【事件の表示】
　特許第３１６１５２１号「半導体装置の製造方法および洗浄装置」の請求項１ないし１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６１５２１号の請求項１ないし５、７ないし１１に係る特許を取り消す。
　同請求項６、１２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３１６１５２１号発明は、平成１０年３月１３日の出願であって、平成１３年２月２３日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人小柳恵子より全請求項である請求項１〜１２に対して特許異議の申立てがなされた。これに対し、当審より平成１４年３月１５日付で取消しの理由を通知し、その指定期間内である平成１４年５月２７日に特許権者より特許異議意見書及び訂正請求書が提出された。
第２　特許異議申立ての理由及び取消しの理由の概要
　特許異議申立人小柳恵子は、甲第１号証として特開平６−１２０１９１号公報を、甲第２号証の１として米国特許第５６７８３２０号明細書及び翻訳文（部分訳）を、甲第２号証の２として米国特許第５０２２４１９号明細書及び翻訳文（部分訳）を、甲第３号証の１として実願平２−４０９６３号（実開平４−７３８号参照）のマイクロフィルムを、甲第３号証の２として特開平９−１６２１５２号公報を、甲第３号証の３として特開平１−３１２８３０号公報を、甲第３号証の４として特開平３−１２４０３１号公報を、甲第３号証の５として実願平１−１６９３号（実開平２−９２９２５号参照）のマイクロフィルムを、甲第３号証の６として特開平１−１１０７３６号公報を、また、甲第４号証の１として特開平９−２４６２２２号公報を、甲第４号証の２として特開平７−２７１０５６号公報を、甲第５号証として特開平９−２７５０８４号公報を、甲第６号証として特開平２−３９５３１号公報を、それぞれ提出して、本件特許の請求項１〜１２に係る発明は、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件特許の請求項１の「高速回転させて」の記載が不明であり、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反していて特許を受けることができないものであるから、本件特許は、特許法第１１３条第１項第２号及び第４号の規定により取り消すべきものであると主張している。　
　また、当審の平成１４年３月１５日付取消しの理由は、上記特許異議申立ての理由に沿ったものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反しているか、若しくは同第３６条第６項第２号の規定に違反しているとしたものである。
第３　訂正の適否についての判断
１　訂正事項
（１）訂正事項ａ
　本件登録時の明細書（以下「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載の
　「半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを複数配列して、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数配列された半導体ウェハーを高速回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数配列された半導体ウェハーを純水でリンスするリンス工程を有し、該リンス工程後に前記アルミニウム系金属配線パターンが腐食されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、
　「半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有し、該リンス工程後に前記アルミニウム系金属配線パターンが腐食されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載の
　「半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを複数配列して、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数配列された半導体ウェハーを１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数配列された半導体ウェハーを純水でリンスするリンス工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、
　「半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項９に記載の
　「請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーを配列して保持し且つ回転させる保持回転手段と、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段と、純水を半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段と、不活性ガスを半導体ウェハーに吹き付ける不活性ガス供給手段を有する洗浄装置。」を、
　「請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーが所定の間隔で載置されるキャリアを保持し且つ回転させる保持回転手段と、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段と、純水を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段と、不活性ガスを該キャリアに載置された半導体ウヱハーに吹き付ける不活性ガス供給手段を有する洗浄装置。」
と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許明細書の段落【０００９】の
　「【課題を解決するための手段】
　本発明は、半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを複数配列して、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数配列された半導体ウェハーを高速回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数配列された半導体ウェハーを純水でリンスするリンス工程を有し、該リンス工程後に前記アルミニウム系金属配線パターンが腐食されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
　また本発明は、半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを複数配列して、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数配列された半導体ウェハーを１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数配列された半導体ウェハーを純水でリンスするリンス工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。」を、
　「【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウエハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有し、該リンス工程後に前記アルミニウム系金属配線パターンが腐食されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。また本発明は、半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　特許明細書の段落【００１０】の
　「また本発明は、上記の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーを配列して保持し且つ回転させる保持回転手段と、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段と、純水を半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段と、不活性ガスを半導体ウェハーに吹き付ける不活性ガス供給手段を有する洗浄装置に関する。」を、
　「また本発明は、上記の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーが所定の間隔で載置されるキャリアを保持し且つ回転させる保持回転手段と、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段と、純水を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段と、不活性ガスを該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける不活性ガス供給手段を有する洗浄装置に関する。」
と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａ
