【事件の表示】
　特許第３２０２００６号「圧電素子及びその製造方法並びにそれを用いたインクジェットヘッド及びその製造方法」の請求項１ないし１４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０２００６号の請求項１ないし１１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２０２００６号の請求項１〜１４に係る発明についての出願は、平成１１年４月１５日に特許出願され、平成１３年６月２２日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後平成１４年２月２７日に、その特許について、異議申立人（進藤敬司）により特許異議の申立てがなされ、平成１４年５月１５日に取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年７月２２日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２．１．訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１４年７月２２日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
２．１．１．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載「前記共通電極上に、」を「前記共通電極上にスパッタ法により形成され、」と訂正する。
　
２．１．２．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であることを特徴とする圧電素子。」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする圧電素子。」と訂正する。
　
２．１．３．訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３の記載「前記個別電極上に、」を「前記個別電極上にスパッタ法により、」と訂正する。
　
２．１．４．訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項３の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下である圧電体を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であるとともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える圧電体を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。」と訂正する。
　
２．１．５．訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項４の記載「前記ペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体をスパッタ法により形成し、前記スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴと酸化鉛（ＰｂＯ）との混合物からなり、」を「スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴと酸化鉛（ＰｂＯ）との混合物からなり、」と訂正する。
　
２．１．６．訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項９の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。」と訂正する。
　
２．１．７．訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項１０の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。」と訂正する。
　
２．１．８．訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の請求項２、請求項５及び請求項１２を削除する。　
　
２．１．９．訂正事項ｉ
　特許請求の範囲の請求項３において、請求項３を請求項２に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項４において、「請求項３」を「請求項２」と訂正するとともに、請求項４を請求項３に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項６において、「請求項３〜５のいずれか一つに記載の」を「請求項２または３記載の」と訂正するとともに、請求項６を請求項４に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項７において、「請求項３〜６のいずれか一つに記載の」を「請求項２〜４のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに、請求項７を請求項５に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項８において、「請求項３または２記載の」を「請求項１記載の」と訂正するとともに、請求項８を請求項６に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項９おいて、請求項９を請求項７に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項１０おいて、請求項１０を請求項８に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項１１において、「請求項９または１０記載の」を「請求項７または８記載の」と訂正するとともに、請求項１１を請求項９に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項１３において、「請求項９〜１２のいずれか一つに記載の」を「請求項７〜９のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに、請求項１３を請求項１０に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項１４において、「請求項９〜１３のいずれか一つに記載の」を「請求項７〜１０のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに、請求項１４を請求項１１に繰り上げる。　
　
２．１．１０．訂正事項ｊ
　本件明細書の段落番号【０００７】の記載「請求項１記載の発明においては、共通電極と、・・・１．３以下であることを特徴とする。」を「請求項１記載の発明においては、共通電極と、前記共通電極上にスパッタ法により形成され、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、かつジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体と、さらに前記圧電体上に積層した個別電極とを有し、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする。」と訂正する。
　
２．１．１１．訂正事項ｋ
　本件明細書の段落番号【０００９】の段落を削除する。
　
２．１．１２．訂正事項ｌ
　本件明細書の段落番号【００１０】の記載「上記構成により、薄膜成膜により高密度化が図れ、小型で高解像度の圧電素子が作製可能となる。」を「また、薄膜成膜により高密度化が図れ、小型で高解像度の圧電素子が作製可能となる。」と訂正する。
　
２．１．１３．訂正事項ｍ
　本件明細書の段落番号【００１１】の記載「請求項３記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し・・・１．３以下であることを特徴とする。」を「請求項２記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、前記圧電体上に更に共通電極を形成した後、前記基板の全てもしくは一部を除去する圧電素子製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であるとともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える圧電体を形成することを特徴とする。」と訂正する。
　
２．１．１４．訂正事項ｎ
　本件明細書の段落番号【００１３】の記載「請求項４記載の発明においては、ペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体をスパッタ法により形成し、前記スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴとＰｂＯとの混合物からなり、」を「請求項３記載の発明においては、スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴとＰｂＯとの混合物からなり、」と訂正する。
　
２．１．１５．訂正事項ｏ
　本件明細書の段落番号【００１５】及び【００１６】の両段落を削除する。
　
２．１．１６．訂正事項ｐ
　本件明細書の段落番号【００１７】の記載「請求項６記載の発明においては、」を「請求項４記載の発明においては、」と訂正する。
　
２．１．１７．訂正事項ｑ
　本件明細書の段落番号【００１９】の記載「請求項７記載の発明においては、」を「請求項５記載の発明においては、」と訂正する。
　
２．１．１８．訂正事項ｒ
　本件明細書の段落番号【００２０】の記載「請求項８記載の発明においては、請求項１〜３のいずれか一つに記載の圧電素子と、」を「請求項６記載の発明においては、請求項１記載の圧電素子と、」と訂正する。
　
２．１．１９．訂正事項ｓ
　本件明細書の段落番号【００２２】の記載「請求項９記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し・・・１．３以下であることを特徴とする。」を「請求項７記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、前記圧電体上に更に共通電極を形成し、前記共通電極上に振動板を形成した後、基板の全てもしくは一部を除去し、前記振動板上にインク液体を収容するための圧力室を形成するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする。」と訂正する。
　
２．１．２０．訂正事項ｔ
　本件明細書の段落番号【００２３】の記載「上記方法により、請求項８と同様の効果が得られる。」を「上記方法により、請求項６と同様の効果が得られる。」と訂正する。
　
２．１．２１．訂正事項ｕ
　本件明細書の段落番号【００２４】の記載「請求項１０記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し・・・１．３以下であることを特徴とする。」を「請求項８記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、前記圧電体上に更に共通電極を形成し、前記共通電極上に振動板を形成し、前記振動板上にインク液体を収容するための圧力室を形成した後、前記基板の全てもしくは一部を除去するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする。」と訂正する。
　
２．１．２２．訂正事項ｖ
