【事件の表示】
　平成　７年特許願第１４５６８７号「ビアホール形成方法及びレーザ光照射装置」拒絶査定に対する審判事件〔平成　８年１１月２６日出願公開、特開平　８−３０９５６６、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．本願は、平成７年５月１９日の出願であって、その請求項１ないし請求項８に係る発明は、平成９年６月１６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８に記載された次のとおりのものと認める。
　なお、平成９年１１月４日付け手続補正書による補正は、本日付けで却下された。
 「【請求項1】
　有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板へ所定時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光をビアホール形成部に照射し、前記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホールの形成法において、
　一の照射部に、はじめに前記所定時間幅のパルス幅のパルスレーザ光を照射した後、所定の時間間隔に離間して、前記照射部に、前記所定時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光を照射することにより、前記ビアホール底の前記金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止する、ことを特徴とするビアホール形成方法。
　【請求項2】
　有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板へ所定時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光をビアホール形成部に照射し、前記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホールの形成法において、
　前記ビアホール形成部に、はじめに前記所定時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光を照射した後、前記パルスレーザ光を照射した同一照射部に、所定の照射強度を有する所定パルス幅以下の短いパルスレーザ光を照射することにより、前記ビアホール底の前記金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止する、ことを特徴とするビアホール形成方法。
　【請求項3】
　前記フィルム基板に、レーザ照射中に発生するプルームを吹き流すのに十分な流速でガスを吹き付けることを特徴とする請求項１又は２記載のビアホール形成方法。
　【請求項4】
　有機物質を含有する絶縁層と金属層を積層してなるフィルム基板へ、10μｓから20ｍｓの範囲のパルス幅のパルスレーザ光を前記フィルム基板のビアホール形成部に照射し、照射による前記絶縁層の温度上昇を介して、前記絶縁層の前記パルスレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホール形成法において、
　一の照射部に、はじめに前記10μｓから20ｍｓの範囲のパルス幅のパルスレーザ光を照射した後、3ｍｓ以上時間的に離間して、前記照射部に10μｓから20ｍｓの範囲のパルス幅のパルスレーザ光を1ショット以上照射することにより、前記ビアホール底の前記金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止する、ことを特徴とするピアホール形成方法。
　【請求項5】
　有機物質を含有する絶縁層と金属層を積層してなるフィルム基板へ、10μｓから20ｍｓの範囲のパルス幅のパルスレーザ光を前記フィルム基板のビアホール形成部に照射し、照射による前記絶縁層の温度上昇を介して、前記絶縁層の前記パルスレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホール形成法において、
　一の照射部に、はじめに前記10μｓから20ｍｓの範囲のパルス幅のパルスレーザ光を照射した後に、 3ｍｓ以上時間的に離間して、前記照射部にパルス幅3ｎｓから200ｎｓの範囲、ピークパワー密度10ＭＷ／ｃｍ２から 150ＭＷ／ｃｍ２の範囲の照射強度のパルスレーザ光を照射することにより、前記ビアホール底の前記金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止する、ことを特徴とするビアホール形成方法。
　【請求項6】
