【事件の表示】
　特許第３２４７８７０号「液晶表示装置の製造方法」の請求項１、７ないし９、１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２４７８７０号の請求項１、１２、７ないし９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２４７８７０号の請求項１ないし請求項１２に係る発明についての出願は、平成８年８月９日に出願（優先権主張　平成７年８月１１日、平成７年９月２９日）した特願平８−２１１７７９号の一部を平成１０年８月４日に新たな特許出願としたものであって、平成１３年１１月２日にその特許の設定の登録がなされ、その後、斉藤忠により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１４年１２月３日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
２−１．訂正の内容
　訂正事項a
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、ｉ線に感光性を有する感光性樹脂を用いて塗布法により有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、前記有機膜のパターニングは、ｉ線を含む光を用いて該有機膜を露光し、該露光された有機膜を現像する工程を含有し、該有機膜の露光および現像後に、該有機膜中の感光剤を反応させるために基板全面に露光を行うことで該有機膜を脱色し、波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い該有機膜からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
と訂正する。
　
　訂正事項ｂ
  特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項７を、
「【請求項７】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、平坦な表面を有する画素電極を形成する工程とを有し、前記画素電極を形成する前に、該画素電極が形成される領域の該層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行うことによって該層間絶縁膜の表面を荒す工程を包含し、前記画素電極が前記灰化処理によって荒された前記層間絶縁膜の前記表面に形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
と訂正する。
　
　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項８を、
「【請求項８】　前記酸素プラズマによる前記灰化処理によって、前記層間絶縁膜の表面より１００ｎｍ超５００ｎｍ以下の厚さが灰化される請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。」
と訂正する。
　
　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１２を、
「【請求項１２】　前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜の表面にシランカップリング剤で表面処理を施す工程とをさらに包含する請求項１から１１のうちのいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。」
と訂正する。　
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項aは、特許明細書の【００７５】の記載に基づいて、請求項１における感光性樹脂を「ｉ線に感光性を有する感光性樹脂」に、また、有機膜の露光手段を「ｉ線を含む光を用いて」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　訂正事項ｂは、特許明細書の【０１４６】及び【０１５４】の記載に基づいて、請求項７に、層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行うことが「該層間絶縁膜の表面を荒らす工程」であること、画素電極が「平坦な表面を有する」こと、及び、「前記画素電極が前記灰化処理によって荒らされた前記層間絶縁膜の前記表面に形成される」ことを特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　訂正事項ｃは、特許明細書の【０１４６】の記載に基づいて、請求項８の「１００ｎｍから５００ｎｍ」を「１００ｎｍ超５００ｎｍ以下」と訂正するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　訂正事項ｄは、特許明細書の【０１４２】の記載に基づいて、請求項１２に「前記窒化シリコン膜の表面にシランカップリング剤で表面処理を施す工程とをさらに包含する」ことを特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
２−３．訂正の適否に対するむすび
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、甲第１号証〜甲第４号証及び周知文献として、アクリル樹脂の光透過率に関する参考資料１，ＩＴＯの膜厚に関する参考資料２〜４を提出し、本件の請求項１、７乃至９，１２に係る発明は概ね下記の理由により、特許を受けることができない旨主張している。
（１）本件の請求項１、７、１２に係る各発明は、本件特許出願の日前の他の特許出願であって本件特許出願後に出願公開されたものの願書に最初に添付された明細書又は図面（甲第１号証）に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定に該当する。
（２）本件の請求項７乃至９、１２に係る各発明は、本件特許出願の日前の他の特許出願であって本件特許出願後に出願公開されたものの願書に最初に添付された明細書又は図面（甲第２号証）に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定に該当する。
（３）本件の請求項１、７乃至９，１２に係る発明は、甲第３号証及び甲第４号証の記載に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当する。
　
４．本件発明
　本件の請求項１、７乃至９，１２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、７乃至９，１２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、
　該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、ｉ線に感光性を有する感光性樹脂を用いて塗布法により有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、
　該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、
　前記有機膜のパターニングは、ｉ線を含む光を用いて該有機膜を露光し、該露光された有機膜を現像する工程を含有し、該有機膜の露光および現像後に、該有機膜中の感光剤を反応させるために基板全面に露光を行うことで該有機膜を脱色し、波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い該有機膜からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、
　該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、
　該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、平坦な表面を有する画素電極を形成する工程とを有し、
　前記画素電極を形成する前に、該画素電極が形成される領域の該層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行うことによって該層間絶縁膜の表面を荒す工程を包含し、前記画素電極が前記灰化処理によって荒された前記層間絶縁膜の前記表面に形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項８】　前記酸素プラズマによる前記灰化処理によって、前記層間絶縁膜の表面より１００ｎｍ超５００ｎｍ以下の厚さが灰化される請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項９】　前記画素電極の膜厚を５０ｎｍ以上に形成する請求項１から８のうちのいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１２】　前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜の表面にシランカップリング剤で表面処理を施す工程とをさらに包含する請求項１から１１のうちのいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。」
　
５．甲各号証記載の発明
（１）本件特許出願の日前の他の特許出願であって本件特許出願後に出願公開された特願平６−１６６０４４号の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書１」という。特開平８−１５７３１号公報（申立人の提出した甲第１号証）参照）には、下記の記載が認められる。
「【００２０】
　最後に図８〜図１０を参照して本発明にかかる表示用基板の製造方法の具体例を詳細に説明する。先ず最初に、図８の工程Ａにおいて、石英等からなる絶縁基板の表面に一層目のポリシリコン（１Ｐｏｌｙ）をＬＰＣＶＤ法により成膜する。次に・・・１Ｐｏｌｙにソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを設ける。この様にしてＮチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。・・・この１ＰＳＧに第一コンタクトホール（１ＣＯＮ）をパタニング形成した後、スパッタリングによりアルミニウム（Ａｌ）を全面的に成膜する。これを所定の形状にパタニングしてＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する金属配線パタンに加工する。次に工程Ｄにおいて、ＡＰＣＶＤ法により、１ＰＳＧに重ねて第二層間絶縁膜（２ＰＳＧ）を堆積し、Ａｌからなる金属配線パタンを完全に被覆する。この後、１ＰＳＧ及び２ＰＳＧを連続的にエッチングし、ＴＦＴのドレイン領域Ｄに連通する開口を予め設けておく。
【００２１】
　図９の工程Ｅにおいて、２ＰＳＧ表面の凹凸を平坦化膜で埋める。この為、本実施例では所定の粘性を有する液状の感光性アクリル樹脂をスピンコーティングで塗布した。その後仮焼成（プリベーク）を施しアクリル樹脂を固化させて平坦化膜とした。次に工程Ｆにおいて、平坦化膜に対して直接写真蝕刻（露光現像）を施し、第二コンタクトホール（２ＣＯＮ）を形成する。この２ＣＯＮの底部にはエッチング残渣が残っているとともに、平坦化膜の表面は現像液との反応により生じた被膜により覆われている。続いて比較的強度の高い紫外線を照射して後露光を行ない、平坦化膜中に残留する光吸収剤を脱色（ブリーチング）して完全に透明化する。次に工程Ｇにおいて、平坦化膜の表面灰化処理を行ない、被膜を除去するとともに２ＣＯＮの底部に残留したエッチング残渣を除去する。この表面灰化処理は、例えば基板温度を８０℃〜１００℃に設定して酸素プラズマを作用させライトアッシングを行なう。さらに加熱処理（ポストベーク）を行ない、平坦化膜を本焼成する。この結果、平坦化膜の表面はリフローを受け緻密化及び平滑化する。さらに、ライトエッチングを行ない、ＴＦＴのドレイン領域Ｄの表面を覆う酸化膜を除去する。例えば、フッ酸を作用させて酸化膜を溶解する。
【００２２】
　図１０の工程Ｈにおいて、スパッタリングにより透明導電膜を成膜する。本実施例では透明導電膜材料としてＩＴＯを用いる。ＩＴＯは２ＣＯＮの内部にも充填され、ＴＦＴのドレイン領域Ｄと電気的な導通がとられる。最後に工程Ｉにおいて、ＩＴＯを所定の形状にパタニングし画素電極とする。以上の工程により平坦化された表示用基板が得られる。この後、表示用基板を用いてアクティブマトリクス型の液晶表示装置を組み立てる場合には工程Ｊを行なう。・・・
【００２３】
【発明の効果】
　以上説明した様に、本発明によれば、・・・平坦化膜に対して表面灰化処理を施しコンタクトホール内のエッチング残渣を除去している。これにより、下層領域に含まれる薄膜トランジスタと上層領域に含まれる画素電極との間の電気的導通を良好に確保する事ができるという効果がある。さらに、表面灰化処理を施した後加熱処理を行ない平坦化膜の表面状態を一様に緻密化及び平滑化する。この上に透明導電膜を成膜する事により、その組成を顕著に改善でき、パタニング性が良好となる為画素電極の微細且つ精密なエッチングが可能になるという効果がある。」
　これらによれば、先願明細書１には、
「絶縁基板の表面にゲート電極Ｇ、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄ等を設け、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、スパッタリングによりアルミニウム（Ａｌ）を全面的に成膜、パタニングしてＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する金属配線パタンに加工し、次に、１ＰＳＧに重ねて第二層間絶縁膜（２ＰＳＧ）を堆積し、Ａｌからなる金属配線パタンを完全に被覆し、この後、１ＰＳＧ及び２ＰＳＧを連続的にエッチングし、ＴＦＴのドレイン領域Ｄに連通する開口を予め設けたものに、感光性アクリル樹脂をスピンコーティングで塗布し、アクリル樹脂を固化させて平坦化膜とし、次に、平坦化膜に対して直接写真蝕刻（露光現像）を施し、第二コンタクトホールを形成し、続いて比較的強度の高い紫外線を照射して後露光を行ない、平坦化膜中に残留する光吸収剤を脱色して完全に透明化し、次に、酸素プラズマを作用させライトアッシングを行なうことにより、平坦化膜の表面灰化処理を行ない、被膜を除去するとともに、前記第二コンタクトホールの底部に残留したエッチング残渣を除去し、さらに加熱処理（ポストベーク）を行ない、平坦化膜の表面を緻密化及び平滑化し、さらに、スパッタリングにより透明導電膜（ＩＴＯ）を成膜し、前記ＩＴＯは前記第二コンタクトホールの内部にも充填され、ＴＦＴのドレイン領域Ｄと電気的な導通がとられるとともに、ＩＴＯをパタニングして画素電極とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法」の発明（以下、「先願発明１」という）が記載されている。
　　　
（２）同じく、本件特許出願の日前の他の特許出願であって本件特許出願後に出願公開された特願平６−１５２７１２号の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書２」という。特開平７−３３３６３４号公報（申立人の提出した甲第２号証）参照）には、下記の記載が認められる。
「【００１４】
