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　特願２００９−２７２１８２「低角度オフカット炭化ケイ素結晶上の安定なパワーデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　６月１７日出願公開、特開２０１０−１３５７８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年１１月３０日（パリ条約による優先権主張２００８年１２月１日、アメリカ合衆国、２００９年１１月２０日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２４年１１月９日付けの拒絶理由通知に対して、平成２５年５月２０日に手続補正がなされたが、同年９月３０日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２６年２月４日に審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年５月２０日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　炭化ケイ素ベースのパワーデバイスであって、
　＜０００１＞方向に対して２°よりも大きく４°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素ドリフト層と、
　前記＜０００１＞方向に対して２°より大きく４°よりも小さい前記オフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素基板と、
　前記炭化ケイ素基板と前記炭化ケイ素ドリフト層との間の、１０μｍより大きい厚さを有する炭化ケイ素バッファー層とを含み、
　前記炭化ケイ素ドリフト層は前記炭化ケイ素基板の平坦な表面上にエピタキシャル層を含む
　ことを特徴とするパワーデバイス。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００５−１６７０３５号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１〜７とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において付与したものである。以下、同じ。）
　
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、大電流を制御するのに適した炭化珪素バイポーラ半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
　炭化珪素（ＳｉＣ）などのワイドギャップ半導体材料は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界強度が約１０倍高い等の優れた特性を有しており、高い耐逆電圧特性を有する高耐圧バイポーラパワー半導体素子に好適な材料として注目されている。
　ｐｉｎダイオードやバイポーラトランジスタ、ＧＴＯ、ＧＣＴなどのバイポーラ半導体素子は、ショットキーダイオードやＭＯＳＦＥＴなどのユニポーラ半導体素子に比べてビルトイン電圧が高いが、少数キャリアの注入によるドリフト層の伝導度変調によりオン抵抗が大幅に小さくなる、という特徴がある。したがって、電力用途などの高電圧大電流領域では、損失を小さくするためバイポーラ半導体素子が用いられている。ＳｉＣでこれらのバイポーラ半導体素子を構成すると、Ｓｉの素子に比べて格段に優れた性能を実現できる。例えば、ＳｉＣで構成した１０ｋＶの高耐圧ｐｉｎダイオード素子の場合、順方向電圧がＳｉのｐｉｎダイオードの約１／３であり、オフ時の速度に該当する逆回復時間が約１／２０以下と高速である。また、電力損失をＳｉのｐｉｎダイオードの約１／５以下に低減でき省エネルギー化に大きく貢献できる。ＳｉＣのｐｉｎダイオード以外にもＳｉＣのｎｐｎトランジスタやＳｉＣのＳＩＡＦＥＴ、ＳｉＣのＳＩＪＦＥＴなどが開発され同様の電力損失低減効果が報告されている（例えば非特許文献１）。この他、ドリフト層として反対極性のｐ型半導体層を用いたＳｉＣのＧＴＯなども開発されている（例えば非特許文献２）。
