【事件の表示】
　特願２００５−　４７６５４「光源装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月　７日出願公開、特開２００６−２３７１５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年２月２３日の出願であって、平成２３年３月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年７月５日に手続補正がなされ、平成２４年４月１２日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年６月２８日に手続補正がなされたが、同年１２月３日付けで前記平成２４年６月２８日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年４月１１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２５年４月１１日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項につき、補正前（平成２３年７月５日付けの手続補正後のもの。）の
「金属ステムと、
　第１面及び第２面を有するサブマウントであって、前記第１面は前記金属ステムに装着され、前記第２面にはグルーブが形成され、前記グルーブには、反射層と、第１絶縁層と、第１電極層と、第２電極層と、第１半田層と、第２半田層とが形成されるサブマウントと、
　前記サブマウントの前記第１半田層と前記第２半田層とに接続される発光素子と、を備え、
　前記反射層は、前記グルーブの全面に形成され、
　前記第１絶縁層は、前記反射層の上に全面に形成され、
　前記第１電極層と前記第２電極層は互いに間隔を空けて、前記第１絶縁層の上に形成され、
　前記第１半田層は、前記第１電極層の上に形成され、
　前記第２半田層は、前記第２電極層の上に形成されること
　を特徴とする光源装置。」
であったものを、
「金属ステムと、
　前記金属ステムに堆積される第２絶縁層と、
　前記第２絶縁層に全面が接着される第１面と、グルーブを備える第２面と、を有するサブマウントと、
　前記サブマウントに接続される発光素子と、を備え、
　前記グルーブは、前記発光素子の側面から発光する光を前記金属ステムの前方に集光する傾斜面を有し、
　前記サブマウントの第２面は、
　　前記グルーブの全面に形成される反射層と、
　　前記反射層の上の全面に形成される第１絶縁層と、
　　前記第１絶縁層の上に、互いに間隔を空けて形成される第１電極層及び第２電極層と、
　　前記第１電極層の上に形成される第１半田層と、
　　前記第２電極層の上に形成される第２半田層と、
　を備え、
　前記発光素子は、前記第１半田層と前記第２半田層とに接続され、
　前記グルーブの深さは、前記発光素子の高さよりも相対的に大きく形成され、前記発光素子は、前記グルーブ内に位置すること
　を特徴とする光源装置。」
に補正することを含むものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１に関して、
「第１面及び第２面を有するサブマウントであって、前記第１面は前記金属ステムに装着され」る「サブマウント」であったものを、「前記金属ステムに堆積される第２絶縁層と、前記第２絶縁層に全面が接着される第１面と、グルーブを備える第２面と、を有す」る「サブマウント」と補正して構成を限定し、あわせて、「グルーブ」に関して、「前記グルーブは、前記発光素子の側面から発光する光を前記金属ステムの前方に集光する傾斜面を有し」、及び、「前記グルーブの深さは、前記発光素子の高さよりも相対的に大きく形成され、前記発光素子は、前記グルーブ内に位置する」との構成を付加して限定することを含むものである。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たすか否か）について検討する。
ア　本願補正発明の認定
　本件補正後の請求項１に係る発明は、上記２（１）において、補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
