【事件の表示】
　特許第３１０３７９６号「画像記録装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０３７９６号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３１０３７９６号の請求項１乃至請求項３に係る発明についての出願は、平成１０年１１月１０日に出願され、平成１２年８月２５日にその特許の設定登録がなされ、その後、大日本スクリーン製造株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１１月２７日に訂正請求（後日取下げ）がなされ、さらに特許異議申立人に対して審尋がなされ、その指定期間内である平成１４年１月１８日に回答書が提出され、さらに特許権者に対して審尋がなされ、その指定期間内である平成１４年３月８日に回答書が提出された後、再度取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１１月１９日に訂正請求がなされたものである。
　
（２）訂正の適否についての判断
　ア．特許権者が求めている訂正の内容は、次のとおりである。
　訂正事項ａ：特許請求の範囲の「【請求項１】画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板は、前記光ファイバを保持する等間隔のＶ溝を両面に備えたことを特徴とする画像記録装置。」を、「【請求項１】画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板には、
前記光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝を両面に備えた
　訂正事項ｂ：明細書の段落番号【００２１】の記載を、「【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的に鑑みてなされたものであり、請求項１に記載の発明は、画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板は、
前記光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝を両面に備えた
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、本件特許の願書に添付した明細書及び図面（特許掲載公報第４頁第８欄第３３〜４３行）「図７において、Ｖ溝６１〜Ｖ溝６９は、上下に隣接する一対の基板６０のＶ溝から構成されており、光ファイバ２はこれら基板６０により挟み込まれて固定されている。光ファイバ２は、レーザを伝達する部分のコア７１と、このコア７１を保護するクラッド７２から構成されており、これらは通常の光ファイバの構成であるので説明を省略する。レーザはコア５１から照射されるようになっている。」（段落【００５７】）、「光ファイバを保持するためのＶ溝の角度は、５４．７４度であり、光ファイバ２の中心点の間隔距離は、２５６μｍである。」（段落【００５８】））、及び図７参照）の記載に基づいて、特許請求の範囲の「前記基板は、光ファイバを保持する等間隔のＶ溝」を「前記基板には、光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝」と光ファイバを等間隔に保持するＶ溝を所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝と、Ｖ溝の配置位置を限定するものであるから、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項ｂは訂正事項ａに伴い、発明の詳細な説明の記載を、請求項１の記載との整合を図るべく訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記訂正は、いずれも特許明細書に記載された事項の範囲内のものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　特許異議申立人大日本スクリーン製造株式会社は、証拠として、甲第１号証（特開２０００−１４１７４９号公報）を提出し、本件特許の請求項１乃至請求項３に係る発明は、本件特許の出願前であって本件特許の出願後に公開された特願平１０−３１５８３８号（特開２０００−１４１７４９号公報参照）の願書に最初に添付された明細書または図面に記載された発明と同一であり、しかも、その発明者も出願人も同一でない。従って、本件特許の請求項１乃至請求項３に記載された発明の特許は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、同法第１１４条第２項により取り消されるべきである、と主張している。
　そして、ズームレンズによる解像度の変更が周知・慣用の技術であることを立証するために、参考文献１（特開平６−１５２９３９号公報）、参考文献２（特開平５−１９１８８号公報）、参考文献３（特開昭６０−１６９８２０号公報）、参考資料４（特開昭６０−１７２０２２号公報）を提出している。
イ．本件発明
　上記（２）で示したように上記訂正が認められるから、本件特許第３１０３７９６号の請求項１乃至請求項３に係る発明は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項1乃至請求項３（以下、「本件発明１」乃至「本件発明３」という。）に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板には、前記光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝を両面に備えたことを特徴とする画像記録装置。
