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　特願２００８−１７３２０９「デバイス、システム、方法（高電力デバイスの動作温度範囲を拡大するためのシステム）」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月２９日出願公開、特開２００９−　２１５８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　 
第１　手続の経緯  
　  
　本願は、平成２０年７月２日（パリ条約による優先権主張　２００７年７月１１日　米国）に出願したものであって、平成２４年９月１１日付けの拒絶理由通知に対して同年１２月１１日付けで手続補正がなされたが、平成２５年月５日２４付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月６日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされ、同年１２月１７日付けの審尋に対し、平成２６年３月１０日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　本願発明　  
　
１　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明は、（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。  
　
「【請求項１】
　最低動作温度閾値以上の温度範囲内で動作する少なくとも１つのコンポーネントと、
　温度制御サブシステムであって、
　　前記少なくとも１つのコンポーネントの現在温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合にそのことを検出し、
　　前記コンポーネントの動作を開始する前に、前記温度範囲内の温度まで前記少なくとも１つのコンポーネントを自動的に予熱するための温度制御サブシステムと、を含み、
　前記温度制御サブシステムが、
　前記少なくとも１つのコンポーネントの前記現在温度を検出する１つまたは複数の温度センサと、
　前記少なくとも１つのコンポーネントの前記現在温度を増加させる熱を発生するために選択的に活動化される少なくとも１つの加熱器と、を含み、
　前記最低動作温度閾値よりも低い温度を含む前記コンポーネントの前記現在温度を検出し、その現在温度を表す出力を生成するように、前記１つまたは複数の温度センサがキャリブレーションを施され、
　前記現在温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合に、前記少なくとも１つの加熱器に電力を印加することによって前記少なくとも１つの加熱器を活動化し、
　前記現在温度が前記最低動作温度閾値以上である場合に、前記少なくとも１つの加熱器から電力を除去する、ロジックをさらに含み、
　デバイスが、前記温度センサが前記最低動作温度閾値と少なくとも等しい現在温度を検出した場合に、前記少なくとも１つのコンポーネントに電力を供給するロジックを含む、デバイス。」
　
 （なお、本願の特許請求の範囲の請求項１の最終段落前半には「前記デバイスが、前記温度センサが前記最低動作温度閾値と少なくとも等しい現在温度を検出した場合に、」と記載されているが、「前記デバイス」に対応する「デバイス」の記載は以前にないことから、「前記デバイス」は「デバイス」と認定した。）
　  
２　引用例及びその記載事項  
　  
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００３−３０９３１７号公報（平成１５年１０月３１日公開、以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。　  
　
ａ「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
半導体レーザ装置等の光学装置
に関する。
　
ｂ「【００３１】次に、半導体レーザ装置１０Ａの起動方法について、図４を参照しながら説明する。先ず、半導体レーザ装置１０Ａの起動時、
サーミスタ２０によって半導体レーザ素子１６の温度が検知される。この半導体レーザ素子１６の温度情報は、
駆動制御部６０に送信される。
【００３２】ここで、サーミスタ２０の指示温度Ｔｓが予め設定した所定の起動温度Ｔref1よりも低い場合に、即ち、Ｔｓ＜Ｔref1の場合に、直ちにサーモモジュール３８への給電が行われると、過大な加熱方向のサーモモジュール電流Ｉtec が急激に流れて、基板４０とサーモモジュール３８とを固定している半田が溶融するおそれが生じる。このため、駆動制御部６０は、先ず、指示温度Ｔｓを示す電圧信号Ｖtsと起動温度Ｔref1に対応した電圧信号Ｖref1とを比較する。
