【事件の表示】
　特許第３４１７８３４号「位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法及び装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４１７８３４号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　
　本件特許第３４１７８３４号の請求項１ないし４に係る発明についての出願は、平成１０年４月８日に特許出願され、平成１５年４月１１日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人佐藤哲夫から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年９月１７日に特許異議意見書が提出されたものである。
　
２．特許異議の申立てについて
　
（１）本件発明
　本件の請求項１に係る発明ないし請求項４に係る発明（以下、それぞれを「本件第１発明」ないし「本件第４発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された通りのものである。
　
（２）引用刊行物に記載された発明
　当審が平成１６年７月９日付けで通知した取消しの理由において引用した刊行物１〜４にはそれぞれ次のとおりの発明が記載されている。
　
（ａ）刊行物１：レーザ顕微鏡研究会第１１回講演会論文集（１９９３年５月２８日、兵庫県立工業技術センター、第２２〜２９頁）（異議申立人提出の甲第１号証）
［記載ａ１］（２４頁６行〜２５頁４行）
「ここでは差動光ヘテロダイン法によって顕微位相量測定器ともいえる位相シフトマスクの移相量測定器を開発したので報告する。なお本縞では装置の説明のみにとどめ位相シフトマスクを測定した場合の測定結果等についてはＳＰＩＥ主催のＢＡＣＵＳ’９３にて発表予定であるからそちらを参照されたい。
２．光ヘテロダイン式移相量測定器
図２に本方式の光学部構成図を示す。
本機の基本構成はＡＯ素子を周波数シフターとして用いる作動ヘテロダイン方式である。光源にはＨｅ−Ｎｅレーザーを用い、光ヘテロダインに必要な二周波の発生には二酸化テルルを媒体とするＡＯ素子を用いた。変調中心周波数は約７１．６ＭＨｚで固定でありDeviationは後述の如く可変である。」　　　　
［記載ａ２］（２６頁２〜４行）
「本装置では図２に示すように透過側だけでなく反射側にもセンサーが取付けてある。これは従来、位相シツトマスクがシフター部の段差データによって管理されていたのでそれとの整合をとるためである。」
［記載ａ３］（２３頁の「図１　位相シフトマスク」）
　図１（ｃ）にはクォーツ基盤、クロムからなるフォトマスクと、さらに位相シフターを追加したフォトマスクについての光強度の説明がなされている。
［記載ａ４］（２４頁の「図２　構成図」および２５頁の「図３　測定画面例」）
　図２には光学系の構成が図示されており、その図面および図面中の記載から、以下の構成を読み取ることができる。
　周波数シフターとして用いられているＡＯ素子には、発信器１の周波数ｆcarrierの信号を発信器２の周波数ｆmodの信号をDBMで変調して異なる２つの駆動信号ｆ１＝ｆcarrier−ｆmodと、ｆ２＝ｆcarrier＋ｆmodが供給され、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光ｆ0がＡＯ素子により周波数が２ｆmod異なり進行方向も異なる２つの光が出射している。
　ＡＯ素子から出射された周波数の異なる２つの光は、エアースリット及び対物レンズを含む光学系を経て、位相シフトマスクの入射される。
　なお、図１で提示されている位相シフトマスクの図面の書き方より、光は位相シフターが形成されていない裏面側に入射されていることを読み取ることができる。
　また、図３の「測定時」には、２点のレーザ光のうち一方は位相シフタが形成されている部分に入射し、他方は位相シフターが形成されていない部分に入射することが示されている。
　図２を参照すると、これらシフタのある部分と無い部分をそれぞれ透過した光は、コンデンサレンズを経て透過光位相検出器に入射し、透過光位相検出器からは２ｆmodの信号が出力される。
　また、上記［記載ａ２］にあるように、図２には、透過側だけでなく、反射側にも位相シフトマスクからの反射光を受光するための反射光位相検出器が配置されており、透過光位相検出器と同じ信号（２ｆmod）が出力されている。
