【事件の表示】
　特許第３１７６５４２号「半導体装置及びその製造方法」の請求項１、３〜７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７６５４２号の請求項１、３〜７に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３１７６５４２号（平成７年１０月２５日出願、平成１３年４月６日設定登録）は、異議申立人渡辺紀子により、その請求項１、３〜７に係る発明（以下「本件発明１、３〜７」という。）の特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年２月１０日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項１
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１、３〜７について、以下のとおり訂正する。
　「【請求項１】　外側絶縁材層とチップ側絶縁材層とこれら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターンとからなり、配線パターンのチップ側絶縁材層側には配線パターンが露出した内部接続領域が設けられるとともに、配線パターンの外側絶縁材層側には配線パターンと接続したボール状の外部接続端子が設けられた配線板と、
　表面に電極を有し裏面が配線板のチップ側絶縁材層に接合された半導体チップと、
　半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とを接続するワイヤと、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板上に封止する樹脂封止部とを備え、
　前記配線板は半導体チップの周辺部に内部接続領域が形成されるとともに、この内部接続領域の端部が配線板の端部と一致し、この内部接続領域よりも半導体チップの中央寄りに配線パターンとボール状の外部接続端子とが形成されていることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】　外側絶縁材層とチップ側絶縁材層とこれら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターンとからなり、配線パターンのチップ側絶縁材層側には配線パターンが露出した内部接続領域が設けられるとともに、配線パターンの外側絶縁材層側には配線パターンと接続した外部接続端子が設けられた配線板と、
　表面に電極を有し裏面が配線板のチップ側絶縁材層に接合された半導体チップと、
　半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とを接続するワイヤと、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板上に封止する樹脂封止部とを備え、
　前記配線板は半導体チップの周辺部に内部接続領域が形成されるとともに、その内部接続領域よりも半導体チップの中央寄りに配線パターンと外部接続端子とが形成されており、
　前記配線板のチップ側絶縁材層が熱可塑性樹脂からなり、その熱可塑性樹脂を加熱することにより半導体チップと配線板とが接合された半導体装置。
　　【請求項３】　配線板のチップ側絶縁材層が絶縁性の接着剤である請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項４】　配線板のチップ側絶縁材層が内部接続領域の形成時に配線パターン側よりも半導体チップ側が狭い状態で逆くさび状に取り除かれ、それによって樹脂封止の際、アンカー効果により配線板と樹脂との密着性を向上させた請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項５】　配線板の外側絶縁材層が小ホールを有し、この小ホールにより配線板の接合面での気化膨張の発生を防止する請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項６】　配線板の配線パターンが外側絶縁材層よりも狭い範囲で形成され、樹脂封止部と外側絶縁材層との間から配線パターンが露出しないようにした請求項２記載の半導体装置。
　　【請求項７】　外側絶縁材層にスルーホールを形成するとともにその外側絶縁材層に配線パターンを形成し、この配線パターンをチップ側絶縁材層で覆うことによりチップ側絶縁材層と外側絶縁材層との間に配線パターンを形成した配線板を作製し、
　配線板の配線パターンをチップ側絶縁材層の周辺部から露出させて内部接続領域を形成し、
　表面に電極が形成された半導体チップの裏面を配線板のチップ側絶縁材層の内部接続領域よりも内側領域に接合し、
　半導体チップの電極と内部接続領域とをワイヤで接続し、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板のチップ側絶縁材層上に封止し、
　配線板の外側絶縁材層からスルーホールによって露出している配線パターンを外部接続端子形成点としこの外部接続端子形成点上にボール状の外部接続端子を形成することからなり、
　配線パターン及びボール状の外部接続端子を内部接続領域よりも配線板中央寄りに形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（１−２）訂正事項２
ア）段落００５２を以下のとおり訂正する。
　「【課題を解決するための手段】
　この発明は、外側絶縁材層とチップ側絶縁材層とこれら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターンとからなり、配線パターンのチップ側絶縁材層側には配線パターンが露出した内部接続領域が設けられるとともに、配線パターンの外側絶縁材層側には配線パターンと接続したボール状の外部接続端子が設けられた配線板と、
　表面に電極を有し裏面が配線板のチップ側絶縁材層に接合された半導体チップと、
　半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とを接続するワイヤと、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板上に封止する樹脂封止部とを備え、
　前記配線板は半導体チップの周辺部に内部接続領域が形成されるとともに、この内部接続領域の端部が配線板の端部と一致し、この内部接続領域よりも半導体チップの中央寄りに配線パターンとボール状の外部接続端子とが形成されていることを特徴とする半導体装置である。」
　
イ）段落００６７を以下のとおり訂正する。
　「この発明は、また、外側絶縁材層にスルーホールを形成するとともにその外側絶縁材層に配線パターンを形成し、この配線パターンをチップ側絶縁材層で覆うことによりチップ側絶縁材層と外側絶縁材層との間に配線パターンを形成した配線板を作製し、
　配線板の配線パターンをチップ側絶縁材層の周辺部から露出させて内部接続領域を形成し、
　表面に電極が形成された半導体チップの裏面を配線板のチップ側絶縁材層の内部接続領域よりも内側領域に接合し、
　半導体チップの電極と内部接続領域とをワイヤで接続し、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板のチップ側絶縁材層上に封止し、配線板の外側絶縁材層からスルーホールによって露出している配線パターンを外部接続端子形成点としこの外部接続端子形成点上にボール状の外部接続端子を形成することからなり、
　配線パターン及びボール状の外部接続端子を内部接続領域よりも配線板中央寄りに形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。」
　
（２）訂正の適否
（２−１）訂正事項１について
ア）請求項１の訂正は、外部接続端子をより下位概念である「ボール状の外部接続端子」に限定するとともに、内部接続領域の端部が配線板の端部と一致することを限定したものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。そしてこれらの限定は、特許明細書の段落００５４、段落００５９及び図１３の記載に基づくものである。
イ）請求項２の訂正は、訂正前の請求項１の構成要件を取り込んで、引用形式を独立形式としたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
ウ）請求項３〜６の訂正は、「ことを特徴とする」の記載を削除したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当するとともに、さらに、請求項６の訂正は、訂正前の請求項１を引用する引用形式から訂正後の請求項２を引用する引用形式に訂正したものであって、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮に該当する。
エ）請求項７の訂正は、外部接続端子をより下位概念である「ボール状の外部接続端子」に限定したものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。そしてこの限定は、特許明細書の段落００５４、段落００５９の記載に基づくものである。
　
（２−２）訂正事項２について
　段落００５２、段落００６７の訂正は、特許請求の範囲の訂正に発明の詳細な説明の記載を整合させたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項１、２については、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項１、２に係る訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び第３項において準用する同法第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］取消理由で引用された刊行物である引用例１〜８の記載事項
（１）引用例１（甲第１号証）
　引用例１の特開平４−４３６６９号公報には、ピングリッドアレイ型半導体装置において高密度実装化を図るための構造に関する発明が図１、２とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された金属配線層と、前記金属配線層が表面に形成された基板と、前記基板の内部にその上部が挿入された金属製リードピンとを含むピングリッドアレイ型半導体装置において、前記基板の内部に挿入された前記リードピンの上方に、前記半導体チップを配置したことを特徴とするピングリッドアレイ型半導体装置。」（特許請求の範囲）
　「本発明は、従来のピングリッドアレイ型半導体装置では、金属製リードピンが配置されていなかった基板の半導体チップ搭載部にもリードピンを配置することにより、リードピンのピン径、及びピン間隔を変えることなく、従来装置に比べて、同一本数のリードピンを配置するために必要な基板の寸法、すなわち、装置の外形寸法を小型化できるので、高密度実装に適したピングリッドアレイ型半導体装置を提供することができる。」（３頁左上欄１７行〜右上欄５行）
　「金属リードピン１が基板２の全域にわたって挿入され、基板２の中央部上方に接着剤層３を介して半導体チップ４を接着し、さらに、半導体チップ４と基板２の表面に形成された金属配線５をボンディングワイヤ６で電気的に接続した後、半導体チップ４、ボンディングワイヤ６、及び、金属配線５等を樹脂で封止して構成される。」（３頁右上欄１１〜１７行）
