【事件の表示】
　平成１０年特許願第２３６９９２号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　４月３０日出願公開、特開平１１−１２１７６５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯及び本願発明の要旨
本願は、平成元年８月１１日に出願した特願平１−２０８５３９号の一部を平成１０年８月２４日に新たな特許出願としたものであって、原審において、平成１１年８月３１日付け拒絶理由が通知され、平成１２年３月２３日付けで拒絶査定されたものである。そして、その請求項１に係る発明は、平成１１年１１月４日付けの手続補正書および、特許法第１７条の２の規定によって平成１２年５月１７日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。（以下、本願発明という）
「絶縁基板上に微小欠陥を有する第１の多結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記第１の多結晶シリコン薄膜上に酸化膜を形成する工程と、前記第１の多結晶シリコン薄膜中の結晶部分を溶融させないように、非晶質シリコンの融点より高く単結晶シリコンの融点より低くなるようにそのエネルギ密度を制御され整形された矩形状の紫外域短波長パルスレーザビームを前記第１の多結晶シリコン薄膜に対して照射領域が一部重なるように走査しながら照射して微小欠陥が改善された第２の多結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記第２の多結晶シリコン薄膜を能動層に有する薄膜トランジスタを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６２−１０４０２１号公報（以下、「引用例１」という）には、シリコン半導体層の形成方法が、第１〜７図と共に記載されている。
  そして、引用例１の特許請求の範囲には、「基板上のシリコン半導体層に７００℃以下の熱処理を施して粒径を成長させた後、１０００℃以上で上記シリコン半導体層の融点以下の熱処理により上記シリコン半導体層の粒界トラップ密度を低下させることを特徴とするシリコン半導体層の形成方法」と記載され、第１頁左下欄第１３行〜１５行には、「薄膜トランジスタを製造する際の能動領域となる薄膜半導体層を形成するのに好適なシリコン半導体層の形成方法」と記載され、第２頁右上欄第１７行〜左下欄第９行には、「シリコン半導体層は７００℃以下の熱処理前に中性イオン例えばシリコンイオンＳｉ＋を注入して非晶質化させておくを可とする。また、１０００℃以上で融点以下の熱処理としてはレーザアニール（例えばエキシマレーザによる）、ハロゲンランプ等によるランプアニール（いずれも短波長がよい。）を、或は電子線アニール、等を用いることができる。基板としては、低温プロセスで使用可能な低融点ガラス（例えば無アルカリガラス）、或は石英ガラス、半導体基板上にＳｉＯ２等の絶縁膜を被着した基板、等を用いることができる。」と記載され、第３頁右上欄第７行〜１５行には、「多結晶シリコン層（６）が溶融しない程度のエネルギーをもって短波長を可とするレーザ（７）（例えばエキシマ（「エキシア」とあるのは、「エキシマ」の誤記と認める）・レーザ）を照射して擬似高温熱処理を施し、粒界トラップ密度を減少せしめた多結晶シリコン層（６）を形成する。このとき熱処理は１０００℃以上でシリコンの融点以下の温度で行う。このレーザ熱処理では、粒界トラップ密度が減少するだけで粒径は変化なくそのままの状態に保持される。」と記載されている。更に第１〜７図には、多結晶シリコン層をレーザ加熱して、薄膜トランジスタを製造する工程が図示されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、「石英ガラスもしくは、基板上にＳｉＯ２等の絶縁膜を被着した絶縁基板上に非晶質シリコンを７００℃以下の熱処理を施して形成された多結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン薄膜を溶融させないように、１０００℃以上でシリコンの融点以下になるようにそのエネルギーを制御されたエキシマレーザを多結晶シリコン薄膜に対して照射して粒界トラップ密度を減少させる工程と、前記多結晶シリコン薄膜を能動層に有する薄膜トランジスタを形成する半導体装置の製造方法」が記載されているものと認められる。
　同じく原審の拒絶の理由に引用され、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６３−１５１０１５号公報（以下、「引用例２」という）には、半導体装置用のＳＯＩ基板が、第１図とともに記載されている。
