【事件の表示】
　特許第３４０５２６９号「実装方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４０５２６９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．手続の経緯
　本件特許第３４０５２６９号の請求項に係る発明についての出願は、平成１１年４月２６日に特許出願され、平成１５年３月７日にその発明についての特許の設定登録（請求項の数：４）がされた。
　これに対して、表記の異議申立人より全請求項について特許異議の申立てがあったので、審理のうえ取消理由を通知したところその指定期間内に訂正請求書が提出されたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
（訂正事項ａ）　
　特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】　ステージとヘッドとの間で、
ＬＣＤ用ガラス基板
熱圧着時のヘッド温度を１５０〜３５０℃とし、熱圧着時の圧力を１バンプあたり１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ
２
とし、
（訂正事項ｂ）
　特許請求の範囲の請求項２を、
「【請求項２】　熱圧着時のステージ温度
が８０〜１２０℃であることを特徴とする
（訂正事項ｃ）
　特許請求の範囲の請求項４を、
「【請求項３】　硬化後の熱硬化型接着剤の弾性率（常温）が、１．０ＧＰａ以上、ガラス転移点が８０℃以上である請求項１
又は２
（訂正事項ｄ）
　特許明細書の段落【０００８】を、
「【０００８】　即ち、本発明は、ステージとヘッドとの間で、ＬＣＤ用ガラス基板と実装部品とを熱硬化型接着剤を介して熱圧着する実装方法において、熱圧着時のステージ温度を、硬化後の接着剤の温度と弾性率の関係における弾性率の変曲点の温度以上とし、熱圧着時のヘッド温度を１５０〜３５０℃とし、熱圧着時の圧力を１バンプあたり１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２とし、且つ基板として弾性率（常温）が１００ＧＰａ以下であって厚みが１．０ｍｍ以下のものを使用することを特徴とする実装方法を提供する。」と訂正する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否
（訂正事項ａ）について
　訂正事項ａは、特許請求の範囲に記載された旧請求項１において、段落【０００４】の「ＬＣＤパネルのガラス基板」という記載に基づき、基板をＬＣＤ用ガラス基板に限定し、段落【０００２】の「ステージ４とヘッド５の間・・・・１５０〜３５０℃」という記載に基づき、熱圧着時のヘッド温度を１５０〜３５０℃に限定し、更に、段落【００１５】の「熱圧着時に、・・・・１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２で加圧する」という記載に基づき、熱圧着時の圧力を１バンプあたり１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２に限定するものである。また、請求項３を削除するものである。
　したがって、これらの各訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。
（訂正事項ｂ）について
　訂正事項ｂは、表３に記載の実施例１、４及び５のステージ温度に基づき、旧請求請２における熱圧着時のステージ温度を、具体的な温度（８０〜１２０℃）に限定するものである。熱圧着時のヘッド温度は、請求請１に記載されているように「１５０〜３５０℃」であるから、この「８０〜１２０℃」というステージ温度は、熱圧着時に熱硬化型接着剤に到達させる最高温度（即ち、ヘッド温度）よりも低い温度である
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。
（訂正事項ｃ）について
　訂正事項ｃは、旧請求項３の削除に伴い、旧請求項４の項番繰上げの訂正である。
　したがって、この訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的としたものである。
（訂正事項ｄ）について
　訂正事項ｄは、前記訂正事項ａの訂正に伴い、請求項１の記載内容と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　　　　　　　　　　　　　
　そして、前記訂正事項ａ〜ｄは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（３）訂正の容認
　以上のとおり、前記各訂正は、平成１５年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．特許異議の申立てについて
