【事件の表示】
　特許第３２２９３０９号「インタフエース変成器用磁心」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２９３０９号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
本件特許第３２２９３０９号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平２−４３７９号）　　　　　　平成　２年　１月１１日
（優先権主張：平成　１年　１月１４日、ドイツ）
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　９月　７日
　特許異議申立（特許異議申立人：高柳　馨）　　平成１４年　５月２０日
　取消理由通知（１）　　　　　　　　　　　　　平成１４年　８月２２日
　特許異議意見書（１）　　　　　　　　　　　　平成１５年　３月　３日
　取消理由通知（２）　　　　　　　　　　　　　平成１６年１０月　５日
　訂正請求書　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１６年１２月２０日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】２０kHzで２０mHを超えるインダクタンスLを有するディジタル伝送装置のインタフェース変成器用磁心において、上記インタフェース変成器用磁心は非晶質Ｃｏベース合金が用いられ、磁心はＣｏの他に、主として合計３〜８原子％のＦｅとＭｎ及び２４〜２９原子％のメタロイド、及び場合によっては更に１５原子％以下のＮｉ及び１原子％以下のＭｏ及び／又はＣｒ及び／又はＮｂを含み、横磁界中の熱処理により、周波数２０kHzで測定した場合に２５０００を超え９５０００未満となる初透磁率を備えるようにしたことを特徴とするディジタル伝送装置のインタフェース変成器用磁心。」と訂正する。
　
　（２）　訂正事項ｂ
　平成１３年４月３日付け手続補正書により補正された明細書第７頁第１１〜１４行中の「横磁界中の熱処理により２５０００を超え９５０００未満の初透磁率を備えるようにする。」（特許公報第４欄第４０〜４１行）を
「横磁界中の熱処理により、周波数２０kHzで測定した場合に２５０００を超え９５０００未満となる初透磁率を備えるようにする。」と訂正する。
　
　（３）　訂正事項ｃ
　明細書第２２頁第１４行から第１５行（特許公報第１０欄第２２行）の「キャパスシタンス」を「キャパシタンス」と訂正する。
　
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）　訂正事項ａ
　訂正事項ａについては、特許請求の範囲の請求項１における「２５０００を超え９５０００未満の初透磁率」を「周波数２０kHzで測定した場合に２５０００を超え９５０００未満となる初透磁率」に限定することにより、初透磁率の測定周波数を明確にしたものであるから、特許請求の範囲の減縮又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ａについては、明細書第１３頁末尾２行以下に記載された実施例１において、同第１４頁第３〜４行に「２０ｋHｚの周波数の場合に測定された・・・初透磁率」と記載され、また、同第１８頁に記載された実施例４において、同第１８頁第９〜１０行に「初透磁率はここでも２０ｋHｚの周波数で測定された。」と記載されているように、本件特許発明における「２５０００を超え９５０００未満の初透磁率」は、「周波数２０ｋＨｚで測定した場合」の値であることが明らかであるから、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（２）　訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、特許請求の範囲の訂正に対応して、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（３）　訂正事項ｃ
　「キャパスシタンス」が「キャパシタンス」の誤記であることは明らかであるから、訂正事項ｃは、誤記の訂正を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立についての判断
　１　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１〜５に係る発明（以下、「本件発明１〜５」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】２０kHzで２０mHを超えるインダクタンスLを有するディジタル伝送装置のインタフェース変成器用磁心において、上記インタフェース変成器用磁心は非晶質Ｃｏベース合金が用いられ、磁心はＣｏの他に、主として合計３〜８原子％のＦｅとＭｎ及び２４〜２９原子％のメタロイド、及び場合によっては更に１５原子％以下のＮｉ及び１原子％以下のＭｏ及び／又はＣｒ及び／又はＮｂを含み、横磁界中の熱処理により、周波数２０kHzで測定した場合に２５０００を超え９５０００未満となる初透磁率を備えるようにしたことを特徴とするディジタル伝送装置のインタフェース変成器用磁心。
【請求項２】Ｃｏベース合金が次の組成
Ｃｏ残りＦｅａＭｎｂＮｉｃＴｄ（Ｓｉ１−ｘ（Ｂ，Ｃ）ｘ）ｚを有し、その際Ｔが元素Ｍｏ、Ｃｒ又はＮｂのうちの少なくとも１つであり、合金組成（原子％）に対して次の式が成立し、
３＜ａ＋ｂ＜８
ｃ＜１５
ｄ＜１
０．３＜ｘ＜０．７
１８＋１．４・ｌｏｇｅ＋ｆ＜ｚ＜１８＋１．７・ｌｏｇｅ＋ｆ
ここで
ｅ＝μ（１＋０．２５（ａ＋ｃ））
ｆ＝０．２５（ａ−ｂ）−０．２ｃ−ｄ＋３．２ｘ
