【手続補正書】
【提出日】平成27年2月26日(2015.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバに基板を提供する工程と、１回又は複数回の蒸着サイクルを実行してケイ素含有膜を蒸着する工程と、を備える方法であって、
各サイクルは、
（ａ）窒素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露し、
（ｂ）ケイ素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露し、
（ｃ）前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線を照射するとともに、前記ケイ素含有反応物質の気相流には紫外線を照射しない
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、前記ケイ素含有反応物質の気相流に曝露される間に、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、前記ケイ素含有反応物質の気相流に曝露される間には、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露されない、方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記反応チャンバ内で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記チャンバの上流で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、方法。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、シラン、ハロシラン、アミノシラン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、ケイ素及びアミノ基の部位に炭素含有置換基を有するアミノシランである、方法。
【請求項８】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記窒素含有反応物質は、アンモニア、ヒドラジン、アミン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項９】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜は、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯＮＣからなる群から選択される、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜はＳｉＣＮである、方法。
【請求項１１】
反応チャンバに基板を提供する工程と、
１回又は複数回の蒸着サイクルを実行してケイ素含有膜を蒸着する工程と、を備える方法であって、
各サイクルでは、
（ａ）遠隔プラズマ源を用いて、窒素含有反応物質の気相流を活性化し、
（ｂ）前記活性化された窒素含有反応物質に前記基板を曝露し、
（ｃ）ケイ素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露する
方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記基板は、前記ケイ素含有反応物質の気相流に曝露される間に、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露される、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記基板は、前記ケイ素含有反応物質の気相流に曝露される間には、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露されない、方法。
【請求項１４】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、シラン、ハロシラン、アミノシラン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、ケイ素及びアミノ基の部位に炭素含有置換基を有するアミノシランである、方法。
【請求項１６】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記窒素含有反応物質は、アンモニア、ヒドラジン、アミン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項１７】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜は、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯＮＣからなる群から選択される、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜はＳｉＣＮである、方法。
【請求項１９】
半導体ウエハ上に窒化ケイ素膜を蒸着する装置であって、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）紫外線源と、
（ｃ）反応物質入口と、
（ｄ）前記反応チャンバ内に窒素含有反応物質の気相流を流入させる命令と、
前記反応チャンバ内にケイ素含有反応物質の気相流を流入させる命令と、
前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線を照射するとともに、前記ケイ素含有反応物質の気相流には紫外線を照射しない命令と、
を有する制御部と
を備える装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、
前記反応チャンバ内で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、装置。
