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　平成　２年特許願第　８４５００号「プレナー型ヘテロバイポーラトランジスタ」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年１２月１３日出願公開、特開平　３−２８３６２５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成２年３月３０日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１１年５月２４日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりである。
「半絶縁性基板上に形成した第１の高抵抗層上に順次積層形成された第１のベース層、第２の高抵抗層を介在させてバンドギャップの大きいエミッタ層が形成され、エミッタ層を一部残してその一方の側を第１の高抵抗層までエッチングして形成した順メサ形状を有する堀り込み領域に所定の厚みに第２のベース層が形成され、第２のベース層上にコレクタ層が形成されるとともに、エミッタ層の他方の側は第１のベース層までエッチングされ、エミッタ層、コレクタ層、第１のベース層上にそれぞれ電極が形成されていることを特徴とするプレナー型ヘテロバイポーラトランジスタ。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６３−１１４２５８号公報（以下、「引用例１」という）には、
「基板上に形成したエミッタ領域又はコレクタ領域の側面に真性ベース領域が形成され、該真性ベース領域を挟んで上記エミッタ領域又はコレクタ領域と対向するコレクタ領域又はエミッタ領域が設けられて成るヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。」（特許請求の範囲）、
「［実施例］以下、第１図を用いて本発明によるヘテロ接合型バイポーラトランジスタの一実施例を、その製法と共に説明する。先ず、第１図Ａに示すように半絶縁性のＧａＡｓ基板（２１）にＭＯＣＶＤ法により外部ベース領域（２２）となる・・・ｐ＋−ＧａＡｓ層、・・・Ｐ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）、エミッタ領域（２４）となる・・・Ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層及びエミッタのキャップ層（２５）となる・・・ｎ＋−ＧａＡｓ層を順次形成する。次いで、このｎ＋−ＧａＡｓ層（２５）上に例えばＳｉＮなどの絶縁層（２６）を厚さ２０００Å堆積する。次に、第１図Ｂに示すように、通常のリソグラフィ技術により絶縁層（２６）の所定領域を窓開けして後、その窓に臨むｎ＋−ＧａＡｓ層（２５）をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりエッチング除去し、凹部（２７）を形成する。次いで凹部（２７）を含む全面上に更にＳｉＮなどの絶縁層（２８）を堆積する。次に、第１図Ｃに示すようにＲＩＥにより垂直エッチングを行い凹部（２７）内のｎ＋−ＧａＡｓ層（２５）の側面にＳｉＮの側壁（２８’）を形成する。次いで絶縁層（２６）及び側壁（２８’）をマスクとして湿式エッチングによりＮ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２４）及びＰ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）を選択的に除去し、さらにｐ＋−ＧａＡｓ層（２２）の一部も除去する。なお、Ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２４）及びＰ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）だけをエッチング除去するようにしてもよい。そしてこのとき側壁（２８’）下部のＮ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２４）、Ｐ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）、ｐ＋−ＧａＡｓ層（２２）もサイドエッチングされるが、これは後のプロセスに対して本質的なものではない。次に、第１図Ｄに示すように、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法にて凹部（２７）内にＧａＡｓの選択再成長を行う。まずＮ−ＡｌＧａＡｓのエミッタ領域（２４）の側面に厚さ２００Å程度析出するように・・・ｐ＋−ＧａＡｓ層（２９）をエピタキシャル成長する。このエミッタ領域（２４）の側面に形成されたｐ＋−ＧａＡｓ層（２９）が真性ベース領域となる。次にコレクタ領域（３０）となる・・・ｎ−ＧａＡｓ層及び高不純物濃度層（３１）である・・・ｎ＋−ＧａＡｓ層を順次エピタキシャル成長して凹部（２７）内を埋める。次に、例えばボロン又はＨ＋のイオン注入によってベース／コレクタ間分離層（３２）、素子分離層（３３）を形成し、さらにコレクタ領域（３０）直下の外部ベース領域の部分（３４）を絶縁化する。次いで、・・・エミッタ電極（３５）、・・・コレクタ電極（３６）及び外部ベース領域（２２）に接続したベース電極（３７）を夫々形成する。」（第３頁左上欄第１４行〜右下欄第１２行）、
「第２図、第３図及び第４図に本発明によるヘテロ接合型バイポーラトランジスタの変型例を示す。なお、第２図〜第４図において、第１図と対応する部分には同一符号を付して詳細説明を省略する。これらの構成においても、第１図と同様の作用効果を奏するものである。」（第４頁右下欄第１９行〜第５頁左上欄第４行）、
