【事件の表示】
　特許第３０６１９３３号「（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）スルホン酸のエステルを含む放射感応性組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６１９３３号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
I　手続きの経緯
　特許第３０６１９３３号に係る発明は、平成４年４月８日に出願（優先権主張　平成３年４月９日　ドイツ国）され、平成１２年４月２８日に特許の設定登録がなされ、その後、東京応化工業株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年８月９日に訂正請求がなされ、再度、取消理由通知がなされ、異議申立人から平成１４年５月２８日付けで審尋に対する回答書が提出され、更に３回目の取消理由通知（訂正拒絶理由通知を兼ねる。）がなされ、平成１４年１１月２７日に２回目の訂正請求がなされたものである。（なお、平成１３年８月９日付け訂正請求書は取り下げられた。）
　　　
II　訂正の適否
１　訂正事項
　訂正を請求する事項は、次のとおりである。
〈訂正事項ａ〉
　特許請求の範囲、請求項１の「および（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸により部分的にエステル化した２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンを含む放射感応性組成物であって、・・・」を、「および（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸により部分的にエステル化した２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンを含む放射感応性組成物であって、該組成物は染料成分を含まず、・・・」と訂正する。
〈訂正事項ｂ〉
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
〈訂正事項ｃ〉
　特許請求の範囲の請求項３、４の項番号を、それぞれ２、３に訂正する。
〈訂正事項ｄ〉
　特許請求の範囲の請求項３中で引用する請求項を「１」に訂正し、請求項４で引用する請求項を「１または２」に訂正する。
　　　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否
　訂正事項ａは、訂正前の請求項１において、放射感応性組成物を「染料成分」を含まないものに限定するものであるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、訂正事項ｂは、請求項の削除であるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　訂正事項ａ、ｂは願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｃ、ｄは、請求項２の削除に伴い、請求項３、４（訂正前）の請求項番号を繰り上げるとともに、請求項３、４で引用している請求項番号の表示を訂正後の請求項番号に一致させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項ｃ、ｄに係る訂正も、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、しかも特許請求の範囲を実質的に拡張し又は変更するものでない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　
III　特許異議申立について
１　本件発明
　上記したように訂正が認められるから、本件の請求項１〜３に係る発明は、上記２回目の訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲、請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　水に不溶であるが、水性アルカリ溶液に可溶であるかまたは少なくとも膨潤し得る重合体結合剤、および（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸により部分的にエステル化した２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンを含む放射感応性組成物であって、該組成物は染料成分を含まず、さらに、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で完全にエステル化したジヒドロキシベンゾフェノン、または（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で部分的に、または完全にエステル化したトリヒドロキシベンゾフェノンを含み、エステル化した２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比が４．５：５．５〜７：３であり、エステル化したヒドロキシベンゾフェノンが、全体として、その組成物中に含まれる固体の総重量に対して５〜４０重量％の比率で存在することをを特徴とする、放射感応性組成物。
【請求項２】　エステル化した２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比が４．５：５．５〜５．５：４．５であことを特徴とする、請求項１に記載する放射感応性組成物。
【請求項３】　支持体、およびその支持体に塗布した放射感応性層からなる放射感応性材料であって、その層が請求項１または２に記載する放射感応性組成物を含むことを特徴とする、放射感応性記録材料。」
　なお、訂正後の請求項１〜３に係る発明を、以下、項番号順に「第１発明」、「第２発明」、「第３発明」という。
　　　
２　特許異議申立ての理由及び取消理由の概要
　異議申立人は、証拠として甲第１、２号証を提出して、
　訂正前の請求項１、３、４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号の規定または同法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、また訂正前の請求項２について明細書の記載が不備であるので、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていないから、請求項１〜４に係る発明の特許は、取り消されるべきものである旨主張する。
　　甲第１号証：特開平２−４２４４３号公報
　　甲第２号証：特開昭６２−２８４５７号公報
　当審の取消理由通知（３回目）では、上記理由に加え、次の理由も通知した。