【００３３】その結果、半導体レーザ素子１６の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1以上である場合には、駆動制御部６０からレーザ駆動電源５８に駆動開始信号が送信され、この駆動開始信号を受けたレーザ駆動電源５８は、半導体レーザ素子１６へのレーザ駆動電流Ｉopの給電を開始する。また同時に、駆動制御部６０からサーモモジュール駆動電源５４に冷却開始信号が送信され、この冷却開始信号を受けたサーモモジュール駆動電源５４は、サーモモジュール３８に冷却方向のサーモモジュール電流Ｉtecを給電する。
【００３４】このとき、駆動制御部６０から発熱体駆動電源５６に加温開始信号が送信されることはなく、発熱体駆動電源５６は抵抗ヒータ２４ａに加熱用電流Ｉh を給電しない。こうして、半導体レーザ素子１６及びサーモモジュール３８にレーザ駆動電流Ｉop及びサーモモジュール電流Ｉtec が給電され、半導体レーザ装置１０Ａが起動される。
【００３５】これに対し、
起動時、半導体レーザ素子１６の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、
この場合には、駆動制御部６０が発熱体駆動電源５６に加温開始信号を送信し、発熱体駆動電源５６が、抵抗ヒータ２４ａに加熱用電流Ｉh を給電する。
抵抗ヒータ２４ａの発熱により半導体レーザ素子１６が予備加熱され、その温度が上昇する。
【００３６】
この後、サーミスタ２０の指示温度Ｔｓが起動温度Ｔref1に到達すると、この時点で、駆動制御部６０からレーザ駆動電源５８に駆動開始信号が送信され、レーザ駆動電源５８は、半導体レーザ素子１６へのレーザ駆動電流Ｉopの給電を開始する。こうして、半導体レーザ装置１０Ａが起動される。
　
　上記引用例１には、次の事項が記載されているということができる。
　
ア「サーミスタ２０によって半導体レーザ素子１６の温度が検知されると、半導体レーザ素子１６の温度情報は、駆動制御部６０に送信され、」（段落【００３１】）
　
イ「起動時、半導体レーザ素子１６の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、
　駆動制御部６０が発熱体駆動電源５６に加温開始信号を送信し、発熱体駆動電源５６が、抵抗ヒータ２４ａに加熱用電流Ｉh を給電し、抵抗ヒータ２４ａの発熱により半導体レーザ素子１６が予備加熱され、その温度が上昇し、」（段落【００３５】）
　
ウ「この後、サーミスタ２０の指示温度Ｔｓが起動温度Ｔref1に到達すると、この時点で、駆動制御部６０からレーザ駆動電源５８に駆動開始信号が送信され、レーザ駆動電源５８は、半導体レーザ素子１６へのレーザ駆動電流Ｉopの給電を開始し、
　半導体レーザ装置１０Ａが起動される、」（段落【００３６】）
　
エ「半導体レーザ装置。」（段落【０００１】）
　
　
　したがって、上記引用例１に記載された事項、図面の記載、及び上記アないしエを総合すると、引用例１には、次の事項が記載されている（以下、引用発明という。）。 
　
　
「サーミスタによって半導体レーザ素子の温度が検知されると、半導体レーザ素子の温度情報は、駆動制御部に送信され、
　起動時、半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、
　駆動制御部が発熱体駆動電源に加温開始信号を送信し、発熱体駆動電源が、抵抗ヒータに加熱用電流を給電し、抵抗ヒータの発熱により半導体レーザ素子が予備加熱され、その温度が上昇し、
　この後、サーミスタの指示温度Ｔｓが起動温度Ｔref1に到達すると、この時点で、駆動制御部からレーザ駆動電源に駆動開始信号が送信され、レーザ駆動電源は、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流の給電を開始し、
　半導体レーザ装置が起動される、
　半導体レーザ装置。」
　
　
３　対比  
　  
　本願発明と引用発明とを対比する。
　  
（１）引用発明の「半導体レーザ装置」は、「半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、」「抵抗ヒータの発熱により半導体レーザ素子が予備加熱され、その温度が上昇し、この後、サーミスタの指示温度Ｔｓが起動温度Ｔref1に到達すると、」「レーザ駆動電源は、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流の給電を開始し、半導体レーザ装置が起動される」ものであって、半導体レーザ素子が起動温度Ｔref1に到達して、はじめて、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流の給電を開始し、半導体レーザ装置が起動するものといえる。
