【事件の表示】
　特願２００９−　７２５７２「薄膜トランジスタ基板及びその製造方法と液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月　２日出願公開、特開２００９−１４５９０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年２月２７日（パリ条約による優先権主張２００１年９月２６日、同年１２月１０日、韓国）に出願した特願２００３−５３８８０９号（以下「親出願」という。）の一部を平成２１年３月２４日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年３月１６日付け及び同年１０月３１日付けで手続補正がなされ、平成２５年５月７日付けで前記平成２４年１０月３１日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後当審において同年１１月１１日付けで審尋がなされたところ、平成２６年１月７日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２５年８月２日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年８月２日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容 
　平成２５年８月２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２４年３月１６日付け手続補正後のもの）の請求項として、
　
「【請求項１】
　絶縁基板と、
　前記絶縁基板上に形成されて、ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線及び維持キャパシタ電極線と、
　前記ゲート配線及び前記維持キャパシタ電極線を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜に前記維持キャパシタ電極線を露出する第１接触孔と、
　前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極に重なって形成される半導体パターンと、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されて、データ線、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線及び前記第１接触孔を通じて前記維持キャパシタ電極線に連結される維持キャパシタ用導電体パターンと、
　前記データ配線、前記維持キャパシタ用導電体パターン及び前記半導体パターンを覆う保護膜と、
　前記保護膜に前記ドレーン電極を露出する第２接触孔と、
　前記保護膜上に前記第２接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結され、前記維持キャパシタ用導電体パターンと重なって第１維持キャパシタを形成し、前記維持キャパシタ電極線の一部と重なって第２維持キャパシタを形成する画素電極と、
を含み、
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは島状で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
　【請求項２】
　前記維持キャパシタ電極線は前記ゲート線に平行に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
　【請求項３】
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは前記維持キャパシタ電極線に重なることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
　【請求項４】
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは前記ゲート線及び前記データ線に囲まれた画素領域の内部に形成されることを特徴とする、請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板。
　【請求項５】
　請求項１による薄膜トランジスタ基板と、
　前記薄膜トランジスタ基板に対向する対向基板と、
　前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板の間に介在する液晶層と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項６】
　前記第１維持キャパシタ及び前記第２維持キャパシタの静電容量は前記液晶層の静電容量の９０％以上の大きさを有することを特徴とする、請求項５に記載の液晶表示装置。
　【請求項７】
　絶縁基板上にゲート線及びゲート電極を含むゲート配線及び維持キャパシタ電極線を形成する段階と、
　前記ゲート配線及び前記維持キャパシタ電極線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
　前記ゲート絶縁膜に前記維持キャパシタ電極線を露出する第１接触孔を形成する段階と、
　前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極に重なる半導体パターンを形成する段階と、
　前記ゲート絶縁膜上にデータ線、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線及び前記第１接触孔を通じて前記維持キャパシタ電極線に連結される維持キャパシタ用導電体パターンを形成する段階と、
