【事件の表示】
　特願２００７−２２１８２７「発光装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　３月１２日出願公開、特開２００９−　５４８９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１９年８月２８日の出願であって、平成２４年７月２７日付けで拒絶の理由が通知され、同年１０月１日に手続補正がなされ、さらに、同年１０月１２日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月１７日に意見書の提出がなされたが、平成２５年１月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、手続補正がなされたものである。
            
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年４月１５日付けの手続補正書の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。        　
　　　
　「裏面に共晶合金層を設けたＬＥＤチップと当該ＬＥＤチップを搭載する導体パターンを設けた被搭載部材とを共晶接合させてなる発光装置の製造方法であって、前記被搭載部材の前記導体パターンの表面側に前記共晶合金層からなる第１の共晶合金層と同じ組成の第２の共晶合金層を形成した後、前記被搭載部材を前記導体パターンが設けられた面とは反対側から加熱して前記第２の共晶合金層を突沸させることなく溶融させた状態で、かつ前記第１の共晶合金層が溶融していない状態で、前記ＬＥＤチップと前記被搭載部材とを近づけて共晶接合させることを特徴とする発光装置の製造方法。」　
　
第３　刊行物の記載　　　　　　　 
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００７−１３４７４４号公報 （以下「引用文献１」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。） 　　　　　 
   