　有機物質を含有する絶縁層と金属層を積層してなるフィルム基板へ、10μｓから20ｍｓの範囲のパルス幅のパルスレーザ光を前記フィルム基板のビアホール形成部に照射し、照射による前記絶縁層の温度上昇を介して、前記絶縁層の前記パルスレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホール形成法において、
　前記フィルム基板の前記金属面側から前記絶縁層の向きに、該金属面側が高温となるよう所定の温度勾配を持たせる、ことを特徴とするビアホール形成方法。」
　【請求項7】
　有機物質を含有する絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板をレーザ照射領域に送る搬送手段と、
　前記レーザ照射領域内で前記フィルム基板を平坦に保つ吸着手段と、
　所定波長出射光を出力する第1のレーザ光源と、
　前記第1 のレーザ光源からの出射光を変調する光変調器と、
　前記フィルム基板上の照射部にレーザ光を走査するガルバノミラーとスキャンレンズからなる光学系と、
　前記照射部をモニタする観察光学系と、
　Q スイッチレーザ光源からなる第２のレーザ光源と、
　第２のレーザ光源からの出射光を第１のレーザ光源の出射光路に合波させる合波ミラーと、
　前記搬送手段、吸着手段、ガルバノミラーへの各制御信号を所定のタイミングで発生させる制御手段と、を備え、
　レーザ照射点１箇所につき前記第１のレーザ光源からのパルス光照射後、前記第２のパルスレーザ光源からの出射光を照射するように前記制御手段を介して作動させることを特徴とするレーザ光照射装置。
　【請求項8】
　前記フィルム基板を金属面側より加熱する加熱機構を設けたことを特徴とする請求項７記載のレーザ光照射装置。」
２．これに対して、前査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前に頒布された特開平３−２５８４７５号公報（以下「引用例１」という。）には、
「近年高密度化が進んでいる電気回路基板の精密加工にレーザ加工が用いられている。」（１頁右下欄９〜１０行）、
「エキシマレーザはその高いエネルギーで材料の分子間結合を切断して分解するため、熱発生が前記レーザに比べ著しく少なく、０．１ｍｍ以下の穴あけ等の精密な加工が可能となる。しかし、エキシマレーザを有機系材料に照射した場合、材料の煤が発生し、周囲に黒く付着する。（中略）材料表面に付着したカーボンは強固に付着しており、アルコールを用いた超音波洗浄では除去できない。このため、ポリイミド等の電気回路基板をエキシマレーザで分解除去加工した場合には、エキシマレーザ照射近傍の基板表面の電気抵抗が低下し、著しい場合には導通状態となる。（中略）このため、近年の高密度回路のような配線パターン間隙が小さい回路基板の加工にエキシマレーザを適用することは問題があった。」（１頁右下欄１６行〜２頁右上欄９行）、
「本発明は（前略）、有機系材料にエキシマレーザを照射して該有機系材料を分解除去した後、含チッ素６員環溶剤で洗浄することにより、有機系材科に付着したカーボンの分解生成分を完全に除去しえるエキシマレーザ加工方法を提供することを目的とする。」（２頁右上欄１０〜１５行）、及び、
「第1 図を参照する。同図は、イオン流記録ヘツドの概略の平面図である。
　図中の１は、厚さ50μｍのポリイミドフィルム(商品名カプトン、デュポン社製)基板１である。この基板１の表面には幅４００μｍの第１電極２が１６０本形成され、裏面にはこれらの第１電極と交差するように幅４００μｍの第２電極３が形成されている。なお、第１電極の間隔、第２電極の間隔は夫々約 100μｍである。前記第１電極、第２電極の表面には、厚さ１μｍのＮｉメッキ膜(図示せず)が形成されている。前記第１電極と第２電極の交差する部分には、穴径 200μｍの小孔４が開口されている。
　本実施例１では、まず上記構成の回路基板の小孔４に KrFによる波長 248ｎｍのエキシマレーザ光を照射して、小孔４の部分のポリイミドを分解除去した。次いで、前記第１電極・第２電極を溶剤例えばピリジン(後掲する第１表)中に浸漬して超音波洗浄を30分間行った。この後、約 100℃で加熱乾燥した。
　しかして、上記のように溶剤処理した回路基板について、テスターつまりデジタルマルチメーター（中略）で第１電極間の抵抗、第１−第２電極間の抵抗を測定した。（中略）各抵抗は、いずれも最大抵抗値３００ＭΩ以上の抵抗値であった。つまり、実施例１によれば、第１電極間の抵抗、第１−第２電極の抵抗とともに、良好な絶縁性であることが確認できた。」（２頁右下欄３行〜３頁左上欄１８行）
と記載されている。
　同じく特開平３−１４２０８７号公報（以下「引用例２」という。）には、
「本発明はレーザービームを用いてプリント配線基板(以下、単に「プリント板」と称する)を穴明け加工する方法に関する。」（１頁右下欄３〜５行）、
「以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
