【事件の表示】
　特許第３４０６８４６号「温度補償型水晶発振器」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４０６８４６号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
 第１．手続の経緯
　本件特許第３４０６８４６号の請求項１に係る発明は、平成１０年８月３１日に特許出願され、平成１５年３月７日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、池田英治、広瀬圭治より、その請求項１（全請求項）に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年７月２６日付で訂正請求書及び意見書が提出されたものである。
　
第２．訂正の適否
１．訂正の内容
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に記載された
「下面にキャビティー部を有する容器体」及び「前記容器体の側面で前記容器体の上面および前記容器体の下面より夫々離間した領域に、前記ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むためのＩＣ制御用端子電極を複数設けた」を
　特許請求の範囲の減縮を目的として、
「下面にキャビティー部と、前記下面の４隅部に外部端子電極とを有する直方体状の容器体」及び「前記容器体の長辺側の側面で前記容器体の上面および前記容器体の下面より夫々離間した領域に、前記ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極を、前記容器体の長辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置するように設けた」と訂正する。
　
訂正事項ｂ
　明細書の【発明の詳細な説明】の段落【００２２】の
「下面にキャビティー部を有する容器体」及び「前記容器体の側面で前記容器体の上面および前記容器体の下面より夫々離間した領域に、前記ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むためのＩＣ制御用端子電極を複数設けた」を
　特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、
「下面にキャビティー部と、前記下面の４隅部に外部端子電極とを有する直方体状の容器体」及び「前記容器体の長辺側の側面で前記容器体の上面および前記容器体の下面より夫々離間した領域に、前記ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極を、前記容器体の長辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置するように設けた」と訂正する
　
訂正事項ｃ
　明細書の【発明の詳細な説明】の段落【００３３】の
「複数のＩＣ制御用端子電極１５〜１８が形成されている」を
　特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、
「複数のＩＣ制御用端子電極１５〜１８が、容器体１の長辺側を側面視して、いずれも隣接する外部端子電極間１１−１２、１３−１４に位置するように形成されている。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、特許請求の範囲に記載された「容器体」について、「下面の４隅部に外部端子電極」を付加すると共に、形状を「直方体状」と限定し、また、特許請求の範囲に記載された「前記容器体の側面で前記容器体の上面および前記容器体の下面より夫々離間した領域に、前記ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むためのＩＣ制御用端子電極」について、「前記容器体の長辺側の側面」に「前記容器体の長辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置するように設け」ることをさらに限定するものである。
　これらの事項は、本件特許公報の段落【００３１】、【００３３】、【００３８】、【００４４】、及び【図２】、【図４】【図５】に記載されているから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ｂ及びｃは発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるためのものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　これら上記訂正事項ａ〜ｃは、いずれも願書に添付した明細書または図面に記載された事項の範囲内のものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものではない。
　
３．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項に規定する訂正の目的を満たすものであり、かつ同条第３項で準用する第１２６条第２、３項の規定に適合する。
　よって、本件訂正請求のとおりの訂正を認める。
　
第３．特許異議の申立てについての判断
１．本件発明
　上記第２に示したとおり、本件に係る訂正が認められるから、本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】下面にキャビティー部と、前記下面の４隅部に外部端子電極とを有する直方体状の容器体と、該容器体の上面側に実装された水晶振動子と、前記キャビティー部に収容され、温度補償データを保持するとともに、該温度補償データに基づいて前記水晶振動子の固有温度周波数特性の補償を行うＩＣチップとを具備する温度補償型水晶発振器であって、前記容器体の長辺側の側面で前記容器体の上面および前記容器体の下面より夫々離間した領域に、前記ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極を、前記容器体の長辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置するように設けたことを特徴とする温度補償型水晶発振器。」
　
２．刊行物記載の発明
(1)当審が通知した取消しの理由に引用した刊行物１（特開平１０−２８０２４号公報）には、以下の事項が記載されている。
「図１〜図３において１はセラミック製で長方形状の基板で、この基板１の上面側の長手方向の左右には支持台２が一体に設けられている。そして、これらの支持台２上に水晶製で長方形状の振動子３が、その長手方向を基板１の長手方向と合わせて実装されている。
【００２１】また基板１の下面側には凹部４が形成され、この凹部４内には振動子３の温度補償を行う制御素子５が実装されている。
【００２２】前記制御素子５と基板１の下面の導電パターン６とはボンディングワイヤ７によって電気的に接続されている。」（段落００２０〜００２２）
　
