Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月8日(2014.12.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
今日までに、いくつかの解決策が提案されており、かつますます多くの建物の板ガラス表面、例えば干渉反射膜、半導電皮膜又は導電皮膜上に適用されている：それらは良好な選択性で、ＮＩＲ放射線を全て反射することができる。いわゆる“ｌｏｗ−ｅ（低放射率）”窓は、例えば反射性の被覆された鉱物又はポリマーガラスである。しかしながら、特に、ほぼ全ての解決策が、複数の層を必要とし、かつその耐久性が、一般に低い耐引掻性によりかなり制限されうることを考慮して、かかる被覆の製造は非常に時間のかかる工程である。これは、例えばＷＯ ２００５／０７２９４７号において記載されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
典型的に、分散剤マトリックスにおける銀（原子基準で）の質量％は、０．１〜１０質量％、有利には０．２〜２質量％である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
本発明の材料を介して透過された光の量、すなわち半透明性又は透明性の程度は、主に、よく知られているパラメータ、例えば粒子負荷、他の使用された添加物、ポリマーマトリックスの曇りレベル（ｈａｚｅ ｌｅｖｅｌ）、及び材料の厚さに依存する。本発明の材料は、通常、可視範囲（４００〜８００ｎｍ）のそれぞれの部分において少なくとも６０％の半透明性であり、好ましい材料は、良好な透明性を有し、かつ特に厚さ１０ｍｍ未満（例えば０．０１〜５ｍｍ）の明澄透明シート及びフィルム、又は全ての可能な寸法の厚いシートから選択される。好ましい材料は、さらに、１つ以上の次の有利な特徴を有する：
全太陽放射透過率（３４０〜１８００ｎｍ）６０％未満、
低い曇りレベル値、及び
全可視光透過率（４００〜８００ｎｍ）６０％超え。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
２．  前記１．で述べられたポリマーの混合物、例えばポリプロピレンとポリイソブチレンとの混合物、ポリプロピレンとポリエチレンとの混合物（例えばＰＰ／ＨＤＰＥ、ＰＰ／ＬＤＰＥ）、及び種々のタイプのポリエチレンの混合物（例えばＬＤＰＥ／ＨＤＰＥ）。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
好適なポリビニルアセタールは、不飽和アルコール及びアミン（すなわちアシル誘導体又はそれらのアセタール）から誘導されるポリマー、例えばポリビニルアセテート、ポリビニルステアレート、ポリビニルベンゾエート、ポリビニルマレエート、ポリビニルブチラル、ポリアリルフタレート又はポリアリルメラミン；並びに前記１．で挙げられたオレフィンとのそれらのコポリマーを含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
好ましい熱可塑性又は架橋性ポリマーは、ポリカーボネート、ポリカーボネート上の被覆層又は共押出層、ポリエステル、アクリル、ハロゲン化ポリマー、例えばポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ビニル芳香族モノマーから誘導された芳香族ホモポリマー及びコポリマー、並びにそれらのグラフトコポリマー、例えばアクリルニトリル−ブタジエン−スチレンテルポリマー、及びポリビニルアセタール、並びにそれらの配合物及びコポリマーを含む。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２８】
ヒドロキシフェニルトリアジンＵＶ吸収剤は公知であり、かつ商品の一部である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアと、
前記コアを実質的に取り囲むカバー層と、
を備えるゴルフボールであって、
前記コアおよび前記カバー層のうちの少なくとも一方が、ポリマーと調節剤とを含むポリマー混合物で作製され、
前記ポリマーが、高度に中和されたポリマーを含み、
前記調節剤が、プロセス油、可塑剤およびこれらのブレンドからなる群から選択され、
前記調節剤が、前記高度に中和されたポリマーの硬度とほぼ同じである第１の値から、前記高度に中和されたポリマーの硬度よりも小さい第２の値まで前記ポリマー混合物の硬度を減少させるのに十分な量であり、前記調節剤が、前記ポリマー混合物中に存在するゴルフボール。
【請求項２】
前記調節剤が、ナフテン系プロセス油、パラフィン系プロセス油、およびこれらのブレンドからなる群から選択されるか、或いは、フタル酸エステル、トリメリット酸エステル、アジピン酸エステル、セバシン酸エステル系可塑剤、マレイン酸エステル系可塑剤、およびこれらのブレンドからなる群から選択される、請求項１に記載のゴルフボール。
【請求項３】
前記調節剤が、フタル酸ジイソノニルである、請求項１に記載のゴルフボール。
【請求項４】
前記調節剤が、ポリマー１００重量部当たり約１〜約２５重量部の量で前記ポリマー混合物中に存在する、請求項１に記載のゴルフボール。
【請求項５】
前記第２の値が、前記第１の値よりも少なくとも約３ショアＤ小さい、請求項１に記載のゴルフボール。
【請求項６】
前記ポリマー混合物が、無水マレイン酸、シラン、チタネート、およびこれらのブレンドからなる群から選択される相溶化剤をさらに含む、請求項１に記載のゴルフボール。
【請求項７】
前記カバー層が、前記ポリマー混合物を含み、前記ポリマー混合物が、無水マレイン酸、シラン、チタネート、およびこれらのブレンドからなる群から選択される相溶化剤をさらに含む、請求項１に記載のゴルフボール。
【請求項８】
前記コアが、前記ポリマー混合物を含み、
前記調節剤の存在が前記ポリマー混合物の硬度を前記高度に中和されたポリマーの硬度よりも低い硬度にする際の割合よりも、前記調節剤の存在が前記コアのＣＯＲ値を減少させる割合の方が小さいことを特徴とする、請求項１に記載のゴルフボール。
【請求項９】
内側コアと、                                     
前記内側コアを実質的に取り囲む外側コア層と、
を備えるゴルフボールであって、
前記内側コアおよび前記外側コア層のうちの少なくとも一方がポリマー混合物を含み、
前記調節剤が、ナフテン系プロセス油、パラフィン系プロセス油、フタル酸エステル、トリメリット酸エステル、アジピン酸エステル、セバシン酸エステル系可塑剤、マレイン酸エステル系可塑剤およびこれらのブレンドからなる群から選択され、
前記調節剤が、ポリマー１００重量部当たり約１〜約２５重量部の量で前記ポリマー混合物中に存在し、
前記調節剤が、前記高度に中和されたポリマーの硬度とほぼ同じである第１の値から、前記高度に中和されたポリマーの硬度よりも小さい第２の値まで前記ポリマー混合物の硬度を減少させるのに十分な量で、前記ポリマー混合物中に存在し、前記第２の値が、前記第１の値よりも少なくとも約２ショアＤ小さいことを特徴とする請求項１に記載のゴルフボール。
【請求項１０】
前記調節剤が、フタル酸ジイソノニルである、請求項９に記載のゴルフボール。
【請求項１１】
前記内側コアが、前記ポリマー混合物を含み、
