【事件の表示】
　特許第２５３５５８１号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２５３５５８１号発明の明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．請求の要旨
　本件審判請求は、特許第２５３５５８１号（昭和６３年２月１日出願、平成８年７月８日設定登録）に係る明細書を、審判請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めたものである。
　　
２．訂正の内容
　本件訂正請求に係る訂正の内容は次のとおりである。
　なお、訂正個所には下線を施すとともに、（）内に訂正事項の符号を附してある。
　イ）特許請求の範囲の請求項１を削除（ａ）する。　
　
　ロ）「【請求項２】　少なくとも一つの端子を有する基板上に、ＣＶＤ法によりＳＰ３混成軌道を有する炭素結合を有する、アモルファス又はダイヤモンド類似の炭素薄膜を形成する工程と、
前記炭素薄膜上に、マスクを形成する工程と、
酸素を含有するエッチング用気体に、前記炭素薄膜を曝す工程と、
前記エッチング用気体にエネルギーを与えて、前記エッチング用気体を活性化させる工程と、
前記マスクで覆われた部分以外の前記炭素膜を選択的にエッチングして、前記少なくとも一つの端子は、前記炭素薄膜で覆われないようにする工程と、
により、半導体装置上に、アモルファス又はダイヤモンド類似の炭素膜よりなるパッシベーション膜を形成すること
を特徴とする炭素膜作製方法。
　【請求項３】　少なくとも一つの端子を有する基板上に、ＳＰ３混成軌道を有する炭素結合を有する、アモルファス又はダイヤモンド類似の炭素薄膜を形成する工程と、
前記炭素薄膜をマスクで覆う工程と、
前記マスクに従って前記炭素薄膜を選択的にエッチング除去して、前記少なくとも一つの端子を露呈させる工程と、
により、半導体装置上に、アモルファス又はダイヤモンド類似の炭素膜よりるなるファイナルコーティング膜を形成すること
を特徴とする炭素膜作製方法。」
を
　「【
請求項１】
端子及び配線を有する基板
により、
有し、
熱伝導度が２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上である、ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜
前記炭素薄膜上
に
酸素を含有するエッチング用気体に、前記炭素薄膜を曝す工程と、
前記エッチング用気体にエネルギーを与えて、前記エッチング用気体を活性化させる工程と、
前記マスクで覆われた部分以外の前記
炭素薄膜
により、半導体装置上
に
前記ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜よりなるパッシベーション膜
を特徴とする炭素膜作製方法。
　
【請求項２】
端子及び配線を有する基板
ＣＶＤ法により、
有し、
熱伝導度が２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上である、ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜
前記炭素薄膜
上にマスクを形成する
前記マスクに従って前記炭素薄膜を選択的にエッチング除去して、前記少なくとも一つの端子を露呈させる工程と
により、半導体装置上
に
前記ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜よりなるファイナルコーティング膜
を特徴とする炭素膜作製方法。」
と訂正する。
　　
　ハ）明細書第２頁第１１行（特許掲載公報第３欄第１７行）における「特願昭５６−１４６９３６」を「特願昭５６−１４６９３０」と訂正（ｓ）する。
　　
３．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　イ）訂正事項（ａ）は、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　　
　ロ）訂正事項（ｃ）及び（ｌ）は、基板について、「配線を有する」という構成要件を直列的に付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項（ｆ）及び（ｏ）は、炭素薄膜について、「熱伝導度が２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上である」という構成要件を直列的に付加するとともに、「アモルファス又はダイヤモンド類似の」という構成要件を「ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の」というより下位の概念に規定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項（ｊ）は、パッシベーション膜について、「アモルファス又はダイヤモンド類似の炭素膜よりなる」という構成要件を「ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜よりなる」というより下位の概念に規定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項（ｒ）は、ファイナルコーティング膜について、「アモルファス又はダイヤモンド類似の炭素膜よりなる」という構成要件を「ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜よりなる」というより下位の概念に規定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項（ｍ）は、「ＣＶＤ法により、」という構成要件を直列的に付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項（ｄ）、（ｅ）、（ｇ）、（ｎ）及び（ｑ）は、文の区切りを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　訂正事項（ｈ）及び（ｐ）は、他の個所の記載との整合性を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　訂正事項（ｂ）及び（ｋ）は、訂正事項（ａ）に係る請求項の削除に伴い、書式を整えるために、請求項の番号を順次繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　　
