【事件の表示】
　特願２０１０−２８１１７２「所定の温度係数を有する抵抗器」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年７月１４日出願公開、特開２０１１−１３７８１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　この審判事件に関する出願（以下、「本件出願」という。）は、２００４年（平成１６年）１０月１２日にアメリカ合衆国でされた特許出願に基づくパリ条約の優先権を主張して平成１７年８月２２日された国際特許出願（特願２００７−５３６６８９）の一部を、平成２２年１２月１７日に新たな特許出願としたものである。この特許出願の分割は、適法と認められるので、本件出願は、もとの特許出願の時にしたものとみなす。
　本件出願は、平成２３年６月９日付け手続補正書により特許請求の範囲についての補正がされ、平成２４年５月１８日付け手続補正書により特許請求の範囲についての補正がされた。そして、平成２４年１１月６日付けで拒絶査定がされ、同年同月８日に査定の謄本が送達された。
　これに対して、平成２５年３月８日に拒絶査定不服審判が請求された。
　
２．本件出願に係る発明
　本件出願の請求項１から３までのそれぞれに係る発明は、特許請求の範囲の請求項１から３までのそれぞれに記載された事項によって特定されるとおりのものである。特に、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
反強磁性層と、
　前記反強磁性層の上に配設された第１のピンド層と、
　前記ピンド層の上に配設された非磁性層と、
　前記非磁性層の上に配設された第２のピンド層とを備える材料スタックであって、
前記材料スタックは、磁界が存在するときと存在しないときで同じ電気抵抗を有し、前記材料スタックは自由層を含まない、
材料スタック。」
　
３．原査定の拒絶の理由
　本件発明に対する原査定の拒絶の理由１及び２は、概略以下のとおりである。
　
「（理由１）
　本件発明は、本件出願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　（理由２）
　本件発明は、本件出願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物１に記載された発明に基づいて、本件出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　刊行物１：特表２００３−５２５５２８号公報」
　
４．刊行物１に記載された事項
（１）刊行物１の記載
　刊行物１には、以下の記載がある。
　
ア．段落０００７
「【０００７】
　この発明は、第二層アッセンブリが、更に、軟磁性層に接する導電性の反強磁性層もしくは軟磁性層に接する導電性の人工反強磁性体を有する上記装置に基づいている。こうして、ホィーストンブリッジ回路に抵抗として使用される第二層アッセンブリは第一層アッセンブリと同様に設計できる。追加的な導電性の反強磁性層によって、第二層アッセンブリは、磁気に無反応となる。第二層アッセンブリのそのような「ピン止め」は磁気シールドに比べて著しい利点を持っている。磁気感度を低下させるためにも使用される後者は、マイクロメーターの範囲の厚い高μ層の被覆を必要とする。これは、部品を作製する場合に著しい難点となる。好ましくは、ブリッジ回路がホィーストンブリッジ回路であるとよい。」
　
イ．段落００１１
「【００１１】
　層アッセンブリの硬磁性層が非導電性の反強磁性層でピン止めされても有利である。硬磁性層は、こうしてトンネル接点に関して最良の特性を有するが、反強磁性体によるピン止めにより十分な逆磁場安定性が得られるので磁気的な影響が少ないように選択できる。」
　
ウ．段落００１５
「【００１５】
　好ましくは、導電性の反強磁性層がＩｒＭｎからなるとよい。これにより、機能に必要な電気伝導度や、ピン止めに必要な反強磁性も同時に得られる。」
　
エ．段落００１７
「【００１７】
　この発明は、共通の方法でこれ等の層アッセンブリを同様に作製し、第二層アッセンブリ上に更に軟磁性層に接する導電性の反強磁性層もしくは軟磁性層に接する導電性で人工的な反強磁性体を配置する方法にある。この方法により、第一層アッセンブリと第二層アッセンブリが同じ抵抗値と同じ電気特性を有することが達成できる。従って、これ等の層アッセンブリはホィーストンブリッジ回路に採用するのに特に適している。」
　
オ．段落００２３及び００２４
「【００２３】
　図１には、この発明による装置の第一層アッセンブリ８が示してある。基板１２の上には、非導電性もしくは導電性の反強磁性層１４、例えば人工的な反強磁性体が配置されている。この層１４は、例えばＮｉＯｘもしくはＩｒＭｎで形成できる。この層の上には硬磁性層１６がある。これには、トンネルバリヤとして働く、例えばＡｌ２Ｏ３から成る層１８が続く。最後に、トンネルバリヤとして働く層１８の上には、軟磁性層２０が配置されている。
【００２４】
