【事件の表示】
　特許第３１９８１３９号「ＡｌＮメタライズ基板」の請求項１〜４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１９８１３９号の請求項１〜４に係る特許を維持する。
【理　由】
I. 手続の経緯
　特許第３１９８１３９号の請求項１〜４に係る発明は、平成４年１月１７日に特許出願され、平成１３年６月８日に設定の登録がなされた後、本件請求項１〜４に係る発明の特許について、特許異議申立人株式会社トクヤマ（以下、「申立人」という）により、平成１４年２月８日に特許異議の申立てがなされたものである。
　
II．特許異議の申立て
１．本件発明
　本件の請求項１〜４に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】窒化アルミニウム基板と、この窒化アルミニウム基板に接して設けられた高融点金属層とを具備する同時焼成ＡｌＮメタライズ基板において、前記高融点金属層には前記窒化アルミニウム基板の構成材粒子が分散析出しており、前記窒化アルミニウム基板の接合界面から１０μｍ以内には前記高融点金属の微粒子が分散析出しており、さらに前記高融点金属層と前記窒化アルミニウム基板との界面には空隙が存在しないことを特徴とするＡｌＮメタライズ基板。
【請求項２】前記窒化アルミニウム基板は焼結助剤を含んでいることを特徴とする請求項１記載のＡｌＮメタライズ基板。
【請求項３】前記高融点金属層内における前記窒化アルミニウム基板の構成材粒子の析出量は体積比で１〜１０％であることを特徴とする請求項１または２記載のＡｌＮメタライズ基板。
【請求項４】前記高融点金属がタングステンであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のＡｌＮメタライズ基板。」（以下、「本件発明１〜４」という）
　
２．申立人の主張する特許異議申立ての理由
　申立人は、
（１）本件発明1、２、４は、下記甲第１号証に記載された発明であるから、本件発明1、２、４の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨主張し、
（２）本件発明１〜４は、下記甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それらの発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
　
３．証拠方法およびその記載事項
　甲第１号証：アドバンスド　エレクトロニク　パッケージング　マテリアルス、第２９５〜３００頁（１９９０年発行）                              
　甲第２号証：エレクトロニク・セラミクス１９９１年１２月号（メタライゼーション）ｖｏｌ．２２（通巻第１１３号）、第５７〜６２頁（発行日：１９９２年１月１０日）                              
（１）甲第１号証の記載事項
　甲第１号証は、「タングステン及びタングステン化合物の窒化アルミニウム基板との反応のミクロ構造およびミクロ化学」という表題の論文であり、
（１ー１）第２９５頁、ＡＢＳＴＲＡＣＴの欄の１〜８行には
「同時焼成タングステンー窒化アルミニウム（ＷーＡｌＮ）メタライズド系における結合プロセスの明快な理解は現在得られていない。そこで、このプロセスの更なる理解を得ることを企図して、金属Ｗ、タングステントリオキサイド（ＷＯ３）、およびカルシウムタングセート（ＣａＷＯ４）と窒化アルミニウムとの間の反応について、様々な電子顕微鏡技術を用いて検討を行った。観測された反応は、全てのケースで類似しており、結果として金属タングステン粒子がＡｌＮ基板中に形成されることが判明した。ＷーＡｌＮメタライズドシステムにおける接着を説明する反応シークエンスが提案された。」が記載されている。
（１ー２）第２９６頁ＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＡＬ欄の第３〜１０行には
「更に、我々は徳山曹達社から供給された同時焼成ＷーＡｌＮメタライズド基板（焼結助剤としてＹ２Ｏ３が添加されたＳｈａｐａｌ ＳＨー１５）についても試験した。スキャンニングマイクロスコピー（ＳＥＭ）、…中略…等の様々な微視的な技術を用いてミクロ構造的な分析とミクロケミカルな分析がなされた。」が記載されている。
（１ー３）第２９７頁１４〜２１行には、タングステンーＡｌＮ同時焼成メタライズド界面として
「図２ａに見られるように、ＷーＡｌＮ界面はスムースでウェイビーであり、金属ーセラミック界面に目に見える反応層がないことが観測された。図２ａは、ＡｌＮ基板の内部に入り込んだタングステンの指状突起として現れるタングステンとＡｌＮとの間の機械的嵌合（メカニカルインターロッキング）を示している。ＴＥＭに見られる他の特徴は、粒界とＡｌＮ粒子の内部にある大量の＞０．０２ー０．２μｍの小さな黒ずんだ（ｄａｒｋ）粒子である。このゾーンはＡｌＮ基板の内部に向かって〜１５μｍ広がっている。これら粒子は粒界においては多面体となり、それが粒子内にあるときは球状となる傾向にある。」が記載されている。
