【事件の表示】
　特願２００８−１５７９５１「電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月１４日出願公開、特開２０１０−　　８４３７、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２０年６月１７日（優先権主張平成２０年５月２６日）の出願であって、平成２４年１０月１６日付けで手続補正がなされたところ、同年１１月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月６日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、同年６月４日付けで審尋がなされ、同年８月５日付けで回答書が提出されたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２５年２月６日付け手続補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次の事項によって特定されるものと認められる。
　
「【請求項１】
　一対の基板と、
　前記一対の基板の間に挟持された電気光学物質と、
　前記一対の基板の一方に、互いに交差するように配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、
　前記一対の基板の一方における前記電気光学物質に面する側に、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応する画素毎に配列された複数の画素電極と、
　前記一対の基板の他方に、前記複数の画素電極に前記電気光学物質を介して対向するように配置された対向電極と、
　前記一対の基板の少なくとも一方に設けられ、前記一対の基板の上から見て、前記画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜と、
を備え、
　前記複数の画素電極の各々及び前記遮光膜は、前記一対の基板の上から見て、前記複数の画素電極の各々と前記遮光膜が部分的に重畳するように、配置されており、
　前記一対の基板の間の距離である基板間ギャップ距離Ｘ、並びに前記複数の画素電極の各々と前記遮光膜が部分的に重畳する領域の幅である重畳幅Ｙは、不等式
Ｙ≧０．６２５Ｘ−ｙ
但し
ｙ＝−０．０２０８Δε２＋０．５６２５Δε−３．０４１７
Δε＝前記電気光学物質の誘電率異方性
を満たし、
　前記遮光膜は第１遮光膜、第２遮光膜、及び第３遮光膜を含み、
　前記第１遮光膜は、前記一対の基板の一方に配置され、前記一対の基板の一方からの光が薄膜トランジスタに入射するのを防ぎ、
　前記第２遮光膜は、前記一対の基板の他方に配置されるブラックマトリクスであり、
　前記第３遮光膜は、前記一対の基板の一方に配置されるデータ線を含み、
　前記第１遮光膜は第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に延びるように配置されることを特徴とする電気光学装置。
　【請求項２】
　前記開口領域は、前記走査線に沿った前記第１方向及び前記データ線に沿った前記第２方向のうち一方の方向に、長辺方向が一致する平面形状を有し、
　前記基板間ギャップ距離Ｘ及び前記重畳幅Ｙは、前記複数の画素電極の各々と前記遮光膜が前記一方の方向に沿って部分的に重畳する部分について、前記不等式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
　【請求項３】
　前記基板間ギャップ距離Ｘ及び前記重畳幅Ｙは、前記走査線に沿った第１方向及び前記データ線に沿った第２方向の両方について、前記不等式を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
　【請求項４】
　前記データ線及び前記走査線の少なくとも一方は、遮光性の材料から構成されており、前記遮光膜に加えて、前記開口領域を少なくとも部分的に規定することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
　【請求項５】
　前記複数の画素電極は、前記画素毎として、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）及びＢ（青色）のいずれか一つに対応するサブ画素毎に、配列されており、
　前記遮光膜は、前記サブ画素の開口領域を少なくとも部分的に規定し、
　前記サブ画素は、前記第１方向及び前記第２方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
　【請求項６】
　前記複数の画素電極のうちの１つと、前記複数の画素電極のうちの他の１つは、前記第１遮光膜に対し、略対称に配置されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
　【請求項７】
　請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。」（以下、請求項１〜７に係る発明を、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明７」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−１７９０７７号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
  本発明は、マトリクス状に配列された複数の画素電極及びこれらを夫々スイッチング駆動するための複数の薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称す）を備えたＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置の技術分野に属する。」
　イ　「【０００３】
  …一般にこの種の電気光学装置では、直流電圧印加による電気光学物質の劣化防止、表示画像におけるクロストークやフリッカの防止などのために、各画素電極に印加される電位極性を所定規則で反転させる反転駆動方式が採用されている。同一行の画素電極を同一極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を行毎にフレーム又はフィールド周期で反転させる１Ｈ反転駆動方式が、制御が比較的容易であり高品位の画像表示を可能ならしめる反転駆動方式として用いられている。
…
【０００５】
