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【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月1日(2014.12.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ｒＶＷＦ；（ｂ）緩衝剤；ならびに（ｃ）１〜５００ｍＭの濃度の塩化ナトリウムおよび塩化カルシウムを含む塩
を含む組換え型ｖｏｎ  Ｗｉｌｌｅｂｒａｎｄ因子（ｒＶＷＦ）の安定な液体医薬製剤であって、
該医薬製剤中の該ｒＶＷＦは、４℃で少なくとも２６週間安定であり、
ａ）配列番号３に示したアミノ酸配列；
ｂ）ａ）の生物学的に活性なアナログ、フラグメントまたは変異体；
ｃ）配列番号１に記載したポリヌクレオチドによってコードされるポリペプチド；
ｄ）ｃ）の生物学的に活性なアナログ、フラグメントまたは変異体；および
ｅ）中程度にストリンジェントなハイブリダイゼーション条件下で配列番号１に記載したポリヌクレオチドとハイブリダイズするポリヌクレオチドによってコードされるポリペプチド
からなる群より選択される、約２５０ｋＤの分子量を有するポリペプチドを含み；
該緩衝剤は、クエン酸ナトリウムであり、
該緩衝剤は０．１ｍＭ〜５００ｍＭの範囲のｐＨ緩衝剤からなり、かつそのｐＨは２．０〜１２．０の範囲にあり、
該塩は、１０ｍＭ以上の濃度の塩化カルシウムを含む、
製剤。
【請求項２】
前記ｒＶＷＦが配列番号３に示したアミノ酸配列を含む、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】
前記緩衝剤が、１５ｍＭの濃度である、請求項１に記載の製剤。
【請求項４】
ｐＨが６．０〜８．０の範囲にある、請求項１に記載の製剤。
【請求項５】
ｐＨが６．５〜７．３の範囲にある、請求項４に記載の製剤。
【請求項６】
前記ｐＨが７．０である、請求項３に記載の製剤。
【請求項７】
前記塩は０．５〜３００ｍＭの濃度範囲である、請求項１に記載の製剤。
【請求項８】
前記塩は１０ｍＭの濃度の塩化カルシウムおよび１００ｍＭの濃度のＮａＣｌである、請求項７に記載の製剤。
【請求項９】
前記ｒＶＷＦは配列番号３に示したアミノ酸配列を含み；前記ｐＨが７．０であり；前記塩は１０ｍＭの濃度の塩化カルシウムおよび１００ｍＭの濃度のＮａＣｌである、請求項１に記載の製剤。
【請求項１０】
前記ｒＶＷＦは配列番号３に示したアミノ酸配列を含み；前記緩衝剤は１５ｍＭの濃度であり、そのｐＨが７．０であり；前記塩は１０ｍＭの濃度の塩化カルシウムおよび１００ｍＭの濃度のＮａＣｌである、請求項１に記載の製剤。
【請求項１１】
前記ｐＨが７．０である、請求項１に記載の製剤。
【請求項１２】
前記１種または複数種の塩は３０ｍＭの濃度の塩化ナトリウムおよび１０ｍＭの濃度の塩化カルシウムである、請求項１に記載の製剤。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
塩
タンパク質の溶解性、物理的安定性および等張性に重要である場合がある製剤のイオン強度を高めるには、塩を加える場合が多い。塩は、様々な方法でタンパク質の物理的安定性に作用することができる。イオンは、タンパク質の表面の荷電残基に結合して未変性状態のタンパク質を安定化させることができる。あるいは、塩は、タンパク質骨格（−ＣＯＮＨ−）に沿ったペプチド基に結合して変性状態を安定化させることもできる。塩はさらに、タンパク質分子内の残基間の静電的斥力相互作用を遮蔽してタンパク質の未変性コンホメーションも安定化させることができる。タンパク質製剤中の塩は、タンパク質の凝集および不溶を引き起こすことがあるタンパク質分子間の静電的斥力相互作用を遮蔽することもできる。提供する製剤中の塩濃度は０．１、１、１０、２０、３０、４０、５０、８０、１００、１２０、１５０、２００、３００および５００ｍＭの間である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
【表２】
2011508742.tif 000001
振動実験ではヘッドスペースのあるシリンジ内とヘッドスペースのないシリンジ内で保管したｒＶＷＦ回収率も測定した。興味深いことに、ｒＶＷＦをヘッドスペースのないシリンジ内で保管し、上記のように振動させると、ｒＶＷＦの沈殿は観察されない。これに対し、ｒＶＷＦをヘッドスペースのあるシリンジ内保管すると、沈殿がある程度観察される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年1月21日(2015.1.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非照射核燃料集合体用の輸送コンテナ（１０）であって、
前記輸送コンテナは、少なくとも１つの核燃料集合体を受け入れるための単一ケーシング（１１）を含み、
前記単一ケーシング（１１）は細長い管状シェル（１２）で形成され、前記細長い管状シェル（１２）は、核燃料集合体（２）を受け入れるための少なくとも１つの個々のハウジング（２０）を構成する金属内部層（２２）と、前記金属内部層（２２）を取り囲む金属外部層（３０）と、を含み、前記金属内部層（２２）は、前記金属外部層（３０）に堅固に連結され、前記細長い管状シェル（１２）は、前記内部層（２２）と前記外部層（３０）の間が隙間を残さないように満たされ、
前記単一ケーシングは、前記ハウジング（２０）或いは各々の前記ハウジング（２０）を前記シェル（１２）の長手方向両端で閉じるためのふた（１３）を有し、
各核燃料集合体は、前記核燃料集合体と、前記ハウジングを形成する横面との間の小さな隙間のみにより、対応するハウジング内に保持される、ことを特徴とする、前記輸送コンテナ。
【請求項２】
前記細長い管状シェル（１２）は、前記ハウジング（２０）或いは各個々の前記ハウジング（２０）を構成し且つ前記ハウジング（２０）の全長にわたって平滑である横面（４０、４２）を含む、請求項１に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項３】
前記ハウジング（２０）或いは各個々の前記ハウジング（２０）の前記横面と前記ハウジングの内部に受け入れられる燃料集合体（２）との間の横方向隙間は、０．１ｍｍ乃至５ｍｍである、請求項１又は２に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項４】
前記ハウジング（２０）或いは各個々の前記ハウジング（２０）の前記横面と前記ハウジングの内部に受け入れられる燃料集合体（２）との間の横方向隙間は、０．３ｍｍ乃至３ｍｍである、請求項１乃至３の何れか１項に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項５】
前記ハウジング（２０）或いは各個々の前記ハウジング（２０）の前記横面と前記ハウジングの内部に受け入れられる燃料集合体（２）との間の横方向隙間は、０．５ｍｍ乃至１ｍｍである、請求項１乃至３の何れか１項に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項６】
前記横方向隙間は、前記ハウジング（２０）の前記横面（４０、４２）に固定されるプレートを追加することによって調節される、請求項３乃至５の何れか１項に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項７】
