【事件の表示】
　特許第３０９６６９５号「光導波路母材の製造方法」の請求項１ないし１８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０９６６９５号の訂正後の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０９６６９５号は、昭和６２年１月３０日（パリ条約による優先権主張１９８６年２月３日、米国）に出願した特願昭６２−１８７６０号の一部を平成５年１月１４日に新たな特許出願としたものであって、平成１２年８月１１日にその特許の設定登録がなされ、その後、島田妙子から特許異議の申立てがあり、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年２月２５日に訂正請求（後日取下げ）がなされた後、再度取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年４月１日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　本件訂正請求書における訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。すなわち、
訂正事項ａ−１：特許請求の範囲の請求項１〜３、１４〜１８を削除する。
訂正事項ａ−２：特許請求の範囲の請求項４〜１３の請求項の番号を請求項１〜１０と順次繰り上げる。
訂正事項ａ−３：特許請求の範囲の請求項３（旧請求項６）において、「請求項５に記載の」とあるのを、「請求項２に記載の」と訂正する。
訂正事項ａ−４：特許請求の範囲の請求項４（旧請求項７）において、「請求項６に記載の」とあるのを、「請求項３に記載の」と訂正する。
訂正事項ａ−５：特許請求の範囲の請求項８（旧請求項１１）において、「請求項１０に記載の」とあるのを、「請求項７に記載の」と訂正する。
訂正事項ａ−６：特許請求の範囲の請求項９（旧請求項１２）において、「請求項１１に記載の」とあるのを、「請求項８に記載の」と訂正する。
訂正事項ａ−７：特許請求の範囲の請求項１０（旧請求項１３）において、「請求項１２に記載の」とあるのを、「請求項９に記載の」と訂正する。
訂正事項ｂ：特許請求の範囲の請求項４（旧請求項７）において、「６５度以上」とあるのを、「６５度」と訂正する。
訂正事項ｃ：特許請求の範囲の請求項１（旧請求項４）において、「長さを実質的に一定に維持する」とあるのを、「、前記流れの長さを実質的に一定に維持する」と訂正する。
訂正事項ｄ：特許請求の範囲の請求項１（旧請求項４）において、「層状のスート材料の流れ」とあるのを、「スート材料の層流」と訂正する。
訂正事項ｅ：特許請求の範囲の請求項２（旧請求項５）において、「直線状の経路を維持できるだけの十分な流速で導く」とあるのを、「直線状の経路を維持できるだけの十分な流速としての約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度で導く」と訂正する。
訂正事項ｆ：特許請求の範囲の請求項９（旧請求項１２）において、「流線形の流れ」とあるのを、「層流」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（イ）訂正事項ａ−１は、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
（ロ）訂正事項ａ−２ないしａ−７は、訂正事項ａ−１の請求項の削除に伴って請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
（ハ）訂正事項ｂは、明細書段落【００２７】の記載に基いて、層流の軸に対する角度を「６５度以上」から「６５度」のみに限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
（ニ）訂正事項ｃは、「長さ」が「流れの長さ」であることを明確にしたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
（ホ）訂正事項ｄおよびｆは、スート材料の流れに関し、同様の意味で「層状の流れ」、「層流」及び「流線形の流れ」と種々に表現されていたものを「層流」に統一したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
（ヘ）訂正事項ｅは、請求項３（旧請求項６）の記載に基いて、直線状の経路を維持できるだけの十分な流速として具体的に「約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度」と限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
（ト）また、上記訂正事項ａ−１ないしｆは、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．訂正後の本件発明
　本件訂正後の請求項１ないし１０に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】大寸で実質的に一定の直径を有するコア部の形成方法であって、レイノルズ数が８０を越えるような速度を有するスート材料の層流を収斂炎流の内部に形成する工程と、前記スート材料の流れを、ターゲット領域との衝突前に所定の長さの経路を通過させてターゲット領域へと導く工程と、前記コア部を、長手方向に沿って延びる中心軸の周りに回転させる工程と、前記スート材料の流れを、前記中心軸に対して鈍角をなすように導き、前記中心軸の近傍であって該中心軸よりはずれた位置にて衝突をなさしめる工程と、前記コア部が形成される間、前記スート材料の流れの衝突の角度，領域ならびに、前記流れの長さを実質的に一定に維持する工程と、を具備することを特徴とするコア部の形成方法。
【請求項２】光導波路の製造に用いられるコア部の製造方法であって、所定の軸の周りに回転されるスート出発面を設定する工程と、前記スート出発面に対して実質的に一定の直径を持つスート材料の流れの層流を、前記スート出発面との衝突がなされる衝突領域に到るまで直線状の経路を維持できるだけの十分な流速としての約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度で導く工程と、前記流路の延長方向に沿って前記衝突領域を通過するスート材料を排出してコア部上の所望の堆積後の過剰の堆積を防止する工程と、コア部が形成される間、前記流路の長さを実質的に一定に維持する工程と、を具備することを特徴とるコア部の製造方法。
【請求項３】前記流速は約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度であり、前記流路の長さは１２．４ｃｍ程度であることを特徴とする請求項２に記載のコア部の製造方法。
【請求項４】前記スート材料の層流は、前記所定の軸に対して６５度の角度をなすことを特徴とする請求項３に記載のコア部の製造方法。
【請求項５】ターゲット領域上にガラス形成用の微粒子を堆積して、中心軸の周りに実質的に一定の直径を持つコア部を形成する方法であって、微粒子で表面化された出発体を形成する工程と、この出発体及びこの出発体上に堆積された物質を前記中心軸の周りに回転させる工程と、堆積された部分上に、前記中心軸に近接しながらその中心軸をはずして、レイノルズ数が約８０を越える流速を有する制御された層流状の微粒子流を、遠隔から所定の角度で衝突させ、コア部を軸方向に成長させる工程と、を具備することを特徴とするコア部形成方法。
【請求項６】クラッド部の追加，ガラス化，ファイバ形への線引きの後続工程により光導波路として用いられるコア部を製造する方法であって、スート材料で表面化された出発体を構成する工程と、この出発体の端面に直交する中心軸の周りに出発体を回転させる工程と、前記出発体に向かう方向に対して所定の断面を有するスート材料の層流を、前記出発体まで所定の距離を有する経路に沿って、層流を維持しながら所定の速度で導き、コア部の径方向での堆積をなさしめるために、前記スート材料の層流の先端を、前記中心軸からはずれ且つ前記出発体の中心軸に対して斜めの角度で、前記出発体の端面上に衝突させる工程と、前記斜めの角度及び前記衝突が行われる衝突領域を一定に維持しながら、前記コア部と前記層流との間で相対的軸方向運転を行わせ、前記コア部を軸方向に形成する工程と、を具備することを特徴とするコア部の製造方法。
【請求項７】光導波路用母材のためのコア部の製造方法であって、予め設定された第１速度を有する内側部及びこの第１速度より遅い第２速度を有し包囲ガス流を含む微粒子流を、ターゲット領域に向かう直線状路に沿って導く工程と、前記第２速度より遅い第３速度を有しターゲット領域を通過するガス及び微粒子を、前記直線状路に沿って排出する工程と、を具備することを特徴とするコア部の製造方法。
【請求項８】前記第１速度は約１２．２ｍ／ｓｅｃであり、前記第２速度は約７．６ｍ／ｓｅｃであり、及び前記第３の速度は約１．５ｍ／ｓｅｃであることを特徴とする請求項７に記載のコア部の製造方法。
【請求項９】前記微粒子流は層流であり、前記包囲ガス流は前記直線状路に沿って収斂する請求項８に記載のスートコア部の製造方法。
【請求項１０】前記直線状路の方向は、通過するガスの排気を自然対流傾向により助けられるように、コア部の形成方向に対して傾斜する請求項９に記載のコア部の製造方法。」
　なお、請求項１、５において「レイノズル数」と記載されているが、これは「レイノルズ数」の誤記であることは明らかであるから、上記のとおり認定した。
４．申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠方法として甲第１ないし９号証を提出し、次の（１）〜（２）の理由により、本件請求項１ないし１８に係る発明の特許は取り消されるべきものである旨主張している。
