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　平成　６年特許願第　３１８２４号「半導体装置の作製方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　７年　８月１８日出願公開、特開平　７−２２１０１７、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　経緯及び本願発明の要旨
　本願は、平成６年２月３日の出願であって、平成９年２月２１日付けで拒絶理由が出され、平成９年５月１日に意見書及び手続補正書を提出したが、平成１０年５月７日に拒絶査定された。平成１０年６月１８日審判請求におよび、平成１０年９月２９日前置報告され、平成１２年２月３日に最後の拒絶理由が出され、平成１２年５月１日に意見書及び手続補正書を提出し、さらに平成１２年７月２６日に新たな引用例で拒絶理由が出され、平成１２年１０月３日に意見書及び手続補正書が提出された。
　そして、その発明の要旨は、平成１２年１０月３日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりの、次のものであると認める。
「【請求項１】絶縁表面を有する基板上に形成された非晶質珪素膜の表面に結晶化を助長する元素を含む溶液を保持する工程と、
　エネルギーを与えることにより前記非晶質珪素膜の前記表面の一部およびその近傍に結晶核を形成する工程と、
　前記非晶質珪素膜の前記表面側にレーザー光または強光を照射し、前記結晶核から前記非晶質珪素膜の裏面への方向および前記非晶質珪素膜表面と平行な方向に向かって結晶成長せしめる工程と、を有する半導体装置の作製方法。
　【請求項２】結晶化を助長する元素を含む溶液を非晶質珪素膜の表面に接して保持する工程と、
　エネルギーを与えることにより前記非晶質珪素膜の前記表面の一部およびその近傍に結晶核を形成する工程と、
　前記非晶質珪素膜の前記表面側にレーザー光または強光を照射し、前記結晶核から前記非晶質珪素膜の裏面への方向および前記非晶質膜の表面と平行な方向に向かって結晶成長させる工程と、を有する半導体装置の作製方法。
　【請求項３】非晶質珪素膜の表面に結晶化を助長する元素を含む溶液を保持する工程と、
　加熱することにより前記非晶質珪素膜の前記表面の一部およびその近傍に結晶核を形成する工程と、
　前記非晶質珪素膜の前記表面側にレーザー光または強光を照射することにより前記結晶核から結晶成長させる工程と、を有する半導体装置の作製方法。
　【請求項４】非晶質珪素膜の表面に結晶化を助長する元素を含む溶液を保持し、
　非晶質珪素膜の表面の一部およびその近傍に、前記非晶質珪素膜を結晶化させて得た結晶性珪素でなる結晶核を形成し、
　前記非晶質珪素膜の前記表面側にレーザー光または強光を照射することにより前記結晶核より前記非晶質珪素膜の裏面への方向および前記非晶質珪素膜の表面と平行な方向に向かって結晶成長させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
　【請求項５】請求項１乃至４のいずれか一項において、結晶化を助長する元素として、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕから選ばれた一種または複数種類の元素がもちいられたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
　【請求項６】請求項１乃至４のいずれか一項において、結晶化を助長する元素として、VIII族、IIIb族、IVb族、およびVb族元素から選ばれた一種または複数種類の元素が用いられたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
　【請求項７】請求項１乃至４のいずれか一項において、非晶質珪素膜中における結晶化を助長する元素の濃度が１×１０16atoms cm−3〜１×１０19atoms cm−3であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
　【請求項８】請求項１又は２において、エネルギーは加熱により与えられることを特徴とする半導体装置の作製方法。」
　なお、「結晶核から非晶質珪素膜の裏面への方向および非晶質膜の表面と平行な方向に向かって結晶成長させる」ことは、出願当初の発明の詳細な説明【００５５】の「図２（Ａ），（Ｂ）は、レーザー光２０が照射されることによって、２１で示される結晶核から２２で示されるように結晶成長が行われていく様子が示されている。結晶化は図２（Ａ）の矢印で示されるように結晶核２１を中心として成長していく。この結晶化が進行することによって、２３で示されるような多結晶構造を得ることができる。」の記載及び図２の記載に基づいており、新規事項ではないと認める。
　
２　平成１２年７月２６日付け拒絶理由の概要
　理由１．本件出願の発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物１〜９に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する分野における通常の知識を有する者が、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１　Appl.Phys.Lett.62(20),17 May 1993 P2554-2556
引用例２　特開平４−３５２３５５号公報
引用例３　特開平２−１４０９１５号公報
引用例４　特開昭６３−１４２８０７号公報
引用例５　特開昭６１−５８８７９号公報
引用例６　特開平２−２６０５２４号公報
引用例７　特開平２−２６０５２１号公報
引用例８　特開平５−８２４４２号公報
引用例９　特開平４−２２１２０号公報
　