「［発明の効果］本発明によれば、・・・真性ベース領域の厚みも極限まで薄くできるので、・・・超高速性能のヘテロ接合型バイポーラトランジスタが得られる。又、・・・高い電流増幅率が得られる。」（第５頁左上欄第７〜１８行）が、第１図、第３図と共に記載されている。
　そして、第３図においては、第１図と対応する部分には同一符号が付されているというのであるから、第１図についてなされた詳細説明を参照して第３図を解することによって、結局、引用例１には次のようなヘテロ接合型バイポーラトランジスタが記載されているものと認めることができる。
　半絶縁性のＧａＡｓ基板（２１）にＭＯＣＶＤ法により外部ベース領域（２２）となるｐ＋−ＧａＡｓ層、Ｐ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）、エミッタ領域（２４）となるＮ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層及びエミッタのキャップ層（２５）となるｎ＋−ＧａＡｓ層を順次形成し、次いで、このｎ＋−ＧａＡｓ層（２５）上に例えばＳｉＮなどの絶縁層（２６）を堆積し、次に、通常のリソグラフィ技術により絶縁層（２６）の所定領域を窓開けして後、その窓に臨むｎ＋−ＧａＡｓ層（２５）をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりエッチング除去し、凹部を形成し、次いで凹部を含む全面上に更にＳｉＮなどの絶縁層を堆積し、次に、ＲＩＥにより垂直エッチングを行い凹部内のｎ＋−ＧａＡｓ層（２５）の側面にＳｉＮの側壁を形成し、次いで絶縁層（２６）及び側壁をマスクとして湿式エッチングによりＮ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２４）及びＰ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）を選択的に除去し、さらにｐ＋−ＧａＡｓ層（２２）も除去し、このとき側壁（２８’）下部のＮ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２４）、Ｐ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）、ｐ＋−ＧａＡｓ層（２２）もサイドエッチングされ、次に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法にて凹部内に真性ベース領域となるｐ＋−ＧａＡｓ層（２９）をエピタキシャル成長し、次に、コレクタ領域（３０）となるｎ−ＧａＡｓ層及び高不純物濃度層（３１）であるｎ＋−ＧａＡｓ層を順次エピタキシャル成長して凹部内を埋め、次に、ボロン又はＨ＋のイオン注入によってベース／エミッタ間分離層（３２）、素子分離層（３３）を形成し、さらにコレクタ領域（３０）直下の部分（３４）を絶縁化し、次いで、エミッタ電極（３５）、コレクタ電極（３６）及び外部ベース領域（２２）に接続したベース電極（３７）を夫々形成した、横型のヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
　
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６４−８２６７０号公報（以下、「引用例２」という）には、
「絶縁性乃至半絶縁性基板上に狭く形成された第１の導電型の真性ベース領域と、前記真性ベース領域の上にこの真性ベース領域の幅よりも幅広く形成された第１の導電型の第１の半導体層と、前記絶縁性乃至半絶縁性基板上に配設され前記真性ベース領域および第１の半導体層からなるベース領域を挟んで配設された第２の導電型の第２の半導体層からなるエミッタ領域およびコレクタ領域と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との全ての境界部分に配設された第３の半導体層からなる高抵抗領域とを備えることを特徴とする横型バイポーラ・トランジスタ。」（特許請求の範囲）、
「［産業上の利用分野］本発明は、バイポーラ・トランジスタ、特に、横型構造を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタの改良に関する。」（第１頁右下欄第１〜４行）、
「すなわち、本発明の構造を用いることにより、従来の横型バイポーラ・トランジスタの場合に比べて、ベース長の微細化とベース抵抗の低減を同時に図ることが可能となる。さらに、エミッタ領域５およびコレクタ領域６と外部ベース領域３との境界に高抵抗領域１２が配設されているため、エミッタ−外部ベース間およびコレクタ−外部ベース間の寄生容量成分、およびエミッタ−外部ベース間を直接流れる無効ベース電流成分の大幅な低減が可能となる。したがって、バイポーラ・トランジスタの高速性としての機能が従来の横型バイポーラ・トランジスタに比べて格段に改善される。」（第４頁左上欄第４〜１６行）が、第１図と共に記載されている。
　従って、引用例２には、エミッタ領域と外部ベース領域とが隣接する構造を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタにおいて、エミッタ領域と外部ベースとの境界に高抵抗領域を配設することで、エミッタ−外部ベース間の寄生容量成分、およびエミッタ−外部ベース間を直接流れる無効ベース電流成分の大幅な低減が可能となり、バイポーラ・トランジスタの高速性としての機能が従来の横型バイポーラ・トランジスタに比べて格段に改善されるということが記載されている。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「半絶縁性基板」、「第１のベース層」、「バンドギャップの大きいエミッタ層」、「第２のベース層」、「コレクタ層」は、それぞれ引用例１に記載された発明の、「半絶縁性のＧａＡｓ基板（２１）」、「外部ベース領域（２２）となるｐ＋−ＧａＡｓ層」、「エミッタ領域（２４）となるＮ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層」、「真性ベース領域となるｐ＋−ＧａＡｓ層（２９）」、「コレクタ領域（３０）となるｎ−ＧａＡｓ層」に相当する。
