(57)【要約】【課題】流体流路の上流側に位置させるべき面と下流側に位置させるべき面とを容易に識別可能な電鋳製フィルタ及び当該電鋳製フィルタの製造方法を提供する。【解決手段】流体の流路内に配置される電鋳製フィルタは、Ａ面及び当該Ａ面に対向するＢ面を有するフィルタ基材を備え、フィルタ基材には、当該フィルタ基材の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成されており、Ａ面とＢ面とを識別可能な程度に、Ａ面とＢ面とのそれぞれの表面粗さが相互に異なる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の流路内に配置される電鋳製フィルタであって、
Ａ面及び当該Ａ面に対向するＢ面を有するフィルタ基材を備え、
前記フィルタ基材には、当該フィルタ基材の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成されており、
前記Ａ面と前記Ｂ面とを識別可能な程度に、前記Ａ面と前記Ｂ面とのそれぞれの表面粗さが相互に異なる、電鋳製フィルタ。
【請求項２】
前記第Ａ面の算術平均高さＳａと前記Ｂ面の算術平均高さＳａとの差分が、０．０１μｍ以上である、請求項１に記載の電鋳製フィルタ。
【請求項３】
前記Ａ面の算術平均高さＳａが０．００５μｍ〜０．１μｍであり、前記Ｂ面の算術平均高さＳａが０．０２μｍ〜０．０５μｍである、請求項１又は２に記載の電鋳製フィルタ。
【請求項４】
前記Ａ面側における前記貫通孔の孔径と、前記Ｂ面側における前記貫通孔の孔径とが異なる、請求項１〜３のいずれかに記載の電鋳製フィルタ。
【請求項５】
前記Ａ面側における前記貫通孔の孔径と前記Ｂ面側における前記貫通孔の孔径とのうち、いずれか大きい方の孔径が、１μｍ〜２０μｍである、請求項４に記載の電鋳製フィルタ。
【請求項６】
前記フィルタ基材が、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ及びＩｒのうちの少なくとも１種の金属を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の電鋳製フィルタ。
【請求項７】
前記電鋳製フィルタは、インクジェットヘッド用フィルタである、請求項１〜６のいずれかに記載の電鋳製フィルタ。
【請求項８】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する電鋳層形成用支持体を準備する工程と、
前記電鋳層形成用支持体の前記第１面上に、複数の凸部を含む凹凸構造体を形成する工程と、
前記凹凸構造体が形成された前記電鋳層形成用支持体の前記第１面上に電鋳層を形成する工程と、
前記電鋳層を前記電鋳層形成用支持体から剥離する工程と
を有し、
前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の表面粗さは、前記電鋳層の電着成長面の表面粗さと異なる、電鋳製フィルタの製造方法。
【請求項９】
前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の表面粗さが前記電鋳層の電着成長面の表面粗さと異なるように、前記電鋳層形成用支持体の前記第１面に表面処理を施す工程をさらに有する、請求項８に記載の電鋳製フィルタの製造方法。
【請求項１０】
前記凸部の底部の寸法と、前記凸部の頂部の寸法とは、互いに異なる、請求項８又は９に記載の電鋳製フィルタの製造方法。
【請求項１１】
前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の算術平均高さＳａと前記電鋳層の前記電着成長面の算術平均高さＳａの差分が、０．０１μｍ以上である、請求項８〜１０のいずれかに記載の電鋳製フィルタの製造方法。
【請求項１２】
前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の算術平均高さＳａが０．０２μｍ〜０．０５μｍであり、前記電鋳層の前記電着成長面の算術平均高さＳａが０．００５μｍ〜０．１μｍである、請求項８〜１１のいずれかに記載の電鋳製フィルタの製造方法。
【請求項１３】
前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の算術平均高さＳａが０．００５μｍ〜０．１μｍであり、前記電鋳層の前記電着成長面の算術平均高さＳａが０．０２μｍ〜０．０５μｍである、請求項８〜１１のいずれかに記載の電鋳製フィルタの製造方法。
【請求項１４】
前記電鋳層が、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ及びＩｒのうちの少なくとも１種の金属を含む、請求項８〜１３のいずれかに記載の電鋳製フィルタの製造方法。
【請求項１５】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する電鋳層形成用支持体を準備する工程と、
前記電鋳層形成用支持体の前記第１面上に、複数の凸部を含む凹凸構造体を形成する工程と、
前記凹凸構造体が形成された前記基材の前記第１面上に電鋳層を形成する工程と、
前記電鋳層を前記電鋳層形成用支持体から剥離する工程と
を有し、