イ　刊行物の記載及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００５−１２１５５号（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は審決で付した。）。
（ア）「【請求項１】
配線部を有する実装基板、及びその実装基板上に実装されたＬＥＤ（発光ダイオード）チップを含む発光素子サブマウント構造体と
　
金属板、及びその金属板上に絶縁層を介して形成された配線パターンを含む金属配線基板とを備え
　
前記発光素子サブマウント構造体を前記金属配線基板に実装してなる発光装置において
　
前記実装基板の配線部が、前記金属配線基板の方向に引き出されて前記配線パターンに電気的に接続されており、且つ前記実装基板が、前記金属配線基板の露出した金属板と熱的接触している
発光装置。
　
（イ）「【００４２】以下、本発明の一実施形態に係る発光装置について、図面を参照して説明する。図１は発光装置２００を示す。発光装置２００は、発光素子サブマウント構造体１００を、その底面にある凸部１１を金属配線基板３００の金属板３０に熱的に接触させた状態で実装して構成されている。発光素子サブマウント構造体１００は、配線部１２〜１４、１５〜１７を有する実装基板１０、及びその実装基板１０上に実装されたＬＥＤ（発光ダイオード）チップ５を備えている。また、金属配線基板３００は、金属板３０、及びその金属板３０上に絶縁層４０を介して形成された配線パターン４１を備えている。ＬＥＤチップ５は、窒化ガリウム系半導体を用いたものである。以下、本発明の各実施形態において、ＬＥＤチップ５として窒化ガリウム系半導体前提とするが、それに限るものではない。
【００４３】
発光素子サブマウント構造体１００は、その上面にＬＥＤチップ５を搭載するための凹所となったカップ部を備え
た実装基板１０と、その実装基板１０のカップ部の底面近傍から右方向に延伸され
配線部
同様に左方向に延伸された配線部
を有し
　
（ウ）「【００４９】次に、一実施形態に係るさらに他の発光装置について説明する。図３は発光装置２０２を示す。発光装置２０２は、ＬＥＤチップ５０を実装基板１０にフェースダウン（フリップチップ）実装して形成した発光素子サブマウント構造体１０２を金属配線基板３０２に実装したものである。ここに示した実装基板１０は、下面に凸部がなく平坦であり、その代わりに、金属配線基板３０２の金属露出部が凸部３１を有している。その他、発光素子サブマウント構造体１０２と金属配線基板３０２の接合の仕方などは前出のものと同様である。
【００５０】ＬＥＤチップ５０、及びそのフェースダウン実装について説明する。ＬＥＤチップ５０は、透明結晶基板６０の上にｎ型半導体層６１、ｐ型半導体層６４を積層し、それぞれの層に電極６２，６５（ｎ電極、ｐ電極）を備え、さらにｐ型半導体層６４の上に絶縁層６７を介して絶縁された金属層６８を備えて形成されている。そしてこのＬＥＤチップ５０は、透明結晶基板６０を上方に向け、各電極６２，６５を下に（フェースダウン）して実装基板１０の上面凹部にマウントされる。
【００５１】実装基板１０の上面凹部の底面には、配線部１２，１５に加えて、ダミーの配線部１８が設けられている。実装基板１０の凹部底面における各配線部には、ＬＥＤチップ５０上の各電極との接合のための接合部材が予め設けられる。そして、ｎ型半導体層６１は、電極６２、及び接合部材６３を介して、実装基板１０上の配線部１２に電気接続される。ｐ型半導体層６４は、同様に、電極６５、及び接合部材６６を介して、実装基板１０上の配線部１５に電気接続され。また、ＬＥＤチップ上の金属層６８は、接合部材６９を介して実装基板１０のダミー配線部１８に接合される。
【００５２】これらの接合部材６３，６６，６９は、金などによるスタッドバンプやはんだなどによるソルダーバンプなどの単体金属、又は合金製の接合部材が用いられる。このような接合部材を用いることにより、ワイヤボンディングを用いる場合よりも、ＬＥＤチップ５０と実装基板１０との熱的結合を高めることができ、ＬＥＤチップ５０からの放熱性を向上させることができる。接合部材の個数は各ｐ，ｎ電極について１個づつでも良いが、各電極に複数の接合部材を用いることにより、さらに放熱性を向上させることができる。
