【事件の表示】
　特許第３２５７７８１号「半導体製造・検査用セラミックヒータ」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５７７８１号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３２５７７８１号の請求項１〜５に係る発明についての出願は、平成１２年１月１１日に特許出願され、平成１３年１２月７日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、平成１４年８月９日に特許異議申立人　森田昭司により、平成１４年８月１２日に特許異議申立人　京セラ株式会社により、平成１４年８月１９日に特許異議申立人　北垣哲郎により、それぞれ請求項１〜５に係る特許に対して、また、平成１４年８月１９日に特許異議申立人　近藤昭子により請求項１〜４に係る特許に対してそれぞれ特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年３月２４日に訂正請求がなされたものである（以下、請求項１〜５に係る発明をそれぞれ「本件発明１」〜「本件発明５」という。）。
　
［２］本件訂正前の特許に対する特許異議申立人の主張、及び、取消理由の概要
ａ．特許異議申立人　森田昭司は、証拠として下記甲第１〜４号証を提出し、本件発明１〜４は甲第１証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件発明１〜５は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
　　　　　　　　　記
甲第１号証　：　特開平１１−３１２５７０号公報（以下、「刊行物１」という。）
甲第２号証　：　日本規格協会「ファインセラミックス関連用語」ＪＩＳ　Ｒ　１６００　１９９８、平成１０年１月２０日改正発行（以下、「刊行物２」という。）
甲第３号証　：　日刊工業新聞社「実際の設計選書　設計者に必要な加工の基礎知識−これだけは知っておきたい機械加工の常識−」、１９９９年６月２８日発行（以下、「刊行物３」という。）
甲第４号証　：　日刊工業新聞社「理工学事典」、１９９６年３月２８日発行（以下、「刊行物４」という。）
　
ｂ．特許異議申立人　京セラ株式会社は、証拠として下記甲第１、２号証を提出し、本件発明１〜３は甲第１号証に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明４、５は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件特許明細書は記載に不備な点があって、特許法第３６条の規定に違反したものであるから、本件発明１〜５は、特許法第１１３条第１項第２号または第４号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
　　　　　　　　　記
甲第１号証　：　特公平７−１０４２１３号公報（以下、「刊行物５」という。）
甲第２号証　：　特開平５−２００６４１号公報（以下、「刊行物６」という。）
　
ｃ．特許異議申立人　北垣哲郎は、本件特許は、新規事項を追加する補正がなされており、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するから、本件特許は、特許法第１１３条第１号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
ｄ．特許異議申立人　近藤昭子は、証拠として下記甲第１〜７号証を提出し、本件発明１〜３は、甲第１証、甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであるか、または、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件発明４は、甲第１証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであるか、または、甲第２、３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、本件発明１〜４は、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
　　　　　　　　　記
甲第１号証　：　特開平９−２３５１６６号公報（以下、「刊行物７」という。）
甲第２号証　：　特開平４−８４７２３号公報（以下、「刊行物８」という。）
甲第３号証　：　特開平５−２００６４１号公報（「刊行物６」として既出。）
甲第４号証　：　特開平１０−７４７０５号公報（以下、「刊行物９」という。）
甲第５号証　：　特開平６−２４４１１４号公報（以下、「刊行物１０」という。）
甲第６号証　：　特開平９−１９５０５１号公報（以下、「刊行物１１」という。）
甲第７号証　：　（株）日本セラティックのカタログ（Technical　Information　and　Addresses）（以下、「刊行物１２」という。）
　
ｅ．取消理由の内容
　取消理由通知の内容は、以下の通りである。
　本件発明１〜５は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物記載された発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　　　　　　　　　記
・特開平９−２３５１６６号公報（「刊行物７」として既出。）
・特開平４−８４７２３号公報（「刊行物８」として既出。）
・特開平５−２００６４１号公報（「刊行物６」として既出。）
・特開平１−１０２３７５号公報（以下、「刊行物１３」という。）
　
［３］本件訂正請求
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のａ〜ｍのとおりである。
ａ．特許請求の範囲の記載、
「【請求項１】セラミック基板の表面または内部に温度制御手段を備えた半導体製造・検査用セラミックヒータであって、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に温度制御部品収納用の凹所を備え、該凹所の角部が面取形状となっていることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項２】前記凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部および／または凹所の底面と凹所の壁面で構成される角部が面取形状となる請求項１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項３】前記面取形状は、Ｃ面またはＲ面である請求項１または２に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項４】前記セラミック基板には、静電電極が設けられてなる請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項５】前記セラミック基板の表面にはチャックトップ導体層が設けられてなる請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。」
を、
「【請求項１】セラミック基板の表面または内部に
発熱体
前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、
測温素子
複数の
前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させてなり、
と共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっており、該Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍである
【請求項２】前記凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角
部が
【請求項３】前記面取形状は、Ｃ面またはＲ面である請求
項２
【請求項４】前記セラミック基板には、静電電極が設けられてなる請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項５】前記セラミック基板の表面にはチャックトップ導体層が設けられてなる請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。」
に訂正する。
　
ｂ．本件明細書の【００１０】段落の記載、
「上記課題を解決するために、請求項１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に温度制御手段を備えたものであって、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に温度制御部品収納用の凹所を備え、該凹所の角部が面取形状となっていることを要旨とするものである。上記構成を備えたことにより、本発明に係る半導体製造・検査用セラミックヒータによれば、温度制御部品収納用の凹部周辺の温度を均一にできるから、温度制御そのものの均一化を図ることができる。」
を、
「上記課題を解決するために、請求項１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に
発熱体
前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、
測温素子
前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させてなり、
共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっており、該Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍである
に訂正する。
　
ｃ．本件明細書の【００１５】段落の記載、
「ここで、「角部」には、（ｉ）セラミック基板の加熱面または加熱面の反対側の面とセラミック基板の外周側面で構成される角部、（ｉｉ）セラミック基板が、該本体上に載置される被加熱体を吸着固定するための真空吸引孔を備えている場合には、該真空吸引孔の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部、（ｉｉｉ）セラミック基板が被加熱部品を押し上げるリフトピンの挿通孔を備えている場合には、該挿通孔の壁面とセラミック基板表面で構成される角部、（ｉｖ）セラミック基板が加熱面の反対面に、測定温素子（熱電対、サーミスタ）、温度ヒューズなどのような加熱手段に付属する温度制御部品の収納用凹所を備えている場合には、該凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部および／または凹所の底面と凹所の壁面で構成される角部、（ｖ）セラミック基板表面に溝が形成される場合、この溝の上面と壁面で構成される角部、溝の底面と溝の壁面で構成される角部が含まれる。各角部においては、少なくとも加熱面側あるいは加熱面に近い側の角部は面取形状となっていることが必要である。」
を、
「ここで、「角部」に
は、セ
部が
に訂正する。
　
ｄ．本件明細書の【００４２】段落の記載、
「次に、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータ１０のセラミック基板１２の角部の面取形状について、図２〜図５を参照して更に詳細に説明する。これらの図において、図２は、セラミック基板１２の断面を拡大して示したものであり、加熱面とセラミック基板１２の側面とで構成される外周２２ａの角部、加熱面の反対側面とセラミック基板１２の側面とで構成される外周２２ｂの角部に、面取り形状２４ａが形成された状態を示したものである。図３及び図４は、挿通孔１６（又は真空吸着孔２０）の孔壁面とセラミック基板表面で構成される角部にそれぞれ面取形状２４ａ，２４ｂが形成された状態を示したものである。このような面取形状２４ａ，２４ｂは、凹所１８（図５参照）にも施すことができる。凹所１８では、凹所１８の壁面と凹所１８の底面とで構成する角部、凹所１８の壁面とセラミック基板１２の表面で構成する角部が面取形状となっている。」
を、
「次に、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータ１０のセラミック基板１２の角部の面取形状につい
て、図
。図５
、凹
に訂正する。
　
ｅ．本件明細書の【００４３】段落の記載、
「図６は、セラミック基板１２の外周あるいは貫通孔の角部を面取構造としない場合（従来品）の温度分布の概念的に示したものであり、図７は、セラミック基板１２の外周あるいは貫通孔の角部を面取構造とした場合（本発明品）の温度分布を概念的に示したものである。図６及び図７の図中に示した矢印は、熱が伝搬する方向を示しているが、セラミック基板表面から放熱するため、表面付近の温度が低下して、みかけ上熱の伝搬は中央がやや早く、表面付近がやや遅く見える。すなわち、内部の温度は高く、表面に近い程温度は低い。なお、図６から図９では、温度分布の状態を、同一温度領域がそれぞれ帯状に示されるように区切って等温線として示してある。従って帯の幅が広く、温度区分が少ないほど温度勾配は緩やかであり、温度の均一性は高い。」
を、
「図６は、セラミック基板１２の外周あるいは貫通孔の角部を面取構造としない場
合の
合の
に訂正する。
　
ｆ．本件明細書の【００４８】段落の記載、
「本発明において、面取形状は、面と面とが交わる、いわゆる尖鋭部を平面とする面取２４ａ（図２、図３参照）に加え、尖鋭部を小さな丸みをもった形状とする面取２４ｂ（図４、図５参照）を含み、以下、混同を避けるために面取２４ａを「Ｃ面２４ａ」、面取２４ｂを「Ｒ面２４ｂ」という。」
を
「本発明において、面取形状は、面と面とが交わる、いわゆる尖鋭部を平面とする面取２４
ａに
（図
に訂正する。
　
ｇ．本件明細書の【００４９】段落の記載、
