【事件の表示】
　特許第３３４６１１９号「銀系の薄膜構造」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３４６１１９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３４６１１９号の発明についての出願は、平成７年９月２２日に特許出願され、平成１４年９月６日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、佐藤正より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月２４日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否について
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１を、「ケイ素を含む
半導体
亜鉛
みかつ２０Åを越えない厚さの
、スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの
（２）訂正事項ｂ
　請求項２、３を削除する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書段落【０００４】の「このような本発明は、ケイ素を含む下地の上に、銀と酸素と透明導電性を有する金属酸化物を構成する金属元素とを含む中間薄層を挟んで銀薄膜が形成されている、銀系の薄膜構造とすることで実現できる。ここで、前記下地が半導体であったり、前記中間薄層が亜鉛と酸素と銀からなる構成とすることもできる。」を、「このような本発明は、ケイ素を含む
半導体
亜鉛
みかつ２０Åを越えない厚さの
、スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの
る。
（４）訂正事項ｄ
　明細書段落【００１３】を、「【発明の効果】本発明は以上に説明しように、以下の優れた効果を得ることができる。すなわち本発明の銀系の薄膜構造は、ケイ素を含む
半導体
亜鉛
みかつ２０Åを越えない厚さの
、スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの
を備えた
半導体
ＺｎＯ
ＺｎＯ
半導体
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項ａは、請求項１に記載された「ケイ素を含む下地」を「ケイ素を含む半導体下地」と下地材の用途を限定し、「銀と酸素と透明導電性を有する金属酸化物を構成する金属元素とを含む中間薄層」を「銀と酸素と亜鉛とを含みかつ２０Åを越えない厚さの中間薄層」と中間薄層の成分及び厚さを具体的に限定し、そして「銀薄膜」を「スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの銀薄膜」と銀薄膜の形成方法及び厚さを具体的に限定している。
　ここで、下地が「半導体」であることは請求項２に記載されており、中間薄層が「銀と酸素と亜鉛を含む」ことは請求項３の記載、及び明細書段落【０００６】の「ＡｇとＯとＺｎを含み」に記載されており、中間薄層が「２０Åを越えない厚さ」を有することは同【０００６】の「その膜厚を２０Å以下とした中間薄層９ａ」の記載に裏付けられており、銀薄膜が「スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さ」であることは同【０００９】の「図２に示したマグネトロン式のインラインスパッタリング装置１５の……ここでＡｇ層９ｂについては、太陽電池の特性を出すために必要な厚みとしては１０００Åであるが、機械的な強度維持や集積構造などにおける接続段差部のカバレージ等、種々目的によって１μｍ程度の厚みまでの範囲で適宜設定すればよい。」の記載に裏付けられている。
　したがって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）上記訂正事項ｂは、請求項２、３を削除するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項ｃ、ｄは、特許請求の範囲の訂正に基づき訂正後の請求項と整合するよう、発明の詳細な説明の記載を訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明に該当し、又該訂正は、いずれも願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立てについて
１．特許異議申立ての概要
　特許異議申立人は、証拠として下記甲第１〜５号証を提出し、訂正前の請求項１、２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、甲第２、３、５号証に記載された発明であるか、又は甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号、又は同条第２項の規定に違反してされたものであって、更に、本件特許明細書には記載不備があり、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものであるから、これらを取り消すべき旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平５−１０２５０３号公報（以下、「刊行物１」という）
甲第２号証：特開平５−１３７８９号公報（以下、「刊行物２」という）
甲第３号証：特開平５−９０６２０号公報（以下、「刊行物３」という）
甲第４号証：特公平５−８５２６号公報（以下、「刊行物４」という）
甲第５号証：特開平５−１３７９０号公報（以下、「刊行物５」という）
　
２．本件発明
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、上記のとおり訂正が認められたから、平成１６年６月２４日付け訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ケイ素を含む半導体下地の上に、銀と酸素と亜鉛とを含みかつ２０Åを越えない厚さの中間薄層を挟んで、スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの銀薄膜が形成されている、銀系の薄膜構造。」
　
３．各刊行物の記載事項
（１）刊行物１（特開平５−１０２５０３号公報）
（1a）「【請求項１】導電性表面を有する基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層と、透明電極と、を積層して構成される光起電力素子において、前記透明電極が銀原子を含有する酸化物からなり、前記透明電極において銀原子が前記光電変換層側に指数関数的に少なくなるよう分布していることを特徴とする光起電力素子。」
（1b）透明電極の材料について、「【００１９】透明電極　本発明の光起電力素子に用いられる透明電極としてスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウム−スズ酸化物等に銀原子を含有させた透明電極が適したものである。……