　これら２つの信号はスイッチにより一方が選択され、ＡＯ素子で偏向されずに透過した光（ｆ0）を検出する基準光位相検出器からの出力とともに位相比較器に入力され、コンピュータを経て表示に表示される構成を読み取ることができる。
　また、変調周波数はＨｅ−Ｎｅレーザー光を光の周波数に比べれば非常に小さいので、刊行物１には、
「クォーツ基盤に位相シフターを形成する位相シフトマスクにおいて、位相シフターが形成されないクォーツ基盤の裏面より周波数のわずかに異なる２本の光を照射して、その一方を位相シフターが形成されている部分に他方をは位相シフターが形成されていない部分に入射させ、それぞれの反射光を相互に干渉させて得られた信号の基準光位相検出器の信号との位相差を求める位相シフトマスクの移相量測定方法。」
の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
（ｂ）刊行物２：特開平２−２１１４５０号公報（異議申立人提出の甲第２号証）
［記載ｂ１］（４頁右上欄４〜８行および図面第１図）
「第１図は本発明にかかる位相シフトマスクの断面図を示し、１１は厚さ２〜３ｍｍのガラス基板（透明基板」、１２は膜厚６００〜１０００ÅのＣｒからなる遮光パターン、１３は深さＤ＝λ／２（ｎ−１）の凹部からなるシフターである。
［記載ｂ２］（４頁右下欄１１行〜５頁左上欄１６行および図面第３図）
「第３図（ａ）参照；まず、ガラス基板１１上にＣｒからなる遮光膜１２をスパッタ法で被着し、その上にポジ型の第１レジスト膜１６を塗布した後、シフター形成部分を除く光透過部を光露光法で露光する。
　第３図（ｂ）参照；次いで、現像して第１レジスト膜１６をパターニングして光透過部を窓あけした後、露出した光透過部の遮光膜１２をエッチング除去する。
　第３図（ｃ）参照；次いで、次工程の電子ビーム露光時のチャージアップ防止用としての導電膜１４を被着する。この導電膜１４は透明である必要はなく、例えば、ＭｏＳｉ２を用いる。
　第３図（ｄ）参照；次いで、ポジ型の第２レジスト膜１７（膜厚１μｍ）を塗布した後、シフター形成部分を電子ビーム露光法で露光する。
　第３図（ｅ）参照；次いで、現像して第２レジスト膜１７をパターニングしてシフター形成部分を窓あけした後、窓部分（シフター形成部分）の導電膜１４を除去し、更に、窓部分の遮光膜をエッチング除去する。
　第３図（ｆ）参照；次いで、シフター形成部分のガラス基板１１をＣＦ４＋Ｏ２混合が図によって所定膜厚だけドライエッチングして凹状のシフター１３を形成する。
　第３図（ｇ）参照；最後に、レジスト膜１７と導電膜１４を除去して位相シフトマスクを完成する。」
　
（ｃ）刊行物３：特開平６−２２９７２４号公報（異議申立人提出の甲第３号証）
［記載ｃ１］（段落０００８）
「【０００８】さらに、上述した差動型光ヘテロダイン干渉法を用いれば、位相シフトマスクの表面の形状、したがって位相シフタの膜厚を測定できる可能性があるが、膜厚が正確に位相シフト量を正確に表さない場合がある。すなわち、位相シフト量は位相シフタの膜厚とその屈折率で計算できるが、屈折率が正確でない場合があるとともに位相シフタの屈折率が一様でない場合があり、実際に導入される位相シフト量が計算によって求めた位相シフト量と一致しない場合がしばしばある。すなわち、位相シフタにおいて重要なことは膜厚ではなく、それによって導入される位相シフト量であり、上述した従来の差動型光ヘテロダイン干渉法によっては位相シフト量を正確に測定することができない問題がある。」
［記載ｃ２］（段落００１７〜段落００１９）
「【００１７】
【実施例】図２は本発明による位相シフトマスクの検査装置の第１の実施例の構成を示す線図である。本例では単一周波数レーザ光源11を設ける。このレーザ光源11としては、例えば波長6328Åのレーザ光を放射するHe-Ne ガスレーザとすることができる。このレーザ光を音響光学素子12に所定の入射角を以て音響光学素子12に入射させる。この音響光学素子12には、互いに僅かに周波数の異なる２つの発振器13および14から駆動信号を与える。例えば第１の発振器13の発振周波数を70MHzとし、第２の発振器14の発振周波数を71MHz とすることができる。このように音響光学素子12を周波数の異なる２つの駆動信号で駆動すると、音響光学素子からは周波数が異なる２つのレーザ光ビームが異なる方向に出射されることになる。すなわち、入射レーザ光の周波数をνとすると、ν＋70MHz の周波数の光ビームとν+ 71MHz の周波数の光ビームとが異なる方向へ出射されるようになる。
