【事件の表示】
　特許第３４７３６４０号「樹脂封止型半導体装置及びこれに用いるエポキシ樹脂封止材」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４７３６４０号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］．手続きの経緯
　本件特許第３４７３６４０号に係る発明は、平成６年８月１１日に特許出願され、平成１５年９月１９日に特許権の設定登録がなされ、その後、滝瀬　洋輔（以下、「特許異議申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、平成１６年１１月４日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１７年１月１１日に特許異議意見書と訂正請求書が提出されたものである。
　
［２］．訂正の適否
１．訂正の内容
　特許権者が求める訂正の内容は以下のとおりである。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１及び２の
「下記一般式（ＩＩＩ）及び下記一般式（ＩＶ）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種以上の硬化促進剤」を
「下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる硬化促進剤」と訂正する。
　
　訂正事項ｂ
　段落【０００７】の
「下記一般式（ＩＩＩ）及び下記一般式（ＩＶ）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種以上の硬化促進剤」を
「下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる硬化促進剤」と訂正する。
　
　訂正事項ｃ
　段落【０００８】の
「前記一般式（ＩＩＩ）及び前記一般式（ＩＶ）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種以上の硬化促進剤」を
「前記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物又は前記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と前記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる硬化促進剤」と訂正する。
　
　訂正事項ｄ
　段落【００１１】の
「一般式（ＩＩＩ）及び一般式（ＩＶ）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種以上の硬化促進剤」を
「一般式（ＩＩＩ）で示される化合物又は一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる硬化促進剤」と訂正する。　　
２．訂正の目的の適否、訂正の範囲の適否及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａは、訂正前の請求項１の「下記一般式（ＩＩＩ）及び下記一般式（ＩＶ）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種以上の硬化促進剤」との記載に基づいて、硬化促進剤を、一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を必須とするものに限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的として、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内でされたものである。
（２）訂正事項ｂ〜ｄは、訂正事項ａによる特許請求の範囲の訂正に伴い、対応する発明の詳細な説明の項の記載をこの訂正と整合させるための訂正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的として、願書に添付した明細書に記載された範囲内でされたものである。
　
３．むすび
  以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］．本件発明
　上記の結果、訂正後の本件請求項１及び２に係る発明（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、訂正明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された以下の事項によって特定されるとおりのものである。
「【請求項１】 Ｓｉチップ面積が２５ｍｍ２以上又は一辺の長さが５ｍｍ以上で、パッケージの厚さが３ｍｍ以下であるエポキシ樹脂封止材で封止された薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、エポキシ樹脂封止材として下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
（式中ＲはＨ又はＣＨ３基を示し、ｎは０〜３の数を示す。）
下記一般式（ＩＩ）で示される硬化剤、
（式中ｍは０〜３０の数を示す。）
下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる硬化促進剤、
ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる離型剤並びに、充填剤として６５〜９０ｖｏｌ％の溶融シリカを配合したエポキシ樹脂封止材を用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】 薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置に用いられ、下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
（式中ＲはＨ又はＣＨ３基を示し、ｎは０〜３の数を示す。）
下記一般式（ＩＩ）で示される硬化剤、
（式中ｍは０〜３０の数を示す。）
下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる硬化促進剤、
ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる離型剤並びに、充填剤として６５〜９０ｖｏｌ％の溶融シリカを配合したことを特徴とするエポキシ樹脂封止材。」
　
［４］．　特許異議の申立てについての判断
　［４−１］．特許異議申立人の主張
  特許異議申立人は、甲第１〜７号証及び参考資料１、２を提出して、概略、次の理由により訂正前の本件請求項１及び２に係る特許は取り消されるべきである旨、主張する。
（１）訂正前の本件請求項１及び２に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反し、特許を受けることができない。
（２）訂正前の本件請求項１及び２に係る発明は、本件の出願の日前の特許出願であって本件の出願後に出願公開された特願平５−１０９０３３号（特開平６−３６２２０号公報（甲第７号証）参照。：以下、「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であり、先願明細書に記載された発明の発明者と訂正前の本件の請求項１及び２に係る発明の発明者とが同一の者ではなく、また、本件の出願の時に先願の出願人と本件の出願人とが同一の者でもない。
　
　［４−２］．取消理由通知の概要
  当審において平成１６年１１月４日付けで通知した取消理由は、特許異議申立人の申し立てた上記の理由（１）及び（２）と同旨であり、引用した刊行物等は以下のとおりである。
　
＜刊行物等＞
刊行物１：特開平４−３２５５１７号公報（特許異議申立人が提出した甲第１号証）
刊行物２：特開昭６０−１８５２１号公報（同甲第２号証）
刊行物３：特開平６−１６９０５号公報（同甲第３号証）
刊行物４：特開平６−１６９０４号公報（同甲第４号証）
刊行物５：特開平５−３２７０号公報（同甲第５号証）
刊行物６：特開平５−１５２４６５号公報（同甲第６号証）
先願明細書：特願平５−１０９０３３号の願書に最初に添付した明細書又は図面（特開平６−３６２２０号公報（同甲第７号証）参照。）
参考資料１：尾崎　敏範、石川　雄一”樹脂封止半導体の耐湿性試験方法”Zairyo−to−Kankyo，Vol．40，No．1，ｐ．57−65（1991）（同参考資料１）
参考資料２：特開平６−６９２５９号公報（同参考資料２）
　
＜刊行物等の記載事項＞
　刊行物１　
（１−１）「エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール系硬化剤（Ｂ）、溶融シリカ（Ｃ）とを必須成分として含有してなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）が式（Ｉ）
（ただし、Ｒ１ 〜Ｒ８ は水素原子、Ｃ１ 〜Ｃ４ の低級アルキル基またはハロゲン原子から選ばれ、すべてが同一である必要はない。）で表されるエポキシ樹脂 （ａ１ ）、および、式（ＩＩ）−省略−で表されるエポキシ樹脂（ａ２ ）の、少なくとも一方を必須成分として含有し、前記フェノール系硬化剤（Ｂ）が式（ＩＩＩ）
（ただし、Ｒは水素原子、Ｃ１ 〜Ｃ４ の低級アルキル基またはハロゲン原子から選ばれ、すべてが同一である必要はない。また、ｎは０以上の整数を示す。）で表されるフェノール系化合物（ｂ）を必須成分として含有するとともに、前記溶融シリカ（Ｃ）が平均粒径１０μｍ以下の破砕状溶融シリカ９７〜６０重量％と平均粒径４μｍ以下の球状溶融シリカ３〜４０重量％からなり、球状溶融シリカの平均粒径が破砕状溶融シリカの平均粒径より小さく、かつ溶融シリカ（Ｃ）を含む無機充填材の割合が全体の７５〜９０重量％であるエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
（１−２）「本発明の目的は、かかる半田付け工程で生じるパッケージクラックの問題を解消する、すなわち半田耐熱性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。」（段落【０００８】）
（１−３）「また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）とフェノール系硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化触媒を用いてもよい。硬化触媒は硬化反応を促進するものならば特に限定されず、たとえば・・・トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレートなどの有機ホスフィン化合物があげられる。なかでも耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物が好ましく、・・・」（段落【００３９】）
（１−４）「本発明のエポキシ樹脂組成物には・・・長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、パラフィンワックス、変性シリコーンオイルなどの離型剤を任意に添加することができる。」（段落【００４８】）
（１−５）「本発明のエポキシ樹脂組成物は、特定のエポキシ樹脂、特定の硬化剤と特定の粒径、形状の組み合わせからなる溶融シリカとを使用したことによって半導体封止用として優れた半田耐熱性を有する。」（段落【００６３】）
　
　刊行物２
（２−１）「（１）架橋剤を含むエポキシ樹脂を主成分とし、硬化促進剤として有機ホスフイン・有機ボロンコンプレツクスを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
（２）コンプレツクスがトリフエニルホスフイン・トリフエニルボロン，トリブチルホスフイン・トリフエニルボロン，トリシクロヘキシルホスフイン・トリフエニルボロンからなる群の中から選ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第１項記載のエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲の請求項１及び２）
（２−２）「この発明は、半導体素子等の電子部品の封止用あるいは、積層板製造用に適したエポキシ樹脂組成物に関する。」（第１頁右欄第２〜４行）
（２−３）「この発明にかかるエポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤として前記のような有機ホスフイン・有機ボロンコンプレツクスが配合されているので、耐湿信頼性（耐Ａｌ腐食），電気特性，潜在硬化性のいずれもが優れているのである。」（第２頁左下欄第３〜７行）
