(57)【要約】【課題】表示パネル、表示装置、入出力装置、または情報処理装置を提供する。【解決手段】第１の機能層は画素回路および第１の絶縁膜を備え、第２の機能層は着色膜および第２の絶縁膜を備え、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜はいずれも０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さおよび３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備え、封止材は第１の基材および第２の基材の間に挟まれる領域、第１の基材および第２の基材を貼り合わせる機能を備え、構造体は第１の基材および第２の基材の間に挟まれる領域、第１の基材および第２の基材の間に所定の間隔を設ける機能を備え、画素は第１の基材、第２の基材および封止材に囲まれる領域、表示素子、画素回路および着色膜を備え、表示素子は画素回路と電気的に接続され、着色膜と重なる領域、液晶材料を含む層を備え、液晶材料を含む層は上記の間隔を満たす表示パネル。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基材と、第２の基材と、第１の機能層と、第２の機能層と、封止材と、構造体と、画素と、を有し、
前記第２の基材は、前記第１の基材と重なる領域を備え、
前記第１の機能層は、前記第１の基材および前記第２の基材の間に挟まれる領域を備え、
前記第１の機能層は、画素回路を備え、
前記第１の機能層は、第１の絶縁膜を備え、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の基材および前記画素回路の間に挟まれる領域を備え、
前記第１の絶縁膜は、０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さを備え、
前記第１の絶縁膜は、３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備え、
前記第２の機能層は、前記第１の機能層および前記第２の基材の間に挟まれる領域を備え、
前記第２の機能層は、着色膜を備え、
前記第２の機能層は、第２の絶縁膜を備え、
前記第２の絶縁膜は、前記第２の基材および前記着色膜の間に挟まれる領域を備え、
前記第２の絶縁膜は、０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さを備え、
前記第２の絶縁膜は、３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備え、
前記封止材は、前記第１の基材および前記第２の基材の間に挟まれる領域を備え、
前記封止材は、前記第１の基材および前記第２の基材を貼り合わせる機能を備え、
前記構造体は、前記第１の基材および前記第２の基材の間に挟まれる領域を備え、
前記構造体は、前記第１の基材および前記第２の基材の間に所定の間隔を設ける機能を備え、
前記画素は、前記第１の基材、前記第２の基材および前記封止材に囲まれる領域を備え、
前記画素は、第１の表示素子、前記画素回路および前記着色膜を備え、
前記第１の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第１の表示素子は、前記着色膜と重なる領域を備え、
前記第１の表示素子は、液晶材料を含む層を備え、
前記液晶材料を含む層は、前記間隔を満たす、表示パネル。
【請求項２】
前記第１の機能層は、前記画素回路および前記第１の絶縁膜の間に第１の緩和層を備え、
前記第２の機能層は、前記画素回路および前記第２の絶縁膜の間に第２の緩和層を備え、
前記第１の緩和層は、７μｍ以上９．５μｍ以下の厚さを備え、
前記第２の緩和層は、７μｍ以上９．５μｍ以下の厚さを備える、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、走査線と、信号線と、を有し、
前記一群の複数の画素は、前記画素を含み、
前記一群の複数の画素は、行方向に配設され、
前記他の一群の複数の画素は、前記画素を含み、
前記他の一群の複数の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
前記走査線は、一群の複数の画素と電気的に接続され、
前記信号線は、他の一群の複数の画素と電気的に接続され、
前記一群の複数の画素及び他の一群の複数の画素は、２２０ｐｐｉ以上の精細度を備え、
前記第１の基材は、１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備え、
前記第２の基材は、１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備える、請求項１または請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記画素は、
第１の導電膜と、
第２の導電膜と、
絶縁膜と、
前記画素回路と、
第２の表示素子と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜と重なる領域を備え、
前記絶縁膜は、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
前記絶縁膜は、開口部を備え、
前記第１の導電膜は、前記第１の表示素子と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記開口部において前記第１の導電膜と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第２の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第２の表示素子は、前記絶縁膜に向けて光を射出する機能を備え、
前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において前記第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される、請求項１乃至請求項３のいづれか一に記載の表示パネル。
【請求項５】
端子を有し、
前記端子は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記端子は、前記第１の基材と重なる領域を備え、
前記第２の基材は、前記端子と重ならない形状を備え、
前記封止材は、前記端子と重ならない形状を備え、
前記構造体は、前記端子と重ならない形状を備え、
前記構造体は、前記端子と重なる領域および前記封止材の間に挟まれる領域を備える、請求項１乃至請求項４のいづれか一に記載の表示パネル。
【請求項６】
表示部と、入力部と、を有し、
前記表示部は、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示パネルを備え、
前記入力部は、前記表示パネルと重なる領域を備え、
前記入力部は、制御線と、検知信号線と、検知素子と、を備え、
前記制御線は、制御信号を供給する機能を備え、
前記検知信号線は、検知信号を供給される機能を備え、
前記検知素子は、前記制御線および前記検知信号線と電気的に接続され、
前記検知素子は、透光性を備え、
前記検知素子は、第１の電極と、第２の電極と、を備え、
前記第１の電極は、前記制御線と電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記検知信号線と電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、前記第１の電極との間に形成するように配置され、
前記検知素子は、前記表示パネルと重なる領域に近接するものとの距離および前記制御信号に基づいて変化する前記検知信号を供給する機能を備える入出力装置。
【請求項７】
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示パネルと、を含む、情報処理装置。
【請求項８】
第１の領域および第２の領域を、封止材を用いて第１の加工部材に形成するステップと、
液晶材料を、前記第１の領域に滴下するステップと、
圧力が常圧より低い減圧環境において、前記封止材を用いて前記第１の加工部材および第２の加工部材を貼り合わせるステップと、
圧力が前記減圧環境より高い環境において、前記第１の加工部材から工程用基板を分離するステップと、
第１の接着層を用いて、前記第１の加工部材の残部および第１の基材を貼り合わせるステップと、
圧力が前記減圧環境より高い環境において、前記第２の加工部材から工程用基板を分離するステップと、
第２の接着層を用いて、前記第２の加工部材の残部および第２の基材を貼り合わせるステップと、
第１の領域を含む部分を切り取るステップと、
第２の領域と重なる第２の基材および第２の加工部材の残部を切除するステップと、を有する、表示パネルの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置または表示パネルの作製方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
端部に間隙を有して貼り合わされた一方および他方の基板を有する積層体の加工装置であって、積層体の一部を固定する固定機構を有し、積層体の一方の基板の外周端部を固定する複数の吸着治具を有し、積層体の一角部に挿入する楔型治具を有し、複数の吸着治具は、上下方向および水平方向に個別に移動することができる機構を有する。当該積層体の加工装置には、積層体端部の間隙の位置を検出するセンサを有し、楔型治具の先端が積層体の端面に形成された面取り部に沿って移動し、楔型治具が積層体端部の間隙に挿入される。このような積層体の加工装置が知られている（特許文献１）。
【０００４】
また、大きなリタデーションを備える一般的なプラスチック材料を基板に用いる液晶表示装置の問題点として、視野角の狭さが知られている。視野角が広い液晶表示装置のための光学的補償および作製方法が知られている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１７３０８８号公報
【０００６】
【非特許文献１】Ｓｈｉｎｉｃｈｉｒｏ  Ｏｋａ  ｅｔ  ａｌ．，  ＳＯＣＩＥＴＹ  ＦＯＲ  ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮ  ＤＩＳＰＬＡＹ  ２０１６  ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ  ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ  ＤＩＧＥＳＴ  ＯＦ  ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ  ＰＡＰＥＲＳ，  Ｖｏｌｕｍｅ  ４７  ｐ．  ８７−９０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルの作製方法を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置、新規な表示パネルの作製方法または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【０００８】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明の一態様は、第１の基材と、第２の基材と、第１の機能層と、第２の機能層と、封止材と、構造体と、画素と、を有する表示パネルである。
【００１０】
第２の基材は、第１の基材と重なる領域を備える。
【００１１】
第１の機能層は第１の基材および第２の基材の間に挟まれる領域を備え、第１の機能層は画素回路を備え、第１の機能層は第１の絶縁膜を備える。
【００１２】
第１の絶縁膜は第１の基材および画素回路の間に挟まれる領域を備え、第１の絶縁膜は０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さを備え、第１の絶縁膜は３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備える。
【００１３】
第２の機能層は第１の機能層および第２の基材の間に挟まれる領域を備え、第２の機能層は着色膜を備え、第２の機能層は第２の絶縁膜を備える。
【００１４】
第２の絶縁膜は第２の基材および着色膜の間に挟まれる領域を備え、第２の絶縁膜は０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さを備え、第２の絶縁膜は、３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備える。
【００１５】
封止材は第１の基材および第２の基材の間に挟まれる領域を備え、封止材は第１の基材および第２の基材を貼り合わせる機能を備える。
【００１６】
構造体は第１の基材および第２の基材の間に挟まれる領域を備え、構造体は第１の基材および第２の基材の間に所定の間隔を設ける機能を備える。
【００１７】
画素は第１の基材、第２の基材および封止材に囲まれる領域を備え、画素は第１の表示素子、画素回路および着色膜を備える。
【００１８】
第１の表示素子は画素回路と電気的に接続され、第１の表示素子は着色膜と重なる領域を備え、第１の表示素子は液晶材料を含む層を備える。
【００１９】
液晶材料を含む層は上記の間隔を満たす。
【００２０】
（２）また、本発明の一態様は、第１の機能層が画素回路および第１の絶縁膜の間に第１の緩和層を備え、第２の機能層が画素回路および第２の絶縁膜の間に第２の緩和層を備える上記の表示パネルである。
【００２１】
第１の緩和層は７μｍ以上９．５μｍ以下の厚さを備え、第２の緩和層は７μｍ以上９．５μｍ以下の厚さを備える。
【００２２】
これにより、表示素子と電気的に接続される画素回路を備える第１の機能層と、当該表示素子と重なる領域を備える着色膜を備える第２の機能層の間に、当該表示素子の液晶層を挟むことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００２３】
（３）また、本発明の一態様は、一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、走査線と、信号線と、を有する上記の表示パネルである。
【００２４】
一群の複数の画素は画素を含み、一群の複数の画素は行方向に配設される。
【００２５】
他の一群の複数の画素は画素を含み、他の一群の複数の画素は行方向と交差する列方向に配設される。
【００２６】
走査線は一群の複数の画素と電気的に接続され、信号線は他の一群の複数の画素と電気的に接続される。
【００２７】
上記の一群の複数の画素及び他の一群の複数の画素は２２０ｐｐｉ以上好ましくは３００ｐｐｉ以上の精細度を備えるように配置される。
【００２８】
第１の基材は、１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備える。
【００２９】
第２の基材は、１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備える。
【００３０】
これにより、精細な画像を表示することができる。または、落下等に伴う衝撃に対する靱性を高めることができる。または、精細に配設された複数の画素に重なるように精細な着色層を配設することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００３１】
（４）また、本発明の一態様は、画素が、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜と、第２の表示素子と、を有する上記の表示パネルである。
【００３２】
第２の導電膜は第１の導電膜と重なる領域を備える。
【００３３】
絶縁膜は第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜は開口部を備える。
【００３４】
第１の導電膜は第１の表示素子と電気的に接続される。
【００３５】
第２の導電膜は開口部において第１の導電膜と電気的に接続される。第２の導電膜は、画素回路と電気的に接続される。
【００３６】
第２の表示素子は画素回路と電気的に接続され、第２の表示素子は絶縁膜に向けて光を射出する機能を備え、第２の表示素子は第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。
【００３７】
これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００３８】
（５）また、本発明の一態様は、端子を有する上記の表示パネルである。
【００３９】
端子は画素回路と電気的に接続され、端子は第１の基材と重なる領域を備える。
【００４０】
第２の基材は端子と重ならない形状を備え、封止材は端子と重ならない形状を備える。
【００４１】
構造体は端子と重ならない形状を備え、構造体は端子と重なる領域および封止材の間に挟まれる領域を備える。言い換えると、構造体は、端子上の開口部と封止材の間に挟まれる領域を備える。
【００４２】
これにより、構造体の形状を用いて封止材の形状を制御することができる。または、端子を露出させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００４３】
（６）また、本発明の一態様は、表示部と、入力部と、を有する入出力装置である。
【００４４】
表示部は、上記の表示パネルを備える。
【００４５】
入力部は表示パネルと重なる領域を備え、入力部は制御線と、検知信号線と、検知素子と、を備える。
【００４６】
制御線は制御信号を供給する機能を備え、検知信号線は検知信号を供給される機能を備える。
【００４７】
検知素子は制御線および検知信号線と電気的に接続され、検知素子は透光性を備え、検知素子は第１の電極と、第２の電極と、を備える。
【００４８】
第１の電極は制御線と電気的に接続される。
【００４９】
第２の電極は検知信号線と電気的に接続され、第２の電極は表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、第１の電極との間に形成するように配置される。
【００５０】
検知素子は、表示パネルと重なる領域に近接するものとの距離および制御信号に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。
【００５１】
これにより、表示パネルを用いて画像情報を表示しながら、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【００５２】
（７）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。
【００５３】
これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【００５４】
（８）また、本発明の一態様は、以下のステップを備える表示パネルの作製方法である。
【００５５】
上記の作製方法は、第１の領域および第２の領域を、封止材を用いて第１の加工部材に形成するステップを備える。
【００５６】
上記の作製方法は、液晶材料を第１の領域に滴下するステップを備える。
【００５７】
上記の作製方法は、圧力が常圧より低い減圧環境において、封止材を用いて第１の加工部材および第２の加工部材を貼り合わせるステップを備える。
【００５８】
上記の作製方法は、圧力が減圧環境より高い環境において、第１の加工部材から工程用基板を分離するステップを備える。
【００５９】
上記の作製方法は、第１の接着層を用いて第１の加工部材の残部および第１の基材を貼り合わせるステップを備える。
【００６０】
上記の作製方法は、圧力が上記の減圧環境より高い環境において、第２の加工部材から工程用基板を分離するステップを備える。
【００６１】
上記の作製方法は、第２の接着層を用いて第２の加工部材の残部および第２の基材を貼り合わせるステップを備える。
【００６２】
上記の作製方法は、第１の領域を含む部分を切り取るステップを備える。
【００６３】
上記の作製方法は、第２の領域と重なる第２の基材などを切除するステップを備える。
【００６４】
