【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を作製するための方法であって、
前記半導体基板は、一方が前記半導体基板のフロント表面であり、他方が前記半導体基板のバック表面である実質的に平行な２つの主面と、前記半導体基板のフロント表面と前記半導体基板のバック表面とを繋ぎ合わせる周縁端と、を含み、
当該方法は、
フロント金属フィルム表面と、バック金属フィルム表面と、前記フロント金属フィルム表面と前記バック金属フィルム表面との間のバルク金属領域と、を含み、前記バック金属フィルム表面が、前記半導体基板のフロント表面と接触する金属フィルムを、前記半導体基板のフロント表面上に形成することと、
還元雰囲気中、前記金属フィルムのバルク金属領域に炭素原子を内部拡散させるのに十分な温度で、前記フロント金属フィルム表面に炭素含有ガスを接触させることと、
前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間に炭素原子を析出させグラフェンの層を形成することと、を含む方法。
【請求項２】
前記半導体基板には、半導体ウェハが含まれる請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記半導体ウェハには、シリコン、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、及び、ゲルマニウム、並びに、それらの組み合わせからなる群から選択された材料が含まれる請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハには、チョクラルスキー法により成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスして得られたシリコンウェハが含まれる請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上に誘電体層を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上にシリコン酸化物層を含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン酸化物層は、約３０ナノメートル〜約１０００ナノメートルの厚さを有する請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記シリコン酸化物層は、約９０ナノメートル〜約３００ナノメートルの厚さを有する請求項６記載の方法。
【請求項９】
金属フィルムを形成する前に、前記シリコン酸化物層上に、炭化水素含有シラン、炭化水素含有シリケート、若しくは、それら両方を含む自己組織化モノレイヤーを析出させることをさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項１０】
一般式ＳｉＸ３−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ３（ここで、それぞれのＸは独立にハロゲン原子、アルキル基、若しくは、アルコキシ基であり、ｎは１〜２５の間の整数である）を有する化合物を含む自己組織化モノレイヤーを析出させることをさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項１１】
それぞれのＸが１〜４の炭素原子を含むアルキル基である請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
それぞれのＸが１〜４の炭素原子を含むアルコキシ基である請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
それぞれのＸがハロゲン原子である請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記金属フィルムが、１０００℃において、少なくとも約０．０５原子％の炭素溶解度を有する金属を含む請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記金属フィルムが、１０００℃において、約３原子％未満の炭素溶解度を有する金属を含む請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記金属フィルムが、ニッケル、銅、鉄、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、コバルト、及び、これらの合金を含む請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記金属フィルムが、スパッタリング、蒸着、電解めっき、及び、金属箔ボンディングからなる群から選択された技術により形成される請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記金属フィルムが、約５０ナノメートル〜約２０マイクロメートルの厚さを有する請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記金属フィルムが、約５０ナノメートル〜約１０マイクロメートルの厚さを有する請求項１記載の方法。
