【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７３５０５７号発明「窒化物半導体発光素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２７３５０５７号の請求項１、３、１６ないし１８に係る発明についての特許を無効とする。
　特許第２７３５０５７号の請求項２、４、５、７、８、１４、１５に係る発明についての審判請求は、成り立たない。
　審判費用は、その１２分の７を請求人の負担とし、１２分の５を被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要 
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２７３５０５７号（以下「本件特許」という。後記「第２　２」の訂正の前後を通じて請求項の数は１８である。）の請求項１ないし５、７、８、１４ないし１８に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
 　 
第２　手続の経緯 
１　本件特許の登録までの経緯
平成　７年１２月１２日　　特許出願（特願平７−３２２９２４号）
平成１０年　１月　９日　　設定登録
　上記出願（以下「本願」という。）は、平成６年１２月２２日（以下「優先日」という。）に出願された特願平６−３２０１００号（以下「基礎出願」という。）に基づいて特許法第４１条の規定による優先権の主張がなされたものである。
　
２　本件特許の訂正に係る経緯 
平成１０年１０月　１日　　特許異議の申立（異議申立人林栄太郎、申立日及び　　　　　　　　　　　平成１０年１０月１日。異議申立人友野宏、申平成１０年１０月　２日　　立日平成１０年１０月２日。平成１０年異議第　　　　　　　　　　　　　７４８８５号。） 
平成１２年　９月　５日　　取消理由通知
平成１２年１０月１７日　　訂正請求 
平成１２年１１月２８日　　異議決定 
　上記異議決定の結論は「訂正を認める。特許第２７３５０５７号の請求項１ないし１８に係る特許を維持する。」というものである。 
 　 
３　本件審判の経緯 　 
平成２３年　９月２１日　　審判請求 
平成２３年１２月　９日　　審判事件答弁書提出（被請求人） 
平成２４年　４月１１日　　口頭審理陳述要領書提出（被請求人） 
平成２４年　４月１１日　　口頭審理陳述要領書提出（請求人） 
平成２４年　４月２５日　　口頭審理
平成２４年　５月　９日　　上申書提出（被請求人） 
平成２４年　６月　６日　　上申書提出（請求人） 
 　 
第３　本件特許の請求項に係る発明 　
　本件特許の請求項１ないし１８に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」ないし「本件発明１８」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、上記「第２　２」の訂正後の各請求項に記載された次のとおりのものと認められる。 
「【請求項１】インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 
【請求項２】ｎ型コンタクト層が第１のｎ型クラッド層に接して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項３】第１のｎ型クラッド層に接して、第１のｎ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項４】インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、その活性層の第２の面側に設けられたｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層との間に、その活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の面に接して形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 
【請求項５】ｐ型コンタクト層が第１のｐ型クラッド層に接して形成されていることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項６】第１のｐ型クラッド層に接して、第１のｐ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第２のｐ型クラッド層が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項７】インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されており、さらに前記活性層の第２の面側には、その活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の面に接して形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 
【請求項８】ｎ型コンタクト層が第１のｎ型クラッド層に接して形成されていることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項９】ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層が第１のｐ型クラッド層に接して形成されていることを特徴とする請求項７または８記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項１０】第１のｎ型クラッド層に接して、第１のｎ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項１１】ｎ型コンタクト層が第２のｎ型クラッド層に接して形成されていることを特徴とする請求項１０記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項１２】第１のｐ型クラッド層に接して、第１のｐ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第２のｐ型クラッド層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項１３】ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層が第２のｐ型クラッド層に接して形成されていることを特徴とする請求項１２記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項１４】インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 
【請求項１５】インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、その活性層の第２の面に接して、活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつｐ型ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その活性層の第１の面に接して、ｎ型ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜ａ＜１）よりなるｎ型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 
【請求項１６】活性層が量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１４に記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項１７】活性層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層を有することを特徴とする請求項１ないし１３、請求項１６いずれかに記載の窒化物半導体発光素子。 
【請求項１８】活性層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層と、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１、ｘ＞ｙ）、若しくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなることを特徴とする請求項１〜１３、請求項１６〜１７いずれかに記載の窒化物半導体発光素子。」
　
第４　請求人の主張する無効理由の概要
１　無効理由１
　本件特許の請求項１、２、４、５、７、８、及び１４ないし１８に係る発明は、本願出願前かつ優先日前に頒布された甲第１号証に記載の発明と同一又は甲第１号証に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。（審判請求書８〜１０、１８、３６〜６４頁）
　　
２　無効理由２
　本件特許の請求項１、４、５、７、及び８に係る発明は、本願出願前かつ優先日前に頒布された甲第２号証に記載の発明と同一又は甲第２号証に記載の発明及び周知技術等に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。（審判請求書１０〜１２、１８、６５〜８３頁）
　
３　無効理由３
　　本件発明１ないし５、７、８、及び１６ないし１８について、特許法第４１条に規定する国内優先権主張の効果は認められない。（審判請求書３２〜３５頁）
　
　本件特許の請求項１、３、及び１６ないし１８に係る発明は、本願出願前に頒布された甲第３号証に記載の発明と同一又は甲第３号証に記載の発明及び本願出願前に頒布された甲第１号証又は本願出願前に頒布された甲第７号証記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。（審判請求書１２〜１３、１８、８４〜９５頁）
　
４　無効理由４
　本件特許の請求項１４ないし１８に係る発明は、本願出願前かつ優先日前に頒布された甲第４号証に記載の発明と同一又は甲第４号証に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。（審判請求書１３〜１４、１８〜１９、９６〜１０６頁）
　　
５　無効理由５
　本件特許の請求項１４、１５に係る発明は、本願出願前かつ優先日前に頒布された甲第５号証に記載の発明と同一又は甲第５号証に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。（審判請求書１４〜１５、１９、１０７〜１１３頁）
　
第５　請求人の主張する無効理由の要点
１　無効理由１について
（１）　審判請求書における主張
　甲第１号証の請求項２に記載された「【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）よりなる層」は、本件発明１の「Ｉｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層」に相当する。（審判請求書３６〜４１頁）
　「【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）」と規定された化学式は、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮという４通りの組成に対して上位概念に立つということではなく、この４通りの組成を個々に記載すると冗長になることから、一式に便宜上まとめて記載したものであって、この４通りの組成を個別具体的に記載しているのである。（審判請求書３７頁）
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
　被請求人は、甲第１号証には、請求項１の発明の「【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層」について【０００４】に「Ｉｎを含む多元結晶【化１】はＧａＮやＡｌＮに比べ結晶性が不十分ｎ型ＧａＮコンタクト層であり」と記載されていることを理由として、ＩｎＧａＮ発光層に接するＩｎＧａＮクラッド層は開示されていないと反論するが、これは著しい誤導を含んでいる。（口頭審理陳述要領書４〜１３頁）
　請求項２に「発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップが大きい【化３】層を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子」とあるとおり、「発光層に接する」層として明示されているのは【化３】であり、これはｙ”＝０の場合にＩｎＧａＮとなる。（口頭審理陳述要領書６頁）
　被請求人の甲第１号証についての誤解は、発光層と成長基板との「間」にあり課題解決をもたらす【化２】と、発光層に「接する」【化３】とをすりかえた点に起因する。（口頭審理陳述要領書１２〜１３頁）
　
（３）　上申書における主張
　被請求人が上申書で、請求人の主張と述べる点は、請求人は主張していない。（上申書２〜４頁）
　本件発明３以外の本件発明は、ＡｌＧａＮクラッド層をそもそも要しないか、ＩｎＧａＮ活性層とＡｌＧａＮクラッド層との間にＩｎＧａＮクラッド層を設ける構成を要しない。よって、本件発明３以外の本件発明において、被請求人のいう発明の効果が得られることは、本件明細書の記載によっては、何ら根拠付けされていない。（上申書５〜９頁）
　　
２　無効理由２について
（１）　審判請求書における主張
　甲第２号証全体の記載からみて、図７は図９の誤記であり、誤記を訂正すれば、図９には、本件発明と、コンタクト層以外は同一の発明が記載されている。（審判請求書６５〜６６頁）
　甲第２号証発明の「ＧａＮを一部に含んだＩｎＧａＮ／ＧａＮ傾斜構造」は、最下層をＧａＮ層とするｎ型ＧａＮコンタクト層に該当する。（審判請求書６８頁）
　窒化ガリウム系化合物半導体におけるｎ型ＧａＮコンタクト層は、甲第６、３、４号証に記載されているとおり周知慣用技術であったから、甲第２号証発明の「ＧａＮを一部に含んだＩｎＧａＮ／ＧａＮ傾斜構造」の直下にｎ型ＧａＮコンタクト層を付加するか同「傾斜構造」をｎ型ＧａＮコンタクト層に置換することは、当業者が想到容易である。（審判請求書６９〜７３頁）
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
　被請求人は、甲第２号証記載発明のＩｎＧａＮ層はすべて同一組成であり、本件発明は同一組成でない場合を含むから両者が異なるといいたいものと思われるが、本件特許の請求項には、クラッド層と発光層を同一組成とすることを排除する記載はない。（口頭審理陳述要領書１４頁）
　
　被請求人は、甲第２号証記載発明の組成傾斜構造のＩｎＧａＮ層を、周知技術であるＧａＮコンタクト層に置き換える動機がないと主張するが、そもそも組成傾斜構造のＩｎＧａＮ層自体がＧａＮコンタクト層に包含される一態様にすぎず、上記置き換えは設計事項にすぎないし、被請求人のいう、ＩｎＧａＮクラッド層とＧａＮコンタクト層を接した場合に応力が生じて悪影響が及ぼされることも実証されていないから、阻害要因はないとともに、動機付けを議論する必要はそもそもない。（口頭審理陳述要領書１５頁）
　
３　無効理由３について
（１）　審判請求書における主張
ア　国内優先権主張の効果について（審判請求書３３〜３５頁）
（ア）　基礎出願の明細書には、「量子井戸」、「量子井戸構造」の文言はどこにも無く、「量子井戸構造」に関する記載も無い。また、基礎出願の図面にも、「量子井戸構造」としか認められないものは開示されていない。
　
（イ）　基礎出願の明細書の【００１０】には、発光素子の活性層の厚みについて「活性層６の厚さは０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下、最も好ましくは０．０５μｍ（５００オングストローム）以下の厚さに調整する。」という記載がある。
　一方、甲第１０号証第１８９頁図８．４には、活性層として、量子井戸ではなく通常のバルク型で０．０２μｍ（２００オングストローム）の厚さのものが記載されているから、基礎出願の明細書の【００１０】の「０．０５μｍ（５００オングストローム）以下の厚さ」の活性層は、バルク型構造と理解できる。
　　
（ウ）　基礎出願の明細書の【００１０】には、「活性層６（ＩｎＸＧａ１−ＸＮ）はｎ型、ｐ型いずれでもよいが、特にノンドープ（無添加）とすることにより強いバンド間発光が得られ発光波長の半値幅が狭くなり、レーザ素子を実現する上で特に望ましい。」とレーザについての記載がある。
　しかしながら、基礎出願当時、甲第１０号証に示されるように、レーザ素子の発光層には量子井戸構造ではなくバルク型構造のものがあった。しかも、基礎出願の明細書におけるレーザ素子の実施例６は、活性層の膜厚が４００オングストロームであり、これはバルク型構造を有するレーザ素子に他ならない。よって、基礎出願の明細書の上記記載から、当業者が、出願時の技術常識に照らして、発光素子が量子井戸構造を有することが、基礎出願の明細書に記載されているのと同然と理解するとはいえない。
　
　以上より、「量子井戸構造」を含む本件発明１ないし５、７、８、及び１６ないし１８は、基礎出願の明細書等に記載された発明ではないため、現実に「量子井戸」に関する記載が追加された後の出願の時、すなわち本件特許の出願日である平成７年１２月１２日を基準に新規性、進歩性等の特許要件が判断される。
　
イ　甲第３号証に記載された発明について（審判請求書８４〜８６頁）
　甲第３号証には、以下の発明が明示的に記載されているといえる。
「第１の面と第２の面とを有し、単一量子井戸構造を有するＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ活性層と、該活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎクラッド層を備え、該ｎ型Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎクラッド層が活性層の第１の面に接して形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 」
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
　基礎出願の明細書には、量子井戸構造という記載が一切ないばかりか、乙第１〜９号証に記載された、量子井戸効果を生じるどの活性層よりも厚い４００Åのものしか記載されていない。基礎出願の明細書【００１０】に「最も好ましくは５００Å」と記載された形態を超えて、さらに膜厚を薄くすることにより「量子井戸効果」という別の効果を得ることの記載も示唆も、同明細書には存在しない。（口頭審理陳述要領書２〜３頁）
　
　被請求人は、甲第３号証は優先日後の文献と主張するが、甲第３号証に基づく無効理由については、何ら実質的に争っていない。（口頭審理陳述要領書１７頁）
　
４　無効理由４について
（１）　審判請求書における主張
　甲第４号証記載の発明の、ＩｎＧａＮ発光層を挟む窒化ガリウム系化合物半導体層は、ＩｎＧａＮ発光層よりバンドギャップの大きい、ＩｎＧａＮクラッド層及びＡｌＧａＮクラッド層といえる。
　甲第４号証の段落【０００５】には、「我々は窒化ガリウム系化合物半導体発光素子をｐ−ｎ接合を用いたダブルヘテロ構造とし」と記載され、段落【００２４】にも「以上説明したように、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、ｐ−ｎ接合を利用したダブルヘテロ構造とし」と記載されているところ、ダブルヘテロ構造においては、発光層のバンドギャップエネルギーよりもバンドギャップエネルギーを大きい材料をクラッド層として用いることで、キャリア（電子及び正孔）を発光層に閉じこめることは、技術常識である。　したがって、甲第４号証の上記各記載からは、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層であるｎ型ＩｎＧａＮクラッド層のバンドギャップエネルギーをＩｎＧａＮ多層膜発光層よりも大きくすることも甲第４号証に実質的に開示されているといえる。　
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
　甲第４号証の【０００６】には、明らかに、甲第４号証発明がＩｎＧａＮやＩｎＡｌＧａＮ等のＩｎを含む層を用いることができることが明示されている。【０００６】及び【０００７】には、さらに好ましい様態としてＧａＡｌＮ等が望ましいことが記載されてはいるが、Ｉｎを含む構成を除外するとの記載はない。（口頭審理陳述要領書１８頁）　　　
　
　新規性判断は請求項の記載によるべきで、請求項に直接関係ない明細書の記載に開示がないから一致しないとの被請求人の主張は不当である。（口頭審理陳述要領書１９頁）
　
５　無効理由５について
（１）　審判請求書における主張
