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　特願２００９−５５２３１９「ダイヤモンド」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月１２日国際公開、ＷＯ２００８／１０７８６０、平成２２年　６月１０日国内公表、特表２０１０−５２０１４６、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年３月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００７年３月８日　英国、２００７年３月１５日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１０月２４日付けの拒絶理由が通知され、平成２５年４月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月２２日付けで拒絶査定がされたので、同年９月２６日に拒絶査定不服審判が請求され、同年１２月２６日付けの当審の拒絶理由が通知され、平成２６年２月３日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
 　 
第２　本願発明について
　本願発明は、平成２６年２月３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定される、次のとおりのものである（以下、請求項１〜１５に記載された特許を受けようとする発明を、項番に従い、「本願発明１」などといい、これらをまとめて「本願発明」という。また、その明細書を「本願明細書」という。）。
「【請求項１】
　以下の工程：
（ａ）２つの直交する寸法がａ*とｂ*の成長表面を有する単結晶ダイヤモンド種子を選択する工程、ここで、ａ*は、前記成長表面の平面内の＜１００＞方向に沿って整列している、前記成長表面の最大寸法であり、ｂ*は、前記成長表面の平面内にあるａ*に直交する方向の、前記成長表面の最大寸法であり、ａ*／ｂ*と定義される前記成長表面のアスペクト比は少なくとも１．５である、
（ｂ）前記種子を、基材の表面の上又は中に、前記種子の前記成長表面が露出され、かつ前記種子の前記成長表面が前記基材の前記表面に平行になるように載せる工程、及び
（ｃ）少なくとも前記種子の前記成長表面上で単結晶ダイヤモンドが生成されるような条件下、高温高圧環境内で結晶を成長させる工程を含む、単結晶ダイヤモンドの合成方法であって、
合成された単結晶ダイヤモンドの、＜１００＞方向に沿って整列している最大寸法ａ#が少なくとも６ｍｍを超える、前記方法。
　【請求項２】
　前記単結晶ダイヤモンド種子の前記成長表面の寸法ａ*が少なくとも３ｍｍである、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
　前記単結晶ダイヤモンド種子の前記成長表面の寸法ｂ*が２ｍｍ未満である、請求項１又は２に記載の方法。
　【請求項４】
　前記選択されたダイヤモンド種子が、該種子の成長表面の少なくとも約３０％が単一の成長セクターであるような種子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項５】
　２つの直交する寸法がａ*とｂ*の成長表面を有する単結晶ダイヤモンド種子であって、ａ*は、前記成長表面の平面内の＜１００＞方向に沿って整列している、前記成長表面の最大寸法であり、ｂ*は、前記成長表面の平面内にあるａ*に直交する方向の、前記成長表面の最大寸法であり、ａ*／ｂ*と定義される前記成長表面のアスペクト比は少なくとも１．５である、前記単結晶ダイヤモンド種子。
　【請求項６】
　前記成長表面の寸法ａ*が少なくとも３ｍｍである、請求項５に記載の単結晶ダイヤモンド種子。
　【請求項７】
　前記成長表面の寸法ｂ*が２ｍｍ未満である、請求項５又は６に記載の単結晶ダイヤモンド種子。
　【請求項８】
　前記ダイヤモンド種子が、該種子の成長表面の少なくとも約３０％が単一の成長セクターであるようなダイヤモンド種子である、請求項５〜７のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド種子。
　【請求項９】
　請求項５〜８のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド種子の、単結晶ダイヤモンドを合成するための高温高圧法での使用。
　【請求項１０】
　いずれの表面Ｓ#についても、合成されたままのアスペクト比が少なくとも１．５である合成単結晶ダイヤモンド材料であって、
