【事件の表示】
　特許第３１７５３１０号「熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法」の請求項１〜３に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７５３１０号の請求項１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１７５３１０号の発明は、平成４年７月２日に出願されたものであって、平成１３年４月６日に特許の設定登録がなされ、その後、旭硝子株式会社より、本件請求項１〜３に係る発明の特許につき、特許異議の申立がなされ、これに基づいて、取消理由通知がなされ、特許権者よりその指定期間内である平成１４年６月２１日に明細書の訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否
II−１．訂正事項
　本件明細書につき、訂正請求書に添付された訂正明細書に記載されるとおりの次の（イ）〜（リ）の訂正を求めるものである。
（イ）明細書の特許請求の範囲の請求項１における、
「【請求項１】成形され一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるガラス素板を用いて、前記ガラス構造温度より低いＴ１℃のガラス構造温度を有するガラスとすることにより、前記ガラス素板より熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法であって、前記ガラス素板を、
（ａ）Ｔ０℃より低くＴ１℃より高い雰囲気温度に初期設定された炉内で加熱し、（ｂ）その後前記炉内雰囲気温度を、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に低い温度になるように維持しながらＴ１℃より低い温度まで徐冷する熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法。」を、
「【請求項１】成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるフロートガラスよりなるガラス素板を用いて、前記ガラス構造温度より低いＴ１℃のガラス構造温度を有するガラスとすることにより、前記ガラス素板より熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法であって、前記ガラス素板を、
（ａ）Ｔ０℃より低くＴ１℃より高い雰囲気温度に初期設定された炉内で加熱し、（ｂ）その後前記炉内雰囲気温度を、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながらＴ１℃より低い温度まで徐冷する熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法。」と訂正する。
（ロ）特許請求の範囲の請求項２及び３を削除する。
（ハ）特許請求の範囲の請求項４及び５における、
「【請求項４】前記加熱・徐冷時の前記炉内雰囲気温度をステップ状に低下させ、前記ステップの数を２以上６以下とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】前記ガラス素板にソーダライムシリカ組成のガラス素板を用い、そのガラス構造温度をＴ１≦５１０℃とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載のガラス基板の製造方法。」を、
「【請求項２】前記加熱・徐冷時の前記炉内雰囲気温度をステップ状に低下させ、前記ステップの数を２以上６以下とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】前記ガラス素板にソーダライムシリカ組成のガラス素板を用い、そのガラス構造温度をＴ１≦５１０℃とする請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。」と訂正する。
（ニ）明細書の段落０００４における、
「・・・本発明は、成形され一次徐冷されたガラス素板・・・」を、
「・・・本発明は、成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたフロートガラスよりなるガラス素板・・・」と訂正する。
（ホ）明細書の段落０００５における、
「・・・成形され一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるガラス素板を用いて、・・・、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に低い温度になるように維持しながら・・・」を、
「・・・成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるフロートガラスよりなるガラス素板を用いて、・・・、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながら・・・」と訂正する。
（ヘ）明細書の段落０００８における、
「炉内雰囲気温度を、炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上低い温度になるように維持することは、ガラスの構造変化のスピードを低下させない上で好ましく、さらに炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下の低い温度に維持することはさらに好ましい。」を、
「炉内雰囲気温度を、炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持することは、ガラスの構造変化のスピードを低下させないためである。」と訂正する。
（ト）明細書の段落００１２における、
「本発明の方法は、炉内雰囲気を、ガラス素板をガラス素板の構造温度Ｔ０℃より低く、・・・、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に低い温度になるように・・・」を、
「本発明の方法は、炉内雰囲気を、成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたフロートガラスよりなるガラス素板をガラス素板の構造温度Ｔ０℃より低く、・・・、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように・・・」と訂正する。
