【事件の表示】
　特許第３１７５８９４号「プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」の請求項１ないし１７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７５８９４号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１７５８９４号の請求項１乃至１７に係る発明は、平成６年３月２５日に特許出願され、平成１３年４月６日にその特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１乃至３、６乃至８に係る特許について特許異議申立人　東谷　満（以下、「申立人１」という。）より、また請求項１乃至１７に係る特許について特許異議申立人　佐藤　正（以下、「申立人２」という。）より特許異議申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年５月３１日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　上記訂正請求は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付された明細書（以下、「訂正明細書」という。）のとおりに訂正することを求めるもので、その内容は以下のとおりである。
ａ．請求項１乃至３、６乃至９を削除し、請求項４、５、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７を、それぞれ、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０に訂正する。
ｂ．「【請求項４】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して設けられ、
　前記複数の他方の電極にはそれぞれ独立に高周波電源が接続されており、
　前記高周波電源のそれぞれの出力を基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。」を、
「【請求項１】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられ、
　前記複数の他方の電極にはそれぞれ独立に高周波電源が接続されており、
　前記高周波電源のそれぞれの出力を基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。」に訂正する。
ｃ．「【請求項５】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。」を、
「【請求項２】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。」に訂正する。
ｄ．「【請求項１０】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積は、基体が移送される方向に向かって減少していることを特徴とするプラズマ処理装置。」を、
「【請求項３】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積は、基体が移送される方向に向かって減少していることを特徴とするプラズマ処理装置。」に訂正する。
ｅ．「【請求項１１】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項４】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｆ．「【請求項１２】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一方の電極に対して設け、
　前記一方の電極と前記複数の他方の電極とのそれぞれの距離を基体を移送させる方向に向かって減少させて配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項５】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極とのそれぞれの距離を基体を移送させる方向に向かって減少させて配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｇ．「【請求項１３】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極に共通の電源から高周波電力を供給し、
　前記複数の他方の電極のそれぞれにおいてマッチング条件を異ならせて、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項６】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極に共通の電源から高周波電力を供給し、
　前記複数の他方の電極のそれぞれにおいてマッチング条件を異ならせて、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｈ．「【請求項１４】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極を前記一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積を基体を移送する方向に向かって減少するように配置し、
前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項７】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積を基体を移送する方向に向かって減少するように配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｉ．「【請求項１５】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電させるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極にそれぞれ異なる高周波電力を与えることを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項８】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電させるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一つの一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極には、基体の移送方向に向かって大きくなるように高周波電力を与えることを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｊ．「【請求項１６】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電をさせるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して前記一方の電極の同心円上に設けられており、
　前記基体を前記同心円上を移送させ、
　前記複数の他方の電極に供給される電力を前記基体の移送される方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項９】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電をさせるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一つの一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して前記一つの一方の電極の同心円上に設けられており、
　前記基体を前記同心円上を移送させ、
　前記複数の他方の電極に供給される電力を前記基体の移送される方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｋ．「【請求項１７】前記基体の表面から前記膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜を形成することを特徴とする請求項１５または１６に記載のプラズマ処理方法。」を、
「【請求項１０】前記基体の表面から前記膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜を形成することを特徴とする請求項８または９に記載のプラズマ処理方法。」に訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ及びｋは、特許請求の範囲において、請求項１乃至３及び６乃至９を削除し、それに伴い他の請求項の項番を繰り上げると共に、新たな請求項１０において引用する請求項の項番を訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであると云える。また、この訂正事項ａ及びｋは、新規事項の追加に該当せず、しかも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂ乃至ｈ及びｊは、新たな請求項１乃至７及び９において、「一方の電極」が一つであることを限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると云える。また、「一方の電極」が一つであることについては、特許明細書の【０００７】段落に「一つの一方の電極と」なる記載があり、また特許明細書に実施例４〜８として一つの一方の電極を用いる例が記載されている。よって、これら訂正事項ｂ乃至ｈ及びｊは、新規事項の追加に該当せず、しかも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項ｉは、新たな請求項８において、（ｉ−１）「一方の電極」が一つであることを限定すると共に、（ｉ−２）「それぞれ異なる」高周波電力を与えることを、「基体の移送方向に向かって大きくなるように」高周波電力を与えることと、具体化して限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると云える。そして、（ｉ−１）は、結局、訂正事項ｂ乃至ｈ及びｊと同じものであるから、訂正事項ｂ乃至ｈ及びｊについて述べた理由で、新規事項の追加に該当せず、しかも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。また（ｉ−２）は、例えば、特許明細書の【００３９】段落に、実施例４として、円筒状のキャンロールを用い、電極４００〜４０４に基体の移送方向に向かって大きくなるように高周波電力を与える例が記載されていることに基づくものであり、新規事項の追加に該当せず、しかも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
　上記２．で述べたように、上記訂正請求は認められるものであるから、特許第３１７５８９４号の請求項１乃至１０に係る発明（以下、「本件発明１」乃至「本件発明１０」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至１０に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられ、
　前記複数の他方の電極にはそれぞれ独立に高周波電源が接続されており、
　前記高周波電源のそれぞれの出力を基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積は、基体が移送される方向に向かって減少していることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極とのそれぞれの距離を基体を移送させる方向に向かって減少させて配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極に共通の電源から高周波電力を供給し、
　前記複数の他方の電極のそれぞれにおいてマッチング条件を異ならせて、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積を基体を移送する方向に向かって減少するように配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電させるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一つの一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極には、基体の移送方向に向かって大きくなるように高周波電力を与えることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電をさせるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一つの一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して前記一つの一方の電極の同心円上に設けられており、
　前記基体を前記同心円上を移送させ、
　前記複数の他方の電極に供給される電力を前記基体の移送される方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】前記基体の表面から前記膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜を形成することを特徴とする請求項８または９に記載のプラズマ処理方法。
　
３−２．申立ての理由の概要　
　申立人１は、証拠方法として、
　甲第１号証：特公平２−５０１９５号公報
　甲第２号証：特開昭６１−２６７７７号公報
を提出し、特許明細書の請求項１乃至３及び６乃至８に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であるか、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許明細書の請求項１乃至３及び６乃至８についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨、また、本件特許は特許法第３６条第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるから、特許明細書の請求項１乃至３及び６乃至８についての特許は取り消されるべきものである旨、主張している。
