【事件の表示】
　特許第３３４７１８３号「半導体製造装置」の請求項１、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３４７１８３号の請求項１、３に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３４７１８３号の発明についての出願は、平成５年５月１３日の出願であって、平成１４年９月６日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、高橋　学より特許異議の申立がなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１１月３０日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否について
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１〜３を次のとおりに訂正する。
　「【請求項１】　反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、前記ドレイン管にドレインバルブを設け、前記貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封した
半導体製造装置に於いて、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する
　　【請求項２】　
反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、該貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封し、前記
前記
ことを特徴とする
　　【請求項３】　反応管内で水蒸気によりウェーハ表面に酸化膜を生成する半導体製造装置に於いて、前記反応管に接続され反応後のガスを排気する排気管と、前記反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とを有し、該排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、
該
、前記ドレイン管にはドレインバルブが設けられ、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する
（２）訂正事項ｂ
　明細書段落【０００８】を次のとおりに訂正する。
　「【課題を解決するための手段】本発明は、反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、前記ドレイン管にドレインバルブを設け、前記貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封した
半導体製造装置に於いて、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を貯める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する
又反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、該貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封し、前記
前記
又
該
、前記ドレイン管にはドレインバルブが設けられ、前記貯水器は、前記配水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する
　なお、下線部が訂正箇所である。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項ａのうち請求項１の訂正は、訂正前の請求項１において「前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する」ことを追加し、貯水器の構成を下位概念に限定したものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。又該訂正は、特許明細書の段落【００１６】、【００２０】、及び図２の記載によって裏付けられている。
　上記訂正事項ａのうち請求項２の訂正は、訂正前の従属形式の記載を独立形式の記載にするために、引用していた訂正前の請求項１の記載を加入したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　上記訂正事項ａのうち請求項３の訂正は、訂正前の請求項３において「前記ドレイン管にはドレインバルブが設けられ、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する」ことを追加し、貯水器の構成を下位概念に限定したものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。又該訂正は、特許明細書の段落【００１６】、【００２０】、及び図２の記載に裏付けられている。　
