【手続補正書】
【提出日】平成27年6月19日(2015.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式Ａの銅（Ｉ）錯体。
【化１】
2014527030.tif 000001
式中、
Ｘ＊は、（互いに独立して）Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＳＣＮ、アルキニル及び／またはＮ３であり、
Ｎ＊∩Ｅは、二座配位子であり、ここでＥは、Ｒ２Ｅ（Ｒはアルキル、アリール、アルコキシル、フェノキシルまたはアミドである）の形のホスファニル／アルセニル基であり；Ｎ＊は、Ｎ−ヘテロ芳香族５員環の一部であるイミン官能基であり、前記Ｎ−ヘテロ芳香族５員環は、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、オキサトリアゾール及びチアトリアゾールからなる群から選択され；
“∩”は、同様に前記芳香族基の一部である少なくとも一つの炭素原子であり、ここで前記炭素原子は、イミン−窒素原子にも、リン原子もしくはヒ素原子にも直接隣接して存在し、
ここで、Ｎ＊∩Ｅは、任意選択的に、有機溶剤中での銅（Ｉ）錯体の溶解性を高めるための少なくとも一つの置換基を有する。
【請求項２】
Ｎ＊∩Ｅが次のものからなる群から選択される、請求項１に記載の銅（Ｉ）錯体。
【化２】
2014527030.tif 000002
式中、
Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮＲ２であり；
Ｅ＊は、ＡｓまたはＰであり；
Ｒ１は、アルキル、アリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミドであり、
Ｒ２〜Ｒ３は、それぞれ互いに独立して、水素もしくはハロゲンであるか、または酸素原子を介して（−ＯＲ）、窒素原子を介して（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子を介して（−ＳｉＲ３）結合した置換基であるか、またはアルキル基（分枝状もしくは環状も可）、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基もしくはアルキニル基であるか、または置換基を有する置換されたアルキル基（分枝状もしくは環状も可）、アリール基、ヘテロアリール基もしくはアルケニル基、及び他のドナーもしくはアクセプター基であり、この際Ｒ２〜Ｒ３は、任意選択的に、縮合環系をもたらす。
【請求項３】
置換されたアルキル基（分枝状もしくは環状も可）、アリール基、ヘテロアリール基もしくはアルケニル基が、ハロゲンもしくは重水素、アルキル基（分枝状もしくは環状も可）で置換されている、請求項２に記載の銅（Ｉ）錯体。
【請求項４】
他のドナーもしくはアクセプター基が、アミン、カルボキシレート及びそれのエステル、及びＣＦ３基である、請求項２または３に記載の銅（Ｉ）錯体。
【請求項５】
溶解性を高めるための置換基が、
−Ｃ１〜Ｃ３０の長さを有する分枝状もしくは非分枝状もしくは環状長鎖アルキル鎖、
−Ｃ１〜Ｃ３０の長さを有する分枝状もしくは非分枝状もしくは環状長鎖アルコキシ鎖、−Ｃ１〜Ｃ３０の長さを有する分枝状もしくは非分枝状もしくは環状長鎖パーフルオロアルキル鎖、及び
−繰り返し単位数が３〜５０の鎖長を有する短鎖ポリエーテル、
からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一つに記載の銅（Ｉ）錯体。
【請求項６】
次のステップ、すなわちＮ＊∩ＥとＣｕ（Ｉ）Ｘ＊との反応を実施するステップを含み、ここで
Ｘ＊は、（互いに独立して）Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＳＣＮ、アルキニル及び／またはＮ３であり、
Ｎ＊∩Ｅは、二座配位子であり、
Ｅは、Ｒ２Ｅ（Ｒはアルキル、アリール、アルコキシル、フェノキシルまたはアミドである）の形のホスファニル／アルセニル基であり、
Ｎ＊は、Ｎ−ヘテロ芳香族５員環の一部であるイミン官能基であり、前記Ｎ−ヘテロ芳香族５員環は、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、オキサトリアゾール及びチアトリアゾールからなる群から選択され；
“∩”は、同様に前記芳香族基の一部である少なくとも一つの炭素原子であり、ここで前記炭素原子は、イミン−窒素原子にも、リン原子もしくはヒ素原子にも直接隣接して存在する、請求項１〜５のいずれか一つに記載の銅（Ｉ）錯体の製造方法。
【請求項７】
反応が、ジクロロメタン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシドまたはエタノール中で行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ジエチルエーテル、ペンタン、メチル−ブチルエーテル、ヘキサン、メタノール、エタノール及び／または水を添加して、銅（Ｉ）錯体を固形物の形で得るステップを更に含む、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも一つの配位子Ｎ＊∩Ｅを、
−Ｃ１〜Ｃ３０の長さの長鎖で分枝状もしくは非分枝状もしくは環状のアルキル鎖、
−Ｃ１〜Ｃ３０の長さの長鎖で分枝状もしくは非分枝状もしくは環状のアルコキシ鎖、
−Ｃ１〜Ｃ３０の長さの分枝状もしくは非分枝状もしくは環状のパーフルオロアルキル鎖、及び
−短鎖ポリエーテル、
からなる群から選択することができる少なくとも一つの置換基で置換するステップを更に含む、請求項６〜８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