  …１Ｈ反転駆動方式のように、ＴＦＴアレイ基板上において相隣接する画素電極に印加される画像信号の電位が逆極性にある場合には、相隣接する画素電極間に生じる横電界が生じる。従って、本来、基板に垂直な方向の縦電界で駆動されることが想定されている液晶等の電気光学物質は、横電界の影響でリバースチルトが生じ光抜けを引き起こす。この結果、コントラスト比の低下を招いてしまう。これに対し、横電界が生じる領域を遮光膜により覆い隠すことは可能であるが、これでは横電界が生じる領域の広さに応じて画素の開口領域が狭くなってしまう。…」
　ウ　「【００４２】
  …図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ'断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ'断面図である。
…
【００４４】
  図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ'により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６は、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的に接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ'（図中右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６との交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ'に走査線３ａがゲート電極として対向配置されたＴＦＴ３０が設けられている。
…
【００４６】
  また、図中太線で示した走査線３ａ及び容量線３ｂにほぼ重なる領域には夫々、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の下側を通るように、第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には図２において、第１遮光膜１１ａは夫々、走査線３ａ及び容量線３ｂに沿って縞状に形成されていると共に、データ線６と交差する箇所が下方に突出して形成されており、この突出部を含む幅広の部分により各ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域をＴＦＴアレイ基板側から見て夫々覆う位置に設けられている。尚、第１遮光膜１１ａは、走査線３ａ及びデータ線６に沿って延設して格子状に形成してもよい。このような構成を採れば、更に電気光学装置の遮光性が高まり有利である。
【００４７】
  本実施形態では特に、図２中、左下がりの斜線で示すデータ線６は、走査線３ａと直交する方向に伸びる主配線部６ａと、主配線部６ａから走査線３ａに沿って突出する突出部６ｂとを備えている。即ち、図２中、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域は、突出部６ｂを有しており幅広に形成されたデータ線６の部分により、基板面に対して垂直入射される入射光のみならず、図２で上下左右から斜めに入射する入射光に対して遮光されている。このように主配線部６ａ及び突出部６ｂを有するデータ線６は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の遮光性、伸延性及び導電性に優れた既存の金属薄膜から構成されている。…
【００４８】
  次に図３及び図４に夫々、図２のＡ−Ａ'断面図及びＢ−Ｂ'断面図として示すように、電気光学装置は、第１基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される第２基板の一例を構成する対向基板２０とを備えている。…ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。…
【００４９】
  他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。…
【００５０】
  ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。
【００５１】
  対向基板２０には、各画素の開口領域の少なくとも一部を規定するための、第２遮光膜２３が設けられている。このため、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に侵入することを、前述の如く遮光機能を有するデータ線６と共に未然防止し得る。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの向上、カラーフィルタを用いる際の色材の混色防止などの機能を有する。…
【００５２】
  このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。…
【００５３】
  更に図３に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１遮光膜１１ａが設けられている。…第１遮光膜１１ａが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に入射する事態を未然に防ぐことができ、これに起因した光電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が変化することはない。
…
【００５９】
  …本発明では、遮光性のＡｌ等の金属を含有した遮光性の導電膜からなるデータ線６から延設された突出部６ｂの存在により、このように斜めに入射する入射光を確実に遮光できる。更に、第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域をＴＦＴ３０の下側から見て覆う位置に設けられるので、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域は、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射される、例えば、裏面反射光や、複数の電気光学装置を組み合わせて用いる場合に合成光学系を突き抜けてくる他の電気光学装置からの投射光などの戻り光に対しては、第１遮光膜１１ａにより遮光されており、ＴＦＴ３０の戻り光等による特性変化を防止できる。従って、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に対する遮光は、図３中、上側については遮光性のデータ線６の主配線部６ａ及び突出部６ｂ並びに対向基板２０上の第２遮光膜２３によりなされており、図３中、下側については第１遮光膜１１ａによりなされており、言わば、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域を上下から包み込むことにより遮光が確実に行われる。加えて、電気光学装置内で発生する多重反射光が、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域に入射する事態をも、係る構成により効果的に未然防止できる。」
