【事件の表示】
　昭和６３年特許願第１８２６６８号「半導体デバイス用シリコン基板の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　２年　２月　２日出願公開、特開平　２−　３２５３５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、昭和６３年７月２１日の出願であって、その請求項に係る発明は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「半導体デバイス用単結晶シリコン基板にキセノンランプ又はハロゲンランプによる光を照射して１２００℃以上に加熱した後、常温まで２．２℃/sec以上の速度で急冷することを特徴とする半導体デバイス用シリコン基板の製造方法。（以下、「本願発明」という）」
　なお、平成９年４月２５日付け及び平成１１年９月２７日付けの各手続補正は、いづれも平成１２年８月１０日付けで却下となり、却下が確定している。
２．引用例
　原審の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６１−２１９７９５号公報（以下、「引用例」という。）には、シリコン単結晶ウエハの製造方法が開示されており、引用例の特許請求の範囲の第２項には、「シリコン単結晶ウエハの内部でゲッタリング効果を有する結晶欠陥層となる析出核を形成するための低温熱処理を施すに先だつて、シリコン単結晶ウエハに、１１００〜１２８０℃の範囲内の温度に加熱後、少なくとも５００℃以下の温度まで２００℃/min以上の冷却速度で急冷の熱処理を施すことを特徴とする・・・シリコン単結晶ウエハの製造方法。」と記載されている。
　また同引用例の第２頁左上欄１３行〜右上欄１３行には、「そこで、本発明者等は、・・・（中略）・・・、したがって、前記ウエハを急冷することにより高温において熱平衡的に相対的に多量存在する点欠陥を低温で過飽和に多量存在するようにし、この状態のウエハに上記の析出核形成低温処理を施すと、・・・という知見を得たのである。」と記載され、同引用例の第２頁左下欄６行〜右下欄２行には、「なお、この発明のシリコン単結晶ウエハの製造法において、加熱温度を１１００〜１２８０℃と限定したのは、加熱温度が１１００℃未満では急冷後のウエハにおける過飽和点欠陥が相対的に少なく、所望の上記低温熱処理時間の短縮化をはかることができず、一方１２８０℃を越えた加熱温度にしてもより一層の析出核形成促進効果が得られないという理由にもとづくものであり、また冷却速度を２００℃／min以上としたのは、２００℃／minの冷却速度を境として、これより遅い冷却速度になると、高温において熱平衡的に存在する点欠陥を低温で過飽和に存在させることが困難になるという理由によるものであり、さらに、急冷温度の上限値を５００℃としたのは、冷却温度が５００℃未満であれば、急冷後のウエハに存在する過飽和点欠陥にあまり変化がないという理由によるものである。」と記載されている。
　次に引用例における、シリコン単結晶ウエハの内部でゲッタリング効果を有する結晶欠陥層となる析出核を形成するための低温処理を施す前までの製造工程に着目すると、引用例には、
「シリコン単結晶ウエハを１１００〜１２８０℃の範囲内の温度に加熱した後、少なくとも５００℃以下の温度まで２００℃／min、即ち約３．３℃/sec以上の速度で急冷することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの製造方法。」が記載されているものと認められる。
３．対比・判断
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例における、「シリコン単結晶ウエハ」は、本願発明における、「半導体デバイス用シリコン基板」に相当するから、両者は「半導体デバイス用単結晶シリコン基板を第１の所定の温度に加熱した後、第２の所定の温度まで所定の速度以上で急冷することを特徴とする半導体デバイス用シリコン基板の製造方法。」の点で一致し、次の４点で相違している。
　本願発明では、半導体デバイス用単結晶シリコン基板の加熱に際し、キセノンランプ又はハロゲンランプによる光を照射して加熱しているのに対し、引用例記載の発明では具体的な加熱手段が明記されていない点。（第１の相違点）
　引用例記載の発明では、第１の所定の温度が１１００〜１２８０℃の範囲内の温度であるのに対し、本願発明では、１２００℃以上の温度である点。（第２の相違点）
　引用例記載の発明では、第２の所定の温度が少なくとも５００℃以下の温度としているのに対し、本願発明では、常温である点。（第３の相違点）
　引用例記載の発明では、所定の速度が約３．３℃/secであるのに対し、本願発明では、２．２℃/secである点。（第４の相違点）
　以下上記各相違点について検討する。
＜第１の相違点について＞
　半導体デバイス用単結晶シリコン基板の加熱に際し、キセノンランプ又はハロゲンランプによる光を照射して加熱することは、従来より周知の技術である（例えば、特開昭５７−１１７２４６号公報、特開昭５９−５６３３号公報、特開昭６２−２０６８３８号公報参照）から、キセノンランプ又はハロゲンランプによる光を照射して加熱することは、当業者であれば格別の創意工夫をすることなくなし得たものと認められる。
＜第２ないし４の相違点について＞
　引用例には、上記半導体デバイス用シリコン基板の製造方法の目的に関し、「ウエハを急冷することにより高温において熱平衡的に相対的に多量に存在する点欠陥を低温で過飽和に多量に存在するようにし、」と記載されている。
　また本願発明においても、明細書第３頁第１４行乃至第４頁第１０行によれば、特許請求の範囲の請求項１に記載事項との関連では、熱処理により「シリコン基板は原子空孔濃度が高くなる。」こと、加熱温度が１２００℃未満では「格子間酸素の外方拡散及び内部欠陥発生核の消滅に要する時間が長くなる。」こと、「急冷処理により冷却中における新たな内部欠陥の発生核の導入が抑制される。」こと及び「高濃度の原子空孔は、当該シリコン基板内に（均一に）分布した状態で凍結される。」ことが記載されている。
　よって、引用例記載の発明も本願発明も熱処理に関しては、同様のメカニズムに基いてなされているものと認められる。
　しかも引用例記載の発明と本願発明とは、第１の所定の温度については、１２００〜１２８０℃の範囲で重複し、第２の所定の温度については、少なくとも５００℃以下の温度である常温で重複し、所定の速度が約３．３℃/sec以上の範囲で重複するものである。
　更に本願発明における数値限定及び常温とした根拠が臨界的な意味合いの点で薄く、しかも引用例における、「なお、この発明のシリコン単結晶ウエハの製造法において、加熱温度を１１００〜１２８０℃と限定したのは、加熱温度が１１００℃未満では急冷後のウエハにおける過飽和点欠陥が相対的に少なく、所望の上記低温熱処理時間の短縮化をはかることができず、一方１２８０℃を越えた加熱温度にしてもより一層の析出核形成促進効果が得られないという理由にもとづくものであり、また冷却速度を２００℃／min以上としたのは、２００℃／minの冷却速度を境として、これより遅い冷却速度になると、高温において熱平衡的に存在する点欠陥を低温で過飽和に存在させることが困難になるという理由によるものであり、さらに、急冷温度の上限値を５００℃としたのは、冷却温度が５００℃未満であれば、急冷後のウエハに存在する過飽和点欠陥にあまり変化がないという理由によるものである。」旨の記載を参酌すれば、第１の所定の温度について、１２００℃以上の範囲とし、第２の所定の温度について、常温とし、所定の速度を２．２℃/sec以上の範囲とすることは、当業者にとって設計事項の域を出るものではない。
　なお引用例において「少なくとも５００℃以下の温度」としたのは、次の熱処理（実施例によれば８００℃の低温熱処理）との関係でウエハの温度を不必要に下げたくないとの要請によるものであるとみられ、上記熱処理のメカニズムに照らせば常温まで冷却することが否定されないことは、当業者にとって明らかな事項である。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。