【事件の表示】
　平成　２年特許願第　９７６５９号「磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年１２月２７日出願公開、特開平　３−２９６９０７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成２年４月１６日の出願であって、その発明は平成１３年３月１２日付け手続補正によって補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載される以下のとおりのものである。
「誘導型記録ヘッドを構成する磁極を、収束イオンビームエッチング加工することにより前記磁極のトラック幅方向の幅を所定の記録トラック幅に規定することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。」（以後、「本願発明」と称す。）
II．刊行物に記載の発明
　これに対し、当審で拒絶の理由として引用した特開昭５９−１６１１５号公報（以後、「刊行物１」と称す。）には、薄膜磁気ヘッドに関し、
「磁性基板上に導電層および上部磁性層を形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁性基板の磁気記録媒体摺動面の記録トラック部以外の部分の少なくとも一部を除去したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」（特許請求の範囲第１項参照）、　　
「このような構造の薄膜磁気ヘッドにあっては導電層３を流れる電流により、磁性基板１および上部磁性層４を循環する磁界が生じ、ギャップ部７に記録磁界が発生する。」（公報第２頁左上欄第２９行〜同右上欄同２行参照）、
「第２図は本発明の一実施例を説明するもので、図中、第１図と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する。
　本実施例にあっては基板１の磁気記録媒体摺動面６側に記録トラック部分のみを残すようにして除去部分である溝９が形成されている。これら溝９は導電層３の先端部近傍に達する程度の深さをもって形成されている。
　このような構造を持つ基板１の制作は第３図に示すようにして行われる。
　即ち、第３図に示すように、基板１の磁気記録媒体摺動面側にダイシングソー、ワイヤーソー、イオンミーリング、ドライエッチングなどの手段により、溝９を形成し、その側面１ａ側に、前述した絶縁層２や、導電層３および上部磁性層４を形成する。そして、保護板５を接着した後、さらに磁気記録媒体摺動面を研削、研磨して仕上げる。溝９，９間で残された部分の幅Ｗはトラック幅の１．１〜１．５倍程度に設定するのがよい。」（公報第２頁左下欄第１２行〜同右下欄同１２行参照）の記載があり、第２、３図を参照しつつ、総合すると、刊行物１には、
「薄膜磁気ヘッドの磁性基板１、ギャップ部７、上部磁性層４で構成する磁気記録媒体摺動面にイオンミーリング、ドライエッチングなどの手段により、溝９，９を形成し、溝９，９間に残された部分の幅Ｗをトラック幅の１．１〜１．５倍程度に設定する磁気ヘッドの製造方法。」
の発明が記載されていると認められる。
III．対比
　そこで、刊行物１に記載の発明と本願発明とを対比すると、刊行物１に記載の発明の「磁性基板１」、「上部磁性層４」は「導電層３」、「ギャップ部４」とともに「薄膜磁気ヘッド」を構成し、「導電層３」を流れる電流により「磁性基板１」、「上部磁性層４」を循環する記録磁界を発生するので、「薄膜磁気ヘッド」、「磁性基板１」および「上部磁性層４」は、それぞれ、本願発明の「誘導型記録ヘッド」、「磁極」に相当し、刊行物１に記載の発明の「イオンミーリング、ドライエッチングなどの手段」と本願発明の「収束イオンビームエッチング」とは「エッチング」で共通していることから、両者は、
「誘導型記録ヘッドを構成する磁極を、エッチング加工することにより前記磁極のトラック幅方向の幅を所定の幅に規定することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。」
で一致し、
相違点１：
　本願発明の「所定の幅」が「記録トラック幅」であるのに対し、刊行物１に記載の発明では「記録トラック幅の１．１〜１．５倍程度」である。
相違点２：
　本願発明の「エッチング加工」が「収束イオンビームエッチング加工」であるのに対し、刊行物１に記載の発明では「イオンミーリング、ドライエッチング加工」である。
