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　特願２００７−１６５０３９号「半導体ウェーハ研磨装置および研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月　８日出願公開、特開２００９−　　４６１６号、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１９年６月２２日の出願であって、平成２４年１２月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年４月８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その審判請求と同時に手続補正がなされたものである。 
　　　                         
２．平成２５年４月８日の手続補正（以下「本件補正」という。）の適否
２−１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１及び５について、
「【請求項１】
　半導体ウェーハの両面研磨装置であって、上下一対の回転定盤と、回転定盤間の回転中心部に設けられた太陽歯車と、回転定盤間の外周部に設けられた環状の内歯歯車と、前記上下の回転定盤間に設けられ前記太陽歯車及び前記内歯歯車にそれぞれ噛み合う遊星歯車となるキャリアと、を備え、
　前記キャリアには被処理ウェーハ収容孔となるホールが
３カ所
　前記複数のホールはその中心が同一の円周上に位置するとともに、
前記ホール中心を通る円が前記キャリアと同心状になるよう設けられて、
　この前記複数のホール中心を通る円と単一の前記被処理ウェーハとの面積比が、１．３３以上
１．４４以下
　【請求項２】
　複数の被処理ウェーハをキャリアに保持して上下の回転定盤間で回転させることにより、前記半導体ウェーハの両面を同時に研磨するウェーハ研磨方法において、
　前記キャリアにおける前記ウェーハ保持位置が、
３枚とされる
前記ウェーハ中心を通る円が前記キャリアと同心状になるよう位置し、
　この前記複数のウェーハ中心を通る円と単一の前記ウェーハとの面積比を、１．３３以上
１．４４以下
と補正するとともに、補正前の請求項２〜４及び請求項６〜８を削除する補正を含むものである。
                　
２−２．補正の適否
　本件補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ホール」について、キャリアに「複数」設けられるとされていたことを「３カ所」設けられると限定し、キャリアにおけるホールの位置関係について、「ホール中心を通る円が前記キャリアと同心状になるよう設けられ」ることを限定するとともに、複数のホール中心を通る円と単一の被処理ウェーハとの面積比について、「１．３３以上１．４４以下」と限定したものである。
　また、本件補正は、請求項５に記載した発明を特定するために必要な事項である「ウェーハ保持位置」について、キャリアに「複数」位置するとされていたことを「３枚とされる」位置とする限定を行い、さらに、「ウェーハ中心を通る円が前記キャリアと同心状になるよう位置」することを限定するとともに、複数のウェーハ中心を通る円と単一のウェーハとの面積比について、「１．３３以上１．４４以下」と限定するものである。
　そして、これらの補正は、補正前の請求項１及び請求項５に記載された発明と補正後の請求項１及び請求項２に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　
　そこで、本件補正後の請求項１及び２に記載された発明（以下「補正発明１」及び「補正発明２」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか。）について以下に検討する。
                                     　
２−３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００３−２３１０５５号公報（以下「引用例１」という。）及び特開２００４−５８２０１号公報（以下「引用例２」という。）には、それぞれ以下の各事項が記載されている。