【００１８】このようにして音響光学素子12から射出される２つの光ビームをビームスプッリタ15に入射させ、その反射面で反射される第１の光束と反射面を透過する第２の光束とに分割する。第１の光束を第１の集光レンズ16で集光して第１の受光器17に入射させ、この第１の受光器から発生される第１の電気信号を第１のプリアンプ18で増幅する。この第１の受光器17に入射される第１の光束は位相シフトマスクの影響を受けておらず、したがって第１のプリアンプ18から出力される第１の電気信号は位相基準信号として作用するものである。
【００１９】ビームスプリッタ15を透過する第２の光束を対物レンズ19を介して検査すべき位相シフトマスク20に入射させる。この位相シフトマスク20を透過した光束を第２の集光レンズ21で集光して第２の受光器22に入射させ、この第２の受光器から発生させる第２の電気信号を第２のプリアンプ23で増幅する。上述した第１および第２のプリアンプ18および23から出力される第１および第２の電気信号を位相比較器24に供給して、これら両信号の位相差を検出し、この位相差信号を出力端子25に出力する。後述するようにこの位相比較器24から出力される位相差信号は被検体である位相シフトマスク20の位相シフタを設けた部分と設けない部分とを透過する光の位相差を表すものとなり、したがってこの位相差信号に基づいて位相シフトマスク20の位相シフタによって生ずる位相差を検出することができる。」
［記載ｃ３］（段落００２２）
「【００２２】本発明においては、このように周波数が僅かに相違する２本の光ビームを用いるので、これらの光ビームがビートを生じることになる。このビートの周波数は２本の光ビームの周波数の差に等しく、上述した位相差Δφに等しい位相を有するものとなる。したがって、このビート成分の位相を基準の位相と比較することによって位相シフトマスクの位相シフタによって導入される位相シフト量Δφを検出することができる。」
［記載ｃ４］（段落００２４）
「【００２４】本発明においては、第１および第２の受光器17および22では２本のコヒーレントな光ビームを重畳して受光しているので、これらの受光器から出力される第１および第２の電気信号S1およびS2は２本の光ビームのビート成分を表すものとなる。すなわち、受光器で検出されるビート信号は、２つの光波による干渉縞が毎秒２つの光波の周波数の差に等しい個数の縞だけ移動するようなものとなる。したがって、第１および第２の電気信号S1およびS2の位相差を検出することによって位相シフトマスク20の位相シフタ20b によって導入される位相差を検出することができる。この位相差は光強度そのもののを検出しているのではないので、光源の光強度の変動に影響されることはなく、正確な測定ができる。」
［記載ｃ５］（段落００３５〜段落００３６および図１０）
「【００３５】本実施例においては、さらに位相シフトマスク20の表面で反射される２本のレーザビームを対物レンズ19で集光し、ビームスプリッタ62、スリット61および1/4 波長板60を経て偏光ビームスプリッタ55に入射させる。このレーザビームは1/4 波長板60を２回透過しているので偏光方向が90°回転され、したがって偏光ビームスプリッタ55で反射されることになる。このように偏光ビームスプリッタ55で反射されたレーザビームをコリメータレンズ54によって平行光束とし、スリット付きの第３の受光器68に入射させる。したがって、この第３の受光器68は、位相シフトマスク20で反射された２本のレーザビームの干渉成分であるビート成分を検出することになる。この第３の受光器68の出力信号をプリアンプ69を経てスイッチ66の他方の入力端子b に供給する。したがって、スイッチ66を端子b に切換えると、位相シフトマスク20の表面の凹凸、すなわち位相シフタの膜厚を測定することができる。なお、スリット61は、主として対物レンズ19による散乱光を除去するために、いわゆるコンフォーカル光学系を構成するもので図１０の平面に垂直な方向の巾が小さく、図１０の平面に平行な方向に細長いものである。また、受光器17, 22および68に設けたスリットは、受光面に入射する干渉縞の個数を制限して測定感度を上げるもので、図１０の紙面に平行な方向の巾が狭いものである。
【００３６】上述したように本実施例においては、スイッチ66を切換えることによって位相シフトマスク20の位相シフタによって導入される位相シフト量および位相シフタの膜厚を測定することができる。従来、位相シフトマスクの特性を特定するために、位相シフタの膜厚が測定されてきたが、実際の測定はプローブを用いる接触法で行われている。しかし、この方法は非常に精度の悪いものであるととともに測定も面倒なものであった。本実施例では、非接触で位相シフタの膜厚を簡単にかつ非常に高精度で測定することができ、しかも同時に位相シフト量も測定されるので、位相シフトマスクに関するきわめて有用な情報を与えるものである。本実施例によって実際に位相シフトマスクの位相シフタの位相シフト量および膜厚を測定した結果を次表に示す。なお、位相シフト量は角度で表し、膜厚はnmの単位で表している。また、上段の結果は対物レンズの倍率を10倍とし、石英基板の上にクロムパターンを形成し、そん上に位相シフタとして石英の屈折率と殆
