【事件の表示】
　特許第３１８７４８２号「パッケージ型半導体レーザ装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１８７４８２号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
　本件特許第３１８７４８２号の請求項に記載された発明　（平成３年１０月３０日出願、平成１３年５月１１日設定登録。）は、平成１４年５月１４日付け訂正請求書により訂正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし３に記載されたとおりのものであると認める。
　これに対して、平成１４年１０月２２日付けで取消しの理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは何らの応答もない。
　そして、上記の取消しの理由は妥当なものと認められるので、本件特許は、この取消しの理由によって取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１月２７日（２００３．１．２７）
【訂正の要旨】
▲１▼訂正事項ａ
　本件特許発明の特許請求の範囲の請求項１乃至４に係る記載、
「【請求項１】薄金属板製の放熱板の上面に、半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップからのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するように横向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向する部分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体の内部に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線を前記透明窓に向かって方向変換するための反射部を配設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャップ体に一体的に設けた反射部用装着部に取付けたことを特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。
　【請求項２】前記請求項１の記載において、前記反射部を、表面にレーザ光線の一部が透過する反射膜を形成したモニター用ホォトダイオードにて構成したことを特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。
　【請求項３】前記請求項１又は２の記載において、前記放熱板の上面に、前記半導体チップに対する各種のリード端子を、導体膜の配線パターンとして形成したことを特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。
　【請求項４】前記請求項１〜３のいずれかの記載において、前記キャップ体を、透光性を有する合成樹脂等にて一体的に形成したことを特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。」
を、
「【請求項１】薄金属板製の放熱板の上面に、半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップからのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するように横向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向する部分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体の内部に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線を前記透明窓に向かって方向変換するための反射部を配設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャップ体に一体的に設けた反射部用装着部に取付ける
とともに、半導体レーザチップに対する各種のリード端子を前記キャップ体における枠型本体の内部に形成した
表面実装型の
　【請求項２】前記請求項１の記載において、前記反射部を、表面にレーザ光線の一部が透過する反射膜を形成したモニター用ホォトダイオードにて構成したことを特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。
　【請求項３】
前記請求項１乃至２のいずれかの記載において、前記キャップ体を、透光性を有する合成樹脂等にて一体的に形成したことを特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。
と訂正する。
▲２▼訂正事項ｂ
　訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との整合を図るため、明細書の段落【０００８】の「【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成するため本発明は、「薄金属板製の放熱板の上面に、半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップからのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するように横向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向する部分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体の内部に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線を前記透明窓に向かって方向変換するための反射部を配設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャップ体に一体的に設けた反射部用装着部に取付ける。」という構成にした。」