　訂正事項ａについては、特許明細書の請求項１に記載された「該半導体ウェハーを複数配列して、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程」、「付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数配列された半導体ウェハーを高速回転させて洗浄液を振り切る振切工程」、及び「該複数配列された半導体ウェハーを純水でリンスするリンス工程」を、特許明細書の段落【００２４】、【００３０】〜【００３２】の記載に基づいて、夫々「該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程」、「付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程」、及び「該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程」と限定して、特許請求の範囲を減縮するものである。
　また、上記「付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程」との訂正において、「洗浄液を振り切れるような高速で回転させて」は、特許明細書の段落【００２４】の記載に依拠しており、この訂正は「高速回転」の程度が洗浄液を振り切れる回転数であることを明りょうにしたものである。
　上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂ
　訂正事項ｂについては、特許明細書の請求項２に記載された「該半導体ウェハーを複数配列して、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程」、「付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数配列された半導体ウェハーを１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程」、及び「該複数配列された半導体ウェハーを純水でリンスするリンス工程」を、夫々「該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程」、「付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程」、及び「該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程」と限定して、特許請求の範囲を減縮するものである。また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（３）訂正事項ｃ
　訂正事項ｃについては、特許明細書の請求項９に記載された「アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーを配列して保持し且つ回転させる保持回転手段」、「樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段」、「純水を半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段」、及び「不活性ガスを半導体ウェハーに吹き付ける不活性ガス供給手段」を、特許明細書の段落【００２７】、【００３０】〜【００３２】の記載に基づいて、夫々「アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーが所定の間隔で載置されるキャリアを保持し且つ回転させる保持回転手段」、「樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段」、「純水を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段」、及び「不活性ガスを該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける不活性ガス供給手段」と限定して、特許請求の範囲を減縮するものである。また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（４）訂正事項ｄ
　訂正事項ｄについては、請求項１に関する訂正事項ａ及び請求項２に関する訂正事項ｂの特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の段落【０００９】の記載を整合させて訂正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的としている。また、上記訂正事項ｄは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（５）上記訂正事項ｅ
　上記訂正事項ｅについては、請求項９に関する訂正事項ｃの特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の段落【００１０】の記載を整合させて訂正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的としている。また、上記訂正事項ｅは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第４　特許異議の申立てについての判断
１　特許法第２９条第２項の規定違反について
（１）本件発明
　上記のように本件については訂正が認められており、本件の請求項１ないし１２に係る発明（以下「本件発明１ないし１２」という。）は、一部明らかな誤記を除いて、訂正後の請求項１ないし１２に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有し、該リンス工程後に前記アルミニウム系金属配線パターンが腐食されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記振切工程において、加温した不活性ガスを吹き付けながら前記複数載置された半導体ウェハーを高速回転させる請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記の洗浄液が、フッ素化合物として、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素酸、又はホウフッ化アンモニウムを含有する請求項１、２又は３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記の洗浄液が、樹脂溶解性の有機溶剤として、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、アセトニトリル、又はベンゾニトリルを含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求頃６】前記振切工程後リンス工程前に、前記複数載置された半導体ウェハーを弱酸性溶液でリンスするプレリンス工程を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】前記洗浄工程において、前記複数載置された半導体ウェハーを回転させながら、前記複数載置された半導体ウェハーに前記洗浄液を吹き付けて洗浄する請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】前記リンス工程において、前記複数載置された半導体ウェハーを回転させながら、前記複数載置された半導体ウェハーに純水を吹き付けてリンスする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーが所定の間隔で載置されるキャリアを保持し且つ回転させる保持回転手段と、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段と、純水を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段と、不活性ガスを該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける不活性ガス供給手段を有する洗浄装置。
【請求項１０】不活性ガスを加温して吹き付ける手段を有する請求項９記載の洗浄装置。
【請求項１１】弱酸性溶液を半導体ウェハーに吹き付ける弱酸性溶液供給手段を有する請求項９又は１０記載の洗浄装置。
【請求項１２】前記純水供給手段が、弱酸性水溶液を供給し、次いで純水を供給できるように供給液切り替え手段を備えた請求項９又は１０記載の洗浄装置。」
　なお、特許明細書の請求項１、２に記載された「複数配列」は、第３の１（１）、（２）の訂正事項ａ、ｂにおいて、「複数載置」と訂正されたので、訂正後の明細書の特許請求の範囲の請求項３、請求項６、請求項７（２箇所）、請求項８（２箇所）、に記載の「前記複数配列」は、「前記複数載置」の誤記であることが明らかであり、本件各発明を上記のように認定した。
（２）　引用各甲号証の記載内容
ア　甲第１号証
　甲第１号証（以下「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「この洗浄工程の後は、ウェーハの表面を清浄化する必要から、リンスや水洗工程が行われる。」（第２頁左欄第３０〜３２行）