残はＣｏ及び不純物であり、μは初透磁率であり、ｌｏｇｅはｅの常用対数であることを特徴とする請求項１記載の磁心。
【請求項３】Ｍｎの割合が０．５原子％を超える（ｂ＞０．５）ことを特徴とする請求項２記載の磁心。
【請求項４】磁心材料がＮｉを含まない（ｃ＝０）ことを特徴とする請求項２記載の磁心。
【請求項５】磁心材料がＭｏ、Ｃｒ又はＮｂを含まない（ｄ＝０）ことを特徴とする請求項２記載の磁心。」
　
　２　特許異議申立の理由及び取消理由通知の内容
　（１）　特許異議申立の理由
　特許異議申立人は、証拠として、
１．刊行物１（甲第１号証）：特開昭６２−６７８０４号公報
２．刊行物２（甲第２号証）：特公昭６２−４９３４９号公報
３．刊行物３（甲第３号証）：「岩波理化学辞典　第３版増補版」，1986年7月15日，[株式会社岩波書店発行],第649頁
４．刊行物４（甲第４号証）：Hugh Hemphill著,「Choosing Pulse Transformers For ISDN Applications」 Publ 8 1101E, (1988年，Schaffner Elektronik AG社発行), pp.1〜11
５．刊行物５（甲第５号証）：電子通信学会編「電子通信ハンドブック」，昭和54年3月30日，[株式会社オーム社発行],第76頁〜第77頁
を提出し、本件発明１〜５は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、さらに、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものであり、本件発明１〜５についての特許を取り消すべき旨主張している。
　
　（２）　取消理由通知（２）の内容
　取消理由通知（２）の内容も特許異議申立の理由と同趣旨である。
　
　３　対比・判断
　（１）特許法第３６条第４項についての判断
　特許異議申立人は、特許異議申立書第１６頁第２４行〜第２６行において、本件特許の請求項１について「この「場合によっては更に」という表現は極めて曖昧であり、・・・「ＮｉおよびＭｏ、Ｃｒ、Ｎｂ」を必須の合金成分として含むのか、あるいは任意成分なのかが不明瞭であります。」と主張している。
　しかし、請求項１における「場合によっては更に」との表現は、好ましい表現ではないが、「ＮｉおよびＭｏ、Ｃｒ、Ｎｂ」が必須の合金成分でなく、任意成分であることは、明らかであり、不明瞭とはいえない。
　
　（２）特許法第２９条第２項について
　　　ア　刊行物に記載された発明
　　　（ア）刊行物１に記載された発明
　刊行物１は、「アナログ信号伝送トランス用Ｃｏ基アモルファス磁心」について開示しており、その特許請求の範囲には「（１）直流Ｂ−Ｈカーブの角形比Ｂｒ／Ｂｓが２０％以下、磁心の飽和する磁界Ｈｓが１Ｏｅ以下にあり１００Ｈｚの最大透磁率μｍａｃと初透磁率μｉａｃの比μｍａｃ／μｉａｃが１以上１．５以下の範囲にあることを特徴とするアナログ信号伝送トランス用Ｃｏ基アモルファス磁心。
（２）組成式
（Ｃｏ１−ｘ−ｙ−ＺＦｅｘＮｉｙＭｎＺ）１００−ａ−ｂ−ｃＭａＳｉｂＢｃで表わされ、ただしＭはＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，希土類元素のうちの１種あるいは２種以上であり、０≦ａ≦６，８≦ｂ≦１８，７≦ｃ≦１８，１８≦ｂ＋ｃ≦３０，０≦ｘ≦０．１，０≦ｙ≦０．２，０≦ｚ≦０．１３で表わされるアモルファス合金の薄帯から形成された特許請求の範囲第１項に記載のアナログ信号伝送トランス用Ｃｏ基アモルファス磁心。
（３）特許請求の範囲第２項記載のアナログ信号伝送トランス用Ｃｏ基アモルファス磁心において、上記ＭがＣｒ，Ｍｏ，Ｎｂのうちの１種または２種以上であり、１３≦ｂ≦１６，７≦ｃ≦９．５，０．０１≦ｚ≦０．０８を満足するアナログ信号伝送トランス用Ｃｏ基アモルファス磁心。」が記載されている。
　刊行物１記載の「アナログ信号伝送トランス用Ｃｏ基アモルファス磁心」は、「…回路間の絶縁等を目的としたアナログ信号伝送トランスに使用される…（第１頁右欄第１４〜１８行）」ものである。また、刊行物１記載のＣｏ基アモルファス磁心は、「Ｃｏ基アモルファスリボンを単ロール法等の液体急冷法により作製する。次にこのＣｏ基アモルファスリボンを巻回し巻磁心とし、キュリー温度以上でほぼ完全に応力緩和するように熱処理し、次にキュリー温度以下で磁路と直角方向に磁心が飽和する程度の磁場をかけ磁場中熱処理を行なう。このような熱処理により上記特性の磁心を得ることができる（第２頁左下欄第１３〜２０行）」という製造方法により得られるものである。
　そして、刊行物１の実施例１には、「第１図は本発明の（Ｃｏ０．９１８Ｆｅ０．００５Ｎｉ０．００５Ｍｎ０．０７７）７６Ｓｉ１５Ｂ９アモルファス磁心の直流Ｂ−Ｈカーブの１例を示した図である。図中のＨｓを飽和磁界と定義した。
　本発明の磁心の直流Ｂ−Ｈカーブはやや傾斜しており高い磁束密度まで直線性が良い。また、保磁力が小さく角形比が低い。このため高い動作磁束密度レベルまで透磁率の変化が少なく恒透磁率性に優れている（第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄第８行）」ことが記載されており、さらに第１図には「Ｂｓ＝約７５００Ｇ、Ｈｓ＝約０．１５Ｏｅ（第１図のＢ−Ｈカーブの点線より）」ことが図示されている。
　ここで、上記した値から刊行物１の実施例１によるＣｏ基アモルファス磁心の最大透磁率μｍａｃを求めると、「μｍａｃ＝Ｂｓ／Ｈｓ＝７５００／０．１５＝５００００」となる。刊行物１記載のＣｏ基アモルファス磁心は、「最大透磁率μｍａｃと初透磁率μiａｃの比μｍａｃ／μiａｃが１以上１．５以下の範囲にある」ものであるから、刊行物１の実施例１によるＣｏ基アモルファス磁心の初透磁率μｉａｃは「約３３０００〜５００００」となる。