　【請求項２】前記基板の一方の面のＶ溝と他方の面のＶ溝は同一数備えられ、かつ、一方の面のＶ溝と他方の面のＶ溝とを等間隔でずらしてなることを特徴とする請求項１記載の画像記録装置。
　【請求項３】前記基板を重ねて前記光ファイバをマトリクス状のマルチスポットとなるように保持することを特徴とする請求項２記載の画像記録装置。」
ウ．引用例等
　当審が平成１３年９月１７日付けの取消理由通知で引用した特願平１０−３１５８３８号（特開２０００−１４１７４９号公報参照）の願書に最初に添付された明細書又は図面（甲第１号証）（以下、「先願明細書」という。）には下記の事項が記載されている。
　（ａ）「【請求項１】光ビームを被走査面に照射すると共に、主走査および副走査することによって画像を記録する画像記録装置であって、光ビームを発する光源と、前記光源からの光ビームを伝送する光ファイバーアレイと、前記光ファイバーアレイの端面から出射する光ビームを前記被走査面に導く光学系と、を備え、前記光ファイバーアレイが、複数の光ファイバーが一次元配列された複数の光ファイバー列と、互いに平行でかつ副走査方向に相対的にずれて形成された表面溝と裏面溝とを有し、前記表面溝と裏面溝とに一の光ファイバー列がそれぞれ嵌入されるスペーサー基板と、を備えることを特徴とする画像記録装置。」（特許請求の範囲、請求項１）。
　（ｂ）「この発明は、・・・像面サイズを大きくしないで高密度な画像記録を行うことができる画像記録装置および光ファイバーアレイを提供することを目的とする。」（段落【０００６】）。
　（ｃ）「＜１．第１の実施の形態＞　＜＜１−１．全体装置構成＞＞図１はこの発明の一実施の形態である画像記録装置１の全体装置構成図である。以下、図１を用いてこの画像記録装置について説明していく。・・・画像記録装置１は主に、レーザードライバ１０、光源２０、光ファイバー３０、光ファイバーアレイ４０、光学系５０およびドラム６０を備えている。・・・光源２０は複数の発光素子である半導体レーザー２１を備えており、レーザードライバ１０による電力の供給により各半導体レーザー２１が発光する。また、各半導体レーザー２１には光ファイバー３０の受光端が対向して（カップリングして）設けられており、それら光ファイバー３０はコネクタ３５を介して光ファイバーバンドルとして束ねられ、出射端は光ファイバーアレイ４０（後述）を形成している。そして、各半導体レーザー２１から発せられた光ビームは光ファイバー３０により伝送され、光ファイバーアレイ４０における出射端から出射し、光学系５０により被走査面である円筒形のドラム６０の外周面に導かれて結像される。ドラム６０はそのＹ軸方向の中心を軸として、図示しない回転駆動機構により回転自在となっており、光ビームがドラム６０の外周面に結像しつつ、ドラム６０が回転することによりＺ軸方向（主走査方向）に主走査が行われ、さらには、光ファイバーアレイ４０の後述する各光ファイバー３０の並び（光ファイバー列）およびレーザードライバ１０〜光学系５０のＹ軸方向（副走査方向）の移動により副走査が行われる。」（段落【００１２】〜【００１４】）。
　（ｄ）「光ファイバーアレイ４０は、光ファイバー３０が一次元配列された複数の光ファイバー列３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを備え、それら各光ファイバー列３１ａ〜３１ｄの相互の間に、それら光ファイバー列を位置決めして保持するスペーサー基板４０１，４０２，４０３が配置され、さらに、図２中において最上段および最下段に、光ファイバー列３１ａおよび３１ｃを押さえて支持する押さえ基板４０４，４０５を備えている。すなわち、光ファイバー列３１ａ〜３１ｄ、スペーサー基板４０１，４０２，４０３および押さえ基板４０４，４０５がＺ軸方向に互いに交互に積層された構造となっている。」（段落【００１７】）。
　（ｅ）「＜３．第３の実施の形態＞第３の実施の形態は光ファイバーアレイ４２以外は第１の実施の形態と全く同一の装置構成である。・・・図４は第３の実施の形態における光ファイバーアレイ４２の出射端面を示す図である。以下、図４を用いて第３の実施の形態における光ファイバーアレイ４２について説明する。・・・第１の実施の形態における光ファイバーアレイ４０におけるスペーサー基板４０１〜４０３および押さえ基板４０４，４０５が、Ｍ本の光ファイバー３０からなる光ファイバー列３１ａ〜３１ｄ全体を収容する内部構造を持たない表面溝ＲＤおよび裏面溝ＷＤならびに位置決め溝ＦＤをそれぞれ備えていたのに対して、第３の実施の形態の光ファイバーアレイ４２は複数の単位溝ＵＤを内部構造として持つスペーサー基板４２１〜４２３の表面溝ＲＤおよび裏面溝ＷＤならびに押さえ基板４２４，４２５の位置決め溝ＦＤを備えている。そして、各単位溝ＵＤは各光ファイバー列３１ａ〜３１ｄを構成する個々の光ファイバー３０に対応して等しいピッチＰ（前述の光ファイバー３０の直径）で光ファイバー列３１ａ〜３１ｄにおける光ファイバー３０の並び方向にＭ個設けられている。また、それら単位溝ＵＤの（Ｙ−Ｚ面での）断面はＶ字型の形状となっており、それら単位溝ＵＤの組（複数の単位溝ＵＤからなる集合）がスペーサー基板４２１〜４２３の表面溝ＲＤおよび裏面溝ＷＤならびに押さえ基板４２４，４２５の位置決め溝ＦＤを形成している。・・・そして、各光ファイバー列３１ａ〜３１ｄの各光ファイバー３０は表面溝ＲＤおよび裏面溝ＷＤならびに位置決め溝ＦＤの各単位溝ＵＤに嵌入してＹ軸方向に位置決めされる。そして、表面溝ＲＤおよび裏面溝ＷＤならびに位置決め溝ＦＤのうちの互いに対向する溝における対向する一対の単位溝ＵＤにより各光ファイバー３０を挟み込むようにしてＺ軸方向についても位置決めしている。・・・また、各スペーサー基板４２１〜４２３の表面溝ＲＤおよび裏面溝ＷＤおよび押さえ基板４２４，４２５の位置決め溝ＦＤは、第１の実施の形態と同様に、順にＹ軸方向に長さＰ／Ｎずつ相対的にずれて設けられており、したがって、各光ファイバー列３１ａ〜３１ｄの相対的位置関係も第１の実施の形態と同様のものとなっている。そのため、全光ファイバー３０のＺ軸方向（主走査方向）の射影は互いに間隔Ｐ／ＮでＭ・Ｎ本並んでおり、それにより、等しい間隔Ｐ／ＮでＭ・Ｎ本の走査を並行して行うことができる。・・・以上より、第１および第２の実施の形態と同様に高密度で走査できるのに加えて、各溝がＶ字型の断面であることにより各光ファイバー３０の位置決め精度が高く、したがって、精度の高い走査を行うことができる。」（段落【００３０】〜【００３５】）。
