【事件の表示】
　特許第３４４１３０４号「基板処理装置および方法」の請求項１〜１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４４１３０４号の請求項１〜９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３４４１３０４号の請求項１〜１２に係る発明は、平成８年７月１８日に特許出願され、平成１５年６月２０日にそれらの特許権の設定登録がなされ、平成１５年１２月２６日に早苗道弘より請求項１〜１２に係る特許に対して異議の申立てがなされ、平成１６年８月３０日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１１月５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のとおりである。
〈訂正事項１〉
　本件特許の設定登録時の願書に添付した明細書又は図面（以下、「本件特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載される、
「基板を保持して回転する基板保持部と、
　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、
　前記基板保持部に保持された基板に、当該基板の表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給手段と、
　前記基板保持部に保持された基板に、当該基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給手段と、
　前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、を備え、
　前記ガス供給手段は、不活性ガスを噴射するガス噴射口を含み、
　前記リンス液供給手段は、前記ガス噴射口内に設けられてリンス液を噴射する噴射ノズルを含
む
「基板を保持して回転する基板保持部と、
　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、
　前記基板保持部に保持された基板に、当該基板の表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給手段と、
　前記基板保持部に保持された基板に、当該基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給手段と、
　前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、を備え、
　前記ガス供給手段は、不活性ガスを噴射するガス噴射口を含み、
　前記リンス液供給手段は、前記ガス噴射口内に設けられてリンス液を噴射する噴射ノズルを含
み、　前記ガス噴射口からの前記不活性ガスの供給とともに、前記リンス液が前記噴射ノズルから前記基板の回転中心近傍に噴射される
　なお、下線は訂正個所を明確化するために当審が付したものである。以下、同様。
〈訂正事項２〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載される、
「基板を保持して回転する基板保持部と、
　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、
　前記基板保持部に保持されている基板に、当該基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給手段と、
　前記遮蔽板と前記基板とを相対的に接近させるように前記遮蔽板および前記基板の少なくとも一方を駆動する駆動手段と、
　
を備えた
「基板を保持して回転する基板保持部と、
　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、
　前記基板保持部に保持されている基板に、当該基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給手段と、
　前記遮蔽板と前記基板とを相対的に接近させるように前記遮蔽板および前記基板の少なくとも一方を駆動する駆動手段と、
　
前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、を備え、　前記乾燥促進剤供給手段による前記乾燥促進剤の供給の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に前記不活性ガスを供給して、前記基板表面を乾燥させる
〈訂正事項３〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の【請求項５】を削除する。
〈訂正事項４〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項６を請求項５に繰り上げるととともに、
「基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持された基板を回転させながら、前記基板に基板表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給工程と、
　前記表面処理剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して基板の表面に沿って気流を形成しつつ、前記基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と、
　を備
えた
「基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持された基板を回転させながら、前記基板に基板表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給工程と、
　前記表面処理剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して基板の表面に沿って気流を形成しつつ、前記基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と、
　を備え
、　前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射される
〈訂正事項５〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項７を請求項６に繰り上げるととともに、
「基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持されている基板を回転させながら、前記基板に基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給工程と、
　
「基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持されている基板を回転させながら、前記基板に基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給工程と、
　
前記乾燥促進剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と
〈訂正事項６〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項８を請求項７に繰り上げるととともに、
「請求項
７
　前記遮蔽板接近工程と前記乾燥促進剤供給工程との間に、前記基板を回転させながら、リンス液を供給するリンス液供給工程をさらに備えたことを特徴とする基板処理方法。」を、
「請求項
６
　前記遮蔽板接近工程と前記乾燥促進剤供給工程との間に、前記基板を回転させながら、リンス液を供給するリンス液供給工程をさらに備えたことを特徴とする基板処理方法。」と訂正する。
〈訂正事項７〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項９を請求項８に繰り上げるととともに、
「請求項
８
　前記リンス液供給工程と同時に、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理方法。」を、
「請求項
７
