【事件の表示】
　特願２００８−　５９７８４「カルコゲン薄膜トランジスタアレイを備えた電子医療映像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月１６日出願公開、特開２００８−２５２０９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯
　本願は，平成２０年３月１０日（パリ条約に基づく優先権主張　２００７年３月９日，大韓民国）の出願であって，平成２３年９月１５日に手続補正がされ，平成２４年２月２９日付けで拒絶理由（最後）が通知され，同年６月４日に手続補正がされたが，同年１２月２８日付けで同年６月４日付けの手続補正が却下されるとともに，同日付で拒絶査定がされ，それに対して平成２５年５月１３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正がされ，その後同年８月２７日付けで審尋がされ，それに対する回答はなされなかったものである。　
　
第２ 補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年５月１３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１ 本件補正の内容
　平成２５年５月１３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１５を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１３と補正するものであって，補正前後の特許請求の範囲は，以下のとおりである。
　
　（補正前）
　「【請求項１】
　外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と，
　前記電子−正孔対を分離し，その極性によって前記信号生成部内の互いに反対側に密集されるように，前記信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と，
　前記信号生成部に接触し，前記分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と，
　該信号保存部に接触し，該信号保存部に制御信号を印加して該信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備え，
　前記信号保存部は，
　前記信号生成部内で分離された電荷のうち一種の電荷のみの流入を許容する遮蔽層と，
　該遮蔽層と電気的に接触された第２電極と，
　該第２電極と電気的に接触され，前記遮蔽層を通じて流入された一種の電荷を保存するキャパシタ及び前記キャパシタと連結されたトランジスタで構成された単位セルを複数個備える素子層と，
　前記遮蔽層と，前記第２電極と，前記素子層が形成された基板とを備え，
　前記素子層の前記トランジスタは，Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3とを利用して形成したアクティブ層を備えたことを特徴とする電子医療映像装置。
　　【請求項２】
　前記信号生成部と，信号保存部と，信号変換部は，順次に形成された層状構造であることを特徴とする請求項１に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項３】
　前記信号生成部は，
　前記電源の電気信号を前記信号生成部に印加されるように，前記電源と電気的に連結された第１電極と，
　該第１電極の下面に形成されて，前記電源から流入される電荷を遮断する絶縁層と，
　該絶縁層の下面に形成され，前記外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が生成され，前記電源から印加された電気信号により電子−正孔対が互いに分離されて互いに反対側に密集される吸収層と
　を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項４】
　前記吸収層は，カルコゲンを含むことを特徴とする請求項３に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項５】
　前記吸収層は，非晶質の純粋なセレンを含むことを特徴とする請求項４に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項６】
　前記吸収層は，ＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを含むことを特徴とする請求項４に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項７】
　前記基板は，ガラス又は石英を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項８】
　前記単位セルは，一つ又はそれ以上の電気的な単位素子をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項９】
　前記素子層は，前記単位セルを横及び縦方向にそれぞれ複数個配列された２次元アレイを備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１０】
　前記素子層に備えられた前記トランジスタは，
　前記基板上に前記アクティブ層と，
　該アクティブ層の両側に形成されたソース電極及びドレイン電極と，
　前記アクティブ層上に形成されたゲート絶縁膜と，
　該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と
　を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１１】
　前記素子層に備えられた前記トランジスタは，
