【事件の表示】
　特許第１９２４０８３号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯
　
　本件特許第１９２４０８３号発明は、昭和５９年８月１７日に旭化成工業株式会社によって特許出願（特願昭５９−１７２２２０号）され、平成６年７月６日に出願公告（特公平６−５２８２３号）がなされ、平成７年４月２５日に特許の設定の登録がなされた。
　そして、平成９年９月２日に株式会社三和電器製作所は、特許庁に対し、本件発明の特許について無効審判を請求し、平成９年審判１４８１６号として審理され、その審判手続継続中の平成１０年４月２８日に訂正請求がなされ、平成１０年７月１５日付けで「訂正を認める。本件審判の請求は、成り立たない。」との審決がなされた。
　その後、無効審判請求人は、東京高等裁判所に対し、平成１０年８月１１日に平成１０年（行ケ）第２４９号として審決取消訴訟を提訴し、平成１１年７月８日に「特許庁が平成９年審判第１４８１６号事件について平成１０年７月１５日にした審決を取り消す。」との判決（以下、「高裁判決」という。）がなされたが、特許権者は平成１１年７月２２日に、本件訂正審判の請求を行ったものであり、当審でこの訂正審判において、訂正拒絶理由を通知したところ、請求人より平成１２年５月２９日付意見書が提出されたものである。
　
II．審判請求の要旨
　
　本件審判請求の要旨は、特許第１９２４０８３号に係る明細書を、本件審判請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、その内容は次のとおりである。
（なお、本件審判請求人は、上記無効審判手続中の訂正請求によって本件特許明細書が訂正されたことを前提として、本件審判請求書の「６．請求の理由」において、訂正内容の特定を行っている。しかるに、上記無効審判においてされた平成１０年４月２８日の訂正請求については、訂正を認める旨の審決がなされたが、この審決が取り消されたため、その訂正は確定していない。従って、本件訂正審判における訂正の内容は、特許査定時の明細書との対比で特定するべきであるので、訂正の内容を以下のように認定した。）
＜訂正の内容＞
（１）特許請求の範囲について
　特許請求の範囲に、
　「厚さが６００μｍ以下の可撓性絶縁基板の両面に導体パターンが形成され、その少なくとも片面の導体パターンは導体配線密度３本／ｍｍ以上、導体配線ピッチに対する導体膜厚の比がほぼ１／２以上であり、その両面間の導体パターンを電気的に接続するスルーホールが形成され、そのスルーホールの内壁の導体厚の上記導体配線ピッチに対する比が、ほぼ０．２５〜２．５であることを特徴とするプリント厚膜微細パターン導体。」とあるのを
　「厚さが６００μｍ以下の可撓性絶縁基板の両面に導体パターンが形成され、その少なくとも片面の導体パターンは導体配線密度３本／ｍｍ以上、導体配線ピッチに対する導体膜厚の比が０．５０以上であり、その両面間の導体パターンを電気的に接続するスルーホールが形成され（ただし、その電気的接続にあたり蒸着を行った場合を除く）、そのスルーホールの内壁の導体厚の上記導体配線ピッチに対する比が、０．２５〜２．５であることを特徴とするプリント厚膜微細パターン導体。」
（２）発明の詳細な説明について
（２−１）訂正事項ａ
　平成５年２月８日付手続補正書の「６．補正の内容」の欄の（７）によって補正された文中、「ほぼ１／２以上」及び「ほぼ０．２５〜２．５」とある記載（特許公報第３欄第３７、４０行）を、「それぞれ「０．５０以上」及び「０．２５〜２．５」と訂正する。
（２−２）訂正事項ｂ
　平成５年２月８日付手続補正書の「６．補正の内容」の欄の（１９）によって補正された文中、「ほぼ０．２５〜２．５」及び「ほぼ１／２以上」とある記載（特許公報第６欄第３６、３８行）を、
　「それぞれ「０．２５〜２．５」及び「０．５０以上」と訂正する。
（２−３）
　平成５年２月８日付手続補正書の「６．補正の内容」の欄の（７）によって補正された文中、「スルーホールが形成され、」とある記載（特許公報第３欄第３８〜３９行）を、
　「スルーホールが形成され（ただし、その電気的接続にあたり蒸着を行った場合を除く）、」と訂正する。
　
III．独立特許要件についての判断
　
１．訂正後の発明
　訂正後の発明は、訂正明細書の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　「厚さが６００μｍ以下の可撓性絶縁基板の両面に導体パターンが形成され、その少なくとも片面の導体パターンは導体配線密度３本／ｍｍ以上、導体配線ピッチに対する導体膜厚の比が０．５０以上であり、その両面間の導体パターンを電気的に接続するスルーホールが形成され（ただし、その電気的接続にあたり蒸着を行った場合を除く）、そのスルーホールの内壁の導体厚の上記導体配線ピッチに対する比が、０．２５〜２．５であることを特徴とするプリント厚膜微細パターン導体。」（以下、「訂正発明」という。）
　
２．訂正拒絶理由の概要
　訂正拒絶理由の概要は、訂正発明は、その出願前に頒布されたことの明らかな下記引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない、というものである。
　
３．引用例
（１）引用例１：特開昭５７−３７８９８号公報                     
（２）引用例２：CLYDE F.COOMBS,JR.編「プリント回路ハンドブック」、近代科学社（昭和４４年７月１日発行）、第５-５、５-１１、５-２６、５-２７頁
（３）引用例３：CLYDE　F.COOMBS,Jr.編「プリント回路ハンドブック〈全訂第２版〉」近代科学社、昭和５６年８月１日発行、第７−３〜７−５頁
