【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４５５００８０号「半導体装置および液晶モジュール」の特許無効審判事件についてされた平成２４年　９月１９日付け審決に対し，知的財産高等裁判所において審決取消の判決（平成２４年（行ケ）第１０３７３号平成２５年　９月３０日判決言渡）があったので，さらに審理のうえ，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
　審判費用は，請求人の負担とする。
【理　由】
１　手続の経緯
　
　本件特許は，平成１５年６月３０日にした特許出願（特願２００３−１８８８５４号）の一部を平成１９年３月２６日に新たな特許出願（特願２００７−７９８８１号）としたものに係り，平成２２年７月１６日に特許権の設定登録がなされたものである（上記もとの特許出願の日を，以下「原出願日」という。）。
　その後，請求人住友金属鉱山株式会社（以下単に「請求人」という。）は，平成２４年１月３０日に本件無効審判を請求し，平成２４年９月１９日付けで「特許第４５５００８０号の請求項１ないし請求項６に係る発明についての特許を無効とする。」との審決がなされたところ，平成２５年９月３０日に知的財産高等裁判所において，上記審決取消の判決（平成２４年（行ケ）１０３７３号平成２５年９月３０日判決言渡）があったので，本件について更に審理する。
　なお，本件特許については，平成２３年１１月２１日に請求人から別途無効審判が請求されているが（無効２０１１−８００２４１号），本件無効審判事件を先に審理することとしたため，当該無効審判事件については，手続を中止している。
　
２　本件特許発明
　
　本件特許第４５５００８０号の請求項１ないし請求項６に係る発明（以下「本件特許発明１」〜「本件特許発明６」という。）は，特許明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜請求項６に記載された次のとおりのものと認める。
 　
　「【請求項１】
　絶縁性を有するベースフィルム，該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層，および該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなると共に表面にスズメッキが施された配線層を有する半導体キャリア用フィルムと，前記配線層に接続された突起電極を有する半導体素子とを備える半導体装置であって，
　前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり，そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において，配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍであり，
　前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有し，
　前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより，前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制することを特徴とする半導体装置。」
　（以下「本件特許発明１」という。）
【請求項２】
　前記半導体素子接合用配線の端子間ピッチが１００μｍ以下となる箇所を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。」
　（以下「本件特許発明２」という。）
【請求項３】
　前記バリア層のクロム含有率が１５〜３０重量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。」
　（以下「本件特許発明３」という。）
【請求項４】
　前記バリア層の厚みが１０〜３５ｎｍであることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体装置。」
　（以下「本件特許発明４」という。）
【請求項５】
　前記ベースフィルムの厚みが２５〜５０μｍであることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の半導体装置。」
　（以下「本件特許発明５」という。）
【請求項６】
　請求項１から５の何れか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする液晶モジュール。」
　（以下「本件特許発明６」という。）
　
３　請求人の主張の概要
　
　審判請求人は，本件特許４５５００８０号の特許を無効とする，審判請求費用は被請求人の負担とするとの審決を求めており，証拠方法として，審判請求書とともに甲第１号証〜甲第１３号証を，平成２４年６月２９日付の口頭審理陳述要領書とともに甲第１４号証を提出し，これらの書証をもって以下に示す理由により無効にされるべきであると主張している。
