【事件の表示】
　平成　２年特許願第２３４７１９号「液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　４月１６日出願公開、特開平　４−１１５２２６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は、平成2年9月5日の出願であって、その発明は、補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1及び2に記載されたとおりのものであるところ、その請求項1に記載された発明（以下、本願発明という。）は次のとおりのものである。
「【請求項1】各画素に、トランジスタと、反射膜からなる画素電極及びデータ信号線とを有するアクティブマトリクス型パネルの製造方法において、
　前記トランジスタの上方に反射膜を堆積し、該反射膜を機械的研磨工程によって平坦化する第１の工程と、
　前記第１の工程後に、前記反射膜をパターニングして前記画素電極及び前記データ信号線を形成する第２の工程と、
　を有することを特徴とするアクティブマトリクス型パネルの製造方法。」
２．引用例について
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した特開昭54−98596号公報（以下、引用例１という。）の第1頁左下欄下から第4行〜第3頁右上欄第8行には、以下の事項が記載されている。
「本発明は画像表示装置に用いられる反射電極に関するものであり、平坦な表面を有する金属反射電極を形成することにより、画像のコントラスト比を上げることを目的とする。
　　　　　　　　　・・・略・・・
　第2図には、第1図に示される単位絵素を集積回路化した場合の1単位絵素の平面図を示す。ここでは反射型の画像表示装置について述べる。
　トランジスタ1はドレイン4、ソース5、ゲート6より成り、6は多結晶シリコンゲート及び配線であり、7は前記6と同じくその表面を酸化された多結晶シリコンで金属電極9とともに前記コンデンサ2を形成している。
　　　　　　　　・・・略・・・
　第2図の平面図をIII−III上で切断した断面図が第3図に示されており、ここでは通常のシリコン基板13上に画像表示用集積回路が形成されているが、もちろんサファイア基板上のシリコン単結晶薄膜を用いるSOSの使用も可能である。
　　　　　　　　・・・略・・・
　ガラス板14上方より入射した光17は液晶セル3によって適当な散乱もしくは相転移を受け、さらに金属電極9によって反射されて反射型の画像表示装置が得られる。したがって反射電極9はその表面が平坦であることが望ましく、好ましくは鏡面状態が要求される。
　　　　　　　　・・・略・・・
　以上の説明からも明らかなように金属電極のパターン形成後に熱処理を施す従来の製造方法では金属電極の表面の荒れを防止することは不可能であった。
　そこで本発明においては金属電極の表面に薄い半導体層を被着形成し、熱処理によって合金層を形成することによって金属電極の表面の荒れを防止せしめたものであり、本発明の一実施例を図面とともに述べる。
　第5図は本発明の一実施例を示す画像表示装置の断面図で、MOS形トランジスタ1の形成後、酸化シリコン層12に開口10、11を設け、ドレイン4、ソース5を部分的に露出し、半導体基板全面にアルミ蒸着8、9を行なう。ここまでの工程は通常のMOS形トランジスタの製法と同一である。しかる後にアルミニウム8、9上に多結晶シリコン18、19を薄く被着する。例えばアルミニウム8、9の膜厚が1μｍの場合、1000Å前後が最適である。
　　　　　　　　・・・略・・・
最後にフォトレジスト工程を経て所定のパターン出しを行い金属電極8、9及び合金層18、19を得る。」
　同じく特開平1−172930号公報（以下、引用例２という。）には、以下の事項が記載されている。
「スイッチング素子を有した反射型液晶表示デバイスにおいて、反射画素電極の液晶と接する面を研磨により平坦化された反射画素電極で構成されていることを特徴とする反射型液晶表示デバイス」（第1頁左下欄第5行〜第9行）
「実施例
　以下本発明の一実施例の反射型液晶表示デバイスについて、図面を参照しながら説明する。