（理由）訂正前の本件明細書の記載は、次の点（ａ）で不備であるので、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていない。
（ａ）請求項２に記載の「７０〜９５重量％」と「７０〜１００重量％」は合計が１００重量％を越えるが、どのような関係にあるのか明確でない。
　　　　
３　甲各号証の記載事項
　甲第１号証（取消理由通知の刊行物１）には、
（ア）「２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン及び２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸との混合エステルを含むクレゾールノボラック樹脂から成るポジ型ホトレジストに、クルクミンと１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを、該ホトレジストの固形分の重量に基づき０．５〜２０重量％の割合で配合したことを特徴とするポジ型感光性組成物。」(請求項２)、
（イ）「混合エステルが、平均エステル化度８０％以上の２，３，４?トリヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルと、平均エステル化度５０〜８０％の２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルとを、重量比５：９５ないし５５：４５の割合で配合したものである請求項２記載の組成物。」（請求項３）、
（ウ）「本発明は、特に露光処理時に発生するアルミニウムなどの基板からのハレーションを防止し、形状安定性や寸法安定性の良好なレジストパターンを与えることができ、しかも感度が高く、例えば半導体素子製造用などの微細加工用として好適なポジ型感光性組成物に関するものである。」（１頁右下欄下から３行〜２頁左上欄４行）
（エ）「本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、従来 のポジ型ホトレジストに、クルクミンと１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを特定割合で配合することにより、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。」（３頁左上欄８〜１３行）、
（オ）「本発明に使用されるポジ型ホトレジストの感光性物質として好ましいものは、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルと２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルの混合エステルであり、特に、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと１，２ −ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルが平均エステル化度８０％以上で、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルが平均エステル化度５０〜８０％であり、かつ、それぞれの混合割合が、重量に基づき５：９５ないし５５：４５、好ましくは２０：８０ないし４０：６０の範囲にある混合エステルが好適に用いられる。このような感光性物質を使用することにより、感度を低下させることなく、またプロフィル形状の優れたレジストパターンを得ることができる。」（第３頁左下欄第７行〜右下欄第４行）、
（カ）「また、このポジ型ホトレジストに配合される被膜形成物質としては、例えばフェノール、クレゾールやキシレノールなどとアルデヒド類とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリヒドロキシベンザルなどのアルカリ可溶性樹脂が有効である。」（３頁右下欄５〜１２行）、
（キ）「本発明組成物に用いられるポジ型ホトレジストにおいては、前記感光性物質は、被膜形成物質に対して、通常１０〜４０重量％の割合で配合される。この量が１０重量％未満では所望の断面形状を有するレジストパターンが得られにくくて実用的でないし、４０重量％を超えると感度が著しく劣化する傾向が生じ、好ましくない。本発明の組成物においては、・・・クルクミンと１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを配合することが必要である。」（４頁右上欄１〜１１行）、と記載され、
（ク）「次に、本発明組成物の使用方法について１例を示せば、まず例えばシリコンウエハーのような基板上に・・・塗布し、・・・できる。」（５頁左下欄９行〜右下欄２行）、
（ケ）「本発明のポジ型感光性組成物は、クルクミンと１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを使用することで、・・・寸法安定性及び寸法精度の極めて優れたレジストパターンを得ることができる。」（５頁右下欄４〜１０行）、
（コ）「本発明のポジ型感光性組成物では、一般式（I）で示されるエステル化物を用いることにより、・・・十分に実用的なハレーション防止効果を有するため、・・・遊離である。」（６頁左上欄２〜８行）、
（サ）製造例５では、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル（平均エステル化度９０％）を得たこと、
（シ）製造例７では、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２?ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル（平均エステル化度６５％）を得たこと、 
（ス）実施例７では、クレゾールノボラック樹脂１００重量部、製造例５で得られたエステル化物１０重量部、製造例７で得られたエステル化物２０重量部及びこれらの固形分に対してクルクミンのエステル化物３重量部を混合した塗布液を使用して、レジストパターンを形成したこと、がそれぞれ記載されている。
　甲第２号証（取消理由通知の刊行物２）には、ポジ型ホトレジスト組成物に係る発明が記載され、
（セ）「本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、感光成分として２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸テトラエステルを用いることにより、前記目的を達成しうることを見出し、・・・すなわち、本発明は、アルカリ可溶性樹脂に対し、一般式・・・（化学式、その定義は省略）・・・で表される化合物を配合したことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。」（４欄１２〜２９行）、