【００５３】また、絶縁層６７を各電極や半導体層の上に形成し、接合に必要な面積分だけ開口させることにより、接合部材間を介した短絡が発生する危険性を弱めることができるので、さらに多数の接合部材を用いることができる。また、絶縁層６７の一部をメタライズして、他の電極６２，６５とは電気的に絶縁して形成した金属層６８用いることにより、本来のｐ、ｎ電極における接合に加え、接合可能な領域の面積を増やして、熱接触を高めることができる。」
　
（エ）「【００７３】まず、
一実施形態に係る発光装置
【００７４】発光素子サブマウント構造体１１７を金属配線基板３００に搭載する際は、図１８（ｃ）に示すように、
実装基板１０の裏面と金属配線基板３００の金属板３０の間には、はんだ４３を介在させる
【００７５】上述の溝部７の構造にすることにより、アルミナのように比較的もろい材質の実装基板においても、強度を確保しつつ実装基板１０の厚みを部分的に小さくすることができる。また、溝部７の表面に、例えば熱伝導率の大きいＣｕめっき（熱伝導率：３１３Ｗ／ｍＫ）による金属膜を形成してもよく、さらに溝部７に、はんだ（熱伝導率：５０Ｗ／ｍＫ）を充填することで、この部分の熱抵抗が大幅に低減される。従って、主要伝熱経路であるＬＥＤチップ実装部下部の実装基板部分の熱抵抗が小さくなるので、チップの温度上昇を小さくすることができる。また、金属膜の形成方法として、めっき法の他に、蒸着法などを用いてもよい。金属膜の材料としては、銅の他、例えば金、銀など、実装基板より熱伝導性に優れ、はんだの濡れ性の良いものであればよい。実装基板底面の溝部７表面に、実装基板よりも熱伝導性に優れ、かつ、はんだと濡れ性の良い銅めっきを施すことにより、実装基板から配線基板側への放熱が促進される。溝部７を有する発光装置において、放熱補助材料として溝部７に充填される充填材は、
上述のはんだに限られず、
放熱シリコーン樹脂等の、実装基板１０よりも高熱伝導率の材料を用いることができる。
　
（オ）「【００９９】次に、図４１に示すさらに他の溝部構造を有する発光装置について説明する。この発光装置において
、発光素子サブマウント構造体１２３の実装基板１０
めっき膜７４ａが形成
【０１００】めっき膜７４ａとしては、例えば、銀めっきや銀以外の金属（例：銅、ニッケル等）めっきを用いることができる。また、めっきに替えて、白色塗料を塗布したものであってもよい。このような空洞部７４及びめっき膜７４ａの構造によると、上記同様の効果に加え、さらに、
ＬＥＤチップ５０から放射され
側方への迷光を実装基板の上面側へ取り出
光利用効率が向上
　
（カ）図１、３、１８、４０及び４１は、次のものである。
　
（ク）引用発明
ａ　上記（ア）によれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる。
「配線部を有する実装基板、及びその実装基板上に実装されたＬＥＤ（発光ダイオード）チップを含む発光素子サブマウント構造体と、
　金属板、及びその金属板上に絶縁層を介して形成された配線パターンを含む金属配線基板とを備え、
　前記発光素子サブマウント構造体を前記金属配線基板に実装してなる発光装置において、
　前記実装基板の配線部が、前記金属配線基板の方向に引き出されて前記配線パターンに電気的に接続されており、且つ前記実装基板が、前記金属配線基板の露出した金属板と熱的接触している発光装置。」
　
ｂ　また、上記（イ）ないし（オ）の記載を踏まえて、（カ）の図１８をみると、上記ａの発光装置の実装基板のカップ部の底面近傍から右方向に延伸された配線部、及び、同様に左方向に延伸された配線部は、互いに間隔を開けて形成されるものであってよく、また、上記ａの発光装置のサブマウント構造体は、金属配線基板の金属板上に絶縁層を介して形成された配線パターン上に実装される第１面と、凹所となったカップ部を備える第２面とを有し、前記カップ部は傾斜面を有し、前記カップ部の深さは、ＬＥＤチップの高さよりも相対的に大きく形成されて、前記ＬＥＤチップが、前記カップ部内に位置するものであってよいことが理解できる。
　
ｃ　上記ｂを踏まえると、上記ａの発光装置は、下記のような発明であるということができる。
