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　特願２００８−２０８６７７「半導体デバイスの製造方法及びエンハンスメント型ＩＩＩ族窒化物デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月　６日出願公開，特開２００８−２７０８４７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１７年１月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１月２３日，米国，２００５年１月２１日，米国）を国際出願日とする特願２００６−５５１３９０号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２０年８月１３日に新たな出願としたものであって，平成２４年３月９日付けで拒絶理由が通知され，同年８月１３日に手続補正がされ，同年９月１８日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２５年１月２５日に審判請求がされたものである。
　
２　本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項１〜３６に係る発明は，平成２４年８月１３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１９に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１９に記載されている事項により特定される以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
　
「【請求項１９】
　第１のIII族窒化物材料と第２のIII族窒化物材料との間の界面に形成され，前記２つのIII族窒化物材料は異なる面内格子定数又は異なる禁止帯を有する伝導チャンネルと，
　傾斜する側壁を含む凹部を備え，前記伝導チャンネル中に遮断領域を形成するために，前記第１のIII族窒化物材料と前記第２のIII族窒化物材料のいずれかの内側に形成される修正部分と，
　前記伝導チャンネルに接続され，チャンネル電流を伝達する電流伝達電極と，
　前記遮断領域上を覆うように配置され，前記伝導チャンネル中における電流の伝達を行なうように前記遮断領域を元に戻すことを可能にするゲート電極と
　を備えたことを特徴とするエンハンスメント型III族窒化物デバイス。」
　
（２）刊行物に記載された発明
引用例：　特開２０００−２７７７２４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２７７７２４号公報（以下「引用例」という。）には，図２，１１とともに，次の記載がある。（下線は当合議体において付加。以下同様。）
　
ア　発明の属する技術分野
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，電界効果トランジスタとそれを用いた半導体装置及びその製造方法に関し，特に，窒化ガリウム系化合物半導体を用いることにより高速・高温で動作可能な電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法に関するものである。」
　
イ　第２の実施形態
「【００３７】［第２の実施形態］
図２は本発明の第２の実施形態のＧａＮ系化合物半導体を用いた順ＨＥＭＴを示す断面図であり，二次元電子ガスの濃度を制御するためのゲート電極をＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合のＡｌＧａＮ側に形成した構造である
この順ＨＥＭＴは，ノーマリオン型のもので，サファイア基板１の（０００１）面上に，膜厚が３０ｎｍの低温ＧａＮバッファ層２１，膜厚が２．４μｍのアンドープＧａＮ層２２，膜厚が５０ｎｍで不純物濃度が１×１０
18
ｃｍ
-3
のＳｉドープｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１（０≦ｘ≦１），膜厚が２０ｎｍで不純物濃度がｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１より高い５×１０
18
ｃｍ
-3
でありかつＡｌ組成比がｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１より小さいＳｉドープｎ
+
−Ａｌ
y
Ｇａ
1-y
Ｎコンタクト層３２（０≦ｙ≦１，ｙ≦ｘ）が順次積層されている。なお，３３はアンドープＧａＮ層２２中に形成される二次元電子ガス層である
【００３８】
このｎ
+
−Ａｌ
y
Ｇａ
1-y
Ｎコンタクト層３２上にはソース電極２５及びドレイン電極２６が形成され，ゲート領域直下のｎ
+
−Ａｌ
y
Ｇａ
1-y
Ｎコンタクト層３２が除去されてｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１のゲート領域が露出され，このゲート領域にはゲート電極２７が形成されている
【００３９】次に，この順ＨＥＭＴの製造方法について説明する。ＭＯＣＶＤを用いて，サファイア基板１の（０００１）面上に，５５０℃の成長温度で低温ＧａＮバッファ層２１を成長させる。次いで，この低温ＧａＮバッファ層２１上に，１０８０℃の成長温度でアンドープＧａＮ層２２，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１，ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２を順次成長させる。次いで，このｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２上にソース電極２５及びドレイン電極２６を形成し，
ゲート領域直下のｎ
+
−Ａｌ
y
Ｇａ
1-y
Ｎコンタクト層３２をエッチングしてｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１のゲート領域を露出させ，このゲート領域にゲート電極２７を形成し，順ＨＥＭＴとする
