【事件の表示】
　平成１０年特許願第１７１９９３号「化学的機械研磨装置で使用するためのみぞ付パターンを有する研磨パッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月１６日出願公開、特開平１１−　７０４６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件出願は、１９９８年５月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９７年５月１５日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、平成２２年２月２６日付けで拒絶をすべき旨の査定がされた後、同年７月２日に本件審判の請求がされ、同時に手続補正書が提出されたものである。
　その後、当審において、平成２３年６月２８日付けで拒絶の理由が通知され、同２４年１月１６日に意見書及び誤訳訂正書が提出され、その後、同年２月１０日付けで再度拒絶の理由が通知され、同年７月５日に意見書が提出されたものである。
　本件出願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２４年１月１６日付け誤訳訂正書により訂正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
「化学的機械研磨装置において基板を研磨する研磨パッドであって、約０．０３インチ（０．０７６ｃｍ）の深さ、約０．０２インチ（０．０５１ｃｍ）の幅、及び約０．１２インチ（０．３０５ｃｍ）のピッチを有する、複数の実質上円形の同心に配置されたみぞを有する研磨表面を備え、前記複数のみぞは前記研磨表面に対して垂直な複数の側壁を有し、
　前記研磨パッドはさらに上部層及び下部層を備え、前記複数のみぞは前記上部層における前記下部層と接触する面とは反対の面に形成され、前記上部層が約０．０６〜０．１２インチ（０．１５２〜０．３０５ｃｍ）の厚さを有し、
　前記複数のみぞが複数の仕切壁によって分離され、前記複数のみぞの幅と前記複数の仕切壁の幅の比が約０．２０である研磨パッド。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　当審における平成２４年２月１０日付け拒絶の理由では、本願の優先権主張の日前である平成８年（１９９６年）２月２２日ないし２３日に頒布された刊行物である「Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ　ＣＭＰ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　Ｕｓｉｎｇ　Ｇｒｏｏｖｅｄ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｐａｄｓ」Ｗｅｌｉｎｇ　ｅｔ　ａｌ．，１９９６ ＩＳＭＩＣ−１００Ｐ／９６／００４０，Ｆｅｂｒｕａｒｙ　２２−２３，１９９６　ＣＭＰ−ＭＩＣ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（以下「引用刊行物１」という。）、及び本願の優先権主張の日前である平成８年１１月２６日に公開された「特表平８−５１１２１０号公報」（以下、「引用刊行物２」という。）が引用され、当該引用刊行物１、引用刊行物２には、次の事項が記載されている。
（１）　引用刊行物１
　引用刊行物１には以下の記載がある。なお、括弧内は、当審の仮の翻訳文を示す。
ア　第４０ページのＡＢＳＴＲＡＣＴ
「ABSTRACT
 The use of grooved pads instead of the conventional perforated pads is shown to offer significant improvements in CMP process manufacturability. Grooves in the polishing pad surface facilitate slurry flow to the wafer surface during polishing while improving the effectiveness of the applied polish arm and conditioner downforces. A higher and stable removal rate obtained using grooved pads would lower process variability and improve wafer throughput. Grooves in the pad surface have  no adverse impact on with-in wafer uniformity, surface roughness and local planarity. Moreover, the extent of improvement in removal rate performance is independent of the type of PECVD oxide that is being polished. ・・・」
（要約
　従来の穿孔パッドに代えて溝付きパッドを用いることは、ＣＭＰプロセスの生産性において著しい改善を提供することが明らかになった。研磨パッド表面における溝は、研磨中における半導体基板表面におけるスラリーの流れを容易にし、適用される研磨アームとコンディショナーの押圧力の有効性を改善する。溝付きパッドを用いることによって得られる高い、そして安定的な除去率は、プロセスの可変性を下げ、半導体基板のスループットを改善する。パッド表面の溝は半導体基板の均一性や、粗さや局部的な平坦性に有害な影響を与えない。さらに、除去率性能の改善の範囲は研磨されるＰＥＣＶＤ酸化物の種類に影響されない。・・・）
イ　第４０ページのＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮ
「INTRODUCTIN
