【事件の表示】
　特許第３３１６８３８号「発光装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３１６８３８号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３１６８３８号は、平成９年１月３１日に特許出願され、平成１４年６月１４日に特許権の設定登録がなされたが、京セラ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年６月１２日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
　特許権者の請求する訂正の内容は、次のとおりである。
　ａ．特許請求の範囲の請求項１「前記凹状開口部側壁上に高融点金属粒子で構成される第１の金属層」を「前記凹状開口部側壁上にテーパー形状または凹状曲面形状に形成された高融点金属粒子で構成される第１の金属層」と訂正する
　ｂ．明細書【０００１】第４行、【０００６】第６行、【００３８】第１行「発光光率」を「発光効率」と訂正する。
　ｃ．明細書【０００６】第４行「剥離防止などが生じやすい」を「剥離などが生じやすい」と訂正する。
　ｄ．明細書【０００７】第４〜５行「前記凹状開口部側壁上に高融点金属粒子で構成される第１の金属層」を「前記凹状開口部側壁上にテーパー形状または凹状曲面形状に形成された高融点金属粒子で構成される第１の金属層」と訂正する。
　ｅ．明細書【０００８】第５行「凹状開□部側壁のに設けられた」を「凹状開口部側壁に設けられた」と、同第６行「凹状開口部側壁の第１及び第２の金属層を設けることで」を「凹状開口部側壁に第１及び第２の金属層を設けることで」とそれぞれ訂正する。
　ｆ．明細書【０００９】第２行、【００１９】第７行「テーパ形状」を「テーパー形状」と訂正する。
　ｇ．明細書【００２４】第３行「インジュウム」を「インジウム」と訂正する。
　ｈ．明細書【００３０】第４行、【００３２】第１行、【００３４】第９〜１０行「セラミックスパッケージ」を「セラミックパッケージ」と訂正する。
　ｉ．明細書【００３５】第５行「電気的に接続させてた。」を「電気的に接続させた。」と訂正する。
　ｊ．明細書【００４１】を削除する。
　ｋ．明細書【符合の説明】を【符号の説明】と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲に記載された「前記凹状開口部側壁上に高融点金属粒子で構成される第１の金属層」をより下位概念である「前記凹状開口部側壁上にテーパー形状または凹状曲面形状に形成された高融点金属粒子で構成される第１の金属層」と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、当該「テーパー形状または凹状曲面形状に形成」は、特許明細書の【０００９】、【００１９】及び図３に記載されていたものであり、具体的には、【０００９】に「グリーンシート開口部の側壁印刷時に、高融点金属が含有されたペーストの粘度を調整することで反射用の側壁導体層を垂直形状だけでなく、凹状テーパー形状または凹状曲面形状に形成することで、さらなる反射効率などを向上することが可能である。…」と記載され、【００１９】に「本願発明において、高融点金属粒子含有のペーストを粘度により調節させることによりセラミックパッケージの内部から外部に向かって開かれた直線状のテーパー形状または凹状曲面形状とすることができる。…」と記載され、また、図３にこれらの記載に対応する凹部の側壁を傾斜させた構成が図示されているところであって、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｂ、ｃ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ及びｋは、いずれも誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項を追加するものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｄは、上記訂正事項ａの訂正に伴うものであって、上記訂正事項ａと同様に特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定並びに同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立て理由の概要
