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【手続補正書】
【提出日】平成27年8月17日(2015.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
障壁を有する可燃性熱源の製造方法であって、
キャビティを定めるモールドを準備する準備ステップと、
前記モールドのキャビティ内に粒子成分を導入する導入ステップと、
前記モールドに隣接させて前記キャビティの開口部を覆うように層状要素を配置する配置ステップと、
前記粒子成分を圧縮して前記可燃性熱源を形成する圧縮ステップと、
を含み、前記圧縮ステップ中、パンチ及び前記モールドを用いて前記層状要素を打ち抜くことによって前記障壁が形成され、前記パンチは、前記障壁に対し、前記粒子成分を圧縮して前記障壁を前記可燃性熱源に固定するように作用する、
ことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記可燃性熱源と前記障壁の間に接着剤を与えるステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記接着剤は、前記層状要素が前記モールドに隣接して配置される前に前記層状要素に適用される、
ことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記接着剤は、スプレーガン、ローラ及びスロットガンのうちの少なくとも１つによって適用される、
ことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記粒子成分は、結合剤を含む、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
前記結合剤は、前記可燃性熱源を前記障壁に結合するように構成される、
ことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記障壁は、前記可燃性熱源の側面に沿って少なくとも部分的に延びてキャップを形成する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
前記パンチの輪郭は凹状である、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
前記障壁は熱伝導性である、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１０】
前記障壁の熱伝導率は、少なくとも約２００Ｗ／ｍ．ｋ．である、
ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記障壁は不燃性である、
ことを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記障壁は、実質的に空気不透過性である、
ことを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１３】
連続回転マルチキャビティプレス機を利用する、
ことを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１４】
前記粒子成分は、可燃性炭素質材料を含む、
ことを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１５】
喫煙物品のための可燃性熱源の製造方法である、
ことを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月18日(2015.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の境界ロケーションと第２の境界ロケーションとの間のエレベータロープの横の動きを感知するエレベータシステムにおける少なくとも１つの揺れセンサの位置を求める方法であって、
前記エレベータシステムのモデルを用いて前記エレベータシステムの動作をシミュレートして、前記動作によってもたらされる前記エレベータロープの実際の形状を生成する、シミュレートするステップと、
前記エレベータロープの前記実際の形状と前記エレベータロープの推定された形状との間の誤差が最小になるような少なくとも１つの揺れロケーションを求めるステップであって、前記エレベータロープの前記推定された形状は、前記第１の境界ロケーション、前記第２の境界ロケーション、および前記揺れロケーションの補間によって求められるステップと、
前記エレベータシステムの動作中に、前記補間によって前記エレベータロープの揺れを求めるために、前記揺れセンサが前記揺れロケーションにおける前記エレベータロープの前記横の動きを感知するように、前記揺れセンサの前記位置を求めるステップと、
を含み、各ステップは、プロセッサにより実行される、第１の境界ロケーションと第２の境界ロケーションとの間のエレベータロープの横の動きを感知するエレベータシステムにおける少なくとも１つの揺れセンサの位置を求める方法。
【請求項２】
前記動作をシミュレートする前記ステップを外乱の一組の条件について繰り返して、一組の揺れロケーションを生成する、繰り返すステップと、
前記揺れロケーションを前記一組の揺れロケーションに基づいて求めるステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記一組の揺れロケーション内のロケーションを平均して、前記揺れロケーションを生成する、平均するステップ、
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記一組の揺れロケーションにおける前記エレベータロープの前記横揺れを感知する揺れセンサの位置を求めるステップ、
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記エレベータロープの前記実際の形状と前記エレベータロープの前記推定された形状との間の前記誤差が閾値未満になるまで一組の揺れロケーションを反復して求めるステップ、
をさらに含み、
前記エレベータロープの前記推定された形状は、前記第１の境界ロケーション、前記第２の境界ロケーション、および前記一組の揺れロケーション内のロケーションの補間によって求められる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記誤差が前記閾値よりも大きく、前記一組の前記揺れロケーションのサイズが前記一組の前記揺れロケーションの最大サイズよりも小さい場合には、前記サイズを増大させるステップ、
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
制約条件の下での前記誤差の非線形最適化に基づいて前記揺れロケーションを求めるステップ、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記揺れロケーション求める前記ステップは、
