【事件の表示】
　特許第３１６４５５９号「処理容器用部材」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６４５５９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。　
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１６４５５９号の手続の経緯は次のとおりである。
特許出願：　　　　　　　　　　　　　平成１０年１２月２８日
設定登録：　　　　　　　　　　　　　平成１３年　３月　２日
特許掲載公報発行：　　　　　　　　　平成１３年　５月　８日
特許異議申立：　　　　　　　　　　　平成１３年１１月　８日
（特許異議申立人　京セラ株式会社）
取消理由通知：　　　　　　　　　　　平成１４年　２月　８日（発送日）
訂正請求：　　　　　　　　　　　　　平成１４年　４月　５日
特許異議意見書　　　　　　　　　　　平成１４年　４月　５日
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
ア．訂正事項ａ：特許請求の範囲の請求項１の記載について、「．．．、その面粗さＲａが３〜５００μｍであることを特徴とする．．．」とあるのを「．．．、その面粗さＲａが３〜５００μｍであり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする．．．」と訂正する。
イ．訂正事項ｂ：特許請求の範囲の請求項２の記載について、「．．．、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあることを特徴とする．．．」とあるのを「．．．、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする．．．」と訂正する。
ウ．訂正事項ｃ：特許請求の範囲の請求項３の記載について、「．．．ＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とすることを特徴とする．．．」とあるのを「．．．ＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とし、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする．．．」と訂正する
エ．訂正事項ｄ：特許請求の範囲の請求項４を削除する。
オ．訂正事項ｅ：明細書の段落【００１３】の記載について、「．．．、その面粗さＲａが３〜５００μｍであることを特徴とする．．．」とあるのを「．．．、その面粗さＲａが３〜５００μｍであり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする．．．」と訂正する。
カ．訂正事項ｆ：明細書の段落【００１５】の記載について、「．．．、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあることを特徴とする．．．」とあるのを「．．．、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする．．．」と訂正する。
キ．訂正事項ｇ：明細書の段落【００１７】の記載について、「．．．ＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とすることを特徴とする．．．」とあるのを「．．．ＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とし、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする．．．」と訂正する。
ク．訂正事項ｈ：明細書の段落【００１８】の記載を削除する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａないしｃは、元の請求項４で規定された「１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であること」を、請求項１ないし３に係る発明を特定するために必要な事項の一部として各請求項に付加したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、訂正事項ｄは、請求項４の削除であるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　さらに訂正事項ｅないしｈは、上記各訂正事項ａないしｄに伴い、特許明細書中の記載を整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　なお、請求項の削除と、それに伴う明細書の記載の整合のための訂正である、訂正事項ｄ及びｈ以外の訂正において、付加された「１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であること」は、特許明細書の元の請求項４や明細書の段落【００１８】、【００３３】に記載されている事項であるから、上記訂正事項ａないしｃおよびｅないしｇは、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、新規事項の追加に該当するものではない。
　そして、上記訂正事項ａないしｈは、いずれも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．特許異議の申立てについて
（１）特許異議申立ての概要
　異議申立人　京セラ株式会社は、証拠方法として下記の甲第１ないし７号証を提出し、本件請求項１ないし４に係る発明は、甲第１ないし第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、本件請求項１及び２に係る発明は、甲第５ないし７号証としてその公開公報を提示した、本件出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも請求項１ないし２に係る発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、本件出願の時において、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、請求項１ないし２に係る発明は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきであると主張している。
　さらに申立人は、本件請求項１ないし３に係る特許は、その明細書が特許法第３６条に規定する要件を満たしていないから、取り消されるべきであるとも主張している。
（２）証拠の記載内容
　甲第１号証ないし甲第７号証には、それぞれ以下の事項が記載されている。
（２−１）甲第１号証：特開平１０−２３６８７１号公報
ａ．「【請求項１】フッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝される表面を、気孔率が３％以下のイットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体により形成するとともに、その表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下としたことを特徴とする耐プラズマ部材。」（特許請求の範囲参照）
ｂ．「本発明は、フッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食性ガス雰囲気下で、優れた耐プラズマ性を有する耐プラズマ部材に関するものであり、特に、半導体製造装置の内壁材、監視窓、マイクロ波導入窓、マイクロ波結合用アンテナ、あるいは静電チャックやサセプタ等に好適に使用できるものである。」（段落【０００１】参照）
