【事件の表示】
　特許第２６６０８９１号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２６６０８９１号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
理　由
Ｉ．請求の要旨
　本件審判請求の要旨は、特許第２６６０８９１号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正するもので、その訂正の内容は次のとおりである。
(１)訂正事項ａ
　特許請求の範囲に、「熱膨張係数４８〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなり、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」とあるのを、「熱膨張係数が４８〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなり、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下で、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」と訂正する。
(２)訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明（段落【０００７】）に、「本発明は、上記目的を達成するために、硼珪酸系ガラスをベースとして、パッケージとの封着性に優れかつ固体撮像素子のノイズ発生を低減させることに成功したものである。」とあるのを、
「本発明は、上記目的を達成するために、熱膨脹係数が４８〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなり、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下で、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラスである。」と訂正する。（なお、審判請求書の「７．（３）」の「訂正事項ｂ」には、訂正前の【０００７】の記載を「本発明は、上記目的を達成するために、熱膨脹係数が４８〜７５×１０−７Ｋ−１の硼酸系ガラスからなり、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラスである。」と特定しているが、このような記載は訂正前の【０００７】にはないので、前記のように認定した。）
　
II．当審の判断
１．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否について
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲に「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下で、」という構成を加えるものであるから、特許請求の範囲を減縮する訂正に該当する。
　また、訂正事項ｂは、上記訂正に伴なって、発明の詳細な説明の記載部分に生じた不整合な記載を訂正して、特許請求の範囲の記載との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する
　そして、願書に添付した明細書の段落【００１１】には「本発明のガラス中に含まれる放射性同位元素（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）の含有量の合計は１００ＰＰｂ以下であることが望ましい。これらα放射性元素の濃度が１００ｐｐｂを越えると、α線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以上に増大し、固体撮像素子のノイズ発生の原因となる。したがって同時に固体撮像素子パッケージ用窓ガラスからのα線放出率を０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下に抑えることが好ましい。」と記載され、【００１２】には、「また、α放射性元素の精製分離が困難なＦｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯ、ＺｒＯ２等については、原料や溶融工程からの混入を防止する必要がある。たとえガラス中にこれらが混入した場合でも、各々１００ｐｐｍ以下に抑えることが望ましい。これらの成分が各々１００ｐｐｍを越えて含有されるとα放射性元素の濃度が１００ｐｐｂを越え、α線放出量が急激に増大するからである。」と記載されているので、上記訂正事項ａ、ｂは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであって、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
２．独立特許要件についての判断
