【手続補正書】
【提出日】平成27年1月8日(2015.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３６８】
タッチ検出システムの試験結果
透明センサ要素をタッチセンサ駆動デバイスに接続した。ガラス表面に指接触がなされた際、コンピューターモニターは、接触感知領域内で生じている接触の位置を、モニターの対応する位置における色の変化（黒から緑色）の形態でレンダリングし、隣接するディスプレイに位置を表示して、タッチスクリーンシステムの結果をシミュレーションした。ガラス表面に２、３、及び４つの指接触が同時になされた際、コンピューターモニターは、接触検出領域内で生じていた接触の位置を、モニターの対応する位置における色の変化（黒から緑色）の形態でレンダリングし、タッチスクリーンシミュレーションディスプレイにその位置を表示した。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［１５］に記載する。
[１]
（ａ）空気に暴露されたときに反射防止性である第１のナノ構造化表面及び反対側の第２の表面を有する基材と、（ｂ）前記基材の前記第１の表面上に配置され、複数の開口セルを画定する複数のトレースにより形成される、金属導体と、を含む物品であって、各セルは８０％超の開口率及び前記トレースの向きの均一な分布を有し、前記導体の前記トレースは、前記基材の前記第１の表面に垂直な方向において、かつ該表面に向かって５０％未満の正反射率を有し、前記トレースのそれぞれは、０．５〜１０マイクロメートルの幅を有する、物品。
[２]
第１のナノ構造化表面と、前記第１のナノ構造化表面上に配置される金属導体とを有する透明基材を含む物品であって、前記第１のナノ構造化表面は、５０〜７５０ナノメートルの高さ、１５〜２００ナノメートルの幅、及び５〜５００ナノメートルの横方向の間隔を有するナノ構造体を含み、前記導体は、５０ナノメートル超の平均厚さを有する、物品。
[３]
マイクロパターンを作製する方法であって、
第１の表面及び反対側の第２の表面を有する基材を提供する工程と、
５０〜７５０ナノメートルの高さ、１５〜２００ナノメートルの幅、及び５〜５００ナノメートルの横方向の間隔を有するナノ構造体と、５０ナノメートル超の平均厚さを有する導体とを含むように、前記基材の前記第１の表面を改質する工程と、
前記ナノ構造体を含む前記第１の表面上に金属導体を堆積させる工程と、
エラストマースタンプを使用して、前記導体上に自己組織化単分子膜マイクロパターンを印刷する工程と、
前記自己組織化単分子膜マイクロパターンによって被覆されていない前記導体をエッチングして、前記自己組織化単分子膜マイクロパターンによる導体マイクロパターンを得る工程と、を含む、方法。
[４]
前記導体が、連続的なメッシュのセルを画定する複数のトレースによって形成されるマイクロパターンであり、前記連続的なメッシュは次の特徴：（ａ）各トレースが１センチメートル未満の曲率半径を有する、（ｂ）前記メッシュのトレースが、前記トレースの向きの均一な分布を有する、（ｃ）前記セルが非繰り返しセル形状を有する、及び（ｄ）隣接するセルが、位置の繰り返しアレイ上に位置しない複数の頂点を有する、のうちの少なくとも１つを有する、項目１又は２に記載の物品、あるいは項目３に記載の方法。
[５]
前記導体が、金、銀、パラジウム、プラチナ、アルミニウム、モリブデン、ニッケル、スズ、タングステン、合金、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、項目１又は２に記載の物品、あるいは項目３に記載の方法。
[６]
前記導体がタッチセンサのデバイスドライブに接続される、項目１又は２に記載の物品。
[７]
前記ナノ構造化表面が、マトリックス及びナノスケールの分散相を含み、
前記マトリックスが、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレート、ポリエステル、ナイロン、シロキサン、フルオロポリマー、ウレタン、エポキシ、環状オレフィンコポリマー、セルローストリアセテート、セルロースジアクリレート、これらのブレンド及びこれらのコポリマーからなる群から選択されるポリマーを含み、
前記ナノスケールの分散相が、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、炭酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化インジウムスズ、酸化アンチモンスズ、ポリ（テトラフルオロエチレン）、炭素、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、ナノ粒子を含む、項目１又は２に記載の物品。
[８]
前記ナノ構造体が、１００〜２００ナノメートルの高さ、５０〜１２５ナノメートルの幅、及び１５〜１００ナノメートルの横方向の間隔を有する、項目２に記載の物品又は項目３に記載の方法。
[９]
前記導体が、複数の開口セルを画定する複数のトレースによって形成される、マイクロパターンの形態で存在し、前記マイクロパターンが８０％超の開口率を有し、前記トレースのそれぞれは、０．５〜１０マイクロメートルの幅を有する、項目２に記載の物品又は項目３に記載の方法。
[１０]
前記ナノ構造化表面が、マトリックスと、５０〜２５０ナノメートルの粒径を有するナノ粒子を含むナノスケールの分散相と、を含み、前記ナノ粒子が、４０体積％〜８５体積％で前記マトリックス中に存在する、項目２に記載の物品又は項目３に記載の方法。