ｃ．「イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体（以下ＹＡＧ焼結体と称す）．．．」（段落【００１２】参照）
ｄ．「本発明は、ＹＡＧ焼結体がハロゲン系腐食性ガス雰囲気下でのプラズマに対して優れた耐プラズマ性を有すると言えども表面にボイドが多数存在したり、表面の面粗さが粗すぎると耐プラズマ性が大きく低下することに着目し、．．．表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で１μｍ以下とすれば、腐食の進行を大幅に抑えることができることを見出した。」（段落【００１６】参照）
ｅ．「．．．板状体２を気孔率３％以下のＹＡＧ焼結体で形成するとともに、板状体２の表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で１μｍ以下としてあることから、塩素系やフッ素系のハロゲン系腐食性雰囲気下でプラズマに曝したとしても腐食が少なく、ウエハ５０へのパーティクル汚染を低減することができる。」（段落【００３１】参照）
ｆ．「この気孔率が３％以下のＹＡＧ焼結体は透光性を有するとともに、左右両面２２ａ，２２ｂを中心線平均粗さ（Ｒａ）０．４μｍ以下の鏡面に仕上げてあることから、透明体であり、監視窓２１として好適に使用できるとともに、塩素系やフッ素系のハロゲン系腐食性雰囲気下でプラズマに曝されたとしても耐プラズマ性に優れることから殆ど腐食することがない。」（段落【００３８】参照）
（２−２）甲第２号証：特開平１０−３２１８６号公報
ａ．「【請求項２】平行平板のプラズマ処理装置において、上部電極を兼ねた処理室と、処理室とは電気的に絶縁された下部電極と、処理室内壁に反応生成物を付着させるための防着板を備え、前記防着板は１０〜１００［μｍ］の表面粗さを有していることを特徴とするプラズマ処理装置。」（特許請求の範囲参照）
（２−３）甲第３号証：特開平１０−２５８２２７号公報
ａ．「図１２の多半径ドームシーリングは二つの半径を持ち、頂部の半径Ｒは１５インチ（３７．５ｃｍ）で、コーナーの半径ｒは２．５インチ（６．２５ｃｍ）である。もう一つの実施例において、頂部の半径Ｒは１３インチ（３２．５ｃｍ）であり、一方コーナーの半径ｒは４インチ（１０ｃｍ）である。．．．」（段落【００２０】参照）
（２−４）甲第４号証：特開平８−３２５０５４号公報
ａ．「【請求項１】Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、０．５重量％以上のＹ２Ｏ３を含有する焼結体であって、Ａｌ２Ｏ３結晶相の粒界にＹ２Ｏ３もしくはＡｌ２Ｏ３とＹ２Ｏ３の化合物が存在し、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）が１．０×１０−４以下であることを特徴とする低誘電損失体。
【請求項２】イットリア・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を主成分とする焼結体であって、ＹＡＧ結晶相の粒界にＡｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、もしくはＡｌ２Ｏ３とＹ２Ｏ３の化合物が存在し、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）が１．０×１０−４以下であることを特徴とする低誘電損失体。」（特許請求の範囲参照）
ｂ．「本発明のアルミナ質焼結体には、上記以外の成分として、ＳｉＯ２を１．０×１０−６〜０．２重量％、好適には１×１０−６〜０．０３重量％、Ｎａ２Ｏを１×１０−６〜０．２重量％、好適には１×１０−６〜０．０８重量％の範囲で含有することによって、誘電損失を低くすることができる。」（段落【００１２】参照）
（２−５）甲第５号証：特開平１１−２８３９７２号公報（特願平１０−８７５７８号）
ａ．「そして、本発明によれば、真空容器１の少なくともハロゲン系腐食ガス及び／又はプラズマに曝される内壁面２に複数個の凹部３を形成し、真空容器１内の表面積を大きくしてあることから、真空容器１を構成するセラミックスや石英ガラスがハロゲン系腐食性ガスや混合ガス中の酸素などと反応して反応生成物を生成したとしても、該反応生成物がパーティクルとして剥がれ落ちるまでの時間を長くすることができる。」（段落【００１３】参照）
ｂ．「また、このような真空容器１を構成するセラミックスとしては、窒化珪素や窒化アルミニウムなどの窒化物セラミックスや、アルミナ、マグネシア、アルミニウム−イットリウム−ガーネット（ＹＡＧ）などの酸化物セラミックスを用いることができる。さらに、上記セラミックスや石英ガラスはできるだけ高純度のものが良く、純度が９９．５％以上、好ましくは９９．８％以上のものが耐摩耗性を高める上で好適である。」（段【００２０】参照）
ｃ．「なお、凹部３の形状としては、図２（ａ）〜（ｇ）だけに限定されるものではなく、例えば、孔３ａ、窪み３ｃ、溝３ｄのうち２つ以上が混在したものでも良く、また、孔３ａの形状も円形だけに限定されるものではなく、三角形や四角形などの多角形をしたものや楕円形をしたものなどどのような形状をしたものでも構わない。さらに上図２（ａ）〜（ｇ）以外に図２（ｈ）のような多数の気孔を有する多孔質セラミク板を貼り付けることもできる。
　ただし、内壁面２に存在する一つの凹部３の開口面積は３ｍｍ２以上、凹部３の深さは２ｍｍ以上が良い。これは、凹部３の開口面積が３ｍｍ２未満では凹部３内へプラズマが回り込み難くなり、凹部３を設けたことによるパーティクル低減効果が小さいからであり、また、凹部３の深さが２ｍｍ未満では表面積をそれほど大きくすることができず、パーティクル低減効果が小さいからである。」（段落【００１６】及び【００１７】参照）
ｄ．「さらに、真空容器１の内壁面２は中心線平均粗さ（Ｒａ）で２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下とすることが良い。これは内壁面２に大きな凹凸があると、プラズマエネルギーが凸や凹のエッジに集中して腐食摩耗させ易く、中心線平均粗さ（Ｒａ）が２μｍより大きいと腐食摩耗が激しいからである。」（段落【００１９】参照）
ｅ．表１；凹部の寸法に関して、開口部の直径３ｍｍ、深さ１〜４ｍｍ、ピッチ６〜１２ｍｍが例示されている。（段落【００３１】参照）
（２−６）甲第６号証：特開２０００−６８２０８号公報（特願平１０−２３３０２９号）
ａ．「図２は、本発明の一実施の形態の要部の構成を示すもので、特に、反応容器内の電極以外の部品の表面性状を示す。この部品１２の表面には、爆発溶射加工により、膜厚５０μｍ以上のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）皮膜１３が形成されている。この場合は、爆発溶射加工により、適度に表面が荒れた状態の多孔質のアルミナ皮膜１３が形成されており、表面粗さＬが１０μｍ〜１００μｍ程度になっている。」（段落【００１１】参照）
ｂ．「いずれにしろ、このように反応容器内の電極の表面やその他の部品の表面を適度な粗面となしたので、膜が堆積して膜厚が増大しても、部品表面の凹凸に堆積膜が強く付着することになり、堆積膜の剥離を抑制することができる。」（段落【００１３】参照）
（２−７）甲第７号証：特開２０００−７２５２９号公報（特願平１０−２４０８８７号）
ａ．「【請求項１】プラズマ処理装置の反応室内で用いられ、平均結晶粒径が１８〜４５μｍ、表面粗さがＲａで０．８〜３．０μｍ、かさ密度が３．９０ｇ／ｃｍ３以上の緻密質アルミナ焼結体であることを特徴とする耐プラズマ部材。」（特許請求の範囲参照）
（３）本件訂正発明
　本件請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１ないし３」という）は、上記訂正を認容することができるから、訂正明細書の請求項１ないし３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが３〜５００μｍであり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする処理容器用部材。
