【事件の表示】
　特許第３３９４４８８号「窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３９４４８８号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．出願の経緯・本件発明
　本件特許第３３９４４８８号に係る出願は、平成１２年１月２４日に出願されたものであって、平成１５年１月３１日に設定登録がなされ、その後寺田卓司より、請求項１ないし６に係る発明につき特許異議の申立てがなされたものである。
　そして請求項１ないし６に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】窒化ガリウム系半導体発光素子において、Ｐ型ＧａＮ半導体層の上に電流拡散層として一層目が真空蒸着法によって形成された下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜と、このＩＴＯ膜の上にスパッタリング法で形成された上側透明電極膜としてのＩＴＯ膜とを有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
【請求項２】前記下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜は、膜厚が約１００Åであることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系半導体発光素子。
【請求項３】前記下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜は、ＳｎＯ２が２〜２０％であることを特徴とする請求項１又は２記載の窒化ガリウム系半導体発光素子。
【請求項４】窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法において、Ｐ型ＧａＮ半導体素子の上に電流拡散層として真空蒸着法によって下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜を形成する工程と、前記下側透明電極膜の上にスパッタリング法で上側透明電極膜としてのＩＴＯ膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】前記下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜は、膜厚が約１００Åであることを特徴とする請求項４記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】前記下側透明電極膜としてのＩＴＯ膜は、ＳｎＯ２が２〜２０％であることを特徴とする請求項４又は５記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。」（以下、「本件発明１」ないし「本件発明６」という。）
　
２．特許異議申立の概要
　異議申立人は、下記取消理由１，２により、本件特許は特許法第１１３条第２号および同第４号により取り消されるべきであると主張する。
（１）取消理由１（第２９条第２項について）
　本件請求項１ないし６は、甲第１号証または甲第２号証の記載に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、進歩性（特許法第２９条第２項）を欠くものである。
　　　　　記
甲第１号証：特開平１０−１７３２２４号
甲第２号証：特開平１１−３３５８１５号
参考資料１：特開平１０−２３９６９７号
参考資料２Ａ：麻蒔立男「薄膜作成の基礎（第２版）」日刊工業新聞社（１９８４年７月３０日発行）
参考資料２Ｂ：石橋啓次「スパッタリング法による薄膜形成」セラミックス３３，ＮＯ．１０（１９９８）
参考資料３：実開平６−３８２６５号
参考資料４：特開平２−１６２７２１号
参考資料５：「先端電子材料事典」シーエムシー（１９９１年３月１５日発行）
参考資料６：特開２００１−２１０８６７号公報（本件特許の公開公報）
　
（２）取消理由２（第３６条第６項第２号について）
　本願は、以下の理由で特許法第３６条第６項第２号に違反するものである。
（ａ）Ｚｎ層の構成要件が欠落