　前記基板の一部領域上に形成されたゲート電極と，
　前記基板と前記ゲート電極とを覆う絶縁膜と，
　前記ゲート電極が形成された領域上を覆うように前記絶縁膜上に形成された前記アクティブ層と，
　該アクティブ層の両側に形成されたソース電極及びドレイン電極と
　を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１２】
　前記アクティブ層の導電型は，Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3との相対的なモル比によって決定されることを特徴とする請求項１１に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１３】
　前記Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3との相対的なモル比が０．１乃至０．５の範囲である場合には，前記ＣＩＳ膜は，ｐ型の導電型を有することを特徴とする請求項１２に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１４】
　前記Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3との相対的なモル比が０．６乃至０．９の範囲である場合には，前記ＣＩＳ膜は，ｎ型の導電型を有することを特徴とする請求項１２に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１５】
　前記信号変換部は，
　前記信号保存部のトランジスタに制御信号を印加する信号印加回路部と，
　前記制御信号により前記トランジスタを通じて伝達される電気信号を増幅する信号増幅素子と，
　該信号増幅素子で増幅された信号をマルチプレキシングするマルチプレクサと，
　該マルチプレクサによりマルチプレキシングされた信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換部と
　を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子医療映像装置。」
　
　（補正後）
　「【請求項１】
　外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と，
　前記電子−正孔対を分離し，その極性によって前記信号生成部内の互いに反対側に密集されるように，前記信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と，
　前記信号生成部に接触し，前記分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と，
　該信号保存部に接触し，該信号保存部に制御信号を印加して該信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備え，
　前記信号生成部と，前記信号保存部と，前記信号変換部は，順次に形成された層状構造であり，
　前記信号保存部は，
　前記信号生成部内で分離された電荷のうち一種の電荷のみの流入を許容する遮蔽層と，
　該遮蔽層と電気的に接触された第２電極と，
　該第２電極と電気的に接触され，前記遮蔽層を通じて流入された一種の電荷を保存するキャパシタ及び前記キャパシタと連結されたトランジスタで構成された単位セルを複数個備える素子層と，
　前記遮蔽層と，前記第２電極と，前記素子層が形成された基板とを備え，
　前記素子層に備えられた前記トランジスタは，
　前記基板上にＩｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3とを利用して形成したアクティブ層と，
　該アクティブ層の両側に形成されたソース電極及びドレイン電極と，
　前記アクティブ層上に形成されたゲート絶縁膜と，
　該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と
　を備えたことを特徴とする電子医療映像装置。
　　【請求項２】
　外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と，
　前記電子−正孔対を分離し，その極性によって前記信号生成部内の互いに反対側に密集されるように，前記信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と，
　前記信号生成部に接触し，前記分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と，
　該信号保存部に接触し，該信号保存部に制御信号を印加して該信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備え，
　前記信号生成部と，前記信号保存部と，前記信号変換部は，順次に形成された層状構造であり，
　前記信号保存部は，
　前記信号生成部内で分離された電荷のうち一種の電荷のみの流入を許容する遮蔽層と，
　該遮蔽層と電気的に接触された第２電極と，
　該第２電極と電気的に接触され，前記遮蔽層を通じて流入された一種の電荷を保存するキャパシタ及び前記キャパシタと連結されたトランジスタで構成された単位セルを複数個備える素子層と，
　前記遮蔽層と，前記第２電極と，前記素子層が形成された基板とを備え，
　前記素子層に備えられた前記トランジスタは，
　前記基板の一部領域上に形成されたゲート電極と，
　前記基板と前記ゲート電極とを覆う絶縁膜と，
　前記ゲート電極が形成された領域上を覆うように前記絶縁膜上に形成され，Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3とを利用して形成したアクティブ層と，
　該アクティブ層の両側に形成されたソース電極及びドレイン電極と
を備えたことを特徴とする電子医療映像装置。
　　【請求項３】