　「本実施例では、金属製リードピン１のピン径及びピン間隔を変えることなく、基板２の半導体チップ搭載部に金属製リードピン１を配置していなかった従来のプラスチックピングリッドアレイ型半導体装置に比べ、基板の寸法、すなわち、装置の外形寸法を小形化することができる。従って、プラスチックピングリッドアレイ型半導体装置において、高密度実装化を図ることができる。なお、収容する半導体チップの寸法に比べピン数の少ない装置では、金属製リードピン１を、基板の半導体チップ搭載部にのみ挿入してもよい。」（３頁右下欄３〜１４行）
　第１３図について、「本実施例は、基板２の半導体チップ４を搭載する部分の表面に形成された金属配線５が、保護部材層１０ａを介さず、接着剤層３によって半導体チップ４に接着されている」（６頁左上欄１５行〜右上欄１行）
　
（２）引用例２（甲第２号証）
　引用例２の特開平７−１３５２７１号公報には、半導体装置用基板において、樹脂封止部の輪郭線より若干内側に相当する位置に他方のＩＣチップ側の面方向へ掛止孔を透設することにより、樹脂封止部を形成する際に進入して固化した樹脂が抜脱するのを防止することが、図１、３とともに記載されている。
　
（３）引用例３（甲第３号証）
　引用例３の特開昭６３−１６９０３３号公報には、半導体素子を接着樹脂によってダイマウントする基板にスルーホールを設けることにより、接着樹脂から発生するガスを抜くことが、第１図とともに記載されている。
　
（４）引用例４（甲第４号証）
　引用例４の特開昭６２−２７７７５３号公報には、半導体パッケージに関する発明が図面とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　「２枚のグリーンシートからなる基板の下面にバンプメッキを形成し、グリーンシート上面にワイヤボンド用の電極を設けるとともに、電極とバンプメッキとの間にスルーホールを形成し、該スルーホール内に配線を行なって電極とバンプメッキを導通させた構造としたことを特徴とする半導体パッケージ」（特許請求の範囲）
　「ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）のように端子を格子状に並べた場合には、構造上の問題として下面からピンをアレイ状に並べる構造となって、ピン間隔が大きいため、パッケージ本体が大きくなり、高価となる欠点を有している。・・・そこで本発明者は多ピン化の要望に対応できる小型のパッケージ形態を得るべく検討の結果、この発明に至ったものである。」（１頁右欄４〜１６行）
　「基板１は通常のグリーンシートと同じくホットプレス後低温焼成すれば得られる。そしてＩＣチップ６を実装後、キャップ７にて気密封止し、さらに下面にバンプメッキ２を形成すればよい。図において８はＩＣチップ６と電極３をつなぐボンディングワイヤである。このような構造の半導体パッケージは（１）パッケージ下面全面を利用でき、また端子の代わりにバンプメッキによって外部電極を取出すから、多ピン化してもパッケージサイズがそれほど大きくならない。（２）基板を構成する２枚のグリーンシートの接合面で配線パターンを引き回せるので基板のワイヤボンド電極部およびバンプメッキ電極部の位置は固定ではなく、ある程度自由度があること。（３）気密封止構造のため、信頼性は樹脂封止パッケージより高い。・・・などの利点を有するのである。」（２頁左上欄１８行〜右上欄１９行）
　
（５）引用例５〜８
　引用例５の特開平５−１４４９７１号公報、引用例６の特開平５−２２６４８７号公報、引用例７の実願平３−６９６８０号（実開平５−６２０４０号）のＣＤ−ＲＯＭには、いずれも基板に形成したスルーホールにボール状端子を配置したものが記載され、引用例８の実願昭６２−７０４６６号（実開昭６３−１７８３４２号）のマイクロフィルムには、樹脂封止の際に樹脂がダイパッドの逆テーパー状とした凹部に入り込んで樹脂とダイパッドとの密着性を高めることが記載されている。
　
［４］対比・判断
（１）本件発明１
　本件発明１と引用例１に記載の発明とを対比すると、引用例１に記載の「基板」、「保護部材層」、「金属配線が基板の表面に露出している領域」、「金属製リードピン」は本件発明１の「外側絶縁材層」、「チップ側絶縁材層」、「内部接続領域」、「外部接続端子」に相当し、また引用例１には、半導体チップの寸法に比べピン数の少ない装置では、金属製リードピンを、基板の半導体チップ搭載部にのみ挿入してもよいことが記載されているから、引用例１に記載の発明においても、金属配線が基板の表面に露出している領域よりも半導体チップの中央よりに金属配線と金属製リードピンが形成されているものと認められる。
　そうすると、両者は、「外側絶縁材層とチップ側絶縁材層とこれら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターンとからなり、配線パターンのチップ側絶縁材層側には配線パターンが露出した内部接続領域が設けられるとともに、配線パターンの外側絶縁材層側には配線パターンと接続した外部接続端子が設けられた配線板と、表面に電極を有し裏面が配線板のチップ側絶縁材層に接合された半導体チップと、半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とを接続するワイヤと、半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板上に封止する樹脂封止部とを備え、前記配線板は半導体チップの周辺部に内部接続領域が形成されるとともに、この内部接続領域よりも半導体チップの中央寄りに配線パターンと外部接続端子とが形成されていることを特徴とする半導体装置」の点で一致するものの、以下の点で相違する。
（ａ）外部接続端子について、本件発明１は「ボール状」であるのに対し、引用例１に記載の発明は「リードピン」である点。
（ｂ）内部接続領域について、本件発明１は「内部接続領域の端部が配線板の端部と一致」するものであるのに対し、引用例１に記載の発明はそのようなものではない点。
　そこで、上記相違点（ｂ）について以下検討する。
　本件発明１は、訂正明細書記載のように、内部接続領域の端部を配線板の端部と一致させることにより、半導体装置のサイズを小型化を可能にしたものであるが、上記引用例２〜８のいずれにも記載されていないし示唆もされていない。また内部接続領域の端部を配線板の端部と一致させることは単なる設計的事項であるとすることもできない。
　してみると、相違点（ａ）については検討するまでもなく、本件発明１は引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）本件発明３
　本件発明３は本件発明１を引用する発明であって、配線板のチップ側絶縁層を絶縁性の接着剤に限定したものであるが、引用例１には、基板の金属配線が接着剤層によって半導体チップに接着されていることが記載されているものの、本件発明１が引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明３についても引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）本件発明４
　本件発明４は本件発明１を引用する発明であって、配線板のチップ側絶縁材層を配線パターン側よりも半導体チップ側が狭い状態で逆くさび状に取り除いて、アンカー効果により配線板と樹脂との密着性を向上させたものであるが、引用例２には基板のＩＣチップ側に掛止孔を透設したもの記載され、引用例８にはダイパッドに逆テーパー状とした凹部を設けたものが記載されているにしても、本件発明１が引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明４についても引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４）本件発明５
　本件発明５は本件発明１を引用する発明であって、配線板の外側絶縁材層が小ホールを有し、この小ホールにより配線板の接合面での気化膨張の発生を防止したものであるが、引用例３には基板にスルーホールを設けて接着樹脂から発生するガスを抜くこと記載されているにしても、本件発明１が引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明５についても引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）本件発明６
　本件発明６は本件発明２を引用する発明であって、外側絶縁材層とチップ側絶縁材層とこれら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターンとからなり、配線パターンのチップ側絶縁材層側には配線パターンが露出した内部接続領域が設けられるとともに、配線パターンの外側絶縁材層側には配線パターンと接続した外部接続端子が設けられた配線板と、表面に電極を有し裏面が配線板のチップ側絶縁材層に接合された半導体チップと、半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とを接続するワイヤと、半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板上に封止する樹脂封止部とを備えた半導体装置において、配線板には、半導体チップの周辺部に形成した内部接続領域よりも半導体チップの中央寄りに配線パターンと外部接続端子とが形成され、また、配線板のチップ側絶縁材層が熱可塑性樹脂からなり、その熱可塑性樹脂を加熱することにより半導体チップと配線板とが接合され、さらに、配線板の配線パターンが外側絶縁材層よりも狭い範囲で形成され、樹脂封止部と外側絶縁材層との間から配線パターンが露出しないようにした発明である。
　しかしながら、本件発明６のように、配線板のチップ側絶縁材層を熱可塑性樹脂からなるものとして、その熱可塑性樹脂を加熱することにより半導体チップと配線板とを接合したものは、引用例１〜８のいずれにも記載されていないし示唆もされていない。
　そして、本件発明６は、接着剤が不要となり、半導体チップの電極から内部接続領域までの高低差を少なくでき、ワイヤの長さを短くできるとの訂正明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明６は、引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（６）本件発明７
　本件発明７と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１に記載の「基板」、「保護部材層」、「金属配線が基板の表面に露出している領域」、「金属製リードピン」は本件発明１の「外側絶縁材層」、「チップ側絶縁材層」、「内部接続領域」、「外部接続端子」に相当し、また引用例１には、半導体チップの寸法に比べピン数の少ない装置では、金属製リードピンを、基板の半導体チップ搭載部にのみ挿入してもよいことが記載されているから、引用例１に記載の発明においても、半導体チップの寸法に比べピン数の少ない場合には、金属配線が基板の表面に露出している領域よりも半導体チップの中央よりに金属配線と金属製リードピンが形成されているものと認められる。
　そうすると、両者は、「外側絶縁材層にスルーホールを形成するとともにその外側絶縁材層に配線パターンを形成し、この配線パターンをチップ側絶縁材層で覆うことによりチップ側絶縁材層と外側絶縁材層との間に配線パターンを形成した配線板を作製し、配線板の配線パターンをチップ側絶縁材層の周辺部から露出させて内部接続領域を形成し、表面に電極が形成された半導体チップの裏面を配線板のチップ側絶縁材層の内部接続領域よりも内側領域に接合し、半導体チップの電極と内部接続領域とをワイヤで接続し、半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板のチップ側絶縁材層上に封止し、配線パターン及び外部接続端子を内部接続領域よりも配線板中央寄りに形成するする半導体装置の製造方法」の点で一致するものの、以下の点で相違する。