　申立人２は、証拠方法として、
　甲第１号証：特開昭６１−９７３３７号公報
　甲第２号証：特開平６−３３２３９号公報
　甲第３号証：「電子材料」編集部編「超ＬＳＩ時代のプラズマ化学」
株式会社工業調査会、１９８４年１１月２５日　２版発行、第８６〜８９頁
　甲第４号証：特開昭５９−２１３１７６号公報
　甲第５号証：特開平５−１２１３３８号公報
　甲第６号証：特開平３−２０４９２５号公報
　甲第７号証：特開平５−５１７７２号公報
　甲第８号証：特開昭６４−７９９１５号公報
　甲第９号証：特開昭６０−４９０１号公報
を提出し、（１）特許明細書の請求項１乃至６、１１、１３及び１５乃至１７に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、（２）特許明細書の請求項７、８及び１２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、（３）特許明細書の請求項７及び８に係る発明は、甲第４号証に記載された発明であるか、甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、（４）特許明細書の請求項１乃至５、９乃至１１、１３及び１４に係る発明は、甲第５号証に記載された発明であるか、甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、（５）特許明細書の請求項１乃至１７に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許明細書の請求項１乃至５、７乃至１１、１３及び１４についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、また、特許明細書の請求項１乃至１７についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
　
３−３．特許法第３６条違反について
　申立人１は、特許明細書の請求項１乃至３及び６乃至８について不備を指摘している。しかし、上記のとおり訂正請求が認められた結果、特許明細書の請求項１乃至３及び６乃至９は削除された。
　したがって、申立人１が主張する明細書の記載不備は解消した。
　
３−４．特許法第２９条違反について
３−４−１．取消理由通知に引用された刊行物に記載された事項
（１）刊行物１（特公平２−５０１９５号公報：申立人１の提出する甲第１号証）
１−ア．「筒状の電極に電流を供給し放電させることにより筒状の膜支持体の表面にアモルファスＳｉ層を成膜する方法において、上記筒状の電極をその軸方向に亘って複数個に分離し、これら分離電極にそれぞれ個別に電源を接続し、これら電源から上記各分離電極に対し常時一定量の電流を供給して成膜することを特徴とする成膜方法。」（【請求項１】）
１−イ．「各分離電極を膜支持体の上、中、下部にそれぞれ対向させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成膜方法。」（【請求項２】）
１−ウ．「チャンバー１１内には、膜支持体としてのアルミニューム製のドラム基板１２が回転可能に収納されている。」（第２頁第３欄２９〜３１行）
１−エ．「一般にＳｉＨ４のプラズマ放電は排気口（下方）に集中する傾向があるため、電流計１８，１９，２０によってモニターされる値は下方ほど大きくなる。そのため、この値をフィードバックする回路１８ａ，１９ｂ，２０ｃによりＲ．Ｆパワーは真中の電源Ｐ２の５００Ｗを基準とすると電源Ｐ１ではより大きなパワー５５０Ｗ、電源Ｐ３ではより小さなパワー４５０Ｗに設定されなおされる。」（第２頁第４欄第２９〜３６行）
１−オ．第３図には、この発明の一実施例である成膜装置を示す側断面図が示されている。
（２）刊行物２（特開平５−１２１３３８号公報：申立人２の提出する甲第５号証）
２−ア．「プラズマＣＶＤ法により、長尺の基板上に連続的に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、真空容器内において、前記基板を前記基板の長手方向に連続的に移動させながら、前記真空容器内において、堆積膜の原料となる物質を複数種類含有する原料ガスの流れを、前記基板の移動方向と平行な方向に形成し、前記基板の移動方向に複数個配置された放電手段のそれぞれに放電エネルギーを印加して、前記真空容器内にプラズマを生起させ、前記基板の表面に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。」（【請求項１】）
２−イ．「プラズマＣＶＤ法により、長尺の基板上に連続的に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、真空排気可能な真空容器と、前記真空容器内に設けられ、前記基板がその長手方向に連続的に移動可能に貫通する成膜容器と、堆積膜の原料となる物質を複数種類含有する原料ガスを前記成膜容器内に導入する原料ガス放出手段と、前記成膜容器に設けられ、前記基板に対向し前記基板の移動方向に複数個配置された放電手段と、前記成膜手段の前記基板が貫通する部分に前記基板に近接させて取り付けられ、放電エネルギーとプラズマの前記成膜容器からの漏洩を防止する接地されたガード電極とを有し、前記成膜容器内で、前記基体の移動方向と平行な方向に前記原料ガスの流れが形成されることを特徴とする堆積膜形成装置。」（【請求項２】）
２−ウ．「本発明の堆積膜形成方法では、真空容器内に、基板が移動可能に貫通する成膜容器を設け、この成膜容器内で、原料ガスが流れ、プラズマが発生し、基板上に堆積膜が形成されるようにするとよい。このとき、基板が成膜容器を貫通する部分から放電エネルギーや生成したプラズマが漏洩しないように、この部分において、接地されたガード電極を基板に近接させて設けるようにするとよい。」（【００１８】段落）
２−エ．「真空容器１０１と、各成膜容器１０２，１０３は、いずれも金属製であって、接地されている。」（【００２０】段落）
２−オ．「図２に示した、本発明の実施例の堆積膜形成方法の実施に使用される、・・・、堆積膜形成装置２００について説明する。この堆積膜形成装置２００は、高周波電力によってプラズマを生起するものであり、・・・、第１、第２のカソード２０１，２０２が設けられた構成となっている。」（【００３２】段落）
２−カ．「第１のカソード２０１は、帯状の基板１０４に対向するように、第１の成膜容器１０２の内部に、絶縁がいし２０５を介して取り付けられ、一端が接地された図示しない高周波電源の他端に、高周波導線２０３によって接続されている。一方、第２のカソード２０２は、第１のカソード２０１と同様に、第２の成膜容器１０３の内部に、絶縁がいし２０５を介して取り付けられ、一端が接地された図示しない高周波電源の他端に、高周波導線２０４によって接続されている。」（【００３３】段落）
２−キ．「この堆積膜形成装置２００の動作について説明する。・・・第１、第２のガス放出器１１４，１１５から第１、第２の成膜容器１０２，１０３内に原料ガスを放出しながら、第１、第２のカソード２０１，２０２に高周波電力を印加し、帯状の基板１０４をその長手方向に連続的に移動させると、第１、第２の成膜空間１３３，１３４内において、高周波グロー放電が生起してプラズマが発生し、帯状の基板１０４の上に堆積膜が形成される。」（【００３４】段落）
２−ク．「図２に示した堆積膜形成装置１００を組み込んだ連続堆積膜形成装置３５０について、図４により説明する。この連続堆積膜形成装置３５０は、ｐｉｎ接合を有する半導体素子を帯状の基板１０４上に形成するのに適したものであり、・・・、高周波によってそれぞれプラズマを形成する、第１、第２の不純物形成用真空容器３５１，３５２、図２に示した堆積膜形成装置２００を使用した構成となっている。」（【００４１】段落）
２−ケ．「第１、第２の不純物層形成用真空容器３５１，３５２は、同一の構成であって、その内部に、高周波グロー放電が生起する領域を限定するための成膜容器３６１が設けられ、帯状の基板１０４がこの成膜容器３６１を移動可能に貫通するようになっている。成膜容器３６１の内部には、帯状の基板１０４に対向するようにカソード３６２が設けられ、・・・カソード３６２は、高周波導線３６４によって、図示しない高周波電源に接続されている。カソード３６２と帯状の基体１０４との間の空間には、原料ガス導入管３６６が設けられている。」（【００４２】段落）
２−コ．「（実験例５）図２に示した堆積膜形成装置２００を用い、」（【００７６】段落）
２−サ．「ステンレス(SUS304BA)からなる帯状の基板１０４」（【００７７】段落）
２−シ．第１４頁の表５には、図２に示した堆積膜形成装置２００を用いた実験例５の処理条件が記載されており、原料ガスの種類及び流量が、第１のガス放出器と第２のガス放出器で異なること、高周波電力が、第１のカソードでは８００Ｗ、第２のカソードでは３５０Ｗであること、また、製膜領域の長さが、第１の製膜容器では９０ｃｍ、第２の製膜容器では４０ｃｍであることが示されている。（【００７９】段落）
２−ス．「帯状の基板１０４の上に、ｉ型のａ−ＳｉＧｅ：Ｈからなる堆積膜の形成を行なった。」（【００８０】段落）
２−セ．「（実験例１４）図４に示す連続堆積膜形成装置３５０を用い、図５(a)に示した層構成のアモルファスシリコン系太陽電池を作製し、太陽電池モジュールに加工した。」（【０１０６】段落）
２−ソ．「ＳＵＳ４３０ＢＡからなる帯状の基板１０４」（【０１０７】段落）
２−タ．「帯状の基板１０４を・・・連続的に移動させながら、この帯状の基板１０４の上に、第１の不純物層形成用真空容器３５１でｎ型半導体層４０３を、堆積膜形成装置２００でｉ型半導体層４０４を、第２の不純物層形成用真空容器３５２でｐ型半導体層４０５を順次形成するようにした。ｎ型半導体層４０３とｐ型半導体層４０５の形成の条件は、表９に示すとおりであり、ｉ型半導体層４０４の形成条件は、実験例５においてｉ型ａ−ＳｉＧｅ：Ｈからなる堆積層を形成する場合と同じにした。」（【０１０９】段落）
２−チ．第１８〜１９頁の表９には、図４に示す連続堆積膜形成装置３５０を用いた実験例１４の処理条件に関して記載されており、ｎ型半導体層を形成するための第１の不純物層形成用真空容器３５１では、高周波電力が４００Ｗ、また、製膜領域の長さが１０ｃｍであることが、ｐ型半導体層を形成するための第２の不純物層形成用真空容器３５２では、高周波電力が７００Ｗ、また、製膜領域の長さが４ｃｍであることが示されている。（【０１１０】段落）
２−ツ．【図２】には、この発明の一実施例の堆積膜形成方法の実施に使用される堆積膜形成装置２００の構成を示す概略断面図が、【図４】には、図２に示す堆積膜形成装置を組み込んだ連続堆積膜形成装置３５０の構成を示す概略断面図が示されている。
（３）刊行物３（特開昭６１−９７３３７号公報：申立人２の提出する甲第１号証）
３−ア．「ＳＳ材で形成され内面に塗装処理を施した真空処理室内に陰電極と陽電極とを備え、これら両電極間に被処理物を送給して、両電極間に発生するプラズマにより被処理物の表面を処理する真空処理装置において、前記真空処理室の内壁に、ＳＵＳ材からなる複数の補助接地電極を設けたことを特徴とする真空処理装置。」（特許請求の範囲　第１項）
３−イ．「本発明は、真空処理装置に係り、特にプラスチック成形品などを真空状態でプラズマ処理する真空処理槽内のプラズマ放電の安定化に好適な真空処理装置に関するものである。」（第１頁右下欄第４〜７行）
３−ウ．「本発明は、塗装を施された真空処理槽内壁面に、ＳＵＳ材からなる複数の補助陰電極を設け、プラズマの均一発生を行わせることを考えたものである。」（第２頁左下欄第３〜６行）
３−エ．「４は、真空処理槽１内に設置された陽電極、５は、円筒形状の真空処理槽１の中心に位置する陰電極に相当するもので、被処理物供給手段に係る駆動ロールである。前記陽電極４は、駆動ロール５と同心円周位置の半周円の範囲に複数個配置されている。」（第２頁右下欄第２〜７行）
３−オ．「真空処理槽１内に設置された複数の陽電極４と陰電極である駆動ロール５の間に、ガイドロール６により案内され移送された被処理物１０が送給される。ここで、被処理物１０は駆動ロール５すなわち陰電極表面に密着送給される。一定真空状態に排気された真空処理槽１内において、ガス噴出口９から供給されるガスにより陽電極４と陰電極である駆動ロール５との間に電圧が印加されプラズマを発生させる。」（第３頁左上欄第１０〜１８行）
３−カ．「陰極と同電位（接地）にあるガイドロール６」（第３頁右上欄第２，３行）
３−キ．「本実施例の補助接地電極１１が真空処理槽内に配置されると、上記のようなガイドローラ６に対するコロナ放電や、ガス噴出口９に対する落雷状放電などの発生が防止され、真空処理槽１内に発生するプラズマ放電は安定化される。」（第３頁右上欄第１６〜２０行）
３−ク．第２図には、この発明の一実施例に係る真空処理装置の真空処理槽部の略示断面図が示されている。そして、第２図の記載から、駆動ロール５は一つであることが窺える。
（４）刊行物４（特開平６−３３２３９号公報：申立人２の提出する甲第２号証）
４−ア．「カソード結合型プラズマ反応器内に炭化水素ガスを導入し、カソードに高周波電圧を印加して炭化水素ガスをプラズマ化させ、カソード上に載置した被コーティング材の表面に衝突させることにより該表面にダイヤモンドライクカーボン皮膜を作製する方法において、カソード近傍に形成されるイオンシースにおける自己バイアス電圧が時間とともに増減するように、カソードに印加する高周波の電力を変化させることを特徴とするダイヤモンドライクカーボン厚膜の作製方法。」（請求項１）
４−イ．「 ａ）カソードの自己バイアス電圧を測定する手段と、ｂ）自己バイアス電圧が時間とともに増減するように、カソードに印加する高周波の電力を変化させる投入電力制御手段とを備えることを特徴とするダイヤモンドライクカーボン厚膜作製用カソード結合型プラズマ装置。」（請求項２）
４−ウ．「基材上にＤＬＣ皮膜を作製する場合、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の場合と同様に、図３に示すようなカソード結合型プラズマ反応器を用いる。」（【０００３】段落）
