【事件の表示】
　特許第３４８００８６号「硬質層被覆切削工具」の請求項１、２に係る発明についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４８００８６号の請求項１ないし２に係る発明についての特許を維持する。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件特許第３４８００８６号の請求項１、２に係る発明は、平成６年１０月２１日に特許出願され、平成１５年１０月１０日にそれらの発明について特許権の設定登録がされ、平成１５年１２月２４日に、申立人日立ツール株式会社により請求項１、２に係る発明についての特許に対して特許異議の申立てがなされ、平成１７年４月５日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年６月８日に意見書の提出及び訂正請求がなされたものである。
　
第２．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　特許権者の求める訂正の内容は、以下のとおりのものである。
（１）訂正事項１
　設定登録時の願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１、２に記載される、
「【請求項１】　ＷＣ基超硬合金基体表面に、アーク放電式イオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法により形成された（Ｔｉ1-x Ｓｉx）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.01≦ｘ≦0.45、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層を被覆してなることを特徴とする硬質層被覆切削工具。
【請求項２】　ＴｉＣＮ基サーメット基体表面に、アーク放電式イオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法により形成された（Ｔｉ1-xＳｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.01≦ｘ≦0.45、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層を被覆してなることを特徴とする硬質層被覆切削工具。」を、
「【請求項１】　ＷＣ基超硬合金基体表面に、アーク放電式イオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法により形成された（Ｔｉ1-x Ｓｉx） Ｎz ［ただし、0.01≦ｘ≦0.30、1.0≦ｚ≦1.2］からなる組成のＴｉとＳｉの複合窒化物単一硬質層を3.8μｍ〜10μｍの膜厚で被覆してなることを特徴とする硬質層被覆切削工具。
【請求項２】　ＴｉＣＮ基サーメット基体表面に、アーク放電式イオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法により形成された（Ｔｉ1-x Ｓｉx） Ｎz ［ただし、0.01≦ｘ≦0.30、1.0≦ｚ≦1.2］からなる組成のＴｉとＳｉの複合窒化物単一硬質層を3.8μｍ〜10μｍの膜厚で被覆してなることを特徴とする硬質層被覆切削工具。」と訂正する。
（２）訂正事項２
　本件特許明細書の段落【０００４】に記載される、
「・・・（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.01≦ｘ≦0.45、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層・・・」を、
「・・・（Ｔｉ1-x Ｓｉx） Ｎz ［ただし、0.01≦ｘ≦0.30、1.0≦ｚ≦1.2］からなる組成のＴｉとＳｉの複合窒化物単一硬質層・・・」と訂正する。
（３）訂正事項３
　本件特許明細書の段落【０００５】に記載される、
「・・・（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.01≦ｘ≦0.45、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層・・・」を、
「・・・（Ｔｉ1-x Ｓｉx） Ｎz ［ただし、0.01≦ｘ≦0.30、1.0≦ｚ≦1.2］からなる組成のＴｉとＳｉの複合窒化物単一硬質層・・・」と訂正する。
（４）訂正事項４
　本件特許明細書の段落【０００６】に記載される、