（イ）　「【００１３】すなわち、本発明は、図１の配線形成工程に示すように、ウェーハへのＡｌ合金のスパッタリング後、レジストパターニング、ドライエッチング、アッシングという工程を経てレジストおよびそのアッシング残渣を剥離・除去する洗浄工程の後に、乾燥工程を挿入することにより、ウェーハ面の電解液層を除去することができ、これによって導電性物質による腐食を抑制することができる。
【００１４】なお、上記した乾燥工程の手段としては特に限定するものではなく、たとえばスピンドライ、真空乾燥、赤外線や熱風による加熱乾燥、凍結乾燥、電磁エネルギーによる乾燥などいずれかの手段を、単独にあるいは組み合わせによって用いることができる。また、本発明は、上記した配線形成工程におけるアッシング直後の洗浄工程のみならず、アッシング工程を必要としないメタルエッチング後の洗浄工程やスルーホールのエッチング後の洗浄工程にも適用し得るものである。
【００１５】すなわち、メタルエッチングの場合は、図２に示すように、ウェーハ上にアルミ系合金をスパッタリング後、レジストパターニングを行いプラズマエッチングしてから直接熱Ｎ２ブローと水洗の防食処理を行ったのち、アミン系の薬液で洗浄してレジスト残渣を剥離・除去する洗浄工程の後に、乾燥工程を挿入することにより、アルミ系合金の腐食を防止することができる。
【００１６】また、スルーホールエッチングの場合も、下層配線上部の酸化膜をエッチングした後のレジスト残渣を剥離・除去する洗浄工程の後に、乾燥工程を挿入することにより、下層配線の腐食を防止することができる。なお、本発明は、たとえばＡｌ−Ｓｉ系合金やＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金およびこれらを含む積層配線などのＡｌ系金属を対象となし得るものである。」（第３頁左欄第２４行〜右欄第１１行）
（ウ）　「【実施例】Ｓｉウェーハ上にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金をスパッタリング法で成膜した試料を、液温度１００℃のアミン系薬液に１０ｍｉｎ浸した後、スピンドライヤを用いて乾燥した。その後、純水で洗浄し、再度スピンドライヤで乾燥した。その試料の表面を２万倍の走査型電子顕微鏡で観察したときの金属組織の写真を図３（ａ）に示した。なお、比較のために、乾燥工程を用いない従来法での試料の金属組織の顕微鏡写真を図３（ｂ）に示した。
【００１８】図３（ｂ）の従来法の場合は、最大２〜３μｍ、平均で０．７μｍの局部腐食がおよそ１×１０７箇所／ｃｍ２の頻度で発生したのに対し、図３（ａ）の本発明法の場合は２万倍の倍率においても膜の局部腐食は観察されなかった。なお、本発明による洗浄方法では一連の洗浄操作を５回連続して行った場合でも、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金の腐食は認められなかった。」（第３頁右欄第１３〜２７行）
　上記記載事項より刊行物１には、次の発明が記載されていると認める。
　ウェーハへのＡｌ合金のスパッタリング後、レジストパターニング、ドライエッチング、アッシングという工程を経て、薬液によりレジストおよびそのアッシング残渣を剥離・除去する洗浄工程の後に、スピンドライ等の乾燥工程を行った後、純水による水洗工程を行う洗浄方法であって、上記乾燥工程を洗浄工程と水洗工程の間に挿入することにより、ウエーハ面の電解液層を除去することができ、これによって導電性物質による腐食を抑制することができる半導体装置の洗浄方法。
イ　甲第２号証の１
　甲第２号証の１（以下「刊行物２」という。）には、実質的に次の事項が記載されている。
（ア）　「処理装置４０の処理部４４は、詳しくは、３つの遠心分離処理ステーション７１〜７３を含む。」（第１０欄第２〜４行）
（イ）　「処理ステーション７１〜７３で行われる特有の処理はそれぞれ異なっていても同じものであっても良い。様々な液体およびガスを用いた処理工程を様々な順番で用いることができる。」（第１０欄第６４〜６７行）
（ウ）　「処理チャンバーに挿入または載置された複数のウエハは更に、ケミカル処理流体、液体又はガス、あるいは流体、典型的にはガスを加熱、冷却若しくは乾燥して、一般的なほとんどのガス等の流体処理材料を用いて処理することが好ましい。この処理によれば、特にウエハトレイ上に載置されている場合に、回転しているウエハの処理を含む遠心分離処理を有利に行うことができる。この回転は、配列されたウエハを回転軸の中心近くに維持するローター内で行われることが好ましい。該遠心分離処理は、特に精密な物を処理する場合に好ましい回転、スプレー、リンス及び乾燥等様々な段階（工程）を含むことができる。」（第２０欄第６４行〜第２１欄第１０行）
（エ）　第４図を参照すると、ウエハトレイ６０に、ウエハ５０を所定の間隔で載置していることが認められる。
ウ　甲第２号証の２
　甲第２号証の２（以下「刊行物３」という。）には、実質的に次の事項が記載されている。
（ア）　「脱イオン化された水及び窒素ガスを噴出するマニフォールドを載置台上に設け、モータ及び駆動プレートが、シリコンウエハ、ヒ化ガリウムウェハ、基板、マスクもしくはディスク（複数）をリンス、乾燥させるために、着脱可能なリンス容器中に設けられた基板の入ったカセットを回転させる。」（第１欄第５８〜６６行）
（イ）　「ダイレクト駆動モータ２４が着脱可能なリンス容器１２内に設けられたカセットロータ２６を回転させるために載置台１４に設置されている。リンスサー・ドライヤー１０においては、加圧され、脱イオン化された水等の液体がＤＩ噴出マニフォールド２８から着脱可能な容器１２内に注入され、噴出マニフォールド２８の下をロータ２６、ウエハ３２、及びカセット３４が回転することにより、ウエハカセット３４内にあるウエハ３２より処理薬品を加圧しながらリンスする。」（第４欄第８〜１６行）
エ　甲第３号証の１
　甲第３号証の１（以下「刊行物４」という。）には、次の事項が記載されている。
　「つぎに、ウエハキャリア４を回転させ、回転数１０００ｒｐｍで２分間保持した。この間に、エタノール噴射ノズル２からウエハ６に向って、３０秒毎に３回、エタノールを噴射する一方、Ｎ２ガス噴射ノズル１からＮ２ガス（温度約４０℃、流速５００ｍ／ｓ）を噴射し続けた。なお、ウエハキャリア４をセットした後の、ホットプレート５の加熱及び回転動作、エタノール噴射とＮ２ガス噴射の切替え及び各噴射時間等は、全て図示しない制御器により自動化されている。以上の動作によって、ウエハ６上のＧａ残渣を効果的に除去することができた。」（第５頁第１〜１２行）
オ　甲第３号証の２
　甲第３号証の２（以下「刊行物５」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「【０００３】半導体ウエハの洗浄方法としては、洗浄槽内で半導体基板を回転しながら洗浄液あるいは不活性ガスを噴射して洗浄、乾燥する洗浄方法が用いられている。このための回転式洗浄装置では、基板保持部材の回転軸が装置を貫通し、軸受けによって支持されているが、この軸受けは洗浄槽内部に曝されるため、摺動による発塵が洗浄槽内の雰囲気を汚染するという問題がある。また、貫通部等から外気が混入し、洗浄槽内部ひいては被洗浄物を汚染するというという問題もある。」（第２頁の右欄第７〜１５行）
（イ）　「【００３１】（ｂ）超純水リンス洗浄
　続いて、超純水供給管から超純水を槽内に供給して、フッ酸洗浄と同様にして超純水リンス洗浄を行う。
【００３２】（ｃ）ＩＰＡ洗浄及び乾燥
　ＩＰＡ供給管からＩＰＡを槽内に供給して、フッ酸洗浄と同様にして洗浄を行う。その後、Ｎ２ガスを供給しながら赤外線ランプ２０６でウエハ２０８を加熱しながら高速回転（１０００〜３６００ｒｐｍ）させ、ウエハに付着するＩＰＡを除去し乾燥させる。この工程においても、外部からごみの混入は防止されるため、ウエハは常時清浄雰囲気内に保持される。従って、高清浄なウエハ表面が保たれ、高い製造歩留まりを安定して得ることが可能となる。」（第４頁左欄第１８〜３０行）
（ウ）　「【００３７】また、本発明の洗浄装置は、洗浄液に基板を浸潰して洗浄する方法に限らず、スプレ−等基板表面に洗浄液を噴射して洗浄する場合にも同様にして適用することができる。この場合も、回転軸と排出部との間隙の洗浄液及び／又は液溜りに溜まる洗浄液自体により、同様に摺動部からのごみの侵入は防止され、また洗浄槽内を外気と遮断することができるので、高清浄雰囲気内での洗浄が可能となる。」（第４頁右欄第４〜１１行）
（エ）　「【００５４】加熱手段
　加熱手段としては、基板を赤外線ランプ等で加熱するほか、保持部材に電熱ヒータ等を設けて直接加熱しても良く、あるいは加熱した不活性ガス等を基板に吹き付けるものでも良い。」（第５頁右欄第１３〜１７行）
カ　甲第３号証の３
　甲第３号証の３（以下「刊行物６」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「この洗浄処理に用いられる洗浄装置例えばリンサードライヤ（１）は、第１図に示すように、被処理体例えば半導体ウエハ（２）を板厚方向に所定の間隔を設けて例えば２５枚積載収容するカセット（３）を設置可能な円筒状のチャンバ（４）が設けられている。このチャンバ（４）内には、第３図のような上記カセット（３）を支持して回転させるための回転機構例えばロータ（５）が図示しない回転駆動機構と係合して設けられている。このロータ（５）は、所望に応じて回転数が選択可能されている。又、チャンバ（４）の内側に面して、ウエハ（２）に洗浄・リンス用の洗浄液又は、乾燥用の気体を吹き付けるためのノズル（６）が第２図に示すように１乃至複数個設置されている。」（第２頁右上欄第１６行〜左下欄第９行）