　本件発明７が「半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板のチップ側絶縁材層上に封止し、配線板の外側絶縁材層からスルーホールによって露出している配線パターンを外部接続端子形成点としこの外部接続端子形成点上にボール状の外部接続端子を形成する」のに対し、引用例１に記載の発明はこのようなものではない点。
　そこで上記相違点について検討すると、引用例４には、ピングリッドアレイのように基板の下面からピンをアレイ状に並べると、パッケージ本体が大きくなるので、スルーホールを有する基板下面にバンプメッキを形成することによりパッケージ本体を小さくすることが記載されているから、引用例１に記載のリードピンに替えて引用例４に記載のようなバンプメッキを形成することにより半導体装置の小型化を図ることは容易になし得るとしても、引用例１に記載のリードピンは、半導体チップを搭載する前に基板に配置するものであって、引用例４のように、ＩＣチップの実装後にキャップにて気密封止し、さらに下面にバンプメッキを形成するものとは配置の順序が相違する。
　しかも、引用例４に記載の発明は、基板の下面にバンプメッキを形成するとともに、ワイヤボンド用の電極とバンプメッキとの間に形成したスルーホールに配線を施しており、本件発明７のように、基板下面からスルーホールによって露出している配線をバンプメッキ形成点としたものではない。その上、この基板下面からスルーホールによって露出している配線バンプ形成点上にボール状のバンプを形成することは記載も示唆もされていないから、本件発明７の上記相違点については引用例４に記載のものから容易に想到することはできない。また上記相違点については上記引用例２〜８のいずれにも記載されていないし示唆もされていない。
　したがって、本件発明７は引用例１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
［５］まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由および証拠によっては、本件発明１、３〜７の特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることができない。
　また、他に本件発明１、３〜７の特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月２８日（２００３．７．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　外側絶縁材層とチップ側絶縁材層とこれら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターンとからなり、配線パターンのチップ側絶縁材層側には配線パターンが露出した内部接続領域が設けられるとともに、配線パターンの外側絶縁材層側には配線パターンと接続した
ボール状の
　表面に電極を有し裏面が配線板のチップ側絶縁材層に接合された半導体チップと、
　半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とを接続するワイヤと、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板上に封止する樹脂封止部とを備え、
　前記配線板は半導体チップの周辺部に内部接続領域が形成されるとともに、
この内部接続領域の端部が配線板の端部と一致し、こ
ボール状の
　【請求項２】　
外側絶縁材層とチップ側絶縁材層とこれら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターンとからなり、配線パターンのチップ側絶縁材層側には配線パターンが露出した内部接続領域が設けられるとともに、配線パターンの外側絶縁材層側には配線パターンと接続した外部接続端子が設けられた配線板と、
　表面に電極を有し裏面が配線板のチップ側絶縁材層に接合された半導体チップと、
　半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とを接続するワイヤと、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板上に封止する樹脂封止部とを備え、
　前記配線板は半導体チップの周辺部に内部接続領域が形成されるとともに、その内部接続領域よりも半導体チップの中央寄りに配線パターンと外部接続端子とが形成されており、
　
前記
が
された半導体装置。
　【請求項３】　配線板のチップ側絶縁材層が絶縁性の接着剤であ
る請
　【請求項４】　配線板のチップ側絶縁材層が内部接続領域の形成時に配線パターン側よりも半導体チップ側が狭い状態で逆くさび状に取り除かれ、それによって樹脂封止の際、アンカー効果により配線板と樹脂との密着性を向上させ
た請
　【請求項５】　配線板の外側絶縁材層が小ホールを有し、この小ホールにより配線板の接合面での気化膨張の発生を防止す
る請
　【請求項６】　配線板の配線パターンが外側絶縁材層よりも狭い範囲で形成され、樹脂封止部と外側絶縁材層との間から配線パターンが露出しないようにし
た請
２
　【請求項７】　外側絶縁材層にスルーホールを形成するとともにその外側絶縁材層に配線パターンを形成し、この配線パターンをチップ側絶縁材層で覆うことによりチップ側絶縁材層と外側絶縁材層との間に配線パターンを形成した配線板を作製し、
　配線板の配線パターンをチップ側絶縁材層の周辺部から露出させて内部接続領域を形成し、
　表面に電極が形成された半導体チップの裏面を配線板のチップ側絶縁材層の内部接続領域よりも内側領域に接合し、
　半導体チップの電極と内部接続領域とをワイヤで接続し、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板のチップ側絶縁材層上に封止し、配線板の外側絶縁材層からスルーホールによって露出している配線パターンを外部接続端子形成点とし、この外部接続端子形成点上に
ボール状の
　配線パターン及び
ボール状の
　【請求項８】　チップ側絶縁材層の周辺部に窓明け部を形成するとともにそのチップ側絶縁材層に配線パターンを形成し、この配線パターンの外部接続端子形成点を除いた部分を外側絶縁材層で覆うことによりチップ側絶縁材層と外側絶縁材層との間に配線パターンを形成した配線板を作製し、
　配線板の配線パターンがチップ側絶縁材層の窓明け部から露出された部分を内部接続領域とし、
　表面に電極が形成された半導体チップの裏面を配線板のチップ側絶縁材層の窓明け部よりも内側領域に接合し、
　半導体チップの電極と内部接続領域とをワイヤで接続し、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板のチップ側絶縁材層上に封止し、配線板の外側絶縁材層から露出している外部接続端子形成点上に外部接続端子を形成することからなり、
　配線パターン及び外部接続端子を内部接続領域よりも配線板中央寄りに形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項９】　半導体チップとワイヤとを樹脂により封止する工程において、樹脂で封止するための金型に配線板をセットする際、金型のパーティング面が内部接続領域の部分にかからないようにしたことを特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、小型化を図った半導体装置及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　プリント回路基板への半導体装置の高密度実装化に伴い、半導体装置の小型化が進んでいる。
　【０００３】
　図２１は従来の最も一般的な構造の半導体装置を示す説明図である。図２２は図２１の平面図である。これらの図に示すように、従来の最も一般的な構造の半導体装置は、電極３１を有する半導体チップ３２と、外部接続端子となるリード３３と、半導体チップ３２の電極３１とリード３３とを接続するワイヤ３４と、樹脂封止部３５とから主として構成されている。
　【０００４】
　半導体チップ３２の電極３１は、半導体チップ３２の回路（図示しない）が形成された面である表面に配置されている。樹脂封止部３５は、半導体チップ３２、ワイヤ３４、及びワイヤ３４とリード３３との接続部付近の一連の回路を外部環境から保護するためのものである。ダイパット３６は、半導体装置を組み立てる製造工程において半導体チップ３２を固定するためのものである。
　【０００５】
　リード３３は、例えば鉄ニッケル合金あるいは銅等の金属材料から構成されている。ワイヤ３４は、電気的な伝導性の良い金、銀、銅等の金属材料から構成されており、外径３０μｍ程度である。樹脂封止部３５に用いられる樹脂としては、通常はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が多く用いられる。
　【０００６】
　この半導体装置の製造方法は、ダイパット３６上に熱硬化性樹脂等の接合剤を介して半導体チップ３２を固定し、半導体チップの電極３１とリード３３とをワイヤ３４で接続後、金型を用いて封止樹脂により樹脂封止し、樹脂封止部３５から出ているリード３３を所定の形にして、外部接続端子を形成し、完成する。
　【０００７】
　この最も一般的な構造の半導体装置では、図２２に示すように、複数のリード３３の半導体チップ３２側の端部が、半導体チップ３２を包囲するように、半導体チップ３２周辺で同一平面上に配置され、その各々のリード３３の延長部の樹脂封止部３５から外側の部分は、樹脂封止部３５の２方向あるいは４方向の側面に一列で等間隔に配置されている。
　【０００８】
　このように、最も一般的な半導体装置では、半導体チップ側面の外側からワイヤ３４をリード３３へ接続する距離、及び樹脂封止部３５の外部にリード３３の外部接続端子を形成する距離を有している。
　【０００９】
　このような最も一般的な構造の半導体装置に対して、近年では、ほぼ半導体チップのサイズにまで小型化された半導体装置が開発されている。この小型化された半導体装置は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ・Ｓｉｚｅ・Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれ、大きくわけて３つのタイプに分けることができる。
　【００１０】
　図２３は従来の小型化された半導体装置の第１のタイプの構成を示す説明図である。この半導体装置の構造については、“ＥＩＡＪ第２回表面実装技術フォーラム’９４資料”の中に記載されている。
　【００１１】
　この半導体装置は、図に示すように、回路面側に配置された電極４１を有する半導体チップ４２、リード４３、電極４１とリード４３とを接続するワイヤ４４、及び樹脂封止部４５から主として構成されている。リード４３と半導体チップ４２とは絶縁テープ４６によって固定されている。また、樹脂封止部４５から露出したリード４３は外部接続端子４７として形成されている。
　【００１２】
　この半導体装置の製造方法は、リード４３上に絶縁テープ４６を介して半導体チップ４２を固定し、半導体チップの電極４１とリード４３とをワイヤ４４で接続後、金型により樹脂封止し、封止樹脂部４５から出ているリード４３の部分を切断して、完成する。
　【００１３】
