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　平成　２年特許願第５０３７２５号「各ピクセルに対して電極構造を備えたインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサ」拒絶査定に対する審判事件［平成　２年　８月２３日国際公開、ＷＯ９０／０９６８０、平成　３年１０月３１日国内公表、特表平　３−５０５０２８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成２年１月６日のＰＣＴ出願（優先権主張１９８９年２月１０日、米国）であって、平成２年９月２８日付で翻訳文が提出され、平成８年１２月２０日付手続補正書、平成１０年１０月１３日付手続補正書、および、平成１１年６月１６日付手続補正により補正された。
　本願の発明は、特許請求の範囲に記載された下記のとおりのものと認める。
「１．第１導電タイプの基板上に形成されるＣＣＤイメージセンサであって、当該第１導電タイプと反対の導電性を有する第２導電タイプで形成される個別ピクセルの行と列のアレイを有し、ピクセル内に蓄積された電荷が、前記第２導電タイプで形成される電荷結合素子へ転送されるインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサにおいて、前記電荷結合素子は、奇数行と偶数行とがそれぞれ単一レベルの導電体から形成されてなる一連のオーバーラップ電極と、奇数行電極と偶数行電極とに交互にそれぞれ供給される別々の電圧クロックと、を含み、各ピクセルは、前記奇数行電極と前記偶数行電極とのいずれか一つのみを割当てられ、前記奇数行電極と前記偶数行電極とのそれぞれの一方側の端縁下にはイオン注入バリヤ領域が形成され、前記奇数行電極と偶数行電極とのそれぞれについて、当該電極と対応するピクセルとの間かつ当該電極の下に、前記第１導電タイプで形成される個別転送ゲート領域が形成されること、を特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
２．請求項（１）に記載のＣＣＤイメージセンサにおいて、前記各電極の導電体はドープされたポリシリコンからなることを特徴とする。
３．請求項（１）に記載のＣＣＤイメージセンサにおいて、前記各電極はＷＳｉｘ，ＭｏＳｉｘ，ＴｉＳｉｘ，Ｗ，ＭｏまたはＴａから成る群から選択された金属珪素化合物とボリシリコンとの複合層を含むことを特徴とする。
４．請求項（１）に記載のＣＣＤイメージセンサにおいて、前記各ピクセルはフォトダイオードを含むことを特徴とする。
５．請求項（１）に記載のＣＣＤイメージセンサにおいて、前記各ピクセルは、光導電層と、該光導電層に接続されたキャパシタプレートと、電荷蓄積領域と、光導電層内で生成された光発生電荷が前記電荷蓄積領域に伝達されるように前記キャパシ夕を電荷蓄積領域に接続させ、これにより電荷をその後電荷結合素子へ伝達させるための導電ピラーと、を含むことを特徴とする。」
２．引用例
　これに対して、原審における拒絶の理由に引用された刊行物、特開昭５８−１０６９６６号公報（以下引用例１という）には、
「第１図は，受光素子として光導電体膜を有し、垂直走査回路として２層ｐｏｌｙ　Ｓｉ電極のＣＣＤを用いたインターライン転送方式の２次元の固体撮像装置を概略的に平面図で示したものである。この固体撮像装置は、読み込み駆動用パルスと転送駆動用パルスを混合した２相の垂直転送駆動パルスで駆動するようにしている。」（第２頁左上欄第１１行乃至第１７行）
「第２図、第３図（ａ）、（ｂ）において、１は金属電極２を介して光導電体膜３と電気的に接続され、光導電体膜３で発生する光信号電荷を蓄積するための接合ダイオード部であり、半導体基板４に対し逆の導電形を有する拡散層で形成されている。５は接合ダイオード部１に蓄積される信号電荷を転送ライン側に読み込むディプレッション形のＭＯＳトランジスタで形成した読み込みゲ−ト部であり、６は埋め込み型のＣＣＤで形成した垂直転送ラインを示す。そして、光導電体膜３と接合ダイオ−ド部１とを電気的に接合する金属電極２の面積が、そのまま１絵素の受光面積となる。６ａは、垂直転送ライン６の一部領域をなす信号電荷蓄積用の蓄積領域であり、また６ｂは蓄積領域６ａの信号電荷を転送する遷移領城である。７、８は垂直転送ライン６を形成するＣＣＤのポリシリコン転送電極であり、接合ダイオード部１から垂直転送ライン６へ信号電荷を読み込むＭＯＳトランジスタで形成した読み込みゲート部５のゲート電極を兼ねる。９はフィールド酸化膜、１０はチャンネルストッパー、１１はポリシリコン転送電極７，８および金属電極２の間を絶縁分離するための酸化膜、１２は光導電体膜３にバイアス電荷を供給する透明電極膜、１３は光導電体膜３と接している金属電極２が半導体基板４上に形成された接合ダイオード部１と電気的コンタクトを取る部分を示し、１４はゲート酸化膜である。１５は半導体基板４に対し逆の導電形を有する拡散層、１６はポリシリコンのゲ−ト電極、１７はゲート酸化膜である。ここで、拡散層１，１５とポリシリコン電極１６とによりＭＯＳトランジスタを形成し、ポリシリコン電極１６、拡散層１５はそれぞれ外部から独立に任意の電圧にバイアスされる。１８はゲートチャンネル部を示す。」（第２頁左下欄第４行乃至右下欄第１８行）
