【手続補正書】
【提出日】平成27年5月28日(2015.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子マルチ小ビーム装置における１以上の荷電粒子小ビームの軌道を誘導するか制御するかの少なくとも一方の方法であって、
前記荷電粒子マルチ小ビーム装置は、前記荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの１以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスを具備し、前記マニピュレータデバイスは、  
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも１つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された１以上の電極が設けられ、前記１以上の電極は、前記基板に配置され、
前記複数の貫通開口のアレイの各貫通開口の前記１以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、
この方法は、個々の貫通開口の前記１以上の電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、各貫通開口に対して個々の調節制御を与える工程を具備し、
前記荷電粒子マルチ小ビーム装置は、前記荷電粒子小ビームの少なくとも１つの特性を決定するためのセンサを有し、前記センサは、前記電子制御回路に接続され、
この方法は、前記電子制御回路に前記センサによって供給されるフィードバック信号に基づいて、各貫通開口に対して個々の調節制御を与える工程を含む、方法。
【請求項２】
前記マニピュレータデバイスは、複数の静電レンズのアレイを有し、
前記複数の静電レンズの各々は、前記複数の貫通開口のアレイの１つの貫通開口を有し、
前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された１つの電極を有し、
前記電子制御回路は、前記複数の静電レンズのアレイの１つのレンズの個々の貫通開口の前記１つの電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記複数の静電レンズの各々の強度を個々に調節するように構成されている請求項１の方法。
【請求項３】
前記マニピュレータデバイスは、複数の静電デフレクタのアレイを有し、
前記複数の静電デフレクタの各々は、前記複数の貫通開口のアレイの１つの貫通開口を有し、
前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された２以上の電極を有し、
前記電子制御回路は、前記複数の静電デフレクタのアレイの１つのデフレクタの個々の貫通開口の前記２以上の電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記デフレクタによって誘導された荷電粒子小ビームの偏向量を個々に調節するように構成されている請求項１の方法。
【請求項４】
前記マニピュレータデバイスは、複数の静電非点収差補正器のアレイを有し、
前記複数の静電非点収差補正器の各々は、前記複数の貫通開口のアレイの１つの貫通開口を有し、
前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された８つの電極を有し、
前記電子制御回路は、前記複数の静電非点収差補正器のアレイの１つの非点収差補正器の個々の貫通開口の前記８つの電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記非点収差補正器によって誘導された荷電粒子小ビームの非点収差の補正量を個々に調節するように構成されている請求項１の方法。
【請求項５】
前記荷電粒子マルチ小ビーム装置は、
荷電粒子源を使用して、拡大する荷電粒子ビームを発生させ、
コリメータを使用して前記荷電粒子ビームをコリメートし、
アパーチャアレイを使用して多数の小ビームを生成し、
小ビームブランカアレイを使用してこれら小ビームをブランキングするために、所定時間、これら小ビームの１つのグループで個々の小ビームを偏向し、
ビーム停止アレイを使用して、偏向された個々の小ビームを停止し、
投影レンズ系を使用して、停止されていない小ビームをターゲット上に投影するための光学カラムを有する請求項１ないし４のいずれか１の方法。
【請求項６】
前記マニピュレータデバイスは、荷電粒子光学カラムの１以上の前記マニピュレータデバイスのミスアライメントを補正するために、前記１以上の荷電粒子小ビームの１以上を前記荷電粒子光学カラムの光軸にほぼ垂直な平面に偏向させることと、非点収差に対して前記１以上の荷電粒子小ビームの１以上を補正することとの少なくとも一方のために、前記コリメータの後ろに配置されている請求項５の方法。
【請求項７】
前記マニピュレータデバイスは、前記投影レンズ系における前記１以上の荷電粒子小ビームの１以上の偏向と、集束又は集束外しの少なくとも一方を与えるように、前記投影レンズ系の一部として設けられている請求項５又は６の方法。
【請求項８】
荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの１以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスを具備する荷電粒子マルチ小ビーム装置であって、前記マニピュレータデバイスは、  
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも１つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された１以上の電極が設けられ、前記１以上の電極は、前記基板に配置され、
各貫通開口の前記１以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記１以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成され、
前記荷電粒子マルチ小ビーム装置は、さらに、前記荷電粒子小ビームの少なくとも１つの特性を決定するためのセンサを有し、前記センサは、前記電子制御回路に前記センサによって供給されるフィードバック信号に基づいて、各貫通開口に対して個々の調節制御を与えるために前記電子制御回路に接続されている荷電粒子マルチ小ビーム装置。
【請求項９】
前記電圧は、前記マニピュレータデバイスの各電極に対して個々に調節可能である請求項８の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
【請求項１０】
前記マニピュレータデバイスは、前記複数の小ビームの個々の小ビームの集束、偏向又は非点収差合わせのために配置されている請求項８又は９の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
【請求項１１】
