【事件の表示】
　特願２００７−５２３７４２「イオンを利用して材料をミリング処理する装置及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月　９日国際公開、ＷＯ２００６／０１４９８６、平成２０年　３月２１日国内公表、特表２００８−５０８６８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００５年７月２７日（優先権主張２００４年７月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１２月６日に手続補正がなされたが、平成２４年９月１２日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２５年１月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に誤訳訂正書により手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年２月２７日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年７月３１日に回答書が提出された。
　
第２　平成２５年１月１８日付けの手続補正の補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２５年１月１８日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正後の請求項に記載された発明 
　平成２５年１月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「イオン衝突を利用して試料から選択的に材料を除去する装置であって、
　真空チェンバと；
　前記真空チェンバ内に設けられ、少なくとも１つの集束電極を有し、（i）10 eV乃至1 keVの有効連続低エネルギーと、（ii）１μｍ乃至１００μｍの範囲の小ビーム直径とを同時に有する少なくとも1条のイオンビームを発生させることができるイオン源と；
　真空下に前記少なくとも1条のイオンビームを前記試料に選択的に衝突させるため前記真空チェンバ内で前記試料を支持し且つ操作するためのステージを含むことを特徴とする前記装置。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　　
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特表平１１−５０４４６４号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）第４頁１〜６行
「【発明の詳細な説明】
                電子顕微鏡法のためのイオンビーム準備装置
  この発明の対象は、特にアルゴンイオンなどの希ガスイオンビームによる、試験片ホルダ内の試験片衝撃のための少なくとも１つのイオン源と、真空チャンバとを備えた、電子顕微鏡法の試験片を加工するためのイオンビーム準備装置である。」
（１ｂ）第９頁２１〜２３行
「 この装置に用いられるイオン源は、１００ｍＡ／ｃｍ2より低い、好ましくは３０ｍＡ／ｃｍ2より低いイオン電流密度の固定した集束希ガスイオンビームを供給し、短いエッチング時間と試験片に優しい準備とを達成する。」
（１ｃ）第１１頁７〜２６行
「走査型電子顕微鏡による観察の可能性を有する、電子顕微鏡法に用いられる試験片のイオンビームによる準備のための、この発明による装置の設計例が図１に概略的に示される。
  ＳＥＭ３の支柱は真空チャンバ１０の上に垂直に装着され、真空チャンバ１０はポンプシステム１７によって１０−６Ｔｏｒｒの到達圧力にまで圧力を下げることができる。ＳＥＭ支柱３は真空チャンバの中へ９０ｍｍ突出し、その縦軸１４は試験片ホルダ６に位置する試験片４と整列される。
  試験片ホルダ６はＳＥＭ支柱３の下側から５０ｍｍの距離に、好ましくは、以下の移動を可能にする５軸試験片ステージ上に装着される。
−試験片４の回転および振動動作(oscillating movement)
−試験片ホルダの縦軸について０°から３６０°傾斜
−Ｘ移動±１５ｍｍ
−Ｙ移動±１５ｍｍ
−ｚ移動±４０ｍｍ（移動方向  試験片ホルダ６／ＳＥＭ支柱３）
  ２つの対向するイオン源１および２、たとえばサドルフィールドイオン源は、１−１０ｋＶ（当審注：ｋｅＶの誤記と認める）の加速電圧で、最大２０ｍＡ／ｃｍ2のイオン電流密度において、約０．５ｍｍのビーム直径で作動し、そのビームは試験片４に照射される。２つの対向するイオン源１および２は、試験片ホルダ６に対して可動であり、試験片ホルダ６とイオン源１、２とは、回転の中心軸１５のまわりに装着され、互いに旋回する。」