ど同じ材料を形成したものであり、下段の結果は20倍の対物レンズを用い、石英基板の表面に凹凸を形成した位相シフトマスクを測定したものである。さらに、それぞれ同一の部位を５回測定するようにしているが、順次の測定の間でＸＹステージを移動させているので、厳密には全く同一の点を測定しているものではない。」
　これらの記載から、刊行物３には、「位相シフトマスクの位相シフタによって導入される位相シフト量Δφを検出することができる。」なる記載より、「位相シフトマスク位相シフト量測定装置」が記載されており、その構成としては、「単一周波数レーザ光源１１」、「音響光学素子１２」、「発信器１３および１４」による「周波数のわずかに異なる２本の光を発生させる手段」が、「ビームスプリッタ１５」による「それらの光を分割する光分割手段」がそれぞれ記載されていると認められるし、ビームスプリッタ１５により分割した一方の２本の光を「集光レンズ１６」で集光して「第１の受光器１７」に入射させ、この第１の受光器から信号を得る構成によって、実質的に「分割された一方の２本の光相互を干渉させて参照ビート信号を発生させる手段」を有していると認められる。また、ビームスプリッタ１５により分割された他方の２本の光を「位相シフトマスク２０」に導き、位相シフトマスク２０からの光を「集光レンズ２１」で集光して「第２の受光器２２」に入射させ、第２の受光器からの信号を得ることは、実質的に位相シフトマスクからの「光を相互に干渉させて測定ビート信号を発生させる手段」を有していることであるし、「位相比較器２４」は「参照ビート信号に対する測定ビート信号の位相差を求める手段」ということができる。
　したがって、刊行物３には、
「周波数のわずかに異なる２本の光を発生させる手段と、それらの光を分割する光分割手段と、分割された一方の２本の光相互を干渉させて参照ビート信号を発生させる手段と、分割された他方の２本の光を、位相シフトマスクに照射し、位相シフトマスクを透過した光を相互に干渉させて測定ビート信号を発生させる手段と、参照ビート信号に対する測定ビート信号の位相差を求める手段とを備えていることを特徴とする位相シフトマスク位相シフト量測定装置。」
なる発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
（ｄ）刊行物４：特開平８−２７１２２５号公報（異議申立人提出の第４号証）
［記載ｄ１］（段落０００２〜段落０００３および図面【図２】）
「【０００２】
【従来の技術】従来よりピンホールをスキャンするニポウディスク型の高速レーザ共焦点顕微鏡はよく知られている。図２は従来のこの種の高速レーザ共焦点顕微鏡の一例を示す要部構成図である。同図において、図示しないレーザ光源からのレーザ光は、ビームスプリッタ１を通って、微小開口部を有する基板（以下ピンホール基板という）２に照射される。ピンホール基板２は、基板に複数のピンホールを螺旋状に形成したものであり、基板の中心はモータ２１の回転軸に結合していて、モータ２１によりピンホール基板が一定速度で回転するようになっている。ピンホール基板に照射された光のうちでピンホールを通過した光は１／４波長板３と対物レンズ４を経て試料５に集光される。
【０００３】試料５からの反射光は、入射光と同一の光路を通ってピンホール基板２のピンホールの１つに集光され、ピンホールを通った光はビームスプリッタ１で反射され、偏光子６を経て集光レンズ７により２次元素子（例えば２次元ＣＣＤカメラ（ＣＣＤはCharge CoupledDeviceの略））８上に集光する。２次元ＣＣＤカメラ８の各ＣＣＤ素子の出力信号（光の強度に対応した信号）をモニタ９に導き、試料５の像を目でとらえることができる。この装置では、ピンホール基板２を一定速度で回転させており、ピンホール基板２の回転に伴うピンホールの移動により、試料５への集束光点が走査される。」
　
（３）対比・判断
（ａ）本件第１発明
　本件第１発明は、
