【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地に比べて高い動作電圧にあるガスボックスからイオン注入ツールへのドーパント源ガスの送出のためのドーパント源ガス供給装置であって、
前記ガスボックス及び前記イオン注入ツールは外側筐体内にあり、前記ドーパント源ガス供給装置は、以下の装置配置（Ａ）及び（Ｂ）、すなわち、
（Ａ）前記外側筐体外にイオン注入システムの前記ガスボックスと遠隔関係で位置するように構成されたドーパント源ガス供給容器と、前記ガスボックス内に位置するように構成されたドーパント源ガスローカル容器と、前記ドーパント源ガスローカル容器と供給関係で前記ドーパント源ガス供給容器を相互接続する供給ラインであって、イオン注入ツールが非動作状態でありかつ前記ガスボックスが前記高い動作電圧でないときだけ前記供給容器から前記ローカル容器へドーパント源ガスを流すように構成された供給ラインと、を備える装置配置と、
（Ｂ）前記ガスボックス外で前記外側筐体内に位置するように構成されたドーパント源ガス容器と、前記ガスボックス内に位置するように構成された流れ回路であって、前記ガスボックスはその中にドーパント源ガス容器を持たない、流れ回路と、前記ドーパント源ガス容器からドーパント源ガスを受け、前記ガスボックスが前記高い動作電圧にあるときに前記ガスボックス内の前記流れ回路に前記ドーパント源ガスを送出するように構成された、電気的に絶縁されたドーパント源ガス供給ラインと、を備える装置配置と、から構成された群から選択される配置で配置される、ドーパント源ガス供給装置。
【請求項２】
配置（Ａ）を備える、請求項１に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項３】
配置（Ｂ）を備える、請求項１に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項４】
前記外側筐体外に位置するように構成されたドーパント源ガス供給容器であって、前記外側筐体内に位置する前記ドーパント源ガス容器と供給関係のドーパント源ガス供給容器を、前記ガスボックス外にさらに備える、請求項３に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項５】
ガスボックスと、前記ガスボックスからドーパント源ガスを受けるように構成されたイオン注入ツールと、を含む外側筐体を含むイオン注入システムであって、請求項１に記載のドーパント源ガス供給装置を含む、イオン注入システム。
【請求項６】
前記ドーパント源ガス供給装置は配置（Ａ）で配置される、請求項５に記載のイオン注入システム。
【請求項７】
前記ドーパント源ガス供給装置は配置（Ｂ）で配置される、請求項５に記載のイオン注入システム。
【請求項８】
請求項１に記載のドーパント源ガス供給装置を使用する工程を含むイオン注入方法。
【請求項９】
前記イオン注入は、半導体製品、フラットパネルディスプレイ製品、太陽エネルギー製品から構成された群から選択される製品を製造する方法で実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ガスボックスを含むイオン注入システムのためのドーパント源ガス供給装置であって、
前記イオン注入システムの前記ガスボックスと遠隔関係で位置するように構成されたドーパント源ガス供給容器と、
前記イオン注入システムの前記ガスボックス内に位置するように構成されたドーパント源ガスローカル容器と、
前記ドーパント源ガスローカル容器と供給関係で前記ドーパント源ガス供給容器を相互接続する供給ラインであって、前記イオン注入システムが非動作状態であるときだけ、前記供給容器から前記ローカル容器へドーパント源ガスを流すように構成された供給ラインと、を備えるドーパント源ガス供給装置。
【請求項１１】
前記供給ラインは、前記供給ラインを通るガスの流れを制御するように配置された中央演算処理装置を備えるアセンブリにより、前記イオン注入システムが非動作状態にあるときにだけドーパント源ガスを流し、前記イオン注入システムが動作状態にあるときに不活性加圧ガスで排気又は充填されるように構成される、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項１２】
前記中央演算処理装置は、前記供給ラインを通るガスの流れを制御する少なくとも１つの弁と作動的に結合される、請求項１１に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの弁は前記供給ライン中に少なくとも１つの弁を含む、請求項１２に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの弁は前記ドーパント源ガス供給容器の弁頭内に流量制御弁を含む、請求項１２に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項１５】
前記供給ラインは絶縁材料から構成される、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項１６】
前記絶縁材料はポリテトラフルオロエチレンを含む、請求項１５に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項１７】
前記供給ラインは単一導管を備える、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項１８】
前記供給ラインは同軸二重導管を備える、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項１９】
前記供給ラインは複数のガス流の通路を含む、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項２０】
ドーパント源ガスの前記供給ラインをパージするためのガスパージングアセンブリをさらに備える、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項２１】
前記供給容器は、圧力調節されたガス貯蔵分配容器を備える、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項２２】
前記ローカル容器は、前記ドーパント源ガスに対する吸着親和性を有する物理的吸着剤を含むガス貯蔵分配容器を備える、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項２３】
前記ローカル容器は、前記ドーパント源ガスに対する吸着親和性を有する物理的吸着剤を含むガス貯蔵分配容器を備える、請求項２１に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項２４】
前記供給容器は、アルシン、ホスフィン、三フッ化ホウ素、シランからなる群から選択されるドーパント源ガスを含む、請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置。
【請求項２５】
請求項１０に記載のドーパント源ガス供給装置を備えるイオン注入システム。
【請求項２６】
ガスボックスを含むイオン注入処理システムの操作方法であって、
ドーパント源ガス貯蔵分配ローカル容器を前記ガスボックス内に配置する工程と、
供給ラインにより、前記ドーパント源ローカルガス貯蔵分配容器と、前記ガスボックスと遠隔関係で位置するドーパント源気体供給容器と、を接続する工程と、
前記イオン注入処理システムが非動作状態にあるときだけ前記供給容器から前記ローカル容器へドーパント源ガスを流す工程と、を含む方法。
【請求項２７】
前記イオン注入処理システム内のイオン源の活性化に関わる前記イオン注入処理システムの動作中、前記供給ラインを排気された状態又は加圧不活性ガスで充填された状態に維持する工程を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記供給容器は、圧力調節されたガス貯蔵分配容器を備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記ローカル容器は、前記ドーパント源ガスに対する吸着親和性を有する物理的吸着剤を含むガス貯蔵分配容器を備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記ローカル容器は、前記ドーパント源ガスに対する吸着親和性を有する物理的吸着剤を含むガス貯蔵分配容器を備える、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記供給容器は、アルシン、ホスフィン、三フッ化ホウ素、シランからなる群から選択されるドーパント源ガスを含む、請求項２６に記載の方法。