【事件の表示】
　特願２００７−３０７１４７「複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　６月１１日出願公開、特開２００９−１３０３２８、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
 　本願は、平成１９年１１月２８日を出願日とする出願であって、平成２４年１１月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月２１日付けで意見書が提出され、同年４月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年７月１９日付けで拒絶査定がなされた。
　そして、平成２５年１０月２３日に拒絶査定不服審判が請求された。 
 　
第２　本願発明 
 　本願の請求項１乃至請求項４に係る発明は、それぞれ、平成２５年６月７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１乃至請求項４に記載された事項により特定されるものであって、そのうち、請求項１及び請求項３に係る発明は、以下のとおりのものである。 
　
 「【請求項１】
　第一の層、該第一の層の平坦な表面上に配設された第二の層、及び該第二の層の表面上に配設され且つ平坦な裏面を有する第三の層を含み、該第二の層には厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口が形成されており、該貫通開口の各々は下面が該第一の層の平坦な表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成している、ことを特徴とする複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ。
　
【請求項３】
　第一の層の平坦な表面上に第二の層を配設する第一の積層工程と、
　該第一の積層工程の後に、該第二の層に厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口を形成する開口形成工程であって、該第二の層の表面上にレジスト膜を塗布し、該貫通開口に対応したパターンで該レジスト膜を露光して現像し、レジスト膜非存在領域において該第二の層をその厚さ全体に渡って、該第二の層に対しては活性であるが該第一の層に対しては非活性であるエッチング液を使用するエッチングによって除去することを含む開口形成工程と、
　該開口形成工程の後に、該第二の層の表面上に平坦な裏面を有する第三の層を配設し、これによって該貫通開口の各々は下面が該第一の層の平坦な表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成するようになす第二の積層工程と、
　を含む、ことを特徴とする複数個の空洞を有する積層構造ウエーハの製造方法。」　 
 （以下、本願の請求項１に係る発明を「本願発明１」という。また、本願の請求項２〜４に係る発明を、それぞれ「本願発明２」〜「本願発明４」という。） 
 　 
第３　原査定の理由の概要 
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１〜５
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１の段落００５２〜００５７及び図１〜５に、シリコンである第一の層（２）の上に二酸化シリコンである第二の層（６）を形成し、厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口を形成し、第二の層の上にシリコンである第三の層（１０）を接合して、下面が第一の層によって閉じられ上面が第三の層によって閉じられた空洞を構成することが記載されている。
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特表２００６−５１１０７５号公報
　
第４　当審の判断 
１　引用例１の記載事項、及び、引用発明
（１）引用例１の記載事項
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、平成２５年４月２２日付けで通知された拒絶理由において引用文献１として引用された刊行物である、特表２００６−５１１０７５号公報（以下「引用例１」という。）には、「無応力複合基板及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜５とともに、次の記載がある。（なお、下線は当合議体が付加したものである。以下同様。）
　
ア　「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、キャリア材料から成るキャリアと、第一の材料から成る第一の層と、第二の材料から成りキャリアと第一の層との間に位置する中間層とを具備する複合基板に関する。
【０００２】
  本発明はさらに、かかる複合基板の製造方法に関する。
（・・・途中省略・・・）
【０００５】
  今日、いくつかの制約がＳＯＩウェハの主流としての応用可能性を制限している。
【０００６】
  
第一に、シリコンの熱膨張（２６×１０
−７
／℃）と熱二酸化シリコンの熱膨張（５×１０
−７
／℃）とが互いに大きく異なるため、ＳＯＩウェハの二酸化シリコン層にかなりの量の圧縮応力と、薄いシリコンデバイス層にかなりの量の引張応力とが見られる。ＳＯＩウェハが大きくなればなるほど、この問題は重大となる
　
イ　「【発明が解決しようとする課題】
（・・・途中省略・・・）
【００１０】
  冒頭の段落で述べたタイプの
本発明の目的は、ほぼ無応力の複合基板を得ることである
【課題を解決するための手段】
【００１１】
  
