【事件の表示】
　平成　２年特許願第　６９９７９号「位相シフトマスクの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年１２月　２日出願公開、特開平　３−２６９５３１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年３月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの、
「露光光に対する透明部分と、露光光を遮光する遮光部とを備え、上記透明部分が露光光を透過する光透過部と、該光透過部を透過した光とは位相を異ならせて露光光を透過させる位相シフト部とを有し、該位相シフト部は、透明基板を部分的にその厚みを変えることにより互いに位相の異なるように光を透過する部分を得ることにより形成したものであるとともに、上記透明部分は、上記遮光部に挟まれて、または囲われてなる位相シフトマスクの製造方法において、遮光体に開口部を設けて遮光体パターンを形成し、その後、フォトレジストをマスクとして上記遮光体パターンをサイドエッチングして上記遮光部を形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。」にあるものと認める。
　
２．先願発明
　これに対して、前置審査における拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された、特願平１−２６２１５７号（特開平３−１２５１５０号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）「基板上に、所定の膜厚の透明膜、不透明膜、レジスト膜を積層する工程、該レジスト膜を所定のレジストパタンとする工程、該レジストパタンをマスクとして上記不透明膜をエッチングする工程、該不透明膜の除去された部分に露出した上記透明膜をエッチングする工程、上記不透明膜の輪郭に沿って所定の幅に上記透明膜が露出するように上記不透明膜の輪郭部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項２記載のマスク作製方法。」（請求項８）
（２）「基板上に、不透明膜、レジスト膜を積層する工程、該レジスト膜を所定のレジストパタンとする工程、該レジストパタンをマスクとして上記不透明膜をエッチングする工程、該不透明膜の除去された部分に露出した上記基板を所定の深さだけエッチングする工程、上記不透明膜の輪郭に沿って所定の幅に上記基板のエッチングされない部分が露出するように上記不透明膜の輪郭部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項２記載のマスク作製方法。」（請求項９）
（３）「本発明は、半導体素子、超伝導体素子、磁性体素子、光ＩＣ、等の各種固体素子の微細パタン形成に用いられる投影露光法用マスク及びその作製方法に関する。」（公報第２頁左下欄第３〜６行）
（４）「第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、ラインアンドスペースパタンの不透明領域の両側に微小幅の位相シフタを設けた場合のマスクの断面、・・を示したものである。・・第２図と第３図の比較から、マスクの透過領域と不透明領域の境界に微小幅の位相シフタを設けることにより、ラインアンドスペースパタンにおいてよりコントラストの高い良好な光学像が得られることが分かる。・・以上の効果は全て第１図同様透過領域を透過した光の位相と位相シフタを透過した光の位相が、両者の境界部で互いにほぼ１８０度ずれることにより打ち消し合い光強度が格段に弱められることに起因する。」（公報第４頁右上欄第６行〜同右下欄第１４行）
（５）「実施例　１　ＮＡ＝０．４２の投影光学系を有する縮小率１０：１のｉ線（波長３６５ｎｍ）縮小投影露光装置を用いて、第２図に示したようなラインアンドスペースパタンの転写を行った。・・次に第７図を用いて本実施例によるマスク作製プロセスを示す。まず、合成石英基板１上に順に、窒化シリコン膜２を１００ｎｍの厚みに、酸化シリコン膜３を４２０ｎｍの厚みに、クロム膜４を８０ｎｍの厚みに、いずれも蒸着により積層した（第７図ａ）。ここで、窒化シリコン膜２、酸化シリコン膜３、クロム膜４は、各々、位相シフタのエッチングにおけるストッパ膜、位相シフタ膜、不透明膜として用いるものである。・・描画及び所定のレジスト現像処理を行ないレジストパタンを形成した後、これをマスクとして所定のエッチング液を用いてクロム膜４の湿式エッチングを行なった。しかる後に、さらに、上記レジストを除去して、所定のクロムパタン５を得た（第７図ｂ）。・・ここで、上記クロムパタン５を形成した後、クロムパタン又はクロムパタンを形成する際に用いたレジストパタンをマスクとして酸化シリコン膜３を異方性ドライエッチングにより除去し、しかる後にクロム膜を若干量等方的にエッチングすることにより酸化シリコン膜３をクロムパタン５の輪郭部に露出させてもよい。なお、この方法を行なう場合、上記クロムパタンを形成する際にマスクとして用いたレジスト膜は、クロム膜を等方的エッチングするまで除去しない方が好ましい。・・また、透明膜を用いずに、合成石英基板を所定の深さだけエッチングすることにより位相シフタを形成してもよい。」（公報第４頁右下欄第１７行〜第５頁右下欄第１８行）
