【事件の表示】
　特許第３２７７３３８号「回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法」の請求項１〜３に係る発明についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２７７３３８号の請求項１〜３に係る発明についての特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２７７３３８号の請求項１〜３に係る発明は、平成５年１月２６日に特許出願され、平成１４年２月１５日にそれらの特許権の設定登録がなされ、平成１４年１０月２１日に特許異議申立人井上博史より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１５年３月１３日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
ア．訂正事項ａ
　本件特許の特許請求の範囲の請求項１に記載される、
「回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法において，溶剤供給ライン端部（４ａ）を減圧ライン（３）の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）（３ａ）を，基板（１）の厚膜化部（２ｂ）に対し接近させる工程と，減圧ライン（３）を減圧して
溶剤供給ライン（４）より溶剤を作用させて
「回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法において，溶剤供給ライン端部（４ａ）を減圧ライン（３）の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）（３ａ）を，基板（１）の厚膜化部（２ｂ）に対し接近させる工程と，減圧ライン（３）を減圧して
、減圧の結果，基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて，
イ．訂正事項ｂ
　本件特許の願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の段落【０００５】に記載される、
「減圧ライン
３
溶剤供給ライン４より溶剤を作用させて
２ｂ
２ｂ
３
「減圧ライン
（３）
、減圧の結果，基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて，
（２ｂ）
（２ｂ）
（３）
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａに関して、本件特許明細書の段落【０００８】には、「図２(c) は，減圧の結果，基板１と減圧ライン端部３ａとの間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン４より溶剤を噴出させて，厚膜化部２ｂを溶解し」と記載されている。したがって、訂正事項ａは、上記特許明細書の記載に基づいて、溶剤の作用を、減圧の結果として溶剤供給ライン４より溶剤を噴出させるものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、また、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）特許異議申立てについての概要
　特許異議申立人は、甲第１号証として特開昭６３ー５８８３１号公報、甲第２号証として特開昭６４ー６１９１７号公報、参考公報１として実願平１ー２６３７６号（実開平２ー１１６７３１号）のマイクロフィルムを提示し、請求項１に係る発明は、甲第１号証記載の発明に基づいて、また、請求項２、３に係る発明は、甲第１、２号証記載の発明に基づいて、それぞれ当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜３に係る発明についての特許は、いずれも取り消されるべき旨主張している。
　
（２）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜３に係る発明（以下それぞれを、「本件発明１」等という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものと認める。
『【請求項１】　回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法において，溶剤供給ライン端部（４ａ）を減圧ライン（３）の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）（３ａ）を，基板（１）の厚膜化部（２ｂ）に対し接近させる工程と，減圧ライン（３）を減圧して、減圧の結果，基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて，厚膜化部（２ｂ）を溶解し，溶解した厚膜化部（２ｂ）を減圧ライン（３）より吸引する工程とを含む，回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法。
