【事件の表示】
　平成　８年特許願第２１０７６２号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　２月２４日出願公開、特開平１０−　５６１７２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成８年８月９日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１１年１０月２５日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりである。
「ゲート配線の側壁にサイドウォールを有するＭＯＳトランジスタを複数個備えた半導体装置において、
　前記ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有する領域での間隔に比較して、該ゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有しない領域での間隔を小さくして、活性領域でのゲート配線間の最小の間隔である第１の最小間隔とし、
　該第１の最小間隔が、非活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間の最小の間隔である第２の最小間隔よりも大きいことを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−１２５６３号公報（以下、「引用例２」という）には、
「【実施例】以下本発明の一実施例を第１Ａ図ないし第１Ｃ図、第２Ａ図ないし第２Ｉ図を参照しながら説明する。第２Ａ図ないし第２Ｉ図は、本実施例におけるＤＲＡＭのメモリセル部の製造工程を順次示している。本実施例においては、ｐ型の活性領域を有する半導体基板１の表面に、活性領域を分離絶縁する素子分離領域２を形成する（第２Ａ図）。次に、半導体基板１表面全体に、ゲート絶縁膜３，不純物をドープした多結晶シリコン層４、酸化絶縁膜５を順次形成し、これらを写真製版およびエッチングにより選択的に除去してゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを形成する。その後ゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄをマスクとして、リンや砒素などのｎ型不純物イオンを半導体基板１表面に注入し、低濃度ｎ型不純物領域７ａを形成する。その後、半導体基板１上全面に酸化絶縁膜を堆積させ、それに異方性エッチングを施して、ゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄの各側面に、絶縁層８を形成する。その後、ゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄおよび各絶縁膜８をマスクとして、リンや砒素などのｎ型不純物イオンを半導体基板１表面に注入し、高濃度ｎ型不純物領域７ｂを形成し、第２Ｂ図に示す状態となる。ゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄをパターニング形成する工程において、第２Ｂ図に示すゲート電極６ｃ，６ｄの間隔Ｗ１は、活性領域におけるゲート電極６ａ，６ｂの側壁に形成された絶縁層８の厚さＷ２の２倍よりも小さくなるように形成されている。その結果、素子分離領域上におけるゲート電極６ｃ，６ｄの間の空間１４は、ほぼ絶縁膜で埋まった状態となる。」（第４頁左上欄第１行〜右上欄第１３行）が、第１図、第２図と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、
「ｐ型の活性領域を有する半導体基板１の表面に形成された前記活性領域を分離絶縁する素子分離領域２と、前記半導体基板１表面に形成されたゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄと、前記ゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄの各側面に形成された絶縁層８と、前記ゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄおよび各絶縁膜８をマスクとして注入されたリンや砒素などのｎ型不純物イオンにより形成された高濃度ｎ型不純物領域７ｂとを有するＤＲＡＭのメモリセル部において、ゲート電極６ｃ，６ｄの間隔Ｗ１が、活性領域におけるゲート電極６ａ，６ｂの側壁に形成された絶縁層８の厚さＷ２の２倍よりも小さくなるように形成されたもの。」が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例２に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「サイドウォール」、「非活性領域」、「ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線」、「非活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線」は、それぞれ引用例２に記載された発明の「ゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄの側壁に形成された絶縁層８」、「活性領域を分離絶縁する素子分離領域２」、「ゲート電極６ａ，６ｂ」，「ゲート電極６ｃ，６ｄ」に相当する。
　一方、上記引用例２の第１図には、ゲート電極６ａ，６ｂの間に形成された半導体基板へのコンタクト孔が示されており、また、ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間の半導体基板へのコンタクト孔等を有する領域での間隔が、非活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間の最小の間隔である第２の最小間隔よりも大きいことが認められる。
　従って、本願第１発明と、引用例２に記載された発明は、「ゲート配線の側壁にサイドウォールを有するＭＯＳトランジスタを複数個備えた半導体装置において、
　前記ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有する領域での間隔が、非活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間の最小の間隔である第２の最小間隔よりも大きいことを特徴とする半導体装置。」である点で一致する。
　一方、本願第１発明は、「前記ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有する領域での間隔に比較して、該ゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有しない領域での間隔を小さくして、活性領域でのゲート配線間の最小の間隔である第１の最小間隔と」するのに対して、引用例２に記載された発明はこのような構成を有さない点（相違点１）、
　及び、本願第１発明では、「該第１の最小間隔が、非活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間の最小の間隔である第２の最小間隔よりも大きい」のに対して、引用例２に記載された発明はこのような構成を有さない点（相違点２）において相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　半導体素子のサイズを小さくすることは、半導体装置の設計・製造に関する技術分野における基本的な課題の一つである。
　そして、素子の専有面積を小さくするために、ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有する領域での間隔に比較して、該ゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有しない領域での間隔を小さくして、活性領域でのゲート配線間の最小の間隔とすることは、周知の手法である。（要すれば、特開平１−２３５２７５号公報等を参照されたい。）
　してみれば、ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線を有する引用例２に記載された発明において、半導体素子のサイズをより小さくするために前記周知の手法を適用して、前記ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有する領域での間隔に比較して、該ゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有しない領域での間隔を小さくして、活性領域でのゲート配線間の最小の間隔として、この最小の間隔を第１の最小間隔とすることは、当業者が適宜なし得た事項にすぎないと認められる。
　
（相違点２について）
　引用例２に記載されているように、高濃度ｎ型不純物領域７ｂは、ゲート電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄおよび各絶縁膜８をマスクとして、リンや砒素などのｎ型不純物イオンを半導体基板１表面に注入することによって形成される。
　従って、高濃度ｎ型不純物領域７ｂを、活性領域上に互いに隣接して形成されたゲート配線間に形成するためには、前記活性領域上におけるゲート配線間の間隔を、少なくとも該活性領域におけるゲート電極の側壁に形成された絶縁層８の厚さＷ２の２倍よりも大きく設定して、隣接する絶縁層８の間に、イオン注入の際にｎ型不純物イオンが通過することができるような間隙を設ける必要があることは当然のことである。
　そしてこのことは、引用例２に記載された発明に前記周知の手法を適用して形成された半導体装置についてもあてはまることは明らかである。
　そうすると、前記半導体装置において、活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間に半導体基板へのコンタクト孔等を有しない領域での該ゲート配線間隔を、少なくとも該活性領域におけるゲート電極の側壁に形成された絶縁層８の厚さＷ２の２倍よりも大きくする必要があることは当業者にとって自明な事項である。
　一方、引用例２に記載された発明においては、非活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間の最小の間隔である第２の最小間隔は、活性領域におけるゲート電極６ａ，６ｂの側壁に形成された絶縁層８の厚さＷ２の２倍よりも小さくなるように形成されている
　従って、引用例２に記載された発明に上記周知の手法を適用して、ＭＯＳトランジスタを形成する活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間の半導体基板へのコンタクト孔等を有しない領域での間隔を小さくして、活性領域でのゲート配線間の最小の間隔である第１の最小間隔とした場合に、該第１の最小間隔が、非活性領域上に互いに隣接して配置されたゲート配線間の最小の間隔である第２の最小間隔よりも大きくなることは明らかである。
　
　さらに、本願第１発明は、前記引用例２に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。