【事件の表示】
　平成　２年特許願第１９２４５７号「電子写真装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　３月１２日出願公開、特開平　４−　７８８８０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明　
　本願は、平成２年７月２０日の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成１１年４月２６日付け及び平成１１年１１月１８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認められる。　
「アモルファスシリコン系の光導電層を有する感光体と、感光体を帯電させる帯電手段と、感光体が帯電した後感光体に静電潜像を形成するために画像信号に応じたレーザ光を出射する半導体レーザと、を有する電子写真装置において、前記半導体レーザの発振波長が５５０乃至７５０ｎｍであり、且つ前記光導電層の膜厚が５乃至１５μｍであることを特徴とする電子写真装置。」（以下、「本願発明」という。）　
　
２．引用例に記載の発明　
　2.1　これに対し原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された特開昭６４−８４２６５号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開昭６３−２１０８６４号公報（以下、「引用例３」という。）には次の事項が記載されている。　
　2.2　引用例１に記載の事項　
　(a)「(5)光導電性物質を感光体とし、半導体レーザを光源とする電子写真記録装置において、前記光導電性物質がａ−Ｓｉあるいはマゼンタ色系有機顔料樹脂分散系材料であり、かつ前記半導体レーザからのレーザ光の波長が５００〜６００ｎｍであることを特徴とする電子写真記録装置。」（特許請求の範囲第５項）　
　(b)「〔従来の技術〕　
　レーザ光源を用いる電子写真記録方法（レーザプリンティング）は、普通紙に高速印字が可能であり、特に半導体レーザを光源とすることにより小型で信頼性の高い電子写真記録装置が可能となりつつあるため、各種のプリンタへの応用が進められている。　
　第３図にはこうした電子写真記録装置のプロセスを説明する図であって、感光ドラム１の周囲にコロナチャージャー２，半導体レーザ３，現像器５，記録紙６，除電ライト８，クリーナー９が設置されている。感光体ドラム１の回転により順次帯電、露光、現像、転写、クリーニングのプロセスを経て、トナー像１０が記録紙６上に転写され定着器７で定着されて所望の画像を得る。なお、４はレーザ光を示す。」（第２頁左上欄第６行〜右上欄第１行）　
　(c)「この発明で使用される感光体としては、感度、 耐刷性等の点から・・・・・・・・・また、波長が５００〜６００ｎｍのときは、ａ−Ｓｉあるいはマゼンタ色系有機顔料樹脂分散系材料が好ましく使用できる。　
　この発明では、だだ単に光源波長を短くした以上に高解像性な電子写真記録装置が提供できるが、この原因については必ずしも明確ではない。レンズ系によるビームの絞り効果が向上し、Ｓ／Ｎ比が向上すること、現像プロセスにおける何等かの予測されない効果が生じていることが考えられる。」（第３頁右上欄第１４行〜左下欄第６行）　
　(d)「〔具体例１〕　
　第１図はこの発明の具体例１を説明する図であって、ＧａＮ系半導体レーザビーム２０から出射された波長４５０ｎｍのレーザ２１は、カップリングレンズ２２，シリンドリカルレンジ系２３を経てポリゴンミラー２４の回転で走査され、トロイダルレンズ２５，ｆθレンズ２６を介して感光体ドラム２７のＳｅの感光体２８上を画像信号に応じて走査される。なお、２９は画信号を格納するメモリ、３０は制御部、３１はドライバである。ビーム系は５μｍ程度まで光学系により絞ることができる。従来と同様のプロセスにより現像、転写、定着を行うことにより、最高１００ドット／ｍｍの記録画像を得ることができる。記録速度は従来の方式に比較して劣ることなく、記録を行うことができる。感光ドラム２７としてＳｅ−Ｔｅ系合金および黄色系有機顔料樹脂分散材料を使用したときも、同様の特性で記録することができる。」（第３頁左下欄第９行〜右下欄第７行）　
　(e)「〔具体例２〕　
　具体例１において、光源として５５０ｎｍのＧａＮ系半導体レーザを使用し、かつ感光体としてａ−Ｓｉを使用する他は同様な構成を具体例２とする。この場合は、最高８０ドット／ｍｍの記録画像を得ることができる。感光体としてはマゼンタ色系有機顔料樹脂分散系材料を使用しても同様の特性で記録することができる。記録速度は従来方式と比較していずれの感光体においても劣ることがない。」（第３頁右下欄第８〜１７行行）　
　
　2.3　引用例３に記載の事項　
　(f)「(1)感光体面を均一帯電する工程を含む作像プロセスを適用して画像出しする画像形成装置において、　
　前記感光体として、シリコン原子を母体として構成されるアモルファスシリコン系感光体であって、光受容層の膜厚を20μｍ以下１０μｍ以上としたものを用い、　
　該感光体の均一帯電処理を、該感光体面に電圧を印加した導電性部材を接触させることにより行う、ことを特徴とする画像形成装置。」（特許請求の範囲第１項）　
