【事件の表示】
　特許第３２７８３４８号「マイクロ波半導体装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２７８３４８号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
  第１．手続の経緯
　本件特許第３２７８３４８号の請求項１〜６に係る発明についての出願は、平成８年５月１日に特許出願され、平成１４年２月１５日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人京セラ株式会より特許異議申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年５月２７日に訂正請求がなされたものである。
　
　第２．訂正の適否についての判断
　（１）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のア．〜オ．のとおりである。
　ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「満たす関係に設定してなるマイクロ波回路」を「満たす関係に上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、特許明細書段落【００１０】中の「満たす関係に設定してなるマイクロ波回路」を「満たす関係に上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路」と訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　特許明細書段落【００４８】の【数式】中の各数式の後に各々（２５）、（２６）を付け加える。
　エ．訂正事項ｄ
　特許明細書段落【００８１】中の「式（１２）を満たす関係に」を「式（２５）、（２６）を満たす関係に」と訂正する。
　オ．訂正事項ｅ
　特許明細書段落【００８１】中の「設定してなるマイクロ波回路」を「上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路」と訂正する。　
　
　次に前記訂正事項について検討すると、
　カ．前記訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「設定してなるマイクロ波回路」の「設定」内容について「上記スタブ線路およびスロット線路を形成」と限定しようとするものであり、また該訂正事項は、特許明細書段落【００４９】に記載されている。
　そうすると、この訂正は、特許請求の範囲の滅縮を目的としてなされたものであり、また、該訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　キ．前記訂正事項ｂ、ｅは、前記訂正事項ａの特許請求の範囲の減縮に対応して発明の詳細な説明を訂正したものであり、この訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的としてなされたものであり、また、該訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　ク．前記訂正事項ｃは、訂正前特許明細書段落【００４８】に記載した数式において、式番号が欠落していたものを式番号付きの式に訂正したものであり、この数式の式番号については、特許明細書段落【００４７】に記載されている。
　よって、この訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的としてなされたものであり、また、該訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　ケ．前記訂正事項ｄ．は、訂正前特許明細書段落【００８１】中の「式（１２）を満たす関係」を「式（２５）、（２６）を満たす関係」と訂正するものである。
　訂正前特許明細書段落【００８１】中の「式（１２）」は、明細書段落【００４７】【００４８】【００４９】および特許請求の範囲請求項１の記載から明らかなように、本来「式（２５）、（２６）」であるところ、錯誤によりなされたものである。
　よって、この訂正は、誤記の訂正を目的としてなされたものであり、また、該訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
　
　（２）以上のとおりであるから、前記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。　
　
　第３．特許異議の申立について
　（１）申立て理由の概要
　特許異議申立人　京セラ株式会社は、
　甲第１号証として、米国特許第３７７１０７５号明細書、甲第２号証として、ＩＥＥＥ，ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ　ＴＨＥＯＲＹ　ＡＮＤ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ，ＶＯＬ．４３，ＮＯ．７．ＪＵＬＹ，１９９５，ｐ１５１６−１５２３　　”Ｎｏｖｅｌ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ　ｆｏｒ　Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−Ｗａｖｅ　Ｐａｃｋａｇｅ”、甲第３号証として、１９９０年電子情報通信学会秋季全国大会予稿集Ｃ−５９，ｐ２−３９７「マイクロストリップ線路の電磁結合型層間接続」、甲第４号証として、ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ，ＪＵＮＥ，１９９３，ｐ８８，９０−９２，９４，９５，”Ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ−Ｓｌｏｔｌｉｎｅ　Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｓ：Ｔｈｅｏｒｙ　ａｎｄ　Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ　ｖｓ．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ”、参考資料（上申書添付）として、Ｄａｖｉｄ　Ｍ．Ｐｏｚａｒ，”Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ”Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ，１９９３，ｐ２３５、
を提示し、
　本件請求項１に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証、参考資料に記載された発明、また、本件請求項２〜６に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明、に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件請求項１〜６に係る発明の特許は、特許法第１１３条第１項の規定により取り消すべきものである、旨主張している。
　
　（２）本件発明
　前記「第２．訂正の適否についての判断」で記載したように訂正が認められたので、本件請求項１〜６に係る発明（以下、「本件第１発明」〜「本件第６発明」という。）は、訂正明細書特許請求の範囲請求項１〜６に記載された次のとおりのものである。
　【請求項１】　地導体を挟み層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板の該地導体との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成した特性インピーダンスＺ0 のマイクロストリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で概略１／４波長とする特性インピーダンスＺm の先端開放のスタブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体に、上記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する位置で該地導体を貫通するようにして上記両マイクロストリップ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波数で概略１／２波長とする特性インピーダンスＺs のスロット線路を設けて、使用する周波数帯域の上端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたときに、
【数１】
「訂正明細書特許請求の範囲請求項１【数１】に記載された数式」
　を満たす関係に上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路を備えたマイクロ波半導体装置。