　ア　「【請求項１】
　
サブマウント基板
　
前記サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層とを備え
　溶融前の前記はんだ層の、表面粗さＲａは０．１８μｍ以下、膜厚が０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、
　前記サブマウント基板の主表面の、平面度が５μｍ以下、表面粗さＲａが０．１０μｍ以下である、サブマウント。
【請求項２】ないし【請求項１０】は、省略。
【請求項１１】
　請求項１〜１０のいずれか１項に記載のサブマウントを用いた半導体装置であって、前記
はんだ層上に搭載された半導体発光素子を備える、半導体装置
　
　イ　「【０００１】
　この発明は、サブマウントおよびそれを用いた半導体装置に関し、より特定的には、半導体発光素子を搭載するサブマウントおよびこのサブマウントを用いた半導体装置に関する。なお、
本発明の「半導体発光素子」とは、たとえば、レーザーダイオードや発光ダイオードのようなものを指す
　   　
　ウ　「【００１７】
　図１は、本発明による半導体装置の実施の形態１を示す断面模式図である。
　図１に示すように、半
導体装置１は、サブマウント３に半導体発光素子としてのレーザーダイオード２が搭載された構造を有している
電極層としての金（Ａｕ）膜６
金（Ａｕ）錫（Ｓｎ）系はんだを含むはんだ層８
【００１８】
　図１に示すように、レーザーダイオード２と、サブマウント３とは、はんだ層８によって接続されている。レーザーダイオード２の幅と、はんだ層８の幅と、はんだバリア層７の幅は、ほぼ等しい。はんだ層８の幅および長さは、レーザーダイオード２の幅および長さより大きくても小さくてもかまわない。また、はんだバリア層７の幅および長さは、はんだ層８の幅および長さよりも大きくても小さくてもかまわない。
【００１９】
　図１および図２に示した半導体装置においては、サブマウント３を構成する基板４の材料として、セラミック、半導体、あるいは金属を用いてもよい。基板４を構成する材料としてのセラミックとしては、たとえば上述した窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などを主成分としたものを挙げることができる。また基板４を構成する材料としての半導体としては、たとえばシリコン（Ｓｉ）を挙げることができる。また基板４を構成する材料としての金属としては、たとえば銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）およびこれらを含む合金ならびに複合材料を用いることができる。」　
  　　　
　エ　「【００３２】
　次に、図１に示した
半導体装置の製造方法
【００３３】
　まず
第１工程として
基板を後述する切断工程で切断、分割することにより、サブマウント３を得ることができる。サブマウント３の基板４となるべき基板は、通常の基板製造方法に基づいて作製される。基板４の材料としては窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体を用いる。窒化アルミニウム焼結体のようなセラミックからなる基板４の製造方法としては、通常のセラミック構造体の製造方法を適用することができる。
【００３４】
　次に、
第２工程として
【００３５】
　次に、図２で示すように、密着層としてのＴｉ膜５ｂ、拡散防止層としてのＰｔ膜５ａおよび電極層としてのＡｕ膜６を所定のパターンで形成するため、
第３工程として
【００３６】
　次に、
第４工程として
【００３７】
　次に、
第５工程として
【００３８】
　次に、
第６工程として
【００３９】
  次いで、
第７工程として
この結果、基板上に所定のパターンを有するＴｉ膜５ｂ、Ｐｔ膜５ａおよびＡｕ膜６を形成することができる
【００４０】
　次に、
第８工程として
【００４１】
　次に、
第９工程として
【００４２】
　はんだ層８を形成する工程において、成膜前雰囲気であるチャンバ内の圧力（到達真空度）を小さくすると、はんだの結晶粒径が小さくなる。到達真空度は５．０×１０−４Ｐａ以下とするのが好ましい。到達真空度が５．０×１０−４Ｐａを超えると、水分や酸素などの不純物ガスがはんだ層中に残存し易くなり、はんだ層８中に、粒径の大きい異物が混入するおそれがある。より好ましくは、到達真空度は１．０×１０−４Ｐａ以下である。
【００４３】
　また、はんだの成膜速度（成膜レート）を変化させることにより、結晶粒径および表面粗さＲａを変化させることができる。成膜速度は、０．１ｎｍ／秒以上１．０ｎｍ／秒以下であることが好ましい。さらに好ましくは、成膜速度は０．３ｎｍ／秒以上０．７ｎｍ／秒以下である。成膜速度が、０．１ｎｍ／秒未満であれば、核成長が促進され、結晶粒径が大きくなるとともに、表面粗さＲａも大きくなる。成膜速度が１．０ｎｍ／秒を超えると、基板温度が上昇し、後述の理由により、結晶粒径が大きくなり易く、その結果、表面粗さＲａも大きくなり易い。
【００４４】
　また、基板４の表面温度を変化させることにより、結晶粒径および表面粗さＲａを変化させることができる。その温度は、２０℃以上１５０℃以下、さらには２０℃以上１２０℃以下が好ましい。温度が１５０℃を超えると、基板温度が上昇し、核成長が促進されることにより、結晶粒径が大きくなるとともに、表面粗さＲａも大きくなる。
【００４５】
  なお、所定のパターンを有するはんだ層８の形成方法としては、メタルマスク法あるいは本発明による半導体装置の製造方法の第３工程から第７工程に示したようなフォトリソグラフィ法を用いてもよい。
【００４６】
　次に、
第１０工程として
【００４７】
　次に、
第１１工程として
はんだ層８から入射光の階調が５０以下の時に、はんだ層８の色を「黒」と認識し、はんだ層８が溶融したと判断する
【００４８】
　
溶融したと判断されたはんだ層８に、レーザーダイオード２を配置する
【００４９】
　以上のような本発明のサブマウントでは、溶融前のはんだ層８の表面８ｆの表面粗さＲａが０．１８μｍと小さいので、はんだ層８の表面での光の乱反射を小さく抑えることができる。そのため、多くの反射光が検出手段２００に入射する。その結果、ダイボンド工程において、検出手段２００が溶融前のはんだ層８を「黒」、すなわち溶融状態と誤認する確率を小さく抑えることができるため、はんだ層８が溶融したかどうかをより高い確率でＹｅｓ，Ｎｏ判定することができる。
その結果、レーザーダイオード２をはんだ層の溶融した状態でタイミングよくサブマウント３にはんだづけすることができる
  　　
　オ　図１は、以下のものである。
　
　カ　図２は、以下のものである。
　           　　 
（２）引用文献に記載された発明 
　ア　上記（１）アの記載によれば、 
　引用文献には、  
　「サブマウント基板と、
　前記サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層とを備え、
　溶融前の前記はんだ層の、表面粗さＲａは０．１８μｍ以下、膜厚が０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、
　前記サブマウント基板の主表面の、平面度が５μｍ以下、表面粗さＲａが０．１０μｍ以下である、サブマウントを用いた半導体装置であって、
　前記はんだ層上に搭載された半導体発光素子を備える、半導体装置。」
　が記載されているものと認められる。
     　
　イ　上記（１）イ及びウの記載によれば、
　上記アの「サブマウント基板」は電極層としての金膜を備えたものであってもよいものと認められる。
　また、「半導体発光素子」及び「はんだ層」は、それぞれ、「発光ダイオード」及び「金（Ａｕ）錫（Ｓｎ）系はんだを含むはんだ層」であってもよいものと認められる。　
  　
　ウ　上記（１）エの記載によれば、
　引用文献には、上記アの「半導体装置」の製造方法が記載されているものと認められる。
　
　エ　また、上記（１）エの記載に照らせば、
　上記ウの「半導体装置の製造方法」は、具体的には、
　所定のパターンを有する金膜の上に、バリア層及びはんだ層を形成した後（第６ないし９工程）、加熱によりはんだ層を溶融させ、検出手段に入射するはんだ層からの入射光の階調が５０以下の時に、はんだ層が溶融したと判断し、溶融したと判断されたはんだ層に、半導体発光素子を配置して、はんだづけする（第１１工程）ものであってもよいものと認められる。
  　　　　
　オ　上記アないしエから、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　 
       
