【事件の表示】
　特許第３２５４０６４号「プラズマ処理方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５４０６４号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本件特許第３２５４０６４号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平５−２６４３５１号）　　　　平成　５年　９月２７日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年１１月２２日
　特許異議申立（異議申立人：塚脇正博）　　　　平成１４年　８月　５日
　取消理由通知（１）　　　　　　　　　　　　　平成１４年１０月　４日
　特許異議意見書（１）・訂正請求書（１）　　　平成１４年１２月１７日
　取消理由通知（２）　　　　　　　　　　　　　平成１５年　３月　３日
　訂正請求書（１）の取下書　　　　　　　　　　平成１５年　４月１０日
　特許異議意見書（２）・訂正請求書（２）　　　平成１５年　４月１０日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】ステンレス鋼からなる一対の電極間に前記電極の一方に接してジルコニアからなる誘電体を配置し、
　前記電極の他方及び前記誘電体の間にアルゴンからなる希ガスと酸素からなる反応ガスとを流し、
　前記電極間に電界を印加して大気圧下でプラズマを発生させ、
　前記プラズマが発生した領域を通過した前記酸素からなる反応ガスを基板に吹き付け、前記基板の表面の有機物をアッシングするプラズマ処理方法であって、
　前記酸素からなる反応ガスは、前記アルゴンからなる希ガスに対して０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値であり、
　前記プラズマが発生した領域における前記酸素からなる反応ガスの滞留時間は、１０ｍｓｅｃであることを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
　
　（２）　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２を
「【請求項２】ステンレス鋼からなる一対の電極間に前記電極の一方に接してジルコニアからなる誘電体を配置し、
　前記電極の他方及び前記誘電体の間にアルゴンからなる希ガスを流し、
　前記電極間に電界を印加して大気圧下でプラズマを発生させ、
　前記プラズマが発生した領域に酸素からなる反応ガスを流し、
　前記プラズマが発生した領域を通過した前記酸素からなる反応ガスを基板に吹き付け、前記基板の表面の有機物をアッシングするプラズマ処理方法であって、
　前記酸素からなる反応ガスは、前記アルゴンからなる希ガスに対して０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値であり、
　前記プラズマが発生した領域における前記酸素からなる反応ガスの滞留時間は、１０ｍｓｅｃであることを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
　
　（３）　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
　
　（４）　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項４の項番を【請求項３】に繰り上げる。
　
　（５）　訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項５の項番を【請求項４】に繰り上げるとともに、
「請求項１又は２において、
　前記誘電体の厚さは、１００μｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
　
　（６）　訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項６の項番を【請求項５】に繰り上げるとともに、
「請求項１又は２において、
　前記一対の電極の他方及び前記誘電体の間の距離は、０．５ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。」と訂正する。
　
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）　訂正事項ａ、ｂ
　訂正事項ａ、ｂのうち、電極の材質をステンレス鋼に限定し、誘電体の材質をジルコニアに限定し、誘電体が電極の一方のみである点を限定し、希ガスの種類をアルゴンに限定し、酸素濃度を０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値に限定し、さらに、反応ガスの滞留時間を１０ｍｓｅｃに限定した点は、特許請求の範囲の減縮に相当する。また、「酸素からなる反応ガス」、「プラズマが発生した領域における」、「アッシング」と訂正した点は、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　さらに、訂正事項ａ、ｂにおける「電極の材質がステンレス鋼」、「誘電体の材質がジルコニア」、「誘電体が電極の一方のみ」、「希ガスの種類がアルゴン」、「酸素濃度が０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値」、及び「反応ガスの滞留時間が１０ｍｓｅｃ」は、特許明細書の【００２０】、【００２４】、【００２８】及び【００３６】に記載されているので新規事項には当たらない。したがって、訂正事項ａ、ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（２）　訂正事項ｃ
　訂正事項ｃについては、特許請求の範囲の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　
　（３）　訂正事項ｄ
　訂正事項ｄについては、特許請求の範囲の請求項４を請求項３の削除に伴って項番を【請求項３】に繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　
　（４）　訂正事項ｅ
　訂正事項ｅについては、特許請求の範囲の請求項５を請求項３の削除に伴って項番を【請求項４】に繰り上げるとともに、誘電体の厚さを１００μｍに限定するものであるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮に相当する。
