【事件の表示】
　平成　９年特許願第１８５９９７号「シリサイドを用いたポリシリコン薄膜トランジスタ及び製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　４月１４日出願公開、特開平１０−　９８１９９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成９年６月２７日（優先権主張　１９９６年６月２８日　大韓民国）の出願であって、その発明の要旨は、平成１１年４月２６日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１〜１７に記載されたとおりの「ポリシリコン薄膜トランジスタ」及び「自己整列型コプラナーポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法」にあるものと認められるところ、請求項４記載の発明（以下、第４発明という。）は以下のとおりである。なお、平成１１年１０月４日付の手続補正は同日付けで却下された。
　「絶縁基板上にポリシリコン層を形成する段階と、
前記ポリシリコン層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
前記非晶質シリコン層とゲート絶縁膜とを選択的に除去してチャネル領域上にのみ残るようにする段階と、
前記非晶質シリコン層をシリサイドに交換してゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の両側のポリシリコン層をシリサイドに変化させてソース及びドレイン電極を形成する段階と、を備え、
前記シリサイドは、Ｍｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｄ、或いはニッケルシリサイドの少なくともいずれかを含むことを特徴とする自己整列型コプラナーポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法。」
（引用例）
　原審における拒絶の理由において引用された特開平３−２０３３２２号公報（以下、引用例という。）には、「（１）基体上にＭＩＳ型半導体装置を形成し、少なくともそのＭＩＳ型半導体装置のソース・ドレイン領域上に金属膜を形成し、短波長アークランプ光を照射して前記金属膜をシリサイド化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）上記ＭＩＳ型半導体装置が薄膜トランジスタである請求項１記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲第１項及び第２項）、「第１図（ａ）に示すように、石英基板１上にポリシリコン層３を積層させる。このポリシリコン層３上にゲート酸化膜４を介してポリシリコン層からなる所定の形状のゲート電極５が形成される。このゲート電極５をマスクとして用い、例えばリンやホウ素等の不純物をポリシリコン層３中にイオン注入し、不純物領域６を形成する。この不純物領域６はソース・ドレイン領域として機能する。　全面にＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜７を形成した後、全面エッチバックを行う。その結果、不純物領域６及びゲート電極５の上面でポリシリコン層が露出し、ゲート電極５の側壁に上記シリコン酸化膜７が残存する。
　次に、スパッタ法等により、全面に３００Å程度の膜厚を有するチタン膜８が堆積される。そして、アルゴン雰囲気中で短波長アークランプ光照射による急熱短時間アニールを行う。・・・このアニール処理により、ソース・ドレイン領域のポリシリコン層３及びゲート電極５の上面で露出したポリシリコン層がチタン膜８とシリサイド反応を起こして、不純物領域６及びゲート電極５上にチタンシリサイド膜９が形成される。」（第３頁右上欄第１３行〜左下欄第２０行）、「続いて、上述のシリサイド化で未反応のチタン膜８を除去するために、チタン膜８のみを選択的に溶解し、チタンシリサイド膜９は溶かさないようなエッチング液により未反応のチタン膜８を選択的にエッチングする。その結果、第１図（ｂ）に示すように、石英基板１上等に残存していたチタン膜８が除去されて、不純物領域６及びゲート電極５上等の低抵抗化すべき領域のみにチタンシリサイド膜９が形成される。
