【事件の表示】
　特願２０１１−１１９２２７「薄片試料作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月１３日出願公開、特開２０１１−２０３２６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１７年１２月９日に出願した特願２００５−３５５７３４号の一部を平成２３年５月２７日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年１０月４日に手続補正がなされ、平成２５年５月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月４日に拒絶査定に対する不服審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
 　
第２　平成２５年９月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２５年９月４日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正後の請求項１に記載された発明
　平成２５年９月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「集束イオンビームと気体イオンビームにより薄片試料を作製する薄片試料作製方法において、
　試料に前記集束イオンビームを照射し、前記薄片試料を作製する薄片化工程と、
　前記薄片試料の表面に前記気体イオンビームを照射するために、前記薄片試料を載置する試料ステージを、前記薄片試料と前記試料ステージを通過するとともに前記試料ステージを同一高さで傾斜させるユーセントリックチルト軸と直交する回転軸を中心に回転させる試料ステージ回転工程と、
　前記表面に前記気体イオンビームを照射し、前記薄片試料の仕上げ加工を行う仕上げ加工工程と、からなる薄片試料作製方法。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の出願前に頒布された刊行物である、国際公開２００５／００３７３６号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。 
（ａ）第１頁６〜８行
「透過電子顕微鏡などの高分解能顕微鏡にて半導体デバイスや表示デバイス等の内部構造を観察するために、その試料として半導体デバイスや表示デバイスから薄片試料を作製する方法に関するものである。」
（ｂ）第２頁１５〜２２行
「通常は、図４（ａ）のように試料ステージ４０７は各ビーム鏡筒４０１、４０３を含む平面方向に傾斜するように構成されている。
　それに対して、本発明においてはさらに、図４（ｂ）に示すように少なくとも９０度異なる軸に対して傾斜する構成を有する。このことにより集束イオンビームで側壁の傾斜角を補正して加工できると同時に、あるいはすぐさま電子ビームで薄片試料の厚みを測定することができる。あるいは、さらに上記両方向に傾斜することも含む。すなわち、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合ビーム装置において、傾斜軸を２つ持つデュアルチルト構成となっている。」
（ｃ）第７頁１３行〜第８頁２６行
「本発明による装置の第二の実施例を図５を参照して説明する。
　液体金属イオン源から発生するイオンを集束イオン光学系で集束し、試料表面に焦点を合わせて走査照射する集束イオンビーム鏡筒５０１と、エミッタチップから発生する電子を電子ビーム光学系で集束し、試料表面に焦点を合わせて走査照射する電子ビーム鏡筒５０２と、アルゴンなどの不活性イオンビームを発生して試料に照射する不活性イオンビーム鏡筒５０３が試料室５０４に取り付けられている。試料室内は、真空ポンプ５０５によって真空排気され、高真空状態を保持している。試料室５０４の内側には、試料５０６を載置して移動する試料ステージ５０７が設置されている。
　集束イオンビーム鏡筒５０１と、電子ビーム鏡筒５０２と、不活性イオンビーム鏡筒５０３は、集束イオンビーム鏡筒５０１から発射される集束イオンビームと、電子ビーム鏡筒５０２から発射される電子ビームと、不活性イオンビーム鏡筒５０３から発射される不活性イオンビームは、試料ステージ５０７に載置された試料５０６の表面一箇所で交差するように調整されている。
