(57)【要約】【課題】反射効率の低下を防ぎ、発光効率を最適化することを目的とする。【解決手段】上面に凹凸を有する回路層２８を形成する。回路層２８の上面に感光性樹脂層３０を形成する。スルーホール３２を感光性樹脂層３０に形成するために、感光性樹脂層３０を露光する。スルーホール３２に対応する部分を除去するように、感光性樹脂層３０を現像する。第１温度で感光性樹脂層３０をベークする。感光性樹脂層３０を２０℃以上５０℃以下の温度に冷却する。架橋反応を完結させるために必要な第２温度で感光性樹脂層３０をベークして、スルーホール３２を有する有機層３６を形成する。有機層３６の上に、スルーホール３２で回路層２８に電気的に接続する第１電極３８を形成する。第１電極３８の上に発光層４２を形成する。発光層４２の上に第２電極４４を形成する。第１温度は、第２温度の５０％以上８０％以下である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に凹凸を有する回路層を形成する工程と、
前記回路層の前記上面に感光性樹脂層を形成する工程と、
前記回路層に通じるスルーホールを前記感光性樹脂層に形成するために、前記感光性樹脂層を露光する工程と、
前記スルーホールに対応する部分を除去するように、前記感光性樹脂層を現像する工程と、
前記感光性樹脂層を現像する工程の後に、第１温度で前記感光性樹脂層をベークする工程と、
前記第１温度で前記感光性樹脂層をベークする工程の後に、前記感光性樹脂層を２０℃以上５０℃以下の温度に冷却する工程と、
前記感光性樹脂層を冷却する工程の後に、架橋反応を完結させるために必要な第２温度で前記感光性樹脂層をベークして、前記スルーホールを有する有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に、前記スルーホールで前記回路層に電気的に接続する第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に第２電極を形成する工程と、
を含み、
前記第１温度は、前記第２温度の５０％以上８０％以下であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
前記第１温度は、１００℃以上１５０℃以下であり、
前記第２温度は、２００℃以上であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トップエミッション方式の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、下部電極を光反射率の高い金属材料で形成していた。これにより、発光層で生じた光を反射させて、発光効率を向上させることができる（特許文献１）。下部電極の下には、薄膜トランジスタを含む回路があり、凹凸ができてしまうため、その上に有機層を形成することで、下部電極の下地を平坦化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−５４５０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機層には、回路との電気的接続のためにコンタクトホールが形成されている。コンタクトホールは、フォトリソグラフィによって形成することが多い。フォトリソグラフィでは、露光及び現像の後にポストベークを行うので、有機層が高温にさらされて、熱流動によってコンタクトホールの周囲では有機層の上面が傾斜する。傾斜した領域に下部電極を形成すると、反射効率が悪くなって輝度を最大限に得ることができない。輝度が低下することによって視角特性に影響があると、視野角によっては色再現性が悪化して色度がずれるおそれがある。
【０００５】
本発明は、反射効率の低下を防ぎ、発光効率を最適化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置の製造方法は、上面に凹凸を有する回路層を形成する工程と、前記回路層の前記上面に感光性樹脂層を形成する工程と、前記回路層に通じるスルーホールを前記感光性樹脂層に形成するために、前記感光性樹脂層を露光する工程と、前記スルーホールに対応する部分を除去するように、前記感光性樹脂層を現像する工程と、前記感光性樹脂層を現像する工程の後に、第１温度で前記感光性樹脂層をベークする工程と、前記第１温度で前記感光性樹脂層をベークする工程の後に、前記感光性樹脂層を２０℃以上５０℃以下の温度に冷却する工程と、前記感光性樹脂層を冷却する工程の後に、架橋反応を完結させるために必要な第２温度で前記感光性樹脂層をベークして、前記スルーホールを有する有機層を形成する工程と、前記有機層の上に、前記スルーホールで前記回路層に電気的に接続する第１電極を形成する工程と、前記第１電極の上に発光層を形成する工程と、前記発光層の上に第２電極を形成する工程と、を含み、前記第１温度は、前記第２温度の５０％以上８０％以下であることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、感光性樹脂層は、第２温度でベークされる前に、第１温度でベークされて冷却される。