【事件の表示】
　特願２００７−　３６６２４「縦型発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月３０日出願公開、特開２００７−２２１１４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１９年２月１６日（パリ条約による優先権主張２００６年２月１６日、韓国）の特許出願であって、平成２３年１２月２６日付けで拒絶の理由が通知され、平成２４年４月５日に手続補正がされたが、同年６月２６日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年１１月５日に拒絶査定不服審判が請求がされるとともに、これと同時に手続補正がされたものである。
 　 
第２　平成２４年１１月５日の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年１１月５日の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正による請求項１についての補正について
　本件補正による請求項１についての補正は次のとおりのものである。
　本件補正前の、
「金属又は半導体からなる支持層と、
　前記支持層上に配置された第１電極と、
　前記第１電極上の第１面と該第１面の反対側の第２面とを有し、前記第１面側から前記第２面側に向かって順次積層された第１型半導体層、活性層、及び第２型半導体層を含んで構成された半導体構造物と、
　前記半導体構造物の前記第２面上に形成され、前記半導体構造物の少なくとも１つの元素と反応性を有する金属層と、
　前記金属層上に配置された透明伝導性酸化物層と、
　前記透明伝導性酸化物層上に設けられた第２電極と、
を含んで構成したことを特徴とする縦型発光素子。」（平成２４年４月５日の手続補正書参照。）
を、
「金属又は半導体からなる支持層と、
　前記支持層上に配置された第１電極と、
　前記第１電極側の第１面と該第１面の反対側の第２面とを有し、
前記第１面側に設けられたＩｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ／ＧａＮ超格子層の電流拡散層を介して前記第１電極に電気的に接続され、
　前記半導体構造物の前記第２面上に形成され、前記半導体構造物の少なくとも１つの元素と反応性を有する金属層と、
　前記金属層上に配置された透明伝導性酸化物層と、
　前記透明伝導性酸化物層上に設けられた第２電極と、
を含んで構成したことを特徴とする縦型発光素子。」
と補正する。 
 　 
　該補正は、発明を特定するために必要な事項である「半導体構造物」について、その第１面側にＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ超格子層の電流拡散層が設けられ、該電流拡散層を介して第１電極に電気的に接続される点を限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（ 平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たすか否か）について検討する。
（１）　本願補正発明の認定 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。） は、本件補正後の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものと認める。 
 　 
（２）　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物である国際公開第２００５／１０４７８０号（以下「引用例」という。）には、次の記載がある。 
「[0036]       Figures 5-18 illustrate steps to fabricate vertical structure GaN-based LEDs, according to embodiments of the invention, using a deposition processes to form a metal substrate for mechanical support and electrical conductivity, and a laser lift-off process to remove the original substrate. The fabrication method described in this invention is not limited to LEDs but can extend to any device structures and particularly those containing GaN-based epitaxial thin films grown on an insulating substrate, such as laser diodes (LD), Hetero-junction Bipolar Transistor (HBT), High Electron Mobility Transistor (HEMT).
[0037]       Figure 5 depicts an epitaxial structure a vertical device 500 formed on a substrate 502, for example, a sapphire substrate. A GaN or A1N buffer layer 504 is grown on top of the substrate. In one aspect of the invention, an AlGaN buffer layer 506 is formed over buffer layer 504 to act as a thermal barrier. The combination buffer layer is depicted as reference number 505 and may include one or both layers 504 and 506 as described below.
[0038]       Next, a GaN-based LED structure 515 represented by numbers 508-514 is grown on the sapphire substrate 502 with an appropriate epitaxial growth apparatus, such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE), vapor phase epitaxy (VPE), or other technique. A n-GaN layer 508 is formed, and then a multi-quantum well (MQW) layer 510 is formed over the n-GaN layer 508. An optional p- AlGaN layer 512 is depicted, and a P-GaN layer is depicted.
[0039]       Contrary to conventional techniques where a single layer of GaN or A1N is a common buffer layer, the invention preferably employs both AlGaN buffer layer 506 in addition to the GaN or A1N buffer layer 504, but does not require both layers. The AlGaN 506 layer is useful in terms of a thermal barrier. Experiments have shown that the temperature at the interface between GaN LED layer 515 and adhesive bonding layer may increase up to 250 ℃ during the laser lift-off process. Therefore, a polymer-base adhesive layer may become deteriorated and may react with the GaN LED layer during laser lift-off due to heat build up, which makes it difficult to remove the thermally deteriorated adhesives during the de-bonding process. In the invention, employing AlGaN helps to reduce the bonding adhesive deterioration, hence to improve device fabrication yield. In addition, the total epitaxial layer thickness is set to certain thickness to minimize temperature increase at the GaN/adhesive interface. Beneficially, the epitaxial layer thickness is chosen to be more than 5 μm in order to maintain interfacial temperature less than 200℃. To achieve this, the n-GaN layer is grown more than 4μm thick on top of GaN or A1N buffer layers.
[0040]       Figure 6 depicts a p-contact metal 516 and ITO transparent contact/DBR layer 518 deposition on top of the GaN LED layer 515 to form p-type contact, deposited using thin film deposition methods, such as, electron beam evaporation or sputtering. Exemplary p-contact metals may include Ni/Au, Pd/Ni/Au, Ni/Pd/Au or Pd/Ir/Au. The thin film metal layer thicknesses can be, for example, 10 nm Ni and 20 nm for Ni/Au, 10 nm Pd and 20 nm Ni, 30 nm Au for Pd/Ni/Au, and 20 nm Ni, 10 nm Pd and 20 nm Ir, 30 nm Au for Pd/Ir/Au, and 20 nm Ni and 20 nm Pd, 100 nm Au for Ni//Pd/Au, respectively. Generally, p-contact metals are annealed in a furnace between 300 ℃ to 500℃ for 2 min in an oxygen ambient for Ni containing contacts, while non-nickel containing metal contacts are annealed in the nitrogen ambient. 
[0041]       The thin film Indium Tin Oxide (ITO) layer 518 is deposited using electron beam evaporation or sputtering to form a Distributed Bragg Reflector (DBR). Obtaining a good optical reflectivity is important to increase the light extraction in the vertical structure device. In general, oxide-base DBRs are used for the devices demanding photon recovery, such as surface emitting lasers. However, these oxide-base DBR materials are insulator. Therefore, it is useful to employ conductive DBR material for this particular vertical device having conductive metal substrate. ITO is considered the best choice of material for the reflective DBR material in the vertical device with metal substrate, but other choices are anticipated. The reflectivity of ITO is more than 90%, while the best reflectivity of metal thin film is about 50-60 %. In one aspect, the ITO thin film thickness is selected to be in the range of 75-150 nm to obtain the optimal reflectivity. The transmittances at 460 nm are over 85 % at an annealing temperature in between 300℃ to 500℃.
[0042]       Figure 7 depicts an adhesion layer 520 deposition to enhance adhesion between the ITO layer 518 and gold intermediate layer 522, according to an embodiment of the invention. To fabricate a vertical structure device having a thin, hard GaN epitaxial layer (less than 5 μm) with thick and soft metal film support (-50μm), it is useful to form an intermediate layer between those two layers to reduce compressive stress build up at the interface between the GaN epitaxial layer and metal layers. Another reason to provide the intermediate layer is that the metallic intermediate layer makes better electroplating characteristics than depositing thick electroplated layers directly on the non-metallic ITO surface. Approximately 1μm thick gold (Au) thin film was deposited consecutively on the ITO surface using electron beam evaporator without removing wafers from the vacuum chamber. In situ consecutive layer deposition is useful to prevent the oxidation or contaminations, which is important to make a good thin film adhesion between the ITO and Au layers. In order to improve the adhesion between ITO and Au further, 30-50 nm-thick Cr or Ti adhesion layer is deposited in between ITO and Au layers.