【請求項２】　溶剤の供給を遮断して基材（１）表面の溶剤を減圧ライン（３）より除去する工程を付加した請求項１記載の回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法。
【請求項３】　回転塗布によって形成された膜の材質がＳＯＧである請求項１又は２記載の回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法。』
　なお、上記の請求項１の記載のうち、「減圧の結果，基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて」との記載は、「減圧の結果」が「基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込む」のみを修飾しているとも解し得る余地があるが、上記記載中の「・・・吸い込むと
同時に
                     　
（３）甲第１、２号証、参考公報１記載の発明（事項）
　甲第１号証には、
（イ）「この基板１０の一方の面には予めスピンコータによってレジスト１２が塗布されている。・・・１４，１４は左右一対の剥離液噴出手段であって、基板１０の下縁とほぼ平行に配設された送液管１６，１６と、各送液管１６，１６に設けた多数のノズル１８とを備える。各ノズル１８は基板１０の下縁付近の両側から斜め下方を指向し、レジスト縁部１２Ａに剥離液を噴射する。この剥離液は使用するレジストの種類とも関係するが、一般にはフェノールとハロゲン系有機溶剤とを主成分とするもの、熱濃硫酸、発煙硝酸、硫酸・過酸化水素などが用いられている。」（第２頁右上欄１６行〜同頁左下欄１１行）、
（ロ）「第６〜９図で符号１００は処理容器であり、その上面には基板挿入用スリット１０２が形成されている。このスリット１０２の下方には前記第１図で説明したガス噴出手段２０，２０と、剥離液噴出手段１４，１４とが設けられている。」（第３頁左上欄１行〜５行）、
（ハ）「１１６は容器１００の側壁に設けた排気ダクト、１１８は容器１００の底部に設けた排液管である。」（第３頁左上欄１７行〜１９行）、
（ニ）「この実施例を使用する際には、剥離液を送液管１６，１６から供給する一方、ガス供給口１１４からＮ２ガスを供給する。また排気ダクト１１６を排気ファン（図示せず）に接続して剥離液の蒸気を外部に排気し、排液管１１８を排液容器（図示せず）に接続しておく。この状態でスリット１０２から基板１０を挿入し、レジスト縁部１２Ａに剥離液を当てつつスリット１０２と平行にノズル１８のピッチ相当量移動すれば、レジスト縁部１２Ａのみが剥離される。」（第３頁右上欄１行〜１１行）、
（ホ）「また常時排気ダクト１１６で蒸気を排気するようにしたのでスリット１０２からの蒸気の逆流を確実に防止できる。従って蒸気が基板１０の中央付近のレジスト１２を傷めるおそれは一層少なくなり、室内での使用も可能になる。」（第３頁左下欄３行〜８行）
と記載されている。
　これらの摘記事項（イ）〜（ホ）及び図面の記載からみて、甲第１号証には、
『スピンコータによって形成されたレジスト縁部１２Ａの除去法において、ノズル１８の端部を、排気ファンに接続した排気ダクト１１６を設けた処理容器１００の空間内に設けてなる処理容器１００上面の基板挿入用スリット１０２に、基板１０のレジスト縁部１２Ａを挿入し、処理容器１００を排気ダクト１１６で排気して、ノズル１８より、フェノールとハロゲン系有機溶剤とを主成分とするもの、熱濃硫酸、発煙硝酸、硫酸・過酸化水素などの剥離液を噴射させてレジスト縁部１２Ａを剥離し、剥離液の蒸気を処理容器１００の排気ダクト１１６より排気し、剥離したレジスト縁部１２Ａを処理容器１００の排液管１１８より排出する工程を含む、スピンコータによって形成されたレジスト縁部１２Ａの除去法』の発明（以下、「甲第１号証記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
                       　
　また、甲第２号証には、
（ヘ）「塗布膜がフォトレジストであって、特にポジ型のフォトレジストの場合、このように端部で膜が厚く形成されるとパターン形成が困難となり、・・・大きな問題となる。また、・・・半導体デバイス製造工程では、現象（「現像」の誤記と認められる）時に完全には除去されず、基板端部にフォトレジストが残存していると、基板の搬送工程中にこの残存レジストがはがれ、発塵の大きな原因となることも良く知られている。発塵の問題に関しては、フォトレジスト膜だけでなくスピンオンガラス等のガラス膜・・・等でも同様の問題が生じうる。」（第２頁左上欄５行〜１８行）、
