【事件の表示】
　特願２００８−５０８８４３「２元のＩＩＩ族窒化物をベースとする高電子移動度トランジスタおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　９日国際公開，ＷＯ２００６／１１８６７０，平成２０年１１月１３日国内公表，特表２００８−５３９５８７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００６年３月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年４月２９日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２４年１月３１日付けで拒絶理由が通知され，同年８月３日に手続補正がされ，平成２５年１月８日に拒絶査定がされ，これに対して同年５月１３日に審判請求がされるとともに同日に手続補正がされたものである。
　その後，同年８月１３日付けで審尋がされ，平成２６年２月１７日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年５月１３日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，本件補正の前後で特許請求の範囲は以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層と，
　前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層と，
　前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層と，
　を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって，
　前記第１のバリヤ層は，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備えており，
　前記ＨＥＭＴが，前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を更に備えたことを特徴とするＨＥＭＴ。
　　【請求項２】
　前記第２のバリヤ層が，前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層に隣接して，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備えたことを特徴とする，請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項３】
　前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，アンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を更に備えたことを特徴とする，請求項２に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項４】
　前記第２のバリヤ層は，前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層に隣接して，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備えたことを特徴とする，請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項５】
　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を更に備えたことを特徴とする請求項４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項６】
　前記第１のバリヤ層がＡｌＮ層を含み，前記チャネル層がＧａＮ層を含み，前記第２のバリヤ層がＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項７】
　前記第１のバリヤ層は１ｎｍから１ｍｍの範囲の厚さをもち，前記チャネル層は０．３ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもち，前記第２のバリヤ層は０．５ｎｍから５０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項８】
　前記第１のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のドープしたＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項９】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項８に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１０】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項８に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１１】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項８に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１２】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のアンドープＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項８に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１３】
　前記第１のアンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項１２に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１４】
　前記第２のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のドープしたＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項８に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１５】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されたことを特徴とする請求項１４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１６】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項１４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１７】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項１４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１８】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のアンドープＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項１４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１９】
　前記第２のアンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項１８に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２０】
　前記第２のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，ドープしたＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２１】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項２０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２２】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項２０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２３】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項２０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２４】
　前記ドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，アンドープＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項２０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２５】
　前記アンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項２４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２６】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上にＧａＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２７】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上の前記ＧａＮ層は，０．３ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項２６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２８】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２９】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項３０】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項３１】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項３２】
　ＨＥＭＴの活性領域は，２元のＩＩＩ族窒化物層だけを含むことを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項３３】
　第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，
　前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層を形成するステップと，
　前記チャネル層上に第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，
　を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を作製する方法であって，
　前記第１のバリヤ層は，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備え，
