【事件の表示】
　特許第３２２６９１０号「半導体製造・検査装置用セラミック基板」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２６９１０号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２２６９１０号の請求項１ないし６に係る発明についての出願は、平成１１年１２月２０日（優先権主張、平成１１年９月６日）に特許出願したものであって、平成１３年８月３１日にその発明について特許権の設定登録がなされ（公報発行平成１３年１１月１２日）、その後、平成１４年５月１０日に坂本裕一より、平成１４年５月１３日に日本碍子株式会社、及び竹宮茂文より、それぞれ特許異議の申立てがなされ、平成１５年１月３１日（発送日）に取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年４月１日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正事項ａ：本件特許明細書の特許請求の範囲の「【請求項１】Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボンであって、非晶質カーボンおよびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種を含有するセラミック基板に、抵抗発熱体を配設してなり、ホットプレートとして機能することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。」を「【請求項１】Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下の、非晶質カーボンを
２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて
２００℃以上にて使用される
　訂正事項ｂ：本件特許明細書の特許請求の範囲の【請求項４】を削除する。
　訂正事項ｃ：本件特許明細書の特許請求の範囲の「【請求項５】前記セラミック基板中に、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物および希土類酸化物のいずれか少なくとも１種からなる焼結助剤を含む請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体製造・検査装置用セラミック基板。」を「【請求項４】Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボンであって、非晶質カーボンおよびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種のカーボンを
２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて
とともに、
含む
２００℃以上にて使用される
　訂正事項ｄ：本件特許明細書の特許請求の範囲の【請求項６】の項数を「５」に繰り上げるとともに、「請求項１〜５のいずれか１項に」とあるのを「請求項１〜４のいずれか１項に」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、
　訂正事項ａ−１：「カーボンであって、非晶質カーボンおよびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種」を「非晶質カーボン」とする訂正
　訂正事項ａ−２：「含有する」を「
２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて
　訂正事項ａ−３：「ホットプレート」を「
２００℃以上にて使用される
　に細分することができる。
　訂正事項ａ−１は、カーボンを、非晶質カーボンおよびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種から、非晶質カーボンのみに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ａ−２は、本件特許明細書の段落【0010】の記載（特許公報2頁4欄21〜24行）に基づき、カーボンの含有量を具体的な数値範囲に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ａ−３は、本件特許明細書の段落【0006】（特許公報2頁3欄40〜48行）の記載に基づき、ホットプレートの使用温度を２００℃以上に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　したがって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｂは、請求項の削除であるから  特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｃは、
　訂正事項ｃ−１：【請求項６】を【請求項５】とする訂正
　訂正事項ｃ−２：訂正前の請求項１ないし５を引用する引用形式を、訂正前の請求項１の構成を組み入れた独立形式の記載に変更する訂正
　訂正事項ｃ−３：「カーボンを含有する」を「カーボンを
２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて
　訂正事項ｃ−４：「ホットプレート」を「
２００℃以上にて使用される
　に細分することができる。
　訂正事項ｃ−１は、訂正事項ｂによる請求項の削除に伴い、以降の請求項の項数を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　訂正事項ｃ−２は、複数の請求項を引用する発明の内、一つの請求項を引用する発明に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｃ−３及び訂正事項ｃ−４は、段落【0010】、段落【0006】の記載に基づいて、カーボンの含有量、及びホットプレートの用途を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　したがって、訂正事項ｃは、明りょうでない記載の釈明、及び特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｄは、訂正事項ｂによる請求項の削除に伴い、以降の請求項の項数を繰り上げるとともに、引用する請求項の不整合を正すものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　そして、上記各訂正事項は、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
３−１．特許異議申立の概要
（１）特許異議申立人坂本裕一は、証拠として甲第１号証ないし甲第７号証を提出し、本件請求項１、４、５に係る発明は、甲第１号証に示す特許出願の願書に最初に添付した明細書に記載された発明であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができず、また、本件請求項１ないし６は、甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、さらに、本件特許発明が、平成１１年９月６日の優先権を享受しない場合は、本件請求項１、４、５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができず、本件請求項１ないし６に係る特許は、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべき旨主張している。
　　甲第１号証：特開平１１−３１２５７０号公報（平成１０年４月２８日出願：平成１１年１１月９日公開）
　　甲第２号証：特開平５−２２９８７１号公報
　　甲第３号証：特開昭６０−７１５７６号公報
　　甲第４号昭：特開昭６２−２２３０７０号公報
　　甲第５号昭：特開平９−４８６６８号公報
　　甲第６号昭：特開平９−４８６６９号公報
　　甲第７号昭：特開平９−１１０４０５号公報
　
（２）特許異議申立人日本碍子株式会社は、証拠として甲第１号証ないし甲第４号証を提出し、本件請求項１ないし６に係る発明は甲第１号証、甲第２号証、又は甲第４号証記載の発明であるか、当該発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第１項第３号ないし同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件請求項１ないし６に係る特許は、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきである旨、さらに、本件特許明細書には、本件特許請求の範囲を不明確にする記載不備があり、本件特許出願は特許法第３６条第４項、及び第５項第２号に規定する要件を満たしておらず、本件特許は特許法第１１３条第１項第４項の規定により取り消されるべき旨、主張している。
　　甲第１号証：特開平１１−１００２７０号公報
　　甲第２号証：特開平９−３１５８６７号公報
　　甲第３号証：実験結果資料
　　甲第４号証：特開平９−４８６６８号公報
　
（３）特許異議申立人竹宮茂文は、証拠として甲第１号証を提出し、本件請求項１、２、４〜６に係る発明は、甲第１号証に示す特許出願の原書に最初に添付した明細書に記載された発明であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができず、さらに、本件特許明細書には、本件特許請求の範囲を不明確にする記載不備があり、本件特許出願は特許法第３６条に規定する要件を満たしておらず、本件特許は特許法第１１３条第１項第４項の規定により取り消されるべき旨、主張している。
　　甲第１号証：特開平１１−３１２５７０号公報（平成１０年４月２８日出願：平成１１年１１月９日公開）
　
３−２．本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１ないし５に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明５」という）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】 Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下の、非晶質カーボンを
２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて
２００℃以上にて使用される
【請求項２】 さらに、静電電極が形成されており、加熱手段を備えた静電チャックとして機能する請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミック基板。
