【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月2日(2014.12.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護薄膜を堆積する方法において、
第１前駆体ガスを前駆体チャンバに導入するステップであって、該第１前駆体ガスはオゾンと反応する、該第１前駆体ガス導入ステップと、
第２前駆体ガスの流れを、前記前駆体チャンバとは異なりかつ前駆体チャンバから仕切り体で分離した酸化ゾーンに注入する第２前駆体ガス注入ステップであって、前記仕切り体には、流れを制限する１つ又はそれ以上の通路を延在させ、また該第２前駆体ガスは、酸素含有化合物を含み、室温で気体となり、前記第１前駆体ガスと反応せず、さらに該第２前駆体ガスはモル分率で酸素（Ｏ２）を３％未満しか含まないものである、該第２前駆体ガス注入ステップと、
前記前駆体チャンバから排出する排出ステップであって、前記第２前駆体ガスの少なくとも一部が、前記酸化ゾーンから前記通路を経て前記前駆体チャンバに流入するようにし、これによって前記第１前駆体ガスが前記酸化ゾーンへ移動することを抑止する、該排出ステップと、
基板を移送経路に沿って前記前駆体チャンバと前記酸化ゾーンとの間で複数回出入りするよう移送する移送ステップであって、該移送経路は、前記通路のうち少なくとも一部を貫通して前記前駆体チャンバに至るものとし、前記前駆体チャンバでは、前記第１前駆体ガスが前記基板の表面に化学吸着種として化学的に吸着する、該移送ステップと、
前記移送経路近傍における前記酸化ゾーンで、前記第２前駆体ガスからプラズマを形成することにより、オゾンを発生させることなく、前記酸素含有化合物から不安定な酸素ラジカル種を発生させる酸素ラジカル種発生ステップであって、前記基板が前記酸化ゾーンを経て移送されるとき、オゾンに被曝されることなく、前記基板が該不安定な酸素ラジカル種に被曝されて、該不安定な酸素ラジカル種が前記化学吸着種と反応し、前記基板上に保護薄膜を堆積する、該酸素ラジカル種発生ステップと、
を有する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記第２前駆体ガスは、モル分率で通常の酸素（Ｏ2）を０．１％未満しか含まない、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記第２前駆体ガスは、二酸化炭素（ＣＯ2）を含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記第２前駆体ガスは、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記第２前駆体ガスは、ＣＯ2、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ2Ｏ及びＮＯ2から選んだ２種又はそれ以上の混合物を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記不安定な酸素ラジカル種は、主として単原子の酸素ラジカル（Ｏ・）からなる、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記第１前駆体ガスは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）、六塩化二ケイ素（Ｓｉ2Ｃｌ6）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）、トリスジメチルアミノシラン（ＴＤＭＡＳ）及び四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）からなるグループから選択する、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記基板が前記酸化ゾーンを経て移送される際に、前記基板表面がプラズマに被曝される、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法は、さらに、前記基板を加熱するが内部温度は摂氏１５０度未満となるようにするステップを有する、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法は、さらに、前記基板を加熱するが内部温度は摂氏８０度未満となるようにするステップを有する、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、
前記基板は可撓性とし、
前記基板を移送経路に沿って前記前駆体チャンバと前記酸化ゾーンとの間を出入りするように移送する前記移送ステップは、波形の移送経路に沿って案内する一連の回転ガイドの周りに移送して前記基板を巻き取るステップを有する、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法において、
