【事件の表示】
　平成　９年特許願第１３３４１２号「半導体素子の電極形成方法」拒絶査定に対する審判事件［優先権主張１９９６年７月３１日（大韓民国）、平成１０年　５月１５日出願公開、特開平１０−１２５９１９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成９年５月２３日（パリ条約による優先権主張１９９６年７月３１日、大韓民国）の出願であって、その請求項１及び２に係る発明は、平成１１年８月１２日付け及び平成１２年１月１７日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、特許請求の範囲請求項１及び２に記載されたとおりのものと認める。
　そして、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
「半導体基板上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上にタングステンシリサイド層を形成するステップと、前記タングステンシリサイド層の全面に不純物イオンを注入して前記タングステンシリサイド層の下部に不純物領域を形成するステップと、前記タングステンシリサイド層の形成された基板を熱処理してタングステンシリサイド層の下部にポリシリコン層を形成するステップとを備えることを特徴とする半導体素子の電極形成方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．先願明細書記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、本願の優先権主張の日後に出願公開された特願平７−２５３８２８号（特開平９−９７７７１号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、公開公報の掲載箇所で示すと、
「【０００９】
　図１は、本発明製造方法の主要な工程での、ゲート部を横切るゲート幅方向の断面図を示す。…この素子分離絶縁層２が形成されていない素子形成領域に、Ｓｉ基板１の表面を熱酸化してなるＳｉＯ２ゲート絶縁膜３が形成される。そして、このＳｉ半導体基板１上に全面的に多結晶Ｓｉによる多結晶半導体層４を、ＣＶＤ（化学的気相成長）法によって形成する。」（公報第２頁第２欄第４５行〜第３頁第３欄第３行）、
「【００２４】
（実施例３）
　この実施例においても、図１で説明した工程をとるが、図１Ａの多結晶半導体層４として、不純物がドープされない真性のＳｉ多結晶層を、７０ｎｍの厚さにＣＶＤ法によって成膜した。
【００２５】
　そして、これの上に、高融点シリサイド層５としてＷＳｉＸ（ｘ＝２．５〜２．６）を、３７０ｎｍの厚さにＣＶＤ法によって成膜した。
…
【００２６】
　その後の図１ＢのＷＳｉＸ高融点シリサイド層５アモルファス化を、ｐ型不純物のＢ（ボロン）のイオン注入によって行った。
　このイオン注入条件は、
　　　　注入エネルギー：３０［ＫｅＶ］
　　　　　　　ドーズ量：１×１０１５／ｃｍ２【００２７】
　その後の図１ＣのＷＳｉＸ層の再結晶化のアニール処理は、８５０℃で３０分間行った。
　このようにして再結晶化された高融点シリサイド層すなわちＷＳｉＸ層は、その再結晶化過程で、過剰Ｓｉが、ＷＳｉＸによる高融点シリサイド層５と多結晶Ｓｉ半導体層４との界面で析出し、ＷＳｉＸ層中の粒界での析出が抑制され、低抵抗化が得られた。また、同時に高融点シリサイド層５下のＳｉ多結晶半導体層４中に不純物のドーピングがなされて多結晶半導体層４の低抵抗化がはかられた。」（公報第４頁第５欄第１０行〜第５欄第３８行）、
「【００２９】
　また、上述の実施例においては、ＷＳｉ高融点シリサイド層５下に多結晶半導体層４の形成がなされた２層構造とした場合であるが、…多結晶半導体層４が形成されない高融点シリサイド層５の単層構造の導電層とした場合等において、本発明を適用して同様の効果を得ることができる。」（公報第４頁第６欄第７行〜第６欄第１３行）
が第１図Ａ、Ｂと共に記載されている。