前記電鋳層の電着成長面の表面粗さと、当該電着成長面に対向する離型面の表面粗さとを異ならせるように、前記電鋳層を形成する、電鋳製フィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電鋳製フィルタ及び電鋳製フィルタを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット記録装置においては、加圧オンデマンド方式や荷電制御方式によって微液滴化されたインクが、画像情報等に応じて紙や布等の記録媒体に向けてノズルから吐出され、当該記録媒体に付着する。これにより、当該記録媒体に画像等が記録される。かかるインクジェット記録装置において、さらなる画像の高精細化を実現するためには、インクの液滴をさらに微小化する必要があり、１滴が数ｐＬ程度の微小液滴を吐出するためには、ノズル孔自体をさらに微細化する必要がある。
【０００３】
微細なノズル孔からインクを安定的に吐出させるためには、インクジェットヘッドにおけるインクの流れを滞らせる異物等がインク中に存在しないこと、又はノズル孔付近に付着して吐出精度を悪化させたり、吐出不能とさせたりする異物等が存在しないことが重要となる。このような観点から、従来、異物除去を目的とする金属フィルタがインクジェットヘッドのインク流路に設けられている（特許文献１参照）。
【０００４】
血液には、赤血球、白血球、血小板等の血球成分が多く含まれる。これに対し、原発腫瘍又は転移腫瘍から血管中へ浸潤した腫瘍細胞である血中循環がん細胞は、非常にわずかな数しか存在しない。血中循環がん細胞は、人間の抹消血流を循環するため、血中循環がん細胞を血流中と同様の状態で捕捉することができれば、がんの早期発見や有効な医薬の早期開発等が可能となる。そのため、従来、血球成分の中から所定の細胞を効率的に捕捉することを目的として金属フィルタが用いられている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３８６５８号公報
【特許文献２】国際公開第２０１３／０５４７８６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したような金属フィルタとしては、銅基板等の導電性支持体上に所定のレジストパターンを形成し、当該レジストパターンが形成された導電性支持体を母型としてニッケル等の電鋳層を形成し、その後レジストパターン及び導電性支持体を除去することで製造される電鋳製フィルタが例示される。この導電性支持体上のレジストパターンにより、電鋳製フィルタに多数の孔部が形成される。導電性支持体上のレジストパターンをテーパー状に形成することで、特許文献１に開示されている電鋳製フィルタのように、孔部をテーパー状に形成することができる。
【０００７】
テーパー状に形成された孔部を有する電鋳製フィルタは、一方面（例えば孔径の相対的に小さい方）を流体流路の上流側に、他方面（例えば孔径の相対的に大きい方）を流体流路の下流側に位置させるように、流体流路に設置される。流体流路の上流側に位置させるべき面と、下流側に位置させるべき面とを逆にして電鋳製フィルタが設置されてしまうと、当該電鋳製フィルタに求められる機能が効果的に発現され得ないおそれがある。例えば、流体流路の上流側に位置させるべき面と下流側に位置させるべき面との表面粗さが異なることで、流体に対する濡れ性を異ならせ、それにより流体が電鋳製フィルタを通過するときに発泡するのを抑制する機能が発現される。そのため、電鋳製フィルタにおいて、流体流路の上流側に位置させるべき面と、下流側に位置させるべき面とが容易に識別可能であることが求められている。
【０００８】
上記課題に鑑みて、本発明は、流体流路の上流側に位置させるべき面と下流側に位置させるべき面とを容易に識別可能な電鋳製フィルタ及び当該電鋳製フィルタの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、流体の流路内に配置される電鋳製フィルタであって、Ａ面及び当該Ａ面に対向するＢ面を有するフィルタ基材を備え、前記フィルタ基材には、当該フィルタ基材の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成されており、前記Ａ面と前記Ｂ面とを識別可能な程度に、前記Ａ面と前記Ｂ面とのそれぞれの表面粗さが相互に異なる電鋳製フィルタを提供する（発明１）。
【００１０】
上記発明（発明１）によれば、電鋳製フィルタのＡ面の表面粗さとＢ面の表面粗さとが相互に異なるため、電鋳製フィルタのＡ面及びＢ面、すなわち流体流路の上流側に位置させるべき面と下流側に位置させるべき面とを容易に識別することができる。
【００１１】
上記発明（発明１）において、前記第Ａ面の算術平均高さＳａと前記Ｂ面の算術平均高さＳａとの差分が０．０１μｍ以上であればよく（発明２）、前記Ａ面の算術平均高さＳａが０．００５μｍ〜０．１μｍであって、前記Ｂ面の算術平均高さＳａが０．０２μｍ〜０．０５μｍであればよい（発明３）。前記Ａ面側における前記貫通孔の孔径と、前記Ｂ面側における前記貫通孔の孔径とを異ならせることができ（発明４）、前記Ａ面側における前記貫通孔の孔径と前記Ｂ面側における前記貫通孔の孔径とのうち、いずれか大きい方の孔径を、１μｍ〜２０μｍとすることができる（発明５）。前記フィルタ基材が、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ及びＩｒのうちの少なくとも１種の金属を含んでいればよく（発明６）、前記電鋳製フィルタは、インクジェットヘッド用フィルタとして用いられ得る（発明７）。
