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【事件の表示】
　平成　３年特許願第　３６９４１号「光学焦点検出装置と光ビームの焦点を検出する方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　４年　８月　４日出願公開、特開平　４−２１３４１８、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１.本願は、平成３年２月６日に特許出願（パリ条約による優先権主張　１９９０年２月６日　米国）したものであって、その請求項１〜２に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜２に特定された次のとおりのものである。
【請求項１】媒体からの反射光がいくつかの次数の反射から成ってシヤー・インターフェログラムを形成し、該インターフェログラムの前記反射次数間に重複領域を生ずる、光学媒体に向けられた光ビームの焦点を検出する検出装置であって、前記媒体からの反射光を受けて、該反射光を検出手段に向ける受光手段と、前記受光手段によって向けられた光を受けるよう位置決めされ、前記重複領域における光の明るさの差異を検出する検出手段とを備え、前記反射次数は少なくともゼロ次反射と１次反射の一部を含むものであり、前記検出手段は、該ゼロ次反射と該１次反射間の重複領域の一部分の光の明るさを検出する、前記インターフェログラムの中心部分を検出するように配置された第１の組の光検出器（Ｃ、Ｄ）からなる第１の感光手段と、前記ゼロ次反射と前記１次反射間の重複領域の残りの部分の光の明るさを検出する、前記第１の組の光検出器の左右両側にそれぞれ配置される第２の組の光検出器（Ｂ，Ｅ）からなる第２の感光手段と、前記重複領域の一部及び残り部分間の検出された明るさを比較する比較器手段を含むものであり、さらに前記第１と第２の感光手段の上下両側に夫々配置された第３の組の光検出器からなる第３の感光手段（Ａ，Ｆ）を備え、これにより、前記第1と第2の感光手段は、前記第３の組の光検出器のあいだに収容され、前記各光検出器は、検出した光に応じた電気信号を生成し、光の良好な焦点信号（ＦＥ）を
ＦＥ＝（Ｃ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｅ）の式で求め、前記光の大まかな焦点信号（ＦＥ）を
ＦＥ＝（Ａ＋Ｆ）−（Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）の式で求められる特徴とする光学焦点検出装置。
【請求頃２】請求項１記載の光学焦点検出装置において、位置エラー信号（ＰＥ）を
ＰＥ＝（Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ）の式で求めることを特徴とする光学焦点検出装置。
　これに対して、前置の拒絶の理由に引用した特開昭５９−２０７０３４号公報（以下、「引用例１」という。）には、光学系ピックアップが記載され、特開昭６４−５５７４５号公報（以下、「引用例２」という。）には、光学式ピックアップ装置が記載され、特開平２−１４９９３３号公報（以下、「引用例３」という。）には、焦点制御装置が記載され、実願昭６１−１５２１０９号（実開昭６３−５８３２１号）のマイクロフイルム（以下、「引用例４」という。）には、光学式ピックアップ装置が記載され、特開昭６３−４４３２６号公報（以下、「引用例５」という。）には、光学式情報記録再生装置が記載され、特開昭６３−１７３２３４号公報（以下、「引用例６」という。）には、焦点誤差検出装置が記載され、特開平１−２９４２３６号公報（以下、「引用例７」という。）には、光ヘッドが記載され、特開平２−３５６３１号公報（以下、「引用例８」という。）には、光ピックアップが記載されている。
　そこで、本願請求項１〜２に係る発明と引用例１〜８記載の発明とを対比すると、後者は前者の構成の一部である「さらに前記第１と第２の感光手段の上下両側に夫々配置された第３の組の光検出器からなる第３の感光手段（Ａ，Ｆ）を備え、これにより、前記第1と第2の感光手段は、前記第３の組の光検出器のあいだに収容され、前記各光検出器は、検出した光に応じた電気信号を生成し、
光の良好な焦点信号（ＦＥ）をＦＥ＝（Ｃ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｅ）の式で求め、前記光の大まかな焦点信号（ＦＥ）をＦＥ＝（Ａ＋Ｆ）−（Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）の式で求められる」点を有しない。
　前者は、これらの構成を有することによって、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、引用例１〜８に基づいて当業者が容易に推考できるとはいえない。
２.したがって、本願請求項１〜２ に係る発明は、前置の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　２年特許願第４１５０６６号「ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物」拒絶査定に対する審判事件〔平成　４年１１月２６日出願公開、特開平　４−３３９８５９、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成２年１２月２７日の出願であって、本願発明は、願書に添付された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものであると認める。
　『（ａ）アミノ基含有ポリフェニレンスルフィド５０〜９５重量％、（ｂ）少なくとも１個のビニル芳香族化合物重合体ブロックと少なくとも１個の水素化共役ジエン化合物重合体ブロック共重合体１〜３０重量％、（ｃ）カルボキシル基含有α−オレフィン系共重合体１〜３０重量％からなることを特徴とするポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。』
　
［２］引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由として引用された刊行物である特開昭６１−２０７４６２号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開平１−２４０５６６号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　引用例１
　(a)「アミノ基および／またはアミド基を含有するポリアリーレンスルフィドと、熱可塑性エラストマーと、さらに必要に応じて、充填材とを混合してなることを特徴とするポリアリーレンスルフィド樹脂組成物」（特許請求の範囲）