　甲第５号証記載の発明は、ＩｎＧａＮ発光層にＩｎＧａＮクラッド層及びＡｌＧａＮクラッド層が接しているといえる。
　甲第５号証の請求項４には、ＡｌＧａＩｎＮからなる３層を有し、中央の層のバンドギャップがそれを挟む層より小さい窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードが記載されている。Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ３元素の比率を適宜に選択することにより本件発明１４と同一の組成になる。（審判請求書１０７〜１１０頁）
　甲第５号証の実施例として明示的に記載されていないことをもって同一でないとしても、本件発明１４は、甲第５号証に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。（審判請求書１１０頁）
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
　被請求人はさしたる理由もなく、甲第５号証開示の範囲を実施例の記載に限定し、「Ｉｎを含まないｎ型およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層で両側から挟んだ構造のみ」などというが、発明の開示範囲は実施例に限定されない。（口頭審理陳述要領書２０頁）
　
　乙第１７号証は、本件と全く事案を異にするから、甲第５号証にＩｎＧａＮが開示されているかの判断に参考になるものではない。（口頭審理陳述要領書２０〜２３頁）
　
第６　請求人の証拠方法
１　審判請求書に添付して提出
（１）甲第１号証：特開平６−２１５１１号公報
（２）甲第２号証：特開平５−２９１６１８号公報
（３）甲第３号証：Nakamura et al.「High-power InGaN single-quantum-well-structure blue and violet light-emitting diodes」Applied Physics Letters,Vol.67 No.13,
　　　　　　　　　１９９５年９月２５日発行１８６８〜１８７０頁
（４）甲第４号証：特開平６−２６８２５７号公報
（５）甲第５号証：特開平４−２４２９８５号公報
（６）甲第６号証：特開平６−２６８２５９号公報
（７）甲第７号証：Nakamura et al.「InxGa(1-x)N/InyＧａ(1-y)Ｎ superlattices grown on GaN films」Journal of Applied Physics Vol.74 No.6,
　　　　　　　　　１９９３年９月１５日発行３９１１〜３９１５頁
（８）甲第８号証：特許庁「工業所有権法逐条解説」〔第１６版〕社団法人　　　　　　　　　発明協会、２００１年８月２０日発行１３２〜１４１頁
（９）甲第９号証：特許庁編「特許．実用新案審査基準」第III部第１節
　　　　　　　　　新規事項
（１０）甲第１０号証：今井哲二他「化合物半導体デバイス［II］」株式会　　　　　　　　　　　社工業調査会１９８５年１月１０日発行１８９頁
（１３）甲第１１号証：東京高裁平成１２年（行ケ）第３１０号判決
（１４）甲第１２号証：東京理科大学理工学辞典編集委員会「理工学辞典」　　　　　　　　　　　株式会社日刊工業新聞社１９９６年３月２８日発行　　　　　　　　　　　９４５頁、１５３４頁
　
２　口頭審理陳述要領書に添付して提出
（１）甲第１３号証：基礎出願（特願平６−３２０１００号）の明細書及び　　　　　　　　　　図面
（２）参考資料：特開平５−２９１６１８号公報　
　
第７　被請求人の主張の概要
１　無効理由１について
　甲第１号証記載の発明の「Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）よりなる層」は、「ＩｎとＧａを含む窒化物半導体よりなるクラッド層」とはいえない。（答弁書１６〜２２頁）
　
２　無効理由２について
　甲第２号証記載の発明の「ＧａＮを一部に含んだＩｎＧａＮ／ＧａＮ傾斜構造」を、「ｎ型ＧａＮコンタクト層」に置換することは想到容易でない。（答弁書２２〜２９頁）
　
３　無効理由３について
　本件発明１ないし５、７、８、及び１６ないし１８について、特許法第４１条に規定する国内優先権主張の効果が認められるところ、甲第３号証は、優先日後の文献であるから、新規性及び進歩性の引用例適格を有さない。（答弁書２９〜３０頁）
　　
４　無効理由４について
　甲第４号証記載の発明の、ＩｎＧａＮ発光層を挟む窒化ガリウム系化合物半導体層は、ＩｎＧａＮ発光層よりバンドギャップの大きい、ＩｎＧａＮクラッド層及びＡｌＧａＮクラッド層とはいえない。（答弁書３０〜３２頁）
　　
５　無効理由５について
　甲第５号証記載の発明は、ＩｎＧａＮ発光層にＩｎＧａＮクラッド層及びＡｌＧａＮクラッド層が接しているとはいえない。（答弁書３３〜３８頁）
　　　
第８　被請求人の主張の要点
１　無効理由１について
（１）　審判事件答弁書（以下「答弁書」という。）における主張
　甲第１号証には、クラッド層について、「発光層をＡｌＧａＮ上に成長させたから発光特性が向上した。」及び「発光層をＧａＮ上に成長させたからＩｎＧａＮの発光層を用いても良好な特性が得られた。」との記載があり、かつ発光層をＧａＮ上に成長させた実施例しかない。よって、甲第１号証に開示される発明は、クラッド層にＩｎを含まない点で本件発明と本質的に相違しており、甲第１号証には、Ｉｎを含むクラッド層の開示は一切ない上に、阻害事由も存在する。（答弁書１７〜２０頁）
　
（２）口頭審理陳述要領書における主張
　甲第１号証記載発明は、図８に示されるように従来は活性層とそれに接する層は、格子定数を近づけ格子整合させていたところ、「発光層中の【化１】層に接してこれと格子定数の異なる【化３】層を設け」たものであるから、図２の実施例では、ＩｎＧａＮ発光層とそれに接するキャリア閉じ込め層はＧａＮであって格子不整合の関係にある。この甲第１号証記載発明の技術的意義を考慮すれば、甲第１号証の請求項２の広範な一般式【化３】で示される層は、発光層と格子整合する層は排除されている。（口頭審理陳述要領書２６〜２８頁）
　
（３）上申書における主張
　請求人は、甲第１号証記載発明の結晶性向上は【化２】で解決され、発光層に接する【化３】はこれと無関係であるから、如何様にでも多様な構成を採れると主張している。これは、【化３】が、上記課題解決において実質的意義を有しない層であり、全くの抽象的かつ形式的記載に過ぎないことの自白である。（上申書第６、７頁）
　
２　無効理由２について
（１）　答弁書における主張
ア　図７は訂正されていない。（答弁書２５〜２６頁）
　
イ　甲第２号証記載の発明の「ＩｎＧａＮ／ＧａＮ傾斜構造」は，すべての層がＩｎＧａＮであり、ＩｎとＧａの比を連続的に変えた混晶とすることで、欠陥や格子不整合を生じないものである。（答弁書２５頁）
　
ウ　請求人は、出願当時に想定されていた甲第２号証記載発明の技術的意義を無視して、当該発明を、後知恵によって、本件各発明に応じて自由に変形させて対応させているにすぎない。甲第２号証に開示される発明は、半導体組成傾斜構造の最上部とその上に形成される各層の組成を同一とする構成のみである上に、請求人のいうところの「周知技術」との間で動機づけがなく、置換阻害要因が存在する。（答弁書２９頁）
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
　甲第２号証の【００１０】には、組成傾斜層を電極つまりコンタクト層として使用するとあるから、組成傾斜層の直下に組成の異なるＧａＮコンタクト層を付加するあるいは組成傾斜層をＧａＮコンタクト層に置換することはできない。（口頭審理陳述要領書２８，２９頁）
　
３　無効理由３について
（１）　答弁書における主張
　以下のアないしエより、基礎出願の明細書には、「量子井戸構造」が記載されている。（答弁書３〜１６頁）　
ア　基礎出願の明細書には、「量子井戸構造」という文言は存在しないが、本件発明の作用が、活性層の膜厚を２００オングストローム未満よりも薄くできることにあると明記されている。
　一方、優先日当時、活性層の膜厚が数百オングストローム以下ならば量子効果を発現し、量子井戸構造であることは周知であり（乙第１ないし９号証参照。）、膜厚が２００オングストローム未満の活性層が量子効果を発現し、量子井戸構造を有することが技術常識であった。（答弁書３〜７頁）
　
イ　甲第１０号証には、その図８．４記載のＧａＡｓ活性層が、量子井戸ではなく、通常のバルク型構造であるとは記載されていない。（答弁書８頁）
　
ウ　本件特許の明細書に、発明の【作用】として、２００オングストローム未満の活性層を作成することができることにあると明記している以上、【００１０】において、好ましいと記載されている５００オングストローム以下の厚さの活性層に、該２００オングストローム未満の活性層が含まれていることは当然である。
　また、本件発明は従来の発光素子に対して、活性層が格別であることを構成要件とするのではなく、クラッド層の構成に着目して課題を解決したものであるから、本件発明における活性層として、あえて、発光出力の増大等という該技術課題に有効でないバルク型構造の活性層に限定してこれを採用することは、本件発明の課題・目的に反するものである。
　よって、本件発明の記載及び課題からして、「ＩｎＧａＮ活性層」に２００オングストローム未満の膜厚の活性層を含み、本件発明の活性層が必然的に量子井戸構造を含むことは自明である。（答弁書８〜１１頁）
　
エ　基礎出願の出願当初の明細書又は図面に「記載された」発明であるか否かは、新規事項の例によることについて、請求人との間で争いはない。
　本件発明１ないし５、７、８、及び１６ないし１８は、活性層が「量子井戸構造」を有すると訂正されたが、ＩｎＧａＮクラッド層さえ構成に含まれれば、従来のＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ発光層の格子定数不整と熱膨張率差による結晶欠陥を吸収するという作用効果を生じるのであって、活性層を「量子井戸構造」としてもしなくても発明の要旨に影響せず、該訂正は、新規事項の追加ではない。（答弁書１１〜１６頁）
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
ア　基礎出願の明細書の【００２６】及び【００２７】に、従来のＡｌＧａＮクラッド層は硬いのでクラックが生じ、ＩｎＧａＮ活性層の膜厚を例えば２００Å以上にしないと素子作製は困難と記載されている。これに対して、本件発明は、ＩｎＧａＮクラッド層の導入により、弾性的緩和を実現することに成功したのである。よって、本件発明のＩｎＧａＮ活性層の膜厚は２００Å以下である。（口頭審理陳述要領書７〜１１頁）
　
イ　基礎出願の明細書の【００１１】には、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を組み合わせたＩｎＧａＮ層の総膜厚を３００Å以上とすることが好ましい、とあり、かつ活性層はクラッド層より薄いものであるから、膜厚１００Å或いは１５０Åの活性層の開示がある。（口頭審理陳述要領書１５、１６、２２頁）
　
４　無効理由４について
（１）　答弁書における主張
　甲第４号証は、「クラッド層を、Ｉｎを含まないＡｌＧａＮとすべき」旨の記載の他、請求人のいう「クラッド層」としてＩｎを含まない組成の方が、結晶性の向上および発光出力の増大のためには好ましいことを明確に記載しており、本件発明のクラッド層を排除している。（答弁書３０〜３２頁）
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
　甲第４号証記載の発明は、「ＩｎＧａＮ発光層は、ＧａＮ層との界面のミスフィットで格子欠陥が発生し発光出力が低下する」（【００１０】）のを、「量子井戸構造の多層膜とした場合発光出力が増大する」（【００１１】）ことで解決している。よって、本件発明が解決する課題である「ＡｌＧａＮとＩｎＧａＮとの結晶の性質の違いによって生じる歪み」の問題（課題）は記載も示唆もされていない。（口頭審理陳述要領書２９〜３１頁）
　
５　無効理由５について
（１）　答弁書における主張
　甲第５号証には、ＡｌＧａＩｎＮという広範な化学式が示されているだけである。甲第５号証に具体的に記載された発明は、発光層をＧａＮとし、かつｐ型（クラッド）層に電子線照射することで、従来得られなかった青色を発光するレーザダイオードである。
　甲第５号証の記載は、活性層をＧａＮに限定しており、かつ、活性層をＩｎを含んでいないｎ型及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層で両側から挟んだ構造を有するレーザダイオードのみを開示したものであって、活性層をＩｎＧａＮ活性層とし、かつ、ＩｎＧａＮ活性層を挟むクラッド層としてクラッド層をＩｎとＧａとを含む窒化物半導体で形成した発光素子を開示するものではない。甲第５号証は、ＧａＮ活性層だからこそ採用可能であったといえるＡＩＧａＮクラッド層で両側から活性層を挟んだ構造が教示されているに過ぎず、Ｉｎを含むクラッド層の開示は一切ない。（答弁書３３〜３８頁）
　
（２）　口頭審理陳述要領書における主張
　甲第５号証記載の発明の技術的意義は、電子線照射によるｐ型化によりｐｎ接合構造を作製できたことであり、甲第５号証には、Ｉｎを含むＧａＮ系半導体層を活性層やクラッド層として用いることを前提とした、ＩｎＧａＮ層のバッファ機能や弾性的緩和機能の教示がない。よって、仮に甲第５号証の一般式に本件発明の組成が形式的上含まれるとしても、甲第５号証の開示範囲は、ＧａＮ活性層をＩｎを含んでいないｎ型及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層で両側から挟んだ構造のみである。（口頭審理陳述要領書３１〜３２頁）
　
第９　被請求人の証拠方法
答弁書に添付して提出
（１）乙第１号証：新版レーザーハンドブック、矢島達夫他、朝倉書店
　　　　　　　　　第２１１頁
（２）乙第２号証：半導体レーザ［基礎と応用］、伊藤良一他、培風館
　　　　　　　　　第２８頁
（３）乙第３号証：超格子構造の光物性と応用（フォトニクスシリーズ４）　　　　　　　　　岡本紘、コロナ社、第１８頁
（４）乙第４号証：半導体工学（情報・電子入門シリーズ８）、白藤純嗣
　　　　　　　　　共立出版株式会社、第６９頁
（５）乙第５号証：半導体超格子の物理と応用、日本物理学会編、培風館
　　　　　　　　　第１５頁
（６）乙第６号証：半導体レーザーの基礎、応用物理学会編、オーム社
　　　　　　　　　第１６２頁
（７）乙第７号証：オプトエレクトロニクス一問一答（エレクトロニクス文　　　　　　　　　庫）、権田俊一他、オーム社、第５６頁
（８）乙第８号証：「超格子ヘテロ構造デバイス」、江崎玲於奈監修
　　　　　　　　　榊　裕之編著、工業調査会出版、第５１頁
（９）乙第９号証：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．５６
　　　　　　　　　Ｎｏ．１３，１２５７〜１２５９頁
（１０）乙第１０号証：判例タイムズ１２９０号２２４頁〜２３２頁
（１１）乙第１１号証：平成２１年（行ケ）第１０１３３号
（１２）乙第１２号証：平成２１年（行ケ）第１０１７５号
（１３）乙第１３号証：平成２３年（行ケ）第１００７２号
（１４）乙第１４号証：無効２０００−３５１６５審決
（１５）乙第１５号証：平成１０年異議第７４８８５号異議の決定
（１６）乙第１６号証：甲第２号証（特開平０５−２９１６１８号）の基本　　　　　　　　　　　情報及び出願情報
（１７）乙第１７号証：平成１９年（行ケ）第１０３７３号
　
第１０　国内優先権主張の効果についての当審の判断
　本件発明１ないし５、７、８は「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、・・・備え」、本件発明１６は「活性層が量子井戸構造を有する」、本件発明１７は「活性層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層を有する」、本件発明１８は「活性層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層と、・・・組み合わせからなる」との構成をそれぞれ有するから、本件発明１ないし５、７、８、及び１６ないし１８は、活性層が量子井戸構造を有するものである。
　下記１ないし３によれば、本件発明１ないし５、７、８、及び１６ないし１８における、活性層が量子井戸構造を有するとの構成が、基礎出願の明細書に記載されているとも、同明細書に記載された事項から当業者にとって自明の技術事項であるとも認められない。
　よって、本件発明１ないし５、７、８、及び１６ないし１８についての、特許法第４１条の規定による優先権主張の効果は認められない。
　
１　基礎出願の明細書の記載について
　被請求人は「基礎出願の明細書には、『量子井戸構造』という文言は存在しないが、本件発明の作用が、活性層の膜厚を２００オングストローム未満よりも薄くできることにあると明記されている。」と主張する（上記「第８　３　（１）　ア」参照。）ので、以下、基礎出願の明細書の記載について検討する。
　基礎出願の明細書には、以下の（１）ないし（９）の記載がある。
（１）　基礎出願に係る発明における「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層」に関して、段落【００１０】に「活性層６の厚さは０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下、最も好ましくは０．０５μｍ（５００オングストローム）以下の厚さに調整する。インジウムを含む窒化物半導体は厚膜とするほど結晶欠陥が生じやすく、その厚さが薄いほど結晶性が良くなる傾向にあるからである。」
　
（２）　基礎出願に係る発明における活性層及び同活性層に接するクラッド層を合わせた総膜厚に関して、段落【００１１】に「第一のｎ型クラッド層５（ｎ型ＩｎYＧａ1-YＮ）、および第一のｐ型クラッド層７（ｐ型ＩｎZＧａ1-ZＮ）は請求項１に記載のように活性層６の第一の主面、第二の主面いずれの面に形成しても良いが、特に好ましくは図２に示すように、活性層６の両面に形成する。インジウムを含む第一のｎ型クラッド層５、および第二のｐ型クラッド層７は結晶が柔らかいので、これらのクラッド層がクッションのようなバッファ層の作用をして、これらのクラッド層の外側に、後述する第二のｎ型クラッド層４、第二のｐ型クラッド層８、ｎ型コンタクト層３、ｐ型コンタクト層９を形成した際に、これらの層（３、４、８、９）中にクラックが入るのを防止することができる。ＩｎＧａＮがバッファ層として作用する膜厚の好ましい範囲は、活性層６と第一のｎ型クラッド層５、活性層６と第一のｐ型クラッド層７、
活性層６と第一のｎ型クラッド層５と第一のｐ型クラッド層７の組み合わせにおいて、その組み合わせたＩｎＧａＮ層の総膜厚を３００オングストローム以上にすることが好ましい。
（３）　従来技術におけるＩｎＧａＮ発光層の膜厚に関して、段落【００２７】に「従来ではＩｎＧａＮ発光層の膜厚を例えば２００オングストローム以上にしないとクラックが生じ素子作製は困難であった。」
（４）　基礎出願に係る発明の実施例１に関して、段落【００３４】に「活性層６を４００オングストロームの膜厚で成長させる。」
（５）　同実施例２に関して、段落【００３９】に「活性層６のインジウム組成比をＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎとする他は実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製した」
（６）　同実施例３に関して、段落【００４０】に「活性層６にＳｉとＺｎをドープしたｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層を１０００オングストロームの膜厚で形成する他は実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製した」
（７）　同実施例４に関して、段落【００４１】に「第一のｐ型クラッド層７を形成しない他は、実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製した」
（８）　同実施例５に関して、段落【００４２】に「第一のｎ型クラッド層５を形成しない他は、実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製した」
（９）　同実施例６に関して、段落【００４４】に「次に第二のｎ型クラッド層４、第一のｎ型クラッド層５、活性層６、第一のｐ型クラッド層７、および第二のｐ型クラッド層８を実施例１と同様に成長させる。」
　