【請求項３】 さらに、表面にチャックトップ電極が形成されており、加熱手段を備えたウエハプローバとして機能する請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミック基板。
【請求項
４
とともに、
含む
２００℃以上にて使用される
【請求項
５
４
　
３−３．特許法第２９条の２について
（１）引用文献に記載された発明
　当審が平成１５年１月１０日（発送日）に通知した特許出願１の出願当初の明細書（申立人坂本裕一及び竹宮茂文が提出した甲第１号証：以下「先願明細書」という）には、以下の事項が記載されている。
　ａ）「本発明は、熱電対などの温度検出手段を備えてなるセラミックヒータに関し、特に、ＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリングなどの成膜装置やエッチング装置に用いられるセラミックヒータ、その中でも半導体製造装置用セラミックヒータとして好適なものである。」（公開公報第２頁１欄第１３〜１８行目）
　ｂ）「抵抗発熱体を埋設してなるセラミック体の一主面を被加熱物の載置面とし、該載置面以外の表面に上記載置面の温度を測定する温度検出手段を内挿してなるセラミックヒータにおいて、上記セラミック体を、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素のうちいずれか１種を主成分とし、炭素含有量が５００ｐｐｍ以下であって、かつ２００℃以上の温度域における体積固有抵抗値が１０８Ω・ｃｍ以上である絶縁性のセラミックスにより形成したことを特徴とする。・・・本発明によれば、セラミックヒータを構成するセラミック体として、２００℃以上の温度域においても体積固有抵抗値が１０８Ω・ｃｍ以上である絶縁性のセラミックスにより形成してあることから、２００℃以上の温度に発熱させても抵抗発熱体から温度検出手段に微小な電流が流れることを防ぐことができるため、温度検出手段による測定データに異常をもたらすことがなく、正確にかつ安定に載置面の温度を測定することができる。」（公開公報第３頁３欄第９〜２７行目）
　ｃ）「アルミナを主成分とする絶縁性のセラミックスにあっては、・・・他の助剤成分としてＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ２等の焼結助剤を含有したもの、窒化アルミニウムを主成分とする絶縁性のセラミックスにあっては、・・・他の助剤成分としてＹ２Ｏ３やＥｒなどの希土類元素の酸化物を含有したものを用いることができる。また、窒化珪素を主成分とする絶縁性のセラミックスにあっては、・・・他の助剤成分としてＡｌ２Ｏ３とＹ２Ｏ３を含有したもの、窒化硼素を主成分とする絶縁性セラミックスにあっては、・・・他の助剤成分としてＢ２Ｏ３等を含有したものを用いることができる。」（公開公報第４頁５欄第７〜２６行目）
　ｄ）「載置面３と抵抗発熱体４との間に別の内部電極７を埋設したもので、例えば、この内部電極７を静電吸着用電極とし、・・・被加熱物Ｗを載置面３上に電気的に吸着固定することができ、また、上記内部電極７をプラズマ発生用電極とし、・・・プラズマを発生させることもできる。」（公開公報第５頁７欄第２〜１２行目）
　ｅ）図４には、５００℃にける体積固有抵抗が１．Ｅ＋０８Ωｃｍ以上となることが記載されている。（実験結果の１、２、３）
　
（２）対比判断
（２−１）本件発明１
　上記の記載事項を総合すると、先願明細書には、抵抗発熱体を埋設してなる、炭素含有量が５００ｐｐｍ以下であって、２００℃以上の温度域における体積固有抵抗値が１０８Ω・ｃｍ以上である半導体製造用セラミックヒータが、記載されているといえる。
　そして、記載ｂ）によれば、２００℃以上の温度域における体積固有抵抗値を１０８Ω・ｃｍ以上とした理由は、温度検出手段を内挿したセラミックヒータにおいて、２００℃以上の温度に発熱させても抵抗発熱体から温度検出手段に微小な電流が流れることを防ぐことができるためであり、該セラミックヒータが２００℃以上の温度で使用されることを意図していることは明らかである。
　さらに、本件明細書の段落【0033】の「ホットプレート（以下、セラミックヒータともいう）」との記載からみて、本件発明１における「ホットプレート」は「セラミックヒータ」と同義であり、先願明細書に記載される「セラミックヒータ」の構成は、本件特許明細書に記載されるホットプレートの構成と差異は認められない。
　したがって、先願明細書に記載される発明を、本件発明１に則して表現すると、「カーボンを
２００〜５００ｐｐｍの含有量にて
２００℃以上にて使用される
　そこで、本件発明１と先願明細書記載の発明とを対比すると、両者は上記の構成で一致し、以下の点で相違する。
　相違点：セラミックに含まれるカーボンが、本件発明１では「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下の、非晶質カーボン」であるのに対し、先願明細書にはこの点に関する明示がない点
　以下、上記相違点に付き検討する。
　先願明細書記載の発明では、「２００℃以上の温度における窒化アルミニウムセラミックスの体積固有抵抗値を１×１０８Ω・ｃｍ以上とするためには、図４及び表１より窒化アルミニウムセラミックス中に含有する炭素量を５００ｐｐｍ以下とすれば良く」（段落【0037】）との記載からみて、２００℃以上の温度におけるセラミックスの体積固有抵抗値を１×１０８Ω・ｃｍ以上とするために、セラミック中の炭素量を少なくするという手段を採用している。
　一方、本件発明１では、「回折角度２θ＝１０〜９０°、特に２θ＝４４〜４５°の位置でピークが検出されるようなカーボンを含有するセラミック基板は、２００℃以上の高温における体積抵抗率が大きく低下するため、加熱時に発熱体パターン間や電極パターン間でリーク電流や短絡が発生してしまう場合がある。この理由は、セラミック基板は、高温になるに従って体積抵抗率が低下することに加え、結晶質カーボンは、金属結晶に類似した結晶構造を持ち、かつ、高温での電気伝導性が大きいため、この２つの特性が相乗的に作用し合って上記のような短絡を招くものと考えられる。このような短絡を防止し、セラミック基板の電気抵抗率を増大させるために本発明者らがさらに研究をつづけた結果、カーボンを含む焼結体の高温での電気抵抗率を増大させるには、Ｘ線回折チャート上においてピークが検出されない程度に結晶性を低下させたカーボン、または、結晶相に固溶させたカーボン、すなわち、Ｘ線回折チャート上において、ピークが検出されないようなカーボンにすればよいことを知見した。」（段落【0012】〜【0014】）と記載されるように、セラミック中の炭素の含有量を少なくするのではなく、結晶性を低下させるか、結晶相に固溶させるという手段を採用することにより、高温における電気抵抗率の低下を防ぎ、その結果、２００℃以上の高温時における体積抵抗率が充分に大きいためリーク電流や短絡が発生しないという作用効果だけでなく、隠蔽性、大輻射熱量、および、サーモビュアによる測定精度を保証することができる（段落【0006】）という、炭素を
２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて
　上記本件特許明細書の知見によれば、先願明細書に記載される窒化アルミニウム中のカーボンは結晶質で存在することを示すものであり、これと反する証拠が存在しない以上、先願明細書に開示されるセラミック中のカーボンが非晶質で存在していると認めることはできない。
　よって、本件発明１は、先願明細書に記載された発明とは云えない。
　
（２−２）本件発明２ないし本件発明３
　本件発明２ないし本件発明３は、本件発明１を引用する発明であるから、本件発明１が、先願明細書に記載された発明といえない以上、本件発明２ないし３も、先願明細書に記載された発明といえない。
　
（２−３）本件発明４
　上記記載ｃ）によれば、先願明細書に記載されるセラミックには、焼結助剤として、ＭｇＯ、ＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物や、Ｙ２Ｏ３やＥｒなどの希土類酸化物を含有させたものが例示されているのであるから、先願明細書に記載される発明を、本件発明４に則して表現すると、「カーボンを
２００〜５００ｐｐｍの含有量にて
２００℃以上にて使用される
　そこで、本件発明４と先願明細書記載の発明とを対比すると、両者は上記の構成で一致し、以下の点で相違する。
　相違点：セラミックに含まれるカーボンが、本件発明１では「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下の、非晶質カーボンおよびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種」であるのに対し、先願明細書にはこの点に関する明示がない点
　そして、前記本件特許明細書の知見によれば、先願明細書に記載される窒化アルミニウム中のカーボンは結晶質で存在することを示すものであり、これと反する証拠が存在しない以上、先願明細書に開示されるセラミック中のカーボンが非晶質およびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種で存在していると認めることはできない。
　よって、本件発明４は、先願明細書に記載された発明とは云えない。
　
（２−４）本件発明５
　本件発明５は、本件発明１ないし４を、直接的ないし間接的に引用する発明であるから、本件発明１ないし４が、先願明細書に記載された発明といえない以上、本件発明５も、先願明細書に記載された発明といえない。
　
３−４．特許法第２９条について
（１）当審が平成１５年１月１０日（発送日）に通知した刊行物１（申立人坂本裕一が提出した甲第２号証）、刊行物２（申立人坂本裕一が提出した甲第５号証、申立人日本碍子株式会社が提出した甲第４号証）には、以下の事項が記載されている。
【刊行物１】
　ｆ）「特に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体は高熱伝導性を有する絶縁体であり、シリコン（Ｓｉ）に近い熱膨張係数を有することから高集積化した半導体装置の放熱基板として、その用途を拡大している。」（第２頁２欄第４１〜４４行目）
　ｇ）「不純物として酸素を１．０重量％含有し、平均粒径１．５μｍの窒化アルミニウム粉末に対して、焼結助剤としてのＹ２Ｏ３（酸化イットリウム）を５重量％添加し、さらに平均粒径０．３μｍの非晶質炭素（カーボンブラック：Ｒ３０、灰分量０．０１重量％以下）を、表１に示すように０．１〜１．５重量％の範囲でそれぞれ添加」（第５頁７欄第５〜１１行目）
　ｈ）第５頁の表１には非晶質炭素添加量として０．１重量％、０．２重量％、０．４重量％の例が記載されている。（実施例１〜実施例３）
【刊行物２】