　本件明細書の段落番号【００２５】の記載「上記方法により、請求項９と同様の効果が得られ、」を「上記方法により、請求項７と同様の効果が得られ、」と訂正する。
　
２．１．２３．訂正事項ｗ
　本件明細書の段落番号【００２６】の記載「請求項１１記載の発明においては、」を「請求項９記載の発明においては、」と訂正する。
　
２．１．２４．訂正事項ｘ
　本件明細書の段落番号【００２８】の段落を削除する。
　
２．１．２５．訂正事項ｙ
　本件明細書の段落番号【００２９】の記載「上記方法により、・・・上部電極として個別化が容易となる。」を「請求項１０記載の発明においては、個別電極を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板の（１００）面上に形成することを特徴とする。上記方法により、安定した圧電性の高い圧電素子を作製するのが可能となる。請求項１１記載の発明においては、個別電極が白金からなることを特徴とする。上記方法により、請求項６と同様の効果が得られ、かつ白金の加工性が良いので、上部電極として個別化が容易となる。」と訂正する。
　
２．１．２６．訂正事項ｚ
　本件明細書の段落番号【００３７】の記載「ここで図２（ａ）において、・・・圧電性薄膜を形成することができる。」を「ここで図２（ａ）において、特に基板２０にＭｇＯを用い、ＭｇＯ基板２０の（１００）面上に白金からなる個別電極１を形成して圧電体２を作製した場合、安定した圧電性の高い圧電素子４を作製するのが可能となる。」と訂正する。
　
２．１．２７．訂正事項ａａ
　許明細書の段落番号【００５０】の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下である圧電体を形成することにより、」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であるとともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える圧電体をスパッタ法により形成することにより、」と訂正する。
　
２．１．２８．訂正事項ａｂ
　本件明細書の段落番号【００１０】〜【００１４】の段落において、段落番号【００１０】〜【００１４】をそれぞれ段落番号【０００９】〜【００１３】に繰り上げる。
　
２．１．２９．訂正事項ａｃ
　本件明細書の段落番号【００１７】〜【００２７】の段落において、段落番号【００１７】〜【００２７】をそれぞれ段落番号【００１４】〜【００２４】に繰り上げる。
　
２．１．３０．訂正事項ａｄ
　本件明細書の段落番号【００２９】〜【００４２】の段落において、段落番号【００２９】〜【００４２】をそれぞれ段落番号【００２５】〜【００３８】に繰り上げる。
　
２．１．３１．訂正事項ａｅ
　本件明細書の段落番号【００４２】の記載「【表１】（表１省略）」を「【表１】（表１省略）
　（表１）より分かるように圧電定数が１００を超える高い値を示すのは、
　（条件１）Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の組成比が、１を超えかつ１．３以下の時で、かつ
　（条件２）圧電体の膜厚が、０．５μｍ以上５．０μｍ以下の時
である。又、実際にインクを用いて吐出実験を行ったが、インクが良好に吐出するのを確認した。」と訂正する。
　
２．１．３２．訂正事項ａｆ
　本件明細書の段落番号【００４３】の段落を削除する。
　
２．１．３３．訂正事項ａｇ
　本件明細書の段落番号【００４４】〜【００５０】の段落において、段落番号【００４４】〜【００５０】をそれぞれ段落番号【００３９】〜【００４５】に繰り上げる。
　
２．２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１．訂正事項ａ、ｃについて
　請求項１の記載「前記共通電極上に、」を「前記共通電極上にスパッタ法により形成され、」とする訂正、及び請求項３の記載「前記個別電極上に、」を「前記個別電極上にスパッタ法により、」とする訂正は、本件明細書の段落【００３６】の記載「図２（ｂ）：個別電極１上に、ｒｆスパッタ法により、ＰＺＴ薄膜の圧電体２を形成する。図２（ｃ）：圧電体２上に、ｒｆスパッタ法により、共通電極３を形成する。」、及びインクジェットヘッドの製造方法を記載した図２のうち個別電極と共通電極に挟まれてスパッタ法により圧電体が形成された状況を示す図２（ｃ）の記載を根拠とするものである。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２．２．２．訂正事項ｂ、ｄ、ｆ、ｇについて
　訂正事項ｂ、ｄ、ｆ、ｇのうち、「前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、」または「厚みが０．５μｍ〜５μｍであり」を付加する訂正は、訂正前の請求項１、３、９、１０の構成要件を限定する訂正前の請求項２、５、１２の記載「圧電体の厚みが、０．５μｍ〜５μｍであることを特徴とする」を根拠とするものであり、また、訂正事項ｂ、ｄ、ｆ、ｇのうち、「前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている」または「前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える」を付加する訂正は、本件明細書の段落【００４０】の記載「上記構成を用いて、圧電体２の厚みと、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の組成比とを変化させた時の圧電特性を表す圧電定数：ｄ３１（単位：ｐＣ／Ｎ）の変化を求めた。」及び段落【００４３】の記載「（表１）より分かるように圧電定数が１００を超える高い値を示すのは、（条件１）Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の組成比が、１を超えかつ１．３以下の時で、かつ（条件２）圧電体の膜厚が、０．５μｍ以上５．０μｍ以下の時である。」を根拠とするものである。
　したがって、これらの訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２．２．３．訂正事項ｅについて
　訂正事項ｅは、訂正事項ｃに伴って、請求項３を限定する請求項４において請求項３と重複する事項である「前記ペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体をスパッタ法により形成し」を削除する訂正であるから、明りようでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　また、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２．２．４．訂正事項ｈについて
　訂正事項ｈは、特許請求の範囲の請求項２、請求項５及び請求項１２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　また、訂正事項ｈは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２．２．５．訂正事項ｉについて
　訂正事項ｉは、特許請求の範囲の請求項２、請求項５及び請求項１２を削除する訂正事項ｈに伴って、特許請求の範囲の請求項３において、請求項３を請求項２に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項４において、「請求項３」を「請求項２」と訂正するとともに請求項４を請求項３に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項６において、「請求項３〜５のいずれか一つに記載の」を「請求項２または３記載の」と訂正するとともに請求項６を請求項４に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項７において、「請求項３〜６のいずれか一つに記載の」を「請求項２〜４のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに請求項７を請求項５に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項８において、「請求項３または２記載の」を「請求項１記載の」と訂正するとともに請求項８を請求項６に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項９おいて、請求項９を請求項７に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項１０おいて、請求項１０を請求項８に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項１１において、「請求項９または１０記載の」を「請求項７または８記載の」と訂正するとともに請求項１１を請求項９に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項１３において、「請求項９〜１２のいずれか一つに記載の」を「請求項７〜９のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに請求項１３を請求項１０に繰り上げ、特許請求の範囲の請求項１４において、「請求項９〜１３のいずれか一つに記載の」を「請求項７〜１０のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに請求項１４を請求項１１に繰り上げる訂正であるから、明りようでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　また、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。　
　
２．２．６．訂正事項ｊ〜ａｇについて
　訂正事項ｊ〜ａｇは、本件明細書の発明の詳細な説明の欄において、請求項に係る上記訂正事項ａ〜ｉに対応して記載を訂正し、段落を削除し、該段落の削除に伴って段落番号を繰り上げる訂正であるから、明りようでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　また、これらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。　
　
２．３．むすび
　以上のとおりであるから、当該訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立て及びこれについての判断
３．１．申立の理由及び取消理由通知の概要
３．１．１．申立の理由の概要
　特許異議申立人進藤敬司は、証拠として本件出願前に国内において頒布された甲第１号証（特開平１０−２８７４６８号公報）、甲第２号証（特開平１０−２９００３５号公報）、甲第３号証（特開平１０−２８６９５３号公報）、甲第４号証（特開平７−１６９９９６号公報）、甲第５号証（特開平８−２５３３２３号公報）、甲第６号証（特開平５−１４５１２３号公報）及び甲第７号証（特開平７−１０９５６２号公報）を提出し、次のように主張している。
　本件請求項１、２に係る発明は、その出願前に国内において頒布された甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明と同一であるから、そして、本件請求項３、８に係る発明は、その出願前に国内において頒布された甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項３号の規定により特許を受けることができないものである。
