【事件の表示】
　特許第３２２４５２９号「プラズマ処理システム」の請求項１ないし２０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２４５２９号の請求項１ないし２０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３２２４５２９号「プラズマ処理システム」の特許請求の範囲第１項ないし第２０項に記載された発明についての出願は、平成２年８月３日（パリ条約による優先権主張１９８９年８月１４日、米国）に出願した特願平２−２０５３０２号の一部を平成１１年７月１９日に新たな特許出願としたものであって、平成１３年８月２４日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、高橋　順子により請求項２０に係る特許、大森　巌により請求項１ないし２０に係る特許及び秋元　昭久により請求項１ないし２０に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その所定の期間内である平成１５年３月２７日に特許異議意見書と訂正請求書が提出されたものである。
２．訂正の適否について
　（１）訂正内容
ａ．訂正事項ア
　特許請求の範囲の請求項１における「前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と」を、
「前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体とを備え、
　前記絶縁シールドは、前記基板支持体の全体の上において横方向に連続的に延びた内部面を有し、前記プラズマ処理システムは、更に」と訂正する。
ｂ．訂正事項イ
　特許請求の範囲の請求項１における「前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマにな」を、
「前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間で該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置されてい」と訂正する。
ｃ．訂正事項ウ
　特許請求の範囲の請求項２における「前記電気伝導コイルによって生成されるプラズマの横方向のサイズは、前記電気伝導コイルの横方向のサイズに略対応することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記電気伝導コイルによって生成されるプラズマの横方向のサイズは、前記電気伝導コイルの横方向のサイズに略対応し、前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪を含むことを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｄ．訂正事項エ
　特許請求の範囲の請求項３における「前記電気伝導コイルの横方向のサイズは、前記基板支持体の横方向の寸法と略同一の広がりを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記絶縁シールドは、基板表面に平行で連続的な平面状の内部面を有し、前記プラズマ処理装置は、更に、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、前記絶縁シールドの前記平面状の内部面の上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波工ネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記電気伝導コイルの横方向のサイズは、前記基板支持体の横方向の寸法と略同一の広がりを有することを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｅ．訂正事項オ
　特許請求の範囲の請求項４における「前記電気伝導コイルと基板表面との距離は、３〜１５ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド、上壁及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波工ネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記絶縁シールドは、前記上壁の開口部に配置され、前記電気伝導コイルと基板表面との距離は、３〜１５ｃｍであることを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｆ．訂正事項カ
　特許請求の範囲の請求項６における「前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドを通過する磁界分布を生成し、前記プラズマ処理チャンバの内部空間の内側の磁界分布は、前記電気伝導コイルからの磁界とプラズマ中の電子の流れによって誘起される磁界とのベクトル合成によって決定されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪を含み、前記絶縁シールドを通過する磁界分布を生成し、前記プラズマ処理チャンバの内部空間の内側の磁界分布は、前記電気伝導コイルからの磁界とプラズマ中の電子の流れによって誘起される磁界とのベクトル合成によって決定されることを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｇ．訂正事項キ
　特許請求の範囲の請求項７における「前記電気伝導コイルは、前記基板支持体の面に略平行な領域内であって前記側壁の内側で循環する電子群の均一な流れを生成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド、上壁及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記絶縁シールドは、前記上壁の開口部に配置され、前記電気伝導コイルは、前記基板支持体の面に略平行な領域内であって前記側壁の内側で循環する電子群の均一な流れを生成することを特徴とする記載のプラズマ処理システム」と訂正する。
ｈ．訂正事項ク
　特許請求の範囲の請求項９における「前記プラズマ処理チャシバは、ＣＶＤプラズマ反応炉又はプラズマエッチング反応炉を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドに沿って広がるとともに横方向に隔てられた複数の巻き部分を有する渦巻状コイルであり、前記プラズマ処理チャンバは、ＣＶＤプラズマ反応炉又はプラズマエッチング反応炉を含むことを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｉ．訂正事項ケ
　特許請求の範囲の請求項１０における「基板を横切る方向に略均一な磁界」を、
「基板の表面に沿って略均一な磁界」と訂正する。
ｊ．訂正事項コ
　特許請求の範囲の請求項１２における「前記無線周波エネルギ源は、前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に電位が印加されるように前記基板支持体に無線周波エネルギを印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記プラズマ処理システムは、更に、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記プラズマ処理装置は、更に、前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に電位が印加されるように前記基板支持体に無線周波エネルギを印加する第２の無線周波エネルギ源を備えることを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｋ．訂正事項サ
　特許請求の範囲の請求項１３における「前記電気伝導コイルは、基板の露出面に平行に配置された平面状コイルを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記電気伝導コイルは、基板の露出面に平行に配置された平面状コイルを含むことを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｌ．訂正事項シ
　特許請求の範囲の請求項１４における「前記電気伝導コイルは、平面からのずれが前記電気伝導コイルの横方向の寸法の２０％以下の平坦性を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記電気伝導コイルは、平面からのずれが前記電気伝導コイルの横方向の寸法の２０％以下の平坦性を有することを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｍ．訂正事項ス
　特許請求の範囲の請求項１８における「前記プラズマは、前記プラズマ処理チャンバ内に、前記内部空間内の圧力が１０‐５〜５Ｔｏｒｒの範囲において、生成され得ることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、
「略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記プラズマ処理システムは、更に、前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記プラズマは、前記プラズマ処理チャンバ内に、前記内部空間内の圧力が１０‐５〜５Ｔｏｒｒの範囲において、生成され得ることを特徴とするプラズマ処理システム」と訂正する。
ｎ．訂正事項セ
　特許請求の範囲の請求項２０における「前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と」を、
「前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体とを備え、前記絶縁シールドは、前記基板支持体の全体の上において横方向に連続的に延びた内部面を有し、前記プラズマ処理システムは、更に」と訂正する。
ｏ．訂正事項ソ
　特許請求の範囲の請求項２０における「無線周波エネルギ源とを備え」を、