　ｉ）「特に好ましくはＪＩＳ　Ｚ　８７２１に規定する明度がＮ４以下の黒色を呈する、きわめて明度の低い黒灰色ないし黒褐色の窒化アルミニウム焼結体を製造することに成功した。」（第３頁３欄第２６〜２９行目）
　ｊ）「こうした窒化アルミニウム焼結体によれば、好適な態様においては、ＪＩＳ　Ｚ　８７２１に規定する明度がＮ４以下の黒色を呈しているので、輻射熱量が大きく、加熱特性が優れている。従って、セラミックスヒーター、サセプター等の発熱材を構成する基材として、好適である。・・・特に、半導体製造プロセスにおいて、半導体ウエハーや装置自体に対して悪影響を与えるおそれがない。」（第３頁３欄第３０〜３９行目）
　ｋ）「図２に示すＸ線回折チャートから判るように、ＡｌＮ結晶相は残留するが、ＡｌＯＮ相およびカーボンのピークは消滅し、検出されなくなった。これは、ＡｌＯＮ相の酸素やカーボンがＡｌＮ結晶粒に固溶したものと考えられる。」（第４頁５欄第４５〜４９行目）、なお、刊行物５の当該箇所には「結晶粒に雇用」と記載されているが、該記載は「結晶粒に固溶」の誤記と認める。
　ｌ）「本発明の窒化アルミニウム焼結体を基材として使用する半導体製造用装置としては、窒化アルミニウム基材中に抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーター、基材中に静電チャック用電極を埋設したセラミック静電チャック、基材中に抵抗発熱体と静電チャック用電極を埋設した静電チャック付きヒーター、基材中にプラズマ発生用電極を埋設した高周波発生用電極装置のような能動型装置を例示することができる。」（第５頁７欄第４１行目〜８欄第５行目）
　ｍ）「得られた焼結体において、ＡｌＮ結晶相以外の結晶相はＡｌＯＮのみであり、カーボン相はＸ線回折分析によって検出されなかった。」（第６頁９欄第３〜５行目）
　ｎ）「実験Ａ６の焼結体の表面付近では、窒素雰囲気中の酸素やＡｌＯＮ相の酸素、さらにカーボンがＡｌＮ結晶粒に固溶したものと考えられる。」（第７頁１１欄第３６行目〜１２欄第２行目）
　ｏ）表１〜表５には、実験Ａ１，Ａ３，Ａ８，Ｂ７，Ｂ１１によって得られた焼結体がＸ線回折分析でカーボンの結晶相を有しないこと、及び各実験による焼結体中のカーボンの含有量（ｐｐｍ）が、それぞれ１５０，７４０，７００，７５０，１２００となることが記載されている。
　
（２）対比・判断
（２−１）本件発明１
　記載ｆ）ないし記載ｈ）を総合すると、刊行物１には「非晶質炭素を添加して製造された窒化アルミニウムからなる半導体装置の放熱基板」が記載されているといえる。
　しかしながら、刊行物１には、半導体製造・検査用としての用途の記載はない。さらに、刊行物１には、焼結後の窒化アルミニウム中の炭素含有量についての記載がなく、「非結晶質炭素は、成形体中に残存する酸素等の不純物を焼結時において還元処理して系外に除去するために、原料ＡｌＮ粉末中に０．１〜１．５重量％の範囲で添加される。」（段落【0025】）との記載からみて、焼結後は実質的に炭素は含まれないものと解される。
　この点に関し、異議申立人坂本裕一は、平成１５年７月２８日付回答書において、参考資料（特開平１−２９８０７２号公報）を添付し、刊行物１記載の条件ではセラミック中のカーボンは完全に除去されることはない旨主張するが、参考資料記載の条件は、１６５０℃×３ｈｒの焼成条件であるのに対し、刊行物１記載の条件は、１５００〜１６５０℃×１ｈｒの脱酸条件に加え、１８１５℃×４ｈｒの焼成条件を組み合わせるものであるから、両者は処理条件が異なるといえ、参考資料記載の炭素除去率がそのまま刊行物１記載の炭素除去に適用できず、上記異議申立人の主張は採用できない。
　したがって、刊行物１に記載された発明と本件発明１とを対比すると、「半導体用セラミック基板」である点で一致するのみで、特定炭素の含有の有無、及び用途の点で両者は異なり、別発明というべきである。
　また、記載ｉ）ないし記載ｏ）を総合すると、刊行物２には、「ＡｌＮ結晶粒に、１５０，７４０，７００，７５０，１２００ｐｐｍのカーボンが固溶し、Ｘ線回折分析によってカーボン相のピークが観察されない窒化アルミニウム焼結体」が記載されているといえる。
　記載ｌ）によれば、刊行物２には、窒化アルミニウム焼結体からなる基材中に抵抗発熱体を埋設し、セラミックヒータとすることが記載されているが、記載ｊ）によれば刊行物２記載の発明においてセラミックヒータに好適な窒化アルミニウム焼結体は明度が４以下の黒色を呈しているものであるのに対し、上記「ＡｌＮ結晶粒に、１５０，７４０，７００，７５０，１２００ｐｐｍのカーボンが固溶し、Ｘ線回折分析によってカーボン相のピークが観察されない窒化アルミニウム焼結体」は、同刊行物中の【表１】ないし【表３】によれば、いずれも明度が５ないし８を呈し、セラミックヒータに適さないとされている焼結体である。
　したがって、刊行物２には、本件発明１の構成中、「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないカーボンを７４０〜１２００ｐｐｍの含有量にて含有するセラミック基板」が記載されているといえるが、該セラミック基板に、抵抗発熱体を配設し、２００℃以上にて使用されるホットプレート、すなわちセラミックヒータとして機能させることが開示されているといえないばかりか、前記セラミック基板をセラミックヒータに転用することを、当業者が容易に想到し得たともいえない。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、刊行物１ないし２に記載された発明といえないばかりか、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（２−２）本件発明２ないし３
　本件発明２ないし３は、本件発明１を引用する発明であるから、本件発明１が、刊行物１ないし２に記載された発明といえないばかりか、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない以上、本件発明２ないし３も、刊行物１ないし２に記載された発明といえないばかりか、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（２−３）本件発明４
　刊行物１及び刊行物２の記載事項は（２−１）で述べたとおりであり、さらに記載ｇ）によれば、刊行物１記載の窒化アルミニウムの焼成に当たり焼成助剤として酸化イットリウムを添加することが記載されている。
　本件発明４と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は「焼成助剤を含む半導体用セラミック基材」である点で一致するのみで、特定炭素の含有の有無、及び用途の点で両者は異なり、別発明というべきである。
　また、刊行物２には、焼結助剤を使用することは記載がなく、「本発明によれば、窒化アルミニウムに焼結助剤や黒色化剤のような金属化合物、特に重金属化合物を添加することなく、窒化アルミニウム焼結体の明度を小さくし、その色を黒色に近づけることができる。」（第10頁18欄【発明の効果】の欄）との記載からみて、むしろ焼結助剤の添加を排除していると解される。
　したがって、本件発明４と刊行物２記載の発明とを対比すると、両者は「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないカーボンであって、セラミック結晶相に固溶したカーボンを含有するセラミック基板」の点で一致し、該セラミック基板が、本件発明４では、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物および希土類酸化物のいずれか少なくとも１種からなる焼結助剤を含み、抵抗発熱体を配設してなり、２００℃以上にて使用されるホットプレート、すなわちセラミックヒータとして機能するものである点で、刊行物２記載のものと相違する。
　そして、刊行物２には、上記のセラミック基板が、セラミックヒータに適さず、またセラミック中に焼結助剤を添加することを排除する記載があるのであるから、該セラミック基板に焼結助剤を含ませ、セラミックヒータとして機能させることを当業者が容易に想到し得たすることはできない。
　以上のとおりであるから、本件発明４は、刊行物１ないし２に記載された発明といえないばかりか、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（２−４）本件発明５
　本件発明５は、本件発明４を引用する発明であるから、本件発明４が、刊行物１ないし２に記載された発明といえないばかりか、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない以上、本件発明５も、刊行物１ないし２に記載された発明といえないばかりか、各刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
３−３．特許法第３６条について
（１）請求項１の「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボン」との記載中の、「ピークが検出できない」又は「検出限界以下」について
　セラミック中のカーボンの測定条件は、本件図面の【図２】の下欄に記載され、カーボンの同定は、本件特許出願時点において既に知られているのであるから、本件特許明細書に具体的に記載されていないからと云って、当業者が容易に実施できないと云うことはできない。
（２）「非晶質カーボン」又は「セラミック結晶相に固溶したカーボン」を測定し確認する方法について
　「非晶質カーボン」がＸ線回折チャート上にピークが表れないことは技術常識であり、「セラミック結晶相に固溶したカーボン」が、Ｘ線回折チャート上にピークが消滅することも、上記刊行物２に記載されるように、本件特許出願前既に知られた事項である。
　そして、Ｘ線回折チャート上にピークが表れなくても、セラミック中にカーボンがどの程度存在するかは、本件特許明細書段落【0066】に「焼結体中のカーボン量の測定は、焼結体を粉砕し、これを８００℃で加熱して発生するＣＯガスを捕集することにより行った。」（ここで、「ＣＯガス」は「ＣＯ２ガス」の誤記と認める）と記載されるように周知の手段で可能であり、しかも、「非晶質カーボン」か「セラミック結晶相に固溶したカーボン」か否かは、結晶の格子定数の変化の有無で判断できる。
　したがって、「非晶質カーボン」又は「セラミック結晶相に固溶したカーボン」を測定し確認することは、本件特許出願時点における技術常識に基づけば可能と云えるから、本件特許明細書に具体的に記載されていないからと云って、当業者が容易に実施できないと云うことはできない。
　なお、異議申立人は、格子定数の変化は他の元素の固溶によっても生じるのであるから判別不可能である旨主張するが、この場合にも、他の元素を含む化合物が、カーボンと同様な条件で固溶することを証する証拠が存在しない以上、上記主張を採用することはできない。
