【事件の表示】
　特許第３３０４３６１号「集束イオンビームを用いたエッチング法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３０４３６１号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３３０４３６１号（平成３年１月２５日出願、平成１４年５月１０日設定登録）は、特許異議申立人今井　文より、請求項１に係る特許について特許異議の申立てがなされ、当審で取消理由が通知され、平成１７年２月１６日付で特許異議意見書が提出されたものである。
　　
［２］特許異議の申立てについて
［２−１］本件発明
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】集束イオンビームを試料に照射して試料をエッチング処理するエッチング方法であり、エッチング処理は、試料よりエッチング速度が遅く、かつ照射に用いる集束イオンビームのイオンの侵入長よりも厚い膜厚の膜で予め試料を覆って行うものであり、前記膜の膜厚は、エッチング処理の終了時において、少なくとも前記照射用集束イオンビームのイオンの侵入長よりも厚い膜が残るように形成されることを特徴とするエッチング方法。」
　　
［２−２］刊行物とその記載内容
　当審で通知した取消理由で引用した、本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物である下記引用刊行物１、２には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
引用刊行物１：特開昭６０−５７９３５号公報（特許異議申立人今井　文の提出した甲第３号証） 
引用刊行物２：特開昭６０−５７９３１号公報 
 　　 
（１）引用刊行物１（特開昭６０−５７９３５号公報）
　引用刊行物１には、
「ビーム強度がガウシャン分布で広がる集束イオンビームを用いた微細パターン形成方法において被加工材の上に集束イオンビームに対して被加工材よりも低いエッチングレートをもつ薄膜を形成し、集束イオンビームを照射して集束イオンビームの強度分布を反映した薄膜のエッチングを行ない、ビーム強度最大のビーム先端において、所望の加工幅のパターン穴をあけた薄膜パターンを形成し、次に前記イオンビームと同じか、あるいは異なる種類の集束イオンビームにより下層の被加工材に所望のパターンをエッチングすることを特徴とする微細パターン形成方法。」（特許請求の範囲）、
「現在、集束イオンビームリソグラフィ技術で問題となっている点は、所望の径までイオンビームを集束させることが難かしい点である。これに対しフィラメントの改善や集束限界を上げるための高加速電圧化が図られているが、多くのイオンソースはエネルギー分散や空間分散がガウシャン分布をもつある程度のビーム広がりを示すのが現状である。このビーム広がりにより集束イオンビームのもつ利点を十分生かせない問題があった。本発明の目的は集束イオンビームのビーム広がりに伴なう従来の集束イオンビームリソグラフィ技術の問題点を改善する微細パターン形成方法を提供することである。本発明によれば、ビーム強度がガウシャン分布で広がる集束イオンビームを用いた微細パターン形成方法において被加工材の上に集束イオンビームに対して被加工材よりも低いエッチングレートをもつ薄膜を形成し、集束イオンビームを照射して集束イオンビームの強度分布を反映した薄膜のエッチングを行ない、ビーム強度最大のビーム先端において、所望の加工幅のパターン穴をあけた薄膜パターンを形成し、次に前記イオンビームと同じか、あるいは異なる種類の集束イオンビームにより下層の被加工材に所望のパターンをエッチングすることを特徴とする微細パターン形成方法」（第１頁右下欄１９行〜第２頁右上欄４行）、
　第１図（a）（b）、第２図（a）（b）（c）が示されるとともに、「集束イオンビームは第１図（a）の様なガウシャン分布のビーム広がりを持つのが普通である。この様な集束イオンビームの強度分布を反映して集束イオンビームによるエッチングプロファイルは第１図（b）の様なものが得られる。・・・第２図は本発明のパターン形成手順を説明するための断面図である。先ず、被加工材２２の上に被加工材よりも低いエッチングレートをもちマスクとなる薄膜２３を形成する（（a）図）。・・・次いで、集束イオンビーム２４を用いて、薄膜２３のエッチングを行う。エッチングプロファイル断面１２の先端部が薄膜２３と被加工材２２の境界面に達した時点の概略断面図を（b）図に示す。この時点から更に集束イオンビームによるエッチングを進め、被加工材２２に対し、予じめ求めたエッチングレートに従って一定時間集束イオンビームを照射することにより、所望の深さのエッチングを行なう（（c）図）。この間薄膜２３もエッチングが進むが被加工材とのエッチングレート差の大きい薄膜材料を選ぶことにより集束イオンビームの広がりよりも小さな寸法のパターン加工が実現できる。」（第２頁右上欄７行〜左下欄１３行）が記載されている。　　 
（２）引用刊行物２（特開昭６０−５７９３１号公報） 
　引用刊行物２には、第２図（a）（b）（c）（d）が示されるとともに、 
「先ず、基板２１上の被加工材（被イオン注入材）２２の上にマスク用薄膜２３を形成する。（（a）図） 