【請求項２１】
請求項１９に記載の装置であって、
前記チャンバの上流で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、装置。
【請求項２２】
請求項１９から請求項２１のいずれか一項に記載の装置であって、
前記ケイ素含有反応物質の気相流が流れる間に、前記窒素含有反応物質の気相流が流される、装置。
【請求項２３】
請求項１９から請求項２１のいずれか一項に記載の装置であって、
前記ケイ素含有反応物質の気相流が流れる間には、前記窒素含有反応物質の気相流が流れない、装置。
【請求項２４】
半導体ウエハ上に窒化ケイ素膜を蒸着する装置であって、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）前記反応チャンバと離れた遠隔プラズマ発生装置と、
（ｃ）反応物質入口と、
（ｄ）前記遠隔プラズマ発生装置内に窒素含有反応物質の気相流を流入させる命令と、
前記遠隔プラズマ発生装置から前記反応チャンバ内に活性化窒素含有種を流入させる命令と、
前記反応チャンバ内にケイ素含有反応物質の気相流を流入させる命令と、
を有する制御部と
を備える装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の装置であって、
前記ケイ素含有反応物質の気相流が流れる間に、前記窒素含有反応物質の気相流が流される、装置。
【請求項２６】
請求項２４に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質の気相流が流れる間には、前記窒素含有反応物質の気相流が流れない、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
窒化ケイ素（ＳｉＮ）材料、及び、ＳｉＣＮ（ＳｉＮＣとも表記する）膜、ＳｉＯＮ膜及びＳｉＯＮＣ膜などの炭素含有及び／又は酸素含有膜を含む他のケイ 素含有膜を基板上に形成する方法を記載する。様々な実施形態において、この方法は、１つ又は複数の反応物質の電磁放射線を用いた活性化を含む。ある実施形態において、たとえば、この方法は、気相アミン共反応物質の紫外線（ＵＶ）活性化を含む。この方法を用いて、約４００℃未満の温度でＳｉＮ膜及びＳｉＣＮ膜などのケイ素含有膜を蒸着することができる。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
反応チャンバに基板を提供する工程と、１回又は複数回の蒸着サイクルを実行してケイ素含有膜を蒸着する工程と、を備える方法であって、
各サイクルは、
（ａ）窒素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露し、
（ｂ）ケイ素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露し、
（ｃ）前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線を照射するとともに、前記ケイ素含有反応物質の気相流には紫外線を照射しない
方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、
前記基板は、ケイ素含有前駆物質の気相流に曝露される間に、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露される、方法。
［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、
前記基板は、ケイ素含有前駆物質の気相流に曝露される間には、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露されない、方法。
［適用例４］
適用例１から適用例３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記反応チャンバ内で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、方法。
［適用例５］
適用例１から適用例３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記チャンバの上流で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、方法。
［適用例６］
適用例１から適用例５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、シラン、ハロシラン、アミノシラン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
［適用例７］
適用例６に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、ケイ素及びアミノ基の部位に炭素含有置換基を有するアミノシランである、方法。
［適用例８］
適用例１から適用例７のいずれか一項に記載の方法であって、
前記窒素含有反応物質は、アンモニア、ヒドラジン、アミン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
［適用例９］
適用例１から適用例８のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜は、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯＮＣからなる群から選択される、方法。
［適用例１０］
適用例９に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜はＳｉＣＮである、方法。
［適用例１１］
反応チャンバに基板を提供する工程と、１回又は複数回の蒸着サイクルを実行してケイ素含有膜を蒸着する工程と、を備える方法であって、
各サイクルでは、
（ａ）遠隔プラズマ源を用いて、窒素含有反応物質の気相流を活性化し、
