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　平成　８年特許願第２９５５２３号「光出力装置及びこれを採用した光ピックアップ装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　７月３１日出願公開、特開平　９−１９８７０７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続きの経緯及び本願発明
　本願は、平成８年１１月７日（パリ条約による優先権主張１９９６年１月２３日、大韓民国）の出願であって、平成１２年８月１日付け手続補正書のよって補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に係る発明（以後、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載される次の事項によって特定される通りのものである。
「【請求項１】　基板と、前記基板上に設けられ、前記基板に対して垂直方向に光を出射するＶＣＳＥＬと、前記ＶＣＳＥＬの光出力を制御する光出力制御手段と、前記ＶＣＳＥＬから出射された光を集束し光記録媒体に光スポットを形成する対物レンズと、光記録媒体からの反射光の進行経路を変換させる光経路変換手段と、前記反射光を受光し誤差信号及び情報信号を検出する第１光検出器とを含んでなる光ピックアップ装置において、
　前記光出力制御手段は、
　前記ＶＣＳＥＬを取り囲むように形成されたハウジングと、内面の所定部分が反射コーティングしてあり、上面に透過回折ホログラムパターンが形成してあり、上記ハウジングに固定してある投射窓と、
　前記ＶＣＳＥＬと同一基板に設けられ前記ＶＣＳＥＬから出射され前記投射窓の内面の反射コーティングしてある部分で反射された光を受光し電気信号に変換するモニター用の第２光検出器と、前記基板、ＶＣＳＥＬ及び第２光検出器に各々接続され電源を印加したり電気信号を伝達する複数の第１リードピンとを含んでなり、
　且つ、上記光経路変換手段は、上記投射窓の上面の上記透過回折ホログラムパターンよりなり、該透過回折ホログラムパターンは、前記光記録媒体から反射された光を回折及び集束させ前記第１光検出器に向かうようにさせる構成であり、
　且つ、前記第１光検出器は前記ＶＣＳＥＬと同一基板上に配置してあり、
　且つ、前記第１光検出器と電気的に接続され電気信号を伝達する少なくとも一つの第２リードピンを有し、
　且つ、前記第２光検出器は前記ＶＣＳＥＬと同一構造を有し、逆方向バイアス電源の印加により入射される光を吸収し得るようにしてなることを特徴とする光ピックアップ装置。」
II．刊行物に記載の発明
（１）これに対して、当審において拒絶の理由として引用した特開平２−２６５０３６号公報（以後、「刊行物１」という。）には、「光学ヘッド」に関し、次の事項が記載されている。
Ａ．「記録媒体に照射するする光を出射する光源と、
　前記光源から出射された光を集光して前記記録媒体に導く集光手段と、前記集光手段と前記光源との間に設けられ、
　前記記録媒体からの戻り光を前記光源とは異なる方向に導く第１のホログラムと、
  前記集光手段と前記光源の間に設けられ、前記光源から出射される前方光の一部を反射し、前記光源とは異なる方向に導く第２のホログラムと、
　前記第１のホログラムによって導かれた光を受光してエラー信号と情報信号とを検出する第１の光検出器と、
　前記第２のホログラムによって導かれた光を受光して前記光源の前方光の光量を検出する第２の光検出器と、
を備え、前記光源と第前記第１の光検出器と前記第２の光検出器とを、一体の基板上に設けたことを特徴とする光学ヘッド。」（特許請求の範囲参照）
Ｂ．「本発明は、上記事項に鑑みてなされたものであり、光源の前方光をモニタすることができると共に、組み立てを容易にできるようにした光学ヘッドを提供することを目的としている。」（公報第２頁右下欄第４〜７行参照）、
Ｃ．「この光ピックアップ１０は、光源として半導体レーザ１を備え、この半導体レーザ１と前記記録媒体４との間に、半導体レーザ１側より順に、ホログラムレンズ２と対物レンズ３が配設されている。
　第２図に示すように、前記ホログラムレンズ２は、中央に配置された回折ホログラム２１と、この回折ホログラム２１の両側に配置された２つの反射型ホログラム２２，２２とが、一枚板上に形成されたものである。」（公報第３頁右上欄第８〜１７行参照）、
