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　特願２００７−１１５０２０「発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月　８日出願公開、特開２００７−２９４９７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年４月２５日（パリ条約による優先権主張　２００６年４月２５日　大韓民国）の出願であって、平成２３年１０月４日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年２月８日付けで手続補正がなされ、同年４月１１日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年８月１４日付けで意見書が提出されたが、同年１０月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２５年２月２５日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年２月２５日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「ナノサイズの構造体が形成された基板と、
　前記基板上に形成された発光構造物と、を含み、
　前記基板は、サファイア基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板のうち何れか一つであり、
　前記ナノサイズの構造体は、複数の突起を有し、それぞれの突起は、非円形であり３次元的に３つの面を有し、前記３つの面の少なくとも一つは、長さが１００ｎｍ以上であり、５００〜１０００ｎｍの直径および５００〜１０００ｎｍの高さであることを特徴とする発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物及び引用発明
（１）引用文献
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された、特開２００６−１００５１８号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【０００７】以下、この発明を構成する各要素について詳細に説明する。
（基板）
　
基板にはサファイア、ＳｉＣ（炭化シリコン）
、Ｓｉ（シリコン）
など
を用いることが出来
　
凹凸面は基板の一面
に形成することができ
基板において凹凸を形成した表面へ
　
イ　「【０００８】（エッチング工程）
　この発明ではドライエッチングの条件を最適化することにより、何らマスクを用いることなく、基板表面へ
微小な凹凸
　基板表面へのデポジットを誘発するため、エッチングチャンバー内でのエッチングガス分子の濃度を高めるとともにエッチング条件を調整する必要がある。
　エッチングガス分子の濃度を高めるにはエッチングチャンバーの圧力を高めに設定すればよい。または、エッチングガスの流量を増加させてもよい。
　エッチングガスは任意に選択可能であるが、デポジットを生じさせる見地から炭化物を用いることが好ましい。また、基板材料と安定して結合する見地からフッ素系を用いることが好ましい。
【０００９】エッチング条件の設定如何によっては、デポジットが相対的に劣勢になり基板が平坦にエッチングされ、又はデポジットが相対的に優勢になって基板面が何らエッチングされずデポジットのみが起こる。
　つまり、エッチング条件を制御することにより、エッチングとデポジットが同時に発生して基板表面が凹凸状となる。具体的なエッチング条件は基板材料、エッチングガス等に応じて適宜選択されるものとなる。エッチング条件を詳細に設定するため、実施例ではＩＣＰ（Inductive Coupled Plasma:融合結合プラズマ）ドライエッチャーを用いている。ＩＣＰドライエッチャーは、プラズマ密度と基板に対するプラズマの引き込み電圧を独立して任意に設定可能である。これにより、
０．３μｍ〜０．５μｍの高さ範囲の
　プラズマ密度及び引き込み電圧、並びにエッチング時間を任意に調整することにより、上記範囲内において凹凸形状を変更可能である。」
　
ウ　「【００１０】基板にはIII族窒化物系化合物半導体層を成長させることが好ましい。・・・
　なお、
発光素子の構成としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、シングルヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができ
　基板上のその他の半導体層を成長させることもできる。・・・
【００１３】図２及び図３に示すサファイア基板の凹凸形成面へ、図６に示す通り、定法に従い
III族窒化物系化合物半導体層を積層し、
発光素子１
　
エ　「【００１６】このように構成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子１の特性を図７に示す。なお、この発光素子１の主たる波長は約５３０ｎｍ（緑色）であり、基板２を下側としたいわゆるフェースアップタイプである。図７の特性は樹脂封止をしていない状態で電流とその光度との関係を示している。
　図７において比較例はサファイア基板の表面加工が省略されている。即ち、基板表面が実質的にフラットな状態である。
　図７の結果からわかるように、基板表面へ凹凸を形成することにより、発光素子の光度、即ち光取出し効率が向上していることがわかる。これは、活性層４から基板側へ放出された光が凹凸形成面Ｆで散乱され、その光のより多くが発光素子１の外部へ放出されることとなるからである。」
　
オ　図２は次のものである。
　
カ　上記アないしエを踏まえて、上記オの図２をみると、微小な凹凸は、複数形成されることが理解できる。
　
（２）引用発明
　上記（１）アないしカによれば、引用文献には次の発明が記載されていると認められる。
「基板にはサファイア、ＳｉＣ（炭化シリコン）、Ｓｉ（シリコン）などを用いることができ、
　凹凸面は基板の一面に形成することができ、基板において微小な凹凸を複数形成した表面へ、III族窒化物系化合物半導体層を積層し、発光素子としたものであって、
　発光素子の構成としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、シングルヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができ、
　前記微小な凹凸の高さ範囲が０．３μｍ〜０．５μｍである発光素子。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　０．３μｍ〜０．５μｍは３００ｎｍ〜５００ｎｍであることを踏まえると、引用発明の「（サファイア、ＳｉＣ（炭化シリコン）、Ｓｉ（シリコン）などを用いることができる）基板」及び「（高さ範囲が０．３μｍ〜０．５μｍである微小な凹凸を複数形成した）基板」は、本願発明の「（サファイア基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板のうち何れか一つである）基板」及び「（ナノサイズの構造体が形成された）基板」に相当する。