【請求項２】その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが１μｍ超えであり、曲率半径Ｒ１が３００ｍｍ以上の第１の球面部と、この第１の部分の端部に連続し、かつ曲率半径Ｒ２が１０ｍｍ以上の第２の球面部とからなる曲面形状部を主体とし、前記第１の球面部及び第２の球面部のいずれか一方が他方に内接しており、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする処理容器用部材。
【請求項３】その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが１μｍ超えであり、前記多結晶セラミックスのＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とし、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする処理容器用部材。」
（４）当審の判断　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（４−１）本件発明１について
ア．特許法第２９条第２項に関して
　甲第１号証の上記ａ．及びｂ．によれば、同号証には、「半導体製造装置の内壁材等、その中でフッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食ガス雰囲気下でプラズマに曝される表面を、気孔率が３％以下のイットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体により形成するとともに、その表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下にしたことを特徴とする耐プラズマ部材」が記載されている。
　これを本件発明１と対比してみると、「半導体製造装置の内壁材」は、「フッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食ガス雰囲気下でプラズマに曝される」のであるから、本件発明１における「その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材」に相当するものである。また、「イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体」は、本件発明における「イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックス」に相当するものである。
　してみれば、両者は、「その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなる処理容器用部材。」である点で一致しているが、下記の２点で相違している。
　１．本件発明１は、容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが３〜５００μｍとしているのに対し、甲第１号証記載のものは、表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下としている点。（以下、相違点１という）及び
　２．本件発明１は、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であるのに対し、甲第１号証記載のものは、誘電損失に関しては言及していない点。（以下、相違点２という）
　これらの相違点について考察する。
（相違点１について）
　甲第２号証には、上記（２）の（２−２）に記載したように、プラズマ処理装置の処理室内壁に反応生成物を付着させるための防着板を備え、この防着板の表面粗さを１０〜１００μｍとすることが記載されている。しかしながら、甲第２号証には、この防着板が如何なる材質からできているのかが記載されておらず、また、表面粗さについても、それが本件発明１で規定する面粗さＲａであるのか、あるいはＲｍａｘであるのかも明示されていない。　一方、甲第１号証においては、（２）の（２−１）ａ．にも記載したように、表面粗さＲａを１μｍ以下としている。これは、（２）の（２−１）ｄ．に記載したように「ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）焼結体がハロゲン系腐食性ガス雰囲気下でのプラズマに対して優れた耐プラズマ性を有すると言えども、．．．表面の面粗さが粗すぎると耐プラズマ性が大きく低下する」こと配慮したものであり、実際に明細書中で段落【００３１】や【００３８】において繰り返し述べられている。（上記（２）の（２−１）ｅ．及びｆ．を参照されたい。）
　してみれば、甲第２号証により、材質が不明である防着板の表面粗さを１０〜１００μｍとして、反応生成物を付着させることが公知であっても、この技術を耐プラズマ性の観点から、表面粗さを１μｍ以下とすることが推奨されている、イットリウム−アルミニウム−ガーネット製部材の表面粗さに適用して、本件発明１の如き構成とすることは、当業者といえども容易になし得たものとすることはできない。
（相違点２について）
　甲第４号証には、イットリア・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、即ち本件発明１におけるイットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスについて、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）を１．０×１０−４以下とした低誘電損失体が記載されている。（殊に、請求項２を参照されたい。）　この誘電損失に関する周波数限定範囲と損失値は、本件発明１と共通する範囲を有している。しかしながら、上記誘電損失体の用途として記載されているのは、「高周波で使用される回路基板」や「マイクロ波誘電損失体」であって（甲第４号証の段落【０００１】、【００３９】参照）、該誘電損失体を「その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材」に使用することは、記載も示唆もされていない。
　そうである以上、「その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材」に使用されるイットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスの誘電損失を、本件発明１の如く、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚにおいて２００×１０−４以下に限定することは、甲第４号証に基づいて当業者が容易に想到し得たものとは云えない。
　なお、甲第３号証には、ＲＦ（高周波）プラズマリアクタの処理容器用部材に相当するシーリングの曲率に関する記述があるのみで、容器の表面粗さや誘電損失に関する記載は見いだせない。
　したがって、本件発明１は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
イ．特許法第２９条の２に関して
　本件発明１に係る出願の出願の日前に出願された先願の公開公報である甲第５号証には、「少なくともハロゲン系腐食性ガス及び／又はプラズマに曝される部位がセラミックス又は石英ガラスからなり、その表面に複数個の凹部を有することを特徴とする真空容器。」（特許請求の範囲参照）に係る発明が記載され、発明の詳細な説明の項には、セラミックスの具体例として「アルミニウム−イットリウム−ガーネット（ＹＡＧ）」即ち、本件発明１でいうところのイットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスが例示されている。
