【事件の表示】
　特許第３１２８５４８号「半導体装置の製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１２８５４８号の請求項１〜３に係る発明についての出願は、平成１１年３月１１日に特許出願され、平成１２年１１月１０日にその特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１，２に係る発明についての特許に対して中島光子より特許異議の申立てがなされ、当審より取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１４年９月２４日に訂正請求がなされ、当審より取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１５年６月３日に、先の訂正請求の取下げと新たな訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　　請求項１，２を削除する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。又、その請求項削除という訂正内容からみて、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。
（３）むすび
　　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２，３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
　請求項１，２に係る発明は、訂正の結果削除され、特許異議の申立ての対象が存在しないので、この特許異議の申立ては、不適法な申立てであって、その補正をすることができないものである。
　したがって、本件特許異議の申立ては、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月２５日（２００３．６．２５）
【訂正の要旨】
　（ａ）発明の名称を、「半導体装置の製造方法」と訂正する。
　（ｂ）特許請求の範囲の請求項１および請求項２を削除する。
　（ｃ）特許請求の範囲の請求項３を新請求項１と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
前記半導体ウエハの所定領域に、上限値としての第１の値および下限値としての第２の値の範囲内でその幅が変化し、底面を有する溝を形成する工程と、
前記溝を含む前記半導体ウエハの表面と、前記電極パッドに接続される該半導体ウエハ上に形成された配線の側面とを樹脂封止する工程と、
前記露出した配線の一端に、突起電極を形成する工程と、
前記溝の底面の一部を削ることにより複数の半導体素子に分割する工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものであり、特にそのパッケージに関わるものである。
　【０００２】
　【従来技術の説明】近年、半導体装置の高密度実装が進み、チップサイズパッケージ等の半導体素子が注目を集めている。
　【０００３】
　従来、こういったチップサイズパッケージでは図６に示すようなものがあった。図６の半導体素子は半導体基板１に電極パッド２が形成され、電極パッド２に電気的に接続するＣｕ等による配線３が形成されている。半導体基板表面および配線３は樹脂４によって封止されている。樹脂表面に露出した配線３の上に半田などによるバンプ５が形成されている。
　【０００４】
　以下、図７を利用して従来の半導体素子の製造方法について説明する。まず半導体基板であるウェハ７０上にＣｕ等の配線７１が形成される（図７−Ａ）。この状態でウェハ全体に対して樹脂７２を充填する（図７−Ｂ）。その後、表面全体を研磨して配線７１を表面に露出させる（図７−Ｃ）。配線７２の表面に半田などによるバンプ電極７３を形成する（図７−Ｄ）。ウェハを個々の半導体素子に切断し、分割することによって、半導体素子の形成を終了する（図７−Ｅ）。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の構造、および製造方法では、個々の半導体素子に分割する際に、半導体素子表面と樹脂との界面でストレスによって半導体素子が欠けてしまったり、半導体素子を実装する際の熱ストレスによって、樹脂と半導体素子の剥離が生じる等の問題があった。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決するために、本発明の半導体素子の製造方法は、半導体ウエハ上に電極パッドを形成する工程と、半導体ウエハの所定領域に、上限値としての第１の値および下限値としての第２の値の範囲内でその幅が変化し、底面を有する溝を形成する工程と、溝を含む半導体ウエハの表面と、電極パッドに接続される半導体ウエハ上に形成された配線の側面とを樹脂封止する工程と、露出した配線の一端に、突起電極を形成する工程と、溝の底面の一部を削ることにより複数の半導体素子に分割する工程とを有することを特徴とする。
