【事件の表示】
　平成　８年特許願第　７４０９１号「固体撮像装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１０月　７日出願公開、特開平　９−２６６２９６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成８年３月２８日の出願であって、平成９年３月２４日付手続補正書、平成１０年４月２４日付手続補正書および平成１１年８月１１日付手続補正書により補正されたところ、平成１１年８月１１日付手続補正は、却下された。
　よって、本願の発明は、平成１０年４月２４日付手続補正書に基づき特許請求の範囲に記載された下記のとおりのものと認める。
「【請求項１】複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードの電荷を読み出しゲートを介して受け取って転送する垂直ＣＣＤレジスタと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取って転送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジスタからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器を有する固体撮像装置であって、前記垂直ＣＣＤレジスタが第１導電型半導体基板の表面部に設けられた第２導電型ウェル内に形成された第１導電型拡散層及びその下部に形成された第２導電型拡散層並び、前記第１導電型拡散層の表面に絶縁膜を介して配列された複数の転送ゲート電極とから構成されている固体撮像装置において、前記第２導電型拡散層が中央部の第１の拡散層とその両側にそれぞれ連結して設けられ前記第１の拡散層より高濃度の第２の拡散層とでなることを特徴とする固体撮像装置。」
２．引用例
　これに対して、原審における拒絶の理由に引用された刊行物、特開平６−７７４５３号公報（以下引用例１という）には、
「【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は、固体撮像装置の感光部の断面図であり、図５と対応する部分には同一符号を付している。
【０００９】図１において、ｎ型半導体基板１内にｐ型の不純物ウェル２が形成されている。このｐウェル２内に、埋め込み型フォトダイオード３と、紙面に垂直な方向に電荷を転送する垂直転送チャネル４が形成される。垂直転送チャネル４は、例えば、不純物濃度が１×１０17cm-3であり、この垂直転送チャネル４の上には絶縁膜を介して電極８が設けられる。フォトダイオード３は、半導体基板表面で発生する暗電流を低減するために半導体基板表面にｐ+ 型不純物層を設けた構造となっている。また、転送チャネル４に隣接してｐ型の不純物よりなる素子分離層６が形成されている。転送チャネル４の周りには、スミア電荷の混入を抑止するためのｐ型バリアウェル層５ａが設けられている。ｐ型バリアウェル５ａは、例えば、不純物濃度が１×１０16cm-3であり、転送チャネル４の空乏層の延びを押さえるために、ｐウェル２よりも１桁程度不純物濃度が高くなっている。このバリアウェル層５ａは垂直転送チャネル下に隙間を有する構造となっており、バリアウェル層５ａの該隙間は転送チャネルの信号電荷の転送方向（紙面と垂直な方向）と平行に設けられている。この隙間は転送チャネルの下であればどこでも良い。このような構造は、高加速のイオン注入装置にて垂直転送チャネル４の両端部近傍にイオン注入を行ってバリアウェルを５ａを形成し、垂直転送チャネル４の側壁にある素子分離層６と接合させることで得られる。この場合には、バリアウェル５ａの熱拡散が抑えられるため、垂直転送チャネル４のｎ型不純物プロファイルを殆ど変えずに済む利点がある。また、垂直転送チャネル４の両端にこのバリアウェル層５ａを熱拡散によって形成しても良い。この場合には、垂直転送チャネル４のｎ型不純物がバリアウェル層５ａのｐ型不純物層で相殺されるため、転送チャネル濃度を補う必要がある。」（第３頁第３欄第３行ないし第３８行）
「【００１４】このように、垂直転送チャネル下のバリアウェル層に転送チャネルに並行に隙間を形成し、あるいはバリアウェル層に不純物濃度の低い領域を転送チャネルに並行に形成することによって、隣接する領域からの雑音電荷の転送チャネルへの侵入を阻止しつつ、フリンジ電界を信号電荷の移動方向に作用せしめて移動効率を高めることができる。」（第３頁第４欄第３８行ないし第４４行）
