【事件の表示】
　特許第３１２９１７０号「角形薄膜チップ抵抗器の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２９１７０号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３１２９１７０号の請求項１に係る発明についての出願は、平成７年１１月１０日（優先権主張平成６年１１月１０日）になされ、平成１２年１１月１７日にその特許の設定登録がなされ、佐々木裕子より特許異議の申立てがなされたものである。
　その後の手続きの経緯は、次のとおりである。
　取消理由通知（第１回）　　　　　平成１３年１１月７日
　特許異議意見書・訂正請求書      平成１４年１月１５日
　取消理由通知（第２回）　　　　　平成１４年５月２２日
　特許異議意見書・訂正請求書      平成１４年７月２９日
　取消理由通知（第３回）　　　　　平成１４年８月１９日
　
（２）平成１４年７月２９日付けの訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を、
「方形の絶縁基板の裏面上に一対の金属厚膜裏面電極層を形成する工程と、前記方形の絶縁基板の主面上の側部に一対の金属薄膜上面電極層を形成する工程と、この一対の金属薄膜上面電極層と少なくとも一部が重なるように前記絶縁基板の主面上に所定の抵抗体パターンを配置したマスクを位置決め固定し、その後、金属薄膜材料をスパッタリングし、その後、マスクを除去して所定の抵抗体パターンを有する金属薄膜抵抗体層を形成する工程と、前記一対の金属薄膜上面電極層の上面および／または金属薄膜抵抗体層を介して前記一対の金属薄膜上面電極層の上面に導体樹脂上面電極層を形成した後前記金属薄膜抵抗体層の抵抗値を修正する工程と、少なくとも前記金属薄膜抵抗体層を覆うように樹脂保護膜層を形成する工程とを備えた角形薄膜チップ抵抗器の製造方法。」と訂正する。
　
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１を更に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議申立てについて
　特許異議申立ての理由の概要は、次のとおりである。
　特許異議申立人佐々木裕子は、証拠として、甲第１号証（特開平６−４５１１８号公報）、甲第２号証（特開平３−６２９０１号公報）及び参考資料１乃至５を提示して、本件請求項１記載の発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（４）取消理由及び判断
ア．取消理由通知の概要
　平成１４年７月２９日付けの取消理由通知の概要は次のとおりである。
　本件訂正発明は、下記刊行物１乃至３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本件訂正発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものである。
　　　　　　　　　　　　 　　　　記
刊行物１　　特開平３−６２９０１号公報
［同公報の２頁左下欄１３行〜３頁左上欄１１行及び第１、２図の記載と効果の記載に特に注意されたい。］
　
刊行物２　　特開平１−１２０８０２号公報
［同公報の２頁左上欄１８行〜右上欄２行の記載に特に注意されたい。］
　
刊行物３　　特開平１−１０９７０２号公報
［同公報の２頁右下欄３行〜１４行の記載及び第２図の記載に特に注意されたい。］
　
備考
「方形の絶縁基板の裏面上に一対の金属厚膜裏面電極層を形成する工程」を有する角形チップ抵抗器の製造方法は、刊行物３にも示されているように従来より周知の製造工程である。
　そして刊行物１乃至３はいづれも、フォトリソプロセスを採用するものではないから、平成１４年７月２９日付けの特許異議意見書３頁２０行〜４頁１８行記載の事項は、刊行物１乃至３記載のものと対比したとき、顕著な効果とはなり得ない。
　次に刊行物２には、Ｎｉ−Ｃｒ等の金属抵抗体をスパッタリングにより形成すること及び金属抵抗体のパターン化をマスキングによって行うことが開示されている。したがって、刊行物１記載の抵抗膜形成に当たり、刊行物２記載の技術を適用することは当業者にとって容易になし得た技術事項である。
　
イ．上記取消理由についての検討　
＜本件発明＞