　したがって、起動温度Ｔref1は、半導体レーザ素子を動作させるための、最低動作温度閾値ということができ、また、半導体レーザ素子は、起動温度Ｔref1以上の温度範囲内で動作するものということができる。
　そして、半導体レーザ素子は、半導体レーザ装置からみて要素部品（コンポーネント）といえるから、引用発明の「半導体レーザ素子」と本願発明とは、「最低動作温度閾値以上の温度範囲内で動作する少なくとも１つのコンポーネント」を有する点で共通する。
　
（２）引用発明の「サーミスタ」、「駆動制御部」、「発熱体駆動電源」によって加熱される「抵抗ヒータ」を含むシステムは、「半導体レーザ素子」の温度を制御するシステムを構成するものであり、また、半導体レーザ装置全体のシステムからみて、サブシステムと捉えることができるから、引用発明と本願発明とは、「温度制御サブシステム」を有する点で共通する。
　 
（３）引用発明は、「サーミスタによって半導体レーザ素子の温度が検知されると、半導体レーザ素子の温度情報は、駆動制御部に送信され、起動時、半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、駆動制御部が発熱体駆動電源に加温開始信号を送信」するのであるから、「サーミスタ」、「駆動制御部」を含む温度を制御するシステム（上記（２））が、半導体レーザ素子の現在の温度を検出し、起動温度Ｔref1よりも低い場合か否かを検出しているということができる。
　したがって、引用発明の温度を制御するシステム（上記（２））と、本願発明の「温度制御サブシステム」とは、「前記少なくとも１つのコンポーネントの現在温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合にそのことを検出」する「温度制御サブシステム」を含む点で共通する。
　
（４）引用発明は、「起動時、半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、」「抵抗ヒータの発熱により半導体レーザ素子が予備加熱され、その温度が上昇し、この後、サーミスタの指示温度Ｔｓが起動温度Ｔref1に到達すると、」「レーザ駆動電源は、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流の給電を開始し、半導体レーザ装置が起動される」するものであるから、「サーミスタ」、「駆動制御部」、「発熱体駆動電源」によって加熱される「抵抗ヒータ」を含む、温度を制御するシステム（上記（２））は、半導体レーザ素子の動作を開始する前に、半導体レーザ素子を自動的に予備加熱するものということができる。
　したがって、引用発明の温度を制御するシステム（上記（２））と、本願発明の「温度制御サブシステム」とは、「前記コンポーネントの動作を開始する前に、前記少なくとも１つのコンポーネントを自動的に予熱するための温度制御サブシステム」である点で共通する。
　
（５）引用発明の「サーミスタ」は、半導体レーザ素子の現在の温度を検出するものであるから（上記（３））、本願発明の「前記少なくとも１つのコンポーネントの前記現在温度を検出する１つまたは複数の温度センサ」である点で共通する。
　
（６）引用発明は、「起動時、半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、駆動制御部が発熱体駆動電源に加温開始信号を送信し、発熱体駆動電源が、抵抗ヒータに加熱用電流を給電し、抵抗ヒータの発熱により半導体レーザ素子が予備加熱され、その温度が上昇」するものであって、抵抗ヒータは、加熱用電流が給電されることによって、抵抗ヒータが発熱されることは、抵抗ヒータが活動化されるものと捉えることができる。
　そして、抵抗ヒータは、抵抗ヒータに加熱用電流が給電されるか否かにより、発熱の状態と非発熱の状態、すなわち活動化と非活動化の状態を選択的に行う加熱器ということができるから、引用発明と本願発明とは、「前記少なくとも１つのコンポーネントの前記現在温度を増加させる熱を発生するために選択的に活動化される少なくとも１つの加熱器と、を含」む点で共通する。
　
（７）引用発明の「サーミスタ」を含む温度を制御するシステム（上記（２））は、半導体レーザ素子の現在の温度を検出し、起動温度Ｔref1よりも低い場合か否かを検出しているということができるから（上記（３））、起動温度Ｔref1よりも低い温度を含む半導体レーザ素子の現在の温度を検出するものといえ、また、現在の温度を検出する以上、その現在温度を表す出力を生成することは明らかである。
