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　特願２００６−３２９４７８「ＱＦＮ用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月２６日出願公開、特開２００８−１４７２３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１８年１２月　６日の出願であって、平成２５年３月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２４日に審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされた。
　そして、その後、当審において、平成２５年１２月２日付けで拒絶の理由が通知され、平成２６年１月２７日に意見書および手続補正書が提出されたものであって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１月２７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　ＱＦＮ用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法であって、
　上層として０．５〜２μｍのニッケルめっき層または５〜２０μｍのニッケル箔からなるニッケル層を形成した厚みが１８〜５０μｍの銅箔と支持体とを、重ね合わせる前にそれぞれの対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせ、その後に熱処理を施し、銅箔／ニッケル／支持体の３層からなるＱＦＮ用金属積層板を準備する工程、
　前記ＱＦＮ用金属積層板を用いて、銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、
　前記銅箔をエッチングする工程、
　前記ニッケル層をエッチングする工程、
　レジストを除去して配線を形成する工程、
　配線用銅箔の表面にＩＣ基板を積層する工程、
　ＩＣ基板とＩＣ基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程、
　ＩＣ基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程、
　支持体を除去する工程を有し、
　前記活性化処理が、１０〜１×１０−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Ａとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される前記電極Ａと接触した前記接合面のそれぞれの面積が、前記電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理することを特徴とするＱＦＮの製造方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明 
　
（１）これに対して、当審における、平成２５年１２月２日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開２００１−２６７４６１号公報（平成１３年９月２８日公開、以下「引用例１」という。）には、「半導体装置の製造方法」に関する発明が開示されており、そこには、図面とともに次の事項が記載されている。 
　
・「【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話などのマルチメディア電子機器の普及に伴い、それらに使用される半導体装置もより一層の小型化が要求されている。この要求を満たすものとして、ＳＯＮ(Small Outline Non-lead Package)やＱＦＮ(Quad Flat Non-leadPackage)と指称される半導体装置が注目されている。これらの半導体装置は、従来のリードフレームをそのまま利用することができるので、比較的低コストに製作できるという利点がある。」
　
・「【００１６】金属材料を使用する場合は、基材及び金属層はＣｕ、Ｉｎｖａｒ、４２ＡｌｌｏｙなどのＦｅ−Ｎｉ合金、Ａｌの内いずれか１種又は２種からなるとともに、導電材層がＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌから選択されたいずれか1種からなる組み合わせであることが好ましい。好適な組み合わせとしては、基材／導電材層／金属層をそれぞれＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｓｎ／Ｃｕ、Ａｌ／Ｎｉ／Ｃｕ等とすることが挙げられるが、特に導電材層をＮｉまたはＳｎとした場合には、配線パターンに半田ボールを装着するときなどに、この導電材層がそのまま前処理層として機能するので望ましい。その他にも様々な組み合わせが適用できるが、いずれの組み合わせを選択するにしても、導電材層は基材及び金属層とはエッチング液に対する耐蝕性の異なる材料を使用する必要がある。」
　