　
　刊行物３　
（３−１）「ポリオレフィン系ワックスを含有したことを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。」（特許請求の範囲の請求項１）
（３−２）「本発明は電気部品、電子部品、半導体素子等を封止するための、封止用エポキシ樹脂成形材料に関するものである。」（段落【０００１】）
（３−３）「離型剤としてはポリオレフィン系ワックスを用いることが必要で、酸価１０以上の酸化ポリエチレンワックスであることが好ましい。」（段落【０００５】）
（３−４）実施例１として、エポキシ樹脂：１３０，フェノールノボラック：５０，トリフェニルホスフィン：２，酸化ポリエチレンワックス：１，カーボンブラック：１．５，カップリング剤：５及び溶融シリカ：７５０を配合した組成物が記載されている。（段落【０００８】表１）
　
　刊行物４
（４−１）「ポリオレフィン系ワックスと他のワックスとを含有したことを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。」（特許請求の範囲の請求項１）
（４−２）「本発明は電気部品、電子部品、半導体素子等を封止するための、封止用エポキシ樹脂成形材料に関するものである。」（段落【０００１】）
（４−３）「離型剤としてはポリオレフィン系ワックスを用いることが必要で、酸価１０以上の酸化ポリエチレンワックスであることが好ましい。併用する他のワックスとしてはモンタン酸系ワックス、カルナバワックス等を併用することが望ましい。」（段落【０００５】）
（４−４）実施例１として、エポキシ樹脂：１３０，フェノールノボラック：５０，トリフェニルホスフィン：２，酸化ポリエチレンワックス：１，カルナバワックス：９，カーボンブラック：１．５，カップリング剤：５及び溶融シリカ：７５０を配合した組成物が記載されている。（段落【０００８】表１）
　
　刊行物５　
（５−１）「エポキシ樹脂を主剤とし、フェノール樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物において、分子構造中にグリシジルエーテル基を２個有するエポキシ樹脂を、全エポキシ樹脂に対してエポキシ当量換算で５０％以上の割合で含むとともに、分子構造中にフェノール性水酸基を２個有するフェノール樹脂を、全フェノール樹脂に対して水酸基当量換算で５０％以上の割合で含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲の請求項１）
（５−２）「このような事情に鑑み、この発明は、上述の半田付け工程時等、高温にさらされた時にクラックが発生しにくく、これにより、表面実装方式の樹脂封止半導体装置の製品化を可能にする半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを課題とする。」（段落【０００６】）
（５−３）実施例４には、２官能エポキシ樹脂：（ａ）８５／１００（当量／全エポキシ当量），その他のエポキシ樹脂：（ｂ）１５／１００（当量／全エポキシ当量），２官能フェノール樹脂：（ａ）６５／１００（当量／全水酸基当量），その他のフェノール樹脂：（ｂ）２０／１００（当量／全水酸基当量），その他のフェノール樹脂：（ｃ）１５／１００（当量／全水酸基当量），硬化促進剤：０．２（重量部），離型剤：（ａ）０．０５（重量部），離型剤：（ｂ）０．２（重量部），着色剤：０．２５（重量部），無機充填材：８２（重量部），カップリング剤（ａ）：０．２（重量部）及びカップリング剤（ｂ）：０．２（重量部）からなる組成物が記載されている。（段落【００２１】表１）
（５−４）「なお、表１および２中、各原材料の詳細は、以下の通りであった。２官能エポキシ樹脂（ａ）：下記構造式化１で示され、エポキシ当量１９０、融点１０５℃のビフェニル型エポキシ樹脂「ＹＸ４０００Ｈ」（油化シェルエポキシ（株）製）。
【化１】
」（段落【００２３】〜【００２４】）
（５−５）「その他のフェノール樹脂（ｃ）：下記構造式化７で示され、水酸基当量１８２、融点８５℃のｐ−キシレン・フェノール重合体「ミレックスＸＬ−２２５Ｌ」（三井東圧化学（株）製）。
【化７】
硬化促進剤：２−エチル−４−メチルイミダゾール。
離型剤（ａ）：酸化ポリエチレン。
離型剤（ｂ）：モンタン酸系。
着色剤：カーボンブラック。
無機充填材：シリカ微粉末。」（段落【００３５】〜【００３７】）
（５−６）「この発明にかかる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、低吸湿性であるとともに加熱時低応力であるため、耐熱性に優れ、半田付け工程時等、高温にさらされた時にクラックが発生しにくい。これにより、表面実装方式の樹脂封止半導体装置の製品化を可能にすることができ、その工業的価値は大きい。」（段落【００４４】）
　
　刊行物６
（６−１）「【請求項１】（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）無機充填剤および（Ｃ）離型剤を含む樹脂組成物であって、前記離型剤の一部を前熱記硬化性樹脂、無機充填剤と溶融混合させた組成物に、残部の離型剤が添加されて成ることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】前記熱硬化性樹脂が硬化剤、硬化促進剤を含むエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】前記離型剤がポリオレフィンワックスまたは／およびモンタンワックスをベースとするワックスを含む離型剤であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体封止用樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
（６−２）「こうした樹脂封止半導体装置の分野においては、半導体素子の高集積化に伴って、半導体素子の各種機能単位の微細化、半導体チップ自体の大型化が急速に進んでいる。さらに半導体装置は小型、薄型化の傾向にある。また、実装面においても自動化、薄型化の点で有利な表面実装型の半導体装置の要求が高い。」（段落【０００２】）
