【事件の表示】
　特許第３３９８０２５号「液晶表示装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３９８０２５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許３３９８０２５号の請求項１〜３に係る発明についての出願は、平成９年１０月１日に特許出願され、平成１５年２月１４日にその特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人　中川　徹　より特許異議の申立てがなされ、平成１６年３月２４日付で取消理由が通知されたところ、その指定期間内である平成１６年６月１日に訂正請求がなされたものである。
　　
２．訂正の適否についての判断
（１）平成１６年６月１日付訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　[訂正事項ａ]
　特許請求の範囲の記載
「【請求項１】  画素毎に形成された表示電極と、前記表示電極に対向する対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する垂直配向方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、上記表示電極は、少なくとも２以上の表示電極部分に分割され、且つ、分割された前記表示電極部分のそれぞれの縦横比が少なくとも２以上であり、前記分割された表示電極部分の夫々に対向する前記対向電極に、前記対向電極が開口されてなる配向制御窓を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】  前記表示電極を分割するスリットは、上記配向制御窓と平行である部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】  前記配向制御窓は、中心線と、中心線に対して対称に傾斜する一対の分岐線より形成されたＹ字状のスリットを上下対称に連結した形状であり、前記表示電極を分割するスリットは、前記配向制御窓の中心線と平行である部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。」
を
「【請求項１】  画素毎に形成された表示電極と、前記表示電極に対向する対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する
とともに、一対の偏光板が設けられた
【請求項２】  前記表示電極を分割するスリットは、上記配向制御窓と平行である部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】  前記配向制御窓は、中心線と、中心線に対して対称に傾斜する一対の分岐線より形成されたＹ字状のスリットを上下対称に連結した形状であり、前記表示電極を分割するスリットは、前記配向制御窓の中心線と平行である部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。」
と訂正する。
　　
　[訂正事項ｂ]
　明細書の段落【００１０】の記載
「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数形成された表示電極と対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する垂直配向方式の液晶表示装置であって、上記表示電極に対向する対向電極側に配向制御窓を有すると共に、上記表示電極の縦横比が少なくとも２以上にされた構成である。」
を
「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、
画素毎に形成された表示電極と、前記表示電極に対向する対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御するとともに、一対の偏光板が設けられた垂直配向方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、上記表示電極は、少なくとも２以上の表示電極部分に分割され、且つ、分割された前記表示電極部分のそれぞれの縦横比が少なくとも２以上であり、前記分割された表示電極部分の夫々に対向する前記対向電極に、前記対向電極が開口されてなる配向制御窓を有する
と訂正する。
　　
　[訂正事項ｃ]
　明細書の段落【００１１】の記載
「【００１１】また、複数形成された表示電極と対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する垂直配向方式の液晶表示装置であって、上記表示電極に対向する対向電極側に配向制御窓を有すると共に、上記表示電極の縦横比よりも大きい縦横比となるよう上記表示電極が夫々少なくとも２以上に分割され、且つ、分割された表示電極が夫々互いに電気的に接続された構成である。」
を
「【００１１】また、
前記表示電極を分割するスリットは、上記配向制御窓と平行である部分を有する
と訂正する。
　　
　[訂正事項ｄ]
　明細書の段落【００１２】の記載
「【００１２】また、複数形成された表示電極と共通電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する垂直配向方式の液晶表示装置であって、上記表示電極に対向する対向電極側に配向制御窓を有すると共に、上記表示電極が夫々少なくとも２以上に分割され、分割された各表示電極の縦横比が少なくとも２以上で、且つ、分割された表示電極が夫々互いに電気的に接続された構成である。」
を
「【００１２】また、
