【事件の表示】
　特願２００７−　６４３７７「無線通信によりデータの交信を行う半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月２５日出願公開、特開２００７−２８０３７２、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１９年３月１４日（優先権主張平成１８年３月１５日）の出願であって、平成２２年１月２０日に手続補正書が提出され、平成２４年４月６日付けで拒絶理由が通知され、同年５月２４日に意見書と手続補正書が提出され、同年９月１３日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年９月２１日に意見書と手続補正書が提出されたが、平成２５年１月３０日付けで、前記平成２４年９月２１日に提出された手続補正書でした補正が却下されるとともに、拒絶査定がされ、これに対し、平成２５年２月１３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同時に手続補正書が提出されたものである。
　そして、当審において、同年５月９日付けで審査官により作成された前置報告書について、同年８月１３日付けで審尋を行ったところ、審判請求人から同年９月２日に回答書が提出され、同年１１月６日及び８日に電話応対を行い、同年１１月１１日付けで拒絶理由を通知し、同年１１月１８日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１−３に係る発明は，平成２５年１１月１８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載されている事項により特定されるとおりのものと認められるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　第１のシート材と、
　第２のシート材と、
　複数のトランジスタを有する素子形成層と、を有し、
　前記素子形成層は、基板上に形成され、前記第１のシート材を貼り合わせた後、前記基板から剥離され、前記素子形成層の他方の面である、前記剥離により露出した面に、前記第２のシート材を貼り合わせたものであり、
　前記トランジスタは、第１の導電層と、半導体層と、第２の導電層と、を有し、
　前記半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられ、
　前記第１の導電層は、第１の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なり、
　前記第２の導電層は、第２の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なる、前記トランジスタのゲート電極であり、
　前記半導体層全体が前記第１の導電層と重なることを特徴とする、無線通信によりデータの交信を行う半導体装置。」　
　
第３　原査定の理由の概要
　　　　　　　　　　＜＜＜＜　　最　　後　　＞＞＞＞
　
　この出願は、次の理由によって拒絶をすべきものです。これについて意見がありましたら、この通知書の発送の日から６０日以内に意見書を提出してください。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　理　由
　
１．この出願の請求項１、４に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
２．この出願の請求項１〜１０に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
(1) 請求項１に係る発明について：引用文献３
　引用文献３には、第１のシート（引用文献３における記載上では第２のシート材）と、第２のシート（同じく第３のシート材）と、複数のトランジスタを有する素子形成層（薄膜トランジスタ形成層）とを有してなり、前記素子形成層は、基板上に形成され、前記基板から剥離された後、前記第１のシートと前記第２のシートの間に配置されたものであり、前記トランジスタは、第１の導電層（下部電極）と、半導体層（半導体膜）と、第２の導電層（ゲート電極）とを有し、前記半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられ、前記第１の導電層は、第１の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なり、前記第２の導電層は、第２の絶縁層（ゲート絶縁膜）を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なるように構成されてなる半導体装置が記載されている。（なお、上記第２の導電層（下部電極）については、特に段落【０１０３】〜【０１０９】を参照。）
　すなわち、本願請求項１に係る発明は、引用文献３に記載された発明に比して相違点を有していない。
　
(2) 請求項２、３に係る発明について：引用文献３
　引用文献３（段落【０１０６】〜【０１０８】参照）には、上記第１の導電層（下部電極）を設けることによる作用効果が記載されているものの、上記第１の導電層（下部電極）を、上記半導体層（半導体膜）よりも大きくするか、それとも小さくするかについては、特に記載はないが、上記第１の導電層（下部電極）の大きさをどのように設定するかは、当業者が必要に応じて適宜決定できる設計的事項にすぎないので、本願請求項２、３に係る発明を構成することには、格別な困難性は認められない。
　
(3) 請求項４に係る発明について：引用文献３
　引用文献３（図１４を参照）に記載された発明においては、上記半導体層（半導体膜）は、上記第１の絶縁層の上に設けられており、前記第１の絶縁層の上面は、平坦となっている。
　従って、本願請求項４に係る発明は、引用文献３に記載された発明に比して相違点を有していない。
　
(4) 請求項５、６に係る発明について：引用文献１〜３
　引用文献３（段落【０１１０】〜【０１１８】を参照）に記載された上記半導体装置は、信号処理回路に記憶されたデータを送信する機能を有するアンテナを備えているものの、バッテリ、及びバッテリを充電するための信号を受信する機能を有する第２のアンテナを備えていない。
　しかしながら、無線タグ（非接触ＩＣカード）の利用分野においては、たとえば引用文献１、２に示されるように、信号処理回路と、前記信号処理回路に記憶されたデータを送信する機能を有する第１のアンテナ（データ送受アンテナ、通信用アンテナコイル）と、バッテリ（二次電池）と、前記バッテリを充電するための信号を受信する機能を有する第２のアンテナ（充電用アンテナ）とを設けるようにすることは、周知技術にすぎないので、本願請求項５に係る発明を構成することには、格別な困難性は認められない。（請求項５）
　
　また、引用文献１（特に図１及びその説明箇所を参照）に示される無線タグ（非接触ＩＣカード）は、上記第２のアンテナ回路（充電用アンテナ）として、互いに異なる波長（周波数）を受信する複数個のアンテナを有している。そしてその場合に、上記複数個のアンテナとして、それぞれどのような種別の周知（既存）のアンテナを用いて、どのように配置するかというようなことは、当業者が必要に応じて適宜決定できる設計的事項にすぎず、無線タグ利用分野においても、パッチアンテナ（マイクロストリップアンテナ）や折り返しダイポールアンテナは、周知（既存）の種別のアンテナであるので、本願請求項６に係る発明を構成することには、格別な困難性は認められない。（請求項６）
　
(5) 請求項７、８に係る発明について：引用文献１〜４
　たとえば引用文献４（特に段落【０１０４】、【０１０９】を参照）に示されるように、アンテナを構成する配線層と半導体素子を構成する電極膜とを、同じ導電膜の加工によって形成するようにすることは、周知技術にすぎないので、本願請求項７、８に係る発明を構成することには、格別な困難性は認められない。
　
(6) 請求項９に係る発明について：引用文献１〜５
　たとえば引用文献５（段落【００３９】を参照）に示されるように、化合物半導体を含む半導体層（半導体膜）を用いることは、周知技術にすぎないので、本願請求項９に係る発明を構成することには、格別な困難性は認められない。
　
(7) 請求項１０に係る発明について：引用文献１〜５
　半導体層（半導体膜）が、周知（既存）の半導体用材料のうち、どのような材料を含むようにするかは、当業者が必要に応じて適宜決定できる設計的事項にすぎないので、本願請求項１０に係る発明を構成することには、格別な困難性は認められない。
