【事件の表示】
　特願２００９−１４３０３７「窒化物半導体レーザ素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　９月１０日出願公開、特開２００９−２０６５２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１７年１０月１３日（優先権主張　平成１６年１２月２０日）に出願した特願２００５−２９８３６１号（以下「原出願」という。）の一部を平成２１年６月１６日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年３月５日付けで拒絶の理由が通知され、同年５月１１日に手続補正がなされたが、同年７月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審において、平成２５年５月２４日付けで拒絶の理由が通知され、同年７月２９日に手続補正がなされ、さらに、同年９月４日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１１月８日に手続補正がなされたものである。　
　　                                    　
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年１１月８日付けの手続補正書の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
          
　「六方晶である窒化物半導体積層構造を形成する工程と、前記窒化物半導体積層構造を劈開することにより共振器端面を形成する工程と、前記共振器端面に六方晶の結晶からなる密着層を形成する工程と、前記密着層の上に端面コート膜を形成する工程とを含み、
　前記窒化物半導体積層構造は少なくともｎ型層、活性層及びｐ型層を含み、
　前記密着層は六方晶の透過電子線回折パターンが検出されるＡｌの窒化物からなり、
　前記密着層を形成する工程ではスパッタ法を用いることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。」　
　　　          
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
１　当審拒絶理由の【理由３】に引用され、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−３３５０５３号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。
　 　　
（１）「【請求項１０５】  
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザ構造が形成された基板をバー状に加工して共振器端面を形成した後、この共振器端面に密着層を介して端面コーティングを施すようにしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法
【請求項１０６】  窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を加工することにより形成された端面を有する半導体装置において、
上記端面に密着層を介して端面コート膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。」　　
　 　 　 
（２）「【００１４】その後さらに検討を行った結果、端面劣化の要因の一つが、共振器端面に対する端面コート膜自身の密着性が良好でないことにあることを確認した。そこで、
本発明者は、共振器端面に対する端面コート膜の密着性の向上を図るために、密着層を介して端面コート膜を形成することを考えた
　
（３）【００１５】以上は半導体レーザについてであるが、上記の手法は、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を劈開やドライエッチングなどで加工することにより端面を形成する半導体装置
　　
（４）「【００２７】
この発明の第１２の発明は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザ構造が形成された基板をバー状に加工して共振器端面を形成した後、この共振器端面に密着層を介して端面コーティングを施すようにした
【００２８】この発明の第１３の発明は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を加工することにより形成された端面を有する半導体装置において、端面に密着層を介して端面コート膜が形成されていることを特徴とするものである。」　
　
（５）「【００３０】この発明の第１〜第１４の発明において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なくとも一種類のＩＩＩ族元素と、少なくともＮを含み、場合によってさらにＡｓやＰを含むＶ族元素とからなる。
