【事件の表示】
　特願２００９−１８９３１７「高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体、これを用いた基板、回路基板、および半導体装置、ならびに高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月２４日出願公開、特開２０１１−　３７６９１、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２１年８月１８日の出願であって、平成２５年３月５日付けで拒絶理由が通知され、同年５月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年７月１６日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月２１日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、手続補正がされ、平成２６年１月８日付けで前置報告書を利用した審尋がされ、同年３月１４日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年１０月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１．補正の内容
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１である、
「焼結助剤として少なくともＹ化合物を用いてなる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体であって、
　窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度をＩＡｌＮ、Ｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度をＩＹ２Ｏ３、ＹＡＭ（２０１面）のＸ線回折強度をＩＹＡＭとしたとき、ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮが０．００２未満（０含む）かつＩＹＡＭ／ＩＡｌＮが０．００２未満（０含む）であり、ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮまたはＩＹＡＭ／ＩＡｌＮの少なくとも一方は０を超えた値であり、
　Ｙ元素の含有量が０．０５質量％以下、かつ酸素元素の含有量が０．０６質量％以下であり、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が８μｍ以上、最小径が３μｍ以上、および最大径が３５μｍ以下、任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍあたりに存在する窒化アルミニウム結晶粒子の粒子数が１２５個以下、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体。」を、
「焼結助剤として少なくともＹ化合物を用いてなる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体であって、
　窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度をＩＡｌＮ、Ｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度をＩＹ２Ｏ３、ＹＡＭ（２０１面）のＸ線回折強度をＩＹＡＭとしたとき、ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮが
０．０００８以上
満か
　Ｙ元素の含有量が０．０５質量％以下、かつ酸素元素の含有量が０．０６質量％以下であり、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が
９μｍ以上１２μｍ以下
　
２．補正の適否 
　上記請求項１についての補正は、本件補正前の発明特定事項である「ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮ」の大きさの下限「０」を「０．０００８」と限定し、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径の範囲「８μｍ以上」を「９μｍ以上１２μｍ以下」と限定するものであるから、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明（以下、「本件補正発明」という。）の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であって、上記補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正発明が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
　
（１）引用例１（国際公開第２００９／０１３９８４号）の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には、「化合物半導体気相成長装置用ＡｌＮ製部材およびそれを用いた化合物半導体の製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある。
　ア　「技術分野
　[0001]　本発明は、化合物半導体製造装置に用いられるＡｌＮ部材およびそれを用いた化合物半導体の製造方法に関する。」
　イ　「発明が解決しようとする課題
[0014]　本発明は、化合物半導体製造装置用ＡｌＮ部材において、化合物半導体の製造条件が高温化または長時間化したとしても、ゆがみが抑制されたＡｌＮ部材を提供するものである。また、化学成分への耐腐食性および各種洗浄方法への耐久性を向上させた化合物半導体製造装置用ＡｌＮ部材を提供するものである。
[0015]　また、本発明は、化合物半導体への不純物の拡散およびＡｌＮ部材のゆがみから来る不具合を抑制でき、歩留まりを大幅に向上させることができる、化合物半導体の製造方法を提供するものである。」
　ウ　「課題を解決するための手段
[0016]　本発明による化合物半導体製造装置用ＡｌＮ部材は、ＡｌＮ部材がＡｌＮ焼結体を有し、ＡｌＮ焼結体中のＡｌＮの割合が９７〜１００質量％の範囲内であることを特徴とするものである。