　また、刊行物１の実施例４には、「第３図は、本発明による（Ｃｏ０．９２５Ｆｅ０．０２５Ｍｎ０．０５）７３．５Ｍｏ２．５Ｓｉ１５Ｂ９アルモファス磁心Ｄと従来から使われているスーパーマロイ磁心Ｅの実効透磁率μｅの周波数依存性の１例を示した図である。
　図から明らかな様に、従来から使われているスーパーマロイＥは周波数特性が悪く高周波になると透磁率の低下が著しい。本発明による磁心Ｄは周波数特性が良いため、従来のものにくらべ広い周波数領域で使用することができる（第３頁右下欄第２〜１１行）」ことが記載されている。
　
　　　（イ）刊行物２に記載された発明
　刊行物２は、「非晶質磁性合金材料の熱処理方法」について開示しており、さらに詳しくは「非晶質磁性合金材料、特にその薄板の透磁率を高め、また磁気損失を減少させることのできる熱処理方法であつて、そのように磁気特性の良好な材料を、効率よく、しかも大量に得ることのできる方法に関する（第１頁左欄第１４〜１８行）」ものである。
　刊行物２記載の発明が適用可能な非晶質磁性合金材料としては、「…下記式Ｉで示される組成を有するものであることが好ましい。
　式Ｉ　　ＭｐＴｑ
　ここに、ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち総計１モルの１〜３種を表わし、ＴはＳｉ，Ｂ，Ｐ，Ｃのうち総計１モルの１〜４種を表わす。また、ｐとｑの和は１００ａｔ％であり、ｑは１０〜５０ａｔ％である。
　これらのうち、下記式IIで示される組成を有するものは特に好ましい。
　式II　　（ＦｅａＣｏｂＮｉｃ）ｘ（ＳｉｅＢｆ）ｙ　
　ここに、ｘおよびｙは正の数、ａ，ｂ，ｃおよびｅは０または正の数、ｆは正の数でありａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｅ＋ｆ＝１，ｘ＋ｙ＝１００，０≦ａｘ≦８５，０≦ｂＸ≦８５，ａｘ＋ｂｘ≠０，０≦ｃｘ≦５０，１０≦ｙ≦５０なる関係を有する。
　この場合、上式で示される組成において、シリコンおよびボロンからなる半金属成分はそのシリコンおよびボロンの原子量比ｅおよびｆを上記のとおり維持したまま、その総量のうち５０ａｔ％以下をリンおよび／または炭素で置換したものであつてもよい。また、上式で示される組成を有する非晶質磁性合金中には、５ａｔ％以下の範囲で、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｇｄ等のうちの１種または２種以上が含有されていてもよい（第４頁左欄第１７〜４１行）」ことが記載されている。
　そして、刊行物２の実施例１には、「公知の高速急冷法に従い、１０６℃／ｓｅｃ程度の冷却速度で、
（Ｆｅ０．０６Ｃｏ０．９４）７３（Ｓｉ０．４Ｂ０．６）２７の組成を有する。…この薄板をその長手方向に１０ｃｍφの円柱ロールに巻きつけ固定した。
　次に、この薄板を、上記ロールに巻きつけたまま、第１図に示される装置を用い、本発明の熱処理を施した。すなわち、装置全体を１０−１Ｔｏｒｒの真空下におき、薄板１を矢印ａ方向に６０ｒｐｍで回転させつつ、磁界５００Ｏｅの磁極２１，２３を矢印ｂ方向に６０ｒｐｍで回転させ、同時に電気炉４により薄板１を２８０℃に加熱保持した。この温度に１５０分間保持後、電気炉の通電を止め、回転磁界中で徐冷を行つた。
　このようにして本発明の熱処理を施した後、薄板からエツチングにより、内径６ｍｍφ、外径１０ｍｍφのリングを得た。このリングを３０枚用い、層間絶縁を行い積層した（試料１）。次いで、得られた試料１につき、磁気特性を測定した。すなわち積分型ＢＨループトレーサーを用い、保磁力（Ｈｃ）および残留磁束密度（Ｂｒ）を、試料振動型磁力計から飽和磁束密度（Ｂｓ）を、…マクスウエル・ブリツジを用い１ＫＨｚでの初透磁率μ１（１ｍＯｅでの磁場下）…をそれぞれ測定した。結果を表１に示す。（第６頁右欄第３８行〜第７頁右欄第１０行）」と記載されており、第７頁の表１には「試料１（実施例１）：１ＫＨｚでの初透磁率μ１＝５００００」が示されている。
　
　　　（ウ）刊行物３に記載された発明
　刊行物３の第６４９頁には「初透磁率」に関する記載があり、ここには「初透磁率」について「強磁性体の磁化曲線の原点（磁場も残留磁化も０の状態）付近の透磁率．この部分を初透磁率範囲といい，磁化曲線はほぼ直線的かつ可逆的で，透磁率は磁場の強さによって変化しない．通信機の変圧器，チョークコイルなどの鉄心は，波形のひずみをさける意味でこの範囲の磁化を用いる．」と記載されている。
　
　　　（エ）刊行物４に記載された発明
　刊行物４の第３頁には「３．ＩＳＤＮインピーダンスレベル」が開示されており、その第３頁第３〜１４行には「図２はＩ．４３０で推奨される端末装置（ＴＥ）インタフェースでのインピーダンステンプレートを示す。ＴＥにおけるインピーダンスは、図２に示されるインピーダンスより大きくなるように求められる。２ｋＨｚでの最小２５０Ωのインピーダンスは２０ｋＨｚの周波数で２５００Ωまで上昇させるために必要とされる。この要求は１９．９ｍＨを超えるインダクタンスにより満たされる。２ｋＨｚの磁気的インダクタンスにおけるトランスモデルを考慮することは支配的であり、それゆえに磁気的インダクタンスは１９．９ｍＨの最小値を有するべきである。２０ｋＨｚと８０ｋＨｚの間のインピーダンスは２５００Ω以上を維持すべきであり、それは磁気的インダクタンスが優位性を失う領域である。８０ｋＨｚ以上でのインピーダンスは、周波数１ＭＨｚで２５００Ωから２００Ωまで下降することが許容される。この要求は７９５ｐＦ未満のキャパシタで満たされる」ことが記載されている。
　
