【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４８２３２９３号発明「成膜方法及び成膜装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　請求のとおり訂正を認める。
　特許第４８２３２９３号の請求項１、８に記載された発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　　
平成２０年１０月３１日　本件特許出願（特願２００８−２８１５０１）
平成２３年　９月１６日　設定登録（特許第４８２３２９３号）
平成２４年　６月２６日：本件無効審判請求
　　　　　　９月１４日：答弁書の提出
　　　　　１０月２４日：審理事項通知（起案日）
　　　　　１１月１２日：口頭審理陳述要領書の提出（請求人）
　　　　　１１月２６日：口頭審理陳述要領書の提出（被請求人）
　　　　　１２月１０日：口頭審理実施及び調書作成
平成２５年　１月　９日：審決の予告（送達日）
　　　　　　３月　８日：訂正請求書の提出
　　　　　　３月１９日：訂正請求書についての手続補正書の提出
　　
第２　訂正請求について
　　
　１　請求の要旨及び訂正の内容
　本件訂正請求の要旨は，本件特許の明細書（以下，「本件特許明細書」という。）及び特許請求の範囲を，平成２５年３月１９日付けの手続補正により補正された本件訂正請求書に添付した訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり一群の請求項ごとに訂正しようとするものであって，その訂正（以下，「本件訂正」という。）の内容は，以下のとおりのものと認める。なお，訂正箇所に下線を付した。
　（１）訂正事項１ａ
　特許請求の範囲の請求項１について，「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持され回転している基体のすべてに対して前記成膜材料を連続して供給する」を，「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持され回転している
複数の
　（２）訂正事項１ｂ
　特許請求の範囲の請求項１について，「前記基体保持面の一部の領域に向けイオンを照射することによって」を，「前記基体保持面の一部の領域に向け
てイオン照射可能となる成膜アシスト手段を用い，回転している前記基体保持面に対して前記
連続して
　（３）訂正事項１ｃ
　特許請求の範囲の請求項１について，「前記基体の一部に対して前記イオンを連続して照射することによるアシスト効果を与えながら，前記基体の表面に薄膜を堆積させる」を，「
，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射し，
それぞれ
を照
イオン
すべて
　（４）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２について，「前記イオンを照射することを特徴とする成膜方法。」を，「前記イオンを照射
することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときを確保
　（５）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３について，「前記イオンを照射することを特徴とする成膜方法。」を，「前記イオンを照射
することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときを確保
　（６）訂正事項４ａ
　特許請求の範囲の請求項８について，「真空容器内に回転可能に配設され，基体を保持するための基体保持手段」を，「真空容器内に回転可能に配設され，
複数の
　（７）訂正事項４ｂ
　特許請求の範囲の請求項８について，「前記基体保持手段の基体保持面の全領域に対して成膜材料を供給可能となるような配置及び向きで前記真空容器内に設置された成膜手段」を，「前記基体保持手段の基体保持面の
全域
向け
供給することによって前記基体保持面に保持され回転している複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を連続して
　（８）訂正事項４ｃ
　特許請求の範囲の請求項８について，「イオンを前記基体保持面の一部の領域に対し部分的に照射可能となるような構成，配置及び／又は向きで前記真空容器内に設置された成膜アシスト手段」を，「イオンを前記基体保持面の一部の領域に
向けて照射可能であり，回転している前記基体保持面に対して前記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを
　　
　２　訂正の適否
　（１）訂正事項１ａについて
　訂正事項１ａは，訂正前の請求項１の「基体保持面に保持され回転している基体」について，基体の数を「複数」と限定するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。同様に，請求項１を引用する請求項２〜７についての訂正も，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また，これらの訂正は，本件特許明細書の段落【００２８】の記載に基づくものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　（２）訂正事項１ｂについて
　訂正事項１ｂは，訂正前の請求項１の「基体保持面に保持され回転している基体・・・の一部に対してイオンを連続して照射する」との記載を，イオンを照射する手段を形式的に追加して記載し直したものであるから，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。同様に，請求項１を引用する請求項２〜７についての訂正も，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また，これらの訂正は，訂正前の特許請求の範囲の記載に基づくものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　（３）訂正事項１ｃについて
　訂正事項１ｃは，訂正前の請求項１のイオン照射の態様をより具体的にするものであるから，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。同様に，請求項１を引用する請求項２〜７についての訂正も，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また，これらの訂正は，訂正前の特許請求の範囲や本件特許明細書の実施例の記載に基づくものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　（４）訂正事項２について
　訂正事項２は，訂正前の請求項２の記載を訂正事項１ｃに合わせて訂正するものであるから，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。同様に，請求項２を引用する請求項５〜７についての訂正も，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また，これらの訂正は，訂正前の特許請求の範囲や本件特許明細書の実施例の記載に基づくものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　（５）訂正事項３について
　訂正事項３は，訂正前の請求項３の記載を訂正事項１ｃに合わせて訂正するものであるから，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。同様に，請求項３を引用する請求項４〜７についての訂正も，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また，これらの訂正は，訂正前の特許請求の範囲や本件特許明細書の実施例の記載に基づくものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　（６）訂正事項４ａについて
　訂正事項４ａは，訂正前の請求項８の「真空容器内に回転可能に配設され，基体を保持するための基体保持手段」について，基体の数を「複数」と限定するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。同様に，請求項８を引用する請求項９についての訂正も，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また，これらの訂正は，本件特許明細書の段落【００２８】の記載に基づくものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　（７）訂正事項４ｂについて
　訂正事項４ｂは，訂正前の記載を，訂正後の請求項１の「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持され回転している複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を連続して供給する」との記載と整合させる訂正であって，基体の数を「複数」と限定する点は，上記２（１）に記載したとおり，特許請求の範囲の減縮を目的とするもの該当し，その余の点は，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。同様に，請求項８を引用する請求項９についての訂正も，特許請求の範囲の減縮又は明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また，これらの訂正は，訂正前の特許請求の範囲及び本件特許明細書の段落【００２８】の記載に基づくものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　（８）訂正事項４ｃについて