【請求項２０】
前記炭素含有ガスが、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロピレン、プロピン、ブタン、ブチレン、ブチン、及び、これらの組み合わせからなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項２１】
前記還元雰囲気が、水素ガスを含む請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板において温度勾配プロファイルを形成することを含み、
前記温度勾配プロファイルは、前記フロント金属フィルム表面及び前記バック金属フィルム表面における温度が前記バルク金属領域内の中央平面近くの温度未満となるようなプロファイルである請求項１記載の方法。
【請求項２３】
前記温度勾配により、前記フロント金属フィルム表面上にグラフェンが析出される請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記フロント金属フィルム表面上のグラフェン層を除去することをさらに備える請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記フロント金属フィルム表面上のグラフェン層が、酸素プラズマエッチングにより除去される請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記金属フィルムを除去して、それにより、前記半導体基板のフロント表面と接触するグラフェン層を露出させることをさらに備える請求項１記載の方法。
【請求項２７】
前記金属フィルムが、水溶性の金属エッチャントに金属フィルムを接触させることにより除去される請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板を急速に冷却することにより、前記炭素原子を析出させ、それにより、前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間にグラフェン層を形成する請求項１記載の方法。
【請求項２９】
半導体基板を作製するための方法であって、
前記半導体基板は、一方が前記半導体基板のフロント表面であり、他方が前記半導体基板のバック表面である実質的に平行な２つの主面と、前記半導体基板のフロント表面と前記半導体基板のバック表面とを繋ぎ合わせる周縁端と、を含み、
当該方法は、
前記半導体基板のフロント表面層上に、炭素リッチポリマーを含む層を析出させることと、
フロント金属フィルム表面と、バック金属フィルム表面と、前記フロント金属フィルム表面と前記バック金属フィルム表面との間のバルク金属領域と、を含み、前記バック金属フィルム表面が、前記炭素リッチポリマーを含む層と接触する金属フィルムを、前記炭素リッチポリマーを含む層上に形成することと、
水素の存在下、前記半導体基板の上に前記炭素リッチポリマーを含む層及び前記金属フィルムを備える半導体基板を、前記炭素リッチポリマーを含む層を分解させるに十分な温度まで加熱することと、
前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間に炭素原子を析出させグラフェンの層を形成することと、を備える方法。
【請求項３０】
前記半導体基板には、半導体ウェハが含まれる請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
前記半導体ウェハには、シリコン、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、及び、ゲルマニウム、並びに、それらの組み合わせからなる群から選択された材料が含まれる請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記半導体ウェハには、チョクラルスキー法により成長させた単結晶シリコンインゴットをスライスして得られたシリコンウェハが含まれる請求項３０記載の方法。
【請求項３３】
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上に誘電体層を含む請求項２９記載の方法。
【請求項３４】
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上にシリコン酸化物層を含む請求項２９記載の方法。
【請求項３５】
前記シリコン酸化物層は、約３０ナノメートル〜約１０００ナノメートルの厚さを有する請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
前記シリコン酸化物層は、約９０ナノメートル〜約３００ナノメートルの厚さを有する請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
前記炭素リッチポリマーが、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリブタジエン、ポリスチレン、ポリ（アクリロニトリル−コ−ブタジエン−コ−スチレン）（ＡＢＳ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４’−ビニルヘキサフェニルベンゼン）、及び、これらの組み合わせからなる群から選択される請求項２９記載の方法。
