【事件の表示】
　特許第３２２２１１９号「半導体製造・検査装置用セラミックヒータ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２２１１９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．　手続の経緯
　本件特許第３２２２１１９号についての出願は、出願日が平成１１年１１月２６日である平成１１年特許願第３３５６４１号、出願日が平成１１年１１月２６日である平成１１年特許願第３３５６４０号、及び、出願日が平成１１年１１月１９日である平成１１年特許願第３３０２７０号を先の出願とする優先権の主張を伴って、平成１２年１月１１日に出願され、平成１３年８月１７日にその発明についての設定登録がされ、その後、平成１４年４月１６日に宇田川政子より特許異議の申立がなされ、そして、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年１月１４日に訂正請求がなされたものである。
　
２．申立て理由の概要
２−１　明細書の記載について
　異議申立人宇田川政子は、本件特許明細書の記載に関し、本件特許明細書の特許請求の範囲には、らせん状の発熱体をその構成として記載しているにもかかわらず、発明の詳細な説明の欄中には、本件発明として、層状の発熱体を厚さ方向に変位させたものを記載しており、本件発明を不明確にしている（以下、「主張１−１」という。）旨主張している。
　また、異議申立人宇田川政子は、特許明細書の特許請求の範囲には、「【請求項１】・・そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置した・・
　【請求項２】　前記発熱体は、前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置されること・・」と記載されており、これら構成を実施するためには、セラミック基板中のらせん状線状体の全長に渡って、１μｍオーダーで測定することが必要となるが、本件出願の出願時における技術水準では、測定不能であり、しかも、そのための測定手段が発明の詳細な説明に記載していないのであるから、発明の詳細な説明の欄中の記載は、本件請求項２に係る発明を実施することができる程度に、発明を記載していない（以下、「主張１−２」という。）旨主張している。
　
２−２　平成１３年６月１日付け手続補正書による補正について
　異議申立人宇田川政子は、平成１３年６月１日付け手続補正書による補正に対して、概略以下の主張をなしている。
　本経緯請求項３には、「前記発熱体のらせん形状は、らせんの幅が１〜１０ｍｍ、線状体の線の厚みが０．１〜２ｍｍである略楕円形状であること・・」と記載されているが、本件特許に係る願書に最初に添付された明細書及び図面には、「らせんの幅が１〜１０ｍｍ、線状体の線の厚みが０．１〜２ｍｍである略楕円形状」は、記載されておらず、同記載は、平成１３年６月１日付手続補正書による補正により、新たに明細書中に記載された事項であり、同手続補正書による補正は、所謂新規事項を追加するものであって、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである（以下、「主張２」という。）。
　
２−３　各請求項に係る発明の新規性・進歩性について
　さらに、異議申立人宇田川政子は、
甲第１号証として、特開平７−２７２８３４号公報
甲第２号証として、特開平６−２６０２６３号公報
甲第３号証として、特開平５−２７５４３４号公報
甲第４号証として、特開平１１−２０４２３８号公報
甲第５号証として、特開平４−８７１９３号公報
を提出して、甲第１〜５号証には、らせん状発熱体が埋設されたセラミックヒータは、必然的に、厚さ方向に発熱体が変位することが記載されているとし、加えて、
甲第６号証として、特開平８−７８１９３号公報
甲第７号証として、特開平６−５２９７４号公報
を提出して、甲第６号証には、ホットプレス時の金属物の変位による誤差の大きさが０．７ｍｍに達成することが記載され、甲第７号証には、らせん幅が６ｍｍ、らせんの厚みが６、４、２、１．５、１ｍｍのコイル状の抵抗発熱体が記載されていることを理由に、概略以下の主張をなしている。
　甲第６号証に示される技術常識を前提に甲第１〜５号証を見れば、本件請求項１、２に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明である。または、本件請求項１に係る発明は、それら発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項３に係る発明は、甲第６号証に示される技術常識を前提に甲第１〜５号証を見れば、甲第１〜５号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである（以下、「主張３」という。）。
　
３．　特許権者の求めている訂正
　特許権者が求めている訂正は、平成１５年１月１４日付け訂正請求書に記載された、以下のとおりのものである。
　
３−１　特許請求の範囲の記載に関して
訂正事項a
　特許請求の範囲に記載の
「【請求項１】 セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
　前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置したことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
　【請求項２】　前記発熱体は、前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
　【請求項３】　前記発熱体のらせん形状は、らせんの幅が１〜１０ｍｍ、線状体の線の厚みが０．１〜２ｍｍである略楕円形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
を、請求項１，３を削除し、請求項２の項番を１として、
「【請求項１】　セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
　前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の一部を、他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位させて、該基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置し、かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μmとしたことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
と訂正する。
　
３−２　発明の詳細な説明に関して
訂正事項ｂ
　本件明細書の【００１３】段落に記載の
「上記課題を解決するために請求項１に記載の発明は、セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置したことを要旨とするものである。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「上記課題を解決するために請求項１に記載の発明は、セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
　前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の一部を、他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位させて、該基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置し、かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μmとしたことを要旨とするものである。」
と訂正する。
　
訂正事項ｃ
　本件明細書の【００１６】段落に記載の
「・・ここで、「変位量」とは、セラミック基板の断面を研磨し、光学顕微鏡又は電子顕微鏡で発熱体の断面の対角線の交点を中心点として求め、この中心点間のセラミック基板の厚さ方向の距離で定義したものをいう（図１のδｔ参照）。また、「互いに隣接する部分（発熱体）」間の変位量とは、互いに隣接する発熱体の中心点間の距離で定義される。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「・・ここで、「変位量」とは、セラミック基板の断面を研磨し、光学顕微鏡又は電子顕微鏡で発熱体の断面の中心点を求め、この中心点間のセラミック基板の厚さ方向の距離で定義したものをいう。また、「互いに隣接する部分（発熱体）」間の変位量とは、互いに隣接する発熱体の中心点間の距離で定義される。」