　「電極層としての金膜を備えたサブマウント基板と、
　サブマウント基板の主表面上に形成された金（Ａｕ）錫（Ｓｎ）系はんだを含むはんだ層と、
　はんだ層上に搭載された発光ダイオードと、を備える半導体装置の製造方法であって、
　溶融前のはんだ層の、表面粗さＲａは０．１８μｍ以下、膜厚が０．１μｍ以上１０μｍ以下、サブマウント基板の主表面の、平面度が５μｍ以下、表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、
　所定のパターンを有する金膜の上に、バリア層及びはんだ層を形成した後、加熱によりはんだ層を溶融させ、検出手段に入射するはんだ層からの入射光の階調が５０以下の時に、はんだ層が溶融したと判断し、溶融したと判断されたはんだ層に、発光ダイオードを配置して、はんだづけする、
　半導体装置の製造方法。」　
　　　　　
第４　対比・判断  
１　本願発明と引用発明とを対比する。 
（１）引用発明の「所定のパターンを有するＡｕ膜」が本願発明の「導体パターン」に相当し、同様に、 　 
　「サブマウント基板」は「被搭載部材」に、
　「金（Ａｕ）錫（Ｓｎ）系はんだを含むはんだ層」は「共晶合金層」に、
　「発光ダイオード」は「ＬＥＤチップ」に、
　「半導体装置」は「発光装置」に、それぞれ、相当する。  
　　                      
（２）上記（１）より、
　引用発明と本願発明とは「ＬＥＤチップと当該ＬＥＤチップを搭載する導体パターンを設けた被搭載部材とを共晶接合させてなる発光装置の製造方法」である点で共通する。
　
（３）引用発明は、サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層を加熱により溶融させ、はんだ層が溶融したと判断された後に、発光ダイオードをはんだづけするものであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「前記被搭載部材の前記導体パターンの表面側に
第２の共晶合金層を形成した後、加熱して前記第２の共晶合金層を溶融させた状態で、前記ＬＥＤチップと前記被搭載部材とを近づけて共晶接合させる」点で共通する。
　　　　　     
（４）してみると、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「ＬＥＤチップと当該ＬＥＤチップを搭載する導体パターンを設けた被搭載部材とを共晶接合させてなる発光装置の製造方法であって、
　前記被搭載部材の前記導体パターンの表面側に第２の共晶合金層を形成した後、加熱して前記第２の共晶合金層を溶融させた状態で、前記ＬＥＤチップと前記被搭載部材とを近づけて共晶接合させる、
　発光装置の製造方法。」　
                                  