　訂正明細書の本件発明は、平成１４年８月１９日付けの訂正に係る特許請求の範囲の請求項１により特定されるとおりのものである。
　
＜取消理由についての判断＞
　平成１４年８月１９日付けで上記の取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは何らの応答もない。
　そして、本件発明が上記刊行物１乃至３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである旨の取消理由は、妥当なものと認められる。
　
（５）まとめ
　以上のとおりであるから、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月１１日（２００２．１２．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
角形薄膜チップ抵抗器の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
方形の絶縁基板の裏面上に一対の金属厚膜裏面電極層を形成する工程と、前記
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、一般的に電子回路に用いられる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、電子機器のダウンサイジング化に伴い、その回路基板の実装密度を高めるため、搭載される電子部品に対する小形化および面実装化への要求が高まっている。角形チップ抵抗器に対しても、小形化、高精度化（抵抗値許容差、抵抗温度特性）、高電力化への要求が高まっており、その流れの一つとして、高電力タイプかつ高精度な角形薄膜チップ抵抗器への要求が高まっている。
　【０００３】
　従来例による角形薄膜チップ抵抗器の構造を図３の断面図、およびその製造方法を図４の工程図に示す。
　【０００４】
　図３により製品の構造を説明する。方形の９６％アルミナ基板１１の表面上に形成したＡｕによる一対の薄膜上面電極層１２と、裏面上に形成したＡｕによる一対の薄膜裏面電極層１３と、この一対の薄膜上面電極層１２を覆い、かつ薄膜上面電極層１２間に形成したＮｉ−Ｃｒ合金による薄膜抵抗体層１４と、この薄膜抵抗体層１４を完全に覆うエポキシ系樹脂保護膜層１５と、一対の薄膜上面電極層１２上に露出した薄膜抵抗体層１４を覆いかつ前記樹脂保護膜層１５の両端の一部に重なるように形成した一対の導体樹脂上面電極層１６と、前記導体樹脂上面電極層１６と薄膜裏面電極層１３を接続するように９６％アルミナ基板１１の両端部にそれぞれ形成した一対の薄膜端面電極層１７と、露出した電極部に形成したニッケルおよびはんだによる電極めっき層１８とから構成される。
　【０００５】
　以下に、図４により従来の角形薄膜チップ抵抗器の製造工程を説明する。まず、９６％アルミナからなる絶縁基板１１を受け入れる。次に、９６％アルミナ基板１１の表面および裏面にＡｕを主成分とする金属有機物からなる電極ペーストをスクリーン印刷・乾燥した後、金属有機物電極ペーストの有機成分だけを飛ばし、金属成分だけをアルミナ基板１１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉によって焼成し、薄膜上面電極層１２および薄膜裏面電極層１３を形成する工程を行う。
　【０００６】
　次に、絶縁基板１１の表面上全体にＮｉ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体層１４を形成するスパッタ工程を行い、前記薄膜抵抗体層を所定の抵抗体パターン１４ａに形成するフォトリソプロセス工程（レジスト塗布・乾燥、露光、現像、エッチング、レジスト剥離）を行い、抵抗体パターン１４ａを安定な膜にするために、３５０〜４００℃雰囲気での熱処理を行う。
　【０００７】
　その後、抵抗体パターンの抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミングにより、抵抗値修正工程を行う。
　【０００８】
　次に、抵抗値修正済み抵抗体パターン１４ｂを保護するために、熱硬化性の樹脂による樹脂保護膜層１５の形成工程を行う。次に、薄膜上面電極層１２上の樹脂保護膜層１５に覆われていない抵抗値修正済み抵抗体パターン１４ｂを覆い、かつ樹脂保護膜層１５の両端の一部に重なるように、熱硬化性の導電樹脂による導体樹脂上面電極層１６の形成工程を行う。
