【事件の表示】
　特願２００５−２３７０２２「高性能／高スループット複数チャンバＭＯＣＶＤ成長装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月１６日出願公開、特開２００６−　７４０３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１７年８月１８日（パリ条約による優先権主張　２００４年８月１８日、米国）の出願であって、平成２３年５月２６日に拒絶理由通知がなされ、同年９月３０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年１月１１日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年４月１３日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年７月１３日付けで同年４月１３日付け手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１９日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２５年３月４日付けで当審による審尋がなされ、同年６月５日付けで回答書が提出されたものである。
　
［２］平成２４年１１月１９日付け手続補正の補正却下の決定
＜結論＞
　平成２４年１１月１９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　　
＜理由＞
（１）補正の内容
　本件補正は、平成２３年９月３０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲において、請求項１３及び１４を削除し、請求項１５を以下のとおりとする補正を含むものである。
（補正前）
 「【請求項１５】
　半導体材料の化学気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置であって、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を行うための少なくとも一つの第一のチャンバと、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積
を行うための少なくとも一つの第二のチャンバと、
　第一及び第二のチャンバ間で基板を搬送するための少なくとも一つのトランスファーチャンバと、
  
第一及び第二のチャンバに一定の雰囲気を提供する共通の１つのガス供給入力と、
　少なくとも２つのプロセス分離バルブであって、それらのそれぞれが、第一及び第二のチャンバのうちの一つと連絡しており、また、それらの両方が、第一及び第二のチャンバにおける気相堆積成長中に、トランスファーチャンバから第一及び第二のチャンバを分離するために該トランスファーチャナバと連絡しているバルブと、
　第一及び第二のチャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、またその後で、該トランスファーチャンバから第一及び第二のチャンバのもう一方へと基板を搬送する手段と
を含む気相堆積装置。」
　
（補正後）
「【請求項１３】
　半導体材料の化学気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置であって、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を
専用に
　基板上又は先に堆積させた層の上でｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積
を
専用に
　第一及び第二のチャンバ間で基板を搬送するための少なくとも一つのトランスファーチャンバと、
　少なくとも２つのプロセス分離バルブであって、それらのそれぞれが、第一及び第二のチャンバのうちの一つと連絡しており、また、それらの両方が、第一及び第二のチャンバにおける気相堆積成長中に、トランスファーチャンバから第一及び第二のチャンバを分離するために該トランスファーチャンバと連絡しているバルブと、
　第一及び第二のチャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、またその後で、該トランスファーチャンバから第一及び第二のチャンバのもう一方へと基板を搬送する手段と
を含む気相堆積装置。」
　
（２）補正の目的
　補正前の請求項１５における記載を、補正後の請求項１３における記載とする補正は、以下の補正事項を含むものである。
（ア）第一のチャンバと第二のチャンバが、それぞれ、「ｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積」と「ｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積」を「
専用に
（イ）補正前の請求項１５における「第一及び第二のチャンバに一定の雰囲気を提供する共通の１つのガス供給入力と、」なる事項を削除する（以下、「補正事項（イ）」という。）。
　
　上記補正事項について検討すると、補正事項（ア）については、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項（イ）については、補正前の請求項１５に係る発明特定事項の一部が削除されたので、請求項の削除、誤記の訂正および特許請求の範囲の減縮のいずれを目的とするものでなく、また、削除された「第一及び第二のチャンバに一定の雰囲気を提供する共通の１つのガス供給入力と、」との記載は、それ自体、明りょうでない記載であったともいえない。
　一方、平成２４年１月１１日付けの最後の拒絶理由通知において、「共通の１つのガス供給入力を用いてガスを供給して」との記載は、発明の詳細な説明には存在せず、平成２３年９月３０日付け補正後の請求項１は、新規事項を含むものであり、請求項２−１９についても、請求項１と同様の理由で拒絶すべきものである旨の指摘がなされ、原査定では、この点についても拒絶の理由とされたのに対し、これを回避すべく、本件補正では、補正前の請求項１５における、「第一及び第二のチャンバに一定の雰囲気を提供する共通の１つのガス供給入力と、」なる事項を削除したものと認められるから、上記補正事項（イ）は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件