　本件発明に係る窒化ガリウム系半導体発光素子は、「動作電圧が十分に低く、光の取り出し効率も従来のものより高いことが確認されている」（【発明の効果】）と記載され、また後述する特許権者提出の意見書では「８０％以上の光透過率を達成できたのは、本願発明が初めてである」と主張する。しかしながら、このような効果を得ているのは、本発明の請求項でなく実施の形態に係る構成によるものである。
　このｐ型ＧａＮ層と下側ＩＴＯ膜との間に、「膜厚が数十ÅのＺｎ膜」が存在するという必須の構成が、いずれの請求項にも含まれておらず、また斯かるＺｎ膜がどのような目的で挿入され、どのような作用を奏しているか、何ら説明もない（請求項１によれば「Ｐ型ＧａＮ半導体層の上に…真空蒸着法によって形成された…ＩＴＯ膜」とあるのみで、介在層の可能性を示唆する記述はない）。
　これによればｐ型ＧａＮ層６００と下側ＩＴＯ膜８１０との間に、「膜厚が数十ÅのＺｎ膜７００」（【００２２】および図１）が存在している。本件発明の実施の形態には、ｐ型ＧａＮ層と下側ＩＴＯ膜との間に、「膜厚が数十ÅのＺｎ膜」が存在する窒化ガリウム系半導体発光素子が開示されているのみであり、逆にＺｎ膜を含まない実施の形態はない。付言すると、審査段階で削除された実施の形態には、いずれも「膜厚が数十ÅのＺｎ膜」が存在していた（参考資料６）。
　一方、本件特許の作用として、「ＩＴＯ膜８００の形成にあたっては、プラズマのような高エネルギー状態の粒子をＰ型ＧａＮ層であるＭｇドープＧａＮ層６００を直撃しないようにすればよいと考えられる。」と記載される（【００３７】）。
　しかしながら、このｐ型ＧａＮ層と下側ＩＴＯ膜との間に、「膜厚が数十ÅのＺｎ膜」が存在するという必須の構成が、いずれの請求項にも含まれておらず、また斯かるＺｎ膜がどのような目的で挿入され、どのような作用を奏しているか、何ら説明もない（請求項１によれば「Ｐ型ＧａＮ半導体層の上に…真空蒸着法によって形成された…ＩＴＯ膜」とあるのみで、介在層の可能性を示唆する記述はない）。
　よって、本件特許明細書に記載の効果を得るためには、「数十ÅのＺｎ層」を介在させることが必須となるところ、そのような重要な構成要件を欠いた請求項の発明は不明瞭であり、特許法第３６条第６項第２号に違反する。
（ｂ）ＩＴＯの膜厚が特定されていない
　請求項１および４には、各層の厚さ、特に下側ＩＴＯ層の厚さが特定されていない。この結果、上側ＩＴＯ層に比して下側ＩＴＯ層が極めて薄い場合も文言上請求項１に含まれる。下側ＩＴＯ膜が極めて薄いとプラズマの直撃からＰ型ＧａＮ層を十分保護できなくなり、ｐ型ＧａＮ層の表層が高抵抗化してひいては「動作電圧が低く光の取り出し効率の高い」という本発明の効果が果たせなくなる。
　したがって、現実的に発明の効果が期待できるような膜厚が下側ＩＴＯ膜に必要であり、このような条件のない請求項１は実施不能であって特許法第３６条第６項第２号に違反する。
　
３．甲号証の記載事項
　甲第１号証（特開平１０−１７３２２４号公報）には、次のことが記載されている。
「【００２７】【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１〜３は、本発明の第一実施形態に係わるＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法を示す断面構造図である。
【００２８】まず、サファイア基板１の上にＧａＮバッファ層３、ｎ型ＧａＮ層５、及びｐ型ドーパントであるＭｇを含むｐ型ＧａＮ層７を結晶成長させる（図１（Ａ））。次に、ｐ型ＧａＮ層７にＰＥＰ法によるパターニングとエッチングを行い、ｎ型ＧａＮ層５を露出させる。さらにＰＥＰ法を用いてパターニングを行い、露出したｎ型ＧａＮ層５の上にＴｉ／Ａｕ等を蒸着し、ｐ型ＧａＮ層７と絶縁されるＮ側電極９をリフトオフ法によって形成する。オーミック電極とするために７００℃で２０分間のアニールを行う（図１（Ｂ））。
【００２９】この後、熱ＣＶＤ法により、絶縁膜となるＳｉＯ２膜１１を形成する（図２（Ａ））。ＳｉＯ２膜１１を、ＰＥＰ法によって一部領域を残してパターニングする。ｐ型ＧａＮ層７の上のＳｉＯ２膜１１が形成されていない領域に、金属薄膜電極１３となるＭｇ／Ｎｉ＝１ｎｍ／２ｎｍを蒸着する。次いで、ＲＦスパッタ法によって厚さ１００ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）透明電極１５を形成した後、リフトオフすることによってｐ型ＧａＮ層７と同一ｐ型ドーパントであるＭｇを含む金属薄膜電極１３が形成される。金属薄膜電極１３とｐ型ＧａＮ層７との間の密着性とオーミック性を向上させるため、５００℃、１０分のアニールを行う（図２（Ｂ））。
