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　平成　７年特許願第１５５９８２号「ＭＯＳ型電力装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　１月１９日出願公開、特開平　８−　１７８４８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本件出願の手続の経緯及び要旨
　本件出願は、１９９４年６月２３日にイタリア国に出願され、優先権を主張して、平成７年６月２２日に出願されたものであって、その発明の要旨は手続補正書の特許請求の範囲請求項１〜１６に記載されたとおりであって、その請求項１の発明は、特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「ＭＯＳ型電力装置を製造するに当たり、
　（ａ）第１導電型の不純物少量ドープ半導体材料（３）の表面に導電性の絶縁ゲート層（１０）を形成し、
　（ｂ）前記半導体材料層（３）の表面の選択された部分から前記絶縁ゲート層（１０）を選択的に除去し、
　（ｃ）この絶縁ゲート層（１０）をマスクとして用いて前記半導体材料層（３）の前記選択された部分に第２導電型の第１ドーパントを多量に選択的にイオン注入し、
　（ｄ）イオン注入された第１ドーパントの熱拡散を行って本体領域（２）を形成し、
　（ｅ）前記本体領域（２）内に前記第１導電型の第２ドーパントを多量に選択的にイオン注入して前記絶縁ゲート層（１０）の両端にほぼ整列されたソース領域（７）を形成するようにしたＭＯＳ型電力装置の製造方法において、
　（ｆ）前記第１ドーパントは、そのピークドーパント濃度部分が前記半導体材料層（３）の表面から所定距離の箇所に位置するような所定の高エネルギーでイオン注入し、
　（ｇ）且つ、前記熱拡散を所定の熱供給で行って、各本体領域（２）が前記絶縁ゲート層（１０）の両端にほぼ整列された第１の多量ドープ部分（５）と、前記絶縁ゲート層の下側に前記第１ドーパントの横方向拡散により同時に形成されチャネル領域を形成する第２の少量ドープ部分（６）とを具え、
　（ｈ）前記ソース領域は前記本体領域（２）の多量ドープ部分（５）に対してほぼ内側に位置するようにしたことを特徴とするＭＯＳ型電力装置の製造方法。」（以下、本願発明という。なお、（ｆ）〜（ｈ）は、便宜的に入れた。）
　
２．引用例記載の発明
　前審の拒絶の理由に引用された特開平３−３４４６８号公報（以下、引用例１という）には、
「以下、本発明の実施例を第４図によって説明する。
第４図の（ａ）ないし（ｄ）は本発明の製造方法をＮチヤンネル縦型パワーＭＯＳに適用した場合の主要段階の状態で示した断面図である。以下に各工程を示す。
（ａ）導電型半導体基板であるＮ＋型Ｓｉ基板１ａ上にエピタキシヤル成長により前記Ｎ＋型Ｓｉ基板１ａと同一同電型であり、かつ低不純物濃度であるＮ−型Ｓｉ層２ａを堆積して１ａ及び２ａから成るドレイン領域を形成する。次にＮ−型Ｓｉ層２ａの表面に熱酸化をしてゲート酸化Ｓｉ膜８ａを例えば５６０Å程度形成する。その後、多結晶Ｓｉ膜を例えば３５００Å程度ＣＶＤ法により堆積する。この後、ホトレジスト加工技術により、制御電極であるゲート電極９ａを形成する位置にレジスト膜のパターン３を形成し、前記レジスト膜パターン３をマスクにして、プラズマエッチング法により、前記多結晶Ｓｉ膜を選択的に除去してゲート電極９ａを形成する。
（ｂ）前記ゲート電極９ａとレジスト膜３をマスクにして選択的にＮ−型Ｓｉ層２ａの表面から、ドレイン領域の不純物とは反対導電型の不純物である例えばボロン（Ｂ）イオンを加速電圧が２００ＫｅＶでドーズ量が２×１０１８ｃｍ−２程度イオン打込みする。イオン打込み直後のボロン（Ｂ）の最高不純物濃度の位置である投影飛程の位置は表面から約０．５μｍの深さになる。次に例えば１１００℃で１００分程度熱拡散して、前記イオン打込みしたボロン（Ｂ）が前記ゲート電極９ａの下まで十分拡がるようにしてＰ型チヤネル領域６ａを形成する。ここで、Ｐ型チヤネル領域６ａに於いてゲート酸化Ｓｉ膜８ａ挟んでゲート電極と対向する領域は、イオン打込み直後の状態のボロンを拡散源として横方向拡散によって形成されるので、ゲート酸化Ｓｉ膜８ａを挟んでゲート電極９ａと対向する領域でも最高不純物濃度の位置は、Ｐ型チヤネル領域６ａ表面より広く、表面の不純物濃度は最高不純物濃度より低くなる。
