【事件の表示】
　特許第３１９２８１３号「液晶表示装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１９２８１３号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本件特許第３１９２８１３号に係る発明についての出願は、平成５年３月２５日に特許出願したものであって、平成１３年５月２５日にその発明について特許の設定登録がされ、その後、鈴木佐緒利により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年７月１５日付けで訂正請求されるとともに特許異議意見書が提出されたものである。　　   
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
特許権者が求めている訂正の内容は、以下のａ〜ｃのとおりである。
ａ．請求項２を削除する。
ｂ．請求項１記載の「その差は１μｍ以内とする」を「その差は１μｍ以内であり、前記第２の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度は３０°以下である」と訂正する。
ｃ．明細書【０００８】欄の「前記第２の金属の幅よりも大きい液晶表示装置であり、また、第１の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度が鋭角である液晶表示装置である。」を「前記第２の金属の幅よりも大きく、その差は１μｍ以内であり、前記第２の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度は３０°以下であることを特徴とする液晶表示装置である。」と訂正する。
                  　　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　上記訂正事項ｂは、訂正前の特許明細書１５段落「ＭｏとＴａとの合金膜２３を基板との成す角度が３０度以下のテーパとなるようにエッチングする。」の記載に基いて「第２の金属」をさらに具体的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｃは、上記請求項１の訂正に対応してこれと発明の詳細な説明を整合させようとするものであるから明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。  
         　　                
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する平成６年法律１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
３−１．特許異議の申立の理由の概要
　特許異議申立人　鈴木佐緒利は下記甲第１ないし３号証を提出して、
「本件請求項１及び２に係る発明は甲第１号証に記載された発明と同一であるか、または、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条に違反して特許されたものであり、特許法第１１３条第２号に該当するとして、同法第１１４条第２項の規定により取り消されてしかるべきものである。」と主張している。
　　
＜鈴木佐緒利が提出した証拠＞
甲第１号証：特開平４−２０９３０号公報（以下、刊行物１という。）
甲第２号証：「ワークステーション用１３．８インチ高精細ＴＦＴ−ＬＣＤ」，堂城　他，電子情報通信学会技術研究報告ＥＩＤ９２−４，Ｖｏｌ．９２，Ｎｏ．１１０，ｐ１９−２４，１９９２年６月２５日
甲第３号証：特開平４−２８０２２８号公報（以下、刊行物３という。）
　   　　             
３−２．本件発明　　
　本件の訂正後の請求項１に係る発明は、訂正された特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲１に記載された以下のとおりのものである。（以下、本件発明という。）「基板上に形成されたアドレス配線電極と、このアドレス配線電極に交差するように配置されたデータ配線電極と、前記アドレス配線電極に併設された補助容量配線電極と、前記アドレス配線電極と前記データ配線電極によって区画された透明画素電極と、この透明画素電極に対応し前記アドレス配線電極と前記データ配線電極に接続されたスイッチング素子とを少なくとも備えたアレイ基板を有する液晶表示装置において、前記アドレス配線電極および補助容量配線電極は基板上に形成されたＡｌまたはＡｌ合金からなる第１の金属とこの第１の金属の上に積層された第２の金属とからなり、前記第１の金属の前記データ配線電極に平行な方向の幅は前記第２の金属の幅よりも大きく、その差は１μｍ以内であり、前記第２の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度は３０°以下であることを特徴とする液晶表示装置。」　       
