【事件の表示】
　平成　３年特許願第　６３３５９号「現像装置又はウェットエッチング装置における温度安定化法及び装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１０月２１日出願公開、特開平　４−２９８０１７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年３月２７日出願の特願平３−６３３５９号であって、その請求項１に係る発明は、平成１２年１１月２７日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という）
「レジストパターン形成のための現像及びリンスを行う現像装置又はレジストパターンを介してのウェットエッチング装置におけるウェーハ、マスク等の被加工基板の温度安定化法であって、現像及びリンスの際、又は、ウェットエッチング操作の際に、被加工基板の表面温度を赤外線表面温度測定装置を用いて監視しながら、被加工基板を保持する基板保持台を加熱もしくは冷却することにより被加工基板の表面温度を直接的に所定の温度に制御する温度安定化法において、
　前記基板保持台内部に温度制御された水等の液体を流量制御して流し、前記基板保持台上に保持されている被加工基板の表面温度を前記赤外線表面温度測定装置を用いて監視しながら、監視された表面温度が所定の許容温度範囲内になるように前記液体の温度及び流量を制御することを特徴とする温度安定化法。」
　請求項１後段の「前記赤外線表面温度測定装置」は、「赤外前記線表面温度測定装置」と記載されているが誤記と認める。
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願の日前の昭和６３年６月１３日に頒布された特開昭６３−１４０５４９号公報（以下、「引用例１」という）には、次の事項が記載されている。
（１）半導体ウェハーチャックは、水平位に半導体ウェハーを吸着し、回転させることにより、フォトレジストの塗布、現像、エッチングなどを行うための製造装置である。（公報１ページ左下欄から右上欄）
（２）従来の半導体ウェハーチャックは、なんら温調機構を有していないので、チャック上の温度が周辺雰囲気の温度に左右される。それにより、チャック上の半導体ウェハーの温度が一定せず、レジスト塗布時の膜厚ばらつき、現像時のパターン寸法ばらつき、またエッチング時のパターン寸法ばらつきが発生するという欠点がある。本発明の目的は、前記欠点を解消し、チャック周辺雰囲気の温度に左右されないようにした半導体ウェハーチャックを提供することにある。（公報１ページ右下欄）
（３）半導体ウェハーチャックは、温調水（２３．０±０．１℃）が温調水供給口６より供給され、回転するウェハーチャック本体４の内部に入る。次いで、温調水出入口２または温調水出入口３を通り、温調水循環領域１に供給される。次に、循環した温調水は、温調水出入口３または温調水出入口２を通り、温調水排出口７から排水される。（公報２ページ左上欄）
　上記記載事項、及び第１図の記載から引用例１には、水平位に半導体ウェハーを吸着し、回転させることにより、フォトレジストの塗布、現像、エッチングなどを行うための製造装置において、ウェハーチャック本体４の内部に温調水を循環することによって、チャック上の温度が周辺雰囲気の温度に左右されず、チャック上の半導体ウェハーの温度が一定となる半導体ウェハーチャックが記載されている。
　
　また、同じく平成２年８月３日に頒布された特開平２−１９７１４２号公報（以下、「引用例２」という）には、次の事項が記載されている。
（１）制御系（１０ａ）は、ウエハブローバ（８）が夫々の機構を制御する他に循環路（１０）を制御している。この制御は、載置部（９）に設けられた温度センサー（１２）により検知された現実温度値と、ウエハ（１１）の設定温度値即ち、表面の載置部（９）の設定温度値（目標値ともいう）との情報データーに基づいて、上記載置部（９）に流体、例えばエチレングリコール溶液を送流させる流体量が算出される構成になっている。（公報４ページ右上欄から左下欄）
　
（２）載置体（９）の温度を制御する場合に、流体、例えばエチレングリコール溶液（１７）を冷却させる冷凍機（２４）は、一定の冷却温度、例えば−１０℃に冷却するように説明したが、仕様によりウエハ（１１）を氷点下温度、例えば−１２℃、状態にして、検査する場合には上記エチレングリコール溶液（１７）を冷凍機（２４）でこの氷点下温度よりさらに低い温度、例えば−２０℃に冷却して検査することも可能である。（公報５ページ左上欄から右上欄）
