【事件の表示】
　平成　８年特許願第１３２７２８号「サージ吸収素子」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１１月１８日出願公開、特開平　９−２９８８３３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年４月３０日の出願であって、その発明は請求項１乃至２に記載されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）は、請求項１に記載された次のとおりのものである。
「蓋部材と、一面に多数の円錐形状のエミッタ・コーンがドット・マトリクス状に一体形成されたｎ形半導体より成る基板部材とを、上記エミッタ・コーンの先端部と蓋部材の一面とが所定の距離を隔てて対向するように配置し、両部材の周縁を封着材を介して気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を真空状態と成すと共に、上記蓋部材及び基板部材の外面にそれぞれ電極を形成してなり、また、上記エミッタ・コーンの表面に、融点が高く、かつイオン衝撃に強い材料より成る保護膜を被覆し、さらに、上記基板部材の上記電極は、該基板部材の外面に形成したＡｌより成る第１の層と、該第１の層の表面に形成したＮｉより成る第２の層とから構成されていることを特徴とするサージ吸収素子。」
　なお、本願においては、平成１１年１２月２０日付けの手続補正がされたが、これは本審決と同日付けの補正の却下の決定により却下された。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２７８６８１号公報（以下、引用例１という）には、「電界放出（Field Emission）装置」（２頁右上欄２０行〜左下欄１行）が記載され、図面とともに以下の記載がある。
「本発明の第２態様によれば、相互に反転し、それぞれが少なくとも一つの導電性尖頭体を突出させている２つの電極構造体からなり、間に空間を介在させ、かつ各構造体の各尖頭体該空間に延設させた状態で、該構造体を接合した電界放出装置が提供される。」（２頁右下欄８行〜１３行）、
「まづ、第１（ａ）図について説明すると、高度にドーピングしたｎ形シリコン基体２に厚さが２μｍのニオブ層１をスパッタリングする。・・・次ぎに、カラム状部からパッド５を外し、ＳＦ２／Ｎ２を使用する反応性イオンエッチングによって全体をエッチングして、カラムを非常に鋭い尖頭形電極チップ７にする−第２（ｅ）図。・・・第２図は、このようにして形成した電極構造体１６の概略図である。７つの電極チップからなる電極構造体を図示してあるが、電極構造体１６の電極チップは任意の所望数でよい。」（３頁左上欄１１行〜左下欄１４行）、
「第４図には、別な電界放出装置の構成を示す。２つの電極構造体２０及び２１は上記と同様な方法で形成するが、この場合には、電極チップ２２をニオブ層２３側部の一方に寄せて設ける。従って、各構造体の実質的に平坦な領域２４の層はチップ群と、誘電体層２６及び金属フレーム層２７との間に延長することになる。構造体２１は構造体２０に対して１８０°回転させて、構造体２０に反転セットする。従って、各構造体のチップ２０は対応する構造体の平面領域２４の方に位置する。次ぎに、前と同様にして、構造体を接合して、間に排気又はガス充填空間を形成する。・・・第２実施態様では、第４図（ｂ）図に示すように、両構造体の一方のみにフレーム２５を設けるとともに、この構造体の金属フレーム層２７を対応する構造体のニオブ層に直接接合するのが好ましい。・・・上記各実施態様では、多くの変更が可能である。これらの実施態様では、電極チップをニオブ層から構成しているが、別な金属、例えばシリコン、ロジウム、モリブデン、金、ニッケルやタングステン、あるいは金属化合物や半導体物質等からなる層で構成することも可能である。・・・本発明装置は、例えば、精巧な電子機器を保護するサージアレスター（surge arrester）として使用することができる。このような装置は、保護すべき機器両端に接続するが、これは、電圧サージを受取ると、導電性になり、従って作動して、機器を損傷するサージを短絡する。」（３頁右下欄１６行〜４頁左下欄８行）