　                       
３−３．刊行物の記載内容
刊行物１：「本発明は、・・・・液晶表示パネル用アクティブマトリクスの配線構造に関する。」（１頁左下欄１２〜１４行）
「また、Ａｌエッチング液でのエッチングは容易であり、積層膜のエッチング後のパタン側壁は、傾斜（基板に向かって幅の広い傾斜）を持って連続していることが見出され、Ｍｏ層の優先腐食も解消されたことが判った。」（３頁左下欄１２〜１７行）
「ガラス基板上にいわゆる逆スタガードＴＦＴによるアクティブマトリクスを作製した。その断面構造を第１図に示す。まず、ガラス基板１０上にＡｌを０．１μｍ、Ｃｒ１％含有Ｍｏを０．０５μｍ連続堆積し、レジストパタン形成後、通常のＡｌエッチング液、すなわち硝酸を含有する燐酸液により積層膜を連続エッチングし、ゲート電極およびゲートバス１を形成した。パタンの側壁の傾斜は約５０°であり、この上に被覆される膜の段差部劣化は回避できた。次に、ゲート絶縁膜としてのシリコン窒化膜２、能動層としてアモルファスＳｉ３、さらに能動保護膜としてシリコン窒化膜４をプラズマＣＶＤ法により連続堆積してアクティブ領域を形成した。Ａｌ単独のゲート層で形成した場合、プラズマＣＶＤの基板加熱によりヒロックが成長し、表面が荒れてしまい、この上に形成されたＴＦＴの特性の劣化、ショート箇所の激増が認められた。一方、上記積層配線ではではヒロック生成は防止され、表面は平滑なままであった。次いで、能動層保護膜にソース・ドレイン用コンタクトを開口した後、ソースドレインとしてリンをドープしたアモルファスＳｉ５を堆積し、パターニングした後、ＩＴＯを堆積して画素電極６を形成した。さらに、Ｃｒ１％含有Ｍｏを０．１μｍ、Ａｌを０．４μｍ堆積した。レジストパタン形成後、通常のＡｌエッチング液によりこの積層膜を連続エッチングし、ソース・ドレイン電極およびデータバス７を形成した。最後に、保護膜としてシリコン窒化膜８を堆積し、外部接続端子部分を開口してアクティブマトリクス基板の作製を終了した。」（３頁右下欄７行〜４頁左上欄１７行）
              
刊行物３：「薄膜電界効果型トランジスタ駆動液晶表示装置においては、・・・」（２頁左欄３５〜３６行）
「図６において、１（Ｎ−１），１（Ｎ）・・・，（Ｎ＝１，２，・・・）はゲート線、２（Ｍ，Ｎ），（Ｍ＝１，２，・・・，Ｎ＝１，２，・・・）はゲート電極、３（Ｍ−１），３（Ｍ），・・・，（Ｍ＝１，２，・・・）はソース線、４はソース電極、５はドレイン電極、６（Ｍ，Ｎ）は画素電極、７はゲート絶縁膜、８は高抵抗のアモルファスシリコン膜、９は燐をドープしたアモルファスシリコン膜、１０は表面保護膜、１１はガラス基板、１２Ｎは蓄積コンデンサ線である。」（２頁左欄４４行〜同頁右欄２行）　
　また、図６には、蓄積コンデンサ線１２（Ｎ）がゲート線１（Ｎ−１）に平行に併設して形成されたものが図示されている。             
　              
３−４．対比
　本件発明と刊行物１記載のものとを比較すると、刊行物１記載のものにおける「ガラス基板」「ゲートバス」「データバス」「ＩＴＯを堆積した画素電極」「ＴＦＴ」「Ａｌ」「Ｃｒ１％含有Ｍｏ」「液晶表示パネル」はそれぞれ本件発明における「基板」「アドレス配線電極」「データ配線電極」「透明画素電極」「スイッチング素子」「第１の金属」「第２の金属」「液晶表示装置」に相当する。
　また、刊行物１には「ガラス基板１０上にＡｌを０．１μｍ、Ｃｒ１％含有Ｍｏを０．０５μｍ連続堆積し、レジストパタン形成後、・・・積層膜を連続エッチングし、ゲート電極およびゲートバス１を形成した。パタンの側壁の傾斜は約５０°」及び「パタン側壁は基板に向って幅の広い傾斜」と記載されているのであるから、ゲートバス下層であるＡｌの幅がゲートバス上層のＣｒ１％含有Ｍｏの幅より大きいこと、及びＡｌ及びＣｒ１％含有Ｍｏの膜厚が各々０．１μｍ、０．０５μｍで傾斜が約５０°の幾何学的関係からみて、ＡｌとＣｒ１％含有Ｍｏの幅の差が１μｍ以内であることは明らかである。
　よって両者は、「基板上に形成されたアドレス配線電極と、このアドレス配線電極に交差するように配置されたデータ配線電極と、前記アドレス配線電極と前記データ配線電極によって区画された透明画素電極と、この透明画素電極に対応し前記アドレス配線電極と前記データ配線電極に接続されたスイッチング素子とを少なくとも備えたアレイ基板を有する液晶表示装置において、前記アドレス配線電極は基板上に形成されたＡｌからなる第１の金属とこの第１の金属の上に積層された第２の金属とからなり、前記第１の金属の前記データ配線電極に平行な方向の幅は前記第２の金属の幅よりも大きく、その差は０．１μｍ以下である液晶表示装置。」で一致し、次の点で相違する。　 
