【事件の表示】
　特許第３４３２９９７号「半導体装置に使用する絶縁膜」の請求項１ないし７、２４ないし２６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４３２９９７号の請求項１ないし５、７、２４ないし２６に係る特許を取り消す。
　同請求項６に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３４３２９９７号の発明は、平成８年４月２３日に特許出願され、平成１５年５月２３日にその特許権の設定登録がなされたものである。その後、一部の請求項である請求項１〜７、２４〜２６に係る特許について、東谷満より特許異議の申立てがなされ、平成１７年４月２５日付けで、請求項１〜５、７、２４〜２６に係る特許について、取消理由が通知されたが、指定期間内に特許権者から何らの応答もなかった。
　　　　
【２】平成１７年４月２５日付けの取消理由通知の概要
　平成１７年４月２５日付けで通知した取消理由通知の概要は以下の通りである。
　［１］．本件特許の請求項１〜５、７、２４〜２６に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものである。 
　［２］．本件特許の請求項１〜５、７、２４〜２６に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記引用例１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。 
 　　　　　　　　　　　　　　記  
 引用例１：特開平２−２３４４３０号公報（異議申立の甲第２号証）  
 
１．証拠の記載事実 
 　引用例１には以下の記載がある。 
 （１）「（１）シリコン基板上に形成された、電子部品、及び該電子部品の保護膜あるいは多層配線間の層間絶縁膜としての薄膜を有する半導体装置において、上記薄膜として、膜中に含まれるＳｉ−Ｈ結合が４×１０２１個／ｃｍ３以下のシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を用いたことを特徴とする半導体装置。」（第１頁左欄第５行〜第１２行） 
 （２）「各Ｐ−ＳｉＮ膜、ＥＣＲＳｉＮ膜（Ｒ．Ｔ．）、ＥＣＲＳｉＮ膜（３００℃）で作成した膜のＳｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ結合の個数について、各々１．０×１０２２、１．０×１０２２；０．３×１０２２、１．５×１０２２； ０．１×１０２２、０．６×１０２２ である例」（第２頁右下欄表１の記載内容）
 （３）「〔発明の効果〕 
 　以上のように、この発明に係る半導体装置によれば、パッシベーション膜や層間絶縁膜として、その膜中に含まれるＳｉ−Ｈ結合が４×１０２１個／ｃｍ３以下のシリコン窒化膜あるいはシリコン酸窒化膜を用いたので、ゲート絶縁膜の信頼性を向上することができる。」（第３頁右下欄第８行〜第１４行） 
 　 
 ２．対比・判断 
 　引用例１において、上記摘記事項（２）には、絶縁膜中のN−H結合量としてECRSiN膜（R．T．）について１．５×１０22／cm３の例が開示されており、この値のN−H結合量を実現する為の窒素濃度の最小値を考えると、窒素原子の５本の結合手が全て水素と結合していると仮定した場合で、このときの窒素濃度は１ ．５×１０２２／cm３の１／５の３×１０２１／cm３であり、また、水素を含むSiN膜においては、窒素原子は水素原子との結合のみならずシリコン原子又は窒素原子とも結合していると考えられので、ECRSiN膜（R．T．）の窒素濃度は３×１０２１／cm３以上と考えられる。（異議申立書第９頁第１７〜２１行参照。） 
 　よって、引用例１には、 
 　Ｓｉ−Ｈ結合を有するガスを含む原料ガスを用いてＣＶＤ法により形成される絶縁膜を有する半導体装置において、前記絶縁膜中のＳｉ−Ｈ結合量は、４×１０２１個／ｃｍ３以下であり、かつ、前記絶縁膜中の窒素濃度は、３×１０２１／cm３以上であることを特徴とする半導体装置 
 　の開示があるものといえる。 
 　したがって、本件発明１〜５，７は、引用例１に記載された発明と同一、または、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものと認められる。 
