【事件の表示】
　特願２０１１−２２４８８４「磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月１５日出願公開、特開２０１２−　５４５７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年　８月　２日に出願した特願２００２−２２６５２０号の一部を平成２０年　４月　７日に新たな特許出願とする特願２００８−９９５６３号の一部を更に、平成２３年１０月１２日に新たな特許出願とする出願であって、平成２４年　７月２３日付けの拒絶理由通知に対して、同年　９月２１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２５年　３月１１日付けで拒絶査定され、これに対し、同年　６月１９日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。
　
　
第２　本願発明に対する判断
１　本願発明
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２４年　９月２１日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その内、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
　磁化固定層と、
　前記磁化固定層上に形成されたトンネルバリア層と、
　前記トンネルバリア層上に形成され、結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料を含む、磁化自由層とを有し、
　前記非晶質強磁性材料が、ＦｅＣｏに非晶質化のための添加元素として、Ｂ，Ｓｉ，Ｃ，Ｐ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｎ，Ｍｏのいずれか１種以上が添加された材料である
　磁気抵抗効果素子。」
　
２　原査定の拒絶の理由で引用された刊行物
   原査定の拒絶の理由１（特許法２９条１項３号）及び２(特許法２９条２項)において、請求項１に係る発明に対して引用された刊行物は、次の１件である。
　　刊行物１： A. Kaufler, 外5名，Tunnel-magnetoresistance system with an amorphous detection layer，Journal of Applied Physics，米国，American Institute of Physics，2002年2月1日，Vol. 91, No. 3，p. 1701-1703
　
　更に拒絶査定において周知技術を示すために引用された刊行物は下記の４件である。
　　周知例１：特開平１−１２８４０５号公報
　　周知例２：増本　健, 外３名，「アモルファス金属の基礎」，株式会社オーム社，１９８５年　６月１０日，第１版，１３２〜１３３頁（図５・４２、表５・１）
　　周知例３：特開２００２−８４０１４号公報
　　周知例４：特開２００１−９３１１９号公報
　
３　刊行物の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、特許法４４条２項に基づき、もとの出願の出願日であるとみなされる平成１４年　８月　２日（以下「本願の遡及日」という。）前に、外国において頒布された刊行物であるA. Kaufler, 外5名，Tunnel-magnetoresistance system with an amorphous detection layer，Journal of Applied Physics，米国，American Institute of Physics，2002年2月1日，Vol. 91, No. 3，p. 1701-1703（以下、「刊行物１」という。）には、「Tunnel-magnetoresistance system with an amorphous detection layer(当審仮訳：アモルファス検出層とトンネル磁気抵抗システム)」（論文の表題）に関して、次の記載がある。（なお、英文に続く日本語は当審合議体による仮訳であり、下記の下線は、当審が付したものである。以下同様。）
　
　（刊１ア）「
We have studied magnetic tunnel junctions using an amorphous CoFeNiSiB soft magnetic layer
Investigations on single amorphous layers show a thermal stability up to 350 °C annealing temperature even for very thin layers
  
我々は、非晶質CoFeNiSiB軟磁性層を用いた磁気トンネル接合を検討した
単一のアモルファス層の調査は、非常に薄い層であっても、３５０℃でのアニーリング温度において熱安定性を示す
　
　（刊１イ）「
Spin-dependent tunneling junctions are very attractive candidates for future magnetic-field-sensing devices like read heads, magnetic field sensors, magnetic random access memories, and others.