　(b)「本発明で用いる熱可塑性エラストマーとしては・・・・・カルボキシル基および／またはエポキシ基を有するオレフィン共重合体が好ましい。」（第３頁左上欄第１〜１５行）
　引用例２
　(a)「（ａ）ポリフェニレンサルファイド　　　　　50〜95重量％
（ｂ）グリシジル基含有熱可塑性重合体　　　　　　0.5〜30重量％
（ｃ）水添ブロック共重合体または必要により水添ブロック共重合体100重量部当り　150重量部以下の非芳香族系ゴム用軟化剤を含有する水添ブロック共重合体　　　5〜30重量％
を含む、伸びおよび耐衝撃性に優れたポリフェニレンサルファイド組成物。」（特許請求の範囲）
　(b)「本発明の（ａ）成分として供するＰＰＳ（注、ポリフェニレンスルフィドと同義）は上記したもののほかに、酸変性されたＰＰＳでもかまわない。」（第３頁右上欄第８〜１０行）
　(c)「本発明の（ｂ）として用いられるグリシジル基含有熱可塑性重合体は、（ａ）成分のポリフェニレンサルファイドと（ｃ）成分の水添ブロック共重合体との相溶性を向上させるための必須成分であり、グリシジル基含有不飽和化合物を0.1〜20wt％、好ましくは0.5〜15wt％共重合（ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合）した重合体である。」（第３頁右下欄第２〜９行）
　
［３］対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、本願発明の（ａ）成分及び（ｃ）成分は、引用例１のポリアリレーンスルフィド及び熱可塑性エラストマーにそれぞれ該当するが、本願発明の（ｂ）成分の水添ブロック共重合体について、引用例１には、何も記載されていない点で両発明は相違する。
　この相違点について、拒絶する旨の査定する理由として、引用例１及び引用例２に記載された発明は、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物という同一の技術分野に係り、引用例２には、水添ブロック共重合体（これは、本願発明の（ｂ）成分の水添ブロック共重合体と同一のものと認められる。）を添加することが記載されているので、引用例１に記載された発明において、該水添ブロック共重合体を添加することが、当業者には容易にできることであるとし、その根拠を次のようにしている。
　引用例１には、アミノ基を含有するポリアリーレンスルフィドと相溶性のある樹脂としてカルボキシル基またはエポキシ基を有するオレフィン共重合体を挙げていること（該カルボキシル基を有するオレフィン共重合体は、本件発明の（ｃ）成分である。）、引用例２には、ポリアリーレンスルフィドと水添ブロック共重合体とを相溶性をよくするために、エポキシ基を有するオレフィン共重合体（グリシジル基は、エポキシ基とメチレン基とからなる基である。該エポキシ基を有するオレフィン共重合体は、引用例１のエポキシ基を有するオレフィン共重合体と同一である。）を用いることが記載されていることを挙げ、エポキシ基を有するオレフィン共重合体がポリアリーレンスルフィドと水添ブロック共重合体との相溶性を向上させていること（引用例２）、カルボキシル基またはエポキシ基を有するオレフィン共重合体は共にポリアリーレンスルフィドとの相溶性がよいこと（引用例１）から、「カルボキシル基を有するオレフィン共重合体がポリアリーレンスルフィドと水添ブロック共重合体との相溶性を向上させること」を容易に想到できることとしている。
　そこで、引用例２の記載事項について検討する。
　ポリフェニレンスルフィドは、変性されていないもの（ＰＰＳ）或いは酸変性されたものが記載され（摘示事項ｂ）、本願発明のアミノ基含有ポリフェニレンスルフィドについて何も記載されていない。すなわち、引用例２に記載されたポリフェニレンスルフィドは、本願発明のポリフェニレンスルフィドとは実質的に異なるポリフェニレンスルフィド樹脂である。
　次に、グリシジル基含有熱可塑性重合体について検討すると、ポリフェニレンサルファイドと水添ブロック共重合体との相溶性を向上させるための必須の成分と記載されている（摘示事項ｃ）。この「相溶性」は組成物にとって重要な性質であり、相溶性が欠けた場合には、発明の効果は奏されないものであり、グリシジル基含有熱可塑性重合体は、水添ブロック共重合体をポリフェニレンサルファイドと混合するときには、水添ブロック共重合体と不可分一体のものと解することが相当である。
　また、カルボキシル基を有するオレフィン共重合体が、エポキシ基を有するオレフィン共重合体と同様にアミノ基を有するポリアリーレンスルフィドと相溶性を有するとしても、引用例２に記載された発明から、アミノ基を有するポリアリーレンスルフィドと水添ブロック重合体との相溶性を向上させるものとすることができない。
　そうすると、刊行物２の記載からは、グリシジル基含有熱可塑性重合体と水添ブロック共重合体とを切り離し、水添ブロック共重合体のみを、ポリフェニルスルフィド樹脂の範疇ではあるが、刊行物２に記載されたポリフェニルスルフィド樹脂とは異なるポリフェニルスルフィド樹脂の組成物である刊行物１に記載された組成物中に添加することが当業者に容易にできたこととはいえない。
　
［４］むすび
　したがって、本願発明は、前記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められないので、本願発明が特許法第２９条第２項に規定により特許を受けることができないとした原査定は妥当ではない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第　６５７４９号「磁気抵抗効果再生ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年１０月１５日出願公開、特開平　５−２６６４３４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
  特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　平成　４年　３月２４日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　６月１４日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　７月２６日
　手続補正書　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　８月２３日
　
２　本願発明
　補正された明細書及び図面の記載から見て、本件の特許請求の範囲請求項１〜４に係る発明は、その請求項１〜４に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明は次のとおりである。