（１）本件請求項１ないし１８に係る発明は、甲第１ないし９号証に記載された発明および技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（２）本件特許明細書の記載は、特許法第３６条に規定する要件を満たしていない。
５．甲第１ないし９号証の記載内容
　甲第１号証（特開昭５９−４５９３６号公報）には以下の事項が記載されている。
（ａ−１）「気相軸付け法（以下ＶＡＤ法と云う。）による光ファイバ用母材の製造方法において、通常成長母材の引上げ速度は、成長母材の形状または成長母材表面の温度を測定し、該形状または該温度の偏差を酸水素バーナの酸素及び水素量または原料ガス流量にフィードバックしながら該成長母材の成長点が常に一定位置となるよう制御されるのが一般的な光ファイバ用母材の製造方法である。」（第１頁右欄第２〜９行）
（ａ−２）「第１図において、成長母材５の重量を測定するために、ロードセル１を取付けたシード棒２をチャック３で保持し、原料たとえばＳｉＣｌ４，ＧｅＣｌ４ガスと酸素及び水素とを混合させながら酸水素バーナ４にて加水火炎反応によりシード棒２の先端に成長母材５を成長させていく。…（中略）…成長母材５の成長速度を一定に保つよう制御する。…（中略）…第１図の１２は排気である。」（第２頁左上欄第１１行〜右上欄第１０行）
（ａ−３）第１図には、本発明の光ファイバ用母材の製造方法の概略を説明する図が記載され、成長母材５の軸と酸水素バーナ４の軸とは約３２゜の夾角で、かつ、成長母材５の先端中央から内部にずれた位置で交差すること、円形矢印により成長母材５が回転されること、が図示されている。
　甲第２号証（特開昭６０−１３７８３９号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｂ−１）「本発明はＶＡＤ法により光ファイバ用多孔質母材を製造する際に用いられるガラス微粉末生成用バーナに関する。」（第１頁左下欄第１４〜１６行）
（ｂ−２）「このガラス微粉末を上記ターゲット２の先端に堆積させることによりスート層４を形成し、その際堆積し残った気相原料をバーナ３と対向して設けた排気管５より反応容器１内の空気と共に外部に排気するようにしている。上記バーナ３としては４重ないし５重の多重バーナが用いられ、第２図に示すように同心円状のものが一般的であるが、第３図のように角型の多重管バーナが用いられることもあり、いずれの場合もバーナ３の先端には炎の広がりを調節するフード６が設けられ、同バーナ３の中心部に形成された流路には四塩化ケイ素や四塩化ゲルマニウム等の気相原料を供給すると共に、その外側の各流路には酸素、水素、アルゴン等の気体を供給するようになっている。」（第１頁右下欄第４〜１８行）
　甲第３号証（実願昭５３−７１４９４号（実開昭５４−１７３０５７号）のマイクロフィルム）には以下の事項が記載されている。
（ｃ−１）「本考案は火炎加水分解による光通信用ファイバ母材の製造装置に関するものである。たとえば気相軸付法で母材を製造する場合は、火炎加水分解でガラス微粉末を生成し、それを回転する基材の端に軸方向に生長させて多孔質プリフォームを形成する。このとき多孔質プリフォームの形成に使用されなかった過剰のガラス微粉末は系内から早く排出しなければならない。これがいつまでも残っていると容器の内面に付着したり、またはく離して多孔質プリフォームに付いたりして屈折率の分布を狂わせる原因になる。従来は、容器内のガラスを強制排気するとともに、外気を取り入れることにより、排気を多量にかつ円滑にできるようにしていた。」（第２頁第４〜１７行）
（ｃ−２）「コア材用バーナ１２とクラッド材用バーナ１４ならびに排気管１６を、外側チャンバ３０と内側チャンバ２０を貫通して設ける。排気管１６は軸方向にスライドできるようにする。１８は多孔質プリフォーム形成用のガラス微粉末、１８ａはそれに使用されなかった過剰のガラス微粉末を示す。」（第３頁第１４〜２０行）
　甲第４号証（特開昭６０−１４１６３４号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｄ−１）「５．（イ）火炎加水分解によりガラスとなり得る化合物からコアー第１クラッド用スートを作る工程、（ロ）該スートを脱水・ガラス化し、コアと第１クラッドよりなるロッドを作る工程、（ハ）該コアー第１クラッドに、けい素化合物の火炎加水分解により所定量の第２クラッド用スートを堆積させる工程、および（ニ）該第２クラッド用スートをガラス化させる工程、からなることを特徴とする、コアとクラッドの比が正確にコントロールされた光ファイバー用母材の製造方法。６．前記第２クラッド用スートを外付ＣＶＤ法により堆積形成する」（特許請求の範囲第５〜６項）
（ｄ−２）「実施例１．同心４重管構造の石英バーナの中心部に、ＳｉＣｌ４　１０５ｍｌ／分、ＧｅＣｌ４　２０ｍｌ／分、ＰＯＣｌ３　３ｍｌ／分を搬送用のアルゴンガス３７０ｍｌ／分と均一混合した原料ガスを、その外側にＨ２　２．８ｌ／分、Ａｒ　０．６ｌ／分、Ｏ２　５．６ｌ／分の順でそれぞれの管に流して酸水素炎を形成し、ガラス微粒子を形成した。このガラス微粒子を回転移動する出発材に堆積、軸方向に成長させ５０ｍｍφの円柱状のコアークラッド用スートを得た。このコアークラッド用スートを周辺部のＧｅＯ２が揮散するに充分な高濃度のＣｌ２（２０容量％）で処理したのち、Ｈｅ雰囲気中でガラス化して、２５ｍｍφのガラスロッドを得た。このロッドの屈折率分布は最大屈折率差約１．０％のほぼ二乗分布を示すものであった。またコア部の径は１７．５ｍｍφ、クラッド厚さは３．７５ｍｍであった。このコアークラッドロッドから５０μｍコア、１２５μｍクラッドの光ファイバーを作ることができる母材を得るために、さらに外付法によってスートを堆積させ、約８５ｎｍのスートとしてガラス化し、４３．７５ｎｍφの光ファイバー用母材を得た。…（中略）…実施例２．　実施例１と同様の石英バーナの中心にＳｉＣｌ４　２０ｍｌ／分、ＧｅＣｌ４　２ｍｌ／分を搬送用のアルゴンガスと共に供給して、コア用スートを堆積させ、さらに予備バーナーでこのスートの側面を連続的に加熱して、２０ｍｍφのコア用スートロッドを得た。このスートロッドにさらにガラス原料としてＳｉＣｌ４のみを含むクラッド用バーナーでクラッドスートを外付し、７５ｍｍφのスートを得た。次にこのスートをＣｌ２　濃度０．５％の雰囲気でガラス化した。この結果、３５ｍｍφのガラスロッドが得られ、このうちコア部は８ｍｍφであった。…（中略）…ファイバー径１２５μｍのシングルモードファイバーを作るための母材とするため、前記ガラスロッドを１５ｍｍφに延伸したのち外周にスートを付着させ、ガラス化して最終径が５１ｍｍφの光ファイバー用母材を得た。このロッドを２１００℃の電気炉で加熱溶融し紡糸して得られた光ファイバーについて、カットオフ波長を測定したところ、１．１９μｍであり、目標値とよい一致を示した。」（第４頁右下欄第９行〜第５頁左下欄第７行）
　甲第５号証（特開昭５９−１９０２３５号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｅ−１）「本発明はＶＡＤ法による光ファイバ母材の製造方法に関するものである。従来、ＶＡＤ法では、ガラス微粒子を合成するための火炎燃焼ガスとしては水素（Ｈ２）ガスのみが使用されていた。この従来のＶＡＤ法において、火炎温度、すなわち発生する熱エネルギーを増加させるためには、水素ガス流量の増加が必要であり、水素ガス流量を増加すると、火炎流速が増加するという問題があった。この火炎流速の増加は、さらに多孔質母材成長面上へのガラス微粒子の堆積効率を低下させるという問題を引き起こす。その結果として多孔質母材の製造速度が低下するという欠点を生じた。」（第１頁左下欄第１５行〜右下欄第７行）
（ｅ−２）「合成トーチ先端における流速を８４ｃｍ／ｓｅｃから２６０ｃｍ／ｓｅｃまで変化させることができた。第２図は他のモデル実験で得られた火炎レイノルズ数と多孔質母材に堆積するガラス微粒子堆積量の関係を示したものである。ここで火炎レイノルズ数とは、
　Ｒｅ＝Ｕｄ／ν
　　Ｕ：ガス流速
　　ｄ：合成トーチ先端の層隙間
　　ν：ガスの動粘性係数
で表される量で定義したものである。合成トーチ先端の層隙間が一定の場合、流速に比例する量として読みかえることができる。」（第３頁左上欄第６〜１９行）
（ｅ−３）「この実施例においてＳｉＣｌ４ガラス原料を５ｇ／ｍｉｎの割合で供給した場合、水素ガスのみを４０ｇ／ｍｉｎの流量で燃焼させたとき、ガラス微粒子の収率は約３０％であった。これを水素ガス１２　ｌ／ｍｉｎ、メタンガス９　ｌ／ｍｉｎの混合ガスとすると、ガラス微粒子の収率は約６０％と向上した。」（第３頁右上欄第１２〜１８行）
（ｅ−４）第２図には、ＶＡＤ法における多孔質母材合成における火炎レイノルズ数とガラス微粒子堆積量の関係図が記載され、火炎レイノルズ数の範囲が約５から７５までのデータが図示されている。
　甲第６号証（特開昭５５−２３０７４号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｆ−１）「気相軸付法（ＶＡＤ）では、普通、コア用及びクラッド用の２本のバーナを用い、ステップインデックス型またはグレーテッドインデックス型のＶＡＤ母材を製造している。この母材のコア径比（コア材径／クラッド材外径）は一般に７０〜８０％である。これに対して好ましいコア径比は４０〜５０％で、このような母材からコア径６０μｍ、クラッド外径１２０〜１５０μｍのファイバが得られる。」（第１頁右下欄第８〜１６行）