【００１２】
また、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する電鋳層形成用支持体を準備する工程と、前記電鋳層形成用支持体の前記第１面上に、複数の凸部を含む凹凸構造体を形成する工程と、前記凹凸構造体が形成された前記電鋳層形成用支持体の前記第１面上に電鋳層を形成する工程と、前記電鋳層を前記電鋳層形成用支持体から剥離する工程とを有し、前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の表面粗さは、前記電鋳層の電着成長面の表面粗さと異なる電鋳製フィルタの製造方法を提供する（発明８）。
【００１３】
上記発明（発明８）において、前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の表面粗さが前記電鋳層の電着成長面の表面粗さと異なるように、前記電鋳層形成用支持体の前記第１面に表面処理を施す工程をさらに有するのが好ましく（発明９）、前記凸部の底部の寸法と、前記凸部の頂部の寸法とは、互いに異なっていてもよい（発明１０）。前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の算術平均高さＳａと前記電鋳層の前記電着成長面の算術平均高さＳａの差分を０．０１μｍ以上とすることができる（発明１１）。前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の算術平均高さＳａを０．０２μｍ〜０．０５μｍ、前記電鋳層の前記電着成長面の算術平均高さＳａを０．００５μｍ〜０．１μｍとしてもよいし（発明１２）、前記電鋳層形成用支持体の前記第１面の算術平均高さＳａを０．００５μｍ〜０．１μｍ、前記電鋳層の前記電着成長面の算術平均高さＳａを０．０２μｍ〜０．０５μｍとしてもよい（発明１３）。前記電鋳層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ及びＩｒのうちの少なくとも１種の金属を含んでいればよい（発明１４）。
【００１４】
さらに、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する電鋳層形成用支持体を準備する工程と、前記電鋳層形成用支持体の前記第１面上に、複数の凸部を含む凹凸構造体を形成する工程と、前記凹凸構造体が形成された前記基材の前記第１面上に電鋳層を形成する工程と、前記電鋳層を前記電鋳層形成用支持体から剥離する工程とを有し、前記電鋳層の電着成長面の表面粗さと、当該電着成長面に対向する離型面の表面粗さとを異ならせるように、前記電鋳層を形成する電鋳製フィルタの製造方法を提供する（発明１５）。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、流体流路の上流側に位置させるべき面と下流側に位置させるべき面とを容易に識別可能な電鋳製フィルタ及び当該電鋳製フィルタの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る電鋳製フィルタの概略構成を示す部分拡大斜視図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る電鋳製フィルタの概略構成を示す、図１におけるＩ−Ｉ線切断端面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る電鋳製フィルタの概略構成を示す部分拡大切断端面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る電鋳製フィルタを流体流路に逆向きに設置したときに貫通孔が異物により塞がれる様子を説明するための部分拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る電鋳製フィルタを流体流路に正向きに設置したときに貫通孔を塞ぐ異物が除去される様子を説明するための部分拡大断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係る電鋳製フィルタの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係る電鋳製フィルタを用いたインクジェットヘッドの概略構成を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る電鋳製フィルタの概略構成を示す部分拡大斜視図であり、図２は、本実施形態に係る電鋳製フィルタの概略構成を示す、図１におけるＩ−Ｉ線切断端面図であり、図３は、本実施形態に係る電鋳製フィルタの概略構成を示す部分拡大切断端面図である。
【００１９】
図１〜３に示すように、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０は、Ａ面１１Ａ及び当該Ａ面１１Ａに対向するＢ面１１Ｂを有するフィルタ基材１１を備え、フィルタ基材１１には、当該フィルタ基材１１の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１２が形成されている。本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０は、流体中の異物等を捕捉するために、流体の流路に配置されるものであって、例えば、インクジェットヘッド５０におけるインク流路６０（図７参照）、血球成分を捕捉する血球成分分離システムにおける血液流路、空気中の粉塵濾過装置等に配置される。
