【事件の表示】
　特許第３３６３３６９号「積層セラミックコンデンサ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３６３３６９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３６３３６９号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
特許出願（特願平１０−１８４１０号）　　　　　平成１０年　１月３０日
特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年１０月２５日
特許異議申立て（特許異議申立人：雨山範子）　　平成１５年　７月　４日
特許異議申立て（特許異議申立人：ローム株式会社）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　７月　８日
取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１６年　４月２０日
特許異議意見書　　　　　　　　　　　　　　　　平成１６年　６月２９日
訂正請求書（後日取下）　　　　　　　　　　　　平成１６年　６月２９日
取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１６年　８月１２日
特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　　　平成１６年　９月　７日
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１において、
「誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる磁器素体の両端面に、磁器素体側から金属成分とガラス成分を含有する第１導体層、金属成分と樹脂成分を含有する第２導体層、メッキ金属から成る第３導体層からなる外部電極を形成した積層セラミックコンデンサにおいて、
　前記第１導電層は、金属成分に対してガラス成分が５〜２０重量％含有し、第２導電層は金属成分に対して樹脂成分が１０〜４０重量％含有するとともに、前記磁器素体と第１導体層との接合強度をＦ1、第１導体層と第２導体層との接合強度Ｆ2とした時、
Ｆ1 ≧２．０ｋｇｆ、
Ｆ2 ≧１．０ｋｇｆ、
Ｆ1＞Ｆ2を満足していることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。」を、
「誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる磁器素体の両端面に、磁器素体側から金属成分とガラス成分を含有する第１導体層、金属成分と樹脂成分を含有する第２導体層、メッキ金属から成る第３導体層からなる外部電極を形成した積層セラミックコンデンサにおいて、
　前記第１導体層は、金属成分に対してガラス成分が５〜２０重量％含有し、第２導体層は金属成分に対して分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂成分が１０〜４０重量％含有するとともに、前記磁器素体と第１導体層との接合強度をＦ1、第１導体層と第２導体層との接合強度Ｆ2とした時、Ｆ1 ≧２．０ｋｇｆ、Ｆ2 ≧１．０ｋｇｆ、Ｆ1＞Ｆ2を満足していることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　明細書の段落【００１２】に記載の「前記第１導電層は、金属成分に対してガラス成分が５〜２０重量％含有し、第２導電層は金属成分に対して樹脂成分が１０〜４０重量％含有する」を、「前記第１導体層は、金属成分に対してガラス成分が５〜２０重量％含有し、第２導体層は金属成分に対して分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂成分が１０〜４０重量％含有する」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、
（訂正事項ａ−１）
　請求項１において、「前記第１導電層は、金属成分に対してガラス成分が５〜２０重量％含有し、第２導電層は」を、「前記第１導体層は、金属成分に対してガラス成分が５〜２０重量％含有し、第２導体層は」と、
（訂正事項ａ−２）
　請求項１において、「金属成分に対して樹脂成分が１０〜４０重量％含有する」を、「金属成分に対して分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂成分が１０〜４０重量％含有する」とするものである。
　訂正事項ａ−１は、「第１導電層」という文言を「第１導体層」に、「第２導電層」という文言を「第２導体層」に訂正しており、「第１導電層」及び「第２導電層」という文言は、特許明細書中の段落【００３８】、【００４０】及び【００４２】の記載との関係で誤りであることが明らかである。
　したがって訂正事項ａ−１は、誤記の訂正を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　訂正事項ａ−２は、請求項１に記載された金属成分と樹脂成分を含有する第２導電体層について、「金属成分に対して樹脂成分が１０〜４０重量％含有する」を、より下位概念の、「金属成分に対して分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂成分が１０〜４０重量％含有する」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正前の明細書の段落【００４５】には、「・・・金属粉末に対する熱硬化性樹脂組成分の重量比が１０〜４０重量％の程度が望ましい。」と、段落【００４６】には、「比較的低い分子量のエポキシ系樹脂を上述の範囲で用いることにより、磁器素体の端面の面積が小さい１６０８型（端面の面積：０．８×０．８ｍｍ）であっも、外部電極の引っ張り強度を使用上問題ないレベルである１ｋｇｆ以上が達成できる。・・・」と記載されている。したがって、「第２導体層は金属成分に対して熱硬化性エポキシ系樹脂成分が１０〜４０重量％含有する」ように設定されることが望ましいことが開示されているといえる。
　また、分子量については、同段落【００４７】において、「尚、上記熱硬化性エポキシ樹脂の分子量が非常に低い場合、例えば３００以下では過剰な反応性となってしまい、接合強度Ｆ2 を接合強度Ｆ1 未満にすることが困難となる。また、分子量が高い場合、例えば１２００を超えると、接合強度Ｆ2 自身が得られなくなる。」と記載されており、前記熱硬化性エポキシ系樹脂の一例として「熱硬化性エポキシ樹脂」が用いられる場合には、「分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）」のものが好適に使用されることが開示されているといえる。
　したがって、訂正事項ａ−２は願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）特許異議申立理由の概要
ア．特許異議申立人雨山範子の主張
　特許異議申立人雨山範子は、以下の甲第１〜６号証を提出し、特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明と実質的に同一のものであり、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、また、同発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、さらに、同発明は、甲第６号証に記載された発明と実質的に同一であり、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである旨主張している。
　甲第１号証　　：特開平８−１０７０３９号公報
　甲第２号証　　：特開平４−３２９６１６号公報
　甲第３号証　　：特開平７−　６６００１号公報
　甲第４号証　　：特開平８−２９８０１８号公報
　甲第５号証　　：特開平９−　５５１１８号公報
　甲第６号証　　：特願平９−　９３７４４号　
　　　　　　　　（特開平１０−２８４３４３号公報参照）
　
イ．特許異議申立人ローム株式会社の主張
　特許異議申立人ローム株式会社は、甲第１〜４号証（それぞれ、特開平６−２９１４４号公報、特開平８−１０７０３９号公報、特開平６−２６７７８４号公報、特開平８−２０３７７１号公報）、甲第５号証の１（特開平９−１２０９３２号公報）、甲第５号証の２（特開平５−１４４６６５号公報）、甲第５号証の３（実願昭６３−９６４８３号（実開平２−１７８２９号）のマイクロフィルム）、甲第６号証（特開平４−２７３４１８号公報）、及び甲第７号証（“京セラ＞製品情報＞電子部品＞コンデンサ”、[online]、京セラ株式会社、［平成１５年７月３日検索］、インターネット＜URL :
http://www.kyocera.co.jp/prdct/electro/i_kondensa.html＞）を提出し、以下のように主張している。
　
（ア）申立ての理由の１（進歩性の点）について
　特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証及び甲第３号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、甲第３〜６号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張している。
　
（イ）申立ての理由の２（記載不備の点）について
ａ．特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明の構成要件である「磁気素体と第１導体層との接合強度をＦ１」及び「第１導体層と第２導体層との接合強度Ｆ2」について以下のように主張している。
