Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年8月5日(2015.8.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本目的は、前記インゴットの皮膜の温度が鋼のマルテンサイト変態開始温度Ｍｓを下回る前に、エレクトロスラグ再溶解からのインゴットを初期温度Ｔ０が次に前記鋼の冷却時のパーライト変態完了温度Ａｒ１より高い炉内に配置して、前記インゴットが前記炉内で少なくとも保持時間ｔにわたって均質化処理を受け、この後にインゴットの最冷点の温度が均質化温度Ｔに達することで達成され、前記保持時間ｔは少なくとも１時間に等しく、均質化温度Ｔはおよそ９００℃から鋼のバーニング温度の範囲内である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
高速冷却（曲線Ｃ１）よりも高速の冷却では（図５および６）、フェライト−パーライト変態は発生しない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
加えて冷却が終了する間に、樹枝状晶間領域のオーステナイトは、鋼の温度が周囲温度よりもやや高いマルテンサイト変態開始温度Ｍｓを下回ったときに、局所的にマルテンサイトに変換される傾向がある（図５および６）。しかしマルテンサイトは、他の金属構造およびオーステナイトよりもなお低い軽元素の溶解度閾値を有する。このためさらに微視的な気相がこのマルテンサイト変換の間に鋼中に出現する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
さらに均質化処理は、マルテンサイト変態開始温度Ｍｓの均質化も含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
均質化処理の特定の特徴に関して、発明者らは、インゴットが炉内で保持時間ｔにわたって均質化処理を受け、保持時間ｔの後に前記インゴットの最冷点の温度が均質化温度Ｔに達したときに満足な結果が得られ、この時間ｔは少なくとも１時間に等しく、均質化温度Ｔは温度Ｔ最低とこの鋼のバーニング温度との間で変化することを見出した。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
温度Ｔ最低は９００℃にほぼ等しい。鋼のバーニング温度は、固体状態のままで、鋼中の粒界が変換される温度（または粒界が液化し始める温度）として定義され、Ｔ最低よりも高い。炉内の鋼の保持時間ｔはこのため、前記均質化温度Ｔと反比例して変動する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
一例として、発明者らが試験で使用したＺ１２ＣＮＤＶ１２マルテンサイト系ステンレス鋼（ＡＦＮＯＲ規格）では、均質化温度Ｔは９５０℃であり、対応する保持時間ｔは７０時間に等しい。均質化温度Ｔがバーニング温度をやや下回る１２５０℃であるとき、ここで対応する保持時間ｔは１０時間に等しい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
さらに発明者らは、ＥＳＲるつぼからのインゴットが、この鋼の冷却時のパーライト変態完了温度Ａｒ１よりも高い初期温度Ｔ０を有する炉に配置されるときに、およびこのインゴットの皮膜温度がこの鋼のマルテンサイト変態開始温度よりも高温で維持されるときに、満足な結果が得られることを見出した。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
測定したマルテンサイト変態開始温度Ｍｓは２２０℃であった。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルテンサイト系ステンレス鋼を製造する方法において、前記鋼のインゴットのエレクトロスラグ再溶解のステップと、続いて前記インゴットを冷却するステップとを備え、前記インゴットの皮膜の温度が鋼のマルテンサイト変態開始温度Ｍｓを下回る前に、エレクトロスラグ再溶解からのインゴットが、冷却時の前記鋼のパーライト変態完了温度Ａｒ１よりも初期温度Ｔ０が高い炉に配置され、前記インゴットが前記炉内で少なくとも保持時間ｔにわたって均質化処理を受け、この後に前記インゴットの最冷点の温度が均質化温度Ｔに達し、前記保持時間ｔが少なくとも１時間に等しく、均質化温度Ｔが９００℃から前記鋼のバーニング温度の範囲にあり、前記炉の前記初期温度Ｔ０が前記均質化温度Ｔよりも低く、前記炉の温度が初期温度Ｔ０から少なくとも均質化温度Ｔに等しい温度まで上昇することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記均質化温度Ｔが９５０℃から１２７０℃であることを特徴とする、請求項１に記載のマルテンサイト系ステンレス鋼を製造する方法。
【請求項３】
前記均質化温度Ｔが９８０℃から１２５０℃であることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記均質化温度Ｔが１０００℃から１２００℃であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
最小保持時間が１時間から１５０時間であることを特徴とする、請求項１に記載のマルテンサイト系ステンレス鋼を製造する方法。
【請求項６】
最小保持時間が１時間から７０時間であることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
最小保持時間が１０時間から３０時間であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記再溶解ステップで使用したスラグが事前に脱水されていることを特徴とする、請求項１に記載のマルテンサイト系ステンレス鋼を製造する方法。
【請求項９】
前記保持時間ｔが前記均質化温度Ｔの変動と反比例して変動することを特徴とする、請求項１に記載のマルテンサイト系ステンレス鋼を製造する方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のマルテンサイト系ステンレス鋼を製造する方法であって、該方法が前記鋼に対して以下の状況：
冷却前の前記インゴットの最大寸法が９１０ｍｍ未満であり、およびエレクトロスラグ再溶解前のインゴットのＨ含有率が１０ｐｐｍを超える状況；
冷却前の前記インゴットの最大寸法がおよそ９１０ｍｍを超え、およびこれの最小寸法がおよそ１５００ｍｍ未満であり、およびエレクトロスラグ再溶解前のインゴットのＨ含有率が３ｐｐｍを超える状況；
インゴットの最小寸法が１５００ｍｍを超え、およびエレクトロスラグ再溶解前のインゴットのＨ含有率が１０ｐｐｍを超える状況；
の１つで行われることを特徴とする方法。
【請求項１１】
鋼が亜共析であることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載のマルテンサイト系ステンレス鋼を製造する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（Ｉ）：
【化１】
2013507499.tif 000001