　前記合成されたままのダイヤモンド結晶のアスペクト比はＡ#／Ｂ#と定義され、Ａ#とＢ#は、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の種子面に平行である｛１００｝平面に平行な、前記単結晶ダイヤモンド材料の抽象的な表面Ｓ#を定義し、Ａ#は、＜１００＞方向に沿って整列している、前記表面Ｓ#内の、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の最大寸法であり、Ｂ#は、＜１００＞方向に沿って整列している、前記表面Ｓ#内でＡ#と直交する、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の最大寸法であり、前記抽象的な表面Ｓ#は、現実の外側表面又は概念上の内側表面であってよく；かつ＜１００＞方向に沿って整列しており、前記表面Ｓ#に平行な、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の最大寸法ａ#が、少なくとも６ｍｍである、前記合成単結晶ダイヤモンド材料。
　【請求項１１】
　前記合成されたままの単結晶ダイヤモンドが体積で少なくとも５０％の単一の成長セクターを含む、請求項１０に記載の合成単結晶合成ダイヤモンド材料。
　【請求項１２】
　全体的に単一の成長セクター内にある、＜１００＞方向に沿って整列している、前記最長寸法が少なくとも５ｍｍを超える、請求項１０又は１１に記載の合成単結晶ダイヤモンド材料。
　【請求項１３】
　前記結晶の表面積の少なくとも５０％が｛１００｝型平面を構成する、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の合成単結晶ダイヤモンド材料。
　【請求項１４】
　前記単一の成長セクターが｛１００｝成長セクターである、請求項１２又は１３に記載の合成単結晶ダイヤモンド材料。
　【請求項１５】
　請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド材料を含む切断工具。」
　　　　　　　　　　　　
第３　拒絶理由の概要
１　原査定の拒絶理由
  この出願の請求項１〜１５に係る発明は、その出願前に日本国内において、頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
刊行物：特開平０３−２１７２２６号公報
２　当審での拒絶理由
　本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合しない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
第４　当審の判断
４−１　原査定の拒絶理由について
１　刊行物の記載事項
（１）　刊行物の記載事項
　刊行物１には、次の記載がある。
（ア）「（１）温度差法により、種結晶の（１００）面を成長面として大型ダイヤモンド単結晶を合成する方法において、該種結晶の（１００）面からなる成長面の形状を円形、楕円形、又は正六角形以上の正多角形とし、溶媒と炭素源の共晶点より２０〜９０℃だけ高い温度で結晶成長させることを特徴とする上記大型ダイヤモンド単結晶の合成方法。」（第１頁左下欄５〜１２行）
（イ）「〔発明が解決しようとする課題〕
　本発明はかかる従来の事情に鑑み、種結晶の成長面を（１００）面とした場合に、従来よりも広い温度範囲で安定して大型ダイヤモンド単結晶を合成出来る方法を提供することを目的とする。」（第２頁左上欄１１〜１５行）
（ウ）「〔実施例〕 
　超高圧発生装置の容器内に、（１００）面を成長面とし正四角形、正六角形又は円形をなす種結晶、Ｆｅ−５０Ｎｉからなる溶媒及び炭素源を配置し、温度差法により５．５ＧＰａの超高圧下において種々の合成温度で１５０時間の結晶成長を行なった。尚、用いた溶媒と炭素源の共晶点は１３００℃であった。
　種結晶の成長面の形状、合成温度、並びに得られた単結晶の性状を第１表に示した。
　第１表から、成長面が正四角形の場合は合成温度が１３００℃＋６０℃を超えると溶媒の巻き込みが多くなるのに対し、成長面が正六角形及び円形の場合には合成温度が１３００℃＋９０℃まで良質な大型ダイヤモンド単結晶が得られることが判る。
　又、種結晶の成長面を楕円形とした場合も、上記実施例の正六角形又は円形の場合と同様な結果が得られた。」（第２頁左下欄１０行〜第３頁左下欄８行）
（エ）「第１表
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（第３頁上欄）
（オ）「〔発明の効果〕
