【事件の表示】
　特願２０１２−１２７８４８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月　１日出願公開、特開２０１２−２１２８９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１３年９月２８日（優先権主張平成１２年１２月２８日）に出願した特願２００１−３０１３５５号の一部を平成１８年６月２６日に新たな特許出願である特願２００６−１７５４００号とし、この一部を平成２１年６月２６日に新たな特許出願である特願２００９−１５１８３７号とし、さらに、この一部を平成２４年６月５日に新たな特許出願としたものであって、原審において、平成２５年４月２日付けで拒絶理由が通知され、同年５月２７日付けで手続補正されたが、同年９月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月４日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正されたものである。
 　 
第２　補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年１２月４日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．本願発明と補正後の発明 
　上記手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成２５年５月２７日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された 
　
　「複数の電極が配置された表面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップが搭載されたチップボンディング領域とワイヤ接続領域とを有する表面と、前記表面とは反対側の裏面と、を備えた第１金属部材と、
　前記第１金属部材の周囲に配置された複数の第２金属部材と、
　前記複数の第２金属部材と前記複数の第２金属部材に対応した前記半導体チップの前記複数の電極の一部とをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域と前記ワイヤ接続領域に対応した前記半導体チップの前記複数の電極の一部とを電気的に接続する第２ワイヤと、
　上面および前記上面とは反対側の下面を有し、前記半導体チップ、前記第１金属部材の前記表面、前記複数の第２金属部材の一部、前記複数の第１ワイヤ、および前記第２ワイヤを封止する封止体と、を有し、
　平面視において、前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域は、前記チップボンディング領域の外側に配置され、かつ、断面視において、前記半導体チップの厚さ方向における前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域が形成された部分の高さは、前記チップボンディング領域が形成された部分の高さよりも高く、
　前記第１金属部材の前記裏面は前記封止体の前記下面から露出し、
　前記第１金属部材の前記表面の平面積は、実装基板に実装した際、前記第１金属部材の前記裏面の前記実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きい半導体装置。」
 　
という発明（以下、「本願発明」という。）を、 
　
　「複数の電極が配置された表面と前記表面とは反対側の裏面とを有する半導体チップと、
　前記半導体チップが搭載されたチップボンディング領域とワイヤ接続領域とを有する表面と、前記表面とは反対側の裏面と、を備えた第１金属部材と、
　前記第１金属部材の周囲に配置された複数の第２金属部材と、
　前記複数の第２金属部材と前記複数の第２金属部材に対応した前記半導体チップの前記複数の電極の一部とをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域と前記ワイヤ接続領域に対応した前記半導体チップの前記複数の電極の一部とを電気的に接続する第２ワイヤと、
　上面および前記上面とは反対側の下面を有し、前記半導体チップ、前記第１金属部材の前記表面、前記複数の第２金属部材の一部、前記複数の第１ワイヤ、および前記第２ワイヤを封止する封止体と、を有し、
　前記第１金属部材の前記チップボンディング領域の平面積は、前記半導体チップの平面積より大きく、
　平面視において、前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域は、前記チップボンディング領域の外側に配置され、かつ、断面視において、前記半導体チップの厚さ方向における前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域が形成された部分の高さは、前記チップボンディング領域が形成された部分の高さよりも高く、
　断面視において、前記半導体チップの厚さ方向における前記半導体チップの前記裏面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さより低く、かつ前記半導体チップの前記表面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さより高く、
　前記第１金属部材の前記裏面は前記封止体の前記下面から露出し、
