【事件の表示】
　特願２００７−２８３１５７「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月２１日出願公開、特開２００９−１１１２２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１９年１０月３１日の出願であって、平成２４年３月８日に手続補正がされ、同年１１月２０日付けで拒絶査定がされ、これに対して、平成２５年２月２７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がされ、その後、当審において、同年１０月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月９日に手続補正がされるとともに意見書が提出されたものである。 
 　 
第２　本願発明 
　本願の請求項に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１２月９日の手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定される、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　「第１のクラッド層と、第１のガイド層と、活性層と、第２のガイド層と、第２のクラッド層とが順に積層され、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に光導波路となる層が構成されるとともに、当該光導波路となる層が基本モードの特定の波長の光の他に高次モードの光をも導波する厚さに形成されている半導体レーザ装置において、
　前記光導波路となる層部分が極めて厚く構成されたＬＯＣ構造を有しており、
　各層による積層構造が劈開されてなる劈開面のうち、少なくとも光の出射側における劈開面に、当該劈開面を覆う端面コート膜が形成されているとともに、
　前記端面コート膜は、前記特定の波長の光が入射した場合の反射率として、その端面コート膜の膜厚に依存した多重反射による干渉効果によって、垂直入射した場合とｓ偏光で斜入射の場合とで個別に正弦波状に反射率が変化する内で、ｓ偏光で斜入射の場合の反射率変化を示す正弦波状の曲線が急峻な箇所を避けた上で、垂直入射した場合の反射率の方が、ｓ偏光で斜入射の場合の反射率よりも大きくなる膜厚で形成されている、
　半導体レーザ装置。」
 　 
第３　当審拒絶理由 
 　当審において、平成２５年１０月２４日付けで通知した拒絶の理由の第１及び第２のうち、第２の拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）は、次のとおりである。 
「本願は、発明の詳細な説明の記載について、下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　 
１　本願の発明の詳細な説明の【０００８】の記載によれば、本願発明は「光導波路となる層が基本モードの光の他に高次モードの光をも導波する厚さに形成される場合であっても、当該高次モードの光の発振を抑えて、光出力の向上を図るというＬＯＣ構造に特有の所望特性を得ることのできる半導体レーザ装置を提供すること。」を目的とし、同【００１０】の記載によれば、「少なくとも光の出射側の劈開面を覆う端面コート膜が、基本モードの光に対する反射率が高次モードの光に対する反射率よりも大きくなる膜厚で形成されている、すなわち、高次モードと基本モードとで光反射率の端面コート膜の膜厚依存性が異なることを利用して、端面コート膜における高次モードの光の反射率を基本モードの光の反射率よりも小さくしている。」ものである。 
 　 
２　一方、本願の発明の詳細な説明には、次の記載がある。 
「【００２５】 
　ここで、端面コート膜における光反射率の膜厚依存性について、具体例を挙げて説明する。 
　図３は、端面コート膜の膜厚と当該端面コート膜における光反射率との関係の一具体例を示す説明図である。図例は、屈折率３．５５のＧａＡｓ膜に屈折率１．６３のＡｌ2Ｏ3単層膜からなる端面コート膜を成膜した場合の反射率の膜厚依存性を、発振波長９４０ｎｍの光が垂直入射する場合とs偏光で斜入射（入射角４５度)する場合とについて計算した結果を示している。 
【００２６】 
　一般に、半導体レーザ装置のようなスラブ導波路では、端面の反射膜（＝端面コート膜）に入射する際の端面と電磁界の方向関係から、ＴＥモードが平面波反射のｓ偏光に、ＴＭモードが平面波反射のｐ偏光にそれぞれ相当し、また基本モードに比べ高次のモードのほうがより斜入射の入力光に対応することが知られている。さらには、端面劈開状態での基本モード、高次モードに対する反射率を電磁波論的アプローチで計算すると、ＴＥモードでは高次モードの反射率が高く、ＴＭモードでは逆に高次モードの反射率が低くなり、それぞれ上記のｓ偏光、ｐ偏光との対応関係と合致することが知られている（例えば、IEEE Journal of Quantum Electronics，Vol.8，Jun，1972，pp.470-476参照）。 