（２）上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の訂正に伴い、明細書の段落【０００８】の記載を整合させたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項ａ、ｂは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
 
III．特許異議申立について
１．特許異議の申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証（特開平３−２２９４１４号公報）、甲第２号証（特開昭５３−２２１６０号公報）、及び甲第３号証（特開昭６１−１６０９３３号公報）を提出して、訂正前の請求項１、３に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。
　
２．本件発明
　本件特許第３３４７１８３号の請求項１、３に係る発明（以下、「本件発明１」、「本件発明３」という。）は、上記のとおり訂正が認められるから平成１６年１１月３０日付訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、３に記載されたとおりのものである。（上記II．１．（１）訂正事項ａ参照。）
　
３．当審が通知した取消理由において引用した各刊行物及びその記載事項
　刊行物１：特開平３−２２９４１４号公報（甲第１号証）
　刊行物２：特開昭５３−２２１６０号公報（甲第２号証）
　刊行物３：特開昭６０−１２２７９９号公報
　刊行物４：特開昭６１−１６０９３３号公報（甲第３号証）
　
（１）刊行物１：特開平３−２２９４１４号公報
（１ａ）「（従来の技術）　近年、半導体製造熱処理工程においては、・・・これら処理容量の増大にともない酸化や拡散等の熱処理装置から排気管に排出される排気ガスとともに廃液も増大している。
　熱処理装置の中でも特に水蒸気酸化装置ではウエハ処理後の水蒸気が排気管内で冷やされ多量の廃液が排気管内に付着する。」（１頁左下欄１５行〜右下欄５行）
（１ｂ）「（作用）　この発明は排気路に垂直に配置された熱処理後の排ガスが流通する第１の排気管部を設け、この排気管の内壁に付着した廃液が廃液トラップに流り込み、上記廃液トラップに溜まった廃液は排気管内と大気間の圧力差を保ったまま常時溢れ出るようにして排気路の目づまりを防止し、処理の安定化を可能にしたものである。」（２頁右上欄１〜８行）
（１ｃ）「以下、本発明を縦型酸化炉に適用した一実施例について・・・説明する。」（２頁右上欄９〜１０行）
　「第１の排気管２２と第２の排気管２１の接続点下方に廃液トラップ４０を配置する。この廃液トラップ４０の詳細については第２図を参照して次に説明する。
　廃液トラップ４０の一部を構成する上記第１の排気管２２の延長して位置する配管４３を液溜め部４２の内側に挿入配置し、上記液溜め部４２の上部には穴部４４を複数設け、廃液４８を上記穴部４４から溢れ出る様に構成し、液溜め部４２の周囲は外側ケース４６で密閉している。
　・・・
　ヒータ１６により・・・水蒸気とＨＣｌガスをプロセスチューブ１０に供給し半導体ウエハの酸化処理を行う場合、水蒸気と、ＨＣｌガスの多くはプロセスチューブ１０を通過して排気され垂直に配置された排気管２２の内壁で水蒸気が冷やされＨＣｌを含んだ廃液が排気管２２の内壁に付着し、排気管２２の内壁に沿って落下し、廃液トラップ４０に流れ込み液溜め部４２に廃液が溜められる。・・・穴部４４以上に溜まった廃液は液溜め部４２から溢れ出し、廃液トラップ４０から排出される。・・・
　また廃液トラップ４０に溜まった廃液は排気管内と大気間の圧力差を保ったまま常時溢れ出るように構成されているため酸化装置を止めることなく廃液を常時排出することができる。」（２頁左下欄１６行〜３頁左上欄１３行）と記載され、第２図には、廃液トラップ４０の外側ケース４６の下端部にパイプが設けられていることが示されている。
　
（２）刊行物２：特開昭５３−２２１６０号公報
　「石英管１２へはＮ２やＯ２といったドライガスが送られ、その後Ｏ２，Ｈ２の混合気が送られて高温の石英管内で水蒸気を発生するため基板に酸化膜が生成される。トラツピング装置２０はニードル弁ＮＶおよび２ポート２位置切換弁ＤＶのそれぞれ配設されたドライブガス用の流路系２１と水蒸気を多量に含むＯ２，Ｈ２の混合気つまりウエツトガス用の流路系２２とを具備している。・・・メイントラツプＭＴは冷却用流水の充満された冷却チヤンバ２４と析出水分を収納するドレンチヤンバ２６から構成されている。・・・
　・・・そしてＯ２，Ｈ２の混合気つまりウエツトガスが反応管１２に供給される。ウエツトガスはニードル弁ＮＶ２、位置切換弁ＤＶ２を介してメイントラツプＭＴの冷却チヤンバ２４に送られている。そしてウエツトガスは冷却チヤンバ内の循環パイプ内を流れて冷却され、析出した水分はドレンチヤンバ２６に集められている。・・・符号ＤＣはドレンコツクを示している。」（２頁左下欄１０行〜３頁左上欄１０行）
　
（３）刊行物３：特開昭６０−１２２７９９号公報
　「容器８の下部側面には容器底に溜った水を抜く石英ガラスからなるドレーンパイプ２３が取り付けられている。このドレーンパイプ２３にはドレーンコック２４が設けられている。」（３頁左上欄１４〜１７行）
　
（４）刊行物４：特開昭６１−１６０９３３号公報
