【事件の表示】
　特願２０１０−１３３１０４「シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月１４日出願公開、特開２０１０−２３２６７４、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００３年１０月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年１０月１８日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願である特願２００４−５４５５７０号の一部を平成２２年６月１０日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年１１月９日付けの拒絶理由通知に対して、平成２５年１月２９日に手続補正がなされるとともに意見書が提出されたが、同年５月３１日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月３０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、平成２６年１月７日付けで審尋がなされ、同年４月１６日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２５年９月３０日になされた手続補正について
　平成２５年９月３０日になされた手続補正は、補正前の請求項７及び８を削除するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　また、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしていることは明らかである。
　したがって、当該手続補正は、適法になされたものである。
　
３．本願発明
　本願の請求項１及び６に係る発明（以下各々「本願第１発明」及び「本願第６発明」という。）は、平成２５年９月３０日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び６に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　結晶シリコン含有膜をエピタキシャル成長堆積させる方法であって、
　シリコン化合物を基板表面に分配するステップと、
　該シリコン化合物を反応させて該結晶シリコン含有膜を該基板表面上に堆積させるステップと、
を含み、
　前記シリコン化合物がネオペンタシランを含む、前記方法。」
　
「【請求項６】
　基板上に結晶シリコン含有層をエピタキシャル成長堆積させる方法であって、
　プロセスチャンバ内に前記基板を配置するステップと、
　前記基板を所定の温度に加熱するステップと、
　ネオペンタシランを含むプロセスガスに、前記基板を晒すステップと、
　前記基板に結晶シリコン含有層を堆積するステップと、
を含む方法。」
　
４．原査定の理由の概要
　原査定の拒絶理由は、請求項１、５及び６に係る発明は引用文献１及び２に記載された発明に基づいて、請求項２及び３に係る発明は引用文献１〜４に記載された発明に基づいて、請求項４に係る発明は引用文献１〜６に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　なお、請求項７及び８に係る発明についての拒絶理由は、特許法第３６条第６項第１号及び第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、また、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものであるが、請求項７及び８は、審判請求と同時になされた手続補正により削除されているので、拒絶理由は解消されている。
　
引用文献１：　特開０３−１８５８１７号公報
引用文献２：　特開２００２−１００５７６号公報
引用文献３：　特開２００２−２３７５９０号公報
引用文献４：　特開２０００−１１４１９０号公報
引用文献５：　特開２００１−２９１６７１号公報
引用文献６：　特開平０４−８５８１８号公報
　
５．当審の判断
（１）引用文献の記載事項及び引用発明
（１−１）引用文献１には、以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
「［産業上の利用分野］
本発明はＳｉ半導体膜の形成方法に関し、とりわけ、その原材料に関する。
　
［従来の技術］
　
従来、Ｓｉ半導体膜は、モノシラン（ＳｉＨ
４
）又はジシラン（Ｓｉ
２
Ｈ
６
）を原材料に用いた熱分解法あるいは、光分解法あるいはプラズマＯＶＤ法により形成されるのが通例であった。
　
［発明が解決しようとする課題］
　しかし、上記従来技術によると、絶縁基板上に多結晶Ｓｉ膜を形成するのには、６００℃以上の基板加熱を要したり、Ｓｉ単結晶基板上に単結晶Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させるのには基板温度は５００℃以上を要すると云う課題があった。
　本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、絶縁基板上には４００℃程度以下１００℃程度でも多結晶Ｓｉ膜が形成できたり、Ｓｉ単結晶基板上にＳｉ単結晶膜を２００℃程度以下１００℃程度でもエピタキシャル成長することができる原材料を提供する事を目的とする。
　
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、半導体膜の形成方法に関し、基板上に、トリシラン（Ｓｉ
３
Ｈ
８
）テトラシラン（Ｓｉ
４
Ｈ
１０
）等のシラン（Ｓｉ
ｎ
Ｈ
２ｎ＋２
）のｎ＝３以上の原材料を熱分解あるいは光分解等によりＳｉ膜を形成する手段をとる。
　
［実施例］
　以下、実施例により本発明を詳述する。
　いま、パイレックス・ガラス基板上に多結晶Ｓｉ膜を形成するに際し、原料をＳｉ３Ｈ８又はＳｉ４Ｈ１０となし、ＣＶＤ法により形成するとすると、基板温度は、４００℃にて粒径が５μｍ径程度の多結晶Ｓｉ膜を形成することができ、該Ｓｉ膜を用いたＴＦＴでは電荷移動度が大となり高速動作が可能となる。尚、基板温度を１００℃として紫外線を基板表面に照射しても同様な多結晶を得ることができる。