【００２０】
本実施形態において、フィルタ基材１１のＡ面１１Ａ側における貫通孔１２の孔径は、Ｂ面１１Ｂ側における貫通孔１２の孔径よりも小さく構成される。すなわち、貫通孔１２は、Ａ面１１Ａ側からＢ面１１Ｂ側に向かって孔径が漸増するテーパー状に形成されている。本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０が、後述するようにインクジェットヘッド５０におけるインク流路６０に配置されるものである場合（図７参照）、Ａ面１１Ａ側における貫通孔１２の孔径は、ノズル孔５４１の孔径よりも小さいのが好ましい。貫通孔１２の孔径がノズル孔５４１の孔径よりも小さいことで、ノズル孔５４１に詰まったり付着したりし得る異物等を電鋳製フィルタ１０にて確実に捕捉することができる。
【００２１】
なお、上記態様に限定されるものではなく、Ａ面１１Ａ側における貫通孔１２の孔径が、Ｂ面１１Ｂ側における貫通孔１２の孔径よりも大きく、Ａ面１１Ａ側からＢ面１１Ｂ側に向かって孔径が漸減する逆テーパー状に形成されていてもよい。
【００２２】
フィルタ基材１１のＡ面１１Ａ側における貫通孔１２の孔径（Ａ面１１Ａ側における貫通孔１２の孔径とＢ面１１Ｂ側における貫通孔１２の孔径とのうち、いずれか大きい方の孔径）は、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０の用途に応じて適宜設定され得る。例えば、当該電鋳製フィルタ１０がインクジェットヘッド５０におけるインク流路６０に配置されるものである場合、当該孔径は、１μｍ〜２０μｍ程度に設定され得る。貫通孔１２のピッチ（隣接する貫通孔１２の中心間の長さ）も、特に限定されるものではなく、例えば、１μｍ〜２０μｍ程度に設定され得る。
【００２３】
フィルタ基材１１を構成する材料は、特に限定されるものではなく、例えば、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｒ等の金属や、これらのうちの少なくとも１種の金属を含む合金等により構成されていればよいが、Ａｕ、Ｐｄ−Ｎｉ合金、Ｐｄ−Ｃｏ合金等の耐薬品性に優れた金属により構成されているのが好ましい。フィルタ基材１１を構成する材料がパラジウム（Ｐｄ）−ニッケル（Ｎｉ）合金である場合、当該フィルタ基材１１中のＰｄ含有率は、５０ｗｔ％〜８０ｗｔ％程度に設定され得る。本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０が、インクジェットヘッド５０におけるインク流路６０に配置されるものであって、当該インクが布に印刷するためのインクである場合、当該インクには、酸や溶剤等が比較的に多く含まれるため、フィルタ基材１１が耐薬品性に優れた金属により構成されていることで、フィルタ基材１１がインクに含まれる酸や溶剤等により腐食するのを抑制することができる。
【００２４】
フィルタ基材１１のＡ面１１Ａの表面粗さと、Ｂ面１１Ｂの表面粗さとは、Ａ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを識別可能な程度に、相互に異なっている。Ａ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを識別可能とは、Ａ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを光学的な手段により識別することができることを意味し、例えば、光学顕微鏡を用いて両者を識別可能であってもよいが、肉眼により両者を識別可能であるのが好ましい。
【００２５】
例えば、Ａ面１１Ａの算術平均高さＳａは０．００５μｍ〜０．１μｍであるのが好ましく、Ｂ面１１Ｂの算術平均高さＳａは０．０２μｍ〜０．０５μｍであるのが好ましい。Ａ面１１Ａの算術平均高さＳａとＢ面１１Ｂの算術平均高さＳａとの差分は、０．０１μｍ以上であるのが好ましく、０．０２μｍ〜０．１μｍであるのがより好ましい。Ａ面１１Ａの算術平均高さＳａとＢ面１１Ｂの算術平均高さＳａと、それらの差分が上記範囲内であることで、肉眼によりＡ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを容易に識別することができる。
【００２６】
なお、上記態様に限定されるものではなく、Ａ面１１Ａの算術平均高さＳａが０．０２μｍ〜０．０５μｍであって、Ｂ面１１Ｂの算術平均高さＳａが０．００５μｍ〜０．１μｍであってもよい。
【００２７】
フィルタ基材１１のＡ面１１Ａ及びＢ面１１Ｂの展開面積比Ｓｄｒは、０．０１〜０．０２であるのが好ましい。Ａ面１１Ａ及びＢ面１１Ｂがともに所定の表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）を有することで、それらの展開面積比Ｓｄｒを上記範囲内に設定することができ、これにより、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０を例えばインクジェットヘッド５０におけるインク流路６０に、接着剤等を介して強固に組み込むことができるという効果も奏し得る。