前記ポリマー材料中の前記調節剤の存在により、前記内側コアのＣＯＲ値が５％未満だけ減少しており、
前記ポリマー混合物中の前記調節剤の存在により、前記ポリマー混合物の硬度が５％超だけ減少している、請求項９に記載のゴルフボール。
【請求項１２】
前記ポリマーは、本質的に２種の高度に中和されたポリマーの混合物からなるか、或いは、
前記ポリマーは、前記高度に中和されたポリマーと少なくとも１つのさらなるポリマーとのブレンドを含み、前記少なくとも１つのさらなるポリマーは、高度に中和されたポリマー以外の種類のポリマーである、請求項９に記載のゴルフボール。
【請求項１３】
高度に中和されたポリマーを受け入れる工程と、
プロセス油、可塑剤およびこれらのブレンドからなる群から選択される調節剤と、前記高度に中和されたポリマーとを混合させ、ポリマー混合物を形成することによって、前記高度に中和されたポリマーの硬度を変化させる工程と、
前記ポリマー混合物をコアに成形する工程と、
カバー層が前記コアを実質的に取り囲むように前記カバー層を前記コアの周りに形成する工程と、
を含み、
前記調節剤が、前記高度に中和されたポリマーの硬度とほぼ同じである第１の値から、前記高度に中和されたポリマーの硬度よりも小さい第２の値まで前記ポリマー混合物の硬度を減少させるのに十分な量で、前記ポリマー混合物中に存在し、
前記調節剤の存在により、前記ポリマー混合物の硬度値が第１の割合だけ減少しており、前記調節剤の存在により、前記コアのＣＯＲ値が第２の割合だけ減少しており、前記第１の割合は前記第２の割合よりも高く、前記第１の割合／前記第２の割合の比が、約２／１よりも大きいことを特徴とする、ゴルフボールを製造する方法。
【請求項１４】
前記調節剤が、ナフテン系プロセス油、パラフィン系プロセス油、フタル酸エステル、トリメリット酸エステル、アジピン酸エステル、セバシン酸エステル系可塑剤、マレイン酸エステル系可塑剤およびこれらのブレンドからなる群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記調節剤が、高度に中和されたポリマー１００重量部当たり約１〜約２５重量部の量で前記ポリマー混合物中に存在する、請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
第１の値と第２の値との差は、概して、硬度の測定可能な差であり得る。様々な実施形態において、第２の値は、第１の値よりも少なくとも約２ショアＤ、または少なくとも約３ショアＤ、または少なくとも約５ショアＤ、または少なくとも約８ショアＤ、または少なくとも約１０ショアＤ、または少なくとも約１２ショアＤ、または少なくとも約１５ショアＤ、または少なくとも約２０ショアＤ小さくてもよい。したがって、例えば、一実施形態において、高度に中和されたポリマーが、約５０ショアＤの硬度を有する（すなわち、第１の値が５０ショアＤである）場合、ポリマー混合物は、調節剤の存在の結果として、約４８ショアＤ、または約４７ショアＤ、または約４５ショアＤ、または約４２ショアＤ、または約４０ショアＤ、または約３８ショアＤ、または約３５ショアＤ、または約３０ショアＤの硬度を有し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月17日(2015.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘキサシアノ金属酸塩正極、および非金属負極を備える電池であって、以下の構成を含む電池；
集電体上を覆うヘキサシアノ金属酸塩の粒子を備える正極であって、上記ヘキサシアノ金属酸塩の粒子は、Ａ’ｎ’ＡｍＭ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６の化学式で示され、かつ、プルシアンブルーのヘキサシアノ金属酸塩の結晶構造を有する、正極、
Ａの陽イオンは、アルカリカチオンおよびアルカリ土類のカチオンからなる群から選択され、
Ａ’の陽イオンは、アルカリカチオンおよびアルカリ土類のカチオンからなる群から選択され、
Ｍ１は、２価の状態の金属および３価の状態の金属からなる群から選択される金属であり、
Ｍ２は、２価の状態の金属および３価の状態の金属からなる群から選択される金属であり、
ｍは、０．５〜２の範囲の値であり、
ｘは、０．５〜１．５の範囲の値であり、
ｙは、０．５〜１．５の範囲の値であり、
ｎ’は、０〜２の範囲の値である、
Ａの陽イオンを伝導し得る電解液、
非金属負極、および、
上記正極と上記負極とを分離するイオン透過膜。
【請求項２】
上記Ｍ１の金属が、上記Ｍ２の金属が選択される群を構成する金属と同じ金属からなる群から選択され、かつ、上記Ｍ２の金属とは異なる金属である、請求項１に記載の電池。
【請求項３】
上記電解液が、非水系電解液、有機電解液、ゲル電解液、高分子電解液、固体電解質および水系電解液からなる群から選択される、請求項１に記載の電池。
【請求項４】
上記Ａの陽イオンが、Ｘイオンであり、
上記イオン透過膜が、Ｘイオン透過膜であり、
上記電解液が、Ｘ可溶性の非水系電解液であり、
上記Ｘが、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋からなる群から選択される、請求項１に記載の電地。
【請求項５】
上記正極のヘキサシアノ金属酸塩の粒子が、ｎ’＝０である化学式：ＡｍＭ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６で示されるものである、請求項１に記載の電池。
【請求項６】
上記正極のヘキサシアノ金属酸塩の粒子が、ｍ＝０である化学式：Ａ’ｎ’Ｍ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６で示されるものであり、
上記負極は、Ａの陽イオンを含んでおり、
上記イオン透過膜は、Ａの陽イオンに対して透過性である、請求項１に記載の電池。
【請求項７】
上記電池は、上記ヘキサシアノ金属酸塩の粒子と結合している炭素（Ｃ）を含み、
上記炭素（Ｃ）と上記ヘキサシアノ金属酸塩の粒子との結合が、物理的結合および化学的結合からなる群から選択される、請求項１に記載の電池。
【請求項８】
ヘキサシアノ金属酸塩電池の正極を作製するための方法であって、以下の工程を含む方法；
Ａ’ｎＭ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６の化学式で示され、プルシアンブルーのヘキサシアノ金属酸塩の結晶構造を有し、不純物およびＨ２Ｏを含んでいる、乾燥したヘキサシアノ金属酸塩の粒子を提供する工程、
Ａ’は、アルカリカチオンおよびアルカリ土類のカチオンからなる群から選択され、
Ｍ１は、２価の状態の金属および３価の状態の金属からなる群から選択される金属であり、
Ｍ２は、２価の状態の金属および３価の状態の金属からなる群から選択される金属であり、
ｎは、０．５〜２の範囲の値であり、
ｘは、０．５〜１．５の範囲の値であり、
ｙは、０．５〜１．５の範囲の値である、
上記ヘキサシアノ金属酸塩の粒子と、バインダーおよび電子伝導体の粉末とを、低沸点の溶媒中にて、混合する工程、
上記混合物を乾燥させ、Ａ’ｎＭ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６のペーストを作製する工程、
上記ペーストを用いて、金属の集電体をコーティングして、正極を作製する工程、
上記ペーストを乾燥させる工程、