Ｄ．「また、前記反射型ホログラム２２は、例えば、同じく二重露光法により形成された回路格子上に金属薄膜をコーティングすることにより作成できる。」（公報第３頁左下欄第１２〜１５行参照）、
Ｅ．「第３図に示すように、前記半導体レーザ１は、２つのエラー信号用光検出器５及び２つの前方モニタ用光検出器８と共に、同一基板７上に設けられている。この基板７上には、中央部に半導体レーザ１の発光部が配置され、この半導体レーザ１の発光部のＸ軸方向の両側に、前記回折ホログラム２１からの±１次のビームを検出する前記エラー信号用光検出器５，５が、それぞれ、半導体レーザ１の発光部から数ｍｍ離れた位置に配置されている。また、前記半導体レーザ１の発光部のＹ軸方向の両側には、前記反射型ホログラム２２，２２のゼロ次のビームを検出するための前方モニタ用光検出器８、８が、それぞれ、半導体レーザ１の発光部から数ｍｍ離れた位置に配置されている。これら光検出器５，８は、例えば、半導体基板と同一構造及び材料からなり、そして半導体基板の上面にはそれぞれの電極を設け、下側は共通電極とし、半導体レーザ１は順方向バイアス、光検出器５，８は逆方向バイアスにしている。」（公報第２頁左下欄第１６行〜同頁右下欄第１４行参照）、
Ｆ．「前記半導体レーザ１，２つのエラー信号用光検出器５及び２つの前方モニタ用光検出器８が設けられた同一基板７から、ホログラムレンズ２までが、一つのパッケージ６に形成されている。」（公報第４頁左上欄第２〜５行参照）、
Ｇ．「第１図（ａ）に示すように、半導体レーザ１から出射された光ビームは、ホログラムレンズ２に入射し、長軸方向の両端部は反射型ホログラム２２，２２で反射され、他の部分は回折ホログラム２１と通過して、略円形のビームに変換される。光ビームは、この回折ホログラム２１を通過する際に、ゼロ次と±１次の回折ビームに分離し、ゼロ次のビームは回折せずにそのまま対物レンズ３に入射し、記録媒体４上に収束する。この記録媒体４で反射されたビームは、対物レンズ３を通過し、再び回折ホログラム２１に入射し、ゼロ次と±１次の回折ビームを発生し、ゼロ次のビームは半導体レーザ１に戻る。一方、±１次のビームは、半導体レーザ１と同一基板７上にあるエラー信号用光検出器５，５に収束され、この光検出器５，５で受光され、光電変換される。そして、この光検出器５，５の出力から、フォーカス・トラッキングエラー信号と情報信号が得られる。（中略）そして、この光検出器８の出力は、ＡＰＣ回路に送られ、前記半導体レーザ１の発光出力が自動調整される。」（公報第４頁左上欄第１９行〜同頁左下欄第７行参照）
（２）また、同じく当審で引用した、特開平５−３３４７１１号公報（以後、「刊行物２」という。）には、「半導体レーザダイオード及び光ヘッド」に関し、次の事項が記載されている。
Ｈ．「【００１１】
　図１は、本発明の一実施例に於ける半導体レーザダイオード構造を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。レーザダイオードは、レーザチップ１、前記レーザチップ１めの放熱器２、前記レーザチップ１からの前方出射光を検出するためのレーザ出力検出用フォトダイオード３、前記レーザチップ１及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３を電気的に外部回路と接続する導線７、全体を固定する土台となるステム４、内部の部品を物理的に保護すると同時にレーザ光を取り出すためのキャップ５及び出射窓６から成る。」     
Ｉ．「【００１５】
　図に示した様に、図２の半導体レーザダイオードにおいて、光記録媒体からの反射光を検出する信号検出用フォトダイオード８及びレーザ出力検出用フォトダイオード３及び信号検出用フォトダイオード８とレーザ出力検出用フォトダイオード３の微小な出力を増幅する前置増幅器１４を全て同一ウエハ上に一体形成することによって、ケース内に一体化してもよい。 」 　　Ｊ．「【００１９】
（実施例４）
　図５は、本発明の他の一実施例に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。