「透明基板の所定パターン部分をエッチングすることにより位相シフターを形成する位相シフトマスクの製造の際、エッチングされない透明基板裏面より周波数のわずかに異なる２本の光を照射して、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させ、それぞれの反射光を相互に干渉させて得られたビート信号の基準信号に対する位相差を求めることによりエッチング量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と非エッチング部の間の位相差を求めることを特徴とする位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法。」
である。
　一方、引用発明１における「クォーツ基盤」は本件第１発明における「透明基板」に相当し、同様に「反射光を相互に干渉させて得られた信号」は「反射光を相互に干渉させて得られたビート信号」に、「移相量」は「位相シフト量」に、「基準光位相検出器の信号」は「基準信号」にそれぞれ相当し、本件第１発明における「被エッチング部分」と「非エッチング部分」との区別は「位相シフター」が形成されている部分とされていない部分に対応しているので、両者は、
「透明基板に位相シフターを形成する位相シフトマスクにおいて、透明基板裏面より周波数のわずかに異なる２本の光を照射して、その一方を位相シフターが形成されている部分に他方を位相シフターが形成されていない部分に入射させ、それぞれの反射光を相互に干渉させて得られたビート信号の基準信号に対する位相差を求める位相シフトマスクの位相シフト量測定方法。」
で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］
　本件第１発明では位相シフトマスクは「透明基板の所定パターン部分をエッチングすることにより位相シフターを形成する位相シフトマスク」であるのに対して、引用発明１では、そのようなマスクであるとの記載はなく、図１にはクォーツ基盤上にクロムにより形成されたパターンを覆うように位相シフターが形成されたフォトマスクが示され、図２には、図１で示されたフォトマスクを測定する図が示されている点。
［相違点２］
　本件第１発明は「位相シフターを形成する位相シフトマスクを製造の際」に「位相シフトマスク加工用位相シフト量」を測定する方法であるのに対して、引用発明１では、そのような文言が記載されていない点。
［相違点３］
　本件第１発明では、「位相差を求めることによりエッチング量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と非エッチング部の間の位相差を求める」とされてるのに対して、引用発明１では、「位相差を求める」としている点。
　まず、相違点１について検討する。
　刊行物２には、［記載ｂ１］、［記載ｂ２］にあるように、透明基板をエッチングすることにより位相シフターを形成した位相シフトマスクが開示されている。
　引用発明１は測定対象である位相シフトマスクの位相シフター形成部とそうでない部分での移相量差を測定するものであり、透明基板に位相シフトする部材を付加して構成された位相シフター部に限らず、刊行物２記載の透明基板をエッチングして構成した位相シフター部を有する位相シフトマスクに対して適用することが可能であることは当業者が容易に理解できるので、引用発明１における位相シフトマスクを刊行物２記載の位相シフトマスクとすることに何ら困難性はなく、相違点１は格別のものではない。
　次に、相違点２について検討する。
　本件第１発明における「位相シフトマスクを製造の際」の「位相シフトマスク加工用位相シフト量」の測定とはシフトマスクの加工中に測定することを意味するものと解釈する。
　ところで、回折光を検出することによりエッチング終了判定を行う発明が開示されている特開平５−２８１６９９号公報にはエッチングにより作成される位相シフターの製造に関して、「それらの製造方法は、エッチングをリアルタイムで且つ正確に制御することが必要であるため、実現は難しかった。しかしながら、このエッチング装置のようにリアルタイムでエッチングを制御できれば、位相シフトレクチルの実質的な製造が可能となり、したがって、歩留りも良くなる。」（第７頁右欄２２〜２７行）との記載（以下、「周知例１」という。）がある。また、位相シフトマスクに関連した製造方法、検査方法に関する発明が開示されている特開平６−１３０６５１号公報には、従来技術として「このような従来の透明基板１のドライエッチングにおいては、透明基板１の表面の反射率を測定して透明基板１表面のシフターパターン６とドライエッチングしたメインパターン５の面との光の干渉を利用してモニターを行っていた。」（【００１５】段落）との記載（以下、「周知例２」という。）がある。さらに、位相シフトマスクの製造方法が開示された特開平８−２４８６１７号公報には、「露光領域以外のモニタ領域に回折格子マスクを形成し、露光領域のエッチングと同時にモニタ領域のエッチングを行い、モニタ領域に光を照射してエッチング状態を判定する。」（【００１３】段落）なる記載（以下、「周知例３」という。）がある。
