【事件の表示】
　特許第３１３８３７７号「集積回路用セラミックパッケージ本体」の請求項１〜４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１３８３７７号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯
　本件特許第３１３８３７７号の請求項１〜４に係る発明は、平成５年１１月２２日に特許出願され、平成１２年１２月８日に設定登録がなされた後、本件請求項１〜４に係る発明の特許について、特許異議申立人京セラ株式会社（以下、「申立人」という）により平成１３年７月１８日に特許異議の申し立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年４月２６日に訂正請求がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年８月５日に平成１４年４月２６日付け訂正請求が取り下げられるとともに再度の訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正請求の適否
１．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を平成１４年８月５日付けの訂正請求書に添付された明細書（以下、「訂正明細書」という）のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
　
２．訂正事項
（１）特許明細書の特許請求の範囲について、
（ａ）訂正事項１：特許請求の範囲の記載に
「【請求項１】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて、前記内周壁の内部から前記凹部内までを、絶縁コーティング層で被覆してなることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。
【請求項２】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて、前記内周壁の内部から前記凹部内までを、絶縁コーティング層で被覆してなり、前記絶縁コーティング層の前記凹部内に形成されている部分の幅が、前記段部側面から０．０５ｍｍ以上であることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。
【請求項３】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて、前記内周壁の内部から前記凹部内までを、絶縁コーティング層で被覆してなり、前記絶縁コーティング層が、前記セラミックパッケージ本体を形成するセラミック材料と同一の材料により形成されていることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。
【請求項４】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて、前記内周壁の内部から前記凹部内までを、絶縁コーティング層で被覆してなり、前記絶縁コーティング層が、ガラスからなることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。」とあるのを、
「【請求項１】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するようにストライプ状に形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなり、前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されていることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。」と訂正する。
（２）発明の詳細な説明の欄の記載について、
（ｂ）訂正事項２
　特許明細書中第【０００５】欄に
「【課題を解決するための手段】上記課題の解決にあたり、本発明の構成上の特徴は、集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて前記内周壁の内部から、前記凹部内までを絶縁コーティング層で被覆してなるようにしたことにある。また、前記絶縁コーティング層の前記凹部内に形成されている部分の幅が前記段部側面から０．０５ｍｍ以上離れていることが望ましい。また、本発明において、前記絶縁コーティング層が、前記セラミックパッケージ本体を形成するセラミック材料と同一の材料により形成されてもよい。また、本発明において、前記絶縁コーティング層が、ガラスから形成されてもよい。」とあるのを、
「【課題を解決するための手段】上記課題の解決にあたり、本発明の構成上の特徴は、集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するようにストライプ状に形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなり、前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されているようにしたことにある。」と訂正する。　
（ｃ）訂正事項３
　特許明細書中第【０００６】欄に
「【作用】このように本発明を構成したことにより、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面と段部側面の境界部近傍に位置する前記段部上面及び複数のメタライズ層の各部分が、共に、前記絶縁コーティング層により被覆される。」とあるのを、「【作用】このように本発明を構成したことにより、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層が幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングされ、前記絶縁コーティング層が前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出し、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成される」と訂正する。　
（ｄ）訂正事項４
　特許明細書中第【０００７】欄に
「以下、本発明の一実施例を図面により説明すると、図１及び図２は、ピングリッドアレイ型集積回路用セラミックパッケージに本発明が適用された例を示している。」とあるのを、「以下、本発明の一実施例を図面により説明する。図１及び図２は、ピングリッドアレイ型集積回路用セラミックパッケージに本発明が適用された例を示している。図１は、集積回路用セラミックパッケージの要部破断平面図であり、図２は、図１の要部破断側面図である。」と訂正する。　
（ｅ）訂正事項５
　特許明細書中第【００１０】欄〜第【００１６】欄、および、第【００１９】欄、ならびに符号の説明の欄に
「絶縁層」とあるのを、「絶縁コーティング層」と訂正する。　
（ｆ）訂正事項６
特許明細書中第【００１０】欄に
「次に、本発明の要部の構成について説明すると、環状の絶縁層５０が、図１及び図２にて示すごとく、水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍に位置する水平状壁部１２ａ及び複数のメタライズ層の各部分上に、所定のコーティング幅Ｗａ（図３参照）にてコーティング形成されている。かかる場合、絶縁層５０は、垂直状壁部１２ｂの下縁を境界としてチップキャビティ１１内及びセラミック基板１０内の双方に亘りコーティングされており、絶縁層５０のうちチップキャビティ１１内への露出部（以下、露出部５０ａという）がこれに対する水平状壁部１２ａの対応部分及び各メタライズ層の対応部分を被覆する役割を果たす。但し、本実施例においては、露出部５０ａにより被覆される各メタライズ層の隣接対応部分間の絶縁を確実に得られるように、露出部５０ａの幅（以下、被覆幅Ｗｂという）が選定されている（図３及び図４参照）。また、絶縁層５０のうちセラミック基板１０内への埋設部（以下、埋設部５０ｂという）の幅は、セラミック基板１０内への埋設を確保できるように適当に選定されている。なお、図１及び図２において、各符号６０、７０及び８０は、それぞれ、シールリング、キャップ及び信号入出力用ピンを示す。」とあるのを、「次に、本発明の要部の構成について図１、図２、図３及び図１１を参照して説明する。図３は、図１に示す集積回路用セラミックパッケージの要部拡大破断側面図であり、図１１は、同要部平面図である。