と訂正する。
　
訂正事項ｄ
　本件明細書の【００１８】段落に記載の
「　この場合に、請求項２に記載のように、前記発熱体は、前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置するとよい。セラミック基板中にバランス良く発熱体が配置されることになり、熱衝撃による収縮又は膨張が分散され緩和されやすいからである。」
を、
「　この場合に、前記発熱体は、前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置すると、セラミック基板中にバランス良く発熱体が配置されることになり、熱衝撃による収縮又は膨張が分散され緩和されやすい。」
と訂正する。
　
訂正事項e
本件明細書の【００１９】段落の記載を削除する。
　
訂正事項ｆ
本件明細書の【００２４】段落〜【００３６】段落の記載を削除する。
　
訂正事項ｇ
本件明細書の【００４３】段落の記載を削除する。
　
訂正事項ｈ
本件明細書の【００４４】段落に記載の
「そのグリーンシートの所望の位置に発熱体を形成する。発熱体は、上面視円形又は矩形等の形状を有し、グリーンシート積層体の焼成後に発熱体を構成し、通電によりジュール発熱し得る導電材料を含有する粘液状の発熱体ペーストを用いてスクリーン印刷法等の定法に従って、グリーンシート表面に指定する任意の各領域に形成される。かかる任意の各領域に対しては、通常、これらをパターン化したマスクを備えたメタルマスクを用いる。」
を、「そのグリーンシートの所望の位置に発熱体を形成する。発熱体は、上面視円形又は矩形等の形状を有し、グリーンシート積層体の焼成後に発熱体を構成する。」
と訂正する。
　
訂正事項ｉ
　本件明細書の【００４５】段落〜【００６２】段落の記載を削除する。
　
訂正事項ｊ
　本件明細書の【００６５】段落、【００６６】段落の記載を削除する。
　
訂正事項ｋ
　本件明細書の【００６７】段落に記載の
「　次に、他の実施形態について図９を参照して説明する。・・」
を、
「　次に、本発明の実施形態について図９を参照して説明する。・・」
と訂正する。
　
訂正事項ｌ
　本件明細書の【００７０】段落〜【００７９】段落の記載を削除する。
　
訂正事項ｍ
　本件明細書の【００８３】段落、【００８４】段落の記載を削除する。
　
訂正事項ｎ
　本件明細書の【００８７】段落に記載の
「（実施例４）・・実施例２の導電ペーストＡを用い、・・（２）次に、実施例２のグリーンシートを積層し、・・」
を、
「（実施例４）・・平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．５重量、分散剤０．３重量部を混合した導電性ペーストＡを用い、・・（２）次に、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製：平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部、及び、１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール混合物５３重量部を混合した組成物（粘度１００Ｐａ・ｓ）を用いてドクターブレード法によってＰＥＴ等からなる下地シート上にシート成形を行って厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを積層し、・・」
と訂正する。
　
訂正事項ｏ
　本件明細書の【００８８】段落に記載の
「（実施例５）・・実施例２の導電ペーストＢを用い、グランド電極を印刷した。 （２）実施例２のグリーンシートに・・」
を、
「（実施例５）・・平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．７重量、分散剤０．２重量部を混合した導電性ペーストＢを用い、グランド電極を印刷した。 （２）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製：平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部、及び、１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール混合物５３重量部を混合した組成物（粘度１００Ｐａ・ｓ）を用いてドクターブレード法によってＰＥＴ等からなる下地シート上にシート成形を行って厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートに・・」
と訂正する。
　
訂正事項ｐ
　本件明細書の【００９２】段落に記載の
「（評価方法） 　実施例１〜３の試料及び比較例の試料について、・・」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「（評価方法） 　実施例３の試料及び比較例の試料について、・・」
と訂正する。
　
訂正事項ｑ
　本件明細書の【００９４】段落の【表１】の記載中、実施例１，実施例２、比較例１，比較例２に係る記載を削除する。
　
訂正事項ｒ
　本件明細書の【００９５】段落に記載の
「・・耐熱衝撃性が改善されることが判明した。特に、実施例１（ペースト層の厚さを２５０μｍとしたもの）及び実施例２の試料は、耐熱衝撃性ΔＴ＝２００℃という優れた値を示した。また、実施例３の資料も、・・」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「・・耐熱衝撃性が改善されることが判明した。また、実施例３の資料も、・・」
と訂正する。
　
訂正事項ｓ
　本件明細書の【００９９】段落の記載を削除する。
　
訂正事項t
　本件明細書の【０１００】段落に記載の
「【発明の効果】・・当該発熱体の少なくとも一部分を、・・」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【発明の効果】・・当該発熱体の一部を、・・」
と訂正する。
　
３−３　図面の簡単な説明に関して
訂正事項ｕ
　【図面の簡単な説明】に記載の
「【図面の簡単な説明】
　　【図１】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータのセラミック基板の要部を示す側断面図である。
・・
　　【図８】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの製造工程図である。
　　【図９】・・」
を、
「【図面の簡単な説明】
　　【図１】　削除された。
　　【図２】　削除された。
　　【図３】　削除された。
　　【図４】　削除された。
　　【図５】　削除された。
　　【図６】　削除された。
　　【図７】　削除された。
　　【図８】　削除された。
　　【図９】・・」
と訂正する。
　
３−４　図面に関して
訂正事項ｖ
　【図１】〜【図８】を削除する。
　
４．　訂正の適否の判断　
４−１　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
 請求項１，３を削除し、請求項２の項番を１とすることは、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、特許明細書の請求項２には、
　「【請求項２】　前記発熱体は、前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
と記載されており、請求項１を引用することにより、
「セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置したことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
をその構成とするとともに、
「前記発熱体は、前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置されること」なる構成
をその構成として記載している。
これに対して、訂正後の【請求項１】には、
「　セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
