【事件の表示】
　特願２００６−５３６９３７「電気光学ディスプレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月１９日国際公開、ＷＯ２００５／０４５５０９、平成１９年　５月１０日国内公表、特表２００７−５１１７８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年１０月２７日（パリ条約による優先権主張２００３年１０月２７日、同年１１月３日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１１月２９日付けで手続補正がなされたところ、平成２３年４月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月５日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２４年７月２７日付けで前記平成２３年８月５日付け手続補正が補正却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月２９日付けで手続補正がなされ、同年２月８日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２５年８月１２日付け手続補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「基板（１００）と、
　該基板（１００）の１つの平面に実質的に配置された複数の非線形デバイス（１０２）と、
　該基板（１００）に対して該複数の非線形デバイス（１０２）の反対側にある誘電体材料の層（１０４）と、
　誘電体材料の層（１０４）を通じて延びる複数の導電性ビア（１０８）によって、該複数の非線形デバイス（１０２）と電気的に通信する複数の画素電極（１０６）であって、誘電体材料の層（１０４）は、該複数の非線形デバイス（１０２）と該複数の画素電極（１０６）との間に挿入されている、複数の画素電極（１０６）と、
　電気光学媒体の層（１１０）と、
　該複数の画素電極（１０６）に対して該電気光学媒体の層（１１０）の反対側の共通電極（１１２）と
　を含む、電気光学ディスプレイであって、
　該基板（１００）および誘電体材料の層（１０４）の弾性係数は、該ディスプレイが湾曲しているとき、中立軸または中立面が該複数の非線形デバイス（１０２）の該平面に実質的に横たわっているようにするものであり、該中立軸または該中立面は、圧縮も張力も存在しない軸または面である、電気光学ディスプレイ。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−１４０１９９号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気泳動装置に関し、特に液相分散媒と電気泳動粒子とを含む電気泳動分散液と、絶縁性材料からなる部材とを対向電極間に収容してなる電気泳動装置に関する。…」
　
　イ　「【０００２】
【従来の技術】従来、一対の電極間に液相分散媒と電気泳動粒子とを含む電気泳動分散液が収容されてなる電気泳動装置について、その一対の電極間に電圧を印加することによって電気泳動粒子の分布状態が変化することを利用した電気泳動表示装置への適用が知られている。図１０（ａ）に電気泳動装置を電気泳動表示装置へ適用した場合の一般的な構造図を示す。
…
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した電気泳動表示装置を可撓性のある基板上に形成すれば、電子ペーパーを実現できると考えられる。…」
　
　ウ　「【００５０】（第２の実施形態）図５は、本発明の電気泳動装置を電気泳動表示装置に適用した場合の第２の実施形態の構成を示す断面図である。この第２の実施形態に係る電気泳動表示装置２０Ｂは、図５に示すように、電気泳動分散液１０がマイクロカプセル４０内に封入され、このマイクロカプセル４０がバインダ４１とともに基板１と一体の電極３と基板２と一体の電極４との間に、マイクロカプセル層として収容されている。
…
【００５５】図６、図７は、本実施形態の電気泳動表示装置の構成をさらに詳細に示したものである。本実施形態の電気泳動表示装置はアクティブマトリクス型の電気泳動表示装置の例であり、図６は電気泳動表示装置の平面図である。また、図７は、図６のＡ−Ａ’線に沿う断面構造を示す図である。
【００５６】これらの図に示す電気泳動装置２０Ｂは、対向配置された第１基板１と第２基板２との間に電気泳動層（電気光学層）２１を備えて構成されている。第２基板２の内面側（電気泳動層２１側）に共通電極４と絶縁性被膜１１とが順に形成されている。第１基板１の内面側（電気泳動層２１側）には、複数の画素電極３等を有する素子部２７が形成されている。第２基板２側において、第２基板２、共通電極４および絶縁性被膜１１は光透過性を有しており、第２基板２の外面がこの電気泳動装置２０Ｂの表示面とされている。なお、図示されていないが、素子部２７を有する第１基板１には、素子部２７を駆動制御するための各種周辺回路を形成することもできる。また、本実施形態では、共通電極４を第２基板２側に形成し、素子部２７を第１基板１側に形成しているが、素子部２７が第２基板２側に形成されていても良い。
