【事件の表示】
　特願２００９−５１２１５５「固体発光デバイス、および、それを製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月　６日国際公開、ＷＯ２００７／１３９８９４、平成２１年１１月　５日国内公表、特表２００９−５３８５３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年（２００７年）５月２４日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００６年５月２６日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年５月２２日に手続補正がなされ、平成２３年１０月１７日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年４月１９日に誤訳訂正書による手続補正がなされたが、同年１０月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月２８日に拒絶査定不服審判が請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２５年２月２８日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項につき、補正前（平成２４年４月１９日の誤訳訂正後のもの。）の
「【請求項１】固体発光デバイスであって、
　第１の要素と、
　少なくとも１つの発光活性層構造からなる第１の構造と、
　少なくとも１つのルミファー及び少なくとも１つの包囲体領域から選択された少なくとも１つの第２の構造と
を備え、
　前記第１の要素が前記第２の構造及び前記発光活性層構造の間に配置されて、該発光活性層構造から発せられた光の少なくとも一部分が、前記第１の要素を通過し、その後に前記第２の構造を通過するよう構成され、
　前記発光活性層構造は、活性層の第１の側と第２の側とを有し、
　前記第１の要素は、対向する第１の側と第２の側とを有し、
　前記第１の要素の少なくとも第１の領域は屈折率勾配を有し、
　前記第１の要素の前記第２の側は、前記発光活性層構造の前記第１の側の上にあることを特徴とする固体発光デバイス。」
であったものを
「【請求項１】固体発光デバイスであって、
　第１の要素と、
　少なくとも１つの発光活性層構造と、
　少なくとも１つのルミネッセント要素及び少なくとも１つの包囲体領域から選択された少なくとも１つの第２の構造と
を備え、
　前記第１の要素が前記第２の構造及び前記発光活性層構造の間に配置されて、該発光活性層構造から発せられた光の少なくとも一部分が、前記第１の要素を通過し、その後に前記第２の構造を通過するよう構成され、
　前記発光活性層構造は、活性層の第１の側と第２の側とを有し、
　前記第１の要素は、第１の要素の第１の側と、該第１の側に対向する第２の側とを有し、
　前記第１の要素の少なくとも第１の部分は、少なくとも前記第１の要素の前記第１の部分の第１の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第２の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第３の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第４の領域と、を備え、前記発光活性層構造から出射され前記第１の要素の前記第１の部分を通過する光は、連続して、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第１の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第２の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第３の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第４の領域を通過し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第１の領域は第１の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第２の領域は第２の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第３の領域は第３の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第４の領域は第４の屈折率を有し、前記第１の屈折率は前記第２の屈折率よりも大きく、前記第２の屈折率は前記第３の屈折率より大きく、前記第３の屈折率は前記第４の屈折率よりも大きく、
　前記第１の要素の前記第２の側は、前記発光活性層構造の前記第１の側の上にある、
ことを特徴とする固体発光デバイス。」