第１温度でも架橋反応がある程度進行するので、第２温度でベークしたときに熱流動による表面の傾斜を抑えることができる。したがって、その上に形成する第１電極の傾斜を抑えることができるので、反射効率の低下を防ぎ、発光効率を最適化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】上面に凹凸を有する回路層を形成する工程を示す図である。
【図２】回路層の上面に感光性樹脂層を形成する工程を示す図である。
【図３】感光性樹脂層を露光する工程を示す図である。
【図４】感光性樹脂層を現像する工程を示す図である。
【図５】第１温度で感光性樹脂層をベークする工程を示す図である。
【図６】第２温度で感光性樹脂層をベークする工程を示す図である。
【図７】有機層の形成後の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
図１〜図７は、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。図１に示すように、第１基板１０を用意する。第１基板１０は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性又は柔軟性を有するフィルムなどを用いてもよいし、剛性を有するガラスから構成してもよく、単層でも複数層でもよい。
【００１３】
第１基板１０には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層１２を形成する。アンダーコート層１２は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等からなり、それらの積層構造であっても良い。アンダーコート層１２の上には半導体層１４を形成する。半導体層１４を覆ってゲート絶縁膜１６を形成する。ゲート絶縁膜１６の上にはゲート電極１８を形成し、ゲート電極１８を覆って層間絶縁膜２０を形成する。ゲート絶縁膜１６及び層間絶縁膜２０を貫通するスルーホール２２を形成し、スルーホール２２で半導体層１４に電気的に接続するようにソース電極２４及びドレイン電極２６を設ける。半導体層１４、ソース電極２４、ドレイン電極２６及びゲート電極１８によって薄膜トランジスタが構成される。こうして形成される回路層２８は、上面に凹凸を有する。
【００１４】
図２に示すように、回路層２８の上面に感光性樹脂層３０を形成する。本実施形態で使用する感光性樹脂層３０は、露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残るネガ型である。あるいは、露光されると現像液に対して溶解性が増大し、露光部が除去されるポジ型の感光性樹脂を使用してもよい。感光性樹脂層３０は、回路層２８の凹凸を埋めて、平坦な上面を有する。
【００１５】
図３に示すように、感光性樹脂層３０を露光する。露光は、感光性樹脂層３０にスルーホール３２を形成するために行う。ネガ型の感光性樹脂層３０の場合、スルーホール３２を形成する領域を遮光するパターンを有するマスク３４を使用する。これにより、露光された部分（スルーホール３２を除く部分）の溶解性が低下し、露光されない部分（スルーホール３２）は溶解性を有するようになる。
【００１６】
図４に示すように、感光性樹脂層３０を現像し、スルーホール３２に対応する部分を除去する。こうして、回路層２８に通じるスルーホール３２が感光性樹脂層３０に形成される。
【００１７】
図５に示すように、感光性樹脂層３０を現像した後に、第１温度で感光性樹脂層３０をベークする。第１温度は、１００℃以上１５０℃以下である。第１温度では、感光性樹脂層３０の架橋反応が完結しない。第１温度は、架橋反応を完結させるために必要な温度（後述する第２温度）の５０％以上８０％以下である。したがって、感光性樹脂層３０に生じる熱流動を抑えることができる。そのため、スルーホール３２の周囲で、感光性樹脂層３０の上面に形成される傾斜を小さくすることができる。そして、第１温度で感光性樹脂層３０をベークした後に、感光性樹脂層３０を２０℃以上５０℃以下の温度（例えば室温）に冷却する。
【００１８】
図６に示すように、感光性樹脂層３０を冷却した後に、第２温度で感光性樹脂層３０をベークする。第２温度は、架橋反応を完結させるために必要な温度（例えば２００℃以上）である。こうして、スルーホール３２を有する有機層３６を形成する。
【００１９】
