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　特願２００７−２７６９０７「金属酸化膜の形成方法及び物理蒸着装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月１４日出願公開、特開２００９−１０２７１３、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］本願は、平成１９年１０月２４日の出願であって、平成２４年３月２３日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対し、同年５月３０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月３１日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年１１月５日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２５年２月２５日付けで平成２４年１１月５日付け手続補正が却下されるとともに、拒絶査定がなされ、平成２５年６月５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　そして、当審において、同年８月６日付けで審査官により作成された前置報告書について、同年８月２０日付けで審尋を行ったところ、審判請求人は同年１０月２５日付けで回答書を提出した。
　
［２］平成２５年６月５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）
の適否。
１．補正の内容
　本件補正は、補正前の請求項１に対して、
（ａ）「ＨｅまたはＡｒである不活性ガスと」との記載を「ＨｅおよびＡｒのいずれかの不活性ガスと、」に補正し、
（ｂ）「酸素」を「基板と該基板に物理蒸着される金属酸化膜の整合性を図る酸素」に補正し、
（ｃ）「混合ガス雰囲気で、金属酸化物蒸発源の加熱により金属酸化物粒子を生成する工程と」の記載を「混合ガス雰囲気の蒸発チャンバー内で、金属酸化物を加熱して金属酸化物粒子を蒸発させる工程と」に補正し、
（ｄ）「前記金属酸化物粒子を移送し、超音速フリージェットの気流に乗せて真空チャンバー中に噴出して、前記真空チャンバー中に配置された基板上に物理蒸着させ、前記金属酸化物粒子からなる金属酸化物を形成する工程」の記載を「前記蒸発チャンバーから真空チャンバーに前記金属酸化物粒子を移送し、蒸発チャンバーと真空チャンバーの気圧差に起因する超音速フリージェットの気流に乗せてその内部に基板が配置された前記真空チャンバー中に噴出して、前記基板上に物理蒸着させ、前記基板の表面に前記金属酸化物粒子からなる金属酸化膜を酸素の組成比が変化するプロファイルとなるように形成する工程」に補正し、
（ｅ）補正前の請求項２を削除し、
（ｆ）補正前の請求項３を、請求項２に繰り上げ、「前記金属酸化膜」の記載を「前記基板に形成された前記金属酸化膜」に補正し、
（ｇ）補正前の請求項４を、請求項３に繰り上げ、「成膜温度を８００℃以下として前記金属酸化膜を形成する」の記載を「前記物理蒸着により成膜温度を８００℃以下で前記金属酸化膜が形成される」に補正し、
（ｈ）補正前の請求項５を、請求項４に繰り上げるものである。　
　
２．補正の適否
　上記補正事項（ａ）、（ｃ）、（ｆ）−（ｈ）は明りょうでない記載の釈明、同（ｂ）は特許請求の範囲の減縮、同（ｄ）は明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮、同（ｅ）は請求項の削除を目的とするものにそれぞれ該当し、また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するものに該当するところはない。
　したがって、上記補正された本願請求項１に係る発明、及び請求項１を直接あるいは間接的に引用する請求項２−４に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
　
　補正された本願請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「ＨｅおよびＡｒのいずれかの不活性ガスと、基板と該基板に物理蒸着される金属酸化膜の整合性を図る酸素を含む混合ガス雰囲気の蒸発チャンバー内で、金属酸化物を加熱して金属酸化物粒子を蒸発させる工程と、
　前記蒸発チャンバーから真空チャンバーに前記金属酸化物を移送し、蒸発チャンバーと真空チャンバーの気圧差に起因する超音速フリージェットの気流に乗せてその内部に基板が配置された前記真空チャンバー中に噴出して、前記基板上に物理蒸着させ、前記基板の表面に前記金属酸化物粒子からなる金属酸化膜を酸素の組成比が変化するプロファイルとなるように形成する工程と、
　を有する金属酸化膜の形成方法。」（以下、「本願補正発明」という。）
 
（２−１）刊行物の記載事項
