Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月20日(2015.2.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
ゾルゲル法は、好都合に、外界温度（約２５℃）で、または外界温度より高い高温で行なうことができる。たとえば、ゾルゲル法は、約２０℃〜約１１５℃の温度で行なうことができる。その方法は、好ましくは、たとえば約６０℃〜約１００℃の温度で、より好ましくは約８０℃〜約９５℃の温度で行なわれる。高い温度は、反応中に形成される望ましくない副生成物であるアルコールの除去を可能にする。たとえば、アルコールは蒸発し、不活性気体流れ中の反応混合物から除去されることができる。その後、アルコールは別個の容器において凝縮され集められることができる。生成したアルコールの反応混合物からの直接除去は、加水分解縮合反応を促進し、全反応時間の減少を可能にする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
参考例６
実施例１に記載したのと同じ反応器を用い、９５．５ｇのＡＰＭＳと５２ｇのテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ、オールドリッチ（Aldrich）によって製造販売）の混合物を反応器の中に導入した。反応は実施例１に記載したのと同じ手順に従って行なった。反応は１５０分後に止めた。Ｓｉ−ＮＭＲ結果から、アルコキシシラン基の転化率は９０％であった。得られた生成物（反応性無機クラスター）は澄んだ透明な液体であった。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
参考例７
実施例１に記載したのと同じ反応器を用い、９５．５ｇのＡＰＭＳと５．２ｇのテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ、オールドリッチによって製造販売）の混合物を反応器の中に導入した。反応は実施例１に記載したのと同じ手順に従って行なった。反応は１５０分後に止めた。Ｓｉ−ＮＭＲ結果から、アルコキシシラン基の転化率は５６％であった。得られた生成物（反応性無機クラスター）は澄んだ透明な液体であった。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）アミノ基を有するアルコキシシランと（ｂ）気体の水を反応させ、貯蔵安定性反応性無機クラスターを形成することを含む、貯蔵安定性反応性無機クラスター組成物を調製する方法であって、該方法が溶媒の添加を含まず、アミノ基を有するアルコキシシランが３−アミノプロピルメチルジエトキシシランと３−アミノプロピルトリエトキシシランの混合物であり、気体の水は不活性気体流れ中の気体の状態で反応器の中に導入し、反応中に形成される副生成物であるアルコールは蒸発させ不活性気体流れ中の反応混合物から直接除去することを特徴とする方法。
【請求項２】
該方法が連続的に気体の水を加えることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該方法が、アミノ基を有するアルコキシシラン中に存在する反応性アミノ基によって自己触媒される加水分解・縮合反応であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アミノ基を有するアルコキシシランと気体の水が反応混合物を形成し、該方法がアミノ基を有するアルコキシシランのアルコキシ基の転化率を監視するために反応混合物の粘度を測定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
クラスターの官能価が、（ｉ）該方法において使用される異なるアミノ前駆体の比率を調節することによって、（ｉｉ）反応性無機クラスターと、異なる官能基を有する前駆体との比率を調節することによって、または（ｉｉｉ）反応性無機クラスターと、官能基を有しない前駆体との比率を調節することによって、制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
クラスターの構造／分枝度が、２９Ｓｉ−ＮＭＲ分析に基く、縮合したＳｉ種と未縮合のＳｉ種（ＤとＴ）の比率を調節することによって制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法によって調製された硬化剤で熱硬化性樹脂を硬化することを含む方法。
【請求項８】
アミノ基を有するアルコキシシランを反応性無機クラスターを形成する条件下でゾルゲル（加水分解および縮合）反応法に供することにより反応性アミノ基を有する貯蔵安定性反応性無機クラスターを調製することを含み、ゾルゲル反応がアミノ基を有するアルコキシシランを気体の水と反応させることを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項９】
粘度の値が２５℃で５０ｍＰａ・ｓ〜６００ｍＰａ・ｓの範囲にあるときに反応を止めることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
貯蔵安定性反応性無機クラスターが５０％〜９０％の全アルコキシ基転化率を有することを特徴とする請求項１または７に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月1日(2015.5.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
図１を参照する。例示的な一態様で、ターゲット元素材料であるシリコンを、原料化合物である二酸化シリコンから直接的に製造するために構成された電解採取システム１０が、アノード２０、カソード３０、及び原料化合物が溶解している介在する液体電解質４０を含む。アノード２０は、イオン伝導性の膜４５によって電解質４０から分離されている。電解質４０は、蓋部６２によって覆われた容器６０によって収容されている。外部回路６５は、システム１０の操作の際に、電子をアノード２０から受容して電子をカソード３０へ運搬するように構成されている。電解質４０並びに電極２０及び３０は、シリコンの融点（１４１４℃）未満の操作温度、例えば約９００℃〜１３００℃に維持されていてよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
外部回路６５は、カソード３０とアノード２０との間にＤＣ電圧を付与し、それにより、電解質４０中の二酸化シリコンの電解を誘導するように操作される。酸素アニオンは、膜４５を通ってアノード２０へと拡散し、そこで気体酸素が形成され、電子が放出され、当該電子は外部回路６５へと移動する。気体酸素は、チューブの開いた端部７４を通って容器６０を出て行く。同時に、電子は、カソード３０へと、そして当該カソード３０を通って電解質４０との界面へと運搬される。図２を参照すると、電解質４０中の種がそれにより還元されて、固体材料９２、つまりシリコンを含む生成物が、カソード３０の表面３３にわたって、移動する生成物−電解質界面９３の後ろに堆積している。堆積した固体材料９２はその後、カソード３０の一部として機能する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
