【事件の表示】
　特許第３１２６６４９号「位相シフトマスクを製造する方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２６６４９号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理　由】
（Ｉ）手続の経緯
　　本件特許第３１２６６４９号の請求項１〜５に係る発明は、平成８年１月４日（パリ条約による優先権主張、１９９４年１２月３０日、米国）に特許出願され、平成１２年１１月２日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、斉藤　順一より特許異議申立てがなされ、これを受けて取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年３月２８日に訂正請求がなされたものである。
（ＩＩ）訂正の適否
　ａ、特許請求の範囲請求項１の「（ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異なる材料であって第１層との組み合わせで波長λの光放射に対して不透明となるような十分な厚さの第２層（１２）を準備するステップと、」を「（ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異なる材料であってそれ自身は不透明でないが第１層との組み合わせではじめて波長λの光放射に対して不透明となるような十分な厚さの第２層（１２）を堆積するステップと、」と訂正する。
　ｂ、特許請求の範囲請求項２の「前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、全部ではなく少なくとも１つの間隔を置いた領域の間のスペースの部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。」を「前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、全部ではなく少なくとも１つの間隔によって隔てられた領域の上部の一部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。」と訂正する。
  ｃ、特許請求の範囲請求項３の「前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、少なくとも１対の間隔を置いた領域の間のスペースの部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。」を「前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、少なくとも１対の間隔によって隔てられた領域の間の間隔の一部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。」と訂正する。
　上記ａ、〜ｃ、は、特許請求の範囲の減縮ないし明りょうでない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成六年法改正前の第１２６条第１項ただし書および第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（ＩＩＩ）特許異議の申立て
（１）本件発明
　特許第３１２６６４９号の請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明４」、「本件発明５」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】位相シフトマスクを製造する方法において、
（ａ）波長λの光放射に対して部分的に透明な第１層（１１）が上部表面に配置されている基板（１０）を準備するステップと、
（ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異なる材料であってそれ自身は不透明でないが第１層との組み合わせではじめて波長λの光放射に対して不透明となるような十分な厚さの第２層（１２）を堆積するステップと、
（ｃ）前記第２層の上部表面に第１パターン付きレジスト層（１３）を形成するステップと、
（ｄ）前記第１パターン付きレジスト層を第２層のエッチングのプロテクト層として用い、第１パターン付きレジスト層または得られたパターン付き第２層を第１層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第１パターン付き不透明層（３１、３２）が、その各々が少なくとも１つの側壁によって境界形成された上部表面を有する間隔の置いた領域を有して形成されるように、第１層と第２層をエッチングするステップと、
（ｅ）この間隔を置いた領域のいくつか（全部ではない）の全上部表面およびそれらの間の全スペースをコートする第２パターン付きレジスト層（図５の１５と図７の１７）を形成するステップと、
（ｆ）第２パターン付きレジスト層をこの第２パターン付き層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第２パターン付き不透明層およびパターン付き部分的透明層を形成するために、この第２パターン付き第２層の露出部分のみをエッチングするステップとを含み、前記第２パターン付き不透明層は、少なくとも１つのレクチル整合マークを含む第１のパターンを有し、前記レクチル整合マークは、前記部分的透明層の第２のパターンと自己整合していることを特徴とする位相シフトマスクを製造する方法。
【請求項２】前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、全部ではなく少なくとも１つの間隔によって隔てられた領域の上部の一部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、少なくとも１対の間隔によって隔てられた領域の間の間隔の一部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】第２パターン付きレジスト層をストリップするステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記ステップ（ｃ）は、前記ステップ（ｃ）は、第１パターン付きレジスト層をエッチングの第１プロテクトマスクとして用いてほぼ第２層のみをエッチングし、得られた第２パターン付き層を第２プロテクトマスクとして用いて第１層のみをエッチングするステップによって行われることを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれか１項に記載の方法。」
（２）特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人斉藤　順一は、本件発明１〜５は、甲第１号証（特開平６−８３０３４号公報）並びに甲第２号証（特開平６−２８９５８９号公報）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない発明であって、それら発明に係る特許は取り消されるべき旨主張し、また、甲第１号証および甲第２号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明であって、それら発明に係る特許は取り消されるべき旨主張し、さらに、記載不備があるから特許法第３６条の規定により特許を受けることができない発明であって、それら発明に係る特許は取り消されるべき旨主張している。
（２）甲各号証記載の発明
  特許異議申立人斉藤　順一が提出した甲第１号証（特開平６−８３０３４号公報）には、
