Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月26日(2015.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬学的に有効な投与量の、アンドロゲン受容体に結合して作用するアンドロゲン受容体リガンドを含む、脱髄に罹患した患者を治療するための医薬組成物であって、少なくとも一部の前記脱髄を修復するために、前記アンドロゲン受容体リガンドの前記薬学的に有効な投与量は、約０．３９〜３．４５ｍｇ／ｍｌの血漿レベルをもたらすために十分な量である、医薬組成物。
【請求項２】
皮下インプラントまたは経皮装置の形態である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記皮下インプラント中の前記アンドロゲン受容体リガンドの前記薬学的に有効な投与量は、約４，０００〜２０，０００μｇ／日または約４００〜２，０００μｇ／日であり、前記経皮装置中の前記アンドロゲン受容体リガンドの前記薬学的に有効な投与量は、約４０，０００〜２００，０００μｇ／日または約４，０００〜２０，０００μｇ／日である、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記アンドロゲン受容体リガンドが、７α−メチル−１９−ノルテストステロン（ＭＥＮＴ）である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記患者が、男性患者である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
エストロゲン受容体に結合して作用するエストロゲン受容体リガンドをさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記エストロゲン受容体リガンドが、エストラジオールを含む、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
プロゲスチン化合物をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記プロゲスチン化合物が、ネストロン（登録商標）である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記ネストロン（登録商標）が、５ｍｇ／日以下の有効投与量で存在する、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記プロゲスチン化合物が、１６−メチレン−１７α−アセトキシ−１９−ノルプレグナ−４−エン−３，２０−ジオン（ネストロン（登録商標））、１８−メチルネストロン（登録商標）、ノメゲストロールアセテート、トリメゲストン、ノルゲスチメート、ジエノゲスト、ドロスピレノン、クロルマジノンアセテート、プロメゲストン、レトロプロゲステロン、および１７−ヒドロキシプロゲステロンからなる群から選択される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記患者が、多発性硬化症に罹患している、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効成分として細胞浸透性鉄キレート剤を含む固形癌腫瘍治療用医薬。
【請求項２】
前記細胞浸透性鉄キレート剤が、一般式（Ｉ）のＮ−（１−ピリジン−２−イル−メチリデン）−Ｎ−（９Ｈ−１，３，４，９−テトラアザ−フルオレン−２−イル）−ヒドラジン、又はその薬学的許容塩若しくはその複合体若しくはプロドラッグであり、ここでＲはＨ又はメチル、Ｒ１はＨ又はＣ１−Ｃ４アルキル、Ｒ２はＨ又はＣ１−Ｃ４アルキルである、請求項１に記載の医薬。
【化１】
2014508804.tif 000001
【請求項３】
Ｒがメチルである、請求項２に記載の医薬。
【請求項４】
Ｒ及びＲ１の両方がメチルである、請求項２又は３に記載の医薬。
【請求項５】
Ｒ１が６−メチル又は８−メチルである、請求項２〜４のいずれか1項に記載の医薬。
【請求項６】
Ｒがメチル、Ｒ１が８−メチル、Ｒ２がＨ；又はＲがメチル、Ｒ１がＨ、Ｒ２がＨ；又はＲがメチル、Ｒ１が６−メチル、Ｒ２がＨ；又はＲがＨ、Ｒ１が６−メチル、Ｒ２がＨ；又はＲがＨ、Ｒ１が８−メチル、Ｒ２がＣＨ３である、請求項２に記載の医薬。
【請求項７】
前記細胞浸透性鉄キレート剤が、デフェロキサミン、デフェリプロン、デフェラシロックスから成る群から選ばれる、請求項１に記載の医薬。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項の細胞浸透性鉄キレート剤と薬学的に適切な担体とを含む薬学的組成物。
【請求項９】
前記細胞浸透性鉄キレート剤を薬理学的に癌撲滅有効量で含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
薬理学的に癌撲滅有効量の請求項２に記載の一般式Ｉの化合物の、ヒトにおける固形癌腫瘍治療用医薬の製造への使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子における半導体としてのＴｉＯＦ２の使用。
【請求項２】
光電変換素子が色素増感型太陽電池である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
ＴｉＯＦ２がナノ粒子の形で存在する、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
ＴｉＯＦ２が１５から５０ｎｍの平均一次粒子径を有する、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
色素増感型太陽電池がフッ素化した色素分子を含む、請求項２に記載の使用。
【請求項６】
半導体層を含む光電変換素子であって、前記半導体層がＴｉＯＦ２を含む、光電変換素子。
【請求項７】
光電変換素子が色素増感型太陽電池である、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項８】
ＴｉＯＦ２がナノ粒子の形で存在する、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項９】
ＴｉＯＦ２が１５から５０ｎｍの平均一次粒子径を有する、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項１０】
半導体層の厚さが５００ｎｍから１０μｍである、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項１１】
半導体層が単独の半導体としてＴｉＯＦ２を含む、請求項７に記載の光電変換素子。
【請求項１２】
透明導電性ガラス電極上に密度の高いＴｉＯ２層を更に含む、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項１３】
半導体層が透明導電性ガラス電極上にある、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項１４】
透明導電性ガラス電極が導電性材料としてＦドープＳｎＯ２を含む、請求項１３に記載の光電変換素子。
【請求項１５】
フッ素化した色素分子を更に含む、請求項７に記載の光電変換素子。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年4月23日(2015.4.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
