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【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
β２ミクログロブリン（Ｂ２Ｍ）遺伝子に遺伝子組換え改変を含む単離細胞であって、前記細胞が霊長類細胞である、単離細胞。
【請求項２】
前記細胞が、前記Ｂ２Ｍ遺伝子のすべてのコピーの遺伝子組換え改変を含む、請求項１に記載の細胞。
【請求項３】
前記細胞がヒト細胞である、請求項１または２に記載の細胞。
【請求項４】
前記細胞が、１つ以上の組換え免疫調節遺伝子をさらに含み、それぞれが、前記細胞において免疫調節ポリペプチドを発現することができる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項５】
前記１つ以上の免疫調節遺伝子が、１本鎖融合ヒト白血球抗原（ＨＬＡ）クラスＩタンパク質をコードすることができるポリヌクレオチドを含む、請求項４に記載の細胞。
【請求項６】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、ＨＬＡ−Ａ、ＨＬＡ−Ｂ、ＨＬＡ−Ｃ、ＨＬＡ−Ｅ、ＨＬＡ−Ｆ、およびＨＬＡ−Ｇからなる群から選択されるＨＬＡクラスＩα鎖の少なくとも一部に共有結合したＢ２Ｍの少なくとも一部を含む、請求項５に記載の細胞。
【請求項７】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、Ｂ２Ｍの少なくとも一部ならびにＨＬＡ−Ｅ、ＨＬＡ−Ｇ、およびＨＬＡ−Ａからなる群から選択されるＨＬＡクラスＩα鎖の少なくとも一部を含む、請求項５に記載の細胞。
【請求項８】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、Ｂ２Ｍの少なくとも一部およびＨＬＡ−Ａの少なくとも一部を含む、請求項５〜７のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項９】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、Ｂ２Ｍの少なくとも一部およびＨＬＡ−Ａ０２０１の少なくとも一部を含む、請求項５〜８のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項１０】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、Ｂ２Ｍの少なくとも一部およびＨＬＡ−Ｅの少なくとも一部を含む、請求項５〜７のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項１１】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、Ｂ２Ｍの少なくとも一部およびＨＬＡ−Ｇの少なくとも一部を含む、請求項５〜７のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項１２】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、Ｂ２Ｍの少なくとも一部およびＨＬＡ−Ｂの少なくとも一部を含む、請求項５または６に記載の細胞。
【請求項１３】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、Ｂ２Ｍの少なくとも一部およびＨＬＡ−Ｃの少なくとも一部を含む、請求項５または６に記載の細胞。
【請求項１４】
前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質が、Ｂ２Ｍの少なくとも一部およびＨＬＡ−Ｆの少なくとも一部を含む、請求項５または６に記載の細胞。
【請求項１５】
前記細胞が、前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質によって前記細胞の表面に提示される標的ペプチド抗原をさらに発現する、請求項５〜１４のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項１６】
前記標的ペプチド抗原が、前記１本鎖融合ＨＬＡクラスＩタンパク質に共有結合している、請求項１５に記載の細胞。
【請求項１７】
前記細胞が、自殺遺伝子産物をコードすることができる１つ以上の組換え遺伝子をさらに含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項１８】
前記自殺遺伝子産物が、チミジンキナーゼおよびアポトーシスシグナル伝達タンパク質からなる群から選択されるタンパク質を含む、請求項１７に記載の細胞。
【請求項１９】
前記細胞が正常核型を有する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項２０】
前記細胞が非形質転換細胞である、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項２１】
前記細胞が幹細胞である、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項２２】
前記幹細胞が、造血幹細胞、胚性幹細胞、人工多能性幹細胞、肝幹細胞、神経幹細胞、膵幹細胞、および間葉幹細胞からなる群から選択される、請求項２１に記載の細胞。
【請求項２３】
前記幹細胞が多能性幹細胞である、請求項２１または２２に記載の細胞。
【請求項２４】
前記幹細胞が分化している、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項２５】
前記分化細胞が、樹状細胞、膵島細胞、肝細胞、筋細胞、ケラチノサイト、神経細胞、造血細胞、リンパ球、赤血球、血小板、骨格筋細胞、眼細胞、間葉細胞、線維芽細胞、肺細胞、消化管細胞、血管細胞、内分泌細胞、脂肪細胞、および心筋細胞からなる群から選択される、請求項２４に記載の細胞。
【請求項２６】
請求項１５または１６に記載の細胞を含むワクチンであって、前記標的ペプチド抗原に特異的な免疫応答を霊長類で誘発することができる、ワクチン。
【請求項２７】
前記霊長類がヒトであり、前記細胞がヒト細胞である、請求項２６に記載のワクチン。
【請求項２８】
請求項１〜２５のいずれか１項に記載の細胞を含むキット。
【請求項２９】
移植片をさらに含み、前記移植片が、請求項１〜２５のいずれか１項に記載の細胞を含む、請求項２８に記載のキット。
【請求項３０】
前記細胞がヒト細胞である、請求項２９に記載のキット。
【請求項３１】
免疫アジュバントをさらに含む、請求項２６に記載のワクチンを含むキット。
【請求項３２】
前記細胞がヒト細胞である、請求項３１に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウイルスを生産するために適当な条件下でウイルスに感染した宿主細胞を培養する工程を含むウイルスを生産するための方法であって、
該条件は、ウイルス生産を可能にするために有効な量および時間で脂肪酸を含み、
該脂肪酸は、少なくとも２０個の炭素を有し、
該ウイルスは、脂肪酸なしで行われる方法において生産されるウイルスと比較して、脂肪酸の存在下でより多い量で生産される、方法。
【請求項２】
脂肪酸がエイコサペンタエン酸（ＥＰＡ）、ドコサヘキサエン酸（ＤＨＡ）、アラキドン酸（ＡＡ）、ヘキサコサン酸（ＨＳＡ）およびオクタコサン酸（ＯＳＡ）からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
