【事件の表示】
　特許第３２０３１０６号「光起電力装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０３１０６号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．手続の経緯
　本件特許第３２０３１０６号の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、平成５年８月２３日に特許出願され、平成１３年６月２２日に設定登録がなされ、井上雅行より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年７月８日に訂正請求がなされ、更に取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年８月２７日に上記平成１４年７月８日付け訂正請求は取り下げられるとともに新たに訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正の内容
　訂正事項ａ
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載を、「光起電力層が複数積層された光起電力装置（二層を除く）において、複数の光起電力層の積層構造における光入射側に光散乱体を設けると共に、積層された光起電力層の層間の少なくとも一つに光散乱体を設け、これらの光散乱体が、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させることを特徴とする光起電力装置。」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　本件特許明細書の段落番号【０００７】の記載を、「【課題を解決するための手段】光起電力層が複数積層された光起電力装置（二層を除く）において、複数の光起電力層の積層構造における光入射側に光散乱体を設けると共に、積層された光起電力層の層間の少なくとも一つに光散乱体を設け、これらの光散乱体が、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させることを特徴とするものである。」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　本件特許明細書の段落番号【００１０】の記載を、「本発明によれば、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光は光起電力装置の奥へ進むに従い散乱される度合いが増加するため、実質的な光路を長くし、十分な吸収を得る。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　本件特許明細書の段落番号【００３３】の記載を、「本実施例では、光入射側の光散乱体２の表面の凹凸の深さｄが、約５００Åと小さいため、開放電圧が低下しなかったこと及び光入射側の第１光起電力層３の短絡を防止できたこと、また、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光が光起電力装置の奥へ進んでいくほど、散乱するように設計されているため、光を有効に利用できたことにより、変換効率を約２％も向上することができた。」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　本件特許明細書の段落番号【００４０】の記載を削除する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、訂正前の請求項１に係る発明を、その「複数積層された光起電力装置」から「二層の場合の光起電力装置」を除くように限定するとともに、その「光の散乱度合」を「光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合」に限定するものであり、本件特許明細書の段落番号【００１３】〜【００２６】及び図１に記載された事項から直接的かつ一義的に導き出せる事項であるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂ〜ｅについて
　訂正事項ｂ〜ｅは、上記訂正事項ａに整合するように本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものであり、本件特許明細書の段落番号【００１３】〜【００２６】及び図１に記載された事項から直接的かつ一義的に導き出せる事項であるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　ウ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同法同条第３項で準用する特許法（平成５年法）第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明
　訂正後の本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明（以下、本件発明１及び２という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】光起電力層が複数積層された光起電力装置（二層を除く）において、複数の光起電力層の積層構造における光入射側に光散乱体を設けると共に、積層された光起電力層の層間の少なくとも一つに光散乱体を設け、これらの光散乱体が、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させることを特徴とする光起電力装置。
