【手続補正書】
【提出日】平成27年9月24日(2015.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受動遷移電子デバイスであって、
基板と、
前記基板により支持された、１つ又は複数の無機半導体構成要素、１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは１つ又は複数の無機半導体構成要素及び１つ又は複数の金属導体構成要素であり、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは１つ又は複数の金属導体構成要素が、選択的に変化可能な材料を独立に含み、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、外部刺激又は内部刺激に反応する事前選択された遷移プロファイルを有する、前記基板により支持された、１つ又は複数の無機半導体構成要素、１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは１つ又は複数の無機半導体構成要素及び１つ又は複数の金属導体構成要素と
を備え、
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも部分的な変化が、前記外部刺激又は前記内部刺激に反応して、及び事前選択された時間に又は事前選択された速度で、前記受動遷移電子デバイスのプログラム可能な変化を実現し、前記プログラム可能な変化が、第１の条件から第２の条件へと前記受動遷移電子デバイスの機能を変化させる、デバイス。
【請求項２】
能動的に誘発される遷移電子デバイスであって、
基板と、
前記基板により支持された、１つ又は複数の無機半導体構成要素、１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは１つ又は複数の無機半導体構成要素及び１つ又は複数の金属導体構成要素であり、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは１つ又は複数の金属導体構成要素が、選択的に変化可能な材料を独立に含み、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、外部刺激又は内部刺激に反応する事前選択された遷移プロファイルを有する、前記基板により支持された、１つ又は複数の無機半導体構成要素、１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは１つ又は複数の無機半導体構成要素及び１つ又は複数の金属導体構成要素と、
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素の上に設けられた１つ又は複数の中間構造と、
ユーザにより開始される外部トリガ信号に応答し、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素に対して動作可能に接続された、アクチュエータであり、前記デバイスが、前記外部トリガ信号を受信すると、前記アクチュエータが、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素の上に設けられた前記１つ又は複数の中間構造を少なくとも部分的に除去することにより、前記外部刺激又は前記内部刺激に対して前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも一部分をさらし、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素の変化が、生体内吸収以外のプロセスにより発生し、それにより、前記外部トリガ信号に応答して能動的に誘発される遷移電子デバイスのプログラム可能な変化をもたらし、前記プログラム可能な変化が、第１の条件から第２の条件へと前記能動的に誘発される遷移電子デバイスの機能を変化させる、アクチュエータとを備える、デバイス。
【請求項３】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、完全な変化又は不完全な変化を被ることにより、前記遷移電子デバイスの前記プログラム可能な変化をもたらす、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の前記変化が、生体内吸収以外のプロセスにより発生する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の前記変化が、
（ｉ）前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも一部分が、少なくとも部分的な昇華又は溶融を被る、相変化によって、
（ｉｉ）溶媒中における前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも部分的な溶解によって、
（ｉｉｉ）前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも部分的な加水分解によって、
（ｉｖ）前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも部分的なエッチング又は腐食によって、
（ｖ）前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも一部分が、電磁放射を吸収し、少なくとも部分的な化学的変化又は物理的変化を被る、光化学反応によって、
（ｖｉ）電気化学反応によって、或いは
（ｖｉｉ）前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも一部分が、絶縁体へと変換される、化学的変化又は物理的変化によって
発生することにより、前記遷移電子デバイスの前記プログラム可能な変化がもたらされる、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記事前選択された遷移プロファイルが、
