【事件の表示】
平成　８年特許願第１５９２９５号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［　平成１０年　１月１６日出願公開、特開平１０−　１２７２６                        ］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成８年６月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１０年１月１９日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「半導体基板に形成された素子上に下層の層間絶縁膜が形成され、この下層の層間絶縁膜上に配線層及びそれぞれ複数の異なる層の上層層間絶縁膜及び上層電極が形成され、かつ前記配線層の平面領域に設けられたコンタクト孔を通して前記各上層電極と前記素子との間が電気接続される構成を含む半導体装置において、前記配線層はその上面と前記コンタクト孔を囲む側面に前記下層及び上層の各層間絶縁膜とはエッチング選択性のある絶縁膜からなる側壁絶縁膜が形成され、前記各上層電極は前記側壁絶縁膜で囲まれた領域において前記各上層層間絶縁膜を貫通して前記素子に電気接続されていることを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平３−８３６０号公報（以下、「引用例１」という）には、
「この発明の半導体装置によれば、３層以上の配線層を有する半導体装置に於いて、複数の半導体回路素子が形成された半導体基板と、前記配線層の内、少なくとも１層の配線層に形成された、前記半導体回路素子に信号を供給するための複数の信号配線と、前記配線層の内、前記信号配線を形成する配線層とは異なる少なくとも１層以上の配線層に、それぞれほぼ全域に亘って形成された複数の電源配線と、前記電源配線と前記半導体回路素子とを接続して、前記半導体回路素子に電源を供給するためのスルーホールとを具備するものとして構成されている。このように、電源配線を信号配線とは別の配線層として形成すれば、電源配線の配線幅を従来に比して格段に広くすることができるので、寄生のインピーダンスを押えることができ、また電流容量を大きく取ることが可能となる。」（第２頁右上欄第５行〜左下欄第１行）、
「第１図は、この発明の第１の実施例に於ける電源配線と信号配線との配置を示す模式図である。即ち、図示しない半導体基板上に複数の半導体回路素子が形成され、その上にＡｌ等のメタル配線層２２１，２２２，２２３がそれぞれ図示しない絶縁膜を介して３層積層されている。」（第２頁左下欄第１１〜１６行）、
「なお、この実施例では、最上層のメタル配線層２２３を電源配線２１を形成する層とした場合につき説明したが、メタル配線層２２１，２２２，２２３のいずれを電源配線２１形成用の層としても良いことはもちろんである。」（第２頁右下欄第１１〜１５行）、
「第２図は、この発明の第２の実施例に於ける電源配線と信号配線との配置を示す模式図である。即ち、この第２の実施例では、３層のメタル配線層３２１，３２２，３２３の内、最下層のメタル配線層３２１に信号配線３３を形成し、他の２層に電源配線３１１，３１２を形成したものである。この場合、２つのメタル配線層３２２，３２３のそれぞれに１種類づつの異なる電源配線３１１，３１２を割り当て配置したものである。この２種類の電源としては、例えば、電源電位と、接地電位が考えられる。この２種類の電源は、スルーホール３４１，３４２を介して、適当な回路素子に供給されるようになっている。」（第２頁右下欄第１６行〜左上欄第８行）
と記載されている。また、第２図には明示されていないが、半導体基板と最下層のメタル配線層３２１との間、上記メタル配線層３２１とメタル配線層３２２の間及びメタル配線層３２２と３２３との間にはそれぞれ絶縁膜が形成されていることは明らかである。以上の事項を考慮すると、第２図には、下層の電源配線３１１であるメタル配線層３２２の平面領域に設けられたコンタクト孔を通して、上層の電源配線であるメタル配線層３２３と半導体回路素子との間が電気接続される構成を含む半導体装置において、上層の電源配線３１２は下層の電源配線３１１に設けられた開孔の内側面で囲まれた領域において前記上層の電源配線と下層の電源配線との間に形成された上層の絶縁膜を貫通して前記半導体回路素子に電気接続されていることを特徴とする半導体装置が記載されているといえる。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、
