【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年10月7日(2015.10.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンドを化学蒸着（ＣＶＤ）によって合成する方法であって、真空チャンバー内で、前記合成されるダイヤモンドを支えるために配置された基板の近傍にプラズマを作り出し、かつ炭素を保有する物質及びＨ2を前記チャンバーに導入し、前記ダイヤモンドの合成を遂行する不飽和分子又はラジカルの形態で反応性炭素原子を保有する物質を含むガスを前記チャンバー内で生成する方法であり、前記合成されるダイヤモンドの電磁吸収及び非弾性拡散スペクトルを用いて、前記合成されるダイヤモンドの形成につながる反応に寄与する吸収周波数を前記スペクトルから導き出すこと、及び前記吸収及び非弾性拡散周波数に対応する各周波数によって決まるエネルギー量を保有するフォトンビームの形態でエネルギー光線を生成し、前記フォトンビームは前記プラズマ内に注入され、そこで、前記ダイヤモンドのエネルギー状態に関して、これらのエネルギー状態に対応するエネルギーを有するこれらのフォトンの吸収が、前記反応性炭素原子を保有する物質によってなされることを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
炭素キャリアガスを前記物質として導入する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不飽和分子又はラジカルのエネルギー状態と前記ダイヤモンドのフォノンのエネルギー状態との間のカップリングを達成するためのエネルギー光線として赤外線を使用する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
エネルギー光線としてＸ線、ＵＶ線及び可視光線を使用する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記合成されるダイヤモンドが、２セットの方向ベクトルで表される１セットの面を決める結晶格子を含み、第１ベクトルは前記ダイヤモンドの可能な面を決める高い原子密度を有する主網状平面の法線方向を示し、第２ベクトルは前記ダイヤモンドの結晶構造に従ってフォノンの伝播を可能にする波動ベクトルからなり、前記フォトンビームは前記２セットの方向ベクトルが示す方向に向けられ、注入される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記結晶格子が、八面体又は十二面体であることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ＵＶＣ光線のビームが前記プラズマ内に注入される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記真空チャンバー内に電場を作り出すことによって前記プラズマが生成され、前記電場は第１及び第２電位によって作り出され、前記第１電位は、前記基板に対して高さ方向の第１ゾーンオフセット内に作られ、前記第２電位は前記基板の直近にある第２ゾーン内に作られ、前記第１及び第２ゾーンは互いに隣接し、前記第１及び第２電位は前記基板の方を向いた傾斜を有し、前記第１電位の勾配は前記第２電位の勾配より大きい、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記基板の周辺に設置された発生器によって前記第２電位が作られる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の上方に設置されたグリル及びフィラメントによって前記第１電位が作られる、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記合成されるダイヤモンドの蒸着中、前記基板は所定温度で維持される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記蒸着がホットフィラメントを用いて蒸気相内で行われる、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記合成されるダイヤモンドの層が少なくとも１μｍの厚さを有する場合、前記チャンバー内にホウ素キャリアガスをＨ2に対して０．