【事件の表示】
　特許第３２４８３２０号「レジスト除去方法及びレジスト除去装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２４８３２０号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３２４８３２０号の請求項１〜４に係る発明は、平成５年１２月１日に出願され、平成１３年１１月９日にその発明の特許権の設定登録がなされ、その後、水谷　修子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１１月２５日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
（ｉ）特許請求の範囲の訂正
ア.請求項１を「基板上のレジストにオゾンを接触させ、オゾンに対する紫外線照射によりラジカル酸素を生成させてアッシングを行なう方法であって、オゾンガスに対して不活性な不活性ガスをレジストの表面に供給し、基板を収容する容器の内部ガスを吸引してレジストの表面近傍に存在する酸素ガス濃度を低下させるとともに、オゾンガスをレジストの表面に吹き付け、赤外線照射により主としてレジストを加熱してレジストをアッシングすることを特徴とするレジスト除去方法。」と訂正する。
イ.請求項３を「基板上のレジストにオゾンを接触させることによってアッシングを行なう装置であって、レジストの形成された基板を収容する容器と、該容器の内部に接続状態に配されオゾンガスを基板上のレジスト表面に供給するオゾン供給手段と、オゾンに対する紫外線照射によってラジカル酸素を発生させる紫外線照射手段と、容器の上部近傍に配され赤外線照射によって基板上のレジスト表面を加熱する赤外線照射手段と、容器の内部ガスを吸引する真空引き手段と、レジストの表面近傍に存在する酸素ガス濃度を低下させるように、オゾンガスに対して不活性な不活性ガスをレジストの表面に供給する不活性ガス供給手段とを具備することを特徴とするレジスト除去装置。」と訂正する。
（ｉｉ）発明の詳細な説明の訂正
ア.明細書の段落【０００６】を「【課題を解決するための手段】
　本発明に係るレジスト除去方法は、基板上のレジストにオゾンを接触させ、オゾンに対する紫外線照射によりラジカル酸素を生成させてアッシングを行なう場合において、オゾンガスに対して不活性な不活性ガスをレジストの表面に供給し、基板を収容する容器の内部ガスを吸引してレジストの表面近傍に存在する酸素ガス濃度を低下させるとともに、オゾンガスをレジストの表面に吹き付け、赤外線照射により主としてレジストを加熱してレジストをアッシングするようにしている。
　本発明に係るレジスト除去装置は、基板上のレジストにオゾンを接触させることによってアッシングを行なう装置において、レジストの形成された基板を収容する容器と、該容器の内部に接続状態に配されオゾンガスを基板上のレジスト表面に供給するオゾン供給手段と、オゾンに対する紫外線照射によってラジカル酸素を発生させる紫外線照射手段と、容器の上部近傍に配され赤外線照射によって基板上のレジスト表面を加熱する赤外線照射手段と、容器の内部ガスを吸引する真空引き手段と、レジストの表面近傍に存在する酸素ガス濃度を低下させるように、オゾンガスに対して不活性な不活性ガスをレジストの表面に供給する不活性ガス供給手段とを具備する構成を採用している。」と訂正する。
イ.明細書の段落【０００１】、【０００３】〜【００１２】、【００１６】、【００１９】、【００２１】、【００２３】及び図面の簡単な説明欄における「基坂」を「基板」と訂正する。
（ｉｉｉ）訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否等
　上記訂正（ｉ）は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許請求の範囲を拡張または変更するものでなく、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものである。また、上記訂正（ｉｉ）は、明細書中の明瞭でない記載の釈明ないし誤記の訂正を目的とするものであり、特許請求の範囲を拡張または変更するものでなく、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものである。
（ｉｖ）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア.申立ての理由の概要
