【事件の表示】
　特許第３３６７９４６号「半導体装置の作製方法」の請求項７ないし１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３６７９４６号の請求項７ないし１１に係る特許を維持する。
【理　由】
 I．手続の経緯
　本件特許第３３６７９４６号（以下「本件特許」という）は、平成５年２月１９日の特許出願（特願平５−５５２３６；「国内優先出願」という。）を国内優先権の基礎として、平成６年２月１８日に出願した特願平６−４５２５６（「第１出願」という。）を、平成１１年８月６日（特願平１１−２２３５０８；「第２出願」という。）、平成１２年１２月１４日（特願２０００−３６９３１８；「第３出願」という。）、次いで平成１３年２月１９日（特願２００１−４１０７９）に順次分割出願したものであって、平成１４年１１月８日に請求項１〜１１に係る発明につき特許権の設定登録がなされ、平成１５年７月１７日に特許異議申立人　山枡幸文より、その請求項７〜１１に係る特許について特許異議の申立がなされたものである。
　
II．本件発明
　本件請求項１〜１１に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載されたとおりのものであり、この内、本特許異議申立ての対象とされた請求項７〜１１に係る発明（以下「本件発明７」〜「本件発明１１」という。）は、次のとおりである。
「【請求項７】酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜に接する半導体膜を有する半導体装置の作製方法であって、有機シラン、酸素及び弗素を含むガスを含む混合雰囲気においてプラズマを生じさせて、酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜を形成し、酸素を有しない雰囲気で、前記ゲイト絶縁膜および前記半導体膜を２００〜６５０℃の温度で熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一において、前記酸素を有しない雰囲気はアルゴン又は窒素雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】請求項１乃至８のいずれか一において、前記ゲイト絶縁膜は、炭素の濃度が５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】請求項１乃至９のいずれか一において、前記有機シランはエトキシ基を有し、化学式Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｓｉ2Ｏ（ＯＣ2Ｈ5）6、Ｓｉ3Ｏ2（ＯＣ2Ｈ5）8、Ｓｉ4Ｏ3（ＯＣ2Ｈ5）10、Ｓｉ5Ｏ4（ＯＣ2Ｈ5）12で表される物質のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】請求項１乃至１０のいずれか一において、前記酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜をガラス基板の上方に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。」
　　　
III．特許異議申立について
(III-1)特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は、甲第１号証（特開平３−３６７６７号公報；平成３年２月１８日公開）、甲第２号証（特開平４−１１０４７１号公報；平成４年４月１０日公開）、甲第３号証（特開平６−５３５０３号公報）、及び甲第４号証（特開平２−９８９３２号公報）を提示するとともに、本件発明７〜１１についての出願日は上記第１出願の出願日である平成６年２月１８日に遡及せず、その出願日は上記第２出願が出願された平成１１年８月６日より前であることはあり得ないとした上で、「参考資料１」（特開平３−１９３４０号公報；平成３年１月２８日公開）及び「参考資料２」（特開昭５９−１１５５６４号公報；昭和５９年７月４日公開）を参酌すれば、本件発明７〜１１は本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証に記載された発明であり（理由ｉ）、また、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり（理由ii）、したがって、本件発明７〜１１についての特許は取り消すべきものである、と主張している。
　　
(III-2)証拠の記載事実
甲第１号証（特開平３−３６７６７号公報）
(1-1)「絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜を、塩素もしくは弗素のうちの少なくとも一方の元素を含むモノシラン誘導体ガスを用い、プラズマＣＶＤ法で形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（第１頁左下欄、特許請求の範囲１）