　上記（１）ないし（９）によれば、基礎出願の明細書には、従来技術について、「従来ではＩｎＧａＮ発光層の膜厚を例えば２００オングストローム以上にしないとクラックが生じ素子作製は困難であった。」こと、基礎出願に係る発明について、「活性層の厚さは０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下、最も好ましくは０．０５μｍ（５００オングストローム）以下の厚さに調整する。」こと及び「活性層６と第一のｎ型クラッド層５と第一のｐ型クラッド層７の組み合わせにおいて、その組み合わせたＩｎＧａＮ層の総膜厚を３００オングストローム以上にすることが好ましい。」こと、基礎出願に係る発明の実施例１ないし６について、「活性層を４００オングストロームの膜厚で成長させる。」ことが記載されている。
　すなわち、基礎出願の明細書には、従来はＩｎＧａＮ発光層の厚さを２００オングストローム以上にしなければならなかったこと、活性層の厚さは、最も好ましくは５００オングストローム以下であり、実施例では４００オングストロームであること、及び活性層及び活性層に接するクラッド層を合わせた膜厚は３００オングストローム以上にすることが好ましいことが記載されていることが認められるが、活性層の膜厚を２００オングストローム未満よりも薄くできることが記載されているとは認められない。
　よって、「基礎出願の明細書には、本件発明の作用が、活性層の膜厚を２００オングストローム未満よりも薄くできることにあると明記されている。」との被請求人の主張は採用できない。
　
２　乙第１ないし９号証の記載について
　被請求人は「優先日当時、活性層の膜厚が数百オングストローム以下ならば量子効果を発現し、量子井戸構造であることは周知であり（乙第１ないし９号証参照。）」と主張する（上記「第８　３　（１）　ア」参照。）ので、乙第１ないし９号証の記載について、以下検討する。
（１）　乙第１号証には、半導体レーザーの活性領域に光を閉じ込める積層構造に関して「ｅ．光閉じ込めの機構　実用化されているほとんどの半導体レーザーは、二重ヘテロ（ＤＨ）構造と呼ばれる異種半導体の積層構造を採用している。ＡｌＧａＡｓ／
ＧａＡｓ
ＩｎＧａＡｓＰ
活性領域の厚さが２０ｎｍ以下
　
（２）　乙第２号証には、
ＧａＡｓ層
数百Å以下
　
（３）　乙第３号証には、「
３１．６ｎｍ
ＧａＡｓ
２１ｎｍ，１４ｎｍ
ＧａＡｓ
５ｎｍ
　
（４）　乙第４号証には、「
ＧａＡｓ
１０〜２００Å
　
（５）　乙第５号証には「図１８に、ＧａＡｓ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ超格子系で
ＧａＡｓ
２１０Å、１４０Å
　
（６）　乙第６号証には、
ＧａＡｓ
２００Å以下
　
（７）　乙第７号証には「量子井戸(Quantum　Well：ＱＷ）半導体レーザは、ダブルヘテロ構造半導体レーザの活性層をきわめて薄く（数百Å程度、たとえば
２００Å
ＧａＡｓ
５０〜２００Å
　
（８）　乙第８号証には「
ＧａＡｓ
３００Å以下
　
（９）　乙第９号証には、「GaN quantum well whose estimated thickness was 300Å」(１２５７頁右欄第２０行〜２１行。訳「推定厚が
３００ÅのＧａＮ量子井戸
井戸厚３００〜１００Å
　
　上記（１）には、量子井戸構造の井戸層がＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰであり、その厚さが２０ｎｍ以下（２００Å以下）であることが記載されている。
　上記（２）には、量子井戸構造の井戸層がＧａＡｓであり、その厚さが「数百Å以下」であることが記載されているが、「数百Å以下」が意味する具体的な厚さは不明である。
　上記（３）ないし（８）には、量子井戸構造の井戸層がＧａＡｓであり、その厚さが最大で乙第３号証における３１．６ｎｍ（３１６Å）であることが記載されている。
　上記（９）には、量子井戸構造の井戸層がＧａＮであり、その厚さが３００〜１００Åであることが記載されている。
　すなわち、乙第１ないし９号証には、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる井戸層は記載されておらず、井戸層の厚みに関し、最大のものでも、ＧａＡｓ井戸層について３１６Åのものが、ＧａＮ井戸層について３００Åのものが記載されるにとどまるものと認められる。
　してみると、乙第１ないし９号証をもって、基礎出願の明細書の記載に接した当業者が、基礎出願の明細書に記載された「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、最も好ましくは５００オングストローム以下実施例では４００オングストロームの膜厚の活性層」が、量子井戸効果を生じると理解するとは認められない。
　以上の検討によれば、被請求人の上記主張をもって、活性層が量子井戸構造を有するとの構成が、基礎出願の明細書の記載から自明の技術事項であると認めることができない。
　
３　被請求人の口頭審理陳述要領書における主張について
（１）　上記「第８　３　（２）　ア」について
　被請求人は、基礎出願の明細書の段落【００２７】に、従来のＡｌＧａＮクラッド層は硬いのでクラックが生じ、ＩｎＧａＮ活性層の膜厚を例えば２００Å以上にしないと素子作製は困難との記載があることをもって、本件発明のＩｎＧａＮ活性層の膜厚は２００Å以下であると主張する。
　しかしながら、この記載は、従来技術に関するものであり、クラックが生じないようにするには、ＩｎＧａＮ活性層の膜厚を２００Å以上にしなければならないことを示すにとどまり、該記載をもって、活性層の厚さを２００Å未満よりも薄くできることが示されているものとは認められない。
　よって、被請求人の上記主張は採用できない。
　
（２）　上記「第８　３　（２）　イ」について
　被請求人は、基礎出願の明細書には、【００１１】に「ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を組み合わせたＩｎＧａＮ層の総膜厚を３００Å以上とすることが好ましい。」との記載があり、かつ活性層はクラッド層より薄いものであるから、膜厚１００Å或いは１５０Åの活性層の開示があると主張する。
　しかしながら、上記記載は、クラッド層と活性層を合わせた厚さを３００Å以上とすることが好ましいことを示すにとどまり、該記載をもって、活性層の厚さを２００Å未満よりも薄くできることが示されているものとは認められない。
　よって、被請求人の上記主張は採用できない。
　
第１１　無効理由３についての当審の判断
　事案にかんがみて、無効理由３についてまず検討する。
１　甲第３号証の記載事項と甲３発明の認定
　本願出願前に頒布された刊行物と認められる甲第３号証には、以下の（１）ないし（３）の記載がある。
（１）　「Here, we describe the single quantum-well structure (SQW) blue LEDs which have a thin InGaN active layer (about 20Å) in order to obtain high-power blue emission with a narrow emission spectrum.」（１８６８頁右欄２２〜２６行。和訳：「ここに、狭い放射スペクトルで強い青色発光を得るための、薄いＩｎＧａＮ活性層（約２０Å）を有する単一量子井戸構造青色ＬＥＤを記述する」）
　
（２）　「The blue LED device structure (Fig.１) consist of a 300Å GaN buffer layer grown at a low temperature (550℃), a  4 μm thick layer of n-type GaN:Si, a 1000 Å thick layer of n-type Al0.3Ga0.7N:Si, a 500 Å thick layer of n-type In0.02Ga0.98N:Si, a 20 Å thick active layer of undoped In0.2Ga0.8N, a 1000 Å thick layer of p-type Al0.3Ga0.7N:Mg, and a 0.5 μm thick layer of p-type GaN:Mg. The active region forms a SQW structure consisting of a 20 Å In0.2Ga0.8N well layer sandwiched by 500 Å n-type In0.02Ga0.98N and 1000 Å p-type Al0.3Ga0.7N barrier layers.」（１８６８頁右欄３６行〜１８６９頁左欄３行。和訳：「青色LED素子構造（図１）は、低温（５５０℃）で成長した３００Åの厚さのGaNバッファ層、４μmの厚さのｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層、１０００Åの厚さのｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7N：Ｓｉ層、５００Åの厚さのｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ：Ｓｉ層、２０Åの厚さのドープされないＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎの活性層、１０００Åの厚さのｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ：Ｍｇ層、及び０．５μmの厚さのｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層からなる。活性領域は、２０Åの厚さのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ井戸層が、５００Åの厚さのｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層と１０００Åの厚さのｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層の障壁層に挟まれることにより、単一量子井戸構造を形成する。」）
　
（３）　上記（２）が参照するFig.1からは、Sapphire substrate上に、GaN buffer layer、n-type GaN、n-type Al0.3Ga0.7N、n-type In0.02Ga0.98N、In0.2Ga0.8N、p-type Al0.3Ga0.7N、p-type GaNの順で積層されていること、及びn-type GaN層にはn-electrodeが接し、p-type GaN層にはp-electrodeが接していることが看取できる。
　
　上記（１）ないし（３）によれば、甲第３号証には、次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
「狭い放射スペクトルで強い青色発光を得るための、薄いＩｎＧａＮ活性層を有する単一量子井戸構造青色ＬＥＤであって、
　３００Å厚のＧａＮバッファ層、ｎ電極に接する４μm厚のｎ型ＧａＮ層、１０００Å厚のｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7N層、単一量子井戸構造の障壁層である５００Å厚のｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層、単一量子井戸構造の井戸層である２０Å厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層、単一量子井戸構造の障壁層である１０００Å厚のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0．7Ｎ層、及びｐ電極に接する０．５μm厚のｐ型ＧａＮ層の順の積層構造を有し、
　井戸層と、該井戸層を挟む障壁層とからなる単一量子井戸構造の活性領域を有する、
単一量子井戸構造青色ＬＥＤ。」
　
２　本件発明１について
　本件発明１と甲３発明とを対比する。
　甲３発明の「ｎ電極に接する４μm厚のｎ型ＧａＮ層」、「単一量子井戸構造の障壁層である５００Å厚のｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層」、「単一量子井戸構造の井戸層である２０Å厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層」及び「単一量子井戸構造青色ＬＥＤ」は、それぞれ、本件発明１の「ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層」、「活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層」、「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
　甲３発明において、「単一量子井戸構造の障壁層である５００Å厚のｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層」は、「単一量子井戸構造の井戸層である２０Å厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層」と「ｎ電極に接する４μm厚のｎ型ＧａＮ層」との間にあり、かつ「単一量子井戸構造の井戸層である２０Å厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層」に接している。
　
　よって、本件発明１と甲３発明は、
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されている窒化物半導体発光素子。」
　である点で一致し、相違するところはないから、本件発明１は、甲第３号証に記載された発明である。
　
３　本件発明３について
（１）　本件発明３
　本件発明３は、本件発明１において、「第１のｎ型クラッド層に接して、第１のｎ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層が形成された」との限定を付加した次のとおりのものである。
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されており、
　前記
第１のｎ型クラッド層に接して、前記第１のｎ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層が形成されている
　
（２）　対比
　本件発明３と甲３発明とを対比する。
　上記「２　本件発明１について」での検討に照らして、本件発明３は、本件発明１に付加された構成（上記「（１）　本件発明３」の下線部分）以外の構成である次の構成で、甲３発明と一致する。
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されている窒化物半導体発光素子。」
　
　そして、本件発明３は、本件発明１に付加された構成である「第１のｎ型クラッド層に接して、前記第１のｎ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層が形成されている」との構成を備えているのに対して、甲３発明は、この構成を備えているか否か定かでない点で相違する。
　
（３）　判断
　上記相違点について検討する。
　甲３発明の「１０００Å厚のｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7N層」は、本件発明３の「第１のｎ型クラッド層」に相当する「単一量子井戸構造の障壁層である５００Å厚のｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層」の材料であるＩｎＧａＮよりもバンドギャップエネルギーが大きいＡｌＧａＮを材料とするｎ型窒化物半導体であり、かつ、本件発明３の「第１のｎ型クラッド層」に相当する「単一量子井戸構造の障壁層である５００Å厚のｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層」に接しているから、本件発明３の「第１のｎ型クラッド層に接して、第１のｎ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層」に相当する。
　よって、甲３発明は、本件発明３の上記相違点に係る構成を備えている。
　してみると、本件発明３と甲３発明は、
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されており、
　前記第１のｎ型クラッド層に接して、前記第１のｎ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつアルミニウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層が形成されている窒化物半導体発光素子。」
　である点で一致し、相違するところはないから、本件発明３は、甲第３号証に記載された発明である。
　
４　本件発明１６について
（１）　本件発明１６
　請求項１４を引用する形式で表現された本件発明１６は、請求項１４において、活性層が量子井戸構造を有することを限定したものであるから、独立の形式で表現すれば次のとおりである。
「量子井戸構造を有し、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。」
　
（２）　対比・判断
　本件発明１６と甲３発明とを対比する。
　甲３発明の「単一量子井戸構造の井戸層である２０Å厚のＩｎ0.2Ｇａ0．8Ｎ活性層」、「単一量子井戸構造の障壁層である５００Å厚のｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0．98Ｎ層」、「単一量子井戸構造の障壁層である１０００Å厚のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0．7Ｎ層」及び「単一量子井戸構造青色ＬＥＤ」は、それぞれ、本件発明１６の「量子井戸構造を有し、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有するする活性層」、「活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層」、「該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　よって、本件発明１６と甲３発明とは、
「量子井戸構造を有し、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。」
である点で一致し、相違するところはないから、本件発明１６は、甲第３号証に記載された発明である。
　
５　本件発明１７について
（１）　本件発明１７
　請求項１ないし１３，１６いずれかを引用する形式で表現された本件発明１７において、請求項１６を引用するものは、本件発明１６において、活性層の構成を限定する「活性層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層を有する」との構成を付加した次のとおりのものである。
「量子井戸構造を有し、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備え、
　該
活性層がＩｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層を有する
　
（２）　対比
　本件発明１７と甲３発明とを対比する。
　上記「４　本件発明１６について」によれば、本件発明１６と甲３発明とは同一であるから、本件発明１７と甲３発明とは、本件発明１６の備える構成である以下の＜一致点＞で一致し、本件発明１７において、本件発明１６の備える構成に付加された構成である以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「量子井戸構造を有し、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　本件発明１７の活性層は「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層を有する」との構成を備えるのに対して、甲３発明の活性層は該構成を備えるか否か定かでない点。
　
（３）　判断
　＜相違点＞について検討する。
　甲３発明の「単一量子井戸構造の井戸層である２０Å厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層」は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層である。よって、甲３発明は、本件発明１７の＜相違点＞に係る構成を備えており、＜相違点＞は実質的な相違点ではない。
　よって、本件発明１７と甲３発明は同一である。
　
６　本件発明１８について
（１）　本件発明１８