　さらに、訂正事項ｅにおける「誘電体の厚さ１００μｍ」は、特許明細書の【００３６】に記載されているので新規事項には当たらない。したがって、訂正事項ｅは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（５）　訂正事項ｆ
　訂正事項ｆについては、特許請求の範囲の請求項６を請求項３の削除に伴って項番を【請求項５】に繰り上げるとともに、一対の電極の他方及び誘電体の間の距離を０．５ｍｍに限定するものであるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮に相当する。
　さらに、訂正事項ｆにおける「電極誘電体間隔０．５ｍｍ」は、特許明細書の【００３６】に記載されているので新規事項には当たらない。したがって、訂正事項ｅは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立及びこれについての判断
　１　特許異議申立の理由及び取消理由の内容
　（１）　特許異議申立の理由
　特許異議申立人塚脇正博は、
１．刊行物１（甲第１号証）：PROCEEDINGS OF JAPANESE SYMPOSIUM ON PLASMA CHEMISTRY、Vol 2,1989、Ｐ１０９−１１２、「DOWNSTREAM ETCHING AND DEPOSITION EMPLOYING ATMOSPHERIC PRESSURE DISCHARGE」
２．刊行物２（甲第２号証）：特開平４−３５８０７６号公報
３．刊行物３（甲第３号証）：「第２回プラズマ化学合同シンポジウムアブストラクト集、１９８９年６月８日（木）、９日（金）」、Ｐ２５、「DOWNSTREAM ETCHING AND DEPOSITION EMPLOYING ATMOSPHERIC PRESSURE DISCHARGE」
４．刊行物４（甲第４号証）：TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES、第３１巻第９３号、社団法人日本航空宇宙学会、昭和６３年１１月４日発行、Ｐ１２３−１３３、「Preliminary Experiments of Atomic Oxygen Generation for Space Environmental Testing」
５．刊行物５（甲第５号証）：特開平４−２１２２５３号公報
を提出し、本件請求項１、４〜６に係る発明は、刊行物１に記載された発明であり、また、本件請求項１〜６に係る発明は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号及び同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　
　（２）　取消理由の内容
　取消理由通知（２）の内容は、以下のとおりである。
「１）本件特許の請求項１、３〜６に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物１に記載された発明であるから、本件請求項１、３〜６に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
２）本件特許の請求項１〜６に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　記
　
１．刊行物１（甲第１号証）：PROCEEDINGS OF JAPANESE SYMPOSIUM ON PLASMA CHEMISTRY、Vol 2,1989、Ｐ１０９−１１２、「DOWNSTREAM ETCHING AND DEPOSITION EMPLOYING ATMOSPHERIC PRESSURE DISCHARGE」
２．刊行物２（甲第２号証）：特開平４−３５８０７６号公報
３．刊行物３（甲第３号証）：「第２回プラズマ化学合同シンポジウムアブストラクト集、１９８９年６月８日（木）、９日（金）」、Ｐ２５、「DOWNSTREAM ETCHING AND DEPOSITION EMPLOYING ATMOSPHERIC PRESSURE DISCHARGE」
４．刊行物４（甲第４号証）：TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES、第３１巻第９３号、社団法人日本航空宇宙学会、昭和６３年１１月４日発行、Ｐ１２３−１３３、「Preliminary Experiments of Atomic Oxygen Generation for Space Environmental Testing」
５．刊行物５（甲第５号証）：特開平４−２１２２５３号公報
　
　刊行物１〜５には、特許異議申立人が提出した特許異議申立書の「ｂ．証拠の説明」記載の発明が記載されている。　
　さらに、刊行物１には「Ｏ２中にＮ２あるいはＣＦ４を適当量添加することによりエッチング速度が増加することが分かった。」という記載と共に、第１１２頁図４（ａ）及び（ｂ）に、Ｎ２／Ｏ２＝０〜１．０、ＣＦ４／Ｏ２＝０〜４におけるアッシングレートが示されており、Ｎ２／Ｏ２＝０及びＣＦ４／Ｏ２＝０についてもプロットされているので、酸素のみの場合も実験されており、本件発明の酸素からなる反応ガスと同じである。
　さらに、刊行物１では、希ガス４０００〜１１０００ｓｃｃｍに対し反応ガス２５ｓｃｃｍ、即ち酸素濃度は、２５／（４０００〜１１０００）＝０．２３〜０．６３％であり、本件発明の酸素濃度３％以下に含まれる。
　さらに、刊行物１において、希ガスの流量は４０００〜１１０００ｓｃｃｍ、反応ガスの流量は２５ｓｃｃｍである。すると、絶縁板の厚さを０とした場合、希ガスと酸素の流量は４０２５〜１１０２５ｓｃｃｍ／６０＝６７〜１８４cc/sec、放電空間の総容積は１０．８ｃｃ（電極間ギャップ４ｍｍで一辺が３ｃｍの正方形状電極、３箇所：３×３×０．４×３＝１０．８ｃｃ）であるから、酸素からなる反応ガスの滞留時間は１０．８／（６７〜１８４）＝５９〜１６１ｍｓｅｃ、絶縁板の厚さを考量すれば、もっと小さい値になることは明らかであり、本件発明の１０μｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃと重複部分がある。
　さらに、特許異議申立書の「ｃ．本件特許発明と証拠に記載された発明との対比」記載の理由も参照されたい。」
　