　「本件の特許明細書のどこにも、前記「接合強度」とは、どのような測定方法によるものかについては、一切、明らかにしていない。
　この「接合強度」は、多分、前記甲第６号証における「引張強度」と同じ測定方法であろうと推測できるものの、本件の特許明細書においては、前記「接合強度」を、前記甲第６号証に記載されているように、明確に定義していないのであるから、本件の特許明細書の記載は、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていないと断定できる。」（以下、「申立ての理由２−ａ」という。）
ｂ．また、特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明の構成要件である「接合強度Ｆ1 ≧２．０ｋｇｆ、」及び「接合強度Ｆ2 ≧１．０ｋｇｆ、」について以下のように主張している。
　「前記「接合強度」が、前記甲第６号証における「引張強度」と同じ測定方法であるとすれば、この「接合強度Ｆ1，Ｆ2」には、磁気素体の端面における面積（大きさ）の関数が入って来るにもかかわらず、この面積（大きさ）の点を、一切、構成要件としていないのであるから、本件の特許明細書の記載は、明らかに特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていないと断定できる。」（以下、「申立ての理由２−ｂ」という。）
ｃ．さらに、特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明の構成要件である「接合強度Ｆ1 ≧２．０ｋｇｆ、」及び「接合強度Ｆ2 ≧１．０ｋｇｆ、」について以下のように主張している。
　本件の特許明細書においては、三種類の大きさの積層セラミックコンデンサを掲げているが、本件の特許権者が発行する「積層セラミックチップコンデンサ」のカタログである甲第７号証によると、「積層セラミックチップコンデンサ」には、前記した三種類の大きさのほかにも存在するが、これに、前記「接合強度Ｆ1 ≧２．０ｋｇｆ、」及び「接合強度Ｆ2 ≧１．０ｋｇｆ、」の関係が成立して、本件の特許明細書に記載されているような作用及び効果を得ることができるのであろうかは疑わしく、換言すると、本件の特許明細書に記載されているような作用及び効果を得ることができるという点については、一切、言及していないのであるから、本件の特許明細書の記載は、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない。（以下、「申立ての理由２−ｃ」という。）
　
（２）取消しの理由の概要
　平成１６年８月１２日付け取消理由通知書における取消しの理由（以下、「第２回取消理由」という。）の概要は、以下のとおりである。
　
ア．理由１．特許法第２９条第１項第３号の規定違反について
　特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、同発明は、特許異議申立人雨山範子により申立てがなされた特許異議申立書（以下、「特許異議申立書１」という。但し、「甲第１号証」、「甲第２号証」は、それぞれ「刊行物１」、「刊行物２」と読み替える。）第６頁第１６行〜第１１頁第２５行、第１８頁第１行〜第２０頁第２３行記載の理由により、下記刊行物１又は刊行物２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、同発明の特許は取り消されるべきものである。
　  
イ．理由２．特許法第２９条第２項の規定違反について
（ア）特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、特許異議申立書１（但し、「甲第３号証」ないし「甲第５号証」は、それぞれ「刊行物３」ないし「刊行物５」と読み替える。）第６頁第１６行〜第１６頁第２行、第２０頁第２４行〜第２２頁第５行記載の理由により、下記刊行物１ないし刊行物５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（イ）特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、特許異議申立人ローム株式会社により申立がなされた特許異議申立書（以下、「特許異議申立書２」という。但し、「甲第１号証」、「甲第２号証」、及び「甲第３号証」は、それぞれ「刊行物６」、「刊行物１」、及び「刊行物７」と、「甲第６号証」は「刊行物１２」と読み替える。）第４頁第１７行〜第９頁第１１行、第１３頁第１２行〜第１６頁第２０行記載の理由により、下記刊行物１、刊行物６、刊行物７、及び刊行物１２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（ウ）特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、特許異議申立書２（但し、「甲第４号証」は「刊行物８」と、「甲第５号証の１」ないし「甲第５号証の３」は、それぞれ「刊行物９」ないし「刊行物１１」と読み替える。）第８頁下から第２行〜第９頁第１１行、第９頁第２０行〜第１３頁第１１行、第１６頁第２１行〜第１７頁下から第６行記載の理由により、下記刊行物７ないし刊行物１２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（エ）特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、下記刊行物１ないし刊行物１２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
              　　　　　　　　　記
　
　刊行物１：特開平８−１０７０３９号公報
　　　　　（特許異議申立人雨山範子が提出した甲第１号証。
　　　　　　特許異議申立人ローム株式会社が提出した甲第２号証）
　刊行物２：特開平４−３２９６１６号公報
　　　　　（特許異議申立人雨山範子が提出した甲第２号証）
　刊行物３：特開平７−６６００１号公報
　　　　　（特許異議申立人雨山範子が提出した甲第３号証）
　刊行物４：特開平８−２９８０１８号公報
　　　　　（特許異議申立人雨山範子が提出した甲第４号証）
　刊行物５：特開平９−５５１１８号公報
　　　　　（特許異議申立人雨山範子が提出した甲第５号証）
　刊行物６：特開平６−２９１４４号公報
　　　　　（特許異議申立人ローム株式会社が提出した甲第１号証）
　刊行物７：特開平６−２６７７８４号公報
　　　　　（特許異議申立人ローム株式会社が提出した甲第３号証）
　刊行物８：特開平８−２０３７７１号公報
　　　　　（特許異議申立人ローム株式会社が提出した甲第４号証）
　刊行物９：特開平９−１２０９３２号公報
　　　　　（特許異議申立人ローム株式会社が提出した甲第５号証の１）
　刊行物１０：特開平５−１４４６６５号公報
　　　　　　（特許異議申立人ローム株式会社が提出した甲第５号証の２）
　刊行物１１：実願昭６３−９６４８３号（実開平２−１７８２９号）の
　　　　　　　マイクロフィルム
　　　　　　（特許異議申立人ローム株式会社が提出した甲第５号証の３）
　刊行物１２：特開平４−２７３４１８号公報
　　　　　　（特許異議申立人ローム株式会社が提出した甲第６号証）
　
ウ．理由３．特許法第２９条の２の規定違反について
　特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、特許異議申立書１（但し、「甲第６号証」は「先願１」と読み替える。）第６頁第１６行〜第７頁第１４行、第１６頁第３行〜第１７頁下から第１行、第２２頁第６行第６行〜第２３頁第４行記載の理由により、同発明の特許の出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された上記先願１（特願平９−９３７４４号（特開平１０−２８４３４３号公報参照）、特許異議申立人雨山範子が提出した甲第６号証参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一の者ではなく、またこの出願の時において、その出願人と上記特許出願の出願人とが同一の者でもないので、同発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
　
エ．理由４．特許法第３６条第４項及び第６項の規定違反について
　特許異議申立書２第１７頁下から第５行〜第１９頁第１４行記載の理由により、特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明の特許は、その特許が特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　
（３）本件発明
　特許第３３６３３６９号の請求項１に係る発明は、平成１６年９月７日付けの上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる磁器素体の両端面に、磁器素体側から金属成分とガラス成分を含有する第１導体層、金属成分と樹脂成分を含有する第２導体層、メッキ金属から成る第３導体層からなる外部電極を形成した積層セラミックコンデンサにおいて、
　前記第１導体層は、金属成分に対してガラス成分が５〜２０重量％含有し、第２導体層は金属成分に対して分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂成分が１０〜４０重量％含有するとともに、前記磁器素体と第１導体層との接合強度をＦ1、第１導体層と第２導体層との接合強度Ｆ2とした時、Ｆ1 ≧２．０ｋｇｆ、Ｆ2 ≧１．０ｋｇｆ、Ｆ1＞Ｆ2を満足していることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。」（以下、「本件発明」という。）