　前記リンス液供給工程と同時に、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理方法。」と訂正する。
〈訂正事項８〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１０を削除する。
〈訂正事項９〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１１を請求項９に繰り上げるととともに、
「基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持された基板を回転させながら、前記基板に基板表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給工程と、
　前記表面処理剤供給工程の後に、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
　前記不活性ガス供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給しつつ、前記基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と、
　を備え
た
「基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持された基板を回転させながら、前記基板に基板表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給工程と、
　前記表面処理剤供給工程の後に、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
　前記不活性ガス供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給しつつ、前記基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と、
　を備え
、　前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射される
〈訂正事項１０〉
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１２を削除する。
〈訂正事項１１〉
　本件特許明細書の段落【００１４】に記載される、
「・・・含んでいる。
　
「・・・含んでいる。
　
また、前記ガス噴射口からの前記不活性ガスの供給とともに、前記リンス液が前記噴射ノズルから前記基板の回転中心近傍に噴射される。
〈訂正事項１１〉
　本件特許明細書の段落【００１５】に記載される、
「また、請求項２の発明は、・・・駆動手段と、
を備えている。
「また、請求項２の発明は、・・・駆動手段と、
前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、を備え、前記乾燥促進剤供給手段により前記乾燥促進剤の供給の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に前記不活性ガスを供給して、前記基板表面を乾燥させる。
〈訂正事項１２〉
　本件特許明細書の段落【００１７】の記載を削除する。
〈訂正事項１３〉
　本件特許明細書の段落【００１８】に記載される、
「また、請求項
６
ている。
「また、請求項
５
、前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射される。
〈訂正事項１４〉
　本件特許明細書の段落【００１９】に記載される、
「また、請求項
７
　
「また、請求項
６
、前記乾燥促進剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と
〈訂正事項１５〉
　本件特許明細書の段落【００２０】に記載される、
「また、請求項
８
７
７
６
〈訂正事項１６〉
　本件特許明細書の段落【００２１】に記載される、
「また、請求項
９
８
８
７
〈訂正事項１７〉
　本件特許明細書の段落【００２２】に記載される、
「
また、請求項１０の発明は、請求項７から請求項９までのいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記乾燥促進剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程をさらに備えている。　また、請求項１１
ている。　また、請求項１２の発明は、・・・を備えている。
「
また、請求項９
、前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射される。
〈訂正事項１８〉
　本件特許明細書の段落【００７２】に記載される、
「【発明の効果】以上、説明したように、請求項１および請求項
６
５
〈訂正事項１９〉
　本件特許明細書の段落【００７５】に記載される、
「請求項２、請求項３、請求項
７
８
　
６
７
また、基板の表面近傍の乾燥促進剤の雰囲気を速やかに置換することによって、乾燥時間をより短縮することができる。
〈訂正事項２０〉
　本件特許明細書の段落【００７６】に記載される、
「請求項
５および請求項９
８
〈訂正事項２１〉
　本件特許明細書の段落【００７７】に記載される、
「
請求項１０の発明によれば、基板の表面近傍の乾燥促進剤の雰囲気を速やかに置換することによって、乾燥時間をより短縮することができる。請求項１１
請求項１２の発明によれば、・・・
「
請求項９
　
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項１は、本件特許明細書の段落【００３７】の記載に基づいて、また、訂正事項２は、本件特許明細書の段落【００３７】及び【００５５】の記載に基づいて、それぞれ、特許請求の範囲の減縮を図る明細書の訂正に該当する。
　訂正事項３、訂正事項８及び訂正事項１０は、それぞれ、本件特許明細書の特許請求の範囲の【請求項５】、【請求項１０】及び【請求項１２】を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする明細書の訂正に該当する。
　訂正事項４及び訂正事項９は、本件特許明細書の段落【００３７】の記載に基づいて、また、訂正事項５は、本件特許明細書の段落【００３７】及び【００５５】の記載に基づいて、それぞれ、特許請求の範囲の減縮を図るととともに、先行する請求項の削除に伴って請求項を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明を図る明細書の訂正に該当する。
　訂正事項６及び訂正事項７は、先行する請求項の削除に伴って請求項を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明を図る明細書の訂正に該当する。
　訂正事項１１〜訂正事項２１は、訂正事項１〜１０と整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする明細書の訂正に該当する。
　そして、各訂正事項は、いずれも新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項並びに同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜９に係る発明（以下それぞれを、「本件発明１」等という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
【請求項１】　基板を保持して回転する基板保持部と、
　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、
　前記基板保持部に保持された基板に、当該基板の表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給手段と、
　前記基板保持部に保持された基板に、当該基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給手段と、
　前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、を備え、
　前記ガス供給手段は、不活性ガスを噴射するガス噴射口を含み、
