【事件の表示】
　特許第３２９６４０５号「電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置」の請求項１ないし５、７ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２９６４０５号の請求項１ないし５、７ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３２９６４０５号については、平成８年８月２０日に特許出願され、同１４年４月１２日に設定の登録がされ、その後、同１４年１２月２７日に株式会社ディスクより本件の請求項１ないし５、７ないし１０に係る特許について特許異議の申立てがされ、同１５年４月１０日付で取消しの理由の通知がされ、その指定期間内である同１５年６月２０日に意見書が提出された。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第２　本件発明
　本件の請求項１ないし５、７ないし１０に係る発明（以下、請求項１に係る発明を「本件発明１」といい、他の請求項に係る発明についても同様とする。）は、登録時の明細書及び図面の記載からみて、それぞれその特許請求の範囲の請求項１ないし５、７ないし１０に記載された事項により特定されるとおりの以下のものであると認める。
「【請求項１】 電子部品部材類を、酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガスを脱ガスして除去した超純水に水素ガス、アルカリを溶解してなり、負の酸化還元電位を有し且つｐＨが７を越え１１未満のアルカリ性である洗浄液により洗浄することを特徴とする電子部品部材類の洗浄方法。
【請求項２】ガス透過膜により脱ガスすることを特徴とする請求項１記載の電子部品部材類の洗浄方法。
【請求項３】 洗浄液が、０．０５ｐｐｍ以上の水素ガスを溶解していることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品部材類の洗浄方法。
【請求項４】 洗浄液は、酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガスの溶存ガス濃度が１０ｐｐｍ未満となるように脱ガスされた超純水を用いるものである請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品部材類の洗浄方法。
【請求項５】 超音波を照射しながら洗浄することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品部材類の洗浄方法。
【請求項７】 洗浄液の温度を、２０℃〜６０℃に温度調節して洗浄することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品部材類の洗浄方法。
【請求項８】 超純水製造装置と、酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガスを脱ガスして除去した超純水中に水素ガスを溶解させるためのガス溶解手段と、アルカリを溶解させるためのｐＨ調整手段と、超純水に水素ガス、アルカリを溶解してなる、負の酸化還元電位を有し且つアルカリ性の洗浄液で電子部品部材類を洗浄する洗浄部とからなることを特徴とする電子部品部材類の洗浄装置。
【請求項９】 洗浄液中の溶存水素濃度及びｐＨをそれぞれ検知する溶存水素濃度検知手段、ｐＨ検知手段と、それらの溶存水素濃度及びｐＨの検知結果に基づき、洗浄液中の溶存水素濃度及びｐＨをそれぞれ制御する溶存水素濃度制御手段、ｐＨ制御手段を有することを特徴とする請求項８記載の電子部品部材類の洗浄装置。
【請求項１０】 洗浄部に超音波を照射するための超音波照射手段を有することを特徴とする請求項８又は９記載の電子部品部材類の洗浄装置。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第３　特許異議申立ての理由及び取消しの理由の概要