内周壁１２の内部から前記境界部を通って水平状壁部１２ａに延出する範囲であって、内周壁１２の内部および水平状壁部１２ａの双方に亘って絶縁コーティング層５０が幅Ｗａにて複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングされている。絶縁コーティング層５０は垂直状壁部１２ｂの下縁から幅Ｗｂにて水平状壁部１２ａの上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上である。また、相互に隣接する絶縁コーティング層５０の間には、絶縁コーティング層５０で被覆されていない部分が形成されている。絶縁コーティング層５０のうちチップキャピテイ１１内への露出部（図３において符号５０ａで示し、図１１では符号‐３−５０Ａで示す）がこれに対する水平状壁部１２ａの対応部分及び各メタライズ層の対応部分を被覆する役割を果たす。つまり、絶縁コーティング層５０はメタライズ層を覆うようにしていれは、短絡を防止できるため、図１１にて符号５０Ａにて示すように必要部分のみが絶縁コーティング層５０により被覆されている。但し、本実施例においては．露出部５０ａにより被覆される各メタライズ層の隣接対応部分間の絶縁を確実に得られるように、露出部５０ａの幅（以下、被覆幅Ｗｂという）が選定されている（図３及び図１１参照）。また、絶縁コーティング層５０のうちセラミック基板１０内への埋設部（以下、埋設部５０ｂという）の幅は、セラミック基板１０内への埋設を確保できるように適当に選定されている。なお、図１及び図２において、各符号６０、７０及び８０は、それぞれ、シールリング、キャップ及び信号入出力用ピンを示す。」と訂正する。
（ｇ）訂正事項７
　特許明細書中第【００１２】欄２行目及び４行目に
「図１及び図２」とあるのを、「図１、図２、図３及び図１１」とそれぞれ訂正する。
（ｈ）訂正事項８
　特許明細書中第【００１６】欄に
「合をいう」とあるのを、「場合をいう」と訂正する。
（ｉ）訂正事項９
　特許明細書中第【００１６】欄３行目に
「関を」とあるのを、「関係を」と訂正する。　
（ｊ）訂正事項１０
特許明細書中第【００１７】欄に
「以上説明したように、前記各実施例では、環状の絶縁層５０を、内周壁１２の水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍に位置する水平状壁部１２ａ及び複数のメタライズ層３０ａ乃至３０ｎの各部分に、所定のコーティング幅Ｗａにてコーティング形成したので、絶縁層５０の露出部５０ａがこれに対する水平状壁部１２ａの対応部分及び各メタライズ層の対応部分を被覆する役割を果たす。」とあるのを、「以上説明したように、前記各実施例では、内周壁１２の内部から前記境界部を通って水平状壁部１２ａに延出する範囲であって、内周壁１２の内部および水平状壁部１２ａの上面の双方に亘って絶縁コーティング層５０を幅Ｗａにて複数のメタライズ層３０ａ乃至３０ｎのそれぞれの上を被覆するようにコーティングし、絶縁コーティング層５０を垂直状壁部１２ｂの下縁から幅Ｗｂにて水平状壁部１２ａに延出させ、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層５０の間に絶縁コーティング層５０で被覆されていない部分を形成したので、絶縁コーティング層５０の露出部５０ａがこれに対する水平状壁部１２ａの対応部分及び各メタライズ層の対応部分を被覆する役割を果たす。」と訂正する。　
（ｋ）訂正事項１１
　特許明細書中第【００１９】欄に
「なお、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の焼成後に、水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍にガラスペーストを塗布し加熱溶融することにより水平状壁部１２ａのセラミック部分及びメタライズ層３０ａ乃至３０ｎにガラス層をコーティングするようにしてもよい。また、絶縁コーティング層はメタライズ層を覆うようにしていれば、短絡を防止できるため、前記実施例のようにメタライズ層及びその間の段部上面を一周に亘り覆ってもよいが、図１１にて符号５０Ａにて示すように必要部分のみを絶縁コーティングにより覆うようにしてもよい。但し、この場合は、コーティングのパターンがずれることによりメタライズ層を十分に覆えない場合がある。また、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の構成材料は、窒化アルミニウムに限ることなく、各種のセラミック材料を採用して実施してもよい。また、メタライズ層の材質はセラミック材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、タングステン、モリブテン、銅、銀等が挙げられる。さらに、被覆幅Ｗｂは０．０５以上であればよいが、その上限は、各メタライズ層に集積回路との接続をするため、各メタライズ層にワイヤボンディングやＴＡＢ接続できる程度の領域が残るような幅が必要であることは明らかである。この領域は、セラミック基板や各メタライズ層の大きさ、幅、ワイヤの材質や大きさ等により影響を受けるので、これらを考慮して適宜選択すればよい。また、本発明の実施にあたり、前記実施例にて示した各メタライズ層（図４参照）は、相互に全体的に平行である必要はなく、例えば、各メタライズ層において絶縁層５０の埋設部５０ｂにより被覆される部分及びセラミック基板１０内に埋設される部分は、埋設部５０ｂからセラミック基板１０の内部にかけて互いに放射状に配列されていてもよい。」とあるのを、「なお、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の焼成後に、水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍にガラスペーストを塗布し加熱溶融することにより水平状壁部１２ａのセラミック部分及びメタライズ層３０ａ乃至３０ｎにガラス層をコーティングするようにしてもよい。また、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の構成材料は、窒化アルミニウムに限ることなく、各種のセラミック材料を採用して実施してもよい。また、メタライズ層の材質はセラミック材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、タングステン、モリブテン、銅、銀等が挙げられる。さらに、被覆幅Ｗｂは０．０５以上であればよいが、その上限は、各メタライズ層に集積回路との接続をするため、各メタライズ層にワイヤボンディングやＴＡＢ接続できる程度の領域が残るような幅が必要であることは明らかである。この領域は、セラミック基板や各メタライズ層の大きさ、幅、ワイヤの材質や大きさ等により影響を受けるので、これらを考慮して適宜選択すればよい。また、本発明の実施にあたり、前記実施例にて示した各メタライズ層（図４参照）は、相互に全体的に平行である必要はなく、例えば、各メタライズ層において絶縁層５０の埋設部５０ｂにより被覆される部分及びセラミック基板１０内に埋設される部分は、埋設部５０ｂからセラミック基板１０の内部にかけて互いに放射状に配列されていてもよい。」と訂正する。
（ｌ）訂正事項１２
　特許明細書中第【００１９】欄の記載について
「（図４参照）」とあるのを、「（図１１参照）」と訂正する。
（３）図面の簡単な説明について、
（ｍ）訂正事項１３
　特許明細書中図面の簡単な説明の欄の図４の説明に
「同要部拡大破断平面図である。」とあるのを、「本発明の参考図である。」と訂正する。
（ｎ）訂正事項１４　　　
　特許明細書中図面の簡単な説明の欄の図１１の説明に
「前記実施例の変形例を示す要部平面図である。」とあるのを、「本発明の一実施例を示す要部平面図である。」と訂正する。
　
３．訂正の目的の適否
　訂正事項１について
　まず、訂正事項１による、特許明細書の各請求項（以下、「旧請求項」という）の記載と、訂正明細書の各請求項（以下、「新請求項」という）の記載との対応関係を検討するに、
　新請求項１は、旧請求項１〜４を削除した上で、旧請求項１を引用する旧請求項２に、
「【０００２】【従来の技術】従来、この種の集積回路用セラミックパッケージ本体においては、集積回路を収容するためにセラミック基板に設けられた凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、集積回路との電気的接続を行うべく、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するようにストライプ状に形成してある。」を根拠に、「複数のメタライズ層」を「複数のメタライズ層を、ストライプ状に形成」した点を付加し、
