【事件の表示】
　特願２００６−３０６５４６「有機発光ダイオード表示素子及びその駆動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１０日出願公開、特開２００８−　　３５４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願：　平成１８年１１月１３日　  
（パリ条約による優先権主張２００６年６月２２日、韓国）
　拒絶査定：　平成２４年３月１２日（送達日：同年同月１９日）  
　拒絶査定不服審判の請求：　平成２４年７月１９日  
　手続補正：　平成２４年７月１９日（以下、「補正１」という。）
　拒絶理由通知：　平成２５年９月４日（以下、「当審拒絶理由」という。発送日：同年同月５日）
　手続補正：　平成２６年２月５日（以下、「本件補正」という。）
　意見書：　　平成２６年２月５日（以下、「本件意見書」という。）
　　
  　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、本件補正によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。 
　　
「駆動電圧を発生する駆動電圧源、
　基底電圧を発生する基底電圧源、
　基準電圧を発生する基準電圧源、
　前記駆動電圧源と前記基底電圧源との間に流れる電流により発光される有機発光ダイオード素子、
　第１ノードと第２ノードとの間に接続されたキャパシタ、
　所定の時間差を置いて、第１スキャン信号と第２スキャン信号とが供給される第１スキャンライン、
　所定の時間差を置いて、第３スキャン信号と第４スキャン信号とが供給される第２スキャンライン、
　前記第１及び前記第２スキャンラインと交差して、データ電圧とリセット電圧が供給されるデータライン、
　第１期間内に前記第１スキャン信号によりターンオンされ、前記基準電圧を前記第２ノードに供給した後、第２期間の間にターンオフされ、前記第２期間以後の第３期間内に前記第２スキャン信号によりターンオンされ、前記基準電圧を前記第２ノードに供給する第１ａスイッチ素子、
　前記第１期間内に前記第１スキャン信号によりターンオンされ、前記データ電圧を前記第１ノードに供給した後、前記第２期間の間にターンオフされ、前記第３期間内に前記第２スキャン信号によりターンオンされ、前記リセット電圧を前記第１ノードに供給する第１ｂスイッチ素子、
　前記第１ノードに供給された前記データ電圧により、前記有機発光ダイオード素子に電流を流し、前記第１ノードに供給された前記リセット電圧によりターンオフされる駆動素子、及び
　前記第１期間の間に前記第３スキャン信号によりターンオフされた後、前記第２期間内にターンオンされ、前記駆動電圧を前記第２ノードに供給し、前記第３期間の間に前記第４スキャン信号によりターンオフされる第２スイッチ素子を備え、
　前記有機発光ダイオード素子は、前記駆動素子と前記基底電圧源との間に接続され、
　前記駆動素子は、非晶質シリコンとポリシリコンのうち、何れか一つを含む半導体層を有するＰタイプのＭＯＳ−ＦＥＴからなり、
　前記スイッチ素子は、非晶質シリコンとポリシリコンのうち、何れか一つを含む半導体層を有するＰタイプのＭＯＳ−ＦＥＴからなり、
　前記第１ａスイッチ素子は、前記第１スキャンラインに接続されたゲート電極、前記基準電圧源に接続されたソース電極、及び前記第２ノードに接続されたドレイン電極を含み、
　前記第１ｂスイッチ素子は、前記第１スキャンラインに接続されたゲート電極、前記データラインに接続されたソース電極、及び前記第１ノードに接続されたドレイン電極を含み、
　前記駆動素子は、前記第１ノードに接続されたゲート電極、前記駆動電圧源に接続されたソース電極、及び前記有機発光ダイオード素子のアノード電極に接続されたドレイン電極を含み、
