【事件の表示】
　特願２００６−１３８５７５「半透過型液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月２９日出願公開、特開２００７−３１０１１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は、平成１８年５月１８日の出願であって、平成２３年１０月３日、及び平成２４年１１月２６日に手続補正がなされ、平成２５年８月２７日付けで前記平成２４年１１月２６日の手続補正は却下されると同時に拒絶の査定がなされ、これに対し、同年１２月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされると同時に手続補正書が提出されて特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたものである。
　
２．平成２５年１２月２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　本件補正を却下する。
　
　［理由］
（１）補正後の本願の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「略一定の間隔をもって対向して配置される第１基板及び第２基板と、
　前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、
　前記第１基板上で複数の画素領域の各々に対して形成されたスイッチング素子と、
　前記第１基板上で前記スイッチング素子を覆うように形成された層間絶縁膜とを備え、
　前記画素領域の各々は透過領域と反射領域に分割されていて、前記透過領域では前記層間絶縁膜上に透過電極が形成され、前記反射領域では前記層間絶縁膜上に反射電極が形成されている半透過型液晶表示装置において、
　前記層間絶縁膜が、その表面において、前記画素領域の各々における前記透過領域と前記反射領域との間に段差を有しており、
　前記反射領域において、前記層間絶縁膜は、その表面に光反射効果を高めるための凹凸を有していると共に、前記スイッチング素子に達し
、階段状の側面を有する
　前記透過電極が、前記層間絶縁膜の表面上で前記コンタクトホールまで延在していると共に、前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続されており、
　前記反射電極が、前記透過電極の前記反射領域に属する部分を除いて前記層間絶縁膜上に直接形成されていると共に、前記透過電極の前記反射領域に属する部分上に直接重ねられており、
　前記反射電極と前記透過電極が、それらの重なり合った部分で相互に電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。」
と補正された。（下線は審決で付した。以下同じ。）
　上記補正は、請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「コンタクトホール」に関し、「階段状の側面を有する」と限定するものであって、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、前記に記載された事項により特定されるところ、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された「特開２００４−２０９０７号公報 」（以下「引用例」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
・「本発明を適用した
反射透過併用型の液晶表示装置
ＴＦＴ基板１には、
ＴＦＴによって制御される複数の画素２がマトリクス状に配設される
・「
画素２には、反射表示を行うための反射表示領域Ａと、透過表示を行うための透過表示領域Ｂとが設けられている
・「次に、本発明の液晶表示装置の図１中のＣ−Ｃ’線における断面構造、すなわち、画素２の略中央を通り、且つ信号線４に平行な断面構造について図２を参照しながら説明する。この
液晶表示装置は、
ＴＦＴ基板１と、カラーフィルタ基板５とが対向して配設され、これらの間に液晶層６が挟持された構造とされる
・「
カラーフィルタ基板５は、
透明絶縁基板７のＴＦＴ基板１と対向する側の面にカラーフィルタ８と、ＩＴＯ等からなる対向電極９とをこの順に有する
・「
ＴＦＴ基板１の反射表示領域Ａにあっては、
透明絶縁基板１２上に、画素２に表示信号を供給するための
ＴＦＴ１３と、
何層かの絶縁膜を介してＴＦＴ１３上に形成される反射凹凸形成層１４と、この反射凹凸形成層１４上に形成される平坦化層１５ａと、ＩＴＯ膜１６ａを介して平坦化層１５上に形成される反射電極１７とを備えている
・「この図２に示すＴＦＴ１３は、いわゆるボトムゲート構造であり、透明絶縁基板１２上に形成されたゲート電極１８と、ゲート電極１８の上面に重ねられた例えば窒化シリコン膜１９ａ及び酸化シリコン膜１９ｂの積層膜からなるゲート絶縁膜１９と、ゲート絶縁膜１９上に重ねられた半導体薄膜２０とを有し、半導体薄膜２０の両脇がＮ＋拡散領域とされている。ゲート電極１８は、ゲート線３の一部を延在させたものであり、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の金属又は合金がスパッタリング等の方法によって成膜されてなる。」（段落【００３４】）
