【事件の表示】
　特許第３４４０７６９号「ウェーハアダプタ」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４４０７６９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．本件発明
　本件特許第３４４０７６９号（平成９年６月３０日出願、平成１５年６月２０日設定登録）の請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】　エピタキシャル成長テスト、エピタキシャル成長中またはエピタキシャル成長炉内での各種モニタリングに使用され、エピタキシャルウェーハと略同一径でＳｉＣ製のウェーハアダプタであって、
　その表面に、テスト用小径ウェーハが搭載される円形の搭載ポケットが設けられたウェーハアダプタ。
　　【請求項２】　エピタキシャル成長テスト、エピタキシャル成長中またはエピタキシャル成長炉内での各種モニタリングに使用され、エピタキシャルウェーハと略同一径でＳｉＣ製のウェーハアダプタであって、
　正方形のチップウェーハが搭載される正方形の搭載ポケットと長方形のチップウェーハが搭載される長方形の搭載ポケットとが一組となった搭載ポケットが、その表面に複数組配設されたウェーハアダプタ。」
　
II．特許異議申立について
１．特許異議申立の概要及び甲各号証の記載事項
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１〜３号証を提出して、本件発明１、２は甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　記　
　甲第１号証：実願昭６２−１９４８００号（実開平１−１０２１６１号）　　　　　　　のマイクロフィルム
　甲第２号証：特開昭５７−８５２１９号公報
　甲第３号証：特開平８−７８３４７号公報
　
（１）甲第１号証の記載事項
（１ａ）「（１）気相成長装置に用いるサセプタにおいて、基板の形状に沿った凹部を有する基板ホルダと、該ホルダを着脱可能に保持するサセプタ本体とを有することを特徴とするサセプタ。
　（２）基板ホルダの材質が、基板と同じか、ｐＢＮか、又は、ＳｉＣでコーティングした炭素であることを特徴とする実用新案登録請求の範囲（１）記載のサセプタ。」（実用新案登録請求の範囲）
（１ｂ）「第３図は、従来のパンケーキ型サセプタの斜視図である。基板３は、円筒形型サセプタ２の上端で直接保持する。」（２頁１５〜１７行）、
「（考案が解決しようとする問題点）従来のサセプタは、基板を直接保持している。そのため、エピタキシャル成長中にサセプタ上にも多結晶が堆積する。成長回数が多くなると、堆積した多結晶がガスに押し流されたりして、基板上に付着する。・・・従来は、この多結晶を機械的に除去していたが、完全に除くことができず、・・・また、エッチングで除去すると完全に除くことができるが、エッチング液がサセプタに染み込むために、これを除くために長時間高温で熱処理する必要があり、・・・多結晶の付着したサセプタを使い捨てしている。本考案は、上記問題点を解消し、多結晶によるエピタキシャル基板の汚染を防ぎ、サセプタ本体の長期使用を可能とするサセプタを提供しようとするものである。」（２頁１８行〜３頁１７行）
（１ｃ）「第１図はパンケーキ型のサセプタであり、基板３をホルダ１の凹部に収容して、円筒型サセプタ２の上端に保持するようになっている。」（４頁１１〜１４行）
　
（２）甲第２号証の記載事項
（２ａ）「耐熱材で形成された支持台に半導体基板を載置して半導体気相成長装置に挿入し半導体基板にランプ加熱によって気相成長を施す前記支持台を、その上面に凹部を設けた石英板で形成するとともに、凹部の底面に半導体基板とほぼ熱容量の等しいけい素または炭化けい素の支持板を内装し、半導体基板を前記板状体に積層させて載置するようにしたことを特徴とする半導体基板に対する気相成長に用いられる半導体基板の支持台。」（特許請求の範囲）
（２ｂ）「この発明にかかる支持台は、・・・その主部の石英にはシリコンが長しないので、これから飛散して反応容器の内へシリコンを再析出させることもなく、支持台ないし反応容器からシリコンが飛散してシリコン板に附着するヒロツクを生ずることもない。」（２頁右上欄３〜８行）
　
（３）甲第３号証の記載事項
（３ａ）「【請求項１】  オリエンテーションフラットを有する半導体ウェーハを所定の位置に載置するため、表面に前記半導体ウェーハよりやや大きい円形のポケットを複数個備えたエピタキシャル成長装置のサセプタにおいて、前記ポケットを半導体ウェーハと相似の形状とするとともに、隣接する半導体ウェーハにオリエンテーションフラット部分が近接するように配設し、互いに隣接するポケットの中心距離を短くすることによって前記ポケットの数を増加したことを特徴とするエピタキシャル成長装置のサセプタ。」（特許請求の範囲）
（３ｂ）「図１は、・・・半導体ウェーハを載置するサセプタの平面図、図２はポケットの平面図である。これらの図において、ＳｉＣをコーティングしたカーボンからなる円板状のサセプタ１の上面には、・・・半導体ウェーハの形状に相似するポケット２が・・・配設されている。」（段落【０００７】）
