【手続補正書】
【提出日】平成27年5月12日(2015.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザシステムであって、該レーザシステムは、
モード同期パルスを発生させるレーザと、
該モード同期パルスを伸長するためのストレッチャと、
該モード同期パルスを増幅するための光増幅器と、
該増幅されたパルスを圧縮するためのパルスコンプレッサと、
該圧縮されたパルスのキャリアエンベロープ位相を測定し、それに対応する出力信号を発生させるための検出器と、
該出力信号の変化に応答して第１のフィードバック信号を発生させるための第１のコントローラであって、該第１のフィードバック信号は、該モード同期レーザを制御するためのものであり、該第１のフィードバック信号は、第１の周波数範囲を有する、第１のコントローラと、
該出力信号の変化に応答して第２のフィードバック信号を発生させるための第２のコントローラであって、該第２のフィードバック信号は、該第１の周波数範囲よりも低い第２の周波数範囲を有し、該第２のフィードバック信号は、該パルスストレッチャまたは該パルスコンプレッサのうち一方を制御するためのものである、第２のコントローラと
を備える、レーザシステム。
【請求項２】
前記検出器からの前記出力信号は、該信号を前記第１のフィードバック信号および前記第２のフィードバック信号に分割するための周波数スプリッタに供給される、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項３】
前記検出器からの前記出力信号は、２つの部分に分割され、各部分は、別個の周波数フィルタを通過させられることにより、前記第１のフィードバック信号および前記第２のフィードバック信号を生成する、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項４】
前記第１の周波数範囲と前記第２の周波数範囲とは、重複する、請求項３に記載のレーザシステム。
【請求項５】
前記第２のフィードバック信号を受信する前記パルスストレッチャまたは前記パルスコンプレッサは、少なくとも１つの回折格子を含み、該回折格子の角度は、該第２のフィードバック信号に応答して調節される、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項６】
前記第２のフィードバック信号を受信する前記パルスストレッチャまたは前記パルスコンプレッサは、一対の離間された回折格子を含み、該回折格子の間の間隔は、該第２のフィードバック信号に応答して調節される、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項７】
前記モード同期レーザは、励起レーザによって送達される励起ビームによって励起される光学的キャビティを含み、該励起ビームは、該キャビティに進入することに先立って可変モジュレータを通過し、前記第１のフィードバック信号は、該可変モジュレータに供給される、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項８】
前記可変モジュレータは、音響光学モジュレータである、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項９】
レーザシステムであって、該レーザシステムは、
モード同期パルスを発生させるレーザと、
該モード同期パルスを伸長するためのストレッチャと、
該モード同期パルスを増幅するための光増幅器と、
該増幅されたパルスを圧縮するためのパルスコンプレッサと、
該圧縮されたパルスのキャリアエンベロープ位相（ＣＥＰ）を測定し、それに対応する出力信号を発生させるための検出器と、
該出力信号の変化に応答して第１のフィードバック信号を発生させるための第１のコントローラであって、該第１のフィードバック信号は、該モード同期レーザから該光増幅器に送達される該パルスのＣＥＰを制御するためのものであり、該第１のフィードバック信号は、第１の周波数範囲を有する、第１のコントローラと、
該出力信号の変化に応答して第２のフィードバック信号を発生させるための第２のコントローラであって、該第２のフィードバック信号は、該パルスストレッチャまたは該パルスコンプレッサのうちの一方を制御するためのものであり、該第２のフィードバック信号は、該第１の周波数範囲よりも低い第２の周波数範囲を有し、該第２のフィードバック信号は、該圧縮されたパルスのＣＥＰを制御するためのものである、第２のコントローラと
を備える、レーザシステム。
【請求項１０】
前記検出器からの前記出力信号は、該信号を前記第１のフィードバック信号および前記第２のフィードバック信号に分割するための周波数スプリッタに供給される、請求項９に記載のレーザシステム。
【請求項１１】
前記検出器からの前記出力信号は、２つの部分に分割され、各部分は、別個の周波数フィルタを通過させられることにより、前記第１のフィードバック信号および前記第２のフィードバック信号を生成する、請求項９に記載のレーザシステム。
【請求項１２】
前記第１の周波数範囲と前記第２の周波数範囲とは、重複する、請求項１１に記載のレーザシステム。