　２　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１〜５に係る発明（以下、「本件発明１〜５」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ステンレス鋼からなる一対の電極間に前記電極の一方に接してジルコニアからなる誘電体を配置し、
　前記電極の他方及び前記誘電体の間にアルゴンからなる希ガスと酸素からなる反応ガスとを流し、
　前記電極間に電界を印加して大気圧下でプラズマを発生させ、
　前記プラズマが発生した領域を通過した前記酸素からなる反応ガスを基板に吹き付け、前記基板の表面の有機物をアッシングするプラズマ処理方法であって、
　前記酸素からなる反応ガスは、前記アルゴンからなる希ガスに対して０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値であり、
　前記プラズマが発生した領域における前記酸素からなる反応ガスの滞留時間は、１０ｍｓｅｃであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】ステンレス鋼からなる一対の電極間に前記電極の一方に接してジルコニアからなる誘電体を配置し、
　前記電極の他方及び前記誘電体の間にアルゴンからなる希ガスを流し、
　前記電極間に電界を印加して大気圧下でプラズマを発生させ、
　前記プラズマが発生した領域に酸素からなる反応ガスを流し、
　前記プラズマが発生した領域を通過した前記酸素からなる反応ガスを基板に吹き付け、前記基板の表面の有機物をアッシングするプラズマ処理方法であって、
　前記酸素からなる反応ガスは、前記アルゴンからなる希ガスに対して０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値であり、
　前記プラズマが発生した領域における前記酸素からなる反応ガスの滞留時間は、１０ｍｓｅｃであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】請求項１又は２において、
　前記有機物は、レジストであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】請求項１又は２において、
　前記誘電体の厚さは、１００μｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】請求項１又は２において、
　前記一対の電極の他方及び前記誘電体の間の距離は、０．５ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
　３　取消理由通知で引用した刊行物に記載された発明
　（１）　刊行物１（甲第１号証）
　刊行物１には、「大気圧放電によるダウンストリームエッチング及び成膜」に関して、以下の点が記載されている。
　第１０９頁「要約」第１〜４行「大気圧放電をレジスト、ＳｉおよびＳｉＯ２のダウンストリ一ムエッチングに応用した。Ｏ２中にＮ２あるいはＣＦ４を適当量添加することによりエッチング速度が増加することが分かった。」
　第１０９頁「２．１実験装置」第１〜１８行「図１に大気圧放電に用いた反応装置の概略図を示す。大気圧グロー放電はマッチングネットワ−クを介して高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）に接続された平行平板反応器内に生成される。この反応器は電極間ギャップ４ｍｍで一辺が３ｃｍの２枚の正方形状電極より構成され、テフロン絶縁体で封入されている。ア一ク放電の発生を防ぎ、大気圧下で安定したグロ−放電を維持するために、供給ガスをヘリウムで希釈すること、および電極間に絶縁体をセットすることが重要である。Ｏ２−ＣＦ４／Ｈｅ混合ガスが平行平板反応器の上流側に導入される。実験に使用したサンプルはしジスト（ＯＦＰＲ−８００）、単結晶シリコン（１１０）、および熱成長ＳｉＯ２の３種類で、その寸法は１ｃｍ２である。基板温度Ｔｓｕｂは１００〜２０℃の範囲に制御される。Ｏ２−ＣＦ４混合ガスのト一タルガス流量は２５ｓｃｃｍ一定値に保たれる。このエッチング実験では、ヘリウムはＯ２−ＣＦ４４混合ガス流２５ｓｃｃｍに対して、０．４〜１．１×１０４ｓｃｃｍ添加される。高周波の印加電力（Ｐｒｆ）は５０〜１２５ワットである。」
　第１１０頁「３．ダウンストリ−ムエッチング特性」第８〜１０行「除去速度はＣＦ４と酸素の比率が１の時最大値を取り、毎分４０００Åになる。」
　第１１２頁図４（ａ）及び（ｂ）に、Ｎ２／Ｏ２＝０〜１．０、ＣＦ４／Ｏ２＝０〜４におけるアッシングレートが示されており、Ｎ２／Ｏ２＝０及びＣＦ４／Ｏ２＝０についてもプロットされている。
　
　（２）　刊行物２（甲第２号証）
　刊行物２には、「大気圧プラズマ反応方法とその装置」に関して、以下の点が記載されている。
　特許請求の範囲【請求項１】「互いに平行配置した２枚以上の電極の表面に固体誘電体を配設した誘電体被覆電極を有する反応容器に、希ガスと反応性ガスを混合して導入し、大気圧下にプラズマ励起させた後に、活性種をプラズマ下流に輸送して、基板表面を処理することを特徴とする大気圧プラズマ反応方法。」
　【００１１】「・・・基板（７）がセラミックス、ガラス、プラスチック、ゴム等の場合にも、安定なグロー放電が得られ、大面積の表面処理を行うことができる。」
　【００１６】「混合ガス（１）については特に制限はないが、使用する希ガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の単体または混合物を適宜に用いることができる。・・・」
　【００２２】「処理例１
　一辺が３０mmの正方形状の４枚の平板電極を用い、電極間距離を４mmとして、平行配置したガラス板被覆電極を大気圧プラズマ生成部に設けた図１に例示の装置に、誘電体被覆電極の下端から１cm離して、１cm２の単結晶シリコン（100）と熱酸化膜とを各々配置した。これらの基板を100 ℃に加熱し、ＣＦ４中へのＯ２の濃度を変化させて、プラズマエッチングを行った。尚、ＣＦ4 ＋Ｏ2 の全流量を２５sccmに一定に保持し、Ｈｅの流量を４×１０３sccmとした。また、13.56MHzの高周波電力を７０Ｖとした。この結果を示したものが図６である。」
　【００２３】「単結晶シリコンおよび熱酸化膜がエッチングされた。そのエッチング速度は、（ＣＦ４＋Ｏ２）／Ｏ２比で約2.5 の時に、シリコン（Ｓｉ）も酸化膜（ＳｉＯ２）もエッチング速度が最大になることが確認された。・・・」
　
　（３）　刊行物３（甲第３号証）
　刊行物３には、「大気圧放電によるダウンストリームエッチング及び成膜」に関して、以下の点が記載されている。