［但し、Ｒ’が水素又は下記の基の１個
【化２】
2013507499.tif 000002
｛但し、Ｒ”が水素、Ｃ1−Ｃ12−アルキル基又は−（ＣＨ2）q−ＣＯＯＭ（ｑは１〜５である）を表し、
ｎ及びｍが、それぞれ０〜５の整数であり、
Ｒ”’が水素、又は５個以下のヒドロキシル基で置換されていても良いＣ1−Ｃ12−アルキル基、又は５個以下のヒドロキシル基で置換されていても良いＣ2−Ｃ12−アルケニル基、又は下記の基の１個：
【化３】
2013507499.tif 000003
（但し、ｏ及びｐがそれぞれ０〜５の整数であり、そして
Ｍが相互に独立して、対応する化学量論量の、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニア又は置換アンモニアを表す。）
を表す。｝
を表し、
式（Ｉ）のＭも上記Ｍと同義である。］
で表される１種以上の錯化剤の塩を含む粉末を、
上記錯化剤の塩の１種以上を１０〜８０質量％の濃度で含む水溶液（該濃度は該水溶液の全質量に対するもの）から開始して、
霧化工程及び乾燥工程を含む噴霧乾燥工程で製造する方法であって、
該霧化工程を、前記水溶液中に存在するものと同じ錯化剤の塩又は前記水溶液中の錯化剤の塩とは異なる１種以上の錯化剤の塩の結晶質微細ダストを、前記噴霧乾燥工程実施後に得られる粉末の質量に対して０．１〜２０質量％の割合で添加することにより実施し、
且つ前記結晶質微細ダストの平均粒径の上限が、前記噴霧乾燥工程実施後に得られる粉末の平均粒径の下限より少なくとも２の逆数で低くなっており、更に、
前記噴霧乾燥工程の前記乾燥工程は、ガスを使用して及びこの工程の入口ガス温度を少なくとも１３０℃に設定して行われ、
得られた生成物の残留水分は、６．５〜１４質量％の範囲である、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記噴霧乾燥工程を噴霧塔で行う請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記噴霧乾燥工程が、前記霧化工程において、前記１種以上の錯化剤の塩を含む水溶液を、前記式Ｉの１種以上の錯化剤の塩の顆粒を含む流動床に噴霧することからなる噴霧顆粒化である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
噴霧塔において、流動床を統合し、凝集噴霧乾燥を行う請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記噴霧乾燥工程が、攪拌インターナルで混合して、凝集体を形成し、その後その凝集体を他の装置で十分に乾燥させることからなる噴霧凝集である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記使用される開始材料が、対応する合成により得られ且つ３０〜５０質量％の前記１種以上の錯化剤の塩を含む水溶液を含んでおり、そして噴霧乾燥工程の上流に連結された処理工程で熱交換器又は薄層エバポレータにおいて、水溶液の全質量に対して５５〜８０質量％の錯化剤の塩に濃縮される請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記乾燥工程を、０．１バール絶対〜１０バール絶対の範囲の圧力の範囲の圧力で行う請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記乾燥工程の滞留時間が、１０秒〜１時間の範囲である請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
アルカリ土類金属イオン及び重金属イオンの錯化剤として、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法により得られる粉末を含む調製物。
【請求項１０】
洗剤又は洗浄剤である請求項９に記載の調製物。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法により得られる粉末の、圧縮凝集体を製造するための使用。
【請求項１２】
請求項１１に記載の圧縮凝集体の固体洗浄剤への使用。
【請求項１３】
固体洗浄剤が食器洗い機用である請求項１２に記載の使用。
【請求項１４】
固体洗浄剤を自動食器洗い機に錠剤の形で使用する請求項１３に記載の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
［実施例３］（本発明による）
統合された流動床付き噴霧塔での凝集噴霧乾燥
４６質量％の合計固形分を有するＮａ３−ＭＧＤＡ４１％濃度の水溶液５００ｇを、１５０ｇの脱イオン水で希釈した。その後、その溶液を、室温にてガラスフラスコ内でスターラー攪拌し、実験室規模の統合された流動床を有する噴霧塔に送った。その際、乾燥空気を１３０℃で導入し、流動床の入り口空気温度を１１０℃とし、そして２種の材料でノズルにより霧化した。乾燥工程の第１の相では、液滴を乾燥し、床内で顆粒化の種を形成した。その後、顆粒化相を開始するため、床温度を低下させ、その間に、顆粒化コア（芯）を種溶液で凝集させた。得られた顆粒を、噴霧乾燥機から連続的に除去した。溶液の顆粒化は６４℃〜７４℃の間の床温度の範囲で行った。生成物は６．５質量％の残余水分、７００ｋｇ／ｍ3の高い嵩密度を有し、極めて容易に注入可能であった。２０℃、７６％の相対大気湿度の乾燥機内で１４４時間貯蔵した後、生成物は注入可能のままであり、Ｘ線ディフラクトグラム（表３）は７０％の結晶化率を示した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月12日(2015.3.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
一態様において、本発明は、（１）ＭＳＰのヘプシンタンパク質分解的プロセシングを可能にする条件下で、サンプルとヘプシンとを接触させ、（２）ヘプシン活性化したＭＳＰの存在を検出することを含む、サンプル中のプロ−ＭＳＰを検出する方法を提供する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロ-マクロファージ刺激タンパク質（プロ-ＭＳＰ）のヘプシン活性化を阻害する候補インヒビター物質を同定する方法において、（ａ）ヘプシンとプロ−ＭＳＰ基質とを含有する第１のサンプルと候補物質を接触させ、（ｂ）サンプル中のプロ−ＭＳＰ基質の活性化量を、第１のサンプルと同様の量であるが、前記候補物質と接触させられないヘプシンとプロ-ＭＳＰ基質を含有する参照サンプル中のプロ-ＭＳＰ基質の活性化量と比較し、参照サンプルと比較して第１のサンプル中のプロ-ＭＳＰ基質の活性化量の低減が、候補物質が単鎖ＭＳＰ（プロ-ＭＳＰ）のヘプシン活性化を阻害可能であることを示す方法。
【請求項２】
サンプル中のヘプシンが、前記プロ-ＭＳＰの活性化に有効な量である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
プロ-ＭＳＰ基質が、プロ-ＭＳＰ、又はＡｒｇ４８３−Ｖａｌ４８４ペプチド結合の野生型形態を含むその断片を含むポリペプチドである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