(１)訂正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明
　訂正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明（以下、「訂正後の発明」という。）は、訂正請求書に添付された全文明細書の特許請求の範囲に記載された以下のとおりである。
　「熱膨張係数が４８〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなり、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下で、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」
　
(２)訂正後の発明の出願日について
　本件は、特許法第４１条の規定に基づき、平成４年１月８日（以下、「優先日」という。）に出願された特願平４−１９５２４号出願（以下、「基礎出願」という。）に基づく優先権を主張して、平成４年１１月６日に出願されたものである。
　そして、基礎出願の明細書には、
「【請求項２】ガラス中のＦｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２ 、ＰｂＯ、ＺｒＯ２ 含有量が各１００ｐｐｍ以下であり、かつガラスからのα線放出量が０．１ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」
「【請求項３】・・・、熱膨張係数が４８〜６５×１０−７℃−１であることを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」
「【００１３】平均熱膨張係数（０〜３００℃）を４８〜６５×１０−７℃−１に限定した理由は、パッケージ材料が主としてアルミナ（Ａｌ２ Ｏ３ ）セラミックとなるため、エポキシ系樹脂封着あるいはフリットガラス封着いずれの場合も、熱膨張係数をアルミナと同一、または低めに保持し封着強度の向上、そりなどの変形を防止するためである。」
と記載されていると共に、段落【００１６】の【表１】に記載された実施例１〜６の平均熱膨張係数（×１０−７Ｋ−１）及びα線放出量（ｃ／ｃｍ２・ｈ）については、それぞれ以下のとおり記載されている。
「　実施例　　　１　　２　　３　　４　　５　　６
平均熱膨張係数　53　　50　　59　　57　　60　　65
α線放出量　　　0.09　0.03　0.05　0.02　0.01　0.005　」
　以上の記載から明らかなように、訂正により付加された、「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下で、」という構成については、基礎出願の明細書に記載されている。
　しかしながら、訂正の前後に共通する構成要件であるところの熱膨張係数に関し、基礎出願の明細書には、熱膨張係数が「６５〜７５×１０−７Ｋ− １」である点については記載がないことは明らかである。
　すなわち、訂正後の発明のうち、「熱膨張係数が４８〜６５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなり、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下で、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」については、上記の優先日が認められるが、「熱膨張係数が６５〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなり、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下で、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」については、上記の優先日が認められず、現実の出願日である、平成４年１１月６日に出願したものと認められる。
　
(３)引用刊行物
　訂正前の本件特許に対しての取消決定において引用されたもの、及び当審において通知した訂正拒絶理由において引用されたものは、下記のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　記。
刊行物１：特公平２一１００９９号公報
刊行物２：特開平１−３２０２３６号公報
刊行物３：特開平１−１７３６３９号公報
刊行物４：実願昭６２一２００８１２号（実開平１−１０４７４７号）のマ　　　　　イクロフィルム
刊行物５：「インスペック」１９８５年　春号　Ｎｏ．３、第８３〜８８頁
刊行物６：特開昭５９一１６９９５５号公報
刊行物７：「日経エレクトロニクス」、１９７９年８月６日
刊行物８：特開昭４−２１９３４２号公報（平成４年８月１０日公開）
　
(４)各刊行物に記載された発明
　上記各刊行物には、それぞれ次の事項についての記載がある。
刊行物１
（１−１）特許請求の範囲第１項
