【事件の表示】
　特願２００７−１５８４６２「位相及び周波数調整で電子及び光学信号を線形化するためのインライン歪打消し回路」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１０日出願公開、特開２００８−　　５４８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 　 
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１９年６月１５日（パリ条約による優先権主張　２００６年６月２１日　米国）の出願であって、平成２３年１１月２日付けの拒絶理由通知に対して平成２４年５月２日付けで手続補正がなされたが、同年１０月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月２８日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。  
　  
　  
第２　本願発明　  
　  
１　本願発明  
　  
　本願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成２４年５月２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１０に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。  
　  
「【請求項１０】
　非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する周波数依存信号を発生することにより非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路において、
　入力信号と、
　第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記入力信号に接続されている第１コンデンサと、
　第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記第１コンデンサの前記第２端子に接続されている第１抵抗器と、
　第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記第１コンデンサの前記第２端子に接続される第２コンデンサと、
　第１信号を生成するために前記抵抗器の前記第２端子に接続される第１ダイオードと、
　前記第１ダイオードをバイアスするために前記抵抗器の前記第２端子に接続される第１バイアス電圧と、
　第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記抵抗器の前記第２端子に接続される第３コンデンサと、
　前記第３コンデンサの前記第２端子に接続される第２ダイオードと、
　前記第２ダイオードをバイアスするために前記第３コンデンサの前記第２端子に接続される第２バイアス電圧とを備えた歪回路。」
　  
２　引用例及びその記載事項  
　  
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００２−８４１４３号公報（平成１４年３月２２日公開、以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。  
　  
ａ「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、
高出力増幅部と該増幅部の歪み補償を行うリニアライザとからなる増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図９は
従来の増幅器を説明する概略構成図である。図示するように、増幅器１は、高出力増幅部（以下、ＨＰＡと称す）２と、そのＨＰＡ２の前段に接続されＨＰＡ２の歪みを補償するダイオードリニアライザ３とにより構成される。
【０００３】
図１０は図９に示したリニアライザ３を例示する回路図であり、図において４および５は直流阻止用キャパシタ、６はノイズカット用キャパシタ、７はバイアス供給用抵抗、８はショットキーダイオード、９は固定抵抗、１０は固定キャパシタ、１１は高周波入力端子、１２は高周波出力端子、１３は第１のバイアス電源、Ｖｄはバイアス電圧である。
【０００４】