　
＜理由＞
　本件特許の請求項１〜６に係る発明は，本件出願前に頒布された特開平６−１２０６３０号公報に開示された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定による無効にされるべきである。
　
＜証拠方法＞
　甲第１号証：特許第４５５００８０号公報
　甲第２号証：特開平６−１２０６３０号公報
　甲第３号証：２００３年５月２０日に技術情報協会により頒布されたテキ
　　　　　　　スト「セミナーテキストＮＯ．１」
　甲第４号証：２００２年８月に被請求人により頒布された製品カタログ
　　　　　　　「ＳＨＡＲＰ液晶用ＬＳＩ2002.8」
　甲第５号証：２００１年１２月に(株)工業調査会により発行された雑誌
　　　　　　　「Ｍ＆Ｅ」２００１年１２月号
　甲第６号証：２００３年５月１５日に日本材料学会により発行された学会
　　　　　　　誌「材料」に掲載された論文「プリント配線板の耐イオンマ
　　　　　　　イグレーション性に関する研究」
　甲第７号証：２００３年１月２０日に(株)技術調査会により発行された雑
　　　　　　　誌「エレクトロニクス実装技術」に掲載された「ＴＡＢ材料
　　　　　　　の現状と今後」
　甲第８号証：平成１２年２月２９日に丸善株式会社により発行された書籍
　　　　　　　「腐食・防食ハンドブック」
　甲第９号証：平成１１年９月３０日に丸善株式会社により発行された書籍
　　　　　　　「金属の百科事典」
　甲第１０号証：２００１年８月２０日に岩波書店により発行された書籍
　　　　　　　　「岩波理化学辞典　第５版」
　甲第１１号証：特開平７−２８３５２５号公報
　甲第１２号証：昭和４８年８月３０日に日刊工業新聞社により発行された
　　　　　　　　書籍「ステンレス鋼便覧」
　甲第１３号証：昭和４１年９月３０日に(株)地人書館により発行された書
　　　　　　　　籍「非鉄材料の選定と加工」
　甲第１４号証：１９９６年１２月に回路実装学会((社)プリント回路学会)
　　　　　　　　により発行された信頼性解析技術委員会絶縁信頼性評価研
　　　　　　　　究会技術報告
　　　　　　　　「イオンマイグレーションの試験方法ノウハウ集」
　
４　被請求人の主張の概要
　被請求人は，平成２４年４月２３日の答弁書において，「本件審判請求は成り立たない。審判費用は請求人の負担とする。」との審決を求めており，前記答弁書，平成２４年６月２９日付の口頭審理陳述要領書及び同年８月２４日付の上申書によれば，被請求人の主張は，概ね下記のとおりである。被請求人は，口頭審理陳述要領書とともに乙第１号証の１〜乙第２０号証を提出している。 
　なお，請求人は，乙第１号証の１，乙第１号証の２及び乙第１２号証の成立について不知としている。 
 　 
（１）本件特許発明は，従来のメタライジング法で形成された半導体キャリアフィルムでは，端子間距離を小さくした場合又は端子間電圧を大きくした場合に，高温高湿環境下で，端子間にマイグレーションが発生するという問題を解決するものである。本件特許発明は，請求項１の構成要件の全てを有機一体的に具備することにより，バリア層の表面抵抗率・体積抵抗率が向上するため，バリア層を流れる電流が小さくなり，配線層を形成する銅の腐食を抑制することができ，また，バリア層の表面電位が標準電位に近くなるため，バリア層を形成している成分の水分中への溶出を抑制することができ，端子間のマイグレーションの発生をなくし，ファインピッチ化や高出力化に適用できるものである。 
　
（２）引用発明は，プリント配線基板において，クロム層及び銅層を１種類のエッチング溶液で連続的にエッチング処理することができないという課題を解決するために，中間層としてＮｉが５ａｔ％〜８０ａｔ％のＮｉ−Ｃｒ合金層を設けることにより，１０００ｇ／ｃｍの高い密着強度を有するとともに，１種類のエッチング溶液で配線パターンを形成するものである。したがって，本件特許発明と引用発明とは発明の課題が明らかに異なる。そして，甲第２号証の実施例には，Ｎｉの含有率を５ａｔ％（クロム含有率が９４重量％）とした例も示されており，Ｎｉの含有率を８０ａｔ％（クロム含有率１８重量％）とすることに限定されていない。 
 　 
（３）本件特許発明では，「バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより，バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」のに対し，引用発明では，「Ｎｉ−Ｃｒ合金層におけるＮｉが５ａｔ％〜８０ａｔ％（クロム含有率９４〜１８重量％）とすることにより，１０００ｇ／ｃｍの高い密着強度を有し，かつ１種類のエッチング溶液で形成する」ものであり，バリア層のクロム含有率の範囲及び目的，効果において相違する。 
　
（４）甲第２〜４号証には，引用発明のプリント配線基板を「半導体キャリア用フィルムと，配線層に接続された突起電極を有する半導体素子とを備える半導体装置」として利用する積極的な動機付けは存在しない。 