この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の具体例を挙げると、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＮなどである
  　
（６）「【００３５】
この発明の第１０〜第１２の発明において
典型的には、共振器端面の全面に形成される。密着層は連続膜からなる
【００３６】密着層として連続膜を用いる場合、その厚さは使用材料などとの兼ね合いで適宜選ばれるが、使用材料が特に金属である場合には、あまり厚いと光の吸収が多くなるので、光の吸収を抑える観点より、好適には１０ｎｍ以下、より好適には５ｎｍ以下、さらに好適には２ｎｍ以下に選ばれる。密着層の厚さの下限は一原子層あるいは一分子層に相当する厚さである。また、この連続膜は、使用材料が導電性を有するものである場合には、共振器端面上におけるｐｎ接合のショートを確実に防止するために、好適には、半導体レーザ構造を形成するｎ型層とｐ型層とにまたがらないように形成される。
【００３７】一方、密着層として微粒子からなるものを用いる場合には、この微粒子が大きすぎると、この微粒子が形成された共振器端面のエネルギー反射率が大きくなりすぎて半導体レーザの動作電流の増加などを招き、好ましくないことから、この微粒子の大きさは、共振器端面のエネルギー反射率が所定値以下になるように設定する必要がある。具体的には、共振器端面が平坦なときのエネルギー反射率をＲ０ 、共振器端面に微粒子からなる密着層が形成されているときのエネルギー反射率をＲs 、発振波長をλ、微粒子の屈折率をｎ、微粒子の平均高さをσとすると、
Ｒs ＝Ｒ０ｅｘｐ［−（４πｎ（σ／λ））２］
と表されることから（吉田貞史、矢島弘義著「薄膜・光デバイス」東京大学出版会）、σはこの式から求められるＲs が所定値以下になるように設定される。具体例を挙げると、フロント側の共振器端面を想定してＲ０＝０．１０、λ＝４００ｎｍ、微粒子がＡｌからなる場合にはλ＝４００ｎｍに対してｎ（Ａｌ）＝３．９０あるいは微粒子がＡｌＮからなる場合にはλ＝４００ｎｍに対してｎ（ＡｌＮ）＝２．２２４として、σ／λによるＲs の変化を上式を用いて計算で求めると、図１に示すようになる。また、σ／λによるＲs の変化量＝（Ｒs −０．１）×１００（％）を計算で求めると、図２に示すようになる。いま、Ｒs ≦０．６にする場合を考えると、このためには、
微粒子がＡｌからなる場合      σ／λ≦０．０２８
微粒子がＡｌＮからなる場合    σ／λ≦０．０４８
にならなければならない。λ＝４００ｎｍであるから、この場合、
微粒子がＡｌからなる場合      σ≦１１．２ｎｍ
微粒子がＡｌＮからなる場合    σ≦１９．２ｎｍ
でなければならない。また、共振器端面上に形成された微粒子に表面張力が働いていてその高さと幅とが同一であると仮定すると、微粒子がＡｌからなる場合におけるその幅は１１．２ｎｍ以下、微粒子がＡｌＮからなる場合におけるその幅は１９．２ｎｍ以下となる。
【００３８】
密着層の材料
Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および／または窒素とを含む物質である
【００３９】
端面コート膜は、典型的には、単層または多層の誘電体膜（誘電体多層膜）からなる
Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を含む
密着層に接した誘電体膜はＡｌＮからなり、密着層はＡｌとＮとからなる物質
 　 
（７）「【００４１】この発明の第１０〜第１４の発明においては、好適には、
共振器端面あるいは端面を形成した後、この共振器端面あるいは端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露した後または暴露しながら、この共振器端面あるいは端面に密着層を形成する
密着層を形成した後には、好適には、共振器端面あるいは端面を大気にさらすことなく、この共振器端面あるいは端面に端面コーティングを施す
　
（８）「【００６８】次に、この発明の
第１の実施形態
ｃ面サファイア基板１上に有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えば５００℃程度の温度でアンドープＧａＮバッファ層２を成長させた後、例えばＥＬＯなどの横方向結晶成長技術を用いて例えば１０００℃の成長温度で、アンドープＧａＮ層３を成長させる
【００６９】引き続いて、
アンドープＧａＮ層３上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、アンドープのＧａ
１−Ｘ
Ｉｎ
Ｘ
Ｎ／Ｇａ
１−Ｙ
Ｉｎ
Ｙ
Ｎ多重量子井戸構造の活性層７、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２を順次成長させる
【００７０】ないし【００７７】は、省略。
【００７８】次に、上述のようにして
レーザ構造および電極が形成された基板を図５に示すようにバー状に劈開することにより、図６および図７に示すように、共振器端面１７、１８を形成する