図１１は図９に示した増幅器１の入出力特性を例示する図であり、図１１（ａ）は、ＨＰＡ２の入出力特性を例示する図、図１１（ｂ）はリニアライザ３の入出力特性を例示する図、図１１（ｃ）は増幅器１全体の入出力特性を例示する図である。各図において、横軸は入力レベル、縦軸は利得（すなわち、入力信号と出力信号の振幅比）および入力信号と出力信号の位相差、１４は入出力利得特性、１５は入出力位相特性である。このように、図１１（ａ）に示す如く入出力特性を有したＨＰＡの前段に、図１１（ｂ）に示す如く入出力特性を有するリニアライザを直列に接続することにより、図１１（ｃ）に示す歪みの少ない入出力特性を有した増幅器を構成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の増幅器は以上のようにして構成されるが、量産によって得られるＨＰＡの入出力特性はそれぞれ微妙に異なるため、個々のリニアライザの入出力特性を微調整しなければならないといった事情があった。
【０００６】また、たとえば図１０に示したバイアス電圧Ｖｄを変動させることにより、ある程度、リニアライザの入出力特性を調整できるが、さらなる微調整を必要とする場合には、リニアライザの固定キャパシタ１０を取り外し、異なる容量の固定キャパシタに交換しなければならず、手間がかかるといった問題があった。また、固定キャパシタは、規格化された離散的な容量を有した素子しか量産されておらず、リニアライザの微調整が十分に行えない場合があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、入出力特性の微調整が可能であり、かつその微調整が容易に行えるリニアライザを提供する。」
　
ｂ「【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．
図１は
回路図である。図において、従来と同一又は相当部分には、同一符号を付して説明を省略する。ここでは、図１０に示した固定キャパシタ１０の代わりにバラクタダイオード１６、直流阻止用キャパシタ１７、ノイズカット用キャパシタ１８、および第２のバイアス電源１９を有する点で、従来のリニアライザと相違する。Ｖｖ１は第２のバイアス電源１９がバラクタダイオード１６へ印加するバイアス電圧であり、このバイアス電圧Ｖｖ１を変化させることで、バラクタダイオード１６の容量成分を変化させ、リニアライザ３の入出力特性を変化させることができる。
【００１６】図２は図１に示した増幅器の入出力特性を調整する装置を例示する構成図である。図において、図１と同一又は相当部分には同一符号を付して説明を省略する。図において、２０ａは入力端子、２０ｂは出力端子、２１ａは入力端子２０ａからの入力信号を分配してリニアライザ３および後述する第１の検出手段２２ａへ出力する第１の結合器、２１ｂはＨＰＡ２の出力信号を分配して出力端子２０ｂおよび後述する第２の検出手段２２ｂへ出力する第２の結合器、２２ａは第１の結合器２１ａからの分配信号の振幅および位相を検出する第１の検出手段、２２ｂは第２の結合器２１ｂからの分配信号の振幅および位相を検出する第２の検出手段である。また、２３ａはバイアス電圧Ｖｄとリニアライザ３の入出力特性との関係を予め記憶する第１の記憶手段、２３ｂはバイアス電圧Ｖｖ１とリニアライザ３の入出力特性との関係を予め記憶する第２の記憶手段である。また、２４は調整手段であり、検出手段２２ａ，２２ｂが検出した振幅および位相ならびに第１，第２の記憶手段２３ａ，２３ｂの記憶内容に基づき、
図１に示したバイアス電源１３および１９を調整し、バイアス電圧ＶｄおよびＶｖ１を最適な値に調整する。
【００１７】
図３は、
バイアス電圧Ｖｄを変化させたときの、リニアライザ３の入出力特性の変化をグラフ化したものである。図３（ａ）は入出力位相特性を示した図、図３（ｂ）は入出力利得特性を示した図である。ここでは、バイアス電圧Ｖｄを増加させるにつれ位相が進み、バイアス電圧Ｖｄを減少させるにつれ利得が低下している。
【００１８】
図４は
バイアス電圧Ｖｖ１を変化させたときの、リニアライザ３の入出力特性の変化をグラフ化したものである。図４（ａ）は入出力位相特性を示した図、図４（ｂ）は入出力利得特性を示した図である。ここでは、バイアス電圧Ｖｖ１（ただし、バラクタダイオードのＰＮ接合に対して逆バイアス）を増加させるにつれ、入力レベルが低い状態では位相が進み、入力レベルが高い状態では位相が遅れる。また、入力レベルが低い状態では利得に殆ど変化なく、高い状態では利得が増加する。
【００１９】次に図２に示した調整手段２４の動作について説明する。まず、不図示の信号発生部から入力端子２０ａへ、振幅および位相の異なる高周波信号が順次に入力される。調整手段２４は、これらの入力信号に対する検出手段２２ａ，２２ｂの検出結果を蓄積することで、増幅器全体としての振幅・位相特性を検出する。次に、調整手段２４は、第１の記憶手段２３ａの記憶内容に基づき、増幅器全体の歪みが最適になるようにバイアス電圧Ｖｄを調整する。また、それだけでは十分に歪みが補正できない場合、調整手段２４はさらに第２の記憶手段２３ｂの記憶内容に基づき、バイアス電圧Ｖｖ１を調整する。このように、増幅器全体の振幅・位相特性の検出、および、その検出結果に基づく