前記エレベータロープの前記実際の形状に関する初期の一組の揺れロケーションを選択するステップと、
前記初期の一組内のロケーションごとに、前記エレベータロープの前記実際の形状と、前記初期の一組内のロケーションごとに別々に求められた前記エレベータロープの前記推定された形状との間の前記誤差を求めるステップと、
前記初期の一組から、最小誤差に対応するロケーションを前記揺れロケーションとして選択するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シミュレーションの時間と、前記第１の境界ロケーションと前記第２の境界ロケーションとの間の前記エレベータロープの長さと、前記誤差と、外乱の条件の関数とのコスト関数を定式化するステップと、
前記コスト関数を最小にして、前記揺れロケーションを求める、最小にするステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の境界ロケーション、前記第２の境界ロケーション、および前記揺れロケーションの間の前記補間を曲線当てはめを用いて求めるステップ、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記補間をＢスプライン補間を用いて求めるステップ、
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
エレベータシステムにおける前記エレベータかごの前記横の動きの前記第１のロケーションを測定する第１の境界センサを配置するステップと、
前記エレベータシステムにおけるプーリーの前記横の動きの前記第２のロケーションを測定する第２の境界センサを配置するステップと、
前記揺れロケーションにおける前記エレベータロープの前記横揺れを感知する前記揺れセンサを配置するステップと、
前記第１のロケーション、前記第２のロケーション、および前記揺れロケーションを補間することによって前記エレベータシステムの動作中の前記エレベータロープの前記揺れを求めるステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
第１の境界ロケーションと第２の境界ロケーションとの間のエレベータロープの横の動きを感知するエレベータシステムにおける揺れロケーションを求めるシステムであって、
前記エレベータシステムのモデルを用いて前記エレベータシステムの動作をシミュレートして、前記動作によってもたらされる前記エレベータロープの実際の形状を生成するとともに、前記エレベータロープの前記実際の形状と前記エレベータロープの推定された形状との間の誤差が最小になるように、前記揺れロケーションを求める少なくとも１つのプロセッサ、
を備え、前記エレベータロープの前記推定された形状は、前記第１の境界ロケーション、前記第２の境界ロケーション、および前記揺れロケーションの補間によって求められ、前記エレベータシステムの動作中に、前記補間を用いて前記エレベータロープの揺れを求める、第１の境界ロケーションと第２の境界ロケーションとの間のエレベータロープの横の動きを感知するエレベータシステムにおける揺れロケーションを求めるシステム。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記エレベータロープの前記実際の形状と前記エレベータロープの前記推定された形状との間の前記誤差が閾値未満になるまで一組の揺れロケーションを反復して求めるように構成され、前記エレベータロープの前記推定された形状は、前記第１の境界ロケーション、前記第２の境界ロケーション、および前記一組の揺れロケーション内のロケーションの補間によって求められる、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記プロセッサは、前記シミュレーションの時間と、前記第１の境界ロケーションと前記第２の境界ロケーションとの間の前記エレベータロープの長さと、前記誤差と、外乱の条件の関数とのコスト関数を最小にして、前記揺れロケーションを求めるように構成されている、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記プロセッサは、Ｂスプライン補間を用いて前記補間を求める、請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月25日(2015.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
IL-28B遺伝子付近に位置するSNP rs12979860の非CC遺伝子型又はSNP rs8099917 の非TT遺伝子型を有する患者のＣ型肝炎ウイルス (HCV)感染症を治療し、又は一種以上のその症候を軽減するための下記の式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩を含む医薬組成物であって、
【化１】
2015512900.tif 000001
(1)
（式中、Ｂは下記の基であり、
【化２】
2015512900.tif 000002
L0はMeO-であり、L1はBrであり、かつR2は
【化３】
2015512900.tif 000003
である）
(a) 式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩、
(b) インターフェロンアルファ、及び
(c) リバビリン
の併用療法のためのものである前記医薬組成物。
【請求項２】
患者がHCV サブタイプ１を有する、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
患者がIL-28B遺伝子付近に位置するSNP rs12979860のC/T 遺伝子型を有する、請求項１又は２のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項４】
患者がIL-28B遺伝子付近に位置するSNP rs12979860のT/T 遺伝子型を有する、請求項１から３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項５】
患者がIL-28B遺伝子付近に位置するSNP rs8099917のG/T 遺伝子型を有する、請求項１から４のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項６】
