【事件の表示】
　特願２００９−２８７５６６「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月２２日出願公開，特開２０１０−　９３２８８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１１年１０月２７日に出願した特願平１１−３０５２６２号の一部を平成２１年１２月１８日に新たな特許出願としたものであって，平成２４年８月３０日付けで拒絶の理由が通知され，同年１０月２４日に意見書と手続補正書が提出され，平成２５年５月１３日付けで最後の拒絶の理由が通知され，同年７月１８日に意見書と手続補正書が提出されたが，前記平成２５年７月１８日に提出された手続補正書でした補正は，同年８月１４日付けで却下されるとともに，同日付けで拒絶査定がされ，その後，同年１１月１４日に拒絶査定不服審判が請求された。
　
第２　補正の却下の決定の当否に対する判断
　審判請求人は，審判請求書において，平成２５年７月１８日に提出された手続補正書でした補正を却下した，平成２５年８月１４日付けの補正の却下の決定が不適法である旨主張しているので，この補正について検討する。
　
１　補正の内容
　平成２５年７月１８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−４を補正して，補正後の請求項１−３とするものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　第１方向と前記第１方向に垂直な第２方向に広がる主面を有する下地層と，
　前記下地層の前記主面上に形成されたキャパシタとを備える半導体装置であって，
　前記キャパシタは，第１ラインアンドスペース構造と，前記第１ラインアンドスペース構造の１層上の配線層に形成された第２ラインアンドスペース構造と，前記第２ラインアンドスペース構造の１層上の配線層に形成された第３ラインアンドスペース構造とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造は，それぞれ，前記第１方向に延在し，且つ，第１電位が印加される第１配線と，前記第１方向に延在し，且つ，前記第１電位とは異なる第２電位が印加される第２配線とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は絶縁膜によって互いに分離されており，
　前記第２方向において，前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は，交互に繰り返して配置されており，
　前記主面に垂直な第３方向において，前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線上には前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線が形成され，且つ，前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線上には前記第３ラインアンドスペース構造の前記第１配線が形成されている半導体装置。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　第１方向と前記第１方向に垂直な第２方向に広がる主面を有する下地層と，
　前記下地層の前記主面上に形成されたキャパシタとを備える半導体装置であって，
　前記キャパシタは，第１ラインアンドスペース構造と，前記第１ラインアンドスペース構造の１層上の配線層に形成された第２ラインアンドスペース構造と，前記第２ラインアンドスペース構造の１層上の配線層に形成された第３ラインアンドスペース構造とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造は，それぞれ，前記第１方向に延在し，且つ，第１電位が印加される第１配線と，前記第１方向に延在し，且つ，前記第１電位とは異なる第２電位が印加される第２配線とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は絶縁膜によって互いに分離されており，
　前記第２方向において，前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は，交互に繰り返して配置されており，
　前記主面に垂直な第３方向において，前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線上には前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線が形成され，且つ，前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線上には前記第３ラインアンドスペース構造の前記第１配線が形成されており，
　前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線及び前記第２配線は，それぞれ，シリサイド化されたポリシリコンからなり，
　前記第２及び３ラインアンドスペース構造の前記第１配線及び前記第２配線は，それぞれ，ＡｌまたはＣｕからなる