　　【請求項２】　請求項１記載のマイクロ波半導体装置において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体回路の出力を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の出力端子から送出することを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　　【請求項３】　請求項２記載のマイクロ波半導体装置において、上記マイクロ波半導体回路への入力を、上記他方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ線路の入力端子から得ることを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　　【請求項４】　請求項３記載のマイクロ波半導体装置において、上記一方の基板上に複数のマイクロ波半導体回路を形成すると共に、上記他方の基板上に形成されてそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により上記複数のマイクロ波半導体回路への電力の分配及び上記複数のマイクロ波半導体回路からの出力電力の合成を行う電力分配／合成手段を形成するように構成したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　　【請求項５】　請求項４記載のマイクロ波半導体装置において、上記一方の基板上に形成された複数のマイクロ波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共に全体を金属筺体で覆ったことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　　【請求項６】　請求項１記載のマイクロ波半導体装置において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路の先端にプリントアンテナを形成し、該プリントアンテナを、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の入出力端子を介して外部回路と接続するようにしたことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　
　（３）甲各号証記載の発明
　各甲号証には次の事項が記載されている。
　
　ア．甲第１号証：米国特許第３７７１０７５号明細書
　
　「金属層１３を挟み層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板１２の該金属層１３との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成したマイクロストリップ１５を、スロット１４を越えて周波数帯域の中心周波数で概略１／４波長延長すると共に、上記スロットは、上記金属層に、上記両マイクロストリップと立体的に交差する位置で該金属層を貫通するようにし、上記両マイクロストリップの層間を電磁結合させる長さを中心周波数で概略１／２波長とするマイクロ波回路を備えたマイクロ波装置。」
　
　イ．甲第２号証：ＩＥＥＥ，ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ　ＴＨＥＯＲＹ　ＡＮＤ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ，ＶＯＬ．４３，ＮＯ．７．ＪＵＬＹ，１９９５，ｐ１５１６−１５２３　　”Ｎｏｖｅｌ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ　ｆｏｒ　Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−Ｗａｖｅ　Ｐａｃｋａｇｅ”
　
　「マイクロストリップとマイクロストリップをスロットで結合する」こと、また、該構造について、甲第２号証には、「マイクロストリップとマイクロストリップをスロットで結合する」構造について、Ｆｉｇ．３には、Ｓ１１として、反射損が１２ＧＨｚ〜４０ＧＨｚの広帯域で小さくなり、１５ＧＨｚ、３０ＧＨｚ、３５ＧＨｚで特に小さくなるシミュレーションの結果、及び、Ｆｉｇ．５には、Ｓ１１として、広帯域で反射損が少なく、１５ＧＨｚ、２３ＧＨｚ、２８ＧＨｚ、３５ＧＨｚで特に小さくなるシミュレーションの結果、また反射損が１３ＧＨｚ、２３ＧＨｚ、２５ＧＨｚ、２８ＧＨｚ、３４ＧＨｚで特に小さくなる測定値、が記載されている。
　
　ウ．甲第３号証：１９９０年電子情報通信学会秋季全国大会予稿集Ｃ−５９，ｐ２−３９７「マイクロストリップ線路の電磁結合型層間接続」
　
　甲第３号証において、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスをＺ0 、マイクロストリップ線路の先端のスタブの特性インピーダンスをＺm、スロットの特性インピーダンスをＺs とすることは当業者の技術常識であり、
　甲第３号証には、
　「地導体板を挟み層状に重ねた第１及び第２のテフロン（登録商標）ガラス基板の該地導体板との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成した特性インピーダンスＺ0 のマイクロストリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で１／４波長より小さい特性インピーダンスＺm の先端開放のスタブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体板に、上記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する位置で該地導体板を貫通するようにして上記両マイクロストリップ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波数で概略１／２波長とする特性インピーダンスＺs のスロット線路を設けてなるマイクロ波回路を備えたマイクロ装置。」が記載されている。
　また、甲第３号証には、該マイクロ装置の反射特性（リターンロス）が、５ＧＨｚ〜１６ＧＨｚにわたり、ＶＳＷＲ１．５以下の広帯域性能となり、５ＧＨｚ〜１６ＧＨｚにおいて、反射損が特に小さい数多くの部分を有すること、が記載されている。
　なお、上記の「テフロン（登録商標）ガラス基板」なる記載は、実際には  甲第３号証に「テフロンガラス基板」と記載されている。
　エ．甲第４号証：ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ，ＪＵＮＥ，１９９３，ｐ８８，９０−９２，９４，９５，”Ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ−Ｓｌｏｔｌｉｎｅ　Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｓ：Ｔｈｅｏｒｙ　ａｎｄ　Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ　ｖｓ．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ”
　
　「基板の同一面に配置された２本の単一幅のマイクロストリップ線路間を基板の裏面に形成されたスロット線路で結合する」構造が示されており、また、該構造の周波数依存性を解析するための、［ＡＢＣＤ］マトリクス及び該マトリクスの各要素が記載され、透過係数Ｓ２１が［ＡＢＣＤ］マトリクスの要素Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとの関係で記載されている。
　
　オ．参考資料（上申書添付）：Ｄａｖｉｄ　Ｍ．Ｐｏｚａｒ，”Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ”Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ，１９９３，ｐ２３５
　参考資料には、反射係数Ｓ１１が［ＡＢＣＤ］マトリクスの要素Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとの関係で記載されている。
　（４）対比・判断
　　
　（本件第１発明について）
　本件第１発明と甲第1〜４号証記載の発明、参考資料（上申書添付）記載の発明を対比すると、各甲号証及び参考資料（上申書添付）には、本件第１発明の、「使用する周波数帯域の上端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたときに、
【数１】
「訂正明細書特許請求の範囲請求項１【数１】に記載された数式」
　を満たす関係に上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路を備」える、の構成が記載されていない。　　
　そして、本件第１発明は、係る構成により、「異なる基板に構成したマイクロストリップ線路の層間を電磁結合で接続する際に中心周波数ｆ0 で整合がとれるだけでなく、所望の帯域の上端周波数ｆH 、下端周波数ｆL でも整合が可能で、広帯域な周波数で整合を得ることができる。」（訂正明細書段落【００８１】）という、明細書記載の効果を奏するものである。
　即ち、甲第２号証には、「マイクロストリップとマイクロストリップをスロットで結合する」構造について、Ｆｉｇ．３には、Ｓ１１として、反射損が１２ＧＨｚ〜４０ＧＨｚの広帯域で小さくなり、１５ＧＨｚ、３０ＧＨｚ、３５ＧＨｚで特に小さくなるシミュレーションの結果が記載されているが、該シミュレーションの結果から、前記構造が、反射損（Ｓ１１）において、３つの極の中心周波数の両側に２つの極を有する特性であること、が、明らかであるとすることはできない。また、甲第２号証のＦｉｇ．５には、Ｓ１１において、反射損が１５ＧＨｚ、２３ＧＨｚ、２８ＧＨｚ、３５ＧＨｚで特に小さくなるシミュレーションの結果、１３ＧＨｚ、２３ＧＨｚ、２５ＧＨｚ、２８ＧＨｚ、３４ＧＨｚで特に小さくなる測定値、が記載され、甲第３号証の図４には、反射損（リターンロス）が、５ＧＨｚ〜１６ＧＨｚにおいて、特に小さい数多くの部分をもつことが記載されているが、これら記載から、前記構造が、反射損（Ｓ１１）において、３つの極の中心周波数の両側に２つの極を有する特性であること、が、明らかであるとすることはできない。
　また、甲第４号証には、「基板の同一面に配置された２本の単一幅のマイクロストリップ線路間を基板の裏面に形成されたスロット線路で結合する」構造の透過係数Ｓ２１が［ＡＢＣＤ］マトリクスの要素Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとの関係で記載され、参考資料には、反射係数Ｓ１１が［ＡＢＣＤ］マトリクスの要素Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとの関係で記載されているが、各甲号証及び参考資料には、本件第１発明の前記構成については記載されていない。そして係る構成により、前記本件第１発明は、前記したとおりの特有の効果を奏するものである。