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
　
1. 特開２００３−０７０１８７号公報（前回引用済）
2. 特開２００３−６５９２号公報（前回引用済）
3. 特開２００６−６６８９９号公報（今回新たに引用）
4. 特開２００５−２２８３０４号公報（今回新たに引用）
5. 特開２００６−４９８５９号公報（今回新たに引用）
　
第４　審尋で通知した理由の概要
　この審判請求に係る出願については、下記の通り報告します。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
・根拠条文　第２９条第２項
・請求項　１〜３
・引用文献等　引用文献１〜４
・特許査定できない理由
　
　平成２５年　２月１３日付けの手続補正書による請求項１〜３についての補正は、限定的減縮を目的としたものと認められる。（なお、上記補正後の請求項１に係る発明は、平成２４年　９月２１日付けで手続補正され、平成２５年　１月３０日付けで補正却下された請求項１に係る発明と同じものである。）
　しかるに、補正後の請求項１〜３に係る発明は、下記理由により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　引用文献１には、第１のシート（引用文献１における記載上では第２のシート材）と、第２のシート（同じく第３のシート材）と、複数のトランジスタを有する素子形成層（薄膜トランジスタ形成層）とを有してなり、前記素子形成層は、基板上に形成され、前記基板から剥離された後、前記第１のシートと前記第２のシートの間に配置されたものであり、前記トランジスタは、第１の導電層（下部電極）と、半導体層（半導体膜）と、第２の導電層（ゲート電極）とを有し、前記半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられ、前記第１の導電層は、第１の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なり、前記第２の導電層は、第２の絶縁層（ゲート絶縁膜）を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なるように構成されてなる半導体装置が記載されている。（なお、上記第１の導電層すなわち下部電極については、特に段落【０１０３】〜【０１０９】を参照。）
　
　従って、本願の補正された請求項１に係る発明においては、「前記半導体層全体が前記第１の導電層と重なる」旨が特定されているのに対して、引用文献１に記載された発明においては、「前記半導体層」の大半は「前記第１の導電層と重なる」ように構成されているものの、「前記半導体層」の「全体」が「前記第１の導電層と重なる」ようには構成されていないという点で（すなわち第１の導電層のサイズにおいて）、上記両者は相違している。
　そして、出願人は、審判請求の理由として、本願発明によれば、上記の如く、「前記半導体層全体が前記第１の導電層と重なる」ように構成することにより、「”曲げによるトランジスタの破損”を抑制して、強度及び信頼性を高めることができ」るという独自の効果が実現され、この効果は、引用文献からは、容易に想到し得ないものである旨を主張している。
　
　しかるに、引用文献４（たとえば段落【００２１】や【００３０】を参照）に示されるように、機械的強度の弱い半導体集積回路の補強を図るようにすることは、半導体の利用分野における周知の一般的課題であるので、当業者であれば、引用文献１に記載された発明における、上記第１の導電層（下部電極）の上記半導体層（半導体膜）に対する位置関係から、上記第１の導電層（下部電極）の上記半導体層（半導体膜）に対する補強効果に着目することは、容易なことと認められる。しかも、引用文献２（特に段落【００１４】〜【００２０】、図１〜３を参照）には、第１の導電層（下部電極）を半導体層よりも大きいサイズとした構成、すなわち「下部電極１２〜１５」を「半導体層を覆う形状」のものとした構成が示されている旨を鑑みると、引用文献１に記載された発明において、上記第１の導電層（下部電極）に、引用文献２に示される第１の導電層（下部電極）の上記構成（サイズ）を適用することで、本願の補正された請求項１に係る発明を構成し、以て本願発明の場合と同様な半導体層に対する補強効果が得られるようにすることには、格別な困難性は認められない。
　
　なお、請求項２、３に係る発明については、平成２４年　９月１３日付けの拒絶理由通知書を参照されたい。
　
　以上のように、補正された本願請求項１〜３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けられないものである。
　
　よって、上記補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
　
1. 特開２００６−６６８９９号公報（引用済）
2. 特開２００４−１４０１２３号公報（引用済）
3. 特開２００６−４９８５９号公報（引用済）
4. 特開２００６−６６９０６号公報（今回新たに引用）
　
第５　当審の判断
１　引用例とその記載事項、及び、引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用され、または、審尋で通知した、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の引用例１−３には、図面とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開２００６−６６８９９号公報
（１ａ）「【００７３】
（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の
ＩＣチップの作製方法
【００７４】
　まず、
基板１００上に、剥離層１０１を形成する
なお、シリコン基板を用いるときは、剥離層１０１は設けなくてもよい
【００７５】
　剥離層１０１は、珪素を含む層をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等によって形成する。珪素を含む層とは、珪素を含む非晶質半導体膜、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体膜、結晶性半導体膜等に相当する。また、他にも、剥離層１０１として金属を含む膜で形成してもよい。この場合、金属膜の表面に金属酸化物を形成すると好ましい。例えば、金属膜と金属酸化物としては、ＷとＷＯｘ、ＭｏとＭｏＯｘ、ＮｂとＮｂＯｘ、ＴｉとＴｉＯｘ（ｘ＝２、３）等を形成することができる。また、ここでは剥離層１０１を全面に形成しているが、選択的に形成してもよい。
【００７６】
　なお、本実施の形態では基板１００上に直に剥離層１０１を形成しているが、基板１００と剥離層１０１の間に下地膜を形成してもよい。下地膜は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。特に、基板からの汚染等が懸念される場合には、基板１００と剥離層１０１間に下地膜を形成するのが好ましい。
【００７７】
　次に、
剥離層１０１上に、下地用の絶縁膜１０２を形成する
　【００７８】
　次に、
絶縁膜１０２上に素子群１０３を形成する。素子群１０３は、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等を１つまたは複数形成する
【００７９】
　次に、
素子群１０３を覆うように、絶縁膜１０４を形成し、当該絶縁膜１０４上に、絶縁膜１０５を形成する。続いて、絶縁膜１０５上に、アンテナとして機能する導電層１０６を形成する。その後、導電層１０６上に、保護膜として機能する絶縁膜１０７を形成する。上記の工程を経て、素子群１０３と、導電層１０６とを含む薄膜集積回路１０８が完成する
【００８０】
　絶縁膜１０４、１０５、１０７は、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜や酸化窒化珪素、またはＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）法により塗布された酸化シリコン膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、アクリル膜と酸化窒化シリコン膜の積層構造を用いても良い。
【００８１】
　また、絶縁膜１０４、１０５、１０７は、シロキサン樹脂等のシロキサン材料で形成することができる。シロキサン材料は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【００８２】