半導体装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記第１配線が形成されている半導体装置」を補正して，補正後の請求項１の「前記第１配線が形成されており，
　前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線及び前記第２配線は，それぞれ，シリサイド化されたポリシリコンからなり，
　前記第２及び３ラインアンドスペース構造の前記第１配線及び前記第２配線は，それぞれ，ＡｌまたはＣｕからなる
半導体装置」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項４を削除すること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，補正前の請求項１における，各「配線」の材質を具体的に限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２は，補正前の請求項４を削除しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる，請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項１】
　第１方向と前記第１方向に垂直な第２方向に広がる主面を有する下地層と，
　前記下地層の前記主面上に形成されたキャパシタとを備える半導体装置であって，
　前記キャパシタは，第１ラインアンドスペース構造と，前記第１ラインアンドスペース構造の１層上の配線層に形成された第２ラインアンドスペース構造と，前記第２ラインアンドスペース構造の１層上の配線層に形成された第３ラインアンドスペース構造とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造は，それぞれ，前記第１方向に延在し，且つ，第１電位が印加される第１配線と，前記第１方向に延在し，且つ，前記第１電位とは異なる第２電位が印加される第２配線とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は絶縁膜によって互いに分離されており，
　前記第２方向において，前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は，交互に繰り返して配置されており，
　前記主面に垂直な第３方向において，前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線上には前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線が形成され，且つ，前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線上には前記第３ラインアンドスペース構造の前記第１配線が形成されており，
　前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線及び前記第２配線は，それぞれ，シリサイド化されたポリシリコンからなり，
　前記第２及び３ラインアンドスペース構造の前記第１配線及び前記第２配線は，それぞれ，ＡｌまたはＣｕからなる
半導体装置。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　平成２５年５月１３日付けの最後の拒絶理由，及び，平成２５年８月１４日付けの補正の却下の決定において引用された，分割出願である本願のもとになる特許出願の前に日本国内において頒布された刊行物である下記の引用例１には，「集積回路用コンデンサ構造およびその製造方法」（【発明の名称】）について，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特表平１１−５０１１５９号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
　
１．複数の導電性の金属化層および層間絶縁層からなる多層配線を有する集積回路に好適なコンデンサ構造であって，そのコンデンサ構造は
　
アイソレーション層上に形成された導電性の金属化物よりなる第１層の一部によって形成された第１電極
　その上に堆積された第１層間絶縁体の一部によって形成されたコンデンサの誘電体と，
　その上の導電性の金属化物よりなる第２層の一部によって形成された第２電極と，
　を具備し，
　各電極は，ある境界を有する主要部分と囲繞部分とからなり，その境界は少なくともその主要部分の一端をなし，また前記囲繞部分は上記の少なくとも一端に沿って主要部分から離間されていることを特徴とするコンデンサ構造。
　
　・・・＜省略＞・・・
　
　８．複数の電極の積層体を具備し，
　同一極性のコンデンサ電極の組をなすために，該積層体の電極を１つおきに相互接続する導電経路と，
　それぞれ反対の極性の電極の組に対してなされる第１および第２の電気的な接触と，
　を具備し，
　それによって，積層された電極構造の全体のキャパシタンスが，反対の極性の交互の電極間のキャパシタンスの合計になっていることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ構造。
　９．前記電極の積層体は，
　集積回路の下側にある導電層により形成されるコンデンサの下部電極と，
　上側にある相互接続金属化層のうちの少なくとも２つによって形成される上側電極と，
