【事件の表示】
　特願２００５−３７６０７２「階調マスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１２日出願公開、特開２００７−１７８６４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月２７日の出願であって、平成２３年３月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年５月３１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、さらに、同年８月２９日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年１１月４日付けで意見書が提出され、平成２４年３月３０日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年６月１日付けで意見書が提出され、その後、同年８月３１日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、同年１１月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年４月１１日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年６月１４日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２４年１１月３０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１１月３０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２４年１１月３０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的として、補正された。
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
　
「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、前記半透明膜が金属膜である階調マスクの製造方法であって、
　前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであり、
　前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、
　前記遮光膜の一部をパターニングする第１パターニング工程と、
　パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜することにより、前記遮光膜がパターニングされて除去された領域に半透明領域を形成する半透明膜成膜工程と、
　前記遮光膜および前記半透明膜をパターニングすることにより、透過領域を形成する第２パターニング工程と、を有し、
　エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さないことを特徴とする階調マスクの製造方法。」
　
　そこで、上記本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するか否か）について、以下に検討する。
　
２．引用刊行物
（１）本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００５−１８１８２７号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審が付した。）
　
（ａ）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
  本発明は、反射型又は半透過反射型の液晶装置において、反射層の表面を粗面とすることによって反射光を散乱させる散乱構造を形成する技術に関する。」
　
（ｂ）「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
  本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、高精度なアライメントを要することなく、反射膜の散乱構造の形成に適した
多階調の大判露光用マスクを製造する方法
【課題を解決するための手段】
【０００８】
  本発明の１つの観点では、露光用マスクの製造方法は、基材上に遮光層を形成する第１工程と、前記遮光層を選択的に除去して遮光部を形成する第２工程と、前記遮光部が形成されている前記基材上に半透過層を形成する第３工程と、前記半透過層を選択的に除去して半透過部及び透光部を形成する第４工程と、によりマスクパターンを形成することを特徴とする。