　最後に図４を参照して、凹凸パタンの形成方法の一例を詳細に説明する。先ず最初に工程（Ａ）に示す様に、駆動基板１の内表面に薄膜トランジスタを形成する。なお図では素子領域を構成する半導体薄膜５の一部及び第一層間絶縁膜７と第二層間絶縁膜９のみを部分的に示している。この後、第二層間絶縁膜９の表面を平坦化層１１で埋める。この為、本実施例では所定の粘性を有する液状の光感光性アクリル樹脂をスピンコーティングで塗布した。続いて加熱処理を施しアクリル樹脂を半硬化させて平坦化層とした。半硬化した平坦化層に対して写真食刻処理を施しコンタクトホールを開口する。このコンタクトホールの底部には薄膜トランジスタのドレイン領域Ｄが露出している。次に工程（Ｂ）で平坦化層１１の表面にフォトレジスト２１を塗布し、所定の周期形状にパタニングする。続いて工程（Ｃ）に移り、フォトレジスト２１をマスクとして平坦化層１１の表面をライトエッチングする。例えば、Ｏ2を反応ガスとして平坦化層１１をプラズマアッシングする。これにより、平坦化層１１の表面にミクロな凹凸が形成される。最後に工程（Ｄ）で、使用済みとなったフォトレジストを除去した後、スパッタリングにより透明導電膜を成膜する。本実施例では透明導電膜としてＩＴＯを用いる。ＩＴＯはコンタクトホールの内部にも充填され、ＴＦＴのドレイン領域Ｄと電気的な導通がとられる。最後にＩＴＯを所定の形状にパタニングし画素電極１０とする。これにより、少なくとも画素電極１０内に周期的な凹凸パタン１５が形成される。なお、凹凸パタン１５の段差寸法は、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍに設定されている。」
　
（３）本件出願前公知の刊行物である特開平６−２４２４３３号公報（申立人の提出した甲第３号証。以下、「刊行物３」という。）には、アクティブマトリクス型液晶表示パネルに関し、下記の記載が認められる。　
「【００１１】
　次に、図２及び図３を参照して、図１に示したアクティブマトリクス基板の製造方法を詳細に説明する。先ず最初に、図２の工程Ａにおいて、石英等からなる絶縁基板の表面に１ＰｏｌｙをＬＰＣＶＤ法により成膜する。・・・この様にしてＮチャネル型のＴＦＴが形成される。・・・続いて工程ＣにおいてＡＰＣＶＤ法により１ＰＳＧを堆積する。この１ＰＳＧに第一コンタクトホール（１ＣＯＮ）をパタニング形成した後、スパッタリングによりアルミニウム（Ａｌ）を全面的に成膜する。これを所定の形状にパタニングしてＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する金属配線パタンに加工する。
【００１２】
　図３の工程Ｄにおいて、ＡＰＣＶＤ法により、１ＰＳＧに重ねて２ＰＳＧを堆積し、Ａｌからなる配線金属パタンを完全に被覆する。続いて工程Ｅにおいて、２ＰＳＧ表面の凹凸を平坦化層で埋める。この為、本実施例では所定の粘性を有する液状のアクリル樹脂をスピンコーティングで塗布した。その後加熱処理を施しアクリル樹脂を硬化させて平坦化層とした。硬化した平坦化層に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを施し第二コンタクトホール（２ＣＯＮ）を形成する。この２ＣＯＮの底部にはＴＦＴのドレイン領域Ｄが露出している。なお平坦化層、２ＰＳＧ、１ＰＳＧを貫通する２ＣＯＮの形成方法の具体例については後に詳細に説明する。次に工程Ｆにおいてスパッタリングにより透明導電膜を成膜する。本実施例では透明導電膜材料としてＩＴＯを用いる。ＩＴＯは２ＣＯＮの内部にも充填され、ＴＦＴのドレイン領域Ｄと電気的な導通がとられる。最後に工程ＧにおいてＩＴＯを所定の形状にパタニングし画素電極とする。以上の工程により平坦化されたアクティブマトリクス基板が得られる。
・・・
【００２３】
　図１１は、同じく図４の（Ｃ）に示したコンタクトホールの第三具体例につき他の作成方法を示す。図１０に示した方法と異なり、本例では平坦化膜として感光性樹脂を用いている。先ず工程ＡでＰｏｌｙの上にＰＳＧを成膜する。工程Ｂで感光性樹脂を塗布し平坦化膜とする。工程Ｃで平坦化膜の露光、現像、焼成を行なう。ライトアッシングを行なった後、工程Ｄで平坦化膜をマスクとしてセルフアライメトによりＰＳＧをエッチングする。この後ベイキングを行なう。」
　
（４）同じく、特開平４−１９９０２９号公報（申立人の提出した甲第４号証。以下、「刊行物４」という。）には、各種の電子デバイス、特に、ファクシミリ等のイメージセンサに利用される薄膜トランジスタ及び多層配線の製造方法に関し、
　図１において、基板２１、半導体活性層２７を含むＴＦＴ、その上に形成されたポリイミドの絶縁層３３ｂ、絶縁層３３ｂに形成されたコンタクトホール３４を介して下部配線３１と接続された上部配線３２が示され、また、公報７頁右下欄８行〜８頁左上欄１６行には、塗布されたポリイミド膜３３ｂは、１６０℃程度でプリベークを行ってフォトリソエッチング工程でパターン形成を行い、再度ベーキングし、コンタクトホール３４を形成し、その後にホール３４等の残ったポリイミドを完全に除去するため、Ｏ２でプラズマにさらすＤｅｓｃｕｍを行った後、アルミニウムのスパッタにより上部配線３２を形成すること等が記載されている。　
　
６．当審の判断
６−１．特許法第２９条の２違反について
（１）先願発明１について
（請求項１について）
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という）と先願発明１とを対比する。
　先願発明１の「絶縁基板」、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」「ゲート電極Ｇ」、「ＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する金属配線パタン」、「アクリル樹脂を固化させた平坦化膜」、「感光性アクリル樹脂をスピンコーティングで塗布」、「後露光を行ない、平坦化膜中に残留する光吸収剤を脱色し」、「完全に透明化し」は、
　本件発明１の「基板」、「スイッチング素子」、「ゲート電極」、「スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線」、「有機膜」、「感光性樹脂材料を用いて塗布法により有機膜を形成し」、「有機膜の露光および現像後に、該有機膜中の感光剤を反応させるために基板全面に露光を行うことで該有機膜を脱色し」、「透明度の高い」に各々相当する。
  また、先願発明１のようなアクティブマトリクス型液晶表示装置の基板において、ゲート電極Ｇにゲート配線が接続され、該ゲート配線とソース配線を互いに交叉するように形成することは当業者に自明の事項である。さらに、先願発明１における「平坦化膜に対して第二コンタクトホールを形成し、ＩＴＯは前記第二コンタクトホールの内部にも充填され、ＴＦＴと電気的な導通がとられ」、「透明導電膜（ＩＴＯ）を成膜し、ＩＴＯをパタニングして画素電極とする」ことは、本件発明１の「有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程」、「画素電極を形成する工程」に他ならないから、両者は、
「基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、感光性樹脂を用いて塗布法により有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、前記有機膜のパターニングは、該有機膜を露光し、該露光された有機膜を現像する工程を含有し、該有機膜の露光および現像後に、該有機膜中の感光剤を反応させるために基板全面に露光を行うことで該有機膜を脱色し、透明度の高い該有機膜からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」で一致し、下記の点で相違する。
　
　相違点１：本件発明１は、感光性樹脂が、ｉ線に感光性を有し、有機膜をｉ線を含む光を用いて露光するのに対し、先願発明１は、感光性アクリル樹脂から成る平坦化膜を比較的強度の高い紫外線を照射して後露光する点。
　相違点２：有機膜を、本件発明１は、波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高いものと規定しているのに対し、先願発明１は、平坦化膜中に残留する光吸収剤を脱色して完全に透明化するものである点。
　
　上記相違点１について検討する。
　先ず、先願発明１は、感光性アクリル樹脂から成る平坦化膜を比較的強度の高い紫外線を照射して後露光するのであるから、前記感光性アクリル樹脂が紫外線に対して感光性を有することは明らかであるが、紫外線のうちでも特に、ｉ線（波長３６５ｎｍ）に感光性を有することまでは記載されていない。
  そして、本件発明１は、「本実施形態で層間絶縁膜３８として用いた感光性樹脂の露光には、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）及びｇ線（波長４３６ｎｍ）の輝線を含む水銀灯の光線を用いることが一般的である。感光性樹脂としては、これら輝線の中で最もエネルギーの高い（波長の最も短い）ｉ線に感光性（吸収ピーク）を有する感光性樹脂を用いることが好ましい。コンタクトホールの加工精度を高くするとともに、感光剤に起因する着色を最小限に抑制することができる。」（【００７５】）という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、先願明細書１に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（請求項７について）
　本件の請求項７に係る発明（以下、「本件発明７」という）と先願発明１とを対比する。
  先願発明１の「絶縁基板」、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」「ゲート電極Ｇ」、「ＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する金属配線パタン」、「アクリル樹脂を固化させた平坦化膜」、「感光性アクリル樹脂をスピンコーティングで塗布」、「平坦化膜に対して第二コンタクトホールを形成し、ＩＴＯは前記第二コンタクトホールの内部にも充填され、ＴＦＴと電気的な導通がとられ」、「酸素プラズマを作用させライトアッシングを行なうことにより、平坦化膜の表面灰化処理を行ない」は、
　本件発明７の「基板」、「スイッチング素子」、「ゲート電極」、「スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線」、「有機膜」、「塗布法により有機膜を形成し」、「有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する」、「層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行う」に相当する。
  また、先願発明１のようなアクティブマトリクス型液晶表示装置の基板において、ゲート電極Ｇにゲート配線が接続され、該ゲート配線とソース配線を互いに交叉するように形成することは当業者に自明であるから、両者は、
「基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、前記画素電極を形成する前に、該画素電極が形成される領域の該層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行う工程を包含し、前記画素電極が前記層間絶縁膜の前記表面に形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
　相違点３：有機膜を、本件発明７は、波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜としたのに対して、先願発明１は、感光性アクリル樹脂を固化させ、比較的強度の高い紫外線を照射して後露光を行ない、平坦化膜中に残留する光吸収剤を脱色して完全に透明化した点、
  相違点４：本件発明７は、平坦な表面を有する画素電極が前記灰化処理によって荒らされた前記層間絶縁膜の前記表面に形成されるのに対して、先願発明１は、平坦化膜の表面灰化処理を行ない、さらに加熱処理（ポストベーク）を行ない、平坦化膜の表面を緻密化及び平滑化し、さらに透明導電膜（ＩＴＯ）を成膜し、画素電極を形成する点。
　
　上記相違点４について検討する。
　先願発明１は、酸素プラズマを作用させライトアッシングを行なうことにより、平坦化膜の表面灰化処理を行なうのであるから、平坦化膜の表面は、その時点に於いて、荒らされているものと考えられるが、先願発明１では、さらに加熱処理（ポストベーク）を行ない、平坦化膜の表面を緻密化及び平滑化してから透明導電膜（ＩＴＯ）を成膜している。そして、これにより先願発明１は、透明導電膜の組成を顕著に改善でき、パタニング性が良好となる為画素電極の微細且つ精密なエッチングが可能になるという効果を有するから、本件発明７の「画素電極が前記灰化処理によって荒らされた前記層間絶縁膜の前記表面に形成される」構成は備わっていない。
　そして、本件発明７は、上記構成を具備することにより、「画素電極５１と、その下層膜として表面が荒れた感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜６８との密着性が大きく向上し、基板洗浄時に超音波を印加してもこれらの膜の間で膜剥がれが無くなった。」（【０１４６】）という作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明７は、他の相違点について検討するまでもなく、先願発明１と同一であるとすることはできない。
　
（請求項８，９，１２について）
　請求項８に係る発明は、請求項７の構成を全て引用し、灰化される厚さを１００ｎｍ超５００ｎｍ以下と限定するものであり、しかも、この限定事項は先願明細書１に記載されていないから、上記請求項７に対すると同様の理由により、先願発明１と同一であるとすることはできない。
　請求項９に係る発明は、請求項１から８を引用するもの（請求項２〜請求項６は、異議申立の対象外の発明であり、請求項８は請求項７を引用するもの）であるから、上記請求項１及び請求項７に対すると同様の理由により、先願発明１と同一であるとすることはできない。
　請求項１２に係る発明は、請求項１から１１を引用するもの（請求項２〜６、１０，及び１１は、異議申立の対象外の発明であり、請求項８は請求項７を引用するもの）であり、有機膜を形成する前に、基板表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜の表面にシランカップリング剤で表面処理を施す工程とをさらに包含することを限定するものであり、しかも、この限定事項は先願明細書１に記載されていない。よって、請求項１２に係る発明は、上記請求項１及び請求項７〜９に対すると同様の理由により、先願発明１と同一であるとすることはできない。
　
（２）先願発明２について
（請求項１について）
　本件発明１と先願明細書２に記載されたもの（以下、「先願発明２」という）とを対比するに、両者は、少なくとも下記の点で相違する。。
　相違点５：本件発明１は、ｉ線に感光性を有する感光性樹脂材料を用いて有機膜を形成するのに対して、先願発明２は、この構成を有していない。
  そして、本件発明１は、「ｉ線に吸収波長のピークを有する材料（感光剤）を用いると、コンタクトホールの加工精度が向上するとともに、感光性樹脂の着色を抑制することができる。」（【００４４】）及び「感光性樹脂としては、これら輝線の中で最もエネルギーの高い（波長の最も短い）ｉ線に感光性樹脂を用いることが好ましい。コンタクトホールの加工精度を高くするとともに、感光剤に起因する着色を最小限に抑制することができる。」（【００７５】）という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は先願明細書２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（請求項７について）
　本件発明７と先願発明２とを対比するに、少なくとも両者は、下記の点で相違する。
　相違点６：本件発明７は、「平坦な表面を有する画素電極を形成する前に、該画素電極が形成される領域の該層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行うことによって該層間絶縁膜の表面を荒らす工程を包含し、前記画素電極が前記灰化処理によって荒らされた前記層間絶縁膜の前記表面に形成される」のに対して、先願発明２は、「工程（Ｂ）で平坦化層１１の表面にフォトレジスト２１を塗布し、所定の周期形状にパタニングする。続いて工程（Ｃ）に移り、フォトレジスト２１をマスクとして平坦化層１１の表面をライトエッチングする。例えば、Ｏ2を反応ガスとして平坦化層１１をプラズマアッシングする。これにより、平坦化層１１の表面にミクロな凹凸が形成される。最後に工程（Ｄ）で、使用済みとなったフォトレジストを除去した後、スパッタリングにより透明導電膜を成膜し、パタニングし、画素電極内に周期的な凹凸パタンが形成された画素電極とする」点。