前記ハウジング（２０）或いは各ハウジング（２０）は、Ｖの形状に配置された２対の横面によって画成される四角形断面を有し、前記シェル（１２）は、前記ハウジング（２０）或いは各ハウジング（２０）毎に、Vの形状に配置された２対の横面のうち１対を担持する支持部（３２）と、Ｖの形状に配置された２対の横面のうちもう１対を担持するドア（３４）と、ドア（３４）及び支持部（３２）の位置を、クランプにより、Ｖの形状に配置された２対の横面によって形成されるＶの頂点を通る直線とほぼ平行な方向に調節することができる、ドア（３４）を支持部（３２）に固定するための、クランプ手段（４４、４６）とを含む、前記請求項１乃至６の何れか１項に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項８】
前記シェル（１２）は、いくつかの並置された層を含む層構造を有し、いくつかの並置された層は、前記金属内部層と、前記金属外部層と、中性子吸収遮蔽層及び中間保護層を備えた中間層とを含む、前記請求項１乃至７の何れか１項に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項９】
熱保護のための層は、衝撃からの保護のための前記中間層に加えられる、前記請求項８に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項１０】
前記中間保護層（２８）は、中性子吸収遮蔽層（２４）を取り囲む、前記請求項８に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項１１】
前記シェル（１２）は、中性子吸収遮蔽層（２４）と、前記中間保護層（２８）を分離する中間金属分離層（２６）と、を含む、前記請求項８に記載の輸送コンテナ（１０）。
【請求項１２】
少なくとも１つの非照射核燃料集合体（２）は、請求項１乃至１１の何れか１項に記載の輸送コンテナ（１０）に配置され、前記コンテナ（１０）は、前記コンテナ（１０）の前記ケーシング（１１）が、前記コンテナ（１０）の落下の場合に前記核燃料集合体をそれだけで保護するように輸送車両に配置され、コンテナ（１０）が最初の場所から次の場所まで輸送される、少なくとも１つの核燃料集合体を輸送する方法。
【請求項１３】
緩衝部材は、シェル（１２）と設置面の間に配置される、請求項１２に記載の輸送方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
核燃料集合体の完全性は、外層３０に堅固に連結された内層２２を含む本発明によるコンテナ１０で緩衝部材なしに効率的に保たれ、さらに、各核燃料集合体２は、集合体とハウジング２０を構成する面４０、４２との間の小さな隙間のみにより対応するハウジング２０内に保持される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年9月16日(2015.9.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２〜３個の炭素原子を有する一価脂肪族パラフィン系アルコールを含有する供給原料からアルケンを生成するプロセスであって、前記２〜３個の炭素原子を有する一価脂肪族パラフィン系アルコールは酸触媒により脱水されて対応する同じ炭素数のアルケンとなり、供給原料中に存在するアルコールはｉ）エタノール、ｉｉ）プロパノール、ｉｉｉ）１重量％未満のメタノール、およびｉｖ）１重量％未満のＣ３＋アルコールとから構成され、また脱水工程がなされるときの圧力は０．５ＭＰａを超えてしかし４．０ＭＰａ未満、温度は３００℃未満であることを特徴とするプロセス。
【請求項２】
炭化水素をアルケンに変換するプロセスであって、
ａ．合成ガス反応装置内で炭化水素を酸化炭素と水素との混合物に変換する工程、
ｂ．工程ａで得られた酸化炭素と水素との前記混合物を、温度２００〜４００℃、圧力５０〜２００バールの条件下の反応装置内において、粒子状触媒の存在下において、２〜３個の炭素原子アルコールを有する少なくとも１つの一価脂肪族パラフィン系アルコールを含有する供給原料に変換する工程、
ｃ．Ｃ３＋アルコールおよびメタノールを除去するために工程ｂで得られた前記供給原料を処理する工程であって、処理された供給原料に存在するアルコールがエタノール、プロパノール、１重量％未満のメタノール、および１重量％未満のＣ３＋アルコールから構成される工程、そして
ｄ．酸触媒を使用して工程ｃの処理供給原料を、脱水して対応する同じ炭素数のアルケンとする工程を含むプロセス。
【請求項３】
メタノールとＣ３＋アルコールの双方が工程ｂの供給原料から除去される請求項２記載のプロセス。
【請求項４】
アルコールを脱水してアルケンとするために用いられる触媒は不均一系触媒であり、該不均一系触媒は、不溶性ヘテロポリ酸、スルホン化担体、ゼオライト、金属変性ゼオライト、モルデン弗石およびこれらの混合物から選択される請求項１〜３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項５】
アルコールを脱水してアルケンとするために用いられる触媒は不均一系触媒であり、該不均一系触媒は、ヘテロポリ酸およびイオン交換樹脂から選択される請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
アルコールを脱水してアルケンとするために用いられる触媒は不均一系触媒であり、該不均一系触媒は、ヘテロポリ酸から選択される請求項４に記載のプロセス。
【請求項７】
アルコールを脱水してアルケンとするために用いられる触媒は不均一系触媒であり、該不均一系触媒は、１２−タングストケイ酸および１８−タングストリン酸の塩から選択される請求項４に記載のプロセス。
【請求項８】
アルコールを脱水してアルケンとするために用いられる触媒は均一系触媒である請求項１〜３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項９】
アルコールを脱水してアルケンとするために用いられる触媒は反応体および生成物よりも沸点が高い均一系触媒である請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
触媒はスルホン酸、硫酸、ヘテロポリ酸およびリン酸から選択される請求項８記載のプロセス。
【請求項１１】
触媒はリン酸および有機スルホン酸から選択される請求項８記載のプロセス。
【請求項１２】
触媒はメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、およびトリフルオロメタンスルホン酸から選択される請求項８記載のプロセス。
【請求項１３】
脱水されてアルケンとなる供給原料中に存在する、２〜３個の炭素原子を有する一価脂肪族パラフィン系アルコールはエタノールおよびプロパノール、エタノールおよびｎ−プロパノール、またはエタノールおよびイソプロパノールから構成される請求項１〜１２のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１４】
脱水されてアルケンとなる供給原料はまた、エタノールおよび／またはプロパノールの単一エーテルおよび／または混成エーテルを含む請求項１〜１３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１５】
２〜３個の炭素原子を有する一価脂肪族パラフィン系アルコールはエタノールとｎ−プロパノールとの混合物から構成される請求項１３または１４のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１６】
脱水されてアルケンとなる供給原料は０．１重量％未満のメタノールを含有する請求項１〜１５のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１７】