図に示した様に、光ヘッドは、図２で示した半導体レーザダイオード９及び回折手段１０及び対物レンズ１１より構成される。図５では、前方出射光の一部が、前記回折手段１０の回折面でない方の面によってレーザ出力検出手段上に反射されることを利用している。すなわち、前記レーザチップ１より出射したレーザ光の前方出射光は、その大部分が透過光となって、対物レンズ１１を通って光ディスク１３に到達するが、その一部は前記回折手段１１の回折面でない方の面によって前記キャップ５内部に反射する。その結果、前記レーザ出力検出用フォトダイオード３に前方出射光が入射する。また、前記回折手段の回折面でない方の面には、反射防止膜等をあえて形成しないことにより、４％の反射率を持たせている。これにより、簡単に高い効率で前方出射光の一部を前記レーザ出力検出用フォトダイオード３に入射させることができる。一方、更に多くの光量を前記レーザ出力検出手段上に入射させる必要が有る場合は、前記回折手段の回折面でない方の面に、増反射膜等を形成することにより積極的に反射効果を高めてもよい。（中略）
【００２０】
（実施例５）
　図６は、本発明の他の一実施例に於ける光ヘッドの構造を示す説明図である。
光ヘッドは、図２で示した半導体レーザダイオード９及び回折手段１０及び対物レンズ１１より構成される。図に示した様に、前方出射光の一部が回折手段１２によって反射されることを用いてもよい。即ち、図５における回折手段１０は、その中央付近では光ディスク１３からの反射光を回折させることによって、位置誤差信号及び記録情報を取り出すものであるが、一方信号検出に関与しない周辺領域においては反射膜が設けられており、前方出射光の一部をレーザ出力検出手段上に反射する機能を有している。これにより前記レーザ出力検出用フォトダイオード３、にレーザチップより発する前方出射光が入射する。」
（３）同じく当審で引用した特開平４−６０９３２号公報（以後、「刊行物３」という。）には、「光ピックアップヘッド装置」に関し、次の事項が記載されている。
Ｋ．「（１）コヒーレントビームもしくは準単色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源の第１の発光点から発するビームを受け光記録媒体上へ微小スポットに収束する集光光学系と、光記録媒体で反射、回折してビームを受け回折光を発生させるホログラム素子と、前記ホログラム素子からの回折光を受光して光電流を出力するフォトディテクタユニットとを具備した光ピックアップヘッド装置において、前記光源と前記フォトディテクタユニットは同一のパッケージに収納され、前記光源は光源から発生する熱を放散するためのブロックに装着され、前記パッケージは内部に収納した前記光源と前記フォトディテクタユニットとを外部回路と接続可能にする入出力端子を有し、前記フォトディテクタユニットは同一の半導体基板上に形成した複数のフォトディテクタで構成され、前記ホログラム素子からの回折光を受光する前記フォトディテクタユニットに形成されたフォトディテクタは前記光源の発光点を含む前記光源の光軸とは垂直な第１面よりも前記ホログラム素子に対して遠く且つ前記光源から光記録媒体へビームを出射する前記光源の第１の発光点とは前記光源を挟んで向かい合った前記光源の第２の発光点から出射されるビームを実質的に受光しないように前記光源とは前記ブロックを挟んで対向する位置に配置していることを特徴とする光ピックアップヘッド装置。」（特許請求の範囲参照）
Ｌ．「第２図は本発明の実施例をさらに詳しく説明するものであり、（中略）２４は光源３１及びフォトディテクタユニット３５を外部回路に接続することを可能にする接続端子１０２と結線しているボンディングワイヤである。ここではホログラム素子３６をパッケージ３２に装着している。」（公報第４頁左下欄第８〜１９行参照）
（４）同じく、当審で引用した特開平６−２９０４７６号公報（以後、「刊行物４」という。）には、「光半導体装置、半導体レーザユニット及び光メモリ装置用光ヘッド」に関し、次に事項が記載されている。
Ｍ．「【００１９】
  （１６）半導体レーザーユニットに入出力する信号線がレーザーダイオード系、フォトダイオード系、及び電源系と３種類に分離して入出力できるように前記ユニット内部でそれぞれ隣接した端子に接続して構成したことを特徴とする。」
Ｎ．「【００２２】
　　【実施例】
（実施例１）
　本発明の光半導体装置、及び半導体レーザーユニットの第一の実施例を図１及び図２に示す。図１は半導体レーザーユニットの外観を示す斜視図であり、図２は図１の半導体レーザーユニットに実装されている光半導体装置を示す図である。