                     　
［引用例１について］    　
（１ａ）「【請求項１】被加工物を被研磨物保持孔に保持しこれを上下研磨布の間で自転及び公転させて被加工物の両面研磨を行うようにした研磨用キャリアであって、構成部材は金属または樹脂で被覆した金属或いは樹脂とし、前記研磨用キャリアに所定の長さで内側に向けて曲線状に形成した研磨剤供給孔を設けたことを特徴とする研磨用キャリア。
【請求項２】　前記被研磨物保持孔をキャリア中心から等角度でかつ等距離の３点を中心として３個形成するとともに、研磨剤供給孔を隣接する被研磨物保持孔の中間領域でしかも円周側に形成したことを特徴とする請求項１記載の研磨用キャリア。」
          　
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は研磨用キャリアに関し、特にシリコンウエーハの両面研磨用キャリアに関するものである。」
　       　
（１ｃ）「【０００４】ウエーハの研磨に際しては、図２に示すように下定盤２３にキャリア２２の複数個を取付け、またキャリア２２の各被研磨物保持孔１０にはウエーハをそれぞれ挿入保持させ、これを逆回転する上下の定盤２７，２３との間に挟み一定の荷重をかけながら相対速度で両面研磨を行うものである。この際に、上定盤２７に明けられた流込用小孔３１からスラリー状の研磨剤３２が供給される。この研磨剤３２によってキャリア２２の各被研磨物保持孔１０に嵌装されたウエーハの上面が研磨布２９で研磨されるとともに、その一部は各被研磨物保持孔１０とウエーハとの間のクリアランスを通してウエーハの下面にも達し、ウエーハの下面も同様にして研磨布３０で研磨される。」　
         
（１ｄ）「【０００７】即ち、従来の研磨装置では、通常、研磨剤のスラリーはスラリータンクから樋を通して上定盤２７に明けられた研磨剤の流込用小孔３１まで管で送られる。そして、研磨剤はこの小孔３１を通して上下定盤の内側に供給され、遊星運動をしながら研磨されているウエーハに連続的に供給されるものである。しかしながら、キャリアおよびウエーハは常時回転しているので、回転しているキャリアまたはウエーハが流込用小孔３１を塞いだ瞬間はその流入が出来なくなる。また、研磨剤を圧送するポンプは常に研磨剤の一定量を送り込もうとしているので、流込用小孔３１を塞いだ後の開口時には一気に過剰の研磨剤が流入して研磨剤の供給が瞬間的に多くなって不安定になっていた。その結果、ウエーハ上の研磨剤は周期的に過剰となって、これが原因して研磨剤が集中してウエーハの外周部などに流れるいわゆる上記の外周ダレを生ずることがあった。」　
                      　
（１ｅ）「【００１４】本発明の研磨用キャリア２２は円盤状で、図１に示すように内側にウエーハなどの被研磨物を挿入保持する複数の被研磨物保持孔１０，１０…を有し、かつ外周の全域に外周歯２１を有している。ここに設ける被研磨物保持孔１０，１０は単なる円形の貫通孔で、この中に図示しないシリコンウエーハなどの被研磨物を嵌装するものである。したがって、この被研磨物保持孔１０，１０はシリコンウエーハのサイズとほぼ一致したサイズとしておくことが必要である。また、その厚さは、ここに嵌装されるシリコンウエーハを上下面で研磨することから、シリコンウエーハの厚さよりも若干薄くしておく必要がある。
【００１５】研磨用キャリア２２の構成材料は、金属またはナイロンなどの樹脂で被覆した金属或いはナイロンなどの樹脂である。研磨用キャリア２２の被研磨物保持孔１０，１０…は所定の大きさの円形で例えば３個所設け、その配置を例示すると図１に示すように研磨用キャリア２２の中心Ｐから等角度で３方に等距離の個所に中心をもつように３ヶ所形成するのが、研磨用キャリアに平均的な荷重がかかり歪みがかからないために好ましい。」
        　
（１ｆ）「【００１７】この研磨用キャリア２２は、図２および図３に示す従来の両面研磨装置と同じ研磨装置に嵌装して、実質的に従来と同様にウエーハなどの研磨を行う。即ち、複数の研磨用キャリア２２，２２に設けられている複数の被研磨物保持孔１０にウエーハ３４，３４…を挿入保持してこれを上記の装置に嵌装するものである。