【００２８】
本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０が、インクジェットヘッド５０におけるインク流路６０に配置されるものである場合、フィルタ基材１１における貫通孔１２の孔径が相対的に小さい方の面であるＡ面１１Ａがインク流路６０の上流側に位置し、貫通孔１２の孔径が相対的に大きい方の面であるＢ面１１Ｂがインク流路６０の下流側に位置するように、電鋳製フィルタ１０がインク流路６０に配置される。このように配置されることで、電鋳製フィルタ１０により捕捉された異物８０が、貫通孔１２に詰まるのを抑制することができる。フィルタ基材１１のＢ面１１Ｂが上流側に位置すると、図４に示すように、上流から下流に向かって順テーパー状の貫通孔１２に異物８０が嵌り込み、目詰まりを起こしてしまうおそれがあったり、異物８０が柔らかいものであれば捕捉することができないおそれがあったりする。一方で、フィルタ基材１１のＡ面１１Ａが上流側に位置すると、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、フィルタ基材１１のＡ面１１Ａ側における貫通孔１２を塞いでしまったとしても、貫通孔１２の外縁と異物８０との境界付近のインクの流れ（図５（Ａ）及び（Ｂ）に示す矢印）により異物８０が容易に移動され得るため、貫通孔１２の目詰まりが起こるのを防止することができる。なお、図４、図５（Ａ）及び（Ｂ）において、図中の上方が流体流路の上流側であって、下方が流体流路の下流側である。
【００２９】
フィルタ基材１１の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば、１μｍ〜１０μｍ程度に設定され得る。フィルタ基材１１の形状や大きさは、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０の用途に応じて適宜設定され得る。
【００３０】
なお、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０におけるフィルタ基材１１のＡ面１１Ａは、当該電鋳製フィルタ１０の製造工程における電着成長面に相当する（図６参照）。この場合、Ａ面１１Ａは、隣接する貫通孔１２間においてわずかに凸曲面状に構成され、貫通孔１２の外縁は、丸みを帯びるように構成される（図３参照）。なお、フィルタ基材１１のＢ面１１Ｂが電着成長面に相当する場合、当然に、Ｂ面１１Ｂが、隣接する貫通孔１２間においてわずかに凸曲面状に構成され、貫通孔１２の外縁は、丸みを帯びるように構成される。
【００３１】
上述した構成を有する本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０によれば、フィルタ基材１１のＡ面１１Ａの表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）とＢ面１１Ｂの表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）とが、それらを識別可能な程度に相互に異なることで、Ａ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを容易に識別することができる。そのため、電鋳製フィルタ１０が例えばインクジェットヘッド５０のインク流路６０に配置されるものである場合、インク流路６０の上流側に位置させるべきＡ面１１Ａと下流側に位置させるべきＢ面１１Ｂとを誤認することなく、当該インク流路６０に電鋳製フィルタ１０を確実に組み込むことができる。
【００３２】
本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０は、以下に説明するようにして製造することができる。図６は、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
【００３３】
まず、電鋳層１０’が形成される第１面２０１及び第１面２０１に対向する第２面２０２を有する電鋳層形成用支持体２０を準備する（図６（Ａ）参照）。電鋳層形成用支持体２０としては、少なくとも第１面２０Ａが導電性を有する支持体を用いることができ、例えば、銅基板、ステンレス基板、アルミ基板、鉄基板等の導電性を有する金属基板；シリコンウェハ、シリコンカーバイトウェハ等の半導体基板や当該半導体基板の第１面２０１に導電層が設けられたもの；ガラス、セラミックス等の絶縁性基板の第１面２０１に導電層が設けられたもの等が挙げられる。
【００３４】
電鋳層形成用支持体２０の少なくとも第１面２０１（第１面２０１に導電層が設けられている場合には当該導電層）に表面処理を施して、当該第１面２０１の表面粗さを所定の範囲に調整する。第１面２０１に施される表面処理としては、例えば、電鋳層形成用支持体２０の化学研磨液への浸漬、電鋳層形成用基材２０の第１面２０１への化学研磨液の噴霧等による化学研磨処理等が挙げられる。化学研磨液としては、電鋳層形成用支持体２０の第１面２０１の表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）を所定の範囲に調整可能である限りにおいて特に制限はなく、例えば、ギ酸系化学研磨液、過水硫酸系化学研磨液等を用いることができる。このように、電鋳層形成用支持体２０の少なくとも第１面２０１に表面処理を施すことで、当該第１面２０１の算術平均高さＳａを０．０２μｍ〜０．０５μｍ程度に調整することができる。この電鋳層形成用基材２０の第１面２０１の算術平均高さＳａが、後工程で形成される電鋳層１０’の基材接触面、すなわち電鋳製フィルタ１０のフィルタ基材１１のＢ面に転写される。なお、電鋳層形成用支持体２０の第１面２０１への表面処理に先立って、アルカリ脱脂処理等が行われてもよい。