　近年、半導体基板上に凹部と反射鏡を形成し、凹部に半導体レーザーを前記半導体基板表面に略平行な方向にレーザー光を出射するように取付け、前記半導体基板凹部に設けた反射鏡でレーザー光を前記半導体基板に略垂直な方向に反射させ、さらに前記半導体基板上に受光素子を形成するタイプの光半導体装置が提唱されている。
　図２（ａ）は光半導体装置の平面図、図２（ｂ）は正面断面図である。半導体基板１に設けた凹部１ａに半導体レーザーチップ２が実装され、さらに半導体レーザーチップ２から出射され、半導体基板１表面に平行に出射されるレーザー光が半導体基板１上に設けた反射鏡１ｂで反射され、垂直な方向に出射される。さらに反射鏡１ｂで反射され、半導体基板１表面に垂直に出射するレーザー光２３の偏光方向２３ａに平行な方向、叉はレーザー光２３の楕円短軸に平行な半導体基板１上に、光記録媒体からの反射光を検出する信号検出用受光素子１ｃを備え、レーザー光２３の偏光方向２３ａに垂直な方向、叉はレーザー光２３の楕円長軸に平行な半導体基板１上に、レーザー出力検出用受光素子１ｄを配置している。　図１に示す半導体レーザーユニットは、図２に示した光半導体装置２８がリード４をガラス５でシールしたステム３上に実装され、カバーガラス７の実装されたキャップ６でシールして構成される。」
　図１には、図２（ａ）の半導体レーザーチップ２、信号検出用受光素子１ｃ、レーザー出力検出用受光素子１ｄを外部に接続するリードピン４に結線するボンディングワイヤが示されている。
（５）同じく当審で引用した特開平４−１０２２３９号公報（以後、「刊行物５」という。）には「光学ピックアップ装置」に関し、次の事項が記載されている。
Ｏ．「 第１図（ａ）は、本発明の光学ピックアップ装置の第１実施例の構成を示す図である。
　シリコン基板１の表面内に垂直共振型面発光レーザ２及び光検出器３を配置し、この垂直共振型面発光レーザ２のレーザビーム出射面と光検出器３の受光面とにマイクロプリズム４の平面が対向するようにマイクロプリズム４をシリコン基板に載置する。」（公報第３頁右上欄第６〜１３行参照）
（６）同じく当審で引用した米国特許第５２８５４６６号明細書（以後、「刊行物６」という。）には、「FEEDBACK　MECHANISM　FOR　VERTICAL　CAVITY　SURFACR　EMITTING　LASERS（垂直共振面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）のフィードバック機構）」に関し、次の事項が記載されている。
Ｐ．「VCSEL diode16a is not biased by circuit24, but instead is used as a detector.・・・Diode16a may be unbiased,or may be reverse baised by a egative voltage source52. （ＶＣＳＥＬダイオード１６ａは回路２４でバイアスされておらず、そのかわりに検出器として用いられる。・・・・ダイオード１６ａはバイアスされないか、負電圧源５２によって逆バイアスされる。）」（明細書第２欄第５６行〜第３欄第３行参照）
　
　記載Ａ〜Ｇより、刊行物１には、
「基板７と、前記基板７上に設けられ、前記基板７に対して垂直方向に光を出射する半導体レーザ１と、前記半導体レーザ１から出射された光を集束し記録媒体４に光スポットを形成する対物レンズ３と、記録媒体４からの戻り光を前記半導体レーザ１とは異なる方向に導く光経路変更手段と（記載Ａ，Ｃ参照）、前記戻り光を受光してエラー信号と情報信号を検出するエラー信号用光検出器５，５とを含んでなる光ピックアップ１０において（記載Ｇ参照）、
　前記半導体レーザ１を取り囲むように形成されたパッケージ６と、
　両端部分に反射コーテイングした反射型ホログラム２２，２２と中央部に回折ホログラム２１が形成されたホログラムレンズ２と、
　前記半導体レーザ１と同一基板７に設けられ前記半導体レーザ１から出射され前記ホログラムレンズ２の反射ホログラム２２、２２で反射された光を受光して電気信号に変換する前方モニタ用光検出器８，８と（記載Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｇ参照）、
　前記前方モニタ用光検出器８，８の出力によって前記半導体レーザ１の発光出力を自動調整するＡＰＣ回路を含み、
