【事件の表示】
　特願２００５−１０８２１９「駆動回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１９日出願公開、特開２００６−２８５１１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この審判事件に関する出願（以下、「本願」という。）は、平成１７年４月５日にされた特許出願である。そして、平成１８年１２月２０日付け手続補正書及び平成２３年５月１０日付け手続補正書により明細書及び特許請求の範囲についての補正がされ、平成２４年４月２４日付けで拒絶査定がされ、同年５月８日に査定の謄本が送達された。
　これに対して、同年８月２日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に明細書及び特許請求の範囲についての補正（以下、「本件補正」という。）がされた。その後、当審の平成２５年２月６日付け審尋に対し、同年４月２３日付け回答書が提出された。
　
第２　本件補正の却下の決定
［結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本件補正前（平成２３年５月１０日付け手続補正書による補正の後をいう。以下同じ。）の特許請求の範囲の請求項１を以下のように補正することを含む。なお、下線は、請求人が付したものであり、補正箇所を示す。
　
（本件補正前）
「【請求項１】
　電流で駆動される発光素子への駆動電流を制御する駆動トランジスタを含む、発光素子の駆動回路であって、
　前記駆動トランジスタに定電流源からの所定階調に対応する定電流を流すことで当該駆動トランジスタのゲート・ソース間に前記定電流に対応するゲート・ソース間電圧を印加するゲート・ソース間電圧印加手段と、
　前記所定階調からの差分を信号電圧として前記駆動トランジスタのゲートに加算することで目的階調を書込む加算手段であって、前記駆動トランジスタのゲート・ソース間に当該駆動トランジスタの特性ばらつきを補正した目的階調に対応した目的電圧を印加する加算手段と、
を有し、
　前記ゲート・ソース間電圧印加手段は、
　前記駆動トランジスタのドレイン・ゲート間をショートさせて、前記定電流を前記駆動トランジスタのドレインに供給する定電流供給手段と、
　前記駆動トランジスタのドレインと、前記発光素子または前記定電流源との間の接続を切り替える切り替え手段と、
を有し、
　前記加算手段は、
　信号線から供給される前記信号電圧を書込むためのスイッチと、
　前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、前記スイッチに他端が接続されて、前記信号電圧を保持する容量と、
を有し、前記スイッチをオンすることで、前記駆動トランジスタのゲートに前記信号電圧を書き込み、
　前記切り替え手段により、前記発光素子に前記駆動トランジスタのドレインを接続して前記発光素子に目的階調に応じた電流を流す
ことを特徴とする駆動回路。」
　
（本件補正後）
「【請求項１】
　電流で駆動される発光素子への駆動電流を制御する駆動トランジスタを含む、発光素子の駆動回路であって、
　前記駆動トランジスタに定電流源からの所定階調に対応する定電流を流すことで当該駆動トランジスタのゲート・ソース間に前記定電流に対応するゲート・ソース間電圧を印加するゲート・ソース間電圧印加手段と、
　前記所定階調からの差分を信号電圧として前記駆動トランジスタのゲートに加算することで目的階調を書込む加算手段であって、前記駆動トランジスタのゲート・ソース間に当該駆動トランジスタの特性ばらつきを補正した目的階調に対応した目的電圧を印加する加算手段と、
を有し、
　前記ゲート・ソース間電圧印加手段は、
　前記駆動トランジスタのドレイン・ゲート間をショートさせて、前記定電流を前記駆動トランジスタのドレインに供給する定電流供給手段と、
　前記駆動トランジスタのドレインと、前記発光素子または前記定電流源との間の接続を切り替える切り替え手段と、
を有し、
　前記加算手段は、
　信号線から供給される前記信号電圧を書込むための
信号電圧書込み
　前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、前記スイッチに他端が接続されて、前記信号電圧を保持する容量と、
　
前記信号電圧書込みスイッチと前記容量との接続点と負電源との間に接続されて、前記容量の充電電圧の変化を抑制するための充電電圧変化抑制スイッチと、
を有し、前記
信号電圧書込み
前記充電電圧変化抑制スイッチをオンすることで、前記容量の充電電圧を確定して前記容量の充電電圧の変化を抑制し、
　前記切り替え手段により、前記発光素子に前記駆動トランジスタのドレインを接続して前記発光素子に目的階調に応じた電流を流す
ことを特徴とする駆動回路。」
　
　本件補正は、「加算手段」が「前記信号電圧書込みスイッチと前記容量との接続点と負電源との間に接続されて、前記容量の充電電圧の変化を抑制するための充電電圧変化抑制スイッチ」を有する点、及び「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンすることで、前記容量の充電電圧を確定して前記容量の充電電圧の変化を抑制」する点を限定するものである。また、「信号電圧書込みスイッチ」との区別を明確にするために、「信号線から供給される前記信号電圧を書込むためのスイッチ」を「信号線から供給される前記信号電圧を書込むための信号電圧書込みスイッチ」に限定するものである。
　したがって、本件補正は、いわゆる特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．刊行物に記載された事項
　以下に掲げる刊行物１並びに周知例１及び２は、いずれも本願の前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である。
　
　　刊行物１：特開２００４−３４１４４４号公報
　　周知例１：特開２００４−２８００５９号公報
　　周知例２：S. Ono, Y. Kobayashi, K. Miwa, T. Tsujimura, Pixel 
　　　　　　　Circuit for a-Si AM-OLED, IDW '03 Proceedings of The
　　　　　　　10th International Display Workshops, The Society for 
　　　　　　　Information Display, 2003, pp. 255-258
　
（１）刊行物１
ア．刊行物１の記載
　刊行物１には、以下の記載がある。
　
（ア）段落０００１及び０００２
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイなどの、電流値によって輝度が制御される電気光学素子を有する画素回路、およびこの画素回路がマトリクス状に配列された画像表示装置のうち、特に各画素回路内部に設けられた絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって電気光学素子に流れる電流値が制御される、いわゆるアクティブマトリクス型画像表示装置、並びに画素回路の駆動方法に関するものである。
　【０００２】
【従来の技術】
画像表示装置、たとえば液晶ディスプレイなどでは、多数の画素をマトリクス状に並べ、表示すべき画像情報に応じて画素毎に光強度を制御することによって画像を表示する。
これは有機ＥＬディスプレイなどにおいても同様であるが、有機ＥＬディスプレイは各画素回路に発光素子を有する、いわゆる自発光型のディスプレイであり、液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い、等の利点を有する。
また、各発光素子の輝度はそれに流れる電流値によって制御することによって発色の階調を得る、すなわち発光素子が電流制御型であるという点で液晶ディスプレイなどとは大きく異なる。」
　
（イ）段落００２３及び００２４
「【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、図２０の画素回路では、ＥＬ発光素子２５が発光していない期間に、オートゼロスイッチであるＴＦＴ２３をオンすることで、ドライブトランジスタＴＦＴ２１をカットオフの状態にする。カットオフ状態ではこのトランジスタＴＦＴ２１に電流は流れないので、そのゲート・ソース電圧Ｖｇｓは各々のトランジスタのしきい値Ｖｔｈと等しくなっており、画素毎のＶｔｈバラツキはキャンセルされている。
次に、ＴＦＴ２３をオフした後、ＴＦＴ２４をオンすることで、データ線電圧を画素内のキャパシタＣ２１を通してドライブトランジスタＴＦＴ２１のゲートに電圧ΔＶがカップリングされる。このカップリング量がＶ０であるとすると、ドライブトランジスタＴＦＴ２１はＶｔｈによらず、Ｖｇｓ−Ｖｔｈ＝Ｖ０に相当したオン電流が流れ、Ｖｔｈバラツキによるユニフォーミティにむらの無い画質が得られる。
　【００２４】
ところが、図２０の画素回路においては、Ｖｔｈバラツキを補正することができても、移動度μのバラツキを補正することはできない。…（略）…」