生成回路２６５が開いている場合には、予備回路２７５は、電子を予備カソード２５０へ提供して電子をアノード２２０から抽出するように操作され、それにより、電解質２４０中の１つ以上の化合物、例えば構成成分酸化物が電気分解される。化合物が含有している不純物元素材料が、予備カソード２５０上に堆積する（ステップ３０２）。同時に、電解質２４０からの種がアノード２２０で酸化される。図１０を参照すると、電解質２４０中の、不純物を含有する種が予備カソード２５０で還元されると、固体材料２８２が、表面２５３にわたって、前進するカソード／電解質界面２８３の後ろに得られ、その後、予備カソード２５０の一部として機能する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
生成回路２６５は、電子をアノード２２０から抽出し、電子を生成カソード２３０に供給するよう操作され、それにより、電解質２４０中の原料化合物が電気分解される。ターゲット元素材料が、生成カソード２３０上に堆積する（ステップ３０４）。図１１を参照すると、固体材料２９２、つまりターゲット元素材料を含む生成物が、生成カソード２３０の表面２３３にわたり、前進するカソード／電解質界面２９３の後ろに得られ、その後、生成カソード２３０の一部として機能する。固体材料２９２は、ターゲット元素材料を所望の高い純度で含む。例示的には、ターゲット元素材料は、固体材料２９２の少なくとも９９重量％、９９．９重量％、９９．９９重量％、９９．９９９重量％又は９９．９９９９重量％を成す。ターゲット元素材料の堆積は、例えば、蓄積された固体材料２９２が十分な質量となるまで、ターゲット元素材料より電気陰性の小さい不純物が生成カソード２３０上に、許容できない速度で共堆積し始めるまで、又は電解質２４０が原料化合物を望ましくない低い濃度で含むまで、続けることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月8日(2014.12.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素供給原料を水素化処理するための嵩高多金属触媒組成物を調製するプロセスであって、そのプロセスが、
少なくとも１つのＶＩＢ族の金属前駆体ＭＶＩＢと少なくとも１つの助触媒前駆体ＭＰを準備することであって、その助触媒前駆体ＭＰはＶＩＩＩ族化合物から選択されること；
少なくとも１つのＶＩＢ族を少なくとも１つの助触媒金属前駆体と合わせて、液体溶液中に触媒前駆体沈殿物を形成すること；
触媒前駆体沈殿物を液体溶液から分離して、フィルターケーキを形成すること；
フィルターケーキを少なくとも１つの配位剤Ｌで処理して、配位触媒前駆体を形成すること；
配位触媒前駆体を非凝集乾燥方法により乾燥すること；
その配位触媒前駆体を造形して、造形触媒前駆体を形成すること；並びに
造形触媒前駆体を硫化して、嵩高多金属触媒を形成すること
を含む上記プロセス。
【請求項２】
乾燥後の触媒前駆体が、乾燥前の触媒前駆体のサイズ中央値の２０倍未満のサイズ中央値を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
非凝集乾燥が、７０℃〜２５０℃の温度で６０秒未満の時間のフラッシュ乾燥を介するものである、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
非凝集乾燥が、７０℃〜２５０℃の温度で３０秒未満の時間のフラッシュ乾燥を介するものである、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項５】
非凝集乾燥が凍結乾燥を介するものである、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項６】
造形触媒前駆体が、孔の少なくとも９０％がマクロ孔である本質的に単峰性の孔径分布を有する、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項７】
造形触媒前駆体が、少なくとも０．０８ｇ／ｃｍ３（０．０８ｇ／ｃｃ）の総孔容積及び最大１．６ｇ／ｃｍ３（１．６ｇ／ｃｃ）の圧縮嵩密度を有する、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項８】
水素化処理のための嵩高多金属触媒を形成するための触媒前駆体が、４０〜４００ｍ２／ｇの範囲のＢＥＴ表面積を有する、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項９】
配位剤Ｌでキレート化された造形触媒前駆体が、配位剤Ｌでキレート化されたフィルターケーキを有さない造形触媒前駆体よりも少なくとも２５％大きい総孔容積を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
酸化亜鉛、硫化亜鉛、ニオビア、オルトケイ酸テトラエチル、ケイ酸、チタニア、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、シリカゲル、シリカゾル、アルミン酸ナトリウム、アルミン酸カリウム、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、アルミノケイ酸マグネシウム粘土、金属マグネシウム、水酸化マグネシウム、ハロゲン化マグネシウム、硫酸マグネシウム、硝酸マグネシウム、ジルコニア、カチオン性粘土及びこれらの混合物の群から選択される少なくとも１つの希釈剤を準備すること；
少なくとも１つの希釈剤を、少なくとも１つのＶＩＢ族金属前駆体ＭＶＩＢ及び少なくとも助金属触媒ＭＰに添加して、触媒前駆体沈殿物を形成すること
を更に含む、請求項１又は２に記載のプロセス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
押し出しの後、触媒前駆体ペレット（Ｎｉ−Ｍｏ−Ｗ及びＮｉ−Ｍｏ−Ｗ−マレエート）をＮ２下、１２０℃で乾燥し、孔容積及び表面積を測定した。結果を以下の表２に表す。
【表２】
2012525252.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月2日(2015.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）を備え、各磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）が外側磁石極性（６４、６８、７６、７８、８４、８６、９２、９４、１００、１０２、１０８、１１０）及び内側磁石極性（６６、８０、８８、９６、１０４、１１２）を有し、
前記少なくとも２つの磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）のうちの一方の磁石アセンブリの外側磁石極性が、前記少なくとも２つの磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）のうちの他方の磁石アセンブリの隣接する外側磁石極性と異なり、
前記磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）が一又は複数のカソード（１６、１８、２０、２２、２４、２６）に対応し、２つの隣接するカソード（１６、１８、２０、２２、２４、２６）の間の距離（２４６）が、前記２つの隣接するカソード（１６、１８、２０、２２、２４、２６）が互いに相互作用を及ぼすような距離であり、前記２つの隣接するカソードの間の距離が５００ｍｍを下回る、基板（１２）上にスパッタリングされた材料の層をコーティングするための装置（１０；  １６６；  ２２４）。
