(57)【要約】【課題】クラックの発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ウェーハに対して透過性を有するレーザを前記ウェーハのダイシングラインの一部に沿って照射して前記ウェーハ内に第１改質帯を形成する工程と、前記レーザを前記ウェーハのダイシングラインに沿って照射して前記ウェーハ内に第２改質帯を形成する工程と、を備える。前記第１改質帯は、半導体配線層が形成される前記ウェーハ表面と前記第２改質帯の間に、部分的に形成される。【選択図】図１
2018160623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハに対して透過性を有するレーザを前記ウェーハのダイシングラインの一部に沿って照射して前記ウェーハ内に第１改質帯を形成する工程と、
前記レーザを前記ウェーハのダイシングラインに沿って照射して前記ウェーハ内に第２改質帯を形成する工程と、を備え、
前記第１改質帯は、半導体配線層が形成される前記ウェーハ表面と前記第２改質帯の間に、部分的に形成される半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１改質帯は、前記レーザを前記ウェーハの複数のダイシングラインのそれぞれ一部に沿って交差するように照射して形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２改質帯の形成後、前記半導体配線層が形成される前記ウェーハ表面と反対に位置する前記ウェーハの裏面側から前記ウェーハを研削する工程をさらに備えた請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１改質帯は、前記ウェーハの表面に沿った方向に直線状に形成され、
前記第１改質帯の幅は、前記ダイシングラインが形成された素子分離帯の幅と概ね同じである請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体素子内のウェーハに対して透過性を有するレーザを、ダイシングラインの交差部に照射して角部改質帯を形成する工程と、
前記ダイシングラインに沿って前記交差部を除いた部分に前記レーザを照射して改質帯を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の外形に沿ってウェーハの内部にレーザを集光して、半導体素子の側面に改質帯と熱膨張によるへき開面を形成した後、ウェーハを裏面から研削することで、分割して個片化するダイシング技術が提案されている。このようなダイシング技術を用いた半導体装置の製造方法では、クラックの発生を抑制することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１３５１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態の目的は、クラックの発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ウェーハに対して透過性を有するレーザを前記ウェーハのダイシングラインの一部に沿って照射して前記ウェーハ内に第１改質帯を形成する工程と、前記レーザを前記ウェーハのダイシングラインに沿って照射して前記ウェーハ内に第２改質帯を形成する工程と、を備える。前記第１改質帯は、半導体配線層が形成される前記ウェーハ表面と前記第２改質帯の間に、部分的に形成される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図６】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図７】ダイシング工程後の半導体素子を示す斜視図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、パスの形成位置を説明する図である。
【図９】図９（ａ）は、クラック抑制パスを形成していない場合の裏面研削の工程を示す状態図であって、図９（ｂ）は、クラック抑制パスを形成している場合の裏面研削の工程を示す状態図である。
【図１０】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図１１】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図１２】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図１３】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図１４】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
【図１５】ダイシング工程後の半導体素子を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法では、ウェーハ上のダイシングラインに沿ってダイシングすることで複数の半導体素子に個片化する。
まず、複数の半導体素子に個片化するダイシング技術の一例として、ステルスダイシング技術について簡単に説明する。
【０００９】
図１に示すように、まず、ウェーハの表面に保護テープを貼り付ける（Ｓ１１０）。例えば、ウェーハの表面には半導体配線層が設けられている。
次に、ウェーハの裏面からレーザを照射し、レーザをシリコン内部で集光して改質帯を形成する（Ｓ１２０）。改質帯が膨張することで、上下に亀裂が進展し、ウェーハ表面にハーフカットが形成される。レーザは、例えば、赤外領域の透過レーザである。
【００１０】