脱水されてアルケンとなる供給原料は０．１重量％未満のＣ３＋アルコールを含有する請求項１〜１６のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１８】
脱水されるアルコール供給原料に対して追加的なエーテル供給原料が加えられる請求項１〜１７のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１９】
脱水工程がなされるときの圧力は１．８ＭＰａを超えてしかし２．７ＭＰａ未満である請求項１〜１８のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項２０】
脱水工程中に採用される温度は２５０℃未満である請求項１〜１９のいずれか１項に記載のプロセス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
好ましい実施形態によれば、本発明は炭化水素をアルケンに変換するプロセスを提供するものであり、該プロセスは、
ａ．合成ガス反応装置内で炭化水素を酸化炭素と水素との混合物に変換する工程、
ｂ．工程ａで得られた酸化炭素と水素との前記混合物を、温度２００〜４００℃、圧力５０〜２００バールの条件下の反応装置内において、粒子状触媒の存在下において、２〜３個の炭素原子アルコールを有する少なくとも１つの一価脂肪族パラフィン系アルコールを含有する供給原料に変換する工程、
ｃ．Ｃ３＋アルコールおよび／または該Ｃ３＋アルコールのメタノールを除去するために工程ｂで得られた前記供給原料を処理する工程、そして
ｄ．工程ｃの処理供給原料を脱水して対応する同じ炭素数のアルケンとする工程を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2015526447.tif 000001
[式中：
Ｒ１は、水素、または１〜６個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキルであり；
Ｒ２は、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキル、または１〜４個の炭素原子を有するフェニル置換された直鎖もしくは分岐鎖アルキルである]
の構造を有するチアジンアミド誘導体、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物。
【請求項２】
Ｒ１が、水素、または１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキルであり；
Ｒ２が、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキル、または１〜４個の炭素原子を有するフェニル置換された直鎖もしくは分岐鎖アルキルである、請求項１に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物。
【請求項３】
Ｒ１が、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキルであり；
Ｒ２が、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキル、または１〜４個の炭素原子を有するフェニル置換された直鎖もしくは分岐鎖アルキルである、請求項１に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物。
【請求項４】
Ｒ１が、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキルであり；
Ｒ２が、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキルである、請求項１に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物。
【請求項５】
Ｒ１が、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキルであり；
Ｒ２が、１〜４個の炭素原子を有するフェニル置換された直鎖もしくは分岐鎖アルキルである、請求項１に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物。
【請求項６】
Ｒ１が、イソブチルであり；
Ｒ２が、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖アルキル、または１〜４個の炭素原子を有するフェニル置換された直鎖もしくは分岐鎖アルキルである、請求項１に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物。
【請求項７】
前記化合物が、以下の化合物：
（２Ｒ）−４−メチル−２−｛［（３Ｒ）−４−（トルエン−４−スルホニル）−チオモルホリン−３−カルボニル］−アミノ｝−ペンタン酸、
（２Ｒ）−４−メチル−２−｛［（３Ｒ）−４−（トルエン−４−スルホニル）−チオモルホリン−３−カルボニル］−アミノ｝−ペンタン酸エチルエステル、
（２Ｒ）−４−メチル−２−｛［（３Ｒ）−４−（トルエン−４−スルホニル）−チオモルホリン−３−カルボニル］−アミノ｝−ペンタン酸プロピルエステル、
（２Ｒ）−４−メチル−２−｛［（３Ｒ）−４−（トルエン−４−スルホニル）−チオモルホリン−３−カルボニル］−アミノ｝−ペンタン酸イソプロピルエステル
（２Ｒ）−４−メチル−２−｛［（３Ｒ）−４−（トルエン−４−スルホニル）−チオモルホリン−３−カルボニル］−アミノ｝−ペンタン酸ベンジルエステルから選択される、請求項１に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物または水和物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物、及び１つ以上の薬学的に許容される賦形剤を含む、医薬組成物。
【請求項９】
薬剤が、生理的もしくは物理的損傷、または進行性病変により引き起こされる神経変性疾患の予防または治療において使用される、請求項１〜７のいずれか１項に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物の前記薬剤の製造における使用。
【請求項１０】
前記神経変性疾患が、アルツハイマー病、パーキンソン病、ハンチントン病、筋萎縮性側索硬化症、後天性免疫不全症に関連した神経障害、脳脊髄多発性硬化症、脳卒中または物理的刺激に関連した脳損傷、及び中枢または末梢神経系に影響を及ぼす多様な神経変性疾患から選択される、請求項９に記載された使用。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１項に記載された化合物、または薬学的に許容されるその塩、溶媒和物もしくは水和物を含む医薬組成物であって、生理的もしくは物理的損傷、または進行性病変により引き起こされる神経変性疾患の予防または治療において使用される、医薬組成物。
【請求項１２】
前記神経変性疾患が、アルツハイマー病、パーキンソン病、ハンチントン病、筋萎縮性側索硬化症、後天性免疫不全症に関連した神経障害、脳脊髄多発性硬化症、脳卒中または物理的刺激に関連した脳損傷、及び中枢または末梢神経系に影響を及ぼす多様な神経変性疾患から選択される、請求項１１に記載された医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月31日(2015.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性ホットメルト接着剤を含有する靴補強材を製造するための充填剤混合物において、該充填剤混合物が、
