【事件の表示】
　平成　２年特許願第２８６５１４号「半導体集積回路」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　６月　３日出願公開、特開平　４−１６０４８７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　本願は、平成２年１０月２３日の出願であって、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という）
「　チップの内部メモリと、外部メモリまたは外部入出力回路とにアクセスするメモリ拡張機能を有するプログラム実行マシンを構成する半導体集積回路において、
　前記外部メモリまたは前記外部入出力回路へのアクセス時のみ前記メモリ拡張機能を能動状態にする手段と、
　前記外部メモリおよび前記外部入出力回路がアクセスされないときに、前記外部メモリまたは前記外部入出力回路に接続される外部接続システムバスに供給する信号の電位を、所定の変化幅における高電位側の電位とする手段と、
　を備えることを特徴とする半導体集積回路。」
　
 これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成１年５月１５日に頒布された特開平０１−１２１９５７号公報（以下、「引用刊行物」という）には次の事項が記載されている。
　
（１）「第１図は本発明に係るマイクロコンピュータの構成を示すものである。すなわち、コンピュータ１は、全体の制御を司る制御部（ＣＰＵ）２、この制御部２の制御に必要な制御プログラムが格納されているプログラム格納メモリ（ＲＯＭ）３、ワーキング用メモリ（ＲＡＭ）４、・・・・・・・、内部バスからのアクセス信号、アドレスデータおよびデータ信号を外部バスに供給したり、あるいは外部バスからのアクセス信号、アドレスデータおよびデータ信号を内部バスに供給する双方向バッファ７，８，９、この双方向バッファ７，８，９の制御を行なうバッファ制御部１０、・・・・、これらは例えば同一の半導体基板上に形成されている。
　なお、２１，２２，２３はそれぞれ内部バスで、・・・・また、３１，３２，３３，３４はそれぞれ内部バス２１，２２，２３に対応する外部バス、・・・・送る外部バスである。」（第３頁左上欄第６行から同頁右上欄第１９行）
（２）「本発明は、たとえばＩＣカードに内蔵されて用いられるマイクロコンピュータに係り、特にプログラムＲＯＭおよびワーキング用ＲＡＭなどを内蔵し、これらと外部メモリとを同一のアクセスバス（アドレスバス、データバス）で接続しているマイクロコンピュータに関する。
（従来技術）
最近、実用化されているマイクロコンピュータにおいては、プログラムＲＯＭおよびワーキング用ＲＡＭなどを内蔵し、これらと外部メモリとを同一メモリ空間としているものがある。たとえば、マイクロコンピュータとして６４キロバイトのメモリ空間をアクセスでき、内蔵するＲＯＭ（１６キロバイト）およびＲＡＭ（１キロバイト）、そして外部メモリ（３２キロバイト）のアクセス空間を持つものとすると、この６４キロバイトのメモリ空間にＲＯＭアクセス用として１６キロバイト、およびＲＡＭアクセス用として１キロバイト、そして外部メモリアクセス用として３２キロバイトをそれぞれ重ならないように空間割付けを行なう。この場合、それぞれの空間へのアクセスは共有するアドレスバスあるいはデータバスなどによって行なわれる」（第２頁左上欄第４行から同頁右上欄第６行）
（３）「制御部２によるプログラム格納用メモリ３およびワーキング用メモリ４へのアクセス（内部アクセス）が生じた場合、・・・・バッファ制御部１０は・・・・内部アクセスであると判定し、双方向バッファ７，８，９をそれぞれ非導通状態に制御する。・・・・、すなわち外部メモリ４０には出力されない。
　また、制御部２による前記外部メモリ４０へのアクセス（外部アクセス）が生じた場合、・・・・バッファ制御部１０は・・・・外部アクセスであると判定し、双方向バッファ７，８の方向を外向きに制御するとともに、読出しアクセスであった場合には加えて双方向バッファ９の方向を内向きに制御し、書込みアクセスであった場合には双方向バッファ９の方向を外向きに制御する。これにより制御部２は外部メモリ４０へのアクセス（外部アクセス）が可能となる。」（第５ページ左上欄第５行から同ページ右上欄第１９行）
　
　この記載事項から、上記引用刊行物には、
「同一の半導体基板上に形成された制御部２とプログラム格納メモリ３とワーキング用メモリ４とを含み、上記プログラム格納メモリ３およびワーキング用メモリ４とは重ならないように空間割り付けされ、前記半導体基板とは別の半導体基板上に形成された外部メモリ４０にアクセスするマイクロコンピュータ１を構成する半導体集積回路において、