「【０１７５】実施例１６
次に、この露光マスク用基板を用い前述した例と同様の方法で露光用マスクを形成する。ここでは前記実施例１１で作成した露光マスク用基板を用いる。この露光マスク用基板は、ＫｒＦエキシマレーザ用位相シフトマスクを作成するための基板であり、厚さ２.５ｍｍの酸化シリコン基板９０上に、位相シフタとなる半透明膜として窒化シリコン膜ＳｉＮ０.９９１を形成し、この上層に遮光膜としてＣｒ膜９２を形成しさらにこの上層を反射防止層としてのＣｒＯ膜９３で被覆して構成されている。
【０１７６】まず、図１０（ａ）に示すように露光マスク用基板表面に電子線レジスト９４を膜厚５００ｎｍで形成し、さらに塗布性導電膜９５を膜厚２００ｎｍとなるように形成する。
【０１７７】次いで、図１０（ｂ）に示すように電子線により４μＣ／ｃｍ２でデバイスパターンとデバイスパターン外領域を含むデータにより描画を行い、現像しレジストパターン９４ａを形成する。ここでも、塗布性導電膜９５上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパターン９４ａを形成する。また図中Ｂはパターン領域とパターン外領域の境界を示す。
【０１７８】次いで、図１０（ｃ）に示すように、レジストパターンをマスクとしてＣｌ２ガスによる反応性イオンエッチングにより、レジストパターンから露出するＣｒ膜およびＣｒＯ膜をエッチング除去したのち、ガスを切り換えＣＦ４とＯ２との混合ガスによる反応性イオンエッチングにより、露出している窒化シリコン膜ＳｉＮ０.９９１をエッチング除去する。
【０１７９】この後、図１０（ｄ）に示すように、硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりレジストパターンを除去する。これにより遮光膜と半透明膜からなる位相シフトパターンが形成されるが、この際同時に不要な遮光膜を除去するための露光を行うためのアライメントマークＭが形成される。
【０１８０】このようにして図１０（ｅ）に示すように遮光膜と半透明膜からなる位相シフトパターンを形成した後、電子線レジスト９６を膜厚５００ｎｍで形成し、さらに塗布性導電膜９７を膜厚２００ｎｍとなるように形成する。
【０１８１】次いで、図１０（ｆ）に示すように電子線により４μＣ／ｃｍ２でデバイスパターン外領域にレジスト膜が残るように作成されたデータにより描画を行い、現像しレジストパタ−ン９６ａを形成する。ここでも、塗布性導電膜９７上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパターン９６ａを形成する。
【０１８２】次いで、図１０（ｇ）に示すように、このレジストパターンをマスクとしてＣｌ２ガスによる反応性イオンエッチングにより、ＣｒＯ膜９３／Ｃｒ膜９２をエッチング除去する。
【０１８３】最後に、図１０（ｈ）に示すように、硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりこのレジストパターンを除去した。
【０１８４】このようにして形成された露光用マスクは、デバイスパターン領域では窒化シリコンとシリコンとの２層膜よりなる半透明膜、デバイスパターン領域外ではＣｒ膜を含む遮光膜となっている。」（段落【０１７５】〜【０１８４】）との記載があり、結局、位相シフトマスクを製造する方法において、
（ａ）波長λの光放射に対して部分的に透明な窒化シリコン膜９１が上部表面に配置されている酸化シリコン基板９０を準備するステップと、
（ｂ）前記窒化シリコン膜９１の上部表面に、窒化シリコン膜９１と化学的に異なる材料であるＣｒ膜９２を堆積するステップと、
（ｃ）前記Ｃｒ膜９２の上部表面にレジストパターン９４ａを形成するステップと、
（ｄ）前記レジストパターン９４ａをＣｒ膜９２のエッチングのプロテクト層として用い、レジストパターン９４ａまたは得られたパターン付きＣｒ膜９２を窒化シリコン膜９１のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、窒化シリコン膜９１及びＣｒ膜９２が、その各々が少なくとも１つの側壁によって境界形成された上部表面を有する間隔の置いた領域を有して形成されるように、窒化シリコン膜９１とＣｒ膜９２をエッチングするステップと、
（ｅ）この間隔を置いた領域のいくつか（全部ではない）をコートするレジストパターン９６ａを形成するステップと、
（ｆ）レジストパターン９６ａをこの第２パターン付き層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、窒化シリコン膜９１および窒化シリコン膜９１を形成するために、このレジストパターン９６ａの露出部分のみをエッチングするステップとを含み、前記Ｃｒ膜９２は、少なくとも１つのアライメントマークＭを含む第１のパターンを有し、前記アライメントマークＭは、前記窒化シリコン膜９１の第２のパターンと自己整合していることを特徴とする位相シフトマスクを製造する方法が開示されている。
　同じく提出した甲第２号証（特開平６−２８９５８９号公報）には、
「【００２４】以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳述する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明に係わり、図１（ｆ）および図２に示した構成の半透過遮光型位相シフトマスクの製造方法の説明図である。
【００２５】図１（ａ）に示すように、透明基板１の上に、エッチング耐性をもち、かつ半透過する材料よりなる半透過遮光兼エッチングストッパー層３、透明材料よりなる位相シフト層５、及び一般的に金属及び金属酸化物材料よりなる遮光層７の順に所定の膜厚に設けられ、さらに遮光層７の上に電子線レジスト９をコートする。透明基板１はフォトマスク用として一般的に使用されている合成石英ガラス等の光学的に透明な材料からなり、通常は厚さが１.５乃至７ｍｍ程度のうちの何れかが使用されるが、その厚さは使用目的や技術的制約等に由来する要求仕様によるものであり特には制限はない。
【００２６】次に、半透過遮光兼エッチングストッパー層３はエッチング方法によって適正材料を選択する。さらに、透明材料よりなる位相シフト層５は材料としては光学的に透明であればよく、ＳｉＯＸ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＭｇＦ２等が使用できるが、特に限定されるものではない。膜厚は前記の通り透過光の位相反転量が１８０°に相当する膜厚とすることが望ましい。
【００２７】次に、一般的に遮光層７は金属及び金属酸化物材料よりなり通常クロム、酸化クロム、位相シフト材料、従来フォトマスクに用いられる遮光材料でよいが、遮光性を有するように一定の光学濃度が必要であり、通常は光学濃度を２.０〜４.０程度とする。膜厚は一定の光学濃度とするために２０〜３００ｎｍ程度とする。
【００２８】最後に電子線レジスト層９が設けられ、主領域部１３にはパターンを描画し、主領域部以外の周辺部分１５には品名やパターン名、アライメントマーク、フィデュシャルマークのそれぞれのパターンが含まれる。ここで、前記レジスト材料として紫外線感光性フォトレジスト用いることも可能であり、レーザー描画装置を用いて描画すればよい。
【００２９】次に図１の（ｂ）に示すように、全領域部にレジストパターン１７をエッチングで形成を行う。さらに図１の（ｃ）の工程では、遮光層７をマスクとしてエッチングし、前記レジストバターン１７と遮光パターン１９をマスクにしてシフター層５と半透過遮光層３をエッチングする。