【００５７】第２基板２は、例えば透明ガラスや透明フィルムなどの透光性を有する基板で構成することができ、第１基板１は、必ずしも透明である必要はないが、例えばガラス基板や樹脂フィルム基板などで構成することができる。
…
【００６０】図６は、本実施形態の電気泳動表示装置２０Ｂの画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素部１７（画素電極３、ＴＦＴ素子１３）、データ線１６、走査線１４等を示す平面図である。本実施形態の電気泳動表示装置２０Ｂにおいて、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の表示単位には、透明導電層としての画素電極３と、この画素電極３への通電制御を行うためのＴＦＴ素子１３がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線１６が当該ＴＦＴ素子１３のソースに電気的に接続されている。…
【００６１】また、図７に示すように、走査線１４がＴＦＴ素子１３のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線１４に対して走査信号が所定のタイミングでパルス的に線順次で供給される。また、画素電極３はＴＦＴ素子１３のドレイン電極１９に電気的に接続されており、ＴＦＴ素子１３を一定期間だけオンすることにより、データ線１６から供給される画像信号を所定のタイミングで書き込む。画素電極３に書き込まれた所定レベルの画像信号は、共通電極４との間で一定期間保持される。電荷を有する電気泳動粒子５は、画素電極３と共通電極４のうち、粒子と反対極性の電極の方へ引き寄せられ、帯電粒子の色と分散媒の色との対比によって階調表示を可能にする。
【００６２】図６に示すように、第１基板１上に、複数の画素電極３がマトリクス状に設けられており、画素電極３の縦横の境界に各々沿ってデータ線１６及び走査線１４が設けられている。本実施形態において、データ線１６、走査線１４に囲まれた領域に形成された表示領域が表示単位（ドット）であり、マトリクス状に配置された各表示単位毎に表示を行うことが可能な構造になっている。」
　
　エ　上記ウ（特に【００６１】）に照らして図７を見ると、
　（ア）「画素電極３」は「ＴＦＴ素子１３」よりも「第１基板１」から離れた位置に設けられていることがみてとれる。また、
　（イ）「ＴＦＴ素子１３」と「画素電極３」との間に設けられた（左下から右上方向に斜線が多数描かれている）層は、絶縁体からなる層（以下「絶縁体層」という。）であることは明らかである。また、
　（ウ）前記「絶縁体層」には、「ＴＦＴ素子１３」と「画素電極３」とを電気的に接続するための接続部（以下「電気的接続部」という。）が設けられていることは明らかである。
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「対向配置された第１基板１と第２基板２との間に電気泳動層（電気光学層）２１を備えて構成され、第２基板２の内面側（電気泳動層２１側）に共通電極４と絶縁性被膜１１とが順に形成され、第１基板１の内面側（電気泳動層２１側）には、複数の画素電極３等を有する素子部２７が形成され、第２基板２側において、第２基板２、共通電極４および絶縁性被膜１１は光透過性を有しており、第２基板２の外面がこの電気泳動装置２０Ｂの表示面とされており、
　第２基板２は、例えば透明ガラスや透明フィルムなどの透光性を有する基板で構成することができ、第１基板１は、必ずしも透明である必要はないが、例えばガラス基板や樹脂フィルム基板などで構成することができ、
　素子部２７を第１基板１側に形成し、第１基板１上に、複数の画素電極３がマトリクス状に設けられており、画素電極３の縦横の境界に各々沿ってデータ線１６及び走査線１４が設けられており、電気泳動表示装置２０Ｂの画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の表示単位には、透明導電層としての画素電極３と、この画素電極３への通電制御を行うためのＴＦＴ素子１３がそれぞれ形成され、画像信号が供給されるデータ線１６が当該ＴＦＴ素子１３のソースに電気的に接続され、画素電極３はＴＦＴ素子１３のドレイン電極１９に電気的に接続されており、前記画素電極３はＴＦＴ素子１３よりも第１基板１から離れた位置に設けられるとともに、前記ＴＦＴ素子１３と画素電極３との間には絶縁体層が設けられ、前記絶縁体層には、前記ＴＦＴ素子１３と画素電極３とを電気的に接続するための電気的接続部が設けられている、アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、Z. Suo et al. Mechanics of rollable and foldable film-on-foil electronics, APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 74, No. 8, pp. 1177-1179, 1999年2月（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「The mechanics of film-on-foil devices is presented in the context of thin-film transistors on steel and