　【０００９】
　次に、絶縁基板１１の端面にスパッタを用い、薄膜端面電極層１７を形成する端面電極形成工程を行う。最後に、はんだ付け時の信頼性の確保のため露出した電極部に電極めっき層１８を形成する電極めっき工程を行い、角形薄膜チップ抵抗器を形成していた。
　【００１０】
　また、電極材料にＣｕを使用し、スパッタリングにより金属薄膜層を形成した後、フォトリソプロセスによりパターン形成して、上記従来例と同様に角形薄膜チップ抵抗器を形成する方法もあるが、非常に工程が煩雑になり、かつコスト高であった。
　【００１１】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来の薄膜チップ抵抗器の製造方法では、下記のような課題があった。
　【００１２】
　（１）上面電極層を金属薄膜により形成しており、抵抗値修正の際に抵抗値測定用のトリミングプローブを上面電極層に接触させても、絶縁基板の表面粗さの影響を受け接触が正確に取れずに接触抵抗が発生することが避けられない。したがって、高精度品である抵抗値許容差±０．１％を必要とする１００Ω以下の抵抗値の場合に、その影響が顕著に現れ、所望の抵抗値が得られず、抵抗値歩留が悪かった。
　【００１３】
　（２）薄膜抵抗体層を所望の抵抗体パターンに形成するための工法として、フォトリソプロセスを用いているために、工程が煩雑になり工数を悪化させるためにコスト高になるばかりでなく、工程日数がかかるために各工程でロスタイムが生じていた。
　【００１４】
　（３）上記のような従来の製造方法を用いて、大形の絶縁基板に複数の抵抗体素子を形成した後に、個片に分離して角形薄膜チップ抵抗器を形成した場合、高電力タイプのように個片のチップサイズが大きくなると、１枚の絶縁基板からの取り数が少なくなる（製造設備を共有化しているために絶縁基板の大きさを一定にすることが一般的である）ため、チップサイズが大形化するに伴い、製造原価が大幅に悪化することになっていた。
　【００１５】
　本発明は上記課題を解決するために、低抵抗を有し、かつ抵抗値精度の良い角形薄膜チップ抵抗器を提供することを目的とする。
　【００１６】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法は、方形の絶縁基板の主面上の側部に一対の金属薄膜上面電極層を形成する工程と、この一対の金属薄膜上面電極層と少なくとも一部が重なるように前記絶縁基板の主面上に金属薄膜抵抗体層を形成する工程と、前記一対の金属薄膜上面電極層の上面および／または金属薄膜抵抗体層を介して前記一対の金属薄膜上面電極層の上面に導体樹脂上面電極層を形成した後前記金属薄膜抵抗体層の抵抗値を修正する工程とを備えたものである。
　【００１７】
　【発明の実施の形態】
　本発明の請求項１に記載の発明は方形の絶縁基板の主面上の側部に一対の金属薄膜上面電極層を形成する工程と、この一対の金属薄膜上面電極層と少なくとも一部が重なるように前記絶縁基板の主面上に金属薄膜抵抗体層を形成する工程と、前記一対の金属薄膜上面電極層の上面および／または金属薄膜抵抗体層を介して前記一対の金属薄膜上面電極層の上面に導体樹脂上面電極層を形成した後前記金属薄膜抵抗体層の抵抗値を修正する工程と、少なくとも前記金属薄膜抵抗体層を覆うように樹脂保護膜層を形成する工程とを備えたものである。
　【００１８】
　以上の請求項にすることにより、以下の作用を有するものである。
　【００１９】
　（１）抵抗値修正前に上面電極層を厚膜の導体樹脂により形成することにより、抵抗値修正の際に抵抗値測定用のトリミングプローブを上面電極層に接触させても、絶縁基板の表面粗さの影響を受けずに接触を正確に取れることから、接触抵抗の影響を避けることができる。
　【００２０】
　（２）薄膜抵抗体層を所望の抵抗体パターンに形成するための工法として、工程が煩雑なフォトリソプロセスを用いず、マスクを使用して簡略な工法を使用するために、特に高電力タイプのような個片のチップサイズが大きくなる場合でも、安価な製品を製造することができる。
　【００２１】
　以下、本発明の一実施の形態における角形薄膜チップ抵抗器およびその製造方法について、図面を用いて説明する。
　【００２２】
　図１は本発明の一実施の形態における角形薄膜チップ抵抗器の断面図である。
　【００２３】
