【事件の表示】
　特願２００４−３３８８２６「圧力センサ、その圧力センサを有する内燃機関の燃焼室用圧力センサ及び排気管内用圧力センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月　８日出願公開、特開２００６−１４５４６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１１月２４日の出願であって、平成２２年１１月２６日付けで特許請求の範囲及び明細書についての補正がなされ、平成２３年１０月１８日付けで特許請求の範囲及び明細書についての補正がなされ、同年同月１９日付けで特許請求の範囲についての補正がなされ、平成２４年２月８日付け（送達：同年同月１４日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　その後、当審より平成２５年７月５日付け（発送：同年同月１６日）で拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、同年９月３日付けで特許請求の範囲及び明細書についての補正（以下、「補正１」という。）がなされるとともに、同日付けで意見書の提出があった。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は、補正１によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。
「基板と、
　この基板上に形成される絶縁膜と、
　半導体材料に不純物成分を拡散させて形成したピエゾ抵抗体を有するように前記絶縁膜上に形成される抵抗素子とを備えている圧力センサにおいて、
　前記不純物成分の濃度は、前記ピエゾ抵抗体の深さ方向において略一定であり、
前記ピエゾ抵抗体は２μｍ以下の厚さを有し、表裏面における前記不純物成分の濃度の差が５０％以内であることを特徴とする圧力センサ。」（以下、「本願発明」という。）
　
３．当審拒絶理由
　当審拒絶理由の一つは、本願の特許請求の範囲に記載の各請求項に係る発明は、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−３４３７０５号公報（発明の名称：ＳＯＩ基板を用いた圧力センサ、出願人：横河電機株式会社、公開日：平成５年１２月２４日、以下、「引用例」という。）に記載された発明及び周知な事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
４．引用例に記載の事項・引用発明
（１）記載事項
　引用例には、ＳＯＩ基板を用いた圧力センサ（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）ないし（ｃ）が図面とともに記載されている。
（ａ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体基板に形成したダイアフラムと，そのダイアフラム上に歪みゲージを形成してダイアフラムに印加される圧力を測定する構成の圧力センサに関し，特に，例えば２５０〜３００℃程度の高温領域下においても使用可能な圧力センサに関するものである。」
（ｂ）
「【０００６】【実施例】以下図面を用いて本発明を説明する。図１,図２は本発明の一実施例を示す構成図であり，図１は平面図，図２は図１のＡ−Ａ’断面図である。これらの図において，１は不純物濃度〜１０14程度で厚さ０．５ｍｍ程度のｐ形Ｓｉ基板であり，この基板上に厚さ１μｍ程度のＳｉＯ2層１ａおよび基板１同程度の濃度で厚さ１μｍ程度のＳｉ層１ｂが積層されている。２は異方性エッチングにより形成された空洞で，この空洞により基板表面にダイアフラム３を形成している。なお，エッチング後の基板Ｓｉの厚さは２５μｍ程度でこの上にＳｉＯ2層１ａおよびＳｉ層１ｂを有することになる。」
（ｃ） 
 「【０００７】５はＳｉＯ2（１ａ）上に形成された歪ゲージであり，Ｓｉ単結晶に所定の濃度の不純物（例えば１０16〜１０18ｃｍ-3程度）のｐ+層を注入して形成されている。」　
 　図２ないし図５に、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ2層１ａが積層され、ＳｉＯ2層１ａの上にＳｉ層１ｂが積層され、Ｓｉ層１ｂに歪ゲージ５が形成されていることが図示されている。
　
（２）引用発明
・前記（ａ）から、
（ア）「圧力センサ」であるとの技術事項が読み取れる。
・前記記載（ｂ）、（ｃ）、図２ないし図５から、
（イ）「Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１の上に積層されるＳｉＯ2層１ａと、、ＳｉＯ2層１ａの上に厚さ１μｍ程度に積層されるＳｉ層１ｂと、Ｓｉ層１ｂに形成される歪ゲージ５とを備える」との技術事項が読み取れる。
・前記記載（ｃ）から、
（ウ）「歪ゲージは、Ｓｉ単結晶に所定の濃度の不純物のｐ+層を注入して形成される」との技術事項が読み取れる。
　
　以上の技術事項（ア）ないし（ウ）を総合すると、引用例から次の発明を認定することができる。
「Ｓｉ基板１と、
前記Ｓｉ基板１の上に積層されるＳｉＯ2層１ａと、
前記ＳｉＯ2層１ａの上に厚さ１μｍ程度に積層されるＳｉ層１ｂと、
前記Ｓｉ層１ｂに形成される歪ゲージ５とを備える圧力センサであって、
前記歪ゲージ５は、Ｓｉ単結晶に所定の濃度の不純物のｐ+層を注入して形成される圧力センサ。」（以下、「引用発明」という。）
　
５．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　引用発明における「Ｓｉ基板１」、「前記Ｓｉ基板１の上に積層されるＳｉＯ2層１ａ」、「Ｓｉ単結晶に所定の濃度の不純物のｐ+層を注入して形成されている歪ゲージ５」は、本願発明の「基板」、「この基板上に形成される絶縁膜」、「半導体材料に不純物成分を拡散させて形成したピエゾ抵抗体」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明の歪みゲージ５は、ＳｉＯ2層１ａの上の、厚さ1μｍ程度のＳｉ層１ｂから形成されているから、本願発明における「絶縁膜上に形成される抵抗素子」であって、「２μｍ以内」という本願発明のピエゾ抵抗体の厚さ条件を満たしていると認める。 