　前記リンス液供給手段は、前記ガス噴射口内に設けられてリンス液を噴射する噴射ノズルを含み、
　前記ガス噴射口からの前記不活性ガスの供給とともに、前記リンス液が前記噴射ノズルから前記基板の回転中心近傍に噴射されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】　基板を保持して回転する基板保持部と、
　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、
　前記基板保持部に保持されている基板に、当該基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給手段と、
　前記遮蔽板と前記基板とを相対的に接近させるように前記遮蔽板および前記基板の少なくとも一方を駆動する駆動手段と、
　前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
を備え、
　前記乾燥促進剤供給手段による前記乾燥促進剤の供給の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に前記不活性ガスを供給して、前記基板表面を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】　請求項２記載の基板処理装置において、
　前記乾燥促進剤の供給の前において前記基板保持部に保持された基板に、リンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】　請求項３記載の基板処理装置において、
　前記駆動手段は、前記リンス液の供給後であって且つ前記乾燥促進剤の供給前において、前記遮蔽板と前記基板とが前記リンス液の供給時よりもさらに接近するように前記遮蔽板および前記基板の少なくとも一方を駆動することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持された基板を回転させながら、前記基板に基板表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給工程と、
　前記表面処理剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して基板の表面に沿って気流を形成しつつ、前記基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と、
　を備え、
　前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持されている基板を回転させながら、前記基板に基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給工程と、
　前記乾燥促進剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】　請求項６記載の基板処理方法において、
　前記遮蔽板接近工程と前記乾燥促進剤供給工程との間に、前記基板を回転させながら、リンス液を供給するリンス液供給工程をさらに備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】　請求項７記載の基板処理方法において、
　前記リンス液供給工程と同時に、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持された基板を回転させながら、前記基板に基板表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給工程と、
　前記表面処理剤供給工程の後に、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
　前記不活性ガス供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給しつつ、前記基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と、
　を備え、
　前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射されることを特徴とする基板処理方法。
　
（２）申立て理由の概要
　申立人早苗道弘は、証拠として、甲第１号証（特開平８−７８３６８号公報）、甲第２号証（特開平８−８６９９２号公報）、甲第３号証（特開平６−３１０４８６号公報）及び甲第４号証（特開平７−１４８１７号公報）を提示し、本件発明１〜９は、甲第１号証記載の発明であるか、もしくは、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜９に係る特許は取り消すべきである、旨主張している。
　
（３）甲各号証記載の発明（事項）
　甲各号証には、以下の発明（事項）が記載されていると認められる。
（イ）甲第１号証記載の発明
『ウエハW（基板）を保持して回転する第１の処理部材11（基板保持部）と、
　第１の処理部材11（基板保持部）に保持されたウエハW（基板）に対向して配置され、当該ウエハW（基板）と対向する面が略平面である第２の処理部材12（遮蔽板）と、
　前記第１の処理部材11（基板保持部）に保持されたウエハW（基板）に、当該ウエハW（基板）の表面を処理する第１処理液供給タンク内の洗浄液（表面処理剤）を供給する洗浄液供給手段（表面処理剤供給手段）と、
　前記第１の処理部材11（基板保持部）に保持されたウエハW（基板）に、当該ウエハW（基板）表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給手段と、
　前記第１の処理部材11（基板保持部）に保持されたウエハW（基板）と前記第２の処理部材12（遮蔽板）との間の空間に窒素ガス（不活性ガス）を供給するガス供給手段と、を備え、
　前記ガス供給手段は、窒素ガス（不活性ガス）を噴射する流出口8b（ガス噴射口）を含み、
　前記リンス液供給手段は、リンス液を噴射する流出口8b（噴射ノズル）を含み、
　前記第２の処理部材12（遮蔽板）と前記ウエハW（基板）とを相対的に接近させるように前記第２の処理部材12（遮蔽板）を駆動する駆動手段を備える、ウエハW（基板）処理装置』の発明、及び、
『第１の処理部材11（基板保持部）に保持されたウエハW（基板）に対向して配置され、当該ウエハW（基板）と対向する面が略平面である第２の処理部材12（遮蔽板）を前記ウエハW（基板）に対して相対的に接近させる第２の処理部材接近工程（遮蔽板接近工程）と、
　前記第２の処理部材接近工程（遮蔽板接近工程）の後に、前記第１の処理部材11（基板保持部）に保持されたウエハW（基板）を回転させながら、前記ウエハW（基板）にウエハW（基板）表面を処理する第１処理液供給タンク内の洗浄液（表面処理剤）を供給する洗浄液供給工程（表面処理剤供給工程）と、
　前記洗浄液供給工程（表面処理剤供給工程）の後に、前記ウエハW（基板）を回転させながら、前記ウエハW（基板）表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記ウエハW（基板）を回転させながら、前記ウエハW（基板）と前記第２の処理部材（遮蔽板）との間の空間に窒素ガス（不活性ガス）を供給して前記ウエハW（基板）表面を乾燥させる乾燥工程と、
　を備えたウエハW（基板）処理方法』の発明。
　なお、括弧内は、甲第１号証記載の発明の部位に相当する本件各発明の部位である。以下、同様。
　
（ロ）甲第２号証記載の事項
『大型基板1を純水によるリンス、次いで窒素（不活性ガス）で乾燥するに際して、窒素を噴出するガスノズル22（不活性ガスを噴射するガス噴射口）と純水を噴出する純水ノズル23（リンス液を噴射する噴射ノズル）とを円板21（遮蔽板）の中央に近接して設ける』との事項。
　
（ハ）甲第３号証記載の事項
『回転式基板処理装置１において、純水吹付ノズルへ純水を供給する純水供給部（リンス液供給手段）とイソプロピルアルコールのベーパを含む窒素ガスを導くガス供給部30（乾燥促進剤供給手段）とを備える』との事項、及び、
『基板処理方法において、水洗工程（リンス液供給工程）の後に、基板を回転させながら、イソプロピルアルコールのベーパを含む窒素ガスを吹き付ける乾燥工程（乾燥促進剤供給工程）を、次いでイソプロピルアルコールのベーパを含む窒素ガスを吹き付けない乾燥工程を備える』との事項。