　そこで、上記相違点６について検討する。
　先願発明２は、液晶表示装置の視野角特性を改善することを目的とし（先願明細書２の【０００６】参照）、画素電極内に周期的な凹凸パタンが形成されるように、平坦化層の表面にフォトレジストを塗布し、所定の周期形状にパタニングし、続いて、フォトレジストをマスクとして平坦化層の表面をプラズマアッシング（本件発明７の「灰化処理」に相当する）するものであり、平坦化層の表面を灰化処理する点で本件発明７と共通するものの、本件発明７とは異なる工程を有するものである。
　そして、それによって、先願発明２の画素電極は、灰化処理によって荒らされた凹部、及び、マスクで覆われたことにより表面処理を受けていない凸部の表面にわたって形成され、画素電極内に周期的な凹凸パタンが形成されるものであるから、本件発明７の平坦な表面を有する画素電極とは異なっている。
　したがって、本件発明７は、先願発明２と同一であるとすることはできない。　
　
（請求項８，９，１２について）
　請求項８に係る発明は、請求項７の構成を全て引用し、灰化される厚さを１００ｎｍ超５００ｎｍ以下と限定するものであり、しかも、この限定事項は先願明細書２に記載されていないから、上記請求項７に対すると同様の理由により、先願発明２と同一であるとすることはできない。
　請求項９に係る発明は、請求項１から８を引用するもの（請求項２〜請求項６は、異議申立の対象外の発明であり、請求項８は請求項７を引用するもの）であるから、上記請求項１及び請求項７に対すると同様の理由により、先願発明２と同一であるとすることはできない。
　請求項１２に係る発明は、請求項１から１１を引用するもの（請求項２〜６、１０，及び１１は、異議申立の対象外の発明であり、請求項８は請求項７を引用するもの）であり、有機膜を形成する前に、基板表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜の表面にシランカップリング剤で表面処理を施す工程とをさらに包含することを限定するものであり、しかも、この限定事項は先願明細書２に記載されていない。よって、請求項１２に係る発明は、上記請求項１及び請求項７〜９に対すると同様の理由により、先願発明２と同一であるとすることはできない。
　
６−２．特許法第２９条第２項違反について
（請求項１について）
　本件発明１と刊行物３及び４記載の発明とを対比する。
　刊行物３及び４には、少なくとも、本件発明１の構成要件である「ｉ線に感光性を有する感光性樹脂材料を用いて」有機膜を形成することについては何も記載されていない。また、この点が当該技術分野において周知慣用手段であるとすべき証拠も提出されていない。
  そして、本件発明１は、「ｉ線に吸収波長のピークを有する材料（感光剤）を用いると、コンタクトホールの加工精度が向上するとともに、感光性樹脂の着色を抑制することができる。」（【００４４】）及び「感光性樹脂としては、これら輝線の中で最もエネルギーの高い（波長の最も短い）ｉ線に感光性樹脂を用いることが好ましい。コンタクトホールの加工精度を高くするとともに、感光剤に起因する着色を最小限に抑制することができる。」（【００７５】）という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物３及び４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（請求項７について）
　本件発明７と刊行物３記載のもの（以下、「引用発明３」という。）とを対比するに、両者は、少なくとも、下記の点で相違する。
　相違点７：本件発明７は、平坦な表面を有する画素電極を形成する前に、層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行うことによって該層間絶縁膜の表面を荒らす工程を包含し、前記画素電極が前記灰化処理によって荒らされた前記層間絶縁膜の前記表面に形成されるのに対し、引用発明３は、感光性樹脂を塗布し平坦化膜として、露光現像焼成を行い、ライトアッシングを行った後、平坦化膜をマスクとしてエッチングを行い、さらにその後ベイキングを行う点。
　そこで、上記相違点７について検討する。
　引用発明３の「ライトアッシング」は、本件発明７の「酸素プラズマによる灰化処理」に相当するが、このライトアッシングによって、平坦化膜の表面が荒らされた状態になることまでは記載がない。しかも、引用発明３は、さらにその後ベイキングを行うものであり、このベイキングは、いわゆるポストベイク（本焼成）に相当するものと認められるから、上記先願発明１と同様、平坦化膜の表面はリフローを受け緻密化及び平滑化するものと解される。
　結局、引用発明３には、本件発明７の構成要件である「画素電極が前記灰化処理によって荒らされた前記層間絶縁膜の前記表面に形成される」点が備わっていない。
　また、刊行物４には、プリベークを行ってフォトリソエッチング工程でパターン形成を行い、再度ベーキングし、コンタクトホールを形成し、その後にホール等の残ったポリイミドを完全に除去するため、Ｏ２でプラズマにさらすＤｅｓｃｕｍを行った後、アルミニウムのスパッタにより上部配線を形成することが記載されているが、画素電極についての記載はない。そして、このＯ２でプラズマにさらすＤｅｓｃｕｍによって、ホール以外のポリイミドの表面がどのような状態になるかについては記載がなく、しかも、ポリイミドの表面とアルミニウムの上部配線の密着性について示唆するところもない。
　したがって、引用発明３と刊行物４記載の事項を結びつける動機付けがなく、仮に結びつけたとしても、本件発明７の構成要件である「画素電極が前記灰化処理によって荒らされた前記層間絶縁膜の前記表面に形成される」構成を得ることは困難である。
　そして、本件発明７は、上記構成要件を具備することにより、「画素電極５１と、その下層膜として表面が荒れた感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜６８との密着性が大きく向上し、基板洗浄時に超音波を印加してもこれらの膜の間で膜剥がれが無くなった。」（【０１４６】）という、刊行物３，４から予想し得ない格別の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明７は、刊行物３及び４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。　
（請求項８，９，１２について）
  請求項８，９，１２に係る発明は、それぞれ、請求項１及び７に係る発明及び異議申立の対象外の発明の各構成を全て引用するものであるから、上記請求項１及び請求項７に対すると同様の理由により、刊行物３及び４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。　
　　
７．むすび
　以上のとおり、参考資料１〜４を参酌しても、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件の請求項１、７〜９、１２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件の請求項１、７〜９、１２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月２０日（２００２．１２．２０）
【訂正の要旨】
訂正事項
　▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、
ｉ線に感光性を有する感光性樹脂材料を用いて
ｉ線を含む光を用いて
と訂正する。
　▲２▼訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項７を、
　「【請求項７】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、
平坦な表面を有する
該画素電極が形成される領域の
ことによって該層間絶縁膜の表面を荒す
包含し、前記画素電極が前記灰化処理によって荒された前記層間絶縁膜の前記表面に形成される
と訂正する。
　▲３▼訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項８を、
「【請求項８】　前記酸素プラズマによる前記灰化処理によって、前記層間絶縁膜の表面より１００ｎｍ
超
以下
と訂正する。
　▲４▼訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１２を、
　「【請求項１２】　前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に窒化シリコン膜を形成する工程
と、前記窒化シリコン膜の表面にシランカップリング剤で表面処理を施す工程とをさらに包含
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、
該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、
ｉ線に感光性を有する感光性樹脂材料を用いて
該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、
前記有機膜のパターニングは、
ｉ線を含む光を用いて
　【請求項２】　前記有機膜を、その濃度が０．１から１．０ｍｏｌ％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド現像液により現像して層間絶縁膜を形成する請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、
該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、
前記有機膜のパターニングは、該有機膜上にフォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層上にシランカップリング剤を塗布し、該シランカップリング剤を酸化する工程と、該フォトレジスト層をパターニングする工程と、該酸化されたシランカップリング剤で覆われたパターン形成された該フォトレジスト層をマスクとして、該有機膜をエッチングする工程とを含有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】　前記有機膜をパターニングする工程は、前記有機膜上にシリコンを含有するフォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層をパターニングする工程と、パターン形成された該フォトレジスト層をマスクとして、該有機膜をエッチングする工程とを包含する請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】　前記エッチング工程は、ＣＦ４、ＣＦ３ＨおよびＳＦ６のうちの少なくとも１つを含むガスを用いてドライエッチングする工程である請求項３または４に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、
該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、
該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、
前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に紫外線を照射する工程を含有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、
該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、
平坦な表面を有する
前記画素電極を形成する前に、
該画素電極が形成される領域の
ことによって該層間絶縁膜の表面を荒す
包含し、前記画素電極が前記灰化処理によって荒された前記層間絶縁膜の前記表面に形成される
　【請求項８】　前記酸素プラズマによる前記灰化処理によって、前記層間絶縁膜の表面より１００ｎｍ
超
以下
　【請求項９】　前記画素電極の膜厚を５０ｎｍ以上に形成する請求項１から８のうちのいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１０】　前記有機膜を形成する材料がシランカップリング剤を含む請求項１から９のうちのいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１１】　前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザンと、ジメチルジメトキシシランと、ｎ−ブチルトリメトキシシランのうちの少なくとも１つを含む請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１２】　前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に窒化シリコン膜を形成する工程
と、前記窒化シリコン膜の表面にシランカップリング剤で表面処理を施す工程とをさらに包含
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばコンピュータやテレビジョン装置などのディスプレイに利用され、アドレス素子として薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）などのスイッチング素子を備えた液晶表示装置の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図１６は、アクティブマトリクス基板を備えた従来の液晶表示装置の構成を示す回路図である。
　【０００３】
　図１６において、このアクティブマトリクス基板には、複数の画素電極１がマトリクス状に形成されており、この画素電極１には、スイッチング素子であるＴＦＴ２が接続されて設けられている。このＴＦＴ２のゲート電極には走査信号を供給するためのゲート配線３が接続され、ゲート電極に入力されるゲート信号によってＴＦＴ２が駆動制御される。また、ＴＦＴ２のソース電極には表示信号（データ信号）を供給するためソース配線４が接続され、ＴＦＴ２の駆動時に、ＴＦＴ２を介してデータ（表示）信号が画素電極１に入力される。各ゲート配線３とソース配線４とは、マトリクス状に配列された画素電極１の周囲を通り、互いに直交差するように設けられている。さらに、ＴＦＴ２のドレイン電極は画素電極１および付加容量５に接続されており、この付加容量５の対向電極はそれぞれ共通配線６に接続されている。付加容量５は液晶層に印加される電圧を保持するために用いられる。付加容量は、アクティブマトリクス基板に形成された画素電極と対向基板に形成された対向電極とに挟持された液晶層を含む液晶容量と、並列に設けられる。
　【０００４】
　図１７は従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＴＦＴ部分の断面図である。
　【０００５】
　図１７において、透明絶縁性基板１１上に、図１６のゲート配線３に接続されたゲート電極１２が形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜１３が形成されている。さらにその上にはゲート電極１２と重畳するように半導体層１４が形成され、その中央部上にチャネル保護層１５が形成されている。このチャネル保護層１５の両端部および半導体層１４の一部を覆い、チャネル保護層１５上で分断された状態で、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂとなるｎ＋Ｓｉ層が形成されている。一方のｎ＋Ｓｉ層であるソース電極１６ａ上には、図１６のソース配線４となる金属層１７ａが形成され、他方のｎ＋Ｓｉ層であるドレイン電極１６ｂ上には、ドレイン電極１６ｂと画素電極１とを接続する金属層１７ｂが形成されている。さらに、これらのＴＦＴ２、ゲート配線３およびソース配線４上部を覆って層間絶縁膜１８が形成されている。
