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　特願２００９−５３２９４８「半導体発光装置のための電気的コンタクト」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月２４日国際公開、ＷＯ２００８／０４７３２５、平成２２年　３月　４日国内公表、特表２０１０−５０７２４６、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１０月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年１０月１８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年７月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１９日付けで手続補正がされ、平成２５年１月１０日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年５月２１日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１−１５に係る発明は、平成２４年１１月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１５に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。　
「　【請求項１】
　第１導電型の第１層と、前記第１層の上に重なる光発生のための活性層と、前記活性層の上に重なる第２導電型の第２層と、を有する略矩形の半導体構造体を備えた半導体発光装置のための電気的コンタクトを形成するための方法であって、
　前記半導体構造体の第１の周辺縁部に沿って、少なくとも第１細長電気的コンタクトを形成するステップと、
　前記半導体構造体の隣接する第２の周辺縁部に沿って、少なくとも第２細長電気的コンタクトを形成するステップを含み、
　前記第２層及び前記活性層を貫通して前記第１層への電気的接続をもたらすように、前記第１及び第２細長電気的コンタクトを形成し、
　前記第１コンタクトは、前記第２コンタクトの第１端部に近接する第１端部を有し、両方の第１端部が、前記半導体構造体の第１のコーナーに近接し、
　前記コンタクトを介して電流が前記第１層に供給されるとき、前記両方の第１端部の概ね間の第２の単位面積内における前記第１コンタクトの第１端部及び前記第２コンタクトの第１端部からの電流寄与量が、前記第１又は第２コンタクトに沿う第１の単位面積での電流密度にほぼ等しい電流密度を前記第２の単位面積に生じるように、前記第１コンタクトの前記第１端部が前記第２コンタクトの前記第１端部から十分に離間配置される、ことを特徴とする方法。
　　【請求項２】
　前記第２層及び前記活性層を貫通する少なくとも１つの開口を形成するステップと、前記開口を通して前記第１層への電気的ビアコンタクトを形成するステップと、をさらに含み、
　前記開口は、前記半導体構造体の前記周辺縁部よりも内側に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記電気的ビアコンタクトと、少なくとも前記第１及び第２コンタクトとを相互接続して、前記第１層に電流を供給するための第１電極を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記形成ステップは、
　前記第２層及び前記活性層を貫通して延びる側壁と、前記第１層の一部分を含む底壁とを有するチャネルを形成するステップと、
　前記側壁を絶縁して前記第１及び第２の電気的コンタクトによる前記第２層及び前記活性層への電気的接触を防止するステップと、
　前記第１コンタクトの前記第１端部が前記第２コンタクトから離間配置されるように、導電性材料を前記第１層に電気的に接触させて前記チャネル内に堆積させるステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記堆積させるステップは、前記導電性材料をパターニングして、前記導電性材料を前記第１コンタクトの少なくとも前記第１端部から除去して前記第１コンタクトの前記第１端部が前記第２コンタクトの前記第１端部から離間配置されるようにするステップを含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記絶縁するステップは、前記第１コンタクトの前記第１端部に近接して誘電体材料を堆積させるステップを含み、
　前記誘電体材料は、前記導電性材料を前記チャネル内に堆積させる際に、前記第２コンタクトの前記第１端部から前記第１コンタクトの前記第１端部を絶縁するように機能する、ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
　　【請求項７】
　半導体発光装置に用いるための略矩形の半導体構造体であって、
　第１導電型の第１層と、
　前記第１層の上に重なる光発生のための活性層と、
　前記活性層の上に重なる第２導電型の第２層と、
　前記第２層及び前記活性層を貫通して延びて前記第１層と電気的に接触する少なくとも第１及び第２の細長電気的コンタクトと、を備え、