（４）引用例４：通商産業省監修「プリント配線板工業の現状（昭和５９年度版）」社団法人日本プリント回路工業会、昭和５９年５月１５日発行、第１，２，１０３、１０９頁
（５）引用例５：特開昭５６−９４６９０号公報
（６）引用例６：特開昭５６−１０４４９３号公報
　
４．引用例の記載事項
　上記引用例１〜６には、それぞれ次の事項についての記載がある。
（１）引用例１
（１−１）　特許請求の範囲
　「基板上に、導体間隔０．５μｍ以上１０μｍ未満で導体厚１５〜２００μｍを有する導電体が設けられた事を特徴とする厚膜ファインパターン」
（１−２）　第１頁左下欄第９行〜同頁右下欄第９行
　「本発明は高密度、高信頼性の厚膜ファインパターンに関するものである。厚膜ファインパターンは、高い電流値が必要とされる小型コイル、高密度コネクター、高密度配線などの分野で要求されており、…（中略）…近年モーターの小型化にともない、２〜２５本／ｍｍのファインパターンを有するファインコイルの開発が要望されている。しかし、厚膜ファインパターン（５本／ｍｍ以上で膜厚２００μｍ以下）の所望する回路部の膜厚、例えば１５μｍ以上まで、無電解メッキで厚付けすると、膜厚以上に幅方向に太りが生じる為、狭い導電体間隔を持つ厚膜のファインパターンは得られない。」
（１−３）　第１頁右下欄第１４〜末行
　「本発明者たちは、厚膜ファインパターンについて鋭意研究を重ねた結果、まず基板上に膜厚０．１〜１０μｍの薄膜導電体を形成した後、陰極の電流密度３〜２０Ａ／ｄｍ２の条件で電解メッキして厚付けし、導電体間隔を１０μｍ未満０．５μｍ以上とすることにより、新規で、かつ有用な厚膜ファインパターンが得られる事を発見し、本発明を完成させた。」
（１−４）　第２頁左上欄第１０〜１７行
　「本発明の厚膜ファインパターンは、基板の片面だけに形成しても良いが、必要に応じて両面に形成しても良く、両面に形成する場合は基板に穴あけし、スルーホール接続を必要に応じて行う。１枚の基板の上に複数のパターンを形成する場合は、フィルム状基板の両面にパターンを形成し、スルーホール接続した方がつなぎ込みが容易であり好ましい。」
（１−５）　第２頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第８行
　「本発明に使用される基板としては、フィルム状のものが好ましく、例えばポリエステルフィルム、エポキシフィルム、ポリイミドフィルム、ポリパラバン酸フィルム、トリアジンフィルムなどフィルム状のものは全て使用出来るが、可撓性、耐熱性の点からポリイミドフィルム、ポリパラバン酸フィルム、トリアジンフィルムが好ましい。基板の膜厚は、高密度化という意味では出来るだけ薄いものが好ましいが、余り薄過ぎると作業性が悪くなり、膜厚としては５〜５０μｍ、特に１０〜２５μｍが好ましい範囲である。」
（１−６）　第２頁左下欄第１３行〜同頁右下欄第８行
　「本発明の厚膜ファインパターンは、基板上にまず膜厚０．１〜１０μｍの薄膜導電体を形成した後、陰極の電流密度３〜２０Ａ／ｄｍ２の条件で電解メッキして厚付けし、導電体間隔を０．５μｍ以上１０μｍ未満とすることにより得られる。上記方法における膜厚０．１〜１０μｍの薄膜導電体を形成する方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法、無電解メッキによる方法、銅薄膜を貼る方法などがあり、この薄膜導電体は、従来公知のフォトエッチング法などにより、電解メッキ前にファインパターン状にパターニングされていても良く、また薄膜導電体上にフォトレジストでマスクを形成して、ファインパターンに電解メッキを行った後、ファインパターン以外の薄膜導電体をエッチングなどにより除去しても良い。」
（１−７）　第２頁第右下欄第１３〜１９行
　「電解メッキの種類としては、導電体であれば何でも良いが、銀、金、銅、ニッケル、スズなどが好ましく、特に導電性及び経済性の点から銅が好ましい。銅の電解メッキとしては、シアン化銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ、硫酸銅メッキ、ホウフッ化銅メッキなどがあるが、特にピロリン酸銅メッキ、硫酸銅メッキが好ましい。」
（１−８）　第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄末行
　「ファインパターンを電解メッキする場合、重要な因子の一つとしては陰極の電流密度があり、陰極電流密度が小さい場合は、厚膜方向以上に幅方向への太りが生じ、かつ、メッキ膜厚が不均一になり易く、陰極電流密度としては３〜２０Ａ／ｄｍ２、特に５〜１５Ａ／ｄｍ２が好ましい範囲である。…（中略）…もう一つの重要な因子は導体間隔である。上記陰極電流密度の範囲外では、例え電解メッキ厚が薄くとも、幅方向への導電体の短絡が生ずるので使用できなかった導体間隔、即ち、０．５μｍ以上で１０μｍ未満の導体間隔、もしくはその近傍の所定間隔にして上記陰極電流密度範囲で電解メッキを行うと、驚くべきことに、更に幅方向への導電体の短絡が抑制され、膜厚方向の方が選択的に電解メッキできるようになり、導体間隔０．５μｍ以上１０μｍ未満で導体厚１５〜２００μｍの厚膜ファインパターンが得られる。」
（１−９）　第３頁右上欄第１２〜１５行
　「以上に示した本発明により、厚膜ファインパターン回路、例えば５本以上、２００μｍまでの膜厚を有する今まで不可能視されていた回路を提供することができる。」
（１−１０）　第３頁右上欄第１６〜１９行　
　「以下に本発明の態様を一層明確にする為に、実施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。」