　申立人水谷　修子は、証拠として甲第１号証（徳山　巍編著「半導体ドライエッチング技術」、平成９年３月５日、第３刷、産業図書発行、第１９６〜１９７頁）を提出して、訂正前の請求項１〜４に係る発明は、特許法第２９条第１項柱書の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張し、また、訂正前の請求項１〜４に係る発明は、特許法第３６条の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
イ.判断
＜第２９条１項柱書について＞
　上記訂正により、「紫外線照射」に限定され、「真空引き手段」を有する場合に限定されたから、異議申立人の主張する発明の成立性に問題は無いものとなった。
＜第３６条について＞
　上記訂正により、「紫外線照射」に限定され、「真空引き手段」を有する場合に限定されたから、異議申立人の主張する記載不備は無いものとなった。
ウ.むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月２７日（２００２．１２．２７）
【訂正の要旨】
訂正事項
ａ．特許第３２４８３２０号発明の明細書の特許請求の範囲における請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「基板上のレジストにオゾンを接触させることによってアッシングを行なう方法であって、オゾンガスに対して不活性な不活性ガスをレジストの表面に供給し、レジストの表面近傍に存在する酸素ガス濃度を低下させる」とあるのを、
「基板上のレジストにオゾンを接触させ
、オゾンに対する紫外線照射によりラジカル酸素を生成させて
基板を収容する容器の内部ガスを吸引して
ｂ．特許第３２４８３２０号発明の明細書の特許請求の範囲における請求項３において、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「容器の上部近傍に配され赤外線照射によって基板上のレジスト表面を加熱する赤外線照射手段と、レジストの表面近傍に存在する酸素ガス濃度を低下させるように、オゾンガスに対して不活性な不活性ガスをレジストの表面に供給する不活性ガス供給手段とを具備することを特徴とするレジスト除去装置」とあるのを、
「
オゾンに対する紫外線照射によってラジカル酸素を発生させる紫外線照射手段と、
容器の内部ガスを吸引する真空引き手段と、
ｃ．特許第３２４８３２０号発明の明細書の第０００６段落において、訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「本発明に係るレジスト除去方法は、基坂上のレジストにオゾンを接触させることによってアッシングを行なう場合に、オゾンガスに対して不活性な不活性ガスをレジストの表面に供給し、レジストの表面近傍に存在する酸素ガス濃度を低下させるとともに、オゾンガスをレジストの表面に吹き付け、赤外線照射により主としてレジストを加熱してレジストをアッシングするようにしている。」とあるのを、
「本発明に係るレジスト除去方法は、基板上のレジストにオゾンを接触させ
、オゾンに対する紫外線照射によりラジカル酸素を生成させて
基板を収容する容器の内部ガスを吸引して
ｄ．特許第３２４８３２０号発明の明細書の第０００６段落において、訂正事項ｂに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「本発明に係るレジスト除去装置は、基坂上のレジストにオゾンを接触させることによってアッシングを行なう装置において、レジストの形成された基板を収容する容器と、該容器の内部に接続状態に配されオゾンガスを基板上のレジスト表面に供給するオゾン供給手段と、容器の上部近傍に配され赤外線照射によって基板上のレジスト表面を加熱する赤外線照射手段と、レジストの表面近傍に存在する酸素ガス濃度を低下させるように、オゾンガスに対して不活性な不活性ガスをレジストの表面に供給する不活性ガス供給手段とを具備する構成を採用している。」とあるのを、
「本発明に係るレジスト除去装置は、基板上のレジストにオゾンを接触させることによってアッシングを行なう装置において、レジストの形成された基板を収容する容器と、該容器の内部に接続状態に配されオゾンガスを基板上のレジスト表面に供給するオゾン供給手段と、
オゾンに対する紫外線照射によってラジカル酸素を発生させる紫外線照射手段と、
容器の内部ガスを吸引する真空引き手段と、
ｅ．特許第３２４８３２０号発明の明細書の、第０００１段落、第０００３〜００１２段落、第００１６段落、第００１９段落、第００２１段落、第００２３段落、及び図面の簡単な説明において、誤記の訂正を目的として、
