【手続補正書】
【提出日】平成27年4月9日(2015.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金のマイクロマスクを用いてエッチングすることにより窒化ガリウム層の表面を粗面化する工程であって、
前記窒化ガリウム層の上に、前記窒化ガリウム層に連通する第１孔を有するメッシュ構造の酸化インジウム錫層（ＩＴＯ層）を形成し、
前記ＩＴＯ層を覆い、前記第１孔の底において前記窒化ガリウム層を覆う酸化シリコン層を形成し、
前記窒化ガリウム層上、および、前記ＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層の上に前記金のマイクロマスクを形成し、
前記金のマイクロマスクを用いて、前記酸化シリコン層を貫通し前記窒化ガリウム層中に至るエッチングを行い、
前記金のマイクロマスクを用いて、前記ＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層をエッチングし、その内部に前記ＩＴＯ層を露出させた複数の第２孔を形成する工程と、
前記金のマイクロマスクを除去する工程と、
前記複数の第２孔を介して前記ＩＴＯに電気的に接続された金属電極を形成する工程と、
を備えた粗面化方法。
【請求項２】
前記金のマイクロマスクは、前記酸化シリコン層上に配置された複数の金部を有し、
前記複数の金部のそれぞれは、前記酸化シリコン層の上面の領域を覆い、
前記領域の面積は、１平方マイクロメートルよりも小さい請求項１記載の粗面化方法。
【請求項３】
前記領域は、丸みを帯びた外周を有する請求項２記載の粗面化方法。
【請求項４】
前記複数の金部のそれぞれは、丸みを帯びた滑らかな形状を有する請求項２記載の粗面化方法。
【請求項５】
前記複数の金部のそれぞれは、熱的に分離された請求項２記載の窒化ガリウム表面の粗面化方法。
【請求項６】
前記金のマイクロマスクは、硫酸を用いることなく前記酸化シリコン層から除去される請求項１〜５のいずれか１つに記載の粗面化方法。
【請求項７】
前記金のマイクロマスクは、ヨウ化物を含むエッチング液を用いて前記酸化シリコン層から除去される請求項１〜６のいずれか１つに記載の粗面化方法。
【請求項８】
前記複数の第２孔のそれぞれは、１０平方マイクロメートルよりも大きく、５００平方マイクロメートルよりも小さい断面積を有する請求項１〜７のいずれか１つに記載の粗面化方法。
【請求項９】
前記窒化ガリウム層は、その周りにメサ側壁を有し、
前記金のマイクロマスクを用いて前記メサ側壁をエッチングし、粗面化する請求項１〜８のいずれか１つに記載の粗面化方法。
【請求項１０】
半導体層の上にＩＴＯ層を形成する工程と、
前記半導体層に連通する第１孔を前記ＩＴＯ層に形成する工程と、
前記ＩＴＯ層を覆い、前記第１孔の底を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記ＩＴＯ層上の前記絶縁層、および、前記第１孔の底の前記絶縁層の上に金層を形成する工程と、
前記金層を複数の金部に熱的に分離する工程と、
前記複数の金部をマスクとして、前記絶縁層を貫通して前記半導体層に至るエッチングを行い、前記ＩＴＯ層上の前記絶縁層をエッチングし、前記ＩＴＯ層を露出させた複数の第２孔を形成する工程と、
前記複数の金部を除去する工程と、
前記複数の第２孔を介して前記ＩＴＯ層に電気的に接続された金属電極を形成する工程と、
を備えた粗面化方法。
【請求項１１】
前記絶縁層は、酸化シリコンを含み、
前記金層の厚さは、２００オングストローム未満である請求項１０記載の粗面化方法。
【請求項１２】
前記複数の金部は、硫酸を用いることなく除去される請求項１０または１１のいずれかに記載の粗面化方法。
【請求項１３】
前記複数の金部は、ヨウ化物を含むエッチング液を用いて除去される請求項１０〜１２のいずれか１つに記載の粗面化方法。
【請求項１４】
前記複数の金部のそれぞれは、前記絶縁層の上面の領域を覆い、
前記領域の面積は、１平方マイクロメートルよりも小さい請求項１０〜１３のいずれか１つに記載の粗面化方法。
【請求項１５】
前記半導体層は、その周囲に側壁を有し、
前記絶縁層は、前記側壁上にも形成され、
前記複数の金部は、前記側壁上の前記絶縁層上にも形成され、
前記複数の金部をマスクとして、前記側壁上の前記絶縁膜をエッチングする請求項１０〜１４のいずれか１つに記載の粗面化方法。
【請求項１６】
前記半導体層は、第１窒化ガリウム層と、前記第１窒化ガリウム層上に選択的に配置された活性層と、前記活性層の上に配置された第２窒化ガリウム層と、を含み、
前記ＩＴＯ層は、前記第２窒化ガリウム層上に形成され、
前記絶縁膜は、前記第１窒化ガリウム層、前記第２窒化ガリウム層および前記ＩＴＯ層の上に形成され、
前記複数の金部は、前記第１窒化ガリウム層上の前記絶縁膜、前記ＩＴＯ層上の前記絶縁膜、および、前記第１孔の底において前記第２窒化ガリウム層上に設けられた前記絶縁膜の上に形成され、
