【事件の表示】
　特願２０１２−１３５３５０「レーザー加工装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月　１日出願公開、特開２０１２−２１０６５８、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年６月２８日を出願日とする特願２０１０−１４６２４９号の一部を，新たに平成２４年６月１５日に出願したものであって，平成２５年８月２６日付けで拒絶理由が通知され，同年９月１１日付けで意見書および補正書が提出されたが，同年１２月９日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２６年２月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に，手続補正（以下「本件補正」という）がなされたものである。
　
第２　原査定の拒絶の理由の概要
　この出願の請求項１〜１６に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物１〜６に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
１．特開２００９−２１４１８２号公報
２．特開昭６１−２８３４８６号公報
３．特開２００８−０９８４６５号公報
４．特開２００７−２８４３１０号公報
５．特開２００６−２９１９９８号公報
６．特開平０７−１００６７０号公報
　
（以下「刊行物１」〜「刊行物６」という）
　
第３　本件補正について
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲を，
「【請求項１】
　パルスレーザー光を発する光源と、
　
光学的に透明な材料からなる基板の上に発光素子構造を形成した
を備えるレーザー加工装置であって、
　前記被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して実質的に透明である透明部材を、前記ステージに載置された前記被加工物の被加工面に隣り合わせて配置可能な透明部材配置手段をさらに備え、
　前記ステージに前記被加工物を載置し、かつ、前記透明部材を前記被加工面に隣り合わせて配置した状態で、前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射することによって、前記被照射領域に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、前記被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、前記被加工物に分割のための起点を形成する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
　　【請求項２】
　パルスレーザー光を発する光源と、
　
光学的に透明な材料からなる基板の上に発光素子構造を形成した
を備えるレーザー加工装置であって、
　前記被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して実質的に透明である透明部材を、前記ステージに載置された前記被加工物の被加工面に隣り合わせて配置可能な透明部材配置手段をさらに備え、
　前記ステージに前記被加工物を載置し、かつ、前記透明部材を前記被加工面に隣り合わせて配置した状態で、前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光が前記被加工面に離散的に照射されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射し、前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、前記個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって直前にもしくは同時に照射された前記単位パルス光の被照射位置との間に劈開もしくは裂開を生じさせることにより、前記被加工物に前記分割のための起点を形成する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。」
と補正するものである。（下線は補正箇所を示す）
　
　そして，本件補正は，補正前の請求項１および２に係る発明の特定事項である「被加工物」を「光学的に透明な材料からなる基板の上に発光素子構造を形成した」と限定するものであり，本件補正前の請求項１および２に記載された発明と、本件補正後の請求項１および２に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であることは明らかであるから，本件補正の目的は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、「被加工物」が「光学的に透明な材料からなる基板の上に発光素子構造を形成した」ものであることは、本願明細書の段落【００１２】，【００３４】および【００７２】に記載されているから，本件補正は，願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内おいてしたものであり，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　さらに、本件補正前の請求項１および２に記載された発明と，本件補正後の請求項１および２に記載された発明とが，特許法第３７条の発明の単一性を満たす一群の発明に該当するものとなっていることは明らかであるから，本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　次に，本件補正後の請求項１および２に係る発明（以下「本願発明１」および「本願発明２」という）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