（イ）　「このノズル（６）に供給される洗浄液例えば純水は、図示しない純水製造装置等の外部設備から配管によりリンサードライヤ（１）内に導入され、液体供給管（７）により、バルブ（８）を介してノズル（６）に供給される。又、乾燥用の気体例えばＮ２ガスは、図示しないガスボンベ等からフィルタを通過後、気体供給管（９）によりバルブ（８）を介してノズル（６）に供給される。ここで、上記バルブ（８）は、三方弁構造であり、液体供給管（７）又は気体供給管（９）を選択的にノズル（６）と接続可能であり、純水あるいはＮ２ガスのいずれか一方をノズル（６）に供給する。」（第２頁左下欄第９〜１９行）
（ウ）　「この洗浄方法の前工程としては、例えば半導体ウエハ（２）をＨＦ液に所時間浸潰し、ウエハ（２）表面に付着した自然酸化膜を除去する工程であり、」（第２頁右下欄第１３〜１５行）
（エ）　「ロータ（５）は低速回転例えば２００〜５００ｒｐｍで回転し、洗浄液例えば純水がノズル（６）より噴射する。つまり、半導体ウエハ（２）が回転しながら洗浄される。」（第３頁左上欄第１３〜１６行）
（オ）　「するとロータ（５）は高速回転例えば２０００〜２５００ｒｐｍで回転し、ノズル（６）より噴射される例えばＮ２ガスによって半導体ウエハ（２）の乾燥を実行する。」（第３頁右上欄第１４〜１７行）
　上記記載事項より刊行物６には、次の発明が記載されていると認める。
　複数の半導体ウエハが所定の間隔で積載収容されるカセットを保持し、且つ回転させるロータと、洗浄液を該カセットに積載収容された半導体ウエハに吹き付ける液体供給管７・バルブ８・ノズル６と、純水を該カセットに積載収容された半導体ウエハに吹き付ける液体供給管７・バルブ８・ノズル６と、Ｎ２ガスを該カセットに積載収容された半導体ウエハに吹き付ける気体供給管９・バルブ８・ノズル６を有する洗浄装置。
キ　甲第３号証の４
　甲第３号証の４（以下「刊行物７」という。）には、次の事項が記載されている。
　「次いで、モータ２の駆動力が回転軸４に伝達されてスピンドル５が高速回転するので、三本のアーム６が高速回転し、ピン７に垂直に支持されているウエハ８を回転させると共に、ヒータ１５又はＮ２等の加熱不活性ガスを供給して処理容体１１内を加温して加温雰囲気を作り出す。このとき、処理容体１１内に垂直に支持されて高速回転しているウエハ８は確実に乾燥され、ガスと水分は排気排水口１７により排出し、乾燥工程を終了すると、処理容体１１を移動してピンセットにより吸着保持して次工程に搬送する。
　上記乾燥工程は、洗浄後の乾燥のほか、レジスト液の塗布後、現像液の塗布後などの液状体を被着後の乾燥工程に適用できることは説明するまでもないことである。」（第２頁左下欄第７行〜右下欄第１行）
ク　甲第３号証の５
　甲第３号証の５（以下「刊行物８」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「そこで本考案はこのような問題点を解決するもので、その目的とするところは、窒素等のガスを被乾燥物の表面に吹きつけながら遠心力を利用して、乾燥させることを提供するところにある。」（第２頁第１１〜１４行）
（イ）　「本考案の上記の構成によれば、ローター部に設けられたガス導入口は、ローターの回転軸上にあり、クレドールに入った被乾燥物の表面を吹きつけながらローターと同じ回転をすることにより、被乾燥物の表面に残っている水滴またはウォーター膜等がローターの円周上に吹き飛ばされ、さらに遠心力により被乾燥物の表面から水滴またはウォーター膜等が吹き飛ばされるものである。」（第３頁第１〜８行）
ケ　甲第３号証の６
　甲第３号証の６（以下「刊行物９」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「しかる後に、スタートボタンを押すと、電気ヒータ８によって加熱された洗浄用の水がノズル３より噴射され、被処理体２０は回転しながら洗浄される。」（第３頁左上欄第３〜６行）
（イ）　「所定時間の洗浄の後、手動又は自動でシステムが洗浄から乾燥に切り換えられると、バルブ５は気体供給路９を導通するように切り換えられロータ２の回転は高速レンジに切り換えられ、被処理体２０は高速回転しながらノズル３から噴射されるＮ２ガスによって乾燥させられる。」（第３頁左上欄第７〜１２行）
コ　甲第４号証の１
　甲第４号証の１（以下「刊行物１０」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「【請求項１】水溶性フッ素化合物、有機溶剤、および水を含有し、かつｐＨが８．４０〜９．８０であることを特徴とする半導体装置の洗浄剤。
【請求項２】ドライエッチング後に請求項１または２に記載の洗浄剤を用いて半導体装置を洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法。」（第２頁左欄第２〜７行）
（イ）　「【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、十分な洗浄力は持つが、単にそれのみではＴｉやＡＩを激しく腐食する水溶性レジスト洗浄液（例えば、洗浄力を促進するジメチルホルムアミドなどの有機溶剤と、水溶性フッ化アンモニウムなどのフッ素化合物と、２０ｗｔ％以上の水とからなる水溶性レジスト洗浄液）に、さらにｐＨ調整剤（例えば、アンモニア、アミン類、力ルボン酸、無機酸など）を添加し、ＰＨを８．４０〜９．８０の範囲に保つようにする。
【００１０】これによって初めて、洗浄力を損なうことなく配線メタルの腐食を抑えることができる。」（第２頁右欄第１３〜２３行）
　これらの記載事項から、刊行物１０には、Ａｌ配線メタルの洗浄剤であって、有機溶剤、水及び水溶性フッ素化合物、を含有すること、及び有機溶剤として、ジメチルホルムアミドを用いることが記載されていると認める。
サ　甲第４号証の２
　甲第４号証の２（以下「刊行物１１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「【課題を解決するための手段】本発明者等は上記従来技術における種々の問題点を解決すべく鋭意検討を行った結果、（ａ）有機カルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩、及び（ｂ）フッ素化合物からなる水溶液；さらには、上記（ａ）、（ｂ）に、アミド類、ラクトン類、ニトリル類、アルコール類及びエステル類から選ばれた有機溶媒を１種以上含有する水溶液であるフォトレジスト用剥離液で処理することにより、アルミニウム系配線体をまったく腐食することなく、エッチング時に形成される側壁保護膜及びレジスト残査を完全に除去でき、超微細な配線パターンが形成できることを見いだし、本発明を完成するに至った。」（第３頁左欄第１３〜２４行）
（イ）　「【００１１】本発明に使用されるフッ素化合物の例としては、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、ホウフッ化アンモニウム等を含む。これらのフッ素化合物は、通常０．５〜１５重量％の濃度で使用されるが、フッ素化合物の濃度が０．５重量％未満の濃度であれば、側壁保護膜の除去能力が低下し、１５重量％以上になるとアルミニウム系配線体の材質の腐食が激しくなり、好ましくない。
【００１２】さらに本発明で使用される有機溶媒の例としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール等のアルコール類；さらには酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類がを含む。これらの有機溶媒は好ましくは、１〜５０重量％の含有量で使用される。１重量％以下ではアルミニウム系配線体材質の腐食が激しくなり、５０重量％以上では側壁保護膜の除去能力が低下し、好ましくない。」（第３頁右欄第１６〜２３行）
シ　甲第５号証
　甲第５号証（以下「刊行物１２」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「【請求項１】半導体基板を洗浄する方法であって、半導体基板を粒子除去処理するステップと、上記半導体基板を概略２〜６の範囲のｐＨ値を有する溶液の中で洗浄とすすぎ洗いを同時に行うステップと、前記半導体基板を乾燥させるステップと、を含むことを特徴とする方法。」（第２頁左欄第２〜７行）
（イ）　「【００１０】本発明の更に別の実施態様も半導体基板を洗浄する方法であって、半導体基板を洗浄処理するステップと、半導体基板を概略２〜６の間のｐＨ値を有する溶液中ですすぎ洗いするステップとからなる方法がある。上記のｐＨ値は、溶液に酸（ＨＮ０３、ＨＣ１、及びＨ２ＣＯ３やその他の酸からなる群から選択された酸、好ましくは気体状態の原料を水に混合して誘導される酸）を加えることによって得られる。」（第３頁左欄第２３〜３０行）
ス　甲第６号証
　甲第６号証（以下「刊行物１３」という。）には、次の事項が記載されている。
　「すなわち、チャンバ外に配置された回転源機構と回転軸を介して連結され密閉式のチャンバ内に設けられた半導体ウェハ等の被処理物の支持部が配置され、この被処理物支持部に複数の半導体ウェハが収容されたカセットホルダがセットされるように構成されたものである。そして、被処理物支持部を回転させながら、チャンバ内に配置されたノズルからカセット内の半導体ウェハに対して均一にリンス液等の液状処理剤をスプレー方式や噴霧方式により供給し、半導体ウェハの洗浄を行う。この後、リンス液の供給を停止した後も回転を続けて乾燥を行う。