【０００９】
  上記の露光用マスクは、電気光学装置用のマスクとして好適に使用することができる。具体的には、
上記の露光用マスクは、例えば半透過反射型又は反射型の液晶表示装置などの電気光学装置の反射膜に散乱構造を形成するのに好適であり
　
（ｃ）「【００３５】
  ［露光用マスクの構成］
  次に、図４（ｂ）の露光工程（以下では単に「露光工程」という）において用いられる露光用マスク７０の構成を説明する。図５は露光用マスク７０の平面図であり、図５（ａ）は完成状態の平面図であり、図５（ｂ）は製造途中の平面図である。
【００３６】
  まず、完成状態の露光マスク７０の構成について図５（ａ）を参照して説明する。図示のように、露光用マスク７０はいわゆる大判マスクであり、複数個の液晶表示装置に対応する。図５では、各液晶表示装置に対応する単位マスク構造８０を破線で示している。なお、単位マスク構造８０は、１つの液晶表示装置１００に対応する部分を説明の便宜上図示したものであり、実際に露光用マスク７０上に単位マスク構造８０に対応する線や境界が形成されているわけではない。
【００３７】
  露光用マスク７０は、縦方向及び横方向に整列された複数個の液晶表示装置に対応する大判ガラス基板（図示せず）と対向配置される。即ち、前述の液晶表示装置の製造方法にて説明したように、１枚の大判ガラス基板上に感光性の樹脂材料により下地層２１を形成し、これに大判の露光用マスク７０を対向配置して下地層２１の散乱構造を形成するための露光を行う。
【００３８】
  各単位マスク構造８０の内部には加工対象領域５１１が存在する。加工対象領域５１１は、液晶表示装置１００側において下地層２１の散乱構造を形成すべき領域、つまり液晶表示装置１００の表示領域（画素が形成される領域）に対応する領域である。
【００３９】
  また、露光用マスク７０上において、複数の単位マスク構造８０の外側には複数個のマーク８４が形成されている。マーク８４は、主として液晶表示装置１００の製造工程中に露光用マスク７０を前述の大判ガラス基板に対して位置決めするためのアライメントマークであるが、液晶表示装置１００の製造工程中に必要となる、アライメントマーク以外の用途のマークを含んでいてもよい。
【００４０】
  図６は露光用マスク７０の一部と、それに対応して形成される液晶表示装置１００側の下地層２１の散乱構造との対応関係を示す断面図である。即ち、図６は、露光用マスク７０を大判ガラス基板と対向配置して感光性の樹脂材料層である下地層２１を露光するときの状態を示している。但し、図６に示すのは、１つの液晶表示装置１００内の一部であり、露光用マスク７０側は図５（ａ）に示す単位マスク構造８０内の一部である。
【００４１】
  前述のように、液晶表示装置１００の第２基板２０上には樹脂材料からなる下地層２１に散乱構造が形成されている。また、各サブ画素Ｇｓ内には開口部２１１が設けられている。これに対し、
露光用マスク７０は、ガラスなどの透光性の基材７２に形成され、遮光部７４と、半透過部７６と、透光部７８とを有する。遮光部７４は遮光材料により構成され、例えばクロム（Ｃｒ）及び酸化クロム（ＣｒＯｘ）の２層のクロムなどが好適である。この場合、クロムは遮光層として機能し、酸化クロムは低反射層として機能する。半透過層７６は半透過材料により構成され、例えば酸化クロムが好適である。透光部７８は、他の層が形成されておらず、透光性の基材７８が露出している。透光部７８は、前述の周辺領域５１３に対応する透光部７８ａと、下地層２１の開口部２１１に対応する透光部７８ｂとを含む。
【００４２】
  遮光部７４及び半透過部７６は液晶表示装置１００の加工対象領域５１１のうち、下地層２１に散乱構造を形成すべき領域に対向配置される。一方、透光部７８は液晶表示装置１００の加工対象領域５１１外の周辺領域５１３、及び、加工対象領域５１１内の下地層の開口部２１１に対応する領域５１１に対向配置される（図４を参照）。
【００４３】
  露光時に露光用マスク７０の背面側から光６５を照射すると、遮光部７４では光は完全に遮断され、透光部７８では光が完全に透過する。半透過部７６では透光部７８より低い光透過率で光が透過する。よって、液晶表示装置１００の製造方法の欄で説明したように、ポジ型の感光性材料からなる樹脂材料で下地層２１を基板２０上に形成し、露光用マスク７０で露光を行った後現像することにより、露光用マスク７０の遮光部７４及び半透過部７６に対応する領域では下地層２１が部分的に除去されて散乱構造が形成される。一方、露光用マスク７０の透光部７８に対応する領域では下地層２１が完全に除去される。こうして、図４及び図６に示すように、第２基板２０側において加工対象領域５１１外の周辺領域５１３、及び、加工対象領域５１１内の下地層２１の開口部２１１に対応する領域５１５では下地層２１が除去される。また、加工対象領域５１１内であって下地層２１の開口部２１１以外の領域には微細な凹凸を有する散乱構造が形成される。