に補正することを含むものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１に関して、「ルミファー」であったものを、「ルミネッセント要素」と補正し、「前記第１の要素は、対向する第１の側と第２の側とを有し」であったものを、「前記第１の要素は、第１の要素の第１の側と、該第１の側に対向する第２の側とを有し」と補正して不明確な記載を釈明し、あわせて、「前記第１の要素の少なくとも第１の領域は屈折率勾配を有し」であったものを、「前記第１の要素の少なくとも第１の部分は、少なくとも前記第１の要素の前記第１の部分の第１の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第２の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第３の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第４の領域と、を備え、前記発光活性層構造から出射され前記第１の要素の前記第１の部分を通過する光は、連続して、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第１の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第２の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第３の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第４の領域を通過し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第１の領域は第１の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第２の領域は第２の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第３の領域は第３の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第４の領域は第４の屈折率を有し、前記第１の屈折率は前記第２の屈折率よりも大きく、前記第２の屈折率は前記第３の屈折率より大きく、前記第３の屈折率は前記第４の屈折率よりも大きく」と補正して、第１の領域の屈折率勾配に係る構成を限定することを含むものである。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び、同項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
ア　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記（１）において補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
イ　刊行物の記載及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開２００６−１２８２９６号（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【請求項１】発光層を含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層と、該窒化ガリウム系化合物半導体層の一方主面の中央部に形成され、前記発光層を貫通した凹部と、該凹部の底部において前記窒化ガリウム系化合物半導体層の他方主面側の層に電気的に接続された導電性反射層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の前記一方主面の前記凹部を除く領域に形成された透光性導電層とを具備しており、前記導電性反射層は、前記発光層と対向する側面を有しており、該側面は前記発光層から入射した光を前記一方主面側に反射する斜面となっていることを特徴とする発光素子。・・・
【請求項５】前記透光性導電層の上または前記窒化ガリウム系化合物半導体層との間に反射防止層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の発光素子と、該発光素子の周囲に設けた、前記発光層に沿って出射される光を前記一方主面側に反射する反射面と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体および燐光体の少なくとも一方とを具備することを特徴とする照明装置。」（特許請求の範囲）
　
（イ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】以下、本発明の発光素子およびそれを用いた照明装置について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２５】図１は本発明の発光素子の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。また、図２は図１に示す発光素子Ｌ１の模式的な平面図である。また、図３は本発明の照明装置の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。これらの図において同様の箇所には同一の符合を付し、重複する説明を省略する。
【００２６】図１および図２において、１は窒化ガリウム系化合物半導体層であり、１ａは発光層，１ａ１は発光層１ａの端面，１ｂは第１導電型半導体層，１ｃは第２導電型半導体層，１ｂ１は窒化ガリウム系化合物半導体層１の一方主面，１ｃ１は窒化ガリウム系化合物半導体層１の他方主面であり、２は透光性導電層，３は導電性反射層，３ａは導電性反射層３に設けられた斜面，３ｂは導電性反射層３の頂部，３ｃは導電性反射層３の基部，４は窒化ガリウム系化合物半導体層１をエピタキシャル成長するために用いた基板とは異なる基体，５は反射防止層であり、６ａ，６ｂは電極パッド，７は窒化ガリウム系化合物半導体層１の中央部に形成された凹部，７ａは凹部７の底部である。なお、図２において、電極パッド６ａ，６ｂの図示を省略した。
【００２７】また、図３において、８は反射部材，８ａは反射部材８の反射面，９は蛍光体，10は絶縁性基台、11ａ，11ｂは導体パターンである。