　試料ステージ５０７は、複数の駆動軸を持っていて、試料５０６を載置して三次元空間を移動可能となっているが、図６に示すように、集束イオンビーム鏡筒６０１、不活性イオンビーム鏡筒６０３を含む第一の平面６０８に対して直交する第二の平面６０９を基準とし、その交差角度が変更可能な構造になっている。不活性イオンビームを照射するにあたり、試料への入射角度を変更することにより、不活性イオンビームによるエッチングで発生した再付着物の試料表面の残存を最小限に抑制する。
　本装置を用いて薄片試料を作製する場合、集束イオンビームにてスパッタリングエッチング加工している試料５０６の露出した断面の状態を該断面への電子ビーム走査照射による走査電子顕微鏡像で観察し、薄片の厚さが設定された厚さになったところで、装置制御システムは集束イオンビームの試料への照射を終了する。このとき、試料の厚さは、試料の厚さ、材質などと、電子ビームの加速電圧で決まる透過電子量の変化を測定することにより、測定する。通常、電子は試料を透過しないが、所定の加速電圧を超えたり、試料の厚さがある厚さ以下になったりすると、電子が試料を透過する。その結果、電子顕微鏡による観察像が透過電子の影響で変化する。この変化を見つけることにより試料の厚さを制御することができる。
　また、集束イオンビームにて薄片を所定の厚さに加工した後に、試料５０６を載置した試料ステージ５０７を傾斜して、試料５０６の表面が電子ビーム鏡筒５０２と不活性イオンビーム鏡筒５０３とで形成される平面に対して概ね垂直になるようにする。不活性イオンビーム鏡筒５０３から発射される不活性イオンビームを試料５０６表面の薄片周辺に照射してスパッタリングエッチング加工を行うのと同時に、電子ビームを試料側壁に対して平行な方向から走査照射して薄膜周辺を走査電子顕微鏡で観察し、薄片の厚さが設定された厚さになったところで、装置制御システムは不活性イオンビームの試料への照射を終了する。このとき、試料ステージ５０７を移動させて、不活性イオンビームの試料５０６への入射角度を変更し、試料に残るエッチングによる再付着物を最小限にする。」
（ｄ）「図４
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｅ）「図５
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｆ）「図６
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「集束イオンビーム鏡筒（６０１）から発射される集束イオンビームと、電子ビーム鏡筒（６０２）ら発射される電子ビームと、不活性イオンビーム鏡筒（６０３）から発射される不活性イオンビームが、試料ステージ（５０７）に載置された試料（５０６）の表面一箇所で交差するように調整されており、
　試料ステージは複数の駆動軸を持っていて、集束イオンビーム鏡筒、不活性イオンビーム鏡筒を含む第一の平面（６０８）に対して直交する第二の平面（６０９）を基準とし、その交差角度が変更可能な構造になっているとともに、それと９０度異なる軸に対して傾斜する傾斜軸を持つデュアルチルト構成となっており、
　集束イオンビームにてスパッタリングエッチング加工している試料の露出した断面の状態を該断面への電子ビーム走査照射による走査電子顕微鏡像で観察し、薄片の厚さが設定された厚さになったところで、装置制御システムは集束イオンビームの試料への照射を終了し、
　集束イオンビームにて薄片を所定の厚さに加工した後に、試料を載置した試料ステージを傾斜して、試料の表面が電子ビーム鏡筒と不活性イオンビーム鏡筒とで形成される平面に対して概ね垂直になるようにし、
　不活性イオンビーム鏡筒から発射される不活性イオンビームを試料表面の薄片周辺に照射してスパッタリングエッチング加工を行うのと同時に、電子ビームを試料側壁に対して平行な方向から走査照射して薄膜周辺を走査電子顕微鏡で観察し、薄片の厚さが設定された厚さになったところで、装置制御システムは不活性イオンビームの試料への照射を終了する、
薄片試料を作成する方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「集束イオンビーム」及び「不活性イオンビーム」は、それぞれ補正発明の「集束イオンビーム」及び「気体イオンビーム」に相当する。
　したがって、引用発明の「薄片試料を作成する方法」は補正発明の「集束イオンビームと気体イオンビームにより薄片試料を作製する薄片試料作製方法」に相当する。
（２）引用発明の「集束イオンビームにてスパッタリングエッチング加工」する工程は、補正発明の「試料に前記集束イオンビームを照射し、前記薄片試料を作製する薄片化工程」に相当する。