　訂正事項４ｃは，訂正前の記載を，訂正後の請求項１の「一部の領域に向けて・・・照射可能・・・，回転している前記基体保持面に対して前記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射」との記載と整合させる訂正であるから，上記２（２），２（３）に記載したとおり，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。同様に，請求項８を引用する請求項９についての訂正も，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また，これらの訂正は，訂正前の特許請求の範囲や本件特許明細書の実施例の記載に基づくものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　　
　３　まとめ
　したがって，訂正事項１ａ〜４ｃを有する本件訂正は，特許請求の範囲の減縮又は明瞭でない記載の釈明を目的とし，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。
　よって，本件訂正は，特許法第１３４条の２第１項ただし書き第１項又は第３号に掲げる事項を目的とするものに該当し，また，同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　　
第３　本件特許発明
　　
　本件訂正は上記のとおり認められたので，本件特許の請求項１，８に係る発明（以下，「本件特許発明１，２」という。）は，平成２５年３月１９日付けの手続補正により補正された本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲における請求項１，８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　　【請求項１】
　基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持され回転している複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を連続して供給するとともに，
　前記基体保持面の一部の領域に向けてイオン照射可能となる成膜アシスト手段を用い，回転している前記基体保持面に対して前記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射し，前記基体のそれぞれに対して前記イオンを照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，すべての基体の表面に薄膜を堆積させることを特徴とする成膜方法。
　　【請求項８】
　真空容器内に回転可能に配設され，複数の基体を保持するための基体保持手段と，
　前記基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持され回転している複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を連続して供給可能となるような配置及び向きで前記真空容器内に設置された成膜手段と，
　イオンを前記基体保持面の一部の領域に向けて照射可能であり，回転している前記基体保持面に対して前記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射可能となるような構成，配置及び／又は向きで前記真空容器内に設置された成膜アシスト手段とを，有する成膜装置。
　　
第４　請求人の主張の概要及び証拠方法
　　
　１　請求人の主張の概要
　請求人は，本件特許発明１，２に係る特許は無効とする，審判費用は被請求人の負担とする，との審決を求め，証拠方法として，甲第１〜３号証を提出し，次の無効理由を主張している。
　無効理由１：本件特許発明１，２は，甲第１号証に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであり，その特許は，同法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とされるべきものである。
　無効理由２：本件特許発明１，２は，甲第１号証に記載された発明に基いて，その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり，その特許は，同法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とされるべきものである。
　２　証拠方法
　（１）審判請求書に添付した甲号証
甲第１号証：Hyun Ju Cho and Chang Kwon Hwangbo, Optical inhomogeneity and microstructure of ZrO2 thin films prepared by ion-assisted deposition, Applied Optics, 1 October 1996, Vol. 35, No. 28, p. 5545-5552
　（２）口頭審理陳述要領書に添付した甲号証
甲第２号証：H A Macleod, Thin-Film Optical Filters, Third Edition, Institute of Physics Publishing, 2001, p. 410-412
甲第３号証：W. T. Pawlewicz et al., Low-energy high-flux reactive ion assisted deposition of oxide optical coatings: performance, durability, stability and scalability, Proc. SPIE, The International Society for Optical Engineering, 1994, Vol. 2262, p. 2-13
　　
第５　被請求人の主張の概要及び証拠方法
　　
　１　被請求人の主張の概要
　被請求人は，本件無効審判の請求は成り立たない。審判費用は請求人の負担とするとの審決を求め，証拠方法として，乙第１〜９号証を提出し，本件特許発明１，２は，甲第１号証に記載された発明ではなく，さらに甲第１号証には，本件特許発明１，２を示唆する記載もないので，本件特許発明１，２は，甲第１号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない旨を主張している。
　２　証拠方法
　（１）答弁書に添付した乙号証
乙第１号証：甲第１号証の全訳
　（２）口頭審理陳述要領書に添付した乙号証
乙第２号証：特開２００４−２３９８７８号公報
乙第３号証：特許第４１７５９６７号公報
乙第４号証：麻蒔立男著，「薄膜作成の基礎」第３版，株式会社日刊工業新聞社，１９９６年３月２９日，ｐ．１８７−１８９
　（３）訂正請求書に添付した乙号証
乙第５号証：Chuanling Men et al., AlN thin films grown by ion-beam-enhanced deposition and its application to SOI materials, Physica B, 2002, Vol. 324, p. 229-234
乙第６号証：国立天文台編，「理科年表　平成７年（机上版）」，丸善株式会社，平成６年１１月３０日，ｐ．４３０〜４３２，４３７
乙第７号証：アルゴンの質量の単位換算（訂正請求の請求人作成）
乙第８号証：W. M. Haynesら編, CRC Handbook of Chemistry and Physics, 2010, 91st Edition, CRC Press, p. 4-100, 4-101
乙第９号証：Chang Kwon HWANGBO and Hyun Ju CHO, Ion Assisted Deposition of TiO2 Thin Films by Kaufman and Gridless Ion Sources, レーザー研究, 社団法人レーザー学会, １９９６年１月, 第２４巻, 第１号, p. 103-109
　　
第６　証拠方法の記載事項
　　
　１　甲号証の記載事項
　（１）甲第１号証の記載事項
　　　ア　「Optical inhomogeneity and microstructure of ZrO2 thin films prepared by ion-assisted deposition」（イオンアシスト蒸着（IAD）により作製されたＺｒＯ２薄膜の光学的不均質性と微細構造）（文献タイトル）
　　　イ　「2. Experiments
ZrO2 (in tablet form from Merck) was evaporated by an electron beam in a 700-mm box coater with a cryopump, as shown in Fig. 1. The base vacuum was approximately 8 × 10-7 Torr. The deposition rate was 0.3 nm/s, the substrate temperature was at 120 ℃, and the film thickness was 〜500 nm. Slide glasses and Si wafers were selected as substrates for the measurement purpose.
