【事件の表示】
　特許第３３１９１６４号「透明ガスバリア材」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３１９１６４号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　特許第３３１９１６４号(以下、「本件」という。)の請求項１ないし６に係る発明についての出願(以下、「本件出願」という。)は、平成６年８月１日に特願平６−１７９９４９号として特許出願され、平成１４年６月２１日にその発明について特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人 株式会社 ディスク により特許異議の申立て(以下、「本件異議申立て」という。)がなされ、取消しの理由が通知され、これに対し、平成１５年７月３１日に特許異議意見書の提出がなされたものである。
　
２．本件の請求項１ないし６に係る発明
　
　本件の請求項１ないし６に係る発明(以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明６」という。)は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された次のとおりのものである。
　
請求項１：「透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリア材において、透明ガスバリア層が酸化珪素単独からなる第一層と炭素を５〜４０ａｔ％含む酸化珪素からなる第二層を、それぞれ真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ法またはプラズマ活性化反応蒸着法により順次形成した積層構成であることを特徴とする透明ガスバリア材。」
　
請求項２：「透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリア材において、透明ガスバリア層が酸化珪素単独からなる第一層と炭素を５〜４０ａｔ％含む酸化珪素からなる第二層、更にその上に酸化珪素単独からなる第三層を、それぞれ真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ法またはプラズマ活性化反応蒸着法により順次形成した積層構成であることを特徴とする透明ガスバリア材。」
　
請求項３：「前記第一層が、有機珪素化合物ガスまたはシラン(ＳｉＨ4 )ガスおよび酸素ガスを主原料ガスとして、プラズマ活性化化学反応蒸着(以下、ＰＥＣＶＤと略す)によって形成された二酸化珪素(ＳｉＯ2 )層であることを特徴とする請求項１記載の透明ガスバリア材。」
　
請求項４：「前記第一層および第三層が、有機珪素化合物ガスまたはシラン(ＳｉＨ4 )ガスおよび酸素ガスを主原料ガスとして、プラズマ活性化化学反応蒸着(以下、ＰＥＣＶＤと略す)によって形成された二酸化珪素(ＳｉＯ2 )層であることを特徴とする請求項２に記載の透明ガスバリア材。」
　
請求項５：「前記第二層が、有機珪素化合物ガスおよび酸素ガスを主原料ガスとして、プラズマ活性化化学反応蒸着(以下、ＰＥＣＶＤと略す)によって形成された炭素を含む酸化珪素層であることを特徴とする請求項１から４の何れか記載の透明ガスバリア材。」
　
請求項６：「前記有機珪素化合物が、テトラメチレンジシロキサン(ＴＭＤＳＯ)、ヘキサメチレンジシロキサン(ＨＭＤＳＯ)のうちの一つ、または両者の混合物からなることを特徴とする請求項３から４の何れかに記載の透明ガスバリア材。」
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　
　本件異議申立ての特許異議申立人である株式会社 ディスクは、本件発明１ないし６について、本件出願の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である、次の刊行物１(甲第１号証)ないし刊行物５(甲第５号証)を提示し、それら発明に係る特許は以下の理由により取り消されるべきものである旨主張している。
刊行物１： 特開平４−２５１７３６号公報(甲第１号証)
刊行物２： 特開平６−５５６８３号公報(甲第２号証)
刊行物３： 特開平５−３４５８３１号公報(甲第３号証)
刊行物４： 特開平５−９６６８８号公報(甲第４号証)
刊行物５： 「Journal of Vacuum Science  Technology A」 Second 
Series Vol. 10, No. 4, Part II, pp. 1675−1681 (July/August 1992) 
(甲第５号証；訳文添付)
　
(１) 本件発明１について
　
　本件発明１は、次のとおり、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明し得たものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　甲第１号証には、フィルムがガス透過度を減少させることが記載(請求項１)され、また、フィルムが透明であることが記載(請求項２)され、また、蒸着源を ＳｉＯ2とした抵抗加熱または電子線蒸着加熱であることが記載【００１０】【００１２】されると共に、「そのフィルムのオルガノシリコン成分は、無機の蒸発源が無機の蒸発種を発生している間にオルガノシリコンガス流を被覆室に流入させることにより得られる。」【０００８】と記載され、また、