【０００３】
　ＳｉＣの結晶の集合面の｛０００１｝面には、図７のＳｉＣの結晶の斜視図に示すように、個別面の（０００１）シリコン面１と（０００−１）カーボン面２が存在する。かっこ内の「−」は負号である。これを極性という。（０００１）シリコン面１は結晶がシリコン（Ｓｉ）で終端された面である。（０００−１）カーボン面２は結晶がカーボン（Ｃ）で終端された面である。ｎ型のドーパントである窒素（Ｎ）は、主にカーボン（Ｃ）を置換する形でＳｉＣの結晶中に取り込まれる。シリコンで終端されている（０００１）シリコン面１は、カーボンで終端されている（０００−１）カーボン面２と比較して、表面に現れているカーボンの量が少ないため、窒素（Ｎ）への置換が抑制され高純度のエピタキシャル層が得られる。このため、ＳｉＣのエピタキシャル成長に関する研究報告はほとんどが（０００１）シリコン面１に関するものである。
　ＳｉＣのエピタキシャル成長では、成長速度やエピタキシャル層の純度を制御しやすいＣＶＤ法が用いられる。しかし、キャリアガスに水素を使っているため、成長中に成長表面からのカーボン（Ｃ）の離脱が起こり、成長速度が抑えられてしまう。そのため、通常の成長速度は５〜１０μｍ／ｈとなる。
　ＳｉＣで上記の従来のバイポーラ半導体素子を作製するときは、例えば（０００１）シリコン面１からのオフ角θが８度である面１ａをもつように形成したｎ型の４Ｈ−ＳｉＣを基板に用いる。４Ｈ型の「４」は原子積層が４層周期となる結晶構造を表し、「Ｈ」は六方晶を表す。この基板の上に化学気相堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、電圧印加時における電界を緩和するためのＳｉＣのドリフト層を、５〜１０μｍ／ｈの成長速度でエピタキシャル成長させて形成する。
【非特許文献１】松波弘之編著、「半導体ＳｉＣ技術と応用」、２１８−２２１頁、日刊工業新聞社刊
【非特許文献２】Ａ．Ｋ．Ａｇａｒｗａｌ　ｅｔ．ａｌ、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｆｏｒｕｍ　Ｖｏｌｕｍｅ　３８９−３９３、２０００年、１３４９−１３５２頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　このようにして得られた従来のバイポーラ半導体素子には、マテリアルズ　サイエンス　フォーラム　ボリューム３８９−３９３（２００２）第１２５９−１２６４頁［Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｆｏｒｕｍ　Ｖｏｌｓ．３８９−３９３（２０００）　ｐｐ．１２５９−１２６４］で報告されているように、新品のバイポーラ半導体素子に通電を開始してから通電時間（使用時間）が増えるに従い経時変化により順方向電圧が増大する現象がある。
　この現象を「順方向電圧劣化」と呼ぶ。新品のバイポーラ半導体素子に順方向に、電流密度１００Ａ／ｃｍ２で１時間通電したとき、通電開始直後と１時間通電後の電流密度１００Ａ／ｃｍ２での「順方向電圧差ΔＶｆ」で順方向電圧劣化の度合いを表す。
　順方向電圧劣化現象は、基板からドリフト層に伝搬したベーサルプレーン転位と呼ばれる線状の欠陥が原因で起こる。このベーサルプレーン転位を起点として積層欠陥と呼ばれる面状の欠陥がドリフト層中に発生し、ドリフト層が高抵抗層になり、その結果電流が流れにくくなる。
【０００５】
　従来のｐｉｎダイオードの場合、使用開始の初期には順方向電流密度１００Ａ／ｃｍ２での順方向電圧が３．５Ｖだったのが、電流密度１００Ａ／ｃｍ２で１時間通電した後では２０Ｖに増大し、順方向電圧差ΔＶｆは１６．５Ｖ程度になる。その結果素子内部での電力損失が著しく増大し、素子内部での発熱により素子が破壊されてしまう場合が生じる。ＳｉＣバイポーラ素子はＳｉ素子に比べて大変優れた初期特性を有しているにもかかわらず、この順方向電圧劣化のため信頼性が著しく低い。そのため、長時間運転可能で電力損失が少なくかつ信頼性の高いインバーター等の電力変換装置を実現することが困難であった。