(1-2)「反応ガスとして、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）及び酸素・・・を導入し、基板温度２００℃〜４５０℃程度に保ち、高周波を印加しガスを分解し、酸化膜を成膜する等の方法がある。尚、ジクロロシランの代わりに、モノクロロシラン・・、三塩化シラン・・、四塩化珪素・・、モノフルオロシラン・・、ジフルオロシラン・・、トリフルオロシラン・・、四弗化珪素・・等の、塩素もしくは弗素の内の少なくとも一方の元素を含むモノシラン誘導体ガスを用いてもよい。また、これらのガスの内の複数を混合して用いてもよいし、モノシランとこれらのガスを混合して用いてもよい。」（第３頁右下欄第１６行〜第４頁左上欄第１０行）
(1-3)「ソース・ドレイン領域の形成方法は、イオン注入法でＢ、Ｐ等の不純物を打ち込んだ後、６００℃程度の低温で数時間〜数十時間熱処理することで不純物の活性化を行う方法・・・が有効である。」（第４頁左下欄第１４〜１９行）
(1-4)第１図中、第１図（ｄ）に、多結晶シリコン層（１０３）上にゲート絶縁膜（１０４）を形成することが示されている。（第６頁）
　　
甲第２号証（特開平４−１１０４７１号公報）
(2-1)「プラズマと光を用いて成膜を行う成膜方法において、基体の配された成膜室内にハロゲンガスを導入する工程と、前記ハロゲンガスを励起し前記基体を処理するハロゲン処理工程と、前記ハロゲン処理後、励起しても単独では堆積しない第１のガスを基体の配された反応容器内に導入する工程と、前記反応器内に導入された前記第１のガスをプラズマ励起する工程と、第２のガスを前記反応容器内に導入し、前記励起された第１のガスと反応させ、生成した反応生成物を基体上に付着せしめ、前記反応生成物が付着する基体に光を照射する工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。」（第１頁左下欄；特許請求の範囲１）
(2-2)「ハロゲン元素を含むガス10aとしてはＨｅやＡｒなどの不活性ガスで希釈したＦ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2などのハロゲンの希釈ガスあるいはＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＮＦ3、ＳＦ6などのハロゲン化合物を含むガスが挙げられる。」（第３頁右下欄第１４〜１９行）
(2-3)「第１のガスとしては窒素原子を含むガス、酸素原子を含むガス等が挙げられる。」（第３頁右下欄第２０行〜第４頁左上欄第１行）
(2-4)「第２のガスとしては、Ｓｉを含むＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のガスまたはＴＥＯＳ・・等の有機オキシシラン材料が挙げられる。」（第４頁左上欄第８〜１１行）
　　
甲第３号証（特開平６−５３５０３号公報）
(3-1)「【請求項２】薄膜トランジスタに用いるゲート酸化膜として、ＴＥＯＳガスと酸素ガスと塩素ガスによるプラズマＣＶＤ法であって、その成膜温度を４５０〜６００℃とし、反応室内に棒状電極によりプラズマを発生させつつＳｉＯ2膜を成膜する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法。」（【請求項２】）
(3-2)「ＴＥＯＳガス　５０SCCM、Ｏ2ガス　５００SCCM、Ｃｌ2ガス　５SCCM、電力　１００Ｗ、成膜温度　６００℃、圧力　０.０５Ｔｏｒｒ〜２.０Ｔｏｒｒ
　この条件で成膜した後５５０℃以上の温度で長時間アニールすることにより、より安定化したＳｉＯ2膜を得ることができる。なお、ＴＥＯＳガスやＯ2ガスのそれぞれの量を変えても同様な安定したＳｉＯ2膜を得ることができる。」（段落【0020】）
　　
甲第４号証（特開平２−９８９３２号公報）
(4-1)「減圧容器中にグロー放電領域を形成し、同容器中に有機シランと酸素ガスまたは非金属酸化物ガスを導入して基板上に酸化シリコン膜を形成する方法において、前記減圧容器に導入される有機シランと酸素ガスまたは非金属酸化物ガスとの混合ガスの珪素原子に対する酸素原子の成分比を１００以上とすることを特徴とする酸化シリコン膜の製造方法。」（第１頁左下欄、特許請求の範囲(1)）
(4-2)「酸化シリコン膜中にハイドロカーボン基が残存すると、酸化シリコン膜の屈折率が高くなる。」（第２頁左上欄第８〜１０行）
(4-3)「実施例１」において、「基板１を基板ヒーター６により温度３５０℃に加熱した。・・・そして、その酸化シリコン膜の膜厚が１０００オングストロームになった時点で上記ＲＦ電源３からの電力の給電を停止し、減圧容器１を真空に維持したまま、基板１の温度を室温まで冷却した後、同基板１を減圧容器１から取り出した。」（第３頁右上欄第２行〜左下欄第８行）
　　
(III-3)本件特許の出願日について
　特許異議申立人が、本件発明７〜１１に係る特許の出願日は第１出願の出願日である平成６年２月１８日に遡及せず、その出願日は第２出願が出願された平成１１年８月６日より前であることはあり得ないと主張する点につき、以下検討する。
（１）国内優先出願との関係について
　本件特許に係る国内優先出願の明細書及び図面には、本件発明７〜１１における混合雰囲気につき、「弗素を含むガス」を成分として含有することの記載は見当たらず、本件発明７〜１１の特定事項である「有機シラン、酸素及び弗素を含むガスを含む混合雰囲気」でプラズマを生じさせることの記載はないので、本件発明７〜１１に係る特許の出願日は、当該国内優先出願の出願日である平成５年２月１９日には遡及しない。
