(57)【要約】【課題】水素への暴露によって伝送損失が増大する現象を抑制した光ファイバを提供する。【解決手段】光ファイバ１は、コア１１およびコアの外周に形成されたクラッド層１２を備え、クラッド層のＣｌ濃度が、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備え、
前記クラッド層のＣｌ濃度が、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下である、光ファイバ。
【請求項２】
水素暴露前の伝送損失の値をΔ１、水素暴露後の伝送損失の値をΔ２とするとき、波長４３０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０ｄＢ／ｋｍである、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
水素暴露前の伝送損失の値をΔ１、水素暴露後の伝送損失の値をΔ２とするとき、波長１５５０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０．００５ｄＢ／ｋｍである、請求項１または２に記載の光ファイバ。
【請求項４】
前記クラッド層のＯＨ基濃度が、１０ｐｐｍ以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項５】
コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備える光ファイバの製造方法であって、
前記クラッド層のＣｌ濃度が、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となるように前記クラッド層をＣｌ系ガスで脱水する、光ファイバの製造方法。
【請求項６】
前記クラッド層を、Ｃｌ系ガスおよびＦ系ガスの混合ガスによって脱水する、請求項５に記載の光ファイバの製造方法。
【請求項７】
コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備える光ファイバを製造するための光ファイバ母材であって、
前記クラッド層となるスートのＣｌ濃度が、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下である、光ファイバ母材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ、光ファイバの製造方法、および光ファイバ母材に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムに用いられる光ファイバでは、光信号を伝送可能な距離を長くするため、光信号雑音比（ＯＳＮＲ）を改善することが求められている。ＯＳＮＲを改善するためには、光ファイバの伝送損失を低減することが重要である。
光ファイバとしては、コアに二酸化ゲルマニウムをドープしたＧｅドープコアファイバが一般的に普及している。しかしながら、このような添加物を含まないシリカコアファイバは、Ｇｅドープコアファイバに比べてレイリー散乱を抑制できるため、伝送損失がより低くなることが期待される。このシリカコアファイバでは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の結合欠陥由来の光の吸収による伝送損失を低減することが重要となる。
【０００３】
一般的に、光ファイバでは、ＳｉＯ２の結合欠陥由来のＯＨ基が光を吸収することにより、光通信波長帯における伝送損失が増加する。また、光ファイバでは、光が主としてコア内を伝搬するため、伝送損失を小さく抑えるためには、コアを充分に脱水してＯＨ基を取り除く必要がある。そこで、下記特許文献１では、ＶＡＤ法によって体積したスートを焼結する際に、Ｃｌ２等のハロゲンガスを流し、Ｈ２等と反応させることでコアを脱水する手法を開示している。このような手法では、ガラス母材を形成する際に脱水が行われるため、光ファイバの初期の伝送損失を低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公昭５８−１３５０３号公報
【特許文献２】特開２００５−２０６４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明者らが鋭意検討した結果、コアが充分に脱水されており、初期の伝送損失が低い光ファイバであっても、クラッド層の脱水が不充分である場合には、この光ファイバが長期間Ｈ２に暴露されることで、光の伝送損失が増大してしまうことが明らかになった。