　これらの記載から、エッチングにより作成される位相シフトマスクにおいては、製造の際にモニタしながら行うことは周知の技術であると認められるので、引用発明１に開示の位相シフト量測定方法を加工中に行うことは、当業者であれば容易に想到できるものであり、格別の相違点とは認められない。
　次に相違点３について検討する。
　本件第１発明における「エッチング量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と非エッチング部の間の位相差を求める」構成に対応した明細書の具体的な記載は、【００１２】段落および【００２１】段落にあり、【００１２】段落では位相シフターを形成する基板材料の分散を予め記憶しておき、測定波長で測定された位相差に基づき、位相シフトマスクを実際に使用する波長での位相差を自動的に換算すると記載され、【００２１】段落では、測定した位相差に基づき、エッチング量ｄを求め、そのエッチング量ｄに基づき位相シフトマスクを実際に使用する波長での位相シフターの位相差を求めることが記載されており、これらの記載を参照すると、相違点３の実質的な内容は、本件第１発明では、測定波長による位相差を測定し、それによりエッチング量を算出し、エッチング量に基づき位相シフトマスクを使用する波長による位相差に変換するのに対して、引用発明１では測定波長での位相差のみを検出するものである。
　しかしながら、刊行物３の［記載ｃ１］には、差動型光ヘテロダイン干渉法により位相シフタの膜厚を測定し、その測定値の基づき、計算で位相シフト量を求めるという発明が記載されており、「差動光ヘテロダイン法」を使用した発明（［記載ａ１］参照）である引用発明１に刊行物３の発明を適用し、測定した位相シフト量より位相シフタの厚さを介して実際の位相シフト量を求めるようにすることは当業者が容易に想到することができたものである。
　
　なお、特許権者は、平成１６年９月１７日付の特許異議意見書において、図２の反射光位相検出器は位相シフトマスクのシフター部の段差データを測定するためのものであり、位相シフター部の位相差を測定するためのものではない、との主張をしたが、刊行物１には「段差データによって管理されていたのでそれとの整合をとるためである。」と記載されているだけであり、段差データを測定するとの記載がないばかりか、図２において、反射光位相検出器より得られる信号は透過光位相検出器より得られる信号と同じものであり、もし仮に段差データを取得するために設けたものであるとしても、段差データを直接得るとの記載もないし、図２の記載からみて、直接的には位相差に関する信号を得ていることは明らかである。
　さらには、刊行物３の［記載ｃ５］の段落【００３６】にはスイッチ６６によって反射光による信号に切換えた場合について、「スイッチ66を切換えることによって位相シフトマスク20の位相シフタによって導入される位相シフト量および位相シフタの膜厚を測定することができる。」とも明示されているので、一方が位相差であり、他方が段差であるとする特許権者の主張は採用できない。
　また、特許権者は、裏面側から周波数のわずかに異なる２本の光を入射させて、表面側の位相シフタの有る部分及び位相シフタのない部分での反射光を反射光位相検出器に入射させてビート信号を検出するとは記載されていないし、段差は直接的には測定できない、との主張も、刊行物１の２６頁の下から４行目には「検出器上で再びビートを発生する。」との記載もあり、（ｆ０＋ｆ２）と（ｆ０＋ｆ１）の差を反射光位相検出器により検出していることから、検出されるものがビート信号であることは、当業者には容易に理解できるので、特許権者の主張は採用できない。
　してみれば、本件第１発明は刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、本件第１発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（ｂ）本件第２発明
　本件第２発明は、