　本発明によれば、種結晶の成長面が（１００）面である場合に、従来よりも広い温度範囲で良質で大型の、例えば直径又は対角線長さが８ｍｍ以上のダイヤモンド単結晶を合成することが出来る。」（第３頁左下欄１２〜１６行）
　　　
イ　刊行物に記載された発明
　記載事項（イ）によれば、刊行物には、広い温度範囲で安定して大型ダイヤモンド単結晶を合成する方法に関する発明が記載されている。具体的には、同（ア）によれば、種結晶の（１００）面からなる成長面の形状を円形、楕円形、又は正六角形以上の正多角形とした種結晶を用い、該種結晶を溶媒と炭素源の共晶点より２０〜９０℃だけ高い温度で結晶成長させることからなる発明である。
　また、同（ウ）には、ダイヤモンド単結晶合成方法の具体例として、超高圧発生装置の容器内に、（１００）面を成長面とした種結晶を配置し、超高圧下で種々の合成温度で結晶成長を行い、この結果、種結晶の成長面を楕円形とした場合であっても、成長面が正六角形及び円形の場合と同様に、溶媒の巻き込みが少ない良質な大型ダイヤモンド結晶を合成する方法が記載され、同（オ）によれば、直径又は対角線長さが８ｍｍ以上のダイヤモンド単結晶が合成されるものである。
　したがって、刊行物にはダイヤモンド単結晶の合成方法に関する次の発明（以下、「引用発明Ａ」という。）が記載されているとすることができる。また、この発明を種結晶の発明として整理すると、刊行物にはタイヤモンド単結晶合成用種結晶に関する次の発明（以下、「引用発明Ｂ」という。）が記載されており、さらに、合成されたダイヤモンド単結晶に関する発明として整理すると、合成単結晶ダイヤモンドに関する次の発明が記載されているとすることができる。
・引用発明Ａ
「種結晶の（１００）面からなる成長面の形状を円形、楕円形、又は正六角形以上の正多角形とし、該種結晶を、高圧発生装置の容器内に（１００）面を成長面として配置し、溶媒と炭素源の共晶点より２０〜９０℃だけ高い温度で結晶成長させることからなる、直径又は対角線長さが８ｍｍ以上の大型ダイヤモンド単結晶の合成方法。」
・引用発明Ｂ
「（１００）面からなる成長面の形状を円形、楕円形、又は正六角形以上の正多角形としたタイヤモンド単結晶合成用の種結晶」
・引用発明Ｃ
「種結晶の成長面を（１００）面として合成した、直径又は対角線長さが８ｍｍ以上の合成ダイヤモンド単結晶」
　　　　　　　　　　
３　対比と判断
（１）本願発明１〜４について
（ア）対比
　本願発明１と引用発明Ａとを対比する。
　引用発明Ａに係る大型ダイヤモンド単結晶の合成方法においても、（１００）面を成長面とした種結晶を超高圧発生装置の容器内に配置して、所定の圧力と温度で単結晶ダイヤモンドを結晶成長させているので、本願発明１における「（ｂ）種子を、基材の表面の上又は中に、前記種子の前記成長表面が露出され、かつ前記種子の前記成長表面が前記基材の前記表面に平行になるように載せる工程、及び（ｃ）少なくとも前記種子の前記成長表面上で単結晶ダイヤモンドが生成されるような条件下、高温高圧環境内で結晶を成長させる工程」を含む合成方法に相当する。
　また、引用発明Ａにおいては、直径又は対角線長さが８ｍｍ以上の大型ダイヤモンド単結晶を合成しているが、これは、本願発明１における「合成された単結晶ダイヤモンドの、＜１００＞方向に沿って整列している最大寸法ａ#が少なくとも６ｍｍを超える」ことと対応している。
　したがって、本願発明１と引用発明Ａとは、「単結晶ダイヤモンドの合成方法であって、（ｂ）種子を、基材の表面の上又は中に、前記種子の前記成長表面が露出され、かつ前記種子の前記成長表面が前記基材の前記表面に平行になるように載せる工程、及び（ｃ）少なくとも前記種子の前記成長表面上で単結晶ダイヤモンドが生成されるような条件下、高温高圧環境内で結晶を成長させる工程を含む、単結晶ダイヤモンドの合成方法であって、
　合成された単結晶ダイヤモンドの、＜１００＞方向に沿って整列している最大寸法ａ#が少なくとも６ｍｍを超える、前記方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明の単結晶ダイヤモンド合成法では、「（ａ）２つの直交する寸法がａ*とｂ*の成長表面を有する単結晶ダイヤモンド種子を選択する工程、ここで、ａ*は、前記成長表面の平面内の＜１００＞方向に沿って整列している、前記成長表面の最大寸法であり、ｂ*は、前記成長表面の平面内にあるａ*に直交する方向の、前記成長表面の最大寸法であり、ａ*／ｂ*と定義される前記成長表面のアスペクト比は少なくとも１．５である」工程を含むが、