０１〜２００ｐｐｍの比率で注入することによって前記ダイヤモンドをドープし、かつ電子−フォノン相互作用に対応する周波数を有する第２フォトンビームを前記プラズマ内に注入して前記ダイヤモンドの超伝導性を生じさせる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２フォトンビームが、非ドープダイヤモンドの値に対して４ｍＶのオフセットを有する方向ベクトルＬ、Ｗ、Σ、ξのセットの方向ＬＯ＿（Γ→Ｌ及びΓ→ξ）に注入される第１ビームフラグメントと、該セットの方向ξのフォトンビームの第２フラグメントとに分割される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記合成されるダイヤモンドの層が少なくとも１μｍの厚さを有する場合、前記チャンバー内にホウ素キャリアガスをＨ2に対して０．０１〜１００ｐｐｍの比率で注入することによって前記ダイヤモンドをドープし、かつ電子−フォノン相互作用に対応する周波数を有する第３フォトンビームを前記プラズマ内に注入して前記ダイヤモンドの半導体性を生じさせる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記第３フォトンビームが、方向ベクトルＬ、Ｗ、Σ、ξのセットの方向Ｌに注入される第１ビームフラグメントと、該セットの方向ξに注入される第２フラグメントとに分割される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記合成されるダイヤモンドの層が少なくとも１μｍの厚さを有する場合、前記チャンバー内に窒素保有ガスを、ＣＨ4に対して窒素が０．１〜１の割合で注入することによって前記ダイヤモンドをドープし、かつｎ型半導性を生じさせる電子−フォノン相互作用に対応する周波数を有する第４フォトンビームを前記プラズマ内に注入する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記第４フォトンビームが、Ｃ型中心のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する方向ベクトルのセットに従って、及び／又はＡ型集合体のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する３つのフォトンビームに従って、及び／又はＢ型集合体のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する４つのフォトンビームに従って、前記プラズマ内に注入される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記チャンバーに導入される、前記炭素を保有する物質が、ＣＨ4又はＣ2Ｈ2である、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
化学蒸着によるＳｉ−Ｇｅ型半導体の形成方法であって、前記蒸着がチャンバー内で行われること、及び
−水素の存在下、５００℃〜６００℃の温度で、基板上のシリコンの化学蒸着、及び０．０１〜１０００ｍｂａｒの間にある圧力でチャンバーが維持されること、かつ前記蒸着は、シリコンの蒸着層が少なくとも３ｎｍの厚さを有するまで、Ｓｉ−Ｓｉ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームを前記チャンバー内に注入することによって行われること；
−４００℃〜５５０℃の間にある第１温度での前記基板の温度の安定化；
−Ｓｉ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応する第１のフォトンビームと、Ｇｅ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応する第２の別のフォトンビームとを前記チャンバー内へ注入するとともに、層Ｇｅが所定厚さで得られるまで、４００℃〜５５０℃の温度でＳｉ層上のゲルマニウムを化学蒸着すること；
−水素の存在下、前記化学蒸着の温度の７５０℃〜８５０℃の間にある値への上昇；