「周波数のわずかに異なる２本の光を発生させる手段と、それらの光を分割する光分割手段と、分割された一方の２本の光相互を干渉させて参照ビート信号を発生させる手段と、分割された他方の２本の光を、表面側の所定パターン部分がエッチングされ裏面側がエッチングされない透明基板の裏面より照射して、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させる光学系と、被エッチング面及び非エッチング面から反射された光を相互に干渉させて測定ビート信号を発生させる手段と、参照ビート信号に対する測定ビート信号の位相差を求める手段とを備えていることを特徴とする位相シフトマスク加工用位相シフト量測定装置。」
である。
　一方、刊行物３記載の引用発明２である、
「周波数のわずかに異なる２本の光を発生させる手段と、それらの光を分割する光分割手段と、分割された一方の２本の光相互を干渉させて参照ビート信号を発生させる手段と、分割された他方の２本の光を、位相シフトマスクに照射し、位相シフトマスクを透過した光を相互に干渉させて測定ビート信号を発生させる手段と、参照ビート信号に対する測定ビート信号の位相差を求める手段とを備えていることを特徴とする位相シフトマスク位相シフト量測定装置。」
と本件第２発明との相違点は文言上の比較で、以下の通りである。
［相違点１］
　本件第２発明では、分割された他方の２本の光を
「表面側の所定パターン部分がエッチングされ裏面側がエッチングされない透明基板の裏面より照射して、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させる光学系と、被エッチング面及び非エッチング面から反射された」
光を相互に干渉させて測定ビート信号を発生させるのに対し、引用発明２では、分割した他方の２本の光を
「位相シフトマスクに照射し、位相シフトマスクを透過した」
光を相互に干渉させて測定ビート信号を発生させる点。
［相違点２］
　本件第２発明では、「位相シフトマスク加工用位相シフト量測定装置」であるのに対して、引用発明２では「加工用」とされていない点。
　まず、相違点１について検討する。
　本件第２発明は、請求の範囲の記載からは、位相シフトマスクの位相シフト量測定装置ではあるが、どのような種類の位相シフトマスクの位相シフト量を測定するものであるかの明示はない。
　しかしながら、本件発明の明細書中の記載および引用発明２と比較して得た上記相違点１から、透明基板をエッチングすることにより被エッチング面と非エッチング面とで形成される位相シフトマスクの位相シフト量を測定するものであるということができ、相違点１として抽出された相違点の内容としては、本件第２発明は、エッチングによって形成される位相シフトマスクの位相シフト量を測定するものであるのに対して、引用発明２はそうではない（「相違点１ａ」）、と言うことができる。
　一方、本件第１発明の検討の際に示したように、刊行物２には本件第２発明で測定対象としているエッチングにより作成される位相シフトマスクが開示され、引用発明２記載の発明における位相シフトマスクを透明基板をエッチングにより作成される位相シフトマスクとすることを阻害すべき要因を見いだすことはできない。
　また、本件第２発明では、非エッチング面及び被エッチング面から反射された光を測定するのであるのに対し、引用発明２では、透過した光を測定する点で相違する（「相違点１ｂ」）ということができるが、先の本件第１発明の検討の際に示したように、刊行物１には、位相シフトマスクの位相量を測定するに際して、透過光での測定と、反射光での測定を切り換える構成が開示されており、いずれをも採用することができることが開示されており、引用発明２における位相シフトマスクを透過した光を測定するのに代え、刊行物１記載の反射した光を測定するようにすることは、当業者が容易に採用できたものである。
　とすれば、相違点１として示した点の内容は、刊行物１および２に記載されたものであり、当業者が刊行物１および２に記載の内容と引用発明２と組み合わせることに何ら困難な点はない。
　また、相違点２についても、本件第１発明の検討において示したように、透明基板をエッチングすることによる位相シフトマスクにおいては、製造時に位相量を測定することは周知であるので、透明基板をエッチングすることによる位相シフトマスクの位相量測定装置を加工用とすることは何ら格別のものではない。
　してみれば、本件第２発明と引用発明２との相違点は格別のものではなく、その効果も予想できるものである。
　以上のことから、本件第２発明は刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、本件第２発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（ｃ）本件第３発明
  本件第３発明は、