plastic foils. Provided the substrates are thin, such transistors function well after the foils are rolled to small radii of curvature. When a substrate with a lower elastic modulus is used, smaller radii of curvature can be achieved. Furerthermore, when the transistors are placed in the neutral surface by sandwiching between a substrate and encapsulation layer, even smaller radii  of curvature can be attained.…」（１１７７頁要約欄）
　（箔の上にフィルムを設けたデバイスの力学は、鋼やプラスチックの箔の上に設けた薄膜トランジスタの関係に現れる。基板が薄い場合、そのようなトランジスタは、箔が小さい曲率半径に丸められた後でも十分に動作する。より低い弾性率の基板が用いられた場合には、より小さい曲率半径が実現可能である。さらに、トランジスタが、基板とカプセル化層の間に挟まれることによって中立面に位置する場合には、より小さい曲率半径さえも達成可能である。…）
　
　イ　「We fabricated TFT's on steel and polyimide foils. The maximum substrate was 350℃ for steel, and 150℃ for polyimide. All silicon-containing layers were grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition. First, the substrate foil was coated with a 0.5μm thick SiNx layer. An 〜100nm thick Cr layer was evaporated and etched to create the gate electrode. Then, the TFT stack of 360-400nm of SiNx, 〜200nm undoped a-Si:H, and 〜50nm of (n＋)a-Si:H were grown. An 〜100nm thick Cr layer was evaporated and etched to form the source-drain pattern.…
　Figure 1 shows two transisitor islands on a 25μm thick steel foil wrapped around a pencil. When the sheet was rolled to drill bits of successively smaller radii of curvature, the transistors functioned well until some critical radii were reach: 2.5 mm if the transistors faced in, or 1.5 mm if the transistors faced out.…
　To appreciate these results, let us analyze the strain in a blanket film deposited on a foil substrate. Both fabricaition process and externally applied bending moment cause strain in the film. We first consider the external bending moment. Figure 2 illustrates a sheet bend to a cylinder of radius R. The film and the substrate have thicknesses dｆ and dｓ and Young's moduli Yf and Ys. When the sheet is bent, the top surface is in tension, and the bottom surface is in compression. One surface inside the sheet, known as the neutral surface, has no strain.
…
　The strain in a circuit is further reduced if it is placed in the neutral surface itself, sandwiched between the substrate and an encupsulation layer of suitable Young's modulus and thickness Yｅ and dｅ. When the stiffness of the circuit proper is negligible, the circuit comes to lie in the neutral surface if