【００３０】半透過遮光層は金属および金属酸化物材料の単体または多層膜で構成されるが、その光学透過率は３〜２０％の範囲内とし、金属膜の膜厚を調整することによりこの値を得る。この後残ったレジストを除去する。
【００３１】次に、図１の（ｄ）のようにポジ型フォトレジスト２３をコートして、主領域部のみを紫外線露光２１して、現像処理を行って除去した。さらに図１（ｅ）の工程では、位相シフトパターン２５上の遮光膜をエッチングする。これで主領域部に位相シフトパターンを作製する。さらに図１（ｆ）の工程において、最後に残ったレジスト２３を除去して、位相シフトマスクを得る。
【００３２】この時、主領域部以外の周辺部分の位相シフト部１５もエッチングされているが、露光用マスクとしては遮光部に完全に被覆された位相シフト層は何ら作用をなさないので、この部分は露光転写の際、単に遮光パターンとして働く。
【００３３】図２は本発明に係わるハーフトーン型位相シフトマスクの構成を示す断面図及び平面図である。
【００３４】図２は前記図（ｆ）構成の位相シフシマスクの平面図を示し、主領域部１３透過部および位相シフト部が含まれ、遮光部は含まない。主領域部の外部すなわち周辺部は、遮光パターンであり、この中にフィデュシャルマーク部２７、パターン名部２９、ウライメントマーク部３１のそれぞれのパターンが含まれる。なお図２におけるこれらのパターン位置は例として示したものであり、特に位置は固定されるものではなく、パターンの大きさ、数も制限されない。
【００３５】図５は前記図１に示した工程を行うために準備されるマスクブランクの構成を示した図であり、透明基板状１の上に、エッチング耐性をもち、かつ半透過する材料よりなる半透過遮光兼エッチングストッパー層３、透明材料よりなる位相シフト層５、及び一般的に金属及び金属酸化物材料よりなる遮光層７の順に所定の膜厚に設けられたマスクである。」（段落【００２４】〜【００３５】）との記載があり、結局、位相シフトマスクを製造する方法において、
（ａ）波長λの光放射に対して部分的に透明な光半透過層兼エッチングストッパー層３及び位相シフト層５が上部表面に配置されている透明基板１を準備するステップと、
（ｂ）前記光半透過層兼エッチングストッパー層３及び位相シフト層５の上部表面に、光半透過層兼エッチングストッパー層３及び位相シフト層５と化学的に異なる材料である遮光層７を堆積するステップと、
（ｃ）前記遮光層７の上部表面にレジストパターン１７を形成するステップと、
（ｄ）前記レジストパターン１７を遮光層７のエッチングのプロテクト層として用い、レジストパターン１７または得られたパターン付き遮光層７を光半透過層兼エッチングストッパー層３及び位相シフト層５のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、光半透過層兼エッチングストッパー層３、位相シフト層５及び遮光層７が、その各々が少なくとも１つの側壁によって境界形成された上部表面を有する間隔の置いた領域を有して形成されるように、光半透過層兼エッチングストッパー層３及び位相シフト層５と遮光層７をエッチングするステップと、
（ｅ）この間隔を置いた領域のいくつか（全部ではない）をコートするレジスト層２３を形成するステップと、
（ｆ）レジスト層２３をこの第２パターン付き層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、遮光層７およびパターン付き光半透過層兼エッチングストッパー層３及び位相シフト層５を形成するために、このレジスト層２３の露出部分のみをエッチングするステップとを含み、前記遮光層７は、少なくとも１つのアライメントマークを含む第１のパターンを有し、前記アライメントマークは、前記光半透過層兼エッチングストッパー層３及び位相シフト層５の第２のパターンと自己整合していることを特徴とする位相シフトマスクを製造する方法が開示されている。
（３）本件発明１と甲第１号証記載の発明との対比
本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、前者の「第１層（１１）」、「基板（１０）」、「第２層（１２）」、「第１パターン付きレジスト層（１３）」、「第１パターン付き不透明層（３１、３２）」、「第２パターン付きレジスト層（図５の１５と図７の１７）」、「第２パターン付き不透明層」、「パターン付き部分的透明層及び部分的透明層の第２のパターン」は、夫々後者の「窒化シリコン膜９１」、「酸化シリコン基板９０」、「Ｃｒ膜９２」、「レジストパターン９４ａ」、「窒化シリコン膜９１及びＣｒ膜９２」、「レジストパターン９６ａ」、「Ｃｒ膜９２」、「窒化シリコン膜９１」に相当するから、両者は、位相シフトマスクを製造する方法において、
（ａ）波長λの光放射に対して部分的に透明な第１層（１１）が上部表面に配置されている基板（１０）を準備するステップと、
（ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異なる材料である第２層（１２）を堆積するステップと、
（ｃ）前記第２層の上部表面に第１パターン付きレジスト層（１３）を形成するステップと、
（ｄ）前記第１パターン付きレジスト層を第２層のエッチングのプロテクト層として用い、第１パターン付きレジスト層または得られたパターン付き第２層を第１層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第１パターン付き不透明層（３１、３２）が、その各々が少なくとも１つの側壁によって境界形成された上部表面を有する間隔の置いた領域を有して形成されるように、第１層と第２層をエッチングするステップと、
（ｅ）この間隔を置いた領域のいくつか（全部ではない）をコートする第２パターン付きレジスト層（図５の１５と図７の１７）を形成するステップと、
（ｆ）第２パターン付きレジスト層をこの第２パターン付き層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第２パターン付き不透明層およびパターン付き部分的透明層を形成するために、この第２パターン付き第２層の露出部分のみをエッチングするステップとを含み、前記第２パターン付き不透明層は、少なくとも１つの整合マークを含む第１のパターンを有し、前記整合マークは、前記部分的透明層の第２のパターンと自己整合していることを特徴とする位相シフトマスクを製造する方法で一致し、
Ａ第２層（１２）が、前者は、それ自身は不透明でないが第１層との組み合わせではじめて波長λの光放射に対して不透明となるような十分な厚さであるのに対して、後者は、Ｃｒ膜９２である点、
Ｂ第２パターン付きレジスト層（図５の１５と図７の１７）をコートする部分が、前者は、全上部表面およびそれらの間の全スペースであるのに対して、後者は、そのような記載が無い点、
Ｃ前者は、レクチル整合マークであるのに対して、後者は、アライメントマークである点で相違する。
　そこで先ず、相違点Ａについて検討すると、本件明細書の段落【００２８】には、「不透明層１２はクロムまたは酸窒化クロム製である。この不透明層１２はそれ自身が不透明である必要がないが、その厚さが不透明層１２と部分透明層１１を合わせて波長λの光に対して不透明となる必要がある。」との記載があり、第２層（１２）が、不透明層であり、クロム製であると述べている。
　一方、甲第１号証の段落【０１８４】には、「このようにして形成された露光用マスクは、デバイスパターン領域では窒化シリコンとシリコンとの２層膜よりなる半透明膜、デバイスパターン領域外ではＣｒ膜を含む遮光膜となっている。」との記載があり、基板は透光性であるから、基板を除いた部分でも、夫々窒化シリコン１層の半透明膜、窒化シリコンとＣｒとの２層の遮光膜となっている。
　してみると、両者間に、実質的な差異は、見い出せない。