−所定厚さの層が得られるまで、Ｇｅ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームの注入を維持すること、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記フォトンビームが、シリコンの１セットの方向ベクトルに従って注入される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ダイヤモンドを化学蒸着（ＣＶＤ）によって合成する装置であって、前記合成されるダイヤモンドが、１セットの方向ベクトルであって各ベクトルは前記ダイヤモンドの所定面の法線方向を示すベクトルによって表される１セットの可能な面を備える結晶学を有し、該装置は、前記合成される固体ダイヤモンドを支えるために配置された基板と、真空チャンバーとを含み、前記真空チャンバーは該チャンバー内で前記基板の近傍にプラズマを生成するために配置されたプラズマ発生器を含み、前記チャンバーは、炭素を保有する物質及びＨ2を該チャンバー内に導入するために配置された入口を含み、前記チャンバーは、前記炭素保有物質及びＨ2から、該チャンバー内で、前記ダイヤモンドの合成を遂行するラジカル又は不飽和な形態の分子を含むガスを生成するように配置されている装置であり、該装置は、前記チャンバーに取り付けられたフォトンビーム発生器を含み、前記フォトンビーム発生器が、前記合成される固体ダイヤモンドの電磁吸収及び非弾性拡散スペクトルから導き出される吸収周波数に対応する各周波数によって決まるエネルギー量を保有するフォトンビームの形態でエネルギー光線を生成するように配置され、かつ前記合成される固体ダイヤモンドの形成につながる反応を生じさせ、前記フォトンビーム発生器は、前記生成されたビームを、前記固体ダイヤモンドの所定の方向ベクトルと、前記フォトンビームに含まれるエネルギーを決める、ブリルアン帯中心におけるモードを含むフォトンモードのエネルギーと関連するブリルアン帯の波動ベクトルとの両方に対応する角度で前記チャンバー内に注入できるように、前記チャンバーに取り付けられ、前記フォトンビーム発生器は、前記プラズマ内へ前記フォトンビームを注入できるように前記チャンバーに取り付けられ、かつ前記固体ダイヤモンドのエネルギー状態に関して、反応性炭素原子を保有する物質によって引き起こされる、これらのフォトンの吸収がこれらのフォニック状態に対応するエネルギーを有することを特徴とする、前記装置。
【請求項２３】
ＵＶＣ光線のビームを生成するために配置された別の発生器を含み、前記別の発生器は前記プラズマ発生器によって生じたプラズマ内にＵＶＣ光線を注入できるように前記チャンバーに取り付けられている、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記基板の周辺に取り付けられた、前記プラズマを集束させるためのシステムを含む、請求項２２又は２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記プラズマ集束システムが、リングによって形成されている、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記プラズマ集束システムが、前記基板の周りの一連のブロッホ波の形態で配置されたワイヤによって形成されている、請求項２４に記載の装置。
【請求項２７】
前記炭素を保有する物質が、ＣＨ4又はＣ2Ｈ2である、請求項２２〜２６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２８】
前記エネルギー光線が、赤外線、及び／又はＸ線、ＵＶ線及び可視光線である、請求項２２〜２７のいずれか１項に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
図３は、フォトンビームを発生させる単周波数発生器３０の別の実例実施形態を示す。この発生器はエミッタ本体３１を含み、これもフォトンの高反射指数を与えるため好ましくは銅製である。この円錐台形状を有する本体３１の上部には、狭い発光バンドを有するセラミック加熱プレート３２が取り付けられている。その上部にはガス入口３３も設けられている。このガスは、図２の例で述べたのと同じ役割を果たす。
発生器３０は、バンド幅を減じることによってｆiに対応する周波数値の前選択を可能にする広い周波数バンドを有する第１セットのフィルター３４を含む。同時に、この第１フィルター３４は、発生器内で生成される熱の減少を促す。狭い通過バンドを有する第２セットのフィルター３５は、所要周波数ｆiを選択できるようにし、光学レンズ３６は、フォトンビームのコリメーションを可能にする。最後に、電力供給源３７が電流を供給し、レギュレータ３８が温度を調節する。
