【事件の表示】
　特許第３２０６５５５号「窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０６５５５号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
【1】手続の経緯
　特許第3206555号の請求項1〜8に係る発明は、平成10年8月13日に出願され、平成13年7月6日にその設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議申立がなされ、取消理由通知に対して平成14年9月9日に訂正請求がなされたものである。
　
【2】訂正の適否についての判断
【2-1】訂正の要旨
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　訂正事項a:
　特許請求の範囲の請求項1の「第2の半導体層と、」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「第2の半導体層と、前記第2の半導体層を覆うコンタクト層と、」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落0010の「第2の半導体層と、」を「第2の半導体層と、前記第2の半導体層を覆うコンタクト層と、」と訂正する。
　訂正事項b:
　特許請求の範囲の請求項2ないし3の「第3の半導体層と、」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「第3の半導体層と、前記第3の半導体層を覆うコンタクト層と、」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号0011、0012の「第3の半導体層と、」を「第3の半導体層と、前記第3の半導体層を覆うコンタクト層と、」と訂正する。
　訂正事項c:
　特許請求の範囲の請求項1ないし3の「多結晶AlGaNが形成された領域の表面に電極が形成されている」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「多結晶AIGaNが形成された領域の表面と前記コンタクト層とを覆う電極が形成されている」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号0010,0011,0012の「多結晶AlGaNが形成された領域の表面に電極が形成されている」を「多結晶AlGaNが形成された領域の表面と前記コンタクト層とを覆う電極が形成されている」と訂正する。
　訂正事項d:
　特許請求の範囲の請求項5の「第2の半導体層を形成する」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「第2の半導体層、前記第2の半導体層を覆うコンタクト層を形成する」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号0016の「第2の半導体層を形成する」を「第2の半導体層、前記第2の半導体層を覆うコンタクト層を形成する」と訂正する。
　訂正事項e:
　特許請求の範囲の請求項6ないし7の「第3の半導体層を形成する」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「第3の半導体層、前記第3の半導体層を覆うコンタクト層を形成する」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号0017、0018の「第3の半導体層を形成する」を「第3の半導体層、前記第3の半導体層を覆うコンタクト層を形成する」と訂正する。
　訂正事項f:
　特許請求の範囲の請求項5ないし7の「多結晶AlGaNが形成された領域の表面に電極を形成する」を特許請求の範囲の滅縮を目的として、「多結晶AlGaNが形成された領域の表面と前記コンタクト層とを覆う電極を形成する」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号0017、0018の「多結晶AlGaNが形成された領域の表面に電極を形成する」を「多結晶AlGaNが形成された領域の表面と前記コンタクト層とを覆う電極を形成する」と訂正する。
　
【2-2】訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項a〜c、fは、電極が形成される領域をより限定する訂正及びそれに伴う特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるための訂正であり、上記訂正事項d、eは製造方法においてコンタクト層を形成する段階を更に限定する訂正及びそれに伴う特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるための訂正であるから、上記訂正は特許請求の範囲の減縮または不明瞭な記載の釈明を目的とするものである。
　また、上記訂正事項a〜fは、願書に添付した明細書の段落番号0028、0035、0036、0060、0080、0081、図2、図6または図10に記載されたものであるから、上記訂正は願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてするものである。
　そして、上記訂正は実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものでもない。
　
【2-3】むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第120条の4第2項ただし書き並びに同条第3項で準用する同法第126条第2項及び第3項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
【3】特許異議の申立てについての判断
【3-1】申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、以下の甲第1〜5号証を示して、本件の請求項1〜3、請求項5〜7に係る特許発明は、甲第1号証及び甲第2号証から当業者であれば容易になしうる発明であるので、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができず、また、請求項1〜8の記載には記載不備があるので特許法第36条第6項の規定により特許を受けることができない旨主張している。
甲第1号証 ...特開平9-186364号公報
甲第2号証 ...特開平9-289358号公報
甲第3号証 ...J. Crystal Growth 144(1884)pp.131‐140
甲第4号証 ...特開平9-8395号公報
甲第5号証 ...特開平10-51070号
　
【3-2】
訂正後の発明
　訂正後の請求項1〜8に係る発明(以下、「本件発明1」〜「本件発明8」という)は、全文訂正明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりの以下のものである。
　「【請求項1】 (0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成され[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとする選択成長により形成された一般式InpAlq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0＜q≦1、0＜p+q≦1)で表される第2の半導体層と、
前記第2の半導体層を覆うコンタクト層と、
と前記コンタクト層とを覆う
【請求項2】 (0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成され[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとする選択成長により形成された活性層を含む多層構造の第2の半導体層と、一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0＜q≦1、0＜p+q≦1)で表される第3の半導体層と、
前記第3の半導体層を覆うコンタクト層と、
と前記コンタクト層とを覆う
【請求項3】 (0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成され[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとして選択成長により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層を覆う活性層と、前記活性層を覆う一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0＜q≦1、0＜p+q≦1)で表される第3の半導体層と、
前記第3の半導体層を覆うコンタクト層と、
と前記コンタクト層とを覆う
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体発光素子において、前記絶縁体電流狭窄層が前記開口部以外に前記開口部よりも面積の大きい第2の開口部を有する構造であり、該第2の開口部上にも半導体層が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。 
【請求項5】 (0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第1の半導体層上に、[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により少なくとも前記ストライプ状の開口部上に一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0＜q≦1、0＜p+q≦1)で表される第2の半導体層
、前記第2の半導体層を覆うコンタクト層
と前記コンタクト層とを覆う
【請求項6】 (0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第1の半導体層上に、[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により、少なくとも前記ストライプ状の開口部上に活性層を含む多層構造の第2の半導体層、該第2の半導体層を覆う一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0＜q≦1、0＜p+q≦1)で表される第3の半導体層
、前記第3の半導体層を覆うコンタクト層
と前記コンタクト層とを覆う
【請求項7】 (0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第1の半導体層上に、[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により、少なくとも前記開口部上に第2の半導体層、該第2の半導体層を覆う形状の活性層、該活性層を覆う形状の一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0＜q≦1、0＜p+q≦1)で表される第3の半導体層とを形成する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、前記第3の半導体層の成長時に前記絶縁体マスク上に多結晶AlGaNを形成し、前記多結晶AlGaNが形成された領域の表面
と前記コンタクト層とを覆う
【請求項8】 請求項5ないし7のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法において、前記絶縁体マスクが前記開口部以外の第2の開口部を有する構造であり、前記選択成長において、前記開口部上および前記第2の開口部上に同時に半導体層を形成し、前記第2の開口部の面積を変えることにより、選択成長により形成される半導体層の成膜レートを制御することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。」
　
【3-3】特許法第36条第6項について
【3-3-1】特許異議申立人は、記載不備の理由として以下の点を主張している。
　[1] 本件請求項1〜8に係る発明では、「多結晶AlGaNが形成された領域の表面に電極が形成されていること」と記載されているが、実施例には多結晶AlGaNの表面及びストライプ構造並びに、第2半導体層あるいは第3半導体層表面に電極が設けられたものしか記載されておらず、明細書に記載されていない事項までを含むものである点。
　[2]また、本件発明の実施例は図2、図6、図10のものであるが、請求項4に記載の構成「前記絶縁体電流狭窄層が前記開口部以外に前記開口部よりも面積の大きい第2の開口部を有する構造であり、該第2の開口部上にも半導体層が形成されていること」についての記載はなく、上記構成に対応する図面は図3である参考例2、同様の構成である図4に示す参考例3、図7に示す参考例4、5、図8に示す参考例6、図11に示す参考例8、図12に示す参考例9が記載されているだけであり、絶縁膜上にAlGaN多結晶が形成された実施例において、上記構成は示されていないこと。
　
【3-3-2】当審の判断
