【事件の表示】
　特願２００９−２９０１３７「電気泳動表示装置用アレイ基板とその製造方法及び修理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　７月１５日出願公開、特開２０１０−１５６９７１、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年１２月２２日（パリ条約による優先権主張２００８年１２月２６日、大韓民国）の出願であって、平成２４年１２月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年４月１８日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　そして、当審において、平成２５年６月２７日付けで審査官により作成された前置報告書の内容について、同年７月８日付けで審尋を行ったところ、審判請求人は同年１０月３日付けで回答書を提出した。
　
第２　平成２５年４月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１　補正の内容
　本件補正は、明細書を補正するとともに、特許請求の範囲を以下のとおり補正するものである。
　
　「【請求項１】
　基板上に形成された多数のゲート配線と、
　前記ゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されて、多数のゲート配線と交差して多数の画素領域を定義
する多数のデータ配線と、
　各画素領域に対応して設けられ、ゲート電極と半導体層とソース電極及びドレイン電極
を含む薄膜トランジスタと、
　前記多数のデータ配線上に形成され、無機絶縁物質でなる第１保護層と、
　前記第１保護層上に形成され、フォトアクリルまたはベンゾシクロブテンでなり、前記データ配線上に位置する第１溝と前記ゲート配線上に位置する第２溝とを有する第２保護層と、
　前記第２保護層上に形成され、無機絶縁物質でなり、前記第１溝と前記第２溝とを有する第３保護層と、
　前記第３保護層上に形成されて前記ドレイン電極と連結され、一部は前記第１溝を覆い、他の一部は前記第２溝を覆う画素電極と
　を含み、
　前記ゲート配線は、一定した幅を有して延長され、前記データ配線は、一定した幅を有して延長され、
　前記画素電極は、前記画素領域両側に位置する前記ゲート配線のうちの１つと完全に重なると共に、前記画素領域両側に位置する前記データ配線のうちの１つと完全に重なることを特徴とする電気泳動表示装置用アレイ基板。
　　【請求項２】
　前記ゲート絶縁膜は、無機絶縁物質で構成される
　ことを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板。
　　【請求項３】
　前記第２保護層の厚さは、２μｍないし４μｍであることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板。
　　【請求項４】
　基板上に形成された多数のゲート配線と、
　前記ゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されて、多数のゲート配線と交差して多数の画素領域を定義する多数のデータ配線と、
　各画素領域に対応して設けられ、ゲート電極と半導体層とソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
　前記多数のデータ配線上に形成され、無機絶縁物質でなる第１保護層と、
　前記第１保護層上に形成され、フォトアクリルまたはベンゾシクロブテンでなり、前記データ配線上に位置する第１溝または前記ゲート配線上に位置する第２溝を有する第２保護層と、
　前記第２保護層上に形成され、無機絶縁物質でなり、前記第１溝または前記第２溝を有する第３保護層と、
　前記第３保護層上に形成されて前記ドレイン電極と連結され、前記第１溝または前記第２溝を覆う画素電極と
　を含み、
　前記ゲート配線は、一定した幅を有して延長され、前記データ配線は、一定した幅を有して延長され、
　前記画素電極は、前記画素領域両側に位置する前記ゲート配線のうちの１つと完全に重なると共に、前記画素領域両側に位置する前記データ配線のうちの１つと完全に重なることを特徴とする電気泳動表示装置用アレイ基板。
　　【請求項５】
　前記ゲート絶縁膜は、無機絶縁物質で構成される
　ことを特徴とする請求項４に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板。
　　【請求項６】
　前記第２保護層の厚さは、２μｍないし４μｍであることを特徴とする請求項４に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板。
　　【請求項７】
　基板上に多数のゲート配線を形成する段階と、
　前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
　前記ゲート絶縁膜上に、多数のゲート配線と交差して多数の画素領域を定義する多数のデータ配線を形成する段階と、
　各画素領域に対応して、ゲート電極と半導体層とソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
　前記多数のデータ配線上に無機絶縁物質でなる第１保護層を形成する段階と、
　前記第１保護層上に、フォトアクリルまたはベンゾシクロブテンでなり、前記データ配線上に位置する第１溝または前記ゲート配線上に位置する第２溝を有する第２保護層を形成する段階と、
　前記第２保護層上に、無機絶縁物質でなり、前記第１溝または前記第２溝を有する第３保護層を形成する段階と、