（ソ）「本発明の組成物に感光成分として用いられる前記一般式（I）で表される化合物は、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸テトラエステル又はナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸テトラエステルであり、」（４欄３０〜３５行）、
（タ）「本発明の組成物には、感光成分として前記一般式（１）で表される化合物以外に、必要に応じ、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸トリエステル、ジエステル、モノエステルはもちろんのこと、・・・などを、相溶性があるかぎり、併用することができる。」（５欄６〜２６行）、
（チ）「本発明の組成物においては、・・・アルカリ可溶性樹脂が用いられる。」（５欄２７〜２８行）、
（ツ）「合成例１」として、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリドを反応させて、テトラエステル２６．４％、ジエステル３７．１％、モノエステル２４．２％、未反応物１２．３％からな反応生成物を得たこと（７欄３４〜８欄８行）、
（テ）「合成例２」として、合成例１の反応生成物から、純度９９％以上のテトラエステルを得たこと（８欄１７〜２５行）、
（ト）クレゾールノボラック樹脂に対し、感光成分として合成例１の反応生成物や合成例２の乾燥物を混合してホトレジスト組成物を調製し、これをシリコンウエハーに塗布してレジスト膜を形成させ、露光後、現像してレジストパターンを得たこと（「実施例１〜３」、８欄４２〜９欄１３行）、が記載されている。
　　　　
４　当審の判断
（１）特許法第２９条第１、２項違反について
（i）「第１発明」について
　上記（ア）、（イ）によると、甲第１号証には、混合エステルを含むクレゾールノボラック樹脂から成るポジ型ホトレジストに、クルクミンと１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを、該ホトレジストの固形分の重量に基づき０．５〜２０重量％の割合で配合したポジ型感光性組成物において、前記混合エステルが、平均エステル化度８０％以上の２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルと、平均エステル化度５０〜８０％の２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルを、重量比５：９５ないし５５：４５の割合で配合してなるエステルである、ポジ型感光性組成物（以下「発明Ａ」という。）が記載されている。
　ここで、クレゾールノボラック樹脂は、アルカリ可溶性樹脂であり（キ）、「平均エステル化度５０〜８０％の２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステル」の、「平均エステル化度８０％以上の２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステル」に対する重量比が、４５：５５ないし９５：５（すなわち、４．５：５．５ないし９．５：０．５）のようになることは、両者の重量比関係の記載から明らかである。
　そこで、「第１発明」と、甲第１号証に記載の発明Ａを対比すると、両者は、「水に不溶であるが、水性アルカリ溶液に可溶であるかまたは少なくとも膨潤し得る重合体結合剤、および（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸（以下、「ＮＱＤ−５Ｓ」という。）により部分的にエステル化した２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン（以下、「４（ＯＨ）−ＢＰ」という。）を含む放射感応性組成物であって、さらに、「ＮＱＤ−５Ｓ」で部分的に、または完全にエステル化したトリヒドロキシベンゾフェノン（以下、「３（ＯＨ）−ＢＰ」という。）を含み、エステル化した「４（ＯＨ）−ＢＰ」の、エステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」に対する重量比が４．５：５．５〜７：３である、放射感応性組成物」である点では一致するが、
（ａ）特定の重合体結合剤と、エステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」及び「４（ＯＨ）−ＢＰ」を特定重量比で含有する放射感応性組成物に対して、前者では、「該組成物は染料成分を含まず」と規定するのに対し、後者では「クルクミンと１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル」（染料成分）（以下「染料ｃ」という。）を特定量配合したことを規定する点、
（ｂ）前者が、エステル化したヒドロキシベンゾフェノンが、全体として、その組成物中に含まれる固体の総重量に対して５〜４０重量％の比率で存在すると規定するのに対し、後者では、そのことが規定されていない点、
で相違する。
相違点（ａ）について検討する。
　甲第１号証のものは、露光処理時に発生するハレーションの防止、形状安定性、寸法安定性、高感度を主な目的として、「染料ｃ」を特定量配合することを必須としたものであり、「染料ｃ」を配合したときに奏される特有の効果が記載され（ウ、エ、ケ、コ）、「染料ｃ」が配合されないと発明の目的が達せられない旨の記載もある（キ）。
　また、甲第１号証の実施例においては、クレゾールノボラック樹脂、「染料ｃ」、及びエステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」とエステル化した「４（ＯＨ）−ＢＰ」を特定重量比で含有する混合エステルを含むポジ型感光性組成物の製造過程が記載（サ〜ス）されているが、「染料ｃ」を含有させない特定組成物、すなわち樹脂を含み、エステル化した「４（ＯＨ）−ＢＰ」のエステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」に対する重量比が、４．５：５．５〜７：３である感光性組成物の生成については示されておらず、このような組成物を得て使用することを示唆する記載もない。
　そうであるから、エステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」及び「４（ＯＨ）−ＢＰ」を特定重量比で含有する放射感応性組成物において、「染料ｃ」を含有させないことが容易に想到し得たとすることはできない。
相違点（ｂ）について検討する。