　
（４）特許異議申立てについての検討
ア．特許法第２９条第１項第３号、第２９条第２項の規定違反について
（ア）各刊行物の記載事項
ａ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物１（特開平８−１０７０３９号公報、特許異議申立人雨山範子提出の甲第１号証、特許異議申立人ローム株式会社提出の甲第２号証）
　刊行物１には、「セラミック電子部品」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「セラミック焼結体と、
　前記セラミック焼結体の外表面に形成された外部電極とを備え、
　前記外部電極が、焼結体外表面に導電ペーストを塗布・焼き付けることにより形成された第１の電極層と、
　前記第１の電極層よりも外側に形成された第２の電極層と、
　前記第１，２の電極層の間に形成されており、かつ厚みが２０〜１５０μｍである導電性樹脂層とを有することを特徴とする、セラミック電子部品。」（特許請求の範囲の請求項１）
「・・・。上記第１の電極層を構成する材料としては、・・・種々の導電ペーストを用いることができる。このような導電ペーストの例としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ合金などの導電性に優れた材料粉末を主成分とするものが用いられる。導電ペーストは、上記のような導電性粉末にガラス，樹脂バインダ及び溶剤を混練することにより得られ、・・・」（段落【００１２】）
「また、本発明における第２の電極層は、・・・従って、好ましくは、第２の電極層は、形成の容易なメッキ法により形成される。」（段落【００１３】）
「本発明では、上記第１，第２の電極層の間に、上記導電性樹脂層が介在されている。導電性樹脂層は、エポキシ樹脂、・・・などの熱硬化性樹脂を含む適宜の合成樹脂中に、Ａｇ、Ｃｕなどの導電性粉末を分散させることにより構成されている。」（段落【００１５】）
「・・・複数の内部電極２３〜２７が内部形成されている４．５×３．２×２．０ｍｍ寸法のセラミック焼結体２２を用意した。Ａｇを主成分とする導電ペーストを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように塗布し、８００℃の温度で焼成することにより破断強度５０Ｎ／ｍｍ2 の第１の電極層２８ａ，２９ａを形成した。・・・」（段落【００３２】）
「次に、第４の電極層２８ｄ，２９ｄ上に、エポキシ樹脂にＡｇ粉末を重量比で２０対８０の割合で混合してなる導電性樹脂を、下記の表１に示す厚みとなるように塗布し、１５０℃で１時間硬化させ、導電性樹脂層３０，３１を形成した。」（段落【００３３】）
「・・・上記試料番号１〜７の各積層コンデンサにつき、プリント回路基板上に実装し、プリント回路基板から遠ざかる方向に外力を加え、積層コンデンサが外れるに至った際の外力を、取付け強度として測定した。結果を下記の表１に併せて示す。」（段落【００３７】）
　
ｂ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物２（特開平４−３２９６１６号公報、特許異議申立人雨山範子提出の甲第２号証）
　刊行物２には、「積層形電子部品」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「セラミック素体の内部に埋め込まれた少なくとも２層以上の内部電極層と、この内部電極層の端部が交互に露出するセラミック素体の端面に形成された外部電極と、この外部電極を被覆して形成された金属粉末と樹脂からなる導電層と、この導電層の表面にスズ及び鉛合金からなるはんだ付け可能な金属膜を備えたことを特徴とする積層形電子部品。」（特許請求の範囲の請求項１）
「・・・内部電極１の端面が露出している直方体の端面に銀粉末８０部、ガラスフリット１０部、エチルセルローズ樹脂５部、ターピネオール５部からなるペーストを浸漬法により塗布し、・・・次に市販の銀粉末８０部を含むエポキシ系導電接着材を前記外部電極３層を被覆するように浸漬塗布し、２００℃　３０分の加熱により硬化させ導電層４を形成した。・・・次に公知のめっき技術によって、スズ９０％、鉛１０％からなるはんだめっき液を用いて電気めっき法によって厚さ５μｍのはんだ膜５を形成した。」（段落【０００９】）
　
ｃ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物３（特開平７−６６００１号公報、特許異議申立人雨山範子提出の甲第３号証）
　刊行物３は、「チップ型電子部品用導電性ペースト」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「金属粉末と無機酸化物結晶と不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端子電極用導電性ペーストにおいて、
　前記無機酸化物結晶は、・・・とを含み、前記金属粉末に対して、該無機酸化物結晶が１〜１５重量％配合されていることを特徴とするチップ型電子部品用導電性ペースト。」（特許請求の範囲の請求項１）
「・・・セラミックコンデンサ１０は、ベアチップ１１と、このチップ１１の両端部に形成された端子電極（無機酸化物結晶を含むＡｇ電極）１２とを備える。チップ１１は鉛ペロブスカイト系（Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ）であって、貴金属のＡｇ７０／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５ｍｍのサイズを有する。Ａｇ下地端子電極１２は焼付け電極層からなり、端子電極１２の表面にはＮｉめっき膜１４及びＳｎ／Ｐｂめっき膜１５がこの順に形成されている。」（段落【００２３】）
　
ｄ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物４（特開平８−２９８０１８号公報、特許異議申立人雨山範子提出の甲第４号証）
　刊行物４は、積層磁器コンデンサの端子電極材料などに用いられる、磁器との接着強度を改善した導電性ペーストに関して、以下の事項が記載されている。
「・・・Ａｇ粉末と・・・Ｐｄ粉末と２〜１１重量％のガラスフリットとから成り、該ガラスフリットの組成成分が１５〜４０重量％のＰｂＯと４０〜７０重量％のＢｉ2 Ｏ3 と０〜１５重量％（ただし０重量％を除く）のＳｉＯ2 と０〜２０重量％（ただし０重量％を除く）のＢ2 Ｏ3 と５〜１０重量％のＩｎ2 Ｏ3 とから成ることを特徴とする導電性ペースト。」（特許請求の範囲の請求項１）
「ガラスフリットは誘電体磁器などのセラミック基体と端子電極との接着性および電極膜の半田耐熱性の向上のために用いるものであり、その組成割合は２〜１1重量％の範囲が半田濡れ性や耐熱性などの半田特性ならびに接着強度の点で好ましい。ガラスフリットが２重量％未満の場合には接着強度が低下し、耐熱性が劣化する傾向があり、他方11重量％を超える場合には半田濡れ性が劣化する傾向がある。」（段落【００３２】）
　
ｅ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物５（特開平９−５５１１８号公報、特許異議申立人雨山範子提出の甲第５号証）
　刊行物５は、セラミック積層コンデンサの外部電極、特に内部電極にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ等の卑金属を用いたセラミック積層コンデンサの外部電極に用いられる導体ペーストに関して、以下の事項が記載されている。
「Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔから選ばれる少なくとも１種以上の導電材とガラスフリットとをビヒクル中に分散した導体ペースト組成物であって、前記ガラスフリットが酸化物換算で、
　ＳｒＯ：４０．０〜７０．０重量％
　Ｂ2Ｏ3：１５．０〜３０．０重量％
　Ａｌ2Ｏ3：１０．０〜２０．０重量％
　ＳｉＯ2：３．０〜２０．０重量％
　ＭｎＯ：０〜２０．０重量％
からなることを特徴とする導体ペースト。」（特許請求の範囲の請求項１）
「前記導電材１００重量部に対する前記ガラスフリットの含有量が０．５〜１０．０重量部である請求項１〜３に記載の導体ペースト。」（特許請求の範囲の請求項４）
　
ｆ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物６（特開平６−２９１４４号公報、特許異議申立人ローム株式会社提出の甲第１号証）
　刊行物６には、積層チップインダクタ，積層チップコンデンサ等の各種セラミック電子部品に関し、より詳しくは外部電極の構造に関して、以下の事項が記載されている。
「セラミック素体の上に外部電極を有するセラミック電子部品において、前記外部電極が、セラミック素体の上に形成された銀又は銅とガラスとを主成分とする第一層と、この第一層の上に形成される金属粉末と硬化性樹脂とを主成分とする第二層とから構成されたことを特徴とするセラミック電子部品。」（特許請求の範囲の請求項１）
「前記第二層の上に半田又は錫から成る第三層を形成したことを特徴とする請求項１又は２記載のセラミック電子部品。」（特許請求の範囲の請求項３）
「セラミック素体１２を形成するチタン酸バリウム系のセラミック材料と、内部電極１３を形成する・・・を用意し、これに外部電極１４の第一層１４ａとして、銀粉末，ほう珪酸鉛系のガラスフリット及び有機ビヒクルから成る導電ペーストを塗布して、６５０℃で１時間焼き付け、次に第二層１４ｂとして表面に銀めっきした銅粉末，エポキシ樹脂及び溶剤から成る導電ペーストを塗布し、・・・、表面に第三層１４ｃとして半田層を設けて外部電極１４が形成される。」（段落【００２５】）
　
