【事件の表示】
　特願２００７−１４９４２１「真空ポンプ配管構造とその真空ポンプ配管の洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月１８日出願公開、特開２００８−３０３７３７、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は，平成１９年６月５日の出願であって，平成２５年４月２２日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２５年７月１９日に拒絶査定不服審判請求されるとともに同日付けで手続補正書が提出されたものである。 
　そして，当審において，平成２５年１０月４日付けで審尋を行ったところ，請求人からこの審尋に対する回答はなかった。  
  
第２　本願発明
　平成２５年７月１９日付けの手続補正により，特許請求の範囲は，
 「【請求項１】
　配管内部にシロキサンが堆積するストレートな真空ポンプ配管の洗浄方法であって，
　前記真空ポンプ配管を当該真空ポンプから取り外す前に，前記真空ポンプ配管へ直接水を供給し，この供給水と前記シロキサンとの反応により，前記供給水によって濡れた前記真空ポンプ配管内部の前記シロキサンの爆破性を除去した状態で前記真空ポンプ配管を着脱可能とする工程と，
　前記工程の後に続いて，当該真空ポンプから前記真空ポンプ配管を取り外し，洗浄する工程とを含むこと
　を特徴とする真空ポンプ配管の洗浄方法。」と補正された。
　この補正は，補正前の請求項１〜５を削除し，補正前の請求項６を補正後の請求項１と補正するものであり，特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものである。
　ここで，補正後の請求項１に係る発明を本願発明という。
 　  
第３　原査定の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　引用文献１には，原料ガスにシランを用い，真空ポンプ，及びストレートな配管を有しているＣＶＤ装置について，真空ポンプ，及びストレートな配管に堆積する物質を除去するため，開閉バルブを介して水を供給する構成が開示されている。
　また，シランガスを用いた場合，爆発性を有するシロキサンが堆積することはは引用文献２に記載されているように周知の事項であり，さらに，爆発性を有する堆積物を水にて除去するようなことも，引用文献３に記載されているように，周知な事項である。
　よって，引用文献１に記載された発明のＣＶＤ装置は，洗浄するための水を供給した場合，シロキサンの爆発性を除去する作用を有していることは明らかである。
　また，引用文献１の配管は取り外して洗浄することが記載されていないところ，真空ポンプから配管を取り外して洗浄するようなことも，例えば引用文献４に記載されているように当業者にとって，周知・慣用技術にすぎない。
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，引用文献１−４に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　また，請求項２−６に係る発明は，引用文献１−５に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開平６−３４２７８５号公報
２.国際公開第２００７／０３６６８９号
３.特開平１０−１７６６６５号公報
４.特開平０５−１７２０８９号公報
５.特開２００３−６２５３３号公報
　
第４　当審の判断
１．刊行物の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された特開平６−３４２７８５号公報（以下「刊行物１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
　
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置の排気系を構成する真空ポンプの清浄化方法に関する。ＩＣやＬＳＩなどの集積回路や半導体レーザなどの半導体デバイスはシリコン（Si) で代表される単体半導体やガリウム・砒素(GaAs)で代表される化合物半導体からなる基板（ウエハ) に薄膜形成技術，写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ），不純物元素注入技術などを用いて製造されている。」
　
・「【０００４】