　前記第１金属部材の前記表面の平面積は、実装基板に実装した際、前記第１金属部材の前記裏面の前記実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きい半導体装置。」
　
という発明（以下、「補正後の発明」という。）に変更することを含むものである。 
　
２．新規事項の有無、補正の目的要件について 
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内において、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された、「半導体チップ」に関し、「前記表面とは反対側の裏面とを有する」と限定し、また、「第１金属部材のチップボンディング領域」に関し、「前記第１金属部材の前記チップボンディング領域の平面積は、前記半導体チップの平面積より大きく」と限定し、また、「半導体チップの裏面及び表面の高さ」に関し、「断面視において、前記半導体チップの厚さ方向における前記半導体チップの前記裏面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さより低く、かつ前記半導体チップの前記表面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さより高く」と限定して、特許請求の範囲を減縮するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に適合するとともに、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
３．独立特許要件について 
　本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、上記補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。 
　
（１）補正後の発明 
　上記「１．本願発明と補正後の発明」の項で補正後の発明として認定したとおりである。 
　
（２）引用発明及びその他の技術事項
Ａ　原審の拒絶の理由に引用された特開平１０−２４７７０１号公報（平成１０年９月１４日公開、以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびその製造に用いるリードフレームに関し、特に支持板の主面に固定された半導体チップの電極と、前記支持板を導電性のワイヤで接続する構造の半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。」（２頁２欄） 
　
ロ．「【００２４】（実施形態１）図１乃至図５は本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置およびその製造方法を示す図であり、図１は一部を除去した半導体装置の斜視図、図２は半導体装置の断面図、図３は半導体装置の製造に使用するリードフレームの平面図、図４はリードフレームの支持板部分を示す斜視図、図５は半導体チップを固定し、ワイヤボンディングを行ったリードフレームを示す平面図である。
【００２５】本実施形態１では、ＧａＡｓ−ＭＥＳＦＥＴに本発明を適用した例について説明する。本実施形態１の半導体装置１は、図１および図２に示すように、外観的には偏平な樹脂（レジン）からなる封止体（パッケージ）２と、このパッケージ２の周面、４辺から突出するリード３とからなっている。パッケージ２の左側に突出するリード３はドレイン（Ｄ）リード、パッケージ２の右側に突出するリード３はゲート（Ｇ）リード、パッケージ２の前面及び背面に突出するリード３はソース（Ｓ）リードである。
【００２６】前記パッケージ２の内部には支持板４が位置している。この支持板４はタブとも称され、一対の対面する２辺の中央部分をそれぞれ支持リード（タブ吊りリード）に支持されている。本実施形態１では、支持リードは前記パッケージ２の外に突出してソースリードを構成している。
【００２７】前記支持板４は、その主面（上面）に部分的に窪み１０が設けられている。この窪み１０の底面には、図２にも示すように半導体チップ６が接合材５を介して固定されている。前記接合材５は、たとえばＡｕ−Ｓｎ半田となっている。前記窪み１０の底面の広さは、図１の二点鎖線で示すように、半導体チップ６を固定する半導体チップ固定領域１１よりも広くなっている。
【００２８】また、前記窪み１０は前記ドレインリード側に片寄って形成されている。前記窪み１０の縁となるゲートリード寄りの支持板４の主面部分は幅が広くなり、ワイヤ接続部１２を構成している。また、ワイヤ接続部１２の一部は二点鎖線で示すようにワイヤ接続領域１３を形成する。
【００２９】したがって、前記ワイヤ接続領域１３の面は、前記半導体チップ固定領域１１の面よりも高くなり、半導体チップ６を支持板４に固定する接合材５がワイヤ接続領域１３の面にはい上がることはない（図２参照）。
【００３０】一方、前記ドレインリードおよびゲートリードの先端部分は、前記支持板４の辺に沿うように幅が広くなり、ワイヤ接続部７を形成している。
【００３１】また、半導体チップ６の上面の図示しない電極と、前記パッケージ２内に延在するリード３の先端および前記ワイヤ接続部１２は、導電性のワイヤ１４によって電気的に接続されている。」（４頁５〜６欄）
　
ハ．「【００３２】つぎに、本実施形態１の半導体装置の製造方法について説明する。半導体装置１の製造においては、図３に示すようなリードフレーム１５が用意される。
