【事件の表示】
　平成　８年特許願第３３５６０２号「ショットキー障壁型固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　６月２６日出願公開、特開平１０−１７３９９８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１　本件発明
　本願は、平成８年１２月１６日の出願であって、その発明は、補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲（請求項の数３）に記載された「ショットキー障壁型固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置」に係るものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本件発明」という。）は次に掲げるとおりのものである。
　【本件発明】
　ショットキダイオードから成る受光部が２次元に配列され、該受光部において光電変換されて発生した２次元画像信号を時系列信号として出力する電子走査機能素子を有するショットキ障壁型固体撮像素子において、
　受光領域下の基板が少なくとも画素ピッチ程度あるいはそれ以下の厚さに成っており、受光領域裏面に基板とオーミック接触する金属反射鏡兼裏面電極を備え、少なくとも前記電子走査機能素子上に金属遮光膜を有することを特徴とするショットキ障壁型固体撮像素子
　
　２　刊行物の発明
　これに対して、原審の拒絶理由に引用された、本願の出願の日前の昭和５８年１０月８日に頒布された刊行物である特開昭５８−１７１８４９号公報には、次に掲げる(１)(２)(３)の事項からなる固体撮像装置（以下「刊行物１の発明」という。）が記載されている。
　【刊行物１の発明】
　(１)本発明は一次元あるいは二次元の固体撮像装置に関し、特に受光素子を構成する感光部すなわち画素がショットキーバリア構成となっているものに関する。（１頁左下欄発明の技術分野の項）
　(２)半導体基板の第１の主面上に該基板と接触するショットキー画素電極からなる受光部と該受光部で生じた電荷を読み出すための転送部とを設けると共に、上記第１の主面側から入射して上記基板を通過して行く光を、再び反射せしめて上記受光部に導入せしめるための反射膜を、前記基板の第２の主面上に被着せしめたことを特徴とする固体撮像装置（２頁左下欄下から５行ないし同頁右下欄３行）
　(３)この発明の固体撮像装置が第１図の従来のものと異なるところは、入射光が第２図中に示したように、受光部と転送部とが配設されている側の半導体基板１の第１の主面１ｂ側から導入されるようになっている点と、上記基板１の第２の主面１ａ側には光の反射手段として働く例えばアルミニウム（Ａｌ）などを材料とする反射膜２０が被着されている点の２点である。（２頁右下欄１１行ないし１８行）
　
　同じく原審の拒絶理由に引用された、本願の出願の日前の昭和６２年１月２７日に頒布された刊行物である特開昭６２−１８０７５号公報には、次に掲げる(１)(２)(３)の事項からなる光電変換装置（以下「刊行物２の発明」という。）が記載されている。
　【刊行物２の発明】
　(１)バルク半導体基板をそのまま用いた古典的な光電変換装置は、複数の光電変換機能部を同一基板状に表層領域に集積した場合、機能部問の絶縁分離を施したにしても、当該分離層の深さをそれ程深くは取れないことかことから、厚い半導体基板の深さ方向に分離層を超えて回り込むリーケージ等により、完全な分離が果たされず、寄生効果が生じて出力電流が大きく取れなかったり、高出力電圧を得られなかったり等の欠点があった。（２頁左下欄２行ないし１１行）
　(２)光電変換機能を営む部分は、望ましくは薄い半導体層であってほしい。（３頁左上欄２行ないし３行）
　(３)このような構造の光電変換装置では、半導体薄層部１０−ｆの厚味ｔｆや後述するその他の要因を調整することにより、入射光に対するスペクトル応答感度を調整できる。例えば、第２図に示されるように、基板厚ｔｏを２５０μｍとして、この半導体基板をそのまま用いてその表面に光電変換機能部１１を形成した場合の光吸収曲線ａに対し、薄層部１０−ｆの厚味ｔｆを１２μｍとして、この薄層部１０−ｆに光電変換機能部１１を形成した本発明の光電変換装置の場合、その波長感度は、曲線ｆ１やｆ２に示されるように、大幅に変化させることができる。（４頁右下欄下から４行ないし５頁左上欄８行）
　
　同じく原審の拒絶理由に引用された、本願の出願の日前の昭和６２年１月２９日に頒布された刊行物である特開昭６２−２０４７７号公報には、次に掲げる(１)の事項からなる赤外線撮像装置（以下「刊行物３の発明」という。）が記載されている。