患者がIL-28B遺伝子付近に位置するSNP rs8099917のG/G 遺伝子型を有する、請求項１から５のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩が少なくとも４週にわたってインターフェロンアルファ及びリバビリンと一緒に投与される、請求項１から６のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩が約40mg／日〜約480 mg／日の維持量で投与される、請求項１から７のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記式 (1)の化合物がそのナトリウム塩の形態である、請求項１から８のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記リバビリンが約200 mg／日〜約1800mg／日の用量で投与され、前記式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩がインターフェロンアルファ及びリバビリンと一緒に投与される、請求項１から９のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記インターフェロンアルファがペギル化インターフェロンアルファであり、前記式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩がインターフェロンアルファ及びリバビリンと一緒に投与される、請求項１から１０のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１２】
インターフェロンアルファが約0.5 μg/kg/週〜約2 μg/kg/週の用量で投与されるペギル化インターフェロンアルファ-2b であり、前記式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩がインターフェロンアルファ及びリバビリンと一緒に投与される、請求項１から１１のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１３】
インターフェロンアルファが約90〜200 μg/週の用量で投与されるペギル化インターフェロンアルファ-2a であり、前記式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩がインターフェロンアルファ及びリバビリンと一緒に投与される、請求項１から１１のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１４】
HCV 感染症がサブタイプ１であり、患者が治療経験患者であり、式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩が約120 mg／日〜約240 mg／日の維持量で投与され、かつ前記インターフェロンアルファがペギル化インターフェロンアルファ-2a 又はペギル化インターフェロンアルファ-2b である、請求項１から１３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１５】
IL-28B遺伝子付近に位置するSNP rs12979860の非CC遺伝子型又はSNP rs8099917 の非TT遺伝子型を有する患者のHCV 感染症の治療のための医薬組成物を調製するための下記の式 (1)の化合物又はその医薬上許される塩の使用であって、
【化４】
2015512900.tif 000004
(1)
（式中、Ｂは
【化５】
2015512900.tif 000005
であり、L0はMeO-であり、L1はBrであり、かつR2は
【化６】
2015512900.tif 000006
である）及び
前記医薬組成物が式(1)の化合物又はその医薬上許される塩、インターフェロンアルファ、及びリバビリンの同時投与のためのものである前記使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月13日(2015.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内端（５、１０５、２０５、３０５）および外端と、
第１の高さ（Ｈ）を有する第１の部位（５０、１５０、２５０、３５０）と、
前記第１の高さ（Ｈ）に満たない第２の高さ（ｈ）を有する第２の部位（５２、１５２、２５２、３５２）であって、前記内端（５、１０５、２０５、３０５）近傍に位置する第２の部位と、
前記内端など、前記第２の部位にあり、前記香箱真に固定するように適合された第１の掛止要素（５１、１５１、２５１、３５１）とを備え、前記第２の部位が、前記香箱真に設けられてその外周上に延びる溝（１３、１１３、２１３、３１３）に差し込まれるようにされた第１の掛止要素、からなるゼンマイ（２、１０２、２０２、３０２）、とりわけ時計用ゼンマイ。
【請求項２】
前記第１の掛止要素（５１、１５１、２５１、３５１）が、ｍａｘ（ｈ’，ｈ）＜Ｈ、とりわけＨ＞ｈ’＞ｈとなるような最大高さ（ｈ’）を有することを特徴とする、請求項１に記載のゼンマイ。
【請求項３】
前記第１の掛止要素（５１、１５１、２５１、３５１）が前記香箱真に設けられた第２の掛止要素（１３ａ、１１３ａ、２１３ａ、３１３ａ）と協働するようにされることを特徴とする、請求項１または２に記載のゼンマイ。
【請求項４】
前記第１の掛止要素が台形またはほぼ台形の形状部（５１ａ、５１ｂ）を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のゼンマイ。
【請求項５】
高性能合金、とりわけアモルファス合金または窒素含有量の多い合金またはコバルト主体の超合金で製作されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載のゼンマイ。
【請求項６】
前記香箱真の外周に延びて、ゼンマイ（２、１０２、２０２、３０２）、とりわけ請求項１から５のいずれか一項に記載のゼンマイを受けるようにされた溝（１３、１１３、２１３、３１３）を備えることを特徴とする時計ムーブメントの香箱（４）真（１、１０１、２０１、３０１、４０１）。
【請求項７】
前記溝が段付き溝（４１３）であることを特徴とする、請求項６に記載の香箱真。
【請求項８】
前記溝が前記ゼンマイの前記第２の高さに匹敵する高さを有することを特徴とする、請求項６または７に記載の香箱真。
【請求項９】
前記溝が前記香箱真の周りに部分的に、特に前記香箱真の中心軸の周囲１８０°超にわたって、とりわけ前記香箱真の全周にわたって延びることを特徴とする、請求項６から８のいずれか一項に記載の香箱真。
【請求項１０】
前記溝が、前記ゼンマイの作用部分の高さに満たない高さの部位を少なくとも１つ備えることを特徴とする、請求項６から９のいずれか一項に記載の香箱真。
【請求項１１】
前記溝が少なくとも局所的に前記ゼンマイの厚さ以上の深さ（ｐ）を、さらには前記溝の範囲全体にわたって前記ゼンマイの厚さ以上の深さを有することを特徴とする、請求項６から１０のいずれか一項に記載の香箱真。
【請求項１２】
前記溝が前記ゼンマイの厚さに等しい、またはほぼ等しい深さ（ｐ）を有することを特徴とする、請求項６から１１のいずれか一項に記載の香箱真。