（６−３）「該無機充填剤としては、アルミナ、窒化ホウ素、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ等の粉末を用いるのがよい。該無機充填剤の配合量は目的とする半導体装置によって異なるが、通常５０〜８５体積％が用いられる。」（段落【００１４】）
（６−４）「また、（Ｃ）成分の離型剤としてはエステル系ワックス、炭化水素系ワックス、脂肪酸系ワックス、脂肪酸アミド系ワックス等が挙げられる。耐湿性の点から、カルナバワックス、モンタンワックスなどのエステル系ワックスが好ましく、その他にステアリン酸、パルチミン酸、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の長鎖のカルボン酸およびこれらの金属塩、低分子量ポリエチレンワックス等が挙げられる。これらのワックスは２種以上併用しても、あるいは予備反応させたものであってもよい。」（段落【００１５】）
（６−５）「〔実施例２〕エポキシ樹脂として２官能のビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂９０ｇ、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂４５ｇ、無機充填剤として溶融シリカ６１０ｇ、その他は実施例１と同じ組成とし、同様にして半導体封止用樹脂組成物を作成した。（段落【００２３】）
　
　先願明細書
（先−１）「 （ａ）一般式〔１〕
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し互いに異なっていてもよい、ｎは０〜２の整数を示す。）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、
（ｂ）一般式〔２〕
（式中、ｍは１〜１０の整数を示す。）で表される硬化剤、
（ｃ）一般式〔３〕
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はフェニル基，ブチル基，シクロヘキサン環を示し互いに異なっていてもよい。）で表される硬化促進剤と、
（ｄ）組成物の全体に対して５０〜９０容量％の無機充填剤、
を含むエポキシ樹脂組成物で封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
（先−２）「・・・半導体装置は、実装の高密度化が強く要望され、最近では高密度実装に適した表面実装型半導体装置が主流になりつゝある。しかも、パッケージは年々小型薄型化の趨勢にある。それに伴い樹脂封止層は著しく薄肉化している。
　特に、・・・厚さが１ｍｍ前後の薄型表面実装型パッケージの需要が増大しており、また、厚さが０．５ｍｍ以下の超薄型表面実装型パッケージの開発も進められている。・・・薄肉の表面実装型の樹脂封止型半導体装置には耐はんだリフロー性（はんだリフロー時のパッケージの耐クラック性）の向上が強く望まれている。」（段落【０００３】〜【０００６】）
（先−３）「本発明の目的は、こうした状況に鑑み、ボイド等の内部欠陥が少なく、耐はんだリフロー性および前記電極と金ワイヤとの接続信頼性の優れたエポキシ系樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置を安定的に提供することにある。」（段落【００１０】）
（先−４）「前記一般式〔３〕で表される硬化促進剤は、有機ホスフィン系化合物の有機ボロン塩である。具体的にはトリフェニルホスフィン・トリフェニルボロン、トリブチルホスフィン・トリフェニルボロン、トリシクロヘキシルホスフィン・トリフェニルボロン等がある。」（段落【００２１】）
（先−５）「無機充填剤としては溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ等の微粉末を用いることができる。」（段落【００２４】）
（先−６）「更に、カルナバワックス、モンタン酸系ワックス、ポリアルキレン系ワックス等公知の化合物を離型剤として用いてもよい。」（段落【００２８】）
（先−７）実施例１には、ビフェニル型エポキシ樹脂：８５，臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂：１５，フェノールアラルキル樹脂：８５，硬化促進剤　ＴＰＰ−ＴＰＢ（註：トリフェニルホスフィン・トリフェニルボロン）：５，三酸化アンチモン：１５，溶融シリカ（容量％）：７４，ポリジメチルシロキサン：１０，エポキシシラン：１０，モンタン酸エステル：２及びカーボンブラック：２からなる樹脂組成物が記載されている。（段落【００４７】表１）
（先−８）「次に、表面にアルミニウムのジクザク配線を形成したシリコンチップ（６ｍｍ×６ｍｍ）を４２アロイ系のリードフレームに搭載し、更に，チップ表面のアルミニウム電極とリードフレーム間を金線（３０μｍφ）でワイヤボンディングした後、全体を表１の実施例４，５及び比較例１〜３の材料を用いて前記の条件で封止し、１８０℃で５時間の後硬化を行い、表面実装型のＱＦＰ−ＩＨを作成した。各半導体装置の耐はんだリフロー性、耐湿信頼性、高温放置信頼性試験を行った。」（段落【００５３】）
（先−９）「本発明の樹脂封止型半導体装置は、耐はんだリフロー性、耐湿信頼性並びに高温放置信頼性に優れ、特に、金ワイヤとアルミニウム電極接合部の高温における接続信頼性が優れており、実装の高密度化を図ることができる。」（段落【００６０】）
　
　　［４−３］．特許法第２９条第２項違反について
（１）本件発明２
　本件発明２と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１には、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール系硬化剤（Ｂ）、溶融シリカ（Ｃ）とを必須成分として含有してなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）が式（Ｉ）
（ただし、Ｒ１ 〜Ｒ８ は水素原子、Ｃ１ 〜Ｃ４ の低級アルキル基またはハロゲン原子から選ばれ、すべてが同一である必要はない。）で表されるエポキシ樹脂 （ａ１ ）を必須成分として含有し、前記フェノール系硬化剤（Ｂ）が式（ＩＩＩ）