　「重量百分率で、ＳｉＯ２　６５〜７５％、Ａ１２Ｏ３　４〜８％、Ｂ２Ｏ３８〜１５％、ＢａＯ　０．５〜５％、ＺｎＯ　０．５〜２．５％、Ｎａ２　Ｏ＋Ｋ２Ｏ　９．９〜１４％、Ｌｉ２Ｏ　０〜３％、ＭｇＯ　０〜３％、ＣａＯ　０〜３％からなる基本組成を有し、熱膨張係数が６０〜７０×１０−７／℃であるアルミナ封着用硼珪酸ガラス。」
（１−２）第１欄第２２〜２６行
　「本発明は、ＣＣＤ等の固体撮像素子を収納するアルミナパッケージの窓ガラス及びアルミナ基板上に設置される固体撮像素子ないし薄膜撮像素子のキャップガラスの用途に特に適したアルミナ封着用硼珪酸ガラスに関するものである。」
（１−３）第２欄第２７行〜第３欄第３行
　「アルミナセラミツクとフリットシールを行なうためには、ガラスの熱膨張係数αがアルミナセラミックの熱膨張係数α＝約７０×１０−７／℃と適合しなけばならない。そのため、ガラスの熱膨張係数αは６０〜７０×１０−７／℃である必要がある。」
（１−４）第４欄第４〜１１行
　「本発明は、イメージセンサの窓ガラスあるいはキャップガラスとして用いられるガラスとして、アルミナとの封着性がよく（熱膨張係数６０〜７０×１０−７／℃）、溶融が容易で（１０２．５　ｐｏｉｓｅ温度、１４００℃以下）、溶融時にガラス表面からの蒸発が少なく（蒸発率２％未満）、かつ耐風化性に優れた（アルカリ溶出量０．１ｍｇ以下）ガラスを得ることを目的とするものである。」
刊行物２
（２−１）特許請求の範囲
　「少なくとも重量百分率で、ＳｉＯ２　５０〜７０％、Ｂ２Ｏ３　５〜２０％、Ａｌ２Ｏ３　０．２〜１６％、Ｆｅ２Ｏ３　５０〜２００ｐｐｍを含有するガラスであって、屈折率（ｎｄ）が１．５２以下、アッべ数（νｄ）が５５以上、平均線膨張係数が３５〜６５×１０−７／℃の範囲内にあり、かつ波長３００ｎｍにおける透過率が肉厚２ｍｍで３０％以上であることを特徴とする固体撮像素子用カバーガラス。」
（２−１）第２頁右下欄第１１〜１３行
　「平均線膨張係数は、アルミナセラミックパッケージとの封着性を良好に保つために３５〜６５×１０−７／℃の範囲内にあることが必要である。」
（２−３）第３頁左上欄第６〜１６行
　「以上のような構成成分を含有するガラスでは、Ｆｅ２Ｏ３が２００ｐｐｍを越えると紫外線透過率が低下し、蛍光発生が顕著となりノイズの発生が増加する。一般にＦｅ２Ｏ３含有量が少ない程、紫外線透過率は改善されることが知られている。しかしながら、微量でガラスの特性に大きな影響を与える不純物成分を完全に除去するのは非常に困難である。このためＦｅ２Ｏ３が５０ｐｐｍ未満というような高純度なガラスを得るためには、原料・設備にかかるコストの著しい上昇を招くので好ましくない。」
刊行物３
（３−１）第１頁右下欄第１０行〜第２頁左上欄第１９行
　「［従来の技術］従来、この種の固体撮像装置としては、アルミナ製のセラミックパッケージ内にＣＣＤイメージャーチップを載置し、さらに、ケイ酸塩ガラスよりなるシールガラスをもって前記チップを封入した構造のものがある。
［発明が解決しようとする問題点］しかしながら、このような従来例にあっては、以下に示すような問題点を有している。即ち、シールガラスに含まれるα線放出核に起因してα線が、ＣＣＤイメージャーチップの受光部分、垂直・水平転送レジスタに入射することによって、正孔・電子対が誘起され、これが信号源となり瞬間的に画像に輝点や白線を生じさせる問題点がある。また、α線が入射することにより、ＣＣＤイメージャーチップ側に永久損傷が発生し、例えば暗信号時に、微小で不安定な白点が生じる等の問題点がある。そこで、このような問題点を解消するためにα線放出核の少ない高純度石英ガラスでなるシールガラスを用いた場合、パッケージを形成するアルミナの熱膨張率
７×１０
−７
（３−２）第２頁右上欄第５〜１２行
　「［問題点を解決するための手段］そこで、本発明は、ＣＣＤイメージャーチツプをガラスセラミックスからなるパッケージに載置すると共に、該パッケージに高純度石英ガラスよりなるシールガラスを接着し、前記パッケージの熱膨張率が、前記ＣＣＤイメージャーチツプの熱膨張率と前記シールガラスの熱膨張率との中間の値であることを、その構成としている。」
（３−３）第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第２行
　「このように、シールガラス３に高純度石英ガラスを用いることを可能としたことにより、シールガラス３からＣＣＤイメージヤーチツプ２へと入射するα線の数を、従来の硼ケイ酸アルカリ土類ガラスでシールガラスを形成したものに比して１／１０〜１／１００に減少させることが出来る。」
刊行物４
（４−１）第１頁第１５行〜第２頁第２行
　「この考案は、固体撮像装置において、所定の厚みを有し、且つ着色したプラスチックよりなるフレア防止板を、シールガラスとＣＣＤイメージヤーチツプとの間に介在させてパッケージングしたことにより、コストの低廉化を期すると共に、α線の悪影響を大幅に減少させたものである。」
（４−２）第２頁第３行〜第３頁第６行
　「［従来の技術］従来、この種の固体撮像装置としては、パッケージ内のダイパット上にＣＣＤイメージャーチツプを載置し、該ＣＣＤイメージャーチツブを所定の電極に接続した後、金属薄板にクロムメッキを施してなる、反射によるフレアを防ぐためのフレア防止板を装着し、さらに、シールガラスで前記ＣＣＤイメージャーチツプ及びフレア防止板を封止したものが知られている。