　アブストラクト本文第３〜６行「近年、大気圧放電（ＡＰＤ）を用いた固体表面処理プロセスの可能性が岡崎らによって提案されてきた。このプロセスは、大面積材料表面処理の容易さや排気装置の簡素化において長所を有する。」
　アブストラクト本文第１０〜２２行「大気圧下でのグロ一放電は、マッチングネットワ一クを介して高周波（１３．５６ＭＨｚ）電源に接続された平行平板反応器内に生成される。この反応器は電極間ギャップ４ｍｍ間隔で一辺が３ｃｍの２枚の正方形状電極より構成され、テフロン絶縁体で封入されている。ア一ク放電の発生を防ぎ、大気圧下で安定したグロ一放電を維持するために、供給ガスをヘリウムで希釈すること、および電極間に絶縁体をセットすることが重要である。Ｏ２−ＣＦ４／Ｈｅ混合ガスが平行平板反応器の上流側に導入され、次いで試料はダウンストリ−ムのＯとＦのラジカルと反応する。実験に使用したサンプルはレジスト（ＯＦＰＲ−８００）、単結晶シリコン（１１０）、および熱成長ＳｉＯ２の３種類で、その寸法は１ｃｍ２である。本エッチング実験では、２５ｓｃｃｍのＯ２−ＣＦ４混合ガスに対して、１．１×ｌ０４ｓｃｃｍのヘリウムが添加される。高周波の印加電力（Ｐｒｆ）は５０〜７０ワットである。」
　アブストラクト本文第２７〜２９行「レジスト除去速度はＣＦ４／Ｏ２比率が１の時最大となり、毎分４０００Å（１Å＝１０−１０ｍ）になる。」
　
　（４）　刊行物４（甲第４号証）
　刊行物４には、「宇宙環境試験用の原子状酸素生成の予備実験」に関して、以下の点が記載されている。
　第１２４頁第２０〜２１行「本研究においては、ア−ク放電によって前もってイオン化したアルゴンプラズマに酸素分子を投入することにより酸素原子を発生させる。」
　第１２６頁第３〜９行「実験装置の概要図を図３に示す。テストガス（アルゴン）は最大電力２５ｋｗのア一クヒ一夕により加熱され、部分的にイオン化され、ついで充頃室に流入する。ここで、少量のＯ２（［Ｏ２］／［Ａｒ］o１／４０）」がアルゴンプラズマに添加され、酸素分子は熱解離して酸素原子になる。アルゴンと酸素の混合物はオリフィス（Ｄ＝１．３７ｃｍ）を通って膨張し、超高速フリ−ジェットとして真空室（テストセクション）に流入する。」
　　
　（５）　刊行物５（甲第５号証）
　刊行物５には、「プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法」に関して、以下の点が記載されている。
　特許請求の範囲「１．金属等の導電体で構成された電極を同心円筒状に配し、該電極の隙間に円筒状絶縁体を同心円となるようにまた、外側電極に接するように挿入し、該絶縁体と中心電極の隙間にヘリウムを主体とする気体を大気圧状態で送流状態に保持し、前記電極間に交流電界を印加して前記ヘリウムを主体とする気体を電離することにより前記絶縁体と中心電極の隙間にプラズマを生じせしめることを特徴とするプラズマ発生装置。・・・
７．特許請求の範囲第５項において前記ラジカルは送流によりプラズマ空間外に送り出されることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のエッチング方法」
　第３頁右下欄第１７〜２０行「ヘリウムを用いると放電領域外に励起ヘリウム原子を運び出し、該励起ヘリウム原子の高いエネルギーを利用して、放電領域外で反応を起こすことができる。」
　第４頁右下欄第６〜１１行「上記の装置にヘリウムを１５０ｓｃｃｍ供給し、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を７０Ｗ加えたところ安定な放電が得られることを観測した。なお、中心導体の直径は１ｍｍ、絶縁体外径は２．５ｍｍ、絶縁体厚さは０．４ｍｍである。放電は１．７ｍｍの領域で発生していることが分かる。」
　
　４　本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　（１）　本件発明１について
　刊行物１には「Ｏ２中にＮ２あるいはＣＦ４を適当量添加することによりエッチング速度が増加することが分かった。」という記載と共に、第１１２頁図４（ａ）及び（ｂ）に、Ｎ２／Ｏ２＝０〜１．０、ＣＦ４／Ｏ２＝０〜４におけるアッシングレートが示されており、Ｎ２／Ｏ２＝０及びＣＦ４／Ｏ２＝０についてもプロットされているので、酸素のみの場合も実験されており、本件発明１の酸素からなる反応ガスと同じである。
　また、刊行物１では、希ガス４０００〜１１０００ｓｃｃｍに対し反応ガス２５ｓｃｃｍ、即ち酸素濃度は、２５／（４０００〜１１０００）＝０．２３〜０．６３％であり、本件発明１の酸素濃度０〜０．２５％と一部重複している。
　しかし、刊行物１において、希ガスの流量は４０００〜１１０００ｓｃｃｍ、反応ガスの流量は２５ｓｃｃｍである。すると、絶縁板の厚さを０とした場合、希ガスと酸素の流量は４０２５〜１１０２５ｓｃｃｍ／６０＝６７〜１８４cc/sec、放電空間の総容積は１０．８ｃｃ（電極間ギャップ４ｍｍで一辺が３ｃｍの正方形状電極、３箇所：３×３×０．４×３＝１０．８ｃｃ）であるから、酸素からなる反応ガスの滞留時間は１０．８／（６７〜１８４）＝５９〜１６１ｍｓｅｃ、絶縁板の厚さを考量しても５０ｍｓｅｃ前後に過ぎず、本件発明の１０ｍｓｅｃとは相違している。
　さらに、刊行物２、３、５は、反応ガスにフッ素等も付加したものであり、この点において、すでに本件発明の酸素のみのものとは相違しており、反応ガスの滞留時間も本件発明の１０ｍｓｅｃとは相違している。刊行物４は、「宇宙環境試験用の原子状酸素生成の予備実験」であり、用途が本件発明とはまったく相違しているし、反応ガスの滞留時間の記載もない。
　したがって、本件発明１と刊行物１〜５に記載された発明とを対比すると、刊行物１〜５には、本件発明１の構成要件である「プラズマが発生した領域における酸素からなる反応ガスの滞留時間は、１０ｍｓｅｃである」点は、記載されていない。
　さらに、刊行物１において、酸素からなる反応ガスの滞留時間を１０ｍｓｅｃにするためには、ガス流量を５倍にするか又は電極間距離を１／５にする必要があるが、そのような示唆もないし、必然性も認められない。
　そして、本件発明１は、上記構成要件を含め構成全体により、アッシング速度の向上が図れるという特許明細書記載の効果を奏する。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１に記載された発明であるとも、上記刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