【請求項２】
前記少なくとも２つの磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）が、近接する磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも２つの磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）の各々の断面が、２つの外側磁石極性（６４、６８、７６、７８、８４、８６、９２、９４、１００、１０２、１０８、１１０）及び１つの内側磁石極性（６６、８０、８８、９６、１０４、１１２）を有し、前記内側磁石極性が前記外側磁石極性と異なる、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記装置（１０；  １６６；  ２２４）が、少なくとも３つの磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６）を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記磁石アセンブリの一群のうちの少なくとも２つの近接する磁石アセンブリの隣接する外側磁石極性が、同一の磁石極性を有する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記同一の磁石極性の隣接する外側磁石極性を有する少なくとも２つの近接する磁石アセンブリが、前記少なくとも２つの近接する磁石アセンブリの前記隣接する外側磁石極性と異なる外側磁石極性を有する少なくとも１つの磁石アセンブリと交互になる、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６；  ２１６、２１８、２２０）の外側磁石極性が、磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６；  ２１６、２１８、２２０）から磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６；  ２１６、２１８、２２０）へと交互になる、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記カソード（１６、１８、２０、２２、２４、２６）が、回転可能なカソードである、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
各カソード（１６、１８、２０、２２、２４、２６；  ２２２）が、前記磁石アセンブリ（６０、７４、８２、９０、９８、１０６；  ２１６、２１８、２２０）のうちの１つに対応する、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記２つの隣接するカソードの間の距離が３００ｍｍと４００ｍｍの間であるか又は２３５ｍｍと２５０ｍｍの間である、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記カソードが平面カソード（２２２）である、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記装置（２２４）が１つの単一の平面カソードを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置（１０；  １６６；  ２２４）と、前記装置（１０；  １６６；  ２２４）を収容するためのプロセスチャンバ（４２）とを備える堆積システム（１４）。
【請求項１４】
前記装置が、請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置（１０、１６６、２２４）であり、前記カソード（１６、１８、２０、２２、２４、２６）が、平行に位置決めされる長手方向軸（１１４、１１６、１１８、１２０、１２２、１２４）を有する、請求項１３に記載の堆積システム。
【請求項１５】
前記システムが、基板（１２）上にスパッタリングされた材料の層をコーティングするためのシステム（１４）である、請求項１３又は１４に記載の堆積システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月29日(2015.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層に構成された第１のセンサ配列と、
第２の層に構成された第２のセンサ配列と、
入力信号を受信するように構成される入力部と、前記第１および第２のセンサ配列の各々に依存する出力信号を提供するように構成される出力部と、
１つまたはそれ以上のさらなる層と、
を備え、
前記センサ配列は、検出されたパラメータに応答して入力信号を変動させるように構成され、
前記さらなる層の各々にさらなるセンサ配列が構成され、
前記出力信号は、前記第１および第２のセンサ配列ならびに前記さらなるセンサ配列の各々に依存する、
装置。
【請求項２】
少なくとも１つの非検出層を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記入力信号を提供するように構成される入力部回路と、
少なくとも実成分を含む第１のインピーダンス値を検出するように構成され、かつ、少なくとも虚数成分を含む第２のインピーダンス値を検出するように構成される出力部回路と、
をさらに備え、前記第１の成分および前記第２の成分は既知の位相オフセットを有する、請求項１または２のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
前記入力信号は時間変動成分を含む、請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記第１のインピーダンス値は実成分のみを含み、前記第２のインピーダンス値は虚数成分のみを含み、前記第１の成分および前記第２の成分は直角位相である、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
複数の異なる選択されたセンサ配列に前記入力信号を選択的に提供するように構成された第１の選択回路と、
前記選択されたセンサ配列の第１の部分に前記入力信号を選択的に提供するように構成された第２の選択回路と、
前記選択されたセンサ配列の第２の部分から前記出力信号を選択的に受信するように構成された第３の選択回路と、
を備え、前記選択されたセンサ配列の前記第２の部分は前記第１の部分と重複する、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記第２の選択回路は、前記選択されたセンサ配列の一連の異なる第１の部分に対して、前記入力信号が提供される前記第１の部分を順序付けるように構成され、前記第３の選択回路は、前記選択されたセンサ配列の一連の異なる第２の部分に対して、そこからの前記出力信号が受信される前記第２の部分を順序付けるように構成される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記選択されたセンサ配列の複数の前記第１の部分は第１の方向と平行であり、前記選択されたセンサ配列の複数の前記第２の部分は第２の方向と平行であり、前記第１および第２の方向は直交する、請求項６または７に記載の装置。