（ただし、Ｒは水素原子、Ｃ１ 〜Ｃ４ の低級アルキル基またはハロゲン原子から選ばれ、すべてが同一である必要はない。また、ｎは０以上の整数を示す。）で表されるフェノール系化合物（ｂ）を必須成分として含有するとともに、溶融シリカ（Ｃ）を含む無機充填材の割合が全体の７５〜９０重量％であるエポキシ樹脂組成物（摘示記載（１−１））が記載されており、この樹脂組成物が半田耐熱性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物であること（摘示記載（１−２））、硬化反応を促進するため硬化触媒を用いてもよく、硬化触媒としてトリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート等が挙げられること（摘示記載（１−３））及び長鎖脂肪酸のエステル、パラフィンワックス等の離型剤を任意に添加し得ること（摘示記載（１−４））が記載されている。
　刊行物１に記載された式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）と本件発明２における一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）とを対比すると、刊行物１に記載された「式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂（ａ１ ）」及び「式（ＩＩＩ）で表されるフェノール系化合物（ｂ）」は、それぞれ、本件発明２における「一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂」及び「一般式（ＩＩ）で示される硬化剤」に相当するものであり、刊行物１に硬化触媒として記載された「トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート」は本件発明２における「一般式（ＩＶ）で示される化合物」に該当するものである。
　そうすると、本件発明２と刊行物１に記載された発明とは、本件発明２に即してみれば、ともに、
「樹脂封止型半導体装置に用いられ、下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
（式中ＲはＨ又はＣＨ３基を示し、ｎは０〜３の数を示す。）
下記一般式（ＩＩ）で示される硬化剤、
（式中ｍは０〜３０の数を示す。）
硬化促進剤、離型剤並びに、充填剤として溶融シリカを配合したエポキシ樹脂封止材」
である点で一致しており、エポキシ樹脂封止材に対する溶融シリカの配合量範囲についても重複しているが、これらの発明の間には次の点で相違が認められる。
（あ）本件発明２が「薄型表面実装型の」樹脂封止型半導体装置に用いられるものであるのに対して、刊行物１にはこのような半導体装置にエポキシ樹脂組成物を適用することについて記載されていない点、
（い）本件発明２においては硬化促進剤が「下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物
」からなるのに対して、刊行物１に記載された発明においては、この一般式（ＩＶ）で示される化合物を硬化触媒（硬化促進剤）とする点、及び、
（う）本件発明２においては離型剤が「ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる」ものであるのに対して、刊行物１には長鎖脂肪酸のエステル、パラフィンワックス等を離型剤として用いることが記載されているにとどまる点
　そこで、これらの相違点の内、まず（い）の点について以下に検討する。
　刊行物１には、本件発明２における一般式（ＩＶ）で示される化合物を硬化触媒（硬化促進剤）として用いることは記載されているものの、これと本件発明２における一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を併用すること、更には、一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を硬化促進剤として単独使用することについては、記載も示唆もされていない。
　また、刊行物２〜６のいずれにも、エポキシ樹脂組成物において硬化促進剤として一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を用いることは開示されていない。
　そして、本件発明２はこの点により、半田付け時のパッケージのフクレやクラックが発生することなく、外観にボイドが発生せず、耐湿信頼性に優れているという、本件訂正明細書に記載された顕著な作用効果を生ずるものと認められる。
  したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、刊行物１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（２）本件発明１
　本件発明１は、本件発明２に係るエポキシ樹脂封止剤を用いた樹脂封止型半導体装置の発明であるが、上記のように、前提となる本件発明２が刊行物１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件発明１もまた本件発明２と同様の理由により、刊行物１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　　［４−４］．特許法第２９条の２違反について
（１）本件発明１
　本件発明１と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　先願明細書には、その特許請求の範囲の請求項１に、（ａ）一般式〔１〕
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し互いに異なっていてもよい、ｎは０〜２の整数を示す。）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、（ｂ）一般式〔２〕
（式中、ｍは１〜１０の整数を示す。）で表される硬化剤、（ｃ）一般式〔３〕