　前記第３保護層上に、前記ドレイン電極と連結され、前記第１溝または前記第２溝を覆う画素電極を形成する段階と
　を含み、
　前記ゲート配線は、一定した幅を有して延長され、前記データ配線は、一定した幅を有
して延長され、
　前記画素電極は、前記画素領域両側に位置する前記ゲート配線のうちの１つと完全に重なると共に、前記画素領域両側に位置する前記データ配線のうちの１つと完全に重なることを特徴とする電気泳動表示装置用アレイ基板製造方法。
　　【請求項８】
　前記第２保護層を形成する段階は、
　前記第１保護層上に有機絶縁層を形成する段階と、
　前記有機絶縁層に対して、ハーフトーンマスクまたは回折露光マスクを用いた露光工程と現像工程を行なって、前記第１溝または前記第２溝に対応する第１有機絶縁パターンと、前記第１有機絶縁パターンより厚さが厚い第２有機絶縁パターンと、前記ドレイン電極上の前記第１保護層部分を露出するドレインコンタクトホールとを形成する段階と、
　第１ドライエッチング工程を介して、露出された前記第１保護層部分を除去して、前記ドレイン電極を露出させる段階と、
　第２ドライエッチング工程を介して、前記第１有機絶縁パターンを除去して前記第１溝または前記第２溝を形成して、前記第２有機絶縁パターンを部分的に除去して、前記第２保護層を形成する段階と
　を含むことを特徴とする請求項７に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板製造方法。
　　【請求項９】
　前記ゲート絶縁膜は、無機絶縁物質で構成されたことを特徴とする請求項７に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板製造方法。
　　【請求項１０】
　前記第２保護層の厚さは、２μｍないし４μｍであることを特徴とする請求項８に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板製造方法。
　　【請求項１１】
　基板上に形成された多数のゲート配線と、前記ゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されて、多数のゲート配線と交差して多数の画素領域を定義する多数のデータ配線と、各画素領域に対応して設けられ、ゲート電極と半導体層とソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、前記多数のデータ配線上に形成され、無機絶縁物質でなる第１保護層と、前記第１保護層上に形成され、フォトアクリルまたはベンゾシクロブテンでなり、前記データ配線上に位置する第１溝または前記ゲート配線上に位置する第２溝を有する第２保護層と、前記第２保護層上に形成され、無機絶縁物質でなり、前記第１溝または前記第２溝を有する第３保護層と、前記第３保護層上に形成されて前記ドレイン電極と連結され、前記第１溝または前記第２溝を覆う画素電極を含む電気泳動表示装置用アレイ基板の前記ゲート配線の断線または前記データ配線の断線を修理する方法において、
　前記多数の画素領域は、前記ゲート配線の断線の修理に用いられる第１画素領域及び第２画素領域と、前記データ配線の断線の修理に用いられる第３画素領域及び第４画素領域とを含み、
　前記ゲート配線の断線部分の両側に位置する前記第１溝にレーザビームを照射して、前記第１画素領域及び前記第２画素領域の画素電極を溶かして少なくとも前記ゲート絶縁層を除去することによって、前記画素電極の溶かした部分を前記ゲート配線に接触させる段階、または、
　前記データ配線の断線部分の両側に位置する前記第２溝にレーザビームを照射して、前記第３画素領域及び前記第４画素領域の画素電極を溶かして前記第１保護層を除去することによって、前記画素電極の溶かした部分を前記データ配線に接触させる段階と、
　ＣＶＤ修理装置を使って連結パターンを形成して、前記第１画素領域及び前記第２画素領域の画素電極を互いに連結させる、または、前記第３画素領域及び前記第４画素領域の画素電極を互いに連結させる段階
　を含み、
　前記ゲート配線は、一定した幅を有して延長され、前記データ配線は、一定した幅を有して延長され、
　前記画素電極は、前記画素領域両側に位置する前記ゲート配線のうちの１つと完全に重なると共に、前記画素領域両側に位置する前記データ配線のうちの１つと完全に重なることを特徴とする電気泳動表示装置用アレイ基板のゲート配線の断線またはデータ配線の断線を修理する方法。
　　【請求項１２】
　前記連結パターンを形成する段階は、
　前記アレイ基板と前記ＣＶＤ修理装置のレーザビーム照射装置間に修理ガスを供給する段階と、
　前記レーザビーム照射装置からレーザビームを照射して、前記修理ガスを光分解して、光分解された修理ガスの粒子を前記第１画素領域の画素電極と前記第２画素領域の画素電極間に蒸着する、または前記第３画素領域の画素電極と前記第４画素領域の画素電極間に蒸着する段階と
　を含むことを特徴とする請求項１１に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板のゲート配線の断線またはデータ配線の断線を修理する方法。
　　【請求項１３】
　前記修理ガスは、タングステンヘクサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）であることを特徴とする請求項１２に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板のゲート配線の断線またはデータ配線の断線を修理する方法。
　　【請求項１４】
　前記ゲート絶縁膜は、無機絶縁物質で構成されることを特徴とする請求項１１に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板のゲート配線の断線またはデータ配線の断線を修理する方法。