条件がコレステロールを含み、ウイルスが、脂肪酸およびコレステロールなしで行われる方法において生産されるウイルスと比較して、脂肪酸およびコレステロールの存在下でより多い量で生産される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
条件がスカベンジング化合物を含み、ウイルスが、脂肪酸およびコレステロールなしで行われる方法において生産されるウイルスと比較して、脂肪酸およびスカベンジング化合物の存在下でより多い量で生産される、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
スカベンジング化合物がアミノグアニジン、アルファ−トコフェロール、ヒドララジン、グリコシルイソビテキシン、Ｎ−アセチル−システイン、メトホルミン、ペニシラミン、ピリドキサミン、エダラボン（ＥＤＡ）、テニルセタム(tenilsetam)、リポ酸、３，３−ジメチル−Ｄ−システイン（ＤＭＣ）、Ｌ−３，３−ジメチル−Ｄ−システイン（Ｌ−ＤＭＣ）、Ｎ−アセチル−３，３−ジメチル−Ｄ−システイン（ＡＤＭＣ）、Ｎα−アセチル−Ｌ−システイン（ＮＡＣ）、３，３−ジメチル−Ｄ−システイン−ジスルフィド（ＤＭＣＳＳ）、Ｓ−メチル−ＤＭＣ（ＳＭＤＭＣ）、Ｌ−システイン（ＣＹＳ）、Ｌ−システイン−Ｏ−メチルエステル（ＣＹＳＭ）、３，３−ジメチル−Ｄ−システイン−メチルエステル（ＤＭＣＭ）、３−メチル−３−エチル−Ｄ−システイン（ＭＥＣ）、セミカルバジド塩酸塩ＳＣ（ヒドラジン  カルボキサミド）、１，１−ジメチル−ビグアニド塩酸塩（ＤＭＢＧ）、Ｎ−ｔｅｒｔブチルヒドロキシルアミン（ＢＨＡ）、フラボノイド、フラバノール、エピカテキン、フラバノン、ナリンゲニン、フラボノール、ケルセチン、フラボン(flavones)、ルテオリン、イソフラボン、ゲニステイン、アントシアニジン、シアニジン、フェノール／フェノール酸、フラバン(flavan)−３−オール化合物、プロシアニジン  Ｂ１（９．８）、プロシアニジン  Ｂ２、（＋）−カテキン、（−）−エピカテキン、カフタル酸、カフェ酸、およびケンペロールからなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
スカベンジング化合物がアミノグアニジンまたはアルファ−トコフェロールである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ウイルスを生産するために適当な条件下でウイルスに感染した宿主細胞を培養する工程を含むウイルスを生産するための方法であって、該条件は、ウイルス生産を可能にするために有効な量および時間でスカベンジング化合物を含み、該ウイルスは、スカベンジング化合物なしで行われる方法において生産されるウイルスと比較して、スカベンジング化合物の存在下でより多い量で生産される、方法。
【請求項８】
スカベンジング化合物がアミノグアニジン、アルファ−トコフェロール、ヒドララジン、グリコシルイソビテキシン、Ｎ−アセチル−システイン、メトホルミン、ペニシラミン、ピリドキサミン、エダラボン（ＥＤＡ）、テニルセタム(tenilsetam)、リポ酸、３，３−ジメチル−Ｄ−システイン（ＤＭＣ）、Ｌ−３，３−ジメチル−Ｄ−システイン（Ｌ−ＤＭＣ）、Ｎ−アセチル−３，３−ジメチル−Ｄ−システイン（ＡＤＭＣ）、Ｎα−アセチル−Ｌ−システイン（ＮＡＣ）、３，３−ジメチル−Ｄ−システイン−ジスルフィド（ＤＭＣＳＳ）、Ｓ−メチル−ＤＭＣ（ＳＭＤＭＣ）、Ｌ−システイン（ＣＹＳ）、Ｌ−システイン−Ｏ−メチルエステル（ＣＹＳＭ）、３，３−ジメチル−Ｄ−システイン−メチルエステル（ＤＭＣＭ）、３−メチル−３−エチル−Ｄ−システイン（ＭＥＣ）、セミカルバジド塩酸塩ＳＣ（ヒドラジン  カルボキサミド）、１，１−ジメチル−ビグアニド塩酸塩（ＤＭＢＧ）、Ｎ−ｔｅｒｔブチルヒドロキシルアミン（ＢＨＡ）、フラボノイド、フラバノール、エピカテキン、フラバノン、ナリンゲニン、フラボノール、ケルセチン、フラボン(flavones)、ルテオリン、イソフラボン、ゲニステイン、アントシアニジン、シアニジン、フェノール／フェノール酸、フラバン(flavan)−３−オール化合物、プロシアニジン  Ｂ１（９．８）、プロシアニジン  Ｂ２、（＋）−カテキン、（−）−エピカテキン、カフタル酸、カフェ酸、およびケンペロールからなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
スカベンジング化合物がアミノグアニジンまたはアルファ−トコフェロールである、請求項８に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月31日(2015.3.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入射側ガラス基板、背面側反射体、複数の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層及び光電変換層を有する光起電装置において、
前記光電変換層及び前記複数のＴＣＯ層が前記光入射側ガラス基板と前記背面側反射体の間に配置され、前記光入射側ガラス基板から前記背面側反射体に伝搬する入射光が、前記光電変換層と背面側ＴＣＯ層を通過する前に光入射側ＴＣＯ層を通過するように、配列される、
前記光入射側ＴＣＯ層が、周期波長ΛＲの共鳴結合分布を特徴とする、表面擾乱を有する、
前記光入射側ガラス基板が、周期波長ΛＤの拡散結合分布を特徴とする、表面擾乱を有する、
前記周期波長ΛＲの共鳴結合分布及び前記周期波長ΛＤの拡散結合分布が、前記光入射側ＴＣＯ層の前記光電変換層との界面、及び前記背面側ＴＣＯ層の前記光電変換層との界面において重畳され、合同して、（ｉ）比較的低い空間周波数範囲にわたり対応する共鳴結合周期波長ΛＲより高いパワースペクトル密度にある拡散結合周期波長ΛＤ及び（ｉｉ）比較的高い空間周波数範囲にわたり対応する拡散結合周期波長ΛＤより高いパワースペクトル密度にある共鳴結合周期波長ΛＲによって形成される、周波数依存パワースペクトル密度反転を定める、
前記光入射側ガラス基板の前記拡散結合周期波長ΛＤが、前記光電変換層の導波モードの間の拡散結合を強めるため、ほぼ１５００ｎｍとほぼ３０００ｎｍの間において、対応する前記光入射側ＴＣＯ層の前記共鳴結合周期波長ΛＲより高いパワースペクトル密度にある、及び
前記光入射側ＴＣＯ層の前記共鳴結合周期波長ΛＲは、前記光電変換層の選ばれた導波モードにおいて５５０ｎｍより長い波長の閉込めを最適化するため及び前記光電変換層の吸収端の内側の波長の閉込めを制限するため、ほぼ１５０ｎｍとほぼ５５０ｎｍの間において、対応する前記光入射側ガラス基板の前記拡散結合周期波長ΛＤより高いパワースペクトル密度にある
ことを特徴とする光起電装置。
【請求項２】
前記パワースペクトル密度反転がほぼ０.５μｍ−１（Λ〜２０００ｎｍ）とほぼ２.０μｍ−１（Λ〜５００ｎｍ）の間の周波数にあることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項３】
前記周波数依存パワースペクトル密度反転の前記比較的低い空間周波数範囲が少なくともほぼ０.５μｍ−１である、及び
前記周波数依存パワースペクトル密度反転の前記比較的高い空間周波数範囲が少なくともほぼ１.０μｍ−１である、
ことを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項４】