　特許異議申立人株式会社ディスクは、本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記の証拠を提出して、本件の請求項１ないし５、７ないし１０に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してされたものであるから取り消すべきものである旨主張している。
［証拠］
　甲第１号証　特開平７−３２８３１４号公報
　甲第２号証　特開平６−１９１５９１号公報
　甲第３号証　特開平７−２６３４３０号公報
　また、当審で通知した取消しの理由の概要は、特許異議申立ての理由に沿うものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
第４  特許異議申立ての理由の検討
１　甲各号証の記載内容
(1) 甲第１号証
　甲第１号証には「流体循環脱気装置」に関連して以下の事項が記載されている。
ア　段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、水その他の流体中から所定の（不要な）溶存気体を除去するための脱気装置に関する。」
イ　段落【０００３】
「例えば半導体産業では、望ましくない無機、有機の不純物（細菌等の微生物も含む）の除去はもとより、純水中に溶存している気体、例えば酸素等も徹底的に除去したいとの要求がある。昨今のように、配線パタンの設計ルールが極く微細化している半導体集積回路構築技術では、例えば一個の細菌ですら、回路短絡を起こす恐れがある。また、シリコン表面を弗酸溶液に漬けることで水素終端化するような場合、当該水素終端を実現する化学反応よりも酸化反応の方が優勢なため、溶存酸素の残存も重大な問題となる。」
ウ　段落【０００４】
「しかるにまず、流体中からの溶存気体の脱気という観点だけからすれば、これに適う従来技術として、バブリング法と真空脱気法がある。溶存気体量は外部分圧に比例した平衡を保つため、溶存気体の外部分圧を下げれば溶存量も減る。バブリング法ではこれを実現するため、例えば溶存酸素を除去するときには高純度な不活性ガス（代表的にはアルゴンガス）を細かな泡として流体中に多量に通過させる。この手法は、半導体産業のみならず、一般的に言って電気化学の実験現場で良く採用される。実験で目的とする反応に比し、溶存酸素や、ある場合にはまた溶存窒素等の方が活性反応種となることが多いからである。」
　これらの記載事項を整理すると、甲第１号証には次の事項が記載されていると認める。
　半導体集積回路構築技術において、溶存酸素、溶存窒素を除去した純水を使用すること。
(2) 甲第２号証
　甲第２号証には「純水用不活性ガスシール槽」に関連して以下の事項が記載されている。
ア　段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は脱ガス処理の済んだ純水、あるいは超純水（以下、純水と超純水を併せて単に純水という）を一時的に貯溜しておくための窒素ガスのような不活性ガスでシールされた純水用不活性ガスシール槽に関するものである。」
イ　段落【０００２】
「【従来の技術】たとえば、半導体ウエハーのような精密電子部品の洗浄用には、溶存電解質、微粒子、コロイダル物質、高分子有機物、発熱物質のほか、微生物の増殖を促すおそれのある溶存ガス、特に溶存酸素を可能な限り除去した純水が要求される。特に、酸素が溶解している純水にて半導体ウエハー等を洗浄すると、当該ウエハーの酸化が促進され歩留りが悪くなるという問題点がある。そのため、純水の製造ライン中には真空脱気装置や加熱脱気装置のような脱気設備が付設されている。そして、これらの脱気設備によって溶存ガスの取り除かれた純水は、次段のサブシステムに送られるまでの間、あるいはユースポイントにおいて使用されるまでの間、ライン中に準備された純水貯槽内に一時的に貯溜される。ところが、この純水貯槽内で貯溜中に酸素や炭酸ガス等が微量ではあるが、半導体ウエハーの洗浄用としては好ましくない程度の量が純水中に再溶解するのでこれまで純水貯槽内に窒素ガスのような不活性ガスを圧入し、純水の水面上を不活性ガスでシールする方法が一般的に採用されている。
ウ　段落【０００３】