（ｂ）前記活性化された窒素含有反応物質に前記基板を曝露し、
（ｃ）ケイ素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露する
方法。
［適用例１２］
適用例１１に記載の方法であって、
前記基板は、ケイ素含有前駆物質の気相流に曝露される間に、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露される、方法。
［適用例１３］
適用例１１に記載の方法であって、
前記基板は、ケイ素含有前駆物質の気相流に曝露される間には、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露されない、方法。
［適用例１４］
適用例１１から適用例１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、シラン、ハロシラン、アミノシラン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
［適用例１５］
適用例１４に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、ケイ素及びアミノ基の部位に炭素含有置換基を有するアミノシランである、方法。
［適用例１６］
適用例１１から適用例１５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記窒素含有反応物質は、アンモニア、ヒドラジン、アミン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
［適用例１７］
適用例１１から適用例１６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜は、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯＮＣからなる群から選択される、方法。
［適用例１８］
適用例１１から適用例１７のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜はＳｉＣＮである、方法。
［適用例１９］
半導体ウエハ上に窒化ケイ素膜を蒸着する装置であって、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）紫外線源と、
（ｃ）反応物質入口と、
（ｄ）前記反応チャンバ内に窒素含有反応物質の気相流を流入させる命令と、前記反応チャンバ内にケイ素含有反応物質の気相流を流入させる命令と、前記窒 素含有反応物質の気相流に紫外線を照射するとともに、前記ケイ素含有反応物質の気相流には紫外線を照射しない命令と、を有する制御部と
を備える装置。
［適用例２０］
適用例１９に記載の装置であって、
前記反応チャンバ内で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、装置。
［適用例２１］
適用例１９に記載の装置であって、
前記チャンバの上流で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、装置。
［適用例２２］
適用例１９から適用例２１のいずれか一項に記載の装置であって、
ケイ素含有前駆物質の気相流が流れる間に、前記窒素含有反応物質の気相流が流される、装置。
［適用例２３］
適用例１９から適用例２１のいずれか一項に記載の装置であって、
ケイ素含有前駆物質の気相流が流れる間には、前記窒素含有反応物質の気相流が流れない、装置。
［適用例２４］
半導体ウエハ上に窒化ケイ素膜を蒸着する装置であって、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）前記反応チャンバに対して遠隔のプラズマ源と、
（ｃ）反応物質入口と、
（ｄ）前記遠隔プラズマチャンバ内に窒素含有反応物質の気相流を流入させる命令と、前記遠隔プラズマ発生装置から前記反応チャンバ内に活性化窒素含有種を流入させる命令と、前記反応チャンバ内にケイ素含有反応物質の気相流を流入させる命令と、を有する制御部と
を備える装置。
［適用例２５］
適用例２４に記載の装置であって、
ケイ素含有前駆物質の気相流が流れる間に、前記窒素含有反応物質の気相流が流される、装置。
［適用例２６］
適用例２５に記載の方法であって、
ケイ素含有前駆物質の気相流が流れる間には、前記窒素含有反応物質の気相流が流れない、装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
「ケイ素含有反応物質」は、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣ又はその他のケイ素含有材料の形成に用いられる試薬である単一試薬又は試薬混合物であって、この試薬は少なくとも１つのケイ素化合物を含有する。ケイ素化合物は、たとえば、シラン、ハロシラン又はアミノシランでもよい。シランは、水素及び／又は炭素基 を含有するが、ハロゲンを含有しない。シランの例としては、シラン（ＳｉＨ4）と、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）と、メチルシラン、エチルシラン、イソプロピルシラン、ｔ‐ブチルシラン、ジメチルシラン、ジエチルシラン、ジ‐ｔ‐ブチルシラン、アリルシラン、ｓｅｃ−ブチルシラン、テキシルシラン、イソアミルシラン、ｔ‐ブチルジシラン、ジ‐ｔ‐ブチルジシラン等のオルガノシランと、が挙げられる。ハロシランは、少なくとも１つのハロゲン基を含有するものであって、水素及び／又は炭素基を含有するものでも含有しないものでもよい。ハロシランの例としては、ヨードシラン、ブロモシラン、クロロシラン及びフルオロシランが挙げられる。ハロシラン、特にフルオロシランは、ケイ素材料をエッチング可能な反応性ハロゲン 化合物種を形成することができるが、本明細書に記載する特定の実施形態においては、プラズマ照射の際にケイ素含有反応物質が存在しない。