　前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の一部を、他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位させて、該基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置し、かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μmとしたことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
と記載されることにより、特許明細書の請求項１、２に記載された全構成が記載されている。
　そして、特許明細書の請求項１に記載の「・・発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置した・・」、及び同請求項２に記載の「・・前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置されること・・」を「・・発熱体の一部を、他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位させて、該基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置し、・・」とすることは、「少なくとも一部分」を「一部分」を訂正することであり、明らかに、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、新規事項を追加するものではなく、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　さらに、特許明細書の【００１７】段落には、「また、前記位置の最大変位量は、５〜２０００μｍとすることが望ましい。最大変位量が５μｍ未満では変位による効果が不十分な一方で、２０００μｍを越えるとセラミックヒータ表面の温度分布の均一に問題が生じるからである。・・」と記載されており、「・・かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μmとした・・」と記載する部分の訂正は、請求項に記載された構成を特許明細書に記載された技術的事項により限定するものである。
　よって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮に該当するものであって、新規事項を追加するものではなく、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｂ、ｄ，ｅ、ｓ、ｔは、上記の訂正事項ａに合わせ、不明瞭となる記載を釈明するものであり、訂正事項ｃは、変位量の定義が不明瞭であるところそれを釈明するものであり、訂正事項ｋは、本件請求項に係る発明を記載する部分の記載がどの部分であるか不明瞭であるところ、単にその旨明らかとするものであり、新規事項を追加せず、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
  次に、訂正事項ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｌ、ｍ、ｒ、ｕ、ｖは、本件請求項に記載された発明と無関係な記載を削除することにより、不明瞭な記載を釈明するものであり、訂正事項ｎ，ｏ、ｐ、ｑ、ｒは、本件請求項に記載された発明と無関係な記載を削除することと伴い、本件発明の実施例の構成が不明瞭となる部分を、特許明細書に記載された事項で釈明するものであり、いずれも新規事項を追加せず、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
４−２　むすび
　上記訂正は、特許異議の申立がなされていない請求項に係るものではなく、以上のとおり、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
５　特許異議申立に対する判断
５−１　異議申立人の主張１−１，２について
　上記訂正のなされた明細書には、請求項に係る発明と別異の構成を有する発明に係る記載は削除されており、異議申立人の主張する主張１−１の不備は認められない。
　また、異議申立人は、上記訂正がなされたとしても、明細書の記載には、上記主張１−２の不備がある旨主張している。
　しかしながら、特許明細書の【００１６】段落に「・・ここで、「変位量」とは、セラミック基板の断面を研磨し、光学顕微鏡又は電子顕微鏡で発熱体の断面の対角線の交点を中心点として求め、この中心点間のセラミック基板の厚さ方向の距離で定義したものをいう・・」と記載されており、訂正後の明細書にも、同様の記載が認められる。したがって、異議申立人が主張１−２に不明であるとする測定手段は、光学顕微鏡等の手段が開示されており、特許権者が提出した「株式会社トプコン」の「工場顕微鏡」カタログによれば、本件に係る出願の出願時に、らせん状線状体の基板全体での変位量として５〜2000μｍを計測することは、光学的顕微鏡において可能であったものと認められる。
　なお、らせん状の発熱体を断面で観測しても、らせんの一部しか観察できない旨、異議申立人は述べているが、セラミック基板の薄片を、観察すれば、らせん状発熱体のシルエットがリング状に観察されるものと認められる。
　また、意図する変位量のものを生産することの困難性を異議申立人は述べているが、本件発明は、セラミックヒータに係る発明であり、その生産が意図しない発熱体の変位により困難であるとしても、それは製造に係る歩留まりの問題であり、それを改善することが、本件とは別異の発明となり得るとしても、その製造が困難であることは本件発明が実施をすることができないとされるべき事項ではない。
　したがって、異議申立人の主張する主張１−２は、採用しない。
　
５−２　異議申立人の主張２について
　請求項３は削除されており、「発熱体のらせん形状は、らせんの幅が１〜１０ｍｍ、線状体の線の厚みが０．１〜２ｍｍである略楕円形状である」旨の記載は、訂正により明細書中に認められないものとなった。
したがって、現明細書の記載は、願書に最初に添付された明細書または図面に記載された事項の範囲内の記載であるから、異議申立人の主張する主張２は採用しない。
　
５−３　異議申立人の主張３について
５−３−１　本件発明
　本件請求項１に係る発明は、訂正された特許請求の範囲に記載された以下の事項により特定されるものである。
【請求項１】　セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
　前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の一部を、他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位させて、該基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置し、かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μmとしたことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
　他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位させて、該基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置し、かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μmとしたことを特徴とする
　したがって、本件請求項１に係る発明は、「他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位させて、該基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置し」なる構成（以下、「本件の特徴構成」という。）をその構成の一部とするものである。
　
５−３−２　異議申立人の提出した刊行物に記載された発明との対比判断
　異議申立人が、
甲第１号証として提出した、特開平７−２７２８３４号公報、
甲第２号証として提出した、特開平６−２６０２６３号公報、
甲第３号証として提出した、特開平５−２７５４３４号公報、
甲第４号証として提出した、特開平１１−２０４２３８号公報、及び、
甲第５号証として提出した、特開平４−８７１９３号公報