　請求項１ないし１３，１６、１７いずれかを引用する形式で表現された本件発明１８は、請求項１６を引用した場合には、本件発明１６において、活性層の構成を限定する「活性層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層と、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１、ｘ＞ｙ）、若しくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる」との構成を付加した次のとおりのものである。
「量子井戸構造を有し、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備え、
　該
活性層がＩｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層と、Ｉｎ
ｙ
Ｇａ
１−ｙ
Ｎ（０＜ｙ＜１、ｘ＞ｙ）、若しくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる
　
（２）　対比
　本件発明１８と甲３発明とを対比する。
　上記４の検討によれば、本件発明１６と甲３発明とは、同一であるから、本件発明１８と甲３発明とは、本件発明１６の備える構成である以下の＜一致点＞で一致し、本件発明１８において、本件発明１６の備える構成に付加された構成である以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「量子井戸構造を有し、インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　本件発明１８の活性層は「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層と、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１、ｘ＞ｙ）、若しくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる」との構成を備えるのに対して、甲３発明の活性層は該構成を備えていない点。
　
（３）　判断
　＜相違点＞について検討する。
　甲３発明の「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層」は「単一量子井戸構造の井戸層」であるが、本願出願前に頒布された刊行物である甲第１号証には、「【００１４】・・・図２の構造のＩｎＧａＮ発光層７４の代わりにＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸を導入した構造となっているため、図２の構造で得られたと全く同様の作用が働く上、実質的な発光層であるＩｎＧａＮ井戸層の層数が増加しているため上記のように大きな光出力を得ることができる。」（４頁右欄下から３行〜５頁左欄３行）との記載があり、ＩｎＧａＮの単一量子井戸構造に代えて、ＩｎＧａＮの井戸層とＩｎＧａＮまたはＧａＮの障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を採用することが開示されている。
　よって、甲３発明において、ＩｎＧａＮの単一量子井戸構造に代えて、ＩｎＧａＮの井戸層とＩｎＧａＮまたはＧａＮの障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を採用し、本件発明１８の＜相違点＞に係る構成を備えることは、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、該構成を備えることによる効果は、当業者が予想し得る範囲内のものである。
　したがって、本件発明１８は、甲第３号証に記載された発明及び甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
７　まとめ
　以上のことから、本件発明１、３、１６及び１７は、本願出願前に頒布された甲第３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきものである。
　本件発明１８は、本願出願前に頒布された甲第３号証に記載された発明及び本願出願前に頒布された甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきものである。
　
第１２　本件発明における「第１のクラッド層」の技術的意義
　本件発明１ないし１８は、「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層に接し、ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体のクラッド層」である、「第１のｎ型クラッド層」と「第１のｐ型クラッド層」（以下「第１のクラッド層」と総称する。）の少なくとも一方を有している。
　「第１のクラッド層」について、本件特許の願書に添付した明細書には、次の記載がある。
「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、窒化物半導体で形成されるダブルへテロ構造においてＩｎとＧａを含む窒化物半導体よりなる活性層を挟むクラッド層について鋭意研究した結果、少なくとも一方の、好ましくは両方のクラッド層をＩｎとＧａとを含む窒化物半導体で形成することにより、発光素子の出力が飛躍的に向上することを新たに見い出し、本発明をなすに至った。」
　
「【００１１】
【作用】従来の窒化物半導体発光素子はＩｎＧａＮよりなる活性層をＡｌＧａＮよりなるクラッド層で挟んだ構造を有していた。一方、本発明では新たにこのＩｎＧａＮよりなる活性層を、その活性層よりもバンドギャップの大きいＩｎＧａＮで挟むことにより発光出力が飛躍的に向上することを見いだした。これは新たなＩｎＧａＮクラッド層がＩｎＧａＮ活性層とＡｌＧａＮクラッド層との間のバッファ層として働いているからである。ＩｎＧａＮは結晶の性質として柔らかい性質を有しており、ＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮとの格子定数不整と熱膨張係数差によって生じる結晶欠陥を吸収する働きがあると考えられる。このため新たに形成したＩｎＧａＮクラッド層が、これら結晶欠陥を吸収してＩｎＧａＮ活性層の結晶欠陥が大幅に減少するので、ＩｎＧａＮ活性層の結晶性が飛躍的に良くなるので発光出力が増大するのである。
【００１２】一方、従来のＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層を挟んだ構造では、例えばＩｎＧａＮ活性層の厚さを２００オングストローム未満にすると、ＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活性層とにクラックが多数生じる。これはＡｌＧａＮクラッド層が結晶の性質上、非常に硬い性質を有しており、薄い膜厚のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層との界面から生じる格子不整合と、熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａＮ活性層で弾性的に緩和できないことを示している。このためＩｎＧａＮ活性層、ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じるので発光出力の大幅な向上が望めないのである。従って従来ではＩｎＧａＮ活性層の膜厚を例えば２００オングストーム以上にしないとクラックが生じ素子作製は困難であった。」
　
　以上の記載によれば、従来のＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層で挟んだ構造では、ＡｌＧａＮクラッド層の結晶が硬いため、例えばＩｎＧａＮ活性層の厚さを２００オングストローム未満にすると、ＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活性層とにクラックと結晶欠陥が生じ、発光出力の大幅な向上が望めないとの問題点を、本件発明は、ＩｎＧａＮ活性層に接するクラッド層として「ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体のクラッド層」である「第１のクラッド層」を採用することにより解決し、ＩｎＧａＮ活性層に接するクラッド層は結晶として柔らかい性質を有し、ＩｎＧａＮ活性層と外側の硬い層との間のバッファ層として作用し、ＩｎＧａＮ活性層の結晶性が飛躍的に良くなるので発光出力が増大する、という作用効果を奏する（以下「クッションバッファ機能」という。）ものと認められる。
　よって、「第１のクラッド層」は、「クッションバッファ機能」にその技術的意義を有するものであって、外側の硬い層と比較して充分に柔らかく、バッファ層として作用する程度にＩｎを含む「ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体の層」と解される。
　 　
第１３　無効理由１についての当審の判断
１　甲第１号証の記載事項
 　優先日前に頒布された刊行物である甲第１号証には、次の（１）ないし（６）の記載が、図とともにある。 
（１）　「【請求項１】発光層中に【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層と成長基板との間に【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。 
【請求項２】前記発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。」
　 
（２）　「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子は、発光層中に【化１】層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層と成長基板との間に【化２】層を設けたことを最も主要な特徴とする。また、本発明の第２の主要な特徴は、前記発光層中の【化１】層に接してこれと格子定数の異なる【化３】層を設けたことにある。・・・」
　
（３）　「【００１１】この構造では、アンドープＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ発光層６３をこれよりバンドギャップエネルギが大きいｎ型及びｐ型ＧａＮ電流注入層６２及び６４で挟む構造となっているため、発光層６３に注入された電子及び正孔は電流注入層６２または６４に流出することなく発光層６３内に閉じ込められ、上記のように外部量子効率の高い発光が得られる。このように発光領域と電流注入領域とが明確に分離されているため、ｎ型及びｐ型電流注入層６２及び６４に１０18〜１０19ｃｍ-3という高濃度ドーピングを行っても、発光スペクトルの純度に影響を及ぼすことなく電流対電圧特性の良好な素子を作製することができる。また、この構造では発光層としてＩｎＧａＮ層を用いているため、発光波長を３６０〜６００ｎｍの範囲で変化することができる。この構造においてＩｎＧａＮを発光層に用いているにも拘らず、上記のような良好な特性が得られる最大の原因は、ＩｎＧａＮ発光層６３を結晶性の良好なｎ型ＧａＮ電流注入層６２上に成長している点にある。特に図１の構成において、発光層６３の膜厚を１０ｎｍ以下にすると、格子不整合に起因する結晶構造欠陥が発生する臨界膜厚以下となり、発光層６３の結晶性が著しく向上する。この結果、素子特性が向上し、素子寿命も延びる。このように発光層の膜厚が薄い発光素子では、量子閉じ込め効果が現れ、発光波長は３７５ｎｍまでシフトした。ここでは、６２としてＧａＮを用いることを述べたが、【化６】を用いても良い。また、発光層として、ＩｎＧａＮを用いたが、
【化４】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ、ｙ≦１，ｘ＋ｙ＜１）
でも良いことは明らかである。」
　
（４）　「【００１２】〔実施例２〕（分離閉じ込め単一量子井戸構造） 
図２は、本発明の第２の実施例の構造を示す図であって、図において、７１はサファイア（０００１）基板、７２は膜厚５μｍ及び電子濃度５×１０１８ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層、７３は膜厚２μｍ及び電子濃度１０１９ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層、７４は膜厚１０ｎｍのアンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸発光層、７５は膜厚２μｍ及びホール濃度１０１８ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層、７６は膜厚２μｍ及びホール濃度５×１０１７ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層、７７はｎ側電極、７８はｐ側電極である。・・・ 
【００１３】・・・ここでは、素子を構成する各層にＧａＮ，ＧａｌＮを用いたが、バンドギャップエネルギが図２において７４＜７３、７５＜７２、７６の関係を保つ限り、【化４】を用いても良いことは明らかである。」
　
（５）　【００１４】〔実施例３〕（分離閉じ込め多重量子井戸構造） 
図３は、本発明の第３の実施例の構造を示す図であって、・・・この構造は、図２の構造のＩｎＧａＮ発光層７４の代わりにＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸を導入した構造となっているため、図２の構造で得られたと全く同様の作用が働く上、実質的な発光層であるＩｎＧａＮ井戸層の層数が増加しているため上記のように大きな光出力を得ることができる。本実施例の各層に、
【化１】を用いてもよいことは明らかである。 」
　
（６）　「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の構造を示す図であって、ＩｎＧａＮ／ＧａＮダブルヘテロ構造を示す。
【図２】本発明の第２の実施例の構造を示す図であって、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ／ＧａＡｌＮ分離閉じ込め単一量子井戸構造を示す。
【図３】本発明の第３の実施例の構造を示す図であって、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ／ＧａＡｌＮ分離閉じ込め多重量子井戸構造を示す。」
　
  
図１
　　
図２
　
図３
　　
２　甲１発明の認定
　上記「１　（１）」において、請求項１を引用しない独立の形式で表した請求項２の発明（以下「甲１発明」という。）は、次のとおりのものである。
「発光層中に【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層と成長基板との間に【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層を設け、前記発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層を有する半導体発光素子。」
　
３　甲１発明の実施形態
（１）　上記「１　（６）」で「本発明の第１の実施例の構造を示す図」とされた図１には、ＩｎＧａＮ発光層６３とサファイア基板６１との間にＧａＮ電流注入層を設けた半導体発光素子が記載されている。ＩｎＧａＮ発光層６３とＧａＮ電流注入層が、それぞれ、上記「１　（１）」における【化１】層と【化２】層に相当するが、【化３】層に相当する層はないから、図１に示された第１の実施例は、上記「１　（１）」における請求項１の発明であって、甲１発明の実施例ではない。
　
（２）　上記「１　（４）」が参照し、上記「１　（６）」で「本発明の第２の実施例の構造を示す図」とされた図２には、アンドープＩｎＧａＮ単一量子井戸発光層７４とサファイア基板７１との間にｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７２を設け、アンドープＩｎＧａＮ単一量子井戸発光層７４に接してｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７３を有する半導体発光素子が記載されている。
　上記「１　（４）」に「バンドギャップエネルギが図２において７４＜７３」とあるから、ｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７３はアンドープＩｎＧａＮ単一量子井戸発光層７４よりバンドギャップエネルギが大きい。
　よって、図２に示された第２の実施例の「アンドープＩｎＧａＮ単一量子井戸発光層７４」、「アンドープＩｎＧａＮ単一量子井戸発光層７４とサファイア基板７１との間に設けられたｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７２」、「アンドープＩｎＧａＮ単一量子井戸発光層７４に接し、アンドープＩｎＧａＮ単一量子井戸発光層７４よりバンドギャップエネルギが大きいｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７３」は、それぞれ、甲１発明の「【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層を少なくとも一層含む発光層」、「発光層と成長基板との間に設けられた【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層」、「発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層」に相当し、この第２の実施例は、甲１発明の実施例である。
   図２からは、ｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７２にｎ側電極７７が接していることが看取できるから、実施例では、甲１発明の「発光層と成長基板との間に設けられた【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層」はｎ側電極に接している。
　
（３）　上記「１　（５）」が参照し、上記「１　（６）」で「本発明の第３の実施例の構造を示す図」とされた図３には、アンドープＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸層８４とサファイア基板８１との間にｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層８２を設け、アンドープＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸層８４に接してｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層８３を有する半導体発光素子が記載されている。
　上記「１　（５）」によれば、第３の実施例は、第２の実施例のＩｎＧａＮ発光層７４の代わりにＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸を導入し、実質的な発光層であるＩｎＧａＮ井戸層を有するものであるから、第２の実施例と同様に、ｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層８３がアンドープＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸層８４よりバンドギャップエネルギが大きいことは明らかである。
　
　よって、図３に示された第３の実施例の「アンドープＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸層８４」、「アンドープＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸層８４とサファイア基板８１との間に設けられたｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層８２」、「アンドープＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸層８４に接し、アンドープＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸層８４よりバンドギャップエネルギが大きいｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層８３」は、それぞれ、甲１発明の「【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層を少なくとも一層含む発光層」、「発光層と成長基板との間に設けられた【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層」、「発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層」に相当し、この第３の実施例は、甲１発明の実施例である。
