(57)【要約】【課題】蒸着による成膜時に蒸着材料を均一に加熱することができる蒸着源を備えた製造装置を提供する。また、蒸着材料の供給を効率よく行える蒸着源を備えた製造装置を提供する。【解決手段】材質の異なる材料からなる二重構造を有する蒸着源を用いることにより、蒸着源に備えられた蒸着材料への加熱が均一に行えることを特徴とする製造装置である。なお、二重構造を有する蒸着源は、蒸着材料を備えた第１のルツボと、第１のルツボを内部に備えた第２のルツボで構成され、第１のルツボは、第２のルツボから分離して取り出すことができる。【選択図】図１
2018104804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着源と、前記蒸着源を移動させる手段と、を有する成膜室を有し、
前記蒸着源は、蒸着材料を有する第１のルツボと、前記第１のルツボを内側に備えた第２のルツボと、を有することを特徴とする製造装置。
【請求項２】
搬入室と、前記搬入室に連結された搬送室と、前記搬送室に連結された複数の成膜室と、を有し、
前記成膜室の少なくとも一は、蒸着源と、前記蒸着源を移動させる手段と、を有し、
前記蒸着源は、蒸着材料を有する第１のルツボと、前記第１のルツボを内側に備えた第２のルツボと、を有することを特徴とする製造装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記蒸着源の加熱は、前記第２のルツボに設けられた加熱手段により行うことを特徴とする製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のルツボは赤外線放射率の高い材料からなり、前記第２のルツボは熱伝導率の高い材料からなることを特徴とする製造装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記赤外線放射率の高い材料は、酸化物系のアルミナ、ジルコニア、チタン酸バリウム、炭化物系の炭化ケイ素、窒化物系の窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ハロゲン化物系の蛍石、あるいはそれらの材質の複合体であることを特徴とする製造装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記熱伝導率の高い材料は、銀、銅、金、白金、アルミニウム、チタン、鉄、ニッケル、イリジウム等の金属材料、またはそれらの合金であることを特徴とする製造装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のルツボと、前記第１のルツボと同様に蒸着材料を有する別の第１のルツボとを交換することによって、前記蒸着源の蒸着材料を交換することを特徴とする製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、蒸着により成膜を行う成膜装置を備えた製造装置に関する。また、本発明の一態様は、該製造装置を用いて作製された発光素子および発光装置、電子機器、並びにそれらの作製方法に関する。特に、有機化合物などの蒸着材料を有する蒸着源の構造に関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、上記以外にも半導体装置、表示装置、液晶表示装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００２】
一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる発光素子（有機ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量・高速応答・低電圧駆動などの特性を有することから、これらを適用したディスプレイは、次世代のフラットパネルディスプレイとして注目されている。この発光素子は、ＥＬ層に発光物質である有機化合物を有しており、電圧が印加されると電極から注入された電子およびホールが再結合し、それによって発光物質が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。
【０００３】
ＥＬ層の形成は、ＥＬ層を形成する有機化合物の分子構造によって大別され、高分子系（ポリマー系）材料が、塗布法やインクジェット法などによって形成されるのに対し、低分子系（モノマー系）材料は、主に蒸着法により形成される。
【０００４】
蒸着法を用いて成膜を行う場合は、蒸着装置を用いて蒸着を行うが、成膜された膜の状態が悪いことに起因して発光素子の素子特性に悪影響を与えることから、膜厚を均一にすることができる成膜装置などがこれまで報告されている（例えば、特許文献１。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２４７９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一態様では、蒸着による成膜時に蒸着材料を均一に加熱することができる蒸着源を備えた製造装置を提供する。また、蒸着材料の供給を効率よく行える蒸着源を備えた製造装置を提供する。また、本発明の一態様では、上記の製造装置を用いて形成された発光素子、発光装置、または電子機器を提供する。また、本発明の一態様では、上記の製造装置を用い作製する発光素子、発光装置、および電子機器の作製方法を提供する。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。また、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決するものではない。また、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、材質の異なる材料からなる二重構造を有する蒸着源を用いることにより、蒸着源に備えられた蒸着材料への加熱が均一に行えることを特徴とする製造装置である。なお、二重構造を有する蒸着源は、蒸着材料を備えた第１のルツボと、第１のルツボを内部に備えた第２のルツボで構成され、第１のルツボは、第２のルツボから分離して取り出すことができる。このような構造を有するため、第１のルツボの内部に備えられた蒸着材料を交換するときは、第１のルツボを、蒸着材料を備えた別の第１のルツボと入れ替えることにより、交換することができる。
【０００８】
本発明の別の一態様は、蒸着源と、該蒸着源を移動させる手段と、を有する成膜室を有し、
蒸着源は、蒸着材料を有する第１のルツボと、この第１のルツボを内側に備えた第２のルツボと、を有することを特徴とする製造装置である。
【０００９】
また、本発明の別の一態様は、搬入室と、搬入室に連結された搬送室と、搬送室に連結された複数の成膜室と、を有し、成膜室の少なくとも一は、蒸着源と、蒸着源を移動させる手段と、を有し、蒸着源は、蒸着材料を有する第１のルツボと、第１のルツボを内側に備えた第２のルツボと、を有することを特徴とする製造装置である。
【００１０】
上記各構成において、蒸着源の加熱は、第２のルツボに設けられた加熱手段により行うことを特徴とする。
【００１１】
上記各構成において、第１のルツボは赤外線放射率の高い材料からなり、第２のルツボは熱伝導率の高い材料からなることを特徴とする。
【００１２】
また、上記構成において、赤外線放射率の高い材料としては、酸化物系のアルミナ、ジルコニア、チタン酸バリウム、炭化物系の炭化ケイ素、窒化物系の窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ハロゲン化物系の蛍石、あるいはそれらの材質の複合体を用いることができる。
【００１３】
また、上記各構成において、熱伝導率の高い材料としては、銀、銅、金、白金、アルミニウム、チタン、鉄、ニッケル、イリジウム等の金属材料、またはそれらの合金を用いることができる。
【００１４】
また、本発明の別の一態様は、上記各構成において、蒸着材料を有する第１のルツボと、これと同様に蒸着材料を有する別の第１のルツボとを交換することによって、蒸着源の蒸着材料を交換することができる製造装置である。
【００１５】
さらに、本発明の別の一態様は、上述した本発明の一態様である製造装置を用いて作製された発光素子、発光装置、および電子機器である。なお、一対の電極間に有するＥＬ層や、ＥＬ層に含まれる機能層のいずれかの層の形成に本発明の一態様である製造装置を用いて作製された発光素子も本発明に含まれることとする。また、発光素子に加えて、トランジスタ、基板などを有する発光装置も発明の範疇に含める。さらに、これらの発光装置に加えて、マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、筐体、タッチセンサ、カバー、支持台または、スピーカ等を有する電子機器や照明装置なども発明の範疇に含める。
【００１６】
なお、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、または光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一態様では、製造装置の蒸着源において蒸着材料を均一に加熱することができるため、蒸着時の加熱による蒸着材料の分解や変質を抑制しつつ、形成される蒸着膜の膜質を良好なものとし、作製された発光素子、発光装置、および電子機器の長寿命化を図ることができる。また、蒸着材料の供給を効率よく行える蒸着源を用いることにより、蒸着材料への不純物の混入を防ぎ、蒸着による成膜室を備えた製造装置におけるスループットの向上を図ることができる。また、本発明の一態様では、上記の製造装置を用いて形成された発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】蒸着源の構造について説明する図。
【図２】蒸着源の交換方法について説明する図。
【図３】製造装置について説明する図。
【図４】製造装置について説明する図。
【図５】発光素子について説明する図。
【図６】発光装置について説明する図。
【図７】発光装置について説明する図。
【図８】電子機器について説明する図。
【図９】電子機器について説明する図。
【図１０】製造装置について説明する図。
【図１１】製造装置について説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２０】
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００２１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である製造装置の成膜室で用いる蒸着源の構成について図１を用いて説明する。
【００２２】
図１（Ａ）には、蒸着源１００の詳細を示す。蒸着源１００は、内側の第１のルツボ１０１と、外側の第２のルツボ１０２とで構成された二重ルツボ構造を有する。
【００２３】
図１（Ｂ）には、第１のルツボ１０１の構造を示す。第１のルツボ１０１には、蒸着材料１０４が備えられる。また、第１のルツボ１０１は、赤外線放射率の高い材料で形成される。赤外線放射率の高い材料としては、セラミックス材料が挙げられる。セラミックス材料としては、例えば、酸化物系のアルミナ、ジルコニア、チタン酸バリウム、炭化物系の炭化ケイ素、窒化物系の窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ハロゲン化物系の蛍石、あるいはそれらの材質の複合体などが挙げられる。
【００２４】
このように第１のルツボ１０１は、赤外線放射率の高い材料で形成されているため、内部に蒸着材料を備え、加熱されたルツボ１０１から発せられる遠赤外線の作用により、蒸着材料を過度に加熱する際におこる熱エネルギーによる蒸着材料の分子構造を壊す現象をなるべく防ぎ、また均一に加熱を行うことができる。