　この半導体装置では、先述した最も一般的な構造の半導体装置と同様に、外部接続端子としてリードを使用していることが大きな特徴である。この第１のタイプの半導体装置は、半導体チップ４２の回路面側の表面上に、絶縁テープ４６を介して、距離をおいてリード４３の先端部を配置しており、平面的に上からみた場合に、半導体チップ４２とリード４３とが、オーバーラップした状態となっている。
　【００１４】
　このような構造にすることにより、半導体チップの電極４１とリード４３とのワイヤ４４による接続を、半導体チップ４２の表面上で行うことができるので、最も一般的な構造の半導体装置でワイヤの接続に用いていた半導体チップ側面外側の面積が縮小され、半導体装置全体を小さくすることができる。
　【００１５】
　また、樹脂封止部４５から出たリード４３を樹脂封止部４５の表面で切断し、その断面部分に外部接続端子４７を形成しているので、最も一般的な構造の半導体装置で外部接続端子として形成されていた、樹脂封止部の外部のリード部分を無くすことができる。その結果、半導体チップ４２とほぼ同じサイズの半導体装置とすることができ、半導体装置の小型化が可能となる。
　【００１６】
　図２４は従来の小型化された半導体装置の第２のタイプの構成を示す説明図である。これについては、公開特許公報“平５−８２５８６号”にこのタイプの構造がみられる。
　【００１７】
　この半導体装置は、図に示すように、スルーホール５１が設けられた基板からなる配線部品５２、回路面側に配置された電極５３を有する半導体チップ５４、及び樹脂封止部５５から主として構成されている。
　【００１８】
　配線部品５２の上側面には、金属の配線パターン５６が形成され、この配線パターン５６には、半導体チップ５４の電極５３と接続するための内部接続領域５７が設けられている。配線部品５２の下側面には、スルーホール５１を介して配線パターン５６と接続された外部接続領域５８が設けられ、この外部接続領域５８には、実装用の外部接続端子５９が形成されている。半導体チップ５４の電極５３には、電極５３と内部接続領域５７とを接続するためのバンプ電極６０が形成されている。
　【００１９】
　この半導体装置の構造は、配線部品５２の上側面に半導体チップ５４の回路面側を接合し、半導体チップ５４を樹脂封止部５５で樹脂封止し、配線部品５２の下側面に外部接続端子５９を形成した構造となっている。
　【００２０】
　配線部品５２は、セラミック基板やポリイミドフィルム等の絶縁基板から構成されている。配線部品５２は、その上側面、つまり半導体チップ５４を接合する側の面には、金属箔からなる配線パターン５６と内部接続領域５７とが形成されている。また、その下側面、つまり半導体チップ５４を接合する側とは反対側の面には、外部接続領域５８が形成され、スルーホール５１を介して、配線パターン５６と外部接続領域５８とが電気的に接続されている。
　【００２１】
　この半導体装置では、内部接続領域５７の配置は、接合する半導体チップ５４の電極５３の配置と一致する。半導体チップ５４の電極５３と、配線部品５２の内部接続領域５７との接続は、錫等のバンプ電極６０を介して行われる。外部接続端子５９は、配線部品５２の外部接続領域５８に、はんだバンプ等で形成される。
　【００２２】
　この半導体装置は、半導体チップ５４の電極５３から内部接続領域５７と配線パターン５６と外部接続領域５８とを介して外部接続端子５９に至る、一連の電気回路が形成された半導体装置となる。配線部品５２上の半導体チップ５４の周辺は、この電気回路を外部環境から保護するために樹脂封止部５５で樹脂封止されている。
　【００２３】
　この半導体装置の構造では、半導体チップ５４の側面の外側には部品を配置しないので、半導体チップ５４の側面を樹脂封止部５５の厚みのみとすることができ、小型化が可能である。
　【００２４】
　また、半導体チップ５４の電極５３と外部接続端子５９との間に配線パターン５６を設けることにより、外部接続端子５９を自由な位置に配置することができ、外部接続端子５９の配置の標準化が可能である。この外部接続端子５９の配置の標準化により、外部接続端子５９をエリアアレイ状態に配置することができるので、端子数の多い半導体チップに対して有利である。
　【００２５】
　図２５は従来の小型化された半導体装置の第３のタイプの構成を示す説明図である。これについては、公表特許公報“平６−５０４４０８号”にこのタイプの構造が見られる。
　【００２６】
　この半導体装置は、図に示すように、回路面側に配置された電極６１を有する半導体チップ６２、基板からなる配線部品６３、半導体チップ６２の電極６１と配線部品６３とを接続するワイヤ６４、及び樹脂封止部６５から主として構成されている。
　【００２７】
　配線部品６３の下側面には、金属の配線パターン６６が形成され、この配線パターン６６には、内部接続領域６７が設けられている。半導体チップ６２の電極６１は、ワイヤ６４により、この内部接続領域６７に接続されている。配線部品６３の下側面には、さらに外部接続領域６８が設けられ、この外部接続領域６８には、樹脂封止部６５を介して実装用の外部接続端子６９が形成されている。
　【００２８】
　この半導体装置の構造は、半導体チップ６２の回路面側、つまり電極６１を有する面側の、電極６１の部分を除いたところに、配線部品６３を接合しており、半導体チップ６２の電極６１と、配線部品６３の内部接続領域６７とをワイヤ６４で接続した構造となっている。
　【００２９】
　配線部品６３は、セラミック基板やポリイミドフィルム等の絶縁基板から構成される。この配線部品６３は、その上側面には、半導体チップ６２が接合され、その下側面には、内部接続領域６７、配線パターン６６、及び外部接続端子６９を接続するための外部接続領域６８が形成されている。配線パターン６６の一端は内部接続領域６７に接続され、他端は外部接続領域６８に接続されている。
　【００３０】
　この半導体装置の製造方法は、半導体チップ６２に配線部品６３を接合後、半導体チップ６２の電極６１と配線部品６３の内部接続領域６７とをワイヤ６４で接続し、配線部品６３とワイヤ６４とを樹脂封止部６５で樹脂封止する。
　【００３１】
　次に、樹脂封止部６５の外部接続領域６８の部分のみの樹脂を取り除き、外部接続領域６８を露出させる。露出した外部接続領域６８にはんだ等を充填して、樹脂封止部６５から突出するようにバンプを作り、外部接続端子６９を形成する。
　【００３２】
　この半導体装置は、半導体チップ６２の電極６１からワイヤ６４と内部接続領域６７と配線パターン６６と外部接続領域６８とを介して外部接続端子６９に至る、一連の電気回路が形成された半導体装置となる。外部接続端子６９はエリアアレイ状態に配置されている。
　【００３３】
　この半導体装置の構造では、半導体チップ６２の側面の外側には部品を配置しないので、小型化が可能である。また、半導体チップ６２の電極６１と外部接続端子６９との間に配線パターン６６を設けることにより、外部接続端子６９を自由な位置に配置することができ、外部接続端子６９の配置の標準化が可能である。この外部接続端子６９の配置の標準化により、外部接続端子６９をエリアアレイ状態に配置することができるので、端子数の多い半導体チップに対して有利である。さらに、半導体チップ６２の電極６１と内部接続端子６７との接続をワイヤ６４により行うので、電極６１の配置の異なる半導体チップ６２に対しても適応可能である。
　【００３４】
　一方、外部接続端子に突起状電極を用いた半導体装置の構成例を図２６及び図２７に示す。これについては、公開特許公報“特開平６−１１２３５４号”にこのタイプの構造が見られる。これらの構造は、ＢＧＡ（Ｂｏｗｌ・Ｇｒｉｄ・Ａｒｒａｙ）と呼ばれる構造である。
　【００３５】
　図２６に示した半導体装置は、配線パターンが２層のものであり、この半導体装置は、電極７１を有する半導体チップ７２と、スルーホール７３が設けられた樹脂基板をベースにした配線部品７４と、半導体チップ７２の電極７１と配線部品７４とを接続するワイヤ７５と、樹脂封止部７６から主として構成されている。
　【００３６】
　配線部品７４の上側面、つまり配線部品７４の半導体チップ側の面には、上側配線パターン７７が形成され、この上側配線パターン７７には、内部接続領域７８が設けられている。配線部品７４の下側面、つまり配線部品７４の半導体チップの反対側の面には、下側配線パターン７９が形成され、この下側配線パターン７９には、外部接続領域８０が設けられ、この外部接続領域８０に実装用の外部接続端子８１が形成されている。
　【００３７】
　上側配線パターン７７は、配線部品７４の半導体チップ７２を接合するエリアを除く外周部に形成されている。下側配線パターン７９は、配線部品７４の下側面全体に形成されている。
　【００３８】
　ワイヤ７５は、一方が半導体チップ７２の電極７１に接続され、他方が上側配線パターン７７の内部接続領域７８に接続されている。スルーホール７３は、配線部品７４の最外周部に形成されており、上側配線パターン７７と下側配線パターン７９との２層の配線パターンは、このスルーホール７３を介して電気的に接続されている。
　【００３９】
　この半導体装置の構造は、配線パターン７７，７９が２層なので、外部接続端子８１の配置を、配線部品７４の半導体チップ直下のエリアを含め、自由な位置にすることができる。したがって、この半導体装置では、外部接続端子８１は、配線部品７４のほぼ全面にエリアアレイ状に配置されている。
　【００４０】
　このＢＧＡは、同じ外部接続端子数を有する、先述の最も一般的な構造の半導体装置に比較して、半導体装置のサイズを大きくすることなく、外部接続端子のピッチを大きくすることができ、実装精度をラフにできるというメリットをもつ。
　【００４１】
　このようなＢＧＡでは、外部接続端子のピッチが１．２７〜１．５ｍｍ、径が０．７６ｍｍφのものが主流であり、外部接続端子数が３１３ピンで、半導体チップのサイズが約１０ｍｍ×１０ｍｍの例をみると、半導体装置のサイズは３５ｍｍ×３５ｍｍ程度となる。また、ワイヤ長は３．５ｍｍ程度、半導体チップ側面から半導体装置外周部までの距離は１２．５ｍｍ程度である。
　【００４２】
　図２７に示した半導体装置は、配線パターンが１層のものである。この図において、図２６と同じ構成要素には同じ参照番号を付してその説明を省略する。
　この半導体装置は、配線部品７４の表面に形成された配線パターン７７が１層である。配線パターン７７は、配線部品７４の半導体チップを接合する面の半導体チップ７２を接合するエリアを除く外周部に形成され、その配線パターン７７の直下のエリアに外部接続端子８１が配置されている構造である。
　【００４３】
　この半導体装置は、図２６で示した２層の半導体装置と同様の構造であるが、配線部品７４の半導体チップ直下のエリアには、外部接続端子８１を形成していない構造となる。一般的に、図２６及び図２７のＢＧＡは、いずれも配線部品７４のワイヤ接続点（内部接続領域７８）の外側のエリアに外部接続端子８１を有する構造となっている。
　【００４４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、このような従来の半導体装置には次のような問題がある。すなわち、図２３に示した従来の小型化された第１のタイプの半導体装置では、外部接続端子４７に至る回路の引き出しにリード４３を使用しており、リード４３が樹脂封止部４５の外周部に一列に配列されている。リード４３の配列は２列平行か、４列で包囲状で行われる。
　【００４５】
　このようなリード配置の場合、最も一般的な構造の半導体装置と同様に、樹脂封止部４５の外周長とリード４３のピッチで、配置できる外部接続端子４７の端子数が決まり、この外部接続端子４７を線状に配置するため、端子数が多い場合、半導体装置のサイズが大きくなるという問題がある。
　【００４６】