【００２２】更に透明電極に銀原子を含有させることによって、透明電極上に形成される銀ペーストからなる集電電極との密着性が向上する。また透明電極に銀原子を含有することで、光起電力素子を長時間使用した場合に集電電極中の銀等の金属原子が透明電極側へ拡散して特性低下を起こすという影響を防止するので、本発明の光起電力素子のヒートサイクルに対する耐性がより改善された。また透明電極の柔軟性がより向上して光起電力素子のひび割れが改善された。」
（1c）透明電極への銀原子の分布について、「【００２３】そのうえ透明電極の集電電極側に銀原子が多く分布させること、換言すれば光電変換層側に少なくなるように分布させることによって、透明電極と集電電極との材料の違いによる構造的な歪をより一層減少させることができる。
【００２４】本発明に於いて前記透明電極に含有される銀原子の分布の形は、透明電極と集電電極との界面近傍から透明電極内に向かっておおむね指数関数的に減少しているのが好ましいものとして挙げられる。このように透明電極内で銀原子が指数関数的に分布することによって、前記透明電極と集電電極との材料の違いによる構造的な歪を効果的に緩和できると共に、透明電極内の銀原子の経時的な拡散による特性の変化を最小限にすることができる。これは、透明電極の集電電極側に予め適量の銀原子が分布しているため、双方の材料間の密着性がさらに向上するとともに、集電電極中の銀原子が透明電極側へ拡散することを抑制していると考えられる。特に、集電電極材料として銀ペーストを使用する場合にはより効果的である。
【００２５】前記銀原子の指数関数的な分布の好ましい分布範囲は３０Å〜５００Åである。」
（1d）透明電極の層厚について、「【００４４】本発明の光起電力素子の銀原子を含有する透明電極の層厚は、反射防止膜の条件を満たすような条件に堆積するのが好ましいものである。具体的な該透明電極の層厚としては５００Å〜３０００Åが好ましい範囲として挙げられる。」
（1e）実施例１０（実施例１４において引用される）について、
「【０１７５】実施例１０　ＤＣマグネトロンスパッタリング法及びマイクロ波……グロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を作製した。
【０１７６】まず、図３に示すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置により、基板上に、銀原子を分布して含む透明電極を作製した。……
【０１７８】図中３０４は、組成がインジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）の……ターゲットであり、……
【０１７９】図中３０８は、組成インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）の……ターゲットであり、……
【０１８１】……Ｏ2ガス、Ａｒガスを堆積室３０１内に流入させた。……その後、ＤＣ電源３０６の電圧を−３５００Ｖに設定して、ターゲット３０４にＤＣ電力を導入し、更に、ＤＣ電源３１０の電圧を−２８０Ｖに設定して、ターゲット３０８にＤＣ電力を導入し、ＤＣグロー放電を生起させ、次に、シャッター３０７及び３１１を開けて、基板３０２上に透明電極の作製を開始し、同時に、ＤＣ電源３１０の電圧を一定の割合で徐々に−２８０Ｖから−４５０Ｖに変化させ、層厚７０ｎｍの透明電極を作製したところでシャッター３０７及び３１１を閉じ、……１時間透明電極を熱処理し、銀原子を層圧方向に不均一に含む透明電極の作製を終えた。」
（1f）実施例１４（実施例１５において引用される）について、
「【０２１８】実施例１４　真空蒸着法及びマイクロ波……グロー放電分解法によって本発明の光起電力素子を作製した。
【０２１９】まず、図５に示す真空蒸着法の製造装置により、基板上に、銀原子を分布して含有する透明電極を作製した。……
【０２２１】図中５０４は、組成がインジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）の……蒸着源ある。
【０２２２】図中５０８は、組成がインジウム（Ｉｎ）及び錫（Ｓｎ）の……蒸着源ある。……
【０２２４】……Ｏ2ガスを堆積室５０１内に流入させた。……層厚７０ｎｍの透明電極を作製したところでシャッター５０７及び５１１を閉じ、……銀原子を分布して含む透明電極の作製を終えた。」
（1g）実施例１５について、「【０２３４】実施例１５　……該導電性基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、光反射層として銀薄膜を３００ｎｍ，反射増加層としてＺｎＯ薄膜を１μｍ蒸着した。次に、該導電性基板上に、ｎ型層、ｉ型層、ｐ型層を表１２に示す作製条件で作製した。
【０２３５】次に、実施例１４と同様な方法により、ｐ型層上に透明電極を作製した。……層厚７０ｎｍの透明電極を作製したところでシャッター５０７及び５１１を閉じ、……ｐ型層上に銀原子を分布して含む透明電極の作製し、更に、透明電極上に集電電極として、銀ペースト…を厚さ２０μｍスクリーン印刷…し、光起電力素子を作製した（素子Ｎｏ．実１５）。」が記載されている。
　
（２）刊行物２（特開平５−１３７８９号公報）
（2a）「【請求項１】ｐｎ接合またはｐｉｎ接合からなる半導体層と電極とを導電性基板上に順次積層した構造を有する太陽電池において、前記導電性基板と前記半導体層との間に、遷移金属を１原子ｐｐｍ以上５原子％以下の一定の濃度で含む酸化亜鉛層を有することを特徴とする太陽電池。
　【請求項３】第１の電極とｐｎ接合またはｐｉｎ接合からなる半導体層と第２の電極とを基板上に順次積層した構造を有する太陽電池において、前記第１の電極と前記半導体層との間に、遷移金属を１原子ｐｐｍ以上５原子％以下の一定の濃度で含む酸化亜鉛層を有することを特徴とする太陽電池。
　【請求項４】前記半導体層と前記第２の電極との間にも、遷移金属を１原子ｐｐｍ以上５原子％以下の一定の濃度で含む第２の酸化亜鉛層を有する請求項３記載の太陽電池。」
（2b）下部電極（背面電極を含む）の材料及び形成方法について、「【００３３】本発明の太陽電池において用いられる下部電極としては、上述した基板の材料が透光性であるか否かによって、光が入射する面が異なるため、その設置される場所が異なる。具体的には、図１，図２および図４に示したような層構成の場合には、各導電性基板１１…が下部電極を兼ねることができる。一方、図３に示したように、透光性を有する透明基板３１が用いられる場合には、透明基板３１の側から光が入射されるので、電流を取り出すため、および半導体層３７で吸収されきれずに該電極に達した光を有効に反射させるために、下部電極としては、背面電極３９が透明基板３１と対向して第２の酸化亜鉛層３８上に積層される。
【００３４】本発明の太陽電池に好適に用いられる下部電極の材料としては、銀，金，白金……タングステンなどの金属またはこれらの合金が挙げられ、これらの金属または合金からなる層を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパッタリングなどの方法を用いて形成する。……」