　前記第２スイッチ素子は、前記第２スキャンラインに接続されたゲート電極、前記駆動電圧源に接続されたソース電極、及び前記第２ノードに接続されたドレイン電極を含み、
　前記第３スキャン信号は、前記第１スキャン信号に対して逆位相で発生され、
　前記第４スキャン信号は、前記第２スキャン信号に対して逆位相で発生され、
　前記リセット電圧は前記有機発光ダイオード素子に電流が流れないように前記駆動素子をターンオフさせるためブラックデータ対応電圧であることを特徴とする有機発光ダイオード表示素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
　
３．当審拒絶理由
　これに対し、当審拒絶理由における理由２の概要は、本願の各請求項に係る発明は、いずれも、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−７２３０３号公報（発明の名称：有機発光表示装置およびその表示ユニット、出願人：エイユー　オプトロニクス　コーポレーション、公開日：平成１８年３月１６日、以下、「引用例１」という。）に記載された発明、及び特開２００２−９１３７６号公報（発明の名称：画像表示装置及びその駆動方法、出願人：株式会社日立製作所、公開日：平成１４年３月２７日、以下、「引用例２」という。）、特開２００４−７０２９３号公報（発明の名称：電子装置、電子装置の駆動方法及び電子機器、出願人：セイコーエプソン株式会社、公開日：平成１６年３月４日、以下、「引用例３」という。）、特開２００２−２３６４７０号公報（発明の名称：アクティブマトリクスエレクトロルミネッセントディスプレイの駆動方法、出願人：チ　メイ　オプトエレクトロニクス　コーポレーション、 公開日：平成１４年８月２３日、以下、「引用例４」という。）に記載された周知技術に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
　
４．引用例記載の事項・引用発明
（１）記載事項
　引用例１には、次の事項（ａ）ないし（ｂ）が図面の図１ないし図５とともに記載されている。
　
（ａ）
「【０００４】
  図2は、従来の有機発光表示装置を示す模式図である。　・・・主電圧Vddは略一定である。だが実際には、主電圧線VL(1)〜VL(n)のインピーダンスにより、主電圧Vddに電圧低下が生じる。図2のA点およびB点を例にとると、A点およびB点には、主電圧線VL(2)により略同じ主電圧Vddが供給される。しかし、主電圧線VL(2)の電流とインピーダンスとが原因で電圧低下が起こり、B点の主電圧VddはA点の主電圧Vddよりも低くなる。つまり実際には、表示ユニット100の異なる位置では、異なるレベルの主電圧Vddが受け取られている。このため、表示ユニット100の輝度にばらつきが生じ、求められる輝度との差が生じる。」
　
（ｂ）
「【００１０】
  図4は、本発明の好適な実施形態に係る有機発光表示ユニットを示す回路図である。図4を参照して、有機発光表示ユニット400は、PMOS（Ｐ型金属酸化物半導体）トランジスタQ4と、OLED（有機発光ダイオード） O2と、キャパシタC2と、第一スイッチQ1と、第二スイッチQ2と、第三スイッチQ3とを含む。PMOSトランジスタQ4は、駆動電流Idを生成し、第三スイッチQ3に連結（接続）されたソースと、OLED O2の正極端部に連結されたドレンとを有する。OLED O2は、駆動電流Idに応じて発光し、主ロー電圧Vssに連結された負極端部を有する。キャパシタC2は、第一スイッチQ1とPMOSトランジスタQ4のゲートとに連結された第一端部と、第二スイッチQ2に連結された第二端部とを有する。第三スイッチQ3は、キャパシタC2とPMOSトランジスタQ4との間に連結されている。第三スイッチQ3は例えば、キャパシタC2の第二端部をPMOSトランジスタQ4のソースに接続する。
【００１１】