　前記方法が，前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，アンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする方法。
　　【請求項３４】
　前記第２のバリヤ層が，前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層に隣接して，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備えたことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３５】
　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
　　【請求項３６】
　前記第２のバリヤ層は，前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層に隣接して，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備えたことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３７】
　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
　　【請求項３８】
　前記第１のバリヤ層がＡｌＮ層を含み，前記チャネル層がＧａＮ層を含み，前記第２のバリヤ層がＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする，請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３９】
　前記第１のバリヤ層は１ｎｍから１ｍｍの範囲の厚さをもち，前記チャネル層は０．３ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもち，前記第２のバリヤ層は０．５ｎｍから５０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
　　【請求項４０】
　前記第１のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のドープしたＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
　　【請求項４１】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。
　　【請求項４２】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
　　【請求項４３】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
　　【請求項４４】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のアンドープＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
　　【請求項４５】
　前記第１のアンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項４４に記載の方法。
　　【請求項４６】
　前記第２のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のドープしたＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
　　【請求項４７】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項４６に記載の方法。
　　【請求項４８】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
　　【請求項４９】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
　　【請求項５０】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のアンドープＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
　　【請求項５１】
　前記第２のアンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項５０に記載の方法。
　　【請求項５２】
　前記第２のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，ドープしたＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
　　【請求項５３】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項５２に記載の方法。
　　【請求項５４】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項５２に記載の方法。
　　【請求項５５】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項５２に記載の方法。
　　【請求項５６】
　前記ドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，アンドープＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項５２に記載の方法。
　　【請求項５７】
　前記アンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項５６に記載の方法。
　　【請求項５８】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上にＧａＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
　　【請求項５９】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上の前記ＧａＮ層は，０．
３ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項５８に記載の方法。
　　【請求項６０】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含んで構成されることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
　　【請求項６１】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含んで構成されることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
　　【請求項６２】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含んで構成されることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
　　【請求項６３】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含んで構成されることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
　　【請求項６４】
　前記ＨＥＭＴの活性領域は，２元のＩＩＩ族窒化物層だけを含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
　　【請求項６５】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上の前記ＧａＮ層は，前記ＧａＮ層と前記第２のＡｌＮ層の界面でドーピング，またはデルタドーピングされることを特徴とする請求項２６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項６６】
　ＧａＮ，ＩｎＮおよびＡｌＮ層は歪が均衡していることを特徴とする請求項３０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項６７】
　前記ＡｌＮ層上にＧａＮキャップ層を備えていることを特徴とする請求項６６に記載のＨＥＭＴ。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１のバリヤ層と，
　前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層と，
　前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２のバリヤ層と，
　前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層と，
　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。
　　【請求項２】
　前記第１のバリヤ層がＡｌＮ層を含み，前記チャネル層がＧａＮ層を含み，前記第２のバリヤ層がＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項３】
　前記第１のバリヤ層は１ｎｍから１ｍｍの範囲の厚さをもち，前記チャネル層は０．３ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもち，前記第２のバリヤ層は０．５ｎｍから５０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項２に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項４】
　前記第１のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のドープしたＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項２に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項５】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項６】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項７】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項４に記載のＨＥＭＴ。 
　　【請求項８】
　前記第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層は，前記第１のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のアンドープＡｌＮ層を備えたことを特徴とする請求項４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項９】
　前記第１のアンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項８に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１０】
　前記第２のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のドープしたＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項４に記載のＨＥＭＴ。 