「本発明の別の特徴に於いて、表面をガスバリヤーフィルムで被覆する方法は、支持体 ・・・ を用意し、その支持体表面を無機蒸発源を蒸発させることから誘導される無機蒸発種と接触させて支持体表面上に実質的に連続のフィルムを形成し、次いで表面を室から電気的に絶縁状態に保ちながらオルガノシリコンを形成フィルム上に組み込むことを含む。組み込まれたオルガノシリコンは実質的に不連続であり、フィルム中でモノマー状態である。」
【０００９】
と記載されており、支持体上にＳｉＯ2を蒸着させた後、ＳｉＯ2蒸発中にオルガノシリコン流を導入してＳｉＯ2中にオルガノシリコンを組み込むことが記載されているので、甲第１号証には、透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリア材において、透明ガスバリア層が、ＳｉＯ2からなる実質的に連続の第一層、すなわちＳｉＯ2単独蒸着層を設け、その後、オルガノシリコンが組み込まれた第二層を、それぞれ真空蒸着法からなるＰＶＤ法、すなわち、物理蒸着法(Physical Vapor Deposition法)により形成することが記載され、また、そのガスバリヤーフィルムは透明で、かつ基材との接着性に優れることが記載されている。
  すなわち、本件発明１と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証には、成長フィルムに組み込まれるオルガノシリコンの量に関しては、
「組み込まれたオルガノシリコンの量はオルガノシリコンガス流の流量に直接依存するが、無機源の蒸発速度に逆に依存する。広範には、組み込まれるオルガノシリコンの量は、上記のパラメーターを使用することにより直接測定して、約0.003cm3/オングストローム〜約0.01cm3/オングストロームである。」【００２２】
と記載されるように、甲第１号証における第二層には、オルガノ基由来の炭素原子を含有するものの、本件発明１のごとく、第二層をその炭素含有量では規定しない。
  しかしながら、甲第２号証には、ガスバリヤー性フィルムに関し、酸化珪素と弗化炭素樹脂を主体とするターゲットを用いたスパッタ法により、炭素および弗素を合計して5〜40原子％含有した酸化珪素の層が形成されることが記載(請求項１、請求項４)され、また、Ｆ/Ｃは0.5〜1.5との記載からすると、炭素の含有量は5/2.5＝2、40/1.5＝26、すなわち、2〜26原子％と試算されるものが記載されている。
  そして、甲第２号証には、
「本発明において、酸化珪素中に含有される炭素と弗素の量、すなわち、その組成は、透明フィルムの可撓性を左右する重要な因子である。炭化珪素中に含まれる炭素と弗素の合計の量は、多い程フィルムの可撓性は上昇するが、余り多すぎると膜の密着性が劣化する。」【００１０】
と記載され、また、ガスバリヤ性に優れることが記載されるように、炭素含有量を2〜26原子％のＳｉＯ2膜とすることにより、可撓性、密着性、ガスバリヤ性に優れる皮膜とできることは本件出願前公知の事項にすぎず、甲第１号証における第二層における炭素含有量を甲第２号証記載の炭素含有量により規定した程度であり、当業者が容易に発明し得る程度である。(特許異議申立書 第１２頁第１０行〜第１３頁最終行を参照。)
　
(２) 本件発明２について
　
　本件発明１をさらに限定した発明である本件発明２も、次のとおり、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明し得たものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明２についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　甲第３号証ないし甲第５号証の記載に示されているように、プラスチック基材上にＳｉＯｘの層を設けること、及び、ＳｉＯ2コーティング膜を３層構成とすることは本件出願前公知であるので、甲第１号証における炭素を含有した酸化珪素上に、ＳｉＯx層の単独層を設けて接着性に優れるものとすることは、当業者が容易に発明し得る程度である。
　したがって、本件発明２は、甲第１号証ないし甲第５号証の記載から当業者が容易に発明し得た程度である。(特許異議申立書 第１４頁第３行〜同第２１行を参照。)
　
(３) 本件発明３ないし６について
　
　本件発明１をさらに限定した発明である本件発明３ないし６も、同様に、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明し得たものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明３ないし６についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　