この場合、研磨用キャリア２２の外周歯２１は、それぞれ下定盤２３の中心に設けたサンギア２４および外周のインナギア２５とも噛み合わせるようにして取付ける。また、下定盤２３と対向して上方に流込用小孔３１を設けた上定盤２７を嵌合して所定の圧で上下から加圧した状態で配置する。さらに下定盤２３と上定盤２７の中側には研磨布２９，３０が貼付されている。」
                　
（１ｇ）「【００２１】
【発明の効果】
　以上のようにこの発明によれば、研磨用キャリアに研磨剤流入用の研磨剤供給孔を所定の長さで内側に向けて曲線状に形成したので、研磨用キャリアまたはウエーハが上定盤の流込用小孔を塞ぐ時間を短時間にすることができ、そのために研磨剤の供給をスムースにすることが可能となったものである。
【００２２】また、上定盤から供給された研磨剤は、研磨用キャリアに設けた曲線状の研磨剤供給孔によって速やかに研磨用キャリアの下側にも流れ落ちるために、供給された研磨剤がウエーハの外周部などに集中して流れる外周ダレを防止し研磨不良を防ぐことができるようになり良好な研磨ができるようになった。」
                          　
　上記記載事項１ａ〜１ｇ及び図示内容を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
　             　
「シリコンウエーハの研磨装置であって、ウエーハの研磨に際しては、下定盤２３に研磨用キャリア２２の複数個を取付け、また研磨用キャリア２２の各被研磨物保持孔１０にはウエーハをそれぞれ挿入保持させ、これを逆回転する研磨布２９、３０が貼付された上下の定盤２７、２３との間に挟み一定の荷重をかけながら相対速度で両面研磨を行い、研磨用キャリア２２の外周歯２１は、それぞれ下定盤２３の中心に設けたサンギア２４および外周のインナギア２５とも噛み合わせるようにして取付けられ、ウエーハは遊星運動をしながら研磨され、研磨用キャリア２２の構成部材は金属または樹脂で被覆した金属或いは樹脂とし、前記研磨用キャリアに所定の長さで内側に向けて曲線状に形成した研磨剤供給孔を設け、前記被研磨物保持孔を研磨用キャリア中心から等角度でかつ等距離の３点を中心として３個形成した、シリコンウエーハの研磨装置。」
　　       　
［引用例２について］
 （２ａ）「【請求項１】
１枚のキャリアに設けられた１または複数の保持孔に複数のワークを保持し、研磨パッドを貼設した下定盤および上定盤により該ワークを挟持した状態で上下定盤を回転させ、前記キャリアが自転しながら公転することによりワークの主表面の両面を同時に研磨するワークの研磨方法であって、
前記複数のワークは、前記キャリアの中心に対して偏心した位置に配置されており、
前記複数のワークは略同一の厚みを有し、
且つ、
１または複数のワークを中心として、中央に配置される前記１または複数のワークが受ける前記研磨パッドからの圧力が略均一となって平坦度の悪化を抑制するように、前記１または複数のワークの外周を他のワークが囲むように近接して配置されていることを特徴とするワークの研磨方法。」
     
（２ｂ）「【０００７】
上述のワークの研磨方法によれば、平坦度が良好なワークを少なくとも一つ確実に得るために、以下の３つの構成を用件とする。（尚、本明細書において、ワークとは、被研磨体のことをいう。）
要件▲１▼：複数のワークが、キャリアの中心に対して偏心した位置に配置されていること。
要件▲２▼：複数のワークは略同一の厚みを有していること。
要件▲３▼：１または複数のワークを中心として、中央に配置される前記１または複数のワークの内面における研磨パッドからの圧力が略均一となって平坦度の悪化を抑制するように、１または複数のワークの外周を他のワークが囲むように近接して配置されていること。　　
要件▲１▼により、複数のワークを定盤内で幅広い軌道で動かすことができ、定盤自体の平坦度の悪化を防ぎ、ワークの平坦度を良好にすることができる。
また、要件▲２▼において、複数のワークの厚みがばらついていると、各ワークに対する研磨パッドの圧力が均一にならない。従って、複数のワークにおける研磨パッドからの圧力が、研磨中、常に略同一に当たるようにするため、略同一の厚みを有することが必要である。