　（２）　本件発明２について
  本件発明２についても、本件発明１と同様の理由により、上記刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　（３）　本件発明３〜５について
  本件発明３〜５は、本件発明１又は２を引用し、さらに限定したものである。
　したがって、上記本件発明１と同様の理由により、本件発明３〜５は、上記刊行物１に記載された発明であるとも、上記刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
　５　特許異議申立についての判断のむすび
　特許異議の申立ての理由も取消理由通知（２）と同様の趣旨であり、判断についても同様である。
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件発明１〜５についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜５についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年４月１７日（２００３．４．１７）
【訂正の要旨】
　１）訂正事項（ａ）
　特許明細書の請求項１及び２における「一対」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「ステンレス鋼からなる一対」と訂正する。
　２）訂正事項（ｂ）
　特許明細書の請求項１及び２における「誘電体」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「前記電極の一方に接してジルコニアからなる誘電体」と訂正する。なお、前記両請求項における「前記誘電体」中の「誘電体」は訂正請求の対象ではない。
　３）訂正事項（ｃ）
　特許明細書の請求項１及び２における「前記電極」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「前記電極の他方」と訂正する。なお、前記両請求項における「前記電極間」中の「前記電極」は訂正請求の対象ではない。
　４）訂正事項（ｄ）
　特許明細書の請求項１及び２における「希ガス」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「アルゴンからなる希ガス」と訂正する。
　５）訂正事項（ｅ）
　特許明細書の請求項１及び２における「反応ガス」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「酸素からなる反応ガス」と訂正する。
　６）訂正事項（ｆ）
　特許明細書の請求項１及び２における「プラズマを通過した」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「プラズマが発生した領域を通過した」と訂正する。
　７）訂正事項（ｇ）
　特許明細書の請求項１及び２における「除去」を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として「アッシング」と訂正する。
　８）訂正事項（ｈ）
　特許明細書の請求項１及び２における「１０μｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃ」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「１０ｍｓｅｃ」と訂正する。
　９）訂正事項（ｉ）
　特許明細書の請求項１中の「３％以下の酸素であり」を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として「０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値であり」と限定する。
　１０）訂正事項（ｊ）
　特許明細書の請求項２中の「として酸素を流し」を、明りょうでない記載の釈明を目的として「を流し」と訂正する。
　１１）訂正事項（ｋ）
　特許明細書の請求項２中の「３％以下であり」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値であり」と限定する。
　１２）訂正事項（ｌ）
　特許明細書の「請求項３」を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として削除する。
　１３）訂正事項（ｍ）
　特許明細書の「請求項４」を、明りょうでない記載の釈明を目的として「請求項３」と訂正する。
　１４）訂正事項（ｎ）
　特許明細書の「請求項５」を、明りょうでない記載の釈明を目的として「請求項４」とすると共に、同請求項中の「５０μｍ以上５ｍｍ以下」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「１００μｍ」と訂正する。
　１５）訂正事項（ｏ）
　特許明細書の「請求項６」を、明りょうでない記載の釈明を目的として項番号を繰り上げ「請求項５」とすると共に、同請求項中の「電極間」を明りょうでない記載の釈明を目的として「一対の電極の他方及び前記誘電体の間」と訂正する。
　１６）訂正事項（ｐ）
　特許明細書の「請求項６」、すなわち前記した項番号を繰り上げた「請求項５」中の「５０μｍ以上５ｍｍ以下」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「０．５ｍｍ」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
ステンレス鋼からなる
前記電極の一方に接してジルコニアからなる
　前記電極
の他方
アルゴンからなる
酸素からなる
　前記電極間に電界を印加して大気圧下でプラズマを発生させ、
　前記プラズマ
が発生した領域
酸素からなる
アッシング
　前記
酸素からなる
アルゴンからなる
０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値
　前記プラズマが発生した領域における前記
酸素からなる
１０ｍｓｅｃ
　【請求項２】
　
ステンレス鋼からなる
前記電極の一方に接してジルコニアからなる
　前記電極
の他方
アルゴンからなる
　前記電極間に電界を印加して大気圧下でプラズマを発生させ、
　前記プラズマが発生した領域に
酸素からなる
スを
　前記プラズマ
が発生した領域
酸素からなる
アッシング
　前記
酸素からなる
アルゴンからなる
０〜０．２５％の間で、かつ０％を含まない値
