【事件の表示】
　特許第３０７８４１５号「窒化アルミニウム配線基板」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７８４１５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０７８４１５号は、平成４年１２月２４日に出願され、平成１２年６月１６日に特許権の設定登録がされ、その後、異議申立人　伊藤辰彦より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年４月２５日付で訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正請求について
［１］訂正の内容
　平成１５年４月２５日付訂正請求による訂正は、次のとおりである。
（１）訂正事項イ
　願書に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１に「ｄ（ｍｍ）」とあるのを、「ｄ（ｍ）」に訂正する。
（２）訂正事項ロ
　願書に添付した明細書の段落番号【０００７】に「ｄ（ｍｍ）」とあるのを、「ｄ（ｍ）」に訂正する。
　
［２］訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項イについて
　願書に添付した明細書及び図面（以下、「特許明細書」という。）中、発明の詳細な説明（段落【０００８】、【００１５】、【００１８】、【００１９】）には、「周波数ｆ」の単位が「Ｈｚ」の場合に、「平均結晶粒径ｄ」の単位は「ｍ」であり、そして、ｄ（ｍ）×ｆ（Ｈｚ）の値は３０００以下、あるいは、３００００以上であることが明確に記載され、さらに、【図面の簡単な説明】には、図２が「平均結晶粒径ｄ（ｍ）」と「周波数ｆ（Ｈｚ）」とを座標軸とした図であること（【図２】に関する説明）が記載されていることから、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「ｄ（ｍｍ）」は、「ｄ（ｍ）」の明白な誤記と認められる。
　よって、訂正事項イは、誤記の訂正を目的とするものであり、そして、この訂正は、特許明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項ロについて
　訂正事項ロは、発明の詳細な説明の記載についての訂正事項イに関連する訂正であって、前記（１）と同様、誤記の訂正を目的とするものであり、そして、この訂正は、特許明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
［３］まとめ
　よって、この訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立てについて
［１］本件発明
　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、平成１５年４月２５日付訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】窒化アルミニウム結晶の平均粒径が０．５〜４０μｍの窒化アルミニウム質焼結体の内部あるいは表面に配線層が形成され、該配線層に伝送される電気信号の周波数が１００ＭＨｚ以上である窒化アルミニウム配線基板であって、前記窒化アルミニウム質焼結体の前記平均結晶粒径をｄ（ｍ）、前記配線層に伝送される電気信号の周波数をｆ（Ｈｚ）とした時、前記ｄと前記ｆとの積が３０００以下、または３００００以上とすることにより、前記窒化アルミニウム質焼結体の誘電正接を０．０１以下としたことを特徴とする窒化アルミニウム配線基板。」
　
［２］異議申立の理由の概要
　異議申立人は、甲第１〜３号証を提出し、本件発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもの（以下、「取消理由１」という。）であり、また、本件明細書には記載不備があるから、本件発明に係る特許は特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたもの（以下、「取消理由２」という。）であって、取り消されるべきである旨主張する。
　
［３］甲第１〜３号証の記載事項
１．甲第１号証 （電気学会電子回路研究資料（１９８９）、第９〜１８頁）には、
摘示１−１；