【００２８】図１に示すように、本発明の発光素子Ｌ１は、発光層１ａを含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層１と、この窒化ガリウム系化合物半導体層１の一方主面１ｂ１の中央部に形成され、発光層１ａを貫通した凹部７と、この凹部７の底部７ａにおいて窒化ガリウム系化合物半導体層１の他方主面１ｃ１側の層、この例では第２導電型半導体層１ｃに電気的に接続された導電性反射層３と、窒化ガリウム系化合物半導体層１の一方主面１ｂ１の凹部７を除く領域に形成された透光性導電層２とを具備しており、導電性反射層３は、発光層１ａと対向する側面を有しており、この側面は発光層１ａから入射した光を反射する斜面３ａとなっている構成である。」
　
（ウ）「【００５０】また、本発明の発光素子Ｌ１は、透光性導電層２の上または窒化ガリウム系化合物半導体層１との間に反射防止層（図示せず）を形成してもよい。
【００５１】反射防止層は、窒化ガリウム系化合物半導体層１上の透光性導電層２の上または窒化ガリウム系化合物半導体層１との間に、例えば石英（ＳｉＯ２），アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）またはポリカーボネート等の誘電体を単層もしくは多層に形成すればよい。この場合には、窒化ガリウム系化合物半導体層１側から次第に屈折率が小さくなるようにしたり、反射防止層の膜厚を発光層１ａで発生した紫外〜近紫外光の反射防止層内における波長の４分の１程度となるようにしたりすればよい。これにより、反射防止層内において多重反射する光が互いに弱め合って干渉しやすくなり、定在波が発生しにくくなる。」
　
（エ）「【００５８】次に、図１および図２に示す本発明の発光素子Ｌ１を用いた本発明の照明装置について説明する。図３は本発明の照明装置の実施の形態の一例を示す模式的な断面図である。図３に示すように、本発明の照明装置は、図１および図２に示す本発明の発光素子Ｌ１と、発光層１ａに沿って出射される紫外〜近紫外光、すなわち窒化ガリウム系化合物半導体層１の端面１ａ１から取り出される（出射される）紫外〜近紫外光を一方主面１ｂ１側に反射する、この発光素子Ｌ１の周囲に設けた反射面８ａと、発光素子Ｌ１からの発光を受けて白色光等の可視光を発する蛍光体または燐光体、この例では蛍光体９とを具備する構成である。
【００５９】発光素子Ｌ１は透光性導電層２および導電性反射層３が形成されている側の面を上にして窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の熱伝導の高い絶縁性基台10上に配置され、絶縁性基台10上に形成された導体パターン11ａ，11ｂと電極パッド６ａ，６ｂとが電気的に接続されている。また、絶縁性基台10上には発光素子Ｌ１の周囲を囲うように反射部材８を設けており、反射部材８の発光素子Ｌ１側の側部は、発光素子Ｌ１からの光を上方、すなわち一方主面１ｂ１側に反射するような斜面からなる反射面８ａを設けている。この反射面８ａは、発光素子Ｌ１の端面１ａ１から出射される光を効率良く一方主面１ｂ１側に反射するために、基台10に対して約45度の斜度となっていることが好ましい。このような反射部材８は、導電性反射層３と同様の材質であるかまたは反射面８ａがその材質でコーティングされているものを用いればよい。このような発光素子Ｌ１および反射面８ａを覆うように、発光素子Ｌ１の実装面の反対側、すなわち一方主面１ｂ１側から蛍光体９を設けている。
【００６０】このような本発明の照明装置は、発光素子Ｌ１の光取り出し面側に、例えば蛍光体９を設けた構成において、発光素子Ｌ１が例えば波長350〜400ｎｍの紫外〜近紫外光で発光し、蛍光体９が励起光であるその発光を受けて例えば白色光を発することによって照明装置としての動作をする。
【００６１】本発明の照明装置は、このような構成とすることから、発光素子Ｌ１の一方主面１ｂ１側から取り出した紫外〜近紫外光に加え、発光層１ａに沿って出射される光、すなわち発光素子Ｌ１の端面１ａ１から取り出した光を反射面８ａにより一方主面１ｂ１側に反射させた光によっても蛍光体（または燐光体）９を強く励起するため、小さい電力で良好な照度を得ることができるものとなる。また、このような本発明の照明装置は、従来の蛍光灯や放電灯等よりも省エネルギー性や小型化に優れたものとなり得て、蛍光灯や放電灯等に置き換えることができるものとなる。
【００６２】かくして、本発明によれば、光取り出し効率がより大きく改善され、小さい電力で高い発光強度を得ることができる高性能な発光素子およびその高性能な発光素子を用いた照明装置を提供することができる。
【００６３】なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更・改良を施すことは何等差し支えない。例えば、反射防止層は凹部７の側面の発光層１ａが露出している部位にも形成してもよい。この場合には、発光層１ａから導電性反射層３側への透過率が高くなるため、発光層１ａに沿って導電性反射層３側に伝搬してきた光を多く凹部７の側面に露出する発光層１ａの端面から取り出すことができるとともに、この取り出した光を斜面３ａに入射させ、斜面３ａで反射して一方主面１ｂ１側から取り出すことができるので、光取り出し効率をさらに高くすることができる。」
　
（オ）図１及び３は、次のものである。
　
（カ）引用発明
ａ　上記（ア）によれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる。
「発光層を含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層と、該窒化ガリウム系化合物半導体層の一方主面の中央部に形成され、前記発光層を貫通した凹部と、該凹部の底部において前記窒化ガリウム系化合物半導体層の他方主面側の層に電気的に接続された導電性反射層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の前記一方主面の前記凹部を除く領域に形成された透光性導電層とを具備しており、前記導電性反射層は、前記発光層と対向する側面を有しており、該側面は前記発光層から入射した光を前記一方主面側に反射する斜面となっていて、