（１）異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、本件請求項１及び４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものであり、また、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許法第１１３条第２号に該当し取り消されるべきものである旨、主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）本件発明
　前述のとおり、平成１６年８月９日付けの訂正請求は認められたので、本件特許の請求項に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項によって特定された、次のとおりのものと認める。
【請求項１】
　ステージとヘッドとの間で、ＬＣＤ用ガラス基板と実装部品とを熱硬化型接着剤を介して熱圧着する実装方法において、熱圧着時のステージ温度を、硬化後の接着剤の温度と弾性率の関係における弾性率の変曲点の温度以上とし、熱圧着時のヘッド温度を１５０〜３５０℃とし、熱圧着時の圧力を１バンプあたり１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２とし、且つ基板として弾性率（常温）が１００ＧＰａ以下であって厚みが１．０ｍｍ以下のものを使用することを特徴とする実装方法。
   （以下、本件発明という）
【請求項２】
　熱圧着時のステージ温度が８０〜１２０℃であることを特徴とする請求項１記載の実装方法。
【請求項３】
　硬化後の熱硬化型接着剤の弾性率（常温）が、１．０ＧＰａ以上、ガラス転移点が８０℃以上である請求項１又は２記載の実装方法。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（３）刊行物と記載事項
　当審で通知した取消理由に引用した本件特許出願前に頒布された刊行物
　　［刊行物１］　特開平９−１７８１０号公報
　　　　　　　　　（異議申立人が提示した甲第１号証）
　　［刊行物２］　特開平１１−８７４２９号公報　（同じく甲第２号証）
　　［参考資料１］藤田和弥ら、シャープ技報、第７１号、１９９８年８月　　　　　　　　　５８〜６１頁、および奥付
　　　　　　　　　（異議申立人が提示した参考資料１）
　　［参考資料２］三田達監修、最新耐熱性高分子、初版第１刷、総合技術　　　　　　　　　センター、昭和６２年５月１日、２６７〜２６８頁、
　　　　　　　　　及び奥付　（同じく参考資料２）
　　［参考資料３］４７ｔｈ　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ　ＣＯＭＰＯＮＥＮＴ　　　　　　　　　Ｓ＆ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ　ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ　
　　　　　　　　　１９９７、１９９７年５月１８〜２１日開催の国際会議　　　　　　　　　予稿集、表紙、１、５１８〜５２４頁
　　　　　　　　　（同じく参考資料３）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［刊行物１］　
　半導体素子をフィルム状有機ダイボンディング材を用いてリードフレーム等の支持部材に接着させるためのフィルム状有機ダイボンディング材のラミネート方法、ダイボンディング方法が記載されている（段落０００１）。
　このリードフレームは、通常は長尺で処理されているので、実装処理の際には両側からテンションが掛けられて反りが生じないように処理されている（そもそも刊行物１に記載の発明には、本件発明のように枚葉式に処理されるＬＣＤ用ガラス基板の実装処理時の反りの発生を防止するという技術的課題が存在していない）。
　刊行物１に記載の発明では、半導体素子をリードフレーム上に加熱圧着するために、熱盤（ステージに相当）とチップの圧着子（ ヘッドに相当）を備えているものの熱盤側からは加熱されるが、チップの圧着子からは加熱されない。また、加熱圧着するときのチップ圧着装置の圧力は１０〜３０００ｇで、熱盤の温度は１５０〜３５０℃（チップ圧着子は加熱されない）である（段落００１１，００２８）。
　　　　　　　　　　　　　　
［刊行物２］　
　異方性導電接着剤を用いてその半導体の突起電極と回路基板上の配線パターンとを接続すると共に、半導体チップを回路基板に固着する実装方法に関する発明が記載されている（段落０００１）。ここで、半導体チップは、１５０℃〜２６０℃に加熱された加熱加圧治具（ヘッドに相当）と１３０℃程度に加熱された加熱治具（ステージに相当）との間で加熱することにより、ガラス基板に実装されている。また、そのときの熱圧着の圧力は１ｋｇ〜３０ｋｇである（段落００４７，００４９）。
　　　　　　　　　　　　
［参考資料１］
　基板としてポリイミドテープを使用しているスタックドＣＳＰ（チップサイズパッケージ）が記載されており、当該ポリイミドテープの厚さがｌｍｍ以下であることが記載されている。
［参考資料２］