　を具備することを特徴とする請求項８に記載のコンデンサ構造。
　１０．前記
下側にある導電層はポリシリコンでできている
　１１．各電極の前記主要部分は，
複数の相互接続された指状電極
　１２．
一金属化層における指状電極は，隣り合う金属化層の指状電極に垂直方向に一列に並んでいる
　１３．前記
複数の指状電極は，平行に一列に並んでいるとともに，各指状電極の終端で相互接続されており，くし形電極を形成している
　１４．
各層における指状電極は，隣り合う層における指状電極に平行に一列に並んでいるとともに，隣り合う層における指状電極に対して垂直に積層されている
　
　・・・＜省略＞・・・
　
　１８．
各層の指状電極は，反対の極性の２組を並んで形成するために相互接続されており，それによって各層において，一指状電極が反対の極性の別の指状電極と隣り合っており
隣り合う層において同一極性の指状電極が隣り合う層における指状電極に対してオフセットされており
　
（１ｂ）「従って，
コンデンサ電極は
集積回路の相互接続金属化配線を形成する導電層の一部によって形成される
コンデンサの誘電体は，一般に相互接続金属化層を分離する層間絶縁体によって形成される
　
（１ｃ）「集積回路が多層配線を有する場合，複数の電極を備えた積層コンデンサ構造が提供され得る。必要に応じて，
下側にある導電層，例えばゲートポリシリコン層が多層の積層体の下端の電極となる場合には，より多くのレベルの相互接続金属化層のうちの２つがその積層体の他の電極を構成する
　
（１ｄ）「さらに，相
互接続金属化部として用いられる導電性の高い材料がコンデンサ電極を形成するために使用されているので，この構造の高周波応答性は優れている
　好適には，例えばくし形電極構造や格子状電極構造を形成するために，電極の主要部分は複数の相互接続された導電性の指状電極より構成され得る。各電極の指状部分は，隣り合う電極の指状部分に対して垂直に配置されていてもよい。あるいは，一方の電極の指状部分がオフセットされていて，異なる層における指状部分がその下側および上側の指状部分に対して相対的に位置ずれした構造になっていてもよい。積層された指状部分の分極パターンは，垂直方向および水平方向の少なくとも一方において効果的に並列になっている指状部分の積層体を形成するために配置されている。あるいはまた，その指状部分は，半導体基板表面に対して同一分極の指状部分が傾斜されてなる積層体を形成するために，互い違いに配置されている。その結果生じる積層された指状部分の配置は，基板内に延びる一組の垂直のコンデンサ電極を備えたコンデンサ構造と事実上同様であり，単純に平板電極が配置された構造と比較して単位表面積当たりのキャパシタンスが増大することとなる。」（第９頁第１３−２９行）
　
（１ｅ）「都合よく，多層の積層コンデンサ構造を形成するにあたって，
コンデンサの下部電極は，下側にあるポリシリコンよりなる導電層，例えばゲート金属化層によって形成され得る
コンデンサ構造の複数の上側電極は，多層配線技術の幾つかまたは全部の配線層により形成される
　これらの構造は，重大なプロセス上の制約なしに種々の相互接続技術に適用され得るため有益である。すなわち，
これらの構造は，公知のプロセスを用いて，現在使用されている全ての相互接続材料
例えばアルミニウム合金
化合物化されたポリシリコンを用いて作製され得る
その構造は，代わりに銅
金属シリサイド等の導電性材料を使用する次世代技術に対して提案されている進歩した金属化技術に対しても不都合を生じない
　
（１ｆ）「図３に示す断面には，多層配線を有し，かつ本発明の
実施の形態１
コンデンサ５０は，半導体基板５２上に設けられる通常のフィールド酸化またはトレンチアイソレーション層などの絶縁性のアイソレーション層５４上に形成されている
　隣り合う電極間には，組をなす導電経路７０，７２，７４が，それら導電経路を相互接続する，各導電層に設けられた分離部７５とともに形成されており，それら導電経路は，一つおきに電極を同じ極性に接続するジャンパを形成している。従って，このコンデンサ構造は，平行に接続された２つのコンデンサに相当する積層コンデンサとして設計されている。そのキャパシタンスは，それら電極の主要部分同士の重なった部分によって決定される。電極５６およびリング５７を形成する
第１導電層は
ポリシリコン層の一部から
第２電極，第３電極，第４電極
集積回路の他の部分において従来の導電性の相互接続を形成する多層配線を構成する第１導電層，第２導電層および第３導電層から形成される
　
（１ｇ）「
電極として使用される導電性材料の選択に関しては
ポリシリコン，アルミニウムを含む従来の公知の金属および合金
公知の導電層が用いられ得る
そのシート抵抗は十分に低く，動作電圧の全範囲にわたってコンデンサ応答の直線性を実現するようになっていなければならない
　
（１ｈ）「
ポリシリコン層によって下部電極が形成されている場合
その電極全体をシリサイド化することが，シート抵抗を低減するために有益であるかもしれない
適切で一般的なシリサイド化プロセスが使用され得る
　
（１ｉ）「図５〜図７には本発明の
実施の形態２
第２および第４電極の構造は実施の形態１のコンデンサの電極構造と同じである
　
（１ｊ）「すなわち，図１２〜図１５には，本発明の
実施の形態４
　