　
（ウ）段落００４９から００５４まで
「【００４９】
第１実施形態
図１は、本第１の実施形態に係る画素回路を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
図２は、図１の有機ＥＬ表示装置において本第１の実施形態に係る画素回路の具体的な構成を示す回路図である。
　【００５０】
この表示装置１００は、図１および図２に示すように、画素回路（ＰＸＬＣ）１０１がｍ×ｎのマトリクス状に配列された画素アレイ部１０２、水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１０３、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１０４、ドライブスキャナ（ＤＳＣＮ）１０５、オートゼロ回路（ＡＺＲＤ）１０６、リファレンス定電流源（ＲＣＩＳ）１０７、水平セレクタ１０３により選択され輝度情報に応じたデータ信号が供給されるデータ線ＤＴＬ１０１〜ＤＴＬ１０ｎ、ライトスキャナ１０４により選択駆動される走査線ＷＳＬ１０１〜ＷＳＬ１０ｍ、ドライブスキャナ１０５により選択駆動される駆動線ＤＳＬ１０１〜ＤＳＬ１０ｍ、オートゼロ回路１０６により選択駆動されるオートゼロ線ＡＺＬ１０１〜ＡＺＬ１０ｍ、および定電流源（ＲＣＩＳ）１０７による基準電流が供給される基準電流供給線ＩＳＬ１０１〜ＩＳＬ１０ｎを有する。
　【００５１】
なお、画素アレイ部１０２において、画素回路１０１はｍ×ｎのマトリクス状に配列されるが、図１においては図面の簡単化のために２（＝ｍ）×３（＝ｎ）のマトリクス状に配列した例を示している。
また、図２においても、図面の簡単化のために一つの画素回路の具体的な構成を示している。
　【００５２】
本第１の実施形態に係る画素回路１０１は、図２に示すように、ｐチャネルＴＦＴ１１１〜ＴＦＴ１１５、キャパシタＣ１１１，Ｃ１１２、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ：電気光学素子）からなる発光素子１１６、第１のノードＮＤ１１１、第２のノードＮＤ１１２、および第３のノードＮＤ１１３を有する。
また、図２において、ＤＴＬ１０１はデータ線を、ＷＳＬ１０１は走査線を、ＤＳＬ１０１は駆動線、ＡＺＬ１０１はオートゼロ線をそれぞれ示している。
これらの構成要素のうち、ＴＦＴ１１１が本発明に係るドライブ（駆動）トランジスタを構成し、ＴＦＴ１１２が第１のスイッチを構成し、ＴＦＴ１１３が第２のスイッチを構成し、ＴＦＴ１１４が第３のスイッチを構成し、ＴＦＴ１１５が第４のスイッチを構成し、キャパシタＣ１１１が本発明に係る結合キャパシタを構成している。
　【００５３】
また、電流源Ｉ１０７と基準電流供給線ＩＳＬ１０１とにより電流供給手段が構成されている。そして、基準電流供給線ＩＳＬ１０１には基準電流Ｉｒｅｆ（たとえば２μＡ）が流されている。基準電流Ｉｒｅｆは、移動度のバラツキも補正できるように、発光素子１１６の発光の中間色に相当する電流値に設定される。
また、走査線ＷＳＬ１０１が本発明に係る第１の制御線に対応し、駆動線ＤＳＬ１０１が第２の制御線に対応し、オートゼロ線ＡＺＬ１０１が第３の制御線（および第４の制御線）に対応する。
また、電源電圧ＶＣＣの供給ライン（電源電位）が第１の基準電位に相当し、接地電位ＧＮＤが第２の基準電位に相当している。
　【００５４】
画素回路１０１において、電源電位ＶＣＣと接地電位ＧＮＤとの間にＴＦＴ１１１、第１のノードＮＤ１１１、ＴＦＴ１１２、および発光素子１１６が直列に接続されている。
具体的には、ドライブトランジスタとしてのＴＦＴ１１１のソースが電源電圧ＶＣＣの供給ラインに接続され、ドレインが第１のノードＮＤ１１１に接続されている。第１のスイッチとしてのＴＦＴ１１２のソースが第１のノードＮＤ１１１に接続され、ドレインが発光素子１１６のアノードに接続され、発光素子１１６のカソードが接地電位ＧＮＤに接続されている。そして、ＴＦＴ１１１のゲートが第２のノードＮＤ１１２に接続され、ＴＦＴ１１２のゲートが第２の制御線としての駆動線ＤＳＬ１０１に接続されている。
第１のノードＮＤ１１１と第２のノードＮＤ１１２とに、第２のスイッチとしてのＴＦＴ１１３ソース・ドレインが接続され、ＴＦＴ１１３のゲートが第３の制御線としてのオートゼロ線ＡＺＬ１０１に接続されている。
キャパシタＣ１１１の第１電極が第２のノードＮＤ１１２に接続され、第２電極が第３のノードＮＤ１１３に接続されている。また、キャパシタＣ１１２の第１電極が第３のノードＮＤ１１３に接続され、第２電極が電源電位ＶＣＣに接続されている。
データ線ＤＴＬ１０１と第３のノードＮＤ１１３とに第３のスイッチとしてのＴＦＴ１１４のソース・ドレインが接続され、ＴＦＴ１１４のゲートが第１の制御線としての走査線１０１に接続されている。
さらに、第１のノードＮＤ１１１と基準電流供給線ＩＳＬ１０１との間に第４のスイッチとしてのＴＦＴ１１５のソース・ドレインが接続され、ＴＦＴ１１５のゲートが第３の制御線としてのオートゼロ線ＡＺＬ１０１に接続されている。」
　
（エ）段落００５５から００５９まで
「【００５５】
次に、上記構成の動作を、画素回路の動作を中心に、図３（Ａ）〜（Ｇ）に関連付けて説明する。
図３（Ａ）は画素配列の第１行目の走査線ＷＳＬ１０１に印加される走査信号ｗｓ〔１〕を、図３（Ｂ）は画素配列の第２行目の走査線ＷＳＬ１０２に印加される走査信号ｗｓ〔２〕を、図３（Ｃ）は画素配列の第１行目のオートゼロ線ＡＺＬ１０１に印加されるオートゼロ信号ａｚ〔１〕を、図３（Ｄ）は画素配列の第２行目のオートゼロ線ＡＺＬ１０２に印加されるオートゼロ信号ａｚ〔２〕を、図３（Ｅ）は画素配列の第１行目の駆動線ＤＳＬ１０１に印加される駆動信号ｄｓ〔１〕を、図３（Ｆ）は画素配列の第２行目の駆動線ＤＳＬ１０２に印加される駆動信号ｄｓ〔２〕を、図３（Ｇ）はＴＦＴ１１１のゲート電位Ｖｇをそれぞれ示している。また、Ｖｏは基準電流Ｉｒｅｆを流すドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値を示している。
なお、以下では、第１行目の画素回路の動作について説明する。
　【００５６】
まず、基準電流供給線ＩＳＬ１０１には定電流源１０７により基準電流Ｉｒｅｆ（たとえば２μＡ）が流される。
図３（Ｃ），（Ｅ）に示すように、駆動線ＤＳＬ１０１への駆動信号ｄｓ〔１〕が高レベルの状態（ＴＦＴ１１２が非導通状態）で、オートゼロ線ＡＺＬ１０１へのオートゼロ信号ａｚ〔１〕を低レベルとし、ＴＦＴ１１３とＴＦＴ１１５を導通状態とする。
　【００５７】
このとき、ＴＦＴ１１５がオンし、第１のノードＮＤ１１１、第２のノードＮＤ１１２は、基準電流供給線ＩＳＬ１０１を通して基準電流源Ｉ１０７に接続され、基準電流Ｉｒｅｆを引いているために、図３（Ｇ）に示すように、画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定される。
これにより、しきい値や移動度μがばらついている全ての画素に対しての補正（オートゼロ動作）が実行される。
　【００５８】
図３（Ｃ）に示すように、オートゼロ線ＡＺＬ１０１へのオートゼロ信号ａｚ〔１〕を高レベルとしてＴＦＴ１１３、ＴＦＴ１１５を非導通状態としてオートゼロ動作（Ｖｔｈ補正動作）を終了させた後、図３（Ｅ）に示すように、駆動線ＤＳＬ１への駆動信号ｄｓ〔１〕を低レベルとし、ＴＦＴ１１２を導通状態とする。
　【００５９】
そして、走査線ＷＳＬ１０１への走査信号ｗｓ〔１〕を、図３（Ａ）に示すように、低レベルとしてＴＦＴ１１４を導通状態として、データ線ＤＴＬ１０１に伝搬された所定電位のデータ信号をキャパシタＣ１１１に印加させる。これにより、図３（Ｇ）に示すように、キャパシタＣ１１１を介して入力データ信号がＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ、カップリング電圧ΔＶに相当する値の電流ＩｄｓがＥＬ発光素子１１６に流れ、発光する。
そして、図３（Ａ）に示すように、走査線ＷＳＬ１０１を高レベルとしてＴＦＴ１１４を非導通状態とする。」
　
（オ）段落００６７
「【００６７】
また、本実施形態においては、ドライブスキャンとオートゼロとをオーバーラップしないように駆動制御しているが、オーバーラップさせることも可能である。オーバーラップさせた方が、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のカットオフを防止できる。
また、本実施形態においては、ライトスキャンの前にドライブスキャンをオンするように駆動制御しているが、これは同時であって、ドライブスキャンが後であっても構わない。
ライトスキャンの前にドライブスキャンをオンさせた方が、信号電圧書き込み時に、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１が飽和駆動になっており、ゲート容量が小さくなることから、ライトスキャンの前にドライブスキャンをオンさせた方が好ましい。」
　
イ．刊行物１に記載された発明（引用発明）