【請求項１３】
前記第２のフィードバック信号を受信する前記パルスストレッチャまたは前記パルスコンプレッサは、少なくとも１つの回折格子を含み、該回折格子の角度は、該第２のフィードバック信号に応答して調節される、請求項９に記載のレーザシステム。
【請求項１４】
前記第２のフィードバック信号を受信する前記パルスストレッチャまたは前記パルスコンプレッサは、一対の離間された回折格子を含み、該回折格子の間の間隔は、該第２のフィードバック信号に応答して調節される、請求項９に記載のレーザシステム。
【請求項１５】
前記モード同期レーザは、励起レーザによって送達される励起ビームによって励起される光学的キャビティを含み、該励起ビームは、該キャビティに進入することに先立って可変モジュレータを通過し、前記第１のフィードバック信号は、該可変モジュレータに供給される、請求項９に記載のレーザシステム。
【請求項１６】
レーザパルスを発生させるモード同期レーザを含むレーザシステムを動作させる方法であって、該レーザパルスは、ストレッチャに供給され、次いで増幅器に供給され、次いでコンプレッサに供給され、該方法は、
該コンプレッサを退出する該パルスのキャリアエンベロープ位相（ＣＥＰ）をモニターし、それに対応する出力信号を発生させることと、
該モニターされたＣＥＰに基づいて、別個の第１のフィードバック信号および第２のフィードバック信号を生成することであって、該第１のフィードバック信号は、第１の周波数範囲を有し、該第２のフィードバック信号は、第２の周波数範囲を有し、該第１の周波数範囲は、該第２の周波数範囲よりも周波数が高い、ことと、
該第１のフィードバック信号に基づいて該モード同期レーザのＣＥＰを調節することと、
該ストレッチャまたは該コンプレッサの一方に該第２のフィードバック信号を供給することにより、該圧縮されたパルスのＣＥＰを調節することと
を含む、方法。
【請求項１７】
前記第１のフィードバック信号および前記第２のフィードバック信号は、周波数スプリッタによって生成される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記出力信号は、２つの部分に分割され、各部分は、別個の周波数フィルタを通過させられることにより、前記第１のフィードバック信号および前記第２のフィードバック信号を生成する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の周波数範囲と前記第２の周波数範囲とは、重複する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のフィードバック信号を受信する前記パルスストレッチャまたは前記パルスコンプレッサは、少なくとも１つの回折格子を含み、該回折格子の角度は、該第２のフィードバック信号に応答して調節される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のフィードバック信号を受信する前記パルスストレッチャまたは前記パルスコンプレッサは、一対の離間された回折格子を含み、該回折格子の間の間隔は、該第２のフィードバック信号に応答して調節される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記モード同期レーザは、励起レーザによって送達される励起ビームによって励起される光学的キャビティを含み、該励起ビームは、該キャビティに進入することに先立って可変モジュレータを通過し、前記第１のフィードバック信号は、該可変モジュレータに供給される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
光学装置であって、前記光学装置は、
モード同期光パルスを発生させるためのレーザキャビティを含む発振器配列であって、前記光パルスのシーケンスは、増幅のためにそこから選択され、前記光パルスのシーケンスは、所定のパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を有する、発振器配列と、
増幅のために選択された前記光パルスのシーケンスを増幅し、増幅されたパルスの対応するシーケンスを送達するための光増幅器配列と、
前記光パルスのシーケンスのＰＲＦに等しいかそれよりも小さい最大周波数において、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間キャリアエンベロープ位相（ＣＥＰ）を表す第１の信号を周期的に発生させるための干渉計と、
前記第１の信号を第２の信号および第３の信号に分割するための周波数スプリッタであって、前記第２の信号は、ＤＣと前記最大周波数より小さい第１の周波数との間の第１の範囲における周波数成分を含み、前記第３の信号は、前記最大周波数より小さい第２の周波数と前記最大周波数との間の第２の範囲における周波数成分を含む、周波数スプリッタと、
前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するための低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラであって、前記低速応答ＣＥＰコントローラおよび前記高速応答ＣＥＰコントローラの各々は、前記発振器配列の前記レーザキャビティの外側に位置する、低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラと、