　前記データ配線、前記維持キャパシタ用導電体パターン及び前記半導体パターンを覆う保護膜を形成する段階と、
　前記保護膜に前記ドレーン電極を露出する第２接触孔を形成する段階と、
　前記保護膜上に前記第２接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結されて、前記維持キャパシタ用導電体パターンと重なって第１維持キャパシタを形成し、前記維持キャパシタ電極線の一部と重なって第２維持キャパシタを形成する画素電極を形成する段階と、
を含み、
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは島状で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】
　絶縁基板と、
　前記絶縁基板上に形成されて、ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線及び維持キャパシタ電極線と、
　前記ゲート配線及び前記維持キャパシタ電極線を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜に前記維持キャパシタ電極線を露出する第１接触孔と、
　前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極に重なって形成される半導体パターンと、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されて、データ線、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線及び前記第１接触孔を通じて前記維持キャパシタ電極線に連結される維持キャパシタ用導電体パターンと、
　前記データ配線、前記維持キャパシタ用導電体パターン及び前記半導体パターンを覆う保護膜と、
　前記保護膜に前記ドレーン電極を露出する第２接触孔と、
　前記保護膜上に前記第２接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結され、前記維持キャパシタ用導電体パターンと重なって第１維持キャパシタを形成し、前記維持キャパシタ電極線の一部と重なって第２維持キャパシタを形成する画素電極と、
を含み、
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは島状で形成され、
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは前記第１接触孔を覆いながら前記維持キャパシタ電極線と直接接触する薄膜トランジスタ基板と、
　前記薄膜トランジスタ基板に対向する対向基板と、
　前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板の間に介在する液晶層と、
を含み、
　前記第１維持キャパシタ及び前記第２維持キャパシタの静電容量は前記液晶層の静電容量の９０％以上の大きさを有することを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項２】
　絶縁基板上にゲート線及びゲート電極を含むゲート配線及び維持キャパシタ電極線を形成する段階と、
　前記ゲート配線及び前記維持キャパシタ電極線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
　前記ゲート絶縁膜に前記維持キャパシタ電極線を露出する第１接触孔を形成する段階と、
　前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極に重なる半導体パターンを形成する段階と、
　前記ゲート絶縁膜上にデータ線、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線及び前記第１接触孔を通じて前記維持キャパシタ電極線に連結される維持キャパシタ用導電体パターンを形成する段階と、
　前記データ配線、前記維持キャパシタ用導電体パターン及び前記半導体パターンを覆う
保護膜を形成する段階と、
　前記保護膜に前記ドレーン電極を露出する第２接触孔を形成する段階と、
　前記保護膜上に前記第２接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結されて、前記維持キャパシタ用導電体パターンと重なって第１維持キャパシタを形成し、前記維持キャパシタ電極線の一部と重なって第２維持キャパシタを形成する画素電極を形成する段階と、
を含み、
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは島状で形成され、
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは前記第１接触孔を覆いながら前記維持キャパシタ電極線と直接接触する薄膜トランジスタ基板と前記薄膜トランジスタ基板に対向する対向基板との間に液晶層を形成する液晶表示装置において、前記第１維持キャパシタ及び前記第２維持キャパシタの静電容量は前記液晶層の静電容量の９０％以上の大きさを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。」
　
と補正するものである。
　
　そして、本件補正は、補正前の（請求項５、さらに請求項１を引用する）請求項６において、「維持キャパシタ用導電体パターン」が、「前記第１接触孔を覆いながら前記維持キャパシタ電極線と直接接触する」との限定を行って、補正後の請求項１とすることを含むものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２２７６１１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）方式の液晶表示装置に係わり、特に改善された容量部を有する液晶表示装置とその製造方法に関する。」
