【事件の表示】
　特許第２９６７１５４号「Ａｇを含み結晶方位の揃った酸化物超電導体及びその製造方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６７１５４号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９６７１５４号の請求項１乃至７に係る発明は、平成８年８月２日に特許出願され、平成１１年８月２０日に特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について異議申立人　新日本製鐵株式会社　より特許異議申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年５月２８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　上記訂正請求は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付された明細書（以下、「訂正明細書」という。）のとおりに訂正することを求めるもので、その内容は以下のａ及びｂのとおりである。
ａ．特許請求の範囲を
「【請求項１】 ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5相が微細に分散した酸化物超電導体において、少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±５゜以下であり、かつＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中にＡｇを１０〜３０ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体。
【請求項２】  請求項１に記載の酸化物超電導体において、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各元素の１種又は２種以上を０．０５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体。
【請求項３】 ＲＥ化合物（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体にＡｇを１０〜３０ｗｔ％添加する添加工程と、Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相が晶出する温度付近まで降温して、
　種結晶のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相の生成温度＞ Ａｇを添加した該原料混合体のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相の生成温度
の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
【請求項４】 請求項３に記載の酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体に、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各金属又は各化合物の１種又は２種以上の元素を０．０５〜５ｗｔ％添加することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
【請求項５】 請求項３、４の何れかに記載の酸化物超電導体の製造方法において、上記結晶化工程で、酸素分圧をＰＯ2 ＝２×１０-1〜１×１０-4とすることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。」と訂正する。
ｂ．【０００６】〜【０００７】段落を、
「【０００６】
【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物超電導体は、
（構成１）ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散した酸化物超電導体において、少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±５゜以下であり、かつＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中にＡｇを１０〜３０ｗｔ％含むことを特徴とする構成とし、構成１の態様として、
（構成２）前記酸化物超電導体は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各元素の１種又は２種以上を０．０５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする構成としたものである。
【０００７】
　また、本発明に係る酸化物超電導体の製造方法は、
（構成３）ＲＥ化合物（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体にＡｇを１０〜３０ｗｔ％添加する添加工程と、Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相が晶出する温度付近まで降温して、
　種結晶のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相の生成温度＞Ａｇを添加した該原料混合体のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相の生成温度
の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有する構成とし、構成３の態様として、
（構成４）前記酸化物超電導体の製造方法は、上記原料混合体に、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各金属又は各化合物の１種又は２種以上の元素を０．０５〜５ｗｔ％添加することを特徴とする構成とし、構成３〜４の何れかの態様として、
（構成５）前記酸化物超電導体の製造方法は、上記結晶化工程で、酸素分圧をＰＯ2 ＝２×１０-1〜１×１０-4とすることを特徴とする構成としたものである。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、特許明細書の請求項１及び４を削除し、同請求項２及び５を請求項１及び３に繰り上げて独立形式で記載し、同請求項３、６及び７を請求項２、４及び５に繰り上げて引用する請求項の項番を訂正するとともに、新たな請求項１及び３において、「Ａｇを１〜３０ｗｔ％含む」を「Ａｇを１０〜３０ｗｔ％含む」に減縮するものであるから、全体として特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであると云える。そして、Ａｇの含有量の下限を１０ｗｔ％とすることは、特許明細書の【００２６】段落以下の（実施例２）に、ＲＥとしてＳｍを用いＡｇ粉を１０ｗｔ％添加した例が記載されていることに基づくものであるから、訂正事項ａは、新規事項の追加に該当せず、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｂは、訂正事項ａの訂正に沿って、明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであると云える。そして、訂正事項ｂは、訂正事項ａと同様に特許明細書の記載に基づくものであって、新規事項の追加に該当せず、しかも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　
　
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
　特許第２９６７１５４号の請求項１ないし５に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明５」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】 ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5相が微細に分散した酸化物超電導体において、少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±５゜以下であり、かつＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中にＡｇを１０〜３０ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体。
【請求項２】  請求項１に記載の酸化物超電導体において、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各元素の１種又は２種以上を０．０５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体。
【請求項３】 ＲＥ化合物（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体にＡｇを１０〜３０ｗｔ％添加する添加工程と、Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相が晶出する温度付近まで降温して、
　種結晶のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相の生成温度＞ Ａｇを添加した該原料混合体のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相の生成温度