「本発明において、前記Ｃ面の大きさ（図２に仮想線で示すように、Ｃ面２４ａを斜辺として含む直角三角形の１辺の長さをいう）は２５〜２５００μｍが望ましく、好ましくは１００〜５００μmの範囲内である。大きすぎると、熱が放熱して温度の不均一が発生し、小さすぎると面取の効果が期待できず、やはり温度の不均一が発生するからである。一方Ｒ面の曲率半径ｒは、１５〜５０００μmが望ましく、好ましくは２００〜１５００μｍである。大きすぎると、熱が放熱して温度の不均一が発生し、小さすぎると面取の効果が期待できず、やはり温度の不均一が発生するからである。また、Ｃ面の大きさ、曲率半径ｒは、本体１０外周部、挿通孔１６、及び真空吸引孔２０に於いては、セラミック基板１２の厚みの１／２を超えない範囲に、また凹所１８に於いては、その深さの１／２を超えない範囲に止めることが好ましい。」
を
「本発明において、前記Ｃ面の大きさ
（Ｃ
、凹
に訂正する。
　
ｈ．本件明細書の【００５０】段落の記載、
「ここで、上記した図４及び図５は、Ｒ面の具体例として、挿通孔１６（又は真空吸着孔２０）及び凹所１８の例を示したものであり、図では示されていないが、セラミック基板１２の外周２２ａの角部に対しても、図４と同様に、Ｒ面を設けることができる。Ｃ面、Ｒ面の形成は、生成形品の段階で行ってもよいし、焼結後の段階で行うようにしてもよい。ただ、凹所１８の底面周辺部に対する面取り加工は、焼結後は難しくなるので、生成型体の段階で行うことが好ましい。焼結後の段階で行う、面取加工には、公知の各種の加工手段を適用できる。例えばＣ面加工には、平面研削盤加工，円筒研削盤加工を、またＲ面加工にはＮＣグライディング加工，ラッピング加工等を適用できる。」
を
「ここで、上記し
た図
、凹
。Ｃ
に訂正する。
　
ｉ．本件明細書の【００７０】段落の【表１】の記載、
「実施例１−１」、「実施例１−５」
をそれぞれ
「参考例１−１」、「参考例１−５」
に訂正する。
　
ｊ．本件明細書の【図面の簡単な説明】の記載、
「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックヒータの概略構成を示した断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の外周部の角部に対する面取構造を示した部分拡大面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の貫通孔の上下端部の角部に対するＣ面面取構造を示した部分拡大図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の貫通孔の上下端部の角部に対するＲ面面取構造を示した部分拡大図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の凹所の角部に対するＲ面面取構造を示した部分拡大図である。
【図６】セラミック基板に面取構造がない場合（従来品）の温度分布を示した図である。
【図７】セラミック基板に面取構造を設けた場合（本発明品）の温度分布を示した図である。
【図８】凹所の底面に面取がない場合（従来品）の温度分布を示した図である。
【図９】凹所の底面に面取がある場合（本発明品）の温度分布を示した図である。
【図１０】静電チャックの構造を示した図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
【図１２】図１１の続きであって、本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
【図１３】サーモビュアによるウエハ加熱面の表面状態を示した図である。」
を、
「【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックヒータの概略構成を示した断面図である。
【図２】削除された。
【図３】削除された。
【図４】削除された。
【図５】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の凹所の角部に対するＲ面面取構造を示した部分拡大図である。
【図６】セラミック基板に面取構造がない場
合の
【図７】セラミック基板に面取構造を設けた場
合の
【図８】凹所の底面に面取がない場合（従来品）の温度分布を示した図である。
【図９】凹所の底面に面取がある場合（本発明品）の温度分布を示した図である。
【図１０】静電チャックの構造を示した図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
【図１２】図１１の続きであって、本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
【図１３】サーモビュアによるウエハ加熱面の表面状態を示した図である。」
に訂正する。
　
ｋ．本件図面の【図２】、【図３】および【図４】を削除する。
　
ｌ．図６中の「従来品」の表示を削除する。
　
ｍ．図７中の「本発明品」の表示を削除する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
・訂正事項ａについて
　この訂正は、前請求項１の記載を、旧請求項２および旧請求項３に記載された事項にて限定すると共に、さらに、
「温度制御手段」を、「発熱体」に変更したが、それは、【００４１】段落その他において多数用いられている具体的表現に改めた減縮訂正であり、
「前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、」を加入したのは、【００２３】段落の記載にある、「少なくとも２以上の回路に分割されている」の記載を引用して技術的に限定した減縮訂正であり、
「温度制御部品収納用の凹所を備え」を「測温素子収納用の複数の凹部を備え」に訂正したのは、【０００７】段落の「測温素子」、および【００２１】段落の「貫通孔及び凹所１８は必ずしも一組として形成されている必要はなく、・・・・種々の変更が可能である」という記載、【００７７】段落の「温度制御のための複数の熱電対を凹所に埋め込み」という記載、【００６１】段落の「凹所となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）５箇所（図１３のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｆ、Ｇ）を形成した」という記載を引用して技術的に限定した減縮訂正であり、
「凹所を備え、」の後に、「前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させてなり、」を加入したのは、【０００７】段落の「該凹所の底面は上記温度制御部品、例えば測温素子と直接接触する部分であり」の記載に基づく測温素子についての技術的な限定による減縮訂正であり、
「角部が面取形状となっている」の後に、「と共に、その角部のうちの底面とその壁面で構成される角部はＲ面による面取形状となっている」を加入したのは、「請求項２および３」の記載、ならびに【００４２】段落の「凹所１８では、凹所１８の壁面と凹所１８の底面とで構成する角部、凹所１８の壁面とセラミック基板１２の表面で構成する角部が面取り形状となっている。」、【００４８、００４９】段落の記載に基づく、角部についての技術的な限定による減縮訂正であり、
「該Ｒ面の曲率半径は１５〜１０００μｍ」を加入したのは、【００４９】段落の「一方Ｒ面の曲率半径ｒは、１５〜５０００μｍが望ましく」の記載ならびに【００７０】段落の表１「実施例１−４」の「凹所Ｒ面１０００μｍ」の記載に基づく、Ｒ面の大きさを技術的に限定する減縮訂正である。
従って、上記の各訂正は、いずれも特許請求の範囲の減縮にを目的としたものである。
  また、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではなく、さらに訂正後の特許請求の範囲の各請求項に係る発明は、後記するように出願の際独立して特許を受けることができない発明とも認められない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するものである。
　また、その他の訂正事項ｂ〜ｍについても特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので当該訂正を認める。
　
［４］本件発明
　本件の請求項１〜５に係る発明は上記［３］で認定したとおり平成１５年３月２４日付けで提出された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりの次のものである。
　
「【請求項１】セラミック基板の表面または内部に発熱体を備えた半導体製造・検査用セラミックヒータであって、前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に測温素子収納用の複数の凹所を備え、前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させてなり、該凹所の角部が面取形状となっていると共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっており、該Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍであることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項２】前記凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部が面取形状となる請求項１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項３】前記面取形状は、Ｃ面またはＲ面である請求項２に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項４】前記セラミック基板には、静電電極が設けられてなる請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【請求項５】前記セラミック基板の表面にはチャックトップ導体層が設けられてなる請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。」
　
［５］刊行物１〜１３に記載された発明
（１）刊行物１（特開平１１−３１２５７０号公報）には、図面とともに以下の記載がある。
「【発明の属する技術分野】本発明は、熱電対などの温度検出手段を備えてなるセラミックヒータに関し、特に、ＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリングなどの成膜装置やエッチング装置に用いられるセラミックヒータ、その中でも半導体製造装置用セラミックヒータとして好適なものである。」（第２頁１欄１３〜１８行）、
「【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について説明する。図１（ａ）は本発明のセラミックヒータの一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【００１４】このセラミックヒータ１は、円盤状をしたセラミック体２からなり、該セラミック体２は、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素のうちいずれか１種を主成分とし、炭素含有量が５００ｐｐｍ以下であって、かつ２００℃以上の温度域における体積固有抵抗値が１０８Ω・ｃｍ以上である絶縁性のセラミックスにより形成してある。
【００１５】また、上記セラミック体２中には図２（ａ）に示すような発熱パターンを有する膜状の抵抗発熱体４を埋設するとともに、上記セラミック体２の上面を被加熱物Ｗを載置する載置面３とし、上記セラミック体２の下面には上記抵抗発熱体４に連通する２つの凹部２ａに給電端子５をロウ付け等の手段でもってそれぞれ接合することにより抵抗発熱体４と電気的に接続してある。なお、上記抵抗発熱体４の発熱パターンとしては、図２（ａ）に示したものだけに限定されるものではなく、図２（ｂ）に示すような渦巻き状をしたものでも良く、載置面３を均一に発熱させることができるパターン形状であれば良い。また、膜状の抵抗発熱体４だけでなく金属線を用いることもでき、例えは、金属線を用いる場合、スパイラル状に巻線したものを図２（ａ）（ｂ）に示す発熱パターンの形状に埋設すれば良い。
【００１６】また、上記セラミック体２の下面には載置面３の近傍まで連通する凹部２ｂを穿設してあり、該凹部２ｂ内に熱電対等の温度検出手段６を内挿してある。なお、温度検出手段６を内挿する手段としては、凹部２ｂの内壁面にネジを切り、温度検出手段６をネジ止めするかあるいは上記凹部２ｂにガラス等による接着、ロウ付け、ネジ止め、拡散接合などの方法により筒体（不図示）を接合し、該筒体に温度検出手段６をネジ止めやガラス等による接着にて接合すれば良い。また、図１に示す例では、温度検出手段６をセラミック体２の下面に内挿した例を示したが、セラミック体２の側面より内挿したものであっても構わない。」（第３頁３欄３９行〜４欄２６行）、
「【００３０】次に、本発明の他の実施形態について説明する。図３は図１（ｂ）とほぼ同様の構造をしたものであるが、載置面３と抵抗発熱体４との間に別の内部電極７を埋設したもので、例えば、この内部電極７を静電吸着用電極とし、上記内部電極７と載置面３上に載置する被加熱物Ｗとの間に電圧を印加すれば、被加熱物Ｗと内部電極７との間に誘電分極によるクーロン力や微少な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力を発現させて被加熱物Ｗを載置面３上に電気的に吸着固定することができ、また、上記内部電極７をプラズマ発生用電極とし、別に設置されたプラズマ発生用電極との間に高周波電力を印加することによりプラズマを発生させることもできる。」（第４頁６欄５０行〜第５頁７欄１２行）、及び、
「【００３２】本実験では図１に示す外径２００ｍｍ、厚み１２ｍｍのセラミックヒータ１を製作し、セラミック体２の下面に温度検出手段６として熱電対を挿入固定するための凹部２ｂ（外径２ｍｍ、深さ７ｍｍ）を穿設したあと、該凹部２ｂに素線径１ｍｍのＫ型熱電対（山里産業製）をネジ止めにより接合した。」（第５頁７欄１９行〜８欄４行）
　
（２）刊行物２（日本規格協会「ファインセラミックス関連用語」ＪＩＳ　Ｒ　１６００　１９９８、平成１０年１月２０日改正発行）の第２５頁に記載の表には、ファインセラミックスに関する主な用語と定義が記載されている。特に番号３６１６の用語「面取り」の定義として「一般に研削加工したガラスやセラミックスなどの縁は細かな凹凸があり危険であり、欠けやすいので切り口のりよう（稜）を４５~６０°程度に削り取る操作。強さ試験用の試験片では，緑に欠けがあると強度が低下するので，面取りを行うことが多い。」と説明がなされている。