　前記プラズマが発生した領域における前記
酸素からなる
１０ｍｓｅｃ
　【請求項
３
　請求項１又は２において、
　前記有機物は、レジストであることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項
４
　請求項１又は２において、
　前記誘電体の厚さは、
１００μｍ
　【請求項
５
　請求項１又は２において、
　前記
一対の電極の他方及び前記誘電体の
０．５ｍｍ
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は大気圧下での安定な放電を基板処理に用いる方法とそれを実現した装置に関するものである。特にレジスト等有機物の除去（アッシング）、ガラス基板洗浄後の残留有機物の除去等、ＬＳＩプロセス、アクティブマトリックスＬＣＤプロセス等に有効な有機物除去方法を安価にかつ簡便に提供する方法とその装置を開示するものである。
　【０００２】
　【従来技術】
　ＬＳＩ、アクティブマトリックスＬＣＤ等の半導体プロセスでは、マスク形成に感光樹脂のフォトレジストが用いられる。フォトレジストは所定の工程を経た後に除去されるが、通常はアッシングにより除去される。一般に、剥離液により除去できない程、レジスト膜が硬化、炭化しているのがその理由である。
　【０００３】
　アッシングは放電等により生成した活性酸素分子もしくはオゾン分子もしくは酸素原子等を有機物であるレジスト膜に化学的に作用させて灰化させることにより有機物を除去するものであり、燃焼反応の一種類であるともいえる。
　【０００４】
　前記燃焼反応を進行させるためには酸化反応を生じるラジカル（一般に化学的に活性な分子、原子等を総称する）を生成する必要がある。酸化反応に関連するラジカルとては酸素分子、励起酸素分子、酸素分子イオン、酸素原子、酸素原子イオン、オゾン分子、励起オゾン分子、オゾン分子イオン等の酸素原子／分子類がある。該酸素原子／分子類は基底状態と様々な励起状態のエネルギー準位を有している。また、酸素原子／分子類以外にも基底状態もしくは励起状態の二窒化酸素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素、二酸化炭素等の酸素化合物でもあり得る。
　【０００５】
　一般に反応性の高いラジカルほど反応速度は速い。良く知られているように、酸素分子、オゾン分子、酸素原子の順で反応性が高くなるため、より酸素原子の多い雰囲気のほうがスループットが高く生産性には優れているのでアッシングには有利となる。一方、反応性の高いラジカルが多すぎると基板へのダメージが大きくなり好ましくない。よって、基板に応じた適当なプロセス条件が存在することとなる。
　【０００６】
　また、燃焼反応は表面での反応であるため、ラジカルの数と同時に反応温度も反応速度に対する重要な因子となり、反応温度（基板温度）は一般に高いほうが反応速度は高くなる。但し、レジストの多くは熱硬化性樹脂であるため、基板温度を高くしすぎるとかえって除去速度が低下する。一般的には摂氏２００度程度の温度で処理されている。
　【０００７】
　酸素の関与するラジカルの生成方法には放電による方法と紫外線照射による方法が知られている。
　【０００８】
　放電による方法としては、減圧にしてグロー放電プラズマを生成する方法と大気圧下でのコロナ放電による方法がある。
　【０００９】
　減圧にしてグロー放電プラズマを生成する方法は一般に低圧グロー放電といわれる方法である。処理基板を減圧状態にできる反応容器内に保持し、該反応容器内を適当な反応ガス（酸素、酸化窒素、酸化炭素等）を一定圧力に制御し、該反応ガスに一対の電極もしくは誘導結合方式により電磁界を印加し、該反応ガスを電離する方法である。印加する電磁界は直流から２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波まで広範囲にわたり、一般に直流から数ＭＨｚ程度のＲＦ周波数までは一対の電極により、ＲＦ周波数以上では誘導結合方式により電磁エネルギーを印加することが多い。２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波では真空容器の壁材料に成りえる石英が進行波として通過することができるのでマイクロ波プラズマでは電極を用いず電磁波としてエネルギーを供給し電離する場合がある。この場合は電磁波は進行波もしくは定在波もしくは進行波と定在波の混在したモードとして供給される。前記反応ガスは反応容器に付随した排気装置により排気され、同時に反応ガス供給装置により供給される方法が一般的である。
　【００１０】
　大気圧下でのコロナ放電による方法は大気圧下で非平衡電界をつくり、該電界下でコロナ放電を生成して主にオゾンを発生させる方法である。非平衡電界を利用する事より、原理的に均一な処理には向かない。また主にオゾンを生成する理由は大気圧下であるため衝突の平均自由工程が小さく、内部エネルギーの大きな酸素原子イオン等は他の中性粒子と衝突を繰り返し、より寿命の長い準安定状態を有するオゾン分子に成るためである。
　【００１１】
　紫外線照射による方法は、酸素もしくは一酸化二窒素等に２００ｎｍ以下の波長と２００〜３００ｎｍの波長を有する光源（一般的には低圧水銀灯がよく用いられる）を照射し、オゾンと励起オゾンを生成する方法である。該紫外線照射による方法は原理的にイオンを生成する方法ではないため、この場合はオゾンのみが生成される。（但し、僅かの確率で二光子吸収が起こり、イオンが生成する事もある。）
　【００１２】
　前記酸素の関与するラジカルの生成方法は主にオゾンを発生させるコロナ放電式及び紫外線照射式と酸素原子、イオンも含めて各種のラジカルを発生させる低圧グロー方式の二つに大別することができる。前者のオゾン発生を主に行う方式は基板へのダメージは少ないものの、処理速度は酸素原子、イオン発生を主に行う方式のほうが格段に優れており、実際には低圧グロー放電を用いた処理方式を採用する場合が圧倒的に多い。
　【００１３】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記のようにアッシング装置としては低圧グロー放電の方式を採用することが多い。該方式で一定の処理能力を有していることは確かではあるが、反応空間を低圧に保持しなければならないという条件により各種の制約が発生する。
　【００１４】