　　【請求項１１】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されたことを特徴とする請求項１０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１２】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項１０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１３】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項１０に記載のＨＥＭＴ。 
　　【請求項１４】
　前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層は，前記第２のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のアンドープＡｌＮ層を備えたことを特徴とする請求項１０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１５】
　前記第２のアンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項１４に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１６】
　前記第２のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，ドープしたＡｌＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項２に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１７】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項１６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１８】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項１６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項１９】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項１６に記載のＨＥＭＴ。 
　　【請求項２０】
　前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層は，前記ドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，アンドープＡｌＮ層を備えたことを特徴とする請求項１６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２１】
　前記アンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項２０に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２２】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上にＧａＮ層を更に備えたことを特徴とする請求項２に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２３】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上の前記ＧａＮ層は，０．３ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項２２に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２４】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２５】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２６】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２７】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２８】
　ＨＥＭＴの活性領域は，２元のＩＩＩ族窒化物層だけを含むことを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項２９】
　第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，
　前記第１のバリヤ層の上に，２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層を形成するステップと，
　前記チャネル層の上に，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，
　前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップと，
　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップと
　を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を作製する方法。
　　【請求項３０】
　前記第１のバリヤ層がＡｌＮ層を含み，前記チャネル層がＧａＮ層を含み，前記第２のバリヤ層がＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする，請求項２９に記載の方法。
　　【請求項３１】
　前記第１のバリヤ層は１ｎｍから１ｍｍの範囲の厚さをもち，前記チャネル層は０．３ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもち，前記第２のバリヤ層は０．５ｎｍから５０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
　　【請求項３２】
　前記第１のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のドープしたＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
　　【請求項３３】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
　　【請求項３４】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
　　【請求項３５】
　前記第１のドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
　　【請求項３６】
　前記，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップは，前記第１のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のアンドープＡｌＮ層を形成するステップを備えたことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
　　【請求項３７】
　前記第１のアンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
　　【請求項３８】
　前記第２のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のドープしたＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
　　【請求項３９】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項３８に記載の方法。
　　【請求項４０】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
　　【請求項４１】
　前記第２のドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項３８に記載の方法。 
　　【請求項４２】
　前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップは，前記第２のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のアンドープＡｌＮ層を形成するステップを備えたことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
　　【請求項４３】
　前記第２のアンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項４２に記載の方法。
　　【請求項４４】
　前記第２のＡｌＮバリヤ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，ドープしたＡｌＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
　　【請求項４５】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，ＳｉドープしたＡｌＮ層を含んで構成されることを特徴とする請求項４４に記載の方法。
　　【請求項４６】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項４４に記載の方法。
　　【請求項４７】
　前記ドープしたＡｌＮ層は，１×１０１７ｃｍ−３から１×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項４４に記載の方法。
　　【請求項４８】
　前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップは，前記ドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，アンドープＡｌＮ層を形成するステップを備えたことを特徴とする請求項４４に記載の方法。
　　【請求項４９】
　前記アンドープＡｌＮ層は，０．３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項４８に記載の方法。
　　【請求項５０】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上にＧａＮ層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
　　【請求項５１】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上の前記ＧａＮ層は，０．３ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項５０に記載の方法。
　　【請求項５２】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含んで構成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
　　【請求項５３】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含んで構成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