　また、このような回転式処理装置は、液状処理剤を供給することなく、被処理物の乾燥処理のみに使用されることもある。さらに、酸液やアルカリ液による処理にも使用されている。」（第１頁右下欄第４〜１９行）
（３）　対比・判断
ア　本件発明１について
　本件発明１（前者）と刊行物１に記載の発明（後者）を対比すると、後者の「ウェーハ」、「Ａｌ合金のスパッタリング後、レジストパターニング、ドライエッチング、アッシングという工程」、「薬液」、「スピンドライ等の乾燥工程」、及び「純水による水洗工程」が、前者の、「半導体ウェハー」、「アルミニウム系金属配線パターンを形成する工程」、「洗浄液」、「半導体ウェハーを洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程」、及び「純水でリンスするリンス工程」にそれぞれ相当している。したがって、前者と後者は、
　半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、半導体ウェハーを洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該半導体ウェハーを純水でリンスするリンス工程を有し、該リンス工程後に前記アルミニウム系金属配線パターンが腐食されていない半導体装置の製造方法、
　である点で一致し、次の３点で相違している。
　前者では、半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該キャリアに載置したまま処理を行うのに対し、後者では、この構成が不明である点。（以下「相違点１」という。）
　前者では、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液を用いるのに対し、後者では、この構成が不明である点。（以下「相違点２」という。）
　前者では、不活性ガスを吹き付けながら該複数配列された半導体ウェハーを高速回転させて洗浄液を振り切るのに対し、後者では、この構成が不明である点。（以下「相違点３」という。）
　相違点１については、刊行物２には、上記（２）イの（ア）〜（エ）の記載事項より
　ウエハトレイ６０に、ウエハ５０を所定の間隔で載置して、該ウエハトレイを処理チャンバーに挿入した状態で、回転しているウエハの処理を含む遠心分離処理、即ち、回転、スプレー、リンス及び乾燥等様々な工程を行うこと、
が記載されており、また、この種の遠心分離機において、上記ウエハトレイの如き部材を、本件発明１の如くキャリアと称することもあることはよく知られているから（例えば、特開平６−３７０８１号公報）、刊行物２のウエハトレイは、本件発明１のキャリアに相当するものと認められ、上記刊行物２には、半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該キャリアに載置したまま処理を行う点が記載されているといえるから、この点を刊行物１に記載の発明に適用して、この相違点における前者の構成とするのは、当業者であれば容易である。
　相違点２については、刊行物１０には、Ａｌ配線メタルの洗浄剤であって、有機溶剤、水及び水溶性フッ素化合物、を含有すること、及び有機溶剤として、ジメチルホルムアミドを用いることが記載されていると言えるから、本件発明１と同じ有機溶剤であるジメチルホルムアミドは、当然樹脂溶解性であり、この点を刊行物１に記載の発明に適用して、この相違点における前者の構成とするのは、当業者であれば容易である。
　相違点３については、刊行物６には、ロータ（５）は高速回転例えば２０００〜２５００ｒｐｍで回転し、ノズル（６）より噴射される例えばＮ２ガスによって半導体ウエハ（２）の乾燥を実行することが記載されているから、この点を刊行物１に記載の発明に適用して、この相違点における前者の構成とするのは、当業者であれば容易である。
イ　本件発明２について
　本件発明２（前者）と刊行物１に記載の発明（後者）を対比すると、上記本件発明１における相違点１及び２の他、次の点で相違している。
　前者では、不活性ガスを吹き付けながら該複数配列された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切るのに対し、後者では、この構成が不明である点。（以下「相違点４」という。）
　相違点１及び２については、上記アで検討したとおりである。
　相違点４については、刊行物６には、ロータ（５）は高速回転例えば２０００〜２５００ｒｐｍで回転し、ノズル（６）より噴射される例えばＮ２ガスによって半導体ウエハ（２）の乾燥を実行することが記載されているから、この点を刊行物１に記載の発明に適用して、この相違点における前者の構成とするのは、当業者であれば容易である。
ウ　本件発明３について
　本件発明３（前者）と刊行物１に記載の発明（後者）を対比すると、上記本件発明１及び２における相違点１〜４の他、次の点で相違している。
　前者では、振切工程において、不活性ガスを吹き付ける際、「加温した不活性ガス」を用いるのに対し、後者では、この構成が不明である点。（以下「相違点５」という。）
　相違点５について検討すると、刊行物５には、加熱した不活性ガス等を基板に吹き付けるものでも良いことが記載されており、加温した不活性ガスを用いることは、当業者であれば適宜なし得る程度のものである。
エ　本件発明４について
　本件発明４（前者）と刊行物１に記載の発明（後者）を対比すると、上記本件発明１〜３における相違点１〜５の他、次の点で相違している。
　前者では、洗浄液が、フッ素化合物として、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素酸、又はホウフッ化アンモニウムを含有するのに対し、後者では、この構成が不明な点。（以下「相違点６」という。）
　相違点６について検討すると、上記相違点２についての検討で引用した刊行物１０には、洗浄液が、フッ素化合物として、フッ化アンモニウムを含有することが記載されており、この相違点における前者の構成とするのは、当業者であれば容易である。
オ　本件発明５について
　本件発明５（前者）と刊行物１に記載の発明（後者）を対比すると、上記本件発明１〜４における相違点１〜６の他、次の点で相違している。
　前者では、洗浄液が、樹脂溶解性の有機溶剤として、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、アセトニトリル、又はベンゾニトリルを含有するのに対し、後者では、この構成が不明な点。（以下「相違点７」という。）
　相違点７について検討すると、上記相違点２についての検討で引用した刊行物１０には、洗浄液が、樹脂溶解性の有機溶剤として、ジメチルホルムアミドを含有することが記載されており、この相違点における前者の構成とするのは、当業者であれば容易である。
カ　本件発明６について
　本件発明６（前者）と刊行物１に記載の発明（後者）を対比すると、上記本件発明１〜５における相違点１〜７の他、次の点で相違している。
　前者では、振切工程後リンス工程前に、前記複数載置された半導体ウェハーを弱酸性溶液でリンスするプレリンス工程を含むのに対し、後者では、この構成が不明な点。（以下「相違点８」という。）
　相違点８について検討すると、この相違点８の前者の構成は、刊行物１〜１３の何れにも記載されていないから、本件発明６は、当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
キ　本件発明７について
　本件発明７（前者）と刊行物１に記載の発明（後者）を対比すると、上記本件発明１〜６における相違点１〜８の他、次の点で相違している。
　前者では、洗浄工程において、複数載置された半導体ウェハーを回転させながら、前記複数載置された半導体ウェハーに洗浄液を吹き付けて洗浄するのに対し、後者では、この構成が不明な点。（以下「相違点９」という。）
　相違点９について検討すると、上記相違点３についての検討で引用した刊行物６には、チャンバ内にセットした半導体ウエハをウエハを回転しながら洗浄・リンスすることが記載されており、この相違点における前者の構成とするのは、当業者であれば容易である。
ク　本件発明８について
　本件発明８（前者）と刊行物１に記載の発明（後者）を対比すると、上記本件発明１〜７における相違点１〜９の他、次の点で相違している。
　前者では、リンス工程において、複数載置された半導体ウェハーを回転させながら、前記複数載置された半導体ウェハーに純水を吹き付けてリンスするのに対し、後者では、この構成が不明な点。（以下「相違点１０」という。）
　相違点１０について検討すると、上記相違点３についての検討で引用した刊行物６には、チャンバ内にセットした半導体ウエハを、ウエハを回転しながら純水をノズルより噴射させて洗浄・リンスすることが記載されており、この相違点における前者の構成とするのは、当業者であれば容易である。
ケ　本件発明９について
　本件発明９（前者）と、刊行物６に記載の発明（後者）を対比すると、後者の、「半導体ウエハ」、「積載収容」、「カセット」、「ロータ」、「液体供給管７・バルブ８・ノズル６」、「液体供給管７・バルブ８・ノズル６」、「Ｎ２ガス」、及び「気体供給管９・バルブ８・ノズル６」が、前者の、「半導体ウェハー」、「載置」、「キャリア」、「保持回転手段」、「洗浄液供給手段」、「純水供給手段」、「不活性ガス」、「不活性ガス供給手段」にそれぞれ相当しており、両者は、