　また、上記凹部の大きさに関しては、特許請求の範囲には規定されていないものの、（２）の（２−５）ｃ．ｄ．及びｅ．に摘記したとおり、発明の詳細な説明の項において「凹部の開口面積として３ｍｍ２以上、深さ２ｍｍ以上」が推奨されるとともに、別途内壁面の中心線平均粗さ（Ｒａ）の推奨値として２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下が明記されている。
  しかしながら、上述した中心線平均表面粗さＲａの推奨値は、本件発明１が規定する表面粗さの３〜５００μｍよりも小さく、また、表面に開口している上記凹部が散在していることで形成される凹凸を、表面粗さとして見なしても、当該凹部の推奨値は、本件発明１の表面粗さである３〜５００μｍよりも大きなものとなり、いずれも本件発明１が採用する表面粗さを開示ないしは示唆していない。
　よって、本件発明１は、先願である甲第５号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　次に、同じく先願の公開公報である甲第６号証には、「反応容器内の部品の表面あらさを１０μｍから１００μmの範囲に設定したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置」（特許請求の範囲参照）に関する発明が記載されている。
　しかしながら、甲第６号証には、当該部品の材質について言及されておらず、ただ「部品１２の表面には、爆発溶射加工により、膜厚５０μｍ以上のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）皮膜１３が形成されている。」とのみ記載されているにとどまり、材質として「イットリウム−アルミニウム−ガーネット」を採用することは勿論、特定周波数域における誘電損失が所定範囲内のイットリウム−アルミニウム−ガーネットを採用する点については記載も示唆もない。
　よって、本件発明１は、先願である甲第６号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　さらに、同じく先願の公開公報である甲第７号証には、「プラズマ処理装置の反応室内で用いられ、平均結晶粒径が１８〜４５μｍ、表面粗さがＲａで０．８〜３．０μｍ、かさ密度が３．９０ｇ／ｃｍ３以上の緻密質アルミナ焼結体であることを特徴とする耐プラズマ部材」（特許請求の範囲参照）に関する発明が記載されている。
　甲第７号証に記載された発明は、表面粗さに関しては３．０μｍの一点で本件発明１と一致しているものの、材質が緻密質アルミナであって、本件発明１が採用するイットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスではなく、ましてその物性値として特定周波数帯における誘電損失の値が所定値であるものを採用する点については記載も示唆もない点で、本件発明１とは相違している。
　よって、本件発明１は、先願である甲第７号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　したがって、本件発明１は、先願である甲第５ないし７号証に記載された発明と同一であるから特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであるとする異議申立人の主張は採用できない。
（４−２）本件発明２及び３について
　本件発明２と３は、３．（３）の本件訂正発明の項に記載したとおり、何れも「その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックス」からなり、「１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下である」点を、発明を特定するための事項として含む処理容器用部材に関するものであるが、「１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であるイットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックス」に関して、本決定の（４−１）において述べたとおり、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえないし、また、先願である甲第５ないし７号証に記載されているとすることもできないので、本件発明２及び３についても、甲第１ないし４号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたとすることはできないし、また、本件発明２及び３が、甲第５ないし７号証に記載された発明と同一であるとすることもできない。
（４−３）訂正（削除）前の請求項４に係る発明について
　異議申立人が取消しを求めた特許第３１６４５５９号の請求項４に係る特許は、上記２．の訂正の適否についての判断の（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否の項において示したように、訂正（削除）により、存在しないものとなったので、異議申立人の上記主張は当を得ないものとなった。
（４−４）特許法第３６条違反について
　異議申立人は、特許請求の範囲１ないし３に記載された「容器内面に相当する部分」が、どこを指すのか不明瞭である、例えば、容器内面に相当する部分の全体を所定の表面粗さとするのか、一部だけで良いのかが不明であり、また、サブチャンバー２２やガス導入部２３の内側は容器内面に相当する部分に当たるのかどうか不明である等、異議申立書において主張しているので、この点について検討する。
　発明の詳細な説明の項に記載された本件発明１ないし３の効果は、「腐食性ガス、特にフッ化物ガスおよびそのプラズマに対して十分な耐食性を維持しながら、アンカー効果により付着物の脱落を発生しにくくすることができる」（段落【００５９】参照）ことを含むものであるから、当業者であれば、少なくとも容器内面の一部を、各請求項で規定する所定の面粗さとすれば、その面粗さおよび範囲に応じたアンカー効果により、付着物の脱落が減少することは明らかである。また、サブチャンバー２２やガス導入部２３は、処理容器用部材１０とは明確に区別されているから、これらが容器内面に相当しないことは明らかである。
　したがって、したがって、本件発明１ないし３に係る出願の明細書が、特許法第３６条に規定するに違反しているという、異議申立人の主張は採用できない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし３に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月２４日（２００２．１０．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件訂正の要旨は、本件特許３１６４５５９号発明の特許明細書を平成１４年４月５日付け訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的として、次の訂正事項ａないしｈのとおりに訂正するものである。