スパッタリング法による成膜を行うことも可能な電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ装置を用いるものとする
　　　　　 
（９）「【００８９】次に、この発明の
第４の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法について説明する。この第４の実施形態においては、第１の実施形態と同様に、レーザ構造および電極が形成された基板をバー状に劈開することにより共振器端面１７、１８を形成する
【００９０】次に、このようにして得られたバーを真空中で端面コーティングを行うことができる装置の処理室に導入する。ここでは、ＡｌターゲットおよびＴｉターゲットを備えていて
スパッタリング法による成膜が可能なＥＣＲプラズマ装置を用いるものとする
【００９１】次に、
ＥＣＲプラズマ装置の処理室内を高真空、具体的には例えば１×１０
−４
Ｐａ以下の圧力になるまで十分に真空排気し、プラズマが発生しやすい状態にする。この高真空中でまず、好適には１００℃以上、より好適には２００℃以上４００℃以下の温度でバーを加熱し、共振器端面１７、１８に付着している水分や汚染物質などを可能な限り除去しておく。次に、処理室内に例えばＡｒガスおよびＯ
２
ガスを導入し、Ａｒプラズマおよび酸素プラズマを生成する
図１３に示すように
【００９２】上述のようにして共振器端面１７、１８上にＡｌＯＸ膜２１を成膜した後、第１の実施形態と同様にして、
図１４に示すように
これらの端面コート膜１９、２０の形成は、好適には、ＥＣＲプラズマ装置の処理室内で上述のＡｌＯ
Ｘ
膜２１の成膜に続いて、真空状態のまま、ＥＣＲプラズマスパッタリングにより行う
 　 　 
（１０）図３は、以下のものである。 　
　　　    　
（１１）図１４は、以下のものである。
  　　　　　 
２　引用文献に記載された発明
（１）上記１（１）及び（５）の記載によれば、
　引用文献には、第１２の発明として、
　「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、
　窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザ構造が形成された基板をバー状に加工して共振器端面を形成した後、この共振器端面に密着層を介して端面コーティングを施す、
　半導体レーザの製造方法。」　　
　が記載されているものと認められる。
　
（２）上記１（５）の記載に照らせば、
　上記（１）の「半導体レーザ」は、
　例えば、ＧａＮ系半導体レーザであってもよいものと認められる。
　  　
（３）上記１（６）の記載に照らせば、
　上記（１）の「密着層」は、
　連続膜からなり、共振器端面の全面に形成されたものでもよいものと認められる。  　
　
（４）また、上記１（６）の記載によれば、
　上記（１）の「密着層」の材料は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および／または窒素とを含む物質であり、
　上記（１）の「端面コート膜」は、単層または多層の誘電体膜（誘電体多層膜）からなることが把握できる。
  　
（５）上記１（８）の第１の実施形態に関する記載を踏まえて、図３を見ると、
　上記（１）の「半導体レーザ」は、
　半導体レーザ構造を形成するｎ型層、活性層及びｐ型層は、ｃ面サファイア基板上に横方向結晶成長技術を用いて成長させたアンドープＧａＮ層上に、ＭＯＣＶＤ法により形成されたものであることが把握できる。
　  　
（６）上記１（８）の記載に照らせば、
　上記（１）の「共振器端面」は、
　半導体レーザ構造および電極が形成された基板をバー状に劈開することにより形成してもよいものと認められる。
　　
（７）上記１（９）の第４の実施形態に関する記載に照らせば、
　上記（１）の「密着層」及び「端面コート膜」は、
　共振器端面を形成した後、ＥＣＲプラズマ装置の処理室内で、この共振器端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露した後または暴露しながら、この共振器端面にＥＣＲプラズマスパッタリングにより密着層を形成し、密着層を形成した後に、共振器端面を大気にさらすことなく、この共振器端面にＥＣＲプラズマスパッタリングにより端面コート膜を形成したものであってもよいものと認められる。　　
　　　  　
（８）上記（１）ないし（７）から、引用文献には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　 
 　 
　「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、
　半導体レーザ構造が形成された基板をバー状に加工して共振器端面を形成した後、この共振器端面に密着層を介して端面コーティングを施す、半導体レーザの製造方法であって、　　
　半導体レーザは、例えば、ＧａＮ系半導体レーザであり、