バイアス電圧Ｖｄ，Ｖｖ１の調整を行うことで、増幅器全体の歪みを調整する。
【００２０】以上のように、固定キャパシタの代わりにバラクタダイオード１６を設け、当該バラクタダイオード１６に印加されるバイアス電圧Ｖｖ１を変化させることにより、より精密にリニアライザの微調整を行うことができる。また、調整の度に固定キャパシタの交換を行う必要がなくなる。」　
　
ア　上記ａの「【０００１】【発明の属する技術分野】‥‥‥高出力増幅部と該増幅部の歪み補償を行うリニアライザとからなる増幅器に関する。【０００２】【従来の技術】図９は‥‥‥図示するように、増幅器１は、高出力増幅部（以下、ＨＰＡと称す）２と、そのＨＰＡ２の前段に接続されＨＰＡ２の歪みを補償するダイオードリニアライザ３とにより構成される。‥‥‥【０００４】図１１は図９に示した増幅器１の入出力特性を例示する図であり、図１１（ａ）は、ＨＰＡ２の入出力特性を例示する図、図１１（ｂ）はリニアライザ３の入出力特性を例示する図、図１１（ｃ）は増幅器１全体の入出力特性を例示する図である。各図において、横軸は入力レベル、縦軸は利得（すなわち、入力信号と出力信号の振幅比）および入力信号と出力信号の位相差、１４は入出力利得特性、１５は入出力位相特性である。このように、図１１（ａ）に示す如く入出力特性を有したＨＰＡの前段に、図１１（ｂ）に示す如く入出力特性を有するリニアライザを直列に接続することにより、図１１（ｃ）に示す歪みの少ない入出力特性を有した増幅器を構成することができる。」との記載、及び、図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の記載から、引用例に記載の「リニアライザ３」は、「高周波増幅部（ＨＰＡ）２の歪を補償する」ものであり、具体的には、図１１（ａ）で示されるような入出力特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２の前段に、図１１（ｂ）で示されるような、高出力増幅部（ＨＰＡ）２の入出力特性と逆の入出力特性を有する、リニアライザ３を接続することにより、高出力増幅部（ＨＰＡ）２の歪みを補償するものである。
　ここで、図１１（ａ）で示されたような高出力増幅部（ＨＰＡ）２の入出力特性は、非線形特性ということができるから、リニアライザ３に注目すると「非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２とは、逆の入出力特性を有するリニアライザ３を、高出力増幅部（ＨＰＡ）２の前段に接続することにより、非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２の歪みを補償するリニアライザ３」が記載されているということができる。
　そして、このことは、従来の技術及び発明の実施の形態において共通する作用効果であることは明らかであるから、引用例の発明の実施の形態には、「非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２とは、逆の入出力特性を有するリニアライザ３を、高出力増幅部（ＨＰＡ）２の前段に接続することにより、非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２の歪みを補償するリニアライザ３」が記載されているということができる。
　
イ　次に、上記アに記載した「リニアライザ３」の具体的な構成について、引用例の記載を見るに、
　上記ｂの「【００１５】【発明の実施の形態】‥‥‥図１は‥‥‥回路図である。図において、従来と同一又は相当部分には、同一符号を付して説明を省略する。ここでは、図１０に示した固定キャパシタ１０の代わりにバラクタダイオード１６、直流阻止用キャパシタ１７、ノイズカット用キャパシタ１８、および第２のバイアス電源１９を有する点で、従来のリニアライザと相違する。Ｖｖ１は第２のバイアス電源１９がバラクタダイオード１６へ印加するバイアス電圧であり、このバイアス電圧Ｖｖ１を変化させることで、バラクタダイオード１６の容量成分を変化させ、リニアライザ３の入出力特性を変化させることができる。」との記載において、「従来と同一又は相当部分には、同一符号を付して説明を省略する。」とあるので、従来例について記載された、上記ａの「【０００２】【従来の技術】図９は‥‥‥従来の増幅器を説明する概略構成図である。図示するように、増幅器１は、高出力増幅部（以下、ＨＰＡと称す）２と、そのＨＰＡ２の前段に接続されＨＰＡ２の歪みを補償するダイオードリニアライザ３とにより構成される。