(57)【要約】【課題】微分抵抗の増加を低減できる、面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。【解決手段】垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法は、上部分布反射器のための第１半導体積層と、ＩＩＩ族構成元素としてアルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層と、活性層とを有する半導体ポストを含む半導体生産物を準備する工程と、水素及び酸素を含む物質から生成される酸化雰囲気において前記半導体生産物の前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層の部分的な酸化を行って、前記半導体ポストに狭窄構造を有する基板生産物を作製する工程と、前記狭窄構造を形成した後に、不活性ガスの雰囲気において前記基板生産物の熱処理を行う工程を備え、前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層は、前記第１半導体積層と前記活性層との間に設けられる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法であって、
ＩＩＩ族構成元素としてアルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層と、活性層とを有する半導体ポストを含む半導体生産物を準備する工程と、
水素及び酸素を含む物質から生成される酸化雰囲気において前記半導体生産物の前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層の酸化を行って、前記半導体ポストに狭窄構造を有する基板生産物を作製する工程と、
前記狭窄構造を形成した後に、不活性ガスの雰囲気において前記基板生産物の熱処理を行う工程と、
を備え、
前記活性層及び前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層は、基板上に設けられ、
前記活性層は、前記基板と前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層との間に設けられる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項２】
前記基板生産物を作製する前記工程は、前記半導体生産物を第１処理装置に置く工程と、前記第１処理装置に酸化剤を供給して前記酸化を第１温度で行う工程と、前記第１処理装置において前記酸化剤の供給を停止する工程とを含み、
前記基板生産物の熱処理を行う前記工程は、前記酸化剤の供給を停止した後に前記第１処理装置において前記熱処理を第２温度で行う工程と、前記基板生産物に前記第１処理装置から取り出す工程とを含む、請求項１に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項３】
前記基板生産物を作製する前記工程は、前記半導体生産物を第１処理装置に置く工程と、前記第１処理装置の温度を第１温度に上昇させる工程と、前記第１温度で前記第１処理装置に酸化剤を供給して前記酸化を行う工程と、前記第１処理装置の温度を前記第１温度から降下させる工程と、を含み、
前記基板生産物の熱処理を行う前記工程は、第２処理装置において第２温度において前記熱処理を行う工程を含む、請求項１又は請求項２に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項４】
前記基板生産物を作製した後であって前記基板生産物の熱処理を行うに先だって、前記第１温度及び前記第２温度より低い第３温度に前記基板生産物を置く工程を更に備える、請求項２又は請求項３に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項５】
前記酸化を行う第１温度は、前記熱処理を行う第２温度と同じである、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項６】
前記熱処理を行う第２温度は、前記酸化を行う第１温度より高い、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項７】
前記酸化は、水蒸気を用いて行われる、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項８】
前記酸化の温度は、摂氏３６０度以上である、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項９】
前記熱処理の温度は、摂氏３９０度以上である、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【請求項１０】
前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＡｓ及びＡｌＧａＡｓの少なくともいずれかを含む、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載された垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
非特許文献１は、面発光半導体レーザを開示する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】”Polyimide-Planarized  Vertical-Cavity  Surface-Emitting  Lasers  With  17.0-GHz  Bandwidth”  A.  N.  AL-Omari  and  K.  L.  Lear,  IEEE  Photonics  Technology  Letters,  vol.16,  no.4,  pp.969-971,  2004
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
面発光半導体レーザの作製において、半導体ポストを含む半導体生産物を準備する。半導体ポストは、上部分布反射のための第１半導体積層と、ＩＩＩ族構成元素としてアルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層と、活性層とを有する。この半導体生産物を酸化炉に置くと共に、水蒸気を含む雰囲気を酸化炉に形成して、半導体生産物のＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層を部分的に酸化する。
