【事件の表示】
　特願２００７−　３８１９９「配線基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月　４日出願公開、特開２００８−２０５１１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成１９年２月１９日の出願であって、平成２４年１０月５日付け（平成２４年１０月１６日：発送日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年１２月２０日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その請求と同時に特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたものである。　なお、平成２４年４月２４日付け手続補正は、原審において、平成２４年１０月５日付けで、決定をもって却下されている。
　 　 
第２．平成２４年１２月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２４年１２月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
１．補正後の本件発明 
　本件補正は、平成２３年９月１６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１について、
「【請求項１】
　樹脂プリプレグ上に保護膜を形成する工程と、
　前記樹脂プリプレグ中にレーザビームを、前記保護膜を介して照射し、ビアホールを、前記保護膜および前記樹脂プリプレグを貫通して形成する工程と、
　前記ビアホール中に導電性ビアプラグを、前記保護膜をマスクとして、金属粒子のエアロゾルデポジションプロセスにより形成する工程と、
　前記保護膜を除去する工程と
　を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。」
　とあったものを
「【請求項１】
　樹脂プリプレグ上に保護膜を形成する工程と、
　前記樹脂プリプレグ中にレーザビームを、前記保護膜を介して照射し、ビアホールを、前記保護膜および前記樹脂プリプレグを貫通して形成する工程と、
　前記ビアホール中に導電性ビアプラグを、前記保護膜をマスクとして、金属粒子のエアロゾルデポジションプロセスにより形成する工程と、
　前記保護膜を除去する工程と
　を含み、
　
前記保護膜は、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートよりなる
　とする補正を含むものである。（下線は補正箇所を示すために審判請求人が付したものである。）
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項としての「保護膜」に関して、「
前記保護膜は、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートよりなる
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　 
２．引用文献の記載事項 
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００６−１４７７３４（以下、「引用文献１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。　
　ア．「【０００１】
　本発明は、多層配線基板の層間を接続する層間接続装置および層間接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来の配線処理法の例が、特許文献１に記載されている。この公報に記載の配線方法では、基体に設けられたアスペクト比の高い貫通孔に低コストで配線処理するために、貫通孔内へガスデポジション法により導電性金属微粒子からなる金属柱を形成している。具体的には、金属微粒子をガスに浮遊させた後に、高速で基体に形成された微細な貫通孔めがけて衝突させている。これにより、貫通孔を金属微粒子が充填して、層間が接続される。」
　イ．「【０００４】
　上記特許文献１に記載の方法では、金属微粒子をガスに浮遊させた後、高速で基体の貫通孔に衝突させ金属導体を生成させているので、基板内に形成されている電気回路としての銅箔と生成した金属導体とを、電気的に接続させる必要がある。銅は非常に酸化されやすい金属であるから、空気中の酸素と容易に反応して絶縁物である銅酸化膜を形成し易い。銅酸化膜は絶縁体であるから、除去しないと電気的な接続が達成されない。また、レーザーで絶縁層に穴を明けて層間接続に用いるバイアホールを作成するが、レーザー加工時に絶縁層を削り残したスミアが生成されると、層間接続の妨げとなる。」