　エ　上記ウに照らして図２及び図３を見ると、「第１遮光膜１１ａ」、「第２遮光膜２３」及び「（主配線部６ａ及び突出部６ｂを備える）データ線６」は、それぞれ、「画素電極９ａ」の縁部の一部と重なっていることが見て取れる。
　
　上記摘記事項を総合すると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている電気光学装置であって、
　ＴＦＴアレイ基板１０には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられており、走査線３ａとデータ線６との交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ'に走査線３ａがゲート電極として対向配置されたＴＦＴ３０が設けられており、走査線３ａ及び容量線３ｂにほぼ重なる領域には夫々、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の下側を通るように、第１遮光膜１１ａが設けられており、第１遮光膜１１ａは夫々、走査線３ａ及び容量線３ｂに沿って縞状に形成されていると共に、データ線６と交差する箇所が下方に突出して形成されており、この突出部を含む幅広の部分により各ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域をＴＦＴアレイ基板側から見て夫々覆う位置に設けられており、第１遮光膜１１ａは、走査線３ａ及びデータ線６に沿って延設して格子状に形成してもよく、データ線６は、走査線３ａと直交する方向に伸びる主配線部６ａと、主配線部６ａから走査線３ａに沿って突出する突出部６ｂとを備えており、チャネル領域１ａ'及びその隣接領域は、突出部６ｂを有しており幅広に形成されたデータ線６の部分により、基板面に対して垂直入射される入射光のみならず、上下左右から斜めに入射する入射光に対して遮光されており、第１遮光膜１１ａが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に入射する事態を未然に防ぐことができ、これに起因した光電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が変化することはなく、
　他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられており、対向基板２０には、各画素の開口領域の少なくとも一部を規定するための、第２遮光膜２３が設けられており、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に侵入することを、遮光機能を有するデータ線６と共に未然防止し、
　第１遮光膜１１ａ、第２遮光膜２３及び主配線部６ａ及び突出部６ｂを備えるデータ線６は、それぞれ、画素電極９ａの縁部の一部と重なっており、
　画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、シール材により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される電気光学装置。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開２００１−３３７３４６号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に互いに交差するようにマトリクス状に配列された複数の映像信号線及び走査線と、
この映像信号線及び走査線の交点部分に接続されたスイッチング動作をする薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタに接続され、絶縁膜を介して前記基板上にマトリクス状に配列された透明な複数の表示画素電極と、
を備えたアレイ基板と、
このアレイ基板と対向して配置される対向基板と、
この対向基板とアレイ基板の間隙部分に封入された液晶と、
を具備し、
前記映像信号線を隣り合う表示画素電極同志の中間部分に、その一部が前記表示画素電極に夫々重なるように配置し、その重ね幅が大きい方の全表示画素面内の平均重ね幅をａとし、そのバラツキを△ａとした場合に、△ａ／ａ＜０．１６に設定することを特徴とする液晶表示装置。」
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関し、特に表示画素電極間に配置される映像信号線を、遮光部として利用する液晶表示装置に関する。」
　ウ　「【００１８】以下、図面を参照しながら詳細に説明する。即ち図１において、アレイ基板１１側の絶縁基板１２上に複数本の映像信号線１３と複数本の走査線１４が、互いに交差してマトリクス状に配置され、その交点部分にスイッチング素子としてのｎチャンネルＴＦＴ１５が接続されている。このＴＦＴ１５には、夫々透明な表示画素電極１６が接続されており、この表示画素電極１６は、全体がマトリクス状に配列されている。
【００１９】更にこの走査線１４と並行して補助容量線１７が配置され、この補助容量線１７の一部を映像信号線１３の一側に沿って延在させることで、静電遮蔽性を有するシールド電極１８を形成している。このシールド電極１８は、一画素ピッチ内で映像信号線１３と交差し、且つ隣接する表示画素電極１６の周辺部の一部とも重なるように配置している。このために、映像信号線１３とシールド電極１８は、表示画素電極１６の左右辺の光漏れを防ぐ遮光対を形成している。
【００２０】この映像信号線１３と表示画素電極１６との配置関係は、図２に示すように配置される。後述する配向膜のラビングは、アレイ基板１１側では、図１の矢印Ａ方向に右上方斜め方向から左下側斜め方向に向けてラビング処理され、また対向基板側の配向膜は、これと直交する図１中に破線の矢印で示すＢ方向に、左上斜め方向から右下斜め方向にラビング処理される。