　図３からは、ｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層８２にｎ側電極８７が接していることが看取できるから、実施例では、甲１発明の「発光層と成長基板との間に設けられた【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層」はｎ側電極に接している。
　
（４）　甲１発明の実施例である「第２の実施例」及び「第３の実施例」では、量子井戸層である【化１】層がＩｎＧａＮ層であり、【化１】層に接する【化３】層がＧａＮ層である。
　甲第１号証には、上記（４）に「発光層として、ＩｎＧａＮを用いたが、【化４】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ、ｙ≦１，ｘ＋ｙ＜１）でも良いことは明らかである。」とあり、上記（５）に「本実施例の各層に、【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）を用いてもよいことは明らかである。」とあって、層の材料として上記以外の組成のものを用いる示唆はあるものの、具体的な記載はない。
　甲１発明の「【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）」と「【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）」は同じ化合物を表現し得るが、上記（２）によれば、甲１発明において、【化３】層は、【化１】層と格子定数の異なる層とされている。そして、「第２の実施例」及び「第３の実施例」では、【化３】層がＧａＮ層、【化１】層がＩｎＧａＮ層であり、異なる組成の化合物であるから格子定数の異なる層となっている。
　
４　本件発明１について
（１）　対比
　甲１発明と本件発明１とを対比する。
　甲１発明を再掲する。
「発光層中に【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層と成長基板との間に【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層を設け、前記発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層を有する半導体発光素子。」
　
ア　甲１発明の「『【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層を量子井戸層として少なくとも一層含む』『「発光層』」は、本件発明１の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層」に相当する。
　
イ　甲１発明の「『発光層と成長基板との間に』設けられる『【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層』」は、ｘ’＝０のときＧａＮであり、実施例では「ｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層」であってかつｎ側電極に接していたから、本件発明１の「この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層」に相当する。
　
ウ　甲１発明の「発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層」は、「活性層の第１の面に接して形成されている活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層」である点で、本件発明１の「『活性層の第１の面に接して形成されている』『活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層』」と共通している。
　
　してみると、甲１発明と本件発明１は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されている窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　本件発明１の「第１のｎ型クラッド層」は、「Ｉｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる」のに対して、甲１発明の「第１のｎ型クラッド層」（発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層）は、インジウムとガリウムとを含むか否か定かでない点。
　
（２）　判断
　＜相違点＞について検討する。
　【化３】の化学式は、形式的にｘ”＋ｙ”≠１かつ０≦ｙ”＜０．１とした場合には、請求人の主張するとおり、「Ｉｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体」となり得る。
　しかしながら、
ア　上記「３　甲１発明の実施形態　（４）」で述べたとおり、甲１号証には、甲１発明の実施例として、【化３】層がＧａＮ層、【化１】層がＩｎＧａＮ層のものしか記載されていない。甲１号証には、ｘ”＋ｙ”≠１としてＩｎを含ませること、及びＡｌの割合を１割以内（０≦ｙ”＜０．１）とすることの記載及びそれを示唆する記載はない。
　　　
イ　甲１号証には、本件発明における「第１のクラッド層」の技術的意義である「クッションバッファ機能」を備えるべく、外側の硬い層と比較して充分に柔らかく、バッファ層として作用する程度にＩｎを含む「ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体の層」として「第１のクラッド層」を形成することの記載もそれを示唆する記載もない。
　
　すなわち、甲１号証には、甲１発明の【化３】を「Ｉｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体」として、本件発明１の＜相違点＞に係る構成を備えるものとすることの記載もそれを示唆する記載もない。よって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲１発明において、本件発明１の＜相違点＞に係る構成を備えることが、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲１発明において、本件発明１の＜相違点＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
５　本件発明２について
 本件発明２は、本件発明１を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件発明１と同様に、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
６　本件発明４について 
（１）　本件発明４
　本件発明４を以下に再掲する。
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、その活性層の第２の面側に設けられたｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層との間に、その活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の面に接して形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
　 
　本件発明４は、本件発明１の「
ｎ型
ｎ型
ｎ型
ｐ型
ｐ型
ｐ型
　
（２）　甲１’発明の認定
　甲第１号証には、以下のアないしウの記載がある。
ア　「【００１２】〔実施例２〕（分離閉じ込め単一量子井戸構造） 
図２は、本発明の第２の実施例の構造を示す図であって、図において、７１はサファイア（０００１）基板、７２は膜厚５μｍ及び電子濃度５×１０１８ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層、７３は膜厚２μｍ及び電子濃度１０１９ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層、７４は膜厚１０ｎｍのアンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸発光層、７５は膜厚２μｍ及びホール濃度１０１８ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層、７６は膜厚２μｍ及びホール濃度５×１０１７ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層、７７はｎ側電極、７８はｐ側電極である。
　
イ　「【００１３】・・・ここでは、素子を構成する各層にＧａＮ，ＧａｌＮを用いたが、バンドギャップエネルギが図２において７４＜７３、７５＜７２、７６の関係を保つ限り、【化４】を用いても良いことは明らかである。」
　
ウ　「【００１４】〔実施例３〕（分離閉じ込め多重量子井戸構造） 
図３は、本発明の第３の実施例の構造を示す図であって、・・・この構造は、図２の構造のＩｎＧａＮ発光層７４の代わりにＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸を導入した構造となっているため、図２の構造で得られたと全く同様の作用が働く上、実質的な発光層であるＩｎＧａＮ井戸層の層数が増加しているため上記のように大きな光出力を得ることができる。本実施例の各層に、
【化１】を用いてもよいことは明らかである。 」
　
　上記アの記載及び同記載が参照する図２によれば、甲第１号証には、第２の実施例として、次の発明が記載されていると認められる。
「サファイア基板７１、ｎ側電極７７が接するｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７２、ｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７３、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸発光層７４、ｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７５、ｐ側電極７８が接するｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７６が積層されてなる半導体発光素子。」
　
　上記イの記載によれば、上記発明において、ｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７３及びｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７５は、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸発光層７４よりもバンドギャップエネルギが大きい。
　
　上記ウの記載によれば、実施例３は、上記発明のＩｎＧａＮ発光層７４の代わりにＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸を導入したものである。
　
　以上によれば、甲第１号証には、次の発明（以下「甲１’発明」という。）が記載されていると認められる。
「サファイア基板、ｎ側電極が接するｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層よりバンドギャップエネルギが大きいｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層よりバンドギャップエネルギが大きいｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層、ｐ側電極が接するｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層が積層されてなる半導体発光素子。」
　
（３）　対比
　本件発明４と甲１’発明を対比する。
　甲１’発明の「Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層」、「ｐ側電極が接するｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層」及び「半導体発光素子」は、それぞれ、本件発明４の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層」、「その活性層の第２の面側に設けられたｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　甲１’発明の「『Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層』に接して積層された『Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層よりバンドギャップエネルギが大きいｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層』」は、「活性層の第２の面に接して形成されている、活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きい、ｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層」である点で、本件発明４の「『活性層の第２の面に接して形成されている』『活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層』と共通している。
　
　してみると、本件発明４と甲１’発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、その活性層の第２の面側に設けられたｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層との間に、その活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の面に接して形成されている窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　「第１のｐ型クラッド層」の組成が、本件発明４は「Ｉｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含む」ものであるのに対して、甲１’発明はＧａＮである点。
　
（４）　判断
　＜相違点＞について検討する。
ア　甲１号証には、「第１のｐ型クラッド層」（ｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層）の材料を、ＧａＮに代えて「Ｉｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含む」ものにすることの記載及びそれを示唆する記載はない。
　　　
イ　甲１号証には、本件発明における「第１のクラッド層」の技術的意義である「クッションバッファ機能」を備えるべく、外側の硬い層と比較して充分に柔らかく、バッファ層として作用する程度にＩｎを含む「ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体の層」として「第１ののｐ型クラッド層」を形成することの記載もそれを示唆する記載もない。
　
　以上のことから、甲１号証には、甲１’発明を、本件発明１の＜相違点＞に係る構成を備えたものにすることの記載もそれを示唆する記載もない。よって、本件発明４は、甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲１’発明において、本件発明４の＜相違点＞に係る構成を備えることが、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明４は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲１’発明において、本件発明４の＜相違点＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
７　本件発明５について
 本件発明５は、本件発明４を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件発明４と同様に、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
８　本件発明７について
（１）　本件発明７
　本件発明７は次のとおりのものであり、活性層の第１の面側が本件発明１と同じ構成を有している。
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されており、さらに前記活性層の第２の面側には、その活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の面に接して形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
　
（２）　甲１発明
　甲１発明を再掲する。
「発光層中に【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層と成長基板との間に【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層を設け、前記発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層を有する半導体発光素子。」
　
（３）　対比
　本件発明７と甲１発明とを対比する。
ア　甲１発明の「『【化１】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１、０≦ｘ、ｙ≦１）層を量子井戸層として少なくとも一層含む』『「発光層』」は、本件発明７の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層」に相当する。
　
イ　甲１発明の「『発光層と成長基板との間に』設けられる『【化２】Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）層』」は、ｘ’＝０のときＧａＮであり、実施例では「ｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層」であってかつｎ側電極に接していたから、本件発明７の「この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層」に相当する。
　
ウ　甲１発明の「発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層」は、「活性層の第１の面に接して形成されている活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層」である点で、本件発明７の「『活性層の第１の面に接して形成されている』『活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層』」と共通している。
　
　してみると、甲１発明と本件発明７は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されている窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点１＞
　本件発明７の「第１のｎ型クラッド層」は、「Ｉｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる」のに対して、甲１発明の「第１のｎ型クラッド層」（発光層中の【化１】層に接して、これよりバンドギャップエネルギが大きい【化３】Ｉｎ１−ｘ”−ｙ”Ｇａｘ”Ａｌｙ”Ｎ（ｘ”＋ｙ”≦１、０≦ｘ”、ｙ”≦１）層）は、インジウムとガリウムとを含むか否か定かでない点。
　
＜相違点２＞
　本件発明７は、「活性層の第２の面側には、その活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の面に接して形成されている」のに対して、甲１発明は、活性層の第２の面側の構成が特定されていない点。
　
（４）　判断
　＜相違点１＞について検討する。