【０００３】図１０は図９に示したリニアライザ３を例示する回路図であり、図において４および５は直流阻止用キャパシタ、６はノイズカット用キャパシタ、７はバイアス供給用抵抗、８はショットキーダイオード、９は固定抵抗、１０は固定キャパシタ、１１は高周波入力端子、１２は高周波出力端子、１３は第１のバイアス電源、Ｖｄはバイアス電圧である。ここで、固定抵抗９の抵抗値、固定キャパシタ１０の容量および供給用抵抗７は、リニアライザ３の入出力特性を決定づけるパラメータである。」との記載を参酌し、また、発明の実施の形態である図１、及び、直流阻止用キャパシタ４、５、１７、バイアス供給用抵抗７、固定抵抗９、ショットキーダイオード８、バラクタダイオード１６が、それぞれ、第１端子と第２端子を備えることは自明であることを考慮すると、引用例の発明の実施の形態には、次の事項が記載されているということができる。
　
「高周波入力端子１１と、
　第１端子と第２端子とを有し、第１端子が高周波入力端子１１に接続されている直流阻止用キャパシタ４と、
　第１端子と第２端子とを有し、第１端子が直流阻止用キャパシタ４の第２の端子に接続されている固定抵抗９と、
　第１端子と第２端子とを有し、第１端子が直流阻止用キャパシタ４の第２の端子に接続されている直流阻止用キャパシタ５と、
　固定抵抗９の第２端子に接続されるショットキーダイオード８と、
　第１のバイアス電源１３のバイアス電圧Ｖｄが印加されたバイアス供給用抵抗７、及び固定抵抗９を介してショットキーダイオード８に印加される電圧と、
　第１端子と第２端子とを有し、第１端子が固定抵抗９の第２端子に接続される直流阻止用キャパシタ１７と、
　直流阻止用キャパシタ１７の第２端子に接続されるバラクタダイオード１６と、
　バラクタダイオード１６をバイアスする、直流阻止用キャパシタ１７の第２端子に接続される第２のバイアス電源１９のバイアス電圧Ｖｖ１とを備えた
　リニアライザ３。」
　
　
　上記引用例に記載された事項、図面の記載、及び上記アないしイを総合すると、引用例には、次の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。  
　
「非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２とは、逆の入出力特性を有するリニアライザ３を、高出力増幅部（ＨＰＡ）２の前段に接続することにより、非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２の歪みを補償するリニアライザ３において、
　第１端子と第２端子とを有し、第１端子が高周波入力端子１１に接続されている直流阻止用キャパシタ４と、
　第１端子と第２端子とを有し、第１端子が直流阻止用キャパシタ４の第２の端子に接続されている固定抵抗９と、
　第１端子と第２端子とを有し、第１端子が直流阻止用キャパシタ４の第２の端子に接続されている直流阻止用キャパシタ５と、
　固定抵抗９の第２端子に接続されるショットキーダイオード８と、
　第１のバイアス電源１３のバイアス電圧Ｖｄが印加されたバイアス供給用抵抗７、及び固定抵抗９を介してショットキーダイオード８に印加される電圧と、
　第１端子と第２端子とを有し、第１端子が固定抵抗９の第２端子に接続される直流阻止用キャパシタ１７と、
　直流阻止用キャパシタ１７の第２端子に接続されるバラクタダイオード１６と、
　バラクタダイオード１６をバイアスする、直流阻止用キャパシタ１７の第２端子に接続される第２のバイアス電源１９のバイアス電圧Ｖｖ１とを備えた
　リニアライザ３。」
　
　
３　対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（Ａ）引用発明は、「非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２とは、逆の入出力特性を有するリニアライザ３を、高出力増幅部（ＨＰＡ）２の前段に接続することにより、非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２の歪みを補償する」ものであるので、リニアライザ３に、高出力増幅部（ＨＰＡ）２の非線形特性から発せられる歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する信号を発生させることにより、高出力増幅部（ＨＰＡ）２の歪みを補正しているということができる。