【事件の表示】
　特願２０１０−５０４１５８「成長基板を有する発光ダイオード上の透明オーム接触」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月３０日国際公開、ＷＯ２００８／１３０８２１、平成２２年　７月２２日国内公表、特表２０１０−５２５５７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２０年４月４日（パリ条約による優先権主張２００７年４月２０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１２月１７日付け及び平成２４年６月２１日付けで手続補正がなされたところ、同年１０月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月１３日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において同年８月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２５年１２月２日付け手続補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「成長基板と、
　該成長基板の第１の表面上の実質的に透過性のオーム接触と、
　該成長基板の反対側の表面上のＩＩＩ族窒化物発光活性領域と、
　該活性領域内で発生させられる光を伝送する該活性領域上のｐ型ＩＩＩ族窒化物接触層と、
　該ｐ型接触層上の実質的に透過性のオーム接触と、
　を備え、
　段階的な屈折率が、光子がダイオードから出射するときにフレネル損失を最小にする前記接触にわたって形成されるように、前記実質的に透過性のオーム接触は、インジウムの原子分率において段階的であるインジウム酸化スズを含む、発光ダイオード。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／１３８６２６号（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている（括弧書きで和訳を付した。）。
　ア　「1. Field of the Invention.
　This invention is related to wafer bonding for optoelectronic applications.」（２頁１５、１６行）
　（１．発明の分野
　この発明は、光電子応用のためのウェハーボンディングに関する。）
　イ　「FIG. 17 is a schematic cross-section of a wafer-bonded LED showing how one or more transparent conductor layers comprising ITO (1701) and (1702) may be bonded on both sides of the III-nitride optical device. The III-nitride optical device comprises n-type III-nitride (1703), an active region (1704), p -type III-nitride (1705) and a suitable substrate comprising silicon carbide or gallium nitride (1706). One or more n-type transparent conductor layers (1702) and one or more p-type transparent conductor layers (1701) are bonded on the p-type HI- nitride (1705) and the suitable substrate (1706) respectively. The wafer bonded LED further comprises at least one p-type electrode (1707) and at least one n-type electrode (1708).
　FIG. 17 also shows how the one or more transparent conductor layers may be shaped or roughened. The shaped one or more transparent conductor layers may comprise one or more inclined planar surfaces (1709) of the one or more transparent conductor layers (1701), (1702) inclined at a critical angle (1710) that is relative to an interface (1711) forming, for example, at least one truncated hexagonal pyramid (1712) with at least one electrode (1708) on top. The arrow (1713) Illustrates a possible trajectory for extracted light.」（１５頁１〜１６行）
　（図１７はウェハーボンドされたＬＥＤの断面概略図であり、ＩＴＯ（１７０１）および（１７０２）からなる一つ以上の透明導電体層がIII族窒化物光素子の両側にボンディングされた様子を示す。III族窒化物光素子は、ｎ型III族窒化物（１７０３）、活性領域（１７０４）、ｐ型III族窒化物（１７０５）、及び炭化珪素あるいは窒化ガリウムからなる適当な基板（１７０６）を備えている。一つ以上のｎ型透明導電体層（１７０２）と一つ以上のｐ型透明導電体層（１７０１）が、それぞれｐ型III族窒化物（１７０５）と適当な基板（１７０６）上にボンディングされる。ウェーハボンドされたＬＥＤはさらに少なくとも一つのｐ型電極（１７０７）と少なくとも一つのｎ型電極（１７０８）を備えている。
　図１７はまた、一つ以上の透明導電体層が整形または粗面化され得る様子を示している。整形された一つ以上の透明導電体層は、界面（１７１１）に対して臨界角（１７１０）で傾いた一つ以上の透明導電体層（１７０１）、（１７０２）の一つ以上の傾斜平面（１７０９）を備えており、例えば上部に少なくとも一つの電極（１７０８）を持つ、少なくとも一つの切頂六角錐（１７１２）を形成している。矢印（１７１３）は取り出される光の可能な軌跡を示している。）（審決注：引用刊行物１中の「n-type transparent conductor layers (1701)」及び「p-type transparent conductor layers (1702)」は、それぞれ、「n-type transparent conductor layers (1702)」及び「p-type transparent conductor layers (1701)」の誤りと認められるので、上記のとおり認定した。）