　　【請求項５４】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含んで構成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
　　【請求項５５】
　前記第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＡｌＮを含み，前記第１のバリヤ層上の前記２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層がＩｎＮを含み，前記チャネル層上の前記第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層がＧａＮを含んで構成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
　　【請求項５６】
　前記ＨＥＭＴの活性領域は，２元のＩＩＩ族窒化物層だけを含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
　　【請求項５７】
　前記ＧａＮチャネル層の反対側の前記第２のＡｌＮバリヤ層上の前記ＧａＮ層は，前記ＧａＮ層と前記第２のＡｌＮ層の界面でドーピング，またはデルタドーピングされることを特徴とする請求項２２に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項５８】
　ＧａＮ，ＩｎＮおよびＡｌＮ層は歪が均衡していることを特徴とする請求項２６に記載のＨＥＭＴ。
　　【請求項５９】
　前記ＡｌＮ層上にＧａＮキャップ層を備えていることを特徴とする請求項５８に記載のＨＥＭＴ。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりとなる。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層と，　前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層と，　前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層と，　を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって，　前記第１のバリヤ層は，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備えており，　前記ＨＥＭＴが，」を，補正後の請求項１の「第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１のバリヤ層と，　前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層と，　前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２のバリヤ層と，」と補正すること。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項１の「前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を更に備えたことを特徴とするＨＥＭＴ」を，補正後の請求項１の「前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層と，　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）」と補正すること。
〈補正事項３〉
　補正前の請求項２〜５及び補正前の請求項３４〜３７を削除するとともに，補正前の請求項６〜３３，３８〜６７の請求項番号を補正後の請求項２〜２９，３０〜５９とし，併せて，従属形式で記載された各請求項において引用する請求項番号を変更すること。
〈補正事項４〉
　補正前の請求項１２の「前記第１のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のアンドープＡｌＮ層を更に備えた」を，補正後の請求項８の「前記第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層は，前記第１のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のアンドープＡｌＮ層を備えた」と補正したこと。
〈補正事項５〉
　補正前の請求項１８の「前記第２のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のアンドープＡｌＮ層を更に備えた」を，補正後の請求項１４の「前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層は，前記第２のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のアンドープＡｌＮ層を備えた」と補正したこと。
〈補正事項６〉
　補正前の請求項２４の「前記ドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，アンドープＡｌＮ層を更に備えた」を，補正後の請求項２０の「前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層は，前記ドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，アンドープＡｌＮ層を備えた」と補正したこと。
〈補正事項７〉
　補正前の請求項３３の「第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，　前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層を形成するステップと，　前記チャネル層上に第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，　を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を作製する方法であって，　前記第１のバリヤ層は，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備え，前記方法が，」を，補正後の請求項２９の「第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，　前記第１のバリヤ層の上に，２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層を形成するステップと，　前記チャネル層の上に，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，」と補正すること。
〈補正事項８〉
　補正前の請求項３３の「前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，アンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする方法」を，補正後の請求項２９の「前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップと，　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップと　を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を作製する方法」と補正すること。
〈補正事項９〉
　補正前の請求項４４の「前記第１のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のアンドープＡｌＮ層を形成するステップを更に備えた」を，補正後の請求項３６の「前記，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップは，前記第１のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第１のアンドープＡｌＮ層を形成するステップを備えた」と補正すること。
〈補正事項１０〉
　補正前の請求項５０の「前記第２のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のアンドープＡｌＮ層を形成するステップを更に備えた」を，補正後の請求項４２の「前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップは，前記第２のドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，第２のアンドープＡｌＮ層を形成するステップを備えた」と補正すること。
〈補正事項１１〉
　補正前の請求項５６の「前記ドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，アンドープＡｌＮ層を形成するステップを更に備えた」を，補正後の請求項４８の「前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップは，前記ドープしたＡｌＮ層と前記ＧａＮチャネル層との間に配置される，アンドープＡｌＮ層を形成するステップを備えた」と補正すること。
　
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　
〈補正事項１について〉
　補正前の「第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層と，」と「前記第１のバリヤ層は，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備えており，」を合わせて補正後の「第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１のバリヤ層と，」とすること，並びに，補正前の「を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって，」及び「　前記ＨＥＭＴが，」を削除することは，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また，補正前の「前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層」を補正後の「前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２のバリヤ層」とすることは，「第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層」について「第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える」としてその構成を限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２のバリヤ層」は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００３９】に記載されているから，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項２について〉