（2c）酸化亜鉛層に含まれる遷移金属について、「【００３９】（３）酸化亜鉛層　本発明の太陽電池に好適に用いられる酸化亜鉛層（各酸化亜鉛層１２，２２，……５１）中に含まれる遷移金属としては、鉄，クロム，ニッケル，コバルト，マンガン，チタン，パナジウム，モリブデン，タングステン，イリジウムなどが挙げられる。本発明の骨子たる酸化亜鉛層は、ここに挙げた元素を代表とする遷移金属のうち少なくとも１種類以上の元素を１原子ｐｐｍ以上５原子％以上の一定の濃度で含んでいることを特徴としている。」
（2d）試作例１について、「【００６１】……　〔試作例１〕　図１に示した構成を有するａ−Ｓｉ：Ｈ太陽電池を次に説明するように作製した。
【００６２】導電性基板１１として、表面が鏡面研磨された……ステンレス…板上に前記反射性導電層としての銀を真空蒸着法で０．３μｍの厚さに形成したものを用いた。図５に示したプレーナ型ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、遷移金属を含む酸化亜鉛層１２を導電性基板１１上に以下のようにして形成した。
【００６３】予め銀を蒸着した導電性基板１１を加熱板５０３に取り付けたのち、……
【００６４】ターゲット５１０としては、３原子％の鉄を含んだ酸化亜鉛のパウダーを燒結したものを用いた。……
【００６５】以上のようにして酸化亜鉛層１２の形成を開始し、酸化亜鉛層１２の層厚が１．０μｍに達したのち、……
【００６６】続いて、……、ａ−Ｓｉ：Ｈからなるｎ型半導体層１３，ｉ型半導体層１４およびｐ型半導体層１５を以下に示すようにして酸化亜鉛層１２上に順次積層した。……」
（2e）試作例４について、「【００９２】〔試作例４〕　図３に示したように、ガラスからなる透明基板３１上に、透明電極３２，遷移金属としてクロムを含む第１の酸化亜鉛層３３，ｐ型半導体層３４，ｉ型半導体層３５，ｎ型半導体層３６，遷移金属としてクロムを含む第２の酸化亜鉛層３８および背面電極３９を順次積層してなるａ−Ｓｉ：Ｈ太陽電池を作製した。
【００９３】透明基板３１としては、両面を研磨した…ガラス基板を用い、酸化錫（ＳｎＯ2 ）膜からなる透明電極３２および背面電極３９の形成には通常の真空加熱蒸着法を用い、遷移金属を含む第１および第２の酸化亜鉛層３３，３８の形成には通常のＲＦスパッタ法を用い、各半導体層（ｐ型半導体層３４，ｉ型半導体層３５およびｎ型半導体層３６）の形成にはＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた。」が記載されている。
　
（３）刊行物３（特開平５−９０６２０号公報）
（3a）「【請求項１】基板上に第１の電極と半導体層と第２の電極を順次積層した構造を有する太陽電池において、前記第１及び第２の電極のうち、少なくともいずれか一方の電極と前記半導体層との間に遷移金属を含む酸化亜鉛層を有し、かつ、該酸化亜鉛層中において前記遷移金属が１原子ｐｐｍ以上５原子％以下の濃度範囲内で連続的に変化して分布していることを特徴とする太陽電池。」
（3b）下部電極（背面電極を含む）の材料及び形成方法について、「【００３５】本発明の太陽電池において用いられる下部電極としては、上述した基板の材料が透光性であるか否かによって光が入射する面が異なるため、その設置される場所が異なる。
【００３６】具体的には、図１、図２、図４のような層構成の場合には導電性基板１０１…が下部電極を兼ねることができる。
【００３７】図３のような層構成の場合には透光性の基板３０１が用いられており、基板３０１の側から光が入射されるので、電流を取り出すため、及び半導体層で吸収されきれずに該電極に達した光を有効に反射するために、下部電極３０９が基板３０１と対向して半導体層及び遷移金属を含む酸化亜鉛層を挟んで設けられている。
【００３８】本発明の太陽電池に好適に用いられる下部電極の材料としては、銀、金、白金、……タングステン等の金属又はこれらの合金が挙げられ、これ等の金属または合金からなる層を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等の方法を用いて形成する。……」
（3c）酸化亜鉛層に含まれる遷移金属について、「【００４４】（酸化亜鉛層）　本発明の太陽電池に好適に用いられる前記酸化亜鉛層中に含まれる遷移金属として鉄、クロム、ニッケル、コバルト、マガジン、チタン、パナジウム、モリブデン、タングステン、イリジウム等が挙げられる。本発明の骨子たる酸化亜鉛層は、ここに挙げた元素を代表とする遷移金属のうち少なくとも１種類以上の元素を、１原子ｐｐｍ以上５原子％以下の範囲内でその濃度が連続に変化するように含んでいることを特徴としている。」
（3d）実施例１について、「【００７４】（実施例１）　図１に示す構成を有するａ−Ｓｉ：Ｈ太陽電池を以下に説明するように作製した。
【００７５】本実施例では基板１０１として、表面に鏡面研磨を施した……ステンレス……板上に前記反射性導電層として銀を公知の真空蒸着法で０．３μｍの厚さに形成したものを用いた。
【００７６】この上に、濃度が連続に変化する遷移金属を含む酸化亜鉛層１０２を、図５に示すブレーナ型ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて以下のようにして形成した。
【００７７】加熱板５０３に予め銀を蒸着した基板５０８を取り付けた後、……
【００７８】本実施例ではターゲット５１０は、３原子％の鉄を含んだ酸化亜鉛のパウダーを焼結したものを用いた。……
【００７９】以上のようにして酸化亜鉛層の形成を開始した後、スパッタ電源を調節し、ＤＣ電圧を連続的に増加させることによりスパッタ電流を次第に増加させた。……該酸化亜鉛層の層厚が１．０μｍに達した後……」
（3e）実施例４について、「【０１２１】（実施例４）　図３に示すようにガラス基板３０１上に透明電極３０２、遷移金属としてクロムを含む酸化亜鉛層３０３、ｐ型半導体層３０４、ｉ型半導体層３０５、ｎ型半導体層３０６、遷移金属としてクロムを含む酸化亜鉛層３０８、裏面電極３０９を順次形成してなるａ−Ｓｉ：Ｈ太陽電池を作製した。
【０１２２】ガラス基板３０１として、両面を研磨した…ガラス基板を用い、酸化錫（ＳｎＯ2）膜からなる透明電極３０２及び裏面電極３０９の形成には通常の真空加熱蒸着法を用いた。遷移金属を含む酸化亜鉛層３０３、３０８の形成は、遷移金属としてクロムを用いた点を除いて実施例２と全く同様にして行った。作製された太陽電池のふたつの酸化亜鉛層中のクロム原子の濃度を調べたところ、ともに０．０５原子％から３原子％まで連続的に変化していた。また、各半導体層の形成にはＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた。」が記載されている。
　
（４）刊行物４（特公平５−８５２６号公報）
（4a）「本発明は、透光性基板／ＺｎＯ層／酸化スズ層、カドミウムスズ酸化物層または酸化チタン層なる構造を有し、前記酸化スズ層、カドミウムスズ酸化物層または酸化チタン層が導電性であることを特徴とする透光性導電基板に関し、ＺｎＯ層上に設けた酸化スズ層、カドミウムスズ酸化物層または酸化チタン層でもつて、水素原子を含有するガス状物を分解する際に副生する活性水素がＺｎＯにダメージを与えることを防止し、良好な太陽電池特性を示す半導体素子を与えたり、空気で変色したりしにくいようにしたものである。」（３欄６〜16行）
