【事件の表示】
　特許第３２４７３０１号「再生半導体ウェハとその再生方法」の請求項１ないし１９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２４７３０１号の請求項１ないし１２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３２４７３０１号発明は、平成８年１０月３日（パリ条約による優先権主張１９９５年１０月３日、米国）の出願であって、平成１３年１１月２日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人久村美香子より、全請求項である請求項１〜請求項１９に対して、特許異議の申立てがなされた。これに対し、当審より平成１４年１０月２３日付で取消しの理由（以下「取消理由１」という。）を通知したところ、その指定期間内である平成１５年２月３日に特許権者より特許異議意見書及び全文訂正明細書を添付した訂正請求書が提出された。更に、当審より平成１５年３月１３日付で取消しの理由（以下「取消理由２」という。）を通知したところ、その指定期間内である平成１５年６月１１日に特許権者より特許異議意見書及び全文訂正明細書を添付した訂正請求書が提出され、同日に平成１５年２月３日付訂正請求は、取り下げられた。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正事項
（１）訂正事項ａ
　本件特許の登録時の明細書（以下「登録明細書」という。）の特許請求の範囲に記載の、
　「【請求項１】基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウェハの再生方法であって、砥粒を６体積％以上含有する研磨液を用いると共に、有機ポリマーよりなるパッドを回転させ前記半導体ウェハに圧接させて研磨力を作用させることにより、上記表面層にマイクロクラックを導入しつつ前記表面層を除去する工程と、基板表面を化学的にエッチングする工程を有することを特徴とする半導体ウェハの再生方法。
【請求項２】砥粒を含有する前記研磨液の粘度が室温において２ｃＰ以上である請求項１に記載の再生方法。
【請求項３】前記研磨液中の砥粒が酸化ジルコニウム、炭化珪素．酸化アルミニウムよりなる群から選択される１種以上である請求項１または２に記載の再生方法。
【請求項４】前記砥粒の平均粒子径が５〜１６μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の再生方法。
【請求項５】前記パッドが、ショアＤスケールで４０以上の硬度を有する請求項１〜４のいずれかに記載の再生方法。
【請求項６】前記有機ポリマーがポリウレタンである請求項５に記載の再生方法。
【請求項７】前記パッドが半導体ウェハに圧接される際の圧力が３ｐｓｉ以下である請求項１〜６のいずれかに記載の再生方法。
【請求項８】基板のエッジ部に形成された表面層を機械的に除去する工程を有する請求項１〜７のいずれかに記載の再生方法。
【請求項９】基板のエッジ部に形成された表面層を、研磨テープを用いて除去する請求項８に記載の再生方法。
【請求項１０】前記研磨テープには砥粒がテープ表面に固着されると共に、該砥粒が平均粒子径６μｍ以上である炭化珪素及び／または酸化アルミニウムである請求項９に記載の再生方法。
【請求項１１】２０〜４５重量％の水酸化カリウムを含有し、５０〜１００℃のエッチング水溶液を用いて化学エッチングを行う請求項１〜１０のいずれかに記載の再生方法。
【請求項１２】化学エッチングを行った後の基板表面に酸性溶液を作用させる請求項１〜１１のいずれかに記載の再生方法。
【請求項１３】前記酸性溶液が５０〜１００重量％のリン酸を含有し、４０〜１４０℃の温度である請求項１２に記載の再生方法。
【請求項１４】化学エッチングが施された基板の両面または片面をポリシングする請求項１〜１３のいずれかに記載の再生方法。
【請求項１５】再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量が３０μｍ以下である請求項１〜１４のいずれかに記載の再生方法。
【請求項１６】基板表面に形成された表面層が除去され、光沢のあるポリッシュ面と光沢のないマット面を有する再生半導体ウェハであって、上記マット面に形成されたエッチピットの幅が２０μｍ以下であることを特徴とする再生半導体ウェハ。
【請求項１７】前記マット面の平均表面粗さが０．５μｍ以下であり、最大粗さが５μｍ以下である請求項１６に記載の再生半導体ウェハ。
【請求項１８】再生前の半導体ウェハに形成されたレーザーマーキングを、前記マット面に有する請求項１６または１７に記載の再生半導体ウェハ。
【請求項１９】同一直径を有するプライムウェハの標準厚さと比較して、厚さの差が３０μｍ以下である請求項１６〜１８のいずれかに記載の再生半導体ウェハ。」を、
　「【請求項１】　基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウェハの再生方法であって、
平均粒子径が５〜１６μｍである
３ｐｓｉ以下の圧力で
該工程後に
有し、再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量が３０μｍ以下である
【請求項２】　砥粒を含有する前記研磨液の粘度が室温において２ｃＰ以上である請求項１に記載の再生方法。
【請求項３】　前記研磨液中の砥粒が酸化ジルコニウム、炭化珪素、酸化アルミニウムよりなる群から選択される１種以上である請求項１または２に記載の再生方法。
【請求項
４
１〜３
【請求項
５
４
【請求項
６
１〜５
【請求項
７
６
【請求項
８
７
【請求項
９
１〜８
【請求項
１０
１〜９
【請求項
１１
１０
【請求項
１２
１〜１１
　上記登録明細書の請求項１から１９の訂正箇所は、次のとおりである。
ア　訂正箇所１
　登録明細書の請求項１に記載の「砥粒を」を、「平均粒子径が５〜１６μｍである砥粒を」と訂正する。
イ　訂正箇所２
　登録明細書の請求項１に記載の「圧接させて」を、「３ｐｓｉ以下の圧力で圧接させて」と訂正する。
ウ　訂正箇所３
　登録明細書の請求項１に記載の「前記表面層を除去する工程と、基板表面を化学的にエッチングする工程」を、「前記表面層を除去する工程と、該工程後に基板表面を化学的にエッチングする工程」と訂正する。
エ　訂正箇所４
　登録明細書の請求項１に記載の「エッチングする工程を有することを特徴とする」を、「エッチングする工程を有し、再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量が３０μｍ以下であることを特徴とする」と訂正する。
オ　訂正箇所５
　登録明細書の請求項４、請求項７、及び請求項１５を削除する。
カ　訂正箇所６
　上記訂正箇所５の訂正に伴い、登録明細書の請求項５〜６、請求項８〜１４を請求項４〜１２に順に繰り上げるとともに、各請求項４〜１２の引用している請求項の記載を、それぞれ、「請求項１〜３」、「請求項４」、「請求項１〜５」、「請求項６」、「請求項７」、「請求項１〜８」、「請求項１〜９」、「請求項１０」、「請求項１〜１１」と訂正する。
キ　訂正箇所７
　登録明細書の請求項１６〜１９を削除する。
（訂正部分をアンダーラインで示している。）
（２）訂正事項ｂ
　登録明細書の【発明の名称】の欄の「再生半導体ウェハとその再生方法」を、「半導体ウェハの再生方法」と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａ
ア　訂正箇所１
　訂正箇所１は、登録明細書の請求項１に記載の砥粒を、「平均粒子径が５〜１６μｍである」砥粒と訂正するものであり、具体的に砥粒の大きさを数値範囲で示すことにより、限定するもので、特許請求の範囲を減縮している。この限定事項は、登録明細書の請求項４の構成要件である。
イ　訂正箇所２
　訂正箇所２は、登録明細書の請求項１に記載の圧接を、「３ｐｓｉ以下の圧力で」圧接、と訂正するものであり、具体的に圧接を数値範囲の圧力で示すことにより、限定するもので、特許請求の範囲を減縮している。この限定事項は、登録明細書の請求項７の構成要件である。
ウ　訂正箇所３
　訂正箇所３は、登録明細書の請求項１に記載の「前記表面層を除去する工程」と、「基板表面を化学的にエッチングする工程」の工程の前後関係を明確にするために、「該工程後に基板表面を化学的にエッチングする工程」と訂正するものであり、この訂正は、明りようでない記載の釈明を目的とするものである。　そして、この訂正は、登録明細書の段落【００３０】における、「図１［Ｃ］：表裏面研磨工程」及び段落【００３１】における、「図１［Ｄ］：エッチング工程」という記載に基づいている。
エ　訂正箇所４
　訂正箇所４は、その特徴として「再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量が３０μｍ以下であること」を付加して、限定するものである。そして、この訂正は、登録明細書の段落【００７６】における、「本発明法により再生したウェハは、再生前のウェハ基板と比較して厚さの減少量を３０μｍ以下に抑制できる。」という記載に基づいている。
オ　訂正箇所５
　訂正箇所５は、登録明細書の請求項４、請求項７、及び請求項１５を削除する訂正であり、特許請求の範囲を減縮するものである。
カ　訂正箇所６
　訂正箇所６は、上記訂正箇所５の訂正に伴い、登録明細書の請求項５〜６、請求項８〜１４を請求項４〜１２に順に繰り上げるとともに各引用している請求項を訂正するものであり、この訂正は、明りようでない記載の釈明を目的とするものである。
キ　訂正箇所７
　訂正箇所７は、登録明細書の請求項１６〜１９を削除する訂正であり、特許請求の範囲を減縮するものである。
　上記の如く、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮および明りようでない記載の釈明を目的とし、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂ            