を
　「【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成するため本発明は、「薄金属板製の放熱板の上面に、半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップからのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するように横向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向する部分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体の内部に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線を前記透明窓に向かって方向変換するための反射部を配設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャップ体に一体的に設けた反射部用装着部に取付ける
とともに、半導体レーザチップに対する各種のリード端子を前記キャップ体における枠型本体の内部に形成した
表面実装型のパッケージ型半導体レーザ装置。
に訂正し、
　明細書の段落【００１３】の「また、半導体レーザ装置には、その半導体レーザチップに対して電流を印加等するための複数本のリード端子が必要であるが、この各リード端子を、「請求項３」に記載したように、放熱板に対して導体膜の配線パターンとして形成することにより、これらのリード端子を形成することが、当該各リード端子をキャップ体側に形成する場合よりも簡単にできるから、製造コストを低減できるのである。」の記載を旧請求項３の削除にともない削除し、
　明細書の段落【００１４】の「更にまた、前記キャップ体を、「請求項４」に記載したように、透光性を有する合成樹脂等にて一体的に形成することにより、部品点数が少なくなると共に、製造工程が簡単になるから、製造コストを大幅に低減できるのである。」
を
「更にまた、前記キャップ体を、「請求項３」に記載したように、透光性を有する合成樹脂等にて一体的に形成することにより、部品点数が少なくなると共に、製造工程が簡単になるから、製造コストを大幅に低減できるのである。」
に訂正する。
（５４）【発明の名称】
パッケージ型半導体レーザ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】薄金属板製の放熱板の上面に、半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップからのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するように横向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向する部分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体の内部に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線を前記透明窓に向かって方向変換するための反射部を配設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャップ体に一体的に設けた反射部用装着部に取付ける
とともに、半導体レーザチップに対する各種のリード端子を前記キャップ体における枠型本体の内部に形成した
表面実装型の
　【請求項２】前記請求項１の記載において、前記反射部を、表面にレーザ光線の一部が透過する反射膜を形成したモニター用ホォトダイオードにて構成したことを特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。
　【請求項３】
前記請求項１乃至２のいずれかの記載において、前記キャップ体を、透光性を有する合成樹脂等にて一体的に形成したことを特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、レーザ光線の発光素子として、半導体レーザチップを使用し、この半導体レーザチップの部分をキャップ体にてパッケージした半導体レーザ装置の改良に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、この種のパッケージ型半導体レーザ装置は、例えば、特開昭６２−２１９６７２号公報又は実開昭６２−５８０６６号公報等に記載され、且つ、図１６〜図１８に示すように、炭素鋼等の金属にて直径Ｄで、且つ、厚さＴの円盤型に形成した放熱板兼用のステム１の上面に、ヒートシンク体２を一体的に造形して、このヒートシンク体２の側面に、半導体レーザチップ３をサブマウント４を介して装着する一方、前記ステム１の上面に、ガラス等の透明窓６を備えたキャップ体５を、前記ヒートシンク体２に被嵌するように装着することによって、前記半導体レーザチップ３及びサブマウント４の部分をパッケージするように構成していた。