［考案が解決しようとする問題点］このような従来例にあっては、フレア防止板が金属薄板にクロムメッキを施してできているため、コストが高くなる問題点を有している。そのため、最近ではこのフレア防止板を用いない傾向となっている。しかしながら、フレア防止板を用いない場合、シールガラスやパッケージに含まれているα線放出核（放射性物質等）に起因して発生するα線のエネルギーでＣＣＤイメージャーチップに正孔・電子対が誘起され、これが信号源となって、画像に瞬間的な輝点や白線を生じたり、永久損傷として微少で不安定な白線（暗信号時）を生じるといった問題点を有している。」
（４−３）第３頁第１７行〜第４頁第５行
　「［作用］シールガラスとＣＣＤイメージャーチップとの間に介在させたフレア防止板は、プラスチックで形成されているため、シールガラスより放出されるα線の一部と、パッケージより放出されるα線の略全部を遮断し、ＣＣＤイメージャーチップに入射するα線の粒子数を減少させる。」
（４−４）第７頁第６〜９行
　「プラスチック製のフレア防止板でα線の影響を低下させたことにより、パッケージ材料にα線放出核の少ないものを採用しなければならないという制約を緩和出来る効果がある。」
刊行物５
（５−１）第８３頁左欄第２〜１１行
　「ＩＣやＬＳＩの信頼性にかかわる故障の原因については、種々の発生メカニズムが解明されているが、ＩＣチップ周辺やパッケージ材料から放出されるα線も故障の原因の一つである。パッケージ等の材料中にｐｐｍ（またはｐｐｂ）単位で存在するウラニウム（Ｕ）やトリウム（Ｔｈ）がα崩壊する際、α線が放出されるが、このα線（α粒子）は、チップ表面の記憶ノード付近を透過する際、多くの電子−正孔対を生成し、これがロジカル“１”と“０”とを逆転させて、いわゆるシングル・ビット・エラーの原因をつくる。」
（５−２）第８３頁左欄１４〜１７行
　「ＭＯＳダイナミックＲＡＭやＣＣＤの大容量化とともに、種々のソフト・エラーを抑える対策が請じられてきたが、本質的には、ＩＣを構成する素材として、α線発生の、より少ない材料を用いることが不可欠となってくる。」
（５−３）第８６頁右欄第２行〜第８７頁左欄第２行
　「現在サーディップ等のパッケージ用として大量に使用されているアルミナは、主としてボーキサイト鉱からバイヤー法（カセイソーダにアルミナ分のみを抽出して分離精製する方法）で製造されている。天然のボーキサイト鉱中には、ＵおよびＴｈがそれぞれ５〜１０ｐｐｍ、２０〜４０ｐｐｍ程度含有されているが、バイヤー法で普通に精製されたアルミナは、ＵおよびＴｈがそれぞれ０．０５〜ｌｐｐｍ、０．０１〜０．１ｐｐｍ程度にまで減少している。…（中略）…低α線アルミナは、さらに特殊な処理をしてＵおよびＴｈを除去することにより、α線を０．０１ｃ／ｃｍ２　・ｈ以下に減らしたアルミナである。…（中略）…さらに０．００１ｃ／ｃｍ２・ｈのアルミナの製造も技術的には可能である。」
（５−４）第８７頁右欄第１９〜２７行
　「ＩＣの高集積化が、ますます進行するにつれて、アルミナに限らず、ＩＣを構成する素材すべてについて、低Ｕ（Ｔｈ）化がのぞまれるようになった。すなわち、セラミック・パッケージを低α化するためには、主原料のアルミナ以外に、焼結体をつくるための鉱化剤（カオリン、タルク等）、有機バインダ、顔料等にいたるまで、低Ｕ（Ｔｈ）の原材料が必要となる。またＩＣチップ近傍で使用される素材、たとえばボンディング・ワイヤや封止用ガラス等についても同様である。」
（５−５）第８７頁右欄第２８行〜第８８頁第１５行
　「一方、それぞれの材料や製品において、低Ｕ（Ｔｈ）化を実現するためには、それぞれの製造工程での品質管理が重要な課題である。…（中略）…セラミックパッケージとしては、現段階では、０．０２ｃ／ｃｍ２・ｈ以下のものが低αＩＣパッケージとして製造されており、次段階として０．０１ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が目標と思われる。鉱化剤は一般に天然品が多く、添加量は少量でもパッケージのα線量に著しく影響を与える。このため、主原料であるアルミナのα線量は、０．０１ｃ／ｃｍ２・ｈでは不足であり、さらに一桁低いものが要求されるようになる。」
刊行物６
（６−１）第１頁右下欄第２０行〜第２頁左上欄第１８行
　「半導体装置の気密封着用の低融点ガラスとしては、若干量のＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＰｂＦ２等が添加され、通常ＰｂＯ：７０〜８５重量％およびＢ２Ｏ３：１０〜１３重量％を主成分とするホウ酸鉛系ガラスが従来用いられているが、…（中路）…このように半導体装置のアッセンブリーには、外部雰囲気の遮断性にすぐれた封着剤としてホウ酸鉛系の低融点ガラスが使用されているが、このような従来のガラスを封着剤として使用した半導体装置では半導体メモリーが一過性の誤動作を起こす現象があり、そのメモリーエラーのために装置の信頼性に難点があった。」