　図２には、この発明による装置内で使用する第二層アッセンブリ１０が示してある。層の配列は、第二層アッセンブリ１０に関して更に軟磁性層２０の上に、例えばＩｒＭｎから成る導電性の反強磁性層２２が配置されることまでは同じである。」
　
（２）刊行物１に記載された発明（引用発明）
ア．刊行物１には、非導電性の反強磁性層１４と、反強磁性層１４の上に配置された硬磁性層１６と、硬磁性層１６の上に配置され、Ａｌ２Ｏ３からなるトンネルバリヤ層１８と、トンネルバリヤ層１８の上に配置された軟磁性層２０と、軟磁性層２０の上に配置され、ＩｒＭｎからなる導電性の反強磁性層２２とを備える第二層アッセンブリ１０が記載されている（上記（１）オ．及び図２）。
　
イ．硬磁性層１６は、非導電性の反強磁性層１４でピン止めされる（上記（１）イ．）。
　
ウ．軟磁性層２０の上に配置される導電性の反強磁性層２２がＩｒＭｎからなるのは、ピン止めに必要な反強磁性を得るためである（上記（１）ウ．）。そして、第二層アッセンブリ１０は、このピン止めによって磁気に無反応になる（上記（１）ア．）。
　
エ．以上のことを踏まえて、上記（１）ア．からオ．までの記載と、図２に示された事項とを総合すると、刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「非導電性の反強磁性層１４と、
　反強磁性層１４の上に配置され、反強磁性層１４でピン止めされた硬磁性層１６と、
　硬磁性層１６の上に配置され、Ａｌ２Ｏ３からなるトンネルバリヤ層１８と、
　トンネルバリヤ層１８の上に配置された軟磁性層２０と、
　軟磁性層２０の上に配置され、ＩｒＭｎからなる導電性の反強磁性層２２とを備え、
　軟磁性層２０は、反強磁性層２２によってピン止めされた
　磁気に無反応な第二層アッセンブリ１０。」
　
５．対比・判断
　本件発明と引用発明とを対比すると、以下のとおりである。
　
（１）引用発明の「第二層アッセンブリ１０」、「非導電性の反強磁性層１４」及び「反強磁性層１４の上に配置され、反強磁性層１４でピン止めされた硬磁性層１６」は、それぞれ本件発明の「材料スタック」、「反強磁性層」及び「前記反強磁性層の上に配設された第１のピンド層」に相当する。
　
（２）Ａｌ２Ｏ３は非磁性体であるから、引用発明の「硬磁性層１６の上に配置され、Ａｌ２Ｏ３からなるトンネルバリヤ層１８」は、本件発明の「前記ピンド層の上に配設された非磁性層」に相当する。
　
（３）引用発明の「トンネルバリヤ層１８の上に配置された軟磁性層２０」は、その上に配置された「ＩｒＭｎからなる導電性の反強磁性層２２」によって「ピン止め」されている。
　したがって、引用発明の「トンネルバリヤ層１８の上に配置された軟磁性層２０」は、本件発明の「前記非磁性層の上に配設された第２のピンド層」に相当する。
　
（４）引用発明の「第二層アッセンブリ１０」は、その抵抗値及び電気特性を、「反強磁性層２２」を除いて同じ構造を有する「第一層アッセンブリ８」と同じにすることを目的としている（上記４．（１）エ．）。
　したがって、「第二層アッセンブリ１０」が「磁気に無反応な」ものであることは、本件発明の「材料スタック」が「磁界が存在するときと存在しないときで同じ電気抵抗を有し」ていることに相当する。
　
（５）引用発明の「第二層アッセンブリ１０」は、反強磁性層である「反強磁性層１４」及び「反強磁性層２２」と、反強磁性層によって「ピン止め」された層である「硬磁性層１６」及び「軟磁性層２０」と、非磁性層である「トンネルバリヤ層１８」とを含むだけである。これは、本件発明の「材料スタック」が「自由層を含まない」ことに相当する。
　
（６）以上のことをまとめると、本件発明と引用発明とは、
　
「反強磁性層と、
　前記反強磁性層の上に配設された第１のピンド層と、
　前記ピンド層の上に配設された非磁性層と、
　前記非磁性層の上に配設された第２のピンド層とを備える材料スタックであって、
　前記材料スタックは、磁界が存在するときと存在しないときで同じ電気抵抗を有し、前記材料スタックは自由層を含まない、
　材料スタック。」
　
である点で一致し、両者の間に実質的な差異はない。仮にあったとしても、当業者が容易に思い付く程度のことである。
　
６．請求人の主張について
　請求人は、審判請求書の（２）において、引用発明の「軟磁性層２０」は、ピンド層ではなく、自由層であると主張する。
　しかし、刊行物１には、「軟磁性層２０」がその上に配置された「反強磁性層２２」によって「ピン止め」される結果、「第二層アッセンブリ１０」が磁気に無反応になる旨の記載がある（上記４．（１）ア．及びウ．）。「ピン止め」されると明記されている以上、「軟磁性層２０」は、ピンド層と解釈するのが妥当であり、これを自由層であるとする請求人の主張は、採用することができない。
　
７．むすび
　以上に検討したとおり、本件発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　また、本件発明は、刊行物１に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定によっても特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。