(57)【要約】      （修正有）【課題】ドライバＩＣをＴＦＴ基板あるいは駆動回路基板に実装した場合の基板の変形量を小さくすることにより、表示品質の低下の防止、製品の信頼性の低下を防止すること。【解決手段】ドライバＩＣ４０が実装された第１基板１００を有する表示装置であって、前記ドライバＩＣ４０は、異方性導電膜を介して実装され、前記第１基板１００は、前記ドライバＩＣ４０の短辺近傍に、凹部６０を有していることを特徴とする表示装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライバＩＣが実装された第１基板を有する表示装置であって、
前記ドライバＩＣは、異方性導電膜を介して第１基板に実装され、
前記第１基板は、前記ドライバＩＣの短辺近傍に、凹部を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記ドライバＩＣに重なって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記凹部の一部は、前記異方性導電膜の一部によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記凹部における第１基板の厚さは１μｍ以上であり、前記凹部が形成されていない部分の基板の厚さの９０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記凹部における第１基板の厚さは１μｍ以上であり、前記凹部が形成されていない部分の基板の厚さの７０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１基板と対向する第２基板を有し、
前記第１基板と前記第２基板はシール材によって接着されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１基板に形成された凹部は、平面で視て、前記シール材の一部と重なっていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記凹部は、貫通孔であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ドライバＩＣは、前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面に実装されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層が挟持されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板上に、有機ＥＬ層が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
表示装置に映像信号を供給するドライバＩＣが実装された駆動回路基板であって、
前記ドライバＩＣは、異方性導電膜を介して前記駆動回路基板に実装され、
前記駆動回路基板は、前記ドライバＩＣの近傍に、凹部を有していることを特徴とする駆動回路基板。
【請求項１３】
前記凹部は、前記ドライバＩＣに重なって形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の駆動回路基板。
【請求項１４】
前記凹部の一部は、前記異方性導電膜の一部によって覆われていることを特徴とする請求項１２に記載の駆動回路基板。
【請求項１５】
前記凹部における駆動回路基板の厚さは１μｍ以上であり、前記凹部が形成されていない部分の駆動回路基板の厚さの９０％以下であることを特徴とする請求項１２に記載の駆動回路基板。
【請求項１６】
前記凹部における前記駆動回路基板の厚さは１μｍ以上であり、前記凹部が形成されていない部分の前記駆動回路基板の厚さの７０％以下であることを特徴とする請求項１２に記載の駆動回路基板。
【請求項１７】