【請求項１３】
前記溝の中に、とりわけ前記溝の底に前記ゼンマイを掛止するための第２の掛止要素（１３ａ、１１３ａ、２１３ａ、３１３ａ）を備え、前記第２の掛止要素が前記ゼンマイに設けられた第１の掛止要素（５１、１５１、２５１、３５１）と協働するようにされていることを特徴とする、請求項６から１２のいずれか一項に記載の香箱真。
【請求項１４】
前記第２の掛止要素が、フック（１３１ａ）などの突起、または前記溝の特殊な形状部（１３ｂ、１３ｃ、２１３ａ、３１３ａ）、または前記溝の中の空所（２１３ａ、３１３ａ）を備えることを特徴とする、請求項１３に記載の香箱真。
【請求項１５】
前記溝の特殊な前記形状部が外周沿いの向きの前記溝の台形部位を備えることを特徴とする、請求項１４に記載の香箱真。
【請求項１６】
請求項６から１５のいずれか一項に記載の香箱真（１、１０１、２０１、３０１）および／または請求項１から５のいずれか一項に記載のゼンマイ（２、１０２、２０２、３０２）を備える香箱（４）。
【請求項１７】
請求項６から１５のいずれか一項に記載の香箱真および／または請求項１から５のいずれか一項に記載のゼンマイおよび／または請求項１６に記載の香箱を備える時計ムーブメント。
【請求項１８】
請求項６から１５のいずれか一項に記載の香箱真および／または請求項１から５のいずれか一項に記載のゼンマイおよび／または請求項１６に記載の香箱および／または請求項１７に記載の時計ムーブメントを備える携帯時計、とりわけ腕時計。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバコネクタ内で光ファイバを支持するためのフェルールであって、
光ファイバの第１のセットを第１の平面に支持するための複数の第１のセットの開放型溝と、光ファイバの第２のセットを前記第１の平面とは異なる第２の平面に支持するための複数の第２のセットの開放型溝とを、備えるよう構成された本体を備え、
前記開放型溝の各々は、１本の光ファイバを、該光ファイバが該開放型溝の上部からはみ出すことがないように受容し、
前記第１の平面の前記光ファイバの第１のセットが、前記第２の平面の前記光ファイバの第２のセットに対して互い違いにされていることを特徴とするフェルール。
【請求項２】
前記フェルールは、第１のフェルール半体及び第２のフェルール半体を含み、
前記第１のフェルール半体は、該第１のフェルール半体の第１の平面に画定された前記第１のセットの開放型溝であって、前記光ファイバの第１のセットを支持する前記第１のセットの開放型溝を有し、前記第２のフェルール半体は、該第２のフェルール半体の第２の平面に画定された前記第２のセットの開放型溝であって、前記光ファイバの第２のセットを支持する前記第２のセットの開放型溝を有する、請求項１に記載のフェルール。
【請求項３】
前記第１及び第２のフェルール半体をクランプ留めして、前記第１及び第２のフェルール半体を嵌合構成に維持するカラーを更に備える、請求項２に記載のフェルール。
【請求項４】
前記フェルールは、前記開放型溝の第１のセット内の隣接する光ファイバが、第１の表面の第１の仕切りにより分離され、前記開放型溝の第２のセット内の隣接する光ファイバが、第２の表面の第２の仕切りにより分離されるよう構成され、
前記第１の表面及び前記第２の表面を嵌合する際、前記第１の仕切りが前記開放型溝の第２のセットに対面し、前記第２の仕切りが前記開放型溝の第１のセットに対面する、請求項２または３に記載のフェルール。
【請求項５】
前記第１の仕切りは、前記第１の表面の第１の平坦部を含み、前記第２の仕切りは、前記第２の表面の第２の平坦部を含み、
前記第１の表面と前記第２の表面とを嵌合する際、前記第１の平坦部が前記開放型溝の第２のセットを被覆し、前記第２の平坦部が前記開放型溝の第１のセットを被覆する、請求項４に記載のフェルール。
【請求項６】
光ファイバは直径Ｄを有し、
前記光ファイバの第１のセットは２Ｄの中央線間隔を有し、前記光ファイバの第２のセットは２Ｄの中央線間隔を有する、請求項５に記載のフェルール。
【請求項７】
前記光ファイバの第１及び第２のセットを互い違いにして、前記光ファイバの第１及び第２のセットの直近の光ファイバがＤの中央線間隔を有するようにする、請求項６に記載のフェルール。
【請求項８】
前記開放型溝の第１のセットは、前記フェルールの周囲の第１の表面上に画定され、前記開放型溝の第２のセットは、前記フェルールの周囲の第２の表面上に画定される、請求項１に記載のフェルール。
【請求項９】
前記第１の表面及び第２の表面を被覆するフレームを更に備える、請求項８に記載のフェルール。
【請求項１０】
前記開放型溝の各々が、１本の光ファイバをクランプ留めできるようにサイズ決めされていることを特徴とする請求項１から９いずれか１項に記載のフェルール。
【請求項１１】
光ファイバコネクタ内で光ファイバを支持するためのフェルールであって、
光ファイバの第１のセットと光ファイバの第２のセットとを支持するための本体を備え、
前記光ファイバの第１のセットが、１つの平面内において、前記光ファイバの第２のセットに対して互い違いにされており、
前記光ファイバの第１のセットが、前記１つの平面内において、前記光ファイバの第２のセットに対して互い違いになるように、前記本体が構成されており、
前記光ファイバの第１及び第２のセットは、前記光ファイバの第１のセットの前記光ファイバと前記光ファイバの第２のセットの前記光ファイバとが交互になるよう、隣接して配置されることを特徴とするフェルール。
【請求項１２】
前記第１及び第２のセットのそれぞれの光ファイバは直径Ｄを有し、
前記光ファイバの第１のセット中の直近の光ファイバは２Ｄの中央線間隔を有し、前記光ファイバの第２のセット中の直近の光ファイバも２Ｄの中央線間隔を有する、請求項１１に記載のフェルール。
【請求項１３】
第１のフェルール半体及び第２のフェルール半体を含み、
前記第１のフェルール半体と前記第２のフェルール半体は、隣接して配置された前記光ファイバの第１及び第２のセットを受承するよう寸法決めされた幅広い平坦な開口を画定する、請求項１１または１２に記載のフェルール。
【請求項１４】
前記光ファイバの第１のセットは第１のファイバケーブルを構成する光ファイバであり、前記光ファイバの第２のセットは第２のファイバケーブルを構成する光ファイバであり、
前記第１のファイバケーブルは前記第２のファイバケーブルと分離されている、請求項１から１３いずれか１項に記載のフェルール。
【請求項１５】
請求項１から１４いずれか１項に記載のフェルール；及び
前記フェルールを支持するハウジング
を備える、光ファイバコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建物内の人物を監視するための監視システムであって、