　　【請求項１５】
　前記第２保護層の厚さは、２μｍないし４μｍであることを特徴とする請求項１１に記載の電気泳動表示装置用アレイ基板のゲート配線の断線またはデータ配線の断線を修理する方法。」
　
２　補正の適否
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　本件補正における特許請求の範囲の補正は、補正前の請求項１、５、９及び１４に記載された発明を特定するために必要な事項である「第１保護層」について「無機絶縁物質でなる」との限定を付加し、同じく「第２保護層」について「フォトアクリルまたはベンゾシクロブテンでなり」との限定を付加し、さらに「第２保護層上に形成され、無機絶縁物質でなり、前記第１溝と前記第２溝とを有する第３保護層」を含むとの限定を付加して、新たに請求項１、４、７及び１１とするとともに、補正前の請求項２、６及び１３を削除したものであって、当該補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮、及び同第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。また、同第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後の請求項１ないし１５に係る発明（以下「本願補正発明１ないし１５」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
　
（１）刊行物の記載
ア　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−３０５２６０号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審にて付した。）。
　
（ア）「【請求項１】　
複数の走査線と、該走査線を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に該走査線と直交するように形成された複数の信号線と、該走査線に印加される走査電圧によりオン・オフして該信号線を介した信号電圧の印加をスイッチングするスイッチング素子と、少なくとも該走査線と、該信号線と、該スイッチング素子とを覆う第１層間絶縁膜と、該第１層間絶縁膜を覆う第２層間絶縁膜と、該第２層間絶縁膜上で隣り合う該走査線と隣り合う該信号線とで囲まれた領域に配置される画素電極と、を有する基板からなるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記信号線上の前記第２層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介し、前記画素電極の一部が前記第１層間絶縁膜と接触する領域を１画素毎に少なくとも１箇所は備えていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置
　
（イ）「【００１６】図１は本実施形態に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線による断面図である。本実施の形態に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置（以降、液晶表示装置と称する）は、図１に示すように、複数の走査線１、複数の信号線２、複数の補助容量線（以降Ｃｓ線と称する）３等を有する配線基板を備えている。
……
【００１８】走査線１、信号線２、およびＣｓ線３はそれぞれ後述する基板８上に一定の間隔をおいて互いに平行に設けられている。信号線２は、走査線１と直交して配され、Ｃｓ線３は、全画素に共通に設けられ、走査線１と平行かつ交互に配されている。
【００１９】信号線２は第１層間絶縁膜１２で覆われており、さらに第１層間絶縁膜１２は第２層間絶縁膜１３で覆われており、隣り合う走査線１と隣り合う信号線２とで囲まれる領域には、画素電極４が設けられている。
【００２０】走査線１と信号線２との交差部の近傍には、
スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴと称す）６が設けられている。ＴＦＴ６の両端部はそれぞれ走査線２とドレイン電極７とに接続されている
【００２１】
ドレイン電極７は、画素電極４の下側に引き込まれ、画素電極４に形成されたコンタクトホール５で画素電極４と接続されている
……
【００２５】本実施の形態の第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３の材料としては、特開９−１５２６２５に示されるように、
第１層絶縁膜１２には比誘電率の高いＳｉＮ
X
またはＳｉＯ
X
等を用い、第２層間絶縁膜１３には、比誘電率の低い感光性アクリル樹脂を用い
【００２６】画素電極４は、第２層絶縁膜１３に空けた貫通孔に沿って窪んで形成されたコンタクトホール５を有しており、コンタクトホール５でドレイン電極７と、コンタクトホール５でＣｓ電極１０と、コンタクトホール５は第１層間絶縁膜１２と接触している。
【００２７】画素電極４は、ドレイン電極７とＣｓ電極１０とは電気的に接続されているが、信号線２の一部から半島状にはりだしたリペア領域１１とは、第１層間絶縁膜１２によって絶縁されかつ重畳されている。」
　
（ウ）図１及び図２は、以下のとおりのものである。
　
　
イ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−２５６９１９号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【００１９】