【００４０】本実施形態の順ＨＥＭＴによれば，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１上に，不純物濃度がｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１より高いｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２を形成したので，ソース電極−ゲート電極間及びドレイン電極−ゲート電極間の寄生抵抗，及びソース電極及びドレイン電極における接触抵抗を低減することができ，順ＨＥＭＴとしての特性及び信頼性を向上させることができる。
【００４１】また，本実施形態の順ＨＥＭＴの製造方法によれば，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１上に，不純物濃度がｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１より高いｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２を連続して形成するので，特性及び信頼性に優れた順ＨＥＭＴを作製することができる。また，従来の製造工程を殆ど変更することなく用いることができるので，製造工程が複雑になる虞が無く，製造コストが高くなってしまうことも無い。なお，
本実施形態では，ノーマリオン型の順ＨＥＭＴとしたが，ｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１のゲート領域の膜厚を変えることにより，ノーマリオフ型の順ＨＥＭＴとすることもできる
　
ウ　第６の実施形態
「【００６４】［第６の実施形態］
図１１は本発明の第６の実施形態のＧａＮ系化合物半導体を用いた順ＨＥＭＴが複数個形成された半導体デバイスを示す断面図であり，本実施形態の順ＨＥＭＴが上述した第２の実施形態の順ＨＥＭＴと異なる点は，サファイア基板１上に複数個（図１１では２個）のノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２を形成し，これらノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２が形成される部分以外を選択的にアンドープＧａＮ層２２の途中までエッチング５３することにより素子間分離を行った点である。ソース電極２５，ドレイン電極２６及びゲート電極２７の構造及び組成は，上述した第２の実施形態と全く同様である
【００６５】この順ＨＥＭＴを作製するには，サファイア基板１上に，低温ＧａＮバッファ層２１〜ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２を順次成長させた後に，ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２の全面にＳｉＯ2絶縁膜５４を形成し，ＲＩＥにより素子間分離を行い，ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２上にソース電極２５及びドレイン電極２６を形成し，ＲＩＥによりゲート領域直下のｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２を除去してｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１のゲート領域を露出させ，このゲート領域の上にゲート電極２７を形成する。
【００６６】本実施形態の順ＨＥＭＴにおいても，第２の実施形態の順ＨＥＭＴと同様に，ソース電極２５−ゲート電極２７間及びドレイン電極２６−ゲート電極２７間の寄生抵抗，及びソース電極２５及びドレイン電極２６における接触抵抗を低減することができ，順ＨＥＭＴとしての特性及び信頼性を向上させることができる。また，本実施形態の順ＨＥＭＴの製造方法によれば，ゲート領域直下のｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２を除去してｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１のゲート領域を露出させ，このゲート領域の上にゲート電極２７を形成するので，特性及び信頼性の向上した順ＨＥＭＴを作製することができる。なお，
本実施形態では，ノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２としたが，ｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１のゲート領域の膜厚を変えることにより，ノーマリオフ型の順ＨＥＭＴとすることもできる
　
エ　第８の実施形態
「【００７０】［第８の実施形態］本実施形態の半導体デバイスは，
第６の実施形態の半導体デバイスにおいて，ゲート領域直下のｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１を所望の厚みにエッチングし，厚みが制御されたｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１上にゲート電極２７を形成し，順ＨＥＭＴとしたものである
厚みが制御されたｎ−Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ電子供給層３１上にゲート電極２７を形成したので，ノーマリオン型あるいはノーマリオフ型の順ＨＥＭＴを同一サファイア基板１上に形成することができ
　
　
　ここにおいて，段落【００４１】の「本実施形態では，ノーマリオン型の順ＨＥＭＴとしたが，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１のゲート領域の膜厚を変えることにより，ノーマリオフ型の順ＨＥＭＴとすることもできる。」と記載されているところ，当該「ゲート領域」とは，段落【００３８】の「ゲート領域直下のｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２が除去されてｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１のゲート領域が露出され」との記載から，「ゲート領域直下のｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２が除去されてｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１」が「露出され」た部分を指すことは明らかである。