（チ）明細書の段落００１９における、
「・・・、炉内で低下していくガラスの構造温度よりも常に雰囲気温度を低くなるように低下していくことにより、」を、
「・・・、炉内で低下していくガラスの構造温度よりも常に雰囲気温度を１０℃以上５０℃以下低くなるように低下していくことにより、・・・」と訂正する。
（リ）明細書の段落００２５における、
「本発明の方法によれば、成形され一次徐冷されたガラス素板を、・・・」を、
「本発明の方法によれば、成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたフロートガラスよりなるガラス素板を、・・・」と訂正する。
　
II−２．訂正の適否の判断
II−２−１．訂正の目的
〈上記（イ）の訂正について〉
　上記（イ）の訂正の実質的な内容は、具体的には、まず、（イ−１）一次徐冷の態様につき、「フロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷された」と付加し、（イ−２）ガラス素板が、「フロートガラスよりなる」ものと限定し、そして、（イ−３）炉内雰囲気温度につき、その温度がガラス構造温度より常に低い温度の程度を、「１０℃以上５０℃以下低い温度」と限定するものである。
　これら（イ−１）〜（イ−３）は、徐冷の態様、ガラス素板及び炉内雰囲気温度につき、その下位概念のものに限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
〈上記（ロ）の訂正について〉
　上記（ロ）の訂正は、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
〈上記（ハ）の訂正について〉
　上記（ハ）の訂正は、具体的には、請求項番号の４及び５を、それぞれ、２及び３と訂正し、旧請求項４で引用していた「請求項１乃至３のいずれかの項」を「請求項１」となし、旧請求項５で引用していた「請求項１乃至４のいずれかの項」を「請求項１又は２」とするものであって、これらは、いずれも、上記（イ）及び（ロ）の訂正に伴い、不明瞭となった請求項番号及び引用する請求項を整合させるものであって、特許請求の範囲の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
〈上記（ニ）〜（リ）の訂正について〉
　上記（ニ）〜（リ）の訂正は、いずれも、上記（イ）及び（ロ）の訂正に伴い、不明瞭となった発明の詳細な説明の記載をこれに整合させるものであって、発明の詳細な説明の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
II−２−２．新規事項の有無、及び、拡張・変更の存否
〈上記（イ）の訂正について〉
　当該（イ）の訂正は、旧請求項３の記載「炉内雰囲気温度が常にガラス構造温度よりも１０℃以上５０℃以下低くなるようにする請求項１または２記載のガラス基板の製造方法」、及び、段落００１５の記載「本発明に用いるガラスとしては、・・・などの組成のガラス素板を用いることができる。溶融錫上で成形され引き続き徐冷窯で徐冷された熱履歴を有する上記組成範囲のフロートガラスは、・・・構造温度を有する。」との記載に基づくもので、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内でなされるものであり、新規事項の追加には該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものには該当しないものである。
〈上記（ロ）〜（リ）の訂正について〉
　上記（ロ）の訂正は、単に請求項を削除するだけのものであり、上記（ハ）〜（リ）は、上記（イ）及び（ロ）の訂正に伴って明細書の記載をそれに整合させるだけのものであるから、いずれのものも、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内でなされるものであり、新規事項の追加には該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものには該当しないことは明らかなことである。
II−３．訂正の適否の結論
　よって、上記訂正請求は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．本件発明
　訂正後の本件特許第３１７５３１０号の請求項１に係る発明は、上記するように平成１４年６月２１日付けで訂正請求がなされ、その請求どおり訂正された明細書の特許請求の範囲請求項１に記載される次のとおりのものである。
（以下、訂正後の請求項１に係る発明を、必要に応じて、「本件発明」という）
【請求項１】成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるフロートガラスよりなるガラス素板を用いて、前記ガラス構造温度より低いＴ１℃のガラス構造温度を有するガラスとすることにより、前記ガラス素板より熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法であって、前記ガラス素板を、
（ａ）Ｔ０℃より低くＴ１℃より高い雰囲気温度に初期設定された炉内で加熱し、（ｂ）その後前記炉内雰囲気温度を、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながらＴ１℃より低い温度まで徐冷する熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法。
　なお、請求項１の「Ｔ１℃より低い温度まで徐冷」における「Ｔ１℃」は、「Ｔ１℃」の誤りであり、このことは、明白である。
　
IV．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として
甲第１号証：「１９９１　ＳＩＤ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＳＹＭ
　　　　　　ＰＯＳＩＵＭ　ＤＩＧＥＳＴ　ｏｆ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　