の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
【請求項４】 請求項３に記載の酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体に、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各金属又は各化合物の１種又は２種以上の元素を０．０５〜５ｗｔ％添加することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
【請求項５】 請求項３、４の何れかに記載の酸化物超電導体の製造方法において、上記結晶化工程で、酸素分圧をＰＯ2 ＝２×１０-1〜１×１０-4とすることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。」
３−２．申立ての理由の概要
　異議申立人　新日本製鐵株式会社　は、下記の甲第１号証ないし甲第３号証を提出し、特許明細書の請求項１ないし７に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許明細書の請求項１ないし７に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消すべきものである旨、主張している。
　甲第１号証：特開平５−２７９０３１号公報
　甲第２号証： Ｄ．Ｄｉｍｏｓ　ｅｔ　ａｌ．，ＰＨＹＳＩＣＡＬ　ＲＥＶＩＥＷ　Ｂ，１ＭＡＲＣＨ１９９０，Ｖｏｌ．４１，　Ｎｏ．７，　ｐ．４０３８−４０４９
　甲第３号証：特開平７−１８７６７１号公報
３−３．取消理由通知で引用した刊行物１ないし３に記載された事項
（１）刊行物１（特開平５−２７９０３１号公報、異議申立人が提出した甲第１号証）には、「希土類系酸化物超電導体及びその製造方法」に関し、下記の事項が記載されている。
１−イ．「【請求項１】 貴金属又は貴金属化合物が制御された濃度分布をしていることを特徴とする希土類系酸化物超電導体。
【請求項２】 該貴金属が銀又は該貴金属化合物が酸化銀若しくは銀化合物であることを特徴とする請求項１に記載の希土類系酸化物超電導体。
【請求項３】 REはＹ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹｂからなる群のなかの少なくとも一元素からなり、ｘが０以上１以下のREBa2Cu3O7-xが主成分であることを特徴とする請求項１又は２に記載の希土類系酸化物超電導体。」（特許請求の範囲　請求項１ないし３）
１−ロ．「【請求項７】 貴金属又は貴金属化合物を含有する希土類系酸化物超電導体の成形体に、該成形体の希土類系酸化物超電導体より融点の高い希土類系酸化物超電導体の単結晶を接触配置し、次いで該成形体を加熱して半溶融状態にした後に徐冷することを特徴とする希土類系酸化物超電導体の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項７）
１−ハ．「隣接する結晶粒の配向がほぼ一致している場合には、超電導電流は粒界に遮られることなく、粒界を乗り越えてより長いパスをとることができるので、粒界の大きさにループ半径は限定されなくなる。結晶粒の配向を揃えることは高い臨界電流密度を得るには効果的である。」（第３頁第３欄５〜１０行）
１−ニ．「図１に示すように、銀の含有量が５重量％以下の範囲ではYBa2Cu3O7-xの凝固点、約１０１０℃は約９８０℃にまで銀の含有量にほぼ正比例して降下し、銀の含有量が１０重量％で凝固点が約９７０℃に降下し、凝固点降下がほぼ飽和する。本発明に係る希土類系酸化物超電導体中に分布する貴金属又は貴金属化合物の含有率はこのような凝固点効果が飽和するまでの含有率が好ましい。」（第４頁第５欄４９行〜同頁第６欄６行）
１−ホ．「本発明に係る単結晶種付け法は、・・・貴金属又は貴金属化合物を含有する希土類系酸化物超電導体の成形体に、この成形体の希土類系酸化物超電導体より融点の高い希土類系酸化物超電導体の単結晶を種結晶として接触配置し、次いで種結晶の融点と成形体の融点の中間の温度にまで加熱し、融点がより低い成形体のみを半溶融状態にし、次いで徐冷することで種結晶より結晶成長をさせることで、配向性が高く結晶方位の制御された希土類系酸化物超電導体を得ることができる。・・・種結晶には貴金属又は貴金属化合物を含有しない成形体と同種の希土類系酸化物超電導体を好適に用いることができる」（第４頁第６欄１７〜３５行）
１−ヘ．「本発明に係る希土類系酸化物超電導体の主成分であるREBa2Cu3O7-xの原料粉末は、RE即ちＹ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ若しくはＹｂの酸化物、Ｂａの炭酸塩、酸化物若しくは過酸化物、及びＣｕの酸化物、又はこれら何れかの化合物を混合した混合粉末、仮焼粉末、若しくはフリット粉末等を、焼成後REBa2Cu3O7-xとRE2BaCuO5を構成するように配合されたものであればよく、特に限定されるものでない」（第５頁第７欄３８〜４５行）
１−ト．「本発明においては、白金族金属のロジウム若しくは白金又はこれらの化合物をREBa2Cu3O7-xを主成分とする希土類系酸化物超電導体中に金属を基準として０．０１〜５重量％含有すると、RE2BaCuO5からなる粒子が結晶粒中に細かく均一に分散する効果があり、するとこれらの微粒子はピン中心として作用するので好ましい。そこで、ロジウム若しくは白金又はこれらの化合物は、希土類系酸化物超電導体に均一に分散させ、他の貴金属又は貴金属化合物の濃度分布を制御してもよいし、またはロジウム若しくは白金又はこれらの化合物自体の濃度分布を制御してもよい。」（第５頁第８欄３０〜４０行）
１−チ．「本発明に係る溶融法で半溶融状態にする温度は、成形体の主成分が固相のRE2BaCuO5と液相とに分解溶融する温度と固相のRE2O3と液相とに再分解する温度との間に設定する。」（第７頁第１２欄９〜１２行）
１−リ．「直径約４０mm.で高さ約１５mm.である円柱形状のいわゆる疑似単結晶と呼ばれる希土類系酸化物超電導体を得た。」（第９頁第１５欄６〜８行）
１−ヌ．「希土類系酸化物超電導体より箔片を切りとり、Ｘ線回折装置で結晶方位を測定した。すると、結晶粒のｃ軸は円柱の軸方向に平行に配向していた。よって、任意に選んだ断面又は箔片で粒界、クラックが観察されず、結晶方位も揃っているので、希土類系酸化物超電導体は単結晶であると思われる。」（第９頁第１５欄２８〜３３行）
１−ル．第１３頁の【図１】には、YBa2Cu3O7-xにおいての銀含有率と凝固点との関係を示す図が記載されている。
（２）刊行物２（Ｄ．Ｄｉｍｏｓ　ｅｔ　ａｌ．，ＰＨＹＳＩＣＡＬ　ＲＥＶＩＥＷ　Ｂ，１ＭＡＲＣＨ１９９０，Ｖｏｌ．４１，　Ｎｏ．７，　ｐ．４０３８−４０４９、異議申立人が提出した甲第２号証）には、「ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７バイクリスタルの粒界の超電導輸送特性」との表題の下、下記の事項が記載されている。
２−イ．「ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜バイクリスタルは、方向性バイクリスタルＳｒＴｉＯ３を基板として、エピタキシャル成長法で形成した。」（第４０３８頁右欄下から１１行〜下から９行）
２−ロ．「臨界電流密度の比は、輸送臨界電流の限界における粒界の役割を強調するため、また異なった品質の試料を直接比較するために用いた。測定された臨界電流密度比は、対数目盛でプロットされ、粒界Ｊｃが、方位差角の増加とともに、θ＞１５°−２０°て到達する約１／５０の飽和値まで急激に減少することを示している。小角粒界（θ＜５°）において、臨界電流密度は、結晶粒の場合をやや下回っただけで、小磁場に依存せず、この挙動とＩ−Ｖ特性は、単一結晶粒が示すものと同様であった。小角粒界での強い結合から弱結合挙動への遷移は、θ＝５°−１０°の角度範囲で起こる。」（第４０４３頁左欄３〜１８行）
（３）刊行物３（特開平７−１８７６７１号公報：異議申立人の提出した甲第３号証）には、「酸化物超電導体及びその製造方法」に関し、下記の事項が記載されている。
３−イ．「【請求項１】 ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ（ＲＥはＬａ，Ｎｄ，Ｓｍの希土類元素中の少なくとも一つの元素を含むものである）の組成からなる酸化物超電導体において、ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕの比が１：２：３でＯの比が６．８乃至７．２からなる組成物を母相とし、ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕの比が１＋ｄ：２−ｄ：３（０＜ｄ＜０．５）でＯの比が６.８乃至７．２の分散相が分散していることを特徴とする酸化物超電導体。」（特許請求の範囲　請求項１）
３−ロ．「 ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ（ＲＥはＬａ，Ｎｄ，Ｓｍの希土類元素中の少なくとも一つの元素を含むものである）の組成からなる酸化物超電導体の溶融プロセスにおいて、溶融状態から超電導相を凝固生成させる際に、生成雰囲気の酸素分圧を０．００００１気圧以上０．１気圧以下の範囲で行うことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項９）