（ト）「シリコン１の表面には回転塗布法によりポジ型フォトレジスト２が・・・塗布されているものとする。」（第２頁右上欄２行〜４行）、
（チ）「第１図は本発明にかかる塗布膜除去装置の要部の構成を示した斜視図である。上下に端部が対向するように第１、第２の管２１および２２を間隙２３を持たせて配置し、この間隙２３の一部を塞ぐように第１、第２の管２１，２２に直交して第３の管２４を接続している。・・・第２図は第２図に示す装置を用いて基板端部の塗布膜を除去する方法を示した図である。第３の管２４の軸方向から対向するように間隙２３内にレジスト２６が塗布された基板２７の周縁部を挿入し、この基板を・・・回転させる。・・・次に基板端部のレジスト除去について説明すると、第１、第２の管２１，２２からレジスト溶剤２８を供給し、第３の管２４は排気装置またはダクトに連結する。まず基板２７の周縁部を２ｍｍほど間隙２３内へ挿入し、第１、第２の管２１，２２より溶剤２８を供給し、基板２７端部のレジスト２６を溶解させ、第３の管２４より溶剤と溶解物とを排出させるようにする。このようにして基板端部のレジスト膜を除去しながら基板２７を回転移動させていくことにより基板端部全周のレジスト膜を除去した。」（第３頁左上欄９行〜同頁右上欄１６行）
と記載されている。
　これらの摘記事項（へ）〜（チ）及び第１〜２図の記載からみて、甲第２号証には、
『回転塗布によって形成された基板端部のレジスト膜の除去法において，排気装置又はダクトに連結された第３の管２４の入口端部の近くであって、レジスト溶剤２８を供給する第１、２の管２１，２２の間隙２３に、基板２７の周縁部を挿入させ、第３の管２４を排気し、第１、２の管２１，２２よりレジスト溶剤２８を供給させて基板端部のレジスト２６を溶解し、溶解したレジストと溶剤２８とを第３の管２４より排出する工程とを含む、回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法』との事項、及び、
『基板端部にフォトレジストが残存すると、残存レジストのはがれによって発塵の問題が発生すること、及び、発塵の問題は、フォトレジスト膜だけでなく、スピンオンガラス（ＳＯＧ）等のガラス膜でも発生しうる』との事項が、それぞれ記載されているものと認められる。
                       　
　さらに、参考公報１には、
（リ）「スピン塗布工程が終了して乾燥工程に移る前、そのレジスト（３）が生乾きのうちに、真空ノズル（８）を基板（１）外周部のレジスト（３）の盛り上がった部分（５）に押しつけ、基板（１）外周部に沿って精度良く動かし、レジスト（３）の盛り上がり（５）を除去する。・・・又、別の方法として、基板（１）をゆっくりと回転させながらノズル（８）が基板外周部にならうようにする。」（明細書第４頁１９行〜第５頁２０行）、
（ヌ）「又、基板（１）と真空ノズル（８）との距離は０〜１ｍｍ程度である・・・。更に又、必要に応じて、基板（１）に対して上下に移動できるようにする。」（明細書第６頁８行〜１２行）
と記載されている。
　これらの摘記事項（リ）〜（ヌ）からみて、参考公報１には、
『スピン塗布によって形成されたレジスト（３）の盛り上がった部分（５）の除去法において、真空ノズル（８）の端部を、基板（１）外周部のレジスト（３）の盛り上がった部分（５）に対して接近させて、盛り上がった部分（５）を除去する』との事項が記載されているものと認められる。
                       　
（４）本件発明１についての対比・判断
　本件発明１と甲第１号証記載の発明とを対比すると、後者の「スピンコータ」は、その技術的意義からみて、前者の「回転塗布」に相当し、同様にして、後者の「レジスト縁部１２Ａ」は前者の「膜の不要部分」及び「厚膜化部（２ｂ）」に、後者の「ノズル１８の端部」は前者の「溶剤供給ライン端部（４ａ）」に、後者の「排気ファンに接続した排気ダクト１１６を設けた処理容器１００」は前者の「減圧ライン（３）」に、後者の「処理容器１００上面の基板挿入用スリット１０２」は前者の「減圧ライン端部（吸引口）（３ａ）」に、後者の「基板１０」は前者の「基板（１）」に、後者の「処理容器１００を排気ダクト１１６で排気」は前者の「減圧ライン（３）を減圧して基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込み」に、それぞれ相当する。また、後者の「剥離液」は、フェノールとハロゲン系有機溶剤とを主成分とするもの、熱濃硫酸、発煙硝酸、硫酸・過酸化水素などからなるものであるから、レジストを剥離するだけでなく溶解も行う「溶剤」であると認められ、したがって、後者の「ノズル１８より、フェノールとハロゲン系有機溶剤とを主成分とするもの、熱濃硫酸、発煙硝酸、硫酸・過酸化水素などの剥離液を噴射させてレジスト縁部１２Ａを剥離し」は前者の「溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて厚膜化部（２ｂ）を溶解し」に相当する。
