【事件の表示】
　平成　８年特許願第２７８６６５号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　４月２４日出願公開、特開平１０−１０７２８１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本件出願の手続の経緯及び要旨
　本件出願は、平成８年９月３０日に出願されたものであって、その発明の要旨は手続補正書の特許請求の範囲請求項１〜１３に記載されたとおりである。その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりである。
「半導体基板（１）と、
　該半導体基板上に設けられたゲート電極（４）と、
　該ゲート電極と前記半導体基板との間に設けられたゲート絶縁層（２）と、
前記ゲート電極及び前記半導体基板上に設けられた層間酸化層（８）と、
　前記ゲート電極の両側の前記半導体基板内に設けられたソース領域及びドレイン領域（５、７）と、
　前記層間絶縁膜内にＯＨ基をトラップして前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記ゲート絶縁層へのＯＨ基の拡散を防止する窒素濃度が局所的に約１０１７／ｃｍ３ 以上である窒素含有酸化層（１２、１３、１５）と
を具備する半導体装置。」（以下、本願発明という。）
　
２．引用例記載の発明
（引用例１）
　前審の拒絶の理由に引用された特開平３−２４５５６３号公報（以下、引用例１という）には、
「（作用）
　本発明によれば、素子上の層間膜中に拡散バリアとなる窒素を含ませることにより、パッシベーション膜としてプラズマ窒化膜を形成する際あるいは平坦化に優れた水蒸気雰囲気でのリフローを用いた際のＨ基、ＯＨ基やＯ基の侵入をシャットアウトできる。」（第３頁左上欄第１０行〜第１６行）と、
「（実施例）
　本発明の詳細を実施例を用いて説明する。
第１の実施例
　先ず、例えばＮ型の単結晶シリコン基板（１）の表面に、Ｐ型ウエル領域（２）および素子分離用のフィールド酸化膜（３）を形成した後、８００℃のドライ酸化によって４０Å厚の薄い熱酸化膜（４１）を形成する。ついで全面にＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により多結晶シリコン膜（５１）を約３５００Å堆積する。（第１図（ａ））
　次ぎに、レジストのマスク（６１）を形成し、これをマスクとして多結晶シリコン膜（５１ ）中にフッ化ボロンイオンをドーズ量３Ｅ１５ｃｍ−２、加速電圧３０ＫｅＶの条件でｐ＋型多結晶シリコン（５２ ）を形成する（第１図（ｂ））。
　さらにマスク（６１）を除去した後、再びレジストマスク（６２）を形成し、これをマスク（６２）として多結晶シリコン膜（５１）中に不純物例えばリンイオンをドーズ量３Ｅ１５ｃｍ−２、加速電圧３０ＫｅＶの条件で注入することにより今後はＮ＋多結晶シリコン（５３）を形成する（第１ 図（ｃ））。
　その後レジストのマスク（６２）を除去し、除去面上に再びパターニングを施した電極形成用のマスクを形成し、このマスクの上から例えば異方性エッチングを行って不要の多結晶シリコン膜を除去する事によって、不純物を含有する導電性膜としてのＮ＋型のゲート電極（５５）及びＰ＋型のゲート電極（５４）を形成する。（４２）はそれぞれのゲート電極のゲート酸化膜である（第１図（ｄ））。
　次いで、例えば、酸素雰囲気中、８００℃のドライ酸化を行って、それぞれのゲート電極（５４）（５５）上及び露出した基板（１）、Ｐウエル領域（２）表面に８０Å程度の熱酸化膜（４３）を形成する 。以下の説明では、この膜を後酸化膜と称する。後酸化膜は厚すぎると電極の下にバーズピークが入りゲート電極形状が悪くなってしまう。このバーズピークが極端に大きい場合には、電極エッジのゲート酸化膜厚が実効的に厚くなるため、電極エッジでのトランジスタのしきい値電圧が上昇する。その結果、このゲートバーズピーク領域は寄生抵抗の増大につながることとなりトランジスタのパフォーマンスを劣化させる。これは、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造、ＧＤＤ（Ｇｒａｄｅｄ　Ｄｉｆｆｕｓｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造などでより顕著となる。前記後酸化膜を介してｐ＋型のゲート電極（５４）をマスクに基板（１）にボロンを導入してＰ＋型のソース・ドレイン領域（７１）（８１）を形成する。同様に、Ｐウエル領域（２）上にリンを導入してＮ＋型のゲート電極（５５）と自己整合的にＮ＋型のソース・ドレイン領域（７２ ）（８２）を形成する（第１図（ｅ））。
　次に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により第一の層間絶縁膜として酸化膜（９）を例えば２０００Å堆積する（第１図（ｆ））。
　この酸化膜（９）形成工程の後、窒素原子の含有ガス例えば、アンモニアガスを含む雰囲気中で、…、１１００℃で８０秒間のランプ加熱を行い、窒素を含む酸化膜（１０）を形成する（第１図（ｇ））。