第４　独立特許要件（進歩性）について
１　各刊行物の記載内容
（１）刊行物１には，「加工対象物切断方法」について，図１〜２４とともに次の事項が記載されている。
　
（１−ア）
「【発明の属する技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断方法に関する。」
　
（１−イ）
「【０００５】
本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】本発明に係る加工対象物切断方法は、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を照射することで、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質スポットを複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する工程を備え、加工対象物の厚さ方向と略直交する断面において、隣り合う改質スポット間のピッチを、切断予定ラインに沿った方向の改質スポットの寸法よりも大きくすることにより、改質スポットを切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に断続的に形成し、ウェハ状の加工対象物に形成された改質領域のみを起点として加工対象物を切断することを特徴とする。」
　
（１−ウ）
「【０００８】
また、本発明に使用するレーザ加工装置によれば、加工対象物の内部に局所的に多光子吸収を発生させて改質領域を形成している。よって、加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない。以上のことはこれから説明するレーザ加工装置についても言えることである。」
　
（１−エ）
「【００１２】
本発明に使用するレーザ加工装置は、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段と、加工対象物の切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段と、速度の大きさの入力に基づいて移動手段によるパルスレーザ光の集光点の相対的移動速度の大きさを調節する速度調節手段と、を備え、加工対象物の内部に集光点を合わせて１パルスのパルスレーザ光を加工対象物に照射することにより、加工対象物の内部に１つの改質スポットが形成され、加工対象物の内部に集光点を合わせかつ切断予定ラインに沿って集光点を相対的に移動させて、複数パルスのパルスレーザ光を加工対象物に照射することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に複数の改質スポットが形成され、入力された速度の大きさに基づいて隣り合う改質スポット間の距離を演算する距離演算手段と、距離演算手段により演算された距離を表示する距離表示手段と、を備えることを特徴とする。」
　
（１−オ）
「【００６１】
次に、本実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。図１７はこのレーザ加工装置１００の概略構成図である。レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら三つのステージ１０９,１１１,１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。」
　
（１−カ）
「【００８８】
次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。そして、加工対象物１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、加工対象物１をシリコンチップに分割する。
【００８９】
本実施形態の効果を説明する。これによれば、多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせて、パルスレーザ光Ｌを切断予定ライン５に照射している。そして、Ｘ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させている。これにより、改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域）を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。よって、改質領域を起点として切断予定ライン５に沿って加工対象物１を割ることにより、比較的小さな力で加工対象物１を切断することができる。これにより、加工対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物１を切断することができる。」
　
（１−キ）
「【００９１】
以上説明したように本実施形態によれば、加工対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、加工対象物１を切断することができる。よって、加工対象物１が例えば半導体ウェハの場合、半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。表面に電極パターンが形成されている加工対象物や、圧電素子ウェハや液晶等の表示装置が形成されたガラス基板のように表面に電子デバイスが形成されている加工対象物についても同様である。よって、本実施形態によれば、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりを向上させることができる。