上述したように、本開示は、１μｍから１４μｍの範囲の波長を有する赤外光とともに用いるに適する、複合ＭｇＯ-ＭｇＦ２反射防止膜をその上に有する光学素子に向けられ、反射防止膜厚は波長範囲によって可変であり、膜厚は１００ｎｍから１５００ｎｍの範囲にある。１〜３μｍ赤外波長範囲に適する一実施形態において、膜厚は１５０ｎｍから３００ｎｍの範囲にある。３〜５μｍ赤外波長範囲に適する一実施形態において、膜厚は２５０ｎｍから４５０ｎｍの範囲にある。８〜１３μｍ赤外波長範囲に適する一実施形態において、膜厚は６００ｎｍから１５００ｎｍの範囲にある。別の実施形態において、前記膜の反射率ＲＸは、７．２５μｍから１１．７５μｍの波長範囲において２％より低い。別の実施形態において、前記膜の反射率は、７．５μｍから１１．５μｍの波長範囲において１％より低い。別の実施形態において、被覆光学素子は７.５μｍから１１.５μｍの波長範囲において６０％より高い透過率を有する。別の実施形態において、被覆光学素子の被膜は２ポンド（０.９０７ｋｇ）から２.５ポンド（１.１３４ｋｇ）の間の押付力を用いる磨耗試験に合格する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
（ｃ）耐久ＩＲ反射防止膜用キャッピング層としてのＭｇＯ-ＭｇＦ２複合膜
改良ＭｇＯ-ＭｇＦ２複合膜には、ＩＲ光学素子に、特に改良ＭｇＯ-ＭｇＦ２複合膜がキャッピング層としてはたらき、高められた耐摩耗性及び環境安定性をもたらす、ＩＲ反射防止膜に、多くの可能な用途がある。例えば、ＭｇＯ-ＭｇＦ２複合膜はＬＷＩＲ広帯域ＡＲ用途のためのキャッピング層として用いることができる。図４はＬＷＩＲ広帯域ＡＲ膜の入射角１２°における反射率（Ｒｘ）を、ＭｇＯ-ＭｇＦ２複合キャッピング層が無い場合（参照数字３０）及びＭｇＯ-ＭｇＦ２複合キャッピング層がある場合（参照数字３２）について、グラフで示す。図４に示されるように、ＭｇＯ-ＭｇＦ２複合キャッピングコーティング層を有する光学素子の反射率は７.２５μｍから１１.７５μｍの波長範囲において２％より低い。７.５μｍから１１.５μｍの波長範囲において、反射率Ｒｘは１％より低い。対照的に、ＭｇＯ-ＭｇＦ２複合キャッピングコーティング層をもたない膜の反射率は同じ波長範囲において２％より高い。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１μｍから１４μｍの範囲の波長を有する赤外光とともに用いるに適する複合ＭｇＯ-ＭｇＦ２反射防止膜をその上に有する光学素子において、前記膜の厚さが前記波長範囲によって可変であり、前記膜厚が１００ｎｍから１５００ｎｍの範囲にあることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
１〜３μｍの赤外波長範囲において前記膜厚が１５０ｎｍから３００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
３〜５μｍの赤外波長範囲において前記膜厚が２５０ｎｍから４５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項４】
８〜１３μｍの赤外波長範囲において前記膜厚が６００ｎｍから１５００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項５】
前記反射防止膜付光学素子が７.５μｍから１１.５μｍの波長範囲において２％より低い反射率Ｒｘを有することを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の光学素子。
【請求項６】
前記反射防止膜付光学素子が７.５μｍから１１.５μｍの波長範囲において６０％より高い透過率を有することを特徴とする請求項１から５いずれか１項に記載の光学素子。
【請求項７】
前記反射防止膜付光学素子上の前記膜が２ポンド（０.９０７ｋｇ）と２.５ポンド（１.１３４ｋｇ）の間の押付力を用いる磨耗試験に合格することを特徴とする請求項１から６いずれか１項に記載の光学素子。
【請求項８】
プラズマイオン支援蒸着を用いて基板の表面上に選ばれた材料の薄膜を蒸着する方法において、前記方法が、
真空チャンバを提供する工程、及び
前記チャンバ内に、
膜がその上に蒸着されるべき基板を提供する工程、
ＭｇＦ２材料源を提供し、電子ビームを用いて前記ＭｇＦ２材料を蒸発させて、膜材料の蒸気束を供給する工程であって、前記蒸気束は前記材料源から反転マスクを通って前記基板に達する工程、
プラズマ源からのプラズマ内の酸素イオンを含むプラズマイオンを供給する工程、
前記基板を選ばれた回転周波数ｆで回転させる工程、
前記ＭｇＦ２材料を前記基板上に被膜として蒸着する工程、及び
前記ＭｇＦ２材料の蒸着前及び蒸着中、前記基板及び前記被膜を前記プラズマイオンで衝撃する工程、
を含み、
前記方法が、平滑で緻密であり、一様な複合ＭｇＯ-ＭｇＦ２被膜を形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記基板上に蒸着された前記膜材料が２ポンド（０.９０７ｋｇ）から２.５ポンド（１.１３４ｋｇ）の間の押付力を用いる磨耗試験に合格することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記蒸着膜が１００ｎｍから１５００ｎｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポータブルコンピューティングデバイス上のネイティブバスドライバなしのオペレーティングシステムに周辺構成要素相互接続エクスプレス(PCIe)互換デバイスを見せるための方法であって、
PCIeベースアドレスレジスタのセット内にPCIe互換デバイスを記述するコンテンツを格納するステップと、
前記PCIeベースアドレスレジスタのセット内の前記コンテンツを前記ポータブルコンピューティングデバイス内に格納された高度構成電力インターフェース(ACPI)に統合するステップと、
前記ACPI内の値と一致するように前記ACPI内で統合される、前記PCIeベースアドレスレジスタのセット内の前記コンテンツを整合させることによって、
前記ポータブルコンピューティングデバイス内のプロセッサに結合されたファームウェアを使用して、前記ドライバなしの前記ポータブルコンピューティングデバイスに結合されたPCIeデバイスを初期化するステップであって、それにより前記PCIeデバイスを、前記ドライバなしのACPIを通して前記ポータブルコンピューティングデバイス内で動作するオペレーティングシステムに見せる、ステップとを含み、
前記PCIeベースアドレスレジスタのセット内の前記コンテンツを統合するステップが、実行時にテーブルを読み取るステップと、コンパイル時に前記コンテンツを提供するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記PCIeデバイスが拡張可能ホストコントローラインターフェース(xHCI)である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記xHCIがユニバーサルシリアルバス互換コネクタに結合され、PCIeスイッチを介してプロセッサと通信している、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ファームウェアを使用してPCIeバスを初期化するステップが、統合拡張可能ファームウェアインターフェース(UEFI)を使用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記PCIeデバイスがPCIeイーサネット(登録商標)変換器である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記PCIeイーサネット(登録商標)変換器がイーサネット(登録商標)コネクタに結合され、PCIeスイッチを介してプロセッサと通信している、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ネイティブバスドライバなしのポータブルコンピューティングデバイス(PCD)上のオペレーティングシステムに周辺構成要素相互接続エクスプレス(PCIe)互換デバイスを見せるポータブルコンピューティングデバイスであって、
