【事件の表示】
　特許第３３５０５９０号「半導体製造装置及びそのクリーニング方法」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５０５９０号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３３５０５９０号の請求項１〜１０に係る発明についての出願は、平成６年３月１１日に特許出願され、平成１４年９月１３日にその特許権の設定登録がなされたところ、平成１５年５月２６日に当該請求項１〜１０に係る発明の特許について特許異議申立人佐藤　正（以下、「異議申立人Ａ」という。）より、同日に当該請求項６〜９に係る発明の特許について特許異議申立人東谷　満（以下、「異議申立人Ｂ」という。）より、それぞれ特許異議の申立てがなされ、平成１７年３月１４日付で特許の取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年５月２４日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
［２−１］訂正事項
（１）訂正事項ａ
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の記載を、
「【請求項１】内部を排気可能な石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段とを含み、前記処理容器は、円筒状容器であり、前記第１のクリーニングガス供給手段は、前記処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の筒状体であり、その側面に多数の貫通孔が設けられており、前記貫通孔は、前記第１のクリーニングガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの隣接するガス流とぶつかり合い、乱流を形成するように、前記クリーニングガス供給手段の中心軸方向に対して傾いて形成されている半導体装置の製造装置。
【請求項２】内部を排気可能な横型、石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段と、前記複数のガス吹き出し口に、上流側から順次選択的に前記クリーニングガスを供給するためのガス切換手段と、を含む半導体装置の製造装置。
【請求項３】さらに、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスによるクリーニング速度を可変制御する制御手段を含む請求項１又は２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】さらに、前記クリーニングガスに炭素数５以下のアルコールを添加するためのアルコール添加手段を含む請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】さらに、前記処理容器内を加熱するための第１の加熱手段を含む請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】内部を排気可能な横型、石英製の処理容器内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置に設けられた複数のガス導入部に対し、上流側の一部のガス導入部からのみクリーニングガスを導入する工程と、前記上流側の一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、順次選択的に下流側の他のガス導入部からクリーニングガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含む半導体製造装置のクリーニング方法。」と訂正する。
　　
（２）訂正事項ｂ
  段落【００１５】〜【００１８】の記載を、
「【００１５】【課題を解決するための手段】本発明の１観点によれば、内部を排気可能な石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段とを含み、前記処理容器は、円筒状容器であり、前記第１のクリーニングガス供給手段は、前記処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の筒状体であり、その側面に多数の貫通孔が設けられており、前記貫通孔は、前記第１のクリーニングガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの隣接するガス流とぶつかり合い、乱流を形成するように、前記クリーニングガス供給手段の中心軸方向に対して傾いて形成されている半導体装置の製造装置が提供される。
【００１６】本発明の他の観点によれば、内部を排気可能な横型、石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段と、前記複数のガス吹き出し口に、上流側から順次選択的に前記クリーニングガスを供給するためのガス切換手段と、を含む半導体装置の製造装置が提供される。
【００１７】本発明のさらに他の観点によれば、内部を排気可能な横型、石英製の処理容器内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置に設けられた複数のガス導入部に対し、上流側の一部のガス導入部からのみクリーニングガスを導入する工程と、前記上流側の一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、順次選択的に下流側の他のガス導入部からクリーニングガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含む半導体製造装置のクリーニング方法が提供される。
【００１８】」と訂正する。
　　
［２−２］訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１において、「処理容器」を「石英製の処理容器」に限定し、「隣接するガス流とぶつかり合う」を「隣接するガス流とぶつかり合い、乱流を形成する」に限定し、同請求項２において、「処理容器」を「横型、石英製の処理容器」に限定し、「複数のガス吹き出し口を有し」の前に「前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、」の構成を付加して「前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、複数のガス吹き出し口を有し」に限定し、「前記複数のガス吹き出し口のうち少なくとも１つ以上のガス吹き出し口に選択的に前記クリーニングガスを供給する」の「選択的に」を「上流から順次選択的に」に限定し、同請求項１０において、「処理容器」を「横型、石英製の処理容器」に限定し、「処理容器に設けられた複数のガス導入部のうち、一部のガス導入部」を「処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置に設けられた複数のガス導入部に対し、上流側の一部のガス導入部」に限定し、「前記一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、他のガス導入部から」を「前記上流側の一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、順次選択的に下流側の他のガス導入部から」に限定し、同請求項６〜９を削除し、該削除に伴い、請求項１０の項番号を６に繰り上げるものであり、上記限定及び削除は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、上記項番号の繰り上げは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、当該訂正事項は、特許明細書の段落【００３７】〜【００４６】、【００５８】、図１〜４に記載されていたものであるから、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、上記訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載との整合を図るために発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
［２−３］まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについて
［３−１］異議申立理由、及び取消理由の概要
　異議申立人Ａが主張する異議申立理由の概要は、訂正前の請求項１に係る発明は、本件の出願前に頒布された下記刊行物１、２、４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、同請求項２、５に係る発明は、同刊行物１又は同刊行物２に記載された発明であり、また、同刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、同請求項３に係る発明は、同刊行物１に記載された発明であり、また、同刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、同請求項４に係る発明は、同じく頒布された下記刊行物１、２、５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、同請求項６〜８に係る発明は、同じく頒布された下記刊行物３に記載された発明であり、また、同刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、同請求項９に係る発明は、同頒布された下記刊行物３、６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、同請求項１０に係る発明は、同刊行物１に記載された発明であり、また、同刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、同請求項１〜１０に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項、及び第２項の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の明細書には記載不備があり、本件特許は、特許法第３６条第４項、及び第５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきであるというものである。
　また、異議申立人Ｂが主張する異議申立理由の概要は、訂正前の請求項６〜９に係る発明は、同刊行物３に記載された発明であり、また、訂正前の明細書には、本件請求項８、９に係る発明についての記載不備があるから、本件請求項８、９に係る発明についての特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきであるというものである。
　また、当審において平成１７年３月１４日付で通知した取消理由は、上記の異議申立理由及び証拠の全てを採用したものである。
