【事件の表示】
　特許第３１５２３３１号「フレキシブル基板の製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５２３３１号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理　由】
１
　本件特許発明は、平成６年１１月１１日に出願され、特許の設定登録がなされ、その後、表記の異議申立人より全請求項に特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、訂正請求がなされたものである。
　
２
　(
1
　　　　（特許請求の範囲）
　ａ　請求項１の「前記銅導体層を形成することを」を、「前記銅導体層を
前記無電解銅めっき被膜上に形成し、該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍである
　ｂ　請求項４を削除する。
の「」と訂正する。
　ｃ　請求項５（訂正前請求項６）の「無電解銅めっき被膜を」を、「
０．０１μｍ以上の厚さの
　ｄ　請求項５（訂正前請求項６）の　「所定の厚さの銅導体層を設ける」を、「
銅導体層を設け、該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍである
　
　(
2
   （特許請求の範囲）
　上記訂正事項ａについては、請求項４に記載された銅導体層の厚みに関する限定を組み込んだものである。
　したがって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　上記訂正事項ｂについては、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　上記訂正事項ｃについては、請求項１に記載された無電解銅めっき被膜の厚みに関する限定を組み込んだものである。
　したがって、上記訂正事項ｃは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　上記訂正事項ｄについては、訂正事項ａと同じ限定を付したものである。
　
　また上記訂正事項ａないしｄは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内での訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
　(
3
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法１２０条の四第２項及び同条第３項で準用する特許法１２６条の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３
　(
1
　上記
２
「【請求項１】絶縁体フィルムの少なくとも一面に直接に形成された銅層密着用下地金属層と、該下地金属層の上に乾式めっき法によって設けられた１μｍ以下の薄い銅層と、該薄い銅層の上に設けられた銅導体層とを有するフレキシブル基板の製造方法において、前記銅導体層を形成するに際し、前記薄い銅層上に無電解銅めっき被膜を０．０１μｍ以上の厚さに形成した後に、前記銅導体層を
前記無電解銅めっき被膜上に形成し、該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍである
【請求項２】下地金属層がニッケル、白金、クロムおよびこれらの合金からなる群より選ばれた一種で形成されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項３】前記無電解銅めっき被膜を形成する前に、無電解めっき法における触媒付与を行うことを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項４】絶縁体フィルムの少なくとも一面に直接形成する下地金属層は、乾式めっき法によって形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項５】絶縁体フィルムの少なくとも一面に銅層密着用下地金属層を設け、該下地金属層の上に薄い銅層を設け、該薄い銅層に存在するピンホールを埋めるために、
０．０１μｍ以上の厚さの
に銅導体層を設け、該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍである
　
　(
2
［
］
