【事件の表示】
　特願２００７−１５３２９３「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月１８日出願公開、特開２００８−３０６０７１、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
　本願は、平成１９年　６月　８日の出願であって、平成２４年　４月２５日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年　７月　５日付けで手続補正がされ、平成２４年　９月２５日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年１２月　３日付けで手続補正がされ、平成２５年　２月２７日付けで補正の却下の決定および拒絶査定がされ、これに対し、平成２５年　６月　４日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がされたものである。
　そして、当審において、平成２５年　８月２１日付けで審査官により作成された前置報告書について、平成２５年　９月２５日付けで審尋を行ったところ、審判請求人は平成２５年１２月　２日付けで回答書を提出した。
　
第２　平成２５年　６月　４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否 
１．補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】
　半導体素子を搭載するための位置マークが設けられた支持基板上に、平坦面を上にして透明基板を配置する工程と、
　前記透明基板上に剥離材料を設ける工程と、
　前記剥離材料上に接着層を形成する工程と、
　前記支持基板上の前記位置マークを基準として、前記接着層上に電極端子が設けられた面を上にして前記半導体素子を搭載する工程と、
　前記半導体素子搭載後に前記支持基板を除去する工程と、
　前記半導体素子の前記電極端子が設けられた面及び側面を封止し前記半導体素子の前記電極端子が設けられた面の反対側の面と平行かつ同一平面をなすように、前記接着層上に絶縁層を形成する工程と、
　前記半導体素子の前記電極端子と電気的に接続された１又は複数層の配線層を形成する工程と、
　前記透明基板と前記剥離材料とを硬化した前記接着層から剥離し、前記接着層を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
　前記透明基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
　前記剥離材料は、光硬化性材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。」
と補正するものである。
　
２．補正の適否 
　本件補正は、平成２４年　７月　５日付けの手続補正書の請求項１（以下、該手続補正書の請求項を「旧請求項」という）を削除するとともに、旧請求項２を繰り上げて補正後の請求項１とし、また、当該請求項１において、旧請求項４の限定事項を追加するとともに、当該追加に関連する記載変更をし、旧請求項４を削除するとともに、旧請求項３、５を繰り上げて補正後の請求項２、３とするものである。また、補正前の請求項に記載された発明と補正後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「補正発明１」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
　
（１）刊行物の記載事項 
　
（１−１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−２４４２８１号公報（以下、「引用例１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」に関する発明が開示されており、そこには、図面とともに次の事項が記載されている。 
　
・「【請求項１４】 回路パターン状にバンプ搭載用の中間電極が設けられているウェハを粘着シートに貼着し、前記ウェハをダイシングしてチップ単位に個片化し、前記粘着シート上のチップ間に隙間を形成し、前記チップ間の隙間及び中間電極の搭載面を樹脂で被覆して硬化させ、前記樹脂の硬化により一体化されたウェハ状のチップ群の表面を前記中間電極が露出するまで研削し、前記チップ間の前記樹脂を分離位置に定めてダイシングすることにより前記各チップを分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】 前記中間電極を露出するまで研削するステップは、前記研削後の前記中間電極の表面に複数のバンプを実装するステップを含むことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】 前記各チップを分離するステップは、分離された前記中間電極の表面に複数のバンプを実装するステップを含むことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】 前記中間電極を露出するまで研削するステップは、前記ウェハ状のチップ群の裏面を樹脂で被覆するステップを含むことを特徴とする請求項１４，１５又は１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】 前記ウェハを前記粘着シートに貼着するステップは、その前のステップとして前記ウェハの裏面に樹脂を被覆するステップを有することを特徴とする請求項１４，１５又は１６記載の半導体装置の製造方法。」
　
　そうすると、引用例１には、
「回路パターン状にバンプ搭載用の中間電極が設けられているウェハの裏面に樹脂を被覆するステップ、該ウエハを粘着シートに貼着し、前記ウェハをダイシングしてチップ単位に個片化し、前記粘着シート上のチップ間に隙間を形成し、前記チップ間の隙間及び中間電極の搭載面を樹脂で被覆して硬化させ、前記樹脂の硬化により一体化されたウェハ状のチップ群の表面を前記中間電極が露出するまで研削し、前記チップ間の前記樹脂を分離位置に定めてダイシングすることにより前記各チップを分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２）対比 
　補正発明１と引用発明とを対比すると、いずれも「半導体装置の製造方法」である点で共通するものの、補正発明１が「半導体素子を搭載するための位置マークが設けられた支持基板上に、平坦面を上にして透明基板を配置する工程と、前記透明基板上に剥離材料を設ける工程と、前記剥離材料上に接着層を形成する工程と、前記支持基板上の前記位置マークを基準として、前記接着層上に電極端子が設けられた面を上にして前記半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子搭載後に前記支持基板を除去する工程と、前記半導体素子の前記電極端子が設けられた面及び側面を封止し前記半導体素子の前記電極端子が設けられた面の反対側の面と平行かつ同一平面をなすように、前記接着層上に絶縁層を形成する工程と、前記半導体素子の前記電極端子と電気的に接続された１又は複数層の配線層を形成する工程と、前記透明基板と前記剥離材料とを硬化した前記接着層から剥離し、前記接着層を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」であるのに対し、引用発明は、「回路パターン状にバンプ搭載用の中間電極が設けられているウェハの裏面に樹脂を被覆するステップ、該ウエハを粘着シートに貼着し、前記ウェハをダイシングしてチップ単位に個片化し、前記粘着シート上のチップ間に隙間を形成し、前記チップ間の隙間及び中間電極の搭載面を樹脂で被覆して硬化させ、前記樹脂の硬化により一体化されたウェハ状のチップ群の表面を前記中間電極が露出するまで研削し、前記チップ間の前記樹脂を分離位置に定めてダイシングすることにより前記各チップを分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で相違する。
　
（３）判断 
　該相違点について検討すると、引用例１には、「半導体素子を搭載するための位置マークが設けられた支持基板上に、平坦面を上にして透明基板を配置する工程と、前記透明基板上に剥離材料を設ける工程と、前記剥離材料上に接着層を形成する工程と、前記支持基板上の前記位置マークを基準として、前記接着層上に電極端子が設けられた面を上にして前記半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子搭載後に前記支持基板を除去する工程」を備え、該透明基板を基板とすることについて、なんら開示も示唆もされていないので、該補正発明１は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。また、他に適切な引用例も発見できない。
　
（４）本件補正後の請求項２、３に係る発明について 
　
　また、本件補正後の請求項２、３に係る発明は、補正発明１の発明特定事項に加えてさらなる発明特定事項を追加して限定を付したものであるから、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　
３．むすび 
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　
第３　本願発明 
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１〜３に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。