【００３５】
上記態様に限定されず、電鋳層形成用支持体２０の少なくとも第１面２０１に表面処理を施し、第１面２０１の算術平均高さＳａを０．００５〜０．１μｍ程度に調整してもよい。
【００３６】
次に、電鋳層形成用支持体２０の第１面２０１上にレジスト層３０を形成する（図６（Ｂ）参照）。レジスト層３０の形成方法は、ドライフィルムレジストを第１面２０１にラミネートする方法であってもよいし、液状レジストを第１面２０１に塗布する方法であってもよい。レジスト層３０を構成するレジスト材料としては、公知の活性エネルギー線（紫外線、電子線等）感応性レジスト材料等を用いることができる。
【００３７】
そして、当該レジスト層３０に対して露光・現像処理を施し、複数の凸部を含むレジストパターン３１を形成する（図６（Ｃ）参照）。このレジストパターン３１を有する電鋳層形成用支持体２０が、電鋳製フィルタ１０の貫通孔１２を形成するための電鋳母型となる。そのため、レジストパターン３１の凸部の寸法、高さ等は、電鋳製フィルタ１０の厚さ、貫通孔１２の孔径、ピッチ等に応じて適宜設定される。なお、凸部の寸法とは、例えば、凸部の形状が平面視略円形状であれば直径を意味し、平面視略矩形状であれば対角線の長さを意味するものとする。また、露光条件を適宜調整することで、レジストパターン３１を、凸部の底部の寸法が頂部の寸法よりも大きい順テーパー形状又は凸部の底部の寸法が頂部の寸法よりも小さい逆テーパー形状に形成することができる。
【００３８】
続いて、電鋳槽内の電鋳液に電鋳層形成用支持体２０を浸漬し、電鋳層形成用支持体２０の第１面２０１上に電鋳層１０’を形成する（図６（Ｄ）参照）。電鋳液に含まれる金属材料としては、例えば、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｒ等の金属や、それらのうちの少なくとも１種を含む合金等が挙げられ、Ａｕ、Ｐｄ−Ｎｉ合金、Ｐｄ−Ｃｏ合金等の耐薬品性に優れた金属材料であるのが好ましい。電鋳液に含まれる金属材料がＰｄ−Ｎｉ合金である場合、当該合金中におけるＰｄ含有比は、５０ｗｔ％〜８０ｗｔ％程度に設定され得る。電鋳層１０’を形成するときの電鋳条件（例えば電流密度、電鋳液のｐＨや温度等）は、特に限定されるものではないが、当該電鋳条件（例えば電流密度等）を適宜調整することで、電鋳層形成用支持体２０の第１面２０１上に形成される電鋳層１０’の電着成長面の表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）を所定の範囲（０．００５μｍ〜０．１μｍ）に設定することができる。
【００３９】
なお、上記態様に限定されるものではなく、電鋳条件の調整により、電鋳層形成用支持体２０の第１面２０１上に形成される電鋳層１０’の電着成長面の表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）を所定の範囲（０．０２μｍ〜０．０５μｍ）に設定してもよい。
【００４０】
電鋳層１０’が形成された電鋳層形成用支持体２０からレジストパターン３１を除去するとともに（図６（Ｅ）参照）、電鋳層１０’から電鋳層形成用支持体２０を除去する（図６（Ｆ）参照）。これにより、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０が製造される。
【００４１】
本実施形態における電鋳製フィルタの製造方法において、電鋳層形成用支持体２０の第１面２０１に表面処理を施すことで、当該第１面２０１の表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）が所定の範囲に調整される。その第１面２０１上に電鋳層１０’を形成することで、電鋳層１０’の基材接触面に第１面２０１の表面粗さが転写され、電鋳製フィルタ１０のフィルタ基材１１のＢ面１１Ｂの表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）を所定の範囲に設定することができる。一方で、電鋳層１０’の電着成長面、すなわち電鋳製フィルタ１０のフィルタ基材１１のＡ面１１Ａの表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）は、電鋳層形成条件（例えば電流密度）の調整により、所定の範囲に設定され得る。よって、本実施形態における電鋳製フィルタの製造方法によれば、フィルタ基材１１のＡ面１１Ａ及びＢ面１１Ｂのそれぞれの表面粗さが、それらを識別可能な程度に相互に異なる電鋳製フィルタ１０を容易に製造することができる。
【００４２】
続いて、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０を用いたインクジェットヘッドについて説明する。図７は、本実施形態におけるインクジェットヘッドの概略構成を示す断面図である。
【００４３】
