【事件の表示】
　特許第３２９２４５２号「エポキシ樹脂組成物及び半導体装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２９２４５２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３２９２４５２号（以下「本件特許」という。）は、平成９年８月６日（優先日：平成９年６月１１日）に特許出願され、平成１４年３月２９日に請求項１〜４に係る発明につき特許権の設定登録がなされ、その後、平成１４年１２月１６日に特許異議申立人：荒井純子より、また、同年１２月１７日に特許異議申立人：東郷高子より、それぞれその請求項１〜４に係る特許について特許異議の申立がなされ、平成１５年６月２７日付けで特許取消理由が通知され、これに対して、平成１５年９月１日付けで特許権者より特許異議意見書及び訂正請求書が提出され、平成１６年６月７日付けで各特許異議申立人に対して審尋がなされ、これに対して平成１６年８月１０日付けで特許異議申立人：荒井純子より、また同年８月１２日付けで特許異議申立人：東郷高子より回答書が提出されたものである。
　　
ＩＩ．訂正の適否について
　上記平成１５年９月１日付けの訂正請求書による訂正は、以下のとおりである。
(II-1)訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　特許請求の範囲を次のとおりに訂正する。
「【請求項１】基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み、かつ融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に１０〜８０重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に２０重量％以上含むフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）溶融シリカ粉末からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
　　
　式（１）〜（３）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
【請求項２】前記Ａ成分のエポキシ樹脂が、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み、融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（４）〜（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
式（４）〜（８）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
【請求項３】前記融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（５）、（６）及び（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
式（５）、（６）及び（８）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
【請求項４】基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項１、２又は３記載のエポキシ樹脂組成物によって封止されていることを特徴とする半導体装置。」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
(b-1)明細書段落【0009】「即ち本発明は、・・・半導体装置である。」を次のとおり訂正する。
「即ち本発明は、基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み、かつ融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に１０〜８０重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に２０重量％以上含むフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）溶融シリカ粉末からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、また、前記Ａ成分のエポキシ樹脂が、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み、融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（４）〜（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である半導体封止用エポキシ樹脂組成物、また、前記融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（５）、（６）及び（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって封止された半導体装置である。」
(b-2)段落【0010】の【化７】を【化１０】と、段落【0011】の【化８】を【化１１】と、段落【0012】の【化９】を【化１２】と、段落【0013】の【化１０】を【化１３】と、段落【0014】の【化１１】を【化１４】と、段落【0015】の【化１２】を【化１５】と、段落【0018】の【化１３】を【化１６】と、段落【0020】の【化１４】を【化１７】と、段落【0023】の【化１５】 を【化１８】と、段落【0024】の【化１６】を【化１９】と、段落【0025】の【化１７】を【化２０】と、段落【0029】の【化１８】を【化２１】と、段落【0036】の【化１９】を【化２２】と、段落【0037】の【化２０】を【化２３】と、段落【0038】の【化２１】を【化２４】と、段落【0039】の【化２２】を【化２５】と、段落【0040】の【化２３】を【化２６】と、段落【0041】の【化２４】を【化２７】と、それぞれ訂正する。
　　
（II-2）訂正の適否について
　訂正事項ａの請求項１についての訂正は、訂正前の請求項１のエポキシ樹脂組成物を「基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるもの」に減縮する訂正であり、訂正事項ａの請求項２についての訂正は、訂正前の請求項２のＡ成分について、「（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み」なる特定事項を、「前記Ａ成分のエポキシ樹脂が、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み」と減縮する訂正であり、訂正事項ａの請求項３についての訂正は、訂正前の請求項１のエポキシ樹脂組成物を「基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるもの」に減縮するとともに、訂正前の請求項１のＡ成分のうち、「融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂」を、「融点が５０〜１５０℃にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（５）、（６）及び（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂」と減縮するとともに、結果的に訂正前の請求項３を削除する訂正である。また、これらの訂正に伴い、訂正後の請求項１、２又は３を引用した訂正後の請求項４は、訂正前の請求項４を減縮したものに該当する。よって、上記特許請求の範囲についての上記各訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項ｂは、上記訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との関係を明瞭にするため（b-1）、また、段落番号を揃えるため（b-2）の訂正であって、いずれも明りょうでない記載の釈明を目的としたものに該当する。
　そして本訂正は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものということはできない。
　したがって、本訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、本訂正を認める。
　　
ＩＩＩ．本件発明
　上記訂正後の本件各発明は、訂正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりの次のものである。（以下、「訂正発明１」〜「訂正発明４」という。）
「【請求項１】基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、（Ａ）一般式（１）、（２）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み、かつ融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に１０〜８０重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に２０重量％以上含むフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）溶融シリカ粉末からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
　　
　　
　式（１）〜（３）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