「【００２５】前記基板１の下面の凹部４外周は四角枠形状となっており、図１に破線で示すごとく四隅には、例えば携帯電話等の本体ケース内の実装基板の電極と電気的に接続される外部電極１０が設けられている。
【００２６】これらの外部電極１０は図２の導電路１１、次に図３の導電パターン６、ボンディングワイヤ７を介して制御素子５と電気的に接続され、また制御素子５は図３のボンディングワイヤ７、導電パターン６、図１の導電路１２、導電パターン１３を介して振動子３の上、下面の電極１４と電気的に接続されている。
【００２７】なお基板１の下面の外周部には半円形の切欠が複数個設けられ、この切欠には制御素子５に振動子３の温度補償用データ等を書込むための制御素子１５が設けられている。」（段落００２５〜００２７）
　そして、図１には、「（制御素子）１５が凹部４外周の対向する二辺（短辺）に設けられ、隣接する外部電極１０間に位置する」ことが、図３には「（制御素子）１５が凹部４外周の側面に位置する」ことが図示されている。
　また、図２には、「外部電極１０は凹部４外周の下部に設けられている」ことが図示されている。
　
　　
　以上から、刊行物１には次の発明が記載されている。
「基板と、前記基板の下面に設けられ、四隅部に外部電極を有し、四角枠形状である凹部外周と、前記基板の上面側に実装された水晶振動子と、基板下部の凹部に収容され、前記水晶振動子の温度補償を行う制御素子を具備し、前記凹部外周の二側面に、前記制御素子に温度補償データを書き込むための複数の（制御素子）１５を設けた電子部品。」
　
(2)取消理由で引用した刊行物２（特開平１０−９８１５１号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【００２８】第１の容器１の外周壁４の外周には半円状の切り欠きが設けられ、各切り欠きには電極１６ａ〜１６ｎが設けられている。このうちの電極１６ｂ，１６ｆ，１６ｉ，１６ｍはこの切り欠き内部だけではなく、それに続く第１の容器１の底面にも形成され、電極１６ｂはＡＦＣ端子、電極１６ｆはグラウンド端子、電極１６ｉは発振出力端子（ＴＣＸＯ）、電極１６ｍは電源端子（ＶDD）となっている。図７には電極１６ｉの例が図示されている。図１０はこの発振器の構成が示されている。
【００２９】また、他の電極１６ａ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｇ，１６ｈ，１６ｉ，１６ｊ，１６ｋ，１６ｌ，１６ｎは検査電極で、これらの電極は第１の容器１の底面から所定距離だけ上方に離した位置に設けられており、これらの電極を使用して能動素子２の内部のメモリへのデータ書込みや各種の検査が行われる。」（段落００２８〜００２９）
　
３．対比・判断
　本件発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載の「凹部４」は、本件発明の「キャビティー部」に対応する。
　また、刊行物１において、「基板１」の下面に設けられる「凹部４外周」は、四角枠形状で、四隅の下面に「外部電極１０」を有するものであり、刊行物１の「基板１」と前記「凹部４外周」とが、本件発明における、「下面にキャビティー部と、前記下面の４隅部に外部端子電極とを有する直方体状の容器体」に対応する。
　そして、「制御素子５」は書き込まれた温度補償用データに基づいて水晶製の振動子の温度補償を行うものであるから、本件発明における「キャビティー部に収容され、温度補償データを保持するとともに、該温度補償データに基づいて前記水晶振動子の固有温度周波数特性の補償を行うＩＣチップ」に対応する。
　なお、刊行物１の「（制御素子）１５」は、温度補償用データ等を書込むためのもので、基板１の下面の外周部に半円形の切欠きが複数設けられる（段落００２７参照）とされ、同様に図１に１５として指示される構成は外周部に半円形の複数個の切欠として図示されていることから、端子電極に相当する構成と認められ、本件発明において、「ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極」に対応するものである。
　したがって、両者は、「下面にキャビティー部と、前記下面の４隅部に外部端子電極とを有する直方体状の容器体と、該容器体の上面側に実装された水晶振動子と、前記キャビティー部に収容され、温度補償データを保持するとともに、該温度補償データに基づいて前記水晶振動子の固有温度周波数特性の補償を行うＩＣチップとを具備し、前記容器体の側面に、前記ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極を設けた温度補償型水晶発振器」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本件発明は、ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極を、容器体の側面で前記容器体の上面および前記容器体の下面より夫々離間した領域に設けたものであるのに対し、刊行物１に記載のものがそのような構成を有するか不明である点。
　
（相違点２）
　本件発明は、ＩＣチップに接続するとともに、温度補償データを書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極を、容器体の長辺側の側面であり、容器体の長辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置するように設けたものであるのに対し、刊行物１は、温度補償データを書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極を、容器体の短辺側の側面であり、容器体の短辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置するように設けたものである点。
　
　前記相違点について検討する。
（相違点１）
　刊行物２には、前記したように、内部のメモリへのデータ書込みや各種の検査が行われる電極について、底面から所定距離だけ上方に離した位置に設けることが記載されている。また、刊行物２の図１〜３，７から、容器１の上面からも離した位置に設けられていることが明らかである。
　この構成は、メモリへのデータ書込など実装時に接続されない容器体周囲の電極構成として適宜採用可能なものであることから、刊行物１に記載される振動子３の温度補償用データ等を書込むための構成として、容器体の上面および下面より夫々離間した領域に端子電極を設ける構成を用いて、本件発明のごとく構成したことは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
（相違点２）
　ＩＣ制御用端子電極の位置は、各種条件を考慮して任意の配置が可能であることは明らかである。
　容器体内部に配置されるＩＣチップの形状や電極の構成、また、その容器体内部の他部品との配置が特定されない本件発明において、ＩＣ制御用端子電極の位置として容器体の長辺側を用いたことは、適宜なし得た程度のことと認められる。
　
（特許権者の主張について）