（4b）ＺｎＯへのＡｇドープについて、「本発明におけるＺｎＯ層は透明電極として使用されるため、可視光に対して透明であり、透明電極として要望される電導性、すなわちシート抵抗が２０Ω／□以下、……であることが必要である。それゆえ、ＺｎＯの厚さとしては１００Å〜１μｍであることが好ましく、要すればＡｇなどでドープして電導性を上げてもよい。……ＺｎＯ層をＡｇでドープするばあいには、スパツタ法によるときはＺｎ中にＡｇなどを混入させてスパツタしたり、薄いＡｇ層などをＺｎＯ層にサンドイツチしたりすればよく、熱分解法によるときはＺｎ化合物中にＡｇ化合物などを混入させたりして熱分解すればよい。このようにＺｎＯ層中にＡｇなどを…ドープすることにより、ＺｎＯの電動性を…にあげることができる。」（３欄２８行〜４欄５行）が記載されている。
　
（５）刊行物５（特開平５−１３７９０号公報）
（5a）具体例２について、「【００６８】……（具体例２）　まず、基板１０１として、……ステンレス基板を洗浄し、その基板１０１上に裏面電極層１０２としてＲＦスパッタ法によってＡｇを平均０．４μｍ厚に形成した。……
【００６９】次に、１３．５６ＭＨｚの高周波を用いたＲＦマグネトロンスパッタ装置により、透明導電層１０３として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を０．５μｍ厚に形成した。……
【００７３】……ｎ型半導体層１０４としてｎ型ａ−Ｓｉ層を前記基板１０１の透明導電層１０３上に２０ｎｍ厚に形成した。
【００７４】次に、……真性半導体層１０５として真性ａ−ＳｉＧｅ層を前記ｎ型ａ−Ｓｉ層上に２５０ｎｍ厚に形成した。……つづいて、……ｐ型半導体層１０６としてｐ型の微結晶シリコン層を５ｎｍ厚に形成した。
【００７５】このようにしてｐｉｎ半導体層を形成した後、抵抗加熱蒸着法により、基板１０１を１７０℃に加熱しながら、ＩＴＯを７０ｎｍ厚に蒸着し、透明電極層１０７を形成した。
【００７６】次に、電子ビーム蒸着法により、マスクを用いて、前述の図２に示したようなパターンに、Ａｌを蒸着して集電電極１０８を形成した。
【００７７】以上の工程で……単層型ａ−ＳｉＧｅ太陽電池を１０個作製した。」
（5b）比較例２について、「【００７８】……（比較例２）　前述した具体例２に対する比較例として透明導電層１０３であるＺｎＯの酸素の組成比を一定にして、それ以外は具体例２と全く同様に、……」
（5c）ＺｎＯへのＡｇの拡散について、「【００８０】……本発明の透明導電層１０３を用いた太陽電池によって、直列抵抗が小さくなり、フィルファクター（ＦＦ）が向上し、光電変換効率（η）が向上した。これは、比較例２の場合には、ＣｕあるいはＡｇが欠陥性のｎ型半導体であるＺｎＯに拡散した場合に、アクセプターと成りうることから、Ａｇとの界面近傍においてＺｎＯが高抵抗化し、太陽電池の直列抵抗を増大させている恐れがあるのに対し、本発明のごとく、ＺｎＯの酸素の組成比を膜厚方向に図７のように変化させることによって、過剰のＺｎによって、Ａｇとの界面近傍におけるＺｎＯが低抵抗化し、上述のようなＺｎＯの高抵抗化が起こらず、太陽電池の直列抵抗が減少したものと考えられる。」が記載されている。
　
４．対比判断
（4-1）特許法第２９条第１項第３号違反について
　本件発明と刊行物１〜３、５に記載された発明とを対比する。
（4-1a）刊行物１との対比
　刊行物１には、摘記事項（1a）によれば、シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層と、透明電極と、を積層した光起電力素子において、透明電極が銀原子を含有する酸化物からなり、前記透明電極において銀原子が前記光電変換層側に指数関数的に少なくなるよう分布することが記載され、摘記事項（1b）によれば、透明電極としてスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウム−スズ酸化物等に銀原子を含有させたものが、摘記事項（1c）によれば、光電変換層側に少なく分布させるとは集電電極側に多く分布させるということ及び銀原子の指数関数的な分布範囲として３０Å〜５００Åという値が、摘記事項（1d）によれば、透明電極の層厚として５００Å〜３０００Åという値が、摘記事項（1g）によれば、透明電極上に集電電極として銀ペーストを厚さ２０μｍスクリーン印刷することがそれぞれ記載されている。
　よって、刊行物１には、「シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層と、透明電極と、集電電極とを積層して構成される光起電力素子において、前記透明電極が銀原子を含有するスズ酸化物、インジウム酸化物、又はインジウム−スズ酸化物からなり、前記集電電極がスクリーン印刷された銀ペーストからなり、前記透明電極において銀原子が前記集電電極側に指数関数的に多くなるよう分布させ、前記透明電極の膜厚を５００Å〜３０００Å、前記銀ペーストの膜厚を２０μｍ、前記銀原子の指数関数的な分布範囲を３０Å〜５００Åとする光起電力素子。」の発明が記載されていることになる。
　ここで、刊行物１に記載された発明における「シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層」、「透明電極」、「集電電極」は、それぞれ本件発明における「ケイ素を含む半導体下地」、「中間薄層」、「銀薄膜」に相当し、刊行物１に記載された発明における「光起電力素子」の一部の構造は、本件発明における「銀系の薄膜構造」に相当している。
　そうすると、本件発明と刊行物１に記載された発明とは、「ケイ素を含む半導体下地の上に、銀と酸素を含む中間薄層を挟んで、銀薄膜が形成されている、銀系の薄膜構造。」である点で一致するものの、
（ａ）本件発明では「中間薄層」が銀と酸素と「亜鉛」を含みかつ「２０Åを越えない厚さ」であるのに対し、刊行物１に記載された発明では銀と酸素と「インジウム」、「スズ」、「インジウム−スズ」のいずれかを含むものの「亜鉛」を含まずかつ「透明電極」の膜厚が「５００Å〜３０００Å」である点、
（ｂ）本件発明では「銀薄膜」が「スパッタリングで形成された」ものでかつ「１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さ」であるのに対し、刊行物１に記載された発明では「スクリーン印刷された銀ペースト」でかつ「厚さが２０μｍ」である点、で相違している。
　なお、刊行物１に記載された発明において、透明電極における銀原子の集電電極側への分布範囲を３０Å〜５００Åとしているから、この「銀原子の指数関数的な分布範囲」に該当する部分が本件発明における「中間薄層」に相当するとしても、成分及び厚さが相違していることにかわりはない。
　そして、上記相違点（ａ）（ｂ）が、技術的に意味がなく実質的に相違点でないとする根拠もない。
　よって、本件発明は、刊行物１に記載された発明であるとすることはできない。
　
（4-1b）次に、刊行物２、３、５と順次対比する。
　刊行物２との対比