　また、本件請求項１乃至３に係る発明は、その出願前に国内において頒布された甲第１号証乃至甲第３号証及び甲第７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明を行うことができたものであり、本件請求項４乃至７に係る発明は、その出願前に国内において頒布された甲第１号証乃至甲第７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明を行うことができたものであり、本件請求項８乃至１０に係る発明は、その出願前に国内において頒布された甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明を行うことができたものであり、本件請求項１１乃至１４に係る発明は、その出願前に国内において頒布された甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて、あるいは、その出願前に国内において頒布された甲第１号証乃至甲第７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明を行うことができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件請求項１乃至１４に係る発明についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　
３．１．２．取消理由通知の概要
　当審で通知した取消理由の概要は、以下の通りである。
「 １．刊行物１（甲第１号証）：特開平１０−２８７４６８号公報
 ２．刊行物２（甲第２号証）：特開平１０−２９００３５号公報
 ３．刊行物３（甲第３号証）：特開平１０−２８６９５３号公報
 ４．刊行物４（甲第４号証）：特開平７−１６９９９６号公報
 ５．刊行物５（甲第５号証）：特開平８−２５３３２３号公報
 ６．刊行物６（甲第６号証）：特開平５−１４５１２３号公報
 ７．刊行物７（甲第７号証）：特開平７−１０９５６２号公報
　本件請求項１、２に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記刊行物１又は上記刊行物２に記載された発明と同一であり、本件請求項３、５、７、８に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記刊行物１に記載された発明と同一である。
　また、本件請求項１、２、３に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記刊行物１〜刊行物３及び刊行物７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項４に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記刊行物１、刊行物３〜刊行物７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項４〜７、１１〜１４に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記刊行物１〜刊行物７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項８〜１０、１２〜１４に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記刊行物１〜刊行物３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本件請求項１、２、３、５、７、８に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、また、本件請求項１〜１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。」
　
３．２．本件請求項１〜１１に係る発明
　上記２．２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１〜１１に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　共通電極と、前記共通電極上にスパッタ法により形成され、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、かつジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体と、さらに前記圧電体上に積層した個別電極とを有し、
　前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする圧電素子。（以下、本件第１発明という。）
　【請求項２】　基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、
　前記圧電体上に更に共通電極を形成した後、前記基板の全てもしくは一部を除去する圧電素子製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であるとともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える圧電体を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。（以下、本件第２発明という。）
　【請求項３】　スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴと酸化鉛（ＰｂＯ）との混合物からなり、かつＰＺＴとＰｂＯとの組成比：ＰｂＯ／（ＰＺＴ＋ＰｂＯ）が、０．０５〜０．３５であることを特徴とする請求項２記載の圧電素子の製造方法。（以下、本件第３発明という。）
　【請求項４】　個別電極を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板の（１００）面上に形成することを特徴とする請求項２または３記載の圧電素子の製造方法。（以下、本件第４発明という。）
　【請求項５】　個別電極が白金からなることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の圧電素子の製造方法。（以下、本件第５発明という。）
　【請求項６】　請求項１記載の圧電素子と、インクを吐出させる振動板と、圧力室を形成する共通インク室部品とを具備することを特徴とするインクジェットヘッド。（以下、本件第６発明という。）
　【請求項７】　基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、
　前記圧電体上に更に共通電極を形成し、前記共通電極上に振動板を形成した後、基板の全てもしくは一部を除去し、前記振動板上にインク液体を収容するための圧力室を形成するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。（以下、本件第７発明という。）
　【請求項８】　基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、
　前記圧電体上に更に共通電極を形成し、前記共通電極上に振動板を形成し、前記振動板上にインク液体を収容するための圧力室を形成した後、前記基板の全てもしくは一部を除去するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。（以下、本件第８発明という。）
　【請求項９】　スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴとＰｂＯとの混合物からなり、かつＰＺＴとＰｂＯとの組成比：ＰｂＯ／（ＰＺＴ＋ＰｂＯ）が、０．０５〜０．３５であることを特徴とする請求項７または８記載のインクジェットヘッドの製造方法。（以下、本件第９発明という。）
　【請求項１０】　個別電極を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板の（１００）面上に形成することを特徴とする請求項７〜９のいずれか一つに記載のインクジェットヘッドの製造方法。（以下、本件第１０発明という。）
　【請求項１１】　個別電極が白金からなることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一つに記載のインクジェットヘッドの製造方法。（以下、本件第１１発明という。）」
　
３．３．取消理由通知で引用した刊行物に記載された発明
３．３．１．刊行物１：特開平１０−２８７４６８号公報（申立人の提出した甲第１号証）
　刊行物１は、「圧電性薄膜、その製造方法、圧電体素子およびインクジェットプリンタヘッド」（発明の名称）に関するものであり、
「ニオブ（Ｎｂ）が添加された圧電性物質を含む第１層に、圧電性物質を含む第２層を積層して構成された圧電性薄膜。」（特許請求の範囲の請求項１）、
「前記第１層は、組成式Ｐｂ（ＴｉxＮｂy）Ｏ3（ｙ＞０、ｘ＋ｙ＝１）からなる強電性物質を含む請求項１に記載の圧電性薄膜。」（特許請求の範囲の請求項３）、
「前記第２層は、ジルコン酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3：ＰＺＴ）、・・・のうちいずれかの圧電性物質を含む請求項１に記載の圧電性薄膜。」（特許請求の範囲の請求項５）、
「請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の圧電性薄膜を導電性のある電極薄膜で狭持させた圧電体素子。」（特許請求の範囲の請求項６）、
「請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の圧電性薄膜を導電性のある電極薄膜で狭持した圧電体素子を、インクが充填される圧力室基板の少なくとも一方の面に設けられた振動板上に備えたインクジェットプリンタヘッド。」（特許請求の範囲の請求項７）、
「従来、圧電体素子に用いられる圧電性薄膜としては、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電体セラミックスが用いられていた。強誘電体セラミックスは、ペロブスカイト構造を示すことが知られており」（第２頁右欄第４６〜５０行）こと、
「そこで、本発明は、上記事項に鑑み、高い圧電ｄ定数を維持しうる圧電性薄膜を提供することを目的にする。」（第３頁左欄第２５〜２７行）こと、
「図５に示すように、第１層１００に第２層２００を積層した圧電性薄膜全体での圧電ｄ定数は、ニオブの含有量が１０原子％付近で最高値を示し、それよりニオブの含有量が増えても、圧電ｄ定数は向上しない。したがって、ニオブ含有量が５原子％より大きく１５原子％より小さく、特に、１０原子％付近であることが好ましいのである。」（第４頁左欄第５０行〜右欄第４９行）こと、
「第１層の膜厚は、５ｎｍ〜１００ｎｍ程度、第２層の膜厚は、５００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度が好ましい。」（第５頁左欄第２６〜２８行）こと、
「第１層形成工程・・・スピンコート法・・・乾燥工程・・・焼結工程・・・上記処理により、第１層１００が０．０５μｍ程度の膜厚で形成される。」（第５頁右欄第５０行〜第６頁左欄第１９行）こと（なお、この成膜工程はゾルゲル法として周知のものである。）、
「上記処理により、第２層２００が０．８μｍ程度の膜厚で形成される。」（第６頁右欄第１２〜１３行）こと、及び、
「上記製造方法に基づいて、ニオブ添加量を変化させて第１層１００および第２層２００を形成し、その圧電性薄膜全体の特性を測定した（図５乃至図７）。
　なお、第１層１００は、Ｐｂ（ＴｉxＮｂy）Ｏ3（ｘ＋ｙ＝１）という組成式において、ｙを０、０．０５、０．１および０．２と変化させた。また、第２層１００は、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.1Ｚｒ0.477Ｔｉ0.423Ｏ3という組成式になるよう調合した。