　　　　　　ＰＡＰＥＲＳ」、１９９１年５月、Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　
　　　　　　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ、ｐ663〜666
甲第２号証：「ガラス工学ハンドブック」、昭和３８年２月２８日、
　　　　　　株式会社朝倉書店、第１０７〜１１２頁
甲第３号証：「Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｎｄ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ
　　　　　　ｏｆ　Ｇｌａｓｓ」、１９８０年，ＥＬＳＥＶＩＥＲ、ｐ2
　　　　　　〜6
　を引用し、（１）本件請求項１〜３に係る発明（訂正後の本件請求項１に係る発明）は、甲第１号証に記載された発明であるか、又は、甲第１号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、これら請求項に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号、又は、第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（理由−１）、
（２）本件請求項１〜３に係る発明（訂正後の本件請求項１に係る発明）の特許は特許法第３６条第４項、及び第５項第２号の規定を満たしていない特許出願に対してなされたものであり（理由−２）、したがって、それらの特許は取り消されるべきものである、旨主張する。
　なお、特許異議申立人は、その特許異議申立書において、明細書の不備につき、特許法第３６条第６項第２号の理由を記載するが、その主張内容からみて、その理由の記載は、特許法第３６条第５項第２号の誤りであると解して、上記のとおり表示するものとした。
　
V．証拠の記載内容
　甲第１号証には、「溶融引き下げ法により製造されたコーニングコード７０５９ガラス基板の熱的寸法安定性」と題し、以下のことが記載される。
（Ａ−１）「溶融引き下げ法により製造されたコーニングコード７０５９ガラスは、液晶表示用途向けの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板として広く使用されている。」旨（第６６３頁左欄第２〜５行）
（Ａ−２）「ガラスは結晶性物質とまったく異なる挙動を示す。室温でのガラス寸法は熱処理によって容易に変化する。換言すれば、ガラスの室温寸法は熱的履歴に依存する。図１に示すように、急冷ガラスはゆっくり冷却されたガラスよりも大きな寸法を有する。急冷ガラスがガラス転移領域の温度でアニール（熱処理）されるならば、そのガラス構造はゆっくり冷却されたガラスのガラス構造に近づき、構造緩和として知られる原子再配置によって寸法が小さくなる。アニールによる寸法変化は１０００ｐｐｍのオーダーになり得る。アニールによってガラス密度は増加する。アニールによる高密度化は緻密化と呼ばれる。緻密化の程度はアニール温度、アニール時間及び冷却速度に依存する。」旨（第６６３頁左欄第１３〜３１行）
（Ａ−３）「これらの方法を用いて我々は溶融引き下げ法により製造されたコーニングコード７０５９ガラスの種々の温度条件下における熱的寸法安定性を測定した。測定方法と、緻密化及び収縮のデータを報告する。」旨（第６６３頁右欄第１２〜１７行）
（Ａ−４）「　実験方法及び測定方法
　この実験で用いられたコーニングコード７０５９ガラス試料は、・・・溶融引き下げ法により製造された。このガラス板は厚さ１．１ｍｍであり、歪点５９３℃近傍の温度で常法に従ってアニーリングされることにより緻密化された。この緻密化による寸法変化は、数百ｐｐｍ〜１５００ｐｐｍであり、長さ寸法変化から計測されるか又はアニーリング前後の密度変化から計算された。」旨（第６６３頁右欄第１８〜３０行）
（Ａ−５）「緻密化
　代表的なサンプルの寸法は１５０ｍｍ角、厚さ１．１ｍｍであった。我々が研究した最も大きなサンプルサイズは４２０×３２０×１．１ｍｍであった。サンプルは２個のバイコール（登録商標）パレットの間に積み重ねられ、標準ＰＩＤ制御・雰囲気循環マッフル炉で熱処理された。本研究で用いた熱サイクルを図２に示す。３個の主要な因子が緻密化の程度を支配する。すなわち、アニール温度ＴＡ、アニール時間ｔＡ及び冷却速度ＲＡである。ここでは、“Ａ”はアニール（熱処理）を表す。」旨（第６６３頁右欄第４２〜５３行）
（Ａ−６）「緻密化とアニール温度
　アニールのための通常の温度サイクルを図２に示す。アニールによる緻密化は３個の主変数即ち、アニール温度（ＴＡ）、アニール時間（ｔＡ）及びアニール温度からの冷却速度（ＲＡ）に依存する。図６のとおり、アニール温度が高くなるほど緻密化は著しく増加する。大きな緻密化を得るためには、歪点（コード７０５９の場合は５９３℃）付近又はそれ以上の温度が必要である。４００℃よりも低温のアニールは緻密化にほとんど影響しない。」旨（第６６５頁左欄第１７〜２８行）
（Ａ−７）「緻密化とアニール時間
　図７のとおり、アニール時間と共に緻密化は増大するが、より長くしても飽和する。」旨（第６６５頁右欄下から第１２〜下から第９行）
（Ａ−８）「緻密化と冷却時間
　図８に示すとおり、緻密化は冷却速度に著しく影響される。著しく低い冷却速度とすることにより高緻密化が得られる。」旨（第６６５頁右欄下から第８〜下から第５行）
（Ａ−９）、図２．アニールの熱サイクル（第６６４頁の左上段）、図６．緻密化とアニール温度，ＴＡ［℃］（第６５頁左中段）、図７．緻密化とアニール時間（第６６５頁左下段）、図８．緻密化と冷却時間（第６６５頁右上段）
　
　甲第２号証には、「仮想温度の理論の限界」と題し、以下のことが記載される。
（Ｂ−１）「３．７．７で仮想温度の概念を導入するために使った仮定によれば，任意のガラスについて仮想温度τを定義することができ，ガラスのすべての性質はＴとτとだけの関数であり，τは常にＴに近づくよう変化する．この仮定は，上に記したガラスの密度についてだけでなく，屈折率，粘性係数，応力緩和，弾性率などについても適当できることが明らかにされた．それゆえ，仮想温度の概念は研究又は実用上の目的のために非常に有用なものである．