（ｉ）１マイクロ秒〜２年から選択された時間間隔の間における、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の０．０１％〜１００％の変化によって、
（ｉｉ）０．０１ｎｍ／日〜１０ミクロンｓ−１の間で選択される速度における、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の平均厚さの減少によって、又は、
（ｉｉｉ）１０１０Ｓ・ｍ−１〜１Ｓ・ｍ−１ｓ−１の範囲の間で選択される速度における、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の導電率の低下によって、
特徴付けられ、これにより、前記遷移電子デバイスの前記プログラム可能な変化がもたらされる、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項７】
前記外部刺激又は前記内部刺激が、生物学的環境の変化、温度の変化、圧力の変化、電磁放射に対する露出、化学剤との接触、電界の印加、磁界の印加、溶媒への露出、外部環境のｐＨの変化、外部環境の塩濃度の変化、又はアノード電圧の印加を含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項８】
前記無機半導体構成要素の１つ又は複数或いは前記金属導体構成要素の１つ又は複数を少なくとも部分的に封入する封入材料をさらに含み、前記封入材料が、下層の無機半導体構成要素又は金属導体構成要素を露出させるように前記外部刺激又は前記内部刺激に反応して少なくとも部分的に除去される選択的に除去可能な材料を含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項９】
前記封入材料が、ＭｇＯ、シルク、コラーゲン、ゼラチン、ＰＬＧＡ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ＰＬＡ、ＳｉＯ２、ポリ無水物（ポリエステル）、ポリヒドロキシアルカネート（ＰＨＡ）、及びポリリン酸塩からなる群より選択される材料を含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記封入材料が、シルクを含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記封入材料が、一対の架橋されたシルクシートを含み、前記一対の架橋されたシルクシートは、前記シートのエッジ同士が共に積層された場合に、前記デバイスを完全に封入する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記封入材料が、シルク複合材料を含む、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記シルク複合材料が、複数のナノ粒子が分散したシルクを含み、前記ナノ粒子がそれぞれ、導体材料又は半導体材料を独立に含み、前記ナノ粒子がそれぞれ、Ａｕ、Ａｇ、ＣｓＳｅ、及びＣｄＴｅからなる群より選択される材料を独立に含む、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素のそれぞれが、１００ｎｍ以下の厚さを独立に有する、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素を備える、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素のそれぞれが、ナノ膜構造を独立に備える、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素が、多結晶半導体材料、単結晶半導体材料、又はドープされた多結晶半導体材料若しくはドープされた単結晶半導体材料を独立に含む、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素が、水性環境において２９８Ｋで１０−１０ｓ−１以上の速度で加水分解を被る半導体材料を独立に含む、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素のそれぞれがＳｉ、Ｇａ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、又はこれらの任意の組合せを独立に含む、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記１つ又は複数の金属導体構成要素を備える、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、水性環境において２９８Ｋで１０−１０ｓ−１以上の速度で加水分解を被る半導体材料を独立に含む、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、Ｍｇ、Ｗ、Ｆｅ、又はそれらの合金を独立に含む、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃａ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｎ、及びＺｒからなる群より選択される１つ又は複数の追加材料を含むＭｇ合金を独立に含み、前記合金の前記１つ又は複数の追加材料が、１０重量％以下の濃度を有する、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、１つ又は複数の希土類元素を含むＭｇ合金を独立に含み、前記合金の前記１つ又は複数の希土類元素が、１０重量％以下の濃度を有する、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２５】