　審尋で引用した、本出願前に日本国内において頒布された特開２００６−１１１９２１号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用例１；以下、「刊行物１」という。）、特公昭４９−４５９８８号公報（同引用例２；以下、「刊行物２」という。）、特開２００３−９６５５４号公報（以下、「刊行物３」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
（１）刊行物１
（１ａ）「本発明は物理蒸着装置に関し、特に蒸発源から蒸発させた原子により生成させた微粒子を超音速ジェットに乗せて噴き出し、成膜対象基板に堆積させる物理蒸着装置に関する。」（【０００１】）
　
（１ｂ）「上記の本発明の物理蒸着装置は、好適には、前記超音速ノズルは、ノズル内部径が変化している縮小―拡大管であり、前記蒸発チャンバーと前記成膜チャンバー間の差圧により生起するガス流を超音速まで高める。……」（【００１６】）
  
（１ｃ）「……本発明の物理蒸着装置は、第１蒸発チャンバー第２蒸発チャンバーと成膜チャンバーを有し、第１蒸発チャンバーは内部に第１蒸発源と第１プラズマトーチを備え、第２蒸発チャンバーは内部に第２蒸発源と第２プラズマトーチを備え、また、成膜チャンバーは内部に流体混合部と超音速ノズルと成膜対象基板を備えている。
  　…………
　カソードに負電圧を、アノードおよび／または第１あるいは第２蒸発源に正電圧を印加してプラズマを形成し、得られたプラズマにより第１および第２蒸発源から第１および第２微粒子を生成する。
　流体混合部は、第１蒸発チャンバーから移送された前記第１微粒子と第２蒸発チャンバーから移送された第２微粒子を混合する。
　混合された第１微粒子と第２微粒子を超音速ノズルが生み出す超音速ガス流（超音速フリージェットの気流）に乗せ、成膜対象基板に混合された第１微粒子と第２微粒子を物理蒸着させる。……」（【００３２】）
　
（１ｄ）「例えば、第１蒸発チャンバーに第１蒸発源としてＴｉをセットし、第２蒸発チャンバーに第２蒸発源としてＡｌをセットすることで、成膜チャンバーの成膜対象基板にＴｉＡｌを成膜することができる。
　また、例えば上記と同様に蒸発源をセットし、さらに第１および第２蒸発チャンバーのそれぞれに雰囲気ガスとして窒素を流すことで、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎを成膜することができる。
　この他、金属とセラミックスなど、通常の方法では組成を混合して成膜することが困難な膜なども、組成を自由に制御して、緻密に成膜することができる。」（【００７９】）
　
　上記記載事項（１ｄ）によれば、第１および第２蒸発チャンバーのそれぞれに雰囲気ガスとして窒素を流した場合、それぞれ、Ｔｉ−Ｎ化合物粒子、Ａｌ−Ｎ化合物粒子が蒸発することは明らかである。
　よって、同（１ａ）−（１ｄ）によれば、刊行物１には、
「窒素ガス雰囲気の第１蒸発チャンバー内でＴｉを加熱してＴｉ−Ｎ化合物粒子を蒸発させ、窒素ガス雰囲気の第２蒸発チャンバー内でＡｌを加熱してＡｌ−Ｎ化合物粒子を蒸発させる工程と、
　前記各蒸発チャンバーから成膜チャンバーにＴｉ−Ｎ化合物粒子及びＡｌ−Ｎ化合物粒子を移送し、粒子を混合し、蒸発チャンバーと成膜チャンバーの気圧差に起因する超音速ノズルが生み出す超音速ガス流（超音速フリージェットの気流）に乗せてその内部に基板が配置された成膜チャンバー中に噴出して、前記基板上に物理蒸着させ、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ膜を形成する工程と、
　を有するＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜の形成方法。」（以下、「引用発明１Ａ」という。）
　及び
「第１蒸発チャンバー内で金属粒子を蒸発させ、第２蒸発チャンバー内でセラミックス粒子を蒸発させる工程と、
　前記各蒸発チャンバーから成膜チャンバ−に金属粒子とセラミック粒子を移送し、粒子を混合し、蒸発チャンバーと成膜チャンバーの気圧差に起因する、超音速ノズルが生み出す超音速ガス流（超音速フリージェットの気流）に乗せてその内部に基板が配置された成膜チャンバ中に噴出して、前記基板上に物理蒸着させ、前記金属粒子およびセラミックス粒子からなる金属−セラミックス混合膜を形成する工程と、
　を有する金属−セラミックス混合膜の形成方法。」（以下、「引用発明１Ｂ」という。）が記載されている。
　
（２）刊行物２
（２ａ）「実施例１
　粉末を加圧成形した０．２ｇの酸化インジウム・タブレットをカソード電位マイナス４０００Ｖのマグネット偏向型Ｅガンを用いて直径３ｍｍの電子ビーム（ビーム電流３〜１０ｍＡ）により加熱して、蒸発源上１６ｃｍの距離にある３００℃に加熱したソーダガラス基板上に酸化インジウム膜を蒸着した。蒸着速度は５０ｍμ／ｍｉｎとし、且つその蒸着中、真空槽内に酸素ガスを導入して、３×１０−３Ｔｏｒｒの真空度を保ち、蒸着膜厚は１４０ｍμとした。」（第２頁第３欄第２０−３０行）
　
　よって、刊行物２には、
「真空槽内を酸素雰囲気とし、酸化インジウムを蒸発させることにより、真空槽内に配置された基板上に酸化インジウム膜を形成する方法。」（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されている。
　
（３）刊行物３