　ポリイミド樹脂多層板用材料としてのポリイミドの温度と動的粘弾性との関係が記載されている。
［参考資料３］
　フィルム状有機ダイボンディング材のようなポリイミド系のダイボンディングフィルムの弾性率が記載されている。
　　　　　　　　　　　　
（４）当審の判断
　本件発明と刊行物１及び刊行物２に記載された発明とを対比すると、いずれの刊行物にも本件発明の構成要件となっている
「熱圧着時のステージ温度を、硬化後の接着剤の温度と弾性率の関係における弾性率の変曲点の温度以上とし、熱圧着時のヘッド温度を１５０〜３５０℃とし、
熱圧着時の圧力を１バンプあたり１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ
２
に設定した
　一方、このような条件とした実装方法については、参考資料１〜３にも記載されていない。また、前記のような条件とした実装方法が当該技術分野において自明な事項であるとも認められない。
　そして、本件発明の実装方法によれば、ステージとヘッドとの間で、ＬＣＤ用ガラス基板と実装部品とを熱硬化型接着剤を介して熱圧着実装する際に、ＬＣＤ用ガラス基板の熱分布が一定になると共に、熱圧着後冷却時の熱硬化型接着剤の応力が軽減するので、熱圧着後の基板の反りを有効に防止し、かつＬＣＤ用ガラス基板と実装部品との接続信頼性も高く維持することができるという特許明細書に記載の作用・効果を生じるものと認められる。
　したがって、本件発明は、参考資料１〜３を参酌したとしても刊行物１及び刊行物２に記載された発明から当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　本件請求項２，３に係る発明は、本件発明において、それぞれステージ温度及び硬化後の熱硬化型接着剤の弾性率（常温）についての条件を更に規定したものであるので、本件発明が前述したように当業者が容易に想到できたものではないのであるから、本件請求項２，３に係る発明も本件発明と同様の理由で当業者が容易に想到できたものではない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
　なお、異議申立人は、旧請求項１及び旧請求項４に係る発明は、刊行物１（甲第１号証）に記載された発明と同一である旨の主張もしているが、これらの旧請求項１，４に対応した訂正後の新請求項１，３に係る発明は、前述のとおり、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に想到し得たものではないのだから、刊行物１に記載の発明と同一ではないのも明らかである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
（５）むすび
　以上のとおり、特許異議の申立ての理由及び提出した証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月２１日（２００４．９．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
実装方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　ステージとヘッドとの間で、
ＬＣＤ用ガラス基板
熱圧着時のヘッド温度を１５０〜３５０℃とし、熱圧着時の圧力を１バンプあたり１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２とし、
　【請求項２】
　熱圧着時のステージ温度
が８０〜１２０℃であることを特徴とする
　【請求項
３
　硬化後の熱硬化型接着剤の弾性率（常温）が、１．０ＧＰａ以上、ガラス転移点が８０℃以上である請求項１
又は２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、ステージとヘッドとの間で、基板と実装部品とを熱硬化型接着剤を介して熱圧着する実装方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　基板にＩＣチップ等の実装部品を実装する方法として、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、異方導電性ペースト（ＡＣＰ）、絶縁性フィルム（ＮＣＦ）等の熱硬化型接着剤を介して基板と実装部品とを熱圧着する方法が知られている。例えば、ＬＣＤパネルのガラス基板にＩＣチップを実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）においては、図１に示すように、ガラス基板１上に熱硬化型接着剤２を介して配されたＩＣチップ３が、ステージ４とヘッド５の間で加熱加圧される。この場合、ヘッド５の温度は、一般に、１５０〜３５０℃とされる。また、ステージ４は、熱硬化型接着剤２の熱硬化反応が不要に早く始まらないように常温とされるか、もしくは実装工程において熱圧着毎に接続温度がばらつくことを防止するため、４０〜６０℃の反応開始温度以下に加温される。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　一方、ＣＯＧにおいてガラス基板としては、製品の軽量化や高密度実装を目的として、薄型で線膨張係数の低いものが使用されるようになっている。例えば、従来の１．１ｍｍ厚の基板に代えて０．７ｍｍ厚の基板が使用され、線膨張係数αも従来の４．８×１０−６程度のものに代えて３．１×１０−６程度のものが使用されるようになっている。