【００９２】
また、本実施形態によれば、加工対象物１の表面３の切断予定ライン５は溶融しないので、切断予定ライン５の幅（この幅は、例えば半導体ウェハの場合、半導体チップとなる領域同士の間隔である。）を小さくできる。これにより、一枚の加工対象物１から作製される製品の数が増え、製品の生産性を向上させることができる。
【００９３】
また、本実施形態によれば、加工対象物１の切断加工にレーザ光を用いるので、ダイヤモンドカッタを用いたダイシングよりも複雑な加工が可能となる。例えば、図２４に示すように切断予定ライン５が複雑な形状であっても、本実施形態によれば切断加工が可能となる。これらの効果は後に説明する例でも同様である。
【００９４】
また、本実施形態によれば、パルスレーザ光の繰り返し周波数の大きさの調節や、Ｘ軸ステージ１０９、Ｙ軸ステージ１１１の移動速度の大きさの調節により、隣合う溶融処理スポットの距離を制御できる。加工対象物１の厚さや材質等を考慮して距離の大きさを変えることにより、目的に応じた加工が可能となる。」
　
（２）刊行物２には，「レ−ザによる穴明け加工方法および装置」について，図１〜４とともに次の事項が記載されている。
　
（２−ア）
「問題点解決のための手段
　本発明は、被加工物の表面に、使用するレーザ光に対して透過率の高い物質層を密接配置し、同物質層を通してレーザ加工することにより、レーザ加工の効率を向上させると共に、真円度の高い穴明けを可能にする。
　作用
　本発明は、被加工物の上に透明層を密接配置することにより、溶融物や蒸発物の飛散を防ぎ、溶融物や蒸発物によつて持去られるエネルギーが加工に寄与するようになることにより加工効率の向上が得られるものと考えられる。またレーザ光のビーム断面のエネルギー分布が非対称であつても、飛散が抑圧された溶融物、蒸発物によつて加工領域内のエネルギー分布の均一化がなされる結果、加工穴の真円度が向上するものと思われる。」（２頁左上欄３〜１８行）
　
（２−イ）
「ｌはＹＡＧレーザ発振器、２は平面鏡、３は集光レンズで、４が被加工材料であり、５はその上面に密接して載置された透明なガラス板である。レーザ光は集光レンズ３によりガラス板５を通して被加工材４の表面に集光される。
　第２図は第１図の構成によるレーザビームのエネルギーと穴明け加工の穴径との関係の実験結果である。この図では第４図に示すようなガラス板を用いない従来方法による穴明け加工の実験結果を比較のため併記してある。白丸が本発明によるもの、黒丸は第４図の構成によるものである。この実験で、被加工材はステレス鋼（ＪＩＳ規格ＳＵＳ３０４）で厚さ５０μｍであり、レーザ光はパルス状に照射され、集光レンズ３の焦点距離は８０ｍｍである。本発明によれば穴径はレーザ光のパルスエネルギー０．０２ジユールまではエネルギーに応じて大きくなり、０．０２ジユ一ル以上では大体５０〜７０μｍ程度で飽和する。これに対して第４図に示すような従来構成では、パルスエネルギーを増しても穴径は２０μｍ前後の所を低迷しており本発明が高効率を実現していることが分る。」（２頁右上欄１行〜同頁左下欄２行）
　
（２−ウ）
「本発明方法及び装置は穴明け加工に関するが、穴明け加工で材料を移動させれば、切断、任意形状の切抜き、溝切り等各種の加工が可能なことは云うまでもない。」（２頁左下欄１３〜１６行）
　
（３）刊行物３には，「半導体発光素子の分離方法」について，図１〜６とともに次の事項が記載されている。
　
（３−ア）
「【０００７】
　請求項１に係る発明は、サファイア基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザをサファイア基板において集光させて、多光子吸収を発生させる方法を用いて、サファイア基板の表面の分離予定線に沿ってパルスレーザを走査することにより、実質的に分離予定線方向に連続した溝部を形成し、分離予定線に沿ってパルスレーザを走査することにより、サファイア基板の内部の分離予定面上であって所定の深さに、パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションによりパルスレーザの進行方向に延びた足部とから成る分離予定線方向に連続しない内部改質部を形成し、全ての内部改質部が形成された後に、外力を加えて、連続した溝部と連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離することを特徴とする半導体発光素子の分離方法である。」
　
（３−イ）
「【００１７】
　図１は本発明の半導体発光素子の分離方法の概略を示す断面図である。サファイア基板１０の一方の面１２に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子部３０をエピタキシャル成長及び電極形成その他により形成する。サファイア基板１０の他方の面１１から、対物レンズ４０を介してフェムト秒パルスレーザ光４１をサファイア基板１０の所望の深さに集光させる。これにより、多光子吸収が起こる集光部において、改質部５１、５２、５３及び５４並びに溝部５０が形成される。図１は、分離予定面（紙面に垂直）とサファイア基板１０の面１１及び１２とに垂直な断面図である。分離線は分離予定面とサファイア基板１０の面１１の交線であって、紙面手前から奥側に連続した線である。溝部５０はこの分離線上に形成される。改質部５１は、溝部５０と接続されており、且つ分離線方向に、連続して形成される。一方、改質部５２は、改質部５１及び５３とはサファイア基板１０の深さ方向に接続されておらず、且つ分離線方向にも、連続されずに個々に形成される。改質部５３及び５４も、改質部５２と５４、５３とはサファイア基板１０の深さ方向には接続されておらず、且つ分離線方向にも、連続されずに個々に形成される。分離面に表れる改質部５２乃至５４の形状は後に示す。」
　
（３−ウ）
「【００２１】