【００２５】
図１（Ｃ）には、第２のルツボ１０２の構造とヒーター１０３とを示す。第２のルツボ１０２は、第２のルツボ（上部）１０２Ｔと、第２のルツボ（下部）１０２Ｂとで分離可能な構造を有する。なお、第２のルツボ１０２は、熱伝導率の高い材料で形成されている。熱伝導率の高い材料としては、銀、銅、金、白金、アルミニウム、チタン、鉄、ニッケル、イリジウム等の金属材料、またはそれらの合金を用いることができる。また、第２のルツボ１０２の外側に備えられたヒーター１０３は、加熱の為に用いられる。なお、ヒーター１０３の構成は、特に限定されることは無く、第２のルツボ１０２に対する加熱手段になっていればよい。
【００２６】
このように第２のルツボ１０２は、熱伝導率の高い材料で形成されているため、ヒーター１０３から第２のルツボ１０２に加えられた熱は、内側に備えられた第１のルツボ１０１に対してムラなく効率良く伝えることができる。
【００２７】
図１で示した蒸着源１００は、製造装置の成膜室において用いる。なお、蒸着材料１０４を備えるのは、第１のルツボ１０１の内部であるので、蒸着材料１０４の交換は、第１のルツボ１０１ごと交換すればよい。第１のルツボ１０１の交換は、蒸着源１００の第２のルツボ１０２から使用済みの蒸着材料を備えた第１のルツボ１０１取り出し、新たな蒸着材料を備えた別の第１のルツボ１０１を第２のルツボ１０２に備えることで行うことができる。
【００２８】
次に、図１で示した第１のルツボ１０１の交換について、図２を用いて詳細に説明する。なお、図２では、第１のルツボ１０１について、使用済みの蒸着材料１０４ａを備えた第１のルツボ１０１ａと、新たな蒸着材料１０４ｂを備えた第１のルツボ１０１ｂと、をそれぞれ区別して示す。
【００２９】
図２（ａ）は、使用済みの蒸着源が有する第２のルツボ１０２から、第２のルツボ（上部）１０２Ｔを搬送用ロボット１０８ａにより第２のルツボ（下部）１０２Ｂから分離させる様子を示す。なお、使用済みの蒸着源に備えられている、第１のルツボ１０１ａには、蒸着時の加熱により変質した不純物を含む、使用済みの蒸着材料１０４ａが残っている。
【００３０】
次に矢印の方向に進み、図２（ｂ）に示すように、搬送用ロボット１０８ｂにより、第２のルツボ（下部）１０２Ｂから第１のルツボ１０１ａを取り出す。
【００３１】
次に矢印の方向に進み、図２（ｃ）に示すように、新たな蒸着材料１０４ｂが備えられており、図２（ｂ）で取り出したのとは別の第１のルツボ１０１ｂを搬送用ロボット１０８ｂにより、第２のルツボ（下部）１０２Ｂに備える。
【００３２】
次に矢印の方向に進み、図２（ｄ）に示すように、第２のルツボ（上部）１０２Ｔを搬送用ロボット１０８ａにより第２のルツボ（下部）１０２Ｂに重ねる。これにより、図２（ｅ）に示すように蒸着材料の交換が完了する。ここで、第１のルツボ１０１ｂと第２のルツボ１０２の開口部１０９は、いずれも図２（ｅ）に示す位置となり、同じ位置となる。従って、蒸着の際にヒーター１０３により蒸着源１００が加熱されると、気化した蒸着材料１０４ｂが、開口部１０９から被成膜基板方向へ飛ぶ。これにより、基板に蒸着材料を成膜することができる。
【００３３】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００３４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示した蒸着源を備えた成膜室を有する製造装置について、図３を用いて説明する。図１では成膜室において基板が一方向に水平に搬送される平流し式の装置機構のものを表現しているが、クラスタ方式の成膜室をもつ装置機構のものに対しても適用できる。
【００３５】
図３において、２００は基板、２０１は成膜室、２０２、２０３は基板搬送室、２０４は、ルツボ搬送室、２０５はルツボ交換室、２０６は蒸着源ホルダ、２０７は蒸着源、２０８ａは第１のルツボ、２０８ｂは第２のルツボ、２０９は第１のルツボ交換用ロボット、２１０は第１のルツボ保管用台、２１１は扉、２１２、２１３ａ、２１３ｂ、２１４、２１５は各部屋を仕切るシャッターである。
【００３６】
基板２００は、搬送室２０２から成膜室２０１内に搬送される。選択的位置での蒸着を行う場合には、蒸着マスクと基板との位置あわせを行った後に蒸着を行う。
【００３７】
また、蒸着源ホルダ２０６には蒸着材料（例えば、発光素子のＥＬ層を形成するための有機化合物）が収納された蒸着源２０７がセットされる。図３では、４つの蒸着源がセットされる場合について示したが、これに限られることは無く、蒸着源が１つのみセットされても、３つ以上セットされていてもよい。なお、蒸着源２０７は、実施の形態１で説明した蒸着源１００と同様の構成を有し、蒸着材料が備えられた第１のルツボ２０８ａと、第１のルツボ２０８ａを内部に備えることができる第２のルツボ２０８ｂから構成されている。
【００３８】
蒸着源２０７の蒸着材料の交換は、第１のルツボ２０８ａを第２のルツボ２０８ｂから取り出し、新たな蒸着材料を有する別の第１のルツボと交換することにより行うことができる。すなわち、ルツボ搬送室２０４において、成膜室２０１からルツボ搬送室２０４に搬出された蒸着源２０７が有する使用済みの第１のルツボ２０８ａと、新たな蒸着材料を備えた第１のルツボ２０８ａとが、ルツボ交換用ロボット２０９により交換されることで、蒸着源２０７への新たな蒸着材料の供給が行われる。なお、新たな蒸着材料を備えた第１のルツボ２０８ａは、図３中に示す第１のルツボ保管用台２１０ａに保管されている。また、第２のルツボ２０８ｂから取り出された第１のルツボ２０８ａも第１のルツボ保管用台２１０ａに一時的に保管される。
【００３９】
ルツボ交換室２０５は、第１のルツボ２０８ａが保管された第１のルツボ保管用台２１０ｂを有する。ルツボ交換室２０５は扉２１１から新たな蒸着材料を備えた第１のルツボ２０８ａの搬入、および使用済みの第１のルツボ２０８ａの搬出を行うことができる。
【００４０】
成膜室２０１では、蒸着源ホルダ２０６を一方向に移動させることによって基板に対して線状または帯状に蒸着膜が形成される。次に基板２００を移動させ、再度蒸着源ホルダ２０６を移動させる。蒸着源ホルダ２０６の移動と、基板２００の移動を順次繰り返すことで基板２００の全面に均一な蒸着膜を形成することができる。また、基板２００と蒸着源ホルダ２０６を同時に移動した場合は、基板２００の一辺に対して斜めに線状または帯状に蒸着膜が形成される。本実施の形態で示す構成では、基板２００を一方向に移動または往復させることによって基板２００の全面に蒸着を行うことができる。なお、このような構成の場合、蒸着とともに基板を移動させるため、移動方向を搬送方向と一致させれば、蒸着とともに基板の搬送も行うこととなる。従って、その場合、大量の基板を連続的に処理することに適した製造装置となる。また、蒸着とともに基板の搬送も行うため、製造装置全体としての小型化を図ることもできる。
【００４１】
また、ルツボ搬送室２０４では、蒸着源２０７の加熱および保温を行う。従って、蒸着源ホルダ２０６は常時、ルツボ搬送室２０４で待機し、蒸着速度が安定するまで蒸着源の加熱および保温が行われる。なお、成膜室２０１には、膜厚モニタ（図示しない）設置されており、蒸着速度が安定したら、基板を基板搬送室２０２から成膜室２０１に搬送し、シャッターを開けて蒸着源ホルダを移動させる。蒸着が終わったら蒸着源２０７をルツボ搬送室２０４に移動させて、シャッターを閉める。その後、基板２０１を基板搬送室２０３に搬送することができる。
【００４２】
上述した成膜装置の構成において、蒸着源２０７は第１のルツボ２０８ａと第２のルツボ２０８ｂとが重なった構造を有し、蒸着材料の供給の際には、新たな蒸着材料を備えた第１のルツボごと交換することができるので、交換が容易であることに加えて、材料交換の際に蒸着材料への不純物の混入を防ぐことができる。また、第１のルツボ２０８ａが赤外線放射率の高い材料（例えば、セラミックス材料等）からなり、第２のルツボ２０８ｂが熱伝導率の高い材料（例えば、銀、銅、金、白金、アルミニウム、チタン、鉄、ニッケル、イリジウム等の金属材料、またはそれらの合金）からなるため、これらの二重構造を有する蒸着源では、蒸着源に備えられた蒸着材料に対して均一な加熱が可能となる。なお、蒸着材料を均一に加熱することにより、得られる蒸着膜の膜質を向上させることができる。
【００４３】
なお、成膜室２０１において、蒸着源ホルダ２０６を移動させることにより、蒸着材料を効率的に基板に成膜することができる。
【００４４】
また、図１０には、図３に示した構成とは異なり、２つの成膜室２０１の間に１つのルツボ搬送室２０４が連結される構成を示す。このような構造とすることにより、一方の成膜室２０１ａで成膜を行っている間に、他方の成膜室２０１ｂで使用する蒸着源２０７の第１のルツボ２０８ａの交換を行うことができる。
【００４５】
また、図１１には、成膜室２０１の断面構成の一例を示す。なお、成膜室２０１は、基板固定部２２１、蒸着源ホルダ２０６、移動機構２２２ａ、移動機構２２２ｂ等、移動テーブル２２４等を有する。
【００４６】
なお、基板固定部２２１は、基板２００の被蒸着面が下向きになるように、基板２００を固定することができる。なお、基板２００の被蒸着面に選択的に成膜を行う場合には、必要に応じてマスク２２３を備えても良い。
【００４７】
また、蒸着源ホルダ２０６を保持する移動テーブル２２４は、移動機構２２２によりＸ方向、Ｙ方向、θ方向およびＺ方向に移動することができる。
【００４８】
このように膜質の向上を図ることによって、このような蒸着膜を用いて形成された発光素子やこれを用いて形成される発光装置、電子機器などの特性を向上させることができる。
【００４９】
その他、上述した成膜装置の構成において、成膜の際に蒸着材料の供給や成膜室内の圧力調整に時間を要することなく成膜を行うことができるので、製造におけるスループットを向上させることもできる。
【００５０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で示した蒸着源を備えた成膜室を有する製造装置について、図４を用いて説明する。なお、ここでは、発光素子の第１の電極（陽極）が形成された基板を製造装置に投入し、ＥＬ層の形成、第２の電極（陰極）、および封止基板の貼り合わせまでの工程を製造装置により行う場合について説明する。
【００５１】
図４は、ゲート５００ａ〜５００ｊと、基板投入室（搬入室）５２０と、封止、取出室５１９と、搬送室５０４、５１４と、成膜室５０６、５０９、５１２と、蒸着源を設置するルツボ搬送室５０２と、第１のルツボの搬出、搬入を行うルツボ交換室５０７、前処理室５０３と、封止基板ストック室５３０と、封止基板ロード室５１７と、シーリング室５１８と、を有するマルチチャンバーの製造装置である。
【００５２】
アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合、基板上には、予め第１の電極に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴなど）が複数設けられ、薄膜トランジスタからなる駆動回路も設けられている。なお、単純マトリクス型の発光装置を作製する場合にも図４に示す製造装置で作製することが可能である。
【００５３】
まず、基板投入室５２０に上記基板をセットする。基板サイズは、３２０ｍｍ×４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、さらには１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板でも対応可能である。