　[1]について
　訂正事項a〜c、fの訂正により、第2半導体層あるいは第3半導体層表面に電極が設けられたものに減縮されたため、申立人の主張する上記[1]の不備は解消された。なお、本件特許発明1〜8の構成である「前記多結晶AlGaNが形成された領域の表面
と前記コンタクト層とを覆う
　[2]について
　本件特許発明4の構成「前記絶縁体電流狭窄層が前記開口部以外に前記開口部よりも面積の大きい第2の開口部を有する構造であり、該第2の開口部上にも半導体層が形成されていること」について、段落【0010】〜【0013】に明確に記載されており、本件の明細書の、参考例2の説明と実施例1〜3の説明とを参酌すれば、当業者が容易に実施できる程度に技術事項が記載されていると認められる。よって、この点での記載不備は認められない。
　
【3-4】特許法第29条第2項号について
【3-4-1】刊行物の記載
甲第1号証…特開平9-186364号公報
　【0013】本発明においては、窒化物系III-V族化合物半導体層に接して、電極層として多結晶GaN層または非単結晶GaNを設けている。この電極層は、窒化物系III-V族化合物半導体層との密着性が良好であり、物理的強度も強い。また、この窒化物系III-V族化合物半導体層との良好なオーミック接触を得ることもできる。
　【0050】図5において、(0001)Si面のp型6H-SiC基板51上に上記実施形態2と同様なAlNバッファ層42が設けられている。このバッファ層42上には、上記実施形態2と同様な窒化物系III-V族化合物半導体層が上記実施形態2と逆の積層順序、即ち、p型GaN層17、p型Al0.15Ga0.85N層16、In0.06Ga0.94N:Zn層15、n型Al0.15Ga0.85N層14、n型GaN層13の順に積層されて設けられている。このn型GaN層13上には、n層用電極層19として膜厚300nmのn型GaN電極層が設けられ、p型6H-SiC基板51の裏面側にはp層用電極層としてTi/Al電極層52が部分的に設けられている。これにより、本実施形態3の窒化物系III-V族化合物半導体素子としての発光ダイオードが構成される。
　【0056】このチップをステムにマウントし、p層用電極層52からは直接、また、n層用電極層19からはワイヤーボンディングによりステム上に電極を引き出して特性評価を行った。なお、本実施形態3では、ワイヤーボンディングする部分には、ワイヤーボンディングの際の衝撃を緩和するために、パッドとしてAlを蒸着した。
【0057】その典型的な特性としては、電流20mA時の動作電圧が3.4Vであり、発光波長450nm、光度800mcdの青色発光が得られた。また、ステムにマウントした後に電極剥がれなどが生じた不良素子は殆ど存在せず、歩留りはほぼ100%であった。
　
甲第2号証…特開平9-289358号公報
　【0041】次に、実施の形態2の化合物半導体レーザ素子の作製方法について説明する。
　【0042】まず、実施の形態1の図2(a)と同様の方法で作製を行う。この工程を図4(a)に示す。
　【0043】次に、実施の形態1と同様にn型GaN層3、n型GaAlN下部クラッド層4、GaInN活性層5を積層し、温度を1050℃にしてアンモニアを毎分5リットル、TMGを毎分3×10-5モル、TMAを毎分6×10-6モル及びCp2 Mgを毎分5×10-6モル流し、5分間処理することで0.2μmのMgドープしたGaAlN上部クラッド層21aを成長させる。以上の工程を図4(b)に示す。
　【0044】次に、MgドープしたGaAlN上部クラッド層21aの表面に、電子ビーム蒸着法とフォトリソグラフィー法によって幅1μmの開口部22を有したSiO2膜23を形成する。以上の工程を図4(c)に示す。
　【0045】この後、幅1μmの開口部22を有するSiO2膜23の形成された、窒化ガリウム系化合物半導体によるダブルヘテロ構造を積層したウェーハーをMOCVD装置に導入し、MOCVD装置のリアクターを水素で良く置換した後、水素およびアンモニアを流しながら温度を1050℃まで上昇させ、温度が1050℃に安定したらTMGを毎分3×10-5モル、TMAを毎分6×10-6モル、Cp2 Mgを毎分5×10-6モル、アンモニアを毎分5リットル流し、20分間処理することによって幅1μmの開口部22内に約0.8μmのMgドープしたGaAlN上部クラッド層21bを成長させる。この成長は開口部22内のみに選択的に行われるため、開口部22以外のSiO2膜23上には、半導体層は成長しない。
　【0046】次に、TMAだけの供給を止め、10分間の成長で0.5μmのMgドープしたGaNコンタクト層7を成長させる。上記のようにしてSiO2膜23以外の部分を選択的に成長させて、光導波路となるリッジストライプ形状が形成される。以上の工程終了後の断面図を図4(d)に示す。
　【0047】次に、窒素雰囲気中で約700℃の熱処理を20分間程度行い、MgドープしたGaAlN上部クラッド層21a、21b、GaNコンタクト層7を低抵抗化及びp型化する。この処理で両層の正孔濃度は約1×1018cm-3となった。
　【0048】次に、通常のフォトリソ法を用いて、リッジストライプ形状の上面以外の表面に保護膜としてAl2O3膜9を電子ビーム蒸着法により形成し、リッジストライプ形状の上面のみにAu/Ni積層膜のp側電極10を全面的に真空蒸着法によって形成する。以上の工程終了後の断面図を図4(e)に示す。選択成長のために用いたSiO2膜を残存させて、その上にAl2O3膜9を積層することによってp型GaAlN上部クラッド層の表面保護を2層構造に簡単にすることができる。
　
甲第3号証…J. Crystal Growth 144(1884)pp.131‐140
　Fig.7には、絶縁膜上(SiO2)には、AlGaN多結晶が形成され、絶縁膜の開口部ではAlGaNが選択成長されていることが示されている。
　
甲第4号証…特開平9-8395号公報
　【0016】
　【実施例】
　実施例1本発明の一実施例を図1(a),(b)により説明する。まず、図1(a)において、(0001)C面を有するα-Al2O3基板1上に、GaNバッファ層2,n型GaN光導波層3まで有機金属気相成長法により結晶成長する。その後、絶縁膜の形成とリソグラフィーにより、マスク間隔5-10μmの絶縁膜マスク4を形成する。このとき、図1(b)において絶縁膜マスク4を形成する方向を該α-Al2O3基板1における(11-20)A面と平行な方向に規定しておく。その後、適切な選択成長条件を用いて、n型GaN光導波層5,AlGaN光分離閉じ込め層とGaN量子障壁層及びGaInN量子井戸層からなる圧縮歪多重量子井戸活性層6,p型GaN光導波層7を順次選択成長する。次に、絶縁膜8を形成して、リソグラフィーにより、p電極9とn電極10のパターンを蒸着する。さらに、該α-Al2O3基板1における(11-20)A面に対して垂直な方向、即ち導波路とは垂直な方向に基板を劈開することによって、図1(a)に示す素子断面を得る。
　
甲第5号証…特開平10-51070号
　【0021】積層を結晶成長した後、InNコンタクト層10表面からGaNバッファ層2中間までをストライプ状領域を残してエッチングする。ストライプの方向は〔1-100〕方向とする。これは、6H-SiC基板および各エピタキシャル成長層の(1-100)面をへき開面として共振器を作成できるようにするためである。なお、このエッチングはたとえば塩素を用いたドライエッチングにより行うことができる。
　【0022】露出したn型GaNバッファ層2表面にストライプ状のTi/Pt/Au積層によるn型電極11を形成し、InNコンタクト層10表面にNi/Au積層によるp型電極12を形成する。
　【0023】その後、エピタキシャル成長層および基板を(1-100)面でへき開し、〔1-100〕方向に長いレーザ共振器を作成する。図1(A)において、紙面に垂直な方向がレーザ共振器の共振方向となる。このようにして、GaN系半導体レーザが作成される。
　【0024】なお、基板はSiCの他、他の材料を用いることもできる。たとえば、図2で説明したサファイア基板を用いてもよい。活性層は、上述の構成に限らない。たとえば、図2で説明した混晶組成の井戸層とバリア層で形成されるMQW活性層を用いてもよい。また、MQW活性層以外の活性層を用いてもよい。その他、混晶組成の変更等により設計を変更することもできる。
　
【3-4-2】対比・判断
　本件発明1〜本件発明8は、窒化ガリウム系半導体発光素子又はその製造方法においてストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層上に形成された多結晶AlGaNを有し、前記多結晶AlGaNが形成された領域の表面
と前記コンタクト層とを覆う
　これに対して、甲第1号証には、窒化物系III-V族化合物半導体層に接して、電極層として多結晶GaN層または非単結晶GaNを設けることにより当該電極層が窒化物系III-V族化合物半導体層との密着性が良好となること、及びワイヤーボンディングの際の衝撃を緩和するために、パッドとして多結晶GaN層または非単結晶GaN上にAlを蒸着することが開示され、甲第2号証には、n型GaN層3、n型GaAlN下部クラッド層4、GaInN活性層5を積層し、GaAlN上部クラッド層21aを成長させ、その上に幅1μmの開口部22を有するSiO2膜23の形成し、開口部22内に約0.8μmのGaAlN上部クラッド層21bを成長させ(この成長は開口部22内のみに選択的に行われるため、開口部22以外のSiO2膜23上には、半導体層は成長しない)、0.5μmのMgドープしたGaNコンタクト層7を成長させ、光導波路となるリッジストライプ形状を形成することが開示され、甲第3号証には、気相成長により絶縁膜上(SiO2)には、AlGaN多結晶が成長し絶縁膜の開口部ではAlGaNが選択成長することが開示され、甲第4号証には、(0001)C面を有するα-Al2O3基板1上に、GaNバッファ層2,n型GaN光導波層3まで有機金属気相成長法により結晶成長させ、絶縁膜の形成とリソグラフィーにより、マスク間隔5-10μmの絶縁膜マスク4を形成し(絶縁膜マスク4を形成する方向を該α-Al2O3基板1における(11-20)A面と平行な方向に規定しておく)、n型GaN光導波層5,AlGaN光分離閉じ込め層とGaN量子障壁層及びGaInN量子井戸層からなる圧縮歪多重量子井戸活性層6,p型GaN光導波層7を順次選択成長し、絶縁膜8を形成して、リソグラフィーにより、p電極9とn電極10のパターンを蒸着することが開示され、甲第5号証には、エピタキシャル成長層および基板を(1-100)面でへき開し、〔1-100〕方向に長いレーザ共振器を作成してGaN系半導体レーザが作成されることが開示されている。
　しかし、甲第1〜5号証にはストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層上に形成された多結晶AlGaN、及び前記多結晶AlGaNが形成された領域の表面とコンタクト層とを覆う電極は開示されておらず、また、絶縁体電流狭窄層上に形成された多結晶AlGaNが形成された領域の表面とコンタクト層とを覆う電極が形成されることにより本件明細書の段落【0014】に記載された電極が剥離しにくくなるという知見は示されていない。そして、電極が剥離しにくくするために、絶縁体電流狭窄層上に形成された多結晶AlGaNが形成された領域の表面とコンタクト層とを電極で覆うことは、甲第1号証〜甲第5号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できた事項とは認められない。
　よって、本件発明1〜8は、甲第1号証〜甲第5号証に記載された発明であると認められないばかりでなく、それらに基づいて当業者が容易に発明できたものとも認められない。
　
【3-5】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件の請求項1〜8に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項1〜8に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月３０日（２００２．９．３０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　訂正事項ａ：
　特許請求の範囲の請求項１の「第２の半導体層と、」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「第２の半導体層と、前記第２の半導体層を覆うコンタクト層と、」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落００１０の「第２の半導体層と、」を「第２の半導体層と、前記第２の半導体層を覆うコンタクト層と、」と訂正する。
　訂正事項ｂ：
　特許請求の範囲の請求項２ないし３の「第３の半導体層と、」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「第３の半導体層と、前記第３の半導体層を覆うコンタクト層と、」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号００１１、００１２の「第３の半導体層と、」を「第３の半導体層と、前記第３の半導体層を覆うコンタクト層と、」と訂正する。