　本発明は、順方向電圧劣化を表す順方向電圧差ΔＶｆが１．０Ｖ以下の信頼性の高い半導体装置を提供することを目的としている。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　以下、本発明の最良の実施の形態について詳細に説明する。結晶の格子方向及び格子面についての説明において、格子方位及び格子面を当技術分野ではよく知られている以下の記号で表示する。すなわち、個別面は（）、集合面は｛｝で表示し、その中にそれぞれの数字を入れて各面を表示する。また、負の指数については、結晶学上“−”（バー）を数字の上につけることになっているが、特許庁の使用しているソフトウェアでは数字の上にバーをつけることが不可能であるため、本明細書では、数字の前に負号を付けて表示することにする。
　順方向劣化現象を抑えるには、前記のように基板からドリフト層へのベーサルプレーン転位の伝搬を抑制する必要がある。
　ＳｉＣでドリフト層を形成する方法として、例えばマテリアルズ　サイエンス　アンド　エンジニアリングＲ２０（１９９７）第１２５−１６６頁［Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，　Ｒ２０（１９９７）１２５−１６６］で報告されているように、通常エピタキシャル成長法が用いられている。エピタキシャル成長法の成長モードには大きく分けて、ステップフロー成長と二次元核生成成長の二つのモードがある。
　ステップフロー成長は結晶の成長軸に垂直な｛０００１｝面に平行な方向の成長であり、｛０００１｝面に平行な結晶の情報を引き継ぎやすい。二次元核生成成長は｛０００１｝面に垂直な方向の成長であり、｛０００１｝面と垂直な向きの結晶の情報を引き継ぎやすいが、結晶の成長では欠陥の発生源ともなる。
　このため、通常のエピタキシャル成長では、良質なエピタキシャル膜を得るために、ある程度ステップフロー成長が進むように成長条件が設定される。
　ベーサルプレーン転位は｛０００１｝面に平行に存在する転位であり、転位はステップフロー成長と同じ向きで伝搬する。したがって、ベーサルプレーン転位の伝搬を抑えるためには、二次元核生成が起きない程度にステップフロー成長を抑制する必要がある。
　成長がステップフローとなるか二次元核生成となるかは、表面における過飽和度が大きく関係している。過飽和度がある値（臨界過飽和度）を超えると二次元核生成となり、その値以下なら、ステップフロー成長となる。従って、臨界過飽和度が大きいと二次元核生成が起こりにくい。
【００１４】
　臨界過飽和度を大きくするためには、原料ガスの供給量を増やすなどして成長速度を上げたり、結晶のオフ角を小さくして結晶面にあるステップ（階段）のテラス（平面部）の幅を広くする方法がとられる。
　図６に示すＳｉＣの結晶において、（０００−１）カーボン面２は（０００１）シリコン面１より表面エネルギーが１桁小さく、臨界過飽和度の値が１桁から２桁小さくなる。その結果、過飽和度が相対的にかなり小さくなる。
　（０００−１）カーボン面２では、単一のＳｉ−Ｃ層を１分子層とする、１分子層の高さのステップ（図示省略）が比較的多いが、（０００１）シリコン面１では、２あるいは４分子層の高さのステップが観測される。これは、（０００−１）カーボン面２のテラスの幅が、（０００１）シリコン面１のテラス幅の半分程度に狭くなることを示しており、このことから（０００−１）カーボン面２の臨界過飽和度は（０００１）シリコン面１の臨界過飽和度より小さくなる。
　しかし、（０００−１）カーボン面２の臨界過飽和度は、成長速度に大きく依存し、その依存度は、ステップのテラス幅に対する依存度よりも大きい。従って成長速度を速くする事により、相対的に（０００−１）カーボン面２の臨界過飽和度を大きくできる。これにより二次元核生成成長を抑制しかつベーサルプレーン転位の伝搬も抑制できるステップフロー成長を達成できる。