「軟磁性の磁気抵抗層と、該磁気抵抗層の両端部に形成され当該磁気抵抗層と接する硬磁性体層と、前記磁気抵抗層に横バイアスを印加する横バイアス印加膜と、前記磁気抵抗層の両端部に形成された電極層とを有し、前記硬磁性体層の内端面間の距離を前記電極層の内端面間の距離以下とし、前記硬磁性体層の内端面間の距離によってトラック幅が決まっていることを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。」（以下、本願発明という。）
　
３　引用例記載の発明
　拒絶査定の周知例として引用された特開平３−２６８２１６号公報（以下、引用例という。）は、本件出願前公知の刊行物であり、その第１図および第３頁右下欄第８行〜第１７行には、
「実施例１　第１図で示したように、絶縁体基板上１に、まず磁気抵抗効果型材料であるパーマロイ（組成Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ）２を約４０ｎｍ蒸着法で形成し、引き続き蒸着法でＮｂ３を２０ｎｍ形成した。次にこの上にスパッタ法で軟磁性体であるＦｅ−Ｓｉ合金膜４を３０ｎｍ形成し、ＮｂによるシャントバイアスとＦｅ−Ｓｉ合金膜による軟磁性体バイアスの印加される複合バイアス型磁気抵抗効果型素子を作製した。また、電極５としてＡｕあるいはＡｌを蒸着した。」と記載され、
第５図及び第５頁左上欄第５行〜第１６行には、
「実施例６　実施例１では磁気抵抗効果膜およびバイアス用軟磁性膜の磁区制御に関しては何らかの方法もとっていないので媒体からの交番磁界等で磁化状態が変化するが、磁気抵抗効果膜の一部に第５図７で示すように反強磁性体あるいは永久磁石膜を形成して磁気抵抗効果膜の一部に接触させて磁気効果膜の誘導磁気異方性および形状異方性の方向に磁気的カプリングをさせ、磁気制御をするとノイズの低減に顕著な効果があった。本実施例では、反強磁性体としてＦｅＭｎ合金膜、Ｆｅ−Ｎｄ膜、永久磁石膜としてはＣｏ−Ｐｔ合金膜を用いた。」と記載されている。
第３頁右上欄第１行、第２行には、
「本発明は磁気記録装置の磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。」と記載されている。磁気ヘッドは再生ヘッドであることは明らかである。
　そして、第５図から、反強磁性体は、磁気抵抗層の両端部に形成されており、かつ反強磁性体７の内端面間の距離は、電極５間の内端面間の距離より短くなっていることが示されている。そして、反強磁性体の内端面間の距離によってトラック幅が決まっていることは明らかである。
　従って、引用例には、磁気抵抗効果膜２と、該磁気抵抗効果膜２の両端部に、磁気抵抗効果膜の一部に接触させて設けた反強磁性体あるいは永久磁石膜７、磁気抵抗効果膜２にバイアスを与える、Ｆｅ−Ｓｉ合金膜４と、反強磁性体あるいは永久磁石膜７上に電極５を有し、反強磁性体７の内端面間の距離は、電極５間の内端面間の距離より短くなっており、反強磁性体の内端面間の距離によってトラック幅が決まっている磁気抵抗効果型再生ヘッドが示されている。
　
４　本願発明と引用例との対比
（一致点）
　引用例の「磁気抵抗効果膜」、「反強磁性体あるいは永久磁石膜」、「Ｆｅ−Ｓｉ合金膜」は、本願発明の「磁気抵抗層」、「硬磁性体層」、「横バイアス印加膜」に夫々相当するから、本願発明と引用例のものは、
「磁気抵抗層と、該磁気抵抗層の両端部に形成され当該磁気抵抗層と接する硬磁性体層と、前記磁気抵抗層に横バイアスを印加する横バイアス印加膜と、前記磁気抵抗層の両端部に形成された電極層とを有し、前記硬磁性体層の内端面間の距離を前記電極層の内端面間の距離以下とし、前記硬磁性体層の内端面間の距離によってトラック幅が決まっていることを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。」
である点で一致する。
（相違点）
　そして、本願発明は、「軟磁性の磁気抵抗層」であるが、引用例のものは軟磁性であるかどうか明記されていない点で相違する。
（相違点の判断）
　本願発明において、軟磁性の磁気抵抗層として、Ｎｉ−Ｆｅ合金（【００１８】）を用いており、引用例のものもパーマロイ（組成Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ）を用いている。そして、本件明細書の発明の詳細な説明の欄において、磁気抵抗層が軟磁性である効果が記載されておらず、軟磁性の磁気抵抗層を用いたことに格別のことが認められない。従って、この相違点は格別でない。
（容易性）
　してみると、本願発明は、引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項２〜４の発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　なお、上記引用例は、拒絶査定書において、周知例として提示されたものであるが、審判請求後の手続補正書および、審判請求理由補充提出までに相当の期間があり、意見を述べる機会があったものであり、また、審判請求理由補充に当たる手続補正書（平成１３年２月７日付け）においても、周知技術との関連について記述しており、新たに意見を述べる機会を与える必要性を認めない。
　
５　まとめ
　よって、上記結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　３年特許願第３１４２３５号「投影光学系の検査方法、マスク基板、及びマーク形成方法」において、平成１１年６月１６日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原決定を取り消す。
【理　由】
１.手続の経緯
　本願は、平成３年１１月２８日の出願であって、その後、平成１１年６月１６日付けで明細書を補正する手続補正がなされたが、この補正は、平成１３年２月２７日付けで決定をもって却下された。
２.原決定の理由の概要
　原決定における却下の理由の概要は、「補正後　の特許請求の範囲の請求項１、３、９に係る発明は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されておらず、またその記載からみて自明の事項でもないから、願書に最初に添付した明細書の要旨を変更するものである」というものである。
３.当審の判断
　願書に最初に添付した明細書には、「【課題を解決する為の手段】