　さらに、前者の「溶解した厚膜化部（２ｂ）を減圧ライン（３）より吸引する」と後者の「剥離したレジスト縁部１２Ａを処理容器１００の排液管１１８より排出する」とは、「溶解した厚膜化部を減圧ラインより排出する」限りにおいて共通し、また、前者の「減圧ライン端部（吸引口）（３ａ）を，基板１の厚膜化部（２ｂ）に対し接近させる」と後者の「処理容器１００上面の基板挿入用スリット１０２に、基板１０のレジスト縁部１２Ａを挿入」するとは、「減圧ライン端部（吸引口）と、基板の厚膜化部とを接近させる」限りにおいて共通する。
　してみると、両者の一致点、相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法において、溶剤供給ライン端部を減圧ラインの空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）と、基板の厚膜化部とを接近させ、減圧ラインを減圧して基板と減圧ライン端部との間からエアーを吸い込み、溶剤供給ラインより溶剤を噴出させて厚膜化部を溶解し、溶解した厚膜化部を減圧ラインより排出する工程を含む、回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法。
〈相違点１〉減圧ライン端部（吸引口）と基板の厚膜化部とを、前者では、減圧ライン端部（吸引口）を基板の厚膜化部に接近させるのに対して、後者では、減圧ライン端部（吸引口）に基板の厚膜化部を挿入する点。
〈相違点２〉減圧ライン端部（吸引口）と基板の厚膜化部とを接近する工程と、厚膜化部を溶解し排出する工程とが、前者では別工程であるのに対して、後者ではそのように特定されていない点。
〈相違点３〉減圧の結果、前者では、基板と減圧ラインとの間からエアーを吸い込むと同時に、溶剤供給ラインより溶剤を噴出させるのに対して、後者では、基板と減圧ラインとの間からエアーを吸い込むものの、それと同時に、溶剤供給ラインより溶剤を噴出させるか否かが明らかではない点。
〈相違点４〉溶解した厚膜化部の排出が、前者では、減圧ラインより吸引により行われるのに対して、後者では、そのように行われるものではない点。
　そこで、上記相違点３につき検討するに、相違点３に係る本件発明１の構成、すなわち、「減圧の結果、基板と減圧ラインとの間からエアーを吸い込むと同時に、溶剤供給ラインより溶剤が噴出させ」ることは、甲第２号証及び参考公報１のいずれにも記載も示唆もされていない。しかも、この点が、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たとする根拠は何ら見出せない。
　そして、本件発明１は、上記の構成を採ることにより、特許異議意見書第５頁１３行〜１８行に記載の、「格別のタイミングを合わせなくとも、減圧ライン（３）の減圧と溶剤供給ライン（４）からの溶剤の噴出とを同時に行わせることができ、所望領域以外の薄膜部を溶解剥離させることはなくなります。また、機構的にも、溶剤供給ライン（４）から加圧して溶剤を噴出させる機構や、減圧ライン（３）の減圧と溶剤供給ライン（４）の加圧のタイミングを合わせる機構も不要となる」という顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　してみると、残余の相違点１、２、４について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第２号証及び参考公報１記載の事項も考慮したとしても、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである、とすることはできない。
　
（５）本件発明２、３についての対比・判断
　本件発明２、３は、本件発明１の構成すべてを、その構成の一部として含んでいる。
　してみると、本件発明２、３も、本件発明１と同様の理由によって、参考公報１記載の事項も考慮したとしても、甲第１、２号証記載の発明（事項）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである、とすることはできない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明１〜３についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めることができない。
　また、他に、本件発明１〜３についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めるべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許を取り消すことはできない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月２７日（２００３．３．２７）
