【事件の表示】
　平成　４年特許願第１３８６９９号「光磁気記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年１２月１７日出願公開、特開平　５−３３４７３８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年５月２９日に出願されたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１１年４月２８日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「基板と、
　前記基板上に貴金属層と遷移金属層とを交互に積層した第１磁性体と、
　前記第１磁性体に接して貴金属層と遷移金属層とを交互に積層した第２磁性体とを含み、
　前記第１、および第２磁性体の室温での保磁力をそれぞれＨＣ１、ＨＣ２、キュリー温度をＴＣ１、ＴＣ２とするとき、
　ＨＣ１＞ＨＣ２、ＴＣ１＜ＴＣ２の関係を満たし、前記第１磁性体を構成する貴金属層の膜厚が１０〜２０Åの範囲である光磁気記録媒体。」
II．引用刊行物
  これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平３−２３５２３７号公報（以下、「引用刊行物」という。平成３年１０月２１日出願公開）には、
Ａ．「本発明は、レーザー光を用いて記録、再生或いは消去を行う光記録媒体に係り、特に超高密度記録が行え、しかもオーバーライト（重ね書き）が可能な光磁気記録に関する。」（第２頁左上欄第１７〜２０行参照）,
Ｂ．「本発明においては、光磁気記録膜として、磁気的特性に異なる垂直磁化膜を少なくとも２層、互いに磁気的に結合するように形成した。これにより、オーバーライトを行うことができる。その場合、レーザー光をローレベルおよびハイレベルの２つのレベルをとると共に、永久磁石或いは電磁石の先行補助磁界（２〜３ｋＯｅ以上）を用いて行う。（第２頁左下欄第６〜１２行参照）、
Ｃ．「２層構造の光磁気記録を用いた場合のオーバーライト手法について説明する。
　レーザー光が入射する側と反対側の第２番目の記録膜の磁化の向きを一方向にそろえる。この場合、レーザー光が入射する側の第１番目の記録膜の磁化の向きは変わらない。新データを記録しなければ旧データは保存される。次にレーザー光を照射して新データを記録する。その際、ハイレベルのレーザー光を照射すると同時に外部補助磁界から逆向きの磁界を印加して２層とも磁化の向きを反転させ記録を行う。レーザー光がローレベルの場合は、第２番目の向きに第１番目の向きが従う。これにより記録が可能となる。この場合問題となるのはローレベルで記録するのに、二層間の磁気的結合を利用しているが、・・」（第２頁左下欄第１８行〜右下欄第１０行参照）、
Ｄ．「一方、超高密度記録実現は、記録媒体の性能に依存する。そして、材料に関する検討の結果、Ｐｔ、ＰｄやＲｈ等の白金族元素のうちの１種類とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の元素の内の少なくとも１種類、さらには２種類からなる合金とを交互に積層した多層膜を用いる。そして磁気特性を変化させるのに、スパッタ条件や一層あたりの膜厚を変化させて行う。」（第２頁右下欄第１６行〜第３頁左上欄第３行参照）、
Ｅ．「本実施例により作製した光磁気ディスクの断面構造を示す模式図を第１図に示す。案内溝を有するガラスまたはプラスチックの基板１上に、窒化シリコンの磁気光学効果増大膜２を５００Åの膜厚にスパッタリング法により形成した。その時の屈折率は２．０（λ＝５８０ｎｍ）である。スパッタ条件は、ターゲットにＳｉ３Ｎ４焼結体ターゲットを、放電ガスにＡｒをそれぞれ使用し、放電ガス圧力５×１０ー３Ｔｏｒｒ、投入ＲＦ電力密度４．２Ｗ／ｃｍ２である。
　ひきつづき第１層目の磁性膜３を形成した。磁性膜の作製はターゲットとして白金族元素としてＰｔを、鉄族元素としてＦｅ７０Ｃｏ３０合金をそれぞれ用い、二元素同時スパッタ法により行なった。膜厚は、Ｐｔが１０Å、ＦｅＣｏ膜が１５Åを１組として、８組連続的に形成した多層構造とした。膜厚の制御は、ディスクの公転数もしくは投入ＲＦ電力密度により行なった。スパッタ条件は、放電ガスにＡｒを使用し放電ガス圧力５×１０ー３Ｔｏｒｒである。この膜の保磁力キュリー温度は、８ｋＯｅ、Ｔｃ＝１８０℃であった。
　つづいて、第２層目の磁性膜４を先と同様のスパッタ法により形成した。この磁性膜４は、白金族元素としてＰｄを、鉄族元素として、Ｃｏをそれぞれターゲットに用い、先と同様のスパッタ条件により形成した。膜厚は、Ｐｄが５Å、Ｃｏが１０Åを１組とし、１５組連続積層した。この膜の磁気特性は、保磁力２ｋＯｅ、Ｔｃ＝２８０℃であった。