【００２７】 
　これらのことを踏まえると、図３に示すように、端面コート膜における反射率は、端面コートの多重反射による干渉効果によって膜厚に対して正弦波状の依存性を示すが、その周期は光路長の差に由来して垂直入射の場合（図中実線参照）と斜入射の場合（図中破線参照）とで異なったものとなる。 
【００２８】 
　つまり、例えば、一般的な構成の半導体レーザ装置（光導波路となる層部分の合計厚が数十ｎｍ程度）であれば、導波モードが基本モードのみとなるようガイド層の厚さを調整するため、高次モードを考慮する必要がない。ところが、光導波路となる層部分が極めて厚く（例えば、ガイド層が片側６００ｎｍ以上）構成されたＬＯＣ構造の半導体レーザ装置１では、既に説明したように、各層の積層方向に高次モードが存在する。そのため。ＴＥモードで発振しようとすると、基本モードが図３に示した垂直入射の場合に、また高次モードが図３に示した斜入射の場合に対応することになり、端面コート無しの状態では高次モードの反射率が高くなるため、活性層１４への光閉じ込めは高次モードの方が小さいにもかかわらず当該高次モードが発振してしまう可能性が生じてしまう。 
【００２９】 
　そこで、本実施形態で説明する半導体レーザ装置１は、高次モードと基本モードの反射率の端面コート膜厚依存性が異なることを利用して、基本モードの光に対する反射率が高次モードの光に対する反射率よりも大きくなるような膜厚で、積層構造の劈開面への端面コートを施すことにより、高次モードの発振を抑える構造としているのである。 
【００３０】 
　具体的には、例えば、図３中の矢印Ａで示す膜厚となるように、Ｆコート膜２０ａを形成することが考えられる。このような膜厚でＦコート膜２０ａを形成すれば、当該Ｆコート膜２０ａは、高次モードの光に対する反射率が１．１％と低くなるが、基本モードの光に対する反射率は９％と高次モードの場合に比べて高くなるため、高次モードの発振を抑えつつ基本モードでの発振が得られることとなる。 
【００３１】 
　以上のような作用を奏するＦコート膜２０ａは、垂直入射光に対する反射率が斜入射光に対する反射率を上回る膜厚の範囲（図中Ｂ，Ｃ等参照）で得ることができる。 
　ただし、Ｆコート膜２０ａの膜厚は、膜厚均一性確保という観点からは薄過ぎても良くないし、また成膜容易性や高効率等の確保という観点からは厚過ぎても良くない。さらには、反射率変化を示し曲線が急峻な箇所は、成膜時の膜厚バラツキに対する反射率変化が大きくなるため、避けるべきである。これらのことを考慮すると、図３中の矢印Ａで示す膜厚は、Ｆコート膜２０ａの膜厚として好ましい具体例の一つであるといえる。」 
 　 
　上記記載によれば、上記【００２５】ないし【００３１】には、上記１にいう「光反射率の端面コート膜の膜厚依存性」が説明されており、図３はその説明図であって、「屈折率３．５５のＧａＡｓ膜に屈折率１．６３のＡｌ2Ｏ3単層膜からなる端面コート膜を成膜した場合の反射率の膜厚依存性を、発振波長９４０ｎｍの光が垂直入射する場合とs偏光で斜入射（入射角４５度)する場合とについて計算した結果」を示している。 
　しかしながら、上記計算がどのようにしてなされたのかが、上記【００２５】ないし【００３１】をみても不明であり、また、本願の発明の詳細な説明の他の記載をみても、上記「光反射率の端面コート膜の膜厚依存性」について具体的に説明されていない。 
　よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとは認められない。」　 
 　 
第４　当審の判断 
１　平成２５年１２月９日に提出された意見書においては、当審拒絶理由に対する意見は提出されていない。
　
２　本願発明は、「端面コート膜は、前記特定の波長の光が入射した場合の反射率として、その端面コート膜の膜厚に依存した多重反射による干渉効果によって、垂直入射した場合とｓ偏光で斜入射の場合とで個別に正弦波状に反射率が変化する内で、ｓ偏光で斜入射の場合の反射率変化を示す正弦波状の曲線が急峻な箇所を避けた上で、垂直入射した場合の反射率の方が、ｓ偏光で斜入射の場合の反射率よりも大きくなる膜厚で形成されている」との構成を備えるものである。
　しかるに、当審拒絶理由のとおり、「光反射率の端面コート膜の膜厚依存性」を説明する図３が、どのようにしてなされた計算の結果なのか、本願明細書の発明の詳細な説明の記載をみても不明である。
　そして、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願発明の上記構成を備えることが、どのようにして実施できるか記載されているとは認められない。
　よって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の実施をす
ることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
  　 
第６　むすび 
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないものである。 
　よって、結論のとおり審決する。