【訂正の要旨】
　１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載の、
「回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法において，溶剤供給ライン端部（４ａ）を減圧ライン（３）の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）（３ａ）を，基板（１）の厚膜化部（２ｂ）に対し接近させる工程と，減圧ライン（３）を減圧して溶剤供給ライン（４）より溶剤を作用させて厚膜化部（２ｂ）を溶解し，溶解した厚膜化部（２ｂ）を減圧ライン（３）より吸引する工程とを含む，回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法。」とあるのを、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、
「回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法において，溶剤供給ライン端部（４ａ）を減圧ライン（３）の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）（３ａ）を，基板（１）の厚膜化部（２ｂ）に対し接近させる工程と，減圧ライン（３）を減圧して
，減圧の結果，基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて，
と訂正する。
　２）訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【０００５】の記載の、
「　【課題を解決するための手段】
　本発明の方法は，回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法であって，溶剤供給ライン端部４ａを減圧ライン３の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）３ａを，を基板１の厚膜化部２ｂに対し接近させる工程と，減圧ライン３を減圧して溶剤供給ライン４より溶剤を作用させて厚膜化部２ｂを溶解し，溶解した厚膜化部２ｂを減圧ライン３より吸引する工程を含む，回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法である。
　そして，更に，上記工程に加えて，溶剤の供給を遮断して基材１表面の溶剤を減圧ライン３より除去する工程を含む回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法である。
　本発明は，上記各回転塗布によって形成された膜が位相シフトマスクまたは位相シフトマスクブランクに適用されるＳＯＧの膜である場合に特に有効である。」とあるを、
特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるために、
「　【課題を解決するための手段】
　本発明の方法は，回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法であって，溶剤供給ライン端部４ａを減圧ライン３の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）３ａを，を基板１の厚膜化部２ｂに対し接近させる工程と，減圧ライン（３）を減圧して
，減圧の結果，基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて，
　そして，更に，上記工程に加えて，溶剤の供給を遮断して基材１表面の溶剤を減圧ライン３より除去する工程を含む回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法である。
　本発明は，上記各回転塗布によって形成された膜が位相シフトマスクまたは位相シフトマスクブランクに適用されるＳＯＧの膜である場合に特に有効である。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法において，溶剤供給ライン端部（４ａ）を減圧ライン（３）の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）（３ａ）を，基板（１）の厚膜化部（２ｂ）に対し接近させる工程と，減圧ライン（３）を減圧して
，減圧の結果，基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて，
　【請求項２】　溶剤の供給を遮断して基材（１）表面の溶剤を減圧ライン（３）より除去する工程を付加した請求項１記載の回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法。