前記配向制御窓は、中心線と、中心線に対して対称に傾斜する一対の分岐線より形成されたＹ字状のスリットを上下対称に連結した形状であり、前記表示電極を分割するスリットは、前記配向制御窓の中心線と平行である部分を有する
と訂正する。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　[訂正事項ａについて]
　請求項１の「
とともに、一対の偏光板が設けられた
　　
　[訂正事項ｂについて]
　訂正事項ａの訂正に伴い、請求項１と明細書の発明の詳細な説明の記載との整合をとるために必要となった訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　　
　[訂正事項ｃ，ｄについて]
　請求項２及び３と明細書の発明の詳細な説明の記載との整合をとるために必要となった訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　　
　さらに、これらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされており、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
  上記２．で訂正を認めたことにより、本件の請求項１〜３に係る発明(以下、「本件発明１〜３」という。)は、平成１６年６月１日付全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりの次のものである。
　　
「【請求項１】  画素毎に形成された表示電極と、前記表示電極に対向する対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する
とともに、一対の偏光板が設けられた
【請求項２】  前記表示電極を分割するスリットは、上記配向制御窓と平行である部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】  前記配向制御窓は、中心線と、中心線に対して対称に傾斜する一対の分岐線より形成されたＹ字状のスリットを上下対称に連結した形状であり、前記表示電極を分割するスリットは、前記配向制御窓の中心線と平行である部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。」
　　
（２）取消理由で引用された刊行物等に記載された発明
刊行物１：特開平７−９２４５７号公報（異議申立人の提出した甲第１号証）
刊行物２：特開平６−４３４６１号公報（異議申立人の提出した甲第２号証）
先願発明：特願平１１−１６３３５号（優先権主張：平成９年６月１２日、平成９年８月２７日、平成９年８月２７日、平成９年９月３０日、平成９年１２月２６日（特願平９−３６１３８４号）、特開平１１−２５８６０６号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）
　　
　上記刊行物１には、図面（【図１】）とともに以下の事項が記載されている。
　ア．「【００１４】　【発明が解決しようとする課題】
　前述したように、従来の液晶表示素子は透過率が低く、視角依存性をもつか、高い駆動電圧を要し、応答速度も遅いといった問題点をもっていた。
【００１５】　したがって、光を散乱させる手段として、光散乱状態を得るために液晶以外の媒体を必要とせず、なおかつ、光透過状態とで液晶の分子配列が著しく異ならず、良好な光散乱状態を得るような構成であり、なおかつ、製法上制約がない構成であれば前述した問題点は発生しない。」
　イ．「【００２０】　本発明は液晶をベンド配列（同一方向のプレチルト角を有する分子配列）させたい場合に、横電界成分をもつ印加電圧の有無によって液晶分子の向きが変化することを利用して光散乱効果を高めるようにしたもので、電極の微小領域内に導電体部と非導電体部を形成し、基板間で、液晶層を挟んで相対向する一方の電極の導電体部と他方の電極の非導電体部を対面させたものである。」
　ウ．「【００２５】　光散乱領域は境界部を中心に幅３乃至５０μｍであるので、微細な領域の大きさをこの値の範囲（最狭幅は３μｍ以下でも可）で一致させるように、またはそれよりも小さな値になるように分割すれば一画素全面において光を散乱することができ、また電圧を印加していない状態では液晶分子は全面連続的な配列をなすので、光透過状態を得ることができる。したがって、本発明によれば、電圧無印加時に光透過状態、電圧印加時に光散乱状態を得る電界制御を行うことができる。」
　エ．「【００３２】　（実施例１）
　図１は本実施例を示し、図１（ａ）は上下電極のパターンを示す斜視図、図１（ｂ）は電極を相対向させた液晶セルの略断面図、図１（ｃ）は電圧無印加時の液晶分子配列のベンド配列状態を示す略図である。
【００３３】　ガラスでできた上基板１１の一方の面全面にＩＴＯの透明共通電極１３が形成され、その表面にポリイミドの上配向膜（ＡＬ−３０４６、日本合成ゴム製）１５を積層している。他方のガラスでできた下電極１２の一面にＩＴＯでできた画素単位でモザイク状に配置された３００μｍ×３００μｍの画素電極１４が設けられ、表面にポリイミドの下配向膜（ＡＬ−３０４６、日本合成ゴム製）１６が積層される。各基板を垂直配向処理剤であるシラン系アルコール処理液（商品名ＯＳＤ−Ｅ、チッソ製）に浸し、超音波を３分かけた後に乾燥させ、図に示す方向Ｆ、Ｒにラビング処理を施し、最終プレチルト角を８９°とする。
【００３４】　上電極１３は一画素ｐごとに幅２．５μｍの複数のスリットすなわち非導電部１３ｂを有して幅２．５μｍの導電部１３ａを５μｍピッチでストライプ状に配列したパターンでなり、一画素３００μｍ幅の中に多数本の導電部１３ａを形成している。