　図５に示すように、圧電ｄ定数は、ニオブの含有量が１０原子％程度（ｙ＝０．１）の付近で最大値を示した。」（第６頁右欄第４０行〜第７頁左欄第２行）ことが記載されている。
　また、図５は圧電ｄ定数の変化を測定した特性図であり、特性図全般に渡って圧電ｄ定数が１３０ｐＣ／Ｎを越える数値となることが記載されている。
　
３．３．２．刊行物２：特開平１０−２９００３５号公報（申立人の提出した甲第２号証）
　刊行物２は、「圧電体素子及びその製造方法」（発明の名称）に関するものであって、
「圧電体膜と、該圧電体膜を挟んで配置される上電極と下電極と、を備えた圧電体素子であって、前記圧電体膜は、その構成元素として鉛、ジルコニウム及びチタンを含有し、前記ジルコニウム及びチタンは、当該圧電体膜の膜厚方向に濃度勾配をもって含有される圧電体素子。」（特許請求の範囲の請求項１）、
「本発明は・・・圧電ひずみ定数を安定的に保持する圧電体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。」（第２頁右欄第１１〜１４行）こと、
「図１に示すように、本実施の形態に係る圧電体素子は、・・・シリコン基板１側から順に、下電極３・・・、ＰＺＴ膜４（膜厚：約１０００ｎｍ）、及び上電極５・・・が形成された構造を備えている。」（第３頁左欄第２１〜２７行）こと、
「ＰＺＴ膜４は、以下の化学式で示される組成を備えている。
　Ｐｂ（Ｚｒ0.56Ｔｉ0.44）0.9（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.1Ｏ3　
　このＰＺＴ膜４は、前記化学式からも判るように、ジルコニウムとチタンを含んで構成されている。このジルコニウム及びチタンは、ＰＺＴ膜４の膜厚方向に濃度勾配をもって含有されている。具体的には、図３に示すように、ジルコニウムは、その含有濃度が、下電極側（図３における横軸右側）が小さく、上電極側（図３における横軸原点側）が大きくなるように分布されている。」（第３頁左欄第３４〜４４行）こと、及び、
「ここで、このＰＺＴ膜４は、約１０００ｎｍ程度の膜厚で形成するため、ＰＺＴ膜４を形成するためのゾルを複数に分けてスピンコートし、熱処理するという工程を行う。」（第３頁右欄第１６〜１９行）ことが記載されている。
　また、表１は発明品と比較品の圧電ひずみ定数等を調査した結果を記載したものであり、発明品の圧電ひずみ定数ｄ３１が１５０（ｐＣ／Ｎ）であることが記載されている。
　
３．３．３．刊行物３：特開平１０−２８６９５３号公報（申立人の提出した甲第３号証）
　刊行物３は、「インクジェット記録装置とその製造方法」（発明の名称）に関するものであって、
「圧電部材としては、鉛、チタンおよびジルコニウムを含有した厚み２０μｍ以下のペロブスカイト型の酸化物薄膜であることを特徴とする請求項１または２記載のインクジェット記録装置。」（特許請求の範囲の請求項３）、
「圧電部材として、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造である請求項１〜５のいずれかに記載のインクジェット記録装置。」（特許請求の範囲の請求項６）、
「鉛系誘電体をスパッタ法により形成することを特徴とする請求項８記載のインクジェット記録装置の製造方法」（特許請求の範囲の請求項９）、
「圧電体５の材料として、鉛、チタン、ジルコニウムから構成された酸化物であるペロブスカイト型PZT薄膜材料を用いることにより、低電圧でも良好な振動を発生させることができた。またこのＰＺＴ薄膜の組成は、Pb(Zr0.53Ti0.47)O3の場合に最大の圧電性を示すとされているが、この組成の薄膜を直接基板上に形成することは容易ではない。そのため第１層としてＺｒの含有していないPbTiO3やPbTiO3にランタンを添加したＰＬＴを形成し、第２層としてPb(Zr0.53Ti0.47)O3の組成の２層構造とした場合、高品質圧電薄膜を形成しやすく、更に良好な圧電特性を得ることができた。図３に多層構造圧電体の断面構造を示す。第１層として膜厚０．１μｍのPbTiO3層８、第２層として膜厚２．９μｍのPb(Zr0.53Ti0.47)O3の組成を有するＰＺＴ層９とした。この２層構造の圧電体５を用いることにより、低電圧においても十分なインク吐出能力を有するインクジェット記録装置を作ることができた。また、この様な多層構造とせずに、PbTiO3からPb(Zr0.5Ti0.5)O3付近の組成へと連続に組成傾斜をしている層から成る圧電体５でも同様の効果が得られた。」（第４頁左欄第３７行〜右欄第６行）こと、
「図４において、まず、ＭgＯ 基板１０の（１００）面上に個別電極１１となるＰt層を形成し、その個別電極１１の上に圧電材料として鉛系誘電体層１２をｒｆスパッタリングにより形成した。この鉛系誘電体層１２としては、膜厚３μｍのＰＺＴ系のｃ軸方向に配向した単結晶層であればよい圧電性を得ることができた。鉛系誘電体層１２の形成法としてｒｆスパッタ法を用いることにより、（１００）ＭｇＯ基板１０上にｃ軸方向に配向した結晶性の良いＰＺＴ薄膜を形成することができた。またＭｇＯ基板１０の表面にはＰｔの個別電極１１があるが、その表面に直接ＰＺＴを堆積させず第１層としてＺｒの含有していないPbTiO3層を厚み約0.01μｍと非常に薄く形成しておくことで、単結晶のＰＺＴ薄膜が形成することが可能となった。鉛系誘電体層１２の形成方法としてｒｆスパッタ法の他、ＭＯＣＶＤもしくはゾルゲル溶液を用いたスピンコート法においても良好な結晶性を有する圧電性薄膜を形成することができた。次にその鉛系誘電体層１２の上に共通電極１３となるＰｔ層を形成する。」（第４頁右欄第１０行〜第２８行）こと、及び、
「このほか、鉛系誘電体層１２として Pb0.99Nb0.02[(Zr0.6Sn0.4)1-yTiy]0.98O3 (0.060≦ y ≦0.065)の組成を有する反強誘電体の薄膜を用いた場合について、印加電圧と振動板４の最大変位との関係を図８に示す。」（第５頁左欄第２１行〜第２５行）ことが記載されている。
　
３．３．４．刊行物４：特開平７−１６９９９６号公報（申立人の提出した甲第４号証）
　刊行物４は、「強誘電体薄膜素子」（発明の名称）に関するものであって、
「基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された第２の電極とを少なくとも備えた強誘電体薄膜素子であって、前記強誘電体薄膜がＡＢＯ3 型ペロブスカイト構造を有する酸化物強誘電体であり、前記強誘電体薄膜中のＡサイト金属とＢサイト金属のモル比（Ａ／Ｂ）が１．０以上の組成であることを特徴とする強誘電体薄膜素子。」（特許請求の範囲の請求項１）、
「強誘電体薄膜が少なくとも鉛、チタン、ジルコニウムを主成分とする請求項１に記載の強誘電体薄膜素子。」（特許請求の範囲の請求項４）、
「本発明は、強誘電体薄膜を用いた・・・圧電素子などの誘電体薄膜素子に関する。」（第２頁左欄第２９〜３１行）こと、
「（実施例１）・・・次いで、下部電極２の上に、高周波マグネトロンスパッタリング法によって強誘電体薄膜３を３μｍ成長させた。」（第３頁左欄第３〜１０行）こと、及び、
「本実施例３で作製した強誘電体薄膜素子の構成は図１と同様である。本実施例３が実施例１と異なる点は、強誘電体薄膜３にＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3 薄膜を用いた点である。尚、スパッタリングターゲットとしては、下記（数３）で表示される酸化物の粉末を用いた。・・・以上のように構成された強誘電体薄膜素子の焦電特性を測定したところ、下記（表３）のような結果を得た。」（第４頁左欄第１４行〜右欄第１１行）ことが記載されている。
　また、表３は、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3 薄膜のＡ／Ｂ比を代えて測定した焦電係数を記載したものであって、Ａ／Ｂが１．０４、１．０８のものが記載されている。
　
３．３．５．刊行物５：特開平８−２５３３２３号公報（申立人の提出した甲第５号証）
　刊行物５は、「強誘電体薄膜及びその形成用ターゲット並びにそれを用いた強誘電体薄膜の製造方法」（発明の名称）に関するものであって、
「結晶構造が室温において正方晶系であり、＜００１＞軸の方向に結晶成長させた下記化学式（Ｉ）で表される組成を有することを特徴とする強誘電体薄膜。
　（Ｐｂx Ｌｎy ）（Ｔｉz Ｚｒw ）Ｏ3 ・・・・・（Ｉ）
但し、　ＬｎはＮｄ、Ｓｍ、Ｇｄのうちの１つ
ｘ、ｙ、ｚ、ｗは、
　　０．７０≦ｘ＜１、０．９≦ｘ＋ｙ≦１、０．９５≦ｚ≦１、ｗ＝０
または、
　　０．７０≦ｘ＜１、０．９≦ｘ＋ｙ≦１、０．５≦ｚ≦１、ｚ＋ｗ＝１」（特許請求の範囲の請求項１）、
「下記化学式（II）で表される組成を有することを特徴とする強誘電体薄膜形成用ターゲット。
　（１−α）（Ｐｂx Ｌｎy ）（Ｔｉz Ｚｒw ）Ｏ3 ＋α・ＰｂＯ・・（II）
但し、ＬｎはＮｄ、Ｓｍ、Ｇｄのうちの１つ・・・０≦α≦０．３」（特許請求の範囲の請求項２）、
「請求項２に記載の強誘電体薄膜形成用ターゲットを粉末もしくは焼結体とし、そのターゲットとして用いてスパッタリング法によりペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜を基板上に堆積することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項３）、
「本発明は例えば・・・圧電素子・・・などに用いる強誘電体薄膜及びその形成用ターゲット並びにそれを用いた強誘電体薄膜の製造方法に関するものである。」（第２頁左欄第２６〜２９行）こと、
「なお上記のように３０モル％以下のＰｂＯを含ませるのは、成膜条件によっては、例えば基板を加熱しながら成膜するような条件では、膜からＰｂＯが揮発して欠損しやすくなり、これを防ぐために成膜中に過剰のＰｂ成分が供給できるように配慮したものである。なお、ターゲット中の過剰のＰｂＯ量が３０モル％を越えると、Ｐｂ成分の供給量が多すぎて良質の膜が得られない。」（第３頁右欄第１７〜２４行）こと、
「この下部電極を形成させた基板上に、（Ｐｂ，Ｌｎ）ＴｉＯ3 または（Ｐｂ，Ｌｎ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 の組成を有し、ＬｎとしてＮｄ、ＳｍまたはＧｄのいずれか１つをそれぞれ異なる割合で含む数種の強誘電体薄膜を以下に述べる手順で高周波マグネトロンスパッタリング法で作製した。」（第３頁右欄第３２〜３７行）
及び、
「・・・基板５をヒータ６により６００℃まで加熱してから厚みが約２．５μｍの薄膜を作製した。・・・」（第４頁左欄第２８〜３０行）ことが記載されている。
　
３．３．６．刊行物６：特開平５−１４５１２３号公報（申立人の提出した甲第６号証）
　刊行物６は、「強誘電体薄膜構成体およびその製造方法」（発明の名称）に関するものであって、
「基板上に、有機金属錯体の蒸気を原料ガスとするプラズマ励起ＭＯ−ＣＶＤ法によって、（１００）面配向のＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜を形成し、さらにその上にスパッタ法によって（１００）面配向であり、化学式がＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 で、組成範囲が０≦ｘ≦１であるペロブスカイト型酸化物の強誘電体薄膜を形成することを特徴とする強誘電体薄膜構成体の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項３）、
「本発明は、・・・圧電素子・・・などに用いられる誘電体薄膜構成体およびその製造方法に関するものである。」（第２頁左欄第２１〜２３行）こと、及び、