【請求項９】
前記センサ配列の複数の異なる区域からの出力信号を処理するように構成された回路と、
前記複数の異なる区域に対する電流容量および電流抵抗を分析するように構成された分析回路と、
をさらに備える、請求項１から８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記第２のセンサ配列は、前記第１のセンサ配列を形成する基板の上に形成される、請求項１から９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記基板はピエゾ抵抗基板を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
装置を製造する方法であって、
第１の層に構成された第１のセンサ配列を形成することと、
第２の層に構成された第２のセンサ配列を形成することと、
入力信号を受信するように構成される入力部を設けるステップと、前記第１および第２のセンサ配列の各々に依存する出力信号を提供するように構成される出力部を設けることと、
各々にセンサ配列が形成される、１つまたはそれ以上のさらなる層を形成することと、
を含み、ここで前記センサ配列は、検出されたパラメータに応答して入力信号を変動させるように構成される、方法。
【請求項１３】
前記第２のセンサ配列は、前記第１のセンサ配列を形成する基板の上に形成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板はピエゾ抵抗基板を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板は、前記装置のユーザによって加えられる力に応答して変形されるように構成される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
装置であって、
前記装置に加えられる力に応答して変動する可変抵抗を有するように構成されたピエゾ抵抗基板と、
それぞれ前記ピエゾ抵抗基板の上に装着される、第１のセンサと第２のセンサと第３のセンサを少なくとも備えるセンサ配列と、
入力信号を受信するように構成される入力部と、
前記ピエゾ抵抗基板のインピーダンス、および、前記センサ配列の前記第１から第３のセンサによって検出されたパラメータに依存する出力信号を提供するように構成される出力部と、
を備え、前記センサ配列は、検出されたパラメータに応答して入力信号を変動させるように構成される、装置。
【請求項１７】
前記センサ配列は少なくとも１つの可変抵抗器を備え、前記可変抵抗器は、前記検出されたパラメータによって変動する抵抗を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記センサ配列は少なくとも１つの容量センサを備え、前記容量センサは、検出されたパラメータによって変動する容量を有する、請求項１６または１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記第２のセンサ配列は、量子トンネル性複合材を含むピエゾ抵抗基板上に形成され、前記ピエゾ抵抗基板の下には導電層が設けられる、請求項１から９のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
前記入力部は、前記ピエゾ抵抗基板上に第１の電極を備え、
前記出力部は、前記ピエゾ抵抗基板上に第２の電極を備え、
前記第１の電極及び前記第２の電極の上に、容量変換機構を有する物質の層が配され、該容量変換機構は、導電率や温度、湿度、ｐＨのすくなくともいずれかに基づいて、前記物質の誘電率を変化させる、請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
旋回可能またはスライド可能な、多重ガラスの冷蔵庫ドア（３２，３２'）によって閉鎖可能である、垂直面にある入出開口部（１６）を有する、食料品の保管用の冷蔵庫（１０）であって、
前記冷蔵庫ドア（３２，３２'）は、縁部のスペース部材（５６'，５７'，５８'，５９'）によって互いに離間された、少なくとも２つの透明なガラス板（５４，５５）を備え、
前記冷蔵庫ドア（３２，３２'）の１つの透明垂直縁部に、垂直方向の透明スペーサ部材（５７'；１５７'）が設けられており、支持用の枠部材が全く設けられていない、
ことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
前記透明スペーサ部材（５７'；１５７'）は、前記ガラス板（５４，５５）と接着されていることを特徴とする、請求項１に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項３】
前記透明スペーサ部材（５７'；１５７'）は、アクリル基剤のスペーサ部材用接着剤（５０）によって前記ガラス板（５４，５５）と接着されていることを特徴とする、請求項３に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項４】
前記透明スペース部材（５７'；１５７'）の末端には、密封材（１１２）から成る、分離された密封剤（Dichtmittel）の帯状体（１１０）が設けられていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項５】
前記密封材は透明であることを特徴とする、請求項４に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項６】
前記密封材（１１２）は、前記スペーサ部材用接着剤（５０）と同質であることを特徴とする、請求項４または５に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項７】
前記密封材（１１２）は、前記スペーサ部材用接着剤（５０）と同質でなく、好ましくはブチルゴムから成っていることを特徴とする、請求項４または５に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項８】
前記冷蔵庫ドア（３２，３２'）は、その上部および下部の水平縁部に分離された枠部材（５８，５９）を備え、当該枠部材は、前記ガラス板（５４，５５）の端面（７４）を把持することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項９】
１つの前記枠部材（５６，５８，５９）に付随するスペーサ部材（５６'，５８'，５９'）は、前記透明スペーサ部材（５７’）とは別の不透明な材料からなっていることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項１０】
前記ガラス板の中間層（６２）は、断熱ガス（８２）で充填され、当該断熱ガスは好ましくはアルゴンガスであることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項１１】
前記透明スペース部材（５７'）は、シリコーン，ＰＭＭＡ，またはポリカーボネートから成っていることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項１２】
前記透明垂直縁部には、衝撃保護帯（７２；１７２）が設けられており、当該衝撃保護帯は前記ガラス板（５４，５５）の端面（７４）を覆っていることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項１３】
