【事件の表示】
　特願２００９−５３０２６２「等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月　３日国際公開，ＷＯ２００８／０３８９４７，平成２２年　２月２５日国内公表，特表２０１０−５０６３８５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００７年９月２０日（パリ条約による優先権主張２００６年９月３０日，大韓民国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年１１月７日付けで拒絶の理由が通知され，平成２４年５月１５日に意見書と手続補正書が提出され，同年５月３１日付けで拒絶の理由が通知され，同年９月５日に意見書と手続補正書が提出され，平成２５年５月２７日に拒絶査定がされたものである。
　その後，同年１０月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年１２月６日付けで審尋を行い，前記審尋に対して回答がなかったので，平成２６年４月１６日に電話応対を行った。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１０月４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２５年１０月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−６を補正するものであり，そのうち補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
＜補正前＞
「【請求項１】
　（１）ポリイミドフィルムである半導体基板に被エッチング層を形成し，前記被エッチング層の上部にフォトレジスト層をコーティングする段階と，
　（２）前記フォトレジスト層でコーティングされた前記被エッチング層にリソグラフィを行い，前記リソグラフィにより生成されたフォトレジストパターンを含む前記被エッチング層に第１等方性エッチングを行なう段階と，
　（３）前記フォトレジストパターンを含む前記被エッチング層の上部にパシベーション層を溶着する段階と，
　（４）溶着された前記パシベーション層のうち，前記被エッチング層の前記第１等方性エッチングが施された所定の部分に相当する部分を選択的に除去する段階と，
　（５）前記パシベーション層の除去された前記所定の部分に第２等方性エッチングを行なうことによって前記半導体基板を露出させる段階と，
　を含む，等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法。」
　
＜補正後＞
「【請求項１】
　（１）ポリイミド基板に被エッチング層を形成し，前記被エッチング層の上部にフォトレジスト層を形成する段階と，
　（２）前記フォトレジスト層でコーティングされた前記被エッチング層にリソグラフィを行い，前記リソグラフィにより生成されたフォトレジストパターンを含む前記被エッチング層に第１等方性エッチングを行なう段階と，
　（３）前記被エッチング層の上部のフォトレジストパターン及び第1等方性エッチングが行われた被エッチング層と前記フォトレジストパターンとの境界面にディップコーティング(Dipping coating)方法で有機物コーティング処理したパシベーション層を溶着する段階と，
　（４）溶着された前記パシベーション層のうち，前記被エッチング層の前記第１等方性エッチングが行われた所定の部分の前記パシベーション層を除去する段階と，
　（５）前記パシベーション層の除去された前記所定の部分に第２等方性エッチングを行なうことによって前記ポリイミド基板を露出させる段階と，
　を含む，等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「ポリイミドフィルムである半導体基板に被エッチング層を形成」を補正して，補正後の請求項１の「ポリイミド基板に被エッチング層を形成」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記被エッチング層の上部にフォトレジスト層をコーティングする」を補正して，補正後の請求項１の「前記被エッチング層の上部にフォトレジスト層を形成する」にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「前記フォトレジストパターンを含む前記被エッチング層の上部にパシベーション層を溶着する」を補正して，補正後の請求項１の「前記被エッチング層の上部のフォトレジストパターン及び第1等方性エッチングが行われた被エッチング層と前記フォトレジストパターンとの境界面にディップコーティング(Dipping coating)方法で有機物コーティング処理したパシベーション層を溶着する」にすること。
　
（４）補正事項４
補正前の請求項１の「溶着された前記パシベーション層のうち，前記被エッチング層の前記第１等方性エッチングが施された所定の部分に相当する部分を選択的に除去する」を補正して，補正後の請求項１の「溶着された前記パシベーション層のうち，前記被エッチング層の前記第１等方性エッチングが行われた所定の部分の前記パシベーション層を除去する」にすること。