　【０００３】
　但し、符号９は前記ステム１の上面における凹み部９ａ内に設けたモニター用ホォトダイオードを、符号７ａは前記ステム１の下面に固着した第１リード端子を、符号７ｂ及び７ｃは前記ステム１に穿設した貫通孔１ａ，１ｂより挿入した第２及び第３リード端子を各々示し、前記第２及び第３リード端子７ｂ，７ｃは、前記貫通孔１ａ，１ｂ内に絶縁シール材８を介して固着され、更に、前記半導体レーザチップ３とサブマウント４との間、前記第２リード端子７ｂとサブマウント４との間、及び前記第３リード端子７ｃとモニター用ホォトダイオード９との間は、前記キャップ体５内において、細い金属線Ａ，Ｂ，Ｃにて接続されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、この従来におけるパッケージ型半導体レーザ装置は、半導体レーザチップ３を、ステム１から突出するブロック体２に対して、当該半導体レーザチップ３から発射されるレーザ光線Ｅの軸線が前記ステム１の上面から上向き方向となるようにして装着したものである。
　【０００５】
　従って、前記パッケージ型半導体レーザ装置において、前記レーザ光線Ｅの軸線に沿っての高さ寸法Ｈは、少なくとも、前記ステム１の厚さＴにヒートシンク２の高さ寸法を加算した値になることに加えて、前記ステム１における厚さＴも、当該ステム１にヒートシンク２を一体的に造形することのために薄くすることができず、前記の高さ寸法Ｈが可成り高くなるから、薄型にすることができないと言う問題があった。
　【０００６】
　しかも、前記従来のパッケージ型半導体レーザ装置においては、ステム１の上面に、半導体レーザチップ３を装着するためのヒートシンク２を一体的に造形する構成であって、前記ステム１にヒートシンク２を一体的に造形することに多大の加工手数を必要とするから、製造コストが大幅にアップすると言う問題もあった。
　【０００７】
　本発明は、これらの問題を解消したパッケージ型半導体レーザ装置を提供することを技術的課題とするものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　この技術的課題を達成するため本発明は、「薄金属板製の放熱板の上面に、半導体レーザチップを、当該半導体レーザチップからのレーザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するように横向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向する部分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体の内部に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線を前記透明窓に向かって方向変換するための反射部を配設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャップ体に一体的に設けた反射部用装着部に取付ける
とともに、半導体レーザチップに対する各種のリード端子を前記キャップ体における枠型本体の内部に形成した
表面実装型のパッケージ型半導体レーザ装置。
　【０００９】
　【発明の作用及び効果】
　このように、放熱板の上面に、半導体レーザチップを横向きに装着し、この半導体レーザチップからのレーザ光線を反射部によって、これら覆うキャップ体における透明窓に向かって方向変換するように構成することにより、レーザ光線を、放熱板の上面から反射部にて上向き方向に発射するものでありながら、従来におけるパッケージ型半導体レーザ装置において必要であったヒートシンクを省略することができるから、前記レーザ光線の発射に沿っての高さ寸法を低くすることができると共に、放熱板の加工に要する手数を軽減できるのであり、この場合において、前記半導体レーザチップを搭載した放熱板は、キャップ体外に露出しているので、前記放熱板に所定の放熱性を確保することができるのである。
　【００１０】
　また、前記反射部の装着するための装着部を、前記放熱板又はキャップ体に一体的に設けたことにより、前記反射部を装着するために部品点数が多くなることが回避でき、部品点数の低減を図ることができるのである。
　【００１１】
　従って、本発明によると、所定の放熱性を有するパッケージ型半導体レーザ装置を、高さ寸法を低くすることができることで薄型にすることができることに加えて、放熱板の加工に要する手数の軽減と部品点数の低減とによりその製造コストを大幅に低減できる効果を有する。
　【００１２】
　ところで、この種の半導体レーザ装置においては、その半導体レーザチップから発射されるレーザ光線をホォトダイオードにてモニターし、これに応じて前記半導体レーザチップに対する印加電流を増減することによって、前記レーザ光線の強さを略一定に制御することが行なわれるものであり、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線をホォトダイオードにてモニターする場合において、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線を反射するための反射部として、「請求項２」に記載したように、表面にレーザ光線の一部が透過する反射膜を形成したモニター用ホォトダイオードを使用することにより、半導体レーザチップから発射するレーザ光線を、前記ホォトダイオードにて直接的にモニターすることができるから、モニターの出力を高くすることができると共に、レーザ光線のモニターによる制御精度を向上できるのであり、しかも、モニター用ホォトダイオードを反射部に兼用できるので、部品点数を少なくできて、コストの低減を図ることができるのである。