４．刊行物１及び２に記載された発明
　
(１) 刊行物１に記載された発明
　
　刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
「【請求項１】一つの面と反対にある他の面とをそれらの間の確定できるガス透過度で規定する製品であって、一つの面と他の面との間のガス透過度を減少するのに有効なフィルムを含み、そのフィルムが無機成分とオルガノシリコン成分を有し、前記無機成分が実質的に連続であり且つ製品の少なくとも前記一つの面または他の面に接着して支持され、前記無機成分がその中に細隙を有し、前記オルガノシリコン成分が不連続であり且つ前記細隙中に配置されていることを特徴とする前記製品。
【請求項２】フィルムが実質的に透明である請求項１に記載の製品。
【請求項３】オルガノシリコン成分がガス状のオルガノシリコンモノマー分子から得られ、且つ実質的にモノマー分子形態で保持される請求項１に記載の製品。
【請求項４】支持体の少なくとも一部に被覆された実質的に透明なフィルムを含み、そのフィルムが実質的に連続な無機マトリックスを有し、その中にオルガノシリコン部分が不連続に分散されていることを特徴とする包装に有用な支持体。
【請求項５】無機成分が金属もしくはメタロイドまたはそれらの合金を含む請求項４に記載の支持体。
【請求項６】オルガノシリコン部分が実質的にモノマーのオルガノシリコン分子であり、且つフィルムのガス透過度を減少するのに有効な量である請求項４または５に記載の支持体。
【請求項７】排気室中に表面を規定する支持体を用意し(その表面は酸素または二酸化炭素に対する確定できる初期のガス透過度を有する)；
　その表面を無機蒸発源を蒸発させることから得られる無機蒸発種と接触させ(その表面と無機源は室中で互いに隔置された第一の距離にあり、無機蒸発種が接触中に表面上で実質的に連続の無機フィルムを形成する)；次いで
　前記表面を室から電気的に絶縁状態に保ちながらオルガノシリコンを形成フィルム中に組み込む(組み込まれたオルガノシリコンはフィルム中で実質的に不連続であり、組み込まれるオルガノシリコンは表面と無機源の間で室中に流入されたオルガノシリコンガス流から誘導される)ことを特徴とするガスバリヤーフィルムで表面を被覆する方法。
【請求項８】組み込まれるオルガノシリコンが表面のガス透過度を減少するのに有効な量である請求項７に記載の方法。
【請求項９】組み込まれるオルガノシリコンの量がオルガノシリコンガス流の流量に直接依存し、且つ無機源の蒸発速度に逆に依存する請求項７に記載の方法。
【請求項１０】組み込まれるオルガノシリコンの量が約0.003cm3/ オングストローム〜約0.01cm3/オングストロームである請求項９に記載の方法。
【請求項１１】オルガノシリコンガスが無機源よりも表面に近い位置で室中に流入される請求項７に記載の方法。
【請求項１２】オルガノシリコンガスがモノマーのオルガノ官能性シランまたはモノマーのジシロキサンである請求項７に記載の方法。
【請求項１３】組み込まれたオルガノシリコンが実質的にモノマーの形態を保持する請求項１２に記載の方法。」(第１欄第２行−第２欄第６行)
　
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、支持体上に被覆され、被覆支持体のガス透過度を減少する実質的に無機の不活性フィルムを提供することである。
　本発明の別の目的は、非常に早く製造し得る非常に薄い、実質的に無機のフィルムを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
　本発明の一つの特徴に於いて、製品は一つの面及び反対にある他の面をそれらの間の確定できるガス透過度で規定するものである。一つの面と他の面の間のガス透過度を減少するのに有効なフィルムが製品に被覆される。このフィルムは無機成分及びオルガノシリコン成分を有する。無機成分は実質的に連続であり、製品の少なくとも一つの面または他の面に接着して支持されている。オルガノシリコン成分は不連続であり、フィルムの少量を構成する。
【０００８】
　実質的に連続の無機成分は、例えば金属、メタロイド、及びそれらの酸化物または窒化物の電子線蒸発によるように、無機の蒸発源を被覆室中で蒸発させることにより誘導される。不連続のオルガノシリコン成分は、実質的に連続の無機成分により形成されたマトリックス内に分散されると考えることができる。そのフィルムのオルガノシリコン成分は、無機の蒸発源が無機の蒸発種を発生している間にオルガノシリコンガス流を被覆室中に流入させることにより得られる。オルガノシリコン成分は成長フィルム中に組み込まれ、その中に実質的にモノマーの分子形態で結合される。
【０００９】
　本発明の別の特徴に於いて、表面をガスバリヤーフィルムで被覆する方法は、支持体(substrate)を用意し、その支持体表面を無機蒸発源を蒸発させることから誘導される無機蒸発種と接触させて支持体表面上に実質的に連続のフィルムを形成し、次いで表面を室から電気的に絶縁状態に保ちながらオルガノシリコンを形成フィルム中に組み込むことを含む。組み込まれたオルガノシリコンは実質的に不連続であり、フィルム中でモノマー形態である。