アルカリカチオン、アルカリ土類のカチオンからなる群から選択される塩を含んでいる、有機物の第１の電解液中に上記正極を浸漬する工程、
上記正極と第１の対電極との間の第１の電解液において、第１の電界を受容する工程、
上記第１の電界に応じて、同時にＡ’の陽イオン、不純物及び水分子が上記プルシアンブルーのヘキサシアノ金属酸塩の結晶構造内の隙間から除去される工程、
上記正極上を覆う、Ａ’ｎ’Ｍ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６、ｎ’＜ｎの化学式で示されるヘキサシアノ金属酸塩の粒子を作製する工程。
【請求項９】
Ａ’ｎ’Ｍ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６を作製する工程に続く、Ａの陽イオンを有する塩を含んでいる有機物の第２の電解質中に上記正極を浸漬する工程であって、Ａは、アルカリカチオンおよびアルカリ土類のカチオンからなる群から選択される、工程、
上記正極とＡ元素を含んでいる第２の対電極との間の第２の電解液において、第２の電界を受容する工程、
上記第２の電界に応じて、Ａ’ｎ’Ｍ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６の結晶構造の上記隙間の中へＡの陽イオンを添加する工程、および、
化学式Ａ’ｎ’ＡｍＭ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６で示され、ｍは、０．５〜２の範囲の値であるヘキサシアノ金属酸塩の粒子を用いて、正極を作製する工程、を更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
上記ヘキサシアノ金属酸塩の粒子と、上記バインダーおよび上記電子伝導体の粉末とを混合する工程が、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノワイヤーおよびグラフェンからなる群から選択され、５ｎｍ〜１０μｍの範囲の粒径を有する、電子伝導体の粉末を混合する工程を含んでいる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
Ａ’ｎＭ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６の化学式で示され、プルシアンブルーのヘキサシアノ金属酸塩の結晶構造を備え、不純物およびＨ２Ｏを含んでいる、乾燥したヘキサシアノ金属酸塩の粒子を提供する工程が、以下の工程を含んでいる、請求項８に記載の方法：
上記のヘキサシアノ金属酸塩の合成中に、導電性の炭素を添加する工程、
炭素−ヘキサシアノ金属酸塩（Ａ’ｎＭ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６）構造体を収集する工程、
上記炭素−ヘキサシアノ金属酸塩（Ａ’ｎＭ１ｘＭ２ｙ（ＣＮ）６）構造体を脱イオン水にて洗浄する工程、
上記炭素−ヘキサシアノ金属酸塩構造体を乾燥させる工程。
【請求項１２】
非金属の電池の負極を作製する方法であって、以下の工程を含んでいる方法:
乾燥した非金属の電極用粉末を提供する工程、
上記乾燥した非金属の電極用粉末と、バインダーおよび電子伝導性粉末とを、低沸点の溶媒中にて混合する工程、
ペーストを作製する工程、
上記ペーストを用いて、金属の集電体をコーティングして、負極を作製する工程、
上記ペーストを乾燥させる工程、
金属イオンを有する塩を含んでいる第１の有機物電解液中に、上記負極を浸漬する工程、
上記負極と、金属の第１の対電極との間の上記電解液において第１の電界を受容する工程、
上記第１の電界に応じて、上記負極上にて、金属固体電解質中間（ＳＥＩ）層を作製する工程。
【請求項１３】
上記ＳＥＩ層を作製する工程に続いて、上記負極と上記第１の対電極との間の上記第１の電界とは極性が反対である、第２の電界を受容する工程、
上記ＳＥＩ層を維持しながら、上記負極から金属イオンを除去する工程、をさらに含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記負極上にて上記金属のＳＥＩ層を作製する工程が、炭素、酸素、水素および上記の元素の組合せからなる群から選択される追加の元素を用いて、ＳＥＩを作製する工程を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レセプタクルと嵌合するように構成されたハウジングと、
光ファイバを把持するための把持器具であって、ファイバ把持要素及び前記把持要素と係合するように構成された作動キャップを含む、把持器具と、
前記ハウジング内に配置された鍔体であって、
前記鍔体の開口にしっかりと配置されたフェルールであって、軸を画定すると共に終端処理されるファイバが通ることができる中央の孔を備えたフェルール、及び
前記鍔体の概ね中央の部分に配置され、及び前記把持器具を受容するための開口を有するハウジング部分であって、前記把持要素が、第１及び第２要素腕部を連結する焦点ヒンジを有する延性材料を含み、かつ前記把持要素の第１部分が、前記作動キャップによって作動した際に、内部に受容された光ファイバを把持するためのファイバ把持チャンネルを備えた、ハウジング部分、を備えた、鍔体と、
前記ハウジング内に前記鍔体を保持するバックボーンであって、前記光ファイバのジャケット部分をクランプ留めするためのファイバジャケットクランプ留め部分を含む、バックボーンと、
前記バックボーンの一部に取り付け可能であるブーツであって、前記バックボーンの取り付け時に、前記バックボーンの前記ファイバジャケットクランプ留め部分を作動する、ブーツと、を備える、光ファイバコネクタ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年6月2日(2015.6.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロボットおよびデバイス用のマルチポイント高感度触覚センシングモジュールであって、
光を反射する層（５）によって覆われた弾性材料（１２）であって、層（５）は人間の皮膚をシミュレートした、弾性材料（１２）と、
ＣＭＯＳ又はＣＣＤの画像センサ（９）と、
少なくとも１つの光源（１１）と、
複数の光ファイバケーブル（７）であって、一方側の先端は、層（５）の内側に配置されることで層（５）を介して周囲環境から分離され、他方側の先端は、光源（１１）に接続された、光源（１１）から層（５）へ光ビームを伝達する光ファイバケーブル（７）と、
複数の光ファイバケーブル（８）であって、一方側の先端は、層（５）に向けられながら層（５）の内側に配置されることで層（５）を介して周囲環境から分離され、他方側の先端は、画像センサ（９）に接続されることにより、画像センサ（９）の１つのピクセル（１０）と個々にペアリングされた、層（５）から反射される光ビームを画像センサ（９）に伝達する光ファイバケーブル（８）と、
層（５）の変位に応じて、画像処理技術を用いて画像センサ（９）によって生成されるフォトフレーム内における、ファイバケーブルと接続された各ピクセルの光強度変化に基づき、層（５）に付与された個々の力を計算するプロセッサと、を備える、マルチポイント高感度触覚センシングモジュール。
【請求項２】
弾性材料（１２）の弾性は、人間の肉の弾性と同じである、請求項１に記載のマルチポイント高感度触覚センシングモジュール。