　すなわち、引用例１のニオブ層はニオブに代えて半導体を用いることが記載されていることから、引用例１には、平坦な領域（２４）と、一面に多数の円錐形状の電極チップ（２２）がドット・マトリクス状に一体形成された半導体より成る層（２３）とを、上記電極チップ（２２）の先端部と平坦な領域（２４）とが所定の距離を隔てて対向するように配置し、両層（２３）、（２４）との周縁をフレーム（２５）を介して気密封止して外囲器を形成し、、該外囲器内を真空状態と成すと共に、上記平坦な領域（２４）及び層（２３）の外面にそれぞれ電極構造体（２０）、（２１）を形成してなるサージ吸収素子、が開示されていると認められる。
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−１３１９６８号公報（以下、引用例２という。）には、「電界放出型電子源及びアレイ状基板」（発明の名称）が記載され、図面とともに以下の記載がある。
「従来、この種の電界放出型電子源の微小冷陰極には、陰極材料として、Ｓｉ等の半導体，Ｍｏ（モリブデン）やＷ（タングステン）などの高融点金属が使用されていた。・・・動作中に発生するイオンによって陰極がボンバードされて、陰極が変形したり、陰極表面の仕事関数が変化して、陰極の特性に経時変化が生じるなどの問題があった。　
　本発明は、安定した放出特性をもち、また、陰極特性の経時変化を有効に抑えることの可能な電界放出型電子源およびアレイ状基板を提供することを目的としている。・・・請求項１，請求項２記載の発明は、電界放出型電子源のエミッタ部の表面に硬質炭素膜あるいは炭化物層の被覆膜が設けられていることを特徴としている。これにより、上記従来の問題を解決することができ、上記目的を達成することができる。」（２頁２欄１３行〜３３行）、
「エミッタ３の表面に炭化物層の被覆膜４が形成される場合についてより詳しく説明する。一般に、周期表IV，V，VI族および鉄族の炭化物は化学的に安定であり、高融点，高硬度の特性を有している。特にＳｉＣ，ＴａＣ，ＷＣ，Ｗ2Ｃ，ＴｉＣ等は優れている。また、プラズマ耐性についても各種金属および半導体よりも優れている。」（５頁８欄４５行〜６頁９欄１行）
　すなわち、引用例２には、半導体より成る基板部材に設けられたエミッタ・コーンの表面に、融点が高く、かつイオン衝撃に強い材料より成る保護膜を被覆することが開示されていると認められる。
（３）比較・検討
　本願発明と引用例１とを比較すると、引用例１の、平坦な領域（２４）、電極チップ（２２）、層（２３）、フレーム（２５）が、本願発明における、蓋部材、エミッタ・コーン、基板部材、及び、封着部材に相当するから、本願発明と引用例１とは、蓋部材と、一面に多数の円錐形状のエミッタ・コーンがドット・マトリクス状に一体形成された半導体より成る基板部材とを、上記エミッタ・コーンの先端部と蓋部材の一面とが所定の距離を隔てて対向するように配置し、両部材の周縁を封着材を介して気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を真空状態と成すと共に、上記蓋部材及び基板部材の外面にそれぞれ電極を形成してなる、サージ吸収素子である点で一致し、以下の（イ）〜（ハ）の点で相違が認められる。
（イ）基板部材の半導体の種類が、本願発明ではｎ形であるのに対し、引用例１では、ｎ形かｐ形かは、明示されていない点、
（ロ）本願発明では、エミッタ・コーンの表面に、融点が高く、かつイオン衝撃に強い材料より成る保護膜を被覆しているのに対し、引用例１はこの構成を備えていない点、
（ハ）電極が、本願発明では、基板部材の外面に形成したＡｌより成る第１の層と、該第１の層の表面に形成したＮｉより成る第２の層とから構成されているのに対し、引用例１はこの構成を備えていない点。
　上記相違点（イ）〜（ハ）について検討する。