４−エ．「本発明はこのような課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところの一つは、上記のような剥離やクラックを発生させることなく厚いＤＬＣ皮膜を作製することのできる方法及び装置を提供することにある。また、更に広くは、厚み方向に各種傾斜特性を持たせたＤＬＣ皮膜を形成する方法及び装置を提供することにある。」（【０００６】段落）
４−オ．「この場合、剥離の起点はもちろん、クラックの起点となるのも殆どの場合、異物質同士の境界である基材と皮膜との境界部分である。そこで、皮膜形成の最初の段階では自己バイアス電圧を小さくすることにより、基材と皮膜との境界部分における皮膜内部の圧縮応力を最小に抑えることができる。しかし、図２からも明かな通り、自己バイアス電圧が小さい場合、硬さも非常に低くなってしまう。ＤＬＣ皮膜を施す目的はその高い硬さを利用することであるため、自己バイアス電圧を処理時間とともに増加させることにより、表面層において非常に硬い皮膜を形成することができる。このように、本発明に従って自己バイアス電圧を変化させることにより、剥離、クラックを発生させることなくＤＬＣ厚膜を作製することができる。なおこの場合、全体として皮膜作製の最初の時点の自己バイアス電圧Ｖdcよりも終了時の自己バイアス電圧Ｖdcが高くなるようにしておけばよく、途中で自己バイアス電圧Ｖdcが一定値となったり、多少低下するような時期が存在しても構わない。」（【００１３】段落）
４−カ．「本発明の一実施例として、図３に示すようなカソード結合型プラズマ反応器１０を用いて、ハードディスク用磁気ヘッドの表面へのＤＬＣ皮膜の作製を行なった例を説明する。本実施例で用いたプラズマ反応器１０は、処理時のカソード１２の自己バイアス電圧Ｖdcを制御するため、自己バイアス電圧Ｖdc検出用の電圧計１９と、マイクロコンピュータを中心に構成された制御部２０（上記の投入電力制御手段）を設け、高周波電源１８の出力を制御部２０により制御するようにしたものである。」（【００１５】段落）
４−キ．「被コーティング材１５である磁気ヘッドは、・・・これをプラズマ反応器１０のカソード１２上に載置して、次のようにＤＬＣ皮膜作製処理を施した。まず、被コーティング材（磁気ヘッド）表面のクリーニングのため、アルゴンプラズマによるスパッタクリーニングを行なった。その後、反応容器１１内に約0.1torrの炭化水素ガスを導入し、カソード１２に高周波電圧（13.56MHz）を印加して炭化水素ガスをプラズマ化した。なお、このプラズマ反応器１０ではステンレス製の反応容器１１がアノードとして作用する。」（【００１６】段落）
４−ク．「制御部２０は、電圧計１９からの信号によりカソード１２の自己バイアス電圧Ｖdcを常に入力し、その値Ｖdcが時間ｔとともに増減するように、高周波電源１８からカソード１２への投入電力を制御する。」（【００１７】段落）
４−ケ．【図１】には、この発明の一実施例で用いた自己バイアス電圧変化プログラムのグラフが、【図３】には、実施例で用いたカソード結合型プラズマ反応器の構成図が示されている。
（５）刊行物５（特開昭６１−２６７７７号公報：申立人１の提出する甲第２号証）
５−ア．「互いに平行になるように配置した一対の電極と、各中心軸が前記電極と平行な同一平面上に位置し、かつ互いに平行になるように複数の円筒状基体を前記一対の電極の間の所定位置に配置するための基板保持手段とを具え、前記各電極は、前記所定位置に配置した複数の円筒状基体の配列方向に並ぶように分割した複数の分割部分からなり、該各分割部分は、前記所定位置に配置した複数の円筒状基体の間の間隙に対向するように配置し、かつ前記間隙に向って原料ガスを噴出する原料ガスの噴出部を内側に有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。」（特許請求の範囲）
５−イ．第２図には、この発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実施例を示す平面図が示されている。
（６）刊行物６（特開昭５９−２１３１７６号公報：申立人２の提出する甲第４号証）
６−ア．「本発明はグロー放電分解による非晶質シリコン等の非晶質半導体薄膜を用いてｐ−ｉ−ｎ接合を形成して光電変換領域とした薄膜太陽電池の製造方法に関する。」（第１頁左欄第１３〜１６行）
６−イ．「第４図は本発明による第一の実施例の概念図を示している。ｉ層形成室１２中に、三つに分割された平行平板電板電極２１，３１，４１および２２，３２，４２が設置され、各々に独立した電源４が接続されている。・・・すでにｐ層が形成された基板をのせたトレイ１５がコンベアで運ばれ、最初の電極２１，２２間で止められＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）５０Ｗのグロー放電によりｉ層を・・・形成する。第２の電極３１，３２間では、ＲＦ３０Ｗで、・・・第３の電極４１，４２間ではＲＦ２０Ｗで・・・で形成する。」（第２頁左下欄第６〜１８行）」
６−ウ．「第６図は本発明による第二の実施例の概念図を示している。基本的には第一の実施例と同じであるが、三つに分割された電極２１，３１，４１および２２，３２，４２は同一の電源４に接続されている。ただし、上部電極と下部電極との距離が異なっており、電極２１，２２から電極４１，４２の方へ次第に広くなっている。従って実効的な電力密度が途々に変化するようになっている。この装置で形成された太陽電池の特性は第一の実施例の場合と同様にｉ層中のほう素分布が最適化され、優れたものであった。」（第２頁右下欄第４〜１３行）」
６−エ．「実効的な放電電流を変化させることで、ｉ層中のアクセプタ濃度分布がｐ層に近づくにつれて高くなるように制御し、」（第２頁右下欄第１７〜１９行）
６−オ．第４図、第６図には、この発明の実施例に用いるａ−Ｓｉ：Ｈ連続形成装置の部分断面図が示されている。
（７）刊行物７（「電子材料」編集部編、「超ＬＳＩ時代のプラズマ化学」株式会社工業調査会、１９８４年１１月２５日第２版発行、第８６〜８９頁：申立人２の提出する甲第３号証）
７−ア．「電極間隔をせまくしていくと自己バイアス電圧は大きくなるために反応性イオンの加速効果が大きくなり、エッチングの方向性が増大し異方性の強いエッチングが可能となる。」（第８７頁下から第３行〜第８８頁第３行）
（８）参考文献１（特開平３−２０４９２５号公報：申立人２の提出する甲第６号証）
８−ア．「高周波電力を大きくすると、電極の自己バイアスも大きくなり、同時にプラズマ電位も高くなる。」（第２頁左下欄第９〜１１行）
（９）参考文献２（特開平５−５１７７２号公報：申立人２の提出する甲第７号証）
９−ア．「いずれの場合にも、セルフバイアス電圧は、電力密度の増加に伴って増加しており、」（【０００９】段落）
（１０）参考文献３（特開昭６４−７９９１５号公報：申立人２の提出する甲第８号証）
１０−ア．「ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いる場合は、例えば第２図に示すような装置を用いる。強磁性金属薄膜層を形成した基体フィルム１を送りロール２にセットし円筒状キャンに沿わせて巻き取りロール４に巻き取るようにセットする。次いで、ガス導入管５からモノマーガスを流量１〜２００ｓｃｃｍで導入し、ガス圧を０．５〜１００ｍＴｏｒｒとして、電極６からＲＦ電力を０．１〜７ｖ／ｃｍ２の電力密度で印加し、さらにキャン３に−５０〜−２００Ｖの直流バイアス電位を印加して基体フィルム１の強磁性金属薄膜層上にアモルファスカーボン層を形成する。
　続いて回転系を逆転させてアモルファスカーボン膜を形成し、このプロセスを繰り返して所望の総数のアモルファスカーボン膜を堆積させる。・・・。
　モノマーガス流量、ガス圧が上記範囲より大きすぎたり、ＲＦ電力密度が小さすぎると膜硬度が不十分で耐摩耗性に劣り、逆にガス流量、ガス圧が小さすぎたりＲＦ電流密度が大きすぎると基体にダメージを与えるために不適当である。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第１５行）
１０−イ．第２図には、この発明の磁気記録媒体の製造に使用されるＲＦプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概要図が示されている。
（１１）参考文献４（特開昭６０−４９０１号公報：申立人２の提出する甲第９号証）
１１−ア．「プラズマ蒸着法で合成されるカーボン膜の特性については、その合成条件を変化させることにより種々変化させうる。すなわちグラファイト状からダイヤモンド状まで変化する。」（第２頁右上欄第１４〜１７行）
１１−イ．「高周波発信装置の出力を調節することにより硬度の異なるカーボン膜を合成せしめ耐傷性テストに供した。」（第２頁左下欄第１４〜１６行）
１１−ウ．第２頁右下欄には表１として耐傷性テスト結果が示されており、この結果から、ｐｌａｓｍａ出力（Ｗ）を大きくすることにより、硬度も大きくなることが読みとれる。
　
３−４−２．対比、判断
　上記訂正請求により本件発明１乃至４、６及び７となった特許明細書の請求項４、５、１０、１１乃至１４に係る発明に対して取消理由通知で示された取消理由の根拠は、いずれも、特許明細書の各々の請求項に係る発明が、（Ａ）刊行物２に記載された発明であるか、刊行物２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であること、及び（Ｂ）刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることできた発明であること、の２つである。また、上記訂正請求により本件発明５となった特許明細書の請求項１２に係る発明に対して取消理由通知で示された取消理由の根拠は、（Ｃ）刊行物３，４及び７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であることであり、上記訂正請求により本件発明８乃至１０となった特許明細書の請求項１５乃至１７に係る発明に対して取消理由通知で示された取消理由の根拠は、上記（Ｂ）である。
　そこで、これらの理由を中心に検討する。
（１）本件発明１について
（１）−１．理由（Ａ）について
　上記３−４−１の（２）で摘記した刊行物２の記載事項２−ア〜ツからみて、刊行物２には、プラズマＣＶＤ法により長尺の基板上に連続的に堆積膜を形成する方法及び装置が記載されており、特に記載事項２−ウ〜キ、コ〜ス及びツからみて、真空容器１０１内に、長手方向に連続して移動される帯状の基板１０４の移動方向に沿って、基板１０４がその長手方向に連続的に移動可能に貫通する成膜容器１０２，１０３が順次設けられ、該成膜容器１０２，１０３内に基板１０４に対向して第１、第２のカソード２０１，２０２が各々設けられ、これらのカソード２０１，２０２が高周波電源に接続されており、成膜容器１０２，１０３内でそれぞれ別個に高周波プラズマを発生させて堆積膜を形成する堆積膜形成装置２００（【図２】参照）と、該堆積膜形成装置２００を用い、成膜容器１０２，１０３にそれぞれ異なる種類及び流量の原料ガスを供給し、第１のカソード２０１に８００Ｗ、第２のカソード２０２に３５０Ｗの高周波電力を供給し、成膜領域の長さを、第１の成膜容器１０２で９０ｃｍ、第２の成膜容器１０３で４０ｃｍとして、基板１０４上にｉ型のａ−ＳｉＧｅ：Ｈからなる堆積膜を形成する方法が記載されている。
　そして、刊行物２には、第１、第２のカソード２０１，２０２がそれぞれ複数存在することは記載も示唆もされていないことからみて、第１、第２のカソード２０１，２０２はそれぞれ１つであると認められる。
　また、刊行物２には、特に記載事項２−ク、ケ及びセ〜ツからみて、長手方向に連続して移動される帯状の基板１０４の移動方向に沿って、第１の不純物層形成用真空容器３５１、上記堆積膜形成装置２００、第２の不純物層形成用真空容器３５２が順次設けられており、第１、第２の不純物層形成用真空容器３５１、３５２には、各々、基板１０４がその長手方向に連続的に移動可能に貫通する成膜容器３６１が設けられ、これらの成膜容器３６１内に基板１０４に対向してカソード３６２が設けられ、これらのカソード３６２が高周波電源に接続されて、成膜容器３６１，１０２，１０３，３６１内でそれぞれ別個に高周波プラズマを発生させて堆積膜を形成する連続堆積膜形成装置３５０（【図４】参照）と、該連続堆積膜形成装置３５０を用いて、第１の不純物層形成用真空容器３５１において、カソード３６２に４００Ｗの高周波電力を供給し、成膜領域の長さを１０ｃｍとしてｎ型半導体層を成膜し、堆積膜形成装置２００において、成膜容器１０２，１０３にそれぞれ異なる種類及び流量の原料ガスを供給し、第１のカソード２０１に８００Ｗ、第２のカソード２０２に３５０Ｗの高周波電力を供給し、成膜領域の長さを、第１の成膜容器１０２で９０ｃｍ、第２の成膜容器１０３で４０ｃｍとしてｉ型のａ−ＳｉＧｅ：Ｈからなる堆積膜を形成し、さらに、第２の不純物層形成用真空容器３５２において、カソード３６２に７００Ｗの高周波電力を供給し、成膜領域の長さを４ｃｍとしてｐ型半導体層を成膜して基板１０４上にｐｉｎ接合を有する半導体素子を形成する方法が記載されている。
　そして、刊行物２には、第１、第２の不純物層形成用真空容器３５１、３５２に各々設けられたカソード３６２がそれぞれ複数存在することは記載も示唆もされていないことからみて、第１、第２の不純物層形成用真空容器３５１、３５２に各々設けられたカソード３６２はそれぞれ１つであると認められる。
　そこで、本件発明１と刊行物２に記載された発明とを対比すると、後者においては、【図２】で示される堆積膜形成装置２００を用いて基板１０４上にｉ型ａ−ＳｉＧｅ：Ｈからなる堆積膜を形成するものにおいても、【図４】で示される連続堆積膜形成装置３５０を用いて基板１０４上にｐｉｎ接合を有する半導体素子を形成するるものにおいても、成膜容器１０２，１０３内、あるいは成膜容器３６１，１０２，１０３，３６１内にそれぞれ種類も流量も異なる原料ガスを供給し、成膜容器１０２，１０３内、あるいは成膜容器３６１，１０２，１０３，３６１内でそれぞれ別個に高周波プラズマを発生させて堆積膜を形成するものであるから、成膜容器３６１，１０２，１０３，３６１内でプラズマを発生させ基板１０４をプラズマ処理する機構の各々が、本件発明１で云うプラズマ処理装置であると解される。してみると、後者における各成形容器に設けられた「カソード」が前者における「他方の電極」に相当し、後者における「基板１０４」が前者における「基体」に相当する。そして、後者のものにおいても、カソードがある以上、アノード、即ち、一方の電極があることは明らかであるが、それが、ステンレスからなる基板１０４であるか、接地された成膜容器であるかは明確でない。