（３）「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボン」という条件１と、「非晶質カーボンおよびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種」という条件２との関係は、前記訂正の結果明確となった。
（４）まとめ
　上記のように、本件特許明細書の記載に不明な点はなく、詳細な説明には、当業者が容易にその実施ができる程度に、本件特許発明が記載されている。
　
３−４．その他の異議申立人の主張する取消理由について
（１）異議申立人日本碍子株式会社が、提出した甲第１号証ないし甲第３号証について
　異議申立人日本碍子株式会社は甲第１号証ないし甲第３号証を提出し、甲第３号証の実験結果によれば、甲第１号証乃至甲第２号証に記載されるセラミックは、「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボン」を有するから、本件発明は甲第１号証ないし甲第２号証に記載された発明である旨主張している。
　しかしながら、甲第１号証には、そもそも焼結体中にカーボンが含まれていることが開示されておらず、一方、甲第２号証に記載される窒化アルミニウム焼結体は、「本発明の金属包含材を、例えば半導体ウエハーの吸着用の静電チャックとして使用すると、特に誘電層における室温での体積抵抗率を１．０×１０１２Ω・ｃｍ以下とできることから、室温付近または−６０℃以下の温度範囲において、静電チャックとしての吸着特性を著しく向上させることができる。・・・・これによって、特に−６０℃程度の低温領域から、３００℃以上の高温領域までの極めて広い温度範囲において、８インチ以上の大型の半導体ウエハーを、十分に安定して吸着し、保持することができるようになった。」（段落【0136】）と記載されるように、静電チャックとして使用する場合、室温での体積抵抗率を１．０×１０１２Ω・ｃｍ以下と低くすることにより、−６０℃程度の低温領域から、３００℃以上の高温領域までの広い温度範囲において、大型の半導体ウエハーを安定して吸着・保持するものである。
　したがって、甲第２号証は、異議申立人が「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボン」を含むと主張する比較例Ｎｏ．５１のように、室温の体積抵抗率が４．２×１０１４Ω・ｃｍと大きいものを、上記の温度範囲での静電チャックとして使用することを排除しているのであり、さらに、甲第２号証には、前記比較例Ｎｏ．５１のような体積抵抗率の高いものを、２００℃以上の高温域で使用することを示唆する記載もない。
　しかも、権利者が提出した平成１６年８月１０付上申書に添付された補充資料５の「依頼試験報告書」によれば、上記甲第２号証に記載される方法で作成された窒化アルミニウム焼結体には明らかにカーボンのピークが観察され、甲第３号証の「化学分析結果報告書」の内容を考慮すれば、甲第２号証に記載されたセラミックは、「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボン」だけでなく、Ｘ線回折チャート上でピークが検出できるカーボンを有するものも開示されていると解される。
　この点に関し、補充資料５の「依頼試験報告書」には、原料の特定、及び得られた焼結体の物性の明示がないが、甲第２号証にも、「原料粉末としては、還元窒化法によって得られた窒化アルミニウム粉末を使用した。」（段落【0087】）としか記載がなく、また、焼結体も「この原料粉末を１００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で一軸加圧成形することによって、直径２００ｍｍの円盤状成形体を作製した。この円盤状成形体をホットプレス型中に収容し、密封した。昇温速度３００℃／時間で温度を上昇させ、この際、室温〜１０００℃の温度範囲で減圧を行った。この温度の上昇と同時に圧力を上昇させた。最高温度を、表２、４、６に示すように変更し、表２、４、６に示す各キープ時間の間、各最高温度で保持した。」（段落【0088】）という甲第２号証に記載されるとおりに調製されている以上、これと反する証拠が存在しない限り、甲第２号証に記載される物性を有すると判断せざるを得ない。
　以上の点を勘案すると、「２００℃以上にて使用される」という構成、及び「Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボン」という構成を必須とする本件発明は、甲第２号証に記載された発明であると云うことはできず、上記異議申立人の主張は採用できない。
　
　また、その他の異議申立理由及び証拠は、本件発明１〜５の特許を取り消すべき理由として採用することができない。
　
４．まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜５についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年８月２４日（２００４．８．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体製造・検査装置用セラミック基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　Ｘ線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下の、非晶質カーボンを
２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて
２００℃以上にて使用される
　【請求項２】　さらに、静電電極が形成されており、加熱手段を備えた静電チャックとして機能する請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミック基板。
　【請求項３】　さらに、表面にチャックトップ電極が形成されており、加熱手段を備えたウエハプローバとして機能する請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミック基板。
　【請求項
４
非晶質カーボンおよびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種
のカーボンを２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて含有するとともに、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物および希土類酸化物のいずれか少なくとも１種からなる焼結助剤
２００℃以上にて
ことを特徴とする
　【請求項
５
４
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
本発明は、主に、ホットプレート、静電チャック、ウエハプローバなど、半導体の製造用や検査用の装置として用いられるセラミック基板に関し、特に電極パターン等の隠蔽性と高温での体積抵抗率、サーモビュアによる温度測定精度に優れる半導体製造・検査装置用セラミック基板に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
エッチング装置や、化学的気相成長装置等を含む半導体製造、検査装置等においては、従来、ステンレス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用いたヒータや、ウエハプローバ等が用いられてきた。
しかしながら、金属製のヒータでは温度制御特性が悪く、また厚みも厚くなるため重く嵩張るという問題があり、腐食性ガスに対する耐蝕性も悪いという問題を抱えていた。
　【０００３】
これに対し、特開平１１−４０３３０号公報等では、金属製のものに代えて、窒化アルミニウムなどのセラミックを使用したヒータが開示されている。
ところが、このヒータを構成する基材の窒化アルミニウム自体は、一般に白色または灰白色であることから、ヒータやサセプタとしては好ましくない。むしろ、黒色の方が輻射熱量が大きいため、この種の用途には適しており、また電極パターンの隠蔽性が高いため、ウエハプローバや静電チャックには特に好適であった。さらに、ヒータの表面温度の測定は、サーモビュア（表面温度計）で行われるが、白色や灰白色の場合、輻射熱も測定されてしまうため、正確な温度測定が不可能であった。
　【０００４】
このような求めに応じて開発された特開平９−４８６６８号公報等に記載の従来の発明の中には、窒化アルミニウム基板中にＸ線回折チャート上の４４〜４５°の位置にピークが検出されるような結晶質のカーボンを含有するものが提案されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような結晶質のカーボン（グラファイト）を添加した従来の窒化アルミニウム基板は、高温時での体積抵抗率、例えば、５００℃の高温領域における体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ未満に低下するため、その内部に抵抗発熱体等が配設されたセラミック基板では、短絡が発生してしまうという問題点があった（図１参照）。
　【０００６】
本発明の目的は、上述した従来技術が抱えている問題点を解決することにあり、特に２００℃以上の高温時における体積抵抗率が充分に大きいためリーク電流や短絡が発生せず、また、隠蔽性、大輻射熱量、および、サーモビュアによる測定精度を保証することができる半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、ホットプレート、静電チャック、ウエハプローバ等として好適に用いることができる半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供することにある。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の要請に応えるために開発された半導体製造・検査装置用セラミック基板に関し、特に酸化物、窒化物、炭化物等の結晶からなるマトリックス中に、Ｘ線回折チャートの２θ＝１０〜９０°の位置にピークが検出できないか、検出限界以下である非晶質カーボンを
２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて
２００℃以上にて
　【０００８】
上記半導体製造・検査装置用セラミック基板（以下、単に半導体装置用セラミック基板ともいう）において
は
が形成され、加熱手段を備えた
　【０００９】
また、
上記セラミック基板は、その表面にチャックトップ電極が形成され、
　【００１０】
また、
本発明は、Ｘ線回折のチャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下のカーボンであって、