理由２　本願発明（請求項１〜１６）は、下記の先願明細書に記載された発明と同一であり、本願発明は、特許法第３９条第１項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
先願１　特願平５−３２９７６１号（特開平７−１５１５３４号公報参照）
先願２　特願平１１−３１７５５２号（先願１の分割出願）
先願３　特願平１１−３１７５５４号（先願１の分割出願）
　
３　引用例記載の発明
　引用例１には、絶縁表面上に非単結晶珪素の結晶化する金属元素（Ｐｄ）を導入した後、アモルファスシリコン膜にシリコンを結晶化する触媒元素を添加して、加熱することにより結晶化することが示されている。
　引用例２には、基板上に一導電型不純物を含有する半導体層を形成し、該半導体層に部分的にレーザ光を照射して、該半導体層に部分的に結晶化した結晶化領域を形成することが示されている。
　引用例３には、Ａｌ等でシード領域を形成し、当該シード領域から結晶核を発生させ、結晶成長させた半導体膜を得ようとすること、及びＮｉは、前記Ａｌと同様にシード領域を形成し、結晶核を発生させることが示されている。
　引用例４には、エピタキシャル成長により、所望の導電型と不純物濃度を有する多結晶シリコン層またはアモルファスシリコン層を形成することが示されている。
　引用例５には、単結晶シリコン基板と接触し、かつ表面に不純物が高濃度にドープされた非単結晶シリコン薄膜を絶縁膜上に形成し、熱処理により前記単結晶シリコン基板を種として固相エピタキシャル成長させることにより、非晶質シリコン薄膜を結晶化することが示されている。
　引用例６には、非晶質半導体の膜に前記半導体より融点の低い物質を添加して、この添加領域を融点未満の温度で加熱処理し、固相で結晶成長させて、単結晶半導体を得ることが示されている。
　引用例７には、非晶質半導体の膜に前記半導体より融点の低い物質（Ｓｎ）を添加して、この添加領域を融点未満の温度で加熱処理し、固相で結晶成長させて、単結晶半導体を得ることが示されている。
　引用例８には、非晶質半導体の膜に前記Ｓｎを添加して、この添加領域を融点未満の温度で加熱処理し、多結晶半導体を得ることが示されている。そして、Ｓｎの濃度は１×１０１９原子ｃｍ−３以上１×１０２２原子ｃｍ−３であることが示されている。
　引用例９には、固相成長によって得られた半導体膜をレーザー光または強光を照射することによってアニールすることが示されている。
　
４　本願発明と引用例との対比
　表面の一部およびその近傍とは、本願の図２（Ａ）に示すように非晶質珪素膜の裏面にまで達することのない結晶核を形成するという意味であり、また結晶核とは結晶性珪素を含むものであると請求人は主張しており、さすれば、本願請求項１〜４及びそれを引用する５〜８記載の発明である、非晶質珪素膜の表面の一部およびその近傍に結晶核を形成し、レーザー光または強光を照射することにより前記結晶核から結晶成長させるという方法（以下相違点１という）は、引用例１ないし９には記載されていないし、引用例１ないし９の頒布時の技術常識に基づいて当業者がその方法を使用できることが明らかでない。
　さらに本願請求項１〜４及びそれを引用する５〜８記載の発明である、非晶質珪素膜の表面に結晶化を助長する元素を含む溶液を保持するという方法（以下相違点２という）は、引用例１ないし９には一切記載されていないし、引用例１ないし９の頒布時の技術常識に基づいて当業者がその方法を使用できることが明らかでない。
　上記相違点１に関して、当業者の本願出願時技術水準に属する知識に基づいて判断すると、結晶化を助長する元素を非晶質珪素膜の表面に保持後、熱などのエネルギーを加えると非晶質珪素膜の表面およびその近傍に結晶核が形成され、引き続きその結晶核を前記熱などのエネルギーによってさらに成長させて非晶質珪素膜の裏面にまで到達させる前に、レーザー光または強光の照射に切り替えてその結晶核から結晶成長させるということは、容易に想到できたとは認められない。従って、その方法を使用することに容易に想到することができたとはいえない。
　上記相違点２に関して、当業者の本願出願時技術水準に属する知識に基づいて判断すると、本願出願時において当業者は、結晶化を助長する元素を非晶質珪素膜に導入する方法として、蒸着法、イオン注入法、スパッタ法などに容易に想到できたと考えられるが、結晶化を助長する元素を含む溶液を用いることに容易に想到できたとは認められない。従って、その方法を使用することに容易に想到することができたとはいえない。
　請求項１〜８に係る発明はいずれも引用例１〜９記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
５　本願発明と先願発明との対比　
　前述の相違点２である、非晶質珪素膜の表面に結晶化を助長する元素を含む溶液を保持するという方法は、先願１ないし３の明細書に記載された発明（以下先願発明という）と一致する。しかしながら前述の相違点１である、非晶質珪素膜の表面の一部およびその近傍に結晶核を形成し、レーザー光または強光を照射することにより前記結晶核から結晶成長させるという方法は、先願発明には記載されていないので、先願発明と本願発明は同一であるとはいえない。
　本願発明である、非晶質珪素膜の表面およびその近傍に結晶核が形
成され、その結晶核からさらに結晶成長させて非晶質珪素膜の裏面にまで到達する前に、レーザー光または強光の照射に切り替えてその結晶核から結晶成長させる方法は、先願発明に対して周知技術、慣用技術の付加、削除、転換等でなく、したがって先願発明と本願発明とは実質同一であるとはいえない。
　
６　上記以外の引用例について
　特願平５−３２９７６１号（特開平７−１６１６３４号）は、出願当初は、本件出願である請求人のみの出願であったので、特許法第２９条の２の先の出願ではない。
　
７　まとめ
　本願については、当審及び原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。