「【発明が解決しようとする課題】前記したように、純水貯槽内は窒素ガスのような不活性ガスによってシールされた状態となっているので、当該貯槽内で酸素や炭酸ガス等が純水中に再溶解するのを防止することができる。しかしながら、当該貯槽内の純水の上面には窒素ガス、アルゴン、ヘリウム、ネオンのような不活性ガスが圧入されており、しかも純水の水面と当該不活性ガスは接触状態であるため、当該不活性ガスが純水中に溶解するという問題点がある。窒素ガスのような不活性ガスの場合には、酸素や炭酸ガスが溶解した場合と較べて半導体ウエハー等の洗浄に不都合を来すことが本来少ないのであるが、超音波を利用した洗浄装置では、純水中に不活性ガスが溶解していると超音波発振時に発泡するという問題点があり、超音波洗浄時に発泡が起きると、気泡がウエハーの表面に付着し、当該付着部分に洗浄用の純水が届かず洗浄されない部分が生じてしまうという重大な欠点がある。」
エ　段落【００１２】
「次に、合成樹脂発泡体１３として独立気泡構造を有する厚さ約１ｃｍの発泡ポリエチレン製の薄板を用い、これをＥＶＡ・ポリエステルの共重合体によって作成した袋１４内に封入して気液遮断体１２を構成し、当該気液遮断体１２をシール槽本体１内の純水５の水面に浮設した場合（実施例）と、このような気液遮断体を用いず従来と同様に不活性ガスと接触状態のまま貯溜した場合（比較例）とにつき、純水送出管７を介して送出される純水中の溶存窒素ガス濃度と溶存酸素濃度を調べた結果を下記に示す。なお、この実験では純水供給管２より真空脱気装置によって溶存酸素、溶存炭酸ガスの除去された純水を３ｍ3 ／ｈの割合でシール槽本体１内に供給すると共に、不活性ガス供給管４より６Ｎｌ／ｍｉｎの割合で窒素ガスをシール槽本体１内の水面の上方部に供給した。比較例によった場合、送出された純水中の溶存窒素ガス濃度は１．１ｍｇＮ／ｌであったが、実施例によった場合は全く検出できなかった。また、溶存酸素濃度は実施例によった場合２２．０μｇＯ／ｌ、比較例によった場合２２．４μｇＯ／ｌで、実施例によった場合の方が幾分改善されていた。なお、前記溶存窒素ガス濃度の測定はガスクロマトグラフィー、溶存酸素濃度の測定は溶存酸素計によった。」
　これらの記載事項を整理すると、甲第２号証には次の事項が記載されていると認める。
　半導体ウエハーのような精密電子部品の洗浄用に、溶存酸素、溶存炭酸ガス、溶存窒素ガスを除去した純水を使用すること。
(3) 甲第３号証
　甲第３号証には「半導体基板のウエット処理方法」に関連して以下の事項が記載されている。
ア　【特許請求の範囲】
「【請求項１】 純水に塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、弗化アンモニウム、硝酸アンモニウム、臭化アンモニウム、沃化アンモニウム、硫酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、塩酸、アンモニア水の内より選定された少なくとも１種類よりなる電解質を８×１０-2モル／リットルから２×１０-5モル／リットルの範囲で添加した第１の水溶液を電気分解することによって生成された第２の水溶液を処理液としてこれに半導体ウエーハ被処理部を灌浸あるいは灌水する半導体ウエーハの処理方法。
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【請求項４】 請求項１の電解質より選定された少なくとも１種類の電解質を８×１０-2モル／リットルから２×１０-5モル／リットルの範囲で添加した水溶液を電気分解して得られる陰極水に、硫酸あるいはリン酸の内の少なくとも一種類の酸を、前記電解質の添加モル濃度の１／１０〜１／５００で添加して得られた処理液に半導体ウエーハ被処理部を灌浸あるいは灌水する半導体ウエーハの処理方法。
【請求項５】 請求項１の電解質より選定された少なくとも１種類の電解質を８×１０-2モル／リットルから２×１０-5モル／リットルの範囲で添加した水溶液を電気分解して得られる陰極水に、前記電解質の添加モル濃度と同等もしくは１／１０の範囲までのモル濃度のＨ2 Ｏ2 を添加して得られた処理液に半導体ウエーハ被処理部を灌浸あるいは灌水する半導体ウエーハの処理方法。