  第一スイッチQ1は、走査信号Scanにより制御され、本実施形態ではNMOS（Ｎ型金属酸化物半導体）トランジスタである。NMOSトランジスタQ1は、データ信号Dataを受け取るためのドレンと、走査信号Scanを受け取るためのゲートと、キャパシタC2の第一端部に連結されたソースとを有する。第二スイッチQ2は、走査信号Scanにより制御され、本実施形態ではNMOSトランジスタである。NMOSトランジスタQ2は、基準電圧Vrefを受け取るためのドレンと、走査信号Scanを受け取るためのゲートと、キャパシタC2の第二端部に連結されたソースとを有する。第三スイッチQ3は、走査信号Scanにより制御され、本実施形態ではPMOSトランジスタである。PMOSトランジスタQ3は、キャパシタC2の第二端部に連結されたドレンと、走査信号Scanを受け取るためのゲートと、PMOSトランジスタQ4のソースに連結されたソースとを有する。
【００１２】
  走査信号Scanが有効になると、第一スイッチQ1および第二スイッチQ2はオンになり、第三スイッチQ3がオフになり、データ信号Dataが第一スイッチQ1を介してキャパシタC2の第一端部に送られ、基準電圧Vrefが第二スイッチQ2を介してキャパシタC2の第二端部に入力される。このとき、キャパシタC2のクロスオーバー電圧Vcは、基準電圧Vrefとデータ信号Dataとの差分Vaである。このときの基準電圧Vrefの機能は、キャパシタC2を充電することのみであり、充電作業完了後、電流はキャパシタC2に流れない。結果として、基準電圧Vrefの電圧低下は起こらず、基準電圧Vrefは一定レベルに保たれる。走査信号Scanが有効でなくなると、第一スイッチQ1および第二スイッチQ2はオフになり、第三スイッチQ3がオンになって、キャパシタC2がPMOSトランジスタQ4と電気的に接続される。PMOSトランジスタQ4のソースは、主電圧Vddでバイアスされ、PMOSトランジスタQ4のソース・ゲート間の電圧差Vgsは、キャパシタC2のクロスオーバー電圧Vc（つまり、差分Va）と略等しくなる。PMOSトランジスタQ4は、差分Vaに対応する駆動電流Idを生成する。
【００１３】
  図5は、本発明の好適な実施形態における有機発光表示装置を示す模式図である。図5を参照して、有機発光表示装置500は、表示ユニット400(1,1)〜400(m,n)と、走査線SL(1)〜SL(m)と、データ線DL(1)〜DL(n)と、主電圧線VL(1)〜VL(n)と、基準線RL(1)〜RL(m)とを含む。走査線SL(1)〜SL(m)はそれぞれ、走査信号Scan(1)〜Scan(m)を対応する表示ユニット400に送る。データ線DL(1)〜DL(n)は、データ信号Data(1)〜Data(n)を表示ユニット400に送る。基準線RL(1)〜RL(m)は、基準電圧Vrefを表示ユニット400に出力する。主電圧線VL(1)〜VL(n)は、主電圧Vddを表示ユニット400に出力する。
【００１４】
  この実施形態においては、表示ユニット400の第一スイッチQ1がNMOSトランジスタで実現される場合、そのドレンを、データ信号Dataを受け取るためにデータ線DLに連結し、そのゲートを、走査信号Scanを受け取るために走査線SLに連結し、そのソースをキャパシタC2の第二端部に連結する。表示ユニット400の第二スイッチQ2がNMOSトランジスタで実現される場合、そのドレンを、基準電圧Vrefを受け取るために基準線RLに連結し、そのゲートを、走査信号Scanを受け取るために走査線SLに連結し、そのソースをキャパシタC2の第二端部に連結する。表示ユニット400の第三スイッチQ3がPMOSトランジスタで実現される場合、そのゲートを、走査信号Scanを受け取るために走査線SLに連結し、そのソースを、主電圧Vddを受け取るために主電圧線VLに連結し、そのドレンをキャパシタC2の第二端部に連結する。」
　
　これらの記載と図１ないし図５の内容からみて、引用例１には以下の発明が記載されている。
　