【０００５】
発明者の知見によれば、このように作製された面発光半導体レーザは、動作時間の累積に伴って、変調速度の上限が低下する。発明者の検討によれば、変調速度上限の低下は、面発光半導体レーザの微分抵抗の増加に関連している。
【０００６】
本発明の一側面は、このような背景を鑑みて為されたものであり、微分抵抗の増加を低減できる、面発光半導体レーザを作製する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法は、ＩＩＩ族構成元素としてアルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層と、活性層とを有する半導体ポストを含む半導体生産物を準備する工程と、水素及び酸素を含む物質から生成される酸化雰囲気において前記半導体生産物の前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層の酸化を行って、前記半導体ポストに狭窄構造を有する基板生産物を作製する工程と、前記狭窄構造を形成した後に、不活性ガスの雰囲気において前記基板生産物の熱処理を行う工程と、を備え、前記活性層及び前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層は、基板上に設けられ、前記活性層は、前記基板と前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層との間に設けられる。
【０００８】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【０００９】
以上説明したように、本発明の一側面によれば、微分抵抗の増加を低減できる、面発光半導体レーザを作製する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図２】図２は、実施形態に係る製造方法における酸化工程及び熱処理工程のための処理装置を模式的に示す図面である。
【図３】図３は、実施形態に係る製造方法により作成される垂直共振型面発光半導体レーザを示す図面である。
【図４】図４は、実験例１に係る基板生産物の酸化及び熱処理のためのシーケンスにおける成長炉の温度変化Ｔ１ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。
【図５】図５は、実験例２に係る基板生産物の酸化及び熱処理のためのシーケンスにおける成長炉の温度変化Ｔ２ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。
【図６】図６は、実験例３に係る基板生産物の酸化及び熱処理のためのシーケンスにおける成長炉の温度変化Ｔ３ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。
【図７】図７は、実験例４に係る基板生産物の酸化及び熱処理のためのシーケンスにおける成長炉の温度変化Ｔ４ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。
【図８】図８は、実験例５に係る基板生産物の酸化のためのシーケンスにおける成長炉の温度変化Ｔ５ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。
【図９】図９は、垂直共振型面発光半導体レーザＤ１Ｖ、Ｄ５Ｖへの累積通電時間に対する微分抵抗の変動を示す図面である。
【図１０】図１０は、垂直共振型面発光半導体レーザＤ２Ｖ、Ｄ３Ｖ、Ｄ４Ｖ、Ｄ５Ｖへの累積通電時間に対する微分抵抗の変動を示す図面である。
【図１１】図１１は、垂直共振型面発光半導体レーザＤ１Ｖ、Ｄ５Ｖ及びエピタキシャル基板における水素のＳＩＭＳプロファイルを示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、いくつかの具体例を説明する。
【００１２】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法は、（ａ）ＩＩＩ族構成元素としてアルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層と、活性層とを有する半導体ポストを含む半導体生産物を準備する工程と、（ｂ）水素及び酸素を含む物質から生成される酸化雰囲気において前記半導体生産物の前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層の酸化を行って、前記半導体ポストに狭窄構造を有する基板生産物を作製する工程と、前記狭窄構造を形成した後に、不活性ガスの雰囲気において前記基板生産物の熱処理を行う工程と、を備え、前記活性層及び前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層は、基板上に設けられ、前記活性層は、前記基板と前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層との間に設けられる。
【００１３】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、酸化雰囲気において半導体ポストの側面からＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層の一部を酸化して、導電性の半導体部分と該半導体部分に電流を閉じ込める絶縁性の酸化物部分とを含む狭窄構造を形成する。酸化雰囲気中に含まれる酸化剤（水素及び酸素を含む物質）の酸素は、半導体ポストの側面からＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を酸化するに際して、酸化物の生成に消費されると共に、水素が酸化物部分及びその近傍には残される。狭窄構造を形成した後に基板生産物を不活性ガスの雰囲気において熱処理する。この熱処理における不活性ガスを含む高温の雰囲気は、酸化物部分及びその近傍内の水素が基板生産物の外に至ることを可能にする。この熱処理によれば、上記の水素は、外部に向けて基板生産物内から放出される。水素の移動及び放出によれば、基板生産物中に残留する水素を低減できる。