　上記補正後の請求項１３に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
（３−１）引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開平１１−１１２０３０号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】ｐ型ドーパントをドープしない層からなる半導体層と、ｐ型ドーパントをドープする層を含む半導体層とを有する一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される、有機金属気相成長法による３−５族化合物半導体の製造方法において、ｐ型ドーパントをドープしない層からなる半導体層を成長させる反応炉と、ｐ型ドーパントをドープする反応炉とを互いに異なるものとすることを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法。」（第２頁第１欄第１−１０行）
　
（ｂ）「【０００２】
【従来の技術】紫外、青色もしくは緑色の発光ダイオードまたは紫外、青色もしくは緑色のレーザダイオード等の発光素子の材料として、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体が知られている。以下、この一般式中のｘ、ｙおよびｚをそれぞれＩｎＮ混晶比、ＧａＮ混晶比およびＡｌＮ混晶比と記すことがある。該３−５族化合物半導体において、特にＩｎＮを混晶比で１０％以上含むものは、ＩｎＮ混晶比に応じて可視領域での発光波長を調整できるため、表示用途に特に重要である。
【０００３】該３−５族化合物半導体の製造方法としては、分子線エピタキシー（以下、ＭＢＥと記すことがある。）法、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥと記すことがある。）法、ハイドライド気相成長（以下、ＨＶＰＥと記すことがある。）法などが挙げられる。これらの方法のなかでは、ＭＯＶＰＥ法が、大面積にわたり、均一な結晶成長が可能なため、重要である。
【０００４】ところで、該化合物半導体にｐ型伝導性を付与するためのアクセプタ型ドーパントとしては、Ｂｅ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃなどが知られているが、これらのうちで、Ｍｇは他のドーパントと比べて高いｐ型伝導性を実現できるため、現在よく用いられている。以下の説明は、Ｍｇを例に挙げて行なうが、その他のｐ型ドーパントに対しても同様の問題があることはよく知られている。
【０００５】ＭＯＶＰＥ法に用いられるＭｇソースとしては、ビス−シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ５Ｈ５）２Ｍｇ、以下Ｃｐ２Ｍｇと記すことがある。）、……などが知られているが、いずれも、ガス配管、反応炉などに強く吸着し、ドーパント原料の供給よりも遅れて結晶中へのドーパントの取り込みが始まる、または、ドーパントソースを流した成長の次のラン以降に、意図しないドーパントの取り込みが徐々に生じるなどの問題が生じる。これらは、一般的にドーパントのメモリー効果と呼ばれている。」（第２頁第２欄第６−４５行）
　
（ｃ）「【課題を解決するための手段】本発明者らは、このような事情をみて鋭意検討した結果、原理的に、メモリー効果を有する原料を使用しない成長炉とメモリー効果を有する原料を使用する成長炉の２つの成長炉を用いて、発光素子に必要な積層構造を順次成長することにより、１つの成長炉で一貫して成長する場合よりも、ドーパントのメモリー効果を低減して繰り返し安定して高品質の窒化物系３−５族化合物半導体を製造できることを見出し本発明に至った。」（第３頁第３欄第１３−２１行）
　
（ｄ）「【００１５】この方法において、成長炉間の基板の移動において、一度、１つの成長装置から空気中に取り出した後、別の成長炉にセットしなおしてもよい。この場合、取り出した基板を検査して、あらかじめ、一定の特性を満たさないものについては次の成長を行なわず、最終的に不良品の発生を抑えることができる。
【００１６】また、基板を１つの成長装置から取り出した後、さらに基板を水、有機溶剤等を用いて洗浄したり、または表面の酸化物層を取り除くようなエッチング処理を行なってもよい。具体的なエッチング用処理材としては、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、アンモニア水等のアルカリ水溶液、またはアルカリ水溶液と過酸化水素水の混合液、またはフッ酸、塩酸、硝酸等の酸もしくはその混合液などが挙げられる。
【００１７】また、基板を空気中に取り出さず、窒素、アルゴン等の不活性な雰囲気下、水素雰囲気下または真空中で、基板を第１の成長炉から取り出し、別の成長炉にセットすることもできる。さらに、基板を載置するサセプタと呼ばれる治具ごと成長炉間を移動させてもよい。」（第３頁第４欄第４２行−第４頁第５欄第１１行）
　
（ｅ）「【００３２】３−５族化合物半導体のｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｏが用いられる。この中で、低抵抗のｎ型をつくりやすく、原料純度の高いものが得られるＳｉが好ましい。Ｓｉのドーピング用の原料としては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などが用いられる。」（第５頁第８欄第３６−４１行）
　
（３−２）引用刊行物記載の発明
　上記記載事項（ａ）−（ｅ）によれば、引用刊行物には、
　「３−５族化合物半導体層を有機金属気相成長法により形成中にドーパントのメモリー効果を低減させるための気相成長装置であって、
　基板上又は先に堆積させた層の上にｐ型ドーパントをドープせずに、ｎ型ドーパントをドープする半導体層の気相成長を専門に行う反応炉と、
　基板上又は先に堆積させた層の上にｐ型ドーパントをドープする半導体層
の気相成長を専門に行う反応炉とを含み、
　前記基板を空気中に取り出さず、窒素、アルゴン等の不活性な雰囲気下、水素雰囲気下または真空中で、基板を第１の反応炉から取り出し、別の反応炉にセットする気相成長装置。」（以下、引用発明」という。）が記載されている。