プロ-ＭＳＰ／Ｒｏｎ活性化に関連した病状を治療するための医薬の有効成分を同定する方法であって、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法を含む、方法。
【請求項５】
病状が、癌、腫瘍、細胞増殖性疾患、又は免疫疾患である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
癌が、乳癌、結腸直腸癌、肺癌、乳頭癌、結腸癌、膵臓感、卵巣癌、子宮頸癌、中枢神経系癌、前立腺癌、骨肉腫、腎癌、肝細胞癌、膀胱癌、胃癌、頭部及び頸部の扁平上皮癌、メラノーマ、又は白血病である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
（ａ）プロ−ＭＳＰのヘプシンタンパク質分解的プロセシングを可能にする条件下で、サンプルをヘプシンと接触させ、（ｂ）ヘプシン活性化されたＭＳＰの存在を検出することを含む、サンプル中のプロ−ＭＳＰを検出する方法。
【請求項８】
（ａ）プロ−ＭＳＰのヘプシンタンパク質分解的プロセシングを可能にする条件下で、サンプルをプロ−ＭＳＰと接触させ、（ｂ）ヘプシン活性化されたＭＳＰの存在を検出することを含む、サンプル中のヘプシンを検出する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１５】
コンタクトレンズの製造に用いられた成分は以下のとおりである。
ＨＥＭＡ：２−ヒドロキシエチルメタクリレート
ＤＭＡ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド
ＮＶＰ：Ｎ−ビニルピロリドン
ＮＶＡ：Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミド
ＤＭＡＥＭＡ：ジメチルアミノエチルメタクリレート
ＴＥＧＤＭＡ：テトラエチレングリコールジメタクリレート
Ｆ１：直鎖モノメタクリロキシプロピル末端ポリトリフルオロプロピルメチルシロキサン
Ｆ２：分岐モノメタクリロキシプロピル末端ポリトリフルオロプロピルメチルシロキサン
ＭＡ−ＰＤＭＳ：３−メタクリロキシプロピルジメチルシロキサン
ＴＲＩＳ：トリス（トリメチルシリルオキシ）シリルプロピルメタクリレート
ｎ−ＰｒＯＨ：ｎ−プロパノール
ＥｔＯＨ：エタノール
ＥｔＡｃ：酢酸エチル
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月25日(2015.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量結合を使用する、個別化治療、個別化予防、及び個別化診断のための無線周波数ハイパーサーミアデバイスであって、該無線周波数ハイパーサーミアデバイスは、無線周波数源（１）と、増幅器（２）と、検出器（３）と、変調器（９）と、変調信号入力／発生器（１３）とを備え、前記無線周波数源はソース信号（８）を生成し、前記ソース信号（８）は、変調信号（１２）を使用して前記変調器（９）によって変調されて、変調済ソース信号（１０）を生成し、前記変調済ソース信号（１０）は、前記増幅器（２）によって増幅されて、標的領域（１７）に向けられる増幅済かつ変調済の信号（４）を生成し、前記検出器（３）は、前記標的領域（１７）のホメオスタシスによって生成される位相情報を検出し、該位相情報をその直近で取得済の位相情報と比較して、フィードバック信号（５）を提供し、前記変調信号（１２）は、前記フィードバック信号（５）を変調することによって前記フィードバック信号（５）から、前記変調信号入力／発生器（１３）によって生成され、前記変調信号入力／発生器（１３）は、前記測定済のホメオスタシス信号（１９）の位相情報を使用するように適合される、無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項２】
前記検出器（３）は、時刻Ｔｎ＋１で取得された位相情報を、時刻Ｔｎで前記検出器（３）によって検出された位相情報と比較するように構成及び／又は適合され、ｎ＞０である、請求項１に記載の無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項３】
前記フィードバック信号（５）を増幅するためのフィードバック増幅器（６）を更に備える、請求項１又は２に記載の無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項４】
前記変調信号入力／発生器（１３）によって生成される変調を前記フィードバック信号（５）に適合させるための逓倍器（１１）を更に備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項５】
前記変調信号入力／発生器（１３）は、前記逓倍器（１１）及び／又は前記増幅器（６）を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項６】
前記検出器（３）は、前記増幅器（２）と前記標的領域（１７）との間、又は、前記標的領域（１７）と前記フィードバック増幅器（６）との間に位置する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項７】
前記無線周波数ハイパーサーミアデバイスはコンデンサ配置構成内で容量結合を使用し、前記標的領域（１７）は誘電体材料である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項８】
前記変調器（９）は、前記測定済のホメオスタシス信号（１９）の位相情報及び前記標的領域（１７）のホメオスタシスによって生成される位相情報に基づいて、前記ソース信号（８）の振幅及び周波数スペクトルを変調するように構成及び／又は適合される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項９】
前記フィードバック信号（５）を提供するための以下のアルゴリズム、すなわち、
【数１】
2015528337.tif 000001
が前記検出器（３）に格納され、
ここで、
φ（ω）は任意関数であり、
φは振幅の位相であり、
Ａは振幅である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の無線周波数デバイス。
【請求項１０】
腫瘍、癌、転移、癌腫、疼痛、片頭痛、及び中枢神経系の疾病についての、個別化された、治療、後治療、予防、再発の予防、及び診断のための、請求項１〜９のいずれか１項に記載の無線周波数ハイパーサーミアデバイス。
【請求項１１】
ソース信号（８）を提供する無線周波数源（１）と、増幅器（２）と、検出器（３）と、フィードバック増幅器（６）と、変調器（９）と、変調信号入力／発生器（１３）とを備える無線周波数デバイスの信号を変調する方法であって、
変調済ソース信号（１０）を生成するために、変調信号（１２）を使用して前記変調器（９）によって前記ソース信号（８）を変調するステップと、
増幅済かつ変調済の信号（４）を生成するために、前記増幅器（２）によって前記変調済ソース信号（１０）を増幅するステップと、