【請求項３８】
前記炭素リッチポリマーを含む層は、約１ナノメートル〜約１００ナノメートルの厚さを有する請求項２９記載の方法。
【請求項３９】
前記炭素リッチポリマーを含む層は、約５ナノメートル〜約１００ナノメートルの厚さを有する請求項２９記載の方法。
【請求項４０】
前記炭素リッチポリマーを含む層は、約１０ナノメートル〜約５０ナノメートルの厚さを有する請求項２９記載の方法。
【請求項４１】
前記金属フィルムには、１０００℃において、少なくとも約０．０５原子％の炭素溶解度を有する金属が含まれる請求項２９記載の方法。
【請求項４２】
前記金属フィルムには、１０００℃において、約３原子％未満の炭素溶解度を有する金属が含まれる請求項２９記載の方法。
【請求項４３】
前記金属フィルムには、ニッケル、銅、鉄、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、コバルト、及び、これらの合金が含まれる請求項２９記載の方法。
【請求項４４】
前記金属フィルムは、スパッタリング、蒸着、電解めっき、及び、金属箔ボンディングからなる群から選択された技術により析出される請求項２９記載の方法。
【請求項４５】
前記金属フィルムは、約５０ナノメートル〜約２０マイクロメートルの厚さを有する請求項２９記載の方法。
【請求項４６】
前記金属フィルムは、約５０ナノメートル〜約１０マイクロメートルの厚さを有する請求項２９記載の方法。
【請求項４７】
半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板において温度勾配プロファイルを形成することをさらに含み、
前記温度勾配プラファイルは、前記フロント金属フィルム表面及び前記バック金属フィルム表面における温度が前記バルク金属領域内の中央平面近くの温度未満となるようなプロファイルである請求項２９記載の方法。
【請求項４８】
半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板を急速に冷却することにより、前記炭素原子を析出させ、それにより、前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間にグラフェン層を形成する請求項２９記載の方法。
【請求項４９】
一方がドナー基板のフロント表面であり、他方がドナー基板のバック表面である実質的に平行な２つの主面と、前記フロント表面と前記バック表面とを繋ぎ合わせる周縁端と、前記フロント表面と前記バック表面との間の中央平面と、を含む半導体基板と、
前記半導体基板のフロント表面に接触するグラフェン層と、
前記グラフェン層に接触する金属フィルムであって、フロント金属フィルム表面と、バック金属フィルム表面と、前記フロント金属フィルム表面と前記バック金属フィルム表面との間のバルク金属領域と、を含む金属フィルムと、を備えるマルチレイヤー製品。
【請求項５０】
前記半導体基板には、半導体ウェハが含まれる請求項４９記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５１】
前記半導体ウェハには、シリコン、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、及び、ゲルマニウム、並びに、それらの組み合わせからなる群から選択された材料が含まれる請求項５０記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５２】
前記半導体ウェハには、チョクラルスキー法により成長させた単結晶シリコンインゴットをスライスして得られたシリコンウェハが含まれる請求項５１記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５３】
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上に誘電体層を含む請求項５２記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５４】
前記半導体基板のフロント表面は、シリコン酸化物層を含む請求項５２記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５５】
前記シリコン酸化物層は、約５０ナノメートル〜約１０００ナノメートルの厚さを有する請求項５４記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５６】
前記シリコン酸化物層は、約９０ナノメートル〜約３００ナノメートルの厚さを有する請求項５５記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５７】
前記半導体基板のフロント表面に接触するグラフェン層が、単一の単原子グラフェン層を含む請求項４９記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５８】
前記半導体基板のフロント表面に接触するグラフェン層が、グラフェンバイレイヤーを含む請求項４９記載のマルチレイヤー製品。