　
（３−３）対比・判断
　本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明における「３−５族化合物半導体層」、「有機金属気相成長法」、「ドーパントのメモリー効果を低減」、「気相成長装置」、「ｐ型ドーパントをドープせずに、ｎ型ドーパントをドープする半導体層の気相成長を専門に行う反応炉」、「ｐ型ドーパントをドープする半導体層の気相成長を専門に行う反応炉」は、それぞれ、本願補正発明における「半導体材料」、「化学気相堆積」、「反応体メモリーを減少」、「気相堆積装置」、「ｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの第一のチャンバ」、「ｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの第二のチャンバ」に相当する。
　
　よって、両者は、
「半導体材料の化学気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置であって、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を専用に行うための少なくとも一つの第一のチャンバと、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積
を専用に行うための少なくとも一つの第二のチャンバと、
を含む気相堆積装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願補正発明では、「第一及び第二のチャンバ間で基板を搬送するための少なくとも一つのトランスファーチャンバと、
　少なくとも２つのプロセス分離バルブであって、それらのそれぞれが、第一及び第二のチャンバのうちの一つと連絡しており、また、それらの両方が、第一及び第二のチャンバにおける気相堆積成長中に、トランスファーチャンバから第一及び第二のチャンバを分離するために該トランスファーチャンバと連絡しているバルブと、
第一及び第二のチャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、またその後で、該トランスファーチャンバから第一及び第二のチャンバのもう一方へと基板を搬送する手段」を含むのに対し、引用発明では、その点について記載がないこと。
　
　上記相違点について検討する。
　複数の処理チャンバの間で基板を搬送し、基板上に処理層を積層形成する場合に、搬送チャンバ、すなわちトランスファーチャンバを複数の処理チャンバ間に設け、トランスファーチャンバと複数の処理チャンバとをゲートバルブにより隔離（分離）し、一つの処理チャンバからトランスファーチャンバへと基板を移動し、その後で、該トランスファーチャンバから他の処理チャンバへと基板を搬送する手段を設けることは、周知の技術である（例えば、下記周知例参照）。
　
・周知例：国際公開第０３／１００８３６号（特開２００５−５２７１２　　　　　０号公報）
「With reference initially to FIGURE 1, an exemplary semiconductor processing apparatus 20 is illustrated, comprising a central substrate or workpiece handling chamber, or referred to herein as a transfer chamber 26, connected to at least one process chamber. FIGURE 1 shows the handling chamber 26 surrounded by a number of process chambers 30. In the illustrated embodiment, the semiconductor processing apparatus 20 is adapted for use in CMOS gate stack applications. The process chambers 30 comprise a hydrogen fluoride (HF) vapor clean chamber 34, a silicon nitride chemical vapor deposition (CVD) chamber 36, and an atomic layer deposition (ALD) chamber 38. It is to be understood, however, that the semiconductor processing apparatus 20 illustrated in FIGURE 1 is merely exemplary. In alternative embodiments, the apparatus 20 can include a greater or lesser number of process chambers 30.……
　The semiconductor processing apparatus 20 of the illustrated embodiment has a modular design and meets Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) standardization requirements for convenient interconnection between the transfer chamber 26 and the process chambers 30. Each of the process chambers 30 is isolated from the transfer chamber 26 by a gate valve 40 (see FIGURE 2). The gate valves 40 can be opened to allow the transfer of a semiconductor wafer or other workpiece between the transfer chamber 26 and the process chambers 30 by a workpiece handling robot 46 (see FIGURE 2) located within the transfer chamber 26.」（第３頁第１８行−第４頁第２行）