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
　図１を参照する。図１は、本発明の好適な一実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板の画素ユニットを示す平面図である。図１に示すように、画素ユニット２００は、第１の基板１００上に配置され、薄膜トランジスタ３００及び画素電極２１０を含み、走査線３１４及びデータ線３２６により駆動される。薄膜トランジスタ３００は、ゲート電極３１２及びソース／ドレイン電極３２１を含み、ゲート電極３１２が走査線３１４と電気的に接続され、ソース／ドレイン電極の第１の端部３２２がデータ線３２６と電気的に接続され、ソース／ドレイン電極の第２の端部３２４がコンタクト窓３０２を介して画素電極２１０と電気的に接続されている。ここで注意しなければならないことは、画素ユニット２００は、反射式の電子インク表示装置に応用することができ、データ線３２６、走査線３１４及び薄膜トランジスタ３００の上方の領域が画素電極２１０により覆われている点である。
【００２０】
　図１及び図２を参照する。図２は、本発明の好適な一実施形態による電子インク表示装置の一部を示す断面図である。図１及び図２に示すように、電子インク表示装置８００は、第１の基板１００、第２の基板５００及び電子インク層６００を含む。第１の基板１００と第２の基板５００とは互いに対向した位置に配置され、電子インク層６００は、第１の基板１００と第２の基板５００の間に配置されている。電子インク層６００は、液体６１２の中にある複数の帯電粒子６１４を含み、電子インク表示装置８００の表示状態は、帯電粒子６１４の分布状態により決定される。一実施形態の帯電粒子６１４は、それぞれ異なる反射カラーを有した正に帯電した正電粒子６１６及び負に帯電した負電粒子６１８を含む。……」
　
（イ）「【００２２】
　図３を参照する。図３は、図１の画素ユニットを修復した後の状態を示す平面図である。図３に示すように、画素ユニット２００は修復点７１０を有し、この修復点７１０をレーザで溶接して画素電極２１０と走査線３１４とを電気的に接続する。例えば、画素電極２１０と走査線３１４の間に配置された絶縁物質を、焦点深度が調整されたレーザにより破壊し、画素電極２１０と走査線３１４とを電気的に接続する。ここで注意しなければならないことは、走査線３１４の上方の領域が画素電極２１０により覆われ、修復点７１０が走査線３１４上に直接形成されているため、修復構造を他に配置する必要がないという点である。……」
　
（ウ）図１ないし図３は、以下のとおりのものである。
　
　
　
ウ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−２５６９３０号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【００１９】
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
　図１を参照する。図１は、本発明の好ましい実施形態における薄膜トランジスタアレイ基板の画素ユニットを示す平面図である。図１に示すように、画素ユニット２００は、第１の基板１００上に配置され、薄膜トランジスタ３００及び画素電極２１０を含み、走査線３１４及びデータ線３２６により駆動される。薄膜トランジスタ３００は、ゲート電極３１２及びソース／ドレイン電極３２１を含み、ゲート電極３１２が走査線３１４と電気的に接続され、ソース／ドレイン電極の第１の端部３２２がデータ線３２６と電気的に接続され、ソース／ドレイン電極の第２の端部３２４がコンタクト窓３０２を介して画素電極２１０と電気的に接続されている。ここで注意しなければならないことは、画素ユニット２００は、反射式の電子インク表示装置に応用することができ、データ線３２６、走査線３１４及び薄膜トランジスタ３００の上方の領域が画素電極２１０により覆われている点である。
【００２０】
　図１及び図２を参照する。図２は、本発明の好ましい実施形態における電子インク表示装置の一部を示す断面図である。図１及び図２に示すように、電子インク表示装置８００は、第１の基板１００、第２の基板５００及び電子インク層６００を含む。第１の基板１００と第２の基板５００とは互いに対向した位置に配置され、電子インク層６００は、第１の基板１００と第２の基板５００の間に配置されている。電子インク層６００は、液体６１２の中にある複数の帯電粒子６１４を含み、電子インク表示装置８００の表示状態は、帯電粒子６１４の分布状態により決定される。一実施形態の帯電粒子６１４は、それぞれ異なる反射カラーを有した正に帯電した正電粒子６１６及び負に帯電した負電粒子６１８を含む。……」
　
（イ）「【００２２】
　図３を参照する。図３は、図１の画素ユニットを修復した後の状態を示す平面図である。図３に示すように、画素ユニット２００は修復点７１０を有し、この修復点７１０をレーザで溶接して画素電極２１０とデータ線３２６とを電気的に接続する。例えば、画素電極２１０とデータ線３２６の間に配置された絶縁物質を、焦点深度が調整されたレーザにより破壊し、画素電極２１０とデータ線３２６とを電気的に接続する。ここで注意しなければならないことは、データ線３２６の上方の領域が画素電極２１０により覆われ、修復点７１０がデータ線３２６上に直接形成されているため、修復構造を他に配置する必要がないという点である。」
　
（ウ）図１ないし図３は、以下のとおりのものである。
　
　