　補正前の「更に備えたことを特徴とするＨＥＭＴ」を，補正後の「備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）」とすることは，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また，補正後の「前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層とを備えた」とすることは，補正前の「第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層」と「チャネル層」から成る構造について，それら「の間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層とを備えた」として構成を限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層とを備えた」ことは，当初明細書等の段落【００３９】に記載されているから，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項３について〉
　補正事項３は，請求項を削除するとともに，請求項番号の整合を図るものであるから，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　また，補正事項３が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
〈補正事項４〜６について〉
　補正事項４〜６は，補正後の請求項１との整合を図るために，補正後の各請求項の冒頭において「前記第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層は，」または「前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層は，」を加入するとともに，補正前の「更に備えた」を補正後の「備えた」にするものであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また，補正事項４〜６が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
〈補正事項７について〉
　補正前の「第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，」と「前記第１のバリヤ層は，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備え，」を合わせて補正後の「第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，」とすること，並びに，補正前の「を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を作製する方法であって，」及び「前記方法が，」を削除することは，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また，補正前の「前記チャネル層上に第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，」を，補正後の「前記チャネル層の上に，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップと，」と補正することは，「第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップ」について「第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層」が「第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える」としてその構成を限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「前記チャネル層の上に，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層を形成するステップ」は，当初明細書等の段落【００２７】及び【００３９】に記載されているから，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項８について〉
　補正前の「更に備えたことを特徴とする方法」を，補正後の「備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を作製する方法」とすること，及び，補正前の「前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，アンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップ」を，補正後の「前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，
第１の
　また，補正後の「前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップ」を備えるとすることは，「前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層」を形成する各ステップについて，それら「の間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップ」を備えるとして，構成を限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップ」を備えることは，当初明細書等の段落【００２７】及び【００３９】に記載されているから，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項９〜１１について〉
　補正事項９〜１１は，補正後の請求項２９との整合を図るために，補正後の各請求項の冒頭において「前記第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップは，」または「前記第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を形成するステップは，」を加入するとともに，補正前の「更に備えた」を補正後の「備えた」にするものであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
また，補正事項４〜６が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（再掲。以下「本願補正発明」という。）
「【請求項１】
　第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１のバリヤ層と，
　前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層と，
　前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２のバリヤ層と，
　前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層と，
　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
　
（２）刊行物に記載された発明
ア　引用例：　特開平１０−２９４４５２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１０−２９４４５２号公報（以下「引用例」という。）には，図１とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
　
（ア）
「【０００７】本発明者は，ＧａＮ系ＦＥＴにおいて構造の最適化を図るべく種々検討を行った結果，
図１に示すような，いわばＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor)構造およびＨＥＭＴ構造を併有するＧａＮ系ＦＥＴを案出した。ここで，図１はフラットバンド条件におけるエネルギーバンド図，特に伝導帯を示す
【０００８】
図１に示すように，このＧａＮ系ＦＥＴにおいては，基層としてのＡｌ
x 
Ｇａ
1-x 
Ｎ層１（ただし，１≧ｘ≧０），バリア層としてのＡｌ
y 
Ｇａ
1-y 
Ｎ層２（ただし，１≧ｙ＞０），電子供給層としてのｎ型Ａｌ
z 
Ｇａ
1-z 
Ｎ層３（ただし，１≧ｚ≧０），スペーサ層としてのアンドープＡｌ
z 
Ｇａ
1-z 
Ｎ層４（ただし，１≧ｚ≧０），電子走行層としてのアンドープＧａ
1-u 
Ｉｎ
u 
Ｎ層５（ただし，１≧ｕ≧０），スペーサ層としてのアンドープＡｌ
z 
Ｇａ
1-z 
Ｎ層６（ただし，１≧ｚ≧０），電子供給層としてのｎ型Ａｌ
z 
Ｇａ
1-z 
Ｎ層７（ただし，１≧ｚ≧０）およびゲート絶縁膜としてのＡｌ
v 
Ｇａ
1-v 
Ｎ層８（ただし，１≧ｖ＞０）が順次積層されている。ここで，電子供給層としてのｎ型Ａｌ
z 
Ｇａ
1-z 
Ｎ層３，７から，電子走行層としてのアンドープＧａ
1-u 
Ｉｎ
u 
Ｎ層５に電子が供給され，２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成される
　
　ここで，上記段落【０００７】の記載から，上記段落【０００８】とともに図１に記載された各層を備えるＭＩＳ構造およびＨＥＭＴ構造を併有するＧａＮ系ＦＥＴが明らかである。
　段落【０００８】に記載された各層における組成比であるｘ，ｙ，ｚ，ｕ，ｖは，その値としていずれも１をとりうるものであり，さらに，組成比ｘ，ｚ，ｕについてはその値として０をとりうるものである。そうすると，基層としてのＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層１（ただし，１≧ｘ≧０）はｘ＝１であるＡｌＮからなるものも含み，バリア層としてのＡｌy Ｇａ1-y Ｎ層２（ただし，１≧ｙ＞０）はｙ＝１であるＡｌＮからなるものも含み，電子供給層としてのｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ｎ層３（ただし，１≧ｚ≧０）はｚ＝１であるＡｌＮからなるものも含み，スペーサ層としてのアンドープＡｌz Ｇａ1-z Ｎ層４（ただし，１≧ｚ≧０）はｚ＝１であるＡｌＮからなるものも含み，電子走行層としてのアンドープＧａ1-u Ｉｎu Ｎ層５（ただし，１≧ｕ≧０）はｕ＝０であるＧａＮからなるものも含み，スペーサ層としてのアンドープＡｌz Ｇａ1-z Ｎ層６（ただし，１≧ｚ≧０）はｚ＝１であるＡｌＮからなるものも含み，電子供給層としてのｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ｎ層７（ただし，１≧ｚ≧０）はｚ＝１であるＡｌＮからなるものも含み，ゲート絶縁膜としてのＡｌv Ｇａ1-v Ｎ層８（ただし，１≧ｖ＞０）はｖ＝１であるＡｌＮからなるものも含むことは明らかである。
　
　以上を総合すると，引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＨＥＭＴ構造を併有するＧａＮ系ＦＥＴであって，基層としてのＡｌＮ層１，バリア層としてのＡｌＮ層２，電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３，スペーサ層としてのアンドープＡｌＮ層４，電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５，スペーサ層としてのアンドープＡｌＮ層６，電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層７およびゲート絶縁膜としてのＡｌＮ層８が順次積層され，電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３，７から，電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５に電子が供給され，２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成されるものである，ＧａＮ系ＦＥＴ。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
