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　特願２００８−１６１９５５「窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月　７日出願公開、特開２０１０−　　３９１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は、平成２０年６月２０日の出願であって、平成２４年７月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２日に手続補正がなされたが、平成２５年２月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月５日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２５年４月５日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２４年８月２日付けの手続補正後のもの。）の
「ｎ型窒化物半導体層と、
　ｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、
　前記窒化物半導体活性層は、井戸層と中間層と障壁層との積層構造を２周期以上含む多重量子井戸構造を有し、
　前記障壁層は、Ｉｎを含む窒化物半導体層であり、
　前記中間層は、前記障壁層よりもＩｎの混晶比が小さい窒化物半導体層であって、
　前記中間層は、前記積層構造間にも設置されており、
　前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層であって、
　前記障壁層の厚さは、４ｎｍ以下である、窒化物半導体発光ダイオード素子。」
を
「ｎ型窒化物半導体層と、
　ｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、
　前記窒化物半導体活性層は、井戸層と中間層と障壁層との積層構造を２周期以上含む多重量子井戸構造を有し、
　前記障壁層は、Ｉｎを含む窒化物半導体層であり、
　前記中間層は、前記障壁層よりもＩｎの混晶比が小さい窒化物半導体層であって、
　前記中間層は、前記積層構造間にも設置されており、
　前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層であって、
　前記障壁層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であり、
　前記中間層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であって、
　前記中間層は、Ｉｎの混晶比が３％以下のＩｎＧａＮ層、Ａｌの混晶比が５％以下のＡｌＧａＮ層またはＧａＮ層であり、
　前記障壁層のＩｎの混晶比は、５％以上１５％以下である、窒化物半導体発光ダイオード素子。」
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１の、「前記障壁層の厚さは、４ｎｍ以下」であったものを、「前記障壁層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下」と補正し、あわせて、「前記中間層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であって、前記中間層は、Ｉｎの混晶比が３％以下のＩｎＧａＮ層、Ａｌの混晶比が５％以下のＡｌＧａＮ層またはＧａＮ層であり、前記障壁層のＩｎの混晶比は、５％以上１５％以下である」との構成を付加して、「中間層」及び「障壁層」を限定するものである。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
ア　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記（１）において補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
イ　刊行物の記載及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００５−１２２１６号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は審決で付した。）。
（ア）「【請求項１】
基板と、
　
前記基板に重なる第１の導電型の領域と、
　
前記第１の導電型の領域に重なる活性領域と、
　
前記活性領域に重なる第２の導電型の領域と、
を備える発光デバイスであって、
　
前記活性領域が、
　
Ａｌ
x
Ｇａ
y
Ｉｎ
1-x-y
Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）を含むと共に第１のバンドギャップを有する量子井戸層と、
　
バリア層と、Ａｌ