　したがって、引用発明と本願発明とは、「前記最低動作温度閾値よりも低い温度を含む前記コンポーネントの前記現在温度を検出し、その現在温度を表す出力を生成」する点で共通する。
　
（８）引用発明は、「半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、」「駆動制御部が発熱体駆動電源に加温開始信号を送信し、発熱体駆動電源が、抵抗ヒータに加熱用電流を給電し、抵抗ヒータの発熱により半導体レーザ素子が予備加熱され、その温度が上昇」するものであり、引用発明の「抵抗ヒータ」は、加熱用電流が給電されることによって、抵抗ヒータが発熱されるものということができるから、抵抗ヒータに電力を印加することによって、抵抗ヒータを活動化するものと捉えることができる。
　したがって、引用発明と本願発明とは、「前記現在温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合に、前記少なくとも１つの加熱器に電力を印加することによって前記少なくとも１つの加熱器を活動化」する点で共通する。
　
（９）引用発明は、「この後、サーミスタの指示温度Ｔｓが起動温度Ｔref1に到達すると、この時点で、駆動制御部からレーザ駆動電源に駆動開始信号が送信され、レーザ駆動電源は、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流の給電を開始」するものであって、ここで、「サーミスタの指示温度Ｔｓが起動温度Ｔref1に到達すると、」ということは、本願発明の「前記温度センサが前記最低動作温度閾値と少なくとも等しい現在温度を検出した場合」である点で共通し、また、引用発明の「レーザ駆動電源は、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流の給電を開始」することは、本願発明の「前記少なくとも１つのコンポーネントに電力を供給する」点で共通する。
　そして、このような機能をロジックとして持たせることは常套手段であり、また、引用発明の「半導体レーザ装置」は本願発明の「デバイス」に相当するから、引用発明と、本願発明とは、「デバイスが、前記温度センサが前記最低動作温度閾値と少なくとも等しい現在温度を検出した場合に、前記少なくとも１つのコンポーネントに電力を供給するロジックを含む」点で共通する。
　
（１０）引用発明の「半導体レーザ装置」は、本願発明の「デバイス」に相当する（上記（９））。
　
　すると、本願発明と引用発明とは、次の＜一致点＞及び＜相違点＞を有する。  
　 
＜一致点＞  
「最低動作温度閾値以上の温度範囲内で動作する少なくとも１つのコンポーネントと、
　温度制御サブシステムであって、
　　前記少なくとも１つのコンポーネントの現在温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合にそのことを検出し、
　　前記コンポーネントの動作を開始する前に、前記少なくとも１つのコンポーネントを自動的に予熱するための温度制御サブシステムと、を含み、
　前記温度制御サブシステムが、
　前記少なくとも１つのコンポーネントの前記現在温度を検出する１つまたは複数の温度センサと、
　前記少なくとも１つのコンポーネントの前記現在温度を増加させる熱を発生するために選択的に活動化される少なくとも１つの加熱器と、を含み、
　前記最低動作温度閾値よりも低い温度を含む前記コンポーネントの前記現在温度を検出し、その現在温度を表す出力を生成し、
　前記現在温度が前記最低動作温度閾値よりも低い場合に、前記少なくとも１つの加熱器に電力を印加することによって前記少なくとも１つの加熱器を活動化し、
　デバイスが、前記温度センサが前記最低動作温度閾値と少なくとも等しい現在温度を検出した場合に、前記少なくとも１つのコンポーネントに電力を供給するロジックを含む、デバイス。」
　
　
＜相違点＞  
（ア）コンポーネントを自動的に予熱することについて、本願発明は、「前記温度範囲内の温度まで」予熱し、「前記現在温度が前記最低動作温度閾値以上である場合に、前記少なくとも１つの加熱器から電力を除去する、ロジックをさらに含」むのに対し、引用発明は、予備加熱を、どの温度まで行うのかについて特定がない点。
　
（イ）温度センサについて、本願発明が、その現在温度を表す出力を生成するように、「前記１つまたは複数の温度センサがキャリブレーションを施され」るのに対し、引用発明は、キャリブレーションが施されることについて特定がない点。  