オペレーティングシステムおよび高度構成電力インターフェース(ACPI)が格納されたメモリ要素と結合されたプロセッサと、
PCIeバスを介して前記プロセッサに結合された拡張可能ホストコントローラインターフェース(xHCI)と、
前記PCD内全体で第1のバスを介して前記プロセッサおよび前記メモリ要素と結合されたファームウェア要素とを含み、
前記ファームウェア要素が、前記ACPI内の1つまたは複数のテーブル内の情報によって記述されたリソースと整合しかつ前記ドライバなしの前記ACPIを通して前記PCD内から整合したコンテンツに応じてPCIe互換デバイスを前記オペレーティングシステムに見せる各コンテンツが格納された複数のアドレス指定可能なメモリ要素を有するPCIeベースアドレスレジスタセットストアを含み、
前記PCIeベースアドレスレジスタのセット内の前記コンテンツを統合することが、実行時にテーブルを読み取ること、およびコンパイル時に前記コンテンツを提供することを含む、デバイス。
【請求項８】
前記xHCIがPCIeスイッチを介して前記プロセッサに結合される、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記xHCIがユニバーサルシリアルバス互換コネクタに結合される、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１０】
PCIe互換スイッチを介して前記プロセッサに結合されたPCIeギガビットイーサネット(登録商標)変換器をさらに備える、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記PCIeギガビットイーサネット(登録商標)変換器がイーサネット(登録商標)互換コネクタに結合される、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
統合拡張可能ファームウェアインターフェース(UEFI)が前記PCIeバスに結合されたPCIeデバイスを初期化する、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１３】
持続性コンピュータ可読記録媒体に具現化されたコンピュータ可読プログラムコードを有するコンピュータプログラムであって、前記コンピュータ可読プログラムコードが、複数のリソースを有するポータブルコンピューティングデバイスを構成する方法を実施するために実行されるように構成され、前記方法が、
PCIeベースアドレスレジスタのセット内のコンテンツおよび高度構成電力インターフェース(ACPI)内の情報がPCIeデバイスを識別するように、前記PCIeベースアドレスレジスタのセット内の前記コンテンツを前記ACPIと比較するステップであって、前記PCIeベースアドレスレジスタのセット内の前記コンテンツを前記ACPI内の情報と比較するステップが、実行時にテーブルを読み取るステップと、コンパイル時に前記コンテンツを提供するステップとを含む、ステップと、
前記ポータブルコンピューティングデバイス内のファームウェアを使用して、ドライバを使用することなく前記ポータブルコンピューティングデバイスに結合されたPCIeバスおよび前記PCIeデバイスを初期化するステップであって、それにより、前記PCIeデバイスが前記ドライバを使用することなく前記ACPIを通して前記ポータブルコンピューティングデバイス上のオペレーティングシステムに対して利用可能である、ステップとを含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月17日(2015.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）層を基板に一体化する方法であって、前記方法は：
前記基板（１２）の上に、第１ＢＣＢ層（１８ａ）を形成することであって、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）が、該第１ＢＣＢ層（１８ａ）を貫通する複数のビアを画定し、下地構造を露出させる、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を形成することと、
前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）の上に、かつ前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）によって画定された前記複数のビア内に、第１金属層（２０ａ）を堆積させることであって、該第１金属層（２０ａ）が、一組のビアを通って延び、下地構造に直接接続する脚部と、該脚部の間を前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を連続的に横切って延びている接続部と、を含む、前記第１金属層（２０ａ）を堆積させることと、
前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）により画定されたビアに充填され、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）により画定されたビアにより露出させられた下地構造に直接接続している前記第１金属層（２０ａ）の上に、第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を形成することであって、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）が、該第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を貫通する複数のビアを画定する、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を形成することと、
第２金属層（２０ｂ）を前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）の上に、かつ前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）によって画定される前記複数のビア内に堆積させることにより、前記第２金属層（２０ｂ）が、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）によって画定される前記ビア群を通って延び、前記第１金属層（２０ａ）との操作可能な接続を確立させることと、を含み、
前記第１及び第２金属層（２０ａ，２０ｂ）は、前記基板（１２）によって支持されるいずれの回路素子との電気接続とも無関係である、方法。
【請求項２】