　次に、相違点Ｂについて検討すると、一般に、レジスト層をどの部分に形成するかというようなことは、当業者が適宜決定できる設計的な事項に過ぎない。
　そして、間隔を置いた領域の全上部表面およびそれらの間の全スペースに形成することは、従来周知の技術手段（例えば、甲第１号証の図１０（ｆ）の右側の部分、甲第２号証の図１ｅ）の右側の部分等を参照。）に過ぎない。
　最後に、相違点Ｃについて検討すると、本件明細書の段落【００１２】の「・・・マスク１０３をステップ−リピータツール（以下では「ステッパーツール」と称する）に配置するためには、マスク−ツー−ステパーツール整合マーク（以下では「レチクル整合マーク」と称する）が主特徴物領域の外部のマスク１０３に配置される。・・・」との記載からみて、レチクル整合マークとは、レチクルをステッパーに位置合わせするためのマークであると解される。
  一方、一般に、アライメントマークは、従来周知（例えば、甲第１号証の図１０（ｄ）のＭ、甲第２号証の図２の３１等を参照。）の技術手段に過ぎず、位置合わせのために用いられるマークであるから、このようなアライメントマークをレチクル整合マークとして用いるようなことは、当業者なら容易に推考できると言える。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
（４）本件発明１と甲第２号証記載の発明との対比
本件発明１と甲第２号証に記載された発明とを対比すると、前者の「基板（１０）」、「第２層（１２）」、「第１パターン付きレジスト層（１３）」、「第１パターン付き不透明層（３１、３２）」、「第２パターン付きレジスト層（図５の１５と図７の１７）」、「第２パターン付き不透明層」は、夫々後者の「透明基板１」、「遮光層７」、「レジストパターン１７」、「光半透過層兼エッチングストッパー層３、位相シフト層５及び遮光層７」、「レジスト層２３」、「遮光層７」に相当し、また、前者の「第１層（１１）」及び「パターン付き部分的透明層及び部分的透明層の第２のパターン」は、後者の「光半透過層兼エッチングストッパー層３及び位相シフト層５」に実質的に相当するから、両者は、位相シフトマスクを製造する方法において、
（ａ）波長λの光放射に対して部分的に透明な第１層（１１）が上部表面に配置されている基板（１０）を準備するステップと、
（ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異なる材料である第２層（１２）を堆積するステップと、
（ｃ）前記第２層の上部表面に第１パターン付きレジスト層（１３）を形成するステップと、
（ｄ）前記第１パターン付きレジスト層を第２層のエッチングのプロテクト層として用い、第１パターン付きレジスト層または得られたパターン付き第２層を第１層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第１パターン付き不透明層（３１、３２）が、その各々が少なくとも１つの側壁によって境界形成された上部表面を有する間隔の置いた領域を有して形成されるように、第１層と第２層をエッチングするステップと、
（ｅ）この間隔を置いた領域のいくつか（全部ではない）をコートする第２パターン付きレジスト層（図５の１５と図７の１７）を形成するステップと、
（ｆ）第２パターン付きレジスト層をこの第２パターン付き層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第２パターン付き不透明層およびパターン付き部分的透明層を形成するために、この第２パターン付き第２層の露出部分のみをエッチングするステップとを含み、前記第２パターン付き不透明層は、少なくとも１つの整合マークを含む第１のパターンを有し、前記整合マークは、前記部分的透明層の第２のパターンと自己整合していることを特徴とする位相シフトマスクを製造する方法で一致し、
Ａ第２層（１２）が、前者は、それ自身は不透明でないが第１層との組み合わせではじめて波長λの光放射に対して不透明となるような十分な厚さであるのに対して、後者は、遮光層７である点、
Ｂ第２パターン付きレジスト層（図５の１５と図７の１７）をコートする部分が、前者は、全上部表面およびそれらの間の全スペースであるのに対して、後者は、そのような記載が無い点、
Ｃ前者は、レクチル整合マークであるのに対して、後者は、アライメントマークである点で相違する。
　そこで先ず、相違点Ａについて検討すると、本件明細書の段落【００２８】には、「不透明層１２はクロムまたは酸窒化クロム製である。この不透明層１２はそれ自身が不透明である必要がないが、その厚さが不透明層１２と部分透明層１１を合わせて波長λの光に対して不透明となる必要がある。」との記載があり、第２層（１２）が、不透明層であり、クロム製であると述べている。
　一方、甲第２号証の段落【００２７】には、「次に、一般的に遮光層７は金属及び金属酸化物材料よりなり通常クロム、酸化クロム、位相シフト材料、従来フォトマスクに用いられる遮光材料でよいが、遮光性を有するように一定の光学濃度が必要であり、通常は光学濃度を２.０〜４.０程度とする。膜厚は一定の光学濃度とするために２０〜３００ｎｍ程度とする。」との記載が、段落【００３６】には、「【作用】本発明によれば、主領域部が透過部と層シフト部とからなることによってハーフトーン型位相シフトマスクを得ることができ、主領域部以外の部分は少なくとも一部が遮光部からなる・・・」との記載があり、図１のｆ）からは、層シフト部が、光半透過層兼エッチングストッパー層３と位相シフト層５とから構成され、遮光部が、光半透過層兼エッチングストッパー層３と位相シフト層５と遮光層７とから構成されることが窺える。
　してみると、両者間に、実質的な差異は、見いだせない。
　次に、相違点Ｂについて検討すると、一般に、レジスト層をどの部分に形成するかというようなことは、当業者が適宜決定できる設計的な事項に過ぎない。
　そして、間隔を置いた領域の全上部表面およびそれらの間の全スペースに形成することは、従来周知の技術手段（例えば、甲第１号証の図１０（ｆ）の右側の部分、甲第２号証の図１ｅ）の右側の部分等を参照。）に過ぎない。
　最後に、相違点Ｃについて検討すると、本件明細書の段落【００１２】の「・・・マスク１０３をステップ−リピータツール（以下では「ステッパーツール」と称する）に配置するためには、マスク−ツー−ステパーツール整合マーク（以下では「レチクル整合マーク」と称する）が主特徴物領域の外部のマスク１０３に配置される。・・・」との記載からみて、レチクル整合マークとは、レチクルをステッパーに位置合わせするためのマークであると解される。
  一方、一般に、アライメントマークは、従来周知（例えば、甲第１号証の図１０（ｄ）のＭ、甲第２号証の図２の３１等を参照。）の技術手段に過ぎず、位置合わせのために用いられるマークであるから、このようなアライメントマークをレチクル整合マークとして用いるようなことは、当業者なら容易に推考できると言える。
　したがって、本件発明１は、甲第２号証及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
（５）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１のステップ（ｅ）において、「第２パターン付きレジスト層は、全部ではなく少なくとも１つの間隔によって隔てられた領域の一部分のみをコートする」と限定するものであるが、上記相違点Ｂの検討で述べたように、一般に、レジスト層をどの部分に形成するかというようなことは、当業者が適宜決定できる設計的な事項に過ぎない。