（１−１１）  第３頁左下欄第１〜１０行
　「実施例１　デュポン社製ポリイミドフィルム「カプトン」（膜厚２５μｍ）上に、表面処理、無電解銅メッキ（膜厚２μｍ）、フォトエッチングで導体間隔が約１０μｍ膜厚２μｍの薄膜導電体パターンを形成し、次いで、ハーショウ村田社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、導体間隔が８μｍとなるように、陰極電流密度１４Ａ／ｄｍ２の条件で銅を７０μｍ厚電解メッキを行って、導体間隔８μｍ、膜厚７５μｍで１０本／ｍｍのファインパターンを得た。」
（１−１２）  第３頁左下欄第１１行〜同頁右下欄第３行
　「実施例２　エッソ化学社製ポリパラバン酸フィルム「トラドロン」（膜厚２５μｍ）の両面に、ポスチック社製エポキシ−ニトリルゴム系接着剤「ＸＡ−５６４−９」を乾燥後片面膜厚が５μｍ塗布し、穴あけ、銅蒸着して得られた膜厚０．３μｍの薄膜導電体を、フォトレジスト（膜厚５μｍ）でパターン以外をマスクして、次いで、ハーショウ村田社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、陰極電流密度７Ａ／ｄｍ２の条件で銅を１４０μｍ厚電解メッキを行い、その後パターン以外のフォトレジストを除去し薄膜銅をエッチング除去して、導体間隔３μｍ、膜厚１４０μｍで８本／ｍｍのファインパターンを得た。」
（２）引用例２
（２−１）  第５−５頁６行及び７行
　「スルー・ホールめっきの目的は次のとおりである。１．必要な電気的特性を満足するような両面間の接続をすること。」
（２−２）  第５−５頁下から１０〜７行
　「第５．１表　スルー・ホールめっきの必要条件　１．…（中略）…２．内壁および表面のめっき厚さの均一なこと。３．内壁と表面とのめっき厚さの比率が１：１に近いこと。」
（２−３）　第５−１１頁下から１１〜７行
　「切断し、ドリル加工を終わった両面銅張り板は、次に穴の金属化処理をする。不導体へのめっきの手法には、グラファイト、導電性ラッカー、金属粉のコーチングや、化学的還元、銀のスプレー、蒸着めっき、真空蒸着などがある。この応用に最適の方法は幸いに量産に向く銅の化学的還元である。ＭＩＬ-Ｓｔｄ-２７５Ｂはスルー・ホールめっきは銅で行なうことを規定している。」（第５−１１頁下から１１〜７行）
（２−４）  第５−２６頁下から１２〜４行
　「銅の電気めっき　…（中略）…我々は回路板上のめっきの平均厚さを見積るが、局部的な（特にスルー・ホールめっきの）厚さは予想より少なくなりやすい。」
（２−５）　第５−２７頁下から５〜２行
　「１５．ピロリン酸銅　現在のところ、ピロリン酸銅法はスルー・ホールめっき回路板の要求をだいたい満足させている。表面厚さと穴の内壁の厚さとの比は１：１に非常に近い値が得られ、めっき面は平滑で、密でかつ粒子が細かい。」
（３）引用例３
（３−１）　第７−３頁下から第１０〜８行
　「無電解銅　２．機能　無電解銅処理の機能は、このあとのスルー・ホール電気めっき加工のため、板に導電性をあたえるため銅を薄く析出させて、板を完全に金属化することである。」
（３−２）　第７−４頁第２５〜３６行
　「９．活性剤．いくつかの特別処方の溶液が活性剤と呼ばれている。基本的には、それらはパラジウムのコロイド溶液である。第二スズ塩のスズが金属パラジウムのまわりに保護コロイドを形成している。簡単にいうと、この溶液の機能は、不導体の表面に、化学還元によって、所要のめっき反応を開始する貴金属の下地を植え付けることである。…（中略）…１０．活性化後の処理剤…（中略）…１１．無電解銅．銅で金属化される表面は、この時点で、無電解浴で処理するための準備ができていることになる。」
（４）引用例４
（４−１）　第１頁下から第３〜1行　
　「本調査の目的は、昭和５８年度における当該業種の実態を明らかにするとともに、当該製造業の近代化を図るための中小企業近代化促進法に基づく近代化計画の策定に資するものである。」
（４−２）  第２頁第２〜５行
　「調査方法は書面調査とし、１７２企業を対象として実施した。また、この回収状況は次の通りである。　調査票発送企業数　１７２企業、回収企業数　１４６企業、　回収率８５％」
（４−３）  第１０３頁第１〜１７行
　「８．性能と品質　…（中略）…昭和５９度から新たな近代化計画が発足するが、今回からプリント配線基板としては導体層数の制限はなくなり、このような状況における業界の実態の調査を行った。そのうちの性能、品質に関しては表８−３から表８−６で、昭和５８年度と昭和６４年度末において最も多く製造しているプリント配線基板の品質・性能について、それぞれ片面板、両面板（めっきスルーホールをもつもの）、多層板（３〜４層）、多層板（５層以上のもの）とに分けて示した。」
（４−４）  第１０９頁表８−４参照
「表８−４　両面板（スルーホールめっきあり）の品質・性能」には、昭和５８年度（基準年度実績）において、メッキが銅の場合に、「穴内／表面の厚さの比」が、中小企業で「０．９０」、大企業で「０．９５」、全体で「０．９０」となっていること
（５）引用例５
（５−１）　特許請求の範囲
　「フィルム状基板に、無電解メッキに対する活性化処理を施す段階と、回路部以外の部分にレジストを形成する段階と、回路部に無電解メッキで膜厚１〜１０μｍの導電体を形成する段階を経て得られた薄膜パターンを、陰極の電流密度３〜２０Ａ／ｄｍ２の条件で導電体を電解メッキすることを特徴とする厚膜ファインパターンの製造法。」
（５−２）　第２頁右上欄第１２〜１７行
