【事件の表示】
　平成　９年特許願第１０７０２８号「ＳＯＩ基板の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年１１月１３日出願公開、特開平１０−３０３１３８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成９年４月２４日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、次のとおりである。
「少なくともシリコン酸化膜形成部分に２Ｘ１０１６ｃｍ−３以上の炭素を含むシリコン基板の主表面に酸素イオンを注入し、アニール熱処理を施すことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平２−２３７０３３号公報（以下、「引用例１」という）には、
「［実施例］以下、この発明を図面に基づいて説明する。第１図は、本発明による半導体基板の製造方法の一実施例を示す図である。第１図において、まず、（ａ）では、シリコン基板１０１に、電気的に不活性であり、かつ酸素原子の移動をアシストする効果のある不純物、たとえば炭素原子１０２をイオン注入法、熱拡散法またはシリコンインゴット引き上げ時にドープする方法等によって所定量添加する。次に、（ｂ）において、前記シリコン基板１０１の主面上に、前記不純物を含まないか、または、前記不純物を（ａ）に記載の所定量よりも著しく少ない量しか含まないエピタキシャルシリコン層１０３を形成する。このとき、エピタキシャルシリコン層１０３の厚みは、ＳＯＩ膜が完成したときに必要となるＳＯＩ膜の膜厚と同程度にしておく。次に、（ｃ）において、シリコン原子と化合して絶縁膜を作る不純物、たとえば酸素原子１０４をイオン注入法によって前記基板に注入する。このとき、注入された酸素原子の分布は、（ｃ’）に示すように、概ねガウス分布となる。次に、（ｄ）において、例えば１１００℃程度の高温熱処理（詳細後述）を行なうことにより、酸素原子の移動及び酸素原子とシリコン原子の化合を行なわせ、埋め込み型酸化膜１０５および半導体薄膜１０６の形成を行なうことにより、本発明による半導体基板が完成する。」（第３頁左上欄第８行〜右上欄第１５行）、
「本発明においては、炭素原子等のように、酸素原子の移動をアシストする効果のあるゲッタリングセンターとなる原子を、予めシリコン基板中にドープしておくため、飽和酸素の析出のまえからゲッタリングが起こり、すなわちテイル領域の酸素原子は速やかにゲッタリングセンターのあるシリコン基板内部に移動して局部的に集中する。」（第３頁左下欄第２０行〜右下欄第６行）、
「上記のように本実施例においては、従来より１００℃以上の低温化が可能となり、また、従来と同様に１２００℃程度の高温で熱処理を行った場合は、従来の１／２以下の熱処理時間で同等の効果を得ることが出来る。したがって、単結晶層の品質を向上させることが出来ると共に、熱処理装置の長寿命化が可能となり、コストを低減することが出来る。」（第４頁右上欄第４〜１１行）が、第１図と共に記載されている。
　従って、上記各記載から、引用例１には、
「まず、シリコン基板１０１に、炭素原子１０２を所定量添加する。次に、前記シリコン基板１０１の主面上に、エピタキシャルシリコン層１０３を形成する。このとき、エピタキシャルシリコン層の厚みは、ＳＯＩ膜が完成したときに必要となるＳＯＩ膜の膜厚と同程度にしておく。次に、酸素原子１０４をイオン注入法によって前記基板に注入する。次に、１１００℃程度の高温熱処理を行うことにより、酸素原子の移動及び酸素原子とシリコン原子の化合を行なわせ、埋め込み型酸化膜１０５を形成する。」という発明が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例１記載の発明とを対比すると、本願第１発明の「シリコン基板」、「アニール熱処理」は、それぞれ引用例１に記載された発明の「エピタキシャルシリコン層１０３とシリコン基板１０１から構成されるシリコン基板」、及び「１１００℃程度の高温熱処理」に相当する。
　また、引用例１には「エピタキシャルシリコン層の厚みは、ＳＯＩ膜が完成したときに必要となるＳＯＩ膜の膜厚と同程度にしておく。」とあることから、引用例１に記載された発明においては、シリコン酸化膜は「シリコン基板１０１」内に形成されるものと解される。そして、「シリコン基板１０１」には、炭素原子が所定量添加されている。