　訂正事項ｃ：
　特許請求の範囲の請求項１ないし３の「多結晶ＡｌＧａＮが形成された領域の表面に電極が形成されている」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「多結晶ＡＩＧａＮが形成された領域の表面と前記コンタクト層とを覆う電極が形成されている」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号００１０，００１１，００１２の「多結晶ＡｌＧａＮが形成された領域の表面に電極が形成されている」を「多結晶ＡｌＧａＮが形成された領域の表面と前記コンタクト層とを覆う電極が形成されている」と訂正する。
　訂正事項ｄ：
　特許請求の範囲の請求項５の「第２の半導体層を形成する」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「第２の半導体層、前記第２の半導体層を覆うコンタクト層を形成する」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号００１６の「第２の半導体層を形成する」を「第２の半導体層、前記第２の半導体層を覆うコンタクト層を形成する」と訂正する。
　訂正事項ｅ：
　特許請求の範囲の請求項６ないし７の「第３の半導体層を形成する」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「第３の半導体層、前記第３の半導体層を覆うコンタクト層を形成する」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号００１７、００１８の「第３の半導体層を形成する」を「第３の半導体層、前記第３の半導体層を覆うコンタクト層を形成する」と訂正する。
　訂正事項ｆ：
　特許請求の範囲の請求項５ないし７の「多結晶ＡｌＧａＮが形成された領域の表面に電極を形成する」を特許請求の範囲の滅縮を目的として、「多結晶ＡｌＧａＮが形成された領域の表面と前記コンタクト層とを覆う電極を形成する」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号００１７、００１８の「多結晶ＡｌＧａＮが形成された領域の表面に電極を形成する」を「多結晶ＡｌＧａＮが形成された領域の表面と前記コンタクト層とを覆う電極を形成する」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成され［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとする選択成長により形成された一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第２の半導体層と、
前記第２の半導体層を覆うコンタクト層
と前記コンタクト層とを覆う
　【請求項２】　（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成され［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとする選択成長により形成された活性層を含む多層構造の第２の半導体層と、一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第３の半導体層と、
前記第３の半導体層を覆うコンタクト層と、
と前記コンタクト層とを覆う
　【請求項３】　（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成され［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとして選択成長により形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層を覆う活性層と、前記活性層を覆う一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第３の半導体層と、
前記第３の半導体層を覆うコンタクト層と、
と前記コンタクト層とを覆う
　【請求項４】　請求項１ないし３のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体発光素子において、前記絶縁体電流狭窄層が前記開口部以外に前記開口部よりも面積の大きい第２の開口部を有する構造であり、該第２の開口部上にも半導体層が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
　【請求項５】　（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層上に、［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により少なくとも前記ストライプ状の開口部上に一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第２の半導体層
、前記第２の半導体層を覆うコンタクト層を形成する
前記
と前記コンタクト層とを覆う
　【請求項６】　（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層上に、［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により、少なくとも前記ストライプ状の開口部上に活性層を含む多層構造の第２の半導体層、該第２の半導体層を覆う一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第３の半導体層
、前記第３の半導体層を覆うコンタクト層
と前記コンタクト層とを覆う
　【請求項７】　（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層上に、［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により、少なくとも前記開口部上に第２の半導体層、該第２の半導体層を覆う形状の活性層、該活性層を覆う形状の一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第３の半導体層
、前記第３の半導体層を覆うコンタクト層を
と前記コンタクト層とを覆う
　【請求項８】　請求項５ないし７のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法において、前記絶縁体マスクが前記開口部以外の第２の開口部を有する構造であり、前記選択成長において、前記開口部上および前記第２の開口部上に同時に半導体層を形成し、前記第２の開口部の面積を変えることにより、選択成長により形成される半導体層の成膜レートを制御することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、窒化ガリウム系半導体発光素子とその製造方法に関し、特に素子抵抗及び動作電流が低く、さらにレーザ構造を有する場合は、基本モードに整形されたレーザ光の放出を可能とする窒化ガリウム系半導体発光素子とその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　窒化ガリウムは、ＩｎＰやＧａＡｓといった従来の一般的な化合物半導体に比べ、禁制帯エネルギーが大きい。そのため、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される半導体（以下、窒化ガリウム系半導体）は緑から紫外にかけての発光ダイオード、半導体レーザへの応用が期待されている。このような窒化ガリウム系半導体発光素子は形成方法により六方晶と立方晶の２種類の結晶構造をとり得るが、六方晶の方がエネルギー的に安定のため、通常は六方晶の結晶構造を用いている。
　【０００３】
　図１３は、従来技術による窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である（例えば、Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ　ｅｔ　ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９（１９９６）１４７７）。図１３に於いて、この窒化ガリウム系半導体レーザの層構造は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１０１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層１０２、厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層１０３、厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層１０４、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層１０５、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層１０６、厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層１０７、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１０８、Ｎｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極１１３、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極１１２が形成されている。
　【０００４】
　図１３において、全ての半導体層は平坦なサファイア基板１０１上に形成され、ｐ型クラッド層１０７とｐ型コンタクト層１０８はエッチングによって幅４μｍ程度のストライプ状のリッジ構造１０９に加工され、リッジの頭部を除いて形成されたＳｉＯ２膜１１０によって電流をリッジ部分のみに狭窄している。また、サファイア基板１０１は絶縁体のため、エッチングによって段差１１１を形成し、ｎ型コンタクト層１０２を露出した後にｎ電極１１２を形成している。図１３に示された従来の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　図１３に示された従来の窒化ガリウム系レーザは、エッチングにより形成された、幅４μｍのリッジ構造によって電流狭窄を行なっているために発振しきい値電流が小さくなっている。また、リッジ部分とそれ以外の部分で実効的な活性層の屈折率差ができるので、図１３のレーザ構造断面内での光導波ができ、基本モードの楕円形のレーザ光が放射される。レーザ光の放射パターンが基本モードであることは、光ディスク用光源などの用途では、レンズによる集光で小さいスポットが得られるため重要である。
　【０００６】
　しかしながら、図１３に示された従来の窒化ガリウム系半導体レーザは、レーザ表面に形成されたｐ電極１１３と電流狭窄を行うためのリッジ構造のｐ型コンタクト層１０８との接触面積が４μｍ程度と小さいために電極とコンタクト層の間の接触抵抗が大きいという問題があった。特に窒化ガリウム系半導体では、ｐ型ドーパントの活性化エネルギーが大きいためｐ型層のホール濃度を大きくできないこと、良好なｐ型オーミック電極金属がないことからｐ型コンタクトの接触抵抗が大きく、ｐ型コンタクト面積が小さいことによる素子抵抗への影響は大きい。また、ｐ型層、特にｐ型ＡｌＧａＮ層１０７のバルク抵抗は大きく、電流が幅の狭いｐ型層に狭窄されていることによる素子抵抗への影響は大きい。
　【０００７】
　更に、一般にエッチングによるリッジ構造形成は、厳しいエッチングレート制御性が必要であり、半導体層が損傷を受けやすい、あるいは工程が複雑である、などの問題が多い。
　【０００８】
　選択成長を用いて窒化物系半導体発光素子のダブルヘテロ構造を作成した例としては特開平７−２４９８３１号公報の例が知られているが、この例では選択成長でレーザ共振器の反射面を形成するためのものであり、素子抵抗及び低動作電流を実現するための構造および作製方法についての記載はなかった。
　【０００９】
　本発明の目的は、素子抵抗及び動作電流が低い窒化ガリウム系半導体発光素子を提供すること、さらに、このような窒化ガリウム系半導体発光素子を簡単な工程で得るための製造方法を提供することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光素子は、（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成され［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとする選択成長により形成された一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第２の半導体層と、
前記第２の半導体層を覆うコンタクト層
と前記コンタクト層とを覆う
