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　平成　２年特許願第８０００５３号「セラミックコーティング方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年　８月　２日出願公開、特開平　６−２１１５８３、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年１２月２５日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、平成１２年１２月６日付けの手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次のとおりのものと認める。
【請求項１】セラミック類似のコーティングを基板上に形成する方法において、前記基板を、溶剤と１種又はそれ以上の加水分解又は部分的に加水分解したプレセラミック・シリコン・アルコキシドを含む溶液でコーティングする工程であって、前記プレセラミック・シリコン・アルコキシドの組成式がＲｘＳｉ（ＯＲ’）４−ｘであり、Ｒ及びＲ’は同一でも異なっていてもよく、１〜２０炭素原子を有するアルキル基、アリール基、アルケニル基又はアルキニル基、ｘが０〜２である工程と、前記溶剤を蒸発させて、前記基板にプレセラミック・コーティングを堆積する工程と、前記コーティングを施した基板を、オゾンの存在下で、４０乃至４００℃の間の温度に昇温して、前記プレセラミック・コーティングをセラミック化する工程とを含むことを特徴とするコーティング方法。　
【請求項２】請求項１記載のコーティング方法であって、前記セラミック類似のコーティングに、更に不動態化コーティングを施す工程を含み、前記不動態化コーティングが、（Ｉ）シリコン含有コーティング、（ＩＩ）シリコン・炭素含有コーティング、（ＩＩＩ）シリコン・窒素含有コーティング、（ＩＶ）　シリコン・炭素・窒素含有コーティング、又は（Ｖ）付加的な二酸化ケイ素及び酸化セラミックのコーティングから選ばれ、前記シリコン・コーティングが、場合によりプラズマ及び／又はメタル・アシスト下の、シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はそれらの混合物の化学蒸着の方法によって前記セラミック類似のコーティングの上に蒸着され、前記シリコン・炭素含有コーティングが、（１）場合によりプラズマ下の、１乃至６個の炭素原子をもつアルカン又はアルキルシランの存在下における、シラン、アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はそれらの混合物の化学蒸着、又は（２）シラシクロブタン又はジシラシクロブタンの化学蒸着から選ばれる方法によって蒸着され、前記シリコン・窒素含有コーティングが、（Ａ）場合によりプラズマ下に、アンモニア存在下における、シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、又はそれらの混合物の化学蒸着、又は（Ｂ）シリコン及び窒素を含有するプレセラミック重合体のセラミック化から選ばれる方法によって蒸着され、シリコン・炭素・窒素含有コーティングが、（Ｉ）場合によりプラズマ下の、ヘキサメチルジシランの化学蒸着、（ＩＩ）場合によりプラズマ下の、１乃至６個の炭素原子をもつアルカン又はアルキルシランの存在下に、更にアンモニアの存在下における、シラン、アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はそれらの混合物の化学蒸着、及び（ＩＩＩ）アンモニアの存在下における、炭素に置換したポリシラザン、ポリシラシクロブタシラザン又はポリカーボシランを含む、プレセラミック溶液のセラミック化
　から選ばれる方法によって蒸着され、前記二酸化ケイ素及び酸化セラミックのコーティングが、二酸化ケイ素先駆体及び酸化セラミック先駆体を含むプレセラミック混合物のセラミック化によって、施されて、シリコン含有不動態化コーティングを生成し、それによって２層のセラミック又はセラミック類似のコーティングを、基板上に形成する、工程であるコーティング方法。