　【０００６】
　この層間絶縁膜１８の上には、画素電極１となる透明導電膜が形成され、この透明導電膜は、層間絶縁膜１８を貫くコンタクトホール１９を介して、ＴＦＴ２のドレイン電極１６ｂと接続した金属層１７ｂと接続されている。
　【０００７】
　このように、ゲート配線３およびソース配線４と、画素電極１となる透明導電膜との間に層間絶縁膜１８が形成されているので、各配線３，４に対して画素電極１をオーバーラップさせることができる。このような構造は、例えば特開昭５８−１７２６８５号公報に開示されており、これによって液晶表示装置の開口率を向上させることができると共に、各配線３，４に起因する電界をシールドしてディスクリネーションを抑制することができる。
　【０００８】
　上記層間絶縁膜１８としては、従来、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機膜をＣＶＤ法を用いて膜厚５００ｎｍ程度に形成していた。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、この層間絶縁膜１８上に透明絶縁膜であるＳｉＮＸ，ＳｉＯ２、ＴａＯＸなどをＣＶＤ法またはスパッタ法により成膜した場合、その下地膜の膜厚による凹凸を反映するので、画素電極１をこの上に形成したときに下地膜の段差により段差が形成されて液晶分子の配向不良を引き起こすという問題があった。
　【００１０】
　また、画素部を平坦化するためにポリイミドなどの有機膜の塗布により成膜した場合、画素電極とドレイン電極を電気的に接続させるためのコンタクトホールを形成するために、マスク材を用いてフォトパターニングを行い、エッチングにより、コンタクトホールの加工を行って、最後に不要となったフォトレジストを剥離する工程を必要としていた。また、このエッチングおよび剥離工程を短縮化するために感光性ポリイミド膜を使用する方法も考えられるが、この場合、層間絶縁膜を形成した後の樹脂が着色して見えるために、高い光透過性および透明性が要求される液晶表示装置の層間絶縁膜には適さないという問題があった。
　【００１１】
　また、上記従来の液晶表示装置のように、ゲート配線３およびソース配線４と、画素電極１との間に層間絶縁膜１８を形成すると、各配線３，４に対して画素電極１をオーバーラップさせることができ、液晶表示装置の開口率向上させることができる。ところが、このように、各配線３，４と画素電極１とをオーバーラップさせる構造とした場合、各配線３，４と画素電極１との間の容量が増加するという問題を有していた。特に、窒化シリコン膜などの無機膜は比誘電率が８と高く、ＣＶＤ法を用いて成膜しており、５００ｎｍ程度の膜厚となる。この程度の膜厚では各配線３，４と画素電極１との間の容量の増加が大きくなり、以下の（１），（２）に示すような問題があった。なお、窒化シリコン膜などの無機膜をそれ以上の膜厚に成膜しようとすると、製造プロセス上、時間がかかりすぎるという問題を有していた。
　【００１２】
　（１）ソース配線４と画素電極１とをオーバーラップさせる構造とした場合、ソース配線４と画素電極１との間の容量が大きくなって信号透過率が大きくなり、保持期間の間に画素電極１に保持されているデータ信号は、データ信号の電位によって揺動を受けることになる。このため、その画素の液晶に印加される実効電圧が変動し、実際の表示において特に縦方向の隣の画素に対して縦クロストークが観察されるという問題があった。
　【００１３】
　このようなソース配線４と画素電極１との間の容量が表示に与える影響を減らす方法の１つとして、例えば特開平６−２３０４２２号公報には、１ソースライン毎に対応する画素に与えるデータ信号の極性を反転させる駆動方法が提案されている。この駆動方法では、隣接する画素の表示に相関が高い白黒表示のパネルに対しては有効であったが、通常のノートブック型パーソナルコンピューターなどのように、画素電極を縦ストライプ状に配列した場合（カラー表示の場合、画素電極の形状は、例えば正方形の画素をＲ，Ｇ，Ｂで３等分した縦長の長方形状である縦ストライプ状をしている）には、ソース配線４に対する隣接画素は、表示色がそれぞれ異なっている。このため、上記１ソースライン毎の極性反転駆動方法は、白黒表示の場合には縦クロストーク低減に効果があったものの、一般的なカラー表示の場合にはクロストーク低減に効果が不十分であった。
　【００１４】
　（２）画素電極１と、その画素を駆動するゲート配線３とをオーバーラップさせる構造とした場合、ゲート配線３と画素電極１との間の容量が大きくなって、ＴＦＴ２を制御するスイッチング信号に起因して、画素への書き込み電圧のフィードスルーが大きくなるという問題があった。
　【００１５】
　本発明は、上記従来の問題を解決するもので、開口率向上のために画素電極と各配線とをオーバーラップさせて液晶表示装置の開口率の向上および液晶の配向不良の抑制を図る。また、層間絶縁膜として高透過率の膜を用いることによりバックライトからの光を有効に利用する。さらに、広視野角化を実現する。さらに、製造工程が簡略化でき、かつ各配線と画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減して良好な表示を得ることができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
　【００１６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、
ｉ線に感光性を有する感光性樹脂材料を用いて
ｉ線を含む光を用いて
　【００１７】
　【００１８】
　【００１９】
　【００２０】
　【００２１】
　【００２２】
　【００２３】
　【００２４】
　【００２５】
　【００２６】
　前記有機膜を、その濃度が０．１から１．０ｍｏｌ％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド現像液により現像して層間絶縁膜を形成することが好ましい。
　【００２７】
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、前記有機膜のパターニングは、該有機膜上にフォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層上にシランカップリング剤を塗布し、該シランカップリング剤を酸化する工程と、該フォトレジスト層をパターニングする工程と、該酸化されたシランカップリング剤で覆われたパターン形成された該フォトレジスト層をマスクとして、該有機膜をエッチングする工程とを含有することを特徴としており、そのことによって上記目的が達成される。
　【００２８】
　前記有機膜をパターニングする工程は、前記有機膜上にシリコンを含有するフォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層をパターニングする工程と、パターン形成された該フォトレジスト層をマスクとして、該有機膜をエッチングする工程とを包含することが好ましい。
　【００２９】
　前記エッチング工程は、ＣＦ４、ＣＦ３ＨおよびＳＦ６のうちの少なくとも１つを含むガスを用いてドライエッチングする工程であることが好ましい。
　【００３０】
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、
平坦な表面を有する
該画素電極が形成される領域の
ことによって該層間絶縁膜の表面を荒す
包含し、前記画素電極が前記灰化処理によって荒された前記層間絶縁膜の前記表面に形成される
　【００３１】
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート配線および、該スイッチング素子のソース電極に接続されたソース配線を互いに交差するように形成する工程と、該スイッチング素子、該ゲート配線、該ソース配線の上部に、塗布法により波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜を形成した後、該有機膜をパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該スイッチング素子に電気的に接続されるコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、画素電極を形成する工程とを有し、前記画素電極を形成する前に、該層間絶縁膜の表面に対して酸素プラズマによる灰化処理を行う工程を含有することを特徴としており、そのことによって上記目的が達成される。
　【００３２】
　前記酸素プラズマによる前記灰化処理によって、前記層間絶縁膜の表面より１００ｎｍ
超
以下
　【００３３】
　前記画素電極の膜厚を５０ｎｍ以上に形成することが好ましい。
　【００３４】
　前記有機膜を形成する材料がシランカップリング剤を含むことが好ましい。
　【００３５】
　前記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザンと、ジメチルジメトキシシランと、ｎ−ブチルトリメトキシシランのうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。
　【００３６】
　前記有機膜を形成する前に、該有機膜が形成される前記基板の表面に窒化シリコン膜を形成する工程
と、前記窒化シリコン膜の表面にシランカップリング剤で表面処理を施す工程とをさらに包含
　【００３７】
　【００３８】
　【００３９】
　【００４０】
　以下に、本発明の作用を説明する。本発明においては、スイッチング素子、ゲート配線およびソース配線の上部に可視光である波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜からなる層間絶縁膜が設けられ、その上に画素電極が設けられて、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイン電極と接続されている。このように、高透過率で、着色のない層間絶縁膜を用いることによって、液晶表示装置の透過率を高めることができる。従って、液晶表示装置の高輝度化やバックライトからの光量を抑えることによって低消費電力化を図ることができる。また、層間絶縁膜が設けられることにより、各配線と画素電極とをオーバーラップさせることができて、開口率を向上することが可能となると共に液晶の配向不良が抑制可能となる。しかも、この層間絶縁膜は、アクリル系感光性樹脂などの有機材料からなっているので、従来用いられていた窒化シリコンなどの無機薄膜に比べて比誘電率が低く、透明度が高い良質な膜を生産性よく得られるので、膜厚を厚くすることが可能となって、各配線と画素電極との間の容量分が低減されて信号透過率も抑制され、これにより、各配線と画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減してより良好な表示が得られる。
　【００４１】
　さらに、画素電極と各配線とを１μｍ以上オーバーラップさせると、開口率を最大限にすることができると共に、画素電極の各配線に対する加工精度が粗くても良い。つまり、加工精度が粗くても画素電極と各配線が重なっていれば、重なった各配線によって光漏れは遮断される。
　【００４２】
　また、層間絶縁膜の膜厚を１．５μｍ以上にすると、画素電極と各配線とを１μｍ以上オーバーラップさせても、各配線と画素電極との間の容量は十分小さくなって時定数も小さくなり、容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減してより良好な表示が得られる。
　【００４３】
　この層間絶縁膜は、感光性アクリル系樹脂などの感光性の有機材料を塗布法により塗布し、露光およびアルカリ現像によりパターニングして、数μｍという膜厚の有機薄膜が生産性よく得られる。
　【００４４】
　また、紫外線に感光する感光性樹脂を用いて層間絶縁膜を形成する場合、ｉ線に吸収波長のピークを有する材料（感光剤）を用いると、コンタクトホールの加工精度が向上するとともに、感光性樹脂の着色を抑制することができる。ｉ線（３６５ｎｍ）は、露光工程の光源として用いられる水銀灯の輝線のなかで最も短波長で、可視光の波長領域から離れているからである。着色のない層間絶縁膜を用いることによって、液晶表示装置やアクティブマトリクス基板の透過率を高めることができる。従って、液晶表示装置の高輝度化やバックライトからの光量を抑えることによって低消費電力化を図ることができる。
　【００４５】
　また、層間絶縁膜として、数μｍの厚さに形成するので、層間絶縁膜の透過率はできるだけ高い方が好ましいが、人間の目の視感度は、緑や赤に比べて青に対しては若干低いので、層間絶縁膜の分光透過率は青色光に対する透過率が若干低くても、表示品位の低下は少ない。
　【００４６】
　さらに、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールが、遮光性の付加容量配線またはゲート配線の上部に設けられていると、液晶の配向乱れによる光漏れが開口部以外の遮光部で発生することになり、コントラストの低下が生じない。
　【００４７】
　また、有機膜からなる層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に該画素電極を設け、液晶層の厚さが４．５μｍ以下とし、画素電極と各配線との間に従来設けていたマージンを無くして、画素電極が大きくし、表示開口率を向上させることでその明るさも向上し、コントラストが非常に良くなって、コントラストが悪化することなく液晶層の厚みを４．５μｍ以下と薄くしてリタデーション値を小さくし、視野角を広くすることが可能となり、多大なる広視野角化が図られる。
　【００４８】
　さらに、本発明に用いた比較的膜厚の厚い層間絶縁膜によって平坦化が可能になって、従来、その下層の配線などによる段差部で起こっていた画素電極のドレイン側における断線など、段差による影響がなくなり、また、段差による配向不良が防止される。また、ソース配線と画素電極間の層間絶縁膜で絶縁されており、ソース配線と画素電極間の電気的リークによる欠陥絵素が極めて少なくなり、製造歩留の向上が可能になり、製造コストの減少も可能になる。
　【００４９】
　さらに、画素電極の膜厚が５０ｎｍ以上であれば、膜表面隙間からの薬液の侵入が防止可能となり、剥離液に使用する薬液によって生ずる樹脂の膨潤が抑制される。
　【００５０】
　さらに、従来、層間絶縁膜を形成するために必要であった成膜、フォトレジストによるパターン形成工程、エッチング、レジスト剥離、洗浄工程が、本発明では樹脂形成工程のみで形成可能であるため、製造工程の短縮化および簡素化を図ることが可能となり、製造コストの減少をも図ることが可能となる。
　【００５１】
　さらに、層間絶縁膜の露光および現像後、前記有機膜に使用する感光剤に対して、基板全面に露光を行い、不要な感光剤を完全に反応させることで、より透明度の高い層間絶縁膜とすることが可能となる。
　【００５２】
　さらに、前記有機膜を、その濃度が０．１から１．０ｍｏｌ％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド現像液により現像して層間絶縁膜を形成すると、有機膜の残膜量の制御、コンタクト不良の防止、現像液の繰り返し処理の際の濃度変動を制御するのが容易になる。
　【００５３】
　また、有機薄膜を積層し、その上にフォトレジストを形成後、エッチングプロセスによりパターニングして形成することで、樹脂の設計の自由度が上がり、低誘電率および高耐熱性の樹脂を使用することができる。
　【００５４】
　さらに、感光性を有さない有機材料からなる層間絶縁膜をパターニングするために用いるフォトレジストの材料としては、シリコン元素を含有するフォトレジストを用いることで、エッチングの選択比が高く高精度のパターニングが可能である。