の記載と共に第２図、第３図（ａ）（ｂ）が示されている。
第２図において、接合ダイオード部１は、前記奇数行電極と前記偶数行電極とのいずれか一つのみを割当てられている。
第３図（ｂ）において、遷移領域（６ｂ）は、転送電極７，８の一方側の端縁下に設けられている。
　してみると、上記引用例１には、
「受光素子として光導電体膜を有し、２相の垂直転送駆動パルスで駆動するようにしたインターライン転送方式の２次元の固体撮像装置において、
金属電極２を介して光導電体膜３と電気的に接続され、光導電体膜３で発生する光信号電荷を蓄積する、半導体基板４に対し逆の導電形を有する拡散層で形成された接合ダイオード部１と、接合ダイオード部１に蓄積される信号電荷を転送ライン側に読み込むディプレッション形のＭＯＳトランジスタで形成した読み込みゲ−ト部５と、埋め込み型のＣＣＤで形成した垂直転送ライン６と、垂直転送ライン６を形成するＣＣＤのポリシリコン転送電極７，８であり、接合ダイオード部１から垂直転送ライン６へ信号電荷を読み込むＭＯＳトランジスタで形成した読み込みゲート部５のゲート電極を兼ねるポリシリコン転送電極と、垂直転送ライン６の一部領域をなす信号電荷蓄積用の蓄積領域６ａと、蓄積領域６ａの信号電荷を転送する、転送電極７，８の一方側の端縁下に設けられている遷移領域６ｂと、光導電体膜３と接している金属電極２が半導体基板４上に形成された接合ダイオード部１と電気的コンタクトを取る部分１３と、ゲート酸化膜１４とを有する固体撮像装置。」が記載されている。
　また、刊行物、特開昭６３−８１９５２号公報（以下引用例２という）には、
「第３図は積層型ＣＣＤ撮像素子である。ｐ型Ｓｉ基板１１に蓄積ダイオードを構成するｎ＋型層１２および垂直ＣＣＤの理込みチャネルを構成するｎ＋型層１３が形成され、この基板上にゲート絶縁膜を介してＣＣＤの転送電極１５，１６が二層多結晶シリコン膜により形成されている。１４はチャネルストッパとしてのｐ＋型層である。各蓄積ダイオードには導体ポリサイド電極１７が形成され、これを囲むように絶縁膜１８が形成されている。この絶縁膜１８にはコンタクト孔が開けられて、Ａｌ膜等を用いた画素電極である導体電極１９が形成されている。そしてこの導体電極１９が形成されたウエーハ上に光電変換部となるａ‐Ｓｉ層２１が堆積形成され、その表面に透明電極２２が形成されている。」（第２頁左上欄第１２行乃至右上欄第６行）
と共に第３図が示されている。また、第１図、第３図には、ｐ型Ｓｉ基板１１に蓄積ダイオードを構成するｎ＋型層１２および垂直ＣＣＤの理込みチャネルを構成するｎ＋型層１３が形成され、この蓄積ダイオードｎ＋型層１２と垂直ＣＣＤの理込みチャネルｎ＋型層１３の間のｐ型基板上にゲート絶縁膜を介してＣＣＤの転送電極１５が形成された、本願第５発明の個別転送ゲート領域に相当するＭＯＳトランジスタが記載されている。
　したがって、引用例２には、
「ｐ型Ｓｉ基板１１に蓄積ダイオードを構成するｎ＋型層１２および垂直ＣＣＤの理込みチャネルを構成するｎ＋型層１３が形成され、この基板上にゲート絶縁膜を介してＣＣＤの転送電極１５，１６が二層多結晶シリコン膜により形成されている。各蓄積ダイオードには導体ポリサイド電極１７が形成され、これを囲むように絶縁膜１８が形成されている。この絶縁膜１８にはコンタクト孔が開けられて、Ａｌ膜等を用いた画素電極である導体電極１９が形成されている。そしてこの導体電極１９が形成されたウエーハ上に光電変換部となるａ‐Ｓｉ層２１が堆積形成され、その表面に透明電極２２が形成されている積層型ＣＣＤ撮像素子」が記載されている。
３．対比・判断
　請求項５に記載の発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、
引用例１の「半導体基板４」、「半導体基板４に対し逆の導電形を有する拡散層で形成された接合ダイオード部１」、「インターライン転送方式の２次元の固体撮像装置」、「垂直転送ライン６を形成するＣＣＤのポリシリコン伝送電極７、８」、「２相の垂直転送駆動パルス」、「遷移領城６ｂ」、「読み込みゲート部５」、「光導電体膜３」、「金属電極２」は、