　【００１３】
　【００１４】
　更にまた、前記キャップ体を、「請求項
３
　【００１５】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面について説明する。
　【００１６】
　図１〜図４は、第１の実施例であって、この図において符号１０は、本発明によるパッケージ型の半導体レーザ装置を示し、このパッケージ型半導体レーザ装置１０は、放熱板１１と、該放熱板１１に対向する部分にガラス等の透明窓を備えたキャップ体１２とによって構成されている。
　【００１７】
　前記放熱板１１は、炭素鋼板又は銅板或いはアルミ板の表面にＡｕ等の金属メッキを施したものに構成され、その上面には、上面の一部にモニター用ホォトダイオード１４を備えたサブマウント１３が固着され、このサブマウント１３の上面に、半導体レーザチップ１５を、当該半導体レーザチップ１５における前方劈開面１５ａからのレーザ光線を前記放熱板１１の上面の略平行の方向に発射するように横向きに固着する。
　【００１８】
　一方、前記透明窓を備えたキャップ体１２は、セラミック等の耐熱絶縁体製の枠型本体１６と、この枠型本体１６の上面に接着剤又はガラス用金属半田１８にて接合したガラス板１７とによって構成され、このキャップ体１２を、前記放熱板１１の上面に、前記半導体レーザチップ１５及びサブマウント１３に対して被嵌するように載置したのち、放熱板１１に対して接着剤又は低温金属半田１９にて固着する。
　【００１９】
　そして、前記キャップ体１２の枠型本体１６における内面のうち前記半導体レーザチップ１５に対向する部位には、反射部用の装着部２０を一体的に設けて、この装着部２０に、前記半導体レーザチップ１５における前方劈開面１５ａから発射されるレーザ光線Ｅを、前記キャップ体１２におけるガラス板１７に向かって方向変換するようにした反射部２１を固着する。
　【００２０】
　なお、この第１の実施例の場合、放熱板１１のそれ自身が、前記半導体レーザチップ１５に対する第１リード端子を兼ねており、また、前記半導体レーザチップ１５及びモニター用ホォトダイオード１４の各々に対する第２及び第３リード端子２２，２３は、前記キッャプ体１２における枠型本体１６の内部に形成されている。更にまた、図３に示すように、前記サブマウント１３の上面のうち半導体レーザチップ１５における後方劈開面１５ｂとモニター用ホォトダイオード１４との間には、前記後方劈開面１５ｂから発射されるモニター用レーザ光線をモニター用ホォトダイオード１４に導くための透明又は半透明合成樹脂製の導波体２４が塗着されている。
　【００２１】
　このように構成すると、半導体レーザチップ１５を、放熱板１１の上面に対して横向きに装着したものでありながら、この横向きの半導体レーザチップ１５における前方劈開面１５ａからのレーザ光線Ｅを、反射部２１による方向変換によって、キャップ体１２におけるガラス板１７を透して放熱板１１の上面から上向きの方向に発射することができるのである。
　【００２２】
　従って、半導体レーザチップ１５を、放熱板１１の上面に対して縦向きにして装着することを必要としないから、従来のパッケージ型半導体レーザ装置において、半導体レーザチップを縦向きに取付けることのために必要であったヒートシンクを廃止することができるのである。
　【００２３】
　図５及び図６は、第２の実施例を示すもので、この第２の実施例は、放熱板１１の上面にサブマウント１３を介して横向きに装着した半導体レーザチップ１５における後方劈開面１５ｂを反射膜２５にて完全に塞ぐことによって、レーザ光線の全てが前方劈開面１５ａから発射するようにする一方、前記キャップ体１２の枠型本体１６内における反射部用装着部２０に、モニター用のホォトダイオード２６を装着し、このホォトダイオード２６の表面に、前記半導体レーザチップ１５における前方劈開面１５ａから発射されるレーザ光線の大部分（約８０％）をキャップ１２におけるガラス板１７に向かって方向変換し残りのレーザ光線をホォトダイオード２６に対して透すようにした反射膜２１ａを設けたものである。
　【００２４】
　なお、この第２の実施例では、前記キャップ体１２における枠型本体１６は、液晶ポリマーによって形成され、更に、この図において符号２２ａは、前記半導体レーザチップ１５に対する第２リード端子を、符号２３ａ，２３ｂは、前記モニター用ホォトダイオード２６に対するリード端子を各々示し、これら各リード端子２２ａ，２３ａ，２３ｂは、前記キャップ体１２における液晶ポリマー製枠型本体１６の表面に形成されている。
　【００２５】
　この第２の実施例によると、半導体レーザチップ１５における前方劈開面１５ａから発射するレーザ光線Ｅを、ホォトダイオード２６にて直接的にモニターすることができるから、モニターの出力を高くすることができると共に、レーザ光線のモニターによる制御精度を向上できる利点がある。
　【００２６】
　次に、図７及び図８は、第３の実施例を示し、この第３の実施例は、薄金属板製の放熱板１１に対して平面コ字状の切り線２７を刻設し、その内側の部分を、上向きに折り曲げることによって、前記反射部２１を装着するための装着部２０ａを一体的に形成するようにしたものである。
　【００２７】
　なお、前記のように、平面コ字状の切り線２７を刻設し、その内側の部分を上向きに折り曲げることによって反射部用の装着部２０ａを形成するようにすると、前記切り線２７の部分には、貫通孔２７ａが形成されることになるが、この貫通孔２７ａは、合成樹脂２８の充填によって塞ぐようにする。