[0043]       In Figure 8 and 9, thick metal support layers 524, 526 are deposited by electroplating or electro-less plating. Electroplating or electro-less plating is used because it is typically fast and inexpensive for forming more than 30μm-thick metal layers, as compared to the other deposition methods. This is particularly useful for mass production of vertical devices in terms of cost effectiveness. Key functions of the metal support layer are that the support layer not only provides a good rigid mechanical support for the thin GaN epitaxial layer 515, but also provides good electrical conductivity and heat dissipation. In order to meet these requirements, graded Cu alloy layers are preferably deposited on an Au/Cr or Au/Ti adhesion layer.
[0044]       A first Cu strike layer is deposited prior to the Cu alloy layer 524 in order to make a good adhesion between the thin vacuum evaporated Au layer 522 and the Cu alloy layer 524. In one aspect, initially, sulfate-base soft copper layer is plated in order to gradually soften stress build up due to thick metal layer. The initial soft Cu alloy layer thickness is set up to be about 10 μm. The plating rate is set up to 3-5 μm/hour to form a dense and uniform Cu plating layer. Another reason to choose a slow plating rate is to prevent wafer bowing after de-bonding the wafer from the support wafer carrier, described below. Due to the compressive stress build up at the interface between the GaN epitaxial layer 515 and the copper layer 524-526, the wafer may tend to bow after de-bonding. In addition to the slow rate plating, organic-based additives can be added in the electroplating solution and a sulphonate-base plating solution is used. Furthermore, the electroplating is performed at low temperature (5 ℃) to minimize stress build up. 
[0045]       Next to the soft Cu layer 524, a hard Cu layer 526 is plated using cyanide or acid- base bath in order to provide structural stiffness. The plating rate of hard Cu plating is about 15 μm/hour. For the Cu alloy plating, the metal alloy plating solutions containing tin (Sn) and iron (Fe) were mixed with the Cu sulfate solution to improve the mechanical strength and the electrical conductivity of the Cu support layer. The total thickness of the Cu alloy support layer 522 was about 50-60 μm. At the end of the Cu alloy plating, 0.3μm-thick Au layer was electroplated to protect Cu alloy layers from oxidation. This Au protective layer is useful to make a good adhesion between individual die and metal-base epoxy during die bonding and wire bonding process for the packaging of the vertical devices.
[0046]        After the thick Cu metal support layer 526 was formed by electroplating, the sapphire surface is mechanically polished to make the sapphire surface uniform roughness. The sapphire surface smoothness is important for to control the laser beam energy density distribution and the final surface morphology of the laser lifted GaN surface. The laser beam energy density is strongly dependent on the surface roughness of the sapphire surface. Low laser beam energy is required if the rough sapphire surface is used for LLO process. However, if the surface is rough, the laser lifted GaN surface appears rough since the sapphire surface morphology replicates to the GaN surface after laser lift-off. On the other hand, if the polished surface is used, higher laser beam energy is required. The surface morphology of laser lifted GaN surface is very similar to that of polished sapphire surface. However, higher laser beam usually results in crack generation due to excessive laser beam energy. To obtain the optimal laser lift-off result and the GaN surface morphology, the surface roughness of the sapphire surface is chosen approximately 10-20 angstrom in RMS value.
[0047]       As shown in Figure 10, Sapphire/GaN/Cu/Au wafers are bonded to a perforated wafer carrier 532 using a conductive thermo-plastic epoxy 530. The perforated wafer carrier is made out of stainless steel with holes. The reason to use the metal wafer carrier is to provide the electrical and heat conduction during the inductively coupled plasma (ICP) etching, wafer probing and die isolation. By using a metal wafer carrier, there is less need to remove wafer from the carrier for post fabrication processing. In addition, the perforated wafer carrier provides bubble-free wafer bonding since air bubbles can escape easily through the holes during the bonding process. It also provides easy de-bonding between the Sapphire/GaN/Cu/Au wafer and the wafer carrier since a solvent can penetrate through the holes during de-bonding process. By using the perforated wafer carrier, the entire process is easy, reliable and simple which leads to high fabrication yield for the fabrication of the vertical devices. The exemplary thickness of wafer carrier is 1/16 inches and the diameter is 2.5 inches. The exemplary total number of holes is 21 and the through hole diameter is 20/1000 inches. The exemplary wafer carrier surface is electro-polished to make mirror like flat surface for the uniform bonding with the adhesive.
[0048]       Silver-based conductive adhesives are used to bond the Sapphire/GaN/Cu/Au and the perforated wafer carrier. The conductive adhesive is used to provide the good electrical and thermal conduction for the wafer probing and die isolation etching process. The thermo-plastic epoxy has good adhesion strength and good heat resistance. Another advantage of the thermoplastic epoxy is that it can be dissolved in the solvent, such as acetone, very easily, which is useful for the de-bonding process.
[0049]       In the invention, a sheet-type thermo-plastic epoxy is employed because the film thickness of the sheet type epoxy is more uniform than that of liquid-base adhesives. The liquid- base adhesives often result in uneven thickness uniformity and bubble formation in the previous bonding process experiences since the spin coating of the liquid-base adhesives generally leads to thicker film formation in the wafer fringe side than that of center area of the wafer. This is a common phenomena for the liquid-base adhesives to obtain thick adhesive layers by multiple spinning. For the bonding of thermo-plastic epoxy, 127μm-thick sheet-type thermo-plastic epoxy is sandwiched in between thick metal support and perforated wafer carrier. The pressure is set to about 10-15 psi and the temperature is maintained below 200 ℃ in the hot iso-static press. At these conditions, the bonding time is less than 1 minute. This short bonding time has a definite advantage over to that of liquid-base adhesives, which may require more than 6 hour curing time for the complete curing of the adhesive. The short bonding process time also greatly enhance the productivity of the vertical device fabrication.
[0050]       Referring to Figure 11 ,a 248 nm KrF ultra violet (UN) excimer laser (pulse duration of 38 ns) is used for laser lift-off. The reason for choosing this wavelength is that the laser should beneficially transmit through the sapphire but be absorbed in the GaN epitaxial layer in order to decompose the GaN into metallic Ga and gaseous nitrogen (N2) at the GaN/sapphire interface. The laser beam size is chosen as a 7 mm x 7 mm square beam and has beam power density between 600-1,200 mJ/cm2. It is also suggested that the laser beam energy density is dependent on the surface roughness of the sapphire substrate surface. In order to obtain smooth GaN surface after laser lift-off, the beam energy higher than 800 mJ/cm2 was used for the mechanically polished sapphire substrate 10-20 angstrom in RMS value. 