【請求項３】請求項２記載のコーティング方法であって、更に付加的なシリコン含有バリヤ・コーティングを前記不動態化コーティングの上に施す工程を含み、前記不動態化コーティングが、（Ｉ）シリコン・炭素含有コーティング、（ＩＩ）シリコン・窒素含有コーティング、（ＩＩＩ）シリコン・炭素・窒素含有コーティング、又は（ＩＶ）付加的な二酸化ケイ素及び酸化セラミックのコーティングから選ばれ、前記シリコン含有・バリヤ・コーティングが、（Ｉ）シリコン・コーティング、（ＩＩ）シリコン・炭素含有コーティング、（ＩＩＩ）シリコン・窒素含有コーティング、又は（ＩＶ）シリコン・炭素・窒素含有コーティングから選ばれ、前記シリコン含有・バリヤ・コーティングが、請求項２に記載の方法により前記不動態化コーティング上に施され、それによって多層のセラミック類似のコーティングを前記基板上に形成する、コーティング方法。
【請求項４】酸化セラミック先駆体が、前記溶液に更に含まれる請求項１記載のコーティング方法。
【請求項５】請求項４記載のコーティング方法であって、酸化セラミック前駆体が、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、バナジウム、ニオブ、ホウ素及びリンから成るグループから選ばれる一つの元素と、少なくとも一つの加水分解可能な置換基とを含む組成物であるコーティング方法。
【請求項６】基板が電子デバイスである請求項１〜５のいずれか１項に記載のコーティング方法。
（以下、請求項１〜６に記載された発明を、本願発明１〜６という。）
２．原査定の拒絶の理由
　本願発明１〜６は、下記引用例１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
引用例１：特開平２−２８９４１５号公報
引用例２：特開平２−２５８６４６号公報
引用例３：特開平１−１７９４２３号公報
引用例４：特開昭６０−６５７０８号公報
３．引用例の記載内容
　引用例１〜４には、以下の内容に係る記載がある。
　引用例１：
Ａ．基板に、ケイ素含有有機化合物を塗布し、オゾンの存在下、例えば、２００℃にて、紫外線照射を照射してケイ素酸化膜を形成すること（特許請求の範囲第１項、実施例１参照）、
Ｂ．本発明は、（ａ）ケイ素を含有する有機化合物が加水分解性基を有するケイ素原子を含有するアミド酸化合物及び／又はイミド化合物と、（ｂ）ジシラザン化合物と、を主成分とする硬化性組成物を用いてケイ素酸化膜を製造するものである（２頁右上欄１１行〜同頁左下欄２行参照）、
Ｃ．（ａ）成分は、加水分解性ケイ素原子を含有するアミド酸化合物が加熱または常温での放置により脱水及び縮合してイミド化合物になる際、この反応により生成される水又は系外の水により加水分解性ケイ素原子（すなわち、ケイ素原子上の加水分解性基）が加水分解され、脱水及び縮合を繰り返して高分子量体となるものである（２頁左下欄４〜１０行）、
Ｄ．ジシラザン化合物は、（ａ）成分の保存安定性、基体との密着性を良好化するのに役立つものである（７頁右下欄１６〜１７行）。
Ｅ．４００℃以上の高温に加熱しなければならない従来法に比べて、低温（実施例では２００℃）で酸化反応を行うことができるため、基板の種類に制約を加えることが少ないこと（１０頁左下欄７〜１０行、実施例１参照）、
Ｆ．製膜基板の種類を拡大することができ、電子材料や電子デバイスなどの製造上、極めて有益であること（１１頁の発明の効果の欄参照）、
Ｇ． 紫外線照射により膜質が均一且つ緻密となること（１０頁左下欄の作用の欄参照）。
　引用例２：
Ｊ．基板上に、Ｓｉ（ＯＲ’）４で示されるシリコンアルコキシドとアルミニウム塩と該塩の析出防止剤から成る組成物を塗布し、２００℃、２０分間の焼成で硬い被膜を形成すること（特許請求の範囲第１、２項、２頁左上欄１３〜１９行、３頁左下欄９〜１８行、実施例１〜１０の記載参照）、
Ｋ．基材はガラス、セラミック、金属、プラスチック等であること（２頁左上欄１３〜１９行参照）、
Ｌ．アルミニウム塩の添加は、被膜の機械的強度、基材への密着性、低温焼成における耐薬品性の低下を防止する目的であること（４頁左下欄３〜１３行参照）。
　引用例３：
従来法に比べ低温化が可能な絶縁薄膜の製造方法として、金属アルコラートを基板表面上に付着させ、その後、高周波放電にさらした水と酸素の混合ガスを供給する方法（特許請求の範囲、実施例、発明の効果の欄を参照）。
　引用例４：