　甲第１号証の実施例７の記載（サ〜ス）において、「３（ＯＨ）−ＢＰ」のエステル化物及び「４（ＯＨ）−ＢＰ」のエステル化物（「エステル化したヒドロキシベンゾフェノン」）の組成物全体に対する含有割合を、各成分の含有量（重量部）をもとに計算すると約２３重量％となる。そして、一般に有用な組成物では、程度の差はあるが有効成分の配合量をある程度増減しても効果がもたらされることはよく知られているので、約２３重量％の値に幅を持たせてエステル化したヒドロキシベンゾフェノンの配合割合を設定することは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。それゆえ、相違点（ｂ）は格別な創意を要するものではない。
　結局、相違点（ａ）に対して、判断が上記のとおりであるから、「第１発明」は、甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。
　なお、摘示（ニ）に記載の「従来のポジ型ホトレジスト」は、「染料ｃ」を含有しないものと解されるが、これが、エステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」と「４（ＯＨ）−ＢＰ」を特定重量割合、すなわち５：９５ないし５５：４５の重量割合、で含有する放射感応性組成物であるとする根拠はない。
　また、甲第１号証は、ポジ型感光性組成物の成分についての記載（オ、カ）の中で、エステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」と「４（ＯＨ）−ＢＰ」の配合割合を記載しているが、ここでは量的関係を述べるにとどまるので、クレゾールノボラック樹脂、及びエステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」と「４（ＯＨ）−ＢＰ」を上記した特定重量割合で含有する混合エステルを含むポジ型感光性組成物であって、「染料ｃ」を含有しないものが開示されているとすることはできない。
　甲第２号証には、アルカリ可溶性樹脂（例、ノボラック樹脂）とナフトキノン−１，２−ジアジド−４又は５−スルホン酸により部分的にエステル化した、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン（すなわち「４（ＯＨ）−ＢＰ」）を含むポジ型ホトレジスト組成物が記載されているので（セ、タ）、「第１発明」と甲第２号証の発明を対比すると成分に関し共通する部分はあるが、後者には、アルカリ可溶性樹脂と「４（ＯＨ）−ＢＰ」を含むホトレジスト組成物において、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸（以下「ＮＱＤ−４および／または−５Ｓ」という。）により完全にエステル化したジヒドロキシベンゾフェノン（「２（ＯＨ）−ＢＰ」）、「ＮＱＤ−４および／または−５Ｓ」で部分的に、または完全にエステル化した「３（ＯＨ）−ＢＰ」を含有するものであり、かつエステル化した「４（ＯＨ）−ＢＰ」の、エステル化した「２（ＯＨ）−ＢＰ」または「３（ＯＨ）−ＢＰ」に対する重量比が４．５：５．５〜７：３であり、全組成物重量に対するヒドロキシベンゾフェノンの比率が５〜４０重量％であるホトレジスト組成物は記載されていない。
　「実施例１〜３」には、ノボラック樹脂に「合成例１」の反応生成物（すなわち、「４（ＯＨ）−ＢＰ」とナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリドの反応物）等を混合してホトレジスト組成物を得たことが記載されているが（ト）、得られた組成物が前記したような組成のものであるとする根拠はない。
　また、甲第２号証に記載の発明は、エステルに関しては「４（ＯＨ）−ＢＰ」の特定のテトラエステルのみを必須とするものであるので（セ〜タ）、「４（ＯＨ）−ＢＰ」を含有するホトレジスト組成物において、「２（ＯＨ）−ＢＰ」または「３（ＯＨ）−ＢＰ」を、エステル化した「４（ＯＨ）−ＢＰ」の、エステル化した「２（ＯＨ）−ＢＰ」または「３（ＯＨ）−ＢＰ」に対する重量比が４．５：５．５〜７：３となるように含有させることが容易に想到し得たとすることはできない。
　更に、甲第１，２号証の記載内容を合わせ考慮しても、これらの記載から「第１発明」が容易に発明し得たものであるとは認められない。
　そして、「第１発明」では、放射感応性組成物に、染料成分を含有させずに、請求項１に記載の重合体結合剤、ヒドロキシベンゾフェノンのエステルを含有させ、エステル化した「４（ＯＨ）−ＢＰ」の、エステル化した「２（ＯＨ）−ＢＰ」または「３（ＯＨ）−ＢＰ」に対する重量比を特定し、エステル化したヒドロキシベンゾフェノンの含有率を特定することによって、放射感応性が改良され、かつ貯層安定性が向上するという効果がもたらされるものである。
　　　　
　以上のとおりであるから、「第１発明」は、甲第１号証（刊行物１）に記載された発明と同一であるとも、また甲第１号証及び甲第２号証（刊行物２）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認められない。
　　　
（ii）「第２発明」について
　上記のとおり、「第１発明」は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないので、「第１発明」の構成をすべて引用して、さらに限定を加える「第２発明」も、同じ理由で甲第１号証に記載された発明と同一であるとも、また甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認められない。
　　　　　
（iii）「第３発明」について
　「第３発明」は、放射感応記録材料において、放射感応性層が含む組成物を請求項１又は請求項１を引用する請求項２で規定する「放射感応性組成物」とするものであるから、「第１発明」の構成をすべて有する。そして、請求項１に記載の「放射感応性組成物」は、上記したように甲第１号証に記載された発明ではなく、甲第１、２号証に記載された発明から容易になし得たものでないので、上記と同様な理由により「第３発明」も甲第１号証に記載された発明と同一であるとも、また甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるとも認められない。
　なお、訂正前の請求項２は、訂正の結果削除されたので、該請求項に対する申立人の主張は判断する対象が存在しない。
　　　　
（３）特許法第３６条違反について
　異議申立人が、訂正前の本件明細書の記載不備を申し立てる趣旨は、
(i) 請求項２には、エステル化生成物中のエステルの含有率に関して、発明の構成に欠くことができない事項以外の好適事項が記載されている、
(ii)２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸エステルについては、「部分的にエステル化した」と規定されているのに対し、請求項２では「２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンのテトラエステル」と完全にエステル化したものを記載しており、両者は記載が一致しない、というものである。