【００１０】
　本発明の製品は食品包装用途に特に有益である。フィルムは実質的に無機であるので、それらは不活性である。フィルムは非常に薄いので、包装材は典型的には溶融し再成形することによりリサイクルできる。
　
好ましい実施態様の詳細な説明
【００１１】
　本発明を実施するのに適した装置は、通常の電子線鐘形装置の簡単な改良装置であり得る。こうして、図１に図示されるように、排気室10 (真空ポンプ12により約10-4〜約10-5トールの範囲の圧力まで排気し得る)は、電子線ガン14及び無機源16を含む。支持体ホルダー18は、支持体20を無機源16から離れた距離に保持する。シャッター22が、源16と支持体20の間に(典型的には支持体20に隣接して)介在させられる。本発明の実施は、支持体20が室10に対して電気絶縁されることを必要とし、こうして支持体ホルダー18は遊動式であるか、または接地式であるべきである。更に、ガス入口24は、無機源16の蒸発中に蒸発オルガノシリコンの源(図示されていない)を室10に連通する。入口24は無機源16よりも支持体20に近い。
【００１２】
　本発明の被覆物を形成する際に蒸発されるのに適した無機源は、Al、
Al2O3、Sb、Ba3SiO4、Cr、Cu、Au、MgF2、Mo、モネル(30Cu/70Ni)、Ni、
NiCr、Nb、Si、SiO、SiO2、Si3N4、Ta、Ti、W、及びZnS を含む。」(第３欄第３４行−第４欄第５０行)
　
「無機の蒸発源が支持体表面と接触する際に、実質的に連続であり、且つ無機であるフィルムが形成される。このフィルムは実質的に連続の無機マトリックスと想像することができる。オルガノシリコン部分はこの成長フィルム中に組み込まれるが、実質的に連続の無機マトリックス中に不連続に分散される。
【００１４】
　オルガノシリコンは、気化したオルガノシリコンを蒸発中に室に流入させることにより組み込まれる。オルガノシリコンは、オルガノシリコンを実質的にそのモノマーの会合した形態で組み込むように(ポリマー種または解離種として組み込むのではなく)、無機の蒸発源よりも支持体表面に近い位置で室に導入される。例えば、源と支持体との距離が約46cm(18インチ)〜
約61cm(24インチ) である場合には、オルガノシリコンガス入口は支持体から約10cm(4インチ)〜約13cm(5インチ) にあることが好ましい。」(第５欄第１９行−同第３５行)
　
「【００２０】
　室に流入されるオルガノシリコンガス流は完全にオルガノシリコンであることが好ましい。キャリヤーとしてのヘリウムの混入はフィルムの性質に有害である傾向にあることがわかった。同様に、酸素または酸素とヘリウムの混入は純粋なオルガノシリコンを流すことよりも望ましくないことがわかった。
　オルガノシリコン部分が不連続に分散されている実質的に連続の無機マトリックスを有する本発明のフィルムは、無機マトリックスのみから形成された従来技術のフィルムよりも減少されたガス透過度を有する。即ち、本発明によるオルガノシリコン部分の混入は支持体表面上の被覆物のガスまたは蒸気の透過度を減少する。この現象は表１のデータにより説明され、この場合にはSiO2の従来技術の電子線蒸発が酸化ケイ素系被覆物を形成するのに使用された。これらの従来技術の被覆物を、SiO2の電子線蒸発中に組み込まれたオルガノシリコンを有していた本発明の被覆物と比較した。PET支持体は48ゲージであった。
【００２１】
  　　　　　　　　　　　　　　表１
  被覆組成物源　支持体　被覆物の厚さ　　被覆速度　　酸素透過度
　　　　　　　　　　　  (angstrom)　　(angstrom/秒) 　（cc/m2/日)
　SiO2　　　　  　PET 　　　1092　　　　　12.1　　　　　120
　(従来技術)
　SiO2+TMDSO　 　PET 　　　1503　　　　　33.4　　　　　26.6
　(本発明)
　従来技術の電子線蒸発した二酸化ケイ素被覆物と本発明の被覆物(この場合、二酸化ケイ素はやはり電子線により蒸発されたが、オルガノシリコン
TMDSO(１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン)が本発明の被覆物中に組み込まれた)との比較からわかるように、酸素透過度は本発明の被覆物に関して約４分の１に減少された。
【００２２】
　従来技術の電子線蒸発した酸化ケイ素フィルムは接着上の問題を有し、支持体からテープで容易に除去し得る。しかしながら、オルガノシリコン混入により増強された本発明の被覆物は、更に接着性である。これらの被覆物は同様の“テープ試験”により除去されない。この増強された接着性はポリオレフィン支持体(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン)に特に重要である。何となれば、薄いフィルムとこれらの材料との間の接着は通常の蒸発技術では難しいからである。また、本発明の改良された接着性は、ガラス、金属、及びその他のプラスチックの被覆物に有益であることがわかる。
【００２３】