　申立人は、甲第１号証：特開平５−３３５６２７号公報、甲第２号証：国立天文台編「理科年表平成８年（机上板）」平成７年１１月３０日丸善株式会社発行の５１９頁「金属面の分光反射率」、甲第３号証：特開平４−８３７８３号公報、参考資料１：実願平３−１４６７６号（実開平４−１０５５６２号）のマイクロフィルム、参考資料２：特開平５−３２０９４３号公報、参考資料３：特開平７−６６５３７号公報及び参考資料４：特開平８−２３１２８８号公報を提出して、本件請求項１ないし４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、または、当該発明に基いて当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものであり、これらの特許を取り消すべきと主張している。
　また、申立人は、本件請求項２について、明細書の記載が特許法第３６条第４項及び第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、当該請求項に係る特許を取り消すべきと主張している。
　
（２）本件発明
　本件訂正明細書の特許請求の範囲に記載される発明は、次のとおりである。
「【請求項１】導体配線を内部に配し凹状開口部を有するセラミックパッケージと、該凹状開口部内に前記導体配線と電気的に接続されたＬＥＤチップと、前記凹状開口部をコーティング部材で封止した発光装置であって、
　前記凹状開口部側壁上にテーパー形状または凹状曲面形状に形成された高融点金属粒子で構成される第１の金属層と、該第１の金属層上に第２の金属層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】前記第１の金属層が高融点金属粒子の堆積であると共に第２の金属層が少なくともＬＥＤチップからの光を９０％以上反射する金属メッキ層である請求項１記載の発光装置。
【請求項３】前記高融点金属粒子の平均粒径が、０．３から１００μｍである請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】前記導体配線と前記第１の金属層材料とが実質的に同一である請求項１記載の発光装置。」（以下、「本件発明１」ないし「本件発明４」という。）
　
（３）甲号証に記載された発明
　甲第１号証（特開平５−３３５６２７号公報）には、発光素子収納用パッケージについて記載され、その特許請求の範囲には、
「【請求項１】絶縁基体に凹部を設けるとともに該凹部内に発光素子を収容するようになした発光素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体の凹部内壁に光遮断層を被着させたことを特徴とする発光素子収納用パッケージ。」と記載され、また、実施例について
「【００１０】前記絶縁基体1は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等からなり、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、アルミナ(Al2O3)、シリカ(SiO2)、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温(約1600℃)で焼成することによって製作される。
　【００１１】また前記絶縁基体1は各凹部2の底面から絶縁基体1の外部にかけて各々、一対のメタライズ配線層5が被着形成されている。
　【００１２】前記メタライズ配線層5はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、例えばタングステンの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1と成るセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷等により印刷塗布しておくことによって絶縁基体1の所定位置に所定パターンに被着形成される。」
「【００１７】前記光遮断層8は例えばタングステンやモリブデンーマンガン等の金属粉末から成り、該金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1と成るセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷等により印刷塗布しておくことによって絶縁基体1の凹部2内壁に被着形成される。
　【００１８】尚、前記光遮断層8はその厚みが5.0μm未満であると発光ダイオード3の発する光の一部が隣接する凹部2内に漏洩して表示装置として表示される文字や画像に滲みを発生する危険性がある。従って、前記光遮断層8はその厚みを5.0μm以上、好適には10.0乃至30.0μmとすることがが好ましい。
　【００１９】また前記光遮断層8はその表面に金やニッケル等、光を反射し易い金属をメッキにより層着させておくと、発光ダイオード3の発する光を凹部2内で反射させて発光ダイオード3の発光輝度を実質的に増大させることができ、これによって発光ダイオード3を発光させ表示装置として作動させた場合、発光ダイオード3の発する光は明るく輝き、表示装置として表示される文字や画像を極めて鮮明なものとなすことができる。従って、前記光遮断層8にはその表面に光を反射し易い金属を層着させておくことが好ましい。」