　シロキサン材料は、その構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。また、Ｓｉ−Ｎ結合を有するポリマー（ポリシラザン）を含む材料で層間絶縁膜を形成してもよい。
【００８３】
　次に、
薄膜集積回路１０８間に、剥離層１０１が露出するように、開口部１１１、１１２を形成する
【００８４】
　続いて、
剥離層１０１を除去するエッチング剤を開口部１１１、１１２に導入し、剥離層１０１を徐々に後退させて、剥離層１０１の一部１１３〜１１５を除いて除去する
【００８５】
　なお、上述したように、本工程では、剥離層１０１を完全に除去せずに、薄膜集積回路１０８の下方に位置する剥離層の一部１１３〜１１５を残存させる。そのため、薄膜集積回路１０８が飛散してバラバラになることを防ぐことができ、剥離後も剥離前の配列を保つことができる。ただし、
薄膜集積回路１０８が飛散する恐れがない場合には、剥離層１０１を完全に除去した後に剥離を行ってもよい
【００８６】
　次に、
薄膜集積回路１０８の一方の面を第１のシート材１１６に接着させる。そうすると、基板１００から、薄膜集積回路１０８が剥離される
【００８７】
　次に、
薄膜集積回路１０８の他方の面を第２のシート材１１７に接着させて、第１のシート材１１６から薄膜集積回路１０８を剥離する
【００８８】
　次に、
薄膜集積回路１０８の第２のシート材１１７に接着している面とは反対側の面に第３のシート材１１８を接着させると共に、薄膜集積回路１０８を第２のシート材１１７と第３のシート材１１８により封止する（図８（Ｃ））。そうすると、薄膜集積回路１０８は第２のシート材１１７と第３のシート材１１８により封止された状態となる
【００８９】
　また、第２のシート材１１７、第３のシート材１１８として、静電気等を防止する帯電防止対策を施したフィルム（以下、帯電防止フィルムと記す）を用いることもできる。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。さらに、片面に帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、帯電防止可能な材料が設けられた面をフィルムの内側になるように層に貼り付けてもよいし、フィルムの外側になるように貼り付けてもよい。なお、帯電防止可能な材料はフィルムの全面、あるいは一部に設けてあればよい。ここでの帯電防止可能な材料としては、金属、インジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）、両性界面活性剤や陽イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤等の界面活性剤を用いることができる。また、他にも帯電防止材料として、側鎖にカルボキシル基および４級アンモニウム塩基をもつ架橋性共重合体高分子を含む樹脂材料等を用いることができる。これらの材料をフィルムに貼り付けたり、練り込んだり、塗布したりすることによって帯電防止フィルムとすることができる。帯電防止フィルムで薄膜集積回路の封止を行うことによって、商品として取り扱う際に、外部からの静電気等によって薄膜集積回路に悪影響が及ぶことを抑制することができる。
【００９０】
　続いて、
薄膜集積回路１０８間の第２のシート材１１７と第３のシート材１１８を選択的にダイシング、スクライビングまたはレーザカット法により切断する。そうすると、封止されたＩＣチップが完成する
　
（１ｂ）「【実施例２】
【０１０３】
　本実施例では、上記実施例１とは異なるＴＦＴ層１０２の構成に関して図１４を用いて説明する。
【０１０４】
　図１４は、図７に示した素子構造１０３の構造に、下部電極を加えた構造である。つまり、図１４に示すように
半導体膜３１１のチャネル領域が絶縁膜を介して下部電極５１３とゲート電極２１４の間に挟まれている構造５１９となっている
【０１０５】
　下部電極５１３は、金属または一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌなどを用いることができる。また、下地絶縁膜として機能する窒化珪素膜５１４、酸化窒化珪素膜５１５が設けてあるが、この材料や積層順に限定されるものではない。
【０１０６】
　このように、ＴＦＴ層１０２の構造として下部電極を有するＴＦＴを用いても良い。
一般に、ＴＦＴのサイズが小さくなり、回路を動作させるクロック周波数が向上すると、集積回路の消費電力が増加する。従って、消費電力の増加を抑止するために、下部電極にバイアス電圧を印加する方法が有効である。このバイアス電圧を変化させることで、ＴＦＴのしきい値電圧を変化させることができる
【０１０７】
　
ｎチャネル型ＴＦＴの下部電極に対して負のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を高めリークを減少させる。一方、正のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を下げ、チャネルに電流が流れやすくなり、ＴＦＴはより高速化、若しくは低電圧で動作する。また、ｐチャネル型ＴＦＴの下部電極に対して正のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を高めリークを減少させる。一方、負のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を下げ、チャネルに電流が流れやすくなり、ＴＦＴはより高速化、若しくは低電圧で動作する。このように下部電極に印加するバイアス電圧を制御することで、集積回路の特性を大きく向上させることができる
【０１０８】
　このバイアス電圧を使って、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧をバランスさせることで集積回路の特性を改善することができる。このとき、消費電力を低減するために、電源電圧と下部電極に印加するバイアス電圧との両方を制御しても良い。また、回路がスタンバイモードの時は、大きく逆方向のバイアス電圧を与え、動作時についても負荷の小さいときは弱い逆方向バイアス、負荷の大きいときには、弱い順バイアス電圧を印加する。バイアス電圧の印加は制御回路を設けて、回路の動作状態若しくは負荷の状態により切り替え可能とすれば良い。このような手法で、消費電力やＴＦＴの性能をコントローラーすることで、回路の性能を最大に発揮させることができる。
【０１０９】
　なお、
本実施例は上記実施の形態および実施例と自由に組み合わせて行うことができる
　
（１ｃ）「【０１１７】
　このように
アンテナを有するＩＣチップは
外部情報とのやり取りが可能
　
（１ｄ）図１４は、引用例１に記載された発明のＩＣチップの断面を示す図であって、上記摘記（１ｂ）の記載を参酌すれば、同図から、半導体膜３１１のチャネル領域が絶縁膜を介して、前記半導体膜３１１よりも小さい下部電極５１３と、ゲート電極２１４の間に挟まれている構造を読み取ることができる。
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ｂ）の「【０１０９】なお、本実施例は上記実施の形態および実施例と自由に組み合わせて行うことができる。」との記載に照らして、引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｄ）を総合勘案すれば、引用例１には、（実施の形態４）と【実施例２】とを組み合わせた以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「（ａ）基板１００上に、剥離層１０１を形成する工程と、
（ｂ）前記剥離層１０１上に、下地用の絶縁膜１０２を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜１０２上に素子群１０３を形成する工程であって、前記素子群１０３は、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等を１つまたは複数形成するものである工程と、
（ｄ）前記素子群１０３を覆うように、絶縁膜１０４を形成し、当該絶縁膜１０４上に、絶縁膜１０５を形成し、続いて、前記絶縁膜１０５上に、アンテナとして機能する導電層１０６を形成し、その後、導電層１０６上に、保護膜として機能する絶縁膜１０７を形成して、素子群１０３と、導電層１０６とを含む薄膜集積回路１０８を完成させる工程と、