光電子素子でのエミッタまたは吸収体としての請求項１〜５のいずれか一つに記載の銅（Ｉ）錯体の使用。
【請求項１１】
光電子素子が、
−有機発光部材（ＯＬＥＤ）、
−発光電子化学的セル、
−ＯＬＥＤセンサー、
−有機ソーラーセル、
−有機電界効果トランジスター、
−有機レーザー、及び
−ダウン・コンバーター素子、
からなる群から選択される、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
ＯＬＥＤセンサーが、外部に対して気密にシールされていないＯＬＥＤセンサーを含む、請求項１１に記載の使用。
【請求項１３】
光学発光素子中でのエミッタとしての銅（Ｉ）錯体の濃度が、１％〜８０％であることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一つに記載の使用。
【請求項１４】
光学発光素子がＯＬＥＤである、請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の銅（Ｉ）錯体を含む光電子素子。
【請求項１６】
有機発光素子、有機ダイオード、有機ソーラーセル、有機トランジスター、有機発光ダイオード、発光電子化学的セル、有機電界効果トランジスター及び有機レーザーからなる群から選択される、請求項１５に記載の光電子素子。
【請求項１７】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の銅（Ｉ）錯体を使用する、光電子素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の銅（Ｉ）錯体をキャリア上に施用し、この際、この施用が、湿式化学的に、コロイド懸濁液を用いてまたは昇華を用いて行われることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
式Ａの銅錯体を製造するための、式Ｂの二座配位子の使用。
【化３】
2014527030.tif 000003
式中、
Ｎ＊は、Ｎ−ヘテロ芳香族５員環の一部であるイミン官能基であり、前記Ｎ−ヘテロ芳香族５員環は、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、オキサトリアゾール及びチアトリアゾールからなる群から選択され；
“∩”は、同様に前記芳香族基の一部である少なくとも一つの炭素原子であり、ここで前記炭素原子は、イミン−窒素原子にも、リン原子もしくはヒ素原子にも直接隣接して存在し、
Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮＲ２であり；
Ｅ＊は、Ｐであり；
Ｒ１は、アルキル、アリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミドであり、
Ｒ２〜Ｒ３は、それぞれ互いに独立して、水素もしくはハロゲンであるか、または酸素原子を介して（−ＯＲ）、窒素原子を介して（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子を介して（−ＳｉＲ３）結合した置換基であるか、またはアルキル基（分枝状もしくは環状も可）、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基もしくはアルキニル基であるか、または置換基を有する置換されたアルキル基（分枝状もしくは環状も可）、アリール基、ヘテロアリール基もしくはアルケニル基、及び他のドナーもしくはアクセプター基であり、この際Ｒ２〜Ｒ３は、任意選択的に、縮合環系をもたらす。
【請求項２０】
式Ｂ：
【化４】
2014527030.tif 000004
の配位子の次の式に従う製造方法。
【化５】
2014527030.tif 000005
式中、
Ｎ＊は、Ｎ−ヘテロ芳香族５員環の一部であるイミン官能基であり、前記Ｎ−ヘテロ芳香族５員環は、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、オキサトリアゾール及びチアトリアゾールからなる群から選択され；
“∩”は、同様に前記芳香族基の一部である少なくとも一つの炭素原子であり、ここで前記炭素原子は、イミン−窒素原子にも、リン原子もしくはヒ素原子にも直接隣接して存在し、
Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮＲ２であり；
Ｅ＊は、Ｐであり；
Ｒ１は、アルキル、アリール、アルコキシル、フェノキシル、またはアミドであり、
Ｒ２〜Ｒ３は、それぞれ互いに独立して、水素もしくはハロゲンであるか、または酸素原子を介して（−ＯＲ）、窒素原子を介して（−ＮＲ２）もしくはケイ素原子を介して（−ＳｉＲ３）結合した置換基であるか、またはアルキル基（分枝状もしくは環状も可）、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基もしくはアルキニル基であるか、または置換基を有する置換されたアルキル基（分枝状もしくは環状も可）、アリール基、ヘテロアリール基もしくはアルケニル基、及び他のドナーもしくはアクセプター基であり、この際Ｒ２〜Ｒ３は、任意選択的に、縮合環系をもたらす。
【請求項２１】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の銅（Ｉ）錯体を、光電子素子において電子または正孔の伝導のためのマトリックス材料中に導入することを特徴とする、電子素子の放出及び／または吸収性を変える方法。
【請求項２２】
ＵＶ放射線または青色光を、可視光に変換（ダウン・コンバート）するための、請求項１〜５のいずれか一つに記載の銅（Ｉ）錯体の使用。
【請求項２３】
光電子素子における請求項２２に記載の使用。
【請求項２４】
可視光が、緑色、黄色または赤色光である、請求項２２に記載の使用。