　しかし最近のくわしい研究によってこの理論と矛盾する現象が見出された．たとえばある温度で熱処理されたガラスを，他の温度で保持して比容変化を測ると，一度増大した後減少して最後に平衡値に達する．また屈折率は逆に，一度減少してから増大する．あるいは，Ｔ＝ｃｏｎｓｔとして，τの一価単調な関数と考えられる２つの性質，たとえば密度と電気抵抗，密度と熱膨張係数などの組合わせにおいて，一対一の相関関係がないことも見出された．したがってこの理論は第一次近似としてのみ正しいものだと考えられる．この理論がより高次の近似では成り立たない理由について，現象論的な解釈が与えられている．」（第１１２頁第９〜２２行）
　
　甲第３号証には、「転移領域」と題し、以下のことが記載される。
（Ｃ−１）「不幸なことに、このようにして決定された仮想温度は、それを決定するために選ばれた物性にある程度依存することが見出されている。１個より多い数値またはパラメータがガラス標本の配置を特定するためには必要とされるようである。このテーマは今なお、かなりの量の研究および議論を惹き付けている。」旨（第５頁第１３〜１９行）
　
VI．異議申立に対する当審の判断
VI−１．理由−１（特許法第２９条第１項第３号及び第２項に規定する要件）について
　本件明細書（特に、実施例とその結果を示す図２及び３の）の記載によれば、本件発明は、ガラス構造温度がＴ０℃であるガラス素板を用いて、前記ガラス構造温度より低いＴ１℃のガラス構造温度を有するガラスとすることにより前記ガラス素板より熱収縮率の小さいガラス基板を製造する方法において、「炉内雰囲気温度を、炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながらＴ１℃より低い温度まで」徐冷するという構成を具備することにより、その余の構成と相俟って、当該ガラス基板を、短時間で、製造することができるというものである。
　これに対して、甲第１号証には、同号証の前記（Ａ−３）〜（Ａ−５）により、溶融引き下げ法により製造されたコーニング７０５９のガラス板サンプルに、アニール処理を施し、寸法変化にすると数百ｐｐｍ〜１５００ｐｐｍの緻密化を得たことが記載され、また、同号証の前記（Ａ−５）〜（Ａ−９）により、アニール処理による緻密化は、アニール温度（ＴＡ）、アニール時間（ｔＡ）及びアニール温度からの冷却時間（ＲＡ）に依存し、アニール温度が高くなるほど緻密化は著しく増加すること、アニール時間と共に緻密化は増大すること、 緻密化は冷却速度に著しく影響され、著しく低い冷却速度とすることにより高緻密化が得られることも記載される。
　そして、甲第１号証に記載の上記アニール処理により、熱収縮率が小さいガラス板を製造することは明らかなことである。
　しかし、甲第１号証には、本件発明の構成である、「炉内雰囲気温度を、炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながらＴ１℃より低い温度まで」徐冷することに関しては、記載されるところはない。
　
　なお、特許異議申立人は、甲第１号証の図８から、アニール温度ＴＡが６５０℃、アニール時間ｔＡが１時間、冷却速度ＲＡが０．５℃／分であることを読み取り、これを、同号証の図２の記載、すなわち、ＴＡ℃温度でｔＡｍｉｎ時間維持した後に、ＲＡ℃／ｍｉｎの冷却速度で、５２０℃まで冷却するところのアニールの熱サイクルに適用して、更に、これに計算を重ねて、その冷却時間の２６０分中、２００分が「炉内雰囲気温度を、ガラスの構造温度よりも１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながら」徐冷する場合に当たる旨、主張する。しかし、この図８からの読み取り方法及びその後の計算方法が適当であるか否かの判断については措くものとしても、少なくとも、冷却期間の６０分間は、「炉内雰囲気温度を、ガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながら」徐冷するとの規定を満たさないものであり、したがって、本件発明の上記構成を満たさず、この点で、本件発明は、甲第１号証に記載のものに対して別異の発明であるといえる。
　更に、特許異議申立人は、甲第１号証に記載のものは、本件発明のものに比べ、その効果において優れていると主張するが、両者のアニール処理は、ガラス素材の熱履歴、アニール温度等の実験条件が基本的に異なるものであり、そのようなものを比べてみても、両者の奏する効果の優劣が判断できるものではない。
　したがって、特許異議申立人の当該主張は、合理的でない。
　
　そして、甲第１号証に記載のものでは、「炉内雰囲気温度を、炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながらＴ１℃より低い温度まで」徐冷することの利点につき教示するものはない。
　してみれば、本件発明が上記構成を具備することにより、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるということができないばかりでなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　
VI−２．理由−２（特許法第３６条第４項及び第５項第２号に規定する要件）について
　ここでの特許異議申立人の主張は、ガラス構造温度、すなわち、仮想温度につき、甲第２号証の前記（Ｂ−１）の記載「・・・しかし最近のくわしい研究によってこの理論と矛盾する現象が見出された．・・・この理論がより高次の近似では成り立たない・・・」、及び、甲第３号証の前記（Ｃ−１）の記載「不幸なことに、このようにして決定された仮想温度は、それを決定するために選ばれた物性にある程度依存することが見出されている。１個より多い数値またはパラメータがガラス標本の配置を特定するためには必要とされるようである。・・・」を引用して、ガラス構造温度は普遍的な温度ではなく、当然に測定方法に依存し一義的には定まらないものであり、したがって、本件明細書の特許請求の範囲に記載される本件発明の構成は明確ではなく、また、その発明の詳細な説明には、当業者が容易に実施できる程度に発明が記載されていないというものである。
以下には、それ以外の主張につき検討する。
（１）そもそも、特許異議申立人の上記の「ガラス構造温度は測定方法に依存し一義的には定まらない」との主張では、そのような主張に至る具体的根拠を欠くものであり、直ちに、採用できるものではない。