　　Yｓdｓ２=Yｅdｅ２　　　　　　　　　　　（３）
In this case bending does not add any strain to the circuit. 」（１１７７頁左欄１２行〜１１７８頁左欄１１行）
　（鋼とポリイミドの箔の上にＴＦＴを作製した。鋼の最大基板温度は３５０℃、ポリイミドの最大基板温度は１５０℃であった。シリコンを含む層はすべてプラズマ増強化学気相成長法により成長された。最初に、基板箔は０．５μｍ厚のＳｉＮＸ層により被覆された。約１００ｎｍ厚のＣｒ層が蒸着され、エッチングされてゲート電極を形成した。次いで、３６０〜４００ｎｍのＳｉＮＸ、約２００ｎｍのアンドープａ−Ｓｉ：Ｈ、約５０ｎｍの（ｎ＋）ａ−Ｓｉ：ＨのＴＦＴ積層体が成長された。約１００ｎｍ厚のＣｒ層が蒸着され、エッチングされてソース−ドレーンパターンを形成した。…
　図１は、１本の鉛筆の周りに巻かれた２５μｍ厚の鋼箔の上の２つのトランジスターの島を示す。そのシートが連続して曲率半径が小さくなるドリルの刃に巻かれたとき、トランジスターが内側に面していればその臨界的半径が２．５ｍｍに至るまで、トランジスタ−が外側に面していれば１．５ｍｍに至るまで、トランジスターは十分に機能した。…
　これらの結果を評価するため、箔基板上に堆積された被覆フィルムにおける歪みを分析する。製造過程及び外部から加わる曲げモーメントとも、フィルムに歪みを引き起こす。最初に、外部からの曲げモーメントについて考察する。図２は、シートを半径Ｒのシリンダー状に曲げた様子を示す。フィルムと基板は、厚さｄｆ、ｄｓ、ヤング率Ｙｆ、Ｙｓを有する。シートが曲げられたとき、その上面には張力、下面には、圧縮力が加わる。シート内側のある面は、中立面として知られているものであるが、歪みがない。…
　回路における歪みは、それ自身が、基板と適当なヤング率Ｙeと厚さｄｅのカプセル化層との間に挟まれ、中立面に置かれた場合に更に減らされる。回路本来の硬度が無視できるとき、当該回路は、
　　Ｙｓｄｓ２＝Ｙｅｄｅ２　　　　　　（３）
であれば、中立面に置かれる。
この場合、曲げは回路に如何なる歪みも加えない。）
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「第１基板１」、「（第１基板１側に形成され、マトリクス状の配置された複数の表示単位にそれぞれ形成される）ＴＦＴ素子１３」及び「電気泳動層（電気光学層）２１」は、それぞれ、本願発明の「基板（１００）」、「（該基板（１００）の１つの平面に実質的に配置された複数の）非線形デバイス（１０２）」及び「電気光学媒体の層（１１０）」に相当する。
　
（２）引用発明は、「第１基板１上に、複数の画素電極３がマトリクス状に設けられており、…画素電極３はＴＦＴ素子１３のドレイン電極１９に電気的に接続されており、前記画素電極３はＴＦＴ素子１３よりも第１基板１から離れた位置に設けられるとともに、前記ＴＦＴ素子１３と画素電極３との間には絶縁体層が設けられ、前記絶縁体層には、前記ＴＦＴ素子１３と画素電極３とを電気的に接続するための電気的接続部が設けられている」から、
　ア　引用発明の「絶縁体層」は、本願発明の「（該基板に対して該複数の非線形デバイスの反対側にある）誘電体材料の層（１０４）」に相当し、また、
　イ　引用発明の「（複数の）画素電極３」は、本願発明の「誘電体材料の層（１０４）を通じて延びる複数の導電性ビア（１０８）によって、該複数の非線形デバイス（１０２）と電気的に通信する複数の画素電極（１０６）であって、誘電体材料の層（１０４）は、該複数の非線形デバイス（１０２）と該複数の画素電極（１０６）との間に挿入されている、複数の画素電極（１０６）」と、「誘電体材料の層を通じて延びる複数の導電性接続部によって、該複数の非線形デバイスと電気的に通信する複数の画素電極であって、誘電体材料の層は、該複数の非線形デバイスと該複数の画素電極との間に挿入されている、複数の画素電極」である点で一致する。
　
（３）引用発明の「（第２基板２の内面側（電気泳動層２１側）に形成された）共通電極４」は、本願発明の「（該複数の画素電極（１０６）に対して該電気光学媒体の層（１１０）の反対側の）共通電極（１１２）」に相当する。
　
（４）引用発明の「アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置」は、本願発明の「電気光学ディスプレイ」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「基板と、
　該基板の１つの平面に実質的に配置された複数の非線形デバイスと、
　該基板に対して該複数の非線形デバイスの反対側にある誘電体材料の層と、
　誘電体材料の層を通じて延びる複数の導電性接続部によって、該複数の非線形デバイスと電気的に通信する複数の画素電極であって、誘電体材料の層は、該複数の非線形デバイスと該複数の画素電極との間に挿入されている、複数の画素電極と、
　電気光学媒体の層と、
　該複数の画素電極に対して該電気光学媒体の層の反対側の共通電極と
　を含む、電気光学ディスプレイ。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　複数の非線形デバイスと複数の画素電極とを電気的に通信する、誘電体材料の層を通じて延びる複数の導電性接続部が、本願発明では、導電性ビアであるのに対し、引用発明では、導電性ビアであるか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）