　前記第１及び第２コンタクトは、それぞれ前記半導体構造体の第１の周辺縁部、隣接する第２の周辺縁部に沿って延びており、
　前記第１コンタクトは、前記第２コンタクトの第１端部に近接する第１端部を有し、両方の第１端部が、前記半導体構造体の第１のコーナーに近接し、
　前記コンタクトを介して電流が前記第１層に供給されるとき、前記両方の第１端部の概ね間の第２の単位面積内における前記両方の第１端部からの電流寄与量が、前記第１又は第２コンタクトに沿う第１の単位面積での電流密度にほぼ等しい電流密度を前記第２の単位面積に生じるように、前記第１コンタクトの前記第１端部が前記第２コンタクトの前記第１端部から十分に離間配置されている、ことを特徴とする半導体構造体。
　　【請求項８】
　前記半導体構造体の第３の周辺縁部に沿って延びる第３細長電気的コンタクトと、前記半導体構造体の第４の周辺縁部に沿って延びる第４細長電気的コンタクトと、をさらに備え、
　前記第１、第２、第３及び第４コンタクトの隣接する対は、前記略矩形の半導体構造体のそれぞれのコーナーに近接する離間した端部を有し、
　前記コンタクトを介して電流が前記第１層に供給されるとき、前記離間した端部の概ね間の第２の単位面積内における前記それぞれの離間した端部からの電流寄与量が、前記コンタクトに沿う第１の単位面積での電流密度にほぼ等しい電流密度を前記領域内に生じる、ことを特徴とする請求項７に記載の構造体。
　　【請求項９】
　前記第２層及び前記活性層を貫通して延び、前記半導体構造体の前記周辺縁部より内側に配置された少なくとも１つの開口と、
　前記開口を通して延びて前記第１層と電気的に接触する電気的ビアコンタクトと、
をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の構造体。
　　【請求項１０】
　前記電気的ビアコンタクトと少なくとも前記第１及び第２コンタクトとの間の相互接続部をさらに備え、
　前記相互接続部は、前記第１層への電流供給を促進するように機能する、ことを特徴とする請求項９に記載の構造体。
　　【請求項１１】
　各々の前記細長電気的コンタクトは、
　前記第２層及び前記活性層を貫通して延びる側壁，前記第１層の一部分を含む底壁，を有するチャネルと、
　前記チャネル内に存在して前記第１層と電気的に接触する導電性材料と、
　前記導電性材料と前記側壁との間に存在し、前記第１及び第２コンタクトによる前記第２層及び前記活性層への電気的接触を防止するように機能する誘電体材料と、を備える、ことを特徴とする請求項７に記載の構造体。
　　【請求項１２】
　少なくとも前記第１及び第２コンタクト間の相互接続部をさらに備え、
　前記相互接続部は、前記第１層への電流供給を促進するように機能する、ことを特徴とする請求項７に記載の構造体。
　　【請求項１３】
　前記相互接続部は、前記第２層の少なくとも第１の部分の上に重なる相互接続部分を含み、
　前記相互接続部分は、前記第２層から絶縁されている、ことを特徴とする請求項１２に記載の構造体。
　　【請求項１４】
　前記第１層はｎ型半導体材料を含み、前記第２層はｐ型半導体材料を含む、ことを特徴とする請求項７に記載の構造体。
　　【請求項１５】
　請求項７に記載の半導体構造体を備え、
　少なくとも前記第１及び第２の電気的コンタクトと電気的に接触する第２電極と、前記第２層と電気的に接触する第１電極と、をさらに備え、
　前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して、順方向バイアス電流が前記活性層を通して流れるようにするときに、前記活性層において光が発生する、ことを特徴とする半導体発光装置。」　
　
第３　原査定の理由
　一方、原査定の拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。
　半導体構造体のコーナー部において、他の部分と比べて電流集中が進んでいるのか否か不明であるから、第１、第２コンタクトの端部を離間させることの技術上の意義が不明である。よって、この出願の発明の詳細な説明の記載は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が請求項に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本願は特許法第３６条第４号第１号に規定する要件を満たしていない。
　
第４　当審の判断
１　明細書の記載事項
　本願の発明の詳細な説明には以下の記載がある。（当審注：下線は当審が付した。）
「【発明を実施するための形態】
【００３１】
　図１及び図２を参照すると、半導体発光装置に用いるための半導体構造体が、概略的に１００で示される。構造体１００は、第１導電型の第１層１０２と、第１層１０２の上に重なる活性層１０４とを含む。活性層１０４は、光を発生するように機能する。構造体１００はまた、活性層１０４の上に重なる第２導電型の第２層１０６を含む。
【００３２】
　構造体１００は、第２層１０６及び活性層１０４を貫通して延びて第１層１０２に電気的に接触する、少なくとも第１細長電気的コンタクト１０８及び第２細長電気的コンタクト１１０をさらに含む。第１及び第２コンタクト１０８及び１１０は、互いに角度をなして配置され、第１コンタクトは、第２コンタクトに近接する第１端部１１２を有する。