（３ａ）「……反応性スパッタリングにより金属酸化物を形成する際に、雰囲気中の酸素ガス濃度を連続的に減少して、金属酸化物からなる層に金属酸化物に対する金属の含有量が表層側ほど増大するような組成の傾斜を形成するため、続いて形成される金属膜と金属酸化物からなる層との密着性が更に向上し、セラミックス基材に金属膜を一層密着性良く形成することができるものである。」（【００７８】）
　
　よって、刊行物３には、
「セラミック基材に金属膜を密着性よく形成するために、基材と金属膜の間に金属酸化物に対する金属の含有量が表層側ほど増大する組成傾斜を有する金属酸化膜を形成する方法。」（以下、「刊行物３発明」という。）が記載されている。
　
（２−２）対比・判断
　本願補正発明と引用発明１Ａを対比すると、引用発明１Ａにおける「Ｔｉ−Ｎ化合物」及び「Ａｌ−Ｎ化合物」は、本願補正発明における「金属酸化物」と、金属化合物である点において共通し、引用発明１Ａにおける「Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ膜」は、本願補正発明における「金属酸化物膜」と、金属化合物膜である点において共通する。
　また、引用発明１Ａにおける「成膜チャンバー」は、本願補正発明における「真空チャンバー」に相当する。
　
　よって、両者は、
「蒸発チャンバー内で、金属化合物粒子を蒸発させる工程と、
　前記蒸発チャンバーから真空チャンバーに前記金属化合物粒子を移送し、蒸発チャンバーと真空チャンバーの気圧差に起因する超音速フリージェットの気流に乗せてその内部に基板が配置された前記真空チャンバー中に噴出して、前記基板上に物理蒸着させ、前記基板の表面に前記金属化合物粒子からなる金属化合物膜を形成する工程と、
　を有する金属化合物膜の形成方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明では、「ＨｅおよびＡｒのいずれかの不活性ガスと、基板と該基板に物理蒸着される金属酸化膜の整合性を図る酸素を含む混合ガス雰囲気の蒸発チャンバー内で、金属酸化物を加熱して金属酸化物粒子を蒸発させる工程」を有し、金属化合物粒子からなる金属化合物膜を形成する工程が、「前記基板の表面に前記金属酸化物粒子からなる金属酸化膜を酸素の組成比が変化するプロファイルとなるように形成する」ものである、「金属酸化膜の形成方法」であるのに対し、引用発明１Ａでは、そうではない点。
　
　また、本願補正発明と引用発明１Ｂを対比すると、引用発明１Ｂにおいて、第２蒸発チャンバー内で蒸発される「セラミックス」粒子は、本願補正発明における「金属酸化物」粒子と、「セラミックス」粒子である点で共通し、引用発明１Ｂにおいて形成される「金属−セラミックス混合膜」は、本願補正発明における「金属酸化膜」と、「セラミックス」を含有する膜である点において共通する。
　また、引用発明１Ｂにおける「成膜チャンバー」は、本願補正発明における「真空チャンバー」に相当する。
　
　よって、両者は、「蒸発チャンバー内で、セラミックス粒子を蒸発させる工程と、
　前記蒸発チャンバーから真空チャンバーに前記セラミックス粒子を移送し、前記蒸発チャンバーから真空チャンバーの気圧差に起因する超音速フリージェットの気流に乗せてその内部に基板が配置された真空チャンバー中に噴出して、前記基板上に物理蒸着させ、前記基板の表面に前記セラミックスを含む膜を形成する工程と、
　を有するセラミックスを含有する膜の形成方法。」である点で一致し、上記相違点１と同様の点で相違する。
　
　上記相違点１について検討すると、本願補正発明は、上記相違点１に係る構成により、低温処理である物理蒸着によって酸化された金属膜を堆積させることが可能となり、
応力によって破壊されにくい金属酸化膜を速い成膜速度で成膜することができるもの
　
　これに対し、刊行物２には「真空槽内を酸素雰囲気とし、酸化インジウムを蒸発させることにより、真空槽内に配置された基板上に酸化インジウム膜を形成する方法」について、また、刊行物３には「セラミック基材に金属膜を密着性よく形成するために、基材と金属膜の間に金属酸化物に対する金属の含有量が表層側ほど増大する組成傾斜を有する金属酸化膜を形成する方法」について記載されているものの、これらは、いずれも蒸発チャンバーと真空チャンバー（成膜チャンバー）の区別がない成膜装置において用いられる方法であって、本願補正発明のような、蒸発チャンバー内で粒子を蒸発させ、「蒸発チャンバーから真空チャンバーの気圧差に起因する超音速フリージェットの気流に乗せてその内部に基板が配置された真空チャンバー中に噴出して、前記基板上に物理蒸着させ」ることについては記載も示唆もなく、これらを勘案しても、上記相違点に係る構成が容易に導かれるとは認められない。
　そして、本願補正発明は、上記構成により、上記のとおりの効果を奏するものである。
　よって、本願補正発明及びこれを引用する本願請求項２−４に係る発明は、刊行物１−３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　
［３］本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１ないし４に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。