「ターゲットは、ＰｂＯ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 の粉末を、ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 でｘ＝０，0.20，0.45，0.55，0.80，１の６種類の組成に配合し、750 ℃で４時間仮焼したのち粉砕し、Ｐｂの不足を防止するために、それぞれに20ｍｏｌ％の過剰のＰｂＯ粉末をさらに混合して作製した６種類の粉体を用いた。・・・膜の厚さは組成にかかわらず４μｍと同じ値を示した。」（第３頁右欄第４５行〜第４頁右欄第３行）ことが記載されている。
　
３．３．７．刊行物７：特開平７−１０９５６２号公報（申立人の提出した甲第７号証）
　刊行物７は、「ＰＺＴ薄膜の作製方法」（発明の名称）に関するものであって、
「最終的に必要とする膜厚よりも厚い膜厚となるようにスパッタリング法を用いて４００℃以上の基板温度でＰＺＴ薄膜を堆積させる第１段階と、このＰＺＴ薄膜の表面をエッチングして所望の膜厚を得る第２段階とを有することを特徴とするＰＺＴ薄膜の作製方法。」（特許請求の範囲の請求項１）、
「すなわち、ほぼ化学量論組成のＰｂ量になっているときには、比誘電率及び残留分極とも良好な特性が得られるが、Ｐｂが過剰になると、その特性が大きく劣化してしまう。」（第３頁左欄第１５〜１８行）こと、
「例えば最終的に１００ｎｍの厚さのＰＺＴ薄膜を得たい場合には、エッチング除去分を見込んで、あらかじめ１２０ｎｍの厚さのＰＺＴ薄膜を堆積する必要がある。そして、エッチングによって２０ｎｍを除去することにより、所望の厚さのＰＺＴ薄膜を確実に得ることができる。」（第６頁右欄第２８〜３３行）こと、
「表２は図７（Ｂ）のサンプルで測定した電気特性と、従来の図８（Ｂ）のサンプルで測定した電気特性とを比較して示したものである。比誘電率及び残留分極値とも、本実施例で作製したＰＺＴ薄膜の方が良好な電気特性を得ている。」（第８頁右欄第１１〜１５行）こと、及び、
「本発明は、・・・ＰＺＴ薄膜の深さ方向において原子濃度分布が均一にほぼ化学量論組成となり、その電気特性が向上した。特に、ＰＺＴ薄膜の膜厚が１００ｎｍ以下の場合には、Ｐｂ過剰の領域が存在しないことによる電気特性の改善が顕著である。」（第８頁左欄第２７〜３５行）ことが記載されている。
　
３．４．　本件発明と刊行物記載の発明との対比・判断
３．４．１．本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１〜７に記載の発明とを対比すると、上記刊行物１〜７には、本件請求項１に係る発明の構成要件である「共通電極上にスパッタ法により形成され、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし」た「ペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体」であって「Ｐｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下」であり「厚みが０．５μｍ〜５μｍ」であり「前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている圧電体」を有する圧電素子については記載も示唆もない。
　すなわち、上記刊行物１には、電極薄膜上にゾルゲル法で形成され、Ｚｒの組成の異なる第１層と第２層からなるペロブスカイト構造の圧電性物質を有し、上記第１層はＰｂ（ＴｉxＮｂy）Ｏ3  ｘ＝１，０．９５，０．９，０．８という組成式となる場合に組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１〜１．２５となっており、上記第２層はＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.1Ｚｒ0.477Ｔｉ0.423Ｏ3という組成式となる場合に組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１１となっており、上記第１層の膜厚は５〜１００ｎｍ、上記第２層の膜厚は５００〜２０００ｎｍであるので上記圧電性物質の膜厚が０．５０５〜２．１００μｍであり、圧電ｄ定数が１３０ｐＣ／Ｎを越える圧電体素子が記載されているが、圧電性物質をゾルゲル法に代えてスパッタ法により形成し、かつ、上記膜厚及び上記組成比とした場合に、圧電定数が１００ｐＣ／Ｎを越えるという点については記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物２には、下電極上にゾルゲル法で形成された、Ｚｒの組成が膜厚方向に濃度勾配をもって含有されたＰＺＴ膜を有し、該ＰＺＴ膜はＰｂ（Ｚｒ0.56Ｔｉ0.44）0.9（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）0.1Ｏ3　という組成を備えているので組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１１となっており、膜厚は約１０００ｎｍ＝１μｍであり、圧電ひずみ定数ｄ３１が１５０（ｐＣ／Ｎ）となっている圧電体素子が記載されているが、ＰＺＴ膜をゾルゲル法に代えてスパッタ法により形成し、かつ、上記膜厚及び上記組成比とした場合に、圧電ひずみ定数が１００ｐＣ／Ｎを越えるという点については記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物３には、個別電極上にｒｆスパッタリングで形成されており、鉛、チタンおよびジルコニウムを含有した厚み２０μｍ以下のペロブスカイト型の酸化物薄膜であり、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造の圧電部材を有しており、該圧電部材がＺｒの組成の異なる第１層と第２層からなる場合、上記第１層は例えばＺｒを含有していないPbTiO3やPbTiO3にランタンを添加したＰＬＴであり、上記第２層は例えば組成がPb(Zr0.53Ti0.47)O3であるので、上記第１層及び第２層ともに組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１となっており、上記第１層の膜厚は０．１μｍ、上記第２層の膜厚は２．９μｍであるので上記圧電部材の膜厚は３．０μｍとなっており、良好な圧電特性を有する圧電素子が記載されているが、上記強誘電体薄膜として組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が少なくとも１．０を越えるものとすることは記載されておらず、また、組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を１より大きくかつ１．３以下のものとしかつ上記膜厚としたときに、上記圧電部材の圧電定数が１００ｐＣ／Ｎを越えるという点については記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物４には、第１の電極上に高周波マグネトロンスパッタリング法で形成されており、少なくとも鉛、チタン、ジルコニウムを主成分としており、ＡＢＯ3 型ペロブスカイト構造である強誘電体薄膜を有しており、該強誘電体薄膜はＡサイト金属とＢサイト金属のモル比（Ａ／Ｂ）が１．０以上例えば１．０４、１．０８の組成となっており、膜厚が３μｍである強誘電体薄膜素子が記載されているが、上記強誘電体薄膜が上記組成及び膜厚であるとき圧電定数が１００ｐＣ／Ｎを越えるという点については記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物５には、下部電極上にスパッタリング法により形成され、少なくともＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉを主成分とするペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜を有し、該強誘電体薄膜は（Ｐｂx Ｌｎy ）（Ｔｉz Ｚｒw ）Ｏ3 、０．７０≦ｘ＜１、０．９≦ｘ＋ｙ≦１、０．９５≦ｚ≦１、ｗ＝０なる組成であるから組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は０．７〜１．０５となっており、膜厚が２．５μｍとなっているものが記載されているが、上記組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．０より大きく１．３以下のものとしかつ上記膜厚であるとき上記強誘電体薄膜の圧電定数が１００ｐＣ／Ｎを越えるという点については記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物６には、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜上にスパッタ法によって形成され、化学式がＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 で、組成範囲が０≦ｘ≦１であるペロブスカイト型酸化物の強誘電体薄膜を有し、該強誘電体薄膜は組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１となっており、膜厚が４μｍとなっている強誘電体薄膜構成体が記載されているが、上記強誘電体薄膜として組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が少なくとも１．０を越えるものとすることは記載されておらず、また、上記組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．０より大きく１．３以下のものとしかつ上記膜厚であるとき上記強誘電体薄膜の圧電定数が１００ｐＣ／Ｎを越えるという点については記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物７には、下部電極上にスパッタリング法により形成されるＰＺＴ薄膜を有し、該ＰＺＴ薄膜はほぼ化学量論組成となっており、膜厚が１００ｎｍ＝０．１μｍとなっているものが記載されているが、上記ＰＺＴ薄膜として組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が少なくとも１．０を越えるものとすること、及び膜厚を０．５〜５μｍとすることは記載されておらず、また、組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．０より大きく１．３以下のものとしかつ膜厚が０．５〜５μｍであるとき上記強誘電体薄膜の圧電定数が１００ｐＣ／Ｎを越えるという点については記載も示唆もされていない。、
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記圧電体についての構成要件により「高品質な圧電体の薄膜形成が容易となり、かつ圧電体の圧電特性が向上し、アクチュエータとしては低電圧で駆動が可能となり、センサーとしては感度の向上が図れ、かつ薄膜成膜により高密度化が図れ、小型で高解像度化が図れるので、美しい画像を出力するインクジェットヘッドの作製が可能となる。」（本件明細書段落【００４５】）という明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．４．２．本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明は、この発明において形成される「圧電体」が「スパッタ法により」形成され、「鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし」、「ペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体」であって、「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であるとともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える圧電体」であることを特徴とするものであるが、そのような圧電体を形成する点については、上記３．４．１．で検討したように、上記刊行物１〜７には記載も示唆もされていない。したがって、本件請求項２に係る発明は、上記刊行物１〜７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．４．３．本件請求項３〜６に係る発明について
