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　特願２００７−５４８３４４「プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月　３日国際公開、ＷＯ２００６／０８１００４、平成２０年　７月１７日国内公表、特表２００８−５２６０２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、２００５年１２月１６日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００４年１２月２２日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年３月１７日付けで拒絶理由通知がなされ、同年９月２８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年６月６日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年９月１１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１０月２日付けで平成２４年９月１１日付けの手続補正書による補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同日付けで誤訳訂正書が提出され、同年５月１０日付けで前置報告書に基づく当審による審尋がなされ、同年７月２９日付けで回答書が提出されたものである。
　
［２］平成２５年２月６日付け手続補正の補正却下の決定について
＜結論＞
　平成２５年２月６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
＜理由＞
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、下記のとおりに補正する補正を含むものである。
（補正前）　
「【請求項１】
　プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法であって、本方法は、
　前記プラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供するステップを含んでおり、前記堆積バリアは前記プラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置するように設計されており、プラズマが前記プラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を前記堆積バリアに付着させ、前記プラズマ処理チャンバ表面上での副生成物堆積を減少させる方法であって、
　前記堆積バリアは、チャックを保護するために、前記プラズマチャンバの清浄処理中に前記チャックの上に降下され、
　且つ前記堆積バリアは、前記チャックを保護するために、基板処理サイクルの間のチャンバアイドリング時に前記チャック上に降下されることを特徴とする方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法であって、本方法は、
　前記プラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供するステップを含んでおり、前記堆積バリアは前記プラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置するように設計されており、プラズマが前記プラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を前記堆積バリアに付着させ、前記プラズマ処理チャンバ表面上での副生成物堆積を減少させる方法であって、
　前記堆積バリアは、チャックを保護するために、前記プラズマチャンバの清浄処理中に前記チャックの上に降下され、
　且つ前記堆積バリアは、前記チャックを保護するために、基板処理サイクルの間のチャンバアイドリング時に前記チャック上に降下さ
れ、
　
前記堆積バリアは、Ｙ
２
Ｏ
３
、イットリウム、ＢＮ、ＢＣのうち少なくとも１種を含んでおり、
　
前記堆積バリアは発生したＲＦに対して透過性である
　
（２）補正の目的
　上記補正は、堆積バリアについて、「Ｙ２Ｏ３、イットリウム、ＢＮ、ＢＣのうち少なくとも１種を含んで」いること、及び「発生したＲＦに対して透過性である」ことを限定するものであり、該補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件
　上記補正後の本願請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
（３−１）引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された特開昭６１−１７２３３５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「２．特許請求の範囲
（１）半導体基板をＣＶＤないしはエッチングするプラズマ装置において、上部電極を兼ねた処理室と、処理室とは電気的に絶縁された下部電極と、処理室内壁をカバーするように設けられた反応生成物を付着させるための防着板とを備えたことを特徴とするプラズマ装置。」（第１頁左下欄第４−１０行）
　
（１ｂ）「そしてプラズマＣＶＤを行なう場合は、反応生成物を付着させるための防着板５，１２が付属して設けられている。またドライエッチングの場合にも、デポジション物質の発生するエッチングを行なう場合があり、その場合にはプラズマＣＶＤと同様の防着板が付属して設けられている。