　且つ、上記光経路変換手段は、上記ホログラムレンズ２の中央の回折ホログラム２よりなり、該回折ホログラム２１は、前記記録媒体４から反射された戻り光を回折及び集光させ前記エラー信号用光検出器５，５に向かうようにさせる構成であり（記載Ｃ，Ｅ，Ｇ参照）、
　且つ、前記エラー信号用光検出器５，５は前記半導体レーザ１と同一基板７上に配置してある（記載Ｅ，Ｇ参照）ことを特徴とする光ピックアップ１０。」の発明（以後、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
III．対比
　本願発明を引用発明と対比する。
　引用発明の「記録媒体４」、「戻り光」、「エラー信号」、「エラー信号用光検出器５」、「光ピックアップ１０」、「パッケージ６」、「回折ホログラム２１」、「前方モニタ用光検出器８」は、それぞれ本願発明の「光記録媒体」、「反射光」、「誤差信号」、「第１光検出器」、「光ピックアップ装置」、「ハウジング」、「透過回折ホログラムパターン」、「第２光検出器」に相当し、引用発明の「パッケージ６」、「ホログラムレンズ２」、「前方モニタ用光検出器８」、「ＡＰＣ回路」は明らかに「光出力制御手段」を構成することから、両者は、
「基板と、前記基板上に設けられ、前記基板に対して垂直方向に光を出射するレーザと、前記レーザの光出力を制御する光出力制御手段と、前記レーザから出射された光を集束し光記録媒体に光スポットを形成する対物レンズと、光記録媒体からの反射光の進行経路を変換させる光経路変換手段と、前記反射光を受光し誤差信号及び情報信号を検出する第１光検出器とを含んでなる光ピックアップ装置において、
　前記光出力制御手段は、
　前記レーザを取り囲むように形成されたハウジングと、反射部と透過回折ホログラムパターンが形成してある回折手段と、前記レーザと同一基板に設けられ前記レーザから出射され前記回折手段の反射部で反射された光を受光し電気信号に変換するモニター用の第２光検出器とを含んでなり、且つ、上記光経路変換手段は、上記回折手段の上記透過回折ホログラムパターンよりなり、該透過回折ホログラムパターンは、前記光記録媒体から反射された光を回折及び集束させ前記第１光検出器に向かうようにさせる構成であり、
　且つ、前記第１光検出器は前記レーザと同一基板上に配置してある、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。」
である点で一致し、以下の４点で相違する。
相違点１
　本願発明ではレーザがVCSELであるのに対し　て引用発明のレーザは半導体レーザである点では共通するがその発光モードは不明である。
相違点２
　本願発明では、上記回折手段が、「内面の所定部分が反射コーティングしてあり、上面に透過回折ホログラムパターンが形成してあって、ハウジングに固定してある投射窓」であり、上記「投射窓の反射コーティングしてある部分」で反射された光がモニター用の第２光検出器に入射するのに対して、引用発明の回折手段は、「両端部分に反射コーテイングした反射型ホログラム２２，２２と中央部に回折ホログラム２１が形成されたホログラムレンズ２」であって、図１を参照すれば、ハウジングであるパッケージ６の内部にあり、レーザからの光はこのホログラムレンズを通ってパッケージ６に出入射するが、パッケージの投射窓との関連は不明であり、また、第２光検出器に入射する光がホログラムレンズの反射型ホログラムからのものである。　
相違点３
　本願発明では、「光出力制御手段」が、基板、レーザ及び第２光検出器に各接続され電源を印加したり電気信号を伝達する複数の第１リードピン」を含み、本願光ピックアップ装置が「第１光検出器と電気的に接続され電気信号を伝達する少なくとも一つの第２リードピン」を有するのに対し、引用発明ではリードピンについて何の規定もない。　
相違点４
　本願発明の、第２光検出器はレーザ（ＶＣＳＥＬ）と同一構造を有し、逆方向バイアス電源の印加により光を吸収し得るようになっているのに対し、引用発明では第２光検出器（前方光モニタ用光検出器８）の構造について、記載Ｅに「これら光検出器５，８は、例えば、半導体基板と同一構造及び材料からなり、そして半導体基板の上面にはそれぞれの電極を設け、下側は共通電極とし、半導体レーザ１は順方向バイアス、光検出器５，８は逆方向バイアスにしている。」の記載があるものの半導体レーザと同一構造で逆バイアスしたものと断定はできない。
IV．相違点についての当審の判断
　上記の各相違点について検討する。
i）相違点１について