　・・・通常のポリシリコン層からなるソース・ドレイン領域の抵抗値が数百Ω／□程度であるのに対し、上記チタンシリサイド膜９の抵抗値は約３０Ω／□以下と低いことから、不純物領域６やゲート電極上にチタンシリサイド膜９を形成することによってシート抵抗やコンタクト抵抗が著しく低減化される。従って、ＭＯＳトランジスタの高速動作が可能になる。」（第４頁左上欄第２行〜右上欄第５行）が第１図（ａ）〜（ｃ）と共に記載されている。第１図（ｂ）にポリシリコン層からなるゲート電極５上のチタンシリサイド膜９がゲート酸化膜４の上方に形成されている様子、及びゲート電極５上のチタンシリサイド膜９の両側のポリシリコン層上にチタンシリサイド膜９が形成されている様子が示されている。また、ポリシリコン層からなるゲート電極５上のチタンシリサイド膜９がポリシリコン層からなるゲート電極５と共にゲート電極として使われること、及び該チタンシリサイド膜９の両側のポリシリコン層上に形成されているチタンシリサイド膜９がソース及びドレイン電極としてそれぞれ使われることは明らかである。第１図（ａ）〜（ｃ）及び詳細な説明に記載された製造方法からみて薄膜トランジスタが自己整列型コプラナーポリシリコン薄膜トランジスタであることも明らかである。してみると、上記引用例には、石英基板１上にポリシリコン層３を形成する段階と、前記ポリシリコン層３上にゲート酸化膜４を形成する段階と、前記ゲート酸化膜４上にポリシリコン層を形成する段階と、該ポリシリコン層を選択的に除去して所定の形状にする段階と、前記残っているポリシリコン層をシリサイド膜９に交換してゲート電極を形成する段階と、ゲート酸化膜の両側のポリシリコン層３をシリサイド膜９に変化させてソース及びドレイン電極を形成する段階と、を備え、前記シリサイド膜９は、Ｔｉシリサイドである自己整列型コプラナーポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法が記載されているものと認められる。
（対比）
　次に、本願第４発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「石英基板１」及び「ゲート酸化膜４」は本願第４発明の「絶縁基板」及び「ゲート絶縁膜」に相当するから、本願第４発明と上記引用例記載の発明とは「絶縁基板上にポリシリコン層を形成する段階と、前記ポリシリコン層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にシリコン層を形成する段階と、前記シリコン層を選択的に除去する段階と、前記シリコン層をシリサイドに交換してゲート電極を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の両側のポリシリコン層をシリサイドに変化させてソース及びドレイン電極を形成する段階と、を備え、前記シリサイドは、Ｔｉシリサイドである自己整列型コプラナーポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法」の点で一致するが、以下の点で相違するものと認められる。
（１）シリコン層が本願第４発明においては非晶質シリコン層であるのに対して、上記引用例記載の発明においてはポリシリコン層である点。
（２）本願第４発明においては、ゲート絶縁膜の選択的除去をシリコン層の選択的除去と同時に行い、ゲート絶縁膜とシリコン層をチャネル領域上にのみ残るようにしているに対して、上記引用例記載の発明においてはゲート絶縁膜の選択的除去をどの段階で行っているのか、及びゲート絶縁膜とシリコン層をチャネル領域上にのみ残るようにしているか否かが不明である点。
（検討）
　そこで、上記相違点（１）及び（２）につき以下検討する。
　相違点（１）について、引用された特開昭６１−２７８１６３号公報及び特開平７−３３５８８９号公報に示すように、ゲート電極を構成するシリコン層として非晶質シリコン層を用いることは周知である。上記引用例記載の発明においてこの周知技術を採用して、ゲート電極を構成するシリコン層としてポリシリコン層に替えて非晶質シリコン層を用いることに格別の創意工夫を必要としない。なお、非晶質シリコンは粒界がほとんどなく表面がなだらかであることは周知であるから非晶質シリコン表面をシリサイド化して得られるシリサイドが均一な表面を有することという効果が得られるのは明らかである。よって、上記相違点（１）は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　相違点（２）について、特開平７−３３５８８９号公報の第４図（ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜の選択的除去をシリコン層の選択的除去と同時に行うこと、及びゲート絶縁膜とシリコン層とをチャネル領域上にのみ残るようにすることは周知である。上記引用例記載の発明においてこの周知技術を採用して、ゲート絶縁膜の選択的除去をシリコン層の選択的除去と同時に行い、ゲート絶縁膜とシリコン層とをチャネル領域上にのみ残るようにすることに格別の創意工夫を必要としない。よって、上記相違点（２）は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　なお、上記引用例記載の発明においても自己整列型の製造方法であるから製造工程が簡単になり製造収率が上昇するという効果が得られるのは明らかである。
（むすび）
　本願第４発明は、上記引用例記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。