　【００１１】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光素子は、（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成され［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとする選択成長により形成された活性層を含む多層構造の第２の半導体層と、一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第３の半導体層と、
前記第３の半導体層を覆うコンタクト層と、
と前記コンタクト層とを覆う
　【００１２】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光素子は、（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成され［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとして選択成長により形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層を覆う活性層と、前記活性層を覆う一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第３の半導体層と、
前記第３の半導体層を覆うコンタクト層と、
と前記コンタクト層とを覆う
　【００１３】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光素子は、上記の窒化ガリウム系半導体発光素子において、前記絶縁体電流狭窄層が前記開口部以外に前記開口部よりも面積の大きい第２の開口部を有する構造であり、該第２の開口部上にも半導体層が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
　【００１４】
　本発明は、絶縁体電流狭窄層上に多結晶ＡｌＧａＮ膜が形成され、多結晶ＡｌＧａＮ膜上にも電極が形成されていることを特徴とする。ＡｌＧａＮを選択成長する場合は、マスク上に多結晶ＡｌＧａＮ膜が形成されるが、多結晶化に伴う表面積の増加によりＡｌＧａＮ膜上に形成される電極は剥離しにくくなり、電極の剥離を防止することができる。
　【００１５】
　（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶の半導体層上に選択成長によって形成されるダブルヘテロ構造の一部としては、下部クラッド層から上の層、または活性層から上の層、あるいは上部クラッド層から上の層などが想定できる。
　【００１６】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法は、（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層上に、［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により少なくとも前記ストライプ状の開口部上に一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第２の半導体層
、前記第２の半導体層を覆うコンタクト層を形成する
前記
と前記コンタクト層とを覆う
　【００１７】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法は、（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶でありかつ一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層上に、［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により、少なくとも前記ストライプ状の開口部上に活性層を含む多層構造の第２の半導体層、該第２の半導体層を覆う一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第３の半導体層
、前記第３の半導体層を覆うコンタクト層
と前記コンタクト層とを覆う
　【００１８】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法は、（０００１）面または（０００１）面となす角が１０度以内である面を表面とする六方晶であり、かつ、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層上に、［１−１００］方向または［１−１００］方向となす角が１０度以内の方向にストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクを形成し、選択成長により、少なくとも前記開口部上に第２の半導体層、該第２の半導体層を覆う形状の活性層、該活性層を覆う形状の一般式ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）で表される第３の半導体層
、前記第３の半導体層を覆うコンタクト層を
と前記コンタクト層とを覆う
　【００１９】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法は、上記製造方法において、前記絶縁体マスクが前記開口部以外の第２の開口部を有する構造であり、前記選択成長において、前記開口部上および前記第２の開口部上に同時に半導体層を形成し、前記第２の開口部の面積を変えることにより、選択成長により形成される半導体層の成膜レートを制御することを特徴とする。
　【００２０】
　なお、選択成長に用いるマスク幅を変え、マスクによる被覆率を変えることにより、選択成長によって形成される半導体層の成膜レートを制御することが可能となり、ヘテロ構造における所望の半導体層の層厚の制御が容易となる。
　【００２１】
　【発明の実施の形態】
　以下に、本発明の各実施例について図面を参照して詳しく説明する。
　【００２２】
　《参考例１》図１は、本発明を説明するための参考例１である窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【００２３】
　図１に示された本参考例１では、窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層として（０００１）面を表面とする六方晶を用いている。図１に於いて、本発明の参考例１の窒化ガリウム系半導体レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板３１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層３２、厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３３、厚さ０．０５μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層３４、ｎ型ＧａＮ光ガイド層３４上に形成され＜１−１００＞方向の幅１μｍのストライプ状開口部３６を持った厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク３５、ＳｉＯ２マスク３５を用いてストライプ状開口部３６に選択的に形成された厚さ０．０５μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層３７、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層３８、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層３９、厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層４０、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層４１からなる積層構造が形成されている。選択成長により形成した層は、側面が［１１−２２］面となっている。
　【００２４】
　また素子電極はＮｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極４４、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極４３で形成されている。サファイア基板３１が絶縁体のため、ｎ電極４３はエッチングによって段差４２を形成し、ｎ型コンタクト層３２を露出した後に形成している。
　【００２５】
　次に図１に示された本発明の参考例１の窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法について説明する。
　【００２６】
　初めに、有機金属化学気相成長法により、平坦なサファイア基板３１上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層３２、ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３３、ｎ型ＧａＮ光ガイド層３４を前述の順序で形成した後に、結晶の［１−１００］方向に、幅１μｍのストライプ状の開口部３６を持つＳｉＯ２マスク３５を形成し、しかる後に、有機金属化学気相成長法により、ＳｉＯ２マスク３５の開口部３６に選択的にｎ型ＧａＮ光ガイド層３７を成長し、続いて多重量子井戸構造活性層３８、ｐ型ＧａＮ光ガイド層３９、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層４０、ｐ型ＧａＮコンタクト層４１を成長する。さらにｐ電極、ｎ電極を形成する工程を経て窒化ガリウム系半導体レーザを形成する。
　【００２７】
　図１に示された本発明の参考例１の窒化ガリウム系半導体レーザでは、ｎ型層上にＳｉＯ２マスク３５により開口部３６を形成し、選択成長を行うことで開口部３６周辺に活性層とｐ型層を選択的に形成している。この場合、活性層３８に対する電流狭窄をＳｉＯ２膜３５で行うことができ活性層３８への理想的な電流狭窄が可能となる。
　【００２８】
　また参考例１の場合は活性層の側面は活性層の屈折率より低い層で埋め込まれて活性層横方向の屈折率差が大きくなるため、活性層幅を１μｍ程度と小さくすることでレーザ光の基本横モード制御が行える。
　【００２９】
　図１３に示した従来の窒化ガリウム系半導体レーザの電流狭窄構造では、幅４μｍのリッジに沿って電流狭窄されるが活性層付近でさらに２μｍ程度電流が広がってしまう。これに対し、本発明の参考例１の半導体レーザでは、ほぼ完全な電流狭窄で１μｍ程度の幅の狭い幅の活性層に電流注入を行えるため、従来の窒化ガリウム系半導体レーザに比べてレーザの発振閾値は数分の１に大きく減少する。
　【００３０】
　また前述の通り、（０００１）面を表面とする六方晶窒化ガリウム系半導体層上にＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＡｌＧａＮを選択成長により形成する場合、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＡｌＧａＮは六方晶窒化ガリウム系半導体層の［１−１２０］方向では［０００１］方向と同程度の成長速度を持つ。従って、ｐ型ＧａＮコンタクト層４１の頂上の幅は、電流狭窄幅（＝ＳｉＯ２膜３５の開口部３６の幅：１μｍ）に比べて選択成長する結晶の層厚の２倍程度、すなわち１．６μｍ程度大きくなる。これに加えてｐ型ＧａＮコンタクト層４１はリッジ形状になっており、リッジ側壁にもコンタクトが形成されているため、ｐ電極４４と導通する総コンタクト面積は４μｍ程度になる。
　【００３１】
　図１３に示した従来の窒化ガリウム系半導体レーザでは、ｐ型コンタクトの幅は４μｍのリッジ上部の幅に等しく、この幅とｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層４０とｐ型ＧａＮコンタクト層４１の電流が流れる幅はほぼ等しくなる。これに対して参考例１ではｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層４０とｐ型ＧａＮコンタクト層４１の電流が流れる幅は３μｍ程度になる。従って、参考例１の窒化ガリウム系半導体レーザでは、従来の窒化ガリウム系半導体レーザと比較してｐ型コンタクト抵抗、及びｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９とｐ型ＧａＮコンタクト層１０のバルク抵抗は同程度になる。
　【００３２】
　このように、本発明の構造では従来と同程度の素子抵抗を維持しながら発振閾値を減少することが可能となり、動作電圧を従来よりも低減することができる。
　【００３３】
　また本参考例１では、光導波路を半導体結晶の［１−１００］方向に形成しているため、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することができ、さらに電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程を簡単にできる。
　【００３４】
　《実施例１》図２は、本発明を窒化ガリウム系レーザに適用した実施例１の概略断面図である。図２に示された実施例１の窒化ガリウム系半導体レーザは、参考例１の半導体レーザと比較して絶縁体マスク上に多結晶ＡｌＧａＮ４５が形成されている点が異なっている。