　【００２９】欄によれば、先願明細書には、「ＷＳｉ高融点シリサイド層５下に多結晶半導体層４の形成がなされた２層構造」の代わりに「多結晶半導体層が形成されない高融点シリサイド層５の単層構造の導電層」を適用することにより、「２層構造」と同様の効果が得られることから、「高融点シリサイド層の単層構造の導電体層」が示されている。
　【００２６】欄における、ｐ型不純物のＢのイオン注入は、図１Ｂの記載を参照すると、ＷＳｉＸ層高融点シリサイド層の全面にイオン注入をしていることが示されている。
　してみると、先願明細書には、次の発明が示されている。
「Ｓｉ基板の表面を熱酸化してなるＳｉＯ２ゲート絶縁膜上に、高融点シリサイド層５の単層構造の導電層であるＷＳｉＸを形成した後、ＷＳｉＸの高融点シリサイド層の全面にｐ型不純物のＢのイオン注入によって行い、その後、ＷＳｉＸの再結晶化のアニール処理を行って、その再結晶化過程で、過剰Ｓｉを析出した、半導体素子の電極形成方法。」（以下、「先願発明」という。）が記載されていると認める。
　
３．対比
　本願発明と、先願発明とを対比する。
　先願発明の文言のうち、「Ｓｉ基板」、「ＳｉＯ２ゲート絶縁膜」、「ＷＳｉＸ」、「Ｂのイオン」及び「アニール処理」は、それぞれ本願発明の「半導体基板」、「絶縁層」、「タングステンシリサイド層」、「不純物イオン」及び「熱処理」に対応する
　よって、両者の一致点及び一応の相違点は、次のとおりである。
　「半導体基板上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上にタングステンシリサイド層を形成するステップと、前記タングステンシリサイド層の全面に不純物イオンを注入するステップと、前記タングステンシリサイド層に不純物領域を形成するステップと、前記タングステンシリサイド層の形成された基板を熱処理してタングステンシリサイド層にシリコン層を形成するステップとを備えることを特徴とする半導体素子の電極形成方法。」である点。
　（１）本願発明では、「タングステンシリサイド層の下部に不純物領域を形成」しているのに対し、先願発明では、タングステンシリサイド層に形成する不純物領域の位置に関する記載はない点。
　（２）本願発明では、「タングステンシリサイド層の下部にポリシリコン層を形成する」のに対し、先願発明では、タングステンシリサイド層のどの部分にシリコンが析出しているかどうか、析出したものがポリシリコンであるかどうかに関する記載がない点。
　
４．当審の判断
　まず、上記相違点（１）について検討する。
　本件出願において、「タングステンシリサイド層の下部に不純物領域を形成」するために、発明の詳細な説明の【０００５】及び【０００６】において、「【発明の実施の形態】…　　図２ａに示したようにフィールド絶縁膜１０により活性領域が区画されたシリコン基板１１上に第１酸化膜１２及びタングステンシリサイド層１３を順次に形成する。第１酸化膜１２は熱酸化方式で約８０Åの厚さに成長させる。そして、タングステンシリサイド層１３はＳｉＨ２Ｃｌ２とＷＦ６をソースガスにしたＷＳｉｘ（２．０＜Ｘ＜３．０）をＣＶＤで約１４００〜１６００Åの厚さに堆積する。
【０００６】
　　図２ｂに示したようにタングステンシリサイド層１３の全面に不純物イオンを注入してタングステンシリサイド層１３の下部に不純物領域を形成する。この不純物イオンはＮ導電型不純物とＰ導電型不純物のうちいずれか一つにする。すなわち、不純物イオンはＢＦ２＋、Ｂ＋、Ｐ＋、Ａｓ＋のうちいずれか一つにする。また、不純物イオン注入時ドーズ量は５×１０１５ｃｍ−２にし、エネルギーは１５ＫｅＶにする。
　　図２ｃに示したようにタングステンシリサイド層１３の形成された基板１１を約８５０℃〜９５０℃の温度に約３０分間熱処理する。そして、熱処理の雰囲気はＮ２、ＮＨ３、Ｏ３の雰囲気のうちいずれか一つにする。このように熱処理を施せば、タングステンシリサイド層１３内に含有されたシリコン原子はシリコン基板１１に近いタングステンシリサイド層１３の下部に拡散移動することになる。