　【請求項３】　回転塗布によって形成された膜の材質がＳＯＧである請求項１又は２記載の回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は，回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法に関するもので，ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの高密度集積回路の製造に用いられるフオトマスク，ＬＣＤ基板に対する塗布膜等に係り、特に微細なパターンを高密度に形成する際に用いられる位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクのＳＯＧの塗布膜に有効である。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの高密度集積回路の製造に用いられるフオトマスク，ＬＣＤ基板に対する塗布膜，特に微細なパターンを高密度に形成する際に用いられる位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの塗布膜は，各種基板上にレジストやＳＯＧの塗布液を回転塗布によって形成されるが，回転塗布法によって形成された薄膜は，例えば，角型基板の四隅周辺部や四辺周辺部の基板外周部分等に基板中央部の膜厚と比べて厚膜化した領域を生ずる。
　【０００３】
　これらの厚膜化した領域は，厚膜自身の膜応力によって破壊してしまい，この膜の亀裂が基板外周部分から中央部まで進行したり，膜の破片がその後のプロセスなどで欠陥の発生源になったりする。
　特に，ＳＯＧの場合は，基板外周部分の亀裂が中央部までのび易く，膜厚の制御条件も，例えば，０．４μｍ±１０ｎｍ程度とフオトレジストの±１００ｎｍとは許容度が１桁程度異なっており，発生した厚膜領域は，直ちに除去する必要がある。
　従来，膜の不要部分を除去するため，不要部分を溶剤に浸漬して除去する方法，不要部分の下部にはじき材を予め塗布形成し，回転塗布によって形成された膜の不要部分をはじいて除去する方法，不要部分の下部に予め熱融解材料を塗布形成し，回転塗布によって形成された膜の不要部分を加熱によりリフトオフして除去する方法等が提案されているが，さらに改善が必要とされている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は，位相シフトマスクブランクや位相シフトマスクで用いられるＳＯＧのような高精度薄膜について，後続する工程で悪影響をもたらす，回転塗布によって形成された膜の不要部分を，簡単な装置で，短時間に，膜の不要部分以外に一切影響を与えることのなく有効に除去する方法を提供する。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の方法は，回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法であって，溶剤供給ライン端部４ａを減圧ライン３の空間内に設けてなる減圧ライン端部（吸引口）３ａを，を基板１の厚膜化部２ｂに対し接近させる工程と，減圧ライン（３）を減圧して
，減圧の結果，基板（１）と減圧ライン端部（３ａ）との間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン（４）より溶剤を噴出させて，厚膜化部（２ｂ）を溶解し，溶解した厚膜化部（２ｂ）を減圧ライン（３）より吸引する工程を含む，回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法である。
　そして，更に，上記工程に加えて，溶剤の供給を遮断して基材１表面の溶剤を減圧ライン３より除去する工程を含む回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法である。
　本発明は，上記各回転塗布によって形成された膜が位相シフトマスクまたは位相シフトマスクブランクに適用されるＳＯＧの膜である場合に特に有効である。
　【０００６】
　以下、図面を参照して本発明を説明する。
　図１は，本発明の原理を説明する概略図であり，回転塗布によって形成された，薄膜部２ａに連続して厚膜化部２ｂが設けられた基板１の端部が示される。溶剤容器から溶剤供給ライン４が，減圧ライン３の空間内に延び，減圧ライン３は減圧ライン端部（吸引部）３ａを有する。減圧ライン３はトラップを介して真空ポンプに接続されている。
　【０００７】
　図２は，図１の点線で囲った部分を拡大して示す本発明の工程例を説明する概略図である。
　図２（ａ）は，溶剤供給ライン端部４ａを減圧ライン４の空間内に延長し，減圧ライン端部（吸引口）３ａを厚膜化部２ｂに対し接近させる工程を示す。減圧ライン３及び溶剤供給ライン４の内径・材質は，除去したい領域や膜質によって変更して使用される。また，使用する溶剤は，回転塗布液の溶媒をはじめとして，厚膜化部２ｂを溶解するなかで最適のものを選定して用いる。