 　 
 （５）甲第３号証及び甲第５号証には，ＣＯＦにおける配線ピッチの例が記載されているが，半導体素子の出力が示されておらず，甲第４号証には，半導体素子における液晶駆動電圧の最大値は記載されているが，配線ピッチは示されておらず，いずれも電界強度は示されていない。 
 　 
（６）甲第６号証の「一般的なプリント配線板の信頼性試験では３〜５Ｖ程度が使用される」という記載からすると，一般的なプリント配線基板は３〜５Ｖ程度（ラインピッチ２０μｍだと，１．５×１０５〜２．５×１０５Ｖ／ｍ）が想定されており，「複数の半導体素子接合用配線の少なくとも隣り合う二つの間において，配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍとすること」は一般的ではない。 
 　 
（７）甲第６号証では，具体的なイオンマイグレーションの発生メカニズムが解明できておらず，その解決手段も見出していない。甲第７号証によれば，マイグレーション発生の原因はシード層の残りであり，その解決手段としては，シード層の除去剤などで適切な処理をするだけである。いずれの証拠にも，引用発明において，「バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより，バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」ことの動機付けとなる記載は存在しない。 
 　 
（８）甲第１４号証に何らかの基準が記載されていたとしても，甲第３号証スライド２１の「ＣＯＦ用２層テープの絶縁信頼性試験結果」において，かかる基準を採用していたことにはならない。また，甲第１４号証には，定数ｎについて「試験条件や試験の種類によっては０．５〜２程度の値が報告されていますので，実施にあたっては定数を確認する必要があります。」と記載されており，該記載をもって，試験印加電圧が実使用印加電圧の４倍とすることが普遍化されるものではない。 
　
（９）甲第４号証には，具体的なＳＯＦのパッドピッチは記載されておらず，ＴＣＰとＳＯＦは異なる構造のものとして説明されている。当業者は，特別にファインピッチ化を目的として開発された「超多ピン・ファインピッチＴＣＰ」の「パッドピッチ５０μｍ」という構造がＳＯＦにおいても適用できるとはいえない。 
　
（１０）また，提出した乙第１号証の１〜乙第１７号証から，本件特許出願に至る経緯を説明し，乙第１８号証〜乙第２０号証から，本件特許出願当時，一般的に使用されていたクロム７重量％，ニッケル９３重量％の組成比を持つニッケル−クロム合金のバリア層を有する半導体キャリア用フィルムのバリア層の組成を変更する動機付けが無く，バリア層のクロム含有量を増やすとエッチングが困難になることから，バリア層のクロム含有量を増やす変更が，通常選択されない。
　
＜証拠方法＞ 
　乙第１号証の１：２００２年１２月９日付 
　　　　　　　　　「後半プロセスＤＲ委員会確認書」 
　乙第１号証の２：２００２年９月１１日〜２００３年４月２２日付 
　　　　　　　　　「設計ＤＲ委員会確認書」 
　乙第２号証：２００２年１２月１９日付電子メール及び添付資料 
　乙第３号証：２００２年１２月２０日付 
　　　　　　　「ＬＨ１６５ＭＱＣ不良解析結果」 
　乙第４号証：２００２年１２月２６日付 
　　　　　　　「基板レス液晶ドライバーＬＨ１６５Ｍ××の技術依頼生産
 　　　　　　　承認願い」 
　乙第５号証：２００３年１月６日付被請求人社内会議メモ 
　乙第６号証：２００３年１月８日付被請求人社内会議メモ 
　乙第７号証：２００３年１月１０日付 
　　　　　　　「ＬＨ１６５Ｍ　８５／８５バイアス試験不具合に対する見
 　　　　　　　解」 
　乙第８号証：２００３年１月１２日付電子メール及び添付資料 
　乙第９号証：２００３年１月２１日付電子メール 
　乙第１０号証：２００３年１月２７日付被請求人社内説明会議事録及び添
　　　　　　　　付資料 
　乙第１１号証：２００３年１月３０日付電子メール 
　乙第１２号証：２００３年２月１２日付 
　　　　　　　　「ＬＨ１６５Ｍ技術依頼生産対応の件」 
　乙第１３号証：２００３年２月２０日付電子メール及び添付資料 
　乙第１４号証：２００３年２月１４日付電子メール及び添付資料 
　乙第１５号証：２００３年３月１８日付 
　　　　　　　　「材料別のリーク電流測定結果（実装応用での測定）」 
　乙第１６号証：２００３年３月１８日付 
　　　　　　　　「ＴＥＧによる８５／８５×５００Ｈバイアス試験結果 
　　　　　　　　（配線裏面腐食）」 
　乙第１７号証：２００３年４月２１日付電子メール及び添付資料 
　乙第１８号証：特開２００５−６７１４５号公報 
　乙第１９号証：特開２００６−３１０３６０号公報 
　乙第２０号証：特開２００９−２８３８７２号公報 
　
５　原出願日前に頒布された甲第２号証〜甲第１４号証の記載等
　