　よって、両者は、
「一方の電極と他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、前記他方の電極は前記一方の電極に対して設けられ、前記他方の電極には高周波電源が接続されており、基体が移送されるプラズマ処理装置。」
で一致し、次の点で相違する。
ａ−１．前者は、一つの一方の電極を有するものであるのに対し、後者はその点について明確でない点。
ｂ−１．前者は、他方の電極が複数であり、複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電源が接続されており、前記高周波電源のそれぞれの出力を基体が移送される方向に向かって大きくするものであるのに対し、後者は、そもそも他方の電極が複数ではない点。
　このうち、相違点ｂ−１について検討する。
　刊行物２を検討しても、相違点ｂ−１に係る本件発明１の構成を示唆する記載はない。
　そして、本件発明１は、相違点ｂ−１に係る構成要件を備えたことにより、安定した高密度な放電を実現させて生産性を高めると共に、膜厚方向に膜質を変化させて密着性に優れ表面にいくほど硬質で耐摩耗性の優れた被膜を得ることができるという本件明細書に記載された格別な効果を奏するものである。
　したがって、相違点ａ−１について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物２に記載された発明であるとも、刊行物２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えない。
　なお、申立人２は、基板１０４の移送方向に順次設けられたプラズマ処理装置の各々のカソードに供給される高周波電力が、一部で基板１０４の移送方向に向かって大きくなっている旨（申立人２が提出した特許異議申立書第３０頁第２２行〜第３１頁第８行）指摘するが、本件発明の目的ないしは課題などからみて明らかなとおり、本件発明が、刊行物２に記載の如き、基板１０４の移送方向にプラズマ処理装置が順次設けられているものまで意図しているとは認められない。
　よって、申立人２の上記主張は採用することはできない。
（１）−２．理由（Ｂ）について
　上記３−４−１の（３）で摘記した刊行物３の記載事項３−ア〜クからみて、刊行物３には、「陰電極である一つの駆動ロール５と、駆動ロール５と同心円周位置に配置された複数個の陽電極４を備え、駆動ロール５に密着して連続的に給送される被処理物１０の表面を、陽電極４と駆動ロール５との間に発生するプラズマにより処理する真空処理装置。」及び「該装置を用いるプラズマ処理方法」が記載されている。
　本件発明１と刊行物３に記載された発明を対比すると、記載事項３−カからみて、後者の装置において陰電極は接地されており、陽電極４に電源が接続されていることは明らかであり、また、この電源が高周波電源であることも明らかであるから、後者における「駆動ロール５」は前者における「一方の電極」に相当し、後者における「陽電極４」は前者における「他方の電極」に相当し、後者における「被処理物１０」は前者における「基体」に相当する。また、後者の「真空処理装置」は「プラズマ処理装置」と云えるものである。
　よって、両者は、
「一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられ、前記複数の他方の電極には高周波電源が接続されており、基体が移送されるプラズマ処理装置。」
で一致し、次の点で相違する。
ｃ−１．前者は、複数の他方の電極にはそれぞれ独立に高周波電源が接続されており、前記高周波電源のそれぞれの出力を基体が移送される方向に向かって大きくするのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　そこで、この相違点ｃ−１について検討する。
　上記３−４−１の（４）で摘記した記載事項４−ア〜ケからみて、刊行物４には、カソード近傍に形成されるイオンシースにおける自己バイアス電圧が、皮膜作製の最初の時点の自己バイアス電圧よりも終了時の自己バイアス電圧が高くなるように、カソードに印加する高周波電源の出力を変化させる投入電力制御手段を備えるダイヤモンドライクカーボン厚膜作製用カソード結合型プラズマ装置、及び該装置を用いて基材上にダイヤモンドライクカーボン厚膜を作製する方法が記載されている。そして、参考文献１の記載事項８−アからも明らかなとおり、自己バイアス電圧を上記の如くすることは、時間と共にカソードに印加する高周波電源の出力を大きくすることを意味する。さらに、刊行物４には、皮膜形成の最初の段階で自己バイアス電圧を小さくすることにより、基材と皮膜との境界部分における皮膜内部の圧縮応力を最小に抑え、自己バイアス電圧を処理時間とともに増加させることにより、表面層において非常に硬い皮膜を形成することができることが記載されている。
　しかし、記載事項４−カ、キ及びケからみて、刊行物４に記載された装置は、ステンレス製の反応容器をアノードとし、該反応容器内に固定的に設けられたカソード上に被コーティング材である基材を載置してプラズマ処理を行うものであり、刊行物３に記載された、被処理物を陰電極である駆動ロールにより連続的に給送するものとは全く形式が異なるものである。しかも、刊行物３に記載された装置は、陽電極の各々にそれぞれ独立に高周波電源を接続するものでも、陽電極の各々に別の出力の高周波電力を供給するものでもない。
　よって、例え、刊行物４に記載されたものにおける時間の経過が刊行物３に記載されたものにおける被処理物の移送距離に対応するとしても、刊行物４に示された時間と共にカソードに印加する高周波電源の出力を大きくすることを刊行物３に記載された装置に適用して、相違点ｃ−１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たこととは云えない。
　そして、本件発明１は、相違点ｃ−１に係る構成要件を備えたことにより、安定した高密度な放電を実現させて生産性を高めると共に、膜厚方向に膜質を変化させて密着性に優れ表面にいくほど硬質で耐摩耗性の優れた被膜を得ることができるという本件明細書に記載された格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
　さらに、上記相違点ｃ−１について、刊行物１、５〜７及び参考資料１〜４に記載された事項を検討すると、刊行物１には、筒状の電極をその軸方向に亘って複数個に分離し、これら分離電極にそれぞれ個別に電源を接続し、これら電源から上記各分離電極に対し常時一定量の電流を供給して、筒状の膜支持体の表面にアモルファスＳｉ層を成膜することは記載されているが、表面にアモルファスＳｉ層が製膜される筒状の膜支持体は、回転可能ではあるが、分離電極の配設方向に移送されるものではない。
　刊行物５に記載された円筒状基板も、プラズマＣＶＤ装置内で移送されるものではない。
　刊行物６には、特に記載事項イ及びオに、３つに分割され各々に独立した電源が接続された電極の間に基板を移送することが記載されているが、本件発明１における一方の電極に相当するものも３つに分割されており、しかも、基板の移送方向に向かって高周波電源の出力を大きくすることは記載されていない。
　さらに、刊行物７及び参考文献１〜４を検討しても、参考文献３に、基体フィルムを移送しながらプラズマＣＶＤ処理することが記載されているものの、複数の他方の電極を設けることは記載されておらず、他の文献には基板を移送してプラズマ処理をすること自体記載されていない。
　してみると、刊行物１、５〜７及び参考資料１〜４にも相違点ｃ−１に係る本件発明１の構成は記載されておらず、示唆する記載もない。
　そして、刊行物２には、複数の他方の電極を設けること自体記載も示唆もされていないことは、上記（１）−１で述べたとおりである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
（２）本件発明２について
（２）−１．理由（Ａ）について
　刊行物２に記載された発明については上記（１）−１で述べたとおりであるから、本件発明２と刊行物２に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一方の電極と他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、前記他方の電極は前記一方の電極に対して設けられており、前記他方の電極に高周波電力が供給され、基体が移送されるプラズマ処理装置。」
で一致し、下記の点で相違する。
ａ−２．前者は、一つの一方の電極を有するものであるのに対し、後者はその点について明確でない点。
ｂ−２．前者は、他方の電極が複数であり、複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体が移送される方向に向かって大きくするものであるのに対し、後者は、そもそも他方の電極が複数ではない点。
　このうち、相違点ｂ−２について検討する。
　刊行物２を検討しても、相違点ｂ−２に係る本件発明２の構成を示唆する記載はない。
　そして、本件発明２は、相違点ｂ−２に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−１で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、相違点ａ−２について検討するまでもなく、本件発明２は、刊行物２に記載された発明であるとも、刊行物２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えない。
（２）−２．理由（Ｂ）について
　刊行物３に記載された発明については上記（１）−２で述べたとおりであるから、本件発明２と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、前記複数の他の電極に高周波電力が供給され、基体が移送されるプラズマ処理装置。」
で一致し、下記の点で相違する。
ｃ−２．前者は、複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体が移送される方向に向かって大きくするものであるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　相違点ｃ−２については、上記（１）−２で相違点ｃ−１について述べた理由と同様の理由により、刊行物４に記載された事項を刊行物３に記載された装置に適用して、相違点ｃ−２に係る本件発明２の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たものとは云えない。
　そして、本件発明２は、相違点ｃ−２に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−２で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明２は、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
　さらに、上記（１）−２で述べた理由と同様の理由により、本件発明２は、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
（３）本件発明３について
（３）−１．理由Ａについて
　刊行物２に記載された発明については上記（１）−１で述べたとおりであるから、本件発明３と刊行物２に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一方の電極と他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、前記他方の電極は前記一方の電極に対して設けられて、基板が移送されるプラズマ処理装置。」
で一致し、下記の点で相違する。
ａ−３．前者は、一つの一方の電極を有するものであるのに対し、後者はその点について明確でない点。
ｂ−３．前者は、他方の電極が複数であり、複数の他方の電極の面積が異なり、前記複数の他方の電極のそれぞれの面積は、基体が移送される方向に向かって減少しているのに対し、後者はそもそも他方の電極が複数ではない点。
　このうち、相違点ｂ−３について検討する。
　刊行物２を検討しても、相違点ｂ−３に係る本件発明３の構成を示唆する記載はない。
　そして、本件発明３は、相違点ｂ−３に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−１で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、相違点ａ−３について検討するまでもなく、本件発明３は、刊行物２に記載された発明であるとも、刊行物２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えない。
（３）−２．理由（Ｂ）について
　刊行物３に記載された発明については上記（１）−２で述べたとおりであるから、本件発明３と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、基体が移送されるプラズマ処理装置。」
で一致し、下記の点で相違する。
ｃ−３．前者は、複数の他方の電極の面積が異なり、前記複数の他方の電極のそれぞれの面積は、基体が移送される方向に向かって減少しているものであるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　そこで、相違点ｃ−３について検討すると、刊行物４には上記（１）−２で述べた事項が記載されている。
　確かに、参考文献１〜４の記載からも明らかなように、高周波電力を変化させることは高周波電力密度を変化させることと同義であり、また、プラズマ処理で製膜される皮膜の硬度は高周波電力密度の上昇に比例することは、当業者にとって周知の事項である。