請求項５に記載の発明の「第１導電タイプの基板」、「電荷蓄積領域」、「インターライン転送型ＣＣＤイメージセンサ」、「オーバーラップ電極」、「別々の電圧クロック」、「バリヤ領域」、「個別転送ゲート領域」、「光導電層」、「キャパシタプレート」にそれぞれ相当する。
　引用例１に記載の発明は、２次元の固体撮像装置であって、第３図において、接合ダイオード部が、行と列のアレイに配列され、また、接合ダイオード部１は、前記奇数行電極と前記偶数行電極とのいずれか一つのみを割当てられているので、両者は、
「第１導電タイプの基板上に形成されるＣＣＤイメージセンサであって、当該第１導電タイプと反対の導電性を有する第２導電タイプで形成される個別ピクセルの行と列のアレイを有し、ピクセル内に蓄積された電荷が、前記第２導電タイプで形成される電荷結合素子へ転送されるインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサにおいて、前記電荷結合素子は、奇数行と偶数行とがそれぞれ単一レベルの導電体から形成されてなる一連のオーバーラップ電極と、奇数行電極と偶数行電極とに交互にそれぞれ供給される別々の電圧クロックと、を含み、各ピクセルは、前記奇数行電極と前記偶数行電極とのいずれか一つのみを割当てられ、前記奇数行電極と前記偶数行電極とのそれぞれの一方側の端縁下にはバリヤ領域が形成され、前記奇数行電極と偶数行電極とのそれぞれについて、当該電極と対応するピクセルとの間かつ当該電極の下に、個別転送ゲート領域が形成されること、を特徴とするＣＣＤイメージセンサであって、前記各ピクセルは、光導電層と、電荷蓄積領域と、光導電層内で生成された光発生電荷が前記電荷蓄積領域に伝達されるように前記キャパシ夕を電荷蓄積領域に接続するＣＣＤイメージセンサ。」
の点で一致しており、
　個別転送ゲート領域の導電型が、本願請求項５に記載の発明では、「（基板と同じ）第１導電タイプ」で形成されるのに対し、引用例１に記載の発明では、「（基板と逆の）第２導電タイプ」で形成される点（相違点１）で相違する。
　バリア領域が、本願請求項５に記載の発明では、「イオン注入」で形成しているのに対し、引用例１に記載の発明では、製造手段が明記されていない点（相違点２）で相違する。
　光導電層と電荷蓄積層との間に、本願請求項５に記載の発明では、キャパシタプレートと導電ピラーを有しているのに対し、引用例１に記載の発明では、金属電極を有している点（相違点３）で相違する。
　上記相違点について検討する。
相違点１について
　個別転送ゲート領域を基板と同じ第１導電タイプのＭＯＳトランジスタとすることは、引用例２，第１図、第３図に示すように周知であり、引用例１に記載の基板と逆の第２導電タイプのＭＯＳトランジスタを基板と同じ第１導電タイプのＭＯＳトランジスタとすることに格別な創作能力を要したとは認められない。よって、上記相違点は当業者が容易になし得たことである。
相違点２について
　イオン注入は、不純物ドープ手段として周知慣用の手段であり、引用例１に記載の、蓄積領域とは不純物濃度の異なる遷移領域の形成に周知慣用手段であるイオン注入法を用いることは当業者が必要に応じて任意になし得ることである。
相違点３について
　引用例２に記載の発明は、光導電膜を用いた積層型ＣＣＤ撮像素子に関する発明であり、引用例２に記載の「導体電極１９」、及び、「導体ポリサイド電極１７」が、本願の「キャパシタプレート」、及び、「導電ピラー」に相当する。引用例１に記載の発明において金属電極に替えて引用例２に記載の「導体電極１９」、及び、「導体ポリサイド電極１７」を採用することは、当業者が適宜成し得ることである。
　なお、審判請求の理由において、引用例（特開昭５８−１０６９６６号公報）の第３図（ａ）に、「垂直シフトレジスタの転送電極とは別個の転送電極１６が示されている。」点の相違を主張しているが、電極１６は、掃き出しトランジスタのゲート電極であり、このような掃き出しトランジスタを設けない技術は、引用例１の従来技術として当業者であれば容易に認識しうるものである。
４．むすび
　したがって、本願請求項５に記載された発明は、その出願前に国内において頒布された上記の引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有するものが、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。また、請求項５に記載の発明が特許を受けることができないので、この出願は、他の請求項を検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。