【００３５】　相対する下電極１４も同じく２．５μｍ幅の導電部１４ａと２．５μｍ幅の非導電部１４ｂを等間隔で配置したパターンを有し、３００μｍ幅内に多数本の導電部１４ａを形成している。
【００３６】　これら電極の導電部は上下基板を相対させた状態で相互に２．５μｍずらしてあり、一方の電極の導電部１３ａまたは１４ａが他方の電極の非導電部１４ｂまたは１３ｂに対面する。
【００３７】　下電極１４はＴＦＴスイッチング素子１７を有し、ゲート線１８と信号線１９に接続される。
【００３８】　上下基板の配向方向Ｆ、Ｒを図示のように電極の導電部に直交するように、かつ同一方向とし、上下基板の間隙を１０μｍとしてセルを形成する。この基板間隙に誘電異方性が負のネマティック液晶（ＺＬＩ−４８５０、メルクジャパン製）を充填し、液晶層２０とする。この液晶はΔｎが０．２０８０と大きく、液晶層を１０μｍと厚く選択したのは光散乱状態における光散乱性を高めるためである。」
　　
　上記刊行物２には、図面（【図２】〜【図７】）とともに以下の事項が記載されている。
　オ．「【０００１】　【産業上の利用分野】
　本発明は、液晶表示装置に関するものである。特に、マルチドメインを有すホメオトロピック液晶表示装置及びツイスト・ネマティック液晶表示装置に関する。」
　カ．「【０００５】　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の主要な目的は、広い視角に渡って高いコントラストが得られる液晶表示装置を提供することである。」
　キ．「【０００７】　本発明のさらに別の目的は、ドメインの境界が確実に固定されており、かつ局所的なセル条件の変動によって変化しないようなマルチドメイン・セルを有す液晶表示装置を提供することである。」
　ク．「【００１４】　ホメオトロピック型液晶表示装置の場合は、基板表面の境界近傍の液晶分子は、その長軸が基板表面に対して僅かなプレティルト角をもってほぼ垂直になるように配向しており、通常その傾きは基板に垂直な方向から１度か２度ずれた程度である。ツイスト・ネマティック型液晶表示装置の場合は、基板表面の境界近傍の液晶分子は、その長軸が基板表面に対して、僅かなプレティルト角（やはり１度か２度程度の傾き）をもってほぼ平行になるように配向している。」
　ケ．「【００２０】　ホメオトロピック液晶表示装置のセルの電極間に電場を印加すると、それによって分子は実質的に電場に垂直な方向に配列する。本発明は、画素電極の端部におけるのと同様に、電極の中の空き部分において横向きの電場を発生するような電極形状を形成することによって、この効果を利用してマルチドメイン液晶表示装置セルを得ている。このドメインの特性は、電極のパターンの形状によって決まる。」
　コ．「【００２２】　図２を参照すると、画素の底面電極６０は連続的な正方形（ゲート・ライン及びデータ・ライン（図示せず）によって４辺が隣接する画素電極と分離されているが）であるのに対し、画素の上面電極６２を形成する共通電極の部分は、Ｘ型の切り取り部６４をその中に形成しており、Ｘの末端は画素の４つの角に向いている。即ち、Ｘを形成している線は画素の辺に対して４５度の角度に配置されている。切り取った部分の幅Ｗは、最適な画素を得るために、好ましくは５ミクロンがよい。画素の大きさは、例えば１５０ミクロン×１５０ミクロンである。最適な画素のための幅Ｗは、即ち、画素中のドメイン間の安定で明確な境界であり、その結果、広い範囲の視角にわたって良好なコントラストと均一な表示特性が得られるものであるが、画素の大きさとはそれほど関係ない。画素の大きさは、例えばその辺が１００から２００ミクロンの範囲であればよい。
【００２３】　底面電極６０の外周の大きさを、上面電極６２よりも小さくすることによって、画素の周囲及び切り取り部分の縁における電場の方向を、それぞれの画素が４個のドメインに分割されるような方向にすることができる。それぞれのドメインにおいて液晶表示装置の分子のディレクタは、（電場の無いときは基板に対して垂直なっているのに対し）電場が印加されたときは、常に画素の中心へ向かって傾くように配向している。しかしながら、Ｘ型の切り取り部６４が、４個の明瞭な液晶ドメインＩ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶを定めている。これらのドメインは、それぞれの液晶表示装置セル内の局所的な条件に関わらず、Ｘ形の切り取り部６４によって正確に決定される。なぜなら一定の境界条件と明確な傾斜方向が、個々の液晶分子に対して確立されるからである。」
　サ．「【００２６】　図３から図７では、画素の幅と長さが等しくないものを示している。通常、画素の大きさは、１：３の縦横比を持つように選択されている。即ち、例えば幅１１０ミクロン×長さ３３０ミクロンである。底面電極７０は連続であり、データ・ライン及びゲート・ラインによって隣接する画素の電極から絶縁されている。画素の上面電極７２は、空き部分あるいは切り取り部７４を有し、それはいわゆる「２重Ｙ」形状である、両端がそれぞれ２つの枝に分かれた長い形をしている。Ｘで示されている中心部分の幅は、１０ミクロンが最適であるが、Ｙで示されている中心部分の両端の分岐した部分の幅は、５ミクロンが最適である。図２の場合と同様な方法で、４個の分割された液晶ドメインが確立される。ドメインＡの大きさはドメインＢの大きさと等しい。ドメインＣの大きさはドメインＤの大きさと等しい。しかしながら、図３から十分明らかなように、ドメインＡとＢは、ドメインＣとＤよりもかなり大きい。」