前記不安定な酸素ラジカル種の発生ステップは、高周波又はマイクロ波エネルギーを加えることにより、前記酸化ゾーン内で前記酸素含有化合物のガスを励起するステップを含み、また
前記通路は、前記酸化ゾーン内に前記プラズマを閉じ込めることができるほど十分に狭いものとする、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法は、さらに、前記酸化ゾーンをバッファゾーンにより前記前駆体チャンバから分離するステップを有し、
前記酸化ゾーンは、第２仕切り体により前記バッファゾーンから分離し、該第２仕切り体には、１つ又はそれ以上の流れを制限する一連の第２の通路が貫通する、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法において、前記前駆体チャンバからの前記排出ステップは、前記前駆体チャンバからポンプで排出するステップを含む、方法。
【請求項１５】
基板上に保護薄膜を堆積させるシステムにおいて、
少なくとも１個の仕切り体によって分離して互いに異なる第１前駆体チャンバ及び第２前駆体チャンバを有する反応チャンバであって、前記仕切り体は、該第１前駆体チャンバと該第２前駆体チャンバとの間で前記基板が通過するサイズの１個又はそれ以上の通路を有するものとした、該反応チャンバと、
第１前駆体ガスを前記第１前駆体チャンバに導入するため、前記第１前駆体チャンバに流体連通する、第１前駆体源と
酸素を含有する前駆体ガスの流れを前記第２前駆体チャンバに注入するため、前記第２前駆体チャンバに接続した酸素含有前駆体ガス源であって、該酸素含有前駆体ガスは、酸素含有化合物を含み、室温で気体となり、前記第１前駆体ガスと反応せず、また第２前駆体ガスはモル分率で酸素（Ｏ２）を３％未満しか含まないものである、酸素含有前駆体ガス源と、
前記第１前駆体チャンバに接続した排出ポートであって、該排出ポートは前記反応チャンバ及び前記第１前駆体チャンバと前記第２前駆体チャンバの間の流れを制限する通路からの流体出口をなし、また前記第２前駆体チャンバからの唯一の流体出口をなすものであり、したがって、前記酸素含有の前駆体ガスを前記第２前駆体チャンバに注入するとき、
前記酸素含有の前駆体ガスの少なくとも一部は、前記第２前駆体チャンバから前記通路を経て前記第１前駆体チャンバに流入し、前記第１前駆体チャンバで、該排出ポートを経て前記反応チャンバから排出されることになり、このことにより前記第１前駆体ガスが前記第２前駆体チャンバに移動するのを抑止する、該排出ポートと、
基板を移送経路に沿って前記第１前駆体チャンバと前記第２前駆体チャンバとの間を複数回出入りするよう移送するキャリッジであって、該移送経路は、少なくとも一部の前記通路を貫通し、また前記第１前駆体チャンバ及び前記第２前駆体チャンバに延在する、該キャリッジと、
前記第２前駆体チャンバと連係動作するように設けたラジカル発生器であって、該ラジカル発生器を付勢するとき、前記移送経路の近傍で前記酸素含有前駆体ガスからプラズマを形成することにより、オゾンを発生させることなく、前記酸素含有化合物から不安定な酸素ラジカル種を発生させ、前記基板が前記キャリッジにより前記第２前駆体チャンバを通過するよう移送されるとき、オゾンに被曝させることなく、該不安定なラジカル種に前記基板を被曝させる、該ラジカル発生器と、
を備えた、システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のシステムにおいて、前記ラジカル発生器は、高周波（ＲＦ）プラズマ発生器又はマイクロ波プラズマ発生器とした、システム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のシステムにおいて、前記通路は、前記第２前駆体チャンバ内に前記プラズマを閉じ込めることができる程度に十分に狭いものとした、システム。
【請求項１８】
請求項１５に記載のシステムは、さらに、
前記第１前駆体チャンバと前記第２前駆体チャンバとの間に介在させたバッファゾーンであって、前記第２前駆体チャンバと該バッファゾーンとの間に仕切り体を介在させた、該バッファゾーンと、
前記バッファゾーンと前記第１前駆体チャンバとの間に介在させた第２仕切り体であって、該第２仕切り体は、前記移送経路が貫通する１個又はそれ以上の通路を有する、該第２仕切り体と、
を備えた、システム。
【請求項１９】
請求項１５に記載のシステムにおいて、
前記仕切り体は、複数個の通路を有し、
前記キャリッジは、前記第１前駆体チャンバ内で互いに離して設けた複数個の第１回転ガイド、及び前記第２前駆体チャンバ内で互いに離して設けた複数個の第２回転ガイドを有し、
前記第１回転ガイド及び前記第２回転ガイドは、可撓性の基板用の移送経路を画定し、前記第１回転ガイド及び前記第２回転ガイドは、それぞれ前記基板の進行方向が変化する間に、前記可撓性の基板を支持及び案内するよう構成した、システム。
【請求項２０】
請求項１５に記載のシステムにおいて、さらに、前記排出ポートに接続したポンプを備えた、システム。