　上記目的を達成するため、本発明においてはテストレチクル上に形成すべき設計上の理想線幅のマークとともに、設計上でわずかずつ線幅を変えた複数本のマークを同時に形成しておき、レチクル完成後に、それらの複数のマークの線幅を精密に測定し、理想線幅に最も近い1つのマークを選び、実際のテスト露光によってレジスト像を評価するときは、その選ばれた１つのマークを使うようにした。」（段落【００１１】）、「・・・この一連の製造工程において、設計上での線幅が太い細いにかかわらず、位置的に近傍にある複数本のマークは一様に線幅変化を起す。そこで本発明はこの現象を利用して、製造工程で避けられない線幅誤差量、すなわち製造規格値よりも微細な量ずつ線幅を順次変化させた複数本のマークを用意するようにした。このようにすると、その複数本のマークのうち、少なくとも１つは理想線幅に近くなる。」（段落【００１２】）、「以上のように各マーク群を形成すると、Ｘ方向に並んだ７組のマーク群のうち、設計上で理想線幅値として考えられている中央のマーク群（数値０のもの）は、マスク作成工程（プロセス）の後では、±△Ｄの範囲で線幅変化を起こしている可能性が大きい。しかしながらこのことは同時に、７組のマーク群の全てについて同様に起ることになるので、線幅が太くなるようなプロセスでは７組のマーク群のうち理想線幅値よりもわずかに細い線幅のマーク群（Ｍａ１〜Ｍａ３、Ｍｂ１〜Ｍｂ３、Ｍｃ１〜Ｍｃ３）の１つが太くなって理想値に近くなる。あるいは線幅が細くなるプロセスでは、理想線幅値よりもわずかに太い線幅のマーク群（Ｍａ５〜Ｍａ７、Ｍｂ５〜Ｍｂ７、Ｍｃ５〜Ｍｃ７）の１つが細くなって理想値に近くなる。」（段落【００１７】）、「以上のようにして作成されたテストレチクルＲｔ０は、図２で示したステップＳ５において、各マーク群の線幅の測定を行なう。その結果、例えば図３中のマーク群のうち、０.５０μｍラインの７組のマーク群Ｍａ１〜Ｍａ７のうち、理想線幅に最も近い１つのマーク群がＭａ３であることがわかると、その結果をステツプＳ６で記録する。・・・」（段落【００２０】） 、及び「従ってステップＳ６が終了した後では、テストレチクルＲｔ０と記録された媒体（ペーパー、又はディスクＭＦＤ）とを用いて、従来と同様にテスト露光ができる。この段階でテスト露光を行なった場合、ウェハ上に形成される各マーク群のうち、どれが基準になるのかが解らないので、ペーパー、又はディスクＭＦＤからのデータを読み取って、その評価点内で理想線幅に近いマーク群のレジスト像を評価すればよい。しかしこれだと、実際の検査の際にわずらわしさがあるので、さらに図２中のステップＳ７によって真に使えるマーク群がテストレチクル上でわかるように、パターン修正装置等によってマーキングを施すとよい。・・・」（段落【００２２】）との記載がある。
　そして、マスクないし基板がテストレクチルに相当し、所定面がウエハの面に相当することは、自明であるから、補正後の請求項１、３、９に係る発明の「線変更マークをマスクに形成し所定面上に転写する工程を有する、又は理想線幅に最も近いマークを選択する工程を有する、投影光学系の光学特性を検査する方法、或は理想線幅に最も近いマークを基板上に形成する方法」は、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されていることは明らかである。
　よって、上記補正は明細書の要旨を変更するものではない。
５.むすび
　したがって、上記補正を却下すべきものとした原決定は失当である。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　３年特許願第　４９４３８号「立体のシュミレーション装置」拒絶査定に対する審判事件〔平成　４年１０月　９日出願公開、特開平　４−２８４５７２、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成３年３月１４日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成９年２月２１日けの手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の第１〜３項に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】物体の構造をディスプレイ装置に表示する立体のシュミレーンョン装置において、
　前記物体に係わるデータを入力する入力手段と、
　前記入力手段により入力されたデータに基づき前記物体表面を複数の面に分割する有理べジエ曲面を形成し、前記ディスプレイ装置に前記有利べジエ曲面を表示させるべジエ曲面形成手段と、
　前記べジエ曲面形成手段により形成された前記べジエ曲面の面データと、前記入力手段により入力される、前記べジエ曲面下の前記物体の属性を表す属性データとを記憶する記憶手段とを有し、
　前記物体を前記面データ及び前記属性データより構成することを特徴とする立体のシュミレーション装置。
【請求項２】第一属性を有する外部層と、前記外部層と異なる第二属性を有する内部層とから成る物体の構造をディスプレイ装置に表示する立体のシュミレーション装置において、
　前記外部層及び前記内部層に係わるデータを入力する入力手段と、
　前記入力手段により入力されたデータに基づき、前記外部層表面を複数の面に分割する第一有理べジエ曲面を形成し、前記ディスプレイ装置に前記第一有理べジエ曲面を表示させる第一ベジエ曲面形成手段と、
　前記入力手段により入力されたデータに基づき、前記外部層と対応するように前記内部層表面を複数の面に分割する第二有理べジエ曲面を形成し、前記ディスプレイ装置に前記第二有理べジエ曲面を表示させる第二べジエ曲面形成手段と、
　前記第一べジエ曲面形成手段により形成された前記第一有理べジエ曲面の第一面データと、前記第二べジエ曲面形成手段により形成された前記第二有理べジエ曲面の第二面データと、前記入力手段により入力される、前記第一有理べジエ曲面下の前記外部層の属性を表す第一属性データと、前記入力手段により入力される、前記第二有理べジエ曲面下の前記内部層の属性を表す第二属性データと、前記第一有理ベジエ曲面と前記第二有理ベジエ曲面との関係を示す面相関データとを記憶する記憶手段とを有し、
　前記物体を前記第一面，第二面データ及び前記第一，第二属性データ及び前記面相関データより構成することを特徴とする立体のシミュレーション装置。
【請求項３】前記物体を所望の形状に変更させるために、前記ディスプレイ装置に表示される指示点データの変位量を所定の関数にしたがって演算を行ない、前記べジエ曲面のデータを変更する変形操作手段を有し、
　前記変形操作手段の出力に基づき前記ディスプレイ装置に、前記物体の変形後の形状を表示することを特徴とする請求項１、または請求項２に記載の立体のシュミレーション装置。」
　　
２．原審の拒絶の理由