　イ　「【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ＴＦＴおよび画素電極がマトリクス状に配置されたＴＦＴアレイ基板と、遮光膜（いわゆるブラックマトリクス）、着色層および共通電極が形成されたカラーフィルタ基板とを液晶を介して対向配置して構成されている。…」
　ウ　「【００５３】（実施例７）図１４および図１５に示す実施例７の液晶表示装置は、隣合うアドレス配線１１，１１の間に、これらのアドレス配線１１，１１と並行に補助容量共通配線２４が設けられ、容量部１０５は全体が、ゲート絶縁膜５を介して前記補助容量共通配線２４の上に重畳するように設けられている。そして第１の電極１０がゲート絶縁膜５に形成されたスルーホール５ａを通る接続層１３によって前記補助容量共通配線２４に接続されている。第１の電極１０の上には上層絶縁膜８が形成され、この上に形成された透明電極６の一部が第２の電極２５を形成している。
【００５４】この実施例の場合には、アドレス配線１１とは別に、透明電極６の静電容量の基準電位となる補助容量共通配線２４が設けられているので、薄膜トランジスタのゲート電位とは独立にキャパシタの基準電位を設定することができ、液晶表示装置の高速化など設計上の自由度が増す。…
【００５５】前記実施例７の液晶表示装置は、下記により製造することができる。先ず絶縁性基板１０１の上に、各薄膜トランジスタ部のゲート１１ａを延在させた複数のアドレス配線１１，１１…と、隣合う前記アドレス配線１１，１１の間に前記補助容量共通配線２４とを並列して形成し、次に前記アドレス配線１１と補助容量共通配線２４とが形成された絶縁性基板１０１の上にゲート絶縁膜５を形成し、次いでこのゲート絶縁膜５の上に前記ゲート１１ａと対向するチャネル層２およびコンタクト層７を形成し、次にゲート絶縁膜５の上に金属膜からなるデータ配線１２を形成すると共に前記チャネル層２およびコンタクト層７の上にドレイン電極３とソース電極４とを形成し、かつ同じ金属膜を用いて前記容量部１０５に第１の電極１０を形成し、次に前記薄膜トランジスタ部１０３と画像部１０４と容量部１０５とを覆うように上層絶縁膜８を形成し、かつこの上層絶縁膜８に、薄膜トランジスタ部１０３においては前記ソース電極４のリード部に達するスルーホール８ａと、容量部１０５においては上層絶縁膜８とゲート絶縁膜５とを貫通して前記補助容量共通配線２４に達するスルーホール５ａとを形成し、次に前記画像部１０４に、前記スルーホール８ａを通してソース電極４と接続されかつ容量部１０５に延びる透明電極６をＩＴＯを用いて形成すると共に、同じＩＴＯを用いて、前記スルーホール５ａを通して前記第１の電極１０と補助容量共通配線２４とを接続する接続層１３を形成する。」
　エ　上記イに照らしてウを読むと、「絶縁性基板１０１」の上に「複数のアドレス配線１１，１１」、「補助容量共通配線２４」、「ゲート絶縁膜５」、「チャネル層２」、「コンタクト層７」、「データ配線１２」、「ソース電極４」、「上層絶縁膜８」、「透明電極６」等を形成して「ＴＦＴアレイ基板」が作成され、この「ＴＦＴアレイ基板」と「カラーフィルタ基板」とを液晶を介して対向配置して「アクティブマトリクス型液晶表示装置」が構成される、といえる。
　オ　上記ウに照らして図１４をみると、以下の（ア）及び（イ）が見て取れる。
　（ア）「第１の電極１０」は、「補助容量共通配線２４」に沿って矩形状に形成されていること。
　（イ）「第１の電極１０」は、「透明電極６」と重なっていること。
　
　上記摘記事項を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「絶縁性基板１０１の上に、各薄膜トランジスタ部のゲート１１ａを延在させた複数のアドレス配線１１，１１…と、隣合う前記アドレス配線１１，１１の間に補助容量共通配線２４とを並列して形成し、次に前記アドレス配線１１と補助容量共通配線２４とが形成された絶縁性基板１０１の上にゲート絶縁膜５を形成し、次いでこのゲート絶縁膜５の上に前記ゲート１１ａと対向するチャネル層２およびコンタクト層７を形成し、次にゲート絶縁膜５の上に金属膜からなるデータ配線１２を形成すると共に前記チャネル層２およびコンタクト層７の上にドレイン電極３とソース電極４とを形成し、かつ同じ金属膜を用いて前記容量部１０５に第１の電極１０を形成し、該第１の電極１０は補助容量共通配線２４に沿って矩形状に形成されており、次に薄膜トランジスタ部１０３と画像部１０４と容量部１０５とを覆うように上層絶縁膜８を形成し、かつこの上層絶縁膜８に、薄膜トランジスタ部１０３においては前記ソース電極４のリード部に達するスルーホール８ａと、容量部１０５においては上層絶縁膜８とゲート絶縁膜５とを貫通して前記補助容量共通配線２４に達するスルーホール５ａとを形成し、次に前記画像部１０４に、前記スルーホール８ａを通してソース電極４と接続されかつ容量部１０５に延びる透明電極６をＩＴＯを用いて形成すると共に、同じＩＴＯを用いて、前記スルーホール５ａを通して前記第１の電極１０と補助容量共通配線２４とを接続する接続層１３を形成してＴＦＴアレイ基板が作成され、前記第１の電極１０は透明電極６と重なっており、
　このＴＦＴアレイ基板とカラーフィルタ基板とを液晶を介して対向配置して構成された、アクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
（２）対比、判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「絶縁性基板１０１」は、本願補正発明の「絶縁基板」に相当する。