本発明の目的は、第一の材料がキャリア材料のそれと概ね同じ膨張挙動を有し、第二の材料に対して拡散不整合を有し、その拡散不整合から生じる応力を吸収するための第二の材料から成る構造を中間層が有することで達成される
【００１２】
  中間層の第二の材料の拡散がキャリア材料と第一の材料とから異なる場合には、拡散不整合が生じる。その拡散不整合は応力を引き起こす。かかる応力は通常、膨張の不整合がある材料から材料にかけての変わり目の近くで最も強くなる。
かかる応力は、中間層内における構造で緩和される。その構造は弾性的に変形でき、そのため応力を吸収できる
【００１３】
  
キャリア材料と中間層の第二の材料との間の拡散不整合から生じる応力の吸収を向上させるため、中間層の厚み通り抜けて構造を延在させることが好ましい。その構造は、弾性的に変形できる空いた表面を有する。かかる空き表面で応力と歪力を容易に緩和できる。
【００１４】
  この構造をキャリアで拡大することで、応力・歪力の緩和が向上する。応力は通常、コーナで特に高い。コーナをキャリア材料で埋設することで、コーナにおける高い応力はもはやキャリアと中間層との界面近くに位置しない。さらに、構造の空き表面が増えれば応力緩和が向上する。
【００１５】
  キャリア材料が第一の材料と同じである時、無応力複合基板を得ることができる。その複合基板はもはや反りを被らない。
【００１６】
  キャリア材料と第一の材料は半導体でよく、例えばシリコン等でもよいが、それに限定はされない。
【００１７】
  中間層の第二の材料はアモルファス材料でもよい。第二の材料は、二酸化シリコン等の酸化半導体材料を包含してもよい。第二の材料は、熱成長二酸化シリコン等、熱酸化半導体材料を包含してもよい。そのようにすることで、無応力構造の上で無応力の第一の層が得られる。通常、絶縁材料の膨張は半導体材料よりも格段に小さいため、絶縁材料上では通常、第一の層における応力は引張応力である。
（・・・途中省略・・・）
【００２１】
  
構造の寸法が１０μｍと１０ｎｍとの間、好ましくは１００ｎｍと２５ｎｍとの間であれば、応力緩和にとって有利である。それらの構造は弾性的に容易に変形できる
　
ウ　「【００４４】
  
ナノ・インプリント・リソグラフィーは、寸法が１００ｎｍ未満の構造を有するデバイスを生産するプロセスであり、それは２段階からなるプロセスである。すなわち、まずはインプリント段階を実行し、その後に、例えばウエットまたはドライエッチングにより基板材料内へのパターンの転写を達成する
インプリント段階では、表面にナノ構造を有するモールドを使用し、薄いレジストフィルムを、または基板上に沈着した能動材料を変形する
パターン転写段階では、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の異方性エッチング処理を用いてマイクロ構造パターンを基板材料内に移し
【００４５】
  ナノインプリントリソグラフィーでは最初に、例えば電子ビームパターンジェネレータ（ＥＢＰＧ）を用いて、モールドを作製する。ＥＢＰＧは電子ビーム技術を使用し、真空内で電子ビームをオン及びオフに切り替えることにより、そしてドローイングオブジェクト（マスク）が設定されたステージを動かすことにより、モールド材料上でパターンを描く。
（・・・途中省略・・・）
【００５０】
  本発明の実施形態によれば、ナノインプリントリソグラフィーと直接貼合せの組み合わせから、ほどよく廉価な無引張応力ＳＯＩ製造方法が提供される。」
　
エ　「【００５１】
  図１から図５に示すように、本発明の方法の一実施形態は次の通りである。
【００５２】
 