　特許権者は、異議意見書（平成１６年７月２６日付）を提出し、刊行物１に記載の技術に刊行物２に記載の技術を適用することの困難性及び、本件発明の構成要件の「容器体の長辺側の側面で、その上面及び下面より夫々離間した領域に設けられる複数のＩＣ制御用端子電極を、容器体の長辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置させる」点は刊行物１，２に全く記載されておらず、これによって、半田接合時のＩＣ制御用端子電極と半田との短絡の防止や、ＩＣ制御用端子電極とＩＣチップとの接合距離が短くなる等の効果を主張している。
　しかしながら、刊行物１に記載の技術に、半田接合時の短絡防止等の効果を有する刊行物２に記載の技術を適用することは前記したように適宜なし得たものと認められる。
　そして、接合距離を短くすることはごく普通に考慮されるべき当然の課題にすぎず、本件発明において、容器体内部の部品の配置が特定されない以上、容器体の特定の部位を用いることについて格別の効果は認められず、特許権者の当該主張は採用することができない。
　
（３）まとめ
　以上のとおり、本件請求項１に係る発明は、取消理由で引用した前記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
第４　むすび
　以上のとおりであって、本件特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、何れもその出願日前に頒布された刊行物１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月２６日（２００４．８．２６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
温度補償型水晶発振器
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】下面にキャビティー部
と、前記下面の４隅部に外部端子電極と
直方体状の
該容器体の上面側に実装された水晶振動子と、
前記キャビティー部に収容され、温度補償データを保持するとともに、該温度補償データに基づいて前記水晶振動子の固有温度周波数特性の補償を行うＩＣチップとを具備する温度補償型水晶発振器であって、
　前記容器体の
長辺側の
複数の
、前記容器体の長辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置するように
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は例えば移動体通信機器等に用いられる温度補償型水晶発振器に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　水晶発振器は、移動体通信機器等に送受信を制御する基準周波数を発生させる非常に重要な部品である。このような移動体通信機器等に用いられる水晶発振器は、移動体通信機器の小型化に伴い、容積を非常に小型化しなくてはならない。
　【０００３】
　また、周囲の温度が激しく変動する環境で使用しても、周波数が安定化するようにしなくてはならない。
　【０００４】
　このため、後述の要求に対しては、水晶振動子の固有温度周波数特性（例えばＡＴカット厚み滑り水晶振動子の場合には、３次の曲線で示めされる温度周波数特性を有する）を、周囲の温度に対して周波数が平坦化するための温度補償が行われている。
　【０００５】
　この温度補償を、小型で且つ高性能に行うために、発振インバータをはじめ、少なくとも、所定温度に対する温度補償データを記憶させるメモリ機能、電圧変換機能、バリキャップダイオード機能、制御機能が集積化されたＩＣチップを用いて、周囲の温度に対して変動してしまう水晶振動子の発振周波数を、温度補償データに基づいて動作するバリキャップダイオードの容量値を所定値に設定して、発振器全体としての発振周波数を平坦化していた。
　【０００６】
　このような小型化及び高精度の温度補償を達成する温度補償型水晶発振器としては、特開平１０−２８０２４号に示すような温度補償型水晶発振器が提案されていた。この温度補償型水晶発振器は、単板状基板の底面に開口形状が矩形状の枠状脚部とから成り、底面に開口が矩形状で凹部状のキャビティー部を有した容器体を用いていた。そして、容器体の表面に水晶振動子を、容器体のキャビティー部内に制御回路を夫々振り分けて実装していた。
　【０００７】
　図６〜８は、その従来の温度補償型水晶発振器を示す図である。
　【０００８】
　従来の温度補償型水晶発振器は、容器体５１、矩形状の水晶振動子５２、発振制御用回路を構成するＩＣチップ５３及び金属製蓋体５４とから主に構成されている。
　【０００９】
　この温度補償型水晶発振器では、単板状のセラミック基板５５に、単板状のセラミック基板５５の底面の周囲に形成した開口形状が矩形状の枠状脚部５６を一体的に形成した容器体５１を用いていた。これにより、容器体５１の底面にキャビティー部５７が形成される。
　【００１０】
　容器体５１の表面とキャビティー部５７の底面を仕切る単板状のセラミック基板５５には、表面側とキャビティー部５７とを導通するビアホール導体５８が形成されており、その表面には金属製蓋体５４を封止するための封止導体パターン５９が形成されている。また、キャビティー部５７の底面には、ＩＣ電極パッドを含む所定配線パターン６０が形成されている。さらに、枠状脚部５６の底面の例えば一対の長辺側端辺に、夫々２つの外部端子電極６１〜６４が形成されている。また、容器体１の一対の短辺の端面には底面にまで延びる複数の凹み部を形成し、この凹み部の内壁面に温度補償データ書き込み端子電極６５〜６８が形成されている。
　【００１１】
　そして、この容器体１の表面側に、水晶振動子支持台６９、７０を介して短冊状の水晶振動子５２が導電性接着材７１、７２で導電的接合し、さらに、水晶振動子５２を気密的に封止するために封止用導体パターン５９を用いて概略皿状の金属製蓋体５４を一体的に接合していた。
　【００１２】
　また、キャビティー部５７には、ＩＣチップ５３が実装されている。このＩＣチップ５３は、ＩＣ電極パッドとバンプまたはボンディングワイヤを介して接続されている。さらに、キャビティー部５７内には充填樹脂７３が充填・硬化されている。これにより、ＩＣチップ５３が完全に被覆され、耐湿性を向上させている。
　【００１３】
　上述の構造において、容器体５１の表面に実装した水晶振動子５２は、ビアホール導体５８、５８を介してＩＣチップ５３と接続して、ＩＣチップ５３は所定配線パターン６０・・・を介して外部端子電極６１〜６４、温度補償データ書き込み端子電極６５〜６８に接続されている。
　【００１４】
　このＩＣチップ５３と温度補償データ書き込み端子電極６５〜６８は単板状セラミック基板５５の底面側の平面に延出する配線パターン６０によって、また、ＩＣチップ５３と外部端子電極６１〜６４は枠体状脚部５６の内壁面を利用し、また、枠体状脚部５６の厚みを貫くビアホール導体によって接続されている。
　【００１５】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述の温度補償型水晶発振器において、実装された水晶振動子５２の固有温度周波数は特性に応じて、個々のＩＣチップ５３に固有温度周波数を平坦化するために温度補償データを供給しなくてはならない。