（１）甲第２号証
　甲第２号証（特開平６−１２０６３０号公報）には，プリント配線基板用の銅箔に関し，図面とともに次の事項が記載されている（下線は，当合議体で付加した。以下同様。）。
　
　ア「【請求項１】プリント配線基板用の銅箔において，支持基板と銅層との間に中間層としてＮｉが５at％〜８０at％のＮｉ−Ｃｒ合金層を設けたことを特徴とするプリント配線基板用の銅箔。」
　
　イ「【０００１】
 【産業上の利用分野】本発明は，プリント配線基板用の銅箔に関し，更に詳しくは，配線パターンを形成するためのエッチング処理を容易に行うことが出来，支持基板に対して優れた密着性を有するプリント配線基板用の銅箔に関する。
 【０００２】
 【従来の技術】従来，プリント配線用の銅箔を被覆するための支持基板としては，テープ自動ボンデイング（ＴＡＢ）用，フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）用には，配線パターンと素子をハンダ付けを必要とする場合は耐熱性の要求性からポリイミド，ポリアミド等の耐熱性の高分子フィルムが，またハンダ付けを必要としない場合はポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等の高分子フィルムが知られており，また，リジット配線用にはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３），ガラスエポキシ等のセラミックが知られている。そしてこれらの支持基板に厚さ１２〜５０μｍ程度の圧延銅箔或いは電解銅箔を接着剤で貼着してプリント配線基板用の銅箔とし，該銅箔に配線パターンを施していた。」
　
　ウ「【０００５】また，高分子フィルム，セラミック等の支持基板と，その表面に被覆せる銅層との密着性は，その界面に酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ）等の脆弱層が発生するために非常に弱く，プリント配線基板に要求される銅層との密着強度１０００ｇ／ｃｍを維持するために通常，支持基板と銅層との間に中間層としてクロム層を設けていた。」
　
　エ「【００１２】しかしながら，クロムは耐食性に優れているから銅層と同じエッチング溶液ではパターンを形成することが出来ず，塩化第２鉄と塩酸との混合液で行うようにしているので，１種類のエッチング溶液で銅箔とクロム層のエッチング処理を連続的に行えず，従って，エッチング処理が２工程となり，しかもクロム層へのエッチング処理は短時間で行わなければならないから，エッチング処理は複雑となるばかりではなく，全体のエッチング処理が長時間となるため，クロム層ｂへのエッチング処理時に既にエッチングされている銅層ｃ，ｄの側壁にオーバーエッチングが進行して配線パターンに欠陥部が生じて断線に至るという問題がある。」
　
　オ「【００１４】本発明はかかる問題点を解消し，１種類のエッチング溶液で配線パターンを形成することが出来，中間層としてクロム層を介在させた場合と同等の密着強度を有するプリント配線基板用の銅箔を提供することを目的とする。」
　
　カ「【００２５】実験例
本実験例では支持基板１上へのＮｉ−Ｃｒ合金層２，銅層３，銅層４の形成を次のように行った。
【００２６】先ず，
厚さ５０μｍのポリイミドから成る支持基板１
厚さ２００Åの図２示すようなＮｉの含有量が異なった種々のＮｉ−Ｃｒ合金層２を形成し
Ｎｉ−Ｃｒ合金層２上に厚さ２０００Åの銅層３を連続形成し
【００２７】尚，支持基板１上に形成するＮｉ−Ｃｒ合金層２のＮｉの含有量調整は，Ｎｉ−Ｃｒ合金の組成（ＣｒへのＮｉドープ量）を変化させたターゲットを用いて行い，また，Ｎｉ−Ｃｒ合金層２上に形成する銅層３は９９．９９％の無酸素銅をターゲットとした。
【００２８】続いて，該支持基板１を２０wt％の硫酸銅溶液中に浸漬し，電解メッキ法で銅層３上に厚さ２０μｍのメッキ銅層４を形成した後，該支持基板１を電解メッキ槽より取り出し，洗浄処理を行って，中間層としてＮｉ含有量の異なるＮｉ−Ｃｒ合金層を有する各基板用銅箔を作成した。
【００２９】作成された各基板用銅箔の銅層３，４に配線パターンを形成すべく，常法に従い，レジスト材を塗布して露光し，
ラインスペース２０μｍのレジストパターンを形成し
エッチング溶液中への浸漬によるエッチング処理
銅層３，４に所定の配線パターンを形成した
【００３０】そして，各基板用銅箔の支持基板１と銅層３，４との密着強度（ｇ／ｃｍ）を１８０°反転剥離法（ＪＰＣＡ−ＦＣ０１−４．４に準拠）により測定し，その測定結果を図２に示す。
【００３１】また，配線パターンが形成された各基板用銅箔の断面形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し，その模式を図３に示した。尚，図３にはＮｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉ含有量が０at％，４at％，５at％並びに８０at％の場合のみを示した。