前記増幅済かつ変調済の信号（４）を標的領域（１７）に向けるステップと、
前記標的領域（１７）のホメオスタシスによって生成される位相情報を検出し、フィードバック信号（５）を提供するために、前記位相情報をその直近で取得済の位相情報と比較するステップと、
前記測定済のホメオスタシス信号（１９）の位相情報を使用して、前記変調信号入力／発生器（１３）によって前記フィードバック信号（５）を変調するステップと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月21日(2015.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに略平行に延びる少なくとも第１及び第２のフレーム部材と、
パネル組立体と、を具備する航空機の胴体壁部であって、
前記パネル組立体は、
内側面と外側面とを有する第１パネルと、
内側面と外側面とを有する第２パネルとを含んでおり、
前記第２パネルは、該第２パネル自身に形成されて内方に延びると共に各々が外側リブ・キャビティを形成する少なくとも第１及び第２のリブ要素を含み、前記第１及び第２のリブ要素の各々は内側面と外側面とを含み、前記第１及び第２のリブ要素の間には少なくとも第１のパネル部分が形成され、前記第１のパネル部分は内側面と外側面とを含み、前記第１及び第２のリブ要素の内側面は前記第１パネルの内側面に固定され、且つ前記第１パネル部分の内側面は前記第１パネルの内側面から離間されることで、少なくとも第１のキャビティを形成しており、
前記第１及び第２のフレーム部材は、前記第１及び第２の外側リブ・キャビティの中にそれぞれ受容されるとともに、前記第１及び第２の外側リブ・キャビティに沿って長手方向にそれぞれ延びている、
航空機の胴体壁部。
【請求項２】
前記第１のキャビティ内に位置決めされた第１音響処理部材を更に具備する、請求項１に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項３】
前記第１音響処理部材は、前記第１パネルの内側面又は前記第２パネルの内側面の少なくとも一方に接着される、請求項２に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項４】
第２音響処理部材を更に具備しており、
前記第１音響処理部材は前記第１パネルの内側面に接着されると共に、前記第２音響処理部材は前記第２パネルの内側面に接着され、且つ
前記第１及び第２の音響処理部材の間にスペースが形成される、請求項３に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項５】
前記パネル部材の少なくとも２つの外側面の少なくとも部分に接着された外側音響処理部材を更に具備しており、
外側リブ・キャビティが前記外側音響処理部材と前記リブ要素の前記外側面との間に形成されている、請求項１に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項６】
前記第１パネル部材の前記外側面に接着された装飾パネルを更に具備する、請求項５に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項７】
前記第１音響処理部材と、前記第１パネルの内側面又は前記第２パネルの内側面の一方との間にスペースが形成される、請求項３に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項８】
前記第１音響処理部材は、少なくとも第１及び第２の層で構成される、請求項７に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項９】
前記第１音響処理部材は前記第２パネルの内側面に接着され、且つ
前記第２パネルは、それに形成された複数の隆起部分を含む、請求項３に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項１０】
前記第２キャビティはダクトスペースを形成する、請求項２に記載の航空機の胴体壁部。
【請求項１１】
前記第２キャビティは、その中に音響処理部材を含まない、請求項１０に記載のパネル組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月29日(2015.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
対象におけるがんを検出する方法であって、
前記対象からの腫瘍細胞のサンプルにおいて、ＮＴＲＫ１−ＭＰＲＩＰ遺伝子融合体の存在を検出することを含み、前記ＮＴＲＫ１−ＭＰＲＩＰ遺伝子融合体の存在が前記対象におけるがんを示す、対象におけるがんを検出する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
ＡＣＣＡＴＧＴＣＧＧＣＡＧＣＣＡＡＧＧＡＧＡＡＣＣＣＧＴＧＣ（配列番号２）、
ＡＣＡＣＡＣＧＡＧＣＴＧＡＣＣＴＣＴＣＴＧＣ（配列番号３）、
ＧＴＧＣＣＴＧＧＡＧＡＡＴＧＣＣＣＡＴＣＴＧ（配列番号４）、
ＧＣＧＡＡＧＧＣＴＡＡＧＧＣＴＧＡＣＴＧＴＧ（配列番号５）、
ＣＣＡＴＴＧＣＴＧＣＡＡＡＣＣＣＴＣＧＣＴＣ（配列番号６）、
ＧＡＡＴＴＣＧＣＣＧＣＣＧＣＧＣＣＧＡＣＣＡＴＧＴＣＧＧ（配列番号７）、
ＣＧＧＣＧＣＴＴＧＡＴＧＴＧＧＴＧＡＡＣ（配列番号８）、
ＴＡＴＴＣＣＧＧＣＴＡＡＣＣＡＣＴＣＣＣＡＧ（配列番号９）、
ＣＣＴＡＧＣＣＣＡＧＧＡＣＡＴＣＣＡＧＧ（配列番号１０）、及び、
ＣＧＣＧＧＣＣＧＣＴＴＡＡＧＣＧＴＡＧＴＣＴＧＧＧＡＣＧＴＣＧＴＡＴＧＧＧＴＡＧＣＣＣＡＧＧＡＣＡＴＣＣＡＧＧ（配列番号１１）、からなる群から選択される単離核酸。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
【表１】
2015528295.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2015528295000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月11日(2015.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効量のリポプラチンを含む、腎不全を有するがん患者における腫瘍の増殖を阻害し、または該がん患者を処置するための医薬組成物。
【請求項２】
有効量の第２の化学療法剤をさらに含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記第２の化学療法剤が、オキサリプラチン、パクリタキセル、タキソール、タキサン、５−フルオロピリミジン、ビノレルビン、ゲムシタビンまたはＤＮＡアルキル化剤である、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記第２の化学療法が、前記医薬組成物の前若しくは後、または前記医薬組成物と同時に投与される、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記腫瘍またはがんが、転移性または非転移性の肺がん、消化器がん、膀胱がん、非小細胞肺がん（ＮＳＣＬＣ）、乳がん、トリプル・ネガティブ乳がん、胃がん、頭頸部がん、大腸がん、結腸直腸がん、直腸がん、中皮腫、膵がん、脳腫瘍、（グリア芽細胞腫多形もしくは転移）、および卵巣がんからなる群より選択される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