　しかし、上記（１）−２で述べたとおり、刊行物４に記載された装置は、刊行物３に記載されたものとは全く形式が異なるものであり、刊行物３に記載された装置は、陽電極の各々にそれぞれ独立に高周波出力を供給するものでもないから、例え、刊行物４に記載されたものにおける時間の経過が刊行物３に記載されたものにおける被処理物の移送距離に対応するとしても、刊行物４に示された時間と共にカソードに印加する高周波電源の出力を大きくすることを刊行物３に記載された装置に適用し、さらに、上記の参考文献１〜４で示される周知慣用技術を考慮して、相違点ｃ−３に係る本件発明３の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たこととは云えない。
　そして、本件発明３は、相違点ｃ−３に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−２で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明３は、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
　さらに、上記（１）−２で述べた理由と同様の理由により、本件発明２は、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
（４）本件発明４について
（４）−１．理由（Ａ）について
　刊行物２に記載された発明については上記（１）−１で述べたとおりであるから、本件発明４と刊行物２に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一方の電極と他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、前記他方の電極を前記一方の電極に対して設け、前記他方の電極に高周波電力が供給され、基体が移送されるプラズマ処理方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
ａ−４．前者は、一つの一方の電極を有するものであるのに対し、後者はその点について明確でない点。
ｂ−４．前者は、他方の電極が複数であり、複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくするものであるのに対し、後者は、そもそも他方の電極が複数ではない点。
　このうち、相違点ｂ−４について検討する。
　刊行物２を検討しても、相違点ｂ−４に係る本件発明４の構成を示唆する記載はない。
　そして、本件発明４は、相違点ｂ−４に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−１で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、相違点ａ−４について検討するまでもなく、本件発明４は、刊行物２に記載された発明であるとも、刊行物２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えない。
（４）−２．理由（Ｂ）について
　刊行物３に記載された発明については上記（１）−２で述べたとおりであるから、本件発明４と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、前記複数の他方の電極には高周波電力が供給され、基体を移送させるプラズマ処理方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
ｃ−４．前者は、複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせるものであるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　相違点ｃ−４については、上記（１）−２で相違点ｃ−１について述べた理由と同様の理由により、刊行物４に記載された事項を刊行物３に記載された方法に適用して、相違点ｃ−４に係る本件発明４の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たものとは云えない。
　そして、本件発明４は、相違点ｃ−４に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−２で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明４は、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
　さらに、上記（１）−２で述べた理由と同様の理由により、本件発明４は、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
（５）本件発明５について
（５）−１．理由（Ｃ）について
　刊行物３に記載された発明については上記（１）−２で述べたとおりであるから、本件発明５と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、前記複数の他方の電極には高周波電力が供給され、基体を移送させるプラズマ処理方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
ｃ−５．前者は、一つの一方の電極と複数の他方の電極とのそれぞれの距離を基体を移送させる方向に向かって減少させて配置するものであるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　相違点ｃ−５について検討すると、刊行物４には、上記（１）−２で述べた事項が記載されている。さらに、刊行物７には、電極間隔をせまくしていくと自己バイアス電圧は大きくなることが記載されている。しかし、上記（１）−２で述べたとおり、刊行物４に記載された装置は、刊行物３に記載されたものとは全く形式が異なるものであり、刊行物３に記載された装置は、陽電極の各々にそれぞれ独立に高周波出力を供給するものでもないから、例え、刊行物４に記載された方法における時間の経過が刊行物３に記載された方法における被処理物の移送距離に対応するものであるとしても、刊行物４に示された時間と共にカソードに印加する高周波電源の出力を大きくすることを刊行物３に記載された方法に適用し、さらに、上記刊行物７に記載された事項を考慮して、相違点ｃ−５に係る本件発明５の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たものとは云えない。
　そして、本件発明５は、相違点ｃ−５に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−２で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明５は、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
　さらに、上記（１）−２で述べた理由と同様の理由により、加えて、刊行物６の記載事項６−ウ、オには、複数組の一方の電極と他方の電極の間の距離を変える方法が記載されているが、この方法は、一方の電極が他方の電極と同じく複数あり、その一方の電極と複数の他方の電極とのそれぞれの距離を基体を移送させる方向に向かって拡大させて配置するものであるから、本件発明５は、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
（６）本件発明６について
（６）−１．理由（Ａ）及び理由（Ｂ）について
　本件発明６は、本件発明４における「前記複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、」なる構成を、「前記複数の他方の電極に共通の電源から高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極のそれぞれにおいてマッチング条件を異ならせて、」なる構成に置き換えたものである。
　しかしながら、本件発明６も、本件発明４と同じ「複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせる」なる構成を具えるものであり、係る構成については、上記（４）−１及び（４）−２で述べたとおりである。
　したがって、本件発明６は、本件発明４と同じく、刊行物２に記載された発明であるとも、刊行物２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えないものであると共に、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えず、さらに、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできないものである。
（７）本件発明７について
（７）−１．理由（Ａ）について
　刊行物２に記載された発明については上記（１）−１で述べたとおりであるから、本件発明７と刊行物２に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一方の電極と他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、前記他方の電極を前記一方の電極に対して設け、前記他方の電極に高周波電力が供給され、基体が移送されるプラズマ処理方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
ａ−７．前者は、一つの一方の電極を有するものであるのに対し、後者はその点について明確でない点。
ｂ−７．前者は、他方の電極が複数であり、複数の電極のそれぞれの面積を基体を移送する方向に向かって減少するように配置したものであるのに対し、後者は、そもそも他方の電極が複数ではない点。
　このうち、相違点ｂ−７について検討する。
　刊行物２を検討しても、相違点ｂ−７に係る本件発明７の構成を示唆する記載はない。
　そして、本件発明７は、相違点ｂ−７に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−１で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、相違点ａ−７について検討するまでもなく、本件発明７は、刊行物２に記載された発明であるとも、刊行物２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも云えない。
（７）−２．理由（Ｂ）について
　刊行物３に記載された発明については上記（１）−２で述べたとおりであるから、本件発明７と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、前記複数の他方の電極には高周波電力が供給され、基体を移送させるプラズマ処理方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
ｃ−７．前者は、複数の他方の電極のそれぞれの面積を基体を移送する方向に向かって減少するように配置したものであるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　相違点ｃ−７については、上記（３）−２で相違点ｃ−３について述べた理由と同様の理由により、刊行物４に記載された事項を刊行物３に記載された方法に適用して、相違点ｃ−７に係る本件発明７の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たものとは云えない。
　そして、本件発明７は、相違点ｃ−７に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−２で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明７は、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
　さらに、上記（１）−２で述べた理由と同様の理由により、本件発明７は、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
（８）本件発明８について
（８）−１．理由（Ｂ）について
　刊行物３に記載された発明については上記（１）−２で述べたとおりであり、さらに、駆動ロール５が円筒状であることは明らかであるから、本件発明８と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電させるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、前記一つの一方の電極は円筒状であり、前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、前記複数の他方の電極には高周波電力を与え、前記基体を移送させるプラズマ処理方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
ｃ−８．前者は、複数の他方の電極には、基体の移送方向に向かって大きくなるように高周波電力を与えるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　相違点ｃ−８については、上記（１）−２で相違点ｃ−１について述べた理由と同様の理由により、刊行物４に記載された事項を刊行物３に記載された方法に適用して、相違点ｃ−８に係る本件発明８の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たものとは云えない。
　そして、本件発明８は、相違点ｃ−８に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−２で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明８は、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
　さらに、上記（１）−２で述べた理由と同様の理由により、本件発明８は、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
（９）本件発明９について
（９）−１．理由（Ｂ）について