[0051]       Surface roughness of the sapphire substrate is an important process parameter for obtaining a smooth GaN surface after laser lift-off. If un-polished sapphire surface is used during laser lift-off, the GaN surface is rough, which results in poor light output of the LED device due to poor reflectivity of the rough surface after forming a final device. However, if a polished surface is used, a smooth GaN surface can be obtained, hence higher light output can be obtained. However, since the laser beam is localized on the polished sapphire surface, the area irradiated with the higher laser beam power may result in cracking on the GaN surface compared to the area with less laser beam energy. Therefore, it is important to choose an optimal surface roughness of sapphire wafer in order to obtain a high yield laser lift-off process and a high device performance at the same time. According to conventional techniques, sand blasting is commonly used to obtain uniform laser beam distribution on the polished sapphire surface, however, sand blasting is unreliable and unrepeatable to obtain the identical surface roughness consistently. In the invention, a diffusing media 552 constructed from materials transparent to the 248 nm UV laser placed in between laser beam and sapphire substrate to obtai niform laser beam energy distribution on the sapphire surface, hence to enhance the laser lift-off process yield. The rms (root mean square) surface roughness of the diffusing media is set up less than 30μm and sapphire was used for the diffuser.
[0052]       Referring to Figure 12, after laser lift-off, excess Ga drops 503 result from GaN decomposition during laser lift-off, and is cleaned with an HCl solution (HCl:H2O=1:1, at room temperature) or boiled using HCl vapor for 30 seconds. Since the Ga melts at room temperature, Ga is formed in a liquid state during the laser lift-off; hence it can be easily cleaned with chlorine-base acidic solutions.
[0053]       Referring to Figure 13, in order to expose n-type GaN epitaxial layer, the buffer layer 505 (e.g. GaN or A1N and AlGaN buffer layers) are removed by dry etching; beneficially using inductively coupled reactive ion etching (ICP RIE). To make an atomically flat surface, ICP polishing is also performed on the n-GaN surface. The flat surface is important in producing high reflectivity from a reflective structure that is deposited subsequently since the light out-put can be increase with higher reflective surface.
[0054]       Referring to Figure 14, in order to improve the current spreading of the vertical device, an n-type ITO transparent contact 534 is formed on the n-GaN LED surface 515. ITO composition is 10wt%SnO2 /90wt%In2O3, and a layer of about 75-200 nm-thick ITO film is deposited using an electron beam evaporator or sputtering system at room temperature. Annealing is carried out after the ITO film deposition in a tube furnace with N2 ambient for 5 minutes. The annealing temperatures are varied in between 300℃ to 500℃. The minimum resistivity of the ITO film is about low10-4Ωcm at 350℃ of annealing temperature in N2 ambient. The transmittances at 460 nm are over 85% at the annealing temperature of above 350℃.
[0055]       Referring to Figure 15, after the ITO transparent contact formation, an n-contact 540 is formed on the n-ITO surface, comprising of Ti and Al. Since multiple contacts are formed, they are referenced as 540a,540b,540c and so forth. The thickness of the n-contact metal is 5 nm for Ti, and 200 nm for Al, respectively. In order to make a good adhesion between the n-contact metal layer and a pad metal 542, 20 nm of Cr is deposited on top of the Al as an adhesion layer. For the pad metal deposition, 500 nm gold is deposited on top of the Cr consecutively in an electron beam evaporation chamber without breaking vacuum. In order to form an ohmic contact, the n-contact metal is annealed in the furnace at 250□ for 10 minute in an N2 ambient atmosphere. 