前記凹部は、貫通孔であることを特徴とする請求項１２に記載の駆動回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置あるいは駆動回路基板にドライバＩＣを実装した場合のストレスによる基板の変形を防止する構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置は駆動回路にドライバＩＣを用いる。ドライバＩＣは、液晶表示装置等の基板に、直接実装する場合や駆動回路基板等を介して実装する場合がある。液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置では、ＴＦＴや画素電極等が形成されたＴＦＴ基板は、従来はガラスで形成されてきたが、表示装置をフレキシブルにするために、ＴＦＴ基板をポリイミド等の樹脂で形成する場合もある。
【０００３】
いずれにしても、ドライバＩＣと、ＴＦＴ基板あるいは駆動回路基板とでは、熱膨張係数が異なるために、ドライバＩＣの接続部付近では、基板およびドライバＩＣにストレスがかかり、基板あるいはドライバＩＣのクラックや反り変形を引き起こす。
【０００４】
特許文献１には、ガラスで形成されたＴＦＴ基板に種々の部品が実装された場合に、ＴＦＴ基板にクラックが形成されることを防止するために、ＴＦＴ基板の裏側にあらかじめ溝等を形成し、この溝部分でガラスに加わるストレスを吸収する構成が記載されている。
【０００５】
特許文献２には、ＴＦＴ基板にドライバＩＣを実装した場合、ドライバＩＣの接続部において、ＴＦＴ基板にかかるストレスを緩和するために、ガラスで形成されたＴＦＴ基板の内部に空洞を形成し、この空洞によって、ストレスを吸収する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−７２３８０号公報
【特許文献２】特開２０１０−１４９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置は厚さを小さくすることが要求されている。これらの表示装置において、厚さに対して大きな影響を与えるのが、ガラスで形成されたＴＦＴ基板、あるいは対向基板の厚さである。ガラス基板は、通常は０．７ｍｍあるいは０．５ｍｍ程度に規格化されている。しかし、表示装置を薄くするために、ＴＦＴ基板あるいは対向基板を研磨して、０．２ｍｍあるいは０．１ｍｍ程度にまで研磨する。さらに表示装置を薄くしてフレキシブルな表示装置とするために、ＴＦＴ基板等をポリイミド等の樹脂で形成する場合もある。
【０００８】
ガラス基板及び樹脂基板のいずれにしても、ドライバＩＣとは熱膨張係数が異なる。また、ドライバＩＣは、ＴＦＴ基板には、異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いて熱圧着される。そうすると、ドライバＩＣのほうが、より温度が上昇し、ドライバＩＣの熱膨張量がＴＦＴ基板の熱膨張量よりも大きくなる。そうすると、ドライバＩＣの温度が常温に戻ると、発生した応力のために、ＴＦＴ基板が変形するという問題が生ずる。
【０００９】
基板の変形はそれ自体が問題であるが、ドライバＩＣが表示領域の近くに実装されると、ＴＦＴ基板の変形による影響が表示領域にまでおよび、表示領域の色むらや輝度むら等の原因になる。この問題は、特にＴＦＴ基板の厚さが小さくなると発生しやすい。また、駆動回路基板は、樹脂で形成され、厚さが３０μｍ程度であるので、ドライバＩＣを実装した場合の変形量が大きくなる。そうすると、製造歩留りの低下、製品の変形による信頼性の低下が問題となる。
【００１０】
本発明の課題は、ドライバＩＣをＴＦＴ基板あるいは駆動回路基板に実装した場合の基板の変形量を小さくすることにより、表示品質の低下の防止、製品の信頼性の低下を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）表示領域と端子部が形成された第１の基板を有する表示装置であって、前記端子部には長辺と短辺を有するドライバＩＣが異方性導電膜を介して実装され、前記ドライバＩＣの短辺に対応する部分の前記第１の基板には、凹部が形成されていることを特徴とする表示領域。