  （ｆ）「さらに、上記第１〜第７の実施の形態では、ドラム上を走査する外面円筒型の画像記録装置としたが、平面の被走査面を有する平面型の画像記録装置としてもよい。」（段落【００６４】）。
　
　上記記載（ａ）、（ｃ）からみて、先願明細書に記載された画像記録装置は、光ビームを被走査面に照射すると共に、主走査および副走査することによって画像を記録するものであるから、画情報に応じてレーザードライバ１０による電力の供給により各半導体レーザー２１が発光するものであることは、明らかである。
　したがって、これらの記載（ａ）〜（ｆ）を含む明細書及び図面によると、先願明細書には、下記の発明が記載されている。
　「画情報に応じて半導体レーザー２１を発光させるレーザードライバ１０と、前記半導体レーザー２１から出射された光ビームを伝送する複数の光ファイバー３０と、前記光ファイバー３０の出射端を保持するスペーサー基板４２１〜４２３（４３１ａ〜４３１ｃ）と、前記光ファイバーから出射された光ビームを被走査面に結像させる光学系５０とを備え、前記基板には、前記光ファイバー３０を光ファイバー３０の直径に等しいピッチＰで等間隔に保持する複数のＶ溝ＵＤを両面に備えたことを特徴とする画像記録装置。」（以下、「先願発明」という。）
　
エ．対比・判断
　（ａ）本件発明１と先願発明とを対比する。
　先願発明の「発光」、「半導体レーザー２１」、「レーザードライバ１０」、「出射」、「光ビーム」、「伝送」、「光ファイバー３０」、「出射端」、「スペーサー基板４２１〜４２３（４３１ａ〜４３１ｃ）」、「結像」、「Ｖ溝ＵＤ」は、それぞれ、本件発明１の「駆動」、「半導体レーザ」、「駆動手段」、「射出」、「レーザ」、「伝達」、「光ファイバ」、「端部」、「基板」、「集光」、「Ｖ溝」に相当する。
　先願発明の被走査面は光ビームが結像される面であるから、被走査面は記録媒体上の面であることは明らかである。
　そして、先願発明の「光学系５０」と本件発明１の「ズームレンズ」とは、「光学系」という点で共通する。
　したがって、両者は、
「画情報に応じて半導体レーザーを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザーから射出されたレーザーを伝達する複数の光ファイバーと、前記光ファイバーの端部を保持する基板と、前記光ファイバーから射出されたレーザーを記録媒体上へ集光させる光学系とを備え、前記基板には、前記光ファイバーを等間隔に保持する複数のＶ溝を両面に備えたことを特徴とする画像記録装置。」で一致し、次の２点で相違する。
　相違点１：本件発明１は、光学系がズームレンズであり、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段と、この入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備えているのに対して、先願発明では、光学系と記載されているのみで、どのような光学系であるのか、さらにはそれを制御する何らかの制御手段を備えているのかどうか明確でない点。　
　相違点２：光ファイバーを等間隔に保持する複数のＶ溝が、本件発明１では、相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝であるのに対して、先願発明では、個々の光ファイバー３０の直径に等しいピッチＰで設けられており、相互に所定幅の平坦部をもって離間形成されていない点。
　
　まず、相違点１を検討する。
　相違点１の技術的事項のうち、「記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段」は、本件明細書及び図面（特に、【００３４】〜【００３６】、及び図３）を参酌すると、図３に記載された「管理テーブル」に代表される、解像度とズームレンズの倍率とを１対１に対応させて記憶させた複数組の組み合わせ表であると解釈されるところ、異議申立人が提出した各参考文献に記載された事項は次のとおりである。
　参考文献１（特開平６−１５２９３９号公報）には、ズームレンズ３２を利用した「ドット・デンシティ（ドットの密度）が変更可能なレ一ザプリンタ」において、「解像度を入力するときには、ズームレンズの倍率設定が自動的に行われる」手段が記載されている（【００１１】、【００４６】）。
　参考文献２（特開平５−１９１８８号公報）には、アフォーカルズーム光学系（ズームレンズ）ＡＬ３を利用することにより、記録面上でのビームスポット間隔を倍率に基づいて変更するマルチビーム走査記録装置が記載されている（【００４３】、【００５６】、及び図８参照）。
　参考文献３（特開昭６０−１６９８２０号公報）には、所要の走査線数に応じてレーザー光ビームのビーム間ピッチを変更可能なズームレンズ式のビームコンブレッサを使用した画像走査記録装置が開示（第２頁左上欄第１５〜１９行参照）され、また、
　参考文献４（特開昭６０−１７２０２２号公報）には、ズームレンズを利用することにより、複数本のレーザー光ビームのビーム間ピッチを所要の走査線数に応じたビーム間ピッチに変更可能な画像走査記録装置が開示（第３頁右上欄第１５行〜左下欄第２行）されている。