　また，上記各記載とともに図２を参照すると，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１の膜厚は，ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２下にある部分よりも，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１が露出されている部分（すなわち前記「ゲート領域」）の方が薄くなっており，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１には，前記「ゲート領域」において凹部が形成されていることが見て取れる。
　そして，上記イ及び図２に示された第２の実施形態と異なる点が，「サファイア基板１上に複数個（図１１では２個）のノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２を形成し，これらノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２が形成される部分以外を選択的にアンドープＧａＮ層２２の途中までエッチング５３することにより素子間分離を行った点であ」って，「ソース電極２５，ドレイン電極２６及びゲート電極２７の構造及び組成は，上述した第２の実施形態と全く同様である」（いずれも段落【００６４】）第６の実施形態について，さらに，「ゲート領域直下のｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１を所望の厚みにエッチングし，厚みが制御されたｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１上にゲート電極２７を形成し，順ＨＥＭＴとしたものである」（段落【００７０】）第８の実施形態においては，「厚みが制御されたｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１上にゲート電極２７を形成したので，ノーマリオン型あるいはノーマリオフ型の順ＨＥＭＴを同一サファイア基板１上に形成することができ」るものである。この際，「ゲート領域直下のｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１を所望の厚みにエッチング」するのであるから，「ノーマリオン型あるいはノーマリオフ型の順ＨＥＭＴ」のいずれにおいても，前記図２に示されているように，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１には，前記「ゲート領域」において凹部が形成され，当該凹部の膜厚を制御することにより，「ノーマリオン型あるいはノーマリオフ型の順ＨＥＭＴ」としているものといえる。
　
　また，段落【００３７】の「なお，３３はアンドープＧａＮ層２２中に形成される二次元電子ガス層である。」の記載とともに図２を参照すると，アンドープＧａＮ層２２中には，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１との界面において二次元電子ガス層３３が形成されていることがわかる。
　
　以上を総合し，第２の実施形態において「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１のゲート領域の膜厚を変えることにより，ノーマリオフ型の順ＨＥＭＴと」したものに注目すると，引用例には以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
　
「ＧａＮ系化合物半導体を用いたノーマリオフ型の順ＨＥＭＴであって，
　二次元電子ガスの濃度を制御するためのゲート電極２７をＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合のＡｌＧａＮ側に形成した構造を有し，
　サファイア基板１の（０００１）面上に，膜厚が３０ｎｍの低温ＧａＮバッファ層２１，膜厚が２．４μｍのアンドープＧａＮ層２２，膜厚が５０ｎｍで不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3のＳｉドープｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１（０≦ｘ≦１），膜厚が２０ｎｍで不純物濃度がｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１より高い５×１０18ｃｍ-3でありかつＡｌ組成比がｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１より小さいＳｉドープｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２（０≦ｙ≦１，ｙ≦ｘ）が順次積層されて，アンドープＧａＮ層２２には，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１との界面において二次元電子ガス層３３が形成されており，
　ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２上にはソース電極２５及びドレイン電極２６が形成されており，ゲート領域直下のｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２は除去されてｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１のゲート領域となり，前記ゲート領域においては，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１に凹部が形成されるとともに，ゲート電極２７が形成されているものであって，
　ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１の前記凹部における膜厚が制御されて，ノーマリオフ型とされた，
　ＧａＮ系化合物半導体を用いたノーマリオフ型の順ＨＥＭＴ。」
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
・引用発明の「膜厚が２．４μｍのアンドープＧａＮ層２２，膜厚が５０ｎｍで不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3のＳｉドープｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１（０≦ｘ≦１），膜厚が２０ｎｍで不純物濃度がｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１より高い５×１０18ｃｍ-3でありかつＡｌ組成比がｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１より小さいＳｉドープｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２（０≦ｙ≦１，ｙ≦ｘ）が順次積層されて」いる点において，「Ｓｉドープｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１（
０≦ｘ
Ａｌ組成比が
より小さい
ＨＥＭＴ
　それゆえ，引用発明の「アンドープＧａＮ層２２」及び「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１」は，本願発明の「第１のIII族窒化物材料と第２のIII族窒化物材料」に相当し，引用発明の「アンドープＧａＮ層２２」の「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１との界面において」形成される「二次元電子ガス層３３」は，本願発明の「第１のIII族窒化物材料と第２のIII族窒化物材料との間の界面に形成され，前記２つのIII族窒化物材料は異なる面内格子定数又は異なる禁止帯を有する伝導チャンネル」に相当する。
　
・引用発明の「前記ゲート領域において」「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１に」「形成され」ている「凹部」については，「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１の前記凹部における膜厚が制御されて，ノーマリオフ型とされた」のであるから，「前記凹部における膜厚」は修正されたものであり，「前記凹部」は修正部分といえる。
　それゆえ，引用発明の「前記ゲート領域において」「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１に」「形成され」ている「凹部」と，本願発明の「傾斜する側壁を含む凹部を備え，前記伝導チャンネル中に遮断領域を形成するために，前記第１のIII族窒化物材料と前記第２のIII族窒化物材料のいずれかの内側に形成される修正部分」とは，「凹部を備え，前記第１のIII族窒化物材料と前記第２のIII族窒化物材料のいずれかの内側に形成される修正部分」である点で一致する。
　
・引用発明の「ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２上に」形成されている「ソース電極２５及びドレイン電極２６」は，本願発明の「前記伝導チャンネルに接続され，チャンネル電流を伝達する電流伝達電極」に相当する。
　
・引用発明の「前記ゲート領域において」形成されている「ゲート電極２７」は，ＨＥＭＴのチャンネルを構成する「二次元電子ガスの濃度を制御するためのゲート電極２７」であるから，本願発明の「前記遮断領域上を覆うように配置され，前記伝導チャンネル中における電流の伝達を行なうように前記遮断領域を元に戻すことを可能にするゲート電極」とは，「前記伝導チャンネル中における電流の伝達を行なうようにすることを可能にするゲート電極」である点で一致する。
　
・引用発明の「ＧａＮ系化合物半導体を用いたノーマリオフ型の順ＨＥＭＴ」は，本願発明の「エンハンスメント型III族窒化物デバイス」に相当する。
　
　したがって，引用発明と本願発明とは次の点で一致する。
「第１のIII族窒化物材料と第２のIII族窒化物材料との間の界面に形成され，前記２つのIII族窒化物材料は異なる面内格子定数又は異なる禁止帯を有する伝導チャンネルと，
　凹部を備え，前記第１のIII族窒化物材料と前記第２のIII族窒化物材料のいずれかの内側に形成される修正部分と，
　前記伝導チャンネルに接続され，チャンネル電流を伝達する電流伝達電極と，
　前記伝導チャンネル中における電流の伝達を行なうようにすることを可能にするゲート電極と
　を備えたことを特徴とするエンハンスメント型III族窒化物デバイス。」
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
　
《相違点１》
　「前記第１のIII族窒化物材料と前記第２のIII族窒化物材料のいずれかの内側に形成される修正部分」について，本願発明においては「傾斜する側壁を含む凹部を備え」るのに対し，引用発明においては「凹部を備え」るものの，当該「凹部」が「傾斜する側壁を含む」ことまでは特定されていない点。
　
《相違点２》
　本願発明においては，「前記第１のIII族窒化物材料と前記第２のIII族窒化物材料のいずれかの内側に形成される修正部分」が，「前記伝導チャンネル中に遮断領域を形成するため」のものであり，また，「ゲート電極」が「前記遮断領域上を覆うように配置され，前記伝導チャンネル中における電流の伝達を行なうように前記遮断領域を元に戻すことを可能にする」ものである。これに対して，引用発明においては，本願発明の「修正部分」に対応する「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１の前記凹部」の「膜厚によって，ノーマリオフ型と」するものではあるものの，「前記伝導チャンネル中に遮断領域を形成するため」のものであるとまでは特定されておらず，また，「前記ゲート領域においては，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１に凹部が形成されるとともに，ゲート電極２７が形成されて」はいるものの，「ゲート電極２７」が「前記遮断領域上を覆うように配置され，前記伝導チャンネル中における電流の伝達を行なうように前記遮断領域を元に戻すことを可能にする」ことまでは特定されていない点。