（１）訂正事項ａ：特許請求の範囲の請求項１の記載について、「…、その面粗さＲａが３〜５００μｍであることを特徴とする…」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「…、その面粗さＲａが３〜５００μｍであり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする…」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ：特許請求の範囲の請求項２の記載について、「…、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあることを特徴とする…」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「…、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする…」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ：特許請求の範囲の請求項３の記載について、「…ＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とすることを特徴とする…」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「…ＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とし、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする…」と訂正する
（４）訂正事項ｄ：特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項４を削除する。
（５）訂正事項ｅ：明細書の段落【００１３】の「…、その面粗さＲａが３〜５００μｍであることを特徴とする…」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書に添付した全文訂正明細書に記載のとおり、すなわち「…、その面粗さＲａが３〜５００μｍであり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする…」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ：明細書の段落【００１５】の「…、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあることを特徴とする…」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書に添付した全文訂正明細書に記載のとおり、すなわち「…、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあり、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする…」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ：明細書の段落【００１７】の「…ＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とすることを特徴とする…」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書に添付した全文訂正明細書に記載のとおり、すなわち「…ＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲とし、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることを特徴とする…」と訂正する。
（８）訂正事項ｈ：明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【００１８】の記載を削除する。
（５４）【発明の名称】
処理容器用部材
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが３〜５００μｍであ
り、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であ
　【請求項２】　その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが１μｍ超えであり、曲率半径Ｒ１が３００ｍｍ以上の第１の球面部と、この第１の部分の端部に連続し、かつ曲率半径Ｒ２が１０ｍｍ以上の第２の球面部とからなる曲面形状部を主体とし、前記第１の球面部および第２の球面部のいずれか一方が他方に内接しており、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあ
り、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であ
　【請求項３】　その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが１μｍ超えであり、前記多結晶セラミックスのＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲と
し、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下である
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体ウェーハーの成膜やエッチングによる微細加工等の腐食性ガスによる処理を行う処理容器に用いられる処理容器用部材に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来から、半導体ウェーハーの成膜やエッチングによる微細加工等を行うための処理容器としては石英製のものが用いられている。すなわち、石英ガラスで製造された処理容器の中にシリコンウェーハーを設置し、ウェーハー上に化学気相成長（ＣＶＤ）で薄膜を形成したり、その中にプラズマ化されたフッ化物ガスなどを導入し、薄膜をプラズマによりエッチングする方法が採用されてきた。
　【０００３】
　しかしながら、石英ガラスとフッ化物ガスが反応して生成されるフッ化ケイ素は、常温で容易に蒸発するためプラズマによる腐食が著しく、その結果、処理室部材の寿命が短く長期間にわたり連続で生産することができないという問題があった。
　【０００４】
　一方、フッ素系プラズマに対する耐食性が石英よりも優れる耐食性部材として特開平１０−４５４６１号公報には、周期律表第２ａ族、第３ａ族元素のうち少なくとも１種を含む化合物を主体とし、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、気孔率が３％以下のセラミックス焼結体が開示されており、また特開平１０−４５４６１号公報には、周期律表３ａ族金属と、Ａｌ及び／又はＳｉを含む複合酸化物が開示されている。そして、これらの実施例の中には、このような材料としてイットリウム−アルミニウム−ガーネットが含まれている。また、特開平１０−２３６８７１号公報には、フッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝される表面を、気孔率が３％以下のイットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体により形成するとともに、その表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下とした耐プラズマ部材が開示されている。また、このような焼結体において、周期律表２ａ族元素の酸化物及び酸化珪素の含有量を１５００ｐｐｍ以下とすることが開示されている。
　【０００５】
　イットリウム−アルミニウム−ガーネットが耐食性に優れていることは、従来から知られているが、上記技術ではイットリウム−アルミニウム−ガーネット等において、上述したように、気孔率や表面粗さを小さくしたり、酸化珪素等の量を極少なくすることにより、特にフッ化物系ガスのプラズマに対する耐食性が高いものが得られるとしている。
　【０００６】
　上記公報において、気孔率や面粗さを小さくするのは、面粗さＲａが大きいとプラズマに曝される接触面積が増大し、凹凸の凸部にプラズマが集中し、また気孔率が大きいと気孔部分が選択的に腐食されることなどにより耐食性が低下するためとしている。このため、上記特開平１０−４５４６１号公報および特開平１０−２３６８７１号公報では、Ｒａが１μｍの範囲内でも、特に鏡面処理によってＲａを著しく小さくしたものがより良好な耐食性を示すことが記載されている。