　
（ニ）甲第４号証記載の事項
『不活性ガス雰囲気の下で、ウエハ５（基板）に超純水（リンス液）を供給して洗浄する』との事項。
　
（４）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者は、以下の点で相違し、残余の点で一致する。
〈相違点１〉前者は、リンス液供給手段が、ガス噴射口内に設けられてリンス液を噴射する噴射ノズルを含み、前記ガス噴射口からの不活性ガスの供給とともに、前記リンス液が前記噴射ノズルから前記基板の回転中心近傍に噴射されるのに対し、後者は、そのようなものではない点。
　ところで、上記相違点１に係る本件発明１の構成は、甲第２〜４号証に記載も示唆もされていない。
　一方、本件発明１は、上記相違点１に係る構成を備えることにより、「・・・基板Ｗの表面に沿って気流Ｆが形成されているため、当該空間に満たされた窒素に空気が混入することがなくなり、純水洗浄処理中にも、コロイダルシリカや自然酸化膜が生成することがなくなる。」（訂正明細書の段落【００３８】）、「・・・純水洗浄処理のときに、窒素を噴射していなかったが、このときにガス噴射口２３から基板Ｗの回転中心近傍に窒素を噴射するようにすれば、上記第１実施形態と同様に、純水洗浄処理中にも、純水に酸素が溶込むことがなくなり、コロイダルシリカや自然酸化膜が生成することがなくなる。」（訂正明細書の段落【００５６】）という顕著な作用効果を奏していると認められる。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証記載の発明であるとすることができないばかりでなく、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（５）本件発明５及び本件発明９について
　本件発明５及び本件発明９と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者は、少なくとも、上記相違点１と実質上同一の点で相違する。
　したがって、本件発明５及び本件発明９も、本件発明１と同様の理由によって、甲第１号証記載の発明であるとすることができないばかりでなく、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（６）本件発明２について
　本件発明２と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者は、以下の点で相違し、残余の点で一致する。
〈相違点２〉前者は、基板保持部に保持されている基板に、当該基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給手段を備え、前記乾燥促進剤供給手段による前記乾燥促進剤の供給の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して、前記基板表面を乾燥させるのに対して、後者は、乾燥促進剤供給手段を備えるものではなく、したがって、乾燥促進剤の供給の後に不活性ガスを供給して基板表面を乾燥させるものではない点。
　そこで、上記相違点２について検討するに、基板保持部に保持されている基板に、当該基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給手段を備えることは、甲第３号証に記載されているものの、乾燥促進剤の供給の後に不活性ガスを供給して基板表面を乾燥させることは、甲第３号証のみならず、甲第２号証及び甲第４号証に記載も示唆もされていない。
　一方、本件発明２は、乾燥促進剤の供給の後に不活性ガスを供給して基板表面を乾燥させることを構成として備えることにより、「・・・ＩＰＡ蒸気を噴射した後、バルブ５６を切り換えて、ガス噴射口２３から基板Ｗの回転中心近傍に窒素を噴射するようにしてもよい。このようにすれば、基板Ｗの表面近傍のＩＰＡ雰囲気を速やかに置換することによって、乾燥時間をより短縮することができる。」（訂正明細書の段落【００５５】）という顕著な作用効果を奏していると認められる。
　したがって、本件発明２は、甲第１号証記載の発明であるとすることができないばかりでなく、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（７）本件発明３、本件発明４及び本件発明６〜８について
　本件発明３、本件発明４及び本件発明６〜８と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者は、少なくとも、上記相違点２と同一もしくは実質上同一の点で相違する。
　したがって、本件発明３、本件発明４及び本件発明６〜８も、本件発明２と同様の理由によって、甲第１号証記載の発明であるとすることができないばかりでなく、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（８）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１〜９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１〜９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１１月２４日（２００４．１１．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基板処理装置および方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板を保持して回転する基板保持部と、
　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、
　前記基板保持部に保持された基板に、当該基板の表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給手段と、
　前記基板保持部に保持された基板に、当該基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給手段と、
　前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
を備え、
　前記ガス供給手段は、不活性ガスを噴射するガス噴射口を含み、
　前記リンス液供給手段は、前記ガス噴射口内に設けられてリンス液を噴射する噴射ノズルを含み
、
　前記ガス噴射口からの前記不活性ガスの供給とともに、前記リンス液が前記噴射ノズルから前記基板の回転中心近傍に噴射される
　【請求項２】　基板を保持して回転する基板保持部と、
　基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、
　前記基板保持部に保持されている基板に、当該基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給手段と、
　前記遮蔽板と前記基板とを相対的に接近させるように前記遮蔽板および前記基板の少なくとも一方を駆動する駆動手段と、
　前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
を備え、
　前記乾燥促進剤供給手段による前記乾燥促進剤の供給の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に前記不活性ガスを供給して、前記基板表面を乾燥させること
　【請求項３】　請求項２記載の基板処理装置において、
　前記乾燥促進剤の供給の前において前記基板保持部に保持された基板に、リンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
　【請求項４】　請求項３記載の基板処理装置において、
　前記駆動手段は、前記リンス液の供給後であって且つ前記乾燥促進剤の供給前において、前記遮蔽板と前記基板とが前記リンス液の供給時よりもさらに接近するように前記遮蔽板および前記基板の少なくとも一方を駆動することを特徴とする基板処理装置。
　【請求項５】　
基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持された基板を回転させながら、前記基板に基板表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給工程と、