【００２１】この際、矢印Ａで示すラビング方向の下流側にあたる映像信号線１３端部に位置する表示画素電極１６の図中左辺側は、前述の原因によって配向不良が発生する領域となる。このため表示画素電極１６と映像信号線１３の重畳する図中右側の幅ａが、液晶の配向不良領域を隠せるように大きく設定されるように配置されている。」
　
　上記摘記事項を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板上に互いに交差するようにマトリクス状に配列された複数の映像信号線及び走査線と、この映像信号線及び走査線の交点部分に接続されたスイッチング動作をする薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続され、絶縁膜を介して前記基板上にマトリクス状に配列された透明な複数の表示画素電極と、を備えたアレイ基板と、このアレイ基板と対向して配置される対向基板と、この対向基板とアレイ基板の間隙部分に封入された液晶と、を具備する液晶表示装置であって、
　映像信号線は、表示画素電極の左右辺の光漏れを防ぎ、表示画素電極と映像信号線の重畳する側の幅が、液晶の配向不良領域を隠せるように大きく設定されるように配置した液晶表示装置。」
　
（３）引用刊行物３
　同じく、特開２０００−３０５１１４号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１透明基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差するように配列されたデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインが交差する部分に形成され、前記ゲートラインから分技して突出したゲート電極と、前記データラインに連結されたソース電極と、前記ソース電極から離隔して対向するように形成されたドレイン電極を有する薄膜トランジスタＴＦＴと、前記薄膜トランジスタＴＦＴを覆い、前記ドレイン電極の一部を露出させるためのコンタクトホールが形成された保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記コンタクトホールを介してドレイン電極に連結されるとともに前記データラインと一部重なるように形成された画素電極と、を含む薄膜トランジスタアレイ基板と、
第２透明基板上にブラックマトリックス、カラーフィルタ及び共通電極を含むカラーフィルタ基板と、
前記薄膜トランジスタアレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されてシーリングされる液晶と、を含む液晶表示装置において、
前記カラーフィルタ基板のブラックマトリックスが前記薄膜トランジスタアレイ基板のデータラインと非対称的にオーバーラップするように設計されたことを特徴とする液晶表示装置。」
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、特に配向膜のラビング(rubbing)方向に応じてデータラインの近傍に発生する光漏れを防止することのできる液晶表示装置及びその製造方法に関する。」
　ウ　「【００２９】図９乃至図１１に示すように、ＴＦＴと画素電極が配列される薄膜トランジスタアレイ基板としての透明基板１’上にはゲートライン１００が水平方向に延在して形成されており、このゲートライン１００と絶縁されながら交差するデータライン２００が垂直方向に延在している。…
【００３０】データライン２００の延在方向にはゲートライン１００から分技したゲート電極１４０が突出している。ゲート電極１４０の下にはゲート絶縁膜２２０（図１１に示される）を介した活性層１２０が形成されており、この活性層１２０にはチャネル領域（図示せず）及びチャネル領域の両側にソース／ドレイン領域（図示せず）が定められている。
【００３１】ゲートライン１００の延在方向にはデータライン２００から分技され、活性相１２０のソース領域に連結されるソース電極１６０、及び活性層のドレイン領域に連結されるドレイン電極１８０が離隔して対向してある。
【００３２】前記構造の全面には図１０及び図１１に示すように有機保護膜２４０が被覆されており、この有機保護膜２４０にはドレイン電極１８０を露出させるコンタクトホールが形成されている。…有機保護膜２４０上にはコンタクトホールを覆ってドレイン電極１８０に連結される画素電極３００が形成されている。
【００３３】この画素電極３００は開口率を増大させるために、低い誘電率を有する絶縁膜としての有機保護膜２４０を介在させてデータライン２００の一方端側とＡ’（通常１.５μｍ以下）だけオーバーラップした構造をもつ。斜線の引いた部分（領域）２９０はブラックマトリックスを示す。
…
【００４０】…本発明ではデータラインが画素電極及びブラックマトリックス２９０と非対称的にオーバーラップした構造、すなわち、データライン２００に対してブラックマトリクス２９０が遮光すべき側に偏倚して対向するように配置された構造をもつことにより、図１２に示すように、データライン２００とブラックマトリックス２９０間のオーバーラップ部分が実際的に前記光の透過度が急増する領域（Ｂ’を含む）を遮断させ、光が透過しない。したがって、この光漏れ領域Ｂ’が遮られるようになって画質に何の影響も与えなくなる。」
　
　上記摘記事項を総合すると、引用刊行物３には、以下の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　
「第１透明基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差するように配列されたデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインが交差する部分に形成され、前記ゲートラインから分技して突出したゲート電極と、前記データラインに連結されたソース電極と、前記ソース電極から離隔して対向するように形成されたドレイン電極を有する薄膜トランジスタＴＦＴと、前記薄膜トランジスタＴＦＴを覆い、前記ドレイン電極の一部を露出させるためのコンタクトホールが形成された保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記コンタクトホールを介してドレイン電極に連結されるとともに前記データラインと一部重なるように形成された画素電極と、を含む薄膜トランジスタアレイ基板と、第２透明基板上にブラックマトリックス、カラーフィルタ及び共通電極を含むカラーフィルタ基板と、前記薄膜トランジスタアレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されてシーリングされる液晶と、を含む液晶表示装置において、