　
（３）刊行物３（日刊工業新聞社「実際の設計選書　設計者に必要な加工の基礎知識−これだけは知っておきたい機械加工の常識−」、１９９９年６月２８日発行）には、以下の記載がある。
「旋削加工した角の部分には必ず面取りを行う。面取りをしないと，角には“刃先角９０°の刃”が残ったり，“かえり”が残ることになり，危険である」（第６３頁下から６〜５行）、
「ドリルでの穴あけ後、穴の入り口の縁（貫通穴であれば出口側も）にはバリが出るので，面取り加工を行う」（第１２０頁６〜７行）、及び、
「座ぐり加工後も面取り加工を忘れないようにする．特に、座ぐり穴底部の下穴の面取りを忘れないようにする」（第１２２頁１２〜１４行）。
　
（４）刊行物４（日刊工業新聞社「理工学事典」、１９９６年３月２８日発行）の第１４５６頁左欄には、「面取り」の意味として、「面と面の鋭く交わる部分（カド）に丸み（round）や傾斜した小さな平面（chamfer）を付けること」と記載されている。
　
（５）刊行物５（特公平７−１０４２１３号公報）には、図面とともに以下の記載がある。
「第１図において、１は半導体製造用熱ＣＶＤに使用される容器、２はその内部のケース３に取付けられたウエハー加熱用のヒーター本体であり、その大きさは例えば４〜８インチとしてウエハーを設定可能なサイズとしておく。容器１の内部にはガス供給孔４から熱ＣＶＤ用のガスが供給され、吸引孔５から真空ポンプにより内部の空気が排出される。非金属無機質ヒーター２は窒化珪素のような緻密でガスタイトな非金属無機質材料の内部に抵抗発熱体７をスパイラル状に埋設したもので、その中央および端部のケーブル８を介して外部から電力が供給され、非金属無機質ヒーター２を例えば１１００℃程度に加熱することができる。９はケース３の上面を覆う水冷ジャケット１０付きのフランジであり、Ｏリング１１により容器１の側壁との間をシールされ、容器１の天井面を構成している。」（第２頁４欄３３〜４８行）、
「そしてこのような中空シース１２の内部に、ステンレスケース付きの熱電対１４が収容されている。なお中空シース１２と容器１のフランジ９との間にはＯリング１５が設けられ、大気の侵入を防止している。中空シース１２と非金属無機質ヒーター２の背面２２との接合は、第２図に拡大して示すように行う。
即ち、ヒーター背面２２側に開口した断面円形の接合用孔２５をヒーター２に設け、この接合用孔２５内に中空シース先端部分１２ａを挿入し、両者の間をガラス接合層１３で接合する。接合用孔２５の深さLは、非金属無機質ヒーターの厚みｄの１０％以上とし、より好ましくは５０％以上とする。また、接合用孔２５の開口端部にはテ−パー面４２を設けてある。更に、接合用孔２５は、好ましくは窒化珪素からなる非金属無機質板２０で覆われ、この非金属無機質板２０は、中空シースの先端部分１２ａが貫通する貫通孔２０ａを有している。」（第３頁５欄６〜２２行）、及び、
「このように、接合用孔２５の径と先端部分１２ａとの差（クリアランス）を０．２ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下とすること、テーパー面４２を設けること、円形板２０を設けることは、何れもΔＴを小さく抑え、接合部分の耐久性を高めるうえで効果がある。」（第６頁１１欄１５〜１９行）
　
（６）刊行物６（特開平５−２００６４１号公報）には、図面とともに以下の記載がある。
「【実施例】本発明をヒーター付きの静電チャックに適用した実施例について、図１、図２を参照しつつ説明する。図１は、円盤状基体１Ａにガラス溶融液９をスピンコートする直前の状態を示す概略断面図、図２は静電チャックの概略断面図である。まず図１から順を追って説明する。
【００１１】例えば円盤状基体１Ａの内部に、抵抗発熱体２が埋設される。円盤状基体１Ａは緻密質セラミックからなる。抵抗発熱体２は、例えば、平面的にみると渦巻状に埋設され、細かくみると螺旋状に巻回されている。抵抗発熱体２の両端に、それぞれ端子３が接続、固定される。端子３は円盤状基体１Ａに埋設される。円盤状基体１Ａの一方の主面１ａには、膜状の内部電極７が形成されている。内部電極７の平面形状は、必要に応じて選択する。端子３の末端面が、他方の主面１ｂに露出する。
【００１２】円盤状基体１Ａの例えば中央付近に貫通孔４を形成し、また、熱電対収容孔５を設ける。熱電対収容孔５は、他方の主面１ｂ側へと開口し、かつ他方の主面１ａの近くまで延びている。」（第２頁２欄４１行〜第３頁３欄１１行）、及び、
「これにより、内部電極７は、円盤状基体１Ａと絶縁性誘電体層１１との間に内蔵される。貫通孔４に給電ケーブル１２Ｂの末端が挿通され、給電ケーブル１２Ｂが内部電極７に接続される。静電チャック用の直流電源１３の正極が給電ケーブル１２Ｂに接続され、直流電源１３の負極がアース線１２Ｃに接続される。
【００１６】熱電対収容孔５内に熱電対１６を挿入、固定し、熱電対１６をケーブル１５に接続する。ケーブル１５の他端をコントローラー１４に接続する。熱電対１６によって円盤状基体１Ａ内の温度を観測しつつ、この観測に基づいて、抵抗発熱体への供給電力を制御する。」（第３頁３欄３７〜４７行）
　
（７）刊行物７（特開平９−２３５１６６号公報）には、図面とともに以下の記載がある。
「【請求項１】金属部材と、この金属部材の少なくとも一部を収容する収容孔を備えているセラミックス部材との接合構造であって、前記金属部材が前記収容孔内に収容されており、少なくとも前記金属部材の底面側で前記収容孔の側壁面と前記金属部材との間に幅０．２ｍｍ以上の間隙部が設けられており、前記金属部材と前記セラミックス部材とを接合する接合層が前記金属部材の底面と前記収容孔の底面との間に形成されており、かつこの接合層の一部分が前記収容孔の底面を被覆するように前記間隙部に露出していることを特徴とする、金属部材とセラミックス部材との接合構造。」（請求項１）、
「特に、窒化アルミニウム部材と金属部材との接合体は、種々の構成のものが様々な用途に使用されている。例えは、半導体製造装置において用いられるセラミックスヒーター、静電チャックおよび高周波電極等においては、窒化アルミニウム部材と種々のセラミック部材との間、窒化アルミニウム部材と熱電対セット用との間、窒化アルミニウム部材と電極との間等を接合する必要がある。」（第２頁２欄３１〜３８行）、
「なお、図２においては、金属部２の角部材に面取り部材２ｃが形成されており、また収容孔６の角部６ａには加工上の都合からアール６ａが生成している。」（第４頁５欄２７〜３０行）、
「セラミックス部材の内部に電極を埋設する形態においては、セラミックス部材中に抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーター、セラミックス部材中に静電チャック用電極を埋設したセラミックス静電チャック、セラミックス部材中に抵抗発熱体と静電チャック用電極とを埋設した静電チャック付きヒーター、セラミックス部材中にプラズマ発生用電極を埋設した高周波発生用電極装置のような能動型装置を例示することができる。」（第５頁８欄４９〜第６頁９欄７行）、
「図５は、本発明を静電チャックに対して適用した実施例を示す断面図である。２１は、円盤形状のセラミックス部材からなる静電チャック本体である。このような、高周波電極を有する静電チャックは、ハロゲン系腐食性ガス雰囲気下で使用されることが多く、このような腐食性雰囲気下では、窒化アルミニウムまたは緻密質のアルミナが耐食性があることがわかっているため、セラミックス部材は窒化アルミニウムまたは緻密質アルミナで形成することが好ましい。
【００４２】２２は、電極接合部である。本体１の内部の背面２１ｂ側の近傍には、網状電極ないしメッシュ３１が埋設されている。このメッシュ３１は、抵抗発熱体や静電チャック用電極として使用できるものである。静電チャック本体１には収容孔２６が形成されており、収容孔２６が背面２１ｂに開口している。２１は半導体ウエハー設置面である。」（第６頁９欄１４〜２９行）、
「【００４６】また、２３は、熱電対の接合部である。静電チャック本体１には、収容孔２６よりも若干小さい深さを有する収容孔３０が形成されており、収容孔３０が背面２１ｂに開口している。
【００４７】熱電対を形成する一対の電極２８の先端部２８ａの周囲には、熱電対保護用のニッケル製のキャップ２９（金属部材の一例）が設けられており、キャップ２９の雌ねじ２９ｅに対して電極２８の雄ねじ２８ａをはめ込む。」（第６頁９欄４７行〜１０欄５行）、及び、
「セラミックス部材に残留する応力を減少させ、接合体を高温と低温との間の熱サイクルに供したり、或いは高温で長期間保存した場合にも、セラミックス部材の方にクラックや破損が発生するおそれをなくすることができる。」（第７頁１２欄４８行〜第８頁１３欄２行）
　
（８）刊行物８（特開平４−８４７２３号公報）には、図面とともに以下の記載がある。
「２．前記接合用孔の開口端部にテーパー面を形成した、請求項１記載の非金属無機質部材の温度測定装置。
・・・・・・・
８．圧力が変化する容器；
　抵抗発熱体が埋設され、前記容器の内部に設置された非金属無機質ヒーター；
　前記容器の内部の圧力が変化しても実質的に内部圧力が変化しない中空シース；
　この中空シースの内部に収容された熱電対；
　前記中空シースの先端部分が収容され、前記非金属無機質ヒーターの厚みの１０％以上の深さを有する接合用孔；及び
　この接合用孔と前記中空シースの先端部分との間隙に形成されるガラス接合層を有する加熱装置。」（特許請求の範囲の請求項２及び８）、
「第１図において、１は半導体製造用熱ＣＶＤに使用される容器、２はその内部のケース３に取付けられたウエハー加熱用のヒーター本体であり、・・・・・・非金属無機質ヒーター２は窒化珪素のような緻密でガスタイトな非金属無機質材料の内部に抵抗発熱体７をスパイラル状に埋設したもので・・・・・１２はこのような容器１のフランジ９の壁面を貫通して容器１の内部に挿入された中空シースである。中空シース１２はモリブデン又はタングステンからなるもので、図示のようにその先端部分１２ａは、伝熱による放熱を少なくするために細く形成されている。中空シース１２の上端はフランジ９の外部に達しているので、中空シースの内部は容器１の内圧変化に影響されない一定圧力に保たれている。そしてこのような中空シース１２の内部に、ステンレスシース付きの熱電対１４が収容されている。・・・・・・即ち、ヒーター背面２２側に開口した断面円形の接合用孔２５をヒーター２に設け、この接合用孔２５内に中空シース先端部分１２aを挿入し、両者の間をガラス接合層１３で接合する。・・・・・・また、接合用孔２５の開口端部にはテーパー面４２を設けてある。」（第３頁右上欄１０行〜同頁右下欄９行）、及び、
「容器の内部の圧力が変化しても熱電対の周囲のガス分子の挙動が変化することがなく、従って常に安定した温度測定が可能である。」（第７頁左下欄５〜８行）
　
（９）刊行物９（特開平１０−７４７０５号公報）には、以下の記載がある。
「サセプタ３０の底面４６を図４に示す。この図で示すように、ＣＶＤチャンバにサセプタ３０を固定する熱電対インサートをサセプタ３０の穴５２，５４及び５６内に配置することができるように、コーティングされていない領域５０が提供されている。サセプタ３０は、窒化アルミニウム被膜で覆われたグラファイト又はグラファイト複合材料から形成されている。」（第４頁６欄２２〜２９行）、「図８は穴５６の断面図であり、図１０に断面で示されている熱電対インサート６０と共に用いられ、ＣＶＤチャンバの熱電対をサセプタ３０に連結するためのものである。」（第５頁７欄第５〜８行）。そして、図８には、熱電対収納用凹所の角部が面取り形状となっていることが示されている。
　
（１０）刊行物１０（特開平６−２４４１１４号公報）には、以下の記載がある。
「図９は、従来の気相成長装置におけるサセプタの温度測定部の概略を示した部分拡大図である。上記したように、サセプタ３の中心下部に設けられた凹部１１に、熱電対１２の先端部が挿入されており、さらに、熱電対１２はヒータ９の中心部を通って、図示しない温度コントローラ１３に接続される。」（第２頁２欄１９〜２４行）。そして、図７（a）（b）に、凹部１１の角部が面取形状になっていることが示されている。
　
（１１）刊行物１１（特開平９−１９５０５１号公報）には、図面とともに以下の記載がある。
「図３（Ｂ）は本実施の形態に係る板状基板支持具の要部拡大断面図である。同図（Ｂ）において本実施の形態に係る板状基板支持具は、前記図１に記載の板状基板支持具と同様にベルジャ１０１内に収納される円板状のサセプ夕１の下面側に挿入凹部３が穿設され、この挿入凹部３に石英ガラスの中空円柱体で形成される保護カバー２２に熱電対温度センサ２１を収納する温度測定手段２を挿入する構成とし、この挿入凹部３の外形構造を異にする構成である。この挿入凹部３は、サセプ夕１の下面側に穴として穿設され、この穴の奥端部分を円錐台形状とする」（第４頁６欄１８〜２８行）。そして、図３（Ｃ）に、挿入凹部３の奥端部分を円錐台形状とすることが示されている。
　
（１２）刊行物１２（（株）日本セラティックのカタログ（Technical　Information　and　Addresses））には、以下の記載がある。
第１６頁「セラミックス機械部品の設計指針」のPoint２において、「厚肉品は避けて、コーナー部は面取り、R又はニゲを取らせて下さい。」と記載され、右側図面下部に、「R＞０.５〜１．０、Ｃ＞０．３〜１．０」と記載されている。
　
（１３）刊行物１３（特開平１−１０２３７５号公報）には、ウエハプローバにおいて、セラミック基板（セラミック等の絶縁層１６）からなるチャックの表面にチャックトップ導体層（金メッキ層１５）を設けたものが図面とともに記載されている。
　
［６］対比・判断
［６−１］特許法第２９条第１項第３号の規定の適用について
（１）刊行物１との対比
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の「セラミック体２」、「抵抗発熱体４」、「温度検出手段６」、「凹部２ｂ」は、それぞれ本件発明１の「セラミック基板」、「発熱体」、「測温素子」、「凹所」に相当するから、両者は、