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【請求項８】 請求項１、４あるいは５の処理液、もしくは水を電気分解して生成される陰極水に、Ｈ2 ガスをバブリングにした処理液に半導体ウエーハ被処理部を灌浸あるいは灌水する半導体ウエーハの処理方法。」
イ　段落【００１５】〜【００１７】
「この発明で実際に使用した二層式電気分解方式では電気分解槽４００をイオン交換膜４０７により２室に分離し、それぞれの室に配置する電極としては前記電気分解水とは化学反応性のないＰｔ電極を用いている。電極材料には、カーボン、特にガラス状カーボン電極を用いても、またＲｕＯ2 を用いても良い。また、陽陰電極材料を同じにする必要はなく、酸性溶液に灌浸する陽電極４０２にＰｔ、アルカリ溶液に灌浸する陰電極４０３にカーボンを用いるなどの選択ができる。
　電気分解水を利用するには、上記した電極間に陰電極４０３側からは水素が、陽電極４１０２側からは酸素が発生するほどに直流電圧を印加し、イオン交換膜４０７により隔てられた２室よりそれぞれ独立に取り出した液を採取する。この場合、純水に添加した電気分解質の濃度あるいは電気分解初期条件によって印加する電圧は異なるが、２Ｖ〜５０Ｖ程度の直流電圧印加が必要となる。
　電気分解が開始すると、陰電極４０３にＨ+ イオンが引き寄せられ、電極から電子を受け取りＨ2 ガスが放出され、結果的にＨ+ イオン数の減少に応じてＯＨ- イオンが残るために、陰電極４０３側の槽の水、陰極水４０５はアルカリ性を呈すると同時に、陰電極４０３から発生する活性基の水素の存在により還元性を持つことになる。同様な理由によって、陽電極４０２では、ＯＨ- イオンが引き寄せられ、電極には電子が取られてＯ2 ガスを放出する。これにより陽電極４０２側槽の水、陽電極４０４はＯＨ- イオンの減少に対応してＨ+ イオン過剰となり酸性を呈し、かつＯ2 ガスやＯ3 ガスの発生を伴うので酸性化を持つことになる。特にこの発明で示した電解質が含まれている水溶液４０１を電気分解した場合には、電解質を添加していない場合に比べてＯ3 の発生量が増加する。また、電解質としてハロゲンを加えた場合にはオキソ酸（ハロゲンが塩素の場合ＨＣｌＯ、ＨＣｌＯ2 、ＨＣｌＯ3 等）を発生し、酸性化はより顕著となる。」
ウ　段落【００２１】
「まず、電気分解によって得られる陽極水と陰極水の性質について述べる。電気分解によって得られる陽極水と陰極水の性質は、電気分解に先立って添加する電解質に依存する。添加する電解質は、電気分解における抵抗減少に有効であるばかりでなく、電解質を選ぶことによってＯＲＰを制御できることも明らかになっている。図１は、３種類の電解質（塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、塩酸）を０．０５重量％含んだ純水のｐＨ（縦軸）とＯＲＰ（横軸）が電気分解によってどう変化するかを示している。電気分解は２槽式で行い、隔膜としては多孔膜を用いている。電気分解によって、陽極側には酸化性の高い水が生じ、陰極側には還元性の高い水が生じていることが判る。３種類の電解質を比較すると、塩素を含んだ電解質を用いた場合には、ＯＲＰの大きな陽極水が得られ、アンモニアを含んだ電解質を用いた場合には、ＯＲＰの小さな（還元性の大きい）陰極水が得られる。陽極水のＯＲＰを大きくする電解質としては、塩素以外に臭素と沃素でもほぼ同程度の効果が認められている。従って、酸化性の高い陽極水を得るためには、塩酸、臭素水、沃素水等の他、塩化アンモニウムなどの塩を電解質として用いることが一般的に有利である。一方、陰極水のＯＲＰを小さい（たとえば−８００ｍＶ）、即ち、還元性の大きな水を得るためには、アンモニア水の他に塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、弗化アンモニウム、硝酸アンモニウム、臭化アンモニウム、沃化アンモニウム、硫酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、蟻酸アンモニウムなどの塩を電解質として用いることが有利である。すなわち、前記してきた多くの電解質を添加した水を電気分解して得られる電気分解水は種々の半導体ウエーハ処理に有効に作用するものの、あるウエット処理を最適に行うためには選択すべき最適の電解質が存在する。後の実施例で示すが、塩素を含むガスによるドライエッチング後のウエット処理の場合には塩素除去を目的としているので、塩素を含んだ電解水を使わない方がより除去効果が顕著となる。そのため、電解質としては塩化アンモニウムではなく酢酸アンモニウムなどが望ましいと言える。」