【請求項５９】
前記金属フィルムが、約５０ナノメートル〜約２０マイクロメートルの厚さを有する請求項４９記載のマルチレイヤー製品。
【請求項６０】
前記金属フィルムが、約５０ナノメートル〜約１０マイクロメートルの厚さを有する請求項４９記載のマルチレイヤー製品。
【請求項６１】
前記フロント金属フィルム表面に接触するグラフェン層をさらに備える請求項４９記載のマルチレイヤー製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明の次のステップによれば、金属フィルムを除去して、それにより、半導体基板のフロント表面に接触したグラフェン層を露出させる。金属フィルムの金属を溶解させるのに十分な、当該技術分野において知られた技術、例えば、ニッケル、銅、鉄、若しくはそれらの合金を溶解させるために十分な技術により除去してもよい。好ましい実施の形態において、金属フィルムを水溶性の金属エッチャントに接触させる。金属フィルムの除去に適した金属エッチャントには、塩化第二鉄、鉄（III）窒化物、王水、硝酸が含まれる。好適には、これらの金属エッチャントは、グラフェンを除去しない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本明細書は、本発明を開示するため（ベストモードを含む）、また、当該技術分野における当業者が、本発明を実施することができるようにするため（任意のデバイス若しくはシステムを作製し使用し、任意の組み合わされた方法を実行することを含む）、実施例を用いる。本発明の特許可能な範囲は、クレームにより規定され、当該技術分野における当業者にとってなしえる他の実施例を含んでいてもよい。そのような他の実施例は、それらがクレームの文字通りの文言から異なる構造的構成要素を有する場合、又は、それらがクレームの文字通りの文言と実質的に差異のない同等の構造的構成要素を含む場合、クレームの範囲に含まれることが意図されている。
本明細書の開示内容は、以下の態様を含み得る。
（態様１）
半導体基板を作製するための方法であって、
前記半導体基板は、一方が前記半導体基板のフロント表面であり、他方が前記半導体基板のバック表面である実質的に平行な２つの主面と、前記半導体基板のフロント表面と前記半導体基板のバック表面とを繋ぎ合わせる周縁端と、を含み、
当該方法は、
フロント金属フィルム表面と、バック金属フィルム表面と、前記フロント金属フィルム表面と前記バック金属フィルム表面との間のバルク金属領域と、を含み、前記バック金属フィルム表面が、前記半導体基板のフロント表面と接触する金属フィルムを、前記半導体基板のフロント表面上に形成することと、
還元雰囲気中、前記金属フィルムのバルク金属領域に炭素原子を内部拡散させるのに十分な温度で、前記フロント金属フィルム表面に炭素含有ガスを接触させることと、
前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間に炭素原子を析出させグラフェンの層を形成することと、を含む方法。
（態様２）
前記半導体基板には、半導体ウェハが含まれる態様１記載の方法。
（態様３）
前記半導体ウェハには、シリコン、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、及び、ゲルマニウム、並びに、それらの組み合わせからなる群から選択された材料が含まれる態様２記載の方法。
（態様４）
前記半導体ウェハには、チョクラルスキー法により成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスして得られたシリコンウェハが含まれる態様２記載の方法。
（態様５）
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上に誘電体層を含む態様１記載の方法。
（態様６）
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上にシリコン酸化物層を含む態様１記載の方法。
（態様７）
前記シリコン酸化物層は、約３０ナノメートル〜約１０００ナノメートルの厚さを有する態様６記載の方法。
（態様８）
前記シリコン酸化物層は、約９０ナノメートル〜約３００ナノメートルの厚さを有する態様６記載の方法。
（態様９）
金属フィルムを形成する前に、前記シリコン酸化物層上に、炭化水素含有シラン、炭化水素含有シリケート、若しくは、それら両方を含む自己組織化モノレイヤーを析出（または堆積）させることをさらに含む態様６記載の方法。
（態様１０）
一般式ＳｉＸ３−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ３（ここで、それぞれのＸは独立にハロゲン原子、アルキル基、若しくは、アルコキシ基であり、ｎは１〜２５の間の整数である）を有する化合物を含む自己組織化モノレイヤーを析出（または堆積）させることをさらに含む態様６記載の方法。
（態様１１）
それぞれのＸが１〜４の炭素原子を含むアルキル基である態様１０記載の方法。
（態様１２）
それぞれのＸが１〜４の炭素原子を含むアルコキシ基である態様１０記載の方法。
（態様１３）
それぞれのＸがハロゲン原子である態様１０記載の方法。
