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　特願２００９−　３０１８２「相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月　２日出願公開、特開２０１０−　７４１２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年２月１２日（パリ条約の例による優先権主張２００８年９月１６日、台湾）の出願であって、平成２３年９月２８日に手続補正がなされ、平成２４年６月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月１３日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２４年９月１３日付け手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２４年９月１３日付け手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）平成２４年９月１３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするものであって、本件補正前に、
「　【請求項１】
　基板を準備するステップと、
　ドーピングイオンの一部を透過させることができ、前記基板上に複数の開口部を有するドーピング濃度制御層を形成するステップと、
　前記基板にリンイオンドーピングを行い、前記ドーピング濃度制御層の前記複数の開口部の下方に位置する前記基板の箇所に高濃度ドーピング領域を形成し、前記基板の他の領域に低濃度ドーピング領域を形成するステップと、
　前記ドーピング濃度制御層を除去するステップと、
　
前
に反
　前記反射防止層上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップと、
　前記金属ペーストを加熱し、ソーラバッテリの金属電極を形成するステップと、
を
含むこと
　　【請求項２】
　前記高濃度ドーピング領域のシート抵抗は１０〜５０ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅであり、
　前記低濃度ドーピング領域のシート抵抗は５０ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅより大きいことを特徴とする請求項１に記載の相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法。
　　【請求項３】
　前記基板はｐ型基板であり、
　前記ドーピングはｎ型イオンドーピングであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法。
　　【請求項４】
　前記ドーピング濃度制御層の厚さは１５〜４０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法。」とあったものを、
　
「　【請求項１】
　基板を準備するステップと、
　ドーピングイオンの一部を透過させることができ、前記基板上に複数の開口部を有するドーピング濃度制御層を形成するステップと、
　前記基板にリンイオンドーピングを行い、前記ドーピング濃度制御層の前記複数の開口部の下方に位置する前記基板の箇所に高濃度ドーピング領域を形成し、前記基板の他の領域に低濃度ドーピング領域を形成するステップと、
　前記ドーピング濃度制御層を除去するステップと、
　
前記ドーピング濃度制御層を除去した前
に平らな反
　前記反射防止層上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップと、
　前記金属ペーストを加熱し、ソーラバッテリの金属電極を形成するステップと、
を
含み、
　前記ドーピング濃度制御層の厚さは１５〜４０ｎｍである
こと
　　【請求項２】
　前記高濃度ドーピング領域のシート抵抗は１０〜５０ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅであり、
　前記低濃度ドーピング領域のシート抵抗は５０ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅより大きいことを特徴とする請求項１に記載の相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法。
　　【請求項３】
　前記基板はｐ型基板であり、
　前記ドーピングはｎ型イオンドーピングであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法。」とするものである（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
（２）本件補正後の請求項１に係る上記（１）の補正は、本件補正前の「請求項１を引用する請求項４」に係る発明を特定するために必要な事項である「前記基板上に反射防止層を形成するステップ」を「前記ドーピング濃度制御層を除去した前記基板上に平らな反射防止層を形成するステップ」として、反射防止層が平らであること、及び、反射防止層の形成がドーピング濃度制御層の除去後であることを限定するものである。
　
２　本件補正の目的