【請求項２】前記Ａ成分のエポキシ樹脂が、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み、融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（４）〜（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
　式（４）〜（８）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
【請求項３】前記融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（５）、（６）及び（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
　式（５）、（６）及び（８）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
【請求項４】基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項１、２又は３記載のエポキシ樹脂組成物によって封止されていることを特徴とする半導体装置。」
　　
ＩＶ．特許取消理由の概要
　上記平成１５年６月２７日付けの特許取消理由通知の概要は、荒井純子の特許異議申立、及び東郷高子の特許異議申立に基いて、以下のとおり通知したものである。
『１）本件特許の請求項１〜３に係る発明は、その優先権主張日前、日本国内において頒布された刊行物である下記引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。 
 ２）本件特許の請求項１〜４に係る発明は、その優先権主張日前、日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記引用例１〜８に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。 
　　　　　　　　　　　　　　　記 
引用例１：特開平３−１２４７５８号公報（荒井純子による特許異議申立の甲第１号証、東郷高子による特許異議申立の甲第１号証） 
引用例２：特開平５−２５９３１６号公報（荒井純子による特許異議申立の甲第２号証） 
引用例３：特開平６−２２４２３９号公報（荒井純子による特許異議申立の甲第３号証） 
引用例４：特開平８−２３００５号公報（荒井純子による特許異議申立の甲第４号証） 
引用例５：特開平８−７３６２１号公報（荒井純子による特許異議申立の甲第５号証） 
引用例６：特開平９−８１７９号公報（荒井純子による特許異議申立の甲第６号証） 
引用例７：特開平７−６２０６０号公報（東郷高子による特許異議申立の甲第２号証） 
引用例８：合成樹脂工業協会主催「第４５回熱硬化性樹脂講演討論会　講演要旨集」（平成７年１０月２６，２７日）第１２９〜１３２頁（東郷高子による特許異議申立の甲第３号証）　』
　　
Ｖ．引用例の記載事実
（１）引用例１（特開平３−１２４７５８号公報：荒井純子による特許異議申立の甲第１号証、東郷高子による特許異議申立の甲第１号証）
(1-1)「（１）(a)下記の一般式（Ａ）で表わされるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂、(b)下記の一般式（Ｌ）、（Ｍ）及び（Ｎ）で表わされる各エポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能エポキシ樹脂、(c)下記の一般式（Ｘ）、（Ｙ）及び（Ｚ）で表わされる各フェノール樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能フェノール樹脂、(d)硬化促進剤、及び(e)無機充填剤を含有してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
一般式（Ａ）：
　　
　一般式（Ａ）において、Ｒは水素原子又はメチル基であり、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基、クロル原子又はブロム原子であり、各Ｒ1は互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｍは平均値で０〜５の数である。
一般式（Ｌ）：
一般式（Ｍ）：・・・（式及び式の説明略）・・・
一般式（Ｎ）：・・・（式及び式の説明略）・・・
一般式（Ｘ）：
　一般式（Ｘ）において、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜１０個のアルキル基又はハロゲン原子であり、各Ｒ2は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜１０個のアルキル基であり、各Ｒ3は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で０〜１０の数である。
一般式（Ｙ）：・・・（式及び式の説明略）・・・
一般式（Ｚ）：・・・（式及び式の説明略）・・・
（２）(a)ビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂１００重量部に対して、(b)多官能エポキシ樹脂を１０〜１０００重量部、及び(c)多官能フェノール樹脂を１０〜１０００重量部含有してなる第１請求項記載のエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
　　
(1-2)「本発明は、反応性に優れ、内部応力が低く、ガラス転移温度が高く、しかもハンダ耐熱性に優れた硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供しようとするものである。」（第３頁左下欄第１〜４行）
(1-3)「本発明における一般式（Ａ）で表わされるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂の具体例としては、たとえば4,4'-ジヒドロキシビフェニル、3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ジヒドロキシビフェニル・・・などのビフェノール誘導体とエピハロヒドリンとを反応させて得られるエポキシ樹脂があげられる。」（第５頁右上欄第５〜１４行）
(1-4)「(e)成分の無機充填剤は、この種のエポキシ樹脂組成物において通常用いられるものでよく、たとえば溶融シリカ粉、結晶性シリカ粉、石英ガラス粉、タルク、ケイ酸カルシウム粉、ケイ酸ジルコニウム粉、アルミナ粉、炭酸カルシウム粉、クレー粉、硫酸バリウム粉、及びガラス繊維等があげられる。こららは１種若しくは２種以上を用いることができ、特にシリカ粉が好ましい。」（第７頁左上欄第４〜１２行）
(1-5)「実施例の樹脂組成物は、比較例の樹脂組成物と較べて、１５０℃におけるゲルタイム、ガラス転移温度、はんだ耐熱性及び曲げ弾性率が総合的にみてバランス良く優れており、特にはんだ耐熱性に著しく優れている。」（第９頁右下欄第７〜１１行）
(1-6)「(c)本発明の効果
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、反応性に優れ、内部応力が低く、耐熱性に優れた硬化物を与えることができ、半導体素子の封止用に優れたものである。」（第９頁右下欄第１２〜１６行）
　　
（２）引用例２（特開平５−２５９３１６号公報：荒井純子による特許異議申立の甲第２号証）
(2-1)「【請求項１】半導体素子を封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、前記封止用樹脂が、
（ａ）下記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂、
【化１】
（但し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、水素又はアルキル基を示し、ｎ≧０である。）
（ｂ）硬化剤、
（ｃ）充填剤、
（ｄ）離型剤、
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であり、前記離型剤が、エステル系ワックス、酸化パラフィンワックス、および、オレフィン系ワックスの三成分からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（請求項１）
(2-2)「本発明では、一般式（Ｉ）で表わされる前記エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を併用することも可能である。この様なエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に限定されず、本発明の作用効果を損なわない範囲で適宜併用できる。具体的には、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、テトラキス（ヒドロキシフェニル）アルカンのエポキシ化物等が挙げられる。」（段落【0012】）
(2-3)「さらに本発明において、封止用樹脂の（ｂ）成分である硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい成分であり、下記一般式（III）で表わされるフェノール樹脂が特に好ましい。
　但し、Ｒ1、Ｒ2は水素又は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ3は単結合又はメチレン、エチレンなどのアルキレン基を示す。」（段落【0013】〜【0015】）
(2-4)「本発明に係る封止用樹脂の（ｃ）成分である充填剤には、例えば、無機質充填剤を使用することができる。具体的には、石英、溶融シリカ・・・などが挙げられる。」（段落【0021】）