「ｘ、ｙおよびｚの値を前記のごとく限定したのは、ｘ＜０．０１、ｘ＞０．４５であると所望の耐摩耗性が得られないからであり、ｙ＜０．０１、ｙ＞１．０であると所望の耐欠損性が得られないからであり、さらにｚ＜０．５であると所望の耐摩耗性が得られず、ｚ＞１．３４であると所望の耐欠損性が低下するとともに剥離が起こりやすくなるからである。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z におけるｘ、ｙ、ｚの一層好ましい範囲は、0.01≦ｘ≦0.30、0.3 ≦ｙ≦0.7 、0.9 ≦ｚ≦1.1 である。したがって、ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ基サーメット基体の表面に形成される一層好ましい単一硬質層は、ＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層である。また、この発明の硬質層被覆切削工具の単一硬質層の膜厚は１〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。」を、
「ｘおよびｚの値を前記のごとく限定したのは、ｘ＜０．０１、ｘ＞０．３０であると所望の耐摩耗性が得られないからであり、ｚ＜１．０であると所望の耐摩耗性が得られず、ｚ＞１．２であると所望の耐欠損性が低下するとともに剥離が起こりやすくなるからである。また、この発明の硬質層被覆切削工具の単一硬質層の膜厚は３．８〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。」と訂正する。
（５）訂正事項５
　本件特許明細書の段落【０００７】に記載される、
「・・・同時に非金属ガス（窒素ガスおよび炭化水素ガス）を装置内に導入し、負の基板電圧をかけた切削工具基板上に（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.01≦ｘ≦0.45、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる単一硬質層を形成する。・・・」を、「・・・同時に非金属ガス（窒素ガス）を装置内に導入し、負の基板電圧をかけた切削工具基板上に（Ｔｉ1-x Ｓｉx ） Ｎz ［ただし、0.01≦ｘ≦0.30 、1.0 ≦ｚ≦1.2］からなる単一硬質層を形成する。・・・」と訂正する。
（６）訂正事項６
　本件特許明細書の段落【０００８】に記載される、
「・・・つぎに非金属ガス（窒素ガスおよび炭化水素ガス）を装置内に導入し、対向ターゲット間にグロー放電をさせる。ＴｉとＳｉをスパッタリングイオン化させることにより負の基板電圧をかけた切削工具基板上に（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.01≦ｘ≦0.45、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる単一硬質層を形成する。・・・」を、
「・・・つぎに非金属ガス（窒素ガス）を装置内に導入し、対向ターゲット間にグロー放電をさせる。ＴｉとＳｉをスパッタリングイオン化させることにより負の基板電圧をかけた切削工具基板上に（Ｔｉ1-x Ｓｉx ） Ｎz ［ただし、0.01≦ｘ≦0.30 、1.0 ≦ｚ≦1.2］からなる単一硬質層を形成する。・・・」と訂正する。
（７）訂正事項７
　本件特許明細書の段落【００１１】に記載される、
「・・・ｘ、ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一硬質層を被覆した本発明被覆チップ１〜１０、比較被覆チップ１〜７および従来被覆チップ１を作製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値・・・」を、
「・・・ｘおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ） Ｎz 単一硬質層を被覆した本発明被覆チップ１、また、表２に示されるｘ、ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一硬質層を被覆した比較被覆チップ１〜７および従来被覆チップ１を作製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ） Ｎz単一硬質層におけるｘおよびｚの値、また、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値・・・」と訂正する。
（８）訂正事項８
　本件特許明細書の段落【００１２】に記載される「これら本発明被覆チップ１〜１０・・・」を「これら本発明被覆チップ１・・・」と訂正する。
（９）訂正事項９
