【手続補正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融合金の流れおよび一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方を生成することと、
前記溶融合金の流れおよび前記一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方に電子を衝突させて、前記溶融合金を噴霧化することによって、前記溶融合金の帯電粒子を生成させること、
静電界および電磁界の少なくとも１つによって前記溶融合金の帯電粒子を加速すること、
前記溶融合金粒子を前記合金の固相線温度以下である温度まで、前記溶融合金粒子が加速しながら凝固して固体合金粒子を形成するように、冷却すること、並びに
前記固体合金粒子を基板上へ衝突させること、ここで前記衝突する粒子は、変形し、前記基板に冶金的に結合して、固体合金プレフォームを生成する、
を含む、方法。
【請求項２】
前記溶融合金粒子は、前記合金の前記固相線温度以下で、かつ前記合金の前記固相線温度の０．５０倍を超える温度まで冷却される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記溶融合金粒子は、前記合金の前記固相線温度の０．９５倍以下で、かつ前記合金の前記固相線温度の０．５０倍を超える温度まで冷却される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記溶融合金粒子を冷却することは、前記溶融合金粒子を非平衡プラズマと接触させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記溶融合金粒子を冷却することは、冷却コイルを通して前記合金粒子を方向付けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
溶融合金の流れおよび一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方を生成することは、真空誘導溶融、真空アーク再溶融、真空二重電極再溶融、エレクトロスラグ精錬／再溶融、電子ビーム溶融、電子ビーム低温炉床溶融のうちの少なくとも１つを使用して、合金材料を溶融することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板は、前記溶融合金に電子を衝突させることによって生成される前記帯電合金粒子を引き付けるために、正電位に保持される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記衝突する電子は、３次元電子界を構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記３次元電子界は、前記溶融合金の流れ経路がそれを通して方向付けられる、円筒状空間分布を構成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記電子の円筒状空間分布の長手方向軸は、前記溶融合金の前記流れ経路の前記方向に配向される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記３次元電子界は、前記溶融合金の前記流れ経路がそれを通して方向付けられる、長方形空間分布を構成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
長方形断面を構成する電子ビームは、電子の長方形空間分布を提供するようにラスタ化される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電子は、拡散点を形成するように方向付けられ、前記拡散点は、制御された形状を有する電子の３次元空間分布を提供するようにラスタ化される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記衝突させる電子は、熱イオン電子ビームエミッタおよびワイヤ放電イオンプラズマ電子エミッタのうちの少なくとも１つによって生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記衝突させる電子は、前記溶融合金の流れ経路の中に３次元電子界を生成するように、静電界および電磁界のうちの少なくとも１つによって方向付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板は、前記合金粒子を形成するものと同じ合金である合金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記合金は、ニッケル基超合金である、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記溶融合金に電子を衝突させる前に、負電荷が前記溶融合金に誘導される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
溶融合金の流れおよび一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方を生成すること、
３次元電子界を生成すること、
前記３次元電子界から、前記溶融合金の流れおよび前記一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方に電子を衝突させて、前記溶融合金を噴霧化し、前記溶融合金の帯電粒子を生成すること、
静電界によって前記溶融合金の帯電粒子を加速すること、
前記溶融合金粒子を前記溶融合金の固相線温度以下である温度まで、前記溶融合金粒子が加速しながら凝固するように、冷却すること、並びに
前記固体合金粒子を基板上へ衝突させること、ここで前記衝突する粒子は、変形し、前記基板に冶金的に結合して、固体合金プレフォームを生成する、
を含む、方法。
【請求項２０】
システムであって、
溶融合金の流れおよび一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方を生成するように構成される、溶融アセンブリ、
前記溶融合金の流れおよび前記一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方に電子を衝突させて前記溶融合金を噴霧化することによって、前記溶融合金の帯電粒子を生成するように構成されている、噴霧化アセンブリ、
静電界及び電磁界のうちの少なくとも１つを生成して、前記溶融合金の帯電粒子を加速するように構成されている、界生成アセンブリ、
前記溶融合金粒子を前記溶融合金の固相線温度以下である温度まで、前記溶融合金粒子が加速しながら凝固するように、冷却するように構成されている、熱制御ゾーン、並びに
収集器、ここで前記固体合金粒子が前記収集器に衝突しそして固体合金プレフォームを生成する、
を含む、システム。
【請求項２１】
前記溶融アセンブリが、真空アーク再溶融、エレクトロスラグ精錬装置、誘導溶融装置、プラズマアーク溶融装置、電子ビーム溶融装置、及び低温炉床溶融装置のうちの少なくとも１つを含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記溶融アセンブリが、冷却誘導ガイドを含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
前記溶融アセンブリがセラミック物質を実質的に含まない、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２４】
前記溶融アセンブリが、前記溶融合金が前記噴霧化アセンブリに入る前に予め負に帯電させるように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２５】
前記噴霧化アセンブリが、熱イオン電子ビームエミッタ及びワイヤ放電イオンプラズマ電子エミッタのうちの少なくとも１つを含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２６】
前記噴霧化アセンブリが３次元電子界を生成するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２７】
前記噴霧化アセンブリが、電子ビームをラスタ化して電子の３次元空間分布を与えるように構成されている、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記噴霧化アセンブリが、前記噴霧化アセンブリを通過する前記溶融合金の流れ経路内に３次元電子界を生成するように電子を方向づける静電界及び電磁界のうちの少なくとも１つを生成するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２９】
前記熱制御ゾーンが、前記溶融合金粒子を前記合金の固相線温度以下の温度で、かつ前記合金の固相線温度の０．５０倍を超える温度に冷却するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３０】
前記熱制御ゾーンが、前記溶融合金粒子を前記合金の固相線温度の０．９５倍以下の温度で、かつ前記合金の固相線温度の０．５０倍を超える温度に冷却するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３１】
前記熱制御ゾーンが、前記熱制御ゾーンを通過して運搬されている前記溶融合金粒子と接触する非平衡プラズマを生成するように構成されている非平衡プラズマ−生成アセンブリを含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３２】
前記熱制御ゾーンが冷却コイルを含み、ここで前記冷却コイルを通って前記溶融合金粒子が方向づけられる、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３３】
前記収集器が金型、プラテン、プレート、マンドレル及び基板のうちの少なくとも１つを含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３４】
前記収集器が前記合金粒子を形成している合金と同じ合金を含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３５】
前記噴霧化アセンブリ内で生成した前記合金の帯電粒子を引き付けるように、前記収集器が正電位に保持されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３６】
システムであって、
溶融合金の流れおよび一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方を生成するように構成されている、溶融アセンブリ、
前記溶融合金の流れおよび前記一連の溶融合金滴のうちの少なくとも一方に電子を衝突させて前記溶融合金を噴霧化することによって、前記溶融合金の帯電粒子を生成するように構成されている、噴霧化アセンブリ、
熱制御ゾーンであって、前記溶融合金粒子を前記溶融合金粒子の固相線温度以下の温度に冷却して、前記熱制御ゾーンを通って運搬される間に前記溶融合金粒子が固化するように構成されている、前記熱制御ゾーン、並びに
収集器、ここで前記固体合金粒子が前記収集器に衝突しそして固体合金プレフォームを生成する
を含む、システム。
【請求項３７】
溶融合金粒子を噴霧化すること、
前記溶融合金粒子を運搬すること、
前記溶融合金粒子を、前記合金の固相線温度以下の温度に冷却して、運搬中に前記溶融合金粒子を固化して固体合金粒子を形成すること、並びに
前記固体合金粒子を収集器上に衝突させること
を含む方法。