【事件の表示】
　特願２０１０−２８４６５３「ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月２１日出願公開、特開２０１１−　８２５５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００４年９月２０日（優先権主張２００３年９月３０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特願２００６−５３３８５６号の一部を平成２２年１２月２１日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年４月８日付けの拒絶理由に対して、同年６月１７日に手続補正がなされるとともに、意見書が提出され、同年７月２２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１０月３０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、平成２６年８月２７日に上申書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２５年１０月３０日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２５年１０月３０日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１７を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１６に補正するものであり、そのうちの補正前の請求項１及び補正後の請求項１は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　基板ホルダーに鉛直に積み重られた一群の基板を処理システムのバッチタイプ処理チャンバーに供給することを有しており、各基板はシリコン表面を有しており、
　一群の基板を加熱することと、
　各基板のシリコン表面にＨＣＤ処理ガスを露出することと、
　ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって各基板のシリコン表面上にシリコン含有膜を堆積することとを有しており、シリコン含有膜の堆積は、各基板のシリコン表面の結晶格子の伸張によって起こる、シリコン含有膜を一群の基板上に堆積する方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　基板ホルダーに鉛直に積み重られた一群の基板を処理システムのバッチタイプ処理チャンバーに供給することを有しており、各基板は半導体デバイスのソース及びドレイン領域の各々に対応したシリコン表面と前記シリコン表面を露出する開口を備えたマスクとを有しており、
　一群の基板を加熱することと、
　各基板の露出されたシリコン表面にＨＣＤ処理ガスを露出することと、
　ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって各基板の前記露出されたシリコン表面上にシリコン含有膜を選択的に堆積することとを有しており、シリコン含有膜の前記選択的な堆積は、各基板の前記露出されたシリコン表面の結晶格子の伸張によって起こり、前記選択的に堆積されたシリコン含有膜から前記マスクを除去した場合にはかさ高なソース及びドレイン領域を持つシリコン・オン・インシュレーターデバイスが製造されるような選択的な堆積である、シリコン含有膜を一群の基板上に堆積する方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正のうち、補正前の請求項１についての補正を整理すると、次のとおりである。
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の「各基板はシリコン表面を有しており、」を、補正後の請求項１の「各基板は
半導体デバイスのソース及びドレイン領域の各々に対応した
と前記シリコン表面を露出する開口を備えたマスクと
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項１の「各基板のシリコン表面にＨＣＤ処理ガスを露出することと、」を、補正後の請求項１の「各基板の
露出された
　
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項１の「ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって各基板のシリコン表面上にシリコン含有膜を堆積することとを有しており、」を、補正後の請求項１の「ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって各基板の
前記露出された
選択的に
　
（補正事項ｄ）
　補正前の請求項１の「シリコン含有膜の堆積は、各基板のシリコン表面の結晶格子の伸張によって起こる、」を、補正後の請求項１の「シリコン含有膜の
前記選択的な
前記露出された
り