第１端部１１２は第２コンタクト１１０から十分に離間配置され、その結果、電流がコンタクト１０８及び１１０を介して第１層１０２に供給されるとき、第１端部と第２コンタクトの概ね間の領域内における、第１コンタクトの第１端部及び第２コンタクトからの電流寄与量が、第１及び第２コンタクトに沿う他の箇所での電流密度にほぼ等しい電流密度をその領域内に生じる。
【００３３】
　
一般に、第１層１０２は、低い電荷キャリア移動度を有する半導体材料を含むことができ、その結果、コンタクト１０８及び１１０を介して第１層に供給される電流は、第１層全体にわたって均一な電流分布を生成するのに十分には広がらず、高電流密度領域を生じる可能性がある。このような高電流密度領域は、これらの領域内に高発光点又は輝点を生じる可能性があり、そしてその領域内の半導体構造体１００の局所的な加熱を生じる可能性がある。高電流密度によるこうした局所的加熱及び輝点を呈する半導体発光構造体は、「電流集中」を被ると言われる。
【００３４】
　図１及び図２に示す実施形態において、構造体１００は、略矩形の基板１１４上に成長させられ、コンタクト１０８及び１１０は、構造体１００のそれぞれの隣接する周辺縁部１１６及び１１８に沿って配置される。第２コンタクト１１０は、第１コンタクト１０８の第１端部１１２に近接して配置された第１端部１２０を含み、第１及び第２端部は両方共に構造体１００の第１のコーナー１２１に近接する。この実施形態においては、第１コンタクト１０８及び第２コンタクト１１０は、一般的に互いに約９０°の角度をなして配向される。
【００３５】
　構造体１００は、構造体１００のそれぞれの隣接する周辺縁部１２６及び１２８に沿って配置された第３電気的コンタクト１２２及び第４電気的コンタクト１２４をさらに含み、これらは構造体１００の第２のコーナー１３１に隣接する近接した第１端部１３０及び１３２を有する。
【００３６】
　第１コンタクト１０８は第２端部１４０を含み、第３電気的コンタクト１２２は第２端部１４２を含む。第２端部１４０及び１４２は構造体１００の第３のコーナー１３８に近接して配置される。第２コンタクト１１０は第２端部１４４を含み、第４電気的コンタクト１２４は第２端部１４６を含む。第２端部１４４及び１４６は、構造体１００の第４のコーナー１４８に近接して配置される。
【００３７】
　構造体１００はまた、複数のビアコンタクト１３３を含む。各々のビアコンタクトは、第２層１０６及び活性層１０４を貫通して延びる開口１３４と、開口１３４を通して延びて第１層１０２に接触する導電性材料１３６とを含む。
【００３８】
　半導体発光装置に供給される電流が第１層１０２全体にわたって横方向に広がるように、細長電気的コンタクト１０８、１１０、１２２及び１２４、並びにビアコンタクト１３３は相互接続され（図示せず）、第１層１０２への電気的接続をもたらす。
【００３９】
　
一実施形態において、第１層１０２はｎ型半導体材料を含み、第２層１０６はｐ型半導体材料を含む。発光デバイスの半導体内のｎ型層及びｐ型層用に用いられる材料は、一般に低移動度の電荷キャリアを有し、これにより、第１層１０２の比較的高い抵抗率を生じ、それゆえこれらの構造体は、特に電流集中効果を被りやすくなる。電気的コンタクト１０８、１１０、１２２及び１２４は、一般に、低抵抗率金属を含み、電気的コンタクト内の電流の良好な横方向の広がりをもたらす。
　
２　判断
　上記１の【００３３】、【００３９】には、低い電荷キャリア移動度を有する半導体材料では、コンタクトを介して第１層に供給される電流が第１層全体にわたって均一な電流分布を生成する程度に十分には広がらず、高電流密度領域を生じる恐れがあることが記載されている。そうすると、第１コンタクトの第１端部と第２コンタクトの第１端部が近接する領域では、それぞれのコンタクトの第１端部からの電流により高電流密度領域を生じる恐れがあることが理解できる。また、実際に高電流密度領域が生じるであろうことは、審判請求書に示された図Ａ（熱画像）、図Ｂ（光放射画像）からも理解できる。
　そうすると、「前記第１コンタクトの前記第１端部が前記第２コンタクトの前記第１端部から十分に離間配置される」との発明特定事項が有する技術上の意義は、前記第１コンタクトの前記第１端部と第２コンタクトの第１端部を離間して配置することにより、各第１端部からの電流に起因する高電流密度領域の発生を防止することにあるものと理解することができる。
　してみると、この出願の発明の詳細な説明の記載は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が請求項に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであり、本願は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしているものと認められる。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願の発明の詳細な説明の記載は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が請求項に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。