　図２（ｂ）は，減圧ライン３内の減圧開始状態を示す。
　【０００８】
　図２（ｃ）は，減圧の結果，基板１と減圧ライン端部３ａとの間からエアーを吸い込むと同時に，溶剤供給ライン４より溶剤を噴出させて，厚膜化部２ｂを溶解し，溶解した厚膜化部２ｂを減圧ライン３より吸引する状態を示し，減圧ライン３内の空間は，大気圧よりも減圧されている。減圧ライン３の減圧効果により，溶剤等が減圧ライン３外部に漏れることなく，溶解，吸引は進行する。回収は，図１のように真空ポンプとの間にトラップを設けて行う。
　ついで，上記の減圧ライン端部（吸引口）３ａを，除去したい厚膜化部２ｂに沿って動かす。ステージ上で基板１を移動させることにより，処理をより円滑に行うことができる。
　図２（ｄ）は，溶剤の供給を弁で遮断した状態を示し，厚膜化部２ｂの除去された基板１表面は，減圧ライン３の継続している減圧効果で，エアーを吸い込み，残った溶剤を乾燥させることができる。
　【０００９】
　【実施例】
　以下は，ハーフトーン型位相シフトフォトマスクの製造において，本発明の方法を，ＳＯＧの回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法に応用した例である。
　石英基板上にエッチングストッパー層となるアルミナ膜を形成した。次に，このアルミナ膜上にＡｃｃｕｇｌａｓｓ−２１１Ｓ（アライド・シグナル社製）塗布ガラスをスピンコーティングした。
　【００１０】
　つぎに，本発明の回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法を行った。
　溶剤供給ライン端部４ａ内径１．５ｍｍのものを減圧ライン３の空間内に延長し，減圧ライン端部（吸引口）３ａ内径５ｍｍとしたものを接近させ，１ｍｍ以下のわずかに浮いた程度で押し当てた。
　減圧ライン３内の空間は，大気圧−６００ｍｍＨｇ程度に減圧され，その減圧効果により，溶剤（アセトン）が噴射され，ＳＯＧの厚膜化部２ｂを溶解した。溶成分及び溶剤等は，減圧ライン３の外部に漏れることなく，減圧ライン端部（吸引口）３ａより吸引され，真空ポンプとの間に設けたトラップ内に回収された。
　減圧ライン端部（吸入口）３ａを石英基板の周辺の厚膜化部２ｂに沿って移動させながら，上記の作業を連続して行い，厚膜化部を完全に除去した。ついで，溶剤供給ライン４の溶剤供給を弁遮断し，厚膜化部２ｂを除去した後の，石英基板の表面上の溶剤を，減圧ライン３より吸い込み乾燥した。その後２００℃〜５００℃で焼成し，パターン領域内のみに均一な位相シフター用透明膜を形成した。
　【００１１】
　次に，この膜上に光透過率が１％〜５０％になるように遮光層としてクロム膜をスパッタリング法により，成膜した。次に，ＳＡＬ６０３（シップレイ社製）レジストを膜厚５００ｎｍ程度になるように，スピンコーティングした。次に，常法にしたがってアラインメントを行い，電子線露光装置により，ＳＡＬ６０３の描画を行い，現像，リンスして，ＳＡＬ６０３レジストパターンを形成した。
　次に，ＳＡＬ６０３レジストパターンの開口部より露出したクロム膜をＣＣｌ４＋Ｏ２，ＣＨ２Ｃｌ２＋Ｏ２等を用いた反応性プラズマエッチングにより除去した。
　【００１２】
　更に，ＳＡＬ６０３レジストパターンの開口部より露出したパターン領域内位相シフター用透明膜をＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，ＣＨＦ３，ＣＨＦ３＋Ｏ２およびこれらの混合ガスを用いたドライエッチングにより除去し，残存するレジストパターンをを酸素プラズマにより灰化除去してハーフトーン型位相シフトフォトマスクを完成した。
　得られた位相シフトフオトマスクは，ＳＯＧの厚膜化部の亀裂等による悪影響がなかった。
　【００１３】
　【発明の効果】
　本発明によれば、回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去にあたり，従来の膜の不要部分を溶剤に浸漬する方法や溶剤付着の媒体で除去する方法等に比し，薄膜部に影響を与えることなく，的確迅速に不要な厚膜化部を除去することができる。とくに，位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造工程において、ＳＯＧの厚膜が欠けたり割れたりすることによる欠陥の多発を防止し、製造期間の短期化、低コスト化を可能とする。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の原理を説明する概略図である。
　【図２】
　本発明の工程例を説明する部分拡大の概略図である。
　【符号の説明】
　１　　基板
　２　　塗膜層
　２ａ　薄膜部
　２ｂ　厚膜化部
　３　　減圧ライン
　３ａ　減圧ライン端部（吸引口）
　４　　溶剤供給ライン
　４ａ　溶剤供給ライン端部