非晶質カーボンおよびセラミック結晶相に固溶したカーボンのいずれか少なくとも１種のカーボンを２００〜５０００ｐｐｍの含有量にて含有するとともに、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物および希土類酸化物のいずれか少なくとも１種からなる焼結助剤を含むセラミック基板に、抵抗発熱体を配設してなり、２００℃以上にて使用されるホットプレートとして機能する半導体製造・検査装置用セラミック基板である
　【００１１】
上記半導体装置用セラミック基板中のＪＩＳ　Ｚ　８７２１に規定される明度は、Ｎ４以下であることが望ましい。
　【００１２】
　【発明の実施の形態】
さて、本発明者らの研究によれば、Ｘ線回折チャート上において、回折角度２θ＝１０〜９０°、特に２θ＝４４〜４５°の位置でピークが検出されるようなカーボンを含有するセラミック基板は、２００℃以上の高温における体積抵抗率が大きく低下するため、加熱時に発熱体パターン間や電極パターン間でリーク電流や短絡が発生してしまう場合がある。
　【００１３】
この理由は、セラミック基板は、高温になるに従って体積抵抗率が低下することに加え、結晶質カーボンは、金属結晶に類似した結晶構造を持ち、かつ、高温での電気伝導性が大きいため、この２つの特性が相乗的に作用し合って上記のような短絡を招くものと考えられる。
　【００１４】
このような短絡を防止し、セラミック基板の電気抵抗率を増大させるために本発明者らがさらに研究をつづけた結果、カーボンを含む焼結体の高温での電気抵抗率を増大させるには、Ｘ線回折チャート上においてピークが検出されない程度に結晶性を低下させたカーボン、または、結晶相に固溶させたカーボン、すなわち、Ｘ線回折チャート上において、ピークが検出されないようなカーボンにすればよいことを知見した。
　【００１５】
ここで、Ｘ線回折チャート上でピークが検出できないという意味は、回折角度２θ＝１０〜９０°、特に４４〜４５°でカーボンのピークが検出できないという意味である。なお、上記のように規定したのは、カーボンには種々の結晶系が存在し、特開平９−４８６６８号公報に開示されているように、単に回折角度２θ＝４４〜４５°に出現するピークのみならず、回折角度２θ＝１０〜９０°にピークが出現するカーボンの結晶も考慮しなければならないからである（図２、図３参照）。
　【００１６】
なお、Ｘ線回折のチャートには、ピークのみならずハローの出現も好ましくない。非結晶質体は通常２θ＝１５〜４０°付近にハローと呼ばれるゆるやかな起伏を持つが、このようなハローが出現するということは、セラミック基板を構成する窒化物や酸化物等の結晶中に非晶質カーボンが侵入していることを意味する。そのため窒化物等の結晶性を低下させることになり、また、焼結性を阻害して、明度が高くなってしまい、さらには高温での強度低下をも招いてしまう。
　【００１７】
Ｘ線回折チャート上でピークが検出できないようなカーボンとする具体的な方法としては、（１）カーボンをセラミックを構成する化合物の結晶相に固溶させて、カーボンの結晶に起因するＸ線回折のピークが出ないようにする方法、（２）非晶質カーボンを用いる方法、などが考えられる。
　【００１８】
これらの中では、（２）の非晶質カーボンを用いる方法が好ましい。この理由は、セラミック焼結体中にカーボンが固溶すると結晶に欠陥が生じやすくなり、その結果、焼結体の高温での強度低下を招くからである。
なお、特開平９−４８６６８号公報では、１８５０℃にて加熱すると結晶質カーボンが窒化アルミニウム中に固溶してＸ線回折のピークが消失する現象が記載されているが、特開平９−４８６６８号公報に記載の発明では、あくまでＸ線回折のピークが４４〜４５°に存在するような結晶質のカーボンを含有する焼結体を発明として認識しているのである。また、この公報において、高温時の体積抵抗率については記載も示唆もされていない。
　【００１９】
一方、本発明の半導体装置用セラミック基板においては、カーボンを含み、Ｘ線回折チャートの回折角度２θ＝１０〜９０°においてピークが出現せず、かつ、２５〜５００℃における体積抵抗率が、内部に配設された発熱抵抗体にリーク電流や短絡が発生しないような大きな値（例えば、１×１０８Ω・ｃｍ以上）を有する焼結体であるため、特開平９−４８６６８号公報の記載を理由に本発明の新規性、進歩性がなんら阻却されるものでない。
　【００２０】
本発明において、Ｘ線回折チャート上ではそのピークが検出できないか検出限界以下であるカーボンの含有量は、２００〜５０００ｐｐｍ
であり
　【００２１】
本発明の半導体装置用セラミック基板を構成するセラミック材料は特に限定されるものではなく、例えば、窒化物セラミック、炭化物セラミック、酸化物セラミック等が挙げられる。
　【００２２】
上記窒化物セラミックとしては、金属窒化物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。
また、上記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タンステン等が挙げられる。
　【００２３】
上記酸化物セラミックとしては、金属酸化物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライト等が挙げられる。
これらのセラミックは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　【００２４】
これらのセラミックの中では、窒化物セラミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比べて望ましい。熱伝導率が高いからである。
また、窒化物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適である。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからである。
　【００２５】
本発明においては、マトリックスを構成する焼結体中には、焼結助剤を含有することが望ましい。その焼結助剤としては、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類酸化物を使用することができ、これらの焼結助剤のなかでは、特にＣａＯ、Ｙ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ３が好ましい。これらの含有量としては、０．１〜１０重量％が望ましい。
　【００２６】
また、本発明に係る半導体装置用セラミック基板は、明度がＪＩＳ　Ｚ　８７２１の規定に基づく値でＮ４以下のものであることが望ましい。この程度の明度を有するものが輻射熱量、隠蔽性に優れるからである。
ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で表示したものである。
そして、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点１位は０または５とする。
　【００２７】
本発明の半導体装置用セラミック基板は、半導体の製造や半導体の検査を行うための装置に用いられるセラミック基板であり、具体的な装置としては、例えば、静電チャック、ウエハプローバ、ホットプレート、サセプタ等が挙げられる。
　【００２８】
本発明の半導体装置用セラミック基板には、導電性の金属または導電性セラミックからなる導電体が配設されているが、この導電体が静電電極である場合には、上記セラミック基板が静電チャックとして機能する。
　【００２９】
上記金属としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケルなどが好ましい。また、上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　【００３０】
図４（ａ）は、静電チャックを模式的に示す縦断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電チャックのＡ−Ａ線断面図である。
この静電チャック２０では、窒化アルミニウム基板３の内部にチャック正負電極層２２、２３が埋設され、その電極上にセラミック誘電体膜４０が形成されている。また、窒化アルミニウム基板３の内部には、抵抗発熱体１１が設けられ、シリコンウエハ９を加熱することができるようになっている。なお、窒化アルミニウム基板３には、必要に応じて、ＲＦ電極が埋設されていてもよい。
　【００３１】
この静電チャックを使用する場合には、チャック正極静電層２２とチャック負極静電層２３とにそれぞれ直流電源の＋側と−側を接続し、直流電圧を印加する。これにより、この静電チャック上に載置されたシリコンウエハが静電的に吸着されることになる。従って、この静電チャック内に抵抗発熱体が形成されておれば、シリコンウエハを吸着した状態で加熱等を行うことができる。
　【００３２】
図５および図６は、他の静電チャックにおける静電電極を模式的に示した水平断面図であり、図５に示す静電チャック７０では、セラミック基板７１の内部に半円形状のチャック正極静電層７２とチャック負極静電層７３が形成されており、図６に示す静電チャック８０では、セラミック基板８１の内部に円を４分割した形状のチャック正極静電層８２ａ、８２ｂとチャック負極静電層８３ａ、８３ｂが形成されている。また、２枚の正極静電層８２ａ、８２ｂおよび２枚のチャック負極静電層８３ａ、８３ｂは、それぞれ交差するように形成されている。
なお、円形等の電極が分割された形態の電極を形成する場合、その分割数は特に限定されず、５分割以上であってもよく、その形状も扇形に限定されない。
　【００３３】
本発明の半導体装置用セラミック基板に埋設された導電体が、抵抗発熱体である場合には、上記セラミック基板がホットプレートとして機能する。
図７は、本発明の半導体装置用セラミック基板の一実施形態であるホットプレート（以下、セラミックヒータともいう）の一例を模式的に示す底面図であり、図８は、上記セラミックヒータの一部を模式的に示す部分拡大断面図である。
　【００３４】
セラミック基板９１は、円板状に形成されており、抵抗発熱体９２は、セラミック基板９１のウエハ載置面の全体の温度が均一になるように加熱するため、セラミック基板９１の底面に同心円状のパターンに形成されており、その表面には、金属被覆層９２ａが形成されている。
　【００３５】
また、これら抵抗発熱体９２は、互いに近い二重の同心円同士が１組として、１本の線になるように接続され、その両端に入出力の端子となる端子ピン９３が接続されている。また、中央に近い部分には、支持ピン９６を挿入するための貫通孔９５が形成され、さらに、測温素子を挿入するための有底孔９４が形成されている。
　【００３６】