　しかも、レジスト層を凸部の一部分のみにコートすることは、従来周知の技術手段（例えば、特開平６−２８９５９４号公報の図１８及び図２２、特開平６−２２２５４８号公報の図１（ｄ）、特開平６−１６７８０２号公報図２（Ｂ）等を参照。）に過ぎないから、本件発明１と同様の判断となる。
（６）本件発明３について
  本件発明３は、本件発明１のステップ（ｅ）において、「第２パターン付きレジスト層は、少なくとも１対の間隔によって隔てられた領域の間の間隔の一部分のみをコートする」と限定するものであるが、上記相違点Ｂの検討で述べたように、一般に、レジスト層をどの部分に形成するかというようなことは、当業者が適宜決定できる設計的な事項に過ぎない。
　しかも、レジスト層を凹部の一部分のみにコートすることは、従来周知の技術手段（例えば、特開平６−２８９５９４号公報の図１６及び図２１、特開平５−２９７５６６号公報の図７、特開平５−２０４１２９号公報の図２（ｊ）等を参照。）に過ぎないから、本件発明１と同様の判断となる。
（７）本件発明４について
  本件発明４は、本件発明１を「第２パターン付きレジスト層をストリップするステップを含む」と限定するものであるが、そのようなことは技術常識（例えば、甲第１号証図１０の（ｇ）と（ｈ）、甲第２号証の図１のｅ）とｆ）を参照。）に過ぎないから、本件発明１と同様の判断となる。
（８）本件発明５について
　本件発明５は、本件発明１〜４のステップ（ｃ）を、「第１パターン付きレジスト層をエッチングの第１プロテクトマスクとして用いてほぼ第２層のみをエッチングし、得られた第２パターン付き層を第２プロテクトマスクとして用いて第１層のみをエッチングする」と限定するものであるが、一般に、エッチングする際に、上側の層から１層ずつエッチングすることは、従来周知の技術手段（例えば、特開平６−１９１０９号公報図４（ｇ）及び（ｈ）、特開平５−１３４３８４号公報図１（ｂ）及び（ｃ）等を参照。）に過ぎず、当該周知技術を甲第１号証ないし甲第２号証に記載の発明に適用するようなことは、当業者であれば容易に推考できるものと認められる。
　そして、当該適用によって、格別顕著な作用効果が生じるとは認められないから、本件発明１〜４と同様の判断となる。
（ＩＶ）むすび
　そうすると、本件請求項１〜５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第２号に該当するので、取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月９日（２００２．５．９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
特許請求の範囲の減縮を目的として、下記（１）のように特許請求の範囲を訂正する。また、明りょうでない記載の釈明を目的として、下記（２）〜（３）のように特許請求の範囲を訂正する。
（１）特許請求の範囲請求項１の「（ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異なる材料であって第１層との組み合わせで波長λの光放射に対して不透明となるような十分な厚さの第２層（１２）を準備するステップと、」を「（ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異なる材料であってそれ自身は不透明でないが第１層との組み合わせではじめて波長λの光放射に対して不透明となるような十分な厚さの第２層（１２）を堆積するステップと、」と訂正する。
（２）特許請求の範囲請求項２の「前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、全部ではなく少なくとも１つの間隔を置いた領域の間のスペースの部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。」を「前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、全部ではなく少なくとも１つの間隔によって隔てられた領域の上部の一部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。」と訂正する。
（３）特許請求の範囲請求項３の「前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、少なくとも１対の間隔を置いた領域の間のスペースの部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。」を「前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、少なくとも１対の間隔によって隔てられた領域の間の間隔の一部分のみをコートすることを特徴とする請求項１に記載の方法。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
位相シフトマスクの減衰用自己整合不透明領域の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　位相シフトマスクを製造する方法において、
　（ａ）波長λの光放射に対して部分的に透明な第１層（１１）が上部表面に配置されている基板（１０）を準備するステップと、
　（ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異なる材料であってそれ自身は不透明でないが第１層との組み合わせではじめて波長λの光放射に対して不透明となるような十分な厚さの第２層（１２）を堆積するステップと、
　（ｃ）前記第２層の上部表面に第１パターン付きレジスト層（１３）を形成するステップと、
　（ｄ）前記第１パターン付きレジスト層を第２層のエッチングのプロテクト層として用い、第１パターン付きレジスト層または得られたパターン付き第２層を第１層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第１パターン付き不透明層（３１、３２）が、その各々が少なくとも１つの側壁によって境界形成された上部表面を有する間隔の置いた領域を有して形成されるように、第１層と第２層をエッチングするステップと、
　（ｅ）この間隔を置いた領域のいくつか（全部ではない）の全上部表面およびそれらの間の全スペースをコートする第２パターン付きレジスト層（図５の１５と図７の１７）を形成するステップと、
　（ｆ）第２パターン付きレジスト層をこの第２パターン付き層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第２パターン付き不透明層およびパターン付き部分的透明層を形成するために、この第２パターン付き第２層の露出部分のみをエッチングするステップとを含み、
　前記第２パターン付き不透明層は、少なくとも１つのレクチル整合マークを含む第１のパターンを有し、前記レクチル整合マークは、前記部分的透明層の第２のパターンと自己整合している
ことを特徴とする位相シフトマスクを製造する方法。
　【請求項２】　前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、全部ではなく少なくとも１つの間隔によって隔てられた領域の上部の一部分のみをコートする
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
　【請求項３】　前記ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は、少なくとも１対の間隔によって隔てられた領域の間の間隔の一部分のみをコートする
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