【請求項３】
弾性材料（１２）の弾性は、人間の肉の弾性よりも小さい、請求項１に記載のマルチポイント高感度触覚センシングモジュール。
【請求項４】
光源（１１）は、温度を検知するための赤外線の光源である、請求項１に記載のマルチポイント高感度触覚センシングモジュール。
【請求項５】
弾性材料（１２）の変形は、付与される力に比例する、請求項１に記載のマルチポイント高感度触覚センシングモジュール。
【請求項６】
画像センサ（９）のピクセル（１０）に伝達される光ビームを収束する光学システム（１９）をさらに備える、請求項１に記載のマルチポイント高感度触覚センシングモジュール。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
必ずしも全てのレセプタ１が対応する光源１１を必要とするわけではないが、測定点のそれぞれにおいて対応するレセプタ２が必要である。光ファイバケーブル７、８が受光エリアにおける寸法の問題を解決するにもかかわらず、システム全体の寸法が巨大であるという問題が生じる。しかし、本当の問題は寸法の問題よりもむしろ、数百万のデータの処理および取得にある。チャネルが１つである電圧計は１つのデータのみ読むことができ、チャネルが２つのオシロスコープは２つのデータを読むことができ、３２アナログ入力データ取得カードは３２のデータを読むことができる。このように、これらのオプションのいずれもコスト効率の良いものではなく、また、全てのデータを読み取る必要性に対する利便性のある答えに近いものではない。本発明によれば、上述の問題を克服するために、従来のウェブカメラや、類似のビデオカメラやデジタルカメラに用いられるＣＭＯＳ又はＣＣＤのセンサが利用される。このような種類のセンサ９の主な利点は、商品の解像度に応じて、数百万個の感知ピクセル１０を含むことの特徴である（図３）。それぞれの感覚ピクセル１０は、標準的な使用において１６４０万色を検出することができる。したがって、光の変化によって変位を正確に測定することができる。図４において、光源１とセンサ９の接続ロジックが簡単に説明される。これらの画像センサ９は、従来のウェブカメラを分解することにより容易に得ることができる。任意の高解像度Ｗｅｂカメラから分解された画像センサ（ＨＤ−１９２０＊１０８０解像度＝２．０７３．６００ピクセル）は、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）を通じて任意のコンピュータに接続可能であり、２００万以上のインパルスをデジタルデータに変換することができる。センサ９の各ピクセル１０を、対応する光ファイバケーブル８とペアリングさせることにより、画像処理技術によって座標と変位のレベルを正確に検出可能な単一のフォトフレーム上において、全ての光ビームをプロセッサに伝送することが保証される。今までの説明によれば、何百万のレセプタを小さな受信エリア内に低コストかつデータを正確に取得しながら配置することが保証される。また、これらの取得したデータを、メイン処理ユニットに１サイクルで送ることができる。しかし、これはまだ触覚センシングとしては十分でない。この時点では、発散および収束している対象物を高い解像度および感度により検知できるに過ぎず、システムは、外力およびその結果として生じる触覚的感覚を検知することはできない。さらに、接触が生じたときには、光源７とレセプタ８のビューはブロックされ、何も検出することができない。この問題を解決するために、弾性係数（ヤング率）の現象を用いる。弾性とは、バネと異なる対象物のバネ特性係数のようなものとして考えることもできる。対象物に力が付与されると、伸張（形状変形）が生じる。この変形は、対象物の構造が不可逆的に損傷されていない場合、付与された力に比例する。したがって、実行時のあるポイントで付与される力は（対象物の弾性係数が既知であれば）そのポイントでの形状変形量により計算することができる。当該システムでは、人間の触覚を模倣するために、光ファイバケーブルの先端を弾性領域と合体するように配置した剛体領域（rigid area）が存在しており、不必要なレベルの貫入を防ぐようにされている。人間の肉と同じ弾性を有する弾性材料１２は層５により覆われている。層５は人間の皮膚をシミュレートするものであり、周囲の環境を分離し、光の反射（図５）を保証する。したがって、図７に示すような貫入が生じると、弾性材１２の厚みはこれらのポイント１４で減少するため、その領域における反射光の強度は増加する（１７）。その領域における対応するそれぞれの感覚ピクセル１０は、光の強度を検出して、任意の画像処理技術を用いて貫入のレベルを取得する。貫入のレベルと材料１２の弾性係数から、付与された力が算出される。トリガ済みのピクセルの数が計算された後、変形の面積が計算され、変形領域に加えられた力をその面積で割ることにより、圧力の値が得られる。ソフトウェアは、コンピュータ内に既に保存されている閾値と当該圧力レベルを比較することにより、ロボット又はデバイスの反応動作を決定する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス内の化合物層上にフィーチャを形成するための方法であって、
（ａ）基板表面上に化合物層の第１単原子層を形成するために、処理チャンバ内に配置された基板の表面に第１反応ガス混合物をパルス供給する工程と、
（ｂ）第１単原子層の第１領域を処理するために、エネルギー照射を向ける工程と、
（ｃ）第１単原子層を第１領域から除去する工程と、
（ｄ）第１単原子層の第２領域上に第２単原子層を選択的に形成するために、基板表面に第２反応ガス混合物をパルス供給する工程であって、第２単原子層は、第２領域上に化合物層を形成するために、第１単原子層と反応する工程を含む方法。
【請求項２】
エネルギー照射によって処理された第１単原子層の第１領域に配置された第１単原子層を選択的に除去する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
基板表面上の処理された第１単原子層を除去した後、第１及び第２単原子層の構造又はフィーチャを形成する工程を含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
第１単原子層を除去する工程は、
基板表面から処理された第１単原子層を除去するためにエッチング処理を行う請求項２記載の方法。
【請求項５】
光の放射は、約５ｎｍと約４００ｎｍの間の波長を有するＵＶ光源である請求項１記載の方法。
【請求項６】
エネルギー照射を向ける工程は、
エネルギー照射が通過する、マスクによって保護されていない第１単原子層の第１領域にエネルギー照射を向ける工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
第１反応ガス混合物又は第２反応ガス混合物のパルス供給の後に、処理チャンバにパージガス混合物をパルス供給する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
第１及び第２単原子層の所定の全厚さが達成されるまで（ａ）から（ｃ）を繰り返す請求項１記載の方法。
【請求項９】
エネルギー照射を向ける工程は、
第１領域内の第１単原子層の化学的性質を変化させる請求項１記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）から（ｃ）は、単一の処理チャンバ内で実行される請求項１記載の方法。