　刊行物２には、摘記事項（2a）によれば、半導体層を導電性基板上に積層した構造を有する太陽電池において、前記導電性基板と前記半導体層との間に、遷移金属を含む酸化亜鉛層を有すること（【請求項１】）が、摘記事項（2c）によれば、酸化亜鉛層中に含まれる遷移金属として鉄，クロム，ニッケル，コバルト，マンガン，チタン，パナジウム，モリブデン，タングステン，イリジウムが、摘記事項（2d）によれば、導電性基板として予め反射性導電層としての銀を真空蒸着法で０．３μｍの厚さに形成したものを用いること（段落【００６２】）、酸化亜鉛層の層厚が１．０μｍであること（段落【００６５】）及び半導体層がａ−Ｓｉ：Ｈからなること（段落【００６６】）が記載されており、そして、上記導電性基板と半導体層との間に酸化亜鉛層を有する点と上記導電性基板に予め反射性導電層としての銀が形成されている点とをあわせると、酸化亜鉛層は半導体層と反射性導電層との間に存在することになる。
　よって、刊行物２には「ａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体層を導電性基板上に積層した構造を有する太陽電池において、前記導電性基板上には予め反射性導電層としての銀が真空蒸着法で０．３μｍの厚さに形成されており、前記反射性導電層と前記ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層との間に、鉄，クロム，ニッケル，コバルト，マンガン，チタン，パナジウム，モリブデン，タングステン，イリジウムからなる遷移金属を含み膜厚が１．０μｍの酸化亜鉛層を有する、太陽電池。」の発明（以下、「刊行物２記載発明１」という）が記載されていることになる。
　ここで、刊行物２記載発明１における「ａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体層」、「酸化亜鉛層」、「反射性導電層としての銀」は、それぞれ本件発明における「ケイ素を含む半導体下地」、「酸素と亜鉛とを含む中間薄層」、「銀薄膜」に相当し、両者の銀薄膜の厚みも重複し、刊行物２に記載された発明における「太陽電池」の一部の構造は、本件発明における「銀系の薄膜構造」に相当している。
　そうすると、本件発明と刊行物２記載発明１とは、「ケイ素を含む半導体下地の上に、酸素と亜鉛を含む中間薄層を挟んで、１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの銀薄膜が形成されている、銀系の薄膜構造。」である点で一致するものの、
（ｃ）本件発明では「中間薄層」が酸素と亜鉛の他に「銀」を含みかつ「２０Åを越えない厚さ」であるのに対し、刊行物２記載発明１では「銀」を含まずかつ「膜厚が１．０μｍ」である点、
（ｄ）本件発明では「銀薄膜」が「スパッタリングで形成された」ものであるのに対し、刊行物２記載発明１では「真空蒸着法で形成された」ものである点、で相違している。
　
　また、刊行物２には、摘記事項（2a）によれば、半導体層と第２の電極とを積層した構造を有する太陽電池において、前記半導体層と前記第２の電極との間に、遷移金属を含む第２の酸化亜鉛層を有すること（【請求項３】、【請求項４】）が記載されており、摘記事項（2b）によれば、下部電極としての背面電極が第２の酸化亜鉛層上に積層されること、下部電極の材料に銀を用いること、及び下部電極の形成方法にスパッタリングを用いることが、摘記事項（2c）によれば、酸化亜鉛層中に含まれる遷移金属として鉄，クロム，ニッケル，コバルト，マンガン，チタン，パナジウム，モリブデン，タングステン，イリジウムが、摘記事項（2e）によれば、半導体層が「ｐ型半導体層，ｉ型半導体層，ｎ型半導体層」からなる「ａ−Ｓｉ：Ｈ太陽電池」であることが記載されている。そして、「第２の電極」は、「第２の酸化亜鉛層」との位置関係を対応させると、「背面電極」が該当する。
　よって、刊行物２には、「ａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体層と背面電極とを積層した構造を有する太陽電池において、前記半導体層と前記背面電極との間に、鉄，クロム，ニッケル，コバルト，マンガン，チタン，パナジウム，モリブデン，タングステン，イリジウムからなる遷移金属を含む第２の酸化亜鉛層を有し、背面電極の材料としてスパッタリングにより形成された銀を含む、太陽電池。」の発明（以下、「刊行物２記載発明２」という）が記載されていることになる。
　ここで、刊行物２記載発明２における「ａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体層」、「第２の酸化亜鉛層」、「背面電極」は、それぞれ本件発明における「ケイ素を含む半導体下地」、「酸素と亜鉛とを含む中間薄層」、「スパッタリングで形成された銀薄膜」に相当し、刊行物２記載発明２における「太陽電池」の一部の構造は、本件発明における「銀系の薄膜構造」に相当している。
　そうすると、本件発明と刊行物２記載発明２とは、「ケイ素を含む半導体下地の上に、酸素と亜鉛を含む中間薄層を挟んで、スパッタリングで形成された銀薄膜が形成されている、銀系の薄膜構造。」である点で一致するものの、
（ｅ）本件発明では「中間薄層」が酸素と亜鉛の他に「銀」を含みかつ「２０Åを越えない厚さ」であるのに対し、刊行物２記載発明２では「銀」を含まずかつ膜厚が明らかでない点、
（ｆ）本件発明では「銀薄膜」が「１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さ」であるのに対し、刊行物２記載発明２では銀薄膜としての膜厚が明らかでない点、で相違している。
　
（4-1c）刊行物３との対比
　刊行物３の記載は、刊行物２において「該酸化亜鉛層中において前記遷移金属が１原子ｐｐｍ以上５原子％以下の濃度範囲内で連続的に変化して分布している」点を特徴としているものである。よって、本件発明と刊行物３に記載された発明とを対比すると、上記刊行物２との対比において存在したと同じ相違点（ｃ）〜（ｆ）がある。
　
（4-1d）刊行物５との対比
　刊行物５には、摘記事項(5a)によれば、「基板１０１上に裏面電極層１０２としてスパッタ法によって形成された平均０．４μｍ厚のＡｇと、その上に透明導電層１０３として形成された０．５μｍ厚の酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、その上に形成されたｎ型ａ−Ｓｉ層、真性ａ−ＳｉＧｅ層、ｐ型の微結晶シリコン層１０６と、その上に形成された透明電極層１０７と、その上に集電電極１０８として形成されたＡｌと、からなる太陽電池」が記載されており、摘記事項（5b）、（5c）によれば、「透明導電層１０３であるＺｎＯの酸素の組成比を一定にし」た場合には「Ａｇが欠陥性のｎ型半導体であるＺｎＯに拡散」する現象についても記載されている。
　よって、刊行物５には、「裏面電極層としてスパッタ法によって形成された平均０．４μｍ厚のＡｇと、透明導電層として形成された０．５μｍ厚のＺｎＯと、ａ−Ｓｉ層とが積層された構造を有し、欠陥性のｎ型半導体であるＺｎＯにはＡｇが拡散している、太陽電池。」の発明が記載されていることになる。
　ここで、刊行物５に記載された発明における「ａ−Ｓｉ層」、「ＺｎＯにはＡｇが拡散している透明導電層」、「スパッタ法によって形成された平均０．４μｍ厚のＡｇ」は、それぞれ本件発明における「ケイ素を含む半導体下地」、「銀と酸素と亜鉛とを含む中間薄層」、「スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの銀薄膜」に相当し、刊行物５に記載された発明における「太陽電池」の一部の構造は、本件発明における「銀系の薄膜構造」に相当している。