エ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−１８２２４６号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【００８３】図２０は、データバスライン１０１ｂが、ゲートバスライン１０３ｂを跨いで２画素領域に及ぶ断線部２５１で断線し、画素電極１１３ｄに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ｄとデータバスレイン１０１ｂとの接続が断たれている状態を示している。本例では、まず、断線部２５１の両端のデータバスライン１０１ｂ断線端上に、例１と同様に、データバスライン１０１の幅よりも大きめの断線修復用コンタクトホール２５３、２５５をデータバスライン１０１ｂを横断してそれぞれ形成する。次いで、断線修復用コンタクトホール２５３と画素電極１１３ｂの左辺端との間をレーザＣＶＤ膜２５７により接続し、同じく断線修復用コンタクトホール２５５と画素電極１１３ｄの左辺端との間をレーザＣＶＤ膜２５９により接続する。また、画素電極１１３ｂの下辺端と１１３ｄの上辺端との間をレーザＣＶＤ膜２６１で直接接続する。……
【００８４】その結果、データバスライン１０１ｂの一方の断線端は断線修復用コンタクトホール２５３のレーザＣＶＤ膜２５７を介して画素電極１１３ｂと接続され、データバスライン１０１の他方の断線端は断線修復用コンタクトホール２５５のレーザＣＶＤ膜２５９を介して画素電極１１３ｄと接続され、画素電極１１３ｂと画素電極１１３ｄとがレーザＣＶＤ膜２６１で接続されるので、データバスライン１０１ｂの断線部２５１を迂回して電気的な接続を採ることができる。……」
　
（イ）「【０１０２】図２５は、ゲートバスライン１０３ａが、データバスライン１０１ｂを挟んで２画素領域に及ぶ断線部３２１で断線している状態を示している。本例では、まず、断線部３２１の両端のゲートバスライン１０３ａ断線端上に、ゲートバスライン１０３ａの幅よりも長い幅の断線修復用コンタクトホール３２３、３２５をゲートバスライン１０３ａを横断してそれぞれ形成する。次いで、断線修復用コンタクトホール３２３と画素電極１１３ｃの左辺端との間をレーザＣＶＤ膜３２７により接続し、同じく断線修復用コンタクトホール３２５と画素電極１１３ｄの左辺端との間をレーザＣＶＤ膜３２９により接続する。また、画素電極１１３ｃと１１３ｄとの間をレーザＣＶＤ膜３３１で直接接続する。……
【０１０３】その結果、ゲートバスライン１０３ａの一方の断線端は断線修復用コンタクトホール３２３のレーザＣＶＤ膜３２７を介して画素電極１１３ｃと接続され、データバスライン１０１の他方の断線端は断線修復用コンタクトホール３２５のレーザＣＶＤ膜３２９を介して画素電極１１３ｄと接続され、画素電極１１３ｃと画素電極１１３ｄとがレーザＣＶＤ膜３３１で接続されるので、ゲートバスライン１０３ａの断線部３２１を迂回して電気的な接続をとることができる。……」
　
（ウ）図２０及び図２５は、以下のとおりのものである。
　
　
オ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−２１２９７２号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【０１０２】
　第２絶縁膜１２９が形成された以後は、図７Ｅに示したように、赤色の樹脂１３２Ｒを第２絶縁膜１２９全面に形成する。そして、前記赤色の樹脂１３２Ｒをパターニングするために、透過部Ｍ１、遮断部Ｍ２、半透過部Ｍ３で構成された第１マスクＭａを基板の上部に配置する。前述したように、第１マスクＭａの透過部Ｍ１は、薄膜トランジスタＴの一部を除いた画素領域Ｐに対応して、光を通過させる領域である。特に、赤色の樹脂１３２Ｒをパターニングする工程で、透過部Ｍ１は赤色の画素領域Ｐｒに対応するように配置する。
【０１０３】
　前記第１マスクＭａの遮断部Ｍ２は光を完全に遮断する領域であって、赤色の樹脂１３２Ｒをパターニングする工程では、緑色の画素領域Ｐｇ及び青色の画素領域Ｐｂに対応する。前記半透過部Ｍ３は光の一部だけを通過させる領域で、多数のスリットや半透明フィルムで構成されている。このような半透過部Ｍ３はゲート電極１１２に対応する部分であるが、特に、露出されたアクティブ層１２０Ａと位置上に符合する。このような第１マスクＭａを利用して図６Ｄに示したように露光工程を実施する。
【０１０４】
　露光工程以後には、前記赤色の樹脂１３２Ｒは現像され、図７Ｆに示したように、基板１１０の上部の第２絶縁膜上に、赤色のカラー１フィルター１３２ａと赤色のカラーフィルターパターン１３６ａを残す。赤色のカラー１フィルター１３２ａは、赤色の画素領域Ｐｒに位置して、赤色のカラー１フィルター１３２ａのドレイン電極１２４に対応する部分にはドレインコンタクトホール１３０が形成される。図７Ｆには示してなくでも、赤色のカラー１フィルター１３２ａには、赤色の画素領域Ｐｒに対応するキャパシター電極を露出するキャパシターコンタクトホールが形成されている。また、前記赤色のカラーフィルターパターン１３６ａは、ゲート電極１１２の上部の露出されたアクティブ層１２０ａに対応するように形成される。」
　
（イ）「【０１１３】
　……図８Ａに示したように、カラーフィルター１３２及び光遮断パターン部１３６が形成された基板１１０全面に、第３絶縁膜１３３を形成する。第３絶縁膜１３３は窒化シリコン（ＳｉＮx）及び酸化シリコン（ＳｉＯ2）のような無機絶縁物質のうちから選択された一つであって、カラーフィルター１３２及び光遮断パターン部１３６を保護する役割をする。」
　
カ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２７８４７６号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の記載がある。