前記第２の信号を受信するように配列される第１の信号処理デバイスと、前記第３の信号を受信するように配列される第２の信号処理デバイスとであって、前記第１の信号処理デバイスおよび前記第２の信号処理デバイスは、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを発生させるように配列され、前記第１の制御信号および前記第２の制御信号の各々は、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間ＣＥＰと所望のＣＥＰとの間の差異を表す、第１の信号処理デバイスおよび第２の信号処理デバイスと、
を備え、
前記第１の制御信号および前記第２の制御信号は、それぞれ、前記低速応答ＣＥＰコントローラおよび前記高速応答ＣＥＰコントローラを調節し、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの前記瞬間ＣＥＰと前記所望のＣＥＰとの間の差異を最小限にする、
装置。
【請求項２４】
前記第１の周波数および前記第２の周波数は、ほぼ等しい、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より小さい、請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より小さい、請求項２３に記載の装置。
【請求項２７】
前記高速応答ＣＥＰコントローラは、前記第２の信号に応答して、前記増幅されたパルスのＣＥＰを調節するための前記発振器配列のレーザキャビティによって送達される前記モード同期パルスのＣＥＰを調節するように配列される、請求項２３に記載の装置。
【請求項２８】
前記発振器配列の前記レーザキャビティは、励起レーザによって送達される励起ビームによって光学的に励起され、前記高速応答ＣＥＰコントローラは、前記レーザキャビティによって送達される前記モード同期パルスのＣＥＰを変動させるために、前記励起ビームを選択的に変調するための選択的可変モジュレータである、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記低速応答ＣＥＰコントローラは、前記第１の信号に応答して、前記増幅されたパルスのＣＥＰを調節するための増幅に先立って、前記シーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するように配列される、請求項２７に記載の装置。
【請求項３０】
前記低速応答ＣＥＰコントローラは、前記第１の信号に応答して、前記増幅されたパルスのＣＥＰを調節するための増幅後、前記シーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するように配列される、請求項２７に記載の装置。
【請求項３１】
前記発振器配列の前記レーザキャビティは、前記シーケンスにおけるパルスの所定のＰＲＦを上回るＰＲＦにおいて、前記モード同期光パルスを送達し、前記発振器配列は、前記光パルスのシーケンスを前記モード同期光パルスから選択するためのパルスピッカを含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項３２】
前記モード同期パルスのＰＲＦは、約８０メガヘルツであって、前記パルスのシーケンスの所定のＰＲＦは、１０キロヘルツである、請求項３１に記載の装置。
【請求項３３】
前記増幅器配列は、増幅に先立って増幅されるべきパルスの持続時間を延長するためのパルスストレッチャと、前記増幅を提供するための光増幅器と、前記増幅されたパルスの持続時間を短縮するためのパルスコンプレッサとを含み、前記パルスピッカは、前記パルスストレッチャと前記光増幅器との間に位置する、請求項３１に記載の装置。
【請求項３４】
前記光増幅器は、再生増幅器である、請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
前記パルスストレッチャおよび前記パルスコンプレッサのうちの１つは、追加的に、前記低速応答ＣＥＰコントローラとして機能する、請求項３３に記載の装置。
【請求項３６】
前記パルスストレッチャは、追加的に、前記低速応答ＣＥＰコントローラとして機能する、請求項２３に記載の装置。
【請求項３７】
前記第１の信号処理デバイスは、ＰＩＤコントローラを含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項３８】
光学装置であって、該光学装置は、
モード同期光パルスを発生させるためのレーザキャビティを含む発振器配列であって、前記光パルスのシーケンスは、増幅のためにそこから選択され、前記光パルスのシーケンスは、所定のパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を有し、前記レーザキャビティは、励起レーザと前記レーザキャビティとの間の励起ビームにおいて位置する選択的可変モジュレータにより、前記励起レーザからの前記励起ビームによって光学的に励起される、発振器配列と、