[0017]　また、前記ＡｌＮ焼結体中の酸素含有量が０．６質量％以下（０含む）であることが好ましい。また、前記ＡｌＮ焼結体中の炭素含有量が０．０５質量％以下（０含む）であることが好ましい。また、前記ＡｌＮ焼結体中の焼結助剤成分が金属元素換算で２質量％以下（０含む）であることが好ましく、前記金属元素がＹ、Ｅｒ、Ｃａ、Ｍｇの少なくとも１種であることが好ましい。
[0018]　また、前記ＡｌＮ焼結体中のＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜２０μｍであることが好ましい。また、前記ＡｌＮ焼結体の熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。また、前記ＡｌＮ焼結体の３点曲げ強度が２００ＭＰａ以上であることが好ましい。
[0019]　また、ＡｌＮ焼結体表面をＸ線回折したとき、粒界相のピークが検出されないことが好ましい。また、ＡｌＮ焼結体表面をＸ線回折したとき、Ｉｂ／Ｉａ（ＩａはＡｌＮの最強ピークを示し、Ｉｂは粒界相成分の最強ピークを示す。）が０．０００１〜０．１の範囲内であることが好ましい。」
　エ　「[0044]　また、粒界相成分を具備する場合は、ＡｌＮ焼結体表面をＸ線回折したとき、Ｉｂ／Ｉａ（ここで、ＩａはＡｌＮのピーク強度を示し、Ｉｂは粒界相成分のピーク強度を示す）が０．０００１〜０．１の範囲内であることが好ましい。Ｉｂ／Ｉａが０．０００１〜０．１の範囲内であるということは、表面に粒界相成分が残存している状態を示している。粒界相成分が残存しているため、短時間であれば１３００℃以上であっても影響は無いが、繰り返し使用する場合は、６００〜１３００℃未満の範囲の工程に好適である。焼結助剤成分が残存しているものは、焼結助剤を使用できるため量産性が優れる。そのため、使用される環境に応じて選択することが望ましい。」
　オ　「[0048]　また、熱伝導率２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらには２７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のＡｌＮ焼結体を得るには、Ｉｂ／Ｉａを０．００１〜０．０１の範囲とすることが好ましく、また、Ｘ線回折により粒界相としてＹ４Ａｌ２Ｏ９のみ、またはＹ４Ａｌ２Ｏ９とＹ２Ｏ３とが検出されることが好ましい。また、ＡｌＮ焼結体中の全酸素量が０．０２〜０．１質量％、Ｙ（イットリウム）含有量が０．０１〜０．０５質量％の範囲であることが好ましい。また、ＡｌＮ結晶粒は平均粒径１２〜１８μｍ、最小径５μｍ以上最大径２５μｍ以下であることが好ましい。」
　カ　「[0055]　本発明の化合物半導体製造装置用ＡｌＮ部材の製造方法は、特に限定されるものではないが、以下にその一例を説明する。
・・・（略）・・・
[0057]　次に、成形体を焼結する焼結工程を行う。・・・（略）・・・焼結工程により、ＡｌＮ原料粉末の平均粒径よりＡｌＮ焼結体のＡｌＮ結晶粒の平均粒径が大きくなるように焼結することが好ましい。特に平均粒径が３倍以上に大きくなるように焼結することが好ましい。焼結工程により、ＡｌＮ結晶粒の粒成長が行われると単位面積あたりの粒界相の割合が減るので熱伝導率が向上する。
・・・（略）・・・
[0062]　また、粒界相の制御により、熱伝導率、平均結晶粒径、３点曲げ強度の優れたＡｌＮ焼結体を得ることができる。」
　キ　「実施例
[0063]（実施例１〜７、比較例１）
　ＡｌＮ原料粉末として平均粒径０．８μｍ、酸素含有量１．０質量％のものを用意した。焼結助剤として、平均粒径１．２μｍの酸化イットリウム粉末を用意した。ＡｌＮ原料粉末に焼結助剤を混合して、１７５０〜１９００℃×６〜１２時間焼結することによりＡｌＮ焼結体からなるウエハ用トレイを製造した。また、ウエハ搭載部表面は研磨加工を施し、滲み出てきた粒界相成分を除去した。
　トレイのサイズは、トレイ外径Ｄ１を８０ｍｍ、ウエハ搭載部外径Ｄ２を７７ｍｍ、中空部外径Ｄ３を６５ｍｍ、トレイ外周部の厚さ３ｍｍ、ウエハ搭載部の厚さ２ｍｍの３インチウエハ搭載用トレイとした。
　各トレイについて、熱伝導率、平均結晶粒径、３点曲げ強度、耐熱特性を測定した。また、Ｙ元素量、炭素量、酸素量の測定も行った。また、ウエハ搭載部表面のＸ線回折によるＡｌＮの最強ピークＩａと粒界相成分の最強ピークＩｂの比（Ｉｂ／Ｉａ）も求めた。なお、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の実施例１と実施例７とは、粒界相として、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９のみ、またはＹ４Ａｌ２Ｏ９とＹ２Ｏ３とが検出された。
[0064]　熱伝導率の測定はレーザフラッシュ法により行った。平均結晶粒径は、ＡｌＮ焼結体の断面において１００μｍ×１００μｍの拡大写真を任意の３箇所撮り求めた。３点曲げ強度はＪＩＳ−Ｒ−１６０１に準じて行った。Ｙ量、酸素量および炭素量はＩＣＰ発光分光法により行った。
　また、耐熱性試験として１６５０℃×２時間→常温（２５℃）×３０分を１サイクルとし、これを３サイクル実施した後の、ゆがみ量測定した。同様に１２００℃×３０分→常温（２５℃）×３０分を１サイクルとし、これを８サイクル実施した後の、ゆがみ量測定した。ゆがみ量は耐熱性試験の前後でのたわみ量の変化量（ｍｍ）を求めた。
　また、比較例１として粒界相成分を金属元素換算で５質量％残存させたものを用意し、同様の測定を行った
　以下にその結果を示す。
[0065][表１]
[0066][表２]
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 」
　
（２）引用例１に記載された発明の認定
　上記キによれば、引用例１には、平均粒径０．８μｍ、酸素含有量１．０質量％のＡｌＮ原料粉末に、焼結助剤として平均粒径１．２μｍの酸化イットリウム粉末を混合して、１７５０〜１９００℃×６〜１２時間焼結したウエハ用トレイであるＡｌＮ焼結体が記載されてる。
　そして、上記キの表１及び表２によれば、該ＡｌＮ焼結体の具体例である実施例１は、
　ＡｌＮ量が９９．９ｗｔ％以上、Ｙ量が０．０１ｗｔ％、Ｏ量が０．０８ｗｔ％、Ｃ量が０．０１ｗｔ％以下であって、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ、ＡｌＮ平均粒径が１５μｍであって（表１）、Ｘ線回折によるＩｂ／Ｉａ比は、０．００１である（表２）。