前記光入射側ガラス基板の前記拡散結合周期波長ΛＤは、前記光電変換層の屈折率と前記光入射側ＴＣＯ層の屈折率とのほぼ中間にある実効屈折率に対応する導波モードへの拡散結合に対して設定されていることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項５】
前記光入射側ガラス基板の前記拡散結合周期波長ΛＤが、前記光電変換層の導波モードの間の拡散結合を強めるため及び前記光電変換層に閉じ込められていないモードまたは輻射モードへのモード結合を阻止するため、ほぼ１５００ｎｍとほぼ３０００ｎｍの間において、対応する前記光入射側ＴＣＯ層の前記共鳴結合周期波長ΛＲより高いパワースペクトル密度にあることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項６】
前記パワースペクトル密度反転が、約２８０ｎｍよりも大きい周期波長において生じることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項７】
前記光入射側ガラス基板の前記表面擾乱が、前記光入射側ＴＣＯ層の前記擾乱とは独立に与えられることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項８】
前記光入射側ガラス基板の前記表面擾乱が、前記光入射側ＴＣＯ層の前記共鳴結合周期波長ΛＲには実質的に寄与しないことを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項９】
前記光電変換層の導波モードの間の拡散結合を最適化するため、前記光入射側ガラス基板の実質的にすべての前記表面擾乱が、ほぼ１００ｎｍとほぼ２００ｎｍの間の実効拡散結合振幅ＩＤ＊を特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項１０】
前記実効拡散結合振幅ＩＤ＊がほぼ１００ｎｍとほぼ２００ｎｍの間であり、かつ、前記光電変換層の厚さがほぼ２μｍからほぼ５μｍの間であることを特徴とする請求項９に記載の光起電装置。
【請求項１１】
前記光入射側ガラス基板の実質的にすべての前記表面擾乱が、約２００ｎｍよりも小さい実効拡散結合振幅ＩＤ＊を特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項１２】
前記光電変換層の選ばれた導波モードにおおける光の閉込めを最適化するため、前記光入射側ＴＣＯ層の実質的にすべての前記表面擾乱が、ほぼ１００ｎｍとほぼ１５０ｎｍの間の共鳴結合振幅ＩＲを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【請求項１３】
前記光電変換層の厚さがほぼ２μｍからほぼ５μｍの間であることを特徴とする請求項１２に記載の光起電装置。
【請求項１４】
前記光電変換層は、単接合非晶質シリコン変換層を含むか、非晶質シリコン層に加えて、微小結晶シリコン層、ドープされた非晶質シリコン層もしくは非晶質ゲルマニウムシリコン層を１層以上有する継続変換層を含むことを特徴とする請求項１に記載の光起電装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
動作において、入射光λは光入射側基板１０を通過して光電変換層４０に入る。図１に簡略に示されるような単接合非晶質シリコン変換層または図５に簡略に示されるような縦続変換層とすることができる、光電変換層の半導体材料はｐ-ｎ接合を有し、ｐ-ｎ接合は、光が接合を通過するときに自由電荷（電子及び正孔）を生成し、ＴＣＯ層３０，３５にかけて電圧を発生するという特徴を有する。図５に示されるように、縦続変換層４０'は一般に、非晶質シリコン層及び介在ＴＣＯ層に加えて、微小結晶シリコン層、ドープされた非晶質シリコン層または非晶質ゲルマニウムシリコン層を１層以上有する。代表的な縦続セル１００'は上述した光入射側ガラス基板１０，縦続変換層４０'，光入射側ＴＣＯ層３０及び背面側ＴＣＯ層３５，及び背面側反射体２０を有する。いずれの場合にも、半導体材料はシリコンベースである必要はないと考えられる。むしろ、光電変換層は、いずれも最新技術において文書で裏付けられている、ＣＩＧＳ（セレン化銅インジウムガリウム）及びＣｄＴｅに基づく薄膜光電変換技術を含むがこれらには限定されない、様々な適する光電変換半導体材料からなることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ装置で表示される通知を適応させる方法であって、
無線ネットワークの検出に応答して表示されるメッセージ通知を表示するステップと、
前記メッセージ通知を拒絶する動作又は前記メッセージ通知に対する無活動をモニタするステップと、
前記拒絶又は無活動に応答して、将来の同様のメッセージの通知が表示されるかどうかを変更するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記メッセージ通知は第１のメッセージ通知であり、将来の同様のメッセージを変更するステップは、
イベントを検出するステップと、
前記イベントに関連する第２のメッセージ通知を表示する前に、同じメッセージ通知に応答した過去のユーザ動作についてデータ記憶を確認するステップと、
前記過去のユーザ動作に基づき、前記第２のメッセージ通知をキャンセルし、あるいは、前記第２のメッセージ通知が如何にしてアクセスされるのかを変更するステップと
を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のメッセージ通知が如何にしてアクセスされるのかを変更するステップは、ポップアップウィンドウを表示することなく前記メッセージ通知をアクセス可能にするステップを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
将来の同様のメッセージの頻度を変更するステップは、システム状態又はコンテキスト情報に基づき順位付けレベルを決定するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記メッセージ通知は携帯電話機で表示され、前記メッセージは前記携帯電話機から発せられる、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記メッセージ通知は、自動的に表示されるポップアップウィンドウである、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
通知を適応させる方法であって、
無線ネットワークが利用可能であること、バッテリー残量が低いこと、ローミングステータスの変化があること、タイムゾーンの変化があること、又は時間変更があることのうちの１又はそれ以上の検出である第１のイベントに応答して第１のポップアップ通知を表示するステップと、
前記第１のポップアップ通知に対するユーザの応答をモニタするステップと、
前記ユーザの応答が前記第１のポップアップ通知に関心又は無関心を示したかどうかを決定するステップと、
前記ユーザの応答が関心を示した場合は、第２のイベントの検出時に前記第１のポップアップ通知と同様である第２のポップアップ通知を表示するステップと、
前記ユーザの応答が無関心を示した場合は、前記第２のポップアップ通知を抑制するステップと
を有する方法。
【請求項８】
携帯電話機でポップアップ通知を適応させる方法であって、