　本件特許明細書の段落【００１３】に記載される【表１】において、本発明被覆チップ２〜１０に関する記載を削除する。
（１０）訂正事項１０
　本件特許明細書の段落【００１４】に記載される【表２】において、本発明被覆チップ２〜１０に関する記載を削除する。
（１１）訂正事項１１
　本件特許明細書の段落【００１５】に記載される「・・・本発明被覆チップ１〜１０・・・」を「・・・本発明被覆チップ１・・・」と訂正する。
（１２）訂正事項１２
　本件特許明細書の段落【００１８】に記載される、
「・・・表４に示されるｘ、ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一硬質層を被覆した本発明被覆チップ１１〜２０、比較被覆チップ８〜１４および従来被覆チップ２を作製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値はＥＰＭＡにて分析して求めた。」を
「・・・表４に示されるｘおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ） Ｎz 単一硬質層を被覆した本発明被覆チップ１１、また、表４に示されるｘ、ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一硬質層を被覆した比較被覆チップ８〜１４および従来被覆チップ２を作製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ） Ｎz 単一硬質層におけるｘおよびｚの値、また、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値はＥＰＭＡにて分析して求めた。」と訂正する。
（１３）訂正事項１３
　本件特許明細書の段落【００１９】に記載される「・・・本発明被覆チップ１１〜２０・・・」を「・・・本発明被覆チップ１１・・・」と訂正する。
（１４）訂正事項１４
　本件特許明細書の段落【００２１】に記載される【表３】において、本発明被覆チップ１２〜２０に関する記載を削除する。
（１５）訂正事項１５
　本件特許明細書の段落【００２２】に記載される【表４】において、本発明被覆チップ１２〜２０に関する記載を削除する。
（１６）訂正事項１６
　本件特許明細書の段落【００２３】に記載される「・・・本発明被覆チップ１１〜２０・・・」を「・・・本発明被覆チップ１１・・・」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項１は、本件特許明細書の段落【０００６】、【表２】の「本発明被覆チップ１」及び【表４】の「本発明被覆チップ１１」の記載に基づいて、ｘ、ｙ、ｚの数値範囲及び硬質層の膜厚を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に当たらない。また、訂正事項２〜１６は、訂正事項１と整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に当たらない。
　そして、訂正事項１〜１６は、特許請求の範囲を実質上拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３．特許異議申立てについての判断
１．本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１、２」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２にそれぞれ記載されたとおりのものである。（上記２．（１）の訂正事項１を参照）
　
２．申立ての理由の概要
　申立人日立ツール株式会社は、証拠方法として甲第１〜３号証を提示し、
（イ）本件発明１、２は、甲第１号証及び甲第３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり（以下、「申立て理由１」という。）、
（ロ）本件発明１、２は、甲第２号証記載の発明と同一である（以下、「申立て理由２」という。）から、
本件発明１、２についての特許は取り消すべきである旨主張している。なお、特許異議申立書の第２頁３行には、「特許法第３６条第４項及び第６項」と記載されているが、どのような記載不備が存在するのかについて何ら記載されていないので、「特許法第３６条第４項及び第６項」違反の取消し理由が主張されているとは認め得ない。
［証拠方法］
　甲第１号証：特開平５−９２３０４号公報
　甲第２号証：特開平７−３００６４９号公報
　甲第３号証：特開平６−８８２２２号公報
　
３．当審の通知した取消しの理由の概要