 　また、本件発明２４〜２６は、本件発明１〜５，７に記載された絶縁膜の形成方法に関する発明として、ＣＶＤ法による通常の製造方法であり、引用例１に記載された発明、または引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　 
【３】取消理由についての判断
　前記取消理由の内容は妥当なものであるから、本件の請求項１〜５、７、２４〜２６に係る特許は、その取消理由によって取り消すべきものと認められる。
　
【４】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　東谷満は、下記の甲第１〜５号証を提示し、前記取消理由通知の対象外とした本件の請求項６に係る発明につき、本件の請求項６に係る発明は、前記甲第１号証に記載された発明、または甲第１〜５号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項６に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである、と主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特公平７−５４７５０号公報
甲第２号証：特開平２−２３４４３０号公報
甲第３号証：特公平７−５２６７３号公報
甲第４号証：特公平６−９１０８３号公報
甲第５号証：本件の出願段階での平成１４年１１月１１日付けの拒絶理由通
　　　　　　知書
　
【５】本件請求項６に係る発明
　本件の請求項６に係る発明(以下、「本件発明６」という)は、請求項１に係る発明を引用しているので、その特許明細書の特許請求の範囲の請求項１及び請求項６に記載された事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】Ｓｉ−Ｈ結合を有するガスを含む原料ガスを用いてＣＶＤ法により形成される絶縁膜を有する半導体装置において、前記絶縁膜中のＳｉ−Ｈ結合量は、０．６×１０21ｃｍ-3以下であり、かつ、前記絶縁膜中の窒素濃度は、３×１０21ｃｍ-3以上であることを特徴とする半導体装置。　
【請求項６】前記絶縁膜の屈折率は、１．６５以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。」
　　　
【６】甲第１号証〜甲第５号証の記載内容
［１］甲第１号証の記載内容
（１−１）【特許請求の範囲】に、
 「【請求項１】プラズマ化学気相成長法により形成され発光層に接するSiN:H膜を上部絶縁層または下部絶縁層の少なくとも一方に備えた薄膜EL素子において、上記SiN:H膜中のN-H結合数が1.4×1022／cm3以下であることを特徴とする薄膜EL素子。」と記載されている。
（１−２）第２頁右欄第５〜８行に
「上記SiN:H膜４および６を形成する際、原料ガスとしてSiH4ガスとN2ガスを用いて、プラズマCVDの基板温度，入力パワーおよび反応系ガス圧などの諸条件を変化させて形成したところ、」と記載されている。
　
［２］甲第２号証の記載内容
（２−１）第１頁左欄５〜１２行には、
「（１）シリコン基板上に形成された、電子部品、及び該電子部品の保護膜あるいは多層配線間の層間絶縁膜としての薄膜を有する半導体装置において、上記薄膜として、膜中に含まれるＳｉ−Ｈ結合が４×１０２１個／ｃｍ３以下のシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を用いたことを特徴とする半導体装置。」
と記載されている。
（２−２）第３頁右下欄８〜１４行には、
「（発明の効果）
　以上のように、この発明に係る半導体装置によれば、パッシベーション膜や層間絶縁膜として、その膜中に含まれるＳｉ−Ｈ結合が４×１０２１個／ｃｍ３以下のシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を用いたので、ゲート絶縁膜の信頼性を向上することができる効果がある。」と記載されている。
　
［３］甲第３号証の記載内容
（３−１）第１頁左欄２〜８行には、
「【請求項１】透光性基板に透明電極，下部絶縁層，発光層，上部絶縁層および背面電極を順次積層した薄膜EL素子において、上記絶縁層の少くとも一部がプラズマCVD法により形成したSixNyOz:H膜であり、上記SixNyOz:H膜の膜中の水素量が２×1022atoms/cm3以下であることを特徴とする薄膜EL素子。」と記載されている。