　取消理由通知での理由は、（iii）特許請求の範囲、第２項に記載の「７０〜９５重量％」と「７０〜１００重量％」は、合計が１００重量％を越えるが、どのような関係にあるのか明確でない、というものである。
  しかし、上記訂正（上記II　１、〈訂正事項ｂ〉参照。）によって、請求項２が削除されたので、（i）〜（iii）の記載不備はいずれも解消した。
　　　　
IV　むすび
  以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して付与されたものと認めないから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月２５日（２００２．１２．２５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項１
（特許請求の範囲の減縮を目的とする）
　平成１２年２月２４日付の本件請求人提出に係る手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る記載
　「【請求項１】
　水に不溶であるが、水性アルカリ溶液に可溶であるかまたは少なくとも膨潤し得る重合体結合剤、および（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸により部分的にエステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンを含む放射感応性組成物であって、さらに、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で完全にエステル化したジヒドロキシベンゾフェノン、または（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で部分的に、または完全にエステル化したトリヒドロキシベンゾフェノンを含み、エステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比が４．５：５．５〜７：３であり、エステル化したヒドロキシベンゾフェノンが、全体として、その組成物中に含まれる固体の総重量に対して５〜４０重量％の比率で存在することを特徴とする、放射感応性組成物。」
を以下のとおり訂正する。
　「【請求項１】
　水に不溶であるが、水性アルカリ溶液に可溶であるかまたは少なくとも膨潤し得る重合体結合剤、および（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸により部分的にエステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンを含む放射感応性組成物であって、該組成物は染料成分を含まず、さらに、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で完全にエステル化したジヒドロキシベンゾフェノン、または（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で部分的に、または完全にエステル化したトリヒドロキシベンゾフェノンを含み、エステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比が４．５：５．５〜７：３であり、エステル化したヒドロキシベンゾフェノンが、全体として、その組成物中に含まれる固体の総重量に対して５〜４０重量％の比率で存在することを特徴とする、放射感応性組成物。」
訂正事項２
（特許請求の範囲の減縮の一態様である特許請求の範囲の削除を目的とする）
　本願出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項２に係る記載
　「【請求項２】
　エステル化生成物が、７０〜９５重量％、好ましくは８０〜９０重量％の２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンのテトラエステル、および７０〜１００重量％、好ましくは７５〜９５重量％、特に８０〜９０重量％のトリヒドロキシベンゾフェノンのトリエステルを含むことを特徴とする、請求項１に記載する放射感応性組成物。」
を削除する。
訂正事項３
（特許請求の範囲の削除に伴う訂正を目的とする）
　本願出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項３に係る記載
　「【請求項３】
　エステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比が４．５：５．５〜５．５：４．５であることを特徴とする、請求項１または２に記載する放射感応性組成物。」
を以下のとおり訂正する。
　「【請求項２】
　エステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比が４．５：５．５〜５．５：４．５であることを特徴とする、請求項１に記載する放射感応性組成物。」
訂正事項４
（特許請求の範囲の削除に伴う訂正を目的とする）
　本願出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項４に係る記載
　「【請求項４】
　支持体、およびその支持体に塗布した放射感応性層からなる放射感応性記録材料であって、その層が請求項１〜３のいずれか１項に記載する放射感応性組成物を含むことを特徴とする、放射感応性記録材料。」
を以下のとおり訂正する。
　「【請求項３】
　支持体、およびその支持体に塗布した放射感応性層からなる放射感応性記録材料であって、その層が請求項１または２に記載する放射感応性組成物を含むことを特徴とする、放射感応性記録材料。」
（５４）【発明の名称】
（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）スルホン酸のエステルを含む放射感応性組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　水に不溶であるが、水性アルカリ溶液に可溶であるかまたは少なくとも膨潤し得る重合体結合剤、および（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸により部分的にエステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンを含む放射感応性組成物であって、該組成物は染料成分を含まず、さらに、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で完全にエステル化したジヒドロキシベンゾフェノン、または（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で部分的に、または完全にエステル化したトリヒドロキシベンゾフェノンを含み、エステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比が４．５：５．５〜７：３であり、エステル化したヒドロキシベンゾフェノンが、全体として、その組成物中に含まれる固体の総重量に対して５〜４０重量％の比率で存在することを特徴とする、放射感応性組成物。