　さらに審尋に対する回答書において、新たに提出された周知慣用技術として、参考文献５〜参考文献１１には、それぞれ、参考文献５（「ＤＴ−Ｒ３１００（Ｇｅｎａｓｅｔｔ３１００」のカタログ（１９９５年９月に発行の記載有）（異議申立人の提出した第１号証）には、「高性能ズームレンズ機構により、最小スポット径は６．３μｍ（４０００ｄｐｉ）を実現し、スポットサイズを各分解能に合わせて最適なサイズでプロッティングできます。最高出力分解能は４０００ｄｐｉを実現。きわめて高精度な出力品質が得られます。出力分解能は、１２００ｄｐｉ、１５００ｄｐｉ、２０００ｄｐｉ、２４００ｄｐｉ、３０００ｄｐｉ、４０００ｄｐｉの６段階中から、仕事に合わせて選択できます。」と記載されている。
　参考文献６（「ドラムタイプレコーダー」　ＤＴ−Ｒ３１００　（Ｖｅｒ．１．６）ユーザーズマニュアル第５版第１刷　（１９９７年８月）発行　大日本スクリーン製造株式会社）（同第２号証）には、１２００ｄｐｉ、１５００ｄｐｉ、２０００ｄｐｉ、２４００ｄｐｉ、３０００ｄｐｉ、３５００ｄｐｉ、４０００ｄｐｉの７種類の分解能から選択設定し、それに対応するズーム値を数値キー等で設定できるよう構成されたものが記載されている。
　参考文献７（「Ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ」の発表予稿」（同第３号証）には、多数のレーザービームの倍率をズームレンズ７と駆動モータ８とを利用して変更することで、１９４０ｄｐｉから４５６０ｄｐｉの連続可変的な（continuously）範囲の画像の記録を実現する構成が記載されており、上記参考文献７の構成は、参考文献８（岡崎雅英・林尚久・脇本善司　大日本スクリーン製造株式会社、“８０チャンネルレーザープロッター用光学系の設計”、１９９２年（平成４年）　第１７回光学シンポジウム（光学技術・学術講演会）　『光学系の設計、素材、製作、評価を中心にして』　講演予稿集　（期日　平成４年６月２５日（木）〜２６日（金））、社団法人　応用物理学会分科会　日本光学会、ｐ１７−ｐ１８）（同第４号証）にも記載されている。
　参考文献９（特開昭６２−２３６１１号公報）（同第５号証）には、ズームレンズＬ５によりビームピッチ（解像度）を無段階に調整する点が記載されている（第４頁右下欄第１行〜第３行）。
　参考文献１０（特開平５−１３１６７６号公報）（同第６号証）には、ズームレンズ５の倍率を調整することにより、ビーム間ピッチ（解像度）を連続的に調整する点が記載されている（【００３２】、【００３３】）。
　そして、参考文献１１（特開平６−４７９５４号公報）（同第７号証）には、ズームレンズ１３によりビーム間ピッチ（解像度）を縮小する縮小光学系を備える点が記載されている（【００２９】）。
　すなわち、参考文献１〜４、７〜１１には、いずれにも、ズームレンズにより倍率を変更することで複数（無数）の解像度による画像の記録を実現する構成が記載され、参考文献５、６には、「高性能ズームレンズ機構により、・・・スポットサイズを各分解能に合わせて最適なサイズでプロッティングでき・・・出力分解能は、１２００ｄｐｉ、１５００ｄｐｉ、２０００ｄｐｉ、２４００ｄｐｉ、３０００ｄｐｉ、４０００ｄｐｉの６段階中から、仕事に合わせて選択でき」（参考文献５）、選択された露光条件（分解能を含む）に、「矢印記号キーまたは数値キーで、ズーム値データを１〜５０００の範囲で設定し、ＥＮＴキーを押します。」（参考文献６）と記載されている。
　してみると、レ一ザプリンタの如き画像記録装置において、ズームレンズにより倍率を変更することで複数（無数）の解像度による画像の記録を実現するとともに、その際倍率や解像度を設定するために、キーボード等のデータの入力手段やメモリー等のデータの保持手段を配設することは当然になされるものと考えられ、このような技術は周知技術であるとみられる。
　したがって、先願発明において、像面サイズを大きくしないで高密度な画像記録を行うことができる画像記録装置を提供するために、前記周知技術を採用し、相違点１の本件発明１の如く構成することは、課題解決のための具体化手段における微差にすぎない。
　次に相違点２について検討する。
　先願発明のものは個々の光ファイバーの直径に等しいピッチで設けられていることから、各光ファイバーが相互に接触して配設されているのに対し、本件発明１のものは、各光ファイバーが、光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝によって、相互に所定間隔をもって非接触に配設されている。そして本件発明１のものは各光ファイバーが接触しないよう配設されていることにより、「互いに隣接する光ファイバー同士の間隔が所定ピッチをもって配置することが可能となります。これは、複数の光ファイバーをマトリクス状に配置する際の自由度を向上させるものであります。」（平成１３年１１月２７日付け特許異議意見書、第２頁第１９〜２１行）、「例えば、各光ファイバーの太さ（直径）にバラツキがあるような状況のとき、各光ファイバーがＶ溝で正確に位置決めされます」（平成１４年３月８日付け回答書、第４頁第３〜５行）という顕著な作用効果を奏すると共に、光ファイバーの相互接触による損傷・破損等が生じ得ない点で、先願発明に対する有利な効果を奏し、相違点２は、もはや光ファイバーの配置の際の具体化手段における微差を超えたものと認められる。
　
　したがって、特許法２９条の２第１項の、本件発明１と先願発明との同一性を判断するにあたり、両者は技術的思想が異なるものと認められるから、同一発明とはいえない。
　