　密着層は、連続膜からなり、共振器端面の全面に形成され、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および／または窒素とを含む物質であり、
　端面コート膜は、単層または多層の誘電体膜（誘電体多層膜）からなり、
　半導体レーザ構造を形成するｎ型層、活性層及びｐ型層を、ｃ面サファイア基板上に横方向結晶成長技術を用いて成長させたアンドープＧａＮ層上に、ＭＯＣＶＤ法により形成し、
　半導体レーザ構造および電極が形成された基板をバー状に劈開することにより共振器端面を形成し、
　共振器端面を形成した後、ＥＣＲプラズマ装置の処理室内で、この共振器端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露した後または暴露しながら、この共振器端面に密着層をＥＣＲプラズマスパッタリングにより形成し、密着層を形成した後、共振器端面を大気にさらすことなく、この共振器端面にＥＣＲプラズマスパッタリングにより端面コート膜を形成する、
　窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法。」　　
　 　　　　　 　                             
第４　対比・判断  
１　本願発明と引用発明とを対比する。  
（１）引用発明の「半導体レーザ構造を形成するｎ型層、活性層及びｐ型層」は本願発明の「窒化物半導体積層構造」に相当し、以下同様に、
　「共振器端面」は「共振器端面」に、
　「劈開」は「劈開」に、
　「密着層」は「密着層」に、
　「端面コート膜」は「端面コート膜」に、
　「ＥＣＲプラズマスパッタリング」は「スパッタ法」に、
　「ＧａＮ系半導体レーザ」は「窒化物半導体レーザ素子」に、
　「製造方法」は「製造方法」に、それぞれ、相当する。
　
（２）引用発明は、「半導体レーザ構造を形成するｎ型層、活性層及びｐ型層」を、ｃ面サファイア基板上に横方向結晶成長技術を用いて成長させたアンドープＧａＮ層上に、ＭＯＣＶＤ法により形成することに照らせば、　
　引用発明と本願発明とは「六方晶である窒化物半導体積層構造を形成する工程と、前記窒化物半導体積層構造を劈開することにより共振器端面を形成する工程」を含む点で一致する。
　　
（３）引用発明の「密着層」が「Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および／または窒素とを含む物質」であることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「前記密着層はＡｌの元素と窒素とを含む物質からなり、
　前記密着層を形成する工程ではスパッタ法を用いる」点で共通する。
　　
（４）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「六方晶である窒化物半導体積層構造を形成する工程と、前記窒化物半導体積層構造を劈開することにより共振器端面を形成する工程と、前記共振器端面に密着層を形成する工程と、前記密着層の上に端面コート膜を形成する工程とを含み、
　前記窒化物半導体積層構造は少なくともｎ型層、活性層及びｐ型層を含み、
　前記密着層はＡｌの元素と窒素とを含む物質からなり、
　前記密着層を形成する工程ではスパッタ法を用いる、窒化物半導体レーザ素子の製造方法。」　　
　　                                                        
（５）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞　  
　密着層に関し、 
　本願発明は、「六方晶の結晶からな」り、かつ「六方晶の透過電子線回折パターンが検出されるＡｌの窒化物からな」るのに対して、
　引用発明は、「Ａｌの元素と窒素とを含む物質」ではあるものの、そのようなパターンが検出されるものであるのか否か不明である点。 
　　　    　　　
２　判断 　  
（１）上記＜相違点＞について検討する。  
　ア　引用発明の「共振器端面」は六方晶の結晶面であって、引用発明の「『Ａｌの元素と窒素とを含む物質』からなる『密着層』」は、この六方晶の結晶面と端面コート膜との間に介在して、端面コート膜をこの結晶面から剥がれないようにするためのものであるところ、
　結晶構造を備えた面上に成膜する際に、両者の格子定数が異なると格子不整合が起こり、結晶欠陥等の不具合を生じることは、当審拒絶理由で引用した特開２０００−４９４１０号公報（【０００８】）の他に、特開２００１−２８４６４３号公報（【０００５】を参照。）及び特開２００１−１８１８２６号公報（【００１８】）に記載されているように、原出願の優先日時点で周知である（以下「周知技術１」という。）。    　
　    　
　イ　また、「Ａｌの元素と窒素とを含む物質」の一つである、「窒化アルミニウム」が、六方晶の結晶構造をとり得る窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と密着性に優れていることも、当審拒絶理由で引用した特開平６−２９３５９３号公報（【００３８】を参照。）及び特開平３−２７０２３２号公報（第２頁右上欄を参照。）に記載されているように、原出願の優先日時点で周知である（以下「周知技術２」という。）。