これにより、表示素子と電気的に接続される画素回路を備える第１の機能層と、当該表示素子と重なる領域を備える着色膜を備える第２の機能層の間に、当該表示素子の液晶層を挟むことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００６５】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【００６６】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００６７】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００６８】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【００６９】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【００７０】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００７１】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００７２】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルの作製方法を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な入出力装置、新規な情報処理装置、新規な半導体装置、または、新規な表示パネルの作製方法を提供することができる。
【００７３】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図および投影図。
【図２】実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図および回路図。
【図３】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図４】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図５】実施の形態に係る表示パネルの構成および表示装置の構成を説明するブロック図。
【図６】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図。
【図７】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図９】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する下面図。
【図１０】実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。
【図１１】実施の形態に係る表示パネルの構成および表示装置の構成を説明するブロック図。
【図１２】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図。
【図１３】実施の形態に係る表示パネルの反射膜の構成を説明する断面図。
【図１４】実施の形態に係る表示パネルの反射膜の構成を説明する上面図。
【図１５】実施の形態に係る入出力パネルの構成および表示装置の構成を説明するブロック図。
【図１６】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する上面図。
【図１７】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図１８】実施の形態に係る入出力パネルの構成を説明する断面図。
【図１９】実施の形態に係る電子機器の構成を説明する図。
【図２０】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明するフロー図。
【図２１】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図２２】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図２３】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図２４】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図２５】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図２６】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図２７】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図２８】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図２９】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図３０】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図３１】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図３２】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図３３】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図３４】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図３５】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図３６】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【図３７】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【００７５】
第１の基材と、第２の基材と、第１の機能層と、第２の機能層と、封止材と、構造体と、画素と、を有する表示パネルであって、第２の基材は第１の基材と重なる領域を備え、第１の機能層は第１の基材および第２の基材の間に挟まれる領域、画素回路および第１の絶縁膜を備え、第１の絶縁膜は０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さおよび３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備え、第２の機能層は、第１の機能層および第２の基材の間に挟まれる領域、着色膜および第２の絶縁膜を備え、第２の絶縁膜は０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さおよび３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備え、封止材は第１の基材および第２の基材の間に挟まれる領域、第１の基材および第２の基材を貼り合わせる機能を備え、構造体は第１の基材および第２の基材の間に挟まれる領域、第１の基材および第２の基材の間に所定の間隔を設ける機能を備え、画素は、第１の基材、第２の基材および封止材に囲まれる領域、表示素子、画素回路および着色膜を備え、表示素子は、画素回路と電気的に接続され、着色膜と重なる領域、液晶材料を含む層を備え、液晶材料を含む層は、上記の間隔を満たす。
【００７６】
これにより、表示素子と電気的に接続される画素回路を備える第１の機能層と、当該表示素子と重なる領域を備える着色膜を備える第２の機能層の間に、当該表示素子の液晶層を挟むことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００７７】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００７８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１乃至図５を参照しながら説明する。
【００７９】
図１は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）に示す表示パネルの構成を説明する分解立体図である。
【００８０】
図２は本発明の一態様の表示パネルに用いることができる画素の構成を説明する図である。図２（Ａ）は画素の上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示す画素が備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【００８１】
図３および図４は表示パネルの構成を説明する断面図である。図３（Ａ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図２（Ａ）の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一部を説明する図である。
【００８２】
図４（Ａ）は図２（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図１（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の一部を説明する図である。
【００８３】
図５は本発明の一態様の表示パネルおよびそれを用いた表示装置の構成を説明するブロック図である。
【００８４】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【００８５】
＜表示パネルの構成例＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００ＬＣは、基材５１０Ａと、基材７７０Ａと、機能層５２０と、機能層７２０と、封止材７０５と、構造体ＫＢと、画素７０２（ｉ，ｊ）と、を有する（図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）。
【００８６】
基材７７０Ａは、基材５１０Ａと重なる領域を備える。
【００８７】
機能層５２０は基材５１０Ａおよび基材７７０Ａの間に挟まれる領域を備え、機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備え、機能層５２０は絶縁膜５１０Ｗを備える。例えば、機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）に含まれるスイッチＳＷ１を備える。
【００８８】
絶縁膜５１０Ｗは基材５１０Ａおよび画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５１０Ｗは０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さを備え、絶縁膜５１０Ｗは３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備える（図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）。例えば、厚さ２μｍのポリイミド膜を絶縁膜５１０Ｗに用いることができる。
【００８９】
機能層７２０は機能層５２０および基材７７０Ａの間に挟まれる領域を備え、機能層７２０は着色膜ＣＦを備え、機能層７２０は絶縁膜７７０Ｗを備える。
【００９０】
絶縁膜７７０Ｗは基材７７０Ａおよび着色膜ＣＦの間に挟まれる領域を備え、絶縁膜７７０Ｗは０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さを備え、絶縁膜７７０Ｗは３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備える。例えば、厚さ２μｍのポリイミド膜を絶縁膜７７０Ｗに用いることができる。
【００９１】
封止材７０５は基材５１０Ａおよび基材７７０Ａの間に挟まれる領域を備え、封止材７０５は基材５１０Ａおよび基材７７０Ａを貼り合わせる機能を備える。
【００９２】
構造体ＫＢは、基材５１０Ａおよび基材７７０Ａの間に挟まれる領域を備え、構造体ＫＢは基材５１０Ａおよび基材７７０Ａの間に所定の間隔を設ける機能を備える。
【００９３】
画素７０２（ｉ，ｊ）は基材５１０Ａ、基材７７０Ａおよび封止材７０５に囲まれる領域を備え、画素７０２（ｉ，ｊ）は表示素子７５０（ｉ，ｊ）、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および着色膜ＣＦを備える。
【００９４】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続され、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は着色膜ＣＦと重なる領域を備え、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は液晶材料を含む層７５３を備える。
【００９５】
液晶材料を含む層７５３は、基材５１０Ａおよび基材７７０Ａの間隔を満たす。
【００９６】
また、本実施の形態で説明する機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および緩和層５１０Ｃの間に絶縁膜５１０Ｗを備え、機能層７２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および緩和層７７０Ｃの間に、絶縁膜７７０Ｗを備える。
【００９７】
緩和層５１０Ｃは７μｍ以上９．５μｍ以下の厚さを備え、緩和層７７０Ｃは７μｍ以上９．５μｍ以下の厚さを備える。例えば、厚さ８μｍのアクリル樹脂を緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。または、ポリイミドを緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【００９８】
これにより、表示素子と電気的に接続される画素回路を備える第１の機能層と、当該表示素子と重なる領域を備える着色膜を備える第２の機能層の間に、当該表示素子の液晶層を挟むことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【００９９】
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００ＬＣは、表示領域２３１を有する（図５参照）。
【０１００】
《表示領域２３１》
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、信号線Ｓ１（ｊ）と、を有する（図５参照）。
【０１０１】
一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【０１０２】
他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０１０３】
走査線Ｇ１（ｉ）は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０１０４】
信号線Ｓ１（ｊ）は、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１０５】
一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）及び他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、２２０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌｓ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）好ましくは３００ｐｐｉ以上の精細度を備える。または、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）及び他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、好ましくは５００ｐｐｉ以上の精細度を備える。
【０１０６】
基材５１０Ａは１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備え、基材７７０Ａは１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下のヤング率を備える。
【０１０７】
これにより、精細な画像を表示することができる。または、落下等に伴う衝撃に対する靱性を高めることができる。または、精細に配設された複数の画素に重なるように精細な着色層を配設することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１０８】
なお、本実施の形態で説明する表示パネル７００ＬＣは、他の構成を備えることができる。上記の構成および他の構成の詳細を、以下に説明する。
【０１０９】
表示パネル７００ＬＣは、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる（図５参照）。
【０１１０】
《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０１１１】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０１１２】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０１１３】
また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。複数の駆動回路を備える場合、例えば、一の駆動回路が選択信号を供給する頻度と、他の駆動回路が選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。
【０１１４】
《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図５参照）。
【０１１５】
駆動回路ＳＤは、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０１１６】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１１７】
例えば、集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１１８】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０１１９】
《画素の構成例》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０の一部と、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図３（Ａ）および図２（Ｂ）参照）。
【０１２０】
《機能層５２０》
機能層５２０は、絶縁膜と、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む。
【０１２１】
また、機能層５２０は、駆動回路ＧＤを含むことができる。例えば、駆動回路ＧＤは、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５２１の間に挟まれる領域を備える。駆動回路ＧＤは、例えば、トランジスタＭＤを備える（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。
【０１２２】
《絶縁膜５０１Ｃ、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５１０Ｗ》
機能層５２０は、例えば、絶縁膜５０１Ｃ、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６または絶縁膜５１０Ｗを含む。
【０１２３】
絶縁膜５０１Ｃは、基材５１０Ａおよび画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０１２４】
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０１２５】
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０１２６】
絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０１２７】