【従来の技術】半導体集積回路はシリコン（Si) ウエハ上に微細な半導体領域を作り，この領域を最小線幅がサブミクロン(Sub-micron)の導体線路で回路接続しており，多層配線構造が採られているが，この場合に多層配線を構成する絶縁層の必要条件は耐熱性に優れていることゝ，平坦化作用が優れていることであり，この点からＣＶＤ装置を用いてSi3N4 ，SiO2，ＰＳＧなどのＣＶＤ成長が行なわれているが，この原料ガスとして，モノシラン（SiH4),ジ塩化シラン(SiH2Cl2),トリ塩化シラン（SiHCl3),フォスフィン(PH3),笑気(N20),アンモニア(NH3),酸素(O2), 水素(H2)などが使用されている。」
　
・「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤ装置の反応ガスとして蒸気圧の高い薬品を使用し，ウエハ上で反応させ反応生成物を析出させていることから，必然的に未反応の反応ガスと反応生成物は反応炉より配管を通って排気系に流れているが，ガストラップで全部を捕獲するのは困難であり，真空ポンプに吸引されてポンプの動翼部，ボデイ内壁部，ローター部などに析出するために，定期的に排気系より外して新品と交換する必要があり，作業能率を損ねている。そこで，排気系より外すことなくオーバーフローできるようにすることが課題である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題はＣＶＤ装置の排気系を構成する真空ポンプの内壁に析出した反応生成物を排気系から真空ポンプを取り外すことなく洗浄し，再使用する方法として，ＣＶＤ装置の排気系を温度調節装置により加温状態に保つと共に，真空ポンプの給気側に洗浄液導入変換フランジを設け，バルブ切り換えによりフランジを通じて真空ポンプ内に酸水溶液，アルカリ水溶液，純水，有機溶剤，乾燥用ガスと順次に供給して洗浄し，真空ポンプ内の析出物を除去する排気装置の清浄化方法を用いることにより解決することができる。」
　
・「【００１７】次に，洗浄液供給部は同図に示すようにN2供給部, 純水供給部, アルカリ水溶液供給部, 酸水溶液供給部および溶剤供給部からなり，洗浄液導入変換フランジ16を通じて真空ポンプ内に酸, 純水, アルカリ, 純水, 溶剤の順で供給し，最後にN2で乾燥するようにした。
【００１８】また，洗浄液導入変換フランジ16としては図２の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）で示す三種類のものを使用した。すなわち，それぞれの変換フランジの外側にはヒーターテープ21と断熱材22を備えており，また，配管23をヒータ24で加熱すると共に，その先にシャワー管25を備え，洗浄液を如雨露状に散布するよう構成した。こゝで，シャワー管25からの矢印は散布方向を示すもので，（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）ぞれぞれ散布方法が異なっている。
【００１９】次に，反応ガスとしてSiHCl3,NH3およびN2の三成分ガスを使用し，また，真空ポンプ３として二連のドライポンプ11を使用した。さて，Siウエハ上にSi3N4 からなる絶縁層を形成する工程について排気系の洗浄方法を説明すると，図１においてＣＶＤ反応の終了後，排気系を80℃に加熱してある状態でバルブ13と14を閉じ，洗浄液導入変換フランジ16より弗酸(HF)水溶液を供給して二つのドライポンプ９を満たし，10分間放置してSi3N4 を溶解した後，バルブ14を開けてHF水溶液を除去し，次に，純水を３リットル／分の流量で１分間洗浄し，次にアンモニア水溶液（NH4OH)を３リットル／分の流量で１分間洗浄して中和し，次に，純水を３リットル／分の流量で１分間洗浄して後，エチルアルコールで洗浄し，水を置換した後，N2を10リットル／分の流量で20分間供給して乾燥することにより洗浄が終わった。なお，三種類の洗浄液導入変換フランジ16については有意差は認められなかった。
【００２０】
【発明の効果】本発明の実施によりＣＶＤ装置の排気系の洗浄回数を減少することができ，また，真空ポンプを排気系より取り外すことなく洗浄を行なうことができることから半導体集積回路の製造コスト低減に寄与することができる。」
　
　以上の記載を整理し，本願発明にならって表現すると，刊行物１には，次の発明が記載されていると認めることができる（以下，この発明を「刊行物１記載の発明」と言う。）。  
「真空ポンプ内部に反応生成物が析出する真空ポンプの洗浄方法であって，前記真空ポンプへ直接純水を供給する工程と，