「無線周波エネルギ源とを備え、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間で前記磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置され」と訂正する。
　（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項アについて；
　訂正事項アは、絶縁シールドの構成を更に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項イについて；
　訂正事項イは、プラズマの発生領域を限定するとともに電気伝導コイルの配置場所を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項ウについて；
　訂正事項ウは、記載を独立形式に書き換えるとともに、電気伝導コイルの構成を更に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項エについて；
　訂正事項エは、記載を独立形式に書き換えるとともに、絶縁シールドの構成及び絶縁シールドと電気伝導コイルとの位置関係を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項オについて；
　訂正事項オは、記載を独立形式に書き換えるとともに、絶縁シールドと電気伝導コイルとの位置関係、基板と絶縁シールドとの長さ関係及び絶縁シールドと上壁の開口部との位置関係を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項カについて；
　訂正事項カは、記載を独立形式に書き換えるとともに、電気伝導コイルの構成を更に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項キについて；
　訂正事項キは、記載を独立形式に書き換えるとともに、絶縁シールドと電気伝導コイルとの位置関係、基板と絶縁シールドとの長さ関係及び絶縁シールドと上壁の開口部との位置関係を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項クについて；
　訂正事項クは、記載を独立形式に書き換えるとともに、電気伝導コイルの構成を更に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項ケについて；
　訂正事項ケは、磁界の生成について、記載の明りょう化を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項コについて；
　訂正事項コは、記載を独立形式に書き換えるとともに、絶縁シールドと電気伝導コイルとの位置関係及び基板と絶縁シールドとの長さ関係を限定する特許請求の範囲の減縮並びに基板支持体に印加する無線周波エネルギについての記載の明りょう化を図る明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項サ及びシについて；
　訂正事項サ及びシは、記載を単に独立形式に書き換えるものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項スについて；
　訂正事項スは、記載を独立形式に書き換えるとともに、絶縁シールドと電気伝導コイルとの位置関係及び基板と絶縁シールドとの長さ関係を限定する特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項セについて；
　訂正事項セは、絶縁シールドの構成を更に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　訂正事項ソについて；
　訂正事項ソは、プラズマの発生領域を限定するとともに電気伝導コイルの配置場所を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　（３）むすび
　したがって、上記各訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
　（１）申立ての理由の概要
　ア．特許異議申立人　高橋順子　は、下記の甲第１、２号証を提出し、請求項２０に係る発明の特許は、甲第１号証より、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨、
　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特願平１−３３８９００号（特開平２−２３５３３２号公報
　　　　　　　）（ａ）
　甲第２号証：特開昭６２−１４６２６８号公報（ｂ）
　イ．特許異議申立人　大森　巌　は、下記の甲第１、２号証を提出し、請求項１ないし１２及び請求項１５ないし２０に係る発明の特許は、甲第１号証により、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、また、請求項１ないし２０に係る発明の特許は、甲第１、２号証により、同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨、
　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特開昭６３−１４８６２号公報（ｃ）
　甲第２号証：特開平１−２１５０２５号公報（ｄ）
　ウ．特許異議申立人　秋元昭久　は、下記の甲第１〜４号証を提出し、請求項２０に係る発明の特許は、甲第１号証により、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、請求項１ないし２０に係る発明の特許は、甲第１、２号証により同法第２９条第２項の規定に、甲第３号証により同法第２９条の２の規定にそれぞれ違反してなされたものであり、また、請求項１に係る発明の特許は、その明細書が同法第３６条第４項及び第５項の規定に適合していない出願になされたものであるから取り消すべき旨、
　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特開昭５５−１１８６３９号公報（ｅ）
　甲第２号証：後藤憲一　外１名著，「詳解　電磁気学演習」，共立出版株
　　　　　　　式会社，１９８７年７月５日，ｐ．２３６（ｆ）
　甲第３号証：特開平２−２３５３３２号公報（ｇ）
　甲第４号証：後藤憲一　外１名著，「詳解　電磁気学演習」，共立出版株
　　　　　　　式会社，１９８７年７月５日，ｐ．１８６（ｈ）
それぞれ、主張している。
　（２）本件発明
　上記２．で示した訂正が認められるから、本件発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載されるとおりの次のもの（以下、「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」・・・「本件発明２０」などという。）である。
　【請求項１】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体とを備え、
　前記絶縁シールドは、前記基板支持体の全体の上において横方向に連続的に延びた内部面を有し、
　前記プラズマ処理システムは、更に、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波工ネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間で該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シ−ルドの前記内部面の上に配置されていることを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項２】　略均一なプラズマで基板を処理するシステムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チヤンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コィルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルによって生成されるプラズマの横方向のサイズは、前記電気伝導コイルの横方向のサイズに略対応し、
　前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪を含むことを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項３】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、
　前記絶縁シールドは、基板表面に平行で連続的な平面状の内部面を有し、
　前記プラズマ処理装置は、更に、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　前記絶縁シールドの前記平面状の内部面の上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルの横方向のサイズは、前記基板支持体の横方向の寸法と略同一の広がりを有することを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項４】　略均−なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド、上壁及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チヤンバ内に供給するガス供給部と、
　前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波工ネルギ源とを備え、