　第１図は本発明方法の第１の実施例の行なわれる装置の概略構成を示す模式図である。
　第1図において、2は第1のレーザー光源であり、4は第２のレーザー光源である。第１のレーザー光源は短波長のエキシマレーザー(KrF:波長λ＝２４８ｎｍ)であり、パルス発振を行なう。第 2のレーザー光源は長波長の炭酸ガスレーザー(波長λ＝１０．６μｍ)であり、パルス発振を行なう。該炭酸ガスレーザーの代わりにYAGレーザー(波長λ=１．０６μｍ)を用いてもよい。」（２頁右下欄７〜末行）、
「16は被加工物たるプリント板であり、たとえばガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケミカル社製ＴＬＣ−Ｗ−５５１：０．６ｍｍ厚）である。該プリント板は不図示のＸ−Ｙ移動テーブルにより移動可能に保持されている。」（３頁左上欄１７行〜同頁右上欄１行）、
「本実施例では、制御装置20からレーザ 2に対し照射指令が発せられると、該制御装置から反転駆動装置14に対しミラー12に上記第 1の位置をとらせる様に指令信号が発せられ、一方、制御装置20からレーザー 4に対し照射指令が発せられると、該制御装置から反転駆動装置14に対しミラー12に上記第２の位置をとらせる様に指令信号が発せられる。この様に、本実施例では、第 1のレーザー光源のパルス発振及び第 2のレーザー光源のパルス発振とミラーの回動反転動作とが同期せしめられている。
　以上の様に、本実施例では、ミラー12からプリント板16までの光源を 2つのレーザービームが共用している。そして、該光路に垂直にプリント板16を配置することにより、極めて良好な垂直穴明けができる。」（３頁右上欄１２行〜同頁左下欄７行）、及び、
「第２図は本実施例の穴明け加工を行なつ際の、プリント板16の断面図を示すものである。加工の進行にともない(a)から(d)へと状態変化する。プリント板16はガラスエポキシ絶縁層（以下、単に「樹脂部」と称する）16Ａの両面に銅箔16Ｂ，16Ｃを張りつけたものである。
　第 3図は本実施例におけるレーザー2，4のパルスタイミングの一例を示す図である。
　先ず、上記第 2図(ａ)の銅箔部16Ｂの加工時には、第 3図(ａ)に示される様に、エキシマレーザービーム2aのみが利用される。エキシマレーザービームは波長が短いため光子エネルギーが大きく、また銅箔による吸収が良好であり、銅箔部の加工に適している。
　次に、上記第2図(b)の樹脂部16Ａの加工時には、第3図(b)に示される様に、炭酸ガスレーザービーム４ａを利用する。炭酸ガスレーザービームは波長が長いため光子エネルギーが小さく、熱的加工が主となり、樹脂部 16Bの加工に適している。但し、この長波長レーザービームによる加工では黒色炭化物の発生があり、またガラスとエポキシとでエッチンググレートが異なるため穴内壁面の凹凸が大きくなりがちである。そこで、この樹脂部加工時には第3図(b)に示される様にエキシマレーザービーム２ａを併用する。 これにより、炭化物が除去されエッチンブグレートの差も少なくなり、内壁面の凹凸の少ない良好な穴が形成される。（中略）
　次に、上記第2図(c)の銅箔部16Cの加工時には、第3図(c)に示される様に、エキシマレーザービーム2ａのみが利用される。
　そして、最後に、上記第2図(d)に示される貫通穴が形成された後に、第3図(d)に示される様に、穴内壁面の残留物を除去する仕上げ工程としてエキシマレーザービーム２ａの照射を行なう。
　第3図に示される様に、本実施例においては、2つのレーザービームは同時にはパルス出力されず、各レーザービームのパルス発生時にはそのレーザービームをプリント板16の加工位置へと導く様にミラー12の位置が制御される。」（３頁左下欄１３行〜４頁左上欄１８行）
と記載されている。
　同じく特開平５−８０７１号公報（以下「引用例３」という。）には、
「この発明の目的は、加工時の衝撃が分散緩和されて、加工部分の周辺に影響を及ぼさず、適性な加工が行えるようにすることである。」（１欄４５〜４７行）、
「この発明では、異なるレーザ発振器から互いに出力の異なる第1加工レーザ光及び第2レーザ光を時間差を置いて同一の加工対象物に照射する。このため第 1加工レーザ光により加工する直前又はその直後に(直前が好ましい)、第 1加工レーザ光より小さい出力の第 2レーザ光を照射することにより、加工時の衝撃が分散緩和される。」（２欄１１〜１７行）、
「以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。図1に示すように、本加工装置は、第1 加工レーザ光14を出力する第1加工レーザ発振器1 と第2レーザ光15を出力する第2レーザ発振器2 とを備えている。第2レーザ光15の出力は、第1 加工レーザ光14のそれよりも小さい。