　前記表面処理剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して基板の表面に沿って気流を形成しつつ、前記基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と、
を備え、
　前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射されることを特徴とする基板処理方法。
　【請求項６】　
基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持されている基板を回転させながら、前記基板に基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給工程と、
　前記乾燥促進剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
　【請求項７】　
請求項６記載の基板処理方法において、
　前記遮蔽板接近工程と前記乾燥促進剤供給工程との間に、前記基板を回転させながら、リンス液を供給するリンス液供給工程をさらに備えたことを特徴とする基板処理方法。
　【請求項８】　
請求項７記載の基板処理方法において、
　前記リンス液供給工程と同時に、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理方法。
　【請求項９】　
基板保持部に保持された基板に対向して配置され、当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板を前記基板に対して相対的に接近させる遮蔽板接近工程と、
　前記遮蔽板接近工程の後に、前記基板保持部に保持された基板を回転させながら、前記基板に基板表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給工程と、
　前記表面処理剤供給工程の後に、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
　前記不活性ガス供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給しつつ、前記基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記リンス液供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と、
を備え、
　前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射されることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は半導体基板や液晶用ガラス基板（以下、単に基板という）に対して処理を施す基板処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体の製造工程や、液晶表示板の製造工程においては基板に各種処理が施される。このような処理には例えば基板へのフォトレジストの塗布、フォトレジストの剥離、フォトレジスト剥離後の洗浄などがある。以下、基板に洗浄処理を施す基板処理装置について、その要部断面図である図１０を用いて説明する。この基板処理装置は実開平３−１０４２４２号で提案されているものである。
　【０００３】
　基板処理装置１は処理液として、洗浄液であるフッ酸などの薬液や純水を用いて基板に対して洗浄処理を施す。
　【０００４】
　基板処理装置１は箱体８内部にチャンバ９を有する。チャンバ９下部には洗浄液の排液口１０がある。また、チャンバ９内部には基板Ｗを吸着して保持する基板保持手段１１がある。基板保持手段１１は回転手段（図示せず）によって回転する。またさらにチャンバ９には基板Ｗに対して洗浄液を供給する洗浄液噴射ノズル１２およびチャンバ９内に不活性ガスを供給するガス供給ノズル１３が設けられている。
　【０００５】
　この基板処理装置１における基板Ｗへの処理について説明する。まず、基板Ｗが基板保持手段１１上に載置され、基板保持手段１１は基板Ｗを吸着して保持する。次に基板保持手段１１が回転手段によって回される。そして、洗浄液噴射ノズル１２からフッ酸などの薬液が基板Ｗの表面に噴射され、当該基板Ｗ表面の薬液洗浄処理が行われる。なお、基板Ｗから落下した余分な薬液はチャンバ９下部の排液口１０を通じて排出される。
　【０００６】
　薬液による洗浄処理が終了すると、次に、洗浄液噴射ノズル１２から純水が噴射され、基板Ｗ表面の純水洗浄処理が行われる。このときに、洗浄中の純水に空気中の酸素が溶込み、基板Ｗの表面にコロイダルシリカ（不揮発性ケイ酸塩）や自然酸化膜が生成されやすい。これを防ぐ目的で、純水洗浄処理中は、ガス供給ノズル１３から基板Ｗに向かって不活性ガスが噴射され、基板Ｗの表面付近は不活性ガス雰囲気で満たされる。
　【０００７】
　純水による洗浄処理が終了すると、最後に、ガス供給ノズル１３から不活性ガスを噴射した状態で、基板Ｗを高速で回転させ、その回転の遠心力によって基板Ｗの表面に付着した水滴を飛ばすスピンドライが行われる。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来の基板処理装置１では、純水洗浄処理中において、基板Ｗ表面のコロイダルシリカや自然酸化膜の生成防止のため、ガス供給ノズル１３から不活性ガスが吹き付けられているが当該基板Ｗの上方には多くの空間があり、不活性ガスが基板Ｗに到達するまでに不活性ガスに大量の空気が混ざる。そして、不活性ガスに混入した空気中の酸素によって基板Ｗの表面にコロイダルシリカや自然酸化膜が生成されることとなる。コロイダルシリカや自然酸化膜の生成を防ぐためには、基板Ｗの表面近傍の空気を限りなく少なくする必要があるが、そのためには、大量の不活性ガスを供給しなければならず、装置のランニングコストが高くなるという不都合が生じる。
　【０００９】
　また、スピンドライ中においては、基板Ｗの表面に付着した微小な水滴、特に基板Ｗの中心近傍やパターン段差部分に付着した微小水滴には、当該水滴に作用する遠心力よりも大きな付着力が作用しているため、その微小水滴を飛ばすことは困難となる。この微小水滴に対しても上述の不活性ガスに混入した空気中の酸素が溶込み、コロイダルシリカなどを生成することとなる。そして、コロイダルシリカが生成した状態で基板Ｗに付着残留した微小水滴は、ウォーターマーク（不揮発性ケイ酸塩の局所残留）の原因となる。
　【００１０】
　さらに、従来の基板処理装置１では、不活性ガスを供給するときに、図１０に示すように基板Ｗの回転によって基板Ｗ表面に気流の巻き上がりが生じ、乱流Ｔが発生する。このときに、チャンバ９の内側には、薬液洗浄処理におけるＨＦとＳｉＯ２との反応生成物が付着しており、乱流Ｔがその反応生成物を巻き込んで基板Ｗに再付着させ、パーティクル付着の原因となることがある。これを防ぐためには、薬液洗浄処理と純水洗浄処理とを異なるチャンバに移し替えて、処理を行う必要があり、処理の効率が低い。
　【００１１】
　本発明は、上記課題に鑑みて、洗浄処理中に、コロイダルシリカや自然酸化膜が生成しない基板処理装置および方法を提供することを第１の目的とする。
　【００１２】
　また、微小水滴が残留しないようにして、ウォーターマークの生成を防止することができる基板処理装置および方法を提供することを第２の目的とする。
　【００１３】
　さらに、気流の巻き上がりを防ぎ、基板へのパーティクル付着を防止することができる基板処理装置および方法を提供することを第３の目的とする。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を保持して回転する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に対向して配置され当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、前記基板保持部に保持された基板に当該基板の表面を処理する表面処理剤を供給する表面処理剤供給手段と、前記基板保持部に保持された基板に当該基板表面上の付着物を洗浄するためのリンス液を供給するリンス液供給手段と、前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、を備えている。