・「半導体薄膜２０の一方のＮ＋拡散領域には、第１の層間絶縁膜２１及び第２の層間絶縁膜２２に形成されたコンタクトホールを介してソース電極２８が接続される。ソース電極２８には信号線４が接続され、データ信号が入力される。また、半導体薄膜２０の他方のＮ＋拡散領域には、第１の層間絶縁膜２１及び第２の層間絶縁膜２２に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極２９が接続される。ドレイン電極２９は、接続電極と接続され、さらにコンタクト部を介して画素２と電気的に接続される。接続電極は、ゲート絶縁膜１９を介してＣｓ線２３との間に補助容量Ｃを形成している。半導体薄膜２０は、例えばＣＶＤ法等によって得られる低温ポリシリコンからなる薄膜であり、ゲート絶縁膜１９を介してゲート電極１８と整合する位置に形成される。」（段落【００３５】）
・「本発明の
ＴＦＴ基板１の透過表示領域Ｂにおいては、反射表示領域Ａを構成する膜のうち平坦化層１５ａ及びＩＴＯ膜１６ａの一部が、透明絶縁基板１２上に延在されて絶縁平坦化層１５及び透明電極１６として形成されている
反射表示領域Ａを構成するゲート絶縁膜１９、第１の層間絶縁膜２１、第２の層間絶縁膜２２、反射凹凸形成層１４、及び反射電極１７は、透過表示領域Ｂにおいては除去されている
　また、上記の段落【００３２】、【００３４】、【００３５】、【００３７】、及び図２の記載から、以下の事項が示されている。
・「
平坦化層１５ａは、その表面において、画素２の各々における透過表示領域Ｂと反射表示領域Ａとの間に段差を有している
・「
反射表示領域Ａにおいて、平坦化層１５ａは、その表面に光反射効果を高めるための凹凸を有している
・「
コンタクト部は、反射表示領域Ａに形成されている
・「
透明電極１６が、平坦化層１５ａの表面上でコンタクト部ホールまで延在していると共に、前記コンタクト部を介してＴＦＴ１３に電気的に接続されている
　これらの記載事項、及び図示事項を総合すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＴＦＴ基板１と、カラーフィルタ基板５とが対向して配設され、これらの間に液晶層６が挟持された構造とされる反射透過併用型の液晶表示装置において、
　ＴＦＴ基板１には、ＴＦＴ１３によって制御される複数の画素２がマトリクス状に配設され、
　画素２には、反射表示を行うための反射表示領域Ａと、透過表示を行うための透過表示領域Ｂとが設けられており、
　カラーフィルタ基板５は、透明絶縁基板７のＴＦＴ基板１と対向する側の面にカラーフィルタ８と、ＩＴＯ等からなる対向電極９とをこの順に有し、
　ＴＦＴ基板１の反射表示領域Ａにあっては、透明絶縁基板１２上に、画素２に表示信号を供給するためのＴＦＴ１３と、何層かの絶縁膜を介してＴＦＴ１３上に形成される反射凹凸形成層１４と、この反射凹凸形成層１４上に形成される平坦化層１５ａと、ＩＴＯ膜１６ａを介して平坦化層１５上に形成される反射電極１７とを備えており、
　平坦化層１５ａは、その表面において、画素２の各々における透過表示領域Ｂと反射表示領域Ａとの間に段差を有しており、
　反射表示領域Ａにおいて、平坦化層１５ａは、その表面に光反射効果を高めるための凹凸を有しており、
　透明電極１６が、平坦化層１５ａの表面上でコンタクト部ホールまで延在していると共に、前記コンタクト部を介してＴＦＴ１３に電気的に接続され、
　コンタクト部は、反射表示領域Ａに形成され、
　ＴＦＴ基板１の透過表示領域Ｂにおいては、反射表示領域Ａを構成する膜のうち平坦化層１５ａ及びＩＴＯ膜１６ａの一部が、透明絶縁基板１２上に延在されて絶縁平坦化層１５及び透明電極１６として形成され、反射表示領域Ａを構成するゲート絶縁膜１９、第１の層間絶縁膜２１、第２の層間絶縁膜２２、反射凹凸形成層１４、及び反射電極１７は、透過表示領域Ｂにおいては除去されている反射透過併用型の液晶表示装置。」
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、
　後者における「透明絶縁基板１２」は、その機能、作用等からみて、前者における「第１基板」に相当し、以下同様に、「透明絶縁基板７」は「第２基板」に、「液晶層６」は「液晶層」に、「『ＴＦＴ１３』、及び『ドレイン電極２９』」は「スイッチング素子」に、「『平坦化層１５ａ』、及び『絶縁平坦化層１５』」は「層間絶縁膜」に、「透過表示領域Ｂ」は「透過領域」に、「反射表示領域Ａ」は「反射領域」に、「『ＩＴＯ膜１６ａ』、及び『透明電極１６』」は「透過電極」に、「反射電極１７」は「反射電極」に、「コンタクト部」は「コンタクトホール」に、「反射透過併用型の液晶表示装置」は「半透過型液晶表示装置」に、それぞれ相当する。