前記透明スペース部材（５７，１５７）は、前記スペース部材用接着剤（５０）を収容するための接着剤溝（６６；１６６）を備えることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の冷蔵庫（１０）。
【請求項１４】
前記透明スペーサ部材（５７'）は、前記衝撃保護帯（７２）と一体的に形成されており、前記衝撃保護帯と共にＴ形状の成形体を形成することを特徴とする、請求項１または１２に記載の冷蔵庫（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量あたりで以下：
ａ．３０％〜５０％の水；
ｂ．以下を含む、０．５％〜１．５％のフレーバー送達およびレオロジー特性を高めるための成分：
ｂ１．８０％〜９０％の微結晶性セルロース；および
ｂ２．１０％〜２０％のカルボキシメチルセルロースまたはその塩；
ここで、ｂ１．およびｂ２．の重量パーセントは、その成分総重量に基づく；および
ｃ．有効量のシリカ研磨剤
を含む、歯磨剤組成物であって、ここで、該シリカ研磨成分が組成物の１５〜２５％を構成する、歯磨剤組成物。
【請求項２】
合成アニオン性重合体ポリカルボン酸塩をさらに含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
アニオン性ポリマーが約３０，０００〜約１，０００，０００の平均分子量（Ｍ．Ｗ．）を有するメチルビニルエーテル／無水マレイン酸（ＰＶＭ／ＭＡ）コポリマーであり、組成物の重量の１〜５％を構成する、請求項２記載の組成物。
【請求項４】
シリカ研磨成分が、（ａ）５ミクロン未満のｄ５０を有するシリカ研磨剤粒子の第１の集団、および（ｂ）８ミクロン超のｄ５０を有するシリカ研磨剤粒子の第２の集団を含み、ここで、第１の集団の第２の集団に対する重量比が１：２〜１：４の間にある、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
有効量のフッ化物イオン源をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
２５〜３５％の湿潤剤をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
１〜２％のラウリル硫酸ナトリウム（ＳＬＳ）をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
粘性を改変する量のキサンタンガム、カラギーナン、シリカシックナーまたはその組合せの１つまたはそれ以上をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
抗菌上有効量の天然抽出物抗菌剤、非イオン性細菌試薬、トリクロサン・マグノロール、テトラヒドロマグノロール、ブチルマグノロール、ホオノキオール、テトラヒドロホノキオールまたはそれらの混合物を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
他の成分と組合せる前に、微結晶性セルロースまたは微結晶性セルロースおよびカルボキシメチルセルロースナトリウムの混合物を水中で予め混合することによって得られた、または得られうる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
ａ）湿潤剤としての２５〜３５％のグリセリン
ｂ）１〜３％のＰＶＭ／ＭＡコポリマー
ｃ）０．１〜０．５の抗菌剤
をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
ａ）グリセリン                                ２５〜３５％
ｂ）水                                        ３０〜５０％
ｃ）ＰＶＭ／ＭＡコポリマー                    １〜３％
ｄ）フッ化ナトリウム                          ０．１〜０．５％
ｅ）抗菌剤                                    ０．１〜１％
ｆ）ラウリル硫酸ナトリウム                    １〜２％
ｇ）カルボキシメチルセルロースナトリウム      ０．５〜２％
ｈ）カラギーナン                              ０．１〜１％
ｉ）シリカ研磨剤                              １５〜２５％
ｊ）８０〜９０％の微結晶性セルロースおよび１０〜２０％のカルボキシメチルセルロースナトリウムの混合物                          ０．７〜１．２％
を含む、請求項１１記載の組成物。
【請求項１３】
８０〜９０％の微結晶性セルロースおよび１０〜２０％のカルボキシメチルセルロースナトリウムの混合物を水中で分散させ、次いで残りの成分を混合することを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の歯磨剤組成物を製造する方法。
【請求項１４】
（ｉ）      プラーク蓄積を低減させる、
（ｉｉ）    脱灰を低減または防止して、歯の再石灰化を促進する、
（ｉｉｉ）  口腔における微生物バイオフイルムの形成を防止する、
（ｉｖ）    歯肉炎を低減または防止する、
（ｖ）      う蝕の形成を低減または防止する、
（ｖｉ）    エナメルのう蝕前の病変を低減、修復または防止する、
（ｖｉｉ）  歯および口腔を清掃する、
（ｖｉｉｉ）浸食を低減させる、
（ｉｘ）    歯を白くする；および／または
（ｘ）      全身健康を促進する
ための薬剤の製造における、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の歯磨剤組成物の使用。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の歯磨剤組成物の製造における微結晶性セルロースの使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト対象の組織サンプルにおける長寿に関する要因を検出する方法であって、
前記ヒト対象が遺伝子座／多型ｒｓ２８０２２９２の「Ｇ」対立遺伝子の少なくとも１つを染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０１５２１１に有するかどうかを、前記ヒト対象の組織サンプルで決定する工程；
前記ヒト対象が遺伝子座／多型ｒｓ２７６４２６４の「Ｃ」対立遺伝子の少なくとも１つを染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０４１１５４に有するかどうかを、前記ヒト対象の組織サンプルで決定する工程； および
前記ヒト対象が遺伝子座／多型ｒｓ１３２１７７９５の「Ｃ」対立遺伝子の少なくとも１つを染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０８０７９１に有するかどうかを、前記ヒト対象の組織サンプルで決定する工程； 
からなる群より選択される、いずれかの工程を備えた、方法。
【請求項２】