　図１において、２は方形の９６％アルミナ基板１の主面上の側部に形成したＡｕによる一対の薄膜上面電極層である。３は９６％アルミナ基板１の裏面上に形成したＡｇ系により設けられた一対の厚膜裏面電極層である。４は一対の薄膜上面電極層２の一部と重なるとともに、薄膜上面電極層２間に設けられたＮｉ−Ｃｒ合金による薄膜抵抗体層である。５は一対の薄膜上面電極層２上の薄膜抵抗体層４を覆うように設けられた一対の導体樹脂上面電極層である。６は少なくとも薄膜抵抗体層４を覆いかつ導体樹脂上面電極層５の一部に重なるように設けられたエポキシ系の樹脂保護膜層である。７は導体樹脂上面電極層５と厚膜裏面電極層３を接続するように９６％アルミナ基板１の両端部にそれぞれ設けられた一対の薄膜端面電極層である。８は薄膜端面電極層７を覆うように設けられたニッケルおよびはんだによる電極めっき層である。
　【００２４】
　以上のように構成された角形薄膜チップ抵抗器について、以下にその製造方法について説明する。図２は、本発明の一実施の形態における角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を示す工程図である。
　【００２５】
　まず、耐熱性および絶縁性に優れた９６％アルミナ基板１を準備する工程Ａを行う。このアルミナ基板１には、後の分割工程で個片に分離するための分割溝が縦方向および横方向に一定の間隔で形成されており、１枚のアルミナ基板１から同時に複数の角形薄膜チップ抵抗器が形成できるようにしている。
　【００２６】
　次に、９６％アルミナ基板１の裏面にＡｇを主成分とする厚膜電極ペーストをスクリーン印刷・乾燥した後、ベルト式連続焼成炉によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成し、厚膜裏面電極層３を形成する。
　【００２７】
　次に、９６％アルミナ基板１の主面上の側部にＡｕを主成分とする金属有機物からなる電極ペーストをスクリーン印刷・乾燥した後、有機成分を飛ばし、金属成分だけを９６％アルミナ基板１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成し、薄膜上面電極層２を形成する工程Ｂを行う。
　【００２８】
　次に、９６％アルミナ基板１上にＮｉ−Ｃｒの薄膜抵抗体層４を形成するスパッタ工程Ｃを行う。この際に、アルミナ基板１の分割溝で区画された素子ごとに呼応して一定の間隔で縦方向および横方向に所定の抵抗体パターン４ａを配置したメタルマスクをアルミナ基板に位置決め固定する。位置決めは、先に形成した薄膜上面電極層２間に抵抗体パターン４ａを配置する。その後、金属薄膜材料Ｎｉ−Ｃｒをスパッタリングし、その後マスク除去して所定の抵抗体パターン４ａを有する薄膜抵抗体層４を形成する。この際、抵抗体パターン４ａ以外はマスクにより隠されているため、分割溝へは金属薄膜材料の侵入はない、
　【００２９】
　従来であれば、分割溝を含めてアルミナ基板全体に金属薄膜材料をスパッタした後に、フォトリソプロセス（レジスト塗布・乾燥、露光、現像、エッチング、レジスト剥離）を行っていたため、分割溝内に侵入した薄膜金属材料を除去することが非常に難しかった。また、フォトリソプロセスがないため、裏面電極材料としてＡｇ系の厚膜電極ペーストを使用することができ、従来よりも電極強度を向上させることができる（エッチング工程があると、エッチング液により厚膜材料中のガラス成分が侵されてしまうために使用できない。）。
　【００３０】
　次に、抵抗体パターン４ａを安定な膜にするために、３５０〜４００℃の温度雰囲気での熱処理工程Ｄを行う。
　【００３１】
　次に、薄膜上面電極層２の上層部分の抵抗体パターン４ａおよび薄膜上面電極層２を覆うように、銀を導電金属材料として含有する導電樹脂ペーストをスクリーン印刷し、２００℃・３０分のプロフィールにて熱硬化して導体樹脂上面電極層５を形成する工程Ｅを行う。これは次の抵抗値修正時の接触を安定化する働きを持つ。
　【００３２】
　また、抵抗体パターンをスパッタする前に導体樹脂上面電極層を形成すると、抵抗体パターン形成時のアルミナ基板とマスクの間に隙間が生じ、薄膜金属材料が不必要な箇所へ侵入する原因となったり、あるいは厚膜導体樹脂材料のためにスパッタ時のステップカバレージを阻害して不連続な薄膜抵抗体層となる危険性があるために、導体樹脂上面電極層は、抵抗体パターン形成後に行わねばならない。