ファーストライン、セカンドライン、またはサードライン療法として用いられる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
静脈内に、または吸入療法によって投与される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記がん患者が、外科的切除、放射線療法またはオキサリプラチンで以前に処置されている、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
腎不全を有するがん患者における腫瘍の増殖を阻害し、または該がん患者を処置する方法のための、リポプラチン及び指示書を含むキットであって、
該方法は、有効量のリポプラチンを該患者に投与し、それによって、該腫瘍の該増殖を阻害し、または該がんを処置することを含む、キット。
【請求項１０】
第２の化学療法剤をさらに含む、請求項９に記載のキット。
【請求項１１】
前記第２の化学療法剤が、オキサリプラチン、パクリタキセル、タキソール、タキサン、５−フルオロピリミジン、ビノレルビン、ゲムシタビン、およびＤＮＡアルキル化剤からなる群より選択される、請求項１０に記載のキット。
【請求項１２】
腎不全を有している患者に対して、リポプラチン、および任意選択で前記第２の化学療法剤を投与するための指示書をさらに含む、請求項９から１１のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１３】
前記指示書が、転移性または非転移性の肺がん、消化器がん、膀胱がん、非小細胞肺がん（ＮＳＣＬＣ）、乳がん、トリプル・ネガティブ乳がん、胃がん、頭頸部がん、大腸がん、結腸直腸がん、直腸がん、中皮腫、膵がん、脳腫瘍、（グリア芽細胞腫多形もしくは転移）、および卵巣がんからなる群より選択されるがんを有するがん患者に対する投与のための指示書を含む、請求項１２に記載のキット。
【請求項１４】
前記指示書が、前記第２の化学療法がリポプラチン療法の前若しくは後、またはリポプラチン療法と同時に投与されることを含む、請求項１２に記載のキット。
【請求項１５】
前記指示書が、ファーストライン、セカンドライン、またはサードライン療法としてのリポプラチンの投与を含む、請求項１２に記載のキット。
【請求項１６】
前記指示書が、静脈内に、または吸入療法によって前記がん患者に投与されるための指示書を含む、請求項１２に記載のキット。
【請求項１７】
前記指示書が、セカンドライン、またはサードライン療法としての投与のための指示書を含み、前記がん患者が外科的切除、放射線療法またはオキサリプラチンで以前に処置されている、請求項１２に記載のキット。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月25日(2014.12.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノリス基材を有するＰｔ−Ｒｅ系水性ガスシフト触媒の存在下で水性ガスシフト反応により水素を発生させる方法であって、
水性ガスシフト反応を、
２８０〜３２０℃の温度；
１０〜２０容量％までのＣＯ及び水蒸気を含む供給ガス；
４５００時間-1以上、１５，０００時間-1未満の供給ガスのガス空間速度で稼働し、
触媒の老化を、以下の式を満たすように温度、ＣＯの容量％、ガス空間速度を制御することによって低減し、
△Ｔ（５０）20h＝（５．５１＋４．４０×１０-5×ＶＨＳＶ−０．０１５×Ｔ＋０．０４９×％ＣＯ）2−１．６５
式中、Ｔは、摂氏の温度であり、
（％ＣＯ）は、容量パーセントでの乾燥プロセスガス（水蒸気なし）のＣＯ含有量であり、
ＶＨＳＶは、７．４ｇ／リットルのPｔを含有するモノリス基材におけるガス空間速度であり、
△Ｔ（５０）20hは、ＣＯ変換率５０％における各温度の差であり、すなわち、
２０時間老化したＴ（５０）−新鮮なＴ（５０）であり、
△Ｔ（５０）20hは、≦５．０であることを含む、方法。
【請求項２】
Ｐｔ−Ｒｅ系触媒が少なくとも１つの希土類金属を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
触媒が促進剤を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
促進剤がＭｏを含有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
Ｐｔ：Ｒｅの質量比が、５：１〜１：１である、請求項１記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
好ましくは、水性ガスシフト反応プロセスは、反応物が、一つ以上の反応域に含有されている触媒の中を通過する連続モードで実施される。一般に、標準的な条件下で湿性ガスに基づいてモノリシック触媒で測定した１時間あたりのガスの空間速度の約４，５００〜約５０，０００時間-1ＶＨＳＶが、大部分の燃料電池の稼働にとって特に適している。水性ガスシフトプロセスの有用な稼働温度は、約１５０〜４５０℃である。好ましい稼働範囲は、２００〜４００℃である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
本発明において、ΔＴ（５０）20h値の３未満が、触媒の安定した稼働にとって望ましい。ΔＴ（５０）20hの値の≦２が老化を著しく低減するのに特に有用である。実験データ間の平均偏差は、式に基づいて予測される（計算される）ΔＴ（５０）は、約３．５であると計算されることを示す。したがって、式で計算された７．０未満及び≦５．０の値は、依然として、所望のＴ（５０）20h＜３の稼働範囲に入ることができ、したがって、本発明の範囲内に入る。下記の表２を参照すること。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月26日(2015.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学機器に内蔵されるオートフォーカスサブシステムであって、当該オートフォーカスサブシステムが、
（ａ）オートフォーカス光路であって、そのオートフォーカス光路を通して光学機器の光学界面から後方散乱した電磁放射をオートフォーカスサブシステムが受け取るオートフォーカス光路と、
（ｂ）２以上のオートフォーカスロータ要素を含むオートフォーカスロータであって、オートフォーカスロータがオートフォーカス光路と整列しているときは、後方散乱電磁放射が、オートフォーカスロータ要素の各々を通して、対応するオートフォーカス信号を生成するオートフォーカス検出器に伝わる、オートフォーカスロータと、