(2-5)「本発明において封止用樹脂として用いられるエポキシ樹脂組成物では、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進するため、適当な硬化促進剤を添加、配合してもよい。」（段落【0026】）
　　
（３）引用例３（特開平６−２２４２３９号公報：荒井純子による特許異議申立の甲第３号証）
(3-1)「【請求項１】外部リード構成体に接続された半導体チップの少なくとも能動面側に未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを配置し、前記未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを前記半導体チップに加圧しながら硬化させる樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記未硬化樹脂の硬化物の２１５℃における曲げ弾性率が９０ｋｇ／mm2以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」（請求項１）
(3-2)「一般に用いられているエポキシ樹脂系が使用でき、その具体例としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであればいかなるものであってもよい。ただし、耐熱性の面からは、エポキシ当量が２５０以下のエポキシ樹脂が好ましく、またガラス転移点の高いエポキシ樹脂を用いることにより、樹脂組成物の高弾性率化が進む傾向がある。このようなエポキシ樹脂を具体的に例示すると、例えばフェノ―ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ―ルノボラック型エポキシ樹脂、ナフト―ルタイプのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノ―ルＡのノボラック型エポキシ樹脂、フエノ―ル又はアルキルフェノ―ル類とヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合物をエポキシ化して得られるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベ―スのエポキシ化物、テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカンのエポキシ化物、2,2,4,4′-テトラグリシドキシベンゾフェノン、パラアミノフェノ―ルのトリグリシジルエ―テル、ポリアリルグリシジルエ―テル、1,3,5-トリグリシジルエ―テルベンゼン、2,2′,4,4′-テトラグリシドキシビフェニルなどが挙げられる。これらのエポキシ樹脂のうち１種又は２種以上が用いられる。」（段落【0010】）
(3-3)「エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるフエノ―ル樹脂を具体的に例示すると、例えばフェノ―ルノボラック樹脂、クレゾ―ルノボラック樹脂、tert-ブチルフェノ―ルノボラック樹脂、ノニルフェノ―ルノボラック樹脂、ビスフェノ―ルＦのノボラック樹脂、ビスフェノ―ルＡのノボラック樹脂、ナフト―ルのノボラック樹脂などノボラック型フェノ―ル樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレン、2,2′-ジメトキシ-p-キシレンとフェノ―ルモノマ―との縮合重合化合物などのフェノ―ルアラルキル樹脂、又は以下の構造式で示されるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベ―スの化合物などが挙げられる。
（式中、Ｒ1，Ｒ2は水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わし、それらの基は同一でもそれぞれ異なっていてもよい。Ｒ3は単結合、又はメチレン、エチレンなどのアルキレン基を表わす。）（段落【0012】〜【0013】）
(3-4)「封止構造としては、半導体チップの上，下から封止用樹脂シートにより圧着封止した構造、半導体チップの能動面側のみから封止用樹脂シートを圧着封止し、チップの裏面が露出した構造などが作成可能である。」（段落【0030】）
　　
（４）引用例４（特開平８−２３００５号公報：荒井純子による特許異議申立の甲第４号証）
(4-1)「【請求項１】半導体素子表面に封止用樹脂シートを配置する工程と、金型中で前記封止用樹脂シートを溶融・硬化する工程を行う樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記封止用樹脂シートは半導体素子に接する面と他の面とで配合剤の分布が異なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」（請求項１）
(4-2)「熱硬化性樹脂の中でも素子への接着性の高い樹脂としてエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂として１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであればいかなるものでもよいが、耐熱性の面からエポキシ当量が２５０以下のエポキシ樹脂が好ましい。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、フェノールまたはアルキルフェノール類とヒドロキシベンズアルデヒド類との縮合物をエポキシ化して得られるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベースのエポキシ樹脂、テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカンベースのエポキシ樹脂、2,2′,4,4′-テトラグリシジルベンゾフェノン、パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、1,3,5-トリグリシジルエーテル化ベンゼン、2,2′,4,4′-テトラグリシジドキシベンゼンなどがあげられる。これらの樹脂は単独で用いても、２種類以上を組み合わせても良い。」（段落【0047】）
(4-3)「下記の一般式（Ｉ）で示されるビフェニル型のエポキシ樹脂が好ましい。このエポキシ樹脂は、本発明に係わる硬化物の接着性を向上するだけでなく、耐熱衝撃性を向上させる作用も有する。
　ここで、各ＲはＨまたはＣＨ3であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ2'、Ｒ3'、Ｒ5'、Ｒ6'はＨ，Ｃｌ，Ｂｒまたはメチル，エチル，イソプロピル，ブチル，フェニル等の有機基を示す。ｎは０〜５の整数である。」（段落【0049】〜【0050】）
(4-4)「耐クラックを向上するために、下記の一般式（ＩＩ）で示される３官能型のエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
　ここで、Ｒ7およびＲ8はＨや１〜２０の炭素原子を持つアルキル基等の有機基を表す。ｎは０〜１０の整数である。」（段落【0053】〜【0054】）
(4-5)「硬化剤は、通常、エポキシ樹脂の硬化剤として公知のものであればいかなるものであってもよい。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂などのフェノール性水酸基２個以上有するノボラック型フェノール樹脂・・・などが挙げられる。」（段落【0056】）
　　
（５）引用例５（特開平８−７３６２１号公報：荒井純子による特許異議申立の甲第５号証）
(5-1)「【請求項１】（ａ）常温で固体のエポキシ樹脂、（ｂ）常温で固体のエポキシ樹脂硬化剤、（ｃ）硬化触媒または硬化促進剤、および（ｄ）フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物からなる樹脂シートであって、
前記エポキシ樹脂組成物は、単独では硬化せず７５℃以上の軟化点を有し組成の異なる第１および第２のドメインを含み、各ドメイン同士が互いに隣接して接触し、その界面が熱圧着により一体化されていることを特徴とする樹脂シート。」（請求項１）
(5-2)「上記のエポキシ樹脂のなかでも、特に、下記化１に示す一般式（１）で表わされるビフェニル型のエポキシ樹脂は、素子への接着性が高いので好ましい。一般式（１）で表わされるエポキシ樹脂としては、具体例には、例えば、4,4´-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）ビフェニル、4,4´-ビス（2,3-エポキシプロポキシ)-3,3´,5,5´-テトラメチルビフェニル、4,4´-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3´,5,5´-テトラメチル-2-クロロビフェニル、4,4´-ビス（2,3-エポキシプロポキシ)-3,3´,5,5´-テトラメチル-2-ブロモビフェニル、4,4´-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3´,5,5´-テトラエチルビフェニル、4,4´-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3´,5,5´-テトラブチルビフェニル、および4,4´-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3´,5,5´-テトラフェニルビフェニルなどが挙げられる。このエポキシ樹脂は、本発明の樹脂シートの接着性を向上させるだけでなく、耐熱衝撃性を向上させる作用も有する。