「【００２１】かくして本発明の発光素子収納用パッケージによれば、絶縁基体の凹部2底面に発光ダイオード3を導電性の接着剤6を介して取着し、発光ダイオード3の一方の電極をメタライズ配線層5の一方に接続するともに発光ダイオード3の他方の電極をボンディングワイヤ7を介して他のメタライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、凹部2内にエポキシ樹脂等の透明な樹脂を充填し、発光ダイオード3を気密に封入することによって最終製品としての表示装置となる。」と記載されている。
　　
（４）対比・判断
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明を比較するに、後者の「メタライズ配線層5」、「凹部2」、「発光素子収納用パッケージ」、「発光ダイオード3」、凹部2内に充填される「エポキシ樹脂等の透明な樹脂」、タングステンやモリブデンーマンガン等の金属粉末から成る「光遮断層8」及び光遮断層8の表面に層着される「金やニッケル等、光を反射し易い金属」がそれぞれ、本件発明の「導体配線」、「凹状開口部」、「セラミックパッケージ」、「ＬＥＤチップ」、「コーティング部材」、「高融点金属粒子で構成される第１の金属層」及び「第２の金属層」に相当し、両者は、ともに
「導体配線を内部に配し凹状開口部を有するセラミックパッケージと、該凹状開口部内に前記導体配線と電気的に接続されたＬＥＤチップと、前記凹状開口部をコーティング部材で封止した発光装置であって、前記凹状開口部側壁上に高融点金属粒子で構成される第１の金属層と、該第１の金属層上に第２の金属層を有する発光装置。」の発明である点で一致するものの、前記第１の金属層について、本件発明１では、テーパー形状または凹状曲面形状に形成されているのに対し、甲第１号証には、光遮断層8をそのような形状に形成することについて記載も示唆もない。
　また、甲第２、３号証及び参考資料１ないし４を参照しても、甲第１号証において、上記の構成が当業者に示唆されているとはいえない。
　そして、本件発明１は、上記の第１の金属層をテーパー形状または凹状曲面形状に形成するという構成により、本件明細書記載の作用効果を奏するものと認められ、本件発明１について、甲第１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたということもできない。
　また、本件発明２ないし４は、本件発明１の構成を全て含んで構成されるものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易になし得た発明であるということもできない。
　
（５）明細書の記載についての判断
　本件請求項２に係る発明の「ＬＥＤチップからの光の９０％以上反射する金属メッキ層」について、申立人の提出する甲第２号証によれば、ＬＥＤチップからの光の波長が０．６５０μｍ以下であればアルミニウムが、０．３８０μｍ以上であれば銀が、０．６００μｍ以上であれば金及び銅が９０パーセント以上の反射率を有しているものと認められ、本件明細書の段落【００２１】には、金属メッキ層の金属として、これらのアルミニウム、銀、金、銅が記載されているのであるから、本件請求項２に係る発明について、明細書の記載が特許法第３６条第４項の規定に違反しているとはいえない。
　また、段落【００２１】には「第２の金属層として具体的には、金、銀、白金、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウムやそれらの合金、それらの多層膜などＬＥＤチップから放出された光に対して９０％以上の反射率を有する金属が好適に挙げられる。」と記載されているのであるから、本件請求項２について、明細書の記載が特許法第３６条第６項第１号の規定に違反しているともいえない。　
　
４．むすび
　以上のとおりであって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、訂正後の本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月１８日（２００３．７．１８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
発光装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　導体配線を内部に配し凹状開口部を有するセラミックパッケージと、該凹状開口部内に前記導体配線と電気的に接続されたＬＥＤチップと、前記凹状開口部をコーティング部材で封止した発光装置であって、前記凹状開口部側壁上に