材料の合成をさらに刺激するためには、プラズマ内に十分な不飽和分子又はラジカルが存在することが重要である。これは、これらの不飽和分子又はラジカルは、材料の蒸着に必須のブリック（brick）だからである。この目的を達成するために、本発明の方法は、ＵＶＣ光線のビームの生成を含み、これらが次にプラズマに注入される。図４は、このようなＵＶＣ光線の発生器（４０）の実例実施形態を示す。この発生器４０は、好ましくはＵＶＣ光線の高反射指数を与えるためアルミニウムから製作された本体４１を含む。本体４１の内部にＵＶＣランプ４２が取り付けられている。このランプがＵＶＣ光線を生成し、これが漏斗の形のコリメータ４３に送られる。ＵＶＣ光線のエミッタは好ましくはプラズマに直接注入できるようにチャンバーの側面に設置される。このようにしてＵＶＣ光線が反応ＣＨ4→ＣＨ+3＋Ｈ-を刺激し、より大きい濃度のＣＨ+3を生じさせ、これが所要材料の合成に寄与する。
材料の合成による蒸着効率をさらに高めるために、プラズマ集束システムを利用する。図１０は、該システムの第１実施形態を示す。チャンバー内には、基板キャリア３の周辺かつ基板１７に対して高さのオフセットにリング５０が設置されている。リング５０はフィラメント５の下方に位置し、電流供給源に接続されている。図１０のリング５０を基板キャリア３の周辺に配置される一連のブロッホ波として構成される導電体と置き換えることによって、プラズマ集束システムの第２実施形態を実施することができる。リング５０も導電体も基板の方に向いた電場を生成し、これがチャンバー内に存在するプラズマを基板の方へ集束させる。プラズマ集束システムはグリル４と基板３の間に位置している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
ここで、図５〜８の助けを借りて本発明の方法をさらに詳細に説明する。チャンバー２内では、前述したようにプラズマ６０が作り出され、ガスは供給源１３によってチャンバーに導入される。第１及び第２電位の値は、合成される材料に応じて確立される。
スペクトル分布関数又はそうでなければ合成される材料のその吸収スペクトルに基づいて、使用者は、発生器１１を用いて、材料の合成に必要なエネルギーＥi＝ｈｆiを有するフォトンビーム６１を生成できるように種々の吸収周波数ｆiを決めるであろう。図５は、どのようにしてゾーンＲＩ内でエネルギー光線をチャンバーに導入するかを示す。適用できる場合、チャンバーに導入される光線を偏光させることができる。後者の場合、周波数値と関連する波動ベクトル及び材料の結晶学と関連する波動ベクトルの偏光面が考慮される。このようにして生成されたエネルギーはプラズマ内に注入され、そこでエネルギーは、プラズマ内に存在する反応性炭素原子を保有する物質により吸収され得る。基板の近く又は基板の表面の近くにプラズマが集束しているので、反応性炭素原子を保有する物質と基板（そこには既に形成された材料が存在する）の間のより良いエネルギー相互作用が得られるであろう。
プラズマ内に含まれる物質を選択的に励起させるであろうＵＶＣ光線発生器１７を活性化することによって改善を得ることができる。これは、プラズマ内に不飽和分子又はラジカルを含む選択形の生成を増やし、ひいてはエネルギー吸収の確率を高めるようにする。これらのＵＶＣ光線は、ゾーンＲＡＳ内、すなわちグリルのゾーン内へ導入される。ダイヤモンドの例では、ベクトルＬ、Ｗ、Σ及びξのセットに従って１７の周波数値がプラズマ内へ注入される。ベクトルＬの方向に４ビーム、ベクトルＷの方向に３ビーム及びベクトルΣの方向に７ビーム、ベクトルξの方向に３ビーム。最後に、集束システムを用いて、基板キャリアの周り（ゾーンＲＤ）にプラズマ井戸６３を形成し、このようにして反応性炭素原子を含有する物質を基板の周りに集束させることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
及び任意工程：
（ｄ１）−温度（Ｔ２）未満の温度から５００℃〜６００℃、好ましくは５４０℃〜５６０℃、特に５５０℃の第３温度（Ｔ３）の範囲までの温度で、ゲルマニウムのＣＶＤ及びＧｅ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームを停止する工程。この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは０．０１ｍｂａｒ〜１０００ｍｂａｒ、特に１ｍｂａｒ〜８００ｍｂａｒである。
（ｄ２）−所望の厚さを有するＳｉ1-xＧｅxの中間層が得られるまで、第３温度（Ｔ３）でのＳｉ1-xＧｅx合金（ｘ≦０．９）のＣＶＤ工程。ゲルマニウムの前駆体ガスは好ましくはＧｅＨ4である。シリコンの前駆体ガスはＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4及びＳｉ（ＣＨ3）4、特にＳｉＨ4である。次にＳｉ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビーム（ＩＲ）及び／又は２つのフォトンビーム（ＩＲ及びラマン）が、基板の方に向いて、方向ベクトルＬ、Ｗ、Σ、ξのセットに従ってチャンバー内に注入される。この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは０．０１ｍｂａｒ〜１０００ｍｂａｒ、特に１ｍｂａｒ〜８００ｍｂａｒである；