（ア）刊行物１には、有機ＥＬ表示装置１００の画素回路１０１が記載されている（上記ア．（ウ）及び図２）。
　
（イ）画素回路１０１は、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１と、第１スイッチＴＦＴ１１２と、第２スイッチＴＦＴ１１３と、第３スイッチＴＦＴ１１４と、第４スイッチＴＦＴ１１５と、結合キャパシタＣ１１１と、キャパシタＣ１１２と、有機ＥＬ素子からなる発光素子１１６とを有する（上記ア．（ウ））。また、画素回路１０１に基準電流Ｉｒｅｆを供給する基準電流源Ｉ１０７が設けられ（上記ア．（エ））、基準電流Ｉｒｅｆは、発光素子１１６の発光の中間色に相当する電流値に設定される（上記ア．（ウ））。これらの素子及び基準電流源Ｉ１０７の具体的な接続関係は、上記ア．（ウ）の記載のとおりであり、また、図２に示されているとおりである。
　
（ウ）有機ＥＬ表示装置は電流制御型の発光素子を用いた画像装置であるから（上記ア．（ア））、発光素子１１６は、電流制御型の発光素子である。
　
（エ）刊行物１には、画素回路１０１の動作が記載されている（上記ア．（エ）及び図３）。具体的には、以下のとおりである。
　まず、ＴＦＴ１１３及びＴＦＴ１１５を導通状態にすると、基準電流源Ｉ１０７から供給される基準電流ＩｒｅｆがドライブトランジスタＴＦＴ１１１に流れ、画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定される。
　次に、ＴＦＴ１１３及びＴＦＴ１１５を非導通状態にした後、ＴＦＴ１１２を導通状態にする。そして、ＴＦＴ１１４を導通状態にすると、所定電位のデータ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加される。これにより、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ、カップリング電圧ΔＶに相当する値の電流Ｉｄｓが発光素子１１６に流れ、発光素子１１６が発光する。
　その後、ＴＦＴ１１４を非導通状態にする。
　
（オ）刊行物１には、さらに、ライトスキャンの前にドライブスキャンをオンにする駆動制御（上記ア．（エ）及び図３）に代えて、ライトスキャンの後にドライブスキャンをオンにする駆動制御でもよいと記載されている（上記ア．（オ））。
　この場合の画素回路１０１の具体的な動作は、刊行物１に記載されていないが、上記ア．（エ）及び（オ）並びに図３の記載から、以下のとおりであると認められる。
　まず、ＴＦＴ１１３及びＴＦＴ１１５を導通状態にして、画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定される。
　次に、ＴＦＴ１１３及びＴＦＴ１１５を非導通状態にした後、ＴＦＴ１１４を導通状態にする（ライトスキャンを開始する）。これにより、所定電位のデータ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされる。
　そして、ＴＦＴ１１４を非導通状態にした（ライトスキャンを終了した）後、ＴＦＴ１１２を導通状態にする（ドライブスキャンをオンにする）。すると、カップリング電圧ΔＶに相当する値の電流Ｉｄｓが発光素子１１６に流れ、発光素子１１６が発光する。
　
（カ）以上のことを踏まえて、上記ア．（ア）から（オ）までの記載と、図２及び３に示された事項とを総合すると、刊行物１には、ライトスキャンの後にドライブスキャンをオンにする駆動制御を受ける画素回路１０１として、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１と、第１スイッチＴＦＴ１１２と、第２スイッチＴＦＴ１１３と、第３スイッチＴＦＴ１１４と、第４スイッチＴＦＴ１１５と、結合キャパシタＣ１１１と、キャパシタＣ１１２と、有機ＥＬ素子からなる電流制御型の発光素子１１６とを有し、
　ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のソースが電源電圧ＶＣＣに接続され、ドレインが第１ノードＮＤ１１１に接続され、第１スイッチＴＦＴ１１２のソースが第１ノードＮＤ１１１に接続され、ドレインが発光素子１１６のアノードに接続され、発光素子１１６のカソードが接地電位ＧＮＤに接続され、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲートが第２ノードＮＤ１１２に接続され、第１スイッチＴＦＴ１１２のゲートが駆動線ＤＳＬ１０１に接続され、第１ノードＮＤ１１１及び第２ノードＮＤ１１２に、第２スイッチＴＦＴ１１３のソース及びドレインがそれぞれ接続され、第２スイッチＴＦＴ１１３のゲートがオートゼロ線ＡＺＬ１０１に接続され、結合キャパシタＣ１１１の第１電極が第２ノードＮＤ１１２に接続され、第２電極が第３ノードＮＤ１１３に接続され、キャパシタＣ１１２の第１電極が第３ノードＮＤ１１３に接続され、第２電極が電源電位ＶＣＣに接続され、データ線ＤＴＬ１０１及び第３ノードＮＤ１１３に、第３スイッチＴＦＴ１１４のソース及びドレインがそれぞれ接続され、第３スイッチＴＦＴ１１４のゲートが走査線ＷＳＬ１０１に接続され、第１ノードＮＤ１１１及び基準電流供給線ＩＳＬ１０１に、第４スイッチＴＦＴ１１５のソース及びドレインがそれぞれ接続され、第４スイッチＴＦＴ１１５のゲートがオートゼロ線ＡＺＬ１０１に接続され、
　基準電流源Ｉ１０７から基準電流供給線ＩＳＬ１０１に基準電流Ｉｒｅｆが供給される画素回路１０１であって、
　基準電流Ｉｒｅｆは、発光素子１１６の発光の中間色に相当する電流値に設定されており、
　第２スイッチＴＦＴ１１３及び第４スイッチＴＦＴ１１５が導通状態にされて、基準電流源Ｉ１０７から供給される基準電流ＩｒｅｆがドライブトランジスタＴＦＴ１１１に流れ、画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定され、
　第２スイッチＴＦＴ１１３及び第４スイッチＴＦＴ１１５が非導通状態にされた後、第３スイッチＴＦＴ１１４が導通状態にされて、データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ、
　第３スイッチＴＦＴ１１４が非導通状態にされた後、第１スイッチＴＦＴ１１２が導通状態にされて、カップリング電圧ΔＶに相当する値の電流Ｉｄｓが発光素子１１６に流れ、発光素子１１６が発光する
　画素回路１０１。」
　
（２）周知例１
ア．周知例１の記載
　周知例１には、以下の記載がある。
　
（ア）段落０００１及び０００２
「【０００１】
　この発明は、電流発光素子の輝度を制御したアクティブマトリックス型の表示装置に関するものである。
【背景技術】
　【０００２】
　自ら発光する有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置で必要なバックライトが不要で装置の薄型化に最適であるとともに、視野角にも制限がないため、次世代の表示装置として実用化が期待されている。また、有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子は、各発光素子の輝度が流れる電流値により制御される点で、液晶セルが電圧により制御される液晶表示装置等とは異なる。」
　
（イ）段落００５６から００６１まで
「【００５６】
（実施の形態２）
　つぎに、実施の形態２にかかる表示装置について説明する。本実施の形態２にかかる表示装置を構成する画素回路は、データ線と第１のスイッチング手段およびコンデンサを有するデータ書き込み手段と、第２のスイッチング手段と電流発光素子を有する閾値電圧検出手段を備える。さらに、コンデンサからドライバー素子への電荷の供給を制御するスイッチング手段としてのＴＦＴを備えた構造を有する。かかる画素回路により、データ書き込み手段と閾値電圧検出手段が別個独立に動作するよう構成されている。さらに、データ書き込み手段により書き込まれた電位に、データ書き込み手段とは別個独立に機能する閾値電圧検出手段によって検出された閾値電圧を加えた電位がドライバー素子に印加されることによって、ドライバー素子の閾値電圧が変動する場合でも電流発光素子に均一な電流を供給する表示装置を実現できる。
　【００５７】
　図８は、本実施の形態２における画素回路の構造を示した図である。かかる画素回路は、図８に示すように、電流発光素子の輝度に対応した電位を供給するデータ線２３と、かかる電位の書き込みを制御する第１のスイッチング手段であるＴＦＴ２４と、書き込まれた電位を保持するコンデンサ２５と、ＴＦＴ２４のゲート電極に接続する第１の走査線である走査線３０により構成されるデータ書き込み手段２１を備える。また、ドライバー素子であるＴＦＴ２６と、第２のスイッチング手段であるＴＦＴ２８と、電流発光素子である有機ＥＬ素子２７と、ＴＦＴ２６のソース電極に接続する電源線であるコモン線２９により構成される閾値電圧検出手段２２を備える。さらに、コンデンサ２５の負極には、ソース電極がコモン線２９と接続した第４のスイッチング手段であるＴＦＴ３１が接続されている。本実施の形態２にかかる表示装置は、かかる画素回路をマトリックス状に配置して構成される。なお、説明を容易にするため、ＴＦＴ２６については、有機ＥＬ素子２７と接続する電極をドレイン電極とし、コモン線２９に接続する電極をソース電極とする。