　
　「【００３２】以下に、レーザーＣＶＤを用いたブリッジ配線６の作成の具体例を挙げる。
……
【００３４】また、タングステン（Ｗ）を局部的に堆積させるように、ソースガスとしてタングステン含有カルボニル化合物、例えばＷＣ（ＣＯ）６を用いた他、キャリアガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）を用いた。」
　
キ　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−６４８８２号公報（以下「引用文献７」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【００２９】……
（実施の形態１）本発明の一実施の形態を図１に基づいて説明する。すなわち、この液晶パネルは、反射電極の周囲を黒色の絶縁層で形成させたものであり、図１はアクティブ基板上のパターン配置図を示し、……」
　
（イ）図１は、以下のとおりのものである。
　
　
ク　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−８３５４７号公報（以下「引用文献８」という。）には、以下の記載がある。
  
（ア）「【００２７】図１に示すように、第１のゲート電極１１を一部に有するゲート信号線５１とドレイン電極１６を一部に有するドレイン信号線５２との交差点付近に、反射材料から成る反射表示電極２０を接続したＴＦＴが設けられている。その反射表示電極２０はＴＦＴの上にまで延在して設けられている。図１中において点線で示している。」
　
（イ）図１は、以下のとおりのものである。
　
　
ケ　審尋に引用された特開平９−３２５３３０号公報（以下「引用文献９」という。）には、以下の記載がある。
　
　「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記層間絶縁膜として有機系絶縁膜を用いた場合には、以下のような問題がある。即ち、有機系絶縁膜上に直接画素電極となる透明導電膜、例えばＩＴＯ膜をパターニングすると、ＩＴＯ膜の膜剥がれが生じる。これは、有機系絶縁膜とＩＴＯ膜との密着性が悪いためである。このような膜剥がれが発生すると、アクティブマトリクス基板の歩留りが低下してコスト高になり、その結果、アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置の実用性を損なう原因となる。これを防ぐために、例えば特開平４−１６３５２８号公報には、層間絶縁膜として有機系絶縁膜と無機系絶縁膜との多層膜を用いたアクティブマトリクス基板が提案されている。この構成によれば、有機系絶縁膜とＩＴＯ膜との間に無機系絶縁膜が設けられているので、ＩＴＯ膜の膜剥がれを防止することができる。」
　
コ　審尋に引用された特開平１０−４１５１９号公報（以下「引用文献１０」という。）には、以下の記載がある。
　
　「【００５９】［実施例６］画素電極131が保護膜159上に形成される、いわゆるIOP構造 (ITO On Passivation)には、画素電極131と有機保護膜159間の密着性を向上するために、追加に第３無機膜181を形成することもできる。」
　
サ　審尋に引用された特開平９−１１３９３０号公報（以下「引用文献１１」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【００２０】図１に示すように、このアクティブマトリクス型液晶表示装置には、複数の画素電極１２がマトリクス状に形成されており、この画素電極１２には、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３が接続されている。このＴＦＴ１３のゲート電極には走査配線としてのゲート信号配線１５が接続され、ゲート電極に入力されるゲート信号によってＴＦＴ１３が駆動制御される。また、ＴＦＴ１３のソース電極には信号配線としてのソース信号配線１７が接続され、ＴＦＴ１３の駆動時に、ＴＦＴ１３を介してデータ（表示）信号が画素電極１２に入力される。各ゲート信号配線１５はソース信号配線１７とは、マトリクス状に配列された画素電極１２の周囲を通り、互いに直交差するように設けられている。さらに、ＴＦＴ１３のドレイン電極は画素電極１２にも接続されている。……
【００２１】図２（Ａ）に示すように、実施形態１では、アクティブマトリクス型液晶表示装置はゲート信号配線１５上にゲート絶縁膜２２を介して画素電極１２が存在するような構造である。同様に、ソース信号配線１７、Ｃｓ信号配線１６の場合も同じような構成である。
【００２２】例えば、ガラスなどの絶縁性の基板１１の上に、ゲート信号配線１５としてタンタルを約０．３μｍの膜厚で形成し、さらに、ゲート絶縁膜２２として窒化シリコンを約０．３μｍの膜厚で形成し、その上に画素電極１２としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）を約０．１５μｍの膜厚で形成する。
【００２３】このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造において、例えば図２（Ａ）に示すように、ゲート信号配線１５の一部に断線部分２８が発生した場合について説明する。画素電極１２とゲート信号配線１５とが重なってる位置で、かつ断線部分２８をまたいだ２箇所（図１の×印で示す位置）に、ＹＡＧレーザー（波長１０６０ｎｍ）を画素電極１２側から照射する。
【００２４】図２（Ｂ）に示すように、画素電極１２とゲート信号配線１５間に、レーザー照射により発生する溶融した金属２９により、電気的に接続することができる。このことにより、断線したゲート信号配線は溶融金属２９→画素電極１２→溶融金属２９というバイパスラインを通して、駆動信号が印加されない状態にある信号配線に駆動信号を印加することができる。