x
Ｇａ
y
Ｉｎ
1-x-y
Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）を含むと共に第２のバンドギャップを有し、更に前記量子井戸層に電荷キャリアを供給するリザーバ層と、
を備え、前記第１のバンドギャップが前記第２のバンドギャップよりも小さ
【請求項３】
前記量子井戸層が、第１のインジウム組成を有し、
　
前記リザーバ層が、第２のインジウム組成を有し、
　
前記第１のインジウム組成が、前記第２のインジウム組成よりも多
【請求項４】
前記バリア層が、第３のインジウム組成を有し、
　
前記第２のインジウム組成が、前記第３のインジウム組成よりも多い
発光デバイス。
　
（イ）「【０００２】発光ダイオード（ＬＥＤ）のような半導体発光デバイスは、現在利用可能な最も効率の良い光源の１つである。可視スペクトルにわたって作動できる高輝度ＬＥＤの製造において現在関心のある材料システムは、III−Ｖ族半導体、特に、ガリウム、アルミニウム、インジウム、及び窒素の、２元、３元、及び４元合金であり、III族窒化物材料とも呼ばれている。典型的に、III族窒化物層は、サファイヤ、炭化ケイ素、又は窒化ガリウム基板上に、エピタキシャル的に形成される。
【０００３】通常、III族窒化物デバイスは、バリア層によって分離された複数の量子井戸層を含む発光領域又は活性領域と共に成長する。活性領域は、ｐ型領域とｎ型領域との間に挟まれている。ｐ型領域及びｎ型領域は、正及び負の電荷キャリア（電子及び正孔）を活性領域内の量子井戸層に供給し、そこで正及び負の電荷キャリアは再結合して発光する。発光デバイスの輝度は、少なくともデバイスの内部量子効率によって部分的に決定され、内部量子効率は、活性領域内でどれだけの発光電子−空孔再結合が発生するかの目安である。」
　
（ウ）「【０００７】本発明の実施形態において、発光ダイオードのようなIII族窒化物発光デバイスのための、活性領域の量子井戸層内で利用可能な電荷キャリアの数を増加できるヘテロ構造設計が開示される。本明細書で用いる場合、III族窒化物半導体層は、一般式ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される化合物を呼び、この化合物は、ホウ素及びタリウム等のIII族元素を更に含むことができ、窒素の一部は、リン、ヒ素、アンチモン、又はビスマスによって置き換えることができる。
【０００８】図１は、本発明の第１の実施形態による発光デバイスの断面図を示す。図１に示したデバイスにおいて、１つ又はそれ以上のｎ型層１１は、基板１０上にエピタキシャル的に堆積される。基板１０は、例えば、サファイヤ、ＳｉＣ、ＧａＮ、又は任意の他の好適な基板であってもよい。ｎ型層１１は、例えば、緩衝層、接触層、非ドープ結晶層、及び種々の組成及び種々のドーパント濃度のｎ型層を含むことができる。次に、活性領域１８がｎ型層の上に形成される。次に、１つ又はそれ以上のｐ型層１５が活性領域１８上に形成される。ｐ型層１５は、例えば、隔離層、接触層、及び他の種々の組成及び種々のドーパントの他のｐ型層を含む。次に、ｐ型層１５に電極又は接点を形成することになる、１つ又はそれ以上のｐ−金属層１６がｐ型層１５上に堆積さる。活性領域及びｐ型層の一部は、ｎ型層１１の一部を露出するために除去される。１つ又はそれ以上のｎ−金属層１７は、デバイスのｎ型層への接点を形作るためにｎ型層１１の露出部分に堆積される。
【０００９】活性領域１８は、量子井戸層１４、バリア層１３、及びリザーバ層１２を含む。図２は、図１に示したデバイス層の一部に関する伝導帯端エネルギー線図の例を示す。図２に示すように、リザーバ層１２は、量子井戸１４よりも大きなバンドギャップを有し、バリア層１３及び活性領域の外側のデバイス層１１、１５よりも小さなバンドギャップを有する。量子井戸層１４及びリザーバ層１２は、ＩｎＧａＮであってもよく、バリア層１３はＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）であってもよい。ＩｎＧａＮ層内のインジウムの量が低下するにつれてバンドギャップは増大し、従って、リザーバ層１２は量子井戸層１４よりも少ないインジウムを含み、バリア層１３よりも多いインジウムを含むことができる。量子井戸層１４は、０％（例えば、バリア層がＡｌＧａＮの場合）と約３０％との間の範囲のインジウム組成を有し、通常、約４％と約２５％との間の範囲のインジウム組成を有することができる。バリア層は、０％と１５％との間の範囲のインジウム組成を有することができ、通常、０％と５％との間の範囲のインジウム組成を有する。リザーバ層は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、又はＡｌＩｎＧａＮであってもよい。１つの実施形態において、リザーバ層は、０％と約２５％との間の範囲のインジウム組成を有するＩｎＧａＮである。
【００１０】