（上記一般式（１）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ2'、Ｒ3 、Ｒ3'、Ｒ4 、Ｒ4'、Ｒ5 、およびＲ5'はそれぞれ１価の有機基を表わす。）
また、素子への接着性が高いエポキシ樹脂の他の例として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などが挙げられる。
さらに、耐クラック性を向上させるために、下記化２に示す一般式（２）で表わされる３官能型のエポキシ樹脂を使用することが好ましい。一般式（２）で表わされるエポキシ樹脂の具体例としては、ＥＰＰＮ−５０２（日本火薬製、軟化点７０℃、エポキシ当量１７０）、ＹＬ−９３２Ｈ（油化シェル製、軟化点６３℃、エポキシ当量１７１）、ＥＳＸ−２２１（住友化学製、軟化点８５℃、エポキシ当量２１０）等が挙げられる。
（上記一般式（２）中、Ｒ6およびＲ7は、１価の有機基を表わす。）」（段落【0033】〜【0036】）
(5-3)「ｂ）成分である常温で固体のエポキシ樹脂硬化剤としては、フェノール樹脂が適切である。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、t-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック樹脂、または、トリス（ヒドロキシフェニル）アルカンなどの多官能フェノールを挙げることができる。」（段落【0037】）
　　
（６）引用例６（特開平９−８１７９号公報：荒井純子による特許異議申立の甲第６号証）
(6-1)「【請求項１】外部リード構成体に実装された半導体素子が封止用樹脂組成物の硬化物で封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、
　前記半導体素子の裏面側領域もしくはベッド裏面側領域が貫通孔を有する樹脂多孔質体で選択的に封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（請求項１）
(6-2)「本発明において、使用する樹脂としては、たとえばエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，マレイミド樹脂，シリコーン樹脂，フェノール樹脂，ポリウレタン樹脂，アクリル樹脂などが挙げられ、これらは１種もしくは２種以上の混合系でもよく、また、硬化剤，触媒，可塑剤，着色剤，難燃化剤，低応力添加剤などを添加配合してもよい。
　前記樹脂の中でも、半導体素子への接着性が高い、フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，ナフトールノボラック型エポキシ樹脂，ビスフェノール A型エポキシ樹脂，ビスフェノール F型エポキシ樹脂，下記一般式（化１）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。
　式中、R，R1，R2，R2′，R3，R3′，R4，R4′，R5，R5′，R6，R6′は水素原子もしくはアルキル基、ｎは 0〜 4の整数。
前記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、たとえば 4,4′-ビス（2,3−エポキシプロポキシ）ビフェニル，4,4′-ビス（2,3−エポキシプロポキシ）-3,3′-5,5′-テトラメチルビフェニル，4,4′-ビス（2,3−エポキシプロポキシ)-3, 3′-5,5′-テトラメチル-2-クロロビフェニル，4,4′-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3′-5,5′-テトラメチル-2-ブロモビフェニル，4,4′-ビス（2,3−エポキシプロポキシ）-3,3′-5,5′-テトラエチルビフェニル，4,4′-ビス（2,3−エポキシプロポキシ）-3,3′-5,5′-テトラブチルビフェニル，4,4′-ビス（2,3−エポキシプロポキシ）-3,3′-5,5′-テトラフェニルビフェニルなどが挙げられ、これらは前記接着性が高いだけでなく、耐熱衝撃性の点でもすぐれている。
　また、耐クラック性の点では、下記一般式（化１）で示される３官能型のエポキシ樹脂が好ましい。
　式中、R，R1，R2，R2′，R3，R3′，R4，R4′，R5，R5′，R6，R6′は水素原子もしくはアルキル基、ｎ′は 0〜10の整数。」（段落【0028】〜【0033】）
(6-3)「硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、アリルフェノールノボラック樹脂、ナフトール型ノボラック樹脂、ビフェニル型ノボラック樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）アルカン系化合物などを挙げることができる。」（段落【0039】）
　　
（７）引用例７（特開平７−６２０６０号公報：東郷高子による特許異議申立の甲第２号証）
(7-1)「【請求項１】（ａ）結晶性エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂１００重量部、（ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基及び／又はカルボキシル基を持つ化合物３〜２０重量部、並びに（ｃ）１分子中に１個のフェノール性水酸基又はカルボキシル基を持つ化合物３〜２０重量部を反応させてなる変性液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】結晶性エポキシ樹脂が、一般式
　（式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基又はハロゲン原子であり、各Ｒは互いに同一であっても異なっていてもよく、ｎは平均値で０〜２の数である。）
で表わされるビフェノール型エポキシ樹脂である請求項１に記載の変性液状エポキシ樹脂組成物。」（請求項１、２）
　　
（８）引用例８（上記「第４５回熱硬化性樹脂講演討論会　講演要旨集」：東郷高子による特許異議申立の甲第３号証）
(8-1)「ＢＧＡ用の半導体封止材用エポキシ樹脂の樹脂系検討〜架橋構造とパッケージの反り、吸水特性との相関検討」（第１２９頁表題）
(8-2)「エポキシ樹脂は表１に示す５種類、硬化剤は表２に示す４種類を用い、エポキシ樹脂と硬化剤をそれぞれ組み合わせて検討した。エポキシ樹脂、硬化剤以外にシリカフィラー、硬化促進剤、シランカップリング剤、ワックスを一定量ミキサーで混合後、混練機で９０〜１１０℃の温度で混練し、冷却後粉砕して封止樹脂を調製した。」（第１２９頁「２．１試料」の欄）
　そして、上記「表１」にはトリフェノールメタン骨格、ビフェニル骨格のエポキシ樹脂が挙げられ、「表２」にはトリフェノールメタン骨格の硬化剤が挙げられている。
(8-3)「ＢＧＡの反りを小さくするためには、封止樹脂に以下のことが望まれる。
１．硬化収縮率がゼロに近いこと。
２．１７５℃→２５℃の熱膨張係数による収縮率が小さいこと。そのためには１）常温での熱膨張係数が基板の熱膨張係数（１．３ｅ-5）に近いこと。２）Ｔｇが高いこと。」（第１３０頁「３．３各温度での反り量のシミュレーション」の欄。）
　　
ＶＩ．対比・判断
（１）訂正発明１について
　訂正発明１と、上記引用例１に記載されたものとを対比すると、訂正発明１の一般式（１）で示されるエポキシ樹脂は、引用例１の一般式（Ｌ）、（Ｍ）、（Ｎ）で表わされる化合物の内の（Ｌ）と一般式の化学構造において重複している。しかし、引用例１には、訂正発明１の一般式（１）に該当すると認めうるエポキシ樹脂の具体的な記載は見あたらない。また、訂正発明１の融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂の具体例として本件明細書中に説明されている式（１０）のエポキシ樹脂（段落【0023】、【0036】）は、引用例１に記載された、一般式（Ａ）のビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂（摘記1-1）の具体例として示されている、4,4'-ジヒドロキシビフェニル又は3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ジヒドロキシビフェニルとエピハロヒドリンとを反応させて得られるエポキシ樹脂（摘記1-3）と一致している。また、訂正発明１の一般式（３）で示されるフェノール樹脂は、引用例１の一般式（Ｘ）、（Ｙ）、（Ｚ）で表わされるフェノール樹脂の内の（Ｘ）と一般式の化合物構造において重複している。しかし、引用例１には、訂正発明１の一般式（Ｘ）に該当すると認めうるフェノール樹脂の具体的な記載は見あたらない。また、訂正発明１の硬化促進剤は、引用例１に記載された硬化促進剤（ｄ）（摘記1-1）と一致し、そして、訂正発明１の溶融シリカ粉末は、引用例１の無機充填剤（ｅ）（摘記1-1）の具体例として挙げられている溶融シリカ粉（摘記1-4）と一致している。そして、引用例１には、(a)ビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂１００重量部に対して、(b)多官能エポキシ樹脂を１０〜１０００重量部含有すること（摘記1-1：請求項２）、及び、半導体封止用に用いるエポキシ樹脂組成物であること（摘記1-1、1-2、1-6）が記載されている。
　以上のことからすると、訂正発明１の特定事項と対比して、引用例１には、
“（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を包含するエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み、かつ
融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に１０〜８０重量％含むエポキシ樹脂、