【００３０】さらに、ＰＥＰ法によるパターニングとエッチングを行い、ＳｉＯ２膜１１の上に、ＩＴＯ透明電極１５の一部と接するボンディングパッド用Ｐ側電極１７をＴｉ／Ａｕ等で形成する。この時、Ｎ側電極９を覆うＳｉＯ２膜１１も同時に除去し、Ｔｉ／Ａｕ等の金属をオーバーコートする（図３）。」
　
　甲第２号証（特開平１１−３３５８１５号公報）には、次のことが記載されている。
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，錫含有酸化インジウム多結晶透明導電膜付き基板に関し、とりわけ液晶表示素子などの透明電極に好適に用いられる低圧縮応力のＩＴＯ透明導電膜付き基板とその膜を成膜するための成膜装置に関する。
【０００２】【従来の技術】従来、ＩＴＯ透明導電膜の比抵抗を下げる方法として，いくつかの方法が提案されてきた。…
【０００３】しかしながら、アーク放電プラズマを用いた成膜法によるＩＴＯ多結晶膜は，その原因について十分に解明されていないが、膜の圧縮応力が著しく大きいという問題点があった。とりわけシート抵抗を低くするために透明導電膜の厚みを厚くすると、圧縮応力値が大きくなる。…
【０００５】【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来技術の有していた前述の欠点を解決しようとするもので、より低い圧縮応力と低比抵抗を兼ね備えたＩＴＯの透明導電膜付き基板並びにその基板を効率よく製造する成膜装置を提供するものである。…
【００１６】請求項５の発明は…第１層の錫含有酸化インジウムの厚みを２ｎｍ以上とすることを特徴とする。第１層の厚みは，２ｎｍ以上とするのが…好ましい。２ｎｍ未満であると、ＡＰ法で成膜される第２層の粒子成長への影響が小さく、透明導電膜の圧縮応力を低減する効果が小さくなる。
【００１７】請求項６の発明は、…第１層の錫含有酸化インジウムの厚みを８０ｎｍ以下とすることを特徴とする。…
【００２３】【発明の実施の形態】図１は、本発明の透明導電膜付き基板２０の一実施例の断面図で、ガラス板２５とその上に形成されたＲＧＢのカラーフィルタ２４からなる基板２６上に、ＩＴＯ透明導電膜２１が成膜されている。そして、このＩＴＯ透明導電膜２１は、
直流スパッタリング法で成膜された第１層のＩＴＯ
アーク放電プラズマ法により成膜された第２層のＩＴＯ
【００３２】以下に本発明を実施例で説明する。
（実施例）用いた基板は、いずれの実施例、比較例においても、基板としてガラス板上にカラー液晶表示用のＲＧＢカラーフィルタが形成されたものを用い、成膜時の温度を２００℃とした。…成膜の条件は下記の通りである。
【００３３】１）
スパッタリング法（ＳＰ法）
２）
電子ビーム蒸着法（ＥＢ法）
【００４２】実施例２
予備検討として、
電子ビーム蒸着法により、ＩＴＯを１００ｎｍ成膜
【００４３】このＩＴＯを下地層として、全厚みが３００ｎｍとなるように、
アーク放電プラズマ法で第２層のＩＴＯを成膜した
【００５７】【発明の効果】本発明にかかる透明導電膜は、２層の積層体で構成される。第１層のアーク放電プラズマ法以外の成膜法により成膜されたＩＴＯは、第２層のアーク放電プラズマ法により成膜されるＩＴＯの粒子成長に影響を与え、第２層のＩＴＯを小さい圧縮応力の層にする。これにより、本発明にかかる透明導電膜は、第２層のＩＴＯが有する低比抵抗の特性を有するとともに、全体として小さい圧縮応力を有する膜となる。」
　
４．対比・判断
（１）取消理由１について
＜本件発明１について＞