【００５４】
基板投入室５２０にセットされた基板は、搬送機構（搬送ロボットなど）５１１ａにより搬送室５０４に搬送される。
【００５５】
なお、搬送室５０４には基板を搬送または反転するための搬送機構（搬送ロボットなど）５１１ａと真空排気手段（図示せず）などが設けられており、他の搬送室５１４も同様に搬送機構と真空排気手段とがそれぞれ設けられている。また、搬送室５０４は大気圧もしくは真空を維持することができる。
【００５６】
なお、上記の真空排気手段としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプなどが挙げられる。これらを備えることにより、各室と連結された搬送室の到達真空度を１０−５〜１０−６Ｐａにすることが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。
【００５７】
また、装置内部に不純物が導入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や希ガス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入されるこれらのガスは、装置内に導入される前にガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に蒸着装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去することができるため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防ぐことができる。
【００５８】
また、蒸着時の加熱等によるシュリンクを低減させるために、成膜室５０６での蒸着を行う直前に基板に対して真空加熱を行うことが好ましく、基板を搬送室５０４から真空加熱が可能な前処理室５０３に搬送し、上記基板に含まれる水分やその他のガスを除去するために、アニール処理を真空（５×１０−３Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０−４〜１０−６Ｐａ）で行うことが好ましい。アニール処理の温度としては、例えば１００℃〜２５０℃が好ましく、１５０℃〜２００℃での加熱がより好ましい。また、前処理室５０３には、紫外線照射が行えるようにＵＶ照射機構を備えていてもよい。
【００５９】
また、高分子材料や溶液に含まれる有機化合物を用いて成膜する必要がある場合には、成膜室５１２で大気圧下、または減圧下で塗布法、インクジェット法、スピンコート法、スプレー法、印刷法などにより成膜することもできる。なお、高分子材料や溶液に含まれる有機化合物の具体例については、他の実施形態に示す具体的な材料を用いることができるものとする。
【００６０】
なお、成膜室５１２で上記のような材料を用いて成膜した場合には、前処理室５０３に搬送して加熱処理を行っても良い。
【００６１】
次に、搬送機構５１１ａにより搬送室５０４から成膜室５０６へ基板が搬送される。成膜室５０６では、発光素子のＥＬ層が形成される。なお、ＥＬ層を構成する機能層としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、または電子注入層などがある。これらの層は、一種または複数種の蒸着材料（有機化合物または無機化合物）を用いて形成される。従って、蒸着源には、これらの蒸着材料を備えておけばよい。また、異なる発光色を示す発光層を形成する場合には、それぞれ異なる有機化合物を蒸着源に備えておけばよい。なお、図４では、成膜室５０６を一つのみ実線で示したが、点線部分に別の成膜室を連結させて設けていても良い。
【００６２】
また、成膜室５０６には、実施の形態２に示したようにＸ方向に移動（または往復）可能な蒸着源ホルダ５１０が設置されている。この蒸着源ホルダ５１０は複数（本実施例では４個）用意されており、適宜、ＥＬ材料が封入された容器（ルツボ）を複数備え、この状態で成膜室に設置されている。例えば、１つ目の蒸着源ホルダには発光層を構成する蒸着材料（有機化合物１）、２つ目の蒸着源ホルダには電子輸送層を構成する蒸着材料（有機化合物２）、３つ目の蒸着源ホルダには電子注入層を構成する蒸着材料（有機化合物３）、４つ目の蒸着源ホルダには陰極バッファ層を構成する蒸着材料（無機化合物）をそれぞれ収納させ、順次蒸着させればよい。また、１つの層の形成に複数種の蒸着材料を用いる場合には、複数の蒸着源ホルダを備えればよい。また、成膜室５０６では蒸着源ホルダ５０１の移動方向と直交するよう基板もＹ方向に移動（または往復）させる。フェイスダウン方式で基板をセットし、ＣＣＤなどで蒸着マスクの位置アライメントを行い、蒸着を行うことで選択的に成膜を行うことができる。蒸着が終了すると基板は次の搬送室５１４側に搬送されることとなる。
【００６３】
成膜室５０６で用いる蒸着源は、実施の形態１および実施の形態２で説明した蒸着源を用いることができる。従って、蒸着源の構成や蒸着材料の交換については実施の形態１および実施の形態２に示した通りである。すなわち、新たな蒸着材料を備えた第１のルツボを使用済みの蒸着材料を備えた第１のルツボとの交換は、ルツボ搬送室５０２で行い、装置外部からの新たな蒸着材料を備えた第１のルツボの搬入および使用済みの蒸着材料を備えた第１のルツボの搬出は、ルツボ交換室５０７で行うことができる。
【００６４】
次に、基板を成膜室５０６から取り出し、成膜室５０９に搬送する。なお、基板の搬送は、搬送室５１４内に設置されている搬送機構５１１ｂにより行う。成膜室５０９では、基板上に第２の電極（陰極）（または保護膜）を形成する。なお、第２の電極は、蒸着法により形成される無機膜（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＣａＦ２、ＬｉＦ、ＣａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜、またはこれらの積層膜）により形成される。その他、スパッタリング法を用いて第２の電極を形成してもよい。
【００６５】
また、成膜室５０９では、窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜からなる保護膜を形成して封止してもよい。この場合、成膜室５０９内には、珪素からなるターゲット、または酸化珪素からなるターゲット、または窒化珪素からなるターゲットが備えられる。また、固定された基板に対して棒状のターゲットを移動させて保護膜を形成してもよい。また、固定された棒状のターゲットに対して、基板を移動させることによって保護膜を形成してもよい。
【００６６】
例えば、珪素からなる円盤状のターゲットを用い、成膜室雰囲気を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気とすることによって陰極上に窒化珪素膜を形成することができる。
【００６７】
また、炭素を主成分とする薄膜（ダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜ともいう）、カーンナノチューブ膜（ＣＮ膜ともいう）、アモルファスカーボン膜）を保護膜として形成してもよく、別途、ＣＶＤ法を用いた成膜室を設けてもよい。プラズマＣＶＤ法（代表的には、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法など）、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザ蒸着法などで形成することができる。
【００６８】
また、ＣＮ膜は反応ガスとしてＣ２Ｈ４ガスとＮ２ガスとを用いて形成すればよい。なお、ＤＬＣ膜やＣＮ膜は、可視光に対して透明もしくは半透明な絶縁膜である。可視光に対して透明とは可視光の透過率が８０〜１００％である場合とし、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０〜８０％である場合を示す。
【００６９】
次に、基板を搬送室５１４から封止、取出室５１９に搬送する。
【００７０】
封止基板は、封止基板ロード室５１７に外部からセットし、用意される。なお、水分などの不純物を除去するために予め真空アニールを行うことが好ましい。また、上記基板と封止基板と貼り合わせるためのシール材を形成する場合には、シーリング室５１８でシール材を形成し、シール材を形成した封止基板を封止基板ストック室５３０に搬送する。
【００７１】
なお、シーリング室５１８において、封止基板に乾燥剤を設けてもよい。また、封止基板ストック室５３０に蒸着時に使用する蒸着マスクをストックしてもよい。なお、ここでは、封止基板に対してシール材を形成した例を示したが、特に限定されず、上記基板（成膜済みの基板）にシール材を形成してもよい。
【００７２】
次に、封止、取出室５１９で基板と封止基板とを貼り合わせ、貼り合わせた一対の基板を封止、取出室５１９に設けられた紫外線照射機構でＵＶ光を照射することにより、シール材を硬化させる。なお、ここではシール材として紫外線硬化樹脂を用いたが、接着材であれば、特に限定されない。
【００７３】
最後に、封止基板と貼り合わされた基板を封止、取出室５１９から取り出す。
【００７４】
以上のように、図４に示した製造装置を用いることで大気に曝すことなく第１の電極上にＥＬ層、第２の電極（必要に応じて保護膜）を形成し、封止基板との貼り合わせを行うことができるため、信頼性の高い発光素子および発光装置を作製することができる。また、蒸着源においては、蒸着材料の交換時に不純物の混入を防ぐだけでなく、交換を容易に行うことができる。また、蒸着源の構造が材質の異なる二種類のルツボからなる二重ルツボ構造を有するために蒸着材料への加熱を均一に行うことが可能である。また、蒸着源が移動し、成膜室５０６内を基板が移動することで蒸着は終了するため、短時間に蒸着が完了し、スループットよく処理を行うことができる。
【００７５】
なお、ここでは図示しないが、本実施の形態で示した製造装置には、各処理室での作業をコントロールするための制御装置や、各処理室間を搬送するための制御装置や、基板を個々の処理室に移動させる経路を制御して自動化を実現するコントロール制御装置などが設けられている。
【００７６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【００７７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である成膜装置によって作製することができる発光素子について図５を用いて説明する。
【００７８】
≪発光素子の基本的な構造≫
まず、発光素子の基本的な構造について説明する。図５（Ａ）には、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を有する発光素子を示す。具体的には、第１の電極１１０１と第２の電極１１０２との間にＥＬ層１１０３が挟まれた構造を有する。
【００７９】
また、図５（Ｂ）には、一対の電極間に複数（図５（Ｂ）では、２層）のＥＬ層（１１０３ａ、１１０３ｂ）を有し、ＥＬ層の間に電荷発生層１１０４を有する積層構造（タンデム構造）の発光素子を示す。タンデム構造の発光素子は、定電流駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
【００８０】