　第1加工レーザ光14と第2 レーザ光15とは、ビームスプリッター3で透過及び反射されて同軸光路を進む。ビームスプリッター3からのレーザ光は、ビームエキスパンダ4により拡大されてダイクロイックミラー5で反射され、対物レンズ6によりX−Y ステージ8上の加工対象物7 の同一位置に照射される。照明光16は、ハーフミラー9により下方へ反射され、ダイクロックミラー5、対物レンズ6 を透過して加工レーザ光と同軸光路を通じて、加工対象物7を照射する。加工対象物7で反射した照明光は、ハーフミラー9の上方にあるCCDカメラ10に取り込まれる。その結果、加工対象物7の加工面の様子はTVモニター11で観察できる。（中略）
　制御装置12は、第1加工レーザ光14及び第2 レーザ光15の出射タイミング(照射間隔)と、X−Y ステージ8の位置とを制御している。」（２欄１９〜 ４６行）、
「図1の動作について説明する。図1の実施例では、第1加工レーザ発振器及び第2レーザ発振器2 から出力される第1加工レーザ光14及び第2レーザ光15をビームスプリッター3、対物レンズ6等の同一の光学系を介して時間差を置いて同一の加工対象物7上に照射する。すなわち、第2レーザ光15を第1 加工レーザ光14より小さい出力で加工対象物7 を予備照射しておいてから、その後第1 加工レーザ光を照射して加工するという2 回のレーザ光照射で加工を行うものである。
　レーザ光に関して、図2に示すように、第2レーザ発振器2をCWレーザ発振器とし、第2レーザ光であるCWレーザ光15aで第1回目の照射を行い、第1 加工レーザ発振器1から出力される第1加工レーザ光であるパルスレーザ光14で加工を完了させる。なお、CWレーザ光15a の照射時間制御はレーザ出口に配置されたAOM(Acousto‐optic　Modulator)等の高速スイッチング素子(シャッタの機能)を制御装置12により制御して行う。」（３欄４行〜２２行）、及び、
「この発明によれば、レーザ光で加工される対象物において、特に、加工時の衝撃が周辺に及ぼす影響が懸念される加工対象物において、第1 加工レーザ発振器及び第2レーザ発振器を設け、第1加工レーザ光とこれより出力の小さい第2 レーザ光とを時間差を置いて照射するので、衝撃が分散緩和されて、加工時のレーザエネルギーが周辺に影響を及ぼさず、適性な加工を行うことができる。」（４欄２〜９行）
と記載されている。
　同じく実願昭６２−１９３１８７号（実開平１−９６２８７号）のマイクロフィルム（以下「引用例４」という。）には、
「本考案は（中略）、中央部に凹部を有し当該凹部が其空吸引装置に連なるベースプレートと、該べースプレートの凹部を覆蓋すると共に凹部周縁のベースプレート表面と密接する高分子樹脂の天板と、からなるステージを備え、上記天板の凹部覆蓋領域に当該凹部と天面が連通する多数の微小孔を穿ったことを特徴とする。」（３頁１８行〜４頁５行）、
「上述の如くステージを、凹部を有するベースプレートと、該ベースプレートの凹部を覆蓋すると共に凹部周縁のベースプレート表面と密接する高分子樹脂の天板と、から構成し、上記ベースプレートの凹部に真空吸引装置を連結すると共に上記天板の凹部覆蓋領域に当該凹部と天面が連通する多数の微小孔を穿つことによって、ワークが載置される天面に負圧が発生する。」（４頁７〜１４行）、及び、
「上記天板(12)の脚部覆蓋領域には凹部(10)と天面(2)とが連通する多数の微小孔(13)(13)… が穿たれていると共に、上記ベースプレート(11)の凹部(10)は吸引系(14)を介して真空吸引装置(15)に連なっている。このように多数の微小孔(13)(13)…が穿たれた平板(12)は斯る微小孔(13)(13)…に真空吸引装備(15)の稼動による負圧を集中せしめるべくベースプレート(11)に対し気密に接着されている。四弗化エチレンからなる天板(12)を、金属のべースプレート(11)に対し接着させるためには、接着面を予め金属ナトリウム溶液等により化学的に処理し微細な凹凸を無数に設けることが好ましい。
　而して、天板(12)がレーザビーム(LB)に対し難加工性とし、多数の微小孔(13)(13)…を穿ち、当該微小孔(13)(13)…を凹部(10)を中継して真空吸引装置(15)に連通せしめたステージ(1) を用いることによって、撓みにより反ったワーク(3) であっても多数の微小孔(13)(13)…に作用する負圧によりワーク(3) 全域を吸引し平坦な状態で保持する。このように吸着保持により平坦な状態でワーク(3)がステージ(1)に固定されると、レーザビーム(LB)のエネルギー密度を調整する集光レンズ(5)と当該ワーク(3)の対向距離は絶えず一定となる。即ち、レーザビーム(LB)が走査されても、ワーク(3) の被加工部位には所定のエネルギー密度を有するレーザビームスポットが照射されることとなる。」（７頁７行〜８頁１４行）
と記載されている。
３．そこで、本願の請求項１ないし請求項８に係る発明と上記引用例１ないし引用例４とを比較検討する。