　複数の半導体ウェハーが所定の間隔で載置されるキャリアを保持し且つ回転させる保持回転手段と、洗浄液を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段と、純水を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段と、不活性ガスを該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける不活性ガス供給手段を有する洗浄装置、
の構成で、一致しているが、次の３点で相違している。
　洗浄装置が、前者では、請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であるのに対し、後者では、この構成を有しない点。（以下「相違点１１」という。）
　半導体ウェハーが、前者では、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーであるのに対し、後者では、この構成が不明な点。（以下「相違点１２」という。）
　洗浄液が、前者では、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液であるのに対し、後者では、この構成が不明な点。（以下「相違点１３」という。）
　相違点１１については、後者の洗浄装置も前者と同様な機能を持つ、保持回転手段と、洗浄液供給手段と、純水供給手段と、不活性ガス供給手段を有するものであるから、このような各手段を必要とする、この相違点における半導体装置の製造方法に適用することは、当業者であれば容易である。
　相違点１２については、この相違点における前者の構成は、刊行物１に記載されている事項である。
　相違点１３については、この相違点における前者の構成は、刊行物１０に記載されている事項である。
コ　本件発明１０について
　本件発明１０（前者）と、刊行物６に記載の発明（後者）を対比すると、本件発明９における相違点１１〜１３の他、次の点で相違している。
　前者では、不活性ガスを加温して吹き付ける手段を有するが、後者では、この構成を有しない点。（以下「相違点１４」という。）
　相違点１４について検討すると、刊行物５には、加熱した不活性ガス等を基板に吹き付けるものでも良いことが記載されており、不活性ガスを加温して用いることは、当業者であれば適宜なし得る程度のものである。
サ　本件発明１１について
　本件発明１１（前者）と、刊行物６に記載の発明（後者）を対比すると、本件発明１０における相違点１１〜１４の他、次の点で相違している。
　前者では、弱酸性溶液を半導体ウェハーに吹き付ける弱酸性溶液供給手段を有しているが、後者では、この構成を有しない点。（以下「相違点１５」という。）
　相違点１５について検討すると、刊行物１２には、すすぎ洗いをｐＨ２〜６の酸で行うことが記載されており、弱酸性溶液を洗浄液供給手段より供給して、この相違点の前者の構成とすることは、当業者であれば容易である。
シ　本件発明１２について
　本件発明１２（前者）と、刊行物６に記載の発明（後者）を対比すると、本件発明１１における相違点１１〜１５の他、次の点で相違している。
　前者では、純水供給手段が、弱酸性水溶液を供給し、次いで純水を供給できるように供給液切り替え手段を備えているが、後者では、この構成を備えていない点。（以下「相違点１６」という。）
　この相違点１６の前者の構成は、刊行物１〜１３の何れにも記載されていないから、訂正発明１２は、当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
（４）まとめ
　以上のように、本件発明１〜５、７、８及び本件発明９〜１１は、何れも刊行物１〜１３に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものと認められる。
２　特許法第３６条第６項第２号の規定違反について
　本件訂正前の請求項１の「高速回転させて」の記載が不明であり、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反している、という異議申立人の主張に沿った当審の取消しの理由に対し、本件発明１における、「洗浄液を振り切れるような高速で回転させて」との訂正により、上記第３の２（１）の検討の如く記載不備は解消した。
第５　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜５、７、８、９〜１１は、刊行物１〜１３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって、本件請求項１〜５、７、８及び請求項９〜１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号に該当し、特許を取り消すべきものである。
　また、本件請求項６及び請求項１２に係る特許については、他に取消しの理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月２７日（２００２．８．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１　訂正事項ａ
　本件登録時の明細書（以下「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１の記載を
　「半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有し、該リンス工程後に前記アルミニウム系金属配線パターンが腐食されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
と訂正する。
２　訂正事項ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２の記載を
　「半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
と訂正する。
３　訂正事項ｃ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項９の記載を
　「請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーが所定の間隔で載置されるキャリアを保持し且つ回転させる保持回転手段と、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段と、純水を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段と、不活性ガスを該キャリアに載置された半導体ウヱハーに吹き付ける不活性ガス供給手段を有する洗浄装置。」
と訂正する。
４　訂正事項ｄ
　特許明細書の段落【０００９】の記載を
　「【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウエハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有し、該リンス工程後に前記アルミニウム系金属配線パターンが腐食されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。また本発明は、半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程と、付着した洗浄液を除去できるように、不活性ガスを吹き付けながら該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま１０００〜２０００ｒｐｍ或いはより高速で回転させて洗浄液を振り切る振切工程と、該複数載置された半導体ウェハーを該キャリアに載置したまま純水でリンスするリンス工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。」
と訂正する。
５　訂正事項ｅ
　特許明細書の段落【００１０】の記載を
　「また本発明は、上記の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハーが所定の間隔で載置されるキャリアを保持し且つ回転させる保持回転手段と、樹脂溶解性の有機溶剤と水とフッ素化合物を含有する洗浄液を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける洗浄液供給手段と、純水を該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける純水供給手段と、不活性ガスを該キャリアに載置された半導体ウェハーに吹き付ける不活性ガス供給手段を有する洗浄装置に関する。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法および洗浄装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを
所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを
載置
該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で
載置
該キャリアに載置したまま