　本発明の実施の形態では、ＳｉＣバイポーラ半導体素子を構成するｎ型層及びｐ型層などの半導体層を、ＳｉＣ結晶の（０００−１）カーボン面２に対して所定のオフ角θを有する面２ａに形成する。オフ角θは２度から１０度の範囲で、半導体素子の種類に応じて最適な角度を決める。発明者等の実験によると、例えばｐｉｎダイオードではオフ角θを約８度にすると良い結果が得られた。またＩＧＢＴではオフ角θを３．５度にすると良い結果が得られた。また前記半導体層の成長速度を通常より速くする。成長速度は、薄膜の１時間ｈ当たりの増加量が１０μｍ／ｈ以上になるようにするのが望ましい。成膜条件によっては３μｍ／ｈ以上の成膜速度でも本発明の効果を得ることができる。成長速度を増加させるためには成膜処理中の材料ガスの供給量を大幅に増やす。
　以下、本発明の好適な実施例を図１から図６を参照して説明する。」
「《第２実施例》
【００２２】
　
図４は本発明のバイポーラ半導体素子の第２実施例である、ｎｐｎバイポーラトランジスタ５０の断面図である。本実施例でも、図６に示すように、面方位が（０００−１）カーボン面２から８度のオフ角θの面２ａ（以下、Ｃ面という）をもつｎ型の４Ｈ型ＳｉＣの基板を用いる。この基板上に時間ｈ当たりの膜厚の増加速度を１５μｍ／ｈとして、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ、ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣの順番で連続的にエピタキシャル成長させ、ｎｐｎバイポーラトランジスタ５０を作製した。
　また比較用のｎｐｎパイポーラトランジスタの基板として、図７に示す（０００１）シリコン面１から８度のオフ角θの面１ａ（以下、Ｓｉ面という）をもつｎ型の４Ｈ型ＳｉＣを用いた基板上に、各層を時間ｈ当たりの膜厚の増加速度を５μｍ／ｈとして同様に成膜した。ｐ層とｎ層の主たる接合面（図中水平方向に広がる面）は、｛０００１｝面となっている。
【００２３】
　
基板５１は、改良レーリー法によって成長したインゴットをオフ角θが８度となるようにスライスし、鏡面研磨することによって作製した。
このＣ面の上に、ＣＶＤ法によって窒素ドープｎ型ＳｉＣ層のバッファ層５２とドリフト層５３を成膜する。ドリフト層５３の上にアルミドープｐ型ＳｉＣのｐ型成長層５４、及び窒素ドープｎ型ＳｉＣ層のｎ型成長層５５を順番にエピタキシャル成長法で成膜した。バッファ層５２とドリフト層５３がｎ型コレクタ層になる。バッファ層５２はドナー密度７×１０
１７
ｃｍ
−３
、膜厚は１０μｍである。
「《第３実施例》
【００３３】
　
第３実施例は、本発明のバイポーラ半導体素子のＩＧＢＴ（インシュレーテッド・ゲート・バイポーラトランジスタ）に関するものである。図５は本実施例のＩＧＢＴ６０の断面図である。本実施例では、面方位が図６における（０００−１）カーボン面２から３．５度のオフ角θの面２ａを有するｎ型の６Ｈ型ＳｉＣを用いた基板６１（以下Ｃ面基板と呼ぶ）上に、膜厚の時間（ｈ）当たりの増加速度が１５μｍ／ｈで、ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ層、ｎ型６Ｈ−ＳｉＣ層、ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ層の順番で３つの層をエピタキシャル成長させ、以下に詳しく説明するようにＩＧＢＴ６０を作製した。
【００３４】
　
基板６１は、改良レーリー法によって成長したインゴットを（０００−１）カーボン面から３．５度傾いた面でスライスし、鏡面研磨することによって作製した。
この上に、ＣＶＤ法によって、アルミニウムドープｐ型ＳｉＣ層、窒素ドープｎ型ＳｉＣ層、アルミニウムドープｐ型ＳｉＣ層の三層を連続的にエピタキシャル成長した。ｐ型ＳｉＣ層は図５のバッファ層６２とドリフト層６３となる。バッファ層６２はアクセプタ密度１×１０
１７
ｃｍ
−３
、膜厚は３μｍである。ドリフト層６３はアクセプタ密度約５×１０
１５
ｃｍ
−３
、膜厚は１５μｍである。また、ドリフト層６３の上に形成されるｎ型成長層６４はドナー密度２×１０