 Chemical-mechanical-polishing(CMP) seems to be widely accepted as the only present solution for global planarity(1). However, device manufacturers are still skeptical about the manufacturability of the CMP process(2). More specifically, interaction and long-term degradation of CMP consumables can result in significant variations to CMP performance. A figure of merit used by several CMP users is stability of removal rate and uniformity over multiple (200-300) wafers for a given fixed set of consumables. Degradation of removal rate is typically due to lack of conditioning of the polishing pads or from inadequate slurry transport to the wafer surface in contact with the polishing pads. In an earlier paper (3), we talked about issues involved with optimization of a CMP process for dielectric planarization. In this study, we focus on the use of grooved pads (4) instead of the conventional perforated pads in increasing and maintaining a stable removal rate. Grooved pads offer these improvements in CMP process manufacturability without compromising on local planarity or with-in wafer uniformity. 」
（化学機械研磨（ＣＭＰ）は、全体的な平坦性の唯一つの当面の解決策として広く受け入れられている（１）。しかしながら、デバイス製造業者はＣＭＰプロセスの製造性に対してまだ懐疑的である（２）。もっと正確に言えば、ＣＭＰ消耗品の相互作用や長期間の低下はＣＭＰの性能に重大な変動をもたらす。幾人かのＣＭＰ利用者に利用されるメリットの典型は、与えられた消耗品のセットで多数の（２００−３００）半導体基板の除去率の安定性と均一性である。除去率の低下は、典型的には研磨パッドのコンディショニングの不足か研磨パッドと接する半導体基板表面への不十分なスラリーの運搬による。以前の論文（３）では、ＣＭＰプロセスによる絶縁体の平坦化の最大化に関する問題について述べた。この論文では、安定した除去率を向上し、また維持するように、従来の穿孔パッドに代えて溝付きパッド（４）を用いることについて焦点をあてる。溝付きパッドは局部的な平坦性、あるいは半導体基板の均一性を損なうことなしにＣＭＰプロセスの生産性の改善を提供する。）
ウ　第４１ページのＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴ
「EXPERIMENT
 Chemical mechanical polishing was done with a commercial single-head polisher using concurrent conditioning and an ammoniated slurry. Patterned and unpatterned wafers deposited with TEOS or silane-based PECVD oxides were measured before and after CMP using an optical thin film thickness measurement tool.・・・」
（実験
　化学機械研磨は同一のコンディショニング及びアンモニアを含むスラリを用いて市販の単一ヘッド研磨機により実施された。ＴＥＯＳ、又はシランをベースとしたＰＥＣＶＤ酸化物を堆積した、パターン化された、あるいはパターン化されていない半導体基板は、ＣＭＰの前後で光学的薄膜厚測定装置を用いて計測された。・・・）
エ　第４１〜４２ページのＲＥＳＵＬＴＳ
「RESULTS
 During polishing,the hard pad, under the influence of downforce, is in intimate contact with the wafer making it difficult for slurry to reach the wafer surface. Perforations or grooves are intentionally created channels which enable the slurry to be transported to the wafer surface. Fig. 1 is a schmatic of typical perforated and grooved pads in top-down and cross-sectional views. The number and density of perforations or grooves shown in the figure are merely representations and are not exact. As seen in the figure, perforations are cylindrical holes that extend through the entire thickness of the hard pad. In comparison, grooves are much smaller and shallower indentations on the surface of the pad. Grooves could be in the form of either concentric circles,as shown in Fig. 1(b), or spirals, extending from the pad circumference to the center of the pad.