　　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記絶縁シールドは、前記上壁の開□部に配置され、前記電気伝導コイルと基板表面との距離は、３〜１５ｃｍであることを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項５】　前記電気伝導コイルと基板表面との距離は、５〜ｌ０ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項６】略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波ネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導ゴイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪を含み、前記絶縁シールドを通過する磁界分布を生成し、前記プラズマ処理チャンバの内部空間の内側の磁界分布は、前記電気伝導コイルからの磁界とプラズマ中の電子の流れによって誘起される磁界とのベクトル合成によって決定されることを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項７】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド、上壁及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、　
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記絶縁シールドは、前記上壁の開□部に配置され、前記電気伝導コイルは、前記基板支持体の面に略平行な領域内であって前記側壁の内側で循環する電子群の均一な流れを生成することを特徴とする記載のプラズマ処理システム。
　【請求項８】　前記電気伝導コイルは、コアキシャル・コイルによって無線周波エネルギに接続されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項９】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波工ネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドに沿って広がるとともに横方向に隔てられた複数の巻き部分を有する渦巻状コイルであり、前記プラズマ処理チャンバは、ＣＶＤプラズマ反応炉又はプラズマエッチング反応炉を含むことを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項１０】　前記電気伝導コイルは、１又は複数の巻数を有し、基板の表面に沿って略均一な磁界を生成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１１】　前記電気伝導コイルは、基板を被う領域内にのみ磁界を誘導し、前記ガス供給部は、前記磁界が最大強度の部分の周囲に前記処理ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１２】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、
　前記プラズマ処理システムは、更に、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波工ネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記プラズマ処理装置は、更に、
　前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に電位が印加されるように前記基板支持体に無線周波工ネルギを印加する第２の無線周波エネルギ源を備えることを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項１３】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波工ネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、基板の露出面に平行に配置された平面状コイルを含むことを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項１４】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波工ネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、平面からのずれが前記電気伝導コイルの横方向の寸法の２０％以下の平坦性を有することを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項１５】　前記電気伝導コイルは、前記内部空間の横方向の断面積よりも小さい横方向の断面積を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１６】　前記プラズマは、プラズマの磁気閉じ込め部によることなく、前記側壁の内側に制限されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１７】　前記電気伝導コイルは、該電気伝導コイルによって生成されるプラズマのサイズに対応するサイズを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１８】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、
　前記プラズマ処理システムは、更に、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波工ネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶緑シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記プラズマは、前記プラズマ処理チャンバ内に、前記内部空間内の圧力が１０‐５〜５Ｔｏｒｒの範囲において、生成され得ることを特徴とするプラズマ処理システム。
　【請求項１９】　請求項１に記載のプラズマ処理システムを利用して基板を処理する方法。
　【請求項２０】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体とを備え、
　前記絶縁シールドは、前記基板支持体の全体の上において横方向に連続的に延びた内部面を有し、
　前記プラズマ処理システムは、更に、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、これにより前記内部空間に略均一な磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波工ネルギ源とを備え、
　前記絶縁シールドと前記基板支持体との間で前記磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置され、
　前記側壁の外側は周囲に露出していることを特徴とするプラズマ処理システム。
　（３）対比・判断
〈特許法第３６条第４項及び第５項違反について〉
　特許異議申立人　秋元昭久　は、刊行物（ｈ）には、「磁界とは磁気作用の及ぶ空間である」旨の定義がされているので、この定義によると、請求項１中の記載「前記磁界は、・・・・・実質的に弱く」は、「前記磁気作用の及ぶ空間は、・・・実質的に弱く」となり、技術的に意味不明の文章になって、特許請求の範囲の記載に不備があると主張している。
　そこで、この点を検討すると、
　本件明細書には、「均一性の高い磁場（当審注：磁場と磁界が同義語であることは技術常識である。）を維持することが非常に難しい」（段落０００９）、「平面状のコイルは、囲い部内に生み出される磁場の強度を最大にする」（段落００２３）、「平面状のコイル２０によって誘導される磁場の最大強度の領域」（段落００３２）、「第５図を参照するに、平面状コイル２０は・・・磁場強度を示す曲線６０を有する。・・・・・結果として均一な磁場はコイルからの磁場が中央に向けてより強くなるよう要求する」（段落００３３）等と記載されていることからして、「強弱」を示すのは磁場（磁界）の強度であることは自明であるから、請求項１中の上記記載「前記磁界は、・・・・・実質的に弱く」は、磁界（磁場）の強度の強弱について述べていると理解できるから、その記載に不備があるということはできない。
〈特許法第２９条の２項違反について〉
　本件明細書の発明の詳細な説明中の記載「本発明の装置は、絶縁シールド又は窓によって少なくとも一部分において仕切られる一の内部を有する囲い部から構成される。」（段落００１４）、「絶縁シールドは、平面状のコイルによって生み出される磁場の透過を許すけれども、囲い部の内部の絶縁を保持する。」（段落００２３）、「絶縁シールド１８は、囲い部１２の真空に耐える内部１９を定めるため上壁１６に強く密着される。」（段落００２６）及び第２図の記載から、本件発明２０において、絶縁シールドが有する「内部面」とは、囲い部１２内において絶縁シールド１８が内部１９に向いている面と解される。また、同説明中の記載「平面状のコイルは、囲い部内に生み出される磁場の強度を最大にするために、絶縁シールドに密接又は接触して配置される。」（段落００２３）、「プラズマ処理システム１０は、上壁１６内に形成されるアクセス部１４を有する囲い部１２を含む。絶縁シールド１８が上壁１６下方に配置され、アクセス部１４を横切って延びる。」（段落００２６）、「平面状コイル２０が絶縁シールド１８に隣接したアクセス部１４内に配置される。」（段落００２７）及び第２図の記載から、本件発明２０において、平面状の電気伝導コイルは絶縁シールドの内部面の上のアクセス部１４に囲い部１２を越えない大きさで配置されていると解される。してみると、上記証拠（ａ）、（ｇ）（当審注：（ａ）と（ｇ）は同一物である。）である特願平１−３３８９００号の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載されているＲＦコイル２２（処理チャンバ内でプラズマを生み出す磁界発生用のコイルの点で本件発明の電気伝導コイルに相当）は、処理チャンバ１０の上部カバー１７（絶縁シールドに相当）上にライナー１６（囲い部に相当）を越えて配置されているのに対し、本件発明の電気伝導コイルは囲い部を越えない範囲で絶縁シールドの上に配置されているので、先願明細書に記載されている発明は、本件発明１、５、８、１０、１１、１５〜１７、１９、２０が具備する構成「前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間の横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置されている」を有していないことは明らかである。