  We employed a 5-cm-aperture Kaufman hot cathode ion source (Ion Tech, Inc.) in IAD. Ar gas of 3 SCCM (SCCM denotes cubic centimeter per minute at STP) was introduced into the discharge chamber as the bombarding species, and Ar gas of 4 SCCM was put into a plasma bridge neutralizer to prevent a substrate surface from being charged with positive ions. O2 gas of 30 SCCM was admitted in the chamber to compensate for O2 deficiency in the film caused by preferential sputtering of O2 by Ar ions. The ion energy and the ion current density were varied in the range 250-750 eV and 0-25 μA/cm2, respectively. Substrates were sputter cleaned by an Ar-ion beam at 500 eV and 40 μA/cm2 for 5 min just before deposition.
  Optical and structural properties of IAD films depend on major ion-beam parameters such as ion energy and ion current density. Densification of optical films by ion bombardment is due to the momentum transfer from bombarding ions to arriving particles on the substrate and the forward cascaded collision of particles.10,11 In this sense, the effects of ion bombardment are described as a function of normalized ion momentum P, which is defined as12-14  P = γ(2miEi)1/2,          (1) 
where γ is the ratio of the arrival rate of the Ar ion to that of an evaporated particle, mi is the mass of the Ar ion, and Ei is the energy of the Ar ion. In our experiment, P was varied from 0 to 1.42 MeV/c, where c is the speed of light in vacuum. The conventional film has zero P.
  Spectrophotometric reflectance and transmittance were measured to calculate the inner and outer indices of the ZrO2 film. Spectroscopic ellipsometry (SE) was employed to study the void fraction in the film. The vacuum-to-air spectral shift of a single-layer film and multilayer bandpass filter was observed by an optical multichannel analyzer. A cross section was observed by a scanning electron microscope (SEM). X-ray diffraction (XRD) was employed to investigate the crystal phase and the stress of the film. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and atomic force microscopy (AFM) measurements were carried out to investigate the chemical properties and the surface roughness of the film, respectively.」（第５５４６頁左欄第５行〜右欄第２０行）
　抄訳「２．実験
図１に示すように，ＺｒＯ２（錠剤形状・・・）は，・・・箱形成膜装置の中で電子ビームによって蒸着された。基本真空度はおよそ８×１０−７Ｔｏｒｒであった。成膜速度は０．３ｎｍ／ｓ，基板の温度は１２０℃，膜厚はおよそ５００ｎｍであった。・・・物性測定用基板として，スライドガラスとシリコンウエハを選んだ。ＩＡＤにおいて，・・・熱陰極型カウフマンイオン源・・・を用いた。３ＳＣＣＭ（ＳＣＣＭとは，標準状態におけるｃｍ３／分で表したガス流量）・・・のアルゴンガスを衝撃用ガス種として放電チャンバーに導入・・・した。・・・
ＩＡＤ法による薄膜の光学的，構造的特性は，イオンエネルギーやイオン電流密度のようなイオンビームの主要パラメータに依存する。イオン衝撃による光学薄膜の緻密化は，衝突イオンから基板に到達する粒子への運動量の移行と，粒子の前方カスケード散乱のためである。この意味で，イオン衝突の効果は正規化イオンの運動量Ｐの関数として表され，以下の式で定義される。
  P = γ(2miEi)1/2,          (1) 
・・・本実験では，Ｐを０から１．４２ＭｅＶ／ｃの範囲で変化させた。ここで，ｃは真空中の光の速さである。従来の方法による薄膜では，Ｐが０である。
　ＺｒＯ２薄膜のouterとinnerの屈折率を計算するために，分光光度反射率と透過率を測定した。膜中の空隙率を調べるために，分光エリプソメトリーを用いた。・・・」
　　　ウ　「B. Spectroscopic Ellipsometry
For SE analysis, we selected three films, i.e., one conventional film and two IAD films at P = 0.78 and 1.25 MeV/c, respectively. The reason is that the average indices of chosen IAD films are larger than those of the conventional film in Fig. 3, and the relative inhomogeneities are almost zero and positive, respectively, in Fig. 4. These ZrO2 films analyzed by SE were deposited on Si wafers that were located next to slide glasses in the coating chamber. Hence they are the same as those measured in the spectrophotometer.」（第５５４７頁右欄第１１〜２２行）
　抄訳「Ｂ．分光エリプソメトリー
　ＳＥ分析においては，３種の薄膜，すなわち，従来の方法による薄膜１種とＰ＝０．７８ＭｅＶ／ｃと１．２５ＭｅＶ／ｃでのＩＡＤ法による薄膜２種をそれぞれ選んだ。・・・ＳＥ分析に用いたこれらのＺｒＯ２薄膜は，コーティングチャンバのスライドガラスに隣接して配置したシリコンウエハ上に成膜した。したがって，これらの薄膜は，分光光度計で測定したものと同じである。」
　　　エ　図１には，箱形成膜装置内に配設され，その内周面に複数のsubstrate（基板）が保持されたdome（ドーム）が記載されている。
　　
　図１
　（２）甲第２号証の記載事項