　　タングステンシリサイド層１３の下部は既に不純物でドーピングされているので、拡散移動されたシリコン原子によりドープされたポリシリコン層１４として形成される。すなわち、タングステンシリサイド層１３を熱処理すれば約１２００Åの厚さを有するタングステンシリサイド層１３と約２００〜３００Åの厚さを有するポリシリコン層１４が形成される。」と記載されている。
　即ち、本件出願では、約１４００〜１６００Å（約１４０〜１６０ｎｍ）の厚さのタングステンシリサイド層１３に対して、エネルギー１５ＫｅＶで打ち込むと、タングステンシリサイド層の下部に不純物領域が形成されると記載されている。
　先願明細書において、【００２５】欄、【００２６】欄には、厚さ３７０ｎｍのタングステンシリサイド層に注入エネルギー３０ＫｅＶのＢをイオン注入していることが示されているが、エネルギーレベルが本件出願の２倍の大きさを有しており、これは先願発明のタングステンシリサイド層に対して、本件出願のタングステンシリサイド層のほぼ２倍の深さに不純物領域が形成されると見ることが相当であり、してみると先願発明のタングステンシリサイド層の膜厚（３７０ｎｍ）に対して、少なくとも下部に不純物層を形成するに十分な注入エネルギーのレベルであるため、先願発明においても「タングステンシリサイド層の下部に不純物領域を形成」しているものと認められる。
　そうすると、この相違点は実質的には、同じことであり、相違点とならない。
　次に、上記相違点（２）について検討する。
　上記相違点（１）で検討したように、本件出願において「熱処理を施せば、タングステンシリサイド層１３内に含有されたシリコン原子はシリコン基板１１に近いタングステンシリサイド層１３の下部に拡散移動することになる。」とされ、該熱処理は、「タングステンシリサイド層１３の形成された基板１１を約８５０℃〜９５０℃の温度に約３０分間熱処理する。そして、熱処理の雰囲気はＮ２、ＮＨ３、Ｏ３（Ｏ２の誤記）の雰囲気のうちいずれか一つにする。」とされる。こうすると、「約１２００Åの厚さを有するタングステンシリサイド層１３と約２００〜３００Åの厚さを有するポリシリコン層１４が形成される。」とされる。
　先願発明においても、析出されたシリコンはタングステンシリサイドの再結晶化による熱処理によって形成されたものであり、先願明細書【００２７】において、「その後の図１ＣのＷＳｉＸ層の再結晶化のアニール処理は、８５０℃で３０分間行った。　このようにして再結晶化された高融点シリサイド層すなわちＷＳｉＸ層は、その再結晶化過程で、過剰Ｓｉが、ＷＳｉＸによる高融点シリサイド層５と多結晶Ｓｉ半導体層４との界面で析出し、ＷＳｉＸ層中の粒界での析出が抑制され、低抵抗化が得られた。」と記載され、多結晶Ｓｉ半導体層４がない場合でも、過剰Ｓｉが、ＷＳｉＸによる高融点シリサイド層５の下部に析出しないとはいえない。そして多結晶Ｓｉ半導体層４がない場合でも、「ＷＳｉＸ層の再結晶化のアニール処理は、８５０℃で３０分間行った。」と見ることが相当であり、この条件は本願発明と同様な条件である。してみると、タングステンシリサイドの再結晶化の意味から考えれば、本件出願で析出されるシリコンはタングステンシリサイド層の下部に形成されのであるから、先願発明においても析出されるシリコンはタングステンシリサイド層の下部に形成されていると認められる。
　また、この析出されたシリコンの結晶性について論じると、析出とは固溶体中で過剰に溶けている原子が固溶体から分かれて新しく安定もしくは準安定な固相を作る現象であって、ある程度の結晶性を有することを意味するが、必ずしも単結晶という状態ではないので、析出された先願発明のシリコンは本願発明と同様な熱処理条件で析出したものであるから、ポリシリコンであると認められる。
　すると、この相違点（２）も実質的には、同じことであり、相違点とならない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、先願明細書に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。したがって、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。