更に、前記基板（１２）の上にエピタキシャル半導体層（１４）を有する前記基板（１２）を設けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、金属層（１６）を前記エピタキシャル半導体層の上に堆積させることを含み、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を形成することは、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を前記金属層（１６）の上に形成することを含み、そして前記第１金属層（２０ａ）を堆積させることは、前記金属層（１６）との操作可能な接続を確立させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル半導体層はＩＩＩ−Ｖ族材料である、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
更に、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を形成する前に、金属接着層（２２ａ）を前記第１金属層（２０ａ）の上に堆積させることを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１及び第２ＢＣＢ層（１８ａ、１８ｂ）を形成すること、および前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）を堆積させることは、金型（２６）の縁部に近接して、前記第１及び第２ＢＣＢ層（１８ａ、１８ｂ）を形成すること、および前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
更に、金属配線を、前記第１金属層（２０ａ）及び前記第２金属層（２０ｂ）のうちの少なくとも一方の金属層の形成と同時に形成することを含み、前記金属配線は、前記基板（１２）によって支持される回路素子との電気接続を確立させるように構成され、かつ前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）との電気接続とは無関係である、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を形成することは、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を貫通する前記ビア群を、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）の前記ビア群からオフセットするように画定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板（１２）と、
前記基板（１２）の上の第１ＢＣＢ層（１８ａ）を含む複数のＢＣＢ層（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ）であって、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）が、該第１ＢＣＢ層（１８ａ）を貫通する複数のビアを画定する、前記複数のＢＣＢ層（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ）と、
前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）の上に在り、かつ前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）によって画定される前記複数のビア内に在る第１金属層（２０ａ）と、を備え、
前記複数のＢＣＢ層（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ）は更に、前記第１金属層（２０ａ）の上の第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を含み、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）は、該第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を貫通する複数のビアを画定し、
前記第２金属層（２０ｂ）は、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）の上に在り、かつ前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）によって画定される前記複数のビア内に在ることにより、前記第２金属層（２０ｂ）が、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）によって画定される前記ビア群内を延在して、前記第１金属層（２０ａ）との操作可能な接続を確立し、
前記第１及び第２金属層（２０ａ，２０ｂ）は、前記基板（１２）によって支持されるいずれの回路素子との電気接続とも無関係である、装置。
【請求項１０】
更に、エピタキシャル半導体層（１４）を前記基板（１２）の上に備え、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）は、前記エピタキシャル半導体層（１４）の上に在る、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
更に、窒化ガリウム（ＧａＮ）層（１４）を前記基板（１２）の上に備え、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）は、前記ＧａＮ層（１４）の上に在る、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
更に、金属層（１６）を前記ＧａＮ層の上に備え、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）は、前記金属層（１６）の上に在り、そして前記第１金属層（２０ａ）は、前記金属層（１６）との操作可能な接続を確立させる、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
更に、金属接着層（２２ａ）を前記第１金属層（２０ａ）の上に備え、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）は、前記金属接着層（２２ａ）の上に在る、請求項９から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記装置は金型（２６）を備え、そして前記第１及び第２ＢＣＢ層（１８ａ、１８ｂ）、及び前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）は、前記金型（２６）の縁部に近接している、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
更に、前記第１金属層（２０ａ）及び前記第２金属層（２０ｂ）のうちの少なくとも一方の金属層と同時に形成される金属配線を備え、前記金属配線は、前記基板（１２）によって支持される回路素子との電気接続を確立させるように構成され、かつ前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）との電気接続とは無関係である、請求項９から１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）の前記ビア群は、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）の前記ビア群からオフセットする、請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月2日(2015.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