前記マニピュレータデバイスの前記平面基板は、ウェーハであり、
前記電子制御回路は、前記平面基板上に集積回路を有する請求項８、９又は１０の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
【請求項１２】
前記電子制御回路は、少なくとも部分的に、前記マニピュレータデバイス上に、２つの貫通開口の中間に配置され、
好ましくは、前記電子制御回路は、前記マニピュレータデバイス上に、２つの貫通開口の間又は２つのグループの貫通開口の間の非ビーム領域に配置されている請求項８ないし１１のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
【請求項１３】
前記電子制御回路は、１以上の貫通開口の前記１以上の電極に制御データを格納するためのメモリを有し、前記メモリは、前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上に、前記貫通開口に隣接して配置され、
好ましくは、前記メモリは、個々の貫通開口の前記１以上の電極に制御データを格納するように構成され、前記メモリは、前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上に、前記個々の貫通開口に隣接して配置され、
好ましくは、前記メモリは、２つの貫通開口の中間に配置されている請求項８ないし１２のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
【請求項１４】
前記マニピュレータデバイスの前記１以上の電極は、前記平面基板上に蒸着された金属を含み、好ましくは、前記金属はモリブデンである請求項８ないし１３のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
【請求項１５】
前記マニピュレータデバイスの各貫通開口の前記１以上の電極は、接地電極で少なくとも実質的に囲まれており、
好ましくは、前記接地電極は、前記平面基板に蒸着された金属を含み、好ましくは、前記金属はモリブデンである請求項８ないし１４のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
要約すると、本発明は、荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの１以上の荷電粒子ビームの操作のための方法及びデバイスに関する。マニピュレータデバイスは、平面基板を有し、平面基板はその平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも１つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、これら貫通開口の各々には、貫通開口のまわりに配置された１以上の電極が設けられている。また、マニピュレータデバイスは、各貫通開口の１以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、電子制御回路は、個々の貫通開口の１以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されている。
本出願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を以下に付記する。
［１］荷電粒子マルチ小ビーム装置における１以上の荷電粒子小ビームの軌道を誘導するか制御するかの少なくとも一方の方法であって、前記装置は、前記荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの１以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスを具備し、前記マニピュレータデバイスは、平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも１つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された１以上の電極が設けられ、前記１以上の電極は、前記基板に配置され、前記複数の貫通開口のアレイの各貫通開口の前記１以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、この方法は、個々の貫通開口の前記１以上の電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、各貫通開口に対して個々の調節制御を与える工程を具備する、方法。
［２］前記荷電粒子マルチ小ビーム装置は、前記荷電粒子小ビームの少なくとも１つの特性を決定するためのセンサを有し、前記センサは、前記電子制御回路に接続され、この方法は、前記電子制御回路に前記センサによって供給されるフィードバック信号に基づいて、各貫通開口に対して個々の調節制御を与える工程を含む［１］の方法。
［３］前記マニピュレータデバイスは、複数の静電レンズのアレイを有し、前記複数の静電レンズの各々は、前記複数の貫通開口のアレイの１つの貫通開口を有し、前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された１つの電極を有し、前記電子制御回路は、前記複数の静電レンズのアレイの１つのレンズの個々の貫通開口の前記１つの電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記複数の静電レンズの各々の強度を個々に調節するように構成されている［１］又は［２］の方法。
［４］前記マニピュレータデバイスは、複数の静電デフレクタのアレイを有し、前記複数の静電デフレクタの各々は、前記複数の貫通開口のアレイの１つの貫通開口を有し、前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された２以上の電極を有し、前記電子制御回路は、前記複数の静電デフレクタのアレイの１つのデフレクタの個々の貫通開口の前記２以上の電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記デフレクタによって誘導された荷電粒子小ビームの偏向量を個々に調節するように構成されている［１］又は［２］の方法。
［５］前記マニピュレータデバイスは、複数の静電非点収差補正器のアレイを有し、前記複数の静電非点収差補正器の各々は、前記複数の貫通開口のアレイの１つの貫通開口を有し、前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された８つの電極を有し、前記電子制御回路は、前記複数の静電非点収差補正器のアレイの１つの非点収差補正器の個々の貫通開口の前記８つの電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記非点収差補正器によって誘導された荷電粒子小ビームの非点収差の補正量を個々に調節するように構成されている［１］又は［２］の方法。