テーパー形状または凹状曲面形状に形成された
　【請求項２】　前記第１の金属層が高融点金属粒子の堆積であると共に第２の金属層が少なくともＬＥＤチップからの光を９０％以上反射する金属メッキ層である請求項１記載の発光装置。
　【請求項３】　前記高融点金属粒子の平均粒径が、０．３から１００μｍである請求項２に記載の発光装置。
　【請求項４】　前記導体配線と前記第１の金属層材料とが実質的に同一である請求項１記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本願発明は、各種データを表示可能なディスプレイ、ラインセンサーなど各種センサーの光源やインジケータなどに利用される発光装置に関し、特に高コントラスト且つ発光
効率
　【０００２】
　【従来の技術】
　今日、ＲＧＢ（赤色系、緑色系、青色系）において１０００ｍｃｄ以上にも及ぶ超高輝度に発光可能なＬＥＤチップがそれぞれ開発された。これに伴い、ＲＧＢ（赤色系、緑色系、青色系）がそれぞれ発光可能なＬＥＤチップを用い混色発光させることでフルカラー表示可能なＬＥＤ表示器とすることができる。具体的には、フルカラー大型映像装置や屋内外で使用される文字表示板等に利用されつつある。ＪＩＳ第２水準漢字などを複雑な文字を表示するためには、特に高精細な表示器が求められる。また、屋内外ともに行き先表示板等の用途では、かなり広い角度から視認可能な表示器であることも求められる。
　【０００３】
　高精細、高視野角及び小形薄型化可能な発光装置として、ＬＥＤチップをセラミックのパッケージ内に配置した発光装置が考えられる。このようなセラミック基板を用いたドットマトリクス状のＬＥＤ表示器の概略斜視図を図１に示す。セラミックをベースとしたパッケージは、グリーンシートと呼ばれる原材料を多層に積層したものを焼成することによって比較的簡単に形成することができる。このパッケージ底辺上に、ＬＥＤベアチップを搭載した発光装置は、ＬＥＤチップを高密度に搭載することで、６ｍｍピッチ以下にもなる高精細化を図ることができる。
　【０００４】
　また、高精細化するとＬＥＤチップからの発熱量が大きくなるが、セラミックの放熱性が良好なためＬＥＤチップの信頼性を確保することもできる。さらに、セラミックを利用したものは、グリーンシート状にタングステンペーストなどを印刷することによってパッケージ形成と同時に配線を簡単に形成させることもできる。そのため、比較的高精細なドットマトリックス形状などに高密度配線することもできる。セラミック基板では凹状開口部の形成が容易であるため、ＬＥＤチップ搭載箇所の保護のための樹脂封止が容易に行えるという利点を有する。ＬＥＤベアチップを直接搭載することで砲弾型ＬＥＤランプと比較して、ＬＥＤチップの全方位の発光が利用できるために、高視野角のディスプレイの作製が可能である。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、セラミック組成や焼結体の緻密性などから、セラミックは、ある程度の光を透過する。そのため、図４に示す如くＬＥＤチップ側面方向の放出された光は、セラミックの側壁部に一部進入する。セラミックの側壁部に進入した光は、散乱されながら表面層を透過してくる。そのため、ディスプレイなど発光装置を正面から観測したときに凹状開口部の外周に弱いリング状の発光が見られる。これが、セラミックパッケージを利用した発光装置においてコントラストを低下させる原因となる。
　【０００６】
　同様に、セラミックパッケージ内での光の損失が多くなると考えられる。また、セラミックパッケージと、コーティング部材である有機樹脂などとは、密着性が悪い。さらに、セラミックは、コーティング部材との熱膨張係数が大きく異なる。そのため温度サイクル時の熱ストレスによるコーティング材の剥
離な
効率に
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本願発明は、導体配線を内部に配し凹状開口部を有する基板と、該凹状開口部内に前記導体配線と電気的に接続されたＬＥＤチップと、前記凹状開口部をコーティング部材で封止した発光装置であって、前記凹状開口部側壁上に
テーパー形状または凹状曲面形状に形成された
　【０００８】
　【作用】
　本願発明は、ＬＥＤチップからの光を反射する金属層をセラミックスなどとの密着性と反射性とに機能分離したものである。具体的には、金属粒子を第１の金属層とすることにより密着性を向上させることができる。また、凹状開口部側壁
に
に
　【０００９】
　グリーンシート開口部の側壁印刷時に、高融点金属が含有されたペーストの粘度を調整することで反射用の側壁導体層を垂直形状だけでなく、凹状テーパ
ー
　【００１０】