　本発明者は、成長フィルムに組み込まれたオルガノシリコンの量を測定するためのパラメーターを見出した。組み込まれたオルガノシリコンの量はオルガノシリコンガス流の流量に直接依存するが、無機源の蒸発速度に逆に依存する。広範には、組み込まれるオルガノシリコンの量は、上記のパラメーターを使用することにより測定して、約0.003cm3/オングストローム〜
約0.01cm3/オングストロームである。しかしながら、異なる無機源、異なる支持体及び異なるオルガノシリコン(または混合物)に関して、組み込まれる最適量が変化する。」(第７欄第９行−第８欄第２１行)
　
「【００２８】
　本発明のフィルムは典型的に透明である。透明度は、被覆された48ゲージのポリエステル及び未被覆の48ゲージのポリエステルの光透過率を測定することにより測定できる。SiOx (xは1.7未満である)の被覆物は着色され、減少された透過度を有するので、本発明のフィルムが透過度の非常に小さい変化を有するという事実は、化学量論量( 酸化ケイ素系フィルムに関する) がxが1.7より大きかったものであることを実証する。更に、FTIR研究は、Si-O-Si ピーク位置がO:Si比に比例し、約２に等しいことを示した。」(第９欄第３１行−同第４０行)
　
「【００３０】
【実施例】
実施例１
【００３１】
実施例２
　
　ここで、前記の「PET支持体」との記載及び「ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム」との記載に関し、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムが一般に透明な高分子材料であることは、技術常識である。
　
　よって、前記した刊行物１の記載事項を、刊行物１の各図面を参照しつつ総合すると、該刊行物１には、次の発明Ａが記載されているものと認められる。
　
発明Ａ： 「透明高分子からなる支持体の少なくとも片面に、無機化合物からなる透明ガスバリヤーフィルムを有する透明ガスバリヤー材において、透明ガスバリヤーフィルムが二酸化ケイ素からなる実質的に連続のフィルムにオルガノシリコンを組み込んでなるフィルムを、真空蒸着法により形成した構成である透明ガスバリヤー材。」
　
(２) 刊行物１に記載された発明に関する特許異議申立人の主張について
　
　特許異議申立人は、刊行物１に記載された発明に関し、前記特許異議申立書において、
「甲第１号証には、 ・・・
『そのフィルムのオルガノシリコン成分は、無機の蒸発源が無機の蒸発種を発生している間にオルガノシリコンガス流を被覆室に流入させることにより得られる。』【０００８】と記載され、また、
『本発明の別の特徴に於いて、表面をガスバリヤーフィルムで被覆する方法は、支持体 ・・・ を用意し、その支持体表面を無機蒸発源を蒸発させることから誘導される無機蒸発種と接触させて支持体表面上に実質的に連続のフィルムを形成し、次いで表面を室から電気的に絶縁状態に保ちながらオルガノシリコンを形成フィルム上に組み込むことを含む。組み込まれたオルガノシリコンは実質的に不連続であり、フィルム中でモノマー状態である。』
【０００９】
と記載されており、支持体上にＳｉＯ2を蒸着させた後、ＳｉＯ2蒸発中にオルガノシリコン流を導入してＳｉＯ2中にオルガノシリコンを組み込むことが記載されているので、甲第１号証には、透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリア材において、透明ガスバリア層が、ＳｉＯ2からなる実質的に連続の第１層、すなわちＳｉＯ2単独蒸着層を設け、その後、オルガノシリコンが組み込まれた第二層を、それぞれ真空蒸着法からなるＰＶＤ法、すなわち、物理蒸着法(Physical Vapor Deposition法)により形成することが記載され、また、そのガスバリヤーフィルムは透明で、かつ基材との接着性に優れることが記載されている。」(特許異議申立書第１２頁第１０行−第１３頁第３行)
と主張している。
　
　しかしながら、次の理由により、刊行物１に、「透明ガスバリア層が、
ＳｉＯ2からなる実質的に連続の第一層、すなわちＳｉＯ2単独蒸着層を設け、その後、オルガノシリコンが組み込まれた第二層を ・・・ 形成すること」(以下、「事項Ｂ」という。)が記載されているとは認められない。
　すなわち、特許異議申立人が当該主張の根拠として引用している刊行物１の記載箇所には、無機蒸発種により支持体表面上に実質的に連続のフィルムを形成し、次いでオルガノシリコンを形成フィルム上に組み込むことは記載されているものの、２つの「層」を形成することについて明示の記載がないばかりでなく、組み込まれたオルガノシリコンのフィルム中における分布(すなわち、支持体からの距離に応じたオルガノシリコンの存在状態)についての記載もないから、フィルムのうちオルガノシリコンが組み込まれていない部分とオルガノシリコンが組み込まれた部分とが別々の層(ＳｉＯ2からなる実質的に連続の第一層及びオルガノシリコンが組み込まれた第二層)を形成しているというようなことは、刊行物１に記載されていると認めることはできない。
　よって、刊行物１に前記事項Ｂが記載されているという特許異議申立人の主張は、採用することができない。
　
(３) 刊行物２に記載された発明