［６］前記荷電粒子マルチ小ビーム装置は、荷電粒子源を使用して、拡大する荷電粒子ビームを発生させ、コリメータを使用して前記荷電粒子ビームをコリメートし、アパーチャアレイを使用して多数の小ビームを生成し、小ビームブランカアレイを使用してこれら小ビームをブランキングするために、所定時間、これら小ビームの１つのグループで個々の小ビームを偏向し、ビーム停止アレイを使用して、偏向された個々の小ビームを停止し、投影レンズ系を使用して、停止されていない小ビームをターゲット上に投影するための光学カラムを有する［１］ないし［５］のいずれか１の方法。
［７］前記マニピュレータデバイスは、荷電粒子光学カラムの１以上の前記デバイスのミスアライメントを補正するために、前記１以上の荷電粒子小ビームの１以上を前記荷電粒子光学カラムの光軸にほぼ垂直な平面に偏向させることと、非点収差に対して前記１以上の荷電粒子小ビームの１以上を補正することとの少なくとも一方のために、前記コリメータの後ろに配置されている［６］の方法。
［８］前記マニピュレータデバイスは、前記投影レンズ系における前記１以上の荷電粒子小ビームの１以上の偏向と、集束又は集束外しの少なくとも一方を与えるように、前記投影レンズ系の一部として設けられている［６］又は［７］の方法。
［９］荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの１以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスを具備する荷電粒子マルチ小ビーム装置であって、前記マニピュレータデバイスは、平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも１つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された１以上の電極が設けられ、前記１以上の電極は、前記基板に配置され、各貫通開口の前記１以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記１以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されている荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１０］前記電圧は、前記マニピュレータの各電極に対して個々に調節可能である［９］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１１］前記マニピュレータデバイスは、前記複数の小ビームの個々の小ビームの集束、偏向又は非点収差合わせのために配置されている［９］又は［１０］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１２］前記マニピュレータデバイスの前記平面基板は、ウェーハであり、前記電子制御回路は、前記平面基板上に集積回路を有する［９］、［１０］又は［１１］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１３］前記電子回路は、少なくとも部分的に、前記マニピュレータデバイス上に、２つの貫通開口の中間に配置されている［９］ないし［１２］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１４］前記電子制御回路は、前記マニピュレータデバイス上に、２つの貫通開口の間又は２つのグループの貫通開口の間の非ビーム領域に配置されている［１３］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１５］前記電子制御回路は、１以上の貫通開口の前記１以上の電極に制御データを格納するためのメモリを有し、前記メモリは、前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上に、前記貫通開口に隣接して配置されている［９］ないし［１４］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１６］前記メモリは、個々の貫通開口の前記１以上の電極に制御データを格納するように構成され、前記メモリは、前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上に、前記個々の貫通開口に隣接して配置されている［１５］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１７］前記メモリは、２つの貫通開口の中間に配置されている［１５］又は［１６］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１８］前記マニピュレータデバイスの前記１以上の電極は、前記平面基板上に蒸着された金属を含む［９］ないし［１７］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［１９］前記金属はモリブデンである［１８］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２０］前記マニピュレータデバイスの１つの貫通開口の前記１以上の電極は、前記貫通開口の内側に面している壁に少なくとも部分的に接して配置されている［１８］又は［１９］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２１］前記１以上の電極は、前記貫通開口の中心線にほぼ平行な方向に、前記貫通開口に延びている［２０］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２２］前記マニピュレータデバイスの各貫通開口の前記１以上の電極は、接地電極で少なくとも実質的に囲まれている［９］ないし［２１］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２３］前記接地電極は、前記平面基板に蒸着された金属を含む［２２］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２４］前記金属はモリブデンである［２３］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２５］前記平面基板から離れて面している、前記マニピュレータデバイスの前記１以上の電極の表面は、前記平面基板と、前記平面基板から離れて面している前記接地電極の表面との間の高さに配置されている［２２］、［２３］又は［２４］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２６］前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上の前記接地電極の厚さは、前記平面基板上の前記１以上の電極の厚さよりも厚い［２５］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２７］前記電子制御回路は、前記電子制御回路を前記