　前記工程の後に続いて，エチルアルコールで洗浄する工程とを含む，真空ポンプの洗浄方法。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用文献４として引用された特開平５−１７２０８９号公報（以下「刊行物２」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
　
・「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし，以上のものでは，半導体製造プロセスに用いられる反応性（凝縮性）ガスが排気流路Ｔ及び連絡流路Ｊに流れるため，圧力が比較的高まる排気後期の下流域において，そのガスが凝固点に達して固体が生成され，この生成物が排気流路Ｔや連絡流路Ｊに付着したり或はステータＳとロータＲとのシール隙間に詰まり，性能の低下を招く問題が起こる。そして，メンテナンスの必要性から，一定周期毎にこの生成物を取り除く洗浄作業を行なわなければならないが，この場合，上下の排気流路Ｔを連絡する連絡流路ＪがステータＳの内部に形成されているため，ステータＳをポンプケースＣから単独で取り出して，内部を分解しなければならず，作業性が極めて悪く，時間とコストが著しくかかる問題がある。
【０００４】本発明では，固体の生成を特定の部分で促進させると共に，この部分の分解を容易にすることにより，固体生成物の除去作業を容易に行うことができる真空ポンプを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで，上記目的を達成するため，筒形の胴部１０をもつポンプケース１の内部に，環状の排気流路２を上下複数段にわたり設けたステータ３と，前記排気流路２に臨む多数の羽根４を上下複数段にわたり周設したロータ５とを配設した真空ポンプにおいて，前記ステータ３の外周部に凹入部３０を設けて，この凹入部３０と前記胴部１０との間に冷却媒体を満たすチャンバー６を形成すると共に，前記ステータ３の外周部に前記ポンプケース１を着脱自由に取り付ける一方，少なくとも排気後期に位置する上段側の排気流路２の出口部２２とその下段側の排気流路２の入口部２１とを前記凹入部３０の凹入壁面に開口させて，これら出口部２２と入口部２１との間を，前記チャンバー５の内部に配設する着脱自由な連絡配管７で連結した。
【０００６】
【作用】連絡配管７が冷却媒体を満たしたチャンバー６で冷却され，この連絡配管７の部分で固体の生成が促進できるのであり，そして，ポンプケース１をステータ３の外周部から取り外すと共に前記連絡配管７をステータ３から取り外すことにより，この連絡配管７に付着した固体の除去が容易に行えるのである。」
　
２．対比
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比する。  
　後者の「析出」，「純水」は，前者の「堆積」，「水」に，それぞれ，相当する。後者の「真空ポンプ」と前者の「配管」，「ストレートな真空ポンプ配管」及び「真空ポンプ配管」とは，「真空ポンプ等」という概念で共通し，後者の「反応生成物」と前者の「シロキサン」とは，「副生成物」という概念で共通する。
　後者の「真空ポンプへ直接純水を供給する行程」と前者の「真空ポンプ配管を当該真空ポンプから取り外す前に，前記真空ポンプ配管へ直接水を供給し，この供給水と前記シロキサンとの反応により，前記供給水によって濡れた前記真空ポンプ配管内部の前記シロキサンの爆破性を除去した状態で前記真空ポンプ配管を着脱可能とする工程」とは，「真空ポンプ等へ直接水を供給する工程」という概念で共通する。
　後者の「エチルアルコールで洗浄する工程」と前者の「真空ポンプから真空ポンプ配管を取り外し，洗浄する工程」とは「洗浄する工程」という概念で共通する。
　
　そうすると，両者の一致点及び相違点は，次のとおりである。  
［一致点］
　真空ポンプ等内部に副生成物が堆積する真空ポンプ等の洗浄方法であって，前記真空ポンプ等へ直接水を供給する工程と，
　前記工程の後に続いて，洗浄する工程とを含む真空ポンプ等の洗浄方法。
　
［相違点１］
　真空ポンプ等内部に副生成物が堆積する真空ポンプ等の洗浄方法に関して，本願発明では，「配管内部にシロキサンが堆積するストレートな真空ポンプ配管の洗浄方法」であるのに対して，刊行物１記載の発明では，「真空ポンプ内部に反応生成物が析出する真空ポンプの洗浄方法」であり，洗浄する対象物が必ずしも一致していないとともに，反応生成物としてシロキサンが含まれるかどうか明らかではない点。
　
［相違点２］
