【事件の表示】
　特許第３２５０２４１号「ターゲット材とその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２５０２４１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３２５０２４１号（平成３年１１月６日出願、平成１３年１１月１６日設定登録）の請求項１ないし３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】金属を、コールドクルーシブル内に置いたスターティングブロック上で誘導加熱により溶解し、ブロックの側から熱を奪って凝固させ、溶解材料を炉の上方から補給する一方でブロックを引き下げることにより連続的に鋳造体を得、この鋳造体を連続鋳造の方向に対しほぼ垂直に切断することからなるターゲット材の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の方法により製造した、マクロ結晶組織の方向がターゲット面に対してほぼ垂直であるターゲット材。
【請求項３】ターゲット材が、Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｄ，Ｎｂ，Ｎｉ，ＣｒおよびＳｉからえらんだ金属またはそれらの合金である請求項２のターゲット材。」
２．申立て理由の概要
　特許異議申立人は、証拠方法として甲第１ないし４号証を提出して、次の（１）〜（２）の理由により、本件請求項１ないし３に係る発明の特許は取り消されるべきものである旨主張している。
（１）本件請求項１ないし３に係る発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（２）請求項２に係る発明について、当業者が容易にその実施をすることができる程度に、発明の詳細な説明に記載されていないから、本件特許明細書の記載は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。。
３．甲第１ないし４号証の記載内容
　甲第１号証（特開平１−２６４９２０号公報）には以下の事項が記載されている。
（ａ）「この無底るつぼ６は銅製の筒体で、下部を残して周方向に複数分割された構造である。るつぼの内部は仕切板１７によって内側と外側に仕切られ、導入管１８からるつぼ内に導入された冷却水が周方向に循回しながら外側部分を上昇し、内側部分を下降し内壁面を冷却した後、導出管１９に集められてるつぼ６の外へ排出されるようになっている。」（第４頁左下欄第８行〜第１５行）
（ｂ）「第２図装置による本発明の方法の具体的手順を次に説明する。まず、気密容器１の中を真空排気した後に、不活性ガスとしてアルゴンを封入し、その後、シリコンからなる円柱状の種鋳塊を支持および引き抜き装置１４によって種鋳塊の上端が無底るつぼ６の高さ方向の中央にくるように設置する。次に、無底るつぼ６の上方にある装入ダクト１０を横方向に退避した状態で、グラファイト等からなる発熱体１１を通電加熱してから無底るつぼ６の中に降下、挿入して種鋳塊の直上に接近設定し、誘導コイル７に通電を開始する。誘導コイル７の中の種鋳塊の上端面が溶解され、発熱体１１を上昇させて元の位置に戻し、種鋳塊をるつぼ６内で上昇させると、溶解シリコン１３が初期形成される。溶解シリコン１３を初期形成した後、直ちに粒状の原料シリコン９を装入ダクト１０から溶解シリコン１３の溶融表面に添加し原料シリコン９を溶解するとともに、支持および引き抜き装置１４を作動させることによって種鋳塊を含むシリコン鋳塊１２を無底るつぼ６から引き出し、溶解シリコン１３を電磁力の作用する領域から順次引き離すことによって、溶解シリコン１３をシリコン１２と接触している部分から連続的に凝固させる。この連続的な原料装入、溶解、凝固の操作を継続することにより、シリコンの方向性凝固鋳塊を製造することができる。」（第５頁右上欄第７行〜左下欄第１４行）
　甲第２号証（特開平２−３０６９８号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｃ）「内径５０ｍｍ、外径８０ｍｍで周方向分割数が１２、分割間隙が１．５、１．０、０．３ｍｍ、るつぼ分割片高さが１５０ｍｍの第１図に示す形状の銅製無底るつぼを使用した。」（第６頁左下欄第５行〜第８行）
（ｄ）「その鋳塊から、直径５０ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍの円形の基板をダイヤモンドカッターによって切り出したところ、円形基板はカッティング途中で割れることがなく、鋳塊中に熱歪みが全く残留していないことを示した。」（第６頁右下欄第１６〜２０行）
　甲第３号証（特開昭６１−３４５０１号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｅ）「珪素化合物からの光学層を珪素含有ターゲット材料の反応性陰極スパッタリングによって基板上に設ける方法において、ターゲット材料として注型した、溶融状態から凝固した、珪素少なくとも９９％からの多結晶性珪素成形体を、」（特許請求の範囲第１項）
　甲第４号証（特開昭６４−５３７３２号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｆ）「溶解シリコン柱６はその下方のシリコン鋳塊１２からの奪熱のみにより冷却されるので、良好な方向性結晶組織が得られ、」（第３頁右下欄第５〜７行）
（ｇ）「本発明法によって製造した鋳塊中の結晶の配向は鋳塊底面から垂直に結晶成長しているため、結晶柱が互いにぶつかり合って結晶の不整合を形成する部分がほとんどなかった。」（第４頁右下欄第１６行〜１９行）
４．対比・判断
４−１．申立て理由（１）について
４−１−１．請求項１に係る発明について
