【事件の表示】
　平成　２年特許願第　５５３０４号「透明絶縁層の製造方法並びに表示装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年１１月１８日出願公開、特開平　３−２５７８２９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成２年３月７日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１０年５月１３日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「絶縁基板上に形成された酸化インジウムと酸化スズの両方を少なくとも含む透明導電層上に窒化シリコンからなる透明絶縁層を製造する方法であって、前記透明絶縁層を少なくともシラン、アンモニア、窒素及び水素を含む反応ガスを前記透明導電層の形成温度以下でグロー放電分解により形成することを特徴とする透明絶縁層の形成方法。」
　なお、平成１１年１月１１日付けの手続補正書は、平成１１年３月２５日付けの補正の却下の決定により却下された。
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６３−１３２４３３号公報（以下、「引用例１」という）には、
「（１）水素化シリコン（シラン）とアンモニアを主原料とし窒素Ｎ２および水素Ｈ２を組成比Ｈ２／（Ｎ２＋Ｈ２）＞０の範囲で混合させて、１ＭＨｚ以上の高周波グロー放電を用いた化学気相蒸着法により基板の主面上に窒化シリコン膜を形成せしめたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲　第１項）、
「従来の技術　第３図に液晶を駆動するためのＴＦＴの要部構成断面図を示す。ガラス基板１上に液晶に電界を加えるためのＩＴＯ等からなる透明電極２とゲート電極３とが形成され、全面に窒化シリコンゲート絶縁膜４が４０００Ａ形成され、アモルファスシリコン半導体層５がゲート電極と重なる様に形成され、半導体層５のチャンネル部上に窒化シリコンパッシベーション膜が１０００Ａ形成され、ソース、ドレイン電極７ａ，７ｂが図のごとくゲート絶縁膜４の開口部を介して透明電極２と接触するように形成されている。従来上述の構造を持つＴＦＴの窒化シリコンゲート絶縁膜、アモルファスシリコン半導体層および窒化シリコンパッシベーション膜は各種周波数のグロー放電による化学気相蒸着法を用いて形成され、その原料ガスとしては窒化シリコンの場合はＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２などのガスを混合して用いた。」（第１頁右下欄第１３行〜第２頁左上欄第１１行）、
「実施例　以下、本発明の実施例について説明する。第１図に、１３．５６ＭＨｚの高周波によるグロー放電の化学気相蒸着法により、原料ガスにＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２−Ｈ２の混合ガスを用い、組成比Ｈ２／（Ｎ２＋Ｈ２）を変化させてガラス基板（コーニング７０５９）上に堆積させた窒化シリコンの内部応力を示す。この時他の堆積条件は以下のとおりである。ＳｉＨ４：１５ｓｃｃｍ　ＮＨ３：６０ｓｃｃｍ　Ｎ２＋Ｈ２：３００ｓｃｃｍ　真空度：１．０ｔｏｒｒ　放電電力：０．３５Ｗ／ｃｍ２　基板温度：３００℃」（第２頁左下欄第１５行〜右下欄第９行）が、第１図、第３図と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、
「ガラス基板１上に形成されたＩＴＯ等からなる透明電極２上の全面に窒化シリコンゲート絶縁膜４を形成する方法であって、前記窒化シリコンゲート絶縁膜４を、１３．５６ＭＨｚの高周波によるグロー放電の化学気相蒸着法により、原料ガスにＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２−Ｈ２の混合ガスを用い、基板温度３００℃で形成する方法。」が記載されているものと認められる。
　
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６３−２７１８１７号公報（以下、「引用例２」という）には、
「＜産業上の利用分野＞本発明は、太陽電池、液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ基板、イメージセンサ等に用いられる透明導電膜の製造方法に関するものである。＜従来の技術とその問題点＞近年、アモルファスシリコンを用いたデバイスの開発が盛んに行われている。これらのデバイスは、太陽電池、液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ基板、イメージセンサ等が中心であるが、いずれも、透明導電膜をパターン化した透明導電極を用いるものであり、透明電極上にアモルファスシリコン、窒化シリコン等の薄膜を形成する必要が非常にしばしば生じる。これらの薄膜は、通常、シラン系ガスのグロー放電分解法により成膜されるが、この時、透明導電膜は、発生する水素プラズマにさらされる。一方、近年、透明導電膜としては、その抵抗値が酸化スズ膜に比較して１／１０も低い事から、ＩＴＯ膜が一般的に使用されているが、ＩＴＯ膜は対水素プラズマ性に乏しく、水素プラズマにさらされると透過率、及び抵抗値の著しい劣化を生じる。この対策として、化学的により安定な酸化スズ膜が使用されるが、上記の様に抵抗値が高いためデバイス特性の低下が生じるという問題がある。この問題を解決する方法として、ＩＴＯ膜の上に対水素プラズマ保護膜として、酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜とする方法がとられる。」（第１頁右下欄第４行〜第２頁左上欄第１０行）、
「[実施例１］サイズ２０ｃｍＸ２０ｃｍのカーボンフェルトを支持基体として、その上に下層ＩＴＯ層蒸発原料として１０重量％ベンゼン希釈インジウムアセチルアセトメート３ｍｌ、さらに、上層酸化スズ層蒸発原料としてフェニルスズトリクロライドを０．２ｍｌ添加した薬剤を蒸発原料として用いスプレー法により塗布した。次に、ホットプレート上で５００℃に加熱されたガラス基材（コーニング７０５９）上に支持基体を４ｍｍ離して２分間固定し、上記薬剤を加熱気化、反応させ、二重構造を有する透明導電膜を完成した。」（第３頁右下欄第１７行〜第４頁左上欄第８行）が第１図と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、