　　　ア　「The most common types of ion sources for this purpose are broad-beam, often with extraction grids. Much of the published research and reported successes have been with the Kaufman or gridded type of ion gun.」
　仮訳「この目的のために最も一般的なタイプのイオンソースは，抽出グリッドを備えることの多い，広いビームである。以前に公表された研究及び報告された成功の多くは，カウフマン型またはグリッド型のイオン銃を使用した。」
　（３）甲第３号証の記載事項
　　　ア　表２
　　　　　仮訳
　２　乙号証の記載事項
　（１）乙第２号証の記載事項
　　　ア　「輝尽性蛍光体層が気相堆積法（気相法）により形成される放射線画像変換パネルの製造方法において，蒸着時の支持体温度を５０〜１５０℃に制御して蒸着することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。」（【請求項１】）
　　　イ　「以下，本発明を更に詳細に述べる。
本発明の特徴である，蒸着時の支持体（以下，基板ともいう）を５０〜１５０℃に制御する方法としては，以下の方法が挙げられる。
１）低速度で蒸着する方法
低速度で蒸着することにより，蒸発源から輻射熱，蒸気の凝集熱による基板温度上昇を制御することにより該基板温度を５０〜１５０℃に制御することができる。
２）基板−蒸発源距離を調整して蒸着する方法
基板−蒸発源距離を調整して，上記１）と同様に蒸発源から輻射熱，蒸気の凝集熱による基板温度上昇を制御することにより該基板温度を５０〜１５０℃に制御することができる。
３）蒸発源を基板中心から離して蒸着する方法（後述する図２，４参照）
図４中のθ１，θ２を調整することにより，蒸発源からの輻射熱を調整することができ，基板温度を５０〜１５０℃に制御することができる。
４）加熱ランプの出力を調整して蒸着し，５０〜１５０℃に制御する方法
５）基板を冷却して蒸着する方法
冷却水，冷媒ガス等を基板ホルダーに流して，該基板ホルダーに基板を密着，設置することにより，基板温度を冷却，調整することにより，該基板温度を５０〜１５０℃に制御することができる。
６）間欠蒸着する方法（後述する図４を参照）
蒸発源上にスリット（蒸気流通過用開口部）を有する部材を基板の下に設置し，該部材上の基板を部材に平行に左右に搬送させて，蒸発源からの輻射熱を調整することにより基板温度を５０〜１５０℃に制御することができる。
尚，蒸着時の基板温度を５０〜１５０℃に制御する方法は上記の方法に限定されるものではなく，また，上記の方法を組み合わせても良い。」（段落【００１８】〜【００２４】）
　（２）乙第３号証の記載事項
　　　ア　「リチウムと合金化する活物質からなる活物質薄膜を，リチウムと合金化しない金属からなる集電体上に加熱蒸着法を用いて形成するリチウム二次電池用電極の製造方法において，
　蒸着による成膜の際の集電体表面の最高到達温度を１２５〜１９５℃の範囲内とすることを特徴とするリチウム二次電池用電極の製造方法。」（【請求項１】）
　　　イ　「集電体表面の温度が上記範囲を上回る場合，蒸着源からの輻射熱を小さくする，集電体の冷却を強くする，成膜時間を短くするなどの方法により，集電体表面の最高到達温度を上記範囲内に制御することが考えられる。蒸着源からの輻射熱を小さくする方法としては，具体的には，集電体と蒸着源の間の距離を長くする，シャッターで輻射熱を遮断しながら間欠的に成膜するなどの方法が挙げられる。シャッターを用いて輻射熱を遮断する場合，遮断している間に集電体が冷却されることにより集電体の温度を下げることができる。」（段落【００２６】）
　（３）乙第４号証の記載事項
　　　ア　「７・７　イオンビーム（アシスト）蒸着
　イオンプレーティングのように，成膜中のイオン照射によりいろいろな改善を行うことができる．エピタクシーにおいてもそうである．これらを総称してイオンアシスト蒸着という．中でもイオンビームとイオンビームの助けをかりて良い薄膜作成を行う方法が研究されている．膜の結晶性，配向性，付着強度の向上，膜のち密化向上などを目的に，薄膜成長中に低エネルギー（数ｅＶ〜数ｋｅＶ）のイオンビームを同時照射する方法をイオンビームアシスト蒸着という．
　この方法には沢出の方法があるが，概括すると図７・３１のようになる．
　（ａ）はイオンビームアシストデポジション（ＩＢＡＤ）で，一般の薄膜ソースを用いて蒸着中にイオンガンからイオンを照射する方法で最もよく用いられる．（ｂ）は，イオンビームデポジション（ＩＢＤ）で，薄膜にしたい材料をイオンにして基板を照射成膜を行う方法である．イオンにするには固体をそのままイオンにする固体用のイオン源や，気体を分解しイオンにして，更に質量分離後目的のイオンを取り出すなどの方法がある．（ｃ）はイオンビームスパッタデポジション（ＩＢＳＤ）で，薄膜にしたい材料（ターゲット）にイオンビームを照射，これをスパッタ（第８章参照）させて成膜させる方法である．二点鎖線で示すように同時にイオン照射を行うことがある．どの方法も同時に反応ガスを導入して，反応性成膜を行うことが多い．
　この方法は，イオンガンを要しどちらかというと複雑な装置となる．しかしち密で強固な付着強度を有し，配向性のよい膜が得られること，イオンのエネルギーを大幅に可変とできることなどから，薄膜作成法としての自由度が高い．これを利用し，光学膜（吸収散乱が少い），機械的用途（ち密で付着強度が大きい）として工具や耐食膜，ダイヤモンドライクの膜などの成膜に用いられている１３）．
図７・３１　イオンビーム（アシスト）蒸着」（第１８７〜１８９頁）
　（４）乙第９号証の記載事項
　　　ア　「Two kinds of ion sources are widely used in IAD5). One is known as the Kaufman ion source which has screen and accelerating grids. The ion energy and current are controlled independently. The ion energy is monoenergetic and able to be varied up to one or two thousand eV. The ion current density is limited by a finite spacing between two grids and the divergence of ion beam is small due to an accelerating grid. The other called as a gridless or an end-Hall ion source has no accelerating grid. The ion energy is low and broad, ion current density is high, and beam divergence is large compared to that of Kaufman ion source.」（第１０３頁右欄第９行〜第１０４頁第１行）
　仮訳「イオンアシスト蒸着では，２種類のイオンソースが広く用いられている５）。１つは，スクリーングリッドと加速グリッドを有するカウフマン型イオンソースとして知られているものである。ここでは，イオンエネルギーと電流は個別に制御される。イオンエネルギーは単一エネルギーであり，１０００ｅＶ又は２０００ｅＶまで可変である。イオン電流密度は，２つのグリッド間の有限空間によって制限されており，イオンビームの拡散は加速グリッドにより抑えられている。もう１つは，グリッドレスイオンソース又はエンドホールイオンソースと称される，加速グリッドを有していないものである。そのイオンエネルギーは小さく広範囲であり，イオンの電流密度は高く，ビームの拡散はカウフマン型イオンソースに比べて大きい。」
　　　イ　「2. Experiments
  A box coater with a cryo pump shown in Fig. 1 was used to deposit titania thin films and the base vacuum was lower than 8×10-7 Torr. Tablets of TiO2 (Merck, 11771) were melted by an electron beam gun at deposition rate of 0.3 nm/s and the total film thickness was about 450 nm. Substrate temperature was 140℃. 
