【事件の表示】
　平成　７年特許願第３３２２３０号「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　６月３０日出願公開、特開平　９−１７２０７９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願日　　　　：平成７年１２月２０日
　最初の拒絶理由通知：平成９年１０月１５日起案
　手続補正書提出　　：平成９年１２月１６日
  拒絶査定          ：平成１０年２月５日起案
　手続補正書提出　　：平成１０年４月１５日
　（平成１１年１０月２５日付けで補正の却下の決定）
　最後の拒絶理由通知：平成１１年１０月２５日起案
　手続補正書提出　　：平成１１年１２月１５日
　（平成１２年２月３日付けで補正の却下の決定）
　
２．平成９年１２月１６日付け手続補正書の内容
　平成９年１２月１６日付け手続補正書（以下「補正１」という）の内容は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明について以下のように補正しようとするものである。（なお、平成１０年４月１５日付け手続補正書は、平成１１年１０月２５日付けで補正の却下の決定がされ、平成１１年１２月１５日付け手続補正書は、平成１２年２月３日付けで補正の却下の決定がされた。）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　半導体基板上に形成された複数の配線と、前記配線間に空洞が形成されるように前記半導体基板上に形成された絶縁膜とを有する半導体装置において、前記空洞は、前記配線の表面より下方ではほぼ同一幅の溝形状であり、前記配線の表面より上方にて絶縁膜により塞がれた形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】　前記配線の膜厚が０．５乃至１．０μｍのときに、前記絶縁膜の膜厚が１．０乃至１．５μｍである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】　半導体基板上に複数の配線を形成する工程と、前記配線間にて該配線の表面より下方ではほぼ同一幅の溝になるように絶縁膜を形成する工程と、不活性ガスのプラズマにより前記配線の表面より上方にある前記溝の上部を前記絶縁膜で塞いで空洞を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】　前記不活性ガスは、ＡｒガスまたはＸｅガスである請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】　前記絶縁膜は、シリコン酸化膜である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】　前記絶縁膜を形成する工程から前記空洞を形成する工程までを、大気中に曝すことなく連続処理する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】　前記不活性ガスのプラズマを、上部および下部電極にそれぞれＲＦ電源を備えるドライエッチング装置、ＥＣＲエッチング装置、ＴＣＰ、ＩＣＰ、およびヘリコン波エッチング装置のうちから選択された装置によって発生させる請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【００１４】
　【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体基板上に形成された複数の配線と、前記配線間に空洞が形成されるように前記半導体基板上に形成された絶縁膜とを有する半導体装置において、前記空洞は、前記配線の表面より下方ではほぼ同一幅の溝形状であり、前記配線の表面より上方にて絶縁膜により塞がれた形状であることを特徴とする半導体装置が得られる。前記配線の膜厚が０．５乃至１．０μｍのときに、前記絶縁膜の膜厚が１．０乃至１．５μｍであってもよい。
【００１５】
　本発明によればまた、半導体基板上に複数の配線を形成する工程と、前記配線間にて該配線の表面より下方ではほぼ同一幅の溝になるように絶縁膜を形成する工程と、不活性ガスのプラズマにより前記配線の表面より上方にある前記溝の上部を前記絶縁膜で塞いで空洞を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。
【００１６】
　さらに、本発明によれば、前記不活性ガスがＡｒガスまたはＸｅガスである前記半導体装置の製造方法、前記絶縁膜がシリコン酸化膜である前記半導体装置の製造方法、前記絶縁膜を形成する工程から前記空洞を形成する工程までを大気中に曝すことなく連続処理する前記半導体装置の製造方法、ならびに、前記不活性ガスのプラズマを、上部および下部電極にそれぞれＲＦ電源を備えるドライエッチング装置、ＥＣＲエッチング装置、ＴＣＰ、ＩＣＰ、およびヘリコン波エッチング装置のうちから選択された装置によって発生させる前記半導体装置の製造方法が得られる。
【００１７】
　【作用】本発明による半導体装置は、半導体基板上に形成された複数の配線と、配線間に空洞が形成されるように半導体基板上に形成された絶縁膜とを有する半導体装置において、空洞が、配線の表面より下方ではほぼ同一幅の溝形状であり、配線の表面より上方にて絶縁膜により塞がれた形状であるため、配線間にて電気力線が形成されている部分に空洞が形成されることになり、配線間の誘電率を抑制し、遅延時間の問題を解決することができる。
【００３９】
　【発明の効果】本発明による半導体装置は、半導体基板上に形成された複数の配線と、配線間に空洞が形成されるように半導体基板上に形成された絶縁膜とを有する半導体装置において、空洞が、配線の表面より下方ではほぼ同一幅の溝形状であり、配線の表面より上方にて絶縁膜により塞がれた形状であるため、配線間に生ずる電気力線を最大限遮ることができ、各配線間の誘電率が抑制され、半導体デバイスとして信頼性が高い。」
　
３．最後の拒絶理由通知について
　当審における最後の拒絶理由通知で通知した拒絶の理由は、以下の通りである。
「２．補正の適否について
（１）請求項１，２，３等の「配線」について
　願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）における特許請求の範囲では、「配線」については「金属配線」としか記載されておらず、また実施例においても、「配線」については「金属配線」としか記載されておらず、さらに当初明細書等に記載した事項から当業者が直接的かつ一義的に導き出せる事項でもない。
（２）請求項１〜３，５，６等の「絶縁膜」について
　当初明細書等における特許請求の範囲では「シリコン酸化膜」の記載しかなく、また実施例においても「シリコン酸化膜」しかなく、さらに当初明細書等に記載した事項から当業者が直接的かつ一義的に導き出せる事項でもない。
（３）請求項１の「前記空洞は、前記配線の表面より下方ではほぼ同一幅の溝形状であり、前記配線の表面より上方にて絶縁膜により塞がれた形状である」について
　当初明細書等には、このような直接的記載はない。また、図面は概略図に過ぎないので、図面を考慮しても、当初明細書等に記載した事項から当業者が直接的かつ一義的に導き出せる事項でもない。
（４）請求項３の「前記配線間にて該配線の表面より下方ではほぼ同一幅の溝になるように絶縁膜を形成する」及び「前記配線の表面より上方にある前記溝の上部を前記絶縁膜で塞いで空洞を形成する」について
　当初明細書等には、このような直接的記載はない。また、図面は概略図に過ぎないので、図面を考慮しても、当初明細書等に記載した事項から当業者が直接的かつ一義的に導き出せる事項でもない。
（５）請求項３，４，７の「不活性ガス」について
　当初明細書等の【００３１】では「Arよりも重い不活性ガスであるXeガスを用いる」としか記載がなく、Ar及びXe以外の不活性ガスを用いることの記載はない。また、当初明細書等に記載した事項から当業者が直接的かつ一義的に導き出せる事項でもない。
３．結び
　したがって、上記補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内の補正とは認められず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。」
　
４．結び
　上記当審における最後の拒絶理由通知に対してなされた平成１１年１２月１５日付け手続補正書は、平成１２年２月３日付けで補正の却下の決定がなされたので、当審における最後の拒絶理由通知で通知した拒絶の理由は、依然として解消していない。
　したがって、補正１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内の補正とは認められず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。