この実施の形態４のコンデンサ３００は，実施の形態２の電極と同様に４つの導電層のそれぞれによって形成された，噛み合わされてなる電極対３１０，３２０，電極対３１２，３２２，電極対３１４，３２４および電極対３１６，３２６を備えている
　全体の形態は，図１４に示すように，隣り合う２つの指状電極はいずれも水平方向または垂直方向に相反する極性に接続されることとなる。この形態は単位表面積当たりのキャパシタンスを増加させ得る。指状電極間のギャップが小さくなればなるほど，キャパシタンスは高くなる。それにもかかわらず，そのギャップサイズが小さくなるので，絶縁破壊電圧は妥協される。」（第２０頁第１１行−第２１頁第２行）
　
（１ｋ）「多層配線技術においては，金属化層と層間絶縁層の部分的な組合わせが，本発明によるコンデンサ構造を構築するのに使用され得る。上述した実施の形態は４層のコンデンサ電極を有しているとしたが，各層を囲繞する保護リングの有無にかかわらず，
例えば噛み合わされた電極を有するコンデンサ構造を製造するために，如何なる金属層対を用いてもよい
下部電極として都合よくポリシリコン層を用いているが，上述した４層電極を有するコンデンサ構造を４層の金属化層を用いて製造してもよい
　
（１ｌ）図１２は，交互の指状電極が反対の極性を有するように相互接続されてなる噛み合わされた電極を備えた，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施の形態４によるコンデンサ構造の電極の概略斜視図であり，図１３は，連続する層において隣り合う指状電極の極性が交互にかわっているのを示す垂直面における指状電極の縦断面図であり，図１４は，各電極のそれぞれの指状部の極性を示すために，図１２の切断線XIV −XIV を通る，すなわち各層の一指状部を通る垂直面における縦断面図であり，図１５は，図１２の構造の矢印XVに沿って見た上部電極およびその下の電極の，それぞれの極性および各電極の相互接続経路を示す概略平面図であって，上記摘記（１ｊ）の記載を参酌すれば，当業者であればこれらの図から，
　４つの導電層のそれぞれによって形成された，噛み合わされてなる電極対３１０，３２０と，前記電極対３１０，３２０の上方に形成された電極対３１２，３２２と，前記電極対３１２，３２２の上方に形成された電極対３１４，３２４，および，前記電極対３１４，３２４の上方に形成された電極対３１６，３２６を備えているコンデンサ構造３００であって，
　各電極対を構成する各電極は，複数の細長く延びる要素，すなわち指状電極を形成する主要部分を備えており，指状電極のそれぞれは一端で相互接続されてくし形電極を形成するものであり，
　前記４つの導電層のそれぞれは，介在する層間絶縁層によって互いに分離されるとともに，各電極の個々の指状電極の間にも絶縁体が介在しており，
　各電極の指状電極は交互に反対の極性に相互接続されているとともに，隣り合う層の指状電極も反対の極性の指状電極に隣り合うことによって，隣り合う２つの指状電極はいずれも水平方向および垂直方向に相反する極性に接続されているコンデンサ構造３００
　というコンデンサ構造を見て取ることができる。
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ｊ），（１ｌ）の記載から，引用例１には，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の「実施の形態４」として，以下に示す発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「４つの導電層のそれぞれによって形成された，噛み合わされてなる電極対３１０，３２０と，前記電極対３１０，３２０の上方に形成された電極対３１２，３２２と，前記電極対３１２，３２２の上方に形成された電極対３１４，３２４，および，前記電極対３１４，３２４の上方に形成された電極対３１６，３２６を備えているコンデンサ構造であって，
　各電極対を構成する各電極は，複数の細長く延びる要素，すなわち指状電極を形成する主要部分を備えており，指状電極のそれぞれは一端で相互接続されてくし形電極を形成するものであり，
　前記４つの導電層のそれぞれは，介在する層間絶縁層によって互いに分離されるとともに，各電極の個々の指状電極の間にも絶縁体が介在しており，
　各電極対の隣接する指状電極は交互に反対の極性に相互接続されているとともに，隣り合う層の指状電極も反対の極性の指状電極に隣り合うことによって，隣り合う２つの指状電極はいずれも水平方向および垂直方向に相反する極性に接続されているコンデンサ構造。」
　
（３）本願補正発明１と引用発明との対比
ア　引用発明の「『各電極対を構成する各電極は，複数の細長く延びる要素，すなわち指状電極を形成する主要部分を備えており，指状電極のそれぞれは一端で相互接続されてくし形電極を形成するものであ』る，『噛み合わされてなる電極対』」は，本願補正発明１の「ラインアンドスペース構造」に相当する。
　したがって，引用発明の「噛み合わされてなる電極対３１０，３２０」，「前記電極対３１０，３２０の上方に形成された電極対３１２，３２２」，「前記電極対３１２，３２２の上方に形成された電極対３１４，３２４」は，それぞれ本願発明の「第１ラインアンドスペース構造」，「前記第１ラインアンドスペース構造の上に形成された第２ラインアンドスペース構造」，「前記第２ラインアンドスペース構造の上に形成された第３ラインアンドスペース構造」に相当する。