・「【【００１８】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。なお、従来と同一の箇所については同一の符号を使用して説明する。図１は本発明の半導体装置の製造工程を示す断面図である。まず図１（ａ）に示すように、Ｃｕからなるシート状の基材１０の表面全面に、スパッタ法などによりＳｎからなる導電材層１１を形成する。そして、導電材層１１上の全面に、同じくスパッタ法などによりＣｕからなる金属層１２を形成する。なお、このような異種金属積層材料は、めっき法やラミネート法などを用いて形成するようにしても良い。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、金属層１２上に図示しないレジストを塗布し、ＦｅＣｌ３水溶液によってエッチングを行い、金属層１２をパターニングして、所定の配線パターン１３を形成する。この場合、基材１０の材質もＣｕであることからＦｅＣｌ３水溶液によって侵食されるのであるが、金属層１２と基材１０間には、ＦｅＣｌ３水溶液ではエッチングされないＳｎからなる導電材層１１が存在するので、金属層１２のエッチングはこのエッチング液に対する耐蝕性の異なる材質からなる導電材層１１で停止し、基材１０は金属層１２のエッチングの影響を受けない。なお本実施例においては、配線パターン１３は半導体チップ搭載部１４を含む形態であり、図２に示すように、半導体装置単位１ａを９つ隣接させてマトリクス状に配置した構成としている。また図に示す通り、隣接する各半導体装置間の境界部分には、配線パターン１３及び導電材層１１は存在しないようにパターニングしている。
【００２０】ところで、Ｓｎからなる導電材層１１はＦｅＣｌ３水溶液ではエッチングされないので、この段階では腐食されずに基材１０上に残存している。ここで本実施例においては、Ｓｎからなる導電材層１１をＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１水溶液によってエッチングを行うことにより、図１（ｂ）に示すように、導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニングするようにしている。このとき、ＣｕはＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１水溶液によってはエッチングされないので、パターニングの際に、先に形成した配線パターン１３がレジストとして機能するため、別途レジストの塗布工程などが省略でき、非常に作業性が向上する。
【００２１】次に、図１（ｃ）に示すように、配線パターン１３の各半導体装置単位の半導体チップ搭載部１４上に、Ａｇペーストなどの周知の接着剤によって、それぞれ半導体チップ４を搭載し、半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とをＡｕ、Ａｌ線などからなるボンディングワイヤ６によって電気的に接続する。なお、電極５と配線パターン１３との電気的接続は、ボンディングワイヤ６を用いずに、直接または金属バンプなどを介して接続するようにしても良く、その場合は、配線パターン１３に半導体チップ搭載部１４を形成する必要はない。
【００２２】それから図１（ｄ）及び図２に示すように、基材１０の一面の少なくとも配線パターン１３、半導体チップ４及びボンディングワイヤ６を含む領域を、隣接する各半導体装置単位１ａを所定数一括してエポキシ樹脂などの封止樹脂７にて樹脂封止することにより、樹脂封止ブロック体１５を形成する。その後本実施例においては、基材１０をＦｅＣｌ３水溶液によってエッチング除去する。なお、この場合もＳｎからなる導電材層１１はＦｅＣｌ３水溶液ではエッチングされないので、封止樹脂７からは配線パターン１３及び半導体チップ搭載部１４の裏面に形成された導電材層１１のみが露出することになる。
【００２３】そして図１(ｅ)及び図２に示すように、図示しないダイシングソーなどの切断刃物などによって樹脂封止ブロック体１５を各半導体装置単位に切断分離して、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すような半導体装置１ａが得られる。本実施例においては、各半導体装置単位の境界部分を切断する際に、図中点線で示すダイシングライン上には基材１０、配線パターン１３、導電材層１１のいずれも存在せず、封止樹脂７が存在するだけなので、切断時の抵抗は均一であり、このため剥離や切断バリなどが発生することもない。」
　
　これらの記載事項によると、引用例１には、
　
「異種金属積層材料を用いたＱＦＮの製造方法であって、