前記携帯電話機において、無線装置、バッテリー低下、ローミングステータスの変化、タイムゾーンの変化、又は時間変更のうちの１又はそれ以上の検出である局所的イベントを検出するステップと、
ユーザに対する前記局所的イベントの順位付けレベルに基づき、前記局所的イベントの検出に応答して前記携帯電話機で通知を表示すべきかどうかを決定するステップと
を有し、
前記決定するステップは、
同様の通知に対する１又はそれ以上の過去の応答を示す局所データ記憶からデータを取り出し、前記通知を表示すべきかどうかを決定する際に前記データを用いるステップと、
前記決定に基づき、前記順位付けレベルが閾値を超える場合はポップアップ通知を表示し、あるいは、前記順位付けレベルが前記閾値を超えない場合は前記通知を表示しないステップと
を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月6日(2015.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
広帯域アンテナであって、
導電層と、
接地層と、
前記導電層と前記接地層との間に配置された絶縁層と、
短絡ビアであり、前記絶縁層を貫通して前記導電層を前記接地層へ接続させる短絡ビアと、
第１のループであり、この第１のループは第１のポート及び第２のポートを有し、この第１のループは第１のポートにおいて整合回路へ接続され、且つ第２のポートにおいて短絡ビアへ接続され、この第１のループは第１の回路要素を有し、この第１のループは、第１の回路要素、第１のループの形状、前記導電層の形状、前記整合回路、及び前記短絡ビアの位置のうちの少なくとも一つを調節することにより整調可能である第１のループと、
第３のポート及び第４のポートを有する第２のループであり、第２のループは第３のポートにおいて前記整合回路へ接続され、且つ第４のポートにおいて前記短絡ビアへ接続され、この第２のループは第２の回路要素を有し、この第２のループは、第２の回路要素、第２のループの形状、前記導電層の形状、前記整合回路、及び前記短絡ビアの位置のうちの少なくとも一つを調節することにより整調可能である第２のループとを備え、
第１のループの少なくとも一部と第２のループとは前記絶縁層によって分離されている広帯域アンテナ。
【請求項２】
請求項１のアンテナにおいて、第１のループと第２のループとは同じ平面に置かれ、第１のポートと第３のポートとは第１の共通コンダクタを共有すると共に、第２のポートと第４のポートとは第２の共通コンダクタを共有するアンテナ。
【請求項３】
請求項１のアンテナにおいて、第１のループは前記導電層と平行であるアンテナ。
【請求項４】
請求項１のアンテナにおいて、第２の回路要素は集中受動的回路要素を含み、第２のループは、集中受動的回路要素を調節することにより整調可能であるアンテナ。
【請求項５】
請求項１のアンテナにおいて、第１の回路要素は集中受動的な回路要素であるアンテナ。
【請求項６】
請求項１のアンテナにおいて、第１の回路要素は導電ストリップであるアンテナ。
【請求項７】
請求項１のアンテナにおいて、第１のループは前記整合回路を調節することによって整調され、且つ第２のループは前記短絡ビアの位置を調節することによって整調されるアンテナ。
【請求項８】
請求項１のアンテナにおいて、第１のループは長方形状であり、０．２インチ×０．４インチ（約０．５ｃｍ×約１ｃｍ）に実質的に等しい寸法を有するアンテナ。
【請求項９】
請求項１のアンテナにおいて、前記短絡ビアは前記導電層の縁から実質的に０．１２インチ（約０．３ｃｍ）に位置するアンテナ。
【請求項１０】
アンテナを用いて電磁近距離場を生成する方法であって、そのアンテナは、第１のループ、第２のループ、整合回路、接地面、導電層、前記接地面と前記導電層との間に配置された絶縁層、前記絶縁層を貫通して前記導電層を前記接地層へ接続させる短絡ビアとからなり、第１のループ及び第２のループの各々は第１のポート及び第２のポートを有し、第１及び第２のループは、第１及び第２のループの第１のポートにおいて前記整合回路へ接続され、且つ第１及び第２のループの第２のポートにおいて前記短絡ビアへ接続され、前記短絡ビアは接地面を導電層へ接続し、第１及び第２のループの少なくとも一方は集中受動的回路要素を含み、前記方法は、
前記アンテナを整調して、第１のループに、第１の周波数と第２の周波数との間の第１の周波数バンドに亘る近距離場に実質的な利得で放射させ、及び、
前記アンテナを整調して、第２のループに、第２の周波数と第３の周波数との間の第２の周波数バンドに亘る近距離場における実質的な利得で放射させることを含む方法。
【請求項１１】
請求項１０の方法において、前記アンテナを整調して、第１のループに、第１の周波数バンドに亘る近距離場に放射させることは、第１のループの形状と、集中受動的回路要素と、前記短絡ビアの位置とのうちの少なくとも一つを調節することを含む方法。
【請求項１２】
請求項１１の方法において、前記アンテナを整調して、第２のループに、第２の周波数バンドに亘る近距離場に放射させることは、第２のループの形状と、集中受動的回路要素と、前記短絡ビアの位置とのうちの少なくとも一つを調節することを含む方法。
【請求項１３】
請求項１０の方法において、前記アンテナを整調して、第１のループに、第１の周波数バンドに亘る近距離場に放射させることは、前記アンテナの幾何形状を調節して、第１のループに、２０メガヘルツ（ＭＨｚ）よりも実質的に大きい３ｄＢ帯域に亘って放射させることを含む方法。
【請求項１４】
請求項１３の方法において、前記アンテナを整調して、第２のループに、第２の周波数バンドに亘る近距離場に放射させることは、前記アンテナの幾何形状を調節して、第２のループに、１０メガヘルツ（ＭＨｚ）よりも実質的に大きい３ｄＢ帯域に亘って放射させることを含む方法。
【請求項１５】
アンテナであって、
導電層と、
接地層と、
第１の絶縁層と、
第２の絶縁層であり、第１の絶縁層の少なくとも一部分と、第２の絶縁層とは、前記導電層と前記接地層との間に位置している第２の絶縁層と、
整合回路であり、駆動回路のインピーダンスの前記アンテナのインピーダンスへの実質的な整合を与えるように構成された整合回路と、
短絡ビアであり、この短絡ビアは前記導電層を前記接地層へ接続させ、前記導電層は第１の絶縁層上に配置され、且つ前記接地層は第２の絶縁層上に配置され、この短絡ビアは第１の絶縁層及び第２の絶縁層を貫通する短絡ビアと、
第１のポート及び第２のポートを有する第１の放射要素であり、この第１の放射要素は第１のポートにおいて前記整合回路へ接続され、且つ第２のポートにおいて前記短絡ビアに接続され、この第１の放射要素は第１の絶縁層と前記導電層の同一の側に位置している第１の放射要素と、
第３のポート及び第４のポートを有する第２の放射要素であり、この第２の放射要素は第３のポートにおいて前記整合回路へ接続され、且つ第４のポートにおいて前記短絡ビアに接続され、この第２の放射要素は第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に位置する第２の放射要素とを備えるアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月7日(2014.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２以上の光学モジュールを収容するハウジングを有する道路照明器具であって、前記光学モジュールが反射器内に配置された細長の光源を有しており、前記反射器が、向かい合う湾曲した縦方向壁及び向かい合う湾曲した端壁を有し、前記端壁が、前記光源が位置している平面に対して９０°以下の角度で配向されており、２以上の光学モジュールが互いに異なる形状の湾曲した縦方向壁を有している、照明器具。