（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂を包含するフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に２０重量％以上含むフェノール樹脂硬化剤、
（Ｃ）硬化促進剤、及び
（Ｄ）溶融シリカ粉末
からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。”
が記載されているといえ、この点で訂正発明１は引用例１に記載された発明と一致し、一方、
（イ）訂正発明１では、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の用途について、「基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって」と、特定の用途に限定されているのに対して、引用例１には当該片面封止の用途に適用する記載が見あたらない点、
（ロ）訂正発明１で用いる一般式（１）で示されるエポキシ樹脂は、引用例１に記載された一般式（Ｌ）〜（Ｍ）中の一般式（Ｌ）のエポキシ樹脂について、その一般式を更に限定して化合物構造を特定したものに該当するのに対して、引用例１にはそのように限定された化合物構造のエポキシ樹脂を選択して用いることの記載が見あたらない点、
（ハ）訂正発明１で用いる一般式（３）で示されるフェノール樹脂硬化剤は、引用例１に記載された一般式（Ｘ）〜（Ｚ）中の一般式（Ｘ）のフェノール樹脂について、その一般式を更に限定して化合物構造を特定したものに該当するのに対して、引用例１にはそのように限定された化合物構造のフェノール樹脂を選択して用いることの記載が見あたらない点、及び、
（ニ）訂正発明１では、（Ｄ）成分として「溶融シリカ粉末」を用いているのに対して、引用例１には多種の無機充填剤が挙げられているものの（摘記1-4）、溶融シリカ粉末を選択して用いることの記載が見あたらない点、
の各点で、訂正発明１は引用例１に記載された発明と一応相違している。
　　
　そこで、これらの相違点について以下検討する。
相違点（イ）、（ロ）、（ハ）について
　訂正発明１は、片面封止のエリア実装型半導体パッケージにおける従前の問題点、特に、有機基板や金属基板と樹脂組成物との間での熱膨張・熱収縮の不整合、あるいは樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影響により、これらのパッケージでは成形直後から反りが発生しやすく、また、これらのパッケージを実装する回路基板上に半田接合を行う場合、この加熱工程の際にパッケージの反りが発生し、多数の半田ボールが平坦とならず、パッケージを実装する回路基板から浮き上がってしまい、電気的接合信頼性が低下する（段落【0003】）という問題点に対して、その課題を解決して、樹脂封止後の反りや基板実装時の半田付け工程での反りが小さく、また温度サイクル試験での耐パッケージクラック性や半田付け工程での耐パッケージクラック性や耐剥離性に優れ、かつ成形性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を得るもの（段落【0001】、【0048】）である。
　一方、引用例１には、訂正発明１の一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を包含する上位の一般式で表わされる広範なエポキシ樹脂（Ｌ）の記載はあるものの、これを訂正発明１の一般式（１）で示される特定のエポキシ樹脂として具体化する記載は見あたらず、また、引用例１には、訂正発明１の一般式（３）で示されるフェノール樹脂を包含する上位の一般式で表わされる広範なフェノール樹脂（Ｘ）の記載はあるものの、これを訂正発明１の一般式（３）で示される特定のフェノール樹脂として具体化する記載は見あたらない。
　これについて更に検討すると、引用例１に記載された発明に係るエポキシ樹脂組成物は、その樹脂成分として、(a)一般式（Ａ）で表わされるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂、(b)一般式（Ｌ）、（Ｍ）及び（Ｎ）で表わされる各エポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能エポキシ樹脂、(c)一般式（Ｘ）、（Ｙ）及び（Ｚ）で表わされる各フェノール樹脂から選ばれた少なくとも１種の多官能フェノール樹脂を含有するものであり（摘記1-1）、上記(a)、(b)及び(c)の各成分からそれぞれ選択した広範な組合せからなる樹脂群を包含するものである。しかし、引用例１には、上記一般式（Ｌ）〜（Ｍ）のエポキシ樹脂から訂正発明１の一般式（１）で示される特定のエポキシ樹脂を選択し、上記一般式（Ｘ）〜（Ｚ）のフェノール樹脂から訂正発明１の一般式（３）で示される特定のフェノール樹脂を選択し、そしてこれらの成分を、上記一般式（Ａ）の具体例として挙げられ、また訂正発明１の「融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂」の具体例（段落【0013】化合物（４）、段落【0023】）と一致する4,4'-ジヒドロキシビフェニルないし3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ジヒドロキシビフェニルとエピハロヒドリンとを反応させて得られる特定のエポキシ樹脂（摘記1-3）と組み合わせて用いることの動機付けとなる記載は見あたらない。
　一方、引用例２には、半導体素子を封止用樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、前記封止用樹脂が、訂正発明１の（Ａ）成分一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と重複する構造式（Ｉ）のエポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）充填剤、及び（ｄ）離型剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物である樹脂封止型半導体装置（摘記2-1）とともに、（ｂ）成分の硬化剤としては、訂正発明１の（Ｂ）成分と重複する構造式（III）のフェノール樹脂が（摘記2-3）が記載され、引用例３には、外部リード構成体に接続された半導体チップの少なくとも能動面側に未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを配置し、前記未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを前記半導体チップに加圧しながら硬化させる樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記未硬化樹脂の硬化物の２１５℃における曲げ弾性率が９０ｋｇ／mm2以上である樹脂封止型半導体装置の製造方法（摘記3-1）とともに、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるフエノ―ル樹脂として、訂正発明１の（Ｂ）成分と重複する構造式で示されるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベ―スの化合物が挙げられること（摘記3-3）が記載され、引用例４には、半導体素子表面に封止用樹脂シートを配置する工程と、金型中で前記封止用樹脂シートを溶融・硬化する工程を行う樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記封止用樹脂シートは半導体素子に接する面と他の面とで配合剤の分布が異なる樹脂封止型半導体装置の製造方法（摘記4-1）とともに、訂正発明１の（Ａ）成分の結晶性エポキシ樹脂と重複する構造式（Ｉ）を有するビフェニル型のエポキシ樹脂（摘記4-3）、及び、訂正発明１の（Ａ）成分の一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と重複する構造式（ＩＩ）で示される３官能型のエポキシ樹脂（摘記4-4）が記載され、引用例５には、（ａ）常温で固体のエポキシ樹脂、（ｂ）常温で固体のエポキシ樹脂硬化剤、（ｃ）硬化触媒または硬化促進剤、および（ｄ）フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物からなる樹脂シートであって、前記エポキシ樹脂組成物は、単独では硬化せず７５℃以上の軟化点を有し組成の異なる第１および第２のドメインを含み、各ドメイン同士が互いに隣接して接触し、その界面が熱圧着により一体化されている樹脂シート（摘記5-1）とともに、訂正発明１の（Ａ）成分の結晶性エポキシ樹脂と重複する構造式のエポキシ樹脂、訂正発明１の（Ａ）成分の一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と重複する構造式のフェノール樹脂が挙げられ（摘記5-2、5-3）、引用例６には、外部リード構成体に実装された半導体素子が封止用樹脂組成物の硬化物で封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子の裏面側領域もしくはベッド裏面側領域が貫通孔を有する樹脂多孔質体で選択的に封止されている樹脂封止型半導体装置（摘記6-1）とともに、訂正発明１の（Ａ）成分の結晶性エポキシ樹脂と重複する構造式のビフェニル型エポキシ樹脂、及び３官能型エポキシ樹脂（摘記6-2）が記載され、引用例７には、（ａ）結晶性エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂１００重量部、（ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基及び／又はカルボキシル基を持つ化合物３〜２０重量部、並びに（ｃ）１分子中に１個のフェノール性水酸基又はカルボキシル基を持つ化合物３〜２０重量部を反応させてなる変性液状エポキシ樹脂組成物（摘記7-1）が記載され、また、引用例８には、ＢＧＡ用の半導体封止材用エポキシ樹脂系の検討において、エポキシ樹脂として表１の５種類、硬化剤として表２の４種類を用い、エポキシ樹脂と硬化剤をそれぞれ組み合わせて封止樹脂を調製し検討したことが記載され、（摘記8-1、8-2）、そして、当該表１にはトリフェノールメタン骨格、ビフェニル骨格のエポキシ樹脂が示され、表２にはトリフェノールメタン骨格の硬化剤が示され（摘記8-2）、また一方、ＢＧＡの反りを小さくするためには、封止樹脂には、硬化収縮率がゼロに近いこと、１７５℃→２５℃の熱膨張係数による収縮率が小さいこと、そのためには常温での熱膨張係数が基板の熱膨張係数に近く、Ｔｇが高いことが望まれること（摘記8-3）が記載されている。