　【００５５】
　さらに、フォトレジスト層の表面にシランカップリング剤を塗布し、このシランカップリング剤層を酸素プラズマ処理することによって、フォトレジスト層のエッチング速度を小さくすることができる。
　【００５６】
　さらに、上記シリコン元素を利用して選択比を向上する方法は、ＣＦ４、ＣＦ３ＨまたはＳＦ６を含有するエッチングガスを用いたドライエッチング法において特に顕著な効果が得られる。
　【００５７】
　また、層間絶縁膜内にシランカップリング剤を含ませることにより、層間絶縁膜とその下地膜との問の密着性を向上させることができプロセス中の処理に対して安定なデバイスが実現する。
　【００５８】
　さらに、シランカップリング剤のなかでも、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルジエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン等が、特に密着性の改善効果が著しい。
　【００５９】
　さらに、層間絶縁膜を形成する前の基板表面に紫外光を照射することで、層間絶縁膜とその下地膜との間の密着性が向上し、プロセス中の処理に対して安定なデバイスが実現する。
　【００６０】
　さらに、層間絶縁膜上に画素電極材料を成膜する前に酸素プラズマによりその表面を灰化することで、この層間絶縁膜とその上に成膜される画素電極材料との間の密着性が向上し、プロセス中の処理に対してより安定なデバイスが実現する。
　【００６１】
　さらに、前記酸素プラズマによる灰化処理を層間絶縁膜の表面より１００ｎｍから５００ｎｍの厚さとすることで、表示品位に問題のない範囲で密着性改善が図れる。
　【００６２】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について説明する。
　【００６３】
　（実施形態１）
　図１は、本発明の実施形態１の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
　【００６４】
　図１において、アクティブマトリクス基板には、複数の画素電極２１がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極２１の周囲を通り、互いに直交差するように、走査信号を供給するための各ゲート配線２２と表示信号を供給するためのソース配線２３が設けられている。これらのゲート配線２２とソース配線２３はその一部が画素電極２１の外周部分とオーバーラップしている。また、これらのゲート配線２２とソース配線２３の交差部分において、画素電極２１に接続されるスイッチング素子としてのＴＦＴ２４が設けられている。このＴＦＴ２４のゲート電極にはゲート配線２２が接続され、ゲート電極に入力される信号によってＴＦＴ２４が駆動制御される。また、ＴＦＴ２４のソース電極にはソース配線２３が接続され、ＴＦＴ２４のソース電極にデータ信号が入力される。さらに、ＴＦＴ２４のドレイン電極は、接続電極２５さらにコンタクトホール２６を介して画素電極２１と接続されるとともに、接続電極２５を介して付加容量の一方の電極である付加容量電極２５ａと接続されている。この付加容量の他方の電極である付加容量対向電極２７は共通配線（図１６の６）に接続されている。
　【００６５】
　図２は図１の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＡ−Ａ’断面図である。
　【００６６】
　図２において、透明絶縁性基板３１上に、図１のゲート配線２２に接続されたゲート電極３２が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜３３が設けられている。その上にはゲート電極３２と重畳するように半導体層３４が設けられ、その中央部上にチャネル保護層３５が設けられている。このチャネル保護層３５の両端部および半導体層３４の一部を覆い、チャネル保護層３５上で分断された状態で、ソース電極３６ａおよびドレイン電極３６ｂとなるｎ＋Ｓｉ層が設けられている。一方のｎ＋Ｓｉ層であるソース電極３６ａの端部土には、透明導電膜３７ｃと金属層３７ｂとが設けられて２層構造のソース配線２３となっている。また、他方のｎ＋Ｓｉ層であるドレイン電極３６ｂの端部上には、透明導電膜３７ａ’と金属層３７ｂ’とが設けられ、透明導電膜３７ａ’は延長されて、ドレイン電極３６ｂと画素電極２１とを接続するとともに付加容量の一方の電極である付加容量電極２５ａに接続される接続電極２５となっている。さらに、ＴＦＴ２４、ゲート配線２２およびソース配線２３、接続電極２５の上部を覆って層間絶縁膜３８が設けられている。
　【００６７】
　この層間絶縁膜３８上には、画素電極２１となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６を介して、接続電極２５である透明導電膜３７ａ’によりＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと接続されている。
　【００６８】
　以上のように本実施形態１のアクティブマトリクス基板が構成され、このアクティブマトリクス基板は以下のようにして製造することができる。
　【００６９】
　まず、ガラス基板などの透明絶縁性基板３１上に、ゲート電極３２、ゲート絶縁膜３３、半導体層３４、チャネル保護層３５、ソース電極３６ａおよびドレイン電極３６ｂとなるｎ＋Ｓｉ層を順次成膜して形成する。ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマトリクス基板の製造方法と同様にして行うことができる。
　【００７０】
　次に、ソース配線２３および接続電極２５を構成する透明導電膜３７ａ，３７ａ’および金属層３７ｂ，３７ｂ’を、スパッタ法により順次成膜して所定形状にパターニングする。
　【００７１】
　さらに、その上に、層間絶縁膜３８として感光性のアクリル樹脂をスピン塗布法により例えば３μｍの膜厚で形成する。この樹脂に対して、所望のパターンに従って露光し、アルカリ性の溶液によって現像処理する。これにより露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜３８を貫通するコンタクトホール２６が形成されることになる。
　【００７２】
　その後、画素電極２１となる透明導電膜をスパッタ法により形成し、パターニングする。これにより画素電極２１は、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６を介して、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと接続されている透明導電膜３７ａ’と接続されることになる。このようにして、本実施形態１のアクティブマトリクス基板を製造することができる。
　【００７３】
　したがって、このようにして得られたアクティブマトリクス基板は、ゲート配線２２、ソース配線２３およびＴＦＴ２４と、画素電極２１との間に厚い膜厚の層間絶縁膜３８が形成されているので、各配線２２，２３およびＴＦＴ２４に対して画素電極２１をオーバーラップさせることができるとともにその表面を平坦化させることができる。このため、アクティブマトリクス基板と対向基板の間に液晶を介在させた透過型液晶表示装置の構成とした時に、開口率を向上させることができると共に、各配線２２，２３に起因する電界を画素電極２１でシールドしてディスクリネーションを抑制することができる。
　【００７４】
　また、層間絶縁膜３８を構成するアクリル系樹脂は、比誘電率が３．４から３．８と無機膜（窒化シリコンの比誘電率８）に比べて低く、また、その透明度も高くスピン塗布法により容易に３μｍという厚い膜厚にすることができるので、ゲート配線２２と画素電極２１との間の容量および、ソース配線２３と画素電極２１との間の容量を低くすることができて時定数が低くなり、各配線２２，２３と画素電極２１との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減することができて良好で明るい表示を得ることができる。また、露光およびアルカリ現像によってパターニングを行うことにより、コンタクトホール２６のテーパ形状を良好にすることができ、画素電極２１と接続電極３７ａ’との接続を良好にすることができる。さらに、感光性のアクリル樹脂を用いることにより、スピン塗布法を用いて薄膜が形成できるので、数μｍという膜厚の薄膜を容易に形成でき、しかも、パターニングにフォトレジスト工程も不要であるので、生産性の点で有利である。ここで、層間絶縁膜３８として用いたアクリル系樹脂は、塗布前に着色しているものであるが、パターニング後に全面露光処理を施してより透明化することができる。このように、樹脂の透明化処理は、光学的に行うことができるだけではなくて、化学的にも行うことが可能である。
　【００７５】
　本実施形態で層間絶縁膜３８として用いた感光性樹脂の露光には、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）及びｇ線（波長４３６ｎｍ）の輝線を含む水銀灯の光線を用いるのが一般的である。感光性樹脂としては、これらの輝線のなかで最もエネルギーの高い（波長の最も短い）ｉ線に感光性（吸収ピーク）を有する感光性樹脂を用いることが好ましい。コンタクトホールの加工精度を高くするとともに、感光剤に起因する着色を最小限に抑制することができる。
　【００７６】
　また、エキシマーレーザからの短波長の紫外線を用いてもよい。
　【００７７】
　このようにして、着色のない層間絶縁膜を用いることによって、透過型液晶表示装置の透過率を高めることができる。従って、液晶表示装置の高輝度化やバックライトからの光量を抑えることによって低消費電力化を図ることができる。
　【００７８】
　また、層間絶縁膜３８を、従来の層間絶縁膜と比べて厚く、数μｍの厚さに形成するので、層間絶縁膜の透過率はできるだけ高い方が好ましい。但し、人間の目の視感度は、緑や赤に比べて青に対しては若干低いので、層間絶縁膜の分光透過率は青色光に対する透過率が若干低くても、表示品位の低下は少ない。なお、本実施例では、層間絶縁膜３８の膜厚を３μｍとしたが、これに限られる訳でなく、光透過率や誘電率を考慮し適宜設定することができる。なお、容量を十分に小さくするためには、層間絶縁膜の膜厚は約１．５μｍ以上が好ましく、約２．０μｍ以上が更に好ましい。
　【００７９】
　さらに、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと画素電極２１とを接続する接続電極２５として透明導電膜３７ａ’を形成することにより、以下のような利点を有する。即ち、従来のアクティブマトリクス基板においては、この接続電極を金属層によって形成していたため、接続電極が開口部に存在すると開口率の低下の原因となっていた。これを防ぐため、従来は、ＴＦＴまたはＴＦＴのドレイン電極上に接続電極を形成し、その上に層間絶縁膜のコンタクトホールを形成してＴＦＴのドレイン電極と画素電極とを接続するという方法が用いられてきた。しかし、この従来の方法では、特に、開口率を向上させるためにＴＦＴを小型化した場合に、コンタクトホールを完全にＴＦＴの上に設けることができず、開口率の低下を招いていた。また、層間絶縁膜を数μｍという厚い膜厚に形成した場合、画素電極が下層の接続電極とコンタクトするためには、コンタクトホールをテーパ形状にする必要があり、さらにＴＦＴ上の接続電極領域を大きく取ることが必要であった。例えば、そのコンタクトホールの径を５μｍとした場合、コンタクトホールのテーパ領域およびアラインメント精度を考慮すると、接続電極の大きさとしては１４μｍ程度が必要であり、従来のアクティブマトリクス基板では、これよりも小さいサイズのＴＦＴを形成すると接続電極に起因する開口率の低下を招いていた。これに対して、本実施形態１のアクティブマトリクス基板では、接続電極２５が透明導電膜３７ａ’により形成されているので、開口率の低下が生じない。また、この接続電極２５は延長されて、ＴＦＴのドレイン電極３６ｂと、透明導電膜３７ａ’により形成された付加容量の一方の電極である付加容量電極２５ａとを接続する役割も担っており、この延長部分も透明導電膜３７ａ’により形成されているので、この配線による開口率の低下も生じない。
　【００８０】
　さらには、ソース配線２３を２層構造とすることにより、ソース配線２３を構成する金属層３７ｂの一部に膜の欠損があったとしても、ＩＴＯなどの透明導電膜３７ａにより電気的に接続されるので、ソース配線２３の断線を少なくできるという利点がある。
　【００８１】
　（実施形態２）
　本実施形態２では、層間絶縁膜３８の作製プロセスについて、他の方法を説明する。
　【００８２】
　まず、感光性でない有機薄膜をスピン塗布法により形成する。その上にフォトレジストを形成してパターニングした後、エッチング処理を施して層間絶縁膜３８を貫通するコンタクトホール２６を形成すると共に層間絶縁膜３８のパターニングを行う。
　【００８３】
　または、感光性でない有機薄膜を積層し、その上にフォトレジストを形成してパターニングした後、エッチング処理を施して層間絶縁膜３８のパターニングを行ってもよい。
　【００８４】
　感光性を有さない有機薄膜の材料としては、例えば、熱硬化性アクリル系樹脂を用いることができる。具体的には、日本合成ゴム社製のＪＳＳ−９２４（２液タイプ）やＪＳＳ−９２５（１液タイプ）を用いることができる。これらの樹脂も概ね２８０℃以上の耐熱性を有している。また、感光性を有さない樹脂を用いて層間絶縁膜を形成することによって、樹脂の設計の自由度が上がり、例えば、ポリイミド樹脂を用いることもできる。無色透明なポリイミド樹脂としては、２，２−ビス（ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロピレン酸二無水物、オキシジフタル酸無水物、及びビフェニルテトラカルボン酸無水物などの酸二無水物と、スルホン基及び／またはエーテル基を有するメタ位置換芳香族ジアミン、ヘキサフルオロプロピレン基を有するジアミンとも組み合わせから得られるポリイミドを挙げることができる。これらのポリイミド樹脂については、例えば、藤田ら、日東技報、第２９巻、第１号、第２０〜２８頁（１９９１）に開示されている。また、これらの無色透明ポリイミド樹脂のなかでも、酸二無水物及びジアミンの両方がヘキサフルオロプロピレン基を有する樹脂の透明性が高い。これらフッ素系のポリイミド以外のフッ素系の樹脂を用いることもできる。フッ素系の材料は無色透明性に優れるとともに、低誘電率および高耐熱性という特徴を有している。
　【００８５】
　また、感光性を有さない有機材料からなる層間絶縁膜をパターニングするために用いるフォトレジストの材料としては、シリコン元素を含有するフォトレジストを用いることが好ましい。上記有機薄膜のエッチングは、ＣＦ４、ＣＦ３ＨやＳＦ６等を含有するエッチングガスを用いたドライエッチング法で行うのが一般的である。エッチングされる層間絶縁膜もエッチングレジストとして機能するフォトレジストもともに有機材料からなるので、上記方法でエッチングを行うと選択比を大きくすることが困難である。特に、本実施形態のように、１．５μｍ以上の膜厚の層間絶縁膜をエッチングする場合、層間絶縁膜の厚さとレジスト層の膜厚とがほぼ同程度なので、材料自身のエッチング速度に十分な差（選択比）があることが好ましい。例えば、本実施形態の感光性アクリル系樹脂と通常のフォトレジスト（例えば、東京応化工業社製ＯＦＰＲ−８００）との選択比は、約１．５である。これに対し、本実施形態で用いたシリコン元素含有のフォトレジストと感光性アクリル系樹脂との選択比は、約２．０以上であり、高精度のパターニングが可能である。
　【００８６】
　さらに、他の方法として、シリコン元素を含有しない通常のフォトレジスト層を形成した後、フォトレジスト層の表面にシランカップリング剤（例えば、ヘキサメチルジシラザン）を塗布し、このシランカップリング剤層を酸素プラズマ処理することによって、フォトレジスト層のエッチング速度を小さくすることができる。これは、シランカップリング剤層が酸素プラズマ処理によって、酸化シリコン層となり、フォトレジスト層の保護層として機能するからである。この方法は、シリコン元素を含むフォトレジスト材料と組み合わせて用いることもできる。