　【００５８】
　データ書き込み手段２１は、データ線２３より有機ＥＬ素子２７の表示輝度に対応した電位を与えられ、かかる電位を保持する機能を有する。かかるデータ書き込み手段２１を構成するデータ線２３、第１のスイッチング手段であるＴＦＴ２４、コンデンサ２５および第１の走査線である走査線３０は、実施の形態１にて説明した画素回路におけるデータ書き込み手段１を構成する各構成要素と同様の機能を有する。なお、コンデンサ２５はデータ書き込み手段２１と閾値電圧検出手段２２を電気的に分離する機能も有する。
　【００５９】
　閾値電圧検出手段２２は、ドライバー素子であるＴＦＴ２６の閾値電圧を検出する機能を有する。かかる閾値電圧検出手段２２を構成するＴＦＴ２６は、オン状態となることによりゲート・ソース間電圧に対応した電流を有機ＥＬ素子２７に供給する機能を有する。また、有機ＥＬ素子２７は、本来ＴＦＴ２６がオン状態の際に与えられた電流に対応した輝度の光を表示するためのものであるが、閾値電圧検出手段２２においては、ＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極に対して電荷を供給する容量として機能する。また、ＴＦＴ２８は、オン状態となることによりＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極を短絡する機能を有する。後述するように、本実施の形態２にかかる表示装置では、ＴＦＴ２８を設けることによって、データ線２３等のデータ書き込み手段２１の構成要素を用いることなくＴＦＴ２６の閾値電圧の検出を可能としている。また、ＴＦＴ２８のオン状態は走査線３２により制御される。なお、電源線であるコモン線２９は、実施の形態１にて説明したコモン線９と同様の機能を有する。
　【００６０】
　さらに、ＴＦＴ３１は、コンデンサ２５の負極とコモン線２９の間に設けられ、コンデンサ２５とコモン線２９の電気的な接続を制御する機能を有する。ＴＦＴ３１は、後述する各工程にて電位の極性が変化するコモン線２９と、コンデンサ２５の負極との接続を制御することにより、コンデンサ２５からドライバー素子であるＴＦＴ２６への電荷の移動を制御する。すなわち、ＴＦＴ３１がオン状態となりＴＦＴ３１に電流が流れることによりコンデンサ２５からＴＦＴ２６に電荷が移動し、ＴＦＴ２６のゲート電極とソース電極との間に所定の電位差を発生させる。この結果、ＴＦＴ３１がオン状態となりＴＦＴ３１に電流が流れることにより、データ書き込み手段２１と閾値電圧検出手段２２との間に電荷の移動が発生しデータ書き込み手段２１と閾値電圧検出手段２２は電気的に接続される。
　【００６１】
　また、ＴＦＴ３１は、閾値電圧検出手段２２を構成するＴＦＴ２８とチャネル層の導電性が逆である。さらに、ＴＦＴ３１のゲート電極とＴＦＴ２８のゲート電極はともに第３の走査線である走査線３２に接続されており、走査線３２に供給される電位の極性によりＴＦＴ２８とＴＦＴ３１のいずれかがオン状態とされる。たとえば、図８に示すようにＴＦＴ２８がｐ型ＴＦＴである場合ＴＦＴ３１はｎ型ＴＦＴとなる。ＴＦＴ３１をオン状態にするためには走査線３２の電位を正の電位とする必要があり、ＴＦＴ２８をオン状態とするためには走査線３２の電位を負の電位とする必要がある。なお、ＴＦＴ３１をｐ型ＴＦＴ、ＴＦＴ２８をｎ型ＴＦＴとしてもよく、この場合ＴＦＴ３１をオン状態とするためには走査線３２を負の電位とする必要があり、ＴＦＴ２８をオン状態とするためには走査線３２を正の電位とする必要がある。なお、後述するように、第２のスイッチング手段であるＴＦＴ２８と第４のスイッチング手段であるＴＦＴ３１は、チャネル層の導電性が同一であるＴＦＴとしてもよく、この場合は第２のスイッチング手段であるＴＦＴと第４のスイッチング手段であるＴＦＴを別個の走査線で制御することとなる。」
　
（ウ）段落００６２から００６７まで
「【００６２】
　つぎに、図９および図１０−１〜図１０−５を参照し、図８に示す画素回路の動作を説明する。図９は、実施の形態２における画素回路のタイミングチャートである。図１０−１は、図９に示す（ａ）における画素回路の動作方法の工程を示す図であり、図１０−２は、図９に示す（ｂ）における画素回路の動作方法の工程を示す図であり、図１０−３は、図９に示す（ｃ）における画素回路の動作方法の工程を示す図であり、図１０−４は、図９に示す（ｄ）における画素回路の動作方法の工程を示す図であり、図１０−５は、図９に示す（ｅ）における画素回路の動作方法の工程を示す図である。本実施の形態２にかかる表示装置では、図９（ａ）〜（ｅ）および図１０−１〜図１０−５に示すように、データ書き込みと閾値電圧検出は別個独立の工程で行われる。図１０−１〜図１０−５において、実線部は電流が流れる部分を示し、破線部は電流が流れていない部分を示す。
　【００６３】
　図９（ａ）および図１０−１に示す工程は、閾値電圧検出の前段階として、有機ＥＬ素子２７に電荷を蓄積させる前処理工程である。具体的には、ＴＦＴ２６に発光時と逆方向の電流を流すことによって有機ＥＬ素子２７に電荷を蓄積させる工程である。本工程は、実施の形態１における画素回路の前処理工程と同様に、コモン線２９の電位の極性を発光時と比較し反転することによって、有機ＥＬ素子２７のカソード側にコンデンサ２５に残存する電荷より十分に大きい正の電荷を蓄積させる。
　【００６４】
　図９（ｂ）および図１０−２に示す工程は、閾値電圧検出手段２２がドライバー素子であるＴＦＴ２６の閾値電圧を検出する閾値電圧検出工程である。前処理工程で有機ＥＬ素子２７への正の電荷の蓄積が終了した後、コモン線２９は正の電位から０電位となる。走査線３２は負の電位のままであるため、ＴＦＴ２８がオン状態を維持することにより、ＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極は短絡され同電位となる。ここで、有機ＥＬ素子２７はＴＦＴ２６のドレイン電極と接続しているため、有機ＥＬ素子２７に蓄積された正の電荷は、ＴＦＴ２６のドレイン電極およびＴＦＴ２８によって短絡されるＴＦＴ２６のゲート電極に供給される。また、本工程において、コモン線２９は正の電位から０電位となるため、コモン線２９に接続するＴＦＴ２６のソース電極には０電位が与えられる。したがって、ＴＦＴ２６のゲート・ソース間電圧は閾値電圧よりも大きくなり、ＴＦＴ２６はオン状態となる。ＴＦＴ２６にはゲート電極とソース電極の間に電位差が発生するため、ドレイン電極からソース電極に向かって電流が流れる。ＴＦＴ２６に電流が流れることによって、有機ＥＬ素子２７に蓄積された正電荷は徐々に減少し、ＴＦＴ２６のゲート・ソース間電圧も徐々に低くなる。そして、ＴＦＴ２６のゲート・ソース間電圧が閾値電圧（＝Ｖｔｈ２）まで減少した時点で、ＴＦＴ２６はオフ状態となり、有機ＥＬ素子２７に蓄積された正の電荷の減少も停止する。ここでＴＦＴ２６のソース電極は０電位であるコモン線２９に接続し、ＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極は有機ＥＬ素子２７に接続していることから、ＴＦＴ２６がオフ状態となった後ＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極の電位はＶｔｈ２に維持されることになる。以上より、ＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極にＴＦＴ２６の閾値電圧Ｖｔｈ２が現れ、ＴＦＴ２６の閾値電圧が検出される。また、ＴＦＴ２６の閾値電圧の検出は、閾値電圧検出手段２２の構成要素のみによってなされ、データ書き込み手段２１の構成要素の動作を必要としない。
　【００６５】
　図９（ｃ）および図１０−３は、検出したＴＦＴ２６の閾値電圧を保持する閾値電圧保持工程である。ＴＦＴ３１がオフ状態を維持するため、ＴＦＴ２６のゲート電極およびドレイン電極に現れたＴＦＴ２６の閾値電圧Ｖｔｈ２はコンデンサ２５の正極で保持される。
　【００６６】
　図９（ｄ）および図１０−４は、データ書き込み工程である。実施の形態１における画素回路のデータ書き込み工程と同様に、有機ＥＬ素子２７の輝度に対応する電位は、ＴＦＴ２４を介してデータ線２３から書き込まれコンデンサ２５にて保持される。なお、本工程において書き込まれる電位は（−ＶＤ２）である。コンデンサ２５の正極には閾値電圧検出工程にて検出されたＴＦＴ２６の閾値電圧Ｖｔｈ２が保持されているため、コンデンサ２５にはＴＦＴ２６の閾値電圧と書き込まれた電位との和である電圧に対応する電荷が保持されることとなる。また、ＴＦＴ３１はオフ状態を維持するため、データ書き込み手段２１と閾値電圧検出手段２２は電気的に分離され、閾値電圧検出手段２２における動作が本工程に影響を与えることはない。以上より、データの書き込みはデータ書き込み手段２１の構成要素のみによってなされ、閾値電圧検出手段２２の動作を必要としない。言い換えると、データの書き込みはデータ書き込み手段２１の構成要素のみによってなされ、ＴＦＴ２６の閾値電圧の検出は閾値電圧検出手段２２の構成要素のみによってなされるため、データ書き込み手段２１と閾値電圧検出手段２２は独立して機能する。
