【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オルガノハライドとケイ素の直接反応により生じる高沸点残渣からオルガノハロシランモノマー組成物を作製する触媒によるプロセスであって、
（Ａ）（１）一つもしくはそれ以上の複素環アミンおよび／もしくは一つもしくはそれ以上の複素環アンモニウムハライド、ならびに（２）一つもしくはそれ以上の第四級１５族オニウム化合物を含む触媒の存在下で、
任意選択でオルガノハライドおよび／もしくは水素ハライドおよび／もしくは不活性ガスの存在下で、
大気圧または大気圧より高い圧において、
約７５℃から約３００℃の範囲の温度で、
高沸点残渣を加熱して高沸点残渣をオルガノハロシランモノマー組成物へと転換するステップであって、
ここでオルガノハロシランモノマー組成物が、Ｒ１ＳｉＨＸ２、Ｒ１２ＳｉＨＸ、Ｒ１２ＳｉＸ２およびＲ１３ＳｉＸ〔式中、Ｒ１は芳香族、脂肪族、アルカリールもしくは脂環式の、一価のヒドロカルビル基であり、Ｘはフッ素、塩素、臭素およびヨウ素からなる群より選択されるハロゲン原子である〕からなる群より選択される一般式を持つ少なくとも一つのオルガノハロシランモノマーを含む、ステップ、ならびに
（Ｂ）任意選択で触媒を回収するステップを含み、
ここで、高沸点残渣が（１）ジオルガノテトラハロジシランおよびトリオルガノトリハロジシランの少なくとも一つを含む開裂可能な成分、ならびに（２）カーボシラン、ポリシラン、ヘキサオルガノジシラン、ペンタオルガノハロジシランおよびテトラオルガノジハロジシランの少なくとも一つを含む開裂不可能な任意選択の成分を含み、もし存在するならこの開裂不可能な成分は開裂可能な成分よりも大きい濃度を持たないという条件であり、
そしてここで、第四級１５族オニウム化合物は、一般式Ｒ４Ｑ＋Ｘ−であって、式中、それぞれのＲが独立して、１から３０個の炭素原子のアルキル、シクロアルキル、アリールもしくはアルカリール基であり、Ｑは、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスであり、ＸはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択されるハライドである、
プロセス。
【請求項２】
複素環アミンが、少なくとも一つの４員環〜８員環の炭化水素環中に少なくとも一つの窒素原子を持ち、窒素と近接する環の原子が炭素もしくは窒素であり、炭化水素環もしくは環がおたがい独立して、芳香族もしくは非芳香族の炭化水素環である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
複素環アミンが、約６．９から約７．９のｐＫａを持つ、請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
複素環アミンが１〜３個の窒素原子を持つ５員環を持つ、請求項２に記載のプロセス。
【請求項５】
複素環アミンが、イミダゾール、または１−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−（２−イミダゾリル）イミダゾール、２−フェニルイミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、３−メチルピラゾール、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリドンもしくは１，２，３−トリアゾール、および１，２，４−トリアゾールからなる群より選択される置換イミダゾールである、請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
複素環アンモニウムハライドが４員環〜８員環の炭化水素環中に少なくとも一つの窒素原子を持ち、ここでは、窒素と近接する環の原子は独立して炭素原子もしくは窒素原子であり、そして炭化水素環もしくは環は、お互いに独立して、芳香族もしくは非芳香族の炭化水素環であり、ここでハライドは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素であるような複素環アミンから誘導される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
複素環アンモニウムハライドが、５員環中に１〜３個の窒素原子を持つ複素環アミンより誘導され、そしてハライドがフッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素である、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
複素環アンモニウムハライドが１，２−ジメチル−３−（ｎ−プロピル）−イミダゾリウムクロリド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムブロミド、１，２−ジメチル−３−（ｎ−ブチル）イミダゾリウムクロリド、１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウムクロリド、１−（３−シアノプロピル）−３−メチル−イミダゾリウムクロリド、もしくは１−メチルイミダゾリウムクロリドである、請求項７に記載のプロセス。
【請求項９】
複素環アンモニウムハライドが１−メチルイミダゾリウムクロリド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド、および１−（３−シアノプロピル）−３−メチルイミダゾリウムクロリドからなる群より選択されるイオン性液体である、請求項６に記載のプロセス。
【請求項１０】