　特許請求の範囲の項には、次のとおり記載されている。
「セラミック誘電材料に定着性の良い第１の金属を蒸着するかまたはこの第１の金属を蒸着した後に第２の金属を蒸着し、上記第１または第２の金属の蒸着後に無電解メッキを行ない、この無電解メッキの後に銅メッキを施すことを特徴とするセラミック誘電材料の金属被膜形成法。」また、第２頁左下欄第１５行〜第３頁左上欄第５行には、第３図についての説明が次のとおり記載されている。
「このセラミック１上に蒸着などによりクロム層３を形成するが、このクロム層３の形成後、蒸着またはスパッタリングなどにより銅層４を形成する。
　この銅層４の形成後あるいはクロム層３の形成後（図示の実施例の場合には、銅層４の形成後の場合が示されている）、無電解銅メッキを行なって、１μｍ程度の無電解銅メッキ層８を形成する。
　さらに、この無電解銅メッキ層８の形成後に電気メッキで銅の厚付を行なって、銅メッキ層６を形成する。
　このように無電解銅メッキ層８および銅メッキ層６を形成することにより、第１図および第２図で示したピンホール５ならびに剥離、ふくれによる空間層７ををなくすことができる。
《中略》従来法の場合には、アルミナ基板（９９．５％）にクロム６００Å、銅２０００Åを真空蒸着した後、硫酸銅メッキ浴で銅を２０μｍ付けて、メタライズしたものを、１００℃１時間べ一キングしたところ、１０枚中５枚ふくれが発生した。
　これに対し、この発生の場合には、セラミックにクロムを蒸着し、さらに銅を蒸着した後、無電解銅メッキにより無電解銅メッキ層を形成した後に、電解銅メッキを施して銅メッキ層を形成したものを、上記同様にして、１００℃１時間べーキングしたところ、１０枚中すべてのものにふくれが全く生じなかった。」
　また、下地金属層について、「また、上記実施例の説明では、セラミック上にクロム層８を形成する場合について述べたが、クロム層８に代え、ニクロムを蒸着などによりメタライズしたニクロム層を形成するようにしてもよく、要は密着性のよい金属を蒸着などによりメタライズすればよい。」と記載されている（第３頁左上欄第１４行〜第１９行）。
　また、発明の効果について、「第１あるいは第２の金属でメタライズした後、無電解メッキを行ない、さらに銅メッキを施すようにしたので、セラミックと金属層間にふくれ、剥離のない密着性のよいしかもピンホールの少ない金属被膜を形成することができる。」と記載されている（第３頁右上欄第３行〜第８行）。
　
［
］
　「プリント配線板の製造方法」にかかり、その特許請求の範囲の項には、「クロム層―銅層―錫メッキ層の積層構造を有する回路を絶縁層上に形成するプリント配線板の製造方法において、」と記載されている。
　そして、第２頁右下欄第５行〜第１１行には、「また、高密度微細回路を形成する場合の絶縁層としては、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム（いわゆるテフロンフィルム）、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等が好ましく用いられるが、中でも耐熱性、耐薬品性、寸法安定性等の点からポリイミドフィルムが特に好ましい。」が記載されている。
また、明細書の実施例：２には、「まず、ポリイミドフィルム（絶縁層）上にクロム層3nm及び銅層0.1μmをマグネトロンスパッタリングにより形成せしめ、更にその上に10μmの銅層を電解銅メッキ法により形成したフレキシブルプリント配線板用の基板を作製した。」（明細書３頁左上欄１８行ないし右上欄２行）と記載されている。
　
［
］
　多層薄膜基板の製造方法に関する発明で、【０００１】【産業上の利用分野】には、「本発明は絶縁層のビアホールによって層間接続される多層薄膜基板の製造方法に関するものである。
　薄膜基板を多層に形成する場合、上下層間の絶縁を保つために薄膜基板上にポリイミド樹脂等をコーティングして絶縁層を設ける。そして上下層の配線パターンを接続するため、絶縁層にはビアホールを形成するが、絶縁層がポリイミド樹脂等の場合においては、加工するビアホールの形成位置を除く部分にメタルマスク層を形成して、ＲＩＥ加工によってビアホール部分の絶縁層をエッチングしてビアホールの加工を行う。」と、
【発明が解決しようとする課題】には、「しかし、メタルマスク層２０をスパッタして形成する場合、メタルマスク層２０が薄いと、絶縁層１０上に付着したほこり等の影響によってスパッタされるメタルマスク層２０にピンホールが生じるため、絶縁層１０のエッチング時にメタルマスク層２０のピンホール部分もエッチングされ、絶縁層１０にもピンホールが形成され、層間ショートの原因となる。」