絶縁膜５１０Ｗは、絶縁膜５０１Ｃおよび基材５１０Ａの間に挟まれる領域を備える。
【０１２８】
《画素回路》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５２１の間に挟まれる領域を備える（図４（Ａ）または図３（Ａ）参照）。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）に含まれるスイッチＳＷ１は、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５２１の間に挟まれる領域を備える。
【０１２９】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図２（Ｂ）参照）。
【０１３０】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１３１】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０１３２】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）および配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される（図２（Ｂ）参照）。なお、導電膜５１２Ａは信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続され、導電膜５１２Ｂは表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図２（Ｂ）および図４（Ａ）参照）。
【０１３３】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１および容量素子Ｃ１１を含む（図２（Ｂ）参照）。
【０１３４】
例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【０１３５】
容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０１３６】
なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極７５２を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０１３７】
《機能層７２０》
機能層７２０は、絶縁膜と、着色膜ＣＦと、遮光膜ＢＭと、を含む。なお、例えば、近接センサを機能層７２０に用いることができる（図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）。
【０１３８】
《絶縁膜７０１Ｃ、絶縁膜７７１、絶縁膜７７０Ｗ》
機能層７２０は、絶縁膜７０１Ｃと、絶縁膜７７１と、絶縁膜７７０Ｗと、を含む。
【０１３９】
絶縁膜７０１Ｃは、基材７７０Ａおよび表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０１４０】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦの厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０１４１】
絶縁膜７７０Ｗは、絶縁膜７０１Ｃおよび基材７７０Ａの間に挟まれる領域を備える。
【０１４２】
《着色膜ＣＦ》
着色膜ＣＦは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および絶縁膜７０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。着色膜ＣＦは表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える（図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）。
【０１４３】
《遮光膜ＢＭ》
遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図４（Ａ）参照）。開口部は着色膜ＣＦと重なる領域を備える。
【０１４４】
《表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、透過型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。なお、半透過型の液晶表示素子または反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることもできる。
【０１４５】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）。
【０１４６】
なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える。
【０１４７】
《端子等》
本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂを備える（図３（Ａ）参照）。端子５１９Ｂは画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続され、端子５１９Ｂは基材５１０Ａと重なる領域を備える。
【０１４８】
基材７７０Ａは端子５１９Ｂと重ならない形状を備える（図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）。例えば、端子５１９Ｂと重なる領域に開口部を備える形状を、基材７７０Ａに用いることができる。
【０１４９】
封止材７０５は端子５１９Ｂと重ならない形状を備える（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）。例えば、端子５１９Ｂと重なる領域に開口部を備える形状を、封止材７０５に用いることができる。
【０１５０】
構造体ＫＢは端子５１９Ｂと重ならない形状を備え、構造体ＫＢは端子５１９Ｂと重なる領域および封止材７０５の間に挟まれる領域を備える。言い換えると、構造体ＫＢは、端子５１９Ｂ上の開口部７３２と封止材７０５の間に挟まれる領域を備える（図３（Ａ）参照）。例えば、端子５１９Ｂと重なる領域を囲む環状の形状を構造体ＫＢに用いることができる。また、当該領域と封止材７０５の間に挟まれる領域を備える形状を構造体ＫＢに用いることができる。なお、端子５１９Ｂと電気的に接続する接点を当該領域に配置することができる。
【０１５１】
これにより、端子を露出させることができる。または、流動性を備える材料を用いて封止材を形成する場合において、構造体の形状を鋳型のように用いて、封止材を成形することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１５２】
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｃを有する（図４（Ａ）参照）。
【０１５３】
端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂを備える（図３（Ａ）参照）。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０１５４】
端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃを備える（図４（Ａ）参照）。導電膜５１１Ｃは、例えば、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。
【０１５５】
導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。
【０１５６】
《機能膜》
本実施の形態で説明する表示パネルは、機能膜７７０Ｐ１および機能膜７７０Ｐ２を有する。機能膜７７０Ｐ１および機能膜７７０Ｐ２は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。または、機能膜７７０Ｐ２は、機能膜７７０Ｐ１との間に表示素子７５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。
【０１５７】
《接着層５１０Ｂ、接着層７７０Ｂ》
表示パネル７００ＬＣは、接着層５１０Ｂおよび接着層７７０Ｂを有する。
【０１５８】
接着層５１０Ｂは基材５１０Ａおよび機能層５２０の間に挟まれる領域を備え、接着層５１０Ｂは基材５１０Ａおよび機能層５２０を貼り合わせる機能を備える。
【０１５９】
接着層７７０Ｂは基材７７０Ａおよび機能層７２０の間に挟まれる領域を備え、接着層７７０Ｂは基材７７０Ａおよび機能層７２０を貼り合わせる機能を備える。
【０１６０】
＜構成要素の例＞
以下に、表示パネル７００ＬＣを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０１６１】
表示パネル７００ＬＣは、基材５１０Ａ、基材７７０Ａ、構造体ＫＢ、封止材７０５、接着層５１０Ｂまたは接着層７７０Ｂを有する。
【０１６２】
また、表示パネル７００ＬＣは、機能層５２０、画素回路、絶縁膜５０１Ｃ、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８または絶縁膜５１６を有する。
【０１６３】
また、表示パネル７００ＬＣは、機能層７２０、着色膜ＣＦ、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７０１Ｃ、絶縁膜７７１を有する。
【０１６４】
また、表示パネル７００ＬＣは、走査線Ｇ１（ｉ）、信号線Ｓ１（ｊ）または配線ＣＳＣＯＭを有する。
【０１６５】
また、表示パネル７００ＬＣは、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。
【０１６６】
また、表示パネル７００ＬＣは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。
【０１６７】
また、表示パネル７００ＬＣは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。
【０１６８】
また、表示パネル７００ＬＣは、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、機能膜７７０Ｐ１または機能膜７７０Ｐ２を有する。
【０１６９】
また、表示パネル７００ＬＣは、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０１７０】
《基材５１０Ａ、基材７７０Ａ》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【０１７１】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０１７２】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１７３】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１７４】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。これにより、半導体素子を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに形成することができる。
【０１７５】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１７６】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１７７】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１７８】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１７９】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１８０】
または、複屈折が抑制された材料を、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１８１】
また、紙または木材などを基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１８２】
例えば、可撓性を有する基板を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。
【０１８３】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０１８４】
基材５１０Ａを透過する光に対する透過率を制御する表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いる場合、透光性を備える材料を、基材５１０Ａに用いることができる。
【０１８５】
基材７７０Ａを透過する光に対する透過率を制御する表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いる場合、透光性を備える材料を、基材７７０Ａに用いることができる。
【０１８６】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材７７０Ａに好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０１８７】
例えば、ヤング率が１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の材料を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、ヤング率が１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の樹脂材料を基材５１０Ａまたは基材７７０Ａに用いることができる。これにより、重量をさらに低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０１８８】
《接着層５１０Ｂ、接着層７７０Ｂ》
可視光について透光性を備える材料を接着層５１０Ｂまたは接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０１８９】
例えば、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接着層５１０Ｂまたは接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０１９０】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、接着層５１０Ｂまたは接着層７７０Ｂに用いることができる。または、粘着性の樹脂等の有機材料を接着層５１０Ｂまたは接着層７７０Ｂに用いることができる。具体的には、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を、接着層５１０Ｂまたは接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０１９１】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接着層５１０Ｂまたは接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０１９２】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を接着層５１０Ｂまたは接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０１９３】
《絶縁膜５０１Ｃ、絶縁膜７０１Ｃ》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５０１Ｃまたは絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。
【０１９４】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５０１Ｃまたは絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５０１Ｃまたは絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。
【０１９５】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５０１Ｃまたは絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０１９６】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃまたは絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第１の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０１９７】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃまたは絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。
【０１９８】
《絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃ、緩和層７７０Ｃ》
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０１９９】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０２００】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０２０１】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０２０２】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等を絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０２０３】
または、複屈折が抑制された材料を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜７７０Ｗ、緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０２０４】
例えば、０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さを備える材料を絶縁膜５１０Ｗまたは絶縁膜７７０Ｗに用いることができる。例えば、ヤング率が３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の材料を絶縁膜５１０Ｗまたは絶縁膜７７０Ｗに用いることができる。
【０２０５】
具体的には、ポリイミドを含む厚さが０．５μｍ以上３μｍの膜を、絶縁膜５１０Ｗまたは絶縁膜７７０Ｗに用いることができる。これにより、表示パネルの作製工程において、機能層５２０の破壊または機能層７２０の破壊を防ぐことができる。
【０２０６】
例えば、７μｍ以上９．５μｍ以下の厚さを備える材料を緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、アクリルを緩和層５１０Ｃまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０２０７】
《構造体ＫＢ》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ等を挟む構成の間に設けることができる。
【０２０８】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢに用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０２０９】