ユーザサービス記述（ＵＳＤ）が提供されるマルチメディア・ブロードキャスト／マルチキャストサービス（ＭＢＭＳ）ユーザサービスのためのスケジュール情報を判定する、ユーザ装置（ＵＥ）（420）によって実行される方法であって、
前記ＵＳＤとスケジュール情報とを受信するステップ（540）であって、前記スケジュール情報が、前記ＭＢＭＳユーザサービスのためのスケジュールを記述しており、前記スケジュールが、１つ以上の繰り返し生じるイベント及び１つ以上の開始／停止リストの少なくともいずれかの形式で記述されており、前記ＵＳＤが、前記スケジュール情報へのリファレンスまたはリンクを有する、前記ステップと、
前記ＵＳＤから前記リファレンスまたはリンクを介して前記ＭＢＭＳユーザサービスのための前記スケジュール情報を判定するステップ（550）と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
請求項１から２６のいずれか１項に記載の方法の各ステップをコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２９】
ユーザサービス記述（ＵＳＤ）が提供されるマルチメディア・ブロードキャスト／マルチキャストサービス（ＭＢＭＳ）ユーザサービスのためのスケジュール情報を配信する装置（400）であって、
ＭＢＭＳユーザサービスのためのスケジュールを記述したスケジュール情報を提供するよう構成された機能部（402;602）であって、前記スケジュールが、１つ以上の繰り返し生じるイベント及び１つ以上の開始／停止リストの少なくともいずれかの形式で記述されている、前記機能部と、
前記ＵＳＤと前記スケジュール情報とをユーザ装置（ＵＥ）（420）に配信するよう構成された機能部（406;606）であって、前記ＵＳＤが、前記スケジュール情報へのリファレンスまたはリンクを有する、前記機能部と、
を備えることを特徴とする装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
ユーザサービス記述（ＵＳＤ）が提供されるマルチメディア・ブロードキャスト／マルチキャストサービス（ＭＢＭＳ）ユーザサービスのためのスケジュール情報を判定するユーザ装置（ＵＥ）（420）であって、
前記ＵＳＤと、ＭＢＭＳユーザサービスのためのスケジュールを記述したスケジュール情報とを受信するよう構成された機能部（422）であって、前記スケジュールが、１つ以上の繰り返し生じるイベント及び１つ以上の開始／停止リストの少なくともいずれかの形式で記述されており、前記ＵＳＤが、前記スケジュール情報へのリファレンスまたはリンクを有する、前記機能部と、
前記ＵＳＤから前記リファレンスまたはリンクを介して前記ＭＢＭＳユーザサービスのための前記スケジュール情報を判定するよう構成された機能部（424）と、
を備えることを特徴とするユーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交通制御信号の動作に関する情報を判定する方法であって、
前記交通制御信号の相間の遷移が発生した１つ以上の時間を示す遷移時間データを判定するために、前記交通制御信号により制御されたパスに沿う時間に対する１つ以上の装置の移動に関する位置データを使用することと、
前記交通制御信号の相間の未来の遷移が発生すると予想される１つ以上の時間を予測するために、前記遷移時間データを使用することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記遷移は、前記交通制御信号の停止相と進行相との間の遷移であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記交通制御信号は交通信号であり、前記遷移は赤信号と青信号との間の遷移であることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記位置データは、車両と関連付けられた装置から取得されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記実位置データを使用して判定される所定の遷移時間又は所定の遷移時間の各々に対して、前記装置が前記交通制御信号を通過した時間を示すデータ及び前記装置が前記交通制御信号を通過するために待機状態から加速し始めた位置を示すデータを前記装置又は前記装置の各々に対して判定するために１つ以上の装置に関する位置データを使用することと、前記交通制御信号の遷移が発生した前記所定の時間を示すデータを判定するために前記判定されたデータを使用することとを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記装置が前記待機状態から加速し始めた位置における前記交通制御信号の場所からの前記装置の距離を示すデータを判定することと、前記交通制御信号の遷移が発生した時間を示すデータを判定するために前記装置が前記交通制御信号を通過した時間を示すデータと共に前記距離を使用することとを含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記交通制御信号のサイクル時間を示すデータを判定するために前記判定された遷移時間データを使用することを更に含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記サイクル時間を前記判定するステップは、
前記パスに沿う移動中に少なくとも１つの静止期間を有する複数の装置を識別し、且つ前記少なくとも１つの静止期間が発生した時間を示すデータを前記複数の装置毎に判定するために前記位置データを解析することと、
前記交通制御信号の近似サイクル時間又はサイクル時間の範囲を判定するために、前記少なくとも１つの静止期間が発生した時間を示す前記判定されたデータを使用することとを更に含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記サイクル時間の改善された判定を提供するために、前記判定された遷移時間データ及び近似サイクル時間又はサイクル時間の範囲を使用することを更に含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記交通制御信号の相間の遷移が発生した複数の時間を判定するために前記位置データを使用することを備え、前記交通制御信号のサイクル時間を前記判定するステップは、過去の遷移時間の異なる対の間の時間差を判定することと、各時間差を使用して前記サイクル時間を判定することとを含むことを特徴とする請求項７、８又は９記載の方法。
【請求項１１】
前記１つ以上の未来の遷移時間を予測するために、前記判定された遷移時間データ及び前記判定されたサイクル時間データを使用することを含むことを特徴とする請求項７から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
推奨速度を運転者又はＡＤＡＳに提供することと、信号における予想待機時間に関する情報を提供することと、前記交通制御信号を通過することを含むパスに沿う推定移動時間を判定することとのうちの１つ以上を実行するために、前記予測された遷移時間又は前記予測された遷移時間の各々を使用することを更に含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
未来の遷移時間の予測又はそのような予測に基づく情報をナビゲーション装置又はＡＤＡＳに提供することを更に含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
交通制御信号の動作に関する情報を判定するシステムであって、