　
イ　引用発明の「発光素子」は、「基板において微小な凹凸を複数形成した表面へ、III族窒化物系化合物半導体層を積層し、発光素子としたもので」、「発光素子の構成としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、シングルヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができ」るから、引用発明は、本願発明の「基板上に形成された発光構造物」を含むとの構成、及び、「ナノサイズの構造体は、複数の突起を有」するとの構成を備える。
　
ウ　以上によれば両者は、
「ナノサイズの構造体が形成された基板と、
　前記基板上に形成された発光構造物と、を含み、
　前記基板は、サファイア基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板のうち何れか一つであり、
　前記ナノサイズの構造体は、複数の突起を有する発光素子。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　本願発明の「ナノサイズの構造体」の「それぞれの突起」は、「非円形であり３次元的に３つの面を有し、前記３つの面の少なくとも一つは、長さが１００ｎｍ以上であり、５００〜１０００ｎｍの直径および５００〜１０００ｎｍの高さである」のに対し、引用発明の「微小な凹凸」が、このようなものであるか明らかではない点（以下「相違点」という。）。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
ア　本願発明における「非円形であり３次元的に３つの面を有し、前記３つの面の少なくとも一つは、長さが１００ｎｍ以上であり、５００〜１０００ｎｍの直径および５００〜１０００ｎｍの高さである」突起に関し、「３次元的に３つの面を有」する突起が「非円形」とはどのような形状を意味するのか、また、「非円形であり３次元的に３つの面を有」する突起の何の「直径」が「５００〜１０００ｎｍ」であるのか理解できない。
　さらに、「面」の「長さが１００ｎｍ以上であ」るとは、（二次元的な）面の何の長さが「１００ｎｍ以上であ」るのか理解できない。
　
イ　しかるところ、本願明細書には以下のような記載がある。
「【００１９】このようなナノ構造体１１１は、少なくとも一辺が最小１００ｎｍ以上の大きさで、高密度で形成される。具体的に前記ナノ構造体１１１は、１００〜１０００ｎｍの直径及び、１００〜１０００ｎｍの高さで形成されることができる。
【００２０】また、前記ナノ構造体１１１は、円筒状、レンズ状、上端が尖っていて周縁が円形または非円形からなる形状のうち、少なくとも一つを含むことができる。・・・
【００４６】このような過程で最終エッチング及びクリーニング工程が完了すると、基板１１０の表面に、図８のような凹凸形のナノ構造体１１１が形成される。ここで、ナノ構造体１１１は、３次元的に見て、少なくとも一辺の長さが１００ｎｍ以上の突起を称する。すなわち、３次元的に３辺の長さの全てが１００ｎｍ以上の突起だけでなく、少なくとも一辺が１００ｎｍ以上の突起を含むことができる。具体的に、前記ナノ構造体１１１は、１００〜１０００ｎｍの直径及び高さで形成され、その形状は、円筒状、レンズ状（例えば、凸レンズ状）、上端が尖っていて周縁が円形または非円形の形状のうち、何れか一つを含むことができる。」
　
ウ　上記イに示した本願明細書の記載においては、本願発明における突起とは、「円筒状、レンズ状、上端が尖っていて周縁が円形または非円形からなる形状のうち、少なくとも一つを含むことができ、３次元的に３辺の突起であり、少なくとも一辺が最小１００ｎｍ以上の大きさで、１００〜１０００ｎｍの直径及び、１００〜１０００ｎｍの高さで形成される」ものとされていることが認められる。
　
エ　しかしながら、本願明細書において、本願発明における突起について、「非円形」とすること、また、直径を「１００〜１０００ｎｍ」ではなく「５００〜１０００ｎｍ」とすること、及び、高さを「１００〜１０００ｎｍ」ではなく「５００〜１０００ｎｍ」とすることを説明する記載は見当たらず、相違点に係る本願発明の構成とすることに、当業者が適宜定め得る設計的事項を特定する以上の意義は認められない。
　
オ　してみると、本願発明は、引用発明において、微小な凹凸について、当業者が適宜なし得る設計変更を行ったものにすぎず、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は、審判請求の理由において、
「（３）引用発明の説明
　引用文献１の段落［０００９］には、０．３μｍ〜０．５μｍの高さ範囲のコーン状の突起が開示されています。つまり、この突起は円形の突起（円錐）と言うべきものであり、多角錐ではありません。したがって、引用文献１に記載の突起は、光を一方向に反射することになります。・・・
（４）理由１について
　・・・出願当初明細書に記載の周縁が非円形の形状とは、周縁が曲線のみで構成されていないことであり、実質的に多角形の周縁が記載されていることは自明です。つまり、出願当初明細書には、ナノ構造体が多角錐である点を開示しています。したがって、本願発明における突起が「非円形であり３次元的に３つの面を有」していることは、出願当初明細書等に接した当業者であれば、出願時の技術常識に照らして明らかです。・・・
（５）理由２について
　・・・引用文献１には、５００〜１０００ｎｍの直径および５００〜１０００ｎｍの高さの突起は開示されていません。また、コーン状（円錐）の突起は側面に辺が存在しないため、引用文献１には、長さが１００ｎｍ以上の辺を有する突起は開示されていません。当然、引用文献１に記載の突起は、本願発明特有の効果を奏するものではありません。」（審判請求書５頁最下行〜８頁３行）と主張する。
　しかしながら、上記（２）イに示した本願明細書の記載を始め、本願明細書及び図面には、「ナノ構造体が多角錐である」とすべき記載はみあたらないから、請求人の上記主張は本願明細書の記載に基づくものではなく採用できない。
　また、引用文献（上記審判請求の理由でいうところの引用文献１）の「微小な凹凸」に関して、上記３（１）イに「０．３μｍ〜０．５μｍの高さ範囲のコーン状の突起を１〜７０／μｍ２の密度範囲で形成することができた。プラズマ密度及び引き込み電圧、並びにエッチング時間を任意に調整することにより、上記範囲内において凹凸形状を変更可能である。」と記載されているように、コーン状に限られるものではない。
　したがって、請求人の上記主張は、上記（２）の判断を左右するものではない。
　
５　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。