（２）確かに、ガラス構造温度につき、その理論と矛盾する現象があり、その理論がより高次の近似では成り立たないとしても、その理論につき、甲第２号証の前記（Ｂ−１）で、「この仮定は，上に記したガラスの密度についてだけでなく，屈折率，粘性係数，応力緩和，弾性率などについても適当できることが明らかにされました．それゆえ，仮想温度の概念は研究又は実用上の目的のために非常に有用なものである」と記載され、このように、ガラス構造温度の理論は、ガラスの密度についてだけでなく，屈折率等に適合し、研究又は実用上の目的のために非常に有用であると推奨され、そして、甲第２号証の前記（Ｂ−１）で、「この理論は第一次近似としてのみ正しいものだと考えられる」と、高次の近似の場合はともかく、当該ガラス構造温度の理論は、第一次近似では少なくとも正しいと説明されるものである。
　してみれば、本件発明の構成のように徐冷処理されたガラス素板につき、炉内雰囲気温度との単純な関係でのみガラス構造温度を用いる限り、それが、発明を不明瞭にするとまでいえるものではない。
（３）そして、本件明細書の詳細な説明には、「ガラスの構造温度は、そのガラスの組成が一定範囲であれば屈折率を測定することにより一義的に定まる」（段落０００６）と記載され、このように、ガラス構造温度は屈折率により一義的に求まること、また、この場合の屈折率の測定方法自体は、当業者にとっては周知なものである。
　してみれば、ガラス構造温度を測定することは容易であり、本件発明の実施に当たって困難を伴うものでない。
（４）したがって、本件明細書の特許請求の範囲の請求項１には、発明の構成に欠くことができない事項が記載されていないとまではいえず、また、その発明の詳細な説明には、当業者が容易に実施することができる程度に発明が記載されていないということはできない。
　そうすると、本件発明に関し、本件明細書が、特許法第３６条第４項及び第５項第２号に規定する要件を満たしていないとはいえない。
　
VII.　まとめ
　特許異議申立の理由及び証拠によっては、訂正後の本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月５日（２００２．１１．５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３１７５３１０号の明細書につき、訂正請求書に添付された訂正明細書に記載される次の（イ）〜（リ）のとおり訂正する。
（イ）明細書の特許請求の範囲の請求項１における、
「【請求項１】成形され一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるガラス素板を用いて、前記ガラス構造温度より低いＴ１℃のガラス構造温度を有するガラスとすることにより、前記ガラス素板より熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法であって、前記ガラス素板を、
（ａ）Ｔ０℃より低くＴ１℃より高い雰囲気温度に初期設定された炉内で加熱し、（ｂ）その後前記炉内雰囲気温度を、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に低い温度になるように維持しながらＴ１℃より低い温度まで徐冷する熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるフロートガラスよりなるガラス素板を用いて、前記ガラス構造温度より低いＴ１℃のガラス構造温度を有するガラスとすることにより、前記ガラス素板より熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法であって、前記ガラス素板を、
（ａ）Ｔ０℃より低くＴ１℃より高い雰囲気温度に初期設定された炉内で加熱し、（ｂ）その後前記炉内雰囲気温度を、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながらＴ１℃より低い温度まで徐冷する熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法。」と訂正する。
（ロ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項２及び３を削除する。
（ハ）特許請求の範囲の請求項４及び５における、
「【請求項４】前記加熱・徐冷時の前記炉内雰囲気温度をステップ状に低下させ、前記ステップの数を２以上６以下とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載のガラス基板の製造方法。
　【請求項５】前記ガラス素板にソーダライムシリカ組成のガラス素板を用い、そのガラス構造温度をＴ１≦５１０℃とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載のガラス基板の製造方法。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【請求項２】前記加熱・徐冷時の前記炉内雰囲気温度をステップ状に低下させ、前記ステップの数を２以上６以下とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
　【請求項３】前記ガラス素板にソーダライムシリカ組成のガラス素板を用い、そのガラス構造温度をＴ１≦５１０℃とする請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。」と訂正する。
（ニ）明細書の段落０００４における、
「・・・本発明は、成形され一次徐冷されたガラス素板・・・」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「・・・本発明は、成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたフロートガラスよりなるガラス素板・・・」と訂正する。
（ホ）明細書の段落０００５における、