電荷発生層１１０４は、第１の電極１１０１と第２の電極１１０２に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層（１１０３ａまたは１１０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（１１０３ｂまたは１１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図５（Ｂ）において、第１の電極１１０１に第２の電極１１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１１０４からＥＬ層１１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１１０３ｂに正孔が注入されることとなる。
【００８１】
なお、電荷発生層１１０４は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１１０４に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１１０４は、第１の電極１１０１や第２の電極１１０２よりも低い導電率であっても機能する。
【００８２】
また、図５（Ｃ）には、発光素子のＥＬ層１１０３の積層構造を示す。但し、この場合、第１の電極１１０１は陽極として機能するものとする。ＥＬ層１１０３は、第１の電極１１０１上に、正孔（ホール）注入層１１１１、正孔（ホール）輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１１１５が順次積層された構造を有する。なお、図５（Ｂ）に示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各ＥＬ層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極１１０１が陰極で、第２の電極１１０２が陽極の場合は、積層順は逆になる。
【００８３】
ＥＬ層（１１０３、１１０３ａ、１１０３ｂ）に含まれる発光層１１１３は、それぞれ発光物質や複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光や燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１１１３を発光色の異なる積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質やその他の物質は、それぞれ異なる材料を用いればよい。また、図５（Ｂ）に示す複数のＥＬ層（１１０３ａ、１１０３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に用いる発光物質やその他の物質を異なる材料とすればよい。
【００８４】
また、本発明の一態様である発光素子において、例えば、図５（Ｃ）に示す第１の電極１１０１を反射電極とし、第２の電極１１０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造とすることにより、ＥＬ層１１０３に含まれる発光層１１１３から得られる発光を両電極間で共振させ、第２の電極１１０２から得られる発光を強めることができる。
【００８５】
なお、発光素子の第１の電極１１０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１１３から得られる光の波長λに対して、第１の電極１１０１と、第２の電極１１０２との電極間距離がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）近傍となるように調整するのが好ましい。
【００８６】
また、発光層１１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極１１０１から発光層の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２の電極１１０２から発光層１１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１１３における正孔（ホール）と電子との再結合領域を示す。
【００８７】
このような光学調整を行うことにより、発光層１１１３から得られる特定の単色光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。
【００８８】
但し、上記の場合、第１の電極１１０１と第２の電極１１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１１０１における反射領域から第２の電極１１０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第１の電極１１０１や第２の電極１１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１１０１と第２の電極１１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１１０１における反射領域や、所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【００８９】
図５（Ｃ）に示す発光素子は、マイクロキャビティ構造を有するため、同じＥＬ層を有していても異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。従って、異なる発光色を得るための塗り分け（例えば、ＲＧＢ）が不要となる。従って、高精細化を実現することが容易である。また、着色層（カラーフィルタ）との組み合わせも可能である。さらに、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。
【００９０】
図５（Ｅ）に示す発光素子は、図５（Ｂ）に示したタンデム構造の発光素子の一例であり、図に示すように、３つのＥＬ層（１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃ）が電荷発生層（１１０４ａ、１１０４ｂ）を挟んで積層される構造を有する。なお、３つのＥＬ層（１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃ）は、それぞれに発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）を有しており、各発光層の発光色は、自由に組み合わせることができる。例えば、発光層１１１３ａを青色、発光層１１１３ｂを赤色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１１３ｃを青色とすることができるが、発光層１１１３ａを赤色、発光層１１１３ｂを青色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１１３ｃを赤色とすることもできる。
【００９１】
なお、上述した発光素子において、第１の電極１１０１と第２の電極１１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
【００９２】
また、上述した発光素子において、第１の電極１１０１と第２の電極１１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極は、抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
【００９３】
≪発光素子の具体的な構造および作製方法≫
次に、発光素子の具体的な構造および作製方法について、図５を用いて説明する。また、ここでは、図５（Ｂ）に示すタンデム構造を有し、マイクロキャビティ構造を備えた発光素子についても図５（Ｄ）を用いて説明する。図５（Ｄ）に示す発光素子がマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１１０１を反射電極として形成し、第２の電極１１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１１０２は、ＥＬ層１１０３ｂを形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。また、これらの電極の作製には、スパッタ法や真空蒸着法を用いることができる。
【００９４】
＜第１の電極および第２の電極＞
第１の電極１１０１および第２の電極１１０２を形成する材料としては、上述した両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
【００９５】
図５（Ｄ）に示す発光素子において、第１の電極１１０１が陽極である場合、第１の電極１１０１上にＥＬ層１１０３ａの正孔注入層１１１１ａおよび正孔輸送層１１１２ａが真空蒸着法により順次積層形成される。ＥＬ層１１０３ａおよび電荷発生層１１０４が形成された後、電荷発生層１１０４上にＥＬ層１１０３ｂの正孔注入層１１１１ｂおよび正孔輸送層１１１２ｂが同様に順次積層形成される。
【００９６】
＜正孔注入層および正孔輸送層＞
正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１１０１や中間層（１１０４）からＥＬ層（１１０３、１１０３ａ、１１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。
【００９７】
正孔注入性の高い材料としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物が挙げられる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等を用いることができる。
【００９８】
また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）を含む複合材料を用いることもできる。この場合、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）で正孔が発生し、正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）を介して発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ）に正孔が注入される。なお、正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）を含む複合材料からなる単層で形成しても良いが、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とをそれぞれ別の層で積層して形成しても良い。
【００９９】
正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）は、正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）によって、第１の電極１１０１から注入された正孔を発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ）に輸送する層である。なお、正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）に用いる正孔輸送性材料は、特に正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）のＨＯＭＯ準位と同じ、あるいは近いＨＯＭＯ準位を有するものを用いることが好ましい。
【０１００】
正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）に用いるアクセプター性材料としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。その他、キノジメタン誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを用いることができる。具体的には、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）等を用いることができる。