　
　ウ　上記イに照らして図１７をみると、「ｎ型透明導電体層（１７０２）」が「基板（１７０６）」上にボンディングされ、「ｐ型透明導電体層（１７０１）」が、「ｐ型III族窒化物（１７０５）」上にボンディングされることがみてとれる。
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＩＴＯ（１７０１）および（１７０２）からなる一つ以上の透明導電体層がIII族窒化物光素子の両側にボンディングされたＬＥＤであって、
　III族窒化物光素子は、ｎ型III族窒化物（１７０３）、活性領域（１７０４）、ｐ型III族窒化物（１７０５）、及び炭化珪素からなる適当な基板（１７０６）を備えており、ｎ型透明導電体層（１７０２）が基板（１７０６）上にボンディングされ、ｐ型透明導電体層（１７０１）がｐ型III族窒化物（１７０５）上にボンディングされ、ウェーハボンドされたＬＥＤはさらに少なくとも一つのｐ型電極（１７０７）と少なくとも一つのｎ型電極（１７０８）を備えている、ＬＥＤ。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開２００５−１２３４８９号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
　本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体素子に係わり、特に透光性に優れ、且つ窒化物半導体層と良好なオーミック接触を得ることができる電極およびその製造方法に関する。」
　イ　「【００１１】
　以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。
　…
【００１３】
　…本形態にかかる窒化物半導体発光素子は、基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体から成るｎ型層と、ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成るｐ型層を順に積層してなる窒化物半導体発光素子である。特に、本形態にかかる窒化物半導体発光素子は、透明導電膜よりなる第一の層および第二の層とがｐ型層の側から順に積層された透光性電極を有する。
　…
【００２４】
　（第一の層）
本形態における第一の層は、透光性電極の窒化物半導体層側に設けられ、第一の層単独で、あるいは金属膜とともに窒化物半導体層と好ましいオーミック接続をし、透光性電極に投入された電流を半導体層側に拡散させる。また、第一の層は、半導体発光素子からの光を効率よく取り出せるように高い透光性を有する。そのため第一の層は、酸素を含む透明導電膜とする。酸素を含む透明導電膜には数々の種類があるが、特に好ましくは亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなることを特徴とする。具体的には、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎの複合酸化物）等で示されるＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ等の酸化物を含む透明導電膜を形成することが望ましい。この透明導電膜よりなる第一の層の厚さは特に限定するものではなく、数オングストローム〜数μｍの厚さで形成可能である。…
【００２５】
　（第二の層）
本形態における第二の層は、上述の第一の層に形成され、投入された電流を電極全体に拡散させ、電極全体の抵抗をさらに低くする。さらに、第二の層に対して設けられ、金属材料により構成されるパッド電極との接続を良好にする。そのため第二の層は、酸素を含む透明導電膜とし、熱処理温度や雰囲気中の酸素分圧が第一の層と異なるように適宜調節して成膜することにより、酸素含有量が第一の層より低く、さらに比抵抗も小さくなるようにしてある。
　…
【００２７】
　第二の層に含まれる酸化物には数々の種類があるが、特に好ましくは亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）よりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなることを特徴とする。具体的にはＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎとの複合酸化物）を挙げることができる。ここで、第二の層の材料は、第一の層と同じ材料に限定されないことは言うまでもない。例えば、第二の層の屈折率を第一の層の屈折率より段階的に小さくすることにより、発光素子からの光の取り出しを向上させることができる。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体から成るｎ型層と、ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成るｐ型層を順に積層してなる窒化物半導体発光素子であって、
　透明導電膜よりなる第一の層および第二の層とがｐ型層の側から順に積層された透光性電極を有し、
　第一の層は、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎの複合酸化物）で示されるＩｎ、Ｓｎの酸化物を含む透明導電膜で形成され、
　第二の層は、上述の第一の層に形成され、酸素含有量が第一の層より低く、具体的にはＩＴＯ（ＩｎとＳｎとの複合酸化物）を挙げることができ、
　第二の層の屈折率を第一の層の屈折率より段階的に小さくすることにより、発光素子からの光の取り出しを向上させることができる、窒化物半導体発光素子。」
　
（３）引用刊行物３
　同じく、特開昭６１−１４１１８５号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　ア　「本発明は、低い屈折率の層から高い屈折率の層へ入射する場合その中間に屈折率が徐々に上がっていく層を介在させることが反射防止に有効であるとの認識に基づき、ガラス基板上にＳｎＯ２含有量が段階的に低くされた複数のＩＴＯ蒸発源を順次用いて多層の透明導電膜を蒸着したのちその上に半導体薄膜を積層することによって上記の目的を達成する。」（１頁右下欄１２〜１９行）
　イ　「…第２図に示すようにＳｎＯ２５重量％のＩＴＯは屈折率１．７、ＳｎＯ２２〜３重量％のＩＴＯは屈折率１．９であるから、ガラス基板１と半導体層４の間に屈折率が次第に高くなる透明導電膜が形成され、ガラス基板側からの入射光５に対する反射防止がよくなる。」（２頁左上欄１０〜１５行）
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物３には、次の技術的事項（以下「技術的事項１」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＩＴＯ中のＳｎＯ２重量％を変更することにより、当該ＩＴＯの屈折率を変化させ得ること。」