　第１１図及び特許明細書第【００１９】欄の「また、絶縁コーティング層はメタライズ層を覆うようにしていれば、短絡を防止できるため、前記実施例のようにメタライズ層及びその間の段部上面を一周に亘り覆ってもよいが、図１１にて符号５０Ａにて示すように必要部分のみを絶縁コーティングにより覆うようにしてもよい。」および、特許明細書第【００１０】欄「…略…所定のコーティング幅Ｗａ（図３参照）…中略…露出部５０ａ（以下、被覆幅という）が選定されている（図３及び図４参照）…以下略…」の記載を根拠に、
「前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａであり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されている」点を付加して、新たな請求項としたものであるといえる。
　そうすると、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものといえ、そして、この訂正は、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。　
　訂正事項２〜４、６、７、１０〜１４について
　訂正事項２〜４、６、７、１０〜１４は、訂正事項１の訂正に併せて、特許請求の範囲と発明の詳細な説明とを整合するようにしたものであるから明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、この訂正は、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　訂正事項５について
　訂正事項５は、明細書中の用語を統一したものであり明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　訂正事項８、９について
　訂正事項８、９は、誤記の訂正である。
　そして、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　
４．訂正の認否
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号改正前の同法第１２６条第１項ただし書き、第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立てについて
１．本件発明
　、前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件の請求項１に係る発明は、訂正明細書の請求項１に記載された次のとおりのもの（以下、「本件発明」という）である。
「【請求項１】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するようにストライプ状に形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなり、前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されていることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。」
　
２．申立の理由の概要
　申立人は、「特許明細書に記載された本件の請求項１、３に係る発明は、その出願前に国内において頒布された刊行物である下記甲第１号証に記載された発明であるから、請求項１、３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであり、また、特許明細書に記載された本件の請求項１〜４に係る発明は、その出願前に国内において頒布された刊行物である下記甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許明細書に記載された本件の請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消されるべきものである。」旨主張する。
　
３．証拠方法
（１）甲第１号証：特公昭５２−２８５４７号公報（以下、「刊行物１」という）
（２）甲第２号証：特公昭５７ー３８０２９号公報（以下、「刊行物２」という）
（３）甲第３号証：特開昭６０−１３０８８８号公報（以下、「刊行物３」という）
（４）刊行物１の記載事項　　　　
（ａ）特許請求の範囲第２項に、
「特許請求の範囲第１項記載のＬＳＩパッケージの構成方法において、複数のグリーンセラミック部分を形成し、該セラミック部分の少く共１つがセラミック部分の内部領域から外部領域へと延びる離れたリードパターンをもつ様に上記セラミック部分各々上に金属化ペイントを用いて金属化パターンを形成し、上記セラミック部分を一緒に固定し、上記セラミック部分上のパターンに於ける空間を充填する様上記セラミック部分間にセラミックスラリをおき、上記セラミック部分を焼成し上記リードパターンの内側先端が上記面に極めて接近している平坦な面を有する単一のセラミックベースを形成し、リードを上記パターンの外側先端に固定しそして上記平坦な面に対向する領域における上記ベースに冷却スタツドを固定しこれに冷却フインを挿入する各工程を具備し、更に上記部分の底の縁に接地母線パターンを形成することを特徴とするＬＳＩパッケージの構成方法。」が記載されている。
（ｂ）第２頁右欄９行〜第３頁左欄３３行に、
「担体２２を構成する工程が第１図乃至第１９図に示されている。第１図に示す如く上記担体は３つの部分即ち９４％のアルミナの様な適当な型のグリーンセラミックの小片３７、３８、３９から構成されるセラミックベース３６から形成されている。小片３７は第１図に示されている如く四角形であるが、望むならば如何なる適当な形状にも出来得る。１つの角４１が指標の為に切取られるか或いは刻印される。１対の離隔した孔４３が針の様な適当な手段によってグリーンセラミツクに形成される。小片３８は小片３７と同一の大きさと形状とを有し且つ切取られた或いは刻印された角４４を有する。２対の離隔した孔４６と４７は針による様な適当な方法で小片３８に形成される。孔４７は小片３７に設けられた孔４３と一致する様に位置している。孔４６を通って延びる仮線が孔４７を通って延びる他の仮想線に対し直角に延びる。四角形の開口４８が小片３８の中央に形成されてＬＳＩチップ２４の収納用スペース２３を形成する為に設けられている。小片３９は小片３８の孔４６と４７との区画内にある様に小さいが小片３７と３８と同一の一般形状を有する。又開口４８よりも実質的に大きい四角形の開口４９をも備えている。小片３７、３８と３９が形成された後、タングステンペイントの様な金属化ペイントが上記小片上或いは部分上にスクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）される。即ち第２図に示される如く、タングステンペイントが小片３７の上面の中央におけるダイボンド（ｄｉｅ　ｂｏｎｄ）面或５１の上にスクリーンされる。このダイボンド面域は一般に第２図に示される様に四角形である。又上記タングステンペイントはタングステンペイントで満たされた小片３８の孔４６に合致する様に延びる２つの延長部５２上に延びている。又孔４３もタングステンペイントで満たされている。リードパターン５３が部分３８の上側にスクリーンされる。４本の大きいリードがリードパターン５３に設けられている。これらの大きいリードは部分３８に設けられた孔４６と４７上に延び、更にタングステンペイントはこれらの孔４６と４７を満たしている。部分３９の上面は第２図に示されている様にタングステンペイント５４で覆われている。部分３７の下面も又該部分にスクリーンされているタングステンペイントのパターンを有して部分３７の外部周囲隣接の部分３７の下面の回りに延びている方形の導体５６を形成する。又接続素子５８によって導体５６に接続される中央に配置された円形状面域５７をも備えている。タングステンペイントのスクリーニングがすべて完成されると、セラミックスラリ（泥状物）５９が部分３７、３８と３９上にスクリーンされリードパターン５３のリード間の空間を満たす。それからこれらの別々の部分３７、３８、３９は一つの単一構造に積層されて第１、第２部分６１、６２を有するプレス中に載置される。上記部分即ち小片３７、３８及び３９を積層する為に部分６１と６２とに圧力が加えられている間中、部分３７、３８及び３９は適当な温度、例えばほぼ３０分の間約１６００℃に加熱されて単一構造を与え、該単一構造にあってハーメチツクシールが上記部分間に形成される。高温に熱せられている間タングステンがセラミック材料中に焼成される。セラミックスラリは有機物でないから燃えずに上記リード間の空間を満たして前述の如くハーメチツクシールを形成する。セラミックの硬化用に用いられる１６００℃の高い硬化温度に耐えられる耐火性金属が備えられねばならないからタングステンペイントがこの工程で利用される。」が記載されている。