【００１４】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法では、前記基板生産物を作製する前記工程は、前記半導体生産物を第１処理装置に置く工程と、前記第１処理装置に酸化剤を供給して前記酸化を第１温度で行う工程と、前記第１処理装置において前記酸化剤の供給を停止する工程とを含み、前記基板生産物の熱処理を行う前記工程は、前記酸化剤の供給を停止した後に前記第１処理装置において前記熱処理を第２温度で行う工程と、前記基板生産物に前記第１処理装置から取り出す工程とを含む。
【００１５】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、酸化温度から室温への温度変化及び熱処理温度への上昇といった熱ストレスを基板生産物に与えることなく、酸化及び熱処理を達成できる。
【００１６】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法では、前記基板生産物を作製する前記工程は、前記半導体生産物を第１処理装置に置く工程と、前記第１処理装置の温度を第１温度に上昇させる工程と、前記第１温度で前記第１処理装置に酸化剤を供給して前記酸化を行う工程と、前記第１処理装置の温度を前記第１温度から降下させる工程と、を含み、前記基板生産物の熱処理を行う前記工程は、第２処理装置において第２温度において前記熱処理を行う工程を含む。
【００１７】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、酸化及び熱処理をそれぞれ第１処理装置及び第２処理装置を用いて行うことができる。
【００１８】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法は、前記基板生産物を作製した後であって前記基板生産物の熱処理を行うに先だって、前記第１温度及び前記第２温度より低い第３温度に前記基板生産物を置く工程を更に備える。
【００１９】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、基板生産物を作製した後であって基板生産物の熱処理を行うに先だって、第１温度及び第２温度より低い第３温度に基板生産物を置いて、基板生産物中の酸素を不活性にする。この後に、基板生産物の熱処理によって、水素の放出を可能にしている。
【００２０】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法では、前記酸化を行う第１温度は、前記熱処理を行う第２温度と同じである。
【００２１】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、第１温度は第２温度と同じであることができる。
【００２２】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法では、前記熱処理を行う第２温度は、前記酸化を行う第１温度より高い。
【００２３】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、第２温度が第１温度より高くてもよい。
【００２４】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法では、前記酸化は、水蒸気を用いて行われる。
【００２５】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、高温の水蒸気は、安定した酸化を可能にする。
【００２６】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法では、前記酸化の温度は、摂氏３６０度以上である。
【００２７】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、この温度範囲は、安定した酸化を可能にする。
【００２８】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法では、前記熱処理の温度は、摂氏３９０度以上である。
【００２９】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、この温度範囲は、デバイス特性に影響することなく、安定した水素放出を可能にする。
【００３０】
具体例に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法では、前記ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＡｓ及びＡｌＧａＡｓの少なくともいずれかを含む。
【００３１】
垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法によれば、ＡｌＡｓ及びＡｌＧａＡｓは、安定した酸化と、残りの半導体の低ストレスとを可能にする。
【００３２】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明に係る垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法の実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００３３】
図１は、面発光半導体レーザを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図１の（ａ）部に示されるように、半導体基板１１を準備する。半導体基板１１は、例えばＧａＡｓ基板であることができる。成長炉４に原料ガスＧ１を供給して、半導体基板１１上に半導体積層１３のための半導体層を成長する。この成長によって、エピタキシャル基板ＥＰが得られる。半導体積層１３の成長は、例えば分子線エピタキー法及び／又は有機金属気相成長法により行われる。半導体積層１３は、下部分布反射器のための第１積層体１５、活性層のための量子井戸構造１７、及び上部分布反射器のための第２積層体１９を含み、半導体積層１３は、酸化狭窄層のためのＡｌ含有半導体層２１を含む。第１積層体１５は、互いに異なる組成の半導体からなる第１層及び第２層を含み、第１積層体１５の第１層及び第２層は、交互に配列される。第２積層体１９は、互いに異なる組成の半導体からなる第１層及び第２層を含み、第２積層体１９の第１層及び第２層は、交互に配列される。Ａｌ含有半導体層２１は、第２積層体１９内に設けられることができ、或いは量子井戸構造１７と第２積層体１９との間に設けられることができる。また、半導体積層１３は、コンタクト層のための高ドープ半導体層２３を含むことができ、高ドープ半導体層２３は第２積層体１９上に設けられる。原料ガスは、半導体にｎ型又はｐ型をそれぞれ付与できるｎ型ドーパント又はｐ型ドーパントを含むことができる。エピタキシャル基板ＥＰの一例を示す。このエピタキシャル基板ＥＰのＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層は、有機金属気相成長法で形成される。