　「本発明の厚膜ファインパターンは、フィルム状基板の片面だけに形成しても良いが、必要に応じて両面に形成しても良く、両面に形成する場合は無電解メッキに対する活性化処理を施す前に、フィルム状基板に穴あけし、スルーホール接続を行う必要がある。」
（５−３）　第２頁左下欄第１〜１１行
　「本発明に使用されるフィルム状基板としては、ポリエステルフィルム、エポキシフィルム、ポリイミドフィルム、ポリパラバン酸フィルム、トリアジンフィルムなどフィルム状のものはすべて使用出来るが、可撓性、耐熱性の点からポリイミドフィルム、ポリパラバン酸フィルム、トリアジンフィルムが好ましい。フィルム状基板の膜厚は…（中略）…膜厚としては５〜５０μｍ、特に１０〜２５μｍが好ましい範囲である。」
（５−４）　第３頁左上欄第１３行〜第３頁第６行
　「無電解メッキの種類としては、導電体であれば何でも良いが、銀、金、銅、ニッケル、スズなどが好ましく、特に導電性及び経済性の点から銅が好ましく使用される。無電解メッキ膜厚は、前に述べたようにファインパターンを得る上で重要であり。１〜１０μｍが好ましい範囲であり、…（中略）…電解メッキの種類としては、導電体であれば何でも良いが、銀、金、銅、ニッケル、スズなどが好ましく、特に導電性及び経済性の点から銅が好ましい。」
（５−５）　第３頁左下欄第７行〜同頁右下欄第５行
　「実施例１　デュポン社製ポリイミドフィルム「カプトン」（膜厚２５μｍ）を、１０％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬処理した後、塩化第１スズの塩酸水溶液、次いで塩化パラジウムの塩酸水溶液で処理、乾燥した。その後、イーストマンコダック社製ネガ型フォトレジスト「マイクロレジスト７５２」を乾燥後、膜厚が５μｍになるように塗布、プレベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液及びリンス液を用いて現像し、乾燥、ポストベークして回路部以外の部分にレジストを形成した。次いで、シプレー社製無電解銅メッキ液「ＣＰ−７０」を用いて、回路部に銅を５μｍ厚無電解メッキした。この様にして得られた薄膜パターンを、ハーショウ村田社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、陰極の電流密度１４Ａ／ｄｍ２の条件で銅を２０μｍ厚電解メッキを行って、均一な膜厚を有する１５本／ｍｍのファインパターンを得た。」
（５−６）  第３頁右下欄第６行〜第４頁左上欄第８行
　「実施例２　エッソ化学社製ポリパラバン酸フィルム「トラドロン」（膜厚２５μｍ）の両面に、ポスチック社製エポキシ−ニトリルゴム系接着剤「ＸＡ５６４−４」を乾燥後膜厚が片面５μｍになるように塗布して、１８０℃で３０分間熱処理した。その後、パンチングでスルーホール部の穴あけを行い、塩化第１スズの塩酸水溶液次いで塩化パラジウムの塩酸水溶液で処理、乾燥した後、イーストマンコダック社製ネガ型フォトレジスト「マイクロレジスト７５２」を乾燥後、片面膜厚３μｍになるように塗布、プレベークを行って、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液及びリンス液を用いて現像し、乾燥、ポストベークして、回路部以外の部分にレジストを形成した。次いで、室町化学工業社製無電解銅メッキ液「ＭＫ４００」を用いて、回路部に銅を３μｍ厚に無電解メッキした。この様にして得られた薄膜パターンを、ハーショウ村田社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、陰極の電流密度７Ａ／ｄｍ２の条件で銅を２２μｍ厚電解メッキを行って、均一な膜厚を有する１５本／ｍｍの両面スルーホール接続されたファインパターンを得た。」
（６）引用例６
（６−１）  特許請求の範囲
　「フィルム状基板の全面に膜厚５０Å〜１μｍの金属層を形成する段階と、回路部以外の部分にレジストを形成する段階と、回路部に無電解メッキで膜厚１〜１０μｍの導電体を形成する段階と、上記レジストを剥離する段階と、回路部以外の露出した上記金属層をエッチング除去する段階と、陰極電流密度３〜２０Ａ／ｄｍ２の条件で導電体を電解メッキする段階からなることを特徴とする厚膜ファインパターンの製法」
（６−２）　第１頁左下欄第１５〜１６行
　「本発明は、高密度、高信頼性の厚膜ファインパターンの製法に関するものである。」
（６−３）　第２頁左上欄第９〜１７行
　「本発明においては、まずフィルム状基板の全面に形成される金属層の膜厚が重要であり、欠陥のない均一な無電解メッキが可能で、かつ精度の良いエッチングが容易に行える為には、膜厚としては５０Åから１μｍ、特に１００Å〜１０００Åが好ましい範囲であり、膜厚が５０Å以下では欠陥のない均一な無電解メッキがむつかしく、１μｍ以上ではエッチングがやり難くなり、かつエッチング後の導電体の膜厚設定がむつかしくなる。」
（６−４）  第２頁左下欄第６〜１４行
　「本発明の厚膜ファインパターンは、フィルム状基板の片面だけに形成しても良いが、必要に応じて両面に形成しても良く、両面に形成する場合は金属層を形成する前に、フィルム状基板に穴あけし、スルーホール接続を行う必要がある。１枚のフィルム状基板の上に複数のパターンを形成する場合は、フィルム状基板の両面にパターンを形成し、スルーホール接続した方がつなぎ込みが容易であり好ましい。」
（６−５）　第２頁右下欄第１１〜１４行
　「本発明において行われる金属層を形成する方法としては、活性化処理した後に無電解メッキを行って良く、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法を用いても良い。」