基材／導電材層／金属層をそれぞれＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕとした異種金属積層材料の金属層１２上にレジストを塗布し、エッチングを行い、金属層１２をパターニングして、所定の配線パターン１３を形成したのち、導電材層１１をエッチングを行うことにより、導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニング、次に、配線パターン１３の各半導体装置単位の半導体チップ搭載部１４上に、接着剤によって、それぞれ半導体チップ４を搭載し、半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とを電気的に接続し、それから基材１０の一面の少なくとも配線パターン１３、半導体チップ４及びボンディングワイヤ６を含む領域を、隣接する各半導体装置単位１ａを所定数一括してエポキシ樹脂などの封止樹脂７にて樹脂封止し、その後基材１０をエッチング除去するＱＦＮの製造方法。」の発明（以下「引用例１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）同じく、当審における、平成２５年１２月２日付けで通知した拒絶の理由に引用した国際公開第００／１９５３３号（２０００年４月６日公開、以下「引用例２」という。）には、「リードフレーム用クラッド板、それを用いたリードフレーム及びその製造方法」に関する発明が開示されており、そこには、図面とともに次の事項が記載されている。 
　
・「まず、本発明の一実施の形態に係るリードフレームの構造について、図７を参照して説明する。図示するように、銅箔材又はアルミニウム箔材２０からなるアウターリード層１０（厚み０〜１００μｍ）の片面にはニッケル箔材（厚み５〜１０μｍ）又はニッケルめっきからなるエッチングストップ層１１（厚み０．５〜３μｍ）が接合され、リードを形成している。さらにインナーリード層の銅箔材２４からなるバンプ１２（厚み１０〜１００μｍ）及び外部端子１３が形成されている。そして、半導体チップ１４とバンプ１２と接合させることでリードフレームを形成している。
　次に、上記したリードフレームの製造方法について説明する。まず、リードフレームを製造した際にアウターリード層１０となる銅箔材２０（厚み１０〜１００μｍ）の片面にエッチングストップ層１１となるニッケルめっき２１（厚み０．３〜３μｍ）を施してニッケルめっき銅箔材２２を製造する（図１参照）。
　ニッケルめっき銅箔材２２を、図８に示すクラッド板製造装置における巻き戻しリール２３に巻き付ける。また、インナーリード層となる銅箔材２４を巻き戻しリール２５に巻き付ける。
　巻き戻しリール２３、２５からニッケルめっき銅箔材２２と銅箔材２４を同時に巻き戻し、その一部をエッチングチャンバ２６内に突出した電極ロール２７、２８に巻き付け、エッチングチャンバ２６内において、スパッタエッチング処理して活性化する。
　この際、活性化処理は、本出願人が先に特開平１−２２４１８４号公報で開示したように、（１）１×１０−１〜１×１０−４Ｔｏｒｒの極低圧不活性ガス雰囲気中で、（２）接合面を有するニッケルめっき銅箔材２２と銅箔材２４をそれぞれアース接地した一方の電極Ａとし、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、（３）かつ、前記グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が、電極Ｂの面積の１／３以下で、（４）スパッタエッチング処理することによって行う。その後、真空槽２９内に設けた圧延ユニット３０によって冷間圧接し、３層構造を有するリードフレーム用クラッド板３１を巻き取りロール３２に巻き取って製造する。
　なお、上記においては、銅箔材に予めニッケルめっきをしたものを圧接する例を説明したが、ニッケルめっきに代えて上記設備を用いて銅箔材又はアルミニウム箔材にニッケル箔材を圧接したものを用いることもできる。この場合、上記設備を使用して圧接を繰返し行うことにより、銅／ニッケル／銅または銅／ニッケル／アルミニウムという順番で、中間層にニッケル層を介した３層のクラッド板を製造することができる。
　この場合の製造法を述べる。まず、リードフレームを製造した際にアウターリード層１０となる銅箔材又はアルミニウム箔材２０（厚み１０〜１００μｍ）（図１参照）を、図８に示すクラッド板製造装置における巻き戻しリール２３に巻き付ける。また、エッチングストップ層１１となるニッケル箔材２１（厚み５〜１０μｍ）を巻き戻しリール２５に巻き付ける。
　巻き戻しリール２３、２５から銅箔材又はアルミニウム箔材２０とニッケル箔材２１を同時に巻き戻し、その一部をエッチングチャンバ２６内に突出した電極ロール２７、２８にまき付け、エッチングチャンバ２６内において、スパッタエッチング処理して接合面を活性化する。その後、この活性化面どうしを接合面とし圧延ユニット３０によって冷間圧接し、２層構造を有するニッケル箔付き銅箔材又はアルミニウム箔材２２とする。その後この２層構造を有するクラッド板を巻き取りロール３２に巻き取って製造する。
　次に、この２層構造を有するニッケル箔付き銅箔材又はアルミニウム箔材２２を再度巻き戻しリール２３に巻き付ける。また、インナーリード層となる銅箔材２４を巻戻しリール２５に巻き付ける。巻き戻しリール２３、２５からニッケル箔付き銅箔材又はアルミニウム箔材２２と銅箔材２４をそれぞれ巻き戻し、その一部をエッチングチャンバ２６内に突出した電極ロール２７、２８に巻き付け、エッチングチャンバ２６内において、スパッタエッチング処理し活性化する。