　
スピン依存トンネル接合は、読み取りヘッド、磁界センサ、磁気ランダムアクセスメモリ、および他のような将来の磁場感知装置のための非常に魅力的な候補である
　
　（刊１ウ）「In this article 
we report on tunneling magnetoresistance (TMR) measurements of junctions with an amorphous soft magnetic layer of Co
64
Fe
5
Ni
5
Si
13
B
13
 . The amorphous material was chosen because of its almost zero magnetostriction, high saturation magnetization of 680 emu/cm
3 
and high resistivity of 100 μΩcm. The junction structure used in this study consists of an amorphous layer as the top magnetic electrode and an artificial antiferromagnet (AAF) as the bottom electrode separated by a thin Al
2
O
3
 tunneling barrier
　この論文では、 
Co
64
Fe
5
Ni
5
Si
13
B
13
の非晶質軟磁性層との接合のトンネル磁気抵抗（TMR）測定結果について報告する。ほぼゼロである磁歪、６８０emu/cm
3
の高飽和磁化、及び高抵抗１００μΩcmであるが故に、非晶質材料が選ばれた。本研究で用いた接合構造は、上部磁性電極として非晶質層を、そして、薄いＡｌ
2
Ｏ
3
のトンネル障壁によって分離された下部電極として人工反強磁性体（ＡＡＦ）からなる
　
　（刊１エ）「Since for the use as a detection layer in the TMR element, the properties of very thin amorphous layers are of special interest which could be strongly affected by the increasing influence of the interface, CoFeNiSiB amorphous layers with varying thickness (2?10 nm) were sputtered onto thermally oxidized Si(100) wafers, subsequently protected with a 2 nm Ta layer. 
Annealing of the samples was performed at various temperatures up to 350 °C for 30 min.
　As can be seen in Fig. 1(b), the Haniso of the hard axis magnetization of the as-prepared samples increases modestly from 31 to 34 Oe with increasing thickness. Accordingly, the Hc of the easy axis magnetization [Fig. 1(b)] is increasing with thickness from 1.5 Oe to 3 Oe for the 2 nm and 10 nm samples, respectively. Annealing results in a successive reduction of the anisotropy field and this is more promoted for the thicker samples. The effect of annealing on Hc is also dependent upon the thickness, it decreases slightly for the thicker samples (6 nm and 10 nm), but increases for the thinner sample (2 nm). The lowering of Haniso with annealing is connected with structural relaxations, accompanied by atomic rearrangements and defect annihilations. This effect is less pronounced for very thin samples as the influence of the interface inhibits this relaxation. The enhanced Hc after annealing for the 2 nm layer can be attributed to an increased pinning of the domain walls at the interfaces. 
