【事件の表示】
　特許第３２５３７３４号「半導体装置製造用の石英製装置」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２５３７３４号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３２５３７３４号の請求項１乃至８に係る発明についての特許は、平成５年３月１９日（優先権主張、平成４年６月１９日）に特許出願され、平成１３年１１月２２日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされたものである。
　
（２）本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】半導体ウェハの周囲の雰囲気に触れる第一の石英層と、
　前記第一の石英層に含有される量よりも少ない量の水酸基を含み、前記雰囲気に接しない部分に形成される第二の石英層と、
　前記第一の石英層に含有される量よりも多い量の水酸基を含み、前記第一の石英層と前記第二の石英層の間に挿入された第三の石英層とを有すことを特徴とする半導体装置製造用の石英製装置。（以下、「本件発明１」という。）
【請求項２】半導体ウェハに接触する部分に形成される第一の石英層と、
　前記半導体ウェハに接触しない部分に形成され、水酸基の含有量が前記第一の石英層よりも少ない第二の石英層と、
　前記第一の石英層に含有される量よりも多い量の水酸基を含み、前記第一の石英層と前記第二の石英層の間に挿入された第三の石英層とを有することを特徴とする半導体装置製造用の石英製装置。（以下、「本件発明２」という。）
【請求項３】前記第一の石英層に含まれる水酸基は１００ppm 以上であって、前記第二の石英層に含まれる水酸基は３０ppm 以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置製造用の石英製装置。（以下、「本件発明３」という。）
【請求項４】前記第一の石英層は酸素水素炎熔融法により形成され、前記第二の石英層は電気熔融法により形成され、前記第三の石英層は気相成長法により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置製造用の石英製装置。（以下、「本件発明４」という。）
【請求項５】前記第二の石英層は管状に形成され、前記第一の石英層は前記第二の石英層の内周面側に形成されていることを特徴とする請求項１、３又は４に記載の半導体装置製造用の石英製装置。（以下、「本件発明５」という。）
【請求項６】前記第二の石英層は、半導体ウェハを搭載する形状を有し、その表面が前記第一の石英層により覆われていることを特徴とする請求項２、３又は４に記載の半導体装置製造用の石英製装置。（以下、「本件発明６」という。）
【請求項７】前記第二の石英層は棒状に形成され、その表面が前記第一の石英層により覆われていることを特徴とする請求項１、２、３又は４に記載の半導体装置製造用の石英製装置。（以下、「本件発明７」という。）
【請求項８】前記第三の石英層の水酸基が２００ppm 以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置製造用の石英製装置。（以下、「本件発明８」という。）」
　
（３）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人服部和子は、証拠として甲第１乃至３号証を提出し、本件発明１乃至８は、甲第１乃至３号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１乃至８は、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許を受けることができないものであると主張している。
　
（４）甲各号証記載の発明
　甲第１号証として提出された、特開昭４８−９２４１０号公報には、「多層石英ガラス物体」が図面とともに開示されている。そしてその特許請求の範囲には、「処理室の方に向いている合成石英ガラス製の層と、その上の水晶粒子から溶融された石英ガラス層とを有する固体工学における利用に対する石英ガラス物体、特に、石英ガラス製の中空物体において、溶融された石英ガラス層（２）が合成石英ガラス層（１）を包囲する分割層（３）を有し、その中に拡散阻止部材が設けられるようにしたことを特徴とする多層石英ガラス物体。」と記載され、同公報２頁左下欄３行〜１１行には、「拡散の阻止のために、分割層の中間格子部分を拡散阻止部材で形成することが有効であることが実証された。特に、ＯＨイオン・・・の石英ガラス部分層の中間格子部分の上への形成が、拡散阻止に対して適している。２価の陽イオンの形の拡散阻止部材として、例えば、バリウム、カルシウム及びベリリウムが上げられる。」と記載され、３頁左下欄７行〜１８行には、「この分割層３の中に、撒布された水晶粒子に２価の陽イオンを形成する添加物を混合し、好都合には、高性能バーナによって生成される熱の中で分解される２価の陽イオンの化合物と混合することによって、中間格子部分が形成される。焔による石英ガラス層２の形成の際に、同時に、ＯＨイオンが形成される。同様に、３価のイオンの格子部分の上への形成のために、水晶結晶粒子に相当する添加物、例えば、ガリウムイオン及び（又は）アルミニウムイオンを供給する化合物が混合される。」と記載されている。