　この場合も、活性化処理は、同様に、（１）１×１０−１〜１×１０−４Ｔｏｒｒの極低圧不活性ガス雰囲気中で、（２）接合面を有するニッケル箔付き銅箔材又はアルミニウム箔材２２と銅箔材２４をそれぞれアース接地した一方の電極Ａとし、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、（３）かつ、前記グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が、電極Ｂの面積の１／３以下で、（４）スパッタエッチング処理することによって行い、図１に示すように３層構造を有するリードフレーム用クラッド板３１を製造する。」（第４頁第７行〜第６頁第１４行。）（注．○に１、○に２、○に３、○に４を、それぞれ（１）、（２）、（３）、（４）と表記した。）
　
・「次に、図５に示すように、塩化第二鉄又は塩化第二銅等を用いてアウターリード層１０となる銅箔材２０及びニッケルめっき又はニッケル箔材２１をエッチング処理し、その後フォトレジスト膜４１、４２を除去して導体回路４３を形成する。」（第７頁第５行〜同頁第８行。）
　
（３）同じく、当審における、平成２５年１２月２日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開２００６−２２２３３２号公報（平成１８年８月２４日公開、以下「引用例３」という。）には、「集合回路材料の製造方法および集合回路材料を用いた部品の製造方法」に関する発明が開示されており、そこには、図面とともに次の事項が記載されている。 
　
・「【００１１】
  その後、活性化処理された材料層１２、１３を積層接合する。積層接合は、材料層１２、１３の接合予定面側が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ圧接ユニット６０で冷間圧接を施すことによって達成される。この際の積層接合は低温度で可能であり、材料層１２、１３ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Ｔを材料層１２、１３の温度（℃）とするとき、０℃＜Ｔ＜３００℃で良好な圧接状態が得られる。０℃以下では特別な冷却装置が必要となり、３００℃以上では組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。また圧延率Ｒ（％）は、０．０１％≦Ｒ≦３０％であることが好ましい。０．０１％未満では充分な接合強度が得られず、３０％を超えると変形が大きくなり加工上好ましくない。より好ましくは、０．１％≦Ｒ≦３％である。さらに好ましくは、１％＜Ｒ≦３％である。
【００１２】
  このように積層接合することにより、所要の層厚みを有する２層構造のクラッド材料を形成することができ、巻き取りロール６６に巻き取られる。さらに必要により所定の大きさに切り出してもよい。クラッド材料では、接合部位に各種の物理的性質を阻害するような合金などの生成を無くしたり抑えたりすることができるので、エッチング加工性や成形性などが優れており、選択エッチング加工などには好適に用いることができる。またこのようにして製造されたクラッド材料に、必要により残留応力の除去または低減などのために問題が生じない範囲で熱処理を施してもよいし、さらに半田めっきなどの膜材などを積層してもよい。また上記活性化処理工程と積層接合工程の間にスッパタリング工程を入れて、材料層１２、１３の一方または双方にそれらと同種または異種のスパッタリング層を形成してもよい。
【００１３】
  ３層のクラッド材料は、例えば上記説明において、材料層１２の代わりに材料層１２−材料層１３接合の２層のクラッド材料を用い、材料層１３の代わりに材料層１４を用いることにより製造することができる。同様にして４層の以上のクラッド材料も製造することができる。また少数層どうしのクラッド材料を接合することによっても製造することができる。なお材料層の一部がめっき層である場合、例えば材料層１３、１５がめっき層である場合には、材料層１４に両面めっきを施して材料層１３−材料層１４−材料層１５のめっき板を形成させてこれに材料層１２、１６をそれぞれ活性化接合することにより製造することなども可能である。」
　
・「【００２２】
  上記説明においては、金めっきを行うことによりマスク処理の一部を代替させると共に端子処理も兼ねているが、金めっきを行わずに他のマスク処理手段を用いて製造しても差し支えない。さらに部品の用途によってはめっき部位として金めっきを施さないで、材料
層１６を全部除去した部品も製造可能であり、材料層１６を単にキャリアとして利用することもできる。また上記説明ではクラッド材料１０を５層構造として説明したが、例えば銅系材料−ニッケル系材料−銅系材料などの３層構造であってもよい。３層材料の場合も、めっき部位として金めっきを行って材料層１６の一部を残すことも、金めっきを行わず材料層１６を残さずに除去することも可能である。またフリップチップ実装などに応用することも可能であるし、ボンディングパッドとしてＩＣやディスクリート素子の配線に利用することもできる。この際にはクラッド材料をエッチング加工して集合回路材料を製造し、ダイシングされたＩＣやディスクリート素子を適切な絶縁部材を挟んで固定し集合回路材料のボンディングパッド部にワイヤーボンディングを施すか、あるいは適切な接合部材を用いるなどしてフリップチップ実装を行った後に樹脂封止することにより、各種のＩＣパッケージなどにも利用することができる。」