（ｅ）前記薄膜集積回路１０８間に、前記剥離層１０１が露出するように、開口部１１１、１１２を形成する工程と、
（ｆ）前記剥離層１０１を除去するエッチング剤を開口部１１１、１１２に導入し、前記剥離層１０１を徐々に後退させて、前記剥離層１０１の一部１１３〜１１５を除いて除去する工程と、
（ｇ）前記薄膜集積回路１０８の一方の面を第１のシート材１１６に接着させ、前記基板１００から、前記薄膜集積回路１０８を剥離する工程と、
（ｈ）前記薄膜集積回路１０８の他方の面を第２のシート材１１７に接着させて、前記第１のシート材１１６から前記薄膜集積回路１０８を剥離する工程と、
（ｉ）前記薄膜集積回路１０８の前記第２のシート材１１７に接着している面とは反対側の面に第３のシート材１１８を接着させると共に、前記薄膜集積回路１０８を前記第２のシート材１１７と前記第３のシート材１１８により封止して、前記薄膜集積回路１０８を前記第２のシート材１１７と前記第３のシート材１１８により封止した状態とする工程と、
（ｊ）前記薄膜集積回路１０８間の前記第２のシート材１１７と前記第３のシート材１１８を選択的にダイシング、スクライビングまたはレーザカット法により切断して封止されたＩＣチップを完成させる工程を含む、
ＩＣチップの作製方法によって作製されたＩＣチップであって、
　前記素子群１０３に形成される薄膜トランジスタは、半導体膜３１１のチャネル領域が絶縁膜を介して、前記半導体膜３１１よりも小さい下部電極５１３と、ゲート電極２１４の間に挟まれている構造５１９を備えたものである、
　ＩＣチップ。」
　
ウ　引用例２：特開２００４−１４０１２３号公報
（２ａ）「【０００２】
【従来の技術】
　近年、
液晶表示装置や発光装置などの表示装置
　
（２ｂ）「【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
　本発明の実施の形態について、図１〜３を用いて説明する。ここでは、
本発明の薄膜トランジスタの作製方法を用いて、ＣＭＯＳ回路で構成される駆動回路と、Ｎチャネル型ＴＦＴ（スイッチング用）及びＰチャネル型ＴＦＴ（駆動用）を有する画素部とを同一基板上に形成する作製工程
【００１５】
　
基板１０は、石英基板、シリコン基板、金属基板、ステンレス基板、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板等を用いる（図２（Ａ））。本形態ではガラス基板１０を用いた
【００１６】
　次に、
基板１０上に
下地膜１１を１００〜５００nmの厚さに形成
【００１７】
　
下地膜１１上に
下部電極１２〜１５を５０〜５００nmの厚さに形成する
この下部電極１２〜１５は、後に形成される半導体層を覆う形状となる
下部電極１２〜１５を設けることにより、後に形成される半導体層に入射される光を遮断するため、リーク電流の発生を抑制する効果が得られる。またリーク電流の発生を抑制することで、クロストークの発生も抑制することができる
【００１８】
　そして、
下部電極１２〜１５を覆うように、絶縁膜から成る下地膜１６を形成
【００１９】
　続いて、
下地膜１６上に半導体層１８〜２１を形成
【００２０】
　本形態では、プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚５０nmの非晶質珪素膜を成膜した。その後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させ、この非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行って結晶質珪素膜を形成した。その後、フォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって半導体層１８〜２１を形成した。
【００２１】
　なお、レーザ結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合のレーザは、連続発振またはパルス発振の気体レーザ又は固体レーザを用いれば良い。前者の気体レーザとしては、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられ、後者の固体レーザとしては、Ｃｒ、Ｎｄ等がドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ4等の結晶を使ったレーザ等が挙げられる。なお非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２〜第４高調波を適用するのが好ましい。上記レーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザビームを光学系で線状に集光して、半導体膜に照射すると良い。結晶化の条件は適宜設定されるが、エキシマレーザを用いる場合はパルス発振周波数３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜７００mJ/cm2（好ましくは２００〜３００mJ/cm2）とすると良い。またＹＡＧレーザを用いる場合には、その第２高調波を用いてパルス発振周波数１〜３００Hzとし、レーザーエネルギー密度を３００〜１０００mJ/cm2（好ましくは３５０〜５００mJ/cm2）とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ（好ましくは幅４００μｍ）で線状に集光したレーザ光を基板全面に渡って照射し、このときの線状ビームの重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９８％として行っても良い。
【００２２】
　但し、本形態では、結晶化を助長する金属元素を用いて非晶質珪素膜の結晶化を行ったため、前記金属元素が結晶質珪素膜中に残留している。そのため、前記結晶質珪素膜上に５０〜１００nmの非晶質珪素膜を形成し、加熱処理（ＲＴＡ法、ファーネスアニール炉を用いた熱アニール等）を行って、該非晶質珪素膜中に前記金属元素を拡散させ、前記非晶質珪素膜は加熱処理後にエッチングを行って除去する。その結果、前記結晶質珪素膜中の金属元素の含有量を低減または除去することができる。また半導体層１８〜２１を形成後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピング（チャネルドーピング）を行ってもよい。
【００２３】
　次いで、
半導体層１８〜２１を覆うゲート絶縁膜２２を形成
　本発明では、このようにゲート絶縁膜２２をスパッタリング法により作製する。スパッタ装置はAr等の不活性ガスを使用しており、その構成が簡単であるため、プラズマＣＶＤ法（ＣＶＤ装置）を用いる場合と比較して、装置の維持に労力がかからない。
　また、絶縁耐圧を向上させるためには、一般的にゲート絶縁膜を厚く形成することが好ましい。一方、半導体とゲート電極の間の容量は、ゲート絶縁膜に採用する薄膜の誘電率とその膜厚に依存する。つまり、ゲート絶縁膜の厚さは、絶縁耐圧と容量の兼ね合いから設定される。そこで本発明は、所望の絶縁耐圧が得られる程度にゲート絶縁膜を厚く形成する。さらに本発明は、ＴＦＴを構成する半導体とゲート電極の間の容量を減りにくくするために、誘電率において、酸化珪素膜（SiO2、約３．５）よりも高い窒化珪素膜（SiN、約７．５）を酸化珪素膜の上層に積層して形成する。そうすると、絶縁耐圧を向上させ、且つ容量を充分なものとすることができる。
　つまり、酸化珪素膜の誘電率は約３.８に対し、窒化珪素膜の誘電率は約７．５であるので、酸化珪素膜で形成するゲート絶縁膜に窒化珪素膜を含有させることで、実質的にはゲート絶縁膜の薄膜化を図るのと同等の効果を得ることができる。また、ゲートリークを低減することが可能となり、スケーリング則に基づいた素子の微細化に対し、有利な効果を得ることができる。さらに、緻密な窒化珪素膜をゲート絶縁膜の構成部材として用いることにより、外部から侵入する不純物を素子する保護膜として機能させることができ、ゲート絶縁膜と半導体との間で清浄な界面を形成することができる。すなわち、水素を含有せず、熱処理により固定電荷を含まない緻密なゲート絶縁膜を形成することが可能であることは、トランジスタの特性安定化に寄与する。
【００２４】
　なおゲート絶縁膜２２は２層構造に限らず、３層以上の構造にしてもよいし、また酸化珪素膜、窒化珪素膜以外の材料を用いて構成してもよいが、各々の層に用いる薄膜の誘電率を考慮して、ＴＦＴとして所望の容量が得られるように設定する。
【００２５】
　そして、
ゲート絶縁膜２２上に膜厚２０〜１００nmの第１の導電膜２３と、膜厚１００〜４００nmの第２の導電膜２４とを積層形成