（１）請求項１に係る発明について
　本願の請求項１に係る発明と上記引用例１ないし引用例４に記載された発明とを比較すると、引用例１ないし引用例４に記載された発明は、いずれも、請求項１に係る発明がその前提部分としている「前記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホールの形成法」に関係した発明ではなく、その上、請求項１に係る発明がその特徴部分としている「一の照射部に、はじめに前記所定時間幅のパルス幅のパルスレーザ光を照射した後、所定の時間間隔に離間して、前記照射部に、前記所定時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光を照射することにより、前記ビアホール底の前記金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止する」という工程を具備したものでもない。
　以下、その理由を説明する。引用例１には、有機系絶縁層にエキシマレーザ光を照射して小穴の部分を分解除去し、その後、該絶縁層の超音波洗浄を行なうレーザ加工方法が記載されているが、この超音波洗浄は、該絶縁層の表面に付着したカーボンの分解生成分を完全に除去することを目的としたものであって、請求項１に係る発明がその前提部分としているビアホールの形成法の一部を構成する超音波洗浄とは、その技術的意義を異にする。
　また、引用例２には、銅張積層板（プリント配線基板）の穴あけ加工において、銅箔部の一の照射部に、はじめに銅箔の加工に適したエキシマレーザビーム（所定パルス幅のパルスレーザ光）を照射して小穴をあけ、（その後、所定の時間間隔に離間して、）上記照射部に樹脂材の加工に適した炭酸ガスレーザビーム（所定時間幅のパルスレーザ光）を照射して樹脂部の加工を行うこと、及び、長波長の炭酸ガスレーザによる樹脂部の加工では、黒色炭化物が発生するだけでなく穴内壁面の凹凸が大きくなりがちなので、短波長のエキシマレーザビームを併用することにより、炭化物を除去し、内壁面の凹凸を少なくすることできる加工方法が記載され、さらに、引用例３には、互いに出力の異なる第１加工レーザ光及び第２加工レーザ光を時間差をおいて同一の加工対象物に照射することにより、加工時の衝撃を分散緩和して加工部分周辺に影響を及ぼさずに適性な加工を行えるようにした加工方法が記載されているが、これらの加工方法は、いずれも、請求項１に係る発明が特徴部分の一部としているビアホール底の金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止するという機能を有するものではない。
  なお、引用例４には、請求項１に係る発明とは直接関係のない、テーブル上に複数の吸引孔を設け、減圧することによって被加工物を固定するレーザ加工装置における載置台が記載されているに過ぎない。
  してみると、請求項１に係る発明が不可欠の構成要件としている事項については、上記引用例１ないし引用例４に記載された発明のいずれのものも具備していないといわなければならない。
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１ないし引用例４に記載されたものでないばかりでなく、該各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（２）請求項２に係る発明について、
　本願の請求項２に係る発明と上記引用例１ないし引用例４に記載された発明とを比較すると、引用例１ないし引用例４に記載された発明は、いずれも、請求項２に係る発明がその前提部分としている「前記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホールの形成法」に関係した発明ではなく、その上、請求項２に係る発明がその特徴部分としている「ビアホール形成部に、はじめに前記所定時間幅のパルス幅を有するパルスレーザ光を照射した後、前記パルスレーザ光を照射した同一照射部に、所定の照射強度を有する所定パルス幅以下の短いパルスレーザ光を照射することにより、前記ビアホール底の前記金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止する」という工程を具備したものでもない。
　以下、その理由を説明する。引用例１には、有機系絶縁層にエキシマレーザ光を照射して小穴の部分を分解除去し、その後、該絶縁層の超音波洗浄を行なうレーザ加工方法が記載されているが、この超音波洗浄は、該絶縁層の表面に付着したカーボンの分解生成分を完全に除去することを目的としたものであって、請求項１に係る発明がその前提部分としているビアホールの形成法の一部を構成する超音波洗浄とは、その技術的意義を異にする。