　セラミック基板とコーティング部材である有機樹脂とは本来、密着性が悪いが、本願発明の側壁部の表面荒さを制御することで、密着性を向上することが可能となった。これにより封止気密性の向上、温度サイクル時の熱ストレスによるコーティング材の剥離防止等の信頼性の向上効果が期待できる。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　本願発明者は、種々の実験の結果、セラミックパッケージにおける凹状開口部内に壁面処理を施すことによって、発光特性及び信頼性が飛躍的に向上しうることを見出し本願発明を成すに至った。
　【００１２】
　即ち、セラミック材料をパッケージに利用した発光装置において、その開口壁面の少なくとも一部に金属層を形成させることによってセラミックを透過し発光観測面側に生ずるリング状の発光を制御することができる。特にセラミックと一体的に金属層を形成させる場合は、高融点金属を用いることが好ましい。しかしながら、高融点金属は、ＬＥＤチップからの光を必ずしも効率よく反射するとは限らない。本願発明は、セラミックとの密着性と反射性とを機能分離させることにより効率よい発光と信頼性を達成することができる。また、側壁表面の凹凸を選択することによりコーティング部材との密着性をも制御することができ、樹脂の熱膨張時においてもコーティング部の剥離が少なく信頼性が高くなる。
　【００１３】
　具体的には、タングステンが含有された樹脂ペーストをグリーンシート上に所望の形状に印刷させる。開口部を一致させたグリーンシートを多層に積層させ真空中で加熱プレスさせることによって凹状開口部を形成させる。凹状開口部の側壁にタングステンが含有された樹脂ペーストを塗布させる。粘度を調節させることによって外部に向かって開かれた凹状曲面形状とすることが出来る。こうしたグリーンシートを焼成することによってセラミックのパッケージを形成する。セラミックパッケージの凹状開口部の底辺にＬＥＤチップをエポキシ樹脂によってダイボンドさせる。ＬＥＤチップの電極とセラミックパッケージに設けられた導電性パターンとをワイヤーボンディングさせる。開口部内にエポキシ樹脂を注入硬化させることによって本願発明の発光素子を形成させることができる。以下、本願発明の構成要件について種々詳述する。
　【００１４】
　（セラミックパッケージ２０１、３０１）
　本願発明に用いられるセラミックパッケージ２０１、３０１とは、外部環境などからＬＥＤチップ２０６、３０６を保護するためにセラミック材料で形成されたものであり、内部にＬＥＤチップが配置されると共にＬＥＤチップと外部とを電気的に接続する部材が設けられたものである。具体的には、原料粉末の９０〜９６重量％がアルミナであり、焼結助剤として粘度、タルク、マグネシア、カルシア及びシリカ等が４〜１０重量％添加され１５００から１７００℃の温度範囲で焼結させたセラミックスや原料粉末の４０〜６０重量％がアルミナで焼結助剤として６０〜４０重量％の硼珪酸硝子、コージュライト、フォルステライト、ムライトなどが添加され８００〜１２００℃の温度範囲で焼結させたセラミックス等が挙げられる。
　【００１５】
　このようなパッケージは、焼成前のグリーンシート段階で種々の形状をとることができる。パッケージ内の配線は、タングステンやモリブデンなど高融点金属を樹脂バインダーに含有させたペースト状のものを所望の形状にスクリーン印刷などさせる。これがセラミック焼成によって配線となる。開口したグリーンシートを多層に張り合わせることなどによりＬＥＤチップを含有させる開口部をも自由に形成させることができる。したがって、発光観測面側から見て円状、楕円状や孔径の異なるグリーンシートを積層することで階段状の開口部側壁などを形成することも可能である。配線を構成する高融点金属含有の樹脂ペーストを側壁に塗布などすることにより第１の金属として形成することもできる。このようなグリーンシートを焼結させることによってセラミックスで形成されたパッケージとすることができる。また、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＴｉＯ２、Ｆｅ２Ｏ３などをグリーンシート自体に含有させることによって暗色系にさせることもできる。
　【００１６】
　パッケージの凹状開口部は、ＬＥＤチップや導電性ワイヤーなどを内部に配置させるものである。したがって、ＬＥＤチップをダイボンド機器などで直接積載などすると共にＬＥＤチップとの電気的接続をワイヤーボンディングなどで採れるだけの十分な大きさがあれば良い。凹状開口部は、所望に応じて２以上の複数設けることができる。具体的には、１６×１６や２４×２４のドットマトリックスや直線状など種々選択させることができる。凹状開口部のドットピッチが４ｍｍ以下の高細密の場合には、砲弾型ＬＥＤランプを搭載する場合と比較して大幅にドットピッチが縮小したものとすることができる。また、本願発明の構成では、このような高細密においてもＬＥＤチップからの放熱性に関連する種々の問題を解決できる。ＬＥＤチップとパッケージ底部との接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂などが挙げられる。また、フェースダウンＬＥＤチップなど配線と電気的に接続させるためにはＡｇペースト、ＩＴＯペースト、カーボンペースト、金属バンプ等を用いることができる。