　本件補正後の請求項１に係る上記１（２）の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
３　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された「本願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２−１５８６４号公報（以下「引用例」という。）」には、次の事項が図とともに記載されている。
（１）「発明の詳細な説明
〔発明の利用分野〕
　本発明はイオン打込み法により半導体基板にｐｎ接合を形成する
太陽電池の製造方法
〔発明の背景〕
　
従来は、
太陽電池受光面電極形成部に深いｐｎ接合、受光部に浅いｐｎ接合を形成するために、
スループット性への配慮
がなされていなかった
〔発明の目的〕
　本発明の目的は、短波長側分光感度を向上し、熱処理時に基板ライフタイムが低下することを防止でき、また、受光面表面再結合速度低減を図ることができる太陽電池の製造方法を提供するにある。
〔発明の概要〕
　
高効率化太陽電池を得るため
受光面におけるｐｎ接合の接合深さの最適化、及び受光面表面再結合速度の低減が要求される
ｐ型シリコン基板にｎ
＋
層を形成したｎ
＋
層の厚さで示す接合深さ
接合深さが深くなると、短波長側の光が基板表面で吸収されｐｎ接合部に達することが出きず光生成電流が低下する
ｐｎ接合を浅くすると、表面電極形成時、電極材料がｐｎ接合をつきぬけリーク電流を増加させるとともに、表面シート抵抗（ｐ型基板を用いた場合ｎ
＋
層のシート抵抗）が増加し、バルク内直列抵抗を増加させる
　さらに、低コストプロセスでは、一貫連続生産方式が必須であり、熱処理にはベルト炉が使用され、ベルト等からの汚染による基板ライフタイム低下が重要な問題になっている。
　本発明は、第４図に示すように、
イオン打込みでは、基板表面酸化膜厚を変えることにより、基板内打込み量を制御出来ることに着目し、受光面表面電極形成部に低シート抵抗でかつ深いｐｎ接合、受光部に浅いｐｎ接合の形成を可能とした
　
　　　　　　　　　第　　１　　表
　┌──────────┬──────────┐
　｜　　酸化膜無し基板　｜　　酸化膜有り基板　｜
　｜ライフタイム（μｓ）｜ライフタイム（μｓ）｜
　├──────────┼──────────┤
　｜　　　１０〜１２　　│　　　４０〜６０　　│
　└──────────┴──────────┘　」（１頁左下欄１７行〜２頁右上欄下から８行目）
　
（２）「〔発明の実施例〕
　本発明の実施例を第１図に示す。第１図（ａ）の如く
ｐ型シリコン基板１
表面に、１００〜１５０Åの酸化膜２を形成
次に、表面電極パターンと同一のエツチングレジストを印刷形成し、表面電極形成部及び裏面酸化膜２を
除去
この基板表面に、
リンイオン打込みを行ない、
受光部酸化膜を除去し、裏面へのＡｌペースト印刷後、８５０℃，５分の熱処理により
ｎ
＋
層３−ｐ層１−ｐ
＋
層４の各層を形成
Ａｇペースト印刷、熱処理により表裏電極５，６を形成し、半田７をディップ後太陽電池８を得る
　太陽電池特性比較を下表に示す。
　　　　　　　　　　　第　　　　２　　　　表
┌───┬────────┬─────┬─────┬─────┐
｜　　　｜　短絡電流密度　｜　開放電圧｜　曲線因子｜　変換効率｜
｜　　　｜（ｍＡ／ｃｍ２）｜　（Ｖ）　｜　　　　　｜　（％）　｜
├───┼────────┼─────┼─────┼─────┤
｜実施例｜　　２３．３　　│０．５６５│０．７７９│　１０．３│
├───┼────────┼─────┼─────┼─────┤
｜比較例｜　　２２．４　　│０．５５５｜０．７８８｜　９．８０｜
└───┴────────┴─────┴─────┴─────┘
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　注）反射防止膜ナシ
　実施例プロセスにより製作した太陽電池特性は、比較例プロセスにより製作した太陽電池特性に比べ、短絡電流密度、開放電圧が高い値を示した。」（２頁右上欄下から２行目〜同頁右下欄下から１１行目）
　
（３）「〔発明の効果〕
　本発明によれば、
基板表面酸化膜
を通したイオン打込みにより、受光面電極部に深いｐｎ接合、受光部に浅いｐｎ接合を形成することが可能
　
（４）第１図から、受光面電極５及び裏面電極６がいずれも複数あること、一度のイオン打込みで酸化膜２が除去された受光面電極部に深いｐｎ接合が、酸化膜２の下の受光部に浅いｐｎ接合が形成されることが見て取れる。
　
（５）表面電極と受光面電極とは同じものであるから受光面電極に統一すると、上記（１）ないし（４）から、引用例には次の発明が記載されているものと認められる。
「ｐ型シリコン基板に形成したｎ＋層の厚さで示す接合深さが深くなると、短波長側の光が基板表面で吸収されｐｎ接合部に達することが出きず光生成電流が低下し、
　ｐｎ接合を浅くすると、受光面電極形成時電極材料がｐｎ接合をつきぬけリーク電流を増加させるとともに表面シート抵抗（ｐ型基板を用いた場合ｎ＋層のシート抵抗）が増加しバルク内直列抵抗を増加させるので、
　受光面におけるｐｎ接合の接合深さの最適化が要求される高効率化太陽電池の製造方法において、