ここでデポジションの発生するエッチングとは、例えばＣＦ４＋Ｈ２またはＣＨＦ３＋Ｏ２（又はＣＯ２）またはＣ２Ｆ６＋ＣＨＦ３系によるＳｉＯ２エッチングやフレオン１１４，１１５等によるポリＳｉエッチングなどである。」（第１頁右下欄第１５行−第２頁左上欄第５行）
　
（１ｃ）「第１図はドライエッチング装置における本発明の一実施例を示し、図において、１は上部電極を兼ねたエッチング室、２は該エッチング室１の排気を行う真空引き口、３はエッチングガスをエッチング室１に導入するエッチングガス導入口、４はエッチング室１とは電気的に絶縁された下部電極、５，６はそれぞれ反応生成物を付着させるための防着板で、これらはエッチング室１の内壁をカバーするように設けられている。また７はエッチングすべき基板、８は電源である。
　次に動作について説明する。
　……。次いで電源８から下部電極４と上部電極を兼ねるエッチング室１との間に電圧を印加してプラズマを発生させ、下部電極４上に置かれた基板７をドライエッチングする。エッチング工程中に付着したデポジション物質は防着板５，６に付着させる。
　……この電源８はエッチング室１側に接続し、下部電極４を接地してもよい。またガス導入口３はエッチング室１の上面に設けたが、エッチング室１の側面や下部電極４の中央に設ければ、防着板６の開口部をなくすことができ、デポジション物質の除去という点においてより効果的である。
　なお、以上はドライエッチングを例にして説明したが、本発明はプラズマＣＶＤにおいても同様に実施でき、同様の効果を奏する。」（第２頁右上欄第１３行−右下欄第５行）
　
（１ｅ）第１図には、ドライエッチング装置において、上部電極を兼ねるエッチング室側面および上面をカバーするように、それぞれ、防着板５、６が設けられるとともに、基板７を保持する下部電極にＲＦ電源８が接続される様子が示されている。
　
　同様に、原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された特開２００２−３１３７３２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）、特開平１０−２８４４７５号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
・引用刊行物２（特開２００２−３１３７３２号公報）
（２ａ）「【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に係るプラズマ装置の要部であり、プラズマＣＶＤ装置の反応チャンバ内の要部構成について示す概観図である。……
【００１１】この実施形態では、プラズマ耐性を有するシャッター部材１５と、このシャッター部材１５の移動制御機構１６が装備されている。これらの装備は、載置台１１に被処理ウェハが載置されない反応チャンバ１０内のプラズマクリーニング時において利用される。すなわち、移動制御機構１６によりシャッター部材１５を載置台１１上に移動、接触させ、プラズマクリーニングの際に載置台１１の電極部表面を保護する。」（第２頁第２欄第２５行−第３頁第３欄第２行）
　
（２ｂ）「【００１５】図３は、本発明の第２実施形態に係るプラズマ装置の要部であり、……
【００１７】この実施形態も上述した第１実施形態と同様に、プラズマ耐性を有するシャッター部材３５と、このシャッター部材３５の移動制御機構３６が装備されている。……すなわち、移動制御機構３６によりシャッター部材３５を載置台３１上に移動、接触させ、プラズマクリーニングの際に載置台３１の電極部表面を保護する。」（第３頁第３欄第２７行−第４欄第７行）　
　
・引用刊行物３（特開平１０−２８４４７５号公報）
（３ａ）「【００２７】このようにしてＳｉＯＦ膜の成膜処理を行うと、図４（ｂ）に示すように、成膜室２６の内部の、載置台３上のウエハＷの周辺や載置台３の外周囲部分、成膜室２６の内壁等の成膜ガスが到達する場所にもＳｉＯＦ膜Ｓが付着してしまう。そこで例えば１０枚のウエハＷに対してＳｉＯＦ膜の成膜処理を行なった後、付着したＳｉＯＦ膜Ｓを除去するためにクリ−ニング工程を実施する（図４（ｃ），（ｄ））。
【００２８】このクリ−ニング工程では、既述のウエハＷと同様にして前記保護板５を載置台３上におけるウエハＷの載置領域に受け渡して静電吸着させる。……
【００２９】……。そしてこのプラズマガスによりクリ−ニングガスをプラズマ化させて、活性種を形成する。この活性種は載置台３に付着しているＳｉＯＦ膜Ｓと反応し、この反応によりＳｉＯＦ膜Ｓは例えばＳｉＦ４に分解されて飛散し、こうしてＳｉＯＦ膜Ｓは排気管２９を介して真空容器２の外部へ除去される（図４（ｄ））。
　……
【００３１】続いてプリコ−ト工程を実施する。プリコ−ト工程はウエハＷの成膜処理の前工程に相当する成膜処理であり、クリ−ニング工程に引き続いて載置台３上に保護板５を載置したまま、クリ−ニングガスの代わりにプリコ−トガスを導入することにより行われる。
【００３２】このプリコ−ト工程は、真空容器２の内壁にプリコ−ト膜を形成して、真空容器２の内部に存在するクリ−ニングガス中のフッ素をプリコ−ト膜により容器内壁に封じ込め、飛ばない状態とすることを目的とするものなので、ウエハＷの成膜処理と同様の処理を行えばよい……。
【００３３】……。このプラズマガスにより前記プリコ−トガスをプラズマ化して活性種を形成し、この活性種により真空容器２の内壁にＳｉＯＦ膜よりなるプリコ−ト膜が成膜される（図４（ｄ））。
【００３４】本実施の形態では、
保護板５を載置台３上に載置した状態でクリ−ニング工程を実施しているので、この工程の際プラズマから載置台の載置面である静電チャックの表面を保護することができる。