一方で、上記特許文献２には、クラッド層を脱水するために、このクラッド層にＦ（フッ素）を添加した後、ＳｉＣｌ４を用いて脱水する手法を開示している。しかしながら、この手法ではクラッド層にＣｌが大量に添加されてしまい、このＣｌによってクラッド層の屈折率が高くなってしまう。このため、コアとクラッドとの屈折率差を適切にするためには、クラッド層の屈折率を下げるために、クラッド層にＦを過剰に添加する必要が生じる。Ｃｌに比べて、Ｆはその濃度ゆらぎによってレイリー散乱を増大させる傾向が大きく、コア周辺のクラッド層に過剰にＦが存在することは、光ファイバの伝送損失の増大につながってしまう。また、Ｆを過剰に添加するための原材料費が増大してしまうこと等も考慮すると、上記特許文献２の手法には改善の余地があった。
【０００６】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、水素への暴露によって伝送損失が増大する現象を抑制した光ファイバを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１態様に係る光ファイバは、コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備え、前記クラッド層のＣｌ濃度が、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となっている。
【０００８】
上記態様に係る光ファイバによれば、クラッド層のＣｌ濃度が０．０２９ｗｔ％以上であることにより、水素暴露によって光ファイバの伝送損失が増大してしまうのを抑えることができる。これにより、光ファイバケーブル等によって光ファイバを敷設した後に、大気や水中に存在する水素に長期間光ファイバが晒されることで光ファイバの伝送損失が増大してしまうのを抑えることができる。
さらに、クラッド層のＣｌ濃度が０．０９８ｗｔ％以下であることにより、クラッド層に多量のＣｌが含まれて屈折率が増大するのを抑えるために、多量のフッ素などをクラッド層に含有させる必要が生じるのを回避することができる。
【０００９】
また、上記態様に係る光ファイバは、水素暴露前の伝送損失の値をΔ１、水素暴露後の伝送損失の値をΔ２とするとき、波長４３０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０ｄＢ／ｋｍであってもよい。
【００１０】
この場合、水素暴露によって伝送損失がかえって低減される波長帯を有するという、優れた作用効果を奏する光ファイバを得ることができる。
【００１１】
また、上記態様に係る光ファイバは、水素暴露前の伝送損失の値をΔ１、水素暴露後の伝送損失の値をΔ２とするとき、波長１５５０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０．００５ｄＢ／ｋｍであってもよい。
【００１２】
この場合、光通信に用いられる波長帯においても、水素暴露に起因する伝送損失の増大を抑えた光ファイバを得ることができる。
【００１３】
また、前記クラッド層のＯＨ基濃度が、１０ｐｐｍ以下であってもよい。
【００１４】
また、上記課題を解決するために、本発明の第２態様に係る光ファイバの製造方法は、コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備える光ファイバの製造方法であって、前記クラッド層のＣｌ濃度が、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となるように前記クラッド層をＣｌ系ガスで脱水する。
【００１５】
上記態様に係る光ファイバの製造方法では、前記クラッド層を、Ｃｌ系ガスおよびＦ系ガスの混合ガスによって脱水してもよい。
【００１６】
この場合、クラッド層への脱水処理およびＦ添加処理を同時に行うことができるため、光ファイバの製造時間を短縮することができる。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の第３態様に係る光ファイバ母材は、コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備える光ファイバを製造するための光ファイバ母材であって、前記クラッド層となるスートのＣｌ濃度が、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となっている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の上記態様によれば、水素への暴露によって伝送損失が増大する現象を抑制した光ファイバを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態に係る光ファイバの断面と、各層の屈折率分布とを示す概略図である。