　
　したがって、本件第１発明が、甲第1〜４号証記載の発明、参考資料（上申書添付）記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたとすることはできない。
　　
　（本件第２〜６発明について）
　本件第２〜６発明と甲第1〜４号証記載の発明を比較すると、各甲号証には、本件第２〜６発明が引用し、かつ、本件第２〜６発明を限定している本件第１発明の「使用する周波数帯域の上端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたときに、
【数１】
「訂正明細書特許請求の範囲請求項１【数１】に記載された数式」
　を満たす関係に上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路を備」える、の構成が記載されていない。　　
　そして、本件第２〜６発明は、係る構成により、明細書記載の効果を奏するものである。
　したがって、本件第２〜６発明が、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたとすることはできない。
　
　（５）以上のとおりであるから、本件特許異議申立の理由および証拠によっては、本件に係る請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件に係る請求項１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月１９日（２００３．６．１９）
【訂正の要旨】
　▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の中の記載「満たす関係に設定してなるマイクロ波回路」を「満たす関係に上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、特許明細書の段落【００１０】中の「満たす関係に設定してなるマイクロ波回路」を「満たす関係に上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路」と訂正する。
　▲２▼訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【００４８】中の数式
「
　」を
「
」と訂正する。
　▲３▼訂正事項ｃ
　特許明細書の段落【００８１】中の「式（１２）を満たす関係に」を「式（２５）、（２６）を満たす関係に」と訂正する。
　▲４▼訂正事項ｄ
　特許明細書の段落【００８１】中の「設定してなるマイクロ波回路」を「上記スタブ線路およびスロット線路を形成したマイクロ波回路」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
マイクロ波半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　地導体を挟み層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板の該地導体との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成した特性インピーダンスＺ０のマイクロストリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で概略１／４波長とする特性インピーダンスＺｍの先端開放のスタブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体に、上記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する位置で該地導体を貫通するようにして上記両マイクロストリップ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波数で概略１／２波長とする特性インピーダンスＺｓのスロット線路を設けて、使用する周波数帯域の上端周波数をｆＨ、下端周波数をｆＬ、中心周波数をｆ０｛＝（ｆＨ＋ｆＬ）／２｝としたときに、
　【数１】
を満たす関係に
上記スタブ線路およびスロット線路を形成した
　【請求項２】　請求項１記載のマイクロ波半導体装置において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体回路の出力を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の出力端子から送出することを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項３】　請求項２記載のマイクロ波半導体装置において、上記マイクロ波半導体回路への入力を、上記他方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ線路の入力端子から得ることを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項４】　請求項３記載のマイクロ波半導体装置において、上記一方の基板上に複数のマイクロ波半導体回路を形成すると共に、上記他方の基板上に形成されてそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により上記複数のマイクロ波半導体回路への電力の分配及び上記複数のマイクロ波半導体回路からの出力電力の合成を行う電力分配／合成手段を形成するように構成したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項５】　請求項４記載のマイクロ波半導体装置において、上記一方の基板上に形成された複数のマイクロ波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共に全体を金属筺体で覆ったことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項６】　請求項１記載のマイクロ波半導体装置において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路の先端にプリントアンテナを形成し、該プリントアンテナを、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の入出力端子を介して外部回路と接続するようにしたことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項７】　請求項１記載のマイクロ波半導体装置において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロストリップアンテナを形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナとそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により電力の分配／合成を行う電力分配／合成手段を形成するように構成したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項８】　請求項７記載のマイクロ波半導体装置において、上記他方の基板上に形成した電力分配／合成手段の給電点にマイクロ波半導体回路を挿入したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項９】　請求項７記載のマイクロ波半導体装置において、上記一方の基板上に上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナを１／２波長以下の間隔で並列に配置すると共に、上記他方の基板上にマイクロストリップ線路により構成される電力分配／合成手段の分配／合成端子に移相器を備えるマイクロ波半導体回路を挿入したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項１０】　請求項１記載のマイクロ波半導体装置において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上にマイクロストリップ線路を介して電力の分配／合成が行われる複数のマイクロストリップサブアレーアンテナを形成すると共に、他方の基板上に上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項１１】　請求項１記載のマイクロ波半導体装置において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複数の進行波形マイクロストリップアンテナを配置して形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路と該マイクロ波回路との間に、複数のマイクロ波半導体回路と、この複数のマイクロ波半導体回路の各出力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマトリクスと、該バトラーマトリクスの他端に接続された多極単投スイッチとを挿入したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
　【請求項１２】　請求項１１記載のマイクロ波半導体装置において、上記マイクロ波半導体回路と上記バトラーマトリクス及び上記多極単投スイッチをモノリシックマイクロ波集積回路で構成したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、マイクロ波及びミリ波等の超高周波数帯で使用されるマイクロ波回路を備えたマイクロ波半導体装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図１６は二枚の誘電体基板に構成されたマイクロストリップ線路の層間接続状態を示す従来のマイクロ波回路の一例であり、図１６（ａ）は上面から見た平面図、図１６（ｂ）は断面図である。