　
　刊行物２には、次の事項が記載されている。
　
「【請求項１】 透明高分子フィルム上の少なくとも片面に、炭素および弗素を合計して５〜４０原子％含有した酸化珪素の層が形成された、波長４００から８００ｎｍの光に対し７５％以上の透過率を有するガスバリヤー性フィルム。
【請求項２】 炭素および弗素を含有した酸化珪素の層が、少なくとも有機珪素ガス、弗化炭素ガスおよび酸素ガスを用いた減圧プラズマＣＶＤにより、透明高分子フィルム上に形成されたものである請求項１記載のガスバリヤー性フィルム。
・・・
【請求項４】 炭素および弗素を含有した酸化珪素の層が、酸化珪素と弗化炭素樹脂を主体とするターゲットを用いたスパッタ法で作成されたものである請求項１記載のガスバリヤー性フィルム。
【請求項５】 炭素および弗素を含有した酸化珪素の層の厚さが、２０ｎｍから５００ｎｍの範囲にある請求項１〜４の何れかに記載のガスバリヤー性フィルム。
【請求項６】 透明高分子フィルムが、ポリエステルまたはポリエーテルスルフォンである請求項１〜５項の何れかに記載のガスバリヤー性フィルム。」(【特許請求の範囲】)
　
「【０００５】本発明者らは、かかる問題を解決するために、鋭意研究を重ねた結果、透明でガスバリヤー性に優れ、さらに、可撓性にも優れた透明ガスバリヤーフィルムを見いだし、本発明に到達した。」(第２欄第３０行−同第３３行)
　
「【０００７】本発明において、基材となる高分子フィルムは特に限定しないが、透明性を持ち、ガラス転移温度がある程度高く、吸湿性の少ないものがのぞましく、例えば、ポリエステル、ポリエーテルスルファオン、ポリカーボネート、ポリオレフィンフィルム等が挙げられ、特に、ポリエステル、ポリエーテルスルフォンが好ましい。
【０００８】本発明で用いられる、高分子フィルム基材に積層する炭素および弗素を含有した酸化珪素の層は、特に透明性を損ねない範囲でかつガスバリヤー性を保ち、高分子基材との密着性を確保できる厚さであれば良い。具体的には、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下がよく、さらには２０ｎｍ以上３００ｎｍがより好ましい。２０ｎｍ未満では均一で連続した膜を形成することが難しく、５００ｎｍを越えると高分子基材との密着性や可視光に対する透明性が減少する。」(第３欄第６行−同第２１行)
　
「【００１０】本発明において、酸化珪素中に含有される炭素と弗素の量、すなわちその組成は、透明フィルムの可撓性を左右する重要な因子である。炭化珪素中に含まれる炭素と弗素の合計の量は、多い程フィルムの可撓性は上昇するが、余り多すぎると膜の密着性が劣化する。より具体的には、炭素と弗素の合計の量が５原子％〜４０原子％が望ましく、より望ましくは５原子％〜２０原子％である。なお、本発明において作成される膜中の炭素と弗素の原子比Ｆ／Ｃは、下記に詳述するいずれの製造法においても０．５〜１．５程度である。」(第３欄第２９行−同第３８行)
　
「【００１３】炭素および弗素を含有した酸化珪素の膜即ち層を高分子基材の上に形成するときには、該基材の前処理として、コロナ放電処理、プラズマ処理、グロー放電処理、逆スパッタ処理、表面粗面化処理、化学処理等の公知のアンダーコートを施したりすること適宜行うことができる。また、透明フィルムの表面に必要に応じて保護層を形成することが望ましい。保護層は透明なプラスチックであればよく、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂、ポリカーボネート等が挙げられる。」(第４欄第１８行−同第２６行)
　
「【００１５】図１は、請求項２に対応する実施の態様であって、供給ローラー１から透明フィルム２を真空容器３内に導入する。真空容器３は真空ポンプ４を用いて排気され所望の真空度を維持されている。真空容器へは、ガス導入口５から、酸化珪素層を形成するための原料ガスが導入される。ここで導入されるガスは、例えば、有機珪素化合物ならびに弗化炭素、酸素である。
【００１６】該有機珪素化合物としては、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルシラン、芳香族シラン化合物等が挙げられる。」(第４欄第４１行−同第５０行)
　
「【００１７】以上の様な薄膜を形成するための反応ガスを導入しながら、高周波電極６から高周波を導入しプラズマを生成し、フィルム上に好ましくは、１００℃以下で膜を形成する。斯くして、膜が形成された後の高分子フィルムは巻きとりローラー７により巻きとられる。なお、高周波の導入には、容量結合あるいは誘導結合いずれも使用しうる。また、必要ならば膜を生成する前に、密着性等の性能向上のための前処理を適宜真空容器内で行うことも可能である。」(第５欄第９行−同第１７行)
　
「【００１９】さらに、図３は請求項４に対応する実施の態様であって、供給ローラー１５から透明フィルム１６を真空容器１７内に導入する。真空容器は真空ポンプ１８を用いて排気され所望の真空度を維持されている。真空容器へはガス導入口１９からガスが導入される。ここで導入されるがガスは、０〜５０％の範囲で酸素を含有するアルゴンである。スパッタのターゲット２０には高周波が印加され、グロー放電により生成されたイオンによりターゲット表面がスパッタされフィルム上に膜が好ましくは１００℃以下で形成される。」(第５欄第３５行−同第４４行)