　【００１７】
　（第１の金属層２０２、３０２）
　第１の金属層２０２、３０２は、セラミックパッケージと直接接して形成されると共に第２の金属層を形成させる下地となるものである。したがって、上述したようにセラミック焼成と同時に形成される第１の金属層は、セラミック形成時に溶融しないことが必要となる。このような第１の金属層に用いられる高融点金属としては、タングステン、クロム、チタン、コバルト、モリブデンやこれらの合金などが挙げられる。これらの金属粒子を樹脂ペーストに混合させグリーンシートの凹状開口部側壁に塗布或いは印刷などしグリーンシートと共に焼成することによって第１の金属層を形成することができる。金属粒子の粒径を制御することによってセラミックや第１の金属上に形成される第２の金属さらには、その上に形成されるコーティング部材との密着性をも制御することができる。第１の金属に用いられる金属粒径によって、その上に形成される第２の金属表面粗さも制御することができる。そのため、第１の金属粒子の粒径としては、０．３から１００μｍであることが好ましく、１から２０μｍがより好ましい。
　【００１８】
　また、第１の金属層に用いられる金属粒子が含有された樹脂ペーストの粘度を調節させることによりセラミックパッケージの側壁形状を種々に制御することができる。即ち、セラミックパッケージがグリーンシートの積層である限り、開口側壁をテーパー形状とすることが難しい。そのため、単に金属層を形成させたとしても全面に反射率の高い形状とすることができない。
　【００１９】
　本願発明において、高融点金属粒子含有のペーストを粘度により調節させることによりセラミックパッケージの内部から外部に向かって開かれた直線状のテーパー形状または凹状曲面形状とすることができる。開口部に向かって広がった側壁は、更なる反射率を向上させることができる。凹状開口部の側壁形状は、ＬＥＤチップからの発光の損失を避けるために光学的反射に適した直線上のテーパー角ないしは曲面、又は階段状とすることができる。このような側壁反射層の形状をテーパ
ー
　【００２０】
　また、側壁印刷以外の反射導体層形成の方法としては、グリーンシートの開口部に完全に導体ペーストを流入し埋め込んだ後、側壁に導体層を残す範囲で開口部中心をレーザーで穴開けする方法を用いても良い。この場合、レーザー光源としては、炭酸ガスレーザー及びＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどが好適に挙げられる。さらに、第１の金属層は、必ずしも側壁の全面に形成させる必要はない。部分的に第１及び第２の金属層を形成させないことにより所望方向のみ光の反射をさせる。金属層が形成されていない部位は、セラミックを透過して光が広がったように見える。このように側壁に形成させる金属層を部分的に形成させることによって視野角を所望方向に広げることもできる。
　【００２１】
　（第２の金属層２０３、３０３）
　本願発明の第２の金属層２０３、３０３は、第１の金属層２０２、３０２上に形成させるものであって、ＬＥＤチップ２０６、３０６から放出された光を効率よく外部に取り出すための反射機能を有するものである。このような第２の金属層は、第１の金属層上にメッキや蒸着などを利用して比較的簡単に形成させることができる。第２の金属層として具体的には、金、銀、白金、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウムやそれらの合金、それらの多層膜などＬＥＤチップから放出された光に対して９０％以上の反射率を有する金属が好適に挙げられる。
　【００２２】
　第２の金属層は、セラミックパッケージ内に配線された導体配線パターンの表面処理と同時に形成させることもできる。即ち、セラミックパッケージに設けられた導体配線に半田接続性などを考慮してＮｉ／Ａｇ又はＮｉ／Ａｕを第２の金属層形成と同時にメッキさせる場合もある。また、第２の金属層の形成と導電配線の表面とを別々に電気メッキを行っても良い。
　【００２３】
　（ＬＥＤチップ２０６、３０６）
　本願発明に用いられるＬＥＤチップ２０６、３０６は、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層は、量子効果が生ずる薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としても良い。