（イ）基板部材の半導体の種類は、導電率等の特性を考慮して適宜決定する事項にすぎない。したがって、基板部材の半導体として、ｎ形半導体を用いるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（ロ）本願発明における「融点が高く、かつイオン衝撃に強い材料より成る保護膜」に関し、発明の詳細な説明には、「エミッタ・コーン20の表面をも含んだ基板部材12の内面には、保護膜22が被覆されている。この保護膜22は、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔｈ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｌａ、Ｇｅ、Ａｌ、ダイヤモンド（アモルファス・カーボン）等よりなる薄膜や、Ｗ及びＺｒの二層構造、あるいは以上の各物質の中、少なくとも１種類を含んだ炭化物、酸化物、窒化物、無機化合物より構成される。」（本願明細書の段落【００１３】）と記載されているが、引用例２の被覆膜４は、「高融点，高硬度の特性を有している。特にＳｉＣ，ＴａＣ，ＷＣ，Ｗ2Ｃ，ＴｉＣ等は優れている。また、プラズマ耐性についても各種金属および半導体よりも優れている。」と記載されていることから、本願発明の保護膜と、材質、特性において同等のものが、引用例２に開示されていると認められる。
　そして、本願発明において保護膜を設けた目的は、「エミッタ・コーン20の表面を覆う保護膜22の材質として、可能な限り融点が高く、かつイオン衝撃に強い材料を選定することにより、サージ吸収素子10の寿命特性を向上させることができる。」（本願明細書の段落【００１７】）と記載されているように、素子の寿命特性を向上させるためと認められるところ、引用例２には、「安定した放出特性をもち、また、陰極特性の経時変化を有効に抑える」、すなわち、本願発明の保護膜と同様な目的を達成するために、本願発明の保護膜と同等な材質、特性を有する被覆膜を用いることが開示されている。
　さらに、素子の寿命特性を向上させることが望ましいことは明らかであって、保護膜を設ける箇所は、必要に応じて適宜決定することであるから、エミッタ・コーンの表面に、融点が高く、かつイオン衝撃に強い材料より成る保護膜を被覆するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（ハ）本願発明において、電極に、Ａｌより成る第１の層と、該第１の層の表面に形成したＮｉより成る第２の層とから構成した目的は、「この第１の層24ａを構成するＡｌと、第２の層24ｂを構成するＮｉとは、良好なオーム接触（ohmic contact）を実現するものとして選定された。」（本願明細書の段落【００１３】）との記載から、良好な電気特性を得るためと認められるところ、良好な電気特性を得るために、半導体部材に設ける電極として、半導体部材の外面に形成したＡｌより成る第１の層と、該第１の層の表面に形成したＮｉより成る第２の層とから構成するようにすることは、周知である（必要であれば、特開昭４９−３６２７７号公報、特開昭５２−４６７６４号公報）。
　したがって、電極に、Ａｌより成る第１の層と、該第１の層の表面に形成したＮｉより成る第２の層とから構成するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、「本発明に係るサージ吸収素子は、ｎ形半導体によって形成されたエミッタ・コーンの先端部に一定強度以上の電界集中が生じた際に、該エミッタ・コーン先端部から電子が真空中に放出される電界電子放出現象を利用してサージを吸収するものであり、シリコンサージアブソーバのようにｐｎ接合構造を有していないため、静電容量を最小限に抑えることができる。
　また、エミッタ・コーン先端部の尖鋭度や、エミッタ・コーン先端部と蓋部材の内面（第１の基板部材及び第２の基板部材の平面部）との間の距離を調節することにより、単体でも比較的大きな動作電圧（定格電圧）に設定することが可能となる。
　しかも、半導体中の電子の速度に比べ、真空中の電子は散乱を受けることなく進行するため、このサージ吸収素子は極めて高速に動作することが可能である。
　また、上記エミッタ・コーンの表面に、融点が高く、かつイオン衝撃に強い材料より成る保護膜が被覆したので、サージ吸収素子の寿命特性を向上させることができる。
　さらに、上記基板部材の電極を、該基板部材の外面に形成したＡｌより成る第１の層と、該第１の層の表面に形成したＮｉより成る第２の層とから構成したため、良好なオーム接触（ohmic contact）を実現できる。」という明細書記載の効果は、当業者が引用例１、２及び周知技術から容易に予測できる範囲のものである。
　すなわち、本願発明は、引用例及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。