【事件の表示】
　特願２０１０−１６７４２３「ＰＶＤ方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月　９日出願公開、特開２０１０−２７５６３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１６年３月２４日（パリ条約による優先権主張２００３年４月２８日、米国、２００３年１０月１７日、米国、２００３年１１月１３日、スイス）を国際出願日とする特願２００５−５０７６９１号の一部を平成２２年７月２６日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年７月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月９日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１２月１９日付けで拒絶査定されたので、平成２５年４月１５日付けで拒絶査定不服審判が請求され、同日付けで手続補正書により特許請求の範囲が補正され、平成２５年７月２９日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年１０月３０日に回答書が提出されたものである。
                         　
第２　平成２５年４月１５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年４月１５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正前及び補正後の本願発明
（１）本件補正は、特許請求の範囲についてするものであって、補正前後の特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである（審決注：下線部は補正箇所を示す。）。
（補正前）
「工作物上に少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層を析出するためのＰＶＤ方法であって、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯ、ＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、０．２５≦ｚ≦０．７５で少なくとも１のＡｌzＣｒ1-zターゲットを有する真空コーティング装置内に少なくとも１つの工作物が取付けられ、窒素、炭素、ホウ素あるいは酸素含有の反応ガスを添加して０．５〜８Ｐａの圧力で、かつ−３〜−１５０Ｖの上記工作物に印加される基板電圧で、アークあるいはスパッタ源として動作させられて、上記少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層中の層組成が、
実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する
（補正後）
「工作物上に少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層を析出するためのＰＶＤ方法であって、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯ、ＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、０．２５≦ｚ≦０．７５で少なくとも１のＡｌzＣｒ1-zターゲットを有する真空コーティング装置内に少なくとも１つの工作物が取付けられ、窒素、炭素、ホウ素あるいは酸素含有の反応ガスを添加して０．５〜８Ｐａの圧力で、かつ−３〜−１５０Ｖの上記工作物に印加される基板電圧で、アークあるいはスパッタ源として動作させられて、上記少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層中の層組成が、
層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する
　　　　
（２）補正の適否
　本件補正は、「少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層中の層組成」という特定事項について、「実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する」のうちの「実質的に一定である」ことを削除しているので、発明特定事項を限定するものであり、補正前後の請求項１に係る発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。このため、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許法第１７条の２第３項の規定に反する新規事項を追加するものではない。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかを、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について検討する。
　本願補正発明は、上記（１）の（補正後）に記載したとおりのものである。
                                     　
２　先願発明