（６）「実施例　５　ＮＡ＝０．３５の投影光学系を有するＫｒＦエキシマレーザステッパ（波長２４８ｎｍ）を用いて、第１１図に示すような孤立配線パタンの転写を行なった。第１０図を用いてこのマスク作製プロセスを説明する。まず、合成石英基板１上に順に、クロム膜４を厚さ８０ｎｍ積層したものを用意した（第１０図（ａ））ここで、クロム膜４は不透明膜として用いるものである。・・描画の後、所定のレジスト現像処理を行ないレジストパタン８を形成した。しかる後、上記レジストパタン８をマスクとして、混酸を用いて上記クロム膜の湿式エッチングを行なった（第１０図（ｂ））。次に、沸化水素酸を沸化アンモニウムで６０倍に希釈したエッチング液を用いて、合成石英基板の湿式エッチングを行ない、レジストパタン８とクロムパタン５と合成石英基板１の３層からなるパタン２２を形成した（第１０図（ｃ））。本実施例では、合成石英基板を位相シフタとして用いるため、合成石英基板のエッチング深さは、実施例１で述べた式においてλ＝２４８ｎｍ、ｎ＝１．４８より、２６０ｎｍとした。・・次に、再度、混酸を用いてクロム膜の湿式エッチングを行った（第１０図（ｄ））。ここで、クロムパタン５の輪郭部に、幅０．５μｍに上記パタン化された合成石英基板を露出させるために、クロム膜のエッチング速度２５ｎｍ／秒より約２０秒間エッチングを行なった。しかる後、上記レジストパタン８を除去し、所望の位相シフトマスクを得た（第１０図（ｅ））。」（公報第７頁右下欄第１５行〜第８頁右上欄第１２行）
（７）第２図（ａ）には、ラインアンドスペースパタンのマスクの断面が、第７図には、実施例１の、ラインアンドスペースパタンの作製方法が、第１０図には、実施例５の、孤立配線パタンの作製方法が記載されている。
　ここで、上記記載事項（５）の「上記クロムパタン５を形成した後、クロムパタン又はクロムパタンを形成する際に用いたレジストパタンをマスクとして酸化シリコン膜３を異方性ドライエッチングにより除去し、しかる後にクロム膜を若干量等方的にエッチングすることにより酸化シリコン膜３をクロムパタン５の輪郭部に露出させてもよい。なお、この方法を行なう場合、上記クロムパタンを形成する際にマスクとして用いたレジスト膜は、クロム膜を等方的エッチングするまで除去しない方が好ましい。・・また、透明膜を用いずに、合成石英基板を所定の深さだけエッチングすることにより位相シフタを形成してもよい。」という記載について、「なお、この方法を行なう場合、上記クロムパタンを形成する際にマスクとして用いたレジスト膜は、クロム膜を等方的エッチングするまで除去しない方が好ましい。」という記載は、「クロム膜を若干量等方的にエッチングする」際にも、レジスト膜を残して、つまり、レジスト膜をマスクとして、クロム膜を等方的にエッチングする構成を示唆しているものと認められる。また、「透明膜を用いずに、合成石英基板を所定の深さだけエッチングすることにより位相シフタを形成してもよい。」という記載は、位相シフタ層としての透明膜を部分的に除去することにより位相シフタを形成する構成に代えて、透明膜を用いずに、合成石英基板を所定の深さだけエッチングすることにより位相シフタを形成する構成とすることを示唆しているものと認められる。すると、上記記載事項（５）は、クロムパタン５を形成した後、クロムパタンを形成する際に用いたレジストパタンをマスクとして合成石英基板を所定の深さだけエッチングし、しかる後にクロムパタンを形成する際に用いたレジストパタンをマスクとしてクロム膜を若干量等方的にエッチングすることにより合成石英基板をクロムパタン５の輪郭部に露出させる構成（構成Ａ）を示していると認められる。（なお、上記記載事項（６）には、ラインアンドスペースパタンではなく、孤立配線パタンの作製方法ではあるが、構成Ａと同様の構成が明確に記載されている。）
　また、上記記載事項（２）の「透過領域」、「位相シフタ」は、他の記載事項からみて、ともに、光を透過する透明領域であることは明かであり、さらに、第２図（ａ）、第７図（ｆ）からみて、この「透過領域」と「位相シフタ」とからなる透明領域と不透明領域とが、交互に繰り返して配置されている、すなわち、透明領域が不透明領域に挟まれていることも、また明かである。
　してみると、以上の記載事項から、先願明細書には、
「透明領域と、不透明領域とを備え、透明領域が透過領域と、透過領域を透過した光とは位相をほぼ１８０度ずらせる位相シフタとを有し、位相シフタは、合成石英基板を所定の深さだけエッチングすることにより位相をほぼ１８０度ずらせるように形成したものであるとともに、透明領域は、不透明領域に挟まれてなるマスクの作製方法において、クロム膜をエッチングしてクロムパタンを形成し、その後、レジストパタンをマスクとしてクロムパタンを等方的にエッチングして不透明領域を形成するマスクの作製方法。」という発明（以下、先願発明という）が記載されていると認められる。
　
３．対比・判断
　先願発明の「透明領域」、「不透明領域」、「透過領域」、「位相シフタ」、「合成石英基板」、「マスクの作製方法」、「クロム膜」、「クロムパタン」、「レジストパタン」は、それぞれ、本願発明の「露光光に対する透明部分」、「露光光を遮光する遮光部」、「露光光を透過する光透過部」、「位相シフト部」、「透明基板」、「位相シフトマスクの製造方法」、「遮光体」、「遮光体パターン」、「フォトレジスト」に相当する。
　また、先願発明の「位相をほぼ１８０度ずらせる」は、本願発明の「位相を異ならせる」および「互いに位相の異なる」と同義であり、また、先願発明の「合成石英基板を所定の深さだけエッチングすること」は、本願発明の「透明基板を部分的にその厚みを変えること」と同義であることは、当業者には明かであるから、先願発明の「透過領域を透過した光とは位相をほぼ１８０度ずらせる位相シフタ」、「合成石英基板を所定の深さだけエッチングすることにより位相をほぼ１８０度ずらせるように形成したものである」は、それぞれ、本願発明の「該光透過部を透過した光とは位相を異ならせて露光光を透過させる位相シフト部」、「透明基板を部分的にその厚みを変えることにより互いに位相の異なるように光を透過する部分を得ることにより形成したものである」と、実質的に同一であるということができる。
　これらのことから、本願発明と先願発明とを対比すると、両者に実質的な相違点は認められない。
　したがって、本願発明と先願発明は実質的に同一である。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記先願発明と同一であり、しかも、本願の発明者が先願発明をした者と同一ではなく、また本願の出願時において、本願の出願人が先願の出願人と同一でもないから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。