　そして、前記ガス供給手段は、不活性ガスを噴射するガス噴射口を含み、前記リンス液供給手段は、前記ガス噴射口内に設けられてリンス液を噴射する噴射ノズルを含んでいる。
　また、
前記ガス噴射口からの前記不活性ガスの供給とともに、前記リンス液が前記噴射ノズルから前記基板の回転中心近傍に噴射される。
　【００１５】
　また、請求項２の発明は、基板を保持して回転する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に対向して配置され当該基板と対向する面が略平面である遮蔽板と、前記基板保持部に保持されている基板に、当該基板表面を乾燥させるための乾燥促進剤を供給する乾燥促進剤供給手段と、前記遮蔽板と前記基板とを相対的に接近させるように前記遮蔽板および前記基板の少なくとも一方を駆動する駆動手段と、
前記基板保持部に保持された基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、を備え、前記乾燥促進剤供給手段による前記乾燥促進剤の供給の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に前記不活性ガスを供給して、前記基板表面を乾燥させる。
　【００１６】
　また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記乾燥促進剤の供給の前において前記基板保持部に保持された基板に、リンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えている。
　また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る基板処理装置において、前記駆動手段は、前記リンス液の供給後であって且つ前記乾燥促進剤の供給前において、前記遮蔽板と前記基板とが前記リンス液の供給時よりもさらに接近するように前記遮蔽板および前記基板の少なくとも一方を駆動する。
　【００１７】
　【００１８】
　また、請求項
５
、前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射される。
　【００１９】
　また、請求項
６
、前記乾燥促進剤供給工程の後に、前記基板を回転させながら、前記基板と前記遮蔽板との間の空間に不活性ガスを供給して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程と
　【００２０】
　また、請求項
７
６
　【００２１】
　また、請求項
８
７
　【００２２】
　ま
９
、前記リンス液供給工程においては、ガス噴射口から前記不活性ガスが前記基板の回転中心近傍に供給されるとともに、前記ガス噴射口内に設けられた前記噴射ノズルから前記リンス液が前記基板の回転中心近傍に噴射される。
　【００２３】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明するが、その前にこの発明における一般的用語と、以下の実施形態における具体的用語との関係を整理すると以下のようになっている。
　【００２４】
　一般的用語　　：実施形態における具体的用語
　　　↓　　　　　　↓
　リンス液　　　：純水
　表面処理剤　　：フッ酸水溶液、塩酸、硝酸、塩酸＋過酸化水素水、フッ化水素ガス又は蒸気
　不活性ガス　　：窒素
　乾燥促進剤　　：ＩＰＡ蒸気、ＩＰＡ（液体）、メタノールなどのアルコール類やアセトン。
　【００２５】
　【第１の実施形態】
　第１の実施形態で説明する基板処理装置１は、基板に対してフッ酸による表面洗浄処理を行った後、純水（一般にはリンス液）を供給して純水洗浄処理をし、さらに、基板を乾燥させる乾燥処理を行う。なお、本明細書中では、フッ酸などの薬液と純水とを総称して処理液と称することとする。
　【００２６】
　図１は本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の縦断面図である。また、図２はその上面図である。以下、図１、図２を参照しながら説明する。なお、図１は、後述する純水洗浄処理（一般にはリンス洗浄処理）のときの基板処理装置１を示す図である。基板処理装置１は箱体８内にカップ１４を備える。カップ１４は上面視円形の椀型部材で、その底部には周方向に連続した谷部３０が形成されている。谷部３０には２つの排液口１０が開けられ、カップ１４内に落下したフッ酸や純水は排液口１０から排出される。そして、基板保持手段１１がカップ１４中央を貫いて設けられている。該基板保持手段１１は回転手段（図示せず）によって回転される。基板保持手段１１は複数の爪３１を備えており、当該爪３１が基板Ｗの周部を保持する。従って、基板保持手段１１は基板Ｗを保持して回転するように構成されている。
　【００２７】
　また、基板Ｗに対向して遮蔽手段１５が設けられている。遮蔽手段１５は駆動手段（図示せず）によって昇降する。図３は図１、図２に示す遮蔽手段１５の斜視図である。また、図４は遮蔽手段１５要部の斜視図である。図３において、固定ブロック１６は装置本体に固定されている。そして、２本の摺動軸１８、１８が固定ブロック１６を垂直方向に貫通している。この摺動軸１８、１８は固定ブロック１６に対して摺動可能である。摺動軸１８、１８の下端は移動ブロック１７に固定されている。移動ブロック１７は図示を省略する駆動手段によって上下に昇降する。また、摺動軸１８、１８の上端にはアームベース２１が固定されている。アームベース２１には水平方向に長尺なアーム１９の一端が固定されている。アーム１９の他端には同軸ノズル２０が設けられ端部には遮蔽板２２が固定されている。この遮蔽板２２は、基板Ｗと対向する面が略平面状の円板である。
　【００２８】
　遮蔽手段１５は以上のような構成なので、移動ブロック１７が駆動手段によって上昇すると摺動軸１８、１８も上昇し、アームベース２１も上昇する。従ってアーム１９及び遮蔽板２２も上昇する。このようにして、遮蔽板２２と基板Ｗとの距離を変えることができる。
　【００２９】
　次に、同軸ノズル２０について説明する。図５はアーム１９端部から遮蔽板２２を外した状態の同軸ノズル２０の斜視図である。アーム１９の端部はＬ字状になっており、基板Ｗに対向する部分には不活性ガスを噴射する円形のガス噴射口２３が開けられている。該ガス噴射口２３にはアーム１９を貫いて設けられているブラケット２４から不活性ガスである窒素が供給される。ガス噴射口２３内にはガス噴射口２３と同軸に噴射ノズル２５が設けられている。噴射ノズル２５にはブラケット２６を通じてフッ酸または純水が供給される。
　【００３０】
　同軸ノズル２０は以上のような構造なので基板Ｗの略同一部分に対して窒素および、処理液を噴射することができる。
　【００３１】
　続いて図４を参照しながら遮蔽板２２について説明する。遮蔽板２２は中央に円形の開口２７を有する塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ）製の円板状部材である。なお、既述したように、遮蔽板２２の基板Ｗと対向する面は略平面状である。この遮蔽板２２の直径は基板Ｗの直径とほぼ同径かまたはそれ以上のものであればよいが、本実施形態では遮蔽板２２の直径を基板Ｗの直径よりやや小さくしてある。こうすることによって遮蔽板２２と基板Ｗとの距離を狭めたときに遮蔽板２２と基板保持手段１１の爪３１との干渉を防止することができる。遮蔽板２２の形状は円板状に限らず多角形の板材でもよい。
　【００３２】
　遮蔽板２２はアーム１９に固定されており、開口２７は同軸ノズル２０のガス噴射口２３に対応している。なお、遮蔽板２２はアーム１９に固定されているので遮蔽板２２とアーム１９とが擦れて発塵することがない。
　【００３３】
　以上のような構成の基板処理装置１の動作について説明する。図６は、基板処理装置１の動作中における遮蔽手段１５の位置を説明する図である。
　【００３４】
　まず、初期状態においては遮蔽手段１５は最も高い待避位置（図６中の点線の位置）にまで上昇している。そして、搬送手段（図示せず）が水平状態で基板Ｗを基板保持手段１１に渡し、基板保持手段１１は基板Ｗを保持する。
　【００３５】
　次に駆動手段によって遮蔽手段１５が図中の高さＡの位置まで降下する。遮蔽手段１５の降下が完了すると洗浄処理が開始される。