　刊行物３に記載された発明については上記（１）−２で述べたとおりであるから、本件発明９と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電をさせるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、前記一つの一方の電極は円筒状であり、前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して前記一つの一方の電極の同心円上に設けられており、前記基体を前記同心円上を移送させ、前記複数の他方の電極には高周波電力が供給されるプラズマ処理方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
ｃ−９．前者は、複数の他方の電極に供給される電力を、基体の移送される方向に向かって大きくさせるものであるのに対し、後者は、かかる特定がない点。
　相違点ｃ−９については、上記（１）−２で相違点ｃ−１について述べた理由と同様の理由により、刊行物４に記載された事項を刊行物３に記載された方法に適用して、相違点ｃ−９に係る本件発明４の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たものとは云えない。
　そして、本件発明９は、相違点ｃ−９に係る構成要件を備えたことにより、上記（１）−２で述べた格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明９は、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えない。
　さらに、上記（１）−２で述べた理由と同様の理由により、本件発明９は、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
（１０）本件発明１０について
（１０）−１．理由（Ｂ）について
　本件発明１０は、本件発明８又は９にさらに「前記基体の表面から前記膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜を形成する」なる技術的限定を付加したものである。
　そして、本件発明８及び９については、上記（９）及び（１０）で検討したとおりであるから、本件発明１０も、本件発明８及び９について述べた理由と同じ理由で、刊行物３及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは云えず、さらに、刊行物１〜７及び参考文献１〜４に記載された発明を如何に組み合わせても、当業者が容易に発明し得たものであると云うことはできない。
　
３−５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠方法によっては本件発明１乃至１０についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１乃至１０についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１乃至１０についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月３日（２００２．１０．３）
【訂正の要旨】
ａ．請求項１乃至３、６乃至９を削除し、請求項４、５、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７を、それぞれ、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０に訂正する。
ｂ．「【請求項４】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して設けられ、
　前記複数の他方の電極にはそれぞれ独立に高周波電源が接続されており、
　前記高周波電源のそれぞれの出力を基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。」を、
「【請求項１】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられ、
　前記複数の他方の電極にはそれぞれ独立に高周波電源が接続されており、
　前記高周波電源のそれぞれの出力を基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。」に訂正する。
ｃ．「【請求項５】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。」を、
「【請求項２】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。」に訂正する。
ｄ．「【請求項１０】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積は、基体が移送される方向に向かって減少していることを特徴とするプラズマ処理装置。」を、
「【請求項３】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積は、基体が移送される方向に向かって減少していることを特徴とするプラズマ処理装置。」に訂正する。
ｅ．「【請求項１１】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項４】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｆ．「【請求項１２】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一方の電極に対して設け、
　前記一方の電極と前記複数の他方の電極とのそれぞれの距離を基体を移送させる方向に向かって減少させて配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項５】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極とのそれぞれの距離を基体を移送させる方向に向かって減少させて配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｇ．「【請求項１３】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極に共通の電源から高周波電力を供給し、
　前記複数の他方の電極のそれぞれにおいてマッチング条件を異ならせて、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項６】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極に共通の電源から高周波電力を供給し、
　前記複数の他方の電極のそれぞれにおいてマッチング条件を異ならせて、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｈ．「【請求項１４】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極を前記一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積を基体を移送する方向に向かって減少するように配置し、
前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項７】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いるプラズマ処理方法であって、
　面積の異なる前記複数の他方の電極を前記一つの一方の電極に対して設け、
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積を基体を移送する方向に向かって減少するように配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｉ．「【請求項１５】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電させるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極にそれぞれ異なる高周波電力を与えることを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項８】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電させるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一つの一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して設けられており、
　前記複数の他方の電極には、基体の移送方向に向かって大きくなるように高周波電力を与えることを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｊ．「【請求項１６】一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電をさせるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一方の電極に対して前記一方の電極の同心円上に設けられており、
　前記基体を前記同心円上を移送させ、
　前記複数の他方の電極に供給される電力を前記基体の移送される方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項９】一つの一方の電極と複数の他方の電極とを有するプラズマ処理装置を用いて、前記一つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間で放電をさせるとともに、前記電極間に基体を移送させ、前記基体表面に膜を形成させるプラズマ処理方法であって、
　前記一つの一方の電極は円筒状であり、
　前記複数の他方の電極は前記一つの一方の電極に対して前記一つの一方の電極の同心円上に設けられており、
　前記基体を前記同心円上を移送させ、
　前記複数の他方の電極に供給される電力を前記基体の移送される方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。」に訂正する。
ｋ．「【請求項１７】前記基体の表面から前記膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜を形成することを特徴とする請求項１５または１６に記載のプラズマ処理方法。」を、
「【請求項１０】前記基体の表面から前記膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜を形成することを特徴とする請求項８または９に記載のプラズマ処理方法。」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
一つの
　前記複数の他方の電極は前記
一つの
　前記複数の他方の電極にはそれぞれ独立に高周波電源が接続されており、
　前記高周波電源のそれぞれの出力を基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項２】
　
一つの
　前記複数の他方の電極は前記
一つの
　前記複数の他方の電極に供給される高周波電力のそれぞれの出力を、基体が移送される方向に向かって大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項３】
　
一つの
　面積の異なる前記複数の他方の電極は前記
一つの
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積は、基体が移送される方向に向かって減少していることを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項４】
　
一つの
　前記複数の他方の電極を前記
一つの
　前記複数の他方の電極にそれぞれ独立に高周波電力を供給し、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項５】
　
一つの
　前記複数の他方の電極を前記
一つの
　前記
一つの
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項６】
　
一つの
　前記複数の他方の電極を前記
一つの
　前記複数の他方の電極に共通の電源から高周波電力を供給し、
　前記複数の他方の電極のそれぞれにおいてマッチング条件を異ならせて、前記複数の他方の電極のそれぞれに供給される高周波電力の出力を、基体を移送させる方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項７】
　
一つの
　面積の異なる前記複数の他方の電極を前記
一つの
　前記複数の他方の電極のそれぞれの面積を基体を移送する方向に向かって減少するように配置し、
　前記複数の他方の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項８】
　
一つの
一つの
　前記
一つの
　前記複数の他方の電極は前記
一つの
　前記複数の他方の電極に
は、基体の移送方向に向かって大きくなるように
　【請求項９】
　
一つの
一つの
　前記
一つの
　前記複数の他方の電極は前記
一つの
一つの
　前記基体を前記同心円上を移送させ、
　前記複数の他方の電極に供給される電力を前記基体の移送される方向に向かって大きくさせることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項１０】
　前記基体の表面から前記膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜を形成することを特徴とする請求項
８
９