　
次に、単結晶Ｓｉ基板上に単結晶Ｓｉ膜をＳｉ
３
Ｈ
８
又はＳｉ
４
Ｈ
１０
を原材料としてエピタキシャル成長させるに際し、基板温度１００℃として、紫外線を照射するか、あるいはプラズマ化することによって行なうことができる。
　尚、基板上にアモルファスＳｉ膜をＳｉ３Ｈ８又は、Ｓｉ４Ｈ１０等を原材料として用いてＣＶＤ法により４００℃程度以下の１００℃程度以下でも容易に形成することができる事は云うまでもない。
　
［発明の効果］
本発明により低温で移動度の大なる多結晶Ｓｉ膜戊長やエピタキシャル成長が可能となる効果がある。」
　
　そうすると、引用文献１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
 
「Ｓｉ３Ｈ８又はＳｉ４Ｈ１０を原材料とし、基板温度１００℃とし、紫外線を照射するか、あるいはプラズマ化することによって、単結晶Ｓｉ基板上に単結晶Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させる半導体膜の形成方法。」
　
（１−２）引用文献２には、以下の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を形成する方法に関する。さらに詳しくは、簡単な操作や装置で基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を効率的に形成することができるホウ素でドープされたシリコン膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、太陽電池製造に用いられるアモルファスシリコン膜やポリシリコン膜の形成方法としては、モノシランガスやジシランガスの熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やプラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等が利用されている。
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を形成する方法を提供することにある。本発明の他の目的は、シリコン膜の形成とドーピングとを２段に分けて行うことなく、簡単な操作や装置で、基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を、一段で、効率的に例えば高い歩留りや大きい形成速度で形成することのできるホウ素でドープされたシリコン膜の形成方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的は、毒性、反応性の高いガス状の水素化ケイ素とは異なり、安定な化合物であるシリコン化合物およびボラン・スルフィド錯体を用いるホウ素でドープされたシリコン膜の形成方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになろう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第１に、下記式（１）
Ｓｉ
x
Ｈ
y
　　　．．．（１）
ここで、ｘは３〜１２の数でありそしてｙは２ｘ−２乃至２ｘ＋２の数である、で表される化合物および下記式（２）
Ｓｉ
n
Ｈ
n
　　　．．．（２）
ここで、ｎは６〜１２の数である、で表される化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種のシリコン化合物並びにボラン・スルフィド錯体を、不活性有機媒体蒸気の存在下に、熱分解せしめることを特徴とする基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を形成する方法によって達成される。
【０００６】
本発明において用いられるシリコン化合物は、下記式（１）
Ｓｉ
x
Ｈ
y
　　　．．．（１）
ここで、ｘは３〜１２の数でありそしてｙは２ｘ−２乃至２ｘ＋２の数である、で表される化合物
ＳｉnＨn　　　．．．（２）
ここで、ｎは６〜１２の数である、で表される化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種である。
【０００７】
上記式（１）で表される化合物としては、
ｎｅｏ−ペンタシラン
「【００２１】実施例１
合成例１で得られたケイ素化合物の混合物５ｇをトルエン４５ｇに溶解した溶液にボラン・ジメチルスルフィド（ＢＨ
3
・ＳＭｅ
2
）錯体のトルエン溶液（２モル／Ｌ濃度）を１０ｍｌ添加し調製した。この溶液を図１の受器１にセットし、さらに加熱管２の内部に石英ガラス基板をセットした。加熱管２を４００℃に加熱しながらガス導入口３より窒素ガスを１リットル／分の速度で２０分間流したところ、石英基板上に金属光沢を有する薄膜が形成されていた。
この膜はラマンスペクトルの解析からアモルファス状であることが判った。
【００２２】実施例２
実施例１で得られたホウ素含有のアモルファスシリコン膜を形成した基板に窒素雰囲気下、ＸｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）を照射した。レーザー照射後の膜のラマンスペクトルを測定したところ、多結晶シリコンに由来するピークが観察され、
【００２３】実施例３
実施例１で得られたホウ素含有のアモルファスシリコン膜を形成した基板について、窒素雰囲気下、８００℃で３０分間熱処理を行なった。熱処理後の膜のラマンスペクトルを測定したところ、多結晶シリコンに由来するピークが観察され、
【００２４】実施例４
実施例１において、実施例１で用いた石英基板に替えてポリイミドフィルム基板をセットし、基板の温度を３００℃に替え、他は実施例１と同様にして実施したところ、ポリイミド基板上にホウ素含有のアモルファスシリコン膜を形成することができた。
　
（２）本願第１発明との対比・判断
（２−１）引用発明の「Ｓｉ３Ｈ８又はＳｉ４Ｈ１０」、「単結晶Ｓｉ基板」及び「単結晶Ｓｉ膜」は、各々本願第１発明の「シリコン化合物」、「基板」及び「結晶シリコン含有膜」に相当する。
　
（２−２）引用発明において、「単結晶Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させる」際に、