前記交通制御信号の相間の遷移が発生した１つ以上の時間を示す遷移時間データを判定するために、前記交通制御信号により制御されたパスに沿う時間に対する１つ以上の装置の移動に関する位置データを使用する手段と、
前記交通制御信号の相間の未来の遷移が発生すると予想される１つ以上の時間を予測するために、前記判定された遷移時間データを使用する手段と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１５】
交通制御信号の動作に関する情報を判定する方法であって、
前記交通制御信号により制御されたパスに沿う時間に対する装置の移動に関する位置データを取得することと、
前記パスに沿う移動中に少なくとも１つの静止期間を有する複数の装置を識別し、且つ前記少なくとも１つの静止期間が発生した時間を示すデータを前記複数の装置毎に判定するために前記位置データを解析することと、
前記交通制御信号のサイクル時間を判定するために、前記少なくとも１つの静止期間が発生した時間を示す前記判定されたデータを使用することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
交通制御信号の動作に関する情報を提供するシステムであって、
前記交通制御信号により制御されたパスに沿う時間に対する装置の移動に関する位置データを取得する手段と、
前記パスに沿う移動中に少なくとも１つの静止期間を有する複数の装置を識別し、且つ前記少なくとも１つの静止期間が発生した時間を示すデータを前記複数の装置毎に判定するために前記位置データを解析する手段と、
前記交通制御信号のサイクル時間を判定するために、前記少なくとも１つの静止期間が発生した時間を示す前記判定されたデータを使用する手段と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１７】
コンピュータにおいて実行される時に請求項１から１３又は１５のいずれか１項に記載の方法を前記コンピュータに実行させるコンピュータ可読命令を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタンバイシャットダウンを含む電気回路配置中に含まれている検出器配置において、
検出器配置は、
主電圧に接続され、前記電気回路中に含まれている電気モーター（５）に適合する第１の電圧に前記主電圧を変換する第１の電源（１）を具備し、
前記第１の電源は、前記電気回路を閉じるまたは開くことができるスイッチ（４）を横断する供給導線（３）によって、その正極（２）が前記モーターに接続され、
前記モーターは、戻り導線（６）によって、前記第１の電源の負極（７）に接続され、
一方は第１の信号導線（１６）を通して前記第１の電源に接続され、他方は含まれている第２の電源（１１）に接続されている制御回路（１５）も同様に具備し、
前記第２の電源は、前記第１の電圧よりも相当低い第２の電圧で前記制御回路に給電し、その負極が前記戻り導線に接続され、
前記スイッチがオンの位置にあり、前記第１の電源が電圧を送る通電状態と、前記スイッチがオフの位置にあり、前記第１の電源が電圧を送らないシャットダウン状態との間の、前記スイッチの状態と前記第１の電源との状態を示す検出器手段をさらに具備し、
前記手段は、その制御のために前記制御回路に接続され、
前記検出器配置は、
前記第２の電源の正極と前記供給導線との間に引かれているクロスワイヤ（８）中に含まれていて、直列に接続されている抵抗器（１７）および第１のダイオード（１８）を含んでいることと、
前記ダイオードと前記抵抗器との間に、前記制御回路（１５）に接続された第２の信号導線（１９）が接続されていることとを特徴とする検出器配置。
【請求項２】
前記抵抗器（１７）は、前記第１のダイオード（１８）よりも前記第２の電源（１１）により近く結合されており、第２のダイオードは前記抵抗器に向けてそのアノードが結合されていることを特徴とする請求項１記載の検出器配置。
【請求項３】
第２のダイオード（２０）が、前記クロスワイヤ（８）の前記供給導線（３）への結合（９）より前で、前記供給導線（３）に結合され、前記第２のダイオードは、前記第１の電源に向いた方向にそのアノードが結合されていることを特徴とする請求項２記載の検出器配置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
スイッチの異なる位置の実行される検出は、クロスワイヤ中で起こる電圧の変化を通して実施されることから、スイッチの位置を伝えるための別の導線を必要としないという利点が得られる。第２のダイオード２０を含むことにより、第２の電源から抵抗器とダイオード１８とを経由して通る電流が、スイッチとモーターを通る以外の別のルートを経由して通ることを防ぐ、本発明の機能が確実になるという利点が得られる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］  スタンバイシャットダウンを含む電気回路配置中に含まれている検出器配置において、
検出器配置は、
主電圧に接続され、前記電気回路中に含まれている電気モーター（５）に適合する第１の電圧に前記主電圧を変換する第１の電源（１）を具備し、
前記第１の電源は、前記電気回路を閉じるまたは開くことができるスイッチ（４）を横断する供給導線（３）によって、その正極（２）が前記モーターに接続され、
前記モーターは、戻り導線（６）によって、前記第１の電源の負極（７）に接続され、
一方は第１の信号導線（１６）を通して前記第１の電源に接続され、他方は含まれている第２の電源（１１）に接続されている制御回路（１５）も同様に具備し、
前記第２の電源は、前記第１の電圧よりも相当低い第２の電圧で前記制御回路に給電し、その負極が前記戻り導線に接続され、
前記スイッチがオンの位置にあり、前記電源が電圧を送る通電状態と、前記スイッチがオフの位置にあり、前記電源が電圧を送らないシャットダウン状態との間の、前記スイッチの状態と前記第１の電源との状態を示す検出器手段をさらに具備し、
前記手段は、その制御のために前記制御回路に接続され、
前記検出器配置は、
前記第２の電源の正極と前記供給導線との間に引かれているクロスワイヤ（８）中に含まれていて、直列に接続されている抵抗器（１７）および第１のダイオード（１８）を含んでいることと、
前記ダイオードと前記抵抗器との間に、前記制御回路（１５）に接続された第２の信号導線（１９）が接続されていることとを特徴とする検出器配置。
［２］  前記抵抗器（１７）は、前記第１のダイオード（１８）よりも前記第２の電源（１１）により近く結合されており、前記ダイオードは前記抵抗器に向けてそのアノードが結合されていることを特徴とする［１］記載の検出器配置。
［３］  第２のダイオード（２０）が、前記クロスワイヤ（８）の前記供給導線（３）への結合（９）より前で、前記供給導線（３）に結合され、前記第２のダイオードは、前記電源に向いた方向にそのアノードが結合されていることを特徴とする［２］記載の検出器配置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリットフィルム繊維を作製する方法であって、
長さおよび幅を有する繊維を押し出すステップであって、前記長さは、前記幅よりも大きく、前記長さに沿って長手方向軸が走る、押し出すステップと、
押し出された繊維をその長手方向軸全体に沿って切断することなく押し出された繊維を使用してスリットフィルム繊維を形成するステップと、
次いで、前記スリットフィルム繊維をフィブリル化するステップと、
次いで、前記スリットフィルム繊維を格納するステップと、を含む、
方法。
【請求項２】