　そうすると，本願補正発明１と引用発明は，「キャパシタは，第１ラインアンドスペース構造と，前記第１ラインアンドスペース構造の上に形成された第２ラインアンドスペース構造と，前記第２ラインアンドスペース構造の上に形成された第３ラインアンドスペース構造とを含」むという構造を備えている点で一致する。
　
イ　引用発明の「複数の細長く延びる要素，すなわち指状電極」の「細長く延びる」方向は，本願補正発明１の「第１方向」に相当する。
　また，引用発明の「噛み合わされてなる電極対３１０，３２０」，「電極対３１２，３２２」及び「電極対３１４，３２４」の各電極対を構成する各電極のそれぞれは，本願補正発明１の「第１電位が印加される第１配線」又は「前記第１電位とは異なる第２電位が印加される第２配線」に相当する。
　そして，引用発明の「各電極の個々の指状電極の間にも絶縁体が介在しており」は，本願補正発明１の「前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は絶縁膜によって互いに分離されており」に相当する。
　そうすると，本願補正発明１と引用発明は，「前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造は，それぞれ，前記第１方向に延在し，且つ，第１電位が印加される第１配線と，前記第１方向に延在し，且つ，前記第１電位とは異なる第２電位が印加される第２配線とを含み，前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は絶縁膜によって互いに分離されており」という構造を備えている点で一致する。
　
ウ　引用発明の，指状電極のそれぞれが一端で相互接続されてくし形電極を形成する電極の，各指状電極が並ぶ方向は，本願補正発明１の「第２方向」に相当する。
　したがって，引用発明の「各電極対の隣接する指状電極は交互に反対の極性に相互接続されている」は，本願補正発明１の「前記第２方向において，前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は，交互に繰り返して配置されており」に相当する。
　
エ　引用発明の「垂直方向」は，本願補正発明１の「主面に垂直な第３方向」に相当する。
　そうすると，引用発明の「隣り合う層の指状電極も反対の極性の指状電極に隣り合うことによって，隣り合う２つの指状電極はいずれも水平方向および垂直方向に相反する極性に接続されている」は，本願補正発明１の「前記主面に垂直な第３方向において，前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線上には前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線が形成され，且つ，前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線上には前記第３ラインアンドスペース構造の前記第１配線が形成されており」に相当する。
　
オ　したがって，上記ア−エの対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりであるといえる。
　
＜一致点＞
　第１ラインアンドスペース構造と，前記第１ラインアンドスペース構造の上に形成された第２ラインアンドスペース構造と，前記第２ラインアンドスペース構造の上の配線層に形成された第３ラインアンドスペース構造とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造は，それぞれ，第１方向に延在し，且つ，第１電位が印加される第１配線と，前記第１方向に延在し，且つ，前記第１電位とは異なる第２電位が印加される第２配線とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は絶縁膜によって互いに分離されており，
　前記第１方向に垂直な第２方向において，前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は，交互に繰り返して配置されており，
　キャパシタが形成された主面に垂直な第３方向において，前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線上には前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線が形成され，且つ，前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線上には前記第３ラインアンドスペース構造の前記第１配線が形成されている
　キャパシタ。
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１が，「第１方向と前記第１方向に垂直な第２方向に広がる主面を有する下地層と，前記下地層の前記主面上に形成されたキャパシタとを備える半導体装置」であるのに対して，引用発明が，「コンデンサ構造」である点。
　
・相違点２：本願補正発明１の，「第２ラインアンドスペース構造」及び「第３ラインアンドスペース構造」が，それぞれ「第１ラインアンドスペース構造」の「１層上の配線層」及び「第２ラインアンドスペース構造」の「１層上の配線層」に形成されているのに対して，引用発明では，「電極対３１２，３２２」及び「電極対３１４，３２４」が，それぞれ「電極対３１０，３２０」の「１層上の配線層」及び「電極対３１２，３２２」の「１層上の配線層」に形成されているとは明記されていない点。