【００３５】……。
またプリコ−ト工程も載置台３上に保護板５を載置した状態で行われているので、プリコ−ト膜が載置台３のウエハ載置領域に形成されることを防止できる。
　
　上記記載事項（１ａ）−（１ｅ）によれば、プラズマＣＶＤないしはプラズマエッチングにおいて、デポジションを伴うプラズマ反応の場合に、電極や処理室内壁にデポジション物質が堆積するのを防止すべく、電極を兼ねるプラズマ処理室の上面及び側面をカバーするように防着板を設けることが記載されている。
　そして、プラズマＣＶＤないしはプラズマエッチングにおいて生じるデポジション物質として、プラズマ照射により生成される副生成物も含まれることは技術常識であり（例えば、特開昭６２−１８８８号公報：「このように非晶質シリコン膜をプラズマCVD法によって形成すると、副生成物として微細な粉体状のポリシランが生じ、反応室１の内面である高周波電極４等の表面に付着している。」（第３頁右上欄第１−４行））、通常、プラズマは電極及びプラズマ室側面に囲まれた領域で主に発生することから、前記防着板は前記プラズマ処理室のプラズマ発生領域に設置するように設計され、副生成物の少なくとも一部を前記防着板に付着させ、前記プラズマ処理室の内壁上面及び内壁側面での付着を減少させていることは明らかである。
　
　したがって、上記記載事項（１ａ）−（１ｅ）によれば、引用刊行物１には、「プラズマＣＶＤないしはプラズマエッチングで使用するプラズマ処理室の内壁上面及び内壁側面での副生成物の付着を減少させる方法であって、本方法は、
　前記プラズマ処理室に防着板を提供するステップを含んでおり、前記防着板は前記プラズマ処理室のプラズマ発生領域に設置するように設計されており、
プラズマが前記プラズマ処理室内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を前記防着板に付着させ、前記プラズマ処理室の内壁上面及び内壁側面上での副生成堆積を減少させる方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３−２）対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「プラズマＣＶＤないしはプラズマエッチング」、「プラズマ処理室」、「内壁上面及び内壁側面」、「防着板」は、それぞれ、本願補正発明の「プラズマ処理システム」、「プラズマ処理チャンバ」及び「プラズマチャンバ」、「表面」、「堆積バリア」に相当する。
　
　よって、両者は、
「プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法であって、本方法は、
　前記プラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供するステップを含んでおり、前記堆積バリアは前記プラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置するように設計されており、
プラズマが前記プラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を前記堆積バリアに付着させ、前記プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させる方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
・（相違点１）
　本願補正発明では、「前記堆積バリアは、チャックを保護するために、前記プラズマチャンバの清浄処理中に前記チャックの上に降下され、且つ前記堆積バリアは、前記チャックを保護するために、基板処理サイクルの間のチャンバアイドリング時に前記チャック上に降下され」るのに対して、引用発明では、それが明らかでない点。
　
（相違点２）
　「前記堆積バリアは、Ｙ２Ｏ３、イットリウム、ＢＮ、ＢＣのうち少なくとも１種を含んでおり、前記堆積バリアは発生したＲＦに対して透過性である」のに対して、引用発明では、それが明らかではない点。
　
　上記各相違点について検討する。
・（相違点１）について
　上記引用刊行物２、３には、プラズマＣＶＤないしはプラズマエッチングなどのプラズマ処理後の反応チャンバ内のプラズマクリーニング（「清浄処理」に相当）を行う際に、ウエハ載置台（「チャック」に相当）の表面に、シャッター部材あるいは保護板を移動させて載置台表面を保護することが記載され、また、同３には、前記プラズマクリ−ニングを行った後、続いてプラズマ化ガスによるプリコート（「基板処理サイクルの間のチャンバアイドリング」に相当）時にも、保護板を載置した状態で行うことも記載されている。
　とすれば、引用発明におけるプラズマ処理室内のデポジション物質等による汚染をより低減すべく、上記引用刊行物２、３に記載された、チャックを保護するためにシャッター部材を載置台の上に移動させてプラズマクリーニングを行い、また、載置台を保護するために保護板を載置台の上に移動させてプリコートを行うことを適用すること、つまり、チャックを汚染から保護することは当業者が容易に想到することであり、その際、シャッター部材あるいは保護板として、同じくプラズマ領域に配置されて使用される、前記防着板をチャックの上に降下させて用いることは、装置簡略化の観点から適宜なしえた設計的事項にすぎない。
　
・（相違点２）について
　プラズマＣＶＤないしはプラズマエッチングにおいて、プラズマチャンバ内で使用される防着板等の部材は、プラズマに曝されるため、その材質として耐プラズマ性が求められることは技術常識（例えば、下記文献１参照）であって、引用発明における防着板においても、同様に耐プラズマ性を要することは明らかである。