また、要件▲３▼は、中央に配置される１または複数のワークの内面における研磨パッドからの圧力が略均一となるように、１または複数のワークの外周を他のワークが囲むように近接して配置させる。これによって、近接配置した複数のワークがあたかも一つのワークのごとく表面形状が形成される。
上述の▲１▼〜▲３▼の条件により、中央に配置される１または複数のワークの周縁部は、外周に配置されるワークによって研磨パッドの沈み込みが抑制され、中央に配置されるワークの周縁部の平坦度が最も良好となり、確実に良好な平坦度を有する少なくとも一つのワークを得ることができる。」
             　
（２ｃ）「【００１０】
また、ワーク１に対して研磨液がスムーズに供給されるように、キャリアには１または複数の研磨液供給孔３を設けることが好ましい。
尚、キャリアの保持孔の数、大きさ、形状、位置は、このキャリアを用いてワークを研磨した時に、中央に配置される１または複数のワークの周縁部にかかる研磨パッドからの圧力が略均一となって平坦度が悪化しないようにする、つまり、複数のワーク２があたかも一つのワークのごとく表面形状が形成されるようにできれば、特に制限はない。
また、研磨機の大きさが許されれば、図４のように、図２や図３における複数のワーク１のかたまり（群）を、キャリア２の中心に対して偏心した位置に複数（図４の場合は４つのかたまり（群））設けても構わない。
尚、キャリア２の外周部は、両面研磨装置のサンギアとインターナルギアとを噛合させるために、これらのキャリアと同じピッチでギアが形成されている。」
　　        　
（２ｄ）「【００１１】
前記複数のワークは、１０ｍｍ以下の間隔で配置することが好ましい。
ワーク同士の間隔が１０ｍｍ超だと、キャリアの厚みがワークの厚みより薄い（小さい）ため、各ワークの間でワークの厚みとキャリアの厚みの差分に相当する研磨パッドの沈み込みが発生し、複数のワークがあたかも一つのワークのごとく表面形状が形成されにくくなり、研磨パッドの沈み込みによって、中心に配置される１または複数のワークを始めとする全てのワークの周縁部にかかる研磨パッドからの圧力が大きくなるので、個々のワークの周縁部における平坦度が悪化し、平坦度が０．５μｍ以下のワークを確実に得ることができない。
尚、例えば、図３にあるような１個の大きな保持孔（ワークと略相似形状）に複数の方形状の基板（ワーク）が縦横に並べられる場合において、基板の端面の傷を考慮しなくてもよい場合には、基板が当接した状態で並べて配置させても構わないのでその時のワーク同士の間隔は０ｍｍとなる。」
              　
（２ｅ）「【００１７】
電子デバイス用基板は、マイクロエレクトロデバイスの製造に使用されるマスクブランクス用基板（例えば、フォトマスクブランクス用基板、位相シフトマスクブランクス用基板）や液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハー、情報記録媒体用基板などが挙げられ、これら各種用途の基板の製造方法に適用可能である。・・・」
　　
（２ｆ）「【００２１】
＜ワークの研磨方法の説明＞
　図１、図８を用いて本発明のワークの研磨方法を説明する。図１は研磨装置にキャリアを装着したときの模式図である。研磨装置は、それぞれ所定の回転数で回転駆動されるサンギアおよびインターナルギアを有するキャリア装着部と、このキャリア装着部を挟んで互いに逆回転駆動される上定盤および下定盤とを有する。キャリア装着部に複数のキャリア（本実施例では５枚）をセットすると、これらのキャリアのギアがインターナルギアおよびサンギアと噛み合わされるようになっている。各キャリアの保持孔にワークであるガラス基板をセット（このとき、研磨用キャリアにセットされたガラス基板は、１枚のガラス基板の外周を囲むように複数枚のガラス基板が近接して配置される。）し、研磨を開始すると、キャリアはインターナルギアとサンギアとの回転数の差により遊星運動を行う。同時に、ガラス基板に研磨液を供給しながら、上定盤および下定盤は互いに逆回転し、それらに設けた研磨パッドによってガラス基板の表裏の面が研磨される。尚、保持孔を有する内キャリアは研磨時においては、回転自由運動となる。」
           　