１７
ｃｍ
−３
、膜厚は２μｍである。ｎ型成長層６４の上に形成されるｐ型成長層６５はアクセプタ密度約１×１０
１８
ｃｍ
−３
、膜厚は０．７５μｍである。
　
（３−２）引用刊行物の図５及び段落【００３７】の「・・・カソードとなる基板６１はｎ型で、厚さは４００μｍ、ホール効果測定法によって求めたキャリヤ密度は５×１０１８ｃｍ−３である。この上に、ＣＶＤ法によって、アルミニウムドープｐ型ＳｉＣ層、窒素ドープｎ型ＳｉＣ層、アルミニウムドープｐ型ＳｉＣ層の三層を連続的にエピタキシャル成長した。ｐ型ＳｉＣ層は図５のバッファ層６２とドリフト層６３となる。・・・」という記載から、「基板６１の上にエピタキシャル成長されたｐ型ＳｉＣ層からなるバッファ層６２と、前記バッファ層の上にエピタキシャル成長されたｐ型ＳｉＣ層からなるドリフト層６３」という構成が記載されているものと認められる。
　
（３−３）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「改良レーリー法によって成長したインゴットをスライスし、鏡面研磨することによって作製され、面方位が（０００−１）カーボン面２から３．５度のオフ角θの面２ａを有するｎ型の６Ｈ型ＳｉＣを用いた基板６１と、
　前記基板６１の上にエピタキシャル成長されたｐ型ＳｉＣ層からなり、膜厚が３μｍであるバッファ層６２と、
　前記バッファ層６２の上にエピタキシャル成長されたｐ型ＳｉＣ層からなるドリフト層６３と、
　前記ドリフト層６３の上にエピタキシャル成長されたｎ型成長層６４と、
　前記ｎ型成長層６４の上にエピタキシャル成長されたｐ型成長層６５とからなる、
　ＩＧＢＴ。」
　
４．対比
（４−１）刊行物発明の「ｐ型ＳｉＣ層からなるドリフト層６３」は、本願発明の「炭化ケイ素ドリフト層」に相当する。
　
（４−２）刊行物発明の「面方位が（０００−１）カーボン面２から３．５度のオフ角θの面２ａ」は、本願発明の「＜０００１＞方向に対して２°より大きく４°よりも小さい」「オフアクシス角を形成する」「表面」に相当する。また、刊行物発明において、「鏡面研磨することによって作製され」た「ｎ型の６Ｈ型ＳｉＣを用いた基板６１」が「平坦な表面」を有することは明らかである。
　そうすると、刊行物発明の「改良レーリー法によって成長したインゴットをスライスし、鏡面研磨することによって作製され、面方位が（０００−１）カーボン面２から３．５度のオフ角θの面２ａを有するｎ型の６Ｈ型ＳｉＣを用いた基板６１」は、本願発明の「＜０００１＞方向に対して２°より大きく４°よりも小さい前記オフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素基板」に相当する。
　
（４−３）刊行物発明の「ｐ型ＳｉＣ層からなるバッファ層６２」は、本願発明の「炭化ケイ素バッファー層」に相当する。そして、刊行物発明において、「ｐ型ＳｉＣ層からなるバッファ層６２」が、「ｎ型の６Ｈ型ＳｉＣを用いた基板６１」と「ｐ型ＳｉＣ層からなるドリフト層６３」との間にあることは明らかである。
　
（４−４）刊行物発明において、「ｐ型ＳｉＣ層からなるドリフト層６３」が、「ｎ型の６Ｈ型ＳｉＣを用いた基板６１」の表面上にエピタキシャル層を含んでいることは明らかである。
　
（４−５）刊行物発明の「ＩＧＢＴ」は、本願発明の「パワーデバイス」に相当する。
　
（４−６）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「炭化ケイ素ベースのパワーデバイスであって、
　炭化ケイ素ドリフト層と、
　＜０００１＞方向に対して２°より大きく４°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素基板と、
　前記炭化ケイ素基板と前記炭化ケイ素ドリフト層との間の炭化ケイ素バッファー層とを含み、
　前記炭化ケイ素ドリフト層は前記炭化ケイ素基板の平坦な表面上にエピタキシャル層を含む