【００３３】リードフレーム１５は、０．４ｍｍ程度の厚さの鉄−ニッケル系合金板，銅板，銅合金板等をエッチングまたは精密プレスによってパターニングすることによって形成される。リードフレーム１５は、平行に延在する一対の外枠１６と、前記一対の外枠１６に直交しかつ前記一対の外枠１６を一定間隔位置で連結する内枠１７とからなっている。
【００３４】また、前記一対の外枠１６と隣接する２本の内枠１７とによって形成される枠の中央には、矩形の支持板（タブ）４が位置している。この支持板４は、前記外枠１６の略中間部分から延在する支持リード（タブリード）２０に支持されている。前記支持板４の主面には、図４に示すように、前述のように左側に片寄って窪み１０が設けられている。この窪み１０は、半導体チップ６を固定する半導体チップ固定領域１１よりも大きくなっている。前記窪み１０の右寄りの主面部分はワイヤを接続するためのワイヤ接続部１２を形成している。このワイヤ接続部１２には、二点鎖線で示すようにワイヤ接続領域１３が位置するようになっている。前記支持リード２０は、ソースリードとなる。
　　　・・・（中略）・・・
【００４２】つぎに、図５の二点鎖線で示すように、トランスファモールドによってパッケージ２が支持板４の主面側を被うように形成される。したがって、支持板４，リード３，支持リード２０の下面はパッケージ２から露出するようになる。
【００４３】ついで、不要リードフレーム部分は切断除去される。すなわち、リード３および支持リード２０はパッケージ２から所望距離隔てた位置で切断除去され、図１および図２に示す半導体装置１が製造される。」（４頁６欄〜５頁７欄）
　
　上記引用例１の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記ロ．の【００２５】における「本実施形態１の半導体装置１は、図１および図２に示すように、外観的には偏平な樹脂（レジン）からなる封止体（パッケージ）２と、このパッケージ２の周面、４辺から突出するリード３とからなっている。」との記載、同ロ．の【００２６】における「前記パッケージ２の内部には支持板４が位置している。」との記載、同ロ．の【００２７】における「前記支持板４は、その主面（上面）に部分的に窪み１０が設けられている。この窪み１０の底面には、図２にも示すように半導体チップ６が接合材５を介して固定されている。」との記載、図１及び図２によれば、半導体装置は、半導体チップ（６）と、支持板（４）と、リード（３）と、封止体（パッケージ）（２）とを有している。
　また、上記ロ．の【００３１】における「半導体チップ６の上面の図示しない電極」との記載、図１及び図２によれば、前述の半導体チップ（６）は、複数の電極が配置されており、そして、半導体チップ（６）は、表面と表面とは反対側の裏面とを有することは明らかである。
　また、上記ロ．の【００２７】における「前記窪み１０の底面の広さは、図１の二点鎖線で示すように、半導体チップ６を固定する半導体チップ固定領域１１」との記載、同ロ．の【００２８】における「前記窪み１０の縁となるゲートリード寄りの支持板４の主面部分は幅が広くなり、ワイヤ接続部１２を構成している。また、ワイヤ接続部１２の一部は二点鎖線で示すようにワイヤ接続領域１３を形成する。」との記載、図１及び図２によれば、前述の支持板（４）は、窪み（１０）の底面に半導体チップ（６）を固定する半導体チップ固定領域（１１）が有り、窪み（１０）の縁のワイヤ接続部（１２）にワイヤ接続領域（１３）を有している。すなわち、前述の支持板（４）は、半導体チップ（６）が固定された半導体チップ固定領域（１１）とワイヤ接続領域（１３）とを有する表面と、表面とは反対側の裏面とを備えている。
　また、上記ロ．の【００２５】における「パッケージ２の左側に突出するリード３はドレイン（Ｄ）リード、パッケージ２の右側に突出するリード３はゲート（Ｇ）リード」との記載、図１及び図２における、支持板（４）とドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードの配置に着目すれば、ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードは、支持板（４）の左側及び右側に配置されている。
　また、上記ロ．の【００３１】における「半導体チップ６の上面の図示しない電極と、前記パッケージ２内に延在するリード３の先端および前記ワイヤ接続部１２は、導電性のワイヤ１４によって電気的に接続されている。」との記載、図１及び図２における、ワイヤ（１４）の内、ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードと半導体チップ（６）の電極とを電気的に接続したものに着目すれば、ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードに対応した半導体チップ（６）の電極は、半導体チップ（６）の複数の電極の一部であることは明らかであり、これら電気的に接続する複数のワイヤ（１４）を複数の第１ワイヤと称することは任意である。
　また、ワイヤ（１４）の内、前述の支持板（４）のワイヤ接続領域（１３）と半導体チップ（６）の電極とを電気的に接続したものに着目すれば、ワイヤ接続領域（１３）に対応した半導体チップ（６）の電極は、半導体チップ（６）の複数の電極の一部であることは明らかであり、これら電気的に接続するワイヤ（１４）を第２ワイヤと称することは任意である。