３−ハ．「そこで、本発明者は、核生成成長の段階での相互置換を抑制するために、酸素分圧を制御する試みを行った。これは、低酸素分圧下では、３価のイオンであるＲＥによる２価のイオンのＢａ置換が抑制されると考えられるからである。種々の条件で実験を行った結果、酸素分圧が０．００００１気圧から０．１気圧の範囲内にあると、この相互置換が抑制されＲＥ１２３相が安定となるということが明らかとなった。この下限は、真空などの極低酸素分圧下では超電導相そのものが分解されることと、上限は、低酸素分圧化の効果がなくなることで決定される。つまり、本発明では、溶融状態から結晶成長させる際の雰囲気を、ある範囲内の酸素分圧化で行うことで、ＲＥ半径の大きい１２３系超電導体においても、臨界温度の高い１２３相の合成に成功した。」（第４頁第５欄２３〜３８行）
３−４．対比、判断
（１）本件発明１について
　刊行物１の、記載事項１−イの請求項３の「REBa2Cu3O7-xが主成分である」との記載、記載事項１−への原料粉末は焼成後REBa2Cu3O7-xとRE2BaCuO5を構成するように配合される旨の記載、及び記載事項１−トのRE2BaCuO5からなる粒子が細かく分散する旨の記載からみて、刊行物１に記載された希土類系酸化物超電導体はREBa2Cu3O7-x相中にRE2BaCuO5相が微細に分散したものであり、ＡｇはREBa2Cu3O7-x相中に含まれるものと認められる。また、刊行物１の記載事項１−ハ、リ及びヌからみて、刊行物１に記載された希土類系酸化物超電導体は結晶の方位が揃っているものであることは窺えるものの、結晶間の方位のずれの程度が、少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±５゜以下であることは刊行物１には明記が無い。さらに、刊行物１の記載事項１−ニ及びルからみて、刊行物１に記載された希土類系酸化物超電導体のＡｇ含有量は、図１に示される凝固点効果が飽和するまでの含有率、即ち１０ｗｔ％より少ない量であると認められる。
　よって、刊行物１の記載事項１−イ、ハ、ニ、ヘ、ト、リ、ヌ及びルからみて、刊行物１には、
「REBa2Cu3O7-x相（REは、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹｂからなる群のなかの少なくとも一元素）中にRE2BaCuO5相が微細に分散した希土類系酸化物超電導体において、REBa2Cu3O7-x相中にＡｇを１０ｗｔ％より少ない量含む希土類系酸化物超電導体。」
という物の発明が記載されている。
　そこで、本件発明１（前者）と刊行物１に記載された物の発明（後者）とを対比すると、両者は、
「ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5相が微細に分散した酸化物超電導体において、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中にＡｇを含むことを特徴とする酸化物超電導体。」
で一致するものの、以下の３点で相違する。
（ｉ）ＲＥが、前者は、Ｓｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるのに対し、後者は、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹｂからなる群のなかの少なくとも一元素である点。
（ii）前者は、少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±５゜以下と特定されているのに対し、後者は、結晶の方位が揃っているものではあるが、結晶間の方位のずれの程度までは明確でない点。
（iii）ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中のＡｇの含有量が、前者は、１０〜３０ｗｔ％であるのに対し、後者は１０ｗｔ％より少ない量である点。
　そこで、相違点ｉ及びiiiについて、まとめて検討する。
　まず、本件発明１は、ＲＥがＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5相が微細に分散した酸化物超電導体において、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中のＡｇの含有量を１０〜３０ｗｔ％とし、即ち上記相違点ｉ及びiiiに係る本件発明１を特定する事項を共に備え、さらに、少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれを±５゜以下という上記相違点iiに係る本件発明１を特定する事項を備えたことにより、超電導体に転移する臨界温度が高く、応用上重要な臨界電流密度も１Ｔ付近の高磁場側で高く、しかも磁気反発力の大きな酸化物超電導体が得られるという効果を奏するものである。
　これに対して、刊行物２には、エピタキシャル成長法で形成したＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜バイクリスタルについて、小角粒界（θ＜５°）において、臨界電流密度は、小磁場に依存せず、単一結晶粒が示すものと同様であったことが記載されているだけであり、刊行物３には、ＲＥがＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X を母相とする酸化物超電導体は記載されているものの、該母相がＡｇを含むことについて何らの記載もなく、結局、刊行物２及び３には、ＲＥがＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5相が微細に分散した酸化物超電導体において、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中のＡｇの含有量を１０〜３０ｗｔ％としたという相違点ｉ及びiiiに係る本件発明１を特定する事項は記載も示唆もされていない。
　よって、当業者といえども、刊行物１に記載された発明に上記の如き刊行物２及び３に記載された事項を組み合わせて、上記相違点ｉ及びiiiに係る本件発明１を特定する事項を容易に想到し得たとは認められない。
　したがって、相違点iiについて検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１ないし３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
　なお、異議申立人は、平成１４年１月３０日付け審尋回答書で、下記の甲第４号証ないし甲第８号証を提出している。
　甲第４号証：化学大辞典編集委員会編「化学大辞典２」共立出版株式会社、昭和３５年６月３０日発行、第７５５、７５６頁
　甲第５号証：特開平７−２３２９１７号公報
　甲第６号証：幸田成康著「改定　金属物理学序論」株式会社コロナ社、昭和５５年８月１０日発行、第１０１〜１１３頁
　甲第７号証：特開平５−２７９０３５号公報
　甲第８号証：日本応用物理学会誌　Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．３，１９９５、第７４４〜７４７頁
　そこで、甲第４号証ないし甲第８号証を検討すると、甲第４号証には希土類元素についての一般的事項が、また、甲第６号証には拡散についての一般的事項が記載されているだけであり、甲第５号証には、ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ（ＲＥはＬａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄのグループから選んだ元素の少なくとも一つ以上含むものである）の組成からなる酸化物超電導体及びその製造方法について記載されているが、該酸化物超電導体にＡｇを含有せしめることについては何ら記載がない。また、甲第７号証には、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｄ相（ＲＥはＹ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒとＹｂのグループより選ばれた希土類元素）中に、白金とロジウムの両者またはいずれか一方と銀と金の両者またはいずれか一方からなる合金とＲＥ２ＢａＣｕＯ５相の両者を微細に分散させた組織からなる、ＲＥＢａＣｕＯ系酸化物超電導体について記載されているが、隣接する結晶間の方位のずれについては何ら記載がない。さらに、甲第８号証には、酸化物超伝導バルクマグネットの作製と特性について記載されており、ＲＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-ｘ（１２３）（Ｒ：希土類元素）相中にＲ2 ＢａＣｕＯ5（２１１）相が微細に分散した酸化物超電導体の製造方法として、前駆体を２１１相と液相とからなる半溶融状態としてから所定の温度まで冷却した後、Ｒ元素を置換した種結晶を用いシーディングを行い、その後除冷することにより結晶を成長させることが記載されているものの、Ｒ元素がＳｍ又はＮｄの酸化物超伝導体を製造すること、及び、酸化物超伝導体にＡｇを含有させることについて記載がない。
　してみると、甲第４号証ないし甲第８号証のいずれにも、ＲＥがＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5相が微細に分散した酸化物超電導体において、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中のＡｇの含有量を１０〜３０ｗｔ％とし、さらに少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれを±５゜以下とすることは記載されていないから、これら甲第４号証ないし甲第８号証は上記の結論に影響を及ぼすものではない。
（２）本件発明２について
　本件発明２は、請求項１を引用したものであるから、少なくとも上記（１）で述べた点において刊行物１に記載された物の発明と相違する。