　従来は、太陽電池受光面電極形成部に深いｐｎ接合、受光部に浅いｐｎ接合を形成するのにスループット性への配慮がなされていなかったところ、イオン打込みでは、基板表面酸化膜厚を変えることにより、基板内打込み量を制御出来ることに着目し、受光面電極形成部に低シート抵抗でかつ深いｐｎ接合、受光部に浅いｐｎ接合の形成を可能とした太陽電池の製造方法であって、
　ｐ型シリコン基板１表面に、１００〜１５０Åの酸化膜２を形成し、次に、複数の受光面電極パターンと同一の複数のエッチングレジストを印刷形成し、複数の受光面電極形成部の酸化膜２及び裏面の酸化膜２を除去し、この基板１表面に、リンイオン打込みを行ない、受光部の酸化膜２を除去し、裏面へのＡｌペースト印刷後、８５０℃，５分の熱処理によりｎ＋層３−ｐ層１−ｐ＋層４の各層を形成し、Ａｇペースト印刷、熱処理により複数の受光面電極５及び複数の裏電極６を形成し、半田７をディップ後太陽電池８を得ることにより、基板表面酸化膜を通した一度のイオン打込みにより、酸化膜２が除去された複数の受光面電極部の深いｐｎ接合及び酸化膜２の下の受光部の浅いｐｎ接合を形成することを可能にした、太陽電池の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ｐ型シリコン基板１」、「『基板表面酸化膜』、『受光部の酸化膜２』」、「リンイオン打込み」、「深いｐｎ接合」、「浅いｐｎ接合」、「Ａｇペースト」、「Ａｇペースト印刷」、「太陽電池」、「受光面電極」、「酸化膜２が除去された」及び「太陽電池の製造方法」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「ドーピング濃度制御層」、「リンイオンドーピング」、「高濃度ドーピング領域」、「低濃度ドーピング領域」、「金属ペースト」、「パターニングされた金属ペーストを形成」、「ソーラバッテリ」、「金属電極」、「開口部の下方に位置する」及び「『ソーラバッテリ』の『製造方法』」に相当する。
　
（２）引用発明の「ソーラバッテリの製造方法（太陽電池の製造方法）」は、「基板（ｐ型シリコン基板１）」表面に、１００〜１５０Åの酸化膜２を形成し、次に、複数の「金属電極（受光面電極）」パターンと同一の複数のエツチングレジストを印刷形成し、複数の「金属電極」形成部の酸化膜２及び裏面の酸化膜２を除去し、この「基板」表面に、「リンイオンドーピング（リンイオン打込み）」を行ない、受光部の「ドーピング濃度制御層（酸化膜２）」を除去し、裏面へのＡｌペースト印刷後、８５０℃，５分の熱処理によりｎ＋層３−ｐ層１−ｐ＋層４の各層を形成し、「パターニングされた金属ペーストを形成（Ａｇペースト印刷）」、熱処理により複数の「金属電極（受光面電極）」５及び複数の裏電極６を形成し、半田７をディップ後「ソーラバッテリ（太陽電池）」８を得ることにより、「ドーピング濃度制御層（基板表面酸化膜）」を通した一度の「イオンドーピング（イオン打込み）」により、「開口部の下方に位置する（酸化膜２が除去された）」複数の「金属電極（受光面電極）」部の「高濃度ドーピング領域（深いｐｎ接合）」及び「ドーピング濃度制御層（酸化膜２）」の下の受光部の「低濃度ドーピング領域（浅いｐｎ接合）」を形成することを可能にしたものであるから、本願補正発明の「ソーラバッテリの製造方法」と、「基板を準備するステップと、ドーピングイオンの一部を透過させることができ、前記基板上に複数の開口部を有するドーピング濃度制御層を形成するステップと、前記基板にリンイオンドーピングを行い、前記ドーピング濃度制御層の前記複数の開口部の下方に位置する前記基板の箇所に高濃度ドーピング領域を形成し、前記基板の他の領域に低濃度ドーピング領域を形成するステップと、前記ドーピング濃度制御層を除去するステップと、前記ドーピング濃度制御層を除去した前記基板上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップと、前記金属ペーストを加熱し、ソーラバッテリの金属電極を形成するステップと、を含む」点で一致し、引用発明の「ドーピング」は、「高濃度ドーピング領域」と「低濃度ドーピング領域」とを一度に形成するから、本願補正発明の「ドーピング」と、「相違性」である点及び「ワンステップ拡散」である点で一致し、引用発明の「ドーピング濃度制御層」の厚さの範囲「１００〜１５０Å」と本願補正発明の「ドーピング濃度制御層」の厚さの範囲「１５〜４０ｎｍ」とは「１５ｎｍ」の点で一致する。
　
（３）上記（１）及び（２）から、本願補正発明と引用発明とは、
「基板を準備するステップと、
　ドーピングイオンの一部を透過させることができ、前記基板上に複数の開口部を有するドーピング濃度制御層を形成するステップと、
　前記基板にリンイオンドーピングを行い、前記ドーピング濃度制御層の前記複数の開口部の下方に位置する前記基板の箇所に高濃度ドーピング領域を形成し、前記基板の他の領域に低濃度ドーピング領域を形成するステップと、
　前記ドーピング濃度制御層を除去するステップと、
　前記ドーピング濃度制御層を除去した前記基板上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップと、
　前記金属ペーストを加熱し、ソーラバッテリの金属電極を形成するステップと、
を含み、　
　前記ドーピング濃度制御層の厚さは１５ｎｍである、相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　前記ドーピング濃度制御層を除去した前記基板上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップが、