　【００１６】
　この温度補償データは、製造工程でＩＣチップ５３に書き込むが、実際に温度補償動作するには、プリント配線基板に実装された後である。
　【００１７】
　即ち、プリント配線基板に実装した後、ＩＣチップ５３に書き込んだ温度補償データが消去したり、改変されては、温度補償型水晶発振器として全く機能しない。
　【００１８】
　上述の温度補償型水晶発振器では、ＩＣチップ５３に書き込むための書き込み端子電極６５〜６８が、容器体５１の一対の側面に形成されている。しかし、実際には、書き込み端子電極６５〜６８は、容器体５１の側面から底面にかけて形成されている。
　【００１９】
　従って、温度補償データをＩＣチップ５３に書き込んだ後、この温度補償型水晶発振器をプリント配線基板に半田接合した場合、書き込み端子電極６５〜６８にも半田付着し、また、外部から予期していない電位が書き込み端子電極６５〜６８に印加され、ＩＣチップ５３の温度補償データが消去したり、改ざんされたりしてしまう。これは、書き込み端子電極６５〜６８が容器体５１の側面に形成されているものの、容器体５１の底面にまで到達して形成されているためである。
　【００２０】
　また、プリント配線基板上に実装するにあたり、書き込み端子電極６５〜６８の近傍に半田接合される配線パターンや外部端子電極を排除すればよいが、容器体５１の形状が大きくなったり、プリント配線基板の引回し自由度が大きく低下している。
　【００２１】
　本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、ＩＣチップに実装した温度補償データが安定的に維持でき、安定した温度補償動作が安定的に行える温度補償型水晶発振器を提供することにある。
　【００２２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、下面にキャビティー部
と、前記下面の４隅部に外部端子電極と
直方体状の
長辺側の
複数の
、前記容器体の長辺側を側面視して、いずれも隣接する前記外部端子電極間に位置するように
　【００２３】
　【作用】
　本発明では、温度補償に必要なデータ等を入力したり、また入力可能な状態とするＩＣ制御用端子電極が、容器体の側面に形成されている。しかも、容器体は少なくとも３層以上のセラミック絶縁層を積層してなり、容器体の表面側のセラミック絶縁層及び底面側のセラミック絶縁層には形成されていない。即ち、ＩＣ制御用端子電極が、容器体の実装底面及び表面に到達することなく、側面に独立して形成されている。
　【００２４】
　これより、温度補償型水晶発振器をプリント配線基板の所定配線パターン上に半田接合しても、プリント配線基板の所定配線パターンと短絡することがない。
　【００２５】
　また、容器体の底面には、キャビティー部と外部端子電極のみが存在することになり、プリント配線基板に実装した後、殆ど使用することのないＩＣ制御用端子電極が存在しないため、容器体の平面形状の小型化にも大きく寄与できる。
　【００２６】
　尚、ＩＣ制御用端子電極の構造としては、表面側のセラミック絶縁層と底面側のセラミック絶縁層によって挟持される他のセラミック絶縁層の端面（側面となる）に、例えば半円形状の凹部を形成し、この凹部の内壁面に導体膜を形成して構成することが望ましい。
　【００２７】
　このようにすれば、外的要因に導電性異物がＩＣ制御用端子電極に接触しようとしても実際には接触されにくく、温度補償データの安定的な保持が可能となる。
　【００２８】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の温度補償型水晶発振器を図面に基づいて詳説する。
　【００２９】
　図１は本発明の温度補償型水晶発振器の断面図であり、図２は側面図であり、図３は蓋体省略した状態の上面図であり、図４は充填樹脂を省略した状態の下面図である。図５は、内部配線パターンを示す概略平面図である。尚、図１は、図３のＸ−Ｘ線断面を示している。
　【００３０】
　尚、実施例の温度補償型水晶発振器として、水晶振動子の温度周波数特性を平坦化する温度補償動作を行う制御回路を具備した水晶発振器を例に説明する。
　【００３１】
　本発明の温度補償型水晶発振器は、上面（以下、表面という）が平坦で且つ下面（以下、底面という）側に凹部状キャビティー部が形成された概略直方体状の容器体１、矩形状の水晶振動子２、制御回路を構成するＩＣチップ６及び２つの電子部品４、５、金属製蓋体６及び充填樹脂７とから主に構成されている。
　【００３２】
　容器体１は、複数の略矩形状のセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、異形状の開口を有する概略枠状セラミック絶縁層１ｃ、１ｄが一体的に積層されて構成されている。このセラミック絶縁層１ａ、１ｂによって、水晶振動子２とＩＣチップ３、電子部品４、５を仕切る仕切部８となり、また、セラミック絶縁層１ｃ、１ｄによって枠状脚部９となる。この枠状脚部９によって、仕切部８の底面に、該底面と枠状脚部９とに囲まれた凹部状のキャビティー部１０が構成される。
　【００３３】
　そして、容器体１の底面の４つの隅部には、各々外部端子電極１１〜１４が形成されている。また、容器体１の一対の長辺側側面には、ＩＣチップ３に必要な温度補償データや制御のため各種情報を書き込むための複数のＩＣ制御用端子電極１５〜１８が
、容器体１の長辺側を側面視して、いずれも隣接する外部端子電極間１１−１２、１３−１４に位置するように
　【００３４】
　容器体１の表面、即ち、仕切部８の表面には、その外周を取り囲むように封止用導体パターン１９が形成されており、また、容器体１表面の長手方向の一端部寄りに水晶振動子２と接続するための水晶振動子用電極パッド２０、２１が並設されている。また、上述の水晶振動子用電極パッド２０、２１上には水晶振動子２を容器体１の表面との間に所定間隔を形成するための接続バンプ２２、２３が形成されている。また、容器体１表面の長手方向の他端部寄りに、水晶振動子２の他方端部側を支持する保持用バンプ２４が形成されている。
　【００３５】
　また、セラミック絶縁層１ａには、水晶振動子用電極パッド２０、２１と接続する２つのビアホール導体２５、２６（尚、２６は図では省略する）が形成され、セラミック絶縁層１ｂには、キャビティー部１０の底面に導出する第２のビアホール導体２７、２８が形成され、さらに、セラミック絶縁層１ａと１ｂとの層間には両ビアホール導体２５と２７、２６と２８とを接続する内部配線パターン２９、３０が形成されている。
　【００３６】
　また、セラミック絶縁層１ｂの底面側主面には、ＩＣチップ３と上述のＩＣ制御端子電極１５〜１８とを接続し、また、ＩＣチップ３と電子部品４、５とを接続し、さらにＩＣチップ３、電子部品４、５と外部端子電極１１〜１４と接続する各種配線パターン３１・・・が形成されている。尚、キャビティー部１０の底面領域に各種配線パターン３１の一部を構成するＩＣ電極パッド３２・・・、素子電極パッド３３・・・が形成されている。尚、第２のビアホール導体２７、２８は、直接または所定配線パターン３１を介して、ＩＣチップ３の発振入力電極に接続するが、同時に、キャビティー部１０の底面には、このＩＣチップ３の発振特性を個別に測定するためのモニター電極パッド３４、３５が形成されている。