　そして、相違点の判断については上記（１）で述べたとおりであるから、本件発明２は、本件発明１と同様、刊行物１ないし３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
（３）本件発明３について
　上記（１）でＡｇ含有量について述べたと同様、刊行物１の記載事項１−ニ及びルからみて、刊行物１に記載された希土類系酸化物超電導体製造方法における成形体へのＡｇ添加量は１０ｗｔ％より少ない量であると認められる。
　よって、刊行物１の記載事項１−イ、ロ、ニ、ホ、ヘ、ト、チ、及びルからみて、刊行物１には、
「RE化合物（REはＹ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹｂからなる群のなかの少なくとも一元素）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む成形体に、少なくとも該成形体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する希土類系酸化物超電導体の製造方法において、上記成形体にＡｇを１０ｗｔ％より少ない量添加する添加工程と、Ａｇを添加した成形体に、この成形体の希土類系酸化物超電導体より融点の高い希土類系酸化物超電導体の単結晶を種結晶として接触配置し、次いで種結晶の融点と成形体の融点の中間の温度にまで加熱し、該成形体を固相のRE2BaCuO5と液相とに分解溶融する温度にし、次いで徐冷することにより、種結晶より結晶成長をさせる結晶化工程とを有する希土類系酸化物超電導体の製造方法。」
という方法の発明が記載されている。
　本件発明３（前者）と刊行物１に記載された方法の発明（後者）とを対比すると、後者における「成形体」は、前者における「原料混合体」に相当し、後者で云う「この成形体の希土類系酸化物超電導体より融点の高い希土類系酸化物超電導体の単結晶を種結晶」とすることは、「種結晶のREBa2Cu3O7-x相の生成温度＞成形体のREBa2Cu3O7-x相の生成温度」の条件を満たすようにすることと同義であることは技術常識からみて明らかであるから、両者は、
「ＲＥ化合物、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体にＡｇを添加する添加工程と、
　種結晶のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相の生成温度＞ Ａｇを添加した該原料混合体のＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相の生成温度
の条件を満たす種結晶を用い、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。」
で一致するものの、以下の３点で相違する。
（iv）ＲＥが、前者はＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるのに対し、後者はＹ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹｂからなる群のなかの少なくとも一元素である点。
（ｖ）原料混合体に、前者はＡｇを１０〜３０ｗｔ添加するのに対し、後者は１０ｗｔ％より少ない量添加する点。
（vi）前者は、原料混合体をＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相が晶出する温度付近まで降温して、種結晶を接触させるのに対し、後者は、まず、原料混合体に種結晶を接触配置し、次いで原料混合体をＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相と液層に分解溶融する温度以上で融解する点。
　そこで、相違点ivないしviについて、まとめて検討する。
　まず、本件発明３は、少なくとも原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥがＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、原料混合体へのＡｇの添加量を１０〜３０ｗｔ％とし、Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相が晶出する温度付近まで降温して、種結晶を接触させる結晶化工程を採用したことにより、即ち相違点ivないしviに係る本件発明３を特定する事項を共に備えたことにより、超電導体に転移する臨界温度が高く、応用上重要な臨界電流密度も１Ｔ付近の高磁場側で高く、しかも磁気反発力の大きな酸化物超電導体を製造することができるという効果を奏するものである。
　これに対して、刊行物２には、エピタキシャル成長法で形成したＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜バイクリスタルについて記載されているだけであり、刊行物３には、ＲＥがＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X を母相とする酸化物超電導体は記載されているものの、Ａｇを添加することや結晶化工程における種結晶の接触のタイミングについて何らの記載もなく、結局、刊行物２及び３には、上記相違点ivないしviに係る本件発明３を特定する事項は記載も示唆もされていない。
　よって、当業者といえども、刊行物１に記載された発明に上記の如き刊行物２及び３に記載された事項を組み合わせて、上記相違点ivないしviに係る本件発明３を特定する事項を容易に想到し得たとは認められない。
　してみると、本件発明３は、刊行物１ないし３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
　なお、異議申立人が提出した甲第４号証ないし甲第８号証を検討しても、上述のとおりであり、これらのいずれにも、少なくとも原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥがＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物であるＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、原料混合体へのＡｇの添加量を１０〜３０ｗｔ％とし、Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相が晶出する温度付近まで降温して、種結晶を接触させる結晶化工程を採用することは記載されていないから、これら甲第４号証ないし甲第８号証は上記の結論に影響を及ぼすものではない。
（４）本件発明４及び５について
　本件発明４及び５は、何れも請求項３を直接的に、又は間接的に引用したものであるから、少なくとも上記（３）で述べた点において刊行物１に記載された方法の発明と相違する。
　そして、上記相違点についての判断は上記（３）で述べたとおりであるから、本件発明４及び５は、いずれも、本件発明３と同様、刊行物１ないし３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明１ないし５の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし５の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１４年１１月１５日（２００２．１１．１５）
【訂正の要旨】
ａ．特許請求の範囲を
「【請求項１】　ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）中にＲＥ２ＢａＣｕＯ５相が微細に分散した酸化物超電導体において、少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±５°以下であり、かつＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＡｇを１０〜３０ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体。
　【請求項２】　請求項１に記載の酸化物超電導体において、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各元素の１種又は２種以上を０．０５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体。
　【請求項３】　ＲＥ化合物（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体にＡｇを１０〜３０ｗｔ％添加する添加工程と、Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ２ＢａＣｕＯ５相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相が晶出する温度付近まで降温して、
　種結晶のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度＞　Ａｇを添加した該原料混合体のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度
の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
　【請求項４】　請求項３に記載の酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体に、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各金属又は各化合物の１種又は２種以上の元素を０．０５〜５ｗｔ％添加することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