　【００８７】
　上述したシリコン元素を利用して選択比を向上する方法は、ＣＦ４、ＣＦ３ＨまたはＳＦ６を含有するエッチングガスを用いたドライエッチング法において特に顕著な効果が得られる。
　【００８８】
　このようにして層間絶縁膜３８を形成したアクティブマトリクス基板においても、上記実施形態１のアクティブマトリクス基板と同様に開口率の高い透過型液晶表示装置を実現することができる。
　【００８９】
　また、層間絶縁膜３８として感光性でない有機薄膜を用いても、その比誘電率が低く、また、透明度も高いので３μｍという厚い膜厚にすることができる。よって、ゲート配線２２と画素電極２１との間の容量およびソース配線２３と画素電極２１との間の容量を、その低い比誘電率と容量の電極間距離が離れる分、低くすることができる。
　【００９０】
　（実施形態３）
　図３は、本発明の実施形態３の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図であり、図４は図３の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＢ−Ｂ’断面図である。なお、図１および図２と同様の作用効果を奏する部材には同一の符号を付けてその説明を省略する。
　【００９１】
　本実施形態３のアクティブマトリクス基板では、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂに接続される接続電極２５の先端部である、画素の付加容量の一方の電極である付加容量電極２５ａに対向する付加容量対向電極２７が、図１６の付加容量共通配線６を通じて対向基板上に形成された対向電極に接続される構成となっているが、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６ａの形成位置を、この付加容量共通配線６の一端である付加容量対向電極２７および付加容量電極２５ａの上部に形成している。つまり、このコンタクトホール２６ａは、遮光性の金属膜で構成されている付加容量配線上部に設けられている。
　【００９２】
　これにより、以下のような利点を有する。例えば、層間絶縁膜３８の膜厚を３μｍにすると、液晶セルの厚みである４．５μｍと比較しても無視できない厚みであるので、コンタクトホール２６ａの周辺に液晶の配向乱れによる光漏れが発生する。したがって、透過型液晶表示装置の開口部にこのようなコンタクトホール２６ａを形成した場合には、この光漏れによるコントラストの低下が生じる。これに対して、本実施形態３のアクティブマトリクス基板では、付加容量共通配線６の一端である付加容量対向電極２７および付加容量電極２５ａの遮光性の金属膜上部にコンタクトホール２６ａが形成されているので、このような問題は生じない。つまり、このコンタクトホール２６ａが、遮光性の金属膜である付加容量配線上部に設けられていると、液晶の配向乱れによる光漏れが発生しても、開口部以外の遮光部であってコントラストの低下は生じない。これは、隣接するゲート配線２２の一部を付加容量電極として付加容量を形成する場合にも同様であり、この場合には、隣接するゲート配線２２上にコンタクトホール２６ａを形成することにより、ゲート配線２２で遮光してコントラストの低下を防ぐことができる。
　【００９３】
　また、このアクティブマトリクス基板は、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと、コンタクトホール２６ａとを接続する接続電極２５として透明導電膜３７ａ’を形成しているので、コンタクトホール２６ａを付加容量上に形成しても開口率の低下は生じない。
　【００９４】
　したがって、ホール下部においては付加容量対向電極２７で遮光しているのでその部分で液晶の配向が乱れたとしても表示には影響無く、コンタクトホール２６ａの形成には、その寸法精度を重視する必要がなく、大きくしかも滑らかに形成することができて、層間絶縁膜３８上に形成される画素電極２１がコンタクトホール２６ａで切れることなく、よりうまくつながって、歩留まりも向上する。
　【００９５】
　（実施形態４）
　図５は、本発明の実施形態４の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構成を示す一部断面図である。
　【００９６】
　本実施形態４のアクティブマトリクス基板では、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６ｂが付加容量共通配線６の上部に形成されており、このコンタクトホール２６ｂの下部に形成された透明導電膜３７ａ’の上に金属窒化物層４１が形成されている。
　【００９７】
　これにより、以下のような利点を有する。
層間絶縁膜３８を構成する樹脂と、透明導電膜であるＩＴＯなど、または金属であるＴａ、Ａｌなどとの密着性には問題がある。例えば、コンタクトホール２６ｂの開口後の洗浄工程において、コンタクトホール２６ｂの開口部から、その樹脂と下地との間の界面に洗浄液が侵入し、樹脂の膜剥がれが生じるという問題があった。これに対して、本実施形態４のアクティブマトリクス基板では、その樹脂との密着性が良好なＴａＮやＡｌＮなどの金属窒化物層４１を形成するので、膜剥がれなどの密着性に関する問題は生じない。
　【００９８】
　この金属窒化物層４１は、層間絶縁膜３８を構成する樹脂や、透明導電膜である接続電極３７ａ’およびＴａ、Ａｌなどの金属などと密着性のよいものであればいずれを用いてもよいが、接続電極３７ａ’と画素電極２１とを電気的に接続する必要があるので、良好な導電性を有している必要がある。
　【００９９】
　（実施形態５）
　本実施形態５では、透過型液晶表示装置の駆動方法について説明する。
　【０１００】
　本発明の透過型液晶表示装置においては、層間絶縁膜を形成することにより各配線と画素電極とをオーバーラップさせている。画素電極と各配線とがオーバーラップせずに、その間に間隔が開いていると液晶に電界の印加されない領域が発生するが、このように画素電極を各配線にオーバーラップさせることにより、この領域をなくすことができる。また、隣接する画素電極の間の液晶にも電界が印加されないが、それによる光漏れを各配線により遮断することができる。このため、対向基板上に、両基板の貼り合わせずれを見込んだ形でブラックマスクを形成する必要がなくなり、開口率を向上させることができる。また、各配線に起因する電界をシールドすることもできるので、液晶の配向不良の抑制を図ることができるという利点もある。
　【０１０１】
　但し、このオーバーラップ幅は、実際の製造工程でのばらつきを見込んで設定する必要があり、例えば１．０μｍ程度以上に設定されることが望ましい。
　【０１０２】
　上述のように、ソース配線と画素電極とをオーバーラップさせる構造とした場合には、ソース配線と画素電極との間の容量に起因してクロストークが発生し、表示品位を低下させるという問題があった。特に、ノートブック型パーソナルコンピューターに用いられる液晶パネルにおいては、一般的に画素を縦ストライプに配列するため、ソース配線と画素電極との間の容量の表示に対する影響が大きい。この理由として、この配列では画素電極の形状がソース信号と隣接する部分を長辺とする長方形となるので、画素電極とソース配線との間の容量が相対的に大きくなること、また、隣接するソース配線の表示の色が異なっているため、信号の相関性が少なく、容量の影響をキャンセルさせることができないことなどが考えられる。
　【０１０３】
　本発明の透過型液晶表示装置においては、層間絶縁膜が有機薄膜からなるので比誘電率が小さく、また、膜厚を容易に厚くできるので、画素電極と各配線との間の容量を小さくすることができる。さらにこれに加えて、ソース配線と画素電極との間の容量の影響を小さくして、ノートブック型パーソナルコンピューターにおいても縦クロストークを十分低減させるためには、以下のような駆動方法を用いることができる。
　【０１０４】
　本実施形態５の透過型液晶表示装置の駆動方法は、ソース配線と画素電極との間の容量の表示に対する影響を低減させるために、データ信号の極性を一水平期間毎に反転させる駆動方法（以下１Ｈ反転という）を用いて駆動する。
　【０１０５】
　図６に、１Ｈ反転の場合（図７ａ）と、データ信号の極性をフィールド毎に反転させる駆動方法（以下フィールド反転という）の場合（図７ｂ）とについて、ソース配線と画素電極との間の容量が画素の充電率に与える影響を示している。
　【０１０６】
　図６において、縦軸の充電率差とは、中間調の一様表示の場合と、中間調表示の中に縦方向の占有率が３３％である黒のウィンドーパターンを表示させた場合とにおいて、中間調表示部の液晶に印加される電圧の実効値差の割合を示している。また、横軸の容量比とは、ソース配線と画素電極との間の容量に起因する画素電極の電圧変動に比例し、下記式（１）で定義される。
　【０１０７】
　　容量比＝Ｃｓｄ／（Ｃｓｄ＋Ｃｌｓ＋Ｃｓ）　・・・（１）
但し、Ｃｓｄは画素電極とソース配線との間の容量値を示し、Ｃｌｓは各画素を構成する液晶の中間調表示における容量値を示し、Ｃｓは各画素を構成する付加容量の容量値を示している。なお、中間調表示とは、透過率が５０％の場合を示している。
　【０１０８】
　図６から明かなように、本実施形態５による１Ｈ反転の駆動方法は、フィールド反転による駆動方法に比べて、ソース配線と画素電極との間の容量が同じであっても、実際の液晶に印加される実効電圧への影響を１／５〜１／１０に低減することができることが解る。この理由は、１Ｈ反転駆動の場合には、１フィールドの間に１フィールドの時間に対して十分に短い周期で、データ信号の極性が反転されるので、＋極性の信号と−極性の信号とが表示に与える影響がキャンセルされるためである。
　【０１０９】
　ところで、対角２６ｃｍのＶＧＡパネルで表示実験を行ったところ、中間調において充電率差が０．６％以上になるとクロストークが顕著になって、表示品位に問題が生じることが解った。このスペックを図６の図中に点線で示している。図６によれば、充電率差を０．６％以下にするためには、容量比を１０％以下にすればよいことが解る。
　【０１１０】
　図８に、対角２６ｃｍのＶＧＡパネルにおいて、層間絶縁膜の膜厚をパラメーターとして計算した場合の、画素電極とソース配線とのオーバーラップ量と、画素電極とソース配線との間の容量との関係を示している。ここで、層間絶縁膜は、上記実施態様１で用いたアクリル系感光性樹脂（比誘電率３．４）とした。また、このとき、加工精度を考慮すると、画素電極とソース配線との間のオーバーラップ幅は少なくとも１μｍは必要である。図６および図８によれば、オーバーラップ幅を１μｍとして充電率差を０．６％以下とするためには、層間絶縁膜の膜厚が２．０μｍ以上であればよいことが解る。
　【０１１１】
　このように、画素電極をソース配線に対してオーバーラップさせた場合、１水平期間毎に信号の極性を反転させる１Ｈ反転駆動を行うことにより、隣接するソース配線の信号の極性を反転させるソースライン反転駆動を行わななくても縦クロストークが認められない良好な表示を得ることができ、ノートブック型パーソナルコンピュータにも十分対応することができる。
　【０１１２】
　また、１Ｈ反転駆動において横方向に隣接する画素電極に入力する信号の極性を反転する、ドット反転駆動を用いても、上記１Ｈ反転駆動と同様な効果が得られる。また、ソースライン反転駆動においても、画素電極とソース配線との間の容量が十分小さい場合には、効果的である。さらに、本願発明によると画素電極とソース配線との間の容量が十分小さいので、隣接する画素電極に供給される信号に相関が低いカラー表示を行う場合においても、クロストークの発生を抑制することができる。
　【０１１３】
　（実施形態６）
　本実施形態６では、液晶に印加される電圧の極性を１ゲート配線毎に反転させると共に、対向電極に印加される信号をソース信号の極性の反転と同期させて、交流駆動する駆動方法について説明する。
　【０１１４】
　このように対向電極を駆動することにより、ソース信号の振幅を小さく抑えることができる。
　【０１１５】
　上記図６に、対向電極を振幅５Ｖで交流駆動した場合について、同時に示している。図６によれば、対向電極を交流駆動することにより約１割程度、充電率差が大きくなるものの、１Ｈ反転駆動を行っているためにフィールド反転駆動に比べて十分充電率差を小さくできる。したがって、この駆動方法でも、縦クロストークが見られない良好な表示を実現することができる。
　【０１１６】
　（実施形態７）
　本実施形態７は、平坦な画素電極と各配線をオーバーラップさせて液晶表示の開口率の向上および液晶の配向不良の抑制を図ることができるとともに製造工程が簡略化でき、かつ各配線と画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減して良好な表示を得る場合であり、これに加えて、層間絶縁膜の露光および現像後、前記感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤に対して、基板全面に露光を行い、不要な感光剤を完全に反応させることで、透明度の高い層間絶縁膜とする場合である。
　【０１１７】
　図９は、本発明の実施形態７の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
　【０１１８】
　図９において、アクティブマトリクス基板には、複数の画素電極５１がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極５１の周囲を通り、互いに直交差するように、各ゲート配線５２とソース配線５３が設けられている。これらのゲート配線５２とソース配線５３はその一部が画素電極５１の外周部分とオーバーラップしている。また、これらのゲート配線５２とソース配線５３の交差部分において、画素電極５１に接続されるスイッチング素子としてのＴＦＴ５４が設けられている。このＴＦＴ５４のゲート電極にはゲート配線５２が接続され、ゲート電極に入力される信号によってＴＦＴ５４が駆動制御される。また、ＴＦＴ５４のソース電極にはソース配線５３が接続され、ＴＦＴ５４のソース電極にデータ信号が入力される。さらに、ＴＦＴ５４のドレイン電極は、接続電極５５さらにコンタクトホール５６を介して画素電極５１と接続されるとともに、接続電極５５を介して付加容量の一方の電極である付加容量電極５５ａと接続されている。この付加容量の他方の電極である付加容量対向電極５７は共通配線に接続されている。
　【０１１９】
　図１０は、図９の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＣ−Ｃ’断面図である。
　【０１２０】
　図１０において、透明絶縁性基板６１上に、図９のゲート配線５２に接続されたゲート電極６２が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜６３が設けられている。その上にはゲート電極６２と重畳するように半導体層６４が設けられ、その中央部上にチャネル保護層６５が設けられている。このチャネル保護層６５の両端部および半導体層６４の一部を覆い、チャネル保護層６５上で分断された状態で、ソース電極６６ａおよびドレイン電極６６ｂとなるｎ＋Ｓｉ層が設けられている。一方のｎ＋Ｓｉ層であるソース電極６６ａの端部上には、透明導電膜６７ａと金属層６７ｂとが設けられて２層構造のソース配線５３となっている。また、他方のｎ＋Ｓｉ層であるドレイン電極６６ｂの端部上には、透明導電膜６７ａ’と金属層６７ｂ’とが設けられ、透明導電膜６７ａ’は延長されて、ドレイン電極６６ｂと画素電極５１とを接続するとともに付加容量の一方の電極である付加容量電極５５ａに接続される接続電極５５となっている。さらに、ＴＦＴ５４、ゲート配線５２およびソース配線５３、接続電極５５の上部を覆って、感光部分が現像液に溶解する透明度の高い透明アクリル樹脂（感光性透明アクリル樹脂）からなる層間絶縁膜６８が設けられている。
　【０１２１】