[１１]
前記ナノ構造化表面が、マトリックスと、１００〜２００ナノメートルの粒径を有するナノ粒子を含むナノスケールの分散相と、を含み、前記ナノ粒子が、４５体積％〜７５体積％で前記マトリックス中に存在する、項目２に記載の物品又は項目３に記載の方法。
[１２]
前記ナノ構造化表面が、マトリックスと、１０〜２００ナノメートルの粒径を有するナノ粒子を含むナノスケールの分散相と、を含み、前記ナノ粒子が、１体積％〜７５体積％で前記マトリックス中に存在する、項目２に記載の物品又は項目３に記載の方法。
[１３]
前記ナノ構造化表面が、マトリックス及びナノスケールの分散相を含み、
前記ナノスケールの分散相が、ＳｉＯ２ナノ粒子、ＺｒＯ２ナノ粒子、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、
前記マトリックスが、マルチ（メタ）アクリレート、ポリエステル、エポキシ、フルオロポリマー、ウレタン、シロキサン、又はこれらのブレンド若しくはこれらのコポリマーからなる群から選択される、架橋可能なポリマーを含む、項目２に記載の物品又は項目３に記載の方法。
[１４]
第１のナノ構造化表面と、前記第１のナノ構造化表面上に配置されるマイクロパターンの形態の導体とを有する透明基材を含む物品であって、
前記第１のナノ構造化表面が、７５〜２５０ナノメートルの高さ、１５〜１５０ナノメートルの幅、及び１０〜１５０ナノメートルの横方向の間隔を有するナノ構造体を含み、
前記金属導体が、５０ナノメートル超の平均厚さを有し、
前記マイクロパターンが、複数の開口セルを画定する複数のトレースによって形成され、
前記マイクロパターンが、８０％超の開口率を有し、
前記トレースのそれぞれが、０．５〜３マイクロメートルの幅を有し、
前記ナノ構造化表面が、マトリックス及びナノスケールの分散相を含み、
前記ナノスケールの分散相が、１０〜２５０ナノメートルの粒径を有するナノ粒子を含み、
前記ナノ粒子が、１０〜７５体積％で前記マトリックス中に存在する、物品。
[１５]
前記ナノ構造化表面が、高分子マトリックス中に分散されるサブマイクロメートル粒子を含む材料を含み、前記材料が所定の厚さを有し、該厚さにわたって少なくとも第１及び第２の一体領域を有し、前記第１の領域が外側主表面を有し、少なくとも最外のサブマイクロメートル粒子が、前記高分子マトリックスよって部分的にコンフォーマルコーティングされ、かつ前記高分子マトリックスに共有結合され、前記第１の領域及び前記第２の領域が、第１の平均密度及び第２の平均密度をそれぞれ有し、前記第１の平均密度が、前記第２の平均密度未満である、項目１０又は１１に記載の物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）空気に暴露されたときに反射防止性である第１のナノ構造化表面及び反対側の第２の表面を有する基材と、（ｂ）前記基材の前記第１の表面上に配置され、複数の開口セルを画定する複数のトレースにより形成される、金属導体と、を含む物品であって、各セルは８０％超の開口率及び前記トレースの向きの均一な分布を有し、前記導体の前記トレースは、前記基材の前記第１の表面に垂直な方向において、かつ該表面に向かって５０％未満の正反射率を有し、前記トレースのそれぞれは、０．５〜１０マイクロメートルの幅を有する、物品。
【請求項２】
第１のナノ構造化表面と、前記第１のナノ構造化表面上に配置される金属導体とを有する透明基材を含む物品であって、前記第１のナノ構造化表面は、５０〜７５０ナノメートルの高さ、１５〜２００ナノメートルの幅、及び５〜５００ナノメートルの横方向の間隔を有するナノ構造体を含み、前記導体は、５０ナノメートル超の平均厚さを有する、物品。
【請求項３】
マイクロパターンを作製する方法であって、
第１の表面及び反対側の第２の表面を有する基材を提供する工程と、
５０〜７５０ナノメートルの高さ、１５〜２００ナノメートルの幅、及び５〜５００ナノメートルの横方向の間隔を有するナノ構造体と、５０ナノメートル超の平均厚さを有する導体とを含むように、前記基材の前記第１の表面を改質する工程と、
前記ナノ構造体を含む前記第１の表面上に金属導体を堆積させる工程と、
エラストマースタンプを使用して、前記導体上に自己組織化単分子膜マイクロパターンを印刷する工程と、
前記自己組織化単分子膜マイクロパターンによって被覆されていない前記導体をエッチングして、前記自己組織化単分子膜マイクロパターンによる導体マイクロパターンを得る工程と、を含む、方法。
【請求項４】
第１のナノ構造化表面と、前記第１のナノ構造化表面上に配置されるマイクロパターンの形態の導体とを有する透明基材を含む物品であって、
前記第１のナノ構造化表面が、７５〜２５０ナノメートルの高さ、１５〜１５０ナノメートルの幅、及び１０〜１５０ナノメートルの横方向の間隔を有するナノ構造体を含み、
前記金属導体が、５０ナノメートル超の平均厚さを有し、
前記マイクロパターンが、複数の開口セルを画定する複数のトレースによって形成され、
前記マイクロパターンが、８０％超の開口率を有し、
前記トレースのそれぞれが、０．５〜３マイクロメートルの幅を有し、
前記ナノ構造化表面が、マトリックス及びナノスケールの分散相を含み、
前記ナノスケールの分散相が、１０〜２５０ナノメートルの粒径を有するナノ粒子を含み、
前記ナノ粒子が、１０〜７５体積％で前記マトリックス中に存在する、物品。