　しかし、これら引用例２〜８のいずれにも、訂正発明１における（Ｂ）成分の一般式（３）で示されるフェノール樹脂とともに、（Ａ）成分を構成する一般式（１）、（２）で示される特定のエポキシ樹脂と、同じく（Ａ）成分を構成する融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂とを選択して用いて半導体素子の片面封止に用いるという、上記相違点（イ）〜（ハ）に係る特定事項を開示する記載は見あたらない。
　そして訂正発明１は、上記相違点（ロ）及び上記相違点（ハ）を含む前記認定のとおりの特定事項を具備することにより、片面に半導体素子を搭載し、その搭載面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆるエリア実装型半導体装置において、樹脂封止後の反りや基板実装時の半田付け工程での反りが小さく、また温度サイクル試験での耐パッケージクラック性や半田付け工程での耐パッケージクラック性や耐剥離性に優れ、かつ成形性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を得ることができ（段落【0001】、【0048】）、半導体素子の片面のみの封止に用いるという上記相違点（イ）に係る特定事項を具現させたものと認めることができる。
　したがって、上記相違点（ニ）についてあらためて検討するまでもなく、訂正発明１は、引用例１に記載された発明とはいえず、また、引用例１〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすことができた発明ともいうことはできない。
　　
（２）訂正発明２〜４について
　訂正発明２は、訂正発明１について、（Ａ）成分を構成する各エポキシ樹脂を更に特定して限定した発明であり、訂正発明３は、訂正発明１について、（Ａ）成分の融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂をさらに特定して限定した発明であり、また、訂正発明４は、訂正発明１又はその下位の発明である上記訂正発明２、３のエポキシ樹脂組成物によって封止された半導体素子に係る発明であるので、上記「（１）訂正発明１について」に記載したと同様、訂正発明２〜４は、引用例１に記載された発明とも、また、引用例１〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすことができた発明とも、いうことはできない。
　　　
ＶＩＩ．むすび
　以上のとおり、訂正後の請求項１〜４に係る特許は、上記通知した取消理由によっては取り消すべきものとすることはできず、また、各特許異議申立人の提示した証拠及び主張を検討しても、取り消すべきものとすることはできない。
　また、各特許異議申立人が提出した前記各回答書を参酌しても、上記のほか、訂正後の請求項１〜４に係る特許を取り消すべき他の理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年６月２４日（２００５．６．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、
　【化１】
　【化２】
　【化３】
式（１）〜（３）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
　
【請求項２】前記
（２）
　【化４】
　【化５】
　【化６】
式（４）〜（８）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
　
【請求項３】前記
５）、（６）及び（８）
　【化７】
　【化８】
　【化９】
式（
５）、（６）及び（８）
　
【請求項４】
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は成形性、信頼性、実装性に優れた樹脂封止型半導体装置に関し、更に詳述すればプリント配線板や金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、その搭載面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆるエリア実装型半導体装置において、樹脂封止後の反りや基板実装時の半田付け工程での反りが小さく、また温度サイクル試験での耐パッケージクラック性や半田付け工程での耐パッケージクラック性や耐剥離性に優れ、かつ成形性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進み、又半導体パッケージの表面実装化が促進されるなかで、新規にエリア実装のパッケージが開発され、従来構造のパッケージから移行し始めている。エリア実装パッケージとしてはＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）あるいは更に小型化を追求したＣＳＰ（チップスケールパッケージ）が代表的であるが、これらは従来ＱＦＰ、ＳＯＰに代表される表面実装パッケージでは限界に近づいている多ピン化・高速化への要求に対応するために開発されたものである。構造としては、ＢＴ樹脂／銅箔回路基板（ビスマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板）に代表される硬質回路基板、あるいはポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、その素子搭載面、即ち基板の片面のみがエポキシ樹脂組成物などで成形・封止されている。また、基板の素子搭載面の反対面には半田ボールを２次元的に並列して形成し、パッケージを実装する回路基板との接合を行う特徴を有している。更に、素子を搭載する基板としては、上記有機回路基板以外にもリードフレーム等の金属基板を用いる構造も考案されている。
　【０００３】
　これらエリア実装型半導体パッケージの構造は基板の素子搭載面のみを樹脂組成物で封止し、半田ボール形成面側は封止しないという片面封止の形態をとっている。ごく希に、リードフレーム等の金属基板などでは、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が存在することもあるが、素子搭載面では数百μｍから数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片面封止となっている。このため、有機基板や金属基板と樹脂組成物との間での熱膨張・熱収縮の不整合、あるいは樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影響により、これらのパッケージでは成形直後から反りが発生しやすい。また、これらのパッケージを実装する回路基板上に半田接合を行う場合、２００℃以上の加熱工程を経るが、この際にパッケージの反りが発生し、多数の半田ボールが平坦とならず、パッケージを実装する回路基板から浮き上がってしまい、電気的接合信頼性が低下する問題も起こる。
　【０００４】
　また、赤外線リフロー、ベーパーフェイズソルダリング、半田浸漬などの手段での半田処理による半田接合を行う場合、樹脂組成物並びに有機基板からの吸湿によりパッケージ内部に存在する水分が高温で急激に気化することによる応力でパッケージにクラックが発生したり、基板の素子搭載面と樹脂組成物の硬化物との界面で剥離が発生することもあり、硬化物の低応力化・低吸湿化とともに、基板との密着性も求められる。さらに、基板と硬化物の熱膨張係数の不整合により、信頼性テストの代表例である温度サイクル試験でも、基板／硬化物界面の剥離やパッケージクラックが発生する。従来のＱＦＰやＳＯＰなどの表面実装パッケージでは、半田実装時のクラックや各素材界面での剥離の防止のために、ビフェニル型エポキシ樹脂に代表されるような結晶性エポキシ樹脂を用いて成形時の低粘度化を図り、かつ無機質充填材の配合量を増加することが対策としてとられてきた。しかし、この手法では、片面封止パッケージにおける反りの問題は解決できないのが現状であった。
　【０００５】
　基板上の実質的に片面のみを樹脂組成物で封止したパッケージにおいて、反りを低減するには、基板の線膨張係数と樹脂組成物の硬化物の線膨張係数を近付けること、及び樹脂組成物の硬化収縮を小さくする二つの方法が重要である。基板としては有機基板ではＢＴ樹脂やポリイミド樹脂のような高ガラス転移温度の樹脂が広く用いられており、これらはエポキシ樹脂組成物の成形温度である１７０℃近辺よりも高いガラス転移温度を有する。従って、成形温度から室温までの冷却過程では有機基板のα１の領域のみで収縮する。従って、樹脂組成物もガラス転移温度が高くかつα１が回路基板と同じであり、さらに硬化収縮がゼロであれば反りはほぼゼロであると考えられる。このため、多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂との組み合わせによりガラス転移温度を高くし、無機質充填材の配合量でα１を合わせる手法が既に提案されている。
　【０００６】