　この層間絶縁膜６８上には、画素電極５１となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜６８を貫くコンタクトホール６６を介して、接続電極５５である透明導電膜６７ａ’によりＴＦＴ５４のドレイン電極６６ｂと接続されている。
　【０１２２】
　以上のように本実施形態７のアクティブマトリクス基板が構成され、以下のようにして製造することができる。
　【０１２３】
　まず、ガラス基板などの透明絶縁性基板６１上に、Ｔａ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒなどよりなるゲート電極６２、ＳｉＮＸ，ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５などよりなるゲート絶縁膜６３、半導体膜（ｉ−Ｓｉ）６４、ＳｉＮＸ，Ｔａ２Ｏ５などよりなるチャネル保護膜６５、ソース電極６６ａおよびドレイン電極６６ｂとなるｎ＋Ｓｉ層を順次成膜して形成する。さらに、ソース配線５３および接続電極５５を構成する透明導電膜６７ａ，６７ａ’および、Ｔａ，Ａｌ，ＭｏＷ，Ｃｒなどよりなる金属膜６７ｂ，６７ｂ’を、スパッタ法により順次成膜して所定形状にパターニングする。本実施形態７においても、ソース配線５３を構成する金属膜６７ｂ，６７ｂ’と透明導電膜６７ａ，６７ａ’であるＩＴＯ膜の２層構造とした。この構成には、仮にソース配線５３を構成する金属膜６７ｂ，６７ｂ’に欠損があったとしても、ＩＴＯ膜によって電気的に接続されるためにソース配線５３の断線を少なくすることができるという利点がある。
　【０１２４】
　さらに、その上に、層間絶縁膜６８として感光性のアクリル樹脂をスピン塗布法により例えば２μｍの膜厚で形成する。この感光性のアクリル樹脂に対して、所望のパターンに従って露光し、アルカリ性の溶液によって現像処理する。これにより露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜６８を貫通するコンタクトホール５６などが形成される。
　【０１２５】
　その後、これら層間絶縁膜６８およびコンタクトホール５６上に、画素電極５１となる透明導電膜をスパッタ法により形成し、これをパターニングする。これにより、画素電極５１は、層間絶縁膜６８を貫くコンタクトホール５６を介して、ＴＦＴ５４のドレイン電極６６ｂと接続されている透明導電膜６７ａ’と接続されることになる。このようにして、本実施形態７のアクティブマトリクス基板を製造することができる。
　【０１２６】
　本実施形態７では、層間絶縁膜６８を形成する材料として、感光部分が現像液に溶解する透明度の高い感光性透明アクリル樹脂（ポジ型感光性アクリル系樹脂）を用いる。
　【０１２７】
　ポジ型感光性アクリル系樹脂としては、例えば、メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料が好ましい。この樹脂はグリシジル基を含むので、加熱によって架橋（硬化）することができる。硬化後の物性として、誘電率：約３．４程度、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光に対する透過率：９０％以上が得られる。また、ｉ線（３６５ｎｍ）の紫外線を照射することより、短時間で脱色することができる。また、パターニングには、ｉ線以外の紫外線を用いることができる。本実施形態で使用した、感光性アクリル系樹脂の耐熱温度は概ね２８０℃なので、約２５０℃〜２８０℃以下の温度条件で、層間絶縁膜形成後の画素電極の形成等のプロセスを行うことによって、層間絶縁膜の劣化は抑制できる。
　【０１２８】
　上述の透明度の高い感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜６８の形成工程を、以下にさらに詳しく説明する。
　【０１２９】
　この層間絶縁膜６８の形成工程は、まず、感光性透明アクリル樹脂材料を含んだ溶液を基板上にスピン塗布し、プリベーキング、パターン露光、アルカリ現像、純水洗浄の順に一連の通常のフォトパターニング工程と同様に行う。
　【０１３０】
　即ち、層間絶縁膜６８を感光性透明アクリル樹脂を含んだ溶液をスピン塗布法により、３μｍの膜厚に形成する。この場合、粘度２９．０ｃｐのアクリル樹脂をスピン回転数９００〜１１００ｒｐｍで塗布する。そうすることにより、画素電極が平坦化されて従来のような段差が無くなって液晶の配向不良が抑制され、表示品位が向上する。続いて、基板を約１００℃に加熱して感光性透明アクリル樹脂の溶媒（乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど）の乾燥を行った。続いて、この感光性透明アクリル樹脂に対して所望のパターンに従って露光を行い、アルカリ性の溶液（テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド；以下ＴＭＡＨという）などにより現像処理を行った。このアルカリ性の溶液により、露光された部分がエッチングされ、層間絶縁膜６８を貫通するコンタクトホール５６を形成することができた。現像液（ＴＭＡＨの場合）の濃度は０．１〜１．０ｍｏｌ％が好ましい。その濃度が１．０ｍｏｌ％以上であると、露光しない部分の感光性透明アクリル樹脂の膜厚の減少量が大きく、膜厚の制御が難しくなる。現像液の濃度が２．４ｍｏｌ％と高濃度で使用すると、現像のヌキの部分にアクリル樹脂の変質物が残さとして残り、コンタクト不良が生じる。また、濃度が０．１ｍｏｌ％より低いと、現像液を循環して繰り返し使用する方式の現像装置では濃度の変動が大きいために濃度制御が難しくなる。
　【０１３１】
　さらに、純水により基板表面に残った現像液を洗浄する。このように感光性透明アクリル樹脂はスピン塗布法により形成できるので、数μｍの膜厚であってもスピンコーターの回転速度と感光性透明アクリル樹脂の粘度を適度に選ぶことにより容易に膜厚を均一に形成することが可能である。また、コンタクトホール部のテーパ形状は、パターン露光時の露光量と現像液濃度、現像時間を適度に選ぶことにより緩やかな形状を得ることができる。
　【０１３２】
　現像後、感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤の種類（例えばナフトキノンジアジト系感光剤、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤）や量によっては、樹脂が着色して見えることがある。そのため、基板全面に露光を行い、樹脂に含まれる着色している不要な感光剤を完全に反応させて、可視領域での光吸収をなくし、アクリル樹脂の透明化を図る。感光剤としてナフトキシジアジド系ポジ型感光剤または／およびナフトキノンジアジド系感光剤などを含む。ここで、アクリル樹脂の膜厚を３μｍ塗布した後、透過光の波長（ｎｍ）に対する、表面を露光した場合の露光前後の透過率の変化を図１１に示している。図１１からも解るように、例えば透過光の波長４００ｎｍにおいて、紫外光などの光を照射しなかった場合、その透過率が６５パーセントであったものが、光照射後にはその透過率が９０パーセント以上に改善されている。この場合、露光は基板の前面から行うが、裏面からの露光を併用することにより短時間でこの処理を完了することができ、装置スループットの向上に寄与することができる。
　【０１３３】
　最後に、基板の加熱を行い、架橋反応により樹脂を硬化させる。つまり、樹脂を硬化させるために基板をホットプレート上またはクリーンオーブン内に設置し、約２００℃で加熱を行う。
　【０１３４】
　このように、透明感光性樹脂を用いることにより、従来のようなエッチング、レジスト剥離工程を経ずにフォト工程のみで、層間絶縁膜６８および、この層間絶縁膜６８上に形成された画素電極とスイッチング素子のドレイン電極とを接続するための層間絶縁膜６８を貫くコンタクトホール５６を形成することができて製造工程が簡略化される。このときの感光性透明アクリル樹脂の膜厚は、樹脂溶液の粘度とスピン塗布時のスピンコーターの回転速度を適当に選ぶことにより、０．０５μｍから１０μｍまでの必要とされる膜厚（本実施形態７の場合には３μｍ、膜厚が厚くなればその分だけ光透過率が低下して着色してくる）に均一に形成することができる。
　【０１３５】
　さらに、ＩＴＯをスパッタリングによりこの感光性透明アクリル樹脂上に５０〜１５０ｎｍの膜厚に成膜し、パターニングを行い画素電極５１を形成する。この画素電極５１であるＩＴＯ膜の膜厚が５０ｎｍ以上であれば、このＩＴＯ膜の表面隙間からの薬液の侵入を防ぐことができ、剥離液に使用する薬液（ジメチルスルホキシド等）によって生ずる樹脂の膨潤を抑制するのに効果が得られた。以上の製造方法により、本実施形態７のアクティブマトリクス基板を作製することができる。
　【０１３６】
　したがって、本実施形態７においても、層間絶縁膜６８の存在により、ソース配線およびゲート配線部分以外は画素開口部分となる高光透過率の高開口率の明るい液晶表示装置を実現することができる。
　【０１３７】
　また、層間絶縁膜６８の存在により平坦化が可能になり、下層の配線およびスイッチング素子による段差の影響をなくすることができ、従来、段差部で起こっていた画素電極のドレイン側の断線をなくすることができ、欠陥画素を減少させることができる。また、この段差による液晶の配向不良をも防止することができる。さらに、ソース配線５３と画素電極５１の間は層間絶縁膜６８を間に挟んで絶縁されているために、従来生じていたソース配線５３と画素電極５１の間の電気的リークによる欠陥絵素も減少することになる。
　【０１３８】
　さらに、従来、層間絶縁膜６８を形成するのに必要であった成膜、フォトレジストによるパターン形成工程、エッチング工程、レジスト剥離工程、洗浄工程が、本実施形態７においては樹脂形成工程のみで形成することができ、製造工程が簡略化される。
　【０１３９】
　（実施形態８）
　本実施形態８は、上記実施形態７における層間絶縁膜６８とその下地膜との間の密着性を向上させる場合である。
　【０１４０】
　下地膜の材料によっては、層間絶縁膜６８として用いる感光性透明アクリル樹脂との密着性が良くない場合があるが、この場合に、図９の上記実施形態７における感光性透明アクリル樹脂の塗布前の基板表面の下地膜として、ゲート絶縁膜６３、チャネル保護膜６５、ソース電極６６ａ、ドレイン電極６６ｂ、透明導電膜６７ａ，６７ａ’および金属膜６７ｂ，６７ｂ’の表面に、Ｍ型水銀ランプ（８６０Ｗ）を使用して酸素雰囲気中で紫外光の照射を行ってその表面を荒らし、その後、その荒れた表面上に感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜６８を形成する。その他の形成工程は上記実施形態７と同様な方法によりアクティブマトリクス基板を作製する。この形成方法により、表面が荒れた下地膜と感光性透明アクリル樹脂との間の密着性が向上するために、下地膜と感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜６８との界面に、例えばある種の薬品、例えばＩＴＯをエッチングする塩酸と塩化鉄との混合液などが侵入することによってこれらの膜間で膜剥がれが起こるという従来の問題はなくなる。
　【０１４１】
　このように、層間絶縁膜６８を形成する前の基板表面に紫外光を照射することにより、層間絶縁膜６８とその下地膜との間の密着性が向上し、プロセス中の処理に対して安定なデバイスを実現することができる。
　【０１４２】
　また、本発明において、層間絶縁膜６８とその下地膜との間の密着性を向上する方法として、層間絶縁膜６８を形成するための樹脂を塗布する前に、下地膜の表面をシランカップリング剤で表面処理を行う方法がある。シランカップリング剤のなかでも、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルジエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン等が、特に密着性の改善効果が著しい。例えば、下地膜として、窒化シリコン膜を用いた場合、シランカップリング剤処理を行うことによって、無処理の場合と比較して、約１０％密着強度が向上した。また、樹脂と下地膜との密着性が低い場合に起こる、樹脂の架橋反応に伴う内部応力によって樹脂のパターンがずれるという現象が、シランカップリング剤処理を行うことによって完全に防止することができた。
　【０１４３】
　なお、シランカップリング剤は、上述のように下地膜に塗布してもよいし、層間絶縁膜を形成する樹脂材料中にブレンドしてもよいし、これらを併用してもよい。例えば、感光性アクリル系樹脂にジメチルエトキシシランを１ｗｔ％添加することによって、シリコン窒化膜との密着強度が７０％向上した。
　【０１４４】
　（実施形態９）
　本実施形態９は、上記実施形態７における層間絶縁膜６８とその上に成膜される画素電極材料との間の密着性を向上させる場合である。
　【０１４５】
　図９の上記実施形態７において、感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜６８を形成した後、ドライエッチング装置を用いて酸素プラズマにより、層間絶縁膜６８の表面から１００〜５００ｎｍの膜厚まで灰化処理を行った。この灰化処理においては、平行平板型プラズマエッチング装置が使用され、ＲＦパワー１．２ＫＷ、圧力８００ｍＴｏｒｒ、酸素流量３００ｓｃｃｍ、温度７０℃、ＲＦ印加時間１２０ｓｅｃの条件で、アクリル樹脂の表面を灰化させる。このとき、酸素プラズマ中で行ってその表面は有機物の酸化分解で水と二酸化炭素が抜けて出て行き、荒れた状態となる。
　【０１４６】
　その後、画素電極５１となるＩＴＯ膜をスパッタリングにより、この灰化処理を行って表面が荒れた感光性透明アクリル樹脂上に５０〜１５０ｎｍの膜厚に成膜し、パターニングを行って画素電極５１を形成することで、アクティブマトリクス基板を作製する。この灰化処理を行うことにより、画素電極５１と、その下層膜として表面が荒れた感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜６８との密着性が大きく向上し、基板洗浄時に超音波を印加してもこれらの膜の間で膜剥がれが無くなった。上記灰化処理膜厚であるが、１００ｎｍより薄い場合には効果が得られず、また、５００ｎｍよりも厚い場合には、感光性透明アクリル樹脂の膜減りが大きすぎるために、基板内での感光性透明アクリル樹脂の膜厚にばらつきが大きくなりすぎて、表示上問題となる。上記のドライエッチング装置はバレル方式、ＲＩＥ方式などその方式によらず密着性改善効果が得られた。
　【０１４７】
　このように、層間絶縁膜６８上に画素電極材料を成膜する前に酸素プラズマによりその表面を灰化することにより、この層間絶縁膜６８とその上に成膜される画素電極材料との間の密着性が向上し、プロセス中の処理に対してより安定なデバイスを実現することができる。さらに、この灰化処理を行うことにより、コンタクトホール部の残留物を除去することができるので、コンタクトホール部における接続不良の発生を抑制する効果もある。
　【０１４８】
　本実施形態において、層間絶縁膜を形成する樹脂の架橋処理の後で灰化処理を行った。樹脂の架橋反応はガスの発生を伴うので、樹脂の架橋処理を行う前に灰化処理を行うよりも、架橋処理後に灰化処理を行うことによって、灰化処理が安定するという効果がある。
　【０１４９】
　（実施形態１０）
　本発明の実施形態１０による透過型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を図１４に示す。また、図１４のアクティブマトリクス基板のＤ−Ｄ’に沿った断面図を図１５に示す。なお、図１及び図２と同様の機能を有する部材には同じ参照符号を付し、説明を省略する。
　【０１５０】
　本実施形態のアクティブマトリクス基板では、ＴＦＴ２４と画素電極２１とのコンタクトと、付加容量電極２５ａと画素電極２１とのコンタクトとを、それぞれコンタクトホール２６ａと２６ｂを介して取っている。また、ソース配線２３を金属からなる単層で形成した。勿論、２層以上の多層構造としてもよい。付加容量電極２５ａは、これまでの実施形態と同様に、ソース配線２３と同じ材料を用い、同一の工程で形成した。層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６ａ及び２６ｂの形成位置は、それぞれ、ドレイン電極３６ｂに一部が重なるように形成された金属電極２３ｂ上部および付加容量電極２５ａ上とした。すなわち、コンタクトホール２６ａ及び２６ｂは、何れも遮光性を有する金属電極上に形成されている。