前記監視システムの監視装置は、所与の時間に建物内の人物に許可されている場所に関する情報を含む制御手段と、アラーム手段と、第１の所定の高さよりも高いところの動きを検出するための第１のセンサ手段と、前記建物の床上の第２の所定の高さよりも低いところの動きを検出するための第２のセンサ手段と、第３のセンサ手段のビーム内部の動きを検出することなく寝床に着いたこと及び前記寝床から離れたことを検出するための、前記寝床に隣接して配置される第３のセンサ手段とを備え、
前記第３のセンサ手段によって前記制御手段に供給された最後の動き検出が、前記寝床に着いたことである場合に、前記制御手段は、前記寝床に着いた時点から開始する所定の第１の遅延時間が、前記寝床から離れたことに関する情報を前記第３のセンサ手段から受け取る前に経過した場合に前記アラーム手段を制御してアラームを発生させるように構成され、
前記制御手段は、前記第３のセンサ手段が前記寝床から離れたことを検出した後に、所定の第２の遅延時間中に前記第１のセンサ手段及び前記第２のセンサ手段から動き検出を受け取らなかった場合に、前記アラーム手段を制御してアラームを発生させるように構成され、
前記制御手段は、前記第３のセンサ手段が前記寝床から離れたことを検出した後に、前記所定の第２の遅延時間中に前記第２のセンサ手段から動き検出を受け取った時に所定の第３の遅延時間中に前記第１のセンサ手段から動き検出を受け取らなかった場合に、前記アラーム手段を制御してアラームを発生させるように構成される、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記アラーム手段は、アラームの発生中に、携帯電話システム及びデータネットワークを介して、前記アラームを少なくとも１つの所定の装置に通知して、アラームデータを記憶するように構成されたサーバへと確立される無線接続を制御するように構成された制御手段を有する端末を備える、
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記サーバは、前記少なくとも１つの所定の装置に送信されたメッセージの確認応答を該１つの所定の装置から受け取って前記確認応答を記憶するように構成される、
ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記サーバは、前記少なくとも１つの所定の端末の主導によって該少なくとも１つの所定の端末と前記監視装置の前記端末との間に通話接続を確立できるように、前記監視装置の前記端末の電話番号を前記少なくとも１つの所定の端末に送信するように構成される、
ことを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記監視装置の前記端末は、前記アラームに影響を与えた前記センサ手段及び／又は前記アラームに関連する所定の遅延時間に依存する情報を前記サーバに送信するように構成され、クラウドサーバが、前記データを前記少なくとも１つの所定の装置に通知するように構成される、
ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記制御手段は、前記監視装置の前記端末の無線部をアラームに関連してオンに切り替え、前記端末に設定された所定の遅延時間後に前記無線周波数部をオフに切り替えるように構成される、
ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
第１、第２及び第３のセンサ手段から動きに関する信号を受け取る制御手段を備えた監視システムの監視装置によって建物内の人物を監視する方法であって、
所定の高さよりも高いところの第１の動きを前記第１のセンサ手段によって検出するステップと、
前記建物の床上の第２の所定の高さよりも低いところの動きを前記第２のセンサ手段によって検出するステップと、
第３のセンサ手段のビーム内部の動きを検出することなく寝床に着いたこと及び前記寝床から離れたことを、前記寝床に隣接して配置される前記第３のセンサ手段によって検出するステップと、
を含み、前記第３のセンサ手段によって前記制御手段に供給された最後の動き検出が前記寝床に着いたことである場合に、前記制御手段は、前記寝床に着いた時点から開始する所定の第１の遅延時間が、前記寝床から離れたことに関する情報を前記第３のセンサ手段から受け取る前に経過した場合にアラーム手段を制御してアラームを発生させ、前記方法は、
前記第３のセンサ手段が前記寝床から離れたことを検出した後に、所定の第２の遅延時間中に前記制御手段が前記第１のセンサ手段及び前記第２のセンサ手段の両方から動き検出を受け取らなかった場合に、該制御手段によって前記アラーム手段を制御してアラームを発生させるステップをさらに含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記第３のセンサ手段が前記寝床から離れたことを検出した後に、前記所定の第２の遅延時間中に前記制御手段が前記第２のセンサ手段から動き検出を受け取った時に、所定の第３の遅延時間中に前記制御手段が前記第１のセンサ手段から動き検出を受け取らなかった場合に、前記制御手段によって前記アラーム手段を制御してアラームを発生させるステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
アラームの発生中に、前記制御手段により、前記アラーム手段に含まれる監視装置の端末を、携帯電話システム及びデータネットワークを介して、前記アラームを少なくとも１つの所定の装置に通知してアラームデータを記憶するサーバへの無線接続を確立するように制御するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記サーバにより、前記少なくとも１つの所定の装置に送信したメールメッセージの確認応答を前記１つの所定の装置から受け取って前記確認応答を記憶するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの所定の端末の主導によって該少なくとも１つの所定の端末と前記監視装置の前記端末との間に通話接続を確立できるように、前記監視装置の前記端末の電話番号を前記サーバによって前記少なくとも１つの所定の端末に送信するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記アラームに影響を与えた前記センサ手段及び／又は前記アラームに関連する所定の遅延時間に依存する情報を前記監視装置の前記端末によって前記サーバに送信し、該サーバによって前記情報を前記少なくとも１つの所定の装置に通知するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記制御手段によって前記監視装置の前記端末の無線部をアラームに関連してオンに切り替え、前記制御手段によって前記端末に設定された所定の遅延時間後に前記無線周波数部をオフに切り替えるステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