前記選択的に堆積されたシリコン含有膜から前記マスクを除去した場合にはかさ高なソース及びドレイン領域を持つシリコン・オン・インシュレーターデバイスが製造されるような選択的な堆積である、
　
（３）補正の目的の適否についての検討
　上記補正事項のうち、補正事項ａ及びｄについて検討する。
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａのうち「半導体デバイスのソース及びドレイン領域の各々に対応した」との補正事項は、半導体デバイスに関する事項を追加する補正であって、補正前の請求項に記載されたいずれの課題解決手段の下位概念化にも該当しないので、補正前の請求項に記載された発明特定事項を限定するものとは認められない。
　また、補正事項ａのうち「前記シリコン表面を露出する開口を備えたマスクと」との補正事項は、半導体デバイスに関する事項を追加する補正であって、補正前の請求項に記載されたいずれの課題解決手段の下位概念化にも該当しないので、補正前の請求項に記載された発明特定事項を限定するものとは認められない。
　したがって、補正事項ａは、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、補正事項ａが、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ａは、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂのうち「前記選択的に堆積されたシリコン含有膜から前記マスクを除去した場合にはかさ高なソース及びドレイン領域を持つシリコン・オン・インシュレーターデバイスが製造されるような選択的な堆積である、」との補正事項は、半導体デバイスに関する事項を追加する補正であって、補正前の請求項に記載されたいずれの課題解決手段の下位概念化にも該当しないので、補正前の請求項に記載された発明特定事項を限定するものとは認められない。
  また、補正事項ｂが、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ｂは、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　以上、検討したとおりであるから、他の補正事項について検討するまでもなく、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２５年１０月３０日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１７に係る発明は、平成２５年６月１７日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された事項及び発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平７−１７７９６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「【００１１】
【発明の構成】
本発明の単結晶シリコン膜の製造方法において、クロロポリシランをシリコン源として用いる。クロロポリシランはSi
n
Cl
2n+2
 (ｎ≧２) なる式で示される化合物である。
【００１２】従って、シリコン源の気化に要する加熱温度を考慮すると、ｎ＝２または３のクロロポリシラン、、即ち、
ヘキサクロロジシラン(Si
2
Cl
6
 、沸点146 ℃) 
シリコン源として特に好ましい。
【００１３】クロロポリシランは、例えば、四塩化珪素(SiCl4) の製造に少量副生するものを蒸留により精製して用いてもよいが、特開平１−219012号公報に記載の塩化第一銅触媒の存在下で金属珪素を塩素ガスと反応させる方法、或いは特開平１−278411号各公報に記載の高級クロロポリシラン (上記一般式でｎ≧４) を塩素ガスと反応させてSi2Cl6やSi3Cl8を製造する方法により製造したものを利用してもよい。クロロポリシランは、蒸留により容易に高純度品を得ることができる。
【００１４】
基板は、成膜温度で熱的に安定で、表面が平滑であれば、単結晶のみならず、多結晶、さらには非晶質の基板を使用することもできる。
単結晶基板として、単結晶Si、
【００１５】
本発明による単結晶シリコン膜の製造は、ＣＶＤ法による従来の気相エピタキシャル膜と同様の操作によって実施できる。即ち、反応管内で基板を所定の成膜温度に加熱し、この反応管内に原料ガス (気化したクロロポリシランを含有するガス) を供給し、クロロポリシランを加熱基板と接触させればよい。
【００１６】
クロロポリシランは、加熱基板と接触すると、熱分解によりシリコンと塩素ガスとに分解する。また、雰囲気中に水素が存在する場合には、水素還元を受けて、シリコンと塩化水素ガスとに分解する反応も起こる。いずれの分解反応でも、分解で生成したシリコンは基板上に堆積して、シリコン膜が形成される。
「【００２２】
【実施例】