《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【０２１０】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【０２１１】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【０２１２】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【０２１３】
《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０２１４】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０２１５】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０２１６】
これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０２１７】
《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。
【０２１８】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０２１９】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０２２０】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０２２１】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０２２２】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０２２３】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０２２４】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０２２５】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０２２６】
なお、例えば、異方性導電膜などの導電材料を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板などを電気的に接続することができる。
【０２２７】
《表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。
【０２２８】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０２２９】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０２３０】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２電極７５２と、液晶材料を含む層７５３と、を有する。液晶材料を含む層７５３は、第１電極７５１（ｉ，ｊ）および第２電極７５２の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【０２３１】
《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０２３２】
《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０２３３】
《第２の電極７５２》
例えば、配線等に用いることができる材料を、第２の電極７５２に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。
【０２３４】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤー等を第２の電極７５２に用いることができる。
【０２３５】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０２３６】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。
【０２３７】
《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【０２３８】
例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。
【０２３９】
《着色膜ＣＦ》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。これにより、着色膜ＣＦを例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。
【０２４０】
《遮光膜ＢＭ》
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０２４１】
具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。
【０２４２】
または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜ＢＭに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜ＢＭに用いることができる。
【０２４３】
《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【０２４４】
《機能膜７７０Ｐ１、機能膜７７０Ｐ２》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐ１または機能膜７７０Ｐ２に用いることができる。
【０２４５】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐ１に用いることができる。
【０２４６】
《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０２４７】
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図３（Ｂ）参照）。
【０２４８】
《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０２４９】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０２５０】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０２５１】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０２５２】
なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
【０２５３】
また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０２５４】
ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。
【０２５５】
また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。
【０２５６】
また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【０２５７】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０２５８】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０２５９】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０２６０】
例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図４（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【０２６１】
導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０２６２】
導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０２６３】
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図３（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。
【０２６４】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０２６５】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０２６６】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０２６７】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０２６８】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２６９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図５を参照しながら説明する。
【０２７０】
図５は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。
【０２７１】
＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、バックライト７００ＢＬと、表示パネル７００ＬＣと、を有する（図５参照）。
【０２７２】
《制御部２３８》
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＳＳを供給される機能を備える。
【０２７３】
制御部２３８は画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１１を生成する機能を備える。制御部２３８は情報Ｖ１１を供給する機能を備える。また、制御部２３８は制御情報ＳＳに基づいてバックライト７００ＢＬを制御する機能を備える。
【０２７４】
例えば、バックライト７００ＢＬが供給する光の色を制御する制御信号を供給する機能を、制御部２３８は備えることができる。具体的には、赤色の光を供給させる制御信号、緑色の光を供給させる制御信号または青色の光を供給させる制御信号を供給する機能を備える。または、当該制御信号に同期して、バックライト７００ＢＬが供給する光の色に対応する第２の情報Ｖ１２を供給する機能を備えることができる。具体的には、赤色の光を供給させる制御信号に同期して、画像情報Ｖ１に含まれる赤色の情報を第２の情報Ｖ１２として供給する。または、緑色の光を供給させる制御信号に同期して、画像情報Ｖ１に含まれる緑色の情報を第２の情報Ｖ１２として供給する。または、青色の光を供給させる制御信号に同期して、画像情報Ｖ１に含まれる青色の情報を第２の情報Ｖ１２として供給する。これにより、継時加法混色法（フィールドシーケンシャル法）を用いて、時分割によりカラー表示することができる。
【０２７５】
制御部２３８は、例えば、伸張回路２３４および画像処理回路２３５Ｍを備える。
【０２７６】
《バックライト７００ＢＬ》
バックライト７００ＢＬは、表示パネル７００ＬＣに光を供給する機能を備える。具体的には、白色の発光ダイオードまたは白色の有機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０２７７】
また、例えば、複数の異なる色の発光ダイオードをバックライト７００ＢＬに用いることができる。具体的には、赤色の発光ダイオード、緑色の発光ダイオードおよび青色の発光ダイオードをバックライト７００ＢＬに用いることができる。また、制御部２３８が供給する制御信号に基づいて、異なる色を供給する機能を備えることができる。これにより、継時加法混色法（フィールドシーケンシャル法）を用いて、時分割によりカラー表示することができる。
【０２７８】
《表示パネル７００ＬＣ》
表示パネル７００ＬＣは、情報Ｖ１１を供給される機能を備える。また、表示パネル７００ＬＣは画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。
【０２７９】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は情報Ｖ１１に基づいて表示する機能を備える。
【０２８０】
例えば、実施の形態１で説明する表示パネルを本実施の形態の表示装置に用いることができる。
【０２８１】
《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
【０２８２】
《画像処理回路２３５Ｍ》
画像処理回路２３５Ｍは領域を備え、領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。
【０２８３】
また、画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１１を生成する機能を備える。具体的には、表示素子が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１１を生成する機能を備える。
【０２８４】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２８５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネル７００の構成について、図６乃至図１２を参照しながら説明する。
【０２８６】
図６は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図６（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図６（Ｃ）は図６（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。
【０２８７】
図７および図８は表示パネルの構成を説明する断面図である。図７（Ａ）は図６（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の一部を説明する図である。
【０２８８】
図８（Ａ）は図６（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の一部を説明する図である。
【０２８９】
図９（Ａ）は図６（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。
【０２９０】
図１０は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【０２９１】
図１１は本発明の一態様の表示パネルおよびそれを用いた表示装置の構成を説明するブロック図である。
【０２９２】
図１２は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明するブロック図である。図１２は図１１に示す表示パネルの構成とは異なる構成を説明するブロック図である。
【０２９３】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）が第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を有する点および反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いる点が、図１乃至図４を参照しながら説明する表示パネル７００ＬＣとは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０２９４】
＜表示パネルの構成例＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００の画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を有する。
【０２９５】
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。
【０２９６】
絶縁膜５０１Ｃは第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える。
【０２９７】
第１の導電膜は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０２９８】
第２の導電膜は開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続され、第２の導電膜は画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０２９９】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において当該第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。
【０３００】
これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０３０１】
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図１１参照）。
【０３０２】
《表示領域２３１》
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、信号線Ｓ１（ｊ）と、を有する（図１１または図１２参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０３０３】
一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【０３０４】
他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０３０５】
走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０３０６】
信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【０３０７】
《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０３０８】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０３０９】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０３１０】
また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる（図１２参照）。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。
【０３１１】
《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図１１参照）。
【０３１２】
駆動回路ＳＤ１または駆動回路ＳＤ２は、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０３１３】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０３１４】
例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０３１５】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０３１６】
《画素の構成例》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０の一部と、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図７（Ａ）および図８（Ａ）参照）。
【０３１７】
《機能層５２０》
機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜と、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む（図７（Ａ）、図７（Ｂ）および図１０参照）。
【０３１８】