　「信号処理速度の速い集積回路を収納するパッケージにはパッケージ部での伝送遅延時間の小さなものが要求される。・・中略・・窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の高熱伝導性、熱膨張率の対シリコン良整合性に着目し、高速動作集積回路用パッケージとして４０リード小形フラットパッケージおよびＣＯＷ用１８８リードフラットパッケージの２種を試作した。」（第９頁２〜１２行）
摘示１−２；
　「４．ＣＯＷ用１８８リードＡｌＮフラットパッケージ　図５にパッケージの断面構造を示す。・・中略・・本構造は、１００ＭＨｚの信号に対して安定に動作した。・・中略・・金属としてモリブデン（Ｍｏ）粉末を主成分とした導体層を印刷、焼成した後、Ｎｉめっきすることにより配線パタンおよびリード部接合用の電極を形成した。」（第１１頁下から６行〜第１２頁８行）、
摘示１−３；
　「５．１電気的特性　図８はネットワークアナライザにより測定した４０リードパッケージの超高周波伝送特性である。これより本パッケージがおおむね４．５ＧＨｚまっで使用可能なことは読み取れ（１リード当たりの伝送損失が１．５ｄＢとなる点にて判断）、アルミナ製同寸法のパッケージ（電源キャパシタの無い構造）と同等であった。」（第１３頁２〜７行）と記載されている。
２．甲第２号証（特開昭６２−１８２１８４号公報）には、
摘示２−１；
　「ＡｌＮ焼結体は高い熱伝導特性を有しており、ＩＣ用絶縁基板をはじめとし・・中略・・有望な材料である。」（第１頁右下欄１７〜２０行）、
摘示２−２；
　「本発明者らは金属又はガラスと強固に結合できるＡｌＮ焼結体の表面改質に関し鋭意研究を重ねた」（第２頁右上欄１８〜２０行）、
摘示２−３；
　「粒界組織の強度は高いが、満足な強度を得るためには、粒界層の厚み、粒界層中の粒界相の密度を限定する必要がある。すなわち、粒径１００μｍ以下のＡｌＮ焼結体を粒界層の厚み５００μｍ以下にエッチングすることが特に好ましい。」（第３頁左上欄１３〜１７行）と記載され、
摘示２−４；
　第４〜５頁の表１、表２中には、平均結晶粒径が０．８〜２４２μｍの範囲にわたるＡｌＮ焼結体が記載されている。
３．甲第３号証（特開平１−１８９１９１号公報）には、
摘示３−１；
　「（１）表面粗さ（Ｒａ）がＲａ≦１５０ｎｍの窒化アルミニウム基体上に薄膜回路が形成されたことを特徴とする回路基板。（２）窒化アルミニウム基体の平均結晶粒径が０．５〜２０μｍであることを特徴とする請求項１記載の回路基板。」（第１頁左下欄５〜１０行）、
摘示３−２；「このＡｌＮ基体のＡｌＮ結晶粒径は０．５〜２０μｍの範囲内にあることが望ましく、ＡｌＮ平均結晶粒径が０．５μｍ以下では焼結による基板のそり、ゆがみが導体薄膜形成可能な許容範囲を越え、さらに２０μｍ以上では結晶粒子脱落によるピットが深いため、これを研磨によって修正不可能となるためである。」（第２頁左下欄１〜７行）と記載されている。
　
［４］判断
１．取消理由１について
　甲第１号証には、Ｍｏで配線層（導体層）を形成した（摘示１−２）４０リード小形フラットパッケージおよびＣＯＷ用１８８リードフラットパッケージの２種の高速動作集積回路用窒化アルミニウムパッケージ（摘示１−１）において、１００ＭＨｚの信号で安定に動作し（摘示１−２）、また、４．５ＧＨｚまでおおむね使用可能である（摘示１−３）と記載されているから、甲第１号証には、「窒化アルミニウム質焼結体の内部あるいは表面に配線層が形成され、該配線層に伝送される電気信号の周波数が１００ＭＨｚ以上である窒化アルミニウム配線基板」（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　本件発明と引用発明とを対比すると、両者は、「窒化アルミニウム質焼結体の内部あるいは表面に配線層が形成され、該配線層に伝送される電気信号の周波数が１００ＭＨｚ以上である窒化アルミニウム配線基板」で一致する。　しかしながら、両者は、以下の点（１）、（２）で相違する。
（１）本件発明では、「窒化アルミニウム結晶の平均結晶粒径が０．５〜４０μｍ」であるのに対して、引用発明ではこれが明らかでない点（以下、「相違点１」という）。
（２）本件発明では、「窒化アルミニウム質焼結体の前記平均結晶粒径をｄ（ｍ）、前記配線層に伝送される電気信号の周波数をｆ（Ｈｚ）とした時、前記ｄと前記ｆとの積が３０００以下、または３００００以上とすることにより、前記窒化アルミニウム質焼結体の誘電正接を０．０１以下」としているのに対して、引用発明ではこれが明らかでない点（以下、「相違点２」という）。
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