図１に示したＣＶＤ装置によって、クロロポリシランの分解により各種基板上に単結晶シリコン膜を成膜した。使用した装置は、石英製の矩形反応管１ (20×40×600 mm) 内に、基板２を載せるためのグラファイトサセプター３が収容されたものであった。サセプター３は加熱手段４ (平面放射型赤外線加熱装置) により所定温度に加熱され、反応管は冷却管５により外部冷却される。
【００２３】
反応管への原料ガスの供給は、シリコン源のクロロポリシランを収容した原料気化容器６ (油浴７により一定温度に加温) 、水素ガス供給源に接続された流量計８および９、アルゴンガス供給源に接続された流量計10からなる原料ガス供給系より行われる。
シランの濃度は、原料気化容器の温度およびこの容器に吹き込む水素ガスの流量により調整される。」
　
（２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「単結晶シリコンからなる基板を載せたグラファイトサセプターを反応管に収容し、
　前記反応管内で、前記基板を所定の成膜温度に加熱し、
　前記反応管内に原料ガスであるヘキサクロロジシランを供給し、前記ヘキサクロロジシランを加熱された前記基板と接触させ、
　熱分解により前記ヘキサクロロジシランをシリコンと塩素ガスとに分解し、
　前記分解で生成した前記シリコンを前記基板上に堆積させて、単結晶シリコン膜を形成する、
　単結晶シリコン膜の製造方法。」
　
５．対比
（１）刊行物発明の「単結晶シリコンからなる基板」は、本願発明の「シリコン表面を有して」いる「基板」に相当する。
　
（２）刊行物発明の「ヘキサクロロジシラン」は、本願発明の「ＨＣＤ処理ガス」に相当する。なお、本願の願書に最初に添付された外国語明細書の段落【０００１】の「The present invention relates to semiconductor processing, and more particularly, to a process and a processing tool for depositing silicon-containing films on a substrate using 
a hexachlorodisilane(HCD) process gas
ヘキサクロロシラン
　
（３）刊行物発明の「ヘキサクロロジシランを加熱された」「前記基板と接触させ」ることは、本願発明の「基板のシリコン表面にＨＣＤ処理ガスを露出すること」に相当する。
　
（４）刊行物発明の「単結晶シリコン膜」は、本願発明の「シリコン含有膜」に相当する。そして、刊行物発明において、「分解で生成した」「シリコンを」「単結晶シリコンからなる」「基板上に堆積させて、単結晶シリコン膜を形成する」際に、当該「単結晶シリコン膜」は、「単結晶シリコンからなる」「基板」表面のシリコンの結晶格子が伸張することによって堆積・形成されることは明らかである。
　
（５）刊行物発明の「単結晶シリコン膜の製造方法」と、本願発明の「シリコン含有膜を一群の基板上に堆積する方法」とは、「シリコン含有膜を基板上に堆積する方法」という点で共通する。
　
（６）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「基板はシリコン表面を有しており、
　前記基板を加熱することと、
　前記基板のシリコン表面にＨＣＤ処理ガスを露出することと、
　ＨＣＤ処理ガスの熱分解によって前記基板のシリコン表面上にシリコン含有膜を堆積することとを有しており、前記シリコン含有膜の堆積は、前記基板のシリコン表面の結晶格子の伸張によって起こる、シリコン含有膜を基板上に堆積する方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）本願発明では、「基板ホルダーに鉛直に積み重られた一群の基板を処理システムのバッチタイプ処理チャンバーに供給することを有して」いるのに対して、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
６．判断
（１）以下、相違点について、以下、検討する。
　減圧ＣＶＤ装置のような薄膜堆積装置として、バッチタイプの処理チャンバ−を用いること、そして、このようなタイプの処理チャンバ−に基板を供給する際に、当該基板を、基板ホルダーに鉛直に積み重ねることは、以下の周知例に記載されているように従来から周知である。
　
（ア）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００３−１７９０７５号公報（以下「周知例１」という。）には、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１１】
【実施例】（実施例１）以下本発明の実施例を説明するが、本発明が以下の実施例に限定される物では無い。
【００１２】図１（ａ）〜（ｅ）はＭＩＳ型電界効果トランジスタを形成する多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造プロセスを断面で示した図で有る。