（６−２）第２頁左上欄第１９行〜同頁右上欄第９行
　「そこで、本発明者は、上記のような観点から、半導体装置のメモリーエラーの発生を防止すべく種々研究を重ねた結果、このメモリーエラーの発生は低融点ガラス中に不可避不純物として含まれる放射性同位元素に起因することを見出すとともに、その含有量を２０ｐｐｂ（ｌｐｐｂは１億分の１）未満とすれば放射性α粒子のカウント数を０．１ＣＰＨ（カウント／時）／ｃｍ２　以下に抑えることが可能となり、以ってメモリーエラーの発生がなく、きわめて信頼性の高い半導体装置を得ることができるという知見を得た。」
（６−３）第２頁左下欄第１５行〜第３頁左下欄第２行
　「実施例ブランク原料として放射性同位元素の含有量を低く調製した酸化鉛とホウ酸鉛、およびホウ酸、水酸化アルミニウム、珪砂、フッ化鉛、亜鉛華を用意し、所定量を第１表に示される配合組成に配合し、混合して白金るつぼに装入し、８００〜９００℃にて約３０分間溶融させた後冷却して板状に成形し、粉砕して、それぞれ配合組成と実質的に同一の組成をもち、かつ放射性同位元素の含有量が２０ｐｐｂ未満である本発明低融点ガラス１〜３の１５０メッシュ以下の粉末を製造し、さらに、酸化鉛とホウ酸鉛として、それぞれ放射性同位元素の含有量が高い通常の酸化鉛とホウ酸鉛を使用する以外は、同一の条件で放射性同位元素の含有量が本発明の範囲から外れて高い比較低融点ガラス１〜３の粉末を製造した。…（中略）…このようにして得られた各パッケージにおける封着用低融点ガラスの放射性同位元素含有量およびα粒子カウント数を測定すると共に、パッケージのメモリーエラーにの有無も観察した。これらの結果を第１表に合せて示した。第１表に示される結果から、放射性同位元素の含有量が２０ｐｐｂ未満である本発明低融点ガラス１〜３を用いた場合にはいずれもα粒子のカウント数が０．１ＣＰＨ／ｃｍ２以下であって、メモリーエラーの発生が認られず…（中略）…この発明の低融点ガラスは、α粒子を放射する放射性同位元素を２０ｐｐｂ未満しか含まないので、半導体装置の封着用ガラスとして使用した場合、そのα粒子に起因するメモリーエラーの発生を著しく低減することができる。」
刊行物７
（７−１）第５８頁右欄第４〜３１行
　「ＣＣＤの方が、ＭＯＳＲＡＭよりずっとアルファ線に弱い（図１）。…（中略）…アルファ線が半導体にあたるとキャリヤ（電子−正孔対）が発生する。このキャリヤがデバイスの誤動作の原因となるのである。アルファ線はパッケージ材料に含まれる微量のウラン（Ｕ）またはトリウム（Ｔｈ）から出る。」
（７−２）第６２頁左欄第９行〜同頁中欄第３行
　「表１でもわかるように、アルファ線束が従来とりわけ大きかったのはガラスである。…（中略）…ガラスのアルファ線束が従来大きかった理由の一つは、成分としてジルコニア（Ｚｒ）を添加することが多かったことである。しかし、Ｚｒを取り除くことも可能で、材料の組合せを変えればアルファ線量は十分下げられるという。」
（７−３）第６３頁左欄第２２〜２９行
　「原材料の選択、別の充填剤への切り替えなどである程度アルファ線束を下げることが可能とされている。結局どのタイプのパッケージでも、アルファ線束を０．０１〜０．１αｃｍ−２ｈｒ−１にすることは、値上げをしなくてもできるようだ。」
刊行物８
（８−１）【０００１】
　「本発明は蛍光測定に使用される試料セルや、固体撮像素子を保護するカバーガラスに使用される低蛍光性ガラスに関する。」
（８−２）【請求項１】
　「重量基準でＳｉＯ２４５〜８０％　Ｂ２Ｏ３０〜２５％　Ａｌ２Ｏ３０〜３０％　アルカリ金属酸化物（Ｒ２Ｏ）２〜２０％を含み、これらの成分の合量が９０％以上である基礎ガラス組成物に、この基礎ガラス組成物１００％に対して、Ａｓ２Ｏ３４％以下　Ｓｂ２Ｏ３４％以下　Ａｓ２Ｏ３＋Ｓｂ２Ｏ３０．０５〜４％　Ｖ２Ｏ５１０ｐｐｍ以下　ＣｕＯ１０ｐｐｍ以下　ＣｅＯ２１ｐｐｍ以下を含有すること特徴とする低蛍光性ガラス。」
（８−３）【０００２】
　「…（略）…近年、カメラ一体型ＶＴＲなどに多用される固体撮像素子は受光素子であるＬＳＩチップをアルミナセラミック製のパッケージ内に納め、エポキシ樹脂などを用いて、受光部をカバーガラスで封止した構造になっているが、従来、このカバーガラスとして白板ガラスや無アルカリバリウムシリケートガラスが用いられていた。しかし、それらのカバーガラスから発生する蛍光が固体撮像素子に入り、ノイズとなって、素子の性能を劣化させることが問題視されている。」
（８−４）【００１０】
　「第１発明の低蛍光性ガラスおよび第２発明の低蛍光性ガラスにおいて、基礎ガラス組成物は、上述の成分の合量が９０％以上である。従って、上述の成分以外に合量で１０％未満のＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｐ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５等を添加できるが、これらの成分は二価金属酸化物ほど蛍光に対する影響は大きくないが、大量の添加は悪影響を及ぼすので避けなければならない。」