　【請求項４】　第２パターン付きレジスト層をストリップするステップを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
　【請求項５】　前記ステップ（ｃ）は、
　前記ステップ（ｃ）は、第１パターン付きレジスト層をエッチングの第１プロテクトマスクとして用いてほぼ第２層のみをエッチングし、得られた第２パターン付き層を第２プロテクトマスクとして用いて第１層のみをエッチングするステップによって行われる
ことを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は半導体集積回路及び他のデバイスの製造に使用される光リソグラフィに関し、特に、これらの回路及びデバイスの製造用の光リソグラフィシステムに使用される光リソグラフィマスク及びこのマスクをマスキングする方法に関する。これらのマスクは異なる倍率を有する光システムに使用される場合には特別に「レチクル」とも呼ばれている。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図１は従来の技術によるワークピース１２０に特徴物を規定する光リソグラフィ製造システム１００を示す。このワークピース１２０は一般的に半導体ウェーハ（基板）、及びこのウェーハ上部主表面にある１つまたは複数の物質層（図示せず）を含んでいる。
　【０００３】
　さらに具体的には、一般的に波長λの単色光の放射が水銀ランプのような光源１０６により放出される。この放射は、不透明スクリーン１０５上の孔と、平行光レンズまたはレンズシステム１０４と、不透明材料上の孔（高輝度領域）の形で形成された特徴物のパターンを有するパターン付きリソグラフィマスク（「レチクル」）１０３と、集光レンズまたはレンズシステム１０２とを連続的に透過する。リソグラフィマスク１０３から放出した光放射は、集光レンズ１０２によりワークピース１２０の上部主表面上のフォトレジスト層１０１に集光される。このようにして、透明と不透明の部分のパターンにより形成されたリソグラフィマスク１０３のパターンは、フォトレジスト層１０１上に集光される。開口プロセス（一般的にウェット開口プロセスである）において、使用されるフォトレジストのポジ及びネガの種類によって、フォトレジストの材料の光の入射される領域だけはそれぞれ除去されたり、そのまま残されたりする。このように、マスクのパターンはフォトレジスト層１０１上に伝送（印刷）されるようになる。
　【０００４】
　後続のエッチングプロセス、例えば、ウェットエッチングまたはドライエッチングは一般的に半導体ウェーハからなるワークピース１２０の選択された部分を除去する。ここで、ワークピース１２０上の除去される部分は開口プロセスにより除去されたフォトレジスト層１０１の下の領域であり、フォトレジストの残されている領域の下の領域ではない。別法として、このようなワークピース１２０の選択エッチングの代わりに、不純物イオンが開口プロセスにより除去されたフォトレジスト層の下の領域でワークピース１２０に注入され、フォトレジストの残されている領域の下の領域には注入されない。それ故に、何れの場合でも、リソグラフィマスク１０３のパターン、すなわち、マスクの特徴物は例えば、半導体集積回路の技術に必要なワークピース１２０に伝送される。
　【０００５】
　公知のように、不透明スクリーン１０５上の孔は平行光レンズ１０４の焦点面にあり、入射長Ｌ１とＬ２は簡単なレンズ１０２の場合において、１／Ｌ１＋１／Ｌ２＝１／Ｆを満足する。ここでＦは集光レンズ１０２の焦点長である。
　【０００６】
　集積回路の製造においては、ウェーハ当たりに可能な限り多くのトランジスタを形成することが好ましい。これにより、トランジスタのサイズをできるだけ小さくする必要がある。同様に、例えば同一レベルの金属化または他の電気接続を形成するために、他の特徴物のサイズ、例えば、金属化ストリップの特徴物の長さ（すなわち、その幅）、または金属で充填される絶縁層上の孔のサイズは可能な限り小さく造られる必要がある。
　【０００７】
　幾何学光学によると、フォトレジスト層１０１上に幅Ｗを有する特徴物を印刷する必要があれば、幅Ｃを有する特徴物はリソグラフィマスク１０３に配置される。また幾何学光学によると、Ｃの幅を有する特徴物が不透明層上の単一の孔であれば、「横倍率」ｍ＝Ｗ／Ｃとなる。ここで、ｍ＝Ｌ２／Ｌ１である。しかし、回折効果が重要となる場合、シャープな白黒イメージの代わりに、対象の特徴物Ｃの回折パターンはフォトレジスト層１０１上に形成され、イメージのエッジははっきりしなくなる。これにより、リソグラフィマスク１０３の特徴物の解像度は、フォトレジスト層に集光され、ワークピースに転写されるときに、劣化してしまう。
　【０００８】
　従来の技術において、この回折問題は、位相シフト特徴物のパターンを含んだ位相シフト領域を有するマスクを使用することにより緩和される。このマスクは周知の「位相シフトマスク」であり、以下ではマスク１０３が「位相シフトマスク」とも称される。これらの位相シフト特徴物は、リソグラフィマスク１０３を透過する波長λのビームに、マスクの選択された領域上にあるマスクの他の特徴物に対して位相シフトψを与える。一般的に、この位相シフトψは約π（＝１８０°）になるよう形成される。これらの位相シフト特徴物のパターンは一般的に「マスクの主特徴物」と称される領域に配置される。
　【０００９】
　位相シフトマスクは「クリア」領域及び「減衰」領域により形成されたその位相シフト特徴物により形成される。「クリア領域」とは透明領域であり、すなわち、約波長λで光強度透過率Ｔ＝１となる領域である。「減衰領域」とは、部分透明領域であり、すなわち、波長λでＴが約０．０５〜０．１５の範囲にあり、一般的に約０．１０になる領域を意味する。そして、位相シフトψとは、減衰領域に対してクリア領域を伝送された波長λの放射の位相シフトを意味する。このようなマスクは「減衰位相シフトマスク」と称される。また、必要ならば、このマスクの主特徴物領域は不透明領域、すなわち、波長λで約Ｔ＜０．０１となる領域を含むことができる。
　【００１０】
　それ故に、減衰位相シフトマスクにおいて、マスク１０３の簡単な孔Ｃの形に示された特徴物は簡単な孔よりももっと複雑となり、前述した位相シフト特徴物（図１には図示せず）のパターンを含むことになる。具体的には、主特徴物領域は前述した位相シフト特徴物のパターンを含んで、フォトレジスト層１０１上にそれにより形成されたイメージは、ワークピース１２０のデバイス特徴物（例えば、不純物イオンの注入されたワークピース１２０の選択された領域、またはワークピース１２０の部分が除去されたワークピース１２０の選択された領域）に対応する。
　【００１１】
　周知のように、ステップツール及び繰り返しツール（図示せず）は、フォトレジスト層１０１上に連続的なイメージを形成するために、ステップ及び繰り返し移動を結合した露光工程に使用される。このプロセスにおいて、ワークピース１２０はチップ（「ダイ」）領域に分割されている。各チップ領域は、一般的にワークピース１２０のステップとリピート位置により得られた領域（１０１により覆われる領域）により規定される。フォトレジスト層１０１の各対応（覆われる）チップ領域は光リソグラフィ製造システム１００の光ビームに連続的に露光される。この露光はチップ領域の全部を一回で入射光に照射されるタイプ（全部のチップ領域を包囲するのに十分な断面を有する）でもよいし、入射光ビームがチップの領域をスキャン（操作）するタイプ（全部のチップ領域を覆う断面を有する必要がない）でもよい。
　【００１２】