【請求項２１】
基板に酸化物の保護薄膜を堆積するプロセスにおいて、
第１前駆体ガスを前駆体チャンバに導入するステップであって、該第１前駆体ガスはオゾンと反応する、該第１前駆体ガス導入ステップと、
第２前駆体ガスの流れを、前記前駆体チャンバとは異なりかつ前駆体チャンバから仕切り体で分離した酸化ゾーンに注入する第２前駆体ガス注入ステップであって、前記仕切り体には、流れを制限する１つ又はそれ以上の通路を延在させ、また該第２前駆体ガスは、酸素含有化合物を含む、該第２前駆体ガス注入ステップと、
前記前駆体チャンバから排出する排出ステップであって、前記第２前駆体ガスの少なくとも一部が、前記酸化ゾーンから前記通路を経て前記前駆体チャンバに流入するようにし、これによって前記第１前駆体ガスが前記酸化ゾーンへ移動することを抑止する、該排出ステップと、
酸素含有化合物からオゾンを発生させることなく、不安定な酸素ラジカル種を発生させる酸素ラジカル種発生ステップであって、該酸素含有化合物は室温のときに気体であり、また前記第２前駆体ガスはモル分率で酸素（Ｏ２）を３％未満しか含まないものである、該酸素ラジカル種発生ステップと、
基板を移送経路に沿って前記前駆体チャンバと前記酸化ゾーンとの間で複数回出入りするよう移送する移送ステップであって、該移送経路は、前記通路のうち少なくとも一部を貫通して前記前駆体チャンバに至るものとし、前記前駆体チャンバでは、前記第１前駆体ガスが前記基板の表面に化学吸着種として化学的に吸着し、前記不安定な酸素ラジカル種は前記表面における化学吸着種と反応し、これにより、前記表面上に酸化物の薄膜を形成する、該移送ステップと、
を有する、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記第２前駆体ガスは、モル分率で通常の酸素（Ｏ2）を１％未満しか含まない、プロセス。
【請求項２３】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記第２前駆体ガスは、モル分率で通常の酸素（Ｏ2）を０．０１％未満しか含まない、プロセス。
【請求項２４】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記酸素含有化合物は、二酸化炭素（ＣＯ2）からなる、プロセス。
【請求項２５】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記酸素含有化合物は、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）からなる、プロセス。
【請求項２６】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記酸素含有化合物は、ＣＯ2、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ2Ｏ及びＮＯ2から選んだ２種又はそれ以上の混合物からなる、プロセス。
【請求項２７】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記第１前駆体ガスは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）、六塩化二ケイ素（Ｓｉ2Ｃｌ6）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）、トリスジメチルアミノシラン（ＴＤＭＡＳ）及び四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）からなるグループから選択する、プロセス。
【請求項２８】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記不安定な酸素ラジカル種は、主として、前記酸素含有化合物から形成したプラズマにより発生した、単原子の酸素ラジカル（Ｏ・）からなる、プロセス。
【請求項２９】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記基板の移送ステップは、前記基板を、前記酸素含有化合物から形成したプラズマに被曝させるステップを有する、プロセス。
【請求項３０】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、
前記第１前駆体ガスは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、又は四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）、又はトリスジメチルアミノシラン（ＴＤＭＡＳ）を含み、
前記基板の内部温度を、堆積プロセスにわたり摂氏１５０度以下に維持する、プロセス。
【請求項３１】
請求項２１に記載のプロセスにおいて、前記基板の内部温度を、堆積プロセスにわたり摂氏８０度以下に維持する、プロセス。