　「第１図は本発明の一実施例の概略図である。
１は・・・現像処理部であり、２は現像処理されるウェハで、３は１の現像処理部に接続されている廃液、排気系配管であり、４は排気系配管に直接廃液が吸入することを防ぐ為の排気トラップ部であり、５は現像処理動作に準じ現像処理部の排気量を調整する為の自動ダンパーで、６は５の排気自動ダンパーを介し、４の排気トラップ部に接続されている排気系配管であり７は８の一定量の現像処理廃液を溜めるＵ字配管の廃液トラップ部で９は８の廃液トラップ部を介し、４の排気トラップ部に接続されている廃液系配管である。
　・・・本発明による半導体基板の現像処理装置は、常に廃液トラップ部に一定量の現像処理廃液が溜まっており、その廃液により現像処理部と廃液系配管は遮断されている。
　従って、前述した現像処理部の排気量への影響及び廃液系配管からの雰囲気の逆流という問題を本発明を採用することにより解消し、良好な現像処理の条件を容易に得ることを可能とし、半導体素子製造工程の安定化に多大な効果をもたらす。」（２頁左上欄１７行〜右上欄２０行）
　
４．対比・判断
（１）本件発明１について
　上記刊行物１に記載の「配管」、「廃液トラップ」、「液溜め部」、「プロセスチューブ」は、本件発明１の「排水管」、「貯水器」、「貯水皿」、「反応管」に相当する。また、刊行物１の第２図に記載された廃液トラップの外側ケースの下端部に設けられたパイプは、本件発明１の「ドレイン管」に相当することは明らかである。
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、両者は、「反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、前記貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封した半導体製造装置に於いて、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を貯める貯水皿とを有する半導体製造装置」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：本件発明１は「ドレイン管にドレインバルブを設け」ているのに対し、刊行物１に記載の廃液トラップの外側ケースの下端部に設けたパイプには何も設けられていない点。
　相違点２：本件発明１の貯水器は「ドレイン管に接続され貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀」を有するのに対し、刊行物１に記載の廃液トラップの外側ケースはそのようなものではない点。
　
　そこで上記相違点１、２について検討する。
　刊行物２、３に記載されているように、貯水用の容器に設けたドレイン管にドレインコックを設けて該容器に溜まった水を水抜きすることは周知の技術である。
　しかしながら、刊行物１に記載の廃液トラップは、液溜め部に廃液を溜めた後、液溜め部から溢れ出した廃液は、液溜め部の周囲にある外側ケースの下端部に設けたパイプを通して常時排出するものであって、外側ケースは単に液溜め部の周囲に廃液の通路を形成するためのものであるから、外側ケースには廃液を溜める機能はない。
　そうすると、貯水用の容器に設けたドレイン管にドレインコックを設けて水抜きすることが周知の技術であるにしても、刊行物１に記載の外側ケースは液を溜める機能はなく、即ち貯水用の容器とはいえず、該ケースにかかる機能を与える必要はないのであるから、外側ケースの下端部に設けたパイプにドレインバルブを設けて、液溜め部から溢れた水を貯留させることは容易に想到することはできず、本件発明１の貯水器が「ドレイン管に接続され貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀」を有することを当業者といえども容易には構成し得ないものである。
　さらに、刊行物４にもドレインバルブに相当するものは何も記載されていない。
　そして、本件発明１は、ドレイン管にドレインバルブを設けて、貯留椀に貯水皿から溢れた水を貯留することにより、排水管の背圧が上昇する等の理由で貯水皿に溜まった水が抜け落ちても、貯留椀に溜まった水が排水管の栓封状態を維持できるから、反応管内への外気の巻込みや汚染物質の侵入を防止できるという顕著な作用効果を有するものである。
　
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
（２）本件発明３について
　刊行物１に記載の熱処理装置は、半導体ウエハの酸化処理を行うものであるから、半導体ウエハ表面には酸化膜が生成されることは明らかであり、また、熱処理装置のプロセスチューブには反応後のガスを排気する排気管が接続されている。
　そこで、本件発明３と刊行物１に記載の発明とを対比すると、両者は、「反応管内で水蒸気によりウェーハ表面に酸化膜を生成する半導体製造装置に於いて、前記反応管に接続され反応後のガスを排気する排気管と、前記反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とを有し、該排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、該貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封し、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を貯める貯水皿を有する半導体製造装置」の点で一致し、上記本件発明１と刊行物１に記載の発明との相違点１、２と同じ点で相違する。
