【事件の表示】
　平成４年特許願第２５９４２号「微細パターン形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成５年７月３０日出願公開、特開平５−１９０５１７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、平成４年１月１７日の出願であって、その発明の要旨は、平成１１年４月２２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「被加工物を反応性ガスによってガスエッチングが起きない温度まで冷却しつつ、該被加工物表面に集束電子ビームを照射して微細パターンの直接描画を行うことを特徴とする微細パターン形成方法。」
　
［２］引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由３に引用された、本願出願の日前の特許出願であって、当該出願後に出願公開された特願平２−１４３６１３号の願書に最初に添付した明細書または図面（特開平４−３７１２９号公報参照：以下、「先願明細書」という。）には、半導体装置の製造におけるウエーハプロセスのパターン形成において、エッチング量の高精度な制御を可能にさせるエッチング方法に関する発明（以下、「先願発明」という。）が、第１、２図とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　先願発明のエッチング方法について、
　「本発明のエッチング方法は、被エッチング体に解離吸着する反応ガスを用い、被エッチング体の温度を反応ガスが解離吸着し且つ該解離吸着による反応生成物が離脱しない温度に保持して、被エッチング体の雰囲気として反応ガスを導入する工程と、該反応ガスを除去して被エッチング体にパルス状の電子線を照射する工程とを、交互に繰り返すことを特徴としている。」（公報第２頁右下欄第２〜１０行）
　先願発明の作用として、
　「このエッチング方法は、反応ガスがプラズマ化することなく被エッチング体に吸着して被エッチング体と反応し、且つその反応生成物が被エッチング体から離脱しないでいる工程と、その反応生成物を電子線の照射により被エッチング体から離脱させる工程とに分離されているので、エッチング量の高精度な制御が可能である。・・・
　反応生成物の離脱は、照射された電子線の作用によるものであり、電子線の照射が引き起こす加熱によるものではない。・・・
　また、電子線を被エッチング体のエッチングするべき領域に選択的に照射するようにすれば、反応生成物の離脱が該領域に限られて、被エッチング体にマスクをかけることなくパターンを形成することができる。」（第３頁左上欄４行〜右上欄２行）
　装置第１実施例（第１図の場合）の説明として、
　「ガス供給手段３は、チャンバ１内に反応ガスを所定の圧力に随時に導入することができるガス供給系である。反応ガスには基板Ｓに解離吸着して基板Ｓと反応するガス（ここではＦ２）を用い、上記圧力は１０−５〜１０−２Ｔｏｒｒ程度である。
　ステージ４は、チャンバ１内にあって基板Ｓを載置し且つ基板１の温度を所定の温度に保持するものである。この温度は、反応ガス（Ｆ２）が基板Ｓに解離吸着し且つその吸着による反応生成物が基板Ｓから離脱しない温度（ここでは−１００℃）である。」（第３頁左下欄第２〜１２行）
　方法第１実施例による基板Ｓのエッチングについて、
　「（１）マスクをかけた基板Ｓをステージ４上に載置する。基板１は−１００℃になりその温度に維持される。
　・・・
（３）ガス供給手段３により反応ガスのＦ２をチャンバ１内に１０−５〜１０−２Ｔｏｒｒ程度の圧力となるように導入する。・・・これにより、反応ガスが基板Ｓに解離吸着し、基板Ｓの表面に反応生成物の薄層が形成される。
（４）チャンバ１内の圧力がサイド１０−７Ｔｏｒｒ程度になったところで・・・、ゲートバルブ６を開き、電子銃５からパルス状の電子線を基板１に照射する。・・・これにより、・・・上記反応生成物が基板Ｓから離脱する。基板Ｓ本体から見れば、マスクの抜きパターンで露出している領域が上記薄層の一層分だけエッチングされた状態となる。・・・
　・・・
　このようにして、方法第１実施例では、基板Ｓにマスクの抜きパターンを基にしたパターンを形成するエッチングにおいて、エッチング量の高精度な制御が可能となる。いうまでもなく、マスクを用いないで基板Ｓの全面をエッチングする場合にも、エッチング量の制御は同様である。」（第３頁右下欄６行〜第４頁右上欄１０〜１５行）
　方法第２実施例（第２図）の説明として、
　「方法第２実施例による基板Ｓのエッチングは、上記エッチング装置を用いて行い、方法第１実施例と比較して、基板Ｓにパターンを形成するのにマスクを必要としない点と、方法第１実施例で述べた（４）の詳細の点とが異なる。
　その（４）の詳細は次のようである。
　即ち、チャンバ１内の圧力がサイド１０−７Ｔｏｒｒ程度になったところで、ゲートバルブ６を開き、電子銃７から例えば１μｍ角に集束させたパルス状の電子線を基板に照射する。その際、電子線制御系７ａの制御により電子線を偏向ないしブランキングさせて、電子線の照射点が第１実施例の場合にマスクの抜きパターンで露出するべき領域を描画で塗り浸すようにする。・・・
　これにより、先に述べた（３）で薄層に形成された反応生成物の上記描画領域のみが基板Ｓから離脱する。・・・
　このようにして、方法第２実施例では，基板Ｓにパターンを形成するエッチングにおいて、マスクが不要となり、然もエッチング量の高精度な制御が可能となる。」（第４頁右上欄１６行〜右下欄３行）
　以上の記載をまとめると、先願明細書には、ウエーハプロセスのパターン形成において、被エッチング体である基板Ｓを、反応ガスの吸着による反応生成物が基板Ｓから離脱しないような温度まで冷却し、その温度を維持したまま反応ガスを導入して反応ガスを基板Ｓ表面に吸着させ、反応ガスが吸着した基板Ｓに、集束させた電子線をマスクをかけることなく照射して、照射された反応生成物の描画領域のみを基板Ｓから離脱させることにより、パターンを形成することが記載されている。
　
［３］対比・判断
　そこで、本願発明と上記先願発明とを対比、検討すると、先願発明は、ウエーハプロセスのパターン形成におけるエッチング方法に関するものであり、本願発明の「微細パターン形成方法」に対応する。
　そして、先願発明においては、反応ガスが基板Ｓに解離吸着し且つそのその吸着による反応生成物が基板Ｓから離脱しない温度（実施例では、−１００℃）に冷却し、その温度を維持することにより、本願発明と同様に、基板Ｓの表面から反応ガスが離脱していないことからみて、本願発明と同様に、ガスエッチングが起きていないものと認められ、先願発明においても、基板Ｓを反応ガスによってガスエッチングが起きない温度まで冷却しているものと認める。
　また、先願発明においては、マスクをかけることなく電子線を照射しているから、先願発明は、本願発明と同様に、電子線を照射して微細パターンを直接描画していることは明らかである。
　そうしてみると、先願発明においても、被加工物である基板を反応ガスによってガスエッチングが起きない温度まで冷却しつつ、基板表面に集束電子線を照射して微細パターンを直接描画していることになる。
　したがって、本件発明は、先願発明と実質的に同一である。
　
［４］むすび
　そして、本願発明の発明者は、先願発明の発明者と同一の者であるとも、また、本願の出願時の出願人と当該他の出願の出願人が同一の者であるとも認められない。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。