「前記の被エッチング面及び非エッチング面から反射された光を相互に干渉させて測定ビート信号を発生させる手段が、前記光学系を含み、被エッチング面及び非エッチング面から反射された光が前記光学系の入射の際の光路と略反対方向の光路をたどるように構成されていることを特徴とする請求項２記載の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定装置。」
であり、本件第２発明における測定ビート信号を発生させる手段を限定したものである。
　しかしながら、刊行物１の［記載ａ４］として示した図２には、位相シフトマスクから反射された光を相互に干渉させて測定ビート信号を発生させる手段、前記光学系を含み、位相シフトマスクから反射された光が前記光学系の入射の際の光路と略反対方向の光路をたどるように構成されている位相シフトマスクの位相シフト量測定装置が開示されいる。
　なお、さらには引用発明２が記載された刊行物３の図１０には位相シフトマスクからの反射光を第３の受光器に導く光学系が入射光を位相シフトマスクに導く光路と略反対方向の光路をたどることが開示されている。
　したがって、引用発明２と刊行物１および２を組み合わせる際に、刊行物１記載の係る構成を採用することは、当業者が容易になし得たものである。
　してみれば、本件第３発明は刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、本件第３発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（ｄ）本件第４発明
  本件第４発明は、
「前記光学系が対物レンズを備え、その入射側の前記２本の光が交差する位置近傍に絞りを備えていることを特徴とする請求項３記載の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定装置。」
であり、本件第３発明における光学系を限定したものである。
　異議申立人は刊行物４（甲第４号証）に記載の反射型の共焦点顕微鏡は、刊行物３（甲第３号証）記載の位相シフト量測定装置とは試料表面の光学特性をレーザ光により観察する点で共通しており、互いに技術分野がであるので、刊行物４記載の反射型の共焦点顕微鏡の光学系を刊行物３記載の発明に適用することは、当業者が容易に想到できると主張している。
　しかしながら、刊行物４記載の反射型の共焦点顕微鏡において異議申立人が本件第４発明における「絞り」に相当するものは、ピンホール基板２に設けられた「ピンホール」であり、［記載ｄ１］には、「モータ２１によりピンホール基板が一定速度で回転するようになっている。」とされており、試料５への集束光点を走査するためのものである。
　一方、本件第４発明における「絞り」は本件明細書中の【００２２】段落に記載されているように、不要反射光を遮断するためのものであり、その目的・効果において相違する。
　また、刊行物１ないし３を参照しても、「２本の光が交差する位置近傍に絞りを備えている」構成も示唆も見いだすことができない。
　しかしながら、「共焦点分光分析」の発明が記載されている特表平６−５００６３７号公報（以下、「周知例４」という。）には、実質的に顕微鏡対物レンズの焦点で散乱された光だけをスリットを通過させることにより、焦点で散乱された光以外の光をブロックする構成が開示（第４頁右下欄の記載およびFig４参照）されているし、「位置ずれ及びギャップ検出方法」の発明が記載されている特開平７−２２５１１３号公報（以下、「周知例５」という。）には、４光束が平行交差する位置に視野絞りを有するとともに、反射回折光の焦点位置にピンホールによる視野絞りを有する構成（４頁右欄、５頁左欄および【図６】参照）が開示され、「ラマン分光測定装置」の発明が記載されている特開平８−３２７５５０号公報（以下、「周知例６」という。）には、パルスレーザー光の光学レンズでの反射を除去するための絞り部材が焦点位置に配置する構成（３頁左欄および【図１】参照）が開示されている。
　これら周知例４ないし６から、不要な信号を除去するためにレンズにより光りが交差する位置近傍に絞り部材を設けることは慣用手段と認められるので、本件第４発明は、本件第３発明に単に慣用手段を付加したものにすぎない。
　したがって、本件第４発明は、刊行物１ないし３に記載された発明から容易に発明できたものであり、本件第４発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１ないし４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月１０日（２００５．２．１０）