【事件の表示】
　平成３年特許願第205720号「シリコンウェーハの表面状態の評価方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成５年２月５日出願公開、特開平5-29423、平成７年11月13日出願公告、特公平7-105424、請求項の数(１)〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年７月23日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成10年10月26日付け及び平成13年１月30日付けの手続補正書によって補正された明細書及び出願当初の図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
　「シリコンウエーハ表面の被測定面と反対側の面に緩衝板を載置し、一方該緩衝板を介して圧縮長さを一定に維持したバネの付勢力を利用して、シリコンウェーハの表面の被測定面に、シリコンの屈折率より大なる屈折率を有し且つ入出射面に挟まれる二面が平行な台形状ゲルマニウムプリズムからなる内部反射エレメントを具え、
　該エレメントの前記平行な二面の内、長辺側の片側面全面にのみ、研磨シリコンウェーハ表面の被測定面に密着させた後、
　大気中で前記被測定面上に存在する化合物が吸収可能な赤外光源を臨界角より大なる入射角をもって前記エレメントに入射させ、
　エレメントの平行な二面間の多重内部反射により得られた前記エレメントよりの光検出出力をフーリエ変換型赤外分光器とＭＣＴ型検出器を組合せた分光分析手段により分光分析して4000cm-1〜700cm-1の波数領域のスペクトル線に変換し、
　該4000cm-1〜700cm-1の全波数領域のスペクトル線から前記被測定面に吸着し或いは被測定面での化合により生成した各種化学種に相当する波数の相対吸収度を読み取ることにより、前記ウエーハ表面の被測定面上の水及び炭化水素の吸着、自然酸化、ＳiＦの生成、及び表面の原子レベルでの平滑さを評価することを特徴とするシリコンウェーハの表面状態の評価方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由である特許異議の決定で引用された本願の出願前に頒布された刊行物である、
　甲第１号証：錦田晃一・西尾悦雄著「チャートでみるＦＴ-ＩＲ」講談社（1990-6-20）6，8，11，166，167頁（以下、「引用例１」という。)、
及び、
　甲第６号証：Spectra-Tech inc.社カタログ「LEADING EDGETM  The Highest Performance in FT-IR Sampling 」(1990)。(以下、「引用例２」という。)、
には、それぞれ、次の事項が記載されている。
〈引用例１〉　
　ア．（「全反射（ＡＴＲ）測定装置」につき）「固体試料の表面分析用に最も頻繁に用いられる装置であって，ＩＲＥ（internal reflectance element）と呼ばれる屈折率の大きいプリズムに試料を接触させ，ＩＲＥに赤外光を入射した際，ＩＲＥと試料の界面に発生するエバネッセント波（Ｅ波）が試料に吸収され，結果としてＩＲＥを通過する光量に変化が生じる現象を観測する装置である．……… 全反射現象はsinθ＞n２/n１を満足する入射角，すなわち臨界角θｃ（sinθｃ＞n２/n１）よりも大きい入射角θ＞θｃで起こる現象であるから，ＩＲＥの種類と試料との組み合わせが決まるとθｃが決まる．いうまでもなく，ＡＴＲ測定においては，θｃよりも大きい入射角を用いることが要求される．メーカーが提供するＩＲＥは……，Ｓi（n１＝3.4），およびＧe（n１＝4.0）が一般的である．」（11頁「2-1(1)」項の1〜4行，同(下から)7〜3行参照）
　イ．ＡＴＲ法によりＳiウェハー表面のＳiＯ２のスペクトルを得るべく、ＧeとＳiの界面でのＡＴＲ測定を、ＩＲＥとして、切出し角60゜のＧeプリズムを使用し、入射角を60゜、ＩＲＥでの反射回数を15回とし、赤外検出器としてＴＧＳ検出器を用いて実施し、表面が自然酸化されたＳiウェハーの1300〜900cm-1の波数領域におけるＡＴＲスペクトルを得たこと。1107cm-1の格子状酸素、1050cm-1の“薄い酸化物”の吸収のほかに1030cm-1の吸収がみられたこと。Ｓiウェハーの薄い酸化皮膜の測定には増幅作用のあるＡＴＲ（Ｇe／60゜)法が優れていること。（166，167頁「9-1F」項参照）
〈引用例２〉　
　ウ．緩衝板を載置し、一方該緩衝板を介して圧縮長さを一定に維持したバネの付勢力を利用し、試料の被測定面を、試料の屈折率より大なる屈折率を有する内部反射エレメントの片側面に直接密着させること。（「Contact Samplers」項の左上写真参照）
　
３．対比・判断