　【００２４】
　野外などの使用を考慮する場合、高輝度な半導体材料として緑色及び青色を窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウム・アルミニウム・砒素系の半導体やアルミニウム・イン
ジ
　【００２５】
　窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯやＧａＮ単結晶等の材料が用いられる。結晶性の良い窒化ガリウムを量産性良く形成させるためにはサファイヤ基板を用いることが好ましい。窒化物系化合物半導体を用いたＬＥＤチップ例を示す。サファイヤ基板上にＧａＮ、ＡｌＮ等のバッファー層を形成する。その上にＮ或いはＰ型のＧａＮである第１のコンタクト層、量子効果を有するＩｎＧａＮ薄膜である活性層、Ｐ或いはＮ型のＡｌＧａＮであるクラッド層、Ｐ或いはＮ型のＧａＮである第２のコンタクト層を順に形成した構成とすることができる。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でＮ型導電性を示す。なお、発光効率を向上させる等所望のＮ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。
　【００２６】
　一方、Ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｐ型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化ガリウム系半導体は、Ｐ型ドーパントをドープしただけではＰ型化しにくいためＰ型ドーパント導入後に、炉による加熱、低電子線照射やプラズマ照射等によりアニールすることでＰ型化させる必要がある。こうして形成された半導体ウエハーを部分的にエッチングなどさせ正負の各電極を形成させる。その後半導体ウエハーを所望の大きさに切断することによってＬＥＤチップを形成させることができる。
　【００２７】
　こうしたＬＥＤチップは、所望によって複数用いることができ、その組み合わせによって白色表示における混色性を向上させることもできる。例えば、緑色系が発光可能なＬＥＤチップを２個、青色系及び赤色色系が発光可能なＬＥＤチップをそれぞれ１個ずつとすることが出来る。なお、表示装置用のフルカラー発光装置として利用するためには赤色系の発光波長が６１０ｎｍから７００ｎｍ、緑色系の発光波長が４９５ｎｍから５６５ｎｍ、青色系の発光波長が４３０ｎｍから４９０ｎｍであることが好ましい。
　【００２８】
　（コーティング部材２０５、３０５）コーティング部材２０５、３０５とは、セラミックパッケージの開口部内に配されるものであり外部環境からの外力や水分などからＬＥＤチップを保護すると共にＬＥＤチップからの光を効率よく外部に放出させるためのものである。このような、コーティング部材を構成する具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いられる。高密度にＬＥＤチップを配置させた場合は、熱衝撃による導電性ワイヤーの断線などを考慮しエポキシ樹脂、シリコーン樹脂やそれらの組み合わせたものなどを使用することがより好ましい。また、コーティング部材中には、視野角をさらに増やすために拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。また、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、ＬＥＤチップからの光の少なくとも一部を波長変換させる蛍光物質を含有させることもできる。
　【００２９】
　（導電性ワイヤー）
　導電性ワイヤーとしては、ＬＥＤチップの電極とセラミックパッケージに設けられた導体配線とを接続させる電気的接続部材の１種であり、オーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ２／ｃｍ／℃以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ２／ｃｍ／℃以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤーの直径は、好ましくは、φ１０μｍ以上、φ４５μｍ以下である。このような導電性ワイヤーとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。このような導電性ワイヤーは、各ＬＥＤチップの電極と、基板に設けられた導電性パターンなどと、をワイヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。以下、本願発明の具体的実施例について詳述するが本願発明がこれのみに限定されるものでないことは言うまでもない。
　【００３０】
　【実施例】