「配線部を有する実装基板、及びその実装基板上に実装されたＬＥＤ（発光ダイオード）チップを含む発光素子サブマウント構造体と、
　金属板、及びその金属板上に絶縁層を介して形成された配線パターンを含む金属配線基板とを備え、
　前記発光素子サブマウント構造体を前記金属配線基板に実装してなる発光装置において、
　前記実装基板の配線部が、前記金属配線基板の方向に引き出されて前記配線パターンに電気的に接続されており、且つ前記実装基板が、前記金属配線基板の露出した金属板と熱的接触している発光装置において、
　前記発光素子サブマウント構造体は、その上面にＬＥＤチップを搭載するための凹所となったカップ部を備えた実装基板と、その実装基板のカップ部の底面近傍から右方向に延伸された配線部、及び、同様に左方向に延伸された互いに間隔を開けて形成される配線部を有し、
　前記発光素子サブマウント構造体は、金属配線基板の金属板上に絶縁層を介して形成された配線パターン上に実装される第１面と、カップ部を備える第２面とを有し、前記カップ部は傾斜面を有し、前記カップ部の深さは、前記ＬＥＤチップの高さよりも相対的に大きく形成され、前記ＬＥＤチップは、前記カップ部内に位置する発光装置。」（以下「引用発明」という。）
　
ウ　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「（互いに間隔を開けて形成される）配線部」、「『実装基板』及び『（実装基板上に実装されたＬＥＤチップを含む）発光素子サブマウント構造体』」、「ＬＥＤチップ」、「金属板」、「絶縁層」、「（凹所となった）カップ部」及び「発光装置」は、本願補正発明の「（互いに間隔を空けて形成される）第１電極層及び第２電極層」、「サブマウント」、「発光素子」、「金属ステム」、「第２絶縁層」、「グルーブ」及び「光源装置」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明の「発光素子サブマウント構造体」は、「金属配線基板の金属板上に絶縁層を介して形成された配線パターン上に実装される」ものであるから、発光素子サブマウント構造体は、絶縁層上に実装されるものであるといえる。
　そうすると、引用発明は、本願補正発明の「サブマウント」が「前記第２絶縁層に全面が接着される第１面」を有するとの構成のうち、「前記第２絶縁層に接着される第１面」を有する構成である点で一致する。
　
（ウ）引用発明のＬＥＤチップは、配線部を有する実装基板上に実装されるものであるところ、上記イ（ウ）によれば「ＬＥＤチップ５０は、透明結晶基板６０を上方に向け、各電極６２，６５を下に（フェースダウン）して実装基板１０の上面凹部にマウントされる」ものであって、「実装基板１０の凹部底面における各配線部には、ＬＥＤチップ５０上の各電極との接合のための接合部材が予め設けられ」、「これらの接合部材６３，６６，６９は、金などによるスタッドバンプやはんだなどによるソルダーバンプなどの単体金属、又は合金製の接合部材が用いられる」ものであることに照らして、引用発明は、配線部の上に形成されるはんだ層を備え、ＬＥＤチップは前記はんだ層に接続されるものであるといえる。
　そうすると、引用発明は、本願補正発明の「前記第１電極層の上に形成される第１半田層と、前記第２電極層の上に形成される第２半田層と、を備え、前記発光素子は、前記第１半田層と前記第２半田層とに接続され」るとの構成を備える。
　
　以上によれば両者は、
「金属ステムと、
　前記金属ステムに堆積される第２絶縁層と、
　前記第２絶縁層に接着される第１面と、グルーブを備える第２面と、を有するサブマウントと、
　前記サブマウントに接続される発光素子と、を備え、
　前記グルーブは、傾斜面を有し、
　前記サブマウントの第２面は、
　　前記グルーブの上に、互いに間隔を空けて形成される第１電極層及び第２電極層と、
　　前記第１電極層の上に形成される第１半田層と、
　　前記第２電極層の上に形成される第２半田層と、
　を備え、
　前記発光素子は、前記第１半田層と前記第２半田層とに接続され、
　前記グルーブの深さは、前記発光素子の高さよりも相対的に大きく形成され、前記発光素子は、前記グルーブ内に位置する光源装置。」で一致し、
　