なお、機能層５２０は、基材５７０および基材７７０Ａの間に挟まれる領域を備える。
【０３１９】
また、機能層５２０は、駆動回路ＧＤを含むことができる。例えば、駆動回路ＧＤは、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５２１の間に挟まれる領域を備える。駆動回路ＧＤは、例えば、トランジスタＭＤを備える（図７（Ａ）および図７（Ｂ）参照）。
【０３２０】
また、機能層５２０は、着色膜ＣＦ２を備えることができる。
【０３２１】
《絶縁膜５０１Ｃ、絶縁膜５２８、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６》
機能層５２０は、例えば、絶縁膜５０１Ｃ、絶縁膜５２８、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８または絶縁膜５１６を含む。
【０３２２】
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３２３】
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基材５７０の間に挟まれる領域を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の短絡を防止する。
【０３２４】
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３２５】
絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３２６】
《絶縁膜５０１Ｃ》
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図８（Ａ）参照）。また、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ｃを備える。
【０３２７】
《絶縁膜５０１Ｂ》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜５０１Ｂを有する（図７（Ａ）参照）。
【０３２８】
絶縁膜５０１Ｂは、第１の開口部５９２Ａ、第２の開口部５９２Ｂおよび開口部５９２Ｃを備える（図７（Ａ）または図８（Ａ）参照）。
【０３２９】
第１の開口部５９２Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。
【０３３０】
第２の開口部５９２Ｂは、導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。
【０３３１】
また、開口部５９２Ｃは、導電膜５１１Ｃと重なる領域を備える。
【０３３２】
《第１の導電膜》
第１の導電膜は、第１の表示素子と電気的に接続される。具体的には、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。
【０３３３】
《第２の導電膜》
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。
【０３３４】
第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。
【０３３５】
《画素回路》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図１０参照）。
【０３３６】
これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０３３７】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３３８】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０３３９】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図１０参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図８（Ａ）および図１０参照）。
【０３４０】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図１０参照）。
【０３４１】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。
【０３４２】
例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【０３４３】
容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０３４４】
例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【０３４５】
トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【０３４６】
なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【０３４７】
容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０３４８】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０３４９】
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０３５０】
《機能層７２０》
機能層７２０は、絶縁膜と、着色膜ＣＦ１と、遮光膜ＢＭと、を含む。なお、例えば、近接センサを機能層７２０に用いることができる（図７（Ａ）参照）。
【０３５１】
《絶縁膜７０１Ｃ、絶縁膜７７１、絶縁膜７７０Ｗ》
機能層７２０は、絶縁膜７０１Ｃと、絶縁膜７７１と、絶縁膜７７０Ｗと、を含む。
【０３５２】
絶縁膜７０１Ｃは、基材７７０Ａおよび第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３５３】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０３５４】
絶縁膜７７０Ｗは、絶縁膜７０１Ｃおよび基材７７０Ａの間に挟まれる領域を備える。
【０３５５】
《着色膜ＣＦ１》
着色膜ＣＦ１は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および絶縁膜７０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。着色膜ＣＦ１は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える（図７（Ａ）および図８（Ａ）参照）。
【０３５６】
《遮光膜ＢＭ》
遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図８（Ａ）参照）。開口部は着色膜ＣＦ１と重なる領域を備える。
【０３５７】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。または、例えば、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウエッティング方式などを用いる表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３５８】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図７（Ａ）および図８（Ａ）参照）。
【０３５９】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える。
【０３６０】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図７（Ａ）参照）。
【０３６１】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において当該第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図８（Ａ）参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図７（Ａ）参照）。
【０３６２】
これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０３６３】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図７（Ａ）参照）。
【０３６４】
第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３６５】
発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。
【０３６６】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図１０参照）。
【０３６７】
《端子等》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。
【０３６８】
端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０３６９】
端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃを備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。
【０３７０】
導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。
【０３７１】
《機能膜》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。
【０３７２】
遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０３７３】
着色膜ＣＦ１は、基材７７０Ａおよび第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０３７４】
着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｈと重なる領域を備える。
【０３７５】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０３７６】
機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０３７７】
機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基材７７０Ａを挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。
【０３７８】
《接合層、封止材、構造体等》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢと、を有する。
【０３７９】
接合層５０５は、機能層５２０および基材５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材５７０を貼り合せる機能を備える。
【０３８０】
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０Ａの間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０Ａを貼り合わせる機能を備える。
【０３８１】
構造体ＫＢは、機能層５２０および基材７７０Ａの間に所定の間隔を設ける機能を備える。
【０３８２】
《基材５７０、基材７７０Ａ》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基材５７０と、基材７７０Ａと、を有する。
【０３８３】
基材７７０Ａは、基材５７０と重なる領域を備える。基材７７０Ａは、基材５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。
【０３８４】
基材７７０Ａは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。
【０３８５】
《接着層７７０Ｂ》
表示パネル７００は、接着層７７０Ｂを有する。接着層７７０Ｂは基材７７０Ａおよび機能層７２０の間に挟まれる領域を備え、接着層７７０Ｂは基材７７０Ａおよび機能層７２０を貼り合わせる機能を備える。
【０３８６】
＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基材５７０、基材７７０Ａ、構造体ＫＢ、封止材７０５または接合層５０５を有する。
【０３８７】
また、表示パネル７００は、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。
【０３８８】
また、表示パネル７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する。
【０３８９】
また、表示パネル７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。
【０３９０】
また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。
【０３９１】
また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。
【０３９２】
また、表示パネル７００は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。
【０３９３】
また、表示パネル７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。
【０３９４】
また、表示パネル７００は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。
【０３９５】
また、表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ｂおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。
【０３９６】
また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０３９７】
《基材５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基材５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【０３９８】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基材５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０３９９】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基材５７０等に用いることができる。
【０４００】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基材５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基材５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基材５７０等に用いることができる。
【０４０１】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基材５７０等に形成することができる。
【０４０２】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材５７０等に用いることができる。
【０４０３】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基材５７０等に用いることができる。
【０４０４】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基材５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基材５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基材５７０等に用いることができる。
【０４０５】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基材５７０等に用いることができる。
【０４０６】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材５７０等に用いることができる。
【０４０７】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基材５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【０４０８】
また、紙または木材などを基材５７０等に用いることができる。
【０４０９】
例えば、可撓性を有する基板を基材５７０等に用いることができる。
【０４１０】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基材５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０４１１】
例えば、ヤング率が１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の材料を基材５７０に用いることができる。具体的には、ヤング率が１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の樹脂材料を基材５７０に用いることができる。これにより、重量をさらに低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０４１２】
《基材７７０Ａ》
例えば、基材５７０に用いることができる材料を基材７７０Ａに用いることができる。例えば、基材５７０に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基材７７０Ａに用いることができる。または、基材５７０に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基材７７０Ａに用いることができる。
【０４１３】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材７７０Ａに好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０４１４】
例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基材７７０Ａに好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０４１５】
また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。
【０４１６】
例えば、ヤング率が１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の材料を基材７７０Ａに用いることができる。具体的には、ヤング率が１ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の樹脂材料を基材７７０Ａに用いることができる。これにより、重量をさらに低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【０４１７】
《接着層７７０Ｂ》
可視光について透光性を備える材料を接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０４１８】