　訂正事項ｂについては、上記の特許請求の範囲の記載を訂正することに伴い、明細書の発明の名称の欄の記載の整合性を確保しようとするものであり、この訂正は、明りようでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、この訂正は、新規事項の追加に該当せず、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立て及び取消しの理由についての判断
１　特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人久村美香子は、異議申立の証拠として次の甲第１号証〜甲第１１号証を提出している。     
　甲第１号証　　　　特開平６一３４９７９５号公報
　甲第２号証　　　　米国特許第５１３１９７９号明細書及び同訳文
　甲第３号証　　　　特開平５一１２７９号公報
　甲第４号証　　　　特公平７一８３００８号公報
　甲第５号証　　　　特開昭５８一２２５１７７号公報
　甲第６号証　　　　特公平４一２４１８７号公報
　甲第７号証　　　　特開平５一２７７９０８号公報
　甲第８号証　　　　特開平６一２５４７７２号公報
　甲第９号証　　　　特公昭４４一７６４１号公報
　甲第１０号証　　　特開昭５３一１４２１６８号公報
　甲第１１号証　　　特開平７一５０３２８号公報
　そして、特許異議申立人久村美香子は、次の（１）〜（３）を主張している。
（１）   本件特許の請求項１〜１５に係る発明は、甲第１号証〜甲第１１号証の記載に基づいて、容易に想到できるものであって、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができないものである。
（２）　本件特許の請求項１６〜１９に係る発明は、甲第１号証に記載されており、特許法第２９条第１項第３号に該当し、或いは、甲第１号証及び甲第２号証の記載に基づいて、容易に想到できるものであって、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができないものである。
（３）　本件特許の請求項１５に係る発明は、発明が明確ではなく、記載不備であり、その特許は、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反してなされたものである。
２　取消しの理由の概要
（１）取消理由１
　取消理由１は、特許異議申立人久村美香子の提出した特許異議申立書の取消し理由に沿ったもので、概略次のとおりである。
　甲第１〜１１号証の記載事項は、特許異議申立書第１０頁第１９行〜第１４頁第６行に記載されているとおりである。
　そして、本件特許の請求項１６〜１９に係る発明は、上記特許異議申立書第１４頁第１４行〜第１９頁第１２行に記載された理由により、それぞれ特許法第２９条第１項第３号若しくは同第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができないものである。
　また、本件特許の請求項１〜１５に係る発明は、上記特許異議申立書第１９頁第１３行〜第３３頁第６行に記載された理由により、それぞれ特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができないものである。
（２）取消理由２
　取消理由２は、登録明細書の請求項１の記載不備について、「請求項１に記載の発明は、再生前のウェハ基板と比較して厚さの減少量を３０μｍ以下に抑制する（明細書段落００７６参照）ための構成が不明であり、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない。」というものである。
３　本件特許発明
　上記のように本件特許については訂正が認められており、本件特許の請求項１〜１２に係る発明（以下「本件発明１〜１２」という。）は、上記第２の１（１）に記載された、訂正後の請求項１〜１２に記載されたとおりのものと認める。
　なお、上記訂正により、取消理由２は、解消した。
４　各甲号証の記載
　上記甲第１号証〜甲第１１号証を以下刊行物１〜刊行物１１という。
（１）刊行物１
　刊行物１には、次の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウエーハを面取りする面取り工程と、面取りされたウエーハを平面化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウェーハの加工歪を除去するエッチング工程と、エッチングされたウェーハの片面を研磨する表面研磨工程と、研磨されたウエーハを洗浄する洗浄工程を含む半導体ウエーハの製造方法において、前記エッチング工程におけるエッチングをアルカリエッチングとするとともに、該エッチング工程と前記表面研磨工程との間に、前記アルカリエッチングによってウエーハの裏面に形成された凹凸の一部を除去する裏面研磨工程を組み込んだことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。」（特許請求の範囲、請求項１）
イ　「一般に、半導体ウエーハの製造方法には、・・・・・・エッチングされたウエーハの片面を研磨する表面研磨工程と、・・・・が含まれる。」（段落０００２）
ウ　「酸エッチングでは、高いエッチング速度が得られ、ウエーハ表面には図４に示すように周期１０μｍ以下、Ｐ−Ｖ（ｐｅａｋ　ｔｏＶａｌｌｅｙ）値０．６ μｍ以下の細かな粗さの凹凸が観察されるのに対し、アルカリエッチングでは、エッチング速度は遅く、ウエーハ表面には図５に示すように周期１０〜２０μｍの大きな粗さの凹凸（Ｐ−Ｖ値が１．５μｍを超えるものもある）が観察される。」（段落０００３）
エ　「そこで、ウエーハの表裏両面を研磨すれば、ウエーハ裏面には大きな粗さの凹凸が存在しないために発塵が抑えられ、」（段落０００９）
オ　「尚、アルカリエッチングに使用されるエッチング液としては、ＮａＯＨやＫＯＨの水溶液が選ばれる。」（段落００１３）
カ　「又、ウェーハは両面研磨されず、裏面研磨工程においてその裏面が軽く研磨される（スライトポリッシュされる）のみであるため、・・・・裏面の輝度は表面のそれよりも低く抑えられ、両面の輝度差がセンサーによるウェーハの表裏の検知を可能ならしめる。」（段落００１６）
キ　「上記スライス工程Ａによって得られたウエーハは、割れや欠けを防ぐために、その外周エッジ部が次の面取り工程Ｂで面取りされ、この面取りされたウエーハは、ラッピング工程Ｃで不図示のラップ盤を用いてラッピングされて平面化される。」（段落００２２）
ク　「次に、平面化された上記ウエーハは、次のエッチング工程Ｄで例えばＮａＯＨの４５％水溶液をアルカリエッチング液として用いたアルカリエッチングを受け、これに蓄積された加工歪が除去されるが、」（段落００２３）
（２）刊行物２
　刊行物２には、次の事項が、実質的に記載されている。          
ア　「１．次の工程からなる半導体ウェーハの再生方法。
　廃棄された半導体製品を構成するために原料ウェーハに付加された全ての層をウェーハから除去する工程；
　ウェーハエッジ部のラウンド形状を再形成する工程；
　ウェーハの前面を再研磨する工程；
　前記ウェーハの前面近傍に新しい無欠陥領域を形成しかつ前記ウェーハのバルク格子内に不純物をゲッタリングするための新しいゲッタリングサイトを形成するため酸素誘起欠陥を再分配する工程； 及び前記ウェーハの製品仕様に合せるためにエピタキシャルシリコンの新しい層を形成する工程。」（クレーム１、訳文第１１頁第６〜１５行）
イ　「本発明によれば、廃棄された半導体製品ウェーハは、元々の基板材料からすべての古い製品層が取り除かれることによって、最終的には新製品作製に適した再生エピタキシャルウェーハとなり始めることとなる。」（第２欄第１７〜２２行、訳文第２頁第２９行〜第３頁２行）　
ウ　「ウェーハをリサイクルする実施の形態の第１の工程は、古いエピタキシャルシリコン層５含む古い廃棄された半導体製品の層を除去することである。この除去は、研削によって機械的に行うことができるが、最も完全でかつ調節可能な方法は、この廃棄半導体ウェーハを、特定の層を除去するように作成された一連の化学溶液、例えば、ホトレジストを除去する硫酸、誘電層、例えば二酸化シリコン及び窒化シリコンを除去する弗酸、アルミニウムを除去する硝酸と塩酸の混合液、及びシリコンを除去する水酸化カリウム又は希弗酸／硝酸混合液、に浸続することである。この古い半導体製品の構成層を除去することによって、図２に示した粗な表面特性のシリコンウエーハが残存する。
　図２に概略的に示したこの工程中のリサイクルされたウェーハは粗い表面を有し、かつ表面から裏面に広がる酸素誘起欠陥を有している。リサイクル工程におけるこの段階のウェーハは、典型的には、オリジナルのプライムウェーハよりも約１２ミクロン、即ち約２％薄いだけである。」（第５欄第３５〜５７行、訳文第７頁第１９行〜第８頁第２行）
エ　　「この実施の形態においては、図２に示した状態のウェーハは、次にそのエッジ部がプライム製品ウェーハに対する半導体工業規格において特定された形状に形成される。この作業は、オリジナルプライムウェーハ製造業者の要求に答えるために多くの製造業者が入手可能な自動ウエーハエッジ部ラウンディング機にその工程中のリサイクルウェーハを挿入することによって行われる。図３は、符号４によって示されたように、エッジ部を再度形成した後の工程中のウェーハを示す。エッジ部の円滑化は、好ましくは、ウェーハリサイクル工程のこの段階で行われる。」（第６欄第１〜１２行、訳文第８頁第９〜１６行）