「主電圧Ｖｄｄを供給する主電圧源、
　主ロー電圧Ｖｓｓを供給する主ロー電圧源、
　基準電圧Ｖｒｅｆを発生する基準電圧源、
　前記主電圧源と前記主ロー電圧源との間に流れる電流により発光される有機発光ダイオード０２、
　第一端部と第二端部とを有するキャパシタＣ２、
　走査信号Ｓｃａｎを送る走査線ＳＬ、
　前記走査線ＳＬと交差して、データ信号Ｄａｔａが送られるデータ線ＤＬ、
　走査信号Ｓｃａｎが有効になるとオンになり、前記基準電圧Ｖｒｅｆが前記第二端部に入力された後、走査信号Ｓｃａｎが有効でなくなるとオフになる、第二スイッチＱ２、
　走査信号Ｓｃａｎが有効になるとオンになり、前記データ信号Ｄａｔａが前記第一端部に入力された後、走査信号Ｓｃａｎが有効でなくなるとオフになる、第一スイッチＱ１、
　前記データ信号Ｄａｔａにより、前記有機発光ダイオード０２に電流を流すトランジスタＱ４、及び
　走査信号Ｓｃａｎが有効になるとオフになり、走査信号Ｓｃａｎが有効でなくなるとオンされ、前記主電圧Ｖｄｄを前記第二端部に入力する第三スイッチＱ３を備え、
　前記有機発光ダイオード０２は、前記トランジスタＱ４と前記主ロー電圧源との間に接続され、
　前記トランジスタＱ４は、ＰＭＯＳトランジスタからなり、
　前記第三スイッチＱ３はＰＭＯＳトランジスタからなり、
　前記第二スイッチＱ２は、前記走査線ＳＬに接続されたゲート、前記基準電圧源に接続されたドレン、及び前記第二端部に接続されたソースを含み、
　前記第一スイッチＱ１は、前記走査線ＳＬに接続されたゲート、前記データ線ＤＬに接続されたドレン、及び前記第一端部に接続されたソースを含み、
　前記トランジスタＱ４は、前記第一端部に接続されたゲート、前記主電圧源に接続されたソース、及び前記有機発光ダイオード０２の正極端部に接続されたドレンを含み、
　前記第三スイッチＱ３は、前記走査線ＳＬに接続されたゲート、前記主電圧源に接続されたソース、及び前記第二端部に接続されたドレンを含むことを特徴とする有機発光ダイオード表示素子。」（以下、「引用発明」という。）
　
　
５．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　まず、引用発明の「主電圧Ｖｄｄを供給する主電圧源」は、本願発明の「駆動電圧を発生する駆動電圧源」に相当する。また同様に、引用発明の「主ロー電圧Ｖｓｓを供給する主ロー電圧源」は、本願発明の「基底電圧を発生する基底電圧源」に相当し、引用発明の「基準電圧Ｖｒｅｆを発生する基準電圧源」は、本願発明の「基準電圧を発生する基準電圧源」に相当するので、引用発明における「前記主電圧源と前記主ロー電圧源との間に流れる電流により発光される有機発光ダイオード０２」は、本願発明の「前記駆動電圧源と前記基底電圧源との間に流れる電流により発光される有機発光ダイオード素子」に相当する。
　さらに、引用発明の「第一端部と第二端部とを有するキャパシタＣ２」は、本願発明の「第１ノードと第２ノードとの間に接続されたキャパシタ」に相当する。
　次に、引用発明における「走査信号Ｓｃａｎを送る走査線ＳＬ」と、本願発明の「所定の時間差を置いて、第１スキャン信号と第２スキャン信号とが供給される第１スキャンライン」とは、いずれも「第１スキャン信号が供給される第１スキャンライン」である点で共通し、また引用発明の「前記走査線ＳＬと交差して、データ信号Ｄａｔａが送られるデータ線ＤＬ」と、本願発明の「前記第１及び前記第２スキャンラインと交差して、データ電圧とリセット電圧が供給されるデータライン」とは、いずれも「前記第１スキャンラインと交差して、データ電圧が供給されるデータライン」である点で共通し、引用発明の「走査信号Ｓｃａｎが有効になるとオンになり、前記基準電圧Ｖｒｅｆが前記第二端部に入力された後、走査信号Ｓｃａｎが有効でなくなるとオフになる、第二スイッチＱ２」と、本願発明の「第１期間内に前記第１スキャン信号によりターンオンされ、前記基準電圧を前記第２ノードに供給した後、第２期間の間にターンオフされ、前記第２期間以後の第３期間内に前記第２スキャン信号によりターンオンされ、前記基準電圧を前記第２ノードに供給する第１ａスイッチ素子」とは、いずれも「第１期間内に前記第１スキャン信号によりターンオンされ、前記基準電圧を前記第２ノードに供給した後、第２期間の間にターンオフされる第１ａスイッチ素子」である点で共通し、また同様に、引用発明の「走査信号Ｓｃａｎが有効になるとオンになり、前記データ信号Ｄａｔａが前記第一端部に入力された後、走査信号Ｓｃａｎが有効でなくなるとオフになる、第一スイッチＱ１」と、本願発明の「前記第１期間内に前記第１スキャン信号によりターンオンされ、前記データ電圧を前記第１ノードに供給した後、前記第２期間の間にターンオフされ、前記第３期間内に前記第２スキャン信号によりターンオンされ、前記リセット電圧を前記第１ノードに供給する第１ｂスイッチ素子」とは、いずれも「前記第１期間内に前記第１スキャン信号によりターンオンされ、前記データ電圧を前記第１ノードに供給した後、前記第２期間の間にターンオフされる第１ｂスイッチ素子」である点で共通し、引用発明の「前記データ信号Ｄａｔａにより、前記有機発光ダイオード０２に電流を流すトランジスタＱ４」と、本願発明の「前記第１ノードに供給された前記データ電圧により、前記有機発光ダイオード素子に電流を流し、前記第１ノードに供給された前記リセット電圧によりターンオフされる駆動素子」とは、いずれも「前記第１ノードに供給された前記データ電圧により、前記有機発光ダイオード素子に電流を流す駆動素子」である点で共通し、引用発明の「走査信号Ｓｃａｎが有効になるとオフになり、走査信号Ｓｃａｎが有効でなくなるとオンされ、前記主電圧Ｖｄｄを前記第二端部に入力する第三スイッチＱ３」と、本願発明の「前記第１期間の間に前記第３スキャン信号によりターンオフされた後、前記第２期間内にターンオンされ、前記駆動電圧を前記第２ノードに供給し、前記第３期間の間に前記第４スキャン信号によりターンオフされる第２スイッチ素子」とは、いずれも「前記第１期間の間にスキャン信号によりターンオフされた後、前記第２期間内にターンオンされ、前記駆動電圧を前記第２ノードに供給する第２スイッチ素子」である点で共通する。
　引用発明の「前記有機発光ダイオード０２は、前記トランジスタＱ４と前記主ロー電圧源との間に接続され」る点は、本願発明の「前記有機発光ダイオード素子は、前記駆動素子と前記基底電圧源との間に接続され」る点に相当する。
　引用発明の「前記トランジスタＱ４は、ＰＭＯＳトランジスタからなり、前記第三スイッチＱ３はＰＭＯＳトランジスタからな」る点と、本願発明の「前記駆動素子は、非晶質シリコンとポリシリコンのうち、何れか一つを含む半導体層を有するＰタイプのＭＯＳ−ＦＥＴからなり、前記スイッチ素子は、非晶質シリコンとポリシリコンのうち、何れか一つを含む半導体層を有するＰタイプのＭＯＳ−ＦＥＴからな」る点とは、いずれも「前記駆動素子は、ＰタイプのＭＯＳトランジスタからなり、前記第２スイッチ素子は、ＰタイプのＭＯＳトランジスタからな」る点で共通する。
　引用発明の「前記第二スイッチＱ２は、前記走査線ＳＬに接続されたゲート、前記基準電圧源に接続されたドレン、及び前記第二端部に接続されたソースを含み、前記第一スイッチＱ１は、前記走査線ＳＬに接続されたゲート、前記データ線ＤＬに接続されたドレン、及び前記第一端部に接続されたソースを含み、前記トランジスタＱ４は、前記第一端部に接続されたゲート、前記主電圧源に接続されたソース、及び前記有機発光ダイオード０２の正極端部に接続されたドレンを含」む点は、本願発明の「前記第１ａスイッチ素子は、前記第１スキャンラインに接続されたゲート電極、前記基準電圧源に接続されたソース電極、及び前記第２ノードに接続されたドレイン電極を含み、前記第１ｂスイッチ素子は、前記第１スキャンラインに接続されたゲート電極、前記データラインに接続されたソース電極、及び前記第１ノードに接続されたドレイン電極を含み、前記駆動素子は、前記第１ノードに接続されたゲート電極、前記駆動電圧源に接続されたソース電極、及び前記有機発光ダイオード素子のアノード電極に接続されたドレイン電極を含」む点に相当する。