ｇ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物７（特開平６−２６７７８４号公報、特許異議申立人ローム株式会社提出の甲第３号証）
　刊行物７には、導電性樹脂組成物、そして特に積層セラミックチップコンデンサ用の端子として有用なそのような組成物に関して、以下の事項が記載されている。
「本発明の導電性樹脂ペーストは、貴金属粉末と、エポキシ系樹脂と熱硬化性または熱可塑性を示す樹脂との少なくとも２種類の樹脂の混合物からなる樹脂バインダーと硬化剤とを有機媒体中に分散させてなる導電性樹脂組成物であって、貴金属粉末と熱硬化性樹脂成分とをほぼ１００：５〜１００：４５の重量比で含有することを特徴とするものである。」（段落【０００９】）
「・・・通常、コンデンサ素子の内部電極取り出し面に一回の塗膜を施して端子電極部を形成する場合は、導電フィラー１００重量部に対して樹脂固形成分の全重量部が４５以下、好ましくは３５以下であることが必要である。そして５重量部以下になると接着性が劣化するなどの好ましくない問題を生じることがある。」（段落【００１７】）
「また、本発明においては、本発明の導電性樹脂ペーストを用いて積層セラミックチップコンデンサ素子の相対向する内部電極取り出し面に端子電極部を一層塗膜形成するほかに、複数の塗膜から成る層構造を有した端子電極部を形成することも考えられる。多層構造を有した端子電極部を形成する場合、導電性フィラー成分と樹脂固形成分との配合比を変化させ、チップコンデンサ素子の内部電極取り出し面に直接接合する層（電極接合層）にあっては、コンデンサ素子の内部電極との良好な電気的接続を確保し、・・・の特性劣化を防ぎ、一方多層構造の最外層であって、回路基板にはんだ付けされる層（はんだ付け層）にあっては接着強度の向上、弾性率の低下を実現するものである。すなわち、電極接合層の塗膜にあっては、樹脂固形成分のペースト中への含有量を・・・、逆にはんだ付け層を塗膜形成するためのペースト中には、・・・の範囲であることが好適である。」（段落【００２３】）
　
ｈ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物８（特開平８−２０３７７１号公報、特許異議申立人ローム株式会社提出の甲第４号証）
　刊行物８には、積層コンデンサなどのようなセラミック電子部品に関し、特に、外部電極構造が改良されたセラミック電子部品に関して、以下の事項が記載されている。
「セラミック焼結体と、
　前記セラミック焼結体内に形成された内部電極と、
　前記セラミック焼結体の外表面に形成された外部電極とを備え、
　前記外部電極は、焼結体外表面に導電ペーストを塗布・焼き付けることにより形成された第１の電極層と、
　前記第１の電極層の外側に形成され、・・・導電性樹脂層、または・・・低強度合金層のいずれか一方からなる第２の電極層と、
　前記第２の電極層の外側に形成されたＮｉメッキ層からなる第３の電極層と、
　前記第３の電極層の表面に形成された第４の電極層とを有しており、
　前記第３の電極層のＮｉメッキ層は、５μｍ以上の厚みに形成されていることを特徴とする、セラミック電子部品。」（特許請求の範囲の請求項１）
「外部電極は、・・・１の電極層を有する。第１の電極層を構成する材料としては、従来よりセラミック電子部品の外部電極の形成時に汎用されている種々の導電ペーストを用いることができる。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ合金などの導電性に優れた材料粉末を主成分とする導電ペーストが用いられる。導電ペーストは、上記のような導電性粉末にガラス、樹脂バインダと溶剤を混練することにより得られる。そして、この第１の電極層は、上記の導電ペーストをセラミック焼結体の外表面に塗布し、焼き付けることにより形成されている。」（段落【００１４】）
「さらに、第１の電極層の外側に形成された第２の電極層を備える。第２の電極層は、導電性樹脂層または低強度合金層のいずれか一方から構成される。・・・」（段落【００１５】）
「さらに、第２の電極層の外側に第３の電極層を有する。第３の電極層は、Ｎｉメッキ層から構成される。Ｎｉメッキ層は、その膜厚が５μｍ以上に形成されていることを特徴とする。」（段落【００１６】）
「また、セラミック焼結体２の端面２ａ，２ｂには、外部電極８，９が形成されている。外部電極８，９は４層の電極の積層構造を有している。
　まず、第１の電極層８ａ，９ａは、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどの金属粉末を主成分とする導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成されている。そして、この第１の電極層８ａ，９ａは、１０〜１００μｍ程度の厚みを有し、かつ焼結体２の端面２ａ，２ｂに強固に密着されている。」（段落【００２２】）
「第１の電極層８ａ，９ａの表面上には導電性樹脂層１０，１１が形成されている。導電性樹脂層１０，１１は、例えばエポキシ系導電性樹脂を塗布した後、硬化処理を施すことにより形成されている。・・・」（段落【００２３】）
　
ｉ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物９（特開平９−１２０９３２号公報、特許異議申立人ローム株式会社提出の甲第５号証の１）
　刊行物９には、「積層電子部品」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「内部電極と、・・・含む誘電体材料とを交互に積層してなり、前記内部電極と接続する外部電極を有する積層電子部品において、該外部電極は、前記内部電極と電気的に接続する焼き付け層と、メッキ層と、焼き付け層とメッキ層との間に配置された熱硬化性樹脂に金属粉末を含有した金属粉末含有樹脂層とを有し、該金属粉末含有樹脂層の厚みが５〜２００μｍであることを特徴とする積層電子部品。」（特許請求の範囲の請求項１）
「前記金属粉末含有樹脂層の熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、・・・の少なくとも１種であり、金属粉末は、Ａｇ、・・・の少なくとも１種である請求項１〜３に記載の積層電子部品。」（特許請求の範囲の請求項４）
「・・・さらに、Ａｇ、ガラスフリット及び樹脂バインダーを混合した導電ペーストを塗布、７００℃で焼き付けを行い焼付け層を形成し、その後Ａｇの含有量が８０ｗｔ％のＡｇ−エポキシ樹脂系導電ペーストを熱硬化後に表１の樹脂層厚みとなるように塗布、・・・金属粉末含有樹脂層を形成した。この後、電気メッキにてＮｉメッキ層、さらにＳｎ／Ｐｂメッキ層を形成した。」（段落【００２７】）
　
ｊ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物１０（特開平５−１４４６６５号公報、特許異議申立人ローム株式会社提出の甲第５号証の２）
　刊行物１０には、積層セラミックコンデンサに係り、特にその外部電極層の構造に関して、以下の事項が記載されている。
「誘電体層と内部電極層とが交互に積層されて一体化され、これらの少なくとも側面に外部電極層が形成されてなる積層セラミックコンデンサにおいて、
　上記外部電極層は、上記内部電極層に接続され焼結により形成された電極層と、この電極層上に形成された柔軟性を有する導電性接着樹脂層と、この導電性接着樹脂層上に形成されたニッケルめっき層と，・・・半田めっき層とからなることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。」（特許請求の範囲の請求項１）
「・・・電極層８は、Ａｇを主材として電極材とガラスフリットとを含んだ電極ペーストを塗布して、乾燥焼き付けして形成したものである。又、導電性接着樹脂層９は、例えばシリコーン系導電性樹脂などを塗布し硬化させたものである。・・・」（段落【００１１】）
　
ｋ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物１１（実願昭６３−９６４８３号（実開平２−１７８２９号）のマイクロフィルム、特許異議申立人ローム株式会社提出の甲第５号証の３）
　刊行物１１には、「チップ状セラミック電子部品」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「セラミック素体１１の表面に、複数層の導体層１４ａ、１４ｂ…からなる半田付け用の電極１４、１５が形成されたチップ状セラミック電子部品に於いて、前記半田付け用の電極１４を構成する最下の導体層１４ａと、これより表層側にある導体層との間に、熱硬化性樹脂に導体材料を分散した硬化型導体層１４ｃを介在させたことを特徴とするチップ状セラミック電子部品。」（実用新案登録請求の範囲）
「次ぎに、この上にフェノール樹脂やメラミン樹脂等の熱硬化性型樹脂に導体を分散させた市販の熱硬化型導電ペーストを塗布し、・・・この硬化型導体層１４ｃの上にＮｉメッキを施し、Ｎｉ層１４ｂを形成・・・」（第６頁第１７行〜第７頁第３行）
　
ｌ．当審が通知した第２回取消理由で引用した刊行物１２：特開平４−２７３４１８号公報（特許異議申立人ローム株式会社提出の甲第６号証）
　刊行物１２には、下地外部電極が金属粉末とガラスフリットを含むペーストを焼付けた電極層からなり、この焼付け電極層の表面にめっき層を有する積層セラミックコンデンサに関し、更に詳しくは焼付け電極層が２層からなる積層セラミックコンデンサに関して、以下の事項が記載されている。