　
・相違点３：本願補正発明１では，第１ラインアンドスペース構造の第１配線及び第２配線は，それぞれ，シリサイド化されたポリシリコンからなり，第２及び３ラインアンドスペース構造の第１配線及び第２配線は，それぞれ，ＡｌまたはＣｕからなるのに対して，引用発明では，配線の材質が明記されていない点。
　
（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
　引用発明は，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の「実施の形態４」として引用例１に記載された発明であるから，前記引用発明の理解にあたって特許請求の範囲の記載を参酌することは当業者が容易に想到し得たことである。
　そして，上記摘記（１ａ）には「１．複数の導電性の金属化層および層間絶縁層からなる多層配線を有する集積回路に好適なコンデンサ構造であって，そのコンデンサ構造は， アイソレーション層上に形成された導電性の金属化物よりなる第１層の一部によって形成された第１電極と・・・」と記載されている。
　そうすると，引用発明の「コンデンサ構造」を，「複数の導電性の金属化層および層間絶縁層からなる多層配線を有する集積回路に好適なコンデンサ構造」を意味するものと理解することは自然といえる。
　また，前記「アイソレーション層」は，本願補正発明１の「第１方向と前記第１方向に垂直な第２方向に広がる主面を有する下地層」に相当する。
　してみれば，「複数の導電性の金属化層および層間絶縁層からなる多層配線を有する集積回路」に
好適な
　
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ｂ）の「従って，コンデンサ電極は，集積回路の相互接続金属化配線を形成する導電層の一部によって形成される。コンデンサの誘電体は，一般に相互接続金属化層を分離する層間絶縁体によって形成される。」との記載に基づいて，引用発明の「電極対３１２，３２２」及び「電極対３１４，３２４」を，集積回路の相互接続金属化配線を形成する導電層の一部によって形成し，コンデンサの誘電体を，一般に相互接続金属化層を分離する層間絶縁体によって形成すること，すなわち，引用発明において，「電極対３１２，３２２」及び「電極対３１４，３２４」を，「電極対３１０，３２０」の「１層上の配線層」及び「電極対３１２，３２２」の「１層上の配線層」によって形成することによって，上記相違点２について，本願補正発明１の構成となすことは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用しことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
・相違点３について
ア　引用例１の「実施の形態１」，「実施の形態２」及び「実施の形態４」は，いずれも引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施の形態の一例である。
　そして，引用例１の上記摘記（１ｊ）には，「実施の形態４」について「この実施の形態４のコンデンサ３００は，実施の形態２の電極と同様に４つの導電層のそれぞれによって形成された，噛み合わされてなる電極対３１０，３２０，電極対３１２，３２２，電極対３１４，３２４および電極対３１６，３２６を備えている。」と記載されており，上記摘記（１ｉ）には，「実施の形態２」について「第２および第４電極の構造は実施の形態１のコンデンサの電極構造と同じである。」と記載されていることから，後に記載されている実施の形態の説明においては，前に記載されている実施の形態と共通する構成については簡略化し，前の実施の形態と異なる箇所を詳しく説明しているものと理解することができる。
　そうすると，引用発明が実施の形態４に係る発明であることに照らして，配線の材質が明記されていない引用発明の配線の材質として，先行する実施の形態において記載されている材料についての説明を参酌することは当業者が当然になし得たことといえる。
　
イ　そこで，引用例１の実施の形態１についての説明を検討すると，引用例１の上記摘記（１ｆ）には「電極５６およびリング５７を形成する
第１導電層は
ポリシリコン層の一部から
第２電極，第３電極，第４電極
集積回路の他の部分において従来の導電性の相互接続を形成する多層配線を構成する第１導電層，第２導電層および第３導電層から形成される
電極として使用される導電性材料の選択に関しては
ポリシリコン，アルミニウムを含む従来の公知の金属および合金
公知の導電層が用いられ得る
　また，引用例１の上記摘記（１ｅ）には，「多層の積層コンデンサ構造を形成するにあたって，
コンデンサの下部電極は，下側にあるポリシリコンよりなる導電層，例えばゲート金属化層によって形成され得る
コンデンサ構造の複数の上側電極は，多層配線技術の幾つかまたは全部の配線層により形成される
これらの構造は，公知のプロセスを用いて，現在使用されている全ての相互接続材料
例えばアルミニウム合金
化合物化されたポリシリコンを用いて作製され得る
その構造は，代わりに銅
金属シリサイド等の導電性材料を使用する次世代技術に対して提案されている進歩した金属化技術に対しても不都合を生じない