 次に磁気光学効果増大膜２として、窒化シリコン膜を１００Åの膜厚に形成した。スパッタの条件は、先の第１層目の窒化シリコン膜２と同様である。最後に、反射膜５として、Ａｌ８５Ｔｉ１５膜を形成した。ターゲットにはＡｌ−Ｔｉ合金は、放電ガスにはＡｒをそれぞれ使用し、放電ガス圧力１×１０ー３Ｔｏｒｒ、投入ＲＦ電力密度を３．５Ｗ／ｃｍ２ととて形成した。その膜厚は５００Åである。このようにして作製したディスクの記録再生特性を測定した。」（第３頁右上欄第２０行〜右下欄第１９行参照）
と記載されている。
　これらの記載から、引用刊行物には、
「基板と、前記基板上にＰｔ膜とＦｅＣｏ膜とを交互に積層した第１層目の磁性膜と、前記第１層目の磁性膜に接してＰｄ膜とＣｏ膜とを交互に積層した第２層目の磁性膜とを含み、前記第１層目の磁性膜の保磁力は８ｋＯｅ、キュリー温度は１８０℃であり、前記第２層目の磁性膜の保磁力は２ｋＯｅ、キュリー温度は２８０℃であり、前記第１層目の磁性膜を構成するＰｔ膜の膜厚が１０Åである光磁気ディスク。」
の発明が記載されているものと認める。
III．対比・判断
　本願発明と引用刊行物に記載された発明とを対比すると、引用刊行物に記載された発明の「第１層目の磁性膜」、「第２層目の磁性膜」、「Ｐｔ膜」及び「Ｐｄ膜」の白金族膜、「Ｃｏ膜」、「光磁気ディスク」は、それぞれ、本願発明の「第１磁性体」、「第２磁性体」、「貴金属層」、「遷移金属層」、「光磁気記録媒体」（光磁気ディスク等を対象としている。）に相当し、引用刊行物に記載の「ＦｅＣｏ膜」と本願発明の「遷移金属層」とは「鉄族金属」を包含する点で共通するとともに、共に貴金属と交互積層することによって大きな垂直磁気異方性エネルギーを有する。そして、本願発明の第１磁性体と第２磁性体の各保磁力と各キュリー温度との大小関係は、引用刊行物に記載された発明における第１層目の磁性膜と第２層目の磁性膜におけるそれらの関係と同様であり、更に、本願発明の第１磁性体を構成する貴金属層の膜厚は、引用刊行物に記載された第１層目の磁性膜を構成するＰｔの膜厚である１０Åと一致することから、
　本願発明と引用刊行物に記載された発明とは、
「基板と、
　前記基板上に貴金属層と鉄族金属層とを交互に積層した第１磁性体と、
　前記第１磁性体に接して貴金属層と遷移金属層とを交互に積層した第２磁性体とを含み、
　前記第１、および第２磁性体の室温での保磁力をそれぞれＨＣ１、ＨＣ２、キュリー温度をＴＣ１、ＴＣ２とするとき、
　ＨＣ１＞ＨＣ２、ＴＣ１＜ＴＣ２の関係を満たし、前記第１磁性体を構成する貴金属層の膜厚が１０〜２０Åの範囲である光磁気記録媒体。」
で一致し、
　本願発明では、第１磁性体の鉄族金属層が遷移金属層であるのに対し、引用刊行物に記載された発明では「ＦｅＣｏ膜」である点で異なる。
  しかるに、本願出願当時、垂直磁気異方性を有する交互積層膜形成材料として周知のＰｔ、Ｐｄ等の貴金属である白金族元素とＣｏ，Ｆｅ、Ｎｉ等の遷移金属である鉄族元素との組合せ（必要ならば特開平１−２５１３５６号公報等参照）において、カー回転角を大きくするために単体の鉄族元素に変えてＦｅＣｏ等の鉄族元素同士の合金を用いることもまた周知となっており（必要ならば、特開平３−１６２７４０号公報、特開平３−１５２７３９号公報、特開平３−２５２９４１号公報、特開平４−６２８１４号公報等参照）、また必要なカー回転角、保磁力に応じて鉄族元素の間で単体と合金の使い分けが普通となっていることから（同上。特に最後のものはＦｅとＣｏのそれぞれの単体を含む任意の比率の合金を許容する。）、引用刊行物に記載された発明の鉄族で垂直磁気異方性を有するＦｅＣｏ膜に変えてＣｏ単体膜等の鉄族でもある遷移金属層に変更する程度のことは当業者において容易に想到可能であり、さらにＰｔ等の貴金属層の膜厚も、基本的に垂直磁化を生じる厚さが材質によってほぼ決まっており、このＦｅＣｏ層からＣｏ層への変更に伴ってはさほど変わらない。
　ついでながら、Ｐｔは周期律表で第VIII族ｂの原子番号７８で「遷移金属」に含まれるなど、貴金属でも遷移金属に含まれるものが多数有り、本願発明における貴金属と遷移金属の定義及び境界が明確でないことを踏まえ、それぞれ単体で遷移金属に属するＦｅ、Ｃｏ間の合金もまた遷移金属であると定義するならば、本願発明と引用刊行物に記載された発明との間には差異は生じない。
IV．まとめ
　以上のとおり、本願発明は、その出願当時の技術常識を考慮して、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたと認められることから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。