　ｂ　本願発明は、基板および誘電体材料の層の弾性係数が、ディスプレイが湾曲しているとき、中立軸または中立面が複数の非線形デバイスの該平面に実質的に横たわっているようにするものであり、該中立軸または該中立面が、圧縮も張力も存在しない軸または面であるのに対し、引用発明は、基板および誘電体材料の層の弾性係数が、そのようなものであるのか否か明らかでない点（以下「相違点２」という。）
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
（１）相違点１について
　非線形デバイスと画素電極とを電気的に接続するために、両者の間の誘電体材料層に導電性ビアを設け、これによって両者の電気的接続を行うことは、本願の優先日時点で広く慣用されている技術であるから、引用発明に上記慣用技術を適用して、上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者は容易になし得ることである。
　
（２）相違点２について
　上記相違点２に関し、本願明細書には、以下の記載がある。
　「【００４３】
　ディスプレイの様々な層の係数は、ディスプレイが湾曲しているとき、中立軸または中立面がＴＦＴ層１０２の中を貫通して、１１４で示される位置に横たわるように選ばれる。
【００４４】
　図１に示すディスプレイは、以下の様式で、準備され得る。
（ａ）５０μｍ厚のポリイミドシートより開始する。
（ｂ）前述したＥ　ＩｎｋとＭＩＴによる特許および特許出願に記載された様式で、ゲート金属誘電体層、半導体層、コンタクト層、および、ソース／ドレイン金属層からなる薄膜トランジスタ層を作成する。
（ｃ）基板材料と機械的に類似した誘電体材料を堆積およびキュアまたは積層する。
つまり、２つの材料が、実質的に以下の関係を満足するように、
　Ｙｄｄｄ２＝Ｙｓｄｓ２  
する。ここで、Ｙｄおよびｄｄは、誘電体層の弾性係数と厚さ、Ｙｓとｄｓは、基板の弾性係数と厚さである。この方程式が満足されるとき、トランジスタはシステムの中立軸に横たわり、膜の歪みは、最小となる。…」
　すなわち、本願明細書の上記記載によれば、本願発明は、「ディスプレイが湾曲しているとき、（圧縮も張力も存在しない軸または面である）中立軸または中立面が該複数の非線形デバイス（１０２）の該平面に実質的に横たわっているようにする」ために、具体的には「基板（１００）および誘電体材料の層（１０４）の弾性係数」が上記式を満たすようになすものということができる。
　一方、引用刊行物１には、「…電気泳動表示装置を可撓性のある基板上に形成すれば、電子ペーパーを実現できる…」との記載があり（【０００８】）、引用発明の「アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置」においても、電子ペーパーを実現するために、その「第１基板１」等を可撓性のあるものとなすことは、当業者が容易に想起し得るところである。しかるところ、上記２（２）によれば、引用刊行物２には、「（ＴＦＴを含む電気）回路を、ヤング率Ｙｓ、厚さｄｓの基板と、ヤング率Ｙｅ、厚さｄｅのカプセル化層との間に挟むとともに、Ｙｓｄｓ２＝Ｙｅｄｅ２なる条件を満足させることにより、これらを折り曲げても、前記回路は中立面に位置し、加わる歪みを小さくすることが可能である」との技術的事項が記載されているから、引用発明において、上記のように「第１基板１」等を可撓性のあるものとなし、その際、「ＴＦＴ素子１３」（回路）に加わる歪みを小さくするべく、該「ＴＦＴ素子１３」を挟む「第１基板１」及び「絶縁体層」それぞれのヤング率、厚さを、当該「ＴＦＴ素子１３」が中立面に位置するようになし、その結果、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　なお、請求人は、平成２５年８月１２日付け意見書において、「『カプセル化層』は、その下にある回路を覆い、かつ、保護する外側の層を意味します。…引用刊行物１の絶縁層は、引用刊行物１の図７に示される層構造内にあります。従って、引用刊行物１の絶縁層が『カプセル化層』でないことは明らかです。」等と主張する（３．）。
　しかしながら、引用刊行物１の図７に示された「電気泳動表示装置」において、「絶縁体層」は、その下にある（ＴＦＴ素子１３等の）回路を覆い、これを保護する層といえるものであり、また、引用刊行物１図７の「電気泳動表示装置」の「第１基板１」、「ＴＦＴ素子１３」、「絶縁体層」、「画素電極３」の各構成要素が、本願の図１に示された「基板１００」、「ＴＦＴ層１０２」、「誘電体層１０４」、「画素電極１０６」の各構成要素と同様の配置を有するものであることをも踏まえれば、引用刊行物１の「絶縁体層（絶縁層）」が「カプセル化層」ではないということはできない。
　
　そして、本願発明の奏する効果が、引用発明、引用刊行物２記載の技術的事項及び上記慣用技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明、引用刊行物２記載の技術的事項及び慣用技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。