 第一の段階では、図１に示すように、基板やシリコンウェハ等のキャリア２がある
【００５３】
  
図２に示すように、シリコンウェハを熱酸化する。その結果、シリコンウェハ２の空き表面４の上に二酸化シリコン層６が形成される
【００５４】
  
第二の段階では、図３に表すように、酸化表面６をパターン化し、その結果、上で説明したナノインプリントリソグラフィーによって構造８を形成する。その構造は、例えば柱の形や先端が切り取られたピラミッド形状等、任意の適宜な形状でよい
構造８は、好ましくは１０μｍと１０ｎｍとの間程度の直径を有し
【００５５】
  
このナノインプリントパターンは、例えば反応性イオンエッチングにより、まずはＳｉＯ
２
層６内に、また次にＳｉＯ
２
層６を通じて基板ウェハ２のシリコン内にまでインプリントする。これは、構造８が基板シリコン２の上で独立したＳｉＯ
２
柱となることを意味する
【００５６】
  
図４に示すように、ダイレクト貼合せか共有貼合せによりこのパターン化されたウェハをデバイスウェハ１０に貼合せる
【００５７】
  
その後、貼合せされたデバイスウェハ１０を所要のＳＯＩ厚みとなるまで薄膜化し（図４の破線を参照）、図５に示すＳＯＩのデバイス層１２を形成する
【００５８】
  
その結果、基板シリコン２内に組み込まれた無応力絶縁マイクロ構造８の上に、無引張応力の薄いシリコン層１２が出来上がる
（・・・途中省略・・・）
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】シリコンウェハの概略垂直断面図。
【図２】熱酸化シリコンウェハの概略垂直断面図。
【図３】本発明の実施形態による構造を設けた熱酸化シリコンウェハの概略垂直断面図。
【図４】さらなるシリコン層が貼合せされた、図３の装置の概略垂直断面図。
【図５】デバイスウェハを薄膜化した後の、図４の構造を示す図。」
　
オ　摘記した上記段落【００５４】の記載を参照すると、概略垂直断面図である図３から、二酸化シリコン層６はナノインプリントリソグラフィーによってパターン化されることにより、上記二酸化シリコン層６が除去された開口部と、上記二酸化シリコン層６が残留して形成された構造８が交互に配列している様子を見て取ることができる。ここで、上記構造８は、摘記した上記段落【００５５】に記載されているように、「独立したＳｉＯ２柱」であり、「独立」とは隣接する他のＳｉＯ２柱とはつながっておらず、別体となっていることを表すものと認められるので、複数の独立したＳｉＯ２柱が、その周囲を上記開口部によって囲まれるように配置されているものと認められる。このことは、逆に言えば、上記開口部は相互に連結しており、基板全面にわたって連続した単一の開口部が形成されているということができる。
　
カ　上記摘記した段落【００４４】及び【００５４】を参照すると、構造８は、二酸化シリコン層６を、ナノインプリントリソグラフィーすることによって、すなわち、レジストを用いたインプリント段階と、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるパターン転写段階によって、形成されるものであるが、概略垂直断面図である図３から、上記反応性イオンエッチングによるパターン転写段階において、上記二酸化シリコン層６は、上記開口部にあたる部分が、その厚さ方向に除去されていることを見て取ることができる。
　
キ　図４から、構造８の表面に張り合わされれたデバイスウェハ１０は、平坦な裏面を有していることが見て取れる。また、図５から、上記デバイスウェハ１０を薄膜化したデバイス層１２も、同様に、平坦な裏面を有していることが見て取れる。
 　 
（２）引用発明
　以上、上記（１）のア〜キの記載事項を総合すると、引用例１には、以下に示す無応力複合基板（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「シリコンウェハ２と、
　上記シリコンウェハ２の表面上に形成された二酸化シリコン層６をパターン化して得られた層（以下「パターン化層」という。）と、
　デバイスウェハ１０の平坦な裏面を上記パターン化層の表面に張り合わせるとともに、薄膜化して得られた、デバイス層１２とを含み、
　上記パターン化層には、上記二酸化シリコン層６を反応性イオンエッチングで厚さ方向に除去することによって、各々が１０μｍと１０ｎｍとの間程度の直径を有し、独立したＳｉＯ２柱からなる複数の構造８と、基板全面にわたって連続した単一の開口部が形成されており、