半導体基板１１：４インチサイズのｎ型ＧａＡｓウエハ。
下部分布反射器のための第１積層体１５：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．１２）／ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．９０）、３５ペア。
下部スペーサ層：Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．３０）。
活性層の量子井戸構造１７：ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、３ＱＷｓ。
上部スペーサ層：アンドープＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．３０）。
上部スペーサ層：Ｚｎドープｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．９０）
Ａｌ含有半導体層２１：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．９８）。
上部分布反射器のための第２積層体１９：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．１２）／ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．９０）、２３ペア。
コンタクト層のための高ドープ半導体層２３：Ｚｎドープｐ型ＧａＡｓ。
ヒ素原料が多くの半導体の成長に際して供給される。例示のエピタキシャル基板ＥＰの表面は、ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓのいずれかであり、ヒ素原子の配列が最表面に存在する。エピタキシャル基板ＥＰの半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を備える。ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体は、例えば閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する。
キャリアガス：水素。
原料ガスＧ１：成長されるべき半導体の構成元素を提供できる有機金属原料。
Ａｓ原料：ＡｓＨ３。
Ａｌ原料：トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）。
Ｇａ原料：トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、又はトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）。
アルシンは、ヒ素含有のＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層を良好な品質で成長することを可能にする。
【００３４】
成長炉４の温度は、半導体積層１３のための半導体層を成長するための成長温度ＴＧに設定される。成長温度ＴＧは、例えば摂氏５５０度以上であり、摂氏７００度以下であることができる。上記の温度範囲における成長において、原料中及び／又はキャリアガス中の水素が、不純物としてＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層に残される。成長炉４において原料ガスＧ１の供給を停止して、エピタキシャル基板ＥＰの作製を完了する。成長が終了した後に、成長炉４の温度を下げると共に、エピタキシャル基板ＥＰを成長炉４から取り出す。
【００３５】
図１の（ｂ）部に示されるように、熱処理されたエピタキシャル基板ＥＰ上に、面発光レーザのポストを規定するための絶縁体マスク２５を形成する。絶縁体マスク２５は、シリコン系無機絶縁膜（シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜）を含むことができ、シリコン系無機絶縁体は、例えばＳｉＮであることができる。シリコン系無機絶縁膜は、例えば化学的気相成長法により成長されることができる。成膜されたシリコン系無機絶縁膜は、フォトリソグラフィ及びエッチングにより加工されて、絶縁体マスク２５を得る。この絶縁体マスク２５を用いてエピタキシャル基板ＥＰをエッチングして、半導体ポスト２７を含む半導体生産物ＳＰ１を形成する。このエッチングは、エッチング装置６を用いて行われ、例えばドライエッチングにより行われることができる。エッチング装置６のチャンバにエッチャント（塩素Ｃｌ２）が供給される。半導体ポスト２７は、コンタクト層２３ａ、上部分布ブラッグ反射構造のための半導体積層１９ａ、及び酸化狭窄のためのＩＩＩ−Ｖ化合物半導体の高Ａｌ組成半導体層２１ａ及び活性層のための量子井戸構造１７ａを含む。これらの半導体の側面が、半導体ポスト２７の側面に現れている。下部分布ブラッグ反射構造のための半導体積層１５ａは、半導体ポスト２７を搭載する。エッチングの後に、絶縁体マスク２５を除去する。
【００３６】
図１の（ｃ）部に示されるように、半導体生産物ＳＰ１を酸化雰囲気中において、半導体ポスト２７の側面からＩＩＩ−Ｖ化合物半導体の高Ａｌ組成半導体層２１ａの酸化を行って基板生産物ＳＰ２を形成する。この酸化は、例えば酸化炉８といった第１処理装置において行われる。酸化性ガスＧＸ１を酸化炉８に供給して、酸化炉８のチャンバに酸化雰囲気が形成される。酸化雰囲気は、例えば高温の水蒸気であることができる。高温の水蒸気は、安定した酸化を可能にする。高Ａｌ組成半導体層２１ａは、例えば０．９８のＡｌ組成を有しているので、酸化雰囲気中において半導体ポスト２７の側面から酸化されて、ＩＩＩ族酸化物、具体的にはアルミニウム酸化物層が形成される。この酸化により、半導体生産物ＳＰ１に電流狭窄構造２９が形成されて、ポスト３１を含む基板生産物ＳＰ２を得る。ポスト３１は、コンタクト層２３ａ、上部分布ブラッグ反射構造のための半導体積層１９ａ、及び電流狭窄構造２９及び活性層のための量子井戸構造１７ａを含む。酸化の際の基板温度（酸化温度ＴＸ）は、例えば摂氏３６０度以上であり、例えば摂氏４２０度以下であることができる。この温度範囲は、安定した酸化を可能にする。