「セラミック基板の表面または内部に発熱体を備えた半導体製造・検査用セラミックヒータであって、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に測温素子収納用の凹所を備え、前記測温素子は該凹部内底面に接触させてなることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックヒータ。」の点で一致しているが、以下の点で相違している。　
　
相違点ａ：本件発明１では、発熱体が少なくとも２以上の回路に分割されてなり、測温素子収納用の複数の凹所を備え、測温素子は凹部内底面に直接接触させてなるのに対して、刊行物１には、発熱体を少なくとも２以上の回路に分割すること、温素子収納用の凹所を複数備えること、及び測温素子を凹部内底面に直接接触させることについてはいずれも記載されていない点。
相違点ｂ：本件発明１では、該凹所の角部が面取形状となっていると共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっており、該Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍであるのに対して、刊行物１には該凹所の角部に面取形状を設けることについては何も記載されていない点。
　
　したがって、本件発明１は刊行物１に記載された発明ではない。
　
（２）刊行物５との対比
　本件発明１と刊行物５記載の発明とを対比すると、刊行物５記載の「抵抗発熱体７」、「熱電対１４」、「接合用孔２５」は、それぞれ本件発明１の「発熱体」、「測温素子」、「凹所」に相当するから、両者は、「セラミック基板の表面または内部に発熱体を備えた半導体製造・検査用セラミックヒータであって、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に測温素子収納用の凹所を備え、該凹所の角部が面取形状となっていると共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっていることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックヒータ。」の点で一致しているが、刊行物１との相違点である上記相違点ａと同一の相違点に加え以下の点で相違している。　
　
相違点ｃ：本件発明１では、凹所の底面と壁面とで構成される角部のＲ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍであるのに対して、刊行物１には該Ｒ面の曲率半径については記載されていない点。
　
　したがって、本件発明１は刊行物５に記載された発明ではない。
　
（３）刊行物７との対比
　本件発明１と刊行物７記載の発明とを対比すると、刊行物７記載の「セラミックス部材」、「抵抗発熱体」、「熱電対」、「収容孔３０」は、それぞれ本件発明１の「セラミック基板」、「発熱体」、「測温素子」、「凹所」に相当するから、両者は、「セラミック基板の表面または内部に発熱体を備えた半導体製造・検査用セラミックヒータであって、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に測温素子収納用の凹所を備え、前記測温素子は該凹部内底面に接触させてなり、該凹所の角部が面取形状となっていると共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっていることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックヒータ。」の点で一致しているが、刊行物１との相違点である上記相違点ａと同一の相違点、及び、刊行物５との相違点である上記相違点ｃと同一の相違点で相違している。
　したがって、本件発明１は刊行物７に記載された発明ではない。
　
（４）刊行物８との対比
　本件発明１と刊行物８記載の発明とを対比すると、刊行物８記載の「抵抗発熱体７」、「熱電対１４」、「接合用孔２５」は、それぞれ本件発明１の「発熱体」、「測温素子」、「凹所」に相当するから、両者は、「セラミック基板の表面または内部に発熱体を備えた半導体製造・検査用セラミックヒータであって、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に測温素子収納用の凹所を備え、該凹所の角部が面取形状となっていると共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっていることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックヒータ。」の点で一致しているが、刊行物１との相違点である上記相違点ａと同一の相違点、及び、刊行物５との相違点である上記相違点ｃと同一の点で相違している。　
　したがって、本件発明１は刊行物８に記載された発明ではない。
　
（５）本件発明の新規性の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件発明１は刊行物１、５、７、８に記載された発明ということはできない。
　本件発明２は、請求項１を引用し、さらに、「前記凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部が面取形状となる」構成を付加、限定するものであるから、本件発明１が刊行物１、５、７、８に記載された発明といえない以上、本件発明２も刊行物１、５、７、８に記載された発明ということはできない。
　本件発明３は、請求項２を引用し、さらに、「前記面取形状は、Ｃ面またはＲ面である」構成を付加、限定するものであるから、本件発明２が刊行物１、５、７、８に記載された発明といえない以上、本件発明３も刊行物１、５、７、８に記載された発明ということはできない。
　本件発明４は、請求項１〜３のいずれかを引用し、さらに、「前記セラミック基板には、静電電極が設けられてなる」構成を付加、限定するものであるから、本件発明１〜３が刊行物１、５、７、８に記載された発明といえない以上、本件発明４も刊行物１、５、７、８に記載された発明ということはできない。
　
［６−２］特許法第２９条第２項の規定の適用について
　刊行物１〜１３のいずれにも、本件発明１の構成要件である「前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に測温素子収納用の複数の凹所を備え、前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させて」なる点について記載されておらず、また示唆もされていない。
  そして、本件発明１は、上記構成を有することにより、温度の制御性にも優れるという本件明細書に記載された格別の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、刊行物１〜１３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、本件発明１が、刊行物１〜１３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない以上、本件発明２〜５も刊行物１〜１３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。　
　
［７］明細書の記載不備について
　特許異議申立人　京セラ株式会社は、本件特許明細書の記載について、以下のような主旨の主張している。
ａ．本件特許発明の請求項では、面取り形状の寸法が特定されていないため権利範囲が不明確である。
ｂ．本件特許の明細書の段落【００４３】〜【００４５】等では、セラミック基板の外周や貫通穴孔の角部を面取り形状としたものを本発明品として述べており、請求項１の記載と一致していない。したがって、本件特許明細書は、当業者が容易に実施可能な程度に記載されていない。
　そこで、上記ａについて検討するに、面取り形状の寸法については、上記訂正請求により、「Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍ」なる訂正がなされたので上記ａの不備は解消された。
　上記ｂについては、少なくとの請求項１に記載された発明については、発明の詳細な説明に記載されており、請求項１は発明の詳細な説明のに記載の発明の一部を記載したものであって、本件特許明細書には、請求項に記載された発明が当業者が容易に実施可能な程度に記載されていないとすることはできない。
  したがって、本件特許明細書の記載のついての特許異議申立人　京セラ株式会社の上記主張は理由がない。
　
［８］特許法第１７条の２第３項の規定違反（新規事項の追加）について
  特許異議申立人　北垣哲郎は、平成１３年７月２７日付け手続補正による明細書の発明の詳細な説明の段落【００１０】〜【００１４】及び段落【００９２】の以下の記載は新規事項を追加するものであり、違法な補正である旨主張している。
ａ．段落【００１０】の「上記構成を備えたことにより、本発明に係る半導体製造・検査用セラミックヒータによれば、温度制御部品収納用の凹部周辺の温度を均一にできるから、温度制御そのものの均一化を図ることができる。」
ｂ．段落【００１１】の「凹所としたことで、熱の蓄積が発生しないため望ましいのである。」
ｃ．段落【００１３】の「そうすれば、静電チャックとして用いることができるからである。」
ｄ．段落【００１４】の「そうすれば、ウエハプローバとして用いることができるからである。」
ｅ．段落【００９２】の「該セラミック基板の該凹所周辺の温度の不均一を低減させるだけでなく、温度制御の均一化が図られることになる。」
　
　そこで検討するに、本件特許の出願当初の明細書には「該凹所の底面は上記温度制御部品、例えば測温素子と直接接触する部分であり、もし底面の部分において、温度が不均一である場合、上記温度制御部品の制御性を低下させることになり、好ましくない。・・・・・また、本発明は、熱電対，温度ヒューズ等の温度制御部品の制御性を改善した半導体製造・検査用セラミックヒータを提供することを課題とする。」（発明の詳細な説明の段落【０００７】、【０００８】）、及び「これに対して図９に示したように、角部に面取構造を設けた場合には、熱が凹所定面を真横（セラミック基板側面方向）に伝搬することはなく、熱の蓄積が少なくなり、凹所の底面の温度が均一になり、凹所の底面の温度は実質的に１区分（ｆ）となっている。」（発明の詳細な説明の段落【００４７】）なる記載があり、これらの記載より上記ａ、ｂ、ｅの記載は、新規事項を追加するものであるとすることはできない。さらに、本件特許の出願当初の明細書には「また、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータは、これに静電電極を設けることにより、静電チャックとしたり、あるいは表面にチャックトップ導体層を設け更に、内部にガード電極、グランド電極を設けることによりウエハプローバとすることができる。」（発明の詳細な説明の段落【００５１】）なる記載があり、これらの記載より上記ｃ、ｄの記載も新規事項を追加するものであるとすることはできない。
　従って、特許異議申立人　北垣哲郎の上記主張は理由がない。
　
［９］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠、または取消理由によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年４月１４日（２００３．４．１４）
【訂正の要旨】
　▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の記載、
「　　【請求項１】　セラミック基板の表面または内部に温度制御手段を備えた半導体製造・検査用セラミックヒータであって、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に温度制御部品収納用の凹所を備え、該凹所の角部が面取形状となっていることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックヒータ。
　【請求項２】　前記凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部および／または凹所の底面と凹所の壁面で構成される角部が面取形状となる請求項１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
　【請求項３】　前記面取形状は、Ｃ面またはＲ面である請求項１または２に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
　【請求項４】　前記セラミック基板には、静電電極が設けられてなる請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
　【請求項５】　前記セラミック基板の表面にはチャックトップ導体層が設けられてなる請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。」
を、
「　【請求項１】　セラミック基板の表面または内部に
発熱体
前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、
測温素子
複数の
前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させてなり、
と共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっており、該Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍである
　【請求項２】　前記凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角
部が
　【請求項３】　前記面取形状は、Ｃ面またはＲ面である請求
項２
　【請求項４】　前記セラミック基板には、静電電極が設けられてなる請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
　【請求項５】　前記セラミック基板の表面にはチャックトップ導体層が設けられてなる請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。」
に訂正する。
　▲２▼訂正事項ｂ
　本件明細書の【００１０】段落の記載、