　前記プログラム格納メモリ３およびワーキング用メモリ４へのアクセスが生じた場合、非導通状態に制御され、外部メモリ４０へのアクセス時には制御部２が外部メモリ４０へアクセス可能とするバッファ制御部１０および双方向バッファ７，８，９を備えることを特徴とする半導体集積回路」の発明（以下、引用刊行物記載の発明という）が記載されていると認められる。
　
　本願発明と上記引用刊行物記載の発明とを対比する。
ａ、上記プログラム格納メモリ３，ワーキング用メモリ４は、制御部２と同一の半導体基板上に形成され、マイクロコンピュータ１の一部となっているので、本願発明の「チップの内部メモリ」に相当する。
　
ｂ、外部メモリ４０は、前記プログラム格納メモリ３，ワーキング用メモリ４とは別の半導体基板上に形成され、マイクロコンピュータ１の外部にあり、外部バスに接続され、双方向バッファを介して内部バスに接続されているので、本願発明の「前記外部メモリまたは前記外部入出力回路」に相当する。
　
ｃ、上記マイクロコンピュータは「プログラム実行マシン」であり、そして半導体基板で形成されているので「半導体集積回路」である。
　
ｄ、外部アクセス用のメモリ４０は、プログラム格納メモリ３およびワーキング用メモリと同一のメモリ空間に重ならないように空間割り付けされ、外部バスは双方向バッファを介して内部バスに接続されて制御部２が外部アクセス用のメモリ４０にアクセスできるようになるものであるので、このマイクロコンピュータを構成する半導体集積回路は「メモリ拡張機能」を有している。
　
ｅ、双方向バッファ７，８，９およびバッファ制御部１０は「前記プログラム格納メモリ３およびワーキング用メモリ４へのアクセスが生じた場合、非導通状態に制御され、外部用のメモリ４０へのアクセス時には制御部２が外部メモリ４０へアクセス可能とする」ものであるので、本願発明の「外部メモリまたは前記外部入出力回路へのアクセス時のみ前記メモリ拡張機能を能動状態にする手段」に相当する。
　
　したがって、 本願発明と上記引用刊行物記載の発明とを対比すると、両者は
　「チップの内部メモリと、外部メモリまたは外部入出力回路とにアクセスするメモリ拡張機能を有するプログラム実行マシンを構成する半導体集積回路において、
　前記外部メモリまたは前記外部入出力回路へのアクセス時のみ前記メモリ拡張機能を能動状態にする手段を備えることを特徴とする半導体集積回路」である点で一致し、引用刊行物には
「前記外部メモリおよび前記外部入出力回路がアクセスされないときに、前記外部メモリまたは前記外部入出力回路に接続される外部接続システムバスに供給する信号の電位が、所定の変化幅における高電位側の電位とする手段」について記載がない点
で相違する。
　
　上記相違点について検討する。
　バスラインの電圧の安定化、耐ノイズ対策のために、多くの場合論理振幅の高電位側にプルアップすることは、例えば、猪飼國夫「インターフェース回路の設計」、ＣＱ出版株式会社、昭和５５年８月１０日、１５０頁に「３ステートゲートは、コントロールが加わっていないときには、出力はＯＦＦですから、バスラインは安定していません．これはあまりよくないので、多くの場合＋５Ｖプルアップしておきます．」と記載されているように慣用手段にすぎない。
　
　したがって、本願発明の外部接続バスに相当する、引用刊行物記載の発明外部バス３１，３２，３３，３４においても外部アクセス用メモリ４０がアクセスされない時は双方向バッファは非導通状態になるのであるから、論理振幅の高電位側にプルアップして高電位とすることは当業者が必要に応じてなしえる慣用手段の付加にすぎない。
　
　また、本願発明と同一の情報処理技術分野に属する情報処理機器（パーソナルコンピュータ等）と拡張ユニットなどの外部装置を接続するケーブルにアドレス、データ、クロック等の高速パルス列信号が伝送されるとき、不要輻射が発生し、他の電子機器に雑音を発生しうる（電磁波妨害）ことはよく知られており、そして、その解決手段として、拡張ユニットと電子機器をバス接続する際に出力バッファを介して接続し、拡張ユニットなどの外部装置をアクセスしないときは、その出力バッファを不動作とし、バスの信号を遮断し、不要輻射を防止することは、例えば実願昭６０−１７４３７２号（実開昭６２−８４８４５号）のマイクロフィルムに記載されているように周知であり、上記引用刊行物記載の構成においても、本願発明の「電磁波妨害を防止する」という効果は、当業者が当然期待し得る自明の効果にすぎない。
　  
　以上のとおりであるので、本願発明は、上記引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  　
　
よって、結論のとおり審決する。