オ　「表面研磨ステップは、２つのステップ、即ち、表面を平坦にする一次研磨ステップとウェーハ表面から小さな傷を除去するバフ研磨ステップ、で行われる。一次研磨ステップは、例えば、スラリーのｐＨを１１．４のレベル近くまで上昇させるために、ＮａＯＨのようなアルカリ材料を有するシリ力系スラリーを用いる。バフ研磨ステップは、例えば、同様のスラリーであるが、スラリー粒子径の小さいスラリーを用いる。本発明のリサイクル手順を経るウエーハの多くは、１Ωｃｍ未満の抵抗率を有している。これらのウエーハは、スラリーによって導入される表面のピットを制御するために近いｐＨ、例えば１０．８を有する研磨スラリーを用いて好ましくは研磨される。表面研磨は、典型的には、リサイクルウエーハから２５〜３５ミクロン、即ち、オリジナルウエーハの厚さの約６％を除去する。」（第６欄第３６〜５２行、訳文第９頁第４〜１４行）
カ　「この実施の形態において、ウェーハ表面側近傍の欠陥フリーの無欠陥領域を再生するために、炉サイクルが実行される。・・・・・・・・・図５は、炉から取り出した状態の再生ウエーハを図示している。シリコンウエーハには、符号２が付され、復元された無欠陥領域には、符号３が付され、そして、新たに成長した酸化物層には、符号１３が付されている。この再生ウエーハは、今や、新たなエピタキシャル層を成長させる最終ステップの準備ができている。
　この実施の形態において、特別に処理されたウエーハは、新たに形成された無欠陥領域及び保護のための酸化物層を備えており、酸化物層１３を取り去るために、フッ化水素酸へ浸漬される。そして続いて、ウエーハはきれいに洗浄され、エピタキシャルシリコン層の成長のためのエピタキシャル反応炉へ最終的に挿入される。」（第６欄第５７行〜第７欄第２０行、訳文第９頁第１８行〜第１０頁第１０行）
　上記ア〜カの記載事項より刊行物２には、次の発明が記載されていると認められる。
　研削によって機械的に行うか、または特定の層を除去するように作成された一連の化学溶液に浸続することによって、原料ウエーハに付加された全ての層をウェーハから除去する工程と、その後、アルカリ材料を有するシリカ系スラリーを用い、表面を平坦にする一次研磨ステップと、同様のスラリーであるが、スラリー粒子径の小さいスラリーを用い、ウェーハ表面から小さな傷を除去するバフ研磨ステップによって、ウェーハの前面を再研磨する工程を有し、両工程により約３７〜４７ミクロン除去する半導体ウェーハの再生方法。
（３）刊行物３                                             
　刊行物３には、次の事項が、記載されている。            
ア　「【請求項１】沈澱法により製造されたＢＥＴ比表面積が１０〜６０ｍ２／ｇ、コールターカウンタ一法で測定した時の二次粒子の平均粒子径が０．５〜５μｍの微粒状二酸化ケイ素の水を媒体としたスラリー分散液であることを特徴とする硬脆材料用の表面精密研磨剤。」（特許請求の範囲、請求項１）
イ　「このような精密材料の平面研磨は、パッド（合成繊維製または合成樹脂製の研磨布）を表面に貼り付けた回転する定盤上に、研磨剤液を供給しながら被研磨材料を押圧することによってなされるが、」（段落０００４）　
ウ　「研磨剤スラリー分散液中の本発明による微粒状沈澱二酸化ケイ素濃度は、対象被研磨材質と要求される研磨能率によって３０％までの自由な範囲から選ばれるが、一般的には１〜２０％程度で、濃度が高い程、研磨能率も高くなる傾向がある。」（段落００１５）　
（４）刊行物４
　刊行物４には、次の事項が、記載されている。
　「【請求項１】少なくとも一方の主面側にマイクロクラックが存在するダメージ層が生じるように機械的研磨された半導体基板を用意する工程と、前記一方の主面を通して前記半導体基板に前記ダメージ層よりも深く燐を拡散して前記一方の主面を含む前記半導体基板の一部に燐拡散領域を形成する工程と、前記燐拡散領域の表面から前記ダメージ層以上であると共に前記燐拡散領域の厚さの１／２以上の深さまでエッチングして平滑化された表面を得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲、請求項１）
（５）刊行物５
　刊行物５には、次の事項が、記載されている。
　「１　ゾルまたはゲルのシリカ含量にもとづき、水溶性アミン０．１〜５．０重量％と、水溶性第四級アンモニウムの塩または塩基０．１〜５．０重量％とを含む、水性コロイド状シリカのゾルまたはゲルからなる研摩剤で、けい素ウェハ等を研摩する方法。」（特許請求の範囲、第１項）
（６）刊行物６
　刊行物６には、次の事項が、記載されている。
　「褐色溶融アルミナ１０〜９０重量％とジルコン９０〜１０重量％との混合物からなる最大粒子径が１６μｍ以下、平均粒子径が６〜７μｍの微粉であって、粒子径４μｍ以上〜１６μｍ以下の粒子が全体の８５〜９５重量％、４μｍ未満の粒子が１５〜５重量％の粒度分布を有することを特徴とする微粉研摩材。」（特許請求の範囲）
（７）刊行物７
　刊行物７には、次の事項が、記載されている。
　「【請求項１】研磨プラテンに対して、半導体ウェハを回転させる工程；研磨プラテンに取り付けた硬質で圧縮率の低い研磨パッドの平坦な面をウェハに接触させてウェハ表面を平坦化する工程；および次に、前記平坦化工程中に形成されたマイクロスクラッチを、研磨プラテンに取付けた硬度が低く、圧縮性の研磨パッドで取除く工程を有することを特徴とする化学機械的平坦化方法。
【請求項２】平坦化工程中、研磨パッドがショアＤ硬度が約５０の材料で構成されている請求項１に記載の平坦化方法。
【請求項３】平坦化工程中、研磨パッドがブロー成形した微孔性のポリウレタンで構成されている請求項２に記載の平坦化方法。
」（特許請求の範囲、請求項１〜３）
（８）刊行物８
　刊行物８には、次の事項が、記載されている。
ア　「【請求項１】湿式研磨テープにおいて、繊維質基材から構成された研磨テープ用基材と、該研磨テープ用基材に形成された研磨層とからなることを特徴とする湿式研磨テープ。」（特許請求の範囲、請求項１）
イ　「本発明は、・・・・・シリコンウエハ基板等の表面、端面の仕上げ研磨等を行う際の湿式研磨テープに関する。」（段落０００１）
ウ　「研磨剤粒子として利用できる無機質微粉末は、この種の普通の乾式研磨テープの研磨層の形成に使用される通常の無機質微粉末である。例えば、酸化アルミニウム、炭化珪素、・・・・・酸化セリウム等による無機質微粉末が使える。大きさは、１次粒子の平均粒径が０．１〜６０μｍのものが使用される。」（段落００１１）
（９）刊行物９
　刊行物９には、次の事項が、記載されている。
ア　「１　シリコン単結晶体より切り出したシリコンスライスの少くとも一の面をＮａＯＨ，ＫＯＨのごときアルカリ溶液で第１のエッチング処理を施ししかる後上記スライスの少くとも上記一の面をＨＦおよびＨＮＯ３を主体とする混合液よりなる酸で第２のエッチング処理を施して鏡面化することを特徴とするシリコンウェフアーの製法。」（特許請求の範囲）     
イ　「しかしてここに、エッチング液として使用するＫＯＨ，ＮａＯＨのごときアルカリ液の濃度は、１〜４０規定程度に選び得るも、比較的高濃度即ち室温で飽和溶液に近い濃度の１０〜２０規定に選ぶを可とする。」（第３欄第２７〜３１行）
（１０）刊行物１０
　刊行物１０には、次の事項が、記載されている。
　「（１）半導体装置の製造工程で発生した不良ウェーハ表面をエッチング液で処理し、これによって該ウェーハ表面の電極層、酸化被膜層および不純物拡散層もしくはエピタキシャル成長層の一部、又は該ウェーハ裏面の不純物拡散層を除去し、さらに該ウェーハ表面を機械的に削除することによって半導体基板上に残存する不純物拡散層またはエピタキシャル成長層をほぼ完全に除去したのち、その表面を鏡面仕上げすることを特徴とする半導体基板の再生利用方法。」（特許請求の範囲、第１項）
（１１）刊行物１１
　刊行物１１には、次の事項が、記載されている。
ア　「【請求項１】半導体材料から形成された半導体インゴットから半導体ウェハを切り出す工程と、前記半導体ウェハの比抵抗を非破壊的方法で測定する工程と、所定の特性を有する半導体デバイスの製造のため、所定の前記比抵抗を有する半導体ウェハを選択する工程と、前記選択された半導体ウェハに所定の素子領域を形成することにより、前記所定の特性を有する半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」（特許請求の範囲、請求項１）
イ　「比抵抗が測定されたウェハ１は、レーザーマーキング装置５によって、図１に示されるように識別番号２及び比抵抗３がマーキングされる。」（段落００２２）
５　対比・判断
　本件発明１（前者）と刊行物２に記載の発明（後者）を対比すると、後者の「半導体ウェーハ」は、前者の「半導体ウェーハ」に相当し、基板表面に形成された表面層を除去する点で、後者の「原料ウェーハに付加された全ての層をウェーハから除去する工程」が、前者の「表面層を除去する工程」に相当しており、両者は、
　基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウエハの再生方法であって、前記表面層を除去する工程を有する半導体ウエハの再生方法。
において、一致している。そして、次の点で相違している。
（１）前者は、表面層を除去する際に、平均粒子径が５〜１６μｍである砥粒を６体積％以上含有する研磨液を用いると共に、有機ポリマーよりなるパッドを回転させ前記半導体ウェハに３ｐｓｉ以下の圧力で圧接させて研磨力を作用させることにより、上記表面層にマイクロクラックを導入しつつ除去するのに対して、後者は、機械的な研削、または化学的な除去によって除去する点。（相違点１）
（２）前者は、表面層を除去する工程の後に、基板表面を化学的にエッチングする工程を有するのに対し、後者は、この構成を有しない点。（相違点２）
（３）前者は、再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量が３０μｍ以下であるのに対して、後者は、研削及び表面研磨時において３７〜４７μｍである点。（相違点３）