　【００３５】
　図２に示された、本実施例１では窒化ガリウム系レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。図２に於いて、本発明の窒化ガリウム系半導体レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板３１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層３２、厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３３、厚さ０．０５μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層３４、ｎ型ＧａＮ光ガイド層３４上に形成され＜１−１００＞方向の幅１μｍのストライプ状開口部３６を持った厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク３５、ＳｉＯ２マスク３５を用いて選択的に形成された厚さ０．０５μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層３７、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層３８、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層３９、厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層４０、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層４１からなる積層構造が形成されている。選択成長により形成した層は、側面が［１１−２２］面となっている。
　【００３６】
　また素子電極はＮｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極４４、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極４３で形成されている。ｎ電極４３はサファイア基板３１が絶縁体のためエッチングによって段差４２を形成し、ｎ型コンタクト層３２を露出した後に形成している。
　【００３７】
　ＡｌＧａＮ選択成長時には、選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができやすくなるが、多結晶ＡｌＧａＮ４５の層厚はｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層４０に比べて数分の１程度に小さく、ＳｉＯ２膜３５により電流狭窄及び光導波を行うことは参考例１と同様であり、多結晶ＡｌＧａＮ４５があっても電流狭窄及び光導波の効果は変わらない。
　【００３８】
　また低抵抗化に関しても参考例１と同様の効果が得られるが、多結晶ができると、表面が凹凸になるので、図のように電極を形成したときに接触面積が大きく、はがれにくくなるというＡｌＧａＮ選択成長による特有の効果もある。
　【００３９】
　さらに、電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程を簡単にできること、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成され、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成できることも参考例１と同様である。
　【００４０】
　《参考例２》図３は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した参考例２の概略断面図である。図３に示された参考例２の窒化ガリウム系半導体レーザは、参考例１の半導体レーザと比較して、選択成長のためのＳｉＯ２マスクの形状と、選択的に結晶成長する領域が異なっている。
　【００４１】
　図３に示された、本参考例２では、窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は（０００１）面を表面とする六方晶窒化ガリウム系半導体を用いている。図３に於いて、本発明の窒化ガリウム系半導体レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板３１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層３２、厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３３、厚さ０．０５μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層３４、ｎ型ＧａＮ光ガイド層３４上に形成され＜１−１００＞方向のストライプ状に形成された、幅１μｍの空隙４７を挟んで１対の幅１５μｍ、厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク４６、ＳｉＯ２マスク４６を用いて選択的に形成された厚さ０．０５μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層４８、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層４９、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層５０、厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層５１、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層５２、ｐ型ＧａＮコンタクト層５２上に形成され空隙４７と中心が一致する幅１５μｍの開口部を持ったＳｉＯ２マスク５５からなる積層構造が形成されている。選択成長により形成した層は、側面が［１１−２２］面となっている。
　【００４２】
　また素子電極はＮｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極５６、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極５４で形成されている。サファイア基板３１が絶縁体のため、ｎ電極５４はエッチングによって段差５３を形成し、ｎ型コンタクト層３２を露出した後に形成している。
　【００４３】
　次に図３に示された本発明の参考例２の窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法について説明する。
　【００４４】
　図３の半導体レーザの半導体結晶部分の製造方法は、選択的に形成する半導体層の成長領域が異なる以外は参考例１と同様である。
　【００４５】
　本参考例２では、幅１５μｍ、間隔１μｍの１対の厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク４６を用いている。このようなＳｉＯ２マスクを用いても、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層とｐ型ＧａＮコンタクト層が横方向に広がって形成されることは参考例１と同様であるが、ｎ型ＧａＮ光ガイド層３４表面でＳｉＯ２マスクのある領域とない領域の面積比（ＳｉＯ２に被覆された面積／被覆されていない面積：以下、「被覆率」と呼ぶ）を、数十分の１程度以下に小さくできる。この結果、選択的に形成する半導体層の層厚方向の成膜レートをＳｉＯ２マスクのない場合とほぼ同じにすることができ、選択成長の際の成膜レートを制御しやすくできる。
　【００４６】
　参考例２のように１対のマスクにより選択成長を行う場合、所望の素子形成領域以外にも半導体層が成長することになるが、図３に示したように、所望の素子形成領域以外の成長部分については、ＳｉＯ２膜５５を電流ブロックとして用いることで、電流がＳｉＯ２空隙４７のみに流れるようになる。したがって、参考例２の製造方法による構造でも参考例１と同様に低抵抗化、電流狭窄、横モード制御などが実現できる。
　【００４７】
　また、電流狭窄構造形成のドライエッチングが不要であるため製造工程が簡単になる。さらに光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成するため、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することができる。また、参考例２は、実施例１のように選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができる場合でも同様に適用できる（実施例１’）。
　【００４８】
　《参考例３》図４は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した参考例３の概略断面図である。図４に示された本参考例３の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は、全て（０００１）面を表面とする六方晶である。本参考例３と参考例２の違いは、参考例２における（１１−２０）面を表面とするサファイア基板３１と厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層３２がｎ型ＧａＮ基板９２に置き換わったことである。この結果、ｎ電極５４はｎ型ＧａＮ基板９２の裏面に形成される。
　【００４９】
　なお、図４の半導体レーザの半導体結晶部分の製造方法は、ｎ型基板９２上に直接選択的に結晶を形成すること以外は参考例２と同様である。
　【００５０】
　本発明の参考例３の窒化ガリウム系半導体レーザでは、ｎ電極形成の為のドライエッチングが不要であり、参考例２に比較して更に製造工程が簡略化される。また、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成され、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することが出来るが、基板自体がＧａＮであるため、サファイア基板がある場合に比べて劈開面形成ははるかに容易になる。低抵抗化、電流狭窄、横モード制御などに対する効果は参考例２と同様である。また、参考例３は、実施例１のように選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができる場合でも同様に適用できる（実施例１’’）。
　【００５１】
　《参考例４》図５は、本発明を説明するための参考例４である窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。図５に示された、本参考例４の窒化ガリウム系レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。
　【００５２】
　図５に於いて、本発明の参考例４の窒化ガリウム系半導体レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板６１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層６２、該ｎ型ＧａＮコンタクト層６２上に形成され、＜１−１００＞方向の幅１μｍのストライプ状開口部６４を持った厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク６３、ＳｉＯ２マスク６３を用いて選択的に形成された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６５、厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層６６、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層６７、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層６８、厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６９、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層７０を形成している。選択成長により形成した層は、側面が［１１−２２］面となっている。Ｎｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極７１、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極７２が形成されている。ＳｉＯ２マスク６３を除去してｎ型コンタクト層６２を露出した後にｎ電極７２を形成している。
　【００５３】
　次に図５に示された本発明の参考例４の窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法について説明する。
　【００５４】