バリア層１３は、電荷キャリアがリザーバ層から量子井戸層１４にバリア層１３を通って通り抜けることができるほど十分薄い。
　
（エ）「【００２１】
一般に、層内のインジウムの量が増加すると層の結晶特性が損なわれる。結晶特性が損なわれると効率が低下する可能性がある。
　
（オ）図１及び２は次のものである。
　
（カ）上記（ウ）の記載を踏まえて、（オ）の図１及び２をみると、引用文献の発光デバイスは、基板１０、ｎ型層１１、リザーバ層１２、バリア１３、量子井戸層１４、バリア１３、リザーバ層１２、バリア１３、量子井戸層１４、バリア１３、リザーバ層１２、ｐ型層１５の順に堆積されてなるものであることがみてとれる。
　
（キ）引用発明
　上記（ア）ないし（カ）によれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる。
「基板と、
　前記基板に重なる第１の導電型の領域と、
　前記第１の導電型の領域に重なる活性領域と、
　前記活性領域に重なる第２の導電型の領域と、
を備える発光デバイスであって、
　前記活性領域が、
　ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）を含むと共に第１のバンドギャップを有する量子井戸層と、
　バリア層と、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）を含むと共に第２のバンドギャップを有し、更に前記量子井戸層に電荷キャリアを供給するリザーバ層と、
を備え、前記第１のバンドギャップが前記第２のバンドギャップよりも小さく、
　前記量子井戸層が、第１のインジウム組成を有し、
　前記リザーバ層が、第２のインジウム組成を有し、
　前記第１のインジウム組成が、前記第２のインジウム組成よりも多く、
　前記バリア層が、第３のインジウム組成を有し、
　前記第２のインジウム組成が、前記第３のインジウム組成よりも多い発光デバイス。」（以下「引用発明」という。）
　
ウ　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の、「第１の導電型の領域」及び「第２の導電型の領域」は間に窒化物半導体活性層を設置したものであるところ、上記イ（イ）ないし（カ）によれば、引用発明は、活性領域がｐ型領域とｎ型領域との間に挟まれ、基板１０側がｎ型層１１（ｎ型領域）であって、かつ、これらの層が「 III族窒化物半導体層であってもよいことに照らして、引用発明の「第１の導電型の領域」及び「第２の導電型の領域」は、それぞれ本願補正発明の「ｎ型窒化物半導体層」及び「ｐ型窒化物半導体層」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明の「活性領域」は、「ｐ型領域とｎ型領域との間に挟まれてい」るから、本願補正発明の「前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層」の構成を備える。
　
（イ）引用発明は、「ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）を含む・・・リザーバ層」であって、「リザーバ層が、第２のインジウム組成を有し、・・・前記バリア層が、第３のインジウム組成を有し、・・・前記第２のインジウム組成が、前記第３のインジウム組成よりも多い」ものであるから、引用発明の「リザーバ層」及び「バリア層」は、本願補正発明の「障壁層」及び「中間層」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明のリザーバ層はＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）を含み、特にｘ＝０の場合は、ＧａyＩｎ1-yＮ（０≦ｙ≦１）であるから、本願補正発明の「前記障壁層は、Ｉｎを含む窒化物半導体層であり」、「前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層」であるとの構成を備える。
　さらに、引用発明では、「（リザーバ層の）第２のインジウム組成が、（バリア層の）第３のインジウム組成よりも多い」ものであるから、（リザーバ層の）第２のインジウム組成は、（バリア層の）第３のインジウム組成よりも少ないといえる。
　そうすると、引用発明は、本願補正発明の「前記中間層は、前記障壁層よりもＩｎの混晶比が小さい窒化物半導体層であ」るとの構成を備える。
　
（ウ）引用発明の「発光デバイス」は、上記イ（オ）及び（カ）によれば、ｎ型層１１、リザーバ層１２、バリア１３、量子井戸層１４、バリア１３、リザーバ層１２、バリア１３、量子井戸層１４、バリア１３、リザーバ層１２、ｐ型層１５の順に堆積されて成るものであるところ、上記（イ）で検討したように、引用発明の「リザーバ層」及び「バリア層」は、本願補正発明の「障壁層」及び「中間層」にそれぞれ相当し、引用発明の「量子井戸層」は、本願補正発明の「井戸層」に相当するから、引用発明の「発光デバイス」の活性領域は、障壁層、中間層、井戸層、中間層、障壁層、中間層、井戸層、中間層、障壁層の順に堆積されて成る構成を備える。