　なお、
ゲート電極として使用
　
　・・・＜途中省略＞・・・
　
【００４０】
　そして、
絶縁膜からなる第１の層間絶縁膜４９を形成
【００４１】
　
第１の層間絶縁膜４９上に、第２の層間絶縁膜５０を形成
【００４２】
　次に、
第２の層間絶縁膜５０上に、第３の層間絶縁膜５１を形成
【００４３】
　第１乃至第３層間絶縁膜４９〜５１を設けることにより、酸素や空気中の水分をはじめ各種イオン性の不純物の侵入を阻止するブロッキング作用を得ることができる。
【００４４】
　そして、ドライエッチング又はウエットエッチングを用い、コンタクトホールを形成する（図１（Ａ））。本形態では、
第１乃至第３の層間絶縁膜４９〜５１及びゲート絶縁膜２２をエッチングし、第３の不純物領域４１、４２、第４の不純物領域４５、４６に達するコンタクトホールを形成
【００４５】
　次いで、
各不純物領域と電気的に接続される配線５２〜５９を形成
【００４６】
　以上の工程により、Ｎチャネル型ＴＦＴ５９とＰチャネル型ＴＦＴ６０からなるＣＭＯＳ回路を有する駆動回路部と、Ｎチャネル型ＴＦＴ（スイッチング用ＴＦＴ）６１と、Ｐチャネル型ＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ）６２とを有する画素部を同一基板上に形成することができる。」
　
エ　引用例３：特開２００６−６６９０６号公報
（３ａ）「【請求項１】
　基板上に金属を含む剥離層を形成し、
　前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
　前記複数の
薄膜集積回路の上面
樹脂膜で覆い
　エッチング剤を用いることにより、前記剥離層を除去し、
　前記基板と前記複数の薄膜集積回路とを剥離することを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。」
　
（３ｂ）「【００１４】
　なお、本発明の薄膜集積回路は、どのような構成でもよく、例えばＬＳＩ（ｌａｒｇｅ　ｓｃａｌｅ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｕｎｉｔ）、メモリまたはマイクロプロセッサ等のありとあらゆる集積回路がその範疇に含まれる。特に
本発明の剥離方法用いて形成することができる薄膜集積回路の１つに、ＩＣチップがある
ＩＣチップは、無線でデータの送受信が可能な半導体装置
　
（３ｃ）「【００２１】
　また、
基板から薄膜集積回路を剥離した後に、薄膜集積回路が応力等によりその形状が歪む場合がある
剥離後の薄膜集積回路の形状を保持するために、剥離を行う前にあらかじめ薄膜集積回路に保護膜を形成しておく
保護膜を形成して薄膜集積回路を補強しておくことにより、物理的に剥離を行う際にも薄膜集積回路が応力等により損傷したり破壊されたりすることを防止することができる
　
（３ｄ）「【００２３】
　以下に、基板と当該基板に形成された薄膜集積回路の剥離方法および半導体装置の作製方法に関して図面を用いて具体的に説明を行っていく。
【００２４】
（実施の形態１）
　本実施の形態では、基板と当該基板上に設けられた薄膜集積回路を分離する方法について説明する。ここでは、基板上に集積回路を複数設け、その後基板から当該複数の集積回路の分離を行う場合に関して図面を参照して説明する。
【００２５】
　まず、図１（Ａ）に示すように、
基板１００を用意し、基板１００上に剥離層１０１を設ける
【００２６】
　剥離層１０１としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）などの金属、または珪素等を含んだ膜で形成する。珪素を含む膜の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。本実施の形態では、剥離層１０１としてＷを含んだ金属膜を用いる。なお、Ｗの形成方法はＣＶＤ法、スパッタ法または電子ビーム等によって形成することができ、ここではスパッタ法を用いて形成する。また、後の工程において物理的に基板と薄膜集積回路との剥離を行う場合には、金属（例えばＷ）または珪素を含む膜上に酸化物（例えばＷＯx）を形成してもよい。Ｗの他にも、金属膜と金属酸化膜の組み合わせとして、ＭｏとＭｏＯｘ、ＮｂとＮｂＯｘまたはＴｉとＴｉＯｘ等（Ｘ＝２〜３）を用いることができる。
【００２７】
　なお、図１では、基板１００上に直に剥離層１０１を形成しているが、基板１００と剥離層１０１の間に下地膜を形成してもよい。下地膜は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。特に、基板からの汚染が懸念される場合には、基板１００と剥離層１０１間に下地膜を形成するのが好ましい。
【００２８】
　次に、
剥離層１０１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で形成された集積回路を有する層１０２（以下、ＴＦＴ層１０２と記す）を形成する
【００２９】
　なお、ＴＦＴ層１０２に含まれる半導体膜は、膜厚が０．２μｍ以下、代表的には４０ｎｍ〜１７０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さとする。このように非常に薄い半導体膜を用いるため、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、集積回路の薄膜化を達成することができる。
【００３０】
　次に、
ＴＦＴ層１０２上に保護膜１０３を形成する
【００３１】
　
保護膜１０３としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂等の樹脂材料を用いることができる
保護膜１０３は、スクリーン印刷法や液滴吐出法によって形成することができる
【００３２】
　また、図１において、
保護膜１０３をＴＦＴ層１０２の上面に形成している
【００３３】
　続いて、開口部１０４へエッチング剤を導入し、剥離層１０１を除去する（図１（Ｄ）、図３（Ｂ））。本実施の形態では、剥離層とエッチング剤を化学的に反応させて、剥離層の除去を行う。エッチング剤としては、剥離層と反応しやすいフッ化ハロゲン（ハロゲン間化合物）を含む気体または液体を使用することができる。本実施の形態では、剥離層１０２に用いるＷとよく反応する三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ3）を用いる。また、この他にもＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3、Ｆ2等を用いてもよく、実施者が適宜選択すればよい。
【００３４】
　剥離層１０１を除去した後、基板１００を分離する。本実施の形態では、剥離層１０１を完全に除去するため、物理的な手段を用いることなく基板１００とＴＦＴ層１０２を分離することができる（図１（Ｅ））。
【００３５】
　基板１００から分離したＴＦＴ層１０２は、補強用の保護膜１０３が設けられているためそのまま物品へ実装してもよいし、別途転写用基板に移し替えた状態で実装してもよい。転写用基板としては、可撓性基板を用いるのが好ましい。可撓性基板には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることができる。
【００３６】
　また、剥離したＴＦＴ層１０２と可撓性基板を接着する接着剤としては、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤または両面テープ等を用いることができる。
【００３７】
　剥離後にＴＦＴ層１０２を可撓性基板へ移し替えると、薄膜集積回路の破壊強度を高めることができる。また、絶縁基板上に形成された薄膜集積回路と比較して、軽量化、薄膜化を達成でき、可撓性を高めることができる。
さらに、ＴＦＴ層１０２を可撓性の基板を用いてラミネート処理による封止を行ってもよい
　
（３ｅ）「【
実施例１
【００９１】
　本実施例では、上記実施の形態１および実施の形態２に示した剥離方法のより具体的な構成について図面を用いて説明する。
【００９２】
　まず、図１０（Ａ）に示すように、
基板２００上に剥離層２０１を形成する
【００９３】
　剥離層２０１としては、スパッタ法によって形成された、３０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは３０ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚を有するＷを用いる。また、Ｗの形成に関してはスパッタ法の他にもＣＶＤ法によっても形成することができる。本実施例では、剥離層２０１にＷを含有した金属膜を用いるが、上記実施の形態で示した他の材料を用いても構わない。