　ところで、異議申立人Ｂが取消しを求めた訂正前の請求項６〜９に係る特許は、上記［２］で述べたとおり訂正が認められ、該訂正により存在しないものとなった。
　してみると、異議申立人Ｂによる特許異議の申立ては、不適法な申立てであって、その補正をすることができないものであるので、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　したがって、以下、異議申立人Ａによる異議申立理由及び上記取消理由について検討する。
　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平５−３１５８号公報
　　　　　　　　　　　（異議申立人Ａの提出した甲第１号証） 
刊行物２：特開平２−１８５９７７号公報（同上、甲第２号証） 
刊行物３：特開平６−２１４３号公報（同上、甲第３号証） 
刊行物４：特開平２−４９４２５号公報（同上、甲第４号証）
刊行物５：特開平３−１２９７３１号公報（同上、甲第５号証）
刊行物６：特開平１−２３１９３６号公報（同上、甲第６号証）
　　
［３−２］明細書の記載不備について
　異議申立人Ａが主張する明細書の記載不備は、本件発明に係る処理容器は石英製であるにもかかわらず、特許請求の範囲にはそれが特定されていないというものであったが、上記［２］で述べたとおり訂正が認められ、該訂正により、特許請求の範囲に記載された処理容器は石英製のものに特定された。
　したがって、明細書の記載不備についての上記異議申立理由及び取消理由は解消された。
　　
［３−３］本件発明
　上記［２］で述べたとおり訂正が認められるので、本件請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】内部を排気可能な石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段とを含み、前記処理容器は、円筒状容器であり、前記第１のクリーニングガス供給手段は、前記処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の筒状体であり、その側面に多数の貫通孔が設けられており、前記貫通孔は、前記第１のクリーニングガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの隣接するガス流とぶつかり合い、乱流を形成するように、前記クリーニングガス供給手段の中心軸方向に対して傾いて形成されている半導体装置の製造装置。
【請求項２】内部を排気可能な横型、石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段と、前記複数のガス吹き出し口に、上流側から順次選択的に前記クリーニングガスを供給するためのガス切換手段と、を含む半導体装置の製造装置。
【請求項３】さらに、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスによるクリーニング速度を可変制御する制御手段を含む請求項１又は２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】さらに、前記クリーニングガスに炭素数５以下のアルコールを添加するためのアルコール添加手段を含む請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】さらに、前記処理容器内を加熱するための第１の加熱手段を含む請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】内部を排気可能な横型、石英製の処理容器内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置に設けられた複数のガス導入部に対し、上流側の一部のガス導入部からのみクリーニングガスを導入する工程と、前記上流側の一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、順次選択的に下流側の他のガス導入部からクリーニングガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含む半導体製造装置のクリーニング方法。」
　　
［３−４］刊行物の記載事項
（１）刊行物１（特開平５−３１５８号公報）
　刊行物１には、図１〜３が示されるとともに、
「【請求項１】反応室内の基板の上に導入された反応ガスによって膜を成長させる化学的気相成長装置において、前記反応室内に局部的にエッチングガスを供給するエッチングガス噴射手段を備えたことを特徴とする、化学的気相成長装置。」（【特許請求の範囲】）、
「反応容器１の内部はヒータ９によって約５００〜８００℃程度に加熱される。・・・減圧された反応容器１の内部に３フッ化塩素（・・・）などのエッチングガスがガス供給管３から導入される。このエッチングガスにより、反応容器１の内部に形成された膜がエッチング除去されて、反応容器１の内部でセルフクリーニングが行なわれる。」（段落【０００８】）、
　実施例として、「【００１５】・・・石英などからなる反応容器１１は外管１１ａと、この外管１１ａの内部にある内管１１ｂからなっている。この反応容器１１の下端部にはマニホールド２が取付けられている。・・・またマニホールド２には外管１１ａと内管１１ｂの間から反応によって生じたガスを反応容器１１の外部へ排気するための排気管４も設けられている。・・
【００１６】上記のように構成された減圧ＣＶＤ装置においては、化学的気相成長（ＣＶＤ）法によるウエハ８の表面上へ薄膜を形成する操作は従来例と同一である。このＣＶＤ法により、ウエハ８の表面上への膜形成と同時に反応容器１１の内部にも膜が付着される。この反応容器１１の内部に付着した膜を除去するために反応容器１１の内部をセルフクリーニングする必要がある。
【００１７】以下、このセルフクリーニングの動作について説明する。まず、ボート７からウエハ８を取除いた後、反応容器１１の内部が密閉される。この反応容器１１の内部は排気管４に接続されている真空ポンプによって所定の圧力まで減圧される。ガス供給管８から内管１１ｂの内部へエッチングガスが導入される。これにより、従来のセルフクリーニングが行なわれる。これと同時に、エッチングガスがエッチングガス導入管１００に導入され、エッチングガス噴射器１１０から外管１１ａと内管１１ｂの間の領域へ噴射される。このエッチングガス噴射器１１０から噴射されるエッチングガスの噴射の強さは単位時間に流すエッチングガスの量で調節できる。この調節による適度な噴射の強さとエッチング時間によって、残存する反応生成物１０をより効果的に除去することができる。」（段落【００１５】〜【００１７】）、
「【００２０】図２を参照して、エッチングガス導入管１０１はマニホールド１２に取付けられている。このエッチングガス導入管１０１は円筒形のエッチングガス噴射器１１１と接合されている。この円筒形のエッチングガス噴射器１１１は、外管１ａと内管１ｂの間に挿入されており、マニホールド１２によってその下端部が固定されている。エッチングガス噴射器１１１は円筒の肉厚部が中空となった構造を有し、かつ円筒の外周面と内周面に複数個の細孔を有している。」（段落【００２０】）、
「【００２２】なお、上記２つの実施例ではガス供給管３からエッチングガスを導入する従来のセルフクリーニングとエッチングガス噴射器１１０，１１１からのエッチングガスの噴射を同時に行なったが、エッチングガスの噴射を従来のセルフクリーニングの前または後に行なってもよい。」（段落【００２２】）、
　発明の効果として、「反応室の内部に局部的に残存する反応生成物をより効果的に除去できる」（段落【００２３】）が記載されている。
　　
（２）刊行物２（特開平２−１８５９７７号公報）
  刊行物２には、第１〜５図が示されるとともに、
「（１）大気圧以下に減圧保持可能な真空容器を備えた膜形成用真空装置において、上記真空容器はこの内部に洗浄ガスを導入するための専用導入口を少なくとも１つ備えたことを特徴とする膜形成用真空装置。
（２）上記洗浄ガスはハロゲン間化合物または無機フッ素化合物であることを特徴とする第１項記載の膜形成用真空装置。
（３）上記ハロゲン間化合物は・・・ＣｌＦ３・・・から選択されることを特徴とする第２項記載の膜形成用真空装置。」（特許請求の範囲第１項〜第３項）、
「本発明は、半導体・・・等の製造に使用されるプラズマＣＶＤ装置・・・等の膜形成用真空装置に関する。」（第１頁右下欄１〜８行）、
　実施例として、「第１図は本発明の第１実施例としてのプラズマＣＶＤ装置を示す概略的断面図であり、・・・（６）は真空容器（１）内を排気する排気口、（７）は真空容器（１）の上下に設けられた洗浄ガス導入用の専用導入口である。・・・専用導入口（７）より、・・・ＣｌＦ３・・・を含む洗浄ガス、例えばＡｒベースの５％ＣｌＦ３ガスを３００ＳＣＣＭの流量で真空容器（１）内に導入しつつ・・・真空容器（１）内の内壁ヒータ（・・・）の温度を２００−３００℃・・・の洗浄を行った。」（第２頁左下欄３行〜右下欄１０行）、
「第２図は本発明の第２の実施例を示しており、・・・同様にプラズマＣＶＤ装置であるが、放電電極（２）（３）の形状が同軸円筒型となっている・・・一方の放電電極（２）は真空容器（１）の内壁に沿って略円筒形状に形成されており、・・・洗浄ガス導入用の専用導入口（７）は真空容器（１）の側壁及び上壁の適宜の箇所に適宜の数で設けられている。」（第３頁左上欄７〜１９行）、
「第４図は本発明の第４実施例としてのホットウォール型減圧ＣＶＤ装置を示しており、真空容器（１）は石英ガラスからなるボトル状をしており、この外壁には図示していないが加熱手段が配置されている。・・・更に、洗浄ガス導入用の専用導入口（７）は原料ガス導入口（４）及び成膜が施される基板（１１）を保持する基板ホルダ（１２）を挟むような配置で真空容器（１）の内部に配されたオリフィス付きノズルからなる。この専用ガス導入口（７）はノズルの形状が基板ホルダ（１２）の回りを取り囲むように螺旋状とされると効果的である。」（第３頁左下欄１０行〜右下欄２行）、
　発明の効果として、「真空容器内の洗浄を容易且つ効果的に行うことができる。」（第４頁左上欄１３〜１４行）が記載されている。
　　
（３）刊行物３（特開平６−２１４３号公報）
  刊行物３には、図５〜図８が示されるとともに、
「【請求項１】減圧下で堆積膜を形成するための装置の気相化学法によるクリーニング方法であって、クリーニング用ガスとしてのＣｌＦ３ガスを希釈ガスと混合して用い、該ＣｌＦ３ガスの濃度を順次低下させながらクリーニングを行うことを特徴とする堆積膜形成装置のクリーニング方法。」（【特許請求の範囲】）、
　実施例として、「【００２５】実施例１・・・ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて電子写真用ａ−Ｓｉ系感光体を作成する際に、堆積膜形成装置をクリーニングする例を以下に述べる。・・・
【００２６】図５において、２０１は反応炉、・・・２０９は排気管、２１０は排気用のストップバルブ、２１１は排気速度が可変な例えばメカニカルブースターポンプ等の排気ポンプ、２１２はロータリーポンプである。」（段落【００２５】、【００２６】）、