【００４４】
  ［露光用マスクの製造方法］
  次に、上述の露光用マスク７０の製造方法について図７乃至図９を参照して説明する。図７（ａ）〜（ｃ）は図５に示した単位マスク構造８０の拡大図であり、露光用マスク７０の各製造過程における状態を示す。図７（ｄ）〜（ｆ）は露光用マスク７０上に設けられたマーク８４の各製造過程における状態を示す。図８（ａ）は図７（ａ）〜（ｃ）に示した単位マスク構造８０の領域Ａ１の拡大図であり、図８（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ図８（ａ）におけるＸ−Ｘ’断面及びＹ−Ｙ’断面の断面図である。また、図９（ａ）は露光用マスク７０の製造工程を示し、図９（ｂ）及び（ｃ）はその各工程における図８（ａ）のＸ−Ｘ’断面及びＹ−Ｙ’断面の層構造をそれぞれ示す。
【００４５】
  まず、図９（ａ）及び（ｂ）を参照して、露光用マスク７０の製造工程全体を説明する。露光用マスク７０の製造は、基本的に２段階の成膜工程により実行される。１回目の成膜工程は遮光材料により遮光部７４を形成する工程であり、２回目の成膜工程は半透過材料により半透過部７６を形成するとともに透光部７８を形成する工程である。
【００４６】
  以下、図９（ａ）の工程図、及び図８（ａ）に示す単位マスク構造８２の領域Ａ１のＸ−Ｘ’断面図を参照して説明する。なお、図８（ａ）に示すように、Ｘ−Ｘ’断面は、周辺領域５１３に対応する透光部７８ａと、下地層２１の開口部２１１に対応する透光部７８ｂと、３つの遮光部７４ａ〜７４ｃを含む。
【００４７】
  
まず、ガラスなどの透光性の基材７２上の全面にクロム及び酸化クロムの遮光層７４ｘをスパッタリングにより形成する（工程Ｓ１）。次に、この遮光層７４ｘを部分的に除去し、複数の遮光部７４ａ〜７４ｃを形成する（工程Ｓ２）。具体的には、遮光層７４ｘ上にレジストを塗布し、レーザビーム又は電子ビームなど（以下、「ビーム」と呼ぶ）により遮光部のパターンに対応してレジスト上に描画を行う。そして、遮光層の材料に応じたエッチング液を使用してエッチングを行うことにより、遮光層を部分的に除去して複数の遮光部７４ａ〜７４ｃを形成する。なお、ポジレジストを塗布した場合には、遮光部７４ａ〜７４ｃ以外の領域をビームで描画し、描画した領域をその後のエッチングで除去して遮光部７４ａ〜７４ｃを残す。一方、ネガレジストを塗布した場合は、遮光部７４ａ〜７４ｃの領域をビームで描画し、描画しなかった領域をその後のエッチングで除去して遮光部７４ａ〜７４ｃの領域を残す。こうして第１回目の成膜工程が終了する。
【００４８】
  
次に、遮光部７４ａ〜７４ｃが形成された基材７２上の全面に酸化クロムの半透過層７６ｘをスパッタリングにより形成する（工程Ｓ３）。そして、半透過層７上にレジストを塗布し、ビームにより描画を行う。このときには、透光部７８ａ及び７８ｂの領域を除去し、それ以外の領域を残すように描画を行い、その後エッチングを行う。これにより、透光部７８ａ及び７８ｂは半透過層７６ｘが除去される。なお、半透過層７６ｘは透光部７８ａ及び７８ｂのみで除去されるので遮光部７４ａ〜７４ｃ上に半透過層７６ｘが残ることになるが、半透過層７６ｘがあっても無くても露光時の光は遮光部７４ａ〜７４ｃにより遮光されるので、遮光部７４ａ〜７４ｃ上の半透過層７６ｘを除去する必要はない。
【００４９】
  こうして、２回の成膜工程により、遮光部７４、半透過部７６及び透光部７８を有する多階調の露光用マスク７０が製造される。図９（ｃ）に示すＹ−Ｙ’断面も基本的に同様に形成される。但し、図８（ａ）に示すように、Ｙ−Ｙ’断面には下地層２１の開口部２１１に対応する透光部７８ｂは含まれず、周辺領域５１３に対応する透光部７８ａのみが含まれている。
【００５０】
  次に、上述の露光用マスクの製造工程において成膜を行う領域について図７（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。図７（ａ）〜（ｃ）は図５に示す単位マスク構造８０の各工程における状態を示す。図７（ａ）は工程Ｓ２により複数の遮光部７４を形成した状態を示し、図７（ｂ）は工程Ｓ３により半透過膜７６ｘを形成した状態を示し、図７（ｃ）は工程Ｓ４により半透過膜７６ｘを除去した状態を示す。なお、説明の便宜上、下地層２１の開口部２１１に対応する透光部７８ｂは図示を省略している。
【００５１】