　甲第７号証（特開昭５７−１８３３３０号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｇ−１）「光通信用ガラスファイバ母材の製法としては、いわゆる内付ＣＶＤ（chemical vapor depogition、化学気相成長）法、外付ＣＶＤ法及び軸付ＣＶＤ法等が提案されている」（第１頁右下欄第２〜５行）
（ｇ−２）「第７図に基いて本発明の具体的構成の一例を説明すると、回転及び上下動が自由に選べる支持装置（１１）によって支持された支持棒（１２）の下端に、その下端より下方に設けた石英製バーナ（１３）によりＳｉＣｌ４、ＧｅＣｌ４及びＰＯＣｌ３等のガラス形成原料をＡｒ、Ｏ２等のキャリアガスで供給し、同バーナ（１３）から供給される酸水素炎で高温加水分解して、ＳｉＯ２を主成分としてＧｅＯ２やＰ２Ｏ５等の屈折率を調整するドーパントを含むガラス形成微粒子を支持棒（１２）の軸方向に付着成長させ、ある長さの多孔質な芯棒（１４）を作成する。次いでバーナ（１３）を止めると同時に多孔質な芯棒（１４）の横方向に配置された複数本のバーナ（１５）によりそれぞれ組成の異なるＳｉＣｌ４、ＧｅＣｌ４及びＰＯＣｌ３等のガラス形成原料と酸水素炎を供給しながらこれらのバーナ（１５）を軸方向に移動して、前記多孔質な芯棒（１４）の周囲にガラス形成微粒子を複数層付着成長させる。」（第３頁左下欄第２〜１８行）
　甲第８号証（特開昭５６−１２０５２８号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｈ−１）「Ｂ（ボロン）やＦ（フッ素）等のドープすることによってガラス（石英系ガラス）の屈折率を下げるドーパントの場合には、ガラス微粉末焼結体の中心部で濃度を低くし、外周部で濃度を増加する。」（第２頁右下欄第１５〜１９行）
（ｈ−２）第３図には、本発明の一実施例にかかるブロック図が記載され、円柱状ガラス微粉末焼結体１９の軸とバーナ１１の軸とは夾角約７２．５゜の角度で交差するように図示されている。
　甲第９号証（特開昭５８−９８３５号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｉ−１）「本発明は、バーナを端面２４のまわりで回転させることも意図している。このようにバーナを回転させることは、出発部材１２を回転させることとは別に、またはそれに代えて、あるいはそれとの組合せとして行われうる。」（第６頁右下欄第１５〜１９行）
（ｉ−２）「内側シールドおよび外側シールド酸素流速はそれぞれ３．５ｓｌｍおよび１０．０ｓｌｍであった。使用された唯一の反応物であるＳｉＣｌ４が米国特許第３８２６５６０号に開示されている型式の溜め内で３７℃に維持された。１．７５ｓｌｍの流速で流れる酸素が液体ＳｉＣｌ４中で泡だてられ、かつ同じく１．７５ｓｌｍの流速で流れる酸素とＳｉＣｌ４蒸気との混合物がバーナに供給された。」（第９頁左上欄第９〜１７行）
（ｉ−３）第７図には、光導波路用プリフォームの形成に用いられる本発明による装置を示す図が記載され、コア部分９４の軸線とバーナ８９、９０の軸線とは夾角約１９゜の角度で交差するように図示されている。
６．当審の判断
６−１．特許法第２９条第２項の申立て理由について
（１）請求項１に係る発明について
　甲第４号証には、摘示事項（ｄ−２）より「外側に酸水素炎を形成し、中心部のガラス微粒子を回転移動する出発材に堆積、軸方向に成長させる、２０ｍｍφのコア用スートロッドの形成方法」の発明（以下「甲４Ａ発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件請求項１に係る発明（以下「請１発明」という）と甲４Ａ発明とを対比すると、甲４Ａ発明の「コア用スートロッド」は請１発明の「コア部」に相当し、２０ｍｍφのロッドであるから実質的に一定の直径と云え、同じく、甲４Ａ発明の「ガラス微粒子」はスートロッドを形成するから請１発明の「スート材料」に相当し、その流れは外側の酸水素炎と共に出発材又は成長中のコア用スートロッドのターゲット領域に導かれて衝突することは明らかであり、さらに、甲４Ａ発明の出発材の回転は形成するコア用スートロッドの中心軸の周りであることも明らかである。よって、両者は「実質的に一定の直径を有するコア部の形成方法であって、スート材料の流れを炎流の内部に形成する工程と、前記スート材料の流れをターゲット領域へと導く工程と、前記コア部を長手方向に沿って延びる中心軸の周りに回転させる工程と、前記スート材料の流れの衝突をなさしめる工程と、を具備するコア部の形成方法」である点で一致し、次の（イ）〜（ト）点で相違している。
（イ）形成されるコア部の径が、請１発明は大寸であるのに対し、甲４Ａ発明は２０ｍｍφである点。
（ロ）炎流が、請１発明は収斂炎流であるのに対し、甲第４号証には炎流の形状について言及されていない点。
（ハ）炎流内部に形成されるスート材料の流れが、請１発明はレイノルズ数が８０を越えるような速度を有する層流であるのに対し、甲第４号証にはレイノルズ数及び層流について言及されていない点。
（ニ）スート材料の流れの衝突前の経路が、請１発明は所定の長さであり、コア部が形成される間、実質的に一定に維持されるのに対し、甲第４号証には所定の長さであること及び実質的に一定に維持されることについて言及されていない点。
（ホ）スート材料の流れの衝突の角度が、請１発明はコア部の中心軸に対して鈍角をなし、コア部が形成される間、実質的に一定に維持されるのに対し、甲第４号証には衝突の角度について言及されていない点。
（ヘ）スート材料の流れの衝突の位置が、請１発明はコア部の中心軸の近傍であって該中心軸よりはずれた位置であるのに対し、甲第４号証には衝突の位置について言及されていない点。
（ト）スート材料の流れの衝突の領域が、請１発明は、コア部が形成される間、実質的に一定に維持されるのに対し、甲第４号証には衝突の領域を実質的に一定に維持することについて言及されていない点。
　次に、上記相違点について検討するにあたり、まず、相違点（ヘ）について検討する。
　相違点（ヘ）に挙げた請１発明の構成である、「スート材料の流れをコア部の中心軸の近傍であって該中心軸よりはずれた位置にて衝突をなさしめる」点は甲第１〜３、５〜９号証に記載されていない。そして請１発明はこの点により、「屈折率分布はコア部の端縁できり立つ側部を有し、コア部断面にわたりほぼ一定の値を有する」（明細書段落【００２８】）という効果を奏するものである。したがって、少なくとも相違点（ヘ）に挙げた請１発明の上記構成が甲第１ないし９号証の記載から容易に導けるものではないから、その余の相違点について検討するまでもなく、請１発明が甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
（２）請求項２に係る発明について
　甲第４号証には、摘示事項（ｄ−２）より「外側に酸水素炎を形成し、中心部のガラス微粒子を回転移動する出発材に堆積、軸方向に成長させる、光ファイバーのコア用スートロッドの製造方法」の発明（以下「甲４Ｂ発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件請求項２に係る発明（以下「請２発明」という）と甲４Ｂ発明とを対比すると、甲４Ｂ発明の「光ファイバー」は請２発明の「光導波路」、同じく「出発材」は「スート出発面」、「コア用スートロッド」は「コア部」にそれぞれ相当し、また、甲４Ｂ発明の「ガラス微粒子」はスートロッドを形成するから請２発明の「スート材料」に相当し、その流れは外側の酸水素炎と共に出発材又は成長中のコア用スートロッドの衝突領域に導かれて衝突することは明らかであるから、両者は「光導波路の製造に用いられるコア部の製造方法であって、所定の軸の周りに回転されるスート出発面を設定する工程と、前記スート出発面に対してスート材料の流れを前記スート出発面との衝突がなされる衝突領域に導く工程と、を具備するコア部の製造方法」である点で一致し、次の（イ）〜（ニ）点で相違している。
（イ）スート材料の流れの状態が、請２発明は実質的に一定の直径を持つ層流であるのに対し、甲第４号証にはスート材料の流れが実質的に一定の直径を持つ層流であることについて言及されていない点。
（ロ）スート材料の流速が、請２発明は衝突領域に到るまで直線状の経路を維持できるだけの十分な流速としての約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度であるのに対し、甲第４号証にはスート材料の具体的流速及び直線状経路の維持作用について言及されていない点。
（ハ）請２発明は、流路の延長方向に沿って衝突領域を通過するスート材料を排出してコア部上の所望の堆積後の過剰の堆積を防止する工程を具備しているのに対し、甲第４号証にはそのような工程について言及されていない点。
（ニ）請２発明は、コア部が形成される間、流路の長さを実質的に一定に維持する工程を具備しているのに対し、甲第４号証にはそのような工程について言及されていない点。
　次に、上記相違点について検討するにあたり、まず、相違点（ロ）について検討する。
　スート材料の流速ついて、甲第５号証に８４〜２６０ｃｍ／ｓｅｃ、甲第９号証に内側シールド３．５ｓｌｍ、外側シールド１０．０ｓｌｍのものが記載されているが、具体的流速として請２発明の約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度とすることは甲第１〜３、５〜９号証に記載されていない。そして、請２発明は、このように高流速にした点とその余の構成とが相俟って、高成長率が得られるという明細書記載（明細書段落【００２４】）の効果を奏するものである。したがって、少なくとも相違点（ロ）に挙げた請２発明の「スート材料の流れを約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度で導く」構成が甲第１ないし９号証の記載から容易に導けるものではないから、その余の相違点について検討するまでもなく、請２発明が甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