「原材料」である「Ｓｉ３Ｈ８又はＳｉ４Ｈ１０」を「単結晶Ｓｉ基板」の上に分配し、それらの「原材料」を反応させていることは明らかである。
　
（２−３）そうすると、引用発明と本願第１発明とは、
「結晶シリコン含有膜をエピタキシャル成長堆積させる方法であって、
　シリコン化合物を基板表面に分配するステップと、
　該シリコン化合物を反応させて該結晶シリコン含有膜を該基板表面上に堆積させるステップと、
を含む方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願第１発明は、「シリコン化合物がネオペンタシランを含む」のに対して、引用発明では、「原材料」について、そのような特定がなされていない点。
　
（２−４）判断
　上記相違点１に関して、原査定においては、「引用文献１の記載および技術常識を参酌しても、引用文献１に記載のｎ＝３以上のシラン（ＳｉｎＨ２ｎ＋２）を「直線的に連鎖（straight chained）した構造」に限定して解釈しなければならない理由は存在しない。そして、高次シラン（シラン（ＳｉｎＨ２ｎ＋２）のｎ＝３以上）を用いてＳｉ単結晶膜の低温成長を行う旨の記載がある引用文献１に接した当業者が、「シラン（ＳｉｎＨ２ｎ＋２）のｎ＝３以上」を満たす公知の材料（例えば、引用文献２）を適宜選択することは、容易になし得た事項である。」としている。
　しかしながら、引用文献１の
「［従来の技術］
　従来、Ｓｉ半導体膜は、
モノシラン（ＳｉＨ
４
）又はジシラン（Ｓｉ
２
Ｈ
６
）を原材料に用いた
「［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、半導体膜の形成方法に関し、基板上に、
トリシラン（Ｓｉ
３
Ｈ
８
）テトラシラン（Ｓｉ
４
Ｈ
１０
）等のシラン（Ｓｉ
ｎ
Ｈ
２ｎ＋２
）のｎ＝３以上の原材料を
という記載からみて、引用文献１に記載された「トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）等のシラン（ＳｉｎＨ２ｎ＋２）のｎ＝３以上の原材料」とは、「直線的に連鎖（straight chained）した構造」に限定して解釈するのが自然である。
　また、引用文献２には、「シリコン化合物並びにボラン・スルフィド錯体を、不活性有機媒体蒸気の存在下に、熱分解せしめることを特徴とする基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を形成する方法」における「シリコン化合物」として、「ｎｅｏ−ペンタシラン」を使用できることが記載されているものの、
「【０００２】
【従来の技術】従来、太陽電池製造に用いられる
アモルファスシリコン膜やポリシリコン膜の形成方法
　よって、引用発明において上記相違点１に係る構成を備えることは、引用文献２に記載された発明を勘案しても当業者が容易になし得たこととはいえない。
（２−５）まとめ
　よって、本願第１発明は、引用発明及び引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（３）本願第６発明との対比・判断
（３−１）引用発明の「単結晶Ｓｉ基板上に単結晶Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させる半導体膜の形成方法」は、本願第６発明の「基板上に結晶シリコン含有層をエピタキシャル成長堆積させる方法」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「基板温度１００℃と」することは、本願第６発明の「前記基板を所定の温度に加熱するステップ」に相当する。
　
（３−３）引用発明の「原材料」である「Ｓｉ３Ｈ８又はＳｉ４Ｈ１０」と、本願第６発明の「ネオペンタシランを含むプロセスガス」は、「プロセスガス」という点で共通する。また、引用発明において、「単結晶Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させる」際に、「原材料」である「Ｓｉ３Ｈ８又はＳｉ４Ｈ１０」に、「単結晶Ｓｉ基板」を晒すことは明らかである。
　
（３−４）そうすると、引用発明と本願第６発明とは、
「【請求項６】
　基板上に結晶シリコン含有層をエピタキシャル成長堆積させる方法であって、
　プロセスチャンバ内に前記基板を配置するステップと、
　前記基板を所定の温度に加熱するステップと、
　ネオペンタシランを含むプロセスガスに、前記基板を晒すステップと、
　前記基板に結晶シリコン含有層を堆積するステップと、
を含む方法。」
である点で一致し、以下の２点で相違する。
　
（相違点２）
　本願第６発明は、「プロセスチャンバ内に前記基板を配置するステップ」を有するのに対して、引用発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点３）
　本願第６発明では、「プロセスガス」が「ネオペンタシランを含む」のに対して、引用発明では、「原材料」について、そのような特定がなされていない点。
　
（３−５）判断
　上記相違点２、３のうち、相違点３は、上記相違点１と同じであるから、上記（２−４）において検討したように、引用発明において上記相違点３に係る構成を備えることは、引用文献２に記載された発明を勘案しても当業者が容易になし得たこととはいえない。
　
（３−６）まとめ
　以上の通りであるから、相違点２について検討するまでもなく、本願第６発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（４）他の請求項について
　本願の請求項２〜５は、いずれも、請求項１を直接又は間接に引用するものであるから、本願の請求項２〜５に係る発明は請求項１に係る発明の発明特定事項を含むところ、前述の通り、請求項１に係る発明は当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、本願の請求項２〜５に係る発明についても、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１〜６に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。