（６−６）  第４頁左上欄第１３行〜同頁右上欄第１７行
　「実施例２　エッソ化学社製ポリパラバン酸フィルム「トラドロン」（膜厚２５μｍ）の両面に、ポスチック社製エポキシ−ニトリルゴム系接着剤「ＸＡ−５６４−４」を乾燥後膜厚が片面５μｍになるように塗布して、１８０℃で１０分間熱処理した。その後、パンチングでスルーホール部の穴あけを行い、銅を０．３μｍ厚両面に蒸着した後、イーストマンコダック社製ネガ型フォトレジスト「マイクロレジスト７５２」を乾燥後、片面膜厚５μｍになるように両面に塗布、プレベークを行って、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで両面位置合わせして露光し、専用の現像液及びリンス液を用いて現像し、乾燥、ポストベークして回路部以外の部分にレジストを形成した。次いで、室町化学工業社製無電解銅メッキ液「ＭＫ−４００」を用いて、回路部に銅を３μｍ厚無電解メッキし、上記レジストを専用の剥離液で剥離して、露出した上記蒸着銅を塩化第２鉄の塩酸水溶液でエッチング除去した。この様にして得られた薄膜パターンを、ハーショウ村田社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、陰極電流密度７Ａ／ｄｍ２の条件で銅を２２μｍ厚電解を行って、均一な膜厚を有しスルーホール接続された両面１５本／ｍｍのファインパターンを得た。」
（以下では、各引用例について摘記した上記（１−１）〜（６−６）の事項を、「摘記事項（１−１）〜（６−６）」という。）
　
５．対比・判断
５−１．訂正発明と引用例１記載の発明（以下、「引用発明」という。）との対比
（１）一致点
　摘記事項（１−５）によれば、引用発明における基板は、可撓性絶縁基板であって、その膜厚は５〜５０μｍであるから、これは本件発明における「厚さが６００μｍ以下の可撓性絶縁基板」に相当する。
　摘記事項（１−４）によれば、引用例１には、基板の両面に導体パターンを形成することが記載されている。
　摘記事項（１−９）によれば、引用発明は「５本／ｍｍ以上」の厚膜ファインパターン回路に係るものであり、この「５本／ｍｍ以上」は、本件発明における「３本／ｍｍ以上」に相当する。
　摘記事項（１−４）、（１−１２）によれば、引用例１には、基板にスルーホールを形成することが記載されている。（前記高裁判決においては、摘記事項（１−１２）における「穴あけ」によって得られた穴は「スルーホール」であるとの認定がなされている。）
　引用発明におけるファインパターンは、摘記事項（１−１１）によれば、導体間隔８μｍ、膜厚７５μｍ、１０本／ｍｍのものを、また、摘記事項（１−１２）によれば、導体間隔３μｍ、膜厚１４０μｍ、８本／ｍｍのものをそれぞれ得ている。そして、前者の場合、導体配線ピッチは、１ｍｍ（＝１０００μｍ）／１０本＝１００μｍ／本であるから、導体配線ピッチに対する導体膜厚の比は、７５μｍ（膜厚）／１００μｍ（導体配線ピッチ）＝０．７５であり、後者の場合、導体配線ピッチは、１ｍｍ（＝１０００μｍ）／８本＝１２５μｍであるから、導体配線ピッチに対する導体膜厚の比は、１４０μｍ（膜厚）／１２５μｍ（導体配線ピッチ）＝１．１２である。そうすると、引用発明における「ファインパターン」は、本件発明におけるような「導体配線ピッチに対する導体膜厚の比が０．５０以上」という条件を満たしている。
　上記の事項を勘案すると、両者は次の構成の点で一致する。
〈一致点〉
  「厚さが６００μｍ以下の可撓性絶縁基板の両面に導体パターンが形成され、その少なくとも片面の導体パターンは導体配線密度３本／ｍｍ以上、導体配線ピッチに対する導体膜厚の比が０．５０以上であり、その両面間の導体パターンを電気的に接続するスルーホールが形成されたプリント厚膜微細パターン導体。」
る。
（２）相違点
　両者は次の点で、一応の相違点がある。
（２−１）相違点Ａ
　訂正発明が、「両面間の導体パターンを電気的に接続するスルーホールが形成され（ただし、その電気的接続にあたり蒸着を行った場合を除く）」を構成要件としているのに対し、引用例には、スルーホールの電気的接続については「蒸着を行った場合を除く」ことについて特に記載がない点。
（２−２）相違点Ｂ
　訂正発明が、スルーホールの内壁の導体厚の導体配線ピッチに対する比を「０．２５〜２．５」としているのに対し、引用例１には、「スルーホールの内壁の導体厚の導体配線ピッチに対する比」については特に記載がない点。
　
５−２．相違点についての検討
（１）相違点Ａについて
　引用例１には、スルーホールを設けた場合の具体例として実施例２が示されており、この実施例２は、穴あけ後の基板に銅蒸着によって「薄膜導電体」を形成した後、電解メッキによって厚膜を形成しているものである（摘記事項（１−１２）参照）。
　しかるに、引用例１には、「薄膜導電体を形成する方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法、無電解メッキによる方法、銅薄膜を貼る方法などがあり、この薄膜導電体は、従来公知のフォトエッチング法などにより、電解メッキ前にファインパターン状にパターニングされていても良く、また薄膜導電体上にフォトレジストでマスクを形成して、ファインパターンに電解メッキを行った後、ファインパターン以外の薄膜導電体をエッチングなどにより除去しても良い。」（摘記事項（１−６）参照）との記載があり、また、引用例１の実施例１においては、基板を表面処理した後に無電解銅メッキ（膜厚２μｍ）を施し、次いでフォトエッチングにより薄膜導電体パターンを形成していることからすると、引用例１には、「薄膜導電体」を形成する方法としては、「蒸着」法のみではなく、無電解メッキ法等でも良いことが開示されているものと認められる。