また、図８に示したように、この支持ピン９６は、その上にシリコンウエハ９９を載置して上下させることができるようになっており、これにより、シリコンウエハ９９を図示しない搬送機に渡したり、搬送機からシリコンウエハ９９を受け取ったりすることができる。
図７に示した抵抗発熱体９２は、セラミック基板９１の底面に配設されているが、抵抗発熱体９２は、セラミック基板９１の内部で、その中心または中心よりウエハ載置面に偏芯した位置に形成されていてもよい。
　【００３７】
このような構成のセラミックヒータでは、その上にシリコンウエハ等を載置した後、シリコンウエハ等の加熱や冷却を行いながら、種々の操作を行うことができる。
　【００３８】
本発明の半導体装置用セラミック基板の表面および内部に導電体が配設され、上記内部の導電体が、ガード電極またはグランド電極のいずれか少なくとも一方である場合には、上記セラミック基板は、ウエハプローバとして機能する。
　【００３９】
図９は、本発明のウエハプローバの一実施形態を模式的に示した断面図であり、図１０は、その平面図であり、図１１は、図９に示したウエハプローバにおけるＡ−Ａ線断面図である。
　【００４０】
このウエハプローバ１０１では、平面視円形状のセラミック基板３の表面に同心円形状の溝７が形成されるとともに、溝７の一部にシリコンウエハを吸引するための複数の吸引孔８が設けられており、溝７を含むセラミック基板３の大部分にシリコンウエハの電極と接続するためのチャックトップ導体層２が円形状に形成されている。
　【００４１】
一方、セラミック基板３の底面には、シリコンウエハの温度をコントロールするために、図７に示したような平面視同心円形状の発熱体４１が設けられており、発熱体４１の両端には、外部端子ピン１９１（図１３参照）が接続、固定されている。また、セラミック基板３の内部には、ストレイキャパシタやノイズを除去するために図１１に示したような格子形状のガード電極５とグランド電極６とが設けられている。
　【００４２】
このような構成のウエハプローバでは、その上に集積回路が形成されたシリコンウエハを載置した後、このシリコンウエハにテスタピンを持つプローブカードを押しつけ、加熱、冷却しながら電圧を印加して導通テストを行うことができる。
　【００４３】
次に、本発明にかかる上記半導体装置用セラミック基板の製造方法の一例を説明する。
（１）初めに、非晶質カーボンを製造する。例えば、Ｃ、Ｈ、Ｏだけからなる炭化水素、好ましくは糖類（ショ糖やセルロース）を、空気中、３００〜５００℃で焼成することにより、純粋な非晶質カーボンを製造する。
（２）次に、上記カーボンとマトリックス成分となるセラミック粉末とを混合する。混合する粉末の好ましい大きさは、平均粒径で、０．１〜５μｍ程度の小さいものがよい。これは、微細なほど焼結性が向上するからである。なお、カーボンの添加量は焼成時に消失する分を考慮して添加する。
また、窒化アルミニウム基板等を製造する場合には、上記混合物に酸化イットリウム（イットリア：Ｙ２Ｏ３）の如き焼結助剤を添加してもよい。
　【００４４】
上記の（１）、（２）の処理に代え、セラミック粉末、バインダー、糖類および溶媒を混合してグリーンシートを作製した後積層し、このグリーンシートの積層体を３００〜５００℃で仮焼成することにより、糖類を非晶質カーボンとしてもよい。また、この場合に、糖類と非晶質カーボンの両方を添加してもよい。なお、溶媒としては、α−テルピネオールや、グリコールなどを用いることができる。
　【００４５】
（３）次に、得られた粉末混合物を成形型に入れて成形体としたもの、または、上記グリーンシートの積層体（いずれも仮焼成したもの）を、アルゴン窒素などの不活性雰囲気下に１７００〜１９００℃、８０〜２００ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱、加圧して焼結する。
　【００４６】
本発明の半導体装置用セラミック基板は、基本的にセラミック粉末の混合物からなる成形体やグリーンシート積層体を焼成することにより製造することができるが、このセラミック粉末の混合物を成形型に入れる際に、発熱体となる金属板（箔）や金属線等を粉末混合物中に埋没したり、積層するグリーンシートのうちの１枚のグリーンシート上に発熱体となる導体ペースト層を形成することにより、内部に抵抗発熱体を有するセラミック基板とすることができる。
また、焼結体を製造した後、その表面（底面）に導体ペースト層を形成し、焼成することによって、底面に発熱体を形成することもできる。
　【００４７】
さらに、このセラミック基板の製造時には、発熱体の他、静電チャック等の電極の形状となるように、上記成形体の内部に金属板（箔）等を埋設したり、グリーンシート上に導体ペースト層を形成することにより、ホットプレート、静電チャック、ウエハプローバ、サセプタなどを製造することができる。
　【００４８】
各種の電極や発熱体を作製するための導体ペーストとしては特に限定されないが、導電性を確保するための金属粒子または導電性セラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むものが好ましい。
　【００４９】
上記金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金属は、比較的酸化しにくく、薄膜状の電極等とした際には、充分に大きな導電性を有し、一方、図７に示したような線状（帯状）の抵抗発熱体とした場合には、発熱するに充分な抵抗値を有するからである。
上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　【００５０】
これら金属粒子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるからである。
　【００５１】
上記金属粒子の形状は、球状であっても、リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよい。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を保持しやすくなり、発熱体とセラミック基板との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有利である。
　【００５２】
導体ペーストに使用される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースなどが挙げられる。
　【００５３】
発熱体用の導体ペーストをセラミック基板の表面に形成する際には、導体ペースト中に金属粒子のほかに金属酸化物を添加し、金属粒子および金属酸化物を焼結させたものとすることが望ましい。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、セラミック基板と金属粒子とを密着させることができる。
　【００５４】
金属酸化物を混合することにより、セラミック基板と密着性が改善される理由は明確ではないが、金属粒子表面や非酸化物からなるセラミック基板の表面は、その表面がわずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子とセラミックとが密着するのではないかと考えられる。また、セラミック基板を構成するセラミックが酸化物の場合は、当然に表面が酸化物からなるので、密着性に優れた導体層が形成される。
　【００５５】
上記金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
　【００５６】
これらの酸化物は、発熱体の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子とセラミック基板との密着性を改善することができるからである。
　【００５７】
上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、アルミナ、イットリア、チタニアの割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０であって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整されていることが望ましい。
これらの範囲で、これらの酸化物の量を調整することにより、特にセラミック基板との密着性を改善することができる。
　【００５８】
上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。また、このような構成の導体ペーストを使用して発熱体を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□が好ましい。
　【００５９】
面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、表面に発熱体を設けたセラミック基板では、その発熱量を制御しにくいからである。なお、金属酸化物の添加量が１０重量％以上であると、面積抵抗率が５０ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性が低下する。
　【００６０】
発熱体がセラミック基板の表面に形成される場合には、発熱体の表面部分に、金属被覆層が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ましい。
　【００６１】
金属被覆層を形成する際に使用される金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが好ましい。
なお、発熱体をセラミック基板の内部に形成する場合には、発熱体表面が酸化されることがないため、被覆は不要である。
本発明の半導体装置用セラミック基板は、２００℃以上で使用することができる。
　【００６２】
　【実施例】
（実施例１）　セラミックヒータ（ＡｌＮ＋Ｙ２Ｏ３＋非晶質カーボン）
（１）ショ糖を酸化性気流中（空気中）で５００℃に加熱して熱分解させ、非晶質カーボンを得た。
（２）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、上記（１）の非晶質カーボン０．０９重量部を混合し、成形型に入れて窒素雰囲気中、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で３時間ホットプレスして窒化アルミニウム焼結体を得た。
（３）上記（２）で得た焼結体の底面に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、図７に示したような同心円状のパターンとした。導体ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。
　【００６３】