【００２５】上記では、ゲート信号配線の場合について説明したが、ソース信号配線１７、Ｃｓ信号配線１６の場合も同様である。
【００２６】したがって、断線により生じていた欠陥を無くすことができ、歩留りを向上することができる。」
　
（イ）図１及び図２は、以下のとおりのものである。
　
　
（２）引用発明
　上記（１）アによると、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　「複数の走査線と、該走査線を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に該走査線と直交するように形成された複数の信号線と、該走査線に印加される走査電圧によりオン・オフして該信号線を介した信号電圧の印加をスイッチングするスイッチング素子と、少なくとも該走査線と、該信号線と、該スイッチング素子とを覆う第１層間絶縁膜と、該第１層間絶縁膜を覆う第２層間絶縁膜と、該第２層間絶縁膜上で隣り合う該走査線と隣り合う該信号線とで囲まれた領域に配置される画素電極と、を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置用の基板において、
前記信号線上の前記第２層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介し、前記画素電極の一部が前記第１層間絶縁膜と接触する領域を１画素毎に少なくとも１箇所は備え、
スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられ、薄膜トランジスタの両端部はそれぞれ走査線とドレイン電極とに接続され、
ドレイン電極は、画素電極に形成されたコンタクトホールで画素電極４と接続され、
第１層間絶縁膜には比誘電率の高いＳｉＮXまたはＳｉＯX等を用い、第２層間絶縁膜には、比誘電率の低い感光性アクリル樹脂を用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置用の基板。」
　　
（３）本願補正発明４について
ア　対比
　本願補正発明４と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明は、「基板」が「複数の走査線」を有し、「該走査線を覆うゲート絶縁膜」と、「該ゲート絶縁膜上に該走査線と直交するように形成された複数の信号線」と、「該走査線に印加される走査電圧によりオン・オフして該信号線を介した信号電圧の印加をスイッチングするスイッチング素子」、「隣り合う該走査線と隣り合う該信号線とで囲まれた領域に配置される画素電極」を有し、「スイッチング素子」は「薄膜トランジスタ」であり、「薄膜トランジスタの両端部はそれぞれ走査線とドレイン電極とに接続され」、「ドレイン電極は、画素電極に形成されたコンタクトホールで画素電極４と接続され」るから、引用発明の「走査線」、「ゲート絶縁膜」、「信号線」、「薄膜トランジスタ」及び「画素電極」は、本願補正発明４の「ゲート配線」、「ゲート絶縁膜」、「データ配線」、「薄膜トランジスタ」及び「画素電極」にそれぞれ相当し、引用発明は、本願補正発明４の「基板上に形成された多数のゲート配線と、前記ゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されて、多数のゲート配線と交差して多数の画素領域を定義する多数のデータ配線と、各画素領域に対応して設けられ、ゲート電極と半導体層とソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと」を含むとの特定事項、及び「前記ドレイン電極と連結され」る「画素電極」を含むとの特定事項を備えている。
　
（イ）引用発明の「第１層間絶縁膜」は、「ＳｉＮXまたはＳｉＯX」を用いてもよく、「少なくとも該走査線と、該信号線と、該スイッチング素子とを覆う」から、引用発明の「第１層間絶縁膜」は、本願補正発明４の「第１保護層」に相当し、引用発明は、本願補正発明４の「多数のデータ配線上に形成され、無機絶縁物質でなる第１保護層」を含むとの特定事項を備えている。
　 
（ウ）引用発明の「第２層間絶縁膜」は、「感光性アクリル樹脂」を用い、「該第１層間絶縁膜を覆」い、「前記信号線上の前記第２層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介し、前記画素電極の一部が前記第１層間絶縁膜と接触する領域を１画素毎に少なくとも１箇所は備え」るから、引用発明の「第２層間絶縁膜」は、本願補正発明４の「第２保護層」に相当し、引用発明は、本願補正発明４の「前記第１保護層上に形成され、フォトアクリルでなり、前記データ配線上に位置する第１溝を有する第２保護層」を含むとの特定事項、及び「前記第１溝を覆う画素電極」を含むとの特定事項を備えている。
　
（エ）引用発明の「アクティブマトリクス型液晶表示装置用の基板」と本願補正発明４の「電気泳動表示装置用アレイ基板」は、「表示装置用アレイ基板」である点で共通する。
　
（オ）以上によれば、両者は、
　
　「基板上に形成された多数のゲート配線と、
　前記ゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されて、多数のゲート配線と交差して多数の画素領域を定義する多数のデータ配線と、
　各画素領域に対応して設けられ、ゲート電極と半導体層とソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
　前記多数のデータ配線上に形成され、無機絶縁物質でなる第１保護層と、