（３）引用発明の「集束イオンビームにて薄片を所定の厚さに加工した後に、試料を載置した試料ステージを傾斜して、試料の表面が電子ビーム鏡筒と不活性イオンビーム鏡筒とで形成される平面に対して概ね垂直になるように」する工程と、補正発明の「前記薄片試料の表面に前記気体イオンビームを照射するために、前記薄片試料を載置する試料ステージを、前記薄片試料と前記試料ステージを通過するとともに前記試料ステージを同一高さで傾斜させるユーセントリックチルト軸と直交する回転軸を中心に回転させる試料ステージ回転工程」は、ともに「前記薄片試料の表面に前記気体イオンビームを照射するために、前記薄片試料を載置する試料ステージを移動させる試料ステージ移動工程」である点で共通する。
（４）引用発明の「不活性イオンビームを試料表面の薄片周辺に照射してスパッタリングエッチング加工を行う」工程は、補正発明の「前記表面に前記気体イオンビームを照射し、前記薄片試料の仕上げ加工を行う仕上げ加工工程」に相当する。
　
　してみると、両者は、 
　「集束イオンビームと気体イオンビームにより薄片試料を作製する薄片試料作製方法において、
　試料に前記集束イオンビームを照射し、前記薄片試料を作製する薄片化工程と、
　前記薄片試料の表面に前記気体イオンビームを照射するために、前記試料ステージを移動させる試料ステージ移動工程と、
　前記表面に前記気体イオンビームを照射し、前記薄片試料の仕上げ加工を行う仕上げ加工工程と、からなる薄片試料作製方法。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　試料ステージ移動工程が、補正発明では「薄片試料と試料ステージを通過するとともに前記試料ステージを同一高さで傾斜させるユーセントリックチルト軸と直交する回転軸を中心に回転させる」工程であるのに対して、引用発明では「試料を載置した試料ステージを傾斜して、試料の表面が電子ビーム鏡筒と不活性イオンビーム鏡筒とで形成される平面に対して概ね垂直になるように」する工程である点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　集束イオンビームと気体イオンビームにより薄片試料を作製する薄片試料作製方法において、「試料と試料ステージを通過するとともに試料ステージを同一高さで傾斜させるユーセントリックチルト軸を設け、当該軸と直交する回転軸を中心に回転」する構成を備えることは、周知技術である。
　引用発明の「デュアルチルト構成」の２つの傾斜軸は、ともにユーセントリックチルト軸である。
　そして、引用発明に当該周知技術を付加することは、加工のしやすさや装置全体の大きさ等の種々の要因を総合的に勘案して、当業者が適宜決定しうる事項である。
　また、集束イオンビームと気体イオンビームにより薄片試料を作製する際に、試料をどの軸に沿ってどのように移動させるかは、用いる装置が有する軸の自由度に照らして当業者が適宜選択しうる事項である。
　してみると、引用発明に上記周知技術を適用することにより、相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
５．小括
　以上のとおり、補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本願発明について 
１．本願発明
　平成２５年９月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２４年１０月４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「集束イオンビームと気体イオンビームにより薄片試料を作製する薄片試料作製方法において、
　試料に前記集束イオンビームを照射し、前記薄片試料を作製する薄片化工程と、
　前記薄片試料の表面に前記気体イオンビームを照射するために、前記薄片試料を載置する試料ステージを前記薄片試料と前記試料ステージを通過する回転軸を中心に回転させる試料ステージ回転工程と、
　前記表面に前記気体イオンビームを照射し、前記薄片試料の仕上げ加工を行う仕上げ加工工程と、からなる薄片試料作製方法。」（以下「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物
　引用文献１及びその記載事項は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　前記「第２」で検討した補正発明は、本願発明の「回転軸」を「前記試料ステージを同一高さで傾斜させるユーセントリックチルト軸と直交する回転軸」に限定したものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。