（１ー４）第２９８頁には図２の説明文として
「図２．ａ）ＷーＡｌＮ界面のＳＥＭ顕微鏡写真である。ＡｌＮ内部へのＷの侵入が見られる。ＡｌＮ中の明るい色の第二層はＹ４Ａｌ２Ｏ９である。
ｂ）Ｗ粒子ゾーンの広がりを示すＷーＡｌＮ界面のＴＥＭ顕微鏡写真である。頂点におけるスムースでウェイビーなＷーＡｌＮ界面に注目のこと。」が記載されている。
（１ー５）第２９９頁９〜３３行には、提案された反応シークエンスとして
「焼成前のＭＬＣ（多層セラミック）は、ＡｌＮパウダーが有機バインダー、溶媒、及び可塑剤とともに含まれるＡｌＮグリーンシートをラミネートしたものからなる。このパウダーは各粉末粒子が薄いＡｌ２Ｏ３コーテイングで覆われていることが知られている。…中略…〜４００ー７００Ｋというバインダーの焼失温度における熱力学的計算は、タングステンと有機分解物との反応によってＷＯ３が形成され得ることを予示する。…中略…
　したがって、ＷーＡｌＮ界面近傍のタングステン粒子上にＷＯ３のコーティングが形成され、プロセス温度をＭＬＣの焼結のために上昇させるにつれてＷを覆ったＷＯ３はＡｌＮを覆ったＡｌ２Ｏ３と接触する。ＷＯ３ーＡｌ２Ｏ３相図の総説〔１５〕は、１１９０℃に共晶温度が存在することを明らかにしている。ＷＯ３ーＡｌ２Ｏ３液相の形成は、それがパウダー粒子間を濡らし浸透することによって緻密化を助けるであろう。このプロセスの過程において、金属タングステン粒子は、液体と共に運ばれ、１つ若しくは２つのＡｌＮパウダー粒子の直径分ＡｌＮ中にトンネリングし、指状突起を形成しながらＡｌＮ中に入り込むであろう。これは、その存在が見られ、メタルとセラミックのインターロッキングを起こすタングステンのこれら指状突起の形成を説明するであろう。この液体がＡｌＮパウダー粒子間に浸透するにつれてシンタリングが続き、ＷＯ３はそれをＷに還元する新しいＡｌＮと接触するようになる。そのＷは、観察された金属タングステン粒子の形で析出する。Ａｌ粒子内にトラップされた粒子は、さらなる繊密化と粒成長の間にマイグレートするパウダー粒子の粒界において、それらを粒子内にトラップするものと信じられる。」が記載されている。
（１ー６）第２９９頁１〜４行には
「クロカワらによって報告された結果〔６〕は、４０ｎｍという大きなスポットサイズを用いて同様な界面を横切っているので、同じ固有の分析上の問題の支配を受けるであろう。したがって、ＡＥＭを用いたＡｌＮ中へのＷの拡散に対する証拠は、決定的ではないと信ずる。」が記載されている。
（２）甲第２号証の記載事項
　甲第２号証は「ＡｌＮ多層配線基板（Ｗ）」という表題の論文であり、
（２ー１）第５８頁左下欄下から２行目〜第５９頁左欄９行には
「図５及び図６は密度と焼成条件の関係を検討した最近の結果である（６）。出発原料としてはＡｌＮに４ｗｔ％Ｙ２Ｏ３と０．５ｗｔ％ＷＯ３を添加したものを用いた。この原料をグリーンシート化し、Ｗペーストを用いてスクリーン印刷により導体パターンを形成し積層して多層配線基板とした。焼成温度の上昇あるいは焼成時間の増加に伴い熱伝導率は増加したが、密着強度はＡｌＮ密度が飽和する焼成条件より高い温度あるいは長い焼成時間では減少した。これらより、最適焼成条件として焼成温度１９００℃、焼成時間５時間を得た。」が記載されている。
（２ー２）第５８頁、図５には
　１９００℃焼成した場合の密度が３．３２ｇ/ｍ３と高いのに対し、１７００℃で同時焼成した場合のＡｌＮの密度が３．０ｇ/ｃｍ３未満と低いことが示されている。
（２ー３）第６１頁左欄下から８行〜第６２頁左欄４行には
「この項では同時焼成法によるＷ／ＡｌＮ界面状態をＳＥＭ、ＴＥＭ、ＥＤＸ、ＳＡＤにより解析したＷ／ＡｌＮの密着メカニズムについて解説する（８）。試料としては図１１に示した構造の多層配線ＡｌＮ基板を用いた。図１２は、内部Ｗ導体とＡｌＮ界面のＳＥＭ写真及びＥＤＸ分析の結果である。図中のＢにみられるようなアンカー状の界面構造を有することが明らかになった。また、Ａ、Ｂ付近については詳細な分析を行ったが、ＡｌやＷの拡散現象は認められなかった。図１３は、Ｗ／ＡｌＮ界面のＴＥＭ写真および左Ｄ分析結果である。（ａ）の明視野像での近接するＡとＢの領域からのＳＡＤパターンと暗視野像を（ｂ）と（ｃ）に示している。これらの結果よりＡとＢは各々ＡｌＮとＷ層であり、その界面においては反応生成物は存在していないことが明らかである。また、熱力学的考察からもＡｌＮとＷの反応は生じないことが裏付けられる。したがって、ＷとＡｌＮはアンカー効果によって密着していると考えられる。」が記載されている。
（２ー４）第５９頁の図８には
　同時焼成（ｃｏーｆｉｒｅｄ）により形成されたＡｌＮ基板上のＷ配線の体積抵抗がほぼ１０μΩ・ｃｍであることが示されている。
　
４．対比・判断                                    　