　甲第１号証には、上記摘示事項（ｂ）より、「シリコン種鋳塊を上端が無底るつぼの高さ方向の中央にくるように設置し、発熱体を通電加熱してから種鋳塊の直上に接近設定するとともに誘導コイルに通電を開始して種鋳塊の上端面を溶解し、発熱体を上昇させて元の位置に戻し、種鋳塊をるつぼ内で上昇させて溶解シリコンを形成した後、粒状の原料シリコンを溶解シリコンの溶融表面に添加するとともに、種鋳塊を含むシリコン鋳塊を無底るつぼから引き出し、溶解シリコンをシリコン鋳塊と接触している部分から連続的に凝固させ、この連続的な原料装入、溶解、凝固の操作を継続する、シリコンの方向性凝固鋳塊の製造方法」の発明（以下「甲１発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件請求項１に係る発明（以下「請１発明」という）と甲１発明とを対比すると、甲１発明の「シリコン」は本件発明の「金属」に、同じく「無底るつぼ」は「コールドクルーシブル」、「原料シリコンを添加」は「溶解材料を補給」、「引き出し」は「引き下げ」、「凝固鋳塊」は「鋳造体」にそれぞれ相当し、さらに、甲１発明の誘導コイルに通電とは誘導加熱することであり、溶融表面に添加とは炉の上方からの添加であることは明らかであり、また、甲１発明は種鋳塊を含むシリコン鋳塊を無底るつぼから引き出しているから、種鋳塊は非溶解部分が残り、その非溶解部分は溶解シリコンの支持体として機能し、その支持体上で添加された粒状の原料シリコンは誘導加熱により溶解されることは明らかである。よって、両者は「金属を、コールドクルーシブル内に置いた支持体上で誘導加熱により溶解し、支持体の側から熱を奪って凝固させ、溶解材料を炉の上方から補給する一方で支持体を引き下げることにより連続的に鋳造体を得る、金属体の製造方法」である点で一致し、以下の点で相違している。
（１）支持体が、請１発明はスターティングブロックであるのに対し、甲１発明は種鋳塊であり、その上端部は溶解される点。
（２）金属の溶解を、請１発明は誘導加熱により溶解しているのに対し、甲１発明は、最初に発熱体を通電加熱してから種鋳塊の直上に接近設定するとともに誘導加熱して種鋳塊の上端面を溶解し、発熱体を上昇させて元の位置に戻し、種鋳塊をるつぼ内で上昇させて溶解した後、粒状の原料シリコンを溶解シリコンの溶融表面に添加して誘導加熱により溶解している点。
（３）製造工程および製造される金属体が、請１発明は鋳造体を連続鋳造の方向に対しほぼ垂直に切断してターゲット材を製造しているのに対し、甲１発明は切断工程はなく、方向性凝固鋳塊の製造であり、甲第１号証には方向性凝固鋳塊は太陽電池等の素材として使用されることが記載されている点。
　以下、上記相違点を検討するにあたり、まず、相違点（３）に着目して検討する。
　甲第２号証には、上記摘示事項（ｄ）より、鋳塊を連続鋳造の方向に対しほぼ垂直に切断することが、甲第３号証には、上記摘示事項（ｅ）より、ターゲットとして注型した多結晶性珪素成形体が、甲第４号証には、上記摘示事項（ｆ）〜（ｇ）より、結晶の配向が鋳塊底面から垂直に結晶成長しているシリコン鋳塊（請１発明の鋳造の方向に沿ってほぼ平行に結晶が成長したマクロ組織をもった鋳造体に相当）が、それぞれ記載されていると云える。
　一方、請１発明は、ターゲット面に結晶の横断面が並んでいるターゲット材は、更新された表面が常に均質であって、そこから飛び出す金属原子の方向をコントロールすることが容易で長期にわたって使用できるという知見に基づいて、鋳造の方向に沿ってほぼ平行に結晶が成長したマクロ組織をもった鋳造体を連続鋳造の方向に対しほぼ垂直に切断してターゲット材を製造する（特許明細書段落【００１５】〜【００１７】）ものである。
　してみれば、甲第４号証に鋳造の方向に沿ってほぼ平行に結晶が成長したマクロ組織をもった鋳造体が、甲第２号証に連続鋳造の方向に対しほぼ垂直に切断することが記載されているといっても、甲第４号証には切断してターゲット材を製造することは示唆されておらず、甲第２号証はターゲット材を製造するためではなく、熱歪みが残留していないことを確認するための切断であり、そもそも、ターゲット面に結晶の横断面が並んでいるターゲット材自体が甲第１〜４号証に記載されていないから、甲第４号証記載のシリコン鋳塊を甲第２号証記載のように切断して、ターゲット材として鋳造の方向に沿ってほぼ平行に結晶が成長したマクロ組織をもった鋳造体を連続鋳造の方向に対しほぼ垂直に切断することを想到することができない。
　上記のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、請１発明が甲第１ないし４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
４−１−２．請求項２〜３に係る発明について
　請求項２〜３に係る発明は、請求項１に係る発明を直接または間接的に引用し、請求項１に係る発明にさらに新たな構成を付加したものであるから、請求項１に係る発明が甲第１ないし４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない以上、請求項２〜３に係る発明も、同じ理由により、甲第１ないし４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
４−２．申立て理由（２）について
　異議申立人は、スターティングブロックが水冷銅壁から離れた後はコールドクルーシブルからの奪熱だけでは不可能であり、別の手段で冷却することが必要となるが、本件特許明細書にはその記載はなく、冷却手段が曖昧であると主張している。
　そこで検討するに、スターティングブロック上には凝固した金属があり、スターティングブロックが水冷銅壁から離れた後は凝固した金属が水冷銅壁に接して順次冷却されることは明細書の記載から明らかである。
　したがって、異議申立人の主張は採用することができない。
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月１３日（２００３．２．１３）