　原審の拒絶の理由は、要するに、本願請求項１ないし３に係る発明は、講演論文集「１９９１年度精密工学会春季大会学術講演会論文集６５７−６５８頁　河合正治ほか「生体表現用ソリッドモデラの開発」」に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができる程度のものと認められるところ、上記講演論文集の奥付には平成３年３月５日発行とあることからこの日を頒布日と推定でき、したがって上記講演論文集は本願出願日前に頒布されたものであるから、本願請求項１ないし３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとするものである。
　
３．審判請求人の主張及び当審の判断
　審判請求人は、上記講演論文集が奥付に記載されている上記発行の日ではなく平成３年３月２１日に配布されたものである旨主張し、その事実を証明すべく精密工学会長宛の「証明願」を提出している。そしてその記載内容は
「
　１．会合名　　　　１９９１年度精密工学会春季大会学術講演会
　２．発表日　　　　平成３年３月２７日
　３．開催場所　　　早稲田大学工学部内
　４．発表テーマ　　生体表現用ソリッドモデラの開発
　５．発表者氏名　　馬場真佐美
　６．資料の配付日　平成３年３月２１日
　　　添付資料　　　１９９１年度精密工学会春季大会学術講演会論文集の　　　表紙、プログラム、該当論文、裏表紙
    」となっており、その下にその証明内容が間違いないことを平成１２年１月１４日付で精密工学会長名で証明した形式となっている。
　そこでこの「証明願」について検討するに、この証明形式は、証明をしようとする事実を先に記載しておいてそれが間違いないという形式のものである点、証明した日がその日から９年近く前の事実であるにもかかわらずその日がどうして分かったのか明らかでない点等の難点があることに加え、そこに記載されている配付日が守秘義務を負わない者の中で最先の者に配布された日であることが明記されていない点で、この証明書類だけでそこに記載されている配付日が守秘義務を負わない者に対する最初の配付日であることを十分証明しているとは言い難い。
　そこで、当審から精密工学会に電話照会したところ、例年、記載されている発行日には配布しておらず、名誉会員には、講演会開催日より数日前に、一般会員には講演日に配布している旨回答があった。
　そこで、上記講演論文集は少なくとも本件出願日以前に守秘義務を負わない者に頒布されていた刊行物には当たらないものと推認することができる。
  したがって、上記講演論文集に記載の事項をもって本件発明が特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができないものとすることができない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見できない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第２２７６１６号「電動遮光装置」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年　３月１５日出願公開、特開平　６−　７３９６９、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
（１）本願発明
　本願は、平成４年８月２６日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１１年５月１０日付け及び平成１２年４月１０日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　　
「【請求項１】複数の入射光量調整片からなる遮光装置本体と、少なくとも遮光装置本体の入射光量調整片の角度調節を行う駆動部と、日射角を表す現在時刻を計時する計時部と、外気温及び日差しの強さである日射量を検知するセンサー部と、現在時刻に対応する入射光量調整片の角度を記憶する記憶部と、記憶部の記憶内容と現在時刻に応じて駆動部を制御して入射光量調整片の角度調節を行わせると共に、外気温及び日射量が遮光を行う必要があるか否かにより、駆動部で遮光装置本体の開閉制御を行わせる制御部とを備え、制御部は、特定時間帯毎に入射光量調整片の角度を一定に制御して成ることを特徴とする電動遮光装置。」
　　　
（２）引用例記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由の概要は、本願の請求項１に係る発明は、特開平４−４４５８９号公報（以下、「引用例１」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というにある。
　そして、引用例１には、特許請求の範囲１〜３、２頁の［課題を解決するための手段］、［作用］の記載、実施例等の記載からみて、
　ブラインド開閉と角度調節を行うブラインド駆動手段と、一日の日照の変化、年間の日照の変化及び周囲の外的要因を予め記憶する記憶手段（例、記憶装置）と、時刻及び日付を認識する時計手段と、前記記憶手段と前記時計手段からの信号を演算し、前記ブラインド駆動手段に前記駆動信号を供給する演算手段とを具備し、窓から入射する太陽光が最適な量となるよう前記ブラインドの開閉及び角度調整を行うブラインド制御機構において、天候によって変化する照度の情報を前記演算手段に入力する手段、窓際温度及び部屋中心部の温度を感知して前記演算手段にその信号を供給する温度感知手段を設けたブラインド制御機構、
の発明が記載されていると認められる。（該ブラインド制御機構は、以下「ブラインド制御機構Ａ」という。）
　前記の「天候によって変化する照度の情報を前記演算手段に入力する手段」の具体例は、「天空照度計」であり、記憶する情報に関し「太陽光の角度や、周囲の外的要因による太陽光への影響に関する情報を記憶手段に記憶させ」の記載（２頁左下欄２０行〜右下欄１行）が、演算手段の作用に関しては「演算手段によって・・・演算して最適なブラインドの角度を判断し・・・角度調整を行う。」の記載（２頁右下欄１〜６行）があり、発明の目的に関しては「天候によるの日照の変化及び周囲の外的要因に応じて窓から入射する光の量を自動的に調節するブラインド調節機構を提供する」（２頁右上欄）と記載されている。
　　
（３）対比・判断
　ブラインドについて記載された引用例１には、入射光量調整片からなる電動遮光装置本体は明示されていないが、「ブラインド制御機構Ａ」が遮光装置本体部を備えることは自明であるので、「ブラインド制御機構Ａ」を備えた遮光装置本体の構成は開示されていると認める。
　又引用例１には、制御部について定義がないが、演算手段がその機能からみて制御部に相当すると解される。
　そこで、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と引用例１に記載されたものとを対比すると、本願発明１の「記憶部」に記憶される「現在時刻に対応する入射光量調整片の角度」は明らかに角度データであり、請求項１における記憶内容の記載に続く「記憶部の記憶内容と現在時刻に応じて駆動部を制御して・・・」の記載からみて、駆動部を制御するため予め記憶部に記憶されるものである。