長寿とは、少なくともさらに１５年間生存し、前記要因はさらに加齢と関連のある少なくとも１つの慢性疾患から独立している要因を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
加齢と関連のある少なくとも１つの慢性疾患は、糖尿病、冠状動脈疾患および癌からなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ヒト対象の組織サンプルにおける長寿に関する要因を検出する方法であって、前記ヒト対象が「ＧＣＣ」ハプロタイプを有するかどうかを前記ヒト対象の前記組織サンプルで決定する工程を含み、「ＧＣＣ」ハプロタイプはＦＯＸＯ３Ａ遺伝子においてそれぞれ遺伝子座／多型ｒｓ２８０２２９２、ｒｓ２７６４２６４およびｒｓ１３２１７７９５である方法。
【請求項５】
染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０１５２１１における遺伝子座／多型ｒｓ２８０２２９２の「Ｇ」対立遺伝子；染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０８０７９１における遺伝子座／多型ｒｓ１３２１７７９５の「Ｃ」対立遺伝子；および染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０４１１５４における遺伝子座／多型ｒｓ２７６４２６４の「Ｃ」対立遺伝子からなる群から選択される第一の標的核酸配列の位置にハイブリッドを形成する十分な長さの第一の核酸であって、前記第一の標的核酸配列の前記位置、または前記第一の標的核酸配列相補体とハイブリッドを形成する前記第一の核酸を含む、請求項１の方法に用いるための核酸試薬。
【請求項６】
染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０１５２１１における遺伝子座／多型ｒｓ２８０２２９２の「Ｇ」対立遺伝子；染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０８０７９１における遺伝子座／多型ｒｓ１３２１７７９５の「Ｃ」対立遺伝子；および染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０４１１５４における遺伝子座／多型ｒｓ２７６４２６４の「Ｃ」対立遺伝子からなる群から選択される第一の標的核酸配列の位置にハイブリッドを形成する十分な長さの第一の核酸であって、前記第一の標的核酸配列の前記位置、または前記第一の標的核酸配列相補体とハイブリッドを形成する前記第一の核酸を、１つ以上の容器内に含有するものおよび使用説明書を含む、請求項１の方法に用いるためのキット。
【請求項７】
ＦＯＸＯ３Ａ遺伝子座ハプロタイプの少なくとも１つの対立遺伝子の５’および３’にハイブリダイズする、５’および３’のオリゴヌクレオチドを包含し、ＦＯＸＯ３Ａ遺伝子座ハプロタイプの対立遺伝子は、染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０１５２１１における遺伝子座／多型ｒｓ２８０２２９２の「Ｇ」対立遺伝子、染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０８０７９１における遺伝子座／多型ｒｓ１３２１７７９５の「Ｃ」対立遺伝子、および染色体６中のＦＯＸＯ３Ａ遺伝子の位置１０９０４１１５４における遺伝子座／多型ｒｓ２７６４２６４の「Ｃ」対立遺伝子からなる群より選択される、１以上のオリゴヌクレオチドを備えた、請求項１の方法に用いるためのキット。
【請求項８】
前記オリゴヌクレオチドは、２５〜２５００塩基対離れてハイブリダイズする、請求項７に記載のキット。
【請求項９】
前記オリゴヌクレオチドは、１００〜５００塩基対離れてハイブリダイズする、請求項７に記載のキット。
【請求項１０】
前記オリゴヌクレオチドが、ＳＥＱ  ＩＤ  Ｎｏ．２〜９に記載のヌクレオチド配列を包含する、請求項７に記載のキット。
【請求項１１】
前記オリゴヌクレオチドが、天然および／または合成組成物であるか；標識されたオリゴヌクレオチドである、請求項７に記載のキット。
【請求項１２】
ＤＮＡサンプリング方法をさらに含む、請求項７に記載のキット。
【請求項１３】
前記ＤＮＡサンプリング方法が、基質；ＤＮＡ精製試薬；ＰＣＲ試薬；および対立遺伝子検出方法から選択される、請求項１２に記載のキット。
【請求項１４】
前記検出が、
ａ）細胞サンプルから核酸サンプルを分離する工程；
ｂ）対立遺伝子のハイブリッド形成および増幅が生じる条件下に基づいて、ＦＯＸＯ３Ａハプロタイプの少なくとも１つの対立遺伝子に５’および３’を特異的にハイブリッド形成する少なくとも１つのプライマーと、核酸サンプルを接触させる工程；および
ｃ）対立遺伝子検出方法による増幅産物を検出する工程
を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのプライマーは、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯＳ．５〜８からなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ヒト対象の死亡、加齢関係の疾患または将来的な身体機能の予想を助けるための、危険率の計算における「ＧＣＣ」ＦＯＸＯ３Ａハプロタイプの有無の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月12日(2015.3.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
図１に示すように、各ワッシャ１８はおおむね三角形状を有するワッシャ本体１９を含む。ワッシャ本体１９は、相互に角度をなした状態で配置される、一対のワッシャ側部２６を含む。くぼんだワッシャ溝２２は、ワッシャ本体１９の第３側部を形成し、ワッシャ側部２６の間に延びている。したがって、以下に説明するように、各ワッシャ本体１９のワッシャ溝２２は床梁ウェブ２のウェブ隆起部３の輪郭にほぼ一致する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
ワッシャ本体１９の通常の製造方法では、複合層２０を金属層２１の先駆物質である金属（通常６Ａ１−４Ｖチタン）板（図示せず）に積層し、その次にワッシャ側部２６とワッシャ溝２２を切断しておおむね三角形状のワッシャ本体１９を形成する。締め具開口部２５は複合層２０と金属層２１を通って、ワッシャ本体１９のほぼ中央を延びている。ワッシャ本体１９と締め具開口部２５は、当業者に周知のウォータージェット切断技術又は代替切断技術を用いて形成することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造部材に係合しグラファイト及びエポキシ樹脂からなる高バイアス複合層及び前記高バイアス複合層に接着された金属層を有するワッシャ本体と、
前記ワッシャ本体を通って延びる締め具開口部と、を含み、
前記ワッシャ本体には、くぼんだワッシャ溝が設けられていて、前記くぼんだワッシャ溝が、前記構造部材の輪郭を受け、
前記締め具開口部は、前記ワッシャ本体を通る締め具を受け、
前記締め具に印加される歪み負荷の一部が、前記高バイアス複合層の軸線に沿ったバイアス方向に分配される、
ワッシャ。
【請求項２】
前記金属層がチタン合金を含む、請求項１に記載のワッシャ。
【請求項３】