　イ　引用発明の「（絶縁性基板１０１の上に形成され、各薄膜トランジスタ部のゲート１１ａを延在させた）複数のアドレス配線１１，１１…」は、本願補正発明の「（前記絶縁基板上に形成されて、ゲート線及びゲート電極を含む）ゲート配線」に相当する。
　ウ　引用発明の「（絶縁性基板１０１の上に形成され、隣合う前記アドレス配線１１，１１の間に並列して形成される）補助容量共通配線２４」は、本願補正発明の「（前記絶縁基板上に形成された）維持キャパシタ電極線」に相当する。
　エ　引用発明の「（前記アドレス配線１１と補助容量共通配線２４とが形成された絶縁性基板１０１の上に形成された）ゲート絶縁膜５」は、本願補正発明の「（前記ゲート配線及び前記維持キャパシタ電極線を覆う）ゲート絶縁膜」に相当する。
　オ　引用発明は、「容量部１０５において…ゲート絶縁膜５とを貫通して前記補助容量共通配線２４に達するスルーホール５ａ…を形成」するものであるから、引用発明の「（ゲート絶縁膜５とを貫通して補助容量共通配線２４に達する）スルーホール５ａ」は、本願補正発明の「（前記ゲート絶縁膜に前記維持キャパシタ電極線を露出する）第１接触孔」に相当する。
　カ　引用発明は、「ゲート絶縁膜５の上に前記ゲート１１ａと対向するチャネル層２…を形成」するものであるから、引用発明の「（ゲート絶縁膜５の上に前記ゲート１１ａと対向して形成される）チャネル層２」は、本願補正発明の「（前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極に重なって形成される）半導体パターン」に相当する。
　キ　引用発明は、「ゲート絶縁膜５の上に金属膜からなるデータ配線１２を形成すると共に前記チャネル層２およびコンタクト層７の上にドレイン電極３とソース電極４とを形成」するものであるから、引用発明の「（ゲート絶縁膜５の上に形成され、金属膜からなる）『データ配線１２』、『ドレイン電極３』及び『ソース電極４』」は、本願補正発明の「（前記ゲート絶縁膜上に形成されて、データ線、ソース電極及びドレーン電極を含む）データ配線」に相当する。
　ク　引用発明は、「…金属膜を用いて前記容量部１０５に第１の電極１０を形成」し、「前記スルーホール５ａを通して前記第１の電極１０と補助容量共通配線２４とを接続する接続層１３を形成」するものであり、「第１の電極１０」は、「（スルーホール５ａにおいて）接続層１３」を通して「補助容量共通配線２４」に（電気的に）連結されるといえるから、引用発明の「（ゲート絶縁膜５の上に形成され、金属膜を用いて形成される）第１の電極１０」は、本願補正発明の「（前記ゲート絶縁膜上に形成されて、前記第１接触孔を通じて前記維持キャパシタ電極線に連結される）維持キャパシタ用導電体パターン」に相当する。
　ケ　引用発明は、「薄膜トランジスタ部１０３と画像部１０４と容量部１０５とを覆うように上層絶縁膜８を形成」するものであるから、引用発明の「上層絶縁膜８」は、本願補正発明の「（前記データ配線、前記維持キャパシタ用導電体パターン及び前記半導体パターンを覆う）保護膜」に相当する。
　コ　引用発明は、「上層絶縁膜８に、薄膜トランジスタ部１０３において…前記ソース電極４のリード部に達するスルーホール８ａ」を形成するものであるから、引用発明の「（上層絶縁膜８に形成され、ソース電極４のリード部に達する）スルーホール８ａ」は、本願補正発明の「（前記保護膜に前記ドレーン電極を露出する）第２接触孔」に相当する。
　サ　引用発明は、「画像部１０４に、前記スルーホール８ａを通してソース電極４と接続されかつ容量部１０５に延びる透明電極６をＩＴＯを用いて形成する」ものであり、該「透明電極６」と前記「第１の電極１０」は「容量部１０５」において「維持キャパシタ」を形成しているといえ、また、「第１の電極１０は透明電極６と重なって」いるから、引用発明の「（スルーホール８ａを通してソース電極４と接続されかつ容量部１０５に延びる）透明電極６」と、本願補正発明の「（前記保護膜上に前記第２接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結され、前記維持キャパシタ用導電体パターンと重なって第１維持キャパシタを形成し、前記維持キャパシタ電極線の一部と重なって第２維持キャパシタを形成する）画素電極」とは、「（前記保護膜上に前記第２接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結され、前記維持キャパシタ用導電体パターンと重なって第１維持キャパシタを形成し、前記維持キャパシタ電極線の一部と重なっている）画素電極」である点で共通する。
　シ　引用発明の「第１の電極１０」は、「補助容量共通配線２４に沿って矩形状に形成されて」いるから、引用発明は、本願補正発明の「前記維持キャパシタ用導電体パターンは島状で形成され」との事項を備える。
　ス　引用発明の「ＴＦＴアレイ基板」は、本願補正発明の「薄膜トランジスタ基板」に相当する。
　セ　引用発明の「カラーフィルタ基板」は、本願補正発明の「（前記薄膜トランジスタ基板に対向する）対向基板」に相当する。
　ソ　引用発明の「液晶」は、本願補正発明の「（前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板の間に介在する）液晶層」に相当する。
　タ　引用発明の「アクティブマトリクス型液晶表示装置」は、本願補正発明の「液晶表示装置」に相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
　
「絶縁基板と、
　前記絶縁基板上に形成されて、ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線及び維持キャパシタ電極線と、