増幅のために選択された前記光パルスのシーケンスを増幅して増幅されたパルスの対応するシーケンスを送達するためのチャープパルス光増幅器（ＣＰＡ）配列であって、前記ＣＰＡ配列は、増幅に先立ってパルスの持続時間を伸長するためのパルスストレッチャと、前記伸長されたパルスを増幅するための光増幅器と、前記増幅された伸長されたパルスを圧縮するためのパルスコンプレッサとを含む、ＣＰＡ配列と、
前記光パルスのシーケンスのＰＲＦに等しいかそれよりも小さい最大周波数において、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間キャリアエンベロープ位相（ＣＥＰ）を表す第１の信号を周期的に発生させるための干渉計と、
前記第１の信号を第２の信号および第３の信号に分割するための周波数スプリッタであって、前記第２の信号は、ＤＣと前記最大周波数より小さい第１の周波数との間の第１の範囲における周波数成分を含み、前記第３の信号は、前記最大周波数より小さい第２の周波数と前記最大周波数との間の第２の範囲における周波数成分を含む、周波数スプリッタと、
前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するための低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラであって、前記低速応答ＣＥＰコントローラおよび前記高速応答ＣＥＰコントローラの各々は、前記発振器配列の前記レーザキャビティの外側に位置し、前記パルスコンプレッサおよび前記パルスストレッチャのうちの１つは、選択的可変分散を有し、前記低速応答ＣＥＰコントローラとして機能し、前記選択的可変励起ビームモジュレータは、前記高速応答ＣＥＰコントローラとして機能する、低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラと、
前記第２の信号を受信するように配列される第１の信号処理デバイスと、前記第３の信号を受信するように配列される第２の信号処理デバイスとであって、前記第１の信号処理デバイスおよび前記第２の信号処理デバイスは、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを発生させるように配列され、前記第１の制御信号および前記第２の制御信号の各々は、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間ＣＥＰと所望のＣＥＰとの間の差異を表す、第１の信号処理デバイスおよび第２の信号処理デバイスと、
前記第１の制御信号および前記第２の制御信号は、前記低速応答ＣＥＰコントローラおよび前記高速応答ＣＥＰコントローラのそれぞれを調節し、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの前記瞬間ＣＥＰと前記所望のＣＥＰとの間の差異を最小限にする、
装置。
【請求項３９】
前記所定のＰＲＦを有する前記パルスのシーケンスは、前記パルスコンプレッサと前記光増幅器との間に位置するパルスピッカによって、前記レーザキャビティから送達される前記モード同期パルスから選択される、請求項３８に記載の装置。
【請求項４０】
前記光増幅器は、再生増幅器である、請求項３８に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による装置の一側面は、モード同期光パルスを発生させるためのレーザキャビティを含む発振器配列を備え、そのシーケンスは、そこから増幅のために選択され、そのシーケンスは、所定のパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を有する。光増幅器配列が、増幅のために選択された光パルスのシーケンスを増幅し、増幅されたパルスの対応するシーケンスを送達するために提供される。光パルスのシーケンスのＰＲＦに等しいかそれよりも小さい最大周波数において、増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間キャリアエンベロープ位相（ＣＥＰ）を表す第１の信号を周期的に発生させるための配列。電子的手段が、第１の信号を第２の信号および第３の信号に分割するために提供される。第２の信号は、ＤＣと最大周波数よりも小さい第１の周波数との間の第１の範囲における周波数成分を含み、第３の信号は、最大周波数よりも小さい第２の周波数と最大周波数との間の第２の範囲における周波数成分を含む。低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラが、増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するために提供される。ＣＥＰコントローラの各々は、発振器配列のレーザキャビティの外側に位置する。第１の信号処理デバイスが、第２の信号を受信するように配列され、第２の信号処理デバイスが、第３の信号を受信するように配列される。第１の信号処理デバイスおよび第２の信号処理デバイスは、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを発生させるように配列され、それらの各々は、増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間ＣＥＰと所望のＣＥＰとの間の差異を表す。第１の制御信号および第２の制御信号は、それぞれ、低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラを調節し、増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間ＣＥＰと所望のＣＥＰとの間の差異を最小限にする。