  The Kaufman (Ion Tech, MPS 3000) and gridless (made in house) ion sources were used to bombard TiO2 films. Ar gas of 3 sccm was introduced to the Kaufman ion source and the ion energy and current density were varied from 250 to 750 eV and from 7.5 to 45 μA/cm2 , respectively. A plasma bridge neutralizer was used to prevent positive charges from being built up on the substrate.」（第１０４頁左欄第２０行〜右欄第１５行）
　仮訳「２．　実験
　図１に示すように，クライオポンプを備えた箱形成膜装置を用いてチタニア薄膜を成膜し，基本真空度は８×１０−７Ｔｏｒｒ未満とした。錠剤形状のＴｉＯ２（Ｍｅｒｃｋ製１１７７１）を成膜速度０．３ｎｍ／秒で電子ビームにて溶解し，総膜厚を約４５０ｎｍとした。基板の温度は１４０℃であった。
　カウフマン型（Ｉｏｎ　Ｔｅｃｈ製ＭＰＳ３０００）及びグリッドレス（自前）のイオンソースを用いて，ＴｉＯ２膜にイオン衝撃を行った。カウフマン型イオンソースには，３ｓｃｃｍのＡｒガスを導入し，イオンエネルギーは２５０ｅＶから７５０ｅＶに，電流密度は７．５μＡ／ｃｍ２から４５μＡ／ｃｍ２に変化させた。プラズマブリッジ中和装置用いて，基板上への陽電荷の蓄積を防いだ。」
　　
第７　引用発明の認定
　　
　上記第６　１（１）アの記載によれば，甲第１号証には，イオンアシスト蒸着によりＺｒＯ２薄膜を作製することが記載されており，第６　１（１）イの記載によれば，イオンアシスト蒸着には，熱陰極型カウフマンイオン源が用いられている。また，第６　１（１）エの図１によると，ドームの内周面には，複数の基板が保持されており，さらに，蒸発源とドームとの間に，蒸発したＺｒＯ２の拡散を遮るものは認められず，ＺｒＯ２がドームの内周面の全域に供給されているといえるから，甲第１号証には次の発明が記載されていると認められる。
「ドームの内周面の全域に向けＺｒＯ２を供給することによって前記内周面に保持されている複数の基板のすべてに対して前記ＺｒＯ２を供給するとともに，
　前記内周面に向けてイオン照射可能となる熱陰極型カウフマンイオン源を用い，前記内周面に対して前記イオンを照射することによって，前記基板に対してイオンを照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，前記基板に膜厚およそ５００ｎｍのＺｒＯ２を成膜する方法。」（以下，「引用発明１」という。）
　また，第６　１（１）イに記載の実験において，ＺｒＯ２を成膜するに当たり，箱形成膜装置がＺｒＯ２を供給する手段を有していることは明らかであり，上記のとおり，ＺｒＯ２はドームの内周面の全域に供給されているから，前記ＺｒＯ２を供給する手段は，ドームの内周面の全域に対してＺｒＯ２を供給可能となるような配置及び向きで前記箱形成膜装置内に設置されていると認められる。さらに，基板はドームの内周面に保持されているから，熱陰極型カウフマンイオン源は，イオンを前記内周面に対し照射可能となるような，構成，配置及び／又は向きで前記箱形成膜装置内に設置されていると認められる。
　よって，甲第１号証には次の発明も記載されていると認められる。
「基本真空度がおよそ８×１０−７Ｔｏｒｒである箱形成膜装置内に配設され，複数の基板を保持するためのドームと，
　前記ドームの内周面の全域に向けＺｒＯ２を供給することによって前記内周面に保持されている複数の基板のすべてに対して前記ＺｒＯ２を供給可能となるような配置及び向きで前記箱形成膜装置内に設置された，基板に対してＺｒＯ２を供給する手段と，
　イオンを前記内周面に対し照射可能となるような，構成，配置及び／又は向きで前記箱形成膜装置内に設置された熱陰極型カウフマンイオン源とを，有する成膜装置。」（以下，「引用発明２」という。）
　　
第８　当審の判断
　　
　１　本件特許発明１と引用発明１との対比・判断
　（１）本件特許発明１と引用発明１との対比
　引用発明１における「ドーム」，「内周面」，「ＺｒＯ２」，「基板」，「熱陰極型カウフマンイオン源」，「膜厚およそ５００ｎｍのＺｒＯ２」及び「成膜する」は，本件特許発明１の「基体保持手段」，「基体保持面」，「成膜材料」，「基体」，「成膜アシスト手段」，「薄膜」及び「堆積させる」に相当し，引用発明１の方法が基板の表面に成膜する方法であることは明らかであるから，本件特許発明１と引用発明１とは，
「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持されている複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を供給するとともに，
　前記基体保持面に向けてイオン照射可能となる成膜アシスト手段を用い，前記基体保持面に対して前記イオンを照射することによって，前記基体に対して前記イオンを照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，前記基体の表面に薄膜を堆積させる成膜方法。」である点で一致し，以下の点で相違する。
　　
相違点１：本件特許発明１は，「成膜材料を連続して供給する」のに対し，引用発明１は，成膜材料が連続して供給されるのか不明である点。
相違点２：本件特許発明１は，「基体保持手段の基体保持面に保持されている複数の基体」が回転しているのに対し，引用発明１は，「基体保持手段の基体保持面に保持されている複数の基体」が回転しているのか不明である点。
相違点３：本件特許発明１は，「回転している基体保持面の一部の領域に対してイオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射し，前記基体のそれぞれに対して前記イオンを照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，すべての基体の表面に薄膜を堆積させる」のに対し，引用発明１は，イオン照射の態様が不明である点。