　シ．「【００２９】　図５では、底面電極９０は、最適幅１０ミクロンの長方形の切り取り部９１を有し、画素の幅方向に沿ってその長方形の長い方の辺が置かれている。上面電極は、２つの「２重Ｙ」型の切り取り部９４ａ及び９４ｂを有し、その末端部分における幅Ｙは、５ミクロンが最適であり、中心部分の幅Ｘは、１０ミクロンが最適である。切り取り部９４ａは、図５の電極９０の長方形の切り取り部９１から上の半分を覆うように配置され、切り取り部９４ｂは、電極９０の切り取り部９１から下の半分を覆うように配置されている。
【００３０】　図５の画素電極パターンによって、液晶表示装置セルは、８個のドメインに分割することができる。偏光膜の透過軸は、矢印９６及び９８によって表されている。汎用的な単ドメイン・セルと比較して、相対的な透過効率は８１％である。」
　　
　上記先願明細書（優先権主張の基礎とされた特願平９−３６１３８４号の出願日は本願出願の後であることから、該基礎出願のみに記載された事項を除いた記載事項）には、図面（【図２】，【図９】，【図１２】）とともに以下の事項が記載されている。
　ス．「【０００１】　【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）に関し、特にＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ）型ＬＣＤ（ＶＡモードＬＣＤ）で配向分割を実現する技術に関する。」
　セ．「【００１７】　【課題を解決するための手段】
　図９は、本発明の原理を説明する図である。図９に示すように、本発明によれば、従来の垂直配向膜を使用し、液晶材料としてネガ型液晶を封入したＶＡ方式において、電圧を印加した時に、液晶が斜めに配向される配向方向が、１画素内において、複数の方向になるように規制するドメイン規制手段を設ける。・・・図９では、ドメイン規制手段として、上側基板の電極１２を１画素内でスリットを有する電極とし、下側基板の電極１３の上には突起２０を設けている。」
　ソ．「【００２２】　・・・偏光板の偏光方向との関係で、斜めの液晶の配向が回転対称になる場合には、光の利用効率が低いという問題が生じる。これは、液晶が放射状に無段階にドメインを形成した場合、偏光板の透過軸及び吸収軸の方向の液晶はロスとなり軸に対して４５°方向の液晶がもっとも効率がよいためである。・・・。」
　タ．「【００２４】　図１２の（１）では、両側あるいは片側の基板のＩＴＯ電極１２、１３にスリットを設ける。基板表面には垂直配向処理を施し、ネガ型液晶を封入する。電圧を印加しない状態では、液晶分子は基板表面に対して垂直に配向するが、電圧を印加すると電極スリット部（電極エッジ部）で基板表面に対して斜めの方向の電界が発生する。この斜めの電界の影響で液晶分子の傾斜方向が決定され、図示のように左右方向に液晶の配向方向が分割される。この例では電極のエッジ部に生じる斜めの電界で液晶を左右方向に配向するので、斜め電界方式と呼ぶこととする。ただし、この方式は、前述のように、電極間に電圧を印加しない時には斜め電界が生じないので液晶の方向が規定されず、電圧無印加状態から電圧印加状態に変化する時の応答速度が低いという問題がある。」
      
（３）異議申立（取消理由）についての対比・判断
　特許異議申立人の主張する取消理由は、
　ａ．請求項１，２に係る発明は、刊行物１に記載された発明と同一であるか、もしくは同発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた。
　ｂ．請求項１〜３に係る発明は、刊行物１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた。
というものである。そして、平成１６年３月２４日付取消理由通知において、上記ａ，ｂに加え、
　ｃ．請求項１，２に係る発明は、先願明細書に記載された発明と同一である。
という取消理由を追加したので、以下ではこれらａ〜ｃの取消理由について検討することとする。
　　
（３−１）本件発明１について
　[特許法第２９条第１項第３号について]
　上記刊行物１には、本件発明１の「一対の偏光板が設けられた垂直配向方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置」なる事項が記載されていない。
　すなわち、上記刊行物１には、
「本発明は液晶をベンド配列（同一方向のプレチルト角を有する分子配列）させたい場合に、横電界成分をもつ印加電圧の有無によって液晶分子の向きが変化することを利用して光散乱効果を高めるようにしたもので、電極の微小領域内に導電体部と非導電体部を形成し、基板間で、液晶層を挟んで相対向する一方の電極の導電体部と他方の電極の非導電体部を対面させたものである。」（上記イ．）
なる事項が記載されており、これによれば、刊行物１に記載された液晶表示素子は、一対の偏光板を必要としない光散乱効果により表示を行う液晶表示素子であって、垂直配向方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置である本件発明１とは、明らかに液晶の動作モードが異なるものである。
　
　したがって、刊行物１には、本件発明１の上記事項が記載されているとすることができない。
　　
　[特許法第２９条第２項について]
　上記刊行物２には、本件発明１の「分割された前記表示電極部分のそれぞれの縦横比が少なくとも２以上であり」なる事項が記載されていない。
　これに関して、上記刊行物１には、