「内部電極(13)を有する・・・セラミック誘電体(11)と、金属粉末とガラスフリットを含むペーストを前記誘電体(11)の両端部に焼付けることにより前記内部電極(13)と電気的に接続された下地外部電極(12)と、前記下地外部電極(12)の表面に形成されためっき層(14,15)とを備えた積層セラミックコンデンサ(10)において、前記下地外部電極(12)が前記誘電体(11)に接する内層(12a)と前記内層の表面に積層された外層(12b)との２層の焼付け電極層からなり、前記内層(12a)は金属成分に対して５〜２０重量％のガラスフリットを含む内層用ペーストを焼付けて形成され、前記外層(12b)は金属成分に対して前記内層用ペーストより少ない１〜５重量％のガラスフリットを含む外層用ペーストを焼付けて形成されたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。」（特許請求の範囲の請求項１）
　
（イ）対比・判断
　本件発明と刊行物１ないし１２に記載された発明とを対比すると、刊行物１ないし１２には、本件発明の発明特定事項である「誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる磁器素体の両端面に、磁器素体側から金属成分とガラス成分を含有する第１導体層、金属成分と樹脂成分を含有する第２導体層、メッキ金属から成る第３導体層からなる外部電極を形成した積層セラミックコンデンサ」であって、「前記第１導体層は、金属成分に対してガラス成分が５〜２０重量％含有し、第２導体層は金属成分に対して分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂成分が１０〜４０重量％含有する」点について記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明は、上記の点を備えることにより、以下の明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
「上述の磁器素体の端面と外部電極の第１導体層との第１の接合界面の接合強度Ｆ1 は、第１導体層を形成する際に用いる導電性ペーストのガラス成分の組成によって制御が可能である。また、前記第１導体層と第２導体層との第２の接合界面の接合強度Ｆ2 は、第２導体層を形成する導電性樹脂ペーストの例えばエポキシ系熱硬化性樹脂の重量比率によって制御することができる。」（明細書の段落【００１５】）
「・・・金属粉末に対するガラスフリットの重量比を５〜２０重量％とすることが重要である。このガラスフリットの添加量によって、磁器素体と第１導体層１１との接合強度Ｆ1 を制御できるためである。上述の量比でガラスフリットを添加することにより、磁器素体の端面の面積が小さい例えば、１６０８型（端面の面積：０．８×０．８ｍｍ）であっても、接合強度Ｆ1 を２ｋｇｆ以上にすることができ、外部電極５、５の引っ張り強度が使用上問題のないレベルである１ｋｇ以上とすることができる。」（明細書の段落【００３８】）
「比較的低い分子量のエポキシ系樹脂を上述の範囲で用いることにより、磁器素体の端面の面積が小さい１６０８型（端面の面積：０．８×０．８ｍｍ）であっても、外部電極の引っ張り強度を使用上問題ないレベルである１ｋｇｆ以上が達成できる。しかも、この導電性樹脂ペーストによって形成した第２導体層１２と第１導体層１１との接合強度Ｆ2 を、磁器素体１と第１導体層１１との接合強度Ｆ1 未満に容易に制御することができる。」（明細書の段落【００４６】）
「尚、上記熱硬化性エポキシ樹脂の分子量が非常に低い場合、例えば３００以下では過剰な反応性となってしまい、接合強度Ｆ2 を接合強度Ｆ1 未満にすることが困難となる。また、分子量が高い場合、例えば１２００を超えると、接合強度Ｆ2 自身が得られなくなる。」（明細書の段落【００４７】）
　したがって、本件発明は、刊行物１又は刊行物２に記載された発明でないばかりか、刊行物１ないし１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
イ．特許法第２９条の２の規定違反について
　特願平９−９３７４４号（特開平１０−２８４３４３号公報参照、特許異議申立人雨山範子提出の甲第６号証）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書又は図面」という。）には、セラミック製の表面実装型電子部品に関して、以下の事項が記載されている。
「図示の積層セラミックコンデンサ１０は、表面実装型のチップコンデンサであり、内部電極１を有する鉛系ペロブスカイトのセラミック誘電体２を複数回積層して得られたグリーンチップを焼成して得られるチップ状素体３の両端面に、内部電極１と電気的に接続された第１電極層としての焼結型電極層４ａ及び第２電極層としての導電性樹脂電極層４ｂからなる２層構造の外部電極４を形成したものである。」（段落【００１８】）
「この積層セラミックコンデンサ１０は、外部電極４の表面に更にＮｉメッキ皮膜５及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｄ半田メッキ皮膜６を形成して使用される。」（段落【００３１】）
「・・・外部電極の形成に用いた導電性ペーストＩ〜IIIの配合は次の通りである。」（段落【００３４】）
「導電性ペーストＩ配合
　Ａｇ粉末：７４重量％
　・・・
　ガラスフリット（ＳｉＯ２：２５重量％・・・）：Ａｇ粉末に対して８重量％
導電性ペーストII配合
　・・・
導電性ペーストIII 配合
　Ａｇ粉末：５６．８重量％
　エポキシ系樹脂：８重量％
　・・・」（段落【００３５】）
　しかしながら、上記先願明細書又は図面には、磁器素体と第１導体層との接合強度をＦ1、第１導体層と第２導体層との接合強度Ｆ2とした時、Ｆ1 ≧２．０ｋｇｆ、Ｆ2 ≧１．０ｋｇｆ、Ｆ1＞Ｆ2を満足していること、及び、第２導体層は、金属成分に対して分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる樹脂成分が１０〜４０重量％含有することについて、記載も示唆もされていない。
　したがって、本件発明が上記先願明細書又は図面に記載された発明と同一であるとは認められないので、本件発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものではない。
　
ウ．特許法第３６条第４項及び第６項の規定違反について
（ア）特許異議申立人ローム株式会社主張の申立ての理由２−ａについて
　「接合強度」の測定方法に関しては、本件特許明細書段落【００６２】において、「磁器素体と第１導体層との接合強度を測定可能とするために、ニッケル及びスズメッキを施して、リード線を端面中央に垂直に半田接合し、ロードセル試験器で引っ張り強度試験を行った。」と明確に記載されており、当該引っ張り強度試験は、「ＪＩＳ　Ｃ　００５１」に記載の方法に該当するものと認められ、そのことは当業者であれば当然に理解できる事項であるものと認められる。
　したがって、該特許明細書の記載が、特許法第３６条第４項及び第６項の規定を満たしていないということはできない。
　
（イ）特許異議申立人ローム株式会社主張の申立ての理由２−ｂ及び２−ｃについて
　本件発明において、接合強度Ｆ１、Ｆ２は、各層間における剥離性の大小を示すパラメータとして規定されるものであり、当該数値は、磁気素体の端面における面積（大きさ）に関係なく設定されたものであり、しかも、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、同発明を、３タイプのサイズ積層セラミックコンデンサに適用した場合の例が開示されており、当該明細書の発明の詳細な説明の記載が、当業者がその実施をすることができる程度に明確にかつ十分に記載したものであるといえる。
　また、本件発明の積層セラミックチップコンデンサは、磁気素体の端面と外部電極の第１導体層との第１の接合界面の接合強度Ｆ1 は、第１導体層を形成する際に用いる導電性ペーストのガラス成分の組成によって制御が可能である。また、第１導体層と第２導体層との第２の接合界面の接合強度Ｆ2 は、第２導体層を形成する導電性樹脂ペーストの例えばエポキシ系熱硬化性樹脂の重量比率によって制御することができる等の明細書記載の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、面積（大きさ）の点を発明特定事項としていないことをもって、本件特許明細書の記載が、特許法第３６条第４項及び第６項の規定を満たしていないということはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人雨山範子による特許異議申立ての理由及び証拠、又は特許異議申立人ローム株式会社による特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月２２日（２００４．９．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
積層セラミックコンデンサ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる磁器素体の両端面に、磁器素体側から金属成分とガラス成分を含有する第１導体層、金属成分と樹脂成分を含有する第２導体層、メッキ金属から成る第３導体層からなる外部電極を形成した積層セラミックコンデンサにおいて、
　前記第１導
体
体
分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】この発明は、コンデンサ磁器素体の端部に、焼き付け導体である第１導体層、導電性樹脂の硬化による第２導体層、メッキ処理により形成した第３導体層を有する外部電極を形成した積層セラミックコンデンサに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】従来の積層セラミックコンデンサは、例えばチタン酸バリウムなどの誘電体セラミック材料からなる誘電体層と、銀または銀−パラジウム合金などの貴金属材料あるいはニッケルや銅などの卑金属材料からなる内部電極層とが互いに積層された直方体形状の磁器素体の対向する端部、即ち、端面及びその外周面に外部電極が形成されて構成されていた。磁器素体に配置された積層方向に互いに隣接しあう内部電極層は、磁器素体の異なる端面に導出されており、この導出部分で外部電極と接続していた。
