【事件の表示】
　特願２００７−２９４２５７「放射線検出器及びこれを用いたＸ線ＣＴ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　６月　４日出願公開、特開２００９−１１８９４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１１月１３日の出願であって、平成２４年８月６日及び平成２５年４月３日に手続補正がなされたが、同年６月６日付けで上記平成２５年４月３日付けの手続補正についての補正の却下の決定がなされ、同日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年９月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２５年９月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２５年９月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］ 
１．補正後の請求項１に記載された発明
　平成２５年９月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「放射線により発光する複数の蛍光体素子と、
　前記蛍光体素子と接着剤で接着されて前記発光を検出する複数の光電変換素子と、
　前記蛍光体素子からの発光を導くとともに隣接する蛍光体素子からのクロストークを防止する反射層と、
　を有する放射線検出素子アレイを複数個、基板上に配列してなる放射線検出素子アレイモジュールを備えた放射線検出器において、
　前記放射線検出素子アレイ間には、前記接着剤のはみ出し領域となる第１の隙間が設けられ、
　前記第１の隙間に隣接する反射層の幅が有限であって、他の反射層の幅よりも小さいことを特徴とする放射線検出器。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００４−２７３７４７号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光強度分布または放射線強度分布に応じた電気信号を出力する技術に関し、特に、光電変換素子が配置される平面において、光電変換素子が占める面積の割合を高く維持し、製造歩留まりの向上が可能な光検出器および放射線検出装置に関するものである。」
（ｂ）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術では１枚の半導体基板上にすべてのフォトダイオードを形成することとしているため、受線領域の面積が制限されると共に、製造歩留まりが低いという問題を有する。以下、かかる問題点について順次説明する。
【０００７】
すなわち、上記従来技術では同一基板上にすべてのフォトダイオードを形成するため、二次元フォトダイオードアレイを構成する多数のフォトダイオードの中で不良素子が一つでも存在すれば放射線検出装置に用いることは不可能となる。すなわち、放射線検出装置では光源から出力された放射線の二次元強度分布を検出することが目的であるため、物理的にフォトダイオードは二次元状に配置されている必要がある。従って、例えばＤＲＡＭ等で製造歩留まりを向上させる目的で採用される冗長回路を使用することができず、製造歩留まりが非常に悪くなる。」
（ｃ）「【０００９】
この発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、光電変換素子が配置される平面において、光電変換素子が占める面積の割合を高く維持し、製造歩留まりの向上が可能な光検出器および放射線検出装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる光検出器は、所定の電気回路および入力端子を備えた回路基板上に複数の光電変換器を配置した光検出器であって、前記光電変換器は、前記入力端子に対応した出力端子および表面上に前記出力端子と電気的に接続された入力パッドを備えた基板と、前記入力パッドとほぼ同一の平面を形成するよう配置され、前記入力パッドと電気的に接続された出力電極と、該出力電極と電気的に接続され、受光強度に応じた電気信号を出力する光電変換素子とを一次元状に配列した一次元光電変換素子アレイを素子配列方向と垂直方向に複数配列した二次元光電変換部とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
この請求項１の発明によれば、一次元光電変換素子アレイを複数配列した構造を有するために製造歩留まりが向上すると共に、出力端子を介して光電変換素子からの電気信号を出力する構造を有するために基板表面上における配線構造を簡略化することとしたため、基板表面における光電変換素子の占有面積を拡大可能な高感度の光検出器を実現することができる。」
（ｄ）「【００２３】
図１は、本実施の形態にかかる放射線検出装置の全体像を示す鳥瞰図である。図１に示すように、本実施の形態にかかる放射線検出装置は、所定の回路構造を有する回路基板１上にマトリックス状に配置された放射線受線モジュール２ａ〜２ｆを備えた構造を有する。放射線受線モジュール２ａ〜２ｆは、それぞれ入射した放射線を強度分布に応じて電気信号に変換し、回路基板１上に形成された所定の回路に対して電気信号を出力可能な構造を有する。