「・・・成形され一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるガラス素板を用いて、・・・、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に低い温度になるように維持しながら・・・」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「・・・成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたガラス構造温度がＴ０℃であるフロートガラスよりなるガラス素板を用いて、・・・、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持しながら・・・」と訂正する。
（ヘ）明細書の段落０００８における、
「炉内雰囲気温度を、炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上低い温度になるように維持することは、ガラスの構造変化のスピードを低下させない上で好ましく、さらに炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下の低い温度に維持することはさらに好ましい。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「炉内雰囲気温度を、炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように維持することは、ガラスの構造変化のスピードを低下させないためである。」と訂正する。
（ト）明細書の段落００１２における、
「本発明の方法は、炉内雰囲気を、ガラス素板をガラス素板の構造温度Ｔ０℃より低く、・・・、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に低い温度になるように・・・」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「本発明の方法は、炉内雰囲気を、成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたフロートガラスよりなるガラス素板をガラス素板の構造温度Ｔ０℃より低く、・・・、前記炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上５０℃以下低い温度になるように・・・」と訂正する。
（チ）明細書の段落００１９における、
「・・・、炉内で低下していくガラスの構造温度よりも常に雰囲気温度を低くなるように低下していくことにより、」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「・・・、炉内で低下していくガラスの構造温度よりも常に雰囲気温度を１０℃以上５０℃以下低くなるように低下していくことにより、・・・」と訂正する。
（リ）明細書の段落００２５における、
「本発明の方法によれば、成形され一次徐冷されたガラス素板を、・・・」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「本発明の方法によれば、成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたフロートガラスよりなるガラス素板を、・・・」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
熱収縮率が小さいガラス基板を製造する方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　成形され
フロートバスに続く徐冷炉で
フロートガラスよりなる
１０℃以上５０℃以下
　【請求項
２
１
　【請求項
３
又は２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、液晶表示素子などの精密電子デバイスのガラス基板として有用な、すなわちデバイス製作時の熱プロセスを受けても熱収縮が小さいガラス基板を製造する方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶表示素子は、所定形状の透明電極がその表面に設けられた２枚のガラス基板が、透明電極パターンに相対的にずれが生じないように精密に位置合わせして貼り合わせて製造される。そして、この２枚のガラス基板を貼り合わせる前に、配向膜処理などの工程でガラス基板は一定時間高温度の処理（デバイス製作時の熱プロセス）を受ける。このとき、ガラス基板は、そのガラス基板が有するガラスの構造温度に基因する熱収縮特性とデバイス製作時の熱プロセスの温度、時間等の条件により熱収縮を起こす。この熱収縮が大きいと、後続のガラス基板の貼り合わせ工程で２枚のガラス基板上に設けられている透明電極やアクテイブ素子の位置を正確に合わせることが困難になる。たとえば成形され引き続き徐冷窯で徐冷されたソーダライムシリカ組成のフロートガラス素板を、高精細表示をするＳＴＮ液晶表示素子やＴＦＴのようなアクテイブタイプの液晶表示素子のガラス基板として用いる場合、ガラス基板は表示素子の製作時の熱プロセスを受けて熱収縮し、２枚のガラスを所定位置で正確に貼り合わせるのが難しいという問題点があった。
　【０００３】
　また上記の熱収縮が生じないガラス素板としては石英ガラスがあるが、このガラス素板は極めて高価であるという問題点がある。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、前記問題点を解決するためになされたものであって、小さい熱収縮率を有するガラス基板を、安価で大量に入手できるガラス素板から製造する方法を提供するものである。さらに詳述すると、本発明は、成形され
フロートバスに続く徐冷炉で
フロートガラスよりなる
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、成形され
フロートバスに続く徐冷炉で
フロートガラスよりなる
１０℃以上５０℃以下
　【０００６】
　本発明は、ガラスの構造温度の概念とそのガラスが有する熱収縮との関係を鋭意研究した結果なされたものである。ガラスの構造は、その温度で熱平衡状態にある構造温度で表すことができる。ガラス素板は、成形され一次徐冷された状態では、通常比較的高温状態を保った構造で冷却固化されている。ガラスを構成する元素のガラス内での配置は無規則であるが、高い温度で凍結されたものほどいわゆるルーズな構造をしており、それを熱処理することによりその条件（加熱温度、徐冷条件）と熱平衡にあるガラス構造温度を有するガラスにすることができる。ガラス構造の凍結状態は、そのガラスの密度に反映されるためガラスの光の屈折率を精密に測定することにより評価することができる。したがって、ガラスの構造温度は、そのガラスの組成が一定範囲であれば屈折率を測定することにより一義的に定まる。ガラスの構造温度が低いほどガラスは、いわゆる”しまった構造”をしていると考えられ屈折率が大きくなり、ガラス構造温度がより高いものに較べて収縮した状態すなわち体積が小さくなる（長方形のガラス板では、辺の長さが短くなる）。