　相違点１について、刊行物３には、二次粒子の平均粒子径を０．５〜５μｍの微粒状二酸化ケイ素とし、その濃度は３０％までの自由な範囲から選ばれるとした、水を媒体としたスラリー分散液を用いると共に、パッド（合成繊維製または合成樹脂製の研磨布）を回転させ被研磨材料に圧接させて研磨力を作用させる事項が、そして、刊行物４には、マイクロクラックが存在するダメージ層が生じるように機械的研磨された半導体基板を用意し、ダメージ層以上の深さにエッチングして平滑化された表面を得る事項がそれぞれ記載されているけれども、前者の、平均粒子径の上限を１６μｍとすることにより、マイクロクラックのダメージ深さを１０μｍ以下とすることができること（登録明細書段落００４５参照）、研磨液の砥粒を６体積％以上含有させることにより、研磨をラッピングモードで行うことができること（同段落００４２参照）、及び研磨力を３ｐｓｉ以下の圧力とすることにより、ラッピングモードからポリシングモードへの移行を防ぐことができること（同段落００４２参照）は、刊行物１〜１１のいずれにも記載は認められず、また、これを示唆する記載も認められない。
　したがって、刊行物１〜１１の何れにも、本件発明１の特定事項である「平均粒子径が５〜１６μｍである砥粒を６体積％以上含有する研磨液を用いると共に、有機ポリマーよりなるパッドを回転させ前記半導体ウェハに３ｐｓｉ以下の圧力で圧接させて研磨力を作用させることにより、上記表面層にマイクロクラックを導入しつつ除去する」が記載されておらず、かつ該特定事項を示唆する記載もないから、本件発明１は、相違点２及び相違点３について検討するまでもなく、刊行物１〜１１に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本件発明２〜１２は、本件発明１の請求項１を直接又は間接に引用しているので、本件発明１と同様に刊行物１〜１１に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
６　明細書記載不備の申し立ての検討
　特許異議申立人久村美香子は、登録明細書の請求項１５の記載不備について、次の（１）〜（４）如く主張（異議申立書第３３頁第７行〜第３４頁第１９行参照）している。
（１）再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量が「３０μｍ以下」であるとは、減少量が「０μｍ」である場合を包含するが、この場合エッチング量も研磨量も「０μｍ」であるということになるから、板厚の減少量には下限値が必須事項である。
（２）本件特許公報の【表１】によれば板厚減少量の合計が「１２〜３０μｍ」であるものの場合が記載されているが、板厚減少量の合計が０〜１１μｍのものの再生半導体ウェハの製造の場合について、発明の詳細な説明の欄に記載されていない。
（３）板厚減少量が３０μｍ以下となるように、有機ポリマーよりなるパッドによる研磨量、エッチング量、仕上げ研磨の３者間の取り代の割合が不明である。
（４）板厚減少量が３０μｍ以下という限定だけでなく、得られる再生半導体ウェハの性能も限定しなければ、意味のないものである。
　しかし、表１によれば、エッジ研磨、表裏面研磨、エッチング、及びポリシングの各工程における板厚減少量（μｍ）が、それぞれ０、２〜５、２〜１０、８〜１５であり、その板厚減少量の合計が１２〜３０μｍであることが認められ、発明の詳細な説明から３者間の取り代の割合は把握できる。また、登録明細書の段落００７６の「本発明法により再生したウェハは、再生前のウェハ基板と比較して厚さの減少量を３０μｍ以下に抑制できる。」との記載からみても、登録明細書記載の本発明法の特徴は、厚さの減少量が３０μｍを越えないようにしたところにあるのであり、登録明細書請求項１５の「再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量が３０μｍ以下である請求項１〜１４のいずれかに記載の再生方法。」という記載には、特段の記載不備は、認められないものである。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜１２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。　　
【異議決定日】
平成１５年７月８日（２００３．７．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体ウェ
ハの
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウェハの再生方法であって、
平均粒子径が５〜１６μｍである
３ｐｓｉ以下の圧力で
該工程後に
有し、再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量が３０μｍ以下である
　【請求項２】　砥粒を含有する前記研磨液の粘度が室温において２ｃＰ以上である請求項１に記載の再生方法。
　【請求項３】　前記研磨液中の砥粒が酸化ジルコニウム、炭化珪素、酸化アルミニウムよりなる群から選択される１種以上である請求項１または２に記載の再生方法。
　【請求項
４
１〜３
　【請求項
５
４
　【請求項
６
１〜５
　【請求項
７
６
　【請求項
８
７
　【請求項９】　２０〜４５重量％の水酸化カリウムを含有し、５０〜１００℃のエッチング水溶液を用いて化学エッチングを行う請求項
１〜８
　【請求項
１０
１〜９
　【請求項
１１
１０
　【請求項
１２
１〜１１
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、再生半導体ウェハとその再生方法に関し、詳細には使用済み半導体ウェハから再生されたウェハ基板であって、半導体回路部品の製造に使用されるプライムウェハとほぼ同等の品質を有するテストウェハを製造する方法に関するものである。特に、本発明の再生方法によれば、再生処理によるウェハの厚さ減少量が非常に少なく、ウェハあたりの再生回数を通常の２倍以上にすることができる。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体製造工程では、プライムウェハとテストウェハと呼ばれる２段階の品質の単結晶シリコンウェハが用いられている。プライムウェハはテストウェハより品質基準が高く、前者は実際の半導体製品を製造するために使用され、後者は製造工程が十分満足する性能を発揮しているかどうか確認するための検査に用いられている。
　【０００３】
　上記テストウェハとしては、半導体製造工程で用いられた使用済みウェハが再生されて用いられている。この使用済みウェハとは、例えば、製造工程で不良となったもので、半導体成分が１面に注入および／または拡散されたシリコンウェハであり、導体や絶縁性材料からなる層が上記注入・拡散された面の上に形成された表面層を有するものである。あるいは、フィルム厚さを測定するために用いられ、表面上に数層の膜を持つ使用済みウェハ等も再生に用いられる。従って、本発明において基板表面の上記表面層とは、ウェハの表面部に注入および／または拡散された該表面部分と、該表面部分の上に更に形成または成膜された層を指す。
　【０００４】
　使用済み半導体ウェハから基板表面の表面層を除去してウェハ基板を再生する方法として従来よりいくつかの方法が提案されており、▲１▼研削、▲２▼化学エッチング、▲３▼ラッピング等により表面層が除去された後、ポリシングにより片面の鏡面仕上げがなされている。
　【０００５】
　例えば、米国特許３，５５９，２８１には、エピタキシャルベース層の上に形成された導電層や絶縁層を化学エッチング法により除去し、化学エッチングの後にポリシングを行う方法が開示されている。米国特許３，９２３，５６７でも、化学エッチング法により表面層を除去してウェハを再生する方法について開示しており、本特許では化学エッチングの後研削することで格子欠陥を与えてゲッタリングの効果を狙っている。また米国特許５，１３１，９７９では、化学エッチング単独、或いは機械的な研削の後に化学エッチングをおこなって表面層を除去し元のウェハ表面を露出させるウェハ再生法が開示されており、ウェハエッジが除去された後、表面はポリシングされて平滑になり、表面には格子欠陥が無く、内部にゲッターサイトとなる欠陥を有するよう熱処理を施す方法が示されている。
　【０００６】
　▲１▼研削によれば、表面層を除去すると共に、不純物元素を集中させるゲッタリングのための深い欠陥を導入することができる。しかしながら、現在入手可能な高純度シリコンウェハでは、もはやゲッタリングは必要ではなく、むしろ格子欠陥があることは望ましくない。
　【０００７】
　▲２▼化学エッチング法は、従来法の中で最も多く用いられている方法である。但し、ウェハの膜が単純である小径ウェハに対しては有効であるが、多層膜を有する大径ウェハでは表面の膜の並び方や材質が複雑であるために、化学エッチング法は適していない。多層膜に対して化学エッチングを行うのが非常に難しいのは、各層の膜材質に応じてそれぞれ異なったエッチング液が必要となるため、特定のウェハに対して設定された複数の工程からなるエッチングプロセスが、異なった膜の順序や膜質を持つウェハに適合しないためである。したがって、小径ウェハではバッチプロセスが可能であっても、６インチ以上の大径ウェハに対するエッチング工程は１枚１枚処理せざるを得ず、バッチ処理はできない。
　【０００８】
　また、各層がパターン付きの場合には、ある特定の層の特定の部分の除去速度は、他の場所とは異なる。例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）は化学エッチング法では非常に除去するのが困難な材料であり、このような除去しにくい材料を有する場合等には、最下層の表面は不規則な形状にならざるを得ない。
　【０００９】
　更に、シリコンウェハの再生に用いられるエッチング溶液としては、硝酸（ＨＮＯ３）とふっ酸（ＨＦ）の混合物が用いられており、これにエッチング速度を低下させ、膜除去を制御しやすくするためにしばしば酢酸が添加されているが、以下の理由で厚さが不均一になる傾向があった。この酸混合溶液は、大部分の膜や注入元素に対してエッチング効果を有しているが、基板のシリコンウェハに対しても急速に且つ不均一にエッチングする性質を持っている。これは、シリコンと酸混合溶液の反応が急速に進行して酸混合溶液がエッチング効果を失う為であり、ウェハ径が大きい場合、ウェハ外周部からウェハ中心部に供給される酸混合溶液は中心部に到達する前に消費され易く、中心部のエッチング速度は周辺部に比べて低くなり、エッチング後のウェハは外周部に比べて中心部が厚くなりやすい。