比較的低温（実施例は５００℃）で焼成できる金属酸化物被膜の形成方法として、基体に有機金属化合物を塗布し、オゾンを含む雰囲気中で焼成して金属酸化物被膜とする方法（特許請求の範囲、実施例参照）。
４．対比・判断
　本願発明１〜６は、温度に敏感な電子デバイス、電子回路、プラスチック等の基板の保護を目的とするもので（段落番号０００１，０００４，０００８参照）、その構成として、（い）組成式がＲｘＳｉ（ＯＲ’）４−ｘであるプレセラミック・シリコン・アルコキシドを含む溶液を用い、かつ、（ろ）オゾンを使用する、という構成を採用することにより、加水分解性官能基をほとんど持たない被膜を低温（実施例では２００℃及び２１５℃）で形成できる（段落番号００４０参照）という効果を奏するものである。
　これに対して、引用例１には、前記Ａに記載したように、基板にケイ素含有有機化合物を塗布し、オゾンの存在下、２００℃にて、ケイ素酸化膜を形成することが記載され、この点で本願発明１〜６と共通すると認められるものの、ケイ素含有有機化合物としては具体的にアミド基やイミド基を有するもののみが記載され、アミド基やイミド基を有さないものの例示はない。
　そして、引用例１には、アミド基やイミド基を有するケイ素含有有機化合物に関し、その作用機構は、脱水及び縮合を繰り返して高分子量体になるものであると記載され（前記Ｃ参照）、アミド基やイミド基を含まない本願発明１〜６における前記プレセラミック・シリコン・アルコキシドに適用できる作用機構でなく、したがって、引用例１に記載のケイ素含有有機化合物と本願発明１〜６における前記プレセラミック・シリコン・アルコキシドとの間には作用機構の共通性もないから、引用例１に記載のアミド基やイミド基を有するケイ素含有有機化合物が本願発明１〜６における前記プレセラミック・シリコン・アルコキシドをも示唆しているとは認められない。
　また、引用例１には、アミド基やイミド基を有さないケイ素含有有機化合物がアミド基やイミド基を有するケイ素含有有機化合物と同等に使用できるとの積極的な記載があるわけでもないうえに、そのケイ素含有有機化合物として本願発明１〜６における前記プレセラミック・シリコン・アルコキシドを用いることを示唆する記載があるわけでもないから、引用例１の記載に基づいて、その発明におけるケイ素含有有機化合物として本願発明１〜６における前記プレセラミック・シリコン・アルコキシドを特定して用いることが当業者が容易に想到できたことであるとは認められない。
　引用例２には、前記Ｊに記載したように、基板上に、Ｓｉ（ＯＲ’）４で示されるシリコンアルコキシドを含む溶液を塗布し、２００℃で焼成して硬い被膜を形成する発明が記載されており、この点で、本願発明１〜６と構成を同じくする発明が記載されているといえるものの、引用例２に記載の発明はその焼成にオゾンを用いないという点で本願発明１〜６と相違する。
　そして、引用例２には、オゾンを用いることを示唆する記載も、オゾンを用いることが必要であるとする記載もないから、引用例２の記載をみても、その発明においてオゾンを用いるという構成、すなわち、前記相違点に係る本願発明１〜６の構成に想到することが当業者に容易に想到できたことであるとすることはできない。
　引用例３、４には、金属アルコラートや有機金属化合物を基板表面上に付着させ、その後、高周波放電にさらした水と酸素の混合ガスやオゾンを供給して金属酸化膜を形成する方法が記載されているものの、基板表面上に付着させる化合物として本願発明１〜６におけるようなＲｘＳｉ（ＯＲ’）４−ｘであるプレセラミック・シリコン・アルコキシドを用いることの記載も示唆もないから、引用例３，４をみても、本願発明１〜６の前記プレセラミック・シリコン・アルコキシドを用いるという構成が当業者に容易に想到されえたものであるとすることはできない。
　さらに、引用例１〜４には、本願発明１〜６の前記した効果、すなわち、前記（い）及び（ろ）の構成を採用したことに伴う効果、を示唆する記載はない。
　してみれば、引用例１〜４を総合しても、本願発明１〜６が、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては本願を拒絶すべきものであるとすることはできない。
　また、他に、本願を拒絶すべきものであるとする理由を発見しない。
　よって、結論のとおり、審決する。