　前記カラーフィルタ基板のブラックマトリックスが前記薄膜トランジスタアレイ基板のデータラインと非対称的にオーバーラップするように設計された液晶表示装置。」
　
（４）引用刊行物４
　同じく、特開平８−１６０４５４号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）に関するもので、特に、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）の薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関するものである。」
　イ　「【０００４】近年、ＴＦＴとして、チャンネル層にｐ−Ｓｉを用いたものがあり、高移動度が達成され、ＴＦＴサイズの小型化、駆動回路部の一体搭載などが実現されている。…更に明るさを高める目的で、ブラックマトリクス（ＢＭ）となる遮光層をＴＦＴのアレイ基板側に内蔵形成したものがある。…
【０００５】このような構成に関して、特に、走査線や信号線との重畳部を工夫してＢＭとして機能させることにより、対向基板側のＢＭを不要あるいは縮小して、開口率を向上したものがある。…
【０００６】図１５と図１６は、画素電極（５７）とドレインライン（５５）との重畳部の断面構造であ…る。図１５に示す如く、隣接する画素電極（５７）間は、ソース・ソース間の横方向電界によるクロストークを防ぐため、最低離間距離（Ｌ）が必要であるとともに、画素電極（５７）の周縁部では電界の乱れのために液晶の配向が不安定で、この部分でも遮光が必要とされ、幅（Ｌ１）をもってドレインライン（５５）との重畳部が要されている。…」
　ウ　「【００２０】
【実施例】…図１は本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の画素部の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図、図４は図１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。まず、高耐熱性の石英ガラスなどの透明基板（１０）上に、…ＴＦＴの活性層（１１）及び第１の補助容量電極（１１Ｃ）が形成されている。活性層（１１）及び第１の補助容量電極（１１Ｃ）を覆う全面には…ＳｉＯ２が被覆され、ゲート絶縁層（１２）とされている。…
【００２１】ゲート絶縁層（１２）上には、…ゲートライン（１３）、ゲート電極（１３Ｇ）及び第２の補助容量電極（１３Ｃ）のパターンに形成され…る。…
【００２２】…活性層（１１）には、ゲート電極（１３Ｇ）をマスクとして燐などのＮ型不純物のイオン注入を行うことにより、ソース・ドレイン領域（１１ｓ，１１ｄ）が形成されるとともに、ノンドープのチャンネル領域（１１ｎ）が形成されている。
【００２３】ゲートライン（１３）、ゲート電極（１３Ｇ）及び第２の補助容量電極（１３Ｃ）を覆う全面には…ＳｉＯ２が積層され、第１の層間絶縁層（１４）とされている。ドレイン領域（１１ｄ）上のゲート絶縁層（１２）及び第１の層間絶縁層（１４）にコンタクトホール（ＣＴ１）を開口したあと、…Ａｌを…積層し、フォトエッチによりドレインライン（１５）のメインライン（１５Ｍ）が形成され、コンタクトホール（ＣＴ１）を介してドレイン領域（１１ｄ）に接続されている。更に、…Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒなどを…積層し、フォトエッチによりメインライン（１５Ｍ）よりも大きなパターンでメインライン（１５Ｍ）を覆い、ＢＭを兼ねたサブライン（１５Ｓ）が形成されている。
…
【００２５】ドレインライン（１５）が形成された基板（１０）上には、…ＳｉＯ２膜（１）を…積層した後、…ＳｉＯ２を主成分とした膜、即ち、ＳＯＧ膜（２）を形成している。…ＳＯＧ膜（２）上には更にＣＶＤによりＳｉＮｘ膜（３）を形成し、これらＳｉＯ２膜（１）、ＳＯＧ膜（２）及びＳｉＮｘ膜（３）をもって第２の層間絶縁層（１６）としている。
…
【００２７】ソース領域（１１ｓ）上のゲート絶縁層（１２）、第１の層間絶縁層（１４）及び第２の層間絶縁層（１６）にコンタクトホール（ＣＴ２）を開口したあと、ＩＴＯのスパッタリングとフォトエッチを行うことにより画素電極（１７）が形成され、コンタクトホール（ＣＴ２）を介して、ソース領域（１１ｓ）にも接続されている。画素電極（１７）は、平坦化された第２の層間絶縁層（１６）上に形成されている…。
【００２８】図１及び図３に示す如く、画素電極（１７）は、ゲートライン（１３）に重畳する部分にまで形成されており、隣接する画素電極（１７）間でのクロストークを防ぐための最低離間距離（Ｌ）を確保しながら、限界まで拡げられ、表示領域がゲートライン（１３）のエッジにまで拡大されている。また、ポリサイドからなるゲートライン（１３）の遮光性を利用して、画素電極（１７）を周縁遮光幅（Ｌ１）をもってゲートライン（１３）に重畳することにより、ゲートライン（１３）がＢＭとして機能され、周縁遮光が実現される。
…
【００３１】一方、ドレインライン（１５）の側では、図４に示す如く、画素電極（１７）はサブライン（１５Ｓ）上に重畳されるとともに、メインライン（１５Ｍ）に近接されている。即ち、ドレインライン（１５）は、膜厚の厚いメインライン（１５Ｍ）部と、膜厚の薄いサブライン（１５Ｓ）部からなり、メインライン（１５Ｍ）は従来よりも線幅が狭く、かつ、画素電極（１７）は従来よりも大きく、隣接する画素電極（１７）とのクロストークを防ぐための最低離間距離（Ｌ）をもって最近接され、表示領域がサブライン（１５Ｓ）のエッジにまで拡大されているとともに、サブライン（１５Ｓ）はコントラスト比向上のために必要な周縁遮光領域の幅（Ｌ１）をもって画素電極（１７）に重畳され、ＢＭとして機能している。…」
　
　上記摘記事項を総合すると、引用刊行物４には、以下の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
　