　前記第１保護層上に形成され、フォトアクリルでなり、前記データ配線上に位置する第１溝を有する第２保護層と、
　前記ドレイン電極と連結され、前記第１溝を覆う画素電極と
　を含む表示装置用アレイ基板。」
　
で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
（カ）本願補正発明４は、電気泳動表示装置用アレイ基板であるのに対し、引用発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置用アレイ基板である点（以下「相違点１」という。）。
　
（キ）本願補正発明４は、第２保護層上に無機絶縁物質でなる第３保護層を形成するのに対し、引用発明は、第３保護層を有しない点（以下「相違点２」という。）。
　
（ク）本願補正発明４では、ゲート配線及びデータ配線は、一定した幅を有して延長され、画素電極は、画素領域両側に位置するゲート配線のうちの１つと完全に重なると共に、画素領域両側に位置するデータ配線のうちの１つと完全に重なるのに対し、引用発明では、ゲート配線及びデータ配線の幅が一定か否か特定されておらず、画素電極は、ゲート配線及びデータ配線と完全に重なるか否か特定されていない点（以下「相違点３」という。）。
　
イ　判断
（ア）相違点１について検討する。
　引用文献１には、「【００１０】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑みなされたものであって、このような従来技術ではなしえなかったアクティブマトリクス表示装置の輝点欠陥を修正する方法を提供することを目的としている。」と記載されており、引用発明が解決しようとする課題は、アクティブマトリクス表示装置の輝点欠陥の修正であると認められるところ、上記（１）イ及びウによると、電気泳動表示装置用アレイ基板において、画素ユニットの欠陥を修復することは周知の課題であると認められ、アレイ基板の画素ユニットの欠陥の修正は、液晶表示装置及び電気泳動表示装置に共通する課題であると認められる。
　しかし、引用文献１には、引用発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置用の基板が、電気泳動表示装置用アレイ基板としても用いられることは記載も示唆もされておらず、また、刊行物２ないし１１にも引用発明の基板が電気泳動表示装置用アレイ基板としても用いられることを教示する記載はないから、上記課題の共通性を踏まえても、引用発明において、基板を電気泳動表示装置用とし、相違点１に係る構成とすることが当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。
　
（イ）よって、相違点２及び３について検討するまでもなく、本願補正発明４は、引用文献１ないし１１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（４）本願補正発明１ないし３、５ないし１５について
ア　本願補正発明５、６は、本願補正発明４を引用してさらに限定したものであるから、上記本願補正発明４についての判断と同様の理由により、引用文献１ないし１１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
イ　本願補正発明１は、本願補正発明４において、「第２保護層」が「第１溝」または「第２溝」を有するものであったのを、「第２保護層」が「第１溝」と「第２溝」とを有すると構成を追加したものであるから、上記本願補正発明４についての判断と同様の理由により、引用文献１ないし１１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。また、本願補正発明２、３は、本願補正発明１を引用してさらに限定したものであるから、同様に引用文献１ないし１１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
  
ウ　本願補正発明７は、本願補正発明４の電気泳動表示装置用アレイ基板の製造方法の発明であって、本願補正発明４の構成の全てを実質的に備えるものであるから、上記本願補正発明４についての判断と同様の理由により、引用文献１ないし１１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。また、本願補正発明８ないし１０は、本願補正発明７を引用してさらに限定したものであるから、同様に引用文献１ないし１１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
エ　本願補正発明１１は、本願補正発明４の電気泳動表示装置用アレイ基板のゲート配線の断線またはデータ配線の断線を修理する方法の発明であって、本願補正発明４の構成の全てを実質的に備えるものであるから、上記本願補正発明４についての判断と同様の理由により、引用文献１ないし１１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。また、本願補正発明１２ないし１５は、本願補正発明１１を引用してさらに限定したものであるから、同様に引用文献１ないし１１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（５）小括
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　
３　むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１ないし１５に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。