　従って、本願第１発明と、引用例１に記載された発明は、「半絶縁性基板上に第１のベース層、バンドギャップの大きいエミッタ層が形成され、エミッタ層を一部残してその一方の側をエッチングして形成した堀り込み領域に所定の厚みに第２のベース層が形成され、第２のベース層上にコレクタ層が形成されるとともに、エミッタ層、コレクタ層、第１のベース層上にそれぞれ電極が形成されていることを特徴とするプレナー型ヘテロバイポーラトランジスタ。」である点で一致し、以下の各点において相違する。
（相違点１）
　本願第１発明では、半絶縁性基板上に形成した第１の高抵抗層上に第１のベース層を形成しているのに対して、引用例１に記載された発明は、第１の高抵抗層を備えていない点。
（相違点２）
　本願第１発明では、第１のベース層とエミッタ層との間に第２の高抵抗層が形成されているのに対して、引用例１に記載された発明では、Ｐ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）が形成されている点。
（相違点３）
　本願第１発明が、第１の高抵抗層までエッチングして形成した順メサ形状を有する掘り込み領域を有するのに対して、引用例１には、形状が明記されていない点。
（相違点４）
　本願第１発明では、エミッタ層の他方の側は第１のベース層までエッチングされているのに対して、引用例１に記載された発明では、ボロン又はＨ＋のイオン注入によって外部ベース／エミッタ間分離層（３２）を形成している点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　半絶縁性基板上に半導体層を積層して作製した半導体素子において、半絶縁性基板と半導体層の間に高抵抗層を設けた構造は周知（例えば、特開昭６３−２７２０７６号公報の第４図）である。従って、引用例１に記載された発明において、第１のベース層を半絶縁性基板上に直接形成するのではなく、半絶縁性基板上に形成された高抵抗層上に形成することは当業者が適宜なし得たことである。また、このような構造を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲内のものにすぎない。
（相違点２について）
　引用例２には、エミッタ領域と外部ベース領域とが隣接する構造を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタにおいて、エミッタ領域と外部ベースとの境界に高抵抗領域を配設することで、エミッタ−外部ベース間の寄生容量成分、およびエミッタ−外部ベース間を直接流れる無効ベース電流成分を大幅に低減することが可能となり、バイポーラ・トランジスタの高速性としての機能が従来の横型バイポーラ・トランジスタに比べて格段に改善されると記載されている。
　してみれば、エミッタ領域と外部ベース領域とが隣接する構造を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタである引用例１に記載された発明において、エミッタ−外部ベース間の寄生容量成分、およびエミッタ−外部ベース間を直接流れる無効ベース電流成分を大幅に低減して、バイポーラ・トランジスタの高速性としての機能を従来の横型バイポーラ・トランジスタに比べて格段に改善するために、エミッタ領域と外部ベースとの境界に高抵抗領域を配設するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことであると認められる。
　従って、引用例１に記載された発明において、第１のベース層とエミッタ層の間に形成されているＰ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）に代えて、第２の高抵抗層を形成することは当業者が容易になし得たことであると認められる。
（相違点３について）
　引用例１には、掘り込み領域の形状について、明記はないが、引用例１に記載された発明においては、湿式エッチングによりＮ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２４）及びＰ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）を選択的に除去し、さらにｐ＋−ＧａＡｓ層（２２）も除去し、このとき側壁（２８’）下部のＮ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２４）、Ｐ＋−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層（２３）、ｐ＋−ＧａＡｓ層（２２）もサイドエッチングされるのであるから、湿式エッチングが等方性エッチングであることを鑑みれば、該掘り込み領域の形状を順メサ形状とすることは、当業者が容易になし得たことであると認められる。また、そのような構造を採用したことによる格別の効果も認められない。
（相違点４について）
　電気的に絶縁する方法として、エッチングによって溝を形成する方法とイオン注入によって分離層を形成する方法は共に周知慣用されている方法であり、引用例１に記載された発明において、素子分離層の形成方法として、イオン注入法に代えてエッチングによって溝を形成する方法を採用することは当業者が適宜なし得たことにすぎない。また、このような手段を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲内のものである。
　したがって、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願第１発明は、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。