　（ｂ）本件発明２は、本件発明１を引用した発明であり、本件発明１が先願発明と同一発明と認められない以上、本件発明２も先願発明と同一とは認められない。
　（ｃ）本件発明３は、本件発明２を引用した発明であり、本件発明２が先願発明と同一発明と認められない以上、本件発明３も先願発明と同一とは認められない。
　
（４）むすび
  以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１に係る発明乃至請求項３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月２７日（２００２．１１．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許権者が求める特許明細書の訂正は、次の訂正からなる。
　訂正事項ａ：特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の「【請求項１】画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板は、前記光ファイバを保持する等間隔のＶ溝を両面に備えたことを特徴とする画像記録装置。」を、「【請求項１】画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板には、
前記光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝を両面に備えた
　訂正事項ｂ：明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書の段落番号【００２１】の記載を、「【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的に鑑みてなされたものであり、請求項１に記載の発明は、画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板は、
前記光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝を両面に備えた
（５４）【発明の名称】
画像記録装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板には、
前記光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝を両面に備えた
　【請求項２】　前記基板の一方の面のＶ溝と他方の面のＶ溝は同一数備えられ、かつ、一方の面のＶ溝と他方の面のＶ溝とを等間隔でずらしてなることを特徴とする請求項１記載の画像記録装置。
　【請求項３】　前記基板を重ねて前記光ファイバをマトリクス状のマルチスポットとなるように保持することを特徴とする請求項２記載の画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、複数の光ファイバから照射するレーザを用いて記録を行う画像記録装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、レーザヘッドに備えられた光ファイバを固定する基板の構成を図９に示す。
　【０００３】
　図９において、基板９１の片面上に、等間隔の距離にＶ字型の切り欠き（以下：Ｖ溝）を設けており、このＶ溝に光ファイバ２を設置している。光ファイバ２はＶ溝により左右方向に対して保持される。次に、基板９１に対向する位置に基盤９２を備えて、基板９２をもって光ファイバ２を基板９１へ押圧して挟み込むことで光ファイバ２を完全に固定している。この基板９２は、Ｖ溝を備えないものである。
　【０００４】
　この構成での解像度は、２つの隣接する光ファイバ２の間（図９中の距離Ａ）の距離で定められる。しかし、さらに高解像度の記録を行うためには、光ファイバ２の隣接する距離を短くする必要があるが、光ファイバ２の幅があるので光ファイバ２を近づけることで解像度をあげるのには限界がある。
　【０００５】
　そこで、基板を傾けることで、光ファイバの区間距離内にも記録可能とし、高解像度を上げる技術がある。
　【０００６】
　例えば、図９に示した基板を４５°傾けた状態で記録を行うと、２つの隣接した記録される点の距離は、Ａｃｏｓ４５°＝Ａ／２（Ａは図９の２つの隣接する光ファイバ２の記録点の距離）となり、実際の光ファイバ２の間隔距離の半分となって記録する点の距離が短くなり解像度をあげることができる。
　【０００７】
　また、光ファイバ２から射出されたレーザは、固定された光学系レンズによって記録媒体に集光されている。（例えば、特開平７−２７６６９８号）　このように、光学系が固定されていたので、解像度が異なっても記録媒体へ照射されるレーザの径は常に一定となっていた。
　【０００８】
　図１０、図１１は解像度に応じて記録媒体へ与えられるエネルギー量をグラフで示した図であり、記録媒体上に塗布された昇華染料をレーザにより離散させて記録を行うものものである。
　【０００９】
　図１０、図１１において、１０１は、昇華染料であり、１０２は、ベースフィルムである。
　【００１０】
　図に示すように、昇華染料１０１にレーザを照射すると、レーザの熱エネルギーにより、昇華染料１０１はベースフィルム１０２から離散する。このように、昇華染料１０１がベースフィルム１０２から離散することで画情報の記録が行われる。
　【００１１】
　ここでは、記録媒体へ照射されるレーザの径を６０μｍ、解像度の低い画素は一辺が１０．５８μｍ、解像度が高い画素は、一辺が６．３５μｍとする。
　【００１２】
　図１０に示すように、解像度が低い場合の画素を形成するためには、有効エネルギー量のグラフの中、斜線部分のエネルギーを記録媒体に対して照射すると、昇華染料１０１が離散し、１辺が１０．５８μｍの画素が形成される。