　【０００４】
　しかしながら、基板１を薄型化、低α化すると、上述のようにＩＣチップ３を実装した場合に、熱硬化型接着剤２の熱分布歪み、内部応力によって、図２に示すように基板１に反りが生じる。そのため、このような実装方法をＬＣＤパネルのガラス基板で行った場合には、画像ムラが起きたり、導通抵抗が上昇するなどの問題が生じていた。
　【０００５】
　これに対しては、熱硬化型接着剤として、低弾性のものを使用し、基板の内部応力を低減させることが試みられている。しかし、低弾性の熱硬化型接着剤を使用すると、基板の反りは抑制できても、接続信頼性が低下するという問題が生じる。
　【０００６】
　本発明は以上のような従来技術の問題点を解決するものであり、ＩＣチップ等の実装部品を基板に熱硬化型接着剤を用いて熱圧着により実装する場合に、接続信頼性を損なうことなく、基板の反りを防止することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明らは、熱圧着に使用するステージを特定の温度に加熱することにより上記の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
　【０００８】
　即ち、本発明は、ステージとヘッドとの間で、
ＬＣＤ用ガラス基板
熱圧着時のヘッド温度を１５０〜３５０℃とし、熱圧着時の圧力を１バンプあたり１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２とし、
　【０００９】
　ここで、ステージ温度とは、ステージの基板側の表面温度をいう。
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
　【００１１】
　本発明は、図１に示したように、基板１上に熱硬化型接着剤２を介してＩＣチップ３等の実装部品を配したものを、ステージ４とヘッド５の間で熱圧着することにより実装する場合において、熱圧着時のステージ温度を、硬化後の接着剤の温度と弾性率の関係における弾性率の変曲点の温度以上とする実装方法である。
　【００１２】
　即ち、硬化後の熱硬化型接着剤２は、一般に、図３に示した温度と弾性率の関係のように、温度を高めると弾性率は次第に低下するが、或る温度を変曲点ａとして大きな割合で低下し、さらに高温においてほぼ一定になるという関係を示す。図中、弾性率及びｔａｎ　ｄは、自動動的粘弾性測定器（例えば、ＲＨＥＯＶＩＢＲＯＮ　ＤＤＶ−ＩＩ−ＥＰ、（株）オリエンテック製）により求められる値である。本発明においては、使用する当該熱硬化型接着剤２について、この変曲点ａに対応する温度Ｔａを予め実測等により求めておき、熱圧着時のステージ温度を、変曲点ａに対応する温度Ｔａ以上とする。これにより、基板１が温度Ｔａ以上となり、熱分布が一定になると共に、熱圧着後冷却時の熱硬化型接着剤２の応力が軽減する。したがって、熱圧着後の基板２の反りを有効に防止し、かつ基板２と実装部品との接続信頼性も高く維持することができる。
　【００１３】
　ステージ温度は、高すぎるとかえって熱ストレスを熱硬化型接着剤２及び基板１に与えるので、熱圧着時に熱硬化型接着剤２に到達させる最高温度よりも低く設定することが好ましい。なお、この熱硬化型接着剤２に到達させる最高温度は、熱硬化型接着剤の仕様により定める。
　【００１４】
　ステージ温度を上述のように制御するため、ステージ４としては、セラミックヒーター、抵抗加熱式のヒーターを内蔵したパルスヒーター等を用いることが好ましい。特に、セラミックヒーターは、熱に対する寸法安定性や温度制御性が良好であるので、ステージ４の表面平坦性を維持しつつ良好に温度制御できるので好ましい。
　【００１５】
　一方、ヘッド５としては、加熱ヒーターを内蔵したステンレスブロック、セラミックヒーター、抵抗加熱式のパルスヒーター等を使用することができる。本発明においては、熱圧着時に、熱硬化型接着剤２を介して配されている基板１と実装部品とを、ヘッド５によって、１バンプ当たり圧力１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２で加圧すると共に、熱硬化型接着剤２が硬化するに必要な熱を加えることが好ましい。
　【００１６】
　基板１としては、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、セラミック基板等を使用することができるが、特に、熱圧着後の変形量の点から、弾性率（常温）が１００ＧＰａ以下で、厚みが１．０ｍｍ以下のものを使用する場合に、本発明の効果を顕著に得ることができる。
　【００１７】