　また、先願明細書に記載の発明においては、ＲＦコイル２２は、処理チャンバの上部カバー１７上にライナー１６を越えて配置されているので、該ライナー１６の外側には、処理チャンバの内側に向けて電子を弾き返す磁力の壁を発生させるための複数磁極２１を設けることが必要であるが、本件発明２〜４、６、７、９、１２〜１４、１８のものにおいては、「前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり」の構成を有することにより、当該複数磁極は必要としないものであり、先願明細書には、このことが記載も示唆もされていない。したがって、本件発明１ないし２０は先願明細書に記載された発明ではない。
〈特許法第２９条第１項第３号違反について〉
　　本件発明１、５、８、１０、１１、１５〜１７、１９、２０について
　「内部面」及び「電気伝導コイルの配置」については、上記項目〈特許法第２９条の２項違反について〉において検討したように解されるから、上記刊行物（ｃ）、（ｅ）のいずれにも、本件発明１、５、８、１０、１１、１５〜１７、１９、２０が具備する構成「前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シ−ルドの前記内部面の上に配置されている」については、記載も示唆もされていない。
　　本件発明２について
　上記刊行物（ｃ）、（ｅ）のいずれにも、本件発明２が具備する構成「前記電気伝導コイルによって生成されるプラズマの横方向のサイズは、前記電気伝導コイルの横方向のサイズに略対応」及び「前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪」については、記載も示唆もされていない。
　　本件発明３について
　上記刊行物（ｃ）、（ｅ）のいずれにも、本件発明３が具備する構成「前記絶縁シールドは、基板表面に平行で連続的な平面状の内部面を有し」及び「前記絶縁シールドの前記平面状の内部面の上に電気伝導コイルを有し」については、記載も示唆もされていない。
　　本件発明４、７、１８について
　上記刊行物（ｃ）、（ｅ）のいずれにも、本件発明４、７、１８が具備する構成「前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く」については、記載も示唆もされていない。
　　本件発明６について
　上記刊行物（ｃ）、（ｅ）のいずれにも、本件発明６が具備する構成「前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪」については、記載も示唆もされていない。
　　本件発明９について
　上記刊行物（ｃ）、（ｅ）のいずれにも、本件発明９が具備する構成「前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドに沿って広がるとともに横方向に隔てられた複数の巻き部分を有する渦巻状コイル」については、記載も示唆もされていない。
　　本件発明１２について
　上記刊行物（ｃ）、（ｅ）のいずれにも、本件発明１２が具備する構成「前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く」及び「前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に電位が印加されるように前記基板支持体に無線周波工ネルギを印加する第２の無線周波エネルギ源を備える」については、記載も示唆もされていない。
　したがって、本件発明１ないし１２及び本件発明１５ないし２０は刊行物（ｃ）または（ｅ）に記載された発明ではない。
〈特許法第２９条第２項違反について〉
　　本件発明１、５、８、１０、１１、１５〜１７、１９、２０について
　「内部面」及び「電気伝導コイルの配置」については、上記項目〈特許法第２９条の２項違反について〉において検討したように解されるから、上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明１、５、８、１０、１１、１５〜１７、１９、２０が具備する構成「前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シ−ルドの前記内部面の上に配置されている」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている偏平コイル型１８及び同心状の複数個のコイル２０は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これをプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　　本件発明２について
　上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明２が具備する構成「前記電気伝導コイルによって生成されるプラズマの横方向のサイズは、前記電気伝導コイルの横方向のサイズに略対応」及び「前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている同心状の複数個のコイル２０は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これを絶縁シールドの上に配置されるプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　　本件発明３について
　上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明３が具備する構成「前記絶縁シールドは、基板表面に平行で連続的な平面状の内部面を有し」及び「前記絶縁シールドの前記平面状の内部面の上に電気伝導コイルを有し」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている偏平型コイル１８は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これを絶縁シールドの上に配置されるプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　　本件発明４、７、１８について
　上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明４、７１８が具備する構成「前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている偏平型コイル１８は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これを絶縁シールドの上に配置されるプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　　本件発明６について
　上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明６が具備する構成「前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている同心状の複数個のコイル２０は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これを絶縁シールドの上に配置されるプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　　本件発明９について
　上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明９が具備する構成「前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドに沿って広がるとともに横方向に隔てられた複数の巻き部分を有する渦巻状コイル」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている偏平型コイル１８及び同心状の複数個のコイル２０は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これを絶縁シールドの上に配置されるプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　　本件発明１２について
　上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明１２が具備する構成「前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く」及び「前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に電位が印加されるように前記基板支持体に無線周波工ネルギを印加する第２の無線周波エネルギ源を備える」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている偏平型コイル１８及び同心状の複数個のコイル２０は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これを絶縁シールドの上に配置されるプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　　本件発明１３について
　上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明１３が具備する構成「前記電気伝導コイルは、基板の露出面に平行に配置された平面状コイル」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている偏平型コイル１８及び同心状の複数個のコイル２０は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これを絶縁シールドの上に配置されるプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　　本件発明１４について