　上記「５　判断」で検討したとおり、甲１号証には、甲１発明の【化３】を「Ｉｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体」として、本件発明７の＜相違点１＞に係る構成を備えるものとすることの記載もそれを示唆する記載もない。よって、本件発明７は、甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲１発明において、本件発明７の＜相違点１＞に係る構成を備えることが、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明７は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲１発明において、本件発明７の＜相違点１＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
９　本件発明８について
 本件発明８は、本件発明７を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件発明７と同様に、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
１０　本件発明１４について 
（１） 　本件発明１４
　本件発明１４を以下に再掲する。
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 」
　
（２）　対比
　本件発明１４と甲１’発明とを対比する。
　甲１’発明の「Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層」及び「半導体発光素子」は、それぞれ、本件発明１４の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
　甲１’発明の「『Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層』に接して積層された『Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層よりバンドギャップエネルギが大きいｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層』」は、「活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きい第１のｎ型クラッド層」である点で、本件発明１４の「活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層」と共通している。
　甲１’発明の「『Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層』に接して積層された『Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸またはＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸からなる発光層よりバンドギャップエネルギが大きいｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層』」は、「活性層の第２の面に接して、ｐ型窒化物半導体よりなるｐ型クラッド層」である点で、本件発明１４の「活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層」と共通している。
　
　してみると、本件発明１４と甲１’発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きい第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。 」
　
＜相違点１＞　
　「第１のｎ型クラッド層」が、本件発明１４は「ｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる」のに対して、甲１’発明は「ｎ型ＧａＮ」である点。
　
＜相違点２＞
「ｐ型クラッド層」が、本件発明１４は「ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなる」のに対して、甲１’発明は「ｐ型ＧａＮ」である点。
　
（３）　判断
　＜相違点１＞について検討する。
ア　甲１号証には、「第１のｎ型クラッド層」（ｎ型ＧａＮ）の材料を、ＧａＮに代えて「ｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）」にすることの記載及びそれを示唆する記載はない。
　　　
イ　甲１号証には、本件発明における「第１のクラッド層」の技術的意義である「クッションバッファ機能」を備えるべく、外側の硬い層と比較して充分に柔らかく、バッファ層として作用する程度にＩｎを含む「ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体の層」として「第１のｎ型クラッド層」を形成することの記載もそれを示唆する記載もない。
　
　以上のことから、甲１号証には、甲１’発明を、本件発明１４の＜相違点１＞に係る構成を備えたものにすることの記載もそれを示唆する記載もない。よって、本件発明１４は、甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲１’発明において、本件発明１４の＜相違点１＞に係る構成を備えることが、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明１４は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲１’発明において、本件発明１４の＜相違点１＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
１１　本件発明１５について
（１）　対比
　本件発明１５と甲１’発明とを対比する。
　上記「１０　本件発明１４について　（２）　対比」 での検討に照らして、本件発明１５と甲１’発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第２の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きい第１のｐ型クラッド層を備え、該活性層の第１の面に接して、ｎ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。 」
　
＜相違点１＞　
　「第１のｐ型クラッド層」が、本件発明１５は「ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる」のに対して、甲１’発明は「ｐ型ＧａＮ」である点。
　
＜相違点２＞
「ｎ型クラッド層」が、本件発明１５は「ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜ａ＜１）よりなる」のに対して、甲１’発明は「ｎ型ＧａＮ」である点。
　
（２）　判断
　＜相違点１＞について検討する。
ア　甲１号証には、「第１のｐ型クラッド層」（ｐ型ＧａＮ）の材料を、ＧａＮに代えて「ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）」にすることの記載及びそれを示唆する記載はない。
　　　
イ　甲１号証には、本件発明における「第１のクラッド層」の技術的意義である「クッションバッファ機能」を備えるべく、外側の硬い層と比較して充分に柔らかく、バッファ層として作用する程度にＩｎを含む「ＩｎとＧａとを含む窒化物半導体の層」として「第１のｐ型クラッド層」を形成することの記載もそれを示唆する記載もない。
　
　以上のことから、甲１号証には、甲１’発明を、本件発明１５の＜相違点１＞に係る構成を備えたものにすることの記載もそれを示唆する記載もない。よって、本件発明１５は、甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲１’発明において、本件発明１５の＜相違点１＞に係る構成を備えることが、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明１５は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲１’発明において、本件発明１５の＜相違点１＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
１２　本件発明１６ないし本件発明１８について 
　本件発明１６は、本件発明１４を引用し、本件発明１７は、本件発明１ないし本件発明１３及び本件発明１６のいずれかを引用し、本件発明１８は、本件発明１ないし本件発明１３及び本件発明１６及び本件発明１７のいずれかを引用してさらに構成要件を付加した発明であるから、上記１ないし８で検討した本件発明１，２，４，５，７，８，１４と同様に、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
   　
１３　まとめ
　以上のことから、本件発明１、２、４、５、７、８、１４ないし１８は、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
第１４　無効理由２についての当審の判断
１　甲第２号証の記載事項と甲２発明の認定
（１）　請求項１の発明
　優先日前に頒布された刊行物である甲第２号証には、請求項１に次の発明が記載されている。
「基板上に直接形成されたＧａ１−ｘ−ｙＩｎｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層において順次ｘおよび／あるいはｙを変化せしめて最終的に組成Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）とするような組成傾斜構造を有し、かつＧａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）からなるｎ型半導体層およびｐ型あるいはｉ型半導体層を組み合わせてなる発光層を少なくとも一つ有し、該発光層に電圧を印加するために半導体層の所望の部位に電極が形成されてなることを特徴とする発光素子。」
　
（２）　図９記載の発明
　甲第２号証の図３ないし図１０には、上記請求項１の発明において、「Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）からなるｎ型半導体層およびｐ型あるいはｉ型半導体層を組み合わせてなる発光層」の異なるものが記載されている。
　請求人は、審判請求書６６頁において、「甲第２号証の図９には、ＩｎＧａＮ系量子井戸２６を有する発光素子が開示されている。甲第２号証の【００１３】には『図９に示すｎ−Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ／量子井戸構造／ｐ−Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１）』とあるが、そのような構成は図９ではなく図７に示されているから、図７は図９の誤記である。」旨を主張し、被請求人は答弁書２５〜２６頁で「図７は訂正されていない。」旨を主張している。
　そこで、量子井戸構造を有する発光層が、図３ないし図１０のいずれに記載されているかを、甲第２号証の【符号の説明】を参照しつつ、検討する。
　上記図３ないし図１０及び【符号の説明】は、以下のとおりである。
「【符号の説明】
  １　真空容器
  ２　蒸発用ルツボ
  ３　蒸発用ルツボ
　４　蒸発用ルツボ
  ５　蒸発用ルツボ
  ６　クラッキングガスセル
  ７　基板加熱ホルダー
  ８　基板　
  ９　四重極質量分析器　              
１０　ＲＨＥＥＤ用電子銃
１１  ＲＨＥＥＤスクリーン
１２　クライオパネル
１３　シャッター  
１４　シャッター  
１５　シャッター  
１６　シャッター  
１７　バルブ
１８　コールドトラップ
１９  油拡散ポンプ
２０　油回転ポンプ
２１　Ｇａ1-xＩｎxＮ組成傾斜構造
２２　ｎ型Ｇａ1-a Ｉｎa Ｎ
２３　ｐ型Ｇａ1-a Ｉｎa Ｎ
２４　ｉ型Ｇａ1-a Ｉｎa Ｎ
２５  ｎ型Ｇａ1-c Ｉｎc Ｎ（ｃ≧ａ）
２６  ＧａＩｎＮ系量子井戸構造
２７　電極
２８　Ｇａ1-yＡｌyＮ組成傾斜構造
２９　ｎ型Ｇａ1-b Ｉｎb Ｎ
３０　ｐ型Ｇａ1-b Ｉｎb Ｎ
３１　Ｇａ1-x-y Ｉｎx Ａｌy Ｎ組成傾斜構造
３２　ｎ型Ｇａ1-a-b Ｉｎa Ａｌb Ｎ
３３　ｐ型Ｇａ1-a-b Ｉｎa Ａｌb Ｎ
３４　ｐ型Ｇａ1-c Ｉｎc Ｎ（ｃ≧ａ）」
　
図３
　
図４
　
図５
　
図６
　
図７
　
図８
　
図９
　
図１０
　　　
　図３ないし図１０をみると、基板８に接する面とは反対側の面で電極２７と接する組成傾斜構造２１，２８，３１の上に、図３ではｎ型ＧａＩｎＮ層２２、ｐ型ＧａＩｎＮ層２３、電極２７が積層され、図４ではｎ型ＧａＩｎＮ層２２、ｉ型ＧａＩｎＮ層２４、電極２７が積層され、、図５ではｎ型ＧａＩｎＮ層２２、ｉ型ＧａＩｎＮ層２４、ｐ型ＧａＩｎＮ層２３、電極２７が積層され、、図６ではｎ型ＧａＩｎＮ層２２、ｎ型ＧａＩｎＮ層２５、ｐ型ＧａＩｎＮ層２３、ｐ型ＧａＩｎＮ層２３、電極２７が積層され、図７ではｎ型ＧａＩｎＮ層２２、ＧａＩｎ系量子井戸構造２６、ｐ型ＧａＩｎＮ層２３、電極２７が積層され、図８ではｎ型ＧａＩｎＮ層２９、ｐ型ＧａＩｎＮ層３０、電極２７が積層され、図９ではｎ型ＧａＩｎＡｌＮ層３２、ｐ型ＧａＩｎＡｌＮ層３３、電極２７が積層され、図１０ではｎ型ＧａＩｎＮ層２２、ｐ型ＧａＩｎＮ層２３、ｎ型ＧａＩｎＮ層２５、ｐ型ＧａＩｎＮ層３４、電極２７が積層されている。
　してみると、図３ないし図６、図８ないし図１０には、量子井戸構造ではなくヘテロ接合ダブルへテロ結合の発光素子が記載され、図７には、量子井戸構造の発光素子が記載されていることになる。
　よって、甲第２号証の【００１３】に誤記があるか否かに拘わらず、甲第２号証の図７には、ＧａＩｎ系量子井戸２６を有する発光素子が開示されている。
　
（３）　甲２発明の認定
　上記（１）及び（２）によれば、甲第２号証には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板上に直接形成されたＧａ１−ｘ−ｙＩｎｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層において順次ｘおよび／あるいはｙを変化せしめて最終的に組成Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）とするような組成傾斜構造を有し、かつＧａＩｎ系量子井戸構造の発光層を有し、該発光層に電圧を印加するために半導体層の所望の部位に電極が形成されてなる発光素子であって、
　基板に接する面とは反対側の面で第１の電極と接する前記組成傾斜構造上に、ｎ型ＧａＩｎＮ層、前記発光層、ｐ型ＧａＩｎＮ層、第２の電極が積層された発光素子。」
　
２　本件発明１について
（１）　対比
　本件発明１と甲２発明とを対比する。
　甲２発明の「ＧａＩｎ系量子井戸構造の発光層」及び「発光素子」は、それぞれ、本件発明１の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
　甲２発明の「ｎ型ＧａＩｎＮ層」は、本件発明１の「活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層」に相当する。
　
　甲２発明の「基板に接する面とは反対側の面で第１の電極が接する、基板上に直接形成されたＧａ１−ｘ−ｙＩｎｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層において順次ｘおよび／あるいはｙを変化せしめて最終的に組成Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）とするような組成傾斜構造ｎ型Ｇａ１−ａＩｎａＮ層２２」は、「活性層の第１の面側に設けられたｎ型コンタクト層」である点で、本件発明１の「活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層」と共通している。
　
　してみると、本件発明１と甲２発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されている窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　「ｎ型コンタクト層」が、本件発明１は「ｎ型ＧａＮよりなる」層であるのに対して、甲２発明は「Ｇａ１−ｘ−ｙＩｎｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層において順次ｘおよび／あるいはｙを変化せしめて最終的に組成Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）とするような組成傾斜構造」である点。
　
（２）　判断
　＜相違点＞について検討する。
ア　請求人は、甲２発明のＧａ１−ｘＩｎｘＮ組成傾斜構造は、最下層をＧａＮとするｎ型ＧａＮコンタクト層に該当すると主張する（上記「第５　２　（１）」参照。）。
　そこで、該組成傾斜構造の層の組成を検討する。
　甲第２号証には、【００２５】ないし【００２９】に記載された実施例１について、【００２７】に「まずＧａのシャッターのみを開け」とあるとおり、該組成傾斜構造は基板側の最下層がＧａＮであり、徐々にＩｎの割合が増えて、発光層側で一番Ｉｎの割合が大きくなる。実施例２ないし６、８についても同様で、実施例２についての【００３２】、実施例３についての【００３６】、実施例４についての【００４３】、実施例５についての【００４８】、実施例６についての【００５３】、実施例８についての【００６２】には「まず１０秒間Ｇａのシャッターのみを開け」とある。
　実施例７についての【００５７】には、次の記載がある。
「【００５７】基板８としては２０mm角の大きさのサファイアＲ面からサファイアｃ軸のＲ面射影を回転軸として９．２度回転させた面を用いた。真空容器内の圧力は、成膜時において１×１０-6Torrであった。まず、基板８を９００℃で３０分間加熱し、ついで７００℃の温度に保持し成膜を行う。成膜はアンモニアガスをクラッキングガスセル６から供給しながら、
まずＧａのシャッターのみを開け膜厚３００オングストロームのＧａＮ層を成長させ
全体膜厚３０００オングストロームのＧａＩｎＮの組成傾斜構造を作製する
　この記載によれば、全体膜厚３０００オングストロームのＧａＩｎＮの組成傾斜構造中、ＧａＮであるのは最下層の膜厚３００オングストロームのＧａＮ層のみである。
　　
　以上によれば、該組成傾斜構造は、最下層はＧａＮであるが、発光層側の最上層は一番Ｉｎの割合が多い層となっている。そして、該組成傾斜構造で第１電極に接するコンタクト層に相当するのは、この最上層である。
　すなわち、該組成傾斜構造のＧａＮの最下層は、ｎ型ＧａＮコンタクト層に該当するとはいえない。
　
イ　請求人は、窒化ガリウム系化合物半導体におけるｎ型ＧａＮコンタクト層は周知慣用技術であったから、該組成傾斜構造の直下にｎ型ＧａＮコンタクト層を付加するか該組成傾斜構造をｎ型ＧａＮコンタクト層に置換することは、当業者が想到容易であると主張する（上記「第５　２　（１）」参照。）。
（ア）　ｎ型ＧａＮコンタクト層の付加について
　該組成傾斜構造で第１電極に接するコンタクト層に相当するのは、発光層側の最上層であるから、最下層のさらに下にｎ型ＧａＮコンタクト層を付加する動機がない。
　
（イ）　ｎ型ＧａＮコンタクト層への置換について
　請求人は、該組成傾斜構造をＧａＮ層に置き換える点に阻害要因はないと主張する（上記「第５　２　（２）」参照。）。
　しかしながら、甲第２号証の【００１０】に「本発明のような組成傾斜構造とすることによって、発光層に作用する応力を小さくすることができ、また格子の整合性を保持した薄膜成長が可能となるために、欠陥の少ない結晶性の良好なＩＩＩ族元素を含む窒化物系薄膜を成長させることができる。したがって、発光素子とした場合の発光強度を強くしたり、発光スペクトルをシャープにしたり、素子の耐久性を増すことができる等の特長がある。」と記載されているとおり、甲２発明において、Ｇａ１−ｘＩｎｘＮ組成傾斜構造は該特長を得るために必須であるから、ＧａＮに置き替えることはできない。
　　　
　上記ア及びイの検討により、甲２発明は、本件発明１の＜相違点＞に係る構成を備えているとも、該構成を備えることを、当業者が周知技術に基づいて、容易に想到し得たとも認められない。
　よって、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明であるとも、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
３　本件発明４について
（１）　対比
　本件発明４と甲２発明とを対比する。
ア　甲２発明の「ＧａＩｎ系量子井戸構造の発光層」及び「発光素子」は、それぞれ、本件発明４の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