　　　（オ）刊行物５に記載された発明
　刊行物５の第７６〜７７頁には「４・２　自己インダクタンス」に関する説明が記載されており、「４・２・３　方形断面単層環状コイル（第７７頁）」には方形断面単層環状コイル（図１０参照）のインダクタンスＬと透磁率μとの関係式として、「Ｌ＝μ／２π・Ｎ２・ｌｏｇ（Ｒ２／Ｒ１）　ただし，Ｎ：全巻数」が記載されている。この関係式は「方形断面単層環状コイルのインダクタンスＬは透磁率μ、巻線の全巻数Ｎ、トロイダルコアの形状Ｒ２／Ｒ１によって一義的に決まる」ことを示している。
　
　　イ　本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　　（ア）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１〜５に記載された発明とを対比すると、刊行物１〜５には、「非晶質Ｃｏベース合金が用いられ、磁心はＣｏの他に、主として合計３〜８原子％のＦｅとＭｎ及び２４〜２９原子％のメタロイド」を含む磁心を、「２０ｋＨｚで２０ｍＨを超えるインダクタンスＬを有するディジタル伝送装置のインタフェース変成器用磁心」に用い、更に「周波数２０kHzで測定した場合に２５０００を超え９５０００未満となる初透磁率を備えるようにした」ことについては、記載されていない。
　刊行物１，２には、「非晶質Ｃｏベース合金が用いられ、Ｃｏの他に、主として合計３〜８原子％のＦｅとＭｎ及び２４〜２９原子％のメタロイド」を含む磁心又は磁性材料が記載されている。
　しかし、刊行物１は、アナログ信号伝送トランス用Ｃｏ基アモルファス磁心であり、１００Ｈｚでの初透磁率を対象にしており、また、刊行物２は、１ｋＨｚでの初透磁率を対象にしており、どちらも本件発明１のような２０ｋＨｚでの初透磁率が、どの程度かは不明である。
　刊行物１の実施例４に関する第３図の実効透磁率の周波数特性図には、１０ｋＨｚまでしか記載がなく、２０ｋＨｚでどうなるかは不明である。さらに、実効透磁率と初透磁率は、異なるものであり、その対応関係も不明である。また、刊行物１の実施例４の組成は、Ｍｏを２．５原子％も含むものであり、Ｍｏを含まない実施例１の組成と異なるし、本件発明１（Ｍｏは、０又は１原子％以下。）の範囲外の組成である。そして、実施例４に関する第３図の実効透磁率の周波数特性図から、組成の異なる実施例１（本件発明１の組成範囲に含まれる。）の磁心が、同様の特性であるか否かも不明である。
　ゆえに、刊行物１の実施例１のアナログ信号伝送トランス用Ｃｏ基アモルファス磁心を、２０ｋＨｚ程度での使用を前提とするディジタル伝送装置のインタフェース変成器用磁心に用い、更に周波数２０kHzで測定した場合に２５０００を超え９５０００未満となる初透磁率を備えるようにすることが、当業者に容易であるとはいえない。
　また、本件発明１は、上記構成要素により、特許明細書記載の特有の効果を奏する。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　　（イ）本件発明２〜５について
　本件発明２〜５は、本件発明１を直接又は間接に引用して、更に限定したものであるから、本件発明１と同様の理由により、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　４　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件発明１〜５についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜５についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１２月２８日（２００４．１２．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
インタフェース変成器用磁心
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】２０ｋＨｚで２０ｍＨを超えるインダクタンスＬを有するディジタル伝送装置のインタフェース変成器用磁心において、上記インタフェース変成器用磁心は非晶質Ｃｏベース合金が用いられ、磁心はＣｏの他に、主として合計３〜８原子％のＦｅとＭｎ及び２４〜２９原子％のメタロイド、及び場合によっては更に１５原子％以下のＮｉ及び１原子％以下のＭｏ及び／又はＣｒ及び／又はＮｂを含み、横磁界中の熱処理により
、周波数２０ｋＨｚで測定した場合に
となる
　【請求項２】Ｃｏベース合金が次の組成
Ｃｏ残りＦｅａＭｎｂＮｉｃＴｄ（Ｓｉ１−ｘ（Ｂ，Ｃ）ｘ）ｚ
を有し、その際Ｔが元素Ｍｏ、Ｃｒ又はＮｂのうちの少なくとも１つであり、合金組成（原子％）に対して次の式が成立し、
　　３＜ａ＋ｂ＜８
　　ｃ＜１５
　　ｄ＜１
　　０．３＜ｘ＜０．７
　　１８＋１．４・ｌｏｇｅ＋ｆ＜ｚ＜１８＋１．７・ｌｏｇｅ＋ｆ
ここで
　　ｅ＝μ（１＋０．２５（ａ＋ｃ））
　　ｆ＝０．２５（ａ−ｂ）−０．２ｃ−ｄ＋３．２ｘ
残はＣｏ及び不純物であり、μは初透磁率であり、ｌｏｇｅはｅの常用対数であることを特徴とする請求項１記載の磁心。
　【請求項３】Ｍｎの割合が０．５原子％を超える（ｂ＞０．５）ことを特徴とする請求項２記載の磁心。
　【請求項４】磁心材料がＮｉを含まない（ｃ＝０）ことを特徴とする請求項２記載の磁心。
　【請求項５】磁心材料がＭｏ、Ｃｒ又はＮｂを含まない（ｄ＝０）ことを特徴とする請求項２記載の磁心。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　この発明は、ディジタル伝送装置で使用するためのインタフェース変成器用磁心に関する。
［従来の技術］