　上記刊行物（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のいずれにも、本件発明１４が具備する構成「前記電気伝導コイルは、平面からのずれが前記電気伝導コイルの横方向の寸法の２０％以下の平坦性を有する」については、記載も示唆もされていない。そして、刊行物（ｄ）（特開平１−２１５０２５号公報）に記載されている偏平型コイル１８及び同心状の複数個のコイル２０は、高周波電力印加用の陽極として働く真空容器（絶縁シールドとして機能していない）の上に配置されていること、及び、真空容器（処理チャンバ）内でプラズマを生み出すために用いられるものではなく、試料台１２及び真空容器１１に高周波電力を印加して真空容器内にプラズマを発生させる電界Ｅと直交する磁界を発生するもので、該発生されたプラズマを広い面積で均一にするためのものであるから、これを絶縁シールドの上に配置されるプラズマ発生用のコイルとして適用することには困難性がある。
　そして、本件発明１ないし２０は、これらの刊行物記載の発明が具備していない構成を有することにより、絶縁シールドを介して囲い部内に延びる平面上の磁場が形成されるという顕著な作用効果を奏するものと認められるから、本件発明１ないし２０は、上記刊行物（ｃ）ないし（ｆ）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　（３）むすび
　以上のとおりであるから、各特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし２０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし２０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年５月２１日（２００３．５．２１）
【訂正の要旨】
（３−１）特許請求の範囲の請求項１における「前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と
を備え、
　
前記絶縁シールドは、前記基板支持体の全体の上において横方向に連続的に延びた内部面を有し、
　
前記プラズマ処理システムは、更に
（３−２）特許請求の範囲の請求項１における「前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマにな」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、
前記絶縁シールドと前記基板支持体との間で
り、
　
前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置されてい
（３−３）特許請求の範囲の請求項２における「前記電気伝導コイルによって生成されるプラズマの横方向のサイズは、前記電気伝導コイルの横方向のサイズに略対応することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルによって生成されるプラズマの横方向のサイズは、前記電気伝導コイルの横方向のサイズに略対応
し、
　
前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪を含む
とする
（３−４）特許請求の範囲の請求項３における「前記電気伝導コイルの横方向のサイズは、前記基板支持体の横方向の寸法と略同一の広がりを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、
　前記絶縁シールドは、基板表面に平行で連続的な平面状の内部面を有し、
　前記プラズマ処理装置は、更に、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの前記平面状の内部面の上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルの横方向のサイズは、前記基板支持体の横方向の寸法と略同一の広がりを有することを特徴
とする
（３−５）特許請求の範囲の請求項４における「前記電気伝導コイルと基板表面との距離は、３〜１５ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド、上壁及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記絶縁シールドは、前記上壁の開口部に配置され、
とする
（３−６）特許請求の範囲の請求項６における「前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドを通過する磁界分布を生成し、前記プラズマ処理チャンバの内部空間の内側の磁界分布は、前記電気伝導コイルからの磁界とプラズマ中の電子の流れによって誘起される磁界とのベクトル合成によって決定されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、
一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪を含み、
とする
（３−７）特許請求の範囲の請求項７における「前記電気伝導コイルは、前記基板支持体の面に略平行な領域内であって前記側壁の内側で循環する電子群の均一な流れを生成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド、上壁及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記絶縁シールドは、前記上壁の開口部に配置され、
とする
（３−８）特許請求の範囲の請求項９における「前記プラズマ処理チャンバは、ＣＶＤプラズマ反応炉又はプラズマエッチング反応炉を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドに沿って広がるとともに横方向に隔てられた複数の巻き部分を有する渦巻状コイルであり、
とする
（３−９）特許請求の範囲の請求項１０における「基板を横切る方向に略均一な磁界」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「基板
の表面に沿って
（３−１０）特許請求の範囲の請求項１２における「前記無線周波エネルギ源は、前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に電位が印加されるように前記基板支持体に無線周波エネルギを印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、
　
前記プラズマ処理システムは、更に、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記プラズマ処理装置は、更に、
　前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に電位が印加されるように前記基板支持体に無線周波エネルギを印加する
第２の無線周波エネルギ源を備える
とする
（３−１１）特許請求の範囲の請求項１３における「前記電気伝導コイルは、基板の露出面に平行に配置された平面状コイルを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、基板の露出面に平行に配置された平面状コイルを含むことを特徴
とする
（３−１２）特許請求の範囲の請求項１４における「前記電気伝導コイルは、平面からのずれが前記電気伝導コイルの横方向の寸法の２０％以下の平坦性を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、平面からのずれが前記電気伝導コイルの横方向の寸法の２０％以下の平坦性を有することを特徴
とする
（３−１３）特許請求の範囲の請求項１８における「前記プラズマは、前記プラズマ処理チャンバ内に、前記内部空間内の圧力が１０−５〜５Ｔｏｒｒの範囲において、生成され得ることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、
　
前記プラズマ処理システムは、更に、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記プラズマは、前記プラズマ処理チャンバ内に、前記内部空間内の圧力が１０−５〜５Ｔｏｒｒの範囲において、生成され得ることを特徴
とする
（３−１４）特許請求の範囲の請求項２０における「前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と
を備え、
　
前記絶縁シールドは、前記基板支持体の全体の上において横方向に連続的に延びた内部面を有し、
　
前記プラズマ処理システムは、更に
（３−１５）特許請求の範囲の請求項２０における「無線周波エネルギ源とを備え」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「無線周波エネルギ源とを備え
、
　前記絶縁シールドと前記基板支持体との間で前記磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置され
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理システム
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と
を備え、
　
前記絶縁シールドは、前記基板支持体の全体の上において横方向に連続的に延びた内部面を有し、
　
前記プラズマ処理システムは、更に、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、
前記絶縁シールドと前記基板支持体との間で
り、
　
前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置されてい
　【請求項２】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルによって生成されるプラズマの横方向のサイズは、前記電気伝導コイルの横方向のサイズに略対応