　してみると、両者の一致点、相違点は、以下のとおりである。
（一致点） 
「基板と、
　この基板上に形成される絶縁膜と、
　半導体材料に不純物成分を拡散させて形成したピエゾ抵抗体を有するように前記絶縁膜上に形成される抵抗素子とを備えている圧力センサにおいて、
　前記ピエゾ抵抗体は２μｍ以下の厚さを有する圧力センサ。」
（相違点） 
　本願発明が、「前記不純物成分の濃度は、前記ピエゾ抵抗体の深さ方向において略一定であり、・・・表裏面における前記不純物成分の濃度の差が５０％以内であること」とあるように、ピエゾ抵抗体表裏面における前記不純物成分の濃度の差が５０％以内である程度に、不純物成分の濃度がピエゾ抵抗体の深さ方向において略一定であるのに対し、引用発明では、この点が明らかでない点。
　
６．当審の判断
　上記相違点について、検討する。 
　
　不純物が拡散したシリコン半導体センサにおいて、深さ（厚さ）方向に不純物濃度を均一(すなわち、一様）にすることは、下記（ａ）ないし（ｃ）に示すように、本願出願前に周知な要請である。
（ａ）当審拒絶理由で引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００３−９８０２５号公報（以下「周知例１」という。）には、以下の記載がある。
「【０００５】さらに、ＳＯＩウェハ等を利用することにより、結晶性に依存する感度低下は抑制することができるが、ピエゾ抵抗素子が拡散法やイオン注入法により形成されているため、ピエゾ抵抗素子の深さ方向に対する不純物濃度が均一にならず、最も大きな応力を受けるシリコンと酸化膜との界面付近のピエゾ抵抗素子の不純物濃度が一般的に低くなってしまうことから、ピエゾ抵抗効果が十分に発揮されず、結果として感度が低下してしまうという問題があった。」
　よって、周知例１には、ピエゾ抵抗素子の深さ方向に対する不純物濃度を均一にし、最も大きな応力を受けるシリコンと酸化膜との界面付近のピエゾ抵抗素子の不純物濃度を高くすることで、ピエゾ抵抗効果が十分に発揮されるようにしようとする要請が記載されているといえる。
　
（ｂ）同じく、当審拒絶理由で引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−２０８３７５号公報（以下「周知例２」という。）には、以下の記載がある。
「この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、ケージ抵抗の温度特性を均一なボロン濃度のシリコン半導体で予想される直線に近い温度特性に近づけ、シリコン半導体圧力センサの外部回路による温度補償をより精度よく行うことができる半導体圧力センサを得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
　この発明による半導体圧力センサのゲージ抵抗は、深さ方向にボロン不純物濃度が均一、増大してなるものである。」（第２頁左上欄第１７行ないし右上欄第７行参照。）
　よって、周知例２には、深さ方向にボロン不純物濃度を均一にしようとする要請が記載されているといえる。
　
（ｃ）同じく、当審拒絶理由で引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−２３７７６１号公報（以下「周知例３」という。）には、以下の記載がある。
「まず、シリコン単結晶基板２が用意され、熱酸化により一表面にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）３が形成される。次に、ボロン（Ｂ）等のＰ型不純物を拡散してピエゾ抵抗層が厚さ方向に一様に形成されたシリコン単結晶からなるバルク型の歪ゲージ板４を上記シリコン基板２と貼り合わせ、」（第３頁左下欄第６行ないし第１２行参照。）
　よって、周知例３には、「ボロン（Ｂ）等のＰ型不純物を拡散してピエゾ抵抗層が厚さ方向に一様に形成されたシリコン単結晶を」得ようとする要請が記載されているといえる。
　
　してみると、引用発明において、上記周知な要請を踏まえれば、深さ（厚さ）方向に不純物濃度を均一(一様）とすることは当業者が容易に想到し得ることであり、結果として、本願発明のように、表裏面における不純物成分の濃度の差が５０％以内であることになる。 
　
７．請求人の主張について
　請求人は、前記意見書において、概略、周知例１には本願発明における特有の課題の記載がなく、表裏面における不純物成分の濃度の差が５０％以内となるほど均一とする必要性や、表裏面における不純物成分の濃度の差が５０％以内のピエゾ抵抗体を得るための具体的手段が何ら記載も示唆もされておらず、周知例２や周知例３にも、この点が示されていない旨主張している。
　上記請求人の主張について、検討する。
（１）本願発明における特有の課題について
　上記各周知例において、それぞれの具体的課題は異なるものの、それぞれの課題を解決しようと、不純物濃度を均一(一様）にしようとするのであって、上記各周知例と本願発明とが同じ課題ではないからといって、引用発明において、不純物濃度を均一(一様）にしようとする動機付けがないというものではない。
　よって、本願発明における特有の課題についての上記請求人の主張は採用できない。
（２）濃度の差が５０％以内となるほど均一とする必要性について
　不純物濃度を均一（一様）とする要請を踏まえれば、各周知例においても、表裏面における濃度差が生じないようにするという必要性は有しているといえるから、本願発明に係る技術常識からみて、表裏面における不純物成分の濃度の差が５０％以内という必要性も当然有しているといえる。
　よって、濃度の差が５０％以内となるほど均一とする必要性についての上記請求人の主張は採用できない。
（３）濃度の差が５０％以内のピエゾ抵抗体を得るための具体的手段について
　本願発明は、「表裏面における前記不純物成分の濃度の差が５０％以内である」というにとどまり、特許請求の範囲には、そのための具体的手段が特定して記載されているわけではない。
　よって、請求人の主張は、特許請求の範囲の記載に基づくものとはいえず、上記請求人の主張は採用できない。
　
８．むすび
  以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知な要請に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。