　更に、引用例１には、スルーホールを設ける場合においては、「薄膜導電体」を形成する方法としては「蒸着」法を採用しなければならない旨の記述は特にない。
　そうすると、引用例１には、スルーホールを設ける場合の例（実施例２）として、「薄膜導電体」を「蒸着」法によって形成するものが具体的には示されているにしても、このような例が記載されていることをもって、引用例１は、スルーホールを設ける場合においては、「薄膜導電体」を「蒸着」法によって形成しなければならないことまでをも積極的に開示していると解するべきではない（因みに、引用例１には、「以下に本発明の態様を一層明確にする為に、実施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。」（摘記事項（１−１０）参照）との記載もある。）。
　また、引用例２には、スルーホールを金属化処理する方法としては、化学的還元、蒸着メッキ、真空蒸着等の方法があるが、最適の方法は銅の化学的還元であることが記載されており（摘記事項（２−３）参照）、また、引用例３には、スルーホールの電気めっき加工のために基板に導電性を付与するための金属化処理方法として無電解メッキ法が適用できることが記載されている（摘記事項（３−１）参照）。
　そうすると、引用例２、３によれば、スルーホールの金属化処理としては無電解メッキ法のような「蒸着」によらない方法も周知のものであるといえる。
　更に、引用例５には、スルーホールを形成した基板に、無電解メッキに対する活性化処理を施して、次いで無電解メッキによって３μｍ厚の銅の薄膜パターンを形成した後、銅を２２μｍ厚電解メッキを行うことが記載されており（摘記事項（５−６）参照）、引用例６には、基板を金属化して後、無電解メッキし、次いで電解メッキすることにより厚膜ファインパターンを形成する方法において、基板を金属化処理する方法としては、基板表面に金属を蒸着する方法と、基板表面を活性化処理した後に無電解メッキを行う方法のいずれもが採用し得ることが記載されている（摘記事項（６−５）参照）。
　上記引用例５、６によれば、無電解メッキ層を形成して後、電解メッキによって厚膜ファインパターンを形成する場合においては、無電解メッキ工程の前に銅蒸着工程を採用する方法も、該蒸着工程を採用しない方法（具体的には、活性化処理をして無電解メッキする方法）も、いずれも公知であることが認められる。
　上記のことを勘案すると、引用例１には、スルーホールについて、蒸着工程を伴うことなく電気的接続を行うことが実質的には開示されているとすることができるから相違点Ａは実質的な相違点ではないか、又は、スルーホールについて、蒸着工程を採用することなく電気的接続を行うことは引用例２、３、５、６の記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められるから、相違点Ａは格別のものではない。
〈被請求人の主張について〉
　被請求人は、平成１２年５月２９日付意見書において、引用例１の実施例２において銅蒸着に代えて電解メッキ法を採用することは不可能であるとし、その理由として、概略次のことを述べている（意見書第５頁第２２行〜第６頁第１４行参照）。
「実施例２で得られたファインパターンは、導体間隔３μｍ、膜厚１４０μｍ、８本／ｍｍという極めて高密度、かつ厚膜のパターンである。
　このようなファインパターンを短絡なく高信頼性のものとして得るためには、基板の金属化手段は実施例２のように膜厚０．３μｍという非常に薄い導体膜を形成する必要がある。
　この導体薄膜上に、後工程の電解メッキによって１４０μｍの膜厚の導体パターンを形成した後、３μｍの導体間に残留するレジスト及び導体薄膜は、最終段階でエッチングにより除去されるが、この除去は、１４０μｍの高さをもつ導体の間のわずか３μｍの隙間の基体に残留するレジスト及び導体薄膜をエッチング等により取り去るというものであるから、容易にエッチングされるように薄くする必要がある。
　そのために、表面部の均一成膜性に非常に優れた蒸着が採用されている。
　実施例２のように０．３μｍという非常に薄い膜厚の形成をもし無電解メッキにより行った場合には、基板表面の均一な金属化を確保することはできず、その後の電解メッキでメッキ膜厚が不均一になってしまい、到底実施例２で得られたような信頼性の高いファインパターンを得ることができない。」
  そこで、上記被請求人の主張について検討するに、引用例１の実施例２には、スルーホールを有し、かつ、導体間隔３μｍ、膜厚１４０μｍ、８本／ｍｍという高密度、かつ厚膜のパターンを形成する場合についての例が示されており、この場合に、「蒸着」を工程として採用したことが示されている。
　しかるに、摘記事項（１−１）に見られるように、引用発明は導体間隔０．５μｍ以上１０μｍ未満、導体厚１５〜２００μｍ、５本／ｍｍ以上の厚膜パターンに係る発明であること及び引用例１の実施例１においては、「導体間隔８μｍ、膜厚７５μｍ、１０本／ｍｍ」のものが示されていることからして、引用発明は、その実施例２に例示されているような「導体間隔３μｍ、膜厚１４０μｍ、８本／ｍｍ」の厚膜パターンのみに係る発明ではないことは明らかである。また、引用例１には、「薄膜導電体」を形成する方法は、「蒸着」に限られるものではなく、無電解メッキ法でも良いことが開示されていること及び引用例１には、スルーホールを設ける場合においては、「薄膜導電体」を形成するには「蒸着」法を採用しなければならないことが積極的に開示されているとするべきでないことはそれぞれ前述したとおりである。