相違点１について；
　甲第２号証には、ＩＣ用絶縁基板として用いられるＡｌＮ焼結体において、平均結晶粒径が１００μｍ以下（摘示２−３）或いは０．８〜２４２μｍ（摘示２−４）のものが用いられることが記載され、また、甲第３号証には、窒化アルミニウム基体の平均結晶粒径が０．５〜２０μｍである（摘示３−１）と記載されているから、相違点１に係る本件発明の構成である「窒化アルミニウム結晶の平均結晶粒径が０．５〜４０μｍ」という平均結晶粒径の数値範囲は、甲第２、３号証に記載されるそれと特に異なるものではない。
　したがって、引用発明において、窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径を０．５〜４０μｍとすることは、甲第２、３号証の記載から当業者が容易になし得ることと認められる。
相違点２について；
　本件明細書及び図面の記載、例えば、「図１に平均粒径が１１μｍの窒化アルミニウム焼結体を用いた基板における周波数と誘電正接との関係を示した。図１から明らかなように、１００ＭＨｚ以上の周波数に対して窒化アルミニウム焼結体は、ある特定の周波数帯域において誘電正接が極大値を有することが理解される。【００１５】次に、図１の性質に基づき、平均粒径が異なる焼結体において、それぞれ誘電正接を測定し、横軸に周波数ｆｏを、縦軸に平均粒径ｄをとり図２に周波数と平均粒径との関係を図２に示した。・・中略・・図２によれば、各焼結体における誘電正接の極大値を示す周波数は粒径が小さくなるにつれて大きくなる傾向にあることがわかった。【００１６】図２において線Ｘは、ｄ×ｆ＝３０００のライン、線Ｙはｄ×ｆ＝３００００のラインである。図中、線Ｘと線Ｙにはさまれた領域Ｂは誘電正接が０．０１を越える領域であり、線Ｘと線Ｙの外側の領域Ａは誘電正接が０．０１以下の領域である。【００１７】よって、基板の絶縁体の誘電正接を常に０．０１以下に維持するためには、焼結体の平均結晶粒径ｄ（ｍ）と使用周波数（Ｈｚ）との関係が図２の領域Ａにあることが必要となる。即ち、本発明によれば、ｄ×ｆが３０００以下、または３００００以上であることが必要となる。」（本件明細書段落【００１４】〜【００１７】、図１、図２）によれば、相違点２に係る本件発明の構成は、窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径ｄ、配線層に伝送される電気信号の周波数ｆ及び窒化アルミニウム焼結体の誘電正接の値が相互に関連性を有するとの知見、さらに、誘電正接の値を０．０１以下に抑えるためには、ｄ×ｆを３０００以下、または３００００以上とする必要があるとの知見に基づきなされたものであることが認められる。
　ところで、甲第２号証には、ＩＣ用絶縁基板として用いられるＡｌＮ焼結体において（摘示２−１）、金属又はガラスと強固に結合できる強度のあるＡｌＮ焼結体を得るためには、平均粒径１００μｍ以下のものを用いる（摘示２−２、２−３）ことが、また、甲第３号証には、窒化アルミニウム基体上に薄膜回路が形成される回路基板において、焼結による基板のそり、ゆがみ発生を防ぐとともに、結晶粒子脱落によるピットの形成を避けるために、該基体の平均結晶粒径を０．５〜２０μｍとする（摘示３−１）ことが記載されているが、甲第２、３号証に記載される何れのものも、金属又はガラスと強固に結合できる強度のあるＡｌＮ焼結体を得るため、あるいは、窒化アルミニウム基体のそり・ゆがみ発生防止、ピット形成防止を図るために平均結晶粒径を定めているのであって、窒化アルミニウム焼結体の誘電正接の値を小さく抑えるために、その平均結晶粒径を定めているわけではない。
　さらに、甲第２、３号証には、窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径ｄ、配線層に伝送される電気信号の周波数ｆ及び窒化アルミニウム焼結体の誘電正接の値の相互関連性について記載されるところがないばかりか、これらの相互関連性を利用し、ｄ×ｆを３０００以下、または３００００以上となるようにｄ、ｆを選択することにより誘電正接の値を小さく抑えるという点についての記載があるわけでもない。
　そうすると、「相違点１について」で既に述べたように、甲第２、３号証の記載からでは、窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径ｄが、本件発明のそれと重複する数値範囲となる窒化アルミニウム配線基板が知られていることが認められるにすぎず、「窒化アルミニウム質焼結体の前記平均結晶粒径をｄ（ｍ）、前記配線層に伝送される電気信号の周波数をｆ（Ｈｚ）とした時、前記ｄと前記ｆとの積が３０００以下、または３００００以上とすることにより、前記窒化アルミニウム質焼結体の誘電正接を０．０１以下」とするという点までもが、開示乃至示唆されているとすることはできない。