「【００３０】・・・一方、反応炉２０１の内壁、ＲＦ電極２０６の表面及び排気管２０９の内壁には、大量の膜及び粉体が形成されていた（以後、これらの膜及び粉体を「残留物質」と略記する）。
【００３１】該反応炉内に堆積した残留物質をクリーニングする工程を行った。即ち、ＣｌＦ３ガス濃度を三段階に変化させる本発明のクリーニング方法を行った。そのクリーニング条件を表２に、そして濃度変化パターンを図６に示した。・・・ボンベ２９０よりＣｌＦ３ガスを、ボンベ２８０よりＡｒガスをそれぞれ反応炉内へ導入した。この時、ＣｌＦ３液化ガスボンベ２９０はヒーター２９６により加熱され、必要とされる量のガスを気化していた。ＣｌＦ３ガス及びＡｒガスの流量調整はマスフローコントローラー２９４及び２８４で行い、反応炉内の圧力調整をメカニカルブースターポンプ２１１の調整で行った。
【００３２】第１段階目のクリーニング条件は、表１に示す通りにした。即ち、ＣｌＦ３ガス濃度５０％（ＣｌＦ３ガス流量１０００ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量１０００ｓｃｃｍ）、反応炉内圧１Ｔｏｒｒで２０分間行った。第１段階目のクリーニングが終わった時点で観察窓２１３を介して目視により炉内を観察したところ、炉内の残留物質は大幅に減少しており、約７割程が既にクリーニングされていた。次いでＣｌＦ３ガス濃度２０％（ＣｌＦ３ガス流量４００ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量１６００ｓｃｃｍ）、反応炉内圧１Ｔｏｒｒとし、第２段階のクリーニングを１５分間行った。第２段階のクリーニングが終了した時点で、約９割の残留物質がクリーニングされていた。次いでＣｌＦ３ガス濃度１０％（ＣｌＦ３ガス流量２００ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量１８００ｓｃｃｍ）、炉内圧１Ｔｏｒｒとし、第３段階のクリーニングを開始した。１５分間クリーニングを行った時点で、反応炉内の残留物質は完全にクリーニングされていた。クリーニングの最中に排気ポンプのバタツキやポンプ内での焼き付き等の問題は生じなかった。」（段落【００３０】〜【００３２】）が記載されている。
　　　
（４）刊行物４（特開平２−４９４２５号公報）
  刊行物４には、第２、４、５図が示されるとともに、
「本発明は、半導体素子製造プロセス、又はその他の分野の表面処理或いはフォトレジスト等の有機化合物膜の除去方法及びそれに適用される装置に関する。」（第３頁左上欄４〜７行）、
「第５図（a）は、この実施例に適用される実施例装置の特徴的な主要部を示す概略図であり、他の構成は、第２図に示した装置と略同様である。ガスを供給するノズル４１，４２は第４図に示したノズルと略同様であり、複数設けられたそれぞれのガス供給口４１ａ，４２ａからはフッ素等のハロゲン元素を含むガスの活性種４４と水蒸気体、水素ガス或いは水素元素を含む化合物ガス４５を噴出させるものとなっている。ここでノズル４１，４２は、別に紙面に垂直な方向に伸びており、ガス供給口は、複数個その方向に沿って配置されている。そして、この装置においては、前記２種類のガスを有効に混合するように隣り合うノズル４１，４２のガス供給口４１ａ，４２ａがある所定の角度をもって内側を向くように設定されている。」（第８頁右上欄１９行〜左下欄１４行）が記載されている。
　　
（５）刊行物５（特開平３−１２９７３１号公報）
　刊行物５には、半導体基板の酸化膜等の被膜の除去処理方法に関して、第１図、第２図が示されるとともに、
「アルコール供給源３２のアルコール貯溜槽内に連通接続された管路４２には、マスフローコントローラ４６を介在して窒素ガスの供給源４４が接続されていて、無水フッ化水素ガスとメタノール蒸気とを時期を違えて容器１２内へ供給する」（第３頁左下欄４〜８行）、
「そして、この装置では、上記したように無水フッ化水素ガスとメタノール蒸気とを時期を違えて容器１２内へ供給することができるようになっており、例えば、第２図の（１）にタイムチャートを示すように、無水フッ化水素ガスの供給とメタノール蒸気の供給とをそれぞれ同時に開始し、洗浄を行なって基板表面から自然酸化膜等を除去」（第３頁右下欄４〜１１行）、
「無水フッ化水素ガスの代わりに、・・・ＣｌＦ３・・・等のハロゲン化物のガスを使用するようにしてもよい。」（第６頁右上欄１７行〜左下欄１行）、
「さらに、そのようなシリコン層表面のシリコン自然酸化膜の除去に限定されず、シリコン熱酸化膜や熱酸化以外の手法（例えばＣＶＤ等）で形成したシリコン酸化膜や、或いは、窒化シリコン膜、リン・ドープ・ガラス膜、ボロン・リン・ドープ・ガラス膜、・ヒ素・ドープ・ガラス膜等のシリコン絶縁膜のエッチングにも適用できる。」（第６頁左下欄１５行〜右下欄２行）が記載されている。
　　
（６）刊行物６（特開平１−２３１９３６号公報）
　刊行物６には、
「三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ３）をプロセスチューブ内に供給し、上記ガスを用いてプロセスチューブ内をドライエッチングして洗浄することを特徴とする反応炉システムの洗浄方法。」（特許請求の範囲）、
「反応炉例えば半導体ウエハを熱処理反応させるＣＶＤ，拡散炉等」（第１頁左下欄１６〜１７行）、
「この洗浄ガスは、上記反応生成物だけでなく、濃度、温度条件によって各種反応生成物の洗浄に適用可能である。」（第６頁左下欄３〜５行）が記載されている。
　　
［３−５］対比・判断
（１）本件発明１について
　上記［３−４］（１）に摘記した事項を総合すると、刊行物１には、「石英などからなる外管と内管を有し、排気、減圧し得る反応容器内のウエハ上に導入された反応ガスによって膜を成長させる化学的気相成長装置において、前記反応容器の外管と内管の間に局部的にＣｌＦ３等のエッチングガスを供給するエッチングガス噴射手段として、エッチングガス導入管がマニホールドに取付けられ、このエッチングガス導入管は前記外管と内管の間に挿入された円筒形のエッチングガス噴射器と接合され、この円筒形のエッチングガス噴射器は、円筒の肉厚部が中空となった構造を有し、かつ円筒の内周面と外周面に複数個の細孔を有しており、このエッチングガス噴射器からのエッチングガスの噴射を、ガス供給管から前記反応容器の内管内にエッチングガスを導入する従来のセルフクリーニングと同時、またはその前後に行なう化学的気相成長装置」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　そして、本件発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１における「石英などからなる外管と内管を有し、排気、減圧し得る反応容器」、「反応容器の外管と内管の間に局部的にＣｌＦ３等のエッチングガスを供給するエッチングガス噴射手段として、エッチングガス導入管がマニホールドに取付けられ、このエッチングガス導入管は前記外管と内管の間に挿入された円筒形のエッチングガス噴射器と接合され、この円筒形のエッチングガス噴射器は、円筒の肉厚部が中空となった構造を有し、かつ円筒の内周面と外周面に複数個の細孔を有しており」、「ウエハ上に導入された反応ガスによって膜を成長させる化学的気相成長装置」は、それぞれ本件発明１における「内部を排気可能な石英製の処理容器・・・前記処理容器は、円筒状容器であり」、「少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段・・・前記第１のクリーニングガス供給手段は、・・・中空の筒状体であり、その側面に多数の貫通孔が設けられており」、「半導体装置の製造装置」に相当する。
　そうすると、両者は、「内部を排気可能な石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段とを含み、前記処理容器は、円筒状容器であり、前記第１のクリーニングガス供給手段は、中空の筒状体であり、その側面に多数の貫通孔が設けられている半導体装置の製造装置」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本件発明１では、第１のクリーニングガス供給手段が、前記処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在し、その側面に設けられている多数の貫通孔は、第１のクリーニングガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの隣接するガス流とぶつかり合い、乱流を形成するように、クリーニングガス供給手段の中心軸方向に対して傾いて形成されているのに対し、引用発明１における「第１のクリーニングガス供給手段」（引用発明１では「エッチングガス噴射手段」と記載される）は、そのように記載されていない点。
　　
　そこで、相違点（イ）について検討するに、刊行物２には、「洗浄ガス導入用の専用導入口（７）」について、「原料ガス導入口（４）及び成膜が施される基板ホルダ（１２）を挟むような配置で真空容器（１）の内部に配されたオリフィス付きノズルからなる。この専用ガス導入口（７）はノズルの形状が基板ホルダ（１２）の回りを取り囲むように螺旋状とされると効果的である。」（上記［３−４］（２）参照）と記載されるものの、該ノズルのオリフィスが、隣接するガス流同士ぶつかり合い、乱流を形成するように、ノズルの中心軸方向に対して傾いて形成されることは記載されておらず、示唆されてもいない。また、刊行物４には、「２種類のガスを有効に混合するように隣り合うノズル４１，４２のガス供給口４１ａ，４２ａがある所定の角度をもって内側を向くように設定されている。」（上記［３−４］（４）参照）と記載されるものの、ぶつかり合うガス流は、異なるノズルのガス供給口からのガス流であり、ガス供給手段の一側面に、各貫通孔から吹き出した隣接するガス流同士がぶつかり合い、乱流を形成するように傾けて多数の貫通孔が設けられているわけではない。また、刊行物３、５、６には、クリーニングガス供給手段の側面に多数の貫通孔を設けることについては、記載されていない。
　してみると、刊行物１〜６のいずれにも、クリーニングガス供給手段の側面に、多数の貫通孔が、該クリーニングガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの隣接するガス流とぶつかり合い、乱流を形成するように、該クリーニングガス供給手段の中心軸方向に対して傾いて形成される点を記載するところはなく示唆するところもないので、刊行物１〜６に記載された事項をいかに組み合わせても、本件発明１の上記相違点（イ）に係る構成を導き出すことはできない。
　そして、本件発明１は、上記相違点（イ）に係る構成を具備することにより、処理室内面に与えるダメージを小さくすることができ、クリーニング時間を短縮することができるという、訂正明細書に記載された効果を奏したものと認められる。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
（２）本件発明２について