「半導体基板に形成された半導体回路素子上に下層の絶縁膜が形成され、この上に信号配線が形成され、この上に中層の絶縁膜が形成され、この中層の絶縁膜上に下層の電源配線及び上層の絶縁膜及び上層の電源配線が形成され、かつ前記下層の電源配線の平面領域に設けられたコンタクト孔を通して前記上層の電源配線と前記半導体回路素子との間が電気接続される構成を含む半導体装置において、前記上層の電源配線は前記下層の電源配線に設けられた開孔の内側面で囲まれた領域において前記上層の電源配線と下層の電源配線との間に形成された上層の絶縁膜を貫通して前記半導体回路素子に電気接続されていることを特徴とする半導体装置。」が記載されているものと認められる。
　
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平３−１２６２４６号公報（以下、「引用例２」という）には、
「第一層目の配線と、第一層目の配線上に形成された第一層目の層間膜と、前記第一層目の層間膜上に形成され、第一層目及び第二層目の層間膜に比べエッチングされにくい絶縁膜によってその上面及び側面を覆われた第二層目の配線と、前記第二層目の配線上に形成された第二層目の層間膜と、前記第二層目の層間膜上に形成された第三層目の配線と、第一層目の配線と第三層目の配線を第二層目の配線を介さずに、かつ第二層目の配線を覆う前記絶縁膜に接触しながら接続するスルーホールとからなる事を特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）、
「以下、詳細は工程を追いながら説明していく。まず、シリコン基板３０１上に酸化膜３０２を形成しその上方に第一層目の配線３０３をアルミニウムで形成し、その後全面に第一層間膜３０４として酸化シリコン膜をＣＶＤ法により形成する。その上にアルミニウム膜をスパッタし窒化シリコンの膜をＣＶＤ法により形成した後、二層を同じマスクで一度にエッチングすることによりアルミニウムと窒化シリコンの二層構造である第二層目の配線を形成する［第３図（ａ）］。前記の第二層目の配線の上方にさらに厚い窒化シリコンの膜をＣＶＤ法により全面に形成し、ＲＩＥを用いてエッチングすることによりサイドウォールを形成し第二層目の配線３０５の上面と側面を窒化シリコン膜３０６，３０７で覆う［第３図（ｂ）］。窒化シリコン膜３０６，３０７で覆われた第二層目の配線３０５の上方に第二層目の層間膜３０８として酸化シリコン膜をＣＶＤ法により形成してからスルーホール３０８をＣＨＦ３を用いてエッチングすると、まず第二層目の層間膜３０８がエッチングされ、第二層目の配線３０５を覆った絶縁膜３０６，３０７である窒化シリコンと第一層目の層間膜３０４である酸化膜が露出する。そのままエッチングを続けると窒化シリコン膜はほとんどエッチングされずに酸化膜がエッチングされるので、第二層目の配線３０５を覆った窒化シリコン膜をマスクとして下部の酸化膜のエッチングがすすむ。この様にして結果的に第二層目の配線３０５を避けるようにスルーホール３１０が開孔する［第３図（ｃ）］。そのうえに第三層目の配線３０９をアルミニウムで形成することにより、第二層目の配線３０５とはショートせずに第一層目の配線３０３と接続することができる［第３図（ｄ）］。上記の工程を経て出来上がった本発明の半導体装置はスルーホールを開孔する際に第二層目の配線との間にマスク合わせの余裕やオーバーエッチングの余裕を取らなくてもショートする心配がないので従来の半導体装置に比べ、微細化が可能である。」（第３頁左上欄第１４行〜左下欄第１３行）、
「以上本発明を実施例を基に説明したが、本発明は上記実施例に限定される物ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。」（第３頁右下欄第３〜８行）が、第１図、第３図と共に記載されている。また、第１図には、第二層目の配線１０５の平面領域に設けられたスルーホールを通して第三層目の配線１０９と第一層目の配線１０３との間が電気接続される構成を含む半導体装置が記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、
「シリコン基板上の酸化膜上に形成された第一層目の配線上に第一層目の層間膜が形成され、この第一層目の層間膜上に第二層目の配線及び第二層目の層間膜及び第三層目の配線が形成され、かつ前記第二層目の配線の平面領域に設けられたスルーホールを通して前記第三層目の配線と前記第一層目の配線との間が電気接続される構成を含む半導体装置において、前記第二層目の配線はその上面と側面に前記第一層目及び第二層目の各層間膜とはエッチング選択性のある絶縁膜からなる側壁絶縁膜が形成され、前記第三層目の配線は前記側壁絶縁膜に隣接する領域において前記第二層目の層間膜を貫通して前記第一層目の配線に電気接続されていることを特徴とする半導体装置。」が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「素子」、「層間絶縁膜」、「配線層」、「上層電極」は、それぞれ引用例１に記載された発明の「半導体回路素子」、「絶縁膜」、「下層の電源配線」、「上層の電源配線」に相当する。そして、引用例１に記載された発明における「信号配線」は「電極」の一種とみることができる。