　そうすると、本件発明と刊行物５に記載された発明とは、「ケイ素を含む半導体下地の上に、銀と酸素と亜鉛を含む中間薄層を挟んで、スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの銀薄膜が形成されている、銀系の薄膜構造。」である点で一致するものの、
（ｇ）本件発明では「中間薄層」が「２０Åを越えない厚さ」であるのに対し、刊行物５に記載された発明では「中間薄層」に相当する「ＺｎＯ」の膜厚が「０．５μｍ」である点、で相違している。
　なお、刊行物５に記載された発明における「ＺｎＯ」のうちＡｇが拡散している範囲の部分が、本件発明における「中間薄層」に相当するとしても、刊行物５には上記拡散している範囲がどの程度であるかについて記載されてはいないから、厚さについて相違点を有していることにかわりはない。
　
　そして、本願発明と上記刊行物２、３、５に記載された発明とを対比した結果による相違点（ｃ）〜（ｇ）が、技術的に意味がなく実質的に相違点でないとする根拠もない。
　よって、本件発明は、刊行物１〜３、５に記載された発明であるとすることはできない。
　
（4-2）特許法第２９条第２項違反について
　上記（4-1）で示したとおり、本件発明と刊行物１に記載された発明とは少なくとも上記（ａ）の相違点を有し、本件発明と刊行物２、３に記載された発明とは少なくとも上記（ｃ）又は（ｅ）の相違点を有し、本件発明と刊行物５に記載された発明とは少なくとも上記（ｇ）の相違点を有する。即ち、刊行物１〜３、５のいずれにおいても、少なくとも本件発明の「銀と酸素と亜鉛とを含みかつ２０Åを越えない厚さの中間薄層」とする点について記載されていないことになる。
　この点について、刊行物４の記載ではＡｇをドープしたＺｎＯ層の厚みは１００Å〜１μｍである（摘記事項(4b)）としているに過ぎず、又中間薄層の厚みについて、最も小さい値とするのは、刊行物１記載の透明電極中の銀原子の指数関数的な分布範囲は３０Å以上（摘記事項(1c)）であるが、刊行物１にはこの値より小さくするとよいとする記載もない。
　ここで、本件発明において「中間薄層」を「２０Åを越えない厚さ」としているのは、「中間薄層９ａの膜厚は、約２０Å程度の極薄いものであっても充分な接着強度の向上が確認できるが、逆にこれよりも厚くなると、黒色化して中間薄層９ａの透過率が低下し、Ａｇ層９ｂに到達する光の量が減少する結果、Ａｇ層９ｂでの有効な反射作用が損なわれるので、２０Å以下とすることが望ましい。」（段落【０００６】）に根拠を有するものであるが、このような反射作用の低下を抑制するために中間薄層の膜厚上限を定めるという技術思想については刊行物１〜５のいずれにも示唆されていないから、上記「銀と酸素と亜鉛とを含みかつ２０Åを越えない厚さの中間薄層」を構成することは当業者にとって容易に想到し得るものではない。
　そして、本件発明は、上記構成を採用することにより、ケイ素を含む下地と銀薄膜との間の接着強度を向上させつつ、中間薄層が黒色化して透過率が低下し、銀薄膜での有効な反射作用が損なわれるのを防ぐという、明細書記載の刊行物１〜５の記載からは予測することのできない格別な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明は、他の相違点について検討するまでもなく、刊行物１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（4-3）特許法第３６条違反について
ａ．特許異議申立人は、本件明細書段落【０００６】には「中間薄層９ａの膜厚は、約２０Å程度の極薄いものであっても充分な接着強度の向上が確認できるが、逆にこれよりも厚くなると、黒色化して中間薄層９ａの透過率が低下し、Ａｇ層９ｂに到達する光の量が減少する結果、Ａｇ層９ｂでの有効な反射作用が損なわれる」と記載されているが、そもそも本件発明は、同段落【０００４】に記載されているように、高い反射率と高い接着強度を両立させ、太陽電池や鏡（段落【００１４】）といった反射率向上が要求されるものに好ましく用いられる銀系の薄膜構造が提供できることを効果とするものであり、反射作用が損なわれてしまうような範囲を含むことは、本件特許発明の効果を奏さない部分を含むこととなるから、本件特許発明は、特許請求の範囲の記載が発明の詳細な説明の記載と矛盾し、特許を受けようとする発明が明確でないものであると、主張している。
　
ｂ．そこで、上記主張について検討する。
　本件発明は、上記のとおり訂正され、「銀と酸素と亜鉛とを含みかつ２０Åを越えない厚さの中間薄層」という構成により、反射作用が損なわれてしまうような膜厚は特許請求の範囲から除外された。よって、上記特許異議申立人が主張する記載不備は解消されたものである。
　
ｃ．以上のとおり、本件発明の特許は、特許法第３６条に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものであるとすることはできない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月２６日（２００４．８．２６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
銀系の薄膜構造
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】ケイ素を含む
半導体
亜鉛
みかつ２０Åを越えない厚さの
、スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、銀系の薄膜構造でありながら、ケイ素を含む下地基板上に設けても高い反射率と高い接着強度を得ることができる技術に関し、特に薄膜太陽電池の電極として有用なものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　本発明は以上のように、ケイ素を含む下地基板上に設けられる銀系の薄膜構造に関するものであり、特に有用な利用分野である薄膜太陽電池の電極を例に上げて説明する。
　従来より、非晶質シリコンを始めとする薄膜太陽電池は、絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次積層して形成され、絶縁性透明基板側から入射される光によって薄膜半導体層内に発生した電子正孔対を、ｐｎ接合の内部電界を用いて透明電極層側と裏面電極層側にそれぞれ取り出すことによって発電電力を得るものである。
　このような薄膜太陽電池においては、少しでも薄膜半導体層内に入射する光量を増加させるため、これまでに種々の改良がなされている。例えば絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層としてｐ−ｉ−ｎ接合を有する非晶質シリコン層、裏面電極層を順次積層し、裏面電極層に有効波長域での反射率の高い銀電極を用い、入射光を裏面電極層と透明電極層との間で反射させることで、薄膜半導体層に到達する光量を増加させることなどが図られている。これは裏面電極の反射率を高くすることで薄膜半導体層内部を通過した長波長の光を有効に利用し、もって光電流を向上させることが狙いである。