　そうすると、引用発明の「発光デバイス」の活性領域は、「障壁層、中間層、井戸層」の積層構造を２周期含む多重量子井戸構造であるということができ、また、前記積層構造の間には中間層が設置されているから、引用発明は、本願補正発明の「前記窒化物半導体活性層は、井戸層と中間層と障壁層との積層構造を２周期以上含む多重量子井戸構造を有し」、「前記中間層は、前記積層構造間にも設置されて」いるとの構成を備える。
　
（エ）引用発明の「発光デバイス」は、上記イ（イ）によれば、「発光ダイオード（ＬＥＤ）のような半導体発光デバイス」であって、「III族窒化物デバイス」であるから、窒化物半導体発光ダイオードであるといえる。
　したがって、引用発明の「発光デバイス」は、本願発明の「窒化物半導体発光ダイオード素子」に相当する。
　
　以上によれば両者は、
「ｎ型窒化物半導体層と、
　ｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、
　前記窒化物半導体活性層は、井戸層と中間層と障壁層との積層構造を２周期以上含む多重量子井戸構造を有し、
　前記障壁層は、Ｉｎを含む窒化物半導体層であり、
　前記中間層は、前記障壁層よりもＩｎの混晶比が小さい窒化物半導体層であって、
　前記中間層は、前記積層構造間にも設置されており、
　前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層である、窒化物半導体発光ダイオード素子。」で一致しているところ、
　
　本願補正発明は、障壁層及び中間層に関し、
「前記障壁層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であり、
　前記中間層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であって、
　前記中間層は、Ｉｎの混晶比が３％以下のＩｎＧａＮ層であり、
　前記障壁層のＩｎの混晶比は、５％以上１５％以下である」
のに対して、
　引用発明は、リザーバ層及びバリア層に関し、
「前記量子井戸層が、第１のインジウム組成を有し、
　前記リザーバ層が、第２のインジウム組成を有し、
　前記第１のインジウム組成が、前記第２のインジウム組成よりも多く、
　前記バリア層が、第３のインジウム組成を有し、
　前記第２のインジウム組成が、前記第３のインジウム組成よりも多い」ものであって、リザーバ層及びバリア層の厚さ及びＩｎの混晶比が、本願補正発明の上記数値範囲を満たすものであるか明らかではない点（以下「相違点」という。）で相違するものと認められる。
　
エ　判断
　上記相違点について検討する。
（ア）引用発明のリザーバ層及びバリア層に関して、引用文献には、上記イ（ウ）に示したとおり、「バリア層１３はＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）であってもよ」いものであって、「バリア層は、０％と１５％との間の範囲のインジウム組成を有することができ、通常、０％と５％との間の範囲のインジウム組成を有」、「リザーバ層は、０％と約２５％との間の範囲のインジウム組成を有するＩｎＧａＮであ」ってもよく、「バリア層は、約５オングストロームと約２００オングストロームとの間の厚みを有することができ、２０オングストローム又はそれ以下の厚みである場合が多く」、「リザーバ層は、約５オングストロームと約５００オングストロームとの間の厚みを有することができ、約２５オングストロームよりも大きい厚みである場合が多い」と記載されている。
　したがって、引用発明は、「リザーバ層は、約５オングストロームと約５００オングストロームとの間の厚みを有し、バリア層は、約５オングストロームと約２００オングストロームとの間の厚みを有し、バリア層はＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）であって０％と５％との間の範囲のインジウム組成を有し、リザーバ層は、０％と約２５％との間の範囲のインジウム組成を有する」ものであってもよいといえる。
　
（イ）そして、引用発明に関して、引用文献には、「バリア層１３は、電荷キャリアがリザーバ層から量子井戸層１４にバリア層１３を通って通り抜けることができるほど十分薄い。」（上記イ（ウ））、及び、「一般に、層内のインジウムの量が増加すると層の結晶特性が損なわれる。結晶特性が損なわれると効率が低下する可能性がある。」（上記イ（エ））と記載されていることに照らして、引用発明のバリア層の厚さは、電荷キャリアがリザーバ層から量子井戸層にバリア層を通って通り抜けできる範囲で適宜定められ、バリア層とリザーバ層のインジウム組成は、層の結晶特性が損なわれて効率が低下しない範囲で適宜定められるべきものであるといえる。
　