　【００３３】
　その後、抵抗体パターン４ａの抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミングにより、抵抗値修正工程Ｆを行う。導体樹脂上面電極層５を厚膜の導体樹脂により形成していることにより、抵抗値測定用のトリミングプローブを上面電極層に接触させても、絶縁基板の表面粗さの影響を受けずに接触を正確に取れることから、接触抵抗の影響を避けることができ、抵抗値精度を向上することができる。
　【００３４】
　次に、抵抗値修正済み抵抗体パターン４ｂを保護するために、抵抗体パターン４ｂと導体樹脂上面電極層５の抵抗体パターン４ｂの境界部分を覆うように、エポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、２００℃・３０分のプロフィールにて熱硬化して樹脂保護膜層を６を形成する工程Ｇを行う。
　【００３５】
　次に、端面電極層を形成させるための短冊状基板へ分割を行う。
　【００３６】
　次に、９６％アルミナ基板１の端面にスパッタによりＮｉ−Ｃｒ系の薄膜端面電極層７を形成する端面電極形成工程Ｈを行う。
　【００３７】
　最後に、個片状に分割した後に、露出している導体樹脂上面電極層５を厚膜裏面電極層３と薄膜端面電極層７のはんだ付け時の電極食われの防止およびはんだ付け時の信頼性の確保のため、電気めっきによってＮｉおよびＳｎ−Ｐｂのめっき層８を形成する電極めっき工程Ｉを行う。
　【００３８】
　以上の工程により、本発明の実施例による角形薄膜チップ抵抗器を試作した。
　【００３９】
　この本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法で、６４３２タイプ（６．４＊３．２ｍｍ；定格電力１Ｗ）で１０Ω品を製造したところ、抵抗値精度±０．１％での抵抗値歩留が、従来の製造方法よりも約２倍向上させることができ、かつ製造工程として簡単であるため製造原価を従来比で６５％まで低減できた。
　【００４０】
　なお、導体樹脂電極層を銀系の樹脂材料により形成したが、これは導電金属材料を規定するものではなく、銅、金等の電極材料として使用できる。
　【００４１】
　また、本実施の形態では裏面電極層をＡｇ系の厚膜電極ペーストにより形成したが、Ａｕを成分とする金属有機物からなる電極ペーストを使用してもかまわない。
　【００４２】
　また、本実施の形態では薄膜抵抗体層のみ、メタルマスクを使用して簡略な工法で形成したが、薄膜上面電極層も同様の工法により形成可能である。
　【００４３】
　【発明の効果】
　以上のように本発明は、抵抗値精度に優れた低抵抗値を有する角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供できるとともに、以下の効果を有する。
　【００４４】
　（１）抵抗値修正前に上面電極層を厚膜の導体樹脂により形成することにより、抵抗値修正の際に抵抗値測定用のトリミングプローブを上面電極層に接触させても、絶縁基板の表面粗さの影響を受けずに接触を正確に取れることから、接触抵抗の影響を避けることができる。
　【００４５】
　（２）薄膜抵抗体層を所望の抵抗体パターンに形成するための工法として、工程の複雑なフォトリソプロセスを用いず、マスクを使用して簡略な工法を使用するために、特に高電力タイプのような個片のチップサイズが大きい場合でも、安価な製品を製造することができる。
　【００４６】
　（３）従来のフォトリソプロセスにより薄膜抵抗体層を形成する場合に生じていた、分割溝へ薄膜金属材料の侵入がないため、従来必要とされた薄膜金属材料を除去する工程が不必要となり、原価低減できる。
　【００４７】
　（４）フォトリソプロセスが不必要なため、裏面電極材料としてＡｇ系の厚膜ペースト材料を使用することができ、よって電極強度を向上できるだけでなく、材料コストの低減も可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施の形態における角形薄膜チップ抵抗器の断面図
　【図２】
　同工程図
　【図３】
　従来の角形薄膜チップ抵抗器の断面図
　【図４】
　同工程図
　【符号の説明】
　１　９６％アルミナ基板
　２　薄膜上面電極層
　３　厚膜裏面電極層
　４　薄膜抵抗体層
　５　導体樹脂上面電極層
　６　樹脂保護膜層
　７　薄膜端面電極層
　８　電極めっき層