【図２】変形例に係る光ファイバの断面と、各層の屈折率分布とを示す概略図である。
【図３】クラッド層のＣｌ濃度と、水素暴露前後の伝送損失の差と、の関係を示すグラフである。
【図４】光の波長と、水素暴露前後の伝送損失の差と、の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本実施形態にかかる光ファイバ、光ファイバの製造方法、および光ファイバ母材について説明する。
本実施形態の光ファイバは、例えば図１に示すようなＳｔｅｐ型の屈折率分布、若しくは図２に示すようなＷ型の屈折率分布を有する光ファイバ１である。なお、光ファイバ１の屈折率分布は図１または図２の例に限られない。
【００２１】
光ファイバ１は、コア１１およびその外周に形成されたクラッド層１２を備えている。光ファイバ１は、コア１１が二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）によって形成されており、ゲルマニウムなどの添加物が添加されていないシリカコアファイバである。なお、図１に示す光ファイバ１は単一のクラッド層１２を有しており、図２に示す光ファイバ１は内側クラッド層１２ａおよび外側クラッド層１２ｂの複数層からなるクラッド層１２を有している。
【００２２】
（光ファイバ母材の製造方法）
本実施形態の光ファイバ１を製造するための光ファイバ母材は、次のように製造することができる。
まず，ＶＡＤ法によってＳｉＯ２のコア１１となるスート（以下、コアスートという）を形成する。このとき、コア１１となる材料の粘度を調整するために、わずかにＳｉＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、およびＣＦ４等のＦ（フッ素）系のガスを用いて、この材料にＦを添加してもよい。あるいは、ＮａやＫ等のアルカリ金属を、コア１１となる材料に含有させてもよい。
【００２３】
次に、ＳＯＣｌ２やＣｌ２等のＣｌ系ガスを、コアスートの内部まで拡散・反応させることで脱水処理を行う。なお、粘度調整のためのＦやアルカリ金属は、ここでコアスートに添加してもよい。
次に、脱水処理を行ったコアスートを，Ｈｅ雰囲気下で加熱しガラス化させてコアガラスとする。このコアガラスには、０．２〜２．０ｗｔ％程度のＣｌが含有される程度に脱水処理することが望ましい。コアの屈折率分布の形状は，外周から内側に向かって高くなっても低くなってもよく，また段差があってもフラット（均一）であってもよい。
【００２４】
次に、上記コアガラスの外周に、外付け法によってクラッド層１２となるスート（以下、クラッドスートという）を形成する。外付け法では，コアガラスの外周に、クラッドスートを堆積させる「デポジション」を行う。このとき、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６等のエッチングガスにより、コアガラスの表面をエッチングし、残存する水分を除去した上で、デポジションを行うことが望ましい。なお、クラッドスートを形成するにあたって、スートを外付けしやすい外径とするため、コアガラスおよびクラッドスートの延伸を行ってもよい。また、クラッド層１２が所望の外径となるように、複数回の外付けを行ってもよい。
【００２５】
次に、ＳＯＣｌ２やＣｌ２等のＣｌ系ガスと、ＳｉＦ４等のＦ系のガスと、を混合させ、クラッドスートの内部までこの混合ガスを拡散・反応させる。これにより、クラッドスートの脱水処理およびＦ添加処理を同時に行うことができる。
【００２６】
次に、脱水処理およびＦ添加処理がなされたクラッドスートを、Ｆ系ガスの雰囲気下で加熱し、ガラス化させることで、クラッド層１２を形成する。この時、クラッド層１２には、その断面の分布を平均して０．０２９ｗｔ％以上のＣｌが含有される程度に脱水することが望ましい。
一方、クラッド層１２へのＣｌの添加が過剰であると、クラッド層１２でのレイリー散乱に起因して、光ファイバ１の伝送損失が増大してしまうことが考えられる。これに加えて、クラッド層１２へのＣｌの添加が過剰であると、コア１１とクラッド層１２との粘度差や屈折率分布の調整が難しくなる。このため、クラッド層１２には、その断面の分布を平均して、０．０９８ｗｔ％以下のＣｌが含有される程度に脱水することが望ましい。
【００２７】