　甲第２号証として提出された、「高純度シリカの応用技術」（株式会社シーエムシー１９９１年３月１日発行）の１７５頁の「表２．３．１１石英ガラスの分類」には、透明石英ガラスについて、その製法毎にＯＨ基含有量の多寡が記載されている。
　甲第３号証として提出された、特開昭６２−２６８１２９号公報の２頁左上欄１２行〜１７行には、「一般に透明な天然石英ガラスは均熱効果が悪く、しかもＯＨ基の含有量はあまり多くないので、不純物の拡散防止効果も少ない。また合成石英ガラスは、不純物の含有量は非常に小さいのでウエーハを汚染するおそれは少なく、ＯＨ基の含有量が多いため、不純物の拡散防止効果は大きい」と記載されている。
　
（５）対比・当審の判断
＜本件発明１について＞
　甲第１号証記載の発明と本件発明１とを対比すると、甲第１号証には、半導体ウェハの周囲の雰囲気に触れる第一の石英層（合成石英ガラス層１）と、前記第一の石英層に含有される量よりも少ない量の水酸基を含み、前記雰囲気に接しない部分に形成される第二の石英層（石英ガラス層２）と、前記第一の石英層と前記第二の石英層の間に挿入された第三の石英層（その中に拡散阻止部材が設けられた分割層３）とを有する半導体装置製造用の石英製装置については記載されているが、本件発明１の必須の構成要件である「第一の石英層に含有される量よりも多い量の水酸基を含み、前記第一の石英層と前記第二の石英層の間に挿入された第三の石英層とを有す」る点について記載も示唆もされていない。
　また甲第２乃至３号証を参酌しても上記の点を裏付ける確証は得られない。
　そして本件発明１は、上記の点の構成を有することにより、「第一の石英層と第二の石英層との間に、第三の石英層を介在させ、そのＯＨ基の量を第一の石英層よりも多くしている。これにより、外部から侵入して第一の石英層に到達する不純物の量を第三の石英層により捕捉させる。これにより第一の石英層への不純物の拡散が防止され、不純物の放出量がさらに低減する。」（段落００１５参照）という、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１が甲第１乃至３号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件発明２について＞
　甲第１号証記載の発明と本件発明２とを対比すると、甲第１号証には、半導体ウェハの周囲の雰囲気に触れる第一の石英層（合成石英ガラス層１）と、前記雰囲気に接しない部分に形成される第二の石英層（石英ガラス層２）と、前記第一の石英層に含有される量よりも少ない量の水酸基を含み、前記第一の石英層と前記第二の石英層の間に挿入された第三の石英層（その中に拡散阻止部材が設けられた分割層３）とを有する半導体装置製造用の石英製装置については記載されているが、本件発明２の必須の構成要件である「第一の石英層に含有される量よりも多い量の水酸基を含み、前記第一の石英層と前記第二の石英層の間に挿入された第三の石英層とを有す」る点について記載も示唆もされていないばかりでなく、本件発明２が前提とし、必須の構成要件である「半導体ウェハに接触する部分に形成される第一の石英層」の点について記載も示唆もされていない。
　また甲第２乃至３号証を参酌しても上記の各点を裏付ける確証は得られない。
　そして本件発明２は、上記の前者の点の構成を有することにより、「第一の石英層と第二の石英層との間に、第三の石英層を介在させ、そのＯＨ基の量を第一の石英層よりも多くしている。これにより、外部から侵入して第一の石英層に到達する不純物の量を第三の石英層により捕捉させる。これにより第一の石英層への不純物の拡散が防止され、不純物の放出量がさらに低減する。」（段落００１５参照）という、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明２が甲第１乃至３号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件発明３乃至８について＞
　本件発明３乃至８は、本件発明１又は２を直接又は間接に引用し、本件発明１又は２の構成を前提とするものであるから、本件発明１又は２の場合と同様の理由により、本件発明３乃至８が甲第１乃至３号証に記載された発明に基いて、容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至８に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至８に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月７日（２００３．２．７）