エ　段落【００２４】
「エッチング速度が充分に遅い領域の陰極水はシリコン基板上の無機パーティクル除去に利用できる。例えばＣＭＰ（ケミカル メカニカル ポリッシング）を経たＳｉ基板上に付着したコロイダルシリカの除去に利用した実施例を示す。５×１０-5モル／リットルの塩化アンモニウムを電解質として得られるＯＲＰ＝−７２０ｍＶ、ｐＨ＝８．２の陰極水を用いて流水方式で１０分間洗浄した結果を図６に示すが、洗浄処理前の２０００個以上／ウエーハのコロイダルシリカが、８０個／ウエーハとなった。従来のＡＰＭ液を用いた場合の１００個／ウエーハを越える残留量に比べても優れた結果である。このように陰極水の採用により、薬品濃度を低減でき、作業の安全性も向上した。この無機パーティクル除去にはＯＰＲ−７００ｍＶ以下で、ｐＨ８以上の陰極水が特に有効で塩化アンモニウムや酢酸アンモニウムを僅かに２×１０-5モル／リットル加えた電気分解水においても充分に効果がある。この陰極水処理ではシリコンを僅かにエッチングすることで無機パーティクルを除くものであるが、同時に陰極水中ではシリコン基板表面にパーティクルが再付着しにくいという効果も有している。」
オ　段落【００２６】
「以上、陰極水によるＳｉ表面の処理について、０．１〜２×１０-5モル／リットルの塩化アンモニウムあるいは酢酸アンモニウムを添加した水溶液を電気分解することで得られる陰極水について述べてきたが、ＯＲＰが−５００ｍＶ以下でｐＨが７を越える陰極水を用いることが有効であった。更に陰極水にＨ2 をバブリングさせて溶存させると、還元性が上昇し、無機パーティクルの除去効率が上がり、処理時間の短縮（図７参照）が図れ、自然酸化膜の再成長抑止時間も２４時間以上となった。１分程度水素バブリングを行った状態で溶存水素量を測定したところ、室温での飽和値に近い１．３ｐｐｍ程度が溶存していることが明らかになった。シリコンのエッチングに陰極水を用いる場合、Ｈ2 バブリングを行うことでエッチングの均一性が向上し、その結果、エッチング後表面の凹凸に改善が見られた。これは、陰極水の還元力が水素バブリングによって向上した結果であると考えられる。」
カ　【００２８】、【００２９】
「上記してきた陰極水はシリコン以外のＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＺｎＳｅ等の化合物半導体基板上の無機パーティクルや自然酸化膜除去にも適用できる。これにはｐＨ７を越え、ｐＨ９程度に至る陰極水を７０°Ｃ程度に加熱して用いるのが有効である。例えば、１×１０-4モル／リットルの酢酸アンモニウムを電解質として電気分解した場合、陰極側で得られたＯＲＰが−７５０ｍＶ、ｐＨが８．７の陰極水でＧａＡｓ基板を処理することにより、表面に意図的に付着させた２００００個／ウエハーのコロイダルシリカが、１００個／ウエハー以下となり、ＡＥＳ（オージェ電子分光）分析で未処理ウエーハ表面に観察されたＧａＯの信号強度が１／１０以下に低減した（図８参照）。これらの場合に上記陰極水にＨ2 ガスをバブリングして還元性を高めると無機パーティクル（図９参照）や自然酸化膜（図１０参照）除去効率は一段と向上できた。従来、基板表面の無機パーティクル除去にはもっぱら有機溶剤が用いられ、自然酸化膜除去にはＤＨＦ（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１００）等を用いての処理が行われてきたが、陰極水の適用を拡大することで弗酸や有機溶剤の使用量は大幅に削減された。