　ここで、「Ｉｂ／Ｉａ比」において、ＩａはＡｌＮのＸ線回折の最強ピークを示し、Ｉｂは粒界相成分のＸ線回折の最強ピークを示す（[0019]）。
　
　そうすると、引用例１には、実施例１として、
　「焼結助剤として酸化イットリウムを用いたＡｌＮ焼結体であって、
　Ｉｂ／Ｉａ（（粒界相成分のＸ線回折の最強ピーク）／（ＡｌＮのＸ線回折の最強ピーク））が０．００１であり、
　Ｙ量が０．０１ｗｔ％、Ｏ量が０．０８ｗｔ％、Ｃ量が０．０１ｗｔ％以下であって、
　ＡｌＮ平均粒径が１５μｍであり、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・ＫであるＡｌＮ焼結体。」（以下、「引用発明」という。）が記載されているということができる。
　　
（３）対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ＡｌＮ」、「ＡｌＮ焼結体」、「酸化イットリウム」、「Ｙ量」、「Ｏ量」、「ＡｌＮ平均粒径」及び「ｗｔ％」は、本件補正発明の「窒化アルミニウム」、「窒化アルミニウム焼結体」、「Ｙ化合物」、「Ｙ元素の含有量」、「酸素元素の含有量」、「窒化アルミニウム結晶粒子の平均径」及び「質量％」に、それぞれ相当する。
　そして、引用発明の「ＡｌＮ焼結体」の「Ｙ量」は、本件補正発明の「高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体」の「Ｙ元素の含有量」の範囲に含まれる。
　また、引用発明の「ＡｌＮ焼結体」の「熱伝導率」は、本件補正発明の「高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体」の「熱伝導率」の範囲に含まれ、本件補正発明で規定された「高熱伝導性」であるということができる。
　さらに、引用例１の「熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の実施例１と実施例７とは、粒界相として、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９のみ、またはＹ４Ａｌ２Ｏ９とＹ２Ｏ３とが検出された。」（[0063]）という記載からみて、「（粒界相成分のＸ線回折の最強ピーク）／（ＡｌＮのＸ線回折の最強ピーク）が０．００１である」点は、本件補正発明では、ＩＹＡＭ／ＩＡｌＮ又はＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮが０．００１であることに相当し、本件補正発明の「窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度をＩＡｌＮ、Ｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度をＩＹ２Ｏ３、ＹＡＭ（２０１面）のＸ線回折強度をＩＹＡＭとしたとき、ＩＹＡＭ／ＩＡｌＮが０．００２未満（０含む）」であることに相当する。
　
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、
「焼結助剤として少なくともＹ化合物を用いてなる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体であって、
　窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度をＩＡｌＮ、Ｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度をＩＹ２Ｏ３、ＹＡＭ（２０１面）のＸ線回折強度をＩＹＡＭとしたとき、ＩＹＡＭ／ＩＡｌＮが０．００２未満（０含む）であり、
　Ｙ元素の含有量が０．０５質量％以下、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体。」である点で一致し、次の相違点１〜４で相違する。
（相違点１）
 窒化アルミニウムのＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮの値について、本件補正発明は、「０．０００８以上０．００２未満」であるのに対し、引用発明では、ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮが０．０００８以上かどうか不明な点。
（相違点２）
　酸素元素の含有量について、本件補正発明は、０．０６質量％以下であるのに対し、引用発明のＯ量は、０．０８ｗｔ％である点。
（相違点３）
　窒化アルミニウム結晶粒子の平均径について、本件補正発明は、９μｍ以上１２μｍ以下であるのに対し、引用発明の平均粒径は、１５μｍである点。
（相違点４）
　窒化アルミニウム結晶粒子の最小径、最大径及び任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍあたりに存在する窒化アルミニウム結晶粒子の粒子数について、本件補正発明では、それぞれ、３μｍ以上、３５μｍ以下及び１２５個以下であるのに対し、引用発明では、それらは全て不明な点。
　
（４）相違点についての判断
　事案に鑑み、まず、相違点３における窒化アルミニウム結晶粒子の平均径に係る相違点、すなわち、本件補正発明の「窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が９μｍ以上１２μｍ以下」について、引用発明の「ＡｌＮ平均粒径が１５μｍ」からの容易想到性について検討する。
　
　引用例１の[0018]（摘示ウ）には、「ＡｌＮ焼結体中のＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜２０μｍであることが好ましい。」と記載され、この平均粒径の範囲は、本件補正発明の窒化アルミニウム結晶粒子の平均径の範囲と重複する。
　一方、引用例１の[0057]（摘示カ）には、「焼結工程により、ＡｌＮ原料粉末の平均粒径よりＡｌＮ焼結体のＡｌＮ結晶粒の平均粒径が大きくなるように焼結することが好ましい。特に平均粒径が３倍以上に大きくなるように焼結することが好ましい。焼結工程により、ＡｌＮ結晶粒の粒成長が行われると単位面積あたりの粒界相の割合が減るので熱伝導率が向上する。」と記載されており、焼結によって、ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が大きくなると、熱伝導率が向上することが示されている。