　当審の通知した取消しの理由の概要は、上記申立ての理由の（イ）と同様のものである。
　
４．甲第１〜３号証記載の発明（事項）
（１）甲第１号証（特開平５−９２３０４号公報）
　甲第１号証には、以下の事項が記載されている。 
（イ）段落【０００１】 
「【産業上の利用分野】　この発明は、複層コーティングを施した金属材料等の加工用の切削工具に関する。」 
（ロ）段落【０００５】〜【０００６】 
「【課題を解決する手段】　本発明は上記の課題を解決すべくなされたものであって、高速度鋼，超硬合金，サーメット，セラミックのいずれかを母材質とし、先ず（ａ）表面被覆膜が原子パーセントでＴｉを６０〜１００％含み、Ｔｉ以外の金属の膜構成金属がＺｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂ，Ａｌ，Ｓｉの１種又は２種以上の成分であり、６００℃以下の温度にて炭素、窒素、酸素のうちのいずれか１種または２種以上の化合物の反応ガス成分中で物理蒸着法により母材表面に複層コーティングした。即ち、コーティング膜の製造においては、高温で行う化学蒸着法などを用いると、結晶性は良いが靱性に欠ける面が強いのである。そこで、本発明では６００℃以下の物理蒸着法を用いて結晶粒の微細化して膜の緻密化と柱状組織化を実現した。 
　さらに、（ｂ）コーティング膜の最上層の表面から０．２〜２．０μｍの範囲の膜の成分がＴｉX ＮY （０．２＜ｙ／ｘ＜０．７）、またはＴｉ以外の成分ＭがＺｒ，Ａｌ，Ｓｉであり、ＴｉU ＭV ＮW （但し、０．４＜ｗ／ｕ＋ｖ＜１．０）とした。即ち、本発明においてはコーティング膜として用いられるＴｉ系セラミックスを積層または多層に形成した。コーティング膜の最上層の膜は０．２μｍ以下では潤滑性や切り粉離れを良好にする層が薄すぎて効果が期待できず、また２．０μｍ以上であれば、逆に下層の耐摩耗性の効果がうすくなるので、これを０．２〜２．０μｍに限定した。」 
（ハ）段落【０００９】
「【作用】　Ｔｉx Ｎy を上層に被覆すると切削時に積極的に酸化を促進して、ＴｉＯk （ｋ≦２）を形成し、コーティング工具から切り粉離れを良くする働きが生ずる。あるいはＴｉＡｌＮ及びＴｉＺｒＮ等の表面被腹膜はは内在するＡｌ，Ｚｒの窒化物が積極的に酸化し膜内の応力増加により耐摩耗性を増加せしめると同時に、表層から脱落していくため同様の効果を奏する。実際の穴明け加工や平面研削あるいは歯切り加工においてこのような実用上の効果を著しく改善せしめた。この発明においては基本的に二つの作用の向上が実現されている。一つは酸化における切削時の潤滑作用の向上であり、二つ目の作用は酸化した表層膜による下層の膜に対する、或いは下層となるコーティング工具に対する酸化保護作用である。これらは特に過酷な切削においては期待されるコーティング工具の寿命に著しい改良を奏する結果を生む。」
（ニ）段落【００１５】 
「（実施例３）　高速度鋼及び超硬合金製のφ６のドリルにイオンプレーティング法を用い、実施例１、２と同様の条件において硬質物質を複層コーティングし、母材質を適正条件下で加速試験を行った。その結果は表１Ａ、表１Ｂに示す通りである。なお、１）〜９）は高速度鋼、１０）〜１１）は超硬合金であり、最上層の被覆膜をＡＥＳ分析にてその成分比を調査した。二成分系金属の金属比率はＴｉＡｌについてはほぼ１：１、ＴｉＺｒ，ＴｉＳｉ，ＴｉＢについてはほぼ７：３であった」 
（ホ）表１ＢのＮｏ１４には、 
 「超硬合金母材に対する最上層の被覆膜がＴｉ０．７Ｓｉ０．３Ｎ０．６であること」が、 
　表１ＢのＮｏ１５には、 
「超硬合金母材に対する最上層の被覆膜がＴｉ０．７Ｓｉ０．３Ｎ０．９であること」が、それぞれ示されている。 
　上記（イ）〜（ホ）の事項からみて、甲第１号証には次の発明（以下、「甲第１号証記載の発明」という。）が記載されていると認められる。 
「超硬合金またはサーメットからなる基体表面に、（ａ）Ｔｉを６０〜１００％含み、Ｔｉ以外の金属の膜構成金属がＺｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂ，Ａｌ，Ｓｉの１種又は２種以上の成分であり、６００℃以下の温度にて炭素、窒素、酸素のうちのいずれか１種または２種以上の化合物の反応ガス成分中で物理蒸着法により母材表面に複層コーティングし、さらに、（ｂ）コーティング膜の最上層の表面に、アーク放電式イオンプレーティング法により、切削時の潤滑作用の向上と下層に対する酸化保護作用を発揮する、「Ｔｉ０．７Ｓｉ０．３Ｎ０．６」、「Ｔｉ０．７Ｓｉ０．３Ｎ０．９」を含む、Ｔｉ以外の成分ＭがＺｒ，Ａｌ，Ｓｉであり、ＴｉU ＭV ＮW （但し、０．４＜ｗ／ｕ＋ｖ＜１．０）の膜を０．２〜２．０μｍの膜厚で形成した、硬質層被覆切削工具。」 