（２）第１出願との関係について
　本件特許に係る第１出願の出願当初の明細書には、「ゲイト絶縁膜として、エトキシ基を有する有機シランと、酸素と、弗素含有ガス（例えば、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6）とを含む混合ガスを材料ガスとするプラズマＣＶＤ法によって得られた酸化珪素を主成分とする膜を用いること」（段落【0007】）と記載のとおり、有機シラン、酸素及び弗素を含むガスを含む混合雰囲気が記載されている。また、同明細書には、酸化珪素を主成分とする膜について、「酸化珪素を主成分とする絶縁被膜を形成した後、２００〜６５０℃で熱処理することによってもフラットバンド電圧の変動を減少せしめることができた。この際には、アルゴンもしくは窒素等の酸素を有しない雰囲気で処理することが好ましかった」（段落【0012】）、及び「酸化珪素を主成分とする被膜形成後に２００〜６５０℃、好ましくは４５０〜６００℃で熱処理するとさらに良好な結果が得られた」（段落【0014】）と記載されて、酸化珪素を主成分とする膜の形成後に、酸素を有しない雰囲気で２００〜６５０℃の温度で熱処理することが記載されている。そして、同明細書には、その他請求項７〜１１に記載された特定事項の説明がなされていることが認められる。
　したがって、本件発明７〜１１に係る特許は、当該第１出願の出願当初の明細書について適法な分割出願をしたものと認められ、よってその出願日は、当該第１出願の出願日である平成６年２月１８日に遡及する。
　　
(III-4)対比・判断
　以下、本特許異議申立ての対象である本件発明７〜１１について判断する。
　なお、上記のとおり、本件発明７〜１１に係る特許の出願日は、第１出願の出願日である平成６年２月１８日に遡及するので、その後に頒布された甲第３号証（平成６年２月２５日公開）は、特許法２９条第１項第３号に規定する刊行物（書証）としては採用しない。
（１）本件発明７について
　本件発明７と、甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証には、ゲート絶縁膜を、塩素もしくは弗素のうちの少なくとも一方の元素を含むモノシラン誘導体ガスを用い、プラズマＣＶＤ法で形成した半導体装置の製造方法（摘記1-1）に係る発明が記載され、併せて、反応ガスとしてジクロロシラン及び酸素を導入し、酸化膜を成膜すること、ジクロロシランの代わりに、モノフルオロシラン、ジフルオロシラン、トリフルオロシラン、四弗化珪素等の弗素を含むモノシラン誘導体ガスを用いてもよいこと、また、モノシランとこれらのガスを混合して用いてもよいこと（摘記1-2）が記載され、また多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成することが示されている（摘記1-4）。そして、上記のジクロロシラン及びモノシラン誘導体ガスは、本件発明７における有機シランに該当し、上記のモノフルオロシラン、ジフルオロシラン、トリフルオロシラン、四弗化珪素等の弗素を含むモノシラン誘導体は、本件発明７における弗素を含むガスに該当する。
　してみれば、本件発明７は、甲第１号証に記載されたものと、“酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜に接する半導体膜を有する半導体装置の作製方法であって、有機シラン、酸素及び弗素を含むガスを含む混合雰囲気においてプラズマを生じさせて、酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法”、の点で一致し、一方、
（イ）本件発明７は、ゲイト絶縁膜の形成後に、“酸素を有しない雰囲気で、前記ゲイト絶縁膜および前記半導体膜を２００〜６５０℃の温度で熱処理する”ものであるのに対して、甲第１号証にはその記載が見あたらない点で、本件発明７は、甲第１号証に記載されたものと相違する。
　　
　そこで、この相違点（イ）について、以下検討する。
　特許異議申立人は、熱処理に係る当該相違点（イ）に関して、甲第１号証には、「その後の工程において、６００℃で数時間〜数十時間熱処理することが記載され」ていると主張している。しかし、特許異議申立人が上記引用する甲第１号証の記載個所は、イオン注入法でＢ、Ｐ等の不純物を打ち込んだ後、６００℃程度の低温で数時間〜数十時間熱処理するという、ソース・ドレイン領域の形成方法を記載したものであり（摘記1-3）、これを、本件発明７におけるゲイト絶縁膜形成後の熱処理を意味するということはできない。なおかつ、本件発明７における上記熱処理は、フラットバンド電圧の変動を減少せしめるという作用を有するものであるところ（段落【0012】）、甲第１号証には、当該作用についての開示も見当たらない。
　一方、甲第２号証には、ハロゲンガスを励起して行うハロゲン処理工程と、そのハロゲン処理後に、第２のガスを励起された第１のガスと反応させて反応生成物を基体上に付着せしめ、基体に光を照射する工程とを有することよりなる、プラズマと光を用いて成膜を行う薄膜形成方法（摘記2-1）が記載され、併せて、ハロゲン元素を含むガスとして、Ｆ2、ＨＦ、ＮＦ3、ＳＦ6などの弗素化合物を含むガス等が挙げられること（摘記2-2）、第１のガスとしては酸素原子を含むガス等が挙げられること（摘記2-3）、及び、第２のガスとしては、Ｓｉを含むＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のガスまたはＴＥＯＳ等の有機オキシシラン材料が挙げられること（摘記2-4）が記載されている。
