【事件の表示】
　平成　１年特許願第１６５０３１号「ＭＩＳ型半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年　２月　８日出願公開、特開平　３−　３０３７０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明の要旨
　本願は、平成１年６月２７日の出願であって、その請求項に係る発明は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、上記ゲート電極の両側の部分の上記半導体基板中に高不純物濃度の半導体領域が上記ゲート電極と重ならないように形成されたＭＩＳ型半導体装置において、上記ゲート絶縁膜から離れた部分の上記半導体基板中に上記高不純物濃度の半導体領域と接続された上記高不純物濃度の半導体領域と同一導電型の低不純物濃度の半導体領域が形成されていることを特徴とするＭＩＳ型半導体装置。（以下、「本願発明」という）」
　なお、平成９年１２月２２日付け、平成１０年５月６日付け、平成１０年９月７日付け及び平成１１年１月７日付けの各手続補正は、いづれも平成１２年５月１６日付けで却下となり、却下が確定している。
２．引用例
　原審の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６１−２５９５７６号公報（以下、「引用例」という。）には、電界効果トランジスタが図面とともに開示されている。
　同引用例の特許請求の範囲の第１項には、「金属−酸化物−半導体形電界効果トランジスタであって、第１の極性のドーパントでドープされた半導体本体と、該本体部分の一部の上に配置された絶縁層と、前記半導体本体から電気的に絶縁されるように前記絶縁層の上に配置された導電性ゲート電極とを有し、前記半導体本体が第２の極性のドーパントで高濃度にドープされたソース領域と、前記第２の極性のドーパントで高濃度にドープされたドレイン領域とを有し、該ソースおよびドレイン領域が前記ゲート電極の両側に所定の深さまで前記半導体本体内に配置されており、前記半導体本体がまた前記ソース領域および前記ドレイン領域の少なくとも一方から伸びる低濃度にドープされた延長部を有し、該延長部のドーパントは前記第２の極性のドーパントであり、前記延長部の各々は前記半導体本体の表面の下方に配置されて前記ゲート電極の下方の領城に向かって延在し、前記延長部の各々は前記半導体本体と前記絶縁層との間の境界から離隔しており、・・・特徴とする電界効果トランジスタ。」と記載されており、また同引用例の第４頁左下欄第３行〜第５頁左下欄第１５行には、「図は本発明に従って製造したＮＭＯＳＦＥＴ素子を例示しているものである。本発明の目的を達成するために使用される特定の処理を除いて、通常の方法により素子の製造は行なわれる。図示の素子について具体的に説明すると、素子はｎ型の基板９９を有する。通常の方法に従って、フィールド酸化物層１１５が基板９９を高温で酸素にさらすことによって基板９９上に成長されて、シリコン酸化物の絶縁層を形成する。この層は、エッチングにより、チップまたはウェーハ上に能動領域を限定するパターンを形成する。その後、典型的にはｐ型のウェル（井戸形の領域）１００がフィールド酸化物層中の能動領域開口部を介してイオン注入法により形成される。それから、薄いシリコンの酸化物層が全基板上に成長させられる。この酸化物層は最終的にはゲート酸化物１１６を形成し、このゲート酸化物は上述したホット電子を捕獲するような構造を有している。この薄い酸化物の上に、多結晶シリコンを堆積し、ｎ型ドーパントで高濃度にドープして、高い導電性を有する層を形成する。この層は最終的にはゲート電極１３０を形成する。・・・（中略）・・・半導体製造におけるこの段階においては、特別な処理行程を行って第１図に示す構造を形成する。具体的に説明すると、この処理工程では、リンのような低濃度のｎ型ドーパントを埋込み層中に沈積する。この沈積（デポジション）は約９０ｋｅＶの電圧でイオン注入法により行なわれる。この結果シリコンと酸化物の界面から約１０００オングストロームの深さの所に低濃度にドープされた領域１０３および１０４（点線の間の領域）が形成される。リンの拡散率のために、低濃度にドープされたｎ−領域１０３および１０４はゲート領域に向って内側に伸びて、拡散延長部１０５および１０６を形成する。・・・（中略）・・・領域１０３，１０４，１０５および１０６はフィールド酸化物層１１５からゲート電極１３０の左側および右側の縁に向って内側に伸びることに注意されたい。このドーピングはソースまたはドレイン領域の１平方センチメートルあたり１０１２乃至１０１４個のドーパント原子の注入量で行なわれる。対照的に、従来ではドーピング行程はこのような傾斜した構造を設けるように行なわれてはいない。・・・（中略）・・・このスペ−サはゲートの下方の酸化物と半導体との界面の近傍、特にゲートとドレインとの間の近傍において発生するホット電子の影響を軽減する重要な機能を有している。更に、スペーサ１１７′はまた、イオン注入または拡散によりソースおよびドレイン領城を形成するための次の処理行程に用いられる自己整合マスクを形成する。本発明によれば、能動領域のソースおよびドレイン領域に対して高濃度（ｎ＋）のドーピングを行う。典型的には、この第２のドーピングは１平方センチメ−トルあたり約８×１０１５個のドーパント原子の注入量で行われる。この結果、第１図に示す領域１０１および１０２が形成され、これらの領域は典型的には約１５００乃至４０００オングストロームの深さまで延在する。スペーサ１１７′によって形成されるマスク効果のために、領域１０１および１０２から内側に延在するソースおよびドレインの小さな低濃度のｎ−領域が残る。これらは領域１０５および１０６であり、これらの領域は図示のように層１０３および１０４の一部を形成する。」と記載されている。
　以上構成について図面及び上記記載事項を参酌してまとめると、引用例には次の発明が記載されている。
「半導体基板（９９）上にゲート酸化物（１１６）を介してゲート電極（１３０）が形成され、上記ゲート電極の両側の部分の上記半導体基板中に（高濃度のドーピングを行った）領域（１０１、１０２）が上記ゲート電極（１３０）と重ならないように形成された金属−酸化物−半導体形電界効果トランジスタにおいて、上記ゲート酸化物（１１６）から離れた部分の上記半導体基板中に上記領域（１０１、１０２）と接続された上記領域（１０１、１０２）と同一導電型の低濃度にドープされた領域（１０３、１０４、１０５、１０６）が形成されていることを特徴とする金属−酸化物−半導体形電界効果トランジスタ」
３．対比・判断
　本願発明と引用例の発明とを対比すると、引用例における、ゲート酸化物、（高濃度のドーピングを行った）領域（１０１、１０２）、低濃度にドープされた領域（１０３、１０４、１０５、１０６）及び金属−酸化物−半導体形電界効果トランジスタは、本願発明におけるゲート絶縁膜、高不純物濃度の半導体領域、高不純物濃度の半導体領域と同一導電型の低不純物濃度の半導体領域及びＭＩＳ型半導体装置にそれぞれ相当するから、両者は「半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、上記ゲート電極の両側の部分の上記半導体基板中に高不純物濃度の半導体領域が上記ゲート電極と重ならないように形成されたＭＩＳ型半導体装置において、上記ゲート絶縁膜から離れた部分の上記半導体基板中に上記高不純物濃度の半導体領域と接続された上記高不純物濃度の半導体領域と同一導電型の低不純物濃度の半導体領域が形成されていることを特徴とするＭＩＳ型半導体装置。」の点で一致し、相違点はない。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する