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はフェニル基，ブチル基，シクロヘキサン環を示し互いに異なっていてもよい。）で表される硬化促進剤と、（ｄ）組成物の全体に対して５０〜９０容量％の無機充填剤、を含むエポキシ樹脂組成物で封止されている樹脂封止型半導体装置（摘示記載（先−１））の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されており、また、薄肉の表面実装型の樹脂封止型半導体装置には耐はんだリフロー性（はんだリフロー時のパッケージの耐クラック性）の向上が強く望まれていたこと（摘示記載（先−２））、先願発明が、ボイド等の内部欠陥が少なく、耐はんだリフロー性および前記電極と金ワイヤとの接続信頼性の優れたエポキシ系樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置を安定的に提供すること（摘示記載（先−３））を目的とすること、無機充填剤としては溶融シリカ等の微粉末を用い得ること（摘示記載（先−５））及びカルナバワックス、モンタン酸系ワックス、ポリアルキレン系ワックス等の化合物を離型剤として用いてもよいこと（摘示記載（先−６））が記載され、更に、表面にアルミニウムのジクザク配線を形成した６ｍｍ×６ｍｍのシリコンチップを樹脂封止した実施例（摘示記載（先−８））が示されている。
　これらの記載からみて、先願発明は、一辺の長さが５ｍｍ以上であるＳｉチップがエポキシ樹脂封止材で封止された表面実装型の樹脂封止型半導体装置に係るものということができ、先願発明における「一般式〔１〕で表されるビフェニル型エポキシ樹脂」、「一般式〔２〕で表される硬化剤」及び「一般式〔３〕で表される硬化促進剤」は、その構造式からみて、それぞれ本件発明１における「一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂」、「一般式（ＩＩ）で示される硬化剤」及び「一般式（ＩＶ）で示される化合物」に相当するものである。
　そうすると、本件発明１と先願発明とは、本件発明１に即してみれば、ともに、
「Ｓｉチップ（一辺の長さが５ｍｍ以上）がエポキシ樹脂封止材で封止された表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、エポキシ樹脂封止材として下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
（式中ＲはＨ又はＣＨ３基を示し、ｎは０〜３の数を示す。）
下記一般式（ＩＩ）で示される硬化剤、
（式中ｍは０〜３０の数を示す。）硬化促進剤、離型剤並びに、充填剤として溶融シリカを配合したエポキシ樹脂封止材を用いた樹脂封止型半導体装置」
である点で一致しており、エポキシ樹脂封止材に対する溶融シリカの配合量範囲についても重複しているが、これらの発明の間には以下の点で相違が認められる。
（え）本件発明１が、「パッケージの厚さが３ｍｍ以下である・・・薄型」表面実装型の樹脂封止型半導体装置としているのに対して、先願発明ではパッケージの厚さについてこのような限定をしていない点、
（お）本件発明１においては、「下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる硬化促進剤」を用いるのに対して、先願発明においては、この一般式（ＩＶ）で示される化合物を硬化促進剤とする点、及び、
（か）本件発明１においては離型剤が「ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる」ものであるのに対して、先願発明では、このようなポリエチレン系ワックス等を離型剤として用いることが規定されていない点
　そこで、これらの相違点の内、まず（お）の点について以下に検討する。
　先願発明は、本件発明１における一般式（ＩＶ）で示される化合物を硬化促進剤として用いるものであるが、一般式（ＩＶ）で示される化合物と一般式（ＩＩＩ）で示される化合物とを併用すること、更には、一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を硬化促進剤として単独使用することについては記載されていない。
　そして、本件発明１はこの点により、半田付け時のパッケージのフクレやクラックが発生することなく、外観にボイドが発生せず、耐湿信頼性に優れているという、本件訂正明細書に記載された顕著な作用効果を生ずるものであるから、この点には充分な技術的意味が認められる。
  したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、先願明細書に記載された発明と同一ではない。
　
（２）本件発明２
　本件発明２は、本件発明１の樹脂封止型半導体装置の発明の主要部であるエポキシ樹脂封止剤自体の発明であるが、上記のように、エポキシ樹脂封止剤の組成の相違により本件発明１が先願明細書に記載された発明と同一ではない以上、本件発明２もまた本件発明１と同様の理由により、先願明細書に記載された発明と同一ではない。
　  
［５］．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明１及び２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年６月２７日（２００５．６．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
樹脂封止型半導体装置及びこれに用いるエポキシ樹脂封止材
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】Ｓｉチップ面積が２５ｍｍ２以上又は一辺の長さが５ｍｍ以上で、パッケージの厚さが３ｍｍ以下であるエポキシ樹脂封止材で封止された薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、エポキシ樹脂封止材として下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
　【化１】
（式中ＲはＨ又はＣＨ３基を示し、ｎは０〜３の数を示す。）
下記一般式（ＩＩ）で示される硬化剤、
　【化２】
（式中ｍは０〜３０の数を示す。）
下記一般式（ＩＩＩ）
で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる
　【化３】
ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる離型剤並びに、
充填剤として６５〜９０ｖｏｌ％の溶融シリカを配合したエポキシ樹脂封止材を用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項２】薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置に用いられ、下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
