【事件の表示】
　特許第３３０３９１８号「合成石英ガラス及びその製法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３０３９１８号の請求項１〜５に係る特許を維持する。
【理　由】
　
１．手続きの経緯
　
　本件特許第３３０３９１８号発明は、特許法第３０条第１項の適用を申請して、平成２年５月１４日に出願された。この適用申請の証明書には、「第３０回ガラス討論会講演要旨集１９８９」プログラムｉ〜ｖｉ、５９〜６０頁、平成元年１１月１６日発行の刊行物が添付されている。
　そして、平成１４年５月１０日にその特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人本田敦子により請求項１〜５に係る特許に対して特許異議の申立がなされたものである。
　
　
２．本件発明
　
　本件請求項１〜５に係る発明（以下、「本件１〜５発明」という）は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定される、つぎのとおりのものである。
「【請求項１】四塩化ケイ素を酸水素火炎中で加水分解して得られる合成石英ガラスにおいて、水素ガスと酸素ガスの比（Ｈ２／Ｏ２）を２．２〜２．５で合成してＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による６５０ｎｍの赤色発光を防止し、かつ、非還元性の雰囲気中、または、真空中において、２００〜１２００℃で熱処理してＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による２８０ｎｍの発光を防止した合成石英ガラス。
【請求項２】四塩化ケイ素を酸水素火炎中で加水分解して得られる合成石英ガラスの製造方法において、水素ガスと酸素ガスの比（Ｈ２／Ｏ２）を２．２〜２．５で合成してＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による６５０ｎｍの赤色発光を防止し、さらに非還元性の雰囲気中、または真空中において、２００〜１２００℃で熱処理してＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による２８０ｎｍの発光の原因となる過剰水素の残存を防止した合成石英ガラスの製造方法。
【請求項３】請求項２において、非還元性の雰囲気が、酸化性雰囲気、不活性雰囲気、大気のいずれかである合成石英ガラスの製造方法。
【請求項４】請求項３において、酸化性雰囲気が、酸素ガス雰囲気である合成石英ガラスの製造方法。
【請求項５】請求項３において、不活性雰囲気が、ヘリウムガス、窒素ガス、アルゴンガスのいずれかの雰囲気である合成石英ガラスの製造方法。」
　
　
３．特許異議申立てについて
　
３−１．（申立ての理由）
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証〜甲第４号証を提出し、甲第１号証については、本件出願人が本件出願時に、特許法第３０条第１項の適用を申請した文書であるが、当文書には本件発明の数値規定が記載されていないから、本件発明が記載されているとはいえず、特許法第３０条第１項の適用を受けられないので、当文書は本件出願時の公知文献となると主張し、そして、本件発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜５についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきであると主張している。
　
　
３−２．（証拠の記載内容）
　特許異議申立人が提出した甲第１号証〜甲第４号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
　
３−２−１．甲第１号証：「第３０回ガラス討論会講演要旨集１９８９」プログラムｉ〜ｖｉ、５９〜６０頁、平成元年１１月１６日発行
（１ａ）「合成シリカガラスにエキシマレーザーを照射すると、さまざまな発光が生じる。この発光現象は製造履歴を強く反映している。」（５９頁２〜４行）
（１ｂ）「＜＜試料＞＞　試料としてタイプIIIのシリカガラス（ＯＨ約１０００ｐｐｍ）で、エキシマレーザー照射時の赤色発光が無いもの（Ａ）、・・・を用いた。」（５９頁６〜１０行）
（１ｃ）「＜＜熱処理＞＞　石英ガラス製の炉心管を挿入した管状炉で９００℃で２時間熱処理したのちガスをフローしたまま放冷した。」（５９頁１１〜１３行）
（１ｄ）「＜＜発光の測定＞＞　エキシマレーザー（ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、１００Ｈｚ）ビームをレンズで集光してエネルギー密度を２００ｍＪ／ｃｍ２Ｐｕｌｓｅに調整したのちビーム径を２ｍｍにしてサンプルに照射した。」（５９頁１４〜１８行）
（１ｅ）「サンプルＡにおいては、雰囲気熱処理前には２８０ｎｍに強い発光ピークがみられる。このピークは熱処理により減少し、３００ｎｍ付近の発光強度が増大してくる。・・・サンプルＡをＯ２中で熱処理すると２８０ｎｍの発光はほとんど消滅し、３００ｎｍの発光が生ずる。Ｏ２、空気、Ｎ２中での熱処理結果を比較してみるとＯ２、空気、Ｎ２の順に２８０ｎｍ付近の発光が強くなっている。酸化性が強くなるにしたがって２８０ｎｍの発光を抑制する効果が大きくなっている。」（６０頁５〜１１行）