【０１０１】
正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）および正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）に用いる正孔輸送性材料としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。
【０１０２】
正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、具体例としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、
Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９−Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。
【０１０３】
さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
【０１０４】
但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種組み合わせて正孔輸送性材料として正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）および正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）に用いることができる。なお、正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）は、各々複数の層から形成されていても良い。すなわち、例えば第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とが積層されていても良い。
【０１０５】
図５（Ｄ）に示す発光素子においては、ＥＬ層１１０３ａの正孔輸送層１１１２ａ上に発光層１１１３ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層１１０３ａおよび電荷発生層１１０４が形成された後、ＥＬ層１１０３ｂの正孔輸送層１１１２ｂ上に発光層１１１３ｂが真空蒸着法により形成される。
【０１０６】
＜発光層＞
発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）は、発光物質を含む層である。なお、発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、複数の発光層（１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造であっても良い。
【０１０７】
また、発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）を有していても良い。また、１種または複数種の有機化合物としては、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料や電子輸送性材料の一方または両方を用いることができる。
【０１０８】
発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）に用いることができる発光物質としては、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。
【０１０９】
なお、他の発光物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
【０１１０】
一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕ピレン−１，６−ジアミン（１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン）（１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−６−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０２）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）などが挙げられる。
【０１１１】
その他にも、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができる。
【０１１２】
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質（燐光材料）や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｄｅｌａｙｅｄ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。
【０１１３】
燐光材料としては、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げられる。これらは、物質ごとに異なる発光色（発光ピーク）を示すため、必要に応じて適宜選択して用いる。
【０１１４】
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
【０１１５】
例えば、トリス［２−｛５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２｝フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）３］）トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３］）、のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］）、トリス（１−メチル−２−フェニル−４−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、ｆａｃ−トリス［（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。
【０１１６】
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
【０１１７】
例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナン��ロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
【０１１８】
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
【０１１９】
例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−５−フェニル−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２−メチル−３−フェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
【０１２０】
発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）に用いる有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。
【０１２１】
発光物質が蛍光材料である場合、ホスト材料としては一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。例えば、アントラセン誘導体やテトラセン誘導体を用いるのが好ましい。具体的には、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−ビフェニル−４’−イル｝−アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、５，１２−ジフェニルテトラセン、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどが挙げられる。
【０１２２】
発光物質が燐光材料である場合、ホスト材料としては、発光物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すれば良い。なお、この場合には、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体等の他、芳香族アミンやカルバゾール誘導体等を用いることができる。
【０１２３】
ホスト材料として、より具体的には、例えば以下の正孔輸送性材料および電子輸送性材料を用いることができる。
【０１２４】
これら正孔輸送性の高いホスト材料としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等の芳香族アミン化合物を挙げることができる。
【０１２５】
また、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等のカルバゾール誘導体を挙げることができる。また、カルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることもできる。
【０１２６】
また、正孔輸送性の高いホスト材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ−（９，９ｆ−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フル���レン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）、４−［３−（トリフェニレン−２−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ）等のカルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。
【０１２７】
電子輸送性の高いホスト材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等である。また、この他ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）のようなオキサジアゾール誘導体や、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体や、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）のようなイミダゾール骨格を有する化合物（特にベンゾイミダゾール誘導体）や、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのオキサゾール骨格を有する化合物（特にベンゾオキサゾール誘導体）や、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）などのフェナントロリン誘導体や、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。
【０１２８】