　本件発明１と異議申立人が提出した甲第１号証とを対比すると、両者は、「窒化ガリウム系半導体発光素子において、Ｐ型ＧａＮ半導体層の上に電極膜と、この電極膜の上にスパッタリング法で形成された透明電極膜としてのＩＴＯ膜とを有する窒化ガリウム系半導体発光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本件発明１は、「電流拡散層として一層目が真空蒸着法によって形成された下側透明」電極膜としての「ＩＴＯ膜」を有するのに対し、甲第１号証には、スパッタリング法で形成された透明電極膜としてのＩＴＯ膜下には、金属薄膜電極１３であるＭｇ／Ｎｉが配置されることが記載されているものの、製造方法の異なるＩＴＯ膜を２層とする点については記載がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　甲第２号証は、液晶表示素子などの透明電極に用いられる低圧縮応力のＩＴＯ透明導電膜付き基板に関するものであって、本件発明１の窒化ガリウム系半導体発光素子とは技術分野を異にするばかりでなく、その課題も、甲第２号証に「【発明の効果】本発明にかかる透明導電膜は、２層の積層体で構成される。第１層のアーク放電プラズマ法以外の成膜法により成膜されたＩＴＯは、第２層のアーク放電プラズマ法により成膜されるＩＴＯの粒子成長に影響を与え、第２層のＩＴＯを小さい圧縮応力の層にする。これにより、本発明にかかる透明導電膜は…小さい圧縮応力を有する膜となる。」と記載されているように、低圧縮応力の膜を作ることであって、本件発明の目的とは相違する。
　また、ｐ型ＧａＮ層７と同一ｐ型ドーパントであるＭｇを含むＭｇ／Ｎｉ金属薄膜電極を、ｐ型ドーパントとは無縁のＩＴＯ膜にする動機付けは認められないばかりでなく、甲第２号証においては、蒸着ＩＴＯ膜にアーク放電プラズマ法でＩＴＯ膜を形成したことによりＩＴＯ膜が小さい圧縮応力の層になっているが、このようなＩＴＯ膜同士の組合せを度外視して、甲第１号証のスパッタリング法で形成された上層のＩＴＯ膜だけを残して、下層の金属薄膜電極１３を甲第２号証の蒸着ＩＴＯで置き換える理由も見出せない。
　なお、この点については、参考資料１〜５をみても記載されていない。
　よって本件発明１は、甲第１，２号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
＜本件発明２，３について＞
　本件発明２は、本件発明１の技術的事項にさらに限定を加え、本件発明３は、本件発明１または２の技術的事項にさらに限定を加えたものであるから、その判断は上記＜本件発明１について＞で記載したと同様である。
　
＜本件発明４について＞
　本件発明４は、本件発明１同様の技術的事項を製造方法として規定したものであるから、その判断は上記＜本件発明１について＞で記載したと同様である。
　
＜本件発明５，６について＞
　本件発明５は、本件発明４の技術的事項にさらに限定を加え、本件発明６は、本件発明４または５の技術的事項にさらに限定を加えたものであるから、その判断は上記＜本件発明４について＞と同様である。
　
（２）取消理由２について
　「（ａ）Ｚｎ層の構成要件が欠落」しているとの理由として、「このような効果を得ているのは、本発明の請求項でなく実施の形態に係る構成による」と主張するが、Ｚｎ層がない場合に本件発明の作用効果を奏さないという反証が挙げられているわけでもないから、本件発明は重要な構成要件を欠いているとはいえない。付言するに、特許法第３６条第６項第２号は、「特許を受けようとする発明が明確であること。」を規定するものであって、Ｚｎ層を欠いていても発明は明確であるから、これが特許法第３６条第６項第２号に違反するともいえない。
　また、「（ｂ）ＩＴＯの膜厚が特定されていない」との主張については、特許請求の範囲からは本件発明の効果を奏さないような極端な場合が無いとはいえないとはいっても、発明の詳細な説明には実施の形態が具体的に示されており、またその膜厚は、技術常識から判断して作用効果を奏するような膜厚を有するものと解するのが相当であることから、下側ＩＴＯ層の厚さが特定されていないとしても、発明が不明確であるとはいえない。
　よって、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に違反するとはいえない。
　
　なお、請求人は、請求理由１４頁４行〜１８頁１８行において、明細書等の瑕疵について縷々述べているが、これが特許法のどの条文に違反するのかを指摘しておらず、採用するに足らないものである。
　
５．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１２月６日（２００４．１２．６）