【００１２】
（２）表示装置に接続するドライバＩＣが実装された駆動回路基板であって、前記ドライバＩＣは長辺と短辺を有しており、異方性導電膜を介して前記駆動回路基板と接続しており、前記ドライバＩＣの短辺に対応する部分の前記駆動回路基板には、凹部が形成されていることを特徴とする駆動回路基板。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１における表示装置の平面図である。
【図２】熱圧着工程を示す断面図である。
【図３】熱圧着工程における温度プロファイルである。
【図４】本実施例を適用していない場合の、熱圧着の工程を示す断面図である。
【図５】実施例１における、熱圧着の工程の一部を示す断面図である。
【図６】実施例１の他の例における、熱圧着の工程の一部を示す断面図である。
【図７】ＴＦＴ基板にドライバＩＣが接続された状態を示す平面図である。
【図８】図７で示したＡ１乃至Ａ５における、熱圧着によるストレスの比較を示す図である。
【図９】本実施例の他の例を示す平面図である。
【図１０】凹部の深さの例を示す断面図である。
【図１１】実施例１における、ＴＦＴ基板、ドライバＩＣ、ＡＣＦの関係を示す図である。
【図１２】実施例１の他の例における、ＴＦＴ基板、ドライバＩＣ、ＡＣＦの関係を示す図である。
【図１３】本実施例の他の例を示す平面図である。
【図１４】本実施例のさらに他の例を示す平面図である。
【図１５】本実施例のさらに他の例を示す平面図である。
【図１６】実施例２における表示装置の平面図である。
【図１７】図１６のＢ−Ｂ断面図である。
【図１８】実施例３における表示装置の平面図である。
【図１９】実施例４における表示装置の平面図である。
【図２０】図１９のＣ−Ｃ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施例によって本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本実施例における液晶表示装置の平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が対向して配置され、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。
【００１６】
以下、実施例では、表示装置の短辺方向を第１方向Ｘとし、第１方向Ｘと垂直な方向を第２方向Ｙとし、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な方向を第３方向Ｚとする。また本実施例では、第３方向Ｚの正の向き、あるいは、ＴＦＴ基板１００から対向基板２００に向かう方向を上又は上側とし、第３方向Ｚの負の向き、あるいは、対向基板２００からＴＦＴ基板１００に向かう方向を下又は下側とする。
【００１７】
図１に示すように、液晶表示装置は、表示領域１０と周辺領域２０とを有している。周辺領域２０にはＴＦＴ基板１００と対向基板２００とを接着するシール材が配置しており、シール材によって囲まれた領域に液晶が封入されている。表示領域１０には画素電極やＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有する画素がマトリクス状に形成されている。
【００１８】
ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００と重なっていない部分に端子部３０が形成されている。端子部３０には、映像信号等を供給するドライバＩＣ４０が実装されている。また、端子部３０には、液晶表示装置に外部から信号や電力を供給するための駆動回路基板８０が接続される。ＴＦＴ基板１００は、ドライバＩＣ４０の第１方向Ｘにおける端部に対応する位置、つまりは、ドライバＩＣ４０の短辺の位置に凹部６０が形成されている。図１に示した例では、凹部６０はドライバＩＣ４０と重なる位置に形成されている。この凹部６０は、ドライバＩＣ４０とＴＦＴ基板１００の接続時に発生するストレスを緩和して、ＴＦＴ基板１００の変形を防止するためのものである。