　してみれば、引用例１の実施例２の記載をもって、引用発明は特に「導体間隔３μｍ、膜厚１４０μｍ、８本／ｍｍ」の厚膜パターンに係るものであるとすることはできないし、また、引用発明においては、「蒸着」工程を採用することが必要とされており、電気的接続にあたって「蒸着」を行わない場合が排除されている、とすることはできない。
　上記のとおりであるから、被請求人の前記主張は採用できない。
（２）相違点Ｂについて
　相違点Ｂについては、前記「高裁判決」において、「甲第５号証（本件における引用例１）には、本件発明にいうスルーホール内壁導体厚／導体配線ピッチが「０．２５〜２．５」の範囲内のものが実質的に開示されている。」との認定がなされている。
　その認定の理由は概略次のとおりのものである。（以下では、判決書中の「甲第５号証」、「甲第１３号証」及び「甲第２１号証」はそれぞれ上記「引用例１」、「引用例２」及び「引用例４」に相当するので、「甲第５号証」、「甲第１３号証」及び「甲第２１号証」をそれぞれ「引用例１」、「引用例２」及び「引用例４」と表記した。）
〈理由の概要〉
「・本件発明と引用例１記載の技術とを対比すると、両者は、厚さが２５μｍの可撓性絶縁基板の両面に導体パターンが形成され、その両面の導体パターンは、導体配線密度が８本／ｍｍ、パターン導体膜厚／導体配線ピッチが１．１２であり、その両面間の導体パターンを電気的に接続するスルーホールが形成されるプリント厚膜微細パターン導体である点で一致することは、当事者間に争いがない。
　・引用例１記載の技術においては、上記のとおり導体配線ピッチが１２５μｍであるから、スルーホール内壁膜厚が３１．２５μｍ以上、３１２．５μｍ以下であれば、本件発明のスルーホール内壁導体厚／導体配線ピッチが「０．２５〜２．５」との要件を具備することになる。
　・引用例１における「膜厚１４０μｍ」という記載は、少なくとも回路板表面の膜厚を示していることは明らかであるが、スルーホールの内壁の導体厚がどのようなものであるかについては引用例１の記載自体からは明らかでない。
　・当業者が、本件発明の特許出願当時の技術水準において、引用例１の記載に接した場合に、スルーホールの内壁の導体厚をどのように理解するかについて考察する。
　・引用例２には、「スルー・ホールめっきの目的は次のとおりである。１．必要な電気的特性を満足するような両面間の接続をすること。」（５−５頁６行及び７行）との記載、「第５．１表　スルー・ホールめっきの必要条件」として、「２．内壁および表面のメッキ厚さの均一なこと。３．内壁と表面とのメッキ厚さの比率が１：１に近いこと。」（５−５頁下から８行及び７行）との記載、「銅の電気めっき」の項には、「我々は回路板上のめっきの平均厚さを見積るが、局部的な（特にスルー・ホールめっきの）厚さは予想より少なくなりやすい。」（５−２６頁下から６行ないし４行）との記載、「１５．ピロリン酸銅」の項には、「現在のところ、ピロリン酸銅法はスルー・ホールめっき回路板の要求をだいたい満足させている。表面厚さと穴の内壁の厚さとの比は１：１に非常に近い値が得られ、」（５−２７頁下から４行ないし２行）との記載があることが認められ、上記記載によれば、昭和４４年頃には、本件発明のようなプリント基板の製造業界において、プリント基板の必要な電気的特性を満足するようなスルーホールの技術が求められており、そのために、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率を１：１に近づけることが必要であること、一般的には、スルーホールの内壁の導体厚がパターン導体膜厚より薄くなる傾向にあるが、ピロリン酸銅法を用いた場合、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率が１：１に近い値が得られていたことが認められる。
　・また、引用例４には、「本調査の目的は、昭和５８年度における当該業種の実態を明らかにするとともに・・・」（１頁下から３行及び２行）、「調査方法は書面調査とし、１７２企業を対象として実施した。また回収状況は次の通りである。」（２頁２行及び３行）、「回収企業数　１４６企業」（２頁４行及び５行）との記載があり、また、「性能と品質」の項には、「昭和５９年度から新たな近代化計画が発足するが、今回からプリント配線基板としては導体層数の制限はなくなり、このような状況における業界の実体の調査を行った。そのうちの性能、品質に関しては表８−３から表８−６で昭和５８年度と昭和６４年度末において最も多く製造しているプリント配線基板の品質・性能について、それぞれ片面板、両面板（めっきスルーホールをもつもの）、多層板（３〜４層）、多層板（５層以上のもの）とに分けて示した。」（１０３頁１１行ないし１７行）との記載があり、「表８−４　両面板（スルーホールめっきあり）の品質・性能」には、昭和５８年度（基準年度実績）において、メッキが銅の場合で、穴内／表面の厚さの比について、中小企業で「０．９０」、大企業で「０．９５」、全体で「０．９０」となっていることが示されている。
　上記記載によれば、昭和５８年度には、プリント基板の製造業界において、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率が一般的に少なくとも０．９となっている両面スルーホール基板が、量産品として製造販売されていたことが認められる。
　・上記認定の事実によれば、本件発明の特許出願当時において、両面スルーホール基板の必要な電気的特性を満足するために、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率を１に近づける必要があり、少なくとも０．９という数値を達成し得ることは、当業者の間で周知の事実であったものと認められる。