　本件発明２と引用発明１、又は刊行物２に記載された発明とを対比する。
　まず、本件発明２と引用発明１とを対比すると、引用発明１における「石英などからなる外管と内管を有し、排気、減圧し得る反応容器」、「反応容器の外管と内管の間に局部的にＣｌＦ３等のエッチングガスを供給するエッチングガス噴射手段として、エッチングガス導入管がマニホールドに取付けられ、このエッチングガス導入管は前記外管と内管の間に挿入された円筒形のエッチングガス噴射器と接合され、この円筒形のエッチングガス噴射器は、円筒の肉厚部が中空となった構造を有し、かつ円筒の内周面と外周面に複数個の細孔を有しており」、「ウエハ上に導入された反応ガスによって膜を成長させる化学的気相成長装置」は、それぞれ本件発明２における「内部を排気可能な・・・石英製の処理容器」、「少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の・・・複数の位置で、複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段」、「半導体装置の製造装置」に相当する
　そうすると、両者は、「内部を排気可能な石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の・・・複数の位置で、複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段と、を含む半導体装置の製造装置」の点で一致し、次の点で相違する。
（ロ）本件発明２では、横型の処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、第１のクリーニングガス供給手段の複数のガス吹き出し口を有し、且つ、該複数のガス吹き出し口に、上流側から順次選択的に前記クリーニングガスを供給するためのガス切換手段を有するのに対し、引用発明１の装置は、そのようなものではない点。
　　
　次に、上記［３−４］（２）に摘記した事項を総合すると、刊行物２には、「石英ガラスからなるボトル状、又は円筒状をしており、大気圧以下に減圧保持可能な真空容器を備えた膜形成用真空装置において、上記真空容器はこの内部にＣｌＦ３を含む洗浄ガスを導入するための専用導入口を備え、該専用導入口は、原料ガス導入口及び成膜が施される基板ホルダを挟むように上記真空容器の内部にオリフィス付きノズルとして設けられ、又は上記真空容器の側壁及び上壁の適宜の箇所に適宜の数で設けられている、半導体等の製造に使用される膜形成用真空装置」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　そして、本件発明２と引用発明２とを対比すると、引用発明２における「石英ガラスからなるボトル状、又は円筒状をしており、大気圧以下に減圧保持可能な真空容器」、「真空容器はこの内部にＣｌＦ３を含む洗浄ガスを導入するための専用導入口を備え、該専用導入口は、原料ガス導入口及び成膜が施される基板ホルダを挟むように上記真空容器の内部にオリフィス付きノズルとして配設され、又は上記真空容器の側壁及び上壁の適宜の箇所に適宜の数で設けられている」、「半導体等の製造に使用される膜形成用真空装置」は、それぞれ本件発明２における「内部を排気可能な横型、石英製の処理容器」、「前記処理容器の・・・複数の位置で、複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段」、「半導体装置の製造装置」に相当する。
　そうすると、両者は、「内部を排気可能な横型、石英製の処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、複数の位置で、複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段とを含む半導体装置の製造装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
（ハ）本件発明２では、横型の処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、第１のクリーニングガス供給手段の複数のガス吹き出し口を有し、且つ、該複数のガス吹き出し口に、上流側から順次選択的に前記クリーニングガスを供給するためのガス切換手段を有するのに対し、引用発明２の装置は、そのようなものではない点。
　　
　次いで、相違点（ロ）（ハ）について検討するに、相違点（ロ）に係る本件発明２のクリーニングガス供給手段の構成と相違点（ハ）に係るそれとは同じであり、該構成は、刊行物１と刊行物２のどちらにも記載されておらず、半導体装置の製造装置において自明なものとはいえないから、本件発明２は、刊行物１、２に記載された発明とすることはできない。
　また、上記クリーニングガス供給手段の構成は、刊行物１、２ばかりでなく、刊行物３〜６にも記載されておらず示唆するところもないので、刊行物１〜６に記載された事項を組み合わせても、上記構成を導き出すことはできない。
　そして、本件発明２は、上記クリーニングガス供給手段の構成を具備することにより、処理室内面に与えるダメージを小さくすることができ、クリーニング時間を短縮することができるという、訂正明細書に記載された効果を奏したものと認められる。
　したがって、本件発明２は、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　　
（３）本件発明３について
　本件発明３は、請求項１又は２を引用して本件発明１、２のどちらかの構成の全てを備えた上、クリーニング速度を可変制御する制御手段の構成を付加して更に限定したものである。
　そして、上記［３−５］（１）で述べたとおり、本件発明１は、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできず、また、本件発明１の相違点（イ）に係る構成は刊行物１〜６のいずれにも記載も示唆もされていないのであるから、本件発明１は、刊行物１、２に記載された発明とすることもできない。
　また、上記［３−５］（２）で述べたとおり、本件発明２は、刊行物１、２に記載された発明とすることはできず、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　そうすると、本件発明１、２と同様、本件発明３も、刊行物１に記載された発明とすることはできず、また、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　　
（４）本件発明４について
　本件発明４は、請求項１、２、又はその下位の請求項３を引用して本件発明１、２のどちらかの構成の全てを備えた上、アルコール添加手段の構成を付加して更に限定したものであるから、上記［３−５］（１）〜（３）で述べた本件発明１、２と同様、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（５）本件発明５について
　本件発明５は、請求項１、２、又はその下位の請求項３、４を引用して本件発明１、２のどちらかの構成の全てを備えた上、処理容器内を加熱する加熱手段の構成を付加して更に限定したものである。
　そして、本件発明１、２は、上記［３−５］（１）〜（３）で述べたとおり、刊行物１、２に記載された発明とすることはできず、また、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　そうすると、本件発明１、２と同様、本件発明５も、刊行物１、２に記載された発明とすることはできず、また、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　　
（６）本件発明６について
　上記［３−４］（１）に摘記した事項を総合すると、刊行物１には、「石英などからなる外管と内管を有し、排気、減圧し得る反応容器内のウエハ上に導入された反応ガスによって膜を成長させる化学的気相成長装置において、ガス供給管から前記反応容器の内管内にエッチングガスを導入する従来のセルフクリーニングの後に、前記反応容器の外管と内管の間に局部的にＣｌＦ３等のエッチングガスを噴射する化学的気相成長装置のセルフクリーニング方法」の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。
　そして、本件発明６と引用発明３とを対比すると、引用発明３における「石英などからなる外管と内管を有し、排気、減圧し得る反応容器」、「反応容器内のウエハ上に導入された反応ガスによって膜を成長させる化学的気相成長装置において、・・・ＣｌＦ３等のエッチングガスを噴射する化学的気相成長装置のセルフクリーニング方法」、「ガス供給管から前記反応容器の内管内にエッチングガスを導入する従来のセルフクリーニングの後に、前記反応容器の外管と内管の間に局部的にＣｌＦ３等のエッチングガスを噴射して導入する」は、それぞれ本件発明６における「内部を排気可能な・・・石英製の処理容器」、「ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法」、「処理容器内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の・・・複数の位置に設けられた複数のガス導入部に対し、上流側の一部のガス導入部からのみクリーニングガスを導入する工程と、前記上流側の一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、下流側の他のガス導入部からクリーニングガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含む」に相当する。
　そうすると、両者は、「内部を排気可能な石英製の処理容器内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って、複数の位置に設けられた複数のガス導入部に対し、上流側の一部のガス導入部からのみクリーニングガスを導入する工程と、前記上流側の一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、下流側の他のガス導入部からクリーニングガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含む半導体製造装置のクリーニング方法」の点で一致し、次の点で相違する。
（ニ）本件発明６では、横型の処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置に設けられた複数のガス導入部に対し、上流側の一部のガス導入部からのみクリーニングガスを導入する工程と、前記上流側の一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、順次選択的に下流側の他のガス導入部からクリーニングガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含むのに対し、引用発明３では、クリーニングガス導入部は縦型の処理容器の２箇所であり、上流側の１箇所のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止した後、下流側の１箇所のガス導入部からクリーニングガスを導入する点。