　
「実施例１）
図１の装置を用い、有機珪素ガスとしてテトラメチルジシロキサンを、弗化炭素ガスとしてはテトラフルオロメタン、さらに酸素供給源として酸素を用いて、図４に示す通り、厚さ５０μｍのＰＥＳフィルム２２上に、合計で１２原子％の炭素および弗素を含有する酸化珪素層２３を厚さ２００ｎｍ作成した。」(第６欄第２０行−同第２６行)
　
「【００２５】比較例１）
図１の装置を使用し、テトラメチルジシロキサンと酸素を用いて、図５に示す通り、厚さ５０μｍのＰＥＳフィルム２２上に、プラズマ−ＣＶＤ法により酸化珪素層２４を厚さ２００ｎｍ作成した。」(第６欄第４８行−第７欄第２行)
　
「【００３０】実施例７）
図１の装置を使用し、有機珪素ガスとしてテトラメチルジシロキサンを、弗化炭素ガスとしてはテトラフルオロメタン、さらに酸素供給源として酸素を用いて、図４に示す通り、厚さ５０μｍのＰＥＳフィルム２２上に、炭素および弗素を合計で４０原子％含有する酸化珪素層２３を厚さ２００ｎｍ作成した。」(第７欄第３７行−第８欄第２４行)
　
「【００３４】実施例８）
図１の装置を使用し、有機珪素ガスとしてテトラメチルジシロキサンを、弗化炭素ガスとしてはテトラフルオロエタン、さらに酸素供給源として酸素を用いて、図４に示す通り、厚さ５０μｍのＰＥＳフィルム２２上に、炭素および弗素を合計で２０原子％含有する酸化珪素層２３を厚さ５００ｎｍ作成した。」(第９欄第１４行−同第２０行)
　
「【発明の効果】高分子フィルムの表面に炭素および弗素を特定量含有した酸化珪素の層を設けることにより、可撓性を損なうことなく、透明性およびガスバリヤー性の極めて優れた透明ガスバリヤーフィルムを得ることができる。」(第１１欄第３４行−同第３８行)
　
　ここで、前記した、「より具体的には、炭素と弗素の合計の量が５原子％〜４０原子％が望ましく、より望ましくは５原子％〜２０原子％である。なお、本発明において作成される膜中の炭素と弗素の原子比Ｆ／Ｃは、下記に詳述するいずれの製造法においても０．５〜１．５程度である。」(【００１０】段落)との記載に関し、炭素の原子％をＣ、弗素の原子％をＦ、両元素の原子％の合計(Ｃ＋Ｆ)をＴ、両元素の原子％の比(Ｆ／Ｃ)をＲとすると、Ｃ＋Ｆ＝Ｔ 及び Ｆ／Ｃ＝Ｒ より、Ｃ＝Ｔ／(１＋Ｒ) が導出される。当該記載によれば、Ｔは５〜４０の値をとり、Ｒは０．５〜１．５の値をとることが開示されているから、Ｃは、５／(１＋１．５)＝２ と 
４０／(１＋０．５)＝２６．６６… との間の範囲の値をとることが教示される。
　
　よって、前記した刊行物２の記載事項を、刊行物２の各図面を参照しつつ総合すると、該刊行物２には、次の発明Ｃが記載されているものと認められる。
　
発明Ｃ： 「透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、透明ガスバリヤー層を有する透明ガスバリヤー材において、透明ガスバリヤー層が炭素を２〜２６原子％含む酸化珪素からなる層を、スパッタ法または減圧プラズマＣＶＤ法により形成した積層構成である透明ガスバリヤー材。」
　
５．本件発明１と刊行物に記載された発明との対比・判断
　
　本件発明１と刊行物１に記載された前記発明Ａとを対比すると、後者の「支持体」、「透明ガスバリヤーフィルム」、「透明ガスバリヤー材」、及び「真空蒸着法」は、前者の「基材」、「透明ガスバリア層」、「透明ガスバリア材」、及び「真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ法」にそれぞれ相当するから、両者は、
「透明高分子からなる基材の少なくとも片面に、無機化合物からなる透明ガスバリア層を有する透明ガスバリア材において、透明ガスバリア層が真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ法により形成した構成である透明ガスバリア材。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
相違点１： 本件発明１では、基材上の透明ガスバリア層が、酸化珪素単独からなる第一層と炭素を含む酸化珪素からなる第二層を、それぞれ順次形成した積層構成であるのに対し、刊行物１に記載された発明Ａでは、支持体上の透明ガスバリヤーフィルムが、二酸化ケイ素からなる実質的に連続のフィルムにオルガノシリコンを組み込んでなるフィルムを形成した構成である点。
　
相違点２： 本件発明１では、炭素を含む酸化珪素からなる第二層において、炭素が５〜４０ａｔ％含まれているのに対し、刊行物１に記載された発明Ａでは、オルガノシリコンを組み込んでなるフィルムにおいて、炭素がどれだけの量含まれているかについての特定がなされていない点。
　
　まず、前記相違点１について検討する。
　
　刊行物２には、前記発明Ｃが記載されているものと認められるが、前記相違点１に係る本件発明１の構成である、「基材上の透明ガスバリア層を、酸化珪素単独からなる第一層と炭素を含む酸化珪素からなる第二層を、それぞれ順次形成した積層構成」とした点(以下、「事項Ｄ」という。)は、記載も示唆もされていない。