　・一方、引用例１は、「厚膜ファインパターン」の発明に係るものであるところ、同号証には、「本発明は高密度、高信頼性の厚膜ファインパターンに関するものである。」との記載があり、上記認定の事実に照らせば、引用例１記載の技術においても、高信頼性のプリント基板を製造する上で、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率を１に近づける必要があることは変わらないものと認められる。
　・そうすると、当業者は、本件発明の特許出願当時に、引用例１の記載に接したとき、当然に、引用例１記載のスルーホールの内壁の導体厚について、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率が少なくとも０．９となっているものを想起するものというべきである（逆にいえば、当業者の認識から、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率が０．９のものが排除されるということはない。）。
　・以上認定したとおり、本件発明の特許出願当時の技術水準に照らせば、当業者は、当然に、引用例１記載のスルーホールの内壁の導体厚について、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率が少なくとも０．９となっているものを想起するのであるから、引用例１には、本件発明にいう内壁導体厚／導体配線ピッチが「０．２５〜２．５」の範囲内のものが開示されているのと等しいものと認められる。」
　そして、当審も上記のとおりと認めるので、相違点Ｂは実質的な相違点ではない。
　また、相違点Ｂを実質的な相違点であるとした場合でも、次の理由によりこの相違点は格別のものであるとすることはできない。
　引用例１の実施例２においては、０．３μｍ厚の蒸着後、ピロリン酸銅メッキ液を用いて１４０μｍ厚電解メッキを行って、膜厚１４０μｍ、８本／ｍｍの両面スルーホール接続されたファインパターンを得ている
　一方、引用例２には、両面スルーホール基板の必要な電気的特性を満足するために、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率を１に近づける必要があることが記載され（摘記事項（２−２）参照）、また、引用例４には、前記比率が「０．９」、「０．９５」のものが量産品として製造販売されていることが記載されている（摘記事項（４−４）参照）。
　引用例２、４に記載のものは一般のプリント配線基板に係るものであって、厚膜ファインパターンに係るものではないが、引用発明においても、スルーホールは電気的接続を図ることを目的としていることは明らかであるから、そのスルーホールの内壁の導体厚を設定するに際して、上記引用例２、４に記載の事項を考慮に入れてスルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率を１に近づけるようにすることは当業者が容易に想到し得たことと認める。
　そして、引用例１記載のものにおいて、スルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率を１にすると、そのスルーホールの内壁の導体厚は１４０μｍとなり、導体配線ピッチは１０００μｍ／８本＝１２５μｍであることから、導体配線ピッチに対する導体膜厚の比は、１４０μｍ（膜厚）／１２５μｍ（導体配線ピッチ）＝１．１２となり、この数値は、本件発明が規定している「０．２５〜２．５」の範囲内に入ることとなる。
　そうすると、本件発明におけるスルーホールの内壁の導体厚の導体配線ピッチに対する比である「０．２５〜２．５」という数値範囲は、引用例２、４に記載の事項に基づいて当業者がスルーホールの導体厚を設定した場合に、その結果として自ずと採用されることとなる数値を包含するものとなり、このような数値を採用することは当業者が容易に想到し得たこととせざるをえない。
　因みに、同じく厚膜ファインパターンに関するものである引用例５、６に記載のものについてみると、引用例５の実施例２においては、３μｍ厚の無電解メッキ後に、ピロリン酸銅メッキ液を用いて２２μｍ厚の電解メッキを行い、１５本／ｍｍの両面スルーホール接続されたファインパターンを得ており（摘記事項（５−６）参照）、引用例６の実施例２においては、０．３μｍ厚の蒸着後、３μｍ厚の無電解メッキを行い、次いで、ピロリン酸銅メッキ液を用いて２２μｍ厚電解メッキを行って、１５本／ｍｍの両面スルーホール接続されたファインパターンを得ている（摘記事項（５−６）参照）。
　そして、引用例５、６に記載のものにおいても、引用例２、４の記載に基づいてスルーホールの内壁の導体厚とパターン導体膜厚との比率を１にすると、そのスルーホールの内壁の導体厚は略２５μｍ（＝２２μｍ＋３μｍ）程度のものとなり、導体配線ピッチは１０００μｍ／１５本＝６７μｍであることから、導体配線ピッチに対する導体膜厚の比は、２５μｍ（膜厚）／６７μｍ（導体配線ピッチ）＝０．３７となり、この数値も、本件発明が規定している「０．２５〜２．５」の範囲内には入ることとなる。
　上記のとおりであるから、相違点Ｂは格別のものではない。
（３）まとめ
　従って、訂正発明は引用例１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
IV．むすび
　
　上記のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２６条第４項の規定に適合しない。
　よって、結論のとおり審決する。