「透明基板（１０）上に、ＴＦＴの活性層（１１）及び第１の補助容量電極（１１Ｃ）が形成され、活性層（１１）及び第１の補助容量電極（１１Ｃ）を覆う全面にはＳｉＯ２が被覆され、ゲート絶縁層（１２）とされ、ゲート絶縁層（１２）上には、ゲートライン（１３）、ゲート電極（１３Ｇ）及び第２の補助容量電極（１３Ｃ）のパターンに形成され、活性層（１１）には、ゲート電極（１３Ｇ）をマスクとして燐などのＮ型不純物のイオン注入を行うことにより、ソース・ドレイン領域（１１ｓ，１１ｄ）が形成されるとともに、ノンドープのチャンネル領域（１１ｎ）が形成され、ゲートライン（１３）、ゲート電極（１３Ｇ）及び第２の補助容量電極（１３Ｃ）を覆う全面にはＳｉＯ２が積層され、第１の層間絶縁層（１４）とされ、ドレイン領域（１１ｄ）上のゲート絶縁層（１２）及び第１の層間絶縁層（１４）にコンタクトホール（ＣＴ１）を開口したあと、Ａｌを積層し、フォトエッチによりドレインライン（１５）のメインライン（１５Ｍ）が形成され、コンタクトホール（ＣＴ１）を介してドレイン領域（１１ｄ）に接続され、更に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒなどを積層し、フォトエッチによりメインライン（１５Ｍ）よりも大きなパターンでメインライン（１５Ｍ）を覆い、ＢＭを兼ねたサブライン（１５Ｓ）が形成され、レインライン（１５）が形成された基板（１０）上には、ＳｉＯ２膜（１）を積層した後、ＳｉＯ２を主成分とした膜、即ち、ＳＯＧ膜（２）を形成し、ＳＯＧ膜（２）上には更にＳｉＮｘ膜（３）を形成し、これらＳｉＯ２膜（１）、ＳＯＧ膜（２）及びＳｉＮｘ膜（３）をもって第２の層間絶縁層（１６）とし、ソース領域（１１ｓ）上のゲート絶縁層（１２）、第１の層間絶縁層（１４）及び第２の層間絶縁層（１６）にコンタクトホール（ＣＴ２）を開口したあと、ＩＴＯのスパッタリングとフォトエッチを行うことにより画素電極（１７）が形成され、コンタクトホール（ＣＴ２）を介して、ソース領域（１１ｓ）にも接続されている。画素電極（１７）は、平坦化された第２の層間絶縁層（１６）上に形成されている液晶表示装置であって、
　画素電極（１７）は、ゲートライン（１３）に重畳する部分にまで形成されており、表示領域がゲートライン（１３）のエッジにまで拡大されており、ポリサイドからなるゲートライン（１３）の遮光性を利用して、画素電極（１７）を周縁遮光幅（Ｌ１）をもってゲートライン（１３）に重畳することにより、ゲートライン（１３）がＢＭとして機能され、周縁遮光が実現され、
　一方、ドレインライン（１５）の側では、画素電極（１７）はサブライン（１５Ｓ）上に重畳されるとともに、メインライン（１５Ｍ）に近接されており、即ち、ドレインライン（１５）は、膜厚の厚いメインライン（１５Ｍ）部と、膜厚の薄いサブライン（１５Ｓ）部からなり、メインライン（１５Ｍ）は従来よりも線幅が狭く、かつ、画素電極（１７）は従来よりも大きく、表示領域がサブライン（１５Ｓ）のエッジにまで拡大されているとともに、サブライン（１５Ｓ）はコントラスト比向上のために必要な周縁遮光領域の幅（Ｌ１）をもって画素電極（１７）に重畳され、ＢＭとして機能している、液晶表示装置。」
　
（５）引用刊行物５
　同じく、特開２００１−１６６３３７号公報（以下「引用刊行物５」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス状に画素電極を設けた構造を有する液晶装置の技術分野に属し、特に、画素電極の下層に平坦化処理された層間絶縁膜が配置された構造を有する液晶装置の技術分野に属する。」
　イ　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１１に示すように、例えば隣り合う画素電極９ａ間にそれぞれ異なる大きさの電圧が印加されると、隣り合う画素電極９ａ間の領域付近では、横電界Ｃが生じる。すると、隣り合う画素電極９ａ間の領域付近では、液晶分子５０ａの向きがこの横電界Ｃ方向に影響される。このため、隣り合う画素電極間領域付近の液晶分子は所望の配向が行われず配向不良となる。この液晶配向不良領域では、横電界に影響されず正常に液晶分子が配向される領域と液晶分子の配向方向が異なるため、ディスリネーションラインと呼ばれる輝線が生じ、液晶装置の表示品位を著しく低下させるという問題点がある。…」
　ウ　「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板との基板間に液晶層が挟持されてなり、銭第１の基板上には対向電極を備え、前記第２の基板には、マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された平坦化膜からなる下側層間絶縁膜と、前記下側層間絶縁膜上に配置されたデータ線と、前記データ線上であって、且つ前記画素電極の下層に配置された第２層間絶縁膜とを具備し、前記画素電極の下層であって、前記下側層間絶縁膜上には、前記データ線または前記走査線に沿って、隣り合う画素電極間領域に配置されたパターン膜とを具備することを特徴とする。
【００１１】本発明のかかる構成によれば、平坦化された基板表面上にパターン膜を配置することにより、走査線もしくはデータ線に沿って配置される隣り合う画素電極間領域付近において、画素電極の端部と対向電極との間で液晶層の厚み方向に生じる縦方向の電界の大きさが、隣り合う画素電極間に生じる横方向に電界（以下、横電界）の大きさよりも大きくなる。すなわち、画素電極間領域付近において平坦化された基板表面上に任意にパターン膜を配置することにより、画素電極間領域付近における画素電極と対向電極との距離の制御を容易に行うことができ、パターン膜の膜厚を任意に設定することによって、画素電極と対向電極との距離を所望の値として縦方向の電界の大きさを制御することが可能となる。これにより、横電界による配向不良の発生を防止し、表示品位の高い液晶装置を得るという効果を有する。」
　エ　「【００４０】図２と３に示すように、液晶装置４００は、対向基板３００とＴＦＴアレイ基板２００との間に、後述のシール材（図７及び図８参照）により囲まれた空間に液晶が封入され液晶層５０が形成されて構成されている。
…
【００４２】ＴＦＴアレイ基板２００は、図１に示すように、石英等の基板１０上に複数の走査線３及び複数のデータ線６が交差して配置され、その交差部毎に薄膜トランジスタ及びこれに電気的に接続された画素電極９ａ、走査線と平行に配置された容量線３ｂが配置されて構成される。
【００４３】図１及び図３に示すように、画素電極９ａのスイッチングを制御するスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）３０は、点線にて示される半導体層１とゲート絶縁膜２と走査線３の一部をなすゲート電極３ａから構成される。画素電極９ａは半導体層１とコンタクトホール８を介して電気的に接続され、データ線６の一部はソース電極６ａとして半導体層１とコンタクトホール５を介して電気的に接続される。…