　これに対し、引用例１の「記憶手段（記憶装置）」に記憶させるデータは、該引用例の特許請求の範囲１記載の「一日の日照の変化、年間の日照の変化及び周囲の外的要因を予め記憶する・・・」、２頁左下欄〜右下欄の「［作用］・・・太陽光の角度や、周囲の外的要因による太陽光への影響に関する情報を記憶手段に記憶させ、」の記載から分かるように、日照の変化、周囲の外的要因に関するものであり、「現在時刻に対応する入射光量調整片の角度」データではない。
　又、本願発明１の「制御部」は、入射光量調整片の角度に関す記憶内容と現在時刻に応じて駆動部を制御するものであるが、一方、引用例１のブラインド制御機構では記憶手段に太陽光の入射角度、周囲の外的要因による太陽光への影響に関する情報が記憶させられており、演算手段（制御部に相当する）では、これらの情報と時計手段からの情報をもとに最適なブラインド角度が判断され、ブラインドの駆動信号が出されるようにしたものである。そうであるから、引用例１記載の「記憶手段」、「演算手段（制御部）」は、本願発明１の「記憶部」、「制御部」に相当するということはできない。
　更に、引用例１記載の「照度の情報を前記演算手段に入力する手段」（例、天空照度計）は「日射量を検知するセンサ」ではない。
　それゆえ、引用例１記載のものは、入射光量調整片の角度を記憶する「記憶部」、その記憶内容が供給される「制御部」を備えておらず、「日射量を検知するセンサ」を有しないから、本願発明１の要件である「日射量を検知するセンサー部と、現在時刻に対応する入射光量調整片の角度を記憶する記憶部と、記憶部の記憶内容と現在時刻に応じて駆動部を制御して入射光量調整片の角度調節を行わせると共に、外気温及び日射量が遮光を行う必要があるか否かにより、駆動部で遮光装置本体の開閉制御を行わせる制御部」を備えているとはいえない。
　又、引用例１記載のものは、入射光量を自動調節するため、特に太陽光の入射角度、周囲の外的要因に関する情報を記憶する記憶手段及びその記憶内容が供給される演算手段を備えることを必須とするものであるから、引用例１に記載の記憶内容を「現在時刻に対応する入射光量調整片の角度」のデータに代え、該角度データが演算手段に供給され、演算手段が入射光量調整片の角度を制御するようにすることが示唆されているとはいえない。
　そして、本願発明１は、入射光量調整片の角度調節を自動的に行い、適度に日差しを絞り込むと共に室内温度の上昇を防止することができ、しかもルーパ角の連続的可変の場合と変わらない入射光量調整が可能であり、記憶部の記憶容量を削減することができるという効果を奏するものと認められる。
　したがって、本願発明１は、引用例１記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものである、とすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特許第２８８９１８４号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　本件訂正審判の訂正事項(ａ)は、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項４を、請求項１乃至請求項７に増加するものである。
  請求項は、一の請求項に記載された事項に基づいて、まとまりのある一の技術的思想としてとらえられるものであって、特許要件の判断（２９条）、特許権の効力（６８条）、特許権の放棄（９７条）、特許異議の申立て（１１３条）、特許の無効審判請求（１２３条１項）、料金（１０７条・１９５条）などの基本的単位となる区分でもあるから、請求項の数を増加させる訂正は、特許法第１２６条第１項本文ただし書各号の、(１)特許請求の範囲の減縮、(２)誤記の訂正、(３)明りょうでない記載の釈明、のいずれにも当たらないというべきである。
  なお、複数の請求項を引用した請求項あるいは択一的に記載された請求項について、訂正に伴ってやむを得ず請求項の数を増加させざるを得ない場合には、請求項の数が増加していても実質的に「特許請求の範囲の減縮」に該当することもあり得るが、本件訂正がこれに該当するものであるとも認められない。
　そうすると、その他の訂正事項について検討するまでもなく、本件訂正は、これを認めることができない。
  よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　５年特許願第３１９６９３号「太陽電池屋根」拒絶査定に対する審判事件〔平成　７年　７月１１日出願公開、特開平　７−１７３９０９、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成５年１２月２０日の出願であって、その請求項１ないし３に係る発明は、平成１３年１月２３日付け、平成１２年１１月１日付け、平成１２年７月３１日付け、平成１２年２月２８日付け各手続補正書により補正された明細書および出願当初の図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１ないし３に記載された発明（以下、「本願発明１ないし３」という。）は次のとおりである。
【請求項１】　所定寸法の太陽電池パネルが複数配列される太陽電池屋根であって、所定高さ寸法の間隔保持材を介して該太陽電池パネルが該太陽電池屋根の屋根面との間に隙間を形成した状態で支持され、かつ、配列された太陽電池パネルの上下両端縁と該屋根の棟側及び軒側端縁との間のそれぞれの屋根面に、調整面材が配置されていることを特徴とする太陽電池屋根。
【請求項２】　請求項１に記載の太陽電池屋根において、上記間隔保持材は屋根面に平行に敷設された一対のレール状部材であって、上記太陽電池パネルの両端を支持するとともに、上記棟側の調整面材は該レール状部材より高さ寸法の大きい角材で支持されるものであることを特徴とする太陽電池屋根。
【請求項３】　請求項１または請求項２に記載の太陽電池屋根において、上記太陽電池パネルと屋根面との間の隙間は、屋根の軒側端縁における開口が細かい孔のあいた網状部材で塞がれていることを特徴とする太陽電池屋根。
　
２．引用例との対比・判断
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に国内において頒布された刊行物である、特開平２−９６０４６号公報（以下、「引用例１」という。）および、特開昭６０−１７３２５６号公報（以下、「引用例２」という。）には、本願発明１と同様の、所定寸法の太陽電池パネルが複数配列される太陽電池屋根であって、所定の高さ寸法の間隔保持材を介して該太陽電池パネルが該太陽電池屋根の屋根面との間に隙間を形成した状態で支持された太陽電池屋根は記載されているが、配列された太陽電池パネルの上下両端縁と該屋根の棟側及び軒側端縁との間のそれぞれの屋根面に、調整面材が配置されている点については、記載されておらず、示唆もされていない。