　また、図１及び図２における、封止体（パッケージ）に着目すれば、前述の封止体（パッケージ）（２）は、上面および上面とは反対側の下面を有し、半導体チップ（６）、支持板（４）の表面、ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードの一部、複数の第１ワイヤ、および第２ワイヤを封止していることが見て取れる。
　また、図１及び図２における、支持板（４）の半導体チップ固定領域（１１）と、半導体チップ（６）との平面積に着目すれば、前述の支持板（４）の半導体チップ固定領域（１１）の平面積は、前述の半導体チップ（６）の平面積より大きいことが見て取れる。
　また、上記ロ．の【００２９】における「前記ワイヤ接続領域１３の面は、前記半導体チップ固定領域１１の面よりも高くなり」との記載、図１及び図２における、支持板（４）のワイヤ接続領域（１３）と、半導体チップ固定領域（１１）との配置及び高さに着目すれば、平面視において、支持板（４）のワイヤ接続領域（１３）は、半導体チップ固定領域（１１）の外側に配置され、そして、断面視において、半導体チップ（６）の厚さ方向における支持板（４）のワイヤ接続領域（１３）が形成された部分の高さは、半導体チップ固定領域（１１）が形成された部分の高さよりも高いことが見て取れる。
　また、図１及び図２によれば、半導体チップ（６）の裏面は、半導体チップ固定領域（１１）の面上に有るから、断面視において、半導体チップ（６）の厚さ方向における半導体チップ（６）の裏面の高さは、ワイヤ接続領域（１３）の高さより低く、そして、半導体チップ（６）の表面の高さは、ワイヤ接続領域（１３）の高さとほぼ同一となっていることが見て取れる。
　また、上記ハ．の【００４２】における「支持板４，リード３，支持リード２０の下面はパッケージ２から露出するようになる。」との記載、及び図２によれば、前述の支持板（４）の裏面は封止体（パッケージ）（２）の下面から露出している。
　また、図１及び図２における、支持板（４）の平面積に着目すれば、前述の支持板（４）の表面の平面積は、支持板（４）の裏面の平面積とほぼ同一となっていることが見て取れる。
　
　したがって、上記引用例１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「複数の電極が配置された表面と表面とは反対側の裏面とを有する半導体チップ（６）と、
　前記半導体チップ（６）が固定された半導体チップ固定領域（１１）とワイヤ接続領域（１３）とを有する表面と、前記表面とは反対側の裏面と、を備えた支持板（４）と、
　前記支持板（４）の左側及び右側に配置されたドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードと、
　前記ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードと前記ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードに対応した前記半導体チップ（６）の前記複数の電極の一部とをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記支持板（４）の前記ワイヤ接続領域（１３）と前記ワイヤ接続領域（１３）に対応した前記半導体チップ（６）の前記複数の電極の一部とを電気的に接続する第２ワイヤと、
　上面および上面とは反対側の下面を有し、前記半導体チップ（６）、前記支持板（４）の表面、前記ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リードの一部、前記複数の第１ワイヤ、および前記第２ワイヤを封止する封止体（パッケージ）（２）と、を有し、
　前記支持板（４）の前記半導体チップ固定領域（１１）の平面積は、前記半導体チップ（６）の平面積より大きく、
　平面視において、前記支持板（４）の前記ワイヤ接続領域（１３）は、前記半導体チップ固定領域（１１）の外側に配置され、かつ、断面視において、前記半導体チップ（６）の厚さ方向における前記支持板（４）の前記ワイヤ接続領域（１３）が形成された部分の高さは、前記半導体チップ固定領域（１１）が形成された部分の高さよりも高く、
　断面視において、前記半導体チップ（６）の厚さ方向における前記半導体チップ（６）の前記裏面の高さは、前記ワイヤ接続領域（１３）の高さより低く、かつ前記半導体チップ（６）の前記表面の高さは、前記ワイヤ接続領域（１３）の高さとほぼ同一であり、
　前記支持板（４）の前記裏面は前記封止体（パッケージ）（２）の前記下面から露出し、
　前記支持板（４）の前記表面の平面積は、前記支持板（４）の前記裏面の平面積とほぼ同一である半導体装置。」
　
Ｂ　原審の拒絶の理由に引用された特開平１１−２６０９８５号公報（平成１１年９月２４日公開、以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　
ニ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹脂により封止した樹脂封止型半導体装置その製造方法、及び樹脂封止型半導体装置の製造に適したリードフレームに係り、特に薄型化したものの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。
【０００４】図２０は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。図２０に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置である。
