【事件の表示】
　特願２００７−　３５７２２「発光装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２８日出願公開、特開２００８−１９８９６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１９年２月１６日の出願であって、最初の拒絶理由の通知に応答して平成２４年５月１４日に手続補正がされ、最後の拒絶理由の通知に応答して同年１０月１日に手続補正がされたが、同日の手続補正が同年１２月１２日付けで却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がされ、これに対して平成２５年３月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、これと同時に手続補正がされたものである。 
　  
第２　平成２５年３月１８日の手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２５年３月１８日の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　 
［理由］ 
１　補正の内容 
　本件補正は、請求項１についての次の補正を含む。 
　本件補正前（平成２４年５月１４日の手続補正書参照。） に 
「発光素子がダイボンド材を介して実装部に接合されており、
前記ダイボンド材と前記実装部とを連続して被覆する白色の無機物の反射膜を有することを特徴とする発光装置。」
　とあったものを、 
「
導電性のダイボンド材と接する底面に正および負の電極を有する
、
基板上の正負の
前記ダイボンド材と前記
正負の
前記実装部の間の前記基板を含む前記発光素子の周囲と
ＴｉＯ
２
の
　とする補正。  
　  
　　
２　補正の適否
（１）　上記「１」の補正事項に係る「導電性のダイボンド材と接する底面に正および負の電極を有する発光素子が、前記ダイボンド材を介して、基板上の正負の実装部に接合されており、前記ダイボンド材と前記正負の実装部と前記実装部の間の前記基板を含む前記発光素子の周囲とを連続して被覆するＴｉＯ２の反射膜を有する」との事項は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載されていない。
　
（２）　請求人は、平成２５年９月９日の回答書で、次の主張をしている。
「当初明細書には、段落【００５５】において、同一面側に正および負の電極を有する発光ダイオードを用いることが記載されていることに加えて、段落【００４１】には、『リード電極と発光素子とが、ワイヤを用いたワイヤボンディングによって接続される場合』という記載があります。これは、本願の発光素子がワイヤ以外の方法で基板上のリード電極に機械的、電気的に接続される発光素子を含むことを示唆しています。つまり、本願は、ワイヤを用いた方法で、基板上のリード電極に発光素子を接合する構造に限定されるものではないことは明白です。そして、そのようなワイヤを用いること以外の接合方法として、周知技術であるフリップチップ実装を用いること、つまり『同一面側に正および負の電極の電極を有する発光素子を正負の実装部にダイボンド材を介して接合させる』ことや上述致しました点は、本願出願時の当業者にとって当初明細書等より記載されているに等しい自明な事項であります。これは、新規事項の追加に相当するものではないと思料致します。 
　次に、『前記正負の実装部と前記実装部の間の前記基板を含む前記発光素子の周囲とを連続して被覆するＴｉＯ２の反射膜を有する』点も、新規事項の追加ではありません。 
　前置報告書において、審査官殿は、当初明細書等には『正負の実装部の間の領域に着目することについて、何ら記載がない』とご認定されました。 
　しかし、当初明細書の段落 
【００３５】 
には、『反射膜は、ダイボンド材と実装部を含む発光素子の周囲を、発光素子の接着面の面積の１２０％以上、１５０％以上、３００％以上被覆していることが好ましい。発光素子の近傍の反射率を高めることで、光の取り出し効率を向上させることができる。』と記載されております。また、当初明細書の 
【００３９】 
には、『反射膜は、ダイボンド材や実装部に加えて、その他の部材を被覆していてもよい。たとえば、実装部の下に備えられた基板が発光素子の近傍に露出している場合には、その基板を適宜被覆し、光反射率を高めることができる。』という記載があります。また、 
【００５９】 
にはダイボンド材と実装部とリード電極を反射膜で被覆すること、さらに、図１にも、発光素子の周囲であって実装部とリード電極（正負の電極）の間の基板を連続して被覆する反射膜が開示されております。 
　ここで、００５９や図１に記載のリード電極は、発光素子と電気的に接続される実装部と異なる極性の電極です。そして、先に述べました通り、本願の当初明細書には、発光素子をフリップチップ実装することが示唆されています。そして、フリップチップ実装する場合、発光素子の正負の電極はそれぞれ異なる極性の電極に接続されるということは、本願出願時の当業者にとって周知技術であります。 
　このことから、段落５９や図１のリード電極が、発光素子の正負いずれかの電極と接合される正負いずれかの実装部として用いられることは、当初明細書から自明なことといえます。さらに、このような正負の電極は互いに離間されて配置されること、その下に基板が備えられていることは、当初明細書に記載されているものと思料致します。」（２頁下から７行ないし４頁１１行）
　
　しかしながら、請求人が指摘する各記載によっても、フリップチップ実装を用いた上で、「ダイボンド材と正負の実装部と前記実装部の間の基板を含む前記発光素子の周囲とを連続して被覆するＴｉＯ２の反射膜を有する」とする事項が示唆されているとは到底認められない。