（３ｃ）「サセプタ１の上面には、半導体ウェーハを載置するポケット２の他に、複数個の角形のポケット４，５が設けられている。前記ポケット４，５は、半導体ウェーハのエピタキシャル成長状態をモニタするためのもので、サセプタ１の半径方向に沿ってポケット２の隙間に設けられている。これらのポケットのうち、大形のポケット４にはエピタキシャル成長層の厚さをモニタするためのウェーハ小片を載置し、小形のポケット５には抵抗率をモニタするためのウェーハ小片を載置する。モニタ用小片を前記ポケット４，５に載置することにより、位置ずれを防止することができる。」（段落【０００８】）と記載され、図１によれば、大形のポケットは長方形、小形のポケットは正方形に類似した矩形であることが示されている。
　
２．当審の判断
（１）本件発明１、２の技術課題・目的
　近年、ウェーハサイズがしだいに大型化（大径化）する傾向があり、例えば８インチ以上のウェーハの場合には、エピタキシャルウェーハと同一サイズのテスト用またはモニタ用ウェーハをこのテストまたはモニタ毎に使用すると、大型のウェーハが高価であるために、その費用が高くなるという問題点があり、また、近年、炉に付設されたロボットによりハンドリングするエピタキシャル成長炉が増加しているが、ロボットによるハンドリングは、通常、ハンドリング動作の自由度が比較的小さく、取り扱えるウェーハは、エピタキシャルウェーハまたはこれと同一径でかつエピタキシャル成長テスト時に使用されるテスト用またはモニタ用ウェーハに限定されていたので、小型のテスト用またはモニタ用チップウェーハは取り扱えないという問題点があった。
　そこで、上記課題を解決すべく、小型のテスト用またはモニタ用ウェーハであっても、エピタキシャルウェーハと同一径のウェーハアダプタ（ウェーハ保持具）に搭載しておけば、ロボットを用いてテスト用またはモニタ用チップウェーハが扱えることを知見したもので、本件発明１、２の目的は、ロボットハンドリング式のエピタキシャル成長炉を使ったエピタキシャル成長テストまたは各種モニタリングでのコスト低減が図れるウェーハアダプタを提供することであって（特許明細書段落【０００４】〜【０００６】）、本件発明１、２は、そのために上記した事項により特定されるウェーハアダプタ（Ｉ．本件発明　請求項１、２参照）である。
　
（２）本件発明１について
　これに対して、甲第１号証には、ホルダより小径のエピタキシャル成長用基板を収容する凹部を有するホルダであって、ＳｉＣでコーティングした炭素からなるホルダをサセプタの上端に保持することが記載され、また甲第２号証には、支持台の上面に設けた凹部に内装したＳｉＣの支持板に、気相成長を施す半導体基板を載置することが記載されている。
　しかしながら、甲第１、２号証に記載の基板は、いずれもテスト用、モニタリング用の基板ではないから、甲第１号証に記載の凹部を有するホルダ、甲第２号証に記載の支持板のいずれも、本件発明１の成長テスト、各種モニタリングに使用されるホルダ、支持台ではない。
　また、甲第３号証に記載のサセプタには、モニタ用の複数個の大形、小形のポケットが設けられているものの、このサセプタは、本件発明１のサセプタ上に搭載するウエーハアダプタには該当しないし、更に、半導体ウエーハを載置するための円形のポケットを複数個備えているが、この半導体ウエーハは本件発明１の成長テスト、各種モニタリングに使用されるものではなく、サセプタの径は、複数個のポケットを備えているから、当然に半導体ウエーハの径よりも大きい。
　一方、特許異議申立人は、申立の理由において、テスト用やモニタ用として小径ウエーハを用いることは従来から広く行われている旨主張するが、この主張の根拠となる証拠は何も示されていない。
　そうすると、本件発明１は、甲第１証に記載のホルダ、甲第２号証に記載の支持板、甲第３号証に記載のサセプタを如何に組み合わせてみても容易に想到するものではない。
　
（３）本件発明２について
　上記摘記事項（３ｂ）（３ｃ）によれば、甲第３号証に記載されたモニタ用のウエーハ小片を載置する大形のポケットは長方形に類似し、同じくウエーハ小片を載置する小形のポケットは正方形に類似しているとしても、大形のポケットと小形のポケットとが一組となって、サセプタの表面に複数組配設されたものではないし、このようなポケットを複数組配設することは周知の技術であるとすることもできない。
　そうすると、本件発明２は、本件発明１と同様に、甲第１証に記載のホルダ、甲第２号証に記載の支持板、甲第３号証に記載のサセプタを如何に組み合わせてみても容易に想到するものではない。
　
　そして、本件発明１、２は、明細書に記載のように、ウエーハをロボットハンドリングするエピタキシャル成長炉においても、エピタキシャルウエーハより小形で経済的に有利なテスト用またはモニタ用のウエーハを使用することができ、ロボット配備のエピタキシャル成長炉を使ったエピタキシャル成長テスト、各種モニタリングでのコスト低減が図れ、更に、ＳｉＣ製のウェーハアダプタを採用したので、シリコン製のものに比較して、ウェーハアダプタの再利用回数を増大でき、これによりエピタキシャル成長テストなどでのコストをさらに低減することができるという格別顕著な作用効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１、２は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
III．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１、２に係る発明ついての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、２に係る発明ついての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１２月２８日（２００４．１２．２８）