前記幅は、約１１ｍｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記押し出すステップは、１２本の繊維を同時に生産する紡糸口金を通して押し出すことを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記フィブリル化するステップは、前記スリットフィルム繊維をフィブリル化ローラー上で回転させることを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記長手方向軸に沿った隣接するフィブリル間の空間は、約５ｍｍであり、フィブリルは、約２０ｍｍの長さを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
繊維を作製する方法であって、
長さおよび幅を有する繊維を押し出すステップであって、前記長さは、前記幅よりも大きく、前記長さに沿って長手方向軸が走る、押し出すステップと、
前記繊維をフィブリル化するステップと、
前記繊維を長手方向軸全体に沿って折り畳むステップと、
前記繊維を折り畳む前記ステップの後に、前記繊維に巻き付け糸を巻き付けるステップと、
を含む方法。
【請求項７】
前記繊維に巻き付ける前記ステップの後に、前記繊維を格納するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
押し出された繊維をその長手方向軸全体に沿って切断することなく押し出された繊維を使用してスリットフィルム繊維を形成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本発明を好ましい態様を参照しながら特に示しかつ記載してきたが、当業者には、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく様々な変更および修正をなし得ることが容易に分かるであろう。例えば、細いリボンなどの細い製織テープを含むテープは、高分子結合剤または樹脂で被覆されてもよく、必要に応じて１枚以上のポリエチレンフィルムなどの１枚以上の外側高分子フィルムと積層されてもよい。また、製織していない一方向に配向した繊維から形成するテープは、高分子結合剤または樹脂被覆物を設けずに製造してもよく、この場合、必要に応じて高分子表面フィルムを繊維外面に付着させて繊維同士の結合を助ける。特許請求の範囲は、開示されている態様、上に記載したそれらの代替形態およびそれらの全ての均等物を包含するように解釈されるものとする。
以下に本発明の態様を記載する。
［１］複数の繊維テープを含む織布であって、各繊維テープは、一方向に実質的に平行に配列されているか、または織布の細片として配列された複数の繊維を含み、該繊維は、必要に応じて、少なくとも部分的に高分子結合剤で被覆されており、該繊維はそれぞれ約７ｇ／デニール以上の引張強度および約１５０ｇ／デニール以上の引張弾性率を有し、各繊維は複数のフィラメントを含み、かつ、該高分子結合剤が存在する場合には、該高分子結合剤は各繊維テープの４０重量％未満を構成する織布。
［２］各繊維テープが２本〜約２０本の繊維を含む、［１］に記載の織布。
［３］各繊維テープが、製織されていない一方向に配向された実質的に平行な繊維の単一のプライを含む、［１］に記載の織布。
［４］各繊維テープが複数の不織繊維プライを含み、各不織繊維プライが、複数の製織されていない一方向に配向された実質的に平行な繊維を含み、該複数の不織繊維プライが単一の単位テープとして一体化されている、［１］に記載の織布。
［５］各繊維テープが織布の細片を含み、各織布の細片が１つ以上の製織繊維層を含む、［１］に記載の織布。
［６］該高分子結合剤が存在し、該高分子結合剤が熱可塑性高分子化合物および／または熱硬化性高分子化合物を含む、［１］に記載の織布。
［７］防弾織布の形成方法であって、
ａ）  各々が、一方向に実質的に平行に配列されているか、または織布の細片として配列された複数の繊維を含む複数の繊維テープであって、該繊維は、必要に応じて、少なくとも部分的に高分子結合剤で被覆されており、該繊維はそれぞれ約７ｇ／デニール以上の引張強度および約１５０ｇ／デニール以上の引張弾性率を有し、各繊維は複数のフィラメントを含み、かつ、該高分子結合剤が存在する場合には、該高分子結合剤は各繊維テープの４０重量％未満を構成する複数の繊維テープを用意する工程と、
ｂ）  該複数の繊維テープを織り合わせることにより織布を形成する工程と、
を含む防弾織布の形成方法。
［８］該織布が約２本〜約１０本の繊維テープを含み、各繊維テープが２本〜約２０本の繊維を含む、［７］に記載の方法。
［９］一体化された複数の織布を含む多層防弾複合材料であって、各織布は複数の繊維テープを含み、各繊維テープは、一方向の実質的に平行に配列されているか、または織布の細片として配列された複数の繊維を含み、該繊維は、必要に応じて、少なくとも部分的に高分子結合剤で被覆されており、該繊維はそれぞれ約７ｇ／デニール以上の引張強度および約１５０ｇ／デニール以上の引張弾性率を有し、各繊維は複数のフィラメントを含み、かつ、該高分子結合剤が存在する場合には、該高分子結合剤は各繊維テープの４０重量％未満を構成する多層防弾複合材料。
［１０］
各繊維テープが複数の不織繊維プライを含み、各不織繊維プライが、複数の製織されていない一方向に配向された実質的に平行な繊維を含み、該複数の不織繊維プライが単一の単位テープとして一体化されている、［９］に記載の多層防弾複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴム組成物の調整方法であって、
ａ．少なくとも１つの予備混合工程において、
（ｉ）少なくとも１種の天然または合成ゴムポリマー、
（ｉｉ）シリカフィラー、
（ｉｉｉ）シリカカップリング剤、および
（ｉｖ）少なくとも１種の加硫化促進剤をブレンドする工程と、
ｂ．続いて、最終混合工程において硫黄硬化剤をブレンドする工程とを含み、
前記最終混合工程は、硫化促進剤を一切含まないことを特徴とするゴム組成物調整方法。
【請求項２】
前記少なくとも１種の加硫化促進剤は０．１〜１０ｐｈｒで存在することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１種の加硫化促進剤は、１，３−ジフェニルグアニジン（ＤＰＧ）、テトラメチルチウラムジスルフィド（ＴＭＴＤ）、４，４′−ジチオジモルホリン（ＤＴＤＭ）、テトラブチルチウラムジスルフィド（ＴＢＴＤ）、ベンゾチアジスルフィド（ＭＢＴＳ）、２−（モルホリノチオ）ベンゾチアゾール（ＭＢＳ）、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ベンゾチアゾールスルホンアミド（ＴＢＢＳ）、Ｎ−シクロヘキシル−２−ベンゾチアゾールスルホンアミド（ＣＢＳ）、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１種の加流化促進剤は、フィラー、ゴムポリマー、およびシリカカップリング剤が全てが添加された後に、他の材料とは別個に混合工程において添加されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法によって製造されるゴム組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月13日(2015.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＣＤ１アンタゴニストの有効量と癌細胞を接触させることを含む、癌細胞の細胞増殖を阻害する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
実施例１：
