【事件の表示】
　平成　１年特許願第１９０８５９号「半導体装置の製法」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年　３月　８日出願公開、特開平　３−　５４８２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、平成１年７月２４日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１０年１２月１４日付け及び平成１２年５月２９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「シリコン結晶基板表面をイオン注入によりアモルファス化して該アモルファス半導体層の膜厚内にのみイオン注入により不純物を導入し、固相拡散により上記アモルファス半導体層の膜厚が接合の深さの３０％以下となるように、上記シリコン結晶基板内に拡散層を形成することを特徴とする半導体装置の製法。（以下、「本願発明」という）」
２．引用例
　これに対して、当審の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６３−１５５７２０号公報（以下、「引用例」という。）には、半導体装置の製造方法に関する技術が、第１乃至第４図と共に開示されている。
　更に同公報には次の技術事項が記載されている。
「半導体装置の製造方法において、半導体の電気特性に影響を与えない不活性な第一のイオンを注入し、半導体表面に非晶質層を形成する工程と、前記第一のイオン注入により形成された非晶質層の深さよりも浅く電気的に活性な第二のイオンを注入する工程と、前記第二のイオン注入により導入した不純物を熱処理により拡散させ、前記不純物の層の深さを前記非晶質層の深さよりも深くする工程を含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
「本発明は、微細ＬＳＩ製作に要求される、良好な電流−電圧特性を持つ浅い接合形成方法に関するものである。」（同公報第１頁左下欄１７行〜右下欄２行）
「このような、非晶質化のためのイオン注入に伴う結晶欠陥の深さと接合のリーク電流との関係を調べた結果、接合の深さが前記結晶欠陥よりも深い場合は良好な接合特性を示し、接合の深さが結晶欠陥の深さよりも浅い場合にはリーク電流が大きく増大することがわかつた。本発明は以上の実験事実に基いてなされたもので、チヤネリングを完全に防止するために、非晶質層の深さがＢのイオン注入深さよりも深くなるように形成し、その後の熱処理によりＢを拡散させ、結晶欠陥の深さよりもやや深い所を接合面とすることにより、良好な電流−電圧特性を持つ接合を形成するものである。すなわち、本発明は、第一のイオン注入により非晶質層を形成した後、第二のイオン注入により不純物イオンを注入し接合を形成する工程において、第二の不純物イオンを、第一のイオン注入により形成された非晶質層の深さよりも浅くイオン注入した後、熱処理により、第二のイオン注入により導入した不純物を拡散させ、不純物層の深さを前記非晶質層の深さよりもやや深くすることを最も主要な特徴とする。」（同公報第２頁左下欄６行〜右下欄７行）
「本実施例で示したＰ＋Ｎ接合の逆方向の電流−電圧特性を第３図に示す。図に示すように、−５Ｖ印加時のリーク電流は1×10-9A/cｍ2と非常に小さい値であり、良好な電流-電圧特性を持つ浅い接合が得られている。前述したようにランプアニールでＢは若干拡散するので、接合深さは1100Åと、非晶質層の深さ1000Åに比べてやや深くなる。従って、本施例では、非晶質層と結晶の界面に発生する結晶欠陥の深さが熱処理後の接合の深さよりも浅くなるために、第3図に示すような良好な電流−電圧特性が得られる。」（同公報第３頁左下欄１３行〜右下欄４行）
「本発明によれば、接合を形成するためのイオンの注入深さよりも深い非晶質層を用いるので、イオン注入時のチヤネリングを完全に防止でき、またその後の拡散により、非晶質化のためのイオン注入に伴う結晶欠陥の影響がなくなるので、良好な電流−電圧特性を持つた浅い接合が形成できるという利点がある。」（同公報第４頁左上欄７〜１３行）
「第１図は本発明の一実施例を示した図、・・・。１・・・Ｎ型Ｓｉ基板
２・・・フイールド酸化膜
３・・・ゲート酸化膜
４・・・低抵抗多結晶シリコンゲート電極