前記高バイアス複合層の軸線に沿ったバイアス方向が、前記ワッシャ本体の平面に対しておおむね平行に配置されている、請求項１に記載のワッシャ。
【請求項４】
前記ワッシャ本体がおおむね三角形状を有する、請求項１に記載のワッシャ。
【請求項５】
前記三角形状の２つの他の側部が互いに角度をなして配置され、一対のワッシャ側部を形成している、請求項４に記載のワッシャ。
【請求項６】
前記くぼんだワッシャ溝は、前記一対のワッシャ側部の間に延びている、請求項５に記載のワッシャ。
【請求項７】
シートレールと床梁ウェブの間に床梁キャップを有する、シートレール取付けアセンブリにおいて、シートレールから床梁ウェブに負荷を伝達する方法であって、
前記シートレールに少なくとも一つの締め具開口部を設け、
前記床梁キャップに少なくとも一つの締め具開口部を設け、
前記床梁ウェブに係合しグラファイト及びエポキシ樹脂からなる高バイアス複合層を有するワッシャ本体を含む少なくとも一つのワッシャを設け、金属層が前記高バイアス複合層に接着され、締め具開口部が前記ワッシャ本体を通って延び、前記ワッシャ本体には、くぼんだワッシャ溝が設けられていて、前記くぼんだワッシャ溝が、前記床梁ウェブに設けられた複数のウェブ隆起部の一つを受け、
前記シートレールの前記少なくとも一つの締め具開口部、前記床梁キャップの前記少なくとも一つの締め具開口部、及び前記ワッシャ本体の前記締め具開口部に締め具を通して延在させ、
主要な締め具負荷を前記締め具及び前記ワッシャ本体のそれぞれを通して、前記シートレールから前記床梁ウェブまで伝達する
ステップを含む方法。
【請求項８】
前記高バイアス複合層の軸線に沿ったバイアス方向が、前記ワッシャ本体の平面に対しておおむね平行に配置されている、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
6-チオグアニン(6TG)、6-メルカプトプリン(6-MP)、またはアザチオプリン(AZA)から選択されるプリン塩基アナログを含む、非照射造血幹細胞(HSC)移植の方法に用いるための薬剤であって、該方法が、
(a)プレコンディショニング工程として、哺乳動物対象に、該プリン塩基アナログを、2〜10mg/kg体重にて一回または二回用量で投与する工程;
(b)該プレコンディショニング工程の48〜72時間以内に、対象にヒポキサンチン-グアニンホスホリボシルトランスフェラーゼ(HPRT)欠損ドナーHSCを生着させる工程; および
(c)該生着させる工程の後に、対象に約1〜5mg/kgのプリン塩基アナログを2〜4日毎に2〜8週間投与する工程
を含み、放射線を介するプレコンディショニング無しで行われる方法である、薬剤。
【請求項２】
前記プリン塩基アナログが6TGである、請求項1記載の薬剤。
【請求項３】
前記対象に投与される総6TG投薬量が105mgを超えない、請求項1記載の薬剤。
【請求項４】
前記対象に投与される総6TG投薬量が75mgを超えない、請求項1記載の薬剤。
【請求項５】
前記(c)の投与する工程が、前記生着させる工程の後に、3日毎にかつ4週間以内行われる、請求項1記載の薬剤。
【請求項６】
前記対象が、75％を超える遺伝子操作された造血細胞を示す、請求項1記載の薬剤。
【請求項７】
前記対象が、95％を超える遺伝子操作された造血細胞を示す、請求項1記載の薬剤。
【請求項８】
前記移植されるHPRT欠損HSCが、ジンクフィンガーヌクレアーゼ(ZFN)、転写活性化因子様エフェクターヌクレアーゼ(TALEN)、小断片相同組換え(SFHR)鋳型鎖、阻害性RNA(siRNA)もしくはマイクロRNA(miRNA)、アンチセンスRNA、トランススプライシングRNA、リボザイム、細胞内抗体、またはドミナントネガティブもしくは競合的阻害タンパク質をコードする配列を導入することで、HPRT欠損にされている、請求項1記載の薬剤。
【請求項９】
前記移植されるHPRT欠損HSCが遺伝子操作されている、請求項1記載の薬剤。
【請求項１０】
前記移植されたHSCが自家または同系である、請求項1記載の薬剤。
【請求項１１】
前記移植されたHSCが同種異系である、請求項1記載の薬剤。
【請求項１２】
前記対象が骨髄破壊的な放射線で処置されない、請求項1記載の薬剤。
【請求項１３】
前記対象が、遺伝性障害もしくは遺伝子障害、リンパ造血細胞に影響を及ぼす後天性疾患、またはリンパ造血悪性腫瘍を有する、請求項1記載の薬剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一部の態様において、移植されるHPRT欠損HSCは遺伝子操作されている。対象は、遺伝性障害もしくは遺伝子障害、ヒト免疫不全ウイルス(HIV)感染もしくは後天性免疫不全症候群(AIDS)等のリンパ造血細胞に影響する後天性疾患、またはリンパ造血悪性腫瘍を有し得る。ドナーHSCの遺伝子操作は、細胞をHPRT欠損させるだけに留まらず、症状を治療または是正する働きもしてよい。
[本発明1001]
(a)プレコンディショニング工程として、哺乳動物対象に、6-チオグアニン(6TG)、6-メルカプトプリン(6-MP)、またはアザチオプリン(AZA)から選択されるプリン塩基アナログを、2〜10mg/kg体重にて一回または二回用量で投与する工程;
(b)該プレコンディショニング工程の48〜72時間以内に、対象にヒポキサンチン-グアニンホスホリボシルトランスフェラーゼ(HPRT)欠損ドナーHSCを生着させる工程; および
(c)該生着させる工程の後に、対象に約1〜5mg/kgのプリン塩基アナログを2〜4日毎に2〜8週間投与する工程
を含む、非照射造血幹細胞(HSC)移植の方法であって、放射線を介するプレコンディショニング無しで行われる、方法。
[本発明1002]
前記プリン塩基アナログが6TGである、本発明1001の方法。
[本発明1003]
前記対象に投与される総6TG投薬量が105mgを超えない、本発明1001の方法。
[本発明1004]
前記対象に投与される総6TG投薬量が75mgを超えない、本発明1001の方法。
[本発明1005]
前記(c)の投与する工程が、前記生着させる工程の後に、3日毎にかつ4週間以内行われる、本発明1001の方法。
[本発明1006]
前記対象が、75％を超える遺伝子操作された造血細胞を示す、本発明1001の方法。
[本発明1007]
前記対象が、95％を超える遺伝子操作された造血細胞を示す、本発明1001の方法。
[本発明1008]
前記移植されるHPRT欠損HSCが、ジンクフィンガーヌクレアーゼ(ZFN)、転写活性化因子様エフェクターヌクレアーゼ(TALEN)、小断片相同組換え(SFHR)鋳型鎖、阻害性RNA(siRNA)もしくはマイクロRNA(miRNA)、アンチセンスRNA、トランススプライシングRNA、リボザイム、細胞内抗体、またはドミナントネガティブもしくは競合的阻害タンパク質をコードする配列を導入することで、HPRT欠損にされている、本発明1001の方法。
[本発明1009]
前記移植されるHPRT欠損HSCが遺伝子操作されている、本発明1001の方法。
[本発明1010]
前記移植されたHSCが自家または同系である、本発明1001の方法。
[本発明1011]
前記移植されたHSCが同種異系である、本発明1001の方法。
[本発明1012]
前記対象が骨髄破壊的な放射線で処置されない、本発明1001の方法。
[本発明1013]