　【００３６】
　洗浄処理においては、まず、フッ酸水溶液による表面洗浄処理が行われる。このときには、基板保持手段１１によって保持された基板Ｗが回転手段によって回転されつつ、噴射ノズル２５からフッ酸水溶液が基板Ｗの回転中心近傍に噴射されて表面洗浄処理が行われる。なお、この実施形態において、基板Ｗの表面洗浄処理に使用される表面処理剤はフッ酸水溶液であるが、これに限定されるものではなく、塩酸、硝酸、塩酸＋過酸化水素水などの表面処理液や、フッ化水素などの気体又は蒸気であっても良い。
　【００３７】
　表面洗浄処理が終了すると、次に、純水洗浄処理が行われる。この純水洗浄処理においては、純水が供給されるのに先立って、ガス噴射口２３から基板Ｗの中心部に向かって不活性ガスである窒素が噴射され、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間が窒素で満たされ、やがて図１に示すような気流Ｆが生じる。そして、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間に窒素が噴射されつつ、基板Ｗを回転させながら噴射ノズル２５から純水を基板Ｗの回転中心近傍に噴射して、基板Ｗ表面の汚染物質を除去する。
　【００３８】
　このようにすれば、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間は狭く、しかも基板Ｗの表面に沿って気流Ｆが形成されているため、当該空間に満たされた窒素に空気が混入することがなくなり、純水洗浄処理中にも、コロイダルシリカや自然酸化膜が生成することがなくなる。また、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間のみを窒素で満たせば良いので、窒素の量が少なくて済む。
　【００３９】
　純水洗浄処理が終了すると、最後に、乾燥処理が行われる。乾燥処理が行われる際には、ガス噴射口２３から基板Ｗの中心部に向かって不活性ガスである窒素を噴射し、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間を窒素で満たし続けたまま、駆動手段によって遮蔽手段１５が図６中の高さＢの位置まで降下される。これは、遮蔽手段１５をなるべく基板Ｗに接近させた方が、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間を満たすのに必要とされる窒素の量が少なくて済むからである。なお、純水洗浄処理において遮蔽手段１５を高さＢの位置まで降下させないのは、処理液が遮蔽板２２に付着しないようにするためである。
　【００４０】
　また、乾燥処理を行うときには、表面洗浄処理および純水洗浄処理を行うときよりも、基板Ｗの回転数を多くして、当該基板Ｗに付着した液滴により強い遠心力が作用するようにする。
　【００４１】
　以上のようにすれば、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間において基板Ｗの表面に沿って気流が流れ続けているため、図１０に示したような乱流Ｔが基板Ｗ表面上で巻き上がることがなくなり、基板Ｗへ反応生成物などのパーティクルが付着するのを防止することができる。したがって、表面洗浄処理と純水洗浄処理とを同一チャンバ内にて連続的に行うこともでき、処理の効率が向上する。
　【００４２】
　また、乾燥処理中も常に、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間が窒素で満たされているため、基板Ｗの表面に付着した水滴に酸素が溶込んでコロイダルシリカを生成することがなくなり、ウォーターマークの発生を防止することができる。
　【００４３】
　また、遮蔽板２２の基板Ｗと対向する面は略平面状であるが、この面上に溝を形成すれば、窒素をその溝の方向に誘導することもできる。
　【００４４】
　なお、本実施形態において、不活性ガスとして窒素を使用していたが、これに限定されるものではなく、基板Ｗに付着した水滴と反応しないガスであればよい。
　【００４５】
　【第２の実施形態】
　次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装置１は、上記第１実施形態において説明したものに加えて、ガス噴射口２３から乾燥促進剤としてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気が噴射されるように構成されている。
　【００４６】
　図７は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための機能ブロック図である。図示の如く、フッ酸供給手段５１と純水供給手段５２とがバルブ５５に接続されており、また、ＩＰＡ蒸気供給手段５３と窒素供給手段５４がバルブ５６に接続されている。バルブ５５、５６は、制御部５０に電気的に接続されており、当該制御部５０によって供給手段が切り換えられるように構成されている。すなわち、バルブ５５を切り換えることによってフッ酸供給手段５１か純水供給手段５２かが選択され、また、バルブ５６を切り換えることによってＩＰＡ蒸気供給手段５３か窒素供給手段５４かが選択される。そして、バルブ５５、５６は、それぞれブラケット２６、２４（図１参照）に接続されており、選択された供給手段からの処理液やガスが基板Ｗに供給されるように構成されている。
　【００４７】
　なお、上記の第１実施形態では、ＩＰＡ蒸気を使用しないため、ＩＰＡ蒸気供給手段５３とバルブ５６とは設けられていないが、その他の機能的構成は、図７に示すものと同様である。
　【００４８】
　第２実施形態に戻り、基板処理装置１本体部の構成は図１から図５に示すものと同様であるため説明を省略する。
　【００４９】
　第２実施形態の基板処理装置１の動作について説明する。以下の説明は、基板処理装置１に、既に表面処理剤による表面洗浄処理が終了した基板Ｗが搬入された場合についてである。
　【００５０】
　まず、駆動手段によって遮蔽手段１５が図６に示す高さＡの位置まで降下する。そして、遮蔽手段１５の降下が完了すると純水洗浄処理が開始される。ここでは、窒素の噴射は行われず、基板保持手段１１によって保持された基板Ｗを回転させつつ噴射ノズル２５から純水を基板Ｗの回転中心近傍に噴射することにより、基板Ｗ表面の汚染物質が除去される。
　【００５１】
　純水洗浄処理が終了すると、次に、乾燥処理が開始される。乾燥処理に先立って、駆動手段により遮蔽手段１５が図６に示す高さＢの位置まで降下する。そして、基板Ｗの回転数を多くするとともに、ガス噴射口２３から基板Ｗの回転中心近傍にＩＰＡ蒸気が噴射されて乾燥処理が行われる。このときに、ＩＰＡ蒸気は基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間において気流を形成し、当該基板Ｗの表面に沿ってＩＰＡ蒸気の気流が流れ続けている。そして、ＩＰＡ蒸気は、基板Ｗ表面に付着した水分を吸着して、除去する機能を有する。
　【００５２】
　このようにすれば、基板Ｗの表面に付着した水滴は、基板Ｗの回転による遠心力によって除去されるとともに、ＩＰＡ蒸気が当該水滴を吸着して、除去するので、乾燥時間が短縮されるとともに、微少な水滴残りを防止し、ウォーターマークの発生を防止することができる。また、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間のみをＩＰＡ蒸気で満たせば良いので、ＩＰＡの使用量が少なくて済む。
　【００５３】
　なお、以上においては、乾燥促進剤としてＩＰＡ蒸気を使用していたが、これに限定されるものではなく、水分を吸着して除去する液、例えば、ＩＰＡ、メタノールなどのアルコール類やアセトンであってもかまわない。もっとも、このような液を使用する場合には、遮蔽板２２に液が付着するのを防ぐため、遮蔽手段１５を図６に示す高さＡの位置で、基板Ｗの回転数も純水洗浄処理のときと同じ回転数で乾燥処理を行う必要がある。
　【００５４】
　また、この第２実施形態においては、既に表面洗浄処理が終了した基板Ｗが搬入された場合であったが、これを表面処理剤による表面洗浄処理から開始するようにしても良い。この場合は、上記第１実施形態と同様にして表面洗浄処理が行われる。
　【００５５】