　フェムト秒パルスレーザは、次の通り。波長１μｍ、パルス幅５００ｆｓ、パルス周波数１００ｋＨｚ、パルス当たりエネルギー１．５μＪ。直線偏光成分が分離予定面と平行となるように設定した。また、対物レンズは開口数０．６５のものを用いた。サファイア基板１０の面１１側を走査し、送り速度は、溝部５０と改質部５１を形成する際は２５０ｍｍ／ｓ、改質部５２乃至５４を形成する際は５００ｍｍ／ｓとした。また、集光位置は、溝部５０の形成の際は面１１からの深さ０μｍ、改質部５１の形成の際は深さ５μｍ、改質部５２の形成の際は深さ２５μｍ、改質部５３の形成の際は５５μｍ、改質部５４の形成の際は８５μｍとした。尚、改質部５４、改質部５３、改質部５２、溝部５０、改質部５１の順に形成した（図３．Ｃ及び図３．Ｄ）。」
　
（４）刊行物４には，「レーザスクライブ方法、レーザ加工装置および電気光学装置」について，図１〜８とともに次の事項が記載されている。
　
（４−ア）
「【００４４】
　以上の説明を踏まえて、図５に示すフローチャートの各ステップについて、順に、詳細に説明する。最初に、ステップＳ１において、図４に示した表示基板５０の石英基板５１を、表示パネル３１が形成されている入射面５１ａに対する反対面５１ｂが載置台１１に接するように載置する。そして、Ｘ軸方向切断予定線５２がＸ軸に平行となるように石英基板５１を位置決めする。また、移動制御部２３は、レーザ光４の光軸が石英基板５１のＸ軸方向切断予定線５２またはＹ軸方向切断予定線５３の線上に位置するように、サーボモータを駆動しＸ軸移動部１２およびＹ軸移動部１３を移動させる。この場合、石英基板５１には、位置決め用のアライメントマークが形成されており、撮像部１６によってこのアライメントマークを認識し、画像処理部２１に取り込んだ画像データに基づいて座標を演算して、石英基板５１を位置決めする。位置決め後、ステップＳ２へ進む。」
　
（５）刊行物５は，上記第２に記載したように「特開２００６−２９１９９８号公報」であるが，当該公報は「トルクリミッター」に関するものであり，本願発明１が属する技術分野との関連性が薄く，当該公報の番号は誤って記載されたことは明らかである。そこで，当該公報の番号と類似する番号を有し，レーザ加工の技術分野に属する発明が記載される「特開２００９−２９１９９８号公報」（以下当審で新たに引用する「特開２００９−２９１９９８号公報」を「正しい刊行物５」という）について，以下に検討する。
　正しい刊行物５には，「レーザ樹脂融着方法及びレーザ樹脂融着装置」について，図１〜１４とともに次の事項が記載されている。
　
（５−ア）
「【００１７】
　レーザ樹脂融着装置１０は、レーザ吸収層４を被着体１に押圧する押圧手段７を備える。押圧手段７は、レーザ光Ｌを透過するガラス部材５と、ガラス部材５を着体２を介して被着体１に対して押し付ける押圧駆動部６とを備える。ガラス部材５は、被着体より大きく設けられ、押圧駆動部６によってレーザ吸収層４を被着体１に対して均一な力で押圧する。ガラス部材５の上方には、加熱手段８が走査方向に移動可能に配置されている。加熱手段８は、加熱制御手段９に接続され、レーザ光Ｌを照射してレーザ吸収層４を加熱する動作を制御される。」
　
（５−イ）
「【００３１】
　図８は、本発明のレーザ樹脂融着方法の実施例であって、ガラス部材５を配置するステップを示す平面図である。図９は、図８のＣＣ断面図である。
　そして、ガラス部材５を着体２に重ね、着体２を被着体１側へ押圧する。ガラス部材５は、レーザ光Ｌを透過するガラスを材質とする。ガラス部材５は、直径が被着体１の外径及び着体２の幅寸法より大きい円形をなし、着体２を被着体１に対して均一に押圧できるように注入口１０ｂ及び被着体１と同軸上に配置される。ガラス部材５は、レーザ吸収層４が軟化した場合にレーザ吸収層４の軟化した部分を凹み部１ａに入り込ませることが可能な荷重で着体２を被着体１側に押圧する。本実施例では、ガラス部材５は着体２に０．１ＭＰａの荷重を作用させる。」
　
（６）刊行物６には，「レーザ加工装置」について，図１〜５とともに次の事項が記載されている。
　
（６−ア）
「【０００７】本発明の第１発明は、図１に示すように、集光レンズ５と被加工物１２の間に、レーザビーム２を透過するフィルム６を配置し、フィルム６の巻取りおよび巻出しを行うリール７，８を設けるとともに、被加工物１２の加工位置に向けたガスノズル１０を設けている。このような第１発明装置において、図１に示すように、リール７および８によりフィルム６を左から右に移動させるときは、ガスノズル１０により飛散粉１３を右方向に、すなわちフィルム６の移動方向に飛散させる。するとレーザビーム２は、飛散粉１３で汚染されてない、フィルム６の清浄面を透過することになり、高速でレーザ加工を行っても、フィルム６が溶損することなく、集光レンズ５は確実に防護される。また、ガスノズル１０からのガス噴射により、被加工部が清浄化されるため、刻印等の加工が安定する。」
　
２　当審の判断
（１）引用発明
ア　上記記載事項（１−エ）の「本発明に使用するレーザ加工装置は、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、・・・・・を備え」からみて，刊行物１には「パルスレーザー光を発するレーザ光源」が記載されているといえる。
　
イ　上記記載事項（１−ア）の「本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断方法に関する。」および同（１−オ）の「集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、・・・・・Ｙ軸ステージ１１１と、・・・・・Ｚ軸ステージ１１３と・・・・・を備える。」からみて，刊行物１には，「半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物が載置されるステージ」が記載されているといえる。