　引用発明では、ダイヤモンド種子を選択する工程において、（１００）面からなる成長面の形状を円形、楕円形、又は正六角形以上の正多角形としたタイヤモンド単結晶合成用の種結晶を選択している点（以下、「相違点１」という。）。
　　　　　　
イ　判断
　上記相違点１について検討する。
　これに関し、引用発明Ａでは種結晶成長面の形状については、楕円形のほか、円形、正六角形以上の正多角体から選択されたものとしているが、該楕円形は、円形、正六角形以上の正多角体と並列的に列挙されているし、記載事項（エ）に示される実施例では、具体的には、成長面形状が正六角形と円形の種結晶を使用したものが開示されている。このため、刊行物には、種結晶成長面の形状として、アスペクト比を調整することについての技術思想は記載されていない。
　とすると、「成長表面の平面内の＜１００＞方向に沿って整列している前記成長表面の最大寸法である」「ａ*」と、「成長表面の平面内にあるａ*に直交する方向の、前記成長表面の最大寸法」である「ｂ*」に関し、「ａ*／ｂ*と定義される前記成長表面のアスペクト比は少なくとも１．５である」ことは、刊行物の記載に基づいて当業者が容易に想到できるとはいえない。　また、本願発明の奏する効果に関して本願明細書には、次の記載がある。【０００７】「・・・
　本発明者らは、驚くべきことに、単結晶ダイヤモンド種子の成長表面の表面積を最小にしながらエッジ長を最大にすることによって、特に金属包含物含量が低減した大型単結晶ダイヤモンドを製造できる簡単な方法を提供することによって、先行技術の問題を克服できることを見出した。」
【００１３】「・・・
　高いアスペクト比の種子を選択することによって、種子の成長表面のエッジ長を最大にし、かつ種子の成長表面の表面積を最小にする。エッジ長を最大にすると、例えば、旋盤加工バイト（single point turning tool）として使うのに適した合成単結晶ダイヤモンドの望ましい物体をもたらす。表面積を最小にすると、先行技術で報告され、また上述したように、大型基材の使用に伴って一般的に遭遇する問題である多核化及び包含物の取込みの問題を実質的に低減し、或いは排除さえする。」
　これらの記載から明らかなように、本願発明１においては、上記相違点１に関する構成を有することにより、すなわち、種結晶のアスペクト比を１．５以上とすることにより、審判請求書の第３頁（ＩＶ）以降に記載されているように、単結晶ダイヤモンドの包含物の量を低減することができ、切断ツールに関連する分野において有用な、種結晶の表面と平行な平面において１辺の長さが大きい単結晶を得ることができる。これは、刊行物には記載されていない顕著な効果である。
　したがって、本願発明１は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到することができたとすることはできない。また、本願発明２〜４は、本願発明１の特定事項を全て有し、さらに本願発明１の特定事項を限定・具体化したものであるので、同様の理由から、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到しえた発明であるとすることはできない。
　　　　　
（２）本願発明５〜９について
　本願発明５と引用発明Ｂとを対比すると、両者は、「単結晶ダイヤモンド種子」である点で一致し、次の点で相違する。
 本願発明の単結晶ダイヤモンド種子が「２つの直交する寸法がａ*とｂ*の成長表面を有する単結晶ダイヤモンド種子であって、ａ*は、前記成長表面の平面内の＜１００＞方向に沿って整列している、前記成長表面の最大寸法であり、ｂ*は、前記成長表面の平面内にあるａ*に直交する方向の、前記成長表面の最大寸法であり、ａ*／ｂ*と定義される前記成長表面のアスペクト比は少なくとも１．５である」のに対し、引用発明Ｂでは、「種結晶として、（１００）面からなる成長面の形状を円形、楕円形、又は正六角形以上の正多角形」のものである点。
　この相違点は、本願発明１〜４において検討した相違点１と同じである。
　したがって、上記したと同じ理由により、本願発明５は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到することができたとすることはできない。また、本願発明６〜９は、本願発明５の特定事項を全て有し、さらに本願発明５の特定事項を限定・具体化したものであるので、同様の理由から、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到しえた発明であるとすることはできない。
　　　　　
（３）引用発明１０〜１５について
ア　対比
　本願発明１０と引用発明Ｃとを対比する。