　【０００７】
　しかしながら、これら公報に記載されたイットリウム−アルミニウム−ガーネット系耐食部材は気孔率および表面粗さを小さくすることによって確かにプラズマに対する耐食性は増大するものの、上述のような半導体ウェーハーの成膜やエッチングによる微細加工等の腐食性ガスによる処理を行う処理容器として用いようとすると、以下のような問題点がある。
　【０００８】
　すなわち、上述したような半導体ウェーハーの成膜やエッチングによる微細加工等を行うための処理容器においては、これらの処理によって生成したフッ化物等の反応ガス成分や、反応生成物がその内面に付着または析出するが、上記公報に開示された耐食部材のように気孔率および表面粗さがいずれも小さい部材で処理容器を形成した場合には、成膜やエッチング等により生じたフッ化物膜や、付着物・析出物がその内面に強固に付着することができず、これら付着物や析出物の膜厚が増してくると膜ごと脱落してしまい、処理に悪影響を及ぼすおそれがある。その結果、連続生産性に制約を与えるという問題点を有する。
　【０００９】
　また元来、イットリウム−アルミニウム−ガーネット系のセラミックスは熱膨張係数が大きいため、僅かな温度差で亀裂が発生するといういわゆる耐熱衝撃性の低い材料のため、プラズマ雰囲気が形成される処理容器のような温度差が発生する用途に適用することは困難である。
　【００１０】
　本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、腐食性ガス雰囲気、特にフッ化物ガスおよびそのプラズマに対して、十分な耐食性を有し、付着物が脱落しにくい処理容器用部材を提供することを目的とする。また、このようなことに加え、熱衝撃に強い処理容器用部材を提供することを目的とする。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とし、従来の知見とは異なり処理容器の内面に対応する部分の面粗さを粗くすることにより、腐食性ガス、特にフッ化物ガスおよびそのプラズマに対して十分な耐食性を維持しつつ、そのアンカー効果により、付着物が脱落しにくい処理容器用部材が得られることを知見した。
　【００１２】
　また、イットリウム−アルミニウム−ガーネットは耐熱衝撃性が低いが、部材の形状を工夫することで部材内に発生する熱応力を小さくすることができ、処理容器用部材として十分な耐熱衝撃性が得られることを知見した。
　【００１３】
　本発明はこのような知見に基づいてなされたものであり、第１発明は、その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが３〜５００μｍであ
り、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であ
　【００１４】
　これにより、腐食性ガス、特にフッ化物ガスおよびそのプラズマに対して十分な耐食性を維持しながら、面粗さが粗いことにより発揮されるアンカー効果により付着物の脱落を発生しにくくすることができる。
　【００１５】
　また、第２発明は、その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが１μｍ超えであり、曲率半径Ｒ１が３００ｍｍ以上の第１の球面部と、この第１の部分の端部に連続し、かつ曲率半径Ｒ２が１０ｍｍ以上の第２の球面部とからなる曲面形状部を主体とし、前記第１の球面部および第２の球面部のいずれか一方が他方に内接しており、この曲面形状部の肉厚が５〜１５ｍｍの範囲にあ
り、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であ
　【００１６】
　このような形状を採用することにより、部材内の熱応力を極力小さくすることができ、処理容器用部材として十分な耐熱衝撃性を得ることができる。
　【００１７】
　第３発明は、その中で腐食性ガスによる処理を行う容器に用いられる処理容器用部材であって、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが１μｍ超えであり、前記多結晶セラミックスのＳｉＯ２含有量を、０．１５重量％超え２重量％以下の範囲と
し、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下である
　【００１８】
　（削除）
　【００１９】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明について具体的に説明する。
　本発明の処理容器用部材は、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に対応する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが１μｍを超えるものであり、これによって、長期間の連続運転を可能とするものである。本発明の処理容器用部材は、処理容器の全部を構成するものであってもよいし、処理容器の一部を構成するものであってもよい。
　【００２０】
　一般にプラズマエッチングによる耐食性は、表面の一部をポリイミドテープ、テフロンテープ等でマスキングした小片サンプルに上方からプラズマを照射し、エッチング後にマスキングを剥がし、生じた段差や面粗さなどの測定によってエッチング速度として評価される。こういった評価の場合、面粗さＲａが大きいと耐食性が低下することは上述した通りである。
　【００２１】
　しかし、本発明が対象とする処理容器の場合、上記の評価試験とは異なり、その内面は下向きまたは垂直であるため、例えばフッ素系のプラズマにより部材内面に生じるフッ化物膜、あるいは付着物・析出物は、運転の期間中常に膜の自重を受けることになる。このため連続生産性のためには、エッチング速度もさることながら形成されたフッ化物膜、あるいは付着物・析出物がどれだけ強固に付着しているかが重要な問題となる。
　【００２２】
　すなわち、従来技術のようにＲａが小さいと確かに耐食性は増すが、一方、このような部材で処理容器を構成した場合、フッ化物膜や付着物・析出物が強固に付着しないため、運転中に膜ごと脱落する危険性が大きく、その結果、連続運転が難しいため生産性が大きく低下する原因となる。
　【００２３】
　これに対し、本発明のようにＲａが１μｍを超える範囲では、ほどよい面粗さが膜に対するアンカー効果をもたらすため、膜は強固に付着し、これにより連続運転中の脱落も無く良好な結果が得られる。一方、このようにＲａが１μｍを超えても、イットリウム−アルミニウム−ガーネットが材料として良好な耐食性を有していることから、実際には処理容器として十分な耐食性が得られることが判明した。この点が上記先行技術における知見とは異なっており、本発明者らが初めて知見したことである。
　【００２４】
　Ｒａが１μｍに満たない場合、耐食性は向上するものの、アンカー効果が小さく、膜の付着が弱くなるため連続生産が困難となり、処理容器用部材としては不適当である。
　【００２５】
　Ｒａのより好ましい範囲は３〜５００μｍである。５００μｍを超える場合、アンカー効果は十分であるが、エッチング速度が大きくなり、耐食性が多少低下するため好ましくない。
　【００２６】
　なお、Ｒａを１μｍ超えにする方法としては、ブラストを始めとする各種加工処理があげられるが、最も好ましいのは焼結体焼き放し面で１μｍ超えにする場合である。焼き放しで１μｍ超えにならない場合は、成形体の段階で加工処理を施して、焼結後に１μｍを超えるようにすればよい。焼き放し面が好ましい理由は、焼結体に加工処理して１μｍ超えにした場合、焼結体表面にマイクロクラックが誘起され、このクラックにプラズマ処理の際の電界が集中し、耐食性が低下するためである。したがって、焼結体加工でＲａ１μｍ超えを得ようとする場合は、加工後に焼結体を加熱しクラックを閉塞させる、あるいは鈍化させるなどの熱処理を行うことが好ましい。