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナーリード１０１と、ダイパッド１０２と、そのダイパッド１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリードフレームとを備えている。そして、ダイパッド１０２上に半導体チップ１０４が接着剤により接合されており、半導体チップ１０４の電極パッド（図示せず）とインナーリード１０１とは、金属細線１０５により電気的に接続されている。そして、ダイパッド１０２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１の一部，吊りリード及び金属細線１０５は封止樹脂１０６により封止されている。この構造では、インナーリード１０１の裏面側には封止樹脂１０６は存在せず、インナーリード１０１の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナーリード１０１の下部が外部電極１０７となっている。なお、封止樹脂１０６との密着性を確保するために、インナーリード１０１やダイパッド１０２の側面を表裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大するようにテーパ状にしている。
【０００６】このような樹脂封止型半導体装置においては、封止樹脂１０６の裏面とダイパッド１０２の裏面とは共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型半導体装置が実現する。」（４頁６欄〜５頁７欄） 
　
ホ．「【０１１７】図１２は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を実装基板４０上に搭載した状態を示す断面図である。同図に示すように、実装基板４０上の電極４１，放熱用パッド４２と、樹脂封止型半導体装置の外部電極１８，ダイパッド１３とをそれぞれ位置合わせしてはんだ付けを行なう。その際、外部電極１８−電極４１間に介在するはんだ４３ａと、ダイパッド１３−放熱用パッド４２間に介在するはんだ４３ｂとは厚みが異なるために、外部電極１８−電極４１間に作用する張力と、ダイパッド１３−放熱用パッド４２間に作用する張力とが互いに異なる。このように、樹脂封止型半導体装置の中心部と周辺部とではんだの張力が異なる結果、実装基板４０に対する樹脂封止型半導体装置のセルフアライメント性が向上し、より迅速にかつ正確な位置に樹脂封止型半導体装置を実装できる。」（１３頁２４欄）
　
　上記引用例２の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記ニ．の【従来の技術】の【０００５】における「従来の樹脂封止型半導体装置は、インナーリード１０１と、ダイパッド１０２と、そのダイパッド１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリードフレームとを備えている。・・・封止樹脂１０６との密着性を確保するために、インナーリード１０１やダイパッド１０２の側面を表裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大するようにテーパ状にしている。」との記載、及び図２０によれば、半導体装置は、封止樹脂（１０６）との密着性を確保するために、ダイパッド（１０２）を上方に向かって拡大するようにテーパ状にしている。ここで、上記ホ．の【０１１７】における「実装基板４０上の電極４１，放熱用パッド４２と、樹脂封止型半導体装置の外部電極１８，ダイパッド１３とをそれぞれ位置合わせしてはんだ付けを行なう。」との記載、及び図１２によれば、半導体装置は、実装基板に実装した際、ダイパッド（１０２）の裏面で実装基板と半田付けされるものである。そして、ダイパッド（１０２）の平面積に着目すれば、ダイパッド（１０２）が上方に向かって拡大するようにテーパ状になっているから、半導体装置は、ダイパッド（１０２）の表面の平面積を、実装基板に実装した際、ダイパッド（１０２）の裏面の実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きくしているということができる。
　
　したがって、上記引用例２には、以下の発明（以下、「周知技術」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「半導体装置において、封止樹脂（１０６）との密着性を確保するために、ダイパッド（１０２）の表面の平面積を、実装基板に実装した際、ダイパッド（１０２）の裏面の実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きくすること。」
　
Ｃ　当審で新たに引用する特開平６−２５２３２８号公報（平成６年９月９日公開、以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　
ヘ．「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子搭載用のリードフレームに関するものである。」（３頁３欄） 
　
ト．「【００３８】実施例５．図７はこの発明の第６の発明および第７の発明の一実施例に係る半導体素子搭載用のリードフレームのダイパッド周りの平面図、図８はこのリードフレームのダイパッド周りの断面図である。図において、１５はリード３内方のダイパッド１３の外縁部１３ａに沿ったその外方に配置され、ＩＣチップ１の電源用の電極取出口１ａと金属細線６を介して電気的に接続される電源用バスバーである。この電源用バスバー１５の両端は、隣接する一対の宙吊りピン１０の互いに平行なリード部１０ｂの近傍にそれぞれ設けられた一対の電源用のリード３に電気的に接続されている。