　
（５）補正事項５
補正前の請求項１の「前記パシベーション層の除去された前記所定の部分に第２等方性エッチングを行なうことによって前記半導体基板を露出させる」を補正して，補正後の請求項１の「前記パシベーション層の除去された前記所定の部分に第２等方性エッチングを行なうことによって前記ポリイミド基板を露出させる」にすること。
　
（６）補正事項６
　補正前の【請求項４】−【請求項６】の「何れかに」を補正して，それぞれ補正後の「何れか１項に」にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１−２及び補正事項４−６について
　補正事項１−２及び補正事項４−６により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１−２及び補正事項４−６は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項１−２及び補正事項４−６は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１−２及び補正事項４−６が，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　さらに，補正事項１−２及び補正事項４−６は，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１−２及び補正事項４−６は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項３について
　補正事項３により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項３は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項３は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項３が，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　さらに，補正事項３は，「パシベーション層」の溶着を限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項３は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（３）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項−第５項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　以下，再掲する。
　
「【請求項１】
　（１）ポリイミド基板に被エッチング層を形成し，前記被エッチング層の上部にフォトレジスト層を形成する段階と，
　（２）前記フォトレジスト層でコーティングされた前記被エッチング層にリソグラフィを行い，前記リソグラフィにより生成されたフォトレジストパターンを含む前記被エッチング層に第１等方性エッチングを行なう段階と，
　（３）前記被エッチング層の上部のフォトレジストパターン及び第1等方性エッチングが行われた被エッチング層と前記フォトレジストパターンとの境界面にディップコーティング(Dipping coating)方法で有機物コーティング処理したパシベーション層を溶着する段階と，
　（４）溶着された前記パシベーション層のうち，前記被エッチング層の前記第１等方性エッチングが行われた所定の部分の前記パシベーション層を除去する段階と，
　（５）前記パシベーション層の除去された前記所定の部分に第２等方性エッチングを行なうことによって前記ポリイミド基板を露出させる段階と，
　を含む，等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権の主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開２００４−２６６２３０号公報
（１ａ）「【請求項１】
絶縁基材の表面に形成した金属層
レジストから成る第１マスキングを介してハーフエッチング
前記第１マスキングの上面及びハーフエッチングを施した部分の面を含む全面
レーザ光の照射により昇華可能なレジストから成る第２マスキングを塗布
前記第２マスキングとしてのレジストを塗布した面にレーザ光を照射して，
レーザ光照射域の第２マスキングを昇華
前記第１マスキング及び前記保護層のレジストを介して
エッチングを施し，前記金属層に導体パターンを形成
前記第１マスキング及び保護層のレジストを剥離する工程と，からなることを特徴とする
回路基板の製造方法
【請求項２】
第１マスキングはレーザ光の照射により昇華しないレジストから成ることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
第１マスキングとしてのレジストはドライフィルムレジストであることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
レーザ光の照射により昇華可能な
第２マスキングとしてのレジストは