【００３２】図２から明らかなように，Ｎｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉが１at％〜８０at％の範囲で，Ｎｉを全く含まないクロム層のみの場合と同等の密着強度が得られることが確認された。また，図３から明らかなように，Ｎｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉが４at％の場合，Ｎｉを全く含まないクロム層の場合は，エッチング処理時に中間層であるクロム層またはＮｉが４at％のＮｉ−Ｃｒ合金層がエッチングされることなくそのまま残渣として残存するが，Ｎｉが５at％，８０at％のＮｉ−Ｃｒ合金層はエッチング時に，その上に形成されている銅層と一緒に除去されて配線パターンが確実に形成出来ることが確認された。
【００３３】前記の如く，本発明の中間層としてＮｉが５at％〜８０at％のＮｉ−Ｃｒ合金層を有する銅箔は，１０００ｇ／ｃｍの高い密着強度を有し，かつ１種類のエッチング溶液で配線パターンを確実に形成することが可能となり，プリント配線基板の配線パターン形成の際，工程の簡略化，製品の歩留まりアップ，コストの削減に大きく寄与出来る。」
　
　キ　図３には，Ｎｉ＝０at％（従来の銅箔），Ｎｉ＝４at％，Ｎｉ＝５at％及びＮｉ＝８０at％の４つの場合について，それぞれエッチング処理後の模式図が示されており，Ｎｉ＝０at％の模式図中に記載された所要の寸法によれば，銅層の配線幅が２０μｍであること，また，隣り合う銅層の配線間の距離が２０μｍであることが看取できる。この寸法は，Ｎｉ＝４at％，Ｎｉ＝５at％及びＮｉ＝８０at％の場合でも共通することは明らかである。また，上記カの段落【００２９】の「配線パターンを形成すべく，常法に従い，レジスト材を塗布して露光し，ラインスペース２０μｍのレジストパターンを形成」するという記載から，配線が複数あることも明らかである。
　
　ク　段落【０００２】に「配線パターンと素子をハンダ付けを必要とする場合は耐熱性の要求性からポリイミド，ポリアミド等の耐熱性の高分子フィルムが，またハンダ付けを必要としない場合はポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等の高分子フィルムが知られており」との記載があること，プリント配線基板の配線に半導体素子を接続することはプリント配線基板の代表的な使用形態の一つであることから，甲第２号証には，プリント配線基板の配線に半導体素子を接続した半導体装置の発明が実質的に記載されているといえる。 
　
　ケ　段落【００３１】〜【００３３】及び図３には，Ｎｉ−Ｃｒ合金層におけるＮｉの含有率を５at％，２０at％，８０at％とした例，すなわちＣｒの含有率を９５at％，８０at％，２０at％とした例が記載されているところ，原子数割合で表された該Ｃｒの含有率は，重量割合に変換すると，Ｃｒの原子量を５２，Ｎｉの原子量を５８．６９として，それぞれ，約９４重量％（＝５２×９５／（５２×９５＋５８．６９×５）），約７８重量％（＝５２×８０／（５２×８０＋５８．６９×２０）），約１８重量％（＝５２×２０／（５２×２０＋５８．６９×８０））である。
　
（２）引用発明
　以上を総合すると，甲第２号証には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
　「厚さ５０μｍのポリイミドから成る支持基板１，支持基板１の上に形成された厚さ２００Å（２０ｎｍ）のＮｉ−Ｃｒ合金層２，Ｎｉ−Ｃｒ合金層２の上に形成された銅層３，４を有するプリント配線基板を備え，Ｎｉ−Ｃｒ合金層２と銅層３，４をエッチング処理により所定の配線パターンに形成した複数の配線に半導体素子を接続した半導体装置であって，該複数の配線は，配線幅及び配線間距離がいずれも２０μｍの配線パターンであり，Ｎｉ−Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率が１８〜９４重量％である半導体装置。」 
　
（３）甲第３号証
　甲第３号証（２００３年５月２０日に技術情報協会により頒布されたテキスト「セミナーテキストＮＯ．１」）には，（１）ＩＣを金バンプを介してＰＩフィルム（ポリイミドフィルム）上のインナーリードに接続すること（スライド３）（２）ＣＯＦテープの開発課題として高信頼性化対応があり，高信頼性化対応とは耐マイグレーション性を含むこと（スライド５），（３）基板・パッケージの長期絶縁信頼性における主な劣化要因のうち，環境条件として電界（バイアス電圧）があり，その主な作用がイオン（銅）マイグレーションであること（スライド２０），（４）ＣＯＦ用２層テープの絶縁信頼性試験が，「評価パターン：櫛形電極，Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍ，Ｓｎめっき厚：０．５μｍ，ソルダーレジスト：ポリイミド系，試験条件：８５℃／８５％ＲＨ，ＤＣ５５Ｖ印加」の条件の下で行われたこと（スライド２１），が記載されている。