ａ．５０質量％までの量の米殻粉末
ｂ．７０質量％までのポリ乳酸粉末
からなることを特徴とする、前記充填剤混合物。
【請求項２】
請求項１に記載の充填剤混合物において、該充填剤混合物を、前記靴補強材において、前記熱可塑性ホットメルト接着剤に対して７５質量％までの割合で使用できることを特徴とする、前記充填剤混合物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の充填剤混合物において、前記米殻粉末が１〜３０００μｍの粒径分布を有していることを特徴とする、前記充填剤混合物。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の充填剤混合物において、前記ポリ乳酸粉末が再生ポリ乳酸粉末であることを特徴とする、前記充填剤混合物。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の充填剤混合物において、該充填剤混合物が、無機充填剤を１質量％までの最大量で含有していることを特徴とする、前記充填剤混合物。
【請求項６】
熱可塑性ホットメルト接着剤を含有し、かつ請求項１から５までのいずれか１項に記載の充填剤混合物を使用した靴補強材において、該靴補強材が押出及び／又は共押出により得られることを特徴とする、前記靴補強材。
【請求項７】
熱可塑性ホットメルト接着剤を含有し、かつ請求項１から５までのいずれか１項に記載の充填剤混合物を使用した靴補強材において、該靴補強材が二重ベルト装置での方法により得られることを特徴とする、前記靴補強材。
【請求項８】
請求項７に記載の靴補強材において、該靴補強材に片面若しくは両面に担体材料が具備されていることを特徴とする、前記靴補強材。
【請求項９】
熱可塑性ホットメルト接着剤を含有し、かつ請求項１から５までのいずれか１項に記載の充填剤混合物を使用した靴補強材において、前記熱可塑性ホットメルト接着剤が、５０質量％までの直鎖状ポリエステル、３０質量％までのエチレン酢酸ビニル共重合体及び５０質量％までの熱可塑性ポリウレタンから及び／又は前記プラスチックの混合物から選択されていることを特徴とする、前記靴補強材。
【請求項１０】
靴部品を製造するための、請求項６から９までのいずれか１項に記載の靴補強材の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月5日(2015.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を受信するステップと、
複数のピクセルの各々を複数の隣接ピクセルで重み付けすることにより、複数のピクセル各々についてのエッジ値を生成するステップと、
複数のエッジ値が第１の閾値を超えかつ連続するエッジ値の個数が第２の閾値を超える場合に、第１の連続エッジ値を生成するステップと、
第１の連続エッジを含む領域に第２の連続エッジが存在するか否かを判断するステップと、
前記第２の連続エッジが存在しない旨の判断に応じて、アーチファクトの通知を生成するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
アーチファクトの通知を生成する前記ステップが、
前記第１の連続エッジ値が長さに関して第３の閾値を超えるか否かを判断し、前記第１の連続エッジ値が長さに関して前記第３の閾値を超えない旨の判断に応じて、アーチファクトの通知を生成するステップ
を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の閾値が、隣接ピクセルの間の所定の重み付け差分値である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の閾値が、前記第１の閾値を超える連続エッジ値についての所定の個数である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第３の閾値が、前記第２の閾値を超える連続エッジ値についての所定の個数である、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
複数のピクセル又は各々のピクセルについて輝度値が決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
画像を受信するように形成される入力と、
複数のピクセルの各々を複数の隣接ピクセルで重み付けすることにより、前記画像内の複数のピクセル各々についてのエッジ値を生成し、複数のエッジ値が第１の閾値を超えかつ連続するエッジ値の個数が第２の閾値を超える場合に、第１の連続エッジ値を生成し、第１の連続エッジを含む領域に第２の連続エッジが存在するか否かを判断し、前記第２の連続エッジが存在しない旨の判断に応じて、アーチファクトの通知を生成するように形成されるプロセッサと、
を有する装置。
【請求項８】
前記プロセッサは、前記第１の連続エッジ値が長さに関して第３の閾値を超えるか否かを判断し、前記第１の連続エッジ値が長さに関して前記第３の閾値を超えない旨の判断に応じて、アーチファクトの通知を生成するように動作する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の閾値が、隣接ピクセルの間の所定の重み付け差分値である、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記第２の閾値が、前記第１の閾値を超える連続エッジ値についての所定の個数である、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記第３の閾値が、前記第２の閾値を超える連続エッジ値についての所定の個数である、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
複数のピクセル又は各々のピクセルについて輝度値が決定される、請求項７に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【数２】
2015526046.tif 000001
T1及びT2は所定の2つの閾値である。ユーザ又は製造業者は、様々なアプリケーションに合わせて閾値を適宜変更してもよい(260)。例えば、図1の画像を受信するSTBのストレス検査の場合、アーティフィシャルエッジの多くに関する長さ及び勾配を考慮して、T1及びT2はそれぞれ12及び6に設定されてもよい。「勾配」は「グラジエント」、「傾斜」又は「傾き」等と言及されてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上述したように、本発明は、画像中の視覚的なアーチファクトを検出するためのアーキテクチャ及びプロトコルを提供する。本発明は好適な設計例の観点から説明されてきたが、本発明は開示内容の精神及び範囲内で更に変更されてもよい。すなわち、本願は、一般的な原理を用いて本発明に対してなされる任意の変形、応用、修正等を包含するように意図されている。更に、本願は、そのような変形、応用、修正等が、本発明の技術分野における自明な事項とともに本願に包含されかつ特許請求の範囲内に属するように、意図されている。
以下、本願により教示される手段を例示的に列挙する。
（付記１）
画像を受信するステップと、
複数のピクセルの各々を複数の隣接ピクセルで重み付けすることにより、複数のピクセル各々についてのエッジ値を生成するステップと、