「【００３３】ガラスでできた上基板１１の一方の面全面にＩＴＯの透明共通電極１３が形成され、その表面にポリイミドの上配向膜（ＡＬ−３０４６、日本合成ゴム製）１５を積層している。他方のガラスでできた下電極１２の一面にＩＴＯでできた画素単位でモザイク状に配置された３００μｍ×３００μｍの画素電極１４が設けられ、表面にポリイミドの下配向膜（ＡＬ−３０４６、日本合成ゴム製）１６が積層される。各基板を垂直配向処理剤であるシラン系アルコール処理液（商品名ＯＳＤ−Ｅ、チッソ製）に浸し、超音波を３分かけた後に乾燥させ、図に示す方向Ｆ、Ｒにラビング処理を施し、最終プレチルト角を８９°とする。【００３４】上電極１３は一画素ｐごとに幅２．５μｍの複数のスリットすなわち非導電部１３ｂを有して幅２．５μｍの導電部１３ａを５μｍピッチでストライプ状に配列したパターンでなり、一画素３００μｍ幅の中に多数本の導電部１３ａを形成している。【００３５】相対する下電極１４も同じく２．５μｍ幅の導電部１４ａと２．５μｍ幅の非導電部１４ｂを等間隔で配置したパターンを有し、３００μｍ幅内に多数本の導電部１４ａを形成している。」（上記エ．）
が記載されており、上記スリット間の画素領域を本件発明１の「分割された表示電極領域」と見立てると、上記画素電極の寸法（３００μｍ×３００μｍ）及びスリットのピッチ（５μｍ）などから推して、その縦横比は２以上であることが明らかである。
　　
　そこで、刊行物１に記載された上記「その縦横比は２以上である分割された表示電極領域」を、刊行物２に記載のものに適用することが、容易であるか以下に検討する。
　上記（３−１）[特許法第２９条第１項第３号について]で既に検討したように、刊行物１に記載された液晶表示素子は、一対の偏光板を必要としない光散乱効果により表示を行う液晶表示素子であって、本件発明１のような複屈折効果型のものとは、液晶の表示動作モードが異なるものである。したがって、上記で見立てた「分割された表示電極領域」は、刊行物２に記載のもの及び本件発明１のような垂直配向方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置における「分割された表示電極領域」と異なり、その全域が表示に寄与する領域とはなっていない。
　また、刊行物１及び２には、「分割された表示電極領域」の縦横比に関する考察が何ら記載されていないから、刊行物１の記載から推して「その縦横比は２以上である分割された表示電極領域」に見立てることが可能な構成が仮にあったとしても、両者を組み合わせるに十分な動機があるとはいえない。
　
　したがって、刊行物１，２には、本件発明１の「分割された前記表示電極部分のそれぞれの縦横比が少なくとも２以上であり」なる事項が記載されてなく、また、仮に、刊行物１の記載から、上記事項が導出可能であるとしても、両者を組み合わせることに十分な動機があるとはいえないから、刊行物１，２に記載のものから本件発明１を発明することは困難である。
　
　[特許法第２９条の２について]
　先願明細書には、本件発明１の「分割された前記表示電極部分のそれぞれの縦横比が少なくとも２以上であり」なる事項が記載されていない。
　すなわち、先願明細書には、
「両側あるいは片側の基板のＩＴＯ電極１２、１３にスリットを設ける。基板表面には垂直配向処理を施し、ネガ型液晶を封入する。電圧を印加しない状態では、液晶分子は基板表面に対して垂直に配向するが、電圧を印加すると電極スリット部（電極エッジ部）で基板表面に対して斜めの方向の電界が発生する。この斜めの電界の影響で液晶分子の傾斜方向が決定され、図示のように左右方向に液晶の配向方向が分割される。」（上記タ．）
なる事項が記載されており、これによれば、電極はスリットによって分割されていることが理解できるが、分割された電極領域の縦横比については開示されていない。
　なお、先願明細書の図３９には、スリットによって分割された縦横比が２以上とみられる表示電極部分が記載されているが、かかる記載は、本件出願日以降の国内優先権主張（平成９年１２月２６日）に基づき追加されたものであって、判断の基礎たり得ない。
　　
　したがって、先願明細書には、本件発明１の上記事項が記載されているとはいえない。
　　
（３−２）本件発明２，３について
　また、本件発明２，３は、いずれも本件発明１を直接引用し、さらに限定を付した発明であるから、上記（３−１）で述べた理由により本件発明１と同様、上記刊行物１，２及び先願明細書に記載のものにより充足し得ないことは明らかである。
　　
　したがって、本件発明１，２が、刊行物１に記載された発明ないしは先願明細書に記載された発明と同一であるとも、また、本件発明１〜３が、刊行物１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるともいえないから、本件発明１，２は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明であるにもかかわらず特許を受けたものではなく、また、同法第２９条の２の規定に違反して特許を受けたものでもなく、さらに、本件発明１〜３は、同法第２９条第２項の規定に違反して特許を受けたものでもない。
　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年６月１５日（２００５．６．１５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】画素毎に形成された表示電極と、前記表示電極に対向する対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する
とともに、一対の偏光板が設けられた
　上記表示電極は、少なくとも２以上の表示電極部分に分割され、且つ、分割された前記表示電極部分のそれぞれの縦横比が少なくとも２以上であり、
