【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水を電解するためのデバイスであって、
電解ユニットであって、
チャンバと、
前記チャンバ内のイオン交換構造であって、
前記チャンバを第１の区画および第２の区画に分離するように構成される、イオン交換部材と、
前記イオン交換部材の第１の部分上に配置され、前記第１の区画内に位置する、カソードと、
前記イオン交換部材の第２の異なる部分上に配置され、前記第２の区画内に位置する、アノードと
を備える、イオン交換構造と
を備える、電解ユニットを備え、前記デバイスは、さらに、
前記イオン交換構造内の水の電解から生じる水素ガスを受容する、高圧チャンバを封入する、ケースと、
圧潰式リザーバを封入するリザーバ筐体であって、前記リザーバ筐体は、前記高圧チャンバ内に配置され、前記リザーバ筐体は、前記電解ユニットのチャンバと流体連通する少なくとも１つのチャネルと、前記高圧チャンバと流体連通する少なくとも１つのポートとを有し、前記圧潰式リザーバは、水を貯蔵し、貯蔵された水を前記電解ユニットのチャンバに供給するように構成される、リザーバと
を備える、デバイス。
【請求項２】
前記イオン交換構造は、プロトン交換膜を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ケースはさらに、少なくとも部分的に、前記電解ユニットおよび前記圧潰式リザーバを封入するように構成され、前記リザーバ筐体は、空気袋と、前記空気袋に圧力を印加するバネとを含有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記イオン交換構造は、第１のイオン交換構造であって、前記デバイスは、
前記チャンバ内の前記第１のイオン交換構造を含む、複数のイオン交換構造をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１の区画と流体連通する、水素放出ポートをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の区画と流体連通する、酸素放出ポートをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記イオン交換構造内の水の電解から生じる酸素ガスを受容する、第２の高圧チャンバであって、外部環境と流体連通する、第２の高圧チャンバをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
第２の高圧チャンバ内に配置され、前記第２の高圧チャンバから前記外部環境への酸素の流出を制御する、放出弁をさらに備える、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記高圧チャンバは、外部環境と流体連通し、前記第２の区画から流体隔離する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記高圧チャンバは、外部環境と流体連通し、前記第１の区画と直接流体連通する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
水を電解する際に使用するためのデバイスであって、
電解ユニットであって、
電解槽を提供する基板であって、チャンバを形成し、その中に、水を前記チャンバに送達するためのチャネルが形成される、基板と、
前記チャンバ内の少なくとも１つのイオン交換構造であって、
前記チャンバを第１の区画および第２の区画に分離するように構成される、イオン交換部材であって、多孔性基板を含む、イオン交換部材と、
前記イオン交換部材の第１の部分上に配置され、前記第１の区画内に位置する、カソードと、
前記イオン交換部材の第２の異なる部分上に配置され、前記第２の区画内に位置する、アノードと
を備える、イオン交換構造と
を備える、電解ユニットを備え、前記デバイスは、さらに、
前記イオン交換構造内の水の電解から生じる水素ガスを受容する、高圧チャンバを封入する、ケースであって、前記高圧チャンバは、外部環境と流体連通する、ケースと、
圧潰式リザーバを封入するリザーバ筐体であって、前記リザーバ筐体は、前記高圧チャンバ内に配置され、前記リザーバ筐体は、前記電解ユニットのチャンバと流体連通する少なくとも１つのチャネルと、前記高圧チャンバと流体連通する少なくとも１つのポートとを有し、前記圧潰式リザーバは、水を貯蔵し、貯蔵された水を前記電解ユニットのチャンバに供給するように構成される、リザーバと
を備える、デバイス。
【請求項１２】