　【００６７】
　図９（ｅ）および図１０−５は、有機ＥＬ素子２７が発光する発光工程である。すなわち、コンデンサ２５に保持された電荷がドライバー素子であるＴＦＴ２６に供給され、ＴＦＴ２６がオン状態になりＴＦＴ２６に電流が流れることにより有機ＥＬ素子２７が発光する工程である。ここで、コンデンサ２５に保持される電荷をＴＦＴ２６のゲート電極に供給するためには、ＴＦＴ３１をオン状態にする必要がある。このため、走査線３２を正の電位にし、ＴＦＴ３１をオン状態とする。ＴＦＴ３１がオン状態となることによりコンデンサ２５の負極の電位はグラウンドまで上昇し、コンデンサ２５の正極には負極に保持されていた電位（−ＶＤ２）が与えられ（ＶＤ２＋Ｖｔｈ２）が現れる。かかる電位がＴＦＴ２６のゲート電極に印加され、ＴＦＴ２６はオン状態となる。ＴＦＴ２６のドレイン電極は有機ＥＬ素子２７に接続し、ソース電極は負の電位とされたコモン線２９に接続するため、ＴＦＴ２６には（ＶＤ２＋Ｖｔｈ２）のゲート・ソース間電圧が発生し、ドレイン電極からソース電極に向かって、かかるゲート・ソース間電圧に対応する電流が流れる。ドライバー素子に電流が流れることにより、ＴＦＴ２６に接続する有機ＥＬ素子２７にも電流が流れ、有機ＥＬ素子２７は流れる電流に対応した輝度の光を表示する。なお、本工程ではデータの書き込みは行われないため、ＴＦＴ２４はオフ状態を維持する。」
　
（エ）段落００６８及び００６９
「【００６８】
　実施の形態２にかかる表示装置においては、実施の形態１にかかる表示装置と同様に、発光工程におけるドライバー素子であるＴＦＴ２６のゲート・ソース間電圧は書き込まれた電位ＶＤ２とＴＦＴ２６の閾値電圧であるＶｔｈ２の和であり、かかる和電圧に対応する電流がＴＦＴ２６に流れる。したがって、ＴＦＴ２６の閾値電圧を書き込まれた電位ＶＤ２に加えた電圧がＴＦＴ２６のゲート・ソース間電圧となるため、ＴＦＴ２６の閾値電圧の変動は補償される。この結果、ＴＦＴ２６に流れる電流は変動せず、有機ＥＬ素子は均一な輝度の光を表示し、画質の劣化は抑制される。
　【００６９】
　また、本実施の形態２にかかる表示装置は、第２のスイッチング手段としてＴＦＴ２８を設けることにより、閾値電圧検出工程においてＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極を短絡させ同電位とする。０電位であるコモン線２９と接続するソース電極とゲート電極との間に電位差が生じ電流が流れ、ゲート・ソース間電圧が閾値電圧（Ｖｔｈ２）となりＴＦＴ２６がオフ状態となることによりゲート電極に閾値電圧を検出する。したがって、ＴＦＴ２８を設けることにより、閾値電圧検出手段２２の構成要素の動作のみによってＴＦＴ２６の閾値電圧を検出する。このため、閾値電圧の検出にデータ書き込み手段２１の構成要素の動作を必要としない。」
　
（オ）段落００７２
「【００７２】
　なお、実施の形態２における画素回路として図８にＴＦＴ３１とＴＦＴ２８を一つの走査線３２により制御する構造を示したが、第２のスイッチング手段であるＴＦＴと第４のスイッチング手段であるＴＦＴのそれぞれに別個の走査線を接続する構造としてもよい。たとえば、図１２に示すように、ＴＦＴ３１と第２のスイッチング手段であるＴＦＴ３３がともにチャネル層の導電性が同一の薄膜トランジスタ、たとえばｎ型ＴＦＴである構造である。かかる画素回路においては、ＴＦＴ３１は走査線３４により制御され、ＴＦＴ３３は走査線３４とは別個の走査線３５により制御される。」
　
（カ）段落００７３から００７５まで
「【００７３】
　図１２に示す画素回路の動作方法の工程は、図１０−１〜図１０−５に示す各工程と同様であり、図９に示すタイミングチャートにおいて走査線３２のみで制御していた第２のスイッチング手段と第４のスイッチング手段を、それぞれ走査線３４および走査線３５で制御することとなる。すなわち、第４のスイッチング手段であるＴＦＴ３１をオン状態とする場合には走査線３２が正の電位を示すタイミングと同じタイミングで走査線３４を正の電位とし、第２のスイッチング手段であるＴＦＴ３３をオン状態とする場合には走査線３２が負の電位を示すタイミングと同じタイミングで走査線３５を正の電位とすることとなる。
　【００７４】
　ただし、コンデンサ２５に保持される電荷の放出を効果的に防止し、さらに、安定した階調を実現するため、図１２に示す画素回路の各構成要素は図１３に示すタイミングチャートに従い動作することが好ましい。ここで、図１３（ａ）〜（ｅ）は、図９の（ａ）〜（ｅ）と同様に、それぞれ、前処理工程、閾値電圧検出工程、閾値電圧保持工程、データ書き込み工程および発光工程である。図１３に示すタイミングチャートにおいては、図１３（ｂ）に示す閾値電圧検出工程終了時にＴＦＴ３１をオフ状態とする。かかるタイミングでＴＦＴ３１がオフ状態とされるため、閾値電圧検出工程においては０電位を示すコモン線２９とコンデンサ２５の負極との接続が維持される。この結果、閾値電圧検出工程では、大きな電荷を蓄積する有機ＥＬ素子２７と接続するＴＦＴ２６の閾値電圧が、より安定に検出される。さらに、前フレームの書き込み電位と本フレームの書き込み電位との差が大きい場合でも、データ書き込み工程では前フレームの影響を受けずに所定の電位がコンデンサ２５に書き込まれ、安定した階調を実現することが可能となる。また、図１３（ｄ）に示すデータ書き込み工程終了後において、ＴＦＴ３１をオン状態とする前にＴＦＴ３３をオフ状態とするため走査線３５を負の電位とする。かかるタイミングでＴＦＴ３３が動作することにより、コンデンサ２５に保持される書き込み電位がＴＦＴ３３を介してグラウンドに放出されることを防止する。
　【００７５】
　以上より、図１２に示す画素回路の各構成要素は、第２のスイッチング手段であるＴＦＴ３３と第４のスイッチング手段であるＴＦＴ３１の駆動状態を別個の走査線により制御するため、図１３に示すタイミングチャートに従った動作が可能となる。この結果、コンデンサ２５に保持される電荷の放出を効果的に防止し、さらに、安定した階調を実現することができる。また、図１２に示す画素回路は、チャネル層の導電性が同一であるＴＦＴのみで構成されるため製造コストの低減も可能となる。」
　
イ．周知例１に記載された技術事項
（ア）周知例１には、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が記載されている（上記ア．（ア））。図８には、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路が示され（上記ア．（イ））、図１２には、その変形例に係る画素回路が示されている（上記ア．（オ））。
　
（イ）図１２に示された画素回路は、データ書き込み手段２１と閾値電圧検出手段２２とを備える（上記ア．（イ））。
　データ書き込み手段２１は、電流発光素子である有機ＥＬ素子２７の表示輝度に対応した電位を供給するデータ線２３と、第１のスイッチング手段であるＴＦＴ２４と、コンデンサ２５と、走査線３０とで構成され、データ線２３から供給される電位を保持する機能を有する（上記ア．（イ））。
　閾値電圧検出手段２２は、ドライバー素子であるＴＦＴ２６と、走査線３５で制御される第２のスイッチング手段であるＴＦＴ３３と、電流発光素子である有機ＥＬ素子２７と、ＴＦＴ２６のソース電極に接続する電源線であるコモン線２９とで構成され（上記ア．（イ）及び（オ））、ドライバー素子であるＴＦＴ２６の閾値電圧を検出する機能を有する（上記ア．（イ））。
　コンデンサ２５の負極とコモン線２９との間には、制御線３４で制御される第４のスイッチング手段であるＴＦＴ３１が接続される（上記ア．（イ）及び（オ））。
　
（ウ）図１２に示された画素回路の動作方法は、図１３に示されたタイミングチャートのとおりであり、前処理工程、閾値電圧検出工程、閾値電圧保持工程、データ書き込み工程及び発光工程を含む（上記ア．（ウ）及び（カ））。
　前処理工程では、有機ＥＬ素子２７に電荷が蓄積される（上記ア．（ウ））。
　閾値電圧検出工程では、ＴＦＴ３３がオン状態とされ、ＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極とが短絡されてオン状態になる。すると、有機ＥＬ素子２７に蓄積された電荷がＴＦＴ２６を通る電流となって流出し、ＴＦＴ２６のゲート・ソース間電圧が閾値電圧まで低下した時点でＴＦＴ２６がオフ状態になるので、ＴＦＴ２６のゲート電極及びドレイン電極に閾値電圧が現れ、ＴＦＴ２６の閾値電圧が検出される（上記ア．（ウ））。この間、ＴＦＴ３１はオン状態とされ、コモン線２９とコンデンサ２５の負極との接続が維持されるので、ＴＦＴ２６の閾値電圧の検出が安定化される（上記ア．（カ））。
　閾値電圧保持工程では、ＴＦＴ３１がオフ状態とされ、ＴＦＴ２６のゲート電極及びドレイン電極に現れた閾値電圧がコンデンサ２５の正極で保持される（上記ア．（ウ））。