　また、後者は、透明絶縁基板１２を備えたＴＦＴ基板１と、透明絶縁基板７を備えたカラーフィルタ基板５とが対向して配設され、これらの間に液晶層６が挟持された構造であるから、「透明絶縁基板１２及び透明絶縁基板７は、略一定の間隔をもって対向して配置される」といえ、「液晶層６は、透明絶縁基板１２及び透明絶縁基板７の間に配置された」といえる。
　また、後者は、画素２には、反射表示を行うための反射表示領域Ａが設けられており、ＴＦＴ基板１の反射表示領域Ａにあっては、透明絶縁基板１２上に、画素２に表示信号を供給するためのＴＦＴ１３を備えているから、「透明絶縁基板１２上で複数の画素領域の各々に対して形成されたＴＦＴ１３を備えている」といえる。
　また、後者は、透明絶縁基板１２上に、画素２に表示信号を供給するためのＴＦＴ１３と、何層かの絶縁膜を介してＴＦＴ１３上に形成される反射凹凸形成層１４と、この反射凹凸形成層１４上に形成される平坦化層１５ａとを備えているから、「透明絶縁基板１２上でＴＦＴ１３を覆うように形成された平坦化層１５ａとを備えている」といえる。
　また、後者は、画素２には、反射表示を行うための反射表示領域Ａと、透過表示を行うための透過表示領域Ｂとが設けられており、ＴＦＴ基板１の反射表示領域Ａにあっては、透明絶縁基板１２上に、画素２に表示信号を供給するためのＴＦＴ１３と、何層かの絶縁膜を介してＴＦＴ１３上に形成される反射凹凸形成層１４と、この反射凹凸形成層１４上に形成される平坦化層１５ａと、ＩＴＯ膜１６ａを介して平坦化層１５上に形成される反射電極１７とを備えており、ＴＦＴ基板１の透過表示領域Ｂにおいては、反射表示領域Ａを構成する膜のうち平坦化層１５ａ及びＩＴＯ膜１６ａの一部が、透明絶縁基板１２上に延在されて絶縁平坦化層１５及び透明電極１６として形成され、反射表示領域Ａを構成するゲート絶縁膜１９、第１の層間絶縁膜２１、第２の層間絶縁膜２２、反射凹凸形成層１４、及び反射電極１７は、透過表示領域Ｂにおいては除去されているから、「画素領域の各々は透過表示領域Ｂと反射表示領域Ａに分割されていて、前記透過表示領域Ｂでは絶縁平坦化層１５上に透明電極１６が形成され、前記反射表示領域Ａ反射領域では平坦化層１５ａ上に反射電極１７が形成されている」といえる。
　また、後者は、反射表示領域Ａにあっては、ＩＴＯ膜１６ａを介して平坦化層１５上に形成される反射電極１７とを備えているから、「反射電極１７が、ＩＴＯ膜１６ａの反射表示領域Ａに属する部分上に直接重ねられており、前記反射電極１７と前記ＩＴＯ膜１６ａが、それらの重なり合った部分で相互に電気的に接続されている」といえる。
　したがって、両者は、
「略一定の間隔をもって対向して配置される第１基板及び第２基板と、
　前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、
　前記第１基板上で複数の画素領域の各々に対して形成されたスイッチング素子と、
　前記第１基板上で前記スイッチング素子を覆うように形成された層間絶縁膜とを備え、
　前記画素領域の各々は透過領域と反射領域に分割されていて、前記透過領域では前記層間絶縁膜上に透過電極が形成され、前記反射領域では前記層間絶縁膜上に反射電極が形成されている半透過型液晶表示装置において、
　前記層間絶縁膜が、その表面において、前記画素領域の各々における前記透過領域と前記反射領域との間に段差を有しており、
　前記反射領域において、前記層間絶縁膜は、その表面に光反射効果を高めるための凹凸を有していると共に、前記スイッチング素子に達するコンタクトホールを有しており、
　前記透過電極が、前記層間絶縁膜の表面上で前記コンタクトホールまで延在していると共に、前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続されており、
　前記反射電極が、前記透過電極の前記反射領域に属する部分上に直接重ねられており、
　前記反射電極と前記透過電極が、それらの重なり合った部分で相互に電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。」
　の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　コンタクトホールが、本願補正発明は、「階段状の側面を有する」のに対し、引用発明は、そのようなものではない点。
［相違点２］
　反射電極が、本願補正発明は、「透過電極の反射領域に属する部分を除いて層間絶縁膜上に直接形成されている」のに対し、引用発明は、そのようなものでない点。
　
（４）判断
　上記相違点について以下検討する。
ア．相違点１について
　一般に液晶表示装置において、コンタクトホールにおける電極の接続を良好とするために、コンタクトホールを階段状の側面を有するものとすることは、本願の出願時点で周知の技術事項（例えば、特開平１１−５２４１９号公報の【００６５】、及び図３（ｂ）、並びに特開昭６２−１４６２２号公報の第５頁左上欄第１１〜１５行参照。）である。
　そして、引用発明と上記周知の技術事項とは、液晶表示装置という共通の技術分野に属するものである。また、引用発明においても、当然コンタクトホールにおける電極の接続を良好にしなければならないことであるから、コンタクトホールにおける電極の接続を良好とすることは、内在する自明の課題である。