　図１６において、１は第１の誘電体基板、２は第２の誘電体基板、３は第１の誘電体基板１と第２の誘電体基板２に共通の地導体、４は誘電体基板１の地導体３の形成面とは反対側の面に形成された第１のストリップ導体、５は誘電体基板２の地導体３の形成面とは反対側の面に形成された第２のストリップ導体であり、これら第１及び第２のストリップ導体４及び５は上記地導体３と共に第１のマイクロストリップ線路６及び第２のマイクロストリップ線路７を構成している。
　【０００３】
　このような異なる誘電体基板１及び２に構成されたマイクロストリップ線路６及び７同士を接続する場合、地導体３の一部の金属を取り去って丸穴８が設けられ、その間に接続導体９を貫通させることにより、異なる二つの誘電体基板１及び２に構成されたマイクロストリップ線路６及び７を接続するマイクロ波回路を構成することができる。なお、図１６において、１３と１４は入力端と出力端を示す。
　【０００４】
　しかしながら、このような構成のマイクロ波回路では、共通の地導体３に丸穴８を設けた後、二枚の誘電体基板１及び２を張り合わせ、その後、接続導体９を両誘電体基板１及び２に設けた穴８を通して接続するという工程が必要で、多数の層間接続からなるフエーズドアレーアンテナ用マイクロ波回路では加工が複雑となるため、簡略化が強く望まれていた。
　【０００５】
　本出願人は、この課題を解決されるための「多層マイクロストリップ線路」を特願平１−２６６５７８号によって提案している。
　図１７は特願平１−２６６５７８号によって提案された「多層マイクロストリップ線路」の構成図を示し、図１７（ａ）は平面図、図１７（ｂ）は断面図である。
　図１７に示すように、第１の誘電体基板１に第１のストリップ導体４、第２の誘電体基板２に第２のストリップ導体５が形成され、これらの二枚の誘電体基板１及び２に地導体３を挟んで第１及び第２のマイクロストリップ線路６、７が構成され、両マイクロストリップ線路６及び７の開放端１０及び１１から中心周波数で概略１／４波長の位置において、地導体３にスロット１２が設けられている。この構成により、異なる誘電体基板１及び２に構成したマイクロストリップ線路６及び７の層間を電磁結合した構成となっている。
　【０００６】
　図１７に示す構成でなる多層マイクロストリップ線路において、入力側の線路例えば第１のマイクロストリップ線路６の入力端１３から入射した電波は先端が開放端１０となっているため、先端から概略１／４波長のスロット１２上で電流が最大になり、磁界が強くスロット１２と結合する。さらに、このとき、第２のマイクロストリップ線路７も先端が開放端１１となっているため、先端から概略１／４波長のスロット１２上で電流が最大になりうるため、磁界で強く電波が励振され、出力側線路の第２のマイクロストリップ線路７の出力端１４に現れる。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述した図１７に示す多層マイクロストリップ線路では、ストリップ導体４及び５間は非接触でありながら線路間接続が可能であるが、非常に広帯域な伝搬特性を必要とする広帯域フェーズドアレーアンテナ用の給電回路に用いるような場合には、帯域が十分とれないという問題があった。すなわち、異なる誘電体層に構成されたマイクロ波回路を電磁結合で接続する際に広帯域な周波数帯域で整合を得ることが困難であった。
　【０００８】
　この発明は上述した従来例に係る問題点を解消するためになされたもので、異なる基板に構成したマイクロストリップ線路の層間を電磁結合で接続する際に広帯域な周波数で整合を得ることができるマイクロ波回路を備えたマイクロ波半導体装置を提供することを目的とするものである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、この発明に係るマイクロ波半導体装置は、地導体を挟み層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板の該地導体との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成した特性インピーダンスＺ０のマイクロストリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で概略１／４波長とする特性インピーダンスＺｍの先端開放のスタブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体に、上記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する位置で該地導体を貫通するようにして上記両マイクロストリップ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波数で概略１／２波長とする特性インピーダンスＺｓのスロット線路を設けて、使用する周波数帯域の上端周波数をｆＨ、下端周波数をｆＬ、中心周波数をｆ０｛＝（ｆＨ＋ｆＬ）／２｝としたときに、
　【００１０】
　【数２】
を満たす関係に
上記スタブ線路およびスロット線路を形成した
　【００１１】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体回路の出力を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の出力端子から送出することを特徴とするものである。
　【００１２】
　また、上記マイクロ波半導体回路への入力を、上記他方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ線路の入力端子から得ることを特徴とするものである。
　【００１３】
　また、上記一方の基板上に複数のマイクロ波半導体回路を形成すると共に、上記他方の基板上に形成されてそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により上記複数のマイクロ波半導体回路への電力の分配及び上記複数のマイクロ波半導体回路からの出力電力の合成を行う電力分配／合成手段を形成するように構成したことを特徴とするものである。
　【００１４】
　また、上記一方の基板上に形成された複数のマイクロ波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共に全体を金属筺体で覆ったことを特徴とするものである。
　【００１５】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路の先端にプリントアンテナを形成し、該プリントアンテナを、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の入出力端子を介して外部回路と接続するようにしたことを特徴とするものである。
　【００１６】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロストリップアンテナを形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナとそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により電力の分配／合成を行う電力分配／合成手段を形成するように構成したことを特徴とするものである。
　【００１７】
　また、上記他方の基板上に形成した電力分配／合成手段の給電点にマイクロ波半導体回路を挿入したことを特徴とするものである。
　【００１８】
　また、上記一方の基板上に上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナを１／２波長以下の間隔で並列に配置すると共に、上記他方の基板上にマイクロストリップ線路により構成される電力分配／合成手段の分配／合成端子に移相器を備えるマイクロ波半導体回路を挿入したことを特徴とするものである。
　【００１９】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上にマイクロストリップ線路を介して電力の分配／合成が行われる複数のマイクロストリップサブアレーアンテナを形成すると共に、他方の基板上に上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入したことを特徴とするものである。
　【００２０】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複数の進行波形マイクロストリップアンテナを配置して形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路と該マイクロ波回路との間に、複数のマイクロ波半導体回路と、この複数のマイクロ波半導体回路の各出力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマトリクスと、該バトラーマトリクスの他端に接続された多極単投スイッチとを挿入したことを特徴とするものである。
　【００２１】
　さらに、上記マイクロ波半導体回路と上記バトラーマトリクス及び上記多極単投スイッチをモノリシックマイクロ波集積回路で構成したことを特徴とするものである。
　【００２２】
　【発明の実施の形態】
実施の形態１．
　以下、この発明を図示される実施の形態に従って説明する。
　図１は実施の形態１に係るマイクロ波半導体装置に備えられるマイクロ波回路の構成を示す概略図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡＡ’断面図を示す。
　図１に示すマイクロ波回路は、第１の誘電体基板１に第１のストリップ導体４が、第２の誘電体基板２に第２のストリップ導体５がそれぞれ形成され、これらの二枚の誘電体基板１及び２間に地導体３を挟んで特性インピーダンスがＺ０の第１及び第２のマイクロストリップ線路６及び７が構成され、両マイクロストリップ線路６及び７の先端には所用の周波数帯域で必要な特性インピーダンスが決まる特性インピーダンスＺｍの線路である先端開放の第１及び第２のスタブ線路１５及び１６が形成され、両スタブ線路１５及び１６のスタブ長さは中心周波数で概略１／４波長とし、両マイクロストリップ線路６及び７との接続位置に、地導体３に所用の周波数帯域で決まる固有の特性インピーダンスＺｓのスロット線路１７が設けられている。このスロット線路１７の長さは中心周波数で概略１／２波長とする。この構成により、異なる誘電体基板１及び２上に形成されたマイクロストリップ線路６及び７の層間を電磁結合する構成としている。