　本件請求項３〜６に係る発明は、本件請求項１または２に係る発明を直接又は間接に引用してその構成要件をさらに限定したものであるから、上記限定の内容について刊行物１〜７に記載の発明と更なる対比・判断をするまでもなく、上記３．４．１．又は３．４．２．と同様の理由により、上記刊行物１〜７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．４．４．本件請求項７、８に係る発明について
　本件請求項７、８に係る発明はいずれも、これらの発明において形成される「圧電体」が「スパッタ法により」形成され、「鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし」、「ペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体」であって、「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている」ことを特徴とするものであるが、そのような圧電体を形成する点については、上記３．４．１で検討したように、上記刊行物１〜７には記載も示唆もされていない。したがって、本件請求項７、８に係る発明は、上記刊行物１〜７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．４．５．本件請求項９〜１１に係る発明について
　本件請求項９〜１１に係る発明は、本件請求項７または８に係る発明を直接又は間接に引用してその構成要件をさらに限定したものであるから、上記限定の内容について刊行物１〜７に記載の発明と更なる対比・判断をするまでもなく、上記３．４．４．と同様の理由により、上記刊行物１〜７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件請求項１〜１１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１〜１１に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものではない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月２日（２００２．９．２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の記載「前記共通電極上に、」を「前記共通電極上にスパッタ法により形成され、」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であることを特徴とする圧電素子。」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする圧電素子。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項３の記載「前記個別電極上に、」を「前記個別電極上にスパッタ法により、」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項３の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下である圧電体を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であるとともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える圧電体を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　上記訂正事項ｃに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項４の記載「前記ペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体をスパッタ法により形成し、前記スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴと酸化鉛（ＰｂＯ）との混合物からなり、」を「スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴと酸化鉛（ＰｂＯ）との混合物からなり、」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項９の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１０の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。」と訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項２、請求項５及び請求項１２を削除する。
（９）訂正事項ｉ
　上記訂正事項ｈに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、
特許請求の範囲の請求項３において、請求項３を請求項２に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項４において、「請求項３」を「請求項２」と訂正するとともに、
請求項４を請求項３に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項６において、「請求項３〜５のいずれか一つに記載の」を「請求項２または３記載の」と訂正するとともに、請求項６を請求項４に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項７において、「請求項３〜６のいずれか一つに記載の」を「請求項２〜４のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに、請求項７を請求項５に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項８において、「請求項３または２記載の」を「請求項１記載の」と訂正するとともに、請求項８を請求項６に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項９おいて、請求項９を請求項７に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項１０おいて、請求項１０を請求項８に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項１１において、「請求項９または１０記載の」を「請求項７または８記載の」と訂正するとともに、請求項１１を請求項９に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項１３において、「請求項９〜１２のいずれか一つに記載の」を「請求項７〜９のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに、請求項１３を請求項１０に繰り上げ、
特許請求の範囲の請求項１４において、「請求項９〜１３のいずれか一つに記載の」を「請求項７〜１０のいずれか一つに記載の」と訂正するとともに、請求項１４を請求項１１に繰り上げる。
（１０）訂正事項ｊ
　上記訂正事項ａ及びｂに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【０００７】の記載「請求項１記載の発明においては、共通電極と、・・・１．３以下であることを特徴とする。」を「請求項１記載の発明においては、共通電極と、前記共通電極上にスパッタ法により形成され、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、かつジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体と、さらに前記圧電体上に積層した個別電極とを有し、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする。」と訂正する。
（１１）訂正事項ｋ
　上記訂正事項ｈに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【０００９】の段落を削除する。
（１２）訂正事項ｌ
　上記訂正事項ｂ及びｈに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１０】の記載「上記構成により、薄膜成膜により高密度化が図れ、小型で高解像度の圧電素子が作製可能となる。」を「また、薄膜成膜により高密度化が図れ、小型で高解像度の圧電素子が作製可能となる。」と訂正する。
（１３）訂正事項ｍ
　上記訂正事項ｃ、ｄ、ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１１】の記載「請求項３記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し・・・１．３以下であることを特徴とする。」を「請求項２記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、前記圧電体上に更に共通電極を形成した後、前記基板の全てもしくは一部を除去する圧電素子製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であるとともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える圧電体を形成することを特徴とする。」と訂正する。
（１４）訂正事項ｎ
　上記訂正事項ｅ、ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１３】の記載「請求項４記載の発明においては、ペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体をスパッタ法により形成し、前記スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴとＰｂＯとの混合物からなり、」を「請求項３記載の発明においては、スパッタ法のターゲットの組成がＰＺＴとＰｂＯとの混合物からなり、」と訂正する。
（１５）訂正事項ｏ
　上記訂正事項ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１５】及び【００１６】の両段落を削除する。
（１６）訂正事項ｐ
　上記訂正事項ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１７】の記載「請求項６記載の発明においては、」を「請求項４記載の発明においては、」と訂正する。
（１７）訂正事項ｑ
　上記訂正事項ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１９】の記載「請求項７記載の発明においては、」を「請求項５記載の発明においては、」と訂正する。
（１８）訂正事項ｒ