前記対象が、遺伝性障害もしくは遺伝子障害、リンパ造血細胞に影響を及ぼす後天性疾患、またはリンパ造血悪性腫瘍を有する、本発明1001の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９９】
本発明のペプチドを固定化することは、共有又は非共有結合性のいずれかの場合があり、非共有結合性固定化は、非特異的（例えばマイクロタイターウェル内の例えばポリスチレン表面への非特異的結合）でありうる。固体又は半固体の担体、支持体又は表面への特異的又は半特異的結合は、固体又は半固体の担体、支持体又は表面へのそれの共有結合性又は非共有結合性結合を可能にする部分を関連して有するペプチドによって果たすことができる。例えば、その部分は、担体、支持体又は表面に結合した成分に親和性を有しうる。この場合、その部分は、例えば、６−アミノヘキサン酸などの、ペプチドのアミノ基に結合したビオチンもしくはビオチニル基又はそのアナログの場合があり、そのときその成分は、アビジン、ストレプトアビジン又はそのアナログである。一選択肢は、その部分がアミノ酸配列Ｈｉｓ−Ｈｉｓ−Ｈｉｓ−Ｈｉｓ−Ｈｉｓ−Ｈｉｓ（配列番号：１７）を有し、担体が、Ｎｉ＋＋イオンをチャージされたニトリロ三酢酸誘導体（ＮＴＡ）を含む状況である。例えば、磁気ビーズあるいはスチレンジビニルベンゼン、ヒドロキシル化スチレンジビニルベンゼンなどのコポリマーのラテックス、ポリスチレン、カルボキシル化ポリスチレン、カーボンブラックビーズ、非活性化又はポリスチレンもしくはポリ塩化ビニル活性化ガラス、エポキシ活性化多孔質磁気ガラス、ゼラチンもしくは多糖のパーティクル又は他のタンパク質パーティクル、赤血球、モノクローナルもしくはポリクローナル抗体又はそのような抗体のＦａｂフラグメントは、適切な担体、支持体又は表面の中に含まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2014512367000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層繊維スリーブであって、
前記スリーブの対向端の間において前記スリーブの長手方向軸に沿って長手方向に延在する対向縁部を有する繊維壁を含み、
前記対向縁部は、互いに重なり、前記スリーブの中央キャビティを画定し、
前記繊維壁は、対向する内側面と外側面とを有する内側層と、対向する内側面と外側面とを有する外側層とを有し、
前記内側層と前記外側層とは、互いに重なり、連結糸から形成され、
前記内側層と前記外側層とは、前記対向縁部の各々に隣接する連結部に亘って、前記内側層と前記外側層との各々に共通する糸により互いに一体に連結され、前記連結部は、半径方向に整列されるように互いに重なる、スリーブ。
【請求項２】
前記外側層の前記内側面と前記内側層の前記外側面とは、当接表面の全体に亘って互いに連結される、請求項１に記載の多層繊維スリーブ。
【請求項３】
前記外側層の前記内側面と前記内側層の前記外側面とは、前記連結部の間で互いに離れている、請求項１に記載の多層繊維スリーブ。
【請求項４】
前記内側層と前記外側層のうち少なくとも１つは、前記対向縁部を重なり関係に付勢するヒートセット可能な横糸を含む、請求項１に記載の多層繊維スリーブ。
【請求項５】
前記内側層と前記外側層とは、横糸と縦糸とを有し、
前記連結部は、前記外側層の少なくとも一部の特定縦糸と織交ぜられた前記内側層の少なくとも一部の特定横糸と、前記内側層の少なくとも一部の特定縦糸と織交ぜられた前記外側層の少なくとも一部の特定横糸とを含む、請求項１に記載の多層繊維スリーブ。
【請求項６】
前記内側層の前記縦糸は、すべて前記内側層の内部にとどまり、前記外側層の前記縦糸は、すべて前記外側層の内部にとどまる、請求項５に記載の多層繊維スリーブ。
【請求項７】
多層繊維スリーブを作製する方法であって、
糸を織交ぜることにより、対向端の間において長手方向軸に沿って長手方向に延在する対向縁部の間に延在しかつ重なっている内側層と外側層とを有する繊維壁を形成するステップと、
前記内側層と前記外側層との各々に共通する糸により、前記対向縁部にそれぞれ隣接する前記内側層と前記外側層とを互いに連結するステップとを含む、方法。
【請求項８】
前記外側層の内側面と前記内側層の外側面とを当接表面の全体に亘って互いに連結するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記外側層の内側面と前記内側層の外側面とを連結部の間で互いに離間させるステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記対向端の間において長手方向に延在する縦糸を前記対向縁部の間において幅方向に延在する横糸と織込むステップと、前記内側層と前記外側層のうち少なくとも１つに含まれた前記横糸のうち少なくとも一部をヒートセットすることにより前記壁を自己包み型の筒状構造に付勢するステップとをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記対向端の間において長手方向に延在する縦糸を前記対向縁部の間において幅方向に延在する横糸と織込むステップと、前記内側層の少なくとも一部の特定横糸を前記外側層の少なくとも一部の特定縦糸と織込むステップと、前記外側層の少なくとも一部の特定横糸を前記内側層の少なくとも一部の特定縦糸と織込むステップとをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記内側層の前記縦糸をすべて前記内側層の内部に保持するステップと前記外側層の前記縦糸をすべて前記外側層の内部に保持するステップとをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図３Ａおよび図３Ｂにおいて最もよく示されるように、内側層１２４は、内側面１２８および外側面１３０を有し、外側層１２６は、内側面１３２および外側面１３４を有する。スリーブ１０と同様に、内側層１２４および外側層１２６は、最初に層１２４，１２６を一枚の材料構成するのに用いられた単一のプロセスにおいて織交ぜられる。しかしながら、スリーブ１０と異なり、内側層１２４および外側層１２６は、当接しているそれぞれの外側面３０と内側面３２の全体に亘って互いに織交ぜられておらず、対向縁部１１４と１１６に直接隣接する内側層１２４と外側層１２６との部分または区域１３６のみが互いに織交ぜられ、連結部１３６の間に延在する内側層１２４と外側層１２６との中間区域１３８が互いに離れている。このような構成は、以下のように達成される。すなわち、対向縁部１１４と１１６の近隣において、内側層１２４の少なくとも一部の糸を外側層１２６の少なくとも一部の糸の通り道に変位させることによって内側層１２４の少なくとも一部の糸を外側層１２６の少なくとも一部の糸と織交ぜて、または外側層１２６の少なくとも一部の糸を内側層１２４の少なくとも一部の糸の通り道に変位させることによって外側層１２６の少なくとも一部の糸を内側層１２４の少なくとも一部の糸と織交ぜて、または内側層１２４の少なくとも一部の糸を外側層１２６の少なくとも一部の糸の通り道に変位させることによって内側層１２４の少なくとも一部の糸を外側層１２６の少なくとも一部の糸と織交ぜてかつ外側層１２６の少なくとも一部の糸を内側層１２４の少なくとも一部の糸の通り道に変位させることによって外側層１２６の少なくとも一部の糸を内側層１２４の少なくとも一部の糸と織交ぜるとともに、中間区域において、内側層の内側面１２８と外側層の外側面１３０とを互いに離れるようにする。