（ｃ）第１図、第２図ならびに第９図の斜視図、第１３図、第１４図の平面図および第１８図の断面図に、ＬＳＩチップ２４の収納用スペース２３の内周壁について、小片３８の上面と、小片３８の上面に積層した小片３９の開口４９の内壁とで階段状に形成することが記載されている。
（ｄ）一部符号は省略されているものの第９図の斜視図、第１３図、第１４図の平面図および第１８図の断面図には、リードパターン５３について、収納用スペース２３の内周壁の内部から小片３８の上面と小片３９の開口４９の内壁との境界部を通り、小片３８の上面に延出するように形成されていることが記載されている。
（ｅ）一部符号は省略されているものの第９図の斜視図、第１３図、第１４図の平面図および第１８図の断面図に、小片３８の上面と小片３９の開口４９の内壁との境界部の近傍にて、内周壁の内部から収納用スペース２３内までのリードパターン５３を含む小片３８の上面を、セラミツクスラリ５９で被覆することが記載されている
（５）刊行物２の記載事項
（ａ）特許請求の範囲１に、
「複数の未焼成セラミックシートを積層圧着して得られるセラミツクパツケージ基板の製造法において、第１の未焼成セラミツクシート上に所望のパターンを導電ペーストにより印刷するとともに少なくともキヤビテイの内底綾部を構成する部分に絶縁ペーストを印刷し、次いでキヤビテイの内側壁部を構成する開孔を有する第２の未焼成セラミックシートを前記第１の未焼成セラミツクシートに積層圧着後、焼成し、メッキすることを特徴とするセラミックパッケージ基板の製造法。」が記載されている。
（ｂ）第１頁左欄２８行〜３１行に、
「本発明は、電子時計回路用の地板等に用いられる集積回路素子ＬＳＩ等を収容するために備えられるキャビテイを有するセラミツクパツケージ基板の製造法に関する。」が記載されている。
（ｃ）第１頁右欄３７行〜第２頁左欄２５行に、
「本発明の詳細を、一実施例を示す第３図によって説明する。アルミナ等のセラミツク原料を主成分とする第１の未焼成セラミツクシート１上にＬＳＩ等電子部品素子を載置するため、あるいはその素子より外部回路に電気的導通を得るためのメタライズパターン３を導電ペーストを用いてスクリーン印刷等の方法によつて形成する。次に前記メタライズパターン３の一部を含み後で説明する第２の未焼成セラミツクシート２が積層される部分および第２の未焼成セラミツクシート２に設けられている開孔６の外縁に相当する部分の第１の未焼成セラミツクシート１上に絶縁ペーストを用いて絶縁層４を印刷形成する。他方、第２の未焼成セラミツクシート２にパンチング加工によりＬＳＩ等電子部品素子を収容するためのキヤビテイ５の内周壁を構成する開孔６を設ける。上記のようにして形成された第１および第２の未焼成セラミツクシート１、２を積層圧着し、キヤビテイ５を形成するとともに、そのキヤビテイ５の内底縁部は第２図に示すような間隙７は絶縁ペーストによつて埋められたものを得る。積層圧着後焼成しメツキして第３図Ｂに示すような構造のセラミツクパツケージ基板を製造するのである。」が記載されている。
（ｄ）第２頁左欄２６行〜右欄４行に、
「メタライズパターン３を形成する導電ペーストおよび絶縁層４を形成する絶縁ペーストは未焼成セラミツクシートに積層され焼成されるので、そのセラミツクシートの焼結温度、電気的特性、セラミツクシートとの焼結性等を考慮して選ばれるものであつて、例えは、モリブデンあるいはタングステン粉末を主成分とする導電ペースト、未焼成セラミツククリーンシートと同一のセラミツク成分とする絶縁ペースト、セラミツク同志あるいはセラミツクと金属等の封着用として開発されている封着ガラスを主成分とする絶縁ペーストが使用される。」が載されている。
（６）刊行物３の記載事項
（ａ）第１頁左欄１４行〜１６行に、
「本発明は、配線間のピッチ寸法が小さく接近し高密度に配線されたＩＣパッケージや多層配線基板の製造法に係り、」が記載されている。
（ｂ）第２頁右下欄１行〜第３頁左上欄２行に、
「第２図のＡ図は第１図のＡ図に示すＩＣ素子搭載部と配線とを印刷形成した上面図と同じ構造のもの即ち、グリーンシート６上にＩＣ素子搭載部７と配線部８を印刷した上面に、Ｂ図に示すグリーンシート打抜き額縁１０の巾寸法より０．３ｍｍ大きい寸法にてグリーンシートと同一材質のペーストを２０μｍの厚さにて額縁形状９を印刷形成したものである。そのＡ図の額縁形状９の上面に、Ｂ図に示す額縁形状１０のグリーンシート打抜き品に接着剤を塗布して載置し、温度８０℃に加熱されたプレス機にセットして圧力１０Ｋｇ／ｃｍ２にて２０秒間加圧した。この時接着剤塗布面は配線部に全く接触しなかった。この中央よりの断面図をＣ図に示した。この積層体を１７０℃にて樹脂抜き後、１５５０℃の水素と窒素との混合ガス中にて焼結した。この焼結体のメタライズ面にＮｉメッキを施しコバールリードの電極取り出しを銀ロー材を使用して７５０℃中の水素と窒素の混合ガス中にて接合した。これに金メッキを施しＩＣ素子を溶着後ガラスキヤップを溶着して完成した。」と記載されている。
　
IV．当審の判断　
１．本件発明と刊行物１に記載の発明との同一性
　記載事項「III．３．（４）（ａ）〜（ｆ）」を総合すると、刊行物１には、「複数のグリーンセラミック部分によりＬＳＩチップ２４の収納用スペース２３の内周壁について、小片３８の上面と、小片３８の上面に積層した小片３９の開口４９の内壁とで階段状に形成を形成し、該セラミック部分の少く共１つに、収納用スペース２３の内周壁の内部から小片３８の上面と小片３９の開口４９の内壁との境界部を通り、小片３８の上面に延出するセラミック部分の内部領域から外部領域へと延びる離れた複数のリードパターンをもつ様に上記セラミック部分各々上にタングステン等の金属化ペイントを用いて金属化パターンを形成し、上記セラミック部分を一緒に固定し、上記セラミック部分上のパターンに於ける空間を充填する様上記セラミック部分間にセラミックスラリをおき、上記セラミック部分を焼成し上記リードパターンの内側先端が上記面に極めて接近している平坦な面を有する単一のセラミックベースを形成し、リードを上記パターンの外側先端に固定しそして上記平坦な面に対向する領域における上記ベースに冷却スタツドを固定しこれに冷却フインを挿入する各工程を具備し、更に上記部分の底の縁に接地母線パターンを形成することを特徴とするＬＳＩパッケージ本体」が記載されているといえる。
　そこで本件発明と刊行物に記載の発明とを対比するに、上記「III．１」で認定したように、本件発明は、「複数のメタライズ層を、内周壁の内部から段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するようにストライプ状に形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなる」ものにおいて、少なくとも、「内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなり、前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されている」点（以下、「構成要件Ａ」という）をその構成要件として備えるものであるところ、前記構成要件Ａについて刊行物１には記載も示唆もない。　
　したがって、本件発明と刊行物１に記載の発明とが同一であるとはいえない。
　　　　
２．本件発明の刊行物１〜３に記載の発明からの容易性
　上記「IV．１」のとおり、本件発明は、刊行物１には記載も示唆もない構成要件Ａを備えるものであるところ、刊行物２、３に記載の発明も、ともにＩＣパッケージにおけるグリーンシートの積層に係るものであり、特に、記載事項「III．３．（６）（ｂ）」には、「グリーンシート打抜き額縁１０の巾寸法より０．３ｍｍ大きい寸法にてグリーンシートと同一材質のペーストを２０μｍの厚さにて額縁形状９を印刷形成する」という点が開示されているが、この点を考慮しても、上記刊行物２、３に本件発明の構成要件Ａについて開示乃至示唆があるものとはいえない。