制御手段がアラーム処理の少なくとも１段階を制御するように設計されている場合、前記制御手段にロードされた時に、該制御手段の動作を制御するためのコンピュータ処理を形成する符号化命令を有するコンピュータソフトウェア製品であって、前記コンピュータ処理は、請求項７に記載の方法ステップを生じる、
ことを特徴とするコンピュータソフトウェア製品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月26日(2015.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライトアセンブリであって、
光源と、
導光板であって、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、かつ前記光源からの光を受光するように構成される第１の表面と、前記導光板の長さに沿って透過する光を発光するように構成される第２の表面とを有する、導光板と、を備え、
前記オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ
各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、
各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］と、を含み、
式中、各Ｒ１が、各発生において、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、各Ｒ２が、各発生において、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、
前記非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
各直鎖状ブロックが少なくとも１つの非直鎖状ブロックに架橋されている、ライトアセンブリ。
【請求項２】
複数の光源を更に備える、請求項１に記載のライトアセンブリ。
【請求項３】
前記導光板が、光を受光するように構成される複数の第１の表面を備え、前記複数の光源の各々が、前記第１の表面のうちの１つに関連付けられる、請求項２に記載のライトアセンブリ。
【請求項４】
前記第１の表面によって少なくとも部分的に受光される光を発光するように構成される複数の光源を更に備える、請求項１に記載のライトアセンブリ。
【請求項５】
前記導光板が、空気雰囲気中において２５０℃に曝露される７００分にわたって５重量％未満の総重量損失を有するように熱安定性を有する、請求項１に記載のライトアセンブリ。
【請求項６】
前記導光板が、表面反射のために補正された約９５パーセントを超える透過率、約１．４を超える屈折率、及び約１０未満のヘイズパーセントを有する、請求項１又は５に記載のライトアセンブリ。
【請求項７】
前記光源が、発光体及び保護部材を備える、請求項１に記載のライトアセンブリ。
【請求項８】
前記保護部材が、ブロックコポリマーからなる、請求項７に記載のライトアセンブリ。
【請求項９】
導光板であって、
不規則な三次元形状に形成されたオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーは、光を受光するように構成される第１の表面と、前記導光板の長さを透過する光を発光するように構成される第２の表面とを有し、前記ブロックコポリマーが、空気雰囲気中において２５０℃に曝露される７００分にわたって５重量％未満の総重量損失を有するような熱安定性と、表面反射のために補正された約９５パーセントを超える透過率と、約１．４を超える屈折率と、約１０未満のヘイズパーセントとを有し、
前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ
各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、
各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］と、を含み、
式中、各Ｒ１が、各発生において、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、各Ｒ２が、各発生において、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、
前記非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
各直鎖状ブロックが少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結されている、導光板。
【請求項１０】
前記不規則な三次元形状が、屈曲、角柱、または楔形を含む、請求項９に記載の導光板。
【請求項１１】
前記不規則な三次元形状が、前記第１の表面に近接する第１の断面と、前記第２の表面に近接する第２の断面とを備え、前記第１の断面が前記第２の断面と異なる、請求項９に記載の導光板。
【請求項１２】
前記第１の断面及び前記第２の断面のうちの少なくとも１つが、円形断面及び矩形断面のうちの少なくとも１つである、請求項１１に記載の導光板。
【請求項１３】
前記導光板が、光を受光するように構成される複数の第１の表面を備える、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の導光板。
【請求項１４】
複数の光源を更に備える、請求項１３に記載の導光板。
【請求項１５】
前記導光板の長さを透過する光を発光するように構成される複数の第２の表面を更に備える、請求項９に記載の導光板。
【請求項１６】
前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、ジシロキシ単位、及びトリシロキシ単位の勾配、ジシロキシ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配、またはジシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、請求項９に記載の導光板。
【請求項１７】
前記ジシロキシ単位が、式［（ＣＨ３）（Ｃ６Ｈ５）ＳｉＯ２／２］を有する、請求項１６に記載の導光板。
【請求項１８】
前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも３０重量パーセントのジシロキシ単位を含む、請求項１６に記載の導光板。
【請求項１９】
Ｒ２がフェニルである、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の導光板。
【請求項２０】
光源と、前記光源上に配置された導光板とを備える物品であって、前記導光板が、表面反射のために補正された９０パーセントを超える透過率と、１．４を超える屈折率と、１０未満のヘイズパーセントとを有し、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、