２−４．対比・判断　
２−４−１．補正発明１について
　補正発明１と引用発明とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、
　後者の「シリコンウエーハ」、「上下の定盤２７、２３」、「被研磨物保持孔１０」、「サンギア２４」及び「インナギア２５」は、それぞれ前者の「半導体ウェーハ」、「上下一対の回転定盤」、「ホール」、「太陽歯車」及び「内歯歯車」に相当する。
　後者の「下定盤２３に研磨用キャリア２２の複数個を取付け」ることは、前者の「キャリア」が「上下の回転定盤間に設けられ」ことといえる。
　後者の「ウエーハをそれぞれ挿入保持」させる「研磨用キャリア２２の各被研磨物保持孔１０」を設けることは、前者の「キャリアには被処理ウェーハ収容孔となるホール」を設けることといえる。
　そして、後者の「シリコンウエーハの研磨装置」は「研磨用キャリア２２の各被研磨物保持孔１０にはウエーハをそれぞれ挿入保持させ、これを逆回転する研磨布２９、３０が貼付された上下の定盤２７、２３との間に挟み一定の荷重をかけながら相対速度で両面研磨を行」うものであるから、前者の「半導体ウェーハの両面研磨装置」に相当する。
　また、後者の「下定盤２３の中心に設けたサンギア２４」は、前者の「回転定盤間の回転中心部に設けられた太陽歯車」に、後者の「外周のインナギア２５」は、前者の「回転定盤間の外周部に設けられた環状の内歯歯車」に相当する。
　後者の「研磨用キャリア２２の外周歯２１は、それぞれ下定盤２３の中心に設けたサンギア２４および外周のインナギア２５とも噛み合わせるようにして取付けられ、ウエーハは遊星運動をしながら研磨」することは、前者の「前記太陽歯車及び前記内歯歯車にそれぞれ噛み合う遊星歯車となるキャリア」により研磨することといえる。
　後者の「研磨用キャリア２２の構成部材は金属または樹脂で被覆した金属或いは樹脂とし、前記研磨用キャリアに所定の長さで内側に向けて曲線状に形成した研磨剤供給孔を設け」た「研磨用キャリア２２」と、前者の「キャリア」とは、半導体ウエーハを収納する「キャリア」という限りにおいて一致する。
　後者の「被研磨物保持孔を研磨用キャリア中心から等角度でかつ等距離の３点を中心として３個形成した」ことは、前者の「キャリアには被処理ウェーハ収容孔となるホールが３カ所設けられ、
　前記複数のホールはその中心が同一の円周上に位置するとともに、前記ホール中心を通る円が前記キャリアと同心状になるよう設け」たことといえる。
　 
　そこで補正発明１の用語を用いて表現すると、両者は次の点で一致する。
　　
（一致点）
　　
「半導体ウェーハの両面研磨装置であって、上下一対の回転定盤と、回転定盤間の回転中心部に設けられた太陽歯車と、回転定盤間の外周部に設けられた環状の内歯歯車と、前記上下の回転定盤間に設けられ前記太陽歯車及び前記内歯歯車にそれぞれ噛み合う遊星歯車となるキャリアと、を備え、
　前記キャリアには被処理ウェーハ収容孔となるホールが３カ所設けられ、
　前記複数のホールはその中心が同一の円周上に位置するとともに、前記ホール中心を通る円が前記キャリアと同心状になるよう設けられてなる、
　半導体ウェーハ研磨装置。」
                 　
　そして、両者は、次の点で相違する。
　                      　
（相違点）
　ホールと半導体ウエーハについて、補正発明１は、複数のホール中心を通る円と単一の被処理ウェーハとの面積比が、１．３３以上１．４４以下とされているのに対して、引用発明は、そのような特定はなされていない点。
　        
　そこで、上記相違点について検討する。
　　
（相違点の判断）
　引用例２には、平坦度が良好なワークを少なくとも一つ確実に得るために、記載事項２ｂの３つの構成（要件▲１▼〜要件▲３▼）を用件とすることが記載されている。
　特に、要件▲３▼について、半導体ウエーハにも適用可能（上記記載事項２ｅ）であるワークの研磨技術について、ワーク同士の間隔が１０ｍｍ超であると、キャリアの厚みがワークの厚みより薄い（小さい）ため、各ワークの間でワークの厚みとキャリアの厚みの差分に相当する研磨パッドの沈み込みが発生し、複数のワークがあたかも一つのワークのごとく表面形状が形成されにくくなり、研磨パッドの沈み込みによって、中心に配置される１または複数のワークを始めとする全てのワークの周縁部にかかる研磨パッドからの圧力が大きくなるので、個々のワークの周縁部における平坦度が悪化し、平坦度が０．５μｍ以下のワークを確実に得ることができない（上記記載事項２ｄ）とされている。