　データ書き込み工程では、有機ＥＬ素子２７の輝度に対応する電位がＴＦＴ２４を介してデータ線２３から書き込まれ、コンデンサ２５で保持される。コンデンサ２５の正極には、閾値電圧検出工程で検出されたＴＦＴ２６の閾値電圧が既に保持されているので、コンデンサ２５には、ＴＦＴ２６の閾値電圧と書き込まれた電位との和電圧が保持されることになる（上記ア．（ウ））。この間、ＴＦＴ３１はオフ状態とされているので、電位を書き込む際に、前フレームの影響を受けない（上記ア．（カ））。
　発光工程では、ＴＦＴ３１がオン状態とされる。すると、コンデンサ２５に保持されている電圧がＴＦＴ２６のゲート電極に印加されて、ＴＦＴ２６がオン状態となり、有機ＥＬ素子２７が発光する（上記ア．（ウ））。
　
（エ）図１２に示された画素回路は、次のような利点を有する（上記ア．（エ））。
　発光工程では、ドライバー素子であるＴＦＴ２６のゲート・ソース間電圧がＴＦＴ２６の閾値電圧と書き込まれた電位との和になっており、この和電圧に対応する電流がＴＦＴ２６に流れるので、ＴＦＴ２６の閾値電圧の変動が補償される。
　閾値電圧検出工程では、ＴＦＴ２６のゲート電極とドレイン電極とを短絡することで閾値電圧を検出するので、閾値電圧の検出は、閾値電圧検出手段２２の構成要素の動作のみによって行われ、データ書き込み手段２１の構成要素の動作を必要としない。
　
（オ）以上のことを踏まえて、上記ア．（ア）から（カ）までの記載と、図１２に示された事項とを総合すると、周知例１には、以下の技術事項が記載されている。
　
「データ書き込み手段２１と閾値電圧検出手段２２とを備える有機ＥＬ表示装置の画素回路において、データ書き込み手段２１のコンデンサ２５の負極とコモン線２９との間にスイッチング手段であるＴＦＴ３１を接続し、閾値検出工程では、スイッチング手段であるＴＦＴ３１をオン状態としてドライバー素子であるＴＦＴ２６の閾値電圧の検出を安定化し、データ書き込み工程では、スイッチング手段であるＴＦＴ３１をオフ状態として前フレームの影響を受けないようにし、発光工程では、スイッチング手段であるＴＦＴ３１をオン状態としてコンデンサ２５に保持されているドライバー素子であるＴＦＴ２６の閾値電圧と書き込まれた電位との和電圧をドライバー素子であるＴＦＴ２６のゲート電極に印加する。」
　
（３）周知例２
　周知例２には、閾値電圧の変動を補償することができる有機ＥＬ表示装置の画素回路が記載されている（ABSTRACT及びINTRODUCTION）。
　周知例２の第２図に示された回路図と周知例１の図１２に示された回路図との対比、及び周知例２の第３図に示されたタイミングチャートと周知例１の図１３に示されたタイミングチャートとの対比から明らかなように、周知例２に記載された画素回路と周知例１に記載された画素回路とは、回路構成も動作も全く同じである。
　したがって、周知例１に記載された技術事項は、周知例２にも記載されている。
　
３．対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、以下のとおりである。
　
（１）本件補正発明の具体的な回路の例は、図３、５及び７から９までのそれぞれに示されている。一方、引用発明の具体的な回路は、刊行物１の図２に示されている。
　そこで、本件補正発明の具体的な回路の例のうち、図３に示されたものと、引用発明の具体的な回路との間で、各回路に含まれる素子等及びそれらの接続関係を対比すると、引用発明の「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」、「第１スイッチＴＦＴ１１２」、「第２スイッチＴＦＴ１１３」、「第３スイッチＴＦＴ１１４」、「第４スイッチＴＦＴ１１５」、「結合キャパシタＣ１１１」、「有機ＥＬ素子からなる電流制御型の発光素子１１６」、「電源電圧Ｖｃｃ」及び「基準電流源Ｉ１０７」は、それぞれ、本件補正発明の具体的な回路の「ドライブトランジスタＴ１」、「スイッチＳＷ２」、「スイッチＳＷ１」、「スイッチＳＷ４」、「スイッチＳＷ３」、「容量Ｃ１」、「有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ」、「負電源」及び「定電流源ＣＣ１」に相当することが分かる。
　そして、本件補正発明の具体的な回路は、「スイッチＳＷ５」を有するのに対し、引用発明の具体的な回路は、「キャパシタＣ１１２」を有することが分かる。
　以上のことを念頭に置いて、本件補正発明と引用発明とをさらに対比する。
　
（２）引用発明の「有機ＥＬ素子からなる電流制御型の発光素子１１６」は、本件補正発明の「電流で駆動される発光素子」に相当する。
　
（３）引用発明では、「データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ」、「カップリング電圧ΔＶに相当する値の電流Ｉｄｓが発光素子１１６に流れ、発光素子１１６が発光する」。
　したがって、引用発明の「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」は、「発光素子１１６」に流れる電流を制御するトランジスタであり、本件補正発明の「発光素子への駆動電流を制御する駆動トランジスタ」に相当する。
　
（４）引用発明の「画素回路１０１」は、「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１と、…有機ＥＬ素子からなる電流制御型の発光素子１１６とを有し」、「発光素子１１６が発光する画素回路１０１」である。
　したがって、引用発明の「画素回路１０１」は、本件補正発明の「電流で駆動される発光素子への駆動電流を制御する駆動トランジスタを含む、発光素子の駆動回路」に相当する。
　
（５）引用発明では、「基準電流Ｉｒｅｆは、発光素子１１６の発光の中間色に相当する電流値に設定され」るから、引用発明の「基準電流Ｉｒｅｆ」は、本件補正発明の「所定階調に対応する定電流」に相当する。
　また、引用発明の「基準電流源Ｉ１０７から基準電流供給線ＩＳＬ１０１に基準電流Ｉｒｅｆが供給される」ことは、本件補正発明の「定電流源からの所定階調に対応する定電流を流すこと」に相当する。
　
（６）引用発明において、「第２スイッチＴＦＴ１１３及び第４スイッチＴＦＴ１１５が導通状態にされ」ると、「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」のドレインとゲートとの間が短絡されることは、刊行物１の図２に示された回路図から明らかである。
　そうすると、引用発明において、「第２スイッチＴＦＴ１１３及び第４スイッチＴＦＴ１１５が導通状態にされて、基準電流源Ｉ１０７から供給される基準電流ＩｒｅｆがドライブトランジスタＴＦＴ１１１に流れ」ることは、本件補正発明において、「前記駆動トランジスタのドレイン・ゲート間をショートさせて、前記定電流を前記駆動トランジスタのドレインに供給する」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「第２スイッチＴＦＴ１１３」と「第４スイッチＴＦＴ１１５」とを合わせたものは、本件補正発明の「定電流供給手段」に相当する。
　
（７）刊行物１の図２に示された回路図から明らかなように、引用発明の「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」のドレインは、「第２スイッチＴＦＴ１１３及び第４スイッチＴＦＴ１１５が導通状態にされ」ると、「基準電流源Ｉ１０７」と接続される。一方、「第２スイッチＴＦＴ１１３及び第４スイッチＴＦＴ１１５が非導通状態にされた後」、「第１スイッチＴＦＴ１１２が導通状態にされ」ると、「発光素子１１６」と接続される。
　そうすると、「第１スイッチＴＦＴ１１２」、「第２スイッチＴＦＴ１１３」及び「第４スイッチＴＦＴ１１５」は、「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」のドレインと、「発光素子１１６」又は「基準電流源Ｉ１０７」との間の接続を切り替えていることになる。これは、本件補正発明において、「前記駆動トランジスタのドレインと、前記発光素子または前記定電流源との間の接続を切り替える」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「第１スイッチＴＦＴ１１２」、「第２スイッチＴＦＴ１１３」及び「第４スイッチＴＦＴ１１５」を合わせたものは、本件補正発明の「切り替え手段」に相当する。
　
（８）引用発明において、「基準電流ＩｒｅｆがドライブトランジスタＴＦＴ１１１に流れ、画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定され」ることは、本件補正発明において、「前記駆動トランジスタに定電流源からの所定階調に対応する定電流を流すことで当該駆動トランジスタのゲート・ソース間に前記定電流に対応するゲート・ソース間電圧を印加する」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「第２スイッチＴＦＴ１１３」と「第４スイッチＴＦＴ１１５」とを合わせたもの（本件補正発明の「定電流供給手段」に相当する。）と、引用発明の「第１スイッチＴＦＴ１１２」、「第２スイッチＴＦＴ１１３」及び「第４スイッチＴＦＴ１１５」を合わせたもの（本件補正発明の「切り替え手段」に相当する。）とは、全体として、本件補正発明の「ゲート・ソース間電圧印加手段」に相当する。