「液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ基板等に用いる透明導電膜として、該透明導電膜上に窒化シリコン等の薄膜をシラン系ガスのグロー放電分解法により成膜する際に水素プラズマにさらされて劣化しないように、ＩＴＯ膜の上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜を用いること。」及び、
「ＩＴＯ膜上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜を、ガラス基材上に、基板温度５００℃で形成する方法。」が記載されているものと認められる。
３．対比
　本願第１発明と引用例１記載の発明とを対比すると、本願第１発明の「絶縁基板」、「酸化インジウムと酸化スズの両方を少なくとも含む透明導電層」は、それぞれ引用例１に記載された発明の「ガラス基板」、「ＩＴＯ等からなる透明電極」に相当する。
　従って、両者は、「絶縁基板上に形成された酸化インジウムと酸化スズの両方を少なくとも含む透明導電層上に窒化シリコンからなる透明絶縁層を製造する方法であって、前記透明絶縁層を少なくともシラン、アンモニア、窒素及び水素を含む反応ガスをグロー放電分解により形成することを特徴とする透明絶縁層の形成方法。」である点で一致し、本願第１発明では「透明絶縁層を透明導電層の形成温度以下で形成する」のに対して、引用例１には、透明絶縁層の形成温度が示されていないため、透明絶縁層の形成温度と透明導電層の形成温度との関係が明らかでない点で相違する。
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、「液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ基板等に用いる透明導電膜として、該透明導電膜上に窒化シリコン等の薄膜をシラン系ガスのグロー放電分解法により成膜する際に水素プラズマにさらされて劣化しないように、ＩＴＯ膜の上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜を用いること。」及び、「ＩＴＯ膜上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜を、ガラス基材上に、基板温度５００℃で形成する方法。」が、記載されている。
　一方、引用例１には、「ガラス基板１上に形成されたＩＴＯ等からなる透明電極２上の全面に窒化シリコンゲート絶縁膜４を形成する方法であって、前記窒化シリコンゲート絶縁膜４を、１３．５６ＭＨｚの高周波によるグロー放電の化学気相蒸着法により、原料ガスにＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２−Ｈ２の混合ガスを用い、基板温度３００℃で形成する方法。」が記載されている。
　すなわち、引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明は、ガラス基板上に形成された透明導電膜上に窒化シリコンからなる透明絶縁膜をシラン系ガスのグロー放電分解により成膜する方法に係る発明である点で、両者は発明の属する技術分野を共通とする。
　そして、引用例２に記載された発明は、透明導電膜がシラン系ガスのグロー放電に伴う水素プラズマによる劣化を防止することを目的としているのであるから、同じくシラン系ガスのグロー放電を伴う引用例１に記載された発明に、引用例２に記載された発明を適用して、透明導電膜の劣化を防ぐようにすること、すなわち、引用例１に記載された発明の「ＩＴＯ等からなる透明電極」として、引用例２に記載された発明の「ＩＴＯ膜の上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜」を用いることは当業者が容易に想到し得たことであり、両者を組み合わせることを阻害する要因もない。
　そして、引用例２において「ＩＴＯ膜の上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜」は、５００℃で形成されるのであるから、引用例１に記載された発明に引用例２に記載された発明を適用した場合、透明絶縁層は透明導電層の形成温度以下で形成されることになる。
　なお、「ＩＴＯ膜上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜」は、その膜中に少なくとも酸化インジウムと酸化スズの両方を含むから、「ＩＴＯ膜上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜」が、本願第１発明の「酸化インジウムと酸化スズの両方を少なくとも含む透明導電層」に相当することは明らかである。
　また、本願第１発明は、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　従って、本願第１発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明から容易に想到し得たものであると認められる。
　
　なお、請求人は、審判請求理由補充書において、本願発明と引用文献とを対比して、引用文献２では２層構造になっているのに対して、本願発明は１層であると主張する。
　しかしながら、請求項１には、「酸化インジウムと酸化スズの両方を少なくとも含む透明導電層」としかない。
　そして、引用例２に記載された「ＩＴＯ膜上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜」も、その膜中に少なくとも酸化インジウムと酸化スズの両方を含むことは明らかであり、また、請求項１は透明導電層が単層であることを規定していないのであるから、前記「ＩＴＯ膜上に酸化スズ膜を形成した二重構造の透明導電膜」は、本願第１発明の「酸化インジウムと酸化スズの両方を少なくとも含む透明導電層」に相当するといえる。
　従って、請求人の前記主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。