次に、研削砥石でウェーハの裏面を削り、薄く加工する（Ｓ１３０）。薄く研削していくと、ハーフカット部分が表出し、チップが個片化される。
【００１１】
次に、接着剤によってテープをウェーハの裏面に貼り合わせ、ウェーハの周囲を支持体で固定する（Ｓ１４０）。ここで、接着剤は、例えば、ＤＡＦ(Die Attach Film)である。テープは、例えば、基材及び粘着剤によって構成されている。支持体は、例えば、ウェーハの周囲を固定するリングである。
【００１２】
次に、押圧体でテープ及びウェーハを下から突き上げる（Ｓ１５０）。これにより、チップ間の距離を広げて接着剤部分を分割する。ここで、押圧体は、例えば、エキスパンドリングである。
このようなＳ１１０〜Ｓ１５０で示されたダイシング工程によって複数の半導体素子に個片化する。
【００１３】
以下において、ダイシング工程において、ウェーハの角部に改質帯を追加的に形成する工程について説明する。
図２〜図６は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
図７は、ダイシング工程後の半導体素子を示す斜視図である。
図２〜図７は、ステルスダイシング技術を用いて、ウェーハ４をダイシングして複数の半導体素子１に個片化する形態を透視的に示している。
【００１４】
ここで、本明細書において、ウェーハ４の表面に対して平行な方向であって、相互に直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とする。Ｘ方向及びＹ方向の双方に対して直交する方向をＺ方向とする。
【００１５】
まず、図２に示すように、半導体素子１のウェーハ４の角部（コーナ部）４Ｔに、レーザを照射して角部改質帯４０Ａを形成する。ここで、ウェーハ４の角部４Ｔとは、ダイシング後に個片化されたウェーハ４の角部に相当する。
【００１６】
角部改質帯４０Ａは、分割起点の改質帯４０１と半導体配線層２との間の位置に焦点５２を合わせて、ビームヘッド５から透過ビーム５１を照射することで形成される。角部改質帯４０Ａは、素子分離帯３の直上のウェーハ４の内部に形成される。例えば、位置４０１ｈに基づいて焦点５２を合わせて角部改質帯４０Ａを形成する。ここで、位置４０１ｈは、分割起点の改質帯４０１の下端のＺ方向の位置に相当する。
【００１７】
次に、図３に示すように、素子分離帯３に沿って、ウェーハ４の内部の角部改質帯４０ＡよりＺ方向に離れた位置に焦点５２を合わせて、ビームヘッド５から透過ビーム５１を照射することで改質痕４０を形成する。改質痕４０を、ビームヘッド５の進行方向（Ｙ方向）へ連続的に形成することで、分割起点の改質帯４０１を形成する。
【００１８】
次に、図４に示すように、ウェーハ４の内部に、角部４Ｔに位置する角部改質帯４０Ａと、素子分離帯３に沿った分割起点の改質帯４０１が形成される。
ここで、図２から図４に示された工程は、図１の改質帯の形成工程（Ｓ１２０）に相当する。
【００１９】
次に、図５に示すように、砥石６０１による研削（場合によっては、バフ６０２による研磨）が進むにしたがって、直進へき開４１が鉛直方向（−Ｚ方向）に伸展する。半導体素子１の側辺部では荷重Ｆ６１が伝わるので、直進へき開４１のへき開方向４１１は、鉛直方向に伸展し易い。一方、半導体素子１の角部では、分割起点の改質帯４０１の直下に角部改質帯４０Ａが形成されているので、分割起点の改質帯４０１からの直進へき開４１が角部改質帯４０Ａにつながる。
また、角部改質帯４０Ａからの直進へき開４１が鉛直方向に伸展することで、半導体素子１の角部のウェーハ４がへき開される。
【００２０】
次に、図６に示すように、研削（あるいは研磨）が進み、半導体素子１の側面のウェーハ４は、素子分離帯３に沿って全面がへき開される。
ここで、図５及び図６に示された工程は、図１の裏面研削の工程（Ｓ１３０）に相当する。
【００２１】
その後、図１において、ウェーハの固定の工程（Ｓ１４０）、及び、分割の工程（Ｓ１５０）が行われて、図７に示すように、複数の半導体素子１に個片化する。ダイシング工程後の半導体素子１は、ウェーハ４の側面上であって角部に改質痕４０が残る場合がある。
【００２２】
以下において、角部改質帯４０Ａと、分割起点の改質帯４０１と、についてさらに詳しく説明する。
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、パスの形成位置を説明する図である。
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、分割起点の改質帯４０１と、角部改質帯４０Ａとの形成位置を示す図であって、ウェーハ４のＸ−Ｚ断面及びＸ−Ｙ平面をそれぞれ示している。
【００２３】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、分割起点の改質帯４０１は、ダイシングラインＤＬに沿って形成されている。例えば、分割起点の改質帯４０１は、ビームヘッド５の進行方向に連続的に形成される。分割起点の改質帯４０１によって、Ｚ方向に並んだ２つのパスＰ１、Ｐ２が形成される。
【００２４】
角部改質帯４０Ａは、ダイシングラインＤＬ上の角部４Ｔに形成されている。複数の角部改質帯４０Ａによって、１つのパスＰ３が形成される。図８（ｂ）に示すように、例えば、パスＰ３のＸ方向の幅Ｗ１は、５０マイクロメートルである。例えば、幅Ｗ１の半分の値は、半導体素子１間に設けられた領域（ダイシングストリート）の幅Ｗ２の半分の値と概ね同じである。ここで、半導体素子１間に設けられた領域は、素子分離帯３に相当する。
【００２５】
図８（ａ）及び図８（ｂ）の例では、パスＰ３は、ダイシングラインＤＬ上の角部４Ｔに十字状に形成されているが、パスＰ３の形成位置及び形状は任意である。つまり、パスＰ３は、直線状等によってダイシングラインＤＬ上に部分的に形成することができる。