ここで、「非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２」は、「非線形回路」と、また、「リニアライザ３」は、非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２とは逆の入出力特性による歪信号を発生させる「歪回路」と捉えることができ、また、「非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２」は、非線形回路ということができる。そして、非線形回路の非線形特性が非線形的回路素子から生じることはごく普通に生じる事項であるから、引用発明の「リニアライザ３」と本願発明の「非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する周波数依存信号を発生することにより非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路」とは、「非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する信号を発生することにより非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路」である点で共通する。
　
（Ｂ）引用発明の「高周波入力端子１１」に入力信号が入力されることは明らかであるから、引用発明の「リニアライザ３」は、本願発明の「入力信号」を含むものである。
　
（Ｃ）「高周波入力端子１１、第１端子と第２端子とを有し、第１端子が高周波入力端子１１に接続されている直流阻止用キャパシタ４」、「第１端子と第２端子とを有し、第１端子が直流阻止用キャパシタ４の第２の端子に接続されている固定抵抗９」、「第１端子と第２端子とを有し、第１端子が直流阻止用キャパシタ４の第２の端子に接続されている直流阻止用キャパシタ５」、「第１端子と第２端子とを有し、第１端子が固定抵抗９の第２端子に接続される直流阻止用キャパシタ１７」、「直流阻止用キャパシタ１７の第２端子に接続されるバラクタダイオード１６」は、それぞれ、本願発明の、「第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記入力信号に接続されている第１コンデンサ」、「第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記第１コンデンサの前記第２端子に接続されている第１抵抗器」、「第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記第１コンデンサの前記第２端子に接続される第２コンデンサ」、「第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記抵抗器の前記第２端子に接続される第３コンデンサ」、「前記第３コンデンサの前記第２端子に接続される第２ダイオード」に相当する。
　
（Ｄ）引用発明の「固定抵抗９の第２端子に接続されるショットキーダイオード８」において、「ショットキーダイオード８」は、本願発明と同様に歪を補正するためのものであって、歪みを補正する特定の信号を生成するためのものであるということができるから、引用発明の「ショットキーダイオード８」は、本願発明の「第１信号を生成するために前記抵抗器の前記第２端子に接続される第１ダイオード」に相当する。
　
（Ｅ）引用発明の「第１のバイアス電源１３のバイアス電圧Ｖｄが印加されたバイアス供給用抵抗７、及び固定抵抗９を介してショットキーダイオード８に印加される電圧」は、ショットキーダイオード８をバイアスするための電圧であるということができるから、本願発明の「前記第１ダイオードをバイアスするために前記抵抗器の前記第２端子に接続される第１バイアス電圧」とは、「前記第１ダイオードをバイアスするための第１バイアス電圧」である点で共通する。
　
（Ｆ）引用発明の「バラクタダイオード１６」、「直流阻止用キャパシタ１７」は、それぞれ、本願発明の「第２ダイオード」、「第３コンデンサ」に相当するから、引用発明の「バラクタダイオード１６をバイアスする、直流阻止用キャパシタ１７の第２端子に接続される第２のバイアス電源１９のバイアス電圧Ｖｖ１とを備え」ることは、本願発明の「前記第２ダイオードをバイアスするために前記第３コンデンサの前記第２端子に接続される第２バイアス電圧とを備え」ることに相当する。
　
　
　すると、本願発明と引用発明とは、次の＜一致点＞及び＜相違点＞を有する。  
　  
＜一致点＞  
「非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する信号を発生することにより非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路において、
　入力信号と、