　そして、引用例１の表１には、ＡｌＮ平均粒径が１５μｍである実施例７は、熱伝導率が２７０Ｗ／ｍ・Ｋであり、同粒径が１２μｍの実施例２は２４０Ｗ／ｍ・Ｋであり、同粒径が１０μｍの実施例３は２３０Ｗ／ｍ・Ｋであるから、ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が大きくなると、熱伝導率が向上することは、実施例においても示されているということができる。
　
　そうすると、「ＡｌＮ平均粒径が１５μｍである」引用発明において、同[0018]の記載に基いて、ＡｌＮ平均粒径が１５μｍより小さくなるように焼結した場合には、引用例１の記載に照らせば、熱伝導率は２６０Ｗ／ｍ・Ｋより低下することが予測されることは、当業者にとって明らかである。
　
　これに対し、本件補正発明の「高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体」の熱伝導率は、２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるから、引用発明のＡｌＮ焼結体の平均粒径を、本件補正発明の窒化アルミニウム結晶粒子の平均径である「９μｍ以上１２μｍ以下」とすることが可能だとしても、そのようなＡｌＮ焼結体の熱伝導率は、本件補正発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率の範囲を満たさなくなる蓋然性が高い。
　そうすると、上記相違点３における本件補正発明の窒化アルミニウム結晶粒子の平均径は、引用例１の記載に基いて当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　
　次に、原査定の拒絶理由において、引用例２〜４が引用されているので、念のため、引用例２〜４に記載された事項について検討する。
　ア．引用例２（特開２００７−０６３１２２号公報）について
　引用例２には、「半導体装置用基板」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は半導体装置用基板に係り、特に熱伝導率が高く放熱性および量産性に優れた半導体装置用基板に関する。」
「【００１１】
　すなわち、本願第１の発明に係る半導体装置用基板は、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｙ４Ｏ９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｙ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｙ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする。
【００１２】
　また、上記第１の発明に係る半導体装置用基板において、Ｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ２Ｏ３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であるように構成しても良い。
【００１３】
　さらに上記第１の発明に係る半導体装置用基板において、窒化アルミニウム焼結体はＹ元素を０．１４〜１．５質量％、酸素を０．０５〜０．５質量％含有し、酸素とＹ元素との質量比率（Ｏ／Ｙ）が０．５以下であり、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が４μｍ以上で、任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍ当りに存在する結晶粒子数が２００個以下であり、粒界相の最大径が０．５μｍ以下であることが好ましい。また、上記第１の発明において、窒化アルミニウム結晶粒子の最小径が２μｍ以上であり、最大径が２０μｍ以下であることが好ましい。」
「【００１４】
　また、本願第２の発明に係る半導体装置用基板は、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｙ４Ｏ９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｙ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｙ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ２Ｏ３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする。
【００１５】
　上記第２の発明に係る半導体装置用基板において、窒化アルミニウム焼結体はＹ元素を０．１４〜１．５質量％、酸素を０．０５〜０．５質量％含有し、酸素とＹ元素との質量比率（Ｏ／Ｙ）が０．５以下であり、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が６μｍ以上であり、任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍ当りに存在する結晶粒子数が１５０個以下であり、粒界相の最大径が０．５μｍ以下であることが好ましい。また、上記第２の発明において、窒化アルミニウム結晶粒子の最小径が４μｍ以上であり、最大径が２５μｍ以下であることが好ましい。」
「【００２６】
　さらに、本発明に係る半導体装置用基板を構成する高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体において、ＡｌＮ結晶粒子の平均粒子径は、４μｍ以上、好ましくは６μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上とすると良い。これはＡｌＮ結晶の粒成長によって結晶粒子が粗大化することによって、熱抵抗が大きい粒界相の数を相対的に減少させることが可能になり、焼結体の熱伝導率を向上させることができるからである。」