（ｃ）電子メモリ及び処理部品を含むオートフォーカス処理部品であって、光学機器光軸に垂直な座標軸ｘ及びｙ並びに光学機器光軸に沿った座標軸ｚを有する光学機器位置空間における１以上の機器部品の位置を制御し、光学機器位置に関して特定のオートフォーカスロータ要素に関連付けられるオートフォーカス信号の大きさを各々表す２以上の較正曲線を取得してメモリに記憶し、データ収集中に２以上の較正曲線を使用して光軸位置を監視及び調整する、オートフォーカス処理部品と
を含むオートフォーカスサブシステム。
【請求項２】
前記オートフォーカスサブシステムが、オートフォーカス初期化フェーズにおいてデータ収集前に光学機器較正を実行し、その間、２以上のオートフォーカスロータ要素の各々に関するある範囲の光学機器ｚ位置を通した走査中にオートフォーカス信号強度データを収集することによって前記２以上の較正曲線が取得され、各オートフォーカスロータ要素は特徴的な光学機器ｚ位置において最も大きいオートフォーカス信号強度を生成する、請求項１記載のオートフォーカスサブシステム。
【請求項３】
前記較正曲線が、ある範囲の光学機器ｚ位置にわたって取得され、較正曲線に対応するオートフォーカスロータ要素に関する光学機器ｚ位置の範囲内の２以上の光学機器ｚ位置の各々における相対的なオートフォーカス信号の大きさを求めるために使用され、光学機器ｚ位置の範囲内の２以上の光学機器ｚ位置の各々における相対的なオートフォーカス信号の大きさが、光学機器ｚ位置に各々関連付けられるオートフォーカス信号フィンガープリントを表す、請求項２記載のオートフォーカスサブシステム。
【請求項４】
データ収集中、前記オートフォーカスサブシステムが、２以上のオートフォーカスロータ要素に関するオートフォーカス信号強度を取得し、取得したオートフォーカス信号強度から現在のオートフォーカス信号フィンガープリントを構築し、現在の光学機器ｚ位置を、（ｉ）現在のオートフォーカス信号フィンガープリントに対する最大算出類似度を有する、記憶オートフォーカス信号フィンガープリントに関連付けられる光学機器ｚ位置、及び（ｉｉ）現在のオートフォーカス信号フィンガープリントに対する２つの最大算出類似度を有する、２つの記憶オートフォーカス信号フィンガープリントに関連付けられる光学機器ｚ位置から補間された値のうちの一方として求められる、請求項３記載のオートフォーカスサブシステム。
【請求項５】
前記オートフォーカスサブシステムが、第１のオートフォーカス信号フィンガープリントと第２のオートフォーカス信号フィンガープリントとの間の類似度を、２つのオートフォーカス信号フィンガープリントの間でオートフォーカス信号の大きさ及び関連するオートフォーカスロータ要素の相対順序を比較することによって計算し、同じ相対順序のオートフォーカス信号の大きさ及び関連するオートフォーカスロータ要素を有する２つのオートフォーカス信号フィンガープリントに、異なる相対順序のオートフォーカス信号の大きさ及び関連するオートフォーカスロータ要素を有する２つのオートフォーカス信号フィンガープリントよりも大きい類似度を割り当てられる、請求項４記載のオートフォーカスサブシステム。
【請求項６】
各較正曲線が、対象のｚ位置を含む３以上の光学機器ｚ位置で得られたオートフォーカスロータ要素に関するオートフォーカス信号強度を含み、後にデータが収集される光学機器位置空間内の各関心点について２以上の較正曲線が取得される、請求項２記載のオートフォーカスサブシステム。
【請求項７】
データ収集中、前記オートフォーカスサブシステムが、現在の光学機器ｚ位置における２以上のオートフォーカスロータ要素に関するオートフォーカス信号強度を取得し、該取得したオートフォーカス信号強度及び記憶されている較正曲線から光学機器ｚ位置を補間する、請求項６記載のオートフォーカスサブシステム。
【請求項８】
前記オートフォーカスサブシステムが、光学機器較正に続いて光学機器位置空間内の関心点においてデータ収集を実行し、較正曲線及び２以上のオートフォーカスロータ要素に関して現在測定されているオートフォーカス信号強度を同時に使用して現在の光学機器位置と関心点との間の有向距離を求め、光学機器を関心点に合焦するために有向距離によって光学機器位置を調整する、請求項２記載のオートフォーカスサブシステム。
【請求項９】
光学機器内のオートフォーカスサブシステムによって関心点におけるデータ収集中に光学機器の位置を調整するための方法であって、
データ収集前に、光学機器位置に関して特定のオートフォーカスロータ要素を通じて検出されるオートフォーカス信号の大きさを各々表す２以上の較正曲線を取得するステップと、
２以上の較正曲線に関するデータを電子メモリ内に記憶するステップと、
データ収集中、２以上のオートフォーカスロータ要素を通して現在のオートフォーカス信号の大きさを求めするステップと、
２以上のオートフォーカスロータ要素に関連付けられる２以上の求められた現在のオートフォーカス信号の大きさ、及びメモリ内に記憶された２以上の較正曲線に関するデータを使用して現在の光学機器位置及び関心点からの有向距離を求めるステップと、
求められた有向距離によって光学機器位置を調整するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記オートフォーカスサブシステムが、
（ａ）オートフォーカス光路であって、そのオートフォーカス光路を通して光学機器の光学界面から後方散乱した電磁放射をオートフォーカスサブシステムが受け取るオートフォーカス光路と、
（ｂ）２以上のオートフォーカスロータ要素を含むオートフォーカスロータであって、後方散乱電磁放射が、オートフォーカスロータ要素の各々を通して、対応するオートフォーカス信号を生成するオートフォーカス検出器に合焦される、オートフォーカスロータと、
（ｃ）電子メモリ及び処理部品を含むオートフォーカス処理部品であって、光学機器光軸に垂直な座標軸ｘ及びｙ並びに光学機器光軸に沿った座標軸ｚを有する光学機器位置空間における１以上の機器部品の位置を制御し、データ収集前に２以上の較正曲線を取得し、データ収集中に、得られた２以上の較正曲線を使用して光軸位置を監視及び調整する、オートフォーカス処理部品と
を含む、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一分子を処理するための装置であって、
ａ）第１のスリットを有する底部層と、
ｂ）導電性の上部層とを備え、前記上部層が、前記底部層の上に配設され、第２のスリットを有し、前記第２のスリットが、前記第１のスリットの上方に配設されて、単一分子が通過することができるアパーチャを提供し、
前記第１のスリットは、前記第２のスリットに対して斜めに向けられる、
装置。
【請求項２】
導電性の上部層を備え、前記上部層が、単一分子が通過することができるアパーチャを提供し、前記上部層の表面の少なくとも一部に電気絶縁材を有する
単一分子を処理するための装置、特に請求項１に記載の装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置を製造するための方法であって、
ａ）底部層に第１のスリットを提供するステップと、
ｂ）前記底部層の上に導電性の上部層を堆積するステップと、
ｃ）アパーチャを形成するために、前記第１のスリットの上方で、前記上部層に第２のスリットを形成するステップであって、前記第１のスリットは、前記第２のスリットに対して斜めに向けられる当該ステップと
を含む方法。
【請求項４】
単一分子を処理するための方法であって、