　また、引用例２には、銅張積層板（プリント配線基板）の穴あけ加工において、銅張積層板の小穴形成部に、はじめに銅箔の加工に適したエキシマレーザビーム（所定パルス幅のパルスレーザ光）を照射して小穴をあけ、（その後、所定の時間間隔に離間して、）上記エキシムレーザ光を照射した同一照射部に、樹脂材の加工に適した炭酸ガスレーザビーム（所定時間幅のパルスレーザ光）を照射して樹脂部の加工を行うこと、及び、長波長の炭酸ガスレーザによる樹脂部の加工では、黒色炭化物が発生するだけでなく穴内壁面の凹凸が大きくなりがちなので、短波長のエキシマレーザビームを併用することにより、炭化物を除去し、内壁面の凹凸を少なくすることできる加工方法が記載され、さらに、引用例３には、互いに出力の異なる第１加工レーザ光及び第２加工レーザ光を時間差をおいて同一の加工対象物に照射することにより、加工時の衝撃を分散緩和して加工部分周辺に影響を及ぼさずに適性な加工を行えるようにした加工方法が記載されているが、これらの加工方法は、いずれも、請求項２に係る発明が特徴部分の一部としているビアホール底の金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止するという機能を有するものではない。
  なお、引用例４には、請求項２に係る発明とは直接関係のない、テーブル上に複数の吸引孔を設け、減圧することによって被加工物を固定するレーザ加工装置における載置台が記載されているに過ぎない。
  してみると、請求項２に係る発明が不可欠の構成要件としている事項については、上記引用例１ないし引用例４に記載された発明のいずれのものも具備していないといわなければならない。
　したがって、本願の請求項２に係る発明は、上記引用例１ないし引用例４に記載されたものでないばかりでなく、該各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（３）請求項３に係る発明について、
  本願の請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に係る発明の構成をすべて備えた上で、更に、フィルム基板に、レーザ照射中に発生するプルームを吹き流すのに十分な流速でガスを吹き付けることとしたものである。
　したがって、請求項３に係る発明における構成が、引用例１ないし引用例４のいずれかに記載されているか否か、あるいは従来周知慣用の手段であるか否かに関わりなく、請求項１又は請求項２に係る発明が引用例１ないし引用例４に記載されたものでなく、かつ、該各引用例に記載された発明に基づいて容易な発明をすることができたものでない以上、本願の請求項３に係る発明は、引用例１ないし引用例４に記載された発明であるとすることも、該各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
（４）請求項４に係る発明について、
　本願の請求項４に係る発明と上記引用例１ないし引用例４に記載された発明とを比較すると、引用例１ないし引用例４に記載された発明は、いずれも、請求項４に係る発明がその前提部分としている「照射による前記絶縁層の温度上昇を介して、前記絶縁層の前記パルスレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホールの形成法」に関係した発明ではなく、その上、請求項４に係る発明がその特徴部分としている「一の照射部に、はじめに前記10μsから20ms の範囲のパルス幅のパルスレーザ光を照射した後、3ms 以上時間的に離間して、前記照射部に10μsから20ms の範囲のパルス幅のパルスレーザ光を1 ショット以上照射することにより、前記ビアホール底の前記金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止する」という工程を具備したものでもない。
　以下、その理由を説明する。引用例１には、有機系絶縁層にエキシマレーザ光を照射して小穴の部分を分解除去し、その後、該絶縁層の超音波洗浄を行なうレーザ加工方法が記載されているが、この超音波洗浄は、該絶縁層の表面に付着したカーボンの分解生成分を完全に除去することを目的としたものであって、請求項４に係る発明がその前提部部としているビアホールの形成法の一部を構成する超音波洗浄とは、その技術的意義を異にする。