　【請求項２】
　エステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比が４．５：５．５〜５．５：４．５であることを特徴とする、請求項１に記載する放射感応性組成物。
　【請求項３】
　支持体、およびその支持体に塗布した放射感応性層からなる放射感応性記録材料であって、その層が請求項１または２に記載する放射感応性組成物を含むことを特徴とする、放射感応性記録材料。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　本発明は、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸と少なくとも２つの異なったヒドロキシベンゾフェノンのエステルを含む放射感応性組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料に関する。
　【０００２】
　電子部品の製造における重要な工程は、パターン形成すべき材料に施した放射感応性層の画像露光およびそれに続く現像である。
　【０００３】
　好適な放射感応性層は一般に、水に不溶で、水性アルカリ溶液に可溶または少なくとも膨潤し得る樹脂状結合剤、および少なくとも一つの放射感応性化合物、および必要であればその他の添加剤を含む。陽画処理層に使用する光活性成分はほとんどの場合１，２−ナフトキノン　２−ジアジドの誘導体である。
　【０００４】
　主として（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−スルホン酸と芳香族ヒドロキシル化合物のエステルである、この種の誘導体の多くは、この分野では公知であり、陽画処理記録材料における放射感応性成分として使用されている。ジャロミル　コサールは彼の著書「感光性系」、ジョン　ウイリー＆サンズ、ニューヨーク、１９６５出版、の３４３〜３５１頁に、多くの放射感応性ナフトキノンジアジドを記載している。
　【０００５】
　（ナフトキノンジアジド）−スルホン酸とポリヒドロキシル化したベンゾフェノン、特に２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンおよび２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンのエステルは、一般的に使用されており、多くの文献に記載されている。
　【０００６】
　電子部品の小型化が進むにつれて、より小さなパターンの製造が益々必要になる。したがって、解像力をより高くした放射感応性層、いわゆる「フォトレジスト」が常に要求されている。解像力は放射感応性層中のジアゾキノン含有量を増加させることにより改良できることが分かっている（Ｈ．ミュンツェル、Ｊ．ラックス、Ｒ．シュルツ、陽画型フォトレジストのＡ−およびＢ−パラメータに依存するサブミクロンステッパー性能、マイクロエレクトロニック　エンジニヤリング６、１９８７、４２１〜４２６頁）。さらに、多官能性ジアゾナフトキノンによりフォトレジストのコントラストおよび解像力を改良できることが分かっている（Ｐ．トレフォナスＩＩＩおよびＢ．Ｋ．ダニエルズ、「単層陽画フォトレジストにおける画像品質を向上させるための新しい原理」、ＳＰＩＥの進歩、７７１、１９８７、１９４〜２１０頁）。
　【０００７】
　陽画処理フォトレジストにおける放射感応性成分として非常に好適な多官能性ジアゾナフトキノンは、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および−５−スルホン酸と２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンのテトラエステルである。しかし、これらの化合物は溶解性が比較的低いので、放射感応性組成物中のその濃度は、解像力を向上させるのに十分な程度に高くすることができない。
　【０００８】
　ナフトキノンジアジドスルホン酸で完全にエステル化されていない２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンは、そのエステル化の程度により、陽画処理フォトレジストの好適な放射感応性成分になり得るが、これらのフォトレジストの貯蔵安定性は極めて限られている。
　【０００９】
　ＪＰ−Ａ　０１−２２２２５５、０１−４９０３８（１９８９）および６３−２４９１４３（１９８８）は、すでにこれらの欠点を克服するための方法を開示している。これらの文献によれば、レジストの貯蔵安定性は、放射感応性成分を特別に精製するか、または溶剤としてジメチルホルムアミドを使用することにより改良されている。しかし、経費のかかる精製処理を避け、物理特性（沸点、等）がレジストの平版印刷特性を損なわず、絶対に毒性の無い溶剤だけを使用するのが望ましい。
　【００１０】
　したがって、本発明の目的は、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンと（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−または−５−スルホン酸のエステルにより製造した組成物と少なくとも同等の良好な平版印刷特性を有し、その様に製造した組成物の欠点を示さない、ヒドロキシベンゾフェノンと（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸のエステルを原料とする放射感応性組成物を提供することである。
　【００１１】
　この目的は、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で完全にエステル化していない２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンに加えて、（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で完全にエステル化したジヒドロキシベンゾフェノン、または（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−４−および／または−５−スルホン酸で部分的に、または完全にエステル化したトリヒドロキシベンゾフェノンを含む、放射感応性組成物により達成される。
　【００１２】
　ジヒドロキシベンゾフェノンよりトリヒドロキシベンゾフェノンの方が好ましく、２，３，４，−トリヒドロキシベンゾフェノンが特に好ましい。
　【００１３】