前記圧潰式リザーバは、バネ荷重空気袋を備える、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記基板は、第１の基板であり、前記デバイスは、
前記第１の基板に陽極接合され、前記チャンバを被覆する、第２の基板
をさらに備える、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記カソードおよび前記アノードは、樹枝状金属層の形態であり、前記基板の材料は、シリコンまたはガラスまたはセラミックである、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記カソードと電気接触する前記基板内に配置される、第１のセットのビア導体と、前記アノードと電気接触する前記基板内に配置される、第２のセットのビア導体とをさらに備える、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記第１の基板および前記第２の基板は、シリコンから構成されており、前記デバイスは、
前記第２のシリコン基板の一部によって支持される、第１の液体−ガス隔離板であって、前記第１の区画と流体連通する、第１の液体−ガス隔離板と、
前記第２のシリコン基板によって支持される、第２の液体−ガス隔離板であって、前記第２の区画と流体連通する、第２の液体−ガス隔離板と、
をさらに備える、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記基板は、シリコンから構成されており、前記デバイスは、
付加的ユニットをさらに備え、各付加的ユニットは、
前記第１のシリコン基板、カソード、およびアノードの一体部分として形成される、イオン交換構造を備える、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記チャンバ、前記ユニットのイオン交換構造、および前記チャネルは、単結晶シリコン材料から構成される基板内に提供される、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記イオン交換構造は、多孔性である、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記付加的ユニットは、直列、並列、または直列および並列構成の組み合わせで電気的に接続される、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項２１】
水を電解する際に使用するためのデバイスであって、
水を貯蔵するためのリザーバを封入するリザーバ筐体と、
前記水を電解するためのイオン交換構造を含有するチャンバであって、前記チャンバおよび前記イオン交換構造は、シリコン基板内に一体的に形成される、チャンバと、
前記リザーバおよび前記シリコン基板を封入するケース筐体部材であって、前記ケース筐体部材は、ガス放出ポートおよびガス戻りポートを有する、ケース筐体部材と、
前記ガス放出ポートおよび前記ガス戻りポートと流体連通する、貯蔵タンクと
を備える、デバイス。
【請求項２２】
前記チャンバ、前記リザーバ、および前記貯蔵タンク内の内部圧力は、約２，０００ｐｓｉ〜約５，０００ｐｓｉである、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記リザーバの内側および外側ならびに前記ケース内の圧力は、実質的に、同一である、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記ケースと前記リザーバとの間にバネをさらに備える、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記チャンバの差圧を感知するための１つ以上のセンサをさらに備える、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記センサから信号を受信する、プロセッサをさらに備え、前記プロセッサは、前記デバイスを動作させ、制御するように構成される、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】
水を電解するためのデバイスであって、
水を貯蔵するためのリザーバを封入するリザーバ筐体と、
前記水を電解するためのイオン交換構造であって、前記イオン交換構造は、
第１のスタック基板であって、
第１のシリコン基板の一体部分として、前記第１のシリコン基板内に形成されるチャンバ内に形成される、少なくとも２つのイオン交換構造と、前記第１のシリコン基板内に形成される、ガスチャネルとを備える、第１のシリコン基板と、