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、気相反応によって成膜やエッチング等の各種プラズマ処理を行うプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。特に本発明は、テープ状やフィルム状の基体（例えば磁気テープ）に対して成膜や表面処理等のプラズマ処理を行う装置の構成に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より、磁気テープ等のテープ状あるいはフィルム状の基体の表面に保護膜として炭素膜等を成膜する技術が知られている。このような技術の一例を図３に示す。図３には、円筒状の電極であるキャンロール１０３、該キャンロール１０３が回転することにより、移送されるテープ状あるいはフィルム状の基体１１５、一方の電極である平板電極３００、平板電極３００にマッチングボックス１０７とブロッキングコンデンサー１０６を介して高周波電力を供給する高周波電源１０８が示されている。基体１１５は、送り出しローラー１１３から送り出され、ガイドローラー１０４を介してキャンロール１０３に移送される。そしてキャンロール１０３と電極３００との間で行われる高周波放電によって基体１１５の表面には炭素被膜が成膜される。原料ガスは、ガス供給系１０２から供給される。炭素被膜を成膜する場合には、エチレン等の炭化水素気体を原料ガスが用いられる。
　【０００３】
　成膜の終わった基体１１５は、ガイドローラー１０４を経て、巻取りローラー１１４に巻き取られる。基体１１５の表面に行われる炭素被膜の成膜は、基体を移送しながら連続的に行われる。図３に示す装置は、送り出しローラー１１３が配置された送り出し室１１１と巻取りローラー１１４が配置された巻取り室１１２とを大気圧状態とし、成膜が行われる室１０１を減圧状態とするため、バッファ室１１０を設け、差動排気システムとした例である。チャンバー１００を構成する材料は、普通ステンレスやアルミニウムが用いられる。１０９は成膜室１０１の排気を行うため排気ポンプである。１１６は、バッファ室の排気を行うための排気ポンプである。
　【０００４】
　一方の電極を構成するキャンロール１０３は、図面の奥行き方向または手前方向が長手方向となる円筒状であり、接地されている。即ち、平板電極３００がカソード電極、キャンロール１０３がアノード電極となる。
　【０００５】
　図３に示すような構成において、基体１１５として磁気テープ等の長尺ものを用いた場合、その生産性を高めるためにできるだけ基体の移送速度を大きくする必要がある。しかし基体１１５の移送速度を大きくした場合、基体１１５の表面に成膜される膜厚が薄くなるという問題が生じる。また、表面保護膜として炭素被膜またはその他被膜を用いようとする場合、その密着性が問題となる。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、以下に示す事項の少なくとも一つを課題を解決し、生産性の高いプラズマ処理システムを得ることを目的とする。
（１）成膜速度を大きくする。
（２）プラズマ処理効率を高くする。
（３）密着性の高い膜質を実現する。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の主要な構成は、一つの一方の電極と、該電極に対して複数設けられた多数の電極が設けられていることを特徴とする。例えば、図１に示すように一方の電極である円筒状の電極（キャンロール）１０３と、該電極１０３に対して複数配置された複数の他方の電極１０５を有することを特徴とする。
　【０００８】
　また図１に示すような構成において、複数の他方の電極が電極１０３の表面（円筒表面）に対して概略同心円の関係にある位置に配置されていることを特徴とする。これは、電極１０３の表面で構成される円筒と同軸状の関係にある位置に、複数の他方の電極１０５が配置されていることを意味する。このような構成とすることによって、複数の電極１０５と電極１０３との距離をどこでも概略同じものとすることができる。なお、電極１０３は、図面の奥行き方向または手前方向が長手方向となる円柱状を有し、電極１０５は、図面の奥行き方向または手前方向が長手方向となる長方形状である。
　【０００９】
　また、図１に示すような構成において、電極１０５を図２の２００で示されるように所定の曲率を有せしめたことも有用である。この曲率を、円筒状の電極１０３の表面に合わせたものとすることにより、電極１０３と複数の電極２００との間の距離を概略一定なものとすることができる。
　【００１０】
　また、図４に示すように複数の電極４００〜４０４に対して、それぞれ独立に複数の電極４１０〜４１４を配置したことを特徴とする。このような構成を採ると、それぞれの電極に異なる出力で高周波電力を供給することができる。
　【００１１】
　複数の電極４００〜４０４は、ある特定の方向に沿って配置されていることが必要である。そしてその方向に沿って基体を移送しつつ成膜等のプラズマ処理を行うことを特徴とする。例えば、図４に示す構成のように、複数の電極４００〜４０４を、円筒状の電極１０３の表面の円周方向に沿って配置し、その方向に沿って、基体１１５（ここではテープ状あるいはフィルム状の基体）を矢印で示すように移送し、成膜等のプラズマ処理を行うことを特徴とする。
　【００１２】
　また上記のような構成において、複数の電極４００〜４０４が配置されている方向に沿って、各電極に供給される高周波電力値を漸次変化させることも有用である。例えば電極４００には、高周波電源４１５より１００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０１には、高周波電源４１６より２００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０２には、高周波電源４１７より３００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０３には、高周波電源４１８より４００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０４には、高周波電源４１９より５００Ｗの高周波電力を供給し、というような構成とすることを特徴とする。この場合、電極１０３の円周方向に向かって、各電極４００〜４０４に供給される電力値が段階的に変化することになる。
　【００１３】
　また、電極４００には、高周波電源４１５より１００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０１には、高周波電源４１６より２００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０２には、高周波電源４１７より３００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０３には、高周波電源４１８より２００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０４には、高周波電源４１９より１００Ｗの高周波電力を供給し、というような構成とすることもできる。
　【００１４】
　また、電極４００〜４０４の全ての電極において異なる高周波電力値を与えない構成としてもよい。例えば、電極４００には、高周波電源４１５より１００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０１には、高周波電源４１６より１００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０２には、高周波電源４１７より１００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０３には、高周波電源４１８より３００Ｗの高周波電力を供給し、電極４０４には、高周波電源４１９より５００Ｗの高周波電力を供給し、というような構成とすることもできる。即ち、少なくとも複数の電極４００〜４０４の中の少なくとも一つに供給される電力値を他と異なったものとしてもよい。
　【００１５】
　本発明の主要な他の構成は、対向した一方の電極と他方の電極とを有し、前記他方の電極は前記一方の電極に対して複数設けられており、前記一方の電極と前記複数の他方の電極の少なくとも一つとの距離は、他の対向する電極の間隔と異なることを特徴とする。
　【００１６】
　上記の構成の例として、図６に示す構成を挙げることができる。図６に示す構成は、一方の電極１０３に対向して複数の他方の電極４００〜４０４が配置されており、一方の電極１０３と複数の他方の電極４００〜４０４との距離（間隔）Ｘ１〜Ｘ５が段階的に小さくなっている例である。
　【００１７】
　また、本発明の主要な構成は、対向した一方の電極と他方の電極とを有し、前記他方の電極は前記一方の電極に対して複数設けられており、前記他方の電極の面積の少なくとも一つが他の他方の電極の面積と異なることを特徴とする。
　【００１８】
　この構成において、他方の電極を一方の電極に対して特定の方向に向かって複数配置させ、他方の電極の面積のそれぞれは、前記特定の方向に向かって段階的に変化させることは有用である。こうすることによって、電極の面積に対応させて異なる放電の強さを設定でき、段階的に変化したプラズマ処理（例えば成膜）を行うことができる。
　【００１９】
　【作用】
　円筒状を有した一方の電極に対向させて、複数の他方の電極を設けることで、両電極間で行われるプラズマ反応の効率を実質的に高めることができる。特に円筒状を有した一方の電極に沿ってテープ状あるいはフィルム状の基体を移送させ、該基体上に連続して成膜を行っていく構成において、実質的な成膜速度を他方電極の数に比例して高めることができる。
　【００２０】
　また他方の電極を小さくすることで、プラズマ密度を高めることができ、反応効率を高めることができる。
　【００２１】
　また、複数の他方の電極を円筒状を有した電極の表面と概略同心円上に設けることで、電極間の距離を実質的に概略同一とすることができ、安定した放電を行うことができる。
　【００２２】
　特に複数の他方の電極に曲率を与えることで、電極間の距離をほぼ同一とすることができ、放電の安定性や均一性をさらに高めることができる。
　【００２３】
　また、一方の電極に対して他方の電極を一方から他方の方向に向かって複数設け、この他方の電極に供給される高周波電力を段階的に変化させる構成をとり、前記一方の電極と他方の電極間に基体を移送させながら成膜を行うことによって、基体上に漸次膜質が変化（段階的に膜質が変化）した薄膜を成膜することができる。即ち、段階的に変化したプラズマ処理を行うことができる。
　【００２４】
　例えば、基体表面に一方から他方の方向に向かって、供給する高周波電力を漸次大きくしていった構成をとり、炭素被膜を成膜した場合、基体表面に近い部分から膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜質とすることができる。このような膜は、基体に接する部分の硬度が低い（軟らかい）ので密着性がよく、同時にその表面が硬いので、表面保護膜として極めて有用なものとなる。
　【００２５】
　また、一方の電極に対して他方の電極を一方から他方の方向に向かって複数設け、その間隔を漸次変化させていった構成を採用した場合において、一方から他方の方向に向かって基体を移送しつつ薄膜を成膜した場合、電極間隔に応じてその膜質を徐々に変化させたものを成膜することができる。
　【００２６】
　例えば、基体に接する部分からその表面に向かって徐々にその硬度が硬くなる炭素被膜を成膜することができる。
　【００２７】
　【実施例】
　以下に実施例を示す。以下の実施例においては、テープ状またはフィルム状の基体に炭素被膜を成膜する例を示す。しかし基体としては他の材料を用いてもよいことはいうまでもない。また以下に示す実施例においては、一方の電極を円筒状のものとしたが、円筒状ではなく平板型電極としてもよい。
　【００２８】
〔実施例１〕
　本実施例は、磁気テープの表面に炭素膜を成膜するためのものである。図１に本実施例の概要を示す。図１において、１００はステンレスで構成された真空チャンバーであり内部の反応室１０１を減圧状態することができる。反応室１０１を減圧状態とするには、排気ポンプ１０９を動作させることによって行われる。反応室１０１には、原料ガスとしてメタンガスと水素ガスとが供給系１０２から供給される。炭素膜の成膜は、磁気テープ１１５の表面に行われる。磁気テープ１１５の表面には、予め磁性材料が蒸着やスパッタ法によって層状に形成されているポリイミド等の樹脂材料を用いる。
　【００２９】
　この磁気テープ１１５は、送り出しロール１１３から送り出され、ガイドローラー１０４を介してキャンロール１０３に導かれる。キャンロール１０３が回転することによって、磁気テープ１１５は移送されることになる。そしてキャンロール１０３と複数設けられた電極１０５との間に形成される気相反応空間において、磁性材料が予め形成された磁気テープ１１５の表面に炭素膜が形成される。
　【００３０】
　成膜が行われた磁気テープは、ガイドローラー１０４を経て、巻取りロール１１４に巻き取られる。送り出しロール１１３が配置されている送り出し室１１１、及び巻取りロール１１４が配置されて巻取り室１１２とは、常圧に保持されている。これらの室と減圧状態に保たれる反応室１０１とは、バッファ室１１０を介して連結されている。バッファ室１１０は、排気ポンプ１１６によって、反応室１０１と常圧である室１１１、１１２との中間の圧力に保たれる。このバッファ室は、反応室１０１と室１１１、１１２との間の圧力差を緩和させるためのものである。図１においては、各１つのバッファ室を設けた例が示されているが、バッファ室の数をさらに多くしてもよい。
　【００３１】
　キャンロール１０３は、図面の奥行き方向または手前方向が長手方向となる円筒形状であり、その長さは磁気テープ１１５の幅により大きいことが必要とされる。電極１０５は平板電極であり、図面の奥行き方向または図面手前方向に長手方向を有する長方形を有している。その長さは、キャンロール１０３の長さと同じである。
　【００３２】
　複数の電極１０５には、高周波電源１０８より１３．５６　ＭＨｚの高周波電力が、マッチングボックス１０７とブロッキングコンデンサー１０６を介して供給される。
　【００３３】
　図１に示す構成においては、キャンロール１０３の直径は６５０ｍｍであり、その長さは９００ｍｍである。また平板電極１０５は幅は９０ｍｍ、長さは９００ｍｍの長方形を有している。そしてこの平板電極１０５は５つ設けられている。またキャンロール１０３と平板電極の中心部との距離は８ｍｍである。このキャンロール１０３と平板電極の中心部との距離は、１０ｍｍ以下とすることが望ましい。このことは高い成膜成膜速度や高い硬度を有する炭素被膜を得るために極めて重要な事項である。