液状レジスト
　
（１ｂ）「【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
図２（ａ）〜（ｆ）はサブトラクティブ法を用いた本発明の第１実施形態による回路基板の製造工程を断面図で示したものである。
【００１９】
図２（ａ）において，
樹脂基材１に周知の方法にて銅箔２を形成して基板素材３とした状態
【００２０】
次に，図２（ｂ）において
，銅箔の上面に，第１マスキング４として，ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を形成し，周知の方法で露光，現像を行って，レジストパターン４ｂを形成
【００２１】
次に，図２（ｃ）において，
レジストパターンの第１マスキング４に向けてエッチング液を吹き付けてハーフエッチングを施す
【００２２】
これにより，図示のように，
銅箔２の第１レジストパターン４ｂに近接する上部においては，銅箔２の溶解した部分１１がレジストパターンのエッチング液通過部分４ａの幅（ｄ）より銅箔２の内側へ若干食い込んでいて，溶解された部分１１の幅（ｅ）がレジストパターン間隔（ｄ）より大きく，半面，銅箔２の上部と樹脂基材１に接触する界面６との間の中間領域では，丸みを帯びていて，断面形状が全体として略Ｕ字形状の溝１１が形成される
　
（１ｄ）「【００３１】
図３（ａ）〜（ｇ）はサブトラクティブ法を用いた本発明の第２実施形態による回路基板の製造工程を断面図で示したものである。
【００３２】
図３（ａ）〜図３（ｃ）の工程は，図２（ａ）〜図２（ｃ）に示す第１実施形態の各工程と同じであり，同様にして，ハーフエッチングが行われる
【００３３】
図３（ｄ）において，
前工程でハーフエッチングを施した部分の全面，即ち，第１マスキング４のレジストパターン部４ｂの上面及びハーフエッチングにより形成された溝１１の表面を含む全面に，カバーリング特性のある，即ちレーザ光を照射することにより昇華可能な第２のレジスト２０を塗布
ハーフエッチングにより形成された溝の側部，即ち第１マスキング４の下部の投影領域内のサイドエッチング部についても，第２のレジスト２０が塗布される
第２のレジスト２０は，液状レジスト
感光性のあるレジストである必要はない
レーザ光２１の照射により第１レジストパターン４ｂの下側の領域を除く第２のレジスト２０がアブレーション（昇華）される
【００３４】
次に，図３（ｆ）において，
銅箔２の表面のドライフィルムレジスト（第１マスキングパターン）４ｂ及び第２のレジストの昇華されなかった保護層２２（第２マスキング）をマスクパターンとして，第二次のエッチングを施す
溶解部分は，銅箔２と樹脂基材１とが接触する界面６にまで達する
【００３５】
次に，ドライフィルムレジスト（第１マスキング）４ｂ及び第２のレジストの昇華されなかった保護層２２を剥離する。
【００３６】
これにより，図３（ｇ）に示すように，
深さ方向に中央部で幅が狭く上部及び下部で断面が円形に膨らんだダルマ形状の溝１６が形成される
　
（１ｅ）「【００３９】
　例えば，上述の実施形態においては，樹脂基材１の表面に導体パターンを形成する場合について説明したが，本発明は，例えば，図４において第３実施形態として示すように，樹脂基材を使用せずに金属板２からリードフレームを製造したり，あるいは
樹脂基材として可撓性のあるものを使用する
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）の記載から，引用例１には，以下に示す発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「（ａ）樹脂基材１に周知の方法にて銅箔２を形成して基板素材３とする工程と，
（ｂ）前記銅箔２の上面に，第１マスキング４として，ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を形成し，周知の方法で露光，現像を行って，レジストパターン４ｂを形成する工程と，
（ｃ）レジストパターン４ｂの第１マスキング４に向けてエッチング液を吹き付けてハーフエッチングを施す工程であって，
　銅箔２の第１レジストパターン４ｂに近接する上部においては，銅箔２の溶解した部分１１がレジストパターンのエッチング液通過部分４ａの幅（ｄ）より銅箔２の内側へ若干食い込んでいて，溶解された部分１１の幅（ｅ）がレジストパターン間隔（ｄ）より大きく，半面，銅箔２の上部と樹脂基材１に接触する界面６との間の中間領域では，丸みを帯びていて，断面形状が全体として略Ｕ字形状の溝１１が形成される工程と，
（ｄ）工程（ｃ）でハーフエッチングを施した部分の全面，即ち，第１マスキング４のレジストパターン部４ｂの上面及びハーフエッチングにより形成された溝１１の表面を含む全面に，カバーリング特性のある，即ちレーザ光を照射することにより昇華可能な第２のレジスト２０を塗布する工程であって，
　前記ハーフエッチングにより形成された溝の側部，即ち第１マスキング４の下部の投影領域内のサイドエッチング部についても，第２のレジスト２０が塗布され，この第２のレジスト２０は，液状レジストであるが，感光性のあるレジストである必要はない工程と，
（ｅ）レーザ光２１の照射により第１レジストパターン４ｂの下側の領域を除く第２のレジスト２０をアブレーション（昇華）する工程と，