　【請求項２】前記各光散乱体は、表面に凹凸形状を有し、屈折率ｎと表面の凹凸の深さｄの積ｎｄの値を、光入射側から奥へ進むに従い大きくしたことを特徴とする請求項１記載の光起電力装置。」
　イ．異議申立の理由の概要
　異議申立人 山口雅行は、証拠として甲第１号証及び甲第２号証を提出し、訂正前の本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定、同法同条第２項の規定、若しくは、同法第３６条第４項、第５項又は第６項の規定に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．刊行物に記載の発明
　取消理由通知に引用された刊行物１（甲第１号証：特開昭６０−１１１４７８号公報）には、次の事項が記載されているか、若しくは、読み取ることができる。。
「非晶質半導体層及び／又は微結晶半導体層より構成されるｐ−ｉ−ｎ型の単位光起電力セルを導電性基板上に複数個積層し、その表面に透明電極を設けた光起電力装置において、上記単位光起電力セルの接続部であるｐ−ｎ接合の間に、平均粒径が２００Å以上、４０００Å未満の導電性粒状物により構成されるオーミックコンタクト層を設けたことを特徴とする光起電力装置。」（特許請求の範囲第１項）
「オーミックコンタクト層の凹凸によって光が散乱し、変換効率の点で効果を奏する」（第２頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第１１行）
「透明電極膜２５とオーミックコンタクト層２４がＩＴＯで構成される」（第３頁左上欄第１行び第１２行）
「光入射側に導電層２５が設けられ、単位光起電力セルのｐ−ｎ接合の間にオーミックコンタクト層２４が設けられた光起電力装置」（第２図）
「両層の凹凸により光（図中の矢印）が散乱する状態」（第２図）
　取消理由通知に引用された刊行物２（甲第１号証：特開平２−２３７１７２号公報）には、次の事項が記載されているか、若しくは、読み取ることができる。
　「透明導電膜／第２の太陽電池／選択反射膜／第１の太陽電池／裏面Ａｌ電極」（第１図）
「選択反射膜の材料として、酸化亜鉛等を用いる」（第４頁左上欄第１２行〜第２０行）
　エ．当審の判断
　（１）特許法第２９条第１項第３号の規定、又は、同法同条第２項の規定の違反について
　本件発明１について
　本件発明１の「光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させる」ことは、刊行物１及び２のいずれにも記載も示唆もされておらず、また、周知の慣用技術でもない。
　そして、本件発明１は、「光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させる」ことにより、光入射側の表面の凹凸の深さｄを大きくしたことに起因する開放電圧の低下及び内部短絡等の問題点を解決し、入射光を有効に利用して変換効率を向上できるという作用効果を呈するものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１又は２に記載されたに等しい発明であるとすることも、若しくは、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできないから、特許法第２９条第１項第３号の規定、若しくは、同法同条第２項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を引用して技術的に限定するものであるから、上記「本件発明１について」を参照する。
　（２）特許法第３６条第４項、第５項又は第６項の規定の違反について
　訂正前の本件発明１及び２の「光散乱体が、入射した光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させる」は、「光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させる」に訂正されて、明りょうとなっている。
　また、本件特許明細書段落【００３７】には、光散乱体の膜厚を変化させることにより凹凸の深さを制御し、表面の凹凸形状の形成にエッチングを行う実施例がｎｄ（ｎ：屈折率、ｄ：凹凸の深さ）を変化させる例として記載されているから、「ｎｄの値自体を光入射側から奥へ進むに従って大きくする技術は記載されていない」とすることはできない。
　したがって、本件発明１及び２は、特許法第３６条第４項、第５項又は第６項の規定に違反して特許されたものとすることはできない。
　オ．むすび
　以上のとおり、異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１及び２についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月９日（２００２．９．９）
【訂正の要旨】
訂正事項
