【事件の表示】
　平成１０年特許願第１０５２６７号「コンタクトホールの埋め込み方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　１月１２日出願公開、特開平１１−　　８２０７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成３年２月７日に出願した特願平３−１６１６２号の一部を平成１０年４月１６日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１に係る発明は、平成１１年１月２０日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、
「ジメチルアルミニウムハイドライドを用いたアルミニウム膜の選択気相化学堆積に関して不活性な薄膜であるレジストを層間絶縁膜上に形成し、前記レジストと前記層間絶縁膜の両方を通してコンタクトホールを開口した後、選択気相化学成長法で前記コンタクトホールに前記アルミニウム膜を形成し、続いて前記レジストを剥離することを特徴とするコンタクトホールの埋め込み方法」（以下、本願発明という）
にあるものと認める。
　なお、請求項１には「前記金属膜」と記載されているが、その前に「金属膜」の記載はなく、アルミニウム膜が金属膜に該当すると認められるので、「前記金属膜」は「前記アルミニウム膜」の誤記と認め、上記のように認定した。
２．引用例
　これに対して、原審における拒絶の理由に引用された刊行物、特開昭６０−１１１４２１号公報（以下引用例１という）には、
「先ず、第２図（ａ）に示すように、比抵抗５〜２０Ω・ｃｍのｐ型シリコン基板２１に通常の工程に従いフィールド酸化膜２２を形成する。・・・・・その後、第２図（ｃ）に示すように、絶縁膜としてシリコン酸化膜２７を、ＣＶＤ法により８０００Åの厚さに形成する。そして第２図（ｄ）に示すように写真蝕刻法によりレジスト膜２８のパターンを形成し、例えばＣＦ４／Ｈ２ガスを用いたＲＩＥ法によりエッチングを行ない、コンタクト孔２９１，２９２を形成する。この後、第２図（ｄ）に示すように、レジスト膜２８を残したまま、ＷＦ６／Ｈ２ガスを用い、温度３００〜５００℃、真空度０．３Ｔｏｒｒの条件で、タングステン（Ｗ）膜３０１，３０２をコンタクト孔２９１，２９２に選択成長させる。この後レジスト膜２８を除去すると、その上に局部的に成長していたＷ結晶粒３０３，３０４，・・・も除去されて、第２図（ｆ）に示すようになる。最後に配線材料として例えば厚さ８０００Åのアルミニウム（Ａｌ）膜を蒸着し、これを加工して第２図（ｆ）に示すようにソース、ドレイン配線層３１１，３２２その他の配線層を形成する。」（第２頁右下欄第９行ないし第３頁右上欄第５行）の記載と共に第２図（ａ）ないし（ｇ）が示されている。
　また、第２図（ｄ）から、レジスト膜と絶縁膜であるシリコン酸化膜２７の両方を通してコンタクト孔を開口している点は明らかである。
「また選択成長によりコンタクト孔に埋込む金属膜としてＷ膜を例にあげたが、反応ガスを選んでＡｌ、・・・・等を選択成長させる場合にも本発明を適用できる。」（第３頁右下欄第１２行ないし第１６行）が記載されている。
　してみると、上記引用例１には、
「Ａｌの選択成長に関して、レジスト膜２８をシリコン酸化膜２７上に形成し、レジスト膜２８とシリコン酸化膜２７の両方を通してコンタクト孔を開口した後、選択成長によりコンタクト孔にＡｌを形成し、続いて、レジスト膜２８を除去することを特徴とするコンタクトホールの埋め込み方法。」が記載されているものと認められる。
　また、特開平２−１８５０２６号公報（以下引用例２という）には、
「本発明は、開口部を有するマスク材料で被覆されたシリコン基板上の前記開口部分に化学気相堆積方法を用いて選択成長を行うＡｌ薄膜の選択的形成方法において、ジメチルアルミハイドライド（（ＣＨ３）２ＡｌＨ）を原料ガスとして用いるＡｌ薄膜の選択的形成方法である。」（第２頁左上欄第４行ないし第９行）