　　
  そこで、相違点（ニ）について検討するに、引用発明３では、クリーニングガスは処理容器の上流端と下流端の中間部には導入されておらず、刊行物１には、クリーニングガスの導入位置を処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で切り替える構成を記載乃至示唆するところはなく、半導体装置の製造装置において自明な事項ともいえないので、本件発明６は、刊行物１に記載された発明とすることはできない。
　また、上記クリーニングガスの導入位置を切り換える構成は、刊行物２〜６のいずれにも記載されず示唆されてもいないから、刊行物１〜６に記載された事項を組み合わせても、本件発明６の相違点（ニ）に係る構成を導き出すことはできない。
　そして、本件発明６は、相違点（ニ）に係る構成を具備することにより、処理室内面に与えるダメージを小さくすることができ、クリーニング時間を短縮することができるという、訂正明細書に記載された効果を奏したものと認められる。
　したがって、本件発明６は、刊行物１に記載された発明とすることはできず、また、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、上記異議申立人Ａによる異議申立理由及び取消理由によっては、本件発明１〜６についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜６についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜６についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　また、異議申立人Ｂによる特許異議の申立ては、不適法な申立てであって、その補正をすることができないものであるので、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年６月２７日（２００５．６．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体製造装置及びそのクリーニング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　内部を排気可能な
石英製の
　少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段と
を含み、
　前記処理容器は、円筒状容器であり、
　前記第１のクリーニングガス供給手段は、前記処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の筒状体であり、その側面に多数の貫通孔が設けられており、前記貫通孔は、前記第１のクリーニングガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの隣接するガス流とぶつかり合
い、乱流を形成する
　【請求項２】
　内部を排気可能な
横型、石英製の
　少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って
、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、
　
前記複数のガス吹き出し口に、上流側から順次
を含む半導体装置の製造装置。
　【請求項３】
　さらに、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスによるクリーニング速度を可変制御する制御手段を含む請求項１又は２に記載の半導体装置の製造装置。
　【請求項４】
　さらに、前記クリーニングガスに炭素数５以下のアルコールを添加するためのアルコール添加手段を含む請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
　【請求項５】
　さらに、前記処理容器内を加熱するための第１の加熱手段を含む請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
　【請求項
６
　内部を排気可能な
横型、石英製の
　前記処理容器
内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置
複数のガス導入部に対し、上流側の
　前記
上流側の
順次選択的に下流側の
を含む半導体製造装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ＣｌＦ３を用いた半導体製造装置の処理室及び配管等のクリーニングに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＣｌＦ３を用いた半導体製造装置のクリーニング方法が、特開平５−２２６２７０号に開示されている。
　【０００３】
　図８（Ａ）は、特開平５−２２６２７０号に開示されているタングステン（Ｗ）もしくはタングステンシリサイド（ＷＳｉ）の皮膜形成用ＣＶＤ装置の概略断面図を示す。アルミニウム等からなる処理容器１００の底面中央部に基板を設置するためのサセプタ１０１が配置されている。成膜処理が行われる時には、サセプタ１０１上に基板１０２が載置される。
　【０００４】
　サセプタ１０１の上方にはガス配管１０４が開口し、開口部を取り囲むように多孔板１０３が取り付けられている。ガス配管１０４の開口部から噴出したソースガスもしくはクリーニングガスは、多孔板１０３の孔を通って処理容器１００内に導入される。
　【０００５】
　処理容器１００の底面には、ガス排気用配管１０５が設けられている。ガス排気用配管１０５は図には示さない真空ポンプに接続されている。処理容器１００内の反応ガスまたはクリーニングガスは配管１０５を通して排気される。
　【０００６】
　図８（Ｂ）は、従来の横型ＣＶＤ装置の概略断面図を示す。石英等の円筒状反応管１１０の両端開口部にそれぞれフランジ１１１、１１２が取り付けられている。一方のフランジ１１１の側面にはガス配管１１４が開口しており、反応管１１０内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを導入することができる。フランジ１１１側の開口部は、キャップ１１８により密閉される。
　【０００７】
　他方のフランジ１１２には、排気用配管１１５が設けられており、反応管１１０内のガスを排気することができる。反応管１１０の周囲には、加熱用のコイル１１６が配置されている。
　【０００８】
　図８（Ａ）及び図８（Ｂ）において、処理容器１００または反応管１１０内に導入されたクリーニングガスは、成膜時に内面に付着したタングステン、タングステンシリサイド、ポリシリコン等の皮膜をエッチングする。エッチングによって生成したガスは、排気用配管１０５または１１５を通って外部に排気される。このようにして、容器内をクリーニングすることができる。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記従来例によるクリーニング方法では、クリーニングガス流の上流で反応した後のガスが下流に流れるため、上流側でＣｌＦ３濃度が高く、下流で低くなる。このため、容器内面のガス上流部分でエッチング速度が速くなる。
　【００１０】
　ＣｌＦ３は、容器内面に付着したポリシリコンのみならず、石英をもわずかにエッチングする。従って、石英を使用した反応容器をクリーニングする場合、ガス流の上流側の石英容器内面がダメージを受けやすい。
　【００１１】
　また、排気用配管内は、反応後のガス中に残留するＣｌＦ３によってわずかにクリーニングされるが、クリーニング効果は小さい。成膜用ガスのみが流れるガス供給用配管は、全くクリーニングされない。
　【００１２】
　また、製造装置のスループットを向上させるためには、エッチング速度を増加してクリーニング時間を短縮する必要がある。エッチング速度を増加させるためにはＣｌＦ３の流量を増加する必要があるが、コスト増といった問題を生じる。
　【００１３】
　また、容器内面に付着したポリシリコン薄膜の厚さは均一ではないため、膜厚の薄い部分が全てエッチングされると石英容器内面が露出する。露出した部分はＣｌＦ３によってオーバエッチされダメージを受ける。このため、クリーニングを繰り返し実施すると石英容器の透明度が失われて（失透して）いく。
　【００１４】
　本発明の目的は、半導体製造装置の処理容器内面に与えるダメージを抑え、かつ、付着した皮膜を短時間に除去することができるクリーニング技術を提供することである。
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の１観点によれば、
　内部を排気可能な
石英製の
　少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段と
を含み、
　前記処理容器は、円筒状容器であり、
　前記第１のクリーニングガス供給手段は、前記処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の筒状体であり、その側面に多数の貫通孔が設けられており、前記貫通孔は、前記第１のクリーニングガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの隣接するガス流とぶつかり合
い、乱流を形成する
が提供される。
　【００１６】
　本発明の他の観点によれば、
　内部を排気可能な
横型、石英製の
　少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って
、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置で、
　
前記複数のガス吹き出し口に、上流側から順次
を含む半導体装置の製造装置
が提供される。
　【００１７】
　本発明のさらに他の観点によれば、
　内部を排気可能な
横型、石英製の
　前記処理容器
内のガスの流れ方向に沿って、前記処理容器の両端部、及び中間部を含む複数の位置
複数のガス導入部に対し、上流側の
　前記
上流側の
順次選択的に下流側の
を含む半導体製造装置のクリーニング方法
が提供される。
　【００１８】
　【００１９】
　【作用】
　筒状クリーニングガス供給手段の多数の貫通孔から吹き出すガスをぶつかり合うようにすることにより処理容器内にクリーニングガスをほぼ均一に供給し、付着した皮膜をほぼ均等にエッチングすることができる。このため、部分的に処理容器内面がオーバエッチされることを抑制することができる。
　【００２０】
　クリーニングガス供給手段の複数のガス吹き出し口のうち少なくとも１つ以上のガス吹き出し口に選択的にクリーニングガスを供給するガス切り替え手段を設けることにより、またはガス導入部を切り換えてクリーニングガスを導入することにより、時間的に場所を切り換えてクリーニングガスを供給することができる。処理容器内面に付着した皮膜が既に除去された部分にはガスを供給せず、皮膜が残っている部分にのみガスを供給することができる。このため、処理容器内面のうち既に皮膜が除去された部分がオーバエッチされることを抑制することができる。