　第1図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバイスの断面構造を示すものである。第1図において、11は絶縁基板、12は配線電極、13はスイッチング素子としてTFT、14は絶縁体層、15は表面粗さが0.5μｍ以下に機械研磨により加工された反射画素電極である。同時に対向共通電極と各反射電極間の距離の差が0.5μｍ以内に機械研磨加工されている。16は液晶層、17は対向共通電極として、スパッタにより成膜されたITOであり、この表面は平滑である。」（第2頁右上欄第19行〜左下欄第11行）
３．本願発明と引用例に記載の発明との対比
　引用例1に記載の「画素」、「トランジスタ1」、「金属電極9」、「金属電極8」、「画像表示装置の製造方法」は、それぞれ本願発明の「画素」、「トランジスタ」、「画素電極」、「データ信号線」、「アクティブマトリクス型パネルの製造方法」に対応し、それぞれの対応に格別の差異がない。
　そして、引用例1の第3頁左上欄第8行〜第11行には、「MOS形トランジスタ1の形成後、酸化シリコン層12に開口10、11を設け、ドレイン4、ソース5を部分的に露出し、半導体基板全面にアルミ蒸着8、9を行う」ことが記載され、更にその第3頁右上欄第6行〜第8行には「最後にフォトレジスト工程を経て所定のパターン出しを行い金属電極8、9及び合金層18、19を得る」ことが記載されていることからして、引用例1に記載の発明は、本願発明の「反射膜をパターニングして画素電極及びデータ信号線を形成する工程」を備えていることは明らかである。
　そこで、本願発明と引用例1に記載の発明とを対比すると、両者は、「各画素に、トランジスタと、反射膜からなる画素電極及びデータ信号線とを有するアクティブマトリクス型パネルの製造方法において、
　前記トランジスタの上方に反射膜を堆積する第１の工程と、
　前記第１の工程後に、前記反射膜をパターニングして前記画素電極及び前記データ信号線を形成する第２の工程と、
　を有することを特徴とするアクティブマトリクス型パネルの製造方法」であるという点で一致し、下記の点（以下、相違点という。）で相違している。
　相違点：本願発明は「反射膜を機械的研磨工程によって平坦化」しているのに対して、引用例1に記載の発明は、反射電極9（金属電極9）が平坦である点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用例2には、反射型液晶表示デバイスの反射画素電極の液晶と接する面を機械研磨加工により平坦化することが記載されて公知である。
　そして、引用例1の第2頁右上欄第19行〜同頁左下欄第1行に「反射電極9（金属電極9）はその表面が平坦であることが望ましく、好ましくは鏡面状態が要求される」と記載されている。
　してみると、引用例2に記載の発明を引用例1に記載の発明に適用して、引用例1に記載の「半導体基板全面にアルミ蒸着」された反射膜を、引用例2に記載の機械的研磨工程により平坦化することは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　なお、出願人は、平成12年4月28日付け手続補正書の【請求の理由】において、「本願発明は、「機械的研磨をした後にパターニングをする」という引用例1乃至2には記載されていない構成をとることにより、機械的研磨時の反射膜の物理的耐久力を大きくできるという顕著な効果を有している」と主張している。
　ところが、引用例1の第2頁右下欄第18行〜第3頁左上欄第1行に「金属電極のパターン形成後に熱処理を施す従来の製造方法では金属電極の荒れを防止することは不可能であった」と記載され、そして更に、その第3頁右上欄第9行〜第13行に「本発明の実施により、アルミシンタ時の特にアルミニウム厚（金属電極）9の再結晶化がアルミニウム9と多結晶シリコン19との合金化によって抑制されるため金属電極9表面の荒れが大幅に防止される」と記載されていることからして、引用例1には、「「半導体基板全面にアルミ蒸着」された反射膜はパターンニングの前に平坦である」ことが記載されているは明らかである。
　また、「機械的研磨した後のパターニング」が、「パターニングした後の機械的研磨」に比較して、その反射膜の物理的耐久力が大きいということは当業者に周知又は自明のことである。
　してみると、引用例1に記載の発明において、「半導体基板全面にアルミ蒸着」された反射膜をパターンニングする前に、引用例2に記載の機械的研磨加工によって平坦化することは当業者が当然に考慮し、施すことである。
　したがって、出願人の上記主張は当を得ないものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。