【表１】「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載から、引用例２には、「窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｙ４Ｏ９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｙ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｙ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体」及び「窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｙ４Ｏ９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｙ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｙ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ２Ｏ３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体」について記載されていると認められる。
　そして、窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径について、「ＡｌＮ結晶粒子の平均粒子径は、４μｍ以上、好ましくは６μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上とすると良い。」（【００２６】）という記載があり、引用例２に記載された窒化アルミニウム焼結体についての具体例である実施例１〜１９には、平均径が４μｍ〜１２μｍのもの（表１）が示され、これら粒径の範囲は、本件補正発明の窒化アルミニウム結晶粒子の平均径である「９μｍ以上１２μｍ以下」の範囲と重複する。
　しかしながら、表１の「熱伝導率」の欄の記載から明らかなように、引用例２に記載された窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は、せいぜい２５９Ｗ／ｍ・Ｋ（実施例１）にとどまり、本件補正発明のように、２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となるものではない。
　そうすると、引用例２に記載された窒化アルミニウム焼結体は、本件補正発明の熱伝導率を備えるものではないことから、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径について、引用発明において、引用例２の記載に基いて「９μｍ以上１２μｍ以下」とすることで、熱伝導率を２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となることは当業者によって認識することができないのであるから、引用発明及び引用例２の記載に基いて、相違点３に係る本件補正発明特定事項が容易想到である、ということはできない。
　
　イ．引用例３（特開２００５−１８７２３５号公報）について
　引用例３には、「高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体に係り、特に熱伝導率が高く放熱性および強度特性に優れた窒化アルミニウム焼結体に関する。」
「【００１１】
　すなわち、本願第１の発明に係る高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９（３１０面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．０４以下であり、上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌＧｄＯ３（１１２面）のＸ線回折強度ＩＡｌＧｄＯ３の比（ＩＡｌＧｄＯ３／ＩＡｌＮ）が０．０５以下であり、且つ上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＧｄ２Ｏ３（４０１面）のＸ線回折強度ＩＧｄ２Ｏ３の比（ＩＧｄ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、熱伝導率が２１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【００１２】
　また、本願第２の発明に係る高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｇｄ４Ｏす（３１０面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．００４〜０．０４であり、上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌＧｄＯ３（１１２面）のＸ線回折強度ＩＡｌＧｄＯ３の比（ＩＡｌＧｄＯ３／ＩＡｌＮ）が０．０３以下であり、且つ上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＧｄ２Ｏ３（４０１面）のＸ線回折強度ＩＧｄ２Ｏ３の比（ＩＧｄ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００５〜０．０４であり、熱伝導率が２３５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【００１３】
　さらに、本願第３の発明に係る高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９（３２０面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．０４以下であり、上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌＤｙＯ３（１２１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＤｙＯ３の比（ＩＡｌＤｙＯ３／ＩＡｌＮ）が０．０５以下であり、且つ上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＤｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＤｙ２Ｏ３の比（ＩＤｙ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、熱伝導率が２１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【００１４】
