【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性アンチヒューズメモリセルであって、
プログラマブルＮチャネルダイオード接続可能なトランジスタを含み、
前記プログラマブルＮチャネルダイオード接続可能なトランジスタが、
チャネル領域の上のポリシリコンゲートであって、前記ポリシリコンゲートが第１の部分と第２の部分とを有し、前記ゲートの前記第１の部分が前記メモリセルのワード線に電気的に接続され、前記チャネル領域が或る長さを有してＰウェル領域に位置する、前記ポリシリコンゲートと、
前記Ｐウェル領域に形成されるＮ型ソース領域であって、前記Ｎ型ソース領域が第１の部分と第２の部分とを有し、前記ソース領域の前記第１の部分が前記チャネル領域の第１の端部に近接し、前記ソース領域の前記第２の部分が前記メモリセルのビット線に電気的に接続される、前記Ｎ型ソース領域と、
前記Ｐウェル領域に形成されるフィールド酸化物領域であって、前記チャネル領域の第２の端部に近接する、前記フィールド酸化物領域と、
前記ポリシリコンゲートと前記チャネル領域との間に位置する実質的に一定の厚みを有する絶縁体と、
を含み、
前記ポリシリコンゲートがＮ型ドープされたポリシリコンを含み、前記ポリシリコンゲートの前記第１の部分が前記ポリシリコンゲートの前記第２の部分より高いＮ型ドーピング濃度を有し、前記ポリシリコンゲートの前記第２の部分が前記ソースの前記第１の部分に近接して位置し、
前記メモリセルがプログラムされるとき、前記ポリシリコンゲートの前記第１の部分と前記フィールド酸化物領域に近接する前記チャネル領域との間にラプチャーが生じるように前記メモリセルが構成される、メモリセル。
【請求項２】
請求項１に記載のメモリセルであって、
前記ポリシリコンゲートの前記第１の部分と前記第２の部分との間のドーピング濃度の差が少なくとも１桁である、メモリセル。
【請求項３】
請求項２に記載のメモリセルであって、
前記Ｎ型ドープされたポリシリコンゲートの前記第１の部分の前記ドーピング濃度が５×１０２０／ｃｍ３であり、前記Ｎ型ドープされたポリシリコンゲートの前記第２の部分の前記ドーピング濃度が５×１０１８／ｃｍ３である、メモリセル。
【請求項４】
請求項３に記載のメモリセルであって、
前記絶縁体が、酸化物と窒化物と酸化物／窒化物の組み合わせとから成るグループから選択される、メモリセル。
【請求項５】
請求項３に記載のメモリセルであって、
前記絶縁体が高Ｋ誘電性絶縁体である、メモリセル。
【請求項６】
不揮発性アンチヒューズメモリセルであって、
プログラマブルＰチャネルダイオード接続可能なトランジスタを含み、
前記プログラマブルＰチャネルダイオード接続可能なトランジスタが、
チャネル領域の上のポリシリコンゲートであって、前記ポリシリコンゲートが第１の部分と第２の部分とを有し、前記ゲートの前記第１の部分が前記メモリセルのワード線に電気的に接続され、前記チャネル領域が或る長さを有してＮウェル領域に位置する、前記ポリシリコンゲートと、
前記Ｎウェル領域に形成されるＰ型ソース領域であって、前記Ｐ型ソース領域が第１の部分と第２の部分とを有し、前記ソース領域の前記第１の部分が前記チャネル領域の第１の端部に近接し、前記ソース領域の前記第２の部分が前記メモリセルのビット線に電気的に接続される、前記Ｐ型ソース領域と、
前記Ｎウェル領域に形成されるフィールド酸化物領域であって、前記チャネル領域の第２の端部に近接する前記フィールド酸化物領域と、
前記ポリシリコンゲートと前記チャネル領域との間に位置する実質的に一定の厚みを有する絶縁体と、
を含み、
前記ポリシリコンゲートがＰ型ドープされたポリシリコンを含み、前記ポリシリコンゲートの前記第１の部分が前記ポリシリコンゲートの前記第２の部分より高いＰ型ドーピング濃度を有し、前記ポリシリコンゲートの前記第２の部分が前記ソースの前記第１の部分に近接し、
前記メモリセルがプログラムされるとき、前記ポリシリコンゲートの前記第１の部分と前記フィールド酸化物領域に近接する前記チャネル領域との間にラプチャーが生じるように前記メモリセルが構成される、メモリセル。
【請求項７】
請求項６に記載のメモリセルであって、
前記Ｐ型ドープされたポリシリコンゲートの前記第１の部分の前記ドーピング濃度が３×１０２０／ｃｍ３であり、前記Ｐ型ドープされたポリシリコンゲートの前記第２の部分の前記ドーピング濃度が５×１０１８／ｃｍ３である、メモリセル。
【請求項８】
請求項６に記載のメモリセルであって、
前記ポリシリコンゲートの前記第１の部分と前記第２の部分との間のドーピング濃度の差が少なくとも１桁である、メモリセル。
【請求項９】
請求項６に記載のメモリセルであって、
前記ソースの前記第１の部分と前記第２の部分との間のドーピング濃度の差が少なくとも１桁である、メモリセル。