実施形態において、本発明は、例えば、下記の項目を提供する。
（項目１）
光学装置であって、前記光学装置は、
モード同期光パルスを発生させるためのレーザキャビティを含む発振器配列であって、前記光パルスのシーケンスは、増幅のためにそこから選択され、前記光パルスのシーケンスは、所定のパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を有する、発振器配列と、
増幅のために選択された前記光パルスのシーケンスを増幅し、増幅されたパルスの対応するシーケンスを送達するための光増幅器配列と、
前記光パルスのシーケンスのＰＲＦに等しいかそれよりも小さい最大周波数において、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間キャリアエンベロープ位相（ＣＥＰ）を表す第１の信号を周期的に発生させるための干渉計と、
前記第１の信号を第２の信号および第３の信号に分割するための周波数スプリッタであって、前記第２の信号は、ＤＣと前記最大周波数より小さい第１の周波数との間の第１の範囲における周波数成分を含み、前記第３の信号は、前記最大周波数より小さい第２の周波数と前記最大周波数との間の第２の範囲における周波数成分を含む、周波数スプリッタと、
前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するための低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラであって、前記低速応答ＣＥＰコントローラおよび前記高速応答ＣＥＰコントローラの各々は、前記発振器配列の前記レーザキャビティの外側に位置する、低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラと、
前記第２の信号を受信するように配列される第１の信号処理デバイスと、前記第３の信号を受信するように配列される第２の信号処理デバイスとであって、前記第１の信号処理デバイスおよび前記第２の信号処理デバイスは、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを発生させるように配列され、前記第１の制御信号および前記第２の制御信号の各々は、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間ＣＥＰと所望のＣＥＰとの間の差異を表す、第１の信号処理デバイスおよび第２の信号処理デバイスと、
を備え、
前記第１の制御信号および前記第２の制御信号は、それぞれ、前記低速応答ＣＥＰコントローラおよび前記高速応答ＣＥＰコントローラを調節し、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの前記瞬間ＣＥＰと前記所望のＣＥＰとの間の差異を最小限にする、
装置。
（項目２）
前記第１の周波数および前記第２の周波数は、ほぼ等しい、項目１に記載の装置。
（項目３）
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より小さい、項目１に記載の装置。
（項目４）
前記第１の周波数は、前記第２の周波数より小さい、項目１に記載の装置。
（項目５）
前記高速応答ＣＥＰコントローラは、前記第２の信号に応答して、前記増幅されたパルスのＣＥＰを調節するための前記発振器配列のレーザキャビティによって送達される前記モード同期パルスのＣＥＰを調節するように配列される、項目１に記載の装置。
（項目６）
前記発振器配列の前記レーザキャビティは、励起レーザによって送達される励起ビームによって光学的に励起され、前記高速応答ＣＥＰコントローラは、前記レーザキャビティによって送達される前記モード同期パルスのＣＥＰを変動させるために、前記励起ビームを選択的に変調するための選択的可変モジュレータである、項目５に記載の装置。
（項目７）
前記低速応答ＣＥＰコントローラは、前記第１の信号に応答して、前記増幅されたパルスのＣＥＰを調節するための増幅に先立って、前記シーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するように配列される、項目５に記載の装置。
（項目８）
前記低速応答ＣＥＰコントローラは、前記第１の信号に応答して、前記増幅されたパルスのＣＥＰを調節するための増幅後、前記シーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するように配列される、項目５に記載の装置。