し、
　
前記電気伝導コイルは、一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪を含む
とする
　【請求項３】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、
　前記絶縁シールドは、基板表面に平行で連続的な平面状の内部面を有し、
　前記プラズマ処理装置は、更に、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの前記平面状の内部面の上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルの横方向のサイズは、前記基板支持体の横方向の寸法と略同一の広がりを有することを特徴
とする
　【請求項４】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド、上壁及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記絶縁シールドは、前記上壁の開口部に配置され、
とする
　【請求項５】　前記電気伝導コイルと基板表面との距離は、５〜１０ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項６】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、
一連の、横方向に隔てられた同心状の複数の輪を含み、
とする
　【請求項７】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド、上壁及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、前記絶縁シールドは、前記上壁の開口部に配置され、
とする
　【請求項８】　前記電気伝導コイルは、コアキシャル・コイルによって無線周波エネルギに接続されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項９】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドに沿って広がるとともに横方向に隔てられた複数の巻き部分を有する渦巻状コイルであり、
とする
　【請求項１０】　前記電気伝導コイルは、１又は複数の巻数を有し、基板
の表面に沿って
　【請求項１１】　前記電気伝導コイルは、基板を被う領域内にのみ磁界を誘導し、前記ガス供給部は、前記磁界が最大強度の部分の周囲に前記処理ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１２】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、
　
前記プラズマ処理システムは、更に、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記プラズマ処理装置は、更に、
　前記基板支持体と前記電気伝導コイルとの間に電位が印加されるように前記基板支持体に無線周波エネルギを印加する
第２の無線周波エネルギ源を備える
とする
　【請求項１３】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、基板の露出面に平行に配置された平面状コイルを含むことを特徴
とする
　【請求項１４】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記電気伝導コイルは、平面からのずれが前記電気伝導コイルの横方向の寸法の２０％以下の平坦性を有することを特徴
とする
　【請求項１５】　前記電気伝導コイルは、前記内部空間の横方向の断面積よりも小さい横方向の断面積を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１６】　前記プラズマは、プラズマの磁気閉じ込め部によることなく、前記側壁の内側に制限されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１７】　前記電気伝導コイルは、該電気伝導コイルによって生成されるプラズマのサイズに対応するサイズを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
　【請求項１８】　
略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　
少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバを備え、前記基板と前記絶縁シールドとの間の前記内部空間は、高さ方向の長さよりも横方向の長さが長く、
　
前記プラズマ処理システムは、更に、
　
前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と、
　
処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　
前記絶縁シールドの上に電気伝導コイルを有し、前記電気伝導コイルが無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、前記プラズマ処理チャンバ内の前記絶縁シールドの下に領域が制限された磁界を生成する無線周波エネルギ源とを備え、
　
前記磁界は、前記電気伝導コイルの下の領域である中央部よりも前記内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　前記プラズマは、前記プラズマ処理チャンバ内に、前記内部空間内の圧力が１０−５〜５Ｔｏｒｒの範囲において、生成され得ることを特徴
とする
　【請求項１９】　請求項１に記載のプラズマ処理システムを利用して基板を処理する方法。
　【請求項２０】　略均一なプラズマで基板を処理するプラズマ処理システムであって、
　少なくとも一部の境界が絶縁シールド及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバの内部空間において基板を支持する基板支持体と
を備え、
　
前記絶縁シールドは、前記基板支持体の全体の上において横方向に連続的に延びた内部面を有し、
　
前記プラズマ処理システムは、更に
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバ内に供給するガス供給部と、
　無線周波エネルギを前記絶縁シールドを通して前記プラズマ処理チャンバの内部空間に伝え、これにより前記内部空間に略均一な磁界を生成する電気伝導コイルを有する無線周波エネルギ源とを備え
、
　前記絶縁シールドと前記基板支持体との間で前記磁界により前記処理ガスが励起されてプラズマになり、
　
前記電気伝導コイルは、前記絶縁シールドと前記基板支持体との間に横方向に延びたプラズマ発生領域が定義されるように前記絶縁シールドの前記内部面の上に配置され、
　前記側壁の外側は周囲に露出していることを特徴とするプラズマ処理システム。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、低圧力のプラズマを生み出すための方法及び装置に係り、例えば、低圧力の処理装置において半導体ウェハ等の基板を処理するために好適な均一性の高い平面状プラズマの生成に関する。
　【従来の技術】
　従来から、プラズマの生成はエッチング、レジスト除去、パッシベーション、蒸着などいろいろな半導体製造過程において有用である。
　【０００２】
　一般に、プラズマは個々の電子−ガス分子間での衝突による運動エネルギの移動を介して個々のガス分子をイオン化する電子の流れを誘導することによって低圧力の加工用ガスから生成される。通常、電子は電場内、典型的には半導体ウェハに平行に向けられた対向する一対の電極間で生み出される無線周波電場内で加速される。
　【０００３】
　しかしながら、電子を加速するためウェハの法線方向の電場の使用では、イオン群に運動エネルギを効果的に与えることができない。特に、低周波数及び約０．１トール未満の圧力下では運動エネルギを付与できない。このような条件下では、電子エネルギの大部分は電子の処理チャンバの壁又は半導体ウェハ自体との衝突により消失される。半導体ウェハと電子との直接の衝突はエネルギ面で無駄であるのみならず、非常な不利益となるウェハの加熱を引き起こし得る。
　【０００４】
　半導体処理装置において使用中プラズマ生成の効率を増加するべく幾つかの方法が提案されてきた。例えば、マイクロ波共振チャンバにおいて電子の振動幅を短くする超高周波数を使うことにより、処理槽の壁又は半導体ウェハよりもむしろ処理用ガスの分子に電子のエネルギを移す傾向が高まる。対称的に、電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）では処理用ガス内で円周状の電子流れを誘導する制御された磁場が使用される。
　【０００５】
　上記両方の方法では、相対的に高いエネルギ変換効率が達成できるけれども、非常に均一性の悪いプラズマが生成される。従って、このプラズマを半導体ウェハに提供するのに先立って均一にする必要がある。通常、ウェハ又はウェハ群をプラズマに晒すのに先立ち、ある距離だけプラズマを流すことによってある程度の均一性が達成され得る。
　【０００６】
　しかしながら、プラズマの効果を劣化させるある程度のイオン再結合が生ずる。また、上記それぞれのシステムでは、動作圧力の範囲を限定せざるを得ない。マイクロ波共振チャンバは約１トールから７６０トールまでの処理用ガスの圧力に対し一般的に効果的である。一方、ＥＣＲは０．０００１トールから０．１トールまでの処理用ガスの圧力に対し一般的に効果的である。さらに、プラズマに余計な流れ距離を与える必要性により、両システムの値段及び設計の複雑さが増加し、かつＥＣＲシステムに要求される磁場は制御が困難である。
　【０００７】
　半導体処理装置においてプラズマ生成効率を高める他のアプローチは、共に誘導結合プラズマと呼ばれるが、磁気的に高められたプラズマ系（例えば、磁気的に高められた反応性イオンエッチング）、及び誘導結合された電子加速を含む。磁気的に高められたプラズマ系はウェハ表面に平行な定常磁場、及びウェハ表面に垂直な高周波数の電場を生み出す。定常磁場と高周波数の電場を組み合わせて得られる力により、電子はサイクロイドの路に沿って流れ、電場のみによって誘導される直線路と比較して流れ距離が増加する。