　
（４）引用刊行物４
　同じく、特開平９−１３９５１５号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　「【００２４】…透明導電膜の屈折率は通常ＳｎＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ膜ともに１．９前後であるが、作製条件、組成比などの制御により１．８〜２．０程度の範囲に変化させることが可能である。そこでＳｎＯ２膜３は作製条件の変更によって屈折率を１．８に、ＩＴＯ膜４は屈折率を１．９のままに、ＺｎＯ膜５はＯ２分圧を変更することによって屈折率を２．０とした。こうすることにより、透光性絶縁基板１、ＳｎＯ２膜３、ＩＴＯ膜４、ＺｎＯ膜５と、光入射の順に屈折率が大きくなることになり、入射した光の反射を抑える効果も持つ。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物４には、次の技術的事項（以下「技術的事項２」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＩＴＯの組成比の制御により、透明導電膜の屈折率を１．８〜２．０程度の範囲で変化させ得ること。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
（１）引用発明１の「炭化珪素からなる適当な基板（１７０６）」と、本願発明の「成長基板」とは、「基板」である点で共通する。
（２）引用発明１の「（ＩＴＯからなり、適当な基板（１７０６）上にボンディングされた）ｎ型透明導電体層（１７０２）」は、本願発明の「（基板の第１の表面上の）実質的に透過性のオーム接触」に相当する。
（３）引用発明１の「活性領域（１７０４）」は、「（適当な）基板（１７０６）」の上記「ｎ型透明導電体層（１７０２）」がボンディングされた側とは反対側の表面上に形成されたものであって、III族窒化物からなるものであるといえるから、本願発明の「（基板の反対側の表面上のＩＩＩ族窒化物）発光活性領域」に相当する。
（４）引用発明１の「ｐ型III族窒化物（１７０５）」は、その上に「ｐ型透明導電体層（１７０１）」がボンディングされるものであるから、本願発明の「（該活性領域内で発生させられる光を伝送する該活性領域上の）ｐ型（ＩＩＩ族窒化物）接触層」に相当する。
（５）引用発明１の「ｐ型透明導電体層（１７０１）」は、「ｐ型III族窒化物（１７０５）」上にボンディングされるものであるから、本願発明の「（該ｐ型接触層上の）実質的に透過性のオーム接触」に相当する。
（６）引用発明１の「ｐ型透明導電体層（１７０１）」は、「ＩＴＯ」からなるものであるから、引用発明１の「『ｐ型透明導電体層（１７０１）』が『ＩＴＯ』からなる」との事項と、本願発明の「段階的な屈折率が、光子がダイオードから出射するときにフレネル損失を最小にする前記接触にわたって形成されるように、前記実質的に透過性のオーム接触は、インジウムの原子分率において段階的であるインジウム酸化スズを含む」との事項とは、「前記実質的に透過性のオーム接触は、インジウム酸化スズを含む」との点で一致する。
（７）引用発明１の「ＬＥＤ」は、本願発明の「発光ダイオード」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「基板と、
　該基板の第１の表面上の実質的に透過性のオーム接触と、
　該基板の反対側の表面上のＩＩＩ族窒化物発光活性領域と、
　該活性領域内で発生させられる光を伝送する該活性領域上のｐ型ＩＩＩ族窒化物接触層と、
　該ｐ型接触層上の実質的に透過性のオーム接触と、
　を備え、
　前記実質的に透過性のオーム接触は、インジウム酸化スズを含む、発光ダイオード。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　基板が、本願発明では、成長基板であるのに対し、引用発明１では、成長基板であるか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
　ｂ　本願発明は、段階的な屈折率が、光子がダイオードから出射するときにフレネル損失を最小にする前記接触にわたって形成されるように、実質的に透過性のオーム接触が、インジウムの原子分率において段階的であるインジウム酸化スズを含むのに対し、引用発明１は、実質的に透過性のオーム接触が、そのようなインジウムの原子分率において段階的であるインジウム酸化スズを含むものであるのか否か明らかでない点（以下「相違点２」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
（１）相違点１について
　引用発明１は、「基板（１７０６）」が、「炭化珪素」からなるものであるところ、炭化珪素基板をIII族窒化物の成長基板として用いることは、本願の優先日時点で周知の事項であるから（必要なら、特表平９−５０８７５１号公報（１２頁下から６〜５行）、特表２００５−５０７１５５号公報（【０００４】）参照。）、引用発明１において、「（炭化珪素からなる）基板（１７０６）」をIII族窒化物の成長基板となして、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が適宜になし得ることである。
（２）相違点２について
　引用発明１の「ＬＥＤ」において、光の取り出し効率を向上させるべきことは当業者において自明の課題である。しかるところ、上記２（２）によれば、引用刊行物２には、「（ともにＩＴＯからなる）第一の層および第二の層」を「ｐ型層」の側から順に積層して「透光性電極」となし、当該「第二の層」の屈折率を「第一の層」の屈折率より段階的に小さくすることにより、発光素子からの光の取り出しを向上させることができる「窒化物半導体発光素子」の発明（引用発明２）が記載され、また、上記２（３）及び（４）によれば、引用刊行物３及び４には、上記技術的事項１及び２が記載され、ＩＴＯの原子成分の組成比を制御することによりその屈折率を変更し得ることが示されているから、引用発明１において、その光の取り出し効率を向上させるべく、その「ｐ型透明導電体層（１７０１）」を「（ｐ型III族窒化物（１７０５）側から順に屈折率が段階的に小さくなる）２層のＩＴＯ」層で構成し、その際、当該２層の「ＩＴＯ層」の屈折率を段階的に小さくするべく、その原子成分の組成比を制御するようになし、その結果、そのインジウムの原子分率において段階的であるものとなして、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１、２及び引用刊行物３、４に記載された上記技術的事項１、２から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び引用刊行物３、４に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。