第四級１５族オニウム化合物Ｒ４Ｑ＋Ｘ−が、テトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムクロリド、テトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムブロミド、トリヘキシル（テトラデシル）ホスホニウムブロミド、メチルトリ（イソブチル）ホスホニウムブロミド、メチルトリ（イソブチル）ホスホニウムクロリド、テトラ（ｎ−オクチル）ホスホニウムクロリド、トリ（ｎ−ブチル）テトラデシルホスホニウムクロリド、もしくはオクチルトリ（ブチル）ホスホニウムクロリドである、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
第四級１５族オニウム化合物が、トリ（ｎ−ヘキシル）テトラデシルホスホニウムクロリド、テトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムブロミド、テトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムクロリド、トリ（ｎ−ブチル）テトラデシルホスホニウムクロリドおよびメチルトリ（イソブチル）ホスホニウムクロリドからなる群より選択されるイオン性液体である、請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
ステップ（Ａ）がメチルクロリドもしくはメチルブロミドであるオルガノハライドの存在下で実施される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１３】
ステップ（Ａ）がＨＣｌもしくはＨＢｒである水素ハライドの存在下で実施される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１４】
ステップ（Ａ）が窒素もしくはアルゴンである不活性ガスの存在下で実施される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１５】
高沸点残渣が、メチルクロロシラン、エチルクロロシラン、フェニルクロロシラン、メチルブロモシラン、エチルブロモシランもしくはフェニルブロモシランの直接反応より生じ、そしてＲ１がメチル、エチルもしくはフェニルであり、そしてＸが塩素もしくは臭素である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１６】
（Ｒ１ＳｉＨＸ２  ＋  Ｒ１２ＳｉＨＸ  ＋  Ｒ１２ＳｉＸ２  ＋  Ｒ１３ＳｉＸ）／Ｒ１ＳｉＸ３の重量比が２より大きいかまたは２と等しい、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１７】
オルガノハロシランモノマー組成物が（ＣＨ３）２ＳｉＨＣｌ、ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２およびＣＨ３ＳｉＣｌ３を含み、ここで（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２およびＣＨ３ＳｉＨＣｌ２の含量は、個々ででも、合わせてでも、ＣＨ３ＳｉＣｌ３の含量を超える、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１８】
高沸点残渣が７ＭＰａまでの大気圧を超える圧において、約１５０℃から約２５０℃で、３０分から１５０分の間の時間加熱される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１９】
高沸点残渣が大気圧において、約１４０℃から約２５０℃において加熱される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２０】
触媒が、約０．０１重量パーセントから約９９．９５重量パーセントの（１）複素環アミンおよび／もしくは複素環アンモニウムハライドと、約０．０５重量パーセントから約９９．９重量パーセントの（２）第四級１５族オニウム化合物を含み、ここで重量パーセントが成分（１）および（２）の総重量に基づく、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２１】
複素環アミンおよび／もしくは複素環アンモニウムハライド対第四級１５族オニウム化合物が約１：９から約９：１である、請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２２】
触媒が２−メチルイミダゾールとテトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムを含み、ここで、２−メチルイミダゾール対テトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムクロリドのモル比が１．１から１００である、請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２３】
触媒の重量が高沸点残渣の重量の１〜５０パーセントである、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２４】
高沸点残渣の複数のバッチが１回の触媒の充填によってオルガノハロシランモノマー組成物に転換され、最終的な触媒の使用量が、１００×（触媒の重量／高沸点残渣の総重量）によって計算されると、約０．１から約５重量パーセントである、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２５】
触媒によるプロセスが、不均化、再分配、シリレン押出およびシリレン注入からなる群より選択される少なくとも一つの反応を含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２６】
反応が、機械的スターラー反応器、気体スパージ反応器もしくは気泡カラム中において、イオン性液体中でバッチ様式もしくは連続的に実施される、請求項２５に記載のプロセス。