　【００２１】
　初期エッチング工程と、エッチング速度を遅くする変化工程とを含むことにより、エッチング終期を制御することが容易になる。エッチング終期において容器と付着物とのエッチング選択比を高くすることにより、容器のエッチングを防止することができる。
　【００２２】
　【実施例】
　図１を参照して本発明の第１の実施例について説明する。
　図１は、本発明の第１の実施例によるＣＶＤ装置の概略図及びガス供給系統図を示す。内径２０ｃｍ、外径２１ｃｍ、長さ２００ｃｍの円筒状の石英製反応管１の両側の開口部にそれぞれマニホールドフランジ２及びフランジ３が取り付けられている。マニホールドフランジ２及びフランジ３と反応管１との接合面は、それぞれＯリング４及び５によって気密性が保たれている。
　【００２３】
　マニホールドフランジ２の開口部はキャップ６によって蓋がされ、密閉されている。
　フランジ３の中央部には、排気用配管２０が設けられている。排気用配管２０は、ホットバルブ２１を介して真空ポンプ２２に接続されている。真空ポンプ２２の排気側は除害装置２３に接続されており、反応管１内のガスは無害なガスとされて外部に排出される。真空ポンプ２２は、例えば予備排気用のドライポンプと本排気用のメカニカルブースタポンプ等で構成される。排気用配管２０の周囲には加熱用配管２４が配置されており、排気用配管２０を加熱することができる。
　【００２４】
　マニホールドフランジ２の側面には、ガス導入ポート１０が設けられている。シャワーノズル１１がガス導入ポート１０にはめ込まれ、反応管１の内面に沿って排気側のフランジ３の近傍まで延在している。シャワーノズル１１は、外径６．２ｍｍ、内径４．２ｍｍ、長さ１６０ｃｍの石英管であり、その側面には直径１ｍｍの多数のガス吹出孔１２が設けられている。シャワーノズル１１の先端部は密閉されている。
　【００２５】
　マニホールドフランジ２内には、Ｏリング４のシール部に沿って冷却水を流すための冷却水路１５が設けられている。同様にフランジ３の外面には、Ｏリング５のシール部に沿って冷却水を流すための冷却水路１６が設けられている。反応管１の周囲には、反応管内部を加熱するためのヒータ１７が配置されている。
　【００２６】
　クリーニングガスを供給するため、ＣｌＦ３ガスボンベ３０及びＮ２ガスボンベ３１が配置されている。それぞれのガスボンベから供給されたガスは、減圧弁、バルブ、マスフローコントローラを介して合流点３２で混合される。ＣｌＦ３とＮ２が混合されたクリーニングガスはバルブ３３を介して分岐点３４に供給され、配管３５、３６及び３７に分流される。
　【００２７】
　配管３５は、排気用配管２０のホットバルブ２１よりも上流側に開口し、排気用配管２０内にクリーニングガスを導入することができる。これにより、排気用配管２０内の内面に付着したポリシリコン等の生成物を除去することができる。この際、加熱用配管２４によって排気用配管２０を約８０□に加熱することにより、クリーニング効果を高めることができる。
　【００２８】
　配管３６は、ガス導入用ポート１０に接続され、シャワーノズル１１内にクリーニングガスを導入する。
　シラン等の成膜用ガスボンベ４０が、減圧弁４０ａ、バルブ４０ｃ、マスフローコントローラ４０ｂ等を介して合流点４１に接続されている。合流点４１には、さらに配管３７がバルブ３７ｃを介して接続されている。合流点４１に供給されたガスは配管４２に供給される。配管４２は、マニホールドフランジ２の図には示さない成膜用ガスポートに接続されており、反応管１内に成膜用ガスを供給する。
　【００２９】
　成膜時には、バルブ３７ｃを閉じ、バルブ４０ｃを開けて配管４２に成膜用ガスを供給する。また、クリーニング時には、バルブ４０ｃを閉じバルブ３７ｃを開けることにより、配管４２等の成膜用ガス供給系にクリーニングガスを供給する。これにより、成膜用ガス供給系内に付着した皮膜を除去することができる。
　【００３０】
　上記反応管１内に付着した厚さ５μｍのポリシリコン膜をＣｌＦ３の濃度５％のクリーニングガスを使用し、反応管内の温度を６２０□、圧力を２４０Ｐａとしてクリーニングした。ポリシリコン膜を完全に除去するのに必要な時間は約３０分であった。これに対し、シャワーノズル１１を使用せず、ガス導入ポート１０から直接混合ガスを導入した場合は、同一条件下でポリシリコンを除去するために５０分必要であった。このように、シャワーノズル１１を使用することにより、クリーニング時間を短縮することができる。
　【００３１】
　また、シャワーノズル１１を使用すると上流から下流までの全領域にほぼ所望量のガスを供給でき、クリーニングガスを反応管１内にほぼ均一に行きわたらせることができる。このため、反応管内面をほぼ均一にクリーニングすることができる。ガス流の上流側と下流側でＣｌＦ３濃度の差が小さくエッチング速度の差が小さいため、ガス上流側の反応管内面が受けるダメージを抑制することができる。
　【００３２】
　また、Ｏリング４及び５のシール部は、冷却水路１５及び１６に冷却水を流すことにより約５０□以下に保たれる。このように、シール部を冷却することにより、クリーニングガスによってシール部が受けるダメージを抑制することができる。
　【００３３】
　図２を参照して第１の実施例の変形例について説明する。図２（Ａ）に示すＣＶＤ装置の反応管１、マニホールドフランジ２、フランジ３及び排気用配管２０は、図１と同様の構成である。なお、冷却水路、Ｏリング等は省略してある。
　【００３４】
　マニホールドフランジ２のほぼ中央部を貫通して円筒状のシャワーノズル５０が反応管１内に挿入されている。シャワーノズル５０の先端部は、排気側のフランジ３の近傍まで挿入されている。図１では、シャワーノズル１１が反応管の内面に沿うように配置されていたのに対し、本変形例では、反応管１のほぼ中心軸に沿って配置されている。
　【００３５】
　成膜時には、シャワーノズル５０は取り外され、クリーニング時にのみ取り付けられる。シャワーノズル５０内には図１と同様のガス供給系によりクリーニングガスが供給される。
　【００３６】
　図２（Ｂ）は、シャワーノズル５０の先端部の正面図及び側面図を示す。シャワーノズル５０の側面及び先端面には、多数のガス吹出孔５１が設けられている。内部に導入されたクリーニングガスは、ガス吹出孔５１から吹き出し、反応管１の内部全体にほぼ均一に供給される。
　【００３７】
　このように、シャワーノズルを反応管の中心軸にそって配置しても、図１の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
　図２（Ｃ）は、シャワーノズル５０側面の一点鎖線Ｃ−Ｃを通る断面を示す。ガス吹出孔５１は、その中心軸がシャワーノズル５０の中心軸を含む平面内にあり、かつシャワーノズル５０の中心軸と所定の角度をもって傾いて形成されている。シャワーノズル５０の中心軸方向に隣り合うガス吹出孔５１ａ及び５１ｂは、その傾きが互いに逆向きであり、それぞれの孔から吹き出したガス流５２ａ、５２ｂがぶつかり合うように形成されている。例えば、ガス吹出孔５１の中心軸とシャワーノズル５０の中心軸とのなす角が６０°になるように傾斜をもたせてもよい。
　【００３８】
　ガス流５２ａ及び５２ｂがぶつかり合うと、そこで乱流が形成され反応管１内に、より均一にガスを供給することができる。例えば、シャワーノズル５０の径を約６．４ｍｍ、ガス吹出孔５１の径を約１．３ｍｍ、シャワーノズル５０の中心軸方向のガス吹出孔５１の間隔を約５ｃｍ、中心軸と垂直な断面内のガス吹出孔の数を４個、シャワーノズル５０の長さを１８０ｃｍとした場合、ＣｌＦ３の流量を２５０ｓｃｃｍ、Ｎ２流量を５０００ｓｃｃｍとすることにより、効果的にクリーニングすることができる。
　【００３９】
　図３を参照して本発明の第２の実施例について説明する。
　反応管１、マニホールドフランジ２、キャップ６、フランジ３、排気用配管２０、Ｏリング４、５及び冷却水路１５、１６は図１に示すＣＶＤ装置と同様の構成である。また、ＣｌＦ３ガスボンベ３０、Ｎ２ガスボンベ３１から分岐点３４までは、図１のガス供給系と同様の構成であり、分岐点３４にＣｌＦ３とＮ２が混合されたグリーニングガスが供給される。
　【００４０】
　分岐点３４から分岐した配管５８は、ブロック弁５９の入力側に接続されている。ブロック弁５９の出力側には、配管６０ａ、６０ｂ、６０ｃが接続されており、時間的に切り換えてそれぞれの配管にクリーニングガスを供給することができる。
　【００４１】
　配管６０ａは、マニホールドフランジ２の側面に設けられたガス導入ポート６１ａに接続されている。配管６０ｂは、反応管１側面の長さ方向のほぼ中央部に設けられた貫通孔６１ｂに取り付けられている。配管６０ｃは、フランジ３を貫通して反応管１内に挿入され、フランジ３の近傍に開口６１ｃを形成している。
　【００４２】
　このように、ガス導入孔を３箇所に設けることにより、反応管１の両端部及び中央部からクリーニングガスを時間的に切り換えて導入することができる。
　例えば、まずガス導入ポート６１ａからクリーニングガスを導入する。反応管１のガス導入側では、ＣｌＦ３濃度が濃く付着した皮膜のエッチング速度が速い。反応管１の中央から右側の部分の皮膜が全てエッチングされた後、ガス導入ポート６１ａからのクリーニングガスの導入を停止する。
　【００４３】
　次に、配管６０ｂを通して、貫通孔６１ｂからクリーニングガスを導入する。貫通孔６１ｂから導入されたクリーニングガスにより、反応管１の左半分に残った皮膜が除去される。このとき、新しいクリーニングガスは反応管の右側部分にはほとんど供給されないため、右側部分の露出した石英内面が過度にエッチングされることを防止できる。
　【００４４】
　反応管１の左半分の皮膜が全てエッチングされた後、貫通孔６１ｂからのクリーニングガスの導入を停止する。
　次に、配管６０ｃを通して、開口６１ｃからクリーニングガスを導入する。開口６１ｃから導入されたクリーニングガスにより、反応管１の左側の端部及び排気系に残った皮膜を完全に除去することができる。
　【００４５】
　上記実施例では、反応管に設けられた３箇所のガス導入口から順次クリーニングガスを導入する場合について説明したが、２箇所またはそれ以上の複数箇所から導入してもよい。このように、複数のガス導入部から順次ガスを導入することにより、反応管内面に与えるダメージを抑制することができる。
　【００４６】
　図４を参照して本発明の第３の実施例について説明する。反応管１、マニホールドフランジ２、フランジ３、キャップ６、排気用配管２０及びヒータ１７は図１のＣＶＤ装置と同様の構成である。ヒータ１７には制御装置８０が接続されており、時間の経過とともに反応管１内を所定の温度に変化させることができる。
　【００４７】
　ジシラン等の成膜用ガスボンベ７１、希釈用Ｎ２ガスボンベ７２、クリーニング用のＣｌＦ３ガスボンベ７３がそれぞれ減圧弁７１ａ、７２ａ、７３ａ、バルブ７１ｂ、７２ｂ、７３ｂ、マスフローコントローラ７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、バルブ７１ｄ、７２ｄ、７３ｄを介して合流点７７に接続されている。合流点７７には、バルブ７１ｂ、７２ｂ、７３ｂを開けることにより、それぞれ所定流量の成膜用ガス、Ｎ２ガスまたはＣｌＦ３ガスが供給される。