（態様１４）
前記金属フィルムが、１０００℃において、少なくとも約０．０５原子％の炭素溶解度を有する金属を含む態様１記載の方法。
（態様１５）
前記金属フィルムが、１０００℃において、約３原子％未満の炭素溶解度を有する金属を含む態様１記載の方法。
（態様１６）
前記金属フィルムが、ニッケル、銅、鉄、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、コバルト、及び、これらの合金を含む態様１記載の方法。
（態様１７）
前記金属フィルムが、スパッタリング、蒸着、電解めっき、及び、金属箔ボンディングからなる群から選択された技術により形成（または堆積）される態様１記載の方法。
（態様１８）
前記金属フィルムが、約５０ナノメートル〜約２０マイクロメートルの厚さを有する態様１記載の方法。
（態様１９）
前記金属フィルムが、約５０ナノメートル〜約１０マイクロメートルの厚さを有する態様１記載の方法。
（態様２０）
前記炭素含有ガスが、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロピレン、プロピン、ブタン、ブチレン、ブチン、及び、これらの組み合わせからなる群から選択される態様１記載の方法。
（態様２１）
前記還元雰囲気が、水素ガスを含む態様２０記載の方法。
（態様２２）
半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板において温度勾配プロファイルを形成することを含み、
前記温度勾配プロファイルは、前記フロント金属フィルム表面及び前記バック金属フィルム表面における温度が前記バルク金属領域内の中央平面近くの温度未満となるようなプロファイルである態様１記載の方法。
（態様２３）
前記温度勾配により、前記フロント金属フィルム表面上にグラフェンが析出される態様２２記載の方法。
（態様２４）
前記フロント金属フィルム表面上のグラフェン層を除去することをさらに備える態様２３記載の方法。
（態様２５）
前記フロント金属フィルム表面上のグラフェン層が、酸素プラズマエッチングにより除去される態様２４記載の方法。
（態様２６）
前記金属フィルムを除去して、それにより、前記半導体基板のフロント表面と接触するグラフェン層を露出させることをさらに備える態様１記載の方法。
（態様２７）
前記金属フィルムが、水溶性の金属エッチャントに金属フィルムを接触させることにより除去される態様２６記載の方法。
（態様２８）
半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板を急速に冷却することにより、前記炭素原子を析出させ、それにより、前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間にグラフェン層を形成する態様１記載の方法。
（態様２９）
半導体基板を作製するための方法であって、
前記半導体基板は、一方が前記半導体基板のフロント表面であり、他方が前記半導体基板のバック表面である実質的に平行な２つの主面と、前記半導体基板のフロント表面と前記半導体基板のバック表面とを繋ぎ合わせる周縁端と、を含み、
当該方法は、
前記半導体基板のフロント表面層上に、炭素リッチポリマーを含む層を析出させることと、
フロント金属フィルム表面と、バック金属フィルム表面と、前記フロント金属フィルム表面と前記バック金属フィルム表面との間のバルク金属領域と、を含み、前記バック金属フィルム表面が、前記炭素リッチポリマーを含む層と接触する金属フィルムを、前記炭素リッチポリマーを含む層上に形成することと、
水素の存在下、前記半導体基板の上に前記炭素リッチポリマーを含む層及び前記金属フィルムを備える半導体基板を、前記炭素リッチポリマーを含む層を分解させるに十分な温度まで加熱することと、
前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間に炭素原子を析出させグラフェンの層を形成することと、を備える方法。
（態様３０）
前記半導体基板には、半導体ウェハが含まれる態様２９記載の方法。
（態様３１）
前記半導体ウェハには、シリコン、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、及び、ゲルマニウム、並びに、それらの組み合わせからなる群から選択された材料が含まれる態様３０記載の方法。
（態様３２）
前記半導体ウェハには、チョクラルスキー法により成長させた単結晶シリコンインゴットをスライスして得られたシリコンウェハが含まれる態様３０記載の方法。
（態様３３）
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上に誘電体層を含む態様２９記載の方法。
（態様３４）
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上にシリコン酸化物層を含む態様２９記載の方法。
（態様３５）
前記シリコン酸化物層は、約３０ナノメートル〜約１０００ナノメートルの厚さを有する態様３４記載の方法。
（態様３６）
前記シリコン酸化物層は、約９０ナノメートル〜約３００ナノメートルの厚さを有する態様３５記載の方法。
（態様３７）