すなわち、クラッド層１２に含有されるＣｌの濃度は、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下であることが望ましい。なお、クラッド層１２に含有されるＣｌの濃度は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）などによって測定することができる。
【００２８】
なお、形成されたクラッド層１２の屈折率分布の形状およびＣｌの濃度分布は、外周から内側に向かうに従って高くなっても低くなってもよく、また段差があってもフラット（均一）であってもよい。また、所望の屈折率分布の形状およびＣｌの濃度分布を得るために、複数のクラッド層１２を形成してもよい。ただし、複数のクラッド層１２を形成するためには、外付け法によるクラッド形成を複数回行うことになるため、用途に適った光学特性が得られるようであれば、少ない外付け回数で実現可能なＳｔｅｐ型（図１）若しくはＷ型（図２）の屈折率分布とすることが望ましい。
【００２９】
以上のようにしてクラッド層１２を形成することで、光ファイバ母材が得られる。
（光ファイバの製造方法）
また、このようにして得られた光ファイバ母材を溶融させて線引きすることで、光ファイバ１を製造することができる。
【実施例】
【００３０】
以下、具体的な実施例を用いて、上記実施形態を説明する。なお、以下の実施例は本発明を限定するものではない。
【００３１】
図３は、クラッド層に含有されるＣｌの濃度と，水素暴露によって増大する光ファイバの伝送損失と、の関係を示したグラフである。図３の横軸はクラッド層のＣｌ濃度（ｗｔ％）を示している。図３の縦軸は、Ｈ２濃度１００％、室温、１５時間、の条件で光ファイバを水素中に暴露した場合の、この暴露後の光ファイバの伝送損失の値Δ２から暴露前の光ファイバの伝送損失の値Δ１を引いたもの（以下、ΔＬｏｓｓと記す）である。つまり、ΔＬｏｓｓ＝Δ２−Δ１である。なお、伝送損失の測定波長は１５５０ｎｍとしており、伝送損失はＯＴＤＲによって測定している。すなわち、図３のデータは、伝送損失の測定波長を固定した上で、クラッド層のＣｌ濃度を変化させている。
【００３２】
図３より、波長１５５０ｎｍにおいては、光ファイバを水素中に暴露すると、光ファイバの伝送損失が増大してしまうことがわかる。さらに、クラッド層のＣｌ濃度が高いほど、１５５０ｎｍにおけるΔＬｏｓｓは小さくなり、０．０２９ｗｔ％以上で、ΔＬｏｓｓが０．００５ｄＢ／ｋｍ以下となることがわかる。つまり、波長１５５０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０．００５ｄＢ／ｋｍとなっている。
【００３３】
ここで、本実施例では、加速試験として高濃度のＨ２に光ファイバを暴露したため、光ファイバの伝送損失が短時間で顕著に増大した。一方、Ｈ２は大気または水中などの自然環境下にも存在するものであるため、自然環境下に光ファイバを長期間置くことで、同様の現象が発生すると考えられる。つまり、この現象が発生すると、光ファイバを通信ケーブルとして敷設後，時間の経過に伴って伝送損失が増大していってしまう。
【００３４】
このように、光ファイバが水素に暴露されることによって、光ファイバの伝送損失が増大してしまうメカニズムについて、以下に考察する。
【００３５】
図４は、クラッド層の脱水処理を行っていない光ファイバ（Ｃｌ０．０２７ｗｔ％）と、クラッド層の脱水処理を行った光ファイバ（Ｃｌ０．０２９ｗｔ％）と、の２種類の光ファイバのデータを示している。図４に示すグラフの横軸は伝送損失の測定波長であり、縦軸はΔＬｏｓｓを示している。すなわち、図４のデータは、クラッド層のＣｌ濃度を固定した上で、伝送損失の測定波長を変化させている。
【００３６】
図４に示すように、クラッド層を脱水処理していないもの（Ｃｌ０．０２７ｗｔ％）では，４３０ｎｍ〜４５０ｎｍ付近をピークとする伝送損失の増加が見られる。ΔＬｏｓｓの値は、４５０ｎｍ付近から測定波長が大きくなるに従って小さくなっているが、このスペクトルの裾は１５５０ｎｍ付近（不図示）にも達している。つまり、この４３０ｎｍ〜４５０ｎｍをピークとする伝送損失の増大は、光通信に利用される１５５０ｎｍ付近の波長における伝送損失の増加をもたらしている。
【００３７】
このような４３０ｎｍ〜４５０ｎｍ付近をピークとする伝送損失の増大は、クラッド層を脱水処理していないことに起因すると考えられる。クラッド層を脱水処理しない場合、クラッド層に存在する多くのＯＨ基が介在することで、コアとクラッドとの界面において、４３０ｎｍ〜４５０ｎｍ付近の光を吸収する作用をもつ、ＳｉＯ２の結合状態の欠陥を発現させる。この欠陥により、測定波長４３０ｎｍ〜４５０ｎｍ付近における伝送損失が増大したものと考えられる。