（ｆ）銅箔２の表面のドライフィルムレジスト（第１マスキングパターン）４ｂ及び第２のレジストの昇華されなかった保護層２２（第２マスキング）をマスクパターンとして，第二次のエッチングを施す工程であって，
　溝１４の下側の銅箔の部分１５が溶解され，溶解部分は，銅箔２と樹脂基材１とが接触する界面６にまで達し，深さ方向に中央部で幅が狭く上部及び下部で断面が円形に膨らんだダルマ形状の溝１６を形成する工程と，
　を含む，回路基板の製造方法。」
　
（３）本願補正発明１の進歩性についての検討
ア　本願補正発明１と引用発明との対比
（ア）引用発明の「樹脂基材１」と，本願補正発明１の「ポリイミド基板」とは，「樹脂基板」である点で一致する。　
　
（イ）引用発明の「銅箔２」，「ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）」，「露光，現像」，「レジストパターン４ｂ」及び「回路基板の製造方法」は，本願補正発明１の「被エッチング層」，「フォトレジスト層」，「リソグラフィ」，「フォトレジストパターン」及び「微細パターン形成方法」に相当する。
　
（ウ）引用発明の工程（ｃ）における「ハーフエッチング」は，「銅箔２の第１レジストパターン４ｂに近接する上部においては，銅箔２の溶解した部分１１がレジストパターンのエッチング液通過部分４ａの幅（ｄ）より銅箔２の内側へ若干食い込んでいて，溶解された部分１１の幅（ｅ）がレジストパターン間隔（ｄ）より大きく，半面，銅箔２の上部と樹脂基材１に接触する界面６との間の中間領域では，丸みを帯びていて，断面形状が全体として略Ｕ字形状の溝１１が形成される」ものであるから，等方性エッチングであると理解できる。
　また，引用発明の「第二次のエッチング」は，「溝１４の下側の銅箔の部分１５が溶解され，溶解部分は，銅箔２と樹脂基材１とが接触する界面６にまで達し，深さ方向に中央部で幅が狭く上部及び下部で断面が円形に膨らんだダルマ形状の溝１６を形成する」ものであるから，等方性エッチングであると理解できる。
　したがって，引用発明の「ハーフエッチング」及び「第二次のエッチング」は，それぞれ本願補正発明１の「第１等方性エッチング」及び「第２等方性エッチング」に相当する。
　
（エ）引用発明の「ハーフエッチングを施した部分の全面，即ち，第１マスキング４のレジストパターン部４ｂの上面及びハーフエッチングにより形成された溝１１の表面を含む全面に，カバーリング特性のある，即ちレーザ光を照射することにより昇華可能な第２のレジスト２０を塗布する工程であって，前記ハーフエッチングにより形成された溝の側部，即ち第１マスキング４の下部の投影領域内のサイドエッチング部についても，第２のレジスト２０が塗布され，この第２のレジスト２０は，液状レジストであるが，感光性のあるレジストである必要はない」と，本願補正発明１の「前記被エッチング層の上部のフォトレジストパターン及び第1等方性エッチングが行われた被エッチング層と前記フォトレジストパターンとの境界面にディップコーティング(Dipping coating)方法で有機物コーティング処理したパシベーション層を溶着」とは，被エッチング層の上部のフォトレジストパターン及び第1等方性エッチングが行われた被エッチング層と前記フォトレジストパターンとの境界面にパシベーション層を溶着する点で一致する。
　
（オ）引用発明の「レーザ光２１の照射により第１レジストパターン４ｂの下側の領域を除く第２のレジスト２０をアブレーション（昇華）する」は，本願補正発明１の「溶着された前記パシベーション層のうち，前記被エッチング層の前記第１等方性エッチングが行われた所定の部分の前記パシベーション層を除去する」に相当する。
　
（カ）したがって，上記（ア）−（オ）の対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「（１）樹脂基板に被エッチング層を形成し，前記被エッチング層の上部にフォトレジスト層を形成する段階と，
　（２）前記フォトレジスト層でコーティングされた前記被エッチング層にリソグラフィを行い，前記リソグラフィにより生成されたフォトレジストパターンを含む前記被エッチング層に第１等方性エッチングを行なう段階と，
　（３）前記被エッチング層の上部のフォトレジストパターン及び第1等方性エッチングが行われた被エッチング層と前記フォトレジストパターンとの境界面にパシベーション層を溶着する段階と，
　（４）溶着された前記パシベーション層のうち，前記被エッチング層の前記第１等方性エッチングが行われた所定の部分の前記パシベーション層を除去する段階と，
　（５）前記パシベーション層の除去された前記所定の部分に第２等方性エッチングを行なうことによって前記ポリイミド基板を露出させる段階と，
　を含む，等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１では，被エッチング層が形成されるのが，「ポリイミド基板」であるのに対して，引用発明では，そのような特定がされていない点。
　
・相違点２：本願補正発明１では，パシベーション層は，「ディップコーティング(Dipping coating)方法で有機物コーティング処理」することで溶着されているのに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。