【００３９】また、ダイパッド１３の金属細線６がボンディングされる外縁部１３ａはＩＣチップ１が接着される中央部１３ｂに対して上方に突出しているとともに、電源用バスバー１５およびダイパッド１３の外縁部１３ａの上下方向位置はリード３からＩＣチップ１側に向かって順次下げられている。なお、他の構成は上記実施例３のリードフレーム５等と同一であるとともに、この電源用バスバー１５はリードフレーム５の一部を構成するものである。
【００４０】この実施例５のリードフレーム５ではダイパッド１３に接続される宙吊りピン１０のリード部１０ｂをグランド用リードとして利用しているため、上記実施例３のリードフレーム５と同一の効果を得ることができるとともに、隣接する一対の宙吊りピン１０の近傍に設けられた一対の電源用のリード３を、ダイパッド１３の外縁に沿って設けられた電源用バスバー１５によって電気的に接続しているため、この電源用バスバー１５を介してＩＣチップ１の多数の電源用の電極取出口１ａと前記一対の電源用のリード３との間で金属細線６を介した電気的接続が可能となり、その分リードフレーム５の電源用のリード３の本数を減らすことができる。したがって、この電源用のリード３の本数の減少に伴ない、リードフレーム５の小型化を図ることができる。
【００４１】また、ダイパッド１３の外縁部１３ａが電源用バスバー１５より下方に位置されているため、電源用バスバー１５に接続された金属細線６とダイパッド１３の外縁部１３ａとの接触が有効に防止され、さらに、電源用バスバー１５がリード３より下方に位置されるため、リード３に接続された金属細線６と電源用バスバー１５との接触が有効に防止される。さらに、ダイパッド１３の中央部１３ｂは外縁部１３ａに比べて下降した位置にあるため、ＩＣチップ１の上面の位置もその分下がり、ＩＣチップ１とダイパッド１３の外縁部１３ａ間に接続される金属細線６のＩＣチップ１の上端部に対する接触も有効に防止される。
【００４２】また、ダイパッド１３の中央部１３ｂは外縁部１３ａに比べて下降した位置にあるため、ＩＣチップ１をダイボンドする際に接着剤が外縁部１３ａに流れ出ず、ワイヤボンディング作業が容易となる。」（７頁１１〜１２欄）
　
　上記引用例３の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記ト．の【００３９】における「ダイパッド１３の金属細線６がボンディングされる外縁部１３ａはＩＣチップ１が接着される中央部１３ｂに対して上方に突出している」との記載、同ト．の【００４１】における「ダイパッド１３の中央部１３ｂは外縁部１３ａに比べて下降した位置にあるため、ＩＣチップ１の上面の位置もその分下がり、ＩＣチップ１とダイパッド１３の外縁部１３ａ間に接続される金属細線６のＩＣチップ１の上端部に対する接触も有効に防止される。」との記載によれば、半導体装置は、金属細線（６）の接触を防止するために、ダイパッド（１３）の外縁部（１３ａ）を上げるとともに、ＩＣチップ（１）の上面の位置もその分下げている。そして、図８における、ＩＣチップ（１）の表面（上面）の高さとダイパッド（１３）の外縁部（１３ａ）の高さに着目すれば、結局、ＩＣチップ（１）の表面の高さを、ダイパッド（１３）の外縁部（１３ａ）の高さより高くしていることが見て取れる。すなわち、半導体装置は、金属細線（６）の接触を防止するために、ＩＣチップ（１）の表面の高さを、ダイパッド（１３）の外縁部（１３ａ）の高さより高くしているということができる。
　
　したがって、上記引用例３には、以下の発明（以下、「技術事項」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「半導体装置において、ＩＣチップ（１）の表面の高さを、ダイパッド（１３）の外縁部（１３ａ）の高さより高くすること。」
　
（３）対比・判断 
　補正後の発明と引用発明とを対比する。 
ａ．引用発明の「半導体チップ（６）が固定された」は、半導体チップ（６）を固定することによって、半導体チップ（６）が半導体チップ固定領域（１１）に搭載されているから、「半導体チップが搭載された」ということができる。
ｂ．引用発明の「半導体チップ固定領域（１１）」は、半導体チップ（６）を固定（英語では、bonding（結合））する領域であるから、「チップボンディング領域」ということができる。
ｃ．引用発明の「支持板（４）」は、上記引用例１の上記ハ．の【００３３】における「リードフレーム１５は、０．４ｍｍ程度の厚さの鉄−ニッケル系合金板，銅板，銅合金板等をエッチングまたは精密プレスによってパターニングすることによって形成される。」との記載、同ハ．の【００３４】における「前記一対の外枠１６と隣接する２本の内枠１７とによって形成される枠の中央には、矩形の支持板（タブ）４が位置している。」との記載によれば、金属部材からなるから、後述する相違点を除いて、補正後の発明の「第１金属部材」に相当する。
ｄ．引用発明の「支持板（４）の左側及び右側」は、支持板（４）（第１金属部材）のまわり（周囲）であるから、「第１金属部材の周囲」ということができる。
ｅ．引用発明の「ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リード」は、複数の金属部材からなることは技術常識であるから、「複数の第２金属部材」ということができる。