インクジェットヘッド５０は、キャビティプレート５１、ベースプレート５２、マニホールドプレート５３及びノズルプレート５４を備え、これらのプレート５１〜５４が積層されて接合されている。
【００４４】
キャビティプレート５１には、平面視略長円形状の圧力室６３が形成されている。ベースプレート５２には、圧力室６３の長手方向の両端部に位置する第１連通孔６２及び第２連通孔６４が形成されている。マニホールドプレート５３には、マニホールド流路６１が形成されている。マニホールド流路６１は、インクタンクに連通しており、当該インクタンクからマニホールド流路６１にインクが供給される。マニホールドプレート５３の長手方向におけるマニホールド流路６１の反対側の端部には、第３連通孔６５が形成されている。
【００４５】
ノズルプレート５４には、直径５μｍ〜５０μｍ程度のノズル孔５４１を有するノズル５４２が形成されている。マニホールド流路６１は、第１連通孔６２を介して圧力室６３に連通し、圧力室６３は、第２連通孔６４及び第３連通孔６５を介してノズル５４２に連通している。マニホールド流路６１、第１連通孔６２、圧力室６３、第２連通孔６４、第３連通孔６５及びノズル５４２により、インク流路６０が形成されている。このインク流路６０のうちの第１連通孔６２に本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０が設置されている。なお、電鋳製フィルタ１０は、インク流路６０のうちの少なくとも１箇所に設置されていればよく、第２連通孔６４に設置されていてもよいし、第３連通孔６５に設置されていてもよい。
【００４６】
キャビティプレート５１の上面には、振動板７１、圧電層７２及び電極７３がこの順に積層形成されている。電極７３に駆動信号である駆動パルスが印加されると、圧電層７２が振動して変形し、その変形が振動板７１に伝わる。そして、振動板７１の変形によって圧力室６３は圧縮され、その結果、圧力室６３内のインクに圧力が加わり、ノズル５４２のノズル孔５４１からインクが液滴となって吐出される。
【００４７】
かかるインクジェットヘッド５０において、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０が第１連通孔６２に配置されていることで、マニホールド流路６１内のインクに異物等が含まれていても、当該電鋳製フィルタ１０により捕捉されるため、ノズル孔５４１に目詰まりするのを防止することができる。そして、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０は、フィルタ基材１１のＡ面１１ＡとＢ面１１Ｂとの識別が可能な程度に、Ａ面１１ＡとＢ面１１Ｂの表面粗さが互いに異なるため、電鋳製フィルタ１０をインクジェットヘッド５０に組み込む際に、上流側（マニホールド流路６１側）に位置させるべき面と下流側（圧力室６３側）に位置させるべき面とを誤認してしまうのを防止することができる。
【００４８】
また、本実施形態に係る電鋳製フィルタ１０のＡ面１１Ａの表面粗さがＢ面１１Ｂの表面粗さよりも大きい場合には、Ａ面１１Ａのインクに対する濡れ性がＢ面１１Ｂのインクに対する濡れ性よりも低くなる。このような態様であれば、本実施形態におけるインクジェットヘッド５０において、インクの充填時等に気泡が混入してしまっても、当該気泡をノズル孔５４１に向けて透過させることが容易となるため、インクに混入した気泡を除去することができるという効果も奏し得る。
【００４９】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００５０】
上記実施形態において、電鋳層形成用支持体２０の第１面２０１に化学研磨処理を施すことで、当該第１面２０１の表面粗さを調製しているが、この態様に限定されるものではない。例えば、第１面２０１に表面処理が施されていない電鋳層形成用支持体２０を用いて電鋳層１０’を形成し、得られた電鋳層１０’における基材接触面に対して表面処理を施すことで、電鋳層１０’の基材接触面と電着成長面とのそれぞれの表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）を、それらを識別可能な程度に異ならせてもよい。また、電鋳層１０’を形成する際の電鋳条件（例えば電流密度等）を制御することで、電鋳層１０’の電着成長面の表面粗さ（例えば算術平均高さＳａ）を制御し、フィルタ基材１１のＡ面１１ＡとＢ面１１Ｂとのそれぞれの表面粗さを、それらを識別可能な程度に異ならせてもよい。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。
【００５２】
〔実施例１〕
ポリイミド樹脂基板の第１面に導電層としての銅−ニッケル−クロム合金スパッタ層をスパッタリング法により形成し、当該銅−ニッケル−クロム合金スパッタ層上に、電気めっき法により銅めっき層を形成することで電鋳層形成用支持体を準備した。当該電鋳層形成用支持体の銅めっき層の算術平均高さＳａを、レーザー顕微鏡ＶＫ−Ｘ２６０（キーエンス社製）を用いて求めたところ、０．０２５μｍであった。
【００５３】
電鋳層形成用支持体の銅めっき層上に、レジストパターン（直径寸法：１０μｍ、高さ：１０μｍ）を形成した。レジストパターンを形成した電鋳層形成用支持体をＰｄ−Ｎｉ電鋳液（Ｐｄ含有比：６０ｗｔ％）に浸漬し、銅めっき層上に電鋳層を形成した。電鋳層が形成された電鋳層形成用支持体からレジストパターンを除去し、最後に電鋳層形成用支持体を除去することで、電鋳製フィルタ１０を製造した。