ａ）分子を、導電性の上部層の第２のスリット、及び隣接する底部層の第１のスリットに順次に通すステップであって、前記第１のスリットは、前記第２のスリットに対して斜めに向けられ、前記スリットがアパーチャを提供するステップと、
ｂ）前記分子が前記アパーチャを通過するときに、前記分子と、前記上部層及び／又は前記底部層との相互作用を実行又は感知するステップと
を含む方法。
【請求項５】
前記第２のスリットが、前記上部層を２つの切り離された部分に分割することを特徴とする
請求項１に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【請求項６】
前記上部層が、好ましくは５単層未満、最も好ましくは１単層でグラフェンを含むことを特徴とする
請求項１若しくは２に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【請求項７】
追加層、特に非導電性の追加層が、前記アパーチャを除く前記上部層の上に配設されることを特徴とする
請求項１若しくは２に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【請求項８】
前記上部層、及び／又は前記底部層、及び／又は前記追加層が、約１０ｎｍ〜約１０００ｎｍの間の厚さを有することを特徴とする
請求項１若しくは２に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【請求項９】
前記底部層が、誘電体材料、特に二酸化ケイ素及び／又は窒化ケイ素を含むことを特徴とする
請求項１に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【請求項１０】
前記アパーチャが、約０．１ｎｍ２〜約１０ｎｍ２の間、好ましくは約２ｎｍ２〜５ｎｍ２の間のサイズを有することを特徴とする
請求項１若しくは２に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のスリット及び／又は前記第２のスリットが、約０．１ｎｍ〜約１００ｎｍの間の幅を有することを特徴とする
請求項１に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【請求項１２】
前記上部層が電気回路に接続され、前記電気回路によって、前記アパーチャを通過する分子との相互作用が制御され得ることを特徴とする
請求項１若しくは２に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【請求項１３】
前記回路が、分子又は分子の様々な部分が前記アパーチャを通過するときに生じる導電率の変化を感知することを特徴とする
請求項１２に記載の装置又は方法。
【請求項１４】
複数のアパーチャが提供されることを特徴とする
請求項１若しくは２に記載の装置又は請求項３若しくは４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月1日(2015.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動式海上バリア（１）において、当該バリア（１）が、基部（２）と、前記基部（２）の遠位端に配置されたフード（６）とを具えており、
前記フード（６）は、開口端を有する伸縮式じょうご部（１５）と、前記じょうご部（１５）内に配置された遠位面（１６）とを具え、
前記伸縮式じょうご部（１５）は、前記基部（２）の遠位端から伸張するとともに当該遠位端に向けて収縮して、当該伸縮式じょうご部（１５）の開口端の面積を変更する手段を与えることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項２】
請求項１に記載の可動式海上バリア（１）において、当該可動式海上バリア（１）が、水塊内での移動に適合していることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項３】
請求項１または２に記載の可動式海上バリア（１）において、当該可動式海上バリア（１）が、水塊内で当該バリア（１）を推進させて方向付ける手段を提供する１以上の推進プロペラシステム（３９）および／または１以上の指向性推進システム（４０）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項４】
請求項３に記載の可動式海上バリア（１）において、前記１以上の推進プロペラシステムおよび／または１以上の指向性プロペラシステム（４４ａ、４４ｂ）が、前記基部（２）の対向する表面に配置された一対の推進および／または指向性プロペラ（４２ａ、４２ｂ、４４ａ、４４ｂ）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項５】
請求項４に記載の可動式海上バリア（１）において、前記基部（２）内の導管（４３、４５）が、一対の推進プロペラ（４２ａ、４２ｂ）および／または指向性プロペラ（４４ａ、４４ｂ）の間を流体連通するための手段を提供することを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の可動式海上バリア（１）において、当該可動式海上バリア（１）が更に、前記基部（２）に配置された動作ハウジング（３）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項７】
請求項６に記載の可動式海上バリア（１）において、前記動作ハウジング（３）が１以上のデッキ（７、８、９、１０）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項８】
請求項７に記載の可動式海上バリア（１）において、前記動作ハウジング（３）が、前記１以上のデッキが、空間デッキ（７）、制御デッキ（８）、作業デッキ（９）、および宿泊デッキ（１０）からなる群から選択された１以上のデッキ（７、８、９、１０）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項９】
請求項６乃至８の何れか一項に記載の可動式海上バリア（１）において、前記動作ハウジング（３）が、前記海上バリア（１）用の通信手段を提供するアンテナ（１１）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の可動式海上バリア（１）において、当該可動式海上バリア（１）が更に、前記基部（２）の底面に配置された１以上のアンカーポッド（４１）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の可動式海上バリア（１）において、当該可動式海上バリア（１）が更に、脱塩装置（３２、３３）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の可動式海上バリア（１）において、当該可動式海上バリア（１）が更に、前記基部（２）と流体連通するように配置された少なくとも１の汚染物質用ズック（４）を具えていることを特徴とする可動式海上バリア。
【請求項１３】
自然発生現象から海岸線地域を保護する方法において、当該方法が：