　よって、相違点２に係る本件発明の構成については、甲第２、３号証の記載から当業者が容易に想到し得たとすることはできず、そして、本件発明は、相違点２をもその構成として備えることにより、「窒化アルミニウム焼結体からなる絶縁体の誘電正接を常に低い値に制御することができ、伝送される信号の減衰を防止し、常に安定した基板特性を維持し、配線基板としての長期信頼性を付与することができる。」（本件明細書段落【００１９】参照）という効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　
２．取消理由２について
　異議申立人の主張は、大略、「電気信号の周波数の違いは窒化アルミニウム配線基板そのものの構成とは何等関係ないものであるから、使用条件（基板使用の際の電気信号の周波数）を要件とする本件発明は、発明の構成が不明確である。」（異議申立書第７頁「エ．記載不備の理由」の欄参照）というにある。
　しかしながら、本件請求項１の「該配線層に伝送される電気信号の周波数が１００ＭＨｚ以上である」との要件は、本件明細書の「図１に平均粒径が１１μｍの窒化アルミニウム焼結体を用いた基板における周波数と誘電正接との関係を示した。図１から明らかなように、１００ＭＨｚ以上の周波数に対して窒化アルミニウム焼結体は、ある特定の周波数帯域において誘電正接が極大値を有することが理解される。」（段落【００１４】）との記載及び図面第１図の記載からも明らかなように、本件発明の窒化アルミニウム配線基板は、誘電正接が大となる特定の周波数帯域に供される配線基板であるという配線基板の用途を特定する要件といえるから、前記要件によって発明の構成が不明確になるとはいえず、さらに、本件請求項１には、「窒化アルミニウム質焼結体の前記平均結晶粒径をｄ（ｍ）、前記配線層に伝送される電気信号の周波数をｆ（Ｈｚ）とした時、前記ｄと前記ｆとの積が３０００以下、または３００００以上とすることにより、前記窒化アルミニウム質焼結体の誘電正接を０．０１以下」と記載されているように、本件発明では、電気信号の周波数及び誘電正接の値に応じて焼結体の平均結晶粒径は定まるのであるから、この点からも、物の発明（窒化アルミニウム配線基板）としての本件発明の構成が不明確であるとはいえない。
　よって、本件請求項１には、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されていないとすることはできないから、本件特許に係る出願が、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていないとすることはできない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年５月８日（２００３．５．８）
【訂正の要旨】
　（ａ）特許請求の範囲の請求項１（本件特許公報第１頁左欄７行目）に『ｄ（ｍｍ）』とあるのを、誤記の訂正を目的として、「ｄ（ｍ）」に訂正する。
　（ｂ）本件特許明細書の段落番号【０００７】（本件特許公報第２頁左欄４１行目に『ｄ（ｍｍ）』とあるのを、誤記の訂正を目的として、「ｄ（ｍ）」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
窒化アルミニウム配線基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】窒化アルミニウム結晶の平均結晶粒径が０．５〜４０μｍの窒化アルミニウム質焼結体の内部あるいは表面に配線層が形成され、該配線層に伝送される電気信号の周波数が１００ＭＨｚ以上である窒化アルミニウム配線基板であって、前記窒化アルミニウム質焼結体の前記平均結晶粒径をｄ
（ｍ）
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、高熱伝導性の窒化アルミニウム質焼結体を絶縁体として用い、且つ高周波領域で使用される多層基板や半導体パッケージなどの半導体素子搭載用基板に好適な窒化アルミニウム配線基板に関する。
　【０００２】