前記炭素リッチポリマーが、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリブタジエン、ポリスチレン、ポリ（アクリロニトリル−コ−ブタジエン−コ−スチレン）（ＡＢＳ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４’−ビニルヘキサフェニルベンゼン）、及び、これらの組み合わせからなる群から選択される態様２９記載の方法。
（態様３８）
前記炭素リッチポリマーを含む層は、約１ナノメートル〜約１００ナノメートルの厚さを有する態様２９記載の方法。
（態様３９）
前記炭素リッチポリマーを含む層は、約５ナノメートル〜約１００ナノメートルの厚さを有する態様２９記載の方法。
（態様４０）
前記炭素リッチポリマーを含む層は、約１０ナノメートル〜約５０ナノメートルの厚さを有する態様２９記載の方法。
（態様４１）
前記金属フィルムには、１０００℃において、少なくとも約０．０５原子％の炭素溶解度を有する金属が含まれる態様２９記載の方法。
（態様４２）
前記金属フィルムには、１０００℃において、約３原子％未満の炭素溶解度を有する金属が含まれる態様２９記載の方法。
（態様４３）
前記金属フィルムには、ニッケル、銅、鉄、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、コバルト、及び、これらの合金が含まれる態様２９記載の方法。
（態様４４）
前記金属フィルムは、スパッタリング、蒸着、電解めっき、及び、金属箔ボンディングからなる群から選択された技術により析出（または堆積）される態様２９記載の方法。
（態様４５）
前記金属フィルムは、約５０ナノメートル〜約２０マイクロメートルの厚さを有する態様２９記載の方法。
（態様４６）
前記金属フィルムは、約５０ナノメートル〜約１０マイクロメートルの厚さを有する態様２９記載の方法。
（態様４７）
半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板において温度勾配プロファイルを形成することをさらに含み、
前記温度勾配プラファイルは、前記フロント金属フィルム表面及び前記バック金属フィルム表面における温度が前記バルク金属領域内の中央平面近くの温度未満となるようなプロファイルである態様２９記載の方法。
（態様４８）
半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板を急速に冷却することにより、前記炭素原子を析出させ、それにより、前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間にグラフェン層を形成する態様２９記載の方法。
（態様４９）
一方がドナー基板のフロント表面であり、他方がドナー基板のバック表面である実質的に平行な２つの主面と、前記フロント表面と前記バック表面とを繋ぎ合わせる周縁端と、前記フロント表面と前記バック表面との間の中央平面と、を含む半導体基板と、
前記半導体基板のフロント表面に接触するグラフェン層と、
前記グラフェン層に接触する金属フィルムであって、フロント金属フィルム表面と、バック金属フィルム表面と、前記フロント金属フィルム表面と前記バック金属フィルム表面との間のバルク金属領域と、を含む金属フィルムと、を備えるマルチレイヤー製品。
（態様５０）
前記半導体基板には、半導体ウェハが含まれる態様４９記載のマルチレイヤー製品。
（態様５１）
前記半導体ウェハには、シリコン、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、及び、ゲルマニウム、並びに、それらの組み合わせからなる群から選択された材料が含まれる態様５０記載のマルチレイヤー製品。
（態様５２）
前記半導体ウェハには、チョクラルスキー法により成長させた単結晶シリコンインゴットをスライスして得られたシリコンウェハが含まれる態様５１記載のマルチレイヤー製品。
（態様５３）
前記半導体基板のフロント表面は、そのフロント表面上に誘電体層を含む態様５２記載のマルチレイヤー製品。
（態様５４）
前記半導体基板のフロント表面は、シリコン酸化物層を含む態様５２記載のマルチレイヤー製品。
（態様５５）
前記シリコン酸化物層は、約５０ナノメートル〜約１０００ナノメートルの厚さを有する態様５４記載のマルチレイヤー製品。
（態様５６）
前記シリコン酸化物層は、約９０ナノメートル〜約３００ナノメートルの厚さを有する態様５５記載のマルチレイヤー製品。
（態様５７）
前記半導体基板のフロント表面に接触するグラフェン層が、単一の単原子グラフェン層（または一原子厚さのグラフェン層）を含む態様４９記載のマルチレイヤー製品。
（態様５８）
前記半導体基板のフロント表面に接触するグラフェン層が、グラフェンバイレイヤーを含む態様４９記載のマルチレイヤー製品。
（態様５９）
前記金属フィルムが、約５０ナノメートル〜約２０マイクロメートルの厚さを有する態様４９記載のマルチレイヤー製品。
（態様６０）
前記金属フィルムが、約５０ナノメートル〜約１０マイクロメートルの厚さを有する態様４９記載のマルチレイヤー製品。
（態様６１）
前記フロント金属フィルム表面に接触するグラフェン層をさらに備える態様４９記載のマルチレイヤー製品。