[0056]       Referring to Figure 16,after cleaning the GaN surface, individual devices are isolated by a MICP(magnetized inductively coupled plasma) dry etching technique. The MICP can accelerate the etch rate compared with the other dry etching methods. This is useful to prevent the photo-resist mask burning during the etch process. The MICP usually provides about twice the etch rate compared to conventional ICP. Fast etch rate is recommended for the processing of the vertical devices having metal support since the metal substrate can be attacked by chemicals designed for removing metal or oxide masks. Therefore, in order to use the photoresist mask for the die isolation etching, fast etching technique is suggested. The isolation trench dimension is 30□ wide and 3.5□ deep the etch depth is dependent upon epitaxial wafer thickness. Suggested MICP dry etch conditions for device isolation are as follows: 
[0057]       1. Total flow rate:100 sccm
[0058]       2. Intensity of magnet field:15 gauss
[0059]       3. Substrate temperature: 70□
[0060]       4. Gas mixture:40%BCl3/40%Cl2/20%Ar
[0061]       5. Power/bias voltage:600W/-300V
[0062]       6. Operational pressure:30mTorr
[0063]       7. Etch depth rate: 0.4□/min
[0064]       8. Etch mask:Photo-resist(AZ 9262)(thickness:24□)
[0065]       The die isolation is also carried out either by mechanical dicing or laser scribing.The dicing trench for device isolation is 50μm wide in the case of laser scribing and 40μm in the case of mechanical dicing. The trench depth is approximately 10μm-deep in both cases. 
[0066]       Referring to Figure 17, a passivation layer 536 is deposited on exposed portions of the devices. In order to protect device from the external hazardous environment and to increase the light output by modulating reflective index between the passivation layer and the GaN, the vertical device is passivated with a SiO2 thin film 536. The film is deposited with PECVD (Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition) at less than 250□. The film thickness is maintained at 80 nm for the optimal reflective index.
[0067]       Referring to Figure 18, after the passivation deposition, the perforated support wafer carrier is removed from the GaN/metal support wafer using solvent. The de-bonding process includes soaking of the GaN/metal wafer in acetone for 0.5-1 hour to dissolve the conductive adhesive layer from the perforated support wafer carrier. The separated GaN/metal wafers are further soaked and cleaned with isopropanol in an ultrasonic cleaner. The GaN device surface is further cleaned with DI water using rinse and dryer. 」
(上記記載の和訳を以下に示す。
「［００３６］図５から図１８は、物理的支持と導電性を提供する金属基板を形成する被膜プロセスと、元の基板を取り除くためのレーザーリフトオフプロセスを利用した本発明の縦構造ＧａＮベースＬＥＤの製造ステップを図示する。この製造方法はＬＥＤに限らず、どのような装置構造にも適用できる。特にレーザーダイオード（ＬＤ）、ヘテロジャンクション双極トランジスター（ＨＢＴ）、高電子モビリティトランジスター（ＨＥＭＴ）等の絶縁基板上で成長するＧａＮベースのエピタキシャル薄膜を含んだものに利用できる。
［００３７］図５は縦型装置５００が、例えばサファイヤ基板である基板５０２上に形成されたエピタキシャル構造を図示する。ＧａＮまたはＡｌＮバッファ層５０４は基板上で成長する。本発明の１特徴では、ＡｌＧａＮバッファ５０６は熱バリヤーとして作用するバッファ層５０４上に形成される。組み合わせバッファ層は参照番号５０５で表されており、以下で解説するように層５０４と層５０６の一方または両方を含むことができる。
［００３８］次に、参照番号５０８から５１４で表されるＧａＮベースのＬＥＤ構造５１５は、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）、蒸気相エピタキシ（ＶＰＥ）その他技術の適したエピタキシャル成長装置によりサファイヤ基板上で成長する。ｎ型ＧａＮ層５０８が形成され、マルチ型量子井戸（ＭＱＷ）層５１０がｎ型ＧａＮ層５０８上に形成される。オプションのｐ型ＡｌＧａＮ層５１２が図示されており、ｐ型ＧａＮ層が図示されている。
［００３９］ＧａＮまたはＡｌＮの単層が共通バッファ層である従来の技術とは逆に、本発明は好適にはＧａＮまたはＡｌＮバッファ層５０４に加えてＡｌＧａＮバッファ層５０６も利用するが、両層ともに必要なわけではない。ＡｌＧａＮ層５０６は熱バリヤーの観点では有用である。実験でＧａＮのＬＥＤ層５１５と接着剤層との間のインターフェースの温度はレーザーリフトオフプロセス中に２５０℃まで上昇する可能性があることが確認された。従って、ポリマーベースの接着剤層は劣化し、レーザーリフトオフ処理時に熱のためにＧａＮのＬＥＤ層と反応するかも知れず、接着剥離プロセス時に劣化した接着剤を除去することは困難となる。本発明では、ＡｌＧａＮの利用は接着剤劣化を低減させ、装置生産効率を高める。さらに、エピタキシャル層の全厚は、ＧａＮ/接着剤インターフェースの温度上昇を最低限に抑えるために所定の厚さにセットされる。有利には、エピタキシャル層厚は、インターフェース温度を２００℃以下に維持するために５μｍ以上に選択される。そのためにはｎ型ＧａＮ層はＧａＮまたはＡｌＮバッファ層の上面で４μｍ厚以上に成長しなければならない。