　【００２３】
　上記構成でなるマイクロ波回路の等価回路は図２で表される。
　図１に示すマイクロ波回路は、図２に示すように、マイクロストリップ線路６とスロット線路１７とが変成比Ｎ１：１の変成器１８を、スロット線路１７とマイクロストリップ線路７とが変成比１：Ｎ２の変成器１８を介して結合されるようになされており、このマイクロ波回路の等価回路において、使用する周波数帯域の上端周波数をｆＨ、下端周波数をｆＬ、中心周波数をｆ０｛＝（ｆＨ＋ｆＬ）／２｝としたとき、広帯域な周波数帯域で整合されて、マイクロストリップ線路６及び７の特性インピーダンスＺ０で決まる反射とスロット線路１７の特性インピーダンスＺｓで決まる反射とが打ち消し合い低反射な特性を得るための回路解析及び整合条件を求めると次のようになる。
　【００２４】
　始めに、回路解析を行う。
　今、図２において、マイクロストリップ線路６及び７の先端開放スタブを結合部から見たインピーダンスをＺｉｍｊ（ｊ＝１，２）、スロット線路１７の先端短絡スタブを結合部から見たインピーダンスをＺｉｓｊ（ｊ＝１，２）とすると、図２の等価回路は図３（ａ）に示す等価回路で表すことができ、インピーダンスＺｉｍｊ（ｊ＝１，２）は伝送線路に直列接続され、インピーダンスＺｉｓｊ（ｊ＝１，２）は伝送線路に並列接続される。
　【００２５】
　図３（ａ）における両変成器１８を含んだ結合部間の伝搬特性をＦマトリクスで表現し、これを関数Ｆ１とすると、関数Ｆ１を含めた等価回路は図３（ｂ）で表される。このとき、関数Ｆ１は式（１）で与えられる。
　【００２６】
　【数３】
　【００２７】
　ここで、図３（ａ）、（ｂ）中の端子Ｔ１，Ｔ２の電圧、電流の関係は関数Ｆ１を介して式（２）のように関係付けられる。
　【００２８】
　【数４】
　【００２９】
　さらに、図３（ｂ）中の電圧ｖ１’、ｖ２’との関係は式（３）ないし（６）のように関係付けられる。
　　ｖ１’＝ｉ１Ｚｉｍ１　　　　　　　　　　　　　　（３）
　　ｖ２’＝−ｉ２Ｚｉｍ２　　　　　　　　　　　　　（４）
　　ｖ０１＝ｖ１＋ｖ１’
　　　　　＝（Ｎ１／Ｎ２）ｖ２＋ｉ１Ｚｉｍ２　　　　（５）
　　ｖ０２＝ｖ２−ｉ２Ｚｍ２　　　　　　　　　　　　（６）
　【００３０】
　これらの関係からｖ２を消去し、図３（ｃ）に示す関数Ｆ２とｖ０１、ｖ０２、ｉ１、ｉ２の関係を求めると、式（７）及び（８）が得られ、層間接続の諸特性を計算することができる。
　【００３１】
　【数５】
　【００３２】
　次に、整合条件と帯域について検討する。
　まず、実施の形態１における層間接続に関する整合条件を求める。
　特性と構造の関係の理解を容易にするため、対象構造について考える。
　対称性を考慮すると、図２に示した回路パラメータは、次のように簡略化できる。
　　Ｚｉｓ１＝Ｚｉｓ２＝Ｚｉｓ
　　Ｚｉｍ１＝Ｚｉｍ２＝Ｚｉｍ
　　Ｎ１＝Ｎ２＝Ｎ
　ここで、反射係数Ｓ１１と透過係数Ｓ２１は式（９）、（１０）で与えられる。
　【００３３】
　【数６】
　【００３４】
　さらに、ここで、線路を無損失と考えると、マイクロストリップ線路６及び７とスロット線路１７それぞれのスタブ線路を見込んだインピーダンスは純リアクタンスとおけるから、
　　Ｚｉｍ＝ｊＸｉｍ　　　　　　　　　　　（１１）
　　Ｚｉｓ＝ｊＸｉｓ　　　　　　　　　　　（１２）
となり、Ｘｉｍ，Ｘｉｓはそれぞれ先端短絡、先端開放のスタブ線路で構成されるから、式（１３）、（１４）で示される。
　　Ｘｉｍ＝−Ｚｉｍ／ｔａｎθｍ　　　　　（１３）
　　Ｘｉｓ＝Ｚｓｔａｎθｓ　　　　　　　　（１４）
　【００３５】
　ここで、反射係数Ｓ１１の大きさが０になる無反射条件を求める。
　式（９）より次の２つの場合に分けて求める。
　すなわち、分母が無限大でかつ分子が有限の場合（Ａ）及び分子が０でかつ分母が有限の場合（Ｂ）の条件を求める。
　（Ａ）：反射係数Ｓ１１を与える式（９）の分母が無限大でかつ分子が有限となり、反射係数Ｓ１１＝０の場合、
　中心周波数ｆ０で、Ｚｉｍ、Ｚｉｓは−ｊ無限大から＋ｊ無限大までの値を持ち得る。今、中心周波数ｆ０にてＺｉｍ＝±ｊ∞とすると、分母は無限大になるが、Ｚｉｓが０の場合も分子が無限大になり、Ｚｉｍが０の条件で分子は有限になる。したがって、中心周波数ｆ０における整合条件は、Ｚｉｓ＝±ｊ∞、Ｚｉｍ０になる。式（１３）、（１４）よりこれらの条件は、
　　θｍ＝θｓ＝π／２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１５）
で与えられる。
　【００３６】
　また、この実施の形態１に係るスロット線路１７は所謂サンドイッチスロット線路であるから、０次近似として波長短縮は１／√εｒ（εｒは誘電体基板１及び２の誘電率）で与えられる。すなわち、近似的にスロット線路１７の電気長の周波数特性はＴＥＭ線路と同等として扱える。つまり、マイクロストリップ線路６及び７と同じ電気長の周波数変化をし、周波数ｆにおける値は式（１６）で与えられる。
　　θｍ＝θｓ＝θ＝（π／２）・（ｆ／ｆ０）　　　　　　　　　　（１６）
　【００３７】
　（Ｂ）：反射係数Ｓ１１を与える式（９）の分子が０でかつ分母が有限になる場合。
　ここでは、中心周波数ｆ０では式（１６）の電気長の関係が保たれるとする。中心周波数ｆ０以外で分子が０かつ分母が有限になる場合の回路パラメータの間の条件を求める。
　まず、式（１１）ないし（１４）を式（９）に代入し整理すると、その分子は式（１７）となる。
　【００３８】
　【数７】
　【００３９】
　すなわち、式（１７）より、電気長θと回路パラメータが式（１８）で示す関係を持つとき整合関係が満たされる。ただし、式（１８）はＮ２・Ｚｍ／Ｚ０・Ｚｓ／Ｚ０＞１の条件下で成立する。つまり、Ｚｓ／Ｚ０＞１／［Ｎ２（Ｚｍ／Ｚ０）］の場合、中心周波数以外の周波数で整合が可能であることが判る。また、このとき、分母は有限値を取ることは容易に示せる。
　【００４０】
　【数８】
　【００４１】
　正接関数の周期性より、式（１８）のθの正負値をそれぞれθ＋、θ−とする。ｔａｎ（θ−）＝ｔａｎ（π−θ＋）であることに着目し、電気長として正値を取るようにすると、式（１９）、（２０）を得る。
　　θ＋＝（π／２）・（ｆＬ／ｆ０）
　　　　＝θＬ　　　　　　　　　　　　　　（１９）
　　θ−＝π−θ＋
　　　　＝（π／２）・（ｆＨ／ｆ０）
　　　　＝θＨ　　　　　　　　　　　　　　（２０）
　ここで、ｆＬ、ｆＨはそれぞれ高域及び低域側の整合条件を満たす周波数であり、式（１８）ないし（２０）から式（２１）及び（２２）が与えられる。以上の整合条件が満たされるとき、透過係数Ｓ２１が１となることは容易に示すことができる。
　【００４２】
　【数９】
　【００４３】
　（Ａ）、（Ｂ）で求めた整合条件式（１５）及び（１８）はマイクロストリップ線路６及び７とスロット線路１７の特性インピーダンスＺ０及びＺｓとスタブ線路の特性インピーダンスＺｍとの間の整合を可能にする関係を規定するものであり、この関係を充たすことにより、中心周波数での整合以外にも中心周波数の上下二つの特定の周波数で整合が可能であることが判った。このことがこの形式の層間接続を広帯域にする要因である。
　式（２１）より、Ｚｍは低域側整合周波数ｆＬ、Ｚｓ、Ｎの関数として、式（２３）で与えられる。
　【００４４】
　【数１０】
　【００４５】
　すなわち、あるＺｓ／Ｚ０に対しＺｍ／Ｚ０は２値求まる。また、解を持つ条件よりＺｓ／Ｚ０の取り得る範囲は式（２４）に示すものとなる。
　【００４６】
　【数１１】
　【００４７】
　上述したことから明らかなように、スロット線路１７とマイクロストリップ線路６及び７を接続する図２に示す変成器１８は、波長とマイクロストリップ線路６及び７の線路幅との関係で決まり、通常のＴＥＭ近似の成り立つ範囲で、マイクロストリップ線路６及び７の縁端効果が無視できるマイクロ波回路では、Ｎ≒１であることが容易に証明できる。この場合、このマイクロ波回路の反射が０になる条件は、使用周波数帯域の上端周波数をｆＨ、下端周波数をｆＬ、中心周波数をｆ０としたとき、中心周波数ｆ０では常に無反射条件が満たされ、ｆＨ、ｆＬではそれぞれ式（２５）、（２６）で無反射条件が満たされる。
　【００４８】
　【数１２】
　【００４９】
　すなわち、このようなインピーダンス及び長さの関係にスタブ線路とスロット線路の長さを選ぶと、ｆＨを最高ｆ０の２倍近い周波数にまで高められる。
　図４はＺｍ／Ｚ０＝１、Ｚｓ／Ｚ０＝２の場合の特性の一例を示したもので、ｆＨ／ｆ０が３／２、ｆＬ／ｆ０が１／２になり、この周波数で整合がとれる様子が判る。
　【００５０】
　したがって、上記実施の形態１によれば、層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板１及び２の間に地導体３をはさみ該第１及び第２の誘電体基板１及び２それぞれに特性インピーダンスがＺ０のマイクロストリップ線路６及び７を構成し、該それぞれのマイクロストリップ線路の一端に一端が開放端となる特性インピーダンスがＺｍの線路を接続し、該開放端から中心波数で概略１／４波長のマイクロストリップ線路の位置において、該マイクロストリップ線路と上記地導体に設けた中心周波数で概略１／２波長の特性インピーダンスがＺｓのスロット線路１７とをスロット線路の中央付近で交差させ、使用する帯域の上端をｆＨ、下端をｆＬ、中心周波数をｆ０｛＝（ｆＨ＋ｆＬ）／２｝としたとき、これらの関係を式（２５）、（２６）としたもので、これにより、中心周波数以外の上下の二点の周波数ｆＨ、ｆＬで、マイクロストリップ線路６及び７の特性インピーダンスで決まる反射とスロット線路１７の特性インピーダンスで決まる反射とが打ち消し合い低反射な特性を得ることができ、中心周波数ｆ０で整合がとれるだけでなく、所望の帯域の上端ｆＨ、下端ｆＬでも整合が可能で広帯域な性能を有することができる。
　【００５１】
実施の形態２．