相違点１：本件発明は、「アドレス配線電極に併設された補助容量配線電極」を有するのに対し、刊行物１にはこの点の記載がない点。
相違点２：本件発明は「第２の金属厚さ方向側面の基板との成す角度は３０°以下」であるのに対し、刊行物１では「パタンの側壁の傾斜は約５０°」である点。
　           
３−５．判断                           
　上記相違点１，２を検討する。
（１）相違点１について
　刊行物３記載の液晶表示装置の「蓄積コンデンサ線」「ゲート線」は、本件発明の「補助容量配線電極」「アドレス配線電極」に相当するから、刊行物３には、本件発明の相違点１の構成が備わっている。そして、ゲート線に補助容量配線を併設することは、刊行物３をあげるまでもなく、液晶表示装置において従来周知の技術である。したがって、刊行物１記載の発明に上記周知技術を付加することは当業者が容易になし得ることである。
　
（２）相違点２について
　本件明細書には「アドレス配線電極および補助容量配線電極上部のＭｏとＴａとの合金層にテーパエッチングを施すことによって、下層のＡｌ膜に大きなテーパがついていなくてもＡｌ膜にヒロックが発生しないので、ゲート絶縁膜のステップカバレージが良好となり、従来と変わらない層間絶縁性が得られた。」（【００２０】）
「第１の金属のデータ配線電極に平行な方向の幅は前記第２の金属の幅よりも大きくし、さらに第１の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度を鋭角とすることによって、アドレス配線電極および補助容量電極を低抵抗化できる。」（【００２１】）
と記載されているのみで、第２の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度を３０°以下としたことによる格別の効果は記載されていない。
　これに対し、刊行物１には、「パタンの側壁の傾斜は約５０°でありこの上に被覆される膜の段差劣化は回避された。」と記載され、本願発明のゲート絶縁膜のステップカバレージが良好となるという効果と格別異なるものではない。
　又、配線電極を低抵抗化できるという効果は、請求人が提出した異議意見書３頁１３〜１５行に「この積層配線の下層である第１金属（ＡｌまたはＡｌ合金）をその上層の第２金属の端面から露出させて配置することにより、低抵抗である第１金属の特性を利用して積層配線の電気抵抗を大幅に低減することができ」と記載されていることからも明らかなように、低抵抗であるＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１金属の幅を第２金属の幅より大きくしたことによるのであるから、刊行物１記載のものも有している効果である。
　なお、配線の抵抗は、配線の材料と断面積に依存するものであるから、テーパ角を３０°以下に小さくすることにより、低抵抗化を計ることができるとする請求人の主張は妥当なものではないから、刊行物１記載のものにおける、角度約５０°を本件発明の上記相違点２の構成とすることは、単に製造上の設計事項にすぎないものであって、当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
　したがって、本件発明は、刊行物１記載のもの及び刊行物３に記載されたような従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるから、特許法の一部を改正する法律（平成６年法法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める法令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項）の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月１１日（２００２．１２．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．請求項２を削除する。
ｂ．請求項１記載の「その差は１μｍ以内とする」を「その差は１μｍ以内であり、前記第２の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度は３０°以下である」と訂正する。