（項目９）
前記発振器配列の前記レーザキャビティは、前記シーケンスにおけるパルスの所定のＰＲＦを上回るＰＲＦにおいて、前記モード同期光パルスを送達し、前記発振器配列は、前記光パルスのシーケンスを前記モード同期光パルスから選択するためのパルスピッカを含む、項目１に記載の装置。
（項目１０）
前記モード同期パルスのＰＲＦは、約８０メガヘルツであって、前記パルスのシーケンスの所定のＰＲＦは、１０キロヘルツである、項目９に記載の装置。
（項目１１）
前記増幅器配列は、増幅に先立って増幅されるべきパルスの持続時間を延長するためのパルスストレッチャと、前記増幅を提供するための光増幅器と、前記増幅されたパルスの持続時間を短縮するためのパルスコンプレッサとを含み、前記パルスピッカは、前記パルスストレッチャと前記光増幅器との間に位置する、項目９に記載の装置。
（項目１２）
前記光増幅器は、再生増幅器である、項目１１に記載の装置。
（項目１３）
前記パルスストレッチャおよび前記パルスコンプレッサのうちの１つは、追加的に、前記低速応答ＣＥＰコントローラとして機能する、項目１１に記載の装置。
（項目１４）
前記パルスストレッチャは、追加的に、前記低速応答ＣＥＰコントローラとして機能する、項目１に記載の装置。
（項目１５）
前記第１の信号処理デバイスは、ＰＩＤコントローラを含む、項目１に記載の装置。
（項目１６）
光学装置であって、該光学装置は、
モード同期光パルスを発生させるためのレーザキャビティを含む発振器配列であって、前記光パルスのシーケンスは、増幅のためにそこから選択され、前記光パルスのシーケンスは、所定のパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を有し、前記レーザキャビティは、励起レーザと前記レーザキャビティとの間の励起ビームにおいて位置する選択的可変モジュレータにより、前記励起レーザからの前記励起ビームによって光学的に励起される、発振器配列と、
増幅のために選択された前記光パルスのシーケンスを増幅して増幅されたパルスの対応するシーケンスを送達するためのチャープパルス光増幅器（ＣＰＡ）配列であって、前記ＣＰＡ配列は、増幅に先立ってパルスの持続時間を伸長するためのパルスストレッチャと、前記伸長されたパルスを増幅するための光増幅器と、前記増幅された伸長されたパルスを圧縮するためのパルスコンプレッサとを含む、ＣＰＡ配列と、
前記光パルスのシーケンスのＰＲＦに等しいかそれよりも小さい最大周波数において、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間キャリアエンベロープ位相（ＣＥＰ）を表す第１の信号を周期的に発生させるための干渉計と、
前記第１の信号を第２の信号および第３の信号に分割するための周波数スプリッタであって、前記第２の信号は、ＤＣと前記最大周波数より小さい第１の周波数との間の第１の範囲における周波数成分を含み、前記第３の信号は、前記最大周波数より小さい第２の周波数と前記最大周波数との間の第２の範囲における周波数成分を含む、周波数スプリッタと、
前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスのＣＥＰを調節するための低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラであって、前記低速応答ＣＥＰコントローラおよび前記高速応答ＣＥＰコントローラの各々は、前記発振器配列の前記レーザキャビティの外側に位置し、前記パルスコンプレッサおよび前記パルスストレッチャのうちの１つは、選択的可変分散を有し、前記低速応答ＣＥＰコントローラとして機能し、前記選択的可変励起ビームモジュレータは、前記高速応答ＣＥＰコントローラとして機能する、低速応答ＣＥＰコントローラおよび高速応答ＣＥＰコントローラと、
前記第２の信号を受信するように配列される第１の信号処理デバイスと、前記第３の信号を受信するように配列される第２の信号処理デバイスとであって、前記第１の信号処理デバイスおよび前記第２の信号処理デバイスは、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを発生させるように配列され、前記第１の制御信号および前記第２の制御信号の各々は、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの瞬間ＣＥＰと所望のＣＥＰとの間の差異を表す、第１の信号処理デバイスおよび第２の信号処理デバイスと、
前記第１の制御信号および前記第２の制御信号は、前記低速応答ＣＥＰコントローラおよび前記高速応答ＣＥＰコントローラのそれぞれを調節し、前記増幅されたパルスのシーケンスにおけるパルスの前記瞬間ＣＥＰと前記所望のＣＥＰとの間の差異を最小限にする、
装置。
（項目１７）
前記所定のＰＲＦを有する前記パルスのシーケンスは、前記パルスコンプレッサと前記光増幅器との間に位置するパルスピッカによって、前記レーザキャビティから送達される前記モード同期パルスから選択される、項目１６に記載の装置。
（項目１８）
前記光増幅器は、再生増幅器である、項目１６に記載の装置。