【請求項２】
前記２以上の光学モジュールが、少なくとも実質的に等しい形状の端壁を有している、請求項１記載の照明器具。
【請求項３】
前記光源が複数のＬＥＤを有している、請求項１記載の照明器具。
【請求項４】
前記２以上の光学モジュールが、反対方向の光学軸を有している、請求項１記載の照明器具。
【請求項５】
前記縦方向壁の内の少なくとも１つが反射性クリップ素子を含んでいる、請求項１記載の照明器具。
【請求項６】
前記向かい合う縦方向壁が水平及び垂直の各々の方向に湾曲している、請求項１記載の照明器具。
【請求項７】
前記縦方向壁が前記端壁よりも長い、請求項１記載の照明器具。
【請求項８】
前記縦方向壁の各々が、前記光源が位置している平面に対して９０°未満の角度で配向されている、請求項１記載の照明器具。
【請求項９】
前記縦方向壁の各々が、前記光源が位置している平面に対して９０°以上の角度で配向されている、請求項１記載の照明器具。
【請求項１０】
電子回路モジュール及び少なくとも１つの光学モジュールを収容するハウジングを含む道路照明器具であって、
前記光学モジュールが、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む印刷回路板（ＰＣＢ）と、前記印刷回路板を取り囲む反射器とを有しており、前記複数の発光ダイオードが３以上のアレイに分けて配列されて、その内の第１のアレイが前記ＰＣＢの第１の端に隣接して配置され、第２のアレイが前記ＰＣＢの第２の端に隣接して配置され、第３のアレイが前記第１及び第２のアレイの間に配置されており、隣接するアレイのＬＥＤ間の距離が各々のアレイにおける隣接ＬＥＤ間の距離よりも大きい、道路照明器具。
【請求項１１】
前記第３のアレイによって放出された光の少なくとも約４０％が非反射光として前記ハウジングを出て行く、請求項１０記載の照明器具。
【請求項１２】
前記第１及び第２のアレイによって放出された光の少なくとも５０％が反射光として前記ハウジングを出て行く、請求項１１記載の照明器具。
【請求項１３】
前記第１及び第２のアレイによって放出された光の約１％〜約２５％が非反射光として前記ハウジングを出て行く、請求項１２の照明器具。
【請求項１４】
２以上の光学モジュールを有している請求項１５記載の照明器具。
【請求項１５】
２以上の光学モジュールを収容するハウジング有する道路照明器具であって、前記光学モジュールが反射器内に配置された複数の発光ダイオードを有しており、前記反射器が、向かい合う湾曲した側壁及び向かい合う湾曲した端壁を有していて、側壁が互いに異なる曲率を有しており、前記端壁が水平方向及び垂直方向に湾曲している、照明器具。
【請求項１６】
前記側壁が実質的に下方及び前方照明パターンを提供する、請求項１５記載の照明器具。
【請求項１７】
前記照明器具が、実質的に等しい側壁及び端壁を有する２つの光学モジュールを含んでおり、各々の光学モジュールが主光学軸を有していて、前記２つの光学モジュールの光学軸が反対向きである、請求項１５記載の照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオのシグネチャを発見する方法であって、
前記ビデオのフレームＮを複数のセルに分割するステップと、
フレームＮの各セルのビデオ属性を計算するステップと、
前記ビデオのフレームＮ＋１を前記複数のセルに分割するステップと、
フレームＮ＋１の各セルのビデオ属性を計算するステップと、
前記ビデオのフレームＮ−１を複数のセルに分割するステップと、
フレームＮ−１の各セルのビデオ属性を計算するステップと、
前記複数のセルの内各セルについて、前記フレームＮのビデオ属性と前記フレームＮ＋１のビデオ属性との間の差を含む、フレームＮとフレームＮ＋１間の差分メトリックを計算するステップと、
前記複数のセルの内各セルについて、前記フレームＮのビデオ属性と前記フレームＮ−１のビデオ属性との間の差を含む、フレームＮとフレームＮ−１間の差分メトリックを計算するステップと、
フレームＮとフレームＮ＋１間の前記差分メトリックが第１閾値を超過し、フレームＮとフレームＮ−１間の前記差分メトリックが第２閾値を超過しないのに応じて、フレームＮおよびフレームＮ＋１の一方または双方からの情報を含むビデオ・シグネチャを生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記複数のセルがＭ個のセルを含み、フレーム毎のＭ次元ベクトルが、前記複数のＭ個のセルの各々について前記ビデオ属性を含む、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、フレームＮとフレームＮ＋１間の前記差分メトリックを計算するステップが、フレームＮの前記Ｍ次元ベクトルとフレームＮ＋１の前記Ｍ次元ベクトル間のユークリッド距離を計算するステップを含む、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記ビデオ属性が当該セルの平均輝度である、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記ビデオ属性が、当該フレームの全てのセルの平均輝度に対して正規化した当該セルの平均輝度である、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記ビデオ・シグネチャが、フレームＮ＋１の前記ビデオ属性の各々と連結されたフレームＮの前記ビデオ属性の各々を含む、方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記ビデオのフレームＮを前記複数のセルに分割するステップが、前記フレームＮを４×４格子のセルに分割するステップを含む、方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、フレームＮ＋１はフレームＮの直後であり、フレームＮ−１はフレームＮの直前である、方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、フレームＮ−１をＭ個のセルに分割し、フレームＮ−１のＭ次元ベクトルが、各セルについての前記ビデオ属性を含み、フレームＮとフレームＮ−１間の前記差分メトリックを計算するステップが、フレームＮの前記Ｍ次元ベクトルとフレームＮ−１の前記Ｍ次元ベクトル間のユークリッド距離を計算するステップを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法であって、タイムスタンプを前記ビデオ・シグネチャに関連付けるステップを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法であって、前記第１閾値および前記第２閾値が等しい、方法。
【請求項１２】
ビデオのシグネチャを生成する方法であって、
前記ビデオのフレームＮをＭ個のセルの格子に分割するステップであって、フレームＮの各セルについての平均輝度値を含む、ステップと、
前記ビデオのフレームＮ＋１をＭ個のセルのグリッドに分割するステップであって、フレームＮ＋１の各セルについての平均輝度値を含む、ステップと、
前記ビデオのフレームＮ−１をＭ個のセルのグリッドに分割するステップであって、フレームＮ−１の各セルについての平均輝度値を含む、ステップと、