には、異議申立人が主張するように、発熱体が埋設されたセラミックヒータにおいて、厚さ方向に発熱体が変位することが記載されているものの、らせん状の線状体から形成された発熱体の一部を、他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位させて、該基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置することが記載されるものではなく、しかも、厚さ方向に発熱体が変位することの開示は、発熱体を変位させることを開示するものではなく、その変位を厚さ方向に変位させることを示唆するものとすることはできない。また、この変位は、基板の厚さ方向に沿った断面視で千鳥状に配置することを何等示唆するものでもない。
　したがって、甲第１〜５号証のものは、甲第６号証を参酌して、その開示される変位が本件請求項１に係る発明と同程度の変位であるとしても、本件特徴構成を開示又は示唆するものではない。
　また、甲第７号証にらせん状の線状体が開示されているが開示されているが、これも、本件の特徴構成を開示又は示唆をなすものではない。
そして、本件請求項１に係る発明は、本件の特徴構成を有することにより、【０１００】段落に、「【発明の効果】・・各発熱体の膨張又は収縮が互いに変位した平面上で生じる。従って、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、熱衝撃による影響をセラミック基板全体で分散させ緩和することができるため、耐熱衝撃性の優れたものとなる。また、ウエハ加熱表面の均熱性を低下させることもない。」という効果を奏するものであって、本件の特徴構成を設計上の事項に属するとすることはできない。
　したがって、本件請求項１に係る発明をその構成の一部を開示も示唆もなさない異議申立の提出した各刊行物に記載された発明とすることはできないばかりではなく、それらに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできないから、主張３は採用しない。
　
６．　むすび
　上述のとおり、異議申立人の提出した証拠証拠及び理由によっては、本件請求項１に係る発明を取り消すことはできない。
　また、他に、本件請求項１に係る発明を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月２８日（２００３．２．２８）
【訂正の要旨】
　▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の記載、
「【請求項１】　セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置したことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
　【請求項２】　前記発熱体は、前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
　【請求項３】　前記発熱体のらせん形状は、らせんの幅が１〜１０ｍｍ、線状体の線の厚みが０．１〜２ｍｍである略楕円形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「　【請求項１】　
セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
　前記発熱体
をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の一部を、他の部分より
変位させて、該基板の厚さ方向に
し
かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μｍとした
に訂正する。
　▲２▼訂正事項ｂ
　本件明細書の【００１３】段落の記載、
「上記課題を解決するために請求項１に記載の発明は、セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置したことを要旨とするものである。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「上記課題を解決するために請求項１に記載の発明は、
セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
　前記発熱体
をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の一部を、他の部分より
変位させて、該基板の厚さ方向に
し
かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μｍとした
に訂正する。
　▲３▼訂正事項ｃ
　本件明細書の【００１６】段落の記載、
「　ここで、隣接するらせん状発熱体の変位量は、１〜５００μｍが望ましい。この範囲であれば、熱衝撃による影響をセラミック基板の厚さ方向でより細かく分散させ緩和させることができるからである。ここで、「変位量」とは、セラミック基板の断面を研磨し、光学顕微鏡又は電子顕微鏡で発熱体の断面の対角線の交点を中心点として求め、この中心点間のセラミック基板の厚さ方向の距離で定義したものをいう（図１のδｔ参照）。また、「互いに隣接する部分（発熱体）」間の変位量とは、互いに隣接する発熱体の中心点間の距離で定義される。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　ここで、隣接するらせん状発熱体の変位量は、１〜５００μｍが望ましい。この範囲であれば、熱衝撃による影響をセラミック基板の厚さ方向でより細かく分散させ緩和させることができるからである。ここで、「変位量」とは、セラミック基板の断面を研磨し、光学顕微鏡又は電子顕微鏡で発熱体の断
面の
を
う。
に訂正する。
　▲４▼訂正事項ｄ
　本件明細書の【００１８】段落の記載、
「　この場合に、請求項２に記載のように、前記発熱体は、前記セラミック基板の厚さ方向に沿った断面視で、千鳥状に配置するとよい。セラミック基板中にバランス良く発熱体が配置されることになり、熱衝撃による収縮又は膨張が分散され緩和されやすいからである。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　この場合に
、前
と、
い。
に訂正する。
　▲５▼訂正事項ｅ
　本件明細書の【００１９】段落の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
　▲６▼訂正事項ｆ
　本件明細書の【００２４】段落〜【００３６】段落の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
　▲７▼訂正事項ｇ
　本件明細書の【００４３】段落の記載を明りょうでない記載の釈明を目的として削除する。
　▲８▼訂正事項ｈ
　本件明細書の【００４４】段落の記載、
「そのグリーンシートの所望の位置に発熱体を形成する。発熱体は、上面視円形又は矩形等の形状を有し、グリーンシート積層体の焼成後に発熱体を構成し、通電によりジュール発熱し得る導電材料を含有する粘液状の発熱体ペーストを用いてスクリーン印刷法等の定法に従って、グリーンシート表面に指定する任意の各領域に形成される。かかる任意の各領域に対しては、通常、これらをパターン化したマスクを備えたメタルマスクを用いる。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「そのグリーンシートの所望の位置に発熱体を形成する。発熱体は、上面視円形又は矩形等の形状を有し、グリーンシート積層体の焼成後に発熱体を構成する。」
に訂正する。
　▲９▼訂正事項ｉ
　本件明細書の【００４５】段落〜【００６２】段落の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
　▲１０▼訂正事項ｊ
　本件明細書の【００６５】段落、【００６６】段落の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
　▲１１▼訂正事項ｋ
　本件明細書の【００６７】段落の記載、
「　次に、他の実施形態について図９を参照して説明する。図９（ａ）及び（ｂ）は、発熱体Ｈを配設した状態を示した平面図及び側断面図、図９（ｃ）〜（ｅ）は、発熱体Ｈを配設する工程を示した工程図である。これらの図に示したように、最初に生成形体４６を製造し、この生成形体４６の表面に溝４８を設けておく（図９（ｃ））。この溝４８は、ドリルのザグリ加工によって形成してもよく、グリーンシートに予め溝を形成しておいてもよい。溝の幅、深さは、発熱体Ｈ（らせん状）の幅と厚みに整合させる。具体的には、コイルの幅は、１〜１０ｍｍ、厚みは、０．１〜２ｍｍであるため、このコイルを嵌め込めるようにする。なおコイルの断面のアスペクト比（幅／厚み）は、１〜１０であることが望ましい。ウエハ加熱面を均一の温度分布にできるからである。発熱体の形成位置は、隣接する溝の深さを予め変えておくことにより変位させることができる。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　次に、