（ｃ）ホトレジスト加工技術により、前記Ｐ型チヤネル領域６の表面の一部にレジスト膜のパターンを形成し、前記レジスト膜と前記ゲート電極９ａをマスクにして例えばリン（Ｐ）イオンを加速電圧が４０ＫｅＶでドーズ量が５×１０１５ｃｍ−２程度、Ｎ−型Ｓｉ層２ａの表面からイオン打込みし、Ｎ＋型ソース領域５ａを形成する。続いて再びホトレジスト加工技術により、前記Ｎ＋型ソース領域５ａの表面にレジスト膜のパターンを形成し、レジスト膜と前記ゲート電極９ａをマスクにして例えばボロン（Ｂ）イオンを加速電圧が２０ＫｅＶでドーズ量が２×１０１５ｃｍ−２程度イオン打込みし、Ｐ型チヤネル領域６ａの電位引き出し用の Ｐ＋型Ｓｉ層４ａを形成する。
（ｄ）前記Ｐ＋型Ｓｉ層４ａ、Ｎ＋型ソース領域５ａ及びゲート電極９ａの表面に、ＣＶＤ法により絶縁膜である例えば酸化Ｓｉ膜７ａを８０００Å程度堆積して形成する。その後、ホトレジスト加工技術で形成したレジスト膜をマスクにして、プラズマエッチング法により、前記Ｎ＋型ソース領域５ａと前記Ｐ＋型Ｓｉ膜４ａの表面の一部の酸化Ｓｉ膜７ａ及び８ａと、ゲート電極の表面の一部の酸化Ｓｉ膜７ａをそれぞれ選択的に除去して表面を露出させる。次に例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜を蒸着させ、ホトレジスト加工技術で形成したレジスト膜をマスクにして、例えば反応性イオンエッチング法でＡｌ−Ｓｉ膜の一部を除去し．ソース電極１０ａとゲート電極９ａの引き出し電極を分離する。さらに、Ｎ＋型Ｓｉ基板１ａの表面に、例えばＡｕ膜等を蒸着させて、ドレイン電極１１ａを形成し、Ｎチヤンネル縦型パワーＭＯＳＦＥＴを得る。」（第３頁左下欄第１７行〜第４頁左下欄第１０行）と記載されている。
　即ち、引用例１には、
縦型パワーＭＯＳを製造するに当たり、
（Ａ）低不純物濃度であるＮ−型Ｓｉ層２ａの表面に熱酸化をしてゲート酸化Ｓｉ膜８ａを形成し、多結晶Ｓｉ膜をＣＶＤ法により堆積し、
（Ｂ）この後、ホトレジスト加工技術により、制御電極であるゲート電極９ａを形成し、
（Ｃ）ゲート電極９ａとレジスト膜３をマスクにして、選択的にＮ−型Ｓｉ層２ａの表面から、ドレイン領域の不純物とは反対導電型の不純物である例えばボロン（Ｂ）イオンを加速電圧が２００ＫｅＶでドーズ量が２×１０１８ｃｍ−２程度イオン打込みし、
（Ｄ）１１００℃で１００分程度熱拡散して、前記イオン打込みしたボロン（Ｂ）が前記ゲート電極９ａの下まで十分拡がるようにしてＰ型チヤネル領域６ａを形成し、
（Ｅ）ホトレジスト加工技術により、前記Ｐ型チヤネル領域６の表面の一部にレジスト膜のパターンを形成し、前記レジスト膜と前記ゲート電極９ａをマスクにして例えばリンイオンを加速電圧が４０ＫｅＶでドーズ量が５×１０１５ｃｍ−２程度、Ｎ−型Ｓｉ層２ａの表面からイオン打込みし、Ｎ＋型ソース領域５ａを形成し、
（Ｆ）イオン打込み直後のボロン（Ｂ）の最高不純物濃度の位置である投影飛程の位置は表面から約０．５μｍの深さにし、
（Ｇ）Ｐ型チヤネル領域６ａに於いてゲート酸化Ｓｉ膜８ａ挟んでゲート電極と対向する領域は、イオン打込み直後の状態のボロンを拡散源として横方向拡散によって形成されるので、ゲート酸化Ｓｉ膜８ａを挟んでゲート電極９ａと対向する領域でも最高不純物濃度の位置は、Ｐ型チヤネル領域６ａ表面より広く、表面の不純物濃度は最高不純物濃度より低くなるようにすることが示されている。
　
３．　本願発明と引用例記載の発明との対比
３．１　本願発明と引用例１との対比
