【事件の表示】
　特許第３１８４３４１号「窒素−３族元素化合物半導体発光素子及び製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについてされた平成１４年６月２７日付け異議の決定に対し、東京高等裁判所において決定取消の判決（平成１４年（行ケ）４３０号平成１５年１月２９日判決言渡）があったので、さらに審理の結果次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１８４３４１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１８４３４１号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成４年１０月２９日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　平成１３年４月２７日
　特許公報発行　　　　　　　　　　　　平成１３年７月９日
　特許異議の申立て　　　　　　　　　　平成１４年１月９日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　平成１４年３月２０日
　訂正請求　　　　　　　　　　　　　　平成１４年６月３日
　異議決定　　　　　　　　　　　　　　平成１４年６月２７日
　取消決定取消請求　　　　　　　　　　平成１４年８月２０日
　訂正審判請求（訂正2002-39231号）　　平成１４年１１月１日
　訂正認容審決　　　　　　　　　　　　平成１４年１２月２５日
　高裁異議決定取消の判決言渡　　　　　平成１５年１月２９日
　
２．本件発明
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正審判で認容された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　サファイア基板と、
　前記サファイア基板上に温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のAl０．１Ga０．９Nからなるバッファ層と、
　前記バッファ層の上に形成されたシリコン(Si)がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ層と、
　前記ｎ層の上に形成されたインジウム(In)を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ型の層と、
　前記ｎ型の層上に形成されたマグネシウム(Mg)がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子。」
　
３．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人江間晴彦は、甲第１号証ないし甲第５号証を提出し、概ね下記の主張をしている。
　（ア）本件の請求項１ないし６に係る発明は、甲第１号証ないし甲第４号証の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に該当するから、本件の特許は取り消されるべきものである。
　（イ）本件の平成９年９月１７日付け補正及び平成１１年１１月１日付け補正は、明細書の要旨を変更するものであるから、本件特許出願の出願日は上記補正のなされた日に繰り下がる。よって、本件の請求項１ないし６に係る発明は、甲第５号証の１（本件特許公開公報）及び甲第１号証ないし甲第４号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に該当するから、本件の特許は取り消されるべきものである。
　
４．当審の判断
４−１．異議申立の理由（イ）について
　訂正審判で認容された訂正により、本件発明における、ｎ層、ｎ型の層及びｐ層のＡｌ組成Ｘ及びＧａ組成Ｙは、出願当初明細書に記載されていたとおりの「AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む」ものに訂正され、明細書の要旨変更はなくなったので、本件の出願日は、本来の出願日である平成４年１０月２９日である。
　したがって、本件の出願日が繰り下がることを前提とした異議申立の理由（イ）は、採用できない。
　
４−２．異議申立の理由（ア）について
（１）甲各号証記載の事項
　異議申立人が提出した甲第１号証の刊行物：特開平４−２９７０２３号公報（以下、「引用例１」という。）には、下記の記載が認められる。
「【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法は、反応容器内に反応ガスを供給し、低温で成長させるバッファ層の上に、高温で成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法であって、前記バッファ層の一般式がＧａXＡｌ1-XＮで表されることを特徴とするものである。但しＸは０＜Ｘ≦１の範囲に特定される。
【０００９】
　前記バッファ層の厚さは０．００２μｍ以上、０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．０１〜０．２μｍの範囲に調整する。その厚さが０．０２μｍより薄く、また、０．５μｍより厚いと、バッファ層の上に形成する窒化ガリウム系化合物半導体の結晶の表面モフォロジーが悪くなる傾向にある。
【００１０】
　また前記バッファ層の成長温度は２００℃以上９００℃以下、好ましくは４００〜８００℃の範囲に調整する。２００℃より低いと、バッファ層が形成しにくく、また９００℃より高いと、バッファ層が単結晶となってしまい、以下に述べるバッファ層としての作用を果たさなくなる傾向にある。
　
【００１３】
　低温（約６００℃）で成長させるＡｌＮは多結晶層であり、この層が、例えばＧａＮを成長させるために約１０００℃にまで温度を上げる際、層が部分的に単結晶化する。部分的に単結晶化した部分が、１０００℃でＧａＮを成長させる時に方位の揃った種結晶となり、その種結晶からＧａＮ結晶が成長し、均一なＧａＮ単結晶層が成長できる。・・・
　
【００２３】
　図８に示す装置を用いて窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長を行った。
［実施例１］
　下記の工程でサファイア基板にＧａＮのエピタキシャル層を４μｍの膜厚で成長させた。・・・サセプター２の温度が５００℃に安定するまで待つ。
（７）その後、バッファー層を形成するため、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ2ガスに加えて、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガスを２．７×１０-5モル／分で１分間流す。
（８）次にＴＭＧガスのみを止めて、バッファ層の成長を止める。ここで膜厚０．０２μｍのバッファ層が形成できた。さらに他のガスは流しながらサセプター２の温度を１０００℃まで上昇させる。
（９）サセプター２の温度が１０２０℃まで上昇した後、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ2ガスに加えて、ＴＭＧガスを５．４×１０-5モル／分の流量で６０分間供給して、ＧａＮエピタキシャル層を、４．０μｍの膜厚で成長させる。・・・
　
【００２８】
［実施例２］（７）のバッファ層を形成する工程において、Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ｎのバッファ層を　０．０２μｍの膜厚で形成する以外は、実施例１と同様にしてバッファ層の上にＧａＮエピタキシャル層を成長した。なおバッファ層を形成する際、反応ガス噴射管４からアンモニアガスと、Ｈ2 ガスに加えて、ＴＭＧを２．７×１０-5モル／分、ＴＭＡを２．７×１０-5モル／分でそれぞれ０．５分間流した。」
　これらによれば、甲第１号証には、