　特許請求の範囲の請求項１を、特許請求の範囲の限縮を目的として、「光起電力層が複数積層された光起電力装置（二層を除く）において、複数の光起電力層の積層構造における光入射側に光散乱体を設けると共に、積層された光起電力層の層間の少なくとも一つに光散乱体を設け、これらの光散乱体が、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させることを特徴とする光起電力装置。」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【０００７】を、「【課題を解決するための手段】光起電力層が複数積層された光起電力装置（二層を除く）において、複数の光起電力層の積層構造における光入射側に光散乱体を設けると共に、積層された光起電力層の層間の少なくとも一つに光散乱体を設け、これらの光散乱体が、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光の散乱度合を装置内奥へ進むに従い増加させることを特徴とするものである。」と訂正する。
　また、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【００１０】を、「本発明によれば、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光は光起電力装置の奥へ進むに従い散乱される度合いが増加するため、実質的な光路を長くし、十分な吸収を得る。」と訂正する。
　さらに、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【００３３】を、「本実施例では、光入射側の光散乱体２の表面の凹凸の深さｄが、約５００Åと小さいため、開放電圧が低下しなかったこと及び光入射側の第１光起電力層３の短絡を防止できたこと、また、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光が光起電力装置の奥へ進んでいくほど、散乱するように設計されているため、光を有効に利用できたことにより、変換効率を約２％も向上することができた。」と訂正する。
　加えて、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書段落番号【００４０】を削除する。
（５４）【発明の名称】
光起電力装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　光起電力層が複数積層された光起電力装置
（二層を除く）
光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光
　【請求項２】　前記各光散乱体は、表面に凹凸形状を有し、屈折率ｎと表面の凹凸の深さｄの積ｎｄの値を、光入射側から奥へ進むに従い大きくしたことを特徴とする請求項１記載の光起電力装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、光起電力層が複数積層されたタンデムや３スタック構造等の光起電力装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】光起電力装置において、入射した光を有効に利用するため、光起電力層を複数積層するタンデムや３スタック構造が知られている。これらの構造においては、一般に光入射側電極として表面形状が凹凸であるテクスチャ透明導電膜が用いられている。
　【０００３】従来では、主として光入射側電極のみで光を十分散乱させようとするため、光入射側電極の表面の凹凸の深さを大きくしていた。
　【０００４】しかし、Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｇｅｓｔ　ｏｆ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　ＰＶＳＥＣ−５，１９９０，Ｋｙｏｔｏ，Ｊａｐａｎ，Ｐ２６１に記載されているように、光入射側電極表面電極の凹凸の深さを大きくすると、その上に形成するｐ層の膜厚に分布ができ、開放電圧が低下する。
　【０００５】また、一般に光入射側の光起電力層の膜厚は、２０００Å以下と薄く、凹凸の深さが大きい光入射側電極表面上に形成した場合に、内部短絡を起こしやすくなってしまう等の問題点があった。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】本発明は、光入射側電極表面の凹凸の深さが大きいことに起因する上記問題点を解決し、入射した光を有効に利用することによって、光起電力装置の変換効率を向上させようとすることを課題とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】光起電力層が複数積層された光起電力装置
（二層を除く）
光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光
　【０００８】
　【作用】光起電力層が複数積層された光起電力装置においては、光入射方向から見て奥に位置する光起電力層ほど波長の長い光を吸収するように設計されている。
　【０００９】一般に光起電力層に用いられている半導体は、波長が長くなるに従い光吸収係数が小さくなる。
　【００１０】本発明によれば、
光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光
　【００１１】一方、光入射側に位置する光起電力層に入射した光はあまり散乱されていないが、この層で吸収される光は比較的波長の短い領域の光であり、光吸収係数が大きいために十分な吸収が得られる。