【請求項１１】
第１及び第２反応ガス混合物をパルス供給する（ａ）及び（ｃ）は、処理チャンバ内で形成され、（ｂ）は、別の処理チャンバ内で実行される請求項１記載の方法。
【請求項１２】
デバイス内の化合物層上にフィーチャを形成するための方法であって、
原子層堆積プロセス内で実行される第１反応ガス混合物のパルス供給によって堆積される材料層の第１単原子層の第１領域を処理するために、エネルギー照射を向ける工程と、
化合物層の第１単原子層上に第２単原子層を形成するために、原子層堆積プロセスを実行し続ける工程であって、第２単原子層は、第１単原子層の第１領域には付着せず、第２単原子層は、第２領域上に化合物層を形成するために、第１単原子層と反応する工程と、
光照射によって処理された第１領域内の第１単原子層を除去する工程を含む方法。
【請求項１３】
原子層堆積プロセスを実行し続ける工程は、
エネルギー照射によって未処理の第１単原子層の第２領域上のみに第２単原子層を選択的に形成する工程を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
第１単原子層を除去する工程は、
第２単原子層を除去することなく基板表面から処理された第１単原子層を選択的に除去する工程を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
光照射は、約５ｎｍと約４００ｎｍの間の波長を有するＵＶ光源である請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
半導体デバイス内の化合物層上にフィーチャを形成するための方法であって、
（ａ）基板表面上に化合物層の第１単原子層を形成するために、処理チャンバ内に配置された基板の表面に第１反応ガス混合物をパルス供給する工程と、
（ｂ）第１単原子層の第１領域を処理するために、光照射を向ける工程と、
（ｃ）第１単原子層の第１領域上に第２単原子層を選択的に形成するために、第２反応ガス混合物をパルス供給する工程であって、第２単原子層は、第１領域上に化合物層を形成するために、第１単原子層と反応する工程と、
（ｄ）光照射によって処理されなかった第１単原子層の第２領域を選択的に除去する工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月2日(2015.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１支持薄層と、第２支持薄層と、前記第１支持薄層と前記第２支持薄層との間に配置された高温超伝導体を含むインサートと、前記インサートを囲むとともに、前記インサートを前記第１支持薄層及び前記第２支持薄層のそれぞれに接合する充填材と、を備える積層電気伝導体であり、
前記インサートの位置に対応する前記第１支持薄層と前記第２支持薄層との間の位置において、前記インサートの各側部における前記充填材の幅寸法は該積層電気伝導体の幅寸法の少なくとも１０パーセントであり、
前記第１支持薄層に垂直な軸に沿った該積層電気伝導体の引張り強度が確実に少なくとも２１ＭＰａであり、
前記「確実に少なくとも２１ＭＰａ」という表現は、前記第１支持薄層に垂直な軸に沿った引張り試験データを有する伝導体において、９９．７パーセントの引張り試験データが引張り試験データの平均値の３標準偏差以内であり、かつ、引張り試験データの平均値と引張り試験データの平均値の３標準偏差との差が少なくとも２１ＭＰａであることを意味する積層電気伝導体。
【請求項２】
前記充填材はハンダである請求項１に記載の積層電気伝導体。
【請求項３】
前記第１支持薄層及び前記第２支持薄層の少なくとも一方は電気伝導性材料から形成される請求項１に記載の積層電気伝導体。
【請求項４】
前記第１支持薄層は前記第２支持薄層とは異なる材料で形成される請求項１に記載の積層電気伝導体。
【請求項５】
前記第１支持薄層と前記第２支持薄層との間に配置される高温超伝導体を含む第２インサートを備える請求項１に記載の積層電気伝導体。
【請求項６】
前記第１支持薄層及び前記第２支持薄層の少なくとも一方は少なくとも１２ｍｍの幅を有し、かつ、前記インサートは少なくとも９ｍｍの幅を有する請求項１に記載の積層電気伝導体。
【請求項７】
前記第１支持薄層及び前記第２支持薄層の少なくとも一方は少なくとも１６ｍｍの幅を有し、かつ、前記インサートは少なくとも１１．８ｍｍの幅を有する請求項１に記載の積層電気伝導体。
【請求項８】
伝導体の長さに対応する方向に延びるＡ軸と、前記Ａ軸を横切るとともに、伝導体の幅に対応する方向に延びるＢ軸と、前記Ａ軸及び前記Ｂ軸の両軸を横切るとともに、伝導体の厚さに対応する方向に延びるＣ軸とを有する積層電気伝導体であり、
前記積層電気伝導体は、
前記積層電気伝導体の幅と一致する幅を有する第１支持薄層と、
前記第１支持薄層に相対して前記Ｃ軸に沿って積層状に配置される第２支持薄層と、
前記第１支持薄層と前記第２支持薄層との間に配置される高温超伝導体を含むインサートと、
前記インサートを囲むとともに、前記インサートを前記第１支持薄層及び前記第２支持薄層のそれぞれに接合させる充填材と、を備え、
前記インサートの位置に対応する前記第１支持薄層と前記第２支持薄層との間の位置において、前記インサートの各側部における前記充填材の幅寸法は前記積層電気伝導体の幅寸法の少なくとも１０パーセントであり、
前記積層電気伝導体の前記Ｃ軸の引張り強度が確実に少なくとも２１ＭＰａであり、
前記「確実に少なくとも２１ＭＰａ」という表現は、Ｃ軸引張り試験データを有する伝導体において、９９．７パーセントのＣ軸引張り試験データがＣ軸引張り試験データの平均値の３標準偏差以内であり、かつ、Ｃ軸引張り試験データの平均値とＣ軸引張り試験データの平均値の３標準偏差との差が少なくとも２１ＭＰａであることを意味する積層電気伝導体。
【請求項９】
前記充填材はハンダである請求項８に記載の積層電気伝導体。
【請求項１０】
前記第１支持薄層及び前記第２支持薄層の少なくとも一方は電気伝導性材料から形成される請求項８に記載の積層電気伝導体。
【請求項１１】
前記第１支持薄層は前記第２支持薄層とは異なる材料で形成される請求項８に記載の積層電気伝導体。
【請求項１２】
前記第１支持薄層と前記第２支持薄層との間に配置される高温超伝導体を含む第２インサートを備える請求項８に記載の積層電気伝導体。
【請求項１３】
前記第１支持薄層及び前記第２支持薄層の少なくとも一方は少なくとも１２ｍｍの幅を有し、かつ、前記インサートは少なくとも９ｍｍの幅を有する請求項８に記載の積層電気伝導体。
【請求項１４】
前記第１支持薄層及び前記第２支持薄層の少なくとも一方は少なくとも１６ｍｍの幅を有し、かつ、前記インサートは少なくとも１１．８ｍｍの幅を有する請求項８に記載の積層電気伝導体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月4日(2015.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３は本願発明の第１実施形態を示す。チューブのセンサーコンポーネント２０はポート１０の内側に取り付けられる。よって、内側からリセス１１をきつく覆う。フォースセンサのプランジャ３０はリセス１１を通じてセンサーコンポーネント２０と接触する。ここで、センサーコンポーネント２０が定位置にあり、かつ、軸方向のスライドを防止するようにポート１０の内側面が構成されてもよい（図示せず）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体をポンピングするポンプと、流体を分配する少なくともひとつのエレメントを備えた、医療目的の流体を供給および測定するための装置であって、