フレームＮ、フレームＮ＋１およびフレームＮ−１の各々のＭ次元ベクトルを計算するステップであって、前記Ｍ次元ベクトルが、その異なる次元毎に、当該フレームとは異なるセルの平均輝度値を含む、ステップと、
前記フレームＮのＭ次元ベクトルと前記フレームＮ＋１のＭ次元ベクトル間のユークリッド距離を計算するステップと、
前記フレームＮのＭ次元ベクトルと前記フレームＮ−１のＭ次元ベクトル間のユークリッド距離を計算するステップと、
フレームＮとフレームＮ＋１間の前記ユークリッド距離が第１閾値を超過し、且つ、フレームＮとフレームＮ−１間の前記ユークリッド距離が第２閾値を超過しないことに応じて、フレームＮ＋１の前記Ｍ次元ベクトルと連結されたフレームＮの前記Ｍ次元ベクトルを含むビデオ・シグネチャを生成するステップと
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、１つのフレームの各セルについての前記平均輝度値が、当該フレームの全てのセルについての平均輝度に対して正規化される、方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の方法において、前記Ｍ個のセルの格子が４×４格子である、方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の方法において、更に、繰り返し後続のフレームに進み、前記ビデオ内の追加のシグネチャを検索するステップを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の方法において、タイムスタンプを前記ビデオ・シグネチャに関連付けるステップを含む、方法。
【請求項１７】
論理サブシステムによって実行可能な命令を保持するデータ保持サブシステムであって、
ビデオ内にある一連の３つの連続フレームを繰り返し検査して、場面変化を求め、各前記検査が、
前記ビデオのフレームＮをＭ個のセルを含む格子に分割し、
フレームＮのＭ次元ベクトルを計算し、前記Ｍ次元ベクトルが、該Ｍ次元ベクトルの異なる次元毎に、フレームＮとは異なるセルの平均輝度値を含み、
前記ビデオのフレームＮ＋１を、Ｍ個のセルを含む格子に分割し、
フレームＮ＋１のＭ次元ベクトルを計算し、前記Ｍ次元ベクトルが、該Ｍ次元ベクトルの異なる次元毎に、フレームＮ＋１とは異なるセルの平均輝度値を含み、
前記ビデオのフレームＮ−１を、Ｍ個のセルを含む格子に分割し、
フレームＮ−１のＭ次元ベクトルを計算し、前記Ｍ次元ベクトルが、該Ｍ次元ベクトルの異なる次元毎に、フレームＮ−１とは異なるセルの平均輝度値を含み、
フレームＮの前記Ｍ次元ベクトルとフレームＮ＋１の前記Ｍ次元ベクトル間のユークリッド距離を計算し、
フレームＮとフレームＮ＋１間の前記ユークリッド距離が第１閾値を超過する場合に、前記フレームＮの前記Ｍ次元ベクトルとフレームＮ−１の前記Ｍ次元ベクトル間のユークリッド距離を計算し、
フレームＮとフレームＮ−１間の前記ユークリッド距離が第２閾値を超過しないことに応じて、フレームＮ＋１の前記Ｍ次元ベクトルと連結されたフレームＮの前記Ｍ次元ベクトルを含むビデオ・シグネチャを生成する
ことを含む、データ保持サブシステム。
【請求項１８】
請求項１７記載のデータ保持サブシステムにおいて、１つのフレームの各セルについての前記平均輝度値が、当該フレームの全てのセルについての平均輝度に対して正規化される、データ保持サブシステム。
【請求項１９】
請求項１７記載のデータ保持サブシステムにおいて、タイムスタンプを前記ビデオ・シグネチャに関連付けることを含む、データ保持サブシステム。
【請求項２０】
請求項１７記載のデータ保持サブシステムにおいて、前記格子が４×４格子である、データ保持サブシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月6日(2015.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムでの端末のランダムアクセス手続き制御方法において、
プライマリセル又はセカンダリ上からランダムアクセスプリアンブルを伝送する段階と、
前記ランダムアクセスプリアンブルの伝送回数に基づいて、ランダムアクセス問題が感知されたか決定する段階と、
もし、前記ランダムアクセスプリアンブルが前記プライマリセルから伝送された場合、前記ランダムアクセス問題を上位階層に指示する段階と、
もし、前記ランダムアクセスプリアンブルが前記セカンダリセルから伝送された場合、前記ランダムアクセス手続きが失敗して完了したものと決定する段階と
を含むことを特徴とするランダムアクセス手続き制御方法。
【請求項２】
もし、前記ランダムアクセス問題が前記プライマリセル上から感知された場合、無線資源制御（ｒａｄｉｏ  ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｃｏｎｔｒｏｌ，ＲＲＣ）連結再設立（ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  ｒｅ−ｅｓｔａｂｌｉｓｈｍｅｎｔ）手続きを実行する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のランダムアクセス手続き制御方法。
【請求項３】
もし、前記ランダムアクセス問題が前記プライマリセル上から感知されて解決されなかった場合、前記ＲＲＣ連結再設立手続きを実行する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２記載のランダムアクセス手続き制御方法。
【請求項４】
前記ＲＲＣ連結再設立手続き実行段階は、
もし、前記ランダムアクセス問題が前記プライマリセル上から感知された場合、タイマーを始める段階と、
前記タイマーが満了すると、前記ＲＲＣ連結再設立手続きの実行を中止する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項３記載のランダムアクセス手続き制御方法。
【請求項５】
前記ランダムアクセス手続きが失敗して完了したものと決定する段階は、
もし、前記ランダムアクセスプリアンブルが前記セカンダリセル上から伝送された場合、前記ランダムアクセス手続きを中止する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のランダムアクセス手続き制御方法。
【請求項６】
前記ランダムアクセス問題は、前記基地局からランダムアクセス応答が受信されない場合に感知されることを特徴とする請求項１記載のランダムアクセス手続き制御方法。
【請求項７】
無線通信システムの端末において、
基地局と信号を送受信する送受信部と、
プライマリセル又はセカンダリ上からランダムアクセスプリアンブルを伝送し、前記ランダムアクセスプリアンブルの伝送回数に基づいて、ランダムアクセス問題が感知されたか決定し、もし前記ランダムアクセスプリアンブルが前記プライマリセルから伝送された場合、前記ランダムアクセス問題を上位階層に指示し、もし前記ランダムアクセスプリアンブルが前記セカンダリセルから伝送された場合、前記ランダムアクセス手続きが失敗して完了したものと決定するように制御する制御部と
を含むことを特徴とする端末。
【請求項８】
前記制御部は、
もし、前記ランダムアクセス問題が前記プライマリセル上から感知された場合、無線資源制御（ｒａｄｉｏ  ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｃｏｎｔｒｏｌ，ＲＲＣ）連結再設立（ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  ｒｅ−ｅｓｔａｂｌｉｓｈｍｅｎｔ）手続きを実行するように制御することを特徴とする請求項７記載の端末。
