【手続補正書】
【提出日】平成27年8月4日(2015.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、底面及び側壁を有するシリコン基板を含む発光構成要素と、
前記シリコン基板の前記側壁の少なくとも一部分の上に形成された光反射層と、
前記発光構成要素の少なくとも一部分の上に形成された蛍光体であって、前記発光構成要素により出射された光の一部を吸収し、前記吸収された光の波長と異なる波長の光を出射し、前記発光構成要素により出射された光の一部を反射することが可能な蛍光体と、を備え、
前記光反射層は、前記発光構成要素により出射され、前記蛍光体により反射される光の一部、及び前記蛍光体により出射された光の一部の１つ以上を、前記光反射層により被覆された前記基板の前記側壁の前記一部分により吸収されないようにした発光素子。
【請求項２】
前記シリコン基板の側壁は、前記上面及び前記底面の１つ以上に対して傾斜している請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記光反射層は、可視光スペクトルにおいて不透明である請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記光反射層は、金属層を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項５】
前記光反射層は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された金属層と、を備える請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項６】
前記光反射層は、シリコーンと、チタン酸化物と、を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項７】
前記光反射層は、前記シリコン基板の全ての前記側壁を被覆する請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項８】
前記発光構成要素を載置するホルダーを更に備え、
前記光反射層は、前記ホルダー上を除いて前記シリコン基板の全ての前記側壁上に形成される請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項９】
前記発光構成要素を載置するホルダーを更に備え、
前記光反射層は、１）前記シリコン基板の全ての前記側壁上と、２）前記ホルダーの一部分上と、に形成される請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記発光構成要素は、前記シリコン基板上に形成される請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記発光構成要素は、前記シリコン基板に取り付けられる請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記発光構成要素は、式：ＩｎｉＧａｊＡｌｋＮ（式中、０≦ｉ、０≦ｊ、０≦ｋ及びｉ＋ｊ＋ｋ＝ｌ）により表される窒化物化合物半導体を含む請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記蛍光体は、１）Ｙ、Ｌｕ、Ｓｅ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択される少なくとも１つの要素と、２）Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１つの要素と、を含み、セリウムにより活性化されているガーネット蛍光材料を含有する請求項１〜１２のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記蛍光体は、５３０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長範囲内にピークエネルギーを有する光を出射することが可能なガーネット蛍光材料と、赤色光を出射することが可能な第２の蛍光体と、を含む、複数の異なる蛍光体の混合物である請求項１〜１２のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１５】
前記蛍光体は、複数の異なる蛍光体の混合物であって、
前記混合物は、前記発光構成要素及び前記蛍光体の光を混合した所定の色の光を生じるように選択される請求項１〜１２のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記蛍光体は、イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体及びルテチウムアルミニウムガーネット蛍光体の１つ以上を含む請求項１〜１２のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記発光構成要素は、４２０ｎｍ〜４９０ｎｍの波長範囲にピークエネルギーを有する光を出射する請求項１〜１３、１５および１６のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１８】
発光構成要素を準備し、
前記発光構成要素を上面、底面及び側壁を含むシリコン基板に取り付け、
前記シリコン基板の前記側壁の少なくとも一部分の上に光反射層を形成し、
前記発光構成要素の少なくとも一部分の上に、前記発光構成要素により出射された光の一部を吸収し、前記吸収された光の波長と異なる波長の光を出射し、前記発光構成要素により出射された光の一部を反射することが可能な蛍光体を形成し、
前記光反射層は、１）前記発光構成要素により出射され、前記蛍光体により反射される光の一部分と、２）前記蛍光体により出射された光の一部分と、を、前記光反射層により被覆された前記基板の前記側壁の前記一部分により吸収されないようにする発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記光反射層の形成は、シリコーン及びＴｉＯ２を含む層を形成することを含む請求項１８記載の発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記光反射層の形成は、全ての前記側壁を金属で被覆することを含む請求項１８記載の発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記光反射層の形成は、前記シリコン基板の全ての前記側壁を被覆することを含む請求項１８または１９に記載の発光素子の製造方法。
【請求項２２】
前記発光構成要素をホルダーに載置することを更に含み、
前記光反射層は、前記ホルダー上を除いて前記基板の全ての前記側壁上に形成される請求項１８または１９に記載の発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記発光構成要素をホルダーに載置することを更に含み、
前記光反射層は、１）前記基板の全ての前記側壁上と、２）前記ホルダーの一部分上と、に形成される請求項１８または１９に記載の発光素子の製造方法。
【請求項２４】
前記発光構成要素を第２のシリコン基板上に形成することを更に含む請求項１８〜２３のいずれか１つに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２５】
前記蛍光体の形成は、１）Ｙ、Ｌｕ、Ｓｅ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択される少なくとも１つの要素と、２）Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１つの要素と、を含み、かつセリウムにより活性化されているガーネット蛍光材料を形成することを含む請求項１８〜２４のいずれか１つに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２６】
前記蛍光体の形成は、１）Ｙ、Ｌｕ、Ｓｅ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択される少なくとも１つの要素と、２）Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選択される少なくとも１つの要素と、を含み、かつセリウムにより活性化されているガーネット蛍光材料を形成することを含む請求項１８〜２４のいずれか１つ記載の発光素子の製造方法。
【請求項２７】
前記光反射層を形成した後で、前記発光構成要素を個片化することをさらに含み、
前記発光構成要素を前記シリコン基板に取り付けることは、複数の発光構成要素をその上に形成したウェーハをキャリア上に配置することを含む請求項１８〜２６のいずれか１つに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２８】
前記発光構成要素を個片化する前に、マスクされた前記シリコン基板上で湿式エッチングを行い、前記シリコン基板に傾斜した側壁を形成する請求項２７記載の発光素子の製造方法。
【請求項２９】
前記発光構成要素の個片化は、前記キャリアを拡張し、前記傾斜した側壁により画されたエッジに沿って前記シリコンウェーハを破断する請求項２８記載の発光素子の製造方法。
【請求項３０】
前記光反射層の形成は、前記傾斜した側壁上に反射性材料を堆積することを含む請求項２８または２９に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３１】
前記反射性絶縁材料の堆積は、前記シリコン基板の前記上面または前記低面の全体に前記反射性材料を堆積することを含む請求項３０記載の発光素子の製造方法。
【請求項３２】
前記反射性材料の堆積は、絶縁層を堆積し、前記絶縁層上に金属材料の層を堆積することを含む請求項３０または３１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３３】
前記光反射層の形成は、不透明層の形成を含む請求項１８〜３２のいずれか１つに記載の発光素子の製造方法。
【請求項３４】
前記光反射層の形成は、金属層の形成を含む請求項１８記載の発光素子の製造方法。
【請求項３５】
前記光反射層の形成は、前記シリコン基板の前記傾斜した側壁の全てを被覆することを含む請求項２８〜３２のいずれか１つに記載の発光素子の製造方法。
【請求項３６】
前記発光構成要素をホルダーに載置することをさらに含み、
前記光反射層は、前記シリコン基板の全ての前記傾斜した側壁上に形成され、前記ホルダー上には形成されない請求項２８〜３２のいずれか１つに記載の発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子およびその製造方法