ガスチャネルを備える、第２のシリコン基板であって、前記第１のシリコン基板に陽極接合された第１の表面を有し、前記第２のシリコン基板内の前記ガスチャネルは、前記第１のシリコン基板の前記ガスチャネルと流体連通する、第２のシリコン基板と
を備える、第１のスタック基板
を備える、イオン交換構造と、
前記リザーバおよび前記イオン交換構造を封入するケース筐体部材であって、前記ケース筐体部材は、ガス放出ポートおよびガス戻りポートを有する、ケース筐体部材と、
前記ガス放出ポートおよび前記ガス戻りポートと流体連通する、貯蔵タンクと
を備える、デバイス。
【請求項２８】
前記第１のスタック基板と同一の第２のスタック基板をさらに備え、前記第２のスタック基板および前記第１のスタック基板は、接合される、請求項２７に記載のデバイス。
【請求項２９】
上部スタック基板および底部スタック基板をさらに備え、前記上部スタック基板は、前記第１または第２のスタックの一方に接合され、前記上部スタック基板は、前記上部および底部スタック基板の他方に接合される、請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３０】
水を電解する際に使用するためのデバイスであって、
水を貯蔵するためのリザーバを封入するリザーバ筐体と、
前記水を電解するためのイオン交換構造であって、前記イオン交換構造は、
スタックであって、
第１のシリコン基板の一体部分として、前記第１のシリコン基板内に形成されるチャンバ内に形成される、少なくとも２つのイオン交換構造と、前記第１のシリコン基板内に形成される、ガスチャネルとを備える、第１のシリコン基板と、
ガスチャネルを備える、第２のシリコン基板であって、前記第１のシリコン基板に陽極接合された第１の表面を有し、前記第２のシリコン基板内の前記ガスチャネルは、前記第１のシリコン基板の前記ガスチャネルと流体連通する、第２のシリコン基板と、
第３のシリコン基板の一体部分として、前記第３のシリコン基板内に形成されるチャンバ内に形成される、少なくとも２つのイオン交換構造と、前記第３のシリコン基板内に形成される、ガスチャネルとを備える、第３のシリコン基板であって、前記第２のシリコン基板はさらに、前記第３のシリコン基板に陽極接合された第２の表面を有する、第３のシリコン基板と、
ガスチャネルを備える、第４のシリコン基板であって、前記第３のシリコン基板に陽極接合された第１の表面を有し、前記第４のシリコン基板内の前記ガスチャネルは、前記第３のシリコン基板の前記ガスチャネルと流体連通する、第４のシリコン基板と
を備える、スタック
を備える、イオン交換構造と、
前記リザーバおよび前記イオン交換構造を封入するケース筐体部材と
を備える、デバイス。
【請求項３１】
上部スタック基板および底部スタック基板をさらに備え、前記上部スタック基板は、前記第１または第２のスタックの一方に接合され、前記上部スタック基板は、前記上部および底部スタック基板の他方に接合される、請求項３０に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の１つ以上の実施形態の詳細が、付随の図面および以下の説明に記載される。本発明の他の特徴、目的、および利点は、説明および図面ならびに請求項から明白である。
本明細書は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
水を電解するためのデバイスであって、
電解ユニットであって、
チャンバと、
上記チャンバ内のイオン交換構造であって、
上記チャンバを第１の区画および第２の区画に分離するように構成される、イオン交換部材と、
上記イオン交換部材の第１の部分上に配置され、上記第１の区画内に位置する、カソードと、
上記イオン交換部材の第２の異なる部分上に配置され、上記第２の区画内に位置する、アノードと
を備える、イオン交換構造と
を備える、電解ユニットを備え、上記デバイスは、さらに、
少なくとも部分的に、上記イオン交換構造内の水の電解から生じる水素ガスを受容する、高圧チャンバを封入する、ケースと、
上記電解ユニットのチャンバと流体連通する、リザーバであって、上記高圧チャンバ内に配置され、上記電解ユニットのチャンバに供給される水を貯蔵するように構成される、リザーバと
を備える、デバイス。
（項目２）
上記イオン交換構造は、プロトン交換膜を含む、項目１に記載のデバイス。
（項目３）
上記ケースはさらに、少なくとも部分的に、上記電解ユニットおよびリザーバを封入するように構成される、項目１に記載のデバイス。