  前述のように、工程Ｓ２では基材７２の全面に形成した遮光層７４ｘを選択的に除去して複数の遮光部７４を形成する。遮光部７４として残す部分と、除去する部分は工程Ｓ２における描画により規定される。ここで、遮光部７４は下地層２１に散乱構造を形成するために必要な部分であるので、本来は遮光部７４は加工対象領域５１１内にのみ残し、周辺領域５１３には残す必要はない。
しかし、本発明では、工程Ｓ２においては、最終的に遮光部７４を残すべき加工対象領域５１１より広い領域５２０に遮光部７４を残し、それより外側の領域で遮光層７４を除去するように描画を行う。このときの露光用マスク７０の状態を図５（ｂ）に示す。図５（ａ）と比較するとわかるように、加工対象領域５１１よりも広い領域５２０にわたって遮光部７４を形成している。
【００５２】
  
そして、工程Ｓ３では全面に半透過層７６ｘを形成し（図７（ｂ）参照）、工程Ｓ４で半透過層７６ｘを除去するのと同時に、本来の加工対象領域５１１外に存在する遮光部７４も除去する。こうして、最終的に完成した露光用マスク（図７（ｃ）参照）では、遮光部７４は加工対象領域５１１内のみに残っている。
【００５３】
  このように、本発明による露光用マスクの製造方法では、１回目の成膜工程、即ち遮光部の形成工程では最終的に遮光部を残すべき加工対象領域５１１より広い領域に遮光部を残し、２回目の成膜工程、即ち半透過部７６及び透光部７８を規定する工程で同時に加工対象領域５１１を規定する。このようにする理由は、大判の露光用マスク製造において複数回の描画を行う際に描画機のアライメント精度に限界があるからである。即ち、仮に１回目の成膜工程（即ち工程Ｓ２）で加工対象領域５１１の外縁まで描画を行って加工対象領域５１１外の遮光膜を全て除去したとすると、遮光部７４の位置は１回目の成膜工程における描画機の位置を基準にして規定されることになる。そして、２回目の成膜工程（即ち工程Ｓ４）で半透過膜７６ｘを除去して半透過部７６及び透光部７８を規定する。すると、１回目の成膜工程と２回目の成膜工程とで描画機のアライメント精度が確保できない場合、遮光部７４と、半透過部７６及び透光部７８（特に透光部７８）との相対位置にず
れが生じてしまう。
【００５４】
  そこで、本発明の露光用マスクの製造方法では、１回目の成膜工程では本来の加工対象領域５１１よりも広い領域５２０内に遮光部７４を残しておき、２回目の成膜工程で加工対象領域５１１内の遮光部７４のみを残す（即ち、加工対象領域５１１外の遮光部７４を、半透過膜と同時に除去する）。こうすれば、加工対象領域５１１に対応する遮光部７４の形成領域と、半透過部７６と、透光部７８とが全て２回目の描画機の位置に依存して決定されることとなり、それらの領域の位置が相対的にずれることが防止できる。よって、露光用マスク製造機における描画機のアライメント精度が十分でない場合でも、遮光部７４、半透過部７６及び透光部７８を正確に形成した露光用マスク７０を製造することができる。  従って、本発明による露光用マスクの製造方法では、１回目の成膜工程Ｓ２で本来の加工対象領域５１１外に残した遮光部７４を、２回目の成膜工程Ｓ４で除去する必要があるので、遮光層７４ｘを構成する遮光材料と半透過層７６ｘを構成する半透過性材料が同一のエッチング液で除去できることが必要となる。このため、本実施例では、遮光部７４の材料としてクロムと酸化クロムを使用し、半透過部７６の材料として酸化クロムを使用している。但し、２回目の成膜工程で同一のエッチング液を用いて除去できる材料であれば、遮光部と半透過部の材料は上記の例には限られない。
【００５５】
  なお、これまでは加工対象領域５１１と遮光部７４の関係について説明したが、下地層２１の開口部２１１に対応する透光部７８ｂも同様に形成される。即ち、１回目の成膜工程Ｓ２では本来の透光部７８ｂ（図８（ａ）参照）内まで遮光部７４を形成しておき、２回目の成膜工程Ｓ４で本来の透光部７８ｂの内部に存在する遮光部７４を除去すればよい。これにより、透光部７８ｂの位置が半透過膜７６や透光部７８ａと相対的にずれることはない。」
　
（ｄ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　してみると、上記記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「多階調の大判露光用マスクを製造する方法であって、
　露光用マスクは、半透過反射型又は反射型の液晶表示装置などの電気光学装置の反射膜に散乱構造を形成するのに好適であり、ガラスなどの透光性の基材７２に形成され、遮光部７４と、半透過部７６と、透光部７８とを有し、遮光部７４は遮光材料により構成され、例えばクロム（Ｃｒ）及び酸化クロム（ＣｒＯｘ）の２層のクロムなどが好適であり、この場合、クロムは遮光層として機能し、酸化クロムは低反射層として機能し、半透過層７６は半透過材料により構成され、例えば酸化クロムが好適であり、透光部７８は、他の層が形成されておらず、透光性の基材７８が露出しており、透光部７８は、周辺領域５１３に対応する透光部７８ａと、下地層２１の開口部２１１に対応する透光部７８ｂとを含むものであって、