　そして、耐プラズマ性を有する材質として、酸化イットリウムは周知のものであり、該酸化イットリウムはＲＦ透過性も有するものである（下記周知例１、２参照）。
  よって、引用発明に前記周知技術を適用し、当該相違点に係る構成とすることは当業者が適宜なし得たことである。
　
・文献１：特開２００４−２４４３１２号公報
「【００１９】
  図１に半導体製造用チャンバ内部の概略図を示す。１はチャンバ壁を、２はシャワーヘッドを、３はクランプリングを、４は下部電極を、５はウェハを、６は高周波コイルを示す。このほか、平行平板型ＲＩＥ装置、マイクロ波を利用したＥＣＲ装置等がある。」（第４頁第２７−３０行）
「【００２２】
  本発明の半導体製造用チャンバ構成部材は、図１に示した１〜４のような部品をはじめとした、
ハロゲン系腐食性ガスあるいはそのプラズマ
に曝される部材
防着板
「【００４０】
  図１に示すような、
ハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマ
に曝される部分に、本発明より構成される焼結体を適用する事によって、優れた耐食性を示す
　
・周知例１：特開２００３−４８７９２号公報
「【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造装置用
耐プラズマ部材としては
酸化イットリウム
　
・周知例２：特開２００１−２８５０２号公報
「【００１５】
高周波
透過窓を構成する
 【００１７】希土類酸化物としては
酸化イットリウム（イットリア：Ｙ
２
Ｏ
３
）
　
　そして、本願補正発明が、引用刊行物１ないし３の記載事項および周知技術からは予想し得ない格別な効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願補正発明は、引用刊行物１記載の発明および引用刊行物２ないし３記載の事項および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることが
できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
 
（４）まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　なお、審判請求人は、平成２５年７月２９日付け回答書において、請求項１において「本方法が、堆積バリアを個別に加熱するステップをさらに含んでいる」との事項を加える補正案を提示しているが、プラズマ処理システムにおいて、防着板すなわち堆積バリアを個別に加熱し、付着物の剥離が少なくなるようにすることは周知の技術にすぎず（例えば、特開平８−３１７５１号公報：「この対策の一つとして、内壁面保護部材３８の外側に加熱ヒータ等を配設し、パワー等の制御により内壁面保護部材３８を一定温度にする方法が採られている。……こうしたプラズマ処理装置は、内壁面保護部材３８と付着物との間の熱膨張係数差によって生じる熱応力を減少させることにより、付着物の膜にき裂が発生し、これが剥離してパーティクルになるのを防止しようとするものである。」（【０００９】−【００１０】））、引用発明において、これを適用することは適宜なしえたことである。
　よって、上記補正案は採用しえないものである。　
　
［３］本願発明
　上記［２］のとおり、平成２５年２月６日付け手続補正は却下されたので、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年９月２８日付け手続補正書により補正された上記［２］（１）に記載のとおりのものである。
　
［４］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された特開昭６１−１７２３３５号公報、特開２００２−３１３７３２号公報、特開平１０−２８４４７５号公報には、それぞれ、上記［２］（３）（３−１）に記載のとおりの事項が記載されている。
　
［５］対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法であって、本方法は、
　前記プラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供するステップを含んでおり、前記堆積バリアは前記プラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置するように設計されており、
プラズマが前記プラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を前記堆積バリアに付着させ、前記プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させる方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
・（相違点１’）
　本願発明では、「前記堆積バリアは、チャックを保護するために、前記プラズマチャンバの清浄処理中に前記チャックの上に降下され、且つ前記堆積バリアは、前記チャックを保護するために、基板処理サイクルの間のチャンバアイドリング時に前記チャック上に降下され」るのに対して、引用発明では、それが明らかでない点。
　
　当該（相違点１’）は、上記［２］（３）（３−２）における（相違点１）に相当するものであり、それについての判断は、上記のとおりである。
　よって、本願発明は、引用刊行物１記載の発明および引用刊行物２ないし３記載の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。