　【０００７】
　より高い構造温度Ｔ０℃を有するガラス素板を加熱・徐冷して、より低い構造温度Ｔ１℃を有するガラス基板を製造するには、そのガラス素板をＴ１℃の一定温度に加熱しても得られるが、ガラスが構造温度Ｔ１℃に近づくにしたがって、構造温度の低下のスピードすなわちガラスの構造変化のスピードが小さくなり、長時間の熱処理時間を必要とする。本発明の方法は、とりわけ構造温度Ｔ０℃と構造温度Ｔ１℃との差が大きいガラス素板が有するガラス構造温度よりも、大きくガラスの構造温度を低下させたガラス基板を製造するときに、短時間の加熱・徐冷で製造できるという特徴を有する。
　【０００８】
　炉内雰囲気温度を、炉内で低下過程にあるガラスの構造温度よりも常に１０℃以上
５０℃以下
ためである
　【０００９】
　以下にガラスの構造温度と熱収縮を定量的に説明する。Ｔｆ（０）の構造温度を有するガラスを雰囲気温度Ｔ℃（Ｔは４００〜５５０℃の範囲）の炉でｔ分加熱処理し、ガラスの構造を熱平衡により変化させたときのガラスの構造温度Ｔｆ（ｔ）とその時に生じるガラスの収縮率△ｌは、（１）式〜（３）式で表されることを見い出した。
　【００１０】
　【数１】
　【００１１】
　　Ｔｆ（０）　加熱・徐冷前のガラス素板の構造温度（℃）（ソーダライムシリカ組成では、５５０〜５７０℃）
　　Ｔｆ（ｔ）　ｔ分後のそのガラスの構造温度（℃）
　　Ｔ　　　　　炉内雰囲気温度（℃）
　　ｔ　　　　　加熱時間（分）
　　Ｋ　　　　　定数
　　ｂ　　　　　定数（ソーダライムシリカ組成のガラスでは０．６５）
　　η　　　　　ガラスの粘度（センチポアズ）
　　定数の温度変化（Ｋ’＝Ｋ／η、）
　　ｌｏｇＫ’＝２．９３７×１０ー５Ｔ２−０．００７０９×Ｔ−６．５６３
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・・（２）式
　そして、このときに生じるガラスの収縮率△ｌは、
　　△ｌ＝１．７×１０ー５×（Ｔｆ（０）ーＴｆ（ｔ））・・・・・（３）式
　（３）式で表せるガラスの熱収縮は、デバイス製作時の熱プロセスをガラスが受けるときにも生じる。しかし本発明の方法を用いて製造されたガラス基板は、その構造温度がデバイス製作時の熱プロセス温度に近づけられているため、デバイス製作時に生じる（３）式による熱収縮率が小さい。
　【００１２】
　本発明の方法は、炉内雰囲気を、
成形されフロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたフロートガラスよりなる
１０℃以上５０℃以下
　【００１３】
　前記徐冷時の前記炉内雰囲気温度は、連続的に低下させてもよく、ステップ状に低下させてもよい。炉内雰囲気温度をステップ状に設定するときは、一定温度に維持するステップ数を、多くすると一つのステップの温度にガラスを維持する時間が短くなり、とりわけ多数のガラスを同時に加熱・徐冷するとき炉内の位置差による温度のバラツキにより、得られるガラスの構造温度の値のバラツキが大きくなるので好ましくない。また、ガラス素板が有する構造温度よりも４０℃以上構造温度を低下させるときは、ステップ数を２以上にするのが短時間に各ガラス素板の構造温度をバラツキを少なく低下させる上で好ましい。また、炉の雰囲気温度をステップ状態に一定に維持する時間はガラスの構造がその雰囲気温度に追随するに必要な時間にするのが好ましく、そのような観点からステップ状態に維持する設定時間は、３０分以上さらに好ましくは５０分以上が好ましい。多くのガラス素板を同時にバッチ炉で加熱・徐冷して短時間で各ガラスの構造温度を小さいバラツキで低下させるには、ステップ数は上記の理由から２〜６が好ましく、さらに３〜５が好ましい。
　【００１４】
　ガラスの構造温度は、そのガラスの光に対する屈折率を小数点以下４桁まで精密に測定することにより決められる。ガラス組成がある一定の範囲内であれば、ガラスの構造温度は屈折率により一義的に定まる。
　【００１５】
　本発明に用いるガラスとしては、ソーダライムシリカ組成のガラス素板（主要成分が重量％でＳｉＯ２７０〜７３、Ａｌ２Ｏ３１．０〜１．８、ＣａＯ７〜１２、ＭｇＯ１．０〜４．５、Ｒ２Ｏ（アルカリ）１３〜１５）や硼珪酸ガラスなどの組成のガラス素板を用いることができる。溶融錫上で成形され引き続き徐冷窯で徐冷された熱履歴を有する上記組成範囲のフロートガラスは、５５０〜５７０℃の構造温度を有する。
　【００１６】
　本発明に用いられる加熱炉としては、温度プログラム制御ができる加熱炉で有ればバッチ炉、連続炉のいずれも用いることができる。加熱スケジュールを精度よく制御できる、デバイス製作時の種々のプロセス条件に合わせた温度制御を容易にできる、という観点からバッチ炉が好ましい。
　【００１７】
　【作用】
　ガラス溶融窯から引き出され引き続き徐冷されたガラスは高温状態の分子配列で凍結固化されており、比較的高温度のガラス構造を有する。このようなガラスはその凍結温度より低い温度で加熱されると、その温度に相当す構造温度に向けて構造変化する。その温度が初期の構造温度よりも低ければガラスは密な構造に向かうため体積が収縮し、ガラス板の寸法は短くなる。
　【００１８】
　ガラスの構造温度Ｔ０℃と雰囲気温度Ｔ１℃（Ｔ０＞Ｔ１）との差が大きくかつＴ１が大きいときは、ガラスの構造温度の低下のスピードは、ガラス内部での原子の再配列が容易に起こるので大きい。一方、ガラスの構造温度Ｔ０℃と雰囲気温度Ｔ１℃（Ｔ０＞Ｔ１）との差が小さくかつＴ１が小さいときは、ガラスの構造温度の低下のスピードは、ガラス内部での原子の再配列が緩慢に起こるので構造温度変化はゆっくりと起こり、すなわち構造温度の低下のスピードは小さい。
　【００１９】
　本発明の方法では、炉内で低下していくガラスの構造温度よりも常に雰囲気温度を
１０℃以上５０℃以下
　【００２０】
　【実施例】