（３）請求項３〜４について
　請求項３〜４は、請求項２に係る発明の実施態様であり、請求項２に係る発明の構成を更に特定したものであるから、請求項２に係る発明が甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない以上、請求項３〜４に係る実施態様も、同じ理由により、甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
（４）請求項５に係る発明について
　甲第４号証には、摘示事項（ｄ−２）より「ガラス微粒子を回転移動する出発材に堆積、軸方向に成長させる、２０ｍｍφのコア用スートロッドの形成方法」の発明（以下「甲４Ｃ発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件請求項５に係る発明（以下「請５発明」という）と甲４Ｃ発明とを対比すると、甲４Ｃ発明の「ガラス微粒子」は請１発明の「ガラス形成用の微粒子」、同じく「コア用スートロッド」は「コア部」、「出発材」は「出発体」にそれぞれ相当し、また、甲４Ａ発明のコア用スートロッドは２０ｍｍφであるから実質的に一定の直径と云え、さらに、甲４Ａ発明の出発材及び成長中のコア用スートロッドの回転はコア用スートロッドの中心軸の周りであること、甲４Ｃ発明のガラス微粒子の流れは遠隔から出発材又は成長中のコア用スートロッドのターゲット領域に導かれて衝突することは明らかである。よって、両者は「ターゲット領域上にガラス形成用の微粒子を堆積して、中心軸の周りに実質的に一定の直径を持つコア部を形成する方法であって、出発体を形成する工程と、この出発体及びこの出発体上に堆積された物質を前記中心軸の周りに回転させる工程と、堆積された部分上に微粒子流を遠隔から衝突させ、コア部を軸方向に成長させる工程と、を具備するコア部形成方法」である点で一致し、次の（イ）〜（ハ）点で相違している。
（イ）出発体が、請５発明は微粒子で表面化された出発体であるのに対し、甲第４号証には出発材を微粒子で表面化することについて言及されていない点。
（ロ）微粒子流の衝突の位置が、請５発明はコア部の中心軸の近接しながらその中心軸をはずして衝突させているに対し、甲第４号証には衝突の位置について言及されていない点。
（ハ）微粒子流が、請５発明はレイノルズ数が約８０を越える流速を有する制御された層流状であるのに対し、甲第４号証には微粒子流のレイノルズ数、流速及びその流れが層流であることについて言及されていない点。
　次に、上記相違点について検討するに、相違点（ロ）に挙げた請５発明の構成である、微粒子流を「コア部の中心軸に近接しながらその中心軸をはずして」衝突させる点は、上記６−１．（１）に記載したとおり、甲第１ないし９号証の記載から容易に導けるものではないから、その余の相違点について検討するまでもなく、請５発明が甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
（５）請求項６に係る発明について
　甲第４号証には、摘示事項（ｄ−２）より「クラッドスートの外付、ガラス化、紡糸の後続工程により光ファイバーとして用いられるコア用スートロッドを製造する方法であって、ガラス微粒子を回転移動する出発材に堆積、軸方向に成長させる、コア用スートロッドの製造方法」の発明（以下「甲４Ｄ発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件請求項６に係る発明（以下「請６発明」という）と甲４Ｄ発明とを対比すると、甲４Ｄ発明の「クラッドスートの外付」は請６発明の「クラッド部の追加」、同じく「紡糸」は「ファイバ形への線引き」、「光ファイバー」は「光導波路」、「コア用スートロッド」は「コア部」、「ガラス微粒子」は「スート材料」、「出発材」は「出発体」にそれぞれ相当し、また、甲４Ｄ発明の出発材の回転は出発材の端面に直交する中心軸の周りであり、移動とは軸方向移動であって、成長中のコア用スートロッドとガラス微粒子の流れとの間で相対的軸方向運転が行われること、甲４Ｄ発明のガラス微粒子の流れは出発材まで導かれ、その先端は出発材の端面上に衝突することは明らかであるから、両者は「クラッド部の追加，ガラス化，ファイバ形への線引きの後続工程により光導波路として用いられるコア部を製造する方法であって、出発体を構成する工程と、この出発体の端面に直交する中心軸の周りに出発体を回転させる工程と、スート材料の流れを出発体まで導き出発体の端面上に衝突させる工程と、コア部とスート材料の流れとの間で相対的軸方向運転を行わせ、コア部を形成する工程と、を具備するコア部の製造方法」である点で一致し、次の（イ）〜（ハ）点で相違している。
（イ）出発体の構成が、請６発明はスート材料で表面化された出発体を構成しているのに対し、甲第４号証には出発材をスート材料で表面化して構成することについて言及されていない点。
（ロ）スート材料の流れが、請６発明は出発体に向かう方向に対して所定の断面を有する層流であり、出発体まで所定の距離を有する経路に沿って、層流を維持しながら所定の速度で導かれるのに対し、甲第４号証には流れが層流であること並びにその距離及び速度について言及されていない点。
（ハ）コア部の形成が、請６発明は、コア部の径方向での堆積をなさしめるために、スート材料の層流を出発体の中心軸からはずれ且つ出発体の中心軸に対して斜めの角度で衝突させる工程と、前記斜めの角度及び前記衝突が行われる衝突領域を一定に維持しながら、コア部と層流との間で相対的軸方向運転を行わせ、コア部を軸方向に形成する工程とからなるのに対し、甲４Ｄ発明は回転移動する出発材に堆積、軸方向に成長させるものであり、甲第４号証には、コア部を径方向の堆積と軸方向の形成との２工程で形成すること、衝突位置、衝突角度、衝突角度及び衝突領域を一定に維持すること、について言及されていない点。
　次に、上記相違点について検討するに、相違点（ハ）に挙げた請６発明の構成である、スート材料の層流を「出発体の中心軸からはずれ」て衝突させる点は、上記６−１．（１）に記載したとおり、甲第１ないし９号証の記載から容易に導けるものではないから、その余の相違点について検討するまでもなく、請６発明が甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
（６）請求項７に係る発明について
　甲第４号証には、摘示事項（ｄ−２）より「光ファイバー用母材のためのコア用スートロッドの製造方法であって、バーナで外側に酸水素炎を形成し、中心部の微粒子を出発材に堆積・成長させる、コア用スートロッドの製造方法」の発明（以下「甲４Ｅ発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件請求項７に係る発明（以下「請７発明」という）と甲４Ｅ発明とを対比すると、甲４Ｅ発明の「光ファイバー用母材」は請７発明の「光導波路用母材」、同じく「コア用スートロッド」は「コア部」、「酸水素炎」は「包囲ガス流」にそれぞれ相当し、また、甲４Ｅ発明の酸水素炎と中心部の微粒子の流れは、バーナから噴出され出発材まで外力を受けていないから、出発材のターゲット領域に向かう直線状路に沿って導かれることは明らかであるから、両者は「光導波路用母材のためのコア部の製造方法であって、包囲ガス流を含む微粒子流を、ターゲット領域に向かう直線状路に沿って導く工程を具備するコア部の製造方法」である点で一致し、次の（イ）〜（ロ）点で相違している。
（イ）包囲ガス流を含む微粒子流が、請７発明は予め設定された第１速度を有する内側部及びこの第１速度より遅い第２速度を有しているのに対し、甲第４号証には酸水素炎及び微粒子の流れの速度について言及されていない点。
（ロ）請７発明は、ターゲット領域を通過するガス及び微粒子を第２速度より遅い第３速度で直線状路に沿って排出しているのに対し、甲第４号証にはターゲット領域を通過するガス及び微粒子の排出及びその速度について言及されていない点。
　次に、上記相違点について検討するにあたり、まず、相違点（イ）について検討する。
　流速については、甲第５号証に合成トーチ先端における流速を８４ｃｍ／ｓｅｃから２６０ｃｍ／ｓｅｃまで変化させることが記載されているが、この流速は全体の流速であって、内側部及び包囲ガス流の流速及び速度差を教示するものではない。同じく、甲第９号証に、内側シールド３．５ｓｌｍ、外側シールド１０．０ｓｌｍ、酸素とＳｉＣｌ４蒸気との混合物のバーナへの供給１．７５ｓｌｍのものが記載されているが、包囲ガス流の速度を内側部の速度より遅くすることは記載されていない。さらに、甲第１〜３、６〜８号証には包囲ガス流を含む微粒子流の流速について記載されていない。
　なお、甲第４〜９号証に、バーナへの供給原料ガスの個別流量が記載されているが、バーナ部では酸水素炎によって温度変化及び圧力変動を伴う化学反応が生じているため、バーナへの供給原料ガスの個別流量が内側部及び包囲ガス流の流速及び速度差を教示するものではない。
　そして、請７発明は「包囲ガス流の速度を内側部の速度より遅くする」構成により、平成１５年４月１日付の意見書から、スート流を層流とすることができ、ターゲットに衝突する前に拡散することを防止できるという効果を奏するものと認められる。
　したがって、相違点（イ）に挙げた請７発明の上記構成は甲第１ないし９号証の記載から容易に導けるものではない。
　よって、その余の相違点について検討するまでもなく、請７発明が甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