　上記開口部は、下面が上記シリコンウェハ２によって閉じられ、上面が上記デバイス層１２の平坦な裏面によって閉じられている、ことを特徴とする、単一の開口部を有する無応力複合基板。」
　
２　対比 
　本願発明１と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「シリコンウェハ２」と本願発明１の「第一の層」は、いずれも、その上に形成される他の層を支持する層（以下「支持層」という。）である点で共通している。
　
イ　引用発明の「パターン化層」は、「上記シリコンウェハ２の表面上に形成された二酸化シリコン層６をパターン化して得られた層」であり、したがって、「上記シリコンウェハ２の表面上に形成された」ものであるということができるから、上記アの検討事項を勘案すれば、引用発明の「上記シリコンウェハ２の表面上に形成された二酸化シリコン層６をパターン化して得られた層」である「パターン化層」と、本願発明１の「該第一の層の平坦な表面上に配設された第二の層」とは、「該支持層の」「表面上に配設された第二の層」である点で共通している。
　
ウ　引用発明の「デバイスウェハ１０の平坦な裏面を上記パターン化層の表面に張り合わせ」「た、デバイス層１２」は、上記イの検討事項を勘案すれば、本願発明１の「該第二の層の表面上に配設され且つ平坦な裏面を有する第三の層」に相当している。
　
エ　引用発明の「開口部」は、「上記二酸化シリコン層６を反応性イオンエッチングで厚さ方向に除去することによって」形成されたものであり、摘記した上記段落【００５５】の「ＳｉＯ２層６を通じて基板ウェハ２のシリコン内にまでインプリントする。」との記載から、上記「開口部」が「上記二酸化シリコン層６を」「貫通」していることは明らかである。したがって、引用発明の「上記パターン化層には、上記二酸化シリコン層６を反応性イオンエッチングで厚さ方向に除去することによって、」「基板全面にわたって連続した単一の開口部が形成されて」いることと、本願発明１の「該第二の層には厚さ方向に貫通した複数個の貫通開口が形成されて」いることは、「該第二の層には厚さ方向に貫通した」「貫通開口が形成されて」いる点で共通している。
　
オ　摘記した上記段落【００５５】の「ＳｉＯ２層６を通じて基板ウェハ２のシリコン内にまでインプリントする。」との記載によれば、引用発明において、「上記二酸化シリコン層６を反応性イオンエッチングで厚さ方向に除去する」際に、二酸化シリコン層６のみでなく、その下方にある基板ウェハ２の表面部も除去されることによって、凹部が形成されているものと認められるから、パターン化層がその上に形成されているシリコンウェハ２は平坦な面を有するものではない。
　また、引用発明１の「開口部」は「下面が上記シリコンウェハ２によって閉じられ、上面が上記デバイス層１２の平坦な裏面によって閉じられている」から、本願発明１の「空洞」に相当する。
　したがって、上記アの検討事項も勘案すれば、引用発明において「上記開口部は、下面が上記シリコンウェハ２によって閉じられ、上面が上記デバイス層１２の平坦な裏面によって閉じられている」ことと、本願発明１において「該貫通開口の各々は下面が該第一の層の平坦な表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成している」ことは、「該貫通開口」「は下面が該支持層の」「表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成している」点で共通している。
　
カ　上記オで検討したように、引用発明の「開口部」は本願発明１の「空洞」に相当するから、引用発明の「単一の開口部を有する」と、本願発明１の「複数個の空洞を有する」とは、「空洞を有する」点で共通する。
　
キ　引用発明の「無応力複合基板」は、「シリコンウェハ２」と「パターン化層」と「デバイス層１２」が積層して形成された基板またはウェハであるから、本願発明１の「積層構造ウエーハ」に相当している。
　
　そうすると、本願発明１と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりとなる。 　
 ≪一致点≫
　支持層、該支持層の表面上に配設された第二の層、及び該第二の層の表面上に配設され且つ平坦な裏面を有する第三の層を含み、該第二の層には厚さ方向に貫通した貫通開口が形成されており、該貫通開口は下面が該支持層の表面によって閉じられ上面が該第三の層の平坦な裏面によって閉じられた空洞を構成している、ことを特徴とする空洞を有する積層構造ウエーハ。