【００４４】…ＴＦＴアレイ基板２００では、石英等の基板１０上に、所定の形状にパターニングされた第１遮光膜１１ａ…が配置される。第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。…第１遮光膜１１ａが形成されているので、基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａやＬＤＤ領域に入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が劣化することはない。
【００４５】第１の遮光膜１１ａ上にはこれを覆うように下地用絶縁膜１２が配置される。…
【００４６】下地用絶縁膜１２上には、データ線６及び走査線３に沿った形状に形成された半導体層１…が配置され、この半導体層を覆ってゲート絶縁膜２が配置される。…
【００４７】ゲート絶縁膜２上には半導体層１の一部と重なるように複数のポリシリコン膜からなる走査線３が配置され、この重なった領域の半導体層１はチャネル領域１ａとして、走査線３はゲート電極３ａとして機能する。更に、ゲート絶縁膜２上には、走査線３と同層からなる容量線３ｂが配置されている。…
【００４８】走査線３及び容量線３ｂを覆って、平坦化処理を行った層間絶縁膜（下側層間絶縁膜）４が配置される。更に、層間絶縁膜４上には走査線３と交差するように形成された複数のデータ線６、データ線６と同層からなる島状のパターン膜６ｂが配置されている。パターン膜６ｂは、例えばデータ線６方向に沿って配置される隣り合う画素電極９ａ間領域に配置され、かつその端部が画素電極９ａの端部と重なり合うように配置されている。…
【００４９】そして、データ線６を覆うように層間絶縁膜（上側層間絶縁膜）７が配置され、層間絶縁膜７上には走査線３とデータ線６との交差部毎にマトリクス状に複数のＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが配置され、更に基板全面にポリイミドからなる配向膜１６が配置されている。
【００５０】次に、対向基板の構造について説明する。
【００５１】対向基板３００は、ガラス基板２０上にマトリクス状に形成された第２の遮光膜２３と、基板全面に形成された対向電極２１と、配向膜２２とが配置されて構成されている。…第２遮光膜２３は、各画素部の開口領域以外の領域に設けられ、対向基板３００の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１のチャネル領域１ａやＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域に侵入することはない。…
【００５２】本実施形態では、図２に示すように、パターン膜６ｂを設けることにより、データ線方向に沿って配置される隣り合う画素電極９ａ間の距離ｄ１が、隣り合う画素電極間領域付近の画素電極９ａの端部と対向電極２１との距離ｄ２よりも長くなっている。ここで、ｄ１は１．５から３．５μｍ、望ましくは２．０から３．０μｍ、ｄ２は１．０から３．０μｍ、望ましくは１．５から２．５μｍ、パターン膜６ｂの幅ｄ３は５μｍである。…このような構成とすることにより、液晶装置としたときに、画素電極９ａ間で生じる液晶層５０の厚み方向と垂直な方向の横の電界（以下横電界）よりも、隣り合う画素電極間領域付近の画素電極９ａと対向電極２１との間で生じる液晶層５０の厚み方向の電界が大きくなる。これにより、隣り合う画素電極間領域における液晶分子は液晶層５０の厚み方向の電界に影響されることとなり、横電界による液晶分子の配向不良の発生を防止することができる。また、図２に示すように、パターン膜６ｂと画素電極９ａの端部とは重なりあうように配置されており、画素領域の開口率を向上することができる。」
　
　上記摘記事項を総合すると、引用刊行物５には、以下の発明（以下「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。
　
「第１の基板と第２の基板との基板間に液晶層が挟持されてなり、銭第１の基板上には対向電極を備え、前記第２の基板には、マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された平坦化膜からなる下側層間絶縁膜と、前記下側層間絶縁膜上に配置されたデータ線と、前記データ線上であって、且つ前記画素電極の下層に配置された第２層間絶縁膜とを具備し、前記画素電極の下層であって、前記下側層間絶縁膜上には、前記データ線または前記走査線に沿って、隣り合う画素電極間領域に配置されたパターン膜とを具備する液晶装置であって、
　平坦化された基板表面上にパターン膜を配置することにより、走査線もしくはデータ線に沿って配置される隣り合う画素電極間領域付近において、画素電極の端部と対向電極との間で液晶層の厚み方向に生じる縦方向の電界の大きさが、隣り合う画素電極間に生じる横方向に電界（以下、横電界）の大きさよりも大きくなり、画素電極間領域付近において平坦化された基板表面上に任意にパターン膜を配置することにより、画素電極間領域付近における画素電極と対向電極との距離の制御を容易に行うことができ、パターン膜の膜厚を任意に設定することによって、画素電極と対向電極との距離を所望の値として縦方向の電界の大きさを制御することが可能となり、これにより、横電界による配向不良の発生を防止し、表示品位の高いという効果を有する液晶装置。」
　
　
３　対比
　本願発明１と引用発明１を対比する。
（１）引用発明１の「ＴＦＴアレイ基板１０」及び「対向基板２０」は、それぞれ、本願発明１の「一対の基板の一方」及び「一対の基板の他方」に相当する。
（２）引用発明１の「液晶層５０」は、本願発明１の「（前記一対の基板の間に挟持された）電気光学物質」に相当する。
（３）引用発明１の「『走査線３ａ』及び『データ線６』」は、本願発明１の「（前記一対の基板の一方に、互いに交差するように配線された）『（複数の）走査線』及び『（複数の）データ線』」に相当する。
（４）引用発明１の「（ＴＦＴアレイ基板１０にマトリクス状に設けられた）複数の透明な画素電極９ａ」は、本願発明１の「（前記一対の基板の一方における前記電気光学物質に面する側に、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応する画素毎に配列された）複数の画素電極」に相当する。
（５）引用発明１の「（対向基板２０の全面に渡って設けられている）対向電極２１」は、本願発明１の「（前記一対の基板の他方に、前記複数の画素電極に前記電気光学物質を介して対向するように配置された）対向電極」に相当する。