本発明
に訂正する。
　▲１２▼訂正事項ｌ
　本件明細書の【００７０】段落〜【００７９】段落の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
　▲１３▼訂正事項ｍ
　本件明細書の【００８３】段落、【００８４】段落の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
　▲１４▼訂正事項ｎ
　本件明細書の【００８７】段落の記載、
「（実施例４）
　実施例４として発熱体及び静電チャック用静電電極を内部に有するセラミックヒータを製造したのでこれについて説明する。
（１）実施例３のセラミック基板に、実施例２の導電ペーストＡを用い、図１０に示す櫛歯電極５２を印刷した。
（２）次に、実施例２のグリーンシートを積層し、窒素ガス中で約１８９０℃且つ圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２で３時間ホットプレスし、誘電体膜の厚さ３００μｍの静電チャックを形成した。これにより、実施例４に係るセラミックヒータ５４は、静電チャックとして使用することができる。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「（実施例４）
　実施例４として発熱体及び静電チャック用静電電極を内部に有するセラミックヒータを製造したのでこれについて説明する。
（１）実施例３のセラミック基板に、
平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．５重量、分散剤０．３重量部を混合した
（２）次に、
窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製：平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部、及び、１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール混合物５３重量部を混合した組成物（粘度１００Ｐａ・ｓ）を用いてドクターブレード法によってＰＥＴ等からなる下地シート上にシート成形を行って厚さ０．４７ｍｍの
に訂正する。
　▲１５▼訂正事項ｏ
　本件明細書の【００８８】段落の記載、
「（実施例５）
　実施例５として発熱体及びウエハプローバ用電極を内部、表面に有するセラミックヒータを製造したのでこれについて説明する。
（１）実施例３のセラミック基板に、実施例２の導電ペーストＢを用い、グランド電極を印刷した。
（２）実施例２のグリーンシートに導電ペーストＢを用い、ガード電極を印刷した。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「（実施例５）
　実施例５として発熱体及びウエハプローバ用電極を内部、表面に有するセラミックヒータを製造したのでこれについて説明する。
（１）実施例３のセラミック基板に、
平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．７重量、分散剤０．２重量部を混合した
（２）
窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製：平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部、及び、１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール混合物５３重量部を混合した組成物（粘度１００Ｐａ・ｓ）を用いてドクターブレード法によってＰＥＴ等からなる下地シート上にシート成形を行って厚さ０．４７ｍｍの
に訂正する。
　▲１６▼訂正事項ｐ
　本件明細書の【００９２】段落の記載、
「（評価方法）
　実施例１〜３の試料及び比較例の試料について、位置変位量を断面を光学顕微鏡（ＳＯＫＩＡ製　ＳＩ−７０５５ＭＢ）によって測定し、熱衝撃試験を行い、その結果を表１にまとめた。上述したように、耐熱衝撃性ΔＴは、その値が大きいほど高い。この耐熱衝撃性ΔＴは、次のように測定した。まず、３ｍｍ　ｘ　４ｍｍ　ｘ　４０ｍｍの供試体を発熱体を含むように切出し、この供試体を一定温度（４００℃）に加熱し、これを水中に投下して熱衝撃を与え、熱衝撃試験後に、株式会社島津製作所製のオートグラフを用いて曲強度試験を実施し、急速な強度低下が見られた温度をΔＴとした。更に試験結果の一例を図１２に示す。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「（評価方法）
　実施
例３
に訂正する。
　▲１７▼訂正事項ｑ
　本件明細書の【００９４】段落の【表１】の記載、
「【表１】
」
を明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【表１】
」
に訂正する。
　▲１８▼訂正事項ｒ
　本件明細書の【００９５】段落の記載、
「　まず、耐熱衝撃性について実施例と比較例とを較べると、実施例の耐熱衝撃性は、ΔＴ＝１９０〜２００（℃）と高い値を示したのに対し、比較例の耐熱衝撃性は、ΔＴ＝１５０〜１６０（℃）と低い値を示した。従って、発熱体の少なくとも一部分を他の部分の位置からセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配設することで耐熱衝撃性が改善されることが判明した。特に、実施例１（ペースト層の厚さを２５０μｍとしたもの）及び実施例２の試料は、耐熱衝撃性ΔＴ＝２００℃という優れた値を示した。また、実施例３の資料も、耐熱衝撃性ΔＴ＝１９０℃という優れた値を示した。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　まず、耐熱衝撃性について実施例と比較例とを較べると、実施例の耐熱衝撃性は、ΔＴ＝１９０〜２００（℃）と高い値を示したのに対し、比較例の耐熱衝撃性は、ΔＴ＝１５０〜１６０（℃）と低い値を示した。従って、発熱体の少なくとも一部分を他の部分の位置からセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配設することで耐熱衝撃性が改善されることが判明した
。ま
に訂正する。
　▲１９▼訂正事項ｓ
　本件明細書の【００９９】段落の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
　▲２０▼訂正事項ｔ
　本件明細書の【０１００】段落の記載、
「【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、セラミック基板中に発熱体が配設されてなるものであって、前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置したものであるから、各発熱体の膨張又は収縮が互いに変位した平面上で生じる。従って、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、熱衝撃による影響をセラミック基板全体で分散させ緩和することができるため、耐熱衝撃性の優れたものとなる。また、ウエハ加熱表面の均熱性を低下させることもない。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、セラミック基板中に発熱体が配設されてなるものであって、前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体
の一部を
に訂正する。
　▲２１▼訂正事項ｕ
　本件明細書の【図面の簡単な説明】の欄の記載、
「【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータのセラミック基板の要部を示す側断面図である。
　【図２】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータのセラミック基板の要部を示す側断面図である。
　【図３】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータのセラミック基板の要部を示す側断面図である。