複数のエッジ値が第１の閾値を超えかつ連続するエッジ値の個数が第２の閾値を超える場合に、第１の連続エッジ値を生成するステップと、
第１の連続エッジを含む領域に第２の連続エッジが存在するか否かを判断するステップと、
前記第２の連続エッジが存在しない旨の判断に応じて、アーチファクトの通知を生成するステップと、
を有する方法。
（付記２）
アーチファクトの通知を生成する前記ステップが、
前記第１の連続エッジ値が長さに関して第３の閾値を超えるか否かを判断し、前記第１の連続エッジ値が長さに関して前記第３の閾値を超えない旨の判断に応じて、アーチファクトの通知を生成するステップ
を更に有する、付記１に記載の方法。
（付記３）
前記第１の閾値が、隣接ピクセルの間の所定の差分重み付け値である、付記１に記載の方法。
（付記４）
前記第２の閾値が、前記第１の閾値を超える連続エッジ値についての所定の個数である、付記１に記載の方法。
（付記５）
第３の閾値が、前記第２の閾値を超える連続エッジ値についての所定の個数である、付記１に記載の方法。
（付記６）
複数のピクセル又は各々のピクセルについて輝度値が決定される、付記１に記載の方法。
（付記７）
画像を受信する入力部と、
複数のピクセルの各々を複数の隣接ピクセルで重み付けすることにより、前記画像内の複数のピクセル各々についてのエッジ値を生成し、複数のエッジ値が第１の閾値を超えかつ連続するエッジ値の個数が第２の閾値を超える場合に、第１の連続エッジ値を生成し、第１の連続エッジを含む領域に第２の連続エッジが存在するか否かを判断し、前記第２の連続エッジが存在しない旨の判断に応じて、アーチファクトの通知を生成するプロセッサと、
前記通知をユーザに表示するディスプレイと、
を有する装置。
（付記８）
前記プロセッサは、前記第１の連続エッジ値が長さに関して第３の閾値を超えるか否かを判断し、前記第１の連続エッジ値が長さに関して前記第３の閾値を超えない旨の判断に応じて、アーチファクトの通知を生成するように動作する、付記７に記載の装置。
（付記９）
前記第１の閾値が、隣接ピクセルの間の所定の差分重み付け値である、付記７に記載の装置。
（付記１０）
前記第２の閾値が、前記第１の閾値を超える連続エッジ値についての所定の個数である、付記７に記載の装置。
（付記１１）
第３の閾値が、前記第２の閾値を超える連続エッジ値についての所定の個数である、付記７に記載の装置。
（付記１２）
複数のピクセル又は各々のピクセルについて輝度値が決定される、付記７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
角膜における架橋の量を動的に制御するシステムであって、
架橋剤で処理された角膜の選択された領域で架橋反応を活性化させるように構成された光源であって、前記光源が、波長、放射照度、照射量、及び、オン／オフデューティサイクルを有するパルスの光の照明を送達する、光源と、
前記光源に結合された制御装置であって、
前記制御装置が、架橋反応のための光化学的でキネティックな経路の決定に従って、前記光源の前記波長、前記放射照度、前記照射量、及び、前記オン／オフデューティサイクルの少なくとも１つを調整するように構成され、
前記制御装置が、前記角膜の選択された領域における所望の量の架橋を達成するために、光化学的効率を制御する、
制御装置と、
前記角膜の表面に酸素の濃度を提供するように構成された送達装置と、
を備えるシステム。
【請求項２】
前記角膜における架橋反応をモニターするように構成されたモニターシステムを更に備え、
前記制御装置が、前記モニターシステムからの情報に応じて、前記波長、前記放射照度、前記照射量、及び、前記オン／オフデューティサイクルの少なくとも１つを調整するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記送達装置が、前記モニターシステムからの情報に応じて、前記角膜の表面に送達される酸素の濃度を調整する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記送達装置が、
初めに、前記角膜における第１のＯ２含量を決定する第１の気体混合物を最初に提供し、
次いで、前記角膜における第２のＯ２含量を決定する第２の気体混合物を提供し、
前記第１の気体混合物及び前記第２の気体混合物が、異なる量のＯ２を提供し、
前記送達装置が、前記角膜における架橋の動的制御を提供する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記送達装置が、架橋反応のための光化学的でキネティックな経路の決定に従って、前記角膜の表面に送達される酸素の量を調整し、
前記酸素の量が、前記波長、前記放射照度、前記照射量、前記オン／オフデューティサイクルの少なくとも１つの調整により調整され、前記角膜の表面による前記パルスの光の照明の吸収を修正する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記パルスの光の照明が、約０．１Hz〜約１０００Hzの間、又は約１０００Hz〜約１００，０００Hzの間にあるパルスのレートを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記放射照度が、約１mW/cm2〜約１０００mW/cm2の間にあり、
前記オン／オフデューティサイクルが、約１０００／１〜約１／１０００の間にある、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記光源が、前記制御装置に応じた異なる各オン／オフデューティサイクルに従った前記角膜の異なるエリアに前記パルスの光の照明を適用するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記光源が、前記パルスの光の照明、及び、前記制御装置に応じた異なる各オン／オフデューティサイクルに従った前記角膜の異なるエリアへの連続波の照明を更に適用するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記光源が、複数の鏡を含むデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を含み、
それぞれの鏡が、前記パルスの光の照明の１つ以上の画素を表す、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月14日(2015.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトまたは動物用の気道装置であって、前記装置は第１端部および第２端部を有する気道管を含み、前記気道管の前記第１端部は喉頭カフによって囲まれ、前記喉頭カフは後部背側部と、前面部と、先端部とを含み、前記喉頭カフの前記前面部は、ヒトまたは動物の患者の喉頭口に対して解剖学的に適合するように、かつ、前記患者の前記喉頭口を封着するように形成され、前記先端部は環状封着隆起部を含む、気道装置。
【請求項２】
前記環状封着隆起部は、前記ヒトまたは動物の患者の上部食道領域に差し込むように構成される、請求項１に記載の気道装置。
【請求項３】
前記環状封着隆起部は、前記ヒトまたは動物の患者の上部食道領域における、前記喉頭カフの前記先端部による封着を改善するために備えられる、請求項１または２に記載の気道装置。
【請求項４】
前記環状封着隆起部は、軟質な高分子材料またはその他のプラスチック材料からなる、請求項１〜３のいずれかに記載の気道装置。
【請求項５】
前記環状封着隆起部は、Ａスケールでのショア硬度が４０〜０００の軟質な高分子材料またはその他のプラスチック材料から形成される、請求項４に記載の気道装置。