［００４０］図６は、ｐ型コンタクトを形成させるため、ＧａＮのＬＥＤ層５１５の上面に提供されたｐ型コンタクト金属５１６とＩＴＯ透明コンタクト/ＤＢＲ層５１８を図示する。これらは電子ビーム蒸着またはスパッタリングのごとき薄膜被膜法を利用して提供される。例示的なｐ型コンタクト金属にはＮｉ/Ａｕ、Ｐｄ/Ｎｉ/Ａｕ、Ｎｉ/Ｐｄ/ＡｕまたはＰｄ/Ｉｒ/Ａｕが含まれる。薄膜金属層厚は、例えば、Ｎｉ/Ａｕに対しては１０ｎｍのＮｉと２０ｎｍであり、Ｐｄ/Ｎｉ/Ａｕに対しては１０ｎｍのＰｄ、２０ｎｍのＮｉ、３０ｎｍのＡｕであり、Ｐｄ/Ｉｒ/Ａｕに対しては２０ｎｍのＮｉ、１０ｎｍのＰｄ、２０ｎｍのＩｒ、３０ｎｍのＡｕであり、Ｎｉ//Ｐｄ/Ａｕに対しては２０ｎｍのＮｉ、２０ｎｍのＰｄ、１００ｎｍのＡｕである。一般的に、ｐ型コンタクト金属では、Ｎｉ含有コンタクトのために３００℃から５００℃で２分間、炉内の酸素雰囲気内で焼鈍処理される。非ニッケル含有金属コンタクトの場合には窒素雰囲気内で焼鈍処理される。
［００４１］酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）薄層５１８は電子ビーム蒸着またはスパッタリングで分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を形成する。良好な光反射性を達成することは、縦構造装置の光出力を増加させるのに重要である。一般的に、面発光レーザーのごとき光子リカバリーを要する装置では酸化物ベースのＤＢＲが使用される。しかし、これら酸化物ベースのＤＢＲ材料は絶縁体である。従って、導電性金属基板を有した特定の縦型装置では導電性ＤＢＲ材料を使用することが有益である。ＩＴＯは金属基板を使用する縦型装置の反射性ＤＢＲ材料として最善の材料であると考えられる。他の選択も可能である。ＩＴＯの反射率は９０％以上であり、金属薄膜の最良反射率は５０％から６０％である。１特徴では、ＩＴＯ薄膜厚は７５ｎｍから１５０ｎｍの範囲で選択され、最良の反射性を得る。４６０ｎｍでの透過率は３００℃から５００℃の範囲の焼鈍処理温度で８５％以上である。
［００４２］図７は本発明の１実施例によるＩＴＯ層５１８と中間金層５２２との間の接着を増強するための接着層５２０を図示する。厚くて軟質な金属支持膜（５０μｍ以内）による薄くて硬質なＧａＮエピタキシャル層（５μｍ以内）を有した縦構造装置を製造するためには、ＧａＮエピタキシャル層と金属層との間のインターフェースで圧縮応力の蓄積を減少させるために２層間に中間層を形成することが望ましい。中間層を提供する別な理由は、金属中間層が、非金属ＩＴＯ面に直接的に厚い電気メッキ層を被膜させるよりも良好な電気メッキ特性を提供するからである。約１μｍ厚の金（Ａｕ）薄膜が、真空チャンバーからウェハーを取り出すことなく電子ビーム蒸着によってＩＴＯ面に連続的に被膜処理された。連続的な積層処理は酸化または汚染を防止するのに有効である。これは良好な薄膜接着層をＩＴＯとＡｕ層との間に提供するために重要である。ＩＴＯとＡｕとの間の接着を改善させるため、３０ｎｍから５０ｎｍ厚のＣｒまたはＴｉ接着層をＩＴＯとＡｕ層との間に提供する。
［００４３］図８と図９では、厚い金属層５２４と５２６が電気メッキまたは無電メッキで提供されている。電気メッキまたは無電メッキは、他の方法に較べて３０μｍ以上の金属層の形成には速くて安価である理由によって利用される。このことは縦型装置の大量生産にはコストの面で好都合である。金属支持層の主たる機能は、支持層が良好な剛質物理的支持を薄いＧａＮエピタキシャル層５１５に提供するだけではなく、良好な導電性と放熱性とを提供するからである。これらを提供するため、等級化されたＣｕ合金が好適にはＡｕ/ＣｒまたはＡｕ/Ｔｉ接着層上に提供される。
［００４４］真空蒸着された薄Ａｕ層５２２とＣｕ合金層５２４との間に良好な接着を得るため、第１Ｃｕストライク層がＣｕ合金層５２４に先立って被膜される。１特徴では、当初に、硫酸塩ベースの軟質銅層が、厚金属層による応力蓄積を徐々に緩和するためにメッキされる。当初の軟質Ｃｕ合金層厚は約１０μｍに設定される。メッキ速度は３μｍ/時から５μｍ/時にセットされ、厚くて均質なＣｕメッキ層が形成される。遅いメッキ速度を選択する別な理由は、以下で解説するように支持ウェハーキャリヤーからウェハーを剥離した後にウェハーの湾曲を防止するためである。ＧａＮエピタキシャル層５１５と銅層５２４から５２６との間のインターフェースでの圧縮応力蓄積により、ウェハーは剥離後に湾曲する性向がある。遅いメッキ速度に加えて、有機物ベースの添加剤を電気メッキ溶液に加え、スルフォン酸塩ベースのメッキ溶液が使用される。さらに、電気メッキが低温（５℃）で実施され、応力蓄積を最低化する。
［００４５］軟質Ｃｕ層５２４に続いて、シアン化物または酸化物ベースのバスを使用して硬質Ｃｕ層５２６がメッキされ、構造剛性が提供される。硬質Ｃｕメッキ速度は約１５μｍ/時である。Ｃｕ合金メッキでは、スズ（Ｓｎ）と鉄（Ｆｅ）を含有する金属合金メッキ溶液が硫酸銅溶液と混合され、Ｃｕ支持層の物理的強度と導電性が改善される。Ｃｕ合金支持層５２２の全厚は約５０μｍから６０μｍであった。Ｃｕ合金メッキ処理の終了時に、０．３μｍ厚のＡｕ層が電気メッキされ、Ｃｕ合金層を酸化から保護した。このＡｕ保護層は、縦型装置の包装用のダイボンディングプロセスとワイヤボンディングプロセスの最中に、個々のダイと金属ベースエポキシとの間の良好な接着の提供に貢献する。
［００４６］厚いＣｕ金属支持層５２６が電気メッキで形成された後、サファイヤ表面は機械的に研磨され、均質な粗度が得られる。サファイヤ表面の平滑性はレーザービームエネルギー強度分布の制御に重要であり、レーザー剥離されたＧａＮ表面の面形態の制御にも重要である。レーザービームのエネルギー密度はサファイヤ表面の面粗度に大いに影響を受ける。粗いサファイヤ表面がＬＬＯプロセスのために使用されるなら、低レーザービームエネルギーが必要である。しかし、もし表面が粗ければ、レーザー剥離されたＧａＮ表面は粗くなる。なぜなら、サファイヤ表面形態はレーザー剥離後のＧａＮ表面をコピーするからである。一方、もし研磨された表面が使用されるなら、高いレーザービームエネルギーが必要となる。レーザー剥離されたＧａＮ表面の表面形態は研磨されたサファイヤ表面と非常に類似する。しかし、高レーザービームは過剰なレーザービームエネルギーのためにクラックを発生させる。最良のレーザー剥離結果とＧａＮ表面形態を達成するには、サファイヤ表面の表面粗度はＲＭＳ値で約１０から２０オングストロムの範囲で選択される。
［００４７］図１０で示すように、サファイヤ/ＧａＮ/Ｃｕ/Ａｕウェハーは穿孔状ウェハーキャリヤー５３２に導電性熱可塑性エポキシ５３０で接着される。穿孔状ウェハーキャリヤーは穴を有したステンレススチールで提供される。金属ウェハーキャリヤーを使用する理由は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチング、ウェハープロービング及びダイ隔離処理時に導電性と熱伝導性を提供するためである。金属ウェハーキャリヤーを使用することで、製造工程の後処理でキャリヤーからウェハーを取り除く必要性が減少する。さらに、穿孔状ウェハーキャリヤーはバブルが存在しないウェハー接着を提供する。なぜなら、空気バブルは接着プロセス中に穴から容易に抜け出るからである。サファイヤ/ＧａＮ/Ｃｕ/Ａｕウェハーとウェハーキャリヤーとの間の簡単な剥離も提供する。なぜなら、溶剤が剥離プロセス時に穴を通り抜けることができるからである。穿孔状ウェハーキャリヤーを使用することで、プロセス全体が容易になり、信頼性が増して単純になる。それによって縦型装置の高生産効率が得られる。ウェハーキャリヤーの例示的厚みは１/１６インチであり、直径は２．５インチである。例示的な穴の総数は２１であり、貫通穴の直径は２０/１０００インチである。例示的ウェハーキャリヤー面は電気研磨され、接着剤での均質な接着のために鏡面となっている。
［００４８］銀ベースの導電性接着剤はサファイヤ/ＧａＮ/Ｃｕ/Ａｕと穿孔状ウェハーキャリヤーを接着するのに使用される。この導電性接着剤は良好な導電性と熱伝導性を、ウェハープロービングとダイ隔離エッチングプロセスのために提供する。熱可塑性エポキシは良好な接着力と熱抵抗性を有する。熱可塑性エポキシの別利点は、それがアセトン等の溶剤内で容易に溶解することである。これは接着剥離プロセスで役立つ。
［００４９］本発明ではシートタイプの熱可塑性エポキシが利用される。なぜなら、シートタイプエポキシの膜厚は、液体ベースの接着剤よりも均質だからである。液体ベースの接着剤はしばしば厚みが不均等であり、接着プロセスではバブルが形成される。なぜなら、液体ベース接着剤のスピンコーティングは一般的にウェハーの中央領域よりもウェハーの縁部で厚い膜を形成するからである。液体ベースの接着剤がマルチ型スピニングで厚い接着層を得るのは普通の現象である。熱可塑性エポキシでの接着により、１２７μｍ厚のシートタイプ熱可塑性エポキシは厚い金属支持層と穿孔状ウェハーキャリヤーとの間で挟まれる。圧力は約１０psiから１５psiにセットされ、ホットアイソスタティックプレス内の温度は２００℃以下に保たれる。これらの条件下での接着時間は１分以内である。この短い接着時間は液体ベースの接着剤の場合よりも多くの利点を有する。液体の場合は接着剤の完全硬化に６時間以上の硬化時間を要する。短い接着時間は縦型装置の生産効率をさらに大きく向上させる。