（１）先願明細書等の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日（原出願の優先日）前の他の特許出願であって、その後に出願公開がされた特願２００２−２１４７１０号（特開２００４−５０３８１号）（以下「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「先願明細書等」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化タングステン基超硬合金基体または炭窒化チタン系サーメット基体の表面に、ＣｒとＡｌの複合窒化物層からなる硬質被覆層を１〜１５μｍの全体平均層厚で物理蒸着してなる表面被覆超硬合金製切削工具において、
上記硬質被覆層が、層厚方向にそって、Ａｌ最高含有点とＡｌ最低含有点とが所定間隔をおいて交互に繰り返し存在し、かつ前記Ａｌ最高含有点から前記Ａｌ最低含有点、前記Ａｌ最低含有点から前記Ａｌ最高含有点へＡｌ含有量が連続的に変化する成分濃度分布構造を有し、
さらに、上記Ａｌ最高含有点が、組成式：（Ｃｒ１−ＸＡｌＸ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．６０を示す）、
上記Ａｌ最低含有点が、組成式：（Ｃｒ１−ＹＡｌＹ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｙは０．０５〜０．３０を示す）、
を満足し、かつ隣り合う上記Ａｌ最高含有点とＡｌ最低含有点の間隔が、０．０１〜０．１μｍであること、
を特徴とする重切削加工条件で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具。」
（イ）「【００１６】
ついで、上記の超硬基体・・・を、アセトン中で超音波洗浄し、乾燥した状態で、図１に示されるアークイオンプレーティング装置内の回転テーブル上の中心軸から半径方向に所定距離離れた位置に外周部にそって装着し、一方側のカソード電極（蒸発源）として、種々の成分組成をもったＡｌ最低含有点形成用Ｃｒ−Ａｌ合金、他方側のカソード電極（蒸発源）として、種々の成分組成をもったＡｌ最高含有点形成用Ｃｒ−Ａｌ合金を前記回転テーブルを挟んで対向配置し、またボンバート洗浄用金属Ｃｒも装着し、まず、・・・ついで装置内に反応ガスとして窒素ガスを導入して４Ｐａの反応雰囲気とすると共に、前記回転テーブル上で自転しながら回転する超硬基体に−１２０Ｖの直流バイアス電圧を印加し、それぞれのカソード電極（前記Ａｌ最低含有点形成用Ｃｒ−Ａｌ合金およびＡｌ最高含有点形成用Ｃｒ−Ａｌ合金）とアノード電極との間に１５０Ａの電流を流してアーク放電を発生させ、もって前記超硬基体の表面に、層厚方向に沿って表３，４に示される目標組成のＡｌ最低含有点とＡｌ最高含有点とが交互に同じく表３，４に示される目標間隔で繰り返し存在し、かつ前記Ａｌ最高含有点から前記Ａｌ最低含有点、前記Ａｌ最低含有点から前記Ａｌ最高含有点へＡｌ含有量が連続的に変化する成分濃度分布構造を有し、かつ同じく表３，４に示される目標全体層厚の硬質被覆層を蒸着することにより、本発明被覆超硬工具としての本発明表面被覆超硬合金製スローアウエイチップ（以下、本発明被覆超硬チップと云う）１〜１６をそれぞれ製造した。」
（ウ）「【００２１】
【表３】
  
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）先願明細書等に記載された発明
　記載事項（ア）によれば、先願明細書等には、ＣｒとＡｌの複合窒化物層からなる硬質被覆層であって、該硬質被覆層はＡｌ最低含有点から前記Ａｌ最高含有点へＡｌ含有量が連続的に変化する成分濃度分布構造を有する層を物理蒸着した表面被覆超硬合金製切削工具に関する発明が記載されている。
　そして、その物理蒸着による製造方法に関しては、同（イ）には、超硬基体をアークイオンプレーティング装置に装着し、「反応ガスとして窒素ガスを導入して４Ｐａの反応雰囲気」、「超硬基体に−１２０Ｖの直流バイアス電圧を印加」して行うことが記載されている。
　また、同（ウ）によれば、該硬質被覆層の組成に関して表３に示される実施例の超硬基体番号Ａ−６を使用した種別６においては、Ａｌ最高含有点においてＣｒが０．６０でＡｌが０．４０、Ａｌ最低含有点でＣｒが０．７０でＡｌが０．３０の層が形成されている。このため、該硬質被覆層の組成は、「（ＡｌＹＣｒ１−Ｙ）Ｎであって、０．３０≦y≦０．４０」と表記することができる。
　また、同じく種別６のターゲットに関しては、上記硬質被覆層のＡｌ最高含有点形成用Ｃｒ−Ａｌ合金とＡｌ最低点形成用Ｃｒ−Ａｌ合金からなり、その組成は「ＡｌｚＣｒ１−ｚ」と表記することができる。
　以上によれば、先願明細書等に記載された発明を方法に関する発明ととらえると、これを具体化した種別６について、次の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されていると認める。
「超硬基体上にアークイオンプレーティング法によりＣｒとＡｌの複合窒化物層からなる硬質被覆層を形成するにあたり、
　該硬質被覆層は、その組成が、（ＡｌＹＣｒ１−Ｙ）Ｎであって、０．３０≦y≦０．４０であり、Ａｌ最高含有点（ｙ＝０．４０）からＡｌ最低含有点（ｙ＝０．３０）へＡｌ含有量が連続的に変化する成分濃度分布構造を有するものであり、
　イオンプレーティング装置は組成がＡｌｚＣｒ１−ｚである２つのターゲットを有し、該装置内に前記超硬基体を装着し、反応ガスとして窒素ガスを導入して４Ｐａの反応雰囲気下で、前記超硬基体に−１２０Ｖの直流バイアス電圧を印加して行うことからなる硬質被覆層の形成方法。」
                                 　
３　対比と判断
（１）対比
　本願補正発明と先願発明とを比較する。
