【事件の表示】
　平成　４年特許願第２９６１０３号「インクジェット記録ヘッドの製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年　５月２４日出願公開、特開平　６−１４３５９０、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成4年１１月５日の出願であって、請求項１乃至４に係る発明（以下、「本願発明１乃至４」という。）は、平成１２年１２月４日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次のとおりのものであると認める。                  
「【請求項１】　インクジェット記録ヘッドのキャビティーとなる平坦部材に金属薄膜部材を積層後、該平坦部材をフォトリソ、エッチングすることによりキャビティーを形成して該薄膜部材を振動板とし、該薄膜部材に駆動源として圧電素子を設けることを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
　【請求項２】　前記薄膜部材の積層方法がスパッタリング法、真空蒸着法、電解メッキ法、あるいは無電解メッキ法のいずれかの方法、または２種以上の方法の組合せによるものであり、キャビティーとなる平坦部材表面に金属薄膜部材層を積層後、該平坦部材をフォトリソ、エッチングする事によりキャビティーとし、該金属薄膜部材を振動板としたことを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
　【請求項３】　前記金属薄膜部材が平坦部材上に部分的に積層され、その方法がマスクスパッタ法、マスク蒸着法、パターン状部分メッキ法、あるいは金属薄膜部材を積層後、パターン状にエッチングする方法のいずれか、または２種以上の方法の組合せによるものであることを特徴とする請求項１又は２記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
　【請求項４】　キャビティーとなる平坦部材がシリコン単結晶材であり、異方性エッチングによりキャビティーを形成したことを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。」    　　
  　　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平３−２５３３４６号公報（以下、「引用例１」という。）には、本願発明１乃至４に関連する事項として次の事項が記載されている。
　ａ．「単結晶のシリコン基板１表面にエッチングに対する保護膜１３を形成する。保護膜１３としてはＳｉＯ２熱酸化膜，Ｓｉ３Ｎ４膜またはシリコンのホウ素ドープ膜等を用いることができ、本実施例では・・・ＳｉＯ２熱酸化膜を用いた。次に、上記シリコン基板１片面の保護膜１３をノズル溝２及び貫通孔１１を設ける部位で除去して開口部を形成する。・・・次にエチレンジアミン・ピロカテコール水溶液、ＫＯＨ水溶液等のアルカリエッチング溶液で異方性エッチングを行なう（第２図（ａ））。エッチング深さは４０μｍとした。次にノズル溝２の再エッチングを防ぐために上記基板１表面に重ねて保護膜１３を形成する。この保護膜は先の保護膜１３と同じＳｉＯ２熱酸化膜で先の保護膜と一体となる（第２図（ｂ））。・・・次に先と同様アルカリエッチング溶液を用いて異方性エッチングを行う。エッチングはシリコン基板１に貫通孔が形成された時点でこれを停止した（第２図（ｄ））。これにより、インク室３となる凹部が形成されその底面の厚さは４０μｍとなり、この部分が振動板５となる。・・・この後、上記基板１全体の保護膜を除去し、これを底板６に接合し、ノズル溝２を横切って切断する（第２図（ｅ））。・・・最後に、圧電素子７を振動板５に貼りつける。」（第３頁右下欄第１０行〜第４頁右上欄第５行）
　ｂ．「エッチング保護膜であるＳｉＯ２の熱酸化膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、シリコンのホウ素ドープ膜は、アルカリエッチング溶液に対して耐エッチング性の高い膜であり、この膜だけを残してエッチングを行い、これを振動板として用いることも可能である。」（第４頁右下欄第３〜８行）
　ｃ．第２図（ａ）乃至（ｅ）に記載のインクジェットプリンタヘッドの製造工程図。   　　
　同じく、特開平４−４２９８４号公報（以下、「引用例２」という。）には、本願発明１乃至４に関連する事項として次の事項が記載されている。
　ｄ．「（１）II−VI族化合物半導体より成る半導体発光素子の製造方法において、光共振器面は、エッチングマスクを形成する工程と、・・・ドライエッチングを行う工程により形成することを特徴とするII−VI族化合物半導体発光素子の製造方法。（２）前記エッチングマスクの材質は、フォトレジスト、シリコン酸化物、シリコン窒化物などの絶縁物、モリブデン、ニッケルなどの金属であることを特徴とする請求項１記載のII−VI族化合物半導体発光素子の製造方法」（特許請求の範囲第１，２項）
　同じく、特開平４−３１１０７９号公報（以下、「引用例３」という。）には、本願発明１乃至４に関連する事項として次の事項が記載されている。