ｆ．引用発明の「前記半導体チップ（６）の前記表面の高さは、前記ワイヤ接続領域（１３）の高さとほぼ同一であり」と、補正後の発明の「前記半導体チップの前記表面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さより高く」とは、いずれも、「前記半導体チップの前記表面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さと比較して特定の差異があり」という点で一致する。
ｇ．引用発明の「前記支持板（４）の前記表面の平面積は、前記支持板（４）の前記裏面の平面積とほぼ同一である」と、補正後の発明の「前記第１金属部材の前記表面の平面積は、実装基板に実装した際、前記第１金属部材の前記裏面の前記実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きい」とは、いずれも、「前記第１金属部材の前記表面の平面積は、前記第１金属部材の前記裏面の平面積と比較して特定の差異がある」という点で一致する。
　
　したがって、補正後の発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。 
　
（一致点） 
　「複数の電極が配置された表面と前記表面とは反対側の裏面とを有する半導体チップと、
　前記半導体チップが搭載されたチップボンディング領域とワイヤ接続領域とを有する表面と、前記表面とは反対側の裏面と、を備えた第１金属部材と、
　前記第１金属部材の周囲に配置された複数の第２金属部材と、
　前記複数の第２金属部材と前記複数の第２金属部材に対応した前記半導体チップの前記複数の電極の一部とをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域と前記ワイヤ接続領域に対応した前記半導体チップの前記複数の電極の一部とを電気的に接続する第２ワイヤと、
　上面および前記上面とは反対側の下面を有し、前記半導体チップ、前記第１金属部材の前記表面、前記複数の第２金属部材の一部、前記複数の第１ワイヤ、および前記第２ワイヤを封止する封止体と、を有し、
　前記第１金属部材の前記チップボンディング領域の平面積は、前記半導体チップの平面積より大きく、
　平面視において、前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域は、前記チップボンディング領域の外側に配置され、かつ、断面視において、前記半導体チップの厚さ方向における前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域が形成された部分の高さは、前記チップボンディング領域が形成された部分の高さよりも高く、
　断面視において、前記半導体チップの厚さ方向における前記半導体チップの前記裏面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さより低く、かつ前記半導体チップの前記表面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さと比較して特定の差異があり、
　前記第１金属部材の前記裏面は前記封止体の前記下面から露出し、
　前記第１金属部材の前記表面の平面積は、前記第１金属部材の前記裏面の平面積と比較して特定の差異がある半導体装置。」
　
（相違点１）
　前記半導体チップの前記表面の高さは、「前記ワイヤ接続領域の高さと比較して特定の差異があり」に関し、
　補正後の発明は、「前記ワイヤ接続領域の高さより高い」のに対し、引用発明は、「前記ワイヤ接続領域（１３）の高さとほぼ同一である」点。
　
（相違点２）
　前記第１金属部材の前記表面の平面積は、「前記第１金属部材の前記裏面の平面積と比較して特定の差異がある」に関し、
　補正後の発明は、「実装基板に実装した際、前記第１金属部材の前記裏面の前記実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きい」のに対し、引用発明は、「前記支持板（４）の前記裏面の平面積とほぼ同一である」点。
　
　そこで、まず、上記相違点１について検討する。
　上記技術事項は、「半導体装置において、ＩＣチップ（１）の表面の高さを、ダイパッド（１３）の外縁部（１３ａ）の高さより高くすること。」である。そして、半導体装置において、ＩＣチップ（１）の表面の高さを、ダイパッド（１３）の外縁部（１３ａ）（ワイヤ接続領域）の高さより高くすることは、ワイヤの接触を防止するには好ましいものである。
　そうすると、上記技術事項に接した当業者であれば、引用発明に上記技術事項を採用して、補正後の発明のように、「前記半導体チップの前記表面の高さは、前記ワイヤ接続領域の高さより高く」することは容易になし得ることである。
　
　次に、上記相違点２について検討する。
　上記周知技術は、「半導体装置において、封止樹脂（１０６）との密着性を確保するために、ダイパッド（１０２）の表面の平面積を、実装基板に実装した際、ダイパッド（１０２）の裏面の実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きくすること。」である。
　そうすると、上記周知技術に接した当業者であれば、引用発明に上記周知技術を採用して、補正後の発明のように、「前記第１金属部材の前記表面の平面積は、実装基板に実装した際、前記第１金属部材の前記裏面の前記実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きく」することに格別な困難性はない。