前記分割された表示電極部分の夫々に対向する前記対向電極に、前記対向電極が開口されてなる配向制御窓を有することを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項２】前記表示電極を分割するスリットは、上記配向制御窓と平行である部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　【請求項３】前記配向制御窓は、中心線と、中心線に対して対称に傾斜する一対の分岐線より形成されたＹ字状のスリットを上下対称に連結した形状であり、前記表示電極を分割するスリットは、前記配向制御窓の中心線と平行である部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶の電気光学的な異方性を利用して表示を行う液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ　ＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）に関し、特に、応答速度並びに透過率の向上を達成した液晶表示装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＬＣＤは、小型、薄型、低消費電力等の利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器等の分野で実用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクティブマトリクス型は、原理的にデューティー比１００％のスタティック駆動をマルチプレクス的に行うことができ、大画面、高精細な動画ディスプレイに使用されている。
　【０００３】
　ＴＦＴは電界効果トランジスタであり基板上に行列状に配置され、液晶を誘電層とした画素容量の一方を成す表示電極に接続されている。ＴＦＴはゲートラインにより同一行について一斉にオン／オフが制御されると共に、ドレインラインより画素信号電圧が供給され、ＴＦＴがオンされた画素容量に対して行列的に指定された表示用電圧が充電される。表示電極とＴＦＴは同一基板上に形成され、画素容量の他方を成す共通電極は、液晶層を挟んで対向配置された別の基板上に全面的に形成されている。即ち、液晶及び共通電極が表示電極により区画されて表示画素を構成している。画素容量に充電された電圧は、次にＴＦＴがオンするまでの１フィールド或いは１フレーム期間、ＴＦＴのオフ抵抗により絶縁的に保持される。液晶は電気光学的に異方性を有しており、画素容量に印加された電圧に応じて透過率が制御される。表示画素毎に透過率を制御することで、これらの明暗が表示画像として視認される。
　【０００４】
　液晶は、更に、両基板との接触界面に設けられた配向膜により初期配向状態が決定される。液晶として例えば正の誘電率異方性を有したネマティック相を用い、配向ベクトルが両基板間で９０°にねじられたツイストネマティック（ＴＮ）方式がある。通常、両基板の外側には偏光板が設けられており、ＴＮ方式においては、各偏光板の偏光軸は、夫々の基板側の配向方向に一致している。従って、電圧無印加時には、一方の偏光板を通過した直線偏光は、液晶のねじれ配向に沿う形で、液晶層中で旋回し、他方の偏光板より射出され、表示は白として認識される。そして、画素容量に電圧を印加して液晶層に電界を形成することにより、液晶はその誘電率異方性のために、電界に対して平行になるように配向を変化し、ねじれ配列が崩され、液晶層中で入射直線偏光が旋回されなくなり、他方の偏光板より射出される光量が絞り込まれて表示は暫次的に黒になっていく。このように、電圧無印加次に白を示し、電圧印加に従って黒となる方式は、ノーマリー・ホワイト・モードと呼ばれ、ＴＮセルの主流となっている。
　【０００５】
　図６及び図７に従来の液晶表示装置の単位画素部分の構造を示す。図６は平面図、図７はそのＧ−Ｇ線に沿った断面図である。基板（１００）上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ等のメタルからなるゲート電極（１０１）が形成され、これを覆ってＳｉＮｘまたは／及びＳｉＯ２等からなるゲート絶縁膜（１０２）が形成されている。ゲート絶縁膜（１０２）上には、ｐ−Ｓｉ（１０３）が形成されている。ｐ−Ｓｉ（１０３）、この上にゲート電極（１０１）の形状にパターニングされたＳｉＯ２等の注入ストッパー（１０４）を利用して、燐、砒素等の不純物を低濃度に含有した（Ｎ−）低濃度（ＬＤ：Ｌｉｇｈｔｌｙ　ｄｏｐｅｄ）領域（ＬＤ）、及び、その外側に同じく不純物を高濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及びドレイン領域（Ｓ、Ｄ）が形成されている。注入ストッパー（１０４）の直下は、実質的に不純物が含有されない真性層であり、チャンネル領域（ＣＨ）となっている。これら、ｐ−Ｓｉ（１３）を覆ってＳｉＮｘ等からなる層間絶縁膜（１０５）が形成され、層間絶縁膜（１０５）上には、Ａｌ、Ｍｏ等からなるソース電極（１０６）及びドレイン電極（１０７）が形成され、各々層間絶縁膜（１０５）に開けられたコンタクトホールを介して、ソース領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に接続されている。このＴＦＴを覆う全面には、ＳＯＧ（ＳＰＩＮ　ＯＮ　ＧＬＡＳＳ）、ＢＰＳＧ（ＢＯＲＯ−ＰＨ−ＯＳＰＨＯ　ＳＩＬＩＣＡＴＥ　ＧＬＡＳＳ）、アクリル樹脂等の平坦化絶縁膜（１０８）が形成されている。平坦化絶縁膜（１０８）上には、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極（１０９）が形成され、平坦化絶縁膜（１０８）に開けられたコンタクトホールを介してソース電極（１０６）に接続されている。
　【０００６】