　引用発明の「前記第三スイッチＱ３は、前記走査線ＳＬに接続されたゲート、前記主電圧源に接続されたソース、及び前記第二端部に接続されたドレンを含むことを特徴とする有機発光ダイオード表示素子」と、本願発明の「前記第２スイッチ素子は、前記第２スキャンラインに接続されたゲート電極、前記駆動電圧源に接続されたソース電極、及び前記第２ノードに接続されたドレイン電極を含」とは、いずれも「前記第２スイッチ素子は、スキャンラインに接続されたゲート電極、前記駆動電圧源に接続されたソース電極、及び前記第２ノードに接続されたドレイン電極を含」む点で共通する。
　
　してみると、両者の一致点、相違点は次のとおりである。
　
（一致点）
「駆動電圧を発生する駆動電圧源、
　基底電圧を発生する基底電圧源、
　基準電圧を発生する基準電圧源、
　前記駆動電圧源と前記基底電圧源との間に流れる電流により発光される有機発光ダイオード素子、
　第１ノードと第２ノードとの間に接続されたキャパシタ、
　第１スキャン信号が供給される第１スキャンライン、
　前記第１スキャンラインと交差して、データ電圧が供給されるデータライン、
　第１期間内に前記第１スキャン信号によりターンオンされ、前記基準電圧を前記第２ノードに供給した後、第２期間の間にターンオフされる第１ａスイッチ素子、
　前記第１期間内に前記第１スキャン信号によりターンオンされ、前記データ電圧を前記第１ノードに供給した後、前記第２期間の間にターンオフされる第１ｂスイッチ素子、
　前記第１ノードに供給された前記データ電圧により、前記有機発光ダイオード素子に電流を流す駆動素子、及び
　前記第１期間の間にスキャン信号によりターンオフされた後、前記第２期間内にターンオンされ、前記駆動電圧を前記第２ノードに供給する第２スイッチ素子を備え、
　前記有機発光ダイオード素子は、前記駆動素子と前記基底電圧源との間に接続され、
　前記駆動素子は、ＰタイプのＭＯＳトランジスタからなり、
　前記第２スイッチ素子は、ＰタイプのＭＯＳトランジスタからなり、
　前記第１ａスイッチ素子は、前記第１スキャンラインに接続されたゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、
　前記第１ｂスイッチ素子は、前記第１スキャンラインに接続されたゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、
　前記駆動素子は、前記第１ノードに接続されたゲート電極、前記駆動電圧源に接続されたソース電極、及び前記有機発光ダイオード素子のアノード電極に接続されたドレイン電極を含み、
　前記第２スイッチ素子は、スキャンラインに接続されたゲート電極、前記駆動電圧源に接続されたソース電極、及び前記第２ノードに接続されたドレイン電極を含むことを特徴とする有機発光ダイオード表示素子。」
　
（相違点）
相違点１：本願発明においては、第１スキャンライン及び第２スキャンラインの２つのスキャンラインが設けられ、互いに逆位相の信号が供給されるのに対し、引用発明は単一の走査線ＳＬが設けられている点。
　
相違点２：本願発明においては、「前記有機発光ダイオード素子に電流が流れないように前記駆動素子をターンオフさせるためブラックデータ対応電圧である」リセット電圧が供給されているのに対し、引用発明では供給されておらず、また本願発明でリセット電圧供給のタイミングを取るために、第１及び第３スキャン信号と所定の時間差を置いて供給される、第２及び第４スキャン信号も、引用発明では供給されていない点。
　