【請求項６】
前記環状封着隆起部は、起伏した表面を備える、請求項１〜５のいずれかに記載の気道装置。
【請求項７】
前記起伏した表面は、依然として良好に封着しながら、隆起部とこのような機構との間の接触による外傷を患者の体内その場で低減する場合に、患者の上部食道の機構に接触する前記環状封着隆起部の表面領域を縮小する、請求項６に記載の気道装置。
【請求項８】
前記起伏した表面は、凹状表面である、請求項６に記載の気道装置。
【請求項９】
前記起伏した表面は、凸状表面である、請求項６に記載の気道装置。
【請求項１０】
前記起伏した表面は、一連の突起を備える、請求項６に記載の気道装置。
【請求項１１】
前記起伏した表面は、一連のくぼみを備える、請求項６に記載の気道装置。
【請求項１２】
前記起伏した表面は、一連の溝を備える、請求項６に記載の気道装置。
【請求項１３】
前記起伏した表面は、一連の突出部を備える、請求項６に記載の気道装置。
【請求項１４】
前記環状封着隆起部は、前記先端部の背側部上よりも前記先端部の前面部上で大きくなる、請求項１〜１３のいずれかに記載の気道装置。
【請求項１５】
前記先端部の前記前面部上の前記環状封着隆起部は、Ａスケールでショア硬度が４０〜０００の、軟質な高分子材料またはその他のプラスチック材料で覆われるか、あるいは被覆された、剛体材料から形成される内側コアを備える、請求項１４に記載の気道装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月27日(2015.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素ゲル中に懸濁された反応器成分を準備し；
該反応器成分を重合反応器に導入し；そして
該重合反応器内でオレフィンを重合させてオレフィン系重合体を形成させること
を含む重合方法。
【請求項２】
前記炭化水素ゲルを、
炭化水素液体を約７０℃以上の温度に加熱し；
該炭化水素液体にゲル化剤を溶解させ；そして
該炭化水素液体を約５０℃以下の温度に冷却すること
を含む方法によって製造する、請求項１に記載の重合方法。
【請求項３】
前記炭化水素ゲルの製造方法が、前記炭化水素液体を冷却する工程の後に該炭化水素ゲルを攪拌することをさらに含む、請求項２に記載の重合方法。
【請求項４】
前記炭化水素ゲルが鉱油を含む、請求項１に記載の重合方法。
【請求項５】
前記炭化水素ゲルがポリエチレンを含む高分子ゲル化剤を含む、請求項１に記載の重合方法。
【請求項６】
前記反応器成分がジステアリン酸アルミニウム、エトキシル化アミン及びそれらの任意の組み合わせよりなる群から選択される少なくとも１種の添加剤を含む、請求項１に記載の重合方法。
【請求項７】
前記反応器成分が連続添加剤を含む、請求項１に記載の重合方法。
【請求項８】
前記反応器成分が触媒を含む、請求項１に記載の重合方法。
【請求項９】
前記重合反応器が気相反応器を含み、前記オレフィンがエチレン、プロピレン及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される少なくとも１種のオレフィンを含む、請求項１に記載の重合方法。
【請求項１０】
懸濁された反応器成分を中に含む炭化水素ゲルを準備し；
該炭化水素ゲルと追加の反応器供給物とを混合し；
該炭化水素ゲルと該追加の反応器供給物との混合物を重合反応器に導入し；そして
該重合反応器内においてオレフィンを重合させてオレフィン系重合体を形成させること
を含む、重合方法。
【請求項１１】
前記反応器成分がメタロセン触媒を含む、請求項１０に記載の重合方法。
【請求項１２】
前記追加の反応器供給物が触媒、活性剤及び充填材料を含む担持触媒系を含む、請求項１０に記載の重合方法。
【請求項１３】
前記反応器成分を充填材料に吸着させ、これと前記活性剤とを反応させる、請求項１２に記載の重合方法。
【請求項１４】
鉱油を含む液体炭化水素；
ポリエチレンを含むゲル化剤；及び
連続性添加剤を含む反応器成分
を含む炭化水素ゲル。
【請求項１５】
鉱油を含む炭化水素液体を約７０℃以上の温度に加熱し；
該炭化水素液体にポリエチレンを含むゲル化剤を溶解させ；そして
該炭化水素液体を約５０℃以下の温度に冷却すること
を含む方法によって製造された、請求項１４に記載の炭化水素ゲル。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塵埃を含む流体流れから前記塵埃を分離するための分離器であって、分離効率が低いサイクロンである第１のサイクロン式分離ユニットと、複数の第２のサイクロンを備えていると共に、前記分離器の外面の少なくとも一部分を形成している第２のサイクロン式分離ユニットとを有している前記分離器と、
前記分離器を受容するための凹所を有している本体と、前記本体に回転可能に接続されている複数の床接触式ホイールとを備えている床接触式転動アセンブリと、
を備えているシリンダ型清掃具において、
前記凹所が、１つ以上の成形された窪みを備えており、
前記成形された窪みが、前記分離器の対応して成形された部分を収容するように形成されており、これにより前記分離器が、前記凹所の内部に密接した状態で固定され、
前記分離器の一部分が、１つ以上の第２サイクロンの一部分とされ、少なくとも１つの前記第２のサイクロンが、前記分離器が前記凹所に受容されている場合に前記成形された窪みの中に少なくとも部分的に配置されていることを特徴とするシリンダ型清掃具。
【請求項２】
前記シリンダ型清掃具が、前記シリンダ型清掃具がその側方に傾いた場合に、前記シリンダ型清掃具が直立姿勢に復帰するように付勢されるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項３】
前記ホイールが、前記本体の側部それぞれに配置されていることを特徴とする請求項１に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項４】
前記ホイールの回転軸線が、前記シリンダ型清掃具が配置されている床面から上方に向かって傾斜していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項５】
前記ホイールそれぞれが、ドーム状の外面を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項６】
前記第１のサイクロン式分離ユニットが、前記第２のサイクロン式分離ユニットの上流に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項７】
前記転動アセンブリが、略回転楕円体状又は略球状の形態とされることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項８】
前記転動アセンブリが、１つ以上の突起、凹所、切欠、又は平坦な部分を有しているが、略球体状又は略回転楕円体状の形態を維持していることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項９】
前記分離器が、前記凹所の内部に取り外し可能に受容されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項１０】
前記分離器が、前記分離器を上方から前記転動アセンブリの上に降下させることによって、前記凹所の内部に受容されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項１１】
前記分離器の少なくとも一部分が、前記分離器が前記凹所に受容されている場合に、前記シリンダ型清掃具の外面の一部分として視認可能とされることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【請求項１２】