　前記ゲート配線及び前記維持キャパシタ電極線を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜に前記維持キャパシタ電極線を露出する第１接触孔と、
　前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極に重なって形成される半導体パターンと、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されて、データ線、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線及び前記第１接触孔を通じて前記維持キャパシタ電極線に連結される維持キャパシタ用導電体パターンと、
　前記データ配線、前記維持キャパシタ用導電体パターン及び前記半導体パターンを覆う保護膜と、
　前記保護膜に前記ドレーン電極を露出する第２接触孔と、
　前記保護膜上に前記第２接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結され、前記維持キャパシタ用導電体パターンと重なって第１維持キャパシタを形成し、前記維持キャパシタ電極線の一部と重なっている画素電極と、
を含み、
　前記維持キャパシタ用導電体パターンは島状で形成される薄膜トランジスタ基板と、
　前記薄膜トランジスタ基板に対向する対向基板と、
　前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板の間に介在する液晶層と、
を含む液晶表示装置。
」
である点で一致し、次の点で相違する。
　 
　ａ　本願補正発明は、維持キャパシタ用導電体パターンが、第１接触孔を覆いながら維持キャパシタ電極線と直接接触するのに対し、引用発明は、「接続層１３」が「第１の電極１０」と「補助容量共通配線２４」を接続している点（以下「相違点１」という。）。
　ｂ　本願補正発明は、画素電極が維持キャパシタ電極線の一部と重なって第２維持キャパシタを形成し、第１維持キャパシタ及び前記第２維持キャパシタの静電容量が液晶層の静電容量の９０％以上の大きさを有するのに対し、引用発明は、画素電極が維持キャパシタ電極線の一部と重なってはいるものの、第２維持キャパシタを形成するか否か明らかでなく、また、第１維持キャパシタ及び第２維持キャパシタの静電容量が液晶層の静電容量の９０％以上の大きさを有するか否か明らかでない点（以下「相違点２」という。）。
　
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　下側に配置された下側電極（線）を絶縁膜で覆い、該絶縁膜に前記下側電極（線）の一部表面を露出する孔を形成し、上側電極を、前記孔を覆いながら前記下側電極（線）と直接接触するように設けたものは、本願の優先日時点で周知であるところ（例えば、特開平４−３２６３２９号公報（図１の「補助配線１３」と「付加容量電極１０」）、特開２０００−３３０１３２号公報（図１（ｂ）の「蓄積容量配線４１」と「蓄積容量電極６２」）、特開平４−８３２３２号公報（第２図の「下部電極１７」と「ゲート電極線１」）参照。）、引用発明において、前記周知技術を適用し、「（スルーホール５ａを通して第１の電極１０と補助容量共通配線２４とを接続する）接続層１３」に換えて、「第１の電極１０」を、「スルーホール５ａ」を覆いながら「補助容量共通配線２４」と直接接触するようなものとなして、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
［相違点２］について
　上記サで述べたとおり、引用発明は、「透明電極６」と「第１の電極１０」が、「容量部１０５」において「（第１の）維持キャパシタ」を形成しているといえ、また、「第１の電極１０は透明電極６と重なって」いるものであるところ、前記「透明電極６」と「第１の電極１０」とが維持キャパシタ（すなわち「第２の維持キャパシタ」）を形成するものとなすことは当業者が容易になし得ることである。そして、その際、前記「（第１の）維持キャパシタ」と前記「第２の維持キャパシタ」の静電容量が、液晶層の静電容量に比べてどの程度の大きさを有するものとなすかは当業者が設計上適宜に定めるべき事項であるところ、本願明細書の記載をみても、本願補正発明において、前記第１維持キャパシタ及び第２維持キャパシタの静電容量が液晶層の静電容量の９０％以上の大きさを有するとした点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められず、また、本願発明の奏する効果が、引用発明から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　よって、引用発明において、上記相違点２に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。、
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年３月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１において補正前のものとして記載したとおりのものである。
　
２　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された引用刊行物及び引用発明は、上記第２の２（１）のとおりである。
　
３　判断
　本願発明は、上記第２の２（２）で検討した本願補正発明において、「維持キャパシタ用導電体パターン」が、「前記第１接触孔を覆いながら前記維持キャパシタ電極線と直接接触する」との限定を省いたものである。そうすると、本願発明を減縮したものである本願補正発明が、上記第２の２（２）で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。