　ｅ．「半導体もしくは誘電体から成る基板上に該基板の主面に対して垂直な方向にIII−V族化合物半導体から成る基板側リフレクタと、III−V族化合物半導体からなり一部分もしくは全体がエッチングマスクを用いたガスエッチングにより柱状に加工をなされた活性層と、半導体もしくは誘電体もしくは金属からなる表面側リフレクタとを有する共振器を持つ面発光半導体レーザの製造方法において、該活性層のガスエッチング時にジメチル亜鉛またはジエチル亜鉛または有機亜鉛化合物を含むエッチングガスを用い、かつ該エッチングマスクの材質に、フォトレジスト、シリコン酸化物、シリコン窒化物などの絶縁物またはモリブデン、ニッケルなどの金属を用いたことを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法。（特許請求の範囲）
　　　　　
３．対比・判断
　本願発明１乃至４と上記刊引用例１乃至３に記載された発明とを対比する。
（１）本願発明１について、
　引用例１に記載された発明の「シリコン基板１」、「振動板５」、「圧電素子７」及び「インクジェットプリンタヘッド」は、それぞれ、本願発明１の「平坦部材」、「振動板」、「圧電素子」及び「インクジェット記録ヘッド」に相当し、また、引用例に記載された発明の「インク室３」は、振動板５により容積を変化されるものであり、この点で本願発明１の「キャビティー」と共通しているから、引用例１に記載された発明と本願発明１との間には、以下の一致点及び相違点がある。
　〔一致点〕
　インクジェット記録ヘッドのキャビティーとなる平坦部材に、エッチングされる平坦部材とは材質の異なる薄膜を形成後、前記平坦部材をフォトリソ、エッチングすることによりキャビティーを形成して該薄膜を振動板とし、該薄膜に駆動源として圧電素子を設けるインクジェット記録ヘッドの製造方法。
　〔相違点〕
　平坦部材に形成される薄膜が、本願発明１では、金属薄膜を積層して形成されるのに対して、引用例１に記載された発明では、平坦部材に形成されるＳｉＯ２熱酸化膜、Ｓｉ３Ｎ４膜またはシリコンのホウ素ドープ膜である点。
　〔相違点の検討〕
　引用例２には、上記したように、II−VI族化合物半導体発光素子をドライエッチングにより製造するときに、エッチングマスクの材質をモリブデン、ニッケルなどの金属とすること、引用例３には、III−V族化合物半導体から成る発光半導体レーザを、ガスエッチングにより製造するときに、エッチングマスクの材質をモリブデン、ニッケルなどの金属とすることが記載されているものの、引用例２と引用例３のいずれにも、インクジェット記録ヘッドのキャビティとなる平坦部材をフォトリソ、エッチングすることによりキャビティを形成するときのエッチングマスクとして金属薄膜を積層させることについて記載されておらず、示唆もされていない。
　また、上記引用例２に記載された発明または引用例３に記載された発明と引用例１に記載された発明とは、エッチングという製造方法を使用するものとして同じであるとはいえても、製造される対象が引用例２に記載された発明では、半導体発光素子で、引用例３に記載された発明では、発行半導体レーザであって、引用例１に記載された発明のインクジェットプリンタヘッドと異なるもので、また、そのエッチングを行う対象の材料が、引用例２に記載された発明では、II−VI族化合物半導体などで、引用例３に記載された発明では、III−V族化合物半導体などで、引用例１に記載された発明の単結晶のシリコンと異なっており、しかも、引用例２に記載された発明と引用例３に記載された発明は、いずれも、反応性ガスを用いたエッチングであるのに対して、引用例１に記載された発明は、アルカリエッチング溶液を用いたエッチングであるから、引用例２あるいは引用例３にエッチングマスクの材質としてモリブデン、ニッケルなどの金属を使用することが記載されていても、引用例２あるいは引用例３の該記載から、引用例１に記載された発明において、単結晶のシリコン基板（平坦部材）に形成される、エッチングマスクとしてのＳｉＯ２熱酸化膜、Ｓｉ３Ｎ４膜またはシリコンのホウ素ドープ膜に代えて、金属薄膜を積層させて、上記相違点のように構成することが当業者が容易にできる構成の変更であるということができない。
　したがって、本願発明１は、上記引用例１乃至３に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
（２）本願発明２乃至４について、　　     
　本願発明２乃至４は、本願発明１の構成要件すべてをその構成要件として具備し、さらに技術的に限定したものであるから、上記３．（１）に示した理由と同様の理由で、上記引用例１乃至３に記載されたものから、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１乃至４は、引用例１乃至３に記載されたものから、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　また、他に本願発明１乃至４を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。