【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流搬送能力を増大させる、ｎ−ドーピングのための、または有機半導体組成物または有機半導体化合物両方のためのプロセスであって、
有機半導体組成物または有機半導体化合物をビス−金属サンドイッチ化合物と接触させるステップを含み、前記有機半導体組成物または有機半導体化合物は、互いに結合している少なくとも２つのアリールまたはヘテロアリール環を含み、前記ビス−金属サンドイッチ化合物は、２つの連結している金属サンドイッチのグループを含み、各金属サンドイッチのグループは、
ａ）場合により置換される少なくとも１つのベンゼンまたはシクロペンタジエニル環を含む、２つのアリールまたはヘテロアリール環と結合している、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウムおよびイリジウムから独立に選択される遷移金属原子、および
ｂ）一方の金属サンドイッチのグループに由来するベンゼンまたはシクロペンタジエニル環と炭素−炭素結合により結合している、各金属サンドイッチグループに由来する他方のベンゼンまたはシクロペンタジエニル環
を含み、
場合により、２つの金属サンドイッチのグループの環を連結する炭素−炭素結合が破壊され、２つの単量体金属サンドイッチカチオンが形成される、
プロセス。
【請求項２】
単量体金属サンドイッチカチオンの形成が、有機半導体組成物または半導体化合物の少なくとも部分的な還元を伴い、場合により、そのプロセスによって製造されたｎ−ドープされた有機半導体組成物もしくは有機半導体化合物が、少なくともいくつかの単量体金属サンドイッチカチオンを含み、かつ／またはそのプロセスによって製造されたｎ−ドープされた有機半導体組成物もしくは有機半導体化合物が、有機半導体組成物もしくは有機半導体化合物の少なくともいくつかのアニオンを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
得られるか、または提供される有機半導体組成物または有機半導体化合物およびビス−金属サンドイッチ化合物が、電気デバイスの基板、電極またはその他の前駆体の表面上に気相プロセスによって個別に蒸着されるか、または同時蒸着されて、少なくともいくつかの有機半導体組成物または有機半導体化合物および少なくともいくつかのビス−金属サンドイッチ化合物もしくは金属サンドイッチカチオンまたはそれらの混合物を含む表面上に固層を形成する、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項４】
有機半導体組成物もしくは有機半導体化合物またはそれらの混合物が、ステップｃの間に、液体溶媒中に分散または溶解されて、液体溶液または分散物を形成し、場合により、液体溶液または分散物が、電気デバイスの基板、電極および／または前駆体の表面上に適用され、溶媒が除去されて、少なくともいくつかの有機半導体組成物または有機半導体化合物を含む表面上に固層を形成する、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項５】
そのプロセスに使用されるビス−金属サンドイッチ化合物が、使用される有機半導体組成物もしくは少なくとも１つの有機半導体化合物の約０．００１重量％から約３０重量％を構成し、かつ／または単量体金属サンドイッチカチオンが、製造された有機半導体組成物もしくは少なくとも１つの有機半導体化合物の約０．００１重量％から約３０重量％を構成する、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
ビス−金属サンドイッチ化合物の遷移金属原子が、鉄、ルテニウム、オスミウム、ロジウムおよびイリジウムならびにそれらの混合物から独立に選択される、請求項１から５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７】
ビス−金属サンドイッチ化合物が、以下の構造：
【化４６】
2014527281.tif 000001
［式中、
ａ）Ｍｖｉｉは、マンガンまたはレニウムであり、
ｂ）Ｍｖｉｉｉは、鉄、ルテニウムまたはオスミウムであり、
ｃ）Ｍｉｘは、ロジウムまたはイリジウムであり、
ｄ）各Ｒｃｐ、ＲｂｚおよびＲｄは、水素または置換されていてもよいＣ１〜Ｃ１２アルキルもしくはＣ１〜Ｃ１２フェニルから個々に選択され、
ｅ）ｘは、１〜５の整数であり、
ｆ）ｘ’は、１〜４の整数であり、
ｇ）ｙおよびｙ”は、１〜５の整数であり、
ｈ）ｙ’は、１〜６の整数である］
のうち１つを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
ビス−金属サンドイッチ化合物が、以下の構造：
【化４７】
2014527281.tif 000002
のうち１つを有する、請求項１から７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
単量体金属サンドイッチカチオンが、以下の構造
【化４８】
2014527281.tif 000003
［式中、
ａ）Ｍｖｉｉは、マンガンまたはレニウムであり、
ｂ）Ｍｖｉｉｉは、鉄、ルテニウムまたはオスミウムであり、
ｃ）Ｍｉｘは、ロジウムまたはイリジウムであり、
ｄ）各ＲｃｐおよびＲｂｚは、水素または置換されていてもよいＣ１〜Ｃ１２アルキル基もしくはＣ１〜Ｃ１２フェニル基から個々に選択され、
ｅ）ｘは、１〜５の整数であり、
ｆ）ｘ’は、１〜５の整数であり、
ｇ）ｙおよびｙ”は、１〜５の整数であり、
ｈ）ｙ’は、１〜６の整数である］