　【０００７】
　【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態における半導体素子の構造を示す図である。
　【０００８】
　図１−Ａは本発明の半導体装置を裏面から見た図であり、図１−Ｂは図１−Ａにおける線ＡＢ部分の断面図である。以下図１を用いて本発明の第１の実施の形態について説明する。なお図６と共通する部分に関しては共通の符号を用いて説明する。
　【０００９】
　半導体基板１はその中央部１１では所定の厚さを有している。半導体素子の周辺部１２での半導体基板１の厚さはその中央部１１よりも薄くなっており、段差部６を形成している（図１中で丸で囲んで示す）。この段差部６は半導体基板が樹脂封止される側の面に形成される。この段差部６の深さ、つまり中央部表面から周辺部１２の上部までの距離は１０μｍ以上が望ましい（図１−ＢにＹとして示す）。半導体素子の端部から中央部までの距離、つまりこの段差部６の幅は３μｍ以上が望ましい（図１−ＢにＸとして示す）。半導体基板１の表面部分には所定箇所にアルミ電極パッド２が形成されている。半導体基板上にはＣｕによる配線３が形成されている。配線３はアルミ電極パッド２に電気的に接続している。半導体基板１の表面および配線３は樹脂４によって封止されている。樹脂４の上には突起電極５が形成されている。本実施の形態では樹脂４の表面に露出した配線３の上に半田などによるバンプ電極５が形成されている。
　【００１０】
　本発明における半導体素子では、半導体基板１の周辺部１２が中央部１１よりも薄くなり段差部６を形成している。この段差部６は、半導体素子の中央部１１を囲むように４辺それぞれに形成されている。（図１−Ａ）
この段差部がある事で、半導体素子の周辺部１２では樹脂４と半導体基板１の接触する部分が増え、アンカー効果が強くなる。
　【００１１】
　アンカー効果が強くなることで、半導体基板１と樹脂４が剥離しにくくなる。
　【００１２】
　よって本発明の半導体素子は、素子を実装する際の熱ストレスによって、樹脂と半導体基板の剥離が生じるといった問題が低減された、安定した半導体素子となる。
　【００１３】
　図２は本発明第１の実施の形態の半導体素子の製造方法を示す図である。
　【００１４】
　次に図２を用いて本発明第１の実施の形態の半導体素子の製造方法について説明する。
　【００１５】
　まず半導体ウェハ２０上に電気メッキ等により、Ｃｕの配線２１を形成する（図２−Ａ）。この配線は図示しないウェハ上に形成された電極パッドに電気的に接続されている。
　【００１６】
　その後、高速回転させた外周刃２２によって半導体ウェハ２０の表面に溝２３を形成する。この溝２３は個々の半導体素子の周辺部となる部分に形成される。この溝形成に用いられる刃２２の刃厚は３５〜１５０μｍである。溝２３の幅はこの刃厚よりも１〜５μｍ大きく形成され、その深さは１０μｍ以上とする（図２−Ｂ）。１０μｍ以上の深さとすることにより、刃の先端の形状にあまり依存せずに、安定した幅で溝を形成することが可能となる。
　【００１７】
　その後、半導体ウェハ２０の表面に対して樹脂２４を充填する。この時充填した樹脂２４は溝２３にも入り込む（図２−Ｃ）。
　【００１８】
　樹脂に埋もれてしまっている配線が露出するまで、研磨刃２５によって樹脂２４の表面を研磨する（図２−Ｄ）。その後、露出した配線２１上に半田ボール等によるバンプ電極２６を形成する（図２−Ｅ）。
　【００１９】
　その後、高速回転する外周刃２７によって、前述の工程で溝２３を形成した部分を切断する。この切断によって、半導体ウェハ２０が個々の半導体素子に分割される。この切断時に用いられる刃２７の刃厚は前述の溝２３を形成する時に用いた刃２２に比べて薄く、出来れば６μｍ以上薄くすることが望ましい（図２−Ｆ）。
　【００２０】
　本発明の製造方法によれば、半導体ウェハ２０の表面に溝２３を形成し、樹脂封止後に溝２３の部分を切断することによって個々の素子に分割する。
　【００２１】
　半導体ウェハ２０の表面部にストレスがかかるのは、表面部に直接刃が当たるときである。分割に用いられる刃２７は半導体ウェハ２０の表面部には直接当たらずに、その前に形成された溝２３の底部に当たる。半導体ウェハ２０の表面部にストレスがかかるのは、切断時ではなく、溝２３を形成する時となる。
　【００２２】
　溝２３の形成時は切断する深さが浅いので、分割切断時に比べ、刃２２が半導体ウェハ２０の表面に当たる時間が短い。したがって半導体ウェハ２０の表面に与えるストレスも小さく、個々の半導体素子表面に欠けが生じるといったことが少なくなる。また溝２３形成時に表面部分に欠けが生じたとしても、樹脂封止によって欠けた部分に樹脂２４が充填される。したがって欠けた部分からの腐食等も防止できる。