　
（４）甲第４号証
　ア　甲第４号証（２００２年８月に被請求人により頒布された製品カタログ「ＳＨＡＲＰ液晶用ＬＳＩ２００２．８」）には，（１）ノートＰＣ／ＰＣモニタ用ＴＦＴ液晶ドライバの液晶駆動電圧（Ｖ）ＭＡＸが５．５Ｖ〜４２Ｖであること，形名ＬＨ１６８Ｖのものは，出力数が４８０で液晶駆動電圧（Ｖ）ＭＡＸが１３ＶでパッケージがＴＣＰ／ＳＯＦであること（８ページ），（２）ファインピッチ技術を駆使し，３５ｍｍテープで４８０出力（パッドピッチ５０μｍ，アウターリードピッチ５５μｍ）の超多ピン・ファインピッチＴＣＰを開発されたこと（１１ページの超多ピン・ファインピッチＴＣＰの欄），が記載されている。
　
（５）甲第５号証
　甲第５号証（２００１年１２月に(株)工業調査会により発行された雑誌「Ｍ＆Ｅ」２００１年１２月号，９５ページの表２）には，インナーリードピッチ（３０／（２０）μｍ）について記載されている。
　
（６）甲第６号証
　甲第６号証（２００３年５月１５日に日本材料学会により発行された学会誌「材料」に掲載された論文「プリント配線板の耐イオンマイグレーション性に関する研究」）には，（１）隣接配線間においてイオン化した金属が絶縁間隙を移行・析出するイオンマイグレーション（ＩＭ）現象による絶縁劣化が，電子機器の信頼性低下を招いていること（５２９ページ左欄７行〜１１行），（２）イオンマイグレーションの発生原理は電気化学反応に基づく電極金属のイオン化であり，具体的には，電解質（多くの場合は水）を介した二つの電極間に直流電圧が印加されると，陽極から電極の金属イオンが溶出し，電界の作用により，電解質中を陰極に向かって移行し，その間に，酸化・還元反応を繰り返しながら金属として析出すること（５３０ページ左欄７行〜１４行），（３）ポリイミドフィルムにＮｉ−Ｃｒ接着層を約７ｎｍ付着させ，銅メッキを施し，配線パターンを形成し，エッチング処理により電極幅／電極間隙（Ｌ／Ｓ）が２０／２０，３０／３０，５０／５０（μｍ／μｍ）の３水準の櫛形電極を作成し（５３０ページ左欄３８行〜４４行），イオンマイグレーション抑制手法として吸湿防止のためのエポキシ係樹脂を電極にコーティングして，温度８５℃，湿度８５％ＲＨ，印加電圧を加速のため２０Ｖとして，定常試験法により評価試験を実施したところ，１０００時間後においても１０７Ωを下回る絶縁抵抗低下は確認されなかったが，表面観察により全ての試験片で析出物が確認されたこと，さらに，この試験により，狭ピッチ配線では，イオンマイグレーションによる析出物の成長速度が急激に加速されることや，Ｎｉ−Ｃｒ層からＮｉも溶出したことが判明したこと（５３１ページ左欄１４行〜５３３ページ左欄９行），が記載されている。
　
（７）甲第７号証
　甲第７号証（２００３年１月２０日に(株)技術調査会により発行された雑誌「エレクトロニクス実装技術」に掲載された「ＴＡＢ材料の現状と今後」）には，スパッタ材では銅の下のニッケルやクロムのシード層を完全に除去できないことがあり，特にファインピッチになるとその部分は残りやすく，マイグレーションの原因となること（５９ページ右欄１５行〜３９行），が記載されている。
　
（８）甲第８号証
　甲第８号証（平成１２年２月２９日に丸善株式会社により発行された書籍「腐食・防食ハンドブック」）の「第６章電子機器」には，「６．１．１電子材料の腐食メカニズム電子材料の腐食は，水溶液中での腐食と同様に水と酸素の存在下で電気化学的に生じる。空気中の水分が材料表面で結露し，表面に薄い水膜を形成し，空気中の酸素やＳＯ２，Ｈ２Ｓなどの微量の腐食性ガス成分，さらには表面に付着した塩微粒子がこの水膜中に溶け込み腐食環境を構成する。」「銅，銀などではアノードで溶出した金属イオンがカソードに移行，還元，再析出し，デンドライト成長が起こる。これがメタルマイグレーションで，短絡・絶縁不良を起こす。」「６．１．３電子部品の腐食防止技術 前述したように，電子材料の腐食は水分，塵埃，腐食性ガスが共存する環境下で進行する。したがって雰囲気からの水分や腐食性ガスの除去，および塵埃や水分の電子部品内への浸入を遮断することが有効である。さらに耐食材料を使用することにより腐食損傷を低減することが期待できる。 ａ．材料制御による腐食防止…電子材料はそれ自身きわめて微細化しており腐食許容量も非常に小さい。したがって合金化や組織制御などでは大幅な信頼性の向上は期待できないことがわかる。」との記載，さらに，環境制御と構造制御による腐食防止技術についてが記載されている。
　
（９）甲第９号証
　甲第９号証（平成１１年９月３０日に丸善株式会社により発行された書籍「金属の百科事典」）には，ニッケル−クロム合金に関する項に，「ＮｉにＣｒを添加していくと，○１（１を○で囲んだ文字は，特許庁の起案システムの仕様により，表示ができないため「○１」で代用する。以下同様。）電気抵抗が急増するがその温度変化は小さい，○２耐酸化性・耐食性が向上する，○３純Ｎｉに対する熱起電力が急増する，などの変化が起こる。」との記載がある。