　しかし、当該甲第２号証には、上記相違点（イ）に係る熱処理の記載は見当たらない。
　なおまた、甲第２号証に記載の薄膜形成方法は、薄膜形成の後半段階で、光の照射を必須とするものであるところ、そのような光の照射を特定事項としない本件発明７の半導体装置の作製方法とは、当該作製方法を構成する基本的な工程において相違している。また、特許異議申立人は、甲第２号証の一実施例について「反応容器内に弗素が残留していることは明らかである」と主張している。しかし、甲第２号証の発明は、「第１のガス」（酸素等）と「第２のガス」（モノシラン等）とを反応させるものであり（摘記2-1）、これらのガスと弗素とを反応させることの記載は見当たらない。そしてさらに、甲第２号証には、ゲイト絶縁膜の形成に寄与する弗素ガスが残留したとする記載も、また、残留した弗素ガスとともに、有機シラン及び酸素とで当該三成分よりなる混合雰囲気を形成し、その混合雰囲気中でプラズマ励起させてゲイト絶縁膜を形成したとする記載も見当たらない。
　一方、甲第４号証には、減圧容器中にグロー放電領域を形成し、同容器中に有機シランと酸素ガスまたは非金属酸化物ガスを導入して基板上に酸化シリコン膜を形成する方法において、前記減圧容器に導入される有機シランと酸素ガスまたは非金属酸化物ガスとの混合ガスの珪素原子に対する酸素原子の成分比を１００以上とする酸化シリコン膜の製造方法が記載され（摘記4-1）、酸化シリコン膜中にハイドロカーボン基が残存すると酸化シリコン膜の屈折率が高くなること（摘記4-2）、及び、基板を温度３５０℃に加熱し、酸化シリコン膜形成後に給電を停止し、減圧容器を真空に維持したまま、基板の温度を室温まで冷却し、減圧容器から取り出したこと（摘記4-3）が記載されている。
　特許異議申立人は、当該甲第４号証には、「真空中３００℃で保持することが記載されて」いると主張するが、甲第４号証には当該事項の記載は見当たらず、また、「有機シラン、酸素及び弗素を含むガスを含む混合雰囲気」でプラズマ処理した後の熱処理、及びそれによるフラットバンド電圧変動の減少を開示する記載も見当たらない。
　　
　以上のとおりであるから、不活性熱処理雰囲気等について記載した参考資料１及び２を参酌しても、上記相違点（イ）に係る構成は、本件発明７と甲第１号証に記載されたものとの実質的な相違点を構成するものであり、また、この点が周知であるとも、甲第１、２及び４号証の記載に基いて当業者が容易になし得たものであるとも、することはできない。またその他、甲第１、２及び４号証の記載を綜合して見ても、本件発明７は、これら甲号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　したがって、本件発明７は、甲第１号証に記載された発明とも、また、甲第１、２及び４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とも、いうことはできない。
　　
（２）本件発明８〜１１について
　本件発明８は「前記酸素を有しない雰囲気はアルゴン又は窒素雰囲気である」、本件発明９は「前記ゲイト絶縁膜は、炭素の濃度が５×１０19ｃｍ-3以下である」、本件発明１０は「前記有機シランはエトキシ基を有し、化学式Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｓｉ2Ｏ（ＯＣ2Ｈ5）6、Ｓｉ3Ｏ2（ＯＣ2Ｈ5）8、Ｓｉ4Ｏ3（ＯＣ2Ｈ5）10、Ｓｉ5Ｏ4（ＯＣ2Ｈ5）12で表される物質のいずれかである」、及び、本件発明１１は「前記酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜をガラス基板の上方に形成する」として、本件発明７またはその下位の発明をさらに限定した発明であるので、上記の「（１）本件発明７について」の欄で本件発明７について記載したと同様、これら本件発明８〜１１は、甲第１号証に記載された発明とも、また、甲第１、２及び４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とも、いうことはできない。
　なお、本件発明８〜１１のうち、本特許異議申立ての対象でない請求項１〜６を引用した発明の場合については、甲第１、２及び４号証の記載を見ても、甲第１号証に記載された発明とも、また、甲第１、２及び４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とも、いうことはできない。
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、本特許異議申立てに係る請求項７〜１１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項７〜１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１１月１０日（２００４．１１．１０）