　
ウ　上記記載事項（１−イ）の「ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を照射することで、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質スポットを複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する工程を備え、加工対象物の厚さ方向と略直交する断面において、隣り合う改質スポット間のピッチを、切断予定ラインに沿った方向の改質スポットの寸法よりも大きくすることにより、改質スポットを切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に断続的に形成し」および同（１−キ）の「【００９４】また、本実施形態によれば、パルスレーザ光の繰り返し周波数の大きさの調節や、Ｘ軸ステージ１０９、Ｙ軸ステージ１１１の移動速度の大きさの調節により、隣合う溶融処理スポットの距離を制御できる。加工対象物１の厚さや材質等を考慮して距離の大きさを変えることにより、目的に応じた加工が可能となる。」からみて，刊行物１には，「ステージに加工対象物を載置し、かつ、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの改質スポットが加工対象物の内部において離散的に形成されるように前記ステージと光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記加工対象物に照射することによって、前記加工対象物の内部に改質領域を形成することにより、前記加工対象物に切断のための起点を形成する」ことが記載されているといえる。
　
エ　上記記載事項（１−イ）の「本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することである。・・・・・ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を照射することで、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質スポットを複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する」からみて，刊行物１には「加工対象物に切断のための起点を形成するレーザー加工装置」が記載されているといえる。
　
　そして，上記ア〜エおよび上記記載事項（１−ア）〜（１−キ）を総合すると，刊行物１には，以下の発明が記載されていると認められる。
　
「パルスレーザー光を発するレーザ光源と，
　半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物が載置されるステージと，
を備えるレーザー加工装置であって，
　前記ステージに前記加工対象物を載置し，かつ，前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの改質スポットが加工対象物の内部において離散的に形成されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記加工対象物に照射することによって，前記加工対象物の内部に改質領域を形成することにより，前記加工対象物に切断のための起点を形成するレーザー加工装置。」
（以下「引用発明」という）
　
（２）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明を比較する。
（ア）引用発明の「加工対象物」が本願発明１の「被加工物」に相当するといえるから，引用発明の「半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物が載置されるステージ」と本願発明１の「光学的に透明な材料からなる基板の上に発光素子構造を形成した被加工物が載置されるステージ」とは，「被加工物が載置されるステージ」の点で共通するといえる。
　
（イ）上記記載事項（１−カ）の「【００８８】・・・・・加工対象物１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、加工対象物１をシリコンチップに分割する。」からみて，引用発明の「切断の起点」が「分割起点」であるといえるから，引用発明の「加工対象物に切断のための起点を形成するレーザー加工装置」は，本願発明１の「被加工物に分割のための起点を形成するレーザー加工装置」に相当するといえる。
　
（ウ）引用発明の「前記ステージに前記加工対象物を載置し，かつ，前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの改質スポットが被加工面において離散的に形成されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記加工対象物に照射することによって，前記加工対象物の内部に改質領域を形成することにより，前記加工対象物に切断のための起点を形成する」と本願発明１の「前記ステージに前記被加工物を載置し、かつ、前記透明部材を前記被加工面に隣り合わせて配置した状態で、前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射することによって、前記被照射領域に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、前記被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、前記被加工物に分割のための起点を形成する」とは，「前記ステージに前記被加工物を載置し，かつ，前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工物において離散的に形成されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射することによって，前記被加工物に分割のための起点を形成する」の点にて共通するといえる。