【００２４】
次に、放射線受線モジュール２を回路基板１上に固定する態様について説明する。図２は、回路基板と放射線受線モジュール２との間の接続態様を示す断面図である。図２に示すように、回路基板１上には放射線受線モジュール２から出力された電気信号を入力するための端子６ａ〜６ｃが配置されている。放射線受線モジュール２は、放射線を受線し、所定波長の光に変換する二次元シンチレータアレイ３と、二次元シンチレータアレイ３に対して受線下流方向に位置し、変換された光の強度に基づいて電気信号を生成する光電変換器４と、端子６ａ〜６ｃに対応して設けられ、生成された電気信号を出力するための端子５ａ〜５ｃとを有する。そして、回路基板１と放射線受線モジュール２とは、端子に対応した部分では導電性硬化樹脂によって接続され、端子以外の部分では絶縁性硬化樹脂層９によって互いが固定されている。」
（ｅ）「【００２６】
次に、放射線受線モジュール２の構造について詳細に説明する。図３は、本実施の形態にかかる放射線検出装置を構成する放射線受線モジュール２の構造を示す鳥瞰図である。放射線受線モジュール２は二次元シンチレータアレイ３と、光電変換器４とを有する。光電変換器４は、基板１２と、基板１２上面に形成された溝部１３ａ〜１３ｄに埋め込まれたフォトダイオードアレイ１４ａ〜１４ｄとを備え、二次元シンチレータアレイ３は、フォトダイオードアレイ１４ａ〜１４ｄが備えるフォトダイオード素子１５に対応して配置されたシンチレータ素子１０と、シンチレータ素子１０間に配置されたセパレータ１１とを備える。
【００２７】
光電変換器４は、溝部１３ａ〜１３ｄにそれぞれ埋め込んだフォトダイオードアレイ１４ａ〜１４ｄを有する。このため、フォトダイオードアレイ１４ａ〜１４ｄは、それぞれが備えるフォトダイオード素子１５の配列方向に対して垂直に並べられ、結果として光電変換器４の表面上にはフォトダイオード素子１５が二次元マトリックス状に配置されることとなる。」
（ｆ）「【００２９】
放射線受線モジュール２の動作について簡単に説明する。図４は、放射線受線モジュール２の動作を説明するための模式図である。図４に示すように、外部からＸ線がシンチレータ素子１０ａ、１０ｂに対して入射している。シンチレータ素子１０ａ、１０ｂは、それぞれＸ線を所定波長の光に変換する機能を有するため、入射したＸ線は、シンチレータ素子１０ａ、１０ｂの内部でＸ線強度に応じた強度の光に変換される。ここで、シンチレータ素子１０ａ、１０ｂ間にはセパレータ１１ｂが配置され、入射したＸ線および変換された光が、隣接するシンチレータ素子に入射する事を防いでいる。このため、クロストークの発生が抑制され、Ｘ線の強度分布を正確に測定することが可能である。そして、変換された光はフォトダイオード素子１５ａ、１５ｂに入射し、光強度に応じた電気信号がスルーホールを介して出力される。そして、基板１２下に設けられた回路基板１は、端子６を介して電気信号を受け取り、回路基板１上に設けられた回路によって必要な処理が行われる。なお、図４では電気信号の例として電流Ｉが出力される状態を示すが、電気信号として電圧等を出力する構造としても良い。」
（ｇ）「【００３１】
従来のように二次元フォトダイオードアレイを同一基板上に形成した場合には、既に説明したように基板上に形成された多数のフォトダイオード素子のうち、１つでも欠陥を有する素子が存在した場合には光電変換器４に用いることができない。これに対して本実施の形態では、一次元フォトダイオードアレイを複数配置して二次元フォトダイオードアレイを実現することによって同一基板上に形成されるフォトダイオード素子の個数を減らしており、製造歩留まりを向上させている。」
（ｈ）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｉ）「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｊ）「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｋ）「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｌ）図１からは、回路基板１上に、放射線受線モジュール２ａ〜２ｆが互いに間隔を開けてマトリックス状に配置されている様子が見て取れる。
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　
　「所定の回路構造を有する回路基板（１）上に互いに間隔を開けてマトリックス状に配置された複数の放射線受線モジュール（２ａ〜２ｆ）を備えた構造を有し、
　それぞれの放射線受線モジュールは二次元シンチレータアレイ（３）と、光電変換器（４）とを有し、光電変換器は、基板（１２）と、基板上面に形成された溝部（１３ａ〜１３ｄ）に埋め込まれた複数のフォトダイオードアレイ（１４ａ〜１４ｄ）とを備え、
　二次元シンチレータアレイは、フォトダイオードアレイが備えるフォトダイオード素子（１５）に対応して配置されたシンチレータ素子（１０）と、シンチレータ素子間に配置されたセパレータ（１１）とを備えた、