　【００３７】
　そして、容器体１の内部には、一方端が表面に、他端がキャビティー部１０内に導出されるビアホール導体２５、内部配線パターン２９、ビアホール導体２７及びビアホール導体２６、内部配線パターン３０、ビアホール導体２８からなる導電経路が形成されることになる。
　【００３８】
　尚、外部端子電極１１〜１４の構造については、容器体１の底面の４隅部に形成した平面部１１ａ〜１４ａと、セラミック絶縁層１ｃ、１ｄの４つの角部を厚み方向に概略１／４円形状の切り欠いた凹部の内壁に形成した端面部１１ｂ〜１４ｂとから構成されている。また、グランド電位の外部端子電極１３は、容器体１の表面に形成した封止用導体パターン１９と接続させ、金属製蓋体６にシールド効果を達成させる必要がある。このため、グランド電位の外部端子電極１３に関しては図のようにセラミック絶縁層１ａ〜１ｄの全てを貫通するビアホール導体及び配線パターンによって、封止用導体パターン１９と接続したり、また、外部端子電極１３の端面電極１３ａを容器体１の表面にまで延出して、封止用導体パターン１９と接続する。
　【００３９】
　また、ＩＣ制御端子電極１５〜１８について、セラミック絶縁層１ａ、１ｄには形成されておらず、セラミック絶縁層１ａ、１ｄに挟まれた中間層、例えばセラミック絶縁層１ｂ、１ｂ部分の長辺の端面に形成されている。従って、図２に示すように、ＩＣ制御端子電極１５〜１８（図２では１５、１６）は、容器体１の側面で底面及び表面に接することが一切ない。これは、表面側に形成された封止用導体パターン１９と短絡を避け、また、プリント配線基板に半田接合した時、プリント配線基板の配線パターンと短絡を避けるためである。さらに、ＩＣ制御端子電極１５〜１８は、セラミック絶縁層１ｂ、１ｃの長辺側端面に凹み部を形成して、この凹み部の内壁面に形成されていることが望ましい。これにより、外部要因、例えば、温度補償型水晶発振器をプリント配線基板上に搬送する場合の搬送手段などの書き込まれたデータが変動し、温度補償動作に誤動作が発生しないようしている。
　【００４０】
　上述の容器体１は、セラミック絶縁層１ａ〜１ｄとなるセラミックグリーンシートを用いて形成する。具体的には、絶縁層１ａとなる矩形状セラミックグリーンシートに例えば第１のビアホール導体２５、２６となる貫通孔を形成し、モリブデンやタングステンなどの高融点金属ペーストで貫通孔を充填する。同時に、表面に水晶振動子用電極パッド２０、２１となる導体膜、バンプ２２〜２４となる導体膜、封止用導体パターン１９となる導体膜を上述の導電性ペーストの印刷により形成する。
　【００４１】
　また、絶縁層１ｂとなる矩形状セラミックグリーンシートに第２のビアホール導体２７、２８となる貫通孔及びＩＣ制御端子電極１５〜１８が形成される凹み部を形成し、上述の高融点金属ペーストで該貫通孔を充填し、該凹み部の内壁面に導体膜を形成する。同時に、このグリーンシートのキャビティー部１０の底面となる面に、ＩＣ電極パッド３２、素子電極パッド３３、モニタ電極パッド３４、３５及びＩＣ電極パッド３２、素子電極パッド３３と各端子電極１１〜１８とを接続し所定回路網を構成する各種配線パターン３１となる導体膜を形成する。
　【００４２】
　また、セラミック絶縁層１ａ又はセラミック絶縁層１ｂとなるグリーンシートのいずれかに、その接合面に、第１のビアホール導体２５、２６と第２のビアホール導体２７、２８とを接続する内部配線パターン２９、３０を導体膜を、上述の高融点金属ペーストの印刷により形成する。
　【００４３】
　また、セラミック絶縁層１ｃとなる異形状の開口を有する枠状セラミックグリーンシートに、外部端子電極の端面部１１ｂ〜１４ｂ及びＩＣ制御端子電極１５〜１８となる切り欠け部及び凹み部を形成し、その内壁表面を上述の高融点金属ペーストで外部端子電極の端面部１１ｂ〜１４ｂ及びＩＣ制御端子電極１５〜１８となる導体膜を形成する。
　【００４４】
　また、セラミック絶縁層１ｄとなる異形状の開口を有する枠状セラミックグリーンシートに、外部端子電極の端面部１１ｂ〜１４ｂとなる切り欠け部を形成し、その内壁表面を上述の高融点金属ペーストで外部端子電極の端面部１１ｂ〜１４ｂとなる導体膜を形成する。同時に、このグリーンシートの底面となる面の４隅部に概略矩形状の外部電極端子の平面部１１ａ〜１４ａとなる導体膜を形成する。尚、概略矩形状の平面部１１ａは、端面部１１ｂ〜１４ｂと導通するように４つの隅部の切り欠け凹部にまで延出されるように形成される。
　【００４５】
　次に、このような各グリーンシートを積層・圧着した後、焼成処理を行う。特に、容器体１の表面に水晶振動子２を実装し、キャビティー部１０にＩＣチップ３を実装するため、両面の平坦度が重要である。圧着工程においては、容器体１の表面を基準面としてプレスを行うが、キャビティー部１０の底面領域にも均一な圧力でプレスを行うために、例えばキャビティー部１０に補助充填部材を充填したり、また、プレス先端面が平坦な上パンチが凸状の治具でプレスを行ったり、絶縁層１ａ、１ｂと絶縁層１ｃ、１ｄとを分けてプレスを行い、その後両者をプレスにより圧着を行う。
　【００４６】
　次に、容器体１に表面に露出する外部端子電極１１〜１４、ＩＣ制御端子電極１５〜１８、封止用導体パターン１９、水晶振動子用電極パッド２０、２１、ＩＣ電極パッド３２・・・、素子電極パッド３３・・・、モニタ電極パッド３４、３５、各種配線パターン３１、バンプ２２〜２４上にＮｉメッキ、フラッシュ金メッキなどを施して、容器体１が達成される。
　【００４７】
　これにより、容器体１の内部に形成されるビアホール導体２５〜２８及び配線パターン２９〜３１は、モリブデンやタングステンなどの高融点金属導体からなり、容器体１の表面に露出される各電極１１〜１８、封止用導体パターン１９、各電極パッド２０、２１、３２・・・、３３・・・、３４、３５及び各種配線パターン３１は、高融点金属導体上にＮｉ層、金層の多層構造となる。
　【００４８】
　尚、グランド電位となる外部端子電極１３と封止用導体パターン１９との接続構造によって、例えば、セラミック絶縁層１ａ〜１ｄを貫くビアホール導体及び内部配線パターンを、上述のビアホール導体形成及び配線パターン形成時に同時に形成したり、また、例えばセラミック絶縁層１ａ、１ｂの１つの角部のみにも、切り欠け部を形成し、端面部１３ｂを延出させるよう導体膜を形成すればよい。これは、グランド電位に限らず、例えば大きな電流が流れ得る例えばＶＣＣ端子電極１１において、所定配線パターン３１に接続させるにあたり、セラミック絶縁層１ｃ、１ｄの１つの角部のみならず、脚部９内にビアホール導体を形成して、互いに接続させるようにしてもよい。
　【００４９】
　また、容器体１の表面において、水晶振動子用電極パッド２０、２１上に接続用バンプ２２、２３、他方端部側に保持用バンプ２４を、導電性ペーストの重ね印刷により形成したが、Ａｇ粉末を含む導電性ペーストの塗布・焼き付けやＡｇ粉末を含む樹脂ペーストの塗布・硬化などにより形成してもよい。また、接続用バンプ２２、２３を所定高さとするために複数回の塗布を行えばよい。好ましくは、容器体１の表面から接続用バンプ２２、２３の頂点部分までの高さは、例えば１５〜２０μｍであり、保持用バンプ２４の頂点部分までの高さは、接続用バンプ２２、２３よりも例えば５〜１０μｍ程度低い値となっている。