　エステル化の程度は、７０〜９５重量％、好ましくは８０〜９０重量％の２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンのテトラエステル、または７０〜１００重量％、好ましくは７５〜９５重量％、特に８０〜９０重量％のトリヒドロキシベンゾフェノンのトリエステルを含むエステル化生成物を与える様に選択する。
　【００１４】
　トリエステルの含有量も、純粋なトリエステルを、相応の低い程度にエステル化したトリヒドロキシベンゾフェノンと混合することにより調整できる。
　【００１５】
　エステル化した２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、エステル化したジ−またはトリヒドロキシベンゾフェノンに対する重量比は、４：６〜７：３、好ましくは４．５：５．５〜５．５：４．５である。
　【００１６】
　本発明の組成物では、エステル化したジ−、トリ−およびテトラヒドロキシベンゾフェノンは、４−スルホニルエステル、５−スルホニルエステル、５−スルホニルエステルからの４−アシドまたは４−および５−スルホニルエステルの混合物として存在できる。
　【００１７】
　これらのエステルは、公知の方法により、一般に多官能性ヒドロキシベンゾフェノンを、（ナフトキノン−ジアジド）−スルホン酸の反応性誘導体、例えば塩化スルホニルと反応させることにより製造することができる。この反応は、好ましくはケトンまたは塩素化炭化水素の様な不活性溶剤中で、無機または有機性塩基、例えば炭酸ナトリウム、あるいはトリエチルアミンの様な第三アミンの存在下で行う。しかし、相移動触媒作用の条件下で、例えば臭化テトラブチルアンモニウムの様な好適な触媒を使用する、塩化メチレン／炭酸ナトリウム溶液または水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液の系中で（ナフトキノンジアジド）スルホン酸エステルを製造することも可能である。
　【００１８】
　本発明の放射感応性組成物における（ナフトキノンジアジド）スルホン酸エステル混合物の濃度は、比較的広い範囲内で変えることができる。一般に、混合物は、組成物の固体含有量の重量に対して５〜４０重量％、好ましくは１０〜３５重量％、特に好ましくは１５〜３０重量％の量で存在できる。
　【００１９】
　放射感応性組成物はさらに、水には不溶であるが、水性アルカリ溶液には可溶または少なくとも膨潤し得る重合体結合剤を含む。
　【００２０】
　ナフトキノンジアジド系の多くの陽画処理記録材料に効果的に使用されているノボラック縮合樹脂は、本発明の組成物においても特に効果的であり、有利であることが分かった。ノボラックは、フェノール、クレゾール、キシレノール、および／またはトリメチルフェノールで製造することができる。これらのフェノール性成分の縮合相手はアルデヒドおよびケトンである。使用するノボラック樹脂の種類および量は、特定の用途に応じて変えることができる。一般に、ノボラック成分は、組成物の固体含有量の重量に対して６０〜９５重量％、好ましくは６５〜９０重量％、特に好ましくは７０〜８５重量％の量で存在する。
　【００２１】
　好適な結合剤としては、フェノール性水酸基を含む重合体化合物、例えばビニルフェノールおよびアクリル酸のエステルまたはアミドを含む重合体、およびヒドロキノン、ピロカテコール、レゾルシノール、ピロガロールまたはヒドロキシアニリンの様なジ−およびポリヒドロキシおよびアミノヒドロキシ芳香族化合物のメタクリル酸エステルまたは（メタ）アクリルアミドを含む重合体がある。単独重合体に加えて、上記のモノマー同士の、または上記のモノマーとスチレン、（メタ）アクリル酸のメチルエステルおよびビスフェノール−（メタ）アクリル酸エステルの様な重合可能な他のモノマーとの共重合体も、本発明の組成物における結合剤として使用できる。これらの重合体とノボラックの混合物も使用することができる。これらの結合剤の種類および量はそれぞれの用途により異なるが、使用する量は本質的にノボラックに関して示した範囲内にある。
　【００２２】
　密着性、表面の平滑性および吸収性の様な特定の特性を持たせるために、放射感応性組成物は、湿潤剤、密着促進剤、染料、等の他の物質を少量含むことができる。
　【００２３】
　本発明の記録材料を製造する場合、組成物を一般に有機溶剤に溶解させ、次いで適当な支持体に塗布する。溶剤は、使用する塗布工程、層の厚さおよび乾燥条件に応じて選択する。本発明の組成物に使用できる溶剤には、特に、ブタノンおよびＮ−メチルピロリドンの様なケトン、エチレングリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルおよびモノエチルエーテルの様なアルカンジオールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートまたはプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートの様なアルカンジオールアセテートおよび酢酸ブチルの様なエステルがある。また、特にキシレンを含むこともできる溶剤混合物を使用することも可能である。原則として、層成分に不可逆的に反応しない、すべての溶剤を使用できる。
　【００２４】
　本発明に係わる放射感応性組成物は、特にマイクロエレクトロニクス工業用のフォトレジストに使用することができる。この目的に好ましい層支持体は、酸化表面を有することもできるシリコン円盤である。通常のマイクロエレクトロニクス製造工程で使用される層、例えば窒化ケイ素、ポリシリコン、酸化ケイ素、ポリイミドまたはアルミニウムの様な金属、およびドーピングしたケイ素の層も、本発明に係わる組成物のための層支持体として使用できる。Ｇａ／Ａｓ合金の円盤も好適な層支持体である。さらに、本発明の組成物は、プリント回路基板の製造にも、この用途で従来使用されている層支持体と共に使用できる。
　【００２５】
　さらに、本発明に係わる組成物で印刷版も製造できる。この目的に使用する支持体は、とりわけ、前処理したアルミニウムシートである。
　【００２６】
　マイクロエレクトロニクス工業に従来から使用されている層支持体は、通常スピンコーティングする。これらの、および他の層支持体にも使用できる塗布技術には、噴霧塗布、ローラー塗布、浸漬、スロットダイスを使用する塗布、ドクターナイフ塗布または流し込み塗布がある。
　【００２７】
　現像に使用する水性アルカリ溶液は、放射感応性層の光の作用を受けた区域を除去し、それによって原画の陽画像を形成する。好適な現像剤には水性アルカリ溶液があるが、これらはナトリウムおよび／またはカリウムイオンの様な金属イオンを含んでも含まなくてもよい。
　【００２８】
　現像剤溶液は、例えばケイ酸塩、ホウ酸塩またはリン酸塩溶液または塩溶液の混合物で緩衝することができ、少量の界面活性剤を含むこともできる。
　【００２９】