 Perforated and grooved pads differ in several critical ways − the volume of slurry being transported is different. Perforations create small pools of slurry whereas grooves are like channels which allow slurry to easily flow under the wafer surface in contact with the pad, reducing hydroplaning effects. ・・・As a result, the perforations tend to clog and reduce in effective volume over the life of the pads. Rinsing slurry off the relativly shallow grooves is easier and particle sedimentation in the grooves is significantly reduced.
・・・」
（結果
　研磨中、硬質パッドは、押圧力の影響により半導体基板と密接に接触しているので半導体基板の表面にスラリーを供給することを困難にしている。穿孔、あるいは溝は意図的に流路を作り出し、それにより半導体基板の表面にスラリーが運搬される。図１は、典型的な穿孔及び溝付きパッドの平面図と断面図の概要である。図に示された穿孔と溝の数や密度は単なる概念図で正確ではない。図に見られるように、穿孔は硬質パッドの全部の厚さを貫通する円柱状の穴である。それに対して、溝は、パッドの表面上のより小さく、より浅いくぼみである。溝は図１（ｂ）に見られるように同心円状か、あるいはパッドの周囲から中心へ延びる螺旋状であり得る。
　穿孔及び溝付きパッドはいくつかの評価において異なっている。−　運搬されるスラリーの量が異なる。穿孔は小さいスラリーのプールを提供するのに対して溝は流路のようで、水面滑走効果を減少させながらパッドに接する半導体基板表面にたやすくスラリーを流す。・・・結果として、穿孔はつまりやすくパッドの効果的な量の研磨を低減する。相対的に浅いみぞからスラリーを洗い流すことは、より簡単であり、みぞの中にある粒子の沈降を著しく減少させる。
・・・）
オ　第４２〜４３ページのＣＯＮＣＬＵＳＩＯＮＳ
「CONCLUSIONS
 Significant improvement in manufacturability could be expected from using grooved pads instead of the conventional perforated pads. Grooves in the polishing pad surface not only improve slurry flow to the wafer surface during polishing but also improve the effectiveness of the applied polish arm and conditioner downforces, thereby increasing and maintaining a stable removal rate.・・・」
（結論
　生産性の著しい向上は、従来の穿孔パッドに代えて溝付きパッドを用いることによって期待できる。研磨パッド表面の溝は研磨時の半導体基板表面のスラリーの流れを改善するだけでなく、適用される研磨アームとコンディショナーの押圧力の有効性を改善し、その結果、安定した除去率を向上し、維持する。・・・）
カ　第４３ページの図１の説明文
「Fig.1. Schematics of perforated and grooved pads:(a) and (b) top views, and (c) and (d) cross-sectional views. Note that all dimensions are in inches but are not drawn to scale.」
（図１．穿孔パッド及び溝付きパッドの平面図（（ａ）、（ｂ））及び断面図（（ｃ）、（ｄ））の概略。全ての寸法はインチであるが、スケールで描かれていない点に留意されたい。）