例えば、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０４１９】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、接着層７７０Ｂに用いることができる。または、粘着性の樹脂等の有機材料を接着層７７０Ｂに用いることができる。具体的には、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を、接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０４２０】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０４２１】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０４２２】
《絶縁膜７０１Ｃ》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。
【０４２３】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。
【０４２４】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０４２５】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第１の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０４２６】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜７０１Ｃに用いることができる。
【０４２７】
《絶縁膜７７０Ｗ、緩和層７７０Ｃ》
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０４２８】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０４２９】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０４３０】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０４３１】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等を絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０４３２】
または、複屈折が抑制された材料を、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。具体的には、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、絶縁膜７７０Ｗまたは緩和層７７０Ｃに用いることができる。
【０４３３】
例えば、０．５μｍ以上３μｍ以下の厚さを備える材料を絶縁膜７７０Ｗに用いることができる。例えば、ヤング率が３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の材料を絶縁膜７７０Ｗに用いることができる。
【０４３４】
具体的には、ポリイミドを含む厚さが０．５μｍ以上３μｍの膜を、絶縁膜７７０Ｗに用いることができる。これにより、表示パネルの作製工程において、機能層７２０の破壊を防ぐことができる。
【０４３５】
《構造体ＫＢ》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ等を挟む構成の間に設けることができる。
【０４３６】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢに用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０４３７】
《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【０４３８】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【０４３９】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【０４４０】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【０４４１】
《接合層５０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。
【０４４２】
《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０４４３】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０４４４】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０４４５】
これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０４４６】
《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０４４７】
《絶縁膜５０１Ｂ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０４４８】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０４４９】
例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０４５０】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ｂに用いることができる。
【０４５１】
《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０４５２】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
【０４５３】
《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。
【０４５４】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０４５５】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０４５６】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０４５７】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０４５８】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０４５９】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０４６０】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０４６１】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０４６２】
なお、例えば、異方性導電膜などの導電材料を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板などを電気的に接続することができる。
【０４６３】
《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【０４６４】
また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【０４６５】
また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【０４６６】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
【０４６７】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４６８】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４６９】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２電極７５２と、液晶材料を含む層７５３と、を有する。液晶材料を含む層７５３は、第１電極７５１（ｉ，ｊ）および第２電極７５２の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【０４７０】
《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０４７１】
《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４７２】
《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
【０４７３】
反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【０４７４】
例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を反射膜に用いることができる。
【０４７５】
例えば、液晶材料を含む層７５３との間に透光性を備える導電膜７５１Ａを挟む領域を備える膜を、反射膜７５１Ｂに用いることができる（図１３（Ａ）参照）。
【０４７６】
例えば、液晶材料を含む層７５３と透光性を備える導電膜７５１Ｃの間に挟まれる領域を備える膜を、反射膜７５１Ｂに用いることができる（図１３（Ｂ）参照）。
【０４７７】
例えば、透光性を備える導電膜７５１Ａと透光性を備える導電膜７５１Ｃの間に挟まれる領域を備える膜を、反射膜７５１Ｂに用いることができる（図１３（Ｃ）参照）。
【０４７８】
例えば、可視光に対し反射性を備える膜を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いてもよい（図１３（Ｄ）参照）。
【０４７９】
反射膜は、例えば第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｈが形成される形状を備える（図１４（Ａ）乃至図１４（Ｃ）参照）。
【０４８０】
例えば、単数または複数の開口部を備える形状を反射膜に用いることができる。具体的には、多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を領域７５１Ｈに用いることができる。
【０４８１】
反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【０４８２】
また、反射膜の総面積に対する領域７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性が損なわれてしまう場合がある。
【０４８３】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１４（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１４（Ｂ）参照）。
【０４８４】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る行方向に延びる直線上に配設される（図１４（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けられた領域７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０４８５】
または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図１４（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）に設けられた領域７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０４８６】
このように配置された光を遮らない領域に重なるように第２の表示素子を配設することにより、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子を、一の画素の第２の表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子に、一の画素の第２の表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する難易度を軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０４８７】
または、領域７５１Ｈが形成されるように、端部が短く切除されたような形状を反射膜に用いることができる（図１４（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された形状を用いることができる。
【０４８８】
《第２の電極７５２》
例えば、配線等に用いることができる材料を、第２の電極７５２に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。
【０４８９】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤー等を第２の電極７５２に用いることができる。
【０４９０】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０４９１】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。
【０４９２】
《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【０４９３】
例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。
【０４９４】
《着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。
【０４９５】
なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。
【０４９６】
《遮光膜ＢＭ》
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０４９７】
具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。
【０４９８】
または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜ＢＭに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜ＢＭに用いることができる。
【０４９９】
《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【０５００】
《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０５０１】
具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。
【０５０２】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０５０３】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０５０４】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ  ＬＥＤ）等を、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０５０５】
例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０５０６】
例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０５０７】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０５０８】
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０５０９】
また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０５１０】
例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０５１１】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０５１２】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【０５１３】
例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。
【０５１４】
《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０５１５】
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図７（Ｂ）参照）。
【０５１６】
なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０５１７】
《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０５１８】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０５１９】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０５２０】
なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
【０５２１】
また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０５２２】
ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。
【０５２３】
また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。
【０５２４】
また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【０５２５】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０５２６】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０５２７】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０５２８】
例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図８（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【０５２９】
導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０５３０】
導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０５３１】
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図７（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。
【０５３２】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０５３３】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０５３４】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０５３５】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０５３６】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５３７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１５乃至図１８を参照しながら説明する。
【０５３８】