（４ー１）特許法第２９条第１項違反について　
　本件発明１について
　記載事項「ＩＩー３ー（１）ー（１ー１）〜（１ー６）」を総合すると、甲第１号証には、「窒化アルミニウム基板と、この窒化アルミニウム基板に接して設けられた高融点金属層とを具備する同時焼成ＡｌＮメタライズ基板において、前記窒化アルミニウム基板の接合界面から１０μｍ以内には前記高融点金属の微粒子が分散析出しているＡｌＮメタライズ基板。」が記載されていることは認められるにしても、少なくとも、本件発明１を構成する事項である、「前記高融点金属層には前記窒化アルミニウム基板の構成材粒子が分散析出している」点（以下、「要件Ａ」という）については、記載も示唆もなく、そして、かかる分散析出が甲第１号証記載のものにおいても当然に生じる現象であると認めることはできない。
　よって、本件発明１が甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　本件発明２、４について　
  本件発明２、４は、実質的に本件発明１を引用して記載したものであるから、前記「要件Ａ」を発明を構成する事項として備えるものであるところ、前記「要件Ａ」については、甲第１号証には記載も示唆もない以上、本件発明２、４についても、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。　
（４ー２）特許法第２９条第２項違反について
　記載事項「ＩＩー３ー（２）ー（２ー１）〜（２ー４）」を総合すると、甲第２号証には、「ＡｌＮに４ｗｔ％Ｙ２Ｏ３と０．５ｗｔ％ＷＯ３を添加したものを用い、グリーンシート化し、Ｗペーストを用いてスクリーン印刷により導体パターンを形成し、積層した多層配線基板にして調べたところ、（１）焼成温度あるいは焼成時間を変えての密着強度に関しては最適焼成条件として焼成温度１９００℃、焼成時間５時間が最適であること、（２）同時焼成法によるＷ／ＡｌＮ界面状態をＳＥＭ、ＴＥＭ、ＥＤＸ、ＳＡＤにより解析したところ、Ｗ／ＡｌＮの密着メカニズムはアンカー状の界面構造であること、（３）界面付近については詳細な分析を行ったが、ＡｌやＷの拡散現象は認められなかったこと、という３点の結果が得られた。」との発明（以下、「引用発明２」という）が記載されている。
　本件発明１について
　本件発明１と引用発明２とを対比すると
　引用発明２の「グリーンシート」、「Ｗペースト」、「多層配線基板」は、本件発明１の「窒化アルミニウム基板」、「高融点金属層」、「同時焼成ＡｌＮメタライズ基板」に相当するから、両者は、「窒化アルミニウム基板と、この窒化アルミニウム基板に接して設けられた高融点金属層とを具備する同時焼成ＡｌＮメタライズ基板。」で一致しているものの、以下の点で相違している。
　相違点１：
　本件発明１が、「高融点金属層には窒化アルミニウム基板の構成材粒子が分散析出して」いるのに対し、引用発明２では、この点が明らかでない。
　相違点２：
　本件発明１が、「窒化アルミニウム基板の接合界面から１０μｍ以内には高融点金属の微粒子が分散析出して」いるのに対し、引用発明２では、この点が明らかでない。
　そこで、上記相違点につき検討すると
　甲第２号証には、高融点金属層あるいは窒化アルミニウム基板に分散析出を生じさせる条件等については何らの記載も示唆もなく、しかも、甲第２号証に記載された焼成条件によって、自ずとかかる分散析出状態が得られるものとも認められないから、上記相違点１、２を当業者が容易になし得るものとはいえない。
　そして、本件発明１は、これらの構成上の相違点１、２を有することにより、本件明細書の第【００３１】欄に記載の「窒化アルミニウム基板と高融点金属層との接合強度を大幅に向上させることが可能となるため、機械的強度、導通性、気密性等に優れたＡlＮメタライズ基板を提供することができ、よって半導体パッケージや半導体実装基板の信頼性向上に大きく寄与する。」という格別の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、甲第２号証に記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件発明２、３、４について
　本件発明２、３、４は、実質的に本件発明１を引用して記載したものであるから、前記相違点１、２を発明を構成する事項として備えるものであるところ、前記相違点１、２については、当業者が容易になし得るものとはいえない以上、本件発明２、３、４についても、甲第２号証に記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
５．むすび 　
　以上のとおりであるから、申立人の主張する理由及び提出した証拠によっては、本件発明１〜４の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する 。
【異議決定日】
平成１５年２月２６日（２００３．２．２６）