　そして、本件発明は、上記構成要件Ａを備えることによって、「上述のような本発明の構成及びその作用によれば、洗浄不十分によりメッキされても、絶縁コーティング層の存在によりメタライズ層同士が短絡することはない。その結果、当該各メタライズ層の対応部分間に短絡故障を招くことはない。また、前記奥行き幅を、前記所定値、例えば、０．０５ｍｍ以上に設定すれば、上述の短絡故障の発生が確実に防止される。従って、どんなに微細なメタライズ層でも、セラミックパッケージ本体のサイズや材質を問わず、良好な無電解メッキを確保しつつ、各メタライズ層間の短絡故障を有効に防止できる。また、無電解メッキ処理後の絶縁検査でも、検査結果の合格率の向上が図れるため、検査工程の削除や工数低減が可能である。なお、以上のような効果は、電解メッキ処理の場合でも実質的に同様である。」という訂正明細書第【００２０】欄に記載の作用効果を奏するものである。　
　したがって、本件発明が、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
３．まとめ　
　以上のとおりであるから、本件発明は刊行物１に記載された発明でないばかりか、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
V．むすび
　上記のとおりであるから、本件発明の特許は、特許異議申立ての理由および証拠方法によっては取消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
平成１４年９月６日（２００２．９．６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の記載について、
「【請求項１】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて、前記内周壁の内部から前記凹部内までを、絶縁コーティング層で被覆してなることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。
　【請求項２】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて、前記内周壁の内部から前記凹部内までを、絶縁コーティング層で被覆してなり、前記絶縁コーティング層の前記凹部内に形成されている部分の幅が、前記段部側面から０．０５ｍｍ以上であることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。
　【請求項３】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて、前記内周壁の内部から前記凹部内までを、絶縁コーティング層で被覆してなり、前記絶縁コーティング層が、前記セラミックパッケージ本体を形成するセラミック材料と同一の材料により形成されていることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。
　【請求項４】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて、前記内周壁の内部から前記凹部内までを、絶縁コーティング層で被覆してなり、前記絶縁コーティング層が、ガラスからなることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。」
とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するようにストライプ状に形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなり、前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されていることを特徴とする集積回路用セラミックパッケージ本体。」と訂正する。
（２）発明の詳細な説明について
（２−１）訂正事項２
　特許明細書中第【０００５】欄に
「【課題を解決するための手段】上記課題の解決にあたり、本発明の構成上の特徴は、集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記境界部の近傍にて前記内周壁の内部から、前記凹部内までを絶縁コーティング層で被覆してなるようにしたことにある。また、前記絶縁コーティング層の前記凹部内に形成されている部分の幅が前記段部側面から０．０５ｍｍ以上離れていることが望ましい。また、本発明において、前記絶縁コーティング層が、前記セラミックパッケージ本体を形成するセラミック材料と同一の材料により形成されてもよい。また、本発明において、前記絶縁コーティング層が、ガラスから形成されてもよい。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【課題を解決するための手段】上記課題の解決にあたり、本発明の構成上の特徴は、集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するようにストライプ状に形成してなる集積回路用セラミックパッケージ本体において、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなり、前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されているようにしたことにある。」と訂正する。
（２−２）訂正事項３
　特許明細書中第【０００６】欄に
「【作用】このように本発明を構成したことにより、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面と段部側面の境界部近傍に位置する前記段部上面及び複数のメタライズ層の各部分が、共に、前記絶縁コーティング層により被覆される。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【作用】このように本発明を構成したことにより、前記内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層が幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングされ、前記絶縁コーティング層が前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出し、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成される」と訂正する。
（２−３）訂正事項４
　特許明細書中第【０００７】欄に
「以下、本発明の一実施例を図面により説明すると、図１及び図２は、ピングリッドアレイ型集積回路用セラミックパッケージに本発明が適用された例を示している。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「以下、本発明の一実施例を図面により説明する。図１及び図２は、ピングリッドアレイ型集積回路用セラミックパッケージに本発明が適用された例を示している。図１は、集積回路用セラミックパッケージの要部破断平面図であり、図２は、図１の要部破断側面図である。」と訂正する。
（２−４）訂正事項５
　特許明細書中第【００１０】欄〜第【００１６】欄、および、第【００１９】欄、ならびに符号の説明の欄に
「絶縁層」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「絶縁コーティング層」と訂正する。
（２−５）訂正事項６
特許明細書中第【００１０】欄に