　初めに、有機金属化学気相成長法により、平坦なサファイア基板６１上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層６２を形成した後に、結晶の［１−１００］方向に、幅１μｍのストライプ状の開口部６４を持つＳｉＯ２マスク６３を形成し、しかる後に、有機金属化学気相成長法により、前記ＳｉＯ２マスク６３の開口部６４にのみ選択的にｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６５、ｎ型ＧａＮ光ガイド層６６、多重量子井戸構造活性層６７、ｐ型ＧａＮ光ガイド層６８、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６９、ｐ型ＧａＮコンタクト層７０からなる積層構造を形成する。
　【００５５】
　図５に示された参考例４の窒化ガリウム系半導体レーザは、活性層、ｐ型層に加えてｎ型クラッド層も選択的に形成している。電流狭窄はＳｉＯ２膜６３により行うが、活性層６７において電流が流れる幅がＳｉＯ２膜６３の開口部６４の幅より１μｍ程度大きくなり、電流狭窄効果は小さくなるが、図１３に示すような従来の半導体レーザ構造よりも電流狭窄効果は大きい。
　【００５６】
　また、活性層横方向の光閉込に関しては、活性層６７がベンドした形状になっているため、活性層６７の平坦部分に光が閉じ込められる。
　【００５７】
　以上のように、従来より効果的な電流狭窄で１μｍ程度の幅の狭い活性層に電流注入を行えるため、活性層への電流狭窄幅６μｍ程度の従来実施例に比べてレーザの発振閾値は大きく減少する。
　【００５８】
　更に、ｐ型層が横方向に広がってリッジ状に形成されるため、ｐコンタクト面積は５μｍ程度、ｐ型層の幅は３μｍ程度と従来の半導体レーザ構造と同程度になる。従って、従来と同程度の素子抵抗を維持しつつ、発振閾値を減少させることができ、動作電圧の低減が可能となる。
　【００５９】
　さらに、本発明の参考例３においても、窒化ガリウム系半導体レーザの電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程を簡単にできる。また、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）面はへき開面であるため、窒化ガリウム系半導体レーザの共振器鏡面をへき開によって形成することができる。
　【００６０】
　《実施例２》図６は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した実施例２の概略断面図である。図６に示された、実施例２の窒化ガリウム系レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。
　【００６１】
　図６に於いて、本発明の窒化ガリウム系レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板６１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層６２、該ｎ型ＧａＮコンタクト層６２上に形成され、＜１−１００＞方向の幅１μｍのストライプ状開口部６４を持った厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク６３、該ＳｉＯ２マスク６３を用いて選択的に形成された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６５、厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層６６、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層６７、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層６８、厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６９、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層７０を形成している。選択成長により形成した層は、側面が［１１−２２］面となっている。Ｎｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極７１、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極７２が形成されている。ｎ型コンタクト層６２を露出した後にｎ電極７２を形成している。ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６５及びｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６９の形成時には、形成方法によってはＡｌとＳｉＯ２の吸着が強いので、ＳｉＯ２マスク６３上にそれぞれ多結晶ＡｌＧａＮ７３，７４が成長する。実施例２と参考例４との相違点は、多結晶ＡｌＧａＮ７３，７４の有無である。また実施例２の半導体結晶部分の製造方法は参考例４と同様である。
　【００６２】
　図６に示された本発明の実施例２の窒化ガリウム系半導体レーザは、参考例４の半導体レーザに比較して、多結晶ＡｌＧａＮ７３，７４があることのみが異なる。ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６５及びｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６９の形成時には、形成方法によってはＡｌとＳｉＯ２の吸着が強いので、ＳｉＯ２マスク６３上に多結晶ＡｌＧａＮ７３，７４が成長する。
　【００６３】
　ＡｌＧａＮ選択成長時には、選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができやすくなるが、多結晶ＡｌＧａＮ７３，７４の層厚はｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６５及びｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層６９に比べて数分の１程度に小さい。ＳｉＯ２膜６３により電流狭窄及び光導波を行うことは参考例４と同様であり、多結晶ＡｌＧａＮ７３，７４があっても電流狭窄及び光導波の効果は変わらない。低抵抗化に関しても参考例４と同様の効果がある。
　【００６４】
　また低抵抗化に関しても参考例１と同様の効果が得られるが、多結晶ができると、表面が凹凸になるので、図のように電極を形成したときに接触面積が大きく、はがれにくくなるというＡｌＧａＮ選択成長による特有の効果も得られる。
　【００６５】
　さらに、電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程が簡単であること、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成され、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することが出来ることは参考例４と同様である。
　【００６６】
　《参考例５》図７は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した参考例５の概略断面図である。図７に示された、参考例５の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。図７に示された本発明の参考例５の窒化ガリウム系半導体レーザは、参考例４の半導体レーザに比較して、ＳｉＯ２マスクの形状と、選択的に結晶を形成する領域が異なる。
　【００６７】
　図７に於いて、窒化ガリウム系半導体レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板６１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層６２、該ｎ型ＧａＮコンタクト層６２上に形成され、＜１−１００＞方向のストライプ状に形成された、幅１μｍの空隙８１を挟んで１対の幅１５μｍ、厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク８０、該ＳｉＯ２マスク８０を用いて選択的に形成された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層８２、厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層８３、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層８４、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層８５、厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層８６、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層８７、該ｐ型ＧａＮコンタクト層８７上に形成され、かつ空隙８１と中心が一致する幅１５μｍの開口部を持ったＳｉＯ２マスク８８、Ｎｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極８９、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極９１が形成されている。サファイア基板６１は絶縁体なので、エッチングによって段差９０を形成し、ｎ型コンタクト層６２を露出した後にｎ電極９１を形成している。
　【００６８】
　図７の半導体レーザの半導体結晶部分の製造方法は、選択的に形成する半導体層の成長領域が異なる以外は以外は参考例４と同様である。
　【００６９】
　本参考例５では、幅１５μｍ、間隔１μｍの１対の厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク８０を用いる。このようなＳｉＯ２マスクを用いても、ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層８２、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層８６、ｐ型ＧａＮコンタクト層８７等が横方向に広がって形成されることは参考例４と同様であるが、ｎ型ＧａＮ層６２表面でＳｉＯ２マスクのある領域とない領域の面積比（ＳｉＯ２に被覆された面積／被覆されていない面積：以下、被覆率と呼ぶ）を、数十分の１程度以下に小さくできる。この結果、選択的に形成する半導体層の層厚方向の成膜レートをＳｉＯ２マスクのない場合とほぼ同じにすることができ、成膜レートを制御しやすくなる。
　【００７０】
　低抵抗化、電流狭窄、横モード制御などに対する効果は参考例４と同様である。また、電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程が簡単であること、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成され、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することが出来ることも参考例４と同様である。また、参考例４は、実施例２のように選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができる場合でも同様に適用できる（実施例２’）。
　【００７１】
　《参考例６》図８は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した参考例６の概略断面図である。図８に示された、本参考例６の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。
　【００７２】
　本参考例６と参考例５の違いは、参考例５における（１１−２０）面を表面とするサファイア基板６１と厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層６２がｎ型ＧａＮ基板９２に置き換わったことである。この結果、ｎ電極９３はｎ型ＧａＮ基板９２の裏面に形成される。図８の半導体レーザの半導体結晶部分の製造方法は、ｎ型基板９２上に直接選択的に結晶を形成すること以外は参考例５と同様である。
　【００７３】
　この結果、ｎ電極形成の為のドライエッチングが不要であり、参考例５に比較して更に製造工程が簡略化される。また、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成され、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することが出来ることは同様であるが、基板自体がＧａＮであるため、サファイア基板がある場合に比べて劈開面形成ははるかに容易になる。低抵抗化、電流狭窄、横モード制御などに対する効果は参考例５と同様である。また、参考例６は、実施例２のように選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができる場合でも同様に適用できる（実施例２’’）。
　【００７４】