　
［
］
　薄膜多層基板の製造方法に関する発明で、【００１８】には、「また、このメタルマスクは薄膜状であるため、第２のバイヤホールのパターン以外にピンホール等の欠陥部を多数有しており、このままでは絶縁層に対するマスクとして使用できない。そこで、メタルマスク２重化工程においてメタルマスク上に金属膜を形成することにより、ピンホール等のメタルマスクの欠陥部を補修し、完全なメタルマスクが構成される。」と、
【００２５】には、「次に、図３（Ｃ）に示すように、絶縁層４５の表面上にメタルマスク用金属膜４６Ａをスパッタリングにて薄膜状に形成する（工程２４）。このメタルマスク用金属膜４６Ａは、絶縁層４５側に約0.2μｍの厚さでスパッタリングされたクロム（Cr）４６ｂと、その上方に約１μｍの厚さでスパッタリングされた銅（Cu）４６ａとにより２層構造とされている。」と記載されている。
　また、図３（Ｃ）には、ピンホールのあるメタルマスクの例が示されている。
　
　(
3
　ア　請求項１及び５について
　上記刊行物２に記載された発明と本件請求項１に係る発明とを比較すると、『絶縁体フィルムの少なくとも一面に直接に形成された銅層密着用下地金属層（クロム層）と、該下地金属層の上に乾式めっき法（マグネトロンスパッタリング）によって設けられた１μｍ以下（0.1μm）の薄い銅層と、該薄い銅層の上に設けられた銅導体層とを有するフレキシブル基板の製造方法において、前記銅導体層を形成するに際し、
該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍ
である
〈
〉
　
　上記刊行物２に記載された発明と本件請求項５に係る発明とを比較すると、『絶縁体フィルムの少なくとも一面に銅層密着用下地金属層（クロム層）を設け、該下地金属層の上に薄い銅層を設け、
該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍ
である
〈
〉
０．０１μｍ以上の厚さの
に銅導体層を設け
　
　しかしながら、一般に薄膜状のメタル層をスパッタリング等により形成する場合、ピンホールができやすいことは刊行物３及び４に記載されているように周知の事実であり、また、刊行物２に記載の銅層（0.1μm）の様に、本件発明の銅層（１μｍ以下）よりも薄いものであれば当然ピンホールが生じていることは、当業者が予測・認識するべきはずであるところ、
　引用例１に記載の如く、ピンホールを埋めるため薄い銅層上に無電解銅めっき被膜を１μｍ（本件発明では０．０１μｍ以上）の厚さに形成した後に、前記銅導体層を形成する技術が知られているのであるから、上記相違点１及び２は、当業者であれば容易に想到しうることと認められる。
　
　イ　他の請求項について
　請求項２に記載の金属層の材料，請求項３に記載の触媒付与，請求項４の乾式メッキ法は、全て引用例を示すまでもなくフレキシブル基板製造分野において周知の技術である。
　したがって、請求項１の発明と同様に、請求項２ないし４の発明も当業者が容易に想到しうることと認められる。
　
　ウ　意見書の主張について
　特許権者は、刊行物１には無電解メッキでピンホール内部を埋める発想はない旨主張しているが、刊行物１にはピンホール５があり、その第３図を見れば、ピンホール内部が埋められていることは明白である。
　またピンホールの発生原因が刊行物１のものと相違している点も主張しているが、ピンホールを埋めるという発想があることにおいては本件発明も刊行物１の発明も同じである。
　
　(
4
　以上のとおり、本件請求項１ないし５に係る発明は、上記刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本件請求項１ないし５に係る発明についての特許は特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件請求項１ないし５に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則１４条の規定に基づく特許法の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令２０５号）４条２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月２６日（２００２．８．２６）