　第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記入力信号に接続されている第１コンデンサと、
　第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記第１コンデンサの前記第２端子に接続されている第１抵抗器と、
　第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記第１コンデンサの前記第２端子に接続される第２コンデンサと、
　前記抵抗器の前記第２端子に接続される第１ダイオードと、
　前記第１ダイオードをバイアスするための第１バイアス電圧と、
　第１端子と第２端子とを有し、該第１端子が前記抵抗器の前記第２端子に接続される第３コンデンサと、
　前記第３コンデンサの前記第２端子に接続される第２ダイオードと、
　前記第２ダイオードをバイアスするために前記第３コンデンサの前記第２端子に接続される第２バイアス電圧とを備えた歪回路。」
　
　
＜相違点＞ア  
　非線形的回路素子からの歪を補正するにあたり、本願発明が、「周波数依存信号を発生することにより」非線形的回路素子からの歪を補正するものであるのに対し、引用発明は、このような点について特定がない点。
　
＜相違点＞イ
　第１ダイオードをバイアスするための第１バイアス電圧について、本願発明が、「前記第１ダイオードをバイアスするために前記抵抗器の前記第２端子に接続される」のに対し、引用発明は、このような点について特定がない点。
　
　
４　判断  
　  
＜相違点＞アについて  
　一般に、通常の増幅回路は、周波数特性を有するものであって、増幅する周波数に応じて非線形特性が変わることは明らかであり、また、非線形回路の非線形特性が非線形的回路素子から生じることはごく普通に生じる事項である（３（Ａ））。
　したがって、引用発明の「非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２」も、増幅する周波数に応じて非線形特性が変わり得るものであって、「非線形特性を有する高出力増幅部（ＨＰＡ）２の歪みを補償する」する際に、「ショットキーダイオード８」及び「バラクタダイオード１６」に印加される電圧を調整して、増幅部が増幅する周波数に対応して歪みを補償するものということができるから、増幅回路（非線形素子）の非線形特性に対する歪みを補償する際に、周波数に依存した信号を発生しているということができる。
　よって、本願発明の＜相違点＞アに係る構成のように、「周波数依存信号を発生することにより」非線形的回路素子からの歪を補正することに格別の困難性を有しない。
　
　
＜相違点＞イについて  
　引用発明は、「第１のバイアス電源１３のバイアス電圧Ｖｄが印加されたバイアス供給用抵抗７、及び固定抵抗９を介してショットキーダイオード８に」電圧が印加されるものであって、バイアス供給用抵抗７、及び固定抵抗９を介すものの、ショットキーダイオード８に印加される電圧もバイアス電圧ということができるから、ショットキーダイオード８をバイアスするためのバイアス電圧が、ショットキーダイオード８の一方の端子に接続されるものということができる。そして、ショットキーダイオード８の一方の端子は、固定抵抗９の第２端子に接続されていることから、引用発明も、本願発明のように「前記第１ダイオードをバイアスするために前記抵抗器の前記第２端子に接続される第１バイアス電圧」ということができ、この点に格別の相違を有さない。
　また、相違を有するとしても、引用発明も、ショットキーダイオード８をバイアスするためのバイアス電圧が印加されるものであって、ショットキーダイオード８にバイアス電圧を印加する以上、単に、バイアス電圧をショットキーダイオード８の一方の端子に接続してバイアス電圧を印加することは、当業者が普通になし得る事項である。
　したがって、ショットキーダイオード８のバイアス電圧をショットキーダイオード８の一方の端子（固定抵抗９の第２端子）に接続して、ショットキーダイオード８のバイアス電圧を印加するようにすることに格別の困難性を有しない。　
　よって、本願発明の＜相違点＞イに係る構成のようにすることは格別なことではない。
　
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用発明から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。  
　  
　よって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　  
　  
５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　
　よって、結論のとおり審決する。