　【００２３】
　以上、詳細に説明したように本発明第１の実施の形態の半導体素子およびその製造方法により、樹脂部分と半導体基板部分の剥離の恐れも無く、半導体素子の表面の欠けなども低減した半導体素子が供給出来る。
　【００２４】
　（第２の実施の形態）図３は本発明の第２の実施の形態における半導体素子の構造を示す図である。
　【００２５】
　図３−Ａは本発明の半導体素子を裏面から見た図であり、図３−Ｂは図３−Ａにおける線Ａ−Ｏ−Ｂ部分の断面図である。以下図３を用いて本発明の第２の実施の形態について説明する。なお図１と共通する部分に関しては共通の符号を用いて説明する。
　【００２６】
　半導体基板１上に段差部６が形成されている点は第１の実施の形態と同様である。
　【００２７】
　第２の実施の形態における段差部６は図３−Ａに点線で示す通り、その幅（図中Ｘで示す）がパルス波形のように周期的に変化している。このような形状とすることでアンカー効果はさらに強くなる。また半導体素子の一辺に沿って形成されている段差の部分が一方向ではない。半導体素子の辺に平行な方向の段差部３１と垂直な方向の段差部３２とが存在する。
　【００２８】
　よってせん断応力や熱ストレスによって与えられる力がどちらから加えられても十分に基板と樹脂の剥離を防ぐ事が出来る。
　【００２９】
　よって第２の実施の形態では第１の実施の形態よりもさらにアンカー効果の優れた半導体素子となる。
　【００３０】
　図４及び図５は本発明第２の実施の形態の半導体素子の製造方法を示す図である。
　【００３１】
　次に図４を用いて本発明第２の実施の形態の半導体素子の製造方法について説明する。なお図２と共通する部分に関しては共通の符号を用いて説明する。
　【００３２】
　まず半導体ウェハ２０上に電気メッキ等により、Ｃｕの配線２１を形成する（図４−Ａ）。
　【００３３】
　レーザー照射によって半導体ウェハ２０の表面に溝２３を形成する。この溝２３は個々の半導体素子の周辺部となる部分に形成される。溝２３の幅は下限値としての幅Ｘ１μｍと上限値としての幅Ｘ２μｍの間で周期的に変化している。なお、溝２３の深さは１０μｍとする（図４−Ｂ）。この溝２３の形状を上部から見た場合の拡大図を図５に示す。その後、半導体ウェハ２０の表面に対して樹脂２４を充填する。この時充填した樹脂２４は溝２３にも入り込む（図４−Ｃ）。
　【００３４】
　樹脂２４に埋もれてしまっている配線２１が露出するまで、研磨刃２５によって樹脂表面を研磨する（図４−Ｄ）。その後、露出した配線２０上に半田ボール等によるバンプ電極２６を形成する（図４−Ｅ）。
　【００３５】
　その後、高速回転する外周刃２７によって、個々の半導体素子に分割切断する。この切断時に用いられる刃２７の刃厚は前述の溝を最小幅Ｘ１より薄く、出来れば６μｍ以上薄くすることが望ましい（図４−Ｆ）。
　【００３６】
　半導体ウェハの表面部にかかるストレスが低減出来るのは第１の実施の形態と同様である。本実施例ではさらにパルス波形のような形状の段差部とすることで、樹脂２４が硬化して収縮する時のストレスを、段差部で吸収することも可能となる。以上、詳細に説明したように本発明第２の実施の形態の半導体装置およびその製造方法により、樹脂部分と半導体基板部分の剥離の恐れも無い安定した半導体装置が供給出来る。
　【００３７】
　半発明の実施の形態においては封止樹脂を研磨して配線を露出させたが、必ずしも研磨する必要はなく、樹脂封止時に配線が露出する程度に樹脂量を制御してもよい。
　【００３８】
　なお、本発明第２の実施の形態において、段差部の形状は必ずしもパルス波形のような形状にしなくてもよく、その幅が所定の上限値と下限値の範囲内で変化し、その下限値の幅よりも小さい刃厚の刃を用いて個々の素子に分割すれば、効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体素子の構造を示す図。
　【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体素子の製造方法の工程を示す工程図。
　【図３】本発明の第２の実施の形態の半導体素子の構造を示す図。
　【図４】本発明の第２の実施の形態の半導体素子の製造方法の工程を示す工程図。
　【図５】本発明の第２の実施の形態の半導体素子の製造方法における溝の形状を示す図
　【図６】従来の半導体素子の構造を示す図。
　【図７】従来の半導体素子の製造方法の工程を示す工程図。
　【符号の説明】
　１・・・・・・半導体基板
　２・・・・・・電極ＰＡＤ
　３、２１、７１・・・・・・配線
　４、２４、７２・・・・・・封止樹脂
　５・・・・・・バンプ電極
　２０、７０・・・・・・半導体ウェハ