　【０００３】磁器素体の両端部に形成した外部電極は、例えば、磁器素体側からＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｎｉからなる導電ペーストの焼き付けによって形成された厚膜導体層、該厚膜導体層の表面を被覆し、半田食われが生じ難い材料からなるニッケルメッキ層、該ニッケルメッキ層８の表面を被覆するにスズ（Ｓｎ）または半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）からなる電極層から構成されていた（厚膜導体−メッキ型外部電極という）。
　【０００４】また、別の構造の外部電極として、例えば、特公昭５８−４０１６１号公報に示すように、磁器素体の端部に、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金からなる導電ペーストの焼き付けによって厚膜下地導体膜を形成し、該厚膜下地導体膜上に、Ａｇ粉末を含有するレジン系の導電性樹脂ペーストの硬化によって第２導体層を被着していた（厚膜導体−樹脂硬化型外部電極という）。これにより、磁器素体と厚膜下地導体膜との密着強度を高め、部品の交換可能回数を向上させていた。
　【０００５】さらに、別の構造の外部電極として、例えば、特開平４−２５７２１１号公報に示すように、磁器素体の端部に厚膜下地導体膜を形成し、この厚膜下地導体膜上にＡｇ粉末を含有するエポキシ／フェノール系の熱硬化性樹脂ペーストの硬化して緩衝材層を被着し、さらに緩衝材層にメッキ層を被着していた（厚膜導体膜−樹脂−メッキ型外部電極という）。
　【０００６】これのような構造により、特に、緩衝材層で機械的および熱的なストレスを吸収していた。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、厚膜導体−メッキ型外部電極を有する積層セラミックコンデンサでは、厚膜導体膜が外部電極の主体となる導体となり、充分な厚みを有していた。このため、厚膜導体膜と磁器素体との間に、特に磁器素体の端部の外周部分に、厚膜導体膜の焼き付け時に金属粉末の焼結収縮、誘電体セラミック層へのガラス成分の拡散によってストレスが生じてしまう。このような積層セラミックコンデンサをプリント配線基板上に半田を用いて接合し、温度サイクル試験や熱衝撃試験のような急激な熱変化する厳しい環境にさらすと、外部電極、半田、プリント配線基板の各々の熱膨張係数差による応力の吸収が不十分となり、上述のストレスの残存する磁器素体にクラックが発生してしまうという問題点があった。
　【０００８】その結果、積層セラミックコンデンサとして全く機能しなくなってしまう。
　【０００９】また、厚膜導体−樹脂硬化型外部電極や厚膜導体膜−樹脂−メッキ型外部電極を有する積層セラミックコンデンサでは、外部電極に対し、磁器素体側から外側に働く応力が加わると、導電性樹脂層に部分的な剥離が生じやすくなる。このような導電性樹脂層に剥離が発生した積層セラミックコンデンサをプリント配線基板に半田接合性すると固着力の低下により、積層セラミックコンデンサ自体がプリント配線基板から脱落してしまう。
　【００１０】また、許容量以上の急激な熱応力や外部応力が外部電極にかかると、外部電極内に破壊が発生し、磁器素体にクラックが入ることもある。これは、磁器素体と厚膜下地導体層との接合強度、厚膜下地導体層と導電性樹脂層との接合強度のバラランスが不良であると考えられる。
　【００１１】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は過激な温度環境の変化によって応力が生じても、外部電極内の欠陥が乗じにくい高信頼性の積層セラミックコンデンサを提供することにある。さらに、磁器素体にクラックが発生しない高信頼性の積層セラミックコンデンサを提供することにある。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる磁器素体の両端面に、磁器素体側から金属成分とガラス成分を含有する第１導体層、金属成分と樹脂成分を含有する第２導体層、メッキ金属から成る第３導体層からなる外部電極を形成した積層セラミックコンデンサにおいて、前記第１導
体
体
分子量Ｍ（３００＜Ｍ≦１２００）の熱硬化性エポキシ樹脂からなる
　【００１３】また、前記磁器素体の両端面に形成した第１導体層、第２導体層、第３導体層からなる外部電極の一部が、磁器素体の下面に延在しており、且つ前記第２導体層の延在長さが、第１導体層の延在長さよりも０．０５ｍｍ以上長くすることが望ましい。
　【００１４】
　【作用】本発明では、磁器素体の端面と外部電極の第１導体層との第１の接合界面の接合強度Ｆ１と前記第１導体層と第２導体層との第２の接合界面の接合強度Ｆ２との関係を特定したものである。
　【００１５】上述の磁器素体の端面と外部電極の第１導体層との第１の接合界面の接合強度Ｆ１は、第１導体層を形成する際に用いる導電性ペーストのガラス成分の組成によって制御が可能である。また、前記第１導体層と第２導体層との第２の接合界面の接合強度Ｆ２は、第２導体層を形成する導電性樹脂ペーストの例えばエポキシ系熱硬化性樹脂の重量比率によって制御することができる。
　【００１６】たとえば磁器素体の長手方向に外部電極を引っ張った時、１６０８型（サイズ：長さ×幅×厚み＝１．６×０．８×０．８ｍｍ）では磁器素体と第１導体層との第１の接合界面の接着の接合強度Ｆ１が２．０ｋｇｆ以上、第１導体層と第２導体層との第２の接合界面の接着の接合強度Ｆ２が１．５〜２．０ｋｇｆとなるようにする。また、２０１２型（サイズ：２．０×１．２５×０．６〜１．２５ｍｍ）では接合強度Ｆ１が２．５ｋｇｆ以上、接合強度Ｆ２が１．５〜２．５ｋｇｆとなるようにする。３２１６型（サイズ：３．２×１．６×０．６〜１．６ｍｍ）では接合強度Ｆ１が３．０ｋｇｆ以上、接合強度Ｆ２が１．５〜３．０ｋｇｆとなるようにする。
　【００１７】このような接合強度Ｆ１、Ｆ２との組み合わせた２層の導体層上に、Ｎｉメッキ層とＳｎメッキ層が被着された外部電極は、その引っ張り固着強度が、第１導体層と第２導体層間の接合強度Ｆ２で律速されることになる。この場合、接合強度Ｆ２は、実用的な要求接合強度である１ｋｇｆ以上であるため、プリント配線基板に積層セラミックコンデンサを半田接合しても、十分な接合強度が達成される。
　【００１８】また、許容以上の外力により破壊される時には、まず第１導体層と第２導体層間の剥離が発生するので、磁器素体と第１導体層との接合界面には悪影響なく、従来のような素体磁器にクラックなどの破壊が発生することがない。
　【００１９】また、磁器素体の端部の外周部において、第２導体層は第１導体層を完全被覆して、さらに、第１導体層の先端から０．０５ｍｍ以上延在して磁器素体の少なくとも下面と直接被着することになる。
　【００２０】これにより、外部電極に外部から過度の応力が加わった時に、外部電極と磁器素体との際に集中した応力を、第２導体層で吸収させることができるため、磁器素体の端部の外周で発生するクラックなどの破損を有効に防止できる。
　【００２１】特に、第２導体層が第１導体層の先端から０．０５ｍｍ以上延在していると、その効果は高く、逆に、０．０５ｍｍ未満では、従来の厚膜導体−メッキ型のように磁器素体の端部の外周で発生するクラックなどの破損が顕著となる。
　【００２２】
　【発明の実施の形態】以下、本発明の積層セラミックコンデンサを図面に基づいて詳説する。
　【００２３】図１は本発明の積層セラミックコンデンサの外観斜視図であり、図２は縦断面を示す構造である。
　【００２４】図において、積層セラミックコンデンサ１０は、チタン酸バリウムなどの誘電体磁器材料となる誘電体層２と内部電極３、４とが交互に積層されて磁器素体１と、該磁器素体１の両端部に形成された外部電極５、５とから構成されている。
　【００２５】内部電極３、４は、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金などの貴金属材料あるいはニッケル（Ｎｉ）などの卑金属材料からなり、内部電極３の一方端部は磁器素体１の一方の端面に延出し、一方の外部電極５に接続されている。また、内部電極４の他方端部は磁器素体１の他方の端面に延出し、他方の外部電極５に接続されている。
　【００２６】外部電極５、５は、磁器素体の両端部、即ち、端面及びその周囲の外周面に形成されており、磁器素体側から、ＡｇまたはＡｇ合金などからなる導電ペーストの焼き付けにより形成された第１導体層１１、前記第１導体層表面にＡｇ粉末をエポキシ系熱硬化性樹脂に混合した導電性樹脂の硬化により形成された第２導体層１２、第２導体層１２の表面に半田食われが発生しにくい材料のニッケルなどのメッキ形成した第３導体層１３を被着する。尚、必要応じて、第３導体層１３上にスズ（Ｓｎ）または半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）などの材料からなるスズまたは半田のメッキ層を形成する。
　【００２７】ここで、第２導体層１２は、第１導体層１１を完全に覆うように形成されており、その結果、磁器素体１の端面部分は勿論のこと、端面の周囲の外周部、即ち磁器素体の上面、下面及び両側面部分の端部に延在して被着されている。しかも、第２導体層１２の延在部１２ａの長さは、第１導体層１１の延在部１１ａの長さよりも、０．０５ｍｍ以上長くなっている。この延在長さの差を延在変位量としてΔｘと記載する。
　【００２８】次に、上述の構造の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する。