　結合キャパシタンスができるだけ少なく２０ｋＨｚで２０ｍＨを超えるインダクタンスＬを有するこの種のインタフェース変成器は、サービス総合ディジタル通信網（ＩＳＤＮ）のいわゆるＳｏインタフェースにおいて、変成器として網終端と個々の端末装置との間のインタフェースで用いられる。
　ＩＳＤＮは新しい世界的なディジタル通信システムである。ＩＳＤＮではディジタル市内交換局と網終端との間の結合がＵｋｏ線路インタフェースを介して行われる。その際ディジタル市内交換局と網終端との距離は最大で８ｋｍとすることができる。一つの網終端には８台以下の端末装置を接続することができる。端末装置は例えば電話機、テレビジョン電話機、ビデオテックス、ファクシミリ、テクストファックス、ワークステーションなどとすることができる。端末装置はここでも各網終端から１５０ｍまで離すことができる。網終端と端末装置との間のインタフェースはＳｏユーザインタフェースと呼ばれる。
　かかるＳｏインタフェースに対する要求は国際規格ＣＣＩＴＴ　Ｉ．４３０又はドイツ連邦郵便局規格ＦＴＺ１ＴＲ２３０に定められている。これらの規格は例えば、伝送されるディジタルパルスの周波数又はパルスマスクに関係して、インタフェースのインピーダンスを定めている。ここでパルスマスクとは、パルスが存在すべき許容範囲を意味し、Ｓｏインタフェース変成器が５０Ωの終端抵抗を有するとき、約７５０ｍＶの振幅と５．２１μｓの時間を有する長方形の電圧パルスが送られたとき存在し得る許容範囲として定めたものをいう。これらの規格に基づくＳｏインタフェース変成器の磁気的及び電気的特性についての要求に関しては、例えばシャフナエレクトロニク（Ｓｃｈａｆｆｎｅｒ　Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋ）社、ルーテルバッハ、スイスの会社刊行物ＰＵＢＬ１１０１Ｅ、エッチ・ヘルムフィル（Ｈ．Ｈｅｍｐｈｉｌｌ）著「ＩＳＤＮ適用のためのパルス変成器の使用（Ｕｓｉｎｇ　Ｐｕｌｓｅ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒｓ　ｆｏｒ　ＩＳＤＮ−Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ）」に記載されている。この刊行物の第２図及び第３図には郵便局規格に基づくインピーダンスとパルス伝送とについての要求が示されている。ディジタルパルスを所定のパルスマスクの範囲内で伝送できるかどうかは、主として変成器のインダクタンスとキャパシタンスとに関係する。変成器のインダクタンスＬは主として伝送されるパルスのトップチルトを決定する。トップチルトとは伝送されるパルス電圧のパルス期間中に生じる望ましくない減少である。ＩＳＤＮの要求を満たすために変成器のインダクタンスは約２０ｍＨを超えなければならない。変成器のキャパシタンスは、特に高いレベルから低いレベルへ移行する際に、伝送されるパルスの信号形状に影響する。その際結合キャパシタンスに対してできるだけ低い値が必要である。結合キャパシタンスとは変成器の二つの異なる巻線間のキャパシタンスをいう。結合キャパシタンスは特に設けられたターン数と巻線配置とに関係する。Ｓｏインタフェース変成器のための磁心として前記刊行物に例えばＲＭ６磁心が示されている。磁心材料にフェライトが指定されている。フェライトを使用する場合に透磁率μ及び飽和磁束密度Ｂｓに対する値が制限される。これに対する代表的な値はμ＝１００００、Ｂｓ＝０．４５Ｔである（シーメンス社のＳＩＦＥＲＩＴ（ジフェリト）Ｔ３８参照）。
　変成器のインダクタンスは磁心材料の透磁率に正比例する。特に変成器の直流初期磁化の場合にも、フェライトの透磁率及び飽和磁束密度の値がインダクタンスに関するＩＳＤＮの要求を満足するためには、比較的大きい磁心断面積又は多いターン数が必要である。しかし大きい磁心断面積は磁心の寸法増大従って変成器の体積増大を意味する。しかしながらできるだけ小さい部品が望まれる。多いターン数はまず結合キャパシタンスの増加従って伝送特性の劣化を意味する。これを避けるために巻線間に絶縁層を挟んだ複雑な巻線構造が必要である。それにより巻線の製造が複雑化し高価となる。
［発明が解決しようとする課題］
　この発明の課題は、できるだけ小さい体積を有し、簡単な巻線構造と少ないターン数とによりＩＳＤＮの要求に基づくＳｏインタフェース変成器の製造を可能にするような、Ｓｏインタフェース変成器のための磁心を提供することにある。特にＩＳＤＮの要求を変成器の直流初期磁化の場合にも満足するようにしようとするものである。
［課題を解決するための手段］
　この課題を解決するため、この発明によれば、２０ｋＨｚで２０ｍＨを超えるインダクタンスＬを有するディジタル伝送装置のインタフェース変成器用磁心において、上記インタフェース変成器用磁心は非晶質Ｃｏベース合金が用いられ、磁心はＣｏの他に、主として合計３〜８原子％のＦｅとＭｎ及び２４〜２９原子％のメタロイド、及び場合によっては更に１５原子％以下のＮｉ及び１原子％以下のＭｏ及び／又はＣｒ及び／又はＮｂを含み、横磁界中の熱処理により
、周波数２０ｋＨｚで測定した場合に
となる
　この発明に基づく磁心により、小さい寸法を有するコンパクトなインタフェース変成器を製作することができる。このインタフェース変成器は簡単な巻線構造により規格に定められた要求を満たす。特にこの変成器は、ＩＳＤＮ網における非対称な電流配分に基づき予想されるような初期磁化の場合にも、インダクタンスに対し要求される値を達成する。初透磁率μ＞９５０００を有するＣｏベース合金の場合には小さい初期磁化の場合に透磁率が既に著しく減少するので、要求されるインダクタンスは比較的大きい磁心断面積又は多いターン数によるときだけ達成される。初透磁率μ＜２５０００であれば、要求されるインダクタンスは同様に前記手段だけにより達成される。