　前記アクティブ層の導電型は，Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3との相対的なモル比によって決定されることを特徴とする請求項２に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項４】
　前記Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3との相対的なモル比が０．１乃至０．５の範囲である場合には，前記ＣＩＳ膜は，ｐ型の導電型を有することを特徴とする請求項３に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項５】
　前記Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3との相対的なモル比が０．６乃至０．９の範囲である場合には，前記ＣＩＳ膜は，ｎ型の導電型を有することを特徴とする請求項３に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項６】
　前記信号生成部は，
　前記電源の電気信号を前記信号生成部に印加されるように，前記電源と電気的に連結された第１電極と，
　該第１電極の下面に形成されて，前記電源から流入される電荷を遮断する絶縁層と，
　該絶縁層の下面に形成され，前記外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が生成され，前記電源から印加された電気信号により電子−正孔対が互いに分離されて互いに反対側に密集される吸収層と
　を備えたことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項７】
　前記吸収層は，カルコゲンを含むことを特徴とする請求項６に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項８】
　前記吸収層は，非晶質の純粋なセレンを含むことを特徴とする請求項７に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項９】
　前記吸収層は，ＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを含むことを特徴とする請求項７に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１０】
　前記基板は，ガラス又は石英を含むことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１１】
　前記単位セルは，一つ又はそれ以上の電気的な単位素子をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１２】
　前記素子層は，前記単位セルを横及び縦方向にそれぞれ複数個配列された２次元アレイを備えたことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の電子医療映像装置。
　　【請求項１３】
　前記信号変換部は，
　前記信号保存部のトランジスタに制御信号を印加する信号印加回路部と，
　前記制御信号により前記トランジスタを通じて伝達される電気信号を増幅する信号増幅素子と，
　該信号増幅素子で増幅された信号をマルチプレキシングするマルチプレクサと，
　該マルチプレクサによりマルチプレキシングされた信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換部と
　を備えたことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の電子医療映像装置。」
　　
２ 補正事項の整理
　本件補正のうち，特許請求の範囲についての補正事項を整理すると，以下のとおりである。
　
　（補正事項１）
　補正前の請求項１に補正前の請求項２，１０の内容を繰り入れて，補正後の請求項１と補正すること。
　
　（補正事項２）
　補正前の請求項１に補正前の請求項２，１１の内容を繰り入れて，補正後の請求項２と補正すること。
　
　（補正事項３）
　補正前の請求項１を引用する補正前の請求項１１を引用する補正前の請求項１２を，補正後の請求項２を引用する補正後の請求項３と補正し，それにともなって，補正前の請求項１３〜１４をそれぞれ引用する請求項の項番を整理して，補正後の請求項４〜５と補正すること。
　
　（補正事項４）
　補正前の請求項１を引用する補正前の請求項３を，補正後の請求項１または２を引用する補正後の請求項６と補正し，それにともなって，補正前の請求項４〜９をそれぞれ引用する請求項の項番を整理して，補正後の請求項７〜１２と補正すること。
　
　（補正事項５）
　補正前の請求項１を引用する補正前の請求項１５を，補正後の請求項１または２を引用する補正後の請求項１３と補正すること。
　
３ 補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について
（１）補正の目的の適否について
　ア　補正事項１について
　この補正は，補正前の請求項１を，補正前の請求項２，１０の内容で，その構成を技術的に限定を加えるものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　イ　補正事項２について
　この補正は，補正前の請求項１を，補正前の請求項２，１１の内容で，その構成を技術的に限定を加えるものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　ウ　補正事項３〜５について
　この補正は，補正事項１，２にともない引用する請求項の項番を整理したものであるから，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
（２）新規事項の追加の有無について　
