【事件の表示】
　平成　２年特許願第３４１２０８号「保持時間を増加させるためのフィードバック回路を持つ集積化サンプル・ホールド回路」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年　９月１８日出願公開、特開平　３−２１２８９８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　本願は、平成２年１１月３０日（パリ条約による優先権主張１９８９年１２月２９日、アメリカ合衆国）の出願であって、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という）
　
「基板及び、エッチングや被覆のようなプロセスによって前記基板上に形成された回路を有し、
　充電リード及び固定電位を導く固定電位リードを有する容量エレメント；
　高インピーダンスと低インピーダンスとの間を切換可能な第１チャンネル、第１チャンネル入力リード及び第１チャンネル出力リードを有し、第１チャンネルは前記第１チャンネル入力リード及び容量エレメントの充電リードに接続されている第１チャンネル出力リード間に延びてそれらを接続している入力回路；
　第１チャンネル入力リードに接続されている絶縁出力リード及び入力電圧信号を受けるために接続されている絶縁入力リードを有する絶縁回路であって、高インピーダンスと低インピーダンスとの間で切換可能であり、容量エレメントは、第１チャンネルと絶縁回路が低インピーダンスのときに特定の電圧レベルに充電され、かつ、第１チャンネルと絶縁回路が高インピーダンスのときにその電圧レベルを保持することを可能とした絶縁回路及び
　前記第１チャンネル出力リードに接続されている第１フィードバックリード及び第１チャンネル入力リードに接続されている第２フィードバックリードとを有するフィードバック回路であって、前記容量エレメントからの電流または容量エレメントへの電流を流さず、かつ、第１チャンネルおよび絶縁回路が高インピーダンスのときに第１チャンネルを通る漏れ電流をほぼ零に維持するように、第１フィードバックリードと第２フィードバックリードの間の電圧差をほぼ零に維持するフィードバック回路を有することを特徴とする集積回路」
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前である昭和４６年２月９日に頒布された特公昭４６−５３６５号公報（以下、引用刊行物という）には次の事項が記載されている。
　
（Ａ）電荷貯蔵装置の回路図として下記のものが第１図、第２図、第４図に示されている。(参照番号は第１図による）
（１）その一端が零電位に接続され、他端が第１のトランジスタ３８−１のドレーン電極７８に接続されたコンデンサ４４；
（２）ソース電極７７及び前記ドレーン電極７８を有し、電界効果トランジスタからなる第１のトランジスタ３８−１；
（３）上記第１のトランジスタ３８−１及び第２のトランジスタ４０−１のソース電極７６，７７は、それぞれ他のスイッチングトランジスタ３８−１及び４０−１の共通素子７７’に接続され、
　また、ドレーン電極７５は入力電圧信号を受けるために入力端子２２に接続されている、電界効果トランジスタからなる第２のトランジスタ４０−１；
及び
（４）前記第１のトランジスタ３８−１のドレーン電極７８に接続されているトランジスタ５２のゲート電極及び前記第１のトランジスタ３８−１及び第２のトランジスタ４０−１の共通素子７７’に一端が接続されている抵抗素子８０とを含む帰還回路
を有する電荷貯蔵装置
　
（Ｂ）第１頁右欄（第２欄）第３６行から第２頁左欄（第３欄）第５行
「本発明の目的は電荷蓄積回路により実現され、その電荷蓄積回路では電荷蓄積装置はその電荷蓄積装置上の電荷を消散する傾向にある固体スイッチング装置により充電され、もれによる降下は電荷蓄積装置に接続されている電荷追従回路と上記スイッチング装置のもれ通路の中点との電気的接続部により電荷蓄積装置内に蓄積されている電荷の範囲に亘って殆ど一定に維持される。」