（５）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞　 
　共晶合金層の形成に関し、
　本願発明は、「（ＬＥＤチップの）裏面に共晶合金層を設け」、「前記被搭載部材の前記導体パターンの表面側に前記共晶合金層からなる第１の共晶合金層と同じ組成の第２の共晶合金層を形成し」たのに対して、
　引用発明は、ＬＥＤチップの裏面に共晶合金層を設けたか否か不明である点。
　   　
　＜相違点２＞
　共晶接合させる際の加熱に関し、
　本願発明は、「前記被搭載部材を前記導体パターンが設けられた面とは反対側から加熱して前記第２の共晶合金層を突沸させることなく溶融させた状態で、かつ前記第１の共晶合金層が溶融していない状態で」あるのに対して、
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
　　
２　判断 　  
（１）上記＜相違点１＞について検討する。  
　ア　はんだを利用して半導体素子を基板に実装する際に、はんだ層を基板側だけではなく、半導体素子側にも形成することは、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−１９８０３８号（【００４５】を参照。）及び特開２０００−７７４４９号公報（【００２７】ないし【００２９】を参照。）のほか、特開２００２−３３４９０６号公報（【０００２】を参照。）に記載されているように、本願の出願時点で周知の技術である（以下「周知技術１」という。）。
　
　イ　してみると、引用発明の「発光ダイオード」の裏面に、サブマウント基板の主表面上に形成したはんだ層と同じ、はんだ層を形成することは、当業者が容易になし得たことである。    　
　　　
　ウ　以上の検討からして、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術１に基づいて容易になし得たことである。
　
（２）上記＜相違点２＞について検討する。
　ア　引用発明の「サブマウント基板の主表面上に形成された金（Ａｕ）錫（Ｓｎ）系はんだを含むはんだ層」を、具体的にどのように加熱して溶融させるかは、当業者が引用発明を実施する際に、適宜定めるべき事項であるところ、
　はんだ層を形成した基板を裏面から加熱してはんだ層を溶融させることは、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−１５００４１号公報（第３頁左上欄を参照。）のほか、特開昭５７−８７１９４号公報（図を参照。）に記載されているように、本願の出願時点で周知の技術である（以下「周知技術２」という。）。       　
　
　イ　してみると、引用発明の「サブマウント基板の主表面上に形成された金（Ａｕ）錫（Ｓｎ）系はんだを含むはんだ層」を、サブマウント基板の裏面から加熱して溶融させることは、当業者が上記周知技術２に基づいて容易になし得たことである。
　その際、はんだ層を突沸しない程度に加熱することは、当業者が適宜なし得たことである。
　  　
　ウ　また、上記「（１）上記＜相違点１＞」で検討したように、引用発明の「発光ダイオード」の裏面に「はんだ層」を形成することは、当業者が容易になし得たことであるところ、発光ダイオードの裏面にはんだ層を形成した際に、サブマウント基板側のはんだ層からの入射光の階調が５０以下となるまでの間に、裏面に形成したはんだ層を加熱する必要性は特段認められない。　　
　　  　
　エ　以上の検討からして、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術２に基づいて容易になし得たことである。
           　                                                
（３）効果 
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２から予測し得る範囲内のものである。 
                           
３　進歩性についてのまとめ  
　本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。　 
   
４　回答書における主張
　フラックスを用いることなく共晶接合部へのボイドの発生を抑制することが可能となるという独自の作用効果を奏するものであるとの主張について
　  　
　本願明細書の段落【０００８】の記載によれば、
　共晶接合部にボイドが発生する要因は、「加熱された導体パターン」と「ＬＥＤチップの裏面に形成された共晶合金層」とが接触すると共晶合金層が部分的に溶融して突沸し、共晶合金層の温度が不均一となって共晶接合部にボイドが発生するためであると解される。
　一方、引用発明は、溶融したと判断されたはんだ層に、発光ダイオードを配置して、はんだづけするものであるから、両者が接触した際には、はんだ層は既に溶融した状態であり、部分的に溶融して突沸することはなく、引用発明も本願発明と同様の効果を奏するものと認められる。
　よって、請求人の上記主張は、採用できない。  　
　　　　　          　                 　
第５　むすび 　 　  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　  
   
　よって、結論のとおり審決する。