前記分離器が前記凹所に受容された場合に、前記分離器の長手方向軸線が、垂直線から０°〜６０°の範囲の所定の角度で配置されるように傾斜していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のシリンダ型清掃具。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の横隔膜補助レベルを与えるために横隔膜を刺激するためのシステムにおいて、
患者の血管内に配置される電極と、
前記システムを制御するための命令を記憶する電子記憶デバイスと、
プロセッサであって、
（ａ）前記患者の呼吸サイクルの属性を得るための命令と、
（ｂ）刺激パラメータと、前記呼吸サイクルの属性と、前記横隔膜補助レベルのための呼吸パラメータ特性の所望の値とに基づいて、前記電極に刺激信号を送出することによって、前記患者の横隔神経を回復させるための命令と、
（ｃ）以前の呼吸から呼吸パラメータの実際の値を判定するための命令と、
（ｄ）呼吸パラメータの前記実際の値を前記呼吸パラメータの所望と値と比較するための命令と、
（ｅ）（１）前記呼吸パラメータの前記実際の値が前記呼吸パラメータの所望の範囲内にある場合には、前記刺激パラメータを維持し、又は、（２）前記呼吸パラメータの前記実際の値が前記呼吸パラメータの所望の範囲内にない場合には、前記刺激パラメータを修正するための命令と、
（ｆ）（ａ）〜（ｅ）を繰り返すための命令と
を実行するためのプロセッサとからなる、システム。
【請求項２】
前記プロセッサは人工呼吸器からの呼吸補助を有する呼吸サイクルの間に（ａ）の工程を行うように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記プロセッサは前記人工呼吸器から与えられる補助レベルに関連して前記呼吸パラメータを調整するための命令を実行する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記呼吸サイクルの前記属性は、吸気相、吸気終末休止、呼気相、又は呼気終末休止のうちの少なくとも１つの開始又は持続期間を含んでなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記刺激信号は少なくとも１つのパルスを含んでなり、前記刺激パラメータは、速度、持続時間、パルス幅、周波数、又は振幅のうちの少なくとも１つを含んでなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記呼吸パラメータは一回換気量、圧力、又は時間のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記血管は、頸静脈又は左鎖骨下静脈のうちの少なくとも一方であり、前記横隔神経は左横隔神経であり、前記プロセッサは上大静脈に配置される第２の電極に刺激信号を送出して前記第２の電極が前記患者の右横隔神経を回復させるための命令を実行する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記血管は、頸静脈又は左鎖骨下静脈のうちの少なくとも一方であり、前記横隔神経は左横隔神経であり、前記プロセッサは前記頸静脈又は左鎖骨下静脈のうちの少なくとも一方に配置される第２の電極に刺激信号を送出して前記第２の電極が左横隔神経を回復させ、及び、前記上大静脈に配置される第３の電極及び第４の電極に刺激信号を送出して前記第３の電極及び第４の電極が前記患者の右横隔神経を回復させるための命令を実行する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記プロセッサは、前記第１の電極への刺激信号の送出を前記第２の電極への刺激信号の送出と異なる時に行い、前記第３の電極への刺激信号の送出を前記第４の電極への刺激信号の送出と異なる時に行うための命令を実行する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記システムは１つ以上のセンサをさらに備え、前記センサは、ａ）前記患者の呼吸サイクルの属性、及び、ｂ）前記以前の呼吸からの呼吸パラメータの実際の値を示す情報を検知する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記情報は、空気流量、量、圧力、動き、及び電気信号のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記呼吸パラメータの実際の値を前記呼吸パラメータの所望の値と比較するための命令は、圧力の変化又は一回呼吸量の変化のうちの少なくとも１つを計算するための命令を含んでなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記呼吸パラメータの実際の値が前記呼吸パラメータの所望の値の選択範囲内にない場合には、前記プロセッサは、
前記呼吸パラメータの実際の値と所望の値の間の差の原因を判定する工程であって、前記原因は、電極の移動、呼吸機構の変化、又は横隔膜の疲弊のうちの少なくとも１つである、原因を判定する工程を行うための命令と、
前記原因に基づいて、前記刺激パラメータ及び前記刺激信号を受信する電極の選択のうちの少なくとも１つを変更するための命令とを行う、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記電極に刺激信号を送出するための命令は、前記患者の呼吸サイクルの所定の時に前記刺激信号を送出するための命令を含んでなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記電極に刺激信号を送出するための命令は、連続した患者の複数の呼吸のうち１つのサブセットの間のみに前記刺激信号を送出するための命令を含んでなる、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像センサユニットを収容するための、細長いハウジング（２）を備えるビデオ内視鏡（１）であって、前記画像センサユニットに接続された光学送信ユニット（６）が、前記ハウジング（２）内に配置された、ビデオ内視鏡（１）において、前記光学送信ユニット（６）は、貫通接触デバイス（５）上で、前記ハウジング（２）の近位端に配置され、前記貫通接触デバイス（５）は前記ハウジング（２）の壁（４）を貫通し、前記貫通接触デバイス（５）は、前記ハウジング（２）の前記壁（４）内に密閉方式で搭載されるように配置される、ビデオ内視鏡（１）。
【請求項２】
前記貫通接触デバイス（５）は、前記ハウジング（２）の前記近位端に設けられたプレート（４）における、前記ハウジング（２）の前記近位端面上に搭載される、請求項１に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項３】
前記光学送信ユニット（６）用の前記貫通接触デバイス（５）は、前記貫通接触デバイス（５）の内側部が前記ハウジング（２）の内側に向かって突出し、前記ハウジングの外側の前記貫通接触デバイス（５）の第２の外側部が外に突出するように前記ハウジング（２）の前記壁（４）内に配置される、請求項１又は２に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項４】
前記貫通接触デバイス（５）は、電気的ラインを有する導体プレートとして設計される、請求項１から３のいずれか１項に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項５】