（８−５）【００１３】
　「上記の成分が上記の範囲を超えると、低蛍光性ガラスが得られず、本発明の目的を達成できない。なお、第１発明のガラスおよび第２発明のガラスにおいて、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯおよびＣｅＯ２は合量で０．０５〜１０ｐｐｍであるのが特に低蛍光性にすぐれたガラスを得るために好ましい。そのほかの不純物であるＦｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＭｎＯ２等は、数１０ｐｐｍ程度の混入は差し支えない。またＰｂＯはそれ自体が蛍光を出すため好ましくない成分であるが、１００ｐｐｍ以下の不純物オーダーなら問題ない。」
（８−６）【表１】
　表１には、各試料Ｎｏ．１〜１５及び市販ガラスＡ、Ｂの成分及び蛍光強度の測定結果が記載されており、該表によれば、成分としてＴｉＯ２およびＺｒＯ２が含まれないガラス組成が殆どであるが、試料Ｎｏ．８はＺｒＯ２を１．５％含有し、試料Ｎｏ．９はＴｉＯ２を１．０％含んでいることが示されている。
　
(５)対比
　訂正後の発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１記載の「アルミナ封着用棚珪酸ガラス」は、その熱膨張係数が６０〜７０×１０−７／℃であって、これは訂正後の発明における硼珪酸系ガラスの熱膨張係数４８〜７５×１０−７Ｋ−１と重複する部分を有すること及び刊行物１には、刊行物１記載の「アルミナ封着用硼珪酸ガラス」が、固体撮像素子を収納するアルミナパッケージの窓ガラスとして使用されることが記載されていることをそれぞれ勘案すると、両者は「熱膨張係数４８〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなる固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」の構成の点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：
　訂正後の発明は、「ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下である」ことを構成要件としているのに対し、刊行物１には上記の構成については記載がない点
相違点２：
　訂正後の発明は、硼珪酸ガラスが、「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下」であることを構成要件としているのに対し、刊行物１には、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２をガラスの構成成分とすることについては記載がなく、これらの成分が具体的にどの程度含まれているかについては明らかでない点。
(６)相違点についての判断
（６−１）相違点１について
　刊行物３には、固体撮像装置としては、アルミナ製のセラミックパッケージ内にＣＣＤイメージャーチップを載置し、さらに、珪酸塩ガラスよりなるシールガラスによって前記チップを封入した構造のものがあるところ、このシールガラスに含まれるα線放出核に起因してα線が、ＣＣＤイメージヤーチップの受光部分、垂直、水平転送レジスタに入射することによって、正孔・電子対が誘起され、これが信号源となり瞬間的に画像に輝点や白線を生じさせる問題点があることが記載されており、この問題点を解決するためにα線放出核の少ない高純度石英ガラスをシールガラスとして用いるようにしたことが記載されており、これにより、シールガラスからＣＣＤイメージヤーチップへと入射するα線の数を、従来の硼ケイ酸アルカリ土類ガラスでシールガラスを形成したものに比して１／１０〜１／１００に減少させることができたことが記載されている。
　また、刊行物４には、従来の、パッケージ内のダイパット上にＣＣＤイメージャーチップを載置し、これにフレアを防ぐためのフレア防止板を装着し、さらに、シールガラスで前記ＣＣＤイメージャーチップ及びフレア防止板を封止した固体撮像装置に関して、このフレア防止板を用いない場合には、シールガラスやパッケージに含まれているα線放出核（放射性物質等）に起因して発生するα線のエネルギーでＣＣＤイメージャーチップに正孔・電子対が誘起され、これが信号源となって、画像に瞬間的な輝点や白線を生じたり、永久損傷として微少で不安定な白線（暗信号時）を生じるといった問題点が生じることが記載されている。
　上記刊行物３、４の記載を勘案すると、固体撮像素子パッケージ用窓ガラスの材料からα線が放出されると、このα線が素子に悪影響を生じるため、このα線の影響をなくす必要があることは周知の技術課題であったといえる。
　そして、このようなα線の影響を防ぐには、窓ガラスの材料としてα線を放出しないものを採用するか、α線の放出があっても素子がその影響を受けないようにすればよいことは当業者には自明のことである（因みに、刊行物３記載のものでは、α線放出核が少ない材料である高純度石英ガラスをガラス窓の材料として採用し、刊行物４記載のものでは、ガラスから放出されるα線を遮蔽するという方法を採用している。）。