　【化４】
（式中ＲはＨ又はＣＨ３基を示し、ｎは０〜３の数を示す。）
下記一般式（ＩＩ）で示される硬化剤、
　【化５】
（式中ｍは０〜３０の数を示す。）
下記一般式（ＩＩＩ）
で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる
　【化６】
ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる離型剤並びに、
充填剤として６５〜９０ｖｏｌ％の溶融シリカを配合したことを特徴とするエポキシ樹脂封止材。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、大型Ｓｉチップ、薄型パッケージの表面実装型の樹脂封止型半導体装置及びこれに用いられるエポキシ樹脂封止材に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は素子の集積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半導体装置の小型化、薄型化が進んでいる。同時に半導体装置の基板への取付けを行うときに、半導体装置自体が短時間のうちに２００℃以上の高温にさらされるようになってきた。このとき、樹脂封止材中に含有される水分が気化し、ここで発生する蒸気圧が樹脂と素子、リードフレーム等のインサートとの界面において、剥離応力として働き、樹脂とインサートの間で剥離が発生し、特に薄型の樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置のフクレやクラックに至ってしまうことになる。この対策として、樹脂封止材の吸湿量を少なくするため、充填材として結晶シリカ、溶融シリカ又はこれらの混合物を従来５０〜６０ｖｏｌ％含有させていたのを、充填材として溶融シリカのみを使用し、含有量を６５〜９０ｖｏｌ％とした樹脂封止材で封止したり、更にインサートとの密着力を向上させるため、エポキシ樹脂を通常用いられるｏ−クレゾールノボラック型に代えて、後述の一般式（Ｉ）で示されるようなエポキシ樹脂を使用あるいは併用した樹脂封止材で封止したり、硬化材を通常用いられるフェノールノボラック樹脂に代えて後述の一般式（ＩＩ）で示されるようなアラルキル型フェノール樹脂を使用あるいは併用した樹脂封止材で封止することが行われている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　先に示した樹脂封止材で封止した薄型の樹脂封止型半導体装置は、半田付け時のフクレやクラックは発生しなくなるが、離型性及び保存安定性が悪いため連続成形性が困難であったり、樹脂封止型半導体装置の外観にボイドが発生し、耐湿信頼性に劣るという問題がある。
　【０００４】
　本発明は、特に薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、半田付け時のフクレやクラックが発生せず、耐湿信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明はＳｉチップ面積が２５ｍｍ２以上又は一辺の長さが５ｍｍ以上で、パッケージの厚さが３ｍｍ以下であるエポキシ樹脂封止材で封止された薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、エポキシ樹脂封止材として下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
　【０００６】
　【化７】
（式中ＲはＨ又はＣＨ３基を示し、ｎは０〜３の数を示す。）
下記一般式（ＩＩ）で示される硬化剤、
　【０００７】
　【化８】
（式中ｍは０〜３０の数を示す。）
下記一般式（ＩＩＩ）
で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる
　【０００８】
　【化９】
ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる離型剤並びに
充填剤として６５〜９０ｖｏｌ％の溶融シリカを配合したエポキシ樹脂封止材を用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置を提供するものである。
　また、本発明は、薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置に用いられ、前記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、
前記一般式（ＩＩ）で示される硬化剤、
前記一般式（ＩＩＩ）
で示される化合物又は下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と下記一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる
ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる離型剤並びに、
充填剤として６５〜９０ｖｏｌ％の溶融シリカを配合したことを特徴とするエポキシ樹脂封止材を提供するものである。
　【０００９】
　本発明のエポキシ樹脂封止材中の前記エポキシ樹脂の配合割合は７０〜１００重量％とすることが好ましい。また、エポキシ封止材中のエポキシ樹脂に対する硬化剤の好ましい配合割合は、エポキシ樹脂のエポキシ当量／硬化剤のＯＨ当量＝０．８〜１．２の範囲である。
　【００１０】
　本発明においては、離型剤を従来使用していたカルナバ、モンタン酸エステル系ワックスに代えて、ポリエチレン系ワックス単独で又はポリエチレン系ワックスとカルナバ、モンタン酸エステル系ワックス等を併用することにより、離型性を改良し、連続成形性を容易にした。本発明において前記離型剤の好ましい配合割合はエポキシ樹脂１００重量部に対して０．５〜５重量部である。
　【００１１】
　また、樹脂封止材の保存安定性が悪いと、流動性が劣化し、連続成形性が困難になる。そこで、本発明においては、硬化促進剤を従来使用していたトリフェニルホスフィン、イミダゾール等から潜在性のある（活性化エネルギーに変曲点がある。低温で反応が遅く、高温で反応が早い。）硬化促進剤、すなわち、一般式（ＩＩＩ）