　【請求項５】　請求項３、４の何れかに記載の酸化物超電導体の製造方法において、上記結晶化工程で、酸素分圧をＰＯ２　＝２×１０−１〜１×１０−４とすることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。」と訂正する。
ｂ．【０００６】〜【０００７】段落を、
「【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物超電導体は、
（構成１）ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）中にＲＥ２ＢａＣｕＯ５相が微細に分散した酸化物超電導体において、少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±５°以下であり、かつＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＡｇを１０〜３０ｗｔ％含むことを特徴とする構成とし、構成１の態様として、（構成２）前記酸化物超電導体は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各元素の１種又は２種以上を０．０５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする構成としたものである。
　【０００７】
　また、本発明に係る酸化物超電導体の製造方法は、
（構成３）ＲＥ化合物（ＲＥはＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体にＡｇを１０〜３０ｗｔ％添加する添加工程と、Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ２ＢａＣｕＯ５相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相が晶出する温度付近まで降温して、
　種結晶のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度＞Ａｇを添加した該原料混合体のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度
の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有する構成とし、構成３の態様として、
（構成４）前記酸化物超電導体の製造方法は、上記原料混合体に、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各金属又は各化合物の１種又は２種以上の元素を０．０５〜５ｗｔ％添加することを特徴とする構成とし、構成３〜４の何れかの態様として、
（構成５）前記酸化物超電導体の製造方法は、上記結晶化工程で、酸素分圧をＰＯ２　＝２×１０−１〜１×１０−４とすることを特徴とする構成としたものである。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
Ａｇを含み結晶方位の揃った酸化物超電導体及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相（ＲＥは
Ｓｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物
　少なくとも縦横２０ｍｍ厚さ２ｍｍ以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±５°以下であり、
　かつＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＡｇを
１０〜３０ｗｔ％
　【請求項２】　
請求項１
　Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各元素の１種又は２種以上を０．０５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体。
　【請求項３】　ＲＥ化合物（ＲＥは
Ｓｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物
　上記原料混合体にＡｇを
１０〜３０ｗｔ％
　Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ２ＢａＣｕＯ５相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相が晶出する温度付近まで降温して、
　種結晶のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度＞　Ａｇを添加した該原料混合体のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度
　の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
　【請求項４】　
請求項３
　上記原料混合体に、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各金属又は各化合物の１種又は２種以上の元素を０．０５〜５ｗｔ％添加することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
　【請求項５】　
請求項３、４
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、磁気特性、機械強度及び耐環境性に優れた酸化物超電導体及びその製造方法に関し、電流リード、磁気軸受け、磁気シールド、バルクマグネット等に適用し得るものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＲＥ化合物（ＲＥはＹを含む１種又は２種以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体を、該原料混合体の融点以上に加熱融解した後、種結晶を接触させて種結晶から結晶を成長させ、ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する製造方法としては、例えば、特開平５−１９３９３９号公報に記載の方法が知られている。この公報に記載の方法は、種結晶として、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相（１２３相）を有する種結晶を用いるものである。この方法は、種結晶の「１２３相」を構成するＲＥ元素と製造すべき超伝導体の「１２３相」を構成するＲＥ元素とを異ならしめて、その組み合わせを選定することによって、種結晶の「１２３相」の生成温度が、製造すべき超伝導体の「１２３」相の生成温度よりも高くなるようにして、種結晶による結晶成長を可能にしたものである。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、上述の従来の方法では、種結晶の「１２３」相生成温度が製造すべき超伝導体の「１２３相」の生成温度よりも高くなるようにＲＥ元素を選定する必要がある。なぜなら、この材料は結晶化後に酸素の出入りによって格子が縮み、ｃ軸に垂直にマイクロクラックが発生するため、長い種結晶を切り出すことが困難であり、結晶化温度に大きな差を加えないと種結晶が溶融してしまうためである。したがって、必然的にこの方法は、「１２３相」の生成温度が一番高いＲＥ元素を構成要素とする超伝導体を製造する場合には適用できない。これより高い生成温度の「１２３相」を有する種結晶を用意することができないからである。
　【０００４】
　また、「１２３」相の生成温度が一番高いＲＥ元素を構成要素とする超伝導体を製造する場合にも、「１２３相」の生成温度が一番高いＲＥ元素を構成要素とする種結晶との生成温度の差が小さくなるため、この生成温度の差を利用する効果が得られなかった。
　【０００５】
　本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、「１２３相」の生成温度がより高い場合にも種結晶を用いた方法を適用可能にして、これにより、磁気特性に優れた大きく配向した酸化物超伝導体を提供することを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物超電導体は、
　（構成１）ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相（ＲＥは
Ｓｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物
１０〜３０ｗｔ％
　
（構成２）
　【０００７】
　また、本発明に係る酸化物超電導体の製造方法は、
　
（構成３）
Ｓｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物
１０〜３０ｗｔ％
　種結晶のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度＞　Ａｇを添加した該原料混合体のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度
　の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有する構成とし、
構成３
　
（構成４）
構成３〜４
　
（構成５）
　【０００８】