マニピュレータデバイスの前記１以上の電極に接続するための接続リードを有し、前記接続リードの少なくとも１つは、２つの接地導電層間に少なくとも部分的に配置されている［９］ないし［２６］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２８］前記接続リードの少なくとも１つは、２つの接地リード間に少なくとも部分的に配置されている［２７］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［２９］前記電子制御回路は、マルチプレクサの信号から、１以上の個々の貫通開口に対する制御データを抽出するためのデマルチプレクサを有し、前記デマルチプレクサは、前記マニピュレータの前記平面基板上に、前記貫通開口に隣接して配置されている［９］ないし［２８］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３０］前記デマルチプレクサは、個々の貫通開口の前記１以上の電極に対する制御データを抽出するように構成され、前記デマルチプレクサは、前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上に、個々の前記貫通開口に隣接して配置されている［２９］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３１］前記デマルチプレクサは、隣接している貫通開口の中間に配置されている［２９］又は［３０］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３２］前記マニピュレータデバイスへの接続リードの数は、前記電極の数よりも実質的に少ない［９］ないし［３１］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３３］前記マニピュレータデバイスの１つの貫通開口への接続リードの数は、前記貫通開口の電極の数よりも少ない［９］ないし［３２］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３４］前記複数の荷電粒子小ビームの少なくとも１つの特性を決定するためのセンサをさらに具備し、前記センサは、フィードバック信号を供給するように前記電子制御回路に接続されている［９］ないし［３３］のいずれか１の荷電粒子マルチビーム装置。
［３５］前記マニピュレータデバイスは、第１の平面基板を有する第１のマニピュレータデバイスであり、前記第１の平面基板は、前記第１の平面基板の平面に複数の貫通開口の第１のアレイを有し、前記荷電粒子マルチビーム装置は、第２の平面基板を有する第２のマニピュレータデバイスを備え、前記第２の平面基板は、前記第２の平面基板の平面に複数の貫通開口の第２のアレイを有し、前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された１以上の電極を有し、前記１以上の電極は、前記基板に配置され、前記第２の平面基板は、前記第１の平面基板から距離をあけて、前記第１の平面基板とほぼ平行に配置され、前記複数の貫通開口の第２のアレイの各貫通開口が、前記複数の貫通開口の第１のアレイの１つの貫通開口と少なくとも実質的に整列されている［９］ないし［３４］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３６］前記貫通開口は、半径ｒを有し、前記第１の平面基板と前記第２の平面基板との間の距離ｄは、前記半径ｒに等しいか前記半径ｒ未満である［３５］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３７］前記第１及び第２のマニピュレータデバイスの前記１以上の電極は、それぞれ、前記第１及び第２の基板上に配置され、前記第１の基板上の前記１以上の電極と前記第２の基板上の前記１以上の電極とは、互いに面している［３５］又は［３６］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３８］前記第２のマニピュレータデバイスは、少なくとも、前記第１及びのマニピュレータデバイスと前記第２のマニピュレータデバイスとの間の中心平面に対して、前記第１のマニピュレータデバイスに少なくとも実質的に対称的な鏡である［３５］、［３６］又は［３７］の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
［３９］荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイスにおける複数の荷電粒子小ビームの１以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスを具備する荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイスであって、前記マニピュレータデバイスは、平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも１つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された１以上の電極が設けられ、前記１以上の電極は、前記基板に配置され、前記複数の貫通開口のアレイの各貫通開口の前記１以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記１以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されている荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイス。
［４０］［９］ないし［３８］のいずれか１に記載される１以上の手段をさらに具備する［３９］の荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイス。
［４１］荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの１以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスであって、このマニピュレータデバイスは、平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも１つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された１以上の電極が設けられ、前記１以上の電極は、前記基板に配置され、各貫通開口の前記１以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記１以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されているマニピュレータデバイス。
［４２］［９］ないし［３８］のいずれか１に記載される１以上の手段をさらに具備する［４１］のマニピュレータデバイス。