ｃ．明細書【０００８】欄の「前記第２の金属の幅よりも大きい液晶表示装置であり、また、第１の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度が鋭角である液晶表示装置である。」を「前記第２の金属の幅よりも大きく、その差は１μｍ以内であり、前記第２の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度は３０°以下であることを特徴とする液晶表示装置である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に形成されたアドレス配線電極と、このアドレス配線電極に交差するように配置されたデータ配線電極と、前記アドレス配線電極に併設された補助容量配線電極と、前記アドレス配線電極と前記データ配線電極によって区画された透明画素電極と、この透明画素電極に対応し前記アドレス配線電極と前記データ配線電極に接続されたスイッチング素子とを少なくとも備えたアレイ基板を有する液晶表示装置において、前記アドレス配線電極および補助容量配線電極は基板上に形成されたＡｌまたはＡｌ合金からなる第１の金属とこの第１の金属の上に積層された第２の金属とからなり、前記第１の金属の前記データ配線電極に平行な方向の幅は前記第２の金属の幅よりも大きく、その差は１μｍ以内
であり、前記第２の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度は３０°以下である
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に係わり、特にそのアレイ基板の配線電極の構造に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　文字や図形などのキャラクター表示用液晶表示装置としては、アドレス配線電極とデータ配線電極を交差させ、この交差した各区画を画素とするマトリクス型のものが使用されている。そして、各画素に対応して駆動用スイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置も多用されている。このようなスイッチング素子としては、薄膜トランジスタ（以降ＴＦＴと称す）と非線形抵抗素子（ＭＩＭ）が代表的であり、中でもＴＦＴは高速応答性に優れフルカラー表示に適している。
　【０００３】
　このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板の構成は、例えば、信学技報第９２巻、１１０号、１９頁に記載されている。即ち、アドレス配線電極はアルミニウム（Ａｌ）とモリブデン・タンタル合金（Ｍｏ・Ｔａ）の積層構造としてアドレス配線電極と補助容量配線電極を形成している。その形成方法は、ガラスなどの絶縁性基板上に、まずスパッタ法によりＡｌを堆積し、所定の配線電極の形状にパターニングする。次いでＭｏとＴＡの合金を堆積し、Ａｌのパターンを完全に被覆するように加工してアドレス配線電極および補助容量配線電極を形成する。トランジスタ能動部、画素電極部、データ配線電極およびソース・ドレイン電極を順次形成し、アクティブマトリクス型液晶表示装置用アレイ基板を構成する。
　【０００４】
　図３に、このようなＴＦＴ部分の概略断面構成を、図４にアドレス配線電極部分の概略断面構成をそれぞれ示す。図３および図４において、ガラスからなる絶縁性基板１上にはゲート電極２ａ、アドレス（ゲート）配線２ｂ、ゲート絶縁膜３ａおよび３ｂ、半導体層４、エッチングストッパ層５、コンタクト層６、画素電極７、ソース電極８、ドレイン電極９および保護膜１０が順次形成されている。このような構成の基板で、表示面の対角が１３．８インチサイズ、アドレス線の本数が９００本の液晶表示装置では、画素開口率約３０％の良好な表示特性が得られる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　このような液晶表示装置の表示面は大画面化や高精細化になるに伴い、アドレス配線電極長が長くなり、画素の開口率をほぼ一定にするためにアドレス配線電極幅が狭くなる傾向にある。これらの傾向はアドレス配線電極の高抵抗化につながり、アドレス信号の波形を歪ませ、信号の伝搬遅延を生ずることになる。これは画像の不均一化となって現れ、画質低下を招くことになる。
　【０００６】
　この対策として、アドレス配線電極および補助容量配線電極をアルミと高融点金属の積層構造とし、配線抵抗を低減させ、信号の伝搬遅延を小さくすることも考慮された。しかし、このような積層構造ではアルミを高融点金属で完全に被覆するためにパターニング工程が少なくとも２回必要である。これは、アルミをアドレス配線電極として単独で使用するには耐熱性および耐薬品性に劣り、アレイ基板形成のプロセス整合性に欠けるためである。