（まず図１を参照すると、基板または加工物用の中央ハンドリングチャンバを備える半導体処理装置２０の例が示されている。この中央ハンドリングチャンバは、本明細書では搬送チャンバ２６と称し、少なくとも１つの処理チャンバに連結される。図１には、いくつかの処理チャンバ３０で取り囲まれたハンドリングチャンバ２６を示す。図に示す実施形態では、半導体処理装置２０は、ＣＭＯＳゲートスタックの応用に使用するように適合されている。処理チャンバ３０は、ＨＦ（フッ化水素）蒸気クリーンチャンバ３４、窒化シリコンＣＶＤ（化学気相成長）チャンバ３６、およびＡＬＤ（原子層成長）チャンバ３８を備える。ただし、図１に示す半導体処理装置２０は単なる例であることを理解されたい。代替の実施形態では、装置２０は、より多くの数、又はより少ない数の処理チャンバ３０を備えてもよい。…… 図に示す実施形態の半導体処理装置２０は、モジュール化設計を採用しており、搬送チャンバ２６と処理チャンバ３０の便利な相互接続のために、ＳＥＭＩ（国際半導体製造装置材料協会）の標準化要件を満たしている。各処理チャンバ３０はそれぞれ、ゲートバルブ４０（図２参照）によって搬送チャンバ２６から隔離されている。ゲートバルブ４０は、搬送チャンバ２６内に配置された加工物ハンドリングロボット４６（図２参照）が搬送チャンバ２６と処理チャンバ３０の間で半導体ウエハやその他の加工物を搬送し得るように開くことができる。」（第６頁第８行−第２８行）
　
　引用発明は、ｐ型ドーパントを含む半導体層とｎ型ドーパントを含む半導体層という異なるドーパントを含む半導体層を、基板上に順次成長させる気相成長装置において、意図しないドーパントの取り込み、すなわちドーパントのメモリー効果を低減するために、上記それぞれの半導体層の成長を専用に行う反応炉を複数設け、不活性雰囲気や真空中で一方の反応炉から基板を取り出し、他方の反応炉にセットするものであるから、メモリー効果の低減をより確実にするために、上記周知技術を適用し、上記相違点に係る構成とすることは、当業者が容易になしえたことである。
　そして、本願補正発明が、引用刊行物の記載及び周知技術からは予想しえない格別の効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−４）まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　上記のとおり、平成２４年１１月１９日付け手続補正は却下されたので、本願請求項１５に係る発明は、平成２３年９月３０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１５に記載されたとおりのものである（上記［２］（１）参照；以下、「本願発明」という。）。
　
［４］引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開平１１−１１２０３０号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、上記「［２］（３）（３−１）」のとおり事項、及び「［２］（３）（３−２）」のとおりの発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
［５］対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「半導体材料の化学気相堆積成長中に反応体メモリーを減少させるための気相堆積装置であって、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｎ型エピタキシャル層の化学気相堆積を行うための少なくとも一つの第一のチャンバと、
　基板上又は先に堆積させた層の上でｐ型エピタキシャル層の化学気相堆積
を行うための少なくとも一つの第二のチャンバと、
を含む気相堆積装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点２）
　本願発明では、「第一及び第二のチャンバに一定の雰囲気を提供する共通の１つのガス供給入力」を含むのに対し、引用発明ではその点について記載がないこと。
　
（相違点３）
　本願発明では、「第一及び第二のチャンバ間で基板を搬送するための少なくとも一つのトランスファーチャンバと、
　少なくとも２つのプロセス分離バルブであって、それらのそれぞれが、第一及び第二のチャンバのうちの一つと連絡しており、また、それらの両方が、第一及び第二のチャンバにおける気相堆積成長中に、トランスファーチャンバから第一及び第二のチャンバを分離するために該トランスファーチャンバと連絡しているバルブと、
第一及び第二のチャンバのうちの一つからトランスファーチャンバへと基板を搬送し、またその後で、該トランスファーチャンバから第一及び第二のチャンバのもう一方へと基板を搬送する手段」を含むのに対し、引用発明では、その点について記載がないこと。
　
　上記相違点について検討する。
・（相違点２）について
　複数の気相成長チャンバに共通のガスを供給入力する場合、各チャンバ毎にガス供給源を設けずに、共通する１つのガス供給源から各チャンバにガスを供給することにより、装置のコンパクト化、低コスト化等を図ることは周知技術であり（例えば、原査定の拒絶の理由２において引用された特開平１０−３６２００号公報の【００１３】、【００１５】、【図１】等には、気相成長装置において、２つの反応容器１４ａ、１４ｂに対し、単一の水素ガス源から水素ガスをパージガスとして供給することが記載されている。）、引用発明において、上記手段を適用し「第一及び第二のチャンバに一定の雰囲気を提供する共通の１つのガス供給入力」を含むようにすることは当業者が適宜なしえたことである。
　
・（相違点３）について
　この点については、上記「［２］（３）（３−３）」で述べたとおり、当業者が容易になしえたことである。
　
　そして、本顔発明が、引用刊行物の記載及び周知技術からは予想しえない格別な効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおり、本願請求項１５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。