　まず、ガラスなどの透光性の基材７２上の全面にクロム及び酸化クロムの遮光層７４ｘをスパッタリングにより形成（工程Ｓ１）し、次に、この遮光層７４ｘを部分的に除去し、複数の遮光部７４ａ〜７４ｃを形成（工程Ｓ２）し、次に、遮光部７４ａ〜７４ｃが形成された基材７２上の全面に酸化クロムの半透過層７６ｘをスパッタリングにより形成（工程Ｓ３）し、そして、透光部７８ａ及び７８ｂは半透過層７６ｘが除去（工程Ｓ４）されるが、このとき、遮光部７４ａ〜７４ｃ上の半透過層７６ｘを除去する必要はなく、
　さらに、工程Ｓ２においては、最終的に遮光部７４を残すべき加工対象領域５１１より広い領域５２０に遮光部７４を残し、それより外側の領域で遮光層７４を除去し、加工対象領域５１１よりも広い領域５２０にわたって遮光部７４を形成し、そして、工程Ｓ４で半透過層７６ｘを除去するのと同時に、本来の加工対象領域５１１外に存在する遮光部７４も除去する、
　多階調の大判露光用マスクを製造する方法。」
　
（２）本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００２−１８９２８１号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、グレートーンマスク及びその製造方法等に関する。」
　
（ｂ）「【００１６】構成３によれば、遮光膜及び半透光膜が、クロムを含む材料からなることによって、遮光膜及び半透光膜を同一エッチング液又は同一エッチングガスで同時加工できる。このような例としては、同一材料の膜（例えば半透光膜：Ｃｒ、遮光膜：Ｃｒ）や主成分が同じ膜（例えば半透光膜：クロム化合物、遮光膜：Ｃｒ）などが挙げられる。」
　
（ｃ）「【００３３】なお、上記実施の形態において、グレートーンマスクを作製するためのマスクブランクは、例えば、石英基板などの透明基板上に、Ｃｒ又はクロム化合物（例えばＣｒＯなど）等の透過率を制御した厚さの半透光膜をスパッタ法等により成膜し、ＳｉＯ２膜（スパッタ法もしくは蒸着法などで形成）、もしくはＳＯＧ（スピン・オン・グラス）によりエッチングストッパー層（バリアー層）を形成し、Ｃｒ等の遮光性を有する厚さの遮光膜をスパッタ法等により成膜し、この遮光膜上にレジストを５０００〜１００００オングストロームの範囲で塗布して作製する。このように遮光膜及び半透光膜をＣｒ系材料とし、エッチングストッパー層をＳｉＯ２系材料とすることにより、Ｃｒ系材料は例えば硝酸第２セリウムアンモニウムに過塩素酸を加えた水溶液によるウエットエッチング又は塩素系ガスによるドライエッチングによりエッチングすることができ、ＳｉＯ２系材料はフッ素系水溶液によるウエットエッチング又はフッ素系ガスによるドライエッチングによりエッチングすることが可能であり、これらは互いのエッチング液又はエッチングガスに対する選択性が高いため、互いのエッチングに対してエッチングされにくい。」
　
３．対比
（１）本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ａ）引用発明の「ガラスなどの透光性の基材７２」、「遮光層」、「半透過層７６ｘ」、「遮光部７４」、「半透過部７６」、「透光部７８」及び「多階調の大判露光用マスク」が、それぞれ、本願補正発明の「透明基板」、「遮光膜」、「半透明膜」、「遮光領域」、「半透明領域」、「透過領域」及び「階調マスク」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「露光用マスクは、半透過反射型又は反射型の液晶表示装置などの電気光学装置の反射膜に散乱構造を形成するのに好適であ」ることから、引用発明の「露光用マスク」が表示装置の製造に用いられることは明らかである。
　すると、引用発明の
「多階調の大判露光用マスクを製造する方法であって、
　露光用マスクは、半透過反射型又は反射型の液晶表示装置などの電気光学装置の反射膜に散乱構造を形成するのに好適であり、ガラスなどの透光性の基材７２に形成され、遮光部７４と、半透過部７６と、透光部７８とを有し、遮光部７４は遮光材料により構成され、例えばクロム（Ｃｒ）及び酸化クロム（ＣｒＯｘ）の２層のクロムなどが好適であり、この場合、クロムは遮光層として機能し、酸化クロムは低反射層として機能し、半透過層７６は半透過材料により構成され、例えば酸化クロムが好適であり、透光部７８は、他の層が形成されておらず、透光性の基材７８が露出しており、透光部７８は、周辺領域５１３に対応する透光部７８ａと、下地層２１の開口部２１１に対応する透光部７８ｂとを含むものであ」る構成と、本願補正発明の