　本発明に係わる放射感応性組成物の好ましい用途は、集積回路または個別部品を製造するための平版印刷である。この用途では、組成物は、各種の工程、例えば層支持体のエッチング、層支持体中へのイオンの埋め込み、または層支持体上への材料堆積のためのマスク材料として使用できる。
　【００３０】
　平版印刷特性を評価するための重要な基準は、とりわけ、レジストの解像度（すなわちレジストから製造できる最小パターン）、処理自由度（すなわち露光エネルギーの変化によるパターン寸法の変化）および放射感度（すなわち平版印刷工程により、レジスト中における露光マスクのパターンを寸法的に精確に再現するのに必要な露光エネルギー）である。レジストの再現処理に関して、一方でレジストの貯蔵期間中に平版印刷特性が変化しないこと、および他方、レジスト層の均質性を損なうことがあるので、貯蔵中に粒子（結晶またはゲル粒子）がレジストから沈殿しないことも重要である。この種の粒子は、レジスト層中に欠陥を生じ、その結果、平版印刷工程における生産量が低下する。その上、その様な粒子により、レジストを塗布装置に搬送するポンプのフィルターが詰まることが多く、フィルターをより頻繁に交換しなければならない。
　【００３１】
　本発明のジアゾ混合物により、唯一のヒドロキシル成分として２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンを含む（ナフトキノンジアジド）スルホン酸のエステルにより得られる平版印刷特性と少なくとも同じ位良好な平版印刷特性がフォトレジストに与えられ、さらに、放射感応性が明らかに改良され、とりわけ、フォトレジストの貯蔵安定性が向上する。
　【００３２】
　以下に示す本発明に係わる放射感応性組成物の実施例は、本発明の精神を限定するものではない。実施例中、重量部をｐｂｗで表す。
実施例１
　放射感応性組成物の溶液を
７３．０ｐｂｗのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
２０．８ｐｂｗのノボラック、３．２ｐｂｗの、８８重量％のテトラエステルを含む、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンと（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸のエステル化生成物、および３．２ｐｂｗの、水酸基が（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸により完全にエステル化されている２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンから調製する。
　【００３３】
　この溶液をスピンコーティングによりシリコン円盤に、ホットプレート上で９０℃で乾燥させた後に１．２μｍ厚の層が得られる様に塗布する。次いで、一般的に使用されている露光装置（露光波長が４３６ｎｍで、開口数が０．３５の、いわゆる「ステッパー」）を使用し、マスクを通して露光する。ホットプレート上でさらに熱処理した後、被覆したシリコン円盤を現像剤中に３０秒間浸漬し、光の作用を受けたレジスト区域を除去する。この手順により、本発明の放射感応性組成物から０．７０μｍまでの寸法を有する（比較的大きなパターンでも寸法的に精確に再現された）パターンを製造することができ、この工程で必要な露光エネルギーは２４０ｍＪ／ｃｍ２に過ぎない。
　【００３４】
　本発明の放射感応性組成物は、５０℃で少なくとも１０日間安定であり、レジスト溶液から粒子が沈殿することはない。
実施例２
　実施例１を繰り返すが、そこに記載するエステルを３．２ｐｂｗの、８５重量％のテトラエステルを含む、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンと（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸のエステル化生成物、および３．２ｐｂｗの、８５重量％のトリエステルを含む、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸のエステル化生成物で置き換える点が異なっている。
　【００３５】
　その他は、実施例１の手順に従う。０．７０μｍまでの寸法を有する（比較的大きなパターンでも寸法的に精確に再現された）パターンを製造することができ、必要な露光エネルギーは２５０ｍＪ／ｃｍ２である。０．８０μｍ線の幅を、一般的に受け入れられる尺度である１０％以上変えることなく、露光エネルギーを２５％変えることができる。
　【００３６】
　本発明のレジスト溶液は、５０℃で少なくとも６日間安定であり、溶液から粒子が沈殿することはない。
実施例３
　実施例１を繰り返すが、そこに記載するエステルを３．２ｐｂｗの、８５重量％のテトラエステルを含む、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンと（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸のエステル化生成物、１．９２ｐｂｗの、水酸基が（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸により完全にエステル化されている２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、および１．２８重量％の、４０重量％のトリエステルを含む、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸のエステル化生成物で置き換える点が異なっている。
　【００３７】
　その他は、実施例１の手順に従う。０．７０μｍまでの寸法を有する（比較的大きなパターンでも寸法的に精確に再現された）パターンを製造することができ、必要な露光エネルギーは２２０ｍＪ／ｃｍ２である。０．８０μｍ線の幅を、一般的に受け入れられる尺度である１０％以上変えることなく、露光エネルギーを２２％変えることができる。
　【００３８】
　本発明のレジスト溶液は、５０℃で少なくとも６日間安定であり、溶液から粒子が沈殿することはない。
比較例
　実施例１を繰り返すが、そこに記載するエステルを６．４ｐｂｗの、８５重量％のテトラエステルを含む、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノンと（１，２−ナフトキノン　２−ジアジド）−５−スルホン酸のエステル化生成物で置き換える点が異なっている。
　【００３９】
　その他は、実施例１の手順に従う。０．７０μｍまでの寸法を有する（比較的大きなパターンでも寸法的に精確に再現された）パターンを製造することができ、必要な露光エネルギーは３００ｍＪ／ｃｍ２である。０．８０μｍ線の幅を、一般的に受け入れられる尺度である１０％以上変えることなく、露光エネルギーを２８％変えることができる。
　【００４０】
　このレジスト溶液の、粒子が沈殿することなく安定している期間は５０℃で２日に過ぎない。