　
（１０）甲第１０号証
　甲第１０号証（２００１年８月２０日に岩波書店により発行された書籍「岩波理化学辞典　第５版」）には，の耐食合金の項には，耐食合金として，ニッケル合金ではニクロムがあることが，ニクロムの項には，高温でも酸化されにくく，耐食性に富んでいることが記載されている。
 
（１１）甲第１１号証
　甲第１１号証（特開平７−２８３５２５号公報）には，電子回路基板上のハンダ表面に，絶縁体で水に難溶な不動態皮膜を形成することにより，マイグレーションの発生を防止すること（段落【０００５】等），が記載されている。
　
（１２）甲第１２号証
　甲第１２号証（昭和４８年８月３０日に日刊工業新聞社により発行された書籍「ステンレス鋼便覧」）には，「３．耐食性」の項には，「環境の酸化性が高くなれば金属の腐食は起こりやすくなることが一般である。」「不動態になりやすい金属としては，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒおよびその合金のほかＭｏ，Ｔｉ，Ｚｒなどがある。」「（Ｆｅに添加する）Ｃｒ％が増すとともに…不動態は起こりやすくなっていて，酸化性のさほど強くない環境中でも不動態化することがわかる。」「中性からｐＨ＝０くらいまでの多くの環境中ではＣｒ１２〜１４％以上で自己不動態化するようになる。」「ＦｅやＮｉと比べてＣｒは不動態化電位ははるかに低く，山も低いのであるから弱い酸化力でも容易に不動態化するうえに，不動態になってからの保持電流もＦｅやＮｉの数百分の一で，きわめて安定な不動態を生ずる。ＦｅにＣｒを１３％以上添加した合金は純Ｃｒほどではないが，Ｆｅに比べて不動態化電位ははるかに低く，また保持電流も小さくなること，またＣｒを１８％に増せばさらにその程度が大きくなることはすでに述べた」との記載がある。
　
（１３）甲第１３号証
　　甲第１３号証（昭和４１年９月３０日に(株)地人書館により発行された書籍「非鉄材料の選定と加工」）には，Ｎｉ−Ｃｒ合金はＣｒの含有量が１５〜５０％のときに比抵抗が大きい（すなわち，約９０μΩ・ｃｍを超える）ことを示すグラフが図５．１７に記載されている。
　
（１４）甲第１４号証
　　甲第１４号証（１９９６年１２月に回路実装学会((社)プリント回路学会)により発行された信頼性解析技術委員会絶縁信頼性評価研究会技術報告「イオンマイグレーションの試験方法ノウハウ集」）には，イオンマイグレーションの試験方法が記載されている。
 
６　対比
 
（１）本件特許発明１について
 
　本件特許発明１と引用発明を対比する。
 
　ア　引用発明の「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２」，「銅層３，４」，「プリント配線基板」は，それぞれ本件特許発明１の「ニッケル−クロム合金」からなる「バリア層」，「銅を含んだ導電物」からなる「配線層」，「半導体キャリア用フィルム」に相当する。
 
　イ　そして，引用発明の「ポリイミドからなる支持基板１」は，ポリイミドが絶縁性を有することから，本件特許発明１の「絶縁性を有するベースフィルム」に相当する。
　
　ウ　引用発明のＮｉ−Ｃｒ合金層２は，厚さが２０ｎｍであって，本件特許発明１のバリア層の厚みの数値範囲の７ｎｍ以上に含まれる。
　
　エ　引用発明の「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２と銅層３，４をエッチング処理により所定の配線パターンに形成した複数の配線」は，本件特許発明１の「前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あ」ることに相当する。
　
　オ　引用発明の配線は，配線間距離が２０μｍの配線パターンであるから，引用発明は，本件特許発明１における「半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有し」との要件を備える。
　
　以上から，本件特許発明１と引用発明は，
　
［一致点］ 
　「絶縁性を有するベースフィルム，該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層，および該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなる配線層を有する半導体キャリア用フィルムと，前記配線層に接続された半導体素子とを備える半導体装置であって，前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり，前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有する半導体装置。」の点で一致し，次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本件特許発明１は，配線層の表面にスズメッキが施されるのに対して，引用発明は，銅層３，４の表面にスズメッキが施されていない点。