（６）引用発明１は、「第１遮光膜１１ａ、第２遮光膜２３及び…データ線６」が、それぞれ「画素電極９ａの縁部の一部と重なって」いるものであって、前記「第１遮光膜１１ａ」は、「ＴＦＴアレイ基板１０」に設けられ、「ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'及びその隣接領域に入射する事態を未然に防ぐことができ」、「走査線３ａ及びデータ線６に沿って延設して格子状に形成してもよ」いものであり、また、前記「第２遮光膜２３」は「対向基板２０」に設けられるものであり、さらに、前記「データ線６」は「ＴＦＴアレイ基板１０」に設けられるものであるから、
　ア　引用発明１の「『第１遮光膜１１ａ』、『第２遮光膜２３』及び『データ線６』」は、本願発明１の「（前記一対の基板の少なくとも一方に設けられ、前記一対の基板の上から見て、前記画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する）遮光膜」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明１の「前記複数の画素電極の各々及び前記遮光膜は、前記一対の基板の上から見て、前記複数の画素電極の各々と前記遮光膜が部分的に重畳するように、配置されており」との事項、「前記遮光膜は第１遮光膜、第２遮光膜、及び第３遮光膜を含み、前記第１遮光膜は、前記一対の基板の一方に配置され、前記一対の基板の一方からの光が薄膜トランジスタに入射するのを防ぎ」との事項、「前記第２遮光膜は、前記一対の基板の他方に配置され」との事項及び「前記第３遮光膜は、前記一対の基板の一方に配置されるデータ線を含み、前記第１遮光膜は第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に延びるように配置され」との事項を備える。
（７）引用発明１の「電気光学装置」は、本願発明１の「電気光学装置」に相当する。
　
　よって、本願発明１と引用発明１とは、
「一対の基板と、
　前記一対の基板の間に挟持された電気光学物質と、
　前記一対の基板の一方に、互いに交差するように配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、
　前記一対の基板の一方における前記電気光学物質に面する側に、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応する画素毎に配列された複数の画素電極と、
　前記一対の基板の他方に、前記複数の画素電極に前記電気光学物質を介して対向するように配置された対向電極と、
　前記一対の基板の少なくとも一方に設けられ、前記一対の基板の上から見て、前記画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜と、
を備え、
　前記複数の画素電極の各々及び前記遮光膜は、前記一対の基板の上から見て、前記複数の画素電極の各々と前記遮光膜が部分的に重畳するように、配置されており、
　前記遮光膜は第１遮光膜、第２遮光膜、及び第３遮光膜を含み、
　前記第１遮光膜は、前記一対の基板の一方に配置され、前記一対の基板の一方からの光が薄膜トランジスタに入射するのを防ぎ、
　前記第２遮光膜は、前記一対の基板の他方に配置され、
　前記第３遮光膜は、前記一対の基板の一方に配置されるデータ線を含み、
　前記第１遮光膜は第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に延びるように配置される電気光学装置。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　第２遮光膜が、本願発明１では、ブラックマトリクスであるのに対し、引用発明１では、ブラックマトリクスであるのか否か明らかでない点（以下「相違点１」という。）
　ｂ　一対の基板の間の距離である基板間ギャップ距離Ｘ、並びに前記複数の画素電極の各々と前記遮光膜が部分的に重畳する領域の幅である重畳幅Ｙが、本願発明１では、不等式
Ｙ≧０．６２５Ｘ−ｙ
但し
ｙ＝−０．０２０８Δε２＋０．５６２５Δε−３．０４１７
Δε＝前記電気光学物質の誘電率異方性
を満たすのに対し、引用発明１では、そのような不等式を満たすのか否か明らかでない点（以下「相違点２」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
（１）相違点１について
　ＴＦＴアレイ基板と、これに対向配置される対向基板とを備えてなる電気光学装置において、該対向基板に設けられる遮光膜をブラックマトリクスで構成するものは本願の優先日時点で周知であるから、引用発明１の「第２遮光膜２３」をブラックマトリクスとなして本願発明１の上記相違点１の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
（２）相違点２について
　引用発明１は、「第１遮光膜１１ａ、第２遮光膜２３及び…データ線６」が、それぞれ「画素電極９ａの縁部の一部と重な」る「重畳部分」を有するものであるといえるところ、引用刊行物１あるいは引用刊行物２〜５を見ても、引用発明１の上記「重畳部分」の幅の下限値（すなわち、隣り合う画素電極間で発生する横電界による光漏れを防止し得る「重畳部分」の幅の下限値）が「（液晶層の）誘電率異方性Δε」に依存すること、あるいは、当該「重畳部分」の幅の下限値を「（液晶層の）誘電率異方性Δε」を考慮して定めることについて記載したものは見当たらない。したがって、引用発明１の前記「重畳部分」の幅の下限値を、「（液晶層の）誘電率異方性Δε」と関連づけ、定めることを、当業者が容易に想到することができた、ということはできない。
　すなわち、引用発明１において、上記相違点２に係る本願発明１の構成となすことを当業者は容易になし得た、ということはできない。
　
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとはいえない。
　
　また、本願発明２〜７は、いずれも本願発明１を引用するものであるから、上記と同様の理由で、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるということはできない。
　
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、本願については、原査定の理由を検討しても、その理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。