　【刊行物３の発明】
　(１)一般にＳｉショットキー型ＩＲＣＣＤは、第５図に示す波長対相対感度特性（図中、横軸が波長、縦軸が相対感度を示す）から判かるように、波長３〜５μｍ（図中λ2〜λ3）のみでなく、可視波長０．５μｍ（図中λ1）まで相対感度（１７）を有している。（２頁右上欄２行ないし６行）
　
　３　刊行物の発明と本件発明との対比・検討
　そこで、刊行物１の発明における事項と本件発明における事項とを対比・検討すると、次に掲げる(１)(２)(３)の事項がそれぞれ相当ないしは対応する。
　(１)刊行物１の発明における「転送部」は、二次元のショットキー画素電極からなる受光部で生じた電荷を読み出すためものであるから、本件発明における「電子走査機能素子」に相当する。
　(２)刊行物１の発明における「基板」は、入射した光が通過し、再び反射した光が通過するから、本件発明における「基板」に対応する。
　(３)刊行物１の発明は「固体撮像装置」であり、本件発明は「ショットキ障壁型固体撮像素子」であるが、刊行物１の発明は、受光素子を構成する感光部すなわち画素がショットキーバリア構成となっているものであるから、刊行物１の発明の「固体撮像装置」は、本件発明の「ショットキ障壁型固体撮像素子」に対応する。
　
　４　刊行物１の発明と本件発明との一致点・相違点
　上記３の対比・検討から刊行物1の発明と本件発明とは、次に掲げる一致点で一致し、下記に掲げる相違点(１)(２)(３)で相違する。
　【一致点】
　ショットキダイオードから成る受光部が２次元に配列され、該受光部において光電変換されて発生した２次元画像信号を時系列信号として出力する電子走査機能素子を有するショットキ障壁型固体撮像素子において、
　受光領域下の基板が所定の厚さに成っており、受光領域裏面に基板と接触する金属反射鏡を備えるショットキ障壁型固体撮像素子
　【相違点】
　(１)上記「基板の所定の厚さ」が、本件発明においては「少なくとも画素ピッチ程度あるいはそれ以下」であるのに対して、刊行物1の発明においては「厚さ」について、明記されていない点
　(２)上記「金属反射鏡」が、本件発明においては「オーミック接触する金属反射鏡兼裏面電極」であるのに対して、刊行物１の発明においては「オーミック接触する裏面電極に兼用」することについて、明記されていない点
　(３)上記「電子走査機能素子上」に、本件発明においては「金属遮光膜を有する」のに対して、刊行物１の発明においては「金属遮光膜を有する」ことについて、明記されていない点
　
　５　上記相違点(１)(２)(３)についての検討
　(１)刊行物２の発明は、光電変換機能部を薄くすることによって、光電変換機能部間を分離したり、波長感度曲線を変化させたりする光電変換装置であるから、刊行物１の発明における「基板」を薄くする、すなわち、光電変換機能部である「画素のピッチ程度あるいはそれ以下」とすることは、適宜なし得ることである。
　したがって、上記「基板の所定の厚さ」を「少なくとも画素ピッチ程度あるいはそれ以下」とすることは、刊行物１の発明に基いて、当業者であれば、容易になし得ることと認められる。
　(２)刊行物１の発明における「金属反射鏡」は、アルミニウム（Ａｌ）などを材料とするもので、刊行物１の従来例である第１図には、基板１を接地することが示されているから、基板１に接触する「金属反射鏡」を接地することは、適宜なし得ることである。
　したがって、上記「金属反射鏡」を「オーミック接触する金属反射鏡兼裏面電極」とすることは、刊行物１の発明に基いて、当業者であれば、容易になし得ることと認められる。
　(３)信号電荷の転送部である「電子走査機能素子上」に「金属遮光膜を有する」ことは、本件図９及びその説明にも記載されているように、従来から必要に応じて適宜行われていることである。
　したがって、上記「電子走査機能素子上」に「金属遮光膜を有する」ことは、刊行物１の発明に基いて、当業者であれば、容易になし得ることと認められる。
　なお、本件発明の目的は「赤外線画像と可視光画像の両者を高感度に検出できるショットキ障壁型固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置」であるが、刊行物１の発明の「受光素子を構成する感光部すなわち画素がショットキーバリア構成となっている二次元の固体撮像装置」が「赤外線画像と可視光画像の両者を検出できる」ことは、刊行物３の発明に示されている。
　
　６　むすび
　以上のとおり、本件発明は、刊行物１の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項２，３を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。