「次に、本発明の要部の構成について説明すると、環状の絶縁層５０が、図１及び図２にて示すごとく、水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍に位置する水平状壁部１２ａ及び複数のメタライズ層の各部分上に、所定のコーティング幅Ｗａ（図３参照）にてコーティング形成されている。かかる場合、絶縁層５０は、垂直状壁部１２ｂの下縁を境界としてチップキャビティ１１内及びセラミック基板１０内の双方に亘りコーティングされており、絶縁層５０のうちチップキャビティ１１内への露出部（以下、露出部５０ａという）がこれに対する水平状壁部１２ａの対応部分及び各メタライズ層の対応部分を被覆する役割を果たす。但し、本実施例においては、露出部５０ａにより被覆される各メタライズ層の隣接対応部分間の絶縁を確実に得られるように、露出部５０ａの幅（以下、被覆幅Ｗｂという）が選定されている（図３及び図４参照）。また、絶縁層５０のうちセラミック基板１０内への埋設部（以下、埋設部５０ｂという）の幅は、セラミック基板１０内への埋設を確保できるように適当に選定されている。なお、図１及び図２において、各符号６０、７０及び８０は、それぞれ、シールリング、キャップ及び信号入出力用ピンを示す。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「次に、本発明の要部の構成について図１、図２、図３及び図１１を参照して説明する。図３は、図１に示す集積回路用セラミックパッケージの要部拡大破断側面図であり、図１１は、同要部平面図である。内周壁１２の内部から前記境界部を通って水平状壁部１２ａに延出する範囲であって、内周壁１２の内部および水平状壁部１２ａの双方に亘って絶縁コーティング層５０が幅Ｗａにて複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングされている。絶縁コーティング層５０は垂直状壁部１２ｂの下縁から幅Ｗｂにて水平状壁部１２ａの上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上である。また、相互に隣接する絶縁コーティング層５０の間には、絶縁コーティング層５０で被覆されていない部分が形成されている。絶縁コーティング層５０のうちチップキャピテイ１１内への露出部（図３において符号５０ａで示し、図１１では符号‐３−５０Ａで示す）がこれに対する水平状壁部１２ａの対応部分及び各メタライズ層の対応部分を被覆する役割を果たす。つまり、絶縁コーティング層５０はメタライズ層を覆うようにしていれは、短絡を防止できるため、図１１にて符号５０Ａにて示すように必要部分のみが絶縁コーティング層５０により被覆されている。但し、本実施例においては．露出部５０ａにより被覆される各メタライズ層の隣接対応部分間の絶縁を確実に得られるように、露出部５０ａの幅（以下、被覆幅Ｗｂという）が選定されている（図３及び図１１参照）。また、絶縁コーティング層５０のうちセラミック基板１０内への埋設部（以下、埋設部５０ｂという）の幅は、セラミック基板１０内への埋設を確保できるように適当に選定されている。なお、図１及び図２において、各符号６０、７０及び８０は、それぞれ、シールリング、キャップ及び信号入出力用ピンを示す。」と訂正する。
（２−６）訂正事項７
　特許明細書中第【００１２】欄２行目及び４行目に
「図１及び図２」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「図１、図２、図３及び図１１」とそれぞれ訂正する。
（２−７）訂正事項８
　特許明細書中第【００１６】欄に
「合をいう」とあるのを、誤記の訂正を目的として、
「場合をいう」と訂正する。
（２−８）訂正事項９
特許明細書中第【００１６】欄３行目に
「関を」とあるのを、誤記の訂正を目的として、
「関係を」と訂正する。
（２−９）訂正事項１０
特許明細書中第【００１７】欄に
「以上説明したように、前記各実施例では、環状の絶縁層５０を、内周壁１２の水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍に位置する水平状壁部１２ａ及び複数のメタライズ層３０ａ乃至３０ｎの各部分に、所定のコーティング幅Ｗａにてコーティング形成したので、絶縁層５０の露出部５０ａがこれに対する水平状壁部１２ａの対応部分及び各メタライズ層の対応部分を被覆する役割を果たす。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「以上説明したように、前記各実施例では、内周壁１２の内部から前記境界部を通って水平状壁部１２ａに延出する範囲であって、内周壁１２の内部および水平状壁部１２ａの上面の双方に亘って絶縁コーティング層５０を幅Ｗａにて複数のメタライズ層３０ａ乃至３０ｎのそれぞれの上を被覆するようにコーティングし、絶縁コーティング層５０を垂直状壁部１２ｂの下縁から幅Ｗｂにて水平状壁部１２ａに延出させ、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層５０の間に絶縁コーティング層５０で被覆されていない部分を形成したので、絶縁コーティング層５０の露出部５０ａがこれに対する水平状壁部１２ａの対応部分及び各メタライズ層の対応部分を被覆する役割を果たす。」と訂正する。
（２−１０）訂正事項１１
　特許明細書中第【００１９】欄に
「なお、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の焼成後に、水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍にガラスペーストを塗布し加熱溶融することにより水平状壁部１２ａのセラミック部分及びメタライズ層３０ａ乃至３０ｎにガラス層をコーティングするようにしてもよい。また、絶縁コーティング層はメタライズ層を覆うようにしていれば、短絡を防止できるため、前記実施例のようにメタライズ層及びその間の段部上面を一周に亘り覆ってもよいが、図１１にて符号５０Ａにて示すように必要部分のみを絶縁コーティングにより覆うようにしてもよい。但し、この場合は、コーティングのパターンがずれることによりメタライズ層を十分に覆えない場合がある。また、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の構成材料は、窒化アルミニウムに限ることなく、各種のセラミック材料を採用して実施してもよい。また、メタライズ層の材質はセラミック材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、タングステン、モリブテン、銅、銀等が挙げられる。さらに、被覆幅Ｗｂは０．０５以上であればよいが、その上限は、各メタライズ層に集積回路との接続をするため、各メタライズ層にワイヤボンディングやＴＡＢ接続できる程度の領域が残るような幅が必要であることは明らかである。この領域は、セラミック基板や各メタライズ層の大きさ、幅、ワイヤの材質や大きさ等により影響を受けるので、これらを考慮して適宜選択すればよい。また、本発明の実施にあたり、前記実施例にて示した各メタライズ層（図４参照）は、相互に全体的に平行である必要はなく、例えば、各メタライズ層において絶縁層５０の埋設部５０ｂにより被覆される部分及びセラミック基板１０内に埋設される部分は、埋設部５０ｂからセラミック基板１０の内部にかけて互いに放射状に配列されていてもよい。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「なお、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の焼成後に、水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍にガラスペーストを塗布し加熱溶融することにより水平状壁部１２ａのセラミック部分及びメタライズ層３０ａ乃至３０ｎにガラス層をコーティングするようにしてもよい。また、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の構成材料は、窒化アルミニウムに限ることなく、各種のセラミック材料を採用して実施してもよい。また、メタライズ層の材質はセラミック材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、タングステン、モリブテン、銅、銀等が挙げられる。さらに、被覆幅Ｗｂは０．０５以上であればよいが、その上限は、各メタライズ層に集積回路との接続をするため、各メタライズ層にワイヤボンディングやＴＡＢ接続できる程度の領域が残るような幅が必要であることは明らかである。この領域は、セラミック基板や各メタライズ層の大きさ、幅、ワイヤの材質や大きさ等により影響を受けるので、これらを考慮して適宜選択すればよい。また、本発明の実施にあたり、前記実施例にて示した各メタライズ層（図４参照）は、相互に全体的に平行である必要はなく、例えば、各メタライズ層において絶縁層５０の埋設部５０ｂにより被覆される部分及びセラミック基板１０内に埋設される部分は、埋設部５０ｂからセラミック基板１０の内部にかけて互いに放射状に配列されていてもよい。」と訂正する。
（２−１１）訂正事項１２
　特許明細書中第【００１９】欄に
「（図４参照）」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「（図１１参照）」と訂正する。
（２−１２）訂正事項１３
　特許明細書中図面の簡単な説明の欄の図４の説明に