【００１９】
図２は、ＴＦＴ基板１００の端子部３０に熱圧着によってドライバＩＣ４０を接続する状態を示す断面図である。
【００２０】
液晶表示装置は受台１２００に載置され、端子部３０はバックアップステージ１１００に載置されている。この状態において、圧着ヘッド１０００に、矢印の方向に圧力が加えられ、同時にドライバＩＣ４０が圧着ヘッド１０００によって１５０℃程度に加熱される。熱圧着は異方性導電膜（ＡＣＦ）を介して行われ、ＡＣＦが冷えて、ある温度に達するとＡＣＦが硬化してドライバＩＣとＴＦＴ基板が接着する。
【００２１】
図３は熱圧着におけるドライバＩＣの上面の温度変化の例である。図３において、横軸が時間、縦軸がドライバＩＣ上面の温度である。図３において、ドライバＩＣの上面は、圧着ヘッドを押し当てて１２秒後に１５０℃に達する。この時、ＡＣＦは軟化して、ＡＣＦ内の導電粒子によってＴＦＴ基板に形成された端子とドライバＩＣのバンプが電気的に接続する。その後、圧着ヘッドを離すとドライバＩＣは冷却し、冷却の過程において、ＡＣＦが硬化し、ドライバＩＣと基板が物理的に接着する。この時、ドライバＩＣとＴＦＴ基板との接着部において、ストレスが発生する。
【００２２】
図４は、本実施例を適用していない液晶表示装置にドライバＩＣを熱圧着する工程を示す断面図である。図４は液晶表示パネルを駆動回路基板８０側から視た端子部３０の断面図である。図４（Ａ）において、ＴＦＴ基板１００の端子部３０にＡＣＦ５０が配置され、その上にドライバＩＣ４０が配置されている。ドライバＩＣ４０のバンプ４１はＴＦＴ基板１００に形成された端子と対応するように位置合わせされている。なお、以下の説明では、ドライバＩＣ４０の線膨張係数は３．５３×１０−６／℃、ＴＦＴ基板１００の線膨張係数は３．８０×１０−６／℃であると仮定している。
【００２３】
図４（Ｂ）は、ドライバＩＣ４０の上にテフロン（登録商標）等で形成された緩衝シート１０１０を介して圧着ヘッド１０００によってドライバＩＣ４０を熱圧着している状態を示す断面図である。ドライバＩＣは１５０℃程度まで加熱されるので、熱膨張量は大きく、例えばδａである。一方、ＴＦＴ基板１００も膨張するが、ＴＦＴ基板１００側は、ドライバＩＣ４０ほど温度は上昇しないので、熱膨張量はδｂである。図４（Ｂ）に示す矢印は、ドライバＩＣ４０あるいはＴＦＴ基板１００の熱膨張の方向と量を示すものである。ＡＣＦ５０は温度が上昇するにしたがって軟化し、温度が低下するにしたがって硬化し、ドライバＩＣ４０とＴＦＴ基板１００を接着する。
【００２４】
図４（Ｃ）は、ＡＣＦ５０が硬化する温度において、ドライバＩＣ４０が受けている歪の量とＴＦＴ基板１００が受けている歪の量の比較を示す断面図である。図４（Ｃ）に示す矢印は、ＡＣＦ５０が硬化するまでにドライバＩＣ４０あるいはＴＦＴ基板１００が収縮する方向と量を示している。ＡＣＦ５０が硬化した時点において、ドライバＩＣ４０にはＴＦＴ基板１００に対してδＣだけ歪が残る。この歪が原因で、図４（Ｄ）に示すように、ＴＦＴ基板１００がｚ１だけ湾曲する。
【００２５】
このような湾曲が生ずると、液晶表示装置に組み込む際に、寸法的に問題を生ずることがある。さらに、ＴＦＴ基板１００に歪が生ずることによって、この歪が表示領域に影響を及ぼし、局所的な色むらあるいは輝度むらを生ずる。
【００２６】
図５は本実施例を適用した液晶表示パネルにドライバＩＣを熱圧着する工程の一部を示す断面図である。図５（Ａ）は、ＴＦＴ基板１００の端子部にＡＣＦ５０とドライバＩＣ４０が配置されている断面図である。図５（Ａ）が図４（Ａ）と異なる点は、ドライバＩＣ４０の端部に対応する位置において、ＴＦＴ基板１００に凹部６０が形成されていることである。ドライバＩＣ４０を熱圧着によってＴＦＴ基板１００に接続することは図４（Ｂ）で説明したのと同様である。
【００２７】
