【手続補正書】
【提出日】平成26年11月7日(2014.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面を有する第１の半導体材料と、
前記第１の半導体材料の前記第１の表面から離れて面する第２の表面を有する第２の半導体材料と、
前記第１の半導体材料と前記第２の半導体材料との間の活性領域であって、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体部材が、合わさって、前記第１の表面と前記第２の表面との間の距離に等しい積層の厚さを有する活性領域と、
前記第１の半導体材料の前記第１の表面と接触する第１の電極と、
前記第２の半導体材料の前記第２の表面と接触する第２の電極であって、少なくとも前記積層の厚さだけ前記第１の電極から離間配置される第２の電極と、
を備え、
前記第２の電極が、
前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料によって覆われる第１の部分と、
前記第１の部分から延在する第２の部分であって、互いに離間配置された複数の個々の区間を含む、前記第２の電極の第２の部分と、を含み、
前記第２の部分の前記個々の区間が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を越えて横方向に延在し、
前記第２の電極の一部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って露出する、発光ダイ。
【請求項２】
第１の半導体材料と、
前記第１の半導体材料から離間配置される第２の半導体材料と、
前記第１の半導体材料と前記第２の半導体材料との間の活性領域と、
前記第２の半導体材料および前記活性領域を完全に通り、前記第１の半導体材料の一部分のみに延在する開口と、
前記開口の側壁を内張りする第１のパッシベーション部分と、前記開口の外部に前記第１の不動態化部分に対して横方向に延在する第２のパッシベーション部分と、を有する、パッシベーション材料と、
前記開口中にあり、前記第１のパッシベーション部分に隣接する第１の電極と、
前記第２の半導体材料と前記パッシベーション材料の前記第２のパッシベーション部分との間の、前記開口の外部の第２の電極であって、一部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って露出する、第２の電極と、を備える、発光装置。
【請求項３】
前記発光装置が、前記第２の半導体材料に近接する導電性基板を更に含み、
前記第１の電極が、前記導電性基板と直接接触する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光装置が、前記第２の半導体材料に近接する導電性基板を更に含み、
前記第１の電極が、前記導電性基板と直接接触し、
前記第２のパッシベーション部分が、前記導電性基板から前記第２の電極を電気的に絶縁する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光装置が、前記第２の半導体材料に近接する導電性基板を更に含み、
前記第１の電極が、前記第１の半導体材料に近接する第１の端部と、前記第２の半導体材料に近接する第２の端部と、を有し、
前記第２のパッシベーション部分が、第１の表面と、前記第１の表面と反対側の第２の表面と、を有し、前記第１の表面が、前記第２の電極と接触し、
前記第２のパッシベーション部分の前記第２の表面が、前記第１の電極の前記第２の端部と概ね共面にある、請求項２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光装置が、前記第２の半導体材料に近接する導電性基板を更に含み、
前記第１の電極が、前記第１の半導体材料に近接する第１の端部と、前記第２の半導体材料に近接する第２の端部と、を有し、
前記不動態化材料の前記第２のパッシベーション部分が、第１の表面と、前記第１の表面と反対側の第２の表面と、を有し、前記第１の表面が、前記第２の電極と接触し、
前記第２のパッシベーション部分の前記第２の表面が、前記第１の電極の前記第２の端部と概ね共面にあり、
前記第２のパッシベーション部分の前記第２の表面および前記第１の電極の前記第２の端部の両方が、前記導電性基板と接触する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１の電極が、前記開口中の第１の導電性部分と、前記開口の外部の第２の導電性部分と、を有し、
前記第２の導電性部分が、前記第２の電極を越えて横方向に延在する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１の電極が、前記開口中の第１の導電性部分と、前記開口の外部の第２の導電性部分と、を有し、