　なお、該刊行物２には、前記４．にて記したように、「透明高分子フィルム上の少なくとも片面に、炭素および弗素を合計して５〜４０原子％含有した酸化珪素の層が形成された ・・・ ガスバリヤー性フィルム」(請求項１)と記載されるとともに、「炭素および弗素を含有した酸化珪素の膜即ち層を高分子基材の上に形成するときには、該基材の前処理として、コロナ放電処理、プラズマ処理、グロー放電処理、逆スパッタ処理、表面粗面化処理、化学処理等の公知のアンダーコートを施したりすること適宜行うことができる。」(【００１３】段落)と記載され、さらに、「また、必要ならば膜を生成する前に、密着性等の性能向上のための前処理を適宜真空容器内で行うことも可能である。」(【００１７】段落)と記載されている。しかしながら、「アンダーコート」又は「前処理」が、酸化珪素単独からなる層又はその形成であることは、刊行物２からは教示されないから、これらの刊行物２中の記載においても、前記事項Ｄは示唆されていない。
　また、特許異議申立人が本件発明２ないし６に関して提示した刊行物３ないし５には、それぞれ、プラスチックス基体の表面に有機シリコン化合物重合体の被膜及びシリコン酸化物膜(ＳｉＯx膜)を順次形成したガス遮断性プラスチックス材、プラスチックフィルム上にＳｉＯx蒸着面を形成したフィルムと他のフィルムとをラミネートしてなる包装袋、並びに、ウェブ状基材にＳｉＯ2被覆を形成する装置であってスパッタリング、蒸発、及びプラズマ蒸着を３つの個別の処理槽内で同時に行えるようにした装置が記載されているが、これら刊行物３ないし５を参酌しても、前記事項Ｄの記載又は示唆を見出すことはできない。
　加えて、本件発明１は、前記事項Ｄの特定がなされていることにより、「透明高分子基材上に、密着性に優れる第一 ・・・ 層と柔軟性に優れる第二層とを積層することによって、無色透明で十分なガスバリア性を有し、且つ引張りや屈曲によってもガスバリア性の劣化を起こさない柔軟性があり、さらに基材フィルムとの密着に優れる」(本件特許明細書の【発明の効果】の欄)透明ガスバリア材を提供することを可能にするという作用効果を奏するものと認められる。
　よって、本件発明１における前記事項Ｄは、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとは認められない。
　
　次に、前記相違点２について検討する。
　
　刊行物１に記載の前記発明Ａと刊行物２に記載の前記発明Ｃとは、ガスバリヤー材という共通の技術分野に属し、基材の少なくとも片面に、炭素を含む透明ガスバリヤー層を形成した透明ガスバリヤー材という共通の構成を有する。
　また、刊行物１には、前記４．にて記したように、「広範には、組み込まれるオルガノシリコンの量は、上記のパラメーターを使用することにより測定して、約0.003cm3/オングストローム〜約0.01cm3/オングストロームである。しかしながら、異なる無機源、異なる支持体及び異なるオルガノシリコン(または混合物)に関して、組み込まれる最適量が変化する。」(【００２３】段落)と記載されており、フィルムに組み込まれるオルガノシリコンの量を最適化することが記載されている。
　そして、刊行物２に記載された前記発明Ｃには、透明ガスバリヤー層である、炭素を含む酸化珪素からなる層において、炭素の量を２〜２６原子％とすることが含まれているから、刊行物１に記載された前記発明Ａにおいて、オルガノシリコンに由来する炭素の量を調節して、２〜２６原子％の程度とすることに、格別の困難性を見出すことはできない。
　
　しかしながら、前記相違点１に係る本件発明１の構成である前記事項Ｄが、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとは認められないものであるから、結局、本件発明１は、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
６．本件発明２ないし６について
　
　本件発明２ないし６は、本件発明１にさらに構成を付加して、限定したものである。
　そして、前記５．において述べたように、本件発明１は、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２ないし６もまた、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
７．むすび
　
　以上より、特許異議申立人の主張する理由及び提出した証拠方法によっては、本件発明１ないし６についての特許を取り消すことはできない。また、他に本件発明１ないし６についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号)附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令(平成７年政令第２０５号)第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月４日（２００３．９．４）