　刊行物５，６には、記載Ｏ，Ｐに示すように、面発光レーザであるＶＣＳＥＬが周知の光ピックアップ装置の光源用のレーザであることが示されており、引用発明の半導体レーザをＶＣＳＥＬとする、この相違点は格別のものと認められない。
ii）相違点２について
　刊行物３に、本願発明と同様に、レーザ、フォトディテクタ（本願発明の光検出器に相当）を同一パッケージに収容するタイプの光ピックアップ装置において、記録媒体からの反射光を回折、収束させて光検出器に導くホログラム素子（本願発明の透過型ホログラムパターンに相当）をパッケージ上面に固定して投射窓とするものが記載されており（記載Ｋ、Ｌ参照）、 一方、刊行物２に本願発明と同様に前方出射光をモニターしてレーザ出力を制御する光ヘッド（本願発明の光ピックアップ装置に相当）における回折手段の回折面でない方の面に増反射膜（本願発明の反射コーティングに相当）を形成して、レーザチップよりの光を効率よくレーザ出力検出用フォトダイオード（本願発明のモニター用の光検出器に相当）に入射させること、及び回折手段の位置誤差信号及び記録情報信号の検出に関与しない周辺領域に反射膜（本願発明の反射コーティングに相当）を設けること（記載Ｊ参照）が記載されている。これらの従来技術に加えて、本願出願時に、前方光モニタ型ピックアップ装置において、ハウジングの投射窓の上面に透過型回折ホログラムパターン、投射窓の記録媒体からの反射光が通過しない内面の所定部分にレーザからの出射光をモニタ用光検出器に向かって反射する反射ホログラム部を形成すること（特開平４−３２０３２号公報参照）、投射窓の回折機能を有する領域の他に所定の反射率を有する領域を設け、レーザ発光素子から情報記録面に向かう光ビームの一部をモニタ用光検出器に向けて反射するように構成する（特開平３−２７６４３２号公報参照）こと等が周知となっていることも参照するならば、引用発明のホログラムレンズ２の透過型の回折ホログラム２１を上面の透過回折ホログラムパターンとし、反射型ホログラム２２を内面の所定部分の反射コーティングに変更し、ハウジングであるパッケージ６に固定して投射窓とする程度のことは当業者には容易に想到可能と認められる。
　この点に関し、請求人は平成１２年８月１日付け意見書において、透過回折ホログラムと反射型ホログラムを同じ面に形成することに比して本願発明のホログラムと反射コーティングの方が製造が簡単であると主張するが、上記記載Ｊに示されるように回折手段の回折面すなわち透過回折ホログラムパターンが形成されていない側の面に反射膜すなわち反射コーティングを設けることも既にに良く知られており、モニタ用の反射光の反射方向の振れを余り大きくする必要がなければ反射ホログラムに変えて反射コーティングでも良いことも明らかであること、及び、反射ホログラムがホログラムパターンの上に反射コーティングを形成するものであることから、当然、反射コーティングだけで済む本願発明のものの方が製造が簡単であることは自明であることを考え合わせるならば、この主張も格別のものとは認められない。
iii）相違点３について
　刊行物２の記載Ｈと各図、刊行物３の記載Ｌと各図、刊行物４の記載Ｍと図１，２に示されるように基板、レーザ、光検出器に電源を印加したり、外部に信号を取り出すための結線、リードピンを設けることは当然の設計的事項に過ぎない。
iv）相違点４について
　刊行物６の記載Ｐに示すように、ＶＣＳＥＬのバイアスを変更することによって構造を変えず発光素子としたり、光検出器としたりできることが公知であり、この知見と刊行物１の記載Ｅの示唆に基づいて、第２の光検出器を、光源であるＶＣＳＥＬのバイアスを逆にすることによって構成することもまた、当業者には容易に想到可能と認める。
　面発光型半導体レーザにおいて、バイアス電圧の変更でレーザと光検出器の機能を変更することは、例えば特開平５−２９９７７９号公報（【００５６】〜【００５７】参照）、特開平７−２０２１６２号公報（【００２４】参照）に示すように周知の事項である。
　以上より、これらの相違点１〜４は、いずれも、他の従来技術や周知技術を参照すれば容易に相当される程度のものであり、本願発明を引用発明に比して格別のものとするに足りるものとは認められない。
V．結び
　以上のとおり、本願発明は、引用した上記刊行物１〜６に記載の発明及び本願出願時の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。