【事件の表示】
　平成　４年特許願第　４４１１９号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　９月２１日出願公開、特開平　５−２４３２１８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成４年２月２８日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１０年４月２７日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「半導体基板の表面に拡散層を選択的に形成する工程と、この基板表面上に絶縁膜を形成した後、前記拡散層に整合する位置の前記絶縁膜を選択的に除去してコンタクト孔を形成する工程と、このコンタクト孔を介して前記拡散層に接続されるストレージノード電極（「ストージノード電極」は「ストレージノード電極」の誤記と認める。）を成膜及びエッチングにより選択的に形成する工程と、前記ストレージノード電極の表面の表面層を３弗化塩素ガスで除去する工程と、前記ストレージノード電極の上に容量絶縁膜を形成する工程と、この容量絶縁膜上にプレート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平２−２９００５０号公報（以下、「引用例４」という）には、
「まず、第１の方法は第２図を用いて説明される。第１の方法はシリコン基板表面に形成された自然酸化膜などを気相エッチングを用いて除去する方法である。・・・次に、第２反応炉２０ｂに接続されたガス導入管２３から炉内へフッ化水素（ＨＦ）の蒸気を導入する。そして、シリコン基板１表面に形成された自然酸化膜をエッチング除去する。」（第４頁左下欄第１１行〜右下欄第９行）、
「次に、本発明の好ましい他の実施例を第５図に示す。第５図は、いわゆるスタックトキャパシタを有するＤＲＡＭの断面構造図である。ＤＲＡＭのメモリセル３１は１つのＭＯＳトランジスタ３２とキャパシタ３３とから構成される。ＭＯＳトランジスタ３２は、ｐ型シリコン基板１中に形成された１対のｎ型拡散層２ａ、２ｂと、ｐ型シリコン基板１表面上に形成されたゲート酸化膜３およびゲート電極４から構成される。キャパシタ３３はポリシリコンからなる下部電極層（ストレージノード）３４と、下部電極層３４上に積層されたシリコン窒化膜からなる誘電体膜３５と、さらにその上に積層された上部電極（セルプレート）３６とから構成される。
　このＤＲＡＭのキャパシタ３３に対して、本発明が下部電極３４上の誘電体膜３５の形成方法およびその構造に適用される。すなわち、ポリシリコンからなる下部電極３４の表面上に自然酸化膜（シリコン酸化膜）が生じる場合には、前記の従来例と同様にキャパシタ容量の低下が生じる。したがって、この自然酸化膜などの存在を除去することによりキャパシタ３３の容量を増加することができる。」（第６頁左上欄第６行〜右上欄第８行）が、第２図、第５図と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、
「ｐ型シリコン基板１中に形成されたｎ型拡散層２ｂと、ｐ型シリコン基板１表面上に形成されたゲート酸化膜３、および、ポリシリコンからなる下部電極層（ストレージノード）３４と、下部電極層３４上に積層されたシリコン窒化膜からなる誘電体膜３５と、さらにその上に積層された上部電極（セルプレート）３６とから構成された半導体装置において、
　ポリシリコンからなる下部電極３４の表面上に自然酸化膜（シリコン酸化膜）が生じる場合には、この自然酸化膜などの存在を除去することによりキャパシタ３３の容量を増加することができること。
および、シリコン基板表面に形成された自然酸化膜などを気相エッチングを用いて除去する方法として、フッ化水素（ＨＦ）の蒸気を導入して自然酸化膜をエッチング除去する方法。」が記載されているものと認められる。
　
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平３−１１６７２７号公報（以下、「引用例１」という）には、
「（１）表面に酸化膜の形成された半導体基板（１）をふっ素原子を含むガス中に曝したのち、還元性ガス中或いは不活性ガス中或いは真空中でアニールすることにより、該酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）、
「なお、シリコン基板をふっ素ガス処理を行うガスとして、ふっ化水素（ＨＦ）、３ふっ化塩素（ＣｌＦ３）・・・を用いることもできる。」（第３頁右下欄第９〜１３行）と記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、
「ふっ化水素（ＨＦ）、３ふっ化塩素（ＣｌＦ３）を用いて、酸化膜を除去する方法。」が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例４記載の発明とを対比すると、本願第１発明の「容量絶縁膜」、「プレート電極」は、それぞれ引用例４に記載された発明の「シリコン窒化膜からなる誘電値膜３５」、「上部電極（セルプレート）３６」に相当する。
　また、本願第１発明の「表面層」は、「主として自然酸化膜から構成されている」（本願明細書【００１１】）のであるから、引用例４に記載された発明の「自然酸化膜」に相当するといえる。
　さらに、引用例４に記載された発明においても、第５図を参酌すれば、基板表面上に絶縁膜を形成した後、前記拡散層に整合する位置の前記絶縁膜を選択的に除去してコンタクト孔を形成していることは明らかであり、また、引用例４に記載された発明においても、ストレージノード電極を成膜及びエッチングにより選択的に形成しているといえる。
　そして、本願第１発明の３弗化塩素と、引用例４に記載された発明のフッ化水素は弗素系ガスである点で共通する。
　従って、本願第１発明と引用例４に記載された発明は、「半導体基板の表面に拡散層を選択的に形成する工程と、この基板表面上に絶縁膜を形成した後、前記拡散層に整合する位置の前記絶縁膜を選択的に除去してコンタクト孔を形成する工程と、このコンタクト孔を介して前記拡散層に接続されるストレージノード電極を成膜及びエッチングにより選択的に形成する工程と、前記ストレージノード電極の表面の表面層を弗素系ガスで除去する工程と、前記ストレージノード電極の上に容量絶縁膜を形成する工程と、この容量絶縁膜上にプレート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、弗素系ガスが、本願第１発明では３弗化塩素ガスであるのに対して、引用例４に記載された発明ではフッ化水素（ＨＦ）である点において相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１によれば、酸化膜を除去する弗素系ガスとして、フッ化水素と同様に３ふっ化塩素が使用されることがわかる。
　してみれば、引用例４に記載された発明において、フッ化水素に代えて３弗化塩素ガスを使用することは当業者が容易になし得たことであると認められる。
　したがって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願第１発明は、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　なお、請求人は、審判請求理由補充書において、「引用例４には、・・・プラズマによるダメージ層及び汚染物質を除去する必要があるという課題の認識自体が全く見られません。」というが、本願請求項１には、プラズマ工程は規定されていないから、「プラズマによるダメージ層及び汚染物質の除去」という課題は、請求項１に記載された発明の課題であるということはできない。従って、請求人の前記主張は前提を欠き失当である。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例４及び引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。