　
　ウ　してみると、引用発明の「共振器端面」と「密着層」との界面において、格子不整合を起こさないように、密着層を共振器端面と同じ結晶構造である六方晶の窒化アルミニウム膜とすることは、当業者が容易に着想し得たことである。　     　
　　　   　 　
　エ　さらに、引用発明は、密着層を共振器端面の全面に（つまり、ｐ層とｎ層とにまたがるように）形成することに照らせば、
　絶縁性の観点からも、窒化アルミニウムとして六方晶のものを選択することは、当業者にとって何ら困難性は認められない。　  　 　
　　          　              　
　オ　そして、六方晶の窒化アルミニウム膜を、スパッタ法により形成し得ることは、平成２５年５月２４日付けで拒絶の理由で引用した特開平２−２８８２８７号公報（第２頁左下欄及び第３頁右上欄を参照。）の他に、特開平１１−１６０６６２号公報（【００２４】ないし【００３０】を参照。）、特開平７−２３７９９８号公報（【００１３】及び【００１４】を参照。）、特開平７−２３２９９８号公報（【０００９】を参照。）、特開平４−９４１８４号公報（第２頁右下欄を参照。）及び特開昭６２−１７６９９６号公報（第１頁右欄を参照。）に記載されているように、原出願の優先日時点で周知の事実である。　
　                 　
　カ　さらに、窒化アルミニウムの場合、その結晶状態を反映するように、スポットパターンやリングパターン等の「六方晶の透過電子線回折パターン」が検出されることは、上記周知技術の特開平６−２９３５９３号公報（【００２６】及び図１２（Ｂ）を参照。）の他に、特開２０００−２０８８００号公報（【００３１】を参照。）及び特開昭６３−２９０２５５号公報（第３頁左下欄を参照。）に記載されているように、当業者にとって自明のことである。        　
　          　
　キ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術１及び２に基づいて容易になし得たことである。
　　
（２）効果  
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明、周知技術１及び２から予測し得る範囲内のものである。  
          　　　　　
（３）平成２５年１１月８日に提出の意見書（第３頁）における主張
　引用文献（特開２００２−３３５０５３号公報）に関連して、以下のように主張しているので、この点について検討する。
   　
　「『密着層』の具体例としては、『密着層に接した誘電体膜はＡｌＮ』（段落［００３９］参照）からなる端面コート膜の密着性を向上させる働きを有する『微粒子』（段落［００３７］参照）、『ＡｌＮx（０＜ｘ＜１）』（段落［００３９］参照）が挙げられており、ＡｌＮの端面コート膜とは膜質あるいは組成が異なるものである点からも、密着層が『六方晶の透過電子線回折パターンが検出されるＡｌの窒化物』という技術思想はありません。
　すなわち、上記引用文献には、六方晶である窒化物半導体積層構造の共振器端面に六方晶の結晶からなる密着層を形成するという技術思想及びそれを実現する工程について記載も示唆もありません。」
  　
　ア　請求人は、引用文献に記載された「密着層」は「ＡｌＮx（０＜ｘ＜１）」であって、「ＡｌＮ」からなる端面コート膜とは膜質あるいは組成が異なるから「六方晶の透過電子線回折パターンが検出されるＡｌの窒化物」ではない旨主張するものと解されるが、引用発明の「密着層」は「連続膜からなり、・・Ａｌ・・・一種の元素と・・・窒素とを含む物質」であって、「ＡｌＮx（０＜ｘ＜１）」に限定されるものではない。
　また、仮に、引用発明の「密着層」が「ＡｌＮx（０＜ｘ＜１）」であるとしても、六方晶になり得ないとか、「ＡｌＮx（０＜ｘ＜１）」は「六方晶の透過電子線回折パターン」が検出され得ないものでもないことは、明らかである（例えば、特開２００１−２５３７７８号公報（【０００２】ないし【００１２】及び【００１９】ないし【００２９】を参照。
　同公報には、反応性スパッタリング法で、Ｃ軸配向した窒化アルミニウム薄膜を形成する際に、低温で形成すると、
窒素の減少する
　同公報には、反応性スパッタリング法で、Ｃ軸配向した窒化アルミニウム薄膜を形成する際に、低温で形成すると、アルミニウムと窒素の結合が相対的に少なくなること、スパッタリングされた窒化アルミニウム薄膜は、薄膜内部に化学量論的な関係を形成できず、
アルミニウムが多い状態
  　    　　　　
　イ　したがって、請求人の上記主張は、採用できない。
　　  　
３　進歩性についてのまとめ  
　本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。　  
    　
第５　むすび 　 　  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　  
         
　よって、結論のとおり審決する。