　
（４）判断
《相違点１について》
　引用例について前記２（２）ウに摘記した第６の実施形態の記載とともに，引用例の図１１を参照すると，ゲート電極２７が形成されている部分において，ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２からｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１にかけて，傾斜する側壁を有する凹部が形成されていることが見て取れる。
　ところで，前記２（２）で検討したとおり，引用例において，第６の実施形態のものと第２の実施形態のものとが異なる点は，「サファイア基板１上に複数個（図１１では２個）のノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２を形成し，これらノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２が形成される部分以外を選択的にアンドープＧａＮ層２２の途中までエッチング５３することにより素子間分離を行った点であ」る。
　それゆえ，「サファイア基板１上に複数個（図１１では２個）のノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２を形成し，これらノーマリオン型順ＨＥＭＴ７１，７２が形成される部分以外を選択的にアンドープＧａＮ層２２の途中までエッチング５３することにより素子間分離を行った点」を除いては実施形態２と同じものといえる実施形態６において，上述のように，ゲート電極２７が形成されている部分について，ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２からｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１にかけて，傾斜する側壁を有する凹部が形成されているから，引用例には，実施形態２に係る順ＨＥＭＴについても，ｎ+−ＡｌyＧａ1-yＮコンタクト層３２からｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１にかけて，傾斜する側壁を有する凹部が形成することが記載されているに等しいといえる。
　仮に，そうではないとしても，ＨＥＭＴを含むＦＥＴ一般において，ゲート電極を形成する部分に，傾斜する側壁を有する凹部を形成することは周知の技術であるから，引用発明において「凹部」を「傾斜する側壁を含む」ものとすることは当業者が適宜になし得たことである。また，本願明細書を見ても，「凹部」が「傾斜する側壁を含む」ことに関しては，「この凹部２０は，傾斜する側壁２２を含むが，何らかの特定な形状に従って構成されることを必要とはしない。」（段落【００３９】）と記載されているのみであり，当該構成により格別な作用効果が奏される旨の記載も示唆もない。
　よって，相違点１は，実質的な相違点とはいえず，仮にそうでないとしても，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点２について》
　引用発明においては，「アンドープＧａＮ層２２には，ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１との界面において二次元電子ガス層３３が形成され」ているところ，二次元電子ガス層３３が，アンドープＧａＮ層２２とｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１との界面の全面において形成されていると，ソース電極２５及びドレイン電極２６間において常に電流経路が形成された状態となり，「ノーマリオフ型」とはなり得ないものであるから，「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１の前記凹部における膜厚が制御されて，ノーマリオフ型とされ」る際に，二次元電子ガス層３３が形成されない部分を生ぜしめていることは明らかである。
　そうすると，引用発明においても，本願発明の「修正部分」に対応する「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１の前記凹部」の「膜厚が制御されて，ノーマリオフ型と」することにより，二次元電子ガス層３３が形成されない部分を生ぜしめるのであるから，「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＮ電子供給層３１の前記凹部」は，相違点２に係る「前記伝導チャンネル中に遮断領域を形成する」ためのものといえる。
　また，引用発明の「ノーマリオフ型の順ＨＥＭＴ」をトランジスタ動作させるべく，その動作時にはゲート電極２７に印加する電圧によって電流経路の回復・消滅を制御することは当然であるところ，「ゲート電極２７」は「二次元電子ガスの濃度を制御するための」ものであることから，前記二次元電子ガス層３３が形成されない部分においてゲート電極２７を形成し，「二次元電子ガスの濃度を制御」して電流経路の制御を図っていることは明らかである。
　それゆえ，引用発明に係る「ゲート電極２７」は，「前記遮断領域上を覆うように配置され，前記伝導チャンネル中における電流の伝達を行なうように前記遮断領域を元に戻すことを可能にする」ものであるといえる。
　よって，相違点２は実質的なものではなく，仮にそうでないとしても，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，仮にそうではないとしても，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。