　【００２９】まず、誘電体層２となり、複数の素子が抽出できる形状のセラミックグリーンシートを周知のテープ成型により形成する。次に、各素子領域に内部電極３または４となる導体膜を金属粉末のペーストを用いて印刷・乾燥により形成する。この導体膜はセラミックグリーンシート上に多数の長方形が規則的に並ぶように配列されることになる。
　【００３０】次にこのように印刷されたセラミックグリーンシートを磁器素体の積層数に応じた枚数を積層し、熱圧着を行い、各素子ごとに所定形状に寸法に切断して積層チップ体を形成する。この時、積層チップ体の一対の端面から内部電極３、４となる導体膜が露出するようにする。
　【００３１】次に裁断した積層チップ体を所定の雰囲気、温度で焼成して、磁器素体１を形成する。
　【００３２】次に、磁器素体１の両端部に外部電極５、５を形成する。まず、外部電極５、５の第１導体層１１は、磁器素体１の両端部を、ＡｇまたはＡｇ合金、Ｃｕなどの卑金属などからなる導電ペーストに浸漬し、乾燥して塗布膜を形成した後、この塗布膜を所定の雰囲気および温度で焼き付けることにより形成する。焼成された第１導体層１１の厚みは、例えば２０〜３０μｍである。具体的には、１６０８型が２０μｍ、２０１２型が３０μｍ、３２１６型が３０μｍである。ここで、第１導体層１１は浸漬により形成されるため、端面から浸漬した量に相当して磁器素体１の端面のみならず、端面の周囲の外周部にも第１導体膜が形成されることになる。
　【００３３】その後、第１導体層１１の表面に導電性エポキシ系熱硬化性樹脂からなる第２導体層１２を形成する。具体的には、ＡｇまたはＡｇ合金などからなる金属粉末にエポキシ系熱硬化性樹脂に混合された導電性樹脂ペーストに、第１導体層１１が被着形成された磁器素体１の端部を浸漬し、乾燥してのち、塗布膜を約１５０〜２５０℃で硬化させて形成する。硬化された第２導体層１２の厚みは、例えば２５〜７０μｍである。具体的には、１６０８型が２５μｍ、２０１２型が６０μｍ、３２１６型が７０μｍである。ここで、第２導体層１２を浸漬により形成すれば、磁器素体１の端面から浸漬した量に相当して磁器素体１の端面周囲の外周部にも第２導体膜１２を形成することができる。即ち、端面外周部において、第１導体層１１の先端部から延在変位量Δｘとして０．０５ｍｍ以上延在されて第２導体層を形成することから、第２導体層を樹脂ペーストの浸漬形成するにあたり、浸漬量を、第１導体層を形成するために導電性ペーストに浸漬した浸漬量に比較して、さらに、０．０５ｍｍ以上深く浸漬させればよい。
　【００３４】尚、第２導体層１２は、上述のように、樹脂ペーストの浸漬、乾燥、硬化で形成するだけでなく、例えば、樹脂ペーストの所定位置への印刷、乾燥、硬化で形成しても構わない。
　【００３５】次に、第２導体層１２上に、外部電極５，５の半田食われを防止するために、例えば、ニッケルメッキなどの第３導体層を形成する。さらに、外部電極５、５に半田付着を容易にするために、例えばスズ（Ｓｎ）または半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）などの材料からなるスズまたは半田のメッキ層を形成する。このようなメッキは電解メッキなどで形成できる。
　【００３６】これにより、図１に示す積層セラミックコンデンサが完成する。
　【００３７】尚、外部電極４、５の形成にあたり、上述のように積層素体１の両端部を、導電性ペーストや導電性樹脂ペーストに浸漬するために、積層素体１の端部の外周部に第１導体層１１、第２導体層１２が夫々延在するが、例えば、プリント配線基板への半田接合を考慮して、磁器素体１の端部の下面側のみに外部電極４、５の延在部分を形成しても構わない。
　【００３８】上述の第１導体層１１を形成するために用いる導電性ペーストは、ＡｇやＡｇ合金などの金属粉末、低融点ガラスフリット、分散材、バインダー、溶剤との混合組成物、またはこれにアルミナやシリカなどのセラミック粉体を入れた混合組成物で構成される。金属粉末に対するガラスフリットの重量比を５〜２０重量％とすることが重要である。このガラスフリットの添加量によって、磁器素体と第１導体層１１との接合強度Ｆ１を制御できるためである。上述の量比でガラスフリットを添加することにより、磁器素体の端面の面積が小さい例えば、１６０８型（端面の面積：０．８×０．８ｍｍ）であっても、接合強度Ｆ１を２ｋｇｆ以上にすることができ、外部電極５、５の引っ張り強度が使用上問題のないレベルである１ｋｇ以上とすることができる。
　【００３９】上述のガラスフリットの比率が５重量％未満であると、磁器素体１と第１導体層１１の強度Ｆ１は低下してしまい、接合強度Ｆ１を１ｋｇｆ以上とできても、第１導体層１１と第２導体層１２との接合強度Ｆ２よりも大きくすることが困難となる。
　【００４０】上述のガラスフリットの比率が２０重量％を越えると磁器素体１と第１導体層１１の強度Ｆ１は増加するものの、逆に第１導体層１１の表面にガラス成分が析出されてしまい、第２導体層１２との電気的導通の劣化や接合強度を劣化させることになる。
　【００４１】上記金属粉末は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、及びそれらの合金が用いられ、ガラスフリットは、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉなどのホウケイ酸塩などの混合物が用いられ、バインダーには炭化水素系、アクリル系、アルキド系、アミノ系のポリエステルやロジン誘導体などが用いられ、溶剤は炭化水素系、アルコール系、エーテル系、ケトン系、脂肪族系などが用いられる。
　【００４２】第２導体層１２を形成する導電性樹脂ペーストは、金属粉末と熱硬化性エポキシ系樹脂と硬化剤との混合組成物に有機媒体を入れた混合組成物によって形成される。
　【００４３】熱硬化性エポキシ系樹脂の分子量あるいは金属粉末と熱硬化性エポキシ系樹脂重量比で第１導体層に対する接合強度を制御することができる。
　【００４４】熱硬化性エポキシ系樹脂の分子量は、比較的低いことが望ましく、例えば、千数百以下が望ましい。
　【００４５】また、金属粉末に対する熱硬化性樹脂組成分の重量比が１０〜４０重量％の程度が望ましい。
　【００４６】比較的低い分子量のエポキシ系樹脂を上述の範囲で用いることにより、磁器素体の端面の面積が小さい１６０８型（端面の面積：０．８×０．８ｍｍ）であっても、外部電極の引っ張り強度を使用上問題ないレベルである１ｋｇｆ以上が達成できる。しかも、この導電性樹脂ペーストによって形成した第２導体層１２と第１導体層１１との接合強度Ｆ２を、磁器素体１と第１導体層１１との接合強度Ｆ１未満に容易に制御することができる。
　【００４７】尚、上記熱硬化性エポキシ樹脂の分子量が非常に低い場合、例えば３００以下では過剰な反応性となってしまい、接合強度Ｆ２を接合強度Ｆ１未満にすることが困難となる。また、分子量が高い場合、例えば１２００を超えると、接合強度Ｆ２自身が得られなくなる。
　【００４８】また、エポキシ樹脂と金属粉末との重量比率において、樹脂比率が多いほど固着強度が増加する。そして、エポキシ樹脂の金属粉末に対する比率が４０重量％を越えるでは、硬化した第２導体層１２の表面に樹脂が偏在してしまい、第３導体層１３であるメッキ層の被覆が不可能となってしまう。
　【００４９】また、エポキシ樹脂の比率が１０重量％未満では、第１導体層１１と第２導体層１２との接合強度Ｆ２を１．０ｋｇｆ以上とすることが困難となる。
　【００５０】上記金属粉末は金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、銅を単独でまた、それらの合金などからなる。
　【００５１】また、エポキシ系樹脂は分子中に２個またはそれ以上のエポキシ基を有する化合物からなり、硬化剤または触媒の作用で硬化する。そして、このエポキシ系樹脂はビスフェノールＡ型エポキシ系樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ系樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ系樹脂の液状エポキシ樹脂より選択する。
　【００５２】硬化剤にはポリアミト硬化剤、脂肪族ポリアミン硬化剤、環状脂肪族ポリアミン硬化剤、芳香族ポリアミン硬化剤、ジシアンジアミド等を使用する。上記有機媒体として、各種の脂肪族アルコールとそのエステル、カルビトール系溶媒、ケトン系溶媒、または炭化水素系溶媒などが挙げられる。
　【００５３】第２導体層１２は、上述したように、導電性樹脂ペーストをスクリーン印刷、浸漬などによって塗布膜を形成し、８０〜１４０℃の温度にて仮乾燥させ、その後、導電性樹脂ペースト中の溶媒成分を完全に除去するために６０〜１２０℃の温度雰囲気で１５〜９０分間脱溶剤を行い、しかる後に、１５０〜２５０℃の温度にて３０〜１２０分間加熱することで、硬化されて形成される。
　【００５４】以上のように、本発明のの積層セラミックコンデンサによれば、磁器素体２と第１導体層１１との接続強度Ｆ１及び第１導体層１１と第２導体層１２との接続強度Ｆ２との関係を、上述のようにして制御して、各々の接続１．０ｋｇｆ以上として、且つ両接合強度Ｆ１及びＦ２の関係が、Ｆ１＞Ｆ２となるように設定した。
　【００５５】これにより、外部電極５、５を剥離しようとする通常の外部からの応力がかかっても、磁器素体１と第１導体層１１との接合界面及び第１導体層１１と第２導体層１２との接合界面で剥離発生がない。しかも、急激な熱変化や過度の外力による衝撃を受けても、第２導体層１２である導電性を有するエポキシ系熱硬化性樹脂層でその急激な衝撃を吸収するために、磁器素体１にクラックや破損を発生させることがない。
　【００５６】仮に、許容衝撃を超える外力などが印加されたときには、磁器素体１の誘電体磁器層２にクラックが発生せず、接合強度Ｆ１とＦ２との差により、外部電極５、５の第１導体層１１と第２導体層１２との界面で剥離が発生するだけであり、コンデンサ磁器素体にクラックが入るという最も致命的な内部電極３、４間の電気的短絡故障を回避することができる。