　ウ．「【００１４】
　多層配線基板では、銅箔でできた電気回路と絶縁層が交互に積み重ねられている。絶縁層で隔たれた電気回路間は、絶縁層に明けられたバイアホールと呼ばれる穴に導電性物質を充填して電気的に接続する。
【００１５】
　従来の層間接続方法においては、バイアホールに導電性物質を充填する工程に、めっきを用いている。その際、レーザーを用いて絶縁層に穴を開け、穴明け時に削り残した絶縁層であるスミアを除去する。その後、無電解銅めっきで薄い銅膜をバイアホール内に生成する。この薄い銅膜から電解銅めっきを用いて厚い銅膜を生成する。これにより、バイアホール内に導電性物質が作成される。
【００１６】
　しかしながら、この層間接続方法では、無電解銅めっきや電解銅めっきで硫酸銅等の環境影響物質を多用しており、環境負荷が増すことや廃液処理のための費用が増すという不具合を生じている。また情報機器の小型化に伴い配線基板の微細化が進み、バイアホールの直径が５０μｍ以下になってきているが、従来の方法ではこのような小径のバイアホールへの対応が困難である。」
　エ．「【００１８】
　図１に、本発明に係る層間接続装置１００の一実施例の正面断面図を、図２に、この層間接続装置１００に用いるノズルアレイ２４の断面図を示す。層間接続装置１００は、ガス導入部８０と、金属粉導入部８２と、ガス導入部８０および金属粉導入部８２から導入されたガスと金属粉とから、エアロゾルを生成するエアロゾル生成室２０と、エアロゾル生成室２０で生成したエアロゾルを積層基板１４に処理する真空容器１１と、真空容器１１を真空排気する排気系８４とを有している。」
　オ．段落【０００２】に記載されている「ガスデポジション法」は、記載事項エの、「金属粉導入部８２と、ガス導入部８０および金属粉導入部８２から導入されたガスと金属粉とから、エアロゾルを生成するものである」との記載からエアロゾルガスデポジション法といえる。
　
　これら記載事項、図示内容を総合し、本願補正発明の記載ぶりに倣って整理すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 　
「絶縁層にレーザーを用いて、貫通孔を、前記絶縁層を貫通して形成する工程と、
　前記貫通孔内に金属柱を、金属微粒子のエアロゾルデポジション法により形成する工程と、
　を含む多層配線基板の層間接続方法。」 
　　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−３４７４５３（以下、「引用文献２」という。）には、図面（特に、図４を参照。）と共に、以下の事項が記載されている。
　カ．「【請求項１】貫通孔を有する基体において、前記貫通孔内にガスデポジション法により導電性金属微粒子からなる金属柱を形成することを特徴とする貫通孔内配線形成方法。
【請求項２】請求項１記載の貫通孔内配線形成方法において、前記基体上を対象部分の開口したマスクで覆いつつ行うこと特徴とする貫通孔内配線形成方法。」
　キ．「【００３４】まず、実施例１、図２（ａ）〜（ｃ）同様の工程を経て、シリコン基板に貫通孔を形成した（図４（ａ））。
【００３５】次に、吹付け側面３１にスピンコーターによりポジ型レジスト３５（東京応化工業社製ＴＭＳＲ−Ｖ３）を形成した（図４（ｂ））。レジスト材３５を乾燥させた後、シリコン基板の裏面からｇ線を全面照射、アルカリ現像して開口部３９を形成した（図４（ｃ））。
【００３６】さらに、吹付け側裏面３２にも、同じポジ型レジスト３６（東京応化工業社製ＴＭＳＲ−Ｖ３）を全面に塗布し、乾燥させた（図４（ｄ））。
【００３７】レジスト３６の乾燥後、両面にｇ線を照射し、実施例１同様ガスデポジション法により貫通孔内にＡｇの超微粒子からなる金属柱４０を形成し（図４（ｅ））、前工程で形成したレジスト３５、３６を剥離して、貫通孔内へのＡｇ配線を形成した（図４（ｆ））。」
　ク．「【００３９】また、実施例１においては、ガスデポジション装置のステージ１３上、基体の貫通孔部位置に、Ａｇの超微粒子が付着し、Ａｇの超微粒子からなる金属柱がステージ側に付着する現象も見られたが、本実施例で記したように、基体のガスデポジション側裏面に保護膜を形成することで、ステージへのＡｇ微粒子の付着なく、また材料の使用効率よく貫通孔内へ金属配線を形成することができた。また、Ａｇ配線の抵抗値についても、実施例１同様の抵抗値がえられ、良好なものであった。」
　ケ．記載事項キ（段落【００３５】）には、ポジ型レジスト３５を吹き付けて乾燥させた後、開口部３９を形成することが記載され、記載事項カ（【請求項２】）には、基体上を対象部分の開口したマスクで覆いつつ行うことが記載されているで、ポジ型レジスト３５をマスクとしていることは明らかである。
　