　ＲＥ化合物（ＲＥはＹを含む１種又は２種以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造すると、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中に０．１〜３０μ程度のＲＥ２ＢａＣｕＯ５相が微細に分散し、臨界電流密度を高めることができる。
　【０００９】
　また、Ａｇが結晶中に微細に分散するとマイクロクラックが減少して、磁気特性、機械強度、耐水性が向上する。この際Ａｇが１ｗｔ％より下では効果が低く、３０ｗｔ％より多く添加しても結晶中に入らず、結晶粒界に析出してしまう。
　【００１０】
　また、それぞれのＲＥ元素を構成要素とした場合の「１２３相」の生成温度は図２の表に示した値になる。
　【００１１】
　さらに、Ａｇの金属もしくは化合物粉末を添加すると、ＲＥ元素の種類に関係なく、Ａｇを添加していない場合（それぞれのＲＥ元素の図２に示した生成温度）を基準として「１２３相の」生成温度が図１に示したように変化することが発明者らによって見出された。
　【００１２】
　このことから、それぞれのＲＥ元素とＡｇ添加量に対応する結晶化温度よりやや高い温度で種結晶を接触させて、その後、この結晶化温度付近で温度を保持、あるいは結晶化温度付近から徐冷することによって、種結晶から結晶成長が起こり、Ａｇが微細に分散して且つ配向した結晶を大きく成長させることが可能になった。
　【００１３】
　さらに、この効果を利用して、育成する結晶にＡｇを添加して結晶化温度を下げることにより，Ａｇを添加していないＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の種結晶との結晶化温度の差を大きくすることができるようになり「１２３相」の生成温度の高いＲＥ元素を構成要素とするＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体の大きく配向した結晶が得られるようになった。
　【００１４】
　さらに、ＲＥ元素としてＳｍ又はＮｄの何れか一方、もしくは双方の混合物を用いると、他の希土類元素を用いた場合に比べて結晶の成長速度が早くなるため、生産コストが低減できる。また、他の希土類元素に比べて、イオン半径の大きいＳｍやＮｄ元素を構成元素とした方が、超伝導体に転移する臨界温度が高くなり、応用上重要な臨海電流密度も１Ｔ付近の高磁場側で高くなる。
　【００１５】
　なお、Ｐｔは超電導体を形成するための原料混合体を作成する処理を行う際に、白金坩堝等から混入することがあるが、Ｐｔが０．０５〜５ｗｔ％の範囲で含まれていると、ＲＥ２ＢａＣｕＯ５相が微細になり高特性を示すことが確認している。また、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓとＲｅの各金属又は各化合物を０．０５〜５ｗｔ％の範囲で添加した場合も、同様の高特性を持つ酸化物超電導体が得られるを確認している。
　【００１６】
　また、結晶化を行う際に酸素分圧をＰＯ２＝２×１０−１〜１×１０−４ａｔｍとすることにより、希土類元素がＢａサイトに置換されることが抑えられて、臨界電流密度や臨界温度等の特性が向上することを確認できた。
　【００１７】
　【発明の実施の形態】
　（実施例１）この実施例は、要するに、酸化物超電導体を形成するための原料混合体を構成するＲＥ化合物のＲＥとしてＹを用い、さらにＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅの各金属粉末をそれぞれ別々に０．５ｗｔ％加えて混合して、混合粉にＡｇ粉を１０ｗｔ％添加して、酸素分圧ＰＯ２＝２×１０−１ａｔｍで結晶化を行った場合の例である。
　【００１８】
　まず、Ｙ２Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＣｕＯの各原料粉末を、組成比がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝２０：２５：３５になるように秤量して、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅの各金属粉末をそれぞれ別々に０．５ｗｔ％加えて混合した。次ぎに、これらの各混合粉を、大気中で、室温から８８０°Ｃまで１０時間かけて昇温して、３０時間保持した後、１０時間かけて室温まで降温して焼成した。この仮焼された混合粉に平均粒径１μｍのＡｇ粉末を１０ｗｔ％添加してライカイ機により混合粉砕して、混合粉の平均粒径を約２０μｍにした。次いで、この粉砕した混合粉を、外径５０ｍｍ、厚さ２０ｍｍのディスク状にプレス成形して超電導体を形成するための原料混合体である成形体を作製した。
　【００１９】
　次に、この成形体をアルミナ基板上に乗せて、酸素分圧ＰＯ２＝２×１０−１ａｔｍ中、１１３０°Ｃの温度領域に加熱して半融解状態にした後、成形体の上部が低温側となるように上下に５°Ｃ／ｃｍの温度勾配を加えて１°Ｃ／ｈｒの速度で９００°Ｃまで降温して、あらかじめ作製しておいたＡｇを含まないＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＹ２ＢａＣｕＯ５相が組成比で１：０．４で分散した種結晶を成長方向がｃ軸と平行になるように成形体の上部に接触させた。次に１°Ｃ／ｈｒの速度で８５０°Ｃまで徐冷して、そこから室温まで１０°Ｃ／ｈｒの速度で降温することによって結晶化を行った。
　【００２０】
　そして、結晶化させた成形体をガス置換可能な炉の中に設置してから、ロータリーポンプで炉内を０．１Ｔｏｒｒまで減圧した後で、酸素ガスを炉内に流し込み、炉内を酸素分圧が９５％以上の大気圧雰囲気にした。その後、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で酸素ガスを炉内に流し込みながら、炉内を室温から６００°Ｃまで１０時間かけて昇温して、６００°Ｃから３００°Ｃまで２００時間かけて徐冷して、３００°Ｃから室温まで１０時間かけて降温して超電導体試料を作製した。
　【００２１】
　このようにして得られた超電導体試料を切断して断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中に０．１〜３０μｍのＹ２ＢａＣｕＯ５相及び０．１〜１００μｍ程度のＡｇ粒子が微細に分散していて、マイクロクラックがほとんど発生していないことが分かった。また、この超電導体試料は、種結晶を反映して試料全体がｃ軸に配向していて、隣接する結晶間の方位のずれが±５°以下である実質的に単結晶状になっていた。
　【００２２】
　また、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅをそれぞれ添加したディスク状超電導体試料の臨界温度（Ｔｃ）を測定したところ、どれも９０Ｋであった。
　【００２３】
　さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅをそれぞれ添加したディスク状超電導体試料の温度７７Ｋ、外部磁場１Ｔにおける臨界電流密度を測定した。このとき測定した臨界電流密度の値を図３に示す。図３に示したように、何れの臨界電流密度も、Ａｇによりマイクロクラックが抑制されて高い値を示していた。
　【００２４】
　また、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅをそれぞれ添加したディスク状超電導体試料の、応用上重要な特性である磁石（表面最大磁束密度０．５３Ｔ、外形φ２５ｍｍ、厚さ５０ｍｍ）との磁気反発力を測定したところ、測定温度７７Ｋ、間隔０．１ｍｍにおいて、図４に示すような強い磁気反発力特性を示した。
　【００２５】
　また、図５に各実施例と比較例の臨界温度と臨界電流密度、磁気反発力を比較するために、実施例１での各測定結果を示す。なお、図５に示した実施例１の値は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒをそれぞれ添加した場合の測定値である。
　【００２６】
　（実施例２）この実施例は、要するに、酸化物超電導体を形成するための原料混合体を構成するＲＥ化合物のＲＥとしてＳｍを用い、さらにＡｇ粉を１０ｗｔ％添加して、酸素分圧ＰＯ２＝１×１０−２ａｔｍで結晶化を行った場合の例である。
　【００２７】
　まず、Ｓｍ２Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＣｕＯの各原料粉末を、組成比がＳｍ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３４になるように秤量して、ＢａＣＯ３、ＣｕＯのみをＰｔ坩堝中で、９５０°Ｃで２時間焼成して、ＢａＣｕＯ２とＣｕＯの仮焼粉を得た（モル比でＢａＣｕＯ２：ＣｕＯ＝２４：１０）。次にこの仮焼粉をポットミルを用いて粉砕して、仮焼粉の平均粒径を約２μｍとした後、あらかじめ秤量しておいた平均粒径約１ｍｍのＳｍ２Ｏ３と混合した。さらに平均粒径１μｍのＡｇ粉末を１０ｗｔ％添加して混合した。次いで、この粉砕した混合粉を、外径５０ｍｍ、厚さ２０ｍｍのディスク状にプレス成形して超電導体を形成するための原料混合体である成形体を作製した。
　【００２８】
　次に、この成形体をアルミナ基板上に乗せて、酸素分圧ＰＯ２＝１×１０−２ａｔｍ中、１１５０°Ｃの温度領域に加熱して半融解状態にした後、成形体の上部が低温側となるように上下に５°Ｃ／ｃｍの温度勾配を加えて成形体の上部が１０２０°Ｃになるまで１０°Ｃ／ｍｉｎの速度で降温した。ここで、あらかじめ作製しておいたＡｇを含まないＮｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＮｄ４Ｂａ２Ｃｕ２Ｏ１０相が組成比で１：０．２で分散した種結晶を成長方向がｃ軸と平行になるように成形体の上部に接触させた。次に１°Ｃ／ｈｒの速度で９００°Ｃまで徐冷して、そこから室温まで１０°Ｃ／ｈｒの速度で降温することによって結晶化を行った。