　補正事項１，２は，請求項２及び１０又は１１の内容を繰り入れるものであり，また，補正事項３〜５は，請求項の引用関係を整理するものであるから，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。　
　
（３）小括
　以上検討したとおりであるから，本件補正のうち特許請求の範囲についての補正は特許法第１７条の２第３項及び第５項に規定する要件を満たすものである。
　したがって，本件補正は適法になされたものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき，以下において更に検討する。　
　
４ 独立特許要件について
　
（１）補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜１３に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定されるものであり，再掲すると以下のとおりのものである。
　
「外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と，
　前記電子−正孔対を分離し，その極性によって前記信号生成部内の互いに反対側に密集されるように，前記信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と，
　前記信号生成部に接触し，前記分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と，
　該信号保存部に接触し，該信号保存部に制御信号を印加して該信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備え，
　前記信号生成部と，前記信号保存部と，前記信号変換部は，順次に形成された層状構造であり，
　前記信号保存部は，
　前記信号生成部内で分離された電荷のうち一種の電荷のみの流入を許容する遮蔽層と，
　該遮蔽層と電気的に接触された第２電極と，
　該第２電極と電気的に接触され，前記遮蔽層を通じて流入された一種の電荷を保存するキャパシタ及び前記キャパシタと連結されたトランジスタで構成された単位セルを複数個備える素子層と，
　前記遮蔽層と，前記第２電極と，前記素子層が形成された基板とを備え，
　前記素子層に備えられた前記トランジスタは，
　前記基板上にＩｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3とを利用して形成したアクティブ層と，
　該アクティブ層の両側に形成されたソース電極及びドレイン電極と，
　前記アクティブ層上に形成されたゲート絶縁膜と，
　該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と
　を備えたことを特徴とする電子医療映像装置。」
　
（２）引用例１〜３の記載および引用例１に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００６−８７５６６号公報（以下「引用例１」という。）には，「放射線画像取得方法及び放射線画像取得装置」（発明の名称）に関して，図３，４とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
　ア　「【技術分野】
【０００１】
  本発明は，
放射線を被写体に照射しその被写体を透過した放射線の線量に応じて得られた放射線情報に基づいて放射線画像データを取得する放射線画像取得方法及び放射線画像取得装置
【背景技術】
【０００２】
  従来，
Ｘ線やγ線等の放射線源から放射線を医療検査等のために人体等の被写体に照射し
　
　イ　「【００４３】
  
図３のように，撮像パネル２１は，照射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出す走査駆動回路２５
【００４４】
  筐体４０は，外部からの衝撃に耐えかつ重量ができるだけ軽い素材であるアルミニウムやアルミニウム合金から外形を構成することが好ましく，筐体４０の放射線入射面側は，放射線を透過し易い非金属例えばカーボン繊維などを用いて構成する。また，放射線入射面とは逆である背面側においては，放射線が放射線画像検出器５を透過してしまうことを防ぐ目的や放射線画像検出器５を構成する素材が放射線を吸収することで生ずる２次放射線からの影響を防ぐために，放射線を効果的に吸収する材料例えば鉛板などを用いる。また，筐体４０の内部では，走査駆動回路２５，信号選択回路２７，制御回路３０，メモリ部３１等は，放射線遮蔽部材（図示省略）で覆われており，筐体４０の内部で放射線の散乱を生じたり，各回路に放射線が照射されることが防止される。
【００４５】
  
図３のように，撮像パネル２１には照射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極２２０が２次元状に配置されており，この収集電極２２０がコンデンサ２２１の一方の電極とされて，電気エネルギーがコンデンサ２２１に蓄えられる。
【００４６】
  
画素間には走査線２２３-1〜２２３-mと信号線２２４-1〜２２４-nが例えば直交するように配設される。コンデンサ２２１-(1,1)には，シリコン積層構造
で構成されたトランジスタ２２２-(1,1)が接続されている。このトランジスタ２２２-(1,1)は，例えば電界効果トランジスタであり，ドレイン電極あるいはソース電極が収集電極２２０-(1,1)に接続されるとともに，ゲート電極は走査線２２３-1と接続される。ドレイン電極が収集電極２２０-(1,1)に接続されるときにはソース電極が信号線２２４-1と接続され，ソース電極が収集電極２２０-(1,1)に接続されるときにはドレイン電極が信号線２２４-1と接続される
【００４７】