　【００４８】
　また、Ｎ２ガスボンベ７４から減圧弁７４ａを通して容器７５内にＮ２ガスが供給される。容器７５内にはメタノール７６が収容されており、容器７５内に導入されたＮ２ガスはメタノール蒸気を含み、バルブ７４ｂ、マスフローコントローラ７４ｃ及びバルブ７４ｄを通って合流点７７に供給される。
　【００４９】
　合流点７７で合流したガスは、配管７８及びマニホールドフランジ２の側面に設けられたガス導入ポート７０を通って反応管１内に導入される。反応管１内に導入されたガスは、排気用配管２０を介して外部に排出される。
　【００５０】
　成膜時には、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４ｂを閉じ、バルブ７１ｂを開けて、反応管１内に成膜用ガスを導入する。クリーニング時には、バルブ７１ｂを閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４ｂを開けて所定の流量のガスを反応管１内に供給する。マスフローコントローラ７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、７４ｃは、制御装置７９により、所望の流量に調整される。
　【００５１】
　図６は、反応管内の圧力を１３．３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）、温度を５００□、ＣｌＦ３ガス流量を５０ｓｃｃｍ、総Ｎ２ガス流量を１ｓｌｍ、メタノールを含むＮ２ガス流量を可変としたときのポリシリコンのエッチング速度を示す。横軸は、５％のメタノールを含むＮ２ガス流量を単位ｓｃｃｍで表し、縦軸はポリシリコンのエッチング速度を単位ｎｍで表す。
　【００５２】
　メタノールを流さないときのエッチング速度は、約１１０ｎｍ／ｍｉｎである。メタノールの流量を増加するに従って、エッチング速度は上昇し、５％メタノールを含むＮ２ガス流量を５００ｓｃｃｍとしたとき、エッチング速度は約３５０ｎｍ／ｍｉｎとなる。
　【００５３】
　メタノールを加えた場合にエッチング速度が増加する原因は、以下のように推量される。
　通常ＣｌＦ３を用いてシリコンをエッチングする反応は、
　　ＣｌＦ３→ＣｌＦ＋Ｆ２
　　Ｓｉ＋２Ｆ２→ＳｉＦ４↑
のように進行する。しかし、低温ではＣｌＦ３の分解反応が起こりにくい。
　【００５４】
　クリーニング中に少量のメタノールを加えると、
　　３ＣＨ３ＯＨ＋４ＣｌＦ３→３ＣＦ４＋４ＨＣｌ＋３Ｈ２Ｏ＋Ｈ２
のフッ化反応が生ずる。この反応は発熱反応であり、この反応熱によって残りのＣｌＦ３の分解反応が促進される。このため、シリコンのエッチングに必要なＦ２の供給量が増加し、エッチング速度が増加するものと考えられる。
　【００５５】
　このように、ＣｌＦ３／Ｎ２混合ガス中に少量のメタノールを加えることにより、ポリシリコンのエッチング速度を増加することができる。エッチング速度の増加により、ＣＶＤ装置のクリーニング時間を短縮することが可能になる。なお、メタノールの添加量は、ＣｌＦ３に対して０．１〜５０％程度が好ましい。
　【００５６】
　クリーニングガスにメタノールを添加すると、石英のエッチング速度も増加する。従って、反応管１に石英製のものを使用する場合は、皮膜がある程度除去された後は制御装置７９によってマスフローコントローラ７４ｃの流量を制御し、アルコールの添加量を減少させるかまたは添加しないようにするのが好ましい。
　【００５７】
　なお、上記実施例では、クリーニングガスにメタノールを含ませる場合について説明したが、フッ化反応によって発熱が生じるものであればエタノール等の他のアルコールでもよい。ただし、炭素数が５以下のアルコールであることが好ましい。また、アルコールを含むＣｌＦ３クリーニングガスを第１または第２の実施例で用いることもできる。
　【００５８】
　図４に示す第３の実施例では、横型のＣＶＤ装置を使用した場合について説明したが、縦型の枚葉式ＣＶＤ装置を使用する場合も同様の効果を期待できる。また、反応管内面に付着したポリシリコン膜を除去する場合について説明したが、ＳｉＮ膜を除去する場合についても同様の効果が期待できる。
　【００５９】
　図５を参照して本発明の第３の実施例について説明する。
　図５は、縦型の枚葉式ＣＶＤ装置の概略図及びＳｉＮ膜作製のためのガス供給系のブロック図を示す。処理容器９５の上部にガス導入口９０が設けられている。ガス導入口９０は、多孔板９１で覆われており、ガス導入口９０から導入されたガスは多孔板９１に設けられた多数の孔を通って処理容器９５内に供給される。
　【００６０】
　多孔板９１に対向する位置には、処理対象基板を載置するための載置台９２が配置されている。載置台９２は、ＳｉＣをコーティングしたカーボンにより構成されている。載置台９２は、電源９６に接続されており、ヒータの役目も果たす。
　【００６１】
　処理容器９５の側面下部には、排気用配管９３が設けられており、容器内を排気することができる。また、処理容器９５の底面には、クリーニングガスを導入するためのガス導入口９４が設けられている。
　【００６２】
　希釈用Ｎ２ガス、クリーニング用ＣｌＦ３ガス及びメタノールを含んだＮ２ガスを供給するためのガス供給系は図４と同様の構成であり、合流点８８にそれぞれのガスが供給される。
　【００６３】
　さらに、成膜用のＳｉＨ４ガスボンベ８１及びＮＨ３ガスボンベ８２がそれぞれ減圧弁８１ａ、８２ａ、バルブ８１ｂ、８２ｂ、マスフローコントローラ８１ｃ、８２ｃ、及びバルブ８１ｄ、８２ｄを介して合流点８８に接続されている。合流点８８は、配管８９を介してガス導入口９０に接続されている。
　【００６４】
　成膜時には、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４ｂを閉じ、バルブ８１ｂ、８２ｂを開ける。処理容器９５内には所定流量のＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスが供給され、処理対象基板上にＳｉＮ膜が堆積する。
　【００６５】
　クリーニング時には、バルブ８１ｂ、８２ｂ閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４ｂを開けて、処理容器９５内にクリーニングガスを供給する。このように、ＣｌＦ３にメタノールを混合することにより、図４に示す第３の実施例と同様の効果を得ることができる。
　【００６６】
　また、底面に設けられたガス導入口９４からも時間的に切り換えてクリーニングガスを導入することにより、図３に示す第３の実施例と同様の効果を得ることができる。
　【００６７】
　図７を参照して、本発明の第４の実施例について説明する。
　図４に示すＣＶＤ装置を使用し、バルブ７１ｂ、７４ｂを閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂを開けて、反応管１内にＣｌＦ３／Ｎ２混合ガスを供給する。反応温度は６２０□、反応圧力は２４０Ｐａ（１．８Ｔｏｒｒ）である。本実施例においては、反応管１は石英製のものを使用する。
　【００６８】
　図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、それぞれ上記条件の下でＣｌＦ３ガスの流量を変化させたときの、ポリシリコン膜及び石英管自体のエッチング速度を示す。横軸はＣｌＦ３ガス流量を単位ｓｃｃｍで表し、縦軸はエッチング速度を単位ｎｍ／ｍｉｎで表す。
　【００６９】
　図７（Ａ）に示すように、ＣｌＦ３ガス流量が５００ｓｃｃｍの時は、ポリシリコン膜のエッチング速度は約３．３μｍ／ｍｉｎであり、ＣｌＦ３ガス流量を減少させるとエッチング速度も減少する。ＣｌＦ３ガス流量を１００ｓｃｃｍまで減少させると、エッチング速度は約０．９μｍ／ｍｉｎとなり、ＣｌＦ３ガス流量が５００ｓｃｃｍのときに比べて約１／３になる。
　【００７０】
　図７（Ｂ）に示すように、ＣｌＦ３ガス流量が５００ｓｃｃｍの時は、石英のエッチング速度は約７．５ｎｍ／ｍｉｎであり、ＣｌＦ３ガス流量を減少させるとポリシリコン膜のエッチングの場合と同様にエッチング速度も減少する。ＣｌＦ３ガス流量を１００ｓｃｃｍまで減少させると、エッチング速度は約０．７ｎｍ／ｍｉｎとなり、ＣｌＦ３ガス流量が５００ｓｃｃｍのときに比べて約１／１０になる。
　【００７１】
　従って、ＣｌＦ３ガス流量が５００ｓｃｃｍのとき、ポリシリコンと石英のエッチングの選択比は約４４０であるのに対し、ＣｌＦ３ガス流量が１００ｓｃｃｍのときは１３００と大きくなる。
　【００７２】
　通常、反応管内に付着した皮膜の厚さは一様ではない。そのため、ＣｌＦ３ガス流量を５００ｓｃｃｍ程度としてクリーニングを行うと、ポリシリコン膜が薄い部分で石英内面がエッチングされる。このため、クリーニングを繰り返し実施すると反応管の透明度が失われる。ＣｌＦ３ガス流量を２５０ｓｃｃｍ以下とすると、石英のエッチング速度が遅くなるとともにポリシリコンと石英に対するエッチングの選択比が大きくなるため、石英表面はほとんどエッチングされない。このため、クリーニングを繰り返し実施しても透明度は失われない。
　【００７３】
　なお、反応管内面の全面にポリシリコン膜が付着している場合には、石英表面がエッチングされることがないため、ＣｌＦ３ガス流量を増加してエッチング速度を速くすることが好ましい。
　【００７４】
　具体的には、クリーニング初期において、制御装置７９によってマスフローコントローラ７３ｃと７２ｃとの流量比を、付着した皮膜に対するエッチング速度が速くなるような値に設定しておく。皮膜の膜厚が薄くなったときに制御装置７９によってマスフローコントローラ７３ｃと７２ｃの流量を変化させ、皮膜と反応管材質とのエッチング選択比が大きくなるような値に変更する。このように、クリーニング初期と終期において、マスフローコントローラ７３ｃと７２ｃの流量を変化させることにより、クリーニング時間の増加を抑えつつ反応管に与えるダメージを小さくすることができる。
　【００７５】
　第１または第２の実施例と組み合わせ、初めに反応管に付着した皮膜の大部分を除去した後、ＣｌＦ３流量を低減して残った皮膜を除去することもできる。
　上記実施例では、石英表面にポリシリコン膜が付着した場合のクリーニングについて説明したが、ＳｉＮ膜が付着した場合も同様の効果を得ることができると考えられる。
　【００７６】
　上記実施例では、ＣｌＦ３とＮ２との流量比を変えてエッチング選択比を変化させる場合について説明したが、アルコールの添加量、反応管内のクリーニングガスの圧力やＣｌＦ３とＮ２との分圧比を変えても同様の効果が得られる。また、制御装置８０によりヒータ１７を制御してエッチング初期と終期のＣｌＦ３／Ｎ２混合ガスの温度を変えることによってエッチング速度及びエッチング選択比を変化させてもよい。
　【００７７】
　以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
尚、本願明細書に記載した発明の中から、以下に記載する発明を抽出することができる。以下には、本願特許請求の範囲に記載した発明に加えて、本願発明として抽出できる発明を付記として併せて記載する。