　【００５０】
　さらに、封止用導体パターン１９上に、概略矩形状の金属枠体であるシールリング３６を接合する。シールリング３６は４２アロイ、コバール、リン青銅などからなり封止用導体パターン１９の形状に対応する構造となっている。このシールリング３６は封止用導体パターン１９にろう付けによって接合されている。
　【００５１】
　上述のような容器体１の表面には、水晶振動子２が配置されている。水晶振動子２は、所定カット、例えばＡＴカットされた矩形状の水晶板２ａの両主面に形成された振動電極２ｂ、２ｃ、該振動電極２ｂ、２ｃから一方他端部に延出された島状の引出電極部２ｄ、２ｅとから構成されている。尚、図３において下面側の振動電極２ｃ及び引出電極２ｅは点線で示す。この引出電極２ｄ、２ｅは、水晶振動子用電極パッド２０、２１と導電性接着材２ｆ、２ｇを介して接続するものである。
　【００５２】
　また、振動電極２ｂ、２ｅ及び引出電極２ｄ、２ｅは、水晶板２ａの両面に下地としてＣｒやＮｉ、表面層としてＡｇやＡｕなどの導電性材料の蒸着、スパッタリングなどの薄膜技法により被着形成する。
　【００５３】
　容器体１の表面側に実装された水晶振動子２は金属製蓋体６によって気密的に封止されている。金属製蓋体６は、コバールや４２アロイなどの金属材料からなり、例えば０．１ｍｍの厚みであり、容器体１の表面の封止用導体パターン１９にろう付けされた枠状のシールリング３６と密接されて溶接・接合される。尚、金属製蓋体６の外表面側主面にはＮｉ、アルミニウム等を被着する。これは、溶接時にろう材が融け表面側主面に回り込まないようにして、安定かつ強固な溶接時が結成できるようにするものである。
　【００５４】
　容器体１のキャビティー部１０の底面には、制御回路を構成するＩＣチップ３が実装されている。ＩＣチップ３は、例えば３次の曲線で示される固有温度周波数特性による水晶振動子２の周波数変動を、常温を含む広い温度範囲で平坦化するように制御するのである。具体的には、シリコンチップに周知のＰＮドープにより、発振回路を構成する発振インバータ、負荷容量成分、帰還抵抗に加え、水晶振動子２の固有温度周波数特性を平坦化するために必要な温度補償データを保持するメモリ部、周囲の温度検知する感温センサ部、バリキャップダイオード、所定温度補償データに基づいて所定電圧に変換してバリーキャップダイオードに供給するＤＡ変換手段、外部から書き込まれる信号をメモリー部に保持するＡＤ変換手段、これらの動作を制御するプロセッサー部どから構成されている。
　【００５５】
　このようなＩＣチップ３には、例えば、電源電圧が供給されるＶＣＣ端子、グランド電位となるＧＮＤ端子、水晶振動子２と接続される水晶接続端子、発振出力を行うＯＵＴ端子、外部から周波数の調整を可能とするＶＣＯＮ端子、補償データ書き込みのために用いる例えば４つの温度補償データ書き込み制御端子とを有している。
　【００５６】
　ＩＣチップ３のＶＣＣ端子（電源部）は、所定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１を介して外部端子電極１１に導出されている。また、ＯＵＴ端子は、所定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１を介して外部端子電極１２に導出されている。
　【００５７】
　また、ＧＮＤ端子（一種の電源部）は、所定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１を介して外部端子電極１３に導出されている。ＶＣＯＮ端子は所定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１を介して外部端子電極１４に導出されている。また、２つの水晶接続端子は、所定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１やモニタ電極３４（３５）、導電経路を介して容器体１の表面の電極パッド２０、２１に各々導出されている。さらに、４つのデータ書き込み制御端子は、所定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１を介して各々ＩＣ制御端子電極１５〜１８に導出されている。
　【００５８】
　これらの各端子は例えばＩＣチップ３の実装面上にアルミ電極として形成されている。尚、各アルミ電極上に金や半田などのバンプを形成しておき、上述のＩＣ電極パッド３２・・・に超音波ボンディングや導電性フィラーを用いたボンディングなどによって接合及び接続される。尚、ＩＣチップ３の上面側に各アルミ電極を形成し、例えばボンディングワイヤを介してＩＣ電極パッド３２・・・に接続しても構わないが、キャビティー部１０の形状が大きくならないよう留意する必要がある。
　【００５９】
　電子部品４、５は、例えばチップ状コンデンサである。例えば、電子部品４、５は、一対の素子電極パッド３３、３３間に、Ａｇ粉末を含む導電性樹脂接着材を介して接合される。
　【００６０】
　電子部品４であるコンデンサは、ＩＣチップ３とＯＵＴ外部端子電極１２との間で、一方がグランド電位となるように接続される。これは、出力信号中にノイズとなる直流成分を除去するものである。
　【００６１】
　また、電子部品５であるコンデンサは、ＩＣチップ３とＶＣＣ外部端子電極１１との間に接続され、ＶＣＣ外部端子電極１１に供給される電源電圧に重畳する高周波ノイズを除去するものである。
　【００６２】
　そして、キャビティー部１０内には、このＩＣチップ３と２つ電子部品４、５とがキャビティー部１０の形状に応じて、最も実装スペースを最小にするように並設されている。
　【００６３】
　また、キャビティー部１０には、上述のＩＣチップ３、電子部品４、５を強固に接合させ、また、耐湿信頼性を向上させるために、充填樹脂７が充填形成されている。充填樹脂７は、例えば、少なくとも２種類の充填樹脂から成り、例えばキャビティー部１０底面側に主に充填・硬化される樹脂層７ａと、該樹脂層７ａ上に充填・硬化される樹脂層７ｂである。具体的に、キャビティー部１０の底面側に充填・硬化される収縮率が比較的大きい樹脂材料で構成される。一般にアンダーフィル樹脂と言われるエポキシ樹脂などの樹脂成分が多い材料である。この樹脂層７ａは、少なくともＩＣチップ３の上面を完全に被覆する程度に充填・硬化されている。
　【００６４】
　即ち、ＩＣチップ３、電子部品４、５とキャビティー部１０の底面との間に充填された樹脂層７ａの収縮によって発生する応力によって、両者の接合強度が向上する。しかも、ＩＣチップ３を完全に覆うように形成された樹脂層７ａの収縮によって発生する応力が、ＩＣチップ３に向かって発生する。これにより、応力がＩＣチップ３の上面側側からキャビティー部１０の底面側に押しつけるように働き、キャビティー部１０の底面に接合したＩＣチップ３の接合強度が向上する。
　【００６５】