「　上記課題を解決するために、請求項１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に温度制御手段を備えたものであって、前記セラミック基板は、加熱面の反対側面に温度制御部品収納用の凹所を備え、該凹所の角部が面取形状となっていることを要旨とするものである。上記構成を備えたことにより、本発明に係る半導体製造・検査用セラミックヒータによれば、温度制御部品収納用の凹部周辺の温度を均一にできるから、温度制御そのものの均一化を図ることができる。」
を、
「　上記課題を解決するために、請求項１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に
発熱体
前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、
測温素子
前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させてなり、
と共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっており、該Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍである
に訂正する。
　▲３▼訂正事項ｃ
　本件明細書の【００１５】段落の記載、
「　ここで、「角部」には、（ｉ）セラミック基板の加熱面または加熱面の反対側の面とセラミック基板の外周側面で構成される角部、（ｉｉ）セラミック基板が、該本体上に載置される被加熱体を吸着固定するための真空吸引孔を備えている場合には、該真空吸引孔の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部、（ｉｉｉ）セラミック基板が被加熱部品を押し上げるリフトピンの挿通孔を備えている場合には、該挿通孔の壁面とセラミック基板表面で構成される角部、（ｉｖ）セラミック基板が加熱面の反対面に、測定温素子（熱電対、サーミスタ）、温度ヒューズなどのような加熱手段に付属する温度制御部品の収納用凹所を備えている場合には、該凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部および／または凹所の底面と凹所の壁面で構成される角部、（ｖ）セラミック基板表面に溝が形成される場合、この溝の上面と壁面で構成される角部、溝の底面と溝の壁面で構成される角部が含まれる。各角部においては、少なくとも加熱面側あるいは加熱面に近い側の角部は面取形状となっていることが必要である。」
を、
「　ここで、「角部」には
、セ
部が
に訂正する。
　▲４▼訂正事項ｄ
　本件明細書の【００４２】段落の記載、
「　次に、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータ１０のセラミック基板１２の角部の面取形状について、図２〜図５を参照して更に詳細に説明する。これらの図において、図２は、セラミック基板１２の断面を拡大して示したものであり、加熱面とセラミック基板１２の側面とで構成される外周２２ａの角部、加熱面の反対側面とセラミック基板１２の側面とで構成される外周２２ｂの角部に、面取り形状２４ａが形成された状態を示したものである。図３及び図４は、挿通孔１６（又は真空吸着孔２０）の孔壁面とセラミック基板表面で構成される角部にそれぞれ面取形状２４ａ，２４ｂが形成された状態を示したものである。このような面取形状２４ａ，２４ｂは、凹所１８（図５参照）にも施すことができる。凹所１８では、凹所１８の壁面と凹所１８の底面とで構成する角部、凹所１８の壁面とセラミック基板１２の表面で構成する角部が面取形状となっている。」
を、
「　次に、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータ１０のセラミック基板１２の角部の面取形状について
、図
。図５
、凹
に訂正する。
　▲５▼訂正事項ｅ
　本件明細書の【００４３】段落の記載、
「　図６は、セラミック基板１２の外周あるいは貫通孔の角部を面取構造としない場合（従来品）の温度分布の概念的に示したものであり、図７は、セラミック基板１２の外周あるいは貫通孔の角部を面取構造とした場合（本発明品）の温度分布を概念的に示したものである。図６及び図７の図中に示した矢印は、熱が伝搬する方向を示しているが、セラミック基板表面から放熱するため、表面付近の温度が低下して、みかけ上熱の伝搬は中央がやや早く、表面付近がやや遅く見える。すなわち、内部の温度は高く、表面に近い程温度は低い。なお、図６から図９では、温度分布の状態を、同一温度領域がそれぞれ帯状に示されるように区切って等温線として示してある。従って帯の幅が広く、温度区分が少ないほど温度勾配は緩やかであり、温度の均一性は高い。」
を、
「　図６は、セラミック基板１２の外周あるいは貫通孔の角部を面取構造としない場
合の
合の
に訂正する。
　▲６▼訂正事項ｆ
　本件明細書の【００４８】段落の記載、
「　本発明において、面取形状は、面と面とが交わる、いわゆる尖鋭部を平面とする面取２４ａ（図２、図３参照）に加え、尖鋭部を小さな丸みをもった形状とする面取２４ｂ（図４、図５参照）を含み、以下、混同を避けるために面取２４ａを「Ｃ面２４ａ」、面取２４ｂを「Ｒ面２４ｂ」という。」
を
「　本発明において、面取形状は、面と面とが交わる、いわゆる尖鋭部を平面とする面取２４
ａに
（図
に訂正する。
　▲７▼訂正事項ｇ
　本件明細書の【００４９】段落の記載、
「　本発明において、前記Ｃ面の大きさ（図２に仮想線で示すように、Ｃ面２４ａを斜辺として含む直角三角形の１辺の長さをいう）は２５〜２５００μｍが望ましく、好ましくは１００〜５００μｍの範囲内である。大きすぎると、熱が放熱して温度の不均一が発生し、小さすぎると面取の効果が期待できず、やはり温度の不均一が発生するからである。一方Ｒ面の曲率半径ｒは、１５〜５０００μｍが望ましく、好ましくは２００〜１５００μｍである。大きすぎると、熱が放熱して温度の不均一が発生し、小さすぎると面取の効果が期待できず、やはり温度の不均一が発生するからである。また、Ｃ面の大きさ、曲率半径ｒは、本体１０外周部、挿通孔１６、及び真空吸引孔２０に於いては、セラミック基板１２の厚みの１／２を超えない範囲に、また凹所１８に於いては、その深さの１／２を超えない範囲に止めることが好ましい。」
を
「　本発明において、前記Ｃ面の大きさ
（Ｃ
、凹
に訂正する。
　▲８▼訂正事項ｈ
　本件明細書の【００５０】段落の記載、
「　ここで、上記した図４及び図５は、Ｒ面の具体例として、挿通孔１６（又は真空吸着孔２０）及び凹所１８の例を示したものであり、図では示されていないが、セラミック基板１２の外周２２ａの角部に対しても、図４と同様に、Ｒ面を設けることができる。Ｃ面、Ｒ面の形成は、生成形品の段階で行ってもよいし、焼結後の段階で行うようにしてもよい。ただ、凹所１８の底面周辺部に対する面取り加工は、焼結後は難しくなるので、生成型体の段階で行うことが好ましい。焼結後の段階で行う、面取加工には、公知の各種の加工手段を適用できる。例えばＣ面加工には、平面研削盤加工，円筒研削盤加工を、またＲ面加工にはＮＣグライディング加工，ラッピング加工等を適用できる。」
を
「　ここで、上記し
た図
、凹
る。Ｃ
に訂正する。
▲９▼訂正事項ｉ
　本件明細書の【００７０】段落の記載、
「【表１】
」
を
「【表１】
」
に訂正する。
▲１０▼訂正事項ｊ
　本件明細書の【図面の簡単な説明】の記載、
「【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックヒータの概略構成を示した断面図である。
　【図２】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の外周部の角部に対する面取構造を示した部分拡大面図である。
　【図３】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の貫通孔の上下端部の角部に対するＣ面面取構造を示した部分拡大図である。
　【図４】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の貫通孔の上下端部の角部に対するＲ面面取構造を示した部分拡大図である。
　【図５】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の凹所の角部に対するＲ面面取構造を示した部分拡大図である。
　【図６】セラミック基板に面取構造がない場合（従来品）の温度分布を示した図である。
　【図７】セラミック基板に面取構造を設けた場合（本発明品）の温度分布を示した図である。
　【図８】凹所の底面に面取がない場合（従来品）の温度分布を示した図である。
　【図９】凹所の底面に面取がある場合（本発明品）の温度分布を示した図である。
　【図１０】静電チャックの構造を示した図である。
　【図１１】本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
　【図１２】図１１の続きであって、本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
　【図１３】サーモビュアによるウエハ加熱面の表面状態を示した図である。」
を、
「【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックヒータの概略構成を示した断面図である。
　【図２】削除された。
　【図３】削除された。
　【図４】削除された。
　【図５】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の凹所の角部に対するＲ面面取構造を示した部分拡大図である。
　【図６】セラミック基板に面取構造がない場
合の
　【図７】セラミック基板に面取構造を設けた場
合の
　【図８】凹所の底面に面取がない場合（従来品）の温度分布を示した図である。
　【図９】凹所の底面に面取がある場合（本発明品）の温度分布を示した図である。
　【図１０】静電チャックの構造を示した図である。
　【図１１】本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
　【図１２】図１１の続きであって、本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。」
に訂正する。
▲１１▼訂正事項ｋ
　本件図面の【図２】、【図３】および【図４】を削除する。
▲１２▼訂正事項ｌ
　図６中の「従来品」の表示を削除する。
▲１３▼訂正事項ｍ
　図７中の「本発明品」の表示を削除する。
（５４）【発明の名称】
半導体製造・検査用セラミックヒータ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　セラミック基板の表面または内部に
発熱体
前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、
測温素子
複数の
前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させてなり、
と共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっており、該Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍである
　【請求項２】　前記凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角
部が
　【請求項３】　前記面取形状は、Ｃ面またはＲ面である請求
項２
　【請求項４】　前記セラミック基板には、静電電極が設けられてなる請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
　【請求項５】　前記セラミック基板の表面にはチャックトップ導体層が設けられてなる請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体製造・検査用セラミックヒータに関し、更に詳しくは半導体製造又は検査プロセスにおいて使用される半導体製造・検査用セラミックヒータに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体製品は、周知のように重要度が高く、その代表例である半導体チップは、例えば、シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウエハを作製した後、このシリコンウエハ上に種々の回路を形成することにより製造される。
　【０００３】
　この種々の回路は、シリコンウエハ上にスパッタリングやエッチングによって回路パターンを形成するものであるが、スパッタリングやエッチングは高温下で実施されるものであり、また腐食性ガスを使用する場合もあるため、セラミック焼結体製のものが望ましい。このようなセラミックヒータは、主構成要素として、セラミック基板と該基板の裏面のほぼ全面に亘って備えられた発熱体、例えば通電により発熱する抵抗パターンを備えている。
　【０００４】
　このような構成を備えた従来のセラミックヒータにおいては、セラミックヒータ本体には、ウエハの受け渡しを行うためのリフトピンの挿通孔（例えば特開平１１−４０３３０号公報）や、ウエハの加熱を加熱面に密着した状態で行うための真空吸引孔等を形成しておくことが望まれる。前者は、セラミックヒータへのウエハの給排を迅速確実に行う上で有利であり、後者は迅速な加熱処理を行う上で有利だからである。
　【０００５】
　またセラミックヒータの温度制御を行う必要から、熱電対、温度ヒューズ等の温度制御部品を取り付けるべく、セラミックヒータ本体の裏面側に凹所を設け、該凹所に、これらの温度制御部品が取付けられている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、本発明者らは、このような挿通孔や真空吸引孔等の貫通孔の周囲、凹所において、温度が不均一となっていたり、温度が局所的に低くなっている低温スポットが発生していることを知見した。
　【０００７】
　このような低温スポットは、加熱乾燥処理時にウエハに対し熱的衝撃を与える原因になりかねない。また、該凹所の底面は上記温度制御部品、例えば測温素子と直接接触する部分であり、もし底面の部分において、温度が不均一である場合、上記温度制御部品の制御性を低下させることになり、好ましくない。更に、ウエハ上に樹脂を塗布し、これを露光現像、熱硬化させる場合があるが、樹脂の硬化が不均一になってしまうという問題も見られた。