（項目４）
上記イオン交換構造は、第１のイオン交換構造であって、上記デバイスは、
上記チャンバ内の上記第１のイオン交換構造を含む、複数のイオン交換構造をさらに備える、項目１に記載のデバイス。
（項目５）
上記第１の区画と流体連通する、水素放出ポートをさらに備える、項目１に記載のデバイス。
（項目６）
上記第２の区画と流体連通する、酸素放出ポートをさらに備える、項目１に記載のデバイス。
（項目７）
上記イオン交換構造内の水の電解から生じる酸素ガスを受容する、第２の高圧チャンバであって、外部環境と流体連通する、第２の高圧チャンバをさらに備える、項目１に記載のデバイス。
（項目８）
第２の高圧チャンバ内に配置され、上記第２の高圧チャンバから上記外部環境への酸素の流出を制御する、放出弁をさらに備える、項目７に記載のデバイス。
（項目９）
上記高圧チャンバは、外部環境と流体連通し、上記第１の区画から流体隔離する、項目１に記載のデバイス。
（項目１０）
上記高圧チャンバは、外部環境と流体連通し、上記第１の区画と直接流体連通する、項目１に記載のデバイス。
（項目１１）
水を電解する際に使用するためのデバイスであって、
複数の基板を備える、電解ユニットであって、
電解槽を提供する、第１の基板であって、チャンバを形成し、その中に、水を上記チャンバに送達するためのチャネルが形成される、第１の基板と、
上記第１のチャンバ内の少なくとも１つのイオン交換構造であって、
上記チャンバを第１の区画および第２の区画に分離するように構成される、イオン交換部材であって、多孔性基板を含む、イオン交換部材と、
上記イオン交換部材の第１の部分上に配置され、上記第１の区画内に位置する、カソードと、
上記イオン交換部材の第２の異なる部分上に配置され、上記第２の区画内に位置する、アノードと
を備える、イオン交換構造と
を備える、電解ユニットを備え、上記デバイスは、さらに、
少なくとも部分的に、上記イオン交換構造内の水の電解から生じる水素ガスを受容する、高圧チャンバを封入する、ケースであって、上記高圧チャンバは、外部環境と流体連通する、ケースと、
上記電解ユニットのチャンバと流体連通するリザーバであって、上記高圧チャンバ内に配置され、上記電解ユニットのチャンバに供給される水を貯蔵するように構成される、リザーバと
を備える、デバイス。
（項目１２）
上記リザーバは、上記高圧チャンバ内にあり、バネ荷重空気袋を備える、項目１１に記載のデバイス。
（項目１３）
上記第１の基板に陽極接合され、上記チャンバを被覆する、第２の基板をさらに備える、項目１１に記載のデバイス。
（項目１４）
上記カソードおよび上記アノードは、樹枝状金属層の形態であり、上記基板の材料は、シリコンまたはガラスまたはセラミックである、項目１１に記載のデバイス。
（項目１５）
上記カソードと電気接触する上記第１の基板内に配置される、第１のセットのビア導体と、上記アノードと電気接触する上記第１の基板内に配置される、第２のセットのビア導体とをさらに備える、項目１１に記載のデバイス。
（項目１６）
上記第２のシリコン基板の一部によって支持される、第１の液体−ガス隔離板であって、上記第１の区画と流体連通する、第１の液体−ガス隔離板と、
上記第２のシリコン基板によって支持される、第２の液体−ガス隔離板であって、上記第２の区画と流体連通する、第２の液体−ガス隔離板と、
をさらに備える、項目１３に記載のデバイス。
（項目１７）
付加的ユニットをさらに備え、各付加的ユニットは、
上記第１のシリコン基板、カソード、およびアノードの一体部分として形成される、イオン交換構造を備える、項目１１に記載のデバイス。
（項目１８）
上記チャンバ、上記ユニットのイオン交換構造、および上記チャネルは、単結晶シリコン基板内に提供される、項目１７に記載のデバイス。
（項目１９）
上記イオン交換構造は、多孔性である、項目１８に記載のデバイス。
（項目２０）
上記付加的ユニットは、直列、並列、または直列および並列構成の組み合わせで電気的に接続される、項目１７に記載のデバイス。
（項目２１）
水を電解する際に使用するためのデバイスであって、
水を貯蔵するためのリザーバと、
上記水を電解するためのイオン交換構造を含有するチャンバであって、上記チャンバおよび上記イオン交換構造は、シリコン基板内に一体的に形成される、チャンバと、
上記リザーバおよび上記シリコン基板を格納するケースであって、ガス放出ポートおよびガス戻りポートを備える、ケースと、
上記ガス放出ポートおよび上記ガス戻りポートと流体連通する、貯蔵タンクと
を備える、デバイス。
（項目２２）