  図４の撮像パネル２１の一部断面図に示すように，放射線の照射面側には，入射された放射線の強度に応じて発光を行うシンチレータ層である第１層２１１が設けられている。ここで，第１層２１１には例えば波長が１Å（１×１０−１０ｍ）程度である人体等を透過する電磁波であるＸ線（放射線）が図１の放射線源１０１から照射される。
【００４８】
 
 第１層２１１は，蛍光体を主たる成分とするものであり，入射した放射線に基づいて，波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波，すなわち，可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を出力する
【００４９】
  次に，第１層２１１の放射線照射面側とは逆の面側に，第１層から出力された
電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第２層２１２
【００５０】
  隔膜２１２ａは，第１層２１１と他の層を分離するためのものであり，例えばOxi-nitrideなどが用いられる。透明電極膜２１２ｂは，例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ），ＳｎＯ２，ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いて形成される。透明電極膜２１２ｂの形成では，蒸着やスパッタリング等の方法を用いて薄膜を形成できる。また，フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく，あるいは高いパターン精度を必要としない場合（１００μｍ以上程度）は，上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
【００５１】
  
電荷発生層２１２ｄでは，第１層２１１から出力された電磁波（光）によって電子と正孔を発生される。ここで発生した正孔は正孔伝導層２１２ｃに集められ，電子は電子伝導層２１２ｅに集められる
【００５２】
  
導電層２１２ｆ
【００５３】
  次に，電荷発生層２１２ｄは，シアニン色素の会合体やＪ凝集体を形成する有機化合物を用いて構成する。シアニン色素はハロゲン化銀写真の分光増感剤として広く使用されている。Ｊ凝集体は可視光を吸収して色素分子を構成する電子が励起状態となって，その励
起電子がハロゲン化銀粒子に移動することで，ハロゲン化銀粒子が感光する。このシアニン色素は一般にハロゲン化銀粒子上では色素分子会合体を形成しているといわれる。色素分子が会合体を形成することにより，色素分子自体が安定化する。
【００５４】
  次に，第２層２１２の放射線照射面側とは逆の面側には，
第２層２１２で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う第３層２１３が形成されている。第３層２１３は，第２層２１２で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ２２１と，蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ２２２を用いて構成されている
【００５５】
  
トランジスタ２２２は，例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いる。このＴＦＴは，液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のものでも，有機半導体を用いたものでも良く，
【００５６】
  スイッチング素子であるトランジスタ２２２には，図３及び図４に示すように，第２層２１２で生成された電気エネルギーを蓄積するとともに，コンデンサ２２１の一方の電極となる収集電極２２０が接続されている。このコンデンサ２２１には第２層２１２で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに，この蓄積された電気エネルギーはトランジスタ２２２を駆動することで読み出される。即ち，スイッチング素子を駆動することで放射線画像を画素毎の信号を生成することができる。なお，図４において，
トランジスタ２２２は，ゲート電極２２２ａ，ソース電極（ドレイン電極）２２２ｂ，ドレイン電極（ソース電極）２２２ｃ，
半導体層２２２ｄ，絶縁層２２２ｅで構成されている
　
　ウ　「【００６０】
  
撮像パネル２１の走査線２２３-1〜２２３-mとリセット線２３１は，図３に示すように，走査駆動回路２５と接続されている。走査駆動回路２５から走査線２２３-1〜２２３-mのうちの１つ走査線２２３-p（pは1〜mのいずれかの値）に読出信号ＲＳが供給されると，この走査線２２３-pに接続されたトランジスタ２２２-(p,1)〜２２２-(p,n)がオン状態とされて，コンデンサ２２１-(p,1)〜２２１-(p,n)に蓄積された電気エネルギーが信号線２２４-1〜２２４-nにそれぞれ読み出される
信号線２２４-1〜２２４-nは，信号選択回路２７の信号変換器２７１-1〜２７１-nに接続されており，信号変換器２７１-1〜２７１-nでは信号線２２４-1〜２２４-n上に読み出された電気エネルギー量に比例する電圧信号ＳＶ-1〜ＳＶ-nを生成する。この信号変換器２７１-1〜２７１-nから出力された電圧信号ＳＶ-1〜ＳＶ-nはレジスタ２７２に供給される
【００６１】
  
レジスタ２７２では，供給された電圧信号が順次選択されて，Ａ／Ｄ変換器２７３で（例えば，１２ビットないし１４ビットの）１つの走査線に対するディジタルの画像信号とされ，制御回路３０は，走査線２２３-1〜２２３-mの各々に，走査駆動回路２５を介して読出信号ＲＳを供給して画像走査を行い，走査線毎のディジタル画像信号を取り込んで，放射線画像の画像信号の生成を行う
　
