【事件の表示】
　平成７年特許願第３１７８４５号「窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定に対する審判事件〔平成８年９月３日出願公開、特開平８−２２８０４８、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
（手続の経緯及び本願発明）
　本願は、平成７年１２月６日（国内優先権主張、平成６年１２月２２日）の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項７に係る発明（以下、「本願発明１ないし本願発明７」という。）は、平成１２年５月２９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし請求項７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体よりなる第一のｎ型クラッド層と、
　その第一のｎ型クラッド層に接してインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層と、
　その活性層に接してｐ型窒化物半導体よりなる第一のｐ型クラッド層とが順に積層された構造を有し、
　さらにｐ型窒化物半導体側からエッチングされて同一面側に正、負一対の電極が取り出された構造を備える窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記第一のｎ型クラッド層の外側に、互いに組成の異なる２種類の窒化物半導体層である、ＩｎｃＧａ１−ｃＮ（０≦ｃ＜１）層とＡｌｄＧａ１−ｄＮ（０＜ｄ＜１）層とが積層されてなるｎ型の多層膜を光反射膜として備え、
　さらにそのｎ型の多層膜は、最も基板側に近いエッチング面の水平面よりもｐ型窒化物半導体層に近い位置に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】前記第一のｐ型クラッド層の外側に、互いに組成の異なる２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｐ型の多層膜を光反射膜として備えることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】前記第一のｎ型クラッド層、前記第一のｐ型クラッド層の内のいずれか一方若しくは両方が、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体層またはＧａＮ層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】前記第一のｎ型クラッド層の外側に接してアルミニウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体層よりなる第二のｎ型クラッド層が形成されるか、または前記第一のｐ型クラッド層の外側に接してアルミニウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第二のｐ型クラッド層が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３の内のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】前記第一のｎ型クラッド層若しくは前記第二のｎ型クラッド層に接してｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層が形成されており、さらに前記第一のｐ型クラッド層若しくは第二のｐ型クラッド層に接してｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４の内のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】前記ｎ型の多層膜は、第一のｎ型クラッド層と第二のｎ型クラッド層との間か、第二のｎ型クラッド層とｎ型コンタクト層との間か、またはｎ型コンタクト層内部の内のいずれか一ヶ所に形成されていることを特徴とする請求項１、請求項３、請求項４または請求項５の内のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】前記ｐ型の多層膜は、第一のｐ型クラッド層と第二のｐ型クラッド層との間か、第二のｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層との間か、またはｐ型コンタクト層内部の内のいずれか一ヶ所に形成されていることを特徴とする請求項２、請求項３、請求項４または請求項５の内のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザ素子。」
　
（引用例）
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平６−２１５１１号公報（以下、「引用例１」という。）、同じく特開平３−２９１９８５号公報（以下、「引用例２」という。）、同じく特開平５−２４３６１４号公報（以下、「引用例３」という。）にはそれぞれ、次の発明が記載されている。
　引用例１；
　可視から紫外で発光する化合物半導体発光素子用構造に関するもので、実施例２及び図２には、サファイア基板７１上に、ｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７２、ｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７３、ＩｎＧａＮ単一量子井戸発光層７４、ｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７５、ｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７６が順次形成された発光素子が記載され、ｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７６の上にｐ側電極７８が形成され、上の層をエッチングをすることにより露出させたｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７２の上にｎ側電極７７が形成されている。
　また、実施例３及び図３には、サファイア基板８１上に、ｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層８２、ｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層８３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸発光層８４、ｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層８５、ｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層８６が順次形成された発光素子が記載され、ｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層８６の上にｐ側電極８８が形成され、上の層をエッチングをすることにより露出させたｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層８２の上にｎ側電極８７が形成されている。
　引用例２；
　レーザ発振を可能とした半導体発光素子に関するもので、第１図には、ＧａＡｓ基板１上に、ＡｌＸＧａｌ−ＸＡｓ層２とＡｌｙＧａｌ−ｙＡｓ層３を交互に数周期ないし数十周期積層し、活性層であるＧａＡｓ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ単一量子井戸層４からの発光に対する反射体を形成した利得導波型半導体レーザが記載されている。
　また、活性層、クラッド層を誘電体多層膜で挟み込む構造にすると、発光効率を向上できることが記載されている（公報３頁左下欄１１行〜右下欄８行）。
　引用例３；
　実施例３には、ＧａＮ或いはＧａｌ−ＸＡｌＸ　Ｎ活性層を用いた半導体レーザ素子が記載され、段落【００５５】に、「Ｐ型ＧａＮ層をその厚さが０．５μｍとなるように成長させて、Ｐ型コンタクト層３０６を形成する。」と記載されている。
　
（対比・判断）
「本願発明１について」
　引用例１に記載される半導体発光素子は、引用例１の明細書において従来例として記載されているものがすべて発光ダイオードであり、段落【０００６】の記載、電極の平面的な構造の記載から判断して、発光ダイオードであって、本願発明１のような半導体レーザ素子用に使用され得るものとは認め難い。
　引用例２には、半導体レーザ素子において、活性層、クラッド層を誘電体多層膜で挟み込む構造にすると発光効率を向上できる旨記載されているが、上記したように、引用例１の半導体発光素子は半導体レーザ素子用に使用され得るものとは認め難いことからして、引用例１に記載された発明に引用例２に記載された発明を適用することに困難性があるのみならず、引用例２の半導体レーザはＧａＡｓ系のものであり電極が上下両面に形成されるタイプであって、本願発明１や引用例１に記載された半導体発光素子のようにエッチングによりｎ層を露出させて同一面側に正、負一対の電極を配置するタイプではなく、また、引用例２の誘電体多層膜は本願発明１の光反射多層膜とは組成が異なり、しかも活性層を誘電体多層膜で挟み込む構造のものであるから、引用例２の誘電体多層膜反射層を引用例１に記載された発光素子に適用したとしても、本願発明１のように、ＩｎｃＧａ１−ｃＮ（０≦ｃ＜１）層とＡｌｄＧａ１−ｄＮ（０＜ｄ＜１）層とが積層されてなるｎ型の多層膜光反射膜を最も基板側に近いエッチング面の水平面よりもｐ型窒化物半導体層に近い位置に形成することが容易ということはできない。
　そして、本願発明１は、係る構成要件を具備することにより、明細書に記載の、「屈折率の差が大きいので発光波長に応じて反射率の大きい多層膜の設計が可能である」、「ＩｎｃＧａ１−ｃＮがバッファ層の作用をしているため、もう一方のＡｌｄＧａ１−ｄＮ層にクラックが入ることなく１０層以上積層可能となる」、「発光を基板側に逃がさず効率的に活性層の光閉じ込めを行うことができる」という作用効果を奏する。
　したがって、本願発明１は、引用例１ないし引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
「本願発明２ないし本願発明７について」
　本願発明２ないし本願発明７は、本願発明１の構成をさらに限定したものであるから、上記「本願発明１について」の項で述べたことと同様な理由により、引用例１ないし引用例３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（むすび）
　以上のとおり、本願発明１ないし本願発明７は、引用例１ないし引用例３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
  また、他に拒絶理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。