　【００１０】
　使用済みシリコンウェハの再生にこの酸混合溶液が用いられた場合、不均一さはいっそう拡大されることになる。というのも酸化膜や窒化膜といった大抵の材料はシリコンよりエッチング速度が小さいからである。使用済みシリコンウェハが酸混合溶液に浸された場合、外周部がまず除去され出し、次いで中心部が除去され、再生ウェハの外周部は中心部に比べて薄くなる。この板厚偏差は例えば８インチウェハの場合は２０〜４０μｍにも達するため、もはや均一な板厚という要求品質を満たすことができなかった。
　【００１１】
　▲３▼ラッピングは、プライムシリコンウェハの製造工程で、単結晶インゴットから切り出されたウェハを所定の厚さまで除去する工程に一般的に使用されているが、このラッピングもまた、使用済み半導体ウェハの表面層の除去に用いられている。ラッピングによれば、化学エッチングと違い、ウェハ上の様々な材料を表面層の構造やパターン、材質にかかわり無く単一の工程で除去でき、中心部と外周部の板厚の不均一を招くことがない。
　【００１２】
　この方法では、ウェハは回転する金属定盤に対して押しつけられ、研磨液が試料表面と定盤との間に供給される。両面ラッピングの場合、ウェハは互いに逆方向に回転する一組の対向する金属定盤間で押さえつけられる。金属定盤（たいていの場合は鋳鉄定盤）が砥粒に運動量を与えることにより砥粒がウェハ表面に衝突し、ウェハ表面直下にマイクロクラックと呼ばれる微小な破砕が生じてウェハ表面から材料が除去される（以下、マイクロクラックによる材料除去を「ラッピングモードでの材料除去」ということがある）。硬い定盤を使用してラッピングを行う場合、表面層を除去した後のウェハ基板の表面下に深いマイクロクラックが生じ、これはサブサーフェスダメージと呼ばれている。
　【００１３】
　このサブサーフェスダメージを残したままテストウェハとして用いると、ごみや汚染の原因となるため品質上有害である。そこで、ウェハ表面部よりマイクロクラックを除去することが必要であり、良好な表面性状を得るために化学エッチングやポリシングが行われる。この工程で除去される量は、最も深いマイクロクラックの深さで決まる。従って、従来のラッピング法で表面層を除去した場合、深いサブサーフェスダメージが生じるため板厚減少量が非常に大きくなり、１枚のウェハあたりの再生回数が１回程度と少なく、板厚減少量をできるだけ少なくする再生方法の開発が望まれていた。
　【００１４】
　上記の様にラッピングされたウェハは、サブサーフェスダメージや微小な欠陥がなくなるまでエッチングされる。ラッピングで生成された深い欠陥を除去するために化学エッチングを用いると、新たにエッチピットと呼ばれる大きくて幾何学的な形状の凹みを形成する。これは、シリコン結晶の結晶面によりエッチングレートが異なるためである。ラッピングで深いサブサーフェスダメージができると、エッチピットの寸法は大きくなる。その結果できたウェハは、両面とも大きなエッチピットが存在する。エッチピットのある面の内少なくとも１面を次のポリシング工程で鏡面に仕上げるが、ポリシングによる除去量はエッチピットの深さ以上である必要がある。したがって、ピットの寸法によりポリシング工程での厚さ減少量が決まることになる。本発明以前に知られている再生プロセスでは、エッチピットは約２０μｍ以上の幅寸法とそれに対応した深さを持っていた。
　【００１５】
　エッチピットが深いということは、ポリッシュ面を得るために多量の材料を除去することが必要であり、片面だけではなく両面のポリッシュが要求される場合には厚さの減少量は２倍になり、再生できる回数が極めて限定されることになる。尚、再生半導体ウェハのエッチピットの深さは、ポリシングを行わないマット面で確認でき、半導体製造工程で汚染をできるだけ防ぐという観点からもマット面の表面粗さのできるだけ小さい再生半導体ウェハが要望されていた。
　【００１６】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は上記事情に着目してなされたものであって、使用済み半導体ウェハを再生するにあたり、ウェハの板厚減少量を最小限にしてウェハを多数回再生することのできる再生方法を提供しようとするものである。
　また本発明はマット面のエッチピットが小さく、従来の再生ウェハと比べて表面粗さが小さい再生半導体ウェハの提供を目的としている。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決した本発明とは、基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウェハの再生方法であって、砥粒を６体積％以上含有する研磨液を用いると共に、有機ポリマーよりなるパッドを回転させ前記半導体ウェハに圧接させて研磨力を作用させることにより、上記表面層にマイクロクラックを導入しつつ前記表面層を除去する工程と、基板表面を化学的にエッチングする工程を有することを要旨とするものである。
　【００１８】
　砥粒を含有する前記研磨液の粘度は、室温において２ｃＰ以上であることが好ましく、また前記研磨液中の砥粒としては、酸化ジルコニウム、炭化珪素、酸化アルミニウムよりなる群から選択される１種以上を用いれば良く、その平均粒子径は５〜１６μｍであることが推奨される。
　【００１９】
　前記パッドは有機ポリマーよりなり、ショアＤスケールで４０以上の硬度を有するものが望ましく、有機ポリマーの中でもポリウレタンが好ましい材料であり、前記パッドが半導体ウェハに圧接される際の圧力は３ｐｓｉ以下とすることが推奨される。
　【００２０】
　また、基板のエッジ部に形成された表面層を機械的に除去する工程を、化学的にエッチングする工程の前に有することが望ましく、基板のエッジ部に形成された表面層を除去するにあたっては、研磨テープを用いれば良く、前記研磨テープとしては、砥粒がテープ表面に固着されると共に、該砥粒が平均粒子径６μｍ以上である炭化珪素及び／または酸化アルミニウムである研磨テープを用いる方法が好ましい。
　【００２１】
　化学エッチングを行うにあたっては、２０〜４５重量％の水酸化カリウムを含有し、５０〜１００℃のエッチング水溶液を用いることが望ましく、化学エッチングを行った後の基板表面に酸性溶液を作用させればより好ましく、前記酸性溶液としては５０〜１００重量％のリン酸を含有し、４０〜１４０℃の温度である溶液を用いれば良い。
　【００２２】
　更に、化学エッチングが施された基板の両面または片面をポリシングすることによりテストウェハを製造することができ、本発明の再生方法によれば、再生処理前後の半導体ウェハの厚さの減少量を３０μｍ以下とすることができる。
　【００２３】
　また本発明によれば、基板表面に形成された表面層が除去され、光沢のあるポリッシュ面と光沢のないマット面を有する再生半導体ウェハにおいて、上記マット面に形成されたエッチピットの幅を２０μｍ以下とすることができ、前記マット面の平均表面粗さを０．５μｍ以下、最大粗さを５μｍ以下とし、さらに再生前の半導体ウェハに形成されたレーザマーキングを、前記マット面に有する再生半導体ウェハを製造でき、同一直径を有するプライムウェハの標準厚さと比較して、厚さの差が３０μｍ以下である再生半導体ウェハが提供できる。
　【００２４】
　以下の説明では、シリコン半導体ウェハを代表的に取り上げて本発明の説明を行うが、本発明はこれに限定されるものではなく、ガリウム−砒素、サファイア、ＧＧＧ、インジウム−リンといったシリコン以外の材料からなる半導体ウェハの再生処理に対しても適用することが可能である。
　【００２５】
　【発明の実施の形態】
　本発明法では、使用済み半導体ウェハ基板に与えるダメージ深さを最小限にすることにより再生処理による板厚減少量をできるだけ少なくし、且つ再生半導体ウエハのマット面のエッチピット及び表面粗さを小さくするものであり、従来の表面層除去方法に代えて、砥粒を６体積％以上含有する研磨液を用いると共に、有機ポリマーよりなるパッドを回転させ半導体ウェハに圧接させて研磨力を作用させることにより、表面層にマイクロクラックを導入しつつ上記表面層を除去することが重要である。
　【００２６】
　尚、ウェハ表面を回転するパッドに押しつけ、砥粒を含有する研磨液をパッドと試料表面間に供給することで材料除去を行う方法は所謂ポリシングとして知られており、このポリシング工程はプライムウェハの製造工程と同様に再生ウェハについてもラッピングおよび／またはエッチングされたウェハ表面を滑らかにして鏡面に仕上げる最終工程に用いられていた。シリコンウェハのポリシングでは、砥粒として１μｍ以下の微小なコロイダルシリカが、水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）やアルカロイドとともに使用され、片面ポリシングが通常行われている。ポリシングでは微小粒径の砥粒が、パッド表面に保持され、パッドが回転することで微細な砥粒がウェハの表面層を削り取ることで表面より材料が除去される（この場合を「ポリシングモードでの材料除去」と呼ぶ）。微細な砥粒が材料を削り取ることで、ラッピングの場合と比べてサブサーフェスダメージは非常に小さい。
　【００２７】
　しかしながら本発明以前には、通常のポリシング方法は使用済みウェハの様々な膜を除去できるほど十分な能力がなかったため、膜除去には使用されなかった。即ち、本発明では、回転するパッドにより軽度のマイクロクラックを表面層に導入できる程度の研磨力を加えることにより、サブサーフェスダメージを極力抑制しながら表面層を除去するものである。
　【００２８】