　ことを特徴とするパワーデバイス。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、「炭化ケイ素ドリフト層」が、「＜０００１＞方向に対して２°よりも大きく４°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する」のに対し、刊行物発明では、「ｐ型ＳｉＣ層からなるドリフト層６３」について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）本願発明では、「炭化ケイ素バッファー層」が「１０μｍより大きい厚さを有する」のに対して、刊行物発明では、「バッファ層６２」の「膜厚が３μｍである」点。
　
５．判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（５−１）相違点１について
　引用刊行物の段落【００３４】に「基板６１は、・・・インゴットを（０００−１）カーボン面から３．５度傾いた面でスライスし、鏡面研磨することによって作製した。・・・この上に、
ＣＶＤ法によって、アルミニウムドープｐ型ＳｉＣ層、窒素ドープｎ型ＳｉＣ層、アルミニウムドープｐ型ＳｉＣ層の三層を連続的にエピタキシャル成長した。
　そうすると、刊行物発明の「ｐ型ＳｉＣ層からなるドリフト層６３」は、本願発明と同じく、「＜０００１＞方向に対して２°よりも大きく４°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する」ものと認められ、相違点１は実質的なものでない。
　
（５−２）相違点２について
　本願明細書の段落【００８９】には、「・・・ｎ型および／またはｐ型のドーパントをドープすることができるバッファー層は、層中でいくつかのまたはすべてのＢＰＤが終端する炭化ケイ素のエピタキシャル層である。バッファー層は約１０μｍから約２５μｍの厚さを有することができ、基板と反対側のバッファー層の表面でのＢＰＤ密度は約２／ｃｍ2と約１０／ｃｍ2との間とすることができる。実施形態によっては、表面でのＢＰＤ密度は約２／ｃｍ2未満とすることができ、実施形態によっては、表面でのＢＰＤ密度は約１／ｃｍ2未満とすることができる。」と記載されているものの、このようなバッファ層の厚さ、ＢＰＤ密度を有することにより、従来に比べて、デバイスの特性がどの程度向上するのかについて、具体的な数値に基づいた結果が記載されておらず、本願発明において、「炭化ケイ素バッファー層」が「１０μｍより大きい厚さを有する」ことに臨界的意義を有するものと認めることはできない。また、このような数値を採用することに格別の効果を認めることもできない。そうすると、刊行物発明において、「バッファ層６２」の膜厚をどの程度にするかということは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る設計的事項である。
　また、引用刊行物の第２実施例（特に、段落【００２２】、【００２３】）には、ｎｐｎバイポーラトランジスタ５０において、面方位が（０００−１）カーボン面２から８度のオフ角θの面２ａをもつｎ型の４Ｈ型ＳｉＣの基板の上に、ＣＶＤ法によって、ｎ型コレクタ層となる窒素ドープｎ型ＳｉＣ層のバッファ層５２とドリフト層５３を成膜すること、当該バッファ層５２の膜厚を１０μｍとすることが記載されており、当該ｎｐｎバイポーラトランジスタ５０と刊行物発明とは具体的なデバイスの構造・動作は異なるものの、炭化ケイ素を用いたバイポーラ素子において、基板とドリフト層の間に形成されるバッファ層の膜厚を１０μｍ程度とすることは、通常取り得る値であるといえる。
　そうすると、刊行物発明において、「バッファ層６２」の膜厚を１０μｍより大きくすることにより、本願発明のように、「前記炭化ケイ素基板と前記炭化ケイ素ドリフト層との間の、１０μｍより大きい厚さを有する炭化ケイ素バッファー層」という構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、実質的なものでないか、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。