　
（４）同じく、当審における、平成２５年１２月２日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開昭６３−２５２４４６号公報（昭和６３年１０月１９日公開、以下「引用例４」という。）には、「はんだバンプの形成方法」に関する発明が開示されており、そこには、図面とともに次の事項が記載されている。 
　
・「（１）基板を被覆する絶縁膜から電極を露光させた基板の少なくとも電極部に活性化処理後無電解めっきにより、被覆層をもうけたのち、少なくとも電極部に溶解はんだを接触させ、電極との合金化により選択的にはんだを付着させる事を特徴とするはんだバンプの形成方法。」（特許請求の範囲）
　
３．対比 
　本願発明と引用例１記載の発明を対比すると、後者における「基材／導電材層／金属層をそれぞれＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕとした異種金属積層材料」と前者における「上層として０．５〜２μｍのニッケルめっき層または５〜２０μｍのニッケル箔からなるニッケル層を形成した厚みが１８〜５０μｍの銅箔と支持体とを、重ね合わせる前にそれぞれの対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせ、その後に熱処理を施し」た「銅箔／ニッケル／支持体の３層からなるＱＦＮ用金属積層板」とは、「銅箔／ニッケル／支持体の３層からなるＱＦＮ用金属積層板」である点で共通する。
　
　また、後者における「異種金属積層材料の金属層１２上にレジストを塗布し、エッチングを行い、金属層１２をパターニングして、所定の配線パターン１３を形成したのち」、「導電材層１１をエッチングを行う」「ことにより、導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニング」する工程は、前者における「ＱＦＮ用金属積層板を用いて、銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程」、「銅箔をエッチングする工程」、「ニッケル層をエッチングする工程」、「配線を形成する工程」に相当する。
　また、後者における「配線パターン１３の各半導体装置単位の半導体チップ搭載部１４上に、接着剤によって、それぞれ半導体チップ４を搭載」する工程は、前者における「配線用銅箔の表面にＩＣ基板を積層する工程」に相当する。
　また、後者における「半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とを電気的に接続」する工程は、前者における「ＩＣ基板とＩＣ基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程」に相当する。
　また、後者における「基材１０の一面の少なくとも配線パターン１３、半導体チップ４及びボンディングワイヤ６を含む領域を、隣接する各半導体装置単位１ａを所定数一括してエポキシ樹脂などの封止樹脂７にて樹脂封止」する工程は、前者における「ＩＣ基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程」に相当する。
　また、後者における「基材１０をエッチング除去」する工程は、前者における「支持体を除去する工程」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　「ＱＦＮ用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法であって、
　銅箔／ニッケル／支持体の３層からなるＱＦＮ用金属積層板を準備する工程、
　前記ＱＦＮ用金属積層板を用いて、銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、
　前記銅箔をエッチングする工程、
　前記ニッケル層をエッチングする工程、
　配線を形成する工程、
　配線用銅箔の表面にＩＣ基板を積層する工程、
　ＩＣ基板とＩＣ基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程、
　ＩＣ基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程、
　支持体を除去する工程を有するＱＦＮの製造方法。」である点で一致し、次の各点において相違する。
　
［相違点１］
　「配線を形成する工程」について、本願発明においては、「レジストを除去して配線を形成する工程」であるのに対し、引用例１記載の発明においては、レジストを除去することについて記載がない点。
　
［相違点２］