　
ウ　そうすると，当業者であれば，上記各記載を参酌することで，引用発明の，最下層の導電層である「電極対３１０，３２０」を「集積回路の他の箇所に半導体デバイス構造の他の素子を形成する例えばポリシリコン層の一部」で形成し，また，「電極対３１２，３２２」，「電極対３１４，３２４」及び「電極対３１６，３２６」を「集積回路の他の部分において従来の導電性の相互接続を形成する多層配線を構成する」「アルミニウムを含む従来の公知の金属および合金」または「銅」等を使用して形成することは直ちになし得たとことといえる。
　
エ　ところで，引用例１の上記摘記（１ｈ）には「ポリシリコン層によって下部電極が形成されている場合，例えばドーピングレベルがあまり高くないならば，その電極全体をシリサイド化することが，シート抵抗を低減するために有益であるかもしれない。適切で一般的なシリサイド化プロセスが使用され得る。」と記載されている。
　そして，引用例１の上記摘記（１ｄ）の「相互接続金属化部として用いられる導電性の高い材料がコンデンサ電極を形成するために使用されているので，この構造の高周波応答性は優れている。」との記載に照らして，コンデンサ電極として，導電性の高い材料を使用することで，高周波応答性が良好となることが示されているのであるから，引用発明の「電極対３１０，３２０」を「集積回路の他の箇所に半導体デバイス構造の他の素子を形成する例えばポリシリコン層の一部」で形成した場合において，前記ポリシリコン層のドーピングレベルがあまり高くなく，十分な導電性が得られていない場合に，引用例１の上記摘記（１ｄ）に記載された前記示唆に基づいて，前記ポリシリコン層の一部で形成した「電極対３１０，３２０」に，適切で一般的なシリサイド化プロセスを使用して，シリサイド化することでシート抵抗を低減すること，すなわち，引用発明において，最下層の導電層である「電極対３１０，３２０」を「シリサイド化されたポリシリコン」で形成するとともに，「電極対３１２，３２２」，「電極対３１４，３２４」及び「電極対３１６，３２６」を「集積回路の他の部分において従来の導電性の相互接続を形成する多層配線を構成する」「アルミニウムを含む従来の公知の金属および合金」または「銅」で形成することは当業者が容易に想到し得たことである。
　
オ　すなわち，上記相違点３について本願補正発明１の構成となすことは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
（５）本願補正発明１についての判断
　相違点１−３については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定の当否に対する判断のむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであるとした原審における補正の却下の決定は妥当なものである。
　
第３　本願発明に対する判断
１　本願発明
　平成２５年７月１８日に提出された手続補正書でした補正は，上記のとおり却下されており，また，当該補正の却下の決定は妥当なものであったと認められるので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２４年１０月２４日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものであると認める。
　
「【請求項１】
　第１方向と前記第１方向に垂直な第２方向に広がる主面を有する下地層と，
　前記下地層の前記主面上に形成されたキャパシタとを備える半導体装置であって，
　前記キャパシタは，第１ラインアンドスペース構造と，前記第１ラインアンドスペース構造の１層上の配線層に形成された第２ラインアンドスペース構造と，前記第２ラインアンドスペース構造の１層上の配線層に形成された第３ラインアンドスペース構造とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造は，それぞれ，前記第１方向に延在し，且つ，第１電位が印加される第１配線と，前記第１方向に延在し，且つ，前記第１電位とは異なる第２電位が印加される第２配線とを含み，
　前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は絶縁膜によって互いに分離されており，
　前記第２方向において，前記第１，第２及び第３ラインアンドスペース構造の各々の前記第１配線及び前記第２配線は，交互に繰り返して配置されており，
　前記主面に垂直な第３方向において，前記第１ラインアンドスペース構造の前記第１配線上には前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線が形成され，且つ，前記第２ラインアンドスペース構造の前記第２配線上には前記第３ラインアンドスペース構造の前記第１配線が形成されている半導体装置。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，分割出願である本願のもとになる特許出願の前に日本国内において頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　４　（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。