（１ｄ）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｅ）図１には、イオン源１及び２が真空チャンバ１０内に設けられていることが記載されている。
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「希ガスイオンビームによる、試験片ホルダ（６）内の試験片衝撃のための少なくとも１つのイオン源と、真空チャンバ（１０）とを備えた、電子顕微鏡法の試験片を加工するためのイオンビーム準備装置であって、
　イオン源は真空チャンバ内に設けられ、１００ｍＡ／ｃｍ2より低い、好ましくは３０ｍＡ／ｃｍ2より低いイオン電流密度の固定した集束希ガスイオンビームを供給し、短いエッチング時間と試験片に優しい準備とを達成するものであり、
　ＳＥＭ（３）の支柱が真空チャンバの上に垂直に装着され、真空チャンバはポンプシステム（１７）によって１０−６Ｔｏｒｒの到達圧力にまで圧力を下げることができ、ＳＥＭ支柱は真空チャンバの中へ突出し、その縦軸（１４）は試験片ホルダに位置する試験片（４）と整列され、
  試験片ホルダはＳＥＭ支柱の下側に５軸試験片ステージ上に装着され、
　イオン源は、１−１０ｋｅＶの加速電圧で、最大２０ｍＡ／ｃｍ2のイオン電流密度において、約０．５ｍｍのビーム直径で作動し、そのビームは試験片に照射される構成の、
イオンビーム準備装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）引用文献２
　同じく、特開平１１−１３２９２０号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子顕微鏡を用いて観察する試料を作製するためのイオンミリング装置に関する。特に、絶縁性試料の高速薄膜化と薄膜化完了時に精度良くイオンミリングを停止させることを特徴とする装置に関する。」
（２ｂ）「【０００８】イオンミリング法は、イオンガン700よりイオンビーム（アルゴン）711を照射し、試料705の表面の原子を叩き出すものである。イオンビーム711を発生させるために、1〜20kVの電圧がイオンガン電源701より、イオンガン700に供給される。一般に、試料表面に到達するイオンビームのエネルギーが20〜30eVであれば試料原子を叩き出すことができる。このエネルギーが低すぎると試料705は薄膜化されず（削られず）、高すぎると試料に損傷（変質・欠陥・非晶質化）が生じる。しかし、適正なエネルギーでイオンビームを照射すると均一に試料を薄膜化することができる。」
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「イオンビーム準備装置」は、希ガスイオンビームによって電子顕微鏡法の試験片を加工するための装置であるから、補正発明の「イオン衝突を利用して試料から選択的に材料を除去する装置」に相当する。
（２）引用発明の「真空チャンバ」は補正発明の「真空チェンバ」に相当する。
　また、引用発明のイオン源は集束希ガスイオンビームを供給するから、該イオン源が収束電極を有することは自明である。
（３）引用発明の「イオン源は真空チャンバ内に設けられ、１００ｍＡ／ｃｍ2より低い、好ましくは３０ｍＡ／ｃｍ2より低いイオン電流密度の固定した集束希ガスイオンビームを供給し、短いエッチング時間と試験片に優しい準備とを達成するものであ」ることと、補正発明の「10 eV乃至1 keVの有効連続低エネルギーの1条のイオンビームを発生させることができるイオン源」とは、ともに「有効連続低エネルギーの1条のイオンビームを発生させることができるイオン源」である点で共通する。
　同様に、引用発明の「イオン源は、１−１０ｋｅＶの加速電圧で、最大２０ｍＡ／ｃｍ2のイオン電流密度において、約０．５ｍｍのビーム直径で作動」する構成と、補正発明の「１μｍ乃至１００μｍの範囲の小ビーム直径を有する少なくとも1条のイオンビームを発生させることができるイオン源」は、ともに「小ビーム直径を有する少なくとも1条のイオンビームを発生させることができるイオン源」である点で共通する。
（４）引用発明の「５軸試験片ステージ」は補正発明の「ステージ」に相当する。そして、引用発明の「試験片ホルダはＳＥＭ支柱の下側に５軸試験片ステージ上に装着され、イオン源・・・のビームは試験片に照射される構成」は、補正発明の「1条のイオンビームを前記試料に選択的に衝突させるため前記真空チェンバ内で前記試料を支持し且つ操作するためのステージを含むこと」に相当する。
　
　以上のことから、両者は、 