キ　ここで、第４３ページの図面の図１を参照すると、図の（ｂ）及び（ｄ）には、溝付きパッドが例示されている。図（ｄ）を参照すると、「Ｓｏｆｔ　Ｐａｄ」の上に「Ｈａｒｄ　Ｐａｄ」が積層されているのが見て取れるから、パッドは硬質の上部層と軟質の下部層とで構成され、溝は上部の硬質パッドのみに、また、軟質の下部層と接触する面とは反対側に形成されていることは明らかである。そして、パッド上において、溝のピッチは０．０６インチ間隔の同心状で、硬質研磨パッドの厚さが０．０５インチであるところ、溝の深さは０．０１５インチ、溝の幅は０．０１インチであり、しかも、溝の側壁は研磨表面に対してほぼ垂直であることが見て取れる。
　図１に示される溝付きパッドにおいて、溝のピッチが０．０６インチのところ、溝幅が０．０１インチであることから、溝間の仕切り壁の幅は０．０６−０．０１＝０．０５インチと計算されることは明らかである。
　以上、アないしカの記載事項、キの認定事項、及び図面の記載から、引用刊行物１には、
「化学的機械研磨装置において半導体基板を研磨するパッドであって、０．０１５インチの深さ、０．０１インチの幅、及び０．０６インチのピッチを有する、複数の同心円状に配置された溝を有する研磨表面を備え、前記複数の溝は前記研磨表面に対してほぼ垂直な側壁を有し、
　パッドはさらに硬質の上部層と軟質の下部層を備え、前記複数の溝は前記上部層における前記下部層と接触する面とは反対の面に形成され、前記硬質の上部層が０．０５インチの厚さを有し、
　前記複数の溝が複数の仕切壁によって分離され、前記複数の仕切壁の幅が０．０５インチであるパッド。」の発明（以下、「引用発明」という。）が、記載されていると認められる。
（２）　引用刊行物２
ク　第５ページ第３〜６行
「
発明の背景
　本発明はガラス、半導体、誘電体／金属複合材および集積回路のようなものに、滑らかで超平坦な表面を作るため使用される研磨パッドに関するものである。より詳細には、本発明はこのようなパッドの表面のきめに関するものである。」
ケ　第９ページ第１５〜２３行
「
好ましい実施例の説明
　本発明の研磨パッドの基本的な特徴は、そのパッドが同時に大小の流路を有する表面のきめを備え、その構造が先在するバルクまたは表面のきめを基本的に持たない固体均質物質の表面上に、外部手段によってのみ形成されることである。本発明の驚くほどすばらしい特徴は、パッド表面上の大小の流路が同時に存在することがそれ自体で望ましい高い研磨作用を十分生ずることである。下記の例で示されるように、通常は研磨作用を持たない材料に、市販の先行技術製品と十分等しい、望ましい高レベルの研磨作用を与えるため、容易にかつ迅速に活性化させることができる。」
コ　第９ページ末行〜第１０ページ第３行
「図２に示された本発明のパッドはその表面上に、小規模の流路又はミクロ凹部６、および大規模な流路又はマクロ凹部７が同時に存在する外部手段により生じたきめを有する基本的にバルクのミクロなきめを持たない固体均質重合体パッド５を示している。」
サ　第１０ページ第１２行〜第１１ページ第１行
「本発明のパッドにおけるマクロなきめは、スラリーの流れを妨げない流路となるように選択された大きさの凹部（マクロな凹部）から高く上がった部分で構成されている。本発明のマクロなきめの最も重要な特徴は、マクロなきめの間の距離であり、その間でスラリー移動が、用いられるミクロなきめにより調節される。実際には、マクロなきめの間隔の上限は５mmである。突き出た部分がそれよりかなり横方向に大きいと、用いられるミクロなきめのタイプに関係なく研磨率を顕著に減少させるであろう。マクロなきめの間隔の下限は0.5mmである。この限度より下では、マクロな凹部を作るのは困難で時間のかかるものとなる。更に、その下限サイズより下では、マクロな凹部間の突き出た表面の構造的完全性を低下させ、撓みや変形を受けて研磨効果を低下させる。
　マクロな凹部のパターンならびにそれらの幅と深さは、上記の限度が維持される限り、実質的に望ましい任意のパターンまたはサイズとすることができる。実際には、マクロな凹部の幅と深さは、一般的に、マクロな凹部間の突き出たパッド表面の最大横方向寸法の50％以下に保たれ、マクロな凹部の深さは少なくともその幅に等しい状態となる。マクロな流路は、パッドの厚さの90％を超えない、任意の望ましい深さとすることができる。マクロな流路がより深ければ、磨耗率は限界に至り、パッド寿命はより長くなる。深さがパッドの厚さの90％を超えると、パッドの機械的強度が著しく低下し、従ってそれは避けられる。」