　
 ≪相違点≫
 ≪相違点１≫
　本願発明１と引用発明はいずれも「支持層」を有しているが、本願発明１では、「支持層」である「第一の層」は「平坦な表面」を有しているのに対して、引用発明では、「支持層」である「シリコンウェハ２」は「平坦な表面」を有していない点。
　
 ≪相違点２≫
　本願発明１では、「貫通開口」及び「空洞」は「複数個」形成されているのに対して、引用発明では、本願発明１の「貫通開口」及び「空洞」に相当する「開口部」は「単一」個のみ形成されている点。
 　 
３　判断 
　上記相違点のうち、相違点２について検討する。
　引用例１の摘記した上記イに記載されているように、引用例１の発明は、ほぼ無応力の複合基板を得ることを目的としており、第一の材料と第二の材料が拡散不整合（当審注：引用例１では、原文に記載された「dilatation mismatch」の翻訳として「拡散不整合」と記載しているが、正しくは「（熱）膨張不整合」と翻訳されるべきものであるので、以下「膨張不整合」と記載する。）を有する場合に、膨張不整合から生じる応力を吸収するために、複合基板の中間層として、第二の材料からなる構造を設け、当該構造が弾性的に変形することで、上記応力を吸収するようにしたものである。また、摘記した段落【００２１】には、構造の寸法が１０μｍと１０ｎｍの間であれば、構造が弾性的に容易に変形できるとも記載されている。
　そして、引用発明においては、上記「構造」として、「各々が１０μｍと１０ｎｍとの間程度の直径を有し、独立したＳｉＯ２柱」を複数形成することにより、各「独立したＳｉＯ２柱」が弾性的に変形して、応力の吸収を行うものと認められる。
　ここで、仮に、引用発明において、「開口部」を「基板全面にわたって連続した単一の開口部」ではなく、複数個の孤立した開口部として設けるようにする、すなわち、本願の図４に記載された第２の層４のように、二酸化シリコン層内に多数の貫通開口を設ける構成にすると、「ＳｉＯ２柱」はもはや「独立した柱」ではなくなり、隣接した柱同士が連結して、より強固な構造物となり、また、隣接した柱同士が次々に連結すると、そのような構造の寸法は１０μｍを超えるものとなることは明らかであるから、そのような構造は弾性的に容易に変形できるものではなくなり、十分な応力の吸収能力を有さないものになるものと推定される。
　したがって、引用発明において、「単一」個のみ形成されている「開口部」を、「複数個」設けるようにすることには、阻害要因が存在する。
　以上から、引用発明において、「開口部」を「複数個」設けるようにすること、すなわち、上記相違点２に係る本願発明１の構成を採用することが、当業者が容易になし得たことであるということはできない。
 
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 
　
　また、本願発明２は、請求項１を引用し、これをさらに限定する発明であるところ、本願発明１が、上記のように、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえないことから、本願発明２も、本願発明と同様に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　また、本願発明３と本願発明４は、積層構造ウエーハの製造方法に係る発明であり、いずれも、「複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ」という発明特定事項を有するものであるところ、引用例１には、「複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ」について記載されておらず、また、引用例１の記載に基づいて「複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ」とすることが当業者によって容易になし得ることができたものではないことは、上述のとおりである。
　したがって、本願発明３と本願発明４も、引用例１の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
 　 
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明１〜本願発明４に係る発明はいずれも、引用発明もしくは引用例１の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。