硫酸バリウムが１８％添加されたＰＥＴペレットを一軸押出機に供給し、加熱、加圧により溶融した。この溶融体をスロットダイを介し、温度約２０℃に保たれた製膜ロール上に押出し、固化して非晶フィルムを得た。得られた非晶フィルムを、９５℃、延伸比３．６：１で長手方向に延伸した。この一軸延伸フィルムを、コロナ処理装置（Ｅｎｅｒｃｏｎ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製）に通過させて、１．５Ｗ／フィート２・分の出力でコロナ処理を行った。引続き、長手方向に延伸したフィルムに対し、リヴァースグラヴィアコーティングロールを用いて、固形分２０重量％の水分散液の塗布を行った。水分散液の固形分は、乾燥塗布層重量を基準として、５０重量％のＭｉｃｈｅｍ  Ｐｒｉｍｅ  ４９８３Ｒ（Ｍｉｃｈｅｌｍａｎ社製、エチレン−アクリル酸共重合体分散体）および５０重量％のＥＰＯＣＲＯＳ  ＷＳ７００（日本触媒社製、日本、オキサゾリン架橋剤）から成っていた。長手方向延伸塗布フィルムは、更に約１００℃で乾燥させ、次いで、延伸比４．３：１で横方向に延伸し、二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムは２３０℃で熱固定を行った。最終的なフィルムの厚みは２５０μｍであった。乾燥塗布層の厚さは、塗布組成物の固形含量、塗布厚み（乾燥前）および横方向延伸ファクターから計算し、５５ｎｍであった。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
実施例２：
硫酸バリウムが１８％添加されたＰＥＴペレットを一軸押出機に供給し、加熱、加圧により溶融した。この溶融体をスロットダイを介し、温度約２０℃に保たれた製膜ロール上に押出し、固化して非晶フィルムを得た。得られた非晶フィルムを、９５℃、延伸比３．６：１で長手方向に延伸した。この一軸延伸フィルムを、コロナ処理装置（Ｅｎｅｒｃｏｎ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製）に通過させて、１．５Ｗ／フィート２・分の出力でコロナ処理を行った。引続き、長手方向に延伸したフィルムに対し、リヴァースグラヴィアコーティングロールを用いて、固形分２０重量％の水分散液の塗布を行った。水分散液の固形分は、乾燥塗布層重量を基準として、５０重量％のＭｉｃｈｅｍ  Ｐｒｉｍｅ  ４９８３Ｒ（Ｍｉｃｈｅｌｍａｎ社製、エチレン−アクリル酸共重合体分散体）および５０重量％のＥＰＯＣＲＯＳ  ＷＳ７００（日本触媒社製、日本、オキサゾリン架橋剤）から成っていた。長手方向延伸塗布フィルムは、更に約１００℃で乾燥させ、次いで、延伸比４．３：１で横方向に延伸し、二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムは２３０℃で熱固定を行った。最終的なフィルムの厚みは１２５μｍであった。乾燥塗布層の厚さは、塗布組成物の固形含量、塗布厚み（乾燥前）および横方向延伸ファクターから計算し、５５ｎｍであった。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒電極を作製する方法であって：
少なくともＰｔ及びＩｒをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングし、Ｐｔ及びＩｒをそれぞれ任意の順序で含む複数の交互層を提供する工程、及び
Ｐｔ及びＩｒをそれぞれ含む前記複数の交互層の少なくとも一部を、少なくとも部分的に、少なくとも２ｋＰａの絶対酸素分圧の酸素を含む雰囲気中で、ラジエーションアニーリングする工程、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ラジエーションアニーリングする工程が、少なくとも２０ｍＪ／ｍｍ２の入射エネルギーフルエンスで、少なくとも部分的に行われ、かつ、前記Ｐｔ及び前記Ｉｒが、１０：１〜１：１０の範囲の原子比で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
触媒電極を作製する方法であって：
少なくともＰｔ及びＩｒをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングして、Ｐｔ及びＩｒをそれぞれ任意の順序で含む複数の交互層を提供する工程であって、前記複数の交互層の少なくとも一部分が、２０オングストローム以下の厚さである、工程を含む、方法。
【請求項４】
触媒電極を作製する方法であって：
少なくともＰｔ、Ｉｒ、及びＲｕをナノ構造化ホイスカー上にスパッタリングして、Ｐｔ、Ｉｒ、及びＲｕをそれぞれ任意の順序で含む複数の交互層を提供する工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月6日(2015.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に透明な接着剤であって、
第１主要表面及び第２主要表面を含み、前記第１主要表面及び前記第２主要表面の少なくとも一方が、少なくとも１つの平面寸法（ｘ−ｙ）における相互接続した微細構造の微細構造化表面を含み、
前記光学的に透明な接着剤は、積層温度において、少なくとも約０．３のタンデルタ値を有し、
前記光学的に透明な接着剤は、非架橋であるか、又は軽く架橋されている、光学的に透明な接着剤。
【請求項２】
前記第１主要表面及び前記第２主要表面の両方が、微細構造化表面を含む、請求項１に記載の光学的に透明な接着剤。
【請求項３】
前記微細構造化表面は、窪み及び突起部を含む、請求項１に記載の光学的に透明な接着剤。
【請求項４】
真空を使用せずに、第１基材及び第２基材を積層する方法であって、前記方法は、
第１主要表面及び第２主要表面を含む、微細構造化された光学的に透明な接着剤を準備する工程であって、少なくとも１つの主要表面は微細構造化表面を含み、前記微細構造化された光学的に透明な接着剤は、積層温度において、少なくとも約０．３のタンデルタ値を有する、工程と、
前記微細構造化された光学的に透明な接着剤の前記第１主要表面から剥離ライナーを除去する工程と、
前記微細構造化された光学的に透明な接着剤の前記第１主要表面を前記第１基材の表面と接触させる工程と、
前記微細構造化された光学的に透明な接着剤の前記第２主要表面から微細構造された剥離ライナーを除去して、微細構造化表面を露出する工程であって、前記微細構造化表面は、少なくとも１つの平面寸法において、相互接続された微細構造を含む、工程と、
前記微細構造化表面を、前記第２基材の表面と接触させる工程とを含む、方法。
【請求項５】
第１基材及び第２基材の真空を伴わない積層方法であって、前記方法は、
第１主要表面及び第２主要表面を含む、微細構造化された光学的に透明な接着剤を準備する工程であって、少なくとも１つの主要表面は微細構造化表面を含み、前記微細構造化された光学的に透明な接着剤は、約２０℃〜６０℃において、少なくとも約０．３のタンデルタ値を有する、工程と、
微細構造化された光学的に透明な接着剤の表面を前記第１基材の表面と接触させる工程と、
前記微細構造化された光学的に透明な接着剤の前記微細構造化表面を、前記第２基材の表面に適用して、結合線を形成する工程であって、前記微細構造化表面は、少なくとも１つの平面寸法において、相互接続した微細構造を含む、工程と、
前記微細構造化表面と前記第２基材の前記表面との間の点間接触を可能にする工程と、
前記第２基材の前記表面に沿って前記微細構造化された光学的に透明な接着剤を均一に広げる工程と、
連続的な開いた空間を満たして、前記結合線から空気を実質的に除去し、積層体を形成する工程とを含む、方法。