【００３７】
図１の（ｄ）部に示されるように、不活性ガスを含む雰囲気中に基板生産物ＳＰ２を置いて基板生産物ＳＰ２の熱処理を行って、基板生産物ＳＰ３を形成する。熱処理は、熱処理装置１０といった第２処理装置において行なわれる。熱処理装置１０には、不活性ガスＧＴＨが供給され、不活性ガスＧＴＨは水素を含まない。本実施例では、不活性ガスＧＴＨを熱処理装置１０に供給しながら、基板生産物ＳＰ２の熱処理を熱処理装置１０内で行う。この熱処理によれば、基板生産物ＳＰ２内の水素濃度を低減でき、基板生産物ＳＰ３は、具体的には、基板生産物ＳＰ２に比べて電流狭窄構造２９及びその付近において低い水素濃度を有する。例えば窒素は、ｐ型ドーパントに対して不活性であり、水素に比べて原子半径が大きく結晶中に取り込まれにくい。
不活性ガスＧＴＨ：窒素。
【００３８】
熱処理装置１０の温度は、基板生産物ＳＰ２の熱処理を行うための熱処理温度ＴＨに設定される。熱処理温度ＴＨは、例えば摂氏４００度以上であり、摂氏７５０度以下である。上記の温度範囲は、ヒ素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層からのヒ素抜けを避けながら水素放出を可能にする。
【００３９】
熱処理温度ＴＨは、エピタキシャル基板ＥＰのＩＩＩ−Ｖ化合物半導体の成長温度ＧＴ以上であることができ、成長温度ＧＴ以上の熱処理温度ＴＨは水素放出を促進できる。また、熱処理温度ＴＨは、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体の成長温度ＧＴより高い温度であることができる。成長温度ＧＴより大きな熱処理温度は、相対的に短い処理時間で所望の量の水素放出を可能にする。熱処理温度は、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層の成長温度より低いようにしてもよい。成長温度ＧＴより低い熱処理温度は、水素放出を可能にすると共にＶ族構成元素の偶発的な抜けの発生を低減できる。
【００４０】
面発光半導体レーザを作製する方法によれば、酸化雰囲気において半導体ポスト２７の側面からＩＩＩ−Ｖ化合物半導体の高Ａｌ組成半導体層２１ａの一部を酸化して、電流狭窄構造２９を形成する。電流狭窄構造２９は、酸化物部分２９ａ及び半導体部分２９ｂを含み、酸化物部分２９ａは絶縁性を有し、半導体部分２９ｂは導電性を有する。酸化物部分２９ａは、半導体部分２９ｂに電流を閉じ込める。酸化雰囲気中に含まれる酸化剤（水素及び酸素を含む物質）は、半導体ポスト２７の側面からＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を酸化するに際して、酸素は酸化物の生成に消費されると共に、酸化物部分２９ａ及びその近傍には水素が残される。電流狭窄構造２９を形成した後に基板生産物ＳＰ２を不活性ガスＧＴＨの雰囲気において熱処理する。この熱処理及び不活性ガスＧＴＨの雰囲気は、酸化物部分及びその近傍内の水素が基板生産物ＳＰ２の外に至ることを可能にする。この熱処理によれば、上記の水素は、基板生産物ＳＰ２から外部に向けて放出される。水素の放出によれば、基板生産物ＳＰ３中の残留水素濃度を低減できる。
【００４１】
これに対して、面発光半導体レーザ中に多量の水素が残留する場合には、通電に際して面発光半導体レーザ内を移動して、面発光半導体レーザ内の活性化された多数のｐ型ドーパントを不活性にする。この不活性化は、面発光半導体レーザのｐ型半導体の電気抵抗を増加させる。
【００４２】
図２は、酸化工程及び熱処理工程のための処理装置を模式的に示す図面である。図２の（ａ）部を参照すると、基板生産物ＳＰ２が酸化炉８内のステージ８ａ上に置かれている。半導体生産物ＳＰ１を加熱装置８ｂ（例えばヒータ）によって所望の温度に加熱すると共に、キャリアガス（例えばＮ２）及び酸化性ガス（例えば水蒸気）を含むガスを酸化炉８に供給して、電流狭窄構造２９を有するポストを含む基板生産物ＳＰ２を作製する。図２の（ｂ）部を参照すると、基板生産物ＳＰ３が熱処理装置１０（或いは酸化炉８）内のステージ１０ａ上に置かれている。基板生産物ＳＰ２を加熱装置１０ｂ（例えばヒータ）によって所望の温度に加熱すると共に、不活性ガスＧＴＨを含むガスを熱処理装置１０に供給して、基板生産物ＳＰ３を形成する。その後に、熱処理装置１０の温度は、熱処理温度ＴＨより低い温度に降温される。この降温の際にも、不活性ガス雰囲気が用いられる。この雰囲気中における基板温度の降下は、放出された水素が半導体中に戻ることを低減できる。熱処理の後に、基板生産物ＳＰ３は、熱処理装置１０から取り出されて、大気に触れる。熱処理によって、基板生産物ＳＰ２の水素濃度を低下させる。熱処理時間は、摂氏３９０度以上の熱処理温度ＴＨで５分以上であることができ、摂氏４５０度以上の熱処理温度ＴＨで３分以上であることができる。熱処理時間は、３０分以下であることが良い。この温度範囲は、デバイス特性に影響することなく、安定した水素放出を可能にする。
【００４３】
電流狭窄構造２９の形成及び基板生産物ＳＰ２の熱処理は、例えば以下の手順によって行われる。
【００４４】
酸化工程及び熱処理工程を、以下のように行なってもよい。基板生産物ＳＰ２を作製する際には、半導体生産物ＳＰ１を酸化炉８に置く。酸化炉８の温度を第１温度（ＴＸ）まで上昇させる。酸化炉８に酸化剤を供給して酸化を第１温度で行う。基板生産物ＳＰ２の熱処理を行う際には、酸化炉８において酸化剤の供給を停止する。この停止の後に酸化炉８において熱処理を第２温度（ＴＨ）で行う。熱処理が完了した後に、酸化炉８の温度を第２温度から降下させる。基板生産物ＳＰ３を酸化炉８から取り出す。この作製方法によれば、酸化温度から室温への温度変化及び熱処理温度への上昇といった熱ストレスを基板生産物ＳＰ２に与えることなく、酸化及び熱処理を達成できる。
【００４５】