　先願発明の「超硬基体」、「アークイオンプレーティング法」及び「イオンプレーティング装置」は、本願補正発明の「工作物」、「ＰＶＤ法」及び「真空コーティング装置」に、それぞれ相当することは明らかである。
　また、先願発明における「硬質被覆層」はＣｒとＡｌの複合窒化物層である点で、本願補正発明における「（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層」のうちＸがＮであるものに相当し、ｙの数値範囲においても、先願発明の０．３０≦y≦０．４０は、本願発明の「０．２０≦y＜０．７」に包含され、また、層組成が「層厚にわたって連続的に変化する」点でも両発明は共通する。同様に、窒素ガス導入下の圧力及び印加する直流電圧においても、引用例１発明の規定する数値は、本願補正発明の規定する数値範囲に包含される。
　したがって、先願発明は、「工作物上に少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層を析出するためのＰＶＤ方法であって、Ｘ＝Ｎでありかつ０．３０≦y≦０．４０であり、２つのＡｌzＣｒ1-zターゲットを有する真空コーティング装置内に少なくとも１つの工作物が取付けられ、窒素含有の反応ガスを添加して４Ｐａの圧力で、かつ−１２０Ｖの上記工作物に印加される基板電圧で、アーク源として動作させられて、上記少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層中の層組成が層厚にわたって連続的に変化する、ＰＶＤ方法。」である点で一致し、次の点で一応相違する（以下、「一応の相違点」という。）。
・本願補正発明で使用するターゲットの組成は「０．２５≦ｚ≦０．７５でのＡｌzＣｒ1-z」であるのに対し、先願発明では具体的な組成が明らかではない点。　
　
（２）判断
　先願発明におけるＡｌ最高含有点形成用Ａｌ−Ｃｒ合金は、形成された（ＡｌyＣｒ1-y）Ｎ層におけるＡｌ最高含有点でＡｌが０．６０、Ｃｒが０．４０の原子比の層を形成している。このため、Ａｌ最高含有点形成用Ａｌ−Ｃｒ合金のＡｌとＣｒの原子比は、０．４０：０．６０の近傍の組成比である。同様に、Ａｌ最低含有点形成用Ａｌ−Ｃｒ合金のＡｌとＣｒの原子比は、０．３０：０．７０の近傍の値となっていると認める。
　したがって、先願発明におけるターゲットの組成は、「０．３０≦ｚ≦０．４０の近傍のＡｌzＣｒ1-z 」である。
　とすると、ターゲットの組成においても、先願発明のターゲット組成は、本願補正発明の組成に包含されることになるので、上記した一応の相違点は相違点ではなくなる。
　したがって、本願補正発明と先願発明は実質的に同一である。
　そして、本願補正発明の発明者が先願発明をした者と同一の者ではないこと、本願出願時にその出願人と上記先願の出願人とが同一の者ではないことは明らかである。
 　よって、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。 
　                                 　
４　本件補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
            　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年４月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２４年１０月９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「工作物上に少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層を析出するためのＰＶＤ方法であって、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯ、ＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、０．２５≦ｚ≦０．７５で少なくとも１のＡｌzＣｒ1-zターゲットを有する真空コーティング装置内に少なくとも１つの工作物が取付けられ、窒素、炭素、ホウ素あるいは酸素含有の反応ガスを添加して０．５〜８Ｐａの圧力で、かつ−３〜−１５０Ｖの上記工作物に印加される基板電圧で、アークあるいはスパッタ源として動作させられて、上記少なくとも１の（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層中の層組成が、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する、ＰＶＤ方法。」
                                    　
２　判断
　本願発明は、上記第２［理由］で検討した本願補正発明の「（ＡｌyＣｒ1-y）Ｘ層中の層組成」について、本願補正発明が「層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する」としていたものを「実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する」としたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、本願発明の選択的な特定事項を削除したものに相当する本願補正発明が、前記「第２の［理由］３」に記載したとおり、先願明細書等に記載された発明であるから、本願発明も、同様の理由により先願明細書等に記載された発明である。
　          　
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。