クロロシランの具体例としては、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ4）、トリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ3）、ジクロロシラン（Ｈ2ＳｉＣｌ2）、モノクロロシラン（ＣｌＳｉＨ3）、クロロアリルシラン、クロロメチルシラン、ジクロロメチルシラン、クロロジメチルシラン、クロロエチルシラン、ｔ‐ブチルクロロシラン、ジ‐ｔ‐ブチルクロロシラン、クロロイソプロピルシラン、クロロ‐ｓｅｃ‐ブチルシラン、ｔ‐ブチルジメチルクロロシラン、テキシルジメチルクロロシラン等が挙げられる。アミノシランは、ケイ素原子に結合される少なくとも１つの窒素原子を含むものであって、水素、酸素、ハロゲン及び炭素を含有するものでもよい。アミノシランの例としては、モノアミノシラン、ジアミノシラン、トリアミノシラン及びテトラアミノシラン（それぞれＨ3Ｓｉ（ＮＨ2）、Ｈ2Ｓｉ（ＮＨ2）2、ＨＳｉ（ＮＨ2）3及びＳｉ（ＮＨ2）4）とともに、ｔ‐ブチルアミノシラン、メチルアミノシラン、ｔｅｒｔ‐ブチルシランアミン、ビス（ターシャルブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ2（ＮＨＣ（ＣＨ3）3）2（ＢＴＢＡＳ））、ｔｅｒｔ‐ブチルシリルカルバメート、ＳｉＨ（ＣＨ3）−（Ｎ（ＣＨ3）2）2、ＳｉＨＣｌ−（Ｎ（ＣＨ3）2）2、（Ｓｉ（ＣＨ3）2ＮＨ）3等の置換モノアミノシラン、置換ジアミノシラン、置換トリアミノシラン及び置換テトラアミノシランが挙げられる。アミノシランの別の例としては、トリシリルアミン（Ｎ（ＳｉＨ3））がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図３は、一実施形態の方法の概要を示す処理フロー図３００である。３０５で、反応チャンバに基板を提供する。３１０で、必要に応じて、熱浸漬（サーマルソーク）を実施して、基板を所望の温度まで加熱するようにしてもよい。一つの実施形態において、本明細書で説明する方法のうち任意の方法を用いて、基板を約５０℃〜約５５０℃に、より具体的には、約３００℃〜約４５０℃に、たとえば、約３５０℃〜約４００℃に加熱する。次に、３１５で、チャンバに１つ又は複数のケイ素含有前駆物質を供給する。一部の実施形態において、工程３１５で、ケイ素含有反応物質に加えて、（たとえば、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素の蒸着のための）酸化剤及び／又は（たとえば、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素の蒸着のための）窒素含有前駆物質などの共反応物質を供給するようにしてもよい。基板表面上に、１つ又は複数のケイ素含有前駆物質が、たとえば、化学吸着や物理吸着によって、吸着されるものでもよい。３２０で、必要に応じて、パージ操作を行い、基板表面上に吸着された物質を残すようにしてもよい。３２５で、紫外線エネルギーで、表面に結合した分子を活性化することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の表面に結合したケイ素含有反応物質及び表面に結合した共反応物質と紫外線エネルギーが相互作用するものでもよい。一部の実施形態において、１つ又は複数の反応物質上の１つ又は複数のリガンドと相互作用するように、紫外線波長又は紫外線波長領域を選択するようにしてもよい。紫外線照射の結果、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯＮＣなど、所望のケイ素含有膜を形成する反応が活性化される。たとえば、炭素含有ケイ素前駆物質及び窒素含有共反応物質を用いて、ＳｉＣＮを形成するようにしてもよい。酸素含有及び炭素含有ケイ素前駆物質及び窒素含有共反応物質を用いて、ＳｉＯＮＣを形成するようにしてもよい。一部の実施形態において、共反応物質は、ＳｉＯを蒸着するのに利用可能な酸化剤でもよい。たとえば、酸素含有及び炭素含有ケイ素前駆物質及び酸化剤を用いて、酸化ケイ素を形成するようにしてもよい。処理３００は、続いて、必要に応じて、３３０で、パージを行って、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＮＣ又はその他の膜の層のみを基板上に残すようにしてもよい。工程３１５〜３３０を繰り返して、所望の厚さの膜を形成するようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
反応物質：
上述したように、ケイ素含有反応物質の例としては、シラン、ハロシラン又はアミノシランが挙げられる。シランは、水素及び／又は炭素基を含有するが、ハロゲンを含有しない。シランの例としては、シラン（ＳｉＨ4）と、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）と、メチルシラン、エチルシラン、イソプロピルシラン、ｔ‐ブチルシラン、ジメチルシラン、ジエチルシラン、ジ‐ｔ‐ブチルシラン、アリルシラン、ｓｅｃ−ブチルシラン、テキシルシラン、イソアミルシラン、ｔ‐ブチルジシラン、ジ‐ｔ‐ブチルジシラン等のオルガノシランと、が挙げられる。ハロシランは、少なくとも１つのハロゲン基を含有するものであって、水素及び／又は炭素基を含有するものでも含有しないものでもよい。ハロシランの例としては、ヨードシラン、ブロモシラン、クロロシラン及びフルオロシランが挙げられる。ハロシラン、特にフルオロシランは、ケイ素材料をエッチング可能な反応性ハロゲン化合物種を形成することができるが、本明細書に記載する特定の実施形態においては、プラズマ照射の際にケイ素含有反応物質が存在しない。