「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、前記半透明膜が金属膜である階調マスクの製造方法であって、
　前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであ」る構成とは、
「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有する階調マスクの製造方法であって、
　前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであ」る構成で一致する。
　
（ｃ）引用発明の「ガラスなどの透光性の基材７２上の全面にクロム及び酸化クロムの遮光層７４ｘをスパッタリングにより形成（工程Ｓ１）」することが、本願補正発明の「前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、」「を有」することに相当する。
　
（ｄ）引用発明の「この遮光層７４ｘを部分的に除去し、複数の遮光部７４ａ〜７４ｃを形成（工程Ｓ２）」することが、本願補正発明の「前記遮光膜の一部をパターニングする第１パターニング工程と、」「を有」することに相当する。
　
（ｅ）引用発明の「遮光部７４ａ〜７４ｃが形成された基材７２上の全面に酸化クロムの半透過層７６ｘをスパッタリングにより形成（工程Ｓ３）」することが、本願補正発明の「パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜することにより、前記遮光膜がパターニングされて除去された領域に半透明領域を形成する半透明膜成膜工程と、」「を有」することに相当する。
　
（ｆ）引用発明の「透光部７８ａ及び７８ｂは半透過層７６ｘが除去（工程Ｓ４）される」ことにおいて、「半透過層７６ｘを除去するのと同時に、本来の加工対象領域５１１外に存在する遮光部７４も除去する」のであるから、引用発明の「透光部７８ａ及び７８ｂは半透過層７６ｘが除去（工程Ｓ４）される」「さらに、工程Ｓ２においては、最終的に遮光部７４を残すべき加工対象領域５１１より広い領域５２０に遮光部７４を残し、それより外側の領域で遮光層７４を除去し、加工対象領域５１１よりも広い領域５２０にわたって遮光部７４を形成し、そして、工程Ｓ４で半透過層７６ｘを除去するのと同時に、本来の加工対象領域５１１外に存在する遮光部７４も除去する」ことが、本願補正発明の「前記遮光膜および前記半透明膜をパターニングすることにより、透過領域を形成する第２パターニング工程と、を有」することに相当する。
　
（ｇ）引用発明には、エッチングストッパー膜形成工程を有さないという明示的な構成は含まれないが、引用文献１には、引用発明として認定した工程を有する製造方法が開示されているのみであって、エッチングストッパー膜形成工程についての記述は全くないこと、及び、引用発明の
「まず、ガラスなどの透光性の基材７２上の全面にクロム及び酸化クロムの遮光層７４ｘをスパッタリングにより形成（工程Ｓ１）し、次に、この遮光層７４ｘを部分的に除去し、複数の遮光部７４ａ〜７４ｃを形成（工程Ｓ２）し、次に、遮光部７４ａ〜７４ｃが形成された基材７２上の全面に酸化クロムの半透過層７６ｘをスパッタリングにより形成（工程Ｓ３）し、そして、透光部７８ａ及び７８ｂは半透過層７６ｘが除去されるが、このとき、遮光部７４ａ〜７４ｃ上の半透過層７６ｘを除去する必要はなく、
　さらに、工程Ｓ２においては、最終的に遮光部７４を残すべき加工対象領域５１１より広い領域５２０に遮光部７４を残し、それより外側の領域で遮光層７４を除去し、加工対象領域５１１よりも広い領域５２０にわたって遮光部７４を形成し、そして、工程Ｓ４で半透過層７６ｘを除去するのと同時に、本来の加工対象領域５１１外に存在する遮光部７４も除去する」という製造方法が有する、２つの除去工程は、それぞれ、「遮光層」のみが形成された状態で、該「遮光層」を除去する工程Ｓ３、及び、「遮光層」とその上に「半透過層」が形成された状態で、該「遮光層」及び「半透過層」を同時に除去する工程Ｓ４であって、さらに、「遮光部７４ａ〜７４ｃ上の半透過層７６ｘを除去する必要はな」いという構成を有していることから、引用発明では、「遮光層」と「半透過層」との間に、「半透過層」のみを除去し、その下の「遮光層」を残すための、エッチングストッパー膜が不要であるということは、当業者には自明のことであるから、引用発明は、実質的に、エッチングストッパー膜形成工程を有さないと解するのが相当である。