　そして前述のように、反射率の高い裏面電極材料としては銀（Ａｇ）が最も一般的に用いられている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、銀はケイ素を含む薄膜半導体（シリコン系半導体）や、セラミックあるいはガラスなどに対する接着強度が劣っており、薄膜太陽電池の裏面電極として実用レベルの接着強度を得るために熱処理などによってシンタリングしたり、敢えて不純物を添加したりする方法が採られてきた。しかしながら熱処理による高温暴露は、金属成分の拡散速度の点で薄膜半導体には適さないこと、さらに不純物を添加すると銀の反射率は著しく低下し、前述の長波長光の有効利用が図れないことなどから、これまで実用レベルでは銀単体は薄膜太陽電池の裏面電極として使用できないと言う点が問題であった。
　一方酸化インジウム錫、酸化錫、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの透明導電性金属化合物上に、銀またはアルミニウム等の高反射率金属を積層した高反射率の裏面電極構造も提案されている。しかしながらアルミニウムについては、それ単体を薄膜半導体上に直接積層する場合よりも接着強度は低下し、また銀については若干単体の場合よりも接着強度は向上するものの、到底実用レベルで利用できる水準ではなかった。そしてこれらの裏面電極構造については、学会発表用のトップデータを出すためにしか使われていなかったのが現状である。
　このように、一般にはシリコン系半導体やガラスなど、ケイ素を含む下地の上に銀の薄膜を形成した場合その接着強度は弱く、反射率の点で優れた特性を持ちながら、実用レベルでの使用が実質的に不可能な状況にあった。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　本発明はこれらの問題点を解決し、銀系の薄膜構造でありながら、ケイ素を含む下地基板上に設けても高い反射率と高い接着強度を得ることができ、もって薄膜太陽電池の電極として特に適する銀系の薄膜構造を提供するものである。
　このような本発明は、ケイ素を含む
半導体
亜鉛
みかつ２０Åを越えない厚さの
、スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの
る。
　【０００５】
　このような銀系の薄膜構造の適用例として、ガラス基板上に電極や非晶質シリコン系半導体層を積層する薄膜太陽電池に適用する例を用い、その製造方法とともにさらに詳細に説明する。
　先ずガラス等の絶縁性透明基板上にＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２等（透明導電性を有する金属酸化物）の透明電極層、非晶質シリコン等の薄膜半導体層を順次積層する。このときには、薄膜半導体層をｐ型、ｉ型、ｎ型の積層体としておく。そしてこれに続いて、反応室内において透明導電性金属酸化物によるごく微弱なプラズマ領域と、銀（Ａｇ）による通常のプラズマ領域中を、この順に透明導電性金属化合物の微弱プラズマ領域側からＡｇによる通常のプラズマ領域側に向かって前記透明導電性金属化合物層と薄膜半導体層を積層した基板を移動させ、薄膜半導体層上に、Ａｇと酸素（Ｏ）と透明導電性を有する金属酸化物を構成する金属元素とを含む中間薄層と、Ａｇ層を順次積層する。こうして、薄膜半導体層上に積層された、中間薄層とＡｇによる積層体が、裏面電極となる。
　従来では、ここで言う半導体層の上に直接Ａｇを積層するが、この場合には前述のように接着強度の低下を来してしまう。
　しかしながら本発明では、半導体層とＡｇとの間に上記中間薄層が介在しているため、中間薄層とＡｇおよび半導体層のそれぞれが異種材料同士の接触作用とならないことから接着強度が向上する。
　ここで、上記透明導電性金属酸化物によるごく微弱なプラズマ領域を得るためには、以下の方法が例示できる。なお透明導電性金属酸化物として、ＺｎＯを例に取って説明する。ここでＺｎＯを用いることは、Ｚｎはシリコンに対して比較的安定であり、薄膜太陽電池の裏面電極層として用いても、半導体層中への拡散の影響が少なく、太陽電池の特性安定性に優れるからである。
　スパッタリング装置のチャンバー内に、基板の進行方向に沿って、例えばＺｎＯのターゲットとＡｇのターゲットを配置し、Ａｒガスを流した減圧雰囲気中でＡｇのターゲットのみに放電電圧を印加する。すると、Ａｇターゲット部分に生起されたプラズマが、隣設されているＺｎＯのターゲットの部分にも広がり、この広がったプラズマ中のＡｒ原子によってＺｎＯの表面がごく僅かにスパッタリングされる。そして、この領域に上記半導体層までを積層した基板が差しかかると、このごく僅かにスパッタリングされたＺｎとＯが、隣設するＡｇターゲットからスパッタリングされたＡｇ原子と混ざり合い、Ａｇ−Ｏ−Ｚｎの混合物または三元合金の中間薄層が半導体上に堆積する。
　さらに続いてこの基板はＡｇターゲット部分に向かって移動を続けるので、Ａｇターゲット近傍においては、Ａｇ層のみが中間薄層上に堆積していく。このようにして、半導体層上にＡｇとＯとＺｎを含む中間薄層を挟んで、裏面電極としてのＡｇ薄膜が形成される。
　【０００６】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明の実施形態について、薄膜太陽電池の裏面電極に適用する例を用いて説明する。図１は、薄膜太陽電池の裏面電極に、本発明の銀系の薄膜構造を適用した場合の構造図を表している。この薄膜太陽電池１は、図のように絶縁性透明基板３上に透明電極層５、薄膜半導体層７、裏面電極層９を順次積層した薄膜太陽電池１であって、裏面電極層９が本発明の銀系の薄膜構造となっている。すなわち、裏面電極層９は、透明電極層５の側からｐ−ｉ−ｎの順に積層された薄膜半導体層７上に設けられ、ＡｇとＯとＺｎを含みその膜厚を２０Å以下とした中間薄層９ａと、中間薄層９ａの上に設けられたＡｇ層９ｂよりなっている。このような構造では、中間薄層９ａの上下の両界面で従来のように異種材料同士の接触とはならず、その結果高い接着強度を得ることができる。また、中間薄層９ａの膜厚は、約２０Å程度の極薄いものであっても充分な接着強度の向上が確認できるが、逆にこれよりも厚くなると、黒色化して中間薄層９ａの透過率が低下し、Ａｇ層９ｂに到達する光の量が減少する結果、Ａｇ層９ｂでの有効な反射作用が損なわれるので、２０Å以下とすることが望ましい。
　また、絶縁性透明基板３上には不純物の阻止層として、必要に応じて酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のアンダーコート４を施しておくとよい。
　【０００７】
　そしてこのような構造は以下の製造方法によって得られる。図２は、本発明の銀系の薄膜構造を得るためのマグネトロン式のインラインスパッタリング装置の構造例を表している。本装置は、少なくともＺｎＯとＡｇのターゲットをセッティングできる構造を有し、これに絶縁性透明基板３上に透明電極層５、薄膜半導体層７を積層した基板３ａを投入することで、本発明の銀系の薄膜構造が得られる。以下、詳細に説明する。