クロロシランの具体例としては、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ4）、トリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ3）、ジクロロシラン（Ｈ2ＳｉＣｌ2）、モノクロロシラン（ＣｌＳｉＨ3）、クロロアリルシラン、クロロメチルシラン、ジクロロメチルシラン、クロロジメチルシラン、クロロエチルシラン、ｔ‐ブチルクロロシラン、ジ‐ｔ‐ブチルクロロシラン、クロロイソプロピルシラン、クロロ‐ｓｅｃ‐ブチルシラン、ｔ‐ブチルジメチルクロロシラン、テキシルジメチルクロロシラン等が挙げられる。アミノシランは、ケイ素原子に結合される少なくとも１つの窒素原子を含むものであって、水素、酸素、ハロゲン及び炭素を含有するものでもよい。アミノシランの例としては、モノアミノシラン、ジアミノシラン、トリアミノシラン及びテトラアミノシラン（それぞれＨ3Ｓｉ（ＮＨ2）、Ｈ2Ｓｉ（ＮＨ2）2、ＨＳｉ（ＮＨ2）3及びＳｉ（ＮＨ2）4）とともに、ｔ‐ブチルアミノシラン、メチルアミノシラン、ｔｅｒｔ‐ブチルシランアミン、ビス（ターシャルブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ2（ＮＨＣ（ＣＨ3）3）2（ＢＴＢＡＳ））、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン及びケイ素とアミノ基の両方を炭素で置換した他の同様の化合物、ｔｅｒｔ‐ブチルシリルカルバメート、ＳｉＨ（ＣＨ3）−（Ｎ（ＣＨ3）2）2、ＳｉＨＣｌ−（Ｎ（ＣＨ3）2）2、（Ｓｉ（ＣＨ3）2ＮＨ）3等の置換モノアミノシラン、置換ジアミノシラン、置換トリアミノシラン及び置換テトラアミノシランが挙げられる。アミノシランの別の例としては、トリシリルアミン（Ｎ（ＳｉＨ3））がある。様々な実施形態において、ケイ素含有反応物質は、紫外線透過性のあるものでもよいし、ないものでもよい。紫外線透過性のケイ素含有反応物質が用いられる場合には、たとえば、図５、６〜７及び９〜１３に関して上述したように、紫外線照射によって活性化される窒素含有共反応物質が存在する際に照射されるように紫外線曝露のタイミングを調節する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
一部の実施形態において、蒸発ポイント２３０３の上流側に液体流量制御装置を設置して、気化されて、処理ステーション２３００に供給される液体の質量流を制御する。たとえば、液体流量制御装置（ＬＦＣ：liquid flow controller）は、ＬＦＣの下流側に配置される熱質量流量計（ＭＦＭ：mass flow meter）を備える。ＭＦＭと電気的に通信する比例・積分・微分（ＰＩＤ：proportional-integral-derivative）制御器によって与えられるフィードバック制御信号に応じて、ＬＦＣのプランジャー値が調整される。ただし、フィードバック制御を利用して液体流量を安定化させるためには、１秒以上の時間がかかることがある。これにより、液体反応物質を添加する時間が延びる可能性がある。したがって、一部の実施形態において、フィードバック制御モードと直接制御モードとの間でＬＦＣを動的に切り替える。一部の実施形態において、ＬＦＣとＰＩＤ制御器の検知管の動作を停止させることによって、フィードバック制御モードから直接制御モードに、ＬＦＣを動的に切り替える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
シャワーヘッド２３０６は、基板２３１２に向かって処理ガスを分配する。図１４に示す実施形態において、基板２３１２は、シャワーヘッド２３０６の下方に配置され、図示されるように台座２３０８上に載置される。当然のことながら、シャワーヘッド２３０６は、任意の適当な形状でよく、処理ガスを基板２３１２に分配する任意の数および配置のポートを備えるものでもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
図１４に示す実施形態に戻り、シャワーヘッド２３０６と台座２３０８とは、ＲＦ電力供給部２３１４及び照合ネットワーク２３１６と電気的に通信して、プラズマに電力を供給する。一部の実施形態において、処理ステーションの圧力、ガス濃度、ＲＦ源の電力、ＲＦ源の周波数及びプラズマ出力パルスのタイミングのうち１つ又は複数を制御することにより、プラズマエネルギーが制御される。たとえば、ＲＦ電力供給部２３１４及び照合ネットワーク２３１６を任意の適当な電力で作動させて、所望のラジカル種の組成を有するプラズマを形成させることができる。適当な電力の例としては、以下に限定されるものではないが、１００Ｗ〜５０００Ｗの電力が挙げられる。同様に、ＲＦ電力供給部２３１４は、任意の適当な周波数のＲＦ電力を供給することができる。一部の実施形態において、ＲＦ電力供給部２３１４は、互いに独立に高周波ＲＦ電源と低周波ＲＦ電源とを制御するように構成されるものでもよい。低周波ＲＦ周波数の例としては、以下に限定されるものではないが、５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの周波数が挙げられる。高周波ＲＦ周波数の例としては、以下に限定されるものではないが、１．８ＭＨｚ〜２．４５ＧＨｚの周波数が挙げられる。当然のことながら、任意の適当なパラメータを離散的に又は連続的に調節して、表面反応にプラズマエネルギーを供給するようにしてもよい。非限定的な一例において、プラズマ出力を断続的にパルス状に変化させ、連続的に電力供給されるプラズマと比べて、基板表面とのイオン衝撃を減少させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
一部の実施形態において、システム制御部２４５０により調節されるパラメータは、処理条件に関係するものでもよい。非限定的な例として、処理ガスの組成及び流量、温度、圧力、プラズマ条件（たとえば、ＲＦバイアス電力レベル、圧力、温度）等が挙げられる。これらのパラメータは、ユーザインタフェースを用いて入力可能なレシピの形でユーザに提供されるものでもよい。