　【００１３】
　これに対し、図１１に示すように、解像度の高い画素を形成するためには、低い解像度よりも少ないエネルギーを記録媒体６へ照射することで、高い解像度の画素を得ている。
　【００１４】
　従来のレーザの径は、光学系が固定されているためどの解像度でも一定（６０μｍ）であり、また、レーザの出力も同じであった。このため、径が同じであるレーザを用いて記録媒体６へ照射するエネルギーを調節するためには、昇華染料１０１へ照射する時間を調節することで行われていた。照射する時間の調節は、レーザを駆動する時間や、走査速度を変更することで行われていた。
　【００１５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述の従来の技術では、以下にあげるような問題があった。
　【００１６】
　第１に、光ファイバの数を増やすと一度に記録できる点の数が増えるので記録速度を向上させることができる反面、光ファイバの数を増やすと基板の長さが長くなる。
　【００１７】
　基板の長さが長い状態で基板を傾けてドラム等の円柱状に巻かれた記録媒体への記録を行うと、基板の中心位置にある光ファイバと基板の端部にある光ファイバとでは、記録媒体までの距離に大きな差ができてしまう。この距離の差により、光ファイバから照射されたレーザにピンぼけが生じてしまい、画質の劣化を起こしてしまうという問題があった。また、基板の長さが長くなるとその分光学系のレンズの径も大きくなり、レーザヘッド自体が大型化するという問題があった。
　【００１８】
　第２に、解像度を調節するためには、基板を正確に傾ける必要があり、その制御を行うための制御装置が必要となってしまうのでコストが高くなってしまうという問題があった。
　【００１９】
　第３に、従来の技術で高解像度を出そうとすると、基板を傾ける角度を大きくする必要があるが、角度を傾けるとレーザの重なる度合いが大きくなってしまうという問題があった。
　【００２０】
　第４に、光学系が固定されており解像度を変化させても記録媒体に照射されるレーザの径は変わらないので、高解像度の記録を行う場合に１画素に対するレーザのエネルギーを少なくしたとしても、画素の周りの昇華染料が離散してしまい、隣接する画素の昇華染料をも離散させてしまう可能性があり、画質の劣化を招いてしまうという問題があった。（具体的には、図１１）　本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、記録速度と画質の向上を図ることのできる画像記録装置を提供することを目的とする。
　【００２１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は上述の目的に鑑みてなされたものであり、請求項１に記載の発明は、画情報に応じて半導体レーザを駆動する駆動手段と、前記半導体レーザから射出されたレーザを伝達する複数の光ファイバと、前記光ファイバの端部を保持する基板と、前記光ファイバから射出されたレーザを記録媒体上へ集光させるズームレンズと、記録する解像度と前記ズームレンズの倍率とを対応させて保持する保持手段と、解像度を指定する入力手段とこの入力手段で入力された解像度に対応して前記ズームレンズの倍率を設定する制御手段とを備え、前記基板は、
前記光ファイバを等間隔に保持する相互に所定幅の平坦部をもって離間形成された複数のＶ溝を両面に備えた
　【００２２】
　そして、この構成により、光ファイバを保持するためのＶ溝を基板の両面に設けるようにしたので、光ファイバを保持するための基板の小型化を図ることができる。
　【００２３】
　また、請求項２記載の発明は、請求項１の構成に加え、基板の一方の面のＶ溝と他方の面のＶ溝は同一数備えられ、かつ、一方の面のＶ溝と他方の面のＶ溝とを等間隔でずらしてなる構成を備えたものである。
　【００２４】
　そして、この構成により、基板上に備えたＶ溝を両面に同一数備え、かつそれぞれに備えたＶ溝を等間隔でずらしているので、基板の両面に光ファイバを設置することができる。
　【００２５】
　また、請求項３に記載の発明は、請求項２の構成に加え、基板を重ねて前記光ファイバをマトリクス状のマルチスポットとなるように保持する構成を備えたものである。
　【００２６】
　そして、この構成により、基板の両面のＶ溝を等間隔でずらして基板を重ねて光ファイバを保持するようにしたので、隣接する光ファイバの間に重ねた光ファイバのレーザを照射させることができ、解像度を上げることができる。また、光ファイバをマトリクス状にしたので、光ファイバの数を増やしたとしてもレンズの径が大きくなるのを防止することができる。
　【００２７】
　【００２８】
　【００２９】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
　【００３０】
　図１は、本発明のレーザヘッドを用いた記録装置全体の概略を示した概略図である。
　【００３１】
　図１において、１は、記録を行うためのレーザを射出する半導体レーザである。２は、半導体レーザ１から射出されたレーザを伝達するための光ファイバである。３は光ファイバの端部（レーザが射出される部分）を保持するためのＶ溝ブロックである。４は、光ファイバ２を束ねるための光ファイバアレーである。５は、Ｖ溝ブロック３から射出されたレーザを縮小拡大するズームレンズである。このズームレンズ５は倍率を変化させることができるものである。６は、画情報の記録が行なわれる記録媒体であり、その表面には熱により離散する昇華染料が塗布されている。７は記録媒体６を巻き付けるドラムである。８は、ドラム７を回転させるためのモータである。９は、ドラムの長手方向に対して記録を行うレーザヘッドを移動させるリニアモータである。
　【００３２】
　図１に示されてた画情報記録装置の動作を説明する。