　
　そうすると，両者は，
（一致点）
「パルスレーザー光を発する光源と，
　被加工物が載置されるステージと，
を備えるレーザー加工装置であって，
　前記ステージに前記被加工物を載置し，かつ，前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工物において離散的に形成されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射することによって，前記被加工物に分割のための起点を形成するレーザー加工装置。」
の点で一致し，以下の点にて相違する。　
　
（相違点１）
「被加工物」について，本願発明１では「光学的に透明な材料からなる基板の上に発光素子構造を形成した」ものであるのに対して，引用発明では「半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の」ものである点。
　
（相違点２）
本願発明１では「前記被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して実質的に透明である透明部材を、前記ステージに載置された前記被加工物の被加工面に隣り合わせて配置可能な透明部材配置手段をさらに備え」「前記透明部材を前記被加工面に隣り合わせて配置する」のに対して，引用発明では「透明部材」を備えていない点。
　
（相違点３）
本願発明１では「パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成され」ており，「前記被照射領域に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、前記被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせる」ものであるのに対して，引用発明では「パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの改質スポットが加工対象物の内部において離散的に形成され」ており，「前記加工対象物の内部に改質領域を形成する」ものである点。
　
イ　相違点１について
　上記記載事項（３−ア）および（３−イ）からみて，刊行物３には「光学的に透明な材料からなる基板の上に発光素子構造を形成したものを被加工物とするレーザ加工装置」が記載されているといえる。
　そうすると，上記刊行物３の記載を参照して，引用発明における「半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物」を「光学的に透明な材料からなる基板の上に発光素子構造を形成した被加工物」に変更して，相違点１における本願発明１の構成とすることは，当業者において動機付けが存在するとともに，何ら困難性・阻害要因が存在せず，当業者ならば容易に想到し得る事項であるといえる。
　
ウ　相違点２について
　本願明細書の段落【０１３８】には「パルスレーザー光が照射されることで、被照射領域に存在していた物質の一部は運動エネルギーを得て外部へと高速で飛散する。このような物質の飛散を抑制して当該飛散に際して消費されるはずであったエネルギーをも被加工物における劈開／裂開面の形成に寄与させるようにすれば、より効率的に劈開／裂開面を形成することができる。」と記載され，同段落【０１４３】には「このように透明部材１０４を配置した状態で、上述の各加工パターンにて劈開／裂開加工を行った場合、被照射領域からの物質の飛散は該透明部材１０４によって抑制されて事実上起こらないため、単位パルス光によって与えられたエネルギーの劈開／裂開面の形成に対する寄与が、透明部材１０４を設けない場合に比して高まる。その結果、透明部材１０４を設けない場合よりも、先端部が深い位置にまで達した分割起点が、形成される」と記載されていることからみて，本願発明１の「透明部材」の技術的意義は，「物質の飛散を抑制して当該飛散に際して消費されるはずであったエネルギーをも被加工物における劈開／裂開面の形成に寄与させる」ことにあるといえる。
　刊行物２を参照すると，上記記載事項（２−ア）の「被加工物の表面に、使用するレーザ光に対して透過率の高い物質層を密接配置し、同物質層を通してレーザ加工する」からみて，刊行物２には「被加工物の表面に透過率の高い物質層を密接配置した状態でレーザ光を照射する」という技術的事項（以下「刊行物２事項」という）が記載されているといえ，該「物質層」の技術的意義は，同（２−ア）の「溶融物や蒸発物の飛散を防ぎ、溶融物や蒸発物によって持去られるエネルギーが加工に寄与するようになることにより加工効率の向上が得られる」にあるといえるから，上記本願発明１の「透明部材」の技術的意義とは，「物質の飛散エネルギーをも加工に寄与させる」点で類似しているといえる。
　そこで，引用発明に刊行物２事項を適用することが，当業者にとって容易想到であるかを検討すると，上記記載事項（１−ウ）の「加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない」からみて，引用発明において「多光子吸収」が起こるのは，加工対象物の表面ではなく内部であるから，加工対象物の表面上に透明部材（透過率の高い物質層）が存在しなくても，「物質の飛散」が発生しないことは明らかである。
　そうすると，上述したように「透過率の高い物質層を密接配置する」ことが刊行物２に記載され，該「物質層」の技術的意義が本願発明１の「透明部材」と類似するとしても，引用発明に刊行物２事項を適用して，相違点２における本願発明１の構成とすることには，動機付けが存在しない。