「基坂」とあるのを、「基
板
（５４）【発明の名称】
レジスト除去方法及びレジスト除去装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上のレジストにオゾンを接触させ
、オゾンに対する紫外線照射によりラジカル酸素を生成させて
基板を収容する容器の内部ガスを吸引して
　【請求項２】　前記不活性ガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去方法。
　【請求項３】　基板上のレジストにオゾンを接触させることによってアッシングを行なう装置であって、レジストの形成された基板を収容する容器と、該容器の内部に接続状態に配されオゾンガスを基板上のレジスト表面に供給するオゾン供給手段と、
オゾンに対する紫外線照射によってラジカル酸素を発生させる紫外線照射手段と、
容器の内部ガスを吸引する真空引き手段と、
　【請求項４】　前記不活性ガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項３に記載のレジスト除去装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、レジスト除去方法及びレジスト除去装置に係り、特に、オゾンアッシングを行なう際に、レジストを効果的に加熱して基
板
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体や薄膜センサの製造には、微細かつ非常に精確な技術が要求されるが、ウエハプロセス、中でもリソグラフィー技術は、製品の性能、歩留りや品質等を決定する重要なファクターとなっている。
　リソグラフィー技術は、レジスト塗布、マスキング、露光、現像、エッチング、レジスト除去等の各工程から構成される。
　このうち、レジスト除去には、レジストを除去する酸化剤や剥離液を用いて処理する方法があるが、酸素ガスプラズマによるアッシング方法（灰化処理）は、処理速度を速くすることができるために、現在の主流を占めている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　このように、酸素ガスプラズマによる灰化処理は、高速処理を可能とする長所を有するものであるが、荷電粒子による素子へのダメージが大きく、集積回路等の高集積化、微細化傾向にともなって、素子に致命的な損傷を与える場合がある。
　そこで、素子へのダメージが少ないレジスト除去方法、特にオゾンと紫外線とを利用するオゾンアッシング法が研究されている。
　このオゾンアッシング法は、除去するレジストの形成されている基
板
板
　オゾンに紫外線を照射すると、下記式▲１▼のように、ラジカル酸素（Ｏ＊）が発生する。
　　Ｏ３→Ｏ＊＋Ｏ２……▲１▼
　そして、通常、レジスト材料は各種の炭化水素類で構成されているので、ラジカル酸素と炭化水素との反応により、下記式▲２▼に示す分解反応（灰化反応）が起こり、レジストが除去される。
　　ＣｎＨｍ＋（２ｎ＋ｍ／２）Ｏ３→ｎＣＯ２＋ｍ／２Ｈ２Ｏ　＋（２ｎ＋ｍ／２）Ｏ２……▲２▼
　【０００４】
　しかしながら、オゾンアッシング法における灰化反応は、ラジカル酸素量を多くするとともに、レジストの温度を例えば２００〜２５０℃以上の高温状態とすることが必要になる。
　レジスト及び基
板
板
板
板
板
　【０００５】
　本発明は、このような課題を解決するものであり、オゾンアッシングを行なう際に、レジスト部分を効果的に加熱するとともに、レジストよりも基
板
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明に係るレジスト除去方法は、基
板
、オゾンに対する紫外線照射によりラジカル酸素を生成させて
基板を収容する容器の内部ガスを吸引して
　本発明に係るレジスト除去装置は、基
板
オゾンに対する紫外線照射によってラジカル酸素を発生させる紫外線照射手段と、
容器の内部ガスを吸引する真空引き手段と、
　【０００７】
　【作用】
　容器内に収容した基
板
板
板
　高温状態のレジストにオゾンが吹き付けられることにより、レジストの灰化処理が行なわれる。
　レジストの除去によって基
板
板
　【０００８】
　【実施例】
　以下、本発明に係るレジスト除去方法及びその装置の実施例について、図１を参照して説明する。
　図１にあって、符号１は容器、２は基
板
板
　【０００９】
　以下、レジスト除去装置について説明すると、前記容器１には、基
板
　そして、掃気管１１は、その内方開口が収容された基
板
　【００１０】
　前記基
板
板
板
板
　【００１１】