　従って、両者は、「層間絶縁膜上に配線層及び上層層間絶縁膜、及び上層電極が形成され、かつ前記配線層の平面領域に設けられたコンタクト孔を通して前記上層電極と半導体基板に形成された素子との間が電気接続される構成を含む半導体装置において、前記上層電極は前記コンタクト孔を囲む前記配線層の側面で囲まれた領域において前記上層層間絶縁膜を貫通して前記素子に電気接続されていることを特徴とする半導体装置。」である点で一致し、
　本願第１発明では、「配線層」が「半導体基板に形成された素子上」に形成された「下層の層間絶縁膜上」に形成され、且つ、配線層の上にそれぞれ複数の異なる層の上層層間絶縁膜及び上層電極が形成されているのに対して、引用例１に記載された発明では、「配線層」が「半導体基板に形成された素子上」に形成された下層の絶縁膜の、さらに上に形成された電極の上に形成された層間絶縁膜上に形成され、且つ、配線層の上には「上層層間絶縁膜」及び「上層電極」がそれぞれ一つしか存在しない点（相違点１）、
　本願第１発明では、配線層はその上面とコンタクト孔を囲む側面に下層及び上層の各層間絶縁膜とはエッチング選択性のある絶縁膜からなる側壁絶縁膜が形成され、各上層電極は側壁絶縁膜で囲まれた領域において各上層層間絶縁膜を貫通して素子に電気接続されているのに対して、引用例１には、このような構造について開示されていない点（相違点２）において相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用例１には、第１の実施例について、「なお、この実施例では、最上層のメタル配線層２２３を電源配線２１を形成する層とした場合につき説明したが、メタル配線層２２１，２２２，２２３のいずれを電源配線２１形成用の層としても良いことはもちろんである。」（第２頁右下欄第１１〜１５行）とあり、三層のメタル配線層のいずれを電源配線形成用の層としても良いとある。してみれば、引用例１に記載された発明において、三層の配線層の内、半導体回路素子に最も近い配線層を「下層の電源配線」とし、「上層の電源配線」と「信号配線」をこの上に形成するような構造とすること、すなわち、「配線層」が「半導体基板に形成された素子上」に形成された「下層の層間絶縁膜上」に形成され、且つ、配線層の上にそれぞれ複数の異なる層の上層層間絶縁膜及び上層電極が形成されるような構成を有するようにすることは、単なる設計変更にすぎず、当業者が容易になし得たことであると認められる。
　
（相違点２について）
　引用例２には、多層配線構造を有する半導体装置が記載されており、引用例１に記載された発明と技術分野を共通としている。
　そして、引用例２には、配線の上面と側面に第一層目及び第二層目の各層間膜とはエッチング選択性のある絶縁膜からなる側壁絶縁膜が形成され、第三層目の配線は前記側壁絶縁膜に隣接する領域において前記第二層目の層間膜を貫通して第一層目の配線に電気接続することにより、スルーホールを開孔する際に第二層目の配線との間にマスク合わせの余裕やオーバーエッチングの余裕を取らなくてもショートする心配がないので従来の半導体装置に比べ、微細化が可能となった半導体装置が記載されている。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、半導体装置をより微細化するために、配線層の上面とコンタクト孔を囲む側面に下層及び上層の各層間絶縁膜とはエッチング選択性のある絶縁膜からなる側壁絶縁膜を形成し、各上層電極は側壁絶縁膜で囲まれた領域において各上層層間絶縁膜を貫通して素子に電気接続されるようにすることは当業者が容易になし得たことであると認められる。
　そして、本願第１発明は、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
　なお、請求人は審判請求理由補充書において、引用文献２は、本願発明の「製造工程数の削減とコンタクト孔を開設する際のマスクの位置決め精度を緩和し、製造を容易に行う」という目的とは全く相違していると主張する。
　しかしながら、本願第１発明は「半導体装置」という「物」の発明であり、「製造工程数の削減」という請求人主張の前記目的は請求項１に記載された発明の構成と対応していない。
　また、「コンタクト孔を開設する際のマスクの位置決め精度を緩和し、製造を容易に行う」という目的は、引用例２の第３頁左下欄の、「上記の工程を経て出来上がった本発明の半導体装置はスルーホールを開孔する際に第二層目の配線との間にマスク合わせの余裕やオーバーエッチングの余裕を取らなくてもショートする心配がないので従来の半導体装置に比べ、微細化が可能である。」との記載に示唆されていると認められる。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。