【事件の表示】
平成　７年特許願第　８３５００号「位相シフトマスクの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［　平成　８年１０月２２日出願公開、特開平　８−２７９４５２                        ］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年３月１６日の出願であって、その請求項１ないし３に係る発明は、平成１１年１２月１５日付手続補正書で補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたハーフトーン位相シフトマスクの製造方法と認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「基板上にハーフトーン物質層を形成するステップ、前記ハーフトーンパターン物質層上に所望のパターンを得るための少なくとも二つ以上のオープン領域の形成位置を定め、同時に前記基板とハーフトーンパターン物質層に光を照射した場合に、前記二つ以上のオープン領域によって光のサイドローブが重なって形成される光強度の大きい新たなサイドローブを相殺させるための一つ以上のダミーオープン領域の形成位置を定めるステップ、及びパターニング工程を行い、前記オープン領域とダミーオープン領域と定められた位置で、前記ハーフトーンパターン物質層上にオープン領域と前記新たなサイドローブを取り除くためのダミーオープン領域とを形成するステップを備えることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。」
（以下「本願発明」という。）
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審で発した拒絶理由通知で引用された、本願出願の日前である平成６年１０月２８日に頒布された刊行物である引用例（特開平６−３０１１９２号公報）には、次の事項が記載されている。
（ａ）「【請求項１】少なくとも露光光に対して半透明な領域と、透明な領域を含み、上記半透明な領域と、透明な領域を通過する光の位相差がおよそ１８０°となるようにしたホトマスクにおいて、投影する主パタンに、透過光の位相差が透明領域と同じで、かつ透明な補助パタンを配置したことを特徴とするホトマスク。
【請求項２】上記補助パタンは、透明な領域からなる上記主パタンの周辺に設けられていることを特徴とする請求項１記載のホトマスク。
【請求項３】上記補助パタンは、半透明な領域からなる上記主パタンの領域内に設けられていることを特徴とする請求項１記載のホトマスク。
【請求項４】上記補助パタンの少なくとも一辺の大きさが、単独では投影されないような、用いる投影露光光学系の解像限界以下の寸法であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のホトマスク。
【請求項５】上記補助パタンを透明領域からなる主パタンから離れた位置に配置したことを特徴とする請求項２記載のホトマスク。」
（特許請求の範囲請求項１〜請求項５）
（ｂ）「上記従来技術において得られる投影像では、透明領域からなる主パタンの周りにリング状に第２のピークが現われる。主パタンのピーク強度に対して上記第２の光強度ピークが十分小さくないと、本来転写したくない第２のピークまで転写されてしまい、パタン異常となってしまう。通常、主パタンの光強度に対する第２ピークの光強度は、約１／４程度以下であり、通常のパタン転写ではほとんど問題にならない。しかし、レジスト膜厚が厚い場合や、レジスト膜厚のことなる部分に同時にパタンを転写する場合などでは、主パタンの周りにリング状の膜べりを生じる不良が発生する場合があった。また、第２ピークの転写を避けなければならないために、露光量の設定可能幅が小さいことも実用上の問題となっていた。
　また、半透明領域からなる主パタンを形成する場合、ある一定以上の寸法において、半透明領域からなる主パタン内側に、１つ以上の不要な光強度ピークが現れる。主パタンの遮光強度に対して、上記の不要な光強度ピークが十分小さくないと、本来転写したくない不要なピークまでレジストに転写されてしまう場合があり、良好なパタン形成の障害となることが問題となっていた。
　本発明の目的は、不要な光強度ピークを小さくし、パタンの異常転写を防止することにある。」
（段落［０００３］〜段落［０００５］）
（ｃ）「上記目的を達成するために、本発明では投影する主パタンに、透過光の位相差が透明領域と同じで、かつ透明な補助パタンを配置する。
　透明領域からなる主パタン周辺に発生する第２の光強度ピークは、主パタンに対して位相が反転している。また、半透明領域からなる主パタン内側の不要な光強度ピークは半透明主パタンと同位相である。この事から、不要なピーク部分に透明領域と同位相、すなわち、実質的には不要な光強度ピークと逆位相の補助パタンを配置することにより、不要な光強度のピークが打ち消される。」
（段落［０００６］〜段落［０００７］）