　【０００８】
　な　お　、　Ｓｋｉｄｍｏｒｅ（１９８９），Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｊｕｎｅ　１９８９，ｐｐ７４−７９は、電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）及び磁気的に高められた反応性イオンエッチング系（ＭＥＲＩＥ）を説明する批評記事である。合衆国特許番号４，３６８，０９２には、プラズマをエッチングチャンバの外側に生み出すための螺旋形の誘導共振体を用いるプラズマ生成系が説明されている。プラズマは非均一であり、使用前にチューブを通過する。合衆国特許番号４，４２１，８９８には、磁芯を有する変換器が処理用ガスを運ぶ絶縁管内で電子の回転運動を誘起する誘導的に結合されたプラズマ生成装置が説明されている。イオン化されたガスは均一ではなく、ウェハへの照射は下流で発生する。合衆国特許番号４，６２６，３１２には、ウェハが下方の電極上に位置付けられ、プラズマが下方の電極及び該電極に平行な上方の電極を横切って無線周波エネルギを与えることによって生成される従来の平行板プラズマエッチング器が説明されている。合衆国特許番号４，６６８，３３８及び４，６６８，３６５には、反応性イオンエッチングに対する磁気的に高められたプラズマ処理及び化学気相蒸着（ＣＶＤ）がそれぞれ説明されている。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記のアプローチは良好なイオン生成効率を提供するが、半導体処理において要求される大きくて均一性の高い磁場を維持することが非常に難しいという問題があった。また、磁気的に高められたプラズマ系の動作は一般的に約０．０１トールから０．１トールまでの圧力範囲に限定されるという問題があった。
　【００１０】
　また、誘導結合されたプラズマ処理では、延ばされた路に従って電子が流される。用語「誘導的に結合されたプラズマ」は２つの異なる技術に対し使われ、両方の技術は結合エネルギをガスへ移すため交流電流を用いる。第１は、主要な曲りとガスを介して閉鎖路から成る第２の曲りとの間で結合する変換器を高めるためフェライトの磁芯を使う。このような技術は、通常５５０ＫＨｚ未満の低周波数で使う。第２の技術は、イオン化された円筒状のガスを取り囲むソレノイドのコイルを用いる。この技術は低周波数、又は１３．５６ＭＨｚの範囲における周波数のいずれかに使用し得る。これらの技術のいずれもウェハの表面付近に対して、該表面に平行で均一なプラズマを提供しない。
　【００１１】
　このような理由のため、半導体処理装置内に非常に均一なプラズマを生成するための方法及び装置（例えば、エッチング装置、蒸着装置、レジスト除去装置等を含む）の提供が望まれている。上記装置は非常に広い圧力範囲にわたって高密度のプラズマの流れを生成し得る。また、プラズマは直進性を有するイオンエネルギを殆ど或いは全く有しないよう生み出される。
　【００１２】
　選択によっては、装置は、プラズマの流れの制御とは独立して直進エネルギを制御して直進エネルギをプラズマイオンに与えるべきである。特に、装置の設計が相対的に簡単で、装置の操作及び制御が容易で、かつ最小限の投資で済むならば望ましいことである。同様に、方法が分かりやすく、実行が容易で、かつ最小限の出費及び短時間に高い品質の製造物を与えることができるならば望ましいことである。
　【００１３】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するための本発明では、方法及び装置が方法及び装置が相対的に広い範囲に渡って非常に均一で平面状のプラズマを生成するための方法及び装置が提供される。イオン種及び遊離基種が、プラズマによって非平面的な方向への加速を最小にして生み出され、得られるプラズマは非常に低い運動エネルギを有する。　特徴的な利点として、本発明では、典型的に１０＜ＳＵＰ＞−５＜／ＳＵＰ＞トールから５トール及びそれ以上の非常に広い圧力範囲に渡って均一で平面状のプラズマを生み出すことができる。この様な広い動作圧力範囲は、一般に、単一のプラズマ生成装置では得られなかった。本発明の方法及び装置は、特にＥＣＲ及びＭＥＲＩＥの磁場制御における要求との比較で、制作、操作、制御が相対的に簡単である。
　【００１４】
　本発明の装置は、絶縁シールド又は窓によって少なくとも一部分において仕切られる一の内部を有する囲い部から構成される。平面状のコイルが上記シールドの最も近くに配置され、一の無線周波電源が上記コイルに結合される。通常、無線周波電源は、電力変換を最大にするためのインピーダンス整合回路と、操作時の周波数、典型的には１３．５６ＭＨｚでの共振に供するための同調回路とを介して結合される。入口部が、囲い部内に処理用ガスを供給するため与えられる。コイルを介して無線周波数電流を共振させるため、絶縁シールドを介して囲い部内に延びる平面状の磁場が誘導される。このようにして、電子の回転する流れが誘起される。電子の回転する流れは、電子が囲い部の壁に衝突する前の移動行程を大きく増加させる。さらに、電子が平面状のコイルに平行な一平面にしっかりと制限されるために、非平面方向への運動エネルギの転移が最小化される。
　【００１５】
　好ましい実施例においては、囲い部は平面状の物品、典型的には半導体ウェハを支持する支持面を含む。この表面はコイルの平面に平行で、それからプラズマの平面に平行である一平面内にウェハを支持する。次いで、半導体ウェハは非常に均一なプラズマの流れに晒されて、これにより均一なプラズマ処理が補償される。プラズマ種は、非平面方向への運動速度が最小であるので、半導体ウェハ上への運動的な衝突は最小化される。つまり、処理は、半導体ウェハとのプラズマ種の化学相互作用に一般的に制限され得る。
　【００１６】
　本発明の方法及び装置は、プラズマエッチング、蒸着処理、レジスト除去、プラズマによる化学気相蒸着など、様々な半導体処理操作に有用である。
　【００１７】
　選択によっては、半導体ウェハの表面に対して法線方向への速度成分が、プラズマの平面に対して法線方向に無線周波数電位を印加することによって与えられる。例えば、そのような電位は、平面状のコイルと半導体ウェハが支持される支持表面とを横切って無線周波電源を接続することによって印加され得る。
　【００１８】
　【発明の実施の形態】
　本発明は、平面状のプラズマが生成される一般に空気が濡れ込まない内部チャンバを定める囲い部を用いる。囲い部は処理用ガスを導入するための少なくとも一の入口部と、囲い部の内部内で望ましい動作圧力を保持するべく真空系に接続するための少なくとも一の出口部とを含む。囲い部の内部内に予め選定された処理用ガスを供給して予め選定された圧力を保持するためのシステムは良く知られた技術であり、更に説明する必要はない。
　【００１９】
　囲い部の内部には、通常、処理される物品群を支持するため一以上の載置面がある。典型的には、載置面は囲い部内に生成される平面状のプラズマに相対して予め選定された方向、通常はプラズマの平面に大体平行である方向へ配置されている。
　【００２０】
　望ましい平面状のプラズマを誘導するため、電気的に導伝性を有する一のコイルが囲い部の外側に近接して配置される。コイルは実質的に平面であり、一般的には平面的な渦巻き又は一連の同心状の輪群から形成された単一導伝要素である。コイル内に無線周波数電流を誘導することによって、磁場が、コイルの表面に平行な平面領域内で大体において円形の電子の流れを誘導するよう生み出される。楕円体のパターン及び他の真の円形からの変位が許容されるけれども、平面状のコイルは大体において円形である。さらに、コイルはその径方向に対し真に平面、又は幾らか平面さからずれている。平面さからのずれはコイルの径の０．２未満であり、通常径の０．１未満である。コイルの輪郭の調整は生成される電場の形を改善するため成される。コイルの径は生成されるべきプラズマの寸法に大体において対応する。コイルの径は８ｃｍから２０ｃｍまでの範囲であり、通常１３ｃｍから１８ｃｍである。個々の半導体ウェハの処理のため、コイルの径は大体において約１３ｃｍから１８ｃｍである。
　【００２１】
　コイルは、その全ての方向に渡って相対的に均一な磁場を生み出すため、十分な数の巻数を含む。巻数はコイルの径に依存し、個々の半導体ウェハを処理するため寸法付けられたコイルは通常約５乃至８個の巻数を有する。コイルの得られるインダクタンスは通常１．２μＨから３．５μＨで、インピーダンスは１００オームから３００オームまでの範囲内である。
　【００２２】
　便宜上、平面状のコイルは電気的に導伝性を有する金属から形成され、通常、銅から形成される。コイルは約５オーム乃至３０オームのインピーダンスの範囲内で電荷を運ぶ流れを有する。
　【００２３】
　平面状のコイルは処理用の囲い部内に形成された絶縁シールドに隣り合って配置される。絶縁シールドは、平面状のコイルによって生み出される磁場の透過を許すけれども、囲い部の内部の絶縁を保持する。囲い部の残り部は通常金属である。絶縁シールドは通常石英から成り、一方、他の絶縁材料、特に運転時の周波数でエネルギを吸収しないセラミックスが使用され得る。便宜上、絶縁シールドは囲い部の壁に形成される出入口に隣接して置かれる。出入口の形状は平面状のコイルの形状に通常対応し、典型的には円形である。平面状のコイルは、囲い部内に生み出される磁場の強度を最大にするため、絶縁シールドに密接、又は接触して配置される。絶縁シールドの厚みは重要な事ではなく、通常囲い部内の真空によって作られる差圧に耐えるに十分であるよう選択される。
　【００２４】
　平面状のコイルは、半導体処理装置の操作において一般に用いられる型の無線周波（ＲＦ）発生器によって駆動される。ＲＦ発生器は約１８．５６ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚの範囲内にある周波数、典型的には１３．５６ＭＨｚの周波数で通常操作される。ＲＦ発生器は通常低いインピーダンスを有し、典型的には約５０オームであり、少なくとも約５０ボルト、通常少なくとも約７０ボルト以上であるＲＭＳ電圧器を用いて約１アンペア乃至６アンペア、通常約２アンペア乃至３．５アンペアを生み出すことができる。便宜上、ＲＦ発生器は、以下に詳細に説明されるように、本発明の一実施例に係わる回路に直接結合される同軸ケーブルの形状の出力端子を有する。