（７）請求項８〜１０について
　請求項８〜１０は、請求項７に係る発明の実施態様であり、請求項７に係る発明の構成を更に特定したものであるから、請求項７に係る発明が甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない以上、請求項８〜１０に係る実施態様も、同じ理由により、甲第１ないし９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
６−２．特許法第３６条の申立て理由について
（１）特許異議申立人は、訂正前の請求項１２に「微粒子流は流線形の流れ」と記載されているが、微粒子流が流線形であることは発明の詳細な説明又は図面に記載乃至裏付けられていない旨主張している。
　そこで検討するに、訂正前の請求項１２は請求項９に、「流線形の流れ」は「層流」と訂正された。そして、微粒子流が層流であることは明細書段落【００１７】、【００２９】に記載されている。よって、この申立て理由は解消したものと認める。
（２）特許異議申立人は、訂正前の請求項１５の「初期スート母材」、「初期コア母材」、「経済的に供給できるように」の記載は意味が不明確であり、訂正前の請求項１６の「堆積が継続する間」はコア部とクラッド部の両方を含む「堆積が継続する間」と解されるが、コア部の「堆積が継続する間」については、「スート材料の流れとコア部の端部との相対的な位置を変更」することは発明の詳細な説明又は図面に記載乃至裏付けられていない旨主張しているが、訂正により訂正前の請求項１５〜１６は削除されたので、この申立て理由は解消したものと認める。
（３）したがって、本件特許明細書が特許法第３６条に規定する要件を満たしていないものとすることはできない。
７．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、訂正後の本件請求項１ないし１０に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の本件請求項１ないし１０に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年４月２２日（２００３．４．２２）
【訂正の要旨】
　（ア）　特許請求の範囲の旧請求項１乃至３を削除し、
　旧請求項４を請求項１と訂正し、
　旧請求項５を請求項２と訂正し、
　旧請求項６を請求項３と訂正するとともに、当該請求項の記載中の「請求項５に記載の」を「請求項２に記載の」と訂正し、
　旧請求項７を請求項４と訂正するとともに、当該請求項の記載中の「請求項６に記載の」を「請求項３に記載の」と訂正し、
　旧請求項８を請求項５と訂正し、
　旧請求項９を請求項６と訂正し、
　旧請求項１０を請求項７と訂正し、
　旧請求項１１を請求項８と訂正するとともに、当該請求項の記載中の「請求項１０に記載の」を「請求項７に記載の」と訂正し、
　旧請求項１２を請求項９と訂正するとともに、当該請求項の記載中の「請求項１１に記載の」を「請求項８に記載の」と訂正し、
　旧請求項１３を請求項１０と訂正するとともに、当該請求項の記載中の「請求項１２に記載の」を「請求項９に記載の」と訂正し、
　旧請求項１４乃至１８を削除する（添付の請求項対応表参照）。
　（イ）特許請求の範囲の請求項４（旧請求項７）中の「６５度以上」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「６５度」と訂正する。
　（ウ）特許請求の範囲の請求項１（旧請求項４）中の「長さを実質的に一定に維持する」（特許第３０９６６９５号公報において第２頁第３欄第２１行）を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「、前記流れの長さを実質的に一定に維持する」と訂正する。
　（エ）特許請求の範囲の請求項１（旧請求項４）中の「層状のスート材料の流れ」（特許第３０９６６９５号公報において第２頁第３欄第１０行〜１１行）を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「スート材料の層流」と訂正する。
　（オ）特許請求の範囲の請求項２（旧請求項５）中の「直線状の経路を維持できるだけの十分な流速で導く」（特許第３０９６６９５号公報において第２頁第３欄第２９行〜３０行）を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「直線状の経路を維持できるだけの十分な流速としての約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度で導く」と訂正する。
　（カ）特許請求の範囲の請求項９（旧請求項１２）中の「流線形の流れ」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「層流」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光導波路母材の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　大寸で実質的に一定の直径を有するコア部の形成方法であって、
　レイノズル数が８０を越えるような速度を有するスート材料の層流を収斂炎流の内部に形成する工程と、
　前記スート材料の流れを、ターゲット領域との衝突前に所定の長さの経路を通過させてターゲット領域へと導く工程と、
　前記コア部を、長手方向に沿って延びる中心軸の周りに回転させる工程と、
　前記スート材料の流れを、前記中心軸に対して鈍角をなすように導き、前記中心軸の近傍であって該中心軸よりはずれた位置にて衝突をなさしめる工程と、
　前記コア部が形成される間、前記スート材料の流れの衝突の角度，領域ならびに、前記流れの長さを実質的に一定に維持する工程と、を具備することを特徴とするコア部の形成方法。
　【請求項２】　光導波路の製造に用いられるコア部の製造方法であって、所定の軸の周りに回転されるスート出発面を設定する工程と、
　前記スート出発面に対して実質的に一定の直径を持つスート材料の流れの層流を、前記スート出発面との衝突がなされる衝突領域に到るまで直線状の経路を維持できるだけの十分な流速としての約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度で導く工程と、
　前記流路の延長方向に沿って前記衝突領域を通過するスート材料を排出してコア部上の所望の堆積後の過剰の堆積を防止する工程と、
　コア部が形成される間、前記流路の長さを実質的に一定に維持する工程と、を具備することを特徴とるコア部の製造方法。
　【請求項３】　前記流速は約１２．２ｍ／ｓｅｃ程度であり、前記流路の長さは１２．４ｃｍ程度であることを特徴とする請求項２に記載のコア部の製造方法。
　【請求項４】　前記スート材料の層流は、前記所定の軸に対して６５度の角度をなすことを特徴とする請求項３に記載のコア部の製造方法。
　【請求項５】　ターゲット領域上にガラス形成用の微粒子を堆積して、中心軸の周りに実質的に一定の直径を持つコア部を形成する方法であって、
　微粒子で表面化された出発体を形成する工程と、
　この出発体及びこの出発体上に堆積された物質を前記中心軸の周りに回転させる工程と、
　堆積された部分上に、前記中心軸に近接しながらその中心軸をはずして、レイノズル数が約８０を越える流速を有する制御された層流状の微粒子流を、遠隔から所定の角度で衝突させ、コア部を軸方向に成長させる工程と、を具備することを特徴とするコア部形成方法。
　【請求項６】　クラッド部の追加，ガラス化，ファイバ形への線引きの後続工程により光導波路として用いられるコア部を製造する方法であって、
　スート材料で表面化された出発体を構成する工程と、
　この出発体の端面に直交する中心軸の周りに出発体を回転させる工程と、
　前記出発体に向かう方向に対して所定の断面を有するスート材料の層流を、前記出発体まで所定の距離を有する経路に沿って、層流を維持しながら所定の速度で導き、
　コア部の径方向での堆積をなさしめるために、前記スート材料の層流の先端を、前記中心軸からはずれ且つ前記出発体の中心軸に対して斜めの角度で、前記出発体の端面上に衝突させる工程と、
　前記斜めの角度及び前記衝突が行われる衝突領域を一定に維持しながら、前記コア部と前記層流との間で相対的軸方向運転を行わせ、前記コア部を軸方向に形成する工程と、を具備することを特徴とするコア部の製造方法。
　【請求項７】　光導波路用母材のためのコア部の製造方法であって、
　予め設定された第１速度を有する内側部及びこの第１速度より遅い第２速度を有し包囲ガス流を含む微粒子流を、ターゲット領域に向かう直線状路に沿って導く工程と、
　前記第２速度より遅い第３速度を有しターゲット領域を通過するガス及び微粒子を、前記直線状路に沿って排出する工程と、を具備することを特徴とするコア部の製造方法。
　【請求項８】　前記第１速度は約１２．２ｍ／ｓｅｃであり、前記第２速度は約７．６ｍ／ｓｅｃであり、及び前記第３の速度は約１．５ｍ／ｓｅｃであることを特徴とする請求項７に記載のコア部の製造方法。
　【請求項９】　前記微粒子流は層流であり、前記包囲ガス流は前記直線状路に沿って収斂する請求項８に記載のスートコア部の製造方法。