　「イオン衝突を利用して試料から選択的に材料を除去する装置であって、
　真空チェンバと；
　前記真空チェンバ内に設けられ、少なくとも１つの集束電極を有し、（i）有効連続低エネルギーと、（ii）小ビーム直径とを同時に有する少なくとも1条のイオンビームを発生させることができるイオン源と；
　真空下に前記少なくとも1条のイオンビームを前記試料に選択的に衝突させるため前記真空チェンバ内で前記試料を支持し且つ操作するためのステージを含むことを特徴とする前記装置。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
（相違点）
　補正発明は、有効連続低エネルギーが「10 eV乃至1 keV」であって、小ビーム直径が「１μｍ乃至１００μｍの範囲」であるのに対して、引用発明は、前者が「１−１０ｋｅＶ」であって後者が「約０．５ｍｍ」である点。
　
４．判断 
　上記相違点について検討する。
　引用文献２には、「電子顕微鏡を用いて観察する試料を作製するためのイオンミリング装置において、試料表面に到達するイオンビームのエネルギーが低すぎると試料は薄膜化されず（削られず）、高すぎると試料に損傷（変質・欠陥・非晶質化）が生じることを考慮し、適正なエネルギーでイオンビームを照射すると均一に試料を薄膜化することができるように、試料表面に到達するイオンビームのエネルギーが20〜30eVであるイオンミリング装置。」（以下「引用２発明」という。）が記載されている。
　引用発明も引用２発明も、ともに、補正発明と同様にイオンミリング装置に関するものであり、しかもイオンビームによる試料へのダメージを回避しようとするものであるから、引用２発明を引用発明に適用することに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　また、イオンミリング装置において、イオンビームの直径を１μｍ乃至１００μｍの範囲に設定することはごく普通に行われている周知技術であり、しかも、該ビームの直径とビームのエネルギーとは独立に設定・制御可能であることは当業者の技術常識であるから、引用発明のイオンビームの直径を上記相違点に係る程度のものとすることは、試料の加工精度や装置のスループット等を総合的に勘案して、当業者が適宜決定しうる事項である。
　してみると、引用発明に引用２発明及び周知技術を適用することによって、上記相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明、引用２発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明、引用２発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２５年１月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２３年１２月６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「イオン衝突を利用して試料から選択的に材料を除去する装置であって、
　真空チェンバと；
　前記真空チェンバ内に設けられ、少なくとも１つの集束電極を有し、（i）10 eV乃至1 keVの有効連続低エネルギーと、（ii）１μｍ乃至0.5ｍｍの範囲の小ビーム直径とを同時に有する少なくとも1条のイオンビームを発生させることができるイオン源と；
　真空下に前記少なくとも1条のイオンビームを前記試料に選択的に衝突させるため前記真空チェンバ内で前記試料を支持し且つ操作するためのステージを含むことを特徴とする前記装置。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願出願前に頒布された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明の「１μｍ乃至１００μｍの範囲の小ビーム直径」という特定事項を「１μｍ乃至0.5ｍｍの範囲の小ビーム直径」に拡張したものである。
　そして、当該拡張された事項は引用発明が有する構成である。
　してみると、本願発明と引用発明は、有効連続低エネルギーが本願発明は「10 eV乃至1 keV」であるのに対して、引用発明は「１−１０ｋｅＶ」である点で相違し、それ以外の点で一致する。
　
３．判断
　前記「第２」の「４．」で検討したとおり、上記相違点に係る構成は、引用発明に引用２発明を適用することによって、当業者が容易に想到しうる事項である。
　そうすると、本願発明は、引用発明及び引用２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。