図１５は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【０５３９】
図１６は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図１６（Ａ）は入出力パネルの上面図である。図１６（Ｂ）は入出力パネルの入力部の一部を説明する模式図であり、図１６（Ｃ）は図１６（Ｂ）の一部を説明する模式図である。
【０５４０】
図１７および図１８は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図１７（Ａ）は図１６（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図１６（Ｃ）の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）の一部の構成を説明する断面図である。
【０５４１】
図１８は図１６（Ｃ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図１６（Ａ）のＸ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。
【０５４２】
＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、表示部２３０と、入力部２４０と、を有する（図１５参照）。なお、入出力装置は、入出力パネル７００ＴＰ２を備える。
【０５４３】
入力部２４０は検知領域２４１を備え、検知領域２４１は表示部２３０の表示領域２３１と重なる領域を備える。検知領域２４１は、表示領域２３１と重なる領域に近接するものを検知する機能を備える（図１７（Ａ）参照）。
【０５４４】
《入力部２４０》
入力部２４０は、検知領域２４１、発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図１５参照）。
【０５４５】
検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図１５参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
【０５４６】
一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１５に矢印Ｒ２で示す方向は、図１５に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【０５４７】
また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。
【０５４８】
行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される電極Ｃ（ｇ）を含む（図１６（Ｂ）参照）。
【０５４９】
列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極Ｍ（ｈ）を含む。
【０５５０】
制御線ＣＬ（ｇ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図１６（Ｃ）または図１７（Ａ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と重なる領域を備える。
【０５５１】
絶縁膜７０６は、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。
【０５５２】
《検知素子７７５（ｇ，ｈ）》
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。
【０５５３】
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は透光性を備える。検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｍ（ｈ）と、を備える。
【０５５４】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。また、入出力装置の厚さを薄くすることができる。なお、遮光膜ＢＭを用いることができる。遮光膜ＢＭは、例えば、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）に重なる領域を備え、基材７７０Ａおよび電極Ｃ（ｇ）または基材７７０Ａおよび検知信号線ＭＬ（ｈ）の間に挟まれる領域を備える。その結果、これにより、検知素子７７５（ｇ，ｈ）が反射する外光の強度を弱めることができる。利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０５５５】
電極Ｃ（ｇ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。
【０５５６】
電極Ｍ（ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、電極Ｍ（ｈ）は、表示領域２３１と重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される。
【０５５７】
制御線ＣＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を備える。
【０５５８】
検知信号線ＭＬ（ｈ）は検知信号を供給される機能を備える。
【０５５９】
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は表示領域２３１と重なる領域に近接するものとの距離および制御信号に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。
【０５６０】
これにより、表示領域２３１を用いて画像情報を表示しながら、表示領域２３１と重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０５６１】
《発振回路ＯＳＣ》
発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
【０５６２】
《検知回路ＤＣ》
検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報Ｐ１を含む。
【０５６３】
《表示部２３０》
例えば、実施の形態２において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。
【０５６４】
《入出力パネル７００ＴＰ２》
入出力パネル７００ＴＰ２は、機能層７２０を備える点およびトップゲート型のトランジスタを有する点が、例えば、実施の形態３において説明する表示パネル７００とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０５６５】
《機能層７２０》
機能層７２０は、例えば、基材７７０Ａ、絶縁膜５０１Ｃおよび封止材７０５に囲まれる領域を備える（図１７または図１８参照）。
【０５６６】
機能層７２０は、例えば、制御線ＣＬ（ｇ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、を備える。
【０５６７】
なお、制御線ＣＬ（ｇ）および第２の電極７５２の間または検知信号線ＭＬ（ｈ）および第２の電極７５２の間に、０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える。
【０５６８】
《導電膜５１１Ｄ》
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、導電膜５１１Ｄを有す（図１８参照）。
【０５６９】
なお、制御線ＣＬ（ｇ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、制御線ＣＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続することができる。または、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、検知信号線ＭＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを、電気的に接続することができる。
【０５７０】
例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜５１１Ｄに用いることができる。
【０５７１】
《端子５１９Ｄ》
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、端子５１９Ｄを有する。端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する。
【０５７２】
例えば、配線等に用いることができる材料を端子５１９Ｄに用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる（図１８参照）。
【０５７３】
なお、例えば、異方性導電膜などの導電材料を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板などを電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を制御線ＣＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、検知信号線ＭＬ（ｈ）から供給されることができる。
【０５７４】
《スイッチＳＷ１、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ》
スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える導電膜５０４と、絶縁膜５０１Ｃおよび導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える半導体膜５０８と、を備える。なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える（図１７（Ｂ）参照）。
【０５７５】
半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。
【０５７６】
スイッチＳＷ１、トランジスタＭ、トランジスタＭＤは、第３の領域５０８Ｃおよび導電膜５０４の間に絶縁膜５０６を備える。なお、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０５７７】
第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。
【０５７８】
例えば、酸化物半導体膜に希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を施して、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂを半導体膜５０８に形成することができる。
【０５７９】
また、例えば、導電膜５０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。
【０５８０】
スイッチＳＷ１、トランジスタＭ、トランジスタＭＤは、第１の領域５０８Ａと接する導電膜５１２Ａと、第２の領域５０８Ｂと接する導電膜５１２Ｂと、を備える。導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、ソース電極またはドレイン電極の機能を備える。
【０５８１】
例えば、トランジスタＭＤと同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる。
【０５８２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５８３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルを有する電子機器について、図１９を用いて説明を行う。
【０５８４】
図１９（Ａ）乃至図１９（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。
【０５８５】
図１９（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１９（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１９（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図１９（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１９（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１９（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１９（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。
【０５８６】
図１９（Ａ）乃至図１９（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１９（Ａ）乃至図１９（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０５８７】
図１９（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。
【０５８８】
ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。
【０５８９】
なお、図１９（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。
【０５９０】
また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。
【０５９１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５９２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの作製方法について、図２０乃至図３０を参照しながら説明する。具体的には、実施の形態１で説明する表示パネルの作製方法について説明する。
【０５９３】
図２０は、表示パネルの作製方法を説明するフロー図である。
【０５９４】
図２１は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図２１（Ａ）は封止材を用いて形成した領域を説明する上面図であり、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）の切断線Ｗ１−Ｗ２における断面図である。
【０５９５】
図２２は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図２２（Ａ）は図２１（Ｂ）を用いて説明する第１の加工部材１０に第２の加工部材２０を貼り合わせる様子を説明する断面図であり、図２２（Ｂ）は貼り合わせた状態を説明する断面図である。
【０５９６】
図２３乃至図２６は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する断面図である。
【０５９７】
＜作製方法の例１．＞
なお、本実施の形態で説明する表示パネルの作製方法は、第１の加工部材１０と、第２の加工部材２０と、を用いる。
【０５９８】
第１の加工部材１０は、工程用基板１１、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜５０１Ｃおよび機能層５２０を有する（図２２（Ａ）参照）。例えば、実施の形態１において説明する構成を、絶縁膜５１０Ｗ、絶縁膜５０１Ｃおよび機能層５２０に用いることができる。
【０５９９】
第２の加工部材２０は、工程用基板２１、絶縁膜７７０Ｗ、絶縁膜７０１Ｃ、構造体ＫＢおよび機能層７２０を有する（図２２（Ａ）参照）。例えば、実施の形態１において説明する構成を、絶縁膜７７０Ｗ、絶縁膜７０１Ｃおよび機能層７２０に用いることができる。
【０６００】
例えば、構造体ＫＢを均一な密度で配置することができる。具体的には、隣接する構造体ＫＢとの間隔が１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下になるように、構造体ＫＢを配置することができる。または、領域３１より外側に配置する構造体ＫＢの密度を、領域３１に配置する密度より低くすることができる。具体的には、表示パネルの表示領域と重なる領域を領域３１に用いることができる。また、当該領域３１より外側において、隣接する構造体ＫＢとの間隔が２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下になるように、構造体を配置することができる。これにより、第４のステップにおいて、工程用基板１１を分離する際に、機能層５２０にクラックが生成する不具合を抑制することができる。または、第６のステップにおいて、工程用基板２１を分離する際に、機能層７２０にクラックが生成する不具合を抑制することができる。
【０６０１】
なお、機能層５２０または機能層７２０を作製する工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を、工程用基板１１または工程用基板２１に用いることができる。例えば、基材５１０Ａに比べて寸法安定性に優れる材料を工程用基板１１に用いることができ、基材７７０Ａに比べて寸法安定性に優れる材料を工程用基板２１に用いることができる。これにより、機能層５２０および機能層７２０の位置を高い精度で合わせて、互いを貼り合わせることができる。また、第４のステップまたは第６のステップにおいて、レーザーを照射する場合において、レーザーの一部を透過する透光性を備える材料を、工程用基板１１または工程用基板２１に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を工程用基板１１または工程用基板２１に用いることができる。具体的には、厚さ０．７ｍｍ無アルカリガラスを工程用基板１１または工程用基板２１に用いることができる。
【０６０２】
また、ポリイミドを絶縁膜５１０Ｗまたは絶縁膜７７０Ｗに用いることができる。具体的には、ポリイミドの前駆体を含むワニスを工程用基板１１に塗布し、加熱する。例えば、スリットコート法またはスピンコート法を、ワニスの塗布に用いることができる。
【０６０３】
《第１のステップ》
第１の領域３１および第２の領域３２を、封止材７０５および封止材７０５Ｂを用いて第１の加工部材１０に形成する（図２０（Ｖ１）、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）参照）。
【０６０４】
例えば、材料を吐出させながらディスペンサー３８Ａを移動して、所定の形状の封止材７０５を形成する。具体的には、表示パネルの表示領域を囲む形状の封止材７０５を形成する。これにより、表示パネルの表示領域と重なる領域に第１の領域３１を形成することができる。
【０６０５】
また、材料を吐出させながらディスペンサー３８Ｂを移動して、所定の形状の封止材７０５Ｂを形成する。具体的には、第１の加工部材１０の外周に沿う形状の封止材７０５Ｂを形成する。これにより、封止材７０５および封止材７０５Ｂの間に第２の領域３２を形成する。なお、第２の領域３２の一部は、表示パネルの端子と重なる。
【０６０６】
例えば、封止材７０５に用いる材料と同じ材料を、封止材７０５Ｂに用いることができる。または、例えば、封止材７０５に用いる材料の粘性とは異なる粘性を備える材料を、封止材７０５Ｂに用いることができる。
【０６０７】
《第２のステップ》
液晶材料４５を、第１の領域３１に滴下する（図２０（Ｖ２）、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）参照）。
【０６０８】
例えば、ディスペンサー３８を用いて液晶材料を吐出する。
【０６０９】
《第３のステップ》
圧力が常圧より低い減圧環境において、封止材７０５および封止材７０５Ｂを用いて第１の加工部材１０および第２の加工部材２０を貼り合わせる（図２０（Ｖ３）、図２２（Ａ）および図２２（Ｂ）参照）。
【０６１０】