　本願発明と上記引用例１に記載のものを対比すると、後者における「ＩＲＥ」としての「Ｇeプリズム」は、前者における「シリコンの屈折率より大なる屈折率を有（す）……るゲルマニウムプリズムからなる内部反射エレメント」に相当し、また、後者における「ＩＲＥでは反射回数は15回」は、前者における「エレメントの……多重内部反射」に相当し、また、後者におけるＳiウェハーからＧeプリズムへ「入射角60゜」で「赤外光を入射」は、前者における「赤外光源を臨界角より大なる入射角をもってエレメントに入射」に相当し、また、後者における「ＴＧＳ検出器」は、前者における「赤外検出器」の一であり、また、後者における「表面が自然酸化されたＳiウェハーのＡＴＲスペクトル」の測定は、前者における「ウェーハ表面の被測定面上の…自然酸化…を評価する」に相当し、また、後者の該「表面が自然酸化されたＳiウェハーのＡＴＲスペクトル」の測定は、それにより、1300〜900cm-1の波数領域でのスペクトル図が得られていることや、該測定が、ＦＴ-ＩＲを利用したＡＴＲ法の応用例として紹介されていること（引用例１の書名及び168頁参照）からみて、前者におけると同様、「（内部反射）エレメントよりの光検出出力をフーリエ変換型赤外分光器と…赤外検出器を組合せた分光分析手段により分光分析して、…波数領域のスペクトル線に変換」し、「波数の相対吸収度を読みとる」ことによって行われたものであるといえるから、結局、両者は、
　シリコンの屈折率より大なる屈折率を有するゲルマニウムプリズムからなる内部反射エレメントを具え、前記エレメントよりシリコンウェーハ表面の被測定面に赤外光源を臨界角より大なる入射角をもって入射させ、エレメントの多重内部反射により得られた前記エレメントよりの光検出出力をフーリエ変換型赤外分光器と赤外検出器を組合せた分光分析手段により分光分析して波数領域のスペクトル線に変換し、該波数領域のスペクトル線から波数の相対吸収度を読み取ることにより、前記ウェーハ表面の被測定面上の自然酸化を評価するシリコンウェーハの表面状態の評価方法、
である点で一致し、次の点で相違する。
　(１) スペクトルへの変換とそこからの読み取り・評価が、本願発明では、「4000cm-1〜700cm-1の波数領域」でのスペクトル変換と、その「全波数領域」での相対吸収度読み取りにより、「ウェーハ表面の被測定面上の水及び炭化水素の吸着、自然酸化、ＳiＦの生成、及び表面の原子レベルでの平滑さ」が評価されるのに対し、引用例１に記載のものでは、1300〜900cm-1の波数領域でのスペクトル変換とそこからの読み取りにより、ウェーハ表面の被測定面上の自然酸化のみが測定されること。
　(２) 内部反射エレメントの形状とそこでの多重内部反射の反射部位が、本願発明では「入出射面に挟まれる二面が平行な台形状」プリズムを用い、その「平行な二面間」で多重内部反射が行われるものであるのに対し、引用例１には、「切出し角60゜」のプリズムを用いるという以外は、上記の如き形状及び反射部位についての記載がないこと。
　(３) 赤外検出器が、本願発明では「ＭＣＴ」型であるのに対し、引用例１に記載のものでは「ＴＧＳ」型であること。
　(４) シリコンウェーハ表面の被測定面と内部反射エレメントとの接触が、本願発明では、「被測定面と反対側の面に緩衝板を載置し、」「該緩衝板を介して圧縮長さを一定に維持したバネの付勢力を利用して、」「該エレメントの平行な二面の内、長辺側の片側面全面にのみ、研磨シリコンウェーハ表面の被測定面」を「密着させ」る形で行われるのに対し、引用例１には、接触におけるかかる態様についての記載がないこと。
　
　そこで、先ず、上記相違点(１)について検討してみるに、引用例２には、上記２．ウにみるように、緩衝板とバネの付勢力を利用した試料とＩＲＥの密着技術が記載されているにとどまるから、これは、（上記相違点(４)に係る本願発明の構成についての示唆を与えるものとしては検討に値するものといえようが）こと相違点(１)に係る本願発明の構成については何らの示唆をも与えるものでないことは明らかである。また、当該技術分野の周知技術ないし技術常識を考慮しても、相違点(１)に係る本願発明の構成を導き出すに足るものはどこにも見出せない。
　そして、本願発明は、上記相違点(１)に係る構成により、シリコンウェーハ表面の表面状態につき、ひとり自然酸化のみならず、同時に、水及び炭化水素の吸着、ＳiＦの生成、及び表面の原子レベルでの平滑さをも評価し得るという効果を奏する。
　
　したがって、相違点(１)以外の相違点について更に検討するまでもなく、本願発明は、前記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は特許法第29条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。