　熱硬化型接着剤２としては、種々のＡＣＦ、ＡＣＰ、ＮＣＦ等を使用することができるが、通電信頼性、導通抵抗の点から、硬化後の熱硬化型接着剤の弾性率（常温）が、１．０ＧＰａ以上のものを使用することが好ましい。また、使用環境の点から、ガラス転移点Ｔｇが８０℃以上のものを使用することが好ましく、１００℃以上のものがより好ましい。例えば、熱硬化性樹脂成分が、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等からなるものを使用することができ、これらの熱硬化性樹脂成分の種類や量を調整することにより、熱硬化型接着剤２の弾性率やガラス転移点Ｔｇを制御することができる。
　【００１８】
　本発明は、以上説明した態様の他に、ステージとヘッドとの間で、基板と実装部品とを熱硬化型接着剤を介して熱圧着する実装方法において、熱圧着時のステージ温度を特定温度に加熱する限り、種々の態様を包含する。例えば、通常は、図１に示されているように、ステージ４上に基板１を載置し、ＩＣチップ３側からヘッド５で加熱加圧するが、本発明はこれに限らず、基板１とＩＣチップ３の位置関係を逆にし、基板１側からヘッド５で加熱加圧する態様も包含する。
　【００１９】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
　【００２０】
　実施例１〜６、比較例１〜４
セラミックヒーターからなるステージとセラミックヒーターからなるヘッド（５ｍｍ×３０ｍｍ）を用いて、表３に示す実装条件で、ガラス基板にＩＣチップ（外形２ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ０．５５ｍｍ、バンプの大きさ３０μｍ×５０μｍ、バンプのピッチ８０μｍ）を実装した。この場合、基板としては、表１のＡ、Ｂ又はＣのガラス基板からなり、表面にアルミニウム配線パターン（パターン幅５０μｍ、ピッチ８０μｍ）を有するものを使用し、熱硬化型接着剤としては、表２のａ、ｂ又はｃの異方導電性フィルム（ＡＣＦ）を使用した。
　【００２１】
　【表１】
　【００２２】
　【表２】
　【００２３】
　　注（＊１）変曲点温度：温度と弾性率との関係を自動動的粘弾性測定器（ＲＨＥＯＶＩＢＲＯＮ　ＤＤＶ−ＩＩ−ＥＰ、（株）オリエンテック製）により、以下の測定条件で測定した場合の、弾性率の変曲点に対応する温度。
［測定条件］
測定サンプルサイズ（チャック間）　長さ３０ｍｍ、幅３ｍｍ、厚さ２５μｍ、
測定周波数　１１Ｈｚ、
昇温スピード　３℃／分
　　（＊２）ＡＣＦ　ａの樹脂成分：フェノキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、イミダゾール系潜在性硬化剤
　　（＊３）ＡＣＦ　ｂの樹脂成分：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、イミダゾール系潜在性硬化剤
　　（＊４）ＡＣＦ　ｃの樹脂成分：ＳＥＢＳ（スチレン／エチレン／ブチレン／スチレン共重合体）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、イミダゾール系潜在性硬化剤
　【００２４】
　評価
　ＩＣチップ実装後の（ｉ）基板の反り、及び（ｉｉ）導通信頼性を次のように評価した。結果を表３に示す。
　【００２５】
　（ｉ）基板の反り：図４に示すように、ＩＣチップ３の実装後の基板１を平坦な台の上に置き、基板１の上面の最も凹んでいる面からバンプ３ａの接続端面までの高さＬを測定し、反りの指標とした。
　【００２６】
　（ｉｉ）導通信頼性：基板１の隣接する２ピン間の抵抗を、温度８５℃、湿度８５％ＲＨ、１０００時間のＴＨＴテスト（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｈｕｍｉｄｉｔｙ　Ｔｅｓｔ）の前後で測定し、以下の基準で○、△、×の３段階に評価した。
　　○：１Ω未満
　　△：１Ω以上５Ω未満
　　×：５Ω以上
　【００２７】
　【表３】
　【００２８】
　表３の結果から、ステージ温度をＡＣＦの変曲点温度以上とした各実施例では、基板の反りが著しく抑制され、かつ導通信頼性も優れていることがわかる。また、弾性率の低いＡＣＦを使用した比較例６では、基板の反りは生じないが、ＴＨＴテスト後の導通信頼性が極めて低いことがわかる。
　【００２９】
　【発明の効果】
　本発明の実装方法によれば、ＩＣチップ等の実装部品を基板に熱硬化型接着剤を用いて熱圧着により実装する場合に、接続信頼性を損なうことなく、基板の反りを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　従来の実装方法の説明図である。
　【図２】
　従来の実装方法により変形した基板の断面図である。
　【図３】
　硬化後の熱硬化型接着剤の温度と弾性率の関係図である。
　【図４】
　ＩＣチップ実装後の基板の反りの説明図である。
　【符号の説明】
　１　基板、
　２　熱硬化型接着剤、
　３　ＩＣチップ、
　４　ステージ、
　５　ヘッド、