　【００２９】
　そして、結晶化させた成形体をガス置換可能な炉の中に設置してから、ロータリーポンプで炉内を０．１Ｔｏｒｒまで減圧した後で、酸素ガスを炉内に流し込み、炉内を酸素分圧が９５％以上の大気圧雰囲気にした。その後、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で酸素ガスを炉内に流し込みながら、炉内を室温から６００°Ｃまで１０時間かけて昇温して、６００°Ｃから３００°Ｃまで２００時間かけて徐冷して、３００°Ｃから室温まで１０時間かけて降温して超電導体試料を作製した。
　【００３０】
　このようにして得られた超電導体試料を切断して断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ＳｍＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中に０．１〜３０μｍのＳｍ２ＢａＣｕＯ５相及び０．１〜１００μｍ程度のＡｇ粒子が微細に分散していて、マイクロクラックがほとんど発生していないことが分かった。また、この超電導体試料は、種結晶を反映して試料全体がｃ軸に配向していて、隣接する結晶間の方位のずれが±５°以下である実質的に単結晶状になっていた。
　【００３１】
　また、得られた超電導体試料の臨界温度（Ｔｃ）を測定したところ、９２Ｋであった。さらに、超電導体試料の温度７７Ｋ、外部磁場１Ｔにおける臨界電流密度を測定したところ２．５×１０　４Ａ／ｃｍ２であった。
　【００３２】
　また、超電導体試料の、応用上重要な特性である磁石（表面最大磁束密度０．５３Ｔ、外形φ２５ｍｍ、厚さ５０ｍｍ）との磁気反発力を測定したところ、測定温度７７Ｋ、間隔０．１ｍｍにおいて、１４Ｋｇ・ｆの強い磁気反発力特性を示した。
　【００３３】
　図５に実施例２の超伝導体試料に係る臨界温度と臨界電流密度、磁気反発力の各測定結果を示す。
　【００３４】
　（実施例３）この実施例は、要するに、酸化物超電導体を形成するための原料混合体を構成するＲＥ化合物のＲＥとしてＳｍを用い、さらにＡｇ粉を２０ｗｔ％添加して、酸素分圧ＰＯ２＝１×１０−２ａｔｍで結晶化を行った場合の例である。
　【００３５】
　まず、Ｓｍ２Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＣｕＯの各原料粉末を、組成比がＳｍ：Ｂａ：Ｃｕ＝２０：２５：３５になるように秤量した後混合して、Ｐｔ坩堝中で、１４００°Ｃで３０分間溶融して銅板に流し込み急冷して凝固させた。この凝固体にＡｇ粉末を２０ｗｔ％添加してポットミルを用いて平均粒径２μｍに粉砕して、混合を行った。次いで、この粉砕した混合粉を、外径５０ｍｍ、厚さ２０ｍｍのディスク状にプレス成形して超電導体を形成するための原料混合体である成形体を作製した。
　【００３６】
　次に、この成形体をアルミナ基板上に乗せて、酸素分圧ＰＯ２＝１×１０−２ａｔｍ中、１１５０°Ｃの温度領域に加熱して半融解状態にした後、成形体の上部が低温側となるように上下に５°Ｃ／ｃｍの温度勾配を加えて成形体の上部が１０１８°Ｃになるまで１０°Ｃ／ｍｉｎの速度で降温した。ここで、あらかじめ作製しておいたＡｇを含まないＳｍＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＳｍ２ＢａＣｕＯ５相が組成比で１：０．４で分散した種結晶を成長方向がｃ軸と平行になるように成形体の上部に接触させた。次に１°Ｃ／ｈｒの速度で９００°Ｃまで徐冷して、そこから室温まで１０°Ｃ／ｈｒの速度で降温することによって結晶化を行った。
　【００３７】
　そして、結晶化させた成形体をガス置換可能な炉の中に設置してから、ロータリーポンプで炉内を０．１Ｔｏｒｒまで減圧した後で、酸素ガスを炉内に流し込み、炉内を酸素分圧が９５％以上の大気圧雰囲気にした。その後、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で酸素ガスを炉内に流し込みながら、炉内を室温から６００°Ｃまで１０時間かけて昇温して、６００°Ｃから３００°Ｃまで１００時間かけて徐冷して、３００°Ｃから室温まで１０時間かけて降温して超電導体試料を作製した。
　【００３８】
　このようにして得られた超電導体試料を切断して断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ＳｍＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中に０．１〜３０μｍのＳｍ２ＢａＣｕＯ５相及び０．１〜１００μｍ程度のＡｇ粒子が微細に分散していて、マイクロクラックがほとんど発生していないことが分かった。また、この超電導体試料は、種結晶を反映して試料全体がｃ軸に配向していて、隣接する結晶間の方位のずれが±５°以下である実質的に単結晶状になっていた。
　【００３９】
　また、得られた超電導体試料の臨界温度（Ｔｃ）を測定したところ、９２Ｋであった。さらに、超電導体試料の温度７７Ｋ、外部磁場１Ｔにおける臨界電流密度を測定したところ２．５×１０　４Ａ／ｃｍ２であった。
　【００４０】
　また、超電導体試料の、応用上重要な特性である磁石（表面最大磁束密度０．５３Ｔ、外形φ２５ｍｍ、厚さ５０ｍｍ）との磁気反発力を測定したところ、測定温度７７Ｋ、間隔０．１ｍｍにおいて、１４Ｋｇ・ｆの強い磁気反発力特性を示した。
　【００４１】
　図５に実施例３の超伝導体試料に係る臨界温度と臨界電流密度、磁気反発力の各測定結果を示す。
　【００４２】
　（実施例４）この実施例は、要するに、酸化物超電導体を形成するための原料混合体を構成するＲＥ化合物のＲＥとしてＮｄを用い、さらにＡｇ粉を１５ｗｔ％添加して、酸素分圧ＰＯ２＝１×１０−２ａｔｍで結晶化を行った場合の例である。
　【００４３】
　まず、Ｎｄ２Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＣｕＯの各原料粉末を、組成比がＮｄ：Ｂａ：Ｃｕ＝１．８：２．４：３．４になるように秤量して、ＢａＣＯ３、ＣｕＯのみを、８８０°Ｃで３０時間焼成して、ＢａＣｕＯ２とＣｕＯの仮焼粉を得た（モル比でＢａＣｕＯ２：ＣｕＯ＝２．４：１．０）。次にこの仮焼粉にあらかじめ秤量しておいたＮｄ２Ｏ３と０．５ｗｔ％のＰｔ粉末、１０ｗｔ％のＡｇ粉末を加えて、ポットミルを用いて粉砕混合して、平均粒径を約３μｍの混合粉とした。次いで、この粉砕した混合粉を、外径５０ｍｍ、厚さ２０ｍｍのディスク状にプレス成形して超電導体を形成するための原料混合体である成形体を作製した。
　【００４４】
　次に、この成形体をアルミナ基板上に乗せて、酸素分圧ＰＯ２＝１×１０−２ａｔｍ中、１１３０°Ｃの温度領域に加熱して半融解状態にした後、成形体の上部が低温側となるように上下に５°Ｃ／ｃｍの温度勾配を加えて成形体の上部が１０３０°Ｃになるまで１０°Ｃ／ｍｉｎの速度で降温した。ここで、あらかじめ作製しておいたＡｇを含まないＮｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＮｄ４Ｂａ２Ｃｕ２Ｏ１０相が組成比で１：０．２で分散した種結晶を成長方向がｃ軸と平行になるように成形体の上部に接触させた。次に１°Ｃ／ｈｒの速度で９００°Ｃまで徐冷して、そこから室温まで１０°Ｃ／ｈｒの速度で降温することによって結晶化を行った。
　【００４５】
　そして、結晶化させた成形体をガス置換可能な炉の中に設置してから、ロータリーポンプで炉内を０．１Ｔｏｒｒまで減圧した後で、酸素ガスを炉内に流し込み、炉内を酸素分圧が９５％以上の大気圧雰囲気にした。その後、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で酸素ガスを炉内に流し込みながら、炉内を室温から６００°Ｃまで１０時間かけて昇温して、６００°Ｃから３００°Ｃまで１００時間かけて徐冷して、３００°Ｃから室温まで１０時間かけて降温して超電導体試料を作製した。
　【００４６】
　このようにして得られた超電導体試料を切断して断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ＮｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中に０．１〜３０μｍのＮｄ４Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ１０相及び０．１〜１００μｍ程度のＡｇ粒子が微細に分散していて、マイクロクラックがほとんど発生していないことが分かった。また、この超電導体試料は、種結晶を反映して試料全体がｃ軸に配向していて、隣接する結晶間の方位のずれが±５°以下である実質的に単結晶状になっていた。
　【００４７】
　また、得られた超電導体試料の臨界温度（Ｔｃ）を測定したところ、９４Ｋであった。さらに、超電導体試料の温度７７Ｋ、外部磁場１Ｔにおける臨界電流密度を測定したところ２．６×１０　４Ａ／ｃｍ２であった。
　【００４８】
　また、超電導体試料の、応用上重要な特性である磁石（表面最大磁束密度０．５３Ｔ、外形φ２５ｍｍ、厚さ５０ｍｍ）との磁気反発力を測定したところ、測定温度７７Ｋ、間隔０．１ｍｍにおいて、１４Ｋｇ・ｆの強い磁気反発力特性を示した。
　【００４９】
　図５に実施例４の超伝導体試料に係る臨界温度と臨界電流密度、磁気反発力の各測定結果を示す。
　【００５０】
　（比較例１）次に、酸化物超電導体を形成するための原料混合体を構成するＲＥ化合物のＲＥとして、Ｙを用い、Ａｇを添加せずに、大気中で結晶化を行った場合を比較例１として説明する。
　【００５１】