（１ｆ）「赤色発光の生じないサンプルでは２８０ｎｍの発光が生じる。この発光は酸化雰囲気またはＨｅ中での熱処理により抑制することができる。このことから２８０ｎｍの発光はガラス中の不安定な水素に関連しているものと考えられる。」（６０頁３１〜３４行）
（１ｇ）図−１には、タイプIIIのシリカガラスとして６５０ｎｍの赤色発光の無いものを用いる点、及び、タイプIIIのシリカガラスを各種ガス（Ｈ２，Ｈｅ，Ｏ２，Ａｉｒ，Ｎ２）で熱処理を行うことが記載されている。
　
３−２−２．甲第２号証：特開平２−６９３３２号公報
（２ａ）「略１８５ｎｍ以上の紫外線波長域のレーザ光に使用されるレーザ光用透過体において、ＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以上含有する合成石英ガラスを用いて前記透過体を形成するとともに、該ガラス組織中に存在する吸蔵水素を実質的に除去し、前記波長域１８５ｎｍにおける吸収係数を１０−２（ｃｍ−１）以下に設定したことを特徴とするレーザ光用透過体」（１頁左下欄４〜１０行）
（２ｂ）「ＯＨ基を増大させた合成石英ガラスにおいて、この吸蔵Ｈ２の脱ガス処理を行ってＯＨ基が含有しない石英ガラスと同程度に前記吸蔵Ｈ２を低減又は実質的に除去する事により前記２５０ｎｍ以下の短波長域での透過率の改善を図り得、特に２５０ｎｍ〜略１８５ｎｍの範囲内における耐レーザ性を向上させる事が知見された。尚、前記脱ガスの手法としては、真空中雰囲気又は、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ２ガスの単一不活性ガス又は、複数の不活性ガス雰囲気又は大気雰囲気にて、略６００℃から１２００℃の温度にて熱処理することにより効率的に脱ガスすることが可能」（３頁左下欄２〜１３行）
（２ｃ）「石英ガラスの限界値である１８５ｎｍ近傍におけるＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を照射した所、Ｈ２ガス脱ガス処理のなされていない供試体は、処理のされている供試体に比較して、蛍光の発生量が多く、紫外域における吸収バンドの発生が早く、耐レーザ性の面で実用的に問題のある事が判明した。」（４頁右上欄９〜１５行）
　
３−２−３．甲第３号証：特開平２−６４６４５号公報
（３ａ）「（１）ＫｒＦ２５Ｈｚ、５００ｍＪ／ｃｍ２以上であるエキシマレーザ光の５分以上の照射に対し赤色蛍光を発せず波長２００ｎｍでの吸収係数が１×１０−２以下である紫外域用有水合成石英ガラス」（１頁左下欄５〜８行）
（３ｂ）「（５）四塩化ケイ素を酸水炎中で加水分解して有水合成石英ガラスを製造する工程において、原料の四塩化ケイ素に不活性ガスをキャリアガスとして同伴させることを特徴とする紫外域用有水合成石英ガラスの製造方法。」（１頁左下欄１７行〜右下欄３行）
（３ｃ）「得られたガラスのエキシマレーザー（ＫｒＦ、２０Ｈｚ）照射による赤色蛍光の「しきい値」と２００ｎｍにおける透過率のデーターを、Ｈ２／Ｏ２比に対して整理した結果を図２に示す。Ｈ２／Ｏ２比を２．２〜２．３にすると、スパッタリングやプラズマエッチングに対して変質して赤色蛍光を発することは無く、エキシマレーザーＫｒＦ（２４８ｎｍ）に対し２００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー密度にまで耐える。」（５頁右上欄１０行〜左下欄７行）
　
３−２−４．甲第４号証：「ガラスの辞典」、作花済夫編集、朝倉書店、１９９８年１０月１５日発行、２０４〜２０７頁
（４ａ）「III型有水合成ガラス　原料には四塩化ケイ素を用いる。これを蒸発させ、気相として酸水素炎中に導入し、火炎加水分解によってガラス微粒子（ストーとよぶ）を合成する。これを回転ダーゲット上に溶融堆積して透明ガラスを得る。」（２０６頁４〜７行）
　
　
３−３．（当審の判断）
　
３−３−１．（特許法第３０条第１項の適用について）
　特許法第３０条第１項の適用を申請した文書には、本件発明の全ての数値規定が記載されていなくとも、本件発明が規定する「タイプIIIのシリカガラスで、エキシマレーザー照射時の赤色発光の無いもの（上記（１ｂ））」を用いること、「Ｈ２，Ｈｅ，Ｏ２，Ａｉｒ，Ｎ２（上記（１ｇ））」の「雰囲気中９００℃で熱処理（上記（１ｃ））」すること、「２８０ｎｍの強い発光ピークが熱処理により減少（上記（１ｅ））」すること、といった本件発明の主要な構成を具備した発明が記載されているので、特許法第３０条第１項の適用を受けられないとはいえないから、特許異議申立人の上記の主張は採用できない。
　
３−３−２．
　３−３−１．で述べたとおり、甲第１号証は本件出願時の公知文献ではないから、以下その余の甲第２号証〜甲第４号証に基づき、検討する。
　
３−３−３．（本件１発明について）
　
　甲第３号証は、合成石英ガラス及び合成石英ガラスの製造方法に関する文献であって、上記（３ａ）〜（３ｃ）の記載を総合すると、「四塩化ケイ素を酸水素火炎中で加水分解して得られる合成石英ガラスにおいて、水素ガスと酸素ガスの比（Ｈ２／Ｏ２）を２．２〜２．３とした、エキシマレーザーの照射に対して赤色発光を発しない合成石英ガラス」が記載されていると云える。ここで、波長が６５０ｎｍは赤色の光に相当することからすれば、赤色発光を発しないとは６５０ｎｍの発光も防止していると云える。