（ｄ）「主パタンが透明領域で形成されている場合の従来法の実施例を図１で説明する。・・（中略）・・図１（ｂ）に示すように、このマスクを透過した光の振幅分布は、光透過部３を通過した光が正の符号であるのに対し、半透明位相シフト膜２を通過した光の位相は反転し、負の符号となる。この光をレンズを通しウエハ上に投影すると、図１（ｃ）に示すように光透過部３と半透明位相シフト膜２の境界で位相反転しているため、その直下で光強度はほぼ０となる。そのため光強度の広がりがおさえられ、コントラストの高い微細なパタンが形成できる。しかし、第２の光強度ピーク４が発生することも判る。通常このマスクを用いる場合、この第２ピーク４が転写されないようにレジストの露光量を設定する。しかし、主パタンのピークと第２ピークの光強度差が小さいと、露光量の設定幅が小さくなり、解像不良発生の原因ともなる。従って、第２ピークを小さくすることが、プロセス裕度向上に有効である。本発明の実施例を図２で説明する。図２（ａ）は本発明のマスクの断面図。マスクの材料構成は従来法と同様である。従来法のマスクとの相違点は、補助パタン５を付加したことである。図２（ｂ）に示すように、この補助パタン５を透過した光の位相と光透過部３を通過した光の位相は同じにした。その結果、図２（ｃ）に示すような光強度分布が得られた。従来法での第２ピークは主パタンに対し位相が反転しており負の符号である。この第２ピークに対応する位置に第２ピークとは逆位相の光を導入することにより、互いに打ち消しあい、第２ピークの光強度を減少させることができた。実際のマスクでのパタン配置例を図３に示す。６が半透明位相シフト部、７が主透明パタン、８が補助透明パタンである。・・（中略）・・主パタンと補助パタンの距離１１、Ｒの設定は重要であり、この設定を間違うと逆効果になってしまう。
・・（後略）」
（段落［０００８］）
（ｅ）図１（第５頁下段）
　図１には、半透明位相シフトマスク部２に主パタンに基づく光透過領域３のみを設けた従来技術の場合に、投影像の光透過領域の外側である半透明位相シフトマスク部に相当する部分に第２の光強度ピーク４が発現する点が記載されている。
（ｆ）図２（第５頁下段）
　図２には、図１の従来技術の場合に第２の光強度ピーク４に相当する半透明位相シフトマスク２の部位に補助パタン５を設けることにより、第２の光強度ピーク４が消失している点が記載されている。
　以上の記載事項によると、引用例には、「露光光に対して半透明な領域と透明な領域を設けてなり、上記半透明な領域と、透明な領域を通過する光の位相差がおよそ１８０°となるようにしたホトマスクの製造方法において、投影する主パタンに、透過光の位相差が透明領域と同じで、かつ透明な補助パタンを第２の光強度ピークが発生する位置に配置したことを特徴とするホトマスクの製造方法。」の発明（以下「引用例記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
３．対比
　ここで、本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例記載の発明でいう「半透明な領域」、「主パタン」、「補助パタン」および「第２の光強度ピーク」は、本願発明でいう「ハーフトーン物質層」、「オープン領域」、「ダミーオープン領域」および「サイドローブ」にそれぞれ相当するから、以下の点で一応相違し、その余の点で一致している。
　本願発明では、「ハーフトーンパターン物質層上に所望のパターンを得るための少なくとも二つ以上のオープン領域の形成位置を定め、同時に前記基板とハーフトーンパターン物質層に光を照射した場合に、前記二つ以上のオープン領域によって光のサイドローブが重なって形成される光強度の大きい新たなサイドローブを相殺させるための一つ以上のダミーオープン領域の形成位置を定めるステップ」を有するのに対して、引用例記載の発明では、「二つ以上のオープン領域により形成される新たなサイドローブを相殺するためのダミーオープン領域の形成位置を定める」点に係る具体的記載がない点。
４．当審の判断
　ここで、上記相違点について検討すると、本願発明における「ダミーオープン」および引用例記載の発明における「補助パタン」の設置目的は、「（新たな）サイドローブ」（または「第２の光強度ピーク」）の相殺のために設置する点で軌を一にするものであり、また、引用例記載の発明においても、第２の光強度ピークの発生位置を算出設定しているから、上記相違点に格別の技術的創意が存するものではない。
　したがって、本願発明は、引用例記載の発明から当業者が格別の技術的創意を要さずに発明し得るものである。
　
　なお、審判請求人は、平成１１年１２月１５日付意見書において、引用例記載の発明の方法は、単一のオープンにより生じる第２ピークをダミーオープンを形成することで除去するものであるのに対して、本願発明は、複数のオープンが接近配置されることにより生じる余分なパターン（サイドローブ）を除去するものであって、異なる旨主張し、さらに、引用例には、複数のパターンを接近させるための方法に関する記載がないから、本願発明は、進歩性を有する旨主張している。
（第１頁第２１行〜第２頁第１３行）
　そこで、本願の願書に添付された図面である図５の（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の場合について検討すると、その全ての場合について、引用例記載の発明を適用した場合、サイドローブの外周円上ないしはその外周近傍の部分に補助パタンが形成される。してみると、引用例記載の発明においても、本願発明でダミーパターンを形成すべき部位であるＤ１およびＤ２に補助パタンが存在することとなる。また、本願発明においても、特に図５（ｂ）の場合には、２つのオープンの間にダミーオープンを設ける必要があるのであるから、引用例記載の発明について、審判請求人が主張する欠点が存するものと解される。
　したがって、本願発明ならびに引用例記載の発明について、オープンが単一の場合であっても複数が近接して存在する場合であっても、特段の技術的差異が存するものではないから、審判請求人の上記意見書における主張は、当を得ないものであり、採用することができない。
　
　結局、本願発明は、引用例記載の発明から当業者が容易に発明し得たものである。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記引用例に記載の発明から当業者が容易に発明し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。