　本発明において初透磁率の上限値９５０００未満は、磁心を製造する際の製造技術上から来る限界値である。できるだけ高い初透磁率を持った平らなＢ−Ｈヒステリシス曲線を得るためには、磁心を横磁界を印加した熱処理において冷却しなければならない。この際初透磁率は冷却速度の対数に従って増加する。焼きなまし炉における極めて高い負荷を伴う焼きなまし処理においては、横磁界中の冷却速度はたかだか３Ｋ／ｍｉｎしか得ることができない。従って初透磁率は製造上の理由から９５０００の上限値を持つことになる。また、本発明において初透磁率の下限値２５０００は、巻線数を増やすことにより補償し得る透磁率の限界の値である。もし初透磁率が２５０００より低いと、巻線数を極度に増やさなければならないが、その結果巻線容量及び結合容量が高まることになり、それによって容量的に生じるインピーダンス降下が増加し、インタフェース変成器が機能しなくなる。
　Ｃｏのほかに主として合計３〜８原子％のＦｅとＭｎ及び合計２４〜２９原子％のメタロイドを含むＣｏベース合金を用いることが特に有利であると判明している。５〜約３５原子％の範囲のメタロイド含有量を有する非晶質Ｃｏベース合金は、例えば欧州特許第２１１０１号明細書及びドイツ連邦共和国特許出願公開第３０２１５３６号公報から知られている。しかしながら２４原子％未満又は２９原子％を超えるメタロイド含有量を有するＣｏベース合金は初透磁率についての要求を満たさないことが判明した。メタロイドとしてはＢ、Ｓｉ、Ｃ及びＰが問題となる。
　Ｂ及びＳｉの組み合わせが有利であることが判明しており、その際Ｂは部分的にＣにより置き替えることができる。Ｍｎの添加によりこの発明に基づく磁心は、網終端における変成器で予想されるような前記初期磁化の場合にも、ＳｏインタフェースのＩＳＤＮ規格を満たす。更にこの非晶質Ｃｏベース合金は１５原子％以上のＮｉ及び１原子％以下のＭｏ、Ｃｒ又はＮｂの一つ又は複数を含むことができる。しかしながらＭｎ含有量が少なくとも０．５原子％であるときに、初期磁化に対して最大の許容値を有する磁心がＣｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−メタロイド合金により得られる。広範囲な研究及び試験で、特にこの種のＣｏベース合金がＩＳＤＮインタフェース変成器のために適した磁心材料であることが発見された。この種のＣｏベース合金では、メタロイド含有量ｚが初透磁率μ、Ｆｅ含有量ａ、Ｍｎ含有量ｂ、Ｎｉ含有量ｃ、Ｍｏ−Ｃｒ−Ｎｂ含有量ｄ、Ｂ又はＣ含有量ｘに関係して次式により与えられる。
　　１８＋１．４・ｌｏｇｅ＋ｆ＜ｚ＜１８＋１．７・ｌｏｇｅ＋ｆ
ここで
　　ｅ＝μ（１＋０．２５（ａ＋ｃ））
　　ｆ＝０．２５（ａ−ｂ）−０．２ｃ−ｄ＋３．２ｘ
　この発明に基づく磁心を用いれば、Ｓｏインタフェース変成器は網終端側に対して０．２ｃｍ２未満の磁心断面積により、また端末装置側に対して０．１ｃｍ２未満の磁心断面積により製造することができる。
［実施例］
　次にこの発明に基づく磁心の複数の実施例を示す図面及び表により、この発明を詳細に説明する。
　第１図は、ＩＳＤＮにおけるインタフェースと誘導性デバイスとを示す。これらはディジタル交換局１と網終端（ＮＴ）２との間のＵｋｏ線路インタフェース、及び網終端２と端末装置（ＴＥ）３との間のＳｏユーザインタフェースとである。ディジタル交換局１と網終端２との間の情報の伝送のためにＵｋｏインタフェース変成器４が用いられる。網終端２におけるディジタル信号の処理は電子デバイス５により行われる。網終端は更にＳｏインタフェースのＮＴインタフェース変成器６を備える。網終端２と端末装置３との間のディジタル信号の伝達は送信線路７、８及び受信線路９、１０を経て行われる。端末装置３ではＴＥインタフェース変成器１１を介しての信号の変換と電子デバイス１２による処理とが行われる。端末装置は更に電流補償された電波障害防止チョーク１３を備える。
　この発明に基づく磁心はＳｏインタフェースのＮＴインタフェース変成器６及びＴＥインタフェース変成器１１に用いられる。端末装置への給電は一部ではディジタル交換局からＳｏユーザインタフェースを経て行われる。これは例えば端末装置が電話機である場合に該当する。端末装置の遠隔給電装置は第１図には示されていない。遠隔給電はＮＴインタフェース変成器６の中央タップ１４を経て行われる。実情に即していない理想的な場合には、給電電流は送信線路７、８又は受信線路９、１０に同一の割合で分配される。しかしながら実際には異なる電流経路は異なる抵抗を有する。このための原因として例えば、変成器の異なる巻線抵抗並びに線路又は端末装置の接続コードの差し込み接点の異なる抵抗が考えられる。送信線路７、８又は受信線路９、１０の電流のかかる非対称性は、ＳｏインタフェースのＮＴインタフェース変成器６又はＴＥインタフェース変成器１１に初期磁化をもたらす。これに対する徹底的な研究と計算とにより、ＴＥインタフェース変成器１１では約３ｍＡの初期磁化電流を考慮しなければならないことが判明した。これに比べてＮＴインタフェース変成器６での予想される最大初期磁化電流は非常に大きい。なぜならば一つの網終端に８台までの端末装置が並列に接続できるからである。このために約１２ｍＡまでの初期磁化電流が予想される。
　所定のパルスマスク範囲内に収まるディジタルパルスの規格に要求される伝送を保証するために、変成器は前記の初期磁化電流の場合にも２０ｍＨを超えるインダクタンスを有しなければならない。更に結合キャパシタンスを小さくすべきである。これに対する上限は約１００ｐＦと見なすことができる。