　以下に本発明を実施例に基づいて説明する。図１は本発明の方法を実施するのに用いた炉の概略断面図である。用いた炉は、内容積が１立方メートル（縦横高さが各１ｍ）の電気炉で、炉内雰囲気温度の分布をガラス積載時に±５℃となるようにした。この炉の中に３００×３００×１．１ｍｍのソーダライムシリケート組成のフロートガラス板（主成分が重量％でＳｉＯ２７２％、ＣａＯ８％、Ｎａ２Ｏ１３％、ＭｇＯ４％、Ｋ２Ｏ０．５％、Ａｌ２Ｏ３１．７％で、フロートバスに続く徐冷炉で一次徐冷されたもの）を図１に示すように重ねてセットした。但し最下段にはベースとなる平坦なセラミック製の板６を敷きガラスの反りが発生するのを防止した。電気炉内１の雰囲気温度は、電源２及び加熱ヒーター６へ投入する電力を複数の温度センサー４、４のフイードバックを受けて制御するプログラム制御機構３により温度制御される。上記ガラスの構造温度はその屈折率の測定から約５６０℃であった。
実施例１
　電気炉の炉内雰囲気温度プログラム制御を図２で示すように５２０℃で３００分、５００℃で３００分、４８０℃で３００分、４７０℃で１５０分（合計１０５０分）の４つのステップ状に低下するように設定した。電気炉内雰囲気の温度センサーが５２０℃を示すように電気炉を予熱した後、５００枚のガラス板を炉内にセットし、図２で示す加熱・徐冷を行った後、炉より取り出した。これらのガラス板にＩＴＯ（錫をドープした酸化インジウム）透明導電膜をスパッタリング法で約１６０ｎｍ被覆した。次にこれらのガラスの４つのコーナー部分に測定点としてＩＴＯ膜を残した所定形状の電極パターン加工を行った。同時に上記の熱処理を行わなかったＩＴＯ膜付きガラス板を１枚測長標準用ガラスとして同じように電極パターン加工をした。上記の５００枚の加熱・徐冷したガラス基板を液晶表示素子製作時の熱プロセスと同じ温度条件である４８０℃、３０分の加熱テストを行った結果、辺の寸法の収縮率は、平均値が２８．５ｐｐｍ、その分散が２．４であった。すなわち、液晶表示素子製作時の熱プロセスを受けてもガラスの熱収縮が３０ｐｐｍ以下に抑えられたガラス基板を、約１５．８時間の熱処理により得ることができた。
　【００２１】
　図２の曲線ハは、上記加熱・徐冷中に生ずるガラスの構造温度変化をそのガラスの屈折率を測定して求めたものである。熱処理温度の切り替え点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３でガラス構造温度の低下速度が大きくなること分かる。ガラスの構造温度は熱処理開始から３００時間以後の約５３２℃から低い領域でも、下記の比較例１のイ、比較例２のロでそれぞれ示される構造温度曲線よりも構造温度の低下のスピードが大きいことが分かる。すなわち、本実施例では比較例１、２よりも短い熱処理時間で５０４℃の構造温度を有するガラス基板が得られたことが分かる。
実施例２
　電気炉の炉内雰囲気温度プログラム制御を図３に示すように５２０℃で３００分、５００℃で３００分、４９０℃で３００分（合計９００分）の３つのステップ状に低下するように設定した。電気炉内雰囲気の温度センサーが５２０℃を示すように電気炉を予熱した後、５００枚のガラスを炉内にセットし、上記の熱処理を行った後炉より取り出した。この時のガラスの構造温度の変は、別に加熱・徐冷過程のガラスが有する屈折率測定し調べた図３の実線で示される。これらのガラス板にＩＴＯ透明導電膜をスパッタリング法で約１６０ｎｍ被覆し、ガラスの４つのコーナー部分に測定点としてＩＴＯ膜を残した所定形状の電極パターン加工を行った。同時に上記の熱処理を行わなかったＩＴＯ膜付きガラス板を１枚測長標準用ガラスとして同じように電極パターン加工をした。上記の５００枚の熱処理したガラスについて５００℃、６０分の加熱テストをおこない、各ガラス板の辺の寸法を測定した結果、辺の寸法の熱収縮率は平均値で２２．５ｐｐｍ、分散で７．４ｐｐｍであった。
　【００２２】
　すなわち、液晶表示セル製作時の５００℃、６０分の熱プロセスを経ても熱収縮が３０ｐｐｍ以下に抑えられるガラス基板を、約６０時間の加熱・徐冷で得ることができた。このときのガラスの構造温度は屈折率測定を行って５０８℃であることが分かった。炉内雰囲気温度を５００℃の一定にして熱処理をした比較例２では、５０８℃のガラス構造温度のガラスとするのに図２の曲線ロから約２０００分（約３３．３時間）を要するので、本実施例の熱処理時間は比較例２に対し５５％短縮した。
　【００２３】
　図３のガラス構造温度曲線が示すように、炉内雰囲気設定温度の切り替え点Ｐ４、Ｐ５でガラス構造温度の低下速度は大きくなることが分かる。これによりガラスの構造温度は加熱開始から３４０時間後の約５１６℃から５０８℃の低い領域でも構造変化の速度が大きいことが分かる。
比較例１
　雰囲気温度を４８０℃の一定温度にして、実施例１で用いたのと同じガラスを種々の時間熱処理して屈折率を測定し、熱処理時間とガラスの構造温度との関係をプロットしたものが図２の曲線イで示されている。実施例１と同じガラスが構造温度を５０４℃まで低下させるのに３３００分（５５時間）を要することが分る。
比較例２
　雰囲気温度を５００℃の一定温度にして、実施例１で用いたのと同じガラスを種々の時間熱処理して屈折率を測定し、熱処理時間とガラスの構造温度との関係をプロットしたものが図２の曲線ロで示されている。実施例１と同じガラスが構造温度を５０４℃まで低下させるのに３７００分（約６２時間）を要することが分かる。
　【００２４】
　上記の実施例から分かるように、ガラスが後に受けるデバイス製作時の熱プロセス温度よりも高い温度とそれに引き続き低い温度で熱処理を行うことにより、デバイス製作時の熱プロセスによる熱収縮が抑制されたガラス基板を短時間の熱処理で製造することができる。
　【００２５】
　【発明の効果】
　本発明の方法によれば、成形され
フロートバスに続く徐冷炉で
フロートガラスよりなる
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の方法を実施するのに用いた炉の概略断面図。
　【図２】
　実施例１、比較例１、比較例２の熱処理のガラス構造変化過程を説明するための図。
　【図３】
　実施例２の熱処理のガラス構造変化過程を説明するための図。
　【符号の説明】
　１・・・炉内雰囲気、２・・・加熱用電源、３・・・炉内雰囲気温度制御機構、４・・・温度センサー、５・・・ガラス素板、６・・・セラミック基板、７・・・ヒーター、８・・・炉