　図２４に示した従来の小型化された第２のタイプの半導体装置では、配線部品５２表面の内部接続領域５７と半導体チップ５４の電極５３を錫バンプ等の接続端子を介して接続する。このような接続を行うためには、配線部品５２の内部接続領域５７の位置を、半導体チップ５４を搭載した際の電極５３の位置に一致させなければならない。
　【００４７】
　したがって、半導体チップ５４の電極５３の配置が異なる場合は、同じ配線部品５２を使用できない。よって複数種の半導体チップにおいて配線部品５２の共用化が全くできないので、コストが高いものとなる。
　【００４８】
　図２５に示した従来の小型化された第３のタイプの半導体装置では、半導体チップ６２の電極６１を有する表面上に配線部品６３を接合し、半導体チップ６２の電極６１と配線部品６３の内部接続領域６７とをワイヤ６４で接続する構造である。
　【００４９】
　このように、半導体チップ６２の電極６１を有する表面上に配線部品６３を配置する場合、後でワイヤ６４の接続を行うために、半導体チップ６２の電極６１上に空間が必要である。したがって、電極６１上には配線部品６３を形成できない。また、この半導体装置の外部接続端子６９は配線部品６３表面の外部接続領域６８上に形成される。したがって、この構造の半導体装置では、半導体チップ６２の電極６１の直上には外部接続端子６９を形成できないという配置上の制限がある。さらに、内部接続領域６７と外部接続領域６８とは配線部品６３の同一面上に形成されるため、内部接続領域６７上に外部接続端子６９を形成することができない。このような配置上の制限がある。
　【００５０】
　また、図２６及び図２７で示したタイプの半導体装置では、配線部品７４の半導体チップ７２側に配線パターン７７を形成している。つまり、半導体チップ７２の側面の外側に配線パターン７７を配置しているので、半導体チップ７２の大きさよりも、配線部品７４の大きさのほうが、配線パターン７７の分だけ必然的に大きくなり、それに伴い、樹脂封止部７６が半導体チップ７２よりも大きくなる。したがって、樹脂封止部７６の大きさが、ほぼ半導体チップ７２の大きさと等しくなるようなＣＳＰとすることが難しい。
　【００５１】
　この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、配線部品のほぼ半導体チップエリア内に外部接続端子を形成した構造とすることにより、小型化を可能にした半導体装置を提供するものである。
　【００５２】
　【課題を解決するための手段】
　この発明は、外側絶縁材層とチップ側絶縁材層とこれら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターンとからなり、配線パターンのチップ側絶縁材層側には配線パターンが露出した内部接続領域が設けられるとともに、配線パターンの外側絶縁材層側には配線パターンと接続した
ボール状の
　表面に電極を有し裏面が配線板のチップ側絶縁材層に接合された半導体チップと、
　半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とを接続するワイヤと、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板上に封止する樹脂封止部とを備え、
　前記配線板は半導体チップの周辺部に内部接続領域が形成されるとともに、
この内部接続領域の端部が配線板の端部と一致し、こ
ボール状の
　【００５３】
　すなわち、この発明の半導体装置は、配線板のチップ側絶縁材層の面に半導体チップの電極等がない面側を接合し、半導体チップの電極と配線板の内部接続領域とをワイヤにより接続し、半導体チップとワイヤとを樹脂封止し、配線板の外側絶縁材層の面のほぼ半導体チップエリア内に外部接続端子を形成した構造としている。
　【００５４】
　すなわち、本発明の半導体装置は、従来のＢＧＡ構造の半導体装置を次のようにして小型化したものである。
　配線パターンは半導体チップエリアよりも内側の領域に配置する。薄型化及びコスト低減のため、配線パターンは１層とし、配線板は、その１層の配線パターンをチップ側絶縁材層と外側絶縁材層との間に挟持したサンドイッチ構造とする。配線板の半導体チップ周辺部には、チップ側絶縁材層から配線パターンを露出させた内部接続領域（ワイヤ接続点）を形成する。
　【００５５】
　外部接続端子のピッチ及びサイズを小さくし、外部接続端子を、配線板の内部接続領域の内側あるいは半導体チップ側面から１ｍｍ大きいエリア内に、エリアアレイ状に配置する。配線パターンは内部接続領域から内側にのみ伸びて、外部接続端子形成点に至る。このようにして、小型化された半導体装置を得る。
　【００５６】
　この発明において、外側絶縁材層としては、絶縁性の基板を用いることが望ましい。この絶縁性の基板としては、耐熱性、絶縁性、強度、寸法安定性に優れたものであればどのようなものを用いてもよい。このような性質を有する材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ＢＴ（ビスマレイド・トリアジン）レジン、エポキシ、ポリエステル、ガラスエポキシ、ガラスポリイミド、セラミック等が挙げられるが、コスト面及び加工の容易性からは、ポリイミドを用いることが好ましい。ポリイミドの絶縁抵抗は、５×１０１３Ω程度である。
　【００５７】
　配線パターンとしては、導電性及び耐熱性のあるものが用いられる。このような性質を有する材料としては、金属材料が一般に使用されるが、コストの面からは、銅（Ｃｕ）を用いることが好ましい。
　【００５８】
　樹脂封止部としては、保存性、成型性、耐湿性、耐熱性等を有する樹脂であれば、どのような樹脂を用いてもく、エポキシ、シリコーン、フェノール等の樹脂をベースとした混合物が一般に使用されるが、信頼性の面からは、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
　【００５９】
　外部接続端子は、好ましくは、はんだバンプとして形成される。このはんだバンプとしては、全体がはんだからなるボール状のもの、あるいは銅ボールの表面にはんだメッキを施したものを用いることができるが、コストの面からは全体がはんだからなるボール状のものを用いることが好ましい。
　【００６０】
　ワイヤとしては、電気的な伝導性の良好なものであれば、各種の材料を用いることが可能であり、例えば、金、銀、銅等を用いることができるが、電気的な伝導性の面からは、金あるいは銀を用いることが好ましい。
　【００６１】
　さらに、本発明の半導体装置は、小型化のため、次のような構造とすることが好ましい。半導体チップ外周部に形成されるワイヤを短くするため、半導体チップを薄くして、ワイヤ長を１ｍｍ以下にする。また、これにより、半導体チップ側面から半導体装置外周部までの距離を１ｍｍ以下にする。
　【００６２】
　上記構成においては、配線板のチップ側絶縁材層として熱可塑性樹脂を用い、その熱可塑性樹脂を加熱することにより半導体チップと配線板とを接合するようにすることが望ましい。
　【００６３】
　この熱可塑性樹脂としては、耐熱性、接着性、絶縁性を有するものであれば、どのような熱可塑性樹脂を用いてもよい。用いる材料としては、大きく分けてエポキシ樹脂とポリイミド樹脂に大別されるが、耐熱性の面からは、ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
　配線板のチップ側絶縁材層としては、絶縁性の接着剤を用いてもよい。
　【００６４】
　また、内部接続領域の形成時に、配線板のチップ側絶縁材層を配線パターン側よりも半導体チップ側が狭い状態で逆くさび状に取り除くようにし、それによって樹脂封止の際、アンカー効果により配線板と樹脂との密着性を向上させるようにすることが望ましい。
　【００６５】
　さらに、配線板の外側絶縁材層に小ホールを設けるようにすることが望ましく、この小ホールにより配線板の接合面での気化膨張の発生を防止する。
　また、配線板の配線パターンを外側絶縁材層よりも狭い範囲で形成し、樹脂封止部と外側絶縁材層との間から配線パターンが露出しないようにすることが望ましい。
　【００６６】
　そして、半導体チップ上の樹脂封止部の線膨張率と配線板の線膨張率とが近いものになるように材質の選択を行い、これら樹脂封止部と配線板の厚みも同じ程度にすることが好ましい。
　【００６７】
　この発明は、また、外側絶縁材層にスルーホールを形成するとともにその外側絶縁材層に配線パターンを形成し、この配線パターンをチップ側絶縁材層で覆うことによりチップ側絶縁材層と外側絶縁材層との間に配線パターンを形成した配線板を作製し、
　配線板の配線パターンをチップ側絶縁材層の周辺部から露出させて内部接続領域を形成し、
　表面に電極が形成された半導体チップの裏面を配線板のチップ側絶縁材層の内部接続領域よりも内側領域に接合し、
　半導体チップの電極と内部接続領域とをワイヤで接続し、
　半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板のチップ側絶縁材層上に封止し、配線板の外側絶縁材層からスルーホールによって露出している配線パターンを外部接続端子形成点とし、この外部接続端子形成点上に
ボール状の
　配線パターン及び
ボール状の
　【００６８】
　さらに、別の観点によれば、この発明は、チップ側絶縁材層の周辺部に窓明け部を形成するとともにそのチップ側絶縁材層に配線パターンを形成し、この配線パターンの外部接続端子形成点を除いた部分を外側絶縁材層で覆うことによりチップ側絶縁材層と外側絶縁材層との間に配線パターンを形成した配線板を作製し、配線板の配線パターンがチップ側絶縁材層の窓明け部から露出された部分を内部接続領域とし、表面に電極が形成された半導体チップの裏面を配線板のチップ側絶縁材層の窓明け部よりも内側領域に接合し、半導体チップの電極と内部接続領域とをワイヤで接続し、半導体チップとワイヤとを樹脂により配線板のチップ側絶縁材層上に封止し、配線板の外側絶縁材層から露出している外部接続端子形成点上に外部接続端子を形成することからなり、配線パターン及び外部接続端子を内部接続領域よりも配線板中央寄りに形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
　【００６９】
　この発明の半導体装置の製造方法に関しては、次のようにすることが好ましい。すなわち、半導体チップとワイヤとを樹脂により封止する工程において、樹脂で封止するための金型に配線板をセットする際、金型のパーティング面が内部接続領域の部分にかからないようにする。
　【００７０】
　この発明によれば、配線板は、半導体チップの周辺部に内部接続領域が形成されるとともに、その内部接続領域よりも半導体チップの中央寄りに配線パターンと外部接続端子とが形成されているので、配線パターンと外部接続端子とは半導体チップの下に配置されることになり、これにより半導体チップの大きさと配線板の大きさをほぼ同じ大きさとすることができ、樹脂封止部の大きさがほぼ半導体チップの大きさと等しくなるような、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ・Ｓｉｚｅ・Ｐａｃｋａｇｅ）とすることができる。また配線パターンが１層であるため、薄型化及びコストの低減が可能となる。
　【００７１】
　すなわち、この発明の半導体装置によれば、配線パターンを半導体チップの下方に形成し、外部接続端子のピッチとサイズを小さくして、外部接続端子を配線板の内部接続領域の内側あるいは半導体チップ側面から１ｍｍ大きいエリア内に形成することにより、半導体チップの外周にはワイヤを形成するエリアのみが存在するような構造とすることができる。
　【００７２】