　また、本願第４の発明に係る高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９（３２０面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．００４〜０．０４であり、上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌＤｙＯ３（１２１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＤｙＯ３の比（ＩＡｌＤｙＯ３／ＩＡｌＮ）が０．０３以下であり、且つ上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＤｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＤｙ２Ｏ３の比（ＩＤｙ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００５〜０．０４であり、熱伝導率が２３５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【００１５】
　さらに、上記第１または第３の発明において、高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体がＧｄ、Ｄｙ元素の少なくとも１種を０．３〜４．５質量％、酸素を０．１〜０．７５質量％含有し、酸素とＧｄ、Ｄｙ（Ｒｅ）元素との質量比率（Ｏ／Ｒｅ）が０．４以下であり、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が４μｍ以上であり、任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍ当りに存在する結晶粒子数が４５０個以下であり、粒界相の最大径が０．７μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
　また上記第２または第４の発明において、高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体がＧｄ、Ｄｙ元素の少なくとも１種を０．３〜３質量％、酸素を０．１〜０．６質量％含有し、酸素とＧｄ、Ｄｙ（Ｒｅ）元素との質量比率（Ｏ／Ｒｅ）が０．３以下であり、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が５μｍ以上であり、任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍ当りに存在する結晶粒子数が３５０個以下であり、粒界相の最大径が０．６μｍ以下であることことが好ましい。」
【表１】「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載から、引用例３には、
「窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９（３１０面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．０４以下であり、上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌＧｄＯ３（１１２面）のＸ線回折強度ＩＡｌＧｄＯ３の比（ＩＡｌＧｄＯ３／ＩＡｌＮ）が０．０５以下であり、且つ上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＧｄ２Ｏ３（４０１面）のＸ線回折強度ＩＧｄ２Ｏ３の比（ＩＧｄ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、熱伝導率が２１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体」、
「窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９（３１０面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｇｄ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．００４〜０．０４であり、上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌＧｄＯ３（１１２面）のＸ線回折強度ＩＡｌＧｄＯ３の比（ＩＡｌＧｄＯ３／ＩＡｌＮ）が０．０３以下であり、且つ上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＧｄ２Ｏ３（４０１面）のＸ線回折強度ＩＧｄ２Ｏ３の比（ＩＧｄ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００５〜０．０４であり、熱伝導率が２３５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体」、
「窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９（３２０面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．０４以下であり、上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌＤｙＯ３（１２１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＤｙＯ３の比（ＩＡｌＤｙＯ３／ＩＡｌＮ）が０．０５以下であり、且つ上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＤｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＤｙ２Ｏ３の比（ＩＤｙ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、熱伝導率が２１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体、及び、
「窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９（３２０面）のＸ線回折強度ＩＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９の比（ＩＡｌ２Ｄｙ４Ｏ９／ＩＡｌＮ）が０．００４〜０．０４であり、上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌＤｙＯ３（１２１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＤｙＯ３の比（ＩＡｌＤｙＯ３／ＩＡｌＮ）が０．０３以下であり、且つ上記Ｘ線回折強度ＩＡｌＮに対するＤｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＤｙ２Ｏ３の比（ＩＤｙ２Ｏ３／ＩＡｌＮ）が０．００５〜０．０４であり、熱伝導率が２３５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体」が記載されており、
　窒化アルミニウム結晶粒子の平均径については、「４μｍ以上」（【００１５】）、「５μｍ以上」（【００１６】）という記載があり、引用例３に記載された窒化アルミニウム焼結体についての具体例である実施例１〜１９には、平均径が５μｍ〜１２μｍのもの（表１）が示され、これら粒径の範囲は、本件補正発明の窒化アルミニウム結晶粒子の平均径である「９μｍ以上１２μｍ以下」の範囲と重複する。
　しかしながら、表１の「熱伝導率」の欄の記載から明らかなように、引用例２に記載された窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は、せいぜい２５０Ｗ／ｍ・Ｋ（実施例６）にとどまり、本件補正発明のように、２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となるものではない。
　そうすると、引用例３に記載された窒化アルミニウム焼結体は、本件補正発明の熱伝導率を備えるものではないことから、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径について、引用発明において、引用例３の記載に基いて「９μｍ以上１２μｍ以下」とすることで、熱伝導率を２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となることは当業者によって認識することができないのであるから、引用発明及び引用例３の記載に基いて、相違点３に係る本件補正発明特定事項が容易想到である、ということはできない。
　
　ウ．引用例４（特開昭６３−２７７５７３号公報）について
　引用例４には、「高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある。
「２．特許請求の範囲
（１）ａ）不純物酸素量が７重量％以下であり、平均粒径が０．０５〜５μｍである窒化アルミニウム粉末と、希土類およびアルカリ土類元素の重量換算で０．０１〜１５重量％の希土類および／またはアルカリ土類化合物とを混合したのち成形した成形体を
　　ｂ）窒素ガスを含む還元雰囲気中で、
　　ｃ）１５５０〜１８５０℃で０．５〜１２時間焼結し、さらに高温の１７５０〜２０５０℃で１時間以上焼結することを特徴とした、
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
（２）焼成雰囲気が窒素ガスおよび、水素、一酸化炭素、カーボンガス、カーボン固相から選ばれた少なくとも一種から成る特許請求範囲第１項記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
（３）カーボンガスを生成する焼成容器および／または焼成時にカーボンガスを生成する物質を焼成容器内に含むことで還元雰囲気を具体化する特許請求範囲第１項記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
（４）希土類元素及び／又はアルカリ土類元素としてＹ、Ｓｃ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれた少なくとも一種以上の元素が焼結助剤として添加されることを特徴とする特許請求範囲第１項記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
（５）成形体もしくは焼結体を配置する試料台として窒化アルミニウム板、ＢＮ板、タングステン板カーボン板を敷いたカーボン容器中で焼成することを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
（６）焼成容器の内容積と、前記成形体または焼結体との体積比が１×１００〜１×１０７であることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法。」
　
　しかしながら、第１表（その１）の「焼結体特性」の「粒径（μｍ）」及び「熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）」の欄の記載からみて、引用例４に記載された窒化アルミニウム焼結体の具体例である実施例１〜２６では、粒径は１４μｍ（実施例５、６、２０）〜２３μｍ（実施例２３）であるから、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のもの（実施例９、１０）があったとしても、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径について、引用発明において、引用例４の記載に基いて「９μｍ以上１２μｍ以下」とすることで、熱伝導率を２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となることは当業者によって認識することができないのであるから、引用発明及び引用例４の記載に基いて、相違点３に係る本件補正発明特定事項が容易想到である、ということはできない。
　
　次に、原査定の拒絶の理由では明示的に引用されていないものの、引用例１の「表１」において、実施例７の熱伝導率は、２７０Ｗ／ｍ・Ｋであり、本件補正発明の熱伝導率の範囲に入るので、実施例７についても検討しておく。
　実施例７は、表１、２から明らかなように、
「焼結助剤として酸化イットリウムを用いたＡｌＮ焼結体であって、
　Ｉｂ／Ｉａ（（粒界相成分のＸ線回折の最強ピーク）／（ＡｌＮのＸ線回折の最強ピーク））が０．００６であり、
　Ｙ量が０．０２ｗｔ％、Ｏ量が０．０４ｗｔ％、Ｃ量が０．０１ｗｔ％以下であって、
　ＡｌＮ平均粒径が１５μｍであり、熱伝導率が２７０Ｗ／ｍ・ＫであるＡｌＮ焼結体。」（以下、「第２引用発明」という。）ということができる。