【００３８】
一方、クラッド層に脱水処理を施したもの（Ｃｌ０．０２９ｗｔ％）では，特に測定波長が６５０ｎｍ以下の領域において、ΔＬｏｓｓの値がマイナスになっている。ΔＬｏｓｓの値がマイナスであることは、光ファイバを水素に暴露することによって、伝送損失が低減することを意味している。
【００３９】
このように伝送損失が低減するのは、ＳｉＯ２のＥ’センター等の、紫外域に存在する酸素欠乏型欠陥と水素とが反応し、この欠陥の終端に−Ｈが配置されて、吸光度の低いＳｉ−Ｈ構造が発現するためであると考えられる。すなわち、このように吸光度の低いＳｉ−Ｈ構造の発現によって、水素暴露前と比較して、光の吸収量が小さくなり伝送損失が低減されたものと考えられる。
以上のことから、クラッド層を脱水処理することで、水素暴露による伝送損失の増大を抑制することができる。
【００４０】
ところで、Ｃｌ系ガスによるクラッド層の脱水処理が過剰であると、クラッド層に含まれるＣｌによってクラッド層の屈折率が増大してしまうが、クラッド層の屈折率はコアの屈折率よりも所定量だけ低くする必要がある。一方、クラッド層の屈折率を低下させるためにＦを添加すると、レイリー散乱が増大してしまい、伝送損失を悪化させる要因となってしまう。従って、クラッド層のＣｌ濃度には、好ましい範囲があることとなる。以下、クラッド層のＣｌ濃度の好ましい範囲などについて検証した結果を、下記表１を用いて説明する。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
表１は、複数の条件（比較例１〜４および実施例１〜９）で光ファイバを作成し、クラッド層に含まれるＣｌ濃度と伝送損失の関係などについて検証した結果を示す。
表１の「クラッドＣｌ濃度」は、クラッド層に含まれるＣｌ濃度の平均値を、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）によって測定した結果を示している。
表１の「クラッドＯＨ基濃度」は、クラッド層に含まれるＯＨ基の濃度を、ＦＴ−ＩＲによって測定した結果を示している。なお、今回用いたＦＴ−ＩＲによるＯＨ基の濃度の検出下限値は１０ｐｐｍである。
表１の「伝送損失」は、水素暴露を行う前、すなわち初期状態における各光ファイバの伝送損失（波長１５５０ｎｍ）を、ＯＴＤＲによって測定した結果を示している。
表１の「伝送損失増分（ΔＬｏｓｓ）」は、Ｈ２濃度１００％、室温（２５〜２７℃）、１５時間、の条件で各光ファイバに対して水素暴露を行った結果、増大した伝送損失（波長１５５０ｎｍ）の値を示している。
【００４３】
表１に示すデータは、上からクラッドＣｌ濃度が小さい順番に配列されている。つまり、表１の上側に記載されているデータはクラッド層が弱く脱水処理されており、表１の下側に記載されているデータはクラッド層が強く脱水処理されている。
【００４４】
ここで、表１の「ΔＬｏｓｓ」の値に着目すると、クラッドＣｌ濃度が０．０２６〜０．０２７ｗｔ％のデータ（比較例１〜３）と、クラッドＣｌ濃度が０．０２９ｗｔ％以上のデータ（実施例１〜９）と、では差があることがわかる。すなわち、クラッド濃度０．０２９ｗｔ％以上のデータについては、ΔＬｏｓｓが０．００５ｄＢ／ｋｍ以下に抑えられているが、クラッド濃度０．０２７ｗｔ％以下のデータについては、ΔＬｏｓｓが０．０６５ｄＢ／ｋｍ以上と比較的大きくなっている。このことから、クラッドＣｌ濃度は０．０２９ｗｔ％以上とすることが望ましいといえる。
【００４５】
次に、表１の「伝送損失」の値に着目すると、クラッドＣｌ濃度が０．０９８ｗｔ％以下のデータ（実施例１〜９）では０．１７０ｄＢ／ｋｍ以下に抑えられているが、クラッドＣｌ濃度が０．１１２ｗｔ％のデータ（比較例４）では０．１７４ｄＢ／ｋｍとなっている。比較例４については、クラッド層に過剰にＣｌが添加された結果、クラッド層の屈折率を低下させるためにＦを多く添加させる必要が生じ、このＦによるレイリー散乱によって、初期状態の伝送損失が増大したものと考えられる。このことから、クラッドＣｌ濃度は０．０９８ｗｔ％以下とすることが望ましいといえる。
【００４６】
以上の考察を総合すると、クラッド層のＣｌ濃度は、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下とすることが望ましい。これにより、光ファイバの初期の伝送損失を小さく抑えつつ、水素に対する暴露によって光ファイバの伝送損失が増大してしまうのを抑えることができる。