　　
　（２）相違点についての判断
　　　ア　相違点１について
　上記第６　１（１）ア〜ウの記載によれば，甲第１号証には，アルゴンイオンアシスト蒸着法（Ａｒ−ＩＡＤ法）を用いて，基板にＺｒＯ２膜を作製し，その光学的不均質性と微細構造とを調べることを目的とする実験方法が記載され，具体的には，ＩＡＤ法によるアルゴンイオン衝突の効果を，正規化イオンの運動量Ｐを０から１．４２ＭｅＶ／ｃの範囲で変化させて，ＺｒＯ２薄膜の光学的不均質性と微細構造とを調べたものが記載されている。
　そして，その中の分光エリプソメトリー（ＳＥ）分析に用いたＺｒＯ２薄膜は，それぞれイオンアシスト無し（Ｐ＝０），イオンアシスト有り（Ｐ＝０．７８ＭｅＶ／ｃ，１．２５ＭｅＶ／ｃ）のものである。ここで，これらのイオンアシスト条件を変化させたことによる効果を検証する以上，少なくとも，調査対象となる基板に対するＺｒＯ２の蒸着条件が同一であることを要することは明らかであるところ，引用発明は，ドーム上の全ての基板に対して蒸着材料が供給されるものであるから，全ての基板が調査対象であり，全ての基板に対して同一の蒸着条件で成膜されていると解することが自然である。
　ここで，仮に，引用発明１において，ＺｒＯ２の成膜材料が連続的に供給されないことを想定すると，蒸着源である錠剤形状のＺｒＯ２に電子ビームを不連続に照射するか，蒸着源と基板との間にシャッターを設ける必要があり，前者とすると，電子ビーム照射の始点，終点において，蒸着条件が安定しないことにより，すべての基板に対して等しい蒸着条件とすることが困難と認められるし，後者とすると，上記第６　１（１）エに記載の図１にそのようなシャッターを示す記載はないし，シャッターを設けて不連続に成膜材料を供給する必然性も甲第１号証の記載から見出せない。
　一方，引用発明１において，電子ビームを蒸着源である錠剤形状のＺｒＯ２に連続して照射すると，蒸着条件が安定して，すべての基体に対して等しい蒸着条件とすることが容易であると認められるし，図１を含む甲第１号証のすべての記載から，蒸着源と基体との間にシャッターを設ける必要性が示唆されているとも認められないことは上述のとおりである。
　そうすると，引用発明１において，全ての基板に対して同一の蒸着条件で成膜するために，電子ビームは蒸着源に連続して照射され，成膜材料はすべての基板に連続的に供給されていると解することが合理的である。
　よって，相違点１は実質的な相違ではない。
　なお，被請求人は，口頭審理陳述要領書において，「乙第２号証には，その請求項には何ら『間欠』という文言がないものであるが，段落００２３には，『６）間欠蒸着する方法』が記載されている。また，乙第３号証には，請求項に『間欠』の文言，あるいは間欠的に蒸着材料を供給していると判断できる明記はなんら存在しないにも拘わらず，明細書の段落００２６には『…蒸着源からの輻射熱を小さくする方法としては，具体的には，集電体と蒸着源の間の距離を長くする，シャッターで輻射熱を遮断しながら間欠的に成膜するなどの方法が挙げられる。・・・』との記載がある。
　これらは『連続』が構成要件でない場合には，『間欠』で構成するものが存在しても請求項に『間欠』記載しない例として捉えることができる。
　つまり，一方も他方も記載されていないときに，一方が記載されていなければ他方であるとの主張である『当該当業者は，成膜材料の供給を間欠的に行うことが明記されていない限り，当該成膜は，当該成膜材料が〈連続的〉に供給されるものと把握する。』などという事実は存在しないものである。」（第４頁第２８行〜第５頁第１１行）と主張している。
　確かに，上記第６　２（１）ア〜２（２）イの乙第２，３号証の記載によれば，成膜中の基板温度を特定の範囲に制御するに当たり，その手段の一つとして間欠蒸着を行い得ることが認められる。しかしながら，甲第１号証には，基板の温度を積極的に制御する旨の記載は認められず，仮に基板の温度を制御しているとしても，間欠蒸着は温度制御手段の一つに過ぎないから，乙第２，３号証の記載に基づき，甲第１号証において，間欠蒸着が行われているということはできない。しかも，上記したように，第６　１（１）エの図１には，シャッター等の蒸発物の拡散を制限する部材は認められない。
　したがって，甲第１号証において，間欠蒸着が行われていると解するのは合理性に欠け，上記のとおり，「成膜材料を連続して供給する」と解するのが合理的である。
　　　イ　相違点２について
　上記アに示すとおり，甲第１号証におけるコーティングチャンバ内のすべての基板は，少なくともＺｒＯ２の蒸着条件が等しいことが要請されている。そして，上記第６　１（１）エの記載によれば，図１の上部の軸が回転していることが認められ，複数の基板を成膜するに当たっては，それぞれの基板の成膜条件が均一になるように，ドーム（基板ホルダー）を回転させることが通常行われていることであるから（特開２００６−４５６３２号公報の段落【０００５】，【図９】，特開２００７−２４８８２８号公報の段落【００２６】，【図２】等参照），前記軸はドームの回転軸であると解するのが自然である。
　そうすると，引用発明１において，基体保持手段の基体保持面に保持されている基体は回転していると解するのが合理的である。
　よって，相違点２は実質的な相違ではない。
　なお，被請求人は，口頭審理陳述要領書において，「甲第１号証の文章及び図１から，基板が回転しているかどうか不明である。例えば，乙第４号証に記載のように基板が静止した状態でイオンを照射することによるアシスト効果が知られているところ，甲第１号証の文章及び図１には，中心に図１のドーム上方に描かれた横長の長方形の部材から，容器外に向かって上方に伸びる軸の回転方向が図示されているが，その回転機構等については何らの図示も記述もないものであり，ドームが回転しているかどうか不明である。」（第３頁第２４〜２９行）と主張している。