また、ホスト材料として、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）２ＰＣＡＰＡ、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、ＤＢＣ１、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５−トリ（１−ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）などを用いることができる。
【０１２９】
また、発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）に有機化合物を複数用いる場合、励起錯体を形成する２種類の化合物（第１の化合物および第２の化合物）と有機金属錯体とを混合して用いることが好ましい。この場合、様々な有機化合物を適宜組み合わせて用いることができるが、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。なお、正孔輸送性材料および電子輸送性材料の具体例については、本実施の形態で示す材料を用いることができる。この構成により、高効率、低電圧、長寿命を同時に実現できる。
【０１３０】
ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１０−６秒以上、好ましくは１０−３秒以上である。
【０１３１】
ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ  ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ  ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ  ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ  ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ  Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
【０１３２】
その他にも、１−ビフェニル−４，６−ビス（１１−フェニルインドロ［１，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、１，４−ジフェニル−６−［３−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）カルバゾール−９−イル］フェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、１−フェノキサジン−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，１，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−［９，９−ジメチルアクリジン−１０（９Ｈ）−イル）］−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルフホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることができる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。
【０１３３】
なお、ＴＡＤＦ材料を用いる場合、他の有機化合物と組み合わせて用いることもできる。特に、ＴＡＤＦ材料と、有機金属錯体とを混合して発光層を形成することが好ましい。この構成により、高効率、低電圧、長寿命を同時に実現できる。
【０１３４】
図５（Ｄ）に示す発光素子においては、ＥＬ層１１０３ａの発光層１１１３ａ上に電子輸送層１１１４ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層１１０３ａおよび電荷発生層１１０４が形成された後、ＥＬ層１１０３ｂの発光層１１１３ｂ上に電子輸送層１１１４ｂが真空蒸着法により形成される。
【０１３５】
＜電子輸送層＞
電子輸送層（１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ）は、電子注入層（１１１５、１１１５ａ、１１１５ｂ）によって、第２の電極１１０２から注入された電子を発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ）に輸送する層である。なお、電子輸送層（１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ）は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送層（１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。
【０１３６】
電子輸送性材料としては、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体などが挙げられる。その他、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物を用いることもできる。
【０１３７】
具体的には、Ａｌｑ３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、ＯＸＤ−７、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体を用いることができる。
【０１３８】
また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。
【０１３９】
また、電子輸送層（１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層した構造であってもよい。
【０１４０】
図５（Ｄ）に示す発光素子においては、ＥＬ層１１０３ａの電子輸送層１１１４ａ上に電子注入層１１１４ａが真空蒸着法により形成される。その後、ＥＬ層１１０３ａおよび電荷発生層１１０４が形成され、ＥＬ層１１０３ｂの電子輸送層１１１４ｂまで形成された後、上に電子注入層１１１４ｂが真空蒸着法により形成される。
【０１４１】
＜電子注入層＞
電子注入層（１１１５、１１１５ａ、１１１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層（１１１５、１１１５ａ、１１１５ｂ）には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層（１１１５、１１１５ａ、１１１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ）を構成する物質を用いることもできる。
【０１４２】
また、電子注入層（１１１５、１１１５ａ、１１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層（１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０１４３】
なお、例えば、発光層１１１３ｂから得られる光を増幅させる場合には、第２の電極１１０２と、発光層１１０３ｂとの光学距離が、発光層１１０３ｂが呈する光の波長に対してλ／４未満となるように形成するのが好ましい。この場合、電子輸送層１１１４ｂまたは電子注入層１１１５ｂの膜厚を変えることにより、調整することができる。
【０１４４】
＜電荷発生層＞
電荷発生層１１０４は、第１の電極（陽極）１１０１と第２の電極（陰極）１１０２との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層１１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１１０４は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１１０４を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０１４５】
電荷発生層１１０４において、正孔輸送性材料に電子受容体が添加された構成とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。
【０１４６】
電荷発生層１１０４において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
【０１４７】
なお、図５（Ｅ）のＥＬ層１１０３ｃは、上述したＥＬ層（１１０３、１１０３ａ、１１０３ｂ）と同様の構成とすればよい。また、中間層１１０４ａ、１１０４ｂについても、上述した中間層１１０４と同様の構成とすればよい。
【０１４８】
＜基板＞
本実施の形態で示した発光素子は、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
【０１４９】
なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などが挙げられる。
【０１５０】
なお、本実施の形態で示す発光素子の作製には、蒸着法などの真空プロセスや、スピンコート法やインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）や、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることができる。特に発光素子のＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）、正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）、発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）、電子輸送層（１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ）、電子注入層（１１１５、１１１５ａ、１１１５ｂ）、および電荷発生層（１１０４、１１０４ａ、１１０４ｂ））については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。
【０１５１】
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層（１１０３、１１０３ａ、１１０３ｂ）を構成する各機能層（正孔注入層（１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ）、正孔輸送層（１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ）、発光層（１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ、１１１３ｃ）、電子輸送層（１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ）、電子注入層（１１１５、１１１５ａ、１１１５ｂ）や電荷発生層（１１０４、１１０４ａ、１１０４ｂ））は、上述した材料に限られることはなく、それ以外の材料であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。一例としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００〜４０００）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。