　前記オゾン供給手段３は、例えば容器１の外方に配されて酸素からオゾンを生成するオゾン発生器３１と、該オゾン発生器３１に対して容器１の側壁を貫通した状態に接続されオゾンガスを必要に応じてキャリアガスとともに移送する供給配管３２と、該供給配管３２の先端に基
板
板
　これら供給配管３２及びオゾン噴出ノズル３３には、例えば多重管構造として冷媒を挿通させて冷却を行なう等の冷却手段が講じられている。
　【００１２】
　前記赤外線照射手段４は、例えば容器１の上方位置に配される赤外線ランプ等によって構成され、赤外線を基
板
　【００１３】
　前記真空引き手段５は、容器１の外方に配される真空ポンプ５１と、該真空ポンプ５１に接続され容器１を貫通してその内部開口５２ａが容器１の内部に臨まされて容器１の内部ガスを吸引する排気管５２とを有している。
　【００１４】
　前記紫外線照射手段６は、容器１の上方位置または容器１の内部に配され、例えば紫外線ランプ等によって構成されるとともに、前述したように、オゾンに紫外線を照射することによってラジカル酸素を発生させるものが適用される。
　【００１５】
　このように構成されているレジスト除去装置によるレジスト除去方法について以下説明する。
　【００１６】
　レジスト膜Ｘの形成された基
板
板
板
　これらの加熱の際に、着色が施された状態のレジスト膜Ｘは、吸熱によって高温状態となり易いが、レジスト膜Ｘを経由して基
板
板
　【００１７】
　レジスト膜Ｘの温度を所望温度にするとともに、オゾン供給手段３の作動によりオゾンガスを供給配管３２を経由してオゾン噴出ノズル３３に供給し、レジスト膜Ｘに吹き付ける。この際に窒素ガスをキャリアガスとして使用して、流速を高めた状態でオゾンガスを吹き付けるとよく、そして、オゾンガスと窒素ガスとの混合ガス中に、酸素が含まれないように脱酸素処理しておくことが望ましい。
　【００１８】
　オゾンガスを吹き付けるとともに、紫外線照射手段６の作動により紫外線をオゾンに照射すると、レジスト膜Ｘの近傍でラジカル酸素が生成されて、ラジカル酸素との接触によりレジスト膜Ｘが灰化処理される。
　このような灰化処理時にあっては、前述した式▲２▼に示す分解反応（灰化反応）に基づいて二酸化炭素、水蒸気、酸素が発生するが、これらの気体は真空引き手段５における真空ポンプ５１の作動により内部開口５２ａから吸引されて、排気管５２を経由して容器１の外まで排出される。
　【００１９】
　これらの灰化処理においては、基
板
板
　【００２０】
　なお、灰化処理時に、掃気管１１から窒素ガスを供給して、レジスト膜Ｘの近傍に存在する酸素ガスと置換して、分解反応（灰化反応）を起こす部分の酸素ガス濃度を低下させることが行なわれる。つまり、前述した式▲２▼から明らかなように、酸素ガス濃度を小さくすることにより、灰化効率が高まり処理速度が向上する。
　【００２１】
　一方、レジスト膜Ｘが除去されることによって、基
板
板
　【００２２】
　また、オゾンからのラジカル酸素の生成反応は、紫外線の照射に加えて、加熱によっても起きてしまうが、レジスト膜Ｘの部分が最も温度が高く、かつこの近傍にオゾンが供給されるので、赤外線により加熱されたレジスト膜Ｘがラジカル酸素に晒されることになり、これにより灰化処理速度を高めることができる。
　【００２３】
　【発明の効果】
　本発明に係るレジスト除去方法及びその装置によれば、以下のような効果を奏する。
（１）　オゾンアッシングを行なう際に、赤外線照射によりレジストを表面から加熱し、オゾンガスをレジストの表面に吹き付けるものであるから、レジストの表面部分が最も温度が高くなり、レジストの加熱により灰化反応を生じさせてレジストを効果的に除去することができる。
（２）　レジストを所望の温度まで上昇させる場合に、これよりも基
板
板
板
（３）　最も温度の高いレジスト表面でラジカル酸素が生成されるため、ラジカル酸素の損失が少なく、オゾンアッシングを高速で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係るレジスト除去方法及びその装置の実施例を示す一部をブロック図とした正断面図である。
　【符号の説明】
　１　容器
　２　基
板
　３　オゾン供給手段
　４　赤外線照射手段
　５　真空引き手段
　６　紫外線照射手段
　１１　掃気管
　１２　上蓋
　２１　回転駆動源
　２２　回転軸
　２３　ホットプレート
　２４　基
板
　２５　温度センサ
　３１　オゾン発生器
　３２　供給配管
　３３　オゾン噴出ノズル
　５１　真空ポンプ
　５２　排気管
　５２ａ　内部開口
　Ｘ　レジスト膜（レジスト）
　Ｙ　基
板