　【０００７】
　例えば、アルミを単独で使用した場合、ゲート絶縁膜は基板温度が３００°以上で形成されるため、基板との熱膨脹率の差に起因すると考えられる熱応力によりアルミヒロックが発生し、層間絶縁性が著しく損なわれる。このようにアルミをアドレス配線電極として使用するには、高融点金属で完全に被覆する積層構造が必要であるため、工程プロセスの複雑化、スループットの低下を招く。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　この発明は、基板上に形成されたアドレス配線電極と、このアドレス配線電極に交差するように配置されたデータ配線電極と、前記アドレス配線電極に併設された補助容量配線電極と、前記アドレス配線電極と前記データ配線電極によって区画された透明画素電極と、この透明画素電極に対応し前記アドレス配線電極と前記データ配線電極に接続されたスイッチング素子とを少なくとも備えたアレイ基板を有する液晶表示装置において、前記アドレス配線電極および補助容量配線電極は基板上に形成されたＡｌまたはＡｌ合金からなる第１の金属とこの第１の金属の上に積層された高融点金属およびその合金、例えばＴａまたはＴａ合金からなる第２の金属とからなり、前記第１の金属の前記データ配線電極に平行な方向の幅は前記第２の金属の幅よりも
大きく、その差は１μｍ以内であり、前記第２の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度は３０°以下である
　【０００９】
　【作用】
　以上のようなアドレス配線電極および補助容量配線電極の構成において、例えば、第１の金属としてＡｌを膜厚１００ｎｍ、この第１の金属の上に積層された高融点金属としての第２の金属としてＭｏとＴａとの合金層を膜厚２００ｎｍとした構造の場合、ＭｏとＴａとの合金層をドライエッチングでパターン形成した後、Ａｌに通常のウエットエッチングを用いてパターン形成する。この場合は、Ａｌのサイドエッチングが発生し、ゲート絶縁膜形成後にこのサイドエッチング部が空洞化し、Ａｌの腐食やステップカバレージの不良となる。
　【００１０】
　しかしながら、ドライエッチングによりＭｏとＴａとの合金層とＡｌ層を連続的にエッチングすることにより、配線電極の厚さ方向側面の基板との成す角度が鋭角状のテーパ形状が得られる。このテーパ形状は、Ａｌのパターンの幅がＭｏとＴａとの合金層のパターン幅よりもその大きさの差が１μｍ以内とすることができる。即ち、Ａｌ層はその側面部で１μｍ以内の露出部を有していることになる。このような形状では、Ａｌ層をＭｏとＴａとの合金層が完全に被覆する構造とはならないので、以降の熱工程でのＡｌヒロックの発生の有無が問題となる。しかし、Ａｌ層の露出部が１μｍ以内であれば、４５０□以内の熱工程においてもＡｌヒロックは発生せず、アレイ基板プロセス上問題なく処理することができる。
　【００１１】
　従って、ＭｏとＴａとの合金層がＡｌ層を完全に被覆する構造と比較して、Ａｌ層パターンとＭｏとＴａとの合金層パターンとの露光合わせズレをあまり考慮しなくてよいので、Ａｌの配線幅を大きくできる。例えば、従来のＡｌ層をＭｏとＴａとの合金層が完全に被覆する構造の場合の配線抵抗が９ＫΩであるのに対し、約半分の４．５ＫΩとすることができる。即ち、換言すれば、配線抵抗を一定にすれば配線幅を小さくできるので画素の開口率を向上することも可能となる。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について図１および図２を用いて詳細に説明する。図１に保護膜タイプの逆スタガー型ＴＦＴ部の概略断面を、図２にこの逆スタガー型ＴＦＴ部を有するアレイ基板の等価回路をそれぞれ示す。
　【００１３】
　図２において、まず、透明ガラス基板１１上にアドレス配線電極１２とデータ配線電極１３がマトリクス状に配設され、補助容量配線電極１４がアドレス配線電極１２にほぼ平行に並設して形成されている。これらの配線電極の各交差部近傍にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜からなるＴＦＴ１５が形成されている。ＴＦＴ１５のドレイン電極１７はデータ配線電極１３に接続され、ゲート電極はアドレス配線電極１２と同時一体形成されている。また、ＴＦＴ１５のソース電極には各画素の表示電極１６と液晶容量１７および補助容量配線電極と画素電極とで形成される補助容量１８が接続されている。
　【００１４】
プラズマＣＶＤ法によりガラス基板２１上にＳｉＯｘを成膜する。この上に、スパッタ法により、Ａｌ膜２２およびＭｏとＴａとの合金膜２３をそれぞれ１００ｎｍおよび２００ｎｍの膜厚に連続的に堆積させる。このとき、Ａｌ膜はＡｌ合金、例えば、Ｃｕ１原子％、Ｓｉ０．５原子％を含むＡｌ合金膜でも可能である。