【請求項９】
前記制御部は、
もし、前記ランダムアクセス問題が前記プライマリセル上から感知されて解決されなかった場合、前記ＲＲＣ連結再設立手続きを実行するように制御することを特徴とする請求項８記載の端末。
【請求項１０】
前記制御部は、
もし、前記ランダムアクセス問題が前記プライマリセル上から感知された場合、タイマーを始め、前記タイマーが満了すると、前記ＲＲＣ連結再設立手続きの実行を中止するように制御することを特徴とする請求項９記載の端末。
【請求項１１】
前記制御部は、
もし、前記ランダムアクセスプリアンブルが前記セカンダリセル上から伝送された場合、前記ランダムアクセス手続きを中止するように制御することを特徴とする請求項７記載の端末。
【請求項１２】
前記ランダムアクセス問題は、前記基地局からランダムアクセス応答が受信されない場合に感知されることを特徴とする請求項７記載の端末。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーティクルからの保護が改良されたウェハ容器において、該ウェハ容器は、開口前部を有する容器部と、前記開口前部を閉じるように寸法決定されたドアとを備えており、前記容器部は、頂壁を有する頂部と、一対の側壁と、後側壁を有する後側部と、外向きに露出した三溝キネマティックカップリングを有する底部とを備え、前記頂壁と、前記側壁と、前記後側壁と、前記底部とは開口内部を形成しており、前記容器部は、前記容器部の両側において前記開口内部に配置されて２６個のスロットを形成する２組の対向する棚をさらに備え、該２６個のスロットは、最上の第２６スロットと、前記開口前部を通じてウェハを収容するための最下スロットとを含んでおり、前記ウェハ容器は、前記容器部の頂部において前記容器部から上向きに延在するロボットフランジをさらに備えており、
前記ウェハ容器は、概して平坦なプレートとして構成されるパーティクルシールドをさらに備え、該パーティクルシールドは、前記容器部の頂部における第２６スロットにおいて前記ロボットフランジに対向するとともに前記頂壁から離間して存在することによって、前記頂壁において発生したパーティクルを収集し、該パーティクルが最上スロットのウェハに落ちることを抑制する、ウェハ容器。
【請求項２】
前記プレートは、複数のスロットとして構成される複数のアパチャを備える、請求項１に記載のウェハ容器。
【請求項３】
前記パーティクルシールドは、前記後側壁、前記側壁及び前記開口前部に適合する及び従う周長を有し、最上ウェハスロットにおけるウェハを少なくともほぼ覆うように寸法決定された、請求項１に記載のウェハ容器。
【請求項４】
前記シールドは、環状オレフィンポリマ、環状オレフィンコポリマ、液晶ポリマ、及びポリエーテルエーテルケトンのうちの１つから形成される、請求項３に記載のウェハ容器。
【請求項５】
前記２組の対向する棚は、架橋部材によって前記ウェハ容器の内部における前記ウェハ容器の頂部において互いに結合し、前記２組の対向する棚と、前記架橋部材とは互いに一体であり、前記ロボットフランジは前記架橋部材と係合する、請求項１に記載のウェハ容器。
【請求項６】
ウェハ容器において改良されたパーティクルからの保護を提供する方法において、
第２６スロットを有する前開口ウェハ容器を提供する工程と、
前記ウェハ容器における相対湿度を５％未満にするべく、前記前開口ウェハ容器にパージを提供する工程と、
前記ウェハ容器の頂部におけるロボットフランジによって前記ウェハ容器を輸送する工程であって、前記ウェハ容器の内部における前記ウェハ容器の頂部においてパーティクルが発生する、前記工程と、
前記第２６スロットにパーティクルシールドを配置することによって、前記ウェハ容器における最上ウェハと、前記ウェハ容器の頂部との間にバリアを提供する工程とを備える、方法。
【請求項７】
環状オレフィンポリマ、環状オレフィンコポリマ、液晶ポリマ、及びポリエーテルエーテルケトンのうちの少なくとも１つから形成される低吸湿性材料からなるウェハシールドを提供する工程をさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
パーティクルからの保護が改良されたウェハ容器において、該ウェハ容器は、開口前部を有する容器部と、前記開口前部を閉じるように寸法決定されたドアとを備えており、前記容器部は、頂壁を有する頂部と、一対の側壁と、後側壁を有する後側部と、外向きに露出した三溝キネマティックカップリングを有する底部とを備え、前記頂壁と、前記側壁と、前記後側壁と、前記底部とは開口内部を形成しており、前記容器部は、前記容器部の両側において前記開口内部に配置されて２６個のスロットを形成する２組の対向する棚をさらに備え、該２６個のスロットは、２５個のウェハスロットと、１個の最上のスロットとを含んでおり、前記ウェハスロットは、前記開口前部を通じてウェハを収容するためのスロットであり、前記ウェハ容器は、前記容器部の頂部において前記容器部から上向きに延在するロボットフランジをさらに備えており、
前記ウェハ容器はパーティクルシールドをさらに備え、該パーティクルシールドは、前記頂壁における前記最上のスロットに配置され、前記ロボットフランジの下に配置されており、前記パーティクルシールドは、前記頂壁に由来するパーティクルがウェハに落ちることを抑制するためのバリアを提供する、ウェハ容器。
【請求項９】
ウェハ容器において改良されたパーティクルからの保護をウェハに提供する方法において、
ウェハ容器において１０％未満の低いＲＨを３０分を超えて維持する工程と、
前記ウェハ容器の頂壁と、ウェハのスタックとの間の第２６スロットにパーティクルシールドを提供することによって、前記容器の頂内部において存在する又は放出されるパーティクルを制御する工程とを備え、前記パーティクルシールドは最上ウェハをほぼ覆う、方法。
【請求項１０】
パーティクルからの保護が改良されたウェハ容器において、該ウェハ容器は、開口前部を有する容器部と、前記開口前部を閉じるように寸法決定されたドアとを備えており、前記容器部は、頂壁を有する頂部と、一対の側壁と、後側壁を有する後側部と、外向きに露出した三溝キネマティックカップリングを有する底部とを備え、前記頂壁と、前記側壁と、前記後側壁と、前記底部とは開口内部を形成しており、前記容器部は、前記容器部の両側において前記開口内部に配置されて複数のスロットを形成する２組の対向する棚をさらに備え、該複数のスロットは、最上の第２６スロットと、該最上の第２６スロットよりも下に存在し、前記開口前部を通じてウェハを収容するためのスロットとを含んでおり、前記ウェハ容器は、前記容器部の頂部において前記容器部から上向きに延在するロボットフランジと、前記ウェハ容器をパージするための一対のパージポートとをさらに備える、ウェハ容器。
【請求項１１】
前記ウェハ容器は、概して平坦なプレートとして構成されるパーティクルシールドをさらに備え、該パーティクルシールドは、前記容器部の頂部の前記開口内部において第２６スロットに配置され、前記ロボットフランジに対向することと、前記頂壁から離間することと、最上ウェハスロットから離間することと、前記頂壁から前記最上ウェハスロットにおけるウェハをほぼシールドするように寸法決定されることとによって、前記頂壁に由来するパーティクルを収集し、該パーティクルが前記最上ウェハスロットの前記ウェハに落ちることをほぼ抑制する、請求項１０に記載のウェハ容器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス流からCO2を捕捉するための方法であって、CO2含有ガス流を、
