態を示す、請求項１記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項３】
前記選択的整列は、｛１１０｝，｛１１１｝又は｛１１３｝結晶面、好ましくは｛１１０｝結晶面に対して面外である、請求項１又は２記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項４】
前記選択的整列は、｛１１０｝結晶面に対して面外の＜１１１＞方向である、請求項１〜３のうちいずれか一に記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項５】
前記選択的に整列した点欠陥は、前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料の｛１１０｝，｛１１１｝又は｛１１３｝成長セクタ、好ましくは｛１１０｝成長セクタ内に位置する、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項６】
前記選択的に整列した点欠陥は、前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料の外面から１００μｍの範囲内に位置し、前記外面は、｛１１０｝，｛１１１｝又は｛１１３｝表面、好ましくは｛１１０｝表面である、請求項１〜５のうちいずれか一に記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項７】
前記選択的に整列した点欠陥は、前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料の｛１００｝成長セクタ内に位置する、請求項１又は２記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項８】
前記選択的整列は、｛１００｝結晶面に対して面外である、請求項１、２又は７記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項９】
前記選択的に整列した点欠陥は、前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料の外面から１００μｍの範囲内に位置し、前記外面は、｛１００｝表面である、請求項１、２、７又は８記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項１０】
前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料は、２０ｐｐｂ以下、１０ｐｐｂ以下、５ｐｐｂ以下、１ｐｐｂ以下若しくは０．５ｐｐｂ以下の中性単一置換窒素濃度、０．１５ｐｐｂ以下、０．１ｐｐｂ以下、０．０５ｐｐｂ以下、０．００１ｐｐｂ以下、０．０００１ｐｐｂ以下又は０．００００５ｐｐｂ以下のＮＶ-又は０．１ｐｐｍ以上、０．５ｐｐｍ以上、１．０ｐｐｍ以上、２．０ｐｐｍ以上、３ｐｐｍ以上、４ｐｐｍ以上若しくは５ｐｐｍ以上のＮＶ-濃度及び０．９％以下、０．７％以下、０．４％以下、０．１％以下、０．０１％以下若しくは０．００１％以下の全濃度の13Ｃのうちの１つ又は２つ以上を有する、請求項１〜９のうちいずれか一に記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのタイプの点欠陥は、０．０５ｍｓ以上、０．１ｍｓ以上、０．３ｍｓ以上、０．６ｍｓ以上、１ｍｓ以上、５ｍｓ以上又は１５ｍｓ以上のデコヒーレンス時間Ｔ2を有し、対応のＴ2*値は、８００μｓ以下、６００μｓ以下、４００μｓ以下、２００μｓ以下、１５０μｓ以下、１００μｓ以下、７５μｓ以下、５０μｓ以下、２０μｓ以下又は１μｓ以下である、請求項１〜１０のうちいずれか一に記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項１２】
前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料は、０．１ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、１ｍｍ以上、２ｍｍ以上又は３ｍｍ以上の少なくとも１つの寸法を有する、請求項１〜１１のうちいずれか一に記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項１３】
前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料は、０．１μｍ以上、１μｍ以上、１０μｍ以上、１００μｍ以上、２００μｍ以上又は５００μｍ以上の厚さを有する層を形成している、請求項１〜１２のうちいずれか一に記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料。
【請求項１４】
請求項１〜１３のうちいずれか一に記載の単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料から成る装置コンポーネント。
【請求項１５】
光取り出し構造体が光の取り出しを増大させるために前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料の表面のところに形成され、前記少なくとも１つのタイプの点欠陥は、前記光取り出し構造体に対して選択的に整列している、請求項１４記載の装置コンポーネント。
【請求項１６】
装置であって、
請求項１４又は１５記載の装置コンポーネントと、
前記単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料中の前記複数個の点欠陥のうちの１つ又は２つ以上を光学的にポンピングする光源とを含み、前記少なくとも１つのタイプの点欠陥は、前記光源に対して選択的に整列している、装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
上述の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料及び装置コンポーネントは、プラズマ曝露エッチングによって曝露して５×１０3個／ｍｍ2以下、好ましくは１０2個／ｍｍ2以下の欠陥密度を有する成長面を備えた単結晶ダイヤモンド基板を用意することによって製造できる。成長面をＣＶＤ合成ダイヤモンドの単結晶、単結晶天然ダイヤモンド又はＨＰＨＴ合成ダイヤモンドの単結晶で形成するのが良い。さらに、単結晶ダイヤモンド基板の成長面をこれが｛１００｝結晶面ではない結晶面、具体的には｛１１０｝、｛１１１｝又は｛１１３｝結晶面を基準として５°の範囲内に位置するよう選択されると共に処理されるのが良い。例えば、単結晶ダイヤモンド基板の成長面をこれが所望の結晶面を基準として０．１°〜５°、０．１°〜３°、０．１°〜２°、０．１°〜１°又は０．５°〜１°の範囲内に位置するよう選択されると共に処理されるのが良い。次に、単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料の層をドーパント含有ガスの存在下で成長面上で成長させるのが良く、この場合、成長は、選択的に整列したＮＶ-点欠陥を備えた単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料を形成するよう制御される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本明細書において説明しているような選択的に整列した欠陥を達成する一手法は、多段成長プロセスを含む。第１段では、プラズマ曝露エッチングで曝露して５×１０3個／ｍｍ2以下の欠陥密度を有する（００１）成長面を有する単結晶ダイヤモンド基板を前処理する。単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンドの第１の層を（００１）成長面上で成長させる。次に、単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンドの第１の層をスライスして｛１１０｝成長面を形成し、｛１１０｝成長面をこれがプラズマ曝露エッチングで曝露して５×１０3個／ｍｍ2以下、好ましくは１０2個／ｍｍ2以下の欠陥密度を備えるよう処理する。しかる後、第２の成長段を実施し、かかる第２の成長段では、単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料の層をドーパント含有ガスの存在下で｛１１０｝成長面上で成長させて選択的に整列したＮＶ-点欠陥を備えた単結晶合成ＣＶＤダイヤモンド材料を形成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
良好な表面仕上げという用語は、プラズマ曝露エッチングによって曝露して５×１０3個／ｍｍ2以下の欠陥密度を有する表面を有する。欠陥密度は、最も容易には、例えば後述の形式の短時間のプラズマエッチングを用いて欠陥を明らかにするよう最適化されたプラズマ又は化学エッチング（プラズマ曝露エッチングと呼ばれている）を用いた後の光学的評価によって特徴付けられる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
２つのタイプの欠陥を次によって曝露することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
好ましい低い欠陥密度は、欠陥に関連付けられた表面エッチング特徴部の密度が５×１０3／ｍｍ2未満、より好ましくは１０2／ｍｍ2未満であるようなものである。注目されるべきこととして、低い表面粗さを有するよう表面を単に研磨することによっては、これら基準を必ずしも満たすものではないということに注目されるべきである。というのは、プラズマ曝露エッチングは、表面のところ及びその直ぐ真下のところの欠陥を露出させるからである。さらに、プラズマ曝露エッチングは、表面欠陥、例えば微小割れ及び単純な研磨により除去できる表面特徴部に加えて、固有の欠陥、例えば転位を曝露することができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
｛１１０｝基板６の成長面は、方位｛１１０｝の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料８の成長に先立って、良好な表面仕上げが得られるよう（００１）基板に関連して説明したのと同様な仕方で処理されるのが良い。良好な表面仕上げという表現は、この場合も又、プラズマ曝露エッチングによって曝露して５×１０3個／ｍｍ2以下、より好ましくは１０2個／ｍｍ2以下の欠陥密度を有する表面であることを意味している。