【事件の表示】
特許第３２０５４４２号「化学気相成長装置および化学気相成長方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
特許第３２０５４４２号の請求項１，２に係る特許を取り消す。
同請求項３に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】請求項１〜３に係る発明
特許第３２０５４４２号（平成５年９月９日出願、平成１３年６月２９日設定登録。）の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりの、
「【請求項１】反応室内において、載置台上に載置された半導体ウェハを加熱しつつ、高温安定状態で前記反応室内に反応ガスを供給することにより前記半導体ウェハの上面に成長膜を形成する化学気相成長装置であって、
前記載置台上の半導体ウェハを加熱する加熱手段と、
前記反応室内の所定位置の温度を前記半導体ウェハからの赤外線検出以外の方法によって検出する温度検知手段と、
加熱された前記半導体ウェハから放射される赤外線の強度を検出する赤外線検出手段と、
前記温度検知手段および前記赤外線検出手段からの検出情報に基づいて前記加熱手段での加熱温度を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記反応室内の昇温段階で前記赤外線検出手段からの赤外線検出情報を選択しかつ前記反応室の高温安定段階で前記温度検知手段からの温度検出情報を選択する自動選択部と、
該自動選択部で選択されたいずれかの検出情報に基づいて前記加熱手段を駆動制御する駆動制御部とを備えた化学気相成長装置。
【請求項２】反応室内で、半導体ウェハから放射される赤外線の強度を検出し、該赤外線の強度に基づいて昇温制御する昇温工程と、
該昇温工程後に、前記反応室内の所定位置の温度を前記半導体ウェハからの赤外線検出以外の方法によって検出し、検出された温度に基づいて温度制御しながら前記半導体ウェハの上面に成長膜を形成する成長工程とを備えた化学気相成長方法。
【請求項３】成長に用いる基板の表面物質と同一物質を前記昇温工程後に成長する場合に、前記基板の前記表面物質と同一物質の成長段階まで前記赤外線の強度の検出による温度制御を継続し、その後、前記基板と異なる物質の成長の開始以降は前記半導体ウェハ表面からの前記赤外線検出以外の温度検知方法によって温度制御をする、請求項２記載の化学気相成長方法。」である。
【２】特許異議申立ての理由の概要
特許異議申立人　藤野研治は、本件発明１，２は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、本件発明３は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明であって、それら発明に係る特許は取り消されるべき旨の主張をしている。
【３】甲第１号証（以下、「刊行物１」という。）の記載事項及び開示内容
刊行物１；特開平１−３１５１３４号公報
【３-1】刊行物１の記載事項
第２頁左上欄第３行〜同欄第６行に、
(刊1a)「熱電対は温度が安定すると信頼性は高いが、熱電対自体の温度上昇に時間がかかり、急上昇する温度に対して信頼性が低い。」と記載され、
同じく第２頁左上欄第１９行〜同頁右上欄第６行に、
(刊1b)「一方、温度制御にパイロメータを用いると、パイロメータは高速応答性をもつので急加熱には対応できるが、化学的気相成長法を実行する際、処理前に被処理面から放射する赤外線の放射率と、堆積させる膜材質の放射率とが異なる場合、処理が進むにつれ、被処理面の放射率が変化し、この放射率の変化に追従できず、誤った温度検知を行なってしまうという問題点があった。」と記載され、
同じく第２頁左下欄第５行〜同欄第１３行に、
(刊1c)「温度制御期間のうち予め定められた初期期間被処理基板の放射率により非接触型の温度検知機構で温度を検知し、その後接触型の温度検知機構で温度検知して温度制御を行なうことにより、被処理基板を急加熱したとしても、温度制御可能であり、その後被処理面の放射率の変化のともなう処理をしたとしても、そのことに対応して温度制御可能であり、常に、正確な温度に制御しながら処理が行なえるという効果がある。」と記載され、
第３頁右上欄第１行〜同欄第１１行に、
(刊1d)「この空間（１５）の底部は、反応チャンバ（１）外下方に設けられた非接触型の温度検知機構例えば赤外線の放射エネルギーから温度検知可能なパイロメータ（１６）と、レンズ（１７）を間に介して接続している。即ち、パイロメータ（１６）は、レンズ（１７）をおよび空間（１５）を介して、設置台（３）に設置された半導体ウエハ（２）と対面しており、この半導体ウエハ（２１）のほぼ中心の直径例えば２〜３ｃｍの部分の赤外線の放射エネルギーを検知することにより、温度検知可能とされている。」と記載され、
同じく第３頁右下欄第５行〜同欄第８行に、
(刊1e)「ウエハ（２）を設置台（３）と支持体（５）で挟持し熱電対（６）と半導体ウエハ（２）とが接触するように設置する。この時既に、ＩＲランプ（８）で設置台（３）は加熱されている。」と記載され、
第４頁左上欄第１行〜同頁右上欄第１０行に、
(刊1f)「まず、半導体ウエハ（２）の被処理面の温度をＩＲランプ（８）で所望の温度帯例えば３７０℃程度となる如く急加熱する。この時、ウエハ（２）から放射される赤外線の放射エネルギーをパイロメータ（１６）を用いて、ウエハ（２）の温度を非接触で検知し、制御部（２３）において、ＩＲランプ（８）への出力を制御する。そして、この急加熱後、ウエハ（２）が所望の温度である例えば３７０℃に安定し、ウエハ（２）と接触して設けられた熱電対（６）が検知する温度が安定したところで、ウエハ（２）温度検知を、パイロメータ（１６）から熱電対（６）に手動また自動的に切換え、熱電対（６）で検知した温度により制御部（２３）で温度調整を行なう。