　【図４】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータのセラミック基板の要部を示す側断面図である。
　【図５】　（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータのセラミック基板における発熱体の位置ずれを得る工程を示した平面図である。
　【図６】　ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータのセラミック基板におけるペースト層の配置のさせ方を積層順に示した平面図である。
　【図７】　ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータのセラミック基板におけるペースト層の配置のさせ方を積層順に示した工程図、（ｄ）は、その積層後の側断面図である。
　【図８】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの製造工程図である。
　【図９】　本発明の他の一実施の形態に係るセラミックヒータの製造工程図である。
　【図１０】　本発明の応用例に係る静電チャックの電極を示した図である。
　【図１１】　本発明の応用例に係るウエハプローバの製造工程図である。
　【図１２】　熱衝撃試験後の曲強度試験の結果を示したグラフである。
　【図１３】　従来のセラミック基板の要部を示す側断面図である。」
を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【図面の簡単な説明】
　【図１】　削除された。
　【図２】　削除された。
　【図３】　削除された。
　【図４】　削除された。
　【図５】　削除された。
　【図６】　削除された。
　【図７】　削除された。
　【図８】　削除された。
　【図９】　本発明の他の一実施の形態に係るセラミックヒータの製造工程図である。
　【図１０】　本発明の応用例に係る静電チャックの電極を示した図である。
　【図１１】　本発明の応用例に係るウエハプローバの製造工程図である。
　【図１２】　熱衝撃試験後の曲強度試験の結果を示したグラフである。
　【図１３】　従来のセラミック基板の要部を示す側断面図である。」
に訂正する。
　２２訂正事項ｖ
　本件図面の【図１】〜【図８】を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
（５４）【発明の名称】
半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
　前記発熱体
をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の一部を、他の部分より
変位させて、該基板の厚さ方向に
し
かつセラミック基板全体の中での最大変位量を５〜２０００μｍとした
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、セラミックヒータに関し、更に詳しくは、半導体製造及び検査工程において使用されるセラミックヒータに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体応用製品は種々の産業において必要とされる極めて重要な製品であり、その代表例である半導体チップは、例えば、シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウエハを作製した後、このシリコンウエハ上に種々の回路等を形成することにより製造される。
　【０００３】
　この種々の回路等の製造工程では、シリコンウエハ上に導電性薄膜等を形成する際に高周波スパッタリングや、プラズマエッチングの際にシリコンウエハの加熱がなされる。そしてこのスパッタリングやプラズマエッチングを行うために、セラミック焼結体を用いたセラミックヒータが近年よく用いられるようになってきている。
　【０００４】
　このセラミックヒータの一種として、抵抗発熱体（以下、「発熱体」という。）をセラミック基板内部に備えた発熱体内装型セラミックヒータが周知である。図１３は、そのようなセラミックヒータ２００のセラミック基板２０２の側断面構造を示したものであり、断面扁平の発熱体２０４の長さ方向に対して垂直な面での断面図である。
　【０００５】
　同図に示したように、発熱体内装型セラミックヒータ２００は、セラミック基板２０２の内部に、導電性物質を含んでなる発熱体２０４が所定のパターン形状によって同一平面Ｐ上に形成され、その発熱体２０４のうちの幾つかの一部分に対して凹部２０６が設けられ、その凹部２０６に電源接続用端子（図示せず）が接続され、その電源接続用端子には配線を介して電源（図示せず）が接続されている。
　【０００６】
　このような発熱体２０４を備えたセラミック基板２０２は、セラミック粉末を含むスラリーから形成されるグリーンシートを積層圧着し焼成してセラミック基板を得る方法を利用して作製される。即ち、グリーンシートの表面上に、指定する任意のパターン形状に従って、発熱体を配設したのち、この発熱体を配設したグリーンシートを挟んで上下にそれぞれグリーンシートの複数枚を適宜に重ね合せてこれらを積層圧着し焼成する。
　【０００７】
　このセラミック基板をヒータとし、このヒータが有底状のケーシング（図示せず）の開口部に設置されてヒータが構成される。そして、被加熱物であるシリコンウエハ（図示せず）をヒータの上面側に載置し、この状態で電源接続用端子に通電を行なうことにより、該シリコンウエハを加熱するようになっている。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　従って、従来のセラミックヒータは、セラミック基板の組織構造的には、内装される発熱体によって、セラミック焼結体組織に不連続部が形成されることになる。然るに、セラミック基板には、不連続部分の熱膨張率差によりヒータとしての加熱又は放熱の際の膨張又は収縮という熱衝撃が加わる。
　【０００９】
　一般的に、この熱衝撃の大きさは、セラミック基板の耐熱衝撃性ΔＴで表わされる。この耐熱衝撃性ΔＴは、具体的には、熱衝撃を受けた供試体に急速な強度低下が見られる温度であり、この温度が高いほど耐熱衝撃性が高いといえる。しかし、従来のセラミックヒータのようにセラミック基板に発熱体を埋設すると熱衝撃によってセラミック基板の耐熱衝撃性ΔＴが１５０℃程度まで低下してしまうという問題が見られた。
　【００１０】
　本発明は、発熱体の内装位置を変化させることにより、耐熱衝撃性に優れた半導体製造・検査装置用セラミックヒータを提供することを目的とする。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らはセラミック基板の耐熱衝撃性ΔＴ低下の原因について鋭意研究した結果、セラミック基板の耐熱衝撃性ΔＴが低下するのは、セラミック基板とは熱膨張率が異なる発熱体が一層に集中して形成されるため、熱衝撃によって応力が発熱体形成層に集中するからであることをつきとめた。
　【００１２】
　また、セラミックヒータの耐熱衝撃性は、セラミック基板の厚さ方向での各発熱体の位置を一定に揃えたものよりも、各発熱体の位置を変化させたものの方が優れていることが、本発明者らの基礎的実験事実により明らかとなっている。そこで本発明者らは、この事実に基づいて、セラミック基板の厚さ方向での各発熱体の位置に変化を持たせた構成を提案し、本発明を完成するに至った。
　【００１３】
　上記課題を解決するために請求項１に記載の発明は、
セラミック基板中に発熱体が配設されてなる半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分より
　【００１４】
　上記構成を有する半導体製造・検査装置用セラミックヒータによれば、発熱体がらせん状の線状体により形成されるから、発熱体とセラミック基板との境界が曲線となる。従って、セラミック焼結体組織の不連続部となる発熱体形成部分にヒータ加熱又は放熱の際の膨張又は収縮という熱衝撃が加わっても、特定の不連続部に熱衝撃が集中することはない。発熱体を板状体で形成した場合には、特に、板状体の角部に対応するセラミック基板の部分に熱衝撃が集中することが多く、このことが耐熱衝撃性ΔＴ低下の原因となっていた。しかし、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータに形成される不連続部分は、らせん状の線状体を取り囲む形状となる関係上、曲線形状となることから、熱衝撃が集中しにくい。
　【００１５】