　【０００８】
　本発明は、挿通孔、真空吸引孔等の貫通孔周辺の温度の不均一を低減させ、ウエハを熱的衝撃から保護できる半導体製造・検査用セラミックヒータを提供することを目的とする。また、本発明は、熱電対，温度ヒューズ等の温度制御部品の制御性を改善した半導体製造・検査用セラミックヒータを提供することを課題とする。更に、本発明は、均一な樹脂硬化が可能な半導体製造・検査用セラミックヒータを提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、このような問題点を克服すべく鋭意研究を重ねた結果、セラミックヒータ本体の角部に対する面取りが温度分布の不均一性改善に効果があることに相当するに至った。
　【００１０】
　上記課題を解決するために、請求項１に記載の半導体製造・検査用セラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に
発熱体
前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、
測温素子
複数の
前記測温素子は該凹部内底面に直接接触させてなり、
と共に、その角部のうちの底面と壁面とで構成される角部はＲ面による面取形状となっており、該Ｒ面の曲率半径は、１５μｍ〜１０００μｍである
　【００１１】
　前記凹所の角部が面取形状となっているということは、請求項２に記載されるように、前記凹所の壁面とセラミック基板の表面で構成される角部および／または凹所の底面と凹所の壁面で構成される角部が面取形状となっているということであり、凹所としたことで、熱の蓄積が発生しないため望ましいのである。
　【００１２】
　更に、請求項１または２に記載される場合に、請求項３に記載されるように、前記面取形状は、Ｃ面またはＲ面であればよい。
　【００１３】
　また、請求項１〜３に記載される場合に、請求項４に記載されるように、前記セラミック基板には、静電電極を設けてもよい。そうすれば、静電チャックとして用いることができるからである。
　【００１４】
　また、請求項１〜４に記載される場合に、請求項５に記載されるように、前記セラミック基板の表面にはチャックトップ導体層を設けてもよい。そうすれば、ウエハプローバとして用いることができるからである。
　【００１５】
　ここで、「角部」には
、セ
部が
　【００１６】
　また、加熱面の反対側の角部はウエハへの熱的影響は少ないが、加熱面の反対側の面も面取形状となっていることが好ましい。
　【００１７】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータ１０の基本的な構成を示したものであり、同図（ｂ）は、（ａ）の点線部分を拡大して示したものである。セラミックヒータ１０は、円板状のセラミック基板１２と該基板１２の加熱面の反対側面に同心円乃至渦巻き状に形成された発熱体（抵抗体）パターン１４を備え、セラミック基板１２の中央部領域には、リフトピン（図示せず）の挿通孔１６が、例えば３〜２０箇所に貫通形成されている。同図では便宜的に２個所示してある。また挿通孔１６の外側に位置するように、またセラミック基板１２の加熱面の反対側面には、熱電対を収納するための凹所１８が形成されている。
　【００１８】
　セラミック基板１２を構成するセラミック焼結体としては、耐熱性に優れ且つ熱伝導率が高いという性質を有する窒化物セラミック焼結体を選択するのがよい。窒化物セラミックとしては、例えば窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素、窒化チタンなどのような金属窒化物セラミックの焼結体が好ましく、なかでも窒化アルミニウム焼結体が好ましい。その理由は、上記の焼結体中で熱伝導率が最も高いからである。尚、これらの他に、炭化珪素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等のような金属炭化物セラミックの焼結体を選択してもよい。
　【００１９】
　セラミック基板１２としては、円板形状のものを使用することが望ましい。四角形状のセラミックヒータでは、熱伝搬が同心円状であるため、四隅の表面温度が低下してしまい、温度の均一性を確保できないため、温度の均一性は要求されない。これに対して円板形状のセラミック基板は、熱伝搬に相似する形状であるため、温度の均一性に優れ、それ故にウエハを加熱することができるのである。このため円板形状のセラミック基板では低温スポットなどの特異点を無くす必要がある。
　【００２０】
　特にセラミック基板１２としては、直径１５０ｍｍを超えるものが最適である。直径１５０ｍｍ以下では、熱伝達が早く、角部に面取構造がなくとも、ある程度の温度均一性を確保できるからである。セラミック基板１２の厚さは、１〜３０ｍｍが望ましい。厚すぎると熱容量が大きくなりすぎて昇温、降温の速度が低下してしまうからである。特に直径２００ｍｍを超えるものが望ましく、直径３００ｍｍ以上が最適である。このような大きな加熱面積を持つものほど温度が不均一になりやすく、本発明の効果が顕著だからである。また、厚さは、５０ｍｍ以下が望ましく、２０ｍｍ以下が好適で、５ｍｍ以下が最適である。
　【００２１】
　セラミック基板１２に対する挿通孔１６、真空吸着孔２０及び凹所１８の形成は、焼結前の生成形体の段階及び焼結後の焼結体の段階のいずれで行ってもよいが、焼結後の状態で行う方がクラックや欠損が発生しにくいため望ましい。加工方法としては、ドリル加工、パンチング加工などを採用できる。挿通孔１６、真空吸着孔２０などの貫通孔及び凹所１８は必ずしも一組として形成されている必要はなく、それぞれ単独、或いは選択された２つの組み合わせなど種々の変更が可能である。
　【００２２】
　発熱体（抵抗体）パターン１４は、例えばセラミック焼結体から構成されたセラミック基板１２に対して導電性ペーストを焼き付けることにより形成される。導電性ペーストとしては、金属粒子、金属酸化物、樹脂、溶剤などを含むものが一般的に使用される。導電性ペーストに使用される好適な金属粒子としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケル等が挙げられる。これらの金属は高温に晒されても比較的酸化し難く、通電により発熱させるにあたって充分な抵抗値を有するからである。導電性ペーストに使用される好適な金属酸化物としては、例えば酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化硼素、アルミナ、イットリア、チタニア等の金属酸化物が挙げられる。
　【００２３】
　窒化物セラミック基板１２の表面又は内部に形成される発熱体１４は、少なくとも２以上の回路に分割されていることが望ましい。回路を分割することにより、各回路に投入する電力を制御して発熱量を変えることができ、半導体ウエハの加熱面の温度を調整することができるからである。発熱体パターンとしては、例えば、同心円、渦巻き、偏心円、屈曲線などが挙げられるが、セラミック基板板全体の温度を均一にすることができる点から、図１に示したような同心円状のものが好ましい。
　【００２４】
　発熱体１４をセラミック基板１２の表面に形成する場合には、金属粒子を含む導電ペーストをセラミック基板１２の表面に塗布して所定パターンの導体ペースト層を形成した後、これを焼き付け、セラミック基板１２の表面で金属粒子を焼結させる方法が好ましい。なお、金属の焼結は、金属粒子同士及び金属粒子とセラミックとが融着していれば充分である。
　【００２５】
　セラミック基板１２の表面に発熱体１４を形成する場合には、発熱体１４の厚さは、１〜３０μｍが好ましく、１〜１０μｍがより好ましい。また、セラミック基板１２の内部に発熱体を形成する場合には、その厚さは、１〜５０μｍが好ましい。
　【００２６】
　また、セラミック基板１２の表面に発熱体１４を形成する場合には、発熱体の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。また、セラミック基板１２の内部に発熱体を形成する場合には、発熱体１４の幅は、５〜２０μｍが好ましい。
　【００２７】
　発熱体１４は、その幅や厚さにより抵抗値に変化を持たせることができるが、上記した範囲が最も実用的である。抵抗値は、薄く、また、細くなる程大きくなる。発熱体１４は、セラミック基板１２の内部に形成した場合の方が、厚み、幅とも大きくなるが、発熱体１４を内部に設けると、加熱面と発熱体１４との距離が短くなり、表面の温度の均一性が低下するため、発熱体自体の幅を広げる必要があること、内部に発熱体１４を設けるために、窒化物セラミック等との密着性を考慮する必要性がないため、タングステン、モリブデンなどの高融点金属やタングステン、モリブデンなどの炭化物を使用することができ、抵抗値を高くすることが可能となるため、断線等を防止する目的で厚み自体を厚くしてもよい。そのため、発熱体１４は、上記した厚みや幅とすることが望ましい。
　【００２８】
　発熱体１４は、断面形状が矩形であっても楕円であってもよいが、偏平であることが望ましい。偏平の方がウエハ加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面の温度分布ができにくいからである。断面のアスペクト比（発熱体の幅／発熱体の厚さ）は、１０〜５０００であることが望ましい。この範囲に調整することにより、発熱体１４の抵抗値を大きくすることができるとともに、加熱面の温度の均一性を確保することができるからである。
　【００２９】
　発熱体１４の厚さを一定とした場合、アスペクト比が上記範囲より小さいと、セラミック基板１４のウエハ加熱方向への熱の伝搬量が小さくなり、発熱体１４のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまい、逆にアスペクト比が大きすぎると発熱体１４の中央の直上部分が高温となってしまい、結局、発熱体１４のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従って、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、１０〜５０００であることが好ましいのである。
　【００３０】
　発熱体１４をセラミック基板の表面に形成する場合は、アスペクト比を１０〜２００、発熱体１４をセラミック基板の内部に形成する場合は、アスペクト比を２００〜５０００とすることが望ましい。発熱体１４は、セラミック基板の内部に形成した場合の方が、アスペクト比が大きくなるが、これは、発熱体１４を内部に設けると、加熱面と発熱体１４との距離が短くなり、表面の温度均一性が低下するため、発熱体１４自体を扁平にする必要があるからである。
　【００３１】
　発熱体１４をセラミック基板の内部に偏芯して形成する場合の位置は、セラミック基板の加熱面に対向する面（底面）に近い位置で、加熱面から底面までの距離に対して５０％を超え、９９％までの位置とすることが望ましい。５０％以下であると、加熱面に近すぎるため、温度分布が発生してしまい、逆に、９９％を超えると、セラミック基板自体に反りが発生して、半導体ウエハが破損するからである。
　【００３２】
　また、発熱体１４をセラミック基板の内部に形成する場合には、発熱体形成層を複数層設けてもよい。この場合は、各層のパターンは、相互に補完するようにどこかの層に発熱体１４が形成され、ウエハ加熱面の上方から見ると、どの領域にもパターンが形成されている状態が望ましい。このような構造としては、例えば、互いに千鳥の配置になっている構造が挙げられる。なお、発熱体１４をセラミック基板の内部に設け、かつ、その発熱体１４を一部露出させてもよい。導体ペーストとしては特に限定されないが、導電性を確保するための金属粒子又は導電性セラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むものが好ましい。
　【００３３】
　上記金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有するからである。
　【００３４】
　上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これら金属粒子又は導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるからである。
　【００３５】
　上記金属粒子の形状は、球状であっても、リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよい。上記金属粒子がリン片状物、又は、球状物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を保持しやすくなり、発熱体１４と窒化物セラミック等との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有利である。導体ペーストに使用される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースなどが挙げられる。
　【００３６】
　導体ペーストには、上記したように、金属粒子に金属酸化物を添加し、発熱体１４を金属粒子及び金属酸化物を焼結させたものとすることが望ましい。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、ヒータ板である窒化物セラミックと金属粒子とを密着させることができる。金属酸化物を混合することにより、窒化物セラミックと密着性が改善される理由は明確ではないが、金属粒子表面や窒化物セラミックの表面は、わずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミックとが密着するのではないかと考えられる。
　【００３７】
　上記金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリア及びチタニアからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、発熱体１４の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックとの密着性を改善することができるからである。
　【００３８】