　
・引用発明の「ＧａＮ系ＦＥＴ」は，「ＨＥＭＴ構造を併有」し，「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３，７から，電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５に電子が供給され，２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成されるものである」から，本願補正発明の「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）」に相当する。
　
・引用発明においては「基層としてのＡｌＮ層１」ないし「ゲート絶縁膜としてのＡｌＮ層８」「が順次積層され」るから，引用発明に係る「ＧａＮ系ＦＥＴ」は，「基層としてのＡｌＮ層１」を最下層として，その上に「バリア層としてのＡｌＮ層２」ないし「ゲート絶縁膜としてのＡｌＮ層８」が順に積層された構造を有することは明らかである。
　
・引用発明における各層を構成する「ＡｌＮ」及び「ＧａＮ」が，いずれも２元のＩＩＩ族窒化物であることは明らかである。
　
・引用発明の「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３」は「ｎ型」であるから，ｎ型にドープされた領域からなる層であることは明らかである。そうすると，引用発明の「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３」と，本願補正発明の「第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１のバリヤ層」とは，「第１の２元のＩＩＩ族窒化物層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１の層」である点で一致する。
　
・引用発明の「電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５」は，「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３」よりも上に設けられたものであり，また，キャリアが流れる層であるから，本願補正発明の「前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層」とは，「前記第１の層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層」である点で一致する。
　
・引用発明の「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層７」は，「電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５」よりも上に設けられたものであり，また，「ｎ型」であるから，ｎ型にドープされた領域からなる層であることは明らかである。そうすると，引用発明の「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層７」と，本願補正発明の「前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２のバリヤ層」とは，「前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２の層」である点で一致する。
　
・引用発明の「スペーサ層としてのアンドープＡｌＮ層４」は，「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３」と「電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５」との間に設けられたものである。また，前記のとおり「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３」はｎ型にドープされた領域からなるものである。それゆえ，引用発明の「スペーサ層としてのアンドープＡｌＮ層４」は，本願補正発明の「前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層」に相当する。
　
・引用発明の「スペーサ層としてのアンドープＡｌＮ層６」は，「電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５」と「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層７」との間に設けられたものである。また，前記のとおり「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層７」はｎ型にドープされた領域からなるものである。それゆえ，引用発明の「スペーサ層としてのアンドープＡｌＮ層６」は，本願補正発明の「前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層」に相当する。
　
　従って，引用発明と本願補正発明とは，
「第１の２元のＩＩＩ族窒化物層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１の層と，
　前記第１の層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層と，
　前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２の層と，
　前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層と，
　前記第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
である点で一致する。
　
　一方両者は，以下の点で相違する。
《相違点》
　本願補正発明は，「第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１のバリヤ層」及び「前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２のバリヤ層」を備えるのに対して，引用発明は，「第１の２元のＩＩＩ族窒化物層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１の層」及び「前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物層であって，第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第２の層」に対応する構成を備えるものの，それらが各々「バリア層」である点が明らかではない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明においては，「バリア層としてのＡｌＮ層２」が設けられており，「第１の２元のＩＩＩ族窒化物層であって，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える第１の層」に対応する「ｎ型ＡｌＮ層３」は「電子供給層として」設けられてはいる。しかしながら，「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３」は，「バリア層としてのＡｌＮ層２」と同じく「ＡｌＮ」から構成されるものであるから，「電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５」を走行する電子に対してバリアを構成する層として作用することは明らかである。
　また，同様に，引用発明の「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層７」が，「電子走行層としてのアンドープＧａＮ層５」を走行する電子に対してバリアを構成する層として作用することも明らかである。
　それゆえ，引用発明における「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層３」及び「電子供給層としてのｎ型ＡｌＮ層７」は，バリア層であるということもできるから，前記相違点に係る構成をおのずと備えるものある。
　よって，前記相違点は実質的なものではない。
　
（５）小括
　よって，本願補正発明は，引用発明と同一であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
６　まとめ
　以上のとおり，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年５月１３日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２４年８月３日にされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
　
「【請求項１】
　第１の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層と，
　前記第１のバリヤ層の上の２元のＩＩＩ族窒化物チャネル層と，
　前記チャネル層上の第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層と，
　を備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって，
　前記第１のバリヤ層は，第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備えており，
　前記ＨＥＭＴが，前記第１のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される，第１のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層を更に備えたことを特徴とするＨＥＭＴ。」
　
２　引用発明
　引用発明は，前記第２　４「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　
　前記第２「１　本件補正の内容」〜第２「３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，補正前の請求項１における発明特定事項である「第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層」について「第２のドープした２元のＩＩＩ族窒化物領域を備える」としてその構成を限定し，また，補正前の請求項１における発明特定事項である「第２の２元のＩＩＩ族窒化物バリヤ層」と「チャネル層」から成る構造について，それら「の間に配置される，第２のアンドープ２元のＩＩＩ族窒化物層とを備えた」として構成を限定したものである。
　言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記各限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２　４「（３）対比」〜第２　４「（５）小括」において検討したとおり，引用発明と同一であるから，本願発明も同様の理由により，引用発明と同一である。
　よって，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。