　図１において［Ａ］は、再生前の使用済みウェハの部分断面図であり、基板１の表（おもて）面には注入部２を有すると共に、１層または多層の膜が成膜されて表面層３が形成されており、ウェハのＩＤ用のレーザーマーキング４を有している。
　【００２９】
　本発明の再生方法により使用済みウェハを再生するにあたっては、大別して以下の（ｉ）〜（ｉｖ）の工程に従えば良い。
（ｉ）使用済みウェハのエッジ５より機械的に表面層３ａを取り除く（図１［Ｂ］：エッジ研磨工程）。
　【００３０】
（ｉｉ）回転するパッドと研磨液によりウェハ表面層３にマイクロクラックを与えながらウェハ表（おもて）面および裏面より材料を除去する（図１［Ｃ］：表裏面研磨工程）。
　【００３１】
（ｉｉｉ）エッジを含む全表面を化学的にエッチングする（図１［Ｄ］：エッチング工程）。
　【００３２】
（ｉｖ）少なくとも表（おもて）面および裏面の内１面をポリシングする（図１［Ｅ］：ポリシング工程）。
　以下、各工程後ごとに説明する。
　【００３３】
　（ｉ）エッジ研磨工程
　ウェハ基板のエッジを覆う表面層３ａを研削やテープ研磨といった機械的方法で除去し、エッジ５における基板材料を露出させる工程である。テープ研磨は本発明法にとって好ましい方法であり、ウェハ外周エッジより材料を微小量かつ均一に除去することができる。なお、この工程ではウェハ厚さは減少しない。
　【００３４】
　現在入手可能なエッジ研削盤はシリコンインゴットからスライスされたウェハのエッジを研削するよう設計されたものである。これらの研削盤は通常位置制御により動作する。すなわち研削砥石がウェハが固定される回転スピンドル中心よりある距離離れた位置に保持され、ウェハ回転中心より一定距離以上突き出た材料を除去するものである。
　スライスされたウェハの直径は、ウェハの中心をスピンドルの回転中心に正確に合わせる必要がないよう、最終直径より数百μｍ大きく作ってある。
　【００３５】
　これに対し、再生ウェハではエッジより必要最小限の除去量だけ除去する必要があり、エッジ研削盤にはウェハ中心を回転するスピンドル中心に正確に合わせ、砥石外周が常にウェハエッジより一定の微小な距離を保つような機構が要求される。技術的にはそのような機構を有するエッジ研削盤を製作することは可能であるが、現在のところそれだけの精度を有する研削盤を入手することは非常に困難である。
　【００３６】
　テープ研磨法でもエッジより材料を除去することができる。テープ研磨機は通常圧力制御モードで動作する。換言すれば、研磨テープが回転するウェハエッジと接触し、テープの背面より必要な圧力を加えることでテープ上の砥粒がウェハエッジと接触して材料を除去する。この方法は、本来はプライムウェハのエッジの鏡面仕上げ用に設計されたものであり、エッジより微小量（１０〜２０μｍ）を高精度に除去することができる。
　【００３７】
　エッジ上の全ての材料を除去するために、テープとしては平均粒径が６μｍ以上、望ましくは１０μｍ以上で、炭化珪素（ＳｉＣ）および／または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ２）からなる砥粒を含むものが望ましい。これより小さな粒径の砥粒を使用した場合、窒化膜といった硬い膜が残留することがある。
　このようなテープで加工されたウェハは、粗いテープで研磨された証拠としてエッジ表面の円周方向に浅い凹凸を持つ。
　【００３８】
　（ｉｉ）表裏面研磨工程
　この工程では、研磨液とパッドを組み合わせて適度の研磨力をウェハの表面層に加えることによってマイクロクラックを表（おもて）面および裏面に導入し、表面膜３及び注入部２を含む表面層を除去して基板材料を露出させる。これは本発明の再生方法において特徴的な工程であり、本工程では、再生前のウェハ基板より２〜５μｍの厚さを減少させるだけですむ。
　【００３９】
　従来のラッピング法の場合、一枚または一組の金属定盤を用いるのに対して、本発明の研磨法では、一枚または一組のパッドを用いている。従って、従来のラッピング法の場合には、研磨液中の砥粒は金属定盤によりウェハ表面に押しつけられるのに対し、本発明の研磨法ではパッドにより砥粒がウェハ表面に押しつけられる。即ち、本発明の研磨法ではパッドを用いることで、押しつけ力を緩和することが可能となり、得られたウェハは、従来からのラッピングによって再生されたウェハと比べてサブサーフェスダメージ深さが著しく小さなものとなる。
　【００４０】
　本発明において表面層の除去に用いるパッドとしては、表面層に圧接した際に軽度の研磨力を作用させる上で有機ポリマーを使用すべきであり、ウェハ表面への砥粒の食い込みを確実なものとするためには、ショアＤスケールで４０以上の硬度を持つものが望ましく、４５以上であるとより好ましい。適したパッド材料の例としてはポリウレタンシートが挙げられる。
　【００４１】
　研磨液としては、表面層にマイクロクラックを導入するラッピングモードでの材料除去を可能とするだけの高い砥粒濃度を有する必要がある。砥粒濃度が低い場合は、ポリシングモードでの材料除去となり、表面にスクラッチが発生しやすい。
　【００４２】
　図２は、様々な砥粒濃度の研磨液で加工したウェハ表面の顕微鏡写真を示す。この顕微鏡写真で見られる通り、低い砥粒濃度でウェハを研磨した場合には、直線状のスクラッチが見られ、ポリシングモードでの材料除去となっており、高い砥粒濃度で研磨した場合には、表面に多数のマイクロクラックが発生しており、ラッピングモードでの材料除去となっている。「ポリシングモード」から「ラッピングモード」への移行は砥粒濃度が６体積％以上で生じる。さらに、顕微鏡写真で示されるとおり、研磨圧が３ｐｓｉを超えるとポリシングモードに移行する傾向がある。したがって、砥粒濃度は６体積％以上にすると共に、研磨圧は３ｐｓｉ以下に設定することが望ましい。
　【００４３】
　研磨液の粘性は、所定の研磨圧のもとで研磨液がウェハをパッド表面より浮かせ、パッドとウェハ間に必要な量の研磨液を供給できるよう、室温で２ｃＰ以上が望ましい。粘性の低い研磨液を使用すると、パッドとウェハ間に供給される砥粒が大幅に減少するとともに、研磨状態がポリシングモードに移行し、スクラッチの発生を招いてウェハの品質を低下させる。粘性は、砥粒、水およびグリセロールのような添加物の混合比を変えることで調整することができる。
　【００４４】
　砥粒の材質としては、公知のものを使用すればよいが、ウェハ表面膜を除去できるだけの硬さを有し、前記の濃度や粘性を満たす研磨液が作成できるという特性を有するという点で、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、炭化珪素（ＳｉＣ）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を例として挙げることができ、これらを単独で用いるか、或いは混合して用いれば良い。
　【００４５】
　図３は、異なった粒径を持つ砥粒を有する研磨液を用いて研磨加工したウェハのサブサーフェスダメージ深さを示すグラフであり、サブサーフェスダメージ深さは、ステップポリシング法で評価した。砥粒径とサブサーフェスダメージ深さには正の相関関係があることが分かる。比較を目的として、同一の研磨液を用いて従来のラッピング法により表面層を除去したウェハのサブサーフェスダメージ深さも示す。本発明の研磨法によれば、いかなる砥粒径の場合でも、従来のラッピング法よりサブサーフェスダメージ深さが小さくなっており、またダメージ深さを１０μｍ以下に保つためには、平均粒径が１６μｍ以下の砥粒を使用することが望ましいことが分かる。
　【００４６】
　更に、従来のラッピング法の場合には金属定盤を用いていることから、平均粒径７μｍ以下の砥粒を用いると金属定盤とウェハが接触してスクラッチ（金属の付着痕）を生じる傾向があり、スクラッチのない均質なマット面を得ることは難しかった。これに対して本発明方法によれば、平均粒径７μｍ以下の砥粒を用いても、スクラッチのない均質なマット面を得ることが可能であり、ダメージ深さも浅くできる。但し、砥粒の平均粒径が小さ過ぎると表面層に十分なマイクロクラックを導入できず、表面層の除去が困難となるので砥粒の平均粒径は５μｍ以上が好ましい。
　【００４７】
　本発明の研磨には従来からのラッピングやポリシング用に設計された片面または両面研磨機が使用可能である。但し、使用済みウェハの再生を行う場合には、表裏面共に酸化膜が形成されていたり、或いは成膜材料がエッジ部から裏面に回りこんでいるものもあり、片面だけに表面層が形成されたものと分別することは困難であるという理由から、表（おもて）面と裏面の両面より材料を除去する必要があるため、両面研磨機を用いることが望ましい。
　【００４８】
　本発明の研磨法による除去速度は２μｍ／分以下であり、従来からのラッピングによる除去速度と比較すると著しく小さい値である。ウェハの再生において、本工程の主たる目的は板厚減少量を必要最小限にしてウェハ基板上の膜や注入層を除去し、基板材料を露出させることにあるため、除去速度の小さいことは長所となる。これらの膜や注入層を除去するのに必要な厚さは非常に小さい（通常は５μｍ以下である）。ラッピング法では除去速度が高い（典型的な例としては５〜２０μｍ／分）ため、除去量を微小に抑制することが困難であり、ウェハ表面より膜を除去するのみでなく、基板材料も多く除去してしまう傾向がある。
　【００４９】
　本発明の研磨法は、パッドと研磨液を使用することを特徴とするが、従来のポリシング法とは全く異なる作用を有する。これは、本発明の研磨法による除去形態が、マイクロクラックによる（ラッピングモード）ものであるのに対して、従来のポリシングが微細な砥粒により表面層を削り取る（ポリシングモード）ものであるからである。両者の除去形態の差違はウェハ表面を観察することで明らかとなる。本発明により研磨されたウェハ表面が曇った面（マット面）であるのに対して、従来のポリシングで得られる面は鏡面となる。微視的には、前者の表面形態は浅いマイクロクラックより構成されるのに対して、後者の表面はたまに砥粒による擦過痕である浅いスクラッチが存在するだけのほぼ平滑面である。