少なくともひとつのリセスが前記エレメント内に設けられ、前記リセスは圧力検知材料からなるセンサーコンポーネントによってきつく覆われており、前記エレメントの材料は前記センサーコンポーネントの材料よりも硬く、前記装置はフォースセンサをさらに備え、それによって前記リセスの領域内の前記センサーコンポーネントの誘起圧力の変化が測定され、前記フォースセンサはプランジャを有し、前記リセスの領域内で前記センサーコンポーネントの面と前記プランジャとが直接的に接触する、ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記エレメントは中空ポートであり、それを通じて前記流体が前記ポンプに向かってまたは前記ポンプから離れてポンピングされる、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記エレメントは、前記中空ポートおよび／または前記流体をポンピングするためのシリンダが取り付けられたフランジであり、前記流体は少なくとも部分的に前記フランジに沿って流れる、ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記センサーコンポーネントはエラストマーから形成される、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記センサーコンポーネントはシリコンまたは熱弾性エラストマーから形成される、ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記センサーコンポーネントは、外側から前記リセスをきつく覆うように、形状固定子によって前記中空ポートを囲むチューブである、ことを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記センサーコンポーネントは、内側からリセスをきつく覆うように、形状固定子によって前記中空ポートを囲むチューブである、ことを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記センサーコンポーネントは、楕円形状の断面を有し、前記センサーコンポーネントの平坦面側が前記リセスの領域内に配置されている、ことを特徴とする請求項６または７に記載の装置。
【請求項９】
前記センサーコンポーネントは、少なくとも２つの対向する膜側面を含む断面を有する測定膜であり、前記膜側面はそれぞれ内側に屈曲しており、２つの膜側面を互いに結合する膜上面は、直線状に形成され、前記リセスの領域内に配置されている、ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記エレメントは平坦フランジおよび、キャビティを含むバルブプレートを有し、前記流体は前記フランジに沿って前記キャビティを通じて少なくとも部分的に流れ、前記センサーコンポーネントは前記キャビティに対向して初期流動を誘導するための螺旋形状のラビリンスを有する、ことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月22日(2015.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験ゲノムまたはその一部を特徴づける方法であって、
参照ゲノム中の第1のGC含量を有する第1の染色体領域を同定し；
複数の離散領域を含むゲノム配列データから参照人工染色体を組み立て、ここで、該複数の離散領域は第1のGC含量とほぼ同じGC含量である第2のGC含量を有する；
複数の配列タグのそれぞれを、前記第1の染色体領域および前記参照人工染色体とコンピュータ装置によってアラインメントさせ、ここで、該配列は、第1の組織と第2の組織からの無細胞核酸を含む生物サンプル中の核酸のシークエンシングによって得られる；
前記第1の染色体領域とアラインメントされる配列タグの第1の量をコンピュータ装置によって決定し；
前記参照人工染色体とアラインメントされる配列タグの基準量をコンピュータ装置によって決定し；
前記第1の量と前記基準量からパラメータを決定し；
そのパラメータをカットオフ値と比較し、それによって、第1の組織の前記第1の染色体領域中の増幅または欠失の分類を決定すること、
を含む、方法。
【請求項２】
前記第1の組織が胎児に由来し、前記第2の組織が、その胎児を妊娠している女性に由来する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第1の組織が腫瘍に由来し、前記第2の組織が、その腫瘍を有する患者の健康な細胞に由来する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記第1の染色体領域が同じ染色体または異なる染色体に由来する複数の離散領域を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
離散領域のすべてが、特定の範囲内の第1のGC含量を有するか、または離散領域のそれぞれが、特定の範囲内の第1のGC含量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記生物サンプルが母親の血漿である、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記試験ゲノムがヒトであり、前記第1の染色体領域が、染色体13、染色体18、および染色体21から選択された染色体の一部であり、前記分類が、その染色体のトリソミーである、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
アライニングする前に、前記第1の組織の無細胞核酸の少なくとも一部、および前記第2の組織の無細胞酸の少なくとも一部の配列をシークエンシングすることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記パラメータが、第1の量および参照量が統計的に異なる確率であり、前記カットオフ値が0.05である、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記第1の染色体領域を同定することが、遺伝子が豊富な領域を選択することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記第1の染色体領域を同定することが、染色体13の長腕のいずれかの端部の領域を選択し、その間の領域を除くことを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
回帰分析によって前記第1の量および参照量でGCバイアスを補正することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記第1の染色体領域が染色体13および染色体18から選択され、参照人工染色体が、選択された染色体領域とほぼ同じGC含量および選択された染色体領域とほぼ同じマッピング可能性を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