　下記の複数の実施例において、非晶質磁心材料は溶融体回転急冷法による薄いテープの形で製造された。この製法は十分に知られておりこの発明の対象ではない。非晶質の帯から環状磁心が巻かれた。環状磁心は続いて横磁界すなわち環状磁心の回転対称軸線に平行な磁界の中で熱処理を受けた。磁心はこのために約４２０℃の温度に加熱され、続いて０．１〜３Ｋ／ｍｉｎの冷却速度で冷却された。この発明に基づく磁心は０．３・１０−６未満の磁気ひずみ値を有する。これは材料の中の応力による透磁率低下が非常に小さいことを意味する。インタフェース変成器は平らなＢ−Ｈヒステレシス曲線を持たなければならないが、一方この平らなヒステレシス曲線は、広い磁界強さの範囲にわたって極めて一定の透磁率を有する特性を持っている。この性質は他の円形の、或いは直角型のＢ−Ｈヒステレシス曲線では得ることができない。平らなＢ−Ｈヒステレシス曲線を得るためには磁心を横磁界中で熱処理することが必要である。
　実施例１：Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ合金
　前記の方法に基づき合金組成Ｃｏ６８．２Ｆｅ４Ｓｉ１６．８Ｂ１１を有する磁心が製造された。０．２、０．４及び１．０Ｋ／ｍｉｎの種々の冷却速度が選択された。表Ｉには、２０ｋＨｚの周波数の場合に測定された飽和磁束密度Ｂｓと初透磁率μ、及び透磁率が初透磁率の値の７０％に低下する磁界強度Ｈｏが記載されている。磁界強度Ｈｏは初透磁率と共に、初期磁化が存在する場合の変成器材料としての適性についての情報を与える。小さいＨｏ値は小さい初期磁化の場合にだけ適していることを意味する。
　初透磁率は冷却速度と共に増加し、一方磁界強度Ｈｏはこれに応じて低下することが判明した。Ｓｏインタフェースを経てのディジタルパルス伝送に関するＩＳＤＮ規格の要求を満たすために、予想される初期磁化に基づき、ＨｏがＮＴインタフェース変成器６の場合には７０ｍＡ／ｃｍより小さいことは許されず、ＴＥインタフェース変成器１１の場合には約２０ｍＡ／ｃｍより小さいことは許されないということが前提となる。従ってこの合金はそのＨｏ値に基づき両インタフェース変成器に適している。
　実施例２：Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｅ−Ｍ合金
　表Ｉには合金Ｎｏ．２．１〜１１．１として、Ｃｏ、Ｆｅ、メタロイドのほかに補助的にＭｎを含む合金が記載されている。Ｎｏ．２．１〜２．３による磁心は９５０００を超える初透磁率を有し、従って本特許請求の範囲には含まれない。対応するＨｏ値は明らかに２０ｍＡ／ｃｍ未満であるので、この磁心は前記インタフェース変成器に適していない。これに対し磁心３．１〜１０．３はすべて２５０００〜９５０００の範囲内の初透磁率を有する。これらの磁心の場合にも、熱処理は透磁率及びＨｏについて実施例１の磁心の場合と同じ影響を有する。しかしＨｏの値は熱処理の際の冷却速度に無関係に常に２０ｍＡ／ｃｍを超えている。Ｎｏ．１１．１には本特許請求の範囲外の合金組成を有する磁心が記載されている。メタロイド含有量はこの例では２０原子％である。Ｈｏの値はＨｏ＝５０６０で非常に高いが初透磁率はμ＝１０００で過小であるので、この磁心によれば前記インタフェース変成器についての要求は磁心断面積又はターン数を増大したときだけ満たすことができる。
実施例３：Ｃｏ−Ｆｅ−Ｔ−Ｍ合金
　表ＩＩにはＭｎを含まない合金から成る磁心の磁性値が記載されている。これらの合金は補助的に１．５原子％のＭｏを含む。これらの磁心は実施例２に記載のＭｎを含む磁心より小さいＨｏ値を有することが比較により判明する。それゆえにＭｎを含まずＭｏを添加された磁心はＴＥインタフェース変成器１１に対して有利に使用することができる。磁心Ｎｏ．１４．１に示すように適当な熱処理により、ＮＴインタフェース変成器６にこの磁心を採用することが可能であるような、特に高いＨｏ値を達成することもできる。
　第２図にはメタロイド含有量と初透磁率との間の関係がグラフで示されている。方形印により示された群の値は組成Ｃｏ残Ｆｅ３．２Ｍｎ１（Ｓｉ０．６Ｂ０．４）ｚの合金に関する。星印により示された群の値は組成Ｃｏ残Ｆｅ３．８Ｍｏ１．５（Ｓｉ０．６Ｂ０．４）ｚの合金に関する。このグラフから、メタロイド含有量に対して特に有利な範囲限界が、その他の合金成分の含有量と初透磁率μとに関係して示される。合金組成Ｃｏ残ＦｅａＭｎｂＮｉｃＴｄ（Ｓｉ１−ｘ（Ｂ，Ｃ）ｘ）ｚ
ただしＴは元素Ｍｏ、Ｃｒ又はＮｂのうちの少なくとも一つであり、この発明に基づく磁心の個々の金属成分割合は次式により示される。
　　３＜ａ＋ｂ＜８、ｃ＜１５、ｄ＜１、０．３＜ｘ＜０．７
磁心の許容されるメタロイド含有量に対しては、
　　１８＋１．４・ｌｏｇｅ＋ｆ＜ｚ＜１８＋１．７ｌｏｇｅ＋ｆ
ここで
　　ｅ＝μ（１＋０．２５（ａ＋ｃ））
　　ｆ＝０．２５（ａ−ｂ）−０．２ｃ−ｄ＋３．２ｘ
　第３図には、実施例２に記載のＭｎを含む磁心及び実施例３に記載のＭｎを含まない磁心に対するＨｏと初透磁率との関係がグラフで示されている。Ｍｎの添加によりＨｏ値が高まることをグラフは示す。特にＭｎを含む磁心により、Ｍｎを含まない磁心のＨｏを明らかに超えるＨｏ値が達成できる。従ってＭｎを含む合金は負荷を受けるインタフェース変成器にとって有利な磁心材料である。従って特に、大きい直流初期磁化を伴なうインタフェース変成器に対してＭｎを含む合金が磁心材料として有利である。
実施例４：