　次にやはり陰極水を半導体ウエーハ表面のパーティクル除去へ適用した場合の実施例を述べる。陰極水はアルカリ性かつ還元性を有し、メタル（シリサイド）系あるいは絶縁膜系を問わずエッチング作用を持ち、アルカリ中ではシリコンとパーティクルのゼータ電位が同符号（マイナス）となるためにシリコンとパーティクルとの間には反発力が働き、無機、有機を問わずパーティクルが付着しにくい特性を持つため、パーティクル除去に最適である。６．５×１０-3モル／リットルの酢酸アンモニウムを電解質としたＯＲＰが−８２０ｍＶ、ｐＨが１０．５の陰極水を用いれば、メタル（シリサイド）上および絶縁膜上に存在した３０００個のポリスチレンパーティクルをそれぞれ１００個以下に、またメタル（シリサイド）ならびに絶縁膜上のコロイダルシリカをそれぞれ３００００個から１００個以下にすることができた。この場合についてもＨ2 をバブリングして溶存させることが有効であった。図１１ではメタル上のコロイダルシリカが短時間に効率良く除去できていることが判る。」
キ　段落【００５４】
「陽極水による有機物除去について述べてきたが、陰極水によっても有機物除去は可能である。有機物系の汚染やレジスト残渣の除去には酸化性をもたらせた陰極水を用いるのも有効である。シリコン基板、メタル上や絶縁膜上の有機物除去の場合に陰極水を用いるシリコン、メタルや絶縁膜はエッチングされ、かつ、シリコンとパーティクルのゼータ電位が同符号（マイナス）となるためにシリコンとパーティクルとの間に反発力が働き、パーティクルが再付着しにくいため除去効率がきわめて高くなる。こうした処理には例えば酢酸アンモニウムや塩化アンモニウム０．１モル／リットル〜１×１０-5モル／リットル添加した水溶液を電気分解して得られたＯＲＰ−７００ｍＶ以下、ｐＨ７を越える陰極水を実施例では用いた。具体的には６．５×１０-3モル／リットルの酢酸アンモニウムを電解質として電気分解して得られるＯＲＰが−８００ｍＶ、ｐＨが１０の陰極水を〜７０℃に加熱して用い、絶縁膜上やメタル（シリサイド）上（図２１参照）のレジスト残渣を完全に除去することができた。これらの場合に水素をバブリングすることで還元性が増加し、絶縁膜上、メタル（シリサイド）上共に有機物除去の効率が２倍程度向上した。以上の有機物除去の陰極水の具備するアルカリ性と還元性を積極的に利用したものである。」
　これらの記載事項を整理すると、甲第３号証には次の発明が記載されていると認める。
　半導体ウエーハを、塩化アンモニウム、酢酸アンモニウムなどの電解質を添加した水を電気分解して生成される陰極水に、還元性を上昇させるためにＨ2 ガスをバブリングしてなり、酸化還元電位であるＯＲＰが−７２０ｍＶでｐＨが８．２、ＯＲＰが−５００ｍＶ以下でｐＨが７を越え、 ＯＲＰが−７５０ｍＶでｐＨが８．７、ＯＲＰが−８２０ｍＶでｐＨが１０．５、または、ＯＲＰが−８００ｍＶでｐＨが１０であり、溶存水素量が１．３ｐｐｍ程度である洗浄液により洗浄する半導体ウエーハの洗浄方法。
２　対比・判断　
(1) 本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証記載の事項とを対比すると、甲第１号証記載の事項における「半導体集積回路」は、本件発明１の「電子部品部材類」に相当することが明らかであるから、本件発明１と甲第１号証記載の事項とは、電子部品部材類を、酸素ガス、窒素ガスを脱ガスして除去した純水により処理するという限りで一致しており、また、本件発明１と甲第２号証記載の事項とを対比すると、本件発明１と甲第２号証記載の事項とは、電子部品部材類を、酸素ガス、窒素ガスを脱ガスして除去した純水により洗浄するという限りで一致している。
　しかしながら、甲第１号証及び甲第２号証には、本件発明１を特定するために必要と認める事項の一つである、洗浄液が「酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガスを脱ガスして除去した超純水に水素ガス、アルカリを溶解してなり、負の酸化還元電位を有し且つｐＨが７を越え１１未満のアルカリ性である」ことについて何等記載されておらず示唆もされていない。
　次に、本件発明１と甲第３号証記載の発明とを対比すると、甲第３号証記載の発明の「半導体ウエーハ」は、本件発明１の「電子部品部材類」に相当することが明らかであるから、本件発明１と甲第３号証記載の発明とは、電子部品部材類を、水素ガスを溶解してなり、負の酸化還元電位を有し且つｐＨが７を越え１１未満のアルカリ性である洗浄液により洗浄する電子部品部材類の洗浄方法であるという限りで一致している。