前記パッシベーション材料の前記第１のパッシベーション部分が、前記活性領域および前記第２の半導体材料から前記第１の導電性部分を電気的に絶縁し、
前記第２の導電性部分が、前記第２の電極を越えて横方向に延在する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１の電極が、前記開口中の第１の導電性部分と、前記開口の外部の第２の導電性部分と、を有し、
前記パッシベーション材料の前記第１のパッシベーション部分が、前記活性領域および前記第２の半導体材料から前記第１の導電性部分を電気的に絶縁し、
前記第２の導電性部分が、前記第２のパッシベーション部分と接触し、
前記第２の導電性部分が、前記第２のパッシベーション部分および前記第２の電極を越えて横方向に延在する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記発光装置が、基板と、前記基板上の絶縁材料と、を更に含み、
前記第１の電極が、前記開口中の第１の導電性部分と、前記開口の外部の第２の導電性部分と、を有し、
前記パッシベーション材料の前記第１のパッシベーション部分が、前記活性領域および前記第２の半導体材料から前記第１の導電性部分を電気的に絶縁し、
前記第２の導電性部分が、前記絶縁材料と前記第２のパッシベーション部分との間にあり、
前記第２の導電性部分が、前記第２のパッシベーション部分および前記第２の電極を越えて横方向に延在する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項１１】
発光ダイオード（「ＬＥＤ」）のダイであって、
第１の半導体材料と、
前記第１の半導体材料から離間配置される第２の半導体材料と、
前記第１の半導体材料と前記第２の半導体材料との間の活性領域と、
前記第２の半導体材料、前記活性領域、および前記第１の半導体材料の一部分を通って延在する第１の電極であって、前記第１の半導体材料に電気的に結合され、前記第２の半導体材料および前記活性領域から電気的に絶縁される、第１の電極と、
前記第２の半導体材料と接触し、前記第１の電極の少なくとも一部分を囲繞する第２の電極であって、前記第１の電極から電気的に絶縁され、その一部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って露出する、第２の電極と、
を備える、発光ダイオード（「ＬＥＤ」）のダイ。
【請求項１２】
前記第２の電極が、第１の部分と、前記第１の部分から延在する第２の部分と、を含み、
前記第２の電極の前記第１の部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料によって覆われ、
前記第２の電極の前記第２の部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って露出する、請求項１１に記載のＬＥＤダイ。
【請求項１３】
前記第２の電極が、第１の部分と、前記第１の部分から延在する第２の部分と、を含み、
前記第２の電極の前記第１の部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料によって覆われ、
前記ＬＥＤダイが、前記第２の電極の前記第１の部分を通って延在する開口を有し、
前記第２の電極の前記第２の部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って露出し、
前記第１の電極が、前記開口中の第１の導電性部分と、前記開口の外部の第２の導電性部分と、を有し、
前記第２の導電性部分が、前記第２の電極の前記第２の部分を越えて横方向に延在する、請求項１１に記載のＬＥＤダイ。
【請求項１４】
前記第２の電極が、第１の部分と、前記第１の部分から延在する第２の部分と、を含み、
前記第２の電極の前記第１の部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料によって覆われ、
前記ＬＥＤダイが、前記第２の電極の前記第１の部分を通って延在する開口を有し、
前記第２の電極の前記第２の部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って露出し、
前記第１の電極が、前記開口中の第１の導電性部分と、前記開口の外部の第２の導電性部分と、を有し、
前記第２の導電性部分が、前記第２の電極の前記第２の部分を越えて横方向に延在し、
前記第２の導電性部分および前記第２の電極の前記第２の部分が、前記ＬＥＤダイの同じ側から接近可能である、請求項１１に記載のＬＥＤダイ。
【請求項１５】