　【請求項２】半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを
所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを
載置
該キャリアに載置したまま
載置
該キャリアに載置したまま
　【請求項３】前記振切工程において、加温した不活性ガスを吹き付けながら前記複数配列された半導体ウェハーを高速回転させる請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項４】前記の洗浄液が、フッ素化合物として、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素酸、又はホウフッ化アンモニウムを含有する請求項１、２又は３記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項５】前記の洗浄液が、樹脂溶解性の有機溶剤として、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、アセトニトリル、又はベンゾニトリルを含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項６】前記振切工程後リンス工程前に、前記複数配列された半導体ウェハーを弱酸性溶液でリンスするプレリンス工程を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項７】前記洗浄工程において、前記複数配列された半導体ウェハーを回転させながら、前記複数配列された半導体ウェハーに前記洗浄液を吹き付けて洗浄する請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項８】前記リンス工程において、前記複数配列された半導体ウェハーを回転させながら、前記複数配列された半導体ウェハーに純水を吹き付けてリンスする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項９】請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハー
が所定の間隔で載置されるキャリアを
該キャリアに載置された
該キャリアに載置された
該キャリアに載置された
　【請求項１０】不活性ガスを加温して吹き付ける手段を有する請求項９記載の洗浄装置。
　【請求項１１】　弱酸性溶液を半導体ウェハーに吹き付ける弱酸性溶液供給手段を有する請求項９又は１０記載の洗浄装置。
　【請求項１２】　前記純水供給手段が、弱酸性水溶液を供給し、次いで純水を供給できるように供給液切り替え手段を備えた請求項９又は１０記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法およびその方法に用いる洗浄装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】半導体装置の製造方法において、従来、配線パターンの形成工程後にこの工程で発生する異物や残渣を除去するために洗浄をおこなっている。
　【０００３】通常、この配線パターンの形成工程は次のように行われている。まず、半導体素子が形成された半導体基板上に配線材料からなる金属膜を形成し、次いでこの金属膜上にレジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィーにより微細なパターンを形成し、続いてこのレジストパターンをマスクとして金属膜をドライエッチングし、その後、金属膜上のレジストをプラズマ剥離等により除去して配線パターンを形成している。しかし、このような配線パターン形成工程において、金属膜のドライエッチングやレジストの除去の際に異物や残渣が発生し、これらが金属配線に付着する。この金属配線に付着した異物や残渣は種々の配線欠陥を引き起こし、製造における歩留まりの低下や、最終的な製品である半導体装置の性能および信頼性の低下を招く。そのため、このような異物や残渣を除去するために配線パターンの形成工程後に洗浄を行っている。
　【０００４】異物や残渣を除去するための洗浄としては、通常、有機系洗浄液、酸性洗浄液、アルカリ性洗浄液などを用いたウェット洗浄が行われ、この洗浄の後に最終的に純水によるリンス処理が行われる。
　【０００５】洗浄液としては、配線パターンが微細である場合の洗浄には、金属配線の腐食性が比較的小さい有機系洗浄液が主として用いられている。しかし、通常の有機系洗浄液は、その洗浄力が低いため、この洗浄前に腐食性のあるアルカリ系溶液による処理を行う必要があったり、洗浄後、純水リンス前にイソプロピルアルコール等の引火性の高い有機溶媒によるプレリンスを行う必要があったり種々の問題を有している。
　【０００６】そこで、これに代わる洗浄液として、フッ化アンモニウム等のフッ素化合物を含有する有機系洗浄液を用いた洗浄が行われている。この有機系洗浄液は、フッ化アンモニウム等のフッ素化合物、ジメチルスルホキシド等の溶剤および水からなり、これらは所定の配合比で混合されてる。この洗浄液に含まれるフッ化アンモニウムは、溶剤により除去できない金属系の異物あるいは残渣物であっても、配線と付着した異物等との間に自然形成された酸化膜を微少エッチングして配線から異物等を取り除く作用がある。一方、樹脂系の異物あるいは残渣は、洗浄液中の溶剤成分により溶解除去される。このため、フッ素化合物を含む有機系洗浄液は、金属系および樹脂系のいずれの異物および残渣を十分に除去でき、腐食性のあるアルカリ系溶液による処理を行う必要がない。さらにこの洗浄液は、室温（２５℃）程度の比較的低温環境下でこのような優れた洗浄力を発揮する。しかも、金属配線の腐食性もほとんど無いと考えられていたため、プレリンスを行うことなく洗浄直後に純水リンスを行っていた。なお、プレリンスを行うと、新たなプレリンス溶剤の使用によりコストが増大し、またプレリンス工程が一段階増えるとともに廃液処理工程も必要となるためプロセス的に不利になる上、フッ素化合物とプレリンス溶剤とが反応して問題が生じたりすることなどから、プレリンスは行わないことが好ましい。その他
のフッ素化合物を含有する洗浄液としては、特開平７−２７１０５６号公報に開示されているものがある。この公報には、特定の有機カルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩、及びフッ素化合物をそれぞれ所定量含有する水溶液からなるフォトレジスト用剥離液、並びに特定の有機カルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩、フッ素化合物、及び特定の有機溶媒をそれぞれ所定量含有する水溶液からなるフォトレジスト用剥離液が開示されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】近年の半導体装置の小型化・高集積化に伴い、配線パターンもいっそうの微細化が要求され、配線幅や配線ピッチのサイズはますます微小になってきている。このような微細配線パターンの洗浄においては、従来の洗浄では問題とならなかったようなごく僅かな腐食によっても、配線パターンのサイズが大きく変わってしまう。これにより設計寸法と異なる配線パターンとなるため、接触不良や短絡など種々の配線欠陥が生じるようになる。
　【０００８】このようなことから、上記のフッ素化合物を含む洗浄剤を用いた洗浄であっても、その洗浄後の純水リンス処理において配線が腐食されるという問題が生じるようになった。この純水リンス処理における配線の腐食は、特に、複数のウェハーを所定の間隔で配列して一度に洗浄およびリンス処理する方法において顕著である。複数のウェハーを一度に処理することは、製造工程の簡略化や低コスト化のためには必須の方法であり、このような方法において腐食が顕著に発生することは、半導体装置の低価格化の要請がますます高まっている現状では非常に大きな問題である。そこで本発明の目的は、金属配線を腐食することなく、発生した異物や残渣を除去でき、品質の高い半導体装置を低コストで提供可能にする半導体装置の製造方法、及びその方法に用いる洗浄装置を提供することである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハーにアルミニウム系金属配線パターンを形成する工程と、該半導体ウェハーを
所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを
載置
該キャリアに載置したまま洗浄液を振り切れるような高速で
載置
該キャリアに載置したまま
所定の間隔でキャリアに複数載置し、該複数載置された半導体ウェハーを
載置
該キャリアに載置したまま
載置
該キャリアに載置したまま
　【００１０】また本発明は、上記の半導体装置の製造方法に用いられる洗浄装置であって、アルミニウム系配線パターンが形成された複数の半導体ウェハー
が所定の間隔で載置されるキャリアを
該キャリアに載置された
該キャリアに載置された
該キャリアに載置された
　【００１１】
　【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を挙げて詳細に説明する。