  本願発明の「第１導電型の不純物少量ドープ半導体材料（３）」、「導電性の絶縁ゲート層（１０）」、「本体領域（２）」、「第２の少量ドープ部分（６）」は、引用例１の「低不純物濃度であるＮ−型Ｓｉ層２ａ」、「多結晶Ｓｉ膜及びゲート電極９ａ」、「Ｐ型チヤネル領域６ａ」、「横方向拡散によって形成された領域」に夫々相当するから、両者は次の点で一致する。
（一致点）
　ＭＯＳ型電力装置を製造するに当たり、
　（ａ）第１導電型の不純物少量ドープ半導体材料（３）の表面に導電性の絶縁ゲート層（１０）を形成し、
　（ｂ）前記半導体材料層（３）の表面の選択された部分から前記絶縁ゲート層（１０）を選択的に除去し、
　（ｃ）この絶縁ゲート層（１０）をマスクとして用いて前記半導体材料層（３）の前記選択された部分に第２導電型の第１ドーパントを多量に選択的にイオン注入し、
　（ｄ）イオン注入された第１ドーパントの熱拡散を行って本体領域（２）を形成し、
　（ｅ）前記本体領域（２）内に前記第１導電型の第２ドーパントを多量に選択的にイオン注入して前記絶縁ゲート層（１０）の両端にほぼ整列されたソース領域（７）を形成するようにしたＭＯＳ型電力装置の製造方法において、
　（ｆ）前記第１ドーパントは、そのピークドーパント濃度部分が前記半導体材料層（３）の表面から所定距離の箇所に位置するような所定の高エネルギーでイオン注入し、
　（ｇ）且つ、前記熱拡散を所定の熱供給で行って、各本体領域（２）が前記絶縁ゲート層（１０）の両端にほぼ整列された第１の多量ドープ部分（５）と、前記絶縁ゲート層の下側に前記第１ドーパントの横方向拡散により同時に形成されチャネル領域を形成する第２の少量ドープ部分（６）とを具えようにしたことを特徴とするＭＯＳ型電力装置の製造方法。
（相違点）
　そして、本願発明と引用例１記載の発明とは次の点で一応相違している。
　本願発明では、（ｈ）前記ソース領域は前記本体領域（２）の多量ドープ部分（５）に対してほぼ内側に位置するようにしたのに対して、引用例１では明記されていない点。
（相違点の判断）
　本願の出願当初の明細書において、発明の詳細な説明【００２６】、【００２７】には、「【００２６】　次いで、多ドーズ量のＮ型ドーパントを例えばイオン注入により多量ドープ領域５内に選択的に導入する。この際絶縁ゲート層により部分的にイオン注入マスクを施すが、領域５の中央部にフォトレジストの島２２を設け、金属層と接触する領域５の中央部にイオンが注入されるのを防止する（図６）。【００２７】　ドーパント拡散後、絶縁ゲート層と自己整合され、且つ多量ドープ量５に対しほぼ内方に位置する環状ソース領域７を形成する。次いで、多結晶珪素層１０によって被覆されない肉薄ゲート酸化物層９の部分を除去する。絶縁ゲート層上には絶縁層１１を形成し、且つこの絶縁層を選択的に除去して単位セル１上に接点窓１２をあける。」と記載されている。
　引用例１においては、「ホトレジスト加工技術により、前記Ｐ型チヤネル領域６の表面の一部にレジスト膜のパターンを形成し、前記レジスト膜と前記ゲート電極９ａをマスクにして例えばリン（Ｐ）イオンを加速電圧が４０ＫｅＶでドーズ量が５×１０１５ｃｍ−２程度、Ｎ−型Ｓｉ層２ａの表面からイオン打込みし、Ｎ＋型ソース領域５ａを形成する。」としており、ゲート電極９ａをマスクとして、自己整合でイオン注入して、ソース領域を形成している点では本願発明も引用例１のものも同じである。
　してみると、引用例１においても、Ｎ＋型ソース領域５ａは前記Ｐ型チヤネル領域６の多量ドープ部分に対して略内側に位置することは明らかである。
　従って、この相違点は、実質的には同一である。
　
４．まとめ
　相違点はないので、本願発明は引用例１記載の発明と同一である。したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、特許請求の範囲２ないし１６に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、上記結論とおり審決する。