　次いで、集束イオンビーム２４を用いて薄膜２３のエッチングを行なう。エッチングプロファイル断面の先端が薄膜２３と被加工材２２の境界面に達し所望の寸法の開孔２５が形成された時点でエッチングを止める（（b）図）。 
　次にこの開孔２５を通して、第２図（c）の様に所望のイオンビーム２６を被加工材２２の所望の領域パターン２７に注入する。マスク薄膜２３としてスパッタリングイールドが被加工材２２より十分低いものを用いれば、開孔２５の注入イオンビーム２６による変形は少ない。またマスク材の加工が特に困難でなければ、マスク形成用イオンビーム２４と注入用イオンビーム２６は共通で構わない。 
　本発明の方法によって（d）図に示すような素子を形成できる。本実施例では半絶縁性ＧａＡｓ基板２１上に、被加工材２２としてＮ型のＧａＡｓ層を厚さ約０．１μｍエピタキシャル成長し、その上にＳｉＯ２薄膜２３を厚さ約０．２μｍ形成した（第２図（a））。次いでＡｕ−Ｂｅ共晶合金イオン源から引きだしＥＸＢ質量分離器でＡｕイオンのみとりだした集束イオンビーム２４を用いてマスク材のエッチングを行った。イオンビームは加速電圧１００ＫＶ，プローブ電流１００ＰＡ，ビーム広がりの半値幅は約１００ナノメータである。Ａｕイオンによりエッチングが進み開孔２５が形成され、ビーム先端が第２図（b）の様に被加工材２２表面に達したとき、ＥＸＢ質量分離器により、Ａｕイオンを除きＢｅイオンのみの収束イオンビーム２６を注入する（第２図（c））。ビーム先端が被加工材表面に達したかどうかは、あらかじめ調べておいた材料による２次電子放出のイールドの違いにより判断する。加工幅も開孔面積による２次電子放出量の変化で判断できる。Ｂｅイオンのみのビーム広がりの半値幅も約１００ナノメータであるが、マスクパターンの幅はより細いパターンのものが得られ、具体的には約５０ナノメータ幅の注入領域パターン２７が得られた。」（第２頁右上欄１３行〜右下欄１０行）が記載されている。 
 　　 
［２−３］対比・判断 
　上記［２−２］（１）に摘記した事項を総合すると、引用刊行物１には、「集束イオンビームを被加工材に照射して所望のパターンをエッチングする微細パターン形成方法であり、被加工材の上に集束イオンビームに対して被加工材よりも低いエッチングレートをもつ薄膜を予め形成し、集束イオンビームを照射して集束イオンビームの強度分布を反映した薄膜のエッチングを行ない、ビーム強度最大のビーム先端において、所望の加工幅のパターン穴をあけた薄膜パターンを形成し、次に集束イオンビームにより下層の被加工材に集束イオンビームの広がりよりも小さな寸法の所望のパターンをエッチングする微細パターン形成方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
　そして、本件発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「被加工材」、「所望のパターンをエッチングする微細パターン形成方法」、「被加工材の上に集束イオンビームに対して被加工材よりも低いエッチングレートをもつ薄膜を予め形成し」はそれぞれ、本件発明１における「試料」、「エッチング処理するエッチング方法」、「試料よりエッチング速度が遅く・・・膜で予め試料を覆って」に相当し、また、引用発明における「集束イオンビームの強度分布を反映した薄膜のエッチングを行ない、ビーム強度最大のビーム先端において、所望の加工幅のパターン穴をあけた薄膜パターンを形成し、次に集束イオンビームにより下層の被加工材に集束イオンビームの広がりよりも小さな寸法の所望のパターンをエッチングする」は、所望の加工幅のパターン穴をあけたエッチング領域は、集束イオンビームの広がりよりも小さな寸法であり、該エッチング領域以外の被加工材の領域は、該エッチング領域のエッチング処理中、該エッチング処理の終了時まで、集束イオンビームの広がりによってエッチングされないように、薄膜で遮蔽して保護することを意味しているのであるから、本件発明１における「エッチング処理の終了時において・・・膜が残る」に相当する。
　してみると、両者は、「集束イオンビームを試料に照射して試料をエッチング処理するエッチング方法であり、エッチング処理は、試料よりエッチング速度が遅い膜で予め試料を覆って行うものであり、エッチング処理の終了時において膜が残るように形成されるエッチング方法」の点で一致し、下記（イ）の点で相違する。 
（イ）本件発明１では、予め試料を覆う膜は、照射に用いる集束イオンビームのイオンの浸入長よりも厚い膜厚を有し、エッチング処理の終了時において、少なくとも同イオンの浸入長よりも厚い膜が残るように形成されているのに対して、引用発明では、そのように記載されていない点。 