　これら全てを覆う全面には、ポリイミド等の高分子膜からなる配向膜（１２０）が形成され、所定のラビング処理により液晶の初期配向を制御している。一方、液晶層を挟んで基板（１００）に対向する位置に設置された別のガラス基板（１３０）上には、ＩＴＯにより全面的に形成された共通電極（１３１）が設けられ、共通電極（１３１）上にはポリイミド等の配向膜（１３３）が形成され、ラビング処理が施されている。
　【０００７】
　ここでは、液晶（１４０）に負の誘電率異方性を有したネマチック相を用い、配向膜（１２０、１３３）として垂直配向膜を用いたＤＡＰ（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　ａｌｉｇｎｅｄ　ｐｈａｓｅ）型を示した。ＤＡＰ型は、電圧制御複屈折（ＥＣＢ：ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式の一つであり、液晶分子長軸と短軸との屈折率の差、即ち、複屈折を利用して、透過率を制御するものである。ＤＡＰ型では、電圧印加時には、直交配置された偏光板の一方を透過した入射直線偏光を液晶層において、複屈折により楕円偏光とし、液晶層の電界強度に従ってリタデーション量、即ち、液晶中の常光成分と異常光成分の位相速度の差を制御することで、他方の偏光板より所望の透過率で射出させる。この場合、電圧無印加状態から印加電圧を上昇させることにより、表示は黒から白へと変化していくので、ノーマリー・ブラック・モードとなる。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　このように、液晶表示装置では、所定の電極が形成された一対の基板間に装填された液晶に所望の電圧を印加することで、液晶層中での光の旋回或いは複屈折を制御することにより目的の透過率或いは色相を得、表示画像を作成する。即ち、液晶の配向を変化してリタデーション量を制御することで、ＴＮ方式においては透過光強度を調整できると共に、ＥＣＢ方式においては波長に依存した分光強度を制御して色相の分離も可能となる。リタデーション量は、液晶分子の長軸と電界方向とのなす角度に依存している。このため、電界強度を調節することで、電界と液晶分子長軸との成す角度が１次的に制御されても、観察者が視認する角度、即ち、視角に依存して、相対的にリタデーション量が変化し、視角が変化すると透過光強度或いは色相も変化してしまい、いわゆる視角依存性の問題となっていた。
　【０００９】
　また、透過率の低下や応答速度の遅さが問題となっていた。
　【００１０】
　【課題を解決する手段】
　本発明は、
画素毎に形成された表示電極と、前記表示電極に対向する対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御するとともに、一対の偏光板が設けられた垂直配向方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
　上記表示電極は、少なくとも２以上の表示電極部分に分割され、且つ、分割された前記表示電極部分のそれぞれの縦横比が少なくとも２以上であり、
前記分割された表示電極部分の夫々に対向する前記対向電極に、前記対向電極が開口されてなる配向制御窓を有する
　【００１１】
　また、
前記表示電極を分割するスリットは、上記配向制御窓と平行である部分を有する
　【００１２】
　また、
前記配向制御窓は、中心線と、中心線に対して対称に傾斜する一対の分岐線より形成されたＹ字状のスリットを上下対称に連結した形状であり、前記表示電極を分割するスリットは、前記配向制御窓の中心線と平行である部分を有する
　【００１３】
　これにより、表示電極のエッジ部の影響を低減することによって、視角特性及び透過率が向上し、平均的応答時間を短縮される。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　図１及び図２に本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の単位画素構造を示す。図１は平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。基板（１０）上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ等のメタルからなるゲート電極（１１）が形成され、これを覆ってＳｉＮｘまたは／及びＳｉＯ２等からなるゲート絶縁膜（１２）が形成されている。ゲート絶縁膜（１２）上には、ｐ−Ｓｉ（１３）が形成されている。ｐ−Ｓｉ（１３）は、この上にゲート電極（１１）の形状にパターニングされたＳｉＯ２等の注入ストッパー（１４）を利用して、燐、砒素等の不純物を低濃度に含有した（Ｎ−）低濃度（ＬＤ：Ｌｉｇｈｔｌｙ　ｄｏｐｅｄ）領域（ＬＤ）、及び、その外側に同じく不純物を高濃度に含有した（Ｎ＋）ソース及びドレイン領域（Ｓ、Ｄ）が形成されている。注入ストッパー（１４）の直下は、実質的に不純物が含有されない真性層であり、チャンネル領域（ＣＨ）となっている。これら、ｐ−Ｓｉ（１３）を覆ってＳｉＮｘ等からなる層間絶縁膜（１５）が形成され、層間絶縁膜（１５）上には、Ａｌ、Ｍｏ等からなるソース電極（１６）及びドレイン電極（１７）が形成され、各々層間絶縁膜（１５）に開けられたコンタクトホールを介して、ソース領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に接続されている。このＴＦＴを覆う全面には、ＳＯＧ（ＳＰＩＮ　ＯＮ　ＧＬＡＳＳ）、ＢＰＳＧ（ＢＯＲＯ−ＰＨ−ＯＳＰＨＯ　ＳＩＬＩＣＡＴＥ　ＧＬＡＳＳ）、アクリル樹脂等の平坦化絶縁膜（１８）が形成されている。平坦化絶縁膜（１８）上には、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極（１９）が形成され、平坦化絶縁膜（１８）に開けられたコンタクトホールを介してソース電極（１６）に接続されている。