ＺｎＯを含む前記１つ又は複数の無機半導体構成要素と、Ｍｇ、Ｗ、Ｆｅ、又はそれらの合金を含む前記１つ又は複数の金属導体構成要素とを備える、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記基板が、選択的に除去可能な材料を含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記基板の前記選択的に除去可能な材料が、再吸収、生体内吸収、加水分解、崩壊、脱重合、溶解、昇華、溶融、エッチング、及び腐食からなる群より選択されるプロセスによって除去を被る、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記基板が、ＭｇＯ、シルク、コラーゲン、ゼラチン、ＰＬＧＡ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ＰＬＡ、ＳｉＯ２、ポリ無水物（ポリエステル）、ポリヒドロキシアルカネート（ＰＨＡ）、及びポリリン酸塩からなる群より選択される材料を含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記基板が、シルクを含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記基板が、シルク複合材料を含む、請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３１】
前記シルク複合材料が、複数のナノ粒子が分散したシルクを含み、前記ナノ粒子が、導体材料又は半導体材料を含み、前記ナノ粒子が、Ａｕ、Ａｇ、ＣｓＳｅ、及びＣｄＴｅからなる群より選択される材料を含む、請求項３０に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記基板により支持された１つ又は複数の誘電体構成要素をさらに備え、前記１つ又は複数の誘電体構成要素が、選択的に除去可能な材料を含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項３３】
前記１つ又は複数の誘電体構成要素が、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、シルク、コラーゲン、ゼラチン、ＰＶＡ、及びＰＬＧＡからなる群より選択される１つ又は複数の材料を含む、請求項３２に記載のデバイス。
【請求項３４】
前記１つ又は複数の誘電体構成要素が、水性環境において２９８Ｋで１０−１０ｓ−１以上の速度で加水分解を被る材料を含む、請求項３２に記載のデバイス。
【請求項３５】
選択的に除去可能な材料の厚さがゼロに達するための時間が、
【数１】
2015512136.tif 000001
により求められ、ここで、ｔｃは、臨界時間であり、ρｍは、材料の質量密度であり、Ｍ（Ｈ２Ｏ）は、水のモル質量であり、Ｍ（ｍ）は、材料のモル質量であり、ｈ０は、材料の初期厚さであり、Ｄは、水の拡散率であり、ｋは、溶解反応についての反応定数であり、ｗ０は、水の初期濃度であり、ここで、ｋは、１０５〜１０−１０ｓ−１の範囲から選択された値を有する、請求項１〜３４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３６】
前記ユーザにより開始される外部トリガ信号が、電子信号、光信号、熱信号、磁気信号、機械信号、化学信号、音響信号、又は電気化学信号である、請求項２に記載のデバイス。
【請求項３７】
前記ユーザにより開始される外部トリガ信号が、ユーザにより開始される前記デバイスに対する電界の印加、ユーザにより開始される前記デバイスに対する電磁放射の印加、ユーザにより開始される前記デバイスに対する機械衝撃、ユーザにより開始される前記デバイスに対する熱流、又はユーザにより開始される前記デバイスに対するＲＦ電界の印加である、請求項２に記載のデバイス。
【請求項３８】
前記ユーザにより開始される外部トリガ信号を受信するための受信機をさらに備え、前記受信機が、前記ユーザにより開始される外部トリガ信号の受信時に、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の前記少なくとも部分的な変化を開始させるために、前記アクチュエータに対して動作的に接続される、請求項２に記載のデバイス。
【請求項３９】
前記１つ又は複数の中間構造が、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素の上或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の上に設けられた封入材料を含み、前記アクチュエータが、前記封入材料の少なくとも一部分の除去を引き起こすことにより、前記外部刺激又は前記内部刺激に対して前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素がさらされる、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４０】
前記アクチュエータが、ヒータ、化学的変化若しくは生物学的変化を引き起こすことが可能な化学剤を収容するリザーバ、電磁放射源、電界源、ＲＦエネルギー源、或いは音響エネルギー源を備える、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４１】
前記アクチュエータが、前記無機半導体構成要素又は前記金属導体構成要素の１つ又は複数を少なくとも部分的に封入する封入材料を含み、前記封入材料は、前記デバイスが前記外部トリガ信号を受信した場合に、少なくとも部分的に除去されることにより、前記内部刺激又は前記外部刺激に対して下層の無機半導体構成要素又は金属導体構成要素をさらし、それによって前記少なくとも部分的な変化を開始させる、選択的に除去可能な材料を含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４２】
（ｉ）前記アクチュエータが、電磁放射源であり、前記アクチュエータが、封入材料と光通信状態におかれ、前記封入材料が、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素を少なくとも部分的に封入する、