　【請求項１０】　前記直線状路の方向は、通過するガスの排気を自然対流傾向により助けられるように、コア部の形成方向に対して傾斜する請求項９に記載のコア部の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は光導波路および光導波路母材（プリフォーム）の製法とそれらの製品とに関し、とくに気相堆積法で製造するプリフォームにおけるフッ化ケイ素含浸クラッドの形成に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　現在最も一般に用いられている光導波路の製法は、「スート」と呼ばれるガラス質粒子の多孔質母材を形成するために、ガラス構成成分の炎内の分解を基礎としている。「スート」母材は、高温で焼結することによりガラス状に変えられる。これを「プリフォーム」と呼ぶ。コア部とクラッド部との所定の組合体（プリフォーム）は、高温のもとで張力がかけられて所定の最終直径まで線引きされる。
　【０００３】
　光導波路の使用が増加するにつれて、通信システムに対する技術的要求も一層増大してきた。現状の技術において、１ｋｍあたり０．４ｄ　Ｂの信号伝送損失、低分散、および正確な遮断波長などの特性がしばしば要求される。これらの因子は、不純物がきわめて少ないことと組織が均一で微泡が無いことに加えて、コア部とクラッド部との形状と材質とにより定義される屈折率分布が信頼できて予想どうりに制御されなければならないことを意味している。さらに当然ながら、使用される製法の経済性も重要なので、基本コストと収率とは満足すべきレベルでなければならない。
　【０００４】
　これらの因子からすると、従来使用されている製法は、１つ以上の観点から満足すべきものではない。初期に広く使用された方法はいわゆる「内付法（内部気相堆積法）」と呼ばれ、これは改良型化学堆積法としても知られ、この方法ではコア部のスート材料は特別に用意されたシリカチューブの内部に堆積され、本体はガラス化の後、線引きの前または線引き中に内部を密にするために中実化される。中空シリカチューブを用意するのは費用を要し、この方法により製作される母材寸法も制約される。これに代って現在広く使用される他の方法には外付法（外部気相堆積法）があり、この方法は半径方向堆積法である。外付法はマンドレル上への堆積と、次の焼結前のマンドレル抜きとを必要とする。この操作は微妙であり、母材の長さも制限される。１９７７年頃、スートの連続堆積および母材製作として気相軸付法（ＶＡＤ法）が発明された。この方法はＡｃａｄｅｍｉｃ　Ｐｒｅｓｓ　Ｉｎｃ．発行（１９８５年Ｔｉｎｇｙｅ　Ｌｉ編）の本「Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｆｉｂｅｒ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ（光ファイバ通信）」のＶｏｌ．１，第９７頁以後の“ＦｉｂｅｒＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎ（光ファイバの製造法）”に記載されている。この方法は、中心垂直軸の回転ターゲットに向けてスート材料の流れを当て、材料が中実円柱状に堆積されるにつれて流れとターゲットとの間に相対軸方向運動を与えることが特徴である。
　ＶＡＤ法（気相軸付法）におけるこの中実円柱は連続焼結が可能で、もし必要ならばガラスの出発ロッドを形成したり、また円柱の外形を横断して半径方向にスート材料の流れを衝突させて、同軸スートクラッドを同時に堆積させることも可能である。この製造法は理論的には有利であるが、これから得られる利点も多数の実際的因子や技術的制限により阻害される。軸方向上向きスート材料の流れは、側部堆積を防止するために側部から向けられねばならず、このために二次空気流と特定形状の排気を使用し、あわせて正確なバーナ制御が行われなければならない。さらに同時に半径方向堆積が使用されるとなると、半径方向成長率を軸方向成長率と同期させることもむずかしく、室内が不安定だと軸方向成長率も均一でない。また両バーナが同一室内にあるので両スート材料流の混合は避けられず、コア部とクラッド部との間に拡散境界層が存在する。
　【０００５】
　ＶＡＤ法を実際に行なうときには、さらに基本的な制約がある。参考文献および米国特許第４，２２４，０４６号に記載のように、最初の考え方は、スート材料の流れは同軸（＝０°）でかつ垂直にすべきであるということであった。次の研究者は、堆積される円柱は垂直軸のまわりに回転されるが、吹付け角は約４０度、成長のための最大絶対角は６０度とすべきであることを提案している（米国特許第４，３６７，０８５号）。さらに堆積を制御するためには、スート材料の流れはレイノルズ数約１００未満の層流とすることが必要と考えられていた。公表データによると、ガラス微粒子の堆積率はレイノルズ数約３０ー５０以上で落ち、約８０より大きいとかなり減少する。これらの作業上の制約により、堆積速度を上げてコストを減少することは実質的に不可能である。
　【０００６】
　追加のクラッド部を重ねて設けるために、コア部およびクラッド部の軸方向および半径方向の同期堆積法が外部スリーブと同時に使用されると、コスト面および性能面の他の障害が出てくる。コア半径（ａ）に対するクラッド厚さ（ｔ）の比は作業面と経済面との両方に重要性を有する。比ｔ／ａを大きくすれば損失を低減可能であるが、初期層の形成に最もコストがかかり、コア部とクラッド部との形成にかかる法外なコストのためにこれは採用できない。さらに製造工程中に境界層にＯＨイオンが導入されるとこれは水分となり、水分は光の吸収と直接比例するので、損失を低く維持するためには水酸基イオン含有量を制限することが必要である。それにもかかわらず、ＶＡＤ法を使用するたいていの製作者はコア部とクラッド部のｔ／ａ比の制限値を７として製作し、この方法を低水酸基イオンスリーブチューブと組合せている。コスト高は、成長率と寸法とが制限されるスート堆積部分と、特別に用意しなければならないスリーブ組込みとの両方に含まれる。これらの制約を取除くことがとくに望まれる。
　【０００７】
　とくに高品質を得るために、米国特許第４，３７８，９８５号に記載のような再堆積法すなわち「ハイブリッド法」を使用することもまた既知である。この製造法においては、外側クラッド部はスート層の追加で形成される。この方法には、軸方向と半径方向との堆積の間における上記の同期化に問題がある。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　したがって、光導波路技術において、製品および性能の進歩が一定して行われている一方で、微妙かつ複雑な相互関係がそれ以後の改良を阻害している。上記のほかに、信号伝送の性質は屈折率分布の形状により実質的に影響を受ける。帯域幅電位が大きいとの理由で広く使用されている単一モード伝送に対しては、ｔ／ａ比を正確に制御する必要があり、インターフェースは予想可能な「準ステップ形」特性を与えるべきである。同時スート堆積が用いられるＶＡＤ法は本来上記の特性を与えることができず、したがって遮断波長の大きな変動と分散特性の劣化とがありうる。またファイバ内の水酸基含有量を制御するために、スリーブ作業における水酸基イオン混入は大きなｔ／ａ比の使用を必要とする。したがって製造法は高価となり、その結果得られたファイバの性質は十分とはいえないものとなる。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　以上に説明したスート材料の堆積によりプリフォーム用スートを形成する方法において、コア部に、純粋シリカのクラッド部より大きな屈折率をもたせることが可能である。しかしながら本発明では、クラッド部の屈折率を純粋シリカのコア部の屈折率より小さくするため、クラッド部を焼結中フッ化する。具体的には、スート材料の堆積により円柱状コアとクラッドとからなるプリフォーム用スートを形成する方法において、円柱状シリカコアをクラッドスート材料の堆積前に焼結し、コアより小さい屈折率を有するフッ化ケイ酸含浸シリカクラッドを形成するためにフッ素含有雰囲気でシリカクラッドの焼結を行う。
　【００１０】
　本発明によれば、シリカのコア部は速度の速い発生角度の大きい技術により堆積され、次に乾燥され焼結される。シリカのクラッド部は所定厚さまで堆積されるが、固化またはガラス化はフッ化剤の存在のもとで行われ、フッ化剤はクラッド部内にのみ拡散して屈折率を所定の量だけ低下させる。この方法により、１．５５ミクロン波長で０．２ｄ　Ｂ／ｋｍという低い伝送損失のフッ化ケイ酸ファイバが製造された。
　【００１１】
　【実施例】
　本発明の出発点となるプリフォームの製造方法について、以下に説明する。
　【００１２】
　第１図に示すように、本発明による装置の大部分の作業部品は大きな囲いの堆積室１０内に装着される。第１の泡立器１２は、シリカ化合物（この場合ＳｉＣｌ４）のような精製前駆物質を含有するが、この泡立て器１２は室１０の中でも外でもよい。シリカガラス前駆気相は、搬送ガス，とくに酸素または他の適当な他の物質を加圧下で第１の泡立器１２内に送り込むことにより第１の泡立器１２から噴出される。またこの場合具体的にはゲルマニウム化合物ＧｅＣｌ４である精製前駆ドープ物質（添加物質）を含有する第２の泡立て器１４が含まれる。
　【００１３】
　ドープ前駆物質蒸気もまたＯ２搬送体により第２の泡立器１４から噴出される。Ｏ２搬送体管中の弁１５は、必要なときはこれを操作することにより第２の泡立器１４を遮断可能である。気相流れ内の成分を形成する同伴ガラスは、混合され、この実施例では、堆積領域に対しほぼ固定位置に保持された第１のバーナ１６へ既知のように送られて解離される。第１のバーナ１６は層流のスート材料の流れ１７を発生し、スート材料の流れ１７は水平回転軸に対し６５°の傾斜角で上方に向けられる。レーザ１８からの細い光線ビームは鏡１９から光検出器２０に偏向される。鏡１９の光線は後に述べるように、堆積材料の幾何中心軸と交差する角度をなしている。しかしながら、スート材料の流れ１７は、幾何中心に向けられてなく、後に詳述するように垂直方向および水平方向ともに幾何中心からずれている。光線ビームは付属機器から邪魔されないように水平または垂直方向に対してある角度で中心軸と交差するように配置可能で、図ではわかりやすくするために垂直位置から傾斜したところだけを示している。スート材料の流れ１７内の化学成分は４０ｆｔ／ｓｅｃの流速であり、一方他のガスは約２５ｆｔ／ｓｅｃの流速である。ターゲット領域の真上にある排気口２２は、ファン２５に通じる排気径路内のバタフライ弁２４により予設定されて、約３００ｆｔ／ｍｉｎのガス流速でガスおよび衝突しなかった粒子とを回収する。第１のバーナ１６に隣接する端部バーナ２６は、堆積が開始される前に堆積点の温度を所定高さにするのを補助する。弁２８は第１のバーナ１６の使用を制御するために開閉可能である。