　ところが、一分子中に３個以上のエポキシ基を有する多官能型エポキシ樹脂と一分子中に３個以上のフェノール性水酸基を有する多官能型フェノール樹脂との組み合わせ系は吸湿率が大きいこと、各々の樹脂粘度が高いため無機質充填材を高充填することができず低吸湿化が困難なこと、半田処理温度でも高弾性を示し、発生応力が高いことなどから、半田処理時のパッケージクラック発生や界面剥離の発生が解決されていない。また、素子と基板との電気的接続に用いられる金線は数十μｍと細いうえに、エリア実装パッケージではその長さも従来構造パッケージに比較して長く、更に多ピン化により金線の配線が高密度化しているため、成形時に低粘度の樹脂組成物で封止しないと金線が変形し、金線同士が接触して電気的不良を生じることになる。特にＣＳＰのような薄型のパッケージでは充填性が良好で、金線変形の少ない樹脂組成物による封止が必須の条件であった。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、エリア実装パッケージでの成形後や半田処理時の反りが小さく、また温度サイクル試験や半田処理時などの信頼性に優れ、かつ充填性が良好で金線変形の少ない、即ち、成形時に高流動性の特徴を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより封止された半導体装置の開発を目的としてなされたものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者は鋭意検討した結果、特定の多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂硬化剤との組み合わせに、更に特殊な結晶性エポキシ樹脂を併用することで、ガラス転移温度の低下を少なくしたまま低吸湿化が図れること、低粘度化が達成できるため無機充填材の充填量の増量が可能となり、低吸湿化やα１の調整が可能となること、また、成形時の充填性向上やワイヤー変形量の低減ができること、半田処理温度での熱時弾性率が低減できるため発生応力が減少し、回路基板との密着性が向上することなどを明らかにしたものである。
　【０００９】
　即ち本発明は、
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、
脂を
物、また、前記Ａ成分のエポキシ樹脂が、一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に２０〜９０重量％含み、融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（４）〜（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である半導体封止用エポキシ樹脂組成物、また、前記融点が５０〜１５０℃の範囲にある結晶性エポキシ樹脂が、一般式（５）、（６）及び（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
　【００１０】
　【化
１０
　【００１１】
　【化
１１
　【００１２】
　【化
１２
　【００１３】
　【化
１３
　【００１４】
　【化
１４
　【００１５】
　【化
１５
　【００１６】
　式（１）〜（８）中のＲは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もしくは１〜３の正の整数、及びｎは０もしくは１〜４の正の整数である。
　【００１７】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明を詳細に説明する。本発明に用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂のうち一般式（１）で表されるエポキシ樹脂は通常トリフェノールメタン型エポキシ樹脂と総称される樹脂で、具体例としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。いずれも、これを用いた樹脂組成物の硬化物は架橋密度が高く、高いガラス転移温度となり、また硬化収縮率が小さい特徴を有する。
　【００１８】
　【化
１６
　【００１９】
　一般式（２）で表されるエポキシ樹脂は式（１）と同様、硬化物の高架橋密度構造と低硬化収縮性を有するが、更に比較的低粘度であるという特徴も有している。具体例としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　【００２０】
　【化
１７
　【００２１】
　一般式（１）、（２）で示される多官能型エポキシ樹脂は総エポキシ樹脂中の２０〜９０重量％含まれることがガラス転移温度及び硬化収縮の点から必要である。２０重量％未満では得られる架橋構造の架橋密度が低下するためガラス転移温度が低下するとともに、硬化収縮も増大する。また、９０重量％を越えると成形時の流動性が低下し、金線変形を起こし易く、また基板との密着性が低下する。
　【００２２】
　本発明に用いられる融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂としては、一分子中にエポキシ基を１個有するモノエポキシ化合物、１分子中にエポキシ基を２個有するジエポキシ化合物、さらにこれらのオリゴマー、ポリマー等が含まれる。これらのエポキシ樹脂はいずれも結晶性を示すため、融点未満の温度では固体であるが、融点以上の温度で低粘度の液状物質となる。このため５０℃未満の融点の結晶性エポキシ樹脂では、エポキシ樹脂組成物の製造工程において融着を起こしやすく、作業性が著しく低下する。また、１５０℃を越える融点を示す結晶性エポキシ樹脂では、エポキシ樹脂組成物を加熱混練する製造工程で充分に溶融しないため、材料の均一性に劣るといった問題点を有する。融点の測定方法は、示差走査熱量計［セイコー電子（株）ＳＳＣ５２０、昇温速度５℃／分］で吸熱ピーク温度から求められる。融点５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂としては、式（４）のビフェニル型エポキシ化合物、式（５）のハイドロキノン型エポキシ化合物、式（６）のスチルベン型エポキシ化合物、式（７）のビスフェノールＦ型エポキシ化合物、式（８）のアラルキル変性ビフェニル型エポキシ樹脂が特に好ましい。以下にこれら結晶性エポキシ樹脂の具体例を示すがこれらに限定されるものではない。
　【００２３】
　【化
１８
　【００２４】
　【化
１９
　【００２５】
　【化
２０
　【００２６】
　これらの結晶性エポキシ樹脂は１分子中のエポキシ基の数は１個からせいぜい数個と少なく、単独では架橋密度が低く、耐熱性の低い硬化物しか得られない。しかし構造として剛直な平面ないし棒状骨格を有しており、かつ結晶化する性質、即ち分子同士が配向しやすいという特徴を有する。このため、一般式（１）、（２）で示される多官能型エポキシ樹脂と併用した場合、硬化後の多官能型エポキシ樹脂による架橋構造の架橋密度は低下させても、ガラス転移温度などの耐熱性を低下させ難い。一方、通常の２官能非結晶性エポキシ樹脂を多官能型エポキシ樹脂と併用した場合では単に架橋密度が低下するだけであり、ガラス転移温度の大幅な低下が起こる。ところが、結晶性エポキシ樹脂を併用した場合、一旦ガラス転移温度を越えた温度領域では低官能基数樹脂の特徴である低弾性率を示すため、半田処理温度での低応力化に効果的である。このため、半田処理でのパッケージクラック発生や基板と樹脂組成物の硬化物界面の剥離発生を防止する効果がある。更に、溶融状態では低粘度を示すため成形時に樹脂組成物の流動性が高く、薄型パッケージへの充填性に優れる。融点５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂は総エポキシ樹脂中に１０〜８０重量％含まれることが必要である。１０重量％未満では熱時の低弾性化や低粘度化の効果が得難く、８０重量％を越えると成形されたパッケージの反りが大きくなり好ましくない。
　【００２７】
　本発明のエポキシ樹脂は更に他のエポキシ樹脂と併用しても差し支えない。併用可能なエポキシ樹脂としては、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。又、これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは混合して用いても差し支えない。
　【００２８】
　本発明で用いられるＢ成分のフェノール樹脂硬化剤の内、式（３）で示されるフェノール樹脂硬化剤はいわゆるトリフェノールメタン型フェノール樹脂と呼ばれるもので、具体例を以下に示す。
　【００２９】
　【化
２１
　【００３０】
　これらフェノール樹脂を使用すると硬化物の架橋密度が高くなり、高いガラス転移温度の硬化物が得られる。式（３）のフェノール樹脂の使用量としては、ガラス転移温度の点から総フェノール樹脂中の２０重量％以上配合することが必要である。２０重量％未満ではガラス転移温度が低下し、また硬化収縮率も大きくなり、成形後のパッケージの反り量が大きくなる。式（３）のフェノール樹脂は他のフェノール樹脂と適宜併用可能であり、特に限定されるものではないが、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等が挙げられる。
　【００３１】
　本発明で用いられる（Ｃ）成分の硬化促進剤としては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤との架橋反応の触媒となり得るものを指し、具体的にはトリブチルアミン等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が例示できるがこれらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は単独であっても混合して用いても差し支えない。