（ｄ３）第３温度（Ｔ３）でのＳｉ1-xＧｅx合金のＣＶＤが純粋ゲルマニウムＣＶＤに変わる遷移工程。次工程への変化を果たすためシリコン前駆体ガスの流れが停止される。Ｇｅ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームを注入するため、Ｓｉ-Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームも停止される。Ｓｉ-Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームからＧｅ-Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームへの変化は、好ましくは同期様式で、好ましくは力の同時減少−増加によって起こらなければならず、この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは好ましくは０．０１ｍｂａｒ〜１０００ｍｂａｒ、特に１ｍｂａｒ〜８００ｍｂａｒである；
（ｄ４）−最上層としてゲルマニウムの蒸着及び中間層としてＳｉ1-xＧｅxを得るようにこの温度（Ｔ３）でゲルマニウムのＣＶＤが維持される工程。この工程中、Ｇｅ-Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームが維持される。この工程は水素の存在下で行なわれ、チャンバー内の圧力は好ましくは０．０１ｍｂａｒ〜１０００ｍｂａｒ、特に１ｍｂａｒ〜８００ｍｂａｒである；
（ｄ５）−ゲルマニウムＣＶＤ温度を第３温度（Ｔ３）から７５０℃〜８５０℃、好ましくは８００℃〜８５０℃の第４温度（Ｔ４）に上昇させる工程。この工程中、Ｇｅ-Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームが維持される。Ｔ４は、好ましくはＴ２に等しく、この工程は水素の存在下で行なわれ、チャンバー内の圧力は好ましくは０．０１ｍｂａｒ〜１０００ｍｂａｒ、特に１ｍｂａｒ〜８００ｍｂａｒである；
（ｅ）ゲルマニウムの化学蒸着（ＣＶＤ）の温度を第１温度（Ｔ１）から７５０〜８５０℃、好ましくは８００℃〜８５０℃に制限される第２温度に上昇させる工程。この工程は、Ｇｅ-Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームの非存在下で行なわれる。しかし、この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは０．０１ｍｂａｒ〜１０００ｍｂａｒ、特に１ｍｂａｒ〜８００ｍｂａｒである；
（ｆ）ゲルマニウム層の所望厚さまで第２温度（Ｔ２）でのゲルマニウムＣＶＤの継続。Ｇｅ-Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームが維持される。この工程は水素の存在下で行なわれ、チャンバー内の圧力は好ましくは０．０１ｍｂａｒ〜１０００ｍｂａｒ、特に１ｍｂａｒ〜８００ｍｂａｒである。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕材料、特にダイヤモンドを化学蒸着（ＣＶＤ）によって合成する方法であって、真空チャンバー内で、前記合成される材料を支えるために配置された基板の近傍にプラズマを作り出し、かつ炭素を保有する物質、特にＣＨ4又はＣ2Ｈ2、及びＨ2を前記チャンバーに導入し、前記材料の合成を遂行する不飽和分子又はラジカルの形態で反応性炭素原子を保有する物質を含むガスを前記チャンバー内で生成する方法であり、前記合成される材料の電磁吸収及び非弾性拡散スペクトルを用いて、前記合成される材料の形成につながる反応に寄与する吸収周波数を前記スペクトルから導き出すこと、及び前記吸収及び非弾性拡散周波数に対応する各周波数によって決まるエネルギー量を保有するフォトンビームの形態でエネルギー光線を生成し、前記フォトンビームは前記プラズマ内に注入され、そこで、固体材料のエネルギー状態に関して、これらのエネルギー状態に対応するエネルギーを有するこれらのフォトンの吸収が、前記反応性炭素原子を保有する物質によってなされることを特徴とする、前記方法。
〔２〕炭素キャリアガスを前記物質として導入する、前記〔１〕に記載の方法。