　上記訂正事項ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２０】の記載「請求項８記載の発明においては、請求項１〜３のいずれか一つに記載の圧電素子と、」を「請求項６記載の発明においては、請求項１記載の圧電素子と、」と訂正する。
（１９）訂正事項ｓ
　上記訂正事項ｆ、ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２２】の記載「請求項９記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し・・・１．３以下であることを特徴とする。」を「請求項７記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、前記圧電体上に更に共通電極を形成し、前記共通電極上に振動板を形成した後、基板の全てもしくは一部を除去し、前記振動板上にインク液体を収容するための圧力室を形成するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする。」と訂正する。
（２０）訂正事項ｔ
　上記訂正事項ｆ、ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２３】の記載「上記方法により、請求項８と同様の効果が得られる。」を「上記方法により、請求項６と同様の効果が得られる。」と訂正する。
（２１）訂正事項ｕ
　上記訂正事項ｇ、ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２４】の記載「請求項１０記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し・・・１．３以下であることを特徴とする。」を「請求項８記載の発明においては、基板上に個別電極を形成し、前記個別電極上にスパッタ法により、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、ジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜の圧電体を形成し、前記圧電体上に更に共通電極を形成し、前記共通電極上に振動板を形成し、前記振動板上にインク液体を収容するための圧力室を形成した後、前記基板の全てもしくは一部を除去するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であり、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えていることを特徴とする。」と訂正する。
（２２）訂正事項ｖ
　上記訂正事項ｇ、ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２５】の記載「上記方法により、請求項９と同様の効果が得られ、」を「上記方法により、請求項７と同様の効果が得られ、」と訂正する。
（２３）訂正事項ｗ
　上記訂正事項ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２６】の記載「請求項１１記載の発明においては、」を「請求項９記載の発明においては、」と訂正する。
（２４）訂正事項ｘ
　上記訂正事項ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２８】の段落を削除する。
（２５）訂正事項ｙ
　上記訂正事項ｈ及びｉに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２９】の記載「上記方法により、・・・上部電極として個別化が容易となる。」を「請求項１０記載の発明においては、個別電極を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板の（１００）面上に形成することを特徴とする。上記方法により、安定した圧電性の高い圧電素子を作製するのが可能となる。請求項１１記載の発明においては、個別電極が白金からなることを特徴とする。上記方法により、請求項６と同様の効果が得られ、かつ白金の加工性が良いので、上部電極として個別化が容易となる。」と訂正する。
（２６）訂正事項ｚ
　上記訂正事項ａ及びｃに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００３７】の記載「ここで図２（ａ）において、・・・圧電性薄膜を形成することができる。」を「ここで図２（ａ）において、特に基板２０にＭｇＯを用い、ＭｇＯ基板２０の（１００）面上に白金からなる個別電極１を形成して圧電体２を作製した場合、安定した圧電性の高い圧電素子４を作製するのが可能となる。」と訂正する。
　（２７）訂正事項ａａ
　上記訂正事項ａ〜ｄ、ｆ及びｇに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００５０】の記載「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下である圧電体を形成することにより、」を「前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であるとともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える圧電体をスパッタ法により形成することにより、」と訂正する。
（２８）訂正事項ａｂ
　上記訂正事項ｋに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１０】〜【００１４】の段落において、段落番号【００１０】〜【００１４】をそれぞれ段落番号【０００９】〜【００１３】に繰り上げる。
（２９）訂正事項ａｃ
　上記訂正事項ｏ及びａｂに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１７】〜【００２７】の段落において、段落番号【００１７】〜【００２７】をそれぞれ段落番号【００１４】〜【００２４】に繰り上げる。
（３０）訂正事項ａｄ
　上記訂正事項ｘ、ａｂ及びａｃに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００２９】〜【００４２】の段落において、段落番号【００２９】〜【００４２】をそれぞれ段落番号【００２５】〜【００３８】に繰り上げる。
（３１）訂正事項ａｅ
　明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００４２】の記載「【表１】（表１省略）」を「【表１】（表１省略）
　（表１）より分かるように圧電定数が１００を超える高い値を示すのは、
　（条件１）Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の組成比が、１を超えかつ１．３以下の時で、かつ
　（条件２）圧電体の膜厚が、０．５μｍ以上５．０μｍ以下の時
である。又、実際にインクを用いて吐出実験を行ったが、インクが良好に吐出するのを確認した。」と訂正する。
（３２）訂正事項ａｆ
　上記訂正事項ａｅに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００４３】の段落を削除する。
（３３）訂正事項ａｇ
　上記訂正事項ａｂ、ａｃ、ａｄ及びａｆに伴い、明りようでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００４４】〜【００５０】の段落において、段落番号【００４４】〜【００５０】をそれぞれ段落番号【００３９】〜【００４５】に繰り上げる。
（５４）【発明の名称】
圧電素子及びその製造方法並びにそれを用いたインクジェットヘッド及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　共通電極と、前記共通電極上に
スパッタ法により形成され
　前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であ
り、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている
　【請求項
２
スパッタ法により
　前記圧電体上に更に共通電極を形成した後、前記基板の全てもしくは一部を除去する圧電素子製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下である
とともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える
　【請求項
３
２
　【請求項
４
２または３
　【請求項
５
２
４
　【請求項
６
１
　【請求項
７
　前記圧電体上に更に共通電極を形成し、前記共通電極上に振動板を形成した後、基板の全てもしくは一部を除去し、前記振動板上にインク液体を収容するための圧力室を形成するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であ
り、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている
　【請求項
８
　前記圧電体上に更に共通電極を形成し、前記共通電極上に振動板を形成し、前記振動板上にインク液体を収容するための圧力室を形成した後、前記基板の全てもしくは一部を除去するインクジェットヘッドの製造方法であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下であ
り、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている
　【請求項
９
７
８
　【請求項
１０
７
９
　【請求項
１１
７
１０
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、圧電素子及びその製造方法並びにその圧電素子を用いたインクジェットヘッド及びその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、パソコンなどの印刷装置としてインクジェットヘッドを用いたプリンタが、印字性能がよく取り扱いが簡単、低コストなどの理由から広く普及している。
　【０００３】
　このインクジェットヘッドには、熱エネルギーによってインク中に気泡を発生させ、その気泡による圧力波によりインク滴を吐出させるもの、静電力によりインク滴を吸引吐出させるもの、圧電素子のような振動子による圧力波を利用したもの等、種々の方式がある。
　【０００４】
　一般に、圧電素子を用いたものは、例えば、インク吐出口に連通したインク供給室と、そのインク供給室に連通した圧力室と、その圧力室に設けられ、圧電素子が接合された振動板等により構成されている。従来、インクの吐出方向と圧電素子の振動方向は同方向である。このような構成において、圧電素子に所定の電圧を印加すると、圧電素子が伸縮することによって、圧電素子と振動板が太鼓状の振動を起こして圧力室内のインクが圧縮され、それによりインク吐出口からインク液滴が吐出する。現在カラーのインクジェト記録装置が普及してきたが、その印字性能の向上、特に高解像度化および高速印字が求められている。そのためインクジェットヘッドを微細化しマルチノズルヘッド構造を用いて高解像度および高速印字を実現する事が試みられている。インクジェットヘッドの微細化には、インクを供給するための圧電素子の小型化が強く求められている。圧電素子の小型化のためには圧電体の厚みを薄くして、振動板を利用してたわみ振動を発生させインクを吐出させる方法が構成上可能である。しかし、電圧に対する圧電体自身の変位量は非常に小さく、そのため圧電素子を小型化すると圧電性の低下から十分な応力や振動が発生せずインクを吐出することができない。そこで、小型、マルチノズルヘッドを有した高解像度、高速プリンタを実現するためには薄い膜厚においても十分な圧電性を有する圧電薄膜材料を開発し、その製造方法を確立することが必要である。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述のように厚みの薄い圧電体を用いて、アクチュエータ又はセンサーに使用する小型の圧電素子およびそれらを用いたインクジェットヘッドをこれまで実現することができなかった。特に、従来から用いてきた焼結体の圧電材料では、素子を切削等の機械的な加工により小型化してきたが、機械的加工では小型化に限界がある上、圧電特性の劣化を招き、小型化と高解像度化を両立させる事は困難であった。