前記導体プレートは、電気的又は導電ラインを有する多層セラミックを有し、前記電気的又は導電ラインは、高温多層セラミック法（ＨＴＣＣ法）によって生産されるか又は生産されることとなる、請求項４に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項６】
前記画像センサユニットに接続された１つ又は複数の画像データ送信線（３）は、前記ハウジング（２）内に配置され、１つ又は複数の画像データ送信線（３）は、前記ハウジング（２）の前記近位端で、前記貫通接触デバイス（５）及び／又は前記光学送信ユニット（６）に接続される、請求項１から５のいずれか１項に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項７】
ソケット（７）は前記ハウジング（２）の前記近位端に設けられ、前記光学送信ユニット（６）は前記ソケット（７）の一端に配置され、フェルール（１０）によって囲まれる光波導体（９）は、前記光学送信ユニット（６）が前記光波導体（９）の端に対向して配置されるように前記ソケット（７）の他端に配置される、請求項１から６のいずれか１項に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項８】
ガラス（８）は、前記ソケット（７）の端の間に配置され、前記ガラス（８）は、前記ソケット（７）内にはんだ付けされる、請求項７に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項９】
前記光学送信ユニット（６）は、前記ソケット（７）にはんだ付けされる、請求項７又は８に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項１０】
前記光波導体（９）用の前記フェルール（１０）は、前記ソケット（７）にはんだ付けされる、請求項７から９のいずれか１項に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項１１】
前記フェルール（１０）は、ブッシングによって囲まれるように前記ブッシング内に配
置され、前記ブッシングは、前記光学送信ユニット（６）に対向する前記ソケット（７）の端に、配置可能であるか又は配置される、請求項７から１０のいずれか１項に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項１２】
前記ソケット（７）は、前記ハウジング（２）の近位端に、好ましくは前記ハウジング（２）の近位端面に設けられた、前記プレート又は或るプレート内に配置される、請求項７から１１のいずれか１項に記載のビデオ内視鏡（１）。
【請求項１３】
前記貫通接触デバイス（５）は、電気導体（３）を介して前記ハウジング（２）の遠位端に配置された前記画像センサユニットに接続される、請求項１から１２のいずれか１項に記載のビデオ内視鏡（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月27日(2015.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１４）上に材料の層を堆積させる方法であって、
基板（１４）がプラズマ（２）に曝露されないように第１の磁石アセンブリ（１２１）位置で材料堆積のためにスパッタターゲットのプラズマ（２）を着火（５０２、６０２）することと、
プラズマ（２）を維持しながら磁石アセンブリ（１２１）を第２の磁石アセンブリ位置に動かす（５０４、６０４）ことと
を含み、
前記第２の磁石アセンブリ位置において、基板（１４）上に材料を堆積する、方法。
【請求項２】
基板（１４）上に材料の層を堆積させる方法であって、
基板（１４）がプラズマ（２）に曝露されない間に材料堆積のためにスパッタターゲットのプラズマ（２）を着火（４０２、５０２、６０２、７０４）することと、
基板（１４）上に材料を堆積するために基板（１４）が前記プラズマ（２）に少なくとも曝露されるようになるまで、前記プラズマ（２）を維持（４０４，５０６、６０６、７０６）することと、
ここで、少なくとも基板（１４）を堆積区域内へ動かすことによって曝露がなされること
前記堆積区域内において基板（１４）を静的堆積プロセスのために位置決めし基板（１４）上に材料を堆積（４０６、５０８、６０８、７０８）させることと
を含む方法。
【請求項３】
前記静的堆積プロセスのために基板（１４）を位置決めすることが、堆積中に基板位置が静止していること、堆積中に基板位置が振動すること、堆積中の平均基板位置が本質的に一定であること、堆積中に基板位置がディザリングすること、堆積中に基板位置がウォブリングすること、またはこれらの組合せを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
基板（１４）が曝露されない間は、測定値が所定の閾値未満への減少、または所定の閾値超への増大にならない限り、プラズマ（２）を維持する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
処理ガスを流すことをさらに含み、材料の堆積が反応性堆積プロセスである、
請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
堆積プロセスが、金属モードまたは遷移モードで実行される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ターゲット材料が、アルミニウム、シリコン、タンタル、モリブデン、ニオブ、チタン、および銅からなる群から選択され、特にアルミニウムおよびシリコンからなる群から選択される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
プラズマ（２）を維持したまま、前記第１の位置から前記第２の位置へ動かすのと同じ方向に沿って、前記磁石アセンブリ（１２１）を第３の磁石アセンブリ位置に動かすことをさらに含み、前記第３の磁石アセンブリ位置において、前記堆積区域の外側に配置された構成要素上に材料が堆積する、請求項１または４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
プロセス安定化のために、堆積に先立って、１秒以上、特に５秒〜１０秒の期間にわたってプラズマ（２）が維持される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記スパッタターゲットがロータリスパッタターゲットである、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記磁石アセンブリ（１２１）を動かすことが、前記ロータリスパッタターゲット内側の前記磁石アセンブリ（１２１）の回転によって実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記磁石アセンブリ（１２１）を動かすことが、前記磁石アセンブリ（１２１）を含むカソードの回転によって実行される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１対のスパッタターゲットを含み、前記スパッタターゲットが、１対のスパッタターゲットのなかの少なくとも１つのターゲットであり、特に、１対のスパッタターゲット間に０．５ｋＨｚ〜３５０ｋＨｚの範囲内の中周波電圧を印加することによって１対のスパッタターゲットが動作される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。