　また、樹脂層７ｂは、収縮応力の大きい樹脂層７ａによって、ＩＣチップ３や電子部品４、５を被覆する樹脂層７ａの膜厚が薄くなってしまい、その結果、耐湿性などが充分に得られないという問題を解消するために充填・硬化されるものである。これにより、キャビティー部１０内に実装したＩＣチップ３や電子部品４、５の接合強度が向上し、また、耐湿性信頼性が向上する。
　【００６６】
　尚、充填樹脂７は、キャビティー部１０の開口面から突出させないようにする。
　【００６７】
　これは、温度補償型水晶発振器を安定してプリント配線基板に配置するためである。
　【００６８】
　上述の構造の温度補償型水晶発振器では、図４は充填樹脂を省略した状態の下面図に示すように、ＩＣチップ３及び２つの電子部品４、５のみが、容器体１の底面側のキャビティー部１０に実装されている。
　【００６９】
　図４ではＩＣチップ３が２つの電子部品４、５よりも平面形状が若干大きいものであるとして説明している。
　【００７０】
　本発明では、ＩＣチップ３が２つの電子部品４、５との省スペース化を配慮した配置構造及び容器体１の底面構造、即ち、キャビティー部１０の開口形状及び外部端子電極１１〜１４の配置位置である。
　【００７１】
　１つのＩＣチップ３と２つの電子部品４、５とを省スペース化して配置すれば、従来技術のように、ＩＣチップ３及び２つの電子部品４、５とを全体配置形状が矩形状となるように実装し、キャビティー部１０の開口形状も矩形状とすべきである。
　【００７２】
　しかし、従来技術のように、矩形状のキャビティー部で複数のＩＣチップ、電子部品を実装するために、いたずらに大きくしてしまうと、キャビティー部の周囲に形成する外部端子電極の形成位置、大きさに制約が発生し、容器体の底面積を大きくするか、または、外部電極端子を非常に小型化せざる得ない。
　【００７３】
　本発明では、ＩＣチップ３のような平面形状が大きな部品を中心に、その周囲に形状の小さい電子部品４、５を配置するようにキャビティー部１０に実装している。
　【００７４】
　具体的には、容器体１の幅方向の中心線（図面の左右に延びる線）に沿って、電子部品４、ＩＣチップ３、電子部品５と配置している。上述の電子部品４、５の形状が若干小さいため、電子部品４、ＩＣチップ３、電子部品５の全体の配置形状が概略十字形状となっている。
　【００７５】
　従って、キャビティー部１０の平面開口（底面）形状も、電子部品４、ＩＣチップ３、電子部品５の全体の配置構造に略相似関係の概略十字形状となっている。
　【００７６】
　そして、容器体１の矩形状の底面に対して、概略十字形状のキャビティー部１０が形成されており、容器体１の矩形状の底面と十字形状のキャビティー部１０とによって形成される容器体１の４つの隅部の領域に外部端子電極１１〜１４が配置されている。
　【００７７】
　図４では、キャビティー部１０は、隣接しあう２つ外部端子電極１１と１４との間の底面領域に、キャビティー部１０の一部が延出するように広がった張出部１０ａを有し、例えば、電子部品５が主に配置されている。
　【００７８】
　また、隣接しあう２つ外部端子電極１２と１３との間の底面領域に、キャビティー部１０の一部が延出するように広がった張出部１０ｃを有し、例えば、電子部品４が主に配置されている。
　【００７９】
　尚、隣接しあう２つ外部端子電極１１と１２との間及び１３と１４との間の底面領域に、キャビティー部１０の一部が延出するように広がった張出部１０ｂ、１０ｄを有している。この張出部１０ｂ、１０ｄには、ＩＣチップ３の一部が配置されており、これにより、キャビティー部１０の全体形状、即ち、キャビティー中央部１０ｅ、４つの張出部１０ａ〜１０ｄの形状の小型化を達成している。
　【００８０】
　以上のように、図４に示す容器体１の矩形状の底面形状において、４つの張出部１０ａ〜１０ｄ及び中央部１０ｅから成る十字状のキャビティー部１０と、十字状キャビティー部１０のデッドスペースである４つの隅部で外部端子電極１１〜１４を配置しているため、容器体１の底面全体では、全く無駄なスペースが存在せず、容器体１のプリント配線基板への実装面積を非常に小型化することができる。
　【００８１】
　しかも、張出部１０ａと張出部１０ｂとによって形成される隅部にＶＣＣ電位が供給される外部端子電極１１を配置している。そして、張出部１０ａに配置する電子部品５を電源電圧に重畳される高周波ノイズ成分をカットするコンデンサを用いれば、所定配線パターン３１による接続も非常に簡単になる。また、他の配線パターン３１の引回しの制約が解消される。
　【００８２】
　また、張出部１０ｂと張出部１０ｃとによって形成される隅部に発振出力を行うＯＵＴ端子となる外部端子電極１２を配置している。そして張出部１０ａに配置する電子部品４を出力信号に重畳されるノイズ成分をカットするコンデンサを用いれば、所定配線パターン３１による接続も簡単になり、また、他の配線パターン３１の引回しの制約が解消される。尚、張出部１０ｂと張出部１０ｃとによって形成される隅部にグランド電位のＧＮＤ端子となる外部端子電極１３を配置しているため、ノイズ成分をカットするため、一方端がグランド電位に接続されるコンデンサ（電子部品４）として非常に接続が簡単となる。
　【００８３】
　また、従来技術の水晶発振器では、小型化のために、発振動作を制御する回路としてＩＣチップ５３のみを容器体５０の底面側キャビティー部５７に実装している。
　【００８４】
　本実施例では、ＩＣチップに集積が困難な大容量のコンデンサをもチップ状電子部品４、５として、容器体１のキャビティー部１０に実装できる。このため、プリント配線基板に搭載する電子部品の部品数も減少し、配線も簡単になり、移動体通信機等で要求される小型化にも大きく寄与でき、しかも取り扱いも非常に容易となる温度補償型水晶発振器である。
　【００８５】
　次に、上述の温度補償型水晶発振器の組立方法を説明する。
　【００８６】
　まず、上述した容器体１、水晶振動子２、ＩＣチップ３、コンデンサなどの電子部品４、５及び金属製蓋体６を用意する。尚、容器体１の表面には、シールリング３６がろう付けなどにより接合し、電極パッド２０、２１上にバンプ２２、２３を形成しておく。さらに、ＩＣチップ３実装面の各入出力部のアルミ電極上に、金バンプを形成しておく。
　【００８７】
　次に、水晶振動子２の実装を行う。具体的には、容器体１の表面の水晶振動子用電極パッド２０、２１上に形成した接続用バンプ２２、２３と、水晶振動子２の引出電極部２ｄ、２ｅとが合致するように位置決め載置し、引出電極部２ｄ、２ｅと電極パッド２０、２１とをＡｇ等の導電性接着材２ｆ、２ｇを用いて両者を接合する。尚、水晶振動子５の他端側の下面は、保持用バンプ２４上に載置されて接合が行われるが、この時、導電性接着材の硬化時に収縮応力が働き、水晶振動子２の他端側先端を持ち上げり、容器体１の表面との間に、接続用バンプ２２、２３の高さに相当する間隙を形成する。
　【００８８】
　これにより、水晶振動子２の振動電極２ｂ、２ｃは、電極パッド２０、２１、第１のビアホール導体２５、２６、内部配線パターン２９、３０及び第２ビアホール導体２７、２８を介して、キャビティー部１０の底面に形成した所定配線パターン３１及びモニタ電極パッド３４、３５に導出されることになる。
　【００８９】