【訂正の要旨】
（特許請求の範囲）
　ａ　請求項１の「前記銅導体層を形成することを」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「前記銅導体層を前記無電解銅めっき被膜上に形成し、該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍであることを」と訂正する。
　ｂ　特許請求の範囲の減縮を目的として請求項４を削除し、訂正前の請求項５，６を請求項４，５に繰り上げる。
　ｃ　請求項５（訂正前請求項６）の「無電解銅めっき被膜を」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「０．０１μｍ以上の厚さの無電解銅めっき被膜を」と訂正する。
　ｄ　請求項５（訂正前請求項６）の　「所定の厚さの銅導体層を設ける」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「銅導体層を設け、該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍである」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
フレキシブル基板の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁体フィルムの少なくとも一面に直接に形成された銅層密着用下地金属層と、該下地金属層の上に乾式めっき法によって設けられた１μｍ以下の薄い銅層と、該薄い銅層の上に設けられた銅導体層とを有するフレキシブル基板の製造方法において、前記銅導体層を形成するに際し、前記薄い銅層上に無電解銅めっき被膜を０．０１μｍ以上の厚さに形成した後に、前記銅導体層を
前記無電解銅めっき被膜上に形成し、該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍである
　【請求項２】　下地金属層がニッケル、白金、クロムおよびこれらの合金からなる群より選ばれた一種で形成されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
　【請求項３】　前記無電解銅めっき被膜を形成する前に、無電解めっき法における触媒付与を行うことを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブル基板の製造方法。
　【請求項
４
３
　【請求項
５
０．０１μｍ以上の厚さの
に銅導体層を設け、該銅導体層の厚さが５μｍ〜１０μｍである
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、フレキシブル配線板の基礎となるフレキシブル基板の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　フレキシブル配線板は、絶縁体フィルムに接着剤を用いて銅箔を貼り合わせた３層フレキシブル基板から、サブトラクティブ法によって所望の配線パターンを形成するものと、該絶縁体フィルム上に下地金属層を直接設けた２層フレキシブル基板を用いてサブトラクティブ法あるいはアディティブ法によって所望の配線パターンを形成するものに大別される。
　【０００３】
　２層フレキシブル基板をもとにしたサブトラクティブ法によるフレキシブル配線板の一般的な製造方法は、簡潔に述べると、次の工程からなる。
１）下地金属層を設けた絶縁体上に所望の厚さの銅被膜を形成して２層フレキシブル基板とする。
２）該銅被膜上に所望の配線パターンを有するレジスト層を設ける。
３）露出している銅被膜をエッチング除去する。
４）レジスト層を除去する。
しかし、下地金属層を有する２層フレキシブル基板を用いることはコストを上昇させるので、一般には、低コストで製造できる３層フレキシブル基板を用いて配線板を作成することが主流である。
　【０００４】
　ところで、近年の電子機器の高密度化にともなって配線ピッチが狭いフレキシブル基板が求められてきている。フレキシブル配線板を製造する場合、配線部の形成工程でサイドエッチングによって配線の断面形状が裾広がりの台形となる。３層フレキシブル基板を用いると、配線間の電気的絶縁性を確保するためには接着剤層までエッチングを行わなければならず、結果として、配線ピッチは広くなってしまい、狭ピッチ化には限度がある。このサイドエッチングによる裾広がりは銅箔が厚いほど広がりが大きいので、広がりを小さくし狭ピッチ化をすすめるためには、主流である３５μｍ厚さの銅箔に換えて、１８μｍ、１５μｍ、９μｍ、５μｍなどの薄い銅箔を用いる必要性がでてきた。