　 
（２）甲第２号証（特開平７−３００６４９号公報）
（イ）段落【０００９】
「更に本発明に係る硬質皮膜は窒化物に限らず、周期律表４Ａ，５Ａ，６Ａ族元素よりなる群から選ばれる１種以上の金属元素とＳｉとを含有する複合炭化物、複合ホウ化物、複合炭窒化物、複合炭ホウ化物、複合ホウ窒化物、複合炭窒ホウ化物またはそれらの混合物でも同様の効果が得られるが、以下窒化物を代表例として取りあげ本発明を説明する。また以下の説明では、周期律表４Ａ，５Ａ，６Ａ族元素よりなる群から選ばれる１種以上の金属元素を、便宜上金属元素Ｘと総称する。さらに金属元素ＸとＳｉの複合窒化物の結晶構造は金属元素Ｘの窒化物とほぼ同じ結晶構造であることが種々の分析結果から判明しており、ＸＮのＸのサイトにＳｉのほとんどが置換型で入っていることから、本発明に係る複合窒化物を以後（Ｘ，Ｓｉ）Ｎと表記する。・・・」
（ロ）段落【００１１】
「上記の様に本発明の硬質皮膜においては、Ｓｉを添加することにより優れた耐摩耗性と耐酸化性が得られるが、両特性を同時に得るには、金属元素とＳｉの合計原子量に対するＳｉの原子比率が、０．０１％以上７０％以下であることが望ましい。Ｓｉの原子比率が０．０１％未満であると、酸化物がそれほど緻密化されず耐酸化性が不十分となる。一方Ｓｉの原子比率が７０％を超えると、皮膜が非晶質化することにより、硬度が低下してしまい十分な耐摩耗性が得られない。・・・」
（ハ）段落【００１３】
「また本発明は皮膜を母材表面に形成するときの膜厚についても、限定するものではないが、０．１μｍ以上が好ましい。０．１μｍ未満では耐摩耗性が十分ではないからであり、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは２μｍ以上である。尚本発明は膜厚の上限についても特に限定するものではないが、２０μｍを超えて成膜しても効果は飽和するので２０μｍであれば良い。
　さらに本発明は皮膜を形成する母材についても特に限定するものではないが、切削工具であれば超硬合金やハイスが好ましい代表例である。」
（ニ）段落【００１５】
「【実施例】
実施例１
　カソードアーク方式イオンプレーティング装置を用いて、金属元素ＸとＳｉの固溶体をターゲットとするカソード電極とし、基板ホルダーには母材となる白金板を取付けた。皮膜を形成するに当たっては、基板ホルダーを400 ℃に加熱保持したまま、高純度Ｎ2 ，ＣＨ4 ，ＢＦ3 ガスを個別にまたは混合して装置内に導入し７×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気とした。蒸発源より金属元素ＸとＳｉを蒸発させると共に、母材に−７０Ｖの電圧を印加してアーク放電を行い、母材表面に膜厚１５μｍの硬質皮膜を形成した。」
（ホ）表１のＮｏ．１には、
「硬質皮膜としてＳｉ含有量が２０原子％の（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｎ」が示されている。
　上記（イ）〜（ホ）の記載事項からみて、甲第２号証には次の発明（以下、「甲第２号証記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「超硬合金、ハイス等の母材表面に、カソードアーク方式イオンプレーティング法により形成された、（Ｔｉ０．８Ｓｉ０．２）Ｎを含む（Ｘ， Ｓｉ） Ｎ ［ただし、Ｘは周期律表４Ａ，５Ａ，６Ａ族元素よりなる群から選ばれる１種以上の金属元素、金属元素とＳｉの合計原子量に対するＳｉの原子比率が、０．０１％以上７０％以下］からなる組成のＸとＳｉの複合窒化物単一硬質層を0.1μｍ〜20μｍの膜厚で被覆してなる硬質層被覆切削工具。」
　
（３）甲第３号証（特開平６−８８２２２号公報）
　甲第３号証には、次の事項が記載されている。 
（イ）特許請求の範囲の請求項１ 
「反応ガスを導入した真空容器内に、圧力勾配型プラズマ電子銃と、該圧力勾配型プラズマ電子銃の対向端に配置されたアノードと、該アノードに向けて前記圧力勾配型プラズマ電子銃から発するビームに対向配置されてビームを制御してシート状プラズマを形成する磁石とを有し、かつ第１の負電極電源と接続された蒸発源であるマグネトロンターゲットと第２の負電極電源と接続された処理物とを前記シート状プラズマの発生位置を挟んで対向・配置させたことを特徴とするスパッタイオンプレーティング装置。」 
（ロ）段落【０００１】 
「【産業上の利用分野】　本発明は、ドリル・エンドミル等の切削工具・・・等において広く利用されている物品表面に薄膜を高速かつ安定的にコーティングする薄膜製造装置に関する。」 
　
５．申立て理由１（特許法第２９条第２項違反）について