With further annealing at 400 °C, a significant enhancement of H
c
 is observed due to crystallization (not shown here)
　
ＴＭＲ素子で検出層として使用するためなので、非常に薄い非晶質層の特性に強い関心があり
サンプルのアニールを３０分間３５０℃までの種々の温度で行った
さらに４００℃でのアニールでは、H
c
のかなりの向上が結晶化により観察される（ここでは図示せず）
　
　上記摘記した各記載事項項（刊１ア）〜（刊１エ）によれば、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されているといえる。
　「トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子で検出層とし使用する、ほぼゼロである磁歪、６８０emu/cm3の高飽和磁化、及び高抵抗１００μΩcmのＣｏ64Ｆｅ5Ｎｉ5Ｓｉ13Ｂ13の非晶質軟磁性層である上部磁性電極と、
Ａｌ2Ｏ3のトンネル障壁と、
　前記Ａｌ2Ｏ3のトンネル障壁によって分離された下部電極としての人工反強磁性体（ＡＡＦ）からなり、
前記非晶質軟磁性層が、３５０℃のアニール温度で熱安定性を示す、
磁気ランダムアクセスメモリに用いる磁気トンネル接合構造」
　
（２）原査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の遡及日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１−１２８４０５号公報（以下「周知例１」という。）には、「圧粉成形磁性体及びその製造方法」（発明の名称）に関して、第１表が掲載されている。
　（周１ア）第１表には
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｂ系非晶質合金で磁歪常数が略零である組成の合金が例示されており、ＣｏＦｅＳｉＢ系
ＣｏＦｅＮｉＳｉＢ系
　
（３）原査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の遡及日前に日本国内において頒布された刊行物である「アモルファス金属の基礎」（株式会社オーム社）（以下「周知例２」という。）には、「５・６　軟磁気特性」（表題）に関して、図５・４２、表５・１と共に、次の記載がある。
　（周２ア）「５・６・１　零磁わい高透磁率合金
５・４・３項で指摘したように、
磁わいが零の材料はアモルファス合金の中でもとくに保持力が小さく、透磁率が高い。磁わいが零のアモルファス合金は初め、Ｆｅを約５at％程度含む(Ｃｏ−Ｆｅ)(Ｓｉ−Ｂ)系および（Ｃｏ−Ｆｅ)(Ｐ−Ｂ）系で見いだされた
その後、Ｎｉを添加した場合の磁わい零の組成域が調べられ、図5・42のような結果が得られている
キュリー点が結晶化転移点を超えているとこのような焼なましが不可能になるので、合金組成のほうをＴ
ｃ
《Ｔ
ｘ
を満たすように調整しなくてはならない（同時に磁わいを零にする組成でなければならない）
　
　（周２イ）「図５・４２　主要なアモルファス磁性材料」には、
　「磁わい材料など
　Ｆｅ−Ｃｏ−（Ｂ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ）
　高λｓ，高μ」
との記載が看取できる。　
　
　（周２ウ）「表５・１　低磁わい高透磁率アモルファス合金（液体急冷法）の磁気特性」には、
組成がＣｏ
70.8
Ｆｅ
4.7
Ｓｉ
15
Ｂ
10
の場合Ｔ
ｃ
＝４４０℃、Ｔ
ｘ
＝４９０℃、Ｃｏ
65.7
Ｆｅ
4.3
Ｓｉ
17
Ｂ
13
の場合Ｔ
ｃ
＝１４７℃、Ｔ
ｘ
＝５３０℃、Ｃｏ
61.6
Ｆｅ
4.6
Ｎｉ
4.2
Ｓｉ
10
Ｂ
20
の場合Ｔ
ｃ
＝２１０℃、Ｔ
ｘ
＝〜６００℃
　
（４）原査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の遡及日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−８４０１４号公報（以下「周知例３」という。）には、「トンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いたデバイス」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
　（周３ア）「【００５１】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１ないし図６に基づいて説明する。本実施の形態は、ＴＭＲ素子（トンネル磁気抵抗効果素子）１に関するもので、基本的には、図４に示すように絶縁性の基板２上に積層させた金属性強磁性体薄膜による第１層３と、絶縁膜による第２層４と、金属性強磁性体薄膜による第３層５との所定のパターンの接合構造により形成されて、第１層３から第２層４を介して第３層５にトンネル電流が流れる構造の素子である。
【００５２】・・（略）・・基板２上に第１層３としてＦｅ−Ｃｏ50膜をスパッタリング法により成膜する。
【００５３】・・（略）・・
【００５４】ここに、
第１層３としては、導電性金属部材であれば、目的とする磁界強度に応じて抗磁力を選択することでよく、上例のＦｅ−Ｃｏ
50