　【００５０】
　ウェハ裏面は均質なマット面に仕上げる必要があるため、本工程の加工条件はそのような面が得られるよう注意深く選定する必要がある。これは、裏面が表（おもて）面と区別できるようにするためであり、ポリシングモードで研磨されたことによる鏡面やスクラッチのある面は好ましくない。
　【００５１】
　尚、前記エッジ研磨工程はこの表裏面研磨工程より先に行う方が好ましいが、いずれの工程もエッチング工程の前に行うのであれば順序が入れ替わっても構わない。
　研磨後のウェハは、表面層除去を行う研磨液により非常に汚れるので、洗浄を行った後、化学エッチング工程にすみやかに搬送するのが望ましい。
　【００５２】
　（ｉｉｉ）エッチング工程
　本発明の再生方法においては、使用済みウェハの表面層を除去し、エッジを含むウェハ基板材料を露出させた後、化学エッチングを行う。エッチングの目的は、前工程で生じたマイクロクラックや欠陥、表面直下の残留応力層を除去することにあり、本発明方法ではサブサーフェスダメージ深さが浅いので、片面あたり１〜５μｍ除去することで十分である。
　【００５３】
　エッチング工程では硝酸、ふっ酸、酢酸の混合物（ＨＮＯ３＋ＨＦ＋ＣＨ３ＣＯＯＨ）が使用される場合もあるが、本発明では２０〜４５重量％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）を５０〜１００℃に加熱したものを使用することが望ましい。本エッチング液は前述した理由で酸性溶液より均質性や寸法制御性が優れている。
　【００５４】
　本発明のＫＯＨエッチングにより再生されたウェハは、平均寸法が２０μｍ以下で平均表面粗さが０．５μｍＲａより小さく、｛１００｝面のウェハについてはほぼ正方形となるエッチピットによって特徴づけられる。このエッチピットは、サブサーフェスダメージ深さが１０μｍ以下のウェハをＫＯＨエッチングしたことの証明となる。なお、このエッチングされた表面は、再生半導体ウェハの裏面にマット面として残る。
　【００５５】
　ＫＯＨ水溶液は異方性エッチング液であり、｛１１１｝面よりかなり早い速度で｛１００｝面をエッチングするため、｛１１１｝面が後に残ることになり、｛１００｝面に逆ピラミッド状のエッチピットが残留する。通常は｛１００｝面を持つウェハが大多数を占めるため、ＫＯＨによりエッチングされたＳｉウェハの大部分が正方形のピットを持つことになる。
　【００５６】
　ＫＯＨ水溶液がサブサーフェスダメージのある層（マイクロクラックのある層）をエッチングしている間は、結晶方位が崩れているためにエッチピットは生じない。エッチピットは、エッチングによりダメージ層が全て除去され、ダメージを受けていないＳｉ結晶が除去されて初めて生じる。
　【００５７】
　図４は、本発明の方法により処理されたウェハについて、エッチング工程中のエッチピットの成長を、従来のラッピング法により製作されたウェハでのエッチピットの成長と比較した図である。図４に示されるように、本発明法で処理したウェハでは、５０℃の３５％ＫＯＨ溶液を用いたエッチングにより５分以内にエッチピットが生じたのに対し、従来のラッピング法で研磨したウェハでは１０分までエッチピットの発生が見られなかった。従来のラッピング法で研磨したウェハでは、エッチング時間１５分後にエッチピットが発生し始め、その後その大きさは急激に大きくなることがわかる。またラッピングによりサブサーフェスダメージ深さが１０μｍ以上あるウェハでは、２０μｍ以下のエッチピット寸法を得ることは困難であった。
　【００５８】
　本発明者らは、この差異がマイクロクラック深さの分布によりエッチング特性が異なることによることを見出した。図５は、本発明によるパッドと砥粒を用いたプロセスでできたサブサーフェスダメージの概念図であり、図６は従来からのラッピングによるサブサーフェスダメージの概念図である。図６に示す通り、ラッピングしたウェハはマイクロクラック１１のダメージ深さの変動が大きく、ダメージを受けた結晶と受けていない結晶との境界が、本発明法により研磨された図５に示すウェハと比べてよりジグザグしている。このジグザグした境界は、ＫＯＨエッチングの最中にピットが成長を始める部分である。このジグザグした部分で｛１１１｝結晶面に位置する面は、｛１００｝結晶面方向に比べてエッチング速度が非常に遅い。エッチング液がジグザグした境界をエッチングし始めると、｛１１１｝結晶面は簡単に露出し始める。言い換えれば、エッチピットの形成は、ジグザグした境界のため不均質に始まることになる。したがって、ジグザグした境界によりピットの成長は早められ、本発明のプロセスで形成されたよりまっすぐな境界ではピットの成長が遅くなる。本発明者らが調査した限りでは、従来法でこれほど小さなピット寸法が得られる方法はない。
　【００５９】
　本発明のエッチング工程まで終了したウェハの板厚減少量は非常に小さい（通常、片面当り５μｍ以下である）ので、再生前のウェハのレーザマーキング４は膜除去とエッチング後も表面に残留する場合がある。レーザマーキング４は通常小さな穴または溝からできており、その中に膜材料が堆積することがある［図１（Ｃ）］。特に、アルミニウムのように蒸発しやすい金属がレーザーマーキングの表面に付着した場合、金属がウェハ表面側に移動して再生ウェハ表面を汚染する。
　【００６０】
　そこで、本発明の工程に、レーザーマーキング部の蒸発性金属を除去するための酸エッチングを付加してもよい。Ｈ３ＰＯ４やＨＣｌはＳｉウェハ基板をエッチングすることなく金属のみをエッチングすることができるので好ましい。本発明者らは４０℃から１４０℃に加熱した５０〜１００重量％のＨ３ＰＯ４液がアルミニウムのような蒸発性金属を効率よく除去することを見いだした。尚、この酸エッチング中では板厚は減少しない。
　化学エッチング工程を前工程で膜材料を全て除去してから適用することで、基板全面にわたって均一にエッチングすることが可能となる。
　【００６１】
　エッチングの目的は、残留応力を緩和し、前工程でできたマイクロクラックによるウェハ基板の破片を除去することにある。この目的を達成するためには、厚さで２〜１０μｍ除去すれば十分である。
　【００６２】
　エッチング工程にはＫＯＨ水溶液を使用することが好ましいが、ＨＮＯ３＋ＨＦ＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液も使用可能である。後者の液であっても、本発明に適用した場合は、従来のエッチング法で問題であった膜材料とウェハ基板材料とのエッチング速度の差異に起因する不均一性が問題とならないため、均質なエッチング面を得ることができる。
　【００６３】
　（ｉｖ）ポリシング工程
　最終工程はポリシングである。本発明の主要な長所は、表面層の除去過程で生じるサブサーフェスダメージが非常に浅いことであり、ダメージ層を除去するためのポリシング工程での除去量を少なくすることができる。
　【００６４】
　これにより、ウェハの再生を行う上で２つの大きな優位性が得られる。第１点としては、ポリシングによる除去量を減らすことは、全工程を経た後のウェハ厚さ減少量を削減することにつながるため、従来よりも厚い再生ウェハを製造することが可能となる。第２に、ポリシング時間またはポリシング工程数（両方の場合もある）を減らすことができるため、ウェハのポリシング費用を削減することができる。ポリシングはバッチプロセスであり、ウェハの直径が大きくなるにしたがいポリシング費用が大きな割合を占めるようになる。ポリシング装置の大きさは限られているため、１バッチでポリシングできるウェハの数は、ウェハ径が大きくなるにしたがい減少する。その結果、ウェハあたりのポリシング時間は急激に増加することになる。したがって、ポリシングの除去量やポリシング時間を削減すればポリシング費用、ひいては再生ウェハの全費用を削減することができる。
　【００６５】
　ラッピングしたウェハをポリシングする従来方法では、ラッピングしたウェハをまず最初にダメージ層を除去する「粗ポリシング」を行った後、粗ポリシング面の表面を滑らかにして鏡面を得るために「仕上げポリシング」により表面を仕上げる。
　【００６６】
　ラッピングしたウェハのサブサーフェスダメージ深さの典型的な値としては１０〜１５μｍであり、粗ポリシングではウェハ厚さのばらつきを考慮してダメージ深さの約１．５倍の厚さ（１５〜２２μｍ）を除去する。粗ポリシングの典型的な除去速度は０．７〜０．８μｍ／分なので、このサブサーフェスダメージ部分を除去するためには２０〜３０分の粗ポリシング時間が必要となる。粗ポリシングを行ったウェハは、次に約１０〜１５分間の仕上げポリシングを行う。通常の場合、粗ポリシングは２工程に分割し、仕上げポリシングも含めて各ポリシング工程を約１０〜１５分間で行われている。また、粗ポリシングは仕上げポリシングの２倍の時間が必要となるため、１台の仕上げポリシング装置に対して２台の粗ポリシング装置を割り当てることもある。本発明者らが知りうる限りでは、粗ポリシング装置と仕上げポリシング装置の各々が短いサイクル時間で同調してポリシングを行う例は、これまで報告されていない。ラッピング工程はもともとシリコンインゴットからスライスされたウェハの厚さを効率よく薄くするために開発された工程であるため、サブサーフェスダメージ深さの削減には限界がある。
　【００６７】
　本発明の再生方法によれば、表面層の除去過程で生じるサブサーフェスダメージ深さは８μｍ以下であり、このダメージを除去するためには粗ポリシングで８〜１５μｍ（典型的な例としては８〜１０μｍ）除去すれば十分である。このため、本発明のプロセスでは粗ポリシングと仕上げポリシングを約１０〜１２分サイクルで同調して稼働させることができるため、ポリシング装置の生産性を向上させ、プロセスの費用を削減することが可能である。
　【００６８】
　従来からのポリシング法を用いて再生前のウェハの表（おもて）面および／または裏面の片方または両方をポリシングすることができるが、レーザマーキングのある面と逆の面をポリシングすることが望ましい。
　【００６９】