　【００１４】
　堆積室１０内には、基準軸に沿ってチャック３６上に比較的長さの短かいシリカ種棒３４が中心に設けられる。チャック３６と種棒３４とは、直線横移動機構４０上に設けられた回転駆動機３８により、コア位置に対し１０回転／分の所定速度で回転される。コア堆積モードにおいて光検出器２０から信号を受ける位置制御器４２は、横移動機構４０を一方向に所定速度で移動可能である。位置制御器４２をバイパスすることにより、横移動機構４０を任意の所定横移動長さにわたり所定速度で往復運動を行わせることが可能である。コア堆積モードにおいて、種棒３４は最初短い距離にわたって往復運動をさせられ、その後位置制御を受けながら一方向に移動される。横移動機構４０はまた、クラッド部の堆積のためにこの場合約４０ｃｍというほぼ全長を往復運動が可能である。
　【００１５】
　堆積室１０内で、基準軸に沿って種棒３４から離して、クラッド部の堆積のために別個に、第２のバーナ５０が使用される。弁５２を開けると、この場合純粋シリカである粒子形成化合物が、Ｏ２搬送ガスにより第１の泡立器１２から第２のバーナに５０に送られる。水平基準軸に直角に向けられる第２のスート材料流５５が後に発生される。
　【００１６】
　光導波路母材のためのコア部すなわち出発ロッドの形成は、ほとんど従来のＶＡＤ技術から出発している。まず堆積室１０が清浄化され、種棒３４がチャック３６に装着され、回転軸上に中心が合わされる。第１のバーナ１６は、位置制御の間、堆積材料の先端を決定するレーザビームとの関係で位置決めされる。次に第１のバーナ１６が点火され、排気速度が維持され、条件が安定してから駆動機３８により種棒３４が約２０回転／分で回転され、コア粒子を含有する第１のスート材料流１７の径路内に前進される。スート材料流１７は種棒３４の先端およびその付近に大きな入射角をなして衝突し、種棒３４は約４５ｃｍ／ｈｒの速度で前後に振動させられる。種棒３４の自由端上で約２ｃｍの長さに球根状出発先端６０が成長する。十分な物質が堆積されると、この球根状先端６０はコア部６２の成長のための適当な基盤すなわちアンカーを形成する。なお、スートのコア部は特にスートコア部ということもある。
　【００１７】
　スートコア部６２の軸方向成長は、位置制御器４２が最初に一定引出し速度１２ｃｍ／ｈｒを与えることで開始される。最初のスート材料の流れ１７は球根状スタート先端６０の端部に噴射され、コア部６２の最初の部分を形成する。スート材料の流れの化学成分は４０ｆｔ／ｓｅｃの流速を、他のガスは２５ｆｔ／ｓｅｃの流速を有してスート材料流１７の流動は層流であり、レイノルズ数は約１０００であって堆積速度は約０．１４ｇｒ／ｍｉｎである。上向きの高流速にはある程度の過剰噴射を伴なうが、コア部６２をバイパスするガスは高温ガスの上昇自然対流傾向に助けられて排出口２２から排出される。コア部６２の堆積が開始されると、１２ｃｍ／ｈｒの引出し速度はコア部６２の成長率よりやや早いが、球根状出発先端６０上の成長は均衡している。次に位置制御器４２はサーボモードに切換えられ、レーザビームはコア部６２の自由端部の幾何中心と交差する。物質が堆積されるときコア部６２の自由端部を一定位置に保持するようにコア部６２を引出すことにより、位置制御器４２は光検出器２０からの信号に応答する。直径が約２．５ｃｍの母材を形成するために、これにより６ないし８ｃｍ／ｈｒの非定常引出し速度が形成される。
　【００１８】
　コア部６２は成長を継続し、２０ｃｍ（通常は２０〜３０ｃｍの範囲）を超える全長となるまで横移動機構４０によりコア部６２は引出される。この不連続作業は、粒子とガスとを相互混合をなすことなく、また工程を同期化することなく行われるので、よりよい全体制御が可能となる。
　【００１９】
　所定長さのコア部６２が形成されると、第１のバーナ１６は消火され、第２のバーナ５０が点火され安定化される。次に横移動機構４０は、第２のバーナ５０に対向させながらコア部６２を全長にわたり往復運動させるように作動される。コア部６２は回転駆動装置３８により２０回転／分の速度で回転され、第２のバーナ５０はコア部６２の回転軸から約１７．５ｃｍのほぼ一定距離に保持される。次に横移動機構４０を約２５０ｃｍ／ｈｒの速度で移動することにより、コア部６２は第２のクラッドスート材料の流れ５５に対し相対的に水平軸に沿って前後に移動される。純粋シリカスート粒子の堆積は、第１の泡立器１２からの搬送ガス同伴気相の炎加水分解により得られる約２．５ｇｒ／ｍｉｎの平均速度で行われる。約５ｍｍ厚さの薄い接触層がコア部６２上に堆積されるまで、最初の１５分の作業時間の間ガス／酸素流速を徐々に増大させることにより、コア部６２の表面における堆積温度は標準作業レベルまで徐々に上昇される。これにより温度が低くできるのでスートコア部６２からのゲルマニウムの除去は回避されるが、温度が低くても最初に堆積されたクラッド粒子は、コアスートの表面に強固に結合する。コア部６２の直径が正確に一定に保持されない限り表面は長手方向に波を打つが、クラッドはまたこのコア部６２の表面の変化にも完全に一致する。このようにコア部６２と、完全に形成された外側クラッド部６４との間の境界層は、ほぼ一定の特性ときわめて低い湿分含有量とを有するきわめて薄い遷移層の性質を有するが、この因子は、最終光導波路の屈折率分布と水酸基イオン含量とに対してかなり重要である。
　【００２０】
　クラッド部６５の堆積は、約１０．５ｃｍの最終直径が得られて、この実施例で、クラッド厚さ（ｔ）のコア半径（ａ）に対する比が２：１となるまで継続される。このスート母材は、３５ｃｍ長さで約５５０ｇｒの質量を有し、内部に不連続部は存在しない。クラッド部が追加されるとき、表面速度は増加するが、その増加速度は半径の増加とともに減少する。密度をほぼ一定に維持するように、一般に表面速度に対応して時間と共にバーナ温度が増加される。
　【００２１】
　図２に示す製造工程によると、スート母材はまず１１５０℃の親水性（ここでは塩素）雰囲気で乾燥され、次に１４５０℃の塩素雰囲気で直径約３．８ｃｍの透明ガラスロッド母材に焼結される。
　【００２２】
　次にガラスロッド母材は２０００℃のほぼ無水の炉内雰囲気で、直径約９ｍｍの出発ロッドに線引きされる。これらのガラス質ロッドは乾燥され焼結された製品の直径の１／１０以上である。出発ロッドは全長約１５０ｃｍの使用可能ロッドを形成するが、これは通常４０ー５０ｃｍ長さに分割される。ロッドは、屈折率分布、クラッド対コア直径比およびガラス品質について検査される。適当な特性を有するこれらの個々のロッドの端部にハンドルが装着され、これらの外部が清浄にされる。ｔ／ａ比が約２以上の場合、母材は酸素炎の中で往復運動および回転運動が与えられて火炎研磨されて、さらにクラッド部を設けるための清浄面が提供される。ｔ／ａ比が約１の場合は乾燥エッチングで清浄にされる。
　【００２３】
　第２のクラッド工程において、最初のガラス質母材ロッドは、再び第２のバーナ５０の正面で回転されながら往復運動がなされて、線引きロッド上に１１ｃｍ厚さの別のクラッド部が形成される。適当な直径に成形されると、再堆積されたロッドは次に前と同様に乾燥され焼結されて直径約５．５ｃｍの最終ファイバ母材が形成される。たいていの製造者は自分自身の光導波路を線引きすることを好むので、このような母材はそれ自身商業製品である。光導波路を形成するために、母材ロッドは通常のように、１３００ｎｍ波長の作業用に最終ファイバ直径１２５μｍに線引きされる。シリカーゲルマニウムコアとシリカクラッドとを有するこれらの光導波路ファイバは、ｔ／ａ比が約１３、伝送損失が１．０ｄ　Ｂ／ｋｍ未満（代表例では０．４ｄ　Ｂ／ｋｍ）、および１２８５―１３３０ｎｍの範囲の波長において分散が３．５ｐｓ／ｎｍ−ｋｍ未満である単一モードファイバである。
　【００２４】
　高速かつ大きな入射角のスート材料の流れを用いて、高成長率と、均一スート堆積と、および制御直径とを得るには、複数の複雑な因子を考慮しなければならない。
　【００２５】
　さて第３図および第４図を参照すると、理想的なコア部６２は、その端部がやや凸型で、ほぼ一定の直径Ｄを有することが好ましい。コア部６２の前方端面の幾何学中心は、コア部６２の成長を測定するのに使用されるレーザビームのターゲット点である。これは対称点であり、本質的には対称点を追跡すべきではあるが、本発明によるコア堆積ではその代りに、化学成分流れの中心は図３からわかるように基準軸に沿って幾何中心から外れ、図４からもわかるように水平方向にもずれている。スート材料の流れ１７からの過剰噴射は図ではよくわからないが、ターゲット領域およびそれを過ぎた後の流動パターンが重要である。直接衝突領域を過ぎた後のスートの上向き径路に沿って、流れが排出口２２の方向に吸引される前に、流れはある距離だけコア部２６の凸端面に沿って流動する。この流れはまた、はじめに衝突領域においていくらか拡散される。堆積は、スート材料の流れに隣接するこの弧に沿って、直接衝突領域より温度が低いさらに下流側で行われる。
　【００２６】