　このことは、研磨対象となるワーク同士の間隔が広いと、所謂両持ち梁の中央部に最大のたわみが生じる如く、研磨パッドの沈み込みが生じ、ワークの周辺部にかかる研磨パッドからの圧力が大きくなり、その結果ワークの周縁部における平坦度が悪化する現象（以下「引用例２記載の現象」という。）を示すものである。
　そして、引用例２では、上記引用例２記載の現象に対応するべく、要件▲３▼を採用しているものであるが、引用例２の「ワーク」及び「保持孔」は、それぞれ引用発明の「ウエーハ」及び「被研磨物保持孔」に相当するので、引用発明に、引用例２の要件▲３▼を適用すると、ウエーハの１または複数の被研磨物保持孔の外周を他の被研磨物保持孔が囲むように近接して配置するように変更することとなり、引用発明が被研磨物保持孔を研磨用キャリア中心から等角度でかつ等距離の３点を中心として３個形成するとするものである以上、その変更は、当業者であっても容易になし得たということができない。
　また、補正発明１は、複数のホール中心を通る円と単一の被処理ウェーハとの面積比が、１．３３以上１．４４以下とすることにより、本願明細書に記載される「ワーク間の距離を小さくすることによって、複数のワークどうしがあたかも一枚のワーク複合体であるかのように疑似的にみなせるようになり、そのワーク複合体の周縁部付近では、ダレ等を引き起こすパッド表面の状態（圧力集中）が発生したとしても、複数のワークであるワーク複合体周縁部のみでの発生とまる。したがって、一枚のワーク全周にわたって圧力集中が発生している場合に比べて、補正発明１においては、相対的に一枚のワーク周縁部における圧力集中の発生量を削減することができ、結果的に、各ワーク周縁部におけるダレ発生を低減することが可能になると考えられる。」（段落【００１６】）との顕著な効果、すなわち、一枚のワークの一部の周縁部で圧力集中が発生しても、ホールに収容されるワークが、ホールの中で自在に回転する等により、結果的に、一枚のワークの全周にわたる縁部のダレ発生を低減することが可能になるという顕著な効果を奏するものと理解できるので（本願の図６参照。）、引用例２記載の現象が記載されているからといって、引用発明において、複数の被研磨物保持孔（ホール）中心を通る円と単一のウエーハ（被処理ウェーハ）との面積比が、１．３３以上１．４４以下とすることを、当業者が容易になし得たということができない。　　
 　                   　
　したがって、補正発明１は、引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　              　
２−４−２．補正発明２について
　補正発明２は、上記相違点を含む半導体ウェーハ研磨方法の発明であるから、上記（１）と同様の理由により、上記引用例１記載の発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
２−４−３．以上のとおり、補正発明１及び２は、引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできず、また、他に特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由は発見しない。               　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
              　
２−５．むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
          　     　
３．本願発明
　上記のとおり本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１及び２に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。