の２点で相違する。　
IV．判断
　上記２つの相違点について更に詳細に検討する。
（相違点１について）
　刊行物１には第３頁左上欄第３頁第３〜１４行に、従来は磁性基板１の幅が磁極となる上部磁性層４より大きく、ギャップを渡る記録磁界が広がって発生効率が悪かったのが、磁性基板１の上部磁性層４に対応する部分の幅を限定することによって記録磁界の集中度が増大し、発生効率が高く成る旨の記載があり、磁性基板の幅が狭いほど記録磁界の集中度が増大し、磁界の発生効率が高くなることを示しており、一方で記録ヘッドである以上磁極の幅は定められた記録トラックの幅より小さくできない（ギャップからエッジ効果により横に漏洩する磁界を使えるが、通常はこの漏洩磁界は記録に悪影響を与えるとして、消去ヘッドの消去磁界以外には使われない）。
　また、やはり当審で拒絶の理由として刊行物１と同時に引用した特開昭５２−１４４１０号公報（以後、「刊行物２」と称す。）に、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面において磁性層の両側の端部を化学エッチング、イオン・ミリング等の周知の方法により削除整形し、トラック巾を与える寸法とその位置を精度よく形成する（公報第２頁左下欄第５〜１１行参照）ことが記載されて、「磁極のトラック幅方向の幅を所定の記録トラック幅に規定する」ことが公知の技術であることを示しており、この刊行物２の技術思想を刊行物１に記載の発明に適用して磁極の幅を所定の記録トラック幅に変更する程度のことは、技術分野の共通性や先に示した記録ヘッドに要求される特性等から当業者なら当然想到されることである。
（相違点２について）
　当審が刊行物１，２と同時に拒絶の理由として引用した特開昭５８−１６４１３５号公報（以後、「刊行物３」と称す。）、特開昭６０−１２６８３４号公報（以後、「刊行物４」と称す。）にも記載されるように、収束イオンビームエッチングは半導体集積回路の製造等の微細加工を高品質にかつ迅速に行う（刊行物３の第２頁左上欄第４〜８行参照）ことのできる加工技術として良く知られた技術で、薄膜磁気ヘッド等の微小な製品を高精度、迅速に加工するために、この収束イオンビームエッチング加工技術を援用することは、薄膜磁気ヘッドの加工技術の歴史が半導体集積回路製造技術の応用であったことを考慮すれば当然に想到される。
  従って、これらの相違点はいずれも格別のものでなく、従来技術を考慮することにより容易に解消する程度のものに過ぎない。
　これに対して、請求人は、平成１３年３月１２日付けの意見書中で、『半導体の分野における「収束イオンビームエッチング」の加工目的は「故障解析の差異の極薄断面試料の形成や形態観察」あるいは「Ｗ膜での部分的な配線の形成」等、いわゆる「故障解析やプロセス・モニタリング」で製造手段としては余り利用されておらず、本願出願時において「半導体集積回路製造技術」としては必ずしも周知とは言えない』と主張するが、刊行物３の第１頁右下欄第９〜１０行には、「この発明は収束イオンビームを用いた半導体加工装置に関する。」と明記され、特開昭５８−１０６７５０号公報、特開昭５８−２２３２４８号公報、特開昭５９−８３８号公報、特開昭６１−２７６６１号公報等にも半導体集積回路製造技術として収束イオンビームエッチングが用いられていることを示している。
　さらに、本願出願時点で、磁気記録分野にも収束イオンビームエッチングが加工技術として導入（特開昭６３−１１９０３９号公報等参照）されていて、現に請求人自身も、本願出願前に薄膜磁気ヘッドの製造方法として、収束イオンビームを用いて、磁気ヘッドの先端部をテーパ加工し、ギャップ材をエッチング加工する技術を出願（特願昭６１−１５１６６７号、特開昭６３−９００８号公報参照）していることからも明らかである。
　以上の如く、本願出願時点において収束イオンビームエッチングは、半導体集積回路製造技術として周知であるばかりでなく、磁気記録技術の分野でもすでに良く知られたものであることから、請求人の主張は失当である。
V．結び
　以上より、本願発明は引用した刊行物１〜４に記載の発明および本願出願時点の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたもので、特許法第２９条第２項の規定により特許を透けることが出来ない。
　よって、結論のとおり審決する。