　
イ　本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
　引用例１の上記摘記（１ｅ）に「樹脂基材を使用せずに金属板２からリードフレームを製造したり，あるいは樹脂基材として可撓性のあるものを使用することによりタブテープ（ＴＡＢ−ＴＡＰＥ）を製造することができる。このように，本発明はサブトラクティブ法により製造するあらゆる回路基板の製品について適用可能である。」と記載されているから，引用発明の樹脂基材１として，可撓性のあるものを使用することは引用例１に記載された事項である。
　一方，下記の周知例１の記載からも明らかなように，可撓性のある樹脂基材として，ポリイミドフィルムは，本願の優先権主張の日前において周知である。
　そうすると，引用発明において，樹脂基材１として，可撓性のある樹脂基材であるポリイミドフィルム，すなわち「ポリイミド基板」を用いること，すなわち，上記相違点１について本願補正発明１の構成となすことは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
・周知例１：特開平３−２４２８５号公報
（周１ａ）「（産業上の利用分野）
　本発明は金属のエッチングを利用して作られるリードフレーム，
フレキシブルプリント基板
テープキャリア
　
（周１ｂ）「〔実施例１〕
１．第一エッチング
　
ポリイミドフィルムに厚さ３５μｍの銅箔をエポキシ樹脂系接着剤でラミネートしたもの
　
・相違点２について
　「液状レジスト」として有機物であるものは周知である。そして，下記の周知例２−４の記載からも明らかなように，液状の材料の塗布方法として，ディップコーティング(Dipping coating)方法は，本願の優先権主張の日前において通常用いられていた方法の一つにすぎない。
　したがって，引用発明において，有機物からなる第２のレジスト２０を塗布するにあたり，ディップコーティング(Dipping coating)方法を用いること，すなわち，上記相違点２について，本願補正発明１の構成となすことは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
・周知例２：特開２００６−８６４３７号公報
（周２ａ）「【００２６】
Ｂ．第２実施形態
　上述した第１実施形態では，スピンコート法によって第１ゲート絶縁膜２２０及び第２ゲート絶縁膜２３０を形成したが，
液体材料を用いた他の方法
ディップコーティング法
　
・周知例３：特開２００５−３０７１８３号公報
（周３ａ）「【００６４】
　本発明の膜形成用組成物（オリゴマー，ポリマー）は，
ディップコーティング
によって塗布することができる
　
・周知例４：特開２００５−１７０９４３号公報
（周４ａ）「【００５５】
　上記ｉｉ）段階において，基板は，本発明の目的を阻害しない限り特に制限されず，熱硬化条件に耐えられる全ての基板，例えばガラス基板，シリコンウェーハ，プラスチック基板などを用途に応じて選択して使用することができる。本発明で使用可能な
コーティング液を塗布する方法
ディップコーティング
　
ウ　小括
　相違点１−２については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年１０月４日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−６に係る発明は，平成２４年９月５日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−６に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　（１）ポリイミドフィルムである半導体基板に被エッチング層を形成し，前記被エッチング層の上部にフォトレジスト層をコーティングする段階と，
　（２）前記フォトレジスト層でコーティングされた前記被エッチング層にリソグラフィを行い，前記リソグラフィにより生成されたフォトレジストパターンを含む前記被エッチング層に第１等方性エッチングを行なう段階と，
　（３）前記フォトレジストパターンを含む前記被エッチング層の上部にパシベーション層を溶着する段階と，
　（４）溶着された前記パシベーション層のうち，前記被エッチング層の前記第１等方性エッチングが施された所定の部分に相当する部分を選択的に除去する段階と，
　（５）前記パシベーション層の除去された前記所定の部分に第２等方性エッチングを行なうことによって前記半導体基板を露出させる段階と，
　を含む，等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権の主張の日前に頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を限定し，明瞭でない記載を釈明したものである本願補正発明１が，前記「第２　４　（３）本願補正発明１の進歩性についての検討」で判断したとおり，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。