（ｉｉ）前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、少なくとも部分的に封入材料によって封入され、前記封入材料が、前記アクチュエータにより発生した熱に反応して相変化又は化学的変化を被ることによって、前記下層の無機半導体構成要素又は金属導体構成要素を露出させる、感熱性材料である、
（ｉｉｉ）前記アクチュエータが、前記熱を供給するために前記封入材料と熱的接触状態におかれたヒータである、又は、
（ｉｖ）前記アクチュエータが、対電極及び電解質であり、前記電解質が、前記電極と、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素と、接触状態におかれ、前記ユーザにより開始される外部トリガ信号が、前記対電極に供給されることにより、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成の溶解を結果としてもたらす、電圧又はＲＦエネルギーである、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４３】
受動遷移電子デバイスを使用する方法であって、
前記受動遷移電子デバイスを用意するステップであり、前記受動遷移電子デバイスが、
基板、及び
前記基板により支持された、１つ又は複数の無機半導体構成要素、１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは１つ又は複数の無機半導体構成要素及び１つ又は複数の金属導体構成要素であり、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは１つ又は複数の金属導体構成要素が、選択的に変化可能な材料を独立に含み、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、外部刺激又は内部刺激に反応する事前選択された遷移プロファイルを有する、前記基板により支持された、１つ又は複数の無機半導体構成要素、１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは１つ又は複数の無機半導体構成要素及び１つ又は複数の金属導体構成要素
を備え、
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも部分的な変化が、前記外部刺激又は前記内部刺激に反応して、及び事前選択された時間に又は事前選択された速度で、前記受動遷移電子デバイスのプログラム可能な変化を実現し、前記プログラム可能な変化が、第１の条件から第２の条件へと前記受動遷移電子デバイスの機能を変化させる、ステップと、
前記外部刺激又は前記内部刺激に対して前記受動遷移電子デバイスをさらすことにより、前記受動遷移電子デバイスをプログラム可能に変化させるステップと
を含む、方法。
【請求項４４】
能動的に誘発される遷移電子デバイスを使用する方法であって、
前記能動的に誘発される遷移電子デバイスを用意するステップであり、前記能動的に誘発される遷移電子デバイスが、
基板、
前記基板により支持された、１つ又は複数の無機半導体構成要素、１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは１つ又は複数の無機半導体構成要素及び１つ又は複数の金属導体構成要素であり、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは１つ又は複数の金属導体構成要素が、選択的に変化可能な材料を独立に含み、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素が、外部刺激又は内部刺激に反応する事前選択された遷移プロファイルを有する、前記基板により支持された、１つ又は複数の無機半導体構成要素、１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは１つ又は複数の無機半導体構成要素及び１つ又は複数の金属導体構成要素、
前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素の上に設けられた１つ又は複数の中間構造、
ユーザにより開始される外部トリガ信号に応答し、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素に対して動作可能に接続された、アクチュエータであり、前記デバイスが、前記外部トリガ信号を受信すると、前記アクチュエータが、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素の上に設けられた前記１つ又は複数の中間構造を少なくとも部分的に除去することにより、前記外部刺激又は前記内部刺激に対して前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも一部分をさらし、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素、前記１つ又は複数の金属導体構成要素、或いは前記１つ又は複数の無機半導体構成要素及び前記１つ又は複数の金属導体構成要素の変化が、生体内吸収以外のプロセスにより発生し、それにより、前記外部トリガ信号に応答して能動的に誘発される遷移電子デバイスのプログラム可能な変化をもたらし、前記プログラム可能な変化が、第１の条件から第２の条件へと前記能動的に誘発される遷移電子デバイスの機能を変化させる、アクチュエータを備える、ステップと、
前記電子デバイスに対して前記ユーザにより開始される外部トリガ信号を供給するステップであり、前記アクチュエータが、前記１つ又は複数の無機半導体構成要素或いは前記１つ又は複数の金属導体構成要素の少なくとも部分的な変化を直接的に又は間接的に開始させることにより、前記プログラム可能な変化がもたらされる、ステップと
を含む、方法。