　すなわち、減圧にするための排気装置を設置するための装置コストの上昇、減圧状態にたいしての十分な機械的強度を保持するための反応容器のコストアップ、高真空状態下での搬送機構の困難さによる自動化機構の複雑化、排気装置の設置および反応容器重量化による装置重量の上昇および設置床面積の増加、真空排気時間および反応容器リーク時間が必要なことに伴うスループットの低下等である。
　【００１５】
　また、イオンの作用で処理していることにより発生する基板へのダメージが無視出来ない。これは近年の半導体高集積化と高性能化により、より顕著になってきた問題である。イオンによる基板へのダメージはプラズマ内でのイオンシースの形成によるものと理解されている。イオンシースはプラズマ内の電子温度とイオン温度が同一でなく熱的に非平衡状態であることにより発生する。一般的な低圧グロー放電でのイオン温度は数ｅＶ（数万度）、イオン温度は数十ｍｅＶ（数百度）といわれている。一般的に圧力が低いほど電子温度は高くなる。（低圧力で放電するＥＣＲ放電では電子温度は十数ｅＶといわれている。）よって、イオンによる基板のダメージは圧力が低いほど大きくなると考えられ、経験的にも低圧力ほどダメージは大きい。
　【００１６】
　上記の問題点は共に減圧下で処理することにより発生するものである。一方、大気圧下でオゾンを生成して処理する方法は装置の簡易さ、低コスト、ダメージフリー等の利点は存在するものの処理速度の点で実用化は一部の用途に限られている。
　よって、排気装置が不要で装置コストが低く、かつ、ダメージの少ないアッシング装置を実現する技術が望まれていた。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】
　前記の課題を解決するため、本発明人らは大気圧下での安定な放電を得、これをアッシング工程に応用することにより解決した。
　【００１８】
　大気圧下での放電自体は本発明人らの発明（特願平２−２８６８８３、特願平２−４１８０７５、特願平２−４１８６９４、特願平２−４１８６９５、特願平４−９７２６９、特願平４−９７２７０、特願平４−９７２７１）がある。これらは放電方法及び装置に関して開示されたものであり、本発明はアッシングに関する技術について開示するものである。
　【００１９】
　大気圧下での放電を安定に得る方法は各種存在する。一つはアーク放電に代表される熱プラズマとして得る方法である。これはアーク放電の条件である陰極輝点の存在（即ち電極材料の溶解）とプラズマの負性抵抗（即ち熱暴走の可能性および安定器の必要性）により金属等の溶融加工等に主に利用されるもので室温付近の比較的低温（摂氏４００度以下）での加工には向かない。二つ目は沿面放電等のコロナ放電である。前記の主にオゾン生成に供される技術であるが、放電状態が電極の形状に強く影響され、大面積処理にも向かない。一方、本発明人らによる大気圧放電は安定に高密度のプラズマが得られ、表面加工等のプロセスプラズマに適したものである。
　【００２０】
　本発明人らの大気圧放電の構成は同芯円筒状もしくは平行平板状の一対の電極を設け、該電極の対向する面の片側もしくは両側に誘電体を挿入したものである。電極表面の形状を櫛形、針状にする必要はない。該誘電体間もしくは誘電体電極間の隙間に希ガス（ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン）を層流状態で流し、前記電極に交流の電界を印加して前記希ガスを電離させるものである。
　【００２１】
　プロセスプラズマへの応用を考えた場合は同芯円筒状電極で形成されるビームプラズマより、平行平板電極で形成されるラインプラズマのほうが好ましい。
　【００２２】
　以下、平行平板電極で形成されるラインプラズマについて図１に従って説明する。給電電極（１１）と筐体を兼ねた対向電極（１２）の間に誘電体（１３）を配置する。これらの電極は前部筐体（１６）、上蓋（１７）、絶縁体構造部材（１８）、絶縁体電極保持部材（１９）により保持される。電極へは給電端子（１５）を介して電源（１４）より電界が印加される。希ガスはガス導入管（２０）より供給され、プラズマ発生領域（２１）を通って外部に流出する。ガスは流量調節機構（図示せず）を介して供給される。
　電極（１１）の材料は導電体であれば良いが、希ガスに反応性のガスを添加してエッチング、アッシング、デポジション等に利用しようとする場合には、反応性ガスに侵されない材料が好ましい。例えば、ハロゲン系ガスを添加する場合にはタングステン等のエッチング可能な材料ではなく、金、銀、プラチナ、ステンレス鋼等の化学的に安定な材料が好ましい。
　【００２３】
　電極（１１）の表面は積極的に櫛形、針状等の凹凸を設ける必要はなく、平面とすることが出来きる。平面にすることによりガスの流れが理想的な層流に近くなり、プラズマをより均一にすることができる。平面度の取決めはとくに存在しないが、電極の大きさに比較して十分平面であればなんら問題はない。数値として上げるならば５点平均粗さ（Ｒａ）で１０μｍ程度あれば十分である。
　【００２４】
　誘電体（１３）はアーキングの生成を防止するものであり、できるだけ誘電率の高いものが好ましい。誘電率が高いほど低い周波数での放電が可能である。誘電体（１３）の厚さは薄い方が良いが、あまり薄いと絶縁破壊を起こしてしまうので好ましくない。また、焼結体の場合はピンホールの無い絶縁体を用いる様注意が必要である。ピンホールが存在するとその部分より絶縁破壊を起こしてしまうからである。誘電体（１３）の材料としてはアルミナ以上の誘電率（比誘電率＝約９）をもつ材料が好ましい。具体的にはアルミナ、ジルコニア、ＰＺＴ、ＹＳＺ、ＳＴＯ等である。石英は比誘電率が低いためあまり好ましくはないが、印加電圧の周波数を１３．５６ＭＨｚ程度のＲＦ周波数以上で用いることができる。誘電体（１３）の厚さは経験的には５０μｍ以上５ｍｍ以下がよい。５０μｍより薄いと絶縁破壊を起こし、５ｍｍより厚いと放電の開始が困難となる。
　【００２５】
　前記電極（１１）に印加する電界に周波数は商業周波数である５０Ｈｚから２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波まで利用することが可能である。周波数の大きい方が放電開始容易であるが電源（１４）のコストが上昇する。印加する電力は電極面積で規格化したパワー密度で表すと、５Ｗ／ｃｍ２から５０００Ｗ／ｃｍ２の間が適当である。低圧グロー放電に比べると大きな値となるが、大気圧であることを考慮すればガス粒子一個当たりに費やされる電界強度としては適当な値となる。前記値の下限は放電維持に必要な電圧の下限値を意味し、上限はプラズマ内での加熱に起因する装置破壊限度を示す。よって、装置の冷却等の処置を講ずれば上限値は更に上げうる可能性がある。