　従って、引用例１に記載された発明の「エピタキシャルシリコン層１０３」と「シリコン基板１０１」から構成されるシリコン基板は、本願第１発明の「少なくともシリコン酸化膜形成部分に炭素を含むシリコン基板」に相当するといえる。
　そこで、本願第１発明と、引用例１に記載された発明とを対比すると、両者は、「少なくともシリコン酸化膜形成部分に炭素を含むシリコン基板の主表面に酸素イオンを注入し、アニール熱処理を施すことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」である点で一致する。
　一方、本願第１発明は、炭素濃度を「２Ｘ１０１６ｃｍ−３以上」と規定しているのに対して、引用例１に記載された発明では、「所定量」としか示されていない点において相違する。
　
４．当審の判断
　引用例１には、酸素原子の移動をアシストする効果のあるゲッタリングセンターとなる炭素原子が、予めシリコン基板中に添加されているので、テイル領域の酸素原子が速やかにゲッタリングセンターのあるシリコン基板内部に移動して局部的に集中し、その結果として、熱処理の低温化が可能になる等の効果が生じると記載されている。
　引用例１には、炭素の添加量と該炭素の添加に伴う効果との間の相関関係について記載されてはいないが、炭素の添加量が少ないと、ゲッタリング効果は小さいから、引用例１に記載された発明の効果が充分に発揮されるためには、炭素の添加量が充分に大きい必要があることは明らかである。
　そうすると、引用例１に記載された発明において、ゲッタリング効果が十分に大きくなるように、炭素を多く添加して、基板中に含まれる炭素の量が２Ｘ１０１６ｃｍ−３以上の値となるようにすることは当業者が容易になし得たことであると認められる。そして、引用例１に記載された発明において、炭素原子の添加量として、２Ｘ１０１６ｃｍ−３以上の値を選択することを妨げるような阻害要因も認められない。
　また、本願第１発明において、「２Ｘ１０１６ｃｍ−３」という値に臨界的な意義も認められない。
　したがって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願第１発明は、前記引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
　なお、請求人は審判請求理由補充書において、本願第１発明の構成は、シリコン中の炭素濃度を２Ｘ１０１６ｃｍ−３以上とすることによって有効な酸素析出促進効果が得られるという本願発明者の知見によって初めてなし得たものであり、引用例１には、含有炭素を酸素析出核として作用させることも、そのために必要な炭素濃度についても記載も示唆もされていないと主張するので、この点について検討する。
　引用例１には、炭素は「ゲッタリングセンターとなる原子」であると記載されている。すなわち、「ゲッタリングが起こると、未析出の酸素原子はゲッタリングセンターである炭素原子に引き寄せられて、該炭素原子近傍には酸素原子の濃度の高い領域が形成される。」ことが記載されている。してみれば、未析出の酸素原子を引き寄せ、近傍に酸素濃度の高い領域を形成する引用例１に記載された発明の炭素原子は、請求人のいう「酸素析出核」として作用しているということができる。従って、基板中に添加された炭素原子の作用において、本願第１発明と引用例１に記載された発明との間に差異は認められない。
　さらに、基板中に添加された炭素の効果は、炭素の含有量が増加するにつれて大きくなると推定されるが、２Ｘ１０１６ｃｍ−３未満の添加においても炭素原子が前記ゲッタリング効果を奏し、酸素析出の核となり得ることは明らかである。また、同時に酸素析出の状況が酸素イオンの注入量、アニール温度等の炭素含有量以外の種々の因子によって影響を受けることも明らかである。しかしながら、請求人は、明細書、意見書及び審判請求理由補充書において、単にシリコン中の炭素濃度を２Ｘ１０１６ｃｍ−３以上としたというだけで、炭素濃度が２Ｘ１０１６ｃｍ−３以上である場合と、この数値限定の範囲の外である場合とで効果上顕著な差異があることを具体的に示していない。してみれば、炭素濃度のみを規定する本願の請求項１に記載された発明において、「２Ｘ１０１６ｃｍ−３」という炭素含有量の値に臨界的な意義を認めることはできない。従って、「２Ｘ１０１６ｃｍ−３」という炭素含有量の値は、当業者が適宜決定し得た設計事項にすぎないものと認める。
　よって、前記請求人の主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。