（３−２）第２図から第６図には、各々第２図にSixNyOz:H膜中の酸素／窒素の組成比z/yとN2中のN2O分圧との関係、第３図に上記膜中の珪素／窒素の組成比x/yとN2中のN2O分圧との関係、第４図にエージングによる発光開始電圧Vthの移動を示す関係、第５図は成膜速度とSiH4流量比の関係、第６図は輝度とSiH4流量比の関係、が記載されている。
　
［４］甲第４号証の記載内容
（４−１）【特許請求の範囲範囲】には、
「【請求項１】Au電極を備えたGaAs素子上に、電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD装置を用いてN2ガスとSiH4ガスから形成された窒化シリコン膜を有する半導体装置において、上記N2ガス流量と上記SiH4ガス流量を選択することにより、上記窒化シリコン膜の応力を４×109dyne/cm2以下の圧縮応力として、該窒化シリコン膜の上記Au電極を備えたGaAs素子上からの剥離を防止すると共に、該窒化シリコン膜の耐酸性、緻密性を良好としたことを特徴とする半導体装置。」が記載されている。
（４−２）第２頁右欄７行〜２９行には、
 「上述のように、ECRプラズマCVD装置を用いて窒化シリコン膜が形成されるが、SiH4ガス流量、N2ガス流量を変化させることにより種々の圧縮応力を有する窒化シリコン膜が形成できる。
　　ＳｉＨ４ガス流量　　　　Ｎ２ガス流量　　　マイクロ波出力
（例１）　　　10sccm　　　　　　10sccm　　　　　　　600W
（例２）　　　10sccm　　　　　　13sccm　　　　　　　600W
（例３）　　　10sccm　　　　　　15sccm　　　　　　　600W
（例４）　　　10sccm　　　　　　20sccm　　　　　　　600W
（例５）　　　15sccm　　　　　　20sccm　　　　　　　600W
（例６）　　　15sccm　　　　　　22sccm　　　　　　　600W
  上記の条件でGaAsMESFET上に窒化シリコン膜を形成すると、圧縮応力は下記のようになった
（例１）12×109dyne/cm2（例２） 5×109dyne/cm2（例３）5×109dyne/cm2（例４）1×109dyne/cm2（例５）5×109dyne/cm2（例６）4×109dyne/cm2また、（例１）〜（例６）の条件で素子上の0％、20％、40％、70％、100％がAu電極であるGaAsMESFET上に窒化シリコン膜を作製した（ただし、0％の場合はAu電極なし、100％の場合は全面Au電極）。」と記載されている。
　
［５］甲第５号証
　拒絶理由通知書中の備考欄には、「〜誘電率は屈折率の２乗であり、誘電率が２．７２以上のものは通常使用されるものである。〜」と記載されている。
　
【７】特許異議申立てについての判断
［１］本件発明６について
　前記甲第１〜４号証には、本件発明６の発明特定事項である「絶縁膜の屈折率は、１．６５以上であること」という点について、なんらの記載も示唆もない。
　また、甲第５号証の記載は、誘電率と屈折率は２乗の関係に基づくものとという意味であるが、正確には、比透磁率等の他の物理的要素を考慮する必要があり、誘電率の値を持って屈折率が一義的に定まるものとは認められない。
　そして、本件発明６は、当該発明特定事項により、特許明細書の記載に見られるように「Ｐ−ＣＶＤ膜の屈折率を１．６５以上にすることで、耐湿性試験の不良率を０％にすることができる。」という効果を奏する。
　したがって、本件発明６は、前記甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到できたものとは認められない。
　また、その余の特許異議申立ての証拠を検討しても、本件発明６に係る特許を取り消すことはできない。
　　
【８】むすび
　以上のとおり、本件の請求項１〜５、７、２４〜２６に係る発明は、引用例１に記載された発明であり、また、同引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１〜５、７，２４〜２６についての発明は、特許法２９条第１項及び第２項の規定に違反して特許されたものであり、同法１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
　また、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項６に係る特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年９月１日（２００５．９．１）