　エ　図４には，基板としての第４層２１４上に，電荷発生層２１２ｄを含むを含む電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第２層２１２（光電変換層）の下層として第３層２１３が設けられていることが見てとれ，これと「第２層２１２で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う第３層２１３が形成されている。」（段落【００５４】）の記載を参照すると，電荷発生層２１２ｄと電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う第３層２１３が基板としての第４層２１４上に，層状に積層されていることが分かる。
　
＜引用発明の認定＞　
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「第１層２１１から出力された電磁波（光）によって電子と正孔を発生する電荷発生層２１２ｄを含むを含む電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第２層２１２と，
　電荷発生層２１２ｄと電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う第３層２１３が基板としての第４層２１４上に，層状に層状に積層されており，
　導電層２１２ｆと，
　第３層２１３は，第２層２１２で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ２２１と，蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ２２２を用いて構成され，
　トランジスタ２２２は無機半導体系のものであり，
　走査駆動回路２５から走査線２２３-1〜２２３-mのうちの１つ走査線２２３-p（pは1〜mのいずれかの値）に読出信号ＲＳが供給し，コンデンサ２２１-(p,1)〜２２１-(p,n)に蓄積された電気エネルギーが信号線２２４-1〜２２４-nに読み出し，信号変換器２７１-1〜２７１-nで電気エネルギー量に比例する電圧信号ＳＶ-1〜ＳＶ-nを生成し，レジスタ２７２で供給された電圧信号が順次選択されて，Ａ／Ｄ変換器２７３で画像信号の生成を行う信号選択回路２７を，有する放射線画像取得装置」
　
（２−２）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特表２００４−５３３１２２号公報（以下「引用例２」という。）には，「広動的範囲デジタルイメージングシステム及び方法」（発明の名称）に関して，図１，２とともに以下の記載がある。
　
　ア　「【００１２】
図１は本発明の例示的な
ＴＦＴを基礎とした検知システム１０の断面である。検知システム１０は，上部電極１２と，誘電体層１４と，アモルファスシリコンＴＦＴ読取マトリクス１８へ結合したセンサー１６とを有するイメージングアレイ
センサー１６は
Ｘ線半導体層を有しており
ピクセル２４（電荷回収電極）
ピクセル２４はその上に電子阻止層２６を有す
【００１３】
ピクセル２４は二次元アレイに配列されており，図２に示したように，ゲート制御線４１の行４０及びイメージ出力線４３の列４２を有している。電荷増幅器４４及び関連する電荷積分器回路４５が各画像出力線へ取付けられており且つ当該技術において公知の如く相関型二重サンプリング回路４６へ接続している。各ピクセル要素は，図１における要素６０により模式的に示されているような３コンデンサ直列回路と電気的に類似している。
動作について説明すると，最大でミクロン当たり約１０ボルトのバイアス電界を，ＴＦＴアレイ１８の底部を接地し且つ電源７０（図１に示してある）を使用して上部電極１２へ高電圧を印加することによりセレン層を横断して形成させる
Ｘ線エネルギの量に比例して該セレン内に電子・正孔対を発生する
【００１４】
バイアス用電界は，電荷対を分離し，次いで，それらは表面に対してほぼ直交する電界線に沿って移動する
電子５０は真っ直ぐ上方へ移動し且つセレン・誘電体界面１５に蓄積する。正孔５２はＴＦＴアレイ構成体上側の最も近いピクセル電極，典型的には初期的発生位置のすぐ下側の電極へ向かって下方へ牽引される。全ての移動された正孔はどれかのピクセルによって回収され，且つ精密なピクセル製造ホトリソグラフィが一様な電荷の回収を確保す
　
　イ　「【００２３】
上述したように，
電源７０を使用してセンサー層１６を横断してバイアス電圧を印加する。センサー層１６内の感光体と相互作用を行うＸ線が電子・正孔対を発生し，該対は印加電界によって分離される
　
（２−３）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平４−３２４６８０号公報（以下「引用例３」という。）には，「カルコパライト型化合物多結晶半導体の製造方法」（発明の名称）に関して，図５，６とともに以下の記載がある。
　
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，太陽電池，光センサ及び
薄膜トランジスタ等に用いられるカルコパイライト型化合物多結晶半導体の製造方法
　
　イ　「【０００４】従来，化学量論組成比にあるＣｕＩｎＸ２薄膜の形成法としては，例えばスパッタ法や蒸着法等で直接ＣｕＩｎＸ２薄膜を形成する方法や，あるいはその構成材料である三元素や
Ｃｕ
２
Ｓｅ−Ｉｎ
２
Ｓｅ
３
擬二元の組成原料をスパッタ法，蒸着法，スプレー法等により多層に形成して成る膜を熱アニールにより成長させる方法，さらには，この擬二元組成原料を同時に蒸着法やスパッタ法等により形成して成る混合膜を熱アニールにより反応し成長させる方法
　
　ウ　「【００４２】次に，本発明製造方法による多結晶半導体をチャネル層とした薄膜トランジスタの製造方法を説明する。
【００４３】図５及び図６は，その薄膜トランジスタの製造工程を説明するための素子構造断面図で，図５は工程の前半を示し，図６はその後半を示している。
【００４４】図５（イ）に示される第１工程では，セラミックスや石英などからなる
絶縁性の基板（５１）上にＣｕＩｎＳｅ