前記複数の金部をマスクとして、前記第１窒化ガリウム層上の前記絶縁層を貫通し前記第１窒化ガリウム層中に至るエッチングと、前記第２窒化ガリウム層上の前記絶縁層を貫通し前記第２窒化ガリウム層中に至るエッチングと、前記ＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層に複数の第２孔を形成し、その内部に前記ＩＴＯ層を露出させるエッチングと、を行う請求項１０〜１４のいずれか１つに記載の粗面化方法。
【請求項１７】
ｎ型窒化ガリウム層と、前記ｎ型窒化ガリウム層の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたｐ型窒化ガリウム層と、を含む半導体材料を選択的にエッチングし、前記ｎ型窒化ガリウム層を露出させる工程と、
前記ｐ型窒化ガリウム層上に、前記ｐ型窒化ガリウム層に連通する第１孔を有するメッシュ構造のＩＴＯ層を形成する工程と、
前記ｎ型窒化ガリウム層、前記ｐ型窒化ガリウム層および前記ＩＴＯ層を覆う酸化シリコン層を形成する工程と、
前記ｎ型窒化ガリウム層上の前記酸化シリコン層、前記ＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層、および、前記第１孔の底において前記ｐ型窒化ガリウム層上に設けられた前記酸化シリコン層の上に金のマイクロマスクを形成する工程と、
前記金のマイクロマスクを用いて、前記ｎ型窒化ガリウム層上の前記酸化シリコン層を貫通し前記ｎ型窒化ガリウム層中に至るエッチングと、前記ｐ型窒化ガリウム層上の前記酸化シリコン層を貫通し前記ｐ型窒化ガリウム層中に至るエッチングと、前記ＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層に複数の第２孔を形成し、その内部に前記ＩＴＯ層を露出させるエッチングと、を行う工程と、
前記金のマイクロマスクを除去する工程と、
前記複数の第２孔を介して前記ＩＴＯに電気的に接続された金属電極を形成する工程と、
を備えた粗面化方法。
【請求項１８】
ｎ型窒化ガリウム層と、前記ｎ型窒化ガリウム層の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたｐ型窒化ガリウム層と、を含む半導体材料を選択的にエッチングし、前記ｎ型窒化ガリウム層を露出させる工程と、
前記ｎ型窒化ガリウム層上に第１のＩＴＯ層を形成する工程と、
前記ｐ型窒化ガリウム層上に、前記ｐ型窒化ガリウム層に連通する第１孔を有するメッシュ構造の第２のＩＴＯ層を形成する工程と、
前記第１のＩＴＯ層、前記第２のＩＴＯ層、および、前記第１孔の底の前記ｐ型窒化ガリウム層を覆う酸化シリコン層を形成する工程と、
前記第１のＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層、前記第２のＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層、および、前記第１孔の底において前記ｐ型窒化ガリウム層上に設けられた前記酸化シリコン層の上に前記金のマイクロマスクを形成する工程と、
前記金のマイクロマスクを用いて、前記ｐ型窒化ガリウム層上の前記酸化シリコン層を貫通し前記ｐ型窒化ガリウム層中に至るエッチングと、前記第１のＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層を選択的に除去し、前記第１のＩＴＯ層を露出させるエッチングと、前記第２のＩＴＯ層上の前記酸化シリコン層に複数の第２孔を形成し、その内部に前記第２のＩＴＯ層を露出させるエッチングと、を行う工程と、
前記金のマイクロマスクを除去する工程と、
前記複数の第２孔を介して前記第２のＩＴＯに電気的に接続された金属電極を形成する工程と、
を備えた粗面化方法。
【請求項１９】
ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたｐ型半導体層と、を含む半導体材料を選択的にエッチングし、前記ｎ型半導体層を露出させる工程と、
前記ｎ型半導体層上に第１のＩＴＯ層を形成する工程と、
前記ｐ型半導体層上に、前記ｐ型半導体層に連通する第１孔を有するメッシュ構造の第２のＩＴＯ層を形成する工程と、
前記第１のＩＴＯ層、前記第２のＩＴＯ層、および、前記第１孔の底の前記ｐ型半導体層を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記第１のＩＴＯ層上の前記絶縁層、前記第２のＩＴＯ層上の前記絶縁層、および、前記第１孔の底において前記ｐ型半導体層上に設けられた前記絶縁層の上に複数の金部を形成する工程と、
前記複数の金部をマスクとして、前記ｐ型半導体層上の前記絶縁層を貫通し前記ｐ型半導体層中に至るエッチングと、前記第１のＩＴＯ層上の前記絶縁層を選択的に除去し、前記第１のＩＴＯ層を露出させるエッチングと、前記第２のＩＴＯ層上の前記絶縁層に複数の第２孔を形成し、その内部に前記第２のＩＴＯ層を露出させるエッチングと、を行う工程と、
前記複数の金部を除去する工程と、
前記複数の第２孔を介して前記第２のＩＴＯに電気的に接続された金属電極を形成する工程と、
を備えた粗面化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体表面の粗面化方法