図５（Ｂ）は、ドライバＩＣ４０が熱圧着後の状態を示す断面図である。熱圧着時におけるドライバＩＣ４０の温度とＴＦＴ基板１００の温度の差による熱膨張の差によって、ＴＦＴ基板１００が撓むが、撓み量ｚ２は、図４に示す撓み量ｚ１よりも小さくなっており、液晶表示装置の組み立てに問題がない程度、あるいは、表示領域に局所的な輝度むらや色むらが生じない程度に抑えられている。
【００２８】
図６は、本実施例の他の例を適用した液晶表示パネルにドライバＩＣを熱圧着する工程の一部を示す断面図である。図６（Ａ）は、ＴＦＴ基板１００の端子部にＡＣＦ５０とドライバＩＣ４０が配置されている断面図である。図６（Ａ）が図５（Ａ）と異なる点は、ドライバＩＣ４０の端部に対応するＴＦＴ基板１００に貫通孔７０が形成されていることである。ドライバＩＣ４０を熱圧着によってＴＦＴ基板１００に接続することは図４（Ｂ）で説明したのと同様である。
【００２９】
図６（Ｂ）は、ドライバＩＣ４０が熱圧着後の状態を示す断面図である。熱圧着時におけるドライバＩＣ４０の温度とＴＦＴ基板１００の温度差に起因する熱膨張差によって、ＴＦＴ基板１００が撓むが、撓み量ｚ３は、図４に示す撓み量ｚ１よりも小さくなっており、さらに、図５に示す撓み量ｚ２よりも小さくなっている。貫通孔７０は、応力解放の効果がより大きいからである。
【００３０】
図５における凹部６０及び図６における貫通孔７０はレーザ照射あるいはエッチングによって形成することが出来る。ガラス基板１００の場合、ガラスによって吸収される波長のレーザを、凹部６０もしくは貫通孔７０を形成する部分に焦点を当てて照射し、この部分においてガラスを蒸発させる。また、フォトリソグラフィを用いて、必要な部分のみエッチングすることによって凹部６０もしくは貫通孔７０を形成することが出来る。一般的には、液晶表示パネルが完成した後、ドライバＩＣ４０を接続する前に凹部６０もしくは貫通孔７０を形成する。
【００３１】
基板がガラスでなく、樹脂である場合も基本的には同様である。すなわち、レーザ照射あるいはフォトリソグラフィによって、樹脂基板に凹部もしくは貫通孔を形成することが出来る。
【００３２】
図７は、ＴＦＴ基板１００にドライバＩＣ４０が接続された状態を示す平面図である。なお図７では、液晶表示パネルの中心から片側の平面図を示している。熱圧着によるストレスは、ドライバＩＣ４０の第１方向Ｘにおける端部で大きくなる。図７（Ａ）は、本実施例を適用していない端子部の平面図である。図７（Ａ）において、ドライバＩＣ４０の長辺の長さの１／２が１０．１１ｍｍであり、短辺の長さは１．４６７ｍｍである。端子部３０の第２方向Ｙにおける幅は３．３３５ｍｍである。図７（Ａ）の上側が、対向基板が配置されている側であり、対向基板の端部から０．４ｍｍ離れたところにドライバＩＣ４０が配置している。ドライバＩＣ４０の寸法、位置、端子部３０の寸法等は、図７（Ｂ）乃至（Ｅ）においても同じである。図７（Ａ）において、ドライバＩＣ４０を熱圧着した後、ＴＦＴ基板１００においてストレスが最も大きく現れる点は、ドライバＩＣ４０のコーナー部に対応するＡ１である。
【００３３】
図７（Ｂ）は本実施例を適用した端子部の平面図である。図７（Ａ）と異なる点は、ドライバＩＣ４０の短辺近傍に、ＴＦＴ基板１００に凹部６０が形成されている点である。凹部６０の寸法は、第２方向Ｙにおける幅が２．１５７、第１方向Ｘにおける幅が１．０ｍｍである。凹部６０の深さは、ＴＦＴ基板１００の厚さの１／３としている。この場合のＴＦＴ基板１００において、ストレスが最も大きく現れる点はドライバＩＣ４０のコーナー部に対応するＡ２である。
【００３４】
図７（Ｃ）は、本実施例の他の例を適用した端子部の平面図である。図７（Ｂ）と異なる点は、ドライバＩＣ４０と重なる位置、すなわち、ドライバＩＣ４０の最外端のバンプ４１とドライバＩＣ４０の端部との間の領域に重なる位置に凹部６０が形成されている点である。凹部６０の寸法及び深さは、図７（Ｂ）の場合と同様である。この場合、ＴＦＴ基板１００においてストレスが最も大きくなる点は、凹部６０とドライバＩＣ４０の長辺の交点であるＡ３である。
【００３５】