　【従来技術】従来、半導体素子を搭載するセラミック基板や多層配線用セラミック基板におけるセラミック絶縁体としては、アルミナセラミックなどの高電気絶縁性の材料から構成されていたが、その内部や表面に形成される配線層やそれに搭載される半導体素子の高集積化に伴い、それらからの発熱をいかに効率的に外部に放散するかが大きな問題となっているが、従来のアルミナセラミックスはその熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・ｋ程度と非常に低く、これらの要求に応えることができないのであった。
また、多層配線基板や半導体素子搭載用基板は、情報量の増大、処理の高速化の要求に伴い、配線層中に伝送される電気信号の周波数も高周波化する傾向にある。
　【０００３】最近に至り、非酸化性セラミックスの１種である窒化アルミニウム焼結体が高電気絶縁性を有し、しかも１００Ｗ／ｍ・ｋ以上の高熱伝導性を有することから従来のアルミナセラミックスに代わり、窒化アルミニウム焼結体を絶縁体とする基板の開発が進められている。
　【０００４】通常、窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族元素や周期律表第２ａ族元素の酸化物、窒化物などからなる焼結助剤を添加し、これを成形して窒素などの非酸化性雰囲気中で１６００乃至２０００℃の温度で焼成することに得られ、かかる方法によれば、結晶粒子径が１〜２０μｍの焼結体が得られる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする問題点】そこで、本発明者等は窒化アルミニウム焼結体の高周波領域に用いられる多層配線基板や半導体素子搭載用基板への応用を検討していたところ、窒化アルミニウム焼結体の誘電正接が特定の周波数で高い値を示し、これにより配線層を伝送する信号が減衰するという問題が生じることがわかった。
　【０００６】
　【問題点を解決するための手段】本発明者等は、前記挙動について研究を進めた結果、配線層に伝送される信号の周波数によって、焼結体の誘電正接が変動し、特定の周波数域で誘電正接が極大値を有すること、誘電正接が極大値を呈する周波数が窒化アルミニウム焼結体の結晶粒径により変動することを見出した。そこで、使用する電気信号の周波数に応じて基板を構成する焼結体の結晶粒径を特定の条件を満足するように選択することにより、伝送される電気信号の周波数に係わらず、常に低い誘電正接に維持することができる基板を提供できることを知見し、本発明に至った。
　【０００７】即ち、本発明の窒化アルミニウム配線基板によれば、窒化アルミニウム結晶の平均結晶粒径が０．５〜４０μｍの窒化アルミニウム質焼結体からなる絶縁体の内部あるいは表面に配線層が形成され、該配線層に伝送される電気信号の周波数が１００ＭＨｚ以上である窒化アルミニウム配線基板であって、前記窒化アルミニウム質焼結体の平均結晶粒径をｄ
（ｍ）
　【０００８】
　【作用】本発明によれば、配線基板に形成された配線層に伝送される電気信号の周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、基板の絶縁体を形成する窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径ｄ（ｍ）をｄ×ｆ値が３０００以下、または３００００以上となる関係を満足するように電気信号の周波数と基板を構成する焼結体を選択することにより、常に０．０１以下の低い値に制御することができる。これにより、誘電正接の増大による伝送される信号が減衰することがなく、常に安定した状態を維持することができ、配線基板としての長期信頼性を付与することができる。
　【０００９】
　【実施例】本発明において用いられる窒化アルミニウム焼結体は、周知の方法により作製することができる。即ち、平均粒径が０．３〜２．５μｍの窒化アルミニウム粉末と、周期律表第３ａ族や第２ａ族元素の酸化物、窒化物などからなる焼結助剤を０．０１〜２０重量％の割合で添加し、これを周知の方法により成形後、１６００〜２０００℃の窒素などの非酸化性雰囲気中で焼成することにより得ることができる。なお、焼結体中の結晶粒径は、窒化アルミニウム原料粉末の粒径が大きいほど大きくなり、焼成時間が長いほど粒成長を起こし大きくなる傾向にあるため、平均粒径は、原料粉末粒径、焼成温度、焼成時間などを調整することによりを適宜制御することができる。
　【００１０】かかる焼結体表面に配線層を形成するには、例えば、銅などの金属を含む導体ペーストを焼結体表面に塗布し、７００〜９００℃で焼成することにより形成することができるが、かかる場合、導体層と焼結体との密着性を高めるために、焼結体表面を酸化処理してＡｌ２Ｏ３膜を介在させたり、導体層中に窒化アルミニウム粉末を添加することもできる。