　しかしながら，第６　２（３）アの乙第４号証の記載によれば，図７・３１の（ａ）には，蒸着と同時に基板の全面にイオン照射を行うことが記載されているものの，基板が静止した状態であるかは不明であるから，この記載をもって，図１に記載のドームが静止しているということはできない。また，上記のとおり，図１に記載のドームは回転していると解するのが自然であり，基板が回転していても甲第１号証の目的の妨げになるとはいえないから，被請求人の主張は採用できない。
　また，被請求人は，「甲第１号証の目的とする『ＺｒＯ２薄膜の屈折率と微構造に於ける不均質性に於いてアルゴンイオン衝撃の効果を研究する』ためには，基板の一点を測定対象にすればよいため，回転させる必然性がない。このような事情に鑑みると，甲第１号証の図１から『回転している基板である』とは言い難い。」（第４頁第７〜１０行），「甲第１号証の図１は，・・・一つの基板に対してイオンアシスト蒸着を行うと解釈することもできる。これは，甲第１号証が，本件特許発明の量産するためのものではなく，・・・一品製作的なものであって，実験品をつくるための装置の例を模式的に図示したものに過ぎないことから，甲第１号証の図１では，ドームが回転するかどうかは問題ではなく，上記のように解釈することができないとは到底言い切れない。」（第７頁第３〜１１行）との主張をしている。
　上記の主張は，１つの基板の各部分に対して，異なるイオンアシスト条件を施し，各部分のそれぞれ一点を測定対象とする調査方法を前提とするものと認められる。
　しかしながら，そのような前提は，甲第１号証の図１において，ドーム上の全ての基板に対して蒸着材料が供給されていることが示されていることと合致しないから，採用の限りでない。
　さらに，被請求人は，訂正請求書において，「仮に，『前記軸はドームの回転軸と解するのが自然である』としても，成膜“装置”として〈回転軸が存在する〉ことと，成膜“方法”における成膜中に〈実際に基体を回転させる〉こととは無関係である。また，“装置”として〈回転軸が存在する〉ことと，それゆえに“方法”における成膜中に〈基体が回転している〉という，短絡的な判断は，当を得ていない。すなわち，成膜装置として回転軸が存在することを理由に，成膜方法における成膜中に実際に基体を回転させている，と判断し，甲１記載の発明を認定した点で，審決予告での〈相違点３の判断〉は不当である。」（第２４頁第５〜１２行）との主張をしている。
　しかしながら，上記のとおり，図１に記載の回転軸は，成膜中にドームを回転させるものと解するのが自然であるから，被請求人の主張は採用できない。
　　　ウ　相違点３について
　上記第６　１（１）イの記載によれば，甲第１号証には，３ＳＣＣＭ（ＳＣＣＭとは，標準状態におけるｃｍ３／分で表したガス流量）のアルゴンガスを衝撃用ガス種として放電チャンバーに導入した旨が記載されており，ＳＣＣＭの単位は，通常，連続的なガス流量を示すことが当業者の技術常識であると認められる。そして，第６　１（１）エの図１によると，アルゴンガスが導入されているのは(gas in)，イオン源(ion source)であるから，連続的に導入されるガスは，連続的にイオン化してドームの内周面に照射されると解するのが合理的である。また，図１によれば，イオンビームがドームの内周面に保持された複数の基板のうち１つの基板に照射されていることが認められる。この照射範囲は，第６　１（３）アの甲第３号証に記載されるカウフマンソースの照射範囲が狭い旨の技術常識と整合する。
　そして，上記（２）イで検討したとおり，甲第１号証の図１では，成膜中にドームが回転していると解するのが自然であるから，図１に記載される３つの基体は，ドームの回転に伴って，イオンが照射されているときと照射されていないときが確保されているといえる。
　そうすると，甲第１号証には，「回転しているドームの内周面の一部の領域に対してイオンを連続して照射することによって，前記ドームの内周面の回転に伴って移動している基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射し，前記基体のそれぞれに対して前記イオンを照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，すべての基体の表面に薄膜を堆積させる」ことが記載されているといえる。
　よって，相違点３は実質的な相違ではない。
　なお，被請求人は，答弁書において，「甲第１号証の図１は，ＩＡＤ（イオンビームアシスト蒸着）の装置の原理を図示した模式図に過ぎない」（第９頁第２８〜２９行）と主張し，口頭審理陳述要領書において，「誤った認識に基づく請求人の『（２）審理事項通知書〈２−１　請求人に対して〉の〈イ〉（Ａｒイオンビームの〈連続〉照射）について』も同様に失当である。」（第５頁第１７〜１９行），すなわち，乙第２，３号証の記載に基けば，甲第１号証におけるイオンビームは間欠照射である可能性があることを主張している。
　しかしながら，乙第２，３号証に記載の技術は，イオンアシスト蒸着に関するものではないから，これらの乙号証に，甲第１号証において，イオンが間欠的に照射されていることを窺わせる記載は存在しない。また，図１が模式図であるとしても，図の特徴的部分であるイオンビームの照射範囲を読み取ることができるし，図１の記載は，上記のとおり技術常識と整合する。
　したがって，被請求人の上記の主張は当を得たものではない。
　また，被請求人は，訂正請求書において，（ａ）上記第６　１（２）アの甲第２号証の記載に関し，「幅の広いビームのイオン源のうち，研究等でよい成果を得ているものとして，カウフマンイオン源が挙げられることが明確に記載されている。これは甲３の記載（照射範囲が狭い）と矛盾する」旨の主張（第１３頁第２７行〜第１４頁第１５行），（ｂ）甲第１号証の記載に基づき正規化イオン運動量Ｐを算出すると１．４２（ＭｅＶ／ｃ）となり，これは，甲第１号証に記載されるＰの最大値と一致する。この結果から，甲第１号証の基体に到達した蒸着粒子は，常時イオン照射を受けていなければ，甲第１号証の本文の記載内容と矛盾する旨の主張（第１５頁第２７行〜第２０頁第２２行），（ｃ）甲第１号証と同一の著者による乙第９号証には，甲第１号証の図１と同一の図が図１として掲載されており，乙第９号証では，その図１を，ビームの照射範囲が異なる２つのイオン源をそれぞれ用いた別々の実験に，同じように用いていることが示されている（第６　２（４）イ）。そうすると，甲第１号証の図１において，イオンビームの照射範囲を読み取ること自体に意味はなく，甲第１号証の図１に特徴的な部分など存在しないと理解できる旨の主張（第２２頁第２５行〜第２３頁第９行）をしている。