　
（Ｃ）第２頁左欄（第３欄）第４２行から同欄４５行
「固体スイッチング装置即ち電界効果トランジスタ３８−１，４０−１からなるスイッチングトランジスタ回路３６−１は入力端子２２，２３を電荷蓄積コンデンサ４４へ接続する。」
　
（Ｄ）第２頁右欄（第４欄）第３１行から同頁同欄第４２行
「スイッチング電位が端子４６に於いて高い場合、低インピーダンスモードにおけるスイッチングトランジスタ３８、４０によりコンデンサ４４へ印加される電荷は抵抗素子８０を構成する回路により殆ど影響されない。何故ならば、その抵抗素子の高インピーダンスによりその抵抗素子は隔離素子になるからである。スイッチングトランジスタ３８，４０が開放されている場合、その比較的高いインピーダンスは入力端子２２，２３に於いてコンデサ４４を低インピーダンス通路から隔離する傾向にある。この隔離は精々比較的短期間しか満足ではない。」
　
（Ｅ）第２頁右欄（第４欄）第４３頁から第３頁左欄（第５欄）第１０行
「本発明に従えば、隔離用抵抗素子８０を含む蓄積基準電圧復帰線は殆ど無限の期間に亘って満足な電荷レベルを与える。これは図示の回路ではスイッチングトランジスタ３８ー１のソース電極７７及びドレーン電極７８上の電圧が殆ど同じであるか又は少なくともそれ等の電圧がその回路を動作せしめる電圧範囲に亘ってトランジスタ５２の殆ど低い値のゲート対ソース電圧だけしか異なっていないためにもたらされるのである。従って、電圧はコンデンサ４４から殆どもれないか又はもれの値は低く保たれ、本発明の回路は実際に低い値のもれしか遭遇しないように構成されている。」
　
　なお、「電極」とは、電気工学用語辞典編集委員会「電気工学用語辞典」、昭和３７年８月２０日、１版１刷発行、技報堂出版株式会社の「電極」の項によると、「真空管の電極、電池の電極などのように、真空または誘電体中に電界をつくるため、あるいは媒質中に電流をながすために外部導体とつながる一定の形をした導体をいう」である。
　
　本願発明と引用刊行物に記載された発明（以下、引用発明という）を対比する。
　
　第１のトランジスタ３８−１は電界効果トランジスタであるのでチャンネルを有し、そして、上記（Ｃ）、（Ｄ）の記載から、第１、第２のトランジスタ３８−１，４０−１はスイッチングトランジスタであり、低インピーダンスモードと、開放されている場合とをとるものであり、そして、開放されている場合は、比較的高いインピーダンスは入力端子２２，２３に於いてコンデンサ４４を低インピーダンス通路から隔離する傾向にあるものであるので、低インピーダンスと高インピーダンスが切換可能なものである。
そして、第１と第２のトランジスタが低インピーダンスのときにコンデンサ４４を入力端子の電位に充電し、第１と第２のトランジスタが比較的高インピーダンスのときコンデンサ４４の電圧レベルを保持するものである。
　
　一方、本願発明において、「入力回路」は発明の詳細な説明及び図面ではパストランジスタ２０またはトランジスタ５６であり、「絶縁回路」は発明の詳細な説明及び図面ではアイソレーショントランジスタ２８またはトランジスタ５４のことである。
　したがって、引用刊行物の第１のトランジスタは本願発明の入力回路に対応し、第２のトランジスタは絶縁回路に対応する。
　
　また、引用刊行物の上記帰還回路は上記（Ｂ），（Ｅ）の記載から本願発明のフィードバック回路に対応する。
　
 また、本願明細書によると、
　”リード”とは、そこにおいて構成要素が他の構成要素と電気的に接続される電気的構成要素である。（第７頁第１９行から第８頁第１行）
　”容量エレメント”とは、電荷を保持することによって電圧レベルを保持する構成要素である。（第８頁第１２行から第１３行）