イ　甲２発明の「ｐ型ＧａＩｎＮ層」は、ｐ型ＧａＩｎＮからなり、かつ発光層に積層されているから「活性層」（発光層）に接して形成されている。　一方、本件発明４の「活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層」は、ｂ”＝０かつａ”≠０のときはｐ型ＧａＩｎＮからなり、かつ活性層の第２の面に接して形成されている。
　よって、甲２発明の「ｐ型ＧａＩｎＮ層」は、本件発明４の「活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層」に相当する。
　
　してみると、本件発明４と甲２発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の面に接して形成されている窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　本件発明４は、「活性層」の２つの面のうち「第１のｐ型クラッド層」が接する面である「活性層の第２の面」側に設けられた「ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層」を備えているのに対して、甲２発明は、「第１のｐ型クラッド層」（ｐ型ＧａＩｎＮ層）に、コンタクト層を介することなく直接第２の電極が積層されているので、「活性層」（発光層）の２つの面のうち「第１のｐ型クラッド層」（ｐ型ＧａＩｎＮ層）が接する面側に「ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層」を備えていない点。
　
（２）　判断
　＜相違点＞について検討する。
　請求人は、審判請求書７５ないし７８頁の「（３−２−４）相違点についての検討」において、甲第６、３、４号証の記載を引用して、「窒化ガリウム系化合物半導体におけるｐ型ＧａＮコンタクト層は周知慣用技術であったから、甲２発明のｐ型ＧａＩｎＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を付加することは、当業者にとって容易である。」と主張する。
　そこで、甲第６、３、４号証の記載を検討する。
ア　甲第６号証には次の記載及び図１がある。
「【００３４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る発光素子の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
１　・・・・・サファイア基板
２　・・・・・ＧａＮバッファ層
３　・・・・・ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
４　・・・・・ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層
５　・・・・・ｎ型ＩｎZＧａ1-ZＮ活性層
６　・・・・・ｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層
７　・・・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層
８、９　・・・電極」
　
　　
　よって、甲第６号証には、次の発明（以下「甲６発明」という。）が記載されていると認められる。
「サファイア基板１上に順にＧａＮバッファ層２、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層４、ｎ型ＩｎZＧａ1-ZＮ活性層５、ｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層６及びｐ型ＧａＮコンタクト層７が積層され、前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３には電極９が設けられ、前記ｐ型ＧａＮコンタクト層７には電極８が設けられた発光素子。」
　
　甲６発明のｐ型クラッド層はｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層６であり、その材料がＧａＡｌＮであるから、甲２発明のｐ型クラッド層である「ｐ型ＧａＩｎＮ層」に相当するものではない。
　　
イ　甲第３号証に記載された甲３発明を再掲する。
「狭い放射スペクトルで強い青色発光を得るための、薄いＩｎＧａＮ活性層を有する単一量子井戸構造青色ＬＥＤであって、
　３００Å厚のＧａＮバッファ層、ｎ電極に接する４μm厚のｎ型ＧａＮ層、１０００Å厚のｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7N層、単一量子井戸構造の障壁層である５００Å厚のｎ型Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層、単一量子井戸構造の井戸層である２０Å厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層、単一量子井戸構造の障壁層である１０００Å厚のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0．7Ｎ層、及びｐ電極に接する０．５μm厚のｐ型ＧａＮ層の順の積層構造を有し、
　井戸層と、該井戸層を挟む障壁層とからなる単一量子井戸構造の活性領域を有する、
単一量子井戸構造青色ＬＥＤ。」
　
　甲３発明のｐ型クラッド層に相当するのは「単一量子井戸構造の障壁層である１０００Å厚のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0．7Ｎ層」であり、その材料がＧａＡｌＮであるから、甲２発明のｐ型クラッド層である「ｐ型ＧａＩｎＮ層」に相当するものではない。
　　
ウ　甲第４号証には次の記載及び図１がある。
「【００１９】以上のようにして得られたウエハーのｐ型ＧａＮ層５と
多層膜層
オーミック電極
　
「【図面の簡単な説明】
【図１】　本発明の一実施例に係る発光素子の構造を示す模式断面図。
・・・
【符号の説明】
１  ・・・・・サファイア基板
２  ・・・・・ＧａＮバッファ層
３  ・・・・・ｎ型ＧａＮ層
４  ・・・・・Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層
４’・・・・・Ｉｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層
５  ・・・・・ｐ型ＧａＮ層」
　
　
　よって、甲第４号証には、次の発明（以下「甲４実施例発明」という。）が記載されていると認められる。
「サファイア基板１上に順にＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４とＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’からなる多層膜層、ｐ型ＧａＮ層５を積層し、前記ｐ型ＧａＮ層５にオーミック電極を設けた発光素子。」
　　
　甲４実施例発明のｐ型クラッド層は、多層膜層に接している「ｐ型ＧａＮ層５」であり、その材料がＧａＮであるから、甲２発明のｐ型クラッド層である「ｐ型ＧａＩｎＮ層」に相当するものではない。
　また、甲４実施例発明の「ｐ型ＧａＮ層５」は、オーミック電極が設けられているからｐ型クラッド層であるとともにｐ型コンタクト層でもあるので、甲４実施例発明は、ｐ型クラッド層とは別に「ｐ型ＧａＮコンタクト層」を備えたものではない。
　
　以上のことから、甲２発明において、ｐ型ＧａＩｎＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を付加して、本件発明４の＜相違点＞に係る構成を備えることは、当業者が、甲第６、３、４号証の記載に基づいて、容易に想到し得たこととは認められない。
　よって、本件発明４は、甲第２号証の記載及び甲第６、３、４号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。　
　
４　本件発明５について
 本件発明５は、本件発明４を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件発明４と同様に、甲第２号証の記載及び甲第６、３、４号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
５　本件発明７について
（１）　対比
　本件発明７と甲２発明とを対比する。
　甲２発明の「ＧａＩｎ系量子井戸構造の発光層」及び「発光素子」は、それぞれ、本件発明７の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
　甲２発明の「ｎ型ＧａＩｎＮ層」は、本件発明７の「『活性層の第１の面に接して形成されており』『活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層』」に相当する。
　
　甲２発明の「基板に接する面とは反対側の面で第１の電極が接する、基板上に直接形成されたＧａ１−ｘ−ｙＩｎｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層において順次ｘおよび／あるいはｙを変化せしめて最終的に組成Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）とするような組成傾斜構造ｎ型Ｇａ１−ａＩｎａＮ層２２」は、「活性層の第１の面側に設けられたｎ型コンタクト層」である点で、本件発明７の「活性層の第１の面側に設けられたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層」と共通している。
　
　本件発明７において、「第１のｎ型クラッド層」が「活性層」に接する面が「活性層の第１の面」であり、「第１のｐ型クラッド層」が「活性層」に接する面が「活性層の第２の面」である。
　一方、甲２発明は、ｎ型ＧａＩｎＮ層、前記発光層、ｐ型ＧａＩｎＮ層の順で積層されているから、甲２発明の「ｐ型ＧａＩｎＮ層」が「活性層」（発光層）に接する面は、「第１のｎ型クラッド層」（ｎ型ＧａＩｎＮ層）が「活性層」（発光層）に接する面とは反対側にある。
　よって、甲２発明の「ｐ型ＧａＩｎＮ層」は、本件発明７の「『活性層の第２の面に接して形成されている』『活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層』」に相当する。
　
　してみると、本件発明７と甲２発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有し、さらに量子井戸構造を有する活性層と、この活性層の第１の面側に設けられたｎ型コンタクト層との間に、該活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ’Ａｌｂ’Ｇａ１−ａ’−ｂ’Ｎ（０≦ｂ’＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層を備え、該第１のｎ型クラッド層が活性層の第１の面に接して形成されており、さらに前記活性層の第２の面側には、その活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎａ”Ａｌｂ”Ｇａ１−ａ”−ｂ”Ｎ（０≦ｂ”＜０．１）で表されるインジウムとガリウムとを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層を備え、その第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の面に接して形成されている窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　「ｎ型コンタクト層」が、本件発明７は「ｎ型ＧａＮよりなる」層であるのに対して、甲２発明は「Ｇａ１−ｘ−ｙＩｎｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層において順次ｘおよび／あるいはｙを変化せしめて最終的に組成Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）とするような組成傾斜構造」である点。
　
（２）　判断
　＜相違点＞について検討する。
ア　上記「３　本件発明１についての判断　（１）」で検討したとおり、甲２発明の「Ｇａ１−ｘ−ｙＩｎｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層において順次ｘおよび／あるいはｙを変化せしめて最終的に組成Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）とするような組成傾斜構造」の最下層のＧａＮ層は、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層に該当するとはいえない。
　
イ　上記「３　本件発明１についての判断　（２）」で検討したとおり、甲２発明の「Ｇａ１−ｘ−ｙＩｎｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層において順次ｘおよび／あるいはｙを変化せしめて最終的に組成Ｇａ１−ａ−ｂＩｎａＡｌｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）とするような組成傾斜構造」の直下にｎ型ＧａＮコンタクト層を付加するか該組成傾斜構造をｎ型ＧａＮコンタクト層に置換することは、当業者が、周知技術に基づいて、容易に想到し得たこととは認められない。
　
　上記ア及びイの検討により、甲２発明は、本件発明７の＜相違点＞に係る構成を備えているとも、該構成を備えることを、当業者が周知技術に基づいて、容易に想到し得たとも認められない。
　よって、本件発明７は、甲第２号証に記載された発明であるとも、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　　
６　本件発明８について
　本件発明８は、本件発明７を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件発明７と同様に、甲第２号証に記載された発明であるとも、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
７　まとめ
　以上のことから、本件発明１、４、５、７及び８は、甲第２号証に記載された発明であるとも、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
第１５　無効理由４についての当審の判断
１　甲第４号証の記載事項
　優先日前に頒布された刊行物である甲第４号証には次の（１）ないし（３）の記載が図とともにある。
（１）　「【請求項１】  ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するＩｎXＧａ1-XＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】  前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層はＧａYＡｌ1-YＮ（但し、Yは０＜Y≦１）よりなり、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層はＧａZＡｌ1-ZＮ（但し、Zは０＜Z≦１）よりなることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
（２）　「【０００６】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層には、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等、ノンドープ（無添加）の窒化ガリウム系化合物半導体、またはノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体に例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｅ等のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すように成長した層を用いることができる。特に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体は、その組成をインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体とするよりも、ＧａYＡｌ1-YＮ（但し、Yは０＜Y≦１）とした二元混晶、あるいは三元混晶の窒化ガリウムアルミニウムとする方が、結晶性に優れたｎ型結晶が得られるため発光出力が増大しさらに好ましい。
【０００７】また、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層には前記したノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体に、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ等のｐ型ドーパントをドープしてｐ型特性を示すように成長した層を用いることができる。このｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層も、特にその組成をインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体とするよりも、ＧａZＡｌ1-ZＮ（但し、Zは０＜Z≦１）とした二元混晶、あるいは三元混晶の窒化ガリウムアルミニウムとする方が、結晶性がよく、より低抵抗なｐ型結晶が得られやすくなるため好ましい。」
　
（３）　「【００１４】［実施例１］サファイア基板１を反応容器内に配置し、サファイア基板１のクリーニングを行った後、成長温度を５１０℃にセットし、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００１５】バッファ層２成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧとアンモニアガス、ドーパントガスにシランガスを用い、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層４を４μｍ成長させる。
【００１６】ｎ型ＧａＮ層４成長後、原料ガス、ドーパントガスを止め、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジウム）とアンモニアを用い、井戸層としてＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４を２０オングストローム成長させる。次に、ＴＭＩの流量を１／５に減らすことにより、障壁層としてＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’を２０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を繰り返し、各２０オングストロームの膜厚で第１にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４、第２にＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’、第３にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４、第４にＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’、第５にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４を交互に積層した総膜厚１００オングストロームの多層膜を成長する。
【００１７】次に、原料ガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、原料ガスとしてＴＭＧとアンモニア、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）とを用い、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮ層５を０．８μｍ成長させる。
【００１８】ｐ型ＧａＮ層５成長後、基板を反応容器から取り出し、アニーリング装置にて窒素雰囲気中、７００℃で２０分間アニーリングを行い、最上層のｐ型ＧａＮ層をさらに低抵抗化する。以上のようにして得られた発光素子の構造を示す断面図を図１に示す。」
　
（４）　上記（３）の【００１８】に「発光素子の構造を示す断面図」として参照する図１には、上記（３）にその製造過程が記載された、サファイア基板１、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４とＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’の多層膜層、ｐ型ＧａＮ層５の順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が示されている。
