【事件の表示】
　特許第３３０８４９２号「圧電アクチュエータ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３０８４９２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３３０８４９２号の請求項１に係る発明についての特許は、平成１０年５月１３日に特許出願され、平成１４年５月１７日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされたものである。
　
（２）本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１により特定される次のとおりのものである。
「チタン以外の金属からなる金属振動体と、前記金属振動体との間に樹脂層を含むことなくガスデポジション法により形成された圧電体層とを有し、前記金属振動体と前記圧電体層の間にチタン薄膜、窒化チタン薄膜、または酸化チタン薄膜からなる中間層を設けたことを特徴とする圧電アクチュエータ。（以下、「本件発明」という。）」
　
（３）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人八島和枝は、証拠として甲第１号証（特開平８−２３０１８１号公報）、甲第２号証（特開平９−２３２６４４号公報）、甲第３号証（特開平１０−８１０１６号公報）、甲第４号証（SPIE Volume3242「PROCEEDINGS OF SPIE,Smart Electronics and MEMS」11-13 December 1997 １７４頁３行乃至２２行、１７６頁３３行乃至１７７頁１２行、Fig.2、Fig.10及び甲第５号証（機械技術研究所所報　Vol.52 No.2 1998年3月「強誘電体を利用したソリッドステートトランスデューサ技術」２頁左欄２０行乃至右欄２９行、３頁左欄１行乃至９行）を提出し、本件発明は、甲第１、４或いは５号証に記載された発明であるか、甲第１乃至５号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明は、特許法第２９条第１項第３号或いは第２９条第２項の規定に違反して、特許を受けることができないものである旨主張している。
（特許異議申立人は、特許法第２９条第１項第３号違反を明文をもって主張していないが、申立書の全趣旨から上記のように認定した。）　
　
（４）甲各号証記載の発明
　甲第１号証には、「インクジェット記録ヘッド」が図面とともに開示されている。そして公報の２頁２欄５０行〜３頁３欄１７行には、
「図１において、圧電ユニット２０は、シリコン基板２１と、チタン膜２２と、白金膜２３と、圧電素子であるＰＺＴ膜２４と、上部電極（駆動電極）である金電極２５からなる。シリコン基板２１は、キャビティ板または振動板に接合される、厚さ0.15mmの共通な部材である。チタン膜２２および白金膜２３は、それぞれ厚さが0.3 μｍ，0.5 μｍで、シリコン基板２１の全表面にわたって積層被着（スパッタによって）される。さらに、その上にＰＺＴ膜２４を、ガスデポジション法によって、すなわちＰＺＴの超微粒子をガス流にのせ、ノズルを通して高速で噴射することによって、厚さ50μｍ，幅２mm，長さ４mmで成膜する。これを大気雰囲気中で600 ℃、0.5 時間の条件で焼成した後に、ＰＺＴ膜２４の上に幅１mm，長さ３mmの金電極２５を被着する。ここで、白金膜２３の働きは、熱処理中のＰＺＴ膜２４の鉛がシリコン基板２１へ拡散するのを抑えることであり、チタン膜２２の働きは、シリコン基板２１と白金膜２３との密着性を向上させることである。」と記載されている。
　甲第２号証には、「圧電体薄膜素子及びこれを用いたインクジェット式記録ヘッド」が図面とともに開示されている。そして公報の４頁５欄２３行〜３５行には、
「図２（a）に示す工程では、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板１０１（基板厚：２２０μｍ）を、１２００℃程度の温度で湿式熱酸化し、単結晶シリコン基板１０１の両面に二酸化シリコン膜２０１及び２０２を同時に形成する。
【００３３】次に、この二酸化シリコン膜２０１上に、白金下部電極形成用膜１０４Ａ、圧電体膜形成用膜１０５Ａ及び上部電極形成用膜１０６Ａを、順に形成する。実際には、二酸化シリコン膜２０１と、白金下部電極形成用膜１０４Ａとの間に、両者の密着力を向上させるための中間膜として、チタン膜（膜厚：２５０Å）、二酸化チタン膜（膜厚：２００Å）及びチタン膜（膜厚５０Å）を順に形成した。」と記載されている。
　甲第３号証には、「圧電体薄膜素子、その製造方法、及び圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッド」が図面とともに開示されている。そして公報の６頁９欄４４行〜５０行には、
「図２は、この圧電体薄膜素子の構造をより詳しく示した断面図であり、シリコン基板１０と、シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜１１と、シリコン酸化膜上に形成されたチタン酸化膜１１Ａと、チタン酸化膜上に形成された下電極１２と、下電極上に形成されたＰＺＴ膜（圧電体膜）１４と、ＰＺＴ膜上に形成された上電極１６と、を備えて構成されている。」と記載されている。
　甲第４号証には、「Ｓｉ振動体と、前記振動体との間に（樹脂層を含むことなく）ガスデポジション法により形成されたＰＺＴ層とを有し、前記振動体と前記圧電体層の間に酸化シリコン層と、チタン−プラチナ層からなる中間層を設けた圧電アクチュエータ」が記載されている。
　甲第５号証には、「（酸化した）Ｓｉからなる振動体と、前記振動体との間に（樹脂層を含むことなく）ガスデポジション法により形成されたＰＺＴ層とを有し、前記振動体と前記圧電体層の間に酸化シリコンと、チタン−プラチナ層からなる中間層を設けた圧電アクチュエータ」が記載されている。
　またステンレス鋼も振動体として採用し得ることが記載されている。
　
（５）対比・当審の判断
　甲第１乃至４号証に記載された発明と本件発明とを対比すると、甲第１乃至４号証には、「チタン以外の金属からなる金属振動体」（Ｓｉは、本件明細書記載の「アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼などチタン以外の金属」には当たらない）及び「金属振動体と前記圧電体層の間に（他の膜を介在することなく）チタン薄膜、窒化チタン薄膜、または酸化チタン薄膜からなる中間層を設けた圧電アクチュエータ」については記載も示唆もされていない。（甲第１乃至４号証に記載のものは、チタン薄膜、窒化チタン薄膜、または酸化チタン薄膜からなる中間層に加えて、該中間層の圧電体層側にプラチナ層が、また振動体側に酸化シリコン層が形成されており、これらの層について省略を示唆する特段の記載もない。）
　また甲第５号証に記載された発明と本件発明とを対比すると、甲第５号証には、「ステンレス鋼からなる金属振動体」を採用し得る旨の記載はあるが、その具体的な構造は記載されておらず、また、「金属振動体と前記圧電体層の間に（他の膜を介在することなく）チタン薄膜、窒化チタン薄膜、または酸化チタン薄膜からなる中間層を設けた圧電アクチュエータ」については記載も示唆もされていない。（甲第５号証に記載のものは、チタン薄膜からなる中間層に加えて、該中間層の圧電体層側にプラチナ層が、また振動体側に酸化シリコンが形成されており、これらの層について省略を示唆する特段の記載もない。）
　そして本件発明は、請求項１記載の構成により明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１が甲第１、４或いは５号証に記載された発明であるとも、また甲第１乃至５号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年９月１０日（２００３．９．１０）