　以上、クないしサの摘記事項及び図面の図２から、引用刊行物２には、「パッドの表面に大小の水路を有する表面のきめを備え、マクロな流路のきめはパッドの厚さの９０％を超えないものであって、マクロな流路を深くすればそれだけ、パッド寿命は長くなること。」という事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されていると認められる。
 　 
３　対比及び当審の判断
　
（１）　対比
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明の「半導体基板」、「パッド」、「溝」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「研磨パッド」、「みぞ」に相当する。
　引用発明の「同心円状に配置された」は、本願発明の「実質上円形の同心に配置された」に相当する。
　引用発明の「複数の仕切壁の幅が０．０５インチである」ことは、「溝の幅が０．０１インチ」であるから、本願発明の「みぞの幅と仕切壁の幅の比が約０．２０である」ことに相当する。
　したがって、両者は、以下の一致点を有し、また、相違点を有している。
＜一致点＞
「化学的機械研磨装置において基板を研磨する研磨パッドであって、複数の実質上円形の同心に配置されたみぞを有する研磨表面を備え、前記複数のみぞは前記研磨表面に対して垂直な複数の側壁を有し、
　前記研磨パッドはさらに上部層及び下部層を備え、前記複数のみぞは前記上部層における前記下部層と接触する面とは反対の面に形成され、
　前記複数のみぞが複数の仕切壁によって分離され、前記複数のみぞの幅と前記複数の仕切壁の幅の比が約０．２０である研磨パッド。」
＜相違点１＞
　研磨パッドにおけるみぞの寸法に関して、本願発明では、「約０．０３インチ（０．０７６ｃｍ）の深さ、約０．０２インチ（０．０５１ｃｍ）の幅、及び約０．１２インチ（０．３０５ｃｍ）のピッチを有する」ものであると特定しているのに対して、引用発明では、溝の深さが０．０１５インチ、溝の幅が０．０１インチ、溝のピッチが０．０６インチを有するものである点。
＜相違点２＞
　研磨パッドにおける上部層の厚さに関して、本願発明では、「約０．０６〜０．１２インチ（０．１５２〜０．３０５ｃｍ）の厚さ」と特定しているのに対して、引用発明のパッドにおける硬質の上部層の厚さは０．０５インチである点。
　
（２）　当審の判断
　上記相違点について検討する。
ア　＜相違点１＞について
　研磨パッドの研磨表面に設けられるみぞの深さに関して、引用例２記載事項は「パッドの表面に大小の水路を有する表面のきめを備え、マクロな流路のきめはパッドの厚さの９０％を超えないものであって、マクロな流路を深くすればそれだけ、パッド寿命は長くなること。」である。ここで、引用例２記載事項における「パッド」、「マクロな流路のきめ」は本願発明の「研磨パッド」、「みぞ」に相当するから、引用例２記載事項は、「研磨パッドの表面にみぞを備え、みぞを深くすればそれだけ、パッド寿命が長くなること」と言い換えることができる。そして、引用発明も引用例２記載事項もともに研磨パッド表面にみぞを設けるものであることからすれば、引用発明においても、研磨パッドの寿命を長くするために、みぞの深さを研磨パッドの厚さの９０％を超えないものとし、より深くすることは、引用例２記載事項を参照することにより当業者が容易に想到し得たものと考えざるを得ない。その場合、引用発明において研磨パッドの硬質の上部層の厚さが０．０５インチであるところ、その９０％は０．０４５インチであるから、引用発明において溝の深さを約０．０３インチとすることは想定の範囲内と言える。また、研磨パッドに設けるみぞの深さとして０．０３インチ程度は、例えば、特開平５−１４６９６９号公報の段落【００１６】に記載されているように従来実施されていた範囲の値である。そして、研磨パッドのみぞの深さを「約０．０３インチ」に特定したことの効果は、それだけパッド寿命が長くなるという、予想される以上の特別な臨界的意義も見当たらないことからすれば、みぞの深さを「約０．０３インチ」と特定した点は、単なる設計的事項と考えざるを得ない。