　【００１２】すなわち、光入射側の電極の表面の凹凸の深さｄを大きくしなくても、光を有効に利用することができ、変換効率の向上が可能となる。
　【００１３】
　【実施例】図１は、本発明の光起電力装置の実施例を表す模式的断面図である。
　【００１４】図中、１は透光性基板、２、４、６、８はそれぞれ第１、第２、第３、第４の光散乱体、３、５、７はそれぞれ第１、第２、第３の光起電力層、９は光反射層である。
　【００１５】このとき、第１の光散乱体２は光入射側の電極の働きも兼ねており、第４の光散乱体８は、光反射層９とともに裏面電極を構成している。
　【００１６】第１光起電力層３と第２光起電力層５は非晶質シリコン、第３光起電力層７は非晶質シリコンゲルマニウムが主たる構成材料であり、いずれも公知のプラズマＣＶＤ法で形成した。
　【００１７】第１光起電力層３、第２光起電力層５、第３光起電力層７のいずれも光入射側からｐ型層ａ、ｉ型層ｂ、ｎ型層ｃで構成されており、各々の膜厚を表１に示す。
　【００１８】
　【表１】
　【００１９】また、光反射層９は、反射率の高い銀を用いた。
　【００２０】本発明の特徴となる第１光散乱体２、第２光散乱体４、第３光散乱体６、第４光散乱体８には、下地にダメージを与えない低温で表面に凹凸形状が形成できるＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成される酸化亜鉛を用いた。
　【００２１】このときの形成条件を表２に示す。
　【００２２】
　【表２】
　【００２３】光散乱体の表面の凹凸形状の大きさはＢ２Ｈ６の流量を変化させることで、制御することができる。
　【００２４】表３に、第１光散乱体２、第２光散乱体４、第３光散乱体６、第４光散乱体８の形成時のＢ２Ｈ６の流量と得られたＺｎＯ膜の膜厚及び表面の凹凸の深さｄとの関係を示す。尚、ＺｎＯの屈折率は２で、Ｂ２Ｈ６の流量によらず一定である。
　【００２５】
　【表３】
　【００２６】表３より、Ｂ２Ｈ６の流量を小さくするほど、凹凸の深さｄを大きくすることができることがわかる。
　【００２７】図２は、従来の光起電力装置を表す模式的断面図である。
　【００２８】従来例としては、透光性基板１、第１光起電力層３、第２光起電力層５、第３光起電力層７、光反射層９の部分は上記実施例と同様で、第２光散乱体４、第３光散乱体６、第４光散乱体８を持たない光起電力装置を形成した。
　【００２９】ただし、第１光散乱体２に関しては、実施例と同じでは十分な光の散乱が得られないため、表面の凹凸の深さｄが約５０００Å、膜厚２００００Åの酸化亜鉛を用いた。
　【００３０】表４に、本発明の実施例および従来例の光電変換特性を示す。
　【００３１】
　【表４】
　【００３２】表４より明らかなように、実施例では従来例に比べ、変換効率が約２％向上していることがわかる。
　【００３３】本実施例では、光入射側の光散乱体２の表面の凹凸の深さｄが、約５００Åと小さいため、開放電圧が低下しなかったこと及び光入射側の第１光起電力層３の短絡を防止できたこと、また、
光入射方向から見て奥に位置する光起電力層で吸収すべく設計された波長の長い光
　【００３４】本実施例では、光散乱体としてＭＯＣＶＤ法によるＺｎＯ膜を用いたが、材料、製法ともこれに限るものではなく、下地にダメージを与えずに、表面に凹凸形状が形成できればよい。
　【００３５】光入射側の電極を兼ねた光散乱体２については、凹凸の大きさをそれ程大きくする必要がないためスパッタ法で形成した酸化インジウムスズ等でもよい。
　【００３６】第２光散乱体４、第３光散乱体６、第４光散乱体８については縦方向（膜厚方向）にのみ電流が流れればよいため、抵抗率もそれ程小さくする必要がないので、酸化亜鉛以外の材料を用いてもよい。
　【００３７】例えば、波長５００ｎｍ以上の光に対しては、吸収係数の小さいアモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンナイトライド、アモルファスシリコンオキサイド等が適している。表面の凹凸形状の形成にはエッチング等の技術を用いれば良い。
　【００３８】本実施例では、光散乱体を光起電力装置間の全てに配置しているが、必ずしも全てに配置する必要はなく、例えば本実施例の第３光散乱体６、第４光散乱体８を配置しない構造でも良い。
　【００３９】また、本実施例の光起電力層には、アモルファスシリコンとアモルファスシリコンゲルマニウムの組み合わせを用いているがこれに限るものではなく、他の非晶質材料はもとより、薄膜多結晶シリコンやＣＩＳのような薄膜化合物半導体でも良い。
　【００４０】
　【００４１】本実施例では、基板側から光を入射する構造を採用しているが、逆に基板上に光起電力層を形成した後に光入射側電極を形成するような構造であっても良い。
　【００４２】本実施例では、第２光散乱体４、第３光散乱体６、第４光散乱体８の膜厚が順々に大きくなっているが、膜厚を一定にし、凹凸の深さを順々に大きくしても良い。
　【００４３】
　【発明の効果】上記より明らかなように、本発明は、光入射側の表面の凹凸の深さｄを大きくしたことに起因する開放電圧の低下及び内部短絡等の問題点を解決し、入射光を有効に利用することによって、変換効率を向上することができた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の光起電力装置の模式的断面図である。
　【図２】従来の光起電力装置の模式的断面図である。