　前記透光性導電層の上または前記窒化ガリウム系化合物半導体層との間に反射防止層が形成される発光素子と、
　該発光素子の周囲に設けた、前記発光層に沿って出射される光を前記一方主面側に反射する反射面と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体とを具備する照明装置。」
　
ｂ　上記（ウ）によれば、ａの発明の反射防止層は、窒化ガリウム系化合物半導体層１上の透光性導電層２の上または窒化ガリウム系化合物半導体層１との間に、窒化ガリウム系化合物半導体層１側から次第に屈折率が小さくなるように多層に形成するものであるから、窒化ガリウム系化合物半導体層上の透光性導電層と窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、窒化ガリウム系化合物半導体層側から次第に屈折率が小さくなるように多層に形成するものであってよい。
　
ｃ　上記（エ）によれば、ａの発明の蛍光体９は、発光素子Ｌ１および反射面８ａを覆うように、発光素子Ｌ１の実装面の反対側である一方主面１ｂ１側に設けてもよい。
　
ｄ　上記ａないしｃによれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
「発光層を含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層と、該窒化ガリウム系化合物半導体層の一方主面の中央部に形成され、前記発光層を貫通した凹部と、該凹部の底部において前記窒化ガリウム系化合物半導体層の他方主面側の層に電気的に接続された導電性反射層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の前記一方主面の前記凹部を除く領域に形成された透光性導電層とを具備しており、前記導電性反射層は、前記発光層と対向する側面を有しており、該側面は前記発光層から入射した光を前記一方主面側に反射する斜面となっていて、
　前記透光性導電層の上または前記窒化ガリウム系化合物半導体層との間に反射防止層が形成される発光素子と、
　該発光素子の周囲に設けた、前記発光層に沿って出射される光を前記一方主面側に反射する反射面と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体とを具備する照明装置であって、
　前記反射防止層は、前記窒化ガリウム系化合物半導体層上の前記透光性導電層と前記窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、前記窒化ガリウム系化合物半導体層側から次第に屈折率が小さくなるように多層に形成し、
　前記蛍光体は、前記発光素子および前記反射面を覆うように、前記発光素子の実装面の反対側である一方主面側に設けた照明装置。」
　
ウ　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「（発光層を含むエピタキシャル成長させた）窒化ガリウム系化合物半導体層」、「（窒化ガリウム系化合物半導体層の）『一方主面側』及び『他方主面側』」及び「照明装置」は、本願補正発明の「発光活性層構造」、「（発光活性層構造が有する、活性層の）『第１の側』及び『第２の側』」及び「固体発光デバイス」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明の反射防止層は、窒化ガリウム系化合物半導体層上の透光性導電層と窒化ガリウム系化合物半導体層との間に形成されるものであり、引用発明の蛍光体は、発光素子および反射面を覆うように、発光素子の実装面の反対側である一方主面側に設けるものであるから、引用発明の固体発光デバイスは、反射防止層と、反射防止層が蛍光体及び窒化ガリウム系化合物半導体層の間に配置されて、窒化ガリウム系化合物半導体層から発せられた光の少なくとも一部分が、前記反射防止層を通過し、その後に前記蛍光体を通過するよう構成され、前記反射防止層は、反射防止層の一方主面側及び他方主面側とを有し、前記反射防止層の他方主面側は窒化ガリウム系化合物半導体層上の一方主面側の上にあるものであるといえる。
　そうすると、引用発明の「反射防止層」及び「蛍光体」は、それぞれ、本願発明の「第１の要素」及び「第２の構造」に相当し、引用発明は、本願発明の「第１の要素と、前記第１の要素が第２の構造及び発光活性層構造の間に配置されて、該発光活性層構造から発せられた光の少なくとも一部分が、前記第１の要素を通過し、その後に前記第２の構造を通過するよう構成され、前記第１の要素は、第１の要素の第１の側と、該第１の側に対向する第２の側とを有し、前記第１の要素の前記第２の側は、前記発光活性層構造の前記第１の側の上にある」との構成を備える。
　
（ウ）以上によれば両者は、
「固体発光デバイスであって、
　第１の要素と、
　少なくとも１つの発光活性層構造と、
　少なくとも１つのルミネッセント要素及び少なくとも１つの包囲体領域から選択された少なくとも１つの第２の構造と
を備え、
　前記第１の要素が前記第２の構造及び前記発光活性層構造の間に配置されて、該発光活性層構造から発せられた光の少なくとも一部分が、前記第１の要素を通過し、その後に前記第２の構造を通過するよう構成され、
　前記発光活性層構造は、活性層の第１の側と第２の側とを有し、
　前記第１の要素は、第１の要素の第１の側と、該第１の側に対向する第２の側とを有し、