　【００２８】
　そして、この第３の実施例は、前記各実施例のようにキャップ体１２側に反射部装着用の装着部２０を一体的に設けることに代えて、放熱板１１側に反射部装着用の装着部２０ａを一体的に設けたものである。
　【００２９】
　特に、放熱板１１側に反射部装着用の装着部２０ａを一体的に設けた場合には、レーザチップ１５と、これに対する反射部２１とを、別の部品ではなく、一つの放熱板１１に対して装着することができるので、前記半導体レーザチップ１５とこれに対する反射部２１との間における寸法及び角度の精度、つまり、レーザ光線Ｄの発射角度及び発射位置の精度を、前記反射部用の装着部２０をキャップ体１２側に一体的に設ける場合よりも大幅に向上できるのであり、しかも、放熱板１１に対して前記半導体レーザチップ１５及び反射部２１を装着したのち、キャップ体１２を装着すれば良くて、組立て工程が、前記反射部２１をキャップ体１２側に装着する場合よりも簡単になるから、製造コストを、前記第１〜第３の実施例の場合よりも低減できる利点がある。
　【００３０】
　また、このように反射部用の装着部を、放熱板１１側に一体的に設けるに際しては、図９及び図１０に示す第４の実施例のように、放熱板１１を部分的に凹み変形するようにした形態の反射部用装着部２１ｂに構成するようにしても良く、このようにすることにより、前記第３の実施例のように貫通孔２７ａを合成樹脂にて塞ぐことを必要としないのである。しかし、前記第３の実施例のような形態の反射部用の装着部２０ａに構成すると、反射部２１の傾斜角度を微細に調節することができる。
　【００３１】
　更にまた、図１１〜図１３は、第５の実施例を示し、この第５の実施例は、放熱板１１の上面に絶縁膜２９を形成し、この絶縁膜２９の表面に、サブマウント１３の上面における半導体レーザチップ１５に対する第１リード端子３０と、第２及び第３リード端子２２ｂ，２３ｃとを、導体膜の配線パターンとして形成したものであり、このように、前記各リード端子３０，２２ｂ，２３ｃを、放熱板１１に対して導体膜の配線パターンとして形成することにより、これらのリード端子を形成することが、当該各リード端子を前記各実施例のように、キャップ体１２における枠型本体１６側に形成する場合よりも簡単にできるから、製造コストを、前記第１〜第４の実施例の場合よりも低減できるのである。
　【００３２】
　なお、この第５の実施例においては、半導体レーザチップ１５付きのサブマウント１３を、放熱板１１に対して絶縁膜を介することなく直接的に装着する一方、前記第２及び第３リード端子２２ｂ，２３ｃのみを、前記放熱板１１の表面に絶縁膜を介して形成することによって、前記第１リード端子３０を、放熱板１１にて兼用するように構成しても良いのである。
　【００３３】
　また、前記放熱板１１に、図１４に示すように、キャップ体１２からの延長部１１ａを設けて、この延長部１１ａに、半導体レーザ装置１０の取付け孔３１を穿設するように構成しても良いのである。
　【００３４】
　更にまた、前記各実施例は、キャップ体１２を、枠型本体１６と、その上面に接着材又はガラス用金属半田１８にて接合したガラス板１７とによって構成した場合を示したが、本発明は、これに限らず、図１５に示すように、透光性を有する合成樹脂等にて一体的に形成したキャップ体１２ａにするようにしても良く、このようにすることにより、部品点数が少なくなると共に、製造工程が簡単になるから、製造コストを大幅に低減できるのである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明における第１の実施例による半導体レーザ装置の縦断正面図である。
　【図２】図１の平面図である。
　【図３】図１の要部拡大図である。
　【図４】第１の実施例による半導体レーザ装置を分解した状態の斜視図である。
　【図５】本発明における第２の実施例による半導体レーザ装置の縦断正面図である。
　【図６】第２の実施例による半導体レーザ装置の斜視図である。
　【図７】本発明における第３の実施例による半導体レーザ装置の縦断正面図である。
　【図８】第３の実施例の半導体レーザ装置における放熱板の斜視図である。
　【図９】本発明における第４の実施例による半導体レーザ装置の縦断正面図である。
　【図１０】図９のＸ−Ｘ視断面図である。
　【図１１】本発明における第５の実施例による半導体レーザ装置の縦断正面図である。
　【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ視平断面図である。
　【図１３】第５の実施例の半導体レーザ装置における放熱板の斜視図である。
　【図１４】本発明における他の実施例を示す斜視図である。
　【図１５】本発明における更に他の実施例を示す分解状態の斜視図である。
　【図１６】従来における半導体レーザ装置の縦断正面図である。
　【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ視断面図である。
　【図１８】図６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ視断面図である。
　【符号の説明】
　１０　半導体レーザ装置
　１１　放熱板
　１２，１２ａ　キャップ体
　１３　サブマウント
　１５　半導体レーザチップ
　１６　枠型本体
　１７　ガラス板
　２０，２０ａ，２０ｂ　反射部用装着部
　２１，２１ａ　反射部
　２２，２３，２２ａ，２３ａ，２３ｂ，２２ｂ，２３ｃ，３０　リード端子
　２６　モニター用ホォトダイオード