　以上を総合して判断すると，引用発明および刊行物２事項に基づいて，相違点２における本願発明１の構成とすることは，当業者が容易に想到し得る事項であるとはいえない。
　これに対して，原審の拒絶査定では，「被照射領域に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成」することが従来周知の技術的事項であるとして，特開２００５−８６１７５号公報（以下「周知例１」という），特開２００５−１２３３２９号公報（以下「周知例２」という），特開２００８−７８２３６号公報（以下「周知例３」という）および特開２００６−３３２５５６号公報（以下「周知例４」という）を提示し，該周知の技術的事項を勘案すれば，引用発明に刊行物２事項を適用する動機づけがないとまではいえない旨，説示されている。しかし，上記記載事項（１−イ）に「本発明の目的は、加工対象物の・・・・・表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することである。」とあるように，引用発明は，表面が溶融しないようにレーザ加工を行うことを目的としているところ，上記周知の技術的事項は，加工対象物の表面部分に直接変質領域を形成するものであって，表面が溶融し得るレーザ加工であるというべきであるから，引用発明を前提とすれば，上記周知の技術的事項を勘案する余地はなく，上記の判断を覆すことはできない。
　
エ　相違点３について
　上記「ウ　相違点２について」で説示したように，引用発明は，表面が溶融しないようにレーザ加工を行うことを目的としているから，当業者であれば，表面が溶融し得るレーザ加工である上記周知の技術的事項を引用発明に適用しようと試みるはずはない。
　また、被加工面において離散的に形成された被照射領域同士の間で、被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることは、周知例１〜４並びに刊行物１〜４，６および正しい刊行物５のいずれにも記載あるいは示唆がない。
　してみると，引用発明において，相違点３における本願発明１の構成とすることは，当業者が容易に想到し得る事項であるとはいえない。
　
カ　効果について
　そして，相違点２〜３により，本願発明１は，刊行物１〜４，６および正しい刊行物５の記載並びに上記周知の技術的事項から当業者といえども予測し得ない，本願明細書に記載された格別顕著な効果を奏するといえる。
　
キ　まとめ
　したがって，本願発明１は，引用発明，刊行物１〜４，６および正しい刊行物５記載の技術並びに周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）本願発明２について
　本願発明２は，本願発明１の「個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工面において離散的に形成されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射することによって、前記被照射領域に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、前記被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより」を「個々の単位パルス光が前記被加工面に離散的に照射されるように前記ステージと前記光源とを連続的に相対移動させつつ前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射し、前記個々の単位パルス光の被照射位置に表面部分から深さ方向にかけて延在する直接変質領域を形成し、前記個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって直前にもしくは同時に照射された前記単位パルス光の被照射位置との間に劈開もしくは裂開を生じさせることにより」と変更したものである。
　そして，本願発明２と引用発明とを比較すると，上記「（２）本願発明１について」において検討したと同様に，両者は，前記一致点にて一致し，前記相違点１〜３において相違するとともに，以下の点で相違する。
　
（相違点４）
本願発明２では「個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって直前にもしくは同時に照射された前記単位パルス光の被照射位置との間に劈開もしくは裂開を生じさせる」のに対して，引用発明ではそのような構成ではない点。
　
　そして，相違点１〜３については，上記「（２）本願発明１について」において検討したとおりである。
　また，「個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって直前にもしくは同時に照射された前記単位パルス光の被照射位置との間に劈開もしくは裂開を生じさせる」ことは，周知例１〜４並びに刊行物１〜４，６および正しい刊行物５のいずれにも記載あるいは示唆がない。
　したがって，本願発明２は，引用発明，刊行物１〜４，６および正しい刊行物５記載の技術並びに周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　
第５　本願発明
　本件補正は，上記のとおり，特許法第１７条の２第３項から第６項までの規定に適合するから，本願の請求項１および２に係る発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１および２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして，本願については，原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　
　よって，結論のとおり審決する。