【００９４】
　
剥離層２０１上の薄膜集積回路を形成する領域に選択的に絶縁膜を形成する
【００９５】
　次に、
絶縁膜２０３上に薄膜トランジスタを形成する
薄膜トランジスタは、少なくとも所望の形状にパターニングされた半導体膜２１１、２１２、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜（ゲート絶縁膜）２１３を介して形成されたゲート電極２１４、２１５が設けられている
　
　・・・＜途中省略＞・・・
　
【０１１６】
　以上に示したいずれかの手段により形成される半導体膜は、シリコンウェハから形成されるチップと比べて多くの水素を有する。具体的には、水素を１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3、好ましくは１×１０19〜５×１０20／ｃｍ3有するように形成することができる。この水素により、半導体膜中の欠陥を緩和する、所謂欠陥のターミネート効果を奏することができる。加えて水素により、薄膜集積回路の柔軟性を高めることができる。
【０１１７】
　さらに、パターニングされた半導体膜が薄膜集積回路において占める面積の割合を、１〜３０％とすることで、曲げ応力による薄膜トランジスタの破壊や剥がれを防止することができる。
【０１１８】
　また、ゲート絶縁膜２１３は、半導体膜２１１、２１２を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜２１３には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用いて単層または複数の膜を積層させて形成することができる。また成膜方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができる。ここでは、スパッタ法を用いて、膜厚を３０ｎｍ〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。
【０１１９】
　
ゲート電極２１４、２１５は、ゲート絶縁膜２１３上に第１の導電層とその上に第２の導電層を形成し、第１の導電層と第２の導電層をパターニングすることによって形成する
【０１２０】
　なお、本実施例では第１の導電層をＴａＮ、第２の導電層をＷとしたが、これに限定されず、第１の導電層と第２の導電層は共にＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。さらに、その組み合わせも適宜選択すればよい。
膜厚は第１の導電層が２０〜１００ｎｍ、第２の導電層が１００〜４００ｎｍの範囲で形成すれば良い
　
　・・・＜途中省略＞・・・
　
【０１２４】
　次に、
層間絶縁膜２０６を形成する
【０１２５】
　また、層間絶縁膜として、シロキサン樹脂等のシロキサン材料を用いることができる。シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１２６】
　シロキサン材料は、その構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。また、Ｓｉ−Ｎ結合を有するポリマー（ポリシラザン）を含む材料で層間絶縁膜を形成してもよい。
【０１２７】
　上記の材料を用いることで、膜厚を薄くしても十分な絶縁性および平坦性を有する層間絶縁膜を得ることができる。また、上記の材料は耐熱性が高いため、多層配線におけるリフロー処理にも耐えうる層間絶縁膜を得ることができる。さらに、吸湿性が低いため、脱水量の少ない層間絶縁膜を形成することができる。
【０１２８】
　本実施例では、シロキサン材料を層間絶縁膜２０６として形成する。層間絶縁膜２０６によって、基板上に形成されたＴＦＴによる凹凸を緩和し、平坦化することができる。とくに、層間絶縁膜２０６は平坦化の意味合いが強いので、平坦化されやすい材質の絶縁膜を用いることが好ましい。
【０１２９】
　また、層間絶縁膜２０６を形成する前に、第１のパッシベーション膜を形成してもよい。パッシベーション膜としてはシリコンを含む絶縁膜を１００〜２００ｎｍの厚さに形成する。成膜法としてはプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法を用いればよい。他にもパッシベーション膜としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化珪素膜を適用しても良い。もちろん、パッシベーション膜は、単層構造もしくは積層構造として形成することができる。
【０１３０】
　また、層間絶縁膜２０６を形成した後に、窒化酸化シリコン膜等からなる第２のパッシベーション膜を形成してもよい。膜厚は１０〜２００ｎｍ程度で形成すれば良く、第２のパッシベーション膜によって層間絶縁膜２０６へ水分が出入りすることを抑制することができる。第２のパッシベーション膜には、他にも窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜やカーボンナイトライド（ＣＮ）膜も同様に使用できる。
【０１３１】
　次いで、
層間絶縁膜２０６をエッチングし、ソースおよびドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する
各ソースおよびドレイン領域とそれぞれ電気的に接続する配線２０７ａ〜２０７ｃを形成する
【０１３２】
　続いて、
配線２０７ａ〜ｃを覆うように絶縁膜２０８を形成する
【０１３３】
　次に、図１１（Ａ）に示すように、
絶縁膜２０８上に保護膜２０９を形成する
保護膜２０９としてスクリーン印刷法で形成したエポキシ樹脂を用いる
【０１３４】
　
保護膜２０９を設けることにより、基板２００からＴＦＴ層１０２を分離した際に応力によってＴＦＴ層１０２が反ることを防止することができる
　
（３ｆ）図１１は、引用例３に記載された発明の剥離方法を示す図であって、上記摘記（３ｅ）の記載を参酌すれば、保護膜２０９の膜厚が、ＴＦＴ層１０２よりも厚く図示されていることを読み取ることができる。
　
２　本願発明１と引用発明との対比
ア　引用発明の「第２のシート材１１７」、「第３のシート材１１８」及び「薄膜集積回路１０８」は、それぞれ、本願発明１の「第１のシート材」、「第２のシート材」及び「素子形成層」に相当する。
　
イ　引用発明の「ゲート電極２１４」、「下部電極５１３」は、それぞれ、本願発明１の「第２の導電層」、「第１の導電層」に相当する。
　
ウ　そうすると、引用発明は、「素子群１０３に形成される薄膜トランジスタは、半導体膜３１１のチャネル領域が絶縁膜を介して、前記半導体膜３１１よりも小さい下部電極５１３とゲート電極２１４の間に挟まれている構造５１９を備え」という構造を有するのであるから、引用発明と本願発明１とは、「前記トランジスタは、第１の導電層と、半導体層と、第２の導電層と、を有し、前記半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられ、前記第１の導電層は、第１の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なり、前記第２の導電層は、第２の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なる、前記トランジスタのゲート電極であり」という点で一致する。
　
エ　引用発明は「アンテナとして機能する導電層１０６」を有する「ＩＣチップ」の発明であるところ、前記「ＩＣチップ」が「半導体装置」の一種であることは明らかであり、また、前記「アンテナ」による外部情報とのやりとりは、「無線通信によりデータの交信を行う」ことに相当すると理解できるから、引用発明と本願発明１とは、「無線通信によりデータの交信を行う半導体装置」である点で一致する。
　
　すなわち、本願発明１と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
　「第１のシート材と、
　第２のシート材と、
　複数のトランジスタを有する素子形成層と、を有し、
　前記素子形成層は、基板上に形成され、前記第１のシート材を貼り合わせた後、前記素子形成層の他方の面に、前記第２のシート材を貼り合わせたものであり、
　前記トランジスタは、第１の導電層と、半導体層と、第２の導電層と、を有し、