　次に、図５は実施の形態２に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　図５において、図１に示す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してその説明は省略する。新たな符号として、１９は電界効果トランジスタ等の半導体素子（以下、ＦＥＴと称す）、２０及び２１はＦＥＴ１９にそれぞれ電気的に接続される入力側及び出力側整合回路、２２及び２３はＦＥＴ１９のゲート電極及びドレイン電極にバイアス電圧を印加するためのバイアス回路、２５は異なる誘電体基板１及び２に形成したマイクロストリップ線路６及び７の層間を電磁結合した実施の形態１に係るマイクロ波回路と同様なマイクロ波回路で、図５では想像線で示す。これら符号１９〜２３、２５は第１の誘電体基板１上に形成される。また、２４は第２の誘電体基板２上に形成された出力端子である。
　【００５２】
　すなわち、実施の形態２では、第１の誘電体基板１上に形成したマイクロストリップ線路６に、ＦＥＴ１９、整合回路２０及び２１、バイアス回路２２及び２３でなるマイクロ波半導体回路２６を挿入し、該マイクロ波半導体回路の出力を、第２の基板２上に形成されてマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路７の出力端子２４から送出するとうになされている。
　【００５３】
　この構成により、入力端子１３から入射した電波は入力側整合回路２０を介してＦＥＴ１９で増幅され、出力側整合回路２１を通って増幅された電波が現れる。その後、図１に示すマイクロストリップ線路でなるスタブ線路１５、１６及びスロット線路１７からなる層間接続のマイクロ波回路２５を介して電波が電磁結合で接続され、もう一方の第２の誘電体基板２に構成されたマイクロストリップ線路の出力端子２４に現れる。
　【００５４】
　したがって、上記実施の形態２によれば、二つの誘電体基板１及び２の一方に構成される増幅器等のマイクロ波半導体回路２６と他方に構成されるマイクロ波回路が地導体３を介して背中合わせに構成されるため、両者の回路間の干渉を低減できるだけでなく、広帯域にわたって電気的な接続を保つことができる。
　【００５５】
実施の形態３．
　次に、図６は実施の形態３に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　図６において、実施の形態３に係るマイクロ波半導体装置は、上述した実施の形態２に対し、第２の誘電体基板２上に入力端子２７を形成し、層間接続のマイクロ波回路２５を介して第１の誘電体基板１上に形成したＦＥＴ１９、整合回路２０及び２１、バイアス回路２２及び２３でなるマイクロ波半導体回路２６に接続するようにしており、一方の誘電体基板１上に形成したマイクロ波半導体回路２６への入力を、他方の誘電体基板２上に形成されて他のマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ線路６の入力端子１３から得るものである。
　【００５６】
　すなわち、この実施の形態３は、増幅器あるいは発振器等のアクティブ回路を一方の誘電体基板１にのみ構成し、アクティブ回路の出力端子２４、入力端子２７を他方の誘電体基板２に構成したもので、入出力端子共に電磁結合による層間接続のマイクロ波回路２５を備えたものである。二つの誘電体基板の一方の基板、ここでは第１の誘電体基板１にのみにマイクロストリップ線路６にマイクロ波半導体回路２６を挿入し、他方の第２の誘電体基板２にはパッシブなマイクロ波回路だけを構成したため、増幅器あるいは発振器等のアクティブ回路を一方の基板にのみ構成できる。
　【００５７】
　したがって、上記実施の形態３によれば、増幅器あるいは発振器等のアクティブ回路を一方の基板にのみ構成でき、これらをシールド板等で遮蔽しやすく、また構成の簡単な非接触接続により広帯域なバイアスカットが出来ると共に、地導体により入出力線路側回路とマイクロ波半導体回路の干渉を低減することができる。
　【００５８】
実施の形態４．
　次に、図７は実施の形態４に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　この実施の形態４は、複数の増幅器あるいは発信器等のアクティブなマイクロ波半導体回路２６を一方の誘電体基板１にのみ構成し、それぞれのアクティブ回路の入力端子１３及び出力端子１４を他方の誘電体基板２に構成したもので、複数の入出力端子共に電磁結合による層間接続のマイクロ波回路２５を備えたものである。二つの誘電体基板の一方の基板、ここでは、第１の誘電体基板１にのみマイクロ波半導体回路２６を構成し、図中想像線で示すように、裏面側の他方の第２の誘電体基板２上には、マイクロストリップ線路でなる電力分配／合成手段２８だけを形成した構成である。
　【００５９】
　すなわち、一方の基板１上に複数のマイクロ波半導体回路２６を形成すると共に、上記他方の基板２上に形成されてそれぞれマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路７により上記複数のマイクロ波半導体回路２６への電力の分配及び上記複数のマイクロ波半導体回路２６からの出力電力の合成を行う電力分配／合成手段２８を形成するように構成している。
　【００６０】
　したがって、上記実施の形態４によれば、増幅器あるいは発振器等のアクティブなマイクロ波半導体回路２６を一方の基板１にのみ構成できるため、電力分配／合成手段２８の配置に自由度が増すとともにマイクロ波半導体回路２６間を地導体３で遮蔽しやすくなる。また、本構成では簡単な非接触接続により広帯域なバイアスカットが出来る。
　【００６１】
実施の形態５．
　次に、図８は実施の形態５に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　この実施の形態５は、複数の増幅器あるいは発振器等のアクティブなマイクロ波半導体回路２６を一方の誘電体基板１にのみ構成し、それぞれのアクティブ回路の入力端子１３及び出力端子１４を他方の誘電対２基板に構成したもので、複数の入出力端子共に電磁結合による層間接続のマイクロ波回路２５を備えたものである。そして、二つの誘電体基板の一方の基板、ここでは、第１の誘電体基板１にのみマイクロ波半導体回路２６を構成し、他方の第２の誘電体基板２にはマイクロストリップ線路でなる電力分配／合成手段２８だけを形成し、かつ、第１の誘電体基板１に構成したマイクロ波半導体回路２６をシールドケース２９内に収納している。
　【００６２】
　すなわち、一方の基板１上に形成された複数のマイクロ波半導体回路２６をそれぞれ金属板で仕切ると共に全体を金属筺体で覆ったシールドケース２９内に収納するようにしている。
　【００６３】
　したがって、この実施の形態５によれば、複数の増幅器あるいは発振器等のマイクロ波半導体回路２６を一方の基板１にのみ構成できる。そのため、電力合成／分配手段２８と独立してマイクロ波半導体回路２６を納めるシールドケース２９を設計できるため、基本モード以外の伝搬を抑圧するシールドケース２９の構成が可能になる。すなわち、各々共振を防ぐ寸法に設計されたシールドケース２９に収納された複数のマイクロ波半導体回路２６が電力分配／合成手段２８の構成と無関係に構成できるようになり、不要共振の発生しない電力合成形高出力マイクロ波半導体回路が実現できる。
　【００６４】
実施の形態６．
　次に、図９は実施の形態６に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　図中、３０はプリント化アンテナの一例として取り上げたマイクロストリップアンテナ、３１はマイクロストリップ線路６でなるマイクロストリップアンテナへの給電線路である。これらが、第１の誘電体基板１に構成され、給電用マイクロストリップ線路３１の一端には特性インピーダンスＺｍの線路で先端開放のスタブ線路１５が接続され、また、他方の第２の誘電体基板２には特性インピーダンスＺｍの線路で先端開放のスタブ線路１６が形成され、両スタブ長さは中心周波数で概略１／４波長とし、両マイクロストリップ線路６、７との接続位置において、地導体３に中心周波数で概略１／２波長の特性インピーダンズＺｓのスロット線路１７が設けられている。
　【００６５】
　すなわち、第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方、ここでは基板１上に形成したマイクロストリップ線路６の先端にプリントアンテナ３０を形成し、該プリントアンテナ３０を、他方の基板２上に形成されてマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路７の出力端子２４または入力端子２７を介して外部回路と接続するようにしたものである。
　この構成により、異なる誘電体基板１及び２に構成したマイクロストリップ線路の層間は電磁的に結合され、例えば入力端子２７から入射した電波は層間接続のマイクロ波回路２５を介して電波が給電用マイクロストリップ線路３１に伝搬していきマイクロストリップアンテナ３０を励振する。
　【００６６】
　したがって、上記実施の形態６では、プリントアンテナ３０等の放射部を一方の誘電体基板に設け、他方の誘電体基板には不要輻射の原因となる線路、回路素子（図示せず）や能動デバイスからなるマイクロ波半導体回路（図示せず）などを構成し、アンテナの放射特性に与える回路素子、能動回路素子からの干渉波を簡単で広帯域な層間接続を可能にするマイクロ波回路により低減することができる。
　【００６７】
実施の形態７．
　次に、図１０は実施の形態７に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　この実施の形態７は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２を一方の誘電体基板１に設け、他方の誘電体基板２には想像線で示すマイクロストリップ線路でなる電力分配／合成手段２８を構成し、これらを実施の形態１によるマイクロ波回路２５で接続したものである。
　【００６８】