或いは、酸化工程及び熱処理工程を、以下のように行なってもよい。基板生産物ＳＰ２を作製する際には、半導体生産物ＳＰ１に酸化炉８に置く。酸化炉８の温度を第１温度（ＴＸ）まで上昇させる。酸化炉８に酸化剤を供給して酸化を第１温度で行う。酸化炉８の温度を第１温度から降下させる。基板生産物ＳＰ２の熱処理を行う際には、基板生産物ＳＰ２を酸化炉８を取り出した後に、基板生産物ＳＰ２に熱処理装置１０に置く。熱処理装置１０の温度を第２温度（ＴＨ）まで上昇させる。熱処理装置１０において第２温度において熱処理を行う。熱処理装置１０の温度を第２温度から降下させる。基板生産物ＳＰ３を熱処理装置１０から取り出す。この方法では、基板生産物ＳＰ２を作製した後であって基板生産物ＳＰ２の熱処理を行うに先だって、第１温度及び第２温度より低い第３温度に基板生産物ＳＰ２を置く。この温度低下によれば、基板生産物ＳＰ２中の残留酸素を不活性にする。この後に、基板生産物ＳＰ２の熱処理によって、水素の放出を可能にしている。
【００４６】
これらの方法において、第１温度（ＴＸ）は第２温度（ＴＨ）と同じであることができる。或いは、第２温度（ＴＨ）が第１温度（ＴＸ）より高くてもよい。なお、熱処理中には酸化雰囲気がない。
【００４７】
具体的には、以下の方法により酸化工程及び熱処理工程を行う。まず、電流狭窄構造２９の形成（半導体の酸化）を酸化炉８で行うと共に、酸化炉８を熱処理装置１０として用いて基板生産物ＳＰ２の熱処理を行う。この製造フローにおいては、酸化工程から熱処理工程に切り替える際に、酸化性ガスから不活性ガスへの切り替え工程が行われる。このガス切り替えの後に、熱処理温度ＴＨにおいて基板生産物ＳＰ２の熱処理を行う。本実施例では、熱処理温度は酸化温度に同じである。必要な場合には、ガス切り替えの後に、基板温度の変更を行うことができる。基板生産物ＳＰ２の熱処理が完了した後に、基板温度を下げて酸化炉８から基板生産物ＳＰ３を取り出す。
【００４８】
また、具体的には、以下の方法により酸化工程及び熱処理工程を行うこともできる。まず、電流狭窄構造２９の形成（半導体の酸化）を酸化炉８で行うと共に、酸化炉８を熱処理装置１０として用いて基板生産物ＳＰ２の熱処理を行う。この製造フローにおいては、酸化性ガスを酸化炉８に供給することを停止して、酸化工程を完了させる。酸化工程が完了した後に基板温度を下げる。基板温度をある温度、例えば室温にまで下げた後に、基板生産物ＳＰ２の熱処理のために基板温度を所望の熱処理温度ＴＨに上昇させる。この昇温は、不活性ガスＧＴＨを流しながら行われることが好ましい。基板温度が熱処理温度ＴＨに到達した後に、熱処理温度ＴＨをある期間中維持する。必要な場合には、酸化工程が完了した後に基板温度を下げた後であって、基板生産物ＳＰ２の熱処理のために基板温度を所望の熱処理温度ＴＨに上昇させる前に、基板生産物ＳＰ２を酸化炉８から取り出して大気に曝すことができる。取り出された基板生産物ＳＰ２は、熱処理のために再び酸化炉８に置かれる。
【００４９】
あるいは、電流狭窄構造２９の形成（半導体の酸化）を酸化炉８で行うと共に、熱処理装置１０を用いて基板生産物ＳＰ２の熱処理を行う。この製造フローにおいては、酸化性ガスを酸化炉８に供給することを停止して、酸化工程を完了させる。酸化工程が完了した後に基板温度を下げる。酸化工程が完了して基板温度が例えば室温（例えば摂氏２５度）に下がって後に、基板生産物ＳＰ２を酸化炉８から取り出して大気に曝すことができる。取り出された基板生産物ＳＰ２は、酸化炉８と異なるに熱処理装置１０に熱処理のために置かれる。基板生産物ＳＰ２の熱処理のために基板温度を所望の熱処理温度ＴＨに上昇させる。この昇温は、不活性ガスＧＴＨを流しながら行われることが好ましい。基板温度が熱処理温度ＴＨに到達した後に、熱処理温度をある期間中維持する。所望の熱処理が基板生産物ＳＰ２に施された後に基板温度を下げて、熱処理装置１０から基板生産物ＳＰ３を取り出す。
【００５０】
再び、図１を参照しながら、面発光半導体レーザを作製する方法における工程を説明する。図１の（ｅ）部に示されるように、ポスト３１の上面に開口を有する絶縁保護膜３３を基板生産物ＳＰ３上に形成する。絶縁保護膜３３の形成の一例が以下に示される。基板生産物ＳＰ３の全面に絶縁膜を成長する。この絶縁膜は、例えば化学的気相成長法で形成される。フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて絶縁膜を加工して、ポスト３１の上面に開口を形成する。これらの工程により、絶縁保護膜３３が形成される。絶縁保護膜３３は、下部分布ブラッグ反射構造のための半導体積層１５ａの上面、及びポスト３１の側面を覆う。絶縁保護膜３３は、ポスト３１の上面に開口３３ａを有する。絶縁保護膜３３は、例えば酸化膜を含み、酸化膜は、例えば酸化シリコン膜であることができる。
【００５１】
フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて、図１の（ｆ）部に示されるように、ポスト３１の上面に上部電極３５を形成すると共に、半導体基板１１の裏面に下部電極３７を形成する。必要な場合には、半導体基板１１の裏面を研磨した後に、研磨された裏面に下部電極３７を形成するようにしてもよい。
【００５２】
これらの工程によって、基板生産物ＳＰ４が得られる。基板生産物ＳＰ４を加工して、図３に示される面発光半導体レーザ４１を含む半導体チップを形成する。理解を容易にするために、図３を参照する説明は、可能な場合には、図１を参照しながら行われた説明における参照符合を用いて行われる。
【００５３】
面発光半導体レーザ４１は、半導体基板１１、下部分布ブラッグ反射構造のための半導体積層１５ａ、量子井戸構造１７ａ、電流狭窄構造２９、コンタクト層２３ａ、上部分布ブラッグ反射構造のための半導体積層１９ａ、上部電極３５、下部電極３７及び絶縁保護膜３３を含む。ポスト３１は、コンタクト層２３ａ、上部分布ブラッグ反射構造のための半導体積層１９ａ、及び電流狭窄構造２９及び活性層のための量子井戸構造１７ａを含む。電流狭窄構造２９は、半導体積層１９ａと量子井戸構造１７ａの活性層との間に設けられる。電流狭窄構造２９は、ポスト３１の側面に沿って延在する酸化物部分２９ａと、酸化物部分２９ａによって囲まれＩＩＩ−Ｖ化合物半導体からなる半導体部分２９ｂとを含む。この半導体部分２９ｂの水素濃度は、５×１０２０ｃｍ−３以下であって、１×１０１８ｃｍ−３より大きい。絶縁保護膜３３は、下部分布ブラッグ反射構造のための半導体積層１３ａの表面、及びポスト３１の側面を覆う。量子井戸構造１７ａは、上部スペーサ層１７ｂ、井戸層１７ｃ、障壁層１７ｄ及び下部スペーサ層１７ｅを含む。面発光半導体レーザ４１は、レーザ光Ｌをポスト３１の上面から出射する。
【００５４】