【０１５２】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１５３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。なお、図６（Ａ）に示す発光装置は、第１の基板１２０１上のトランジスタ（ＦＥＴ）１２０２と発光素子（１２０３Ｒ、１２０３Ｇ、１２０３Ｂ、１２０３Ｗ）が電気的に接続されてなるアクティブマトリクス型の発光装置であり、複数の発光素子（１２０３Ｒ、１２０３Ｇ、１２０３Ｂ、１２０３Ｗ）は、共通のＥＬ層１２０４を有し、また、各発光素子の発光色に応じて、各発光素子の電極間の光学距離が調整されたマイクロキャビティ構造を有する。また、ＥＬ層１２０４から得られた発光が第２の基板１２０５に形成されたカラーフィルタ（１２０６Ｒ、１２０６Ｇ、１２０６Ｂ）を介して射出されるトップエミッション型の発光装置である。
【０１５４】
図６（Ａ）に示す発光装置は、第１の電極１２０７を反射電極として機能するように形成する。また、第２の電極１２０８を半透過・半反射電極として機能するように形成する。なお、第１の電極１２０７および第２の電極１２０８を形成する電極材料としては、他の実施形態の記載を参照し、適宜用いればよい。
【０１５５】
また、図６（Ａ）において、例えば、発光素子１２０３Ｒを赤色発光素子、発光素子１２０３Ｇを緑色発光素子、発光素子１２０３Ｂを青色発光素子、発光素子１２０３Ｗを白色発光素子とする場合、図６（Ｂ）に示すように発光素子１２０３Ｒは、第１の電極１２０７と第２の電極１２０８との間が光学距離１２０６Ｒとなるように調整し、発光素子１２０３Ｇは、第１の電極１２０７と第２の電極１２０８との間が光学距離１２０６Ｇとなるように調整し、発光素子１２０３Ｂは、第１の電極１２０７と第２の電極１２０８との間が光学距離１２０６Ｂとなるように調整する。なお、図６（Ｂ）に示すように、発光素子１２０３Ｒにおいて導電層１２１０Ｒを第１の電極１２０７に積層し、発光素子１２０３Ｇにおいて導電層１２１０Ｇを積層することにより、光学調整を行うことができる。
【０１５６】
第２の基板１２０５には、カラーフィルタ（１２０６Ｒ、１２０６Ｇ、１２０６Ｂ）が形成されている。なお、カラーフィルタは、可視光のうち特定の波長域を通過させ、特定の波長域を阻止するフィルタである。従って、図６（Ａ）に示すように、発光素子１２０３Ｒと重なる位置に赤の波長域のみを通過させるカラーフィルタ１２０６Ｒを設けることにより、発光素子１２０３Ｒから赤色発光を得ることができる。また、発光素子１２０３Ｇと重なる位置に緑の波長域のみを通過させるカラーフィルタ１２０６Ｇを設けることにより、発光素子１２０３Ｇから緑色発光を得ることができる。また、発光素子１２０３Ｂと重なる位置に青の波長域のみを通過させるカラーフィルタ１２０６Ｂを設けることにより、発光素子１２０３Ｂから青色発光を得ることができる。但し、発光素子１２０３Ｗは、カラーフィルタを設けることなく白色発光を得ることができる。なお、１種のカラーフィルタの端部には、黒色層（ブラックマトリックス）１２０９が設けられていてもよい。さらに、カラーフィルタ（１２０６Ｒ、１２０６Ｇ、１２０６Ｂ）や黒色層１２０９は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆われていても良い。
【０１５７】
図６（Ａ）では、第２の基板１２０５側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置を示したが、図６（Ｃ）に示すようにＦＥＴ１２０２が形成されている第１の基板１２０１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としても良い。なお、ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第１の電極１２０７を半透過・半反射電極として機能するように形成し、第２の電極１２０８を反射電極として機能するように形成する。また、第１の基板１２０１は、少なくとも透光性の基板を用いる。また、カラーフィルタ（１２０６Ｒ’、１２０６Ｇ’、１２０６Ｂ’）は、図６（Ｃ）に示すように発光素子（１２０３Ｒ、１２０３Ｇ、１２０３Ｂ）よりも第１の基板１２０１側に設ければよい。
【０１５８】
また、図６（Ａ）において、発光素子が、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子、白色発光素子の場合について示したが、本発明の一態様である発光素子はその構成に限られることはなく、黄色の発光素子や橙色の発光素子を有する構成であっても良い。なお、これらの発光素子を作製するためにＥＬ層（発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）に用いる材料としては、他の実施形態の記載を参照し、適宜用いればよい。なお、その場合には、また、発光素子の発光色に応じてカラーフィルタを適宜選択する必要がある。
【０１５９】
以上のような構成とすることにより、複数の発光色を呈する発光素子を備えた発光装置を得ることができる。
【０１６０】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１６１】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。
【０１６２】
本発明の一態様である発光素子の素子構成を適用することで、アクティブマトリクス型の発光装置やパッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。なお、アクティブマトリクス型の発光装置は、発光素子とトランジスタ（ＦＥＴ）とを組み合わせた構成を有する。従って、パッシブマトリクス型の発光装置、アクティブマトリクス型の発光装置は、いずれも本発明の一態様に含まれる。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。
【０１６３】
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図７を用いて説明する。
【０１６４】
なお、図７（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。アクティブマトリクス型の発光装置は、第１の基板１３０１上に設けられた画素部１３０２、駆動回路部（ソース線駆動回路）１３０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）（１３０４ａ、１３０４ｂ）を有する。画素部１３０２および駆動回路部１３０３、１３０４ａ、１３０４ｂ）は、シール材１３０５によって、第１の基板１３０１と第２の基板１３０６との間に封止される。
【０１６５】
また、第１の基板１３０１上には、引き回し配線１３０７が設けられる。引き回し配線１３０７は、外部入力端子であるＦＰＣ１３０８と接続される。なお、ＦＰＣ１３０８は、駆動回路部（１３０３、１３０４ａ、１３０４ｂ）に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等）や電位を伝達する。また、ＦＰＣ１３０８にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。なお、これらＦＰＣやのＰＷＢが取り付けられた状態は、発光装置に含まれる。
【０１６６】
次に、図７（Ｂ）に断面構造を示す。
【０１６７】
画素部１３０２は、ＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ）１３１１、ＦＥＴ（電流制御用ＦＥＴ）１３１２、およびＦＥＴ１３１２と電気的に接続された第１の電極１３１３を有する複数の画素により形成される。なお、各画素が有するＦＥＴの数は、特に限定されることはなく、必要に応じて適宜設けることができる。
【０１６８】
ＦＥＴ１３０９、１３１０、１３１１、１３１２は、特に限定されることはなく、例えば、スタガ型や逆スタガ型などのトランジスタを適用することができる。また、トップゲート型やボトムゲート型などのトランジスタ構造であってもよい。
【０１６９】
なお、これらのＦＥＴ１３０９、１３１０、１３１１、１３１２に用いることのできる半導体の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。なお、結晶性を有する半導体を用いることで、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０１７０】
また、これらの半導体としては、例えば、第１４族の元素、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体などを用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、インジウムを含む酸化物半導体などを適用することができる。
【０１７１】
駆動回路部１３０３は、ＦＥＴ１３０９とＦＥＴ１３１０とを有する。なお、ＦＥＴ１３０９とＦＥＴ１３１０は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されても良い。また、外部に駆動回路を有する構成としても良い。
【０１７２】
第１の電極１３１３の端部は、絶縁物１３１４により覆われている。なお、絶縁物１３１４には、ネガ型の感光性樹脂や、ポジ型の感光性樹脂（アクリル樹脂）などの有機化合物や、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。絶縁物１３１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面を有するのが好ましい。これにより、絶縁部１３１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。
【０１７３】
第１の電極１３１３上には、ＥＬ層１３１５及び第２の電極１３１６が積層形成される。ＥＬ層１３１５は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を有する。
【０１７４】
なお、本実施の形態で示す発光素子１３１７の構成は、他の実施の形態で説明した構成や材料を適用することができる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極１３１６は外部入力端子であるＦＰＣ１３０８に電気的に接続されている。
【０１７５】
また、図７（Ｂ）に示す断面図では発光素子１３１７を１つのみ図示しているが、画素部１３０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１３０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子の他に、例えば、ホワイト（Ｗ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）等の発光が得られる発光素子を形成してもよい。例えば、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子に上述の数種類の発光が得られる発光素子を追加することにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果が得ることができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。なお、カラーフィルタの種類としては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）等を用いることができる。
【０１７６】