　ハ）訂正事項（ｓ）は、明らかに誤記の訂正に該当する。
　　
　ニ）そして、上記各訂正は、いずれも、明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　　
４．独立特許要件の判断
　イ）本件訂正請求に対して、平成１０年１１月１７日付けで「本件訂正請求によって訂正される明細書については、その記載が不備であって、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていないので、その発明は、特許法第１２６条第３項に規定する特許出願の際独立して特許を受けることができる発明に該当しない」旨の訂正拒絶理由が通知され、その後、明細書の記載不備を解消するためのデータの提出を求める審尋がなされた。
　
　ロ）訂正拒絶理由の具体的内容は以下のとおりである。
　（１）本件各請求項でいう「アモルファス構造の炭素薄膜」に包含される物質の範囲（換言すれば、かかる炭素薄膜に包含される物質と包含されない物質との境界）が不明りょうである。
　（２）本件各請求項でいう「ダイヤモンド類似の硬さ」の意味する具体的範囲が不明りょうである。
　（３）本件各請求項でいう「アモルファス構造の炭素薄膜」であって「熱伝導度２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上、及び、ダイヤモンド類似の硬さ」という物性を有するものが、実際に存在するのかどうか、そして、本件発明の実施例で得られたものがかかる物性を有しているかどうかについて疑義がある。
　（４）本件各請求項でいう「アモルファス構造の炭素薄膜」であって「熱伝導度２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上、及び、ダイヤモンド類似の硬さ」という物性を有するものを、どのようにして製造するのか、本件発明の実施例の記載のみからは、明りょうに把握することができない。
　　
　ハ）上記訂正拒絶理由及び審尋に対して請求人が提出した意見書及び回答書に代わる上申書における主張の内容は、概ね以下のとおりである。
　（１）について
　本件各請求項でいう「アモルファス構造の炭素薄膜」とは「膜全体にわたって全く微細結晶構造を含むことのない、アモルファス構造のみの炭素薄膜」を意味することは、本件訂正請求の趣旨に照らして明らかである。
　（２）について
　本件各請求項でいう「ダイヤモンド類似の硬さ」とは「ビッカース硬度２０００ｋｇ／ｍｍ２以上」を指すものであり、このことは本件明細書の発明の詳細な説明の記載に照らして明らかである。
　（３）について
　平成１１年２月２５日付け意見書に添付した資料４｛「ＩＯＮＩＣＳ」第２０巻第１号（１９９４．１）｝は、完全な非晶質構造を示すダイヤモンド状炭素膜（アモルファス構造のみの炭素薄膜）が、ダイヤモンドに匹敵する熱伝導率（２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上）を有することを裏付けるものである。
　また、平成１２年２月２０日付け上申書に添付した分析結果報告書及び硬度評価報告書は、本件明細書の実施例に記載された条件下に作製された炭素薄膜試料のラマンスペクトル測定及びナノインデンテーション試験の結果を示すもので、そのデータは、上記試料が、アモルファス状態でかつビッカース硬度換算値２０００ｋｇ／ｍｍ２以上であることを裏付けるものである。
　（４）について
　本件明細書で引用している同一出願人の出願に係る先願｛特願昭５６−１４６９３０号（特開昭５８−４８４２８号公報第２頁右下欄参照）｝明細書には、「２．４５ＧＨｚのマイクロ波による電磁エネルギにより０．１〜５ＫＷのエネルギを加えられ・・・・Ｃ−Ｃ結合を多数形成したアモルファス構造の炭素を生成する。さらにこの電磁エネルギを強くした場合はさらに５〜２００Åの大きさの微結晶のセミアモルファス構造の炭素を生成する。」として、微結晶を含むセミアモルファス構造の炭素の生成法と区別しながらアモルファス構造のみの炭素を生成させる方法が記載されている。
　そして、上記アモルファス構造を生成させるための条件は、本件明細書に開示された炭素薄膜の作製条件と矛盾するところがないから、本件明細書と併せて上記先願明細書を参照すれば、本件各請求項でいう「アモルファス構造の炭素薄膜」を当業者が作製できることは明らかである。
　　
　ニ）請求人の上記各主張及び提出された実験データによって、明細書の記載不備は全て解消されたものと認められる。
　したがって、上記訂正拒絶理由によっては、本件の請求項１及び２に係る発明を、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
　他に、本件の請求項１及び２に係る発明を、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとする理由を発見しない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本件訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成５年改正特許法第１２６条第１項第１ないし３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第２ないし３項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。