　これら記載事項、図示内容、及び認定事項を総合すると、引用文献２には、以下の事項（以下、「引用文献２記載されている事項」という。）が記載されている。 
「貫通孔内配線形成方法において、シリコン基板に貫通孔を形成する工程と、前記シリコン基板の吹付け側面３１にポジ型レジスト３５を形成する工程と、前記ポジ型レジスト３５に開口部３９を形成する工程と、前記貫通孔内に金属柱を、前記ポジ型レジスト３５をマスクとして、導電性金属微粒子のガスデポジション法により形成する工程と、前記ポジ型レジスト３５を剥離する工程とを含むこと。」
　
３．対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、その意味、機能または構造からみて、
　後者の「絶縁層」は、樹脂からなることが通常であるから、後者の「絶縁層に」と前者の「樹脂プリプレグ内に」とは、「樹脂内に」の点で共通する。後者の「レーザーを用いて」は、前者の「レーザビームを、照射し」に、後者の「貫通孔」は、前者の「ビアホール」に、後者の「金属柱」は、前者の「導電性ビアプラグ」に相当する。
　後者の「金属微粒子」は、前者の「金属粒子」に含まれる。
　後者の「エアロゾルデポジション法」は、前者の「エアロゾルデポジションプロセス」に相当する。
　後者の「多層配線基板の層間接続方法」は、前者の「配線基板の製造方法」に含まれる。
　　
　そこで、両者は、本願補正発明の用語を用いて表現すると、次の点で一致する。 
[一致点] 
「樹脂中にレーザビームを、照射し、ビアホールを、前記樹脂を貫通して形成する工程と、
　前記ビアホール中に導電性ビアプラグを、金属粒子のエアロゾルデポジションプロセスにより形成する工程と、
　を含む配線基板の製造方法。」
　
　そして、両者は次の点で相違する。 
[相違点１]  
「樹脂」に関し、
　本願補正発明は、「プリプレグ」であるのに対して、引用発明は、プリプレグであるか不明である点。
　
[相違点２]
　本願補正発明は、「樹脂プリプレグ上に保護膜を形成する工程」を含むものであり、
　「樹脂中にレーザビームを、照射し、ビアホールを、前記樹脂を貫通して形成する工程」において、レーザビームを、保護膜を介して照射し、前記保護膜および前記樹脂プリプレグを貫通させるものであり、
　「ビアホール中に導電性ビアプラグを金属粒子のエアロゾルデポジションプロセスにより形成する工程」において、前記保護膜をマスクとするものであり、
　さらに、「前記保護膜を除去する工程」とを含み、
「前記保護膜は、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートよりなる」のに対して、　
　
　引用発明は、絶縁層上に保護膜を形成する工程がないので、その後の各工程において、保護膜に関するかかる構成を具備していない点。
　
４．判断 
（１）[相違点１]について検討する。
　多層配線基板の分野において、絶縁層として樹脂プリプレグを用いることは、特開平７−１１５２６８号公報の請求項１、及び再公表特許WO２００３／０１７２９０号公報の段落【０００６】に記載されているように従来周知であるので、引用発明の絶縁層として、樹脂プリプレグを採用することは当業者であれば適宜になし得ることである。
　よって、引用発明において、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）[相違点２]について検討する。
　引用文献２には、上記のとおり、「貫通孔内配線形成方法において、シリコン基板に貫通孔を形成する工程と、前記シリコン基板の吹付け側面３１にポジ型レジスト３５を形成する工程と、前記ポジ型レジスト３５に開口部３９を形成する工程と、前記貫通孔内に金属柱を、前記ポジ型レジスト３５をマスクとして、導電性金属微粒子のガスデポジション法により形成する工程と、前記ポジ型レジスト３５を剥離する工程とを含むこと」が記載されている。
　引用文献２に記載されている事項の「ポジ型レジスト３５」は、導電性金属微粒子がシリコン基板に付着するのを防止するものであるから、本願補正発明の「保護膜」に相当する。
　そして、引用文献２に記載されている事項は、引用発明と同じガスデポジション法により、金属微粒子を貫通孔に照射し金属柱を形成するものである。
　ところで、引用発明のエアロゾルデポジション法は、引用文献１の段落【０００２】に「金属微粒子をガスに浮遊させた後に、高速で基体に形成された微細な貫通孔めがけて衝突させている。」と記載されている。高速で金属微粒子を衝突させる際には噴射ノズルを通常用いるものであり、該噴射ノズルの位置決め誤差、微細な貫通孔に対して金属微粒子の衝突領域の拡散程度等によっては絶縁層上に金属微粒子が衝突し、絶縁層の損傷や絶縁層上の配線同士の短絡を生じてしまうことは十分考えられるところ、引用発明と引用文献２に記載されている事項に接した当業者であれば、引用発明に引用文献２に記載されている事項を適用し、金属微粒子を絶縁層に衝突することを防止する観点から、絶縁層上に保護膜を形成する工程を付加すること、貫通孔内に金属柱を金属微粒子のエアロゾルデポジション法によりを形成する工程において、保護膜に開口部を形成することでマスクとすること、及び金属柱形成後に保護膜を剥離する工程を付加することは当業者であれば適宜になし得ることである。