　前記第１の要素の前記第２の側は、前記発光活性層構造の前記第１の側の上にある、
固体発光デバイス。」で一致し、
　
　本願補正発明の「第１の要素」は、「第１の要素の少なくとも第１の部分は、少なくとも前記第１の要素の前記第１の部分の第１の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第２の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第３の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第４の領域と、を備え、前記発光活性層構造から出射され前記第１の要素の前記第１の部分を通過する光は、連続して、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第１の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第２の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第３の領域を通過し、その後に前記第１の要素の前記第１の部分の前記第４の領域を通過し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第１の領域は第１の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第２の領域は第２の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第３の領域は第３の屈折率を有し、前記第１の要素の前記第１の部分の前記第４の領域は第４の屈折率を有し、前記第１の屈折率は前記第２の屈折率よりも大きく、前記第２の屈折率は前記第３の屈折率より大きく、前記第３の屈折率は前記第４の屈折率よりも大き」いのに対して、引用発明の「反射防止層」は「窒化ガリウム系化合物半導体層側から次第に屈折率が小さくなるように多層に形成」されたものであるところ、このようなものであるのか明らかではない点（以下「相違点」という。）で相違するものと認められる。
　
エ　判断
　上記相違点について検討する。
（ア）上記イ（ウ）によれば、引用発明の「反射防止層」は、窒化ガリウム系化合物半導体層上の透光性導電層と窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、窒化ガリウム系化合物半導体層側から次第に屈折率が小さくなるように多層に形成したものであるから、透光性導電層と窒化ガリウム系化合物半導体層との間の、窒化ガリウム系化合物半導体層側から次第に屈折率が小さくなるように多層に形成した部分を備え、当該反射防止層の部分は、窒化ガリウム系化合物半導体層上の透光性導電層と窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、窒化ガリウム系化合物半導体層側から次第に屈折率が小さくなる複数の層（領域）を備えるものであるから、「反射防止層」の上記複数の層（領域）は、窒化ガリウム系化合物半導体層から出射され上記反射防止層の上記部分を通過する光は、連続して、次第に屈折率が小さく複数の層（領域）を順次通過し、次第に屈折率が小さくなる複数の層（領域）は、それぞれ次第に小さくなる屈折率を有するものといえる。
　
（イ）ここで、引用発明の「反射防止層」が、次第に屈折率が小さくなる複数の層（領域）を何層備えるか特定されるものではないが、多層であることに照らして、引用発明の「反射防止層」を、窒化ガリウム系化合物半導体層上の透光性導電層と窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、窒化ガリウム系化合物半導体層側から次第に屈折率が小さくなる４層（領域）を備えるものとなすことに格別困難があるものとは認められない。
　また、本願明細書において、本願補正発明における「第１の要素」が、「第１の要素の少なくとも第１の部分は、少なくとも前記第１の要素の前記第１の部分の第１の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第２の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第３の領域と、前記第１の要素の前記第１の部分の第４の領域と」を備えることに関する技術的意義を説明する記載は見当たらない。
　
（ウ）してみると、相違点に係る本願補正発明の構成は、引用発明における、窒化ガリウム系化合物半導体層側から次第に屈折率が小さくなるように多層に形成した反射防止層の具体的な層の数について、当業者が設計上適宜定め得る事項を特定したにすぎない。
　
オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年４月１９日に誤訳訂正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　前記第２、（３）イのとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２、２（２）補正の目的」のとおり、本願補正発明は、本願発明に限定を付加したものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加した本願補正発明が、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである以上、上記第２、２（３）での検討と同様の理由により、本願発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。