【００４７】
また、クラッド層のＣｌ濃度が０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下である場合には、波長４３０ｎｍにおいて、水素暴露後の伝送損失の値Δ２と、水素暴露前の伝送損失の値Δ１と、の差（ΔＬｏｓｓ）が０ｄＢ／ｋｍ以下となる（図４参照）。つまり、波長４３０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０ｄＢ／ｋｍとなる。これにより、水素暴露によって伝送損失がかえって低減される波長帯を有するという優れた作用効果を奏する光ファイバを得ることができる。
【００４８】
また、クラッド層のＣｌ濃度が０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下である場合には、波長１５５０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０．００５ｄＢ／ｋｍとなる（図３参照）。これにより、光通信に用いられる波長帯においても、水素暴露に起因する伝送損失の増大を抑えた光ファイバを得ることができる。
【００４９】
また、クラッド層１２を、Ｃｌ系ガスおよびＦ系ガスの混合ガスによって脱水することで、クラッド層１２への脱水処理およびＦ添加処理を同時に行うことができるため、光ファイバ１の製造時間を短縮しつつ、前記したような優れた作用効果を奏する光ファイバ１を製造することができる。
【００５０】
なお、表１に示すように、実施例１〜９および比較例１〜４のクラッドＯＨ基濃度は、いずれも１０ｐｐｍ（ＦＴ−ＩＲによる検出下限値）以下となった。
【００５１】
なお、本発明の技術的範囲は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１…光ファイバ  １１…コア  １２…クラッド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年8月22日(2018.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備え、
前記クラッド層のＣｌ濃度が、前記クラッド層の断面の分布を平均して、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下である、光ファイバ。
【請求項２】
前記クラッド層にＦが添加されている、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
水素暴露前の伝送損失の値をΔ１、水素暴露後の伝送損失の値をΔ２とするとき、波長４３０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０ｄＢ／ｋｍである、請求項１または２に記載の光ファイバ。
【請求項４】
水素暴露前の伝送損失の値をΔ１、水素暴露後の伝送損失の値をΔ２とするとき、波長１５５０ｎｍにおいて、Δ２−Δ１≦０．００５ｄＢ／ｋｍである、請求項１から３のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項５】
前記クラッド層のＯＨ基濃度が、１０ｐｐｍ以下である、請求項１から４のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項６】
コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備える光ファイバの製造方法であって、
前記クラッド層のＣｌ濃度が、前記クラッド層の断面の分布を平均して、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となるように前記クラッド層をＣｌ系ガスで脱水する、光ファイバの製造方法。
【請求項７】
前記クラッド層を、Ｃｌ系ガスおよびＦ系ガスの混合ガスによって脱水する、請求項６に記載の光ファイバの製造方法。
【請求項８】
コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備える光ファイバを製造するための光ファイバ母材であって、
前記クラッド層となるスートのＣｌ濃度が、前記クラッド層の断面の分布を平均して、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下である、光ファイバ母材。
【請求項９】
前記クラッド層となるスートにＦが添加されている、請求項８に記載の光ファイバ母材。