　また、１回目および２回目の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開昭５９−１７５１６８号公報（以下、「引用例３」という。）にも、同様に、本願発明１の上記の点については、記載されておらず、示唆もされていない。
　そして、本願発明１は、この点で、「規格化された太陽電池パネルを用いても、屋根の外観を損なう段差等が生じず、太陽電池屋根の外観を良好なものとできる。」という、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、引用例１ないし３記載の発明をもってしても、本願発明１の「配列された太陽電池パネルの上下両端縁と該屋根の棟側及び軒側端縁との間のそれぞれの屋根面に、調整面材が配置されている」点について当業者が容易に想到しうるとはいえない。
　したがって、本願発明１は、引用例１および２記載の発明から、さらに、引用例３記載の発明からも、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　さらに、本願発明２および３は、本願発明１および本願発明１または２を引用してさらに技術的に限定したものであり、本願発明２および３についても、本願発明１で検討したのと同様のことがいえるから、本願発明２および３も、引用例１および２記載の発明から、さらに、引用例３記載の発明からも、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成４年特許願第３９１２０号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成５年９月１０日出願公開、特開平５−２３４９６４、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年２月２６日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１１年４月１６日付及び平成１１年１１月４日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　
　「半導体基板上もしくは前記半導体基板面に形成されたゲート電極形成用薄膜上に第１の薄膜を形成する工程と、
　前記第１の薄膜を、端部短縮して、目標寸法より小さい幅の第１のパターンに形成する工程と、
　前記第１のパターンの寸法を実測する工程と、
　前記目標寸法と実測した前記第１のパターンの寸法との差により見込まれる、前記端部短縮相当膜厚の第２の薄膜を形成する工程と、
　前記第２の薄膜を、異方性ドライエッチにより前記第１の薄膜の側面に前記端部短縮相当膜厚分だけ残して、サイドウオール形成する工程と、
　前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜で形成された第２のパターンをマスクにして、前記ゲート電極形成用薄膜を選択エッチングして、ゲート電極を形成する工程と
をそなえたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
［２］引用例の記載事項
　これに対し、当審の拒絶の理由に引用された引用例（なお、引用例は原査定の拒絶の理由にも引用されている。）の特開昭５９−９４８４３号公報には、素子分離領域の形成方法に関する発明が第２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　実施例の説明として
　「シリコン基板１１を熱酸化して厚さ９００Åの熱酸化膜１２を成長させ、その上にＣＶＤ法により厚さ５００Åの多結晶シリコン層１３、厚さ２５００Åのシリコン窒化膜１４、厚さ４０００Åの第１の多結晶シリコン膜（第１の被膜）１５を順次堆積した（第２図（ａ）図示）。
　次に、該第１の多結晶シリコン膜１５上に図示しないホトレジストパターンを形成した後、Ｃｌ２＋Ｈ２ガスを用いた反応性イオンエッチングにより前記第１の多結晶シリコン膜１５をその端部が垂直になるようにパターニングして多結晶シリコンパターン１５’を形成した。これら多結晶シリコンパターン１５’・・・間の間隙は現状の技術レベルでは最小１．５μｍ程度である（同図（ｂ）図示）。
　次に、全面に厚さ０．５μｍの第２の多結晶シリコン膜（第２の被膜）１６を堆積した（同図（ｃ）図示）。つづいて、全面をＣｌ２＋Ｈ２ガスを用いた反応性イオンエッチングの雰囲気に曝した（同図（ｄ）図示）。この工程により前記多結晶シリコンパターン１６’の側面にのみ残存多結晶シリコン膜１６’を形成した。この残存多結晶シリコン膜１６’の幅は前記第２の多結晶シリコン膜１６の膜厚と略同一の０．５μｍ程度となり、残存多結晶シリコン膜１６’間の間隙は１μｍ程度狭まり０．５μｍ程度となる（同図（ｅ）図示）。
　次いで、前記多結晶シリコンパターン１５’及び残存多結晶シリコン膜１６’をマスクとしてＣＨ４＋Ｈ２ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により露出した前記シリコン窒化膜１４をエッチングしてシリコン窒化膜パターン１４’を形成した。これらシリコン窒化膜パターン１４’・・・間の間隙は０．５μｍ程度となる。」（２頁右下欄６行〜３頁左上欄１８行）
　
　「選択酸化時の分離酸化膜１７の横方向の拡がり０．５μｍに合わせて、第２の多結晶シリコン膜１６の膜厚を０．５μｍに規定すれば、第２図（ｅ）図示の工程で多結晶シリコンパターン１５’の側面に形成される残存多結晶シリコン膜１６’の幅も約０．５μｍとなる。」（３頁左下欄１２〜１７行）
　
　「分離酸化膜１７の幅を現状の写真蝕刻法の限界まで微細化することができる。しかも、分離酸化膜１７の幅を第２の多結晶シリコン膜１６の膜厚によって制御することができるので制御性がよい。」（３頁右下欄６〜１０行）
　
　以上の記載をまとめると、刊行物１には、分離酸化膜の幅を現状の写真蝕刻法の限界まで微細化するために、第１の多結晶シリコン膜をその端部が垂直になるようパターニングして、写真蝕刻法の限界である最小１．５μｍ程度の多結晶シリコンパターンを形成し、全面に厚さ０．５μｍの第２の多結晶シリコン膜を堆積し、この第２の多結晶シリコン膜をエッチングして多結晶シリコンパターンの側面にのみ残存多結晶シリコン膜を形成することにより、残存多結晶シリコン膜の幅は第２の多結晶シリコン膜の膜厚とほぼ同一の０．５μｍ程度となり、残存多結晶シリコン膜間の間隙は１μｍ程度狭まり０．５μｍ程度となり、次いで、露出したシリコン窒化膜をエッチングしてシリコン窒化膜パターンを形成する工程により、シリコン窒化膜パターン間の間隙を０．５μｍ程度とする発明が記載されている。