　次に、水晶振動子２の周波数調整を行う。具体的にはこのモニター電極パッド３４、３５に周波数測定装置の測定用端子（プローブ）を接触させ、水晶振動子２を所定発振させて、周波数を測定する。その結果に基づいて、容器体１に接合された水晶振動子２の上面側の振動電極２ｂ上に、Ａｇなどの金属の蒸着を行い、実質的に振動電極２ｂの質量を変動させて発振周波数の調整を行う。
　【００９０】
　次に、水晶振動子２の調整した周波数を安定化させる。具体的には、水晶振動子２が接合した容器体１全体を、１５０〜２５０℃で熱処理を行う。この熱処理を一般に熱エージングという。この熱エージングにより、振動電極２ｂ上に被着した周波数調整用の蒸着物を安定化させ、また、導電性ペーストなどに含まれている溶剤などの不純物を揮発させる。
　【００９１】
　次に、金属製蓋体６の封止をおこなう。具体的には、シールリング３６上に、金属製蓋体６を載置し、金属製蓋体６の周囲をシーム溶接用のローラー電極（図示せず）で、溶接電流を印加しながら接触移動させて両者を溶接する。
　【００９２】
　次に、ＩＣチップ３や電子部品４、５をキャビティー部１０内に実装を行う。具体的には、まずＩＣチップ３の実装は、ＩＣチップ３に形成した各Ａｕバンプと各ＩＣ電極パッド３２・・・とが合致するように、ＩＣチップ３を位置決め載置し、その後、ＩＣチップ３に超音波などを印加して互いに融着させる。
　【００９３】
　また、電子部品４、５の接合は、素子電極パッド３３・・・・にＡｇ粉末などを含む導電性樹脂ペーストを塗布し、電子部品４、５を載置し、導電性樹脂ペーストをキュアーして硬化する。
　【００９４】
　次に、ＩＣチップ３、電子部品４、５を充填樹脂７で充填・被覆する。具体的には、キャビティー部１０内に配置されたＩＣチップ３や電子部品４、５の全体を、一般にアンダーフィルと言われる樹脂材料で完全に覆い、硬化し、さらにこの樹脂層上に耐湿性に優れたエポキシ樹脂を充填・硬化する。即ち、充填樹脂７を積層構造で構成してもよい。
　【００９５】
　次に、温度補償型水晶発振器の所定動作のため、予め周波数調整工程によって決定された水晶振動子２の温度周波数特性に基づいて、ＩＣチップ３のメモリ部に、この温度周波数特性を、常温を含む広い温度範囲で平坦化するための温度補償データ等を、ＩＣ制御端子１５〜１８を用いて入力する。
　【００９６】
　尚、必要に応じて、書き込んだ補償データによって、動作確認を行い、再度修正の補償データを書き込んでも構わない。
　【００９７】
　この温度補償動作は、例えば、所定温度における水晶振動子２の発振周波数が、基準周波数からの変動量を、バリキャップダイオードの容量の調整によって補正するものであり、温度補償データは、感温手段による周囲温度に基づいて、周波数変位量を補正するために、バリキャップダイオードの容量を制御する電圧を適正化するためのデータである。これにより、水晶振動子２が有する固有の温度周波数特性は、常温を含む広い温度範囲で平坦化されることができる。
　【００９８】
　上述の温度補償型水晶発振器では、外部端子電極１１〜１４を容器体１の底面に配置し、ＩＣ制御用端子電極１５〜１８を容器体の側面に配置しているため、容器体１の底面は何等変動がなく、外部端子電極１１〜１４とキャビティー部１０のみで専有することができ、装置全体の小型化が維持できる。
　【００９９】
　また、図２に示すように、ＩＣ制御用端子電極１５〜１８は、容器体１の側面で、セラミック絶縁層１ａ及び１ｄの端面部分には形成されていない。表面側のセラミック絶縁層１ａを避けて形成したのは、ＩＣ制御用端子電極１５〜１８と封止用導体パターン１９との短絡を防止するためである。仮に、ＩＣ制御用端子電極１５〜１８と封止用導体パターン１９とが短絡してしまうと、例えばシーム溶接時の溶接電流がＩＣ制御用端子電極１５〜１８が流れ、温度補償データが消去されたり、また、ＩＣチップ３の誤動作の原因となってしまう。
　【０１００】
　また、底面となるセラミック絶縁層１ｄを避けて形成したのは、ＩＣ制御用端子電極１５〜１８と外部端子電極１１〜１４やプリント配線基板などの配線パターンとの短絡を防止するためである。
　【０１０１】
　さらに、図２のように、ＩＣ制御用端子電極１５〜１８は、表面側のセラミック絶縁層１ａと底面側のセラミック絶縁層１ｄによって挟持される他のセラミック絶縁層１ｂ、１ｃの端辺に、厚み方向に形成された半円形状の凹み部を形成し、その内壁表面に上述の高融点金属ペーストの焼き付けにより形成されている。
　【０１０２】
　即ち、ＩＣ制御用端子電極１５〜１８は、容器体１の長辺側側面に形成されているものの、実際には側面表面から凹んでいる。このようにすれば、外的要因に導電性異物がＩＣ制御用端子電極１５〜１８に接触しようとしても実際には接触されにくく、ＩＣチップ３に保持した温度補償データの安定的な保持でき、また、ＩＣチップ３の誤動作を未然に防止できる。
　【０１０３】
　また、外部端子電極１４を省略して、矩形状の容器体１の底面の３つの隅部に外部端子電極１１〜１３を形成した温度補償型水晶発振器であっても、本発明の範囲から逸脱するものではない。
　【０１０４】
　容器体１を少なくとも３層以上で構成すれば、表面側のセラミック絶縁層と底面側のセラミック絶縁層とに挟まれたセラミック絶縁層が存在する。そして、このセラミック絶縁層の端辺を利用すれは、容器体の側面に、表面及び底面側に到達することがないＩＣ制御用端子電極を形成することができる。
　【０１０５】
　また、セラミック絶縁層の積層数が多い場合、中間に位置している任意のセラミック絶縁層にＩＣ制御用端子電極を形成すればよい。
　【０１０６】
　【発明の効果】
　本発明では、水晶振動子の安定且つ高性能に動作させるために必要なＩＣチップを制御するＩＣ制御用端子電極が、容器体の側面に配置されている。これにより、外部端子電極やキャビティー部で容器体の底面を利用することになり、ＩＣ制御用端子電極が必要となっても，容器体の底面形状の小型化を維持できる。
　【０１０７】
　しかも、容器体の表面及び底面にまで、到達することがないため、封止用導体パターンと短絡することがなく、金属製蓋体の取着時に溶接電流のによって、ＩＣチップを破壊されることがない。また、プリント配線基板への半田接合時に、他の配線パターンと短絡することがないため、ＩＣチップに保持された補償データ等を安定して保持でき、安定した動作が維持できることになる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明は温度補償型水晶発振器の断面図である。
　【図２】
　本発明は温度補償型水晶発振器の側面図である。
　【図３】
　本発明は温度補償型水晶発振器の蓋体省略した状態の上面図である。
　【図４】
　本発明は温度補償型水晶発振器の充填樹脂を省略した下面図である。
　【図５】
　本発明の内部配線パターンを示す概略平面図である。
　【図６】
　従来の温度補償型水晶発振器の断面図である。
　【図７】
　従来の温度補償型水晶発振器の省略した上面図である。
　【図８】
　従来の温度補償型水晶発振器の下面図である。
　【符号の説明】
　１・・容器体
　２・・水晶振動子
　３・・ＩＣチップ
　４、５・・電子部品
　６・・・金属製蓋体
　７・・・充填樹脂
　１０・・・キャビティー部
　１１〜１４・・・外部端子電極
　１５〜１８・・・ＩＣ制御端子電極