　別の広範囲な研究においてＦｅ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＭｏの添加量の種々の組み合わせを含む非晶質Ｃｏベース合金が調査された。その結果は表ＩＩＩにまとめられている。初透磁率はここでも２０ｋＨｚの周波数で測定された。結果が示すように、これらの磁心により２５０００〜９５０００の範囲の初透磁率を達成することができる。このために特にしばしば熱処理の際に技術的に実現困難な比較的高い冷却速度が必要である。Ｍｏと同じ効果をＣｒ又はＮｂも有する。従って適当な磁心は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ及びメタロイドのほかにＮｉ、Ｍｏ、Ｃｒ又はＮｂを含む非晶質Ｃｏベース合金によっても作ることができる。しかしながら最後に述べた諸合金元素を含まない合金が有利である。
実施例５：
　実施例２、３に記載の合金組成を有する磁心により変成器が完成された。変成器は同一ターン数を有する二つの巻線を持っていた。完成されたデバイスは９．８×６．８×５ｍｍの寸法を持っていた。直流初期磁化の無い場合Ｌ（０）とＩ＝２．５ｍＡの直流による初期磁化の場合との変成器のインダクタンス及び結合キャパシタンスＣが測定された。その結果は表ＩＶにまとめられている。実施例２のＮｏ．３．２の磁心により既に２Ｎ＝３４の全ターン数の場合に、２．５ｍＡの直流初期負荷の際にも２０ｍＨを超えるインダクタンスが得られた。ターン数の増加によりインダクタンスを増加できた。同時に特に僅かに結合キャパシタンスが増加した。
　磁心Ｎｏ．５．３、６．３、７．３によっても十分なインダクタンスと小さい結合キャパシタンスとが得られた。これらの磁心は６７０００〜８６０００の初透磁率を有する。Ｈｏ値は２６〜４５ｍＡ／ｃｍの範囲にある。
　更に変成器が実施例３のＮｏ．１２．１のＭｎを含まない磁心により製作された。この磁心は僅か１５ｍＡ／ｃｍのＨｏ値を有する。この理由から２．５ｍＡの直流初期負荷の場合に要求されるインダクタンスは、２Ｎ＝３４、３８又は４２の全ターン数によっては達成できなかった。しかし２Ｎ＝４６、５０、５４の全ターン数を有する変成器の場合には仕様を満足した。しかしこれらの変成器は大きいターン数に基づき経済的理由から不利である。
　第４図には、Ｎｏ．３．２及び１２．１の磁心を備えた変成器に対してインダクタンスと直流初期負荷との関係がグラフで示されている。磁心上にはそれぞれ２×１９ターンが取り付けられている。Ｍｎを含む磁心Ｎｏ．３．２を備えた変成器は、Ｍｎを含まない磁心Ｎｏ．１２．１を備えた変成器よりも明らかに高い直流初期負荷を示す。Ｍｎを含む磁心Ｎｏ．３．２を備えた変成器は、前記の構成で約５ｍＡの直流初期負荷までＩＳＤＮの要求を満たす。それゆえにこの磁心は特にＴＥインタフェース変成器１１として使用可能である。
実施例６：
　Ｎｏ．１．２、７．１、９．２、１０．２、１１．１及び２７．１の磁心を用いて変成器が製作された。これらの変成器はここでも同じターン数の二つの巻線を有していた。完成されたデバイスの寸法は１４×７×６ｍｍであった。初期磁化の無い場合のインダクタンスＬ（０）と１２ｍＡの直流初期負荷の場合のインダクタンスと結合キャパシタンスＣとが測定された。測定は２０ｋＨｚの周波数で実施された。その結果が表Ｖにまとめられている。
　磁心Ｎｏ．１．２、７．１、９．２及び１０．２を備えた変成器は、例えば２Ｎ＝３８の少ない全ターン数の場合に既にインダクタンス及び結合キャパシタンスの非常に良好な値を有していた。従ってこれらの変成器はＩＳＤＮの要求を満たす。これらの変成器の高い直流初期負荷能力に基づき、これらの変成器は特にＮＴインタフェース変成器６として採用可能である。例として上げられた磁心の初透磁率は３４０００〜３９０００の間にある。Ｈｏ値は９０〜１０８ｍＡ／ｃｍの範囲にある。実施例５の値との比較から、比較的高い直流初期負荷に対しては比較的低い初透磁率と比較的高いＨｏ値とを有する磁心を選ばなければならないということが明らかとなる。このことが同様に表Ｖに記載の磁心Ｎｏ．１１．１及び２７．１を備えた変成器からも明らかである。この発明の範囲に含まれていないこれらの磁心を用いれば、１２０又は２００の全ターン数の場合に初めてインダクタンスに対する要求が満たされる。しかしながらこの大きいターン数はここでも非常に大きい結合
キャパシタンス
　第５図には、磁心Ｎｏ．９．２又は１４．１を備えた二つの変成器に対するインダクタンスと直流初期負荷との関係が示されている。変成器は２×１９ターン（２Ｎ＝３８）を備えていた。Ｍｎを含まない磁心Ｎｏ．１４．１を備える変成器は、約１０ｍＡの直流初期負荷までインダクタンスに関するＩＳＤＮの要求を満たす。これに対してＮｏ．９．２のＭｎを含む磁心を備えた変成器は、約１４ｍＡの直流初期負荷までインダクタンスに関するＩＳＤＮの要求を満たす。従って所定の組み立て寸法とターン数との場合に、後者はＮＴインタフェース変成器６として採用することができる。第５図によりここでも高い直流初期負荷の場合にＭｎを含む磁心の優越性が明らかとなる。
　従ってこの発明に基づく磁心により、ＩＳＤＮの要求を満たす非常にコンパクトな変成器を製作することができる。種々の直流初期負荷に対して適した磁心を前記実施例により容易に選択することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はＩＳＤＮインタフェースの配線略図、第２図はこの発明に基づく磁心用合金のメタロイド含有量と初透磁率との関係をグラフで示した図、第３図は合金の実施例２及び３について透磁率が初透磁率の７０％に低下する磁界強度Ｈｏと初透磁率との関係をグラフで示した図、第４図は合金Ｎｏ．３．２及びＮｏ．１２．１製の変成器についてインダクタンスと直流初期負荷との関係をグラフで示した図、第５図は合金Ｎｏ．９．２及びＮｏ．１４．１製の変成器についてインダクタンスと直流初期負荷との関係をグラフで示した図である。
　１……ディジタル交換局
　２……網終端
　３……端末装置
　６、１１……インタフェース変成器