例えば、１００Ｐａ以下好ましくは１Ｐａ以下の圧力を、減圧環境の圧力に用いることができる。これにより、第２の領域３２の圧力は減圧環境の圧力とおよそ等しくなる。
【０６１１】
例えば、封止材７０５および封止材７０５Ｂに光硬化型の樹脂を用いる場合、光を照射して、封止材７０５および封止材７０５Ｂを硬化する。これにより第１の加工部材１０および第２の加工部材２０を貼り合わせることができる。なお、光硬化型の樹脂を封止材７０５または封止材７０５Ｂに用いる場合は光を照射し、熱硬化型の樹脂を封止材７０５または封止材７０５Ｂに用いる場合は加熱をする。これにより、第１の加工部材１０および第２の加工部材２０を貼り合わせることができる。
【０６１２】
《第４のステップ》
圧力が減圧環境より高い環境において、第１の加工部材１０から工程用基板１１を分離する（図２０（Ｖ４）、図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）参照）。なお、第１の加工部材１０から工程用基板１１を取り除いた部分を残部１０Ｂという。
【０６１３】
例えば、大気圧を減圧環境より高い圧力に用いることができる。なお、第２の領域３２の圧力は減圧環境の圧力とおよそ等しく保たれる。これにより、第２の領域３２を囲む、第１の加工部材１０、第２の加工部材２０および封止材７０５Ｂは、大気に押されることになる。また、構造体ＫＢは、第１の加工部材１０および第２の加工部材２０の間に、大気圧に抗いながら所定の間隔を保つ。
【０６１４】
なお、例えば、工程用基板１１を介してレーザーを絶縁膜５１０Ｗに照射することにより、工程用基板１１を第１の加工部材１０から分離することができる。光源４０を用いてレーザーを照射する様子を図２３（Ａ）に示す。
【０６１５】
具体的には、波長３０８ｎｍのエキシマレーザー、波長３４３ｎｍの固体ＵＶレーザーまたは３５５ｎｍの固体ＵＶレーザー等をレーザ発振器に用いることができる。光学系を用いて、例えば、線状に成形されたレーザーを照射することができる。
【０６１６】
なお、工程用基板１１に対してレーザーを照射する位置を相対的に移動する。これにより、レーザーを照射した領域の絶縁膜５１０Ｗに、工程用基板１１から剥離しやすい構造が形成され、工程用基板１１を、レーザーを照射した領域の絶縁膜５１０Ｗから分離することができる。
【０６１７】
具体的には、周波数６０Ｈｚ、エネルギー密度３６２．７ｍＪ／ｃｍ２、波長３０８ｎｍのエキシマレーザーを照射しながら、工程用基板１１を３．６ｍｍ／ｓｅｃの速さで移動する。
【０６１８】
《第５のステップ》
接着層５１０Ｂを用いて、第１の加工部材１０の残部１０Ｂおよび基材５１０Ａを貼り合わせる（図２０（Ｖ５）および図２４（Ａ）参照）。
【０６１９】
例えば、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を接着層５１０Ｂに用いることができる。
【０６２０】
《第６のステップ》
圧力が減圧環境より高い環境において、第２の加工部材２０から工程用基板２１を分離する（図２０（Ｖ６）、図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）参照）。なお、第２の加工部材２０から工程用基板２１を取り除いた部分を残部２０Ｂという。
【０６２１】
例えば、第４のステップと同様の方法で、レーザーを、工程用基板２１を介して、絶縁膜７７０Ｗに照射する。光源４０を用いてレーザーを照射する様子を図２４（Ａ）に示す。これにより、レーザーを照射した領域の絶縁膜７７０Ｗに、工程用基板２１から剥離しやすい構造が形成され、工程用基板２１を、レーザーを照射した領域の絶縁膜７７０Ｗから分離することができる。
【０６２２】
《第７のステップ》
接着層７７０Ｂを用いて、第２の加工部材２０の残部２０Ｂおよび基材７７０Ａを貼り合わせる（図２０（Ｖ７）および図２５（Ａ）参照）。
【０６２３】
例えば、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を接着層７７０Ｂに用いることができる。
【０６２４】
《第８のステップ》
第１の領域３１を含む部分を切り取る（図２０（Ｖ８）、図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）。例えば、炭酸ガス・レーザー発振器などを用いて切り出すことができる。これにより、例えば、複数の表示パネルを切り出すことができる。
【０６２５】
《第９のステップ》
第２の領域３２と重なる基材７７０Ａなどを切除する（図２０（Ｖ９）および図２６参照）。例えば、出力が調整された炭酸ガス・レーザー発振器などを用いて切除することができる。なお、封止材７０５は第２の領域３２に形成されていない。これにより、第２の領域３２に設けられた端子を容易に露出させることができる。
【０６２６】
＜作製方法の例２．＞
本発明の一態様の表示パネルの別の作製方法について、図２７および図２８を参照しながら説明する。
【０６２７】
図２７は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図２７（Ａ）は封止材を用いて形成した領域を説明する上面図であり、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）の切断線Ｗ１−Ｗ２における断面図である。
【０６２８】
図２８は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図２８（Ａ）は図２７（Ｂ）を用いて説明する第１の加工部材１０に第２の加工部材２０を貼り合わせる様子を説明する断面図であり、図２８（Ｂ）は貼り合わせた状態を説明する断面図である。
【０６２９】
なお、封止材７０５Ｂを用いない点、第２の領域３２が狭い点が、図２１および図２２を参照しながら説明する表示パネルの作製方法とは異なる。
【０６３０】
＜作製方法の例３．＞
本発明の一態様の表示パネルの別の作製方法について、図２９および図３０を参照しながら説明する。
【０６３１】
図２９は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図２９（Ａ）は封止材を用いて形成した領域を説明する上面図であり、図２９（Ｂ）は図２９（Ａ）の切断線Ｗ１−Ｗ２における断面図である。
【０６３２】
図３０は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図３０（Ａ）は図２９（Ｂ）を用いて説明する第１の加工部材１０に第２の加工部材２０を貼り合わせる様子を説明する断面図であり、図３０（Ｂ）は貼り合わせた状態を説明する断面図である。
【０６３３】
なお、第２の領域３２が狭い点、封止材７０５および封止材７０５Ｂの間に封止材７０５Ｃを備える点が、図２１および図２２を参照しながら説明する表示パネルの作製方法とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【０６３４】
例えば、材料を吐出させながらディスペンサー３８Ｃを移動して、所定の形状の封止材７０５Ｃを形成する。具体的には、封止材７０５および封止材７０５Ｂの間に封止材７０５Ｃを形成する。
【０６３５】
＜作製方法の例４．＞
本発明の一態様の表示パネルの別の作製方法について、図３１乃至図３７を参照しながら説明する。
【０６３６】
図３１は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図３１（Ａ）は構造体ＫＢの形状を説明する上面図であり、図３１（Ｂ）は図３１（Ａ）の切断線Ｗ１−Ｗ２における断面図である。
【０６３７】
図３２は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図３２（Ａ）は封止材を用いて形成した領域を説明する上面図であり、図３２（Ｂ）は図３２（Ａ）の切断線Ｗ１−Ｗ２における断面図である。
【０６３８】
図３３は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する模式図である。図３３（Ａ）は図３３（Ｂ）を用いて説明する第２の加工部材２０に第１の加工部材１０を貼り合わせる様子を説明する断面図であり、図３３（Ｂ）は貼り合わせた状態を説明する断面図である。
【０６３９】
図３４乃至図３７は本発明の一態様の表示パネルの作製方法を説明する断面図である。
【０６４０】
なお、開口部を有する環状の構造体ＫＢを第２の加工部材２０が備える点、第１の加工部材１０に代えて第２の加工部材２０に、封止材７０５、封止材７０５Ｂおよび封止材７０５Ｃを用いて第１の領域３１および第２の領域３２を形成する点、第２の領域３２が狭い点が、図２９および図３０を参照しながら説明する表示パネルの作製方法とは異なる。
【０６４１】
第２の加工部材２０は、環状の構造体ＫＢを備える（図３１（Ａ）参照）。なお、環状の構造体ＫＢは開口部を備え、第１の加工部材１０および第２の加工部材２０を貼り合わせた際に当該開口部は端子５１９Ｂと重なる。
【０６４２】
《第１のステップ》
第１の領域３１および第２の領域３２を、封止材７０５および封止材７０５Ｂを用いて第２の加工部材２０に形成する（図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）参照）。
【０６４３】
例えば、材料を吐出させながらディスペンサー３８Ｃを移動して、所定の形状の封止材７０５Ｃを形成する。具体的には、封止材７０５および封止材７０５Ｂの間に封止材７０５Ｃを形成する。
【０６４４】
《第２のステップ》
液晶材料４５を、第１の領域３１に滴下する（図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）参照）。
【０６４５】
例えば、ディスペンサー３８を用いて液晶材料を吐出する。
【０６４６】
《第３のステップ》
圧力が常圧より低い減圧環境において、封止材７０５および封止材７０５Ｂを用いて第１の加工部材１０および第２の加工部材２０を貼り合わせる（図３３（Ａ）および図３３（Ｂ）参照）。
【０６４７】
例えば、１００Ｐａ以下好ましくは１Ｐａ以下の圧力を、減圧環境の圧力に用いることができる。これにより、第２の領域３２の圧力は減圧環境の圧力とおよそ等しくなる。
【０６４８】
《第４のステップ》
圧力が減圧環境より高い環境において、第１の加工部材１０から工程用基板１１を分離する（図３４（Ａ）および図３４（Ｂ）参照）。なお、第１の加工部材１０から工程用基板１１を取り除いた部分を残部１０Ｂという。
【０６４９】
例えば、大気圧を減圧環境より高い圧力に用いることができる。なお、第２の領域３２の圧力は減圧環境の圧力とおよそ等しく保たれる。これにより、第２の領域３２を囲む、第１の加工部材１０、第２の加工部材２０および封止材７０５Ｂは、大気に押されることになる。また、構造体ＫＢは、第１の加工部材１０および第２の加工部材２０の間に、大気圧に抗いながら所定の間隔を保つ。
【０６５０】
なお、例えば、工程用基板１１を介してレーザーを絶縁膜５１０Ｗに照射することにより、工程用基板１１を第１の加工部材１０から分離することができる。光源４０を用いてレーザーを照射する様子を図３４（Ａ）に示す。
【０６５１】
《第５のステップ》
接着層５１０Ｂを用いて、第１の加工部材１０の残部１０Ｂおよび基材５１０Ａを貼り合わせる（図３５（Ａ）参照）。
【０６５２】
《第６のステップ》
圧力が減圧環境より高い環境において、第２の加工部材２０から工程用基板２１を分離する（図３５（Ａ）および図３５（Ｂ）参照）。なお、第２の加工部材２０から工程用基板２１を取り除いた部分を残部２０Ｂという。
【０６５３】
《第７のステップ》
接着層７７０Ｂを用いて、第２の加工部材２０の残部２０Ｂおよび基材７７０Ａを貼り合わせる（図３６（Ａ）参照）。
【０６５４】
《第８のステップ》
第１の領域３１を含む部分を切り取る（図３６（Ａ）および図３６（Ｂ）参照）。例えば、炭酸ガス・レーザー発振器などを用いて切り出すことができる。これにより、例えば、複数の表示パネルを切り出すことができる。
【０６５５】
《第９のステップ》
第２の領域３２と重なる基材７７０Ａなどを切りぬく（図３７参照）。例えば、出力が調整された炭酸ガス・レーザー発振器などを用いて切りぬくことができる。なお、環状の構造体ＫＢの開口部と重なる第２の領域３２の領域に、封止材７０５は形成されていない。これにより、第２の領域３２の当該領域に設けられた端子を容易に露出させることができる。
【０６５６】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０６５７】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【０６５８】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０６５９】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０６６０】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０６６１】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０６６２】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０６６３】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０６６４】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０６６５】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０６６６】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０６６７】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【０６６８】
ＧＤ    駆動回路
ＧＤＡ    駆動回路
ＧＤＢ    駆動回路
ＳＤ    駆動回路
ＣＰ    導電材料
ＫＢ    構造体
ＣＬ（ｇ）    制御線
ＭＬ（ｈ）    信号線
ＣＦ    着色膜
ＢＭ    遮光膜
ＡＮＯ    導電膜
ＢＲ    導電膜
ＣＳＣＯＭ    配線
ＳＳ    制御情報
Ｃ（ｇ）    電極
Ｍ（ｈ）    電極
５１０Ｃ    緩和層
５１０Ｗ    絶縁膜
７７０Ｃ    緩和層
７７０Ｗ    絶縁膜
ＡＦ１    配向膜
ＡＦ２    配向膜
Ｃ１１    容量素子
Ｃ１２    容量素子
ＣＦ１    着色膜
ＣＦ２    着色膜
Ｇ１    走査線
Ｇ２    走査線
Ｐ１    位置情報
Ｓ１    信号線
Ｓ２    信号線
ＳＤ１    駆動回路
ＳＤ２    駆動回路
ＳＷ１    スイッチ
ＳＷ２    スイッチ
Ｖ１    画像情報
Ｖ１１    情報
Ｖ１２    情報
ＶＣＯＭ１    配線
ＶＣＯＭ２    導電膜
１０    加工部材
１１    工程用基板
２０    加工部材
２１    工程用基板
３１    領域
３２    領域
３８    ディスペンサー
３８Ａ    ディスペンサー
３８Ｂ    ディスペンサー
３８Ｃ    ディスペンサー
４０    光源
４５    液晶材料
２３０    表示部
２３１    表示領域
２３４    伸張回路
２３５Ｍ    画像処理回路
２３８    制御部
２４０    入力部
２４１    検知領域
５０１Ｂ    絶縁膜
５０１Ｃ    絶縁膜
５０４    導電膜
５０５    接合層
５０６    絶縁膜
５０８    半導体膜
５０８Ａ    領域
５０８Ｂ    領域
５０８Ｃ    領域
５１０Ａ    基材
５１０Ｂ    接着層
５１１Ｂ    導電膜
５１１Ｃ    導電膜
５１１Ｄ    導電膜
５１２Ａ    導電膜
５１２Ｂ    導電膜
５１６    絶縁膜
５１８    絶縁膜
５１９Ｂ    端子
５１９Ｃ    端子
５１９Ｄ    端子
５２０    機能層
５２１    絶縁膜
５２２    接続部
５２４    導電膜
５２８    絶縁膜
５３０（ｉ，ｊ）    画素回路
５５０（ｉ，ｊ）    第２の表示素子
５５１（ｉ，ｊ）    第３の電極
５５２    第４の電極
５５３    発光性の材料を含む層
５７０    基材
５９１Ａ    開口部
５９１Ｃ    開口部
５９２Ａ    開口部
５９２Ｂ    開口部
５９２Ｃ    開口部
７００    表示パネル
７００ＢＬ    バックライト
７００ＬＣ    表示パネル
７００ＴＰ２    入出力パネル
７０１Ｃ    絶縁膜
７０２    画素
７０５    封止材
７０５Ｂ    封止材
７０５Ｃ    封止材
７０６    絶縁膜
７２０    機能層
７３２    開口部
７５０（ｉ，ｊ）    表示素子
７５１（ｉ，ｊ）    第１の電極
７５１Ａ    導電膜
７５１Ｂ    反射膜
７５１Ｃ    導電膜
７５１Ｈ    領域
７５２    第２の電極
７５３    液晶材料を含む層
７７０Ａ    基材
７７０Ｂ    接着層
７７０Ｄ    機能膜
７７０Ｐ    機能膜
７７０Ｐ１    機能膜
７７０Ｐ２    機能膜
７７１    絶縁膜
７７５    検知素子
５０００    筐体
５００１    表示部
５００２    表示部
５００３    スピーカ
５００４    ＬＥＤランプ
５００５    操作キー
５００６    接続端子
５００７    センサ
５００８    マイクロフォン
５００９    スイッチ
５０１０    赤外線ポート
５０１１    記録媒体読込部
５０１２    支持部
５０１３    イヤホン
５０１４    アンテナ
５０１５    シャッターボタン
５０１６    受像部
５０１７    充電器
７３０２    筐体
７３０４    表示パネル
７３０５    アイコン
７３０６    アイコン
７３１１    操作ボタン
７３１２    操作ボタン
７３１３    接続端子
７３２１    バンド
７３２２    留め金
【図１】
2018049268.tif 000003
【図２】
2018049268.tif 000004
【図３】
2018049268.tif 000005
【図４】
2018049268.tif 000006
【図５】
2018049268.tif 000007
【図６】
2018049268.tif 000008
【図７】
2018049268.tif 000009
【図８】
2018049268.tif 000010
【図９】
2018049268.tif 000011
【図１０】
2018049268.tif 000012
【図１１】
2018049268.tif 000013
【図１２】
2018049268.tif 000014
【図１３】
2018049268.tif 000015
【図１４】
2018049268.tif 000016
【図１５】
2018049268.tif 000017
【図１６】
2018049268.tif 000018
【図１７】
2018049268.tif 000019
【図１８】
2018049268.tif 000020
【図１９】
2018049268.tif 000021
【図２０】
2018049268.tif 000022
【図２１】
2018049268.tif 000023
【図２２】
2018049268.tif 000024
【図２３】
2018049268.tif 000025
【図２４】
2018049268.tif 000026
【図２５】
2018049268.tif 000027
【図２６】
2018049268.tif 000028
【図２７】
2018049268.tif 000029
【図２８】
2018049268.tif 000030
【図２９】
2018049268.tif 000031
【図３０】
2018049268.tif 000032
【図３１】
2018049268.tif 000033
【図３２】
2018049268.tif 000034
【図３３】
2018049268.tif 000035
【図３４】
2018049268.tif 000036
【図３５】
2018049268.tif 000037
【図３６】
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【図３７】
2018049268.tif 000039