　また、絶縁層上に保護膜を形成する工程を絶縁層に貫通孔を形成する工程の前に行うことは、前掲の特開平７−１１５２６８号公報（段落【０００８】、【図１】ないし【図３】）、及び前掲の再公表特許WO２００３／０１７２９０号公報（段落【０００６】【０００７】、【図６Ａ】【図６Ｂ】）に記載されているように従来周知であり、製造工程数をできるだけ減らし作業時間及びコストを低減することは当業者であれば当然考慮に入れることであるから、引用発明に引用文献２に記載されている事項を適用する際に、保護膜の開口部と絶縁層の貫通孔を同時に形成することを想起し、絶縁層にレーザーを保護膜を介して照射し、貫通孔を保護膜および絶縁層を貫通して形成することも当業者であれば適宜になし得ることである。
　さらにまた、強度、剛性を有するフィルムの材料としてポリエチレンテレフタレートは一般的によく知られているところ、貫通孔に金属材料を充填する際にプリプレグ上に形成される保護膜の材料としてポリエチレンテレフタレートを用いることも、同じく前掲の特開平７−１１５２６８号公報（段落【０００２】を参照。）に記載されているように従来周知の技術であり、金属微粒子が高速で衝突して絶縁層上部が損傷しないように保護膜に適切な強度、剛性をもたせることも自然かつ合理的な発想であるから、保護膜をポリエチレンテレフタレートより形成することにも当業者であれば適宜になし得ることである。
　よって、引用発明に、引用文献２に記載されている事項、及び周知技術を適用し、「絶縁層上に保護膜を形成する工程」を付加すること、「絶縁層にレーザーを用いて、貫通孔を、前記絶縁層を貫通して形成する工程」において、レーザーを、保護膜を介して照射し、前記保護膜および前記絶縁層を貫通させるようにすること、「貫通孔内に金属柱を金属微粒子のエアロゾルデポジション法により形成する工程」おいて保護膜をマスクとすること、及び保護膜を剥離する工程を付加すること、さらに、保護膜の材料としてポリエチレンテレフタレートを用いることにより、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）格別な効果について
　本願補正発明による効果も、引用発明１、引用文献２に記載されている事項、及び周知技術から当業者が予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用文献２に記載されている事項、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
５．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の
２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　 　 
第３．本願発明について 
１．本願発明 
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２３年９月１６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記「第２．［理由］１．」に記載したとおりである。
 　 
２．引用文献の記載事項 
　引用文献の記載事項は、前記「第２．２．」に記載したとおりである。 
 　 
３．対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明から、前記「第２．［理由］１．」に記載した限定事項を省くものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、前記「第２．［理由］１．」の限定事項により減縮したものに相当する本願補正発明が、前記「第２．３．及び４．」に記載したとおり、引用発明１、引用文献２に記載されている事項、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、実質的に同様の理由により、引用発明１、引用文献２に記載されている事項、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 　
　　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明１、引用文献２に記載されている事項、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。