前記人工染色体を組み立てることが、第1の染色体領域とほぼ同じGC含量および第1の染色体領域とほぼ同じマッピング可能性を有する離散領域を組み立てることを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１５】
コンピュータに請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法を実行させるための、試験ゲノムまたはその一部を特徴づけるためのコンピュータプログラム。
【請求項１６】
請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法を実行するための手段を備え、少なくともプロセッサおよびメモリをさらに含む、コンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長１５５０  ｎｍでのＸ  ＬＰモードの光信号の伝搬および伝送をサポートするコアを有する第１の光ファイバであって、Ｘが１より大きい２０以下の整数であって、前記第１の光ファイバが波長１５３０  ｎｍ〜１５７０  ｎｍにてＬＰ０１モードとＬＰ１１モードの間に正の群遅延差を有する前記第１の光ファイバと、
波長１５５０  ｎｍでのＹ  ＬＰモードの光信号の伝搬および伝送をサポートするコアを有する第２の光ファイバであって、Ｙが１より大きい２０以下の整数であって、前記第２の光ファイバが波長１５３０  ｎｍ〜１５７０  ｎｍにてＬＰ０１モードとＬＰ１１モードの間に負の群遅延差を有する前記第２の光ファイバと、
を備えることを特徴とする光ファイバリンク。
【請求項２】
前記第１および第２のファイバの長さが、前記リンク上の前記ＬＰ０１モードと前記ＬＰ１１モードの間の群遅延差の絶対値が波長１５５０  ｎｍで約０．５  ｎｓ／ｋｍ未満となるように選択されることを特徴とする請求項１の光ファイバリンク。
【請求項３】
前記第１のファイバが、１５３０  ｎｍ〜１５７０  ｎｍの波長域に渡って正のモード間群遅延差のスロープを有し、前記第２のファイバは、１５３０  ｎｍ〜１５７０  ｎｍの波長域に渡って負のモード間群遅延差のスロープを有することを特徴とする請求項１の光ファイバリンク。
【請求項４】
前記第１のファイバが、１５３０  ｎｍ〜１５７０  ｎｍの波長域に渡って負のモード間群遅延差のスロープを有し、前記第２のファイバは、１５３０  ｎｍ〜１５７０  ｎｍの波長域に渡って正のモード間群遅延差のスロープを有することを特徴とする請求項１の光ファイバリンク。
【請求項５】
前記第１および第２の各々のファイバの長さが、前記リンク上の前記ＬＰ０１モードと前記ＬＰ１１モードの間の群遅延差のスロープの絶対値が波長１５３０  ｎｍ〜１５７０  ｎｍの波長域に渡って約１．０  ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ未満となるように選択されることを特徴とする請求項１の光ファイバリンク。
【請求項６】
前記第１および第２の各々のファイバの長さが、前記リンク上の前記ＬＰ０１モードと前記ＬＰ１１モードの間の群遅延差の絶対値が波長１５５０  ｎｍにて０．２５  ｎｓ／ｋｍ未満となるように選択されることを特徴とする請求項１の光ファイバリンク。
【請求項７】
前記第１および第２の各々のファイバの長さが、前記リンク上の前記ＬＰ０１モードと前記ＬＰ１１モードの間の群遅延差の絶対値が波長１５５０  ｎｍにて０．１  ｎｓ／ｋｍ未満となるように選択されることを特徴とする請求項１の光ファイバリンク。
【請求項８】
｜Ｒ１−Ｒ２｜が０．２  μｍより大きいことを特徴とする請求項１の光ファイバリンク。
【請求項９】
前記第１および第２のファイバがさらにトレンチを備え、前記トレンチが約２  μｍ〜約１０  μｍの半径厚さを有することを特徴とする請求項１の光ファイバリンク。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月10日(2015.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内で使用するための装置であって、
第１面を有する第１コンポーネントと、
第２面を有する第２コンポーネントであって、第２面は第１コンポーネントの第１面と対向している第２コンポーネントと、
第１面と第２面の間に配置され、第１コンポーネントと第２コンポーネントを接合する接合材と、
処理チャンバ内で接合材を浸食から防止するための保護要素を含み、保護要素は、接合材を囲む保護シールを含み、保護シールは、エラストマーを含む装置。
【請求項２】
保護シールは、第１コンポーネントと第２コンポーネントの間の界面に形成された凹部内に配置されている請求項１記載の装置。
【請求項３】
処理チャンバ内で使用するための装置であって、
第１面を有する第１コンポーネントと、
第２面を有する第２コンポーネントであって、第２面は第１コンポーネントの第１面と対向している第２コンポーネントと、
第１面と第２面の間に配置され、第１コンポーネントと第２コンポーネントを接合する接合材と、
処理チャンバ内で接合材を浸食から防止するための保護要素を含み、保護要素は、接合材を覆う第１コンポーネントから延びる保護構造を含む装置。
【請求項４】
処理チャンバ内で使用するための装置であって、
第１面を有する第１コンポーネントと、
第２面を有する第２コンポーネントであって、第２面は第１コンポーネントの第１面と対向している第２コンポーネントと、
第１面と第２面の間に配置され、第１コンポーネントと第２コンポーネントを接合する接合材と、
処理チャンバ内で接合材を浸食から防止するための保護要素を含み、保護要素は、接合材中にシリコンフィラーを含む装置。
【請求項５】
処理チャンバ用の静電チャックであって、
上で基板を支持するように構成された上面と、上面と反対側の下面を有するチャック本体と、
チャック本体の下面に面する上面を有するチャックベースと、
チャック本体の下面とチャックベースの上面を接合する接合材と、
静電チャックの外部の環境に接合材の視線の露出を防止するように配置された保護要素を含み、保護要素は、チャック本体の下面とチャックベースの上面の間に配置され、接合材を囲む保護シールを含み、保護シールは、エラストマーを含む静電チャック。
【請求項６】
保護シールは、チャックベースとチャック本体の間に形成された凹部内に配置される請求項５記載の静電チャック。
【請求項７】
凹部は、チャック本体の下面と、チャックベースの上面に形成された段差によって画定される請求項５記載の静電チャック。
【請求項８】
凹部は、チャック本体の上面と、チャックベースの下面に形成された段差によって画定される請求項７記載の静電チャック。
【請求項９】
凹部は、チャック本体の下面に形成された第１段差と、チャックベースの上面に形成された第２段差によって画定される請求項７記載の静電チャック。
【請求項１０】
保護要素は、チャック本体及びチャックベースを貫通して形成されたリフトピン孔の周囲に配置された３以上の保護シールを更に含む請求項５記載の静電チャック。
【請求項１１】
処理チャンバ用の静電チャックであって、
上で基板を支持するように構成された上面と、上面と反対側の下面を有するチャック本体と、
チャック本体の下面に面する上面を有するチャックベースと、