　上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリア、チタニアの割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０であって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミックとの密着性を改善することができる。
　【００３９】
　上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。また、このような構成の導体ペーストを使用して発熱体１４を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／℃が好ましい。面積抵抗率が４５ｍΩ／℃を超えると、印加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、その発熱量を制御しにくいからである。なお、金属酸化物の添加量が１０重量％以上であると、面積抵抗率が５０ｍΩ／℃を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性が低下する。
　【００４０】
　発熱体１４がセラミック基板１２の表面に形成される場合には、発熱体１４の表面部分に、金属被覆層が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ましい。金属被覆層を形成する際に使用される金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが好ましい。
　【００４１】
　セラミック基板１２に適用される温度制御手段としては、この他にもタングステン線、モリブデン線、ニクロム線などの発熱線をらせん状にして埋設する方法をも使用することができる。発熱線としては、１０μｍ〜３００μｍの断面直径が望ましく、らせんの断面は、円又は楕円であり、楕円の方が温度均一性に優れるため望ましい。楕円の場合は厚さ方向は０．１〜１ｍｍ、幅方向は、０．１〜５ｍｍが望ましい。
　【００４２】
　次に、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータ１０のセラミック基板１２の角部の面取形状について
、図
。図５
、凹
　【００４３】
　図６は、セラミック基板１２の外周あるいは貫通孔の角部を面取構造としない場
合の
合の
　【００４４】
　図６に示したように面取構造が設けられていない場合には、角部と空気等との接触面積が大きく、放熱が大きくなり、また角部が存在する分、熱容量が大きくなるため、温度を上昇させるために必要な熱量も大きくなってしまうので、角部の温度が低下して、みかけ上熱の伝搬が遅くなり、角部に温度が低いスポットが発生する。特に、挿通孔、真空吸着孔のような貫通孔の場合は、貫通孔の周囲に低温スポットが発生してしまい、ウエハ上に樹脂を塗布して硬化させるとスポット上の樹脂が硬化しなかったり、また、ウエハが熱衝撃で破損する場合もある。また、セラミック基板の側面（あるいは貫通孔の壁面）からみると温度が５区分（ａが１箇所と、ｂ，ｃが２箇所づつ）になっていることが判る。
　【００４５】
　これに対して図７に示したように角部を面取構造とすると、角部と空気等との接触面積が小さく、放熱量も低下し、また角部がない分、熱容量も小さくなり、熱が放散しにくくなって、みかけ上熱の伝搬が早くなり、セラミック基板の側面（あるいは貫通孔の壁面）からみると温度区分が１（ａのみ）になって、温度を均一にでき、貫通孔の場合は、その周囲の温度が低下した低温スポットが発生しないのである。
　【００４６】
　次に、図８は、セラミック基板の凹所の壁面と凹所の底面とで構成する角部を面取構造としない場合（従来品）の温度分布を概念的に示したものであり、図９は、セラミック基板の凹所の壁面と凹所の底面とで構成する角部が面取構造となっている場合（本発明品）の温度分布を概念的に示したものである。図８び図９の図中に示した矢印は、熱が伝搬する方向を示している。図８に示したように、角部に面取構造を設けない場合には、内部から凹所へ向けて伝搬した熱は、凹所の底面から空気中に放散する一方、大部分は凹所の底面を角部方向へ向けて真横（セラミック基板側面方向）に伝搬してしまう。これは空気よりもセラミック基板の方が熱伝導率が高いためである。従って、底面の角部では、底面を伝搬してきた熱以外に、内部からの熱も伝搬して到達するため、熱が蓄積してしまい、結局凹所の底面の温度が不均一となり、凹所の底面の温度は３区分（ｄと２箇所のｅ）となっている。
　【００４７】
　これに対して図９に示したように、角部に面取構造を設けた場合には、熱が凹所底面を真横（セラミック基板側面方向）に伝搬することはなく、熱の蓄積が少なくなり、凹所の底面の温度が均一になり、凹所の底面の温度は実質的に１区分（ｆ）となっている。このように、セラミック基板表面の角部を面取構造とすれば、低温スポットとなる部分がなくなるため、熱の蓄積が発生せず、温度の不均一化が防止されるのである。なお、セラミックの構造部材では、面取りは強度確保のためによく行われている手法であるが、本発明は、温度分布と面取構造との関係について、新たな知見を得てなされたものであり、セラミックの構造部材で、面取りが行われているからといって、本発明の新規性、非自明性がなんら阻却されるものではないことを付記しておく。
　【００４８】
　本発明において、面取形状は、面と面とが交わる、いわゆる尖鋭部を平面とする面取２４
ａに
（図
　【００４９】
　本発明において、前記Ｃ面の大きさ
（Ｃ
、凹
　【００５０】
　ここで、上記し
た図
、凹
る。Ｃ
　【００５１】
　また、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータは、これに静電電極を設けることにより、静電チャックとしたり、あるいは表面にチャックトップ導体層を設け更に、内部にガード電極、グランド電極を設けることによりウエハプローバとすることができる。ちなみに、本発明の一実施形態に係るセラミックヒータは、用途に合わせて１５０〜８００℃の温度領域で使用することができる。
　【００５２】
　図１０は、その静電チャック３０の構造の一例を示したものであり、静電チャックに埋設されている静電電極３２の一例を模式的に示した水平断面図である。この静電チャック３０は、セラミックヒータ１０の場合と同様に、通常、平面視円形状に形成されており、絶縁基板３４の内部に半円弧状部３６ａと櫛歯部３６ｂとからなるチャック正極静電層３８と、同じく半円弧状部４０ａと櫛歯部４０ｂとからなるチャック負極静電層４２とが、互いに櫛歯部３６ｂ、４０ｂを交差するように対向して配置されている。
　【００５３】
　この静電チャック３０を使用する場合には、チャック正極静電層３８とチャック負極静電層４２とにそれぞれ直流電源の＋側と−側を接続し、直流電圧を印加する。これにより、この静電チャック３０上に載置された半導体ウエハが静電的に吸着されることになる。この静電チャック３０には、セラミックヒータ１０の場合と同様に、発熱体が絶縁基板３４の内部又は表面に形成されていてもよい。
　【００５４】
　上記静電チャック３０の製造方法は、グリーンシートの表面にチャック正極静電層３８とチャック負極静電層４２の形状になるように導電性ペーストを塗布するか、生成形体中にチャック正極静電層３８とチャック負極静電層４２の形状になるように金属箔を埋め込むほかは、セラミックヒータ１０の製造方法とほぼ同様である。
　【００５５】
　次に、本発明の一実施形態に係るウエハプローバについて説明する。ウエハプローバ５０（図１２（ｇ）参照）は、セラミック基板１２の表面にチャックトップ導体層５２が形成されており、半導体ウエハの導通検査に用いられるものである。かかる導通検査は、チャックトップ導体層５２上にウエハを載置し、テスタピンを持つプローブカードを押し当ててなされる。チャックトップ導体層５２上には貴金属層が形成されており、貴金属層は、ウエハの裏面との電気的導通を阻害することなく、チャックトップ導体層中のホウ素やリン、セラミック中のイットリア、ナトリウムなどの拡散を防止できる。貴金属としては、金、銀、白金、パラジウムから選ばれる少なくとも１種以上が望ましい。
　【００５６】
　本発明に係る一実施形態では、剛性の高いセラミック基板１２を使用しているため、プローブカードのテスタピンによりチャックトップが押されてもチャックトップが反ることがなく、チャックトップの厚さを金属に比べて小さくすることができる。また、チャックトップの厚さを金属に比べて小さくすることができるため、熱伝導率が金属より低いセラミックであっても結果的に熱容量が小さくなり、昇温、降温特性を改善することができる。
　【００５７】
　また、チャックトップ導体層５２の厚さは、１〜１０μｍが望ましい。１μｍ未満では抵抗値が高くなりすぎて電極としての作用を奏さず、１０μｍを超えると導体の持つ応力によって剥離しやすくなってしまうからである。チャックトップ導体層５２としては、銅、チタン、クロム、ニッケル、貴金属（金、銀、白金等）、タングステン、モリブデンなどの高融点金属から選ばれる少なくとも１種以上の金属を使用することができる。チャックトップ導体層５２としては、ニッケルを含むことが望ましい。硬度が高く、テスタピンの押圧に対しても変形等しにくいからである。
　【００５８】
　ウエハプローバ５０には、ガード電極５６ａとグランド電極５６ｂが埋設されていることが望ましい。ガード電極は、測定回路内に介在するストレイキャパシタをキャンセルするための電極であり、測定回路（即ちチャックトップ導体層）の接地電位が与えられている。また、グランド電極は、温度制御手段からのノイズをキャンセルするために設けられている。ウエハプローバ５０のチャックトップ導体層形成面には溝と空気の真空吸引孔６８が形成されてなることが望ましい。ウエハを載置して真空吸引孔６８から空気を吸引してウエハＷを吸着させることができるからである。そして、溝の角部に面取構造が設けられていることが望ましい。これにより、真空吸引孔６８の外周に発生する低温スポットの発生を抑制できるからである。
　【００５９】
　以下、実施例に則して本発明を更に詳細に説明する。
　【００６０】
　【実施例】
（実施例１）
　発熱体をセラミック基板表面に有するセラミックヒータの製造（１）平均粒子径０．６μｍ窒化アルミニウム粉末１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部及びアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
　【００６１】
（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。この生成形体に直径１０ｍｍ、０．１ｍｍのドリルでドリル加工を施し、半導体ウエハの支持ピン（リフタピン）を挿入する貫通孔となる部分（直径２５ｍｍ）を１８箇所、なお、熱電対を埋め込むための凹所となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）５箇所（図１３のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｆ，Ｇ）を形成した。
　【００６２】
（３）加工処理の終った生成形体を１８００℃、圧力：２００ｋｇ／ｃｍ２（１９．６ＭＰａ）でホットプレスし、厚さが３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。次に、この板状体から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板状体（セラミック基板）とした。
　【００６３】
（４）上記（３）で得たヒータ板に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、同心円状のパターンとした。導体ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）及びアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであった。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のものであった。
　【００６４】
（５）次に、導体ペーストを印刷したヒータ板を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにヒータ板に焼き付け、発熱体を形成した。銀−鉛の発熱体は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
　【００６５】
（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（５）で作製したヒータ板１１を浸漬し、銀−鉛の発熱体１４の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析出させた。
　【００６６】
（７）電源との接続を確保するための端子を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。ついで、半田層の上にコバール製の外部端子を載置して、４２０℃で加熱リフローし、外部端子を発熱体の表面に取り付けた。
　【００６７】
（８）温度制御のための熱電対を８１．７Ａｕ−１８．３Ｎｉの金ローで接続し、（１０３０℃で加熱して融着）、セラミックヒータを得た。半導体ウエハの支持ピン（リフタピン）を挿入する貫通孔となる部分の面取構造はＣ面とし、その大きさは１５μｍ、２００μｍ、３００μｍ、５００μｍ、８００μｍとして設計し、凹所底面のＲ面の大きさを、１０μｍ、２００μｍ、５００μｍ、１０００μｍ、１２００μｍとして設計した。
　【００６８】
（比較例１）
　面取構造を設けないほかは、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造し、これを比較例１とした。
　【００６９】
（評価方法）
　実施例１に係るヒータと比較例１に係るヒータとをそれぞれ４００℃まで加熱し、これらのウエハの加熱面（つまり発熱体形成面の反対側面）の温度と、発熱体形成面に設けられた凹所の温度とをサーモビュア（日本データム株式会社製ＩＲ−１６２０１０−００１２）を用いて測定し、貫通孔については、貫通孔の外周部と貫通孔から３ｃｍ離れた場所との温度差を、凹所については底面の温度差を調べた。表１は、これらの測定結果を示したものである。