　【０１５１】
　本実施形態による透過型液晶表示装置は、以下の利点を有する。本発明で用いられる層間絶縁膜３８の膜厚は従来に比べて非常に厚く、例えば、３μｍである。この厚さは、典型的な液晶層の厚さ（セルギャップ）４．５μｍと同等であるので、コンタクトホール２６ａおよび２６ｂの周辺に液晶分子の配向乱れによる光漏れが生じる。従って、コンタクトホール２６ａおよび２６ｂを透過型液晶表示装置の開口部に形成すると、光漏れによってコントラストの低下が生じる。これに対し、本実施形態のアクティブマトリクス基板では、付加容量を形成する一方の電極である付加容量電極２５ａでコンタクトホール２６ｂの近傍を遮光するとともに、金属電極２３ｂでコンタクトホール２６ａの近傍を遮光しているので、コンタクトホール２５ａ及び２５ｂによるコントラストの低下の問題を防止できる。また、付加容量対向電極２７を付加容量電極２５ａからはみ出さないように形成することによって、更に開口率を向上することができる。
　【０１５２】
　なお、本実施形態ではＣｓ−Ｃｏｍｍｏｎ方式について説明したが、Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式でも同様の効果が得られる。
　【０１５３】
　以上の各実施形態１〜１０においては、画素電極と各配線をオーバーラップさせて液晶表示の開口率の向上および液晶の配向不良の抑制を図ることができるとともに製造工程が簡略化でき、かつ各配線と画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減して良好な表示を得ることができる。また、これに加えて、広視野角化を図ることができる。
　【０１５４】
　この広視野角化が図られる理由としては、画素電極の表面が平坦なために液晶の配向乱れが無くなったこと、また、配線電界によるディスクリネーションラインがなくなったこと、また、隣接する開口部の間隔が約数μｍから十数μｍであるのに対し、層間絶縁膜を数μｍの厚膜に形成することによって、バックライトからの斜め光を有効に利用できること、さらには、コントラストが大きくなったこと（１０．４インチのＳＶＧＡで１：３００以上）などが挙げられる。そのために、液晶の屈折率異方性（△ｎ）×セル厚（ｄ）であるリタデーションの値を小さくすることが可能になった。ここでは主にセル厚ｄを変えている。一般に、△ｎ×ｄを小さくすると視野角が広くなるが、コントラストが悪くなってしまう。ところが、本発明においては、画素電極と各配線との間に従来設けていたマージンを無くすことで、画素電極が大きくなり、例えば、１０．４インチＶＧＡでは、開口率が６５パーセントから８５パーセントとなって２０ポイント（約３０％）増え、その明るさも１．５倍以上となった。また、１２．１インチＸＧＡでは、開口率が５５％から８０％に大幅に改善される。これは、例えば、従来の構成において、ソース配線幅が６μｍ、ソース配線と絵素電極との間隔が３μｍ、貼り合わせ精度が５μｍとすると、隣接する開口部の間隔として２２μｍ以上必要であったのに対し、ソース配線に絵素電極を重ねる構成を用いれば、隣接する開口部の間隔はソース配線の幅６μｍとすることがで、表示に寄与しない領域の面積を大幅に減少できるので、開口率を大幅に向上できる。
　【０１５５】
　なお、上記実施形態３，４では、付加容量の一方の電極（付加容量電極）が付加容量共通配線を通じて対向電極に接続される構造の透過型液晶表示装置について説明したが、付加容量電極が、隣接する画素のゲート配線２２である構造としても同様の効果が得られる。この場合を図１２および図１３のＣｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式の液晶表示装置に示している。このＣｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式とは、直前または次のゲート配線２２と画素電極２１とを重ねて付加容量Ｃｓを形成する方式である。このとき、画素電極２１は自段ゲートには少ししかのせず、直前または次のゲートに大きくのせるのが望ましい。
　【０１５６】
　また、上記各実施形態１〜１０では、スピン塗布法により透明度の高い感光性透明アクリル樹脂を塗布した後、これをパターニングして層間絶縁膜を形成すると共に、この層間絶縁膜を貫いて該接続電極に達するコンタクトホールを形成したものを用いているが、スピン塗布法に限らず他の塗布法、例えばロールコート法（凹凸の付いたロールとベルトの間に、塗布面をロール側にして基板部を通す。この凹凸の程度で塗布する厚さが決定される。）およびスロットコート法（吐出口の下に基板部を通す。この吐出口の幅で塗布する厚さが決定される。）であっても本発明の効果を奏することができる。
　【０１５７】
　さらに、上記各実施形態７，８では、一般に露光プロセスで用いられる紫外線の輝線であるｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）のうちで、最も波長の短いｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いる。これにより、光照射時間を短くすることができ、実施形態７の脱色効率も高く、また、実施形態８の表面を荒らす効率も高い。
　【０１５８】
　【発明の効果】
　以上のように本発明によれば、可視光である波長４００から８００ｎｍの光に対する透過率が９０パーセント以上の透明度の高い有機膜からなる層間絶縁膜が設けることにより、高透過率で、着色のない層間絶縁膜を用いることによって、液晶表示装置の透過率を高めることができる。従って、液晶表示装置の高輝度化やバックライトからの光量を抑えることによって低消費電力化を図れる。また、層間絶縁膜が設けられることにより、各配線と画素電極とをオーバーラップさせることができて、開口率を向上することが可能となると共に液晶の配向不良が抑制できる。この層間絶縁膜は有機薄膜からなるため、比誘電率が無機薄膜に比べて低く、膜厚も容易に厚くできるので、各配線と画素電極との間の容量を低減することができる。よって、ソース配線と画素電極との問の容量に起因する縦クロストークを低減でき、また、画素電極とゲート配線との間の容量に起因する絵素への書き込み電圧のフィードスルーや製造工程のばらつきを低減できる。
　【０１５９】
　さらに、画素電極とソース配線とを１μｍ以上オーバーラップさせると、開口率を向上できると共に、その加工精度も良好である。また、層間絶縁膜の膜厚を１．５μｍ（好ましくは２．０μｍ）以上にすると、画素電極とソース配線とを１μｍ以上オーバーラップさせても、ソース配線と画素電極との問の容量を十分小さくすることができ、良好な表示を得ることができる。
　【０１６０】
　また、この層間絶縁膜は、感光性アクリル系樹脂などの感光性の有機薄膜を塗布法により塗布し、露光および現像によりパターニングして、数μｍという膜厚の有機薄膜を生産性よく得ることができる。このため、生産コストを大幅に増大することなく開口率の高い液晶表示装置を実現することができる。
　【０１６１】
　また、紫外線に感光する感光性樹脂を用いて層間絶縁膜を形成する場合、ｉ線に吸収波長のピークを有する材料（感光剤）を用いると、コンタクトホールの加工精度が向上するとともに、感光性樹脂の着色を抑制できる。ｉ線（３６５ｎｍ）は、露光工程の光源として用いられる水銀灯の輝線のなかで最も短波長で、可視光の波長領域から離れているからである。着色のない層間絶縁膜を用いることによって、液晶表示装置やアクティブマトリクス基板の透過率を高められる。従って、液晶表示装置の高輝度化やバックライトからの光量を抑えることによって低消費電力化を図れる。
　【０１６２】
　また、人間の目の視感度は、緑や赤に比べて青に対しては若干低いので、層間絶縁膜の分光透過率は青色光に対する透過率が若干低くても、表示品位の低下は少ない。
　【０１６３】
　さらに、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールは、付加容量配線またはゲート配線の上部に形成することにより、光漏れが付加容量部分で遮光されてコントラスト比を向上できる。
　【０１６４】
　さらには、表示の開口率を向上させることができるため、その明るさも向上させることができ、コントラストを悪化させることなく液晶層の厚みを４．５μｍ以下と薄くしてリタデーション値を小さくして視野角を広くすることができて、多大なる広視野角化を図ることができる。
　【０１６５】
　さらに、本発明に用いた比較的膜厚の厚い層間絶縁膜によって平坦化が可能になるため、従来、その下層の配線などによる段差部で起こっていた画素電極のドレイン側における断線など、段差による影響をなくすることができ、また、段差による配向不良を防止することができる。また、ソース配線と画素電極間には層間絶縁膜を挟んで絶縁されるために、ソース配線と画素電極間の電気的リークによる欠陥絵素が極めて少なくなり、製造歩留の向上が可能になり、製造コストの減少も可能になる。
　【０１６６】
　さらに、画素電極の膜厚が５０ｎｍ以上であれば、膜表面隙間からの薬液の侵入を防ぐことができ、剥離液に使用する薬液によって生ずる樹脂の膨潤を抑制することができる。
　【０１６７】
　さらに、従来、層間絶縁膜を形成するために必要であった成膜、フォトレジストによるパターン形成工程、エッチング、レジスト剥離、洗浄工程が、本発明では樹脂形成工程のみで形成可能であるため、製造工程の短縮化および簡素化を図ることができて、製造コストの減少をも図ることができる。
　【０１６８】
　さらに、層間絶縁膜の露光および現像後、前記有機膜に使用する感光剤に対して、基板全面に露光を行い、不要な感光剤を完全に反応させることで、より透明度の高い層間絶縁膜とすることができる。
　【０１６９】
　さらに、前記有機膜を、その濃度が０．１から１．０ｍｏｌ％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド現像液により現像して層間絶縁膜を形成すると、有機膜の残膜量の制御、コンタクト不良の防止、現像液の繰り返し処理の際の濃度変動を制御するのが容易になる。
　【０１７０】
　また、有機薄膜を積層し、その上にフォトレジストを形成後、エッチングプロセスによりパターニングして形成することで、樹脂の設計の自由度が上がり、低誘電率および高耐熱性の樹脂を使用できる。
　【０１７１】
　さらに、感光性を有さない有機材料からなる層間絶縁膜をパターニングするために用いるフォトレジストの材料としては、シリコン元素を含有するフォトレジストを用いることで、エッチングの選択比が高く高精度のパターニングが可能である。
　【０１７２】
　さらに、フォトレジスト層の表面にシランカップリング剤を塗布し、このシランカップリング剤層を酸素プラズマ処理することによって、フォトレジスト層のエッチング速度を小さくすることができる。
　【０１７３】
　さらに、上記シリコン元素を利用して選択比を向上する方法は、ＣＦ４、ＣＦ３ＨまたはＳＦ６を含有するエッチングガスを用いたドライエッチング法において特に顕著な効果が得られる。
　【０１７４】
　また、層間絶縁膜内にシランカップリング剤を含ませることにより、層間絶縁膜とその下地膜との間の密着性を向上させることができプロセス中の処理に対して安定なデバイスが実現する。
　【０１７５】
　さらに、シランカップリング剤のなかでも、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルジエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン等が、特に密着性の改善効果が著しい。
　【０１７６】
　さらに、層間絶縁膜を形成する前の基板表面に紫外光を照射することにより、層間絶縁膜とその下地膜との間の密着性を向上させることができ、プロセス中の処理に対して安定なデバイスを実現することができる。
　【０１７７】
　さらに、層間絶縁膜上に画素電極材料を成膜する前に酸素プラズマによりその表面を灰化することにより、この層間絶縁膜とその上に成膜される画素電極材料との間の密着性を向上させることができ、プロセス中の処理に対してより安定なデバイスを実現することができる。
　【０１７８】
　さらに、前記酸素プラズマによる灰化処理をを層間絶縁膜の表面より１００ｎｍから５００ｎｍの厚さすることで、表示品位に問題のない範囲で密着性改善が図れる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施形態１の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
　【図２】
　図１の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＡ−Ａ’断面図である。
　【図３】
　本発明の実施形態３の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
　【図４】
　図３の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＢ−Ｂ’断面図である。
　【図５】
　本発明の実施態様４の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の一部断面図である。
　【図６】
　本発明の実施態様５，６の透過型液晶表示装置と従来の液晶表示装置とにおける液晶の充電率差と容量比との関係を示す図である。
　【図７】
　（ａ）は本発明の実施態様５，６の１Ｈ反転の場合のデータ信号の波形図、（ｂ）は従来のフィールド反転の場合のデータ信号の波形図である。
　【図８】
　本発明の実施態様５の透過型液晶表示装置における液晶の容量比とオーバーラップ幅との関係を示す図である。
　【図９】
　本発明の実施形態７の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
　【図１０】
　図９の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＣ−Ｃ’断面図である。
　【図１１】
　本発明の実施形態７の透過型液晶表示装置において、アクリル樹脂の透過光の波長（ｎｍ）に対する露光前後の透過率の変化を示す図である。
　【図１２】
　Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式の液晶表示装置の構成を示す回路図である。
　【図１３】
　本発明の実施形態３の構成を図１２の液晶表示装置に適用した場合のアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
　【図１４】
　本発明の実施形態１０の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
　【図１５】
　図１４の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＤ−Ｄ’断面図である。
　【図１６】
　アクティブマトリクス基板を備えた従来の液晶表示装置の構成を示す回路図である。
　【図１７】
　従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＴＦＴ部分の断面図である。
　【符号の説明】
　６　付加容量用共通配線
　２１，５１　画素電極
　２２，５２　ゲート配線
　２３，５３　ソース配線
　２４，５４　ＴＦＴ
　２５，５５　接続電極
　２６，２６ａ，２６ｂ，５６　コンタクトホール
　３１，６１　透明絶縁性基板
　３２，６２　ゲート電極
　３６ａ，６６ａ　ソース電極
　３６ｂ，６６ｂ　ドレイン電極
　３７ａ，３７ａ’，６７ａ，６７ａ’　透明導電膜
　３７ｂ，３７ｂ’，６７ｂ，６７ｂ’　金属層
　３８，６８　層間絶縁膜
　４１　窒化チタン層