　真空ポンプ等へ直接水を供給する工程に関して，本願発明では，「真空ポンプ配管を真空ポンプから取り外す前に，真空ポンプ配管へ直接水を供給し，この供給水とシロキサンとの反応により，供給水によって濡れた真空ポンプ配管内部のシロキサンの爆破性を除去した状態で真空ポンプ配管を着脱可能とする工程」であるのに対し，刊行物１記載の発明では，「真空ポンプへ直接純水を供給する工程」である点。
　
［相違点３］
　洗浄する工程に関して，本願発明では，「真空ポンプから前記真空ポンプ配管を取り外し，洗浄する工程」であるのに対して，刊行物１記載の発明では，「エチルアルコールで洗浄する工程」である点。
　
３．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点２］，［相違点３］について
　本願明細書には，「本発明にあっては，真空ポンプ配管を真空ポンプから取り外す前に，真空ポンプ配管に直接水を供給し，この供給水と真空ポンプ配管内部のシロキサンとの反応によりシロキサンの爆破性を除去するようにしたものである。」（段落【００１６】参照。）と記載されており，本願発明は，真空ポンプ配管を真空ポンプから取り外すことを前提とする発明である。
　一方，刊行物１には，「ＣＶＤ装置の排気系を構成する真空ポンプの内壁に析出した反応生成物を排気系から真空ポンプを取り外すことなく洗浄し，再使用する方法として，ＣＶＤ装置の排気系を温度調節装置により加温状態に保つと共に，真空ポンプの給気側に洗浄液導入変換フランジを設け，バルブ切り換えによりフランジを通じて真空ポンプ内に酸水溶液，アルカリ水溶液，純水，有機溶剤，乾燥用ガスと順次に供給して洗浄し，真空ポンプ内の析出物を除去する排気装置の清浄化方法を用い」（段落【００１０】参照。）と記載されており，刊行物１記載の発明は，真空ポンプを取り外すことなく洗浄する方法に関するものである。
　また，刊行物２には，真空ポンプのポンプケース内部に配設された連絡配管を着脱自在に設け，連絡配管を取り外して連絡配管に付着した固体の除去を容易に行えるようにした点（以下，「刊行物２記載の技術的事項」という。）が記載されている。
　ここで，刊行物１記載の発明と刊行物２記載の技術的事項との組み合わせについて検討する。
　刊行物１記載の発明の「真空ポンプ」は，刊行物１の図１を見ると純水が供給される真空ポンプ３には一部に配管を備えていると解される。しかしながら，刊行物１記載の発明の洗浄方法としては，これらの配管を含めた真空ポンプへ直接純水を供給する工程や，この後の工程も含めて真空ポンプを取り外すことなく洗浄するということを意図したものである。
　これに対して，刊行物２記載の技術的事項では，連絡配管を取り外して付着した固体を除去（洗浄）するものであるから，刊行物１記載の発明と刊行物２の技術的事項とは洗浄工程に関して互いに相入れないものがある。
　そうすると，刊行物１記載の発明の洗浄方法の工程中に，刊行物２記載の技術的事項に開示された連絡配管（配管）を取り外す工程を含めることや，刊行物１記載の発明の洗浄方法の工程後に，刊行物２記載の技術的事項に開示された連絡配管（配管）を取り外す工程を追加することは，当業者が想定することではない。
　よって，刊行物１記載の発明と刊行物２記載の技術的事項は，両者を組み合わせる上での阻害要因を有するというべきである。
　加えて，本願発明は「本発明にあっては，真空ポンプ配管を真空ポンプから取り外す前に，真空ポンプ配管に直接水を供給し，この供給水と真空ポンプ配管内部のシロキサンとの反応によりシロキサンの爆破性を除去するようにしたものである。このため，給水後は，たとえ真空ポンプ配管の内部が大気に晒されるようなことがあっても，大気および大気中の水分とシロキサンとが爆発的に反応するようなことはなく，よって，誰でも安全に真空ポンプ配管の洗浄を行うことができる。」（段落【００１６】参照。）という効果を奏するものであり，この効果は，刊行物１記載の発明，刊行物２記載の技術的事項やその他のいずれの文献からも示唆されない。
　したがって，［相違点１］について検討するまでもなく，本願発明は，刊行物１記載の発明，刊行物２記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第５　むすび
　以上のとおり，本願発明は，刊行物１記載の発明，刊行物２記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえず，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
　したがって，本願については，原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって，結論のとおり審決する。