　《参考例７》図９は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した参考例７の概略断面図である。図９に示された、本参考例７の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。
　【００７５】
　図９に於いて、本発明の窒化ガリウム系半導体レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層２、厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３、厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層４、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層５、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層６、該ｐ型ＧａＮ光ガイド層６上に形成され、＜１−１００＞方向の幅４μｍのストライプ状開口部８を持った厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク７、該ＳｉＯ２マスク７を用いて選択的に形成された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１０、Ｎｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極１３、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極１２が形成されている。サファイア基板１は絶縁体なので、エッチングによって段差１１を形成し、ｎ型コンタクト層２を露出した後にｎ電極１２を形成している。
　【００７６】
　図９に示された本発明の参考例７の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体結晶部分の製造工程に於いては、まず、有機金属化学気相成長法により、平坦なサファイア基板１上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３、ｎ型ＧａＮ光ガイド層４、多重量子井戸構造活性層５、ｐ型ＧａＮ光ガイド層６を前記順序で形成した後に、結晶の［１−１００］方向に、幅４μｍのストライプ状の開口部８を持つＳｉＯ２マスク７を形成し、しかる後に、有機金属化学気相成長法により、前記ＳｉＯ２マスク７の開口部にのみ選択的にｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０を形成する。
　【００７７】
　図１３に示した従来の半導体レーザでは、エッチングによってメサを形成して電流狭窄を行っているため、活性層とメサ底面の間の層厚の制御が難しく、０．３＋／−０．１μｍ程度になってしまう。これに対して図９に示された本発明の参考例７の窒化ガリウム系半導体レーザでは、結晶成長とＳｉＯ２膜形成によって電流狭窄構造を作るため、活性層５からＳｉＯ２膜７までの層厚を０．１＋／−０．０１μｍ程度に制御性よく薄くすることができる。従って、本実施例では従来の半導体レーザ構造よりも電流広がりの小さい電流狭窄構造を制御性よく形成することができる。また、ＳｉＯ２膜７はＧａＮ系材料よりも屈折率が小さいため、活性層５から放射されるレーザ光に対して図９の水平方向に実効的な屈折率差が生じ、レーザ光の放射パターンが基本モードの楕円形に整形される。
　【００７８】
　更に、前述の通り、（０００１）面を表面とする六方晶窒化ガリウム系半導体層上にＧａＮ及びＡｌＧａＮを選択成長により形成する場合、ＧａＮ及びＡｌＧａＮは前記六方晶窒化ガリウム系半導体層の［１−１２０］方向には［０００１］方向と同程度の成長速度を持つ。従って、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０の幅は電流狭窄幅（＝ＳｉＯ２膜７の開口部８の幅：４μｍ）に比べて１．２μｍ程度大きくなる。これに加えてｐ型ＧａＮコンタクト層１０はリッジ形状になっており、リッジ側壁もコンタクトが形成されているため、ｐ電極１３と導通するコンタクト面積は電流狭窄幅に比べて２倍程度にもなる。また、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９とｐ型ＧａＮコンタクト層１０の電流が流れる幅は面積は電流狭窄幅に比べて１．５倍程度になる。これに比較して従来の半導体レーザでは、電流狭窄幅はリッジ幅に等しく、これとｐ電極１３と導通するコンタクト面積、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９とｐ型ＧａＮコンタクト層１０の電流が流れる幅はほぼ等しくなる。従って、本発明の半導体レーザでは従来構造に比較してｐ型コンタクト抵抗は１／２、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９とｐ型ＧａＮコンタクト層１０のバルク抵抗は１／１．５になり、大きく低抵抗化できる。特にＧａＮ系材料ではｐコンタクト抵抗及びｐ型バルク抵抗が高く、本発明の実施によるデバイス抵抗低減効果は大きい。
　【００７９】
　さらに、本発明の参考例７の窒化ガリウム系半導体レーザは、電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程が簡単である。また、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成されることになるが、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）面はへき開面であるため、窒化ガリウム系半導体レーザの共振器鏡面をへき開によって形成することが出来るという利点もある。
　【００８０】
　《実施例３》図１０は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した実施例３の概略断面図である。図１０に示された、本実施例３の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。
　【００８１】
　図１０に示された本発明の実施例３の窒化ガリウム系半導体レーザは、参考例７の半導体レーザに比較して、多結晶ＡｌＧａＮ１４があることのみが異なっている。
　【００８２】
　図１０に於いて、本発明の窒化ガリウム系半導体レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層２、厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３、厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層４、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層５、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層６、該ｐ型ＧａＮ光ガイド層６上に形成され、＜１−１００＞方向の幅４μｍのストライプ状開口部８を持った厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク７、該ＳｉＯ２マスク７の開口部のみに選択的に形成された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１０、Ｎｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極１３、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極１２が形成されている。サファイア基板１は絶縁体なので、エッチングによって段差１１を形成し、ｎ型コンタクト層２を露出した後にｎ電極１２を形成している。ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９の形成時には、形成方法によってはＡｌとＳｉＯ２の吸着が強いので、ＳｉＯ２マスク７上に多結晶ＡｌＧａＮ１４が形成される。
　【００８３】
　ＡｌＧａＮ選択成長時には、選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができやすくなるが、多結晶ＡｌＧａＮ１４の層厚はｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層９に比べて数分の１程度に小さい。ＳｉＯ２膜７により電流狭窄及び光導波を行うことは参考例７と同様であり、多結晶ＡｌＧａＮ１４があっても電流狭窄及び光導波の効果は変わらない。低抵抗化に関しても参考例７と同様の効果がある。
　【００８４】
　また低抵抗化に関しても参考例７と同様の効果が得られるが、多結晶ができると、表面が凹凸になるので、図のように電極を形成したときに接触面積が大きく、はがれにくくなるというＡｌＧａＮ選択成長による特有の効果も得られる。
　【００８５】
　また低抵抗化に関しても参考例７と同様の効果が得られるが、多結晶ができると、表面が凹凸になるので、図のように電極を形成したときに接触面積が大きく、はがれにくくなるというＡｌＧａＮ選択成長による特有の効果も得られる。
　【００８６】
　また、電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程が簡単であること、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成され、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することが出来ることは参考例７と同様である。
　【００８７】
　《参考例８》図１１は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した参考例８の概略断面図である。図１１に示された、本参考例８の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は全て（０００１）面を表面とする六方晶である。
　【００８８】
　図１１に於いて、本発明の窒化ガリウム系半導体レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１上に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層２、厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層３、厚さ０．１μｍのｎ型ＧａＮ光ガイド層４、厚さ２５Ａ（オングストローム）のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層５、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層６、該ｐ型ＧａＮ光ガイド層６上に＜１−１００＞方向のストライプ状に形成された、幅４μｍの空隙１６を挟んで１対の幅１５μｍ、厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク１５、該ＳｉＯ２マスク１５を用いて選択的に形成された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層１７、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１８、該ｐ型ＧａＮコンタクト層１８上に形成され、かつ空隙１６と中心が一致する幅１８μｍの開口部を持ったＳｉＯ２マスク２１、Ｎｉ／Ａｕの２層金属からなるｐ電極２２、Ｔｉ／Ａｌの２層金属からなるｎ電極２０が形成されている。サファイア基板１は絶縁体なので、エッチングによって段差１９を形成し、ｎ型コンタクト層２を露出した後にｎ電極２０を形成している。図１１の半導体レーザの半導体結晶部分の製造方法は、選択的に形成する半導体層の形状が異なる以外は参考例７と同様である。
　【００８９】
　図１１に示された本発明の参考例８の窒化ガリウム系半導体レーザは、参考例７の半導体レーザに比較して、ＳｉＯ２マスクの形状と、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層とｐ型ＧａＮコンタクト層を選択的に形成する領域が異なる。本参考例８では、幅１５μｍ、間隔４μｍの１対の厚さ２０００Ａ（オングストローム）のＳｉＯ２マスク１５を用いる。このようなＳｉＯ２マスクを用いても、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層１７とｐ型ＧａＮコンタクト層１８が横方向に広がって形成されることは参考例７と同様であるが、ｎ型ＧａＮ光ガイド層４表面でＳｉＯ２マスクのある領域とない領域の面積比（ＳｉＯ２に被覆された面積／被覆されていない面積：以下、被覆率と呼ぶ）を、数十分の１程度以下に小さくできる。この結果、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層１７とｐ型ＧａＮコンタクト層１８の層厚方向の成膜レートをＳｉＯ２マスクのない場合とほぼ同じにすることができ、ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層１７とｐ型ＧａＮコンタクト層１８の成膜レートを制御しやすくなる。低抵抗化、電流狭窄、横モード制御などに対する効果は参考例７と同様である。また、電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程が簡単であること、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成され、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することが出来ることは参考例７と同様である。また、参考例８は、実施例３のように選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができる場合でも同様に適用できる（実施例３’）。