の記載と共に第１図が示されている。
　してみると、上記引用例１には、
「ｎ型半導体基板１内にｐ型の不純物ウェル２が形成されている。このｐウェル２内に、埋め込み型フォトダイオード３と、紙面に垂直な方向に電荷を転送する垂直転送チャネル４が形成される。この垂直転送チャネル４の上には絶縁膜を介して電極８が設けられる。転送チャネル４の周りには、スミア電荷の混入を抑止するためのｐ型バリアウェル層５ａが設けられている。転送チャネル４の空乏層の延びを押さえるために、ｐウェル２よりも１桁程度不純物濃度が高くなっている。このバリアウェル層５ａは垂直転送チャネル下に隙間を有する構造となっている。垂直転送チャネル下のバリアウェル層に転送チャネルに並行に隙間を形成し、隣接する領域からの雑音電荷の転送チャネルへの侵入を阻止しつつ、フリンジ電界を信号電荷の移動方向に作用せしめて移動効率を高めることができる固体撮像装置。」が記載されているものと認められる。なお、第１図からみてバリアウエル層５ａは、転送チャネル４の側面にまで及んでいる。
　また、刊行物、特開平５−１３４７０号公報（以下引用例２という）には、
「【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１の（ａ）は本発明の第１の実施例を用いた固体撮像素子の断面図であり、図１の（ｂ）はそのＸ−Ｘ′線断面の不純物プロファイルである。同図において、１はｎ型半導体基板、２はｎ型半導体基板上に形成されたｐ型ウェル、３はｐ型ウェルの表面領域内に形成されたｎ型の電荷転送領域、４は、同じくｐ型ウェルの表面領域内に形成されたｎ型の光電変換領域、５は、電荷転送領域３と光電変換領域４とを分離するためにこれらの領域間に形成されたｐ+ 型領域、６はゲート絶縁膜、７は多結晶シリコンからなる転送電極、８は電荷転送領域３の下面全面に形成されたこの領域より不純物濃度の低いｎ- 型領域である。
【０００８】本実施例の電荷結合素子は、上記の構成を有しているので、電荷結合素子が小型化され、電荷転送領域３のｐ型ウェル２との接合の深さが極めて浅くなされた場合においても、電荷転送時に転送電極下の空乏層を基板内部に向けて十分に延ばすことができるので、電荷転送に重要な役割を演ずる強いフリンジ電界を生じさせることができる。
【０００９】ここで、不純物濃度を比較するに、従来例では、図５の（ｂ）に示されるように、ｐ型ウェルの不純物濃度が１×１０16cm-3、電荷転送領域３の不純物濃度が８×１０16cm-3であったのに対し、本実施例ではｐウェル３の不純物濃度が１×１０16cm-3、電荷転送領域の不純物濃度が１×１０17cm-3、ｎ- 型領域８の不純物濃度が５×１０15cm-3に形成されている。ここで、ゲート絶縁膜６の膜厚、チャネル長、チャネル幅が同一であるものとすると、本実施例では、単位面積当たりの電荷転送能力は従来例とほぼ同等であるが、電荷転送電極下のフリンジ電界が高められているの、転送効率の向上が図られている。  」（第２頁第２欄第７行ないし第３８行）
「【００１２】図３、図４は、それぞれ本発明の第３、第４の実施例を示す断面図である。第３、第４の実施例と先の第１または第２の実施例と相違する点は、第１または第２の実施例において電荷転送領域３の下面全体に設けられていたｎ- 型領域８またはｐ- 型領域９が第３、第４の実施例においては電荷転送領域の中央部のみに限定さて設けられている点である。第３、第４の実施例では、上記の構成により、転送電極中央部の、フリンジ電界が最も弱くなる箇所の空乏層を基板内部に向けて十分に延して、ここでのフリンジ電界の強化を図ることができるため、第１、第２の実施例と同様の効果を期待することができる。
」（第３頁第３欄第２行ないし第１３行）とともに第１図、第３図ないし第５図が示されている。
したがって、引用例２には、
「電荷結合素子において、ｎ- 型領域８またはｐ- 型領域９が電荷転送領域下の中央部のみに限定されて設けられているので、電荷転送電極下のフリンジ電界が高められ、転送効率の向上が図られている。」点が記載されている。
３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、
引用例１の「埋め込み型フォトダイオード３」、「「垂直な方向に電荷を転送する垂直転送チャネル４」および「電極８」」、「ｎ型半導体基板１」、「ｐ型の不純物ウェル２」、「垂直転送チャネル４」、「電極８」、「ｐ型バリアウェル層５ａ」は、