第１の基板１３０１上のＦＥＴ（１３０９、１３１０、１３１１、１３１２）や、発光素子１３１７は、第２の基板１３０６と第１の基板１３０１とをシール材１３０５により貼り合わせることにより、第１の基板１３０１、第２の基板１３０６、およびシール材１３０５で囲まれた空間１３１８に備えられた構造を有する。なお、空間１３１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）や有機物（シール材１３０５を含む）で充填されていてもよい。
【０１７７】
シール材１３０５には、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いることができる。なお、シール材１３０５には、できるだけ水分や酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。また、第２の基板１３０６は、第１の基板１３０１に用いることができるものを同様に用いることができる。従って、他の実施形態で説明した様々な基板を適宜用いることができるものとする。基板としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から第１の基板１３０１及び第２の基板１３０６はガラス基板であることが好ましい。
【０１７８】
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
【０１７９】
また、アクティブマトリクス型の発光装置を可撓性基板に形成する場合、可撓性基板上にＦＥＴと発光素子とを直接形成しても良いが、剥離層を有する別の基板にＦＥＴと発光素子を形成した後、熱、力、レーザ照射などを与えることによりＦＥＴと発光素子を剥離層で剥離し、さらに可撓性基板に転載して作製しても良い。なお、剥離層としては、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層や、ポリイミド等の有機樹脂膜等を用いることができる。また可撓性基板としては、トランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などが挙げられる。これらの基板を用いることにより、耐久性や耐熱性に優れ、軽量化および薄型化を図ることができる。
【０１８０】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８１】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置、本発明の一態様である発光素子を有する表示装置を適用して完成させた様々な電子機器や自動車の一例について、説明する。
【０１８２】
図８（Ａ）〜図８（Ｅ）に示す電子機器は、筐体７０００、表示部７００１、スピーカ７００３、ＬＥＤランプ７００４、操作キー７００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子７００６、センサ７００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７００８、等を有することができる。
【０１８３】
図８（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ７００９、赤外線ポート７０１０、等を有することができる。
【０１８４】
図８（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部７００２、記録媒体読込部７０１１、等を有することができる。
【０１８５】
図８（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部７００２、支持部７０１２、イヤホン７０１３、等を有することができる。
【０１８６】
図８（Ｄ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ７０１４、シャッターボタン７０１５、受像部７０１６、等を有することができる。
【０１８７】
図８（Ｅ）は携帯電話機（スマートフォンを含む）であり、筐体７０００に、表示部７００１、マイクロフォン７００８、スピーカ７００３、カメラ７０２０、外部接続部７０２１、操作用ボタン７０２２、等を有することができる。
【０１８８】
図８（Ｆ）は、大型のテレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）であり、筐体７０００、表示部７００１、スピーカ７００３、等を有することができる。また、ここでは、スタンド７０１８により筐体７０００を支持した構成を示している。
【０１８９】
図８（Ａ）〜図８（Ｆ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図８（Ａ）〜図８（Ｆ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１９０】
図８（Ｇ）は、スマートウオッチであり、筐体７０００、表示部７００１、操作用ボタン７０２２、７０２３、接続端子７０２４、バンド７０２５、留め金７０２６、等を有する。
【０１９１】
ベゼル部分を兼ねる筐体７０００に搭載された表示部７００１は、非矩形状の表示領域を有している。表示部７００１は、時刻を表すアイコン７０２７、その他のアイコン７０２８等を表示することができる。また、表示部７００１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
【０１９２】
なお、図８（Ｇ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。
【０１９３】
また、筐体７０００の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。
【０１９４】
なお、本発明の一態様である発光装置および本発明の一態様である発光素子を有する表示装置は、本実施の形態に示す電子機器の各表示部に用いることができ、色純度の良い表示が可能となる。
【０１９５】
また、発光装置を適用した電子機器として、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示すような折りたたみ可能な携帯情報端末が挙げられる。図９（Ａ）には、展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。また、図９（Ｂ）には、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。さらに、図９（Ｃ）には、折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。
【０１９６】
表示部９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。なお、表示部９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。また、表示部９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部９３１１に用いることができる。また、色純度の良い表示が可能となる。表示部９３１１における表示領域９３１２は折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０の側面に位置する表示領域である。表示領域９３１２には、情報アイコンや使用頻度の高いアプリやプログラムのショートカットなどを表示させることができ、情報の確認やアプリなどの起動をスムーズに行うことができる。
【０１９７】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０１９８】
１００    蒸着源
１０１、１０１ａ、１０１ｂ    第１のルツボ
１０２    第２のルツボ
１０２Ｔ    第２のルツボ（上部）
１０２Ｂ    第２のルツボ（下部）
１０３    ヒーター
１０４    蒸着材料
１０４ａ    蒸着材料
１０４ｂ    新たな蒸着材料
１０８ａ、１０８ｂ    搬送用ロボット
１０９    開口部
２００    基板
２０１    成膜室
２０２、２０３    基板搬送室
２０４    ルツボ搬送室
２０５    ルツボ交換室
２０６    蒸着源ホルダ
２０７    蒸着源
２０８ａ    第１のルツボ
２０８ｂ    第２のルツボ
２０９    ルツボ交換用ロボット
２１０    第１のルツボ保管用台
２１１    扉
２２１    基板固定部
２２２    移動機構
２２３    マスク
２２４    移動テーブル
５００ａ〜５００ｊ    ゲート
５０１、    ゲート
５０２    ルツボ搬送室
５０３    前処理室
５０４、５１４    搬送室
５０６、５０９、５１２    成膜室
５１０    蒸着源ホルダ
５１７    封止基板ロード室
５１８    シーリング室
５１９    封止、取出室
５２０    基板投入室（または、搬入室）
５０７    ルツボ交換室
５３０    封止基板ストック室
１１０１    第１の電極
１１０２    第２の電極
１１０３    ＥＬ層
１１０３ａ、１１０３ｂ    ＥＬ層
１１０４    電荷発生層
１１１１、１１１１ａ、１１１１ｂ    正孔注入層
１１１２、１１１２ａ、１１１２ｂ    正孔輸送層
１１１３、１１１３ａ、１１１３ｂ    発光層
１１１４、１１１４ａ、１１１４ｂ    電子輸送層
１１１５、１１１５ａ、１１１５ｂ    電子注入層
１２０２    トランジスタ（ＦＥＴ）
１２０３Ｒ、１２０３Ｇ、１２０３Ｂ、１２０３Ｗ    発光素子
１２０４    ＥＬ層
１２０５    第２の基板
１２０６Ｒ、１２０６Ｇ、１２０６Ｂ    カラーフィルタ
１２０６Ｒ’、１２０６Ｇ’、１２０６Ｂ’    カラーフィルタ
１２０７    第１の電極
１２０８    第２の電極
１２０９    黒色層（ブラックマトリックス）
１２１０Ｒ、１２１０Ｇ    導電層
１３０１    第１の基板
１３０２    画素部
１３０３    駆動回路部（ソース線駆動回路）
１３０４ａ、１３０４ｂ    駆動回路部（ゲート線駆動回路）
１３０５    シール材
１３０６    第２の基板
１３０７    引き回し配線
１３０８    ＦＰＣ
１３０９    ＦＥＴ
１３１０    ＦＥＴ
１３１１    ＦＥＴ
１３１２    ＦＥＴ
１３１３    第１の電極
１３１４    絶縁物
１３１５    ＥＬ層
１３１６    第２の電極
１３１７    発光素子
１３１８    空間
７０００    筐体
７００１    表示部
７００２    第２表示部
７００３    スピーカ
７００４    ＬＥＤランプ
７００５    操作キー
７００６    接続端子
７００７    センサ
７００８    マイクロフォン
７００９    スイッチ
７０１０    赤外線ポート
７０１１    記録媒体読込部
７０１２    支持部
７０１３    イヤホン
７０１４    アンテナ
７０１５    シャッターボタン
７０１６    受像部
７０１８    スタンド
７０２０    カメラ
７０２１    外部接続部
７０２２、７０２３    操作用ボタン
７０２４    接続端子
７０２５    バンド、
７０２６    留め金
７０２７    時刻を表すアイコン
７０２８    その他のアイコン
９３１０    携帯情報端末
９３１１    表示部
９３１２    表示領域
９３１３    ヒンジ
９３１５    筐体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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