面発光半導体レーザ４１によれば、電流狭窄構造２９は、電流を流せる半導体部分と、この半導体部分に電流を閉じ込める酸化物部分とを含む。この狭窄構造は、酸化雰囲気において半導体ポストの側面からＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層の一部を酸化する処理によって形成される。半導体ポストの側面からＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を酸化するに際して、酸化物部分及びその近傍には水素が残される。この低減により、面発光半導体レーザ４１において微分抵抗の経時変化を所望のレベルに低減できる。酸化物部分の水素濃度が５×１０２０ｃｍ−３以下であり、１×１０１８ｃｍ−３より大きい範囲にある。
面発光半導体レーザ４１の一例。
ｐ型コンタクト：ＧａＡｓ。
ｐ型分布ブラッグ反射器：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．１２）／ＡｌＧａＡｓ  （Ａｌ＝０．９０）、２３ペア。
ｐ型酸化狭窄構造：ＡｌＡｓ及びＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．９８）の少なくともいずれかを含む。ＡｌＡｓ及びＡｌＧａＡｓは、安定した酸化と、残りの半導体の低ストレスとを可能にする。
活性層。
ｐ型スペーサ：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．３０）。
ｉ型スペーサ：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．９０）。
量子井戸構造：ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、３ＱＷｓ。
ｉ型スペーサ：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．３０）。
ｎ型分布ブラッグ反射：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．１２）／ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ＝０．９０）、３５ペア。
ｎ−基板：ＧａＡｓ。
【００５５】
実施形態に係る作製方法における実験例１〜５を説明する。実験例１〜４では、半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理を行う一方で、実験例５では半導体生産物の酸化を行い、熱処理を行わない。
【００５６】
（実験例１）
図４は、実験例１に係る半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理のための処理シーケンスに従う処理装置における温度変化Ｔ１ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。この実験例において、酸化温度ＴＸは熱処理温度ＴＨと同じである。半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理は、同じ処理装置において行われる。半導体生産物の酸化工程ＰＯＸでは、キャリアガス及び酸化剤が酸化温度ＴＸの処理装置に供給されて、半導体生産物の酸化が生じる。基板生産物の熱処理工程ＰＴＨでは、酸化剤が供給されずにキャリアガスは引き続き処理装置に供給されて、基板生産物の熱処理が行われる。ガスの切り替えにより、酸化工程ＰＯＸから熱処理工程ＰＴＨに移る。酸化温度ＴＸと熱処理工程ＰＴＨとの間に処理の中断はない。
【００５７】
引き続く製造工程を実験例１の基板生産物に行って、面発光半導体レーザ（参照符合「Ｄ１Ｖ」として参照する）を作製する。
【００５８】
（実験例２）
図５は、実験例２に係る半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理のための処理シーケンスにおける処理装置の温度変化Ｔ２ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。この実験例において、熱処理温度ＴＨは、酸化温度ＴＸ以上の温度である。半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理は、同じ処理装置において行われる。半導体生産物の酸化工程ＰＯＸでは、キャリアガス及び酸化剤が酸化温度ＴＸの処理装置に供給されて、半導体生産物の酸化が生じる。基板生産物の熱処理工程ＰＴＨでは、酸化剤の供給が停止されると共にキャリアガスは引き続き処理装置に供給されて、基板生産物の熱処理が行われる。酸化温度ＴＸより高い温度で熱処理を行うために、熱処理工程ＰＴＨは、昇温期間と、昇温期間の後の定温期間とを有する。酸化温度ＴＸと熱処理温度ＴＨとの温度差は、例えば５０度以下であることができる。酸化剤の供給停止により、酸化工程ＰＯＸから熱処理工程ＰＴＨに移る。酸化温度ＴＸと熱処理工程ＰＴＨとの間に処理の中断はない。
【００５９】
引き続く製造工程を実験例２の基板生産物に行って、面発光半導体レーザ（参照符合「Ｄ２Ｖ」として参照する）を作製する。
【００６０】
（実験例３）
図６は、実験例３に係る半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理のための処理シーケンスにおける処理装置の温度変化Ｔ３ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。この実験例において、酸化温度ＴＸは熱処理温度ＴＨと同じである。半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理は、同じ処理装置において行われる。半導体生産物の酸化工程ＰＯＸでは、キャリアガス及び酸化剤が酸化温度ＴＸの処理装置に供給されて、半導体生産物の酸化が生じる。酸化の完了の後に酸化剤の供給が停止されると共に、キャリアガスは引き続き処理装置に供給されて、処理の中断のために基板温度を下げる。中断工程ＰＩＭの後に、熱処理のために基板温度を上昇させる。基板生産物の熱処理工程ＰＴＨでは、酸化剤の供給することなく不活性ガスが処理装置に供給されて、基板生産物の熱処理が行われる。
【００６１】
引き続く製造工程を実験例３の基板生産物に行って、面発光半導体レーザ（参照符合「Ｄ３Ｖ」として参照する）を作製する。
【００６２】
（実験例４）