　【００３２】
　本発明で用いられる（Ｄ）成分の溶融シリカ粉末は、破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカ粉末の配合量を高め、かつ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状シリカを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布をより広くとるよう調整することが望ましい。
　【００３３】
　本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）までの必須成分以外にも必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、カップリング剤、カーボンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤等が適宜配合可能である。樹脂組成物とするには各成分を混合後、加熱ニーダや熱ロールにより加熱混練し、続いて冷却、粉砕することで目的とする樹脂組成物が得られる。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形をすればよい。本発明の半導体装置は有機基板としてＢＴ樹脂基板を用いる場合は、エポキシ樹脂組成物の硬化後の線膨張係数（α１）が８〜１６ｐｐｍ／℃、熱機械分析装置（ＴＭＡ）で測定されるガラス転移温度が１４０℃以上、かつ硬化収縮率が０．１５％以下であることが特に好ましい。ＢＴ樹脂基板の線膨張係数は１４ｐｐｍ／℃程度であるが、これにシリコンチップ、錫箔回路などの金属とが組合される複合基板では、チップの面積比率、銅箔回路の面積比率により線膨張係数が変化する。この基板の線膨張係数と合わせて樹脂組成物の硬化物の線膨張係数と硬化収縮率を上記範囲とすることで、ＢＴ樹脂基板の成形温度から室温までの熱収縮量に合わせて樹脂組成物の硬化物の熱収縮量がほぼ同じとなり、成形後の反りを小さくできる。なお、ここでいう硬化収縮率とは、成形温度における金型の寸法と成形温度での成形品寸法との比率を指す。
　【００３４】
　本発明でのガラス転移温度、線膨張係数、及び硬化収縮率は以下の方法で測定する。
・ガラス転移温度（Ｔｇ）及び線膨張係数（α１）：１７５℃、２分間トランスファー成形したテストピースを更に１７５℃、８時間後硬化し、熱機械分析装置［セイコー電子（株）製ＴＭＡ−１２０、昇温速度５℃／分］により測定した。
・硬化収縮率：テストピースを１８０℃の金型温度、７５ｋｇ／ｃｍ２の射出圧力で２分間トランスファー成形し、更に１７５℃で８時間、後硬化した。１８０℃に加熱された状態の金型のキャビティ寸法と１８０℃に加熱された成形品の寸法をノギスにより測定し、成形品寸法／金型キャビティ寸法の比率で硬化収縮率を表した。
　【００３５】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
《実施例１》
・式（９）で示されるエポキシ樹脂［油化シェルエポキシ（株）製、商品名エピコート１０３２Ｈ、軟化点６０℃、エポキシ当量１７０］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．６重量部　　　
・式（１０）で示されるビフェニルエポキシ樹脂［油化シェルエポキシ（株）製、商品名ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９５］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．６重量部
・式（１１）で示されるフェノール樹脂［明和化成（株）製、商品名ＭＥＨ−７５００、軟化点１０７℃、水酸基当量９７］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．８重量部
・トリフェニルホスフィン　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．２重量部
・球状溶融シリカ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８５．０重量部
・カルナバワックス　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５重量部
・カーボンブラック　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．３重量部
　上記の全成分をミキサーにより混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とした。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をした。評価結果を表１に示す。
　【００３６】
　【化
２２
　【００３７】
　【化
２３
　【００３８】
　なお、上記実施例及び比較例で使用した式（１２）〜（１７）のエポキシ樹脂及び式（１８）のフェノール樹脂の構造及び性状を以下に示す。
　【化
２４
　【００３９】
　【化
２５
　【００４０】
　【化
２６
　【００４１】
　【化
２７
　【００４２】
・式（１２）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：融点１４４℃、エポキシ当量１７５
・式（１３）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：融点５２℃、エポキシ当量２２５
・式（１４）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：融点１３３℃、エポキシ当量１８２
・式（１５）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：融点８２℃、エポキシ当量１９０
・式（１６）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：軟化点６５℃、エポキシ当量２１０
・式（１７）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：液状、粘度（２５℃）５５Ｐｏｉｓｅ、エポキシ当量１６８
・式（１８）のフェノール樹脂：軟化点８０℃、水酸基当量１０４
　【００４３】
《評価方法》
・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温
度
・ガラス転移温度（Ｔｇ）及び線膨張係数（α１）：前記した方法による。
・熱時弾性率：２４０℃での曲げ弾性率をＪＩＳ−Ｋ６９１１の試験条件により測定した。
・硬化収縮率：前記した方法による。
・パッケージ反り量：２２５ピンＢＧＡパッケージ（基板は０．３６ｍｍ厚ＢＴ樹脂基板、パッケージサイズは２４×２４ｍｍ、厚み１．１７ｍｍ、シリコンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ、チップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の金線でボンディングしている）を１８０℃の金型温度、７５ｋｇ／ｃｍ２の射出圧力で２分間トランスファー成形を行い、更に１７５℃で８時間、後硬化した。室温に冷却後パッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用いて高さ方向の変位を測定し、変異差の最も大きい値を反り量とした。
・耐半田性：パッケージ反り量測定に用いた成形品パッケージを８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間放置し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。超音波探傷機を用いてパッケージを観察し、内部クラック数及び基板／樹脂組成物界面の剥離数を（発生パッケージ数）／（全パッケージ数）の％表示で表した。
・金線変形量：パッケージ反り量評価で成形した２２５ピンＢＧＡパッケージを軟Ｘ線透視装置で観察し、金線の変形率を（流れ量）／（金線長）で％表示した。
　【００４４】
《実施例２、３及び比較例１、２》
　実施例１を基本配合とし、式（９）と式（１０）との配合比率を変えて、またそれに伴いフェノール樹脂硬化剤の配合量も変えて、その他は基本配合と同じ割合で各成分を配合し、実施例１と同様に混合、混練して樹脂組成物を得た。実施例１と同様に評価を行った。配合処方及び評価結果を表１に示す。
《実施例４〜６及び比較例３》
　実施例１を基本配合とし、実施例４〜６では式（２）の種類、及び比較例３ではフェノール樹脂硬化剤の種類並びにそれらの配合量も変えて、その他は基本配合と同じ割合で各成分を配合し、実施例１と同様に混合、混練して樹脂組成物を得た。実施例１と同様に評価を行った。配合処方及び評価結果を表２に示す。
《実施例７、８及び比較例４、５》
　実施例１を基本配合とし、無機充填材の配合量を変え、及びそれに伴ってエポキシ樹脂及びフェノール樹脂硬化剤の種類並びにそれらの配合量も変えた。比較例５では低分子エポキシ樹脂として、非結晶性の２官能エポキシ樹脂を式（９）のエポキシ樹脂と併用した。その他は基本配合と同じ割合で各成分を配合し、実施例１と同様に混合、混練して樹脂組成物を得た。実施例１と同様に評価を行った。配合処方及び評価結果を表３に示す。
　【００４５】
　【００４６】
　【００４７】
　【００４８】
　【発明の効果】
　本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は金線変形など成形性においても優れおり、該半導体封止用エポキシ樹脂組成物により封止されたエリア実装型半導体装置は、室温及び半田付け工程での反りが小さく、耐半田性や耐温度サイクル性などの信頼性が高いものである。