「同要部拡大破断平面図である。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「本発明の参考図である。」と訂正する。
（２−１３）訂正事項１４
　特許明細書中図面の簡単な説明の欄の図１１の説明に
「前記実施例の変形例を示す要部平面図である。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「本発明の一実施例を示す要部平面図である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
集積回路用セラミックパッケージ本体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように
ストライプ状に
　前記
内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなり、前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されてい
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体素子等の集積回路用パッケージ本体に係り、特に、窒化アルミニウム、アルミナ、ムライト、ガラスセラミック等の各種セラミックからなるセラミックパッケージ本体に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、この種の集積回路用セラミックパッケージ本体においては、集積回路を収容するためにセラミック基板に設けられた凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、集積回路との電気的接続を行うべく、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するようにストライプ状に形成してある。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、このような構成において、上述した段部上面の各メタライズ層にメッキ処理するにあたっては、電界メッキ及び無電界メッキによる各処理方法がある。このうち、無電界メッキ処理方法を用いる場合には、各メタライズ層を形成したセラミック基板を、まず、塩化パラジウム溶液内に浸し、触媒としてのパラジウムを各メタライズ層上に還元析出させて活性化させた後、同セラミック基板をメッキ液に浸し、還元析出したパラジウム上に金属を析出させるようにしてメッキ処理をする。
　しかしながら、上述のようにパラジウムを各メタライズ層上に還元析出させるに伴い、本来はセラミック基板上には析出しないのであるが、各メタライズ層の近傍に位置する段部上面のセラミック部分にもパラジウムが還元析出されてしまう場合がある。従って、セラミック基板をメッキ液に浸す前に、各メタライズ層以外の部分の余分な析出パラジウムを洗浄により除去しないと、セラミック基板をメッキ液に浸したとき、各メタライズ層以外の部分、即ちこれらの近傍に位置する段部上面のセラミック部分にも金属を析出してメッキ処理をしてしまうこととなる。このようなことは、段部上面と段部側面の境界部のように、洗浄しにくい、メッキ液等の滞留し易い部分において特に著しい。
　【０００４】
　従って、余分な析出パラジウムは、メッキ液にセラミック基板を浸す前に十分に洗浄して除去しておかないと、ストライプ状になった各メタライズ層の間の段部上面のセラミック部分まで余分にメッキされる「メッキだれ」と呼ばれる不具合を生じ、各隣接メタライズ層間の短絡故障を招くおそれがある。このようなことは、メタライズ層のファインピッチ化やパターン数の増加に伴い、より一層起こり易くなる。なお、電解メッキ処理方法により、ファインピッチ化や配線数の増大化等を伴う各メタライズ層にメッキ処理を施すにあたっても、洗浄の仕方が不十分であると、電界成分が残留して絶縁抵抗の低下を招く場合がある。
　そこで、本発明は、以上のようなことに対処すべく、集積回路用セラミックパッケージ本体において、集積回路を収容する凹部の階段状内周壁の段部上面に設けた各メタライズ層のメッキを、簡単な構成の付加により、短絡故障の発生を未然に防止すべく的確に行うようにしようとするものである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題の解決にあたり、本発明の構成上の特徴は、
　集積回路を収容する凹部の内周壁を、段部上面及び段部側面を有するように階段状に形成し、また、複数のメタライズ層を、前記内周壁の内部から前記段部上面と段部側面との境界部を通り、前記段部上面上に延出するように
ストライプ状に
　前記
内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層を幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングしてなり、前記絶縁コーティング層は前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成されているようにしたことにある。
　【０００６】
　【作用】
　このように本発明を構成したことにより、前記
内周壁の内部から前記境界部を通って前記段部上面に延出する範囲であって、前記内周壁の内部および前記段部上面の双方に亘って絶縁コーティング層が幅Ｗａにて前記複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングされ、前記絶縁コーティング層が前記段部側面の下縁から幅Ｗｂにて前記段部上面上に延出し、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層の間に前記絶縁コーティング層で被覆されていない部分が形成
　【０００７】
　【実施例】
　以下、本発明の一実施例を図面により説明する
。
図１は、集積回路用セラミックパッケージの要部破断平面図であり、図２は、図１の要部破断側面図である。
　【０００８】
　断面階段状内周壁１２は、図２にて図示水平状壁部１２ａ（段部上面に対応する）と、この水平状壁部１２ａの上下に位置する図２にて図示垂直状壁部１２ｂ、１２ｃ（それぞれ、段部側面に対応する）とにより段付き構成されており、水平状壁部１２ａは、内周壁１２の周方向に沿い環状に形成されている。また、垂直状壁部１２ｂは、水平状壁部１２ａの外周縁から上方へ垂直に立ち上がるように形成されており、一方、垂直状壁部１２ｃは、水平状壁部１２ａの内周縁から下方へ垂直に立ち下がるように形成されている。
　【０００９】
　内周壁１２の水平状壁部１２ａ上には、複数のメタライズ層（図１では、各メタライズ層３０ａ乃至３０ｎのみを示す）が、それぞれ、セラミック基板１０の内部から水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部を通り水平状壁部１２ａ上に延出してストライプ状に形成されている。かかる場合、図１にて示すごとく、各メタライズ層３０ａ乃至３０ｄ、各メタライズ層３０ｅ乃至３０ｊ、及び各メタライズ層３０ｋ乃至３０ｎごとに、各メタライズ層が互いに所定間隔をおいて並行に形成されている。また、各メタライズ層は、その各外端にて、セラミック基板１０内に形成した各ビアホール（図２では、メタライズ層３０ｇに接続したビアホール１３のみを示す）に接続されている。なお、各メタライズ層は、それぞれ、ボンディングワイヤ（図１では、各ボンディングワイヤ４０ａ乃至４０ｎのみを示す）を介して半導体チップ２０に接続されている。
　【００１０】
　次に、本発明の要部の構成について図１
、図２、図３及び図１１を参照して
。図３は、図１に示す集積回路用セラミックパッケージの要部拡大破断側面図であり、図１１は、同要部平面図である。
　
内周壁１２の内部から前記境界部を通って水平状壁部１２ａに延出する範囲であって、内周壁１２の内部および水平状壁部１２ａの双方に亘って絶縁コーティング層５０が幅Ｗａにて複数のメタライズ層のそれぞれの上を被覆するようにコーティングされている。絶縁コーティング層５０は垂直状壁部１２ｂの下縁から幅Ｗｂにて水平状壁部１２ａの上面上に延出しており、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上である。また、相互に隣接する絶縁コーティング層５０の間には、絶縁コーティング層５０で被覆されていない部分が形成されている。
図３において符号
で示し、図１１では符号５０Ａで示す
　
つまり、絶縁コーティング層５０はメタライズ層を覆うようにしていれば、短絡を防止できるため、図１１にて符号５０Ａにて示すように必要部分のみが絶縁コーティング層５０により被覆されている。