　
（９）引用発明では、「第３スイッチＴＦＴ１１４が導通状態にされて、データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ」る。
　したがって、引用発明の「第３スイッチＴＦＴ１１４」は、本件補正発明の「信号線から供給される前記信号電圧を書込むための信号電圧書込みスイッチ」に相当する。
　また、引用発明の「結合キャパシタＣ１１１」は、本件補正発明の「前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、前記スイッチに他端が接続されて、前記信号電圧を保持する容量」に相当する。
　さらに、引用発明において、「ＴＦＴ１１４が導通状態にされて、データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ」ることは、本件補正発明において、「前記信号電圧書込みスイッチをオンすることで、前記駆動トランジスタのゲートに前記信号電圧を書き込」むことに相当する。
　
（１０）引用発明では、「基準電流ＩｒｅｆがドライブトランジスタＴＦＴ１１１に流れ、画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定され」、その後、「第３スイッチＴＦＴ１１４が導通状態にされて、データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ」る。
　このとき、「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」のゲートに印加される電圧は、「ゲート電圧値Ｖｏ」と「データ信号」との和電圧になると認められる。そして、「カップリング電圧ΔＶに相当する値の電流Ｉｄｓが発光素子１１６に流れ、発光素子１１６が発光する」ときの「カップリング電圧ΔＶ」は、「ゲート電圧値Ｖｏ」と「データ信号」との和電圧にほかならない。
　また、「基準電流Ｉｒｅｆは、発光素子１１６の発光の中間色に相当する電流値に設定されており」、「画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定され」るから、「データ信号」は、「発光素子１１６の発光の中間色」との差分であることが明らかである。
　したがって、引用発明の「第３スイッチＴＦＴ１１４」、「結合キャパシタＣ１１１」及び「キャパシタＣ１１２」を合わせたものは、本件補正発明の「前記所定階調からの差分を信号電圧として前記駆動トランジスタのゲートに加算することで目的階調を書込む加算手段加算手段」に相当する。
　
（１１）引用発明では、「基準電流ＩｒｅｆがドライブトランジスタＴＦＴ１１１に流れ、画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定され」る。
　これは、「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」のしきい値及び移動度のばらつきを補正するためである（上記２．（１）ア．（イ）及び（エ））。
　したがって、引用発明の「第３スイッチＴＦＴ１１４」、「結合キャパシタＣ１１１」及び「キャパシタＣ１１２」を合わせたものは、さらに、本件補正発明の「前記駆動トランジスタのゲート・ソース間に当該駆動トランジスタの特性ばらつきを補正した目的階調に対応した目的電圧を印加する加算手段」にも相当する。
　
（１２）引用発明の「ＴＦＴ１１２が導通状態にされて、カップリング電圧ΔＶに相当する値の電流Ｉｄｓが発光素子１１６に流れ、発光素子１１６が発光する」は、本件補正発明の「前記切り替え手段により、前記発光素子に前記駆動トランジスタのドレインを接続して前記発光素子に目的階調に応じた電流を流す」に相当する。
　
（１３）以上のことをまとめると、本件補正発明と引用発明とは、
　
「電流で駆動される発光素子への駆動電流を制御する駆動トランジスタを含む、発光素子の駆動回路であって、
　前記駆動トランジスタに定電流源からの所定階調に対応する定電流を流すことで当該駆動トランジスタのゲート・ソース間に前記定電流に対応するゲート・ソース間電圧を印加するゲート・ソース間電圧印加手段と、
　前記所定階調からの差分を信号電圧として前記駆動トランジスタのゲートに加算することで目的階調を書込む加算手段であって、前記駆動トランジスタのゲート・ソース間に当該駆動トランジスタの特性ばらつきを補正した目的階調に対応した目的電圧を印加する加算手段と、
を有し、
　前記ゲート・ソース間電圧印加手段は、
　前記駆動トランジスタのドレイン・ゲート間をショートさせて、前記定電流を前記駆動トランジスタのドレインに供給する定電流供給手段と、
　前記駆動トランジスタのドレインと、前記発光素子または前記定電流源との間の接続を切り替える切り替え手段と、
を有し、
　前記加算手段は、
　信号線から供給される前記信号電圧を書込むための信号電圧書込みスイッチと、
　前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、前記スイッチに他端が接続されて、前記信号電圧を保持する容量と、
を有し、前記信号電圧書込みスイッチをオンすることで、前記駆動トランジスタのゲートに前記信号電圧を書き込み、
　前記切り替え手段により、前記発光素子に前記駆動トランジスタのドレインを接続して前記発光素子に目的階調に応じた電流を流す
ことを特徴とする駆動回路。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本件補正発明は、「加算手段」が「前記信号電圧書込みスイッチと前記容量との接続点と負電源との間に接続されて、前記容量の充電電圧の変化を抑制するための充電電圧変化抑制スイッチ」を有し、「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンすることで、前記容量の充電電圧を確定して前記容量の充電電圧の変化を抑制」するのに対し、引用発明は、「加算手段」が「キャパシタＣ１１２」を有する点。
　
　なお、明細書の段落００３８に「この図３の例では、スイッチＳＷ４と容量Ｃ１との接続点がスイッチＳＷ５を介して負電源に接続されている。」と記載され、段落００４２に「スイッチＳＷ５をオンすることで、容量Ｃ１の充電電圧が確定する。」と記載されていることから、本件補正発明の「充電電圧変化抑制スイッチ」は、具体的には「スイッチＳＷ５」であると認められる。
　そうすると、上記の一致点及び相違点は、本件補正発明の具体的な回路の例のうち、図３に示されたものと、引用発明の具体的な回路との間で、各回路に含まれる素子等及びそれらの接続関係を対比した結果（上記（１））とも合致する。
　
４．相違点についての判断
（１）既に述べたとおり、周知例１に記載された技術事項（上記２．（２）イ．（オ））は、周知例２にも記載されている（上記２．（３））。そこで、周知例１に記載された技術事項を改めて「技術事項１」ということにすると、技術事項１は、周知例１及び２のいずれにも記載されており、本願の前に当業者に周知である。
　
（２）引用発明では、「第２スイッチＴＦＴ１１３及び第４スイッチＴＦＴ１１５が導通状態にされて、基準電流源Ｉ１０７から供給される基準電流ＩｒｅｆがドライブトランジスタＴＦＴ１１１に流れ、画素のオン電流が基準電流Ｉｒｅｆに一致するように、ドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧値Ｖｏが設定され」、それによって、「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」のしきい値及び移動度のばらつきが補正される（上記２．（１）ア．（イ）及び（エ））。したがって、引用発明は、「ドライブトランジスタＴＦＴ１１１」の閾値電圧検出手段を備えているといえる。
　また、引用発明では、「ＴＦＴ１１４が導通状態にされて、データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ」る。したがって、引用発明は、データ書き込み手段を備えている。
　以上のことから、引用発明は、技術事項１の前提となる「データ書き込み手段と閾値電圧検出手段とを備える有機ＥＬ表示装置の画素回路」に該当する。
　そして、閾値電圧の検出が安定化されることや、データを書き込むときに前フレームの影響を受けないことは、引用発明においても好ましいことである。
　
（３）そうすると、当業者に周知の技術事項１を引用発明に適用し、データ書き込み手段のコンデンサの負極とコモン線との間にスイッチング手段であるＴＦＴを接続し、閾値検出工程ではスイッチング手段であるＴＦＴをオン状態とし、データ書き込み工程ではスイッチング手段であるＴＦＴをオフ状態とし、発光工程ではスイッチング手段であるＴＦＴをオン状態とすることは、当業者が適宜行い得ることである。