　スート材料の流れ１７の中心は、コア部６２の前方端縁面および幾何中心から、基準軸上で距離ｄだけ内方に離れた点にある。このことは、図３および図４からわかるように、スート材料の流れの真の中心は基準軸の下方にあることを意味する。スート材料の流れ１７の噴出源と、幾何中心を通るスート材料の流れへの垂直線との間隔は４．８７５″（１２．４ｃｍ）である。基準軸上に沿って、コア部面上の幾何中心と、スート材料の流れ１７の中心線の基準軸との交点との間の距離ｄが１／８″（０．３１３ｃｍ）のとき最適成長率が得られることがわかった。スート材料の流れ１７の中心が同じ角度を保持して幾何中心に向けられると、形状はほとんど類似していても成長率は無に等しい。もし角度を同一に保持したまま距離ｄが大き過ぎると、コア部は軟らかい外側層を有し、割れを発生すると共に屈折率分布を悪くする。
　【００２７】
　コア部６２の自由端部形状は、図３のように、スート材料の流れ中心と回転軸に平行な線との間の最適夾角、この場合６５°に対してはやや凸型となる。もし角度が最適値より小さいと、先端の形状は点線で示すように凹型となり成長率は急激に低下する。もし角度が最適値より大きいと、コア部６２の端縁は一点鎖線で示すように平坦になり、直径と成長率とは実質的に低下する。
　【００２８】
　またとくに図４からわかるように、コア部６２の密度分布および屈折率分布は、コア部６２の幾何中心に対するスート材料流１７の中心の水平方向ずれ（ｔ）によりさらに制御される。この実施例と条件とに対して、距離（ｔ）は０．５ｃｍ以下が良く０．３５ｃｍ（０．１３８″）が最適のようである。図５でわかるように、ｔが最適のときは、屈折率分布はコア部の端縁できり立つ側部を有し、コア部断面にわたりほぼ一定の値を有する。もしｔの値＝０であると、屈折率の値はコア部中心から両側へ低下し（一点鎖線）、一方もしｔが最適値より大きいと（点線）、屈折率分布はコア部端縁付近で高い値を示す。偏位が実質的に大きいときは、いずれの条件も許容できない。
　【００２９】
　スート材料の流れ間隔と、化学成分および他のガスに対するガス流れとが上記の条件にあって、引出し速度にサーボ制御を使用した場合、本方法は堆積速度約０．１４ｇｒ／ｍｉｎでほぼ一定の成長率が得られる。レイノルズ数は約１０００であるが、いずれの場合も実質的に８０より大で、スート流内の流動は層流である。このような、コア部とクラッド部との間にスート／スート境界層を有するように本体が形成されるように、高品質のコア部と出発ロッドとが同時に形成される。この製造法は、実質的に高いコストをかけて高品質のシリカ基体チューブまたはスリーブチューブを使用しなければならない従来技術に対し、実質的に経済的な有利性を有する。本発明による製造法およびこれにより得られる導波路はまた、得られた導波路の光特性に関し実質的な利益を与える。
　【００３０】
　図６に示す屈折率分布は、すぐれた光学特性であることを理解する助けになる。コア部の高い屈折率とクラッド部の低い屈折率とは比較値であって、ゼロ調整してない。鋸刃状の軌跡は２０ミクロン刻みの読みにおける計器の不安定性によるものである。高レベルと低レベルとの間の遷移線の性質は単一モードファイバ特性に必要な「準ステップ形」分布を得るために決定的なもので、この型の製造法では無限勾配（すなわち垂直）を得ることは本来不可能である。しかしながら図６からわかるように、遷移線の勾配は急で、底部および頂部のいずれにもほとんど乱れはみられない。堆積法からでき上がるコア内には多少寸法変化があるので、遷移線の勾配は正確には垂直ではない。
　【００３１】
　コア堆積の間、屈折率分布を制御するためには温度制御が重要である。温度が分布に与える影響を図７に示す。もし温度が最適温度より低いときは、分布（点線カーブ）は垂直線に対し大きな角度をなす側部勾配を有し、ピーク屈折率はコア部の中心付近のみである。もし温度が所定レベル以上であるときは、中間コア部の屈折率は落込んでいるが、外側コア部は大きな屈折率を有し、側部勾配は適度に垂直である。しかしながら、この温度依存性の結果から、コア部を通じて一定屈折率のときに必要とされる温度より低い温度を用いることにより、グレーデッド形屈折率ファイバを得ることが可能である。この変更態様ではさらに、コア部の自由端に対するスート材料の流れの相対位置やスート材料の流れの化学成分もまた堆積中異なるであるう。したがって代表例では、スート材料流はコア部中心により近くに衝突し、ゲルマニウム量も代表例では多いであろう。
　【００３２】
　コア堆積に使用されるバーナ１６を、ガス流れの相対位置とともに図８に示す。スート材料流１７は中心開孔７０から噴出し、開孔７０のまわりでオリフィス７２の内側リングが酸素流れの内側遮蔽体を形成する。可燃性ガスと酸素とのためのオリフィス７４の中間リングはわずかに収斂する円形火炎を形成する。最後に外側を遮蔽する酸素は外側リングのオリフィス７６から噴出する。この配置はスート材料の流れをほほ一定直径に維持し、これが解離に必要なフレームを形成する。
　【００３３】
　図９からわかるように、最初のクラッド堆積温度が高い場合、クラッド部とコア部の境界層における急勾配との間の遷移部分の底部レベル部分は（点線のように）一層なだらかになる。製造時間を多少犠牲にしても、標準温度より低い温度でクラッド部の境界層が堆積するのでなければ、ゲルマニウム添加物（ドーパント）は除去されてコアが収縮するであろうと考えられる。
　【００３４】
　以上に説明した製造法の１つの利点は、完全なスート／スート母材が製造され焼結され、光導波路に直接に線引きされることである。このために、コア部は約１ｃｍの直径にのみ形成されるように、スート材料の流れはコア部に近接して移動する。その後クラッドが約１４ｃｍまで堆積されて所定のｔ／ａ比となし、この複合コア／クラッド構造は次に乾燥され、焼結されると、これは直径約７ｃｍとなり、これから直接光導波路寸法まで線引きが可能である。
　【００３５】
　さらに、この製造法の種々の段階において、多数の代替態様が使用可能であることがわかるであろう。コアスート材料の流れと、コア部の回転軸との間の角度を一定に保持したまま、基準軸を水平軸に対して傾斜させて、スート材料の流れを垂直に近い位置、または完全な垂直位置に向けることも可能で、排出口は必要ならば形状を替えて、コア部のまわりに間隙を設けて、過剰噴射を吸引する機能を形成させる。ガラス化されたロッドは、乾燥ガスエッチング、高出力レーザビーム研磨、あるいは火炎研磨を含む種々の方法で清浄にされる。
　【００３６】
　さて、図１０に示すように、本発明による製造法においては、純粋シリカコアおよび低屈折率クラッド部を用いることにより、低損失（０．２ｄ　Ｂ／ｋｍ）の光導波路が製作される。第１段階で、図２に関し説明した例と同様に純粋シリカのスートコア部が堆積される。この母材は次に、乾燥され、焼結され、その上に所定厚さまで、同様にシリカスートからなるクラッド部が堆積される。このスート層は次に、親水性雰囲気内で１１５０℃で乾燥される。したがって、固化またはガラス化と同時にスートに所定のフッ素成分を浸透させるために、言い換えるとフッ化ケイ酸含浸クラッドを形成するために、フッ素化雰囲気（ＳＦ６を用いて）でゾーン焼結が行われる。それに続いてシリカスートの他の層が添加され、その後乾燥され、焼結されて所定の全クラッド肉厚が得られる。
　【００３７】
　なおフッ素化雰囲気での焼結の例としては、１４５０℃の温度範囲でヘリウムと六フッ化硫黄の雰囲気がある。
　【００３８】
　乾燥と焼結とは密閉された炉内で行われ、この炉内に制御された速度でガス流が噴出され、母材は制御された温度に保持される。乾燥のために炉は、２０分以上かけて１０００−１１５０℃の範囲まで、３５０ｓｃｃｍの塩素流、７０００ｓｃｃｍのヘリウム流、および１４０ｓｃｃｍの酸素流で加熱され、次に３０分間同じ状態に保持される。このあと同じ流れ状態を維持しながら母材は引出されるが、引出しは１０分以内に行なわれる。
　【００３９】
　焼結工程は、塩素の乾燥流を５０ｓｃｃｍと少なくし、ヘリウム流は７０００ｓｃｃｍで一定にし、六塩化硫黄流１３５ｓｃｃｍとして行われ、温度を１２００℃から１４５０℃に上昇する４０分間の加熱工程で開始される。次に母材は１４５０℃で１８０分間で焼結され、このとき流れを一定に維持して母材を０．２ｃｍ／ｍｉｎの速度で高温領域を通過させる。その後に流れを中断し、母材は３０分間で１４５０℃から１０００℃へ冷却される。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　光導波路母材を製造するための本発明に関係する装置の簡略斜視図とブロック線図との組合せ図。
　【図２】
　本発明に関係する光導波路製造方法における工程のブロック線図。
　【図３】
　衝突角と、衝突角により堆積物質がどのように変化するかを示す、図１の装置におけるスート材料流とコア部の端部との側面図。
　【図４】
　衝突領域をさらに詳細に示す、スート流とコア部端部との側面図。
　【図５】
　衝突位置の軸からのずれ（ｔ）に対する屈折率分布の変化を示す線図。
　【図６】
　本発明に関係する光導波路から読取られた真の屈折率の分布図。
　【図７】
　コア部堆積における温度（Ｔ）の制御が屈折率分布に与える影響を示す線図。
　【図８】
　コア部堆積に使用されるバーナとスート材料流の形状とを示す拡大側面図。
　【図９】
　クラッド温度を変えたときの屈折率分布の変化を示す線図。
　【図１０】
　本発明による光導波路の製造方法の工程ブロック線図である。
　【符号の説明】
　１０　堆積室
　１６　コアスートバーナ
　１７　コアスート材料流
　１８　レーザ
　２０　光検出器
　２２　排出口
　２８　回転駆動装置
　３４　餌部材（種棒）
　４０　横移動機構
　４２　位置制御器
　５０　クラッドスートバーナ
　５５　クラッドスート材料の流れ
　６０　球根状スタート部分
　６１　クラッド部
　６２　コア部