　「銅箔／ニッケル／支持体の３層からなるＱＦＮ用金属積層板」について、本願発明においては、「上層として０．５〜２μｍのニッケルめっき層または５〜２０μｍのニッケル箔からなるニッケル層を形成した厚みが１８〜５０μｍの銅箔と支持体とを、重ね合わせる前にそれぞれの対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせ、その後に熱処理を施し」たものであり、「活性化処理が、１０〜１×１０−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Ａとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した接合面のそれぞれの面積が、電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理する」ものであるのに対して、引用例１記載の発明における「基材／導電材層／金属層をそれぞれＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕとした異種金属積層材料」はそのようにして得られたものではない点。
　
４．判断 
　相違点１について検討すると、配線を形成する際にレジストを除去することは自明であり（例えば、引用例２第７頁第５行〜同頁第８行参照）、該点が実質的に相違するとは認められない。
　
　相違点２について検討すると、引用例２には、アウターリード層となる銅箔材（厚み１０〜１００μｍ）の片面にニッケルめっき層（厚み０．５〜３μｍ）またはニッケル箔（厚み５〜１０μｍ）からなるニッケル層を形成してニッケルめっき銅箔材またはニッケル箔付き銅箔材とし、該銅箔材とインナーリード層となる銅箔材（厚み１０〜１００μｍ）とを、活性化後、活性化面どうしを接合面として冷間圧接してリードフレーム用クラッド材を製造すること、また、活性化処理は、１×１０−１〜１×１０−４Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で、接合面をアース接地した一方の電極Ａとし、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が、電極Ｂの面積の１／３以下で、スパッタエッチング処理することにより行うこと、また、引用例３段落【００１３】に、３層のクラッド材料は、上層として２層のクラッド材料を形成した後に下層の材料層と冷間圧接して製造することが、段落【００２２】に、冷間圧接により製造したクラッド材料の下層である材料層１６単にキャリアとして利用することもできることが、それぞれ記載されており、引用例１段落【０００２】に、従来の技術として、ＱＦＮ型の半導体装置は、従来のリードフレームをそのまま利用することができることも記載されていることを考慮すれば、引用例１記載の発明において、「基材／導電材層／金属層をそれぞれＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕとした異種金属積層材料」を、「上層として０．５〜２μｍのニッケルめっき層または５〜２０μｍのニッケル箔からなるニッケル層を形成した厚みが１８〜５０μｍの銅箔と支持体とを、重ね合わせる前にそれぞれの対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせ」たものであって、「活性化処理が、１０〜１×１０−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Ａとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される前記電極Ａと接触した前記接合面のそれぞれの面積が、前記電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理」したものとすることは、引用例２、３の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得ることにすぎない。また、「冷間圧延にて重ね合わせ」た「後に熱処理を施」すことも、引用例３段落【００１１】、【００１２】に、冷間圧延により製造されたクラッド材料に、必要により残留応力の除去または低減などのために問題が生じない範囲で熱処理を施すことが記載されており、当業者にとって、適宜採用し得る事項にすぎない。
　また、半導体装置において露出した電極部を必要に応じ活性化することは周知であるから（例えば、引用例４「特許請求の範囲」参照）、引用例１記載の発明において、積層材料を、活性化処理を含む冷間圧延により製造し、基材除去後の導電材層の露出面が活性化されているようにすることも、当業者にとって格別なことであるとは認められない。
　
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用例１記載の発明、および引用例２〜４に記載された事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
５．むすび 
　したがって、本願発明は、引用例１記載の発明、および引用例２〜４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。