　
（３）　上記（１）及び（２）によれば、上記「１」の補正事項は、当初明細書等に記載されている事項であるとも、当初明細書等の記載から自明の事項であるとも認められない。
　そして、上記「１」の補正事項を含む本件補正は、当初明細書等のすべての記載を統合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。
　よって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとは認められない。
　
３　まとめ
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について  
１　本願発明の認定  
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年５月１４日に補正された本願の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
「発光素子がダイボンド材を介して実装部に接合されており、
前記ダイボンド材と前記実装部とを連続して被覆する白色の無機物の反射膜を有することを特徴とする発光装置。」
　　 　  
２　刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１９１６４１号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載がある。
「【００５４】図３は本発明の第２の実施の形態による半導体発光装置の発光素子とサブマウント素子からなる複合素子の部分の概要であって、同図の（ａ）はその概略平面図、同図の（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視による縦断面図である。
【００５５】ここで用いるＧａＮ系化合物
半導体発光素子
発光素子５０であり、サブマウント素子（Ｓｉダイオード）７上にマイクロバンプを介して接合され
ＡｇまたはＺｎ
発光素子５０の透明電極５２ａ、ｐ側電極５２ｂ、マイクロバンプ５及びＳｉダイオードのｎ側電極７ａの表面全体に反射層１０が形成される
　
　上記記載で言及されている図３は次のものである。
　
３　引用発明の認定 
　上記２によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。） が記載されていると認められる。
「発光素子５０がマイクロバンプ５を介してサブマウント素子（Ｓｉダイオード）７上に接合されており、
　前記発光素子５０の透明電極５２ａ、ｐ側電極５２ｂ、マイクロバンプ５及びＳｉダイオードのｎ側電極７ａの表面全体に、ＡｇまたはＺｎの反射層１０が形成されている、
　半導体発光装置。」
　　　 
４　対比  
　引用発明と本願発明とを対比する。 
（１）　引用発明の「発光素子５０」は、本願発明の「発光素子」に相当し、以下同様に、
　「マイクロバンプ５」は「ダイボンド材」に、
　「サブマウント素子（Ｓｉダイオード）７」は「実装部」に、
　「反射層１０」は「反射膜」に、
　「半導体発光装置」は「発光装置」に相当する。
　
（２）　引用発明の「発光素子５０の透明電極５２ａ、ｐ側電極５２ｂ、マイクロバンプ５及びＳｉダイオードのｎ側電極７ａの表面全体に、・・・反射層１０が形成されている」は、本願発明の「ダイボンド材と実装部とを連続して被覆する・・・反射膜を有する」に相当する。
　 
（３）　上記（１）及び（２）によれば、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。 
＜一致点＞  
「発光素子がダイボンド材を介して実装部に接合されており、
前記ダイボンド材と前記実装部とを連続して被覆する反射膜を有する発光装置。」
　 
＜相違点＞  
　本願発明の「反射膜」は「白色の無機物」であるのに対して、引用発明の「反射膜」（反射層１０）は「ＡｇまたはＺｎ」である点。 
　 
５　判断  
　上記＜相違点＞について検討する。 
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−２９８３１３号公報には、以下の記載がある。
「【請求項１】  基板上に発光層を有し、該発光層の前記基板と反対側に光を放射する半導体発光素子であって、前記基板が前記発光層で発光する光に対して透明または半透明の材料からなり、該基板の前記発光層とは反対側の面に
光反射膜
半導体発光素子
　
「【０００９】前記
光反射膜
酸化チタン
　
（２）　本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２８４２３４号公報には、以下の記載がある。
「【００２１】（光散乱層１０１）本発明の
光散乱層
拡散反射
酸化チタン
　
（３）　上記によれば、半導体発光発光装置の反射膜を酸化チタン等の「白色の無機物」とすることは、本願出願時点で周知の技術事項と認められる。
　よって、引用発明において、「反射膜」（反射層１０）として「ＡｇまたはＺｎ」に代えて「白色の無機物」を用いること、すなわち、本願発明の＜相違点＞に係る構成を備えることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。 
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。 
　
第４　むすび
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。