　すると、引用発明は、本願補正発明の「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」という構成を含むと認められる。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有する階調マスクの製造方法であって、
　前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであり、
　前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、
　前記遮光膜の一部をパターニングする第１パターニング工程と、
　パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜することにより、前記遮光膜がパターニングされて除去された領域に半透明領域を形成する半透明膜成膜工程と、
　前記遮光膜および前記半透明膜をパターニングすることにより、透過領域を形成する第２パターニング工程と、を有し、
　エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない階調マスクの製造方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
　「半透明膜」が、本願補正発明では「金属膜である」のに対して、引用発明では「半透過材料により構成され、例えば酸化クロムが好適であ」る点。
　
 ４．判断
（１）上記相違点について検討する。
　引用文献１には、引用発明について、「本発明による露光用マスクの製造方法では、１回目の成膜工程Ｓ２で本来の加工対象領域５１１外に残した遮光部７４を、２回目の成膜工程Ｓ４で除去する必要があるので、遮光層７４ｘを構成する遮光材料と半透過層７６ｘを構成する半透過性材料が同一のエッチング液で除去できることが必要となる。このため、本実施例では、遮光部７４の材料としてクロムと酸化クロムを使用し、半透過部７６の材料として酸化クロムを使用している。但し、２回目の成膜工程で同一のエッチング液を用いて除去できる材料であれば、遮光部と半透過部の材料は上記の例には限られない。」（【００５４】）と、「遮光層」と「半透過層」とを構成する材料が、同一のエッチング液で除去できることが必要であるという技術事項が記載されている。
　そして、引用文献２には、グレートーンマスクにおいて、遮光膜及び半透光膜が同一エッチング液で同時加工できるような材料の例として、同一材料の膜（半透光膜：Ｃｒ、遮光膜：Ｃｒ）や主成分が同一の膜（半透光膜：クロム化合物、遮光膜：Ｃｒ）が挙げられている。
　すると、引用発明において、「遮光層」と「半透過層」の材料がクロム（Ｃｒ）と酸化クロムである構成に換えて、両材料をともにＣｒとして、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）効果について
　本願補正発明が奏し得る効果は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項が既に奏し得ていたものであって格別なものではない。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は、平成２５年１月９日付けの手続補正により補正した【請求の理由】（以下、単に「【請求の理由】という。）において、
「引用文献２に記載された発明は、クロム膜を半透明膜とするためには、エッチングストッパー層が必須のものであり、これらの二つの技術的事項は引用文献２に記載された発明におきましては、一体不可分の関係にあるものであります。
　このようにクロム膜を半透明膜とするに際してエッチングストッパー層形成工程が必須である、引用文献２に記載された発明に接した当業者が、本発明が開示されていない状態で、半透明膜がクロム膜であるといった技術的事項のみを取出して引用文献１に記載された発明に組み合わせることには、困難性があるものと考えます。」
と主張している。
　しかし、一般に、マスクの製造方法において、エッチングストッパー膜形成工程が必須であるか否かは、積層される各層の材料だけで決まるものではなく、製造方法によっても左右されることが当業者の技術常識である（例えば、引用発明では、遮光層はクロムで、半透過層は酸化クロムで形成されているが、引用発明の製造方法ではエッチングストッパー膜は不要である。）から、引用文献２に接した当業者は、遮光膜及び半透光膜が同一の材料の膜や主成分が同じ膜で形成されることのみによってエッチングストッパー膜が必要になったのではなく、遮光膜及び半透光膜が同一の材料の膜や主成分が同じ膜で形成されること及び引用文献２に記載された方法で製造されることによってエッチングストッパー膜が必要になったことを理解することは明らかである。