　そして、第２引用発明のＹ量及びＯ量は、本件補正発明に含まれる。
　
　そこで、本件補正発明と、第２引用発明とを対比すると、両者は、
「焼結助剤として少なくともＹ化合物を用いてなる窒化アルミニウム焼結体であって、
　Ｙ元素の含有量が０．０５質量％以下、酸素元素の含有量が０．０６質量％以下、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である窒化アルミニウム焼結体。」である点で一致し、次の相違点５〜７で相違する。
　
（相違点５）
　窒化アルミニウム結晶粒子の平均径について、本件補正発明は、９μｍ以上１２μｍ以下であるのに対し、第２引用発明の平均粒径は、１５μｍである点。
（相違点６）
　特定の素材のＸ線回折強度比について、本件補正発明では、「窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度をＩＡｌＮ、Ｙ２Ｏ３（２２２面）のＸ線回折強度をＩＹ２Ｏ３、ＹＡＭ（２０１面）のＸ線回折強度をＩＹＡＭとしたとき、ＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮが０．０００８以上０．００２未満かつＩＹＡＭ／ＩＡｌＮが０．００２未満（０含む）」であるのに対し、第２引用発明では、（粒界相成分のＸ線回折の最強ピーク）／（ＡｌＮのＸ線回折の最強ピーク）が０．００６である点。
（相違点７）
　窒化アルミニウム結晶粒子の最小径、最大径及び任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍあたりに存在する窒化アルミニウム結晶粒子の粒子数について、本件補正発明では、それぞれ、３μｍ以上、３５μｍ以下及び１２５個以下であるのに対し、第２引用発明では、それらは全て不明な点。
　
　まず、相違点６について検討する。
　本件補正発明と引用発明との対比で述べたように、第２引用発明の「（粒界相成分のＸ線回折の最強ピーク）／（ＡｌＮのＸ線回折の最強ピーク）が０．００６である」点は、本件補正発明の規定に従えば、ＩＹＡＭ／ＩＡｌＮ又はＩＹ２Ｏ３／ＩＡｌＮが０．００６であることを意味する。
　そこで、第２引用発明において、粒界相成分を低減することの容易想到性について検討する。
　引用例１の「粒界相の制御により、熱伝導率、平均結晶粒径、３点曲げ強度の優れたＡｌＮ焼結体を得ることができる。」（[0062]）という記載からみて、引用例１には、熱伝導率、平均結晶粒径、３点曲げ強度を優れたものとするために、粒界相を制御することは記載されているということができる。
　
　しかしながら、引用例１には、第２引用発明のＩｂ／Ｉａをさらに低減すれば、熱伝導率、平均結晶粒径、３点曲げ強度のいずれもが優れたものとなる記載も見出せないし、同表１及び表２において、例えば、Ｉｂ／Ｉａ（（粒界相成分のＸ線回折の最強ピーク）／（ＡｌＮのＸ線回折の最強ピーク））が０．００６の実施例７と、Ｉｂ／Ｉａが０．００６より小さい実施例１（０．００１）、２（０．００５）、６（０）に着目すると、熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）は、それぞれ、２６０、２４０、１５０であり、実施例７の熱伝導率である２７０よりも小さい値となっていて、Ｉｂ／Ｉａが０である実施例６が、実施例１〜７中で最も小さい熱伝導率となっているし、３点曲げ強度（ＭＰａ）についても、実施例６では、実施例７の２１０よりも小さい２００となっていて、Ｉｂ／Ｉａ（（粒界相成分のＸ線回折の最強ピーク）／（ＡｌＮのＸ線回折の最強ピーク））を、小さい値のものとすれば、熱伝導率や３点曲げ強度が必然的に向上するという傾向は見出すことができない。
　
　そうすると、第２引用発明において、粒界相成分を減らす、すなわち、Ｉｂ／Ｉａを小さくして、本件補正発明の範囲のものとすることについての動機付けは存在しない。
　したがって、上記相違点６に係る発明特定事項は、引用例１の記載に基いて、当業者が容易に想到し得たものではない。
　
　次に、相違点５について検討する。
　相違点５における窒化アルミニウム結晶粒子の平均径に係る相違点、すなわち、本件補正発明では、「窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が９μｍ以上１２μｍ以下」であるのに対し、第２引用発明では、「ＡｌＮ平均粒径が１５μｍ」である点について検討すると、上述したように、引用例１の「ＡｌＮ平均粒径が１５μｍである」第２引用発明において、引用例１の記載に照らせば、ＡｌＮ平均粒径が１５μｍより小さくなるように焼結した場合には、熱伝導率が低下することが予測されることは、当業者にとって明らかであるから、本件補正発明の熱伝導率の範囲とならない蓋然性が高い。
　
　したがって、上記相違点５に係る発明特定事項は、引用例１の記載に基いて、当業者が容易に想到し得たものではない。
　
　よって、本件補正発明は、引用例１に記載された発明とすることはできないし、他の相違点について検討するまでもなく、本件補正発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２〜４の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
　したがって、本件補正発明に係る補正事項は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　
　また、平成２５年１０月２１日付けの手続補正書におけるその余の補正事項についても、特許法第１７条の２第３項ないし第６項に違反するところはない。
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１〜１２に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
　そして、本願の請求項２〜１２に係る発明は、上記本件補正発明を引用し、本件補正発明の発明特定事項を全て含むものであるから、上記本件補正発明と同様な理由から、引用例１に記載された発明とすることはできないし、引用例１に記載された発明及び引用例２〜４の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないことから、本願については、原査定の拒絶理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。