　すなわち、第１及び第２の誘電体基板１及び２のいずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２を形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２とそれぞれ上記マイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により電力の分配／合成を行う電力分配／合成手段２８を形成するように構成したものである。
　【００６９】
　したがって、実施の形態７によれば、アンテナの放射特性に与える回路素子から放射される干渉波による特性劣化を低減することができるだけでなく、アンテナ構成面の裏面に電力分配／合成手段が構成できるため、全体の構成の小型化が図れる。
　【００７０】
実施の形態８．
　次に、図１１は実施の形態８に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　この実施の形態８は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２を一方の誘電体基板１に設け、他方の誘電体基板２には想像線で示す電力分配／合成手段２８を構成し、電力分配／合成用給電回路の所定の給電点において低雑音増幅器等のマイクロ波半導体回路３３を挿入し、これら進行波形マイクロストリップアンテナ３２と電力分配／合成手段２８を実施の形態１によるマイクロ波回路２５で接続している。
　【００７１】
　すなわち、一方の誘電体基板１に複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２を設ける一方、他方の基板２上に形成した電力分配／合成手段２８の給電点にマイクロ波半導体回路３３を挿入したものである。
　【００７２】
　したがって、実施の形態８によれば、アンテナ３２の放射特性に与える回路素子から放射される干渉波による特性劣化を低減することができるだけでなく、アンテナ構成面の裏面に電力分配／合成手段２８が構成できるため、全体の構成の小型化が図れるとともに、アンテナ３２からの線路による損失が少ない給電点において低雑音増幅器等のマイクロ波半導体回路３３を挿入できるため、アンテナ３２の雑音の低減を図ることが出来る。
　【００７３】
実施の形態９．
　次に、図１２は実施の形態９に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　この実施の形態９は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２を一方の誘電体基板１に設け、グレーティングロープの発生を抑えるために１／２波長以下の間隔で進行波形マイクロストリップアンテナ３２を配列する。この一列の進行波形マイクロストリップアンテナアレーのマイクロストリップ線路でなる複数の入出力を実施の形態１によるマイクロ波回路２５を介して他層に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導体回路３３に接続するとともに、該半導体回路にはそれぞれ可変移相器３４を備え、高効率なアンテナを実現するとともにビーム走査を可能にしている。
　【００７４】
　すなわち、実施の形態９は、一方の誘電体基板上に複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２を１／２波長以下の間隔で並列に配置すると共に、他方の誘電体基板上に想像線で示すマイクロストリップ線路により構成される電力分配／合成手段２８の分配／合成端子に移相器３４を備えるマイクロ波半導体回路３３を挿入することにより、高効率なアンテナを実現するとともにビーム走査を可能にすることができる。
　【００７５】
実施の形態１０．
　次に、図１３は実施の形態１０に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　この実施の形態１０は、一方の層の誘電体基板１にマイクロストリップアンテナ３０を形成し、これらをクラスタ給電で電力分配／合成したものである。給電回路はマイクロストリップアンテナ３０と同一基板面に形成したマイクロストリップ線路でなる。マイクロストリップ素子アンテナは約１／２波長間隔で配列されるため約１／２波長で共振するアンテナ素子の間の間隔は狭い。２５は層間を接続するマイクロ波回路であり、広いスペースを有する他層の誘電体基板に構成した低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等マイクロ波半導体回路３３に接続が可能である。
　【００７６】
　すなわち、実施の形態１０は、第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上にマイクロストリップ線路を介して電力の分配／合成が行われる複数のマイクロストリップサブアレーアンテナを形成すると共に、他方の基板上にマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路に想像線で示すマイクロ波半導体回路３３を挿入することにより、一方の基板面だけではスペースが狭く構成出来ないマイクロ波半導体回路３３を簡単な構成の非接触接続を用いることによりアンテナ面の裏面に構成でき、アンテナの高効率化、低価格化が達成できる。
　【００７７】
実施の形態１１．
　次に、図１４は実施の形態１１に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　この実施の形態１１は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２を一方の誘電体基板１に設け、グレーティングロープの発生を抑えるために１／２波長以下の間隔で配列する。この一列の進行波形マイクロストリップアンテナアレーのマイクロストリップ線路でなる複数の入出力を第１の発明のマイクロ波回路２５を介して他層に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導体回路３３に接続する。これら複数のマイクロ波半導体回路３３の他方の入出力端子にはバトラーマトリクス３５の波面形成端子を接続しバトラーマトリクスの給電端子を多極単投スイッチ３６で切り替えてビーム走査を可能にすることが出来る。なお、バトラーマトリクス及び多極単投スイッチは一般的な回路構成で良いため回路詳細の記述は省略する。この構成では、高効率、小型アンテナを実現するとともにビーム走査を可能にすることができる。
　【００７８】
　すなわち、実施の形態１１は、第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２を配置して形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路と該マイクロ波回路２５との間に、想像線で示すように、複数のマイクロ波半導体回路３３と、この複数のマイクロ波半導体回路３３の各出力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマトリクス３５と、該バトラーマトリクス３５の他端に接続された多極単投スイッチ３６とを挿入することにより、高効率、小型アンテナを実現するとともにビーム走査を可能にすることができる。
　【００７９】
実施の形態１２．
　次に、図１５は実施の形態１２に係るマイクロ波半導体装置を示す。
　この実施の形態１２は、実施の形態１１によるマイクロ波回路において、マイクロ波半導体回路３３、バトラーマトリクス３５、多極単投スイッチ３６をモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）で構成したもので、アンテナを構成する一方の誘電体基板はテフロン系の基板、他方はＧａＡｓ系の半導体基板の場合でも、実施の形態１による非接触層間接続を実現するマイクロ波回路は可能である。なぜならば、誘電率が層間で変わっても、インピーダンスは定義でき実効的な誘電率も定義されて電気長が決まるため、実施の形態１で示した条件は満たすことが出来るからである。この実施の形態１２による構成ではミリ波帯のような小型回路での実現性が高まる。
　【００８０】
　すなわち、実施の形態１２は、実施の形態１１に示すマイクロ波半導体回路３３とバトラーマトリクス３５及び多極単投スイッチ３６をモノリシックマイクロ波集積回路で構成することにより、ミリ波帯のような小型回路での実現性を高めることができる。
　【００８１】
　【発明の効果】
　以上のように、この発明のマイクロ波半導体装置によれば、地導体を挟み層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板の該地導体との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成した特性インピーダンスＺ０のマイクロストリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で概略１／４波長とする特性インピーダンスＺｍの先端開放のスタブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体に、上記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する位置で該地導体を貫通するようにして上記両マイクロストリップ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波数で概略１／２波長とする特性インピーダンスＺｓのスロット線路を設けて、使用する周波数帯域の上端周波数をｆＨ、下端周波数をｆＬ、中心周波数をｆ０｛＝（ｆＨ＋ｆＬ）／２｝としたときに、
式（２５）、（２６）を満たす関係に上記スタブ線路およびスロット線路を形成した
　【００８２】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体回路の出力を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の出力端子から送出するようにしたので、二つの誘電体基板の一方に構成されるマイクロ波半導体回路と他方に構成されるマイクロ波回路が地導体を介して背中合わせに構成されるため、両者の回路間の干渉を低減できるだけでなく、広帯域にわたって電気的な接続を保つことができる。