　また、第２実施形態において、ＩＰＡ蒸気を噴射した後、バルブ５６を切り換えて、ガス噴射口２３から基板Ｗの回転中心近傍に窒素を噴射するようにしてもよい。このようにすれば、基板Ｗの表面近傍のＩＰＡ雰囲気を速やかに置換することによって、乾燥時間をより短縮することができる。
　【００５６】
　さらに、第２実施形態においては、純水洗浄処理のときに、窒素を噴射していなかったが、このときにガス噴射口２３から基板Ｗの回転中心近傍に窒素を噴射するようにすれば、上記第１実施形態と同様に、純水洗浄処理中にも、純水に酸素が溶込むことがなくなり、コロイダルシリカや自然酸化膜が生成することがなくなる。
　【００５７】
　【第３の実施形態】
　図８は本発明の第３実施形態に係る基板処理装置１ａの縦断面図である。箱体８上部が基板Ｗと対向する遮蔽板２２である。また、箱体８上部には噴射ノズル２５および、ガス噴射口２３が設けられている。箱体８内部の基板保持手段１１は基板Ｗを吸着して保持し、回転する。また、該基板保持手段１１は昇降手段（図示せず）によって昇降し、基板Ｗと遮蔽板２２との間隔を変えることができる。
　【００５８】
　この第３実施形態に係る基板処理装置１ａの動作について説明する。図９は、基板処理装置１ａの動作中における基板保持手段１１の位置を説明する図である。
　【００５９】
　まず、初期状態においては基板保持手段１１は最も低い待避位置（図９中の点線の位置）にまで降下している。そして、搬送手段（図示せず）が水平状態で基板Ｗを基板保持手段１１に渡し、基板保持手段１１は基板Ｗを保持する。
　【００６０】
　次に駆動手段によって基板保持手段１１が図中の高さＡの位置まで上昇する。基板保持手段１１の上昇が完了すると洗浄処理が開始される。
　【００６１】
　洗浄処理においては、上記第１実施形態と同様に、まず、フッ酸水溶液による表面洗浄処理が行われる。このときには、基板保持手段１１によって保持された基板Ｗが回転手段によって回転されつつ、噴射ノズル２５からフッ酸水溶液が基板Ｗの回転中心近傍に噴射されて表面洗浄処理が行われる。
　【００６２】
　表面洗浄処理が終了すると、次に、純水洗浄処理が行われる。このときも上記第１実施形態と同様に、ガス噴射口２３から基板Ｗの中心部に向かって不活性ガスである窒素が噴射されつつ、回転している基板Ｗの回転中心近傍に噴射ノズル２５から純水が噴射されて、基板Ｗ表面の汚染物質が除去される。
　【００６３】
　このようにしても、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間は狭く、しかも基板Ｗの表面に沿って気流が形成されているため、当該空間に満たされた窒素に空気が混入することがなくなり、純水洗浄処理中にも、コロイダルシリカや自然酸化膜が生成することがなくなる。また、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間のみを窒素で満たせば良いので、窒素の量が少なくて済む。
　【００６４】
　純水洗浄処理が終了すると、最後に、乾燥処理が行われる。乾燥処理が行われる際には、ガス噴射口２３から基板Ｗの中心部に向かって不活性ガスである窒素が噴射され、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間を窒素で満たし続けたまま、駆動手段によって基板保持手段１１が図９中の高さＢの位置まで上昇する。そして、基板Ｗの回転数を多くして、当該基板Ｗに付着した液滴により強い遠心力が作用するようにする。
　【００６５】
　以上のようにすれば、第１実施形態と同様に、基板Ｗへ反応生成物などのパーティクルが付着するのを防止することができる。したがって、表面洗浄処理と純水洗浄処理とを同一チャンバ内にて連続的に行うこともでき、処理の効率が向上する。
　【００６６】
　また、乾燥処理中も常に、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間が窒素で満たされているため、基板Ｗの表面に付着した水滴に酸素が溶込んでコロイダルシリカを生成することがなくなり、ウォーターマークの発生を防止することができる。
　【００６７】
　【第４の実施形態】
　第４実施形態の基板処理装置１ａは、上記第３実施形態において説明したものに加えて、ガス噴射口２３から乾燥促進剤としてＩＰＡ蒸気が噴射されるように構成されている。そして、その構成は、図７に示すものと同様の構成である。
　【００６８】
　この基板処理装置１ａに表面洗浄処理済みの基板Ｗが搬入された場合、まず、駆動手段によって基板保持手段１１が図９に示す高さＡの位置まで上昇する。そして、基板保持手段１１の上昇が完了すると純水洗浄処理が開始される。ここでは、窒素の噴射は行われず、基板保持手段１１によって保持された基板Ｗを回転させつつ噴射ノズル２５から純水を基板Ｗの回転中心近傍に噴射することにより、基板Ｗ表面の汚染物質が除去される。
　【００６９】
　純水洗浄処理が終了すると、次に、乾燥処理が開始される。乾燥処理に先立って、駆動手段により基板保持手段１１が図９に示す高さＢの位置まで上昇する。そして、基板Ｗの回転数を多くするとともに、ガス噴射口２３から基板Ｗの回転中心近傍にＩＰＡ蒸気が噴射されて乾燥処理が行われる。このときに、ＩＰＡ蒸気は、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間において気流を形成し、当該基板Ｗの表面に沿ってＩＰＡ蒸気の気流が流れ続けている。
　【００７０】
　このようにすれば、基板Ｗの表面に付着した水滴は、基板Ｗの回転による遠心力によって除去されるとともに、ＩＰＡ蒸気が当該水滴を吸着して、除去するので、乾燥時間が短縮されるとともに、微少な水滴残りを防止し、ウォーターマークの発生を防止することができる。また、基板Ｗと遮蔽板２２との間の空間のみをＩＰＡ蒸気で満たせば良いので、ＩＰＡの使用量が少なくて済む。
　【００７１】
　なお、以上において、上記第２実施形態と同様に、表面処理剤による表面洗浄処理から開始するようにしても良いし、ＩＰＡ蒸気を噴射した後、ガス噴射口２３から基板Ｗの回転中心近傍に窒素を噴射するようにしても良いし、純水洗浄処理のときに、ガス噴射口２３から基板Ｗの回転中心近傍に窒素を噴射するようにしても良い。
　【００７２】
　【発明の効果】
　以上、説明したように、請求項１および請求項
５
　【００７３】
　また、乱流が基板表面上で巻き上がることがなくなり、基板へ反応生成物などのパーティクルが付着するのを防止することができる。
　【００７４】
　また、乾燥処理中も常に、基板と遮蔽板との間の空間が不活性ガスで満たされているため、基板の表面に付着した水滴に酸素が溶込んでコロイダルシリカを生成することがなくなり、ウォーターマークの発生を防止することができる。
　【００７５】
　請求項２、請求項３、請求項
６
７
また、基板の表面近傍の乾燥促進剤の雰囲気を速やかに置換することによって、乾燥時間をより短縮することができる。
　請求項４の発明によれば、リンス液の供給時点よりもさらに接近した基板と遮蔽板との間の空間のみを乾燥促進剤で満たせば良いので、乾燥促進剤の使用量がさらに少なくて済む。
　【００７６】
　請求項
８
　【００７７】
　請
９
。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る基板処理装置の縦断面図である。
　【図２】
　本発明に係る基板処理装置の上面図である。
　【図３】
　図１、図２に示す遮蔽手段の斜視図である。
　【図４】
　図３の遮蔽手段の要部斜視図である。
　【図５】
　アーム端部から遮蔽板を外した状態の同軸ノズルの斜視図である。
　【図６】
　基板処理装置の動作中における遮蔽手段の位置を説明する図である。
　【図７】
　本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための機能ブロック図である。
　【図８】
　本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の縦断面図である。
　【図９】
　基板処理装置１ａの動作中における基板保持手段１１の位置を説明する図である。
　【図１０】
　従来の基板処理装置の要部断面図である。
　【符号の説明】
　１、１ａ　基板処理装置
　１１　基板保持手段
　２２　遮蔽板
　２３　ガス噴射口
　２５　噴射ノズル
　Ｗ　基板