［００５０］図１１は、２４８ｍｍのＫｒＦ紫外線（ＵＶ）エキサイマーレーザー（パルス持続時間は３８ｎｓ）をレーザーリフトオフに利用している。この波長を選択した理由は、ＧａＮ／サファイヤインターフェースでＧａＮを金属ガリウム及び気体窒素（Ｎ2）へと分解するために、レーザーは好適にはサファイヤを通過し、ＧａＮエピタキシャル層で吸収されなければならないためである。レーザービームは７ｍｍ×７ｍｍ正方形ビームが選択され、６００から１，２００ｍＪ／ｃｍ2のビーム強度を有する。レーザービームのエネルギー密度はサファイヤ基板表面の面粗度によるものとも考えられる。レーザーリフトオフ後に平滑なＧａＮ面を得るため、８００ｍＪ／ｃｍ2よりも高いビームエネルギーを、ＲＭＳ値が１０から２０オングストロムの機械研磨されたサファイヤ基板のために使用した。
［００５１］サファイヤ基板の面粗度は、レーザーリフトオフ後に平滑なＧａＮ面を得るためには重要なプロセスパラメータである。レーザーリフトオフ中に非研磨サファイヤ面を使用した場合、ＧａＮ面は粗く、最終装置形成後に粗面の反射性が低いため、ＬＥＤ装置の光出力が弱くなる。しかし、研磨面を使用した場合、平滑なＧａＮ面を得ることができ、強力な光出力が得られる。レーザービームは研磨サファイヤ表面に局在化されるため、高レーザービームで照射された領域は、低レーザービームエネルギー照射される領域と比べてＧａＮ面上にクラックを発生させる可能性が高い。従って、高効率のレーザーリフトオフプロセスと高装置性能を同時に得るためにはサファイヤウェハーの最良の面粗度を選択することが重要である。従来技術によれば、研磨サファイヤ面で均一のレーザービーム分布を得るためにサンドブラストが通常使用されているが、サンドブラストは信頼性が低く、常に同一の面粗度を得るように反復することができない。本発明では、サファイヤ面で均一レーザービームエネルギー分布を得るため、レーザービームとサファイヤ基板間に、２４８ｎｍＵＶレーザーに対して透明な材料から形成される拡散媒質５５２が提供され、レーザーリフトオフプロセス効率を向上させる。拡散媒質の面粗度ｒｍｓは、３０μｍ以下にセットされ、サファイヤを拡散体のために使用した。
［００５２］図１２に示すように、リフトオフ後、レーザーリフトオフ中に過剰Ｇａドロップ５０３がＧａＮ分解の結果発生し、これをＨＣｌ溶液（常温でＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝１：１）で洗浄するか、ＨＣｌ蒸気で３０秒間沸騰させる。Ｇａは常温で溶融するため、レーザーリフトオフ中に液相のＧａが形成され、塩素ベースの酸性溶液で容易に洗浄できる。
［００５３］図１３に示すように、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層を露出させるため、バッファ層５０５（例：ＧａＮまたはＡＩＮ並びにＡｌＧａＮバッファ層）を、好適には誘導結合反応性イオンエッチング（ＩＣＰ  ＲＩＥ）を用いたドライエッチングによって除去する。原子レベルで平坦な面を提供するため、ｎ−ＧａＮ面上でＩＣＰ研磨も実施される。さらに高度な反射面によって光出力を向上させることができるため、後のステップで着膜される反射構造物から高反射性を提供するためにはそのような平面であることが重要である。
［００５４］図１４に示すように、縦型装置の電流拡張性を向上させるため、ＧａＮのＬＥＤ面５１５上でｎ型ＩＴＯ透明コンタクト５３４が形成される。ＩＴＯ組成は１０ｗｔ％ＳｎＯ2／９０ｗｔ％Ｉｎ2Ｏ3であり、約７５から２００ｍｍ厚のＩＴＯ膜が常温で電子ビーム蒸着またはスパッタリングシステムによって蒸着されている。ＩＴＯ膜蒸着後に、管状炉内の窒素雰囲気内で焼鈍処理が５分間実行される。焼鈍処理温度は３００℃から５００℃の間で調整される。ＩＴＯ膜の最小抵抗性は、窒素雰囲気内で３５０℃にて約低１０−４Ωｃｍである。４６０ｎｍでの透過率は３５０℃以上の焼鈍処理温度で８５％以上である。
［００５５］図１５に示すように、ＩＴＯ透明コンタクト形成後に、ＴｉとＡｌで成るｎ型コンタクト５４０が、ｎ‐ＩＴＯ面上に形成される。複数コンタクトが形成されるため、それらを５４０ａ、５４０ｂ、５４０ｃ等として示す。ｎ型コンタクト金属の厚みはＴｉが５ｎｍ、Ａｌが２００ｎｍである。ｎ型コンタクト金属層とパッド金属５４２との間に良好な接着性を提供するため、２０ｎｍのＣｒを接着層としてＡｌの上面に蒸着する。パッド金属蒸着のため、引き続き電子ビーム蒸発チャンバー内で真空状態を壊さずに、５００ｎｍ金をＣｒ上面に蒸着する。オームコンタクトを形成するため、炉内の窒素雰囲気内で１０分間２５０□にてｎ型コンタクト金属を焼鈍処理する。
［００５６］図１６に示すように、ＧａＮ面を洗浄後、ＭＩＣＰ（磁化誘導結合プラズマ）ドライエッチング技術で個別の装置が分離される。ＭＩＣＰでは他のドライエッチング法と比べてエッチング速度を加速させることができる。これはエッチングプロセス中にフォトレジストマスクバーニングを防止するために有用である。従来のＩＣＰと比べて、ＭＩＣＰは通常約２倍のエッチ速度を提供できる。金属又は酸化マスクを取り除くための化学剤によって金属基板が攻撃される可能性があるため、金属支持部を有する縦型装置のプロセスには速いエッチング速度が望ましい。従って、フォトレジストマスクをダイ分離エッチングに使用するには、速いエッチング技術が提案される。分離トレンチの大きさは幅が３０□で深さが３．５□であり、エッチング深度はエピタキシャルウェハー厚による。装置分離に提案されるＭＩＣＰドライエッチング条件は以下の通りである：
［００５７］１．総流量：１００ｓｃｃｍ
［００５８］２．磁界強度：１５ガウス
［００５９］３．基板温度：７０□
［００６０］４．ガス混合物：４０％ＢＣｌ3／４０％Ｃｌ2／２０％Ａｒ
［００６１］５．電力／バイアス電圧：６００Ｗ／−３００Ｖ
［００６２］６．作動圧：３０ｍＴｏｒｒ
［００６３］７．エッチング（深度）速度：０．４□／分
［００６４］８．エッチマスク：フォトレジスト（ＡＺ９２６２）（厚：２４□
［００６５］物理的ダイシング処理あるいはレーザースクライブのいずれかによるダイ分離も実行される。装置分離のためのダイシングトレンチはレーザースクライブの場合は５０μｍ幅であり、物理的ダイシングの場合は４０μｍである。トレンチ深度は両者共に約１０μｍである。
［００６６］図１７に示すように、不活性層５３６が装置の露出部分に着膜される。外部の有害な環境から装置を保護するため、及び不活性層とＧａＮとの間の反射率を調整することによって光出力を向上させるため、縦型装置をＳｉＯ2薄膜５３６で不活性化させる。ＰＥＣＶＤ（プラズマ支援化学蒸着法）で２５０□以下にてその膜を蒸着させる。最良反射率を提供するため、膜の厚みは８０ｎｍに維持される。
［００６７］図１８に示すように、不活性蒸着後に、溶剤を用いて穿孔状支持ウェハーキャリヤーをＧａＮ／金属支持ウェハーから除去する。接着剥離プロセスは、ＧａＮ／金属ウェハーをアセトン中に０．５から１時間浸して導電性接着層を穿孔状支持ウェハーキャリヤーから溶解させるステップを含んでいる。分離されたＧａＮ／金属ウェハーをさらに超音波洗浄機内にてイソプロパノールに浸して洗浄する。リンスと乾燥器を使用してＧａＮ装置表面を脱イオン水でさらに洗浄する。」）
　
　上記記載で言及されているFIGURE 18は次のものである。
　
（３）　引用発明の認定
ア　FIGURE 18には、図上で上から順に、Au保護層528、硬質Ｃｕ層526、軟質Ｃｕ層524、Ａｕ中間層522、接着層520、ＩＴＯ透明コンタクト／ＤＢＲ反射層518、ｐ型コンタクト516、ＧａＮＬＥＤ515c、ｎ型ＩＴＯ534c、ｎ型コンタクト540a、Ａｕパッド542aの順に積層された構造を有する縦型装置500が示されている。
　
イ　上記（２）の記載の［００３６］によれば、図５から図１８は縦構造ＧａＮベースＬＥＤの製造ステップを示すから、図１８（FIGURE 18）に示された縦型装置500は、縦構造ＧａＮベースＬＥＤである。
　
ウ　上記（２）の記載の［００３７］によれば、ＧａＮベースのＬＥＤ構造５１５は、ｎ型ＧａＮ層５０８、マルチ型量子井戸層５１０、ｐ型ＡｌＧａＮ層５１２、ｐ型ＧａＮ層をこの順に成長させて形成される。
　　
エ　上記（２）の記載の［００５５］によれば、ｎ型コンタクト540aは、ＴｉとＡｌの２層から成る。
　
オ　以上のことから、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「Ａｕ保護層、硬質Ｃｕ層、軟質Ｃｕ層、Ａｕ中間層、接着層、ＩＴＯ透明コンタクト／ＤＢＲ反射層、ｐ型コンタクト、ｎ型ＧａＮ層とマルチ型量子井戸層とｐ型ＡｌＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層をこの順に成長させて形成したＧａＮＬＥＤ、ｎ型ＩＴＯ、ＴｉとＡｌの２層から成るｎ型コンタクト、Ａｕパッドの順に積層された構造を有する、縦構造ＧａＮベースＬＥＤ。」