　一方、刊行物５、７には、ＣＣＤ等のデバイスにおいて、ＩＣやＬＳＩの信頼性にかかわる故障の原因については、種々の発生メカニズムが解明されているところ、ＩＣチップ周辺やパッケージ材料から放出されるα線も故障の原因の一つであること、そして、ソフト・エラーを抑えるためには、本質的には、ＩＣを構成する素材として、α線発生の、より少ない材料を用いることが不可欠であること、アルミナに限らず、デバイスを構成する素材すべてについて、低Ｕ（Ｔｈ）化が望まれるようになり、セラミック・パッケージについてはこれを低α化するためには、主原料のアルミナ以外に、焼結体をつくるための鉱化剤（カオリン、タルク等）、有機バインダ、顔料等にいたるまで、低Ｕ（Ｔｈ）の原材料が必要であり、これはＩＣチップ近傍で使用される素材、例えば封止用ガラスについても同様であることが記載されている。
　また、刊行物６にも、固体撮像素子についての直接的な記載はないが、半導体装置のメモリーエラーを防ぐために、半導体装置を構成する低融点ガラスの原料中の放射性同位元素の含有量を低くすることによってガラスのα線放出量を低減することが記載されている。
　すなわち、刊行物５〜７には、装置を構成する部材からのα線による影響を防ぐために、原材料自体の放射性同位元素量を低減させて、この原材料から部材を製造し、これによって部材からのα線の放出量を低減することが記載されている。
　そして、刊行物３によって、「硼ケイ酸アルカリ土類ガラス」（これは、「硼珪酸系ガラス」に相当する。）はα線を放射することが知られていることをも勘案すれば、引用例１記載の発明の硼珪酸系ガラスにおいても、その原材料中のα線放出核を低減することによって、部材としてのガラスのα線放出量を少なくすることは、刊行物３〜６の記載を相互に勘案することによって当業者が容易に想到し得たものであるとするべきである。
　更に、このα線の放出量はできるだけ少なくすることが望ましいことは自明のことであるが、製造コストの観点及び品質管理の観点からその許容値を確認することは当業者が適宜に行うべきものであるところ、その許容値は、当業者が、α線放出量（α線放出核数）と素子に生じるノイズとの関係を調べる単なる試験を行うことにより格別の技術的創作力を要することなく決定できることであるから、訂正後の発明におけるように、放射性同位元素の合計量を１００ｐｐｂ以下と、また、ガラスからのα線放出量を０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下とそれぞれ設定することは当業者が容易になし得たものとせざるを得ない。
　上記のとおりであるから、前記相違点１は格別のものではなく、引用例１記載の発明において、「ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下」とすることは、刊行物３〜７の記載に基づいて当業者が容易に想到し得たことと認める。
  
（６−２）相違点２について
　刊行物１には、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２の具体的な含有量については記載がないことは、前述のとおりである。
　また、刊行物２には、「少なくとも重量百分率で、ＳｉＯ２　５０〜７０％、Ｂ２Ｏ３　５〜２０％、Ａｌ２Ｏ３　０．２〜１６％、Ｆｅ２Ｏ３　５０〜２００ＰＰｍを含有するガラスであって、屈折率（ｎｄ）が１．５２以下、アッべ数（νｄ）が５５以上、平均線膨張係数が３５〜６５×１０−７／℃の範囲内にあり、かつ波長３００ｎｍにおける透過率が肉厚２ｍｍで３０％以上であることを特徴とする固体撮像素子用カバーガラス」に関し、「一般にＦｅ２Ｏ３含有量が少ない程、紫外線透過率は改善されることが知られている。しかしながら、微量でガラスの特性に大きな影響を与える不純物成分を完全に除去するのは非常に困難である。このためＦｅ２Ｏ３が５０ｐｐｍ未満というような高純度なガラスを得るためには、原料・設備にかかるコストの著しい上昇を招くので好ましくない。」（摘記事項（２−３）参照）と記載があるが、その他の「ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２」については記載がない。
　また、刊行物３及び４には、前述のとおり、固体撮像素子パッケージ用窓ガラスの材料からα線が放出されると、このα線が素子に悪影響を生じるため、このα線の影響をなくす必要があることが記載されているが、刊行物３記載のものでは、α線放出核が少ない材料である高純度石英ガラスをガラス窓の材料として採用し、刊行物４記載のものでは、ガラスから放出されるα線を遮蔽するという方法を採用しており、硼珪酸系ガラス中の「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２」を１００ｐｐｍ以下にするという点については何ら示唆する記載もない。  
　また、刊行物５〜７には、前述のとおり、装置を構成する部材からのα線による影響を防ぐために、原材料自体の放射性同位元素量を低減させて、この原材料から部材を製造し、これによって部材からのα線の放出量を低減することが記載されている。