　本件発明１、２と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者は、硬質層について以下の点で相違する。
〈相違点１〉前者は、Ｔｉ及びＳｉからなる金属に対する窒素の割合が１．０以上１．２以下であるのに対して、後者は、０．４より大きく１．０より小さい点。
〈相違点２〉前者は、ＴｉとＳｉの複合窒化物を単一硬質層として被覆するのに対して、後者は、ＴｉとＳｉの複合窒化物を他の硬質層を介在して被覆する点。
〈相違点３〉前者は、ＴｉとＳｉの複合窒化物の膜厚が３．８〜１０μｍであるのに対して、後者は、ＴｉとＳｉの複合窒化物の膜厚が０．２〜２．０μｍである点。
　そこで、上記相違点２、３について検討するに、甲第１号証には、ＴｉとＳｉの複合窒化物の膜厚について、「２．０μｍ以上であれば、逆に下層の耐摩耗性の効果がうすくなるので、これを０．２〜２．０μｍに限定した。」（甲第１号証の摘記事項（ロ）を参照）と、膜厚を２．０μｍ以上とすることを明確に否定する記載がある。ところで、甲第１号証の「一つは酸化における切削時の潤滑作用の向上であり、二つ目の作用は酸化した表層膜による下層の膜に対する、或いは下層となるコーティング工具に対する酸化保護作用である。」（甲第１号証の摘記事項（ハ）を参照）との記載からみて、甲第１号証記載の発明において、ＴｉとＳｉの複合窒化物以外の他の硬質層は必要不可欠の層と言うべきであり、そうすると、甲第１号証記載の発明における「ＴｉとＳｉの複合窒化物」を、単一硬質層とすること、膜厚を２．０μｍ以上の３．８〜１０μｍとすることには、それを妨げる事情があるとするのが相当である。
　そして、甲第３号証には、当該相違点２及び相違点３、また相違点１に係る本件発明１、２の構成について記載も示唆もされていない。
　一方、本件発明１、２は、上記相違点１〜３に係る構成を備えることにより、切削速度が２５０ｍ／ｍｉｎ以上の高速連続切削に対して優れた切削性能を示すという顕著な作用効果を奏している。
　したがって、本件発明１、２は、甲第１、３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである、とすることはできない。
 
６．申立て理由２（特許法第２９条の２違反）について
　本件発明１、２と甲第２号証記載の発明とを対比すると、両者は、硬質層について以下の点で相違する。
〈相違点〉前者は、Ｔｉ及びＳｉからなる金属に対する窒素の割合が１．０以上１．２以下であるのに対して、後者は、窒素の割合が不明である点。
　そこで、上記相違点について検討するに、Ｔｉ及びＳｉからなる金属に対する窒素の割合が１未満のＴｉとＳｉの複合窒化物が存在することから（甲第１号証の記載を参照）、甲第２号証記載の発明におけるＴｉとＳｉの複合窒化物のＴｉ及びＳｉからなる金属に対する窒素の割合が当然に１．０以上１．２以下のものであるとすることはできない。
　そして、本件発明１、２は、Ｔｉ及びＳｉからなる金属に対する窒素の割合が特定されたものを使用することにより、切削速度が２５０ｍ／ｍｉｎ以上の高速連続切削に対して優れた切削性能を示すという顕著な作用効果を奏している。
　したがって、本件発明１、２は、甲第２証記載の発明と同一である、とすることはできない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるので、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明１、２についての特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めることができない。
　また、他に、本件発明１、２についての特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めるべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、２について特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月２２日（２００５．７．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
硬質層被覆切削工具
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】ＷＣ基超硬合金基体表面に、アーク放電式イオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法により形成された（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）