　
（４）　対比
　引用発明と本願補正発明とを対比する。
ア　引用発明の「硬質Ｃｕ層」は、上記（２）イの［００２３］によれば、構造剛性を提供するものであり、同［００２４］には「厚いＣｕ金属支持層５２６」とあって、支持層と呼ばれているから、本願補正発明の「金属又は半導体からなる支持層」に相当する。
　
イ　本願明細書には、次の記載がある。
「【００４３】第１電極３０はオーミック電極であり、このオーミック電極は透明電極で形成される。このような第１電極３０は、ｐ型半導体層２３上に形成されるので、ｐ型電極である。【００４４】ここで、上述のように
第１電極３０に透明電極が用いられる場合
ＩＴＯ
　
　上記記載によれば、本願補正発明の「第１電極」はＩＴＯ層でもよいものと認められる。
　よって、引用発明の、「『支持層（硬質Ｃｕ層）』上にある『ＩＴＯ透明コンタクト／ＤＢＲ反射層』」は、本願補正発明の「支持層上に配置された第１電極」に相当する。
　
ウ　引用発明の「ｎ型ＧａＮ層とマルチ型量子井戸層とｐ型ＡｌＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層をこの順に成長させて形成したＧａＮＬＥＤ」は、本願補正発明の「第１電極側の第１面と該第１面の反対側の第２面とを有し、前記第１面側から前記第２面側に向かって順次積層された第１型半導体層、活性層、及び第２型半導体層を含んで構成された半導体構造物」に相当する。
　そして、引用発明の「ｎ型ＧａＮ層」及び「ｐ型ＡｌＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層」は、本願補正発明の「第１型半導体層」及び「第２型半導体層」に相当し、引用発明の「マルチ型量子井戸層」は、本願補正発明の「活性層」に相当する。
　
エ　引用発明の「ｎ型ＩＴＯ」は、本願補正発明の「透明伝導性酸化物層」に相当する。
　
オ　引用発明の「『ＴｉとＡｌの２層から成るｎ型コンタクト』及び『Ａｕパッド』」は、本願補正発明の「第２電極」に相当する。
　
カ　本願補正発明は、「半導体構造物」の面上に「半導体構造物の少なくとも１つの元素と反応性を有する金属層」があり、該「金属層」上に「透明伝導性酸化物層」がある。
　一方、引用発明は、「半導体構造物」（ＧａＮＬＥＤ）の面上に「透明伝導性酸化物層」（ｎ型ＩＴＯ）があるから、「半導体構造物」の上に「透明伝導性酸化物層」がある点で、本願補正発明と共通している。
　
キ　引用発明の「縦構造ＧａＮベースＬＥＤ」は、本願補正発明の「縦型発光素子」に相当する。
　
ク　上記アないしキによれば、本願補正発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。
＜一致点＞ 
「金属又は半導体からなる支持層と、
　前記支持層上に配置された第１電極と、
　前記第１電極側の第１面と該第１面の反対側の第２面とを有し、前記第１面側から前記第２面側に向かって順次積層された第１型半導体層、活性層、及び第２型半導体層を含んで構成された半導体構造物と、
　前記半導体構造物の前記第２面上に配置された透明伝導性酸化物層と、
　前記透明伝導性酸化物層上に設けられた第２電極と、
を含んで構成した縦型発光素子。」
　
＜相違点１＞ 
　本願補正発明の「半導体構造物」は、「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ超格子層の電流拡散層を介して第１電極に電気的に接続され」るのに対して、引用発明の「半導体構造物」（ＧａＮＬＥＤ）は、「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ超格子層の電流拡散層」を介さずに「第１電極」（ＩＴＯ透明コンタクト／ＤＢＲ反射層）に電気的に接続される点。
　
＜相違点２＞ 
　本願補正発明は、「半導体構造物」と「透明伝導性酸化物層」の間に「半導体構造物の少なくとも１つの元素と反応性を有する金属層」を有しているのに対して、引用発明は、「半導体構造物」（ＧａＮＬＥＤ）と「透明伝導性酸化物層」（ｎ型ＩＴＯ）の間に「半導体構造物（ＧａＮＬＥＤ）の少なくとも１つの元素と反応性を有する金属層」を有しない点。
　
（５）　判断
　上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞について検討する。
ア　＜相違点１＞について
　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−６４０７２号公報には、次の（ア）の記載があり、同じく特開２００５−５６９２２号公報には、次の（イ）の記載があり、同じく特開２００５−５１１７０号公報には、次の（ウ）の記載がある。
（ア）　「【請求項１】
ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）と表される窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に少なくとも、基板側から順に第一導電型半導体層と、発光領域を有する活性層と、第二導電型半導体層と、金属電極層と、を備え、かつ、
超格子層を該金属電極層と該活性層との間の任意の位置に備えた
　
「【００２１】
超格子層２１１に平行な方向に対する電気伝導率が、超格子層２１１に垂直な方向に対する電気伝導率より大きいという性質を利用すると、
超格子層２１１を金属電極層２６と活性層２３との間の任意の位置に備えれば
活性層２３への電流の供給が均一となる
【００２２】
ここで、図４に示すように、超格子層２１１として、超格子層２１１を構成する禁制帯幅の狭い層２２１および禁制帯幅の広い層２２２の層の厚さが電子または正孔のドブロイ波長以下の層をヘテロ接合により複数重ねた層を用いても良い。このような超格子層２１１を用いると、禁制帯幅の狭い層２２１および禁制帯幅の広い層２２２では、電子または正孔の運動がエネルギー障壁によって量子化されているため、電子または正孔の運動は、２次元的なものとなる。そのため、
超格子層２１１に電子を均一に分散させることが可能となる
【００２３】
超格子層２１１として、ＡｌｐＧａｑＩｎ１−ｐ−ｑＮ（ただし、０≦ｐ≦１、０≦ｑ≦１、０≦ｐ＋ｑ≦１）と表される窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層であって、活性層２３の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を持つ半導体層とすることが好ましい。
Ａｌ
ｐ
Ｇａ
ｑ
Ｉｎ
１−ｐ−ｑ
Ｎ（ただし、０≦ｐ≦１、０≦ｑ≦１、０≦ｐ＋ｑ≦１）と表される窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層で、禁制帯幅の狭い層と禁制帯幅の広い層を交互に積層すると超格子層２１１を形成することができる
　
（イ）　「【請求項１】
ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）と表されるIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、少なくとも、基板と、該基板上に形成された多層反射層と、該多層反射層上に形成された超格子層と、該
超格子層上に形成された少なくとも第２導電型半導体層および第１導電型半導体層を順に含む発光部形成層
該超格子層に第２電極が電気的に接続されている
　
「【００１６】
本実施の形態では、超格子層２２を構成している禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層の厚さを電子または正孔のドブロイ波長程度にし、禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層に垂直な方向の電子または正孔の移動を制限して、禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層に平行な方向の電子または正孔の移動を自由にすることにより、禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層の内部に電子または正孔を均一に分散させることができる。つまり、本実施の形態による半導体発光素子では、
第２電極１６から注入された電流を横方向に流す役割を持っており、発光部形成層１４への電流の供給が均一となる
超格子層２２の内部に電子または正孔を拡散させることができる
【００１７】なお、本願発明は、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）と表されるIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子であるため、
超格子層２２として、Ａｌ
ｘ
Ｇａ
ｙ
Ｉｎ
１−ｘ−ｙ