　【００２７】
　本発明に係る処理容器部材は、曲面形状部を主体とする。その理由としては、上述したようにイットリウム−アルミニウム−ガーネット系のセラミックスは耐熱衝撃性が低いため、例えば処理容器部材形状がシャープなエッジを有するような場合、熱応力がエッジ部に集中し、そこから破壊が生じる可能性が高いからである。このような熱応力破壊を回避するには、処理容器部材が曲面形状部を主体とし、その形状が曲率半径が３００ｍｍ以上（曲率半径が無限大の場合、すなわち平面の場合も含む）の第１の球面部と、曲率半径が１０ｍｍ以上の第２の球面部とからなり、これら第１の球面部および第２の球面部のいずれか一方が他方に内接していることが望ましい。
　【００２８】
　具体的には、図１に示すように、処理容器部材１における第１の球面部２の曲率半径Ｒ１を３００ｍｍ以上（無限大も含む）、第２の球面部３の曲率半径Ｒ２を１０ｍｍ以上にし、これら球面部２，３のいずれか一方が他方に内接していることが望ましい。
　【００２９】
　Ｒ１を３００ｍｍ以上としたのは、３００ｍｍ未満の場合、応力集中が生じやすい傾向があり、曲面にした効果が少なくなるからである。また、Ｒ２を１０ｍｍ以上としたのは、１０ｍｍ未満の場合、やはり応力集中が生じやすくなるためである。Ｒ２が１０ｍｍ未満にした際に生じる応力集中は、特にＲ１が無限大の時に顕著である。第１の球面部および第２の球面部のいずれか一方が他方に内接していることとしたのは、このようにすることによりシャープなエッジが生じないからである。
　【００３０】
　また、この曲面部分の肉厚は５〜１５ｍｍであることが好ましい。５ｍｍ未満の場合、耐熱衝撃性の観点からは望ましいが、イットリウム−アルミニウム−ガーネットセラミックスの機械的強度は必ずしも大きくないので、部材としての構造健全性に問題が残る。特に大型の処理容器部材の場合にはある程度の肉厚を有していないと強度不足が問題となるし、また熱膨張係数が大きいため、温度差によって生じる固定部分などの熱応力が破壊の原因となる危険が大きいからである。一方、１５ｍｍを超える場合は、逆に機械的強度は十分であるが厚肉になっただけ耐熱衝撃性が低下し、熱応力による破壊が生じ易くなるためやはり好ましくない。
　【００３１】
　本発明において、多結晶セラミックス中に含有されるＳｉＯ２の量は０．１５重量％超え２重量％以下であることが好ましい。この範囲であれば部材の耐食性の低下は認められない。一般に不純物、焼結助剤は結晶粒界にガラス相として偏析するため、耐食性の劣るＳｉＯ２などは選択的に腐食され、脱粒、パーティクル発生の原因となるが、本発明のようにイットリウム−アルミニウム−ガーネット系のセラミックスにおいて形成される粒界相はＳｉＯ２相単体ではなく、耐プラズマ性を有することが知られているイットリア−アルミナ−シリカ系の相になっていると考えられ、そのため耐食性が低下しないと推定される。
　【００３２】
　ＳｉＯ２の量を０．１５重量％超えとしたのは、ＳｉＯ２が０．１５重量％以下の場合には、焼結温度を上げないと緻密化を図ることができず、焼き上がりの寸法精度低下の問題が生じるからである。一方、ＳｉＯ２の量を２重量％以下としたのは、ＳｉＯ２の量が２重量％を超えると、上記のイットリア−アルミナ−シリカ系の相以外にＳｉＯ２の相が形成されるため、耐食性が低下するからである。
　【００３３】
　本発明の処理容器用部材は、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚでの誘電損失が２００×１０−４以下であることが好ましい。その理由は、誘電損失が２００×１０−４を大きく超えると処理室部材が蓄熱し熱応力により亀裂が発生して破損にいたる可能性があるからである。また、部材の温度上昇は例えばフッ化物ガスなどによる浸食を促進し、結果として耐食性に劣るからである。
　【００３４】
　次に、本発明の処理容器用部材の適用例について説明する。
　図２は本発明の処理容器部材が適用された誘導結合型プラズマエッチング装置を示す断面図である。図中参照符号１０が本発明に係る処理容器部材である。この処理容器用部材１０はドーム状をなし、その下に金属製の下部チャンバー１１が処理容器用部材１０に密着するように設けられており、これらによりチャンバー１２が構成されている。下部チャンバー１１内の上部には支持テーブル１３が配置され、その上に静電チャック１４が設けられており、静電チャック１４上に半導体ウェーハー１５が載置される。静電チャック１４の電極には直流電源１６が接続されており、これにより半導体ウェーハ１５を静電吸着する。また、支持テーブル１３にはＲＦ電源１７が接続されている。一方、下部チャンバー１１の底部には真空ポンプ１８が接続されており、チャンバー１１内を真空排気可能となっている。また、下部チャンバー１１の上部には半導体ウェーハーの上方にエッチングガス例えばＣＦ４ガスを供給するガス供給ノズル１９が設けられている。処理容器用部材１０の周囲には誘導コイル２０が設けられており、この誘導コイル２０にはＲＦ電源２１から例えば４００ｋＨｚの高周波が印加される。
　【００３５】
　このようなエッチング装置においては、真空ポンプ１８によりチャンバー１２内を所定の真空度まで排気し、静電チャック１４により半導体ウェーハー１５を静電吸着した後、ノズル１９からエッチングガスとして例えばＣＦ４ガスを供給しつつ、ＲＦ電源２１からコイル２０に給電することにより、半導体ウェーハー１５の上方部分にエッチングガスのプラズマが形成され、半導体ウェーハー１５が所定のパターンにエッチングされる。なお、高周波電源１７から支持テーブル１３に給電することにより、エッチングの異方性を高めることができる。
　【００３６】
　このようなエッチング処理の際、処理容器用部材１０の内面はプラズマアタックを受けるとともに、フッ化物膜等が付着する。しかしながら、処理容器用部材１０は上述した本発明の部材で構成されているため、プラズマに対する耐食性が高いとともに、付着物が落下しにくい。
　【００３７】
　本発明の処理容器用部材は、図２のような装置に限らず、図３に示すエッチング装置にも適用可能である。図３中、図２と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。ここでは、処理容器用部材１０の天壁中央部に、上方に延びるセラミック製のサブチャンバー２２が設けられている。このサブチャンバー２２の上部にはガス導入部２５が設けられており、このガス導入部２３からエッチングガスがサブチャンバー２２へ導入される。サブチャンバー２２の周囲には誘導コイル２４が巻回されており、この誘導コイル２４にはＲＦ電源２５から高周波が供給される。したがって、エッチングガスをガス導入部２３からサブチャンバー２２に導入するとともに、誘導コイル２４に高周波を供給することにより、サブチャンバー２２内でエッチングガスのプラズマが形成され、そのプラズマが半導体ウェーハ１５に供給されてエッチングされる。
　【００３８】
　なお、本発明の処理容器用部材が適用される処理容器としては、エッチング用のものに限らず、ＣＶＤ成膜等、腐食性ガスを用いる処理に用いられるものであればよい。また、必ずしも半導体製造装置用の処理容器に限らない。
　【００３９】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について説明する。
　（第１の実施例）