　【００９０】
　《参考例９》図１２は、本発明を窒化ガリウム系半導体レーザに適用した参考例９の概略断面図である。図１２に示された本参考例９の窒化ガリウム系半導体レーザの半導体層は、全て（０００１）面を表面とする六方晶である。
　【００９１】
　本参考例９と参考例８の違いは、参考例８における（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１と厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層２がｎ型ＧａＮ基板９２に置き換わったことである。この結果、ｎ電極２０はｎ型ＧａＮ基板９２の裏面に形成される。
　【００９２】
　図１２に示された本発明の参考例９の窒化ガリウム系半導体レーザでは、参考例８との違いは、参考例８における（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１と厚さ３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層２がｎ型ＧａＮ基板９２に置き換わったことである。この結果、ｎ電極２０はｎ型ＧａＮ基板９２の裏面に形成される。この結果、ｎ電極形成の為のドライエッチングが不要であり、参考例８に比較して更に製造工程が簡略化される。また、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成され、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することが出来ることは参考例７〜１１と同様であるが、基板自体がＧａＮであるため、サファイア基板がある場合に比べて劈開面形成ははるかに容易になる。低抵抗化、電流狭窄、横モード制御などに対する効果は参考例８と同様である。また、参考例９は、実施例３のように選択成長マスク上に多結晶ＡｌＧａＮができる場合でも同様に適用できる（実施例３’’）。
　【００９３】
　＜実施例の変形＞参考例１から１２の窒化ガリウム系レーザに於いては、光導波路が半導体結晶の［１−１００］方向に形成されているが、光導波路は半導体結晶の［１−１００］方向または［１−１００］方向と１０度以内の角をなす方向に形成されていれば、本発明の実施に支障はない。開口部と一部の絶縁体電流狭窄層上に形成され側面としては、［１１−２２］面の他、絶縁体マスクとしてＳｉＮを用いた場合は［１−１２０］面が形成される場合もある。
　【００９４】
　また［１−１００］方向とずれている場合でもレーザの共振器鏡面をドライエッチングなどのへき開以外の方法で形成すれば、ミラー面形成上の問題はない。
　【００９５】
　さらに、上記、各参考例、各実施例に記載の窒化ガリウム系レーザは、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板上に形成されているが、これに限られるものではなく、（０００１）面、あるいは他の面を表面とするサファイア基板上、あるいは炭化珪素基板、ＭｇＡｌ２Ｏ４基板、ＧａＮ基板に形成しても、絶縁体マスクが形成される結晶の表面が（０００１）面であれば本発明の実施に支障はない。
　【００９６】
　また、上記、各参考例、各実施例の窒化ガリウム系半導体レーザは、（０００１）面ｎ型ＧａＮ基板上に限らず、異なる面方位のｎ型ＧａＮ基板、ｎ型炭化珪素基板といった他の基板上に形成した場合も、導電性かつ絶縁体マスクが形成される結晶の表面が（０００１）面であれば本発明の実施に支障はない。
　【００９７】
　また、本発明の実施は上記各参考例、各実施例に示された構造の窒化ガリウム系半導体レーザに限られるものではなく、各層の層厚や各層の組成や各層のドーピング濃度や電極材料やマスク材料やドライエッチング深さやストライプ幅の様々な組み合わせの窒化ガリウム系半導体レーザに於いて支障はない。
　【００９８】
　また、絶縁体マスクはＳｉＯ２を用いているが、窒化珪素膜、ＴｉＯ２膜などの他の材料の膜でもよく、絶縁体であればよい。また、各参考例、各実施例の窒化ガリウム系半導体レーザに於いては、いずれも、半導体層の表面は（０００１）面であるが、半導体層の表面は（０００１）面または（０００１）面とのなす角が１０度以内である面であれば、本発明の実施に支障はない。
　【００９９】
　また、本発明は半導体レーザだけでなく、発光ダイオードにも適用可能である。
　【０１００】
　【発明の効果】
　本発明では、選択成長の特性を利用して、ダブルヘテロ構造の少なくとも一部を選択成長により形成することで、選択成長用マスクを電流狭窄手段として用いることができ活性層への理想的な電流狭窄が可能となる。
　【０１０１】
　また選択成長で活性層の側面を活性層の屈折率より低い層で埋め込むことにより、活性層横方向の屈折率差が大きくでき、活性層幅を所定の値とすることでレーザ光の基本横モード制御が行える。
　【０１０２】
　さらに選択成長によりリッジ構造が形成できるため電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要となり製造工程を簡単にできる。
　【０１０３】
　また光導波路を半導体結晶の［１−１００］方向に形成することで、窒化ガリウム系半導体の（１−１００）へき開面を用いて共振器鏡面を形成することができ、さらに電流狭窄構造形成のためのドライエッチングが不要であるため製造工程を簡単にできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の参考例１の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図２】本発明の実施例１の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図３】本発明の参考例２の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図４】本発明の参考例３の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図５】本発明の参考例４の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図６】本発明の実施例２の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図７】本発明の参考例５の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図８】本発明の参考例６の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図９】本発明の参考例７の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図１０】本発明の実施例３の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図１１】本発明の参考例８の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図１２】本発明の参考例９の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図１３】従来の製造方法を用いて製造された、従来の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【図１４】従来の窒化ガリウム系半導体レーザの概略断面図である。
　【符号の説明】
　１　（１１−２０）面を表面とするサファイア基板
　２　ｎ型ＧａＮコンタクト層
　３　ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　４　ｎ型ＧａＮ光ガイド層
　５　多重量子井戸構造活性層
　６　ｐ型ＧａＮ光ガイド層
　７　ＳｉＯ２膜
　８　ＳｉＯ２開口部
　９　ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　１０　ｐ型ＧａＮコンタクト層
　１１　段差
　１２　チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極
　１３　ニッケルおよび金からなるｐ電極
　１４　多結晶ＡｌＧａＮ層
　１５　ＳｉＯ２膜
　１６　ＳｉＯ２開口部
　１７　ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　１８　ｐ型ＧａＮコンタクト層
　１９　段差
　２０　チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極
　２１　ＳｉＯ２膜
　２２　ニッケルおよび金からなるｐ電極
　３１　（１１−２０）面を表面とするサファイア基板
　３２　ｎ型ＧａＮコンタクト層
　３３　ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　３４　ｎ型ＧａＮ光ガイド層
　３５　ＳｉＯ２膜
　３７　ｎ型ＧａＮ光ガイド層
　３８　多重量子井戸構造活性層
　３９　ｐ型ＧａＮ光ガイド層
　４０　ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　４１　ｐ型ＧａＮコンタクト層
　４２　段差
　４３　チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極
　４４　ニッケルおよび金からなるｐ電極
　４５　多結晶ＡｌＧａＮ層
　４６　ＳｉＯ２膜
　４７　ＳｉＯ２開口部
　４８　ｎ型ＧａＮ光ガイド層
　４９　多重量子井戸構造活性層
　５０　ｐ型ＧａＮ光ガイド層
　５１　ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　５２　ｐ型ＧａＮコンタクト層
　５３　段差
　５４　チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極
　５５　ＳｉＯ２膜
　５６　ニッケルおよび金からなるｐ電極
　６１　（１１−２０）面を表面とするサファイア基板
　６２　ｎ型ＧａＮコンタクト層
　６３　ＳｉＯ２膜
　６４　ＳｉＯ２開口部
　６５　ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　６６　ｎ型ＧａＮ光ガイド層
　６７　多重量子井戸構造活性層
　６８　ｐ型ＧａＮ光ガイド層
　６９　ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　７０　ｐ型ＧａＮコンタクト層
　７１　ニッケルおよび金からなるｐ電極
　７２　チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極
　７３　多結晶ＡｌＧａＮ層
　７４　多結晶ＡｌＧａＮ層
　８０　ＳｉＯ２膜
　８１　ＳｉＯ２開口部
　８２　ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　８３　ｐ型ＧａＮ光ガイド層
　８４　多重量子井戸構造活性層
　８５　ｐ型ＧａＮ光ガイド層
　８６　ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　８７　ｐ型ＧａＮコンタクト層
　８８　ＳｉＯ２膜
　８９　ニッケルおよび金からなるｐ電極
　９０　段差
　９１　チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極
　９２　（０００１）面ｎ型ＧａＮ基板
　９３　チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極
　１０１　（１１−２０）面を表面とするサファイア基板
　１０２　ｎ型ＧａＮコンタクト層
　１０３　ｎ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　１０４　ｎ型ＧａＮ光ガイド層
　１０５　多重量子井戸構造活性層
　１０６　ｐ型ＧａＮ光ガイド層
　１０７　ｐ型Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラッド層
　１０８　ｐ型ＧａＮコンタクト層
　１０９　リッジ構造
　１１０　ＳｉＯ２膜
　１１１　段差
　１１２　チタンおよびアルミニウムからなるｎ電極
　１１３　ニッケルおよび金からなるｐ電極