　【００２６】
　希ガスに反応ガスを添加して各種のプロセスが可能となる。反応ガスは流量調節機構を介して供給するの好ましい。反応ガスはガス導入管（２０）より希ガスに混合して供給してもよいし、プラズマ発生領域（２１）を希ガスが通過した後、ノズル（図示せず）を介して処理基板近傍に供給してもよい。
　【００２７】
　反応ガスを希ガスに混合して供給する場合、本発明人らは実験により、反応ガスがプラズマ発生領域に存在している時間が基板処理能力に対して重要であるという知見を得ている。すなわち、プラズマ発生領域のガス流れ方向の長さとガス流量の関係で処理能力が大きく変わる。プラズマ発生領域内でのガス滞留時間が短い（すなわちガス流量が大きいもしくはプラズマ発生領域のガス流れ方向の長さが短い）と反応ガスの励起が十分に行われる前にガス流によりプラズマ領域から押し出されてしまう。逆に、プラズマ発生領域内でのガス滞留時間が長い（すなわちガス流量が小さいもしくはプラズマ発生領域のガス流れ方向の長さが長い）と励起反応ガス同士の衝突が頻繁となり、活性なラジカル同士の会合等により反応性が失われてしまうと考えられる。アッシングの場合の最適滞留時間は１０μｓｅｃから１００ｍｓｅｃが好ましかった。なお、プラズマ発生領域のガス流れ方向の長さは近似的に給電電極の長さで表すことが出来る。
　【００２８】
　アッシングの場合は反応ガスとして酸素を用いることができる。酸素の濃度とアッシング速度の関係は図２に示すように酸素濃度の増加とともに減少する。酸素濃度が０％のときにはアッシングはされないことより、０から０．２５％の間で最適値が存在することを示している。これは、酸素が負に帯電することから、必要以上に酸素が存在するとプラズマ中の電子が酸素にトラップされプラズマの密度が低下する（クエンチ）効果が存在することを示唆している。これは大気圧放電の特徴である。よって、酸素濃度は３％以下好ましくは１％以下であることが好ましい。これは前記のガス滞留時間の範囲内であればあらゆるプラズマ発生領域のガス流れ方向の長さとガス流量において成り立つ関係であった。
　【００２９】
　なお、本装置の有効放電長は電極間隔の均一性を保証できる機械加工精度があれば幾らでも長く出来る。しかし、現状の加工精度（１００μｍ）程度では有効放電長は１ｍ程度がせいぜいである。但し、加工精度が向上すると有効放電長が長くなることは言うまでもない。電極間隔の上限値は放電開始ができる電圧を印加することが出来るかどうかで制限される。また、下限値はガス流速が速く成りすぎない程度で制限される。具体的には５０μｍから５ｍｍが適当である。
　【００３０】
　【実施例】
　本実施例では反応ガスに酸素を用い、希ガスとしてアルゴンを用いた場合を例示する。プラズマ発生装置は先に説明に用いたラインプラズマ発生装置を用いた。
　【００３１】
　〔基板の準備〕
　基板は１００ｍｍ角のガラス基板を用いた。該基板はＬＣＤ用ＴＦＴの生産工程で用いられるもので、チャネル形成のためのイオンドーピング後のレジスト剥離でのアッシング性能を検討した。
　【００３２】
　レジストはポジ型レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００）粘度３０ｃｐｓのもの　　を用いた。スピンコートしたのち摂氏８０度で２０分間プリベークをおこなった。
　【００３３】
　マスクをかけ、３６５ｎｍに中心波長をもつ紫外線（２ｍＷ）で２０秒露光したのち、現像液ＮＭＤ３（東京応化製）で１分間現像した。水洗ののち、ポストベークを摂氏１３０度で３０分間行った。ポストベーク後のレジスト膜厚は２μｍであった。
　【００３４】
　この後、イオンインプタンテーションによりボロンを１×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ２イオンドーピングした。
　【００３５】
　前記工程を経たレジスト膜はイオンインプタンテーションにより加熱されたため、剥離液ストリッパー１０（東京応化製）ではほとんど剥離出来ないものであった。
　【００３６】
　〔アッシング〕
　前記装置を用いて前記基板上のレジスト膜のアッシングを行った。放電条件を以下に記す。
　　電極材料　　　　　ステンレス鋼（ＳＵＳ４１６）
　　有効放電長　　　　１５０ｍｍ
　　電極誘電体間隔　　０．５ｍｍ
　　電極長さ　　　　　２０ｍｍ
　　誘電体厚さ　　　　１００μｍ
　　誘電体材料　　　　ジルコニア
　　アルゴン流量　　　９ＳＬＭ
　　ガス滞留時間　　　１０ｍｓｅｃ
　　印加電界周波数　　１３．５６ＭＨｚ
　　印加電力　　　　　３ｋＷ（１００Ｗ／ｃｍ２）
　　反応ガス　　　　　酸素
　　酸素流量　　　　　９ｓｃｃｍ
　　反応ガス混合方式　希ガス（アルゴン）混合方式
　【００３７】
　前記の条件でプラズマを生成し、前記の基板上のレジストのアッシングを行ったところ約３分で幅１．５ｍｍに渡りレジストが灰化して除去されていることが確認された。これはアッシングレートが６７００Å／ｍｉｎに相当し、減圧でのレートである１０００Å／ｍｉｎより格段に上昇していることがわかる。なお、放電装置の開口部と基板表面までの距離は２ｍｍとした。
　【００３８】
　ただ、本実施例ではライン状にしかアッシングできないため、ラインを複数本並べる、該ラインをラインの方向と垂直方向にスキャンさせる、基板を適当な搬送機構に乗せ、一本もしくは複数本の固定された放電装置下を通過させる等の工夫が必要となる。この点、本実施例には詳しく述べなかったが、本発明を制限するものではない。
　【００３９】
　また、本実施例により作成したＴＦＴの特性は十分良好なものであり、本発明の基板処理によりダメージを受けたという結果は全く見られなかった。
　【００４０】
　【発明の効果】
　上記の如く本発明の基板処理方法によるアッシングを実施するとアッシング速度が向上し、かつ基板の損傷のほぼ皆無であったため、信頼性の高い半導体デバイスを作成することができた。また、真空排気装置を有しないため装置構成が簡単であり、装置コストを低く抑えることができたことにより、価格競争力のある製品を作ることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の放電装置の断面図を示す
　【図２】　希ガスに対する酸素濃度のアッシング速度依存性を示す
　【符号の説明】
　１１　給電電極
　１２　筐体を兼ねた対向電極
　１３　誘電体
　１４　電源
　１５　給電端子
　１６　前部筐体
　１７　上蓋
　１８　絶縁体構造部材
　１９　絶縁体電極保持部材
　２０　ガス導入管
　２１　プラズマ発生領域