【００５４】
このようにして得られた電鋳製フィルタ１０のフィルタ基材１１のＡ面１１Ａ（電鋳層における電着成長面）及びＢ面１１Ｂ（電鋳層における基材接触面）の算術平均高さＳａを、レーザー顕微鏡ＶＫ−Ｘ２６０（キーエンス社製）を用いて求めた。
【００５５】
Ａ面１１Ａの算術平均高さＳａは０．０３８μｍであり、Ｂ面１１Ｂの算術平均高さＳａは０．０２４μｍであった。当該電鋳製フィルタ１０のＡ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを肉眼で観察したところ、それらを識別可能であることが確認された。
【００５６】
〔実施例２〕
光沢剤を含むＰｄ−Ｎｉ電鋳液（Ｐｄ含有比：６０ａｔ％）を用いた以外は、実施例１と同様にして電鋳製フィルタ１０を製造し、当該電鋳製フィルタ１０のフィルタ基材１１のＡ面１１Ａ（電鋳層における電着成長面）及びＢ面１１Ｂ（電鋳層における基材接触面）の算術平均高さＳａを求めた。
【００５７】
Ａ面１１Ａの算術平均高さＳａは０．０１２μｍであり、Ｂ面１１Ｂの算術平均高さＳａは０．０２４μｍであった。当該電鋳製フィルタ１０のＡ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを肉眼で観察したところ、それらを識別可能であることが確認された。
【００５８】
〔実施例３〕
電鋳層形成用支持体の銅めっき層に銅表面処理剤（ＣＺ−８１００，メック社製）を噴霧し（噴霧時間：２０ｓｅｃ）、銅めっき層に粗化処理を施した。粗化処理後の銅めっき層の算術平均高さＳａを求めたところ、０．０４１μｍであった。
【００５９】
粗化処理後の電鋳層形成用支持体を用いた以外は、実施例１と同様にして電鋳製フィルタ１０を製造し、当該電鋳製フィルタ１０のフィルタ基材１１のＡ面１１Ａ（電鋳層における電着成長面）及びＢ面１１Ｂ（電鋳層における基材接触面）の算術平均高さＳａを求めた。
【００６０】
Ａ面１１Ａの算術平均高さＳａは０．０８４μｍであり、Ｂ面１１Ｂの算術平均高さＳａは０．０３５μｍであった。当該電鋳製フィルタ１０のＡ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを肉眼で観察したところ、それらを識別可能であることが確認された。
【００６１】
〔実施例４〕
銅表面処理剤の噴霧時間を１５秒間に変更した以外は、実施例３と同様にして粗化処理後の電鋳層形成用支持体を用い、電鋳製フィルタ１０を製造し、当該電鋳製フィルタ１０のフィルタ基材１１のＡ面１１Ａ（電鋳層における電着成長面）及びＢ面１１Ｂ（電鋳層における基材接触面）の算術平均高さＳａを求めた。
【００６２】
Ａ面１１Ａの算術平均高さＳａは０．０５９μｍであり、Ｂ面１１Ｂの算術平均高さＳａは０．０３１μｍであった。当該電鋳製フィルタ１０のＡ面１１ＡとＢ面１１Ｂとを肉眼で観察したところ、それらを識別可能であることが確認された。
【００６３】
〔比較例１〕
ガラス基板の第１面に導電層としての銅スパッタ層をスパッタリング法により形成することで電鋳層形成用支持体を準備した。当該電鋳層形成用支持体の銅スパッタ層の算術平均高さＳａを実施例１と同様にして求めたところ、０．００４μｍであった。
【００６４】
当該電鋳層形成用支持体を用いた以外は、実施例１と同様にして電鋳製フィルタを製造し、当該電鋳製フィルタのＡ面（電鋳層における電着成長面）及びＢ面（電鋳層における基材接触面）の算術平均高さＳａを求めた。Ａ面の算術平均高さＳａは０．０１２μｍであり、Ｂ面の算術平均高さＳａは０．００４μｍであった。当該電鋳製フィルタのＡ面とＢ面とを肉眼で観察したところ、それらを識別することができなかった。
【００６５】
〔比較例２〕
シリコンウェハの第１面に導電層としての銅スパッタ層をスパッタリング法により形成することで電鋳層形成用支持体を準備した。当該電鋳層形成用支持体の銅スパッタ層の算術平均高さＳａを実施例１と同様にして求めたところ、０．００７μｍであった。
【００６６】
当該電鋳層形成用支持体を用いた以外は、実施例１と同様にして電鋳製フィルタを製造し、当該電鋳製フィルタのＡ面（電鋳層における電着成長面）及びＢ面（電鋳層における基材接触面）の算術平均高さＳａを求めた。Ａ面の算術平均高さＳａは０．０１２μｍであり、Ｂ面１１Ｂの算術平均高さＳａは０．００７μｍであった。当該電鋳製フィルタのＡ面とＢ面とを肉眼で観察したところ、それらを識別することができなかった。
【００６７】
上記実施例１〜４及び比較例１〜２の結果から明らかなように、電鋳製フィルタのフィルタ基材のＡ面及びＢ面のそれぞれの表面粗さを、それらを識別可能な程度に相互に異ならせ、それらの表面粗さ（算術平均粗さＳａ）の差分を０．０１μｍ以上とし、かつＡ面の算術平均粗さＳａを０．００５μｍ〜０．１μｍ程度、Ｂ面の算術平均粗さＳａを０．０２μｍ〜０．０５μｍ程度にすることで、肉眼によりＡ面及びＢ面を識別可能であることが確認された。
【符号の説明】
【００６８】
１０…電鋳製フィルタ
１１…フィルタ基材
１１Ａ…Ａ面
１１Ｂ…Ｂ面
１２…貫通孔
５０…インクジェットヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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