　また、引用例２には、銅張積層板（プリント配線基板）の穴あけ加工において、銅箔部の一の照射部に、はじめに銅箔の加工に適したエキシマレーザビーム（所定パルス幅のパルスレーザ光）を照射して小穴をあけ、（その後、所定の時間間隔に離間して、）上記照射部に樹脂材の加工に適した炭酸ガスレーザビーム（所定時間幅のパルスレーザ光）を照射して樹脂部の加工を行うこと、及び、長波長の炭酸ガスレーザによる樹脂部の加工では、黒色炭化物が発生するだけでなく穴内壁面の凹凸が大きくなりがちなので、短波長のエキシマレーザビームを併用することにより、炭化物を除去し、内壁面の凹凸を少なくすることできる加工方法が記載され、さらに、引用例３には、互いに出力の異なる第１加工レーザ光及び第２加工レーザ光を時間差をおいて同一の加工対象物に照射することにより、加工時の衝撃を分散緩和して加工部分周辺に影響を及ぼさずに適性な加工を行えるようにした加工方法が記載されているが、これらの加工方法は、いずれも、請求項４に係る発明が特徴部分の一部としているビアホール底の金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止するという機能を有するものではない。
  なお、引用例４には、請求項４に係る発明とは直接関係のない、テーブル上に複数の吸引孔を設け、減圧することによって被加工物を固定するレーザ加工装置における載置台が記載されているに過ぎない。
  してみると、請求項４に係る発明が不可欠の構成要件としている事項については、上記引用例１ないし引用例４に記載された発明のいずれのものも具備していないといわなければならない。
　したがって、本願の請求項４に係る発明は、上記引用例１ないし引用例４に記載されたものでないばかりでなく、該各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（５）請求項５に係る発明について、
　本願の請求項５に係る発明と上記引用例１ないし引用例４に記載された発明とを比較すると、引用例１ないし引用例４に記載された発明は、いずれも、請求項５に係る発明がその前提部分としている「照射による前記絶縁層の温度上昇を介して、前記絶縁層の前記パルスレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホールの形成法」に関係した発明ではなく、その上、請求項５に係る発明がその特徴部分としている「一の照射部に、はじめに前記10μsから20ms の範囲のパルス幅のパルスレーザ光を照射した後に、3ms 以上時間的に離間して、前記照射部にパルス幅3ns から200nsの範囲、ピークパワー密度10ＭＷ／ｃｍ２から１５０ ＭＷ／ｃｍ２の範囲の照射強度のパルスレーザ光を照射することにより、前記ビアホール底の前記金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止する」という工程を具備したものでもない。
　以下、その理由を説明する。引用例１には、有機系絶縁層にエキシマレーザ光を照射して小穴の部分を分解除去し、その後、該絶縁層の超音波洗浄を行なうレーザ加工方法が記載されているが、この超音波洗浄は、該絶縁層の表面に付着したカーボンの分解生成分を完全に除去することを目的としたものであって、請求項５に係る発明がその前提部分としているビアホールの形成法の一部を構成する超音波洗浄とは、その技術的意義を異にする。
　また、引用例２には、銅張積層板（プリント配線基板）の穴あけ加工において、銅箔部の一の照射部に、はじめに銅箔の加工に適したエキシマレーザビーム（所定パルス幅のパルスレーザ光）を照射して小穴をあけ、（その後、所定の時間間隔に離間して、）上記照射部に樹脂材の加工に適した炭酸ガスレーザビーム（所定時間幅のパルスレーザ光）を照射して樹脂部の加工を行うこと、及び、長波長の炭酸ガスレーザによる樹脂部の加工では、黒色炭化物が発生するだけでなく穴内壁面の凹凸が大きくなりがちなので、短波長のエキシマレーザビームを併用することにより、炭化物を除去し、内壁面の凹凸を少なくすることできる加工方法が記載され、さらに、引用例３には、互いに出力の異なる第１加工レーザ光及び第２加工レーザ光を時間差をおいて同一の加工対象物に照射することにより、加工時の衝撃を分散緩和して加工部分周辺に影響を及ぼさずに適性な加工を行えるようにした加工方法が記載されているが、これらの加工方法は、いずれも、請求項５に係る発明が特徴部分の一部としているビアホール底の金属層との界面における残留絶縁層の発生を抑止するという機能を有するものではない。
  なお、引用例４には、請求項５に係る発明とは直接関係のない、テーブル上に複数の吸引孔を設け、減圧することによって被加工物を固定するレーザ加工装置における載置台が記載されているに過ぎない。
  してみると、請求項５に係る発明が不可欠の構成要件としている事項については、上記引用例１ないし引用例４に記載された発明のいずれのものも具備していないといわなければならない。
　したがって、本願の請求項５に係る発明は、上記引用例１ないし引用例４に記載されたものでないばかりでなく、該各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（６）請求項６に係る発明について