「サファイア基板にＧａＮのエピタキシャル層を介して、４００〜８００℃の温度で、０．０１〜０．２μｍの厚さのＧａXＡｌ1-XＮ（Ｘは０＜Ｘ≦１）で表されるバッファ層（実施例２では、温度５００℃、厚さ０．０２μｍのＧａ0.5Ａｌ0.5Ｎ）を形成し、その上にＧａＮエピタキシャル層を成長させること」、及び、「低温（約６００℃）で成長させるＡｌＮは多結晶層であり、この層が、例えばＧａＮを成長させるために約１０００℃にまで温度を上げる際、層が部分的に単結晶化すること」が記載されている。
　
　同じく、甲第２号証：特開平４−２４２９８５号公報には、下記の記載が認められる。
「【請求項４】　
　禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（(Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’)ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１,但しｘ’=ｙ’=１は含まない）から成る層を、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、前記層に対して禁制帯幅の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体・・・から成るｐ型導電性を示す層とｎ型導電性を示す層との２つの層で、両側から挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。
　
【００４２】
　次に、サファイア基板１の温度を６００℃程度まで降温し、トリメチルアルミニウム(ＴＭＡ)及びアンモニア（ＮＨ３）を供給して、サファイア基板１上に５０ｎｍ程度の膜厚を持つＡｌＮ層２を形成する。　次に、ＴＭＡの供給のみを止め、基板温度を１０４０℃まで上げ、ＴＭＡ,トリメチルガリウム(ＴＭＧ)及びシラン（ＳｉＨ４）を供給しＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）を成長する。
　
【００４３】
　一旦、ウェハを成長炉から取り出し、ＧａＡｌＮ層３の表面の一部をＳｉＯ２でマスクした後、再び成長炉に戻して真空排気して水素及びＮＨ３を供給し１０４０℃まで昇温する。次に、ＴＭＧを供給して、ＳｉＯ２でマスクされていない部分に厚さ０．５μｍのＧａＮ層４を成長させる。次に、ＴＭＡ及びビスシクロペンタディエニルマクネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を更に供給してドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）を ０．５μｍ成長する。」　　
　
　同じく、甲第３号証：電気学会資料　ＥＦＭ−８７−２１（１９８７年８月１９日発行）、ＧａＡｌＮの結晶成長と光電物性　赤崎勇　他４名、５４頁には、ＡｌＮバッファ層の成長温度が８００℃よりも低い場合はアモルファス状に、それよりも高い場合には多結晶状になる傾向があったと記載されている。
　
　同じく、甲第４号証：特開平３−２１８６２５号公報には、下記の記載が認められる。
「まず結晶成長用基板、例えばサファイアを結晶成長部に設置したのち水素中で高温、１１５０℃程度に保持し基板表面に付着した炭化水素系不純物を除去する。しかるのち基板を６００℃程度まで降温し、・・・基板と
（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）
の緩衝層として窒化アルミニウムを約５０ｎｍ程度堆積する。」（３頁右上欄２〜１１行）。
　
（２）対比・判断
　本件発明と上記甲第２号証に記載された事項（以下、「引用発明」という。）とを対比するに、引用発明の「ＡｌＮ層２」、「窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード」は、本件発明の「バッファ層」、「窒素−３族元素化合物半導体発光素子」に相当し、引用発明の「Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）」、「ＭｇドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）」は、本件発明の「シリコン(Ｓｉ)がド−プされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ層」、「マグネシウム(Mg)がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）」に相当する。また、引用発明における「禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（(Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’)ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦x'≦１，０≦y'≦１,但しx'=y'=１は含まない）から成る層」は、本件発明の「ｎ層の上に形成されたインジウム(In)を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ型の層」に対応することは明らかである。
　したがって、両者は、「サファイア基板と、前記サファイア基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたシリコン(Si)がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ層と、前記ｎ層の上に形成されたインジウム(In)を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ型の層と、前記ｎ型の層上に形成されたマグネシウム(Mg)がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子。」で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）
　本件発明は、バッファ層を、温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のAl０．１Ga０．９Nから成る、と規定しているのに対し、引用発明のバッファ層は、温度６００℃程度、膜厚５０ｎｍ程度で形成したＡｌＮ層から成る点。
　
　そこで、上記相違点に付き検討する。
　甲第１号証には、Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ｎのバッファ層を５００℃で、０．０２μｍ（２００Å）の膜厚で形成すること、及び、低温（約６００℃）で成長させるＡｌＮは多結晶層であり、この層が、例えばＧａＮを成長させるために約１０００℃にまで温度を上げる際、層が部分的に単結晶化することが記載されている。
　また、甲第３号証には、ＡｌＮバッファ層の成長温度が８００℃よりも低い場合はアモルファス状に、それよりも高い場合には多結晶状になる傾向があることが、甲第４号証には、６００℃程度まで降温し、緩衝層として窒化アルミニウムを約５０ｎｍ程度堆積することが、各々記載されている。
　しかし、温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のAl０．１Ga０．９Nのバッファ層は、甲第１号証、甲第３号証及び甲第４号証に記載がなく、また、この点は当該技術分野において周知の事項でもない。
　そして、本件発明は、上記相違点の構成を有することにより、バッファ層の上に順次成長するｎ層、ｎ型の層、ｐ層の結晶性を向上させ、発光素子の発光輝度が向上するという明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立人の申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月２７日（２００２．６．２７）