Ｎｚ
０．３０、１．０≦ｚ≦１．２
の複
３．８μｍ〜１０μｍの膜厚で
　【請求項２】ＴｉＣＮ基サーメット基体表面に、アーク放電式イオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法により形成された（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）
Ｎｚ
０．３０、１．０≦ｚ≦１．２
の複
３．８μｍ〜１０μｍの膜厚で
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
この発明は、切削速度が２５０ｍ／ｍｉｎ以上の高速連続切削に対して優れた切削性能を示す硬質層被覆切削工具に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
一般に、ＷＣを主成分とするＷＣ基超硬合金からなる基体（以下、ＷＣ基超硬合金基体という）またはＴｉＣＮを主成分とするサーメットからなる基体（以下、ＴｉＣＮ基サーメット基体という）の表面に、（Ｔｉ０．５Ｓｉ０．５）Ｃの単一硬質層を被覆してなる硬質層被覆切削工具は知られている（特開平１−３０６５５０号公報参照）。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記従来の（Ｔｉ０．５Ｓｉ０．５）Ｃ硬質層を被覆した硬質層被覆切削工具は、高速連続切削に用いた場合には耐摩耗性が十分でなく、したがって、満足のいく使用寿命が得られていない。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は、上述のような課題を解決し、高速連続切削に用いた場合にも一層の長寿命を示す硬質層被覆切削工具を得るべく研究を行った結果、
ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ基サーメット基体の表面に、アーク放電式イオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法により形成された（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）
Ｎｚ
０．３０、１．０≦ｚ≦１．２
の複
　【０００５】
この発明は、かかる知見にもとづいて成されたものであって、ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ基サーメット基体の表面に、アーク放電式イオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法により形成された（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）
Ｎ
０．３０、１．０≦ｚ≦１．２
の複
　【０００６】
ｘお
０．３０
、ｚ＜１．０
１．２
。ま
３．８
　【０００７】
この発明の硬質層被覆切削工具における単一硬質層を形成するには、アーク放電式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法などにより成形することができる。アーク放電式イオンプレーティング法により単一硬質層を形成するには、まず真空装置内のＴｉとＳｉの混合物のターゲット上にアーク放電を発生させ、ＴｉとＳｉを蒸発イオン化させる。同時に非金属ガス（窒素ガ
ス）
Ｎｚ
０．３０、１．０≦ｚ≦１．２
　【０００８】
マグネトロンスパッタリング法により単一硬質層を形成するには、まず真空装置内のＴｉとＳｉの混合物のターゲットを試料を挾んで対向させる。つぎに非金属ガス（窒素ガ
ス）
Ｎｚ
０．３０、１．０≦ｚ≦１．２
　【０００９】
　【実施例】
つぎに、この発明の硬質層被覆切削工具を実施例に基づいて具体的に説明する。
実施例１
ＩＳＯ規格Ｐ３０相当、ＳＮＧＡ１２０４０８の形状を有するＷＣ基ＷＣ基超硬合金製チップおよび表１に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲットおよびＴｉターゲットを用意した。
　【００１０】
このＷＣ基超硬合金製チップを通常のイオンプレーティング装置内の上方に装着し、一方、前記イオンプレーティング装置内の下方には、表１に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲットを装着し、かかる状態で前記イオンプレーティング装置内を排気して１×１０−５Ｔｏｒｒの真空に保持し、昇温速度：６℃／ｍｉｎ．で７００℃に昇温させ、つづいて、この温度に保持しながら、５×１０−２ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気に保持してイオンクリーニングした。