　  
　  
４　判断  
　  
＜相違点＞（ア）について  
　引用発明は、「半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも低い場合、」「半導体レーザ素子が予備加熱され、その温度が上昇し、この後、サーミスタの指示温度Ｔｓが起動温度Ｔref1に到達すると、この時点で、」「レーザ駆動電源は、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流の給電を開始し、半導体レーザ装置が起動される」ものであって、引用発明も、半導体レーザ素子のレーザ駆動電流の給電を開始させる温度とするために予備加熱を行うものであるから、半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも高くなれば、半導体レーザ素子の予備加熱が不要であるということがいえる。
　したがって、駆動制御部が、予備加熱のための加温開始信号に代えて発熱体駆動電源に加温停止信号を送信し、発熱体駆動電源が、抵抗ヒータに加熱用電流を給電することを停止し、抵抗ヒータの発熱を停止して、半導体レーザ素子が予備加熱を停止することに格別の困難性を有しない。
　そして、このような機能をロジックとして持たせることは常套手段であるから、本願発明のように、「前記温度範囲内の温度まで」予熱し、「前記現在温度が前記最低動作温度閾値以上である場合に、前記少なくとも１つの加熱器から電力を除去する、ロジックをさらに含」むことは、当業者が適宜なし得る事項である。
　
　また、上記２（１）ｂの引用例１の「【００３３】その結果、半導体レーザ素子１６の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1以上である場合には、駆動制御部６０からレーザ駆動電源５８に駆動開始信号が送信され、この駆動開始信号を受けたレーザ駆動電源５８は、半導体レーザ素子１６へのレーザ駆動電流Ｉopの給電を開始する。‥‥‥【００３４】このとき、駆動制御部６０から発熱体駆動電源５６に加温開始信号が送信されることはなく、発熱体駆動電源５６は抵抗ヒータ２４ａに加熱用電流Ｉh を給電しない。‥‥‥」との記載から、半導体レーザ素子１６の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1以上である場合には、駆動制御部６０から発熱体駆動電源５６に加温開始信号が送信されることはないことからも、半導体レーザ素子の温度Ｔｓが起動温度Ｔref1よりも高くなった場合には、半導体レーザ素子の予備加熱が不要であるということがいえる。
　したがって、この点からも、駆動制御部が、予備加熱のための加温開始信号に代えて発熱体駆動電源に加温停止信号を送信し、発熱体駆動電源が、抵抗ヒータに加熱用電流を給電することを停止し、抵抗ヒータの発熱を停止して、半導体レーザ素子が予備加熱を停止することに格別の困難性を有しない。
　そして、このような機能をロジックとして持たせることは常套手段であるから、本願発明のように、「前記温度範囲内の温度まで」予熱し、「前記現在温度が前記最低動作温度閾値以上である場合に、前記少なくとも１つの加熱器から電力を除去する、ロジックをさらに含」むことは、当業者が適宜なし得る事項である。
　
　よって、本願発明の＜相違点＞（ア）に係る構成のようにすることは格別なことではない。
　
＜相違点＞（イ）について  
　一般に、温度センサに対してキャリブレーションを行うことは周知である（例えば、特開２００３−６０５１６号公報「【００２６】出力部４８には、
予め温度計測の前に、温度センサＳ１〜Ｓｎの
キャリブレーション（較正）が行われて、
温度センサＳ１〜Ｓｎが実際に計測した温度を求める
　したがって、温度センサである、引用発明の「サーミスタ」に前記周知技術を用いて、キャリブレーションが施されするようにすることは、当業者が容易になし得る事項である。
　 
　よって、本願発明の＜相違点＞（イ）に係る構成のようにすることは格別なことではない。　
　  
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用発明及び周知な事項から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。  
　
　よって、本願発明は、引用発明及び周知な事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　
５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は拒絶すべきものである。  
　
　よって、結論のとおり審決する。