【請求項１０】
請求項６に記載のメモリセルであって、
前記絶縁体が、酸化物と窒化物と酸化物／窒化物の組み合わせとから成るグループから選択される、メモリセル。
【請求項１１】
請求項に記載のメモリセルであって、
前記絶縁体が高Ｋ誘電性絶縁体である、メモリセル。
【請求項１２】
プログラマブルダイオード接続可能なトランジスタを形成することを含む、不揮発性アンチヒューズメモリセルを製造する方法であって、
前記方法が、
所与のＮ型又はＰ型ドーパントタイプの基板上に厚い酸化物領域を形成することと、
前記基板に別のドーパントタイプのウェル領域をインプラントすることと、
前記ウェル領域上にゲート絶縁体を成長させることと、
前記ゲート絶縁体上にポリシリコンを堆積することと、
ポリシリコンゲートを形成するように前記ポリシリコンをエッチングすることと、
第１の濃度を有する前記所与のタイプのドーパントを前記ポリシリコンゲートと前記ウェル領域の一部とにインプラントすることであって、前記ウェル領域の前記別のタイプでドープされた部分がソースを画定する、前記インプラントすることと、
前記ポリシリコンゲートと厚い酸化物とソースとの上にフォトレジストを堆積することと、
前記ポリシリコンゲートの第１の部分の上と前記ソースの第１の部分の上とにマスクを残すように前記フォトレジストをエッチングすることと、
第２の濃度を有する前記所与のタイプのドーパントを前記マスクによって覆われていないエリアにインプラントすることと、
前記マスクを取り除くことと、
前記ポリシリコンゲートの一層高度にドープされた部分上と前記ソースの一層高度にドープされた部分上とに金属コンタクトを形成することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記所与のタイプがＮ型であり、前記別のタイプがＰ型であり、Ｎ型ドーピングの前記第２の濃度がＮ型ドーピングの前記第１の濃度より少なくとも１桁大きい、方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、
前記絶縁体が、酸化物と窒化物と酸化物／窒化物の組み合わせとから成るグループから選択される、方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法であって、
前記厚い酸化物領域が、シャロートレンチアイソレーションとＬＯＣＯＳアイソレーションとから成るグループから選択される、方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの集積回路を含む、システムであって、
前記少なくとも１つの集積回路が、少なくとも１つの不揮発性アンチヒューズメモリセルを含み、
前記少なくとも１つの不揮発性アンチヒューズメモリセルが、少なくとも１つのプログラマブルＮチャネルダイオード接続可能なトランジスタを含み、
前記少なくとも１つのプログラマブルＮチャネルダイオード接続可能なトランジスタが、
チャネル領域の上のポリシリコンゲートであって、前記ポリシリコンゲートが第１の部分と第２の部分とを有し、前記ゲートの前記第１の部分が前記メモリセルのワード線に電気的に接続され、前記チャネル領域が或る長さを有してＰウェル領域に位置する、前記ポリシリコンゲートと、
前記Ｐウェル領域に形成されるＮ型ソース領域であって、前記Ｎ型ソース領域が第１の部分と第２の部分とを有し、前記ソース領域の前記第１の部分が前記チャネル領域の第１の端部に近接し、前記ソース領域の前記第２の部分が前記メモリセルのビット線に電気的に接続される、前記Ｎ型ソース領域と、
前記Ｐウェル領域に形成されるフィールド酸化物領域であって、前記チャネル領域の第２の端部に近接する、前記フィールド酸化物領域と、
前記ポリシリコンゲートと前記チャネル領域との間に位置する実質的に一定の厚みを有する絶縁体と、
を含み、
前記ポリシリコンゲートがＮ型ドープされたポリシリコンを含み、前記ポリシリコンゲートの前記第１の部分が前記ポリシリコンゲートの前記第２の部分より高いＮ型ドーピング濃度を有し、前記ポリシリコンゲートの前記第２の部分が前記ソースの前記第１の部分に近接して位置し、
前記メモリセルがプログラムされるとき、前記ポリシリコンゲートの前記第１の部分と前記フィールド酸化物領域に近接する前記チャネル領域との間にラプチャーが生じるように前記メモリセルが構成される、システム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のシステムであって、
前記システムが、ビデオゲーム機と携帯電話と無線周波数識別タグとインプラント可能な医療用デバイスと高精細のマルチメディアインタフェースと車載用電子機器デバイスとから成るグループから選択される、システム。