　【００３４】
　以下に成膜条件の例を示す。以下における例は、磁気テープ１１５として、その表面に磁性材料が０．２ｍｍの厚さに蒸着された幅７００ｍｍ、長さ５ｋｍのポリイミドフィルムを用いる場合の例である。
　　原料ガス　　　　　　　　　エチレン／水素＝３０００／１０００ｓｃｃｍ
　　高周波電力　　　　　　　　５ｋＷ（１３．５６　ＭＨｚ）
　　成膜圧力　　　　　　　　　１Ｔｏｒｒ
　なお磁気テープ１１３の移送速度は１００ｍ／分である。
　【００３５】
〔実施例２〕
　図１に示す構成においては、キャンロール１０３を接地する構成を示した。これは、キャンロール１０３に高周波電源を接続させた場合、導電体である磁性材料がその表面に形成されたテープ状あるいはフィルム状の基体に高周波が乗ることになり、成膜の安定性や安全性に問題が生じるからである。しかし、基体に絶縁体を用いるのであれば、キャンロール１０３に高周波電源を接続し、複数設けられた平板電極１０５を接地する構成としてもよい。即ち、キャンロール１０３をカソード電極とし、複数設けられた平板電極１０５をアノード電極としてもよい。
　【００３６】
〔実施例３〕
　本実施例は、図１に示す構成において、平板電極１０５を平板ではなく、Ｒ（曲率）をもたせた構成としたことを特徴とする。図２に本実施例の構成を示す。図２において、図１と同じ符号は図１と同じ部分を示す。図２に示す構成において図１と異なるのは、２００で示される電極部分である。この電極２００は、キャンロール１０３の曲面に対応させた曲率を有している。本実施例においても実施例１と同様に電極２００は５つ配置されている。
　【００３７】
　２００で示される電極は、キャンロール１０３の表面に対して概略同心円の関係になるように配置されている。即ち、キャンロール１０３の中心と所定の曲率を有した複数の電極２００で構成さる円の中心とは概略同一になるように構成されている。従って、キャンロール１０３の表面と複数の電極２００との間の距離はどこでも概略一定となっている。
　【００３８】
　図２の２００で示すような形状の電極とすることによって、接地された電極であるキャンロール１０３と高周波電源１０８に接続された複数の電極２００との間の距離を一定または概略一定とすることができ、安定した放電を起こすことができる。
　【００３９】
〔実施例４〕
　本実施例は、実施例１（図１参照）に示す構成において、複数設けられている電極１０５のそれぞれに独立した電源を接続した例である。本実施例の構成を図４に示す。図４に示す符号で図１と同じものは図１に示すものと同様である。
　【００４０】
　図４に示すように、電極４００〜４０４には、それぞれ独立した電源４１５〜４１９がマッチングボックス４１０〜４１４、ブロッキングコンデンサー４０５〜４０９を介して接続されている。
　【００４１】
　電源４１５〜４１９は、順にその出力が大きくなるように構成されている。基体である磁気テープ１１５は、電極４００から電極４０４へと順次通過していく。従ってこの場合、磁気テープ１１５の表面には徐々に強い放電パワーで成膜が行われていく状態が実現される。
　【００４２】
　炭素の被膜の成膜において、放電パワーを強くすると高い硬度を有する膜質を得ることができ、逆に放電パワーを小さくすると低い硬度を有する膜質が得られることが本発明者らの実験により判明している。従って、この場合、磁気テープ表面には、徐々に硬い膜が成膜されていくことになる。
　【００４３】
　また本発明者らの知見によれば、硬度の低い膜質は基体との密着性に優れ、硬度の高い膜質は耐磨耗性に優れている。しかし、硬度が低い膜質は耐磨耗性が低く、硬度の高い膜は基体との密着性が悪いので、基体から剥がれやすいという問題がある。
　【００４４】
　この問題を解決するための方法として、基体と接する部分の膜質を低硬度とし、その表面を高硬度とした傾斜構造を有した炭素被膜を実現する方法がある。こうすることで、基体と接する部分を低硬度とすることによって、高い密着性を実現し、同時にその表面を高硬度とすることによって、高い耐磨耗性を実現することができる。
　【００４５】
　以下に成膜例を示す。ここでは、基体である磁気テープ１１５として、幅ｍｍでその表面（炭素膜が成膜される面側）に磁性材料が蒸着されたものを用いる。以下の成膜条件を示す。なお電源の周波数は、全て１３．５６ＭＨｚとする。
　　成膜圧力　　　　　　　　　　１Ｔｏｒｒ
　　移送速度　　　　　　　　　　　８０ｍ／分
　　原料ガス　　　　　　　　Ｃ２Ｈ４／Ｈ２　＝３０００／１０００ＳＣＣＭ
　　電極間隔　　　　　　　　　８ｍｍ
　　電源４１５の出力　　　　　７００Ｗ
　　電源４１６の出力　　　　　９００Ｗ
　　電源４１７の出力　　　　１１００Ｗ
　　電源４１８の出力　　　　１３００Ｗ
　　電源４１９の出力　　　　１５００Ｗ
　【００４６】
　上記のような条件で成膜を行うことにより、およそ１５０Åの厚さに炭素被膜を成膜することができる。上記のような条件で成膜を行うことにより、基体側から順次硬度の高い炭素被膜を連続的に成膜することができる。そして、密着性と耐磨耗性に優れた炭素被膜を成膜することができる。
　【００４７】
　上記の例では、基体である磁気テープ１１５は移送される方向、即ち複数の電極４００〜４０４が配置された方向に向かって、それぞれの電極４００〜４０４に供給される電力を大きくした。しかし、電力値の変化のさせ方は上記例に限定されるものではない。例えば、表面層のみを硬い膜質とした場合には、４０３と４０４あるいは４０４に供給される電力値を大きなものとすればよい。
　【００４８】
　〔実施例５〕
　本実施例は、図４に示す構成において、電極４００〜４０４を所定を曲率を有するものとした例である。図５に本実施例の構成を示す。図五において図５と同じ符号は図４に示すものと同様の箇所を示す。
　【００４９】
　電極５００〜５０４は同じ曲率を有している。これら電極５００〜５０４で構成される曲面は、一方の電極であるキャンロール１０３の表面で構成される曲面（円柱の表面）と概略同心円の関係にある。即ち、電極５００〜５０４で構成される曲面（円柱）の中心と、一方の電極であるキャンロール１０３の表面で構成される曲面（円柱の表面）の中心とは概略同一である。従って、キャンロール１０３と電極５００〜５０４との間隔は場所に関係無く、概略一定なものとなる。
　【００５０】
　本実施例の構成を採用することで安定した放電を行うことができる。なお、動作の方法については、実施例４に説明したのと同様である。
　【００５１】
　〔実施例６〕
　本実施例は、図１に示す構成において、複数の電極１０５それぞれにおいて、キャンロール１０３との間隔を異ならせて設けた例である。図６に本実施例の電極部分を拡大した概略図を示す。図６には、チャンバーや排気装置が示されていないが、図６に示されていない構成、あるいは特に説明しない構成は、図１に示されている物と同様である。
　【００５２】
　図６に示す構成では、電極４００から電極４０４にかけて、キャンロール１０３との距離Ｘ１〜Ｘ５を順次小さくしていく構成としている。
　【００５３】
　キャンロール１０３と電極４００〜４０４のそれぞれとは、それぞれ一対の電極を形成している。即ち、共通の一方の電極であるキャンロール１０３と、複数の他方の電極４００〜４０４とは、それぞれ一対の電極を構成している。
　【００５４】
　炭素被膜の成膜において、一対の電極間の間隔を広くすれば、その膜の硬度を低くすることができ、一対の電極間の間隔を狭くすれば、その膜の硬度を高くすることができることが、本発明者らの知見として得られている。
　【００５５】
　従って、１１５で示されるテープ状あるいはフィルム状の基体を矢印で示す方向に移送し、一方の電極であるキャンロール１０３と他方の電極である平板電極４００〜４０４との間で炭素被膜を成膜した場合、キャンロール１０３と平板電極４００との間で比較的硬度の低い炭素被膜を成膜し、基体１１５が移送されるに従って順次硬度の高い炭素被膜を成膜する構成とすることができる。
　【００５６】
　こうして、基体との密着性が高く、しかもその表面が硬い炭素被膜をテープ状あるいはフィルム状の基体表面に連続して成膜することができる。
　【００５７】
　以下に成膜例の条件を示す。また電極の寸法は図１に示す実施例１の場合と同様である。
　　成膜圧力　　　　　　　　１Ｔｏｒｒ
　　原料ガス　　　　　　　　Ｃ２Ｈ４／Ｈ２　＝３０００／１０００ＳＣＣＭ
　　電源出力（１３．５６ＭＨｚ）　　５ｋＷ
　　Ｘ１＝１８ｍｍ
　　Ｘ２＝１５ｍｍ
　　Ｘ３＝１２ｍｍ
　　Ｘ４＝９ｍｍ
　　Ｘ５＝６ｍｍ
　　移送速度８０ｍ／分
　上記の条件で成膜を行うころによって、およそ１５０Åの膜厚に密着性がよく、同時に耐磨耗性に優れた炭素被膜を形成することができる。
　【００５８】
　図６に示す構成においては、複数配置された電極４００〜４０４を平板電極としたが、これら電極４００〜４０４を図２に示すような所定の曲率を有する構成としてもよい。即ち、キャンロール１０３と各電極との距離が場所に寄らず概略一定の値となるように、電極４００〜４０４に曲率を与えてもよい。
　【００５９】
　図６に示す構成においては、電極４００〜４０４に接続される電源を共通なものとし、供給される高周波電力とその周波数を同一なものとした。しかし、図４や図５に示すように電極４００〜４０４に独立に電源を接続する構成としてもよい。
　【００６０】
　〔実施例７〕
　本実施例は、図７に示すように、複数設けられた電極４００〜４０４に共通の電源６００からそれぞれ異なるマッチングボックス４１０〜４１４、ブロッキングコンデンサー４０５〜４０９を介して高周波電力を供給する構成した例である。
　【００６１】
　ブロッキングコンデンサー４０５〜４０９を同じものとし、マッチングボックス４１０〜４１４を同じマッチング条件とした場合、各電極４００〜４０４に供給される電力値は、概略同じものとなる。しかし、各マッチングボックスにおいてマッチング条件を異ならせた場合、電極４００〜４０４に供給される電力値はマッチング条件に応じて異なることになる。
　【００６２】
　例えば、マッチングボックス４１４におけるマッチング条件を反射波０の状態（完全にインピーダンスマッチングがとれた状態）とし、４１３〜４１０にいくに従って、徐々にそのマッチング条件をずらしていった場合、各電極に供給される高周波電力の実効値は、電極４０４から電極４００にいくに従って、徐々にその値が小さなものとなる。即ち、共通の電源を用いて、各電極に少しづつ異なるパワーの高周波電力を供給することができる。
　【００６３】
　本実施例のような構成を採用することにより、図４に示した場合と同様の作用効果を得ることができる。
　【００６４】
　〔実施例８〕
　本実施例は、実施例１（図１参照）に示すような構成において、複数配置された電極１０５の面積をそれぞれ異ならせた構成を特徴とする。図１に示すように、複数の電極に対して共通の電源１０８を設けた場合、各電極には概略同じ電力が配分される。放電の強さに関係するパラメータは、電力密度（電極に供給されるパワーを電極面積で割った値）であるので、図１に示すような場合に各電極の面積を変化させることで、放電の強さは各電極において異なることによる。
　【００６５】
　従って、テープ状あるいはフィルム状の基体１１５が移送される方向に向かって、５つ配置されている電極１０５の面積を徐々に小さくしていった場合、放電に際する電力密度を基体１１５が移送される方向に向かって５段階に渡り徐々に大きくしていく構成を実現できる。
　【００６６】
　そして、基体１１５を移送させながら炭素被膜の成膜を行うことで、基体側から徐々にその硬度を高くした炭素被膜を成膜することができる。換言すれば、基体側に行くほど柔らかく、基体との密着性に優れ、同時に表面にいくほど硬質で耐磨耗性に優れた炭素被膜を得ることができる。
　【００６７】
　【発明の効果】
　一方の電極に対して他方の電極を複数設けることによって、安定した高密度な放電を実現することができる。また、一方の電極を円筒形状とし、他方の複数設けられた電極を所定の曲率を有したものとすることによって、一方の電極と他方の電極との間の距離を場所に寄らず概略同一なものとすることができ、さらに安定した放電を生じさせることができる。
　【００６８】
　また、一方の電極に対して他方の電極を一方向に渡って複数設け、他方の電極それぞれに異なる値の高周波電力を与え、複数の電極が配置された一方向にテープ状あるいはフィルム状の基体を移送しつつ成膜を行うことによって、膜厚方向に膜質を変化させた被膜を成膜することができる。
　【００６９】
　また、一方の電極に対して他方の電極を一方向に渡って複数設け、一方の電極と他方の電極それぞれとの電極間隔を異ならせ、他方の電極が配置された一方向にテープ状あるいはフィルム状の基体を移送しつつ成膜を行うことによって、膜厚方向に膜質を変化させた被膜を成膜することができる。
　【００７０】
　また、一方の電極に対して他方の電極を一方向に渡って複数設け、他方の電極の面積をそれぞれ異ならせ、他方の電極が配置された一方向にフィルム状あるいはリボン状の基体を移送しつつ成膜を行うことによって、膜厚方向に膜質を変化させた被膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　実施例の概略の構成を示す。
　【図２】　実施例の概略の構成を示す。
　【図３】　従来の例の構成を示す。
　【図４】　実施例の概略の構成を示す。
　【図５】　実施例の概略の構成を示す。
　【図６】　実施例の概略の構成を示す。
　【図７】　実施例の概略の構成を示す。
　【符号の説明】
　１００・・・・・・チャンバー
　１０２・・・・・・ガス供給系
　１０３・・・・・・キャンロール（電極）
　１０４・・・・・・ガイドローラー
　１０５・・・・・・電極
　１０６・・・・・・ブロッキングコンデンサー
　１０７・・・・・・マッチングボックス
　１０８・・・・・・高周波電源
　１０９、１１６・・排気ポンプ
　１１０・・・・・・バッファー室
　１１１・・・・・・送り出し室
　１１２・・・・・・巻取り室
　１１３・・・・・・送りだしロール
　１１４・・・・・・巻き取りロール
　１１５・・・・・・テープ状あるいはフィルム状の基体
　２００・・・・・・電極
　３００・・・・・・電極
　４００〜４０４・・電極
　４０５〜４０９・・ブロッキングコンデンサー
　４１０〜４１４・・マッチングボックス
　４１５〜４１９・・高周波電源
　５００〜５０４・・電極
　６００・・・・・・高周波電源