第一級または非立体障害第二級アミン基、および
少なくとも1つの第三級アミンまたは立体障害第二級アミン基
を含む化合物と接触させるステップを含み、
前記第一級または非立体障害第二級アミン基と、これに最も近接した前記第三級または立体障害第二級アミン基とが、3個または4個の炭素原子を含む炭素鎖で隔てられており、かつ、前記化合物が式(I)：
【化１】
2014513631.tif 000001
[式中、
R1は、水素、C2〜C6アルカノールまたはC1〜C6アルキルであり、
R2は、水素、C1〜C6アルキル、C2〜C6アルカノール、-(CH2)n-NR6R7、-(CH2)p-COOH、-(CH2)pCOOQ、窒素、酸素および硫黄から独立に選択される1〜4個のヘテロ原子を含む-(CH2)p-ヘテロ環であり、
R3およびR5は、水素、C1〜C4アルキル、C2〜C6アルカノール、-(CH2)n-NR8R9から独立に選択され、
R4は、水素、C1〜C6アルキル、C2〜C6アルカノール、-(CH2)n-NR6R7、-(CH2)p-COOH、-(CH2)pCOOQ、-(CH2)p-SO3H、-(CH2)p-SO3Q、-(CH2)p-PO3H2、-(CH2)pPO3Qs、窒素、酸素および硫黄から独立に選択される1〜4個のヘテロ原子を含む-(CH2)p-ヘテロ環であり、
xは、0または1であり、
nは、2〜6であり、
pは、1〜6であり、
Qは、水素、金属イオンまたはR16R17R18R19N+であり、
sは、1または2であり、
R6およびR7は、水素、アルキル、アルカノール、アルキルアミンから独立に選択され、またはR6およびR7は、それらが結合する窒素原子と一緒になって環構造を形成し、
R8およびR9は、C1〜C6アルキル、C2〜C6アルカノール、C2〜C6アルキルアミン、-(CH2)n-NR6R7、-(CH2)p-COOH、-(CH2)pCOOQ、-(CH2)p-SO3H、-(CH2)p-SO3Q、-(CH2)p-PO3H2、-(CH2)pPO3Qs、から独立に選択され、またはR8およびR9は、それらが結合する窒素原子と一緒になって環構造を形成し、
R16、R17、R18、およびR19は、水素またはアルキルから独立に選択され、
ただし、
R4は水素である場合、R1および/またはR2は水素ではなく、
R4が水素でない場合、R1および/またはR2は水素であり、
R4とR1がどちらも水素である場合、R2はメチルではなく、
R4とR2がどちらも水素である場合、R1はメチルではない]
の化合物である、方法。
【請求項２】
前記化合物が、
R1が水素またはC1アルキルであり、
R2が水素、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-(CH2)2OH、-(CH2)3OH、-(CH2)6OH、-CH2COOH、-CH2COONa、-CH2COOK、-(CH2)2N(CH3)2、-(CH2)2N(CH2CH2)2O、-(CH2)2N(CH2CH2)2S、-CH2(5-イミダゾール)または-(CH2)2(5-イミダゾール)であり、
R3が水素であり、
R4が水素、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-(CH2)2OH、-(CH2)3OH、-(CH2)6OH、-CH2COOH、-CH2COONa、-CH2COOK、-(CH2)2N(CH3)2、-(CH2)2N(CH2CH2)2O、-(CH2)2N(CH2CH2)2S、-CH2(5-イミダゾール)または-(CH2)2(5-イミダゾール)であり、
R5が水素であり、
ただし、
R4が水素である場合、R2は水素ではなく、
R2が水素である場合、R4は水素ではなく、
R2が水素である場合、R1は水素であり、xは0である、式(I)の化合物である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記化合物が、
R1が水素またはC1アルキルであり、
R2が-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-(CH2)2OH、-(CH2)3OH、-(CH2)6OH、-CH2COOH、-CH2COONa、-CH2COOK、-(CH2)2N(CH3)2、-(CH2)2N(CH2CH2)2O、-(CH2)2N(CH2CH2)2S、-CH2(5-イミダゾール)または-(CH2)2(5-イミダゾール)であり、
R3が水素であり、
R4が水素であり、
R5が水素である、式(I)の化合物である、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記化合物が、
xが0であり、
R1が水素であり、
R2が水素であり、
R3が水素であり
R4が-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-(CH2)2OH、-(CH2)3OH、-(CH2)6OH、-CH2COOH、-CH2COONa、-CH2COOK、-(CH2)2N(CH3)2、-(CH2)2N(CH2CH2)2O、-(CH2)2N(CH2CH2)2S、-CH2(5-イミダゾール)または-(CH2)2(5-イミダゾール)であり、
R5が水素である、式(I)の化合物である、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記化合物が、
R1が水素またはC1アルキルであり、
R2が-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-(CH2)2OH、-(CH2)3OH、-(CH2)6OH、-CH2COOHまたは-(CH2)2N(CH3)2であり、
R3が水素であり、
R4が水素であり、
R5が水素である、式(I)の化合物である、請求項3に記載の方法。
【請求項６】
前記化合物が、
R1が水素であり、
R2が水素であり、
R3が水素であり、
R4が-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-(CH2)2OH、-(CH2)3OHまたは-(CH2)6OHであり、
R5が水素である、式(I)の化合物である、請求項4に記載の方法。
【請求項７】
前記化合物が、
R1が水素またはC1アルキルであり、
R2が水素、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、または-(CH2)2N(CH3)2であり、
R3が水素であり、
R4が水素、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、または-(CH2)2N(CH3)2であり、
R5が水素であり、
ただし、
R4が水素である場合、R2は水素ではなく、
R2が水素である場合、R4は水素ではなく、
R2が水素である場合、R1は水素であり、xは0である、式(I)の化合物である、請求項2に記載の方法。
【請求項８】
前記化合物が、
【化２】
2014513631.tif 000002
からなる群から選択される、請求項2に記載の方法。
【請求項９】
前記化合物が、
【化３】
2014513631.tif 000003
からなる群から選択される、請求項2に記載の方法。