　そうすると、上記本件発明１の場合と同じ理由により、本件発明３は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１、３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１、３に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年５月３１日（２００５．５．３１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、前記ドレイン管にドレインバルブを設け、前記貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封した
半導体製造装置に於いて、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する
　【請求項２】
反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、該貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封し、前記
前記
ことを特徴とする
　【請求項３】反応管内で水蒸気によりウェーハ表面に酸化膜を生成する半導体製造装置に於いて、前記反応管に接続され反応後のガスを排気する排気管と、前記反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とを有し、該排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、
該
、前記ドレイン管にはドレインバルブが設けられ、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はパイロジェニック炉を具備する半導体製造装置、特にパイロジェニック炉の排水装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体製造装置が具備する反応炉の１つにパイロジェニック炉があり、このパイロジェニック炉は水素と酸素を燃焼させ発生した高純度の水蒸気によってウェーハ表面に緻密で高純度の酸化膜を生成させるものである。
　【０００３】
　図５により従来の縦型パイロジェニック炉について略述する。
　【０００４】
　図中１は反応管であり、該反応管１の上面にはガス導入管２が連通され、前記反応管１の下部にはガス排出口３が接続されている。又、該ガス排出口３はガス排気管４と排水管５とに分岐し、該排水管５は工場施設の排水設備に直接接続されている。
　【０００５】
　反応管１で生じた反応後のガスは前記ガス排気管４より排気され、反応で生じた水は前記排水管５より排水される。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　前記した従来例では排水管５が工場施設の排水設備に直接接続されている為、排水管５を通って施設側の外気或は外部の汚染物質が反応管内に浸入する。この為、排水管５内、反応管１内が汚染し、反応管の下部に位置するウェーハの生成膜の均一性の悪化を招くという問題があった。
　【０００７】
　本発明は斯かる実情に鑑み、排水管から外気或は外部の汚染物質が反応管内に浸入しない様にしたものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、前記ドレイン管にドレインバルブを設け、前記貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封した
半導体製造装置に於いて、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する
又反応管に接続され反応で生じた水を排水する排水管とドレイン管との間に貯水器を設け、該貯水器内に貯留した水により前記排水管を栓封し、前記
前記
又
該
、前記ドレイン管にはドレインバルブが設けられ、前記貯水器は、前記排水管の下端部を収納する様に設けられ反応で生じた水を溜める貯水皿と、前記ドレイン管に接続され前記貯水皿から溢れた水を貯留する貯留椀とを有する
　【０００９】
　【作用】
　反応によって生成した水を栓として利用することで、外気の浸入、外部の汚染物質の巻込みを防止する。
　【００１０】
　【実施例】
　以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
　【００１１】
　図１中、図４中で示したものと同一のものには同符号を付してある。
　【００１２】
　ガス排出口３から分岐した排水管５の下流端に貯水器６を設け、該貯水器６の下流側にドレイン管８を接続し、該ドレイン管８の途中にドレインバルブ７を設ける。
　【００１３】