　【０００６】
　本発明は、従来のこのような圧電素子の課題を解決するもので、圧電素子を構成する圧電体や振動板等を薄膜化することで半導体プロセスで一般に用いられている微細加工が可能な形状とし、更に膜厚が薄くても大きな圧電特性を有する薄膜材料を開発し、インクジェットヘッドにおいてはノズルの構造が高密度の多素子化を実現する構成、かつその製造方法を提供する事を目的とするものである。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１記載の発明においては、共通電極と、前記共通電極上に
スパッタ法により形成され
り、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている
　【０００８】
　上記構成により、高品質な圧電体の薄膜形成が容易となり、かつ圧電体の圧電特性が向上し、アクチュエータとしては低電圧で駆動が可能となり、センサーとしては感度の向上が図れる。
　【０００９】
　
また
　【００１０】
　請求項
２
スパッタ法により
とともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える
　【００１１】
　上記方法により、請求項１と同様の効果が得られる。
　【００１２】
　請求項
３
　【００１３】
　上記方法により、安定した圧電性の高い圧電素子を作製するのが可能となる。
　【００１４】
　請求項
４
　【００１５】
　上記方法により、安定した圧電性の高い圧電素子を作製するのが可能となる。
　【００１６】
　請求項
５
　【００１７】
　上記方法により、請求項１と同様の効果が得られ、かつ白金の加工性が良いので、上部電極として個別化が容易となる。請求項
６
１
　【００１８】
　上記方法により、圧電体の圧電特性が向上し、低電圧でインク吐出の駆動が可能で、かつ薄膜成膜により高密度化が図れ、小型で高解像度のヘッドが作製可能となる。
　【００１９】
　請求項
７
り、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている
　【００２０】
　上記方法により、請求項
６
　【００２１】
　請求項
８
り、前記圧電体の厚みが０．５μｍ〜５μｍであり、前記組成比及び厚みにより前記圧電体の圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越えている
　【００２２】
　上記方法により、請求項
７
　【００２３】
　請求項
９
　【００２４】
　上記方法により、安定した圧電性の高い圧電素子を作製するのが可能となる。
　【００２５】
　請求項
１０
１１
６
　【００２６】
　【発明の実施の形態】
　以下に、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
　【００２７】
　（実施の形態１）
　図１は、本発明にかかる実施の形態１の圧電素子を用いたインクジェットヘッドを横から見た断面図である。
　【００２８】
　図１において、本実施の形態の圧電素子を用いたインクジェットヘッドは、インクを収容する圧力室６、インクを吐出する吐出口８、その吐出口８に連通し圧力室６に圧力を印加するための圧電素子４、及びその圧電素子４で振動する振動板５から構成されている。圧電素子４は、共通電極３、圧電体２及び個別電極１とからなり、この順に振動板５に積層している。圧力室６は、振動板５と共通インク室部品７から形成される。尚、図１は断面図であり、圧力室６は隔壁により分離された複数個が、この断面と垂直方向に並んだ構成になっており、吐出口８、圧電素子４も圧力室６と同数が同様に並んでいる。
　【００２９】
　圧電体２は、ペロブスカイト型のＰＺＴ薄膜であり、個別電極１及び共通電極３は、圧電体２に電圧を印加するためのもので、導電性材料を用いることができ特に少なくとも一部に白金もしくは金を用いる事が好ましい。
　【００３０】
　振動板５は、圧力室６の体積を収縮及び膨張させるためのもので、ニッケル、クロム、またはアルミニウム金属、もしくは金属の酸化物、シリコンの酸化物、セラミックスまたは高分子有機物等からなる。
　【００３１】
　共通インク室部品７は、インクを圧力室５に供給し、又インクを吐出口８から吐出させるためのもので、ＳＵＳ等からなる金属材料、感光性ガラスまたは樹脂等からなる。
　【００３２】
　図２は、インクジェットヘッドの製造工程について示した図である。図２を用いてインクジェットヘッドの製造工程について説明する。
図２（ａ）：ＭｇＯ、Ｓｉ、ＳＵＳ等からなる基板２０上に、ｒｆスパッタ法により、白金の個別電極１を形成する。
図２（ｂ）：個別電極１上に、ｒｆスパッタ法により、ＰＺＴ薄膜の圧電体２を形成する。
図２（ｃ）：圧電体２上に、ｒｆスパッタ法により、共通電極３を形成する。この段階で、圧電素子４が形成される。
図２（ｄ）：共通電極３の隣接面に沿って振動板５を形成する。振動板５の形成法は、スパッタ法、真空蒸着法、メッキ法、スピンコート法、または接合法などがある。
図２（ｅ）：酸性溶液を用いて基板２０をエッチング除去する。
図２（ｆ）：最後に振動板５と簡略化して図示した共通インク室部品７とを接合する。
　【００３３】
　ここで図２（ａ）において、特に基板２０にＭｇＯを用い、ＭｇＯ基板２０の（１００）面上に白金からなる個別電極１を形成して圧電体２を作製した場合、安定した圧電性の高い圧電素子４を作製するのが可能となる。
　【００３４】
　次に、振動板が薄膜で剛性がない場合でもインクジェットヘッドを作製するための製造方法について、図３を用いて説明する。図３の工程（ａ）〜（ｄ）までは図２の製造方法と同様である。図３（ｅ）は、振動板５に共通インク室部品７を接合する。その後、図３（ｆ）で酸性溶液を用いて基板２０をエッチング除去する。この製造方法により、共通インク室部品７で剛性を確保するので、振動板５が薄膜で剛性がない場合でも、振動板５に損傷を与えることなくインクジェットヘッドを作製することが可能である。
　【００３５】
　次に実験結果について説明する。作製したインクジェットヘッドの構造は、振動板５については、圧力室６と圧電素子４との間の振動板５の厚みが２．９μｍで、クロム材料を用いた。又、共通インク室部品７は、厚みが３００μｍでＳＵＳ材料を用いた。又、圧電素子４については、個別電極１及び共通電極３に、共に厚みが０．１μｍの白金を用いた。インクジェットヘッドの製造方法については、振動板５が薄膜で剛性がない場合であるので、図３と同様の方法で製造した。但し、個別電極１をＭｇＯ基板の（１００）面上に形成した。
　【００３６】
　上記構成を用いて、圧電体２の厚みと、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の組成比とを変化させた時の圧電特性を表す圧電定数：ｄ３１（単位：ｐＣ／Ｎ）の変化を求めた。
　【００３７】
　その結果について、（表１）に示す。
　【００３８】
　【表１】
　（表１）より分かるように圧電定数が１００を超える高い値を示すのは、
　（条件１）Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の組成比が、１を超えかつ１．３以下の時で、かつ
　（条件２）圧電体の膜厚が、０．５μｍ以上５．０μｍ以下の時
である。又、実際にインクを用いて吐出実験を行ったが、インクが良好に吐出するのを確認した。
　【００３９】
　従って、上記条件１及び条件２で作製した圧電素子４は、圧電体２の圧電特性が高いので、アクチュエータとしては低電圧で駆動が可能となり、又センサーとしては感度の向上が図れる。又、インクジェットヘッドとして圧電素子４を用いた場合、低電圧で駆動が可能となることに加えて、薄膜成膜により高密度化が図れ、小型で高解像度化が図れるので、美しい画像を出力するインクジェットヘッドの作製が可能となる。
　【００４０】
　又、圧電体２の製造方法にスパッタ法を用い、そのターゲットの組成がＰＺＴとＰｂＯとの混合物からなり、かつターゲットのＰＺＴとＰｂＯとの組成比：ＰｂＯ／（ＰＺＴ＋ＰｂＯ）が、０，０５〜０．３５にすることにより、圧電体２の膜厚が１０μｍ以下で、かつＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の組成比を、１を超えかつ１．３以下に容易にすることができるので望ましい。
　【００４１】
　又、ここでは共通電極３と振動板５を別々にしたが、振動板５が導電性材料の場合は、振動板５が共通電極３を兼ねても良い。このことにより、構成が簡素化される。
　【００４２】
　（実施の形態２）
　実施の形態１との相違点は、圧電体２がジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造である点である。
　【００４３】
　図４には、２層構成のものを図示した。図４の圧電体２−ａは、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを主成分とするペロブスカイト型ＰＺＴ薄膜である。圧電体２−ｂは、Ｚｒの含有していないＰｂＴｉＯ３やＰｂＴｉＯ３にランタンを添加したもので、その厚みは約０．０１μｍである。このように、個別電極１の上に、まず圧電体２−ｂを形成した後、その上に圧電体２−ａを形成することにより、高品質な圧電体薄膜を安定して形成することができる。
　【００４４】
　又、ここでは圧電体２を２層構成としたが、３以上のいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造でも同様の効果が得られる。
　【００４５】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明は、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を主成分とし、かつジルコニウムの組成が異なるいくつかの層からなる多層構造、もしくはジルコニウムの組成が連続して変化する傾斜組成構造のペロブスカイト型誘電体薄膜であって、前記圧電体のＰｂと、Ｚｒ及びＴｉとの組成比：Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１より大きくかつ１．３以下である
とともに厚みが０．５μｍ〜５μｍでありかつ前記組成比及び厚みにより圧電定数ｄ３１が１００ｐＣ／Ｎを越える
スパッタ法により
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施の形態１におけるインクジェットヘッドの横断面図
　【図２】
　（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施の形態１におけるインクジェットヘッドの製造工程図
　【図３】
　（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施の形態１におけるインクジェットヘッドの製造工程図
　【図４】
　本発明の実施の形態２におけるインクジェットヘッドの構成断面図
　【符号の説明】
　１　個別電極
　２　圧電体
　３　共通電極
　４　圧電素子
　５　振動板
　６　圧力室
　７　共通インク室部品
　８　吐出口