保護される海岸線地域の付近に、請求項１乃至１２の何れか一項に記載の１以上の可動式海上バリア（１）を配置するステップと；
前記可動式海上バリア（１）のフード（８）を選択的に展開するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の海岸線地域を保護する方法において、前記フード（６）を選択的に展開するステップが、伸縮式じょうご部（１５）の全長を設定するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の海岸線地域を保護する方法において、当該方法が更に、前記可動式海上バリア（１）の位置を固定するように１以上のアンカー（４１）を展開するステップを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月2日(2015.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
好ましい態様を参照して本発明を特に示し且つ記載したが、発明の精神及び範囲から逸脱することなく種々の変更及び修正を行うことができることは当業者に容易に認められるであろう。特許請求の範囲は、開示されている態様、上記で議論したこれらの代替物、及びこれらに対する全ての均等物をカバーするように解釈されると意図される。
以下に本発明の実施態様を記載する。
［１］
プラズマ処理によって変性されているか又はコロナ処理によって変性されており、周囲室温において少なくとも約３３ｇ／デニールのテナシティーを有する変性された高テナシティー繊維を製造する方法であって、
（ａ）周囲室温において少なくとも約３３ｇ／デニールのテナシティーを有する高テナシティー繊維を与え、ここでかかる繊維は繊維表面を有し、かかる表面は繊維表面仕上げ剤によって少なくとも部分的に被覆されているか、或いはかかる繊維は繊維表面仕上げ剤を実質的に含まず；
（ｂ）繊維表面が繊維表面仕上げ剤によって少なくとも部分的に被覆されている場合には、繊維表面仕上げ剤の少なくとも一部を繊維表面から除去し；そして
（ｃ）高テナシティー繊維を、非真空圧に維持されているチャンバー内において、高テナシティー繊維を変性するのに有効な条件下でプラズマ処理又はコロナ処理にかけ；
それによって、プラズマ処理によって変性されているか又はコロナ処理によって変性されており、周囲室温において少なくとも約３３ｇ／デニールのテナシティーを有する変性された高テナシティー繊維を製造する；
工程を含む上記方法。
［２］
工程（ｃ）の処理を大気圧に維持されているチャンバー内で行う、［１］に記載の方法。
［３］
繊維を水で洗浄することによって、繊維表面仕上げ剤を繊維の表面から少なくとも部分的に除去する、［１］に記載の方法。
［４］
工程（ｃ）の処理がプラズマ処理であり、複数の繊維を約１００Ｗ／ｆｔ２／分以下のプラズマエネルギー束でプラズマ処理する、［１］に記載の方法。
［５］
工程（ｃ）の処理がプラズマ処理であり、複数の繊維を約２０Ｗ／ｆｔ２／分以下のプラズマエネルギー束でプラズマ処理する、［１］に記載の方法。
［６］
繊維表面仕上げ剤を繊維の表面から部分的にのみ除去する、［１］に記載の方法。
［７］
繊維表面仕上げ剤を繊維の表面から実質的又は完全に除去する、［１］に記載の方法。
［８］
工程（ｃ）の処理を大気圧に維持されているチャンバー内で行う、［７］に記載の方法。
［９］
工程（ｃ）の処理がプラズマ処理であり、複数の繊維を約１００Ｗ／ｆｔ２／分以下のプラズマエネルギー束でプラズマ処理する、［７］に記載の方法。
［１０］
工程（ｃ）の処理がプラズマ処理であり、複数の繊維を約２０Ｗ／ｆｔ２／分以下のプラズマエネルギー束でプラズマ処理する、［７］に記載の方法。
［１１］
繊維表面仕上げ剤を繊維の表面から実質的又は完全に除去し、工程（ｃ）の処理を大気圧に維持されているチャンバー内で行い、工程（ｃ）の処理がプラズマ処理であり、複数の繊維を約１００Ｗ／ｆｔ２／分以下のプラズマエネルギー束でプラズマ処理する、［１］に記載の方法。
［１２］
繊維表面仕上げ剤を繊維の表面から実質的又は完全に除去し、工程（ｃ）の処理を大気圧に維持されているチャンバー内で行い、工程（ｃ）の処理がプラズマ処理であり、複数の繊維を約２０Ｗ／ｆｔ２／分以下のプラズマエネルギー束でプラズマ処理する、［１］に記載の方法。
［１３］
工程（ａ）が、周囲室温において少なくとも約３７ｇ／デニールのテナシティーを有する超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）繊維を与えることを含み、繊維表面が繊維表面仕上げ剤によって少なくとも部分的に被覆されており、変性された高テナシティーＵＨＭＷＰＥ繊維が周囲室温において少なくとも約３７ｇ／デニールのテナシティーを有する、［１］に記載の方法。
［１４］
工程（ａ）が、周囲室温において少なくとも約３７ｇ／デニールのテナシティーを有する超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）繊維を与えることを含み、繊維表面が繊維表面仕上げ剤によって少なくとも部分的に被覆されており、変性された高テナシティーＵＨＭＷＰＥ繊維が周囲室温において少なくとも約３７ｇ／デニールのテナシティーを有する、［１１］に記載の方法。
［１５］
実質的に平行のアレイで整列された［１１に記載の変性された高テナシティー繊維から形成される繊維プライ。
［１６］
前記［１１］に記載の複数の変性された高テナシティー繊維から形成される布帛。
［１７］
前記［１１］に記載の複数の変性された高テナシティー繊維、及びかかる変性された高テナシティー繊維の少なくとも幾つかの上に少なくとも部分的に被覆されているポリマーバインダー材料を含む繊維複合材料。
［１８］
前記［１７］に記載の繊維複合材料から形成される物品。
［１９］
プラズマ処理によって変性されているか又はコロナ処理によって変性されている変性ポリマー繊維を製造する方法であって、
（ａ）繊維表面を有し、かかる表面は繊維表面仕上げ剤によって少なくとも部分的に被覆されているか、又は繊維は繊維表面仕上げ剤を実質的に含まないポリマー繊維を与え；
（ｂ）繊維表面が繊維表面仕上げ剤によって少なくとも部分的に被覆されている場合には、繊維表面仕上げ剤の少なくとも一部を繊維表面から除去し；そして
（ｃ）ポリマー繊維を、非真空圧に維持されているチャンバー内において、ポリマー繊維を変性するのに有効な条件下でプラズマ処理又はコロナ処理にかけ；
それによって、プラズマ処理によって変性されているか又はコロナ処理によって変性されている変性繊維を製造する；
工程を含む上記方法。
［２０］
プラズマ処理によって変性されているか又はコロナ処理によって変性されている変性ポリマー繊維を製造する方法であって、
（ａ）少なくとも部分的に繊維表面仕上げ剤を含まない表面を有して、繊維表面の少なくとも一部が露出されて繊維表面仕上げ剤によって被覆されていないようになっているポリマー繊維を与え；そして
（ｃ）ポリマー繊維を、非真空圧に維持されているチャンバー内において、ポリマー繊維を変性するのに有効な条件下でプラズマ処理又はコロナ処理にかけ；
それによって、プラズマ処理によって変性されているか又はコロナ処理によって変性されている変性繊維を製造する；
工程を含む上記方法。