　このステップ−リピータプロセスに際して、マスク１０３をステップ−リピータツール（以下では「ステッパーツール」と称する）に配置するためには、マスク−ツー−ステッパーツール整合マーク（以下では「レチクル整合マーク」と称する）が主特徴物領域の外部のマスク１０３に配置される。これらのレチクル整合マーク（図１には図示せず）は不透明領域を含んだ方が有利である。これらのレチクル配置領域は主特徴物領域の減衰領域のエッジに対して自己整合されるエッジを有することが基本である。すなわち、これらのレチクル整合マークと主特徴物領域の減衰領域は同一のリソグラフィ処理ステップにおいて形成され、そこで単一のパターン付きレジスト層はレチクル整合マークのエッジと主特徴物領域の減衰領域のエッジとの両方を規定する。
　【００１３】
　また周知のように、フォトレジスト層１０１に入射された光の範囲を１つのチップ領域に制限するために、ステッパーツールは不透明シャッター（以下では「シャッターブレード」と称する）を含む。このシャッターブレードの配置に関連する避けられない位置決め誤差を補償するために、不透明リング（図示せず）がマスク自身の上に配置されている。この不透明リングは主特徴物領域を包囲する。特に、この不透明リングは主特徴物領域に対して自己整合でき、この主特徴物領域の境界を形成するエッジを有することが望ましい。
　【００１４】
　チップ領域間の距離（ステップ−リピータプロセスにより規定される）を最小化し、ワークピース１２０上の高価な主特徴物領域の浪費を避けるために、不透明リングの内部エッジは主特徴物領域の特徴物に自己整合するようになる。しかし、減衰位相シフトマスクの場合においては、このリングが（主特徴物領域の）減衰領域と同時に、且つこの減衰領域の減衰材料と同一の材料で形成されれば（経済の視点から）、リングは、完全遮断の代わりに約１０％の入射光強度を透過させる。このようにして、ステップ−リピート露光プロセスにおいては、主特徴物領域のエッジ領域では、２つの異なるステップ−リピート露光における照射を受けるため、約２０％（＝２×１０％）の入射光強度を受けることになる。またその角部領域では、４回の異なるステップ−リピート露光における照射を受けるため、約４０％（＝４×１０％）の入射光強度を受けることになる。このため、不必要な光背景が主特徴物領域のエッジ及び角部領域で起こってしまう。この背景はこのエッジ及び角部領域のある特徴物の規定の劣化を招く。
　【００１５】
　この背景の問題に加えて、前述したレチクル整合マークが、不透明領域の代わりに主特徴物領域の減衰領域と同時に減衰領域により形成される場合（経済性の視点から）、これらのレチクル整合マークのイメージの定義のシャープさ（コントラスト比）は低減される。コントラスト比の減少はマスク１０３のステッパーツールに対する、ひいてはワークピース１２０に対する整合精度を悪化させる。
　【００１６】
　さらに前述したように、減衰位相シフトマスクの位相シフト特徴物は（１）減衰領域と（２）クリア領域との２つの基本領域により規定される。そのため、この２つの基本領域とともに、レチクル整合マークまたは不透明リング、またはこのレチクル整合マークと不透明リングの両方を自己整合の方法で形成する方法が要求される。すなわち、この方法は、不透明リングのエッジまたはレチクル整合マークのエッジを規定し、または、不透明リングとレチクル整合マークとの両方のエッジを規定する同一のリソグラフィステップにおいて、減衰領域のエッジを含む位相シフト領域を規定できることが望まれている。また、主特徴物領域が不透明領域を含めば、この主特徴物領域の減衰領域を同一リソグラフィステップで、（必要ならば）且つそれに対する自己整合の方法で形成する際に、これらの不透明領域を形成する方法が必要である。
　【００１７】
　【発明が解決しようとする課題】
　従って、本発明の目的は、同一のリソグラフィステップにおいて、自己整合の方法で不透明領域と減衰位相シフト領域を同時に形成する方法を提供することである。
　【００１８】
　【課題を解決するための手段】
　前記課題を解決するために、本発明は、光リソグラフィ製造システム１００のマスク１０３として使用される光リソグラフィマスクを次のステップで示す方法により製造する。
　（ａ）上部主平面表面を有する透明基板を準備し、その上に第１材料で造った第１層が配置され、この第１層はほぼ均一の第１厚さｈを有し、且つこの第１材料は波長λの光放射に対して部分的に透明である。
　【００１９】
　（ｂ）第２材料製の第２層を第１層の上部表面の全面に堆積させ、この第２層は第１材料と異なる化学組成の第２材料により造られ、この第２層はほぼ均一の厚さを有し、且つ第２層は十分の厚さを有し、第１層と合わせて、波長λの放射に対して不透明となる。
　（ｃ）第２層の上部表面に第１パターン付きレジスト層を形成する。
　【００２０】
　（ｄ）第１パターン付きレジスト層を第２層のエッチングのプロテクト層として用いて、第１パターン付きレジスト層または得られたパターン付き第２層を第１材料のエッチングのプロテクト層として用いて、第１層と第２層の側面部分をエッチングして、第１パターン付き不透明層が間隔を置いた領域を有するよう形成され、各領域は少なくとも１つのエッジ（以下では「側壁」と称する）を有し、且つ各領域は第１材料の得られたパターン層により覆われている第２材料の得られた同様なパターン層により構成される。
　【００２１】
　（ｅ）間隔を置いた領域の上部表面を全面に、且つこの領域の全部ではなく少なくともある部分の間の全スペースをコートした第２パターンレジスト層を形成する。
　（ｆ）第２パターン付きレジスト層をパターン付きの第２層のエッチングのプロテクトマスクとして用いてパターン付き第２
層露出部分のみをエッチングして、第２パターン付き不透明層とパターン付きの部分的透明層を形成する。
　【００２２】
　ステップ（ｅ）においては、パターン付きの第２レジスト層は少なくとも１つ（全部ではない）の間隔を置いた領域の上部表面の部分のみか、少なくとも１つ（全部ではない）の間隔を置いた領域の側壁を覆っている。
　【００２３】
　このようにして、第２パターン付き不透明層は、第２パターン付きレジスト層が存在する場所で形成される。第２パターン付き不透明層、すなわち、間隔を置いた領域間の（透明）スペースまたは第２パターン付きレジスト層の存在する領域にあるそれ自身の（不透明）領域は、整合マーク及びシャッターマーク（ある場合）を含む領域として機能する。パターン付きの部分透明層は、第２パターン付きレジスト層の存在していない領域で形成され、位相シフト特徴物を含む領域として機能する。
　【００２４】
　ステップ（ｅ）において、第２パターン付きレジスト層は間隔を置いた領域の上部表面の全部、且つこの領域の少なくともある部分（全部ではない）の間の全スペースを覆っていたので、得られた第２パターン付き不透明層はパターン付きの部分透明層に関して自己整合するようになる。すなわち、第２パターン付きレジスト層の整合はそれほど精度を必要としないことになる。それは、第２パターン付きレジスト層は不透明となる間隔を置いた領域の全表面、及びこの領域の間の全スペースを覆って、パターン付きの部分透明層（位相シフト領域）の形成された領域を覆っていないからである。
　【００２５】
　第２パターン付きレジスト層の残された厚さは、得られたリソグラフィマスクを光リソグラフィ製造システム１００に使用する前に除去する方がよい。　また、好ましくはステップ（ｃ）は、第２層の上部表面にほぼ均一な厚さとなる第１レジスト層を形成し、第１レジストを光効果放射の第１パターンに露光し、そして第１レジスト層を開口することにより行われる。
　【００２６】
　また、好ましくはステップ（ｄ）は、第１パターン付きレジスト層を第１プロテクトマスクとして用いて、第２層のみをエッチングして、その後（１）第１パターン付きレジスト層を除去し、（２）得られたパターン付きの第２層を第２プロテクトマスクとして用いて第１層のみをエッチングすることにより行われる。