　
［３］対比・判断
　本願発明と引用例に記載されたものとを対比・検討する。
　引用例に記載されたものは、分離酸化膜の幅を現状の写真蝕刻法の限界まで微細化するために、シリコン窒化膜パターン間の間隙を０．５μｍ程度とするものであって、第１の多結晶シリコン膜をパターニングして、写真蝕刻法の限界である最小１．５μｍ程度の間隙を形成し、次いで、０．５μｍの厚さの第２の多結晶シリコン膜を全面に堆積し、この第２の多結晶シリコン膜をエッチングして残存多結晶シリコン膜間の間隙を０．５μｍ程度としたものである。
　してみると、第１の多結晶シリコン膜のパターン間の間隙は最小１．５μｍ程度であって、その間隙は実測されないままであるから、０．５μｍの厚さの第２の多結晶シリコン膜を全面に堆積しても、エッチング後の残存多結晶シリコン膜間の間隙は０．５μｍではなく、０．５μｍ程度となり、残存多結晶シリコン膜間の間隙の寸法精度、すなわち、シリコン窒化膜パターン間の間隙の寸法精度は高いとはいえない。
　一方、本願発明は、ゲート電極形成用薄膜を目標寸法であるゲート電極の寸法より小さい幅のパターンに形成し、このパターンの寸法を実測して、目標寸法と実測したパターンの寸法との差により見込まれる膜厚のサイドウオール用薄膜を形成するものであって、微細なパターンの寸法精度がサイドウオール用薄膜の膜厚の寸法精度に依存することを利用して、ゲート電極の幅の寸法精度を高くするものである。
　してみると、ゲート電極の幅の寸法精度を向上させることが周知の課題であり、ゲート電極用の薄膜上にマスクを形成してエッチングにより所望の幅のゲート電極を形成することが周知慣用技術（特開平３−２２７５１７号公報、特開昭３−２４２９２９号公報参照）であるにしても、この周知慣用技術に、甲第１号証に記載された、分離酸化膜の幅を現状の写真蝕刻法の限界まで微細化する技術を適用しても、本願発明を容易に想到することはできない。
　
　そして、本願発明は、明細書に記載されているように、ゲート電極の幅の寸法精度を向上させることができるという、引用例に記載されたものからは期待することができない顕著な作用効果を奏するものである。
　
［４］むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　２年特許願第３２２８４３号「情報処理装置及び情報表示方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　７月１５日出願公開、特開平　４−１９５４１３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】本願は、平成2年11月28日の出願であって、その発明の要旨は、平成9年11月26日付及び平成11年12月27日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみてその特許請求の範囲の請求項1乃至4に記載されたとおりのものであって、その特許請求の範囲の請求項1に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものと認められる。
「1.手書きによる入力および入力された表示を行う入力一体型表示部と、前記入力一体型表示部に複数の入力領域が表示され、前記複数の入力領域のうち少なくとも1つの入力領域の一部領域が、前記入力領域とは異なる他方入力領域によって前記入力領域上に重なって表示された場合であって、前記入力領域において前記一部領域以外の領域に文字や図形が手書き入力された場合、前記入力領域と前記他方入力領域との位置関係を切り換えて、前記入力領域全体を表示させると共に前記入力領域に前記手書き入力された文字や図形を表示させる処理部とを有する情報処理装置。」
【2】 これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平2-121021号公報（以下、「引例1」という。）には「描画による入力および入力された表示を行う入力一体型表示部と、前記入力一体型表示部に複数のウインドウが表示され、描画がどのウインドウに行われたかを分析検知して、描画されたウインドウを活性化させると共に前記ウインドウに前記入力された描画を表示させる処理部とを有する情報処理装置」が記載されている。また、同様に原査定の拒絶の理由に引用された特開昭63-214827号公報（以下、「引例2」という。）には「1つの入力領域（引例2ではウインドウ）の一部領域が、前記入力領域とは異なる他方入力領域（引例2ではウインドウ）によって前記入力領域上に重なって表示された場合に、マウス、キーボード等の指示手段によって、前記入力領域と前記他方入力領域との位置関係を切り換えて、前記入力領域全体を表示させる装置」が記載されている。
【3】 そこで、本願発明と引例1に記載された発明とを比較すると、引例1に記載された発明の「ウインドウ」、「描画」は本願発明の「入力領域」、「手書き入力」に相当するから、両者は「手書きによる入力および入力された表示を行う入力一体型表示部と、前記入力一体型表示部に複数の入力領域が表示され、前記複数の入力領域のうち少なくとも1つの入力領域の一部領域が、前記入力領域とは異なる他方入力領域によって前記入力領域上に重なって表示された場合であって、前記入力領域において前記一部領域以外の領域に文字や図形が手書き入力された場合、前記入力領域に前記手書き入力された文字や図形を表示させる処理部とを有する情報処理装置。」である点で一致し、
　本願発明が、1つの入力領域の一部領域が、前記入力領域とは異なる他方入力領域によって前記入力領域上に重なって表示された場合（手書き入力される入力領域が後方にあるとき）に、手書き入力されたとき、前記入力領域と前記他方入力領域との位置関係を切り換えて、前記入力領域全体を表示する（手書き入力された入力領域を前面に表示する）のに対し、引例1に記載された発明では入力領域に手書き入力されたときにその入力領域を活性化するものである点で相違する。
【4】 次に、この相違点について検討する。
引例1に記載された発明の手書き入力されたときに入力領域を活性化する（入力を有効とすること、また、入力されたものは一体型表示部により表示される。）ことと引例2に記載された発明の、入力領域が重なって表示されたときに切り換える（下に表示された入力領域全体を上に表示すること）技術とを組み合わせ、手書き入力されたときに手書き入力された入力領域（後方にある）を切り換えて入力領域全体を表示（前面に表示する）することは当業者が容易になしうることと認められる。
【5】　したがって、本願発明は、引例1、2に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。