図７（Ｄ）は、本実施例の他の例を適用した端子部の平面図である。図７（Ｂ）と異なる点は、図７（Ｂ）では凹部６０が形成されていた位置に、貫通孔７０が形成されている点である。貫通孔７０の寸法は、図７（Ｂ）における凹部６０と同じである。また、図７（Ｄ）において、ＴＦＴ基板１００でストレスが最も大きく現れる点はドライバＩＣ４０のコーナー部に対応するＡ４であり、位置は図７（Ｂ）と同じである。
【００３６】
図７（Ｅ）は、本実施例の他の例を適用した端子部の平面図である。図７（Ｃ）と異なる点は、図７（Ｃ）では凹部６０が形成されていた位置に、貫通孔７０が形成されている点である。貫通孔７０の寸法は、図７（Ｃ）における凹部６０の場合と同様である。この場合、ＴＦＴ基板１００においてストレスが最も大きくなる点は、貫通孔７０とドライバＩＣ４０の長辺の交点であるＡ４であり、図７（Ｃ）の場合と位置は同じである。
【００３７】
図８は、図７（Ａ）乃至（Ｅ）における最大のストレスの値を比較した表である。すなわち、図８は、図７（Ａ）乃至（Ｅ）の各々における最大のストレスを示す点であるＡ１乃至Ａ５における、ＸＹ平面方向のせん断応力をＭＰａ（メガパスカル）で表したものである。
【００３８】
本実施例を示す図８（Ｂ）乃至（Ｅ）は、本実施例を適用していない場合と比較して、ストレスはいずれも小さくなっており、ストレスによる表示領域における輝度むら及び色むらの発生を防止することが可能である。例えば、図８（Ｃ）では、図８（Ａ）に比較して、ストレスは１５％小さくなり、図８（Ｅ）では、図８（Ａ）に比較して、ストレスは２０％小さくなる。したがって、ＴＦＴ基板の湾曲も抑えることができ、液晶モジュールの組み立てに対する影響を軽減することが出来る。
【００３９】
図９は、本実施例の他の例を示す平面図である。図９はＴＦＴ基板１００に形成された凹部６０の形成領域をシール材が形成されている周辺領域２０にまで延長させた例である。図９（Ａ）は、ＴＦＴ基板１００の凹部６０が、ドライバＩＣ４０と重なる位置に形成されている場合であり、図９（Ｂ）は、ＴＦＴ基板１００の凹部６０が、ドライバＩＣ４０の短辺の位置に形成されている場合である。図９において、周辺領域２０の端部は対向基板２００の端部と一致しており、凹部６０は対向基板２００の端部から幅ｙだけ周辺領域２０と重なって形成されている。
【００４０】
凹部６０が周辺領域２０側に延長して形成されていること、すなわち、表示領域のより近くにまで形成されていることによって、表示領域側におけるストレスをさらに軽減することが出来る。したがって、図９の構成は、表示領域における局部的な輝度むら及び色むらを軽減する効果が大きい。図９において、凹部６０の第２方向Ｙにおける幅は、シール材が形成されている領域の表示領域側の端部まで、延長させることが出来る。
【００４１】
図１０は、凹部６０の深さの例を示す断面図である。図１０において、ＴＦＴ基板１００の上に２層の絶縁膜が形成されている。第１絶縁膜１１０及び第２絶縁膜１２０は、無機絶縁膜の場合もあるし、有機絶縁膜の場合もある。ＴＦＴ基板１００と絶縁膜１１０、１２０とを合わせた厚さがｔ１、凹部６０におけるＴＦＴ基板１００の厚さがｔ２である。図１０において、ｔ２／ｔ１は０．９以下であることが望ましく、０．７以下であることがより好ましい。また、ｔ２は貫通しない場合、１μｍ以上である。
【００４２】
ＴＦＴ基板１００は、ガラス基板の場合もあるし、ポリイミド等の樹脂で形成されている場合もある。ＴＦＴ基板１００がガラス基板の場合、０．１５ｍｍ程度であるが、ポリイミドで形成されている場合は、１０μｍ乃至２０μｍ程度である。ポリイミドは機械的に強いので、図１０におけるｔ２は１μｍ程度でも必要な機械的な強度を保つことが出来る。
【００４３】
図１１は、本実施例におけるＴＦＴ基板１００、ドライバＩＣ４０、ＡＣＦ５０の関係を示す図である。図１１（Ａ）は平面図であり、ＴＦＴ基板１００の凹部６０が、ドライバＩＣ４０と重なっている状態を示している。図１１（Ａ）において、ドライバＩＣ４０とＴＦＴ基板１００の凹部６０が重なっていない量ｄは３μｍ以上必要である。
【００４４】