チャック本体の下面とチャックベースの上面を接合する接合材と、
静電チャックの外部の環境に接合材の視線の露出を防止するように配置された保護要素を含み、保護要素は、チャック本体とチャックベースのうちの少なくとも１つの中に形成された保護構造を含み、接合材を覆う静電チャック。
【請求項１２】
保護構造は、チャックベースに向かってチャック本体の下面から延び、接合材の縁部領域を囲む連続リップを含む請求項１１記載の静電チャック。
【請求項１３】
処理チャンバ用の静電チャックであって、
上で基板を支持するように構成された上面と、上面と反対側の下面を有するチャック本体と、
チャック本体の下面に面する上面を有するチャックベースと、
チャック本体の下面とチャックベースの上面を接合する接合材と、
静電チャックの外部の環境に接合材の視線の露出を防止するように配置された保護要素を含み、保護要素は、接合材内に配置された耐食性フィラーを含む静電チャック。
【請求項１４】
凹部は、第１コンポーネントの第１面と、第２コンポーネントの第２面に形成された段差によって画定される請求項２記載の装置。
【請求項１５】
凹部は、第１コンポーネントの第１面に形成された第１段差と、第２コンポーネントの第２面に形成された第２段差によって画定される請求項２記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月13日(2015.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルの検出器間の帯域拡張を制御する方法であって、
Ａ．クロマトグラフィシステムを流れるカラム流に前記サンプルを導入するステップと、
Ｂ．前記サンプルが前記クロマトグラフィシステムを出た後に前記カラム流およびサンプルを希釈流で希釈することによって、検出器間の帯域拡張を制御するステップと、
Ｃ．前記希釈されたサンプルを少なくとも１つの分析機器に移すステップと、
Ｄ．前記少なくとも１つの分析機器により前記希釈されたサンプルを分析するステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記カラム流は、第１の溶媒を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記希釈流は、第２の溶媒を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の溶媒および前記第２の溶媒は、実質的に同一である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の溶媒および前記第２の溶媒は、実質的に異なっている、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記クロマトグラフィシステムにより前記カラム流内の前記サンプルを分画するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの分析機器は、光散乱検出器、屈折率検出器、紫外線吸収検出器およびそれらの組合せからなる群から選択された機器を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記クロマトグラフィシステムは、高性能液体クロマトグラフィを行うように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記クロマトグラフィシステムは、イオン交換クロマトグラフィ、サイズ排除クロマトグラフィ、親和性クロマトグラフィ、ガス‐液体クロマトグラフィ、ガスクロマトグラフィおよびそれらの組合せからなる群から選択されたクロマトグラフィ技術を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記カラム流は、約１：１（カラム流１対希釈流１）〜約１：１０（カラム流１対希釈流１０）の範囲の割合で前記希釈流によって希釈される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
検出器間の帯域拡張を制御するためのサンプル分析システムであって、
Ａ．カラム流および希釈流を備え、前記カラム流は、検出器間の帯域拡張を制御するために前記希釈流で希釈され、前記サンプル分析システムはさらに、
Ｂ．前記カラム流にサンプルを導入するように構成されたサンプル注入器と、
Ｃ．前記希釈されたカラム流を分析するように構成された少なくとも１つのサンプル分析機器とを備える、サンプル分析システム。
【請求項１２】
前記カラム流を通すように構成されたカラム流ポンプをさらに備える、請求項１１に記載のサンプル分析システム。
【請求項１３】
前記希釈流を通すように構成された希釈流ポンプをさらに備える、請求項１１に記載のサンプル分析システム。
【請求項１４】
前記カラム流を通すように構成されたクロマトグラフィカラムをさらに備え、前記サンプル注入器は、前記クロマトグラフィカラムから上流の前記カラム流にサンプルを注入するように構成される、請求項１１に記載のサンプル分析システム。
【請求項１５】
前記クロマトグラフィカラムは、イオン交換クロマトグラフィ、サイズ排除クロマトグラフィ、親和性クロマトグラフィ、ガス‐液体クロマトグラフィ、ガスクロマトグラフィおよびそれらの組合せからなる群から選択されたクロマトグラフィ技術を行う、請求項１４に記載のサンプル分析システム。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの分析機器は、光散乱、吸光度スペクトル、質量分光、核磁気共鳴、屈折率、紫外線吸収、蛍光吸収、電気伝導性およびそれらの組合せからなる群から選択されたサンプル特性を測定するように構成された機器を備える、請求項１１に記載のサンプル分析システム。
【請求項１７】
前記カラム流は、約１：１（カラム流１対希釈流１）〜約１：１０（カラム流１対希釈流１０）の範囲の割合で前記希釈流によって希釈される、請求項１１に記載のサンプル分析システム。
【請求項１８】
前記カラム流は、第１の溶媒を備える、請求項１１に記載のサンプル分析システム。
【請求項１９】
前記希釈流は、第２の溶媒を備える、請求項１８に記載のサンプル分析システム。
【請求項２０】
前記第１の溶媒および前記第２の溶媒は、実質的に同一である、請求項１９に記載のサンプル分析システム。
【請求項２１】
前記第１の溶媒および前記第２の溶媒は、実質的に異なっている、請求項１９に記載のサンプル分析システム。
【請求項２２】
サイズおよび／または化学的親和性に基づいてサンプル成分を分離するように構成された分画カラムをさらに備える、請求項１１に記載のサンプル分析システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
２００℃超では、排ガス中のＮＯは、ＤＯＣとの接触によりＮＯからＮＯ２に酸化される。生成したＮＯ２は、ＤＰＦの受動的再生で使用される。そのため、２２０℃の温度より上では、生成したＮＯ２の全量を、例外なく、フィルターの受動的な煤の再生に使用することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
窒素酸化物を選択的に還元するための前記第二の触媒ユニットの下流で、アンモニアを窒素に選択的に酸化するための触媒ユニットがさらに設けられる、請求項６〜９のいずれか一つに記載のシステム。