　”トランジスタ”とは、２つのリードの間に延びてこれらを接続するチャンネルを持ち、またそのチャンネルのインピーダンスを制御する第３のリードを持つ。この第３のリードは”ゲート”と呼ばれ、またチャンネルに接続されるリードは”チャンネルリード”、ある場合には”ソース”及び”ドレイン”と呼ばれる。（第８頁第１５行から第９頁第１行）
　”漏れ電流”とは、構成要素における非理想的な振る舞いに起因して生じる電流である。（第９頁第２行から第３行）
　
　したがって、上記コンデンサ４４は容量エレメントであり、第１のトランジスタ３８−１，２，４はチャンネルを有し、その両端のソース電極７７、ドレーン電極７８は上記”トランジスタ”の定義及び上記（Ａ）の回路図を装置に実体化したときに、他の回路構成要素と電気的に接続される電気的構成要素であるので、”リード”に対応する。第２のトランジスタも同様にチャンネルを有し、そのソース電極７６、ドレーン電極７５は”リード”に対応する。
　また、電荷追従トランジスタ５２のゲート電極も上記”トランジスタ”の定義及び上記（Ａ）の回路図を装置として実体化したとき帰還回路の入力”リード”に対応する。
　また、回路図を装置として実体化したものは回路構成要素であるトランジスタ、抵抗、コンデンサを電気的に接続しなければならず、したがって、トランジスタのみならず、抵抗素子８０、コンデンサ４４も電気的接続するための構成要素、即ち”リード”を持っているものと認められる。
　
　したがって、上記引用刊行物には
「充電リード及び固定電位を導く固定電位リードを有する容量エレメント（コンデンサ４４）；
　高インピーダンスと低インピーダンスとの間を切換可能な第１チャンネル、第１チャンネル入力リード及び第１チャンネル出力リードを有し、第１チャンネルは前記第１チャンネル入力リード及び容量エレメントの充電リードに接続されている第１チャンネル出力リード間に延びてそれらを接続している入力回路（第１のトランジスタ３８−１）；
　第１チャンネル入力リードに接続されている出力リード及び入力電圧信号を受けるために接続されている入力リードを有する絶縁回路（第２のトランジスタ）であって、高インピーダンスと低インピーダンスとの間で切換可能であり、容量エレメントは、第１チャンネルと絶縁回路（第２のトランジスタ）が低インピーダンスのときに特定の電圧レベルに充電され、かつ、第１チャンネルと絶縁回路（第２のトランジスタ）が高インピーダンスのときにその電圧レベルを保持することを可能とした絶縁回路（第２のトランジスタ４０−１）及び
　前記第１チャンネル出力リードに接続されている第１フィードバックリード及び第１チャンネル入力リードに接続されている第２フィードバックリードとを有するフィードバック回路（帰還回路）であって、前記容量エレメントからの電流または容量エレメントへの電流を流さず、かつ、第１チャンネルおよび絶縁回路が高インピーダンスのときに第１チャンネルを通る漏れ電流をほぼ零に維持するように、第１フィードバックリードと第２フィードバックリードの間の電圧差をほぼ零に維持するフィードバック回路（帰還回路）を有する回路」が記載されている。
　
 よって、本願発明は下記の点について引用刊行物に記載の発明と相違する。
（１）電荷貯蔵装置の回路を集積回路とする点
（２）基板及び、エッチングや被覆のようなプロセスによって前記基板上に形成した点
　
　以下、上記相違点について検討する。
（１）について：
　回路を集積回路にすることは一般に行われていることである。
そして、サンプル・ホールド回路（電荷蓄積装置）においても集積回路で作成することは、例えば、特開昭５８−９９０３３号公報、特開昭５８−１２１８３１号公報に記載されるように周知である。
（２）について：
　集積化として基板上にエッチングや被覆のようなプロセスで集積化することは、例えば、電子展望編集部編「最新ＩＣ技術入門」、昭和４３年４月１５日　第１版発行、株式会社誠文堂新光社、第１０２頁第１行から１０３頁第２行に
「６．２．３　回路パターンの形成