２
半導体からなる出発材料（５２）を形成した後，島状にパターニングを行う
【００４５】同図（ロ）に示される第２工程では，耐熱性薄膜（５３）となるＳｉＯ２をこの島状の出発材料（５２）を被うように形成した後，熱処理を施し多結晶半導体（５２ａ）とする。
【００４６】次に，同図（ハ）に示される第３工程では，ゲート金属膜（５４）となるクロム膜を，その島状の多結晶半導体（５２ａ）のチャネル部となるべき部分の直上に形成しパターニングする。そして，同図（ニ）に示される第４工程では，ドレイン，ソース領域に相当する部分について，耐熱性薄膜（５３）をエッチングし，開口部（５５）を設ける。
【００４７】図６（イ）に示される第５工程では，
パッシベーション膜（５６）となるＳｉＯ
２
膜を形成
【００４８】同図（ロ）に示される第６工程では，ソース，ドレイン領域に相当する部分について，パッシベーション膜（５６）をパターニングする。
【００４９】次に，同図（ハ）に示される第７工程では，
インジュウム又は銅からなるソース電極（５７）とドレイン電極（５８）を形成
【００５０】最後に同図（ニ）に示される第８工程では，それら電極材料のこの多結晶半導体（５２ａ）への拡散のためのアニール処理を施し，素子は完成する。」
　
　エ　上記ウを参酌しつつ，図６（ニ）を見ると，ＣｕＩｎＳｅ２半導体をチャネルとしたトップゲート型の薄膜トランジスタであることが分かる。
　
（３）対比
　以下に，補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「第１層２１１から出力された電磁波（光）によって電子と正孔を発生する電荷発生層２１２ｄを含む電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第２層２１２」と，補正発明の「外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部」とは，どちらも光エネルギーによって，電子−正孔対を形成していることから，両者は，「光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部」を有している点で共通する。
　
　イ　引用発明の「第３層２１３」は，「第２層２１２で得られた電気エネルギーの蓄積」を行っており，引用例１の第４図から「第２層２１２」が「第３層２１３」と接していることは明らかであるから，引用発明と，補正発明とは，「信号生成部に接触し，」「電荷」を「保存する信号保存部」を有している点で共通する。
　
　ウ　引用発明の「走査駆動回路２５から走査線２２３-1〜２２３-mのうちの１つ走査線２２３-p（pは1〜mのいずれかの値）に読出信号ＲＳが供給し，コンデンサ２２１-(p,1)〜２２１-(p,n)に蓄積された電気エネルギーが信号線２２４-1〜２２４-nに読み出し，信号変換器２７１-1〜２７１-nで電気エネルギー量に比例する電圧信号ＳＶ-1〜ＳＶ-nを生成し，レジスタ２７２で供給された電圧信号が順次選択されて，Ａ／Ｄ変換器２７３で画像信号の生成を行う信号選択回路２７」は，補正発明の「信号保存部に制御信号を印加して該信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部」に相当する。
　
　エ　引用発明の「導電層２１２ｆ」は，補正発明の「第２電極」に相当し，引用発明の「第２層２１２で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ２２１と，蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ２２２を用いて構成され」た「第３層２１３」は，補正発明の「電荷を保存するキャパシタ及び」「キャパシタと連結されたトランジスタで構成された単位セルを複数個備える素子層」に相当する。
　
　オ　引用発明の「放射線画像取得装置」は，補正発明の「電子医療映像装置」に相当する。
　
（一致点）　
　したがって，補正発明と引用発明とは，
　「光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と，
　前記信号生成部に接触し，電荷を流入して保存する信号保存部と，
　該信号保存部に接触し，該信号保存部に制御信号を印加して該信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備え，
　前記信号生成部と，前記信号保存部は，順次に形成された層状構造であり，
　前記信号保存部は，
　第２電極と，
　該第２電極と電気的に接触され，電荷を保存するキャパシタ及び前記キャパシタと連結されたトランジスタで構成された単位セルを複数個備える素子層と，
　前記第２電極と，前記素子層が形成された基板と，
　を備えたことを特徴とする電子医療映像装置」
　である点で一致し，以下の点で相違する。
　　
（相違点１） 
　補正発明の信号生成部は，「外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される」のに対し，引用発明の電荷発生層２１２ｄは，その上層である「１層２１１から出力された電磁波（光）によって電子と正孔を発生」されている点。
　
（相違点２） 
　補正発明は，「電子−正孔対を分離し，その極性によって前記信号生成部内の互いに反対側に密集されるように，前記信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源」を有しているのに対し，引用発明は，この点が特定されていない点。
　
（相違点３） 
　補正発明は，「信号生成部と，」「信号保存部と，」「信号変換部は，順次に形成された層状構造」を有しているのに対し，引用発明は，補正発明の「信号生成部」に相当する部分を含む「第２層２１２」と，補正発明の「信号保存部」に相当する部分を含む「第３層２１３」が順次に積層されているものの，補正発明の「信号変換部」に相当する「信号選択回路２７」が形成されている箇所については特定されていない点。