（ウ）さらに、引用発明は、リザーバ層の厚さは、０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、バリア層の厚さは、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であって、バリア層は、Ｉｎの混晶比が５％以下のＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１　Ｘ＝０の場合、ＩｎＧａＮ層）であり、リザーバ層のＩｎの混晶比は、０％以上２５％以下であるから、本願補正発明の「前記障壁層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であり、前記中間層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であって、前記中間層は、Ｉｎの混晶比が３％以下のＩｎＧａＮ層、Ａｌの混晶比が５％以下のＡｌＧａＮ層またはＧａＮ層であり、前記障壁層のＩｎの混晶比は、５％以上１５％以下である」のうち、「前記障壁層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であり、前記中間層の厚さは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であって、前記中間層は、Ｉｎの混晶比が３％以下のＩｎＧａＮ層であり、前記障壁層のＩｎの混晶比は、５％以上１５％以下である」範囲を含むものである。
　
（エ）しかるところ、本願補正発明が、障壁層及び中間層の厚さ及びＩｎの混晶比を上記相違点に係る範囲とすることに関し、本願明細書には、
　障壁層の厚さを「２ｎｍ以上４ｎｍ以下」とすることにより、「結晶性の悪化に起因する窒化物半導体発光ダイオード素子の発光効率の低下を有効に抑止することができ」（段落【００３６】）、
　中間層の厚さを「２ｎｍ以上４ｎｍ以下」とすることにより、「中間層３ｃでキャリアがトンネリングしやすくなり、井戸層３ａの結晶性も高くなり、さらには障壁層３ｂで井戸層３ａとの間のバンドオフセットを小さくすることができる傾向にあるため、電流密度の大きい電流を注入したときの発光効率がより向上した窒化物半導体発光ダイオード素子を得ることができ」（段落【００４２】）、
　中間層のＩｎの混晶比を「３％以下のＩｎＧａＮ層」とすることにより、「中間層３ｃの結晶性が高くなる傾向にあり、それに伴って窒化物半導体活性層３の結晶性も高くなる傾向にあるため、窒化物半導体発光ダイオード素子の発光効率をより高くすることができ」（段落【００３６】）、
　障壁層のＩｎの混晶比を「５％以上１５％以下」とすることにより、「各井戸層３ａに分配されるキャリアの偏りを低減することができる傾向にあるため、電流密度の大きい電流を注入したときの発光効率がより向上した窒化物半導体発光ダイオード素子を得ることができ、また、障壁層３ｂの結晶性の悪化を抑制することができる傾向にあるため、結晶性の悪化に起因する窒化物半導体発光ダイオード素子の発光効率の低下を有効に抑止することができ」（段落【００３４】）ると記載されている。
　
（オ）そうすると、引用発明と本願補正発明のいずれも、（発光）効率の低下を抑止できる範囲でバリア層の厚さ、及び、バリア層とリザーバ層のインジウム組成を定めることに照らして、引用発明において、バリア層の厚さを、キャリアがトンネリング（通り抜け）しやすくなる範囲とし、バリア層とリザーバ層のＩｎの混晶比を、各層の結晶性（結晶特性）を高くして窒化物半導体発光ダイオード素子の発光効率をより高くできる範囲とし、さらに、リザーバ層の厚みを適宜の範囲として、本願補正発明の上記相違点に係る障壁層及び中間層の厚さ及びＩｎの混晶比とすることに、格別の困難はなく、当業者が容易になし得ることであると認められる。
　したがって、引用発明において、上記相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年８月２日付で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　前記第２、（３）イのとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２　２（２）補正の目的」のとおり、本願補正発明は、本願発明に限定を付加したものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加した本願補正発明が、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、上記第２、３（３）での検討と同様の理由により、本願発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明し得るものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。