〔３〕前記不飽和分子又はラジカルのエネルギー状態と前記材料のフォノンのエネルギー状態との間のカップリングを達成するためのエネルギー光線として赤外線を使用する、前記〔１〕又は〔２〕に記載の方法。
〔４〕エネルギー光線としてＸ線、ＵＶ線及び可視光線を使用する、前記〔１〕又は〔２〕に記載の方法。
〔５〕前記合成される材料が、２セットの方向ベクトルで表される１セットの面、例えば、ダイヤモンドの場合は八面体又は十二面体、を決める結晶格子を含み、第１ベクトルは前記材料の可能な面を決める高い原子密度を有する主網状平面の法線方向を示し、第２ベクトルは前記材料の結晶構造に従ってフォノンの伝播を可能にする波動ベクトルからなり、前記フォトンビームは前記２セットの方向ベクトルが示す方向に向けられ、注入される、前記〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の方法。
〔６〕ＵＶＣ光線のビームが前記プラズマ内に注入される、前記〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の方法。
〔７〕前記真空チャンバー内に電場を作り出すことによって前記プラズマが生成され、前記電場は第１及び第２電位によって作り出され、前記第１電位は、前記基板に対して高さ方向の第１ゾーンオフセット内に作られ、前記第２電位は前記基板の直近にある第２ゾーン内に作られ、前記第１及び第２ゾーンは互いに隣接し、前記第１及び第２電位は前記基板の方を向いた傾斜を有し、前記第１電位の勾配は前記第２電位の勾配より大きい、前記〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の方法。
〔８〕前記基板の周辺に設置された発生器によって前記第２電位が作られる、前記〔７〕に記載の方法。
〔９〕前記基板の上方に設置されたグリル及びフィラメントによって前記第１電位が作られる、前記〔７〕又は〔８〕に記載の方法。
〔１０〕前記合成される材料の蒸着中、前記基板は所定温度で維持される、前記〔１〕〜〔９〕のいずれか１項に記載の方法。
〔１１〕前記蒸着がホットフィラメントを用いて蒸気相内で行われる、前記〔１〕〜〔１０〕のいずれか１項に記載の方法。
〔１２〕前記合成される材料の層が少なくとも１μｍの厚さを有する場合、前記チャンバー内にホウ素キャリアガスをＨ2に対して０．０１〜２００ｐｐｍの比率で注入することによって前記材料をドープし、かつ電子−フォノン相互作用に対応する周波数を有する第２フォトンビームを前記プラズマ内に注入して前記材料の超伝導性を生じさせる、前記〔１〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載の方法。
〔１３〕前記第２フォトンビームが、非ドープダイヤモンドの値に対して４ｍＶのオフセットを有する方向ベクトルＬ、Ｗ、Σ、ξのセットの方向ＬＯ＿（Γ→Ｌ及びΓ→ξ）に注入される第１ビームフラグメントと、該セットの方向ξのフォトンビームの第２フラグメントとに分割される、前記〔１２〕に記載の方法。
〔１４〕前記合成される材料の層が少なくとも１μｍの厚さを有する場合、前記チャンバー内にホウ素キャリアガスをＨ2に対して０．０１〜１００ｐｐｍの比率で注入することによって前記材料をドープし、かつ電子−フォノン相互作用に対応する周波数を有する第３フォトンビームを前記プラズマ内に注入して前記材料の超伝導性を生じさせる、前記〔１〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載の方法。
〔１５〕前記第３フォトンビームが、方向ベクトルＬ、Ｗ、Σ、ξのセットの方向Ｌに注入される第１ビームフラグメントと、該セットの方向ξに注入される第２フラグメントとに分割される、前記〔１４〕に記載の方法。
〔１６〕前記合成される材料の層が少なくとも１μｍの厚さを有する場合、前記チャンバー内に窒素保有ガスをＣＨ4に対して０．１〜１の割合で注入することによって前記材料をドープし、かつｎ型半導性を生じさせる電子−フォノン相互作用に対応する周波数を有する第４フォトンビームを前記プラズマ内に注入する、前記〔１〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載の方法。