　【００１５】
　この積層膜上に、フォトリソグラフィ法を用いてゲート電極を含むアドレス配線電極パターンの一部と補助容量配線電極の一部を形成し、ＣＦ４＋Ｏ２混合ガスのケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）を用いて、ＭｏとＴａとの合金膜２３を基板との成す角度が３０度以下のテーパとなるようにエッチングする。この時のエッチング条件は、Ｏ２流量３０ＳＣＣＭ、ＣＦ４流量１６０ＳＣＣＭ、エッチング圧３０Ｐａである。
　【００１６】
　続いて、例えばＣｌ２＋ＢＣｌ３＋ＨｅのＣｌ２系混合ガスのリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）でＡｌ膜２２をエッチングする。この時のエッチング条件は、Ｃｌ２流量３０ＳＣＣＭ、ＢＣｌ３流量１００ＳＣＣＭ、Ｈｅ流量７０ＳＣＣＭ、圧力１５Ｐａである。Ａｌ膜の幅はオーバーエッチング時間の制御により、ＭｏとＴａとの合金膜２３の幅の大きさよりも１μｍ以内の大きさとなるよう制御した。上記プロセスにより、アドレス配線電極と補助容量配線電極パターンを完成させる。
　【００１７】
　続いてプラズマケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法により、ＳｉＯｘ２４、ＳｉＮｘ２５、アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）２６、ＳｉＮｘ２７の４層を連続堆積する。そして、上層のＳｉＮｘ２７をパターニングし、前処理を施した後、ソース・ドレイン電極のコンタクトとして、Ｎ＋型のａ‐Ｓｉ膜２８をプラズマＣＶＤ法により堆積する。なお、ＳｉＯｘ膜の替わりに、熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を用いてもよい。
　【００１８】
　次に、ａ‐Ｓｉ膜をパターニングし、表示電極となる透明画素電極としてインディウム−ティン−オキサイド（ＩＴＯ）膜２９を形成しパターニングする。この電極は補助容量の一方の電極の一部としても使用する。続いて、アドレス配線パッド部の開口をＨＦ系エッチング液で形成する。次にスパッタ法により、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌの３層を堆積させ、これをデータ配線、ソース電極３０およびドレイン電極３１として形成する。この後、ＲＩＥ法によりバックチャネル上のＮ＋型のａ‐Ｓｉ膜２８を除去する。次に、パッシベーションとして、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘ膜３２を形成することにより、液晶表示用アレイ基板が完成する。
　【００１９】
　このアレイ基板のアドレス配線電極の平均配線幅は１０μｍ、配線長は２０ｃｍであったが、アドレス配線電極の抵抗値は約４．５ＫΩであり、従来のＡｌ層をＭｏとＴａとの合金層が完全に被覆する構造の場合の配線抵抗が９ＫΩであるのに対し、約半分であった。
　【００２０】
　また、アドレス配線電極および補助容量配線電極上部のＭｏとＴａとの合金層にテーパエッチングを施すことによって、下層のＡｌ膜に大きなテーパがついていなくてもＡｌ膜にヒロックが発生しないので、ゲート絶縁膜のステップカバレージが良好となり、従来と変わらない層間絶縁性が得られた。
　【００２１】
　【発明の効果】
　以上述べたように本発明によれば、アドレス配線電極および補助容量配線電極として、第１の金属層および第２の金属層からなる積層構造とし、且つ第１の金属のデータ配線電極に平行な方向の幅は前記第２の金属の幅よりも大きくし、さらに第１の金属の厚さ方向側面の基板との成す角度を鋭角とすることによって、アドレス配線電極および補助容量配線電極を低抵抗化できる。このことから実質的に画素の開口率を大きくすることができ、液晶表示装置の大画面化、高精細化を計ることができる。また、製造工程的にも、フォトプロセスが１回で済むことからプロセスの簡略化および高スループット化を計ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例のＴＦＴ部の構成を示す概略断面図。
　【図２】
　図１のＴＦＴ部を有するアレイ基板の等価回路を示す概略模式図。
　【図３】
　従来のＴＦＴ部の構成を示す概略断面図。
　【図４】
　従来のアドレス配線電極の構成を示す概略断面図。
　【符号の説明】
　１１…ガラス基板
　１２…アドレス配線電極
　１３…データ配線電極
　１４…補助容量配線電極
　１５…ＴＦＴ
　１６…画素電極
　２２…第１の金属膜
　２３…第２の金属膜