　まず、Ｙ２Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＣｕＯの各原料粉末を、組成比がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３４になるように秤量した後混合して、Ｐｔ坩堝中で、１４００°Ｃで３０分間溶融して銅板に流し込み急冷して凝固させた。この凝固体をポットミルを用いて平均粒径２μｍに粉砕した。次いで、この粉砕した混合粉を、外径５０ｍｍ、厚さ２０ｍｍのディスク状にプレス成形して超電導体を形成するための原料混合体である成形体を作製した。
　【００５２】
　次に、この成形体をアルミナ基板上に乗せて、大気中で、１１３０°Ｃの温度領域に加熱して半融解状態にした後、成形体の上部が低温側となるように上下に５°Ｃ／ｃｍの温度勾配を加えて１０°Ｃ／ｈｒの速度で１０００°Ｃまで降温して、あらかじめ作製しておいたＡｇを含まないＳｍＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＳｍ２ＢａＣｕＯ５相が組成比で１：０．４で分散した種結晶を成長方向がｃ軸と平行になるように成形体の上部に接触させた。次に１°Ｃ／ｈｒの速度で８５０°Ｃまで徐冷して、そこから室温まで１０°Ｃ／ｈｒの速度で降温することによって結晶化を行った。
　【００５３】
　そして、結晶化させた成形体をガス置換可能な炉の中に設置してから、ロータリーポンプで炉内を０．１Ｔｏｒｒまで減圧した後で、酸素ガスを炉内に流し込み、炉内を酸素分圧が９５％以上の大気圧雰囲気にした。その後、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で酸素ガスを炉内に流し込みながら、炉内を室温から６００°Ｃまで１０時間かけて昇温して、６００°Ｃから３００°Ｃまで１００時間かけて徐冷して、３００°Ｃから室温まで１０時間かけて降温して超電導体試料を作製した。
　【００５４】
　このようにして得られた超電導体試料を切断して断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中に０．１〜３０μｍのＹ２ＢａＣｕＯ５相が微細に分散していて、種結晶を反映して試料全体がｃ軸に配向していて、隣接する結晶間の方位のずれが±５°以下である実質的に単結晶状になっていることが分かった。しかしながら、この超電導体試料には、マイクロクラックがいくつか発生していた。
　【００５５】
　また、得られた超電導体試料の臨界温度（Ｔｃ）を測定したところ、９０Ｋであった。さらに、超電導体試料の温度７７Ｋ、外部磁場１Ｔにおける臨界電流密度を測定したところ１．７×１０　４Ａ／ｃｍ２であった。
　【００５６】
　また、超電導体試料の、応用上重要な特性である磁石（表面最大磁束密度０．５３Ｔ、外形φ２５ｍｍ、厚さ５０ｍｍ）との磁気反発力を測定したところ、測定温度７７Ｋ、間隔０．１ｍｍにおいて、９Ｋｇ・ｆであった。
　【００５７】
　図５に比較例１の超伝導体試料に係る臨界温度と臨界電流密度、磁気反発力の各測定結果を示す。
　【００５８】
　（比較例２）次に、酸化物超電導体を形成するための原料混合体を構成するＲＥ化合物のＲＥとして、Ｓｍを用い、Ａｇを添加せずに、酸素分圧ＰＯ２＝１×１０−２ａｔｍで結晶化を行った場合を比較例２として説明する。
　【００５９】
　まず、Ｓｍ２Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＣｕＯの各原料粉末を、組成比がＳｍ：Ｂａ：Ｃｕ＝１．８：２．４：３．４になるように秤量して、ＢａＣＯ３、ＣｕＯのみを、８８０°Ｃで３０分間焼成して、ＢａＣｕＯ２とＣｕＯの仮焼粉を得た（モル比でＢａＣｕＯ２：ＣｕＯ＝２．４：１．０）。次にこの仮焼粉をポットミルを用いて粉砕して、仮焼粉の平均粒径を約３μｍとした後、あらかじめ秤量しておいたＳｍ２Ｏ３と０．５ｗｔ％のＰｔ粉末とを加えて混合した。次いで、この粉砕した混合粉を、外径５０ｍｍ、厚さ２０ｍｍのディスク状にプレス成形して超電導体を形成するための原料混合体である成形体を作製した。
　【００６０】
　次に、この成形体をアルミナ基板上に乗せて、酸素分圧ＰＯ２＝１×１０−２ａｔｍ中、１１５０°Ｃの温度領域に加熱して半融解状態にした後、成形体の上部が低温側となるように上下に５°Ｃ／ｃｍの温度勾配を加えて成形体の上部が１０６０°Ｃになるまで１０°Ｃ／ｍｉｎの速度で降温した。ここで、あらかじめ作製しておいたＡｇを含まないＮｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中にＮｄ４Ｂａ２Ｃｕ２Ｏ１０相が組成比で１：０．２で分散した種結晶を成長方向がｃ軸と平行になるように成形体の上部に接触させた。次に１°Ｃ／ｈｒの速度で９００°Ｃまで徐冷して、そこから室温まで１０°Ｃ／ｈｒの速度で降温することによって結晶化を行った。
　【００６１】
　そして、結晶化させた成形体をガス置換可能な炉の中に設置してから、ロータリーポンプで炉内を０．１Ｔｏｒｒまで減圧した後で、酸素ガスを炉内に流し込み、炉内を酸素分圧が９５％以上の大気圧雰囲気にした。その後、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で酸素ガスを炉内に流し込みながら、炉内を室温から６００°Ｃまで１０時間かけて昇温して、６００°Ｃから３００°Ｃまで１００時間かけて徐冷して、３００°Ｃから室温まで１０時間かけて降温して超電導体試料を作製した。
　【００６２】
　このようにして得られた超電導体試料を切断して断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ＳｍＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相中に０．１〜３０μｍのＳｍ２ＢａＣｕＯ５相が微細に分散していたが、Ｎｄ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系とＳｍ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の「１２３相」生成温度差が１０°Ｃと低いために、種結晶が融けて多結晶体になっていた。
　【００６３】
　また、得られた多結晶体の超電導体試料の単結晶部分を切り出して臨界温度（Ｔｃ）を測定したところ、９２Ｋであった。さらに、この単結晶部分の温度７７Ｋ、外部磁場１Ｔにおける臨界電流密度を測定したところ２．０×１０　４Ａ／ｃｍ２であった。
　【００６４】
　しかしながら、この単結晶部分について、応用上重要な特性である磁石（表面最大磁束密度０．５３Ｔ、外形φ２５ｍｍ、厚さ５０ｍｍ）との磁気反発力を測定したところ、測定温度７７Ｋ、間隔０．１ｍｍにおいて、５Ｋｇ・ｆと低い値であった。
　【００６５】
　図５に比較例１の超伝導体試料に係る臨界温度と臨界電流密度、磁気反発力の各測定結果を示す。
　【００６６】
　なお、上述した実施例では、ＲＥとしてＹ、Ｎｄ、Ｓｍをそれぞれ用いた例を示したが、他の希土類元素を用いて上述した実施例と同様の製造方法で製造した酸化物超電導体も同様の特性を有することが確認できた。
　【００６７】
　さらに、上述した実施例では、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅの金属粉末を用いた例を示したが、これらの元素を含む化合物を添加して製造した酸化物超電導体も同様の特性を有することが確認できた。
　【００６８】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、ＲＥ化合物（ＲＥはＹを含む１種又は２種以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を製造する際に、原料混合体にＡｇを１〜３０ｗｔ％添加して、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相が生成する温度を下げるようにして、Ａｇを添加した該原料混合体をＲＥ２ＢａＣｕＯ５相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相が晶出する温度付近まで降温して、種結晶のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度＞該原料混合体のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点としてた結晶化を行うようにしたので、種結晶を起点としてＡｇが微細に分散した機械強度、磁気特性、環境特性が高い大きな配向をした酸化物超電導体の結晶を製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係るＡｇの添加量とＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度の関係を示すグラフである。
　【図２】
　ＲＥ元素を構成要素とした場合のＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ相の生成温度を表にして示した図である。
　【図３】
　実施例１でＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅを添加して製造した酸化物超伝導体の臨界電流密度を表にして示した図である。
　【図４】
　実施例１でＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅを添加して製造した酸化物超伝導体の磁気反発力を表にして示した図である。
　【図５】
　実施例と比較例で製造した酸化物超伝導体の臨界温度、臨界電流密度、磁気反発力を表にして示した図である。