　（実施例１）
　発光装置として、ドットマトリクス状に１６×１６の凹状開口部を有するセラミックパッケージを使用した。凹状開口部はセラミッ
ク
　【００３１】
　開口部が揃った各グリーンシートを重ね合わせ、真空中で加熱プレスし仮形成させた。開口部が形成された後、開口部の側壁に第１の金属層を構成させるタングステン樹脂ペーストを塗布した。第１の金属層用には、配線層に用いたものと同様のタングステン粒子を用いた。側壁に印刷されるタングステンペーストの粘度は、約１００００ｐｓで側壁印刷時に流入しやすいようにやや粘度を下げた。なお、第１の金属層と導体配線パターンの電気的絶縁のためのグリーンシートは厚さ１５０μｍ程度で反射率が低下しないように構成した。
　【００３２】
　これを焼結させることによって第１の金属層が形成されたセラミッ
ク
　【００３３】
　一方、半導体発光素子であるＬＥＤチップとして、主発光ピークが４５０ｎｍのＩｎＧａＮ半導体を用いた。ＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜させることにより形成させた。ドーパントガスとしてＳｉＨ４とＣｐ２Ｍｇと、を切り替えることによってＮ型導電性を有する窒化ガリウム半導体とＰ型導電性を有する窒化ガリウム半導体を形成しＰＮ接合を形成させた。（なお、Ｐ型半導体は、成膜後４００℃以上でアニールさせてある。）
　【００３４】
　エッチングによりＰＮ各半導体表面を露出させた後、スパッタリング法により各電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子としてＬＥＤチップを形成させた。この青色系が発光可能なＬＥＤチップをエポキシ樹脂でセラミックパッケージ開口部内の所定底辺にダイボンディング後、熱硬化により固定させた。その後、金線をＬＥＤチップの各電極と、基板上の配線とにワイヤーボンディングさせることにより電気的接続をとった。シリコーン樹脂をＬＥＤチップが配置された凹状開口部内にそれぞれ注入させた。注入後、シリコーン樹脂を１３０℃１時間で硬化させコーティング部材を形成させた。この時の発光装置は、セラミッ
ク
　【００３５】
　この発光装置と、入力される表示データを一時的に記憶させるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、Ａｃｃｅｓｓ、Ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＡＭに記憶されるデータからＬＥＤチップを所定の明るさに点灯させるための階調信号を演算する階調制御回路と階調制御回路の出力信号でスイッチングされて各ＬＥＤチップを点灯させるドライバーとを備えたＣＰＵの駆動手段と、を電気的に接続させ
た
　【００３６】
　（比較例１）
　本願発明の第１の金属層を形成させず蒸着によって第２の金属層のみ形成させた以外は、実施例１と同様にして形成し気相熱衝撃試験を行った。蒸着面は、階段状に金属層が形成されており、気相熱衝撃試験後は、点灯しない箇所があった。不点灯箇所を調べた結果、コーティング部が浮いており導電性ワイヤーが断線していることが確認できた。
　【００３７】
　【発明の効果】
　本願発明は、高視野角、高精細、小型薄型化、高信頼性を有する発光装置とすることができる。特に、請求項１の構成とすることによって、ＬＥＤチップからの光を効率よく反射させると共にコーティング部などとの密着性とが両立可能な発光装置とすることができる。したがって、コーティング樹脂とセラミックパッケージの密着性の向上による耐水性、温度サイクル時のストレス緩和等の効果を有する。
　【００３８】
　本願発明の請求項２に記載の構成とすることによって、発光
効率
　【００３９】
　本願発明の請求項３に記載の構成とすることによって、信頼性の高い発光装置とすることができる。
　【００４０】
　本願発明の請求項４に記載の構成とすることによって、より量産性の高い発光装置とすることができる
。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　図１は、セラミックパッケージの模式的斜視図である。
　【図２】
　図２は、図１Ａ−Ａ断面方向における本願発明の発光装置の部分断面図である。
　【図３】
　図３は、本願発明に用いられる別の発光装置の部分断面図である。
　【図４】
　図４は、本願発明と比較のために示した発光装置の部分断面図である。
　【符
号
　２０１、３０１・・・セラミックパッケージ
　２０２、３０２・・・第１の金属層
　２０３、３０３・・・第２の金属層
　２０４、３０４・・・導体配線
　２０５、３０５・・・コーティング部材
　２０６、３０６・・・ＬＥＤチップ
　４０１・・・セラミックパッケージ
　４０４・・・導体配線
　４０５・・・コーティング部材
　４０６・・・ＬＥＤチップ