　但し、本実施例においては、露出部５０ａにより被覆される各メタライズ層の隣接対応部分間の絶縁を確実に得られるように、露出部５０ａの幅（以下、被覆幅Ｗｂという）が選定されている（図３及び図
１１
　【００１１】
　ところで、このように構成したセラミックパッケージの製作は次のようにして行う。まず、窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤としてイットリア、カルシア等の粉末及び適当な有機溶剤や溶媒等を添加混合して泥漿を作成し、この泥漿をドクターブレード法によりキャスティングして、シート厚０．３乃至０．６ｍｍにてグリーンシートを複数枚作成する。これら各グリーンシートを、セラミック基板１０のチップキャビティ１１及び各ビアホール（図２ではビアホール１３のみを示す）を形成するようにそれぞれ打ち抜き加工する。然る後、タングステンを主成分とするペースト状金属混合物を各グリーンシートのビアホール内に均一にすきまなく充填して乾燥する。
　【００１２】
　このような乾燥後、各メタライズ層を形成すべきグリーンシートの表面に、各メタライズ層を、図１
、図２、図３及び図１１
絶縁コーティング層
、図２、図３及び図１１
　このコーティング後の
絶縁コーティング層
絶縁コーティング層
絶縁コーティング層
絶縁コーティング層
　【００１３】
　ついで、このような処理後の積層体に無電界ニッケルメッキ処理を施す。即ち、焼成した積層体を、まず、塩化パラジウム溶液内に浸し、触媒としてのパラジウムを各メタライズ層上に還元析出させて活性化させた後、水洗いした上で、同積層体をメッキ液に浸し、還元析出したパラジウム上に金属を析出させるようにしてメッキ処理をする。これにより、積層体の各メタライズ層のうち
絶縁コーティング層
　ちなみに、本実施例にて述べたセラミックパッケージを、各メタライズ層のパターン幅Ｔ及び絶縁間隔ｔ、並びに被覆幅Ｗｂを変えて印刷した試料として多数準備し、これらのセラミックパッケージにおける各メタライズ層の間の絶縁抵抗を検査した。その結果、次の表１のような検査結果が得られた。なお、コーティング幅Ｗａは１．５ｍｍと一定にしてある。このコーティング幅Ｗａは、本実施例の場合には効果に影響を与えず、セラミック基板やチップキャビティの大きさ等により適当な値を選択すればよい。
　【００１４】
　【表１】
但し、表１において、「被覆なし」とは、
絶縁コーティング層
絶縁コーティング層
絶縁コーティング層
　ところで、上述のように、グリーンシートを積層してセラミック基板を形成する場合、積層の条件やメタライズ層のパターン幅、絶縁間隔等によっては、水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部が密着せず、図６乃至図９にて示すように開口部１２ｄができる場合がある。かかる開口部には特に塩化パラジウム溶液やメッキ液が滞留し易く洗浄しにくいため、メタライズ層間のメッキだれ等による絶縁性の低下が起こり易い。従って、従来は、かかる開口部１２ｄが発生しないように各条件を調整して対応している。
　そこで、他の実施例として、開口部１２ｄが生じた場合に、本発明を適用した場合の効果を以下に調査した。即ち、前記実施例に比べ、メタライズ層のパターン幅を広くして開口部１２ｄが発生する条件において、セラミック基板を製作し、被覆幅Ｗｂを変えてコーティングを施した場合におけるメタライズ層間の絶縁抵抗を測定した。なお、コーティング幅Ｗａは前記実施例と同様に１．５ｍｍと一定にした。この他の実施例の場合、Ｗａの値は開口部１２ｄの奥行きよりも大きくすればよい。この値は、上述のように、積層条件に影響されるので、これらを勘案して適宜選択すればよい。その結果、次の表２のような測定結果が得られた。
　【００１５】
　【表２】
　【００１６】
　但し、表２において、「被覆なし」とは、上述と同様に
絶縁コーティング層
場
係
絶縁コーティング層
絶縁コーティング層
　【００１７】
　以上説明したように、前記各実施例では、
内周壁１２の内部から前記境界部を通って水平状壁部１２ａに延出する範囲であって、内周壁１２の内部および水平状壁部１２ａの上面の双方に亘って絶縁コーティング層５０を幅Ｗａにて複数のメタライズ層３０ａ乃至３０ｎのそれぞれの上を被覆するようにコーティングし、絶縁コーティング層５０を垂直状壁部１２ｂの下縁から幅Ｗｂにて水平状壁部１２ａに延出させ、Ｗｂ＜Ｗａ、かつ、Ｗｂ＝０．０５ｍｍ以上であり、相互に隣接する絶縁コーティング層５０の間に絶縁コーティング層５０で被覆されていない部分を形成した
絶縁コーティング層
　【００１８】
　これにより、洗浄不十分によりメッキがされても、絶縁コーティングによりメタライズ層同士が短絡することはない。また、被覆幅Ｗｂ（奥行き幅に対応する）を、例えば、０．０５ｍｍ以上に設定すれば、上述の短絡故障の発生が確実に防止される。
　従って、どんなに微細なメタライズ層でも、セラミックパッケージ本体のサイズや材質を問わず、良好な無電解メッキを確保しつつ、各メタライズ層間の短絡故障を有効に防止できる。また、無電解メッキ処理後の絶縁検査でも、検査結果の合格率の向上が図れるため、検査工程の削除や工数低減が可能である。なお、以上のような効果は、電解メッキ処理の場合でも実質的に同様である。
　【００１９】
　なお、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の焼成後に、水平状壁部１２ａと垂直状壁部１２ｂとの境界部近傍にガラスペーストを塗布し加熱溶融することにより水平状壁部１２ａのセラミック部分及びメタライズ層３０ａ乃至３０ｎにガラス層をコーティングするようにしてもよい。また、本発明の実施にあたっては、セラミック基板１０の構成材料は、窒化アルミニウムに限ることなく、各種のセラミック材料を採用して実施してもよい。また、メタライズ層の材質はセラミック材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、タングステン、モリブテン、銅、銀等が挙げられる。さらに、被覆幅Ｗｂは０．０５以上であればよいが、その上限は、各メタライズ層に集積回路との接続をするため、各メタライズ層にワイヤボンディングやＴＡＢ接続できる程度の領域が残るような幅が必要であることは明らかである。この領域は、セラミック基板や各メタライズ層の大きさ、幅、ワイヤの材質や大きさ等により影響を受けるので、これらを考慮して適宜選択すればよい。
　また、本発明の実施にあたり、前記実施例にて示した各メタライズ層（図
１１
絶縁コーティング層
　【００２０】
　【発明の効果】
　上述のような本発明の構成及びその作用によれば、洗浄不十分によりメッキされても、絶縁コーティング層の存在によりメタライズ層同士が短絡することはない。その結果、当該各メタライズ層の対応部分間に短絡故障を招くことはない。また、前記奥行き幅を、前記所定値、例えば、０．０５ｍｍ以上に設定すれば、上述の短絡故障の発生が確実に防止される。従って、どんなに微細なメタライズ層でも、セラミックパッケージ本体のサイズや材質を問わず、良好な無電解メッキを確保しつつ、各メタライズ層間の短絡故障を有効に防止できる。また、無電解メッキ処理後の絶縁検査でも、検査結果の合格率の向上が図れるため、検査工程の削除や工数低減が可能である。なお、以上のような効果は、電解メッキ処理の場合でも実質的に同様である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例を示す要部破断平面図である。
　【図２】同要部破断側面図である。
　【図３】同要部拡大破断側面図である。
　【図４】
本発明の参考図
　【図５】表１の検査結果に基づき絶縁合格率と被覆幅との関係を、絶縁間隔をパラメータとしてグラフにより示す図である。
　【図６】セラミック基板の階段状内周壁に開口部があり被覆幅が零でない場合の要部拡大破断側面図である。
　【図７】同要部拡大破断側面図である。
　【図８】セラミック基板の階段状内周壁に開口部があり被覆幅が零である場合の要部拡大破断側面図である。
　【図９】同要部拡大破断側面図である。
　【図１０】表２の検査結果に基づき絶縁合格率と被覆幅との関係を、絶縁間隔をパラメータとしてグラフにより示す図である。
　【図１１】
本発明の実施例を示す要部平面図である。
　【符号の説明】
　１０・・・セラミック基板、１２・・・階段状内周壁、１２ａ・・・水平状壁部、２０・・・半導体チップ、３０ａ乃至３０ｎ・・・メタライズ層、５０・・・
絶縁コーティング層