膜以外に、Ｆｅ
20
−Ｎｉ
80
膜
ＦｅＳｉＣｏＢアモルファス膜などでもよい
【００５５】・・（略）・・
【００５８】
第１層３のようなＣｏ合金の場合には、六方晶系をとることが多い
【００５９】この後、図４に示すように、第２層４上に第３層５として第１層３と同じＦｅ−Ｃｏ５０膜を再び膜厚１００ｎｍ成膜し、例えば、第１層３のパターンと直交するパターンにパターン化する。もっとも、
第３層５はこのように第１層３と同一の薄膜としてもよいが、異なっていてもよく、例えば
ＦｅＳｉＣｏＢアモルファス膜など
【００６０】・・（略）・・
【００６３】本実施の形態のＴＭＲ素子１は、特に形状等を図示しないが、その強磁性トンネル効果を利用することで、ＨＤＤ再生用の磁気ヘッド、ナビゲーション用地磁気センサ等の磁気センサ、或いは、
磁気固体記憶デバイス（ＭＲＡＭ）等の各種デバイスに適用可能
　
（５）原査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の遡及日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−９３１１９号公報（以下「周知例４」という。）には、「トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
　（周４ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド磁性メモリ、並びにその製造方法に関する。」
　
　（周４イ）「【００２５】以上述べたように、本発明によるトンネル磁気抵抗効果素子は、第一の磁性体層と、トンネルバリア層と、第二の磁性体層とが順に積層された多層膜を備えるトンネル磁気抵抗効果素子において、・・（略）・・」
　
　（周４ウ）「【００３４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
〔実施例１〕図７は、本発明によるＴＭＲ素子の一例を示す断面模式図である。図７に示したＴＭＲ素子では、Ｆｅ（２１１）面を有する磁性体層２１５からトンネルする、・・（略）・・トンネルバリア層３１０は前述の二段階酸化法によって形成され、その上に、
（１１０）面を有するＣｏＦｅ薄膜によって磁性体層１１５を形成
【００３５】・・（略）・・
【００４１】なお、本実施例と同様の効果は、・・（略）・・さらに、
上部磁性体層１１５として、ａ−Ｃｏ
80
ＦｅＢＳｉなどのアモルファス磁性体、及びＦｅＮｉ等の強磁性体合金
　
４　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　　　ア　引用発明の「トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子で検出層とし使用する」「上部磁性電極」、「トンネル障壁」及び「下部電極としての人工反強磁性体（ＡＡＦ）」からなる「磁気ランダムアクセスメモリに用いる磁気トンネル接合構造」は、本願発明の「膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子」に相当する。
　　　イ　引用発明の「下部電極としての人工反強磁性体（ＡＡＦ）」は、「検出層」としての「上部磁性電極」と、「トンネル障壁」を介して配置され、「磁気ランダムアクセスメモリに用いる磁気トンネル接合構造」を形成するものであるから、、本願発明の「磁化固定層」ることに相当する。
　　　ウ　引用発明の「Ａｌ2Ｏ3のトンネル障壁」は、これにより「上部磁性電極」と「下部電極としての人工反強磁性体（ＡＡＦ）」を分離していることから、「Ａｌ2Ｏ3のトンネル障壁」は、「下部電極としての人工反強磁性体（ＡＡＦ）」の上に形成されていることは明らかである。
　したがって、引用発明の「Ａｌ2Ｏ3のトンネル障壁」は、本願発明の「磁化固定層上に形成されたトンネルバリア層」に相当する。
　　　エ　引用発明の「トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子で検出層とし使用する、ほぼゼロである磁歪、６８０emu/cm3の高飽和磁化、及び高抵抗１００μΩcmのＣｏ64Ｆｅ5Ｎｉ5Ｓｉ13Ｂ13の非晶質軟磁性層である上部磁性電極」は、上記「イ」、「ウ」から、「Ａｌ2Ｏ3のトンネル障壁」の上に形成されていることは明らかである。
　また、「上部電極」を構成する「非晶質軟磁性層」は、「３５０℃のアニール温度で熱安定性を示」しているのであるから、当該「３５０℃のアニール温度」において結晶化が生じていないことも明らかである。そして、「３５０℃」は、単位変換をすると「６２３．１５Ｋ」であるから、引用発明の「トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子で検出層とし使用する、」「非晶質軟磁性層である上部磁性電極」であって、「前記非晶質軟磁性層が、３５０℃のアニール温度で熱安定性を示す」ことは、本願発明の「トンネルバリア層上に形成され、結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料を含む、磁化自由層」に相当する。