　すると、当業者であれば、引用文献２の記載から、遮光膜及び半透光膜を同一のエッチング液で同時加工できる例として、両者を同一材料の膜（例えば半透光膜：Ｃｒ、遮光膜：Ｃｒ）や主成分が同じ膜（例えば半透光膜：クロム化合物、遮光膜：Ｃｒ）で形成するという技術事項を、エッチングストッパー膜形成工程の有無とは別に取り出すことができるものと認められる。
　したがって、請求人の上記主張は失当である。
　
（４）結論
　本願補正発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．小括
  以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　なお、本件補正のうち、「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」を追加する補正について、請求人は、【請求の理由】において、
「３．補正について
　本願出願人は、上記拒絶査定に対しまして、平成２４年１１月３０日付けで拒絶査定不服審判を請求し、同日付けで補正書を提出しております。
・・・中略・・・
　また、引用文献２に記載された発明と本願発明とがたまたま一致しているため、この一致部分を取り除くことを目的として「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」旨の発明特定事項を加える補正を行いました。
　したがって、今回の補正は適法であると考えます。」と主張している。
　この主張は、上記補正が、いわゆる「除くクレーム」とする補正のうちの「（ｉ）請求項に係る発明が、先行技術と重なるために新規性等（第２９条第１項第３号、第２９条の２又は第３９条）を失う恐れがある場合に、補正前の請求項に記載した事項の記載表現を残したままで、当該重なりのみを除く補正。」（審査基準　第ＩＩＩ部　第Ｉ節　４．２（４）除くクレーム参照）に該当するので、上記補正は許されるとの主張であると解される。
　しかし、本願発明（下記「第３」「１．」参照）と引用文献２に記載されたグレートーンマスクの製造方法が全く異なることは明らかであり、本願発明は引用文献２に記載された技術と重ならないから、上記主張は、上記補正が「除くクレーム」とする補正であるとする前提を欠くものであって、失当である。
　そして、本願の願書に最初に添付された特許請求の範囲、明細書及び図面には、「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」という技術事項は記載されていないから、上記補正を含む本件補正は、いわゆる新規事項の追加であると判断され得るものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２４年１１月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年５月３１日付けの手続補正により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、前記半透明膜が金属膜である階調マスクの製造方法であって、
　前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、
前記遮光膜の一部をパターニングする第１パターニング工程と、
パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜することにより、前記遮光膜がパターニングされて除去された領域に半透明領域を形成する半透明膜成膜工程と、
前記遮光膜および前記半透明膜をパターニングすることにより、透過領域を形成する第２パターニング工程とを有することを特徴とする階調マスクの製造方法。」
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物、その記載内容および引用発明は、前記「第２」「［理由］」「２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した本願補正発明から、「前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであり」及び「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」という事項を削除することにより拡張したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する本願補正発明は、前記「第２」「３．」および「４．」に記載したとおり、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　してみると、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。