　【００８３】
　また、上記マイクロ波半導体回路への入力を、上記他方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ線路の入力端子から得るようにしたので、非接触接続によりバイアスカットが出来ると共に地導体板により入出力線路側回路とマイクロ波半導体回路の干渉を低減することができる。
　【００８４】
　また、上記一方の基板上に複数のマイクロ波半導体回路を形成すると共に、上記他方の基板上に形成されてそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により上記複数のマイクロ波半導体回路への電力の分配及び上記複数のマイクロ波半導体回路からの出力電力の合成を行う電力分配／合成手段を形成するように構成したので、バイアスカットが出来るためコンデンサが不要になる共に裏面に電力分配／合成などのマイクロ波回路を構成できるため省スペースの電力合成マイクロ波増幅器が実現できる。
　【００８５】
　また、上記一方の基板上に形成された複数のマイクロ波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共に全体を金属筺体で覆うことにより、各々共振を防ぐ寸法に設計された金属筺体に収納された複数のマイクロ波半導体増幅器回路が電力分配／合成手段の構成と無関係に構成できるため、電力合成／分配手段と独立して増幅器を納める金属匡体を設計でき、不要共振のない電力合成形高出力マイクロ波増幅器が実現できる。
　【００８６】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路の先端にプリントアンテナを形成し、該プリントアンテナを、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の入出力端子を介して外部回路と接続するようにすることにより、プリントアンテナ等の放射部を一方の誘電体基板に設け、他方の誘電体基板には不要輻射の原因となるマイクロ波半導体回路などの能動デバイスからなる回路を構成し、この二つの回路を非接触で接続することでアンテナの放射特性に与える能動素子からの干渉を簡単な構成で低減することができる。
　【００８７】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロストリップアンテナを形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナとそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により電力の分配／合成を行う電力分配／合成手段を形成するように構成することにより、複数の進行波形マイクロストリップアンテナを一方の誘電体基板に設け、他方の誘電体基板には電力分配／合成手段を構成し、この二つの回路をマイクロ波回路で接続することでアンテナ構成面の裏面に電力分配／合成手段が構成でき小型化が図れる。
　【００８８】
　また、上記他方の基板上に形成した電力分配／合成手段の給電点にマイクロ波半導体回路を挿入することにより、電力分配／合成用給電回路の損失が少ない給電点において低雑音増幅器等のマイクロ波半導体回路を挿入でき、アンテナ構成平面の裏面にマイクロ波半導体回路が構成でき小型化が図れるとともに、アンテナの雑音の低減を図ることが出来る。
　【００８９】
　また、上記一方の基板上に上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナを１／２波長以下の間隔で並列に配置すると共に、上記他方の基板上にマイクロストリップ線路により構成される電力分配／合成手段の分配／合成端子に移相器を備えるマイクロ波半導体回路を挿入することにより、一方の層の誘電体基板に形成したマイクロストリップ平面アンテナの他層の誘電体基板に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等に接続でき、一方の基板面だけではスペースが狭く構成出来ないマイクロ波半導体回路を非接触接続でアンテナ面の裏面に構成でき、アンテナの高効率化、低価格化が達成できる。
　【００９０】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上にマイクロストリップ線路を介して電力の分配／合成が行われる複数のマイクロストリップサブアレーアンテナを形成すると共に、他方の基板上に上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入することにより、グレーティングの発生を抑えるとともに、このサブアレーのマイクロストリップ線路でなる複数の入出力をマイクロ波回路を介して他層に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導体回路に接続するとともに、半導体回路にはそれぞれ可変移相器を備え、高効率なアンテナを実現するとともにビーム走査を可能にする。
　【００９１】
　また、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複数の進行波形マイクロストリップアンテナを配置して形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路と該マイクロ波回路との間に、複数のマイクロ波半導体回路と、この複数のマイクロ波半導体回路の各出力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマトリクスと、該バトラーマトリクスの他端に接続された多極単投スイッチとを挿入することにより、複数の進行波形マイクロストリップサブアレーアンテナの間隔を１／２波長以下にし、特定の平面内でグレーティングの発生を抑えるとともに、このサブアレーのマイクロストリップ線路でなる複数の入出力をマイクロ波回路を介して他層に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導体回路に接続するとともに、これら半導体回路の複数の入力あるいは出力端子にはバトラーマトリクスの波面形成端子を接続しバトラーマトリクスの給電端子を多極単投スイッチで切り替えてビーム走査を可能にすることが出来る。この構成では高効率、小型アンテナを実現するとともにビーム走査を可能にする。
　【００９２】
　さらに、上記マイクロ波半導体回路と上記バトラーマトリクス及び上記多極単投スイッチをモノリシックマイクロ波集積回路で構成することにより、一方はテフロン系の誘電体基板、他方はＧａＡｓ系の半導体基板の場合でも非接触層間接続は可能で、ミリ波帯のような小型回路での実現性が高まる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　この発明の実施の形態１に係るマイクロ波半導体装置の概略構成を示す斜視図及び断面図である。
　【図２】　図１に示すマイクロ波半導体装置の等価回路図である。
　【図３】　図２に示す等価回路図の回路解析及び整合条件と帯域を求めるための等価回路図である。
　【図４】　図１に示す実施の形態１に係るマイクロ波半導体装置による層間接続の反射特性を示す特性図である。
　【図５】　この発明の実施の形態２に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図６】　この発明の実施の形態３に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図７】　この発明の実施の形態４に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図８】　この発明の実施の形態５に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図９】　この発明の実施の形態６に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図１０】　この発明の実施の形態７に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図１１】　この発明の実施の形態８に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図１２】　この発明の実施の形態９に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図１３】　この発明の実施の形態１０に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図１４】　この発明の実施の形態１１に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図１５】　この発明の実施の形態１２に係るマイクロ波半導体装置の概略構成図である。
　【図１６】　従来の層間接続に用いるマイクロ波回路の構成を示す平面図及び断面図である。
　【図１７】　従来の電磁結合による層間接続のマイクロ波回路の構成を示す平面図及び断面図である。
　【符号の説明】
　１　第１の誘電体基板、２　第２の誘電体基板、３　地導体、４　第１のストリップ導体、５　第２のストリップ導体、６　第１のマイクロストリップ線路、７　第２のマイクロストリップ線路、１５　特性インピーダンスＺｍの第１のスタブ線路、１６　特性インピーダンスＺｍの第２のスタブ線路、１７　特性インピーダンスＺｓのスロット線路、１９　電界効果トランジスタ、２０　入力整合回路、２１　出力整合回路、２４　出力端子、２５　層間接続部、２６　入力端子、２７　入力端子、２８　電力分配／合成手段、２９　シールドケース、３０　マイクロストリップアンテナ、３１　給電線路、３２　進行波形マイクロストリップアンテナ、３３　マイクロ波半導体回路、３４　移相器、３５　バトラーマトリクス、３６　多極単投スイッチ、３７　ＭＭＩＣ。