　次に、研磨パッド表面に設けられるみぞの幅を「約０．０２インチ」と、また、みぞのピッチを「約０．１２インチ」と特定した点については、みぞの幅やピッチを特定したことによる格別な作用ないし効果が格別見当たらず、また、一般に、形状を相似形状で作成することは例示するまでもなく従来周知の事項であるところ、引用発明においては「溝の深さが０．０１５インチ、溝の幅が０．０１インチ、溝のピッチが０．０６インチ」であるところ、本願発明では「みぞの深さが約０．０３インチ、みぞの幅が約０．０２インチ、みぞのピッチが約０．１２インチ」と特定され、ちょうど引用発明の２倍の寸法になっていることからすれば、引用発明において、溝の深さを０．０３インチと深いものに変更した場合、溝の幅やピッチについても２倍の０．０２インチや０．１２インチとすることは、当業者にとって格別困難なことではない。
　なお、請求人は、平成２４年７月５日付け意見書において、「刊行物１（当審注：当審における引用刊行物１）は、みぞの深さを増加させることは、一切教示していないと思料します。
　刊行物１の４１ページには、“Ｉｎ　ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ，　ｇｒｏｏｖｅｓ　ａｒｅ　ｍｕｃｈ　ｓｍａｌｌｅｒ　aｎｄ　ｓｈａｌｌｏｗｅｒ　ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｐａｄ”　「相対的に、みぞは、パッドの表面上により小さく、より浅いくぼみがある」と記載され、さらに、“Ｒｉｎｓｉｎｇ　ｓｌｕｒｒｙ　ｏｆｆ　ｔｈｅ　ｒｅｌａｔｉｖｅｌｙ　ｓｈａｌｌｏｗ　ｇｒｏｏｖｅｓ　ｉｓ　ｅａｓｉｅｒ　ａｎｄ　ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｓｅｄｉｍｅｎｔａｔｉｏｎ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｇｒｏｏｖｅｓ　ｉｓ　ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙ　ｒｅｄｕｃｅｄ”　「相対的に浅いみぞからスラリーを洗い流すことは、より簡単であり、みぞの中にある粒子の沈降を著しく減少させる」と記載されております。
　よって、みぞの深さを増加させることは、みぞをすすぐことを、より困難にします。
　従いまして、当業者は、刊行物１に記載された研磨パッドのみぞの深さを２倍にすることに、容易に想到することはありません。」と主張している。
　しかしながら、請求人の主張する記載は、引用刊行物１における穿孔パッドと溝付きパッドとの対比に関する記載であって、「相対的に浅い」とは、穿孔パッドの孔の深さ０．０５インチに対する記載である。そして、みぞを深くすればそれだけパッド寿命が長くなることは引用刊行物２に記載されているところ、みぞの深さを２倍と特定したことによる特別な作用ないし効果はパッドの寿命をそれだけ長くすること以外見当たらないし、みぞの深さを２倍、すなわち０．０３インチとしても、引用刊行物１における穿孔パッドの孔の深さ０．０５インチよりも充分に浅いといえる。
　したがって、請求人の上記主張は採用することができない。
　
イ　＜相違点２＞について
　研磨パッドの上部層の厚さに関して、引用発明は０．０５インチであるところ、本願発明のごとく「約０．０６〜０．１２インチ」と厚さを特定しても、そのことによる特別な作用ないし効果が格別見当たらず、また、研磨パッドの厚さとして、「約０．０６〜０．１２インチ（０．１５２〜０．３０５ｃｍ）」程度のものは、特開平７−３２１０７６号公報の段落【００２５】に記載されているように、従来実施されていた範囲を含むものであることからすれば、引用発明において、パッドの厚さを約０．０６〜０．１２インチの範囲のものとすることは、当業者にとって格別困難なこととすることはできない。
　
ウ　作用ないし効果について
　本願発明の奏する作用ないし効果は、引用発明、引用例２記載事項、及び従来周知の事項から予測し得るものでしかない。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用発明、引用例２記載事項、及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。