  そして、引用例２の特許請求の範囲には、「少なくとも表面に絶縁体層を備えた基板上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜をイオン注入によって非晶質化あるいは非晶質の中に微小結晶粒が残留したシリコン膜を形成する工程と、このシリコン膜を融点以下の温度で熱処理することにより平均粒径１μｍ以上の結晶粒の集合からなる多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜に対してレーザビームを重ね合わせ走査して前記シリコン膜全面を再結晶化する工程とからなることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法」と記載され、第３頁左上欄第１８行〜右上欄第７行には、「厚さ０．０６μｍのシリコン窒化膜７０を堆積し、ピッチＷを１５μｍ、ストライプ幅５μｍストライプパターンを通常のフォトリソグラフィー技術で形成して第１図（ｂ）に示す如くした。上記の試料のストライプに平行な方向に基板温度３００℃〜５００℃，レーザ径５０〜１５０μｍ，走査速度１０〜２０ｍｍ／ｓｅｃ，レーザパワー８〜１５Ｗで重ね合わせ率２０〜８０％の重ね合わせ走査を行い、ＳＯＩ結晶を得た。」と記載され、第３頁左下欄第１〜６行には、「なお本実施例では大面積ＳＯＩを作製するための温度分布を得る方法として、シリコン窒化膜ストライプによる選択反射防止膜法を用いたが、他の方法、例えば基板構造の工夫、ビーム形状の成型、あるいはその両方の組み合わせによっても同様な効果が得られる。」と記載されている。更に、第１図には、多結晶シリコンの上にシリコン窒化膜ストライプを形成したＳＯＩ基板が読みとれる。
　同じく原審の拒絶理由に引用され、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６２−２５７７１８号公報（以下、「引用例３」という）には、レーザアニールによる固相エピタキシャル成長法が、第１〜４図とともに記載されている。
  そして、引用例３の第３頁左上欄第１８行〜右上欄第７行には「第２図は本発明半導体薄膜の固相エピタキシャル成長法の実施に用いる成長装置の一例を示す概略図である。同図において、５はエキシマレーザ、６は該エキシマレーザ５から出力されたレーザビームの断面形状、エネルギー分布を整形するビーム整形器で、該ビーム整形器６によってレーザビームの断面形状が略矩形にされ、そしてエネルギー分布が略均一になるようにされる。」
更に第２図には、エキシマレーザ、ビーム整形器を含む成長装置の概略構成が、そして、第３図には、レチクルの形状が読みとれる。
  また、原審の拒絶査定時に周知例として引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６１−７８１２０号公報（以下、「周知例１」という）には、アニール時のキャッピングが記載されている。そして、周知例４の第３頁左上欄第１５行〜１７行には、「上記レーザ照射の際には、一般に、多結晶シリコン層５（第３図）の表面にＳｉＯ２膜を形成して、いわゆるキャッピングを施している」と記載されている。
　さらに、本願出願日前に頒布された刊行物であるＥ．Ｐ．Ｄｏｎｏｖａｎ　ｅｔ．ａｌ．　「Ｈｅａｔ　ｏｆ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｍｅｌｔｉｎｇ　ｐｏｉｎｔ　ｏｆ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ」Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．４２（８），１９８３　第６９８頁〜７００頁（以下、「周知例２」という）には、アモルファスシリコン及び結晶シリコンの融点が記載されており、第６９９頁右欄３０行には、シリコン単結晶の融点が１６８５Ｋ（１４１２℃）である旨記載され、第７００頁左欄８行にはアモルファスシリコンの融点の下限が１２９５Ｋ（１０２２℃）である旨記載され、同第９〜１０行には、アモルファスシリコンの融点が１４２０Ｋ（１１４７℃）と推測される旨記載され、同３０〜３１行には、ＳｐａｅｐｅｎとＴｕｒｎｂｕｌｌによる推測値は１３５０Ｋ（１０７７℃）である旨記載されている。
３．対比
  本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１に記載された発明の「シリコン半導体層に７００℃以下の熱処理を施して粒径を成長させる」工程は、「粒界トラップ密度を減少させる工程」前であるから、当然微小欠陥を有していることは明らかであって、本願発明の「微少欠陥を有する多結晶シリコン薄膜の形成」に相当する。
　また、引用例１に記載された発明の「粒径は変化なくそのままの状態に保持される。」、「シリコンの融点以下の温度で行う」及び、「多結晶シリコン層（６）が溶融しない程度のエネルギーをもって短波長を可とするレーザ（７）（例えばエキシマ・レーザ）を照射して」という記載よりみて、レーザ照射によって多結晶シリコン中の結晶部分が溶融していないと認められ、本願発明の「多結晶シリコン薄膜中の結晶部分を溶融させない」ことが引用例１に記載されていると認められる。