　
［相違点２］
　本件特許発明１は，半導体素子が配線層に接続された突起電極を有するのに対して，引用発明は，半導体素子が銅層３，４に接続される突起電極を有するか否か不明である点。
　
［相違点３］
　本件特許発明１は，隣り合う二つの半導体素子接合用配線の間において，配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍであるのに対して，引用発明は，隣り合う二つの配線の間における電界強度が不明である点。
 
［相違点４］ 
　本件特許発明１は，バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％であるとすることにより，バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するものであるのに対して，引用発明は，Ｎｉ−Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率は１８〜９４重量％であるが，バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するものであるか否か特定されていない点。
　
７　当審の判断
（１）相違点４について
　ア　本件特許発明１は，クロムの含有率を上記範囲とすることにより，バリア層の表面抵抗率・体積抵抗率を増大させ，またバリア層の表面電位を標準電位に近くしてマイグレーションの発生を抑制するために，クロム含有率を１５〜５０重量％の範囲に限定しているのである（段落【００３７】〜【００４０】，図３，図４）。
　
　イ　一方，引用発明は，銅層との密着強度が十分なものが得られること及びエッチングにより配線パターンが確実に形成できることを考慮して，ニッケル−クロム合金のクロム含有率を１８〜９４重量％の範囲に限定しているのであり，その目的，効果が異なるとともに，クロム含有率を限定する範囲も，１８〜５０重量％の範囲では共通するが，それ以外ではむしろ限定範囲の方向性が異なっているのである。
　
　ウ　甲第３号証〜甲第１４号証を参照すると，原出願日当時，半導体キャリア用フィルムにおいて，端子間の絶縁抵抗を維持するため，マイグレーションの発生を抑制する必要があると考えられていたこと（甲３，７），マイグレーションの発生を抑制するため，吸湿防止のための樹脂コーティングを行ったり（甲６），水に難溶な不動態皮膜を形成したり（甲１１），半導体キャリア用フィルムを高温高湿下におかないようにしたりする方法（甲６）が採られていたことは分かる。しかし，原出願日当時，本件特許発明１のように，ニッケル−クロム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を調整することにより，バリア層の表面抵抗率・体積抵抗率を向上させ，また，バリア層の表面電位を標準電位に近くすることによって，マイグレーションの発生を抑制するという本件特許発明１の目的，効果については，何れの刊行物にも記載若しくは示唆されていない。
　
　エ　そうすると，引用発明においてニッケル−クロム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより，マイグレーションの発生を抑制するという効果を奏することは，当業者が予測しえなかったと認められる。
　
　オ　したがって，引用発明において，相違点４に係るバリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するために，バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることは，甲第３〜１４号証に記載の事項を勘案しても，当業者が容易になし得たこととはいえない。
　
（２）判断のまとめ
　ア　以上から，他の相違点１〜３については検討するまでもなく，本件特許発明１は，甲第３号証〜甲第１４号証に記載された事項を勘案し，引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
　イ　また，請求項１を引用する本件特許発明２〜６についても同様に，甲第３号証〜甲第１４号証に記載された事項を勘案し，引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
　ウ　よって，請求人の主張する無効理由によっては，本件特許発明１〜６を無効とすることはできない。
　
８　むすび
 
　以上のとおり，請求人が主張する理由及び証拠によっては，本件特許発明１〜６に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえないから同法第１２３条第１項第２号に該当しないので，無効とされるべきものではない。
 
　本件審判に関する費用については，特許法第１６９条第２項の規定により準用する民事訴訟法第６１条の規定により，請求人が負担すべきものとする。 
　よって，結論のとおり審決する。