　これは、上記（１）の請求項１の発明で、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層をＧａＮにしたものに対応する。
　
（５）　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層として、上記（１）の請求項２にはＧａＡｌＮ、上記（２）には、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等を用いることの記載があるが、上記（２）には、その組成がＩｎを含むよりはＧａＡｌＮであることが望ましいとある。そして、甲第４号証に実施例として記載されているのは、上記（３）及び図１に記載されたＧａＮの例のみである。
　
２　甲４発明の認定
　甲第４号証には、上記１の記載（１）における請求項２の発明として、次の発明（以下「甲４発明」という。）が記載されていると認められる。
「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するＩｎXＧａ1-XＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲であり、前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層はＧａYＡｌ1-YＮ（但し、Yは０＜Y≦１）よりなり、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層はＧａZＡｌ1-ZＮ（但し、Zは０＜Z≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
３　本件発明１４について
（１）　対比
　本件発明１４と甲４発明とを対比する。
　甲４発明の「X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層が交互に積層された多層膜層の発光層」、「ＧａZＡｌ1-ZＮ（但し、Zは０＜Z≦１）よりなるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」及び「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、それぞれ、本件発明１４の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層」、「活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
　甲４発明の「ＧａYＡｌ1-YＮ（但し、Yは０＜Y≦１）よりなるｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」は、「活性層の第１の面に接するｎ型クラッド層」である点で、本件発明１４の「活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型Ｉｎｙ Ｇａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層」と共通している。
　
　してみると、本件発明１４と甲４発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、ｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　「ｎ型クラッド層」が、本件発明１４は「活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる」のに対して、甲４発明は「活性層よりもバンドギャップが大きい」か否か不明であり、かつ「ＧａYＡｌ1-YＮ（但し、Yは０＜Y≦１）よりなる」点。
　
（２）　判断
　＜相違点＞について検討する。
　請求人は、「甲第４号証の【０００６】には、明らかに、甲第４号証発明がＩｎＧａＮやＩｎＡｌＧａＮ等のＩｎを含む層を用いることができることが明示されている。【０００６】及び【０００７】には、さらに好ましい様態としてＧａＡｌＮ等が望ましいことが記載されてはいるが、Ｉｎを含む構成を除外するとの記載はない。」及び「新規性の判断は請求項の記載によるべき」と主張する（上記「第５　４　（２）」参照）。
　しかしながら、甲第４号証の請求項２に記載された本件発明１４の「ＧａYＡｌ1-YＮ（但し、Yは０＜Y≦１）よりなる」層は、形式的にＹ＝１としてもＧａＮであり、そもそもＩｎを含んでいない。そして、実施例として記載されているのはＧａＮのみである（上記「１」の（４）及び（５）参照。）。
　また、本件発明１４は、ｎ型クラッド層がＩｎを含みＡｌを含まないことで、結晶として柔らかい性質を有し、「クッションバッファ機能」を発揮するものである。 
　これに対し、甲第４号証には、本件発明１４のｎ型クラッド層が有する「クッションバッファ機能」をもたらすようにｎ型クラッド層にＩｎを含ませることの記載も示唆もない。
　よって、本件発明１４は、甲第４号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲４発明において、本件発明１４の＜相違点＞に係る構成を備えることが、甲第４号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明１４は、甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲４発明において、本件発明１４の＜相違点１＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
４　本件発明１５について
（１）　対比
　本件発明１５と甲４発明とを対比する。
　甲４発明の「X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層が交互に積層された多層膜層の発光層」、「ＧａYＡｌ1-YＮ（但し、Yは０＜Y≦１）よりなるｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」及び「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、それぞれ、本件発明１５の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層」、「活性層の第１の面に接して、ｎ型ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜ａ＜１）よりなるｎ型クラッド層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
　甲４発明の「ＧａZＡｌ1-ZＮ（但し、Zは０＜Z≦１）よりなるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」は、「活性層の第２の面に接するｐ型クラッド層」である点で、本件発明１５の「活性層の第２の面に接して、活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつｐ型ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる第１のｐ型クラッド層」と共通している。
　
　してみると、本件発明１５と甲４発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第２の面に接して、ｐ型クラッド層を備え、該活性層の第１の面に接して、ｎ型ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜ａ＜１）よりなるｎ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
　「ｐ型クラッド層」が、本件発明１５は「活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｐ型ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる」のに対して、甲４発明は「活性層よりもバンドギャップが大きい」か否か不明であり、かつ「ＧａZＡｌ1-ZＮ（但し、Zは０＜Z≦１）よりなる」点。
　
（２）　判断
　＜相違点＞について検討する。
　上記「４　本件発明１４についての判断」と同様に、本件発明１５は、甲第４号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲４発明において、本件発明１５の＜相違点＞に係る構成を備えることが、甲第４号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明１５は、甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲４発明において、本件発明１５の＜相違点１＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
５　本件発明１６について
　本件発明１６は、本件発明１４を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件発明１４と同様に、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
６　本件発明１７について
　請求項１ないし１３、１６を引用する請求項１７に記載された本件発明１７は、本件発明１６を引用し、さらに構成要件を付加したものを含むから、本件発明１６と同様に、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
７　本件発明１８について
　請求項１ないし１３、１６ないし１７を引用する請求項１８に記載された本件発明１８は、本件発明１６を引用し、さらに構成要件を付加したものを含むから、本件発明１６と同様に、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
８　まとめ
　以上のことから、本件発明１４ないし１８は、甲第４号証に記載された発明であるとも、甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
第１６　無効理由５についての当審の判断
１　甲第５号証の記載事項と甲５発明の認定
　優先日前に頒布された刊行物である甲第５号証には次の（１）及び（２）の記載がある。
（１）　「【請求項４】禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ’＝１　は含まない）から成る層を、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、前記層に対して禁制帯幅の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ≠ｘ’及び／又はｙ≠ｙ’）から成るｐ型導電性を示す層とｎ型導電性を示す層との２つの層で、両側から挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。」
　
（２）　甲第５号証の図１ないし図４には、ＧａＮ層４，１２，１９，２６を、ｎ型ＡｌＧａＮ層３，１１，１８，２５とｐ型ＡｌＧａＮ層５，１３，２０，２７で挟んだ構造の半導体レーザダイオードが記載されている。
　
（３）　上記（１）によれば、甲第５号証には、次の発明（以下「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。
「禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ’＝１　は含まない）から成る層を、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、前記層に対して禁制帯幅の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ≠ｘ’及び／又はｙ≠ｙ’）から成るｐ型導電性を示す層とｎ型導電性を示す層との２つの層で、両側から挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。」
　
（４）　甲第５号証の【００５６】に「【図面の簡単な説明】【図１】サファイア基板上に作製した本発明の具体的な一実施例に係る・・・【図２】Si基板上に作製した本発明の具体的な一実施例に係る・・・【図３】6H-SiC基板上に作製した本発明の具体的な一実施例に係る・・・【図４】GaN基板上に作製した本発明の具体的な一実施例に係る・・・」とあるとおり、甲第５号証の図１ないし図４には、甲５発明の実施例が記載されている。
　上記（１）によれば、この実施例では、甲５発明の「ｐ型導電性を示す層」、「ｎ型導電性を示す層」及び「ｐ型導電性を示す層」と「ｎ型導電性を示す層」で両側から挟まれる層は、それぞれ、「ｐ型ＡｌＧａＮ層」、「ｎ型ＡｌＧａＮ層」及び「ＧａＮ層」である。
　
２　本件発明１４について
（１）　対比
　本件発明１４と甲５発明とを対比する。
　甲５発明の「禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ’＝１　は含まない）から成る層」が発光層であることは明らかであり、本件発明１４の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層」に相当する。
　
　甲５発明において、「ｐ型導電性を示す層」及び「ｎ型導電性を示す層」が、ともにクラッド層として機能していることは明らかである。
　よって、甲５発明の「ｐ型導電性を示す層」は、本件発明１４の「活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層」に相当する。
　そして、甲５発明の「ｎ型導電性を示す層」は、「活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きいｎ型クラッド層」である点で、本件発明１４の「活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｎ型ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる第１のｎ型クラッド層」と共通している。
　
　してみると、本件発明１４と甲５発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第１の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きい第１のｎ型クラッド層を備え、該活性層の第２の面に接して、ｐ型ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１）よりなるｐ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
「第１のｎ型クラッド層」が、本件発明１４は「ｎ型ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなる」ものであってＩｎを含むのに対して、甲５発明はＩｎを含むか否か定かでない点。
　
（２）　判断
　＜相違点＞について検討する。
　甲５発明の「ｎ型クラッド層」（ｎ型導電性を示す層）は、「（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１」であり、この組成は、形式的には請求人の主張するとおりＩｎＧａＮを含み得るものの、実施例ではＡｌＧａＮである（上記「１　（４）」参照、）。また、甲第５号証には、ｎ型導電性を示す層を、本件発明のクラッド層の有する「クッションバッファ機能」を発揮するようにＩｎを含むものとすることの記載も示唆もない。
　よって、本件発明１４は、甲第５号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲５発明において、本件発明１４の＜相違点＞に係る構成を備えることが、甲第５号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明１４は、甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲５発明において、本件発明１４の＜相違点＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
３　本件発明１５について
（１）　対比
　本件発明１５と甲５発明を対比する。
　上記「２　発明１４と甲５発明の対比」と同様の検討により、甲５発明の「禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ’＝１　は含まない）から成る層」は、本件発明１５の「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層」に相当し、甲５発明の「ｎ型導電性を示す層」は、本件発明１５の「活性層の第１の面に接して、ｎ型ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜ａ＜１）よりなるｎ型クラッド層」に相当する。
　そして、甲５発明の「ｐ型導電性を示す層」は、「活性層の第２の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きいｐ型クラッド層」である点で、本件発明１５の「活性層の第２の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きく、かつｐ型ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる第１のｐ型クラッド層」と共通している。
　
　してみると、本件発明１５と甲５発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第１の面と第２の面とを有する活性層を有し、この活性層の第２の面に接して、活性層よりもバンドギャップが大きい第１のｐ型クラッド層を備え、該活性層の第１の面に接して、ｎ型ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜ａ＜１）よりなるｎ型クラッド層を備える窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点＞
「第１のｐ型クラッド層」が、本件発明１５は「ｎ型ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる」ものであってＩｎを含むのに対して、甲５発明はＩｎを含むか否か定かでない点。
　
（２）　判断
　＜相違点＞について検討する。
　上記「２　本件発明１４について」と同様の理由により、甲５発明は、本件発明１５の＜相違点＞に係る構成を備えたものとは認められない。
　よって、本件発明１５は、甲第５号証に記載された発明であるとは認められない。
　また、甲５発明において、本件発明１５の＜相違点＞に係る構成を備えることが、甲第５号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得たと解すべき理由は見当たらない。よって、本件発明１５は、甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。そして、各甲号証を通じてみても、甲５発明において、本件発明１５の＜相違点＞に係る構成について、当業者が、容易に想到し得たと認めるに足る根拠は見出せない。
　
４　まとめ
　以上のことから、本件発明１４及び１５は、甲第５号証に記載された発明であるとも、甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
 　 
第１７　むすび 
　以上のとおり、本件発明１、３、１６及び１７は、本願出願前に頒布された甲第３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきものであり、本件発明１８は、本願出願前に頒布された甲第３号証に記載された発明及び本願出願前に頒布された甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきものである。
 　
　また、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件発明２、４、５、７、８、１４、１５に係る特許を無効とすることはできない。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６４条の規定により、その１２分の７を請求人の負担とし、１２分の５を被請求人の負担とする。 
　
　よって、結論のとおり審決する。