図１１（Ｂ）は、熱圧着前の断面図である。図１１（Ｂ）において、ＡＣＦ５０がドライバＩＣ４０とＴＦＴ基板１００との間に存在している。図１１（Ｃ）は、ドライバＩＣ４０及びＡＣＦ５０を加熱することによって、ＡＣＦ５０が軟化して、ＴＦＴ基板１００の凹部６０に流動した状態を示している。図１１（Ｃ）に示すように、ＡＣＦ５０が軟化して流動しても、ＡＣＦ５０をＴＦＴ基板１００の凹部６０内にとどめることが出来るので、ＡＣＦ５０が流動して広がることによる接続不良等を防止することが出来る。
【００４５】
図１２は、本実施例の他の例におけるＴＦＴ基板１００、ドライバＩＣ４０、ＡＣＦ５０の関係を示す図である。図１２（Ａ）は平面図であり、ＴＦＴ基板１００の凹部６０の端部とドライバＩＣ４０の端部が一致している状態を示している。図１２（Ｂ）は、熱圧着前の断面図である。図１２（Ｂ）において、ＡＣＦ５０がドライバＩＣ４０とＴＦＴ基板１００との間に存在している。図１２（Ｃ）は、ドライバＩＣ４０およびＡＣＦ５０を加熱することによって、ＡＣＦ５０が軟化して、ＴＦＴ基板１００の凹部６０に流動した状態を示している。図１２（Ｃ）に示すように、ＡＣＦ５０が軟化して流動しても、ＴＦＴ基板１００の凹部６０内にとどめることが出来るので、ＡＣＦ５０による接続不良等を防止することが出来る。
【００４６】
また、ガラス基板にレーザで凹部６０を形成するような場合、凹部６０において微小クラックが生ずる場合がある。微小クラックが存在すると、この部分において、クラックが進行し、ＴＦＴ基板が割れてしまうおそれがある。図１１及び図１２に示すように、凹部６０にＡＣＦ５０が流入すると、凹部６０に存在している微小クラックをＡＣＦ５０の樹脂が埋め、クラックが進行することを防止することが出来る。
【００４７】
図１３は、本実施例における凹部６０の形状の他の例を示す平面図である。図１３において、シール材が形成された周辺領域２０の外側にＴＦＴ基板１００における端子部３０が存在している。端子部３０に形成された配線３１はドライバＩＣ４０のバンプ４１と接続している。図１３に示した例では、配線３１を挟んだ両側に凹部６０が形成されている。この場合も、ＴＦＴ基板１００におけるせん断応力を低下させることが出来る。
【００４８】
図１４は、本実施例における凹部６０の形状のさらに他の例を示す平面図である。図１４において、シール材が形成された周辺部２０の外側にＴＦＴ基板１００における端子部３０が存在している。端子部３０に形成された配線３１はドライバＩＣ４０のバンプ４１と接続している。図１４に示した例では、ドライバＩＣ４０のバンプ４１の列の間に延在して凹部６０が形成されている。この場合も、ＴＦＴ基板１００におけるせん断応力を低下させることが出来る。
【００４９】
図１５は、本実施例における凹部６０の形状のさらに他の例を示す平面図である。図１５は、ＴＦＴ基板１００に形成された凹部６０の平面形状が円である。端子部３０に形成された配線３１はドライバＩＣ４０のバンプ４１と接続している点等は、図１３及び図１４と同じである。図１５に示すように、ＴＦＴ基板１００に形成された凹部６０の平面形状は矩形に限らず、円等の曲線形状であっても本発明の目的を達成することが出来る。
【実施例２】
【００５０】
図１６は、実施例２における表示装置２の平面図である。図１６は、図１とほぼ同様の構成である。図１と異なる点は、図１６に示した例は、有機ＥＬ表示装置であるという点である。つまり、表示領域１０には有機ＥＬ層、駆動ＴＦＴ、選択ＴＦＴ等を有する画素がマトリクス状に形成されている。周辺領域２０には、走査線駆動回路等が形成されている。
【００５１】
図１７は、図１６のＢ−Ｂ断面図である。図１７において、ＴＦＴ基板１００に形成された表示領域１０には、有機ＥＬ層を含む発光層が形成され、これを覆ってＳｉＮあるいはＳｉＯ等による保護層２２０が形成されている。保護層２２０を覆って偏光板２３０が張り付けられている。
【００５２】