前記第２の電極が、第１の部分と、前記第１の部分から延在する第２の部分と、を含み、
前記第２の電極の前記第１の部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料によって覆われ、
前記ＬＥＤダイが、前記第２の電極の前記第１の部分を通って延在する開口を有し、
前記第２の電極の前記第２の部分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って露出し、
前記第１の電極が、前記開口中の前記第１の導電性部分と、前記開口の外部の第２の導電性部分と、を有し、
前記第２の導電性部分が、前記第２の電極の前記第２の部分を越えて横方向に延在し、
前記ＬＥＤダイが、前記導電性材料の前記第２の導電性部分と前記第２の電極との間に、パッシベーション材料を更に含む、
請求項１１に記載のＬＥＤダイ。
【請求項１６】
固体照明（「ＳＳＬ」）ダイであって、
第１の半導体材料と、
前記第１の半導体材料から離間配置される第２の半導体材料と、
前記第１の半導体材料と前記第２の半導体材料との間の活性領域と、
前記活性領域を通って、前記第２の半導体材料から前記第１の半導体材料へ延在する開口と、
前記開口中の第１の部分と、前記開口の外部の第２の部分と、を有する、第１の電極と、
前記第２の半導体材料によって覆われる第１の区分と、前記第１の区分から横方向に延在する第２の部分と、を有する、第２の電極と、
を備え、
前記第１の電極の前記第２の部分および前記第２の電極の前記第２の区分が、両方とも、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って少なくとも部分的に露出する、ＳＳＬダイ。
【請求項１７】
前記第１の電極の前記第２の部分が、前記第２の電極の前記第２の区分を越えて横方向に延在する、請求項１６に記載のＳＳＬダイ。
【請求項１８】
前記第２の電極の前記第２の区分が、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を越えて横方向に延在し、
前記第１の電極の前記第２の部分が、前記第２の電極の前記第２の区分を越えて横方向に延在する、請求項１６に記載のＳＳＬダイ。
【請求項１９】
前記ＳＳＬダイが、前記開口中の第１の不動態化部分と、前記開口の外部の第２の不動態化部分と、を有する、不動態化材料を更に含み、
前記第１の不動態化部分が、前記開口の側壁に概ね適合し、
前記第２の不動態化部分が、前記第１の電極の前記第２の部分と前記第２の電極の前記第２の区分との間にある、請求項１６に記載のＳＳＬダイ。
【請求項２０】
前記ＳＳＬダイが、前記開口中の第１の不動態化部分と、前記開口の外部の第２の不動態化部分と、を有する、不動態化材料を更に含み、
前記第２の不動態化部分が、前記第１の電極の前記第２の部分と前記第２の電極の前記第２の区分との間にあり、
前記第１の電極の前記第２の部分が、前記第２の電極の前記第２の区分および前記第２の不動態化部分の両方を越えて、横方向に延在する、請求項１６に記載のＳＳＬダイ。
【請求項２１】
前記第１の電極の前記第２の部分に近接する基板と、
前記基板と前記第１の電極の前記第２の部分との間の絶縁体材料と、
を更に備える、請求項１６に記載のＳＳＬダイ。
【請求項２２】
第１の半導体材料と、前記第１の半導体材料から離間配置される第２の半導体材料と、前記第１の半導体材料と前記第２の半導体材料との間の活性領域と、を有する発光装置を形成する方法であって、
前記第２の半導体材料および前記活性領域を完全に通り、前記第１の半導体材料の一部分のみに延在する開口を形成することと、
前記開口の側壁を内張りする第１のパッシベーション部分と、前記開口の外部に前記第１のパッシベーション部分に対して横方向に延在する第２の不動態化部分と、を有するパッシベーション材料を前記発光装置上に堆積させることと、
前記開口中にあり、前記第１のパッシベーション部分に隣接する第１の電極を形成することと、
前記第２の半導体材料上の前記開口の外部に第２の電極を形成することと、
前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料を通って、前記第２の電極の一部分を露出させることと、
を含む、方法。
【請求項２３】
前記第２の半導体材料上で前記第２のパッシベーション部分に導電性基板を取り付けることと、
前記導電性基板を前記第１の電極と接触させることと、
を更に含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の電極の一部分を露出させることが、前記第１の半導体材料、前記活性領域、および前記第２の半導体材料の一部分を取り除くことを含む、請求項２２に記載の方法。