【００２６】
パスＰ３（つまり、複数の角部改質帯４０Ａ）は、裏面研削の工程（Ｓ１３０）において斜行クラックの発生を抑制する。また、パスＰ３がダイシングラインＤＬ上の角部４Ｔに形成されていると、角部４Ｔでの斜行クラックの発生を抑制する。パスＰ３は、クラック抑制パスである。
【００２７】
以下において、本実施形態の効果について説明する。
図９（ａ）は、クラック抑制パスを形成していない場合の裏面研削の工程を示す状態図であって、図９（ｂ）は、クラック抑制パスを形成している場合の裏面研削の工程を示す状態図である。
ステルスダイシング技術では、半導体素子の外形に沿ってウェーハの内部にレーザを集光して、半導体素子の側面に改質帯と熱膨張によるへき開面を形成した後、ウェーハを裏面から研削することで、分割し個片化する。図９（ａ）に示すように、裏面研削の工程では、半導体素子１の角部４Ｔから斜行クラックが発生し易い。斜行クラックが角部４Ｔから広がることで、亀裂が四方に伸びる場合がある。これにより、半導体配線層２が損傷して半導体素子１が損傷する虞がある。
【００２８】
本実施形態では、ダイシングラインＤＬ上の角部４Ｔであって、分割起点の改質帯４０１及び半導体配線層２の間に角部改質帯４０Ａを形成している。これにより、鉛直方向（−Ｚ方向）に対するへき開が促進されるので、斜行クラックの発生を抑制できる。図９（ｂ）に示すように、斜行クラックを抑制するパス（Ｐ３）が形成されているので、斜行クラックが角部から広がることを抑制して亀裂の発生を抑制する。これにより、半導体配線層２の損傷が抑制され、半導体素子１の損傷が抑制される。
【００２９】
本実施形態によれば、クラックの発生を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００３０】
（第２実施形態）
図１０〜図１４は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
図１５は、ダイシング工程後の半導体素子を示す斜視図である。
図１０〜図１５は、ステルスダイシング技術を用いて、ウェーハ４をダイシングして複数の半導体素子１に個片化する形態を透視的に示している。
【００３１】
まず、図１０に示すように、半導体素子１のウェーハ４の角部４Ｔに、レーザを照射して角部改質帯４０Ａを形成する。角部改質帯４０Ａは、位置４０１ｈより半導体配線層２に近い位置に焦点５２を合わせて、かつ、透過ビーム５１のエネルギーを実施形態１より大きくすることで、ビームヘッド５から透過ビーム５１を照射することで形成される。角部改質帯４０Ａは、角部改質帯４０ＡのＺ方向の幅を位置４０１ｈを超えて大きくなるように、素子分離帯３直上のウェーハ４の内部に形成する。
【００３２】
次に、図１１に示すように、素子分離帯３に沿って、ウェーハ４の内部の角部改質帯４０Ａを避けように焦点５２を合わせて、ビームヘッド５から透過ビーム５１を照射することで改質痕４０を形成する。改質痕４０を、ビームヘッド５の進行方向（Ｙ方向）へ連続的に形成することで、分割起点の改質帯４０１を形成する。
【００３３】
次に、図１２に示すように、ウェーハ４の内部に、角部４Ｔに位置する角部改質帯４０Ａと、素子分離帯３に沿った分割起点の改質帯４０１が形成される。
ここで、図１０から図１２に示された工程は、図１の改質帯の形成工程（Ｓ１２０）に相当する。
【００３４】
次に、図１３に示すように、砥石６０１による研削（場合によっては、バフ６０２による研磨）が進むにしたがって、直進へき開４１が鉛直方向（−Ｚ方向）に伸展する。半導体素子１の側辺部では既に四方向にへき開されているので、直進へき開４１直下への荷重Ｆ６１の伝播は弱くなる。一方、角部改質帯４０Ａが、分割起点の改質帯４０１より低く形成されているので、角部改質帯４０Ａからの鉛直方向への直進へき開４１の伸展が、半導体配線層２側の素子分離帯３に到達し易くなる。そして、角部改質帯４０ＡのＺ方向の幅が大きいので、分割起点の改質帯４０１と角部改質帯４０Ａとの平面方向（Ｘ方向及びＹ方向）への直進へき開４１がつながる。
【００３５】
次に、図１４に示すように、研削（あるいは研磨）が進み、半導体素子１の側面のウェーハ４は、素子分離帯３に沿って全面がへき開される。
ここで、図１３及び図１４に示された工程は、図１の裏面研削の工程（Ｓ１３０）に相当する。
【００３６】
その後、図１において、ウェーハの固定の工程（Ｓ１４０）、及び、分割の工程（Ｓ１５０）が行われて、図１５に示すように、複数の半導体素子１に個片化する。ダイシング工程後の半導体素子１は、ウェーハ４の側面上であって角部に研削面２６からの改質痕４０が残る場合がある。
本実施形態の効果は、第１実施形態と同じである。
【００３７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３８】
１：半導体素子、  ２：半導体配線層、  ３：素子分離帯、  ４：ウェーハ、  ４Ｔ：角部、  ５：ビームヘッド、  ２６：研削面、  ４０：改質痕、  ４０Ａ：角部改質帯、  ５１：透過ビーム、  ５２：焦点、  ４０１：分割起点の改質帯、  ４０１ｈ：位置、  ６０１：砥石、  ６０２：バフ、  ＤＬ：ダイシングライン、  Ｆ６１：荷重、  Ｐ１〜Ｐ３：パス、  Ｗ１、Ｗ２：幅
【図１】
2018160623.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2018160623.tif 000014
【図１３】
2018160623.tif 000015
【図１４】
2018160623.tif 000016
【図１５】
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