　半導体レーザ１は画信号に応じて駆動されてレーザを射出する。射出されたレーザは、光ファイバ２を介して伝導され、Ｖ溝ブロック３で保持されている端部から再びレーザが射出される。Ｖ溝ブロック３から射出されたレーザは、ズームレンズ５で縮小され記録媒体６へ照射される。記録媒体６の表面に塗布された昇華染料は、レーザの熱エネルギーにより記録媒体６から離散する。離散した昇華染料は図示しない吸引手段により吸引される。ドラム８が１回転すると、リニアモータ９によりレーザヘッドがドラム８の長手方向に駆動してゆき記録媒体６全体の走査を行う。
　【００３３】
　次に、本発明の装置の構成を図２のブロック図に示す。
　重複する符号については説明を省略する。
　【００３４】
　図２において、２１は、半導体レーザ１を駆動制御するためのレーザ制御部である。２２は、ズームレンズ５の倍率を制御するためのズームレンズ駆動部である。２３は、解像度とズームレンズ５の倍率を対応させた管理テーブルを記憶保持するＲＯＭ部である。２４は、本装置の解像度の設定等を行う操作部である。２５は、記録する画情報を保持記憶する画メモリ部である。２６は、各部を制御する主制御部である。
　【００３５】
　図３にＲＯＭ部５３に保持されている管理テーブルの一例を示す。
　解像度設定値は、解像度を決定するものであり、倍率設定値は解像度設定値に対応して保持され、解像度に対応したズームレンズ５の倍率を決定する倍率の値である。
　【００３６】
　この解像度設定値と倍率設定値の値は、図３に示したものに限ることはなく、様々なパターンが考えられるのは言うまでもない。
　【００３７】
　ここでは、２４００ｄｐｉの解像度の場合の倍率を０．３３とし、４０００ｄｐｉの解像度では、０．２０としている。
　【００３８】
　このように、構成された画情報記録装置の動作を説明する。
　操作部２４から記録する解像度が入力されると、主制御部２６は入力された解像度とＲＯＭ部２３に保持されている管理テーブルの解像度設定値の値とのマッチングをし、一致した解像度に対応する倍率設定値をＲＯＭ部２３から読み出す。
　【００３９】
　次に、読み出された倍率設定値を用いてズームレンズ駆動部２２を駆動させて、ズームレンズ５を倍率設定値に設定されている倍率にする。
　【００４０】
　そして、モータ部８がドラム７を一定速度で回転させるようになった後、画メモリ部２５から画情報を読み出しこの画情報に応じてレーザ制御部２１が半導体レーザ１を駆動し記録媒体６へレーザを照射して記録を行う。
　【００４１】
　ここでは、解像度の値を入力するようにしたが、予め記憶されている解像度設定値を図示しない表示部に表示させ、利用者に選択させるようにしても良いのはいうまでもない。
　【００４２】
　次に、図３の管理テーブルに応じてズームレンズを駆動させた場合のレーザのエネルギー量を示したものを図４、図５に示す。
　【００４３】
　Ｖ溝ブロック３から照射されるレーザの径は６０μｍとする。
　図４は、２４００ｄｐｉの画素（一辺が１０．５８μｍ）を形成する場合について示した有効エネルギーのグラフである。
　【００４４】
　上述したように、Ｖ溝ブロック３から射出された時のレーザの径は、６０μｍであるが、一辺が１０．５８μｍの画素を書くには径が大きすぎる、このため図４に示すように、この解像度の場合は、ズームレンズ５の倍率を０．３３とし、レーザの径を６０μｍから２０μｍに縮小して記録媒体６へ照射するようにしている。
　【００４５】
　このように、レーザの径は一定ではなく、解像度（画素の大きさ）に応じてレーザの径を調節するようにしたので、従来のものに比べ、画素領域内にレーザのエネルギーを集中できるので、画素領域外の昇華染料を離散してしまうことを防止することができる。
　【００４６】
　図５は、４０００ｄｐｉの画素（一辺が６．３５μｍ）の画素を形成する場合について示したものである。
　【００４７】
　図４と同様に、Ｖ溝ブロック３から射出されたレーザはズームレンズ５により縮小されて、記録媒体６上に形成される。この時のレーザの径は、１２μｍとなっている。この時のズームレンズ５の倍率は、０．２０であり、この値は、ＲＯＭ部５３に保持されているものである。
　【００４８】
　図４、図５に示したように、解像度に応じてズームレンズ５の倍率を決定し、Ｖ溝ブロック３から射出されたレーザの径を対応する画素の大きさ程度の径に絞り込んで記録媒体６へ照射するようにしている。
　【００４９】
　このように、レーザの径を解像度（画素の大きさ）に対応してレーザを絞り込んでレーザのエネルギーが画素の大きさの範囲の中に効率よく集中させているので、従来のように、画素が小さくなっても画素の周りの昇華染料まで離散させてしまうことを防止して画質の向上を図ることができる一方、レーザのエネルギーを集中しているので昇華染料の離散するスピードを早めることができるので、記録速度の向上を図ることができる。
　【００５０】
　ここでは、解像度の値と倍率のテーブルについて説明したが、これにレーザの出力を対応させて保持してもよい。
　【００５１】
　解像度の高い場合に離散させる昇華染料の量は、解像度の低いものに比べて昇華染料の量が少ないので、レーザの出力を少なくすることことができる。このため、解像度の低い場合のエネルギーと同量のエネルギーをもって解像度が高い場合のレーザを照射する必要はなく、解像度に応じたエネルギーだけを照射すればよい。これらのエネルギーは、記録媒体６の特性に応じて利用者が設定するようにしており、予め実験等で得られた値を設定するのが望ましい。このように、解像度に応じてレーザの径の倍率を調節すると同時にレーザの出力も対応させて調節するようにしたので、レーザの出力を効率良く利用することができ、レーザを発光させるための駆動電流を軽減することができる。
　【００５２】