各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、
各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］とを含み、
式中、Ｒ１が、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２が、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、
前記非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
各直鎖状ブロックが、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結されている、物品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバコネクタ内で光ファイバを支持するためのフェルールであって、
位置合わせピンをクランプ留めするための対応構造を備え、
前記対応構造は、当該フェルール内に画定されたスロットにより画定される屈曲部を備え、
前記スロットが、当該フェルールの前記光ファイバが支持されている断面に対して角度をなして、前記位置合わせピンに向かって延在していることを特徴とするフェルール。
【請求項２】
当該フェルールが、互いに重ね合わされる対向面を有する２つの対向するフェルール半体を含み、
前記フェルール半体の少なくとも一方が、前記光ファイバを支持するための少なくとも１つの光ファイバ溝を有することを特徴とする請求項１記載のフェルール。
【請求項３】
前記スロットの前記角度が、互いに重ね合わされる前記対向面に対して垂直な角度であることを特徴とする請求項２記載のフェルール。
【請求項４】
前記スロットの前記角度が、互いに重ね合わされる前記対向面に対して垂直でない角度であることを特徴とする請求項２記載のフェルール。
【請求項５】
前記光ファイバを支持するフェルールインサートと、前記フェルールインサートを支持し、かつ前記スロットを含む前記対応構造を有するフェルールフレームとを含むことを特徴とする請求項１記載のフェルール。
【請求項６】
前記フェルールインサートは、互いに重ね合わされる対向面を有する２つの対向するフェルールプレートを含み、
前記フェルールプレートの少なくとも一方が、前記光ファイバを支持するための少なくとも１つの光ファイバ溝を有することを特徴とする請求項５記載のフェルール。
【請求項７】
前記フェルールフレームが単一の一体構造を有し、該一体構造によって前記フェルールインサートが支持されることを特徴とする請求項５または６記載のフェルール。
【請求項８】
前記フェルールインサートが、前記フェルールフレームに設けられた開口内に支持されることを特徴とする請求項５から７いずれか１項記載のフェルール。
【請求項９】
前記フェルールフレームが、フレーム前部とフレーム後部とを含み、前記フレーム前部が前記フェルールインサートの前端部に取り付けられ、前記フレーム後部が前記フェルールインサートの後端部に取り付けられることを特徴とする請求項５から８いずれか１項記載のフェルール。
【請求項１０】
前記フレーム前部が第１の開口を有し、前記フレーム後部が第２の開口を有し、前記フェルールインサートの前端部が前記第１の開口内に支持され、前記フェルールインサートの後端部が前記第２の開口内に支持されることを特徴とする請求項９記載のフェルール。
【請求項１１】
前記フレーム前部および前記フレーム後部のそれぞれが前記対応構造を含み、前記位置合わせピンが、前記フレーム前部および前記フレーム後部のそれぞれの前記対応構造内に挿入されることを特徴とする請求項９または１０記載のフェルール。
【請求項１２】
前記光ファイバを支持するための光ファイバ溝が、金属材料を打抜き加工することにより精密形成されていることを特徴とする請求項１から１１いずれか１項記載のフェルール。
【請求項１３】
前記対応構造が、金属材料を打抜き加工することにより精密形成されていることを特徴とする請求項１から１２いずれか１項記載のフェルール。
【請求項１４】
前記スロットが、前記位置合わせピンに近い側の端部において開口で終端し、前記開口の両側に傾斜面が画定されており、前記傾斜面が、前記屈曲部によるバイアスによって前記位置合わせピンに直接接触することを特徴とする請求項１から１３いずれか１項記載のフェルール。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年11月10日(2014.11.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
しかしながら、先行技術のリチウムイオン電池においては、加工された電極板を圧延すると、電極物質領域の端部が若干伸びる上に、加工された部分と集電体自体との伸張率が異なるので、前記電極板の端部に襞が形成され、電極板を巻回している間に、前記電極板が割れて、電池の性能に深刻な影響が及ぶ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
この観点から、本発明は、先行技術に存在する問題を少なくとも１つ解決することを目的とする。そのために、本発明には、圧延している間に襞あるいは皺が生じず、歩留まり率が改善された電池の電極板を提供することが要求される。さらに、このために、電池の電極板を形成する方法と該電極板を備える電池を提供することが要求される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の集電体は、圧延している間に割れたり、襞が出来たり皺が寄ったりしない。その結果、電極板の歩留まりは改善され、大規模な工業生産に適用することができる。さらに、本発明に係る電池は、改善された安全性能を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年10月6日(2015.10.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性領域（１０）を含む半導体ボディ（１）と、
鏡面層（２）と、
前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだに配置され、前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだの距離（Ｄ）を定める複数のコンタクト点（３）と
を有する、
オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、
前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだに少なくとも１つの中空室（４）が形成されており、