　【００１５】
　これら全てを覆う全面には、ポリイミド等の高分子膜からなる配向膜（２０）が形成されている。一方、液晶層を挟んで基板（１０）に対向する位置に設置された別のガラス基板（３０）上には、ＩＴＯにより全面的に形成された共通電極（３１）が設けられ、共通電極（３１）上にはポリイミド等の配向膜（３３）が形成されている。本発明では、配向膜（２０）、（３３）及び液晶（４０）を、液晶分子（４１）が垂直となるものが選定されている。
　【００１６】
　更に、表示電極（１９）と対向する位置の共通電極（３１）側には、Ｙ字状のスリットを上下対称に連結して成る配向制御窓（５０）が形成されている。この配向制御窓真下の液晶分子（４１）には傾斜させるほどの電界がかからないので垂直に配向するが、その周りには図２の点線で示すような電界が発生し、液晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方向に配向制御される。また、表示電極（１９）のエッジにおいても同様、液晶分子（４１）はその長軸が電界に直角な方向に配向制御され、これらの液晶分子の傾斜が液晶の連続性によって内部の液晶にまで伝わる。よって、液晶分子（４１）の配向制御方向は、図１の矢印で示すように、表示電極（１９）の中央部分ではほぼ同一の方向となり、エッジ近傍では同一の方向とはならない。そして、配向方向が同一であれば視野特性や透過率がよく、同一にならない領域では視野特性や透過率が良くない。
　【００１７】
　そこで、本発明では、このような配向制御窓（５０）の対向面に位置する表示電極（１９）の形状において、その縦と横の比Ｖ／Ｈを２以上に設定している。
このように設定すれば、液晶分子の配向方向が同一になる領域を広くすることが可能となり、同一にならない領域の全体に占める割合を小さくすることができる。このため、視野特性や透過率、さらには応答速度が向上する。
　【００１８】
　図３Ａは本出願人が実験によって求めた、表示電極（１９）の縦横比と透過率の関係を示すグラフ、並びに表示電極（１９）の縦横比と平均的応答時間（（τｏｎ＋τｏｆｆ）／２）の関係を示すグラフである。図３Ａのグラフを見ると分かるように、縦横比が“２”までは透過率は低いが、２以上では良好な値が得られ、以降同じ値で安定している。また、図３Ｂのグラフを見ると分かるように、縦横比が“２”までは平均的応答時間は遅いが、２以上では極めて速くなり、以降略同じ値で安定している。つまり、表示電極（１９）の各縦横比を“２”以上にすると、透過率が高くなり、且つ、平均的応答時間が短くなる。
　【００１９】
　次に、本発明の他の実施形態について、図４及び図５を参照して説明する。
　図４は液晶表示装置の単位画素構造を示す平面図、図５は図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。尚、図５において、ＴＦＴの構造は図２と同一であるが、簡略して図示している。
　本実施形態では、１画素の表示電極（１９）は、その縦の長さより横の長さの方が広い。そこで、表示電極（１９）に縦方向にスリット（１９ｄ）及び（１９ｅ）を入れることにより、表示電極（１９）を３つのピクセル表示電極（１９ａ）（１９ｂ）（１９ｃ）に分割し、各ピクセル表示電極の縦横比Ｖ／Ｈが２以上になるようにしている。但し、表示電極は同一画素に対応するものであるので、各ピクセル表示電極（１９ａ）（１９ｂ）（１９ｃ）はスリット（１９ｄ）及び（１９ｅ）の下部において一部が接続されている。
　【００２０】
　そして、この場合は、各ピクセル表示電極（１９ａ）（１９ｂ）（１９ｃ）に対して、各々対向面である共通電極（３１）側に配向制御窓（３２ａ）（３２ｂ）（３２ｃ）を設けている。従って、各ピクセル表示電極（１９ａ）（１９ｂ）（１９ｃ）では、配向制御窓を挟んで逆方向に液晶分子が配向制御され、同一方向に配向される領域が広くなり、表示電極エッジで配向不良となる領域が狭くなる。このため、先の実施形態と同様、視角特性，透過率，応答時間が向上する。
　【００２１】
　【発明の効果】
　以上の説明から明かなように、表示電極または表示電極を分割した分割表示電極の縦横比を所定値以上としたので、表示電極のエッジ部の影響を低減して、視角特性及び透過率を向上させ、平均的応答時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の単位画素部の平面図である。
　【図２】
　図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
　【図３】
　本発明の液晶表示装置の縦横比と透過率及び平均的応答時間との関係を示すグラフである。
　【図４】
　本発明の他の実施の形態にかかる液晶表示装置の単位画素部の平面図である。
　【図５】
　図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
　【図６】
　従来の液晶表示装置の単位画素部の平面図である。
　【図７】
　図６のＧ−Ｇ線に沿った断面図である。
　【符号の説明】
　１０　基板
　１１　ゲート電極
　１２　ゲート絶縁膜
　１３　ｐ−ｓｉ
　１４　注入ストッパー
　１５　層間絶縁膜
　１６　ソース電極
　１７　ドレイン電極
　１９　表示電極
　１９ａ、１９ｂ、１９ｃ　ピクセル表示電極
　２０、３３　配向膜
　３０　ガラス基板
　３１　共通電極
　３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、５０　配向制御窓
　４０　液晶
　４１　液晶分子