上記チャンバ、上記リザーバ、および上記貯蔵タンク内の内部圧力は、約２，０００ｐｓｉ〜約５，０００ｐｓｉである、項目２１に記載のデバイス。
（項目２３）
上記リザーバの内側および外側ならびに上記ケース内の圧力は、実質的に、同一である、項目２１に記載のデバイス。
（項目２４）
上記ケースと上記リザーバとの間にバネをさらに備える、項目２１に記載のデバイス。
（項目２５）
上記チャンバ区画の差圧を感知するための１つ以上のセンサをさらに備える、項目２１に記載のデバイス。
（項目２６）
上記センサから信号を受信する、プロセッサをさらに備え、上記プロセッサは、上記デバイスを動作させ、制御するように構成される、項目２５に記載のデバイス。
（項目２７）
水を電解する際に使用するためのデバイスであって、
第１のスタック基板であって、
第１のシリコン基板の一体部分として、上記第１のシリコン基板内に形成されるチャンバ内に形成される、少なくとも２つのイオン交換構造と、上記第１のシリコン基板内に形成される、ガスチャネルとを備える、第１のシリコン基板と、
ガスチャネルを備える、第２のシリコン基板であって、上記第１のシリコン基板に陽極接合された第１の表面を有し、上記第２のシリコン基板内の上記ガスチャネルは、上記第１のシリコン基板の上記ガスチャネルと流体連通する、第２のシリコン基板と
を備える、第１のスタック基板を備える、デバイス。
（項目２８）
上記第１のスタック基板と同一の第２のスタック基板をさらに備え、上記第２のスタック基板および上記第１のスタック基板は、接合される、項目２７に記載のデバイス。
（項目２９）
上部スタック基板および底部スタック基板をさらに備え、上記上部スタック基板は、上記第１または第２のスタックの一方に接合され、上記上部スタック基板は、上記上部および底部スタック基板の他方に接合される、項目２７に記載のデバイス。
（項目３０）
水を電解する際に使用するためのデバイスであって、
スタックであって、
第１のシリコン基板の一体部分として、上記第１のシリコン基板内に形成されるチャンバ内に形成される、少なくとも２つのイオン交換構造と、上記第１のシリコン基板内に形成される、ガスチャネルとを備える、第１のシリコン基板と、
ガスチャネルを備える、第２のシリコン基板であって、上記第１のシリコン基板に陽極接合された第１の表面を有し、上記第２のシリコン基板内の上記ガスチャネルは、上記第１のシリコン基板の上記ガスチャネルと流体連通する、第２のシリコン基板と、
第３のシリコン基板の一体部分として、上記第３のシリコン基板内に形成されるチャンバ内に形成される、少なくとも２つのイオン交換構造と、上記第３のシリコン基板内に形成される、ガスチャネルとを備える、第３のシリコン基板であって、上記第２のシリコン基板はさらに、上記第３のシリコン基板に陽極接合された第２の表面を有する、第３のシリコン基板と、
ガスチャネルを備える、第４のシリコン基板であって、上記第３のシリコン基板に陽極接合された第１の表面を有し、上記第４のシリコン基板内の上記ガスチャネルは、上記第３のシリコン基板の上記ガスチャネルと流体連通する、第４のシリコン基板と
を備える、スタックを備える、デバイス。
（項目３１）
上部スタック基板および底部スタック基板をさらに備え、上記上部スタック基板は、上記第１または第２のスタックの一方に接合され、上記上部スタック基板は、上記上部および底部スタック基板の他方に接合される、項目３０に記載のデバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
電解槽１２、ループガス導管１８、および貯蔵タンク１４は、接続され（Ｏリング、弁、または他のアプローチを使用して）、被り得る高内部圧力に耐えることができる材料で作製される。特に、以下にさらに詳細に説明されるように、いくつかの実施形態では、電解槽１２は、１つ以上のシリコンウエハ基板、例えば、単一結晶シリコンから形成され、高圧に耐えることができるケース２２内に配置される、１つ以上の電解スタック（図示せず）を含む（高圧容器ケース２２は、図９Ａ−９Ｃと関連して後述される）。代替材料として、ガラス、セラミック、および同等強度を有し、電気的に非伝導性であって、多孔性である、またはそのように処理されることができる、他の材料が挙げられる。高圧容器ケース２２は、ケース内にガスを高圧で含有するために、高強度を有する。種々の材料が、使用されることができるが、材料が、特定の圧力のために、必要引張強度等を有することを前提とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