　【００７０】
　【表１】
　【００７１】
　また、図１３（ａ）は、面取構造を貫通孔に設けた場合（実施例１）のサーモビュアの画像を、同図（ｂ）は面取構造を貫通孔に設けなかった場合（比較例１）のサーモビュアの画像をそれぞれ示したものである。同図（ａ）では、貫通孔の周囲に低温スポットは確認できなかったが、同図（ｂ）では、貫通孔の周囲にリング状に低温スポットが観察された。
　【００７２】
（実施例２）
発熱体及び静電チャック用静電電極を内部に有するセラミックヒータの製造
（１）窒化アルミニウム（平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部及び１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。
　【００７３】
（２）次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径１．８ｍｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍの半導体ウエハ支持ピンを挿入する貫通孔１５となる部分、外部端子と接続するためのスルーホール１８となる部分を設けた。
　【００７４】
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピオール溶媒３．５重量部及び分散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製した。平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピオーネ溶媒３．７重量部及び分散剤０．２重量部を混合して導体ペーストＢを調製した。この導電性ペーストＡをグリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体ペースト層を形成した。他のグリーンシートに図１０に示した形状の静電電極パターンからなる導体ペースト層を形成した。更に、外部端子を接続するためのスルーホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。上記処理の終わったグリーンシートに、更に、タングステンペーストを印刷しないグリーンシートを上側（加熱面）に３７枚、下側に１３枚、１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ２（７．８４ＭＰａ）の圧力で積層した。
　【００７５】
（４）次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２（１４．７ＭＰａ）で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの発熱体及び静電電極を有するセラミック製の板状体とした。
　【００７６】
（５）次に、（４）で得られた板状体を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、外周をバフ研磨してＣ面（３００μｍ）を形成し、更に、ドリル加工で表面に熱電対のための凹所とリフタピン用の貫通孔にもＲ面：ｒ＝３００μｍとＣ面：３００μｍを設けた。
　【００７７】
（６）更に、スルーホール用の貫通孔の一部をえぐり取って凹部とし、この凹部にＮｉ−Ａｕからなる金ろうを用い、７００℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子を接続させた。なお、外部端子の接続は、タングステンの支持体が３点で支持する構造が望ましい。接続信頼性を確保することができるからである。
（７）次に、温度制御のための複数の熱電対を凹所に埋め込み、静電チャック付きセラミックヒータの製造を完了した。
　【００７８】
（比較例２）
　外周、凹所、貫通孔とも面取構造としなかったほかは、実施例２と同様であり、これを比較例２とした。
　【００７９】
（評価方法）
　実施例２の静電チャック及び比較例２の静電チャックにシリコンウエハを載置し、１０００Ｖ印加し、１ｋｇ／ｃｍ２（９．８ｘ１０４Ｐａ）の吸引力を得た。この静電チャックを４００℃まで昇温させて、２時間放置した。更にこの試験を１００回実施し、ウエハの破損の有無を調べた。実施例２の静電チャックを用いて吸引したシリコンウエハで破損したものはなかったが、比較例２の静電チャックを用いて吸引したシリコンウエハは、その１０％が破損した。
　【００８０】
（実施例３）
　ヒータ機能を有するウエハプローバの製造ヒータ機能を有するウエハプローバを製造したので、図１１及び図１２を参照して説明する。
（１）前述の窒化アルミニウム粉末（平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（酸化イットリウムのこと　平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリルバイダー１１．５重量部、分散剤０．５重量部及び１−ブタノール及びエタノールからなるアルコール５３重量％を混合した組成物を、ドクターブレードで形成して厚さ０．４７ｍｍのグリーンシート５４を得た（図１１（ａ）参照）。
　【００８１】
（２）グリーンシート５４を８０℃で５時間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピンと接続するためのスルーホール用の孔を設けた（図１１（ａ）参照）。
　【００８２】
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．５重量、分散剤０．３重量部を混合して導電性ペーストＡとした。また、平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピオーネ溶媒を３．７重量、分散剤０．２重量部を混合して導電性ペーストＢとした。この導電性ペーストＡをグリーンシート５４にスクリーン印刷でガード電極用印刷体、グランド電極用印刷体を格子状に印刷して電極パターン５６ａ，５６ｂを描いて印刷した。また、端子ピンと接続するためのスルーホール用の孔に導電性ペーストＢ５８，６０を充填した（図１１（ａ）参照）。更に、印刷されたグリーンシート及び印刷がされていないグリーンシートを５０枚積層して１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ２（７．８４ＭＰａ）の圧力で一体化した。
　【００８３】
（４）積層体を窒素ガス中で６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２（１４．７ＭＰａ）で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に切り出してセラミック製の板状体とした。スルーホール６２，６４の大きさは直径０．２ｍｍ、深さ０．２ｍｍであった。また、ガード電極５６ａ、グランド電極５６ｂの厚さは１０μｍ、ガード電極５６ｂの形成位置は、発熱体から１ｍｍ、グランド電極５６ｂの形成位置は、溝形成面から１．２ｍｍであった（図１１（ｂ）参照）。
　【００８４】
（５）（４）で得た板書体を、ダイアモンド砥石で研磨した後、また、直径２ｍｍ、深さ２ｍｍの熱電対用の凹所（図示せず）を直径０．２ｍｍのドリルによって設けた。更に、ウエハ吸着用の溝６６（幅０．５ｍｍ、深さ０．５ｍｍ）を設けた。この溝６６もバフ研磨で、ｒ＝２００μｍの面取りを行った（図１１（ｃ）参照）。
　【００８５】
（６）更に、溝６６を形成した裏面に発熱体１４を印刷する。印刷は導電ペーストを用いた。導電ペーストは、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。この導電ペーストは、銀／鉛ペーストであり、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナからなる金属酸化物（それぞれの重量比率は、５／５５／１０／２５／５）を銀の量に対して７．５重量％含むものである。また、銀の形状は平均粒径４．５μｍでリン片状のものである（図１１（ｄ）参照）。
　【００８６】
（７）導電ペーストを印刷したヒータ板を７８０℃で加熱焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにセラミック基板１２に焼き付けた。更に硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩６０ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴にセラミック板を浸漬して、銀の焼結体の表面に厚さ１μｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層４１０を析出させた。更に１２０℃で３時間アニーリングした。銀の焼結体によるパターンは、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍであり、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった（図１１（ｄ）参照）。
　【００８７】
（８）溝６６が形成された面にスパッタリングにてチタン、モリブデン、ニッケル層を形成した。スパッタリングのための装置は、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を使用した。条件は気圧０．６Ｐａ、温度１００℃、電力２００Ｗで時間は、３０秒から１分で、各金属によって調整した。得られた膜は、蛍光Ｘ線分析計の画像からチタンは０．３μｍ、モリブデンは２μｍ、ニッケルは１μｍであった（図１２（ｅ）参照）。
　【００８８】
（９）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩６０ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（８）で得られたセラミック板を浸漬して、溝６６の表面に厚さ７μｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層２００（チャックトップ導体層）を析出させ、１２０℃で３時間アニーリングした。更に、表面にシアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で１分間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ１ｍの金めっき層を形成した（図１２（ｅ）参照）。
　【００８９】
（１０）溝６６から裏面に抜ける空気吸引孔６８を直径１ｍｍでドリル加工し、また、直径１．５ｍｍのドリルで空気吸引孔６８の周囲を研削してＣ面（４００μｍ）を形成した（図１２（ｆ）参照）。更にスルーホールを露出させるための袋孔７０を設けた、この袋孔７０にＮｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８１．５、Ｎｉ１８．４、不純物０．１）からなる金ろうを用い、９７０℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子ピン７２を接続させた（図１２（ｇ）参照）。また、発熱体に半田（スズ９／鉛１）を介してコバール製の外部端子ピン７４を形成した（図１２（ｇ）参照）。（１１）温度制御のための複数熱電対を凹所に埋め込み、ウエハプローバヒータ（ヒータ機能を有するウエハプローバ）を得た。
　【００９０】
（比較例３）
　面取構造を設けないほかは、実施例３と同様とし、これを比較例３とした。
　【００９１】
（評価方法）
　実施例３のウエハプローバヒータ及び比較例３のウエハプーバヒータについて、１５０℃までの昇温試験を実施した。温度の制御は、市販のオムロン製Ｅ５ＺＥなる温調器を使用した。この温調器は、測定結果から投入電力を計算できる。前述したサーモビュアを用いてチャックトップ導体層面の表面温度差を測定したところ、実施例３のチャックトップ導体層面の表面温度差は２℃程度であったが、比較例では８℃であった。原因として熱電対が正確な温度を測定していないからであると考えられる。
　【００９２】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る半導体製造・検査用セラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に温度制御手段を備えたものであって、前記セラミック基板が加熱面の反対側面に温度制御部品収納用の凹所を備え、該凹所の角部が面取形状となっているものであるから、該セラミック基板の該凹所周辺の温度の不均一を低減させるだけでなく、温度制御の均一化が図られることになる。そのため、シリコンウエハを熱的衝撃から保護することができる。また、本発明に係る半導体製造・検査用セラミックヒータは、温度の制御性にも優れることから、静電チャック、ウエハプローバに組み込むのに最適である。更に、本発明に係る半導体製造・検査用セラミックヒータは、温度制御部品の制御性を向上させ、あるいは、均一な樹脂硬化も可能である
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックヒータの概略構成を示した断面図である。
　【図２】削除された。
　【図３】削除された。
　【図４】削除された。
　【図５】本発明の一実施形態に係るセラミック基板の凹所の角部に対するＲ面面取構造を示した部分拡大図である。
　【図６】セラミック基板に面取構造がない場
合の
　【図７】セラミック基板に面取構造を設けた場
合の
　【図８】凹所の底面に面取がない場合（従来品）の温度分布を示した図である。
　【図９】凹所の底面に面取がある場合（本発明品）の温度分布を示した図である。
　【図１０】静電チャックの構造を示した図である。
　【図１１】本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
　【図１２】図１１の続きであって、本発明の一実施形態に係るウエハプローバの製造工程を示した図である。
　【図１３】サーモビュアによるウエハ加熱面の表面状態を示した図である。
　【符号の説明】
　１０　セラミックヒータ
　１２　セラミック基板
　１４　発熱体
　１６　挿通孔（貫通孔）
　２０　真空吸引孔
　２２　外周
　２４　面取形状
【図面】