　次に、Ｖ溝ブロック３について、図６、図７、図８を用いて説明する。
　図６は、Ｖ溝ブロック３の正面図でり、この例では１２８（８列＊１６行）本の光ファイバ２を保持するＶ溝ブロック３について説明する。
　【００５３】
　図６において、Ｖ溝ブロック３は、両面に光ファイバ２を保持するＶ溝を備えた基板６０を重ねることで、光ファイバ２をマトリクス状に保持している。この基板は、従来と同じ素材を用いており、主にシリコン基板が使用される。
　【００５４】
　左側下端をＶ溝６１とし、その上の光ファイバを保持している部分をＶ溝６２とする。以下左上端のＶ溝をＶ溝６８とし、Ｖ溝６１の右方向に隣接するＶ溝をＶ溝６９とする。
　【００５５】
　このように、両面にＶ溝を備えた基板６０を重ねることで光ファイバ２を複数保持するので、多くの光ファイバ２を保持することが可能となり、一度に記録できる画素数が多くなり、記録速度の向上を図ることができる。
　【００５６】
　また、光ファイバ２を保持する基板６０の両面にＶ溝を備えて、従来のように光ファイバ２を抑えるための基板を挟み込む必要がなくなり、基板６０の厚さ以上にＶ溝ブロック３が厚くなることはなく、Ｖ溝ブロック３の小型化を図ることができる。
　【００５７】
　次に図６に示したＶ溝の詳細を図７を用いて説明する。
　図７において、Ｖ溝６１〜Ｖ溝６９は、上下に隣接する一対の基板６０のＶ溝から構成されており、光ファイバ２はこれら基板６０により挟み込まれて固定されている。光ファイバ２は、レーザを伝達する部分のコア７１と、このコア７１を保護するクラッド７２から構成されており、これらは通常の光ファイバの構成であるので説明を省略する。レーザはコア５１から照射されるようになっている。
　【００５８】
　光ファイバを保持するためのＶ溝の角度は、５４．７４度であり、光ファイバ２の中心点の間隔距離は、２５６μｍである。
　【００５９】
　次に、隣接するＶ溝内の記録点について、図８を用いて説明する。
　図８は、図６のＶ溝６１〜Ｖ溝６９までの記録点を示した図面である。
　【００６０】
　図８において、記録媒体６へ照射されたレーザを示しており、その中心点が記録が行われる記録点である。記録点８１〜８９は、Ｖ溝６１〜６９から照射されたレーザに対応するものである。
　【００６１】
　記録点８１〜８９の間隔距離は３２μｍの等間隔であり、Ｖ溝６１〜６９から照射されたレーザによる記録点は重ならないようになっている。
　【００６２】
　これは、この基板６０に備えられている一方の面のＶ溝と、他方の面のＶ溝が等間隔ずれていることによるものであり、この場合、基板６０のＶ溝６２はＶ溝６１に対して図面から見て右方向に３２μｍずれている。この関係はすべてのＶ溝においても同様な構成になっていおり、例えば、Ｖ溝６３も、Ｖ溝６２に対して右方向に３２μｍずれている。このように、Ｖ溝６１とＶ溝６９の間隔距離を重ねられた光ファイバの数＋１（Ｖ溝６２からＶ溝６８）で割った距離だけ、Ｖ溝の位置をずらしてあるので、Ｖ溝６１とＶ溝６９の記録点の間にＶ溝６２〜Ｖ溝６８の記録点が等間隔で並べられるように構成されている。
　【００６３】
　つまり、Ｖ溝６１とＶ溝６９の間には、重ねられた基板のＶ溝が縦方向に対して等間隔で配置されるようになっており、Ｖ溝６１とＶ溝６９の間には、Ｖ溝６２〜Ｖ溝６８から照射されたレーザにより記録が行われるようになっている。
　【００６４】
　このように、Ｖ溝６１〜Ｖ溝６８は縦方向に関して等間隔にずれているので、照射されたレーザによる記録点が重なることなく記録媒体６へと照射される。従って、このＶ溝ブロック３に保持された光ファイバ２から射出されたレーザによる記録点はどれも重なることなく、１２８の画素を一度に書き込むことが可能なマルチスポットとなっている。
　【００６５】
　また、基板の一方の面と他方の面のＶ溝を等間隔にずらしたものを重ねて、光ファイバ２をマトリクス状に保持しているので、隣接するＶ溝の間隔よりも短い間隔で記録を行わせることができ、基板を傾けなくとも、高解像度の記録を可能としている。
　【００６６】
　【発明の効果】
　以上の説明から明らかなように、マルチスポットとなるようにマトリクス状に光ファイバを保持したＶ溝ブロックとズームレンズとを組み合わせ、解像度によってズームレンズ５の倍率を設定することにより、多くの光ファイバをもって記録を行わせて記録速度を向上させるとともに、ズームレンズの倍率を解像度に応じて設定するので、解像度も容易に変化させることができる。
　【００６７】
　また、ズームレンズ５により、Ｖ溝ブロック３から射出されたレーザを絞りこむのでさらなる高速記録が可能である。さらに、レーザを画素の径に合うように絞り込むので、画素の抜けがはっきりとし画質の向上を図ることもできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　レーザ記録ヘッドの全体の構成を示した概略図
　【図２】
　本装置の概略ブロック図
　【図３】
　管理テーブルの概略図
　【図４】
　解像度が低い場合の有効エネルギー量を示した図
　【図５】
　解像度が高い場合の有効エネルギー量を示した図
　【図６】
　Ｖ溝ブロックの正面図
　【図７】
　Ｖ溝ブロックのＶ溝の詳細図
　【図８】
　Ｖ溝ブロックによる記録点を示した図
　【図９】
　従来のＶ溝を備えた基板を示した図
　【図１０】
　従来の解像度が低い場合の有効エネルギー量を示した図
　【図１１】
　従来の解像度が高い場合の有効エネルギー量を示した図
　【符号の説明】
　１　半導体レーザ
　２　光ファイバ
　３　Ｖ溝ブロック
　４　光ファイバアレー
　５　ズームレンズ
　２１　レーザ制御部
　２２　ズームレンズ駆動部
　２３　ＲＯＭ部
　２４　操作部
　２５　画メモリ部
　２６　主制御部
　６１　Ｖ溝
　１０１　昇華染料
　１０２　ベースフィルム