　
　また、同じく昭和６３年３月３０日に頒布された特開昭６３−７０４２４号公報（以下、「引用例３」という）には、次の事項が記載されている。
（１）コントローラ８はマイクロコンピュータ等によって構成され、ガラス原盤１の表面温度を非接触で測定する例えば放射温度計９の測定出力に基づいてスピンドルモータ３の回転数を設定する。（公報２ページ右上欄）
３．対比
　引用例１に記載された「フォトレジストの塗布、現像、エッチングなどを行うための製造装置」は、特別の記載がない限りレジストパターン形成のためのものであり、また、通常、現像とリンスはセットとして行われるものであるので、本願発明の「レジストパターン形成のための現像及びリンスを行う現像装置又はレジストパターンを介してのウェットエッチング装置」に相当する。また、引用例１の「半導体ウェハー」、「ウェハーチャック本体４」、及び「温調水」は、本願発明の「ウェーハ、マスク等の被加工基板」、「基板保持台」、及び「温度制御された水等の液体」に相当する。引用例１のものが半導体ウェハーの温度を一定にする目的を有していることは、上記記載事項（２）から明らかであるので、引用例１には、「被加工基板の温度を所定の温度に制御する温度安定化法」が記載されていると認める。したがって、両者は「レジストパターン形成のための現像及びリンスを行う現像装置又はレジストパターンを介してのウェットエッチング装置におけるウェーハ、マスク等の被加工基板の温度安定化法であって、現像及びリンスの際、又は、ウェットエッチング操作の際に、被加工基板の温度を所定の温度に制御する温度安定化法において、
　前記基板保持台内部に温度制御された水等の液体を流し、前記基板保持台上に保持されている被加工基板の温度が所定の許容温度範囲内になるように前記液体の温度を制御することを特徴とする温度安定化法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１；本願発明では、被加工基板の表面温度を赤外線表面温度測定装置を用いて監視しながら、被加工基板を保持する基板保持台を加熱もしくは冷却しているのに対し、引用例１のものでは、被加工基板の表面温度を測定する測定装置を有していない点。
　
相違点２；本願発明が、所定の許容温度範囲内になるように前記液体の温度及び流量を制御しているのに対し、引用例１のものでは、温度制御された水等の液体を流すのみで、流量を制御した点が記載されていない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
相違点１について；
　引用例３に記載された表面温度を非接触で測定する放射温度計（９）は、本願発明の赤外線表面温度測定装置に相当する。その他にも、赤外線表面温度測定装置を用いて表面温度を測定しながら、温度制御することは、従来周知（例えば、特開昭６１−１４３７５６号公報、特開平２−２５９５３５号公報、特開平２−１３４８１１号公報、特開平１−２２５１２０、特開昭５７−２０１０２０号公報等参照）であり、いずれも温度制御の対象が被加工基板であるので、引用例１のものに付加して、本願発明のようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
相違点２について；
　引用例２の上記記載事項（１）、（２）の「この制御は、載置部（９）に設けられた温度センサー（１２）により検知された現実温度値と、ウエハ（１１）の設定温度値即ち、表面の載置部（９）の設定温度値（目標値ともいう）との情報データーに基づいて、上記載置部（９）に流体、例えばエチレングリコール溶液を送流させる流体量が算出される」、「エチレングリコール溶液（１７）を冷却させる冷凍機（２４）は、一定の冷却温度、例えば−１０℃に冷却する」、「この氷点下温度よりさらに低い温度、例えば−２０℃に冷却」から、載置体（９）の温度を制御する場合に、送流する液体の温度及び流量を制御していることが明らかであるので、引用例１のものにおいても、温度とともに流量を制御することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　また、本願発明の効果も各引用例の記載から予測される程度のものにすぎない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１から３に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。