　また、半導体チップの厚みを極力薄くしてワイヤ長を極力短くすることにより、半導体チップ周辺に形成されるワイヤのエリアを最小におさえることができる。さらに、本発明の半導体装置は半導体チップの電極と配線板の内部接続領域との接続をワイヤで行うので、外部接続端子を任意の位置に配置することができ、これにより外部接続端子をエリアアレイ状に配置することができる。したがって、配線板の外部接続端子形成エリア内は、外部接続端子を形成できないところがないという理想的な構造とすることができる。
　【００７３】
　チップ側絶縁材層に熱可塑性樹脂を用い、半導体チップと配線板の接合をこの熱可塑性樹脂で行った場合には、従来半導体チップと配線板との接合に使用されていた熱硬化性樹脂を不要とすることができ、熱硬化性樹脂等の接合に要する厚みが縮小される。
　【００７４】
　配線板のチップ側絶縁材層に内部接続領域を形成する際、チップ側絶縁材層を取り除いた部分の側面に傾斜を設けてその断面を楔形にした場合には、アンカー効果により配線板と樹脂との密着性を向上させることができる。
　【００７５】
　配線板の外側絶縁材層に小ホールを設けた場合には、配線板の接合面において気化膨張の発生を防止することができる。
　【００７６】
　配線板の配線パターンを外側絶縁材層よりも狭い範囲で形成した場合には、樹脂封止部と外側絶縁材層との間から配線パターンが露出せず、樹脂封止部側面で配線パターンと樹脂封止部との境界が存在しないので、樹脂封止部による密閉性を向上させることができる。
　【００７７】
　半導体チップ上の樹脂封止部の線膨張率と配線板の線膨張率とが近いものになるように材質の選択を行い、樹脂封止部と配線板の厚みも同じ程度にした場合には、半導体装置の反りを低減することができる。
　【００７８】
　また、本発明の半導体装置の製造方法に関しては、パーティング面下にチップ側絶縁材層を存在させる場合は、半導体チップとワイヤとを樹脂により封止する工程において、樹脂で封止するための金型に配線板をセットする際、金型のパーティング面が内部接続領域の部分にかからないようにすれば、金型のパーティング面の下にすきまができることがなくなる。その結果、ゴミとなる樹脂カスを発生させることなく半導体装置の製造ができる。
　【００７９】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定されるものではない。
　【００８０】
実施例１
　図１は本発明による半導体装置の実施例１の構成を示す説明図である。図２は図１の半導体装置を下側から見た一部破断平面図である。
　【００８１】
　これらの図に示すように、この実施例の半導体装置は、配線板としての配線部品１と、この配線部品１に接合された半導体チップ２と、半導体チップ２と配線部品１とを接続するワイヤ３と、半導体チップ２とワイヤ３とを樹脂により封止する樹脂封止部４から構成されている。
　【００８２】
　配線部品１は、外側絶縁材層としての絶縁性の基板６と、チップ側絶縁材層としての絶縁材８と、これら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターン７から形成されている。
　すなわち、配線部品１は、スルーホール５の設けられた絶縁性の基板６の上面に金属の配線パターン７を形成し、その配線パターン７上に絶縁材８を接合したものであり、基本的には、配線パターン７を絶縁性の基板６と絶縁材８とで挟持したサンドイッチ構造となっている。
　【００８３】
　基板６の下面には外部接続端子９が形成されており、配線パターン７には、スルーホール５を介して配線パターン７と外部接続端子９とを接続するための外部接続端子形成点である外部接続領域１０が設けられている。
　外部接続端子９は、外部接続領域１０にはんだバンプを接合して形成する。このはんだバンプは、全体がはんだからなるボール状のものである。したがって、はんだバンプを接合する前は、配線パターン７の一端の外部接続領域１０がスルーホール５から露出した状態となっている。
　【００８４】
　半導体チップ２は、表側の面に電極１１が設けられている。そして、半導体チップ２の裏側の面は、配線部品１の絶縁材８に接合されている。絶縁材８の半導体チップ２の周囲には窓明け部１２が形成されている。
　【００８５】
　この窓明け部１２は、絶縁材８が取り除かれたものであり、この窓明け部１２から露出した配線パターン７は内部接続領域１３となり、この配線パターン７の内部接続領域１３と半導体チップ２の電極１１とがワイヤ３により接続されている。
　配線部品１の内部接続領域１３の表面には、ワイヤ３との接合を良くするために厚さ０．数μｍ程度のＡｕメッキが形成されており、Ａｕと配線パターン７表面（Ｃｕ）の間には、ＡｕとＣｕの合金化を抑制するために厚さ５μｍ程度のＮｉ，Ｐｄを介在させる。このようなメッキ層は配線部品１の外部接続領域１０にも形成されることがある。
　【００８６】
　メッキの方法は、無電解メッキ法でも電解メッキ法でも使用可能であるが、電解メッキ法の場合、メッキのための配線が必要となるので、無電解メッキ法の方が好ましい。
　基板６のスルーホール５及び配線パターン７は、基板６の周辺部に形成された内部接続領域１３よりも基板６の中央寄りに形成されている。
　【００８７】
　ワイヤ３としては、電気的な伝導性の良好な金、銀、銅等の金属から構成された、直径数十μｍのフレキシブルな細線を用いている。絶縁材８としては、厚さ７０μｍ程度のポリイミドフィルムを用いている。配線パターン７は、Ｃｕ（銅）からなる厚さ２０μｍ程度の金属箔であり、この配線パターン７上には、絶縁材８を接合するために接着剤（図示しない）が厚さ１０μｍ程度に塗布されている。
　【００８８】
　したがって、配線パターン７とこの接着剤の層とで、合計３０μｍ程度の厚みとなっている。基板６は、厚さ２５μｍ程度のポリイミドからなる絶縁基板である。このポリイミドの絶縁抵抗は５×１０１３Ω程度である。樹脂封止部４としては、信頼性に優れるエポキシ樹脂を用いている。
　【００８９】
　図３は図１の部分詳細説明図である。なお、以下の図において同じ構成要素には同じ参照番号を付してその説明を省略する。
　この図に示すように、配線部品１は、基板６に配線パターン７を形成し、その上に接着剤層７ａを介して絶縁材８を接着したものである。配線部品１と半導体チップ２とはダイボンディング接着剤８ａで接着されている。
　【００９０】
　この実施例では、配線部品１の基板６と、絶縁材８とは、同じポリイミド樹脂を用いたが、異なる樹脂を用いてもよく、またポリイミド樹脂以外の樹脂を用いてもよい。
　【００９１】
　また、基板６の上に配線パターン７を直接形成するようにしているが、接着剤を介して配線パターン７を形成してもよい。あるいは、後ほど詳述するが、絶縁材８側に配線パターン７を形成し、接着剤層を介して基板６と接合し、接着剤層と基板６を通して外部接続端子９用の開口部（スルーホール）を形成するようにしてもよい。
　【００９２】
　このように、本発明の半導体装置は、１層の配線パターン７の両面、つまり、１層の配線パターン７の上側と下側の両面に絶縁層を有する配線部品１を使用している。そして、半導体チップ２の電極１１が形成されていない面を配線部品１に接合し、ワイヤ３により、半導体チップ２の電極１１と配線部品１の内部接続領域１３とを接合し、半導体チップ２とワイヤ３とを樹脂により封止し、配線部品１の反対側には、はんだバンプをエリアアレイ状に配置した構造となっている。
　【００９３】
　このような構造にすることにより、配線部品１の内部接続領域を形成した面と同一面に外部接続領域を存在させる必要がないので、はんだバンプ、つまり外部接続端子９の配置に制約がなくなる。
　【００９４】
　また、ワイヤ３により、半導体チップ２の電極１１と配線部品１の内部接続領域１３とを接合しているので、ある程度電極位置の異なる半導体チップにも対応できる。さらに、外部接続端子９をエリアアレイ状に配置できるので、端子数の多い半導体チップに対しても半導体装置のサイズを大きくすることなく対応でき、理想的な構造となる。
　【００９５】
　さらに本発明の半導体装置は、配線部品１の配線パターン７が半導体チップ２の下方に形成されており、外部接続端子９は全て配線部品１の内部接続領域１３の内側のエリアに形成されている。これにより、半導体装置のサイズを半導体チップのサイズとほぼ同じサイズとすることができ、半導体装置の小型化が可能となる。
　【００９６】
　この実施例で示したものは、半導体チップ２のチップサイズ１０×１２ｍｍ、外部接続端子９の端子数６４本、外部接続端子９のピッチ１．２７ｍｍ、外部接続端子９のサイズ０．６ｍｍφの例であり、外部接続端子９をすべて配線部品１の半導体チップ２接着エリア内に配置したものである。本発明の半導体装置はさらなる小型化のために、半導体チップを極力薄くして、ワイヤ長を短くしたという特徴を有する。
　【００９７】
　この実施例のワイヤ接続部付近の詳細説明を図４に示す。
　この図に示すように、ワイヤ３のワイヤ長ｂは、上から見たときのワイヤ３の投影距離のことであり、ワイヤ３を張る２点間の高低差、つまり半導体チップ２の厚みａに大きく依存し、半導体チップ２の厚みａが薄い程、ワイヤ３の長さを短くすることができる。
　【００９８】
　この実施例では、半導体チップ厚を０．２ｍｍ、ワイヤ長を０．５ｍｍ程度としている。この実施例のような半導体チップ厚とワイヤ長であれば、半導体チップ２の側面から樹脂封止部４の外周部までの距離ｃを１．０ｍｍ以下とすることができる。
　【００９９】
　図４のワイヤ接続部付近の、樹脂封止部４が絶縁材８や内部接続領域１３と接合している部分は、信頼性を確保する上で良好な密着性の必要とされるところである。そこで、密着性をより向上させるために、次に述べる２つの方法の内のいずれか一方、あるいは両方の方法を用いる。
　【０１００】
　第１の方法は、樹脂封止部４と接合する絶縁材８と内部接続領域１３の表面を、樹脂封止前に活性化させて、樹脂封止部４との密着性を向上させる方法である。この表面を活性化させる方法としては、ＵＶ照射等を用いることができる。
　【０１０１】
　第２の方法は、配線部品１の窓明け部１２を、図５に示すような楔形として、アンカー効果により密着性を向上させる方法である。
　【０１０２】
　配線部品１は、配線パターン７を、基板６と絶縁材８との２層の絶縁層の間に挟み、これらを接着剤で接合した構造である。したがって、絶縁層の接合面の密着性が悪いと、内部に水分等が溜まりやすく、リフロー時等に気化膨張して、接合面の剥離等の不具合が発生する可能性がある。
　【０１０３】
　そこで、接合面の剥離等の不具合を防止するために、次のことを行うようにする。すなわち、図６に示すように、はんだバンプ接合側、つまり外部接続端子９を形成した側の基板６に小ホール１４を設ける。これにより、絶縁層の接合面内部の水蒸気等を外部へ放出することが可能となり、水分等が溜まることを防止できる。
　【０１０４】
　次に、本発明の半導体装置の製造方法を説明する。図７に製造工程の一例を示す。
　本発明の半導体装置を製造するには、まず、配線部品１の所定の位置に半導体チップ２を接合するダイボンディングを行う（図７の（ａ）参照）。この例では、複数の配線部品１が一体のフレーム状態であるが、個別の配線部品１の場合もある。
　【０１０５】
　配線部品１に半導体チップ２を接合した状態の平面図を図８に示す。この図に示すように、この状態においては、絶縁材８の窓明け部１２からは、配線パターン７の内部接続領域１３が露出している。
　【０１０６】
　配線部品１には、貫通孔１５が設けられており、この貫通孔１５は、製造工程において製品の搬送に使用したり、位置決めを行うのに使用される。配線部品１と半導体チップ２は、熱硬化性樹脂からなるダイボンディング接着剤８ａを介して接合する。
　【０１０７】