本願発明の「フォトダイオード」、「垂直ＣＣＤレジスタ」、「第１導電型半導体基板」、「第２導電型ウェル」、「第１導電型拡散層」、「転送ゲート電極」、「第２の拡散層」にそれぞれ相当する。また、固体撮像装置において、フォトダイオードを複数設けることは技術常識であり、引用例１に記載された発明においてもフォトダイオードが複数設けられていると認められるから、両者は、
「複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードの電荷を読み出しゲートを介して受け取って転送する垂直ＣＣＤレジスタと、を有する固体撮像装置であって、前記垂直ＣＣＤレジスタが第１導電型半導体基板の表面部に設けられた第２導電型ウェル内に形成された第１導電型拡散層及び第２導電型拡散層並び、前記第１導電型拡散層の表面に絶縁膜を介して配列された複数の転送ゲート電極とから構成されている固体撮像装置において、前記第２導電型拡散層が中央部の両側にそれぞれ連結して設けられ高濃度の第２の拡散層でなることを特徴とする固体撮像装置。」
の点で一致しており、
　本願請求項１に記載の発明では、「該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取って転送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジスタからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器」を有するのに対し、引用例１に記載の発明では、これらの記載がない点（相違点１）
　第２導電型拡散層が、本願請求項１に記載の発明では、「第２の拡散層より低濃度の中央部の第１の拡散層」を設けているのに対し、引用例１に記載の発明では、中央部に「隙間」を設けることにより拡散層でなくウエルが中央部で第２導電型拡散層に接している点（相違点２）
　第２の拡散層が、本願請求項１に記載の発明では、第１導電型拡散層下に設けられているのに対して、引用例１に記載の発明では、第１導電型拡散層の下のみならず、その側面にまで及んでいる点（相違点３）
で相違する。
　上記相違点について検討する。
相違点１について
　個体撮像装置において、水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジスタからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを設けることは、周知の技術事項であり、また、本願明細書においても、これらの具体的構成、および目的・効果について具体的な記載がないので、単に周知の個体撮像装置の構成を付加したにすぎず、通常の知識を有するものが適宜なし得ることである。
相違点２について
　本願明細書の発明の効果の欄に「転送チャネルの第１導電型拡散層底面に接合する第２導電型拡散層を中央部の第１の拡散層の不純物濃度を低くしてフリンジ電界を高くし、・・・・電荷転送効率の改善を達成できるという効果がある。」と記載されているように、本願発明において、第２導電型拡散層の中央部に第２の拡散層より低濃度の第１の拡散層を設けたのは、フリンジ電界を高くして電荷転送効率の改善を図るためであり、フリンジ電界を高くして電荷転送効率の改善を目的として電荷転送領域下の中央部にＰ−型領域すなわちＰウエルより低濃度のＰ型領域を設けることは、引用例２に記載されており、引用例２に記載された上記技術を引用例１に記載の発明において採用することに格別の創意工夫を必要としない。そうすると、上記技術を採用した引用例１に記載の発明では、第２導電型拡散層の中央部にウエルの替わりにウエルより低濃度の当然第２の拡散層より低濃度の第１の拡散層がもうけられることとなる。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことである。
相違点３について
　本願請求項１に記載の発明が第２の拡散層を第１導電型拡散層下に設けたことによる格別の意義も認められないから、引用例１に記載の発明において、第２の拡散層を第１導電型拡散層下のみならず側面にも設ける替わりに第１導電型拡散層下にも設けるようにすることは当業者が必要に応じて任意になし得ることである。
４．むすび
　したがって、本願請求項１に記載された発明は、その出願前に国内において頒布された上記の引用例１、２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有するものが、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。