　マグネトロン式のインラインスパッタリング装置１５の反応室１７内に、各層の積層済基板３ａをセッティング（基板位置Ａ）して反応室１７を真空ポンプ１８によって排気後、Ａｒガスをガス系２０より導入して一定の内圧に維持し、Ａｇターゲット２１のみにＲＦ電力を供給して放電を生起させる。この放電によって、Ａｇターゲット２１上には、殆どＡｇからなるプラズマ領域Ｐａが、Ａｇターゲット２１からＺｎＯターゲット１９上にかけては、ＡｇとＯとＺｎが混合しているごく微弱なプラズマ領域Ｐｚａがそれぞれ形成される。なお図は、ＺｎＯターゲット１９にもＲＦ電源が供給できるような表示になっているが、これはインラインスパッタリング装置１５の構造を表しているためである。本発明では、ＺｎＯターゲット１９へのＲＦ電源をＯＦＦとし、Ａｇターゲット２１にのみＲＦ電力を供給している。
　【０００８】
　このような状態のプラズマＰａ，Ｐｚａが生起されている中を、上記基板３ａをＺｎＯターゲット１９側からＡｇターゲット２１を通過した部位（基板位置Ｂ）まで移動させることで、本発明の銀系の薄膜構造を得る。すなわち、主にＺｎＯターゲット１９上においては中間薄層９ａが堆積し、主にＡｇターゲット２１上において、Ａｇ層９ｂが堆積する。この時、中間薄層９ａの膜厚を２０Å以下に制御するには、Ａｇターゲット２１に投入するＲＦパワー密度と基板の移動速度を最適値に設定すればよい。
　【０００９】
　【実施例】
　続いて、上述の実施形態のもと、本発明を薄膜太陽電池に適用した場合の具体的実施例について前述の図１、図２を用いて説明する。
　先ず絶縁性透明基板３として、ガラス基板上に５００Åの膜厚でＳｉＯ２層４をコートしたものを用い、これにフッ素を添加したＳｎＯ２を約８０００Åの膜厚で形成して透明電極層５を形成する。この時ＳｎＯ２の表面には、反射による損失を低減する目的で微小凹凸を形成しておく。
　次いでこの透明電極層５を形成した基板上にプラズマＣＶＤ装置にてｐ型の水素化非晶質炭化シリコン（以下単にａ−ＳｉＣ：Ｈと記す）７ｐを１５０Åの膜厚で、ｉ型の水素化非晶質シリコン（以下単にａ−Ｓｉ：Ｈと記す）７ｉを４０００Åの膜厚で、ｎ型の水素化微結晶シリコン（以下単にμｃ−Ｓｉ：Ｈと記す）７ｎを５００Åの膜厚でそれぞれ順に積層し薄膜半導体層７を得る。
　続いて、図２に示したマグネトロン式のインラインスパッタリング装置１５の反応室１７内に各層の積層済基板３ａをセッティング（基板位置Ａ）して反応室１７を真空ポンプ１８によって６×１０−６ｔｏｒｒまで排気後、Ａｒガスをガス系２０より導入して内圧を３×１０−３ｔｏｒｒに維持し、０．８Ｗ／ｃｍ２のＲＦパワー密度でＡｇターゲット２１をスパッタする。この状態で基板３ａを基板位置Ａから基板位置Ｂまで移動させ、前記２つのプラズマ領域Ｐｚａ、Ｐａ中を通過させて中間薄層９ａとＡｇ層９ｂを堆積して裏面電極層９とした。この時の中間薄層９ａとＡｇ層９ｂの膜厚は、それぞれ２０Å，５０００Åとした。ここでＡｇ層９ｂについては、太陽電池の特性を出すために必要な厚みとしては１０００Åであるが、機械的な強度維持や集積構造などにおける接続段差部のカバレージ等、種々目的によって１μｍ程度の厚みまでの範囲で適宜設定すればよい。また、参照した図面はあくまで本発明の内容を具体的に説明する為のものであって、実際には２つのプラズマ領域Ｐｚ，Ｐｚａは図中点線で表しているように、殆ど連続した状態で現れる。従って、図中のＰｚ，Ｐｚａの表示領域は、厳密に中間薄層９ａおよびＡｇ層９ｂが積層される領域をそれぞれ規定して表しているものではなく、さらにプラズマ領域Ｐｚａ、Ｐａも図例の位置に限定的に現れるものでもない。
　【００１０】
　こうして本発明によって作製した薄膜太陽電池と、比較例としてＡｇのみで裏面電極層を構成したものについて、その裏面電極層の接着強度と発電特性を調べた。ここで、裏面電極の接着強度については住友スリーエム社製の「貼って剥がせるテープ」と「スコッチテープ」を用いた引き剥がしテストで、発電特性についてはＡＭ１．５−１００ｍＷ／ｃｍ２の光強度に於ける短絡電流密度でそれぞれ評価した。なお上記テープの接着力の大小関係は、「貼って剥がせるテープ」＜「スコッチテープ」である。
　その結果、本発明によって作製された薄膜太陽電池の裏面電極層は、「貼って剥がせるテープ」と「スコッチテープ」のいずれでも全く剥離せず、さらにガムテープで引き剥がしテストを行ったところ、裏面電極の剥離は発生せず代わりにガラス基板の方が割れてしまうという結果となり、一方比較例では、「貼って剥がせるテープ」で容易に剥離した。
　以上のように本発明により、薄膜太陽電池において裏面電極材料にＡｇやＡｌを用いながらシンタリング等の特別な熱処理を行うことなく、裏面電極の接着強度を飛躍的に向上させることができる。
　【００１１】
　次に発電特性については、比較例が１７ｍＡ／ｃｍ２の短絡電流密度であったのに対し、本発明によって作製された薄膜太陽電池は１８ｍＡ／ｃｍ２となり、裏面電極層での反射率も向上していることが判明した。この原因は、比較例における接着強度の低い界面はミクロ的に見ると不連続な面となっており、これにより効率的な反射が行われていないことが一つの要因になっていると推察できる。これに対して本発明によって得られた薄膜太陽電池では、接着強度が向上していることから、薄膜半導体層７と中間薄層９ａとの間、および中間薄層９ａとＡｇ層９ｂとの間のそれぞれがミクロ的に見て連続かつ均一な接着界面になっているものと考えられる。
　【００１２】
　さらに本発明は、前述のような薄膜太陽電池以外にも、種々の用途に適用可能である。例えば、ケイ素を含む下地としてガラス基板を用い、その上に中間薄層とＡｇ層を形成することで、Ａｇ薄膜の接着強度に優れた鏡を得ることができる。そして、前記薄膜太陽電池の短絡電流密度が、Ａｇ薄膜の接着強度と対応していることからも、鏡の反射率を、ガラスの上にＡｇ層のみを形成したものよりも向上させることができる。
　【００１３】
　【発明の効果】
　本発明は以上に説明しように、以下の優れた効果を得ることができる。すなわち本発明の銀系の薄膜構造は、ケイ素を含む
半導体
亜鉛
みかつ２０Åを越えない厚さの
、スパッタリングで形成された１０００Å〜１μｍの範囲内の厚さの
を備えた
半導体
ＺｎＯ
ＺｎＯ
半導体
　【００１４】
　さらに実施例として説明した薄膜太陽電池への応用のみならず、鏡に代表されるガラス上への銀薄膜の形成においても、その接着強度の向上が実現でき、その汎用性は極めて広いものとなる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明を適用した薄膜太陽電池の断面構造例を表す説明図。
　【図２】本発明を薄膜太陽電池の裏面電極層に適用する場合に用いられる、スパッタリング装置の構造例を表す説明図。
　【符号の説明】
　　１　薄膜太陽電池
　　３　絶縁性透明基板
　　３ａ　基板
　　５　透明電極層
　　７　薄膜半導体層
　７ｐ　ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ
　７ｉ　ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ
　７ｎ　ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ
　　９　裏面電極層
　　９ａ　中間薄層
　　９ｂ　Ａｇ層
　１５　スパッタリング装置
　１７　反応室
　１８　真空ポンプ
　１９　ＺｎＯターゲット
　２０　ガス系
　２１　Ａｇターゲット
　Ｐｚａ、Ｐａ　プラズマ領域