　【０００５】
　特に数μｍ厚さの薄い銅箔は、それ自身の剛性が小さいため搬送などのハンドリング性が悪く、厚さによってはアルミキャリアを張り合わせて剛性を高くしなければならない。また、膜厚のばらつきやピンホールや亀裂などの被膜欠陥が増加する問題もある。したがって、銅箔の厚さが薄くなるほど製造も難しく価格も高くなるので、３層フレキシブル基板としてのコストメリットが低くなってしまう。しかしながら、銅箔の厚さが１８μｍ程度であればコストが著しく高くならないことや、９μｍ以下の厚さでなければ達成できないような狭ピッチ品は研究段階であったことから、産業上には依然として３層フレキシブル基板が主流であった。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、銅箔の厚さを数μｍとしなければ製造できないような狭ピッチ品、すなわち配線ピッチが極めて狭いフレキシブル配線板の要求や基板そのものの厚さも薄くしたいという要求が最近高まってきている。そこでアルミキャリア付きの薄い銅箔等を使用して３層フレキシブル基板を製造することが試験されているが、やはりハンドリング性やコストの点、および狭ピッチ化の点などで、課題が多い。そこで、該銅被膜を薄く形成する点で従来の２層フレキシブル基板の製造コストよりは下がり、かつ２層フレキシブル基板自体を薄くできるという点から、銅被膜の厚さを任意に形成でき、接着剤層のない２層フレキシブル基板が注目された。
　【０００７】
　この２層フレキシブル基板には、絶縁体フィルム上に乾式めっきあるいは湿式めっきで極めて薄い銅被膜を形成した物と、銅箔ににかわ状の絶縁体を塗り熱硬化させた物に大別できるが、後者は銅箔を使用するためハンドリング性などの点で３層フレキシブル基板と本質的に問題点はかわらない。そこで前者のめっき品が対象となるが、市場に流通しているものは乾式めっきされたものがほとんどである。この乾式めっきされた２層フレキシブル基板の製造方法では、絶縁体フィルムに直接銅被膜を設けると、絶縁体と銅被膜との密着性が悪いので、一般に絶縁体フィルム上にクロム、酸化クロム、ニッケルなどの銅以外の金属を下地金属層として５０〜２００Ａ（オングストローム）程度成膜した後に、薄い銅層を成膜することで、その上に形成する銅被膜と該絶縁体フィルムの密着性を得ることが多い。
　【０００８】
　この薄い銅層は、通常０．２から０．５μｍ程度の厚さに成膜されるが、ピンホールが多数存在し、前記下地金属層が露出している場合が多い。この下地金属層は、前述したように５０〜２００Ａの厚さしかないので、電気銅めっきを行う雰囲気下では、硫酸銅めっきの強酸性と所望の厚さの被膜を得るための電流とによって溶解してしまう。このように下地金属層が溶解した場所には、絶縁体フィルムが露出することになる。この場合、電気銅めっきにより得る銅の被膜の厚さが１５〜３５μｍであれば、銅被膜は縦方向だけでなく横方向にも成長するので、前記ピンホールは銅で覆われ、問題は生じない。ところが、銅被膜の厚さが５μｍ程度の場合には、銅の横方向への成長が足りずピンホールは埋まらない。このようなピンホールが存在する銅被膜を導体層とする２層フレキシブル基板をもとに、例えばサブトラクティブ法でプレキシブル配線板を製造すると、ピンホールが配線部に掛かっていれば、その配線部は欠けてしまうので、不良となるばかりか密着不良等の原因にもなる。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　従って、本発明の目的は、銅箔や接着剤を使用せずに、５μｍ程度の厚さの銅導体層を形成する工程からなるピンホールの無いフレキシブル基板の製造方法の提供にある。本発明者は、絶縁体フィルム上にニッケルなどの銅層密着用下地金属層とその上の薄い銅層を乾式めっき法で形成した上に、さらに無電解めっき法で銅被膜層を成膜することでピンホールを減少させることができることを見いだし本発明に至った。すなわち、上記課題を解決するための本発明の方法は、ニッケルなどの銅層密着用下地金属層とその上の薄い銅層から構成される金属層を絶縁体表面に形成したフレキシブル基板の金属表面全体に無電解めっき用触媒を付与し、次いで無電解めっき法によって０．０１μｍ以上の厚さの銅被膜を前記金属層表面に形成することで厚みを増やす。これにより、薄い銅層のピンホール部分に露出しているニッケル表面にも無電解銅めっき層が設けられる。この結果、酸性溶液下で電気銅めっきを設けるための電流通電下においても銅被膜や下地金属層が溶解消失することがない。