　
　そして、補正後の発明の作用効果も、引用発明、上記技術事項及び上記周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。 
 　 
　以上のとおり、補正後の発明は引用発明、上記技術事項及び上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　 
４．結語 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　 
第３　本願発明について 
１．本願発明 
　平成２５年１２月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願発明は、上記「第２　補正却下の決定　１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりである。 
　 
２．引用発明 
　引用発明は、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「３．独立特許要件について」の項中の「（２）引用発明及びその他の技術事項」の項で認定したとおりである。 
 　 
３．対比・判断 
　本願発明と引用発明とを対比する。 
ｈ．引用発明の「半導体チップ（６）が固定された」は、半導体チップ（６）を固定することによって、半導体チップ（６）が半導体チップ固定領域（１１）に搭載されているから、「半導体チップが搭載された」ということができる。
ｉ．引用発明の「半導体チップ固定領域（１１）」は、半導体チップ（６）を固定（英語では、bonding（結合））する領域であるから、「チップボンディング領域」ということができる。
ｊ．引用発明の「支持板（４）」は、金属部材からなることは技術常識であるから、後述する相違点を除いて、本願発明の「第１金属部材」に相当する。
ｋ．引用発明の「支持板（４）の左側及び右側」は、支持板（４）（第１金属部材）のまわり（周囲）であるから、「第１金属部材の周囲」ということができる。
ｌ．引用発明の「ドレイン（Ｄ）リード及びゲート（Ｇ）リード」は、複数の金属部材からなることは技術常識であるから、「複数の第２金属部材」ということができる。
ｍ．引用発明の「前記支持板（４）の前記表面の平面積は、前記支持板（４）の前記裏面の平面積とほぼ同一である」と、本願発明の「前記第１金属部材の前記表面の平面積は、実装基板に実装した際、前記第１金属部材の前記裏面の前記実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きい」とは、いずれも、「前記第１金属部材の前記表面の平面積は、前記第１金属部材の前記裏面の平面積と比較して特定の差異がある」という点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。 
　
＜一致点＞ 
　「複数の電極が配置された表面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップが搭載されたチップボンディング領域とワイヤ接続領域とを有する表面と、前記表面とは反対側の裏面と、を備えた第１金属部材と、
　前記第１金属部材の周囲に配置された複数の第２金属部材と、
　前記複数の第２金属部材と前記複数の第２金属部材に対応した前記半導体チップの前記複数の電極の一部とをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域と前記ワイヤ接続領域に対応した前記半導体チップの前記複数の電極の一部とを電気的に接続する第２ワイヤと、
　上面および前記上面とは反対側の下面を有し、前記半導体チップ、前記第１金属部材の前記表面、前記複数の第２金属部材の一部、前記複数の第１ワイヤ、および前記第２ワイヤを封止する封止体と、を有し、
　平面視において、前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域は、前記チップボンディング領域の外側に配置され、かつ、断面視において、前記半導体チップの厚さ方向における前記第１金属部材の前記ワイヤ接続領域が形成された部分の高さは、前記チップボンディング領域が形成された部分の高さよりも高く、
　前記第１金属部材の前記裏面は前記封止体の前記下面から露出し、
　前記第１金属部材の前記表面の平面積は、前記第１金属部材の前記裏面の平面積と比較して特定の差異がある半導体装置。」
　
＜相違点＞ 
　前記第１金属部材の前記表面の平面積は、「前記第１金属部材の前記裏面の平面積と比較して特定の差異がある」に関し、
　本願発明は、「実装基板に実装した際、前記第１金属部材の前記裏面の前記実装基板と半田付けされる部分の平面積より大きい」のに対し、引用発明は、「前記支持板（４）の前記裏面の平面積とほぼ同一である」点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　上記相違点の判断は、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「３．独立特許要件について」の項中の「（３）対比・判断」の項で（相違点２）として判断したとおりである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願はその余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。