　しかしながら、本件発明１は、酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガスを脱ガスして除去した超純水に水素ガスを溶解して水素溶解水とすることによって洗浄液の酸化還元電位を還元電位側とするものであるのに対して、甲第３号証記載の発明は、特定の電解質を溶解した純水を電気分解することによって還元電位側の陰極水を得るものであって、水素ガスの溶解という手段のみによって処理液に負の酸化還元電位を付与するという技術思想は全く存しない。　
　甲第３号証には電気分解により得られた陰極水の還元性を上昇させるために水素ガスをバブリングさせて溶存させる旨の記載があるが、甲第３号証記載の発明は、あくまでも「陰極水の性質は、電気分解に先立って添加する電解質に依存する」こと、「電解質を選ぶことによってＯＲＰを制御する」ことを前提とし、選定した電解質に依拠して一定の酸化還元電位を付与することを基本的な工程としており、上記の水素ガスバブリングは酸化還元電位を調整するための付加的な工程にすぎない。
 　そして、本件発明１では、水素ガスを超純水に溶解させるものであるから、生成した水素溶解水に不純物が混入するということはないのに対して、甲第３号証記載の発明では、各種の電解質を溶解させた水の電気分解により電気分解水を得るものであるから、電気分解水そのものが既に超純水ではなく且つ電気分解の際に水溶液が電極に直接に接触することになり、電極表面や電気分解装置の内壁等から水溶液中に金属不純物が混入しやすいという問題がある。
　シリコンウエハ等の洗浄工程に用いる洗浄液に金属不純物が混入すると、その金属不純物がシリコンウエハ上に残留する虜れがあり、甲第３号証記載の発明はこのような欠点を内包するものであるところ、本件発明１は、超純水に水素ガスを溶解させるので金属不純物のない洗浄液を生成でき、金属不純物のない洗浄液でシリコンウエハ等を洗浄できるので、金属不純物のシリコンウエハ上への残留という問題は何ら生じない。
　このように、超純水に水素ガス及びアルカリを溶解してなるアルカリ性水素溶解水を洗浄液として用いる本件発明１と、電気分解により生成される陰極水を洗浄液として用いる甲第３号証記載の発明とでは、実際の洗浄処理において不純物の混入を防止できるかどうかという効果上の差異が明らかである。
　そうしてみると、甲第１号証及び甲第２号証に、電子部品部材類の処理ないし洗浄のために、酸素ガス、窒素ガスないし炭酸ガスを脱ガスして除去した純水を使用することが記載されており、また、甲第３号証に、電解質を添加した水を電気分解して生成される陰極水が負の酸化還元電位を有し且つｐＨが７を越え１１未満のアルカリ性であること、その還元性を上昇させるためにＨ2 ガスをバブリングさせること、この陰極水を電子部品部材類の洗浄に使用することが記載されているからといって、陰極水とは全く異なる酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガスを脱ガスして除去した超純水に水素ガスを溶解させるための動機づけが見当たらず、本件発明１は、甲第１号証及び甲第２号証記載の事項並びに甲第３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
(2) 本件発明２ないし５、７ないし１０について
　本件発明２ないし５，７は、いずれも本件発明１を直接ないし間接的に引用するものであり、本件発明８は、方法の発明である本件発明１を物の発明として特定するものであり、また、本件発明９，１０は、本件発明８を直接ないし間接的に引用するものであるので、本件発明２ないし５、７ないし１０は、本件発明１と同様、甲第１号証及び甲第２号証記載の事項並びに甲第３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
　
第５　むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１１ないし５、７ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に上記各特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月９日（２００３．７．９）