　前記半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられ、
　前記第１の導電層は、第１の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なり、
　前記第２の導電層は、第２の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なる、前記トランジスタのゲート電極であり、
　前記半導体層が前記第１の導電層と重なることを特徴とする、無線通信によりデータの交信を行う半導体装置。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１では、素子形成層は、基板上に形成され、第１のシート材を貼り合わせた後、「基板から剥離」されるものであり、また、第２のシート材は、前記基板からの「前記剥離」により露出した面に対して貼り合わせられるのに対して、引用発明では、薄膜集積回路１０８は、第２のシート材１１７に接着させて、「第１のシート材１１６から剥離」され、さらに、第３のシート材１１８は、前記薄膜集積回路１０８の前記第２のシート材１１７に接着している面とは反対側の面に接着されるものである点。
　
・相違点２：本願発明１では、半導体層「全体」が第１の導電層と重なるのに対して、引用発明では、下部電極５１３が半導体膜３１１よりも小さいため、半導体膜３１１の一部分しか下部電極５１３と重なっていない点。
　
３　相違点についての判断
・相違点２について
ア　引用例３の上記摘記（３ｃ）の「また、基板から薄膜集積回路を剥離した後に、薄膜集積回路が応力等によりその形状が歪む場合がある。そのため、本発明では、剥離後の薄膜集積回路の形状を保持するために、剥離を行う前にあらかじめ薄膜集積回路に保護膜を形成しておく。保護膜を形成して薄膜集積回路を補強しておくことにより、物理的に剥離を行う際にも薄膜集積回路が応力等により損傷したり破壊されたりすることを防止することができる。」との記載から、引用例３には、薄膜集積回路の応力等による損傷や破壊を防止するために、剥離を行う前にあらかじめ前記薄膜集積回路を補強するという技術思想が開示されていることが理解できる。
　
イ　そうすると、引用例３に接した当業者であれば、引用発明において、基板からの剥離前に、薄膜集積回路１０８を補強するということに思い至る余地はあるものと認められる。
　
ウ　そこで、具体的な補強方法について検討すると、引用例３の上記摘記（３ｄ）、（３ｅ）から、引用例３には、引用例３に記載された発明の【実施例１】に係る以下の剥離方法が記載されていることが認められる。
「保護膜２０９を設けることにより、基板２００からＴＦＴ層（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で形成された集積回路を有する層）１０２を分離する際に応力によって前記ＴＦＴ層１０２が反ることを防止する剥離方法であって、
（ａ）基板２００上に剥離層２０１を形成する工程と、
（ｂ）前記剥離層２０１上の薄膜集積回路を形成する領域に選択的に絶縁膜２０３を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜２０３上に薄膜トランジスタを形成する工程であって、前記薄膜トランジスタは、少なくとも所望の形状にパターニングされた半導体膜２１１、２１２、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜（ゲート絶縁膜）２１３を介して形成されたゲート電極２１４、２１５が設けられている工程と、
（ｄ）層間絶縁膜２０６を形成する工程と、
（ｅ）前記層間絶縁膜２０６をエッチングし、ソースおよびドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
（ｆ）前記ソースおよびドレイン領域とそれぞれ電気的に接続する配線２０７ａ〜２０７ｃを形成する工程と、
（ｇ）前記配線２０７ａ〜ｃを覆うように絶縁膜２０８を形成する工程と、
（ｈ）前記絶縁膜２０８上に保護膜２０９を形成する工程であって、前記保護膜２０９としてスクリーン印刷法で形成したエポキシ樹脂を用いる工程と、
　を、含む剥離方法。」
　
エ　すなわち、引用例３には、絶縁膜、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、配線及び絶縁膜から構成されるＴＦＴ層を形成した後に、前記ＴＦＴ層の上面に、スクリーン印刷法で形成したエポキシ樹脂からなる保護膜を形成することで、基板から前記ＴＦＴ層を分離した際に、応力によって前記ＴＦＴ層が反ることを防止する剥離方法が開示されているといえる。
　
オ　しかしながら、引用例３には、ＴＦＴ層を構成する薄膜トランジスタの電極に、薄膜集積回路が応力等により損傷したり破壊されたりすることを防止するための補強材としての機能を兼ねさせるという技術思想が開示されていると認めることはできない。
　
カ　すなわち、引用例３の上記摘記（３ｆ）の「保護膜２０９の膜厚が、ＴＦＴ層１０２よりも厚く図示されていることを読み取ることができる」ことから、当業者であれば、引用例３における「補強」は、ＴＦＴ層を構成する各層の厚さよりも厚い膜厚を備えた保護膜によって提供される程度の補強を行うことを想定しているものと理解することが自然であるといえる。
　一方、引用例３の上記摘記（３ｅ）の「ゲート電極２１４、２１５は、ゲート絶縁膜２１３上に第１の導電層とその上に第２の導電層を形成し、第１の導電層と第２の導電層をパターニングすることによって形成することができる。・・・＜途中省略＞・・・膜厚は第１の導電層が２０〜１００ｎｍ、第２の導電層が１００〜４００ｎｍの範囲で形成すれば良い。」との記載から、引用例３のゲート電極の厚さは、「第１の導電層が２０〜１００ｎｍ、第２の導電層が１００〜４００ｎｍの範囲」に含まれる程度の薄い層であるといえるから、引用例３に接した当業者が、前記ゲート電極に、引用例３の前記保護膜と同様の、薄膜集積回路が応力等により損傷したり破壊されたりすることを防止するための補強材としての機能を見いだすことは困難といえる。
　したがって、引用例３の記載からは、ＴＦＴ層を構成する薄膜トランジスタの電極に、薄膜集積回路が応力等により損傷したり破壊されたりすることを防止するための補強材としての機能を兼ねさせるという技術思想を見いだすことはできない。
　
キ　続いて、引用例２について検討する。引用例２の上記摘記（２ｂ）の記載から、引用例２には、
「ＣＭＯＳ回路で構成される駆動回路と、Ｎチャネル型ＴＦＴ（スイッチング用）及びＰチャネル型ＴＦＴ（駆動用）を有する画素部とを同一基板上に形成する工程において作製される薄膜トランジスタであって、
（ａ）ガラス基板１０を用意する工程と、
（ｂ）前記基板１０上に下地膜１１を形成する工程と、
（ｃ）前記下地膜１１上に、後に形成される半導体層を覆う形状となる下部電極１２〜１５を形成する工程と、
（ｄ）前記下部電極１２〜１５を覆うように、絶縁膜から成る下地膜１６を形成する工程と、
（ｅ）前記下地膜１６上に半導体層１８〜２１を形成する工程と、
（ｆ）前記半導体層１８〜２１を覆うゲート絶縁膜２２を形成する工程と、
（ｇ）前記ゲート絶縁膜２２上に、ゲート電極として使用する、第１の導電膜２３と、第２の導電膜２４とを積層形成する工程と、
（ｈ）第１の層間絶縁膜４９、第２の層間絶縁膜５０、第３の層間絶縁膜５１を形成する工程と、
（ｉ）前記第１乃至第３の層間絶縁膜４９〜５１及び前記ゲート絶縁膜２２をエッチングし、コンタクトホールを形成する工程と、
（ｊ）　配線５２〜５９を形成する工程と、
　を含む方法によって作製された薄膜トランジスタの構造。」
　が開示されていることが認められる。
　
ク　そして、前記引用例２に記載された薄膜トランジスタの「下部電極１２〜１５」、「半導体層１８〜２１」及び「ゲート電極として使用する、第１の導電膜２３と、第２の導電膜２４」は、それぞれ、本願発明１の「第１の導電層」、「半導体層」及び「第２の導電層」に相当し、また、引用例２に記載された薄膜トランジスタの「後に形成される半導体層を覆う形状となる下部電極１２〜１５」は、本願発明１の「半導体層全体が前記第１の導電層と重なる」と同等の構造を表しているものと認められることから、引用例２に記載された薄膜トランジスタと、本願発明１のトランジスタとは、
「第１の導電層と、半導体層と、第２の導電層と、を有し、
　前記半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられ、
　前記第１の導電層は、第１の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なり、