この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）およびアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであった。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のものであった。
　【００６４】
（４）次に、導体ペーストを印刷した焼結体を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともに焼結体に焼き付け、発熱体９２を形成した。銀−鉛の発熱体９２は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
（５）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（４）で作製した焼結体を浸漬し、銀−鉛の発熱体９２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層９２ａ（ニッケル層）を析出させた。
　【００６５】
（６）電源との接続を確保するための端子を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。ついで、半田層の上にコバール製の端子ピン９３を載置して、４２０℃で加熱リフローし、端子ピン９３を発熱体９２の表面に取り付けた。
（７）温度制御のための熱電対を有底孔に挿入し、ポリイミド樹脂を充填し、１９０℃で２時間硬化させ、セラミックヒータ１０（図７参照）を得た。
　【００６６】
なお、焼結体中のカーボン量の測定は、焼結体を粉砕し、これを８００℃で加熱して発生するＣＯガスを捕集することにより行った。この方法による測定の結果、窒化アルミニウム焼結体中に含まれるカーボン量は８００ｐｐｍであった。また、明度はＮ＝３．５であった。
　【００６７】
（実施例２）　セラミックヒータ（ＡｌＮ＋非晶質カーボン）
（１）ショ糖を空気中で５００℃に加熱して熱分解させ、非晶質カーボンを得た。
（２）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、上記（１）の非晶質カーボン０．０９重量部を混合し、成形型に入れて窒素雰囲気中、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で３時間ホットプレスして窒化アルミニウム焼結体を得た。この後、焼結体の底面に実施例１と同様にして抵抗発熱体９２を設けた。
得られた窒化アルミニウム焼結体中のカーボン量は８０５ｐｐｍで、明度はＮ＝３．５であった。
　【００６８】
（実施例３）　セラミックヒータ（カーボンの固溶）
窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、グラファイト（東洋炭素社製、ＧＲ−１２００）０．０９重量部を混合し、成形型に入れて窒素雰囲気中、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で３時間ホットプレスし、さらにこの焼結体を常圧の窒素雰囲気中、１８５０℃で３時間加熱してグラファイトを窒化アルミニウム相に固溶させた。この後、焼結体の底面に実施例１と同様にして抵抗発熱体９２を設けた。
得られた窒化アルミニウム焼結体中のカーボン量は８１０ｐｐｍで、明度はＮ＝４．０であった。なお、上記ホットプレス中においては、カーボンの固溶現象は発生しないと考えられる。
　【００６９】
（比較例１）　セラミックヒータ（ＡｌＮ＋Ｙ２Ｏ３）
窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３：平均粒径０．４μｍ）４重量部を混合し、これを成形型に入れて窒素雰囲気中において１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で３時間ホットプレスして窒化アルミニウム焼結体を得た。この後、焼結体の底面に実施例１と同様にして抵抗発熱体９２を設けた。
得られた窒化アルミニウム焼結体中のカーボン量は１００ｐｐｍ以下で、明度はＮ＝７．０であった。
　【００７０】
（比較例２）　セラミックヒータ（ＡｌＮ＋結晶質カーボン）
この比較例は、特開平９−４８６６８号公報の記載に従い、バインダーとしてフェノール樹脂粉末を使用した。なお、この従来技術において、上記フェノール樹脂を分解して得られるカーボンは結晶性のものであると考えられる。
まず、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、フェノール樹脂粉末５重量部を混合し、成形型に入れて窒素雰囲気中、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で３時間ホットプレスして窒化アルミニウム焼結体を得た。この後、焼結体の底面に実施例１と同様にして抵抗発熱体９２を設けた。
得られた窒化アルミニウム焼結体中のカーボン量は８１０ｐｐｍで、明度はＮ＝４．０であった。
　【００７１】
図１は、実施例１〜３および比較例１、２のセラミックヒータにおいて、室温〜５００℃までのセラミック基板（焼結体）の体積抵抗率の推移を示したものである。
この図１に示すように、比較例２として示す結晶質カーボンのみが入っているセラミックヒータでは、体積抵抗率が約１／１０に低下し、５００℃付近の高温領域において抵抗発熱体９２に１０ｍＡのリーク電流が発生し、実用的なものとはならなかった。
　【００７２】
上記測定において、体積抵抗率と熱伝導率とは次のように測定した。
（１）体積抵抗率：焼結体を切削加工することにより、直径１０ｍｍ、厚さ３ｍｍの形状に切出し、三端子（主電極、対電極、ガード電極）を形成し、直流電圧を加え、１分間充電した後のデジタルエレクトロメーターに流れる電流（Ｉ）を読んで、試料の抵抗（Ｒ）を求め、抵抗（Ｒ）と試料の寸法から体積抵抗率（ρ）を下記の計算式（１）で計算した。
　【００７３】
　【数１】
　【００７４】
上記計算式（１）において、ｔは試料の厚さである。また、Ｓは、下記の計算式（２）および（３）により与えられる。
　【００７５】
　【数２】
　【００７６】
　【数３】
　【００７７】
なお、上記計算式（２）および（３）において、ｒ１は主電極の半径、ｒ２はガード電極の内径（半径）、ｒ３はガード電極の外径（半径）、Ｄ１は主電極の直径、Ｄ２はガード電極の内径（直径）、Ｄ３はガード電極の外径（直径）であり、本実施例においては、２ｒ１＝Ｄ１＝１．４５ｃｍ、２ｒ２＝Ｄ２＝１．６０ｃｍ、２ｒ３＝Ｄ３＝２．００ｃｍである。
Ｘ線回折の測定は、ＲＩＮＴ２０００広角ゴニオメータを使用した（Ｃｕ　Ｋ−ＡＬＰＨＡをＸ線源、カウンタはシンチレーションカウンタ）。また、発散スリットは１ｄｅｇ、散乱スリットは１ｄｅｇ、受光スリット０．３ｍｍ、スキャンスピード２．０００°／ｍｉｎである。
　【００７８】
また、図２、図３は、焼結体のＸ線回折チャートを示すものであり、本発明の実施例１（図２）と比較例２（図３）の焼結体のチャートを示す。これらの図に示すように、実施例１の例では、回折角度２θ＝１０〜９０°の位置にカーボンのピークは検出できない。また、２θ＝１５〜４０°でハローは出現していない。しかしながら、比較例２では、２θ＝４４〜４５°の位置にカーボンのピークが観察される。
　【００７９】
また、図１４には、実施例１と実施例３のセラミックヒータを構成するセラミック基板の強度測定結果を記載している。図１４に示したように、カーボンを固溶させたセラミックヒータ（実施例３）では、その強度が低下している。なお、強度の測定は、インストロン万能試験機（４５０７型　ロードセル５００ｋｇｆ）を用い、温度が２５〜１０００℃の大気中、クロスヘッド速度０．５ｍｍ／分、スパン距離Ｌ＝３０ｍｍ、試験片の厚さ＝３．０６ｍｍ、試験片の幅＝４．０３ｍｍで実施し、以下の計算式（４）を用いて３点曲げ強度σ（ｋｇｆ／ｍｍ２）を算出した。
　【００８０】
　【数４】
　【００８１】
上記計算式（４）中、Ｐは、試験片が破壊したときの最大荷重（ｋｇｆ）であり、Ｌは、下支点間の距離（３０ｍｍ）であり、ｔは、試験片の厚さ（ｍｍ）であり、ｗは、試験片の幅（ｍｍ）である。
　【００８２】
また、実施例１〜３および比較例１、２のセラミックヒータについて、通電を行って５００℃まで加熱し、表面温度をサーモビュア（日本データム株式会社　ＩＲ１６２０１２−００１２）と、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）Ｋ型熱電対で測定し、両者の温度差を調べた。なお、熱電対で測定した温度とのずれ量が大きいほど、サーモビュアの温度誤差が大きいと言える。
その測定の結果によると、実施例１では温度差０．８℃、実施例２では温度差０．９℃、実施例３では温度差１．０℃、比較例１では温度差８℃、比較例２では温度差０．８℃であった。
　【００８３】
（実施例４）　ウエハプローバ（図１２〜１３）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、実施例１で得られた非晶質カーボン０．０９重量部および１−ブタノールおよびエタノールからなるアルコール５３重量％を混合した組成物を用い、ドクターブレード法を用いて成形することにより厚さ０．４７ｍｍのグリーンシート３０を得た。
（２）このグリーンシート３０を８０℃で５時間乾燥した後、パンチングを行い、発熱体と外部端子ピンと接続するためのスルーホール用貫通孔を設けた。
　【００８４】
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部、分散剤０．３重量部を混合して導電性ペーストＡを調製した。また、平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオール溶媒３．７重量部、分散剤０．２重量部を混合して導電性ペーストＢを調製した。
　【００８５】
（４）グリーンシート３０の表面に、上記導電性ペーストＡをスクリーン印刷法により印刷し、格子状のガード電極用印刷層５０およびグランド電極用印刷層６０を形成した。
また、外部端子接続用ピンと接続するための上記スルーホール用貫通孔に導電性ペーストＢを充填してスルーホール用充填層１６０、１７０を形成した。
そして、導電性ペーストが印刷されたグリーンシート３０および印刷がされていないグリーンシート３０′を５０枚積層し、１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で一体化した（図１２（ａ））。
　【００８６】
（５）一体化させた積層体を６００℃で５時間脱脂し、その後、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。この板状体を直径２３０ｍｍの円状に切り出してセラミック基板３とした（図１２（ｂ））。なお、スルーホール１６、１７の大きさは直径０．２ｍｍ、深さ０．２ｍｍであった。また、ガード電極５、グランド電極６の厚さは１０μｍ、ガード電極５の焼結体厚み方向での形成位置は発熱体から１ｍｍのところ、一方、グランド電極６の焼結体厚み方向での形成位置は、チャック面１ａから１．２ｍｍであった。