　本願の請求項６に係る発明と上記引用例１ないし引用例４に記載された発明とを比較すると、引用例１ないし引用例４に記載された発明は、いずれも、請求項６に係る発明がその前提部分としている「照射による前記絶縁層の温度上昇を介して、前記絶縁層の前記パルスレーザ光照射部を熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行なうビアホールの形成法」に関係した発明ではなく、その上、請求項６に係る発明がその特徴部分としている「前記フィルム基板の前記金属面側から前記絶縁層の向きに、該金属面が高温となるよう所定の温度勾配を持たせる」という工程を具備したものでもない。
　以下、その理由を説明する。引用例１には、有機系絶縁層にエキシマレーザ光を照射して小穴の部分を分解除去し、その後、該絶縁層の超音波洗浄を行なうレーザ加工方法が記載されているが、この超音波洗浄は、該絶縁層の表面に付着したカーボンの分解生成分を完全に除去することを目的としたものであって、請求項６に係る発明がその前提部分としているビアホールの形成法の一部を構成する超音波洗浄とは、その技術的意義を異にする。
　また、上記引用例１ないし引用例４に記載された発明は、いずれも、請求項６に係る発明が特徴部分としている「フィルム基板の金属面から絶縁層の向きに、該金属面が高温となるよう所定の温度勾配を持たせる」という構成を具備していないし、示唆するところもない。
　したがって、本願の請求項６に係る発明は、上記引用例１ないし引用例４に記載されたものでないばかりでなく、該各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。　
（７）請求項７に係る発明について
　引用例２及び引用例３の記載内容を総合すると、引用例２及び引用例３には、
「有機物質を含有する絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板をレーザ照射領域内に送り、保持する保持手段と、
　所定波長出射光を出力する第１のレーザ光源と、
　前記フィルム基板上の照射部にレーザ光を照射するミラーとレンズからなる光学系と、
　前記照射部をモニタする観察光学系と、
  所定波長出射光を出力する第２のレーザ光源と、
　第２のレーザ光源からの出射光を第１のレーザ光源出射光路に合致させるミラーと、
　レーザ光源、ミラーへの制御信号を所定のタイミングで発生させる制御手段と、を備え、
　レーザ照射点に前記第１のレーザ光源からのパルス光源からのパルス光照射後、前記第２のパルスレーザ光からの出射光を照射するように前記制御手段を作動させるレーザ光照射装置」
が記載されていると認められる。
　また、引用例４には、
「レーザ照射領域内でフィルム基板を平坦に保つ吸着手段を備えたレーザ光照射装置」
が記載されている。
　なお、引用例１には、レーザ光照射装置に関しては特段の記載がない。
  請求項７に係る発明と上記引用例２ないし引用例４に記載された発明とを比較すると、引用例２及び引用例３に記載された発明における第１のレーザ光源、第２のレーザ光源及び光学系は、いずれも、請求項７に係る発明が不可欠の要件としている第１のレーザ光源、第２のレーザ光源及び光学系とはその構成あるいは機能を異にし、その上、引用例２ないし引用例４には、請求項７に係る発明が必須の構成要件としている光変調器を備える構成についての開示がない。また、刊行物４に記載されたものは、基板を平坦に保つ吸着手段を備えたレーザ光照射装置に過ぎない。
  してみると、上記引用例２及び引用例３に記載された発明、並びに引用例４に記載された発明に基づいて、請求項７に係る発明が容易に創作することができたものとすることはできない。
　したがって、本願の請求項７に係る発明は、上記引用例１ないし引用例４に記載されたものでないばかりでなく、該各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（８）請求項８に係る発明について
  請求項８に係る発明は、請求項７に係る発明の構成をすべて備えた上で、更に、フィルム基板を金属面側より加熱する加熱機構を設けたものである。
　したがって、請求項８に係る発明における上記加熱機構が、引用例１ないし引用例４のいずれかに記載されているか否か、あるいは従来周知慣用の手段であるか否かに関わりなく、請求項７に係る発明が、引用例１ないし引用例４に記載されたものでなく、かつ、該各引用例に記載された発明に基づいて容易な発明をすることができたものでない以上、本願の請求項８に係る発明は、上記引用例ないし引用例４に記載された発明であるとすることも、該各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
４．以上のとおりであるので、査定の拒絶の理由によっては、本願について拒絶をすることはできない。
　また、他に、本願について拒絶をすべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。