薄膜回路を形成するためには、基板の定められた位置に精度よく回路素子および電極パターンを形成する必要がある。このパターンを真空蒸着やスパッタリングで形成する方法としては、金属板その他の材料をフォトエッチングや機械加工で製作した蒸着マスクを使用する場合と（必要とする以外は材料蒸気が付着しないようにマスクで遮断する）、全面に蒸着またはスパッタリングにより薄膜を形成した基板を選択エッチングその他の手段によりパターンを形成する方法（必要な部分を残して不必要な部分を化学薬品などを使って取り除く）が一般に行われる。」と記載されるように慣用手段である。
　例えば、
　特開平１−２１２４５７号公報には薄膜ハイブリッド集積回路の製造方法として、基板１上にマスクを利用して抵抗材料２をスパッタリングで、ＦＥＴのチャンネルになる材料４をプラズマＣＶＤ法で形成し（これらは被覆に該当する）、その上に真空蒸着で金属の導体膜を蒸着し、エッチングによりパターン加工して電気的接続している構成（これらのパターンは構成要素間の電気的接続をするための構成要素であり、本願発明の”リード”に相当する）が示されている。
　また、特開平１−２１２４５８号公報には薄膜ハイブリッド集積回路の製造法として、ガラスまたはセラミックなどの基板１上にアモルファスシリコン膜２をプラズマＣＶＤ法で積層（被覆に相当）し、さらにその上に絶縁膜３をスパッタリング法で積層（被覆に相当）し、その後、スパッタリング法で抵抗膜４を形成（被覆に相当）し、その後、エッチングしてパターン加工する。次に導体膜を積層（被覆に相当）し、前記導体膜をエッチングによりパターン加工して電極６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ（構成要素が他の構成要素と電気的に接続される構成要素であるので本願発明の”リード”に相当する）を形成している製造方法が示されている。
　上記の例は薄膜型であるが、通常のモノリシックＩＣの製造においても、
例えば、伝田精一「入門ＩＣセミナー」、ＣＱ出版株式会社、昭和４６年８月１０日初版発行、第７１頁から第８４頁の第６章　モノリシックＩＣのできるまで
に記載されているように、ｐ型ウエファ上にｎ型層が積層され、そのうえに絶縁層が被覆され、その後、フォトエッチング、選択拡散、エミッタ拡散、電極用窓あけ、電極蒸着を行うものであり、これにおいても、エッチングや被覆のようなプロセスによってｐ型ウエファ上に回路を形成するものである。そして、このｐ型ウエファ、は本願明細書第７頁第１４行から第１５行の「”基板”とは、その上に回路が形成される材料である。」の定義から”基板”に対応する。また、この電極は「構成要素が他の構成要素と電気的に接続される電気的構成要素」であるので本願発明の”リード”に対応する。
　
　したがって、集積回路を製作する際に上記（１）の「エッチングや被覆のようなプロセスによって前記基板上に形成」することは周知の慣用手段にすぎない。
　
　よって、上記引用刊行物に記載の電荷蓄積装置を、基板及び、エッチングや被覆のようなプロセスによって前記基板上に形成した集積回路とすることは単なる慣用手段の適用にすぎず、当業者が容易になし得たものと認められる。
　
　したがって、本願発明は、上記引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は審判請求理由補充書の第３頁第５行から第１０行において、『なお、前記請求項１の前段の要件であります「基板及び、エッチングや被覆のようなプロセスによって前記基板上に形成された回路を有し、」は、本願発明の対象であります「集積回路」との関連で、日本語としてその態をなしませんので、「エッチングあるいは被覆処理によって基板上に形成された回路の集合からなる集積回路であって、」に訂正致したく、その訂正の機会を与えられますようお願いします。』
と述べているが、訂正してもその内容は同じものであるので、上記の判断に影響を与えるものではない。
　
　よって、結論のとおり審決する。