　【００２７】
　【発明の実施の形態】
　【００２８】
　図２に示すように、透明平行スラブ１０は一般的に石英製で、上部主表面１０．５を有している。上部主表面１０．５の上に部分透明層１１がある。この部分透明層１１は一般的にモリブデンシリコン製であり、約８０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有している。この部分透明層１１の上部表面に不透明層１２があり、この不透明層１２はクロムまたは酸窒化クロム製である。この不透明層１２はそれ自身が不透明である必要がないが、その厚さが不透明層１２と部分透明層１１を合わせて波長λの光に対して不透明となる必要がある。
　【００２９】
　パターン付きレジスト層１３が不透明層１２の上部表面にある。このパターン付きレジスト層１３は一般的に、光または電子ビームのパターンのような光効果放射のパターンを、レジストを照射して、均一な厚さのレジストをパターニングし、レジストを開口することにより形成される。
　【００３０】
　図２に示している構造の上部表面はドライエッチングで処理されて、不透明層１２の全厚さがパターン付きレジスト層１３によりプロテクトされない領域で除去される。このようにして、不透明層１２はパターン付き不透明層３２となる（図３）。次に、上述のように露出した部分透明層１１の部分は周知のドライまたはウェットエッチングにより処理され、部分透明層１１の露出領域の全厚さが除去されて、パターン付き部分的不透明層３１が形成される（図４）。このパターン付き部分的不透明層３１はその上に覆われているパターン付き不透明層３２とともに間隔を置いた領域を形成し、各領域は複合層３１、３２の対により形成される。以上に示した（図示せず）ように、これらの間隔を置いた複合層３１、３２は一般的に相互分離した（伸びた）ストライプ、または相互分離したアイランド、またはこれらの結合の形になっている。
　【００３１】
　パターン付きレジスト層１３の残るすべての部分は除去される。別法として、不透明層１２のエッチングの後且つ部分透明層１１のエッチングの前に残されたパターン付きレジスト層１３のすべての部分は、部分透明層１１のエッチングの前に除去される。この場合には、パターン付き不透明層３２は部分透明層１１のエッチングに対するプロテクトパターン付きマスクとして機能する。
　【００３２】
　次に、造られた構造の上部表面は第２パターン付きレジスト層１５により覆われている（図５）。パターニングはレジスト層１３（図２）と相似の方法で行われる。この第２パターン付きレジスト層１５は複合層３１、３２の全上部表面及びその一部（全部ではない）の間の全スペースをコートする。また、１つの複合層３１、３２の上部表面の部分のみもコートする。そして、得られた構造体は従来のウェットまたはドライエッチングにより処理されて、パターン付き不透明層３２の露出部分の全厚さ（しかし、その厚さのみ）を除去するが、３１の厚さをほとんどエッチングしない。このようにして、パターン付き複合層３１、３２及び３１、６２は第２パターン付きレジスト層１５の存在する場所のみで残される。他の場所においては、第２パターン付きレジスト層１５は存在せず、残された層（場合によっては、透明平行スラブ１０から離れている）はパターン付き部分的不透明層３１である。
　【００３３】
　最後に、第２パターン付きレジスト層１５に残されている全てのレジスト材料は除去される。このように得られた構造（図６）は、パターン付き部分的不透明層３１により形成された位相シフト特徴物が部分的透明層（Ｔ＝０．１）の右側のエッジで終了する場合には特に有用である。特徴物が透明層の右側のエッジで終了する場合には、図５と図６に示された連続の製造段階はそれぞれ図７と８に示された工程に置き換えられる。もっと具体的には、第２パターン付きレジスト層１５（図５）はレジスト層１７（図７）により置き換えられる。このレジスト層１７は隣接したパターン付き部分的不透明層３１、パターン付き不透明層３２の対の間にあるスペースの部分のみをコートする場合において第２パターン付きレジスト層１５と異なる。パターン付き不透明層３２の露出部分、且つこの露出部分のみ（パターン付き部分的不透明層３１の厚さの大きな部分ではない）がウェットエッチングまたはドライエッチングにより処理される。最後に、レジスト層１７は完全に除去される（図８）。
　【００３４】
　図６と図８に示した構造において、パターン付き非複合減衰領域３１及びその間にあるスペースは主特徴物領域を形成する。図６に示した構造においては、パターン付き部分的不透明層３１、６２は不透明リングとして機能することができる。図８に示した構造においては、パターン付き非複合領域３１に最も近い複合領域３１、３２は不透明リングとして機能する。図６と８の両方においては、残された複合領域３１、３２はレチクル整合マークとして機能することができる。
　【００３５】
　図６と図８の両方に示した構造においては、すべての領域３１と３２のすべての側壁は同一のパターン付きレジスト層１３により規定されて、そのため、相互に自己整合となっていた。領域６２の左側側壁（図６のみ）はパターン付きレジスト層１３によって規定されていないが、代わりに６２の右側エッジはパターン付きレジスト層１３により規定されて、領域３１と３２に対して自己整合となっており、全体領域６２は同一の処理ステップによって領域３２により造られた。さらに、領域６２を必要としない減衰領域３１の左側と右側の両方は他のすべての減衰領域３１に対して自己整合となっている。
　【００３６】
　本発明は特定の実施形態についてのべたが、他の様々な変形が考えられる。例えば、必要ならば、１つまたは複数の不透明領域を位相シフト領域で形成することができ、この領域の各々は１つまたは複数の側壁を有し、パターン付き不透明領域６２（図６）または３２（図６または図８）のように、同様な方法により相互に自己整合となる。
　【００３７】
　【発明の効果】
　以上述べたように、本発明の方法により、不透明リングのエッジまたはレチクル整合マークのエッジを規定し、または、不透明リングとレチクル整合マークとの両方のエッジを規定する同一のリソグラフィステップにおいて、減衰領域のエッジを含む位相シフト領域を規定することができた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の応用に使用される光リソグラフィシステムを表す図。
　【図２】
　本発明の実施例による位相シフトマスクの製造段階における断面図。
　【図３】
　本発明の実施例による位相シフトマスクの製造段階における断面図。
　【図４】
　本発明の実施例による位相シフトマスクの製造段階における断面図。
　【図５】
　本発明の実施例による位相シフトマスクの製造段階における断面図。
　【図６】
　本発明の実施例による位相シフトマスクの製造段階における断面図。
　【図７】
　本発明の実施例による位相シフトマスクの製造段階における断面図。
　【図８】
　本発明の実施例による位相シフトマスクの製造段階における断面図。
　【符号の説明】
　１０　透明平行スラブ
　１０．５　上部主表面
　１１　部分透明層
　１２　不透明層
　１３　パターン付きレジスト層
　１５　第２パターン付きレジスト層
　１７　レジスト層
　３１　パターン付き部分的不透明層
　３２　パターン付き不透明層
　１００　光リソグラフィ製造システム
　１０１　フォトレジスト層
　１０２　集光レンズ
　１０３　リソグラフィマスク（レチクル）
　１０４　平行光レンズ
　１０５　不透明スクリーン
　１０６　光源
　１２０　ワークピース