Ｎで表される窒化物系化合物半導体からなる複数の層を積層した層とすることが可能
　
（ウ）　「【００１０】
　以下の実施例に示す通り、本願発明の発光層を形成するインジウム(In)を含むIII族窒化物系化合物半導体AlyGa1-y-zInzN(0≦y＜1, 0＜z≦1)から成る井戸層の、インジウム(In)組成zよりもインジウム(In)の組成の小さい
ノンドープのIn
x
1Ga
1-x1
N(0＜x1＜1)から成る層とノンドープのGaNから成る層との多重層（ｎ側多重層）を発光層のｎ電極側に設け
ノンドープのIn
x2
Ga
1-x2
N(0＜x2＜1)から成る層とノンドープのGaNから成る層との多重層（ｐ側多重層）を発光層のｐ電極側に設ける
印加電圧が発光層のｎ電極側の一部やｐ電極側の一部に集中することなく、発光層のｎ電極側及びｐ電極側のそれぞれの広い範囲に広がる作用を本願発明の多重層が奏する
　
（エ）　上記（ア）ないし（ウ）によれば、ＧａＮベースＬＥＤにおいて、活性層を含む半導体構造が、電流拡散の働きをするＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ超格子層を介して電極に電気的に接続される構成は、優先日時点において、周知のものと認められる。
　よって、引用発明において、「半導体構造物」（ＧａＮＬＥＤ）を「第１電極」（ＩＴＯ透明コンタクト／ＤＢＲ反射層）に電気的に接続するに際して、電流拡散の働きをする「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ超格子層の電流拡散層」を介すること、すなわち、本願補正発明の＜相違点１＞に係る構成を備えることは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。
　
イ　＜相違点２＞について
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−２１７４５６号公報には、次の（ア）の記載があり、同じく特開平１１−２７４５６２号公報には、次の（イ）の記載がある。
（ア）　「【００５５】（実施の形態６）図１２は、本発明の一実施例を示す上面の概略図である。少なくとも発光層を含む窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された発光素子６０００において、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にｐ型透光性電極４及びｐ型用パッド電極５が形成され、
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にｎ型透光性電極６を前記ｐ型透光性電極４の周囲にわたって形成し
ｎ型透光性電極１から電流が均一に注入される
【００５６】窒化ガリウム系化合物半導体層の積層構造及び方法は、実施の形態１と同様とした。本実施の形態では、
ｎ型透光性電極６としてＴｉを厚さ３０ｎｍ、幅４０μｍ、その上にＩＴＯを１５０ｎｍ形成した
　
　上記記載には、窒化ガリウム系半導体層の上に、Ｔｉ層とその上のＩＴＯ層からなるｎ型透光性電極が形成され、該ｎ型透光性電極から電流が均一に注入されることが記載されているものと認められる。
　
（イ）　「【００２２】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を例示する概略断面図である。すなわち、本発明の発光素子は、サファイア基板１上に積層された
窒化ガリウム系半導体層２〜４からなる積層構造を有する。また、素子のｐ側には、３層の金属層７〜９からなるｐ側電極と透明電極１０とが積層され
【００２３】ここで、ｐ側電極を形成する３層の金属層７〜９のそれぞれの材料としては、以下に挙げるいずれかが用いられる。すなわち、
第１の金属層７は、電極とコンタクト層４との付着強度を維持し、オーミック接触を確保する
Ｔｉ
第２の金属層８も、電極とコンタクト層４との付着強度を維持し、オーミック接触を確保する
Ｔｉ
第３の金属層９は、コンタクト層４とのオーミック接触を改善する
Ｚｒ
【００２８】・・・酸化インジウム錫（indium tin oxide：
ＩＴＯ）膜１０
　　
　上記記載には、窒化ガリウム系半導体層２〜４からなる積層構造の上に、電極と（該窒化ガリウム系半導体層積層構造のうちの１層である）コンタクト層４との付着強度を維持し、オーミック接触を確保する、Ｔｉ層であってもよい第１の金属層が形成され、第１の金属層の上に、電極とコンタクト層４との付着強度を維持し、オーミック接触を確保する、Ｔｉ層であってもよい第２の金属層が形成され、第２の金属層の上に、コンタクト層４とのオーミック接触を改善する、Ｚｒであってもよい第３の金属層が形成され、第３の金属層の上にＩＴＯ膜が形成されることが記載されているものと認められる。
　
（ウ）　本願明細書には、次の記載がある。
「【請求項１０】前記半導体層と透明伝導性酸化物層との間には、前記半導体層を成す元素のうちの少なくとも一つと反応性の高いゲッターメタル層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の縦型発光素子。
【請求項１１】前記ゲッターメタル層は、
Ｔｉ
Ｚｒ
　
「【００８５】したがって、窒素ゲッターメタル層５００は、
Ｇａ−Ｎ構造における窒素（Ｎｉｔｒｏｇｅｎ）を除去
【００８６】周知の如く、Ｔｉなどの金属は、Ｔｉ−Ｎの化合物をよく形成するだけでなく、Ｔｉ−Ｎ自体が金属性の伝導性を帯びるので、化合物形成に伴う電極特性の低下を充分に防ぐことができる。」
　
　上記記載によれば、本願発明の＜相違点２＞に係る構成における「半導体構造物の少なくとも１つの元素と反応性を有する金属層」は、ＧａＮ系半導体の含む窒素元素と反応性を有するＴｉ層及びＺｒ層であってよいものと認められる。
　一方、上記（ア）及び（イ）によれば、ＧａＮ系半導体構造物と、透明伝導性酸化物層であるＩＴＯ層の間に、Ｔｉ及びＺｒの金属層を設けた構成は、優先日時点で周知のものと認められる。
　してみると、引用発明において、ＧａＮＬＥＤとｎ型ＩＴＯの間に、ＧａＮＬＥＤ中の窒素元素と反応性を有する金属であるＴｉ及びＺｒの金属層を設ける構成を採用し、本願補正発明の＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。
　
ウ　まとめ
　上記ア及びイによれば、引用発明において、本願補正発明の＜相違点１＞及び＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。
  したがって、本願補正発明は、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３　本件補正についてのむすび 
　上記「２　独立特許要件について」に記載のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について 
１　本願発明の認定 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２４年４月５日の手続補正で補正された請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのもの（以下「本願発明」という。）と認める。
　
２　引用例の記載事項及び引用発明の認定
　引用例の記載事項及び引用発明は、それぞれ、上記「第２　平成２４年１１月５日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」の「（２）　引用例の記載事項」及び「（３）　引用発明の認定」に記載したとおりである。
 　 
３　対比
　本願発明は、上記「第２　平成２４年１１月５日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」で検討した本願補正発明において、発明を特定するために必要な事項である「半導体構造物」について、その第１面側にＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ超格子層の電流拡散層が設けられ、該電流拡散層を介して第１電極に電気的に接続されるとする限定を省いたものに相当する（上記「第２　平成２４年１１月５日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　１　本件補正による請求項１についての補正について」参照。）。
　すると、上記「第２　平成２４年１１月５日の手続補正についての補正却下の決定　［理由］　２　独立特許要件について」に記載したとおり、本願補正発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明は、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
 　 
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。