制御部（２３）におけるウエハ（２）の温度制御は、例えば第３図に示すようなブロック図に従って行なわれる。
ＩＲランプ（８）によりウエハ（２）の加熱が開始されると、その温度はパイロメータ（１３）により検出される。加熱は、予め設定された昇温スピードに従って行なわれる。パイロメータ（１３）による検出値は、コンパレーターにおいて基準値、この場合３７０℃に対応する値と比較され、その出力信号はＩＲランプ（８）電流コントローラーを介してＩＲランプ（８）に入力される。このようにして、ウエハ（２）の温度が３７０℃に維持され、その後、温度検出は、熱電対に切替えられ、同様にして温度制御が行なわれる。
その後、ガス導入口(１１,１２)から、流量制御機構（１３）で反応ガスを構成する膜成長用ガス例えばＷＦ６、還元用ガスＨ２、キャリアガス例えばＡｒを所定量流出し、化学的な気相成長を行なう。」と記載され、
第５頁左上欄第４行〜同欄第９行に、
(刊1g)「上記のことから、熱電対（６）で対応できない急加熱をする時は、パイロメータ（１６）で温度検知した結果から温度制御を実行し、パイロメータ（１６）で対応できない放射率の変化をともなう処理をする時は、熱電対（６）で温度検知した結果を温度制御することが良いことがわかる。」と記載され、
第５頁右上欄第１３行〜同欄第１５行に、
(刊1h)「被処理基板を急加熱した後に、被処理面の赤外線の放射率の変化をともなう処理を実行するものなら何れでも良く」と記載されている。
【３-2】刊行物１の開示内容
上記(刊1d)〜(刊1f)の記載から、刊行物１には、
「反応チャンバ内において、設置台上に設置された半導体ウェハを加熱しつつ、高温安定状態で前記反応チャンバ内に反応ガスを供給することにより前記半導体ウェハの上面に成長膜を形成する化学気相成長装置であって、
前記設置台上の半導体ウェハを加熱する加熱手段と、
前記反応チャンバ内の所定位置の温度を前記半導体ウェハからの赤外線検出以外の方法によって検出する温度検知手段と、
加熱された前記半導体ウェハから放射される赤外線の強度を検出する赤外線検出手段と、
前記温度検知手段および前記赤外線検出手段からの検出情報に基づいて前記加熱手段での加熱温度を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記反応チャンバ内の昇温段階で前記赤外線検出手段からの赤外線検出情報を選択しかつ前記反応チャンバの高温安定段階で前記温度検知手段からの温度検出情報を選択する自動選択部と、
該自動選択部で選択されたいずれかの検出情報に基づいて前記加熱手段を駆動制御する駆動制御部とを備えた化学気相成長装置」の発明（以下、「引用発明１」という。）が開示されているといえる。
また、上記(刊1c),(刊1d),(刊1f)の記載から、刊行物１には、
「反応チャンバ内で、半導体ウェハから放射される赤外線の強度を検出し、該赤外線の強度に基づいて昇温制御する昇温工程と、
該昇温工程後に、前記反応チャンバ内の所定位置の温度を前記半導体ウェハからの赤外線検出以外の方法によって検出し、検出された温度に基づいて温度制御しながら前記半導体ウェハの上面に成長膜を形成する成長工程とを備えた化学気相成長方法」の発明（以下、「引用発明２」という。）が開示されているといえる。
【４】本件発明１について
本件発明１と引用発明１とを対比すると、
本件発明１においては、「反応室」，「載置台」と記載されているのに対して、引用発明１では、それぞれ「反応チャンバ」，「設置台」と記載されている。
しかし、これらは単なる用語の差異であって、実質上は同一のものを意図していることは明らかである。したがって、両者は同一である。
【５】本件発明２について
本件発明２と引用発明２とを対比すると、
本件発明２においては、「反応室」と記載されているのに対して、引用発明２では、「反応チャンバ」と記載されている。
しかし、これもまた単なる用語の差異であって、実質上は同一のものを意図していることは明らかである。したがって、両者は同一である。
【６】本件発明３について
本件発明３と刊行物１の記載内容とを対比すると、前記刊行物１の摘記事項(刊1b),(刊1f),(刊1h)を参酌しても、本件発明３の発明の構成に欠くことができない事項である「基板の前記表面物質と同一物質の成長段階まで前記赤外線の強度の検出による温度制御を継続し、その後、前記基板と異なる物質の成長の開始以降は前記半導体ウェハ表面からの前記赤外線検出以外の温度検知方法によって温度制御をする」という特徴点については、刊行物１には記載も示唆もされていない。
そして、本件発明３は、前記特徴点により、基板と異なる物質による赤外線放射特性の変化による変成層の発生の心配がなくなり、また、赤外線の多重反射による干渉効果を防止できることで、温度制御の安定性を確保でき、長期にわたり再現性良く所望の成長膜を成長させることができる、という特許明細書に記載の作用効果を奏するものと認められる。
したがって、本件発明３は、刊行物１の記載内容に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
【７】むすび
以上のとおり、本件発明１，２は、上掲の刊行物１に記載された、それぞれ引用発明１，２であるから、本件発明１，２についての特許は、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明についてされたものであり、取り消されるべきものである。
また、本件発明３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、
結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月１８日（２００２．１０．１８）