ａ　本願補正発明のサブマウントの第１面は、第２絶縁層に「全面が」接着されるのに対して、引用発明の発光素子サブマウント構造体の第１面は、絶縁層に「全面が」接着されるものではない点（以下「相違点１」という。）、及び、
　
ｂ　本願補正発明のグルーブは「全面に形成される反射層と、前記反射層の上の全面に形成される第１絶縁層」を有し、第１電極層及び第２電極層は「第１絶縁層の上に」形成され、グルーブの傾斜面は、「発光素子の側面から発光する光を金属ステムの前方に集光する」のに対して、引用発明は「全面に形成される反射層と、前記反射層の上の全面に形成される第１絶縁層」を備えておらず、実装基板のカップ部の底面近傍から右方向に延伸された配線部、及び、同様に左方向に延伸された互いに間隔を開けて形成される配線部は絶縁層の上に形成されておらず、ＬＥＤチップの側面から発光する光を金属配線基板の前方に集光するものではない点（以下「相違点２」という。）、
で相違するものと認められる。
　
エ　判断
（ア）上記相違点１について検討する。
　引用発明は、放熱性能を向上させるために、実装基板と金属板を熱的接触しているが、引用文献には、実装基板の裏面と金属配線基板の金属板の間には、はんだを介在させるところ、上述のはんだに限られず、放熱シリコーン樹脂等の、実装基板よりも高熱伝導率の材料を用いることができる旨が記載されている（上記イ（エ）参照）ことに照らして、熱的接触を阻害しない絶縁層（放熱シリコーン樹脂等）を介することを妨げるものではなく、必要に応じて、熱伝導性を確保した上で絶縁層を介する構成とすることに、格別困難があるものとは認められない。
　これに対して、本願明細書において、本願補正発明における「サブマウントの第１面が第２絶縁層に全面に接着される」ことに関する技術的意義を説明する記載は見当たらない。
　してみると、引用発明において、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（イ）上記相違点２について検討する。
　引用文献には、ＬＥＤチップから放射された側方への迷光を実装基板の上面側へ取り出し、光利用効率を向上するために発光素子サブマウント構造体の実装基板１上面中央部に設けたＬＥＤチップ実装用の凹部の壁面に対向する側にめっき膜を形成することが記載されている（上記イ（オ）参照）ことに照らせば、引用発明は、前記めっき膜を形成した、本願補正発明の「発光素子の側面から発光する光を金属ステムの前方に集光する」構成を備えるものであってもよいといえる。
　そして、めっき膜を形成するに際しては、ＬＥＤチップから放射された側方への迷光を実装基板の上面側へ取り出し、光利用効率を向上することができる構成であれば、発光素子サブマウント構造体の実装基板の上面中央部に設けたＬＥＤチップ実装用の凹部の壁面に対向する側、あるいは、前記凹部の壁面側のいずれに形成してもよいといえるところ、導電性を有するめっき膜を形成するに際して、配線部等他の部材との間を絶縁する必要性があれば適宜の絶縁層を設けて絶縁することは、当業者が当然考慮すべき事項であるから、引用発明において、実装基板のカップ部の形状に対応して全面に絶縁層を介しためっき膜を形成し、その上に配線部を設け、当該配線部にＬＥＤチップを実装する構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年７月５日付で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　前記第２、（３）イのとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２、２（２）補正の目的」のとおり、本願補正発明は、本願発明に限定を付加したものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加した本願補正発明が、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである以上、上記第２、２（３）での検討と同様の理由により、本願発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明し得るものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。