【００１３】本実施例１では基板１０１として２３５ｍｍ口の石英ガラスを用いた。しかし、６００℃４〜５時間の熱環境に耐え得る基板で有るならば、基板の種類や大きさは無論問われない。まず有機洗浄又は酸洗浄された基板１０１に下地保護膜１０２を形成する。本実施例１では常圧気相化学堆積法（ＡＰＣＶＤ法）にて二酸化硅素膜（ＳｉＯ2膜）を２０００オングストローム堆積した。下地保護膜１０２としてはＳｉＯ2膜に代り窒化硅素膜（ＳｉＮｘ）等も可能で有り、その形成方法もプラズマＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）やスパッター法など工程温度が６００℃以下のあらゆる形成手段が有効で有る。続いて、ソース・ドレイン領域１０３を形成する。
【００１４】（図１（ａ））本実施例１ではｎ型半導体装置の作成を試みた為、不純物として燐を選び、ＬＰＣＶＤ法でホスフィン（ＰＨ3）とモノシラン（ＳｉＨ4）を原料ガスとして燐を含んだ多結晶シリコン膜を堆積した後、パターニングに依り、ソース・ドレイン領域１０３を形成した。燐を含んだ多結晶シリコン膜の堆積温度は６００℃で、堆積速度３０オングストローム／ｍｉｎで１５００オングストロームの膜厚に堆積して、ソース・ドレイン領域を作成した。
【００１５】次にＬＰＣＶＤ法で後にチャンネル部を構成するに至るシリコン膜１０４を堆積する。（図１（ｂ））
本実施例１で使用したＬＰＣＶＤ装置の概要を図２に示す。
基板２０２は反応室中央付近に水平に設置される。
挿入基板間の間隔を５ｍｍとすれば、１バッチで７０枚の基板処理が可能で有る。
　
（イ）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００３−１７８９９２号公報（以下「周知例２」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１３】
【発明の実施の形態】［第１の実施形態］本発明がなされる前の予備的考察において、上記ボトム領域で形成された膜厚面内均一性が５〜６％のボロンドープポリシリコン膜は、ウェハ中心部で厚く、外側にいくほど薄くなっていく傾向が見られた。これは、ボロンが有する成膜速度を増加させる触媒効果を考慮すると、ボトム領域ウェハ外側部分では三塩化ホウ素ガスは十分に分解しておらず、ウェハ内側方向に拡散していく際に除々に分解していることが考えられる。ウェハ面内温度分布による影響も原因として挙げられるが、成膜前温度安定化時間やボトム領域下方ダミーウェハの有無に対する膜厚面内均一性の依存性が無いことから、それは考えにくい。これらの結果から、三塩化ホウ素をボトム領域に達するまでに十分分解させることが、ボトム領域の膜厚面内均一性を改善する上で重要であるといえる。本発明は、このような考察に基づいてなされたものである。
【００１４】反応ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）と三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）とを使用して、
反応炉内でボートに複数枚のウェハを垂直方向に積層支持した状態で、
熱ＣＶＤ法により、前記ウェハ上に、ボロンドープシリコン薄膜、すなわち、ボロンドープアモルファスシリコン薄膜またはボロンドープポリシリコン薄膜を形成するホットウォール式のバッチ式縦型減圧ＣＶＤ装置の構造概略図を図１に示す。
「【００１６】
複数枚のウェハ４が中心をそろえて垂直方向に積層して装填された石英製のボート３はインナーチューブ２内に設置され、
　
（ウ）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００３−１５１７３７号公報（以下「周知例３」という。）には、図２とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体集積回路製造プロセスでは、酸化・拡散処理装置、気相エピタキシャル成長装置、減圧ＣＶＤ装置（ＬＰＣＶＤ装置）、アニール装置などの種々のＩＣプロセス装置が使用されている。そして、これらでは、ＩＣを形成する（ＩＣを形成中又は形成しようとする）シリコンウェハ（以下、単にウェハという）の加熱処理を行うための加熱装置が備えられている。
【０００３】図２は、従来技術を説明するためのものであって、加熱装置として抵抗加熱によるヒータを備えた縦型減圧ＣＶＤ装置の一例を示す模式的構成説明図である。減圧ＣＶＤでは、一般に、温度４００〜８００℃で、０．１〜３０Ｔｏｒｒ（約０．０１３ｋＰａ〜４．０ｋＰａ）の圧力下で成膜が行われる。
【０００４】
このバッチ式の縦型減圧ＣＶＤ装置は、図２に示すように、空断面円形で上部がドーム状をなす石英製の反応容器５１と、この反応容器５１内に配され、円筒状をなす石英製の内管５４と、さらにこの内管５４の内側に配され、ウェハ５２を多数枚（例えば１００〜１５０枚程度）縦に並べて搭載するウェハ搭載ボード５３と、マニホールド５６とを備えている。
　
　そうすると、刊行物発明において、「反応管」に換えて、従来から周知の「バッチタイプ処理チャンバ−」を使用することより、本願発明のように、「基板ホルダーに鉛直に積み重られた一群の基板を処理システムのバッチタイプ処理チャンバーに供給する」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。