　してみると、引用発明において、上記周知の技術事項を適用することは、当業者が容易に想到し得るものである。
　したがって、引用発明において、上記周知の技術事項を適用することにより、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
イ．相違点２について
　一般に半透過型液晶表示装置において、反射電極が、透過電極の反射領域に属する部分を除いて層間絶縁膜上に直接形成されると共に、前記透過電極の前記反射領域に属する部分上に直接重ねることは、本願の出願時点で常套手段である（例えば、特開２００４−２１２５３２号公報の段落【００３２】、【００３３】、【００４２】、及び図７、並びに特開２００５−２５８４１０号公報の段落【００１５】〜【００１８】、【００２８】、及び図４、７、８参照。）。
　そして、引用発明と上記常套手段とは、半透過型液晶表示装置という共通の技術分野に属するものであり、また、引用発明において、反射電極１７を平坦化層１５ａ上に形成する場合、平坦化層１５ａに直接成形するか否かのいずれかであって、そのいずれを選択するかは当業者が当該引用発明を実施する際に適宜定めるべき設計的事項であるところ、本願明細書をみても、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項に格別の技術的意義があるものとは認められない。
　してみると、引用発明に上記常套手段を適用することは、当業者が容易に想到し得るものである。
　したがって、引用発明において、上記常套手段を適用することにより、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
　そして、本願補正発明の発明特定事項の全体によって奏される効果も、引用発明、上記周知の技術事項、及び上記常套手段から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明、上記周知の技術事項、及び上記常套手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおりであって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願の発明について
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１０月３日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「略一定の間隔をもって対向して配置される第１基板及び第２基板と、
　前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、
　前記第１基板上で複数の画素領域の各々に対して形成されたスイッチング素子と、
　前記第１基板上で前記スイッチング素子を覆うように形成された層間絶縁膜とを備え、
　前記画素領域の各々は透過領域と反射領域に分割されていて、前記透過領域では前記層間絶縁膜上に透過電極が形成され、前記反射領域では前記層間絶縁膜上に反射電極が形成されている半透過型液晶表示装置において、
　前記層間絶縁膜が、その表面において、前記画素領域の各々における前記透過領域と前記反射領域との間に段差を有しており、
　前記反射領域において、前記層間絶縁膜は、その表面に光反射効果を高めるための凹凸を有していると共に、前記スイッチング素子に達するコンタクトホールを有しており、
　前記透過電極が、前記層間絶縁膜の表面上で前記コンタクトホールまで延在していると共に、前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続されており、
　前記反射電極が、前記透過電極の前記反射領域に属する部分を除いて前記層間絶縁膜上に直接形成されていると共に、前記透過電極の前記反射領域に属する部分上に直接重ねられており、
　前記反射電極と前記透過電極が、それらの重なり合った部分で相互に電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び、その記載内容は、上記「２．（２）引用例」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、実質的に上記「２．（１）補正後の本願の発明」で検討した本願補正発明の「コンタクトホール」に関し、「階段状の側面を有する」との限定を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とを対比した場合の相違点は、上記「２．（３）対比」で挙げた相違点２のみとなるから、上記「２．（４）判断」における検討内容を踏まえれば、本願発明は、引用発明、及び上記常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明、及び上記常套手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。