　しかしながら，（ａ）甲第２号証の記載は，ＩＡＤのためのイオン源として，抽出グリッドを備えることの多い，広いビームのイオン源が一般的であることと，成功例の多くが，カウフマン型またはグリッド型のイオン源であることとを個別に記載したものと解されるから，すべてのカウフマン型イオン源のビームが幅広であることを記載したものとはいえず，甲第２号証の記載は，甲第３号証の記載と矛盾するものではない。カウフマン型イオン源のビームが必ずしも幅広でないことは，上記第６　２（４）アの乙第９号証の「グリッドレスイオンソース又はエンドホールイオンソース・・・のイオンエネルギーは小さく広範囲であり，イオンの電流密度は高く，ビームの拡散はカウフマン型イオンソースに比べて大きい」との記載からも明らかである。よって，甲第１号証の図１に記載のイオンビームの照射範囲は，これらの技術事項と矛盾するものではない。（ｂ）また，訂正請求書の第１７頁第１行〜第１９頁第１０行に記載の計算によって，小数第２位の数値が確かな数値であるのか不明であるが，Ｐの最大値が１．４２となったとしても，この数値は，蒸着粒子がイオン照射を受けているときの正規化イオン運動量の最大値と考えられる（蒸着粒子がイオン照射を受けていないときは０となる）から，この結果は，甲第１号証の本文の記載内容と矛盾するものとはいえない。（ｃ）さらに，乙第９号証の図１は，甲第１号証の図１と同様に，カウフマン型イオンソースを用いたときの模式図と考えられるから，甲第１号証の図１から，図の特徴的部分であるイオンビームの照射範囲を読み取ることに問題はない。
　　
　（３）小括
　したがって，本件特許発明１は，甲第１号証に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　　
　２　本件特許発明２と引用発明２との対比 
　（１）本件特許発明２と引用発明２との対比
　引用発明２における「ドーム」，「基本真空度がおよそ８×１０−７Ｔｏｒｒである箱形成膜装置」，「基板」，「ＺｒＯ２」，「ＺｒＯ２を供給する手段」及び「熱陰極型カウフマンイオン源」は，本件特許発明２の「基体保持手段」，「真空容器」，「基体」，「成膜材料」，「成膜手段」「成膜アシスト手段」に相当するから，本件特許発明２と引用発明２とは，「真空容器内に配設され，複数の基体を保持するための基体保持手段と，
　前記基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持されている複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を供給可能となるような配置及び向きで前記真空容器内に設置された成膜手段と，
　イオンを前記基体保持面に対し照射可能となるような構成，配置及び／又は向きで前記真空容器内に設置された成膜アシスト手段とを，有する成膜装置。」である点で一致し，以下の点で相違する。
　　
相違点４：本件特許発明２は，「成膜手段が成膜材料を連続して供給可能」であるのに対し，引用発明２は，成膜手段が成膜材料を連続して供給可能であるのか不明である点。
相違点５：本件特許発明２は，「基体保持手段」が「回転可能に配設され」ているのに対し，引用発明２は，基体保持手段が回転可能に配設されているのか不明である点。
相違点６：本件特許発明２は，「成膜アシスト手段」が「イオンを基体保持面の一部の領域に向けて照射可能であり，回転している前記基体保持面に対して前記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射可能となるような構成，配置及び／又は向きで真空容器内に設置され」ているのに対し，引用発明２は，成膜アシスト手段がどのように真空容器内に設置されているのか不明である点。
　　
　（２）相違点についての判断
　　　ア　相違点４について
　上記第８　１（２）アの「相違点１について」で検討した理由と同様の理由により，引用発明２においては，電子ビームは蒸着源に連続して照射され，成膜手段は成膜材料を連続的に供給可能であると解することが合理的である。
　よって，相違点４は実質的な相違ではない。
　　　イ　相違点５について
　上記第８　１（２）イの「相違点２について」で検討した理由と同様の理由により，引用発明２において，基体保持手段は回転可能に配設されおり，その回転により，基体保持手段の基体保持面に保持されている複数の基体は回転していると解するのが合理的である。
　よって，相違点５は実質的な相違ではない。
　　　ウ　相違点６について
　上記第８　１（２）ウの「相違点３について」で検討した理由と同様の理由により，甲第１号証には，「成膜アシスト手段」が「イオンを基体保持面の一部の領域に向けて照射可能であり，回転している前記基体保持面に対して前記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射可能となるような構成，配置及び／又は向きで真空容器内に設置され」ることが記載されているといえる。
　よって，相違点６は実質的な相違ではない。
　　
　（３）小括
　したがって，本件特許発明２は，甲第１号証に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　　
第９　むすび
　　
　以上のとおり，本件特許発明１，２は，甲第１号証に記載された発明であって，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであるから，その特許は，同法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。
　審判に関する費用については，特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により，被請求人が負担すべきものとする。 
　よって，結論のとおり審決する。