　(g)「従来のＡ−Ｓｉ感光体１の光受容層（1b+1c+1d）は全体的に少なくとも24μｍ以上のもので、その層厚が比較的厚く、感光体製造時の該光受容層の成膜には約６〜８時間と長時間を要し、これが感光体１の製造コストを大幅に上昇させる大きな原因となっている。単層型のＡ−Ｓｉ感光体についても同様のことが云える。　
　従ってＡ−Ｓｉ感光体を低コストに製造し、又その帯電処理手段として問題点の多いコロナ帯電に代えて接触帯電を適用して良好な画像出しができれば理想的な画像形成装置を構成することができる。」（第３頁右下欄第１８行〜第４頁左上欄第９行）　
　(h)「阻止型のＡ−Ｓｉ感光体１の電荷注入阻止層１ｂ・感光層１ｃ・表面保護層１ｄをまとめて、又単層型のＡ−Ｓｉ感光体の高抵抗型Ａ−Ｓｉ感光層を、光受容層と称する。」（第３頁右下欄第４〜７行）　
　(i)「解像レーザ複写機の導電性ローラ２にDC+1.3kVの電圧を印可して感光体１を接触帯電処理して画像出しをしたところ、暗部電位400Ｖを得ることができ、４μＪ／cm2のレーザ露光により50Ｖまで除電（明部電位）され、この際の電流は200μＡあり、良好な画像が出力された。」（第６頁左下欄第５〜１０行）　
　(j)「Ａ．感光体１　
　本例のドラム型Ａ−Ｓｉ感光体１は基体としての高純度Ａｌシリンダ（アルミニウムシリンダ）１ａの外周に、電荷注入阻止層（Ｂ：3000ppmドープ,O:4000ppmドープ）１ｂを3μｍ、Ａ−Ｓｉ感光層１ｃを15μｍ、表面保護層（ＳｉＣ層）１ｄを0.5μｍ、の各膜厚で純に形成してなるものである。従って光受容層（１ｂ+１ｃ+１ｄ）としての膜厚は18.5μｍと薄型なもので、・・・・・・・・あった。」（第５頁右上欄第１６行〜左下欄第６行）　
３．対比・判断　
　引用例１に記載の発明が従来技術を前提とするものであることは、当業者にとって明らかであるから、引用例１には「ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）の光導電性物質を感光体とし、感光体を帯電させる帯電手段と、感光体が帯電した後感光体に静電潜像を形成するために画像信号に応じたレーザ光を出射する半導体レーザと、を有する電子写真装置において、前記半導体レーザの発振波長が５００乃至６００ｎｍであり、短い波長のレーザとこれに適した感光体を用いて解像度の高い電子写真記録画像を高速で記録できる利点を有する電子写真装置。」が記載されていることになる。　
　そこで、本願発明と引用例１に記載の発明とを対比すると、引用例１記載の「アモルファスシリコンの光導電性物質を感光体とし」は、本願発明の「アモルファスシリコン系の光導電層を有する感光体」に相当するから、両者は、
　「アモルファスシリコン系の光導電層を有する感光体と、感光体を帯電させる帯電手段と、感光体が帯電した後感光体に静電潜像を形成するために画像信号に応じたレーザ光を出射する半導体レーザと、を有する電子写真装置において、前記半導体レーザの発信波長が５５０〜６００ｎｍである電子写真装置」で一致し、　
　光導電層の膜厚が、本願発明では「５乃至１５μｍ」であるのに対し、引用例１に記載の発明では膜厚については記載されていない点で相違する。　
　相違点について検討する　
　引用例３に記載の発明は、「感光体と感光体を帯電させる帯電手段と、感光体が帯電した後感光体に静電潜像を形成するために画像信号に応じたレーザ光を出射する半導体レーザと、を有する電子写真装置」（記載(i)参照）に関するものであって、アモルファスシリコン系の感光層を含む光受容層の膜厚を「２０μｍ以下１０μｍ以上」と薄くすることにより、感光体の製造コストを低下させるものであり、その一例として、１５μｍのアモルファスシリコン感光層を有する感光体が記載されている。（記載(j)参照）　
　そして、引用例３には「単層型のＡ−Ｓｉ感光体の高抵抗型Ａ−Ｓｉ感光層を、光受容層と称する。」（記載(h)参照）と記載されているところからみて、「光受容層」は本願発明の「光導電層」に相当する。　
　したがって、引用例３には、「膜厚が２０μｍ以下１０μｍ以上のアモルファスシリコン系の光導電層」が記載されていることとなるから、本願発明と引用例３の記載とは、アモルファスシリコン系の光導電層の膜厚において、１０〜１５μｍの範囲で一致している。　
　引用例１には、電子写真装置における感光体の光導電層の「膜厚」については記載されていないが、特定の膜厚の範囲を有する光導電層を排除する理由はないのであるから、本願出願前公知のアモルファスシリコン系の光導電層は引用例１に記載の発明に適用できるものと認められる。　
　そして、本願発明の膜厚の範囲を含むアモルファスシリコン系の光導電層を用いた電子写真装置は、本願出願前公知の特開平１−３２１４４０号公報、特開昭６３−２４９１６７号公報に記載されているごとく通常用いられている範囲のものであるから、そのなかで引用例３に記載の膜厚の光導電層を引用例１に記載の電子写真装置に適用することは当業者が適宜なし得るところである。　
　そして、本願発明の効果が、引用例１及び３に記載の発明から予測できる程度のものであって、本願発明は、引用例１及び３に記載された発明を組み合わせることにより当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。　
　
４．むすび　
　したがって、本願発明は、引用例１及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。