　【００１２】本発明の方法における配線パターンの形成は、常法に従い、例えば次のようにして形成する。まず、拡散層や絶縁膜等が形成されたウェハー上に配線材料からなる金属膜を蒸着法等により形成する。次いでこの金属膜上にレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフィーにより微細なパターンを形成する。続いてこのレジストパターンをマスクとして金属膜をドライエッチングし、その後、金属膜上のレジストをプラズマ剥離等により除去して配線パターンを形成する。
　【００１３】本発明の方法は、アルミニウム系の配線材料を用いた配線パターン（アルミニウム系配線パターン）を形成する場合に特に有効である。アルミニウム系配線材料としては、Ａｌや、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のアルミニウム合金が挙げられる。
　【００１４】アルミニウム系配線材料からなる金属膜のドライエッチングには、三塩化ホウ素、四塩化炭素、塩素、塩化水素、四塩化ケイ素等の塩素化合物を含有するガスが用いられる。
　【００１５】以上のようにして配線パターンが形成されたウェハーは例えば次のようにして洗浄される。
　【００１６】ウェハーの洗浄は、スプレー式ウェット処理やＤＩＰ式ウェット処理等により行うことができる。まず、洗浄装置に、複数のウェハーを所定の間隔で載置して、洗浄液を用いて、室温付近で５〜１０分程度洗浄を行う（洗浄工程）。この後、ウェハーに付着した洗浄液を振り切れるようにウェハーを高速回転させる（振切工程）。次いで、室温で５〜１０分程度、純水でリンス処理を行い（リンス工程）、最終的にスピン乾燥等によりウェハーを乾燥させる（乾燥工程）。
　【００１７】本発明の方法の洗浄工程では、フッ素化合物を含む洗浄液を用いることが好ましい。より好ましくは、フッ素化合物、溶剤および水を含む洗浄液を用いる。
　【００１８】洗浄液に含まれるフッ素化合物としては、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素酸、ホウフッ化アンモニウム等が挙げられるが、中でもフッ化アンモニウムが好ましい。フッ素化合物の含有量は、０．１〜１０重量％が好ましく、０．５〜５重量％がより好ましい。含有量が少なすぎると洗浄力が低下し、多すぎると洗浄時に配線を腐食してしまう。
　【００１９】洗浄液に含まれる溶剤としては、樹脂溶解性の有機溶剤が用いられ、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラクトン、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル等が挙げられる。中でもジメチルスルホキシドが好ましい。洗浄液中の溶剤の含有量は、樹脂系の異物や残渣が除去できる程度含有されていれば特に制限はない。溶剤の含有量が少なすぎると洗浄力が低下するとともに、洗浄液中の水の含有量が増えるため、洗浄液の腐食性が高まる。本実施の形態では洗浄液中の溶剤の含有量は３０〜９０重量％が好ましく、５０〜８０重量％であることがより好ましい。
　【００２０】洗浄の方式としては、スプレー式ウェット処理やＤＩＰ式ウェット処理等により行うことができる。スプレー式ウェット処理では、洗浄液を吐出してウェハーに吹き付けた際、異物や残渣に対して洗浄液の吐出圧の物理的な力が働き、除去効果が向上する。このため、スプレー式ウェット処理で洗浄を行うことが好ましい。
　【００２１】洗浄時の温度は、常温付近の温度で十分であるが、洗浄液の成分が分解して洗浄力が低下する等の問題が生じない程度に温度を高くしてもよい。また、洗浄時間は特に制限されるものではなく、洗浄方式、配線材料やレジストの種類、異物や残渣の量、洗浄液の成分、洗浄温度等に応じて適宜選択する。
　【００２２】上記の振切工程においては、窒素やヘリウム等の不活性ガスを吹き付けることが好ましい。これにより、ウェハーに付着した洗浄液の除去効果が向上する。気流による物理的な除去効果の他、洗浄容器内のウェハー周囲の雰囲気をＤＲＹな状態に置換する効果もある。この不活性ガスの流量は、本実施の形態の場合、８０〜１００Ｌ／ｍｉｎで十分な効果が得られる。
　【００２３】さらに、この不活性ガスは１００〜１５０℃程度の温度に加温したものであることが好ましい。これにより、洗浄液中の溶剤や水、その他の揮発性成分が気化しやすくなるため、洗浄液の除去効果が向上する。
　【００２４】上記の振切工程における回転数は、洗浄液が振り切れる回転数であれば特に制限はなく、比較的短時間で処理するためには高速であるほど好ましいが、本実施の形態では、１０００〜２０００ｒｐｍ程度で十分な効果が得られる。また、この振切工程の時間についても特に制限はなく、上記の回転数や、下記の不活性ガスの導入量およびその温度に応じて適宜設定されるが、１〜１０分程度行うことが好ましい。
　【００２５】リンス工程は、常法にしたがって行われるが、洗浄工程でスプレー式ウェット処理を行った場合は、ウェハーに純水を吹き付けてリンスを行うことが好ましい。なお、このリンス工程の前に、弱酸性水溶液でプレリンスを行ってもよい。
　【００２６】乾燥工程も常法にしたがって行われるが、洗浄工程でスプレー式ウェット処理を行った場合は、所望の温度および回転数でスピン乾燥を行うことが好ましい。
　【００２７】図１に本発明の洗浄装置の一実施形態の処理チャンバーの概略構成図を示す。処理チャンバー内はＳＵＳ製であり、キャリア１を保持し回転させるローター２が設けられている。このキャリア１には、複数のウェハー３が所定の間隔で載置されている。そしてキャリア１の周囲にはスプレーノズル４が複数設置され、各ノズルから、それぞれ洗浄液、窒素、純水、所望により弱酸酸性水溶液が吐出されるようになっている。これらの
ノズルは、吐出物ごとに別々に設けられていていてもよいし、一つのノズルで２種以上を共用させてもよい。例えば、純水用ノズルから窒素を吐出させるようにすれば窒素用ノズルと共に複数のノズルから窒素を吹き付けることができる。また、スプレーノズルに接続された供給ラインに切り替えバルブを設け、弱酸性水溶液を吐出した後、バルブを切り替えて純水を吐出できるようにしてもよい。以上のようにして吐出されウェハーに吹き付け
られた洗浄液や純水等は廃液として廃液口５から処理チャンバー外へ排出される。
　【００２８】
　【実施例】上記の処理チャンバーを備えた洗浄装置を用いて、配線幅０．４４μｍ、配線間隔が０．３２μｍのアルミ配線パターンが形成されたウェハーを次のようにして洗浄した。
　【００２９】洗浄液は、フッ化アンモニウム１重量％、ジメチルスルホキシド６９重量％、水３０重量％を含有する洗浄液を用いた。
　【００３０】２５枚のウェハーを載置したキャリアを処理チャンバー内に装着し、ローターを回転数３５ｒｐｍで回転させながら、２３℃で、洗浄液をスプレーノズルから吐出してウェハーへ５分間吹き付けた。
　【００３１】次に、ローターの回転数を１５００ｒｐｍに上げて洗浄液を振り切りながら、１２０℃の窒素ガスを２つのスプレーノズルから１分間吹き付けた。
　【００３２】続いて、常法に従い、ローターの回転数を適宜制御しながら、２３℃で、純水を２つのスプレーノズルから吹き付けてトータル１０分間程度リンスを行った。その後、常法に従ってスピン乾燥を行った。
　【００３３】スピン乾燥後、キャリアの端から１３番目のウェハーの断面をＳＥＭ観察したところ、配線サイズの変化はなく腐食は認められず、異物や残渣も存在しなかった。一方、比較として、振切工程を行わなかった以外は同様に処理したウェハーを同様にＳＥＭ観察したところ、配線幅が０．１μｍ小さくなっていた。すなわち、洗浄前の配線幅の２３％もサイズが変化していた。
　【００３４】本発明者は、上記の効果を検討するため、本実施例に用いた洗浄液のアルミニウムに対する腐食性試験を行った。図２は、洗浄液の濃度に対するアルミニウムのエッチングレートの変化を示すグラフである。横軸の洗浄液濃度は洗浄液量／（洗浄液量＋添加水量）で表され、洗浄液濃度１００％のプロットは本実施例で用いた洗浄液のエッチングレートであり、濃度が低い領域のプロットはこの洗浄液を水で希釈したもののエッチングレートである。
　【００３５】このグラフから、洗浄液自体には腐食性は無くても、水で希釈されることにより腐食性が発現することがわかる。このことから、洗浄工程では配線の腐食が起こらなくても、リンス工程においてウェハー上に洗浄液が残留していると、残留した洗浄液が洗浄水で希釈されて腐食性が発現し、その結果、配線が腐食されると考えられる。本願発明の方法によれば、前述したような振切工程を行うため、洗浄工程でウェハー上に付着した洗浄液をほぼ完全に除去することができ、洗浄液が残留することが無いため、次のリンス工程において配線は腐食されないと考えられる。
　【００３６】
　【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明によれば、金属配線を腐食することなく、発生した異物や残渣を除去でき、品質の高い半導体装置を低コストで提供できる。また、振切工程でほぼ完全に洗浄剤を除去できるため、溶剤を用いた従来のプレリンス工程を行う必要が全くなく、リンス工程を簡略化でき、さらに、洗浄液の残留に起因する半導体装置の品質や信頼性の低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の洗浄装置の一実施形態の処理チャンバーの概略構成図である。
　【図２】本発明の実施例に用いた洗浄液の濃度に対するアルミニウムのエッチングレートの変化を示すグラフである。
　【符号の説明】
　１　キャリア
　２　ローター
　３　ウェハー
　４　スプレーノズル
　５　廃液口