「このとき成長室５内の圧力は１Ｔｏｒｒ、キャリアガスは水素でマスフローコントローラ２で６０ＳＣＣＭ（０℃、１気圧換算でのｃｍ３／ｍｉｎ）に制御し、バブラ容器３の温度は温度調整機４で２５℃に保たれている。このとき、成長室５内の原料ガスの分圧は０．１Ｔｏｒｒと見積られた。成長室５の中に設置されたウエハ６は、ヒータ７により選択性を示す温度に保たれている。ここで、２２０〜２５０℃の温度範囲であれば、十分に選択性を示すことを確認した。導入された原料は、ウエハ６で加熱され熱分解によりＡｌを堆積させる。
ウエハにてＡｌ薄膜が１μｍ／ｍｉｎの成長速度が得られる条件で、シリコン上に酸化シリコンのマスクパターンが形成されたウエハを用いたところ、マスクパターンの開口部から露出したシリコン上にのみ選択性良くＡｌが堆積した。ここではマスク材料として酸化シリコンを用いたが、ＳｉＮｘやＰＳＧなどの他の材料を用いても本発明の効果は得られる。」（第２頁右上欄第１５行ないし左下欄第１３行）が記載されている。
したがって、引用例２には、
「ジメチルアルミハイドライド（（ＣＨ３）２ＡｌＨ）を原料ガスとして用いるＡｌ薄膜の選択的形成方法により、開口部を有するマスク材料で被覆されたシリコン基板上の開口部分に化学気相堆積方法を用いて選択成長を行う。
ウエハ６は、２２０〜２５０℃の温度範囲であれば、十分に選択性を示す。
マスク材料として酸化シリコンを用いたが、ＳｉＮｘやＰＳＧなどの他の材料を用いても本発明の効果は得られる。」ことが記載されている。
３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、
引用例１の「Ａｌ」、「シリコン酸化膜２７」、「コンタクト孔」、「選択成長」、「レジスト膜２８を除去」は、
本願発明の「アルミニウム」、「層間絶縁膜」、「コンタクトホール」、「選択気相化学成長法」、「レジストを剥離」にそれぞれ相当し、また、引用例１におけるＡｌの成長は、気相化学堆積によりなされているものと認められるから、両者は、
「アルミニウム膜の選択気相化学堆積に関してレジストを層間絶縁膜上に形成し、前記レジストと前記層間絶縁膜の両方を通してコンタクトホールを開口した後、選択気相化学成長法で前記コンタクトホールに前記アルミニウム膜を形成し、続いて前記レジストを剥離することを特徴とするコンタクトホールの埋め込み方法」
の点で一致しており、
　アルミニウム膜の選択成長に、本願発明では、ジメチルアルミニウムハイドライドを用いているのに対し、引用例１に記載の発明では、反応ガスとして何を用いるのか記載がない点（相違点１）
　選択気相化学堆積に当たって、本願発明では、レジストが不活性な薄膜であるのに対し、引用例１に記載の発明では、レジストが不活性な薄膜である点について明確な記載がない点（相違点２）
で相違する。
　上記相違点について検討する。
相違点１について
　Ａｌの選択成長において、引用例１の発明では、反応ガスを選んで選択成長させる点が記載されており、反応ガスとしてジメチルアルミニウムハイドライドを用いることは、引用例２に記載されている。また、引用例２に記載の発明では、マスク材料として酸化シリコンを用いているが、他の材料を用いても良い点が記載されており、引用例１に記載のレジストをマスク材料に用いることに格別の阻害要因も認められない。
　したがって、Ａｌを選択成長させる反応ガスとして、引用例２に記載のジメチルアルミニウムハイドライドを用いることは、当業者が容易に成し得たことである。
　なお、審判請求の理由において出願人が述べている、低温で成長できる点は、ジメチルアルミニウムハイドライドを用いたことによる付随的な効果にすぎない。
相違点２について
　引用例１には、レジストが選択気相化学堆積に関して不活性な薄膜である点について明確な記載はないが、そもそも、選択成長をさせる技術は、選択気相化学堆積に関して不活性な表面とシリコン基板などの活性な表面との活性度の相違を利用して、活性表面上にのみ気相堆積させる操作であるから、選択気相化学堆積させていない引用例１に記載のレジスト表面も不活性であると認められる。よって、相違点２は実質的に相違していない。
 ４．むすび
　したがって、本願請求項１に記載された発明は、その出願前に国内において頒布された上記の引用例１及び２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有するものが、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。