　【００７８】
（付記１）内部を排気可能な処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段とを含む半導体装置の製造装置。（１）
（付記２）前記処理容器は、円筒状容器であり、前記第１のクリーニングガス供給手段は、前記処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の筒状体であり、その側面に多数の貫通孔が設けられている付記１に記載の半導体装置の製造装置。（２）
（付記３）前記貫通孔は、前記第１のクリーニングガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの隣接するガス流とぶつかり合うように、前記クリーニングガス供給手段の中心軸方向に対して傾いて形成されている付記２に記載の半導体装置の製造装置。（３）
（付記４）さらに、前記複数のガス吹き出し口のうち少なくとも１つ以上のガス吹き出し口に選択的に前記クリーニングガスを供給するためのガス切換手段を含む付記１記載の半導体装置の製造装置。（４）
（付記５）さらに、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスによるクリーニング速度を可変制御する制御手段を含む付記１から４までのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。（５）
（付記６）さらに、前記クリーニングガスに炭素数５以下のアルコールを添加するためのアルコール添加手段を含む付記１から５までのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。（６）
（付記７）さらに、前記クリーニングガスに炭素数５以下のアルコールを添加するためのアルコール添加手段を含み、前記制御手段は、前記アルコール添加手段によるアルコール添加量を可変制御する付記５に記載の半導体装置の製造装置。
　【００７９】
（付記８）さらに、前記処理容器内を加熱するための第１の加熱手段を含む付記１から７までのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。（７）
（付記９）さらに、前記処理容器内を加熱するための第１の加熱手段を含み、前記制御手段は、前記第１の加熱手段による加熱温度を可変制御する付記７に記載の半導体装置の製造装置。
　【００８０】
（付記１０）前記処理容器は、少なくとも１つ以上の開口を有する容器と、前記開口に蓋をするための蓋部材と、前記容器と前記蓋部材との接合面の気密性を保つためのシール部材と、前記シール部材の近傍を局所的に冷却するための冷却手段とを含む付記１から９までのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。（８）
（付記１１）前記制御手段は、前記クリーニングガスの流量または前記処理容器内の圧力を可変制御する付記５に記載の半導体装置の製造装置。
　【００８１】
（付記１２）さらに、前記処理容器内を排気するための排気手段と、前記排気手段内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給するための第２のクリーニングガス供給手段とを含む付記１から１１までのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
　【００８２】
（付記１３）さらに、前記排気手段を加熱するための第２の加熱手段を含む付記１２に記載の半導体装置の製造装置。
（付記１４）さらに、前記処理容器内に成膜用ガスを供給するための成膜用ガス供給手段と、前記成膜用ガス供給手段内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給するための第３のクリーニングガス供給手段とを含む付記１から１３までのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
　【００８３】
（付記１５）内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングする半導体製造装置のクリーニング方法において、クリーニングガスにアルコール蒸気を含ませる工程を含む半導体製造装置のクリーニング方法。
　【００８４】
（付記１６）前記アルコール蒸気は、炭素数が１〜５のアルコール蒸気である付記１５に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。（９）
（付記１７）前記アルコール蒸気のＣｌＦ３に対する濃度は、０．１〜５０％である付記１５または１６に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
　【００８５】
（付記１８）さらに、クリーニング期間中、前記クリーニングガスに含ませるアルコール蒸気の分圧比を変化させる付記１５から１７までのいずれか１項に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
　【００８６】
（付記１９）内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、所定のクリーニング条件で前記クリーニングガスを前記処理容器内に供給する初期クリーニング工程と、前記クリーニングガスによる前記処理容器自体のエッチング速度が、前記初期クリーニング工程のクリーニング条件におけるエッチング速度よりも遅くなるようにクリーニング条件を変化させる変化工程とを含む半導体製造装置のクリーニング方法。（１０）
（付記２０）前記変化工程は、ＣｌＦ３の流量を変化させる付記１９に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。（１１）
（付記２１）前記変化工程は、ＣｌＦ３の分圧を変化させる付記１９に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。（１２）
（付記２２）前記変化工程は、クリーニングガスの温度を変化させる付記１９に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。（１３）
（付記２３）内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、前記処理容器に設けられた複数のガス導入部のうち、一部のガス導入部からのみクリーニングガスを導入する工程と、前記一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停止し、他のガス導入部からクリーニングガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含む半導体製造装置のクリーニング方法。（１４）
（付記２４）前記ガス導入部切換工程を少なくとも２回以上実施する付記２３に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
　【００８７】
（付記２５）前記ガス導入部切換工程は、前記処理容器内のガスの流れ方向の上流から下流に向かってクリーニングガスを導入するガス導入部を切り換える付記２３または２４に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
　【００８８】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、半導体製造装置の処理室内をクリーニングするに際し、処理室内面に与えるダメージを小さくすることができる。また、クリーニング時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施例によるＣＶＤ装置の概略断面図、及びガス供給系のブロック図である。
　【図２】
　図２（Ａ）は、本発明の第１の実施例の変形例によるＣＶＤ装置の概略断面図、図２（Ｂ）はシャワーノズルの正面図及び側面図、図２（Ｃ）はシャワーノズルのガス吹出孔部分の拡大断面図である。
　【図３】
　本発明の第２の実施例によるＣＶＤ装置の概略断面図、及びガス供給系のブロック図である。
　【図４】
　本発明の第３の実施例によるＣＶＤ装置の概略断面図、及びガス供給系のブロック図である。
　【図５】
　本発明の第３の実施例の変形例によるＣＶＤ装置の概略断面図、及びガス供給系のブロック図である。
　【図６】
　本発明の第３の実施例によるメタノールを含むＮ２ガス流量に対するポリシリコン膜のエッチング速度を示すグラフである。
　【図７】
　図７（Ａ）は、本発明の第４の実施例によるＣｌＦ３ガス流量に対するポリシリコン膜のエッチング速度を示すグラフ、図７（Ｂ）は同様の条件における石英のエッチング速度を示すグラフである。
　【図８】
　従来例による、ＣＶＤ装置の概略断面図である。
　【符号の説明】
　　　１　反応管
　　　２　マニホールドフランジ
　　　３　フランジ
　　　４、５　Ｏリング
　　　６　キャップ
　　１０　ガス導入ポート
　　１１　シャワーノズル
　　１２　ガス吹き出し用孔
　　１５、１６　冷却水路
　　１７　ヒータ
　　２０　排気用配管
　　２１　ホットバルブ
　　２２　真空ポンプ
　　２３　除害装置
　　２４　加熱用配管
　　３０　ＣｌＦ３ボンベ
　　３１　Ｎ２ボンベ
　　３２　合流点
　　３３、３７ｃ　バルブ
　　３４　分岐点
　　３５、３６　３７　配管
　　４０　成膜用ガスボンベ
　　４０ａ　減圧弁
　　４０ｂ　マスフローコントローラ
　　４０ｃ　バルブ
　　４１　合流点
　　４２　配管
　　５０　シャワーノズル
　　５１、５１ａ、５１ｂ　ガス吹出孔
　　５２ａ、５２ｂ　ガス流
　　５８　配管
　　５９　ブロック弁
　　６０ａ、６０ｂ、６０ｃ　配管
　　６１ａ　ガス導入ポート
　　６１ｂ　貫通孔
　　６１ｃ　開口
　　７０　ガス導入ポート
　　７１　成膜用ガスボンベ
　　７１ａ、７２ａ、７３ａ、７４ａ　減圧バルブ
　　７１ｂ、７１ｄ、７２ｂ、７２ｄ、７３ｂ、７３ｄ、７４ｂ、７４ｄ　バルブ
　　７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、７４ｃ　マスフローコントローラ
　　７２、７４　Ｎ２ボンベ
　　７３　ＣｌＦ３ボンベ
　　７５　容器
　　７６　アルコール
　　７７　合流点
　　７８　配管
　　７９、８０　制御装置
　　８１　ＳｉＨ４ガスボンベ
　　８１ａ、８２ａ　減圧弁
　　８１ｂ、８２ｂ、８１ｄ、８２ｄ　バルブ
　　８１ｃ、８２ｃ　マスフローコントローラ
　　８８　合流点
　　８９　配管
　　９０　ガス導入口
　　９１　多孔板
　　９２　載置台
　　９３　排気用配管
　　９４　ガス導入口
　　９５　処理容器
　　９６　電源
　１００　処理容器
　１０１　サセプタ
　１０２　基板
　１０３　多孔板
　１０４　ガス配管
　１０５　排気用配管
　１１０　反応管
　１１１、１１２　フランジ
　１１３　キャップ
　１１４　ガス配管
　１１５　排気用配管
　１１６　ヒータ