　本願補正発明では、「前記ドーピング濃度制御層を除去した前記基板上に平らな反射防止層を形成するステップ」及び「前記反射防止層上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップ」からなるのに対して、
　引用発明では、平らな反射防止層を形成するステップを有していない点。
　
５　判断
　上記相違点について検討する。
（１）太陽電池の製造方法において、表面にドーピング領域を形成した基板上に反射防止膜を形成し、さらに反射防止膜の表面にスクリーン印刷法等で電極用ペーストを塗布して乾燥した後、焼成して受光面電極を形成することは、本願の優先日前に周知である（以下「周知技術」という。例．いずれも原査定の拒絶の理由で引用された、特開２０００−１８３３７９号公報（【０００９】〜【００２１】の太陽電池の従来の製造方法参照。）、特開２００４−１９３３５０号公報（【００４５】〜【００４６】参照。））。
　
（２）引用発明の「ソーラバッテリの製造方法（太陽電池の製造方法）」において、「基板」１表面に、「リンイオンドーピング（リンイオン打込み）」を行ない、「ドーピング濃度制御層（受光部の酸化膜２）」を除去し、裏面へのＡｌペースト印刷後、８５０℃，５分の熱処理によりｎ＋層３−ｐ層１−ｐ＋層４の各層を形成した後、「基板」１表面上に反射防止膜を形成するようにし、「パターニングされた金属ペーストの形成（Ａｇペースト印刷）」はこの反射防止膜の表面に行うようにすることは、当業者が周知技術に基づいて容易になし得た程度のことである。
　そして、このように「基板」１表面上に形成した反射防止膜は平らなものになることが当業者に自明である。
　したがって、引用発明において、前記ドーピング濃度制御層を除去した前記基板上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップを、「前記ドーピング濃度制御層を除去した前記基板上に平らな反射防止層を形成するステップ」及び「前記反射防止層上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップ」から構成すること、すなわち、引用発明において、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が周知技術に基づいて容易に容易になし得たことである。
　
（３）本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明の奏する効果及び周知技術の奏する効果から予測することができた程度のものである。
　
（４）したがって、本願補正発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　本願補正発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２３年９月２８日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項によって特定されるものであるところ、その「請求項１を引用する請求項４」に係る発明は、平成２３年９月２８日の補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記「第２〔理由〕１（１）」に本件補正前の請求項１及び４に「請求項１を引用する請求項４」として記載したとおりのものであり、これを独立形式に展開して記載すると次のとおりである。
「基板を準備するステップと、
　ドーピングイオンの一部を透過させることができ、前記基板上に複数の開口部を有するドーピング濃度制御層を形成するステップと、
　前記基板にリンイオンドーピングを行い、前記ドーピング濃度制御層の前記複数の開口部の下方に位置する前記基板の箇所に高濃度ドーピング領域を形成し、前記基板の他の領域に低濃度ドーピング領域を形成するステップと、
　前記ドーピング濃度制御層を除去するステップと、
　前記基板上に反射防止層を形成するステップと、
　前記反射防止層上にパターニングされた金属ペーストを形成するステップと、
　前記金属ペーストを加熱し、ソーラバッテリの金属電極を形成するステップと、
を含み、　
　前記ドーピング濃度制御層の厚さは１５〜４０ｎｍであることを特徴とする相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びそれらの記載事項は、上記「第２〔理由〕３」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本件補正は、上記「第２〔理由〕１（２）」のとおり、本願発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、本件補正発明は、本願発明を特定するために必要な事項を限定したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２〔理由〕５」に記載したとおり、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　本願発明は、以上のとおり、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。