　前記第２の導電層は、第２の絶縁層を介して前記トランジスタのチャネル形成領域と重なる、前記トランジスタのゲート電極であり、
　前記半導体層
全体
　である点で一致するといえる。
　
ケ　しかしながら、引用例２の上記摘記（２ｂ）の「この下部電極１２〜１５は、後に形成される半導体層を覆う形状となる。下部電極１２〜１５を設けることにより、後に形成される半導体層に入射される光を遮断するため、リーク電流の発生を抑制する効果が得られる。またリーク電流の発生を抑制することで、クロストークの発生も抑制することができる。」との記載に照らして、引用例２に記載された薄膜トランジスタの下部電極１２〜１５の形状が、「後に形成される半導体層を覆う形状」であるのは、前記薄膜トランジスタの半導体層に入射する光を、前記下部電極によって遮断することによって、リーク電流の発生を抑制すること、及び、前記リーク電流の発生を抑制することで、クロストークの発生も抑制することにあるといえる。
　
コ　すなわち、引用例２に記載された薄膜トランジスタにおいて、下部電極１２〜１５の形状が、「後に形成される半導体層を覆う形状」であるのは、引用例２に記載された前記薄膜トランジスタが、光の使用を伴う、液晶表示装置や発光装置などの表示装置に用いられることに由来しており、前記薄膜トランジスタが、前記表示装置において使用された場合の、前記光によって発生する不都合を解消するために、前記形状を備えているものと理解することができる。
　
サ　そして、引用例２に記載された薄膜トランジスタの構造が、ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成したものであることから、前記薄膜トランジスタに応力が加わる場合においても、前記ガラス基板の剛性によって前記薄膜トランジスタが反ることが防止されることが容易に理解できるから、引用例２の下部電極には、トランジスタにおける半導体層の物理的な強度を増すことにより、トランジスタに物理的な力が加わることに伴うトランジスタの破損を防止することができるという機能は想定されていないと解するのが自然といえる。したがって、引用例２に接した当業者が、前記薄膜トランジスタを構成する電極に、補強材としての機能を見いだすことは困難である。
　
シ　すなわち、引用例２の記載からも、薄膜トランジスタの電極に、薄膜集積回路が応力等により損傷したり破壊されたりすることを防止するための補強材としての機能を兼ねさせるという技術思想の開示を認めることはできない。
　
ス　そうすると、引用例２−３のいずれからも、薄膜トランジスタの電極に、補強材としての機能を兼ねさせるという技術思想の開示を認めることはできないから、引用例３に接した当業者が、引用発明において、基板からの剥離前に、薄膜集積回路１０８を補強することに思い至ったとしても、前記補強のために、前記薄膜集積回路１０８に含まれる薄膜トランジスタの下部電極５１３の大きさを、半導体膜３１１の全体と重なるように大きくすることで、前記薄膜集積回路１０８を補強することに、容易に想到し得たとは認められない。
　
セ　さらに、引用例１の上記摘記（１ｂ）の「一般に、ＴＦＴのサイズが小さくなり、回路を動作させるクロック周波数が向上すると、集積回路の消費電力が増加する。従って、消費電力の増加を抑止するために、下部電極にバイアス電圧を印加する方法が有効である。このバイアス電圧を変化させることで、ＴＦＴのしきい値電圧を変化させることができる。【０１０７】ｎチャネル型ＴＦＴの下部電極に対して負のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を高めリークを減少させる。一方、正のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を下げ、チャネルに電流が流れやすくなり、ＴＦＴはより高速化、若しくは低電圧で動作する。また、ｐチャネル型ＴＦＴの下部電極に対して正のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を高めリークを減少させる。一方、負のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を下げ、チャネルに電流が流れやすくなり、ＴＦＴはより高速化、若しくは低電圧で動作する。このように下部電極に印加するバイアス電圧を制御することで、集積回路の特性を大きく向上させることができる。」との記載から、引用発明において、下部電極は、消費電力の増加の抑止、ＴＦＴの高速化等を目的として設けられていることが理解できるところ、薄膜トランジスタにおいて、半導体層全体が下部電極と重なる構成とすることで、下部電極と、薄膜トランジスタのソース・ドレインとの間に寄生容量が生じ、前記目的の達成を阻害することになることは当業者にとって明らかといえる。
　したがって、引用発明において、上記相違点２について本願発明１の構成を採用することには、阻害要因があると認められる。
　
ソ　また、本願の明細書には以下の記載がある。
「【０１５８】
　なお、
導電膜２４０５ａ〜２４０５ｃを設けることによって、薄膜トランジスタの破損の防止、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電破壊）の防止、ショートチャネル効果の抑制、しきい値制御等を行うことも可能となる
【０１５９】
　つまり、薄膜トランジスタ２４００ａ〜２４００ｃを有する半導体装置は、
撓んでも薄膜トランジスタ２４００ａ〜２４００ｃのチャネル形成領域や不純物領域と重なるように設けられた導電膜によりチャネル形成領域や不純物領域での撓みを抑制することができるため薄膜トランジスタ２４００ａ〜２４００ｃも破損の防止を図ることができる
特に、図２７（Ｂ）に示すように、ゲート電極の半導体膜を挟んだ反対側に位置する導電膜２４０５ａ〜２４０５ｃを半導体膜のサイズより大きく設ける構成を取りうることによって、トランジスタにおける半導体層の物理的な強度が増すことにより、トランジスタに物理的な力が加わることに伴うトランジスタの破損を防止することができる
【０１６０】
　また、半導体装置の製造時において、導電膜２４０５ａ〜２４０５ｃが電荷の逃げ道若しくは電荷の拡散領域となり、局所的な電荷の蓄積を低減し、電界集中を緩和することができるためＥＳＤを防止することができる。
【０１６１】
　また、導電膜２４０５ａ〜２４０５ｃによってそれぞれの薄膜トランジスタ２４００ａ〜２４００ｃにおいて、ドレインからソースへの影響を遮断することによって、チャネル長が短くなっても、ショートチャネル効果を抑制することができる。つまり、薄膜トランジスタ２４００ａ〜２４００ｃの微細化に伴って問題となる、チャネル長の減少によって生じるショートチャネル効果（トランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈが急激にシフトし、サブスレッショルド領域のドレイン電流の立ち上がりがなまるなどの現象）を抑制することができる。
【０１６２】
　また、導電膜２４０５ａ〜２４０５ｃに入力する電位によって、薄膜トランジスタ２４００ａ〜２４００ｃのしきい値を制御することができる。」
　そうすると、半導体層全体が第１の導電層と重なるという構成を採用することで、薄膜トランジスタの破損の防止等の効果が奏されることが理解できる。
　
タ　してみると、引用発明において、半導体層全体が第１の導電層と重なるという構成を採用することは、単なる設計事項であると認めることもできない。
　
チ　すなわち、上記相違点２について、本願発明１の構成を採用することは当業者にとって容易とはいえない。
　
ツ　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１は、引用例１−３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　また、本願の請求項２−３に係る発明は、いずれも請求項１を引用し、これをさらに限定する発明であるところ、本願発明１が、上記のように、引用例１−３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえないことから、本願の請求項２−３に係る発明も、本願発明と同様に、引用例１−３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明及び本願の請求項２−３に係る発明はいずれも、引用例１−３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。