　【００１０】
　使用される触媒付与溶液は、酸性のパラジウム−錫のコロイド溶液やアルカリ性のパラジウム錯体溶液、あるいは錫を含まない酸性パラジウム溶液など一般に用いられる物で差し支えない。触媒を付与する方法は特に限定されないが、無電解めっき法の前処理として一般的なセンシタイジング・アクチベーション法やキャタリスト・アクセレーター法などが簡便であり、状況に応じて適宜選択してかまわない。また触媒付与の前処理は、特に限定はしないが、乾式めっき被膜と湿式めっき被膜との密着性を得るために脱脂等の処理を適宜取り入れることが好ましい。しかしながら、前処理によってニッケルなどの下地金属層や銅被膜が溶解するような条件は避ける必要がある。
　【００１１】
　【作用】
　本発明によれば、絶縁体フィルム上に５００Ａ（オングストローム）以下、好ましくは１００Ａ程度のニッケルなどの下地金属層と、その上に１μｍ以下、好ましくは０．３μｍ程度の薄い銅層の両者を真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の乾式めっき法にて成膜した基板の金属表面全体に無電解めっき用の触媒付与を行えば、該薄い銅層の上や該銅層に存在するピンホール部で露出しているニッケルなどの下地金属層の上にも無電解めっき用触媒が付与される。なお、５００Ａを超える厚さの下地金属層や１μｍを超える厚さの薄い銅層を乾式めっき法で形成することは、コストを増大させる。
　【００１２】
　このフレキシブル基板を所定の条件で無電解銅めっき液に浸漬すれば、触媒が付与された部分、すなわち前記ニッケルなどの下地金属層と薄い銅層の上に、新たに無電解銅被膜が形成される。このように、ニッケルなどの下地金属層の上に乾式めっき法による薄い銅層と無電解銅被膜を形成することで、ニッケルなどの下地金属層の部分の導電性を高め、またニッケルなどの下地金属層や銅被膜を含めた金属層の厚みを増加させる。これにより、硫酸銅めっき液を用いた電気めっきを行ってもニッケルなどの下地金属層や銅被膜の部分の溶解が起こらない。したがって、従来技術におけるピンホールが埋まらないといった問題点を解決できるのである。
　【００１３】
　電気銅めっき法によって５μｍの厚さの銅導体層を前記銅被膜の上に形成した後、従来法に従って該銅導体層上に所望の配線パターンを有するレジスト層を設け、露出した銅導体層からニッケルなどの下地金属層までをエッチング除去し、該レジスト層を剥離することにより、配線の欠けや断線などの不良のない導体厚さ約５μｍのフレキシブル配線板が得られる。本発明の触媒付与法に用いる触媒活性金属種は、無電解めっき液の系において添加される錯体化された金属イオン種より電位的に貴であれば良い。例えば、金、白金、銀、パラジウムなどが使用できる。しかし、簡便さを考慮すれば触媒付与液として広く市販されているパラジウムを使用することが望ましい。
　【００１４】
　本発明において使用する無電解めっき液の種類は、触媒として触媒活性金属種を用いているので、めっき液に含まれる金属イオンの種類が金、銀、白銀、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、クロムなどの自己触媒性を有するものであり、ヒドラジン、ホスフィン酸ナトリウム、ホルマリンなどの還元剤により還元され金属折出する還元折出型が適している。しかしながら、薄い下地金属層が電気めっき時に溶解しないようにすることが主たる目的であるので、導電性が良好で比較的容易に作業可能な無電解銅めっき液が最も適しているといえる。この無電解めっきによる銅被膜の厚さは、０．０１μｍ未満であると電気銅めっき時に溶解するおそれがある。一方、無電解めっきによる銅被膜と電気銅めっきによる銅導体層はその合計の厚さが一定となればよい。従って、銅被膜の厚さは０．０１μｍ以上であれば任意でよく、電気銅めっきで全体の厚さを調整すればよい。
　【００１５】
　【実施例】
　次に本発明の実施例について述べる。
［実施例］
　厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製　製品名「カプトン２００Ｖ」）を１２ｃｍ×１２ｃｍの大きさに切り出し、その片面にニッケルを１００Ａの厚さに真空蒸着し、その上に銅を０．２５μｍおよび０．８０μｍの厚さに真空蒸着して各々フレキシブル基板を作成した。次に、該フレキシブル基板を弱アルカリ性の脱脂剤に１分間浸漬し、引き続き２分間水洗して表面洗浄を行った。次いで、前記フレキシブル基板を希塩酸溶液に浸漬して基板表面を中和し、次いでキャタライジング液、アクセレーティング液（共に奥野製薬製）に浸漬して基板表面に触媒を付与した。引き続いて表１に示す組成の無電解銅めっき液に前記フレキシブル基板を各々３分間浸漬して各基板表面に無電解めっき被膜を厚さ０．０１μｍに成膜した。この時のめっき液の条件は、６０℃、ｐＨ＝１２．５、空気攪拌であった。
　【００１６】
　【表１】
［無電解銅めっき液組成］
　　硫酸銅　　　　　　　　　：１０ｇ／ｌ
　　ＥＤＴＡ　　　　　　　　：３０ｇ／ｌ
　　ＨＣＨＯ（３６％溶液）　：５ｍｌ／ｌ
　　ＰＥＧ１０００　　　　　：０．５ｇ／ｌ
　　ジピリジル　　　　　　　：１０ｍｇ／ｌ
　【００１７】
　無電解銅めっき被膜を形成したら、続いて表２に示す組成の電気銅めっき液を用いて厚さ５μｍの銅被膜を成膜した。この時のめっき条件は、めっき液の温度は室温、スターラ一攪拌、電流密度３Ａ／ｄｍ２とし、めっき時間は９分間とした。
　【００１８】
　【表２】
［電気銅めっき液組成］
　　硫酸銅　　　　　　　　　：８０ｇ／ｌ
　　硫酸　　　　　　　　　　：２００ｇ／ｌ
　　光沢剤　　　　　　　　　：適量
　　塩素イオン　　　　　　　：５０ｍｇ／ｌ
　【００１９】
　得られたフレキシブル基板の銅被膜側から光をあててピンホールの有無を確認したところ、１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内ではいずれのフレキシブル基板でも光の透過は認められず、ピンホールは無いと判断できた。このフレキシブル基板を用いて、配線幅が４０μｍ、配線ピッチが８０μｍのフレキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピンホールが原因である欠けや断線などの不良が無かった。なお、本実施例は、サブトラクティブ法によって絶縁体フィルムの片面に配線パターンを有する片面フレキシブル配線板用の基板について説明した。しかし、絶縁体フィルムの両面に配線を有する両面フレキシブル配線板、あるいは同様に電気銅めっきを利用するセミアディティブ法による片面、両面フレキシブル配線板用の基板についても本発明は適用される。
　【００２０】
［比較例］
　厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製　製品名「カプトン２００Ｖ」）を１２ｃｍ×１２ｃｍの大きさに切り出し、その片面にニッケルを１００Ａの厚さに真空蒸着し、その上に銅を０．２５μｍおよび０．８０μｍの厚さに真空蒸着して各々フレキシブル基板を作成した。次に、これらのフレキシブル基板を弱アルカリ性の脱脂剤に１分間浸漬し、引き続き２分間水洗して表面洗浄を行った。次いで、続いて表２に示す組成の電気銅めっき液を用いて厚さ５μｍの銅被膜を成膜した。この時のめっき条件は、めっき液の温度は室温、スターラー攪拌、電流密度は３Ａ／ｄｍ２とし、めっき時間は９分間とした。得られた各フレキシブル基板の銅被膜側から光をあててピンホールの有無を確認したところ１２ｃｍ×１２ｃｍの領域内では光の透過があり、ピンホールの存在を認めた。ピンホールの大きさは直径あるいは長径が数十〜百数十μｍで、その数は真空蒸着した後のピンホール数とほぼ同じであった。これらのフレキシブル基板を用いて配線幅が４０μｍ、配線ピッチが８０μｍのフレキシブル配線板を作製したところ、配線部分にピンホールが原因である欠けや断線などの不良が確認され、配線ピッチが狭いフレキシブル配線板には適さないことがわかった。
　【００２１】
　【発明の効果】
　以上述べたように本発明によれば、ピンホールの多い乾式めっき被膜上に無電解めっき被膜を形成することで、ピンホール部に露出している下地金属層の電気めっき時における溶解を防ぎ、５μｍといった薄い電気銅めっき被膜を形成してもピンホールのないフレキシブル基板を得ることができる。したがって、サブトラクティブ法やセミアディティブ法によって極めて微細な配線パターンを得るときにも配線部に欠けや断線の無いフレキシブル配線板の作製が可能となる。