該少なくとも１つの中空室（４）に気体（４０）が含まれており、
前記鏡面層（２）は水平方向において全てのコンタクト点（３）を超えて延在しており、
前記鏡面層（２）は、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡である
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項２】
前記複数のコンタクト点（３）のうち少なくとも１つは閉じた導体路を形成している、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項３】
前記複数のコンタクト点（３）のうち少なくとも１つを介して、当該オプトエレクトロニクス半導体チップの動作中に所定の電流が前記活性領域（１０）へ注入される、請求項２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの中空室（４）がパシベーション材料（５）によって封止されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項５】
前記気体（４０）は前記少なくとも１つの中空室（４）内に常圧よりも小さい圧力で封入されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項６】
前記複数のコンタクト点（３）は前記半導体ボディ（１）に直接に接している、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項７】
前記鏡面層（２）と前記半導体ボディ（１）とのあいだの距離（Ｄ）は１０ｎｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項８】
前記鏡面層（２）は、ブラッグ鏡と金属鏡との組み合わせであり、
前記金属鏡は、前記活性領域（１０）に面する向きで、前記ブラッグ鏡上に配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項９】
前記複数のコンタクト点（３）は、はんだ材料Ｓｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂｉのうち少なくとも１つを含んでいる、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１０】
前記鏡面層（２）は支持体（７）上に被着されており、該支持体（７）は前記鏡面層（２）の、前記中空室（４）および前記半導体ボディ（１）から遠い側に位置する、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１１】
前記支持体（７）と前記鏡面層（２）とのあいだに阻止層（６）が配置されている、請求項１０記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項１２】
少なくとも１つの活性領域（１０）を備えた半導体ボディ（１）を用意するステップ、
鏡面層（２）を備えた支持体（７）を用意するステップ、
複数のコンタクト点（３）を前記鏡面層（２）の上面（２ａ）および／または前記半導体ボディ（１）の下面（１ｂ）に被着するステップ、
熱圧着により、前記複数のコンタクト点（３）を介して前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とを接続し、前記複数のコンタクト点（３）によって前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだの距離（Ｄ）を定めるステップ、ならびに、
前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだに少なくとも１つの中空室（４）を形成し、該中空室に気体（４０）を封入するステップ
を有し、
前記鏡面層（２）は、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡である
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
【請求項１３】
前記鏡面層（２）は、ブラッグ鏡と金属鏡との組み合わせであり、
前記金属鏡は、前記活性領域（１０）に面する向きで、前記ブラッグ鏡上に配置されている、請求項１２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
【請求項１４】
前記複数のコンタクト点（３）をプリンティングプロセスにより被着する、請求項１２または１３記載のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
【請求項１５】
前記複数のコンタクト点（３）を蒸着プロセスにより被着する、請求項１２または１３記載のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
【請求項１６】
前記複数のコンタクト点（３）を、小さな部材として被着する、請求項１２または１３記載のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
オプトエレクトロニクス半導体チップの有利な実施形態によれば、コンタクト点は少なくとも１つのはんだ材料を含む。例えば、コンタクト点は、錫、インジウム、ガリウム、ビスマスのうち少なくとも１つのはんだ材料を含む。これらのはんだ材料は特に低い融点を有する。これらのうち少なくとも１つのはんだ材料を含むコンタクト点は、はんだを介して、半導体ボディおよび鏡面層に対して、特に良好に被着可能である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
例えば、コンタクト点に対して銀錫化合物または銀インジウム化合物がはんだとして用いられる。コンタクト点は半導体チップの製造時に半導体ボディへ被着され、コンタクト点は半導体ボディに面する側に阻止層または接着剤層を含む。これらの層は例えばコンタクト点と半導体ボディとの接着度を改善し、また、コンタクト点から銀などの金属が半導体ボディへ拡散することを阻止する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
各コンタクト点３ははんだ系から形成することができる。ここでのはんだ系は、鏡面層２の材料と、錫またはインジウムまたはガリウムまたはビスマスなどの少なくとも１つの低融点はんだ材料とを含む。例えば鏡面層２が銀から形成される場合、コンタクト点３は有利には銀錫はんだまたは銀インジウムはんだを含む。鏡面層２が金から形成される場合、コンタクト点３は有利には金インジウムはんだを含む。鏡面層２がアルミニウムから形成される場合、コンタクト点３は有利にはアルミニウムガリウムはんだによって形成される。コンタクト点３は有利には半導体ボディ１に近い側に阻止層および接着剤層を有する。