　【００１１】
その後、表１に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲット上にアーク放電を発生させてＴｉとＳｉを加熱蒸発させイオン化させるとともに、供給口より表１に示される比率の窒素ガスおよびアセチレンガスを導入し、表１に示される負の基板電圧をかけることにより、前記ＷＣ基超硬合金製チップを基体表面に表２に示される膜厚を有しさらに表２に示される
ｘおよびｚの値を有する（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）Ｎｚ単一硬質層を被覆した本発明被覆チップ１、また、表２に示されるｘ、ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）（Ｃ１−ｙＮｙ）ｚ単一硬貨層を被覆した
（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）Ｎｚ単一硬貨層におけるｘおよびｚの値、また、
　【００１２】
これら本発明被覆チップ
１、
連続乾式切削試験条件
被削材：ＪＩＳ規格ＳＮＣＭ４３９（ブリネル硬さ：２５０）の丸材、
切削速度：２５０ｍ／ｍｉｎ、
送り：０．３ｍｍ／ｒｅｖ．、
切込み：２．０ｍｍ、
の条件で連続乾式切削し、切刃の逃げ面の最大摩耗幅が０．３ｍｍになったところを寿命とし、寿命に至る時間（分）および摩耗形態を測定し、それらの測定結果を表２に示した。
　【００１３】
　【表１】
　【００１４】
　【表２】
　【００１５】
表２に示される結果から、本発明被覆チップ
１
　【００１６】
実施例２
ＴｉＣＮ−１２％ＷＣ−８％Ｃｏ−８％ＭＯＣ−７％Ｎｉ−５％ＴａＣの組成を有し、ＩＳＯ規格ＳＮＧＡ１２０４０８の形状を有するＴｉＣＮ基サーメット製チップおよび表３に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲットおよびＴｉターゲットを用意した。
　【００１７】
このＴｉＣＮ基サーメット製チップ製チップを通常のイオンプレーティング装置内の上方に装着し、一方、前記イオンプレーティング装置内の下方には、表３に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲットを装着し、かかる状態で前記イオンプレーティング装置内を排気して１×１０−５Ｔｏｒｒの真空に保持し、昇温速度：６℃／ｍｉｎ．で７００℃に昇温させ、つづいて、この温度に保持しながら、５×１０−２ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気に保持してイオンクリーニングした。
　【００１８】
その後、表３に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲット上にアーク放電を発生させてＴｉとＳｉを加熱蒸発させイオン化させるとともに、供給口より表３に示される比率の窒素ガスおよびアセチレンガスを導入し、表３に示される負の基板電圧をかけることにより、前記ＴｉＣＮ基サーメット製チップを基体表面に
表４に示される膜厚を有しさらに表４に示される
ｘおよびｚの値を有する（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）Ｎｚ単一硬質層を被覆した本発明被覆チップ１１、また、表４に示されるｘ、ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）（Ｃ１−ｙＮｙ）ｚ単一硬貨層を被覆した
（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）Ｎｚ単一硬貨層におけるｘおよびｚの値、また、
　【００１９】
これら本発明被覆チップ
１１、
　【００２０】
連続乾式切削試験条件
被削材：ＪＩＳ規格ＳＮＣＭ４３９（ブリネル硬さ：２５０）の丸材、
切削速度：３００ｍ／ｍｉｎ、
送り：０．２ｍｍ／ｒｅｖ．、
切込み：２．０ｍｍ、
の条件で連続乾式切削し、切刃の逃げ面の最大摩耗幅が０．３ｍｍになったところを寿命とし、寿命に至る時間（分）および摩耗形態を測定し、それらの測定結果を表４に示した。
　【００２１】
　【表３】
　【００２２】
　【表４】
　【００２３】
表４に示される結果から、本発明被覆チップ
１１は
　【００２４】
　【発明の効果】
前記実施例１〜２に示される結果から、この発明の硬質層被覆切削工具は、従来の硬質層被覆切削工具に比べて一層優れた性能を有し、工業上優れた効果をもたらすものである。