　
（４）引用発明に技術事項１を適用した結果、引用発明の「ＴＦＴ１１４」（本件補正発明の「信号電圧書込みスイッチ」に相当する。）と「結合キャパシタＣ１１１」（本件補正発明の「容量」に相当する。）との接続点と「電源電圧ＶＣＣ」（本件補正発明の「負電源」に相当する。）との間に、「キャパシタＣ１１２」に代えて「スイッチング手段であるＴＦＴ」（本件補正発明の「充電電圧変化抑制スイッチ」に相当する。）が接続され、この「スイッチング手段であるＴＦＴ」をオンすることで、「結合キャパシタＣ１１１」の充電電圧が確定されるようになることは明らかである。
　そして、「スイッチング手段であるＴＦＴ」は、それをオンすることで、「結合キャパシタＣ１１１」の充電電圧が確定されるのであるから、オンする時期を、「結合キャパシタＣ１１１」を充電する期間の終了時点、すなわち「データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ」る期間の終了時点とすべきことは、当業者にとって自明である。
　
（５）本件補正発明では、さらに、「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンすることで、…前記容量の充電電圧の変化を抑制」している。
　明細書の段落００４２に「スイッチＳＷ２のオンをスイッチＳＷ５のオンなどより遅らせることによって、容量Ｃ１の充電電圧の変化を抑制することができる。」と記載され、段落００４３に「この図５の構成は、制御線が少なくてよいが、スイッチＳＷ２が、スイッチＳＷ５より先にオンすると、容量Ｃ１に充電された電荷が逃げ、ドライブトランジスタＴ１のゲート電圧が変動しやすいという問題がある。」と記載されていることから、本件補正発明において「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンすることで、…前記容量の充電電圧の変化を抑制」するとは、「前記切り替え手段により、前記発光素子に前記駆動トランジスタのドレインを接続して前記発光素子に目的階調に応じた電流を流す」前に「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンする」という意味であると認められる。
　上記（４）で述べたとおり、引用発明に技術事項１を適用したものにおいて、「スイッチング手段であるＴＦＴ」をオンする時期は、「データ信号が結合キャパシタＣ１１１に印加され、データ信号が結合キャパシタＣ１１１を介してドライブトランジスタＴＦＴ１１１のゲート電圧にカップリングされ」る期間の終了時点とされる。一方、引用発明においては、もともと、同期間終了後に、「第１スイッチＴＦＴ１１２が導通状態にされて、カップリング電圧ΔＶに相当する値の電流Ｉｄｓが発光素子１１６に流れ、発光素子１１６が発光する」から、「スイッチング手段であるＴＦＴ」をオンする時期は、「第１スイッチＴＦＴ１１２が導通状態にされ」る時期より前になる。
　これは、本件補正発明において、「前記切り替え手段により、前記発光素子に前記駆動トランジスタのドレインを接続して前記発光素子に目的階調に応じた電流を流す」前に「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンする」ことに相当する。
　したがって、引用発明に技術事項１を適用したものにおいても、本件補正発明と同様、「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンすることで、…前記容量の充電電圧の変化を抑制」することになる。
　
５．補正案について
　請求人は、回答書で補正案を提示しているので、念のため検討する。
　補正案の請求項１に係る発明は、要するに、本件補正発明の「充電電圧変化抑制スイッチ」を「負電源接続用スイッチ」に変更した上で、当該「負電源接続用スイッチ」が、「前記切り替え手段が有する前記駆動トランジスタのドレインを前記発光素子に接続するための発光素子接続用スイッチ」より先にオンになる点を明確にしたものである。
　しかし、これは、本件補正発明において、「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンすることで、…前記容量の充電電圧の変化を抑制」することを、「前記切り替え手段により、前記発光素子に前記駆動トランジスタのドレインを接続して前記発光素子に目的階調に応じた電流を流す」前に「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンする」の意味に解釈すること（上記４．（５））と同じ趣旨である。
　したがって、請求人が提示した補正案は、上記４．で述べた判断を左右するものではない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正発明は、刊行物１に記載された発明（引用発明）と周知の技術事項１とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願に係る発明についての判断
１．本願に係る発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１から３までのそれぞれに係る発明は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１から３までのそれぞれに記載された事項によって特定されるとおりのものである。特に、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　電流で駆動される発光素子への駆動電流を制御する駆動トランジスタを含む、発光素子の駆動回路であって、
　前記駆動トランジスタに定電流源からの所定階調に対応する定電流を流すことで当該駆動トランジスタのゲート・ソース間に前記定電流に対応するゲート・ソース間電圧を印加するゲート・ソース間電圧印加手段と、
　前記所定階調からの差分を信号電圧として前記駆動トランジスタのゲートに加算することで目的階調を書込む加算手段であって、前記駆動トランジスタのゲート・ソース間に当該駆動トランジスタの特性ばらつきを補正した目的階調に対応した目的電圧を印加する加算手段と、
を有し、
　前記ゲート・ソース間電圧印加手段は、
　前記駆動トランジスタのドレイン・ゲート間をショートさせて、前記定電流を前記駆動トランジスタのドレインに供給する定電流供給手段と、
　前記駆動トランジスタのドレインと、前記発光素子または前記定電流源との間の接続を切り替える切り替え手段と、
を有し、
　前記加算手段は、
　信号線から供給される前記信号電圧を書込むためのスイッチと、
　前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、前記スイッチに他端が接続されて、前記信号電圧を保持する容量と、
を有し、前記スイッチをオンすることで、前記駆動トランジスタのゲートに前記信号電圧を書き込み、
　前記切り替え手段により、前記発光素子に前記駆動トランジスタのドレインを接続して前記発光素子に目的階調に応じた電流を流す
ことを特徴とする駆動回路。」
　
２．原査定の拒絶の理由
　本願発明に対する原査定の拒絶の理由４及び５は、概略以下のとおりである。
　
「（理由４）
　本願発明は、その特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　（理由５）
　本願発明は、その特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物１に記載された発明に基づいて、その特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　刊行物１：特開２００４−３４１４４４号公報（前掲）」
　
３．刊行物１に記載された事項
　刊行物１に記載された事項は、上記「第２」２．（１）に記載したとおりである。
　
４．対比・判断
　本願発明は、本件補正発明から、「加算手段」が「前記信号電圧書込みスイッチと前記容量との接続点と負電源との間に接続されて、前記容量の充電電圧の変化を抑制するための充電電圧変化抑制スイッチ」を有する点、及び「前記充電電圧変化抑制スイッチをオンすることで、前記容量の充電電圧を確定して前記容量の充電電圧の変化を抑制」する点の限定を省いたものである。
　すなわち、本願発明は、本件補正発明と引用発明との対比において、相違点をもたらした限定を省いたものである。
　したがって、本願発明と引用発明との間に実質的な相違点はない。
　仮に相違点があるとしても、当業者が容易に思い付く程度のものである。
　
５．むすび
　以上に検討したとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　また、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものでもあるから、特許法第２９条第２項の規定によっても特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。