いくつかの実装では、システムの内部圧力は、継続的に水を電解することを通したガスの産生に応じて、約２，０００ｐｓｉ〜約５，０００ｐｓｉ以上に到達することができる。リザーバの内側および外側の圧力は、平衡化される。産生された水素ガスは、リザーバ４４を経由して、導管ループ１８および水素戻りポート３０（図１Ａ）を通して、水素チャンバ６０を充填する。水素チャンバ６０は、容器ケース２２と電解槽ユニット４３との間に提供され、リザーバ４４およびその筐体６８（また、図９Ｃ参照）を含有する。水素チャンバ６０は、リザーバ筐体６８内の１つ以上のポート６８ａを通して、リザーバ４４の外側表面と流体連通する。いくつかの実装では、リザーバ４４は、圧潰式リザーバ、例えば、水が、電解のために、電解槽チャンバ４２内で消費されるにつれて、リザーバ４４が、水の体積変化に従って圧潰し、より多くの水をチャンバ４２内に付勢するように、ゴム材料から作製される空気袋７１である。同様に、酸素チャンバ６１も、電解から生じる酸素を受容するために提供される。酸素チャンバもまた、高圧（例えば、水素チャンバと同一の圧力）である。Ｏ２放出値は、チャンバ内で感知された圧力に従って、圧力を放出するように制御される。したがって、種々の圧力センサ（アイテム「Ｓ」によって、図２Ａに示されるように）が、ガス圧力を感知するために、チャンバ６０および６１等の種々のチャンバ内に、ならびに水圧を感知するために、リザーバ４４内に配置されて示される。他のセンサ（ガスおよび／または水を感知する）も、区画４８ａ、４８ｂ内等、デバイス１０の種々の部分内に含まれることができる。これらのセンサは、導体または同等物（図示せず）を介して、コントローラ（図１１）に信号を送給する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、図１Ｂおよび２Ｂを参照すると、代替配列が、示される。本代替システム１０’は、リザーバの内側および外側圧力を平衡化するために（図１Ａおよび２Ａに示されるように）、水素ガスを圧力容器ケース内に戻すための図１Ａの導管ループ１８を含まない。代替システム１０’は、電解槽１２（図２Ａ）の構造に類似する、電解槽１２’内に電解ユニットを含む。図２Ｂでは、区画４８ａは、液体／ガス隔離板５８ａを通して、導管によって、高圧水素チャンバ６０に連結される。したがって、電解からの水素は、示されるように、直接、Ｈ２チャンバ６０を充填する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
水は、全スタックされた電解槽基板内のチャンバの全区画に整合された、上部キャップ基板内に開口部を有する水チャネル１０１を通して充填されることができる。水素ガスおよび酸素ガスは、チャンバから、ガスチャネル基板９４内の指定されるガスチャネル１０３を通して流動する（詳細は、後述される）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
特に、図９Ｃを参照すると、圧力容器は、水素を貯蔵タンクに送達するための上部キャップ基板９６内の水素流出ポート１５６と、上部キャップ基板内の水素放出ポート１８０およびリザーバ４４と流体連通する、水素戻りポート１８２とに接続される、水素放出ポート１８０を含む。特に、水素戻りポート１８２は、容器とリザーバ（Ｈ２チャンバ）との間の水素貯蔵空間を電解槽チャンバ（図示せず）内の水素と同一の圧力、例えば、２，２００ｐｓｉを有する水素で充填する。水素貯蔵空間内の水素は、筐体９６内のポート１９９を通して、リザーバ筐体１４２内に流入し、水リザーバ４４の内側および外側の圧力を平衡化する。リザーバとＨ２貯蔵空間との間の他の構成も、使用され、例えば、所望の量の水を貯蔵するために、リザーバの所望のサイズを収容することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ａ】
2014532116.tif 000001
【図１Ｂ】
2014532116.tif 000002
【図２Ａ】
2014532116.tif 000003
【図２Ｂ】
2014532116.tif 000004
【図３】
2014532116.tif 000005
【図４Ａ】
2014532116.tif 000006
【図４Ｂ】
2014532116.tif 000007
【図５Ａ】
2014532116.tif 000008
【図５Ｂ】
2014532116.tif 000009
【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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