で示される化合物又は一般式（ＩＩＩ）で示される化合物と一般式（ＩＶ）で示される化合物からなる
　【００１２】
　更に樹脂封止型半導体装置の外観にボイドが発生する原因は、従来使用していた硬化促進剤のトリフェニルホスフィン、イミダゾール等が、金型（１７０〜１８０℃）で成形する際、酸化され、触媒作用がなくなった部分が未硬化状態になり、ボイドとして樹脂封止型半導体装置の外観に発生するものと考えられる。そこで、本発明においては、酸化されにくい上記硬化促進剤を使用することにより、ボイドの発生がなく、耐湿信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を得られるようにした。
　【００１３】
　硬化促進剤の配合割合は好ましくはエポキシ樹脂１００重量部に対して０．１〜１０重量部である。
　【００１４】
　本発明において使用されるエポキシ樹脂封止材にはその他の添加剤としてカーボンブラック等の着色剤、シランカップリング剤及び難燃剤等を配合することが出来る。
　【００１５】
　【作用】
　前記したエポキシ樹脂封止材を用いて封止した樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止材中に含有する水分が少なく、更にインサートとの密着力が高くなり、半田付け時のフクレやクラックが発生することなくまた、離型性、保存安定性に優れているため連続成形性が容易であり、樹脂封止型半導体装置の外観にボイドが発生せず、耐湿信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供することが出来る。
　【００１６】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例及びその比較例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
　【００１７】
実施例１
　まず、表１に示す各種の素材を予備混合（ドライブレンド）した後、二軸ロール（ロール表面温度約８０℃）で１０分間混練し、冷却粉砕してエポキシ樹脂封止材を製造した。
　【００１８】
　このエポキシ樹脂封止材を用い、トランスファー成形機を用い、金型温度１８０℃、成形圧力７０ｋｇｆ／ｃｍ２、硬化時間９０ｓｅｃの条件で成形した。スパイラルフロー（ＳＦ）は、ＥＭＭＩ１−６６に準じて測定した。また、保存安定性は、エポキシ樹脂封止材（通常５℃以下で保管する。）を常温戻し後（室温／２４ｈ）、室温にて保管し、ＳＦの１０％劣化（９０％保持）時間を測定した。離型性（連続成形性）は、エムテックスマツムラ（株）製のオートモールド成形機ＡＴＯＭ−１００ＰＦ（型締圧、５０トン、ＰＫＧ：ＳＯＰ２０Ｐ、Ｌ／Ｆ：Ｃｕ）を用いて、同様の条件で成形し、連続成形性（連続して成形しているうちに、離型性の悪いものはパッケージが金型の上型にハリツキを起こしたり、カルの部分が分離したりする）を測定した。
　【００１９】
　更に、エポキシ樹脂封止材を用いて、半導体素子をトランスファー成形機で同様の条件で成形し、後硬化（１７５℃／６ｈ）後パッケージの外観ボイド（実体顕微鏡を用いて観察した。また、０．１ｍｍ以上のボイドを測定した。）、半田付け時のパッケージクラック性とその後の耐湿信頼性を測定した。ボイド、半田付時のパッケージクラック性、耐湿信頼性に用いた半導体装置は、ＱＦＰ８２Ｐの樹脂封止型半導体装置（外形寸法２０×１４×２．０ｍｍ）であり、リードフレームは４２ａｌｌｏｙで８×１０ｍｍのチップサイズを有するものである。（チップのデザインはＡｌ１５μｍ幅、ギャップ５μｍ、パッシベーションなし）。このようにして得られた樹脂封止型半導体装置について、ボイドの観察及び１２５℃／２４ｈベーキング後、８５℃／８５％ＲＨで所定の時間吸湿させた後、２１５℃／９０ｓｅｃの処理を行ったときの樹脂封止型半導体装置のクラック発生率を求めた。クラックが発生しなかったパッケージについて、耐湿信頼性試験を行った。耐湿信頼性はＰＣＴ（１２１℃、２ａｔｍ）中に１０００ｈ放置後に導通試験を行い、Ａｌ配線の腐食による断線を測定した。上記の各試験結果をまとめて表２に示す。
　【００２０】
　【表１】
注）＊１　本文中の式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂（Ｒ＝ＣＨ３基ｎ＝１）
　＊２　本文中の式（ＩＩ）で示される硬化剤（ｍ＝３）
　＊３　本文中の式（ＩＩＩ）で示される硬化促進剤
　＊４　本文中の式（ＩＶ）で示される硬化促進剤
　【００２１】
　【表２】
　【００２２】
＊１　離型性（連続成形性）
　エムテックスマツムラ製オートモールド成形機、ＡＴＯＭ−１００ＰＦ（型締圧５０トン）、ＰＫＧ：ＳＯＰ２０Ｐ、Ｌ／Ｆ：Ｃｕ、チップなし、成形条件、１８０℃／９０ｓｅｃ。連続して成形しているうちに、パッケージが金型の上型にハリツキをおこしたり、カルの部分が分離したショット数を測定した。
　【００２３】
＊　２　ボイド
　半導体素子をトランスファー成形機で、１８０℃／９０ｓｅｃの条件で成形し、１７５℃／６ｈ後硬化後ＰＫＧの外観ボイドを測定した（実体顕微鏡を用いて、０．１ｍｍ以上のボイドを測定した）。ＰＫＧ：ＱＦＰ８２Ｐ、（外形寸法２０×１４×２．０ｍｍ）、Ｌ／Ｆ：４２ａｌｌｏｙ、チップサイズ８×１０ｍｍ（Ａｌ１５μｍ幅、ギャップ５μｍ、パッシベーションなし）、Ａｕ線２５μｍ、
　【００２４】
＊　３　半田付け時のクラック
　外観ボイドを測定した後、１２５℃／２４ｈベーキング後８５℃／８５％ＲＨ４８ｈ吸湿させた後、２１５℃／９０ｓｅｃ処理したもの。
　【００２５】
＊４　耐湿信頼性
　半田付けのクラックテストを行った後パッケージクラックのないものについて、耐湿信頼性試験、ＰＣＴ１０００ｈ（１２１℃／２ａｔｍ）を行った後、導通試験を行い、Ａｌ配線の腐食による断線を測定した。
　【００２６】
　【発明の効果】
　本発明のＳｉチップの表面が２５ｍｍ２以上又は一辺の長さが５ｍｍ以上、パッケージの厚さが３ｍｍ以下の薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置は、半田付け時のパッケージのフクレやクラックが発生することなく、また、離型性、保存安定性が優れているため連続成形性が容易であり、樹脂封止型半導体装置の外観にボイドが発生せず、耐湿信頼性に優れた特性を有している。
　また、本発明のエポキシ樹脂封止材は、上記の樹脂封止型半導体装置の製造に、封止材として好適に用いられる。