　この熱硬化性樹脂は、従来から使用されているエポキシ樹脂等である。接合方法も従来から行われている方法と同様で、配線部品１と半導体チップ２を熱硬化性樹脂を介して接着し、加熱（リフロー）により熱硬化性樹脂を硬化させて接合を完了する。
　【０１０８】
　次に、半導体チップ２の電極１１と配線部品１の内部接続領域１３とをワイヤ３により接続する（図７の（ｂ）参照）。このワイヤ３は、金、銀、銅等の金属からなり、直径数十μｍのフレキシブルな細線である。このワイヤ３は従来から使用されている一般的なものである。このワイヤ３による接合は、ワイヤボインディングといわれる従来から行われている方法で行うことができる。
　【０１０９】
　すなわち、ワイヤボインディング装置を用いて、電気スパーク等により、ワイヤ３の先端を溶融したボール状にして、それを半導体チップ２の電極１１上に圧着接合し、ツールによりワイヤ３を配線部品１の内部接続領域１３まで張り延ばし、内部接続領域１３上で圧着接合および切断する。このワイヤ３の接合方式としては、熱圧着、超音波圧着、熱超音波圧着等を用いることができる。
　【０１１０】
　次に、樹脂による封止を行って樹脂封止部４を形成する（図７の（ｃ）参照）。この例では、金型を使用した樹脂封止方法を用いたが、金型を使用しない樹脂封止方法を用いてもよい。使用する封止樹脂は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。
　【０１１１】
　この樹脂封止部４による樹脂封止は、金型に製品をセットし、溶融した樹脂を金型内に注入して、加熱加圧状態を保ち樹脂を硬化させる。図７の（ｃ）で示したものは、樹脂封止後の製品である。
　【０１１２】
　本発明の半導体装置は樹脂封止工程で次のような特徴がある。金型に製品をセットした状態を図９に示す。図において、２１は上金型、２２は下金型、２３は上金型２１の製品を押え付ける面で、パーティング面といわれる面である。
　【０１１３】
　本発明の半導体装置では、図９に示すように、パーティング面２３の下には、絶縁材８が配置されることもある。図１０はこのような場合においてパーティング面２３の下に絶縁材８のない部分がある場合の説明図である。この図に示すように、パーティング面２３の下に絶縁材８のない部分があると、すきま部分２４ができる。これができた場合、このすきま部分２４に樹脂が注入されると、この部分の樹脂が樹脂封止後の製品の外周部にバリとして残る。このバリの部分は、余分な配線部品１と一緒に後でカットされるが、カットされたバリは装置上でゴミとして残る可能性があり、装置を動かす上で好ましくない。したがって、上金型２１のパーティング面２３の下には、必ず絶縁材８が配置されるようにしている。
　【０１１４】
　次に、配線部品１の余分なところをカットする（図７の（ｄ）参照）。図７の（ｄ）で示したものは、単品状態の製品である。カットは樹脂封止部４の外周部に沿って行われる。
　【０１１５】
　次に、はんだバンプを接合して外部接続端子９を形成する（図７の（ｅ）参照）。配線部品１の外部接続端子９を形成するところは、基板６のスルーホール５が開けられているところであり、このスルーホール５からは外部接続領域１０が露出している。この外部接続領域１０にフラックスを塗布後、はんだボールを付け、リフロー炉により加熱してはんだバンプを接合し、外部接続端子９を形成する。
　【０１１６】
　外部接続端子９の他の形成方法として、外部接続領域１０上にペースト状あるいはシート状のはんだを置き、リフロー炉により加熱溶融させてバンプの形状に形成し、接合することにより、外部接続端子９を形成するようにしてもよい。
　【０１１７】
　樹脂封止部４での樹脂封止後の製造工程は、図１１に示すように、配線部品１が一体のフレーム状態のままで、外部接続端子９を形成し（図１１の（ｆ）参照）、その後、配線部品の余分な所をカットするようにしてもよい（図１１の（ｇ）参照）。
　【０１１８】
　半導体チップ２をダイボンディングする時や、半導体チップ２の電極１１と配線パターン７の内部接続領域１３とをワイヤボンディングする時、あるいは樹脂封止時には、加圧や加熱が行われるため、配線部品１の基板６に対するはんだバンプの形成は、このような加圧や加熱の工程終了後に行われる。これは、このような加圧や加熱の工程においては、基板６側を固定するため、バンプが存在すると固定が困難であるという理由からである。また、これによりバンプが溶融したり変形したりすることも防止することができる。
　【０１１９】
　完成した半導体装置の反りは、実装を困難にするため、極力小さくする必要がある。そこで、次のような方法で反り対策を行う。反りを低減させるために、半導体チップ２上の樹脂と配線部品１の素材の線膨張率を近いものとし、さらに半導体チップ２上の樹脂の厚みと配線部品１の厚みをほぼ同じにする。これにより、半導体装置の反りを極力小さくすることができる。
　【０１２０】
実施例２
　図１２は本発明による半導体装置の実施例２の構成を示す部分詳細説明図である。
　【０１２１】
　先述した実施例１では、配線部品１に半導体チップ２を接合する際、ダイボンディング接着剤８ａを用いて、配線部品１と半導体チップ２とを接着するようにしていたが、この例では、図１２に示すように、ダイボンディング接着剤８ａを用いず、絶縁材８そのものを接着剤として用いた構成となっている。
　【０１２２】
　すなわち、半導体チップ２と配線部品１の接合を、配線部品１側に設けた絶縁材８により行う。絶縁材８としては、熱可塑性のポリイミドを用いる。したがって、この実施例２では、配線部品１は、絶縁材８の少なくとも半導体チップ２を接合するエリアを熱可塑性のポリイミドで構成している。このポリイミドは、半導体チップ２を接合する際の作業性が良く、また完成した半導体装置のリフロー実装時の信頼性の高いものが好ましい。
　【０１２３】
　この配線部品１を使用した場合の製造工程は、熱可塑性のポリイミドからなる絶縁材８を加熱して、半導体チップ２を配線部品１に接合する。したがって、実施例１とは、製造工程の中で、配線部品１に半導体チップ２を接合する工程が異なるのみである。
　【０１２４】
　このように、絶縁材８で配線部品１と半導体チップ２とを接合することにより、接着剤が不要となる。その結果、半導体チップ２の電極１１から、配線部品１の内部接続領域１３までの高低差を少なくでき、ワイヤ３の長さを短くする上で有利である。
　【０１２５】
実施例３
　図１３は本発明による半導体装置の実施例３の構成を示す部分詳細説明図である。
　【０１２６】
　先述した実施例１では、配線パターン７を形成した基板６に接着剤層７ａを介して絶縁材８を接着し、その上から半導体チップ２をダイボンディング接着剤８ａで接着するようにしていたが、この例では、図１３に示すように、接着剤層７ａ、絶縁材８、及びダイボンディング接着剤８ａを用いず、これらのかわりに、接着性と絶縁性の２つの機能を備えた絶縁性樹脂７ｂだけを用いた構成となっている。
　【０１２７】
　したがって、この例では、配線部品１としては、基板６上に配線パターン７を形成した状態のもので、配線パターン７が露出した状態のものを使用する。この配線部品１は、実施例１で使用した配線部品１の、半導体チップ２接合側の絶縁材８と絶縁材８を接着するための接着剤層７ａのない配線部品１である。
　【０１２８】
　この例では、実施例１のような配線パターン７の内部接続領域１３を露出させるための窓明け部１２は設ける必要はなく、この窓明け部１２は、半導体チップ２の周辺ですでに露出した状態となっている。
　【０１２９】
　絶縁性樹脂７ｂとしては、シート状、あるいはペースト状の熱硬化性ポリイミド樹脂接着剤を用いる。また、基板６としてはポリイミド樹脂を用いるが、ポリイミド樹脂以外の樹脂を用いてもよい。配線部品１は、図では、基板６上に配線パターン７を直接形成するようにしているが、接着剤を介して形成する場合もある。
　【０１３０】
　この実施例の製造方法について説明する。
　配線部品１は、基板６の表面に複数の金属の配線パターン７を形成したものである。配線パターン７は、実施例１と同様に、一端は内部接続領域１３に至り、他の一端は外部接続領域１０に至るように形成する。
　【０１３１】
　基板６としては、厚さ２５μｍ程度のポリイミドを用い、配線パターン７としては、Ｃｕ（銅）からなる厚さ２０μｍ程度の金属箔を用いる。基板６にはスルーホール５を設け、スルーホール５の位置には、配線パターン７の外部接続領域１０を形成している。図１３に示した配線部品１は、基板６上に配線パターン７を直接形成したものであるが、基板６上に接着剤を介して配線パターン７を形成する場合もある。このような配線部品１を準備する。
　【０１３２】
　次に、この配線部品１の配線パターン７上に半導体チップ２を搭載し、絶縁性樹脂７ｂにより半導体チップ２のダイボンディングを行う。絶縁性樹脂７ｂとしては、前述したように、シート状、あるいはペースト状の熱硬化性ポリイミド樹脂接着剤を使用する。
　【０１３３】
　この実施例の場合、実施例１の場合とは異なり、露出した配線パターン７上に半導体チップ２を搭載するため、接触等により、半導体チップ２側の接合面と配線パターン７とが導電しないようにする必要がある。このため、ペースト状の熱硬化性ポリイミド樹脂接着剤は、接着面全体に濡れ広がらなかった場合、配線パターン７と半導体チップ２との接触等の危険性があるので、シート状の熱硬化性ポリイミド樹脂接着剤を用いることが好ましい。また、当然のことながら、絶縁性樹脂７ｂとして、導電性の接着剤は使用できない。
　【０１３４】
　ダイボンディングは、配線部品１上に、絶縁性樹脂７ｂである厚さ２５μｍ程度のシート状の熱硬化性ポリイミド樹脂接着剤を介して半導体チップ２を配置し、加熱して、シート状の熱硬化性ポリイミド樹脂接着剤を溶融、硬化させて接着を完了する。この後は実施例１と同様、半導体チップ２の電極１１と配線パターン７の内部接続領域１３とをワイヤ３で接続し、半導体チップ２とワイヤ３の周辺を樹脂封止部４により封止し、切断した後、外部接続端子９としてのはんだバンプを形成して完成する。
　【０１３５】
　この実施例３では、実施例１とは配線部品１の構成が異なっている。すなわち、実施例１では、配線パターン７を形成した基板１上に接着剤層７ａを介して絶縁材８を形成した構成となっているのに対し、この実施例３では、接着剤層７ａと絶縁材８がない構成である。
　【０１３６】
　したがって、実施例１の場合、半導体チップ２の接合面が平らな絶縁材８の表面であるので、ダイボンディングの平坦性が良く、また、ペースト状の接着剤でも濡れ広がりがよい。さらに、配線パターン７上に絶縁材８が存在するので、ダイボンディング接着剤８ａは、導電性のものでも非導電性のものでもかまわず、接着剤を選ばない、というメリットがある。しかしながら、この実施例１の配線部品１を使用した場合、製品を加熱した際に、絶縁材８を接着する接着剤層７ａのところで気化膨張による膨れが発生する場合がある。そのため、接着剤層７ａとして用いる接着剤の選定、あるいは製品の取り扱いには注意を要する。
　【０１３７】
　これに対し、実施例３の場合、ダイボンディングの際、つまり配線部品１に半導体チップ２を接合する際、配線パターン７が半導体チップ２に接触しないようする必要はあるものの、実施例１のような、配線部品１の接着剤層７ａでの膨れが発生しない。また、接着剤層７ａと絶縁材８とがない分、配線部品１のコストを低下させることができる。
　【０１３８】
実施例４
　図１４は本発明による半導体装置の実施例４の構成を示す部分詳細説明図である。
　【０１３９】
　図１４は実施例１の図３に対応したものである。実施例１の図３と異なるところは、配線パターン７、接着剤層７ａ、及び絶縁材８の終端が、全て樹脂封止部４の中に納まっていることである。このような構成であれば、図７の（ｄ）に示したように、樹脂封止部４の外周部に沿って配線部品１の余分なところをカットして、単品状態の製品とした場合に、カットした面から配線パターン７、接着剤層７ａ、及び絶縁材８の切断面が見えない。