　そして、刊行物６（上記摘記事項（６−３）参照）には、通常の酸化鉛（ＰｂＯ）は放射性同位元素の含有率が高い事を教示する記載があるが、その他の「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、およびＺｒＯ２ 」については記載がない。また、刊行物６記載の発明は、封止用低融点ガラスに関するものであって、硼珪酸系ガラスに関するものではない。よって、刊行物６の記載から、硼珪酸系ガラス中の「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、およびＺｒＯ２」を１００ｐｐｍ以下にするという技術思想を導くことはできない。
  刊行物７（上記摘記事項（７−２）参照）には、ガラスのアルファ線束が従来大きかった理由の一つは、成分としてジルコニア（Ｚｒ）を添加することが多かったことであり、そのＺｒを取り除くことも可能で、材料の組合せを変えればアルファ線量は十分下げられることが記載されているが、その他の「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、およびＰｂＯ」については記載がない。
  刊行物８は、本件の優先日（平成４年１月８日）後であって、本件の現実の出願日（平成４年１１月６日）前である、平成４年８月１０日に公開されたものであるが、前述のとおり、訂正後の発明のうち、「熱膨張係数が６５〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなり、Ｆｅ２Ｏ３、が各々１００ｐｐｍ以下で、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」については優先日が認められず、現実の出願日である平成４年１１月６日に出願したものと認められるから、該発明については、刊行物８は、出願前に頒布された刊行物であるといえる。
　そこで、刊行物８の記載を検討するに、刊行物８には、固体撮像素子を保護するカバーガラスに関して、「Ｆｅ２Ｏ３」については数１０ｐｐｍ程度の混入は差し支えないこと及び「ＰｂＯ」はそれ自体が蛍光を出すため好ましくない成分であるが、１００ｐｐｍ以下の不純物オーダーなら問題ないことがそれぞれ記載されている（摘記事項（８−５）参照）が、「ＴｉＯ２」及び「ＺｒＯ２」については、「１０％未満の量を添加できるが、これらの成分は二価金属酸化物ほど蛍光に対する影響は大きくないが、大量の添加は悪影響を及ぼすので避けなければならない。」との記載があり（摘記事項（８−４）参照）、ガラス組成の具体例を記載した表１には、試料Ｎｏ．８として、ＺｒＯ２を１．５％含有した例、及び試料Ｎｏ．９として、ＴｉＯ２を１．０％含した例が記載されている（摘記事項（８−６）参照）。
　してみると、刊行物８には、「Ｆｅ２Ｏ３およびＰｂＯ」については、１００ｐｐｍ以下にすることが示唆はされてはいるもの、「ＴｉＯ２及びＺｒＯ２」については、１００ｐｐｍ以下にすることが示唆されているとすることはできない。
　以上のことから、刊行物２には、訂正後の発明とその目的が異なるものの、「Ｆｅ２Ｏ３」の量を減らすことについては示唆されており、また、刊行物６には、通常のＰｂＯが放射性同位元素を多く含有していることが記載されており、該記載から「ＰｂＯ」の使用を避けることが示唆されているということができ、また、刊行物７には、Ｚｒを取り除くことが記載されており、該記載から「ＺｒＯ２」の使用を避けることが示唆されているということができ、さらに、刊行物８には、固体撮像素子保護用カバーガラスにおいて、「Ｆｅ２Ｏ３およびＰｂＯ」については、１００ｐｐｍ以下にすることが示唆はされているといえる。しかしながら、「ＴｉＯ２」を１００ｐｐｍ以下にする点については、これらのいずれの刊行物にも記載がない。
　そして、訂正後の発明では、「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２」を「１００ｐｐｍ以下」にすることにより、本件明細書の段落【００１２】に記載された「これらの成分が各々１００ｐｐｍを越えて含有されるとα線放射性元素の濃度が１００ｐｐｂを越え、α線放出量が急激に増大する」という問題を回避しうるものである。
　
（７）まとめ
　よって、訂正後の発明は、刊行物１ないし８に記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものとはいえない。　
  したがって、訂正後の発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
  
III．むすび
　以上のとおりであるから、本件審判請求は、特許法第１２６条第１項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第２項ないし第４項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。