放射線検出装置。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「シンチレータ素子」、「フォトダイオード素子」、「セパレータ」、「放射線受線モジュール」、「回路基板」及び「放射線検出装置」は、それぞれ補正発明の「蛍光体素子」、「光電変換素子」、「反射層」、「放射線検出素子アレイ」、「基板」及び「放射線検出器」に相当する。したがって、引用発明は補正発明の「放射線検出素子アレイモジュール」に相当する構成を有する。
（２）当業者の技術常識に照らして、引用発明のシンチレータ素子とフォトダイオード素子が密着されていることは自明である。
　したがって、引用発明は「シンチレータ素子（蛍光体素子）と密着されて発光を検出する複数のフォトダイオード素子（光電変換素子）」という構成を有し、当該構成は、補正発明の「蛍光体素子と接着剤で接着されて前記発光を検出する複数の光電変換素子」という構成と、引用発明の上記構成において共通する。
（３）引用発明の放射線受線モジュールの互いの「間隔」は、補正発明の放射線検出素子アレイ間の「第１の隙間」に相当する。
　
　以上のことから、両者は、 
　「放射線により発光する複数の蛍光体素子と、
　前記蛍光体素子と密着されて前記発光を検出する複数の光電変換素子と、
　前記蛍光体素子からの発光を導くとともに隣接する蛍光体素子からのクロストークを防止する反射層と、
　を有する放射線検出素子アレイを複数個、基板上に配列してなる放射線検出素子アレイモジュールを備えた放射線検出器において、
　前記放射線検出素子アレイ間には第１の隙間が設けられる、
放射線検出器。」
の点で一致し、次の各点で相違している。
　
（相違点１）
　補正発明は、蛍光体素子と光電変換素子が「接着剤で接着されて」密着しており、「第１の隙間」が「接着剤のはみ出し領域となる」のに対して、引用発明は両素子を密着するための具体的構成が不明な点。
（相違点２）
　補正発明は、「幅が有限であって、他の反射層の幅よりも小さい」、「第１の隙間に隣接する反射層」を有するのに対して、引用発明はそのような反射層を有しない点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
（１）相違点１について
　蛍光体素子と光電変換素子を密着する構造の放射線検出器において、両素子を接着剤を用いて密着させることは、本願の出願当時の周知技術である。また、その場合に余分な接着剤が両素子間の密着部分からはみ出すことは、当業者によく知られた事実である。
　引用発明に当該周知技術を用いることに、格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　そして、その場合に、各放射線受線モジュールの間隔部分に余分な接着剤がはみ出すことは、上記のとおり、当業者であれば当然予測可能な事項である。
　したがって、引用発明に周知技術を用いることにより、上記相違点１に係る構成を採用することは当業者が容易になしうる事項である。
　
（２）相違点２について
　複数の蛍光体素子と発光を検出する光電変換素子を有し、蛍光体素子からの発光を導くとともに隣接する蛍光体素子からのクロストークを防止する反射層を有する放射線検出器において、それぞれの反射層の幅や配置は、各素子の寸法や配置、反射層の材質、装置全体の構造等の種々の要因を総合的に斟酌して当業者が適宜決定しうる事項である。
　また、補正発明において、第１の隙間に隣接する反射層の幅を、素子ピッチとは無関係に他の反射層の幅よりも小さい有限のものとすることに、格別の技術的意味は認められない。
　してみると、引用発明に上記相違点２に係る構成を採用することは当業者が容易になしうる事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
５．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本願発明について 
　平成２５年９月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成２５年４月３日付けの手続補正は同年６月６日付けで補正の却下の決定がなされている（上記「第１　手続の経緯 」参照）ので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２４年８月６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「放射線により発光する複数の蛍光体素子と、
　前記蛍光体素子と接着剤で接着されて前記発光を検出する複数の光電変換素子と、
　前記蛍光体素子からの発光を導くとともに隣接する蛍光体素子からのクロストークを防止する反射層と、
　を有する放射線検出素子アレイを複数個、基板上に配列してなる放射線検出素子アレイモジュールを備えた放射線検出器において、
　前記放射線検出素子アレイ間に、前記接着剤のはみ出し領域となる第１の隙間を設けたことを特徴とする放射線検出器。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　引用文献１及びその記載事項は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明の「前記第１の隙間に隣接する反射層の幅が有限であって、他の反射層の幅よりも小さい」という事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。