　刊行物の記載事項（オ）によれば、引用発明１で合成されたダイヤモンド単結晶は、種結晶の成長面が（１００）面である場合に、直径又は対角線長さが８ｍｍ以上である。
　そして、この直径又は対角線長さは成長面上の長さであると理解されるので、この長さは、「＜１００＞方向に沿って整列しており、前記表面Ｓ#に平行な、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の最大寸法」に対応し、その結果、この「最大寸法」に関しては、本願発明１０は引用発明Ｃを包含する。
　このため、本願発明１０と引用発明Ｃとは、「＜１００＞方向に沿って整列しており、前記表面Ｓ#に平行な、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の最大寸法ａ#が、少なくとも６ｍｍである合成単結晶ダイヤモンド材料」に関する発明である点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明１０は、「いずれの表面Ｓ#についても、合成されたままのアスペクト比が少なくとも１．５である合成単結晶ダイヤモンド材料であって、
　前記合成されたままのダイヤモンド結晶のアスペクト比はＡ#／Ｂ#と定義され、Ａ#とＢ#は、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の種子面に平行である｛１００｝平面に平行な、前記単結晶ダイヤモンド材料の抽象的な表面Ｓ#を定義し、Ａ#は、＜１００＞方向に沿って整列している、前記表面Ｓ#内の、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の最大寸法であり、Ｂ#は、＜１００＞方向に沿って整列している、前記表面Ｓ#内でＡ#と直交する、前記合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料の最大寸法であり、前記抽象的な表面Ｓ#は、現実の外側表面又は概念上の内側表面であってよい、前記合成単結晶ダイヤモンド材料。」であるのに対し、
　引用発明Ｃでは、該「合成されたままのダイヤモンド結晶のアスペクト比はＡ#／Ｂ#」がどの程度になるかは明らかではない点（以下、「相違点２」という。）。
　この相違点２について検討するに、刊行物には、 種結晶の成長面が（１００）面である場合に、合成されたダイヤモンド単結晶の該成長面に平行な平面における最大寸法とこれと直交する方向の最大寸法との比であるアスペクト比について記載も示唆もない。 
　そして、本願発明１０は、相違点２の構成を採用することにより、上記したとおり、単結晶ダイヤモンドの合成時間と包含物の量を同時に低減することができ、切断ツールに関連する分野において有用な、種結晶の表面と平行な平面において１辺の長さが大きい単結晶を得ることができる。これは、刊行物には記載されていない顕著な効果である。
　したがって、本願発明１０は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到することができたとすることはできない。また、本願発明１１〜１５は、本願発明１０の特定事項を全て有し、さらに本願発明１０の特定事項を限定・具体化したものであるので、同様の理由から、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到しえた発明であるとすることはできない。
　　　　　
４−２　当審の拒絶理由について
　当審の拒絶理由は、本願発明においては「単結晶ダイヤモンド種子」及び「合成されたままの単結晶ダイヤモンド材料」の、＜１００＞方向に沿って実質的に配列している面、及び＜１１０＞方向に沿って実質的に配列している面について、アスペクト比や最大寸法を特定するものであるが、＜１１０＞方向に沿って実質的に配列している面に関しては、本願発明の課題を解決できるとは、発明の詳細な説明の記載や技術常識を考慮しても認めることができないので、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合しない、というものであった。
　しかし、＜１１０＞方向に沿って実質的に配列している面に関しては、上記補正により削除されたので、当審の拒絶理由は解消した。
　　　　　　　
第５　まとめ
　以上のとおりであるので、本願発明１〜１５は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到しえたものとすることもできず、本願発明は発明の詳細な説明に記載された発明であるので、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。