本実施形態によれば、感光性樹脂層３０は、第２温度でベークされる前に、第１温度でベークされて冷却される。感光性樹脂層３０は、第１温度でも架橋反応がある程度進行するので、第２温度でベークしたときに熱流動による表面の傾斜を抑えることができる。
【００２０】
本実施形態では、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。
【００２１】
図７に示すように、有機層３６の上に、複数の単位画素（サブピクセル）それぞれに対応するように、複数の第１電極３８（例えば陽極又は画素電極）を形成する。有機層３６は、第１電極３８が設けられる面が平坦になっている。第１電極３８は、有機層３６を貫通するスルーホール３２で回路層２８（ソース電極２４及びドレイン電極２６の一方）に電気的に接続する。第１電極３８は反射層でもある。有機層３６の表面の傾斜が抑えられるので、その上に形成する第１電極３８の傾斜も抑えられている。
【００２２】
有機層３６及び第１電極３８上に、絶縁層４０を形成する。絶縁層４０は、第１電極３８の周縁部に載り、第１電極３８の一部（例えば中央部）が開口するように形成する。絶縁層４０によって、第１電極３８の一部を囲むバンクが形成される。
【００２３】
第１電極３８の上に発光層４２を形成する。発光層４２は、第１電極３８ごとに別々に（分離して）設け、絶縁層４０にも載るようにする。この場合は各画素に対応して青、赤、緑で発光層４２が発光するようになる。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄、白等でも良い。発光層４２は、例えば、蒸着により形成する。また、発光層４２は表示領域を覆う全面に、又は複数の画素に亘って形成してもよい。つまり、発光層４２が絶縁層４０上で連続してもよい。この場合、発光層４２は溶媒分散による塗布により形成してもよい。ベタ形成の場合には、全サブピクセルにおいて白色光を得て、後述する第２基板５６にカラーフィルタを設けることにより所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。
【００２４】
発光層４２の上に、第２電極４４（例えば陰極又は共通電極）を形成する。第２電極４４は、バンクとなる絶縁層４０の上方に載るように形成する。発光層４２は、第１電極３８及び第２電極４４に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層４２と第１電極３８との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層４２と第２電極４４との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。
【００２５】
発光層４２で生じた光は、第１電極３８で反射して、第２電極４４の方向に進行する。有機層３６の表面の傾斜が抑えられるので、その上に形成する第１電極３８の傾斜を抑えることができ、これにより、反射効率の低下を防ぎ、発光効率を最適化することができる。
【００２６】
発光層４２は、第２電極４４に封止層４６を積層することで封止し、水分から遮断する。封止層４６は、ＳｉＮなどの無機膜を含み、積層構造であってもよく、例えば、一対の無機層４８，５０の間に樹脂などの有機膜５２を挟む構造であってもよい。図７において封止層４６は、第２電極４４とは反対側に段差又は凹凸を有しているが、十分な厚さを有する場合、平坦になっていてもよい。
【００２７】
封止層４６には、粘着層５４を介して、第２基板５６を貼り付ける。第２基板５６は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性又は柔軟性を有するフィルムなどを用いてもよいし、剛性を有するガラスから構成してもよく、単層でも複数層でもよい。
【００２８】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
【００２９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００３０】
１０  第１基板、１２  アンダーコート層、１４  半導体層、１６  ゲート絶縁膜、１８  ゲート電極、２０  層間絶縁膜、２２  スルーホール、２４  ソース電極、２６  ドレイン電極、２８  回路層、３０  感光性樹脂層、３２  スルーホール、３４  マスク、３６  有機層、３８  第１電極、４０  絶縁層、４２  発光層、４４  第２電極、４６  封止層、４８  無機層、５０  無機層、５２  有機膜、５４  粘着層、５６  第２基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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