　　　オ　引用発明の「Ｃｏ64Ｆｅ5Ｎｉ5Ｓｉ13Ｂ13の非晶質軟磁性層」と、本願発明の「非晶質強磁性材料が、ＦｅＣｏに非晶質化のための添加元素として、Ｂ，Ｓｉ，Ｃ，Ｐ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｎ，Ｍｏのいずれか１種以上が添加された材料」とは、「非晶質強磁性材料が、ＦｅＣｏにＢ，Ｓｉが添加された材料」である点で一致する。
　
　
（２）一致点及び相違点
　　本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　　　ア　一致点
　「膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
　磁化固定層と、
　前記磁化固定層上に形成されたトンネルバリア層と、
　前記トンネルバリア層上に形成され、結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料を含む、磁化自由層とを有し、
　前記非晶質強磁性材料が、ＦｅＣｏにＢ，Ｓｉが添加された材料である
　磁気抵抗効果素子。」
　
　　　イ　相違点
　非晶質強磁性材料が、本願発明では、「ＦｅＣｏに非晶質化のための添加元素として、Ｂ，Ｓｉ，Ｃ，Ｐ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｎ，Ｍｏのいずれか１種以上が添加された材料」であるのに対して、引用発明は、「Ｃｏ64Ｆｅ5Ｎｉ5Ｓｉ13Ｂ13」である点。
　
５　当審の判断
（１）相違点についての検討
　　　ア　刊行物１の摘記事項（刊１ウ）には、「ほぼゼロである磁歪、６８０emu/cm3の高飽和磁化、及び高抵抗１００μΩcmであるが故に、非晶質材料が選ばれた。」であることが説明されており、また、刊行物１の摘記事項（刊１エ）には、「ＴＭＲ素子で検出層として使用するためなので、非常に薄い非晶質層の特性に強い関心が」あること、関心事の一つとして「サンプルのアニールを３０分間３５０℃までの種々の温度で行」うことで、「大変薄い(2-10 nm)ＣｏＦｅＮｉＳｉＢ非晶質層」の３５０℃程度における熱安定性を調査しているものである。
　
　　　イ　一方、零磁歪に近いＣｏＦｅＮｉＳｉＢ系の非晶質合金において、ＣｏＦｅＳｉＢ非晶質合金或いはＣｏＦｅＮｉＳｉＢ非晶質合金は、いずれも、例えば、上記周知例１、２等周知の物質であり、周知例２の表５・１によれば、ＣｏＦｅＳｉＢ非晶質合金或いはＣｏＦｅＮｉＳｉＢ非晶質合金において、組成を適宜調整することにより、零磁歪に近い非晶質合金であって、且つ結晶化転位点（Ｔｘ）が４９０℃〜６００℃程度の非晶質合金が得られている事が示されている。
　
　　　ウ　また、ＴＭＲ素子を用いた磁気固体メモリ（磁性メモリ）において、強磁性材料としてＦｅＳｉＣｏＢアモルファス膜（Ｃｏ８０ＦｅＢＳｉ等のアモルファス磁性体）を用いることは、例えば、上記周知例３，４に記載されているように周知の事項事項であり、周知例３においては、第１層及び第３層（固定層及び自由層に相当）のいずれにもＦｅＳｉＣｏＢアモルファス膜を用いてもよいことが示されている。
　
　　　エ　上記「イ」、「ウ」で摘記した周知の「ＣｏＦｅＳｉＢ」系非晶質材料においては、「ＣｏＦｅ」系合金に対して、Ｓｉ、Ｂは、例えば、周知例３の【００５８】、【００５９】において、Ｆｅ−Ｃｏ合金が六方晶系の結晶性材料であること、さらに、これに変えてＦｅＳｉＣｏＢアモルファス膜を用いてもよいことが、また周知例４の【００３４】には、「（１１０）面を有するＣｏＦｅ薄膜によって磁性体層１１５」と記載されているようにＣｏＦｅ薄膜が結晶質であること、及び、【００４１】には、「ａ−Ｃｏ80ＦｅＢＳｉなどのアモルファス磁性体」と、それぞれ説明されていることからも、Ｓｉ、Ｂは、本願発明における「非晶質化のための添加元素」に相当することは明らかである。
　
　　　オ　また、本願発明における非晶質強磁性材料は、単に、「ＦｅＣｏに非晶質化のための添加元素として、Ｂ，Ｓｉ，Ｃ，Ｐ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｎ，Ｍｏのいずれか１種以上が添加された材料」であって、「結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料」であるにすぎず、非晶質強磁性材料としての組成比及び磁気抵抗素子としての組成比等に応じた磁気的電気的特性等の具体的な構成を有しておらず、格別顕著な効果を有しているとは認められない。
　
　　　カ　してみると、引用発明において、周知例１〜４に記載されている周知技術を適用することで、零磁歪に近く、結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料として、「Ｃｏ64Ｆｅ5Ｎｉ5Ｓｉ13Ｂ13」に変えて、「ＣｏＦｅＳｉＢ」系の材料を採用し、引用発明において、上記相違点に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
第３　結言 
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知例１〜４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願の他の請求項２〜４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。