　【００２５】
　以下に、第１図及び第２図を参照して個々の半導体ウェハをエッチングするために好適なプラズマ処理システムが説明される。
　【００２６】
　プラズマ処理システム１０は、上壁１６内に形成されるアクセス部１４を有する囲い部１２を含む。絶縁シールド１８が上壁１６下方に配置され、アクセス部１４を横切って延びる。絶縁シールド１８は、囲い部１２の真空に耐える内部１９を定めるため上壁１６に強く密着される。
　【００２７】
　平面状コイル２０が絶縁シールド１８に隣接したアクセス部１４内に配置される。平面状コイル２０は渦巻状に形成され、中央タップ２２及び外側タップ２４を有する。平面状コイル２０の平面は、絶縁シールド１８及び半導体ウェハＷを載置する支持載置面１３の両方に対し平行に向けられている。この様にして、平面状コイル２０は半導体ウェハＷに平行である囲い部１２の内部１９内で平面状のプラズマを生み出すことができ、以下に更に詳細に説明される。平面状コイル２０と支持載置面１３との距離は一般には３ｃｍ乃至１５ｃｍの範囲内であるが、特有の適用に依存して通常５ｃｍ乃至１０ｃｍの範囲内の正確な距離である。
　【００２８】
　第１図乃至第３図を参照するに、平面状コイル２０は上述された型のＲＦ発生器３０によって作動される。ＲＦ発生器３０の出力は同軸ケーブル３２によって整合回路３４に供給される。整合回路３４は、回路の効果的な結合を調整し、動作時の周波数での回路への負荷を考慮に入れて、相互に位置付けられる主要コイル３６及び第２ループ３８を含む。便宜上、主要コイル３６は、結合を調整するため縦軸４２回りに回転されるディスク４０上に載置される。
　【００２９】
　また、可変キャパシタ４４がＲＦ発生器３０の出力周波数に回路の共鳴周波数を調整するため、第２ループ３８に連なって与えられる。インピーダンス整合は平面状コイル２０への電力移送の効果を最大にする。付加キャパシタ４６が回路内の主要コイル３６の誘導リアクタンスの一部を打ち消すため、主要回路内に与えられる。
　【００３０】
　また、平面状コイル２０の動作を共振において同調させるため、及びコイル回路のインピーダンスを整合させるために他の回路構成を採用することもできる。電気回路におけるそのような全ての変更は本発明の範囲内で考慮される。
　【００３１】
　第２図乃至第４図を参照するに、処理用ガスは囲い部１２の側壁を貫通して形成される入口部５０を介して囲い部１２の内部１９内に導入される。入口部５０の一は重要なことではなく、内部１９を貫通して均一に分配して与えられるいかなる地点からガスが導入されても良い。
　【００３２】
　ガス分配の均一さを更に高めるために、分配リング５２が与えられても良い。分配リング５２は、便宜上支持載置面１３上方に載置され、アクセス部１４の周囲を囲む。分配リング５２は環状の高圧部５４、及び該高圧部５４から分配リング５２の開口した中央部５８へ延びる一連のノズル５６群を含む。この様にして、入ってくる処理用ガスは平面状コイル２０によって誘導される磁場の最大強度の領域の回りに等しく分配される。好ましくは、ノズル５６は、入ってくる処理用ガスに渦巻状の流れパターンを分け与えるため、分配リング５２の半径方向から外れた方向へ向けられても良い。
　【００３３】
　第５図を参照するに、平面状コイル２０は絶縁シールド１８を貫通する磁場を誘導し、破線で示されるように、磁場強度を示す曲線６０を有する。プラズマチャンバ内の可変磁場は渦巻状のコイルからの各磁場ベクトルの合成であり、磁場はプラズマ内の電子の流れによって引き起こされる。プラズマからの磁場はコイルからの磁場に対向するので、結果として均一な磁場はコイルからの磁場が中央へ向けてより強くなるよう要求する。渦巻状のコイルは結果として均一な磁場、即ち均一なプラズマを与えるため、このような特徴ある形状の磁場を与える。磁場の強さは平面状コイル２０の全ての径方向に対し非常に均一であり、平面状コイル２０及び絶縁シールド１８の両方に平行な一般に平面領域内で回転する電子群の非常に均一な流れを生み出すことができる。そのような電子群の平面的な回転は、引き続いて電子群が処理用ガスの個々の分子と衝突することによって形成されるプラズマ内にイオン群及び／又は遊離基群の非常に均一な流れを誘導することができる。プラズマイオン群及び遊離基群は小さな選択的な回転速度成分を有するに反し、平面状コイル２０の平面に対し法線方向へはほとんど又はいかなる速度成分をも有さない。ウェハＷ（又は他の物品が処理される）が平面状コイル２０に平行に向けられる限り、反応性プラズマ種は処理される表面に相対して非常に低い速度を有する。この様にして、処理される物品に相対して実質的に速度成分を有する高いエネルギのプラズマを用いることに関連する問題が避けられ得る。
　【００３４】
　しかしながら、ある場合には処理される物品に相対して制御されたイオン速度を有することが望ましい。
　【００３５】
　第６図を参照するに、ウェハＷに対し法線方向への速度成分は平面状コイル２０及び電気的に導伝性であるウェハ支持台７０を横切ってＲＦ電位を印加することによって達成され得る。第２ＲＦ発生器７２は低い周波数（約５５０ＫＨｚ未満）でも高い周波数（約１３．５６ＭＨｚ以上）でも動作し得る。従って、第２ＲＦ発生器７２は、平面状コイル２０内の共振電流を誘導する発生器３０と異なった周波数で動作し得る。例えば、ＲＦ発生器３０は、１３．５６ＭＨｚで駆動され、第２ＲＦ発生器７２は４００ＫＨｚで駆動される。第６図に示されたシステムの特有の利点は、（ＲＦ発生器３０を介してシステムへ導き入れられたエネルギ量を制御することによって）プラズマ内でのイオン流れ、及び（第２ＲＦ発生器７２の出力を制御することによって）反応種に分け与えられた法線方向の速度を独立して制御することが可能であることに起因する。
　【００３６】
　第７図を参照するに、本発明の他の実施例に係わる平面状コイル８０に対する選択次第の形状が示されている。平面状コイル８０は一連の同心状の輪８２群から構成され、それぞれの続いた輪８２は短い横断部材８４によって接続される。平面状コイル８０は中央タップ８６及び外側タップ８８を含み、上述した本発明の一実施例に係わる残りの電気回路機構に接続される。
　【００３７】
　動作時には、予め選定された処理用ガスが、上述したように、入口部５０を介して内部１９内へ導入される。動作時の圧力は遂行される特有の処理に依存する。
　【００３８】
　本発明の特有の利点は、プラズマが生成される非常に広い圧力範囲に見出だされる。平面状コイル２０内に共振電流を誘導することによって、プラズマは、１０−５トール程度の低い圧力下でも５トール程度の高い圧力下でも生成される。
　【００３９】
　上述の発明は理解を明確にする目的で詳細に述べられたけれども、いかなる改良も請求項の範囲内で実行できることは明らかである。
　【００４０】
　以上説明したように本発明の磁気結合された平面状のプラズマを生成するための装置によれば、一の絶縁シールドによって少なくとも一部分を仕切られた該囲い部の内部に処理用のガスを導入する手段と、前記絶縁シールドに最も近い前記囲い部の外側に配置された電気的に導伝性である実質的に平面状の一のコイルと、該コイルに一の無線周波電源を結合する手段とを備え、前記結合する手段は、前記コイルに前記無線周波電源のインピーダンスを整合させる手段と、共振に備えるため共振回路を同調させる手段とを含むので、半導体処理に対し要求される大きく均一の磁場を保持することができ、かつ非常に広い圧力範囲に渡って高密度のプラズマの流れを生成し得る。
　【００４１】
　また、本発明のプラズマで物品を処理するための装置によれば、一の絶縁シールドによって少なくとも一部分を仕切られた一の内部を有する一の囲い部と、該囲い部内にあって予め選定された平面内で処理される一の物品を支持するための手段と、前記絶縁シールドに最も近い前記囲い部の外側に配置された電気的に導伝性である平面状の一のコイルと、該平面状コイルに一の無線周波電源を結合する手段と、制御された圧力下で前記囲い部内に処理用のガスを導入する手段とを備え、前記平面状のコイルは予め選定された平面に平行に向けられたので、装置の設計が相対的に簡単で、装置の操作及び制御が容易で、かつ最小限の投資で済む。
　【００４２】
　さらに、本発明のプラズマで物品群を処理するための方法によれば、一の囲い部内に物品群を置き、制御された圧力下で前記囲い部に処理用のガスを導入し、前記囲い部内に形成された一の絶縁シールドに最も近い前記囲い部の外側に配置された実質的に平面状の一のコイル内に無線周波数電流を共振させ、前記コイルに実質的に平行である一の平面状のプラズマが前記囲い部内に形成されたので、方法が分かりやすく、実行が容易で、かつ最小限の出費及び短時間に高い品質の製造物を与えることができる。
　【００４３】
　【発明の効果】
　本発明によれば、例えば、基板を略均一なプラズマで処理することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例に係わる平面状のプラズマを生成するための装置の等角投影図である。
　【図２】
　第１図に示された装置の断面図である。
　【図３】
　第３図は第１図に示された装置の概略回路図である。
　【図４】
　第１図に示された装置に用いられる処理用ガス導入リングの詳細図である。
　【図５】
　第１図に示された装置によって作られる磁場強度を示す曲線の説明図である。
　【図６】
　共振コイルに対して法線方向の無線周波数電位に備えるために、第３図に示された回路を改善した回路図である。
　【図７】
　本発明の他の実施例に係る共振コイルの選択的な構成を示す斜視図である。
　【符号の説明】
　１０　プラズマ処理システム
　１２　囲い部
　１３　支持載置面
　１４　アクセス部
　１６　上壁
　１８　絶縁シールド
　１９　内部
　２０　平面状コイル
　２２　中央タップ
　２４　外側タップ
　３０　ＲＦ発生器
　３２　同軸ケーブル
　３４　整合回路
　３６　主要コイル
　３８　第２ループ
　４０　ディスク
　４４　可変キャパシタ
　４６　付加キャパシタ
　５２　分配リング
　５４　高圧部
　５６　ノズル
　５８　中央部