を有する、請求項１から８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
得られるか、または提供される有機半導体組成物または少なくとも１つの有機半導体化合物が、少なくとも１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓｅｃの移動性で電子または正孔を伝導できると、ボトムゲート、ボトムコンタクト配置を有し、ゲート材料としてドープされたケイ素、ゲート誘電体として二酸化ケイ素を使用し、金供給源ならびに４００〜８００μｍのチャネル幅および２０〜４０μｍの長さのクロム接着層を有するドレイン電極を使用し、活性半導体として有機半導体組成物または少なくとも１つの有機半導体化合物を使用する薄膜トランジスタから測定される、請求項１から９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１１】
得られるか、または提供される有機半導体組成物または有機半導体化合物のアリール環が、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、アントラセニル、フェナントレニルおよびペンタセニル環、フラーレンもしくはフラーレン誘導体またはそれらの混合物から選択され、得られるか、または提供される有機半導体組成物または有機半導体化合物のヘテロアリール環が、フリル、チエニル、ピリジル、ピリミジル、ピリダジニル、ピラジニル、フェナントロリニル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、イミダゾリル、イソチアゾリル、チアゾリル、チアジアゾリル、イソオキサゾリル、オキサゾリル、オキサジアゾリル、インドリル、イソインドリル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、キノリル、２−メチルキノリル、イソキノリル、キノキサリル、キナゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイソチアゾリル、ベンゾイソオキサゾリル、ベンゾオキサジアゾリル、ベンゾオキサゾリル、シンノリニル、１Ｈ−インダゾリル、２Ｈ−インダゾリル、インドリジニル、イソベンゾフリル、ナフチリジニル、フタラジニル、プテリジニル、プリニル、オキサゾロピリジニル、チアゾロピリジニル、イミダゾピリジニル、フロピリジニル、チエノピリジニル、ピリドピリミジニル、ピリドピラジニル、ピリドピリダジニル、チエノチアゾリル、チエノキサゾリル、チエノイミダゾリル、フタロシアニン、ペリレンジイミド、またはナプタレンジイミド（napthalenediimide）環から選択される、請求項１から１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載のプロセスによって製造される少なくとも１つの有機半導体化合物を含む有機半導体組成物。
【請求項１３】
互いに結合している少なくとも２つのアリールまたはヘテロアリール環および以下の構造：
【化４９】
2014527281.tif 000004
［式中、
ａ）Ｍｖｉｉは、マンガンまたはレニウムであり、
ｂ）Ｍｖｉｉｉは、鉄、ルテニウムまたはオスミウムであり、
ｃ）Ｍｉｘは、ロジウムまたはイリジウムであり、
ｄ）各Ｒｃｐ、ＲｂｚおよびＲｄは、水素または置換されていてもよいＣ１〜Ｃ１２アルキルもしくはＣ１〜Ｃ１２フェニルから個々に選択され、
ｅ）ｘは、１〜５の整数であり、
ｆ）ｘ’は、１〜４の整数であり、
ｇ）ｙおよびｙ”は、１〜５の整数であり、
ｈ）ｙ’は、１〜６の整数である］
のうち１つを有するビス−金属サンドイッチ化合物の少なくともいくつかを含む、少なくとも１つの有機半導体化合物を含む有機半導体組成物。
【請求項１４】
固体形態の、または液体、溶液、もしくは液体分散物の形態の、請求項１３に記載の有機半導体組成物。
【請求項１５】
互いに結合している少なくとも２つのアリールまたはヘテロアリール環を含む少なくとも１つの有機半導体化合物と、以下の構造
【化５０】
2014527281.tif 000005
［式中、
ａ）Ｍｖｉｉは、マンガンまたはレニウムであり、
ｂ）Ｍｖｉｉｉは、鉄、ルテニウムまたはオスミウムであり、
ｃ）Ｍｉｘは、ロジウムまたはイリジウムであり、
ｄ）各ＲｃｐおよびＲｂｚは、水素または置換されていてもよいＣ１〜Ｃ１２アルキルもしくはＣ１〜Ｃ１２フェニルから個々に選択され、
ｅ）ｘは、１〜５の整数であり、
ｆ）ｘ’は、１〜５の整数であり、
ｇ）ｙおよびｙ”は、１〜５の整数であり、
ｈ）ｙ’は、１〜６の整数である］
を有する、ビス−金属サンドイッチ化合物から形成される１つまたは複数の単量体金属サンドイッチカチオンのうち少なくともいくつかとを含む、ｎ−ドープされた固体有機半導体組成物。
【請求項１６】
１つまたは複数の単量体金属サンドイッチカチオンが、フェロセニウム／フェロセン対の溶液半波電位に対して、等しいか、または−１．５Ｖより陰極である溶液半波還元電位を有すると、乾燥ＴＨＦ中の０．１Ｍテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートからなり、内部標準としてフェロセンを含有する電解質中のヘキサフルオロホスフェート塩の溶液でのサイクリックボルタメトリーによって測定される、請求項１５に記載の有機半導体組成物。
【請求項１７】
場合により、有機発光ダイオード、有機光起電力デバイス、またはトランジスタである、請求項１３から１６のいずれか一項に記載の有機半導体組成物を含む電子デバイス。