　また、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、発熱体の少なくとも一部分がその他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に形成されるものであるから、セラミック焼結体組織の不連続部となる発熱体形成部分にヒータ加熱又は放熱の際の膨張又は収縮という熱衝撃が加わっても、セラミック基板の厚さ方向の特定の位置に不連続部分が集中しない。発熱体の各部分の膨張又は収縮は、互いに異なった平面上で生じ極端な応力集中が発生しないからである。従って、特定の位置に応力集中が起こることはなく、セラミック基板の耐熱衝撃性ΔＴの大きさは低下しない。ちなみに、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、用途に合わせて１５０〜８００℃の温度領域で使用できる。
　【００１６】
　ここで、隣接するらせん状発熱体の変位量は、１〜５００μｍが望ましい。この範囲であれば、熱衝撃による影響をセラミック基板の厚さ方向でより細かく分散させ緩和させることができるからである。ここで、「変位量」とは、セラミック基板の断面を研磨し、光学顕微鏡又は電子顕微鏡で発熱体の断面
の中
を
う。
　【００１７】
　また、前記位置の最大変位量は、５〜２０００μｍとすることが望ましい。最大変位量が５μｍ未満では変位による効果が不十分な一方で、２０００μｍを超えるとセラミックヒータ表面の温度分布の均一化に問題が生じるからである。ここで、らせん形状の場合における「最大変位量」とは、断面を円又は楕円とみなしてその中心点を求め、この中心点間のセラミック基板の厚さ方向の最低点と最高点との距離で定義したものをいうが（図９（ｆ））、らせん形状が断面が直径の等しい円又は長径と短径の等しい楕円の連続であるとみなした場合には、らせんの上端又は下端の変位量で定義してもよい。
　【００１８】
　この場合に
、前
と、
い。
　【００１９】
　削除
　【００２０】
　ここで、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータの主要部をなすセラミック基板は、窒化アルミニウム焼結体基板を用いて作製するとよい。もっとも、セラミック基板の材質は、窒化アルミニウムに限定されるものではなく、例えば、炭化物セラミック、酸化物セラミック及び窒化物セラミック、その他のセラミック材料を挙げることができる。
　【００２１】
　炭化物セラミックの例としては、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等を挙げることができる。酸化物セラミックの例としては、アルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライト等を挙げることができる。窒化物セラミックの例としては、上述した窒化アルミニウムのほか、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等を挙げることができる。
　【００２２】
　これらのセラミック材料のうち、一般的には窒化物セラミック、炭化物セラミックの方が、熱伝導率が高いので、酸化物セラミックよりも好ましい。尚、これらの焼結体基板は、単独の材質によるものでも、２種以上の材質によるものでもよい。
　【００２３】
　また、発熱体の材料としては、タングステンを用いるとよい。酸化しにくく熱伝導率が高いからである。
　【００２４】
　【発明の実施の形態
】
　【００２５】
　削除
　【００２６】
　削除
　【００２７】
　削除
　【００２８】
　削除
　【００２９】
　削除
　【００３０】
　削除
　【００３１】
　削除
　【００３２】
　削除
　【００３３】
　削除
　【００３４】
　削除
　【００３５】
　削除
　【００３６】
　削除
　【００３７】
　以下、隣接する発熱体が互いに
変位した
　【００３８】
　一般に、グリーンシートを製造するには、まず、窒化アルミニウム原料粉末にバインダ及び溶媒等や焼結助剤等が所定の配合組成に従って、それぞれ所定量添加され、これらの混合物をボールミル等に投入して所定時間混合混練することによってスラリーが調製される。窒化アルミニウム原料粉末や焼結助剤は、周知のものを利用することができる。
　【００３９】
　グリーンシート用のバインダとしては、アクリル樹脂系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニラールのうちから選ばれる少なくとも１種が好ましい。そして、溶媒としては、α−テルピオーネ、グリコールのうちから選ばれる少なくとも１種が好ましい。本発明においては、バインダとして、アクリル系樹脂を用いる。アクリル系樹脂は、一般に、溶剤等に対する可溶性を有し、シート強度や柔軟性が得やすく、寸法精度が優れていること等の成形性が良好であり、かつ熱分解性に優れているからである。従って、セラミック材料の成形等にしばしば用いられるようになってきている。
　【００４０】
　一方、成形用下地フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）等を基材としてグリーンシートの定厚成形を保証すべく平面性、平滑性と離型性とを備えるよう適切に表面処理されている。
　【００４１】
　前記スラリーは、例えば、ドクターブレード法等のシート成形法の定法に従って所定形状のグリーンシートに成形される。このスラリーは、後述するように、前記ペースト層を形成する際の塗布用ペーストとしても用いる。尚、薄層シートを作製する方法はドクターブレード法に限定されず、圧延工程を伴う成形法であってもよい。ドクターブレード法によってグリーンシートを成形するには、ドクターブレード装置や、成形用下地フィルム、乾燥炉等を備えてなるドクターブレード成形機等が用いられる。
　【００４２】
　前記スラリーは、ドクターブレード装置と下地フィルムとの間隙から下地フィルムの移送に伴って薄層状に引き出される。このとき、前記間隙によってスラリーの厚さが制御されて定量的にスラリーが下地フィルム上に引出され、下地フィルムとともに乾燥炉に送られる。グリーンシートの厚さは０．１〜５ｍｍ程度が好ましい。そして、乾燥炉中で、スラリー中に含有される揮発溶剤成分等が乾燥蒸発されてシートが薄層樹脂状となって、グリーンシートが得られる。
　【００４３】
　削除
　【００４４】
　そのグリーンシートの所望の位置に発熱体を形成する。発熱体は、上面視円形又は矩形等の形状を有し、グリーンシート積層体の焼成後に発熱体を構成する。
　【００４５】
　削除
　【００４６】
　削除
　【００４７】
　削除
　【００４８】
　削除
　【００５０】
　削除
　【００５１】
　削除
　【００５２】
　削除
　【００５３】
　削除
　【００５４】
　削除
　【００５５】
　削除
　【００５６】
　削除
　【００５７】
　削除
　【００５８】
　削除
　【００５９】
　削除
　【００６０】
　削除
　【００６１】
　削除
　【００６２】
　削除
　【００６３】
　こののち、このようにして得られた生成形体は、ルツボ又はセッター等に装入され３００〜５００℃の温度下でバインダー等が所定温度及び所定時間で脱脂分解され、そののち、約１８００℃にて所定時間焼成される。以上のような工程を経て、発熱体を備えた所望のセラミック基板が作製される。
　【００６４】
　更にこののち、電源接続用端子を接続し、ケーシングと接合してセラミックヒータを完成する。尚、本実施形態においては本発明を電源接続用端子を有するヒータに適用した例によって説明しているが、例えば、セラミック基板表面にチャックトップ導体層を、また、セラミック基板内部にグランド電極、ガード電極を形成し、発熱体付きウエハプローバとしてもよい。また、セラミック基板内部に静電電極を埋設して発熱体付き静電チャックとしてもよい。このように、内装型発熱体を配設した構造と同様の形態の応用製品であれば、本発明は、同様に適用され得る。
　【００６５】
　削除
　【００６６】
　削除
　【００６７】
　次に、
本発明
　【００６８】
　次に溝４６に発熱体Ｈをはめ込み（図９（ｄ））、セラミック粉を発熱体を被覆するように投入し、１６００〜２０００℃、９．８〜４９ＭＰａ・ｓ、１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ２で加熱、加圧して焼結させる（図９（ｅ））。
　【００６９】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、例示にすぎない。
　【００７０】
　削除
　【００７１】
　削除
　【００７２】
　削除
　【００７３】
　削除
　【００７４】
　削除
　【００７５】
　削除
　【００７６】
　削除
（実施例２）