図７は、実験例４に係る半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理のための処理シーケンスにおける処理装置の温度変化Ｔ４ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。この実験例において、熱処理温度ＴＨは、酸化温度ＴＸより高い。半導体生産物の酸化及び基板生産物の熱処理は、同じ処理装置において行われる。半導体生産物の酸化工程ＰＯＸでは、キャリアガス及び酸化剤が酸化温度ＴＸの処理装置に供給されて、半導体生産物の酸化が生じる。酸化の完了の後に酸化剤の供給が停止されると共に、キャリアガスは引き続き処理装置に供給されて、処理の中断のために基板温度を下げる。中断工程ＰＩＭの後に、熱処理のために基板温度を上昇させる。基板生産物の熱処理工程ＰＴＨでは、酸化剤の供給することなく不活性ガスが処理装置に供給されて、基板生産物の熱処理が行われる。酸化温度ＴＸと熱処理温度ＴＨとの温度差は、例えば５０度以下であることができる。
【００６３】
引き続く製造工程を実験例４の基板生産物に行って、面発光半導体レーザ（参照符合「Ｄ４Ｖ」として参照する）を作製する。
【００６４】
（実験例５）
図８は、実験例５に係る半導体生産物の酸化のための処理シーケンスにおける処理装置の温度変化Ｔ５ＭＰ及びガス（Ｇ（Ｈ２Ｏ）、Ｇ（Ｎ２））の流量変化を示す図面である。この実験例において、熱処理温度ＴＨで熱処理を行うことなく、酸化温度ＴＸで半導体生産物の酸化を行う。半導体生産物の酸化工程ＰＯＸでは、キャリアガス及び酸化剤が酸化温度ＴＸの処理装置に供給されて、半導体生産物の酸化が生じる。酸化の完了の後に酸化剤の供給が停止されると共に、キャリアガスは引き続き処理装置に供給されながら基板温度を下げる。
【００６５】
引き続く製造工程を実験例５の基板生産物に行って、面発光半導体レーザ（参照符合「Ｄ５Ｖ」として参照する）を作製する。
【００６６】
図９及び図１０は、面発光半導体レーザＤ１Ｖ、Ｄ２Ｖ、Ｄ３Ｖ、Ｄ４Ｖ及びＤ５Ｖの微分抵抗の変動を示す。これらの図におけるグラフの横軸は、個々の面発光半導体レーザにおける累積通電時間を示し、縦軸は、個々の面発光半導体レーザの微分抵抗の変化量を示す。通電は、摂氏１００度の恒温槽において行われる。
デバイス名：実験の試料数、累積通電時間（１０００ｈ）における平均変動量。
Ｄ１Ｖ：２０個、１．８％。
Ｄ２Ｖ：２０個、２．３％。
Ｄ３Ｖ：２０個、０．３％。
Ｄ４Ｖ：２０個、２．２％。
Ｄ５Ｖ：２０個、５．３％（図９）、１２．２％（図１０）。
通電における面発光半導体レーザのバイアス条件：７ｍＡ（図９）、９ｍＡ（図１０）。
面発光半導体レーザの微分抵抗の測定条件：２ｍＡと３ｍＡにおける電圧の差から算出。
【００６７】
実験例の番号、酸化の条件、      中断    、熱処理条件。
実験例１：摂氏４１０度及び６０分、中断無し、窒素ガス、摂氏４１０度及び３０分。
実験例２：摂氏４１０度及び６０分、中断無し、窒素ガス、摂氏４３０度及び３０分。
実験例３：摂氏４１０度及び６０分、中断有り、窒素ガス、摂氏４１０度及び３０分。酸化炉から取り出して一旦ウエハを室温に戻す。
実験例４：摂氏４１０度及び６０分、中断有り、窒素ガス、摂氏４３０度及び３０分。酸化炉から取り出して一旦ウエハを室温に戻す。
実験例５：摂氏４１０度及び６０分、熱処理工程なし。
なお、実験例１のデバイスの作製は、実験例２〜５のデバイスの作製と別ロッドで行われる。
【００６８】
図９を参照すると、実験例１と実験例５との長期通電結果を示す。図１０を参照すると、実験例２、３、４と実験例５との長期通電結果を示す。実験例５のデバイスは微分抵抗の上昇を示す。実験例１、２、３、４のデバイスは、大きな微分抵抗の上昇を示さない。図１１は、エピタキシャル基板（酸化無し試料）、実験例１及び実験例５のポストにおける縦方向の水素濃度のＳＩＭＳプロファイルを示す。ＳＩＭＳ分析の結果は、酸化工程が、電流狭窄構造付近の水素濃度を増加させることを示す。酸化により、Ａｌ酸化物内及びその近傍の半導体において、水素濃度が大きく増加する。酸化工程の後に行われる実験例１の熱処理（不活性ガス雰囲気の熱処理）は、電流狭窄構造付近の水素濃度を低下させる。ＳＩＭＳプロファイルにおいて、電流狭窄構造より深い部分の半導体におけるエッチングレートは酸化物の影響を受ける。
【００６９】
残留水素は以下のように作用する。酸化工程で使用される水蒸気（Ｈ２Ｏ）のうち酸素はアルミニウムと結合して、酸化物を形成する。水蒸気から分離した水素の一部は半導体内に残留する。デバイスの通電によって、水素原子が半導体内を移動可能なように活性化される。活性化された水素原子が半導体中のｐ型ドーパントに結合して、ドーパントを不活性化させる。これによって、デバイスの電流経路（導電性の半導体）の電気抵抗が上昇する。
【００７０】
酸化層は、Ａｌ（Ｇａ）Ａｓのヒ素（Ａｓ）が抜けて、アルミニウム及び／又はガリウムが酸素に結合して、ＩＩＩ族酸化物（例えばＡｌ（Ｇａ）Ｏｘ）を形成する。Ａｌ（Ｇａ）ＯｘはＡｌＧａＡｓと異なる熱膨張係数を持つ。実験例１及び２における酸化工程及び熱処理工程における温度変化は、製造工程における熱ストレスを大きくしない。図１０を参照すると、実験例３及び４における微分抵抗の変化は、実験例２における微分抵抗の変化より小さい。これは、実験例３及び４におけるプロセス条件が実験例２におけるプロセス条件より優れていることを示す。
【００７１】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
以上説明したように、本実施形態によれば、微分抵抗の増加を低減できる、面発光半導体レーザを作製する方法が提供される。
【符号の説明】
【００７３】
４…成長炉、６…エッチング装置、８…酸化炉、１０…熱処理装置、１１…半導体基板、１５…第１積層体、１７…量子井戸構造、２１…Ａｌ含有半導体層、２３…高ドープ半導体層、１３ａ…半導体積層、１７ａ…量子井戸構造、１９ａ…半導体積層、２１ａ…高Ａｌ組成半導体層、２３ａ…コンタクト層、２５…絶縁体マスク、２７…半導体ポスト、２９…電流狭窄構造、３１…ポスト、３５…上部電極、３７…下部電極、ＥＰ…エピタキシャル基板。
【図１】
2018160652.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2018160652.tif 000009
【図８】
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【図９】
2018160652.tif 000011
【図１０】
2018160652.tif 000012
【図１１】
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