　まず、イットリア（純度９９．９％）３７．５モル％とアルミナ（純度９９．９９％）６２．５モル％に対し、酸化珪素を内割で０．２重量％、イオン交換水、分散剤を加え、ポットミル中で混合した。このスラリーをスプレードライヤーにて造粒し、ＣＩＰ成形にて成形体を作製した。次に、この成形体を処理容器用部材形状に加工し、１７５０℃で焼成し、図１のＲ１＝３００ｍｍ、Ｒ２＝２０ｍｍ、ｔ＝７ｍｍの処理容器部材を得た。同時に作製したサンプル焼結体より結晶相を確認したところ、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）であった。このような処理容器用部材製造の際、成形体段階での内面加工、および焼結後のブラスト処理により種々の内面の面粗さを有する処理容器用部材を製造した。また、他の材料（アルミナ９９．５％、石英）についても同様に、Ｒ１＝３００ｍｍ、Ｒ２＝２０ｍｍ、ｔ＝７ｍｍで内面の面粗さを変化させた処理容器用部材を製造した。
　【００４０】
　これらの処理容器部材を組み込んだ図２に示す装置を用い、ガス供給ノズル１９からＣＦ４およびＯ２を４：１の割合でチャンバー内に導入し、ＲＦ電源２１から誘導コイル２０に４００ｋＨｚの高周波を印加してプラズマを形成し、支持テーブル１３にＲＦ電源１７から１３．５６ＭＨｚの高周波を印加しながらエッチング処理を行い、本発明の処理容器部材の評価を行った。
　【００４１】
　表１に用いた材料、表面粗さ、処理容器部材としての評価結果を示す。処理容器部材としての評価は、耐食性と連続運転性とによって行った。耐食性の評価基準は、腐食速度が１８ｎｍ／ｍｉｎ以下を○（良好）とし、１８ｎｍ／ｍｉｎを超えたものは×（不可）とした。連続運転性の評価基準は、５００ｈｒを超えて膜の脱落の生じないものを○（良好）とし、５００ｈｒに至らず膜の脱落の生じたものは×（不可）とした。
　【００４２】
　【表１】
　【００４３】
　表１に示すように、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）を用い、容器内面に相当する部分の面粗さＲａが１μｍ超えである実施例１〜４は、耐食性および連続運転性のいずれも良好であった。
　【００４４】
　これに対し、イットリウム−アルミニウム−ガーネットであっても、内面の面粗さＲａが１μｍ以下の比較例１は、耐食性は良好であったが、連続運転性が劣っていた。また、材料としてアルミナ９９．５％、石英を用いたものは、内面の面粗さにかかわらず、耐食性に劣っていた。
　【００４５】
　（第２の実施例）
　ここでは、処理容器部材の形状、ＳｉＯ２量等を変化させて、上で説明したような製造方法でイットリウム−アルミニウム−ガーネット製の処理容器用部材を製造した。
　【００４６】
　このような処理容器用部材を組み込んだ図２に示す装置を用い、ガス供給ノズル１９からＣＦ４およびＯ２を４：１の割合でチャンバー内に導入し、ＲＦ電源２１から誘導コイル２０に４００ｋＨｚの高周波を印加してプラズマを形成し、支持テーブル１３にＲＦ電源１７から１３．５６ＭＨｚの高周波を印加しながらエッチング処理を行い、各処理容器部材の評価を行った。
　【００４７】
　表２に処理容器用部材の形状、表面粗さ、ＳｉＯ２含有量、誘電正接、および処理容器部材としての評価結果を示す。処理容器用部材としての評価は、連続運転性と亀裂の有無（耐熱衝撃性）によって行った。連続運転性は第１の実施例と同様に評価した。なお、誘電正接は同時に作製したサンプル焼結体で１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの範囲で評価しており、全ての実施例を通じて１ＭＨｚにおける値の方が大きかったため、表中には１ＭＨｚにおける値のみ記している。
　【００４８】
　試験例１は、Ｒ１＝３００ｍｍ、Ｒ２＝２０ｍｍ、ｔ＝７ｍｍで内面の面粗さＲａ＝１．５μｍ、ＳｉＯ２量を０．２重量％としたものであり、連続運転性が良好であり、亀裂も発生しなかった。
　【００４９】
　試験例２は、成形体段階で旋盤による内面加工した以外は試験例１と同様にして焼結体を得た結果、内面の面粗さＲａ＝３．４μｍであった。この試験例についても連続運転性が良好であり、亀裂も発生しなかった。
　【００５０】
　試験例３は、ＳｉＯ２量を０．５重量％とし、成形体段階で加工条件を変えて旋盤により内面を加工した以外は試験例１と同様の条件で焼結体を得た。内面の面粗さＲａ＝１１３μｍであった。試験例１同様の形状の処理容器用部材で評価を行った結果、連続運転性および耐熱衝撃性に問題はなかった。
　【００５１】
　試験例４は、ブラスト処理により焼結体内面のＲａを５０μｍとした以外は試験例１と同様にして、試験例１と同一形状の処理容器用部材を製造し、評価した結果、連続運転性および耐熱衝撃性に問題はなかった。
　【００５２】
　試験例５は、Ｒ１＝∞、Ｒ２＝２５０ｍｍ、ｔ＝１４ｍｍとした以外は試験例１と同様にして処理容器用部材を製造し、評価を行った。その結果、連続運転性および耐熱衝撃性のいずれも良好であった。
　【００５３】
　試験例６は、Ｒ２＝１０ｍｍとした以外は試験例１と同様にして処理容器用部材を製造し、評価を行った。その結果、連続運転性および耐熱衝撃性のいずれも良好であった。
　【００５４】
　試験例７は、Ｒ１＝∞、Ｒ２＝０ｍｍとした以外は試験例１と同様にして処理容器用部材を製造し、評価を行った。その結果、運転中にコーナエッジ部（図１における第１の部分２と第２の部分３との境界）から亀裂が発生した。
　【００５５】
　試験例８は、ｔ＝４ｍｍとした以外は試験例１と同様にして処理容器用部材を製造し、評価を行った。その結果、運転中の熱膨張係数の増大による熱応力により亀裂が発生した。
　【００５６】
　試験例９は、ＳｉＯ２量を１．９重量％とし、成形体段階での加工で寸法を変えたこと、内面を加工したこと以外は試験例１と同様の条件で焼結体を得た。また、処理容器用部材の形状は、試験例１と異なり、Ｒ１＝８００ｍｍ、Ｒ２＝５０ｍｍ、ｔ＝７ｍｍとした。内面の面粗さＲａ＝１０．６μｍであった。その結果、誘電正接がやや大きく、部材温度が上昇したが、連続運転性および耐熱衝撃性に問題はなかった。
　【００５７】
　試験例１０は、ＳｉＯ２の含有量を２．５重量％とした以外は試験例１と同様にして処理容器用部材を製造した。その結果、焼結体の誘電正接が大きく運転中の温度差による熱応力により亀裂が発生した。
　【００５８】
　【表２】
　【００５９】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａを３〜５００μｍとしたので、腐食性ガス、特にフッ化物ガスおよびそのプラズマに対して十分な耐食性を維持しながら、アンカー効果により付着物の脱落を発生しにくくすることができる。また、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを主要成分とする多結晶セラミックスからなり、かつその容器内面に相当する部分が付着物を保持するアンカー効果を発揮するように、その面粗さＲａが１μｍ超えであり、これに加えて曲率半径Ｒ１が３００ｍｍ以上の第１の球面部と、この第１の部分の端部に連続し、かつ曲率半径Ｒ２が１０ｍｍ以上の第２の球面部とからなる曲面形状部を主体とし、第１の球面部および第２の球面部のいずれか一方が他方に内接するようにし、この曲面形状部の肉厚を５〜１５ｍｍの範囲としたので、腐食性ガス、特にフッ化物ガスおよびそのプラズマに対して十分な耐食性を維持しながら、アンカー効果により付着物の脱落を発生しにくくすることができるとともに、部材内の熱応力を極力小さくすることができ、処理容器用部材として十分な耐熱衝撃性を得ることができるといった効果が付加される。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の処理容器用部材の一実施形態を示す断面図。
　【図２】
　本発明の処理容器用部材を用いたプラズマエッチング装置の一例を示す図。
　【図３】
　本発明の処理容器用部材を用いたプラズマエッチング装置の他の例を示す図。
　【符号の説明】
　　１，１０；処理容器用部材
　　２；第１の球面部
　　３：第２の球面部
　１２；チャンバー
　１３；支持テーブル
　１４；静電チャック
　１５；半導体ウェーハー
　１９；ガス供給ノズル
　２０，２４；誘導コイル
　１７，２１，２５；高周波電源
　２３；ガス導入部