　【００７７】
　削除
　【００７８】
　削除
　【００７９】
　削除
　【００８０】
（実施例３）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製：平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１１．５重量部を成形型に入れて、圧力１４．７ＭＰａ・ｓ（１５０ｋｇ／ｃｍ２）で加圧して厚さ７ｍｍの生成形体を得た。
　【００８１】
（２）次いで、この生成形体の表面を直径２．５ｍｍのドリルで渦巻き状にザグリ加工した。深さは、１周おきに、０．５ｍｍ、１．７ｍｍとしたもの、１周おきに０．５ｍｍ、０．７５ｍｍとして加工し、断面が千鳥になるようにした。
　【００８２】
（３）更に、タングステン線をらせん状にし、断面の長径２．５ｍｍ、短径０．５ｍｍの発熱体を溝にそって配置し、その上から窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製：平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１１．５重量部の混合粉末を投入し、圧力１４．７ＭＰａ・ｓ（１５０ｋｇ／ｃｍ２）で加圧し、厚さ１５ｍｍの生成形体とした。
（４）次いで、窒素ガス中で約６００℃で５時間程度脱脂し、約１８９０℃且つ圧力１４．１７ＭＰａ・ｓ（１５０ｋｇ／ｃｍ２）で３時間ホットプレスし、厚さ６．０ｍｍの窒化アルミニウムの板状のセラミック基板を得た。
　【００８３】
　削除
　【００８４】
　削除
　【００８５】
（比較例３）
　ザグリ加工の深さを０．５ｍｍで統一した他は、実施例３と同様の構成とし、これを比較例３とした。
　【００８６】
（比較例４）
　ザグリ加工の深さを１周おきに、０．５ｍｍ、６．０ｍｍとした他は、実施例３と同様の構成とし、これを比較例４とした。
　【００８７】
（実施例４）
実施例４として発熱体及び静電チャック用静電電極を内部に有するセラミックヒータを製造したのでこれについて説明する。
（１）実施例３のセラミック基板に、
平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．５重量、分散剤０．３重量部を混合した
（２）次に、
窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製：平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部、及び、１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール混合物５３重量部を混合した組成物（粘度１００Ｐａ・ｓ）を用いてドクターブレード法によってＰＥＴ等からなる下地シート上にシート成形を行って厚さ０．４７ｍｍの
　【００８８】
（実施例５）
　実施例５として発熱体及びウエハプローバ用電極を内部、表面に有するセラミックヒータを製造したのでこれについて説明する。
（１）実施例３のセラミック基板に、
平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．７重量、分散剤０．２重量部を混合した
（２）
窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製：平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部、及び、１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール混合物５３重量部を混合した組成物（粘度１００Ｐａ・ｓ）を用いてドクターブレード法によってＰＥＴ等からなる下地シート上にシート成形を行って厚さ０．４７ｍｍの
　【００８９】
　（３）図１１（ａ）に示すようにグリーンシート５６及びセラミック基板５８を積層し、窒素ガス中で約１８９０℃且つ圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２で３時間ホットプレスし、内部にガード電極６０、グランド電極６２を持つセラミック基板５８とした。
（４）次いで、ドリルで孔を開けて貫通孔６４を設けた。（図１１（ｂ））
　【００９０】
（５）次に平均粒子径３．０μｍのタングステン粉を１９００℃で焼結させた多孔質金属板を銀ろうペーストを介して（４）のセラミック基板に載置し、９７０℃に加熱して接着した（図１１（ｃ））。
　【００９１】
（６）セラミック基板５８の側面に孔を開けて、８０％Ｓｎ−２０％Ｐｂの半田ペーストを用いて、３００℃に加熱して端子ピン６６を接着し、ウエハプローバ６８とした（図１１（ｄ））。
　【００９２】
（評価方法）
　実施
例３
　【００９３】
　また、発熱させた場合にウエハ加熱面の温度差をサーモビュア（日本データム株式会社製　ＩＲ１６２０１２−００１２）により測定した。その結果も表１にまとめて示す。
　【００９４】
　【表１】
　【００９５】
　まず、耐熱衝撃性について実施例と比較例とを較べると、実施例の耐熱衝撃性は、ΔＴ＝１９０〜２００（℃）と高い値を示したのに対し、比較例の耐熱衝撃性は、ΔＴ＝１５０〜１６０（℃）と低い値を示した。従って、発熱体の少なくとも一部分を他の部分の位置からセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配設することで耐熱衝撃性が改善されることが判明した
。ま
は
　【００９６】
　次に、セラミック基板の温度の均一性について実施例と比較例とを較べると、実施例は、温度差が８〜１０℃と低めの範囲に収まり、中でも、実施例３は、温度差が８〜９℃と低めの範囲に収まったのに対し、比較例は、１０〜２０℃とやや広がった範囲となっている。従って、発熱体の少なくとも一部分をその他の部分からセラミック基板の厚さ方向に変位した平面位置に配設することは、セラミック基板の温度の均一化に効果的であることが判明した。
　【００９７】
　次に、実施例４に係るセラミックヒータについて、静電チャックとして使用できるか否かについて試験を行った。その結果、実施例４については、３００℃まで３０秒で昇温しても、クラック等は発生しなかった。また、１ｋＶの印加で１ｋｇｆ／ｃｍ２（９．８　ｘ　１０４Ｐａ）の吸着力が確認された。従って、実施例４に係るセラミックヒータは、静電チャックとしての使用に耐えるものであることが判明した。
　【００９８】
　更に、実施例５に係るセラミックヒータについて、ウエハプローバとして使用できるか否かについて試験を行った。その結果、実施例５については、２００℃まで２０秒で昇温しても、クラック等は発生しなかった。また、２００℃においてウエハの導通試験を行っても誤動作等は見られなかった。従って、実施例５に係るセラミックヒータは、ウエハプローバとしての使用に耐えるものであることが判明した。
　【００９９】
　削除
　【０１００】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、セラミック基板中に発熱体が配設されてなるものであって、前記発熱体をらせん状の線状体から形成し、そのらせん状の線状体から形成された当該発熱体の少なくとも一部分を、その他の部分よりセラミック基板の厚さ方向に変位した位置に配置したものであるから、各発熱体の膨張又は収縮が互いに変位した平面上で生じる。従って、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、熱衝撃による影響をセラミック基板全体で分散させ緩和することができるため、耐熱衝撃性の優れたものとなる。また、ウエハ加熱表面の均熱性を低下させることもない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　削除された。
　【図２】　削除された。
　【図３】　削除された。
　【図４】　削除された。
　【図５】　削除された。
　【図６】　削除された。
　【図７】　削除された。
　【図８】　削除された。
　【図９】　本発明の他の一実施の形態に係るセラミックヒータの製造工程図である。
　【図１０】　本発明の応用例に係る静電チャックの電極を示した図である。
　【図１１】　本発明の応用例に係るウエハプローバの製造工程図である。
　【図１２】　熱衝撃試験後の曲強度試験の結果を示したグラフである。
　【図１３】　従来のセラミック基板の要部を示す側断面図である。
　【符号の説明】
　１０　セラミックヒータ
　１２　セラミック基板
　１４，１６，１８，２０，Ｈ　発熱体
　Ｈａ，Ｈｂ　発熱体
　５０　コイル
　δｔ　変位量
　δｔｍａｘ　最大変位量
【図面】