有機ＥＬ表示装置では、ＴＦＴ基板１００をポリイミド等の樹脂で形成する場合がある。ポリイミド基板は１０μｍ乃至２０μｍ程度であるから、ドライバＩＣ４０を熱圧着したことによるＴＦＴ基板１００の変形は大きい。実施例１と同様に、ドライバＩＣ４０の短辺付近において、凹部６０もしくは貫通孔７０を形成することによって、ドライバＩＣ４０をＴＦＴ基板１００に熱圧着したことによるストレスを緩和することができ、ＴＦＴ基板１００の変形を軽減することが出来る。特に、薄い樹脂基板を用いた有機ＥＬ表示装置では、効果は非常に大きい。凹部の位置、形状、貫通孔の位置、形状等は実施例１で説明したのと同様である。なお、液晶表示装置においても、ＴＦＴ基板１００をポリイミド等の樹脂で形成する場合がある。その場合も、実施例１及び実施例２と同様の構成を用いて、同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００５３】
図１８は、実施例３における表示装置の平面図である。図１８は、ドライバＩＣ４０が駆動回路基板８０を介して表示装置に接続されている点が図１及び図１６とは異なっている。
【００５４】
駆動回路基板８０は、厚さが３０μｍ程度のポリイミド基板で形成されている。一方、ドライバＩＣ４０は熱圧着によって駆動回路基板８０に接続されるので、駆動回路基板８０の変形が大きくなりやすい。そこで、実施例１及び実施例２と同様に、ドライバＩＣ４０の端部に対応する部分に凹部６０もしくは貫通孔７０を形成することによって、熱圧着によるストレスを緩和することが出来る。凹部もしくは貫通孔７０の位置、形状等は実施例１で説明したのと同様である。
【実施例４】
【００５５】
図１９は、実施例４における表示装置の平面図である。図１９において、表示領域を覆って対向基板が形成され、ＴＦＴ基板と対向基板とは周辺領域２０に形成されたシール材４４０によって接着している。ドライバＩＣ４０は、表示パネルの下側、つまり、ＴＦＴ基板１００の下に実装されている。また、ドライバＩＣ４０が実装されている部分は、平面で視て、シール材４４０と重複している。
【００５６】
図２０は、図１９のＣ−Ｃ断面図である。図２０において、ＴＦＴ基板１００上には配線４１０が形成され、その上に、ＴＦＴ等を含むアレイ層４００が形成されている。アレイ層上に、液晶表示装置であれば液晶材料が、有機ＥＬ表示装置であれば、有機ＥＬ層が形成される。対向基板２００はシール材４４０によってＴＦＴ基板１００と接着している。
【００５７】
平面で視て、シール材４４０が形成された領域と重複した位置に、ＴＦＴ基板１００にスルーホール４３０が形成されている。ドライバＩＣ４０は、スルーホール４３０を介して、ＡＣＦ５０によって、ＴＦＴ基板１００と接続する。この場合も、実施例１乃至３と同様に、ドライバＩＣ４０を熱圧着した際のストレスによってＴＦＴ基板１００が変形することを防止するために、ドライバＩＣ４０の端部に対応する位置において、ＴＦＴ基板１００に凹部６０を形成する。そのため、実施例１乃至実施例３と同様の効果を得ることが出来る。
【００５８】
図２０で示した例では、ＴＦＴ基板１００の下側にドライバＩＣ４０が直接実装される場合について記載しているが、実施例３で示したように、駆動回路基板８０を介してドライバＩＣが接続される場合でも適用することができる。その場合、駆動回路基板８０は、実施例３と同様の構成をとなる。
【符号の説明】
【００５９】
１…液晶表示装置、  ２…有機ＥＬ表示装置、  １０…表示領域、  ２０…周辺領域、  ３０…端子部、  ４０…ドライバＩＣ、  ４１…バンプ、  ５０…ＡＣＦ、  ６０…凹部、  ７０…貫通孔、  ８０…駆動回路基板、  １００…ＴＦＴ基板、  １１０…第１絶縁膜、  １２０…第２絶縁膜、  ２００…対向基板、  ２２０…保護層、２３０…偏光板、  ４００…アレイ層、  ４１０…配線、  ４３０…スルーホール、  ４４０…シール材、  １０００…圧着ヘッド、  １０１０…緩衝シート、  １１００…バックアップステージ、  １２００…受台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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