　その後、全面に第２の層間絶縁膜としてボロン及びリンを含むＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ　Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｒａｓｓ）膜（１１）を形成し、続いて、ＰＯＣＬ３雰囲気中、あるいは窒素もしくはアルゴン雰囲気中で、例えば、温度８５０℃で３０分の熱処理を行う事により、第２の層間絶縁膜を流動化させる。以上の様な工程を経て、ゲート電極（５４）（５５ ）上の層間絶縁膜を平坦化した後、写真触刻法によりゲート電極、ソース、ドレイン領域上にコンタクトホール（１２）を開口し、配線材料としてアルミ合金、例えばＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕをスパッタ法で堆積し、パターニングして配線（１３）を形成する。最後に配線の上をパッシペーション膜例えばプラズマ窒化膜（１４２）とＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｒａｓｓ）膜（１４２ ）の積層膜（１４）で覆った後パッド部（図示しない）を開口する（第１図（ｈ））。
　このプラズマ（プラズママは誤記）窒化膜（１４１）はＳｉＨ４及びＮＨ４雰囲気中で生成され、この際、このプラズマ窒化膜（１４１）中に水素原子がとりまこまれる。以上のような工程を経る事によってＮＭＯＳＦＥＴとＰＭＯＳＦＥＴ を同一基板上に形成する事ができる。」（第３頁右上欄第９行〜第４頁右上欄第１４行）と記載されている。
　即ち、引用例１には、
「単結晶シリコン基板（１）に設けられたＰ型ウエル領域（２）と、
該Ｐ型ウエル領域（２）に設けられたゲート電極（５５）と、
該ゲート電極（５５）と前記Ｐ型ウエル領域（２）との間に設けられたゲート酸化膜（４２）と、
前記ゲート電極（５５）及び前記Ｐ型ウエル領域（２）上に設けられた窒素を含む酸化膜（１０）と、
前記ゲート電極（５５）の両側の前記多結晶シリコン基板（１）に内に設けられたソース・ドレイン領域（７２）（８２）と、
前記窒素を含む酸化膜内にＯＨ基をトラップする窒素を含む酸化膜層とを
具備する半導体装置。」
が示されている。
　
３．　本願発明と引用例記載の発明との対比
  本願発明の「半導体基板（１）」、「ゲート絶縁層（２）」、「層間酸化層（８）」は、引用例１の「単結晶シリコン基板（１）に設けられたＰ型ウエル領域（２）」、「ゲート酸化膜（４２）」、「酸化膜（１０）」に夫々相当するから、両者は次の点で一致する。
（一致点）
　半導体基板と、
　該半導体基板上に設けられたゲート電極と、
　該ゲート電極と前記半導体基板との間に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート電極及び前記半導体基板上に設けられた層間酸化層と、
　前記ゲート電極の両側の前記半導体基板内に設けられたソース領域及びドレイン領域と、
　前記層間絶縁膜内にＯＨ基をトラップする窒素含有酸化層と
を具備する半導体装置。
（相違点）
　そして、本願発明と引用例１記載の発明とは次の点で相違している。
　本願発明では、ＯＨ基をトラップして前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記ゲート絶縁層へのＯＨ基の拡散を防止する窒素濃度が局所的に約１０１７／ｃｍ３ 以上であるのに対して、引用例１では窒素原子の濃度（原子濃度）が明示されていない点。
（相違点の判断）
　引用例１のものも、酸化シリコン膜中に窒素原子を含有させたものであり、そして、素子上の層間膜中に拡散バリアとなる窒素を含ませることにより、パッシベーション膜としてプラズマ窒化膜を形成する際あるいは平坦化に優れた水蒸気雰囲気でのリフローを用いた際のＨ基、ＯＨ基やＯ基の侵入をシャットアウトできるとしており、侵入から防ぐ対象は、層間膜の下にある部分であり、ソース領域、ドレイン領域及びゲート絶縁層に対しても、侵入防止の効果を有することは自明のことである。
　次ぎに、窒素濃度について検討すると、窒素濃度が小さいと、ＯＨ基をトラップする能力が小さく、多すぎると、化学量論的な窒化膜になることは自明のことである。当業者は、トラップする能力が発揮される濃度を適宜設定すべきところ、本願明細書では、「【００１４】上述の本発明の第１、第２、第３の発明の実施の形態における窒化素含有酸化層１２、１３、１５の窒素濃度は、局所的に、１０１７／ｃｍ３以上であることが好ましい。」とあるのみで、「局所的に、１０１７／ｃｍ３以上である」ことが、臨界的意義を持つことは示されていない。してみると、「窒素濃度が局所的に約１０１７／ｃｍ３ 以上である」とすることは、当業者が適宜設定できた事項であり、格別のことが認められない。
　
４．　まとめ
　本願発明は引用例１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許請求の範囲２ないし１３に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、上記結論とおり審決する。