　【００８７】
（６）上記（４）で得たセラミック基板３を、ダイアモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ガラスビーズのブラスト処理によって、表面に熱電対取付け用凹部（図示せず）およびウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍｍ、深さ０．５ｍｍ）を形成した（図１２（ｃ））。
　【００８８】
（７）さらに、溝７を形成したチャック面１ａに対向する裏面に導電性ペーストを印刷して発熱体用のペースト層を形成した。この導電性ペーストは、プリント配線板のスルーホール形成に用いられている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。すなわち、この導電性ペーストは、銀／鉛ペーストであり、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナからなる金属酸化物（それぞれの重量比率は、５／５５／１０／２５／５）を銀の量に対して７．５重量％含むものである。
なお、この導電性ペースト中の銀としては、平均粒径４．５μｍのリン片状のものを用いた。
　【００８９】
（８）裏面に導電性ペーストを印刷して発熱体４１を形成したセラミック基板（ヒータ板）３を７８０℃で加熱焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにセラミック基板３に焼き付け、発熱体４１を形成した（図１２（ｄ））。次いで、このセラミック基板３を、硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴中に浸漬して、上記導電性ペーストからなる発熱体４１の表面に、さらに厚さ１μｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下であるニッケル層４１０を析出させて発熱体４１を肥厚化させ、その後１２０℃で３時間の熱処理を行った。
こうして得られたニッケル層４１０を含む発熱体４１は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍであり、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
（９）溝７が形成されたチャック面１ａに、スパッタリング法にてＴｉ、Ｍｏ、Ｎｉの各層を順次積層した。このスパッタリングは、装置として日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、気圧：０．６Ｐａ、温度：１００℃、電力：２００Ｗ、処理時間：３０秒〜１分の条件で行い、スパッタリングの時間は、スパッタリングする各金属によって調整した。
得られた膜は、蛍光Ｘ線分析計の画像からＴｉは０．３μｍ、Ｍｏは２μｍ、Ｎｉは１μｍであった。
　【００９０】
（１０）上記（９）で得られたセラミック基板３を、硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に浸漬して、チャック面１ａに形成されている溝７の表面に、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層（厚さ７μｍ）を析出させ、１２０℃で３時間熱処理した。
さらに、セラミック基板３表面（チャック面側）にシアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で１分間浸漬して、セラミック基板３のチャック面側のニッケルめっき層上に、さらに厚さ１μｍの金めっき層を積層してチャックトップ導体層２を形成した（図１３（ｅ））。
　【００９１】
（１１）次いで、溝７から裏面に抜ける空気吸引孔８をドリル加工して穿孔し、さらにスルーホール１６、１７を露出させるための袋孔１８０を設けた（図１３（ｆ））。この袋孔１８０にＮｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８１．５ｗｔ％、Ｎｉ１８．４ｗｔ％、不純物０．１ｗｔ％）からなる金ろうを用い、９７０℃で加熱リフローさせてコバール製の外部端子ピン１９、１９０を接続させた（図１３（ｇ））。また、上記発熱体４１に半田合金（錫９／鉛１）を介してコバール製の外部端子ピン１９１を形成した。
（１２）温度制御のために、複数の熱電対を凹部に埋め込み（図示せず）、ウエハプローバ付きヒータとした。
　【００９２】
（１３）この後、通常は、上記ウエハプローバ付きヒータをステンレス鋼製の支持台上にセラミックファイバー（イビデン製、商品名、イビウール）からなる断熱材を介して固定し、その支持台上には冷却ガスの噴射ノズルを設けて該ウエハプローバの温度調製を行うようにする。
なお、このウエハプローバ付きヒータは、空気吸引孔８からの空気を吸引して、該ヒータ上に載置されるウエハを吸着支持する。
なお、このようにして製造したウエハプローバ付きヒータは、明度がＮ＝３．５を示し輻射熱量が多く、しかも、内部のガード電極５やグランド電極６の隠蔽性にも優れる。
　【００９３】
（実施例５）発熱体および静電チャック用静電電極を内部に有するセラミックヒータ（図４）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、実施例１で得られた非晶質カーボン０．０９重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。
　【００９４】
（２）次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径１．８ｍｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍの半導体ウエハ支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、外部端子と接続するためのスルーホールとなる部分を設けた。
　【００９５】
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製した。
平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を混合して導体ペーストＢを調製した。
この導電性ペーストＡをグリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体ペースト層を形成した。印刷パターンは、同心円パターンとした。また、他のグリーンシートに図４に示した形状の静電電極パターンからなる導体ペースト層を形成した。
　【００９６】
さらに、外部端子を接続するためのスルーホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。
上記処理の終わったグリーンシートに、さらに、タングステンペーストを印刷しないグリーンシートを上側（加熱面）に３７枚、下側に１３枚、１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で積層した。
　【００９７】
（４）次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの発熱体および静電電極を有するセラミック製の板状体とした。得られた板状体の炭素含有量は、８１０ｐｐｍであった。
　【００９８】
（５）次に、（４）で得られた板状体を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔（直径：１．２ｍｍ、深さ：２．０ｍｍ）を設けた。
　【００９９】
（６）さらに、スルーホール用の貫通孔の一部をえぐり取って凹部とし、この凹部にＮｉ−Ａｕからなる金ろうを用い、７００℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子を接続させた。
なお、外部端子の接続は、タングステンの支持体が３点で支持する構造が望ましい。接続信頼性を確保することができるからである。
　【０１００】
（７）次に、温度制御のための複数の熱電対を有底孔に埋め込み、静電チャック付きセラミックヒータの製造を完了した。
このようにして製造した静電チャック付きヒータは、明度がＮ＝３．５を示し輻射熱量が多く、しかも、内部の抵抗発熱体や静電電極の隠蔽性にも優れる。
　【０１０１】
　【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミック基板は、非晶質のカーボン
等
従って、本発明の半導体製造・検査装置用セラミック基板は、例えば、ホットプレート、静電チャック、ウエハプローバ、サセプタなどの基板として有用である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
実施例および比較例におけるセラミック基板成分と体積抵抗率との関係を示すグラフである。
　【図２】
実施例の焼結体のＸ線回折チャートである。
　【図３】
比較例の焼結体のＸ線回折チャートである。
　【図４】
（ａ）は、静電チャックを模式的に示す縦断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電チャックのＡ−Ａ線断面図である。
　【図５】
静電チャックに埋設されている静電電極の別の一例を模式的に示す水平断面図である。
　【図６】
静電チャックに埋設されている静電電極の更に別の一例を模式的に示す水平断面図である。
　【図７】
本発明の半導体製造・検査装置用セラミック基板の一例であるセラミックヒータを模式的に示す底面図である。
　【図８】
図７に示したセラミックヒータを模式的に示す部分拡大断面図である。
　【図９】
本発明の半導体製造・検査装置用セラミック基板の一例であるウエハプローバを模式的に示す底面図である。
　【図１０】
図９に示したウエハプローバを模式的に示す平面図である。
　【図１１】
図９に示したウエハプローバのＡ−Ａ線断面図である。
　【図１２】
図９に示したウエハプローバの製造工程の説明図である。
　【図１３】
図９に示したウエハプローバの製造工程の説明図である。
　【図１４】
実施例および比較例における曲げ強度の温度依存性を示すグラフである。
　【符号の説明】
　２　チャックトップ導体層
　３　セラミック基板
　５　ガード電極
　６　グランド電極
　７　溝
　８　空気吸引孔
　１６、１７　スルーホール
　１９、１９０、１９１　外部端子ピン
　２０、７０、８０　静電チャック
　２１、７１、８１　セラミック基板
　２２、７２、８２ａ、８２ｂ　チャック正極静電層
　２３、７３、８３ａ、８３ｂ　チャック負極静電層
　４１　発熱体
　１８０　袋孔