　【００１１】また、多層配線基板を作製する場合には、例えば上記の方法によりグリーンシート成形体を作製し、かかるシート表面にタングステン、モリブデンなどの高融点金属、所望により窒化アルミニウム粉末などの基板の成分を添加した導体ペーストを塗布し、これらを積層圧着した後、１６００〜２０００℃の窒素などの非酸化性雰囲気中で成形体と導体を同時に焼成して得ることができる。
　【００１２】上記のようにして得られた基板の表面には、適宜受動部品や半導体素子などが搭載され、電気回路が形成される。
　【００１３】そこで、まず、上記の方法に基づき窒化アルミニウムの平均結晶粒径が異なる複数の基板を作製した。得られた焼結体の平均結晶粒径は電子顕微鏡写真において直線を引いて線上の結晶の粒径を測定し、その結晶粒子の個数で割った値を２０点取り、その平均値を２次元粒子径とし補正係数を用いて３次元平均結晶粒子径として得た。
　【００１４】そして、導体層に１００ＭＨｚ〜３０ＧＨｚの周波数、出力１ｍＷの電気信号を伝送し、この時の絶縁体の誘電正接を測定した。誘電正接の測定は、１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚでは反射波法に基づき、５ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ帯域では空洞共振器法に基づいてそれぞれ測定した。図１に平均粒径が１１μｍの窒化アルミニウム焼結体を用いた基板における周波数と誘電正接との関係を示した。図１から明らかなように、１００ＭＨｚ以上の周波数に対して窒化アルミニウム焼結体は、ある特定の周波数帯域において誘電正接が極大値を有することが理解される。
　【００１５】次に、図１の性質に基づき、平均粒径が異なる焼結体において、それぞれ誘電正接を測定し、横軸に周波数ｆｏを、縦軸に平均粒径ｄをとり図２に周波数と平均粒径との関係を図２に示した。そして、各座標点における誘電正接の値を、２５×１０−４以下を○、２５〜７５×１０−４を△、７５〜１２５を×１０−４を□、１２５×１０−４以上を◇として表示した。図２によれば、各焼結体における誘電正接の極大値を示す周波数は粒径が小さくなるにつれて大きくなる傾向にあることがわかった。
　【００１６】図２において線Ｘは、ｄ×ｆ＝３０００のライン、線Ｙはｄ×ｆ＝３００００のラインである。図中、線Ｘと線Ｙにはさまれた領域Ｂは誘電正接が０．０１を越える領域であり、線Ｘと線Ｙの外側の領域Ａは誘電正接が０．０１以下の領域である。
　【００１７】よって、基板の絶縁体の誘電正接を常に０．０１以下に維持するためには、焼結体の平均結晶粒径ｄ（ｍ）と使用周波数（Ｈｚ）との関係が図２の領域Ａにあることが必要となる。即ち、本発明によれば、ｄ×ｆが３０００以下、または３００００以上であることが必要となる。
　【００１８】また、本発明の配線層が形成された窒化アルミニウム基板は、パルス伝送基板としても利用されるものであるが、その場合には、パルスの立ち上がり時間Ｔｒ（ｓｅｃ）についてｆｍａｘ＝０．３５／Ｔｒで規定される最大周波数成分ｆｍａｘと基板を構成する結晶の平均粒径ｄ（ｍ）との積が３０００以下、または３００００以上であることが必要である。
　【００１９】
　【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、配線基板に形成された配線層に伝送される電気信号の周波数ｆ（Ｈｚ）に対して、基板の絶縁体を形成する窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径ｄ（ｍ）を特定の条件を満足するように制御することにより、窒化アルミニウム焼結体からなる絶縁体の誘電正接を常に低い値に制御することができ、伝送される信号の減衰を防止し、常に安定した基板特性を維持し、配線基板としての長期信頼性を付与することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】平均粒径が１１μｍの窒化アルミニウム焼結体からなる基板における周波数と誘電正接との関係を示した図である。
　【図２】窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径ｄ（ｍ）と周波数（Ｈｚ）とを座標軸として、各座標点における誘電正接の値を示した図である。