　よって、これら記載を本件発明の記載ぶりに則って整理すると、甲第３号証には、「四塩化ケイ素を酸水素火炎中で加水分解して得られる合成石英ガラスにおいて、水素ガスと酸素ガスの比（Ｈ２／Ｏ２）を２．２〜２．３で合成して、エキシマレーザーの照射による６５０ｎｍの赤色発光を防止した合成石英ガラス」の発明（以下、「甲３発明」という）が記載されていると云える。
　
　そこで、本件１発明と甲３発明とを対比すると、「四塩化ケイ素を酸水素火炎中で加水分解して得られる合成石英ガラスにおいて、水素ガスと酸素ガスの比（Ｈ２／Ｏ２）を２．２〜２．３で合成して、エキシマレーザーの照射による６５０ｎｍの赤色発光を防止した合成石英ガラス」という点で両者は一致し、次の点で相違していると云える。
　
（イ）本件１発明の合成石英ガラスが、「非還元性の雰囲気中、または、真空中において、２００〜１２００℃で熱処理してＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による２８０ｎｍの発光を防止」しているのに対し、甲３発明は、該点を具備していない点。
　
　次に、この相違点（イ）について甲第２号証を検討すると、この証拠には、合成石英ガラスに関し、上記（２ａ）に「ＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以上含有する合成石英ガラスを用いて前記透過体を形成するとともに、該ガラス組織中に存在する吸蔵水素を実質的に除去」することが、そして上記（２ｂ）に「ＯＨ基を増大させた合成石英ガラスにおいて、この吸蔵Ｈ２の脱ガス処理を行ってＯＨ基が含有しない石英ガラスと同程度に前記吸蔵Ｈ２を低減又は実質的に除去する事」、「吸蔵Ｈ２の脱ガス処理を行って・・・吸蔵Ｈ２を低減又は実質的に除去する事により前記２５０ｎｍ以下の短波長域での透過率の改善を図り得、特に２５０ｎｍ〜略１８５ｎｍの範囲内における耐レーザ性を向上させる事」、「脱ガスの手法としては、真空中雰囲気又は、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ２ガスの単一不活性ガス又は、複数の不活性ガス雰囲気又は大気雰囲気にて、略６００℃から１２００℃の温度にて熱処理すること」が記載されているだけであり、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による６５０ｎｍの赤色発光を防止した上で、かつ、「非還元性の雰囲気中、または、真空中において、２００〜１２００℃で熱処理」することにより「ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による２８０ｎｍの発光を防止」することについては何ら示唆されていないから、甲第２号証と甲第３号証には、これら証拠を結び付ける動機付けとなる何らの記載もないと云うべきである。
　
　また、甲第４号証についても検討すると、この証拠には上記（４ａ）にIII型有水合成ガラスについての記載がされているだけであって、上記相違点（イ）について何ら記載がない。
　
　してみると、本件１発明は、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　
３−３−４．（本件２発明について）
　上記（３−３−３）で述べたとおり、甲第２号証〜甲第４号証には、「ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による６５０ｎｍの赤色発光を防止」した上で、かつ、「非還元性の雰囲気中、または、真空中において、２００〜１２００℃で熱処理」することにより「ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）の照射による２８０ｎｍの発光を防止」することについては何ら示唆されていない
から、本件２発明は、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
３−３−５．（本件３発明について）
　本件３発明は、本件２発明を引用することによりその発明特定事項を全て含むものであるから、前記（３−３−４）と同様の理由により、本件３発明は、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
３−３−６．（本件４発明について）
　本件４発明は、本件３発明を引用することによりその発明特定事項を全て含むものであるから、前記（３−３−５）と同様の理由により、本件４発明は、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
３−３−７．（本件５発明について）
　本件５発明は、本件３発明を引用することによりその発明特定事項を全て含むものであるから、前記（３−３−５）と同様の理由により、本件４発明は、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件１〜５発明についての特許を取り消すことはできない。また、他に本件１〜５発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月２８日（２００３．７．２８）