　これにより、配線パターン７の外部への接触を防止すること、及び水分のパッケージ内への進入を抑制することができる。
　【０１４０】
実施例５
　図１５は本発明による半導体装置の実施例４の構成を示す部分詳細説明図であり、図１４と同様の例で、パッケージ端に接着剤層７ａと絶縁材８がある場合である。
　【０１４１】
　すなわち、この実施例５では配線パターン７の終端だけが樹脂封止部４の中に納まっている。このような構成でも、樹脂封止部４の外周部に沿って配線部品１の余分なところをカットして、単品状態の製品とした場合に、カットした面から配線パターン７の切断面が見えないので、配線パターン７の外部への接触を防止すること、及び水分のパッケージ内への進入を抑制することができる。
　【０１４２】
実施例６
　図１６は本発明による半導体装置の実施例６の構成を示す部分詳細説明図である。
　【０１４３】
　図１６は実施例３の図１３に対応したものである。実施例３の図１３と異なるところは、配線パターン７の終端が、樹脂封止部４の中に納まっていることである。このような構成であれば、上述の実施例４及び実施例５と同様に、樹脂封止部４の外周部に沿って配線部品１の余分なところをカットして、単品状態の製品とした場合に、カットした面から配線パターン７の切断面が見えず、実施例４及び実施例５と同じ効果を得ることができる。
　【０１４４】
実施例７
　図１７は本発明による半導体装置の実施例７の構成を示す部分詳細説明図である。
　【０１４５】
　この実施例においては、配線部品１は、チップ側絶縁材層としての絶縁材８と、外側絶縁材層としての外側絶縁材２５と、これら２つの絶縁材層の間に形成された配線パターン７から主として構成されている。
　【０１４６】
　この実施例では、配線部品１は、実施例１の場合とは逆の順序で形成している。すなわち、絶縁材８の下面にパターン接着剤層７ｃを介して配線パターン７を形成し、配線パターン７の外部接続領域１０以外の所に外側絶縁材２５を形成後、外部接続領域１０の位置に外部接続端子９を形成して、配線部品１を作製しており、基本的には、実施例１と同様に、配線パターン７を絶縁材８と外側絶縁材２５とで挟持したサンドイッチ構造となっている。
　【０１４７】
　この構造は、半導体チップ２と配線パターン７との間に、絶縁材８を配置した構造である。しかしながら、図１３に示した実施例３の半導体装置のように、配線パターン７の上に、絶縁性樹脂７ｂを介して半導体チップ２を直接接合するようにした場合、半導体チップ２を接着する際、配線部品１上に半導体チップ２を押し付けて接着するため、配線パターンの外側絶縁材２５の形成されていない部分（外部接続端子を形成するための外部接続領域１０の部分）に対するダメージが大きく、亀裂の発生等の不具合が発生する場合がある。
　【０１４８】
　しかし、この実施例７の構成では、配線パターン７上に絶縁材８があることにより、配線パターン７へのダメージがなくなり、不具合の発生を防止することができる。
　【０１４９】
　さらに、実施例３とは異なり、配線パターン７の外部接続端子９を形成するランド部（外部接続端子を形成するための外部接続領域１０の部分及びその周辺領域）が、絶縁材８に固定された安定した構造なので、ランド部表面上の外部接続端子９を形成する側の外側絶縁材２５（図１３では基板６がこれに相当する）と重なる領域（周辺領域）の面積を小さくでき、その結果、配線パターン７のランド部の面積が小さくなり、配線パターン７を引き回す上で有利である。
　【０１５０】
　図１８は実施例７の半導体装置の配線部品の製造方法を示す説明図である。
　この実施例においては、配線部品１は、まず、ポリイミド等からなる絶縁材８の下面にポリイミド等からなるパターン接着剤層７ｃを形成し、打ち抜き加工等により、窓明け部１２を形成する（図１８の（ａ）参照）。
　【０１５１】
　次に、絶縁材８の下面にパターン接着剤層７ｃを介して全面に金属箔をはりつけ、パターニングを行い、金属の配線パターン７を形成する（図１８の（ｂ）参照）。そして、配線パターン７の外部接続端子形成点上を除いて、ポリイミド等からなる絶縁材層を全面に形成し、これにより外側絶縁材層としての外側絶縁材２５を形成する（図１８の（ｃ）参照）。
　【０１５２】
　このようにして、絶縁材８の窓開け部１２には配線パターン７の内部接続領域１３が露出し、絶縁材８の開口部には、配線パターン７の外部接続領域１０が露出した形状の配線部品１を作製する。このようにして作製した配線部品１を使用する半導体装置は、他の本発明の半導体装置と同様に、図７及び図１１で示した製造方法により製造することができる。
　【０１５３】
実施例８
　図１９は本発明による半導体装置の実施例８の構成を示す部分詳細説明図であり、パッケージ端に配線パターン７が形成されていない場合の例である。
　【０１５４】
　図１９は実施例７の図１７に対応したものである。実施例７の図１７と異なるところは、配線パターン７、パターン接着剤層７ｃ、及び絶縁材８の終端が、全て樹脂封止部４の中に納まっていることである。このような構成であれば、樹脂封止部４の外周部に沿って配線部品１の余分なところをカットして、単品状態の製品とした場合に、カットした面から配線パターン７、パターン接着剤層７ｃ、及び絶縁材８の切断面が見えない。
　これにより、配線パターン７の外部への接触を防止すること、及び水分のパッケージ内への進入を抑制することができる。
　【０１５５】
実施例９
　図２０は本発明による半導体装置の実施例９の構成を示す部分詳細説明図であり、図１９と同様の例で、パッケージ端に配線パターン７が形成されておらず、パターン接着剤層７ｃと絶縁材８とがパッケージ端にある場合である。
　【０１５６】
　すなわち、この実施例９では配線パターン７の終端だけが樹脂封止部４の中に納まっている。このような構成でも、樹脂封止部４の外周部に沿って配線部品１の余分なところをカットして、単品状態の製品とした場合に、カットした面から配線パターン７の切断面が見えないので、配線パターン７の外部への接触を防止すること、及び水分のパッケージ内への進入を抑制することができる。
　【０１５７】
　このように、本発明の半導体装置は、半導体チップの電極と配線部品の接続をワイヤで行い、半導体チップの電極を有する面の反対側に配線部品及び外部接続端子を配置し、外部接続端子はエリアアレイ状態で配列した構造で、外部接続端子を配線部品のワイヤ接続点の内側あるいは半導体チップから１ｍｍ大きいエリア内に形成し、半導体チップの厚みを薄くしてワイヤ長を最短にするという従来にない構造上の特徴を有する。
　【０１５８】
　このような構造にすることにより、ほぼ半導体チップと同じサイズの小型化された半導体装置とすることができる。また、ワイヤを使用しているので、電極位置の異なる半導体チップにも対応でき、また外部接続端子がエリアアレイ状に配置されているので、端子数の多いものにも対応できる。このように従来の利点を確保している。
　【０１５９】
　さらに、半導体チップエリア内において、外部接続端子の配置位置に制約がないという利点を有している。以上のように、本発明の半導体装置は、従来のような欠点がなく、また信頼性の高いすぐれた小型化された半導体装置である。また本発明の半導体装置では、樹脂封止後の製品に樹脂カスができることがない。したがって、発生するゴミが少なく、また樹脂カスが原因による装置トラブル発生の心配がない。
　【０１６０】
　また、半導体チップと配線部品の接合を配線部品のフィルムで行う場合、従来のような熱硬化性樹脂の接合剤が必要なく、接合剤の厚みの分だけ薄くなり、またコストダウンも可能となる。
　【０１６１】
　さらに、封止樹脂と配線部品の密着性が良いので、封止樹脂のクラックの発生がなく、配線部品が小ホールを有することにより、配線部品の絶縁基板と接着剤等の接合面において、リフロー時等に気化膨張が発生することがなく、また、半導体チップ上の封止樹脂と配線部品の線膨張率と厚みを近いものにすることにより、製品の反り量を低減することができ、実装をより容易なものとすることができる。
　【０１６２】
　【発明の効果】
　この発明によれば、配線板の内部接続領域よりも半導体チップの中央寄りに、配線パターンと外部接続端子とを形成するようにしたので、配線パターンと外部接続端子とを、半導体チップの領域内に配置することができ、これにより、半導体チップの大きさと配線板の大きさがほぼ同じ大きさとなり、半導体装置の小型化が可能となる。また、配線パターンが１層であるため、薄型化及びコストの低減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による半導体装置の実施例１の構成を示す説明図である。
　【図２】
　図１の半導体装置を下側から見た一部破断平面図である。
　【図３】
　図１の部分詳細説明図である。
　【図４】
　実施例１のワイヤ接続部付近の詳細を示す説明図である。
　【図５】
　実施例１の配線部品の窓明け部の詳細を示す説明図である。
　【図６】
　実施例１の外部接続端子の詳細を示す説明図である。
　【図７】
　本発明の半導体装置の製造方法を示す説明図である。
　【図８】
　本発明の半導体装置の製造方法において配線部品に半導体チップを接合した状態の平面図である。
　【図９】
　本発明の半導体装置の製造方法の樹脂封止工程において金型に製品をセットした状態を示す説明図である。
　【図１０】
　本発明の半導体装置の製造方法の樹脂封止工程においてパーティング面の下に絶縁材のない部分がある場合の説明図である。
　【図１１】
　本発明の半導体装置の製造方法における樹脂封止後の製造工程を示す説明図である。
　【図１２】
　本発明による半導体装置の実施例２の構成を示す部分詳細説明図である。
　【図１３】
　本発明による半導体装置の実施例３の構成を示す部分詳細説明図である。
　【図１４】
　本発明による半導体装置の実施例４の構成を示す部分詳細説明図である。
　【図１５】
　本発明による半導体装置の実施例５の構成を示す部分詳細説明図である。
　【図１６】
　本発明による半導体装置の実施例６の構成を示す部分詳細説明図である。
　【図１７】
　本発明による半導体装置の実施例７の構成を示す部分詳細説明図である。
　【図１８】
　実施例７の半導体装置の配線部品の製造方法を示す説明図である。
　【図１９】
　本発明による半導体装置の実施例８の構成を示す部分詳細説明図である。
　【図２０】
　本発明による半導体装置の実施例９の構成を示す部分詳細説明図である。
　【図２１】
　従来の最も一般的な構造の半導体装置を示す説明図である。
　【図２２】
　図１８の平面図である。
　【図２３】
　従来の小型化された半導体装置の第１のタイプの構成を示す説明図である。
　【図２４】
　従来の小型化された半導体装置の第２のタイプの構成を示す説明図である。
　【図２５】
　従来の小型化された半導体装置の第３のタイプの構成を示す説明図である。
　【図２６】
　従来の小型化された半導体装置の他の構成例を示す説明図である。
　【図２７】
　従来の小型化された半導体装置の他の構成例を示す説明図である。
　【符号の説明】
　１　配線部品
　２　半導体チップ
　３　ワイヤ
　４　樹脂封止部
　５　スルーホール
　６　基板
　７　配線パターン
　７ａ　接着剤層
　７ｂ　絶縁性樹脂
　７ｃ　パターン接着剤層
　８　絶縁材
　８ａ　ダイボンディング接着剤
　９　外部接続端子
　１０　外部接続領域
　１１　電極
　１２　窓明け部
　１３　内部接続領域
　１４　小ホール
　１５　貫通孔
　２１　上金型
　２２　下金型
　２３　パーティング面
　２４　すきま部分
　２５　外側絶縁材