　インゴットよりスライスされ、一度も再生されていない使用済みウェハは、表（おもて）面またはポリシングされた面にＩＤとしてレーザーマーキングが付けられている。レーザーマーキングは穴または溝で構成される文字または数字であり、通常２０〜５０μｍの深さを持つ。ウェハがモニターとして使用された場合、様々な種類の膜がウェハの面に成膜され、レーザーマーキングの穴や溝にも膜材料が残ることになる。
　【００７０】
　本発明の再生方法で使用済みウェハが初めて再生される場合には、エッチングまでの工程で除去される厚さは通常１０μｍ以下（各々の面について５μｍ以下）であり、たいていの場合には再生前の表（おもて）面にあったレーザーマーキングはエッチング工程終了後も表（おもて）面に残留する。従ってレーザーマーキングのあった面は裏面（マット面）として、その反対面をポリシング面とすれば良い。
　【００７１】
　再生したウェハはテストウェハとして半導体製造工程で用いられた後、１回目と同様のプロセスで２回目の再生を受けることが可能である。その場合、上記レーザーマーキングは裏面にきている。そして、レーザーマーキングのある面の反対の面がポリシングされる。この再生サイクルは、ウェハがもはや使用できないほど薄くなるまで繰り返される。なお、レーザーマーキングはたいていの場合、最後のサイクルまで裏面（マット面）に残る。
　【００７２】
　レーザーマーキングのない面をポリシングする理由は２つの利点があるためである。第１の利点は、レーザーマーキングを裏面（マット面）に残すことで、ウェハ表（おもて）面（ポリシング面）を清浄に保つことができる。レーザーマーキング内の膜材料は、本発明でつけ加えた酸エッチングにより除去することができるが、一般的にレーザーマーキングの穴および溝の内表面は粗く、汚染の原因となる物質を吸着しやすいため、レーザーマーキングが潜在的に汚染源となるためである。第２の利点は、レーザーマーキングを残すことでウェハの追跡が可能となることである。半導体業界ではクロスコンタミの危険性を最小にするために各々のウェハの履歴を記録することがよく行われており、特に大径ウェハの場合その傾向が顕著である。
　【００７３】
　本発明方法で再生したウェハの板厚は、再生前に比べてわずかに薄いのみとなる。表１に、第１回目の再生を行った場合について各工程での除去量をまとめて示す。
　【００７４】
　２回目の再生サイクル以降、ウェハはレーザマーキングを裏面に持ち、表（おもて）面をポリシングで８〜１５μｍ除去することになる。表に示すとおり、全再生工程を通じてウェハの板厚減少量は１２〜３０μｍである。
　【００７５】
　【表１】
　【００７６】
　尚、本発明法により得られた再生ウェハは以下の特徴を有する。
　▲１▼　本発明法により再生したウェハは、再生前のウェハ基板と比較して厚さの減少量を３０μｍ以下に抑制できる。
　【００７７】
　▲２▼　本発明法により再生したウェハは、裏面が平均寸法が２０μｍ以下のほぼ正方形状エッチピットを有し、平均表面粗さが０．５μｍＲａより小さい。このエッチピットは、サブサーフェスダメージが１０μｍ以下のウェハをＫＯＨエッチングしたことの証明となる。従来からのいかなる再生方法もこのようにサブサーフェスダメージを小さくすることができず、従って裏面のエッチピット寸法も小さくすることはできなかった。
　【００７８】
　▲３▼　本発明法により再生したウェハは、表面に再生前のレーザーマーキングが残留することを特徴とする。これまでに開示されたいかなる再生方法でも、再生前のレーザーマーキングを残留させるほど小さな除去量を達成することができなかった。
　【００７９】
　▲４▼　本発明法による再生ウェハは、再生前の半導体ウェハのレーザーマーキングがポリッシュ面ではなくマット面にあるので、半導体製造工程で汚染源となりにくく好ましい。
　【００８０】
　以下、本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、下記実施例は本発明を限定するものではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することはいずれも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
　【００８１】
　【実施例】
　（実施例）
　｛１００｝面の結晶方位を有する厚さ６２５μｍの６インチ単結晶Ｓｉウェハ基板の表（おもて）面上に表２の表面層を作成したウェハ基板を各種類８枚ずつ合計２４枚の再生処理を行った。
　【００８２】
　【表２】
　【００８３】
　まず、回転スピンドルに真空チャッキングされたウェハを４５０ｒｐｍで回転させ、平均粒径１２μｍのＳｉＣ砥粒を持つ研磨テープをエアシリンダにより５００ｇでウェハエッジに押しつけながら１分間研磨した。
　【００８４】
　次に、一組のステンレス鋼製定盤（直径φ６３０ｍｍ）にショアＤスケールで４５のポリウレタン製パッドを貼り両面研磨機に設置した。両面研磨機の対向するパッド間に挿入されたキャリアに各ウェハを保持させ、平均粒径８μｍのＳｉＣ砥粒を１５重量％の割合で水に混濁させて作成した研磨液を２００ｍｌ／分の割合で対向するパッド間に供給して、研磨圧１ｐｓｉで５分間の研磨を行った。
　【００８５】
　研磨後のウェハを純水中で超音波洗浄して付着した砥粒を除去した後、５０℃に加熱した３５重量％のＫＯＨ水溶液中に浸漬して１０分間のエッチングを行った。
　【００８６】
　その後、片面研磨機を用いてもとの裏面（レーザマーキング面）を以下の様にしてポリシングした。まずステンレス鋼製定盤（直径φ８１２ｍｍ）にポリウレタン製パッドを貼り、セラミックス板にワックスを使用して貼り付けたウェハをパッド面に対向させて５ｐｓｉで加圧し、コロイダルシリカ（平均粒径６０ｎｍ）を２．５重量％含有するｐＨ１０．５の研磨液を滴下しながら定盤回転数６０ｒｐｍで１２分間研磨した。次にウェハが貼り付けられたセラミックス板を軟質のポリウレタンパッドを貼った定盤に対向させて１．５ｐｓｉで加圧し、コロイダルシリカ（平均粒径３５ｎｍ）を１重量％含有するｐＨ１０．５の研磨液を滴下しながら定盤回転数６０ｒｐｍで１２分間研磨した。
　【００８７】
　研磨終了後、標準的なＲＣＡ洗浄を行い、静電容量式非接触板厚測定器で板厚の測定すると共に、全反射蛍光Ｘ線分析により、ポリッシュ面の不純物分析を行った。
　【００８８】
　その結果、全てのウェハの板厚は６０５〜６１０μｍの範囲にあり、板厚減少量は１５〜２０μｍであることが確認できた。また、裏面は平均寸法が２０μｍ以下の正方形状エッチピットより構成されており、レーザマークは裏面（マット面）に残留していた。尚、不純物のレベルはＡｌ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒについて全て１０ｘ１０１１個／ｃｍ２以下であり、初期の段階で表面層が除去されていることが確認できた。
　【００８９】
　（従来例）
　｛１００｝面の結晶方位を有する厚さ６２５μｍの６インチ単結晶Ｓｉウェハ基板の表（おもて）面上に表２の表面層を形成したウェハ基板を各種類８枚ずつ合計２４枚一組で化学エッチング法により再生処理した。
　【００９０】
　まず、石英バスにふっ酸（２０体積％）と純水（２０体積％）および硝酸（６０体積％）を満たし、全ウェハを１分間浸積して表面層を除去した。洗浄後、片面研磨機を用いてもとの表（おもて）面（レーザマーキング面）を実施例と同様にしてポリシングし、標準的なＲＣＡ洗浄を行い、静電容量式非接触板厚測定器で板厚の測定を行った。
　【００９１】
　その結果、Ｎｏ．１および３のウェハについては、エッチングにより外周部が薄くなったためＴＴＶ（板厚偏差）を７μｍ以下にするためにポリシングの取り代が１８μｍ必要であり、Ｎｏ．２のウェハについては、外周部が薄くなるとともに、パターンによる段差が発生したため、ポリシングの取り代が２６μｍ必要であった。従って、全工程終了後のウェハの板厚は５７２〜５８１μｍの範囲にあり、板厚減少量は４４〜５３μｍであった。また、裏面は酸エッチングによりピットの無い粗面でありレーザマークはほぼ全数なくなっていた。
　【００９２】
　以上の結果より、本発明法により再生したウェハでは、従来のエッチングによる板厚減少量と比較して板厚減少量を１／２〜１／３とすることができ、レーザマークももとのまま残留させることができることが分かる。
　【００９３】
　【発明の効果】
　本発明は以上の様に構成されているので、使用済み半導体ウェハを再生するにあたり、ウェハの板厚減少量を最小限にしてウェハを多数回再生することのできる再生方法が提供できることとなった。またマット面のエッチピットが小さく、従来の再生ウェハと比べて表面粗さが小さい再生半導体ウェハが提供可能となった。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の再生方法の代表的工程を示す説明図であり、（Ａ）は使用済みウェハの部分断面図、（Ｂ）はエッジ部より膜材料を除去したウェハの部分断面図、（Ｃ）は表面より膜材料を除去したウェハの部分断面図、（Ｄ）はエッチング後のウェハの部分断面図、（Ｅ）は表面をポリシングしたウェハの部分断面図である。
　【図２】
　様々な砥粒および砥粒濃度の研磨液で加工したウェハ表面の顕微鏡写真である。
　【図３】
　本発明法および従来からのラッピング法について研磨液中の砥粒径と研磨加工したウェハのサブサーフェスダメージ深さの関係を示したグラフである。
　【図４】
　本発明法および従来からのラッピング法につき、エッチング工程中のエッチピットの成長の様子を比較した顕微鏡写真である。
　【図５】
　本発明法の研磨工程によるサブサーフェスダメージの概念図である。
　【図６】
　従来からのラッピング法によるサブサーフェスダメージの概念図である。
　【符号の説明】
　１　　ウェハ基板
　１ａ　表（おもて）面
　１ｂ　ポリッシュ面
　２　　注入部
　３　　表面層
　３ａ　エッジ部に形成された表面層
　４　　レーザーマーキング
　５　　エッジ
　１１　マイクロクラック
　１２　ダメージ深さ