〔１７〕前記第４フォトンビームが、Ｃ型中心のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する方向ベクトルのセットに従って、及び／又はＡ型集合体のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する３つのフォトンビームに従って、及び／又はＢ型集合体のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する４つのフォトンビームに従って注入される、前記〔１６〕に記載の方法。
〔１８〕化学蒸着によるＳｉ−Ｇｅ型半導体の形成方法であって、前記蒸着がチャンバー内で行われること、及び
−水素の存在下、５００℃〜６００℃の温度で、基板上のシリコンの化学蒸着、及び０．０１〜１０００ｍｂａｒの間にある圧力でチャンバーが維持されること、かつ前記蒸着は、シリコンの蒸着層が少なくとも３ｎｍの厚さを有するまで、Ｓｉ−Ｓｉ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームを前記チャンバー内に注入することによって行われること；
−４００℃〜５５０℃の間にある第１温度での前記基板の温度の安定化；
−Ｓｉ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応する第１のフォトンビームと、Ｇｅ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応する第２の別のフォトンビームとを前記チャンバー内へ注入するとともに、層Ｇｅが所定厚さで得られるまで、４００℃〜５５０℃の温度でＳｉ層上のゲルマニウムを化学蒸着すること；
−水素の存在下、前記化学蒸着の温度の７５０℃〜８５０℃の間にある値への上昇；
−所定厚さの層が得られるまで、Ｇｅ−Ｇｅ結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームの注入を維持すること、
を含むことを特徴とする方法。
〔１９〕前記フォトンビームが、シリコンの１セットの方向ベクトルに従って注入される、前記〔１８〕に記載の方法。
〔２０〕材料、特にダイヤモンドを化学蒸着（ＣＶＤ）によって合成する装置であって、前記合成される材料が、１セットの方向ベクトルであって各ベクトルは前記材料の所定面の法線方向を示すベクトルによって表される１セットの可能な面を備える結晶学を有し、該装置は、前記合成される固体材料を支えるために配置された基板と、真空チャンバーとを含み、前記真空チャンバーは該チャンバー内で前記基板の近傍にプラズマを生成するために配置されたプラズマ発生器を含み、前記チャンバーは、炭素を保有する物質、特に炭素保有ガス、特にＣＨ4又はＣ2Ｈ2、及びＨ2を該チャンバー内に導入するために配置された入口を含み、前記チャンバーは、前記炭素保有物質及びＨ2から、該チャンバー内で、前記材料の合成を遂行するラジカル又は不飽和な形態の分子を含むガスを生成するように配置されている装置であり、該装置は、前記チャンバーに取り付けられたフォトンビーム発生器を含み、前記フォトンビーム発生器が、前記合成される固体材料の電磁吸収及び非弾性拡散スペクトルから導き出される吸収周波数に対応する各周波数によって決まるエネルギー量を保有するフォトンビームの形態でエネルギー光線、特に赤外線、及び／又はＸ線、ＵＶ線及び可視光線を生成するように配置され、かつ前記合成される固体材料の形成につながる反応を生じさせ、前記フォトンビーム発生器は、前記生成されたビームを、前記固体材料の所定の方向ベクトルと、前記フォトンビームに含まれるエネルギーを決める、ブリルアン帯中心におけるモードを含むフォトンモードのエネルギーと関連するブリルアン帯の波動ベクトルとの両方に対応する角度で前記チャンバー内に注入できるように、前記チャンバーに取り付けられ、前記フォトンビーム発生器は、前記プラズマ内へ前記フォトンビームを注入できるように前記チャンバーに取り付けられ、かつ前記固体材料のエネルギー状態に関して、反応性炭素原子を保有する物質によって引き起こされる、これらのフォトンの吸収がこれらのフォニック状態に対応するエネルギーを有することを特徴とする、前記装置。
〔２１〕ＵＶＣ光線のビームを生成するために配置された別の発生器を含み、前記別の発生器は前記プラズマ発生器によって生じたプラズマ内にＵＶＣ光線を注入できるように前記チャンバーに取り付けられている、前記〔１９〕又は〔２０〕に記載の装置。
〔２２〕前記基板の周辺に取り付けられた、前記プラズマを集束させるためのシステムを含む、前記〔２０〕又は〔２１〕に記載の装置。
〔２３〕前記プラズマ集束システムが、リングによって形成されている、前記〔２２〕に記載の装置。
〔２４〕前記プラズマ集束システムが、前記基板の周りの一連のブロック波の形態で配置されたワイヤによって形成されている、前記〔２２〕に記載の装置。