相違点３：本願発明においては、駆動素子及び各スイッチ素子は「非晶質シリコンとポリシリコンのうち、何れか一つを含む半導体層を有するＰタイプのＭＯＳ−ＦＥＴ」からなるとされているのに対し、引用発明においては、トランジスタＱ４及び第三スイッチＱ３はＰＭＯＳトランジスタからなるものの、第一スイッチＱ１及び第二スイッチＱ２はそのようにされておらず、また、各々のソースとドレンに接続されるものも本願発明とは逆となっている点。
　
　
６．判断
　上記相違点１ないし３について検討する。
　
（１）相違点１及び３について：
　相違点１及び３は、互いに関連する事項であるから、併せて検討する。
　引用発明の各スイッチのように、同一のタイミングで複数のスイッチのオン、オフを逆に切り替えようとした際に、同一特性のスイッチを設け、逆位相の２つの信号を供給して切替を行うか、もしくは逆特性のスイッチを設け、１つの信号によって切替を行うかといったことは、その選択に伴って当然に発生する各スイッチへの接続状態の変更も含めて、具体的な回路設計の段階において当業者が適宜決定すべき設計事項にすぎない。また、表示装置の駆動回路に用いられるスイッチ素子として、「非晶質シリコンとポリシリコンのうち、何れか一つを含む半導体層を有するＰタイプのＭＯＳ−ＦＥＴ」は、例示するまでもなく周知なものであり、その採用も設計事項である。
　スキャンラインを２つ設けたことや、各スイッチ素子をＰタイプのＭＯＳ−ＦＥＴとしたこと等により、当業者の予想し得ない効果が生じているとも認められない。
　
（２）相違点２について：
　引用例２−４にもそれぞれ開示されているように、有機発光ダイオード表示素子の動画表示を改善するために、データラインへ、駆動素子をターンオフさせるブラックデータ対応電圧をフレーム毎に供給するようにした構成は周知（以下、「周知技術１」という。）である。
　引用発明の有機発光ダイオード表示装置においても、動画表示を改善するという課題が共通に存在することは明らかであるから、周知技術１を引用発明に適用することは当業者が容易になし得たものである。そして、引用発明においてリセット電圧をフレーム毎に供給する場合、表示のための走査信号と所定の時間差を置いて、別の走査信号（第２及び第４スキャン信号に相当。）を供給する必要があることも、当業者であれば明らかである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術１から当業者が予測可能なものであって、格別のものではない。
　
　したがって、本願発明は引用発明及び周知技術１に基づいて当業者が容易に発明し得たものである。
　
　
７．請求人の主張について
　審判請求人は、本件意見書において、概略、以下のように主張しているので、検討する。
　
（１）請求人の主張の概要
ア　引用例１に記載の発明においては、反転した（即ち、逆位相の）スキャン信号がピクセル回路に印加されない点で本願発明と異なる。
　
イ　引用例２ないし４に記載のピクセル回路を引用例１に記載のピクセル回路に組み合わせることはできない。
　
（２）検討
ア　上記主張アについて
　上記「６．判断（１）」において説示したように、同一のタイミングで複数のスイッチのオン、オフを逆に切り替えようとした際に、同一特性のスイッチを設け、逆位相の２つの信号を供給して切替を行うか、もしくは逆特性のスイッチを設け、１つの信号によって切替を行うかといったことは、具体的な回路設計の段階において当業者が適宜決定すべき設計事項にすぎない。
　
イ　上記主張イについて
　上記「６．判断（２）」において説示したように、課題の共通性を考慮すれば、周知技術１を引用発明に適用することは当業者が容易になし得たものである。
　以上のとおりであり、審判請求人の主張は採用できない。
  　
　
８．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は当審拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。