　そして、「シリコンの融点以下の温度」は、シリコンの融点温度も含み得るが、結晶部分が溶融しないためには、シリコンの融点を含むのではなく、融点より低い温度でなければならないことは上記記載より明らかであるから、「結晶シリコンの融点より低い温度」の意味であると認められる。
  更に、引用例１の「エキシマレーザ」は、本願発明の「紫外域短波長パルスレーザ」に相当する。
  したがって、本願発明と引用例１に記載された発明は、
「絶縁基板上に微小欠陥を有する第１の多結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記第１の多結晶シリコン薄膜中の結晶部分を溶融させないように、単結晶シリコンの融点より低くなるようにそのエネルギ密度を制御された紫外域短波長パルスレーザビームを前記第１の多結晶シリコン薄膜に対して照射して微小欠陥が改善された第２の多結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記第２の多結晶シリコン薄膜を能動層に有する薄膜トランジスタを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の各点において相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「多結晶シリコン薄膜上に酸化膜を形成して」おり、その状態でレーザアニールを行っているのに対して、引用例１に記載の発明は、多結晶シリコン上に酸化膜を形成する工程がない点において相違する。
 （相違点２）
 本願発明では熱処理温度が「非晶質シリコンの融点より高い」のに対して、引用例１に記載された発明では「１０００℃以上」である点において相違する。
（相違点３）
 本願発明では「ビームが整形された矩形状」であるのに対して、引用例１には、ビームの形状が記載されていない点において相違する。
（相違点４）
 本願発明では「照射領域が一部重なるように走査しながら照射する」のに対して、引用例１には、ビームの走査方法が記載されていない点において相違する。
４．当審の判断
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
 引用例２にはシリコン窒化膜をストライプ状に形成し、選択反射防止膜として用いていることが記載されており、本願発明も、明細書第４１段落に「ＳｉＯ２膜が一種の反射防止膜」となることが記載されており、どちらも絶縁層による反射防止という目的は共通である。更に周知例１には、レーザ照射時に多結晶シリコン層の表面にＳｉＯ２膜を形成することが記載されており、レーザアニール時の多結晶シリコンのキャップ層の絶縁膜として、ＳｉＯ２膜を用いることも周知である。
　したがって、引用例１に記載の半導体装置の製造方法において、引用例２に記載のレーザアニール時の多結晶シリコンを覆う反射防止膜をＳｉＯ２で全面に設ける工程を入れる程度のことは、当業者ならば容易に推考し得ることである。
 （相違点２について）
　アモルファスシリコンの融点が、シリコン結晶より低く１０００℃強であることについては、例えば、周知例２に記載されているように当該技術分野において周知である。そして、引用例１に記載の１０００℃以上でシリコンの融点以下という温度限定は多結晶シリコン層が溶融せず、粒界トラップ密度を減少させる目的のもので、本願発明の「非晶質シリコンの融点より高く、単結晶シリコンの融点より低い」という温度限定も多結晶シリコンを溶融させず（３１段落）、微少欠陥を減少（３４段落）させるものであるから、実質的に同じ目的を達成するものである。
　したがって、レーザのエネルギ密度を非晶質シリコンの融点より高くする程度のことは、当業者ならば適宜なし得る設計的事項である。
（相違点３について）
　引用例２には、ビーム形状の成型と反射防止膜の形成を組み合わせてＳＯＩ基板を作成することが記載されているが、ビーム形状そのものについての言及はない。しかしながら、ビーム形状として、通常用いられる基本的なものは、円形又は矩形であり、レーザビームを矩形に整形し、照射することにより、シリコンをアニール固相成長することが引用例３に記載されており、レーザでアニールするという点において引用例２に記載の発明と軌を一にする。よって、引用例１に記載の半導体装置の製造方法おいて、多結晶シリコンを改質するためのレーザアニール時に、レーザビームを矩形状に整形する程度のことは、当業者にとって、格別、困難なこととはいえない。
（相違点４について）
　引用例２の特許請求の範囲には、「多結晶シリコン膜に対してレーザビームを重ね合わせ走査して前記シリコン膜全面を再結晶化する」ことが記載されており、引用例１に記載の発明において、レーザビームを重ね合わせて走査するようにする程度のことは当業者ならば適宜なし得るものである。
　したがって、本願請求項１に係る発明は、引用例１〜３及び上記周知技術に基づき当業者が容易に推考し得たものである。また、これらを組み合わせたことによる格別の効果もない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１乃至引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。