　
（相違点４） 
　補正発明は，「信号生成部内で分離された電荷のうち一種の電荷のみの流入を許容する遮蔽層」を有しているのに対して，引用発明は，この点が特定されていない。
　
（相違点５）　
　補正発明は，「素子層に備えられた」「トランジスタ」が「基板上にＩｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3とを利用して形成したアクティブ層」を有しているのに対して，引用発明のトランジスタの活性層は，「無機半導体」としか特定されていない点。
　
（相違点６）　
　補正発明は，「該アクティブ層の両側に形成されたソース電極及びドレイン電極と，前記アクティブ層上に形成されたゲート絶縁膜と，該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えた」薄膜トランジスタ，すなわち正スタッガード型であるのに対して，引用発明はこの点が特定されていない点。
　
（４）判断 
　
　ア　相違点１，２について 
　引用例２には，イメージング装置において，「センサー層１６」に「Ｘ線エネルギの量に比例してセレン内に電子・正孔対を発生」させること，及び，「電源７０を使用してセンサー層１６を横断してバイアス電圧を印加」し，「センサー層１６内」に発生した「電子・正孔対」を「印加電界によって分離」することが記載されいる。
　引用発明と，引用例２に記載の発明は，Ｘ線の照射による画像取得装置という技術分野が共通し、放射線の量に比例して電子・正孔対が発生するという機能も共通するから，引用発明において，引用例２に記載の技術を適用して，「外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成」するようにし，「電子−正孔対を分離し，その極性によって前記信号生成部内の互いに反対側に密集されるように，前記信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源」を設けることは，当業者が容易になし得たことといえる。
　
　イ　相違点３について
　半導体集積回路の技術分野において，半導体集積回路の集積度を上げることは，不断の課題であり，その解決手法の１つとして，集積回路を層状に積み重ねて，３次元集積回路とすることは，周知技術である。
　そうすると，引用発明において，上記周知の３次元集積回路の技術を採用し，「信号選択回路２７」を集積度向上のため，「第２層２１２」「第３層２１３」の下層に形成することは，当業者が容易になし得たことといえる。
　
　ウ　相違点４について
　引用例２には，センサー内で発生し，分離された電荷を回収する「ピクセル２４（電荷回収電極）」の「上に電子阻止層２６を」設けることが記載されている。
　引用発明と，引用例２に記載の発明は，Ｘ線の照射による画像取得装置という技術分野が共通するから，引用発明において，引用例２に記載の「電子阻止層」を適用して，「信号生成部内で分離された電荷のうち一種の電荷のみの流入を許容する遮蔽層」を設けることは，当業者が容易になし得たことといえる。
　
　エ　相違点５
　引用例３には，薄膜トランジスタの「半導体」として，「Ｃｕ２Ｓｅ−Ｉｎ２Ｓｅ３」の「擬二元の組成原料を」使用して形成した「ＣｕＩｎＳｅ２」を用いることが記載されている。
　引用発明と，引用例３に記載の発明は，「薄膜トランジスタ」という技術分野が共通するから，引用発明において，引用例３に記載のＣｕ２Ｓｅ−Ｉｎ２Ｓｅ３の擬二元の組成原料を使用して形成する技術を適用して，「Ｉｎ2Ｓｅ3とＣｕ2Ｓｅ3とを利用して形成したアクティブ層」（相違点５）を設けることは，当業者が容易になし得たことといえる。
　
　オ　相違点６
　正スタッガード型の薄膜トランジスタは，例えば引用例３にも記載されているように周知の構造である。
　したがって，引用発明の薄膜トランジスタを，引用例３に記載の周知のトップゲート型の薄膜トランジスタとすることは，当業者が適宜なし得た設計的事項である。
　
　カ　以上のとおり，相違点１〜６に係る構成は，当業者が容易になえした範囲に含まれるものであり，また当該構成を採用したことによる格別の効果もない。
　
　キ　判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり，補正発明は，当業者における周知技術を勘案することにより，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。
 
５　補正の却下の決定についてのむすび 
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１５係る発明は，平成２３年９月１５日の手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜１５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　
第４　引用例に記載された発明 
　引用例１〜３には，上記第２，４（２）（２−１）〜（２−３）のとおりの記載があり，また，引用例１には，第２，４（２）（２−１）のとおりの引用発明が記載されている。 
　
第５ 判断 
　本願発明は，補正発明から，上記第２，２に記載した補正事項１についての補正によりなされた技術的限定を省いたものである。　 
　そうすると，第２，４において検討したとおり，補正発明は，周知技術を勘案することにより，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても，当然に，周知・慣用技術を勘案することにより，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６ むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。