　そこで、上記相違点（イ）について以下検討するに、イオンエッチングにおいて、イオンの浸入が被加工材にダメージを与えることは本件出願前周知の事項であり（例えば、特開昭６１−２３３３８号公報，第１頁右下欄１８行〜第２頁左上欄５行，特開昭６３−５５９５７号公報，第２頁左下欄３〜６行，特開平１−２００６３１号公報，第１頁右下欄１０〜１７行参照）、また、引用刊行物２に、「先ず、基板２１上の被加工材（被イオン注入材）２２の上にマスク用薄膜２３を形成する。・・・次いで、集束イオンビーム２４を用いて薄膜２３のエッチングを行なう。エッチングプロファイル断面の先端が薄膜２３と被加工材２２の境界面に達し所望の寸法の開孔２５が形成された時点でエッチングを止める・・・次にこの開孔２５を通して、第２図（c）の様に所望のイオンビーム２６を被加工材２２の所望の領域パターン２７に注入する。・・・マスクパターンの幅はより細いパターンのものが得られ、具体的には約５０ナノメータ幅の注入領域パターン２７が得られた。」（上記［２−２］（２）の摘記参照）と記載されるように、マスク用薄膜の開孔部以外の被加工材への集束イオンビームのイオンの浸入を、該マスク用薄膜により防ぐことも本件出願前周知の事項であり、そのためには、該マスク用薄膜が被加工材上に集束イオンビームのイオンの浸入長よりも厚く形成され、且つ、イオン注入領域以外の被加工材上の領域に、エッチング処理の終了時までイオンの浸入長よりも厚く保持される必要があることは自明の事項であるから、引用発明における被加工材の集束イオンビームによるエッチング処理において、その処理中に該被加工材にイオンが浸入してダメージを与えないように、該被加工材を覆う膜の膜厚を、照射に用いる集束イオンビームのイオンの浸入長よりも厚く形成し、且つ、エッチング処理の終了時に集束イオンビームのイオンの浸入長よりも厚い膜厚が残るように形成することは、当業者が容易に想到し得ることである。　 
　また、それによる効果も、引用発明、及び上記周知の事項から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものは見出せない。 
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明、及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　なお、特許権者は、特許異議意見書において、引用刊行物１、２、及び上記周知の事項の記載例として取消理由通知書に提示した刊行物（特開昭６１−２３３３８号公報，特開昭６３−５５９５７号公報，特開平１−２００６３１号公報）のいずれにも、加工部分のエッジが丸くなるというエッチング形状劣化の課題については記述されていないと主張している。
　しかしながら、引用刊行物１には、「現在、集束イオンビームリソグラフィ技術で問題となっている点は、所望の径までイオンビームを集束させることが難かしい点である。これに対しフィラメントの改善や集束限界を上げるための高加速電圧化が図られているが、多くのイオンソースはエネルギー分散や空間分散がガウシャン分布をもつある程度のビーム広がりを示すのが現状である。このビーム広がりにより集束イオンビームのもつ利点を十分生かせない問題があった。本発明の目的は集束イオンビームのビーム広がりに伴なう従来の集束イオンビームリソグラフィ技術で問題点を改善する微細パターン形成方法を提供することである。」、「集束イオンビームは第１図（a）の様なガウシャン分布のビーム広がりを持つのが普通である。この様な集束イオンビームの強度分布を反映して集束イオンビームによるエッチングプロファイルは第１図（b）の様なものが得られる。」との記載及び第１図（a）（b）により、集束イオンビームのビーム広がりによる加工部分のエッチング形状劣化の課題について述べられ、そして、該エッチング形状劣化には、集束イオンビームのビーム広がりにより加工部分のエッジが丸くなることが含まれることは明らかである。また、「本発明の目的は集束イオンビームのビーム広がりに伴なう従来の集束イオンビームリソグラフィ技術で問題点を改善する微細パターン形成方法を提供することである。本発明によれば、ビーム強度がガウシャン分布で広がる集束イオンビームを用いた微細パターン形成方法において・・・ビーム強度最大のビーム先端において、所望の加工幅のパターン穴をあけた薄膜パターンを形成し、次に前記イオンビームと同じか、あるいは異なる種類の集束イオンビームにより下層の被加工材に所望のパターンをエッチングする」、「集束イオンビーム２４を用いて、薄膜２３のエッチングを行う。エッチングプロファイル断面１２の先端部が薄膜２３と被加工材２２の境界面に達した時点の概略断面図を（b）図に示す。この時点から更に集束イオンビームによるエッチングを進め、被加工材２２に対し、予め求めたエッチングレートに従って一定時間集束イオンビームを照射することにより、所望の深さのエッチングを行なう（（c）図）。この間薄膜２３もエッチングが進むが被加工材とのエッチングレート差の大きい薄膜材料を選ぶことにより集束イオンビームの広がりよりも小さな寸法のパターン加工が実現できる。」との記載により、上記の課題を解決して集束イオンビームの広がりよりも小さな寸法のパターン加工ができることが述べられるとともに、第２図（c）には、被加工材のエッジが集束イオンビームのビーム広がりの形状より急峻な形状となり、該エッジが丸くなるのが抑制されることが示されているのであるから（上記［２−２］（１）の摘記参照）、特許権者の上記主張は採用できない。
 　　 
［３］むすび
　以上のとおり、本件発明１についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件発明１についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年３月３０日（２００５．３．３０）