５・・・非晶質層
６・・・ソース・ドレイン用Ｐ+層
７・・・非晶質層形成のためのイオン注入に　　伴う結晶欠陥
８・・・層間絶縁膜
９・・・Ａｌ電極」（同公報第４頁右上欄２〜１８行）
　第３図及び第４図（引用例の発明の方法及び従来の方法で形成した接合の逆方向の電流−電圧特性が示されている。）
以上まとめると引用例には、次のような発明が記載されている。
シリコン結晶基板表面をイオン注入によりアモルファス化して該アモルファス半導体層の膜厚内にのみイオン注入により不純物を導入し、熱処理により、不純物の層の深さを前記アモルファス半導体層の深さよりも深くなるように、上記シリコン結晶基板内に拡散層を形成することを特徴とする半導体装置の製法。
３．対比、判断
　引用例の発明の構成と本願発明の構成とを対比すると、引用例におけるイオン注入により導入された不純物を熱処理することによりシリコン結晶基板内に拡散層を形成することは、本願発明におけるイオン注入により不純物を導入し固相拡散によりシリコン結晶基板内に拡散層を形成することに相当するから、両者は「シリコン結晶基板表面をイオン注入によりアモルファス化して該アモルファス半導体層の膜厚内にのみイオン注入により不純物を導入し、固相拡散により、不純物の層の深さを前記アモルファス半導体層の深さよりも深くなるように、上記シリコン結晶基板内に拡散層を形成することを特徴とする半導体装置の製法。」の点で一致し、次の点で相違している。
本願発明では「アモルファス半導体層の膜厚が接合の深さの３０％以下となるように、シリコン結晶基板内に拡散層を形成している」のに対し、引用例の発明では、固相拡散によりシリコン結晶基板内に形成される拡散層の深さは、アモルファス半導体層の深さよりも深くなるように形成している点、即ち「アモルファス半導体層の膜厚が接合の深さの１００％未満となるようにシリコン結晶基板内に拡散層を形成している」点。
　以下上記相違点について検討する。
　引用例によれば、固相拡散によりシリコン結晶基板内に形成される拡散層の深さを、アモルファス半導体層の深さよりも深くなるように形成し、結晶欠陥の深さよりもやや深い所を接合面とすることにより、良好な電流−電圧特性を持つ接合が得られ、また第３図、第４図及びその説明からリーク電流が非常に小さく接合耐圧が向上する効果が得られている。
  本願発明では、アモルファス半導体層の膜厚が接合の深さの「３０％以下」となるようにする点についての効果として、本願明細書の１０頁の１３〜１９行目には、「本発明の半導体装置の製法によれば、シリコン結晶基板表面をアモルファス化し、このアモルファス半導体層にイオン注入した不純物の固相拡散により、アモルファス半導体層の膜厚が接合の深さの３０％以下となるようにシリコン結晶基板内に拡散層を形成するようにしたので、接合部でのシリコン結晶の損傷はなく、接合リーク電流を低減することができると共に、接合耐圧を向上することができる。」と記載されている。
　本願発明は、引用例の発明で選択し得る１００％未満の数値範囲の内、３０％以下の範囲を選択するものであるが、以上の作用効果についての検討結果からでは、３０％以下の範囲を選択することによる格別な作用効果は認められない。
　次に、引用例の発明では、「接合深さは1100Åと、非晶質層の深さ1000Åに比べてやや深くなる。」場合を主要な特徴とする旨記載されているが、これは浅い接合を得ることを目的にしたその好ましい上限の数値の目安を開示しているにすぎないものである。
　そして、浅い接合が必要とされない通常のＬＳＩ製作の場合には、接合の深さはアモルファス半導体層の深さに比べてより深くなるのであるから、非晶質化のためのイオン注入に伴う結晶欠陥の影響は更に小さいものとなる。
　したがって、引用例の発明が適用される範囲は、上記やや深くなる数値範囲に限定されるものではない。。
　しかも引用例には、３０％以下とする場合を排除するような記載も示唆も認められない。
　よって、アモルファス半導体層の膜厚を接合の深さの３０％以下とすることに格別の作用効果が認められないのであるから、不純物の層の深さを前記非晶質層の深さよりも深くする旨を開示した引用例の発明に基いて、本願発明の製法を想到実施することは、当業者にとって格別の困難性なくなし得たものと認められる。
４．結論
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する