　【００５７】また、本願発明は同時に、磁器素体１の両端部の外周部、即ち、磁器素体１の両端部の両主面及び両側面に、第２導体層１２が、第１導体層１１の端縁よりも中央部寄りに延在変位量Δｘとして０．０５ｍｍ以上延在して被覆している。尚、第１導体層の延在部を符号１１ａで、第２導体層１２の延在部を符号１２ａで示す。
　【００５８】従って、上述したように、外部電極５、５に外部から衝撃等の応力が加わっても、第１導体層１１にその応力が加わる前に、第２導体層１２全体で吸収している。この第１及び第２導体層１１、１２の延在部１１ａ、１２ａにおいても、同様に、第１導体層１１の延在部１１ａから磁器素体１の表面にかかる応力を、第１導体層１１の延在部１１ａに印加される前に、第２導体層１２の延在部１２ａで吸収することになる。
　【００５９】従って、第１及び第２導体層１１、１２の延在部１１ａ及び１２ａと磁器素体１との接合部分で磁器中にクラックの発生を有効に抑えられることになる。
　【００６０】これに対して、第２導体層１２の延在部１２ａが、第１導体層１１の延在部１１ａよりも中央寄りに延出していない場合や、仮に延出していても、０．０５ｍｍ未満であると、第１導体層１１の延在部１１ａと磁器素体１との接合界面部分で応力集中してしまい、その結果、磁器にクラックなどが発生してしまう。
　【００６１】
　【実施例】（例１）本発明の２０１２型（２．０×１．２５×０．８５ｍｍ）の積層セラミックコンデンサの磁器素体１を用いて、磁器素体１の対向する端部に厚み３０μｍの第１導体層１１を形成した。第１導体層１１を形成する導電性ペーストは、Ａｇを主成分とし、ガラスフリットにホウケイ酸亜鉛系のものとホウケイ酸鉛系の２種類用い、Ａｇ粉末に対してガラスフリットの添加量を重量にして５〜２０％の範囲で変化させた。尚、あらかじめ、異質な塗布形状とならないようにペースト粘度を溶剤量で調整した。また、焼き付け時の電極割れが起こらないように銀粉末を微粉タイプとフレーク状の粗粒タイプとの混合比率を変えて調整した。
　【００６２】そして、第１導体層１１のみを形成した後、磁器素体と第１導体層との接合強度を測定可能とするために、ニッケル及びスズメッキを施して、リード線を端面中央に垂直に半田接合し、ロードセル試験器で、引っ張り強度試験を行った。その際に５０個の試料について調べた。
　【００６３】その結果、磁器素体１と第１導体層１１との間の接合強度Ｆ１は、図３の特性図に示す結果となった。尚、縦軸は強度、横軸は金属成分を１００とした時のガラス重量比率である。
　【００６４】Ａｇに対してガラスフリットの添加量を多くするにつれて固着強度が向上してきている。また、ガラスフリット量が多くなるにつれて焼き付け電極表面にガラスがにじみ出てくる現象が強くなり、ガラスフリット量が２０重量％を超えると、その後にアルミナ研磨粉と水を入れたポットで回転バレルをかけても表面浮きガラス層がきれいにとれなかった。この表面ガラス層は電気的導電性ばかりでなく、この後の熱硬化性樹脂への接合強度も低下させる。
　【００６５】（例２）上述の例１にて作成した積層セラミックコンデンサの試料の第１導体層１１を形成した試料を用いて、第１導体層１１上に第２導体層１２を熱硬化型導電性ペースト形成し、第１導体層１１と第２導体層との接合強度について測定した。尚、第１導体層１１である焼き付けＡｇ導体膜上にＡｇ系導電性粉末をエポキシ系樹脂に分散した導電性樹脂ペーストを第１導体層１１を完全に覆うように６０μｍの厚みで塗布し、さらに乾燥し、ついで８０〜１２０℃の温度にて脱溶剤し、その後、１５０〜２００℃の温度で硬化させ、これによってエポキシ系熱硬化性樹脂からなる第２導体層１２を形成した。そして、ニッケルメッキ層１３を電解メッキで形成し、このニッケルメッキ層１３の上にスズ系層を電解メッキで形成した。このような積層セラミックコンデンサを作製するに当たって、導電性樹脂ペーストの金属成分１００に対して樹脂固形分比率を１０〜４０重量％変化させて測定した。
　【００６６】その結果、第１導体層１１と第２導体層１２との間の接合強度Ｆ２は、図４の特性図に示す結果となった。
　【００６７】その結果、図４に示すように、接合強度Ｆ２は、図４の特性図において、尚、線ａ、線ｂともに横軸は固形成分に対するガラスフリットの重量比率を示す。
　【００６８】尚、エポキシ樹脂の重量比率が、４０重量％を越えると、第２導体層１２の表面に樹脂成分が析出されて、安定してニッケルメッキ層１３を形成することができなくなる。
　【００６９】また、温度サイクル耐久性テストは、−５５℃の雰囲気に３０分間保持し、そして、１５０℃の雰囲気に３０分間保持し、その冷却／加熱サイクルを１０００回おこなって、容量の低下状況を調べた。その際に５０個の試料について、磁器素体のクラックの発生頻度と外部電極の剥離を測定した。
　【００７０】温度サイクルテストの結果、固形分比率が銀粉末に対して１０〜４０ｗｔ％の試料は初期の固着強度が高く、さらに温度サイクル耐久性テストをおこなっても、ほとんど低下しなった。また、コンデンサ本体にクラックが発生せず、外部電極の剥離もなった。
　【００７１】（例３）図３、図４に示す２つの接合強度Ｆ１、Ｆ２との関係をＦ１＞Ｆ２とすることが重要である。従って、例えば、第１導体層１１を形成する導電性ペーストのガラス重量比率が１０重量％で、第２導体層１２を形成する導電性樹脂ペーストの樹脂重量比率が２０重量％以上では、強度のバラツキなどにより、Ｆ１＞Ｆ２とならない場合がある。従って、各々の接合強度Ｆ１、Ｆ２を測定し、Ｆ１＞Ｆ２が満足するように制御しなくてはならない。
　【００７２】そこで、本発明者らは、１６０８型、２０１２型、３２１６型の積層セラミックコンデンサの外部電極を構成する第１導体層１１の導電性ペーストのガラス重量比率を１０重量％に設定し、第２導体層１３の導電性樹脂ペーストのエポキシ樹脂の２０重量％に設定した。そして、磁器素体１と第１導体層１１との接合強度Ｆ１と第１導体層１１と第２導体層１２との接合強度Ｆ２を図５で合成した。
　【００７３】尚、試料の形式による第１導体層の１１、第２導体層１２の厚みは、夫々先の具体例に示す値とした。また、図５において、横軸は、各形式、縦軸は接合強度を示している。
　【００７４】図５から理解できるように、この組み合わせでは、各々の接合強度Ｆ１、Ｆ２にばらつきが生じても、接合強度Ｆ１、Ｆ２を各々１．０ｋｇｆ以上として、しかも、Ｆ１＞Ｆ２となっている。
　【００７５】また、この例で、第１導体層１１のガラス重量比率が１０重量％であるが、図３の結果を参酌すれば、第２導体層１２のエポキシ樹脂の重量比率を変えずに、ガラス重量比率を１０重量％以上に設定しても、なんら支障のないことがわかる。
　【００７６】（例４）（例２）の積層セラミックコンデンサ試料の中で良好な結果を得た条件で、第２導体層１２を第１導体層１１の表面を完全に覆い、しかも、磁器素体１の端部の外周面で、第１導体層１１の延在部１１ａの先端部から延在する距離Δｘを種々変えた試料を作成した。
　【００７７】そして、上述した温度サイクル耐久性テストを行い、磁器素体１の内部に発生する内部クラック観察を併用した。
　【００７８】その結果、磁器素体１の端部の外周部に延在する第１導体層１１の延在部よりも、第２導体層１２の延在部１２ａが、磁器素体の中央部側に少なくとも０．０５ｍｍ以上延在すると、密着強度テスト、さらに温度サイクル耐久性テストのいずれにも良好な結果が得られた。これに対し、第２導体層１２の延在部１２ａが第１導体層１１の延在部１１ａからさらに延在する延在変位量Δｘが０．０５ｍｍ未満の場合には、クラックの発生が観察された。
　【００７９】このことは、プリント配線基板に試料を半田接合した後、プリント配線基板を強制的にたわませて、試料に機械的応力を与えたのみ試験に検証された。例えば、９０ｍｍのスパンで１０ｍｍたわませる加速たわみ試験で図６に示すように、延在変位量Δｘが０．０５ｍｍ以上では、全数の試料でクラックは発生しない。
　【００８０】以上の結果より磁器素体１の端部の外周部に、第２導体層１２の延在部１２ａを第１導体層１１の延在部１１ａよりも磁器素体中央寄りに少なくとも０．０５ｍｍ以上延ばさなければならないとが判明した。
　【００８１】尚、上述の実験例では、２０１２型サイズの磁器素体を用いて実験を行ったが、端面の面積が比較的小さな１６０８型サイズ、端面の面積が比較的大きな３２１６型サイズであっても同様な結果が得られた。
　【００８２】
　【発明の効果】以上のとおり、本発明のによれば、回路基板に実装し、その後、温度サイクルや熱衝撃によって応力が発生したとしても、磁器素体にクラックが発生することがなく、さらに外部電極が剥離しなくなり、しかも、実装基板との固着強度にも優れ、その結果、高品質かつ長期信頼性の積層セラミックコンデンサとなる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。
　【図２】本発明の積層セラミックコンデンサの断面図である。
　【図３】本発明の積層セラミックコンデンサの磁器素体と第１導体層との接合強度及び第１導体層と第２導体層の接合強度を示す特性図である。
　【図４】本発明の積層セラミックコンデンサの第１導体層と第２導体層の接合強度を示す特性図である。
　【図５】本発明の形状別の積層セラミックコンデンサの磁器素体と第１導体層との接合強度及び第１導体層と第２導体層の接合強度を示す特性図である。
　【図６】本発明の積層セラミックコンデンサの磁器素体表面における第２導体層延在距離Δｘによるクラック発生率を示す特性図である。
　【符号の説明】
　１０・・・積層セラミックコンデンサ
　１・・・磁器素体
　２・・・誘電体磁器層
　３、４・・・内部電極
　５、５・・・外部電極
　１１・・・第１導体層
　１２・・・第２導体層