　反応管１内で発生し滴化した水を貯水器６に貯留し、この貯留した水により排水管５を水封し、工場施設側からの外気の巻込み、汚染物質の浸入を抑止する。前記貯水器６に貯留した水の水位が所定のレベルを越えた場合に、前記ドレインバルブ７を開いて水を排出する。この時の水排出量は、貯水器６内に外気の巻込み、汚染物質の浸入を抑止するに充分な水が残置するものとする。
　【００１４】
　而して、前記ドレインバルブ７を間欠的に開閉することで、前記貯水器６内に所定量の水を保持しつつ排水する。
　【００１５】
　次に、図２に於いて前記した貯水器６の一例を説明する。
　【００１６】
　貯水器６は貯留椀１０、該貯留椀１０に液密に取付けられる椀蓋１１から成り、前記排水管５は前記椀蓋１１を気密に貫通し、前記排水管５の下端は貯留椀１０の上部に位置する。前記排水管５の下端部を収納する様に貯水皿１２が設けられている。
　【００１７】
　前記貯留椀１０の内壁所要の高さに水位センサ１３が設けられ、該水位センサ１３からの信号は制御器１４に入力され、該制御器１４は前記水位センサ１３からの信号に呼応して前記ドレインバルブ７を開閉する。
　【００１８】
　図２に於ける貯水器６の作動を説明する。
　【００１９】
　初期の状態では、前記ドレインバルブ７は閉じてある。
　【００２０】
　前記排水管５より前記反応管１で生成した水が流下していくと、先ず前記貯水皿１２に溜まり、やがて溢れて貯留椀１０に貯留していく。前記貯水皿１２に水が溢れた状態では、前記排水管５の下流端は完全に水中に没している。
　【００２１】
　前記排水管５より水が流下すると共に前記貯留椀１０に貯留された水位が上昇し、前記水位センサ１３で検知される迄水が溜まると、該水位センサ１３は検知信号を前記制御器１４に出力する。該制御器１４は前記ドレインバルブ７を開いて貯留椀１０内の水を排水する。然し、前記貯水皿１２には依然として水は満水状態で、前記排水管５の下流端は没水しているので、前記排水管５に外気、汚染物質が巻込むのを防止する。
　【００２２】
　一旦、前記貯水皿１２に水が満水となると前記ドレインバルブ７を開いたままでもよいが、貯留椀１０の水が排水されると前記ドレインバルブ７を閉じ、貯留椀１０内での水の貯留・排水を繰返してもよい。
　【００２３】
　次に、図３は他の貯水器１５の例を説明する。
　【００２４】
　該貯水器１５の内部には図２で示した様な、貯水皿１２は設けられてなく、その代わり貯水器１５の内壁の上部位置と下部位置とにそれぞれ上限水位センサ１６と下限水位センサ１７とを設け、両水位センサ１６，１７からの信号を制御器１４に入力する様にし、該制御器１４は上限水位センサ１６からの信号入力で前記ドレインバルブ７を開き、前記下限水位センサ１７からの信号入力で前記ドレインバルブ７を閉じる。而して、前記貯水器１５には常に前記下限水位センサ１７が検知する水位以上の水が貯留していることとなり、ドレイン管８から排水管５への外気、汚染物質が巻込むのを防止する。
　【００２５】
　図４は排水管５をＳ字状に曲げ、上流側に下位部１８、下流側に上位部１９を形成し、前記下位部１８で貯留部を形成させ、前記上位部１９で堰２０を形成させたものであり、前記排水管５の下位部１８内壁の前記堰２０と同位置に水位センサ２１を設ける。
　【００２６】
　初期の状態では、前記ドレインバルブ７は閉じてある。
　【００２７】
　排水管５より流下した水は、前記下位部１８に溜まる。前記水位センサ２１は貯留した水の水位を検出するものであり、該水位センサ２１で水位が検出されない状態では前記制御器１４は前記ドレインバルブ７を閉じる。前記下位部１８に溜まった水の水位が上昇し、前記水位センサ２１が検出し、更に水が溢れて前記堰２０を越えてドレインバルブ７へと流落ちる。
　【００２８】
　前記制御器１４は、前記水位センサ２１からの水位検出信号で前記ドレインバルブ７を開き溢れた水のみを排水する。
　【００２９】
　本貯水器に於いても、前記したと同様、下位部１８に溜まった水でドレイン管８から排水管５への外気、汚染物質が巻込むのを防止することは勿論である。更に、長時間反応管１での反応が行われなれず、蒸発等で水位が低下し、前記水位センサ２１の検出レベル以下となった場合は、制御器１４により前記ドレインバルブ７が閉じられ、該ドレインバルブ７自体でも外気、汚染物質の巻込みを防止する。
　【００３０】
　【発明の効果】
　以上述べた如く本発明によれば、外気の浸入、外部の汚染物質の巻込みを防止できるので、排水管、反応室内の汚染を防止でき、反応室内の清浄度を高度に維持することができウェーハの汚染を防止できると共に、成膜の均一性が向上するという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例を示す概略説明図である。
　【図２】
　該実施例に使用される貯水器の一例を示す断面図である。
　【図３】
　該実施例に使用される貯水器の他の例を示す断面図である。
　【図４】
　該実施例に使用される貯水器の更に他の例を示す断面図である。
　【図５】
　従来例の説明図である。
　【符号の説明】
　１　反応管
　５　排水管
　６　貯水器
　７　ドレインバルブ
　８　ドレイン管
　１２　貯水皿
　１３　水位センサ
　１４　制御器
　１６　上限水位センサ
　１７　下限水位センサ
　１８　下位部
　２１　水位センサ