(57)【要約】【課題】量子ドットの劣化を抑制できる発光装置、バックライト装置および画像表示装置を提供する。【解決手段】  本発明の一の態様によれば、基板１１と、基板１１の一方の面１１Ａに配置された発光素子１２と、発光素子１２を覆い、かつ量子ドット１５およびバインダ樹脂１６を含む光波長変換部材１３と、光波長変換部材１３の表面１３Ａを覆う光透過性の被覆層１４と、を備える、発光装置１０が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に配置された発光素子と、
前記発光素子を覆い、かつ量子ドットおよびバインダ樹脂を含む光波長変換部材と、
前記光波長変換部材の表面を覆う光透過性の被覆層と、
を備える、発光装置。
【請求項２】
前記被覆層が、前記光波長変換部材の表面全体を覆っている、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記被覆層が、無機物からなる層である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記無機物からなる層が、ケイ素原子を含む、請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記被覆層が、バリア性を有している、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子がＬＥＤ素子である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発光装置を備える、バックライト装置。
【請求項８】
請求項７に記載のバックライト装置と、
前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと、
を備える、画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、バックライト装置、および画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等の透過型画像表示装置は、一般に、液晶表示パネル等の表示パネルの背面側に配置され、表示パネルを照明するバックライト装置を備えている。
【０００３】
現在、色再現性を高めるために、量子ドットおよびバインダ樹脂を含む光波長変換部材を、バックライト装置に組み込むことが検討されている。量子ドットは、光（一次光）を吸収して異なる波長の光（二次光）を放出することができるとともに、量子ドットが放出する光の波長は、主として量子ドットの粒子径に依存する。したがって、光波長変換部材が組み込まれたバックライト装置においては、単一の波長域の光を投射する発光素子を用いながら、種々の色を再現することができる。例えば、青色光を発する光源を用いる場合、光波長変換部材が青色光を吸収して緑色光および赤色光を放出することができる。このような光波長変換部材が組み込まれたバックライト装置は色純度に優れることから、このバックライト装置を用いた画像表示装置においては色再現性を向上させることができる。
【０００４】
光波長変換部材をバックライト装置に組み込む方式として、ＬＥＤ素子上に光波長変換部材を組み込むオンチップ方式がある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５８０１８８６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
量子ドットは、水分や酸素によって劣化して、発光効率が低下してしまう。特に、加熱条件下では、量子ドットは劣化しやすい。なお、特許文献１に開示されている構造では、量子ドットの劣化は抑制できないおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものである。すなわち、量子ドットの劣化を抑制できる発光装置、バックライト装置および画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題に対して鋭意研究を重ねたところ、光波長変換部材の表面に被覆層を設けることにより、量子ドットの劣化を抑制できる光波長変換組成物が得られることを見出した。本発明は、このような知見に基づき完成されたものである。
【０００９】
本発明の一の態様によれば、凹部を有するパッケージと、基板と、前記基板の一方の面に配置された発光素子と、前記発光素子を覆い、かつ量子ドットおよびバインダ樹脂を含む光波長変換部材と、前記光波長変換部材の表面を覆う光透過性の被覆層と、を備える、発光装置が提供される。
【００１０】
上記発光装置において、前記被覆層が、前記光波長変換部材の表面全体を覆っていてもよい。
【００１１】
上記発光装置において、前記被覆層が、無機物からなる層であってもよい。
【００１２】
上記発光装置において、前記無機物からなる層が、ケイ素原子を含んでいてもよい。
【００１３】
上記発光装置において、前記被覆層が、バリア性を有していてもよい。
【００１４】
上記発光装置において、前記発光素子がＬＥＤ素子であってもよい。
【００１５】
本発明の他の態様によれば、上記発光装置を備えるバックライト装置が提供される。
【００１６】
本発明の他の態様によれば、上記バックライト装置と、前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと、を備える、画像表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一の態様によれば、光波長変換部材の表面を覆う被覆層を設けているので、量子ドットの劣化を抑制できる発光装置を提供することができる。本発明の他の態様によれば、このような発光装置を備えたバックライト装置、ならびに画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態に係る発光装置の概略構成図である。
【図２】実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す図である。
【図３】実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す図である。
【図４】実施形態に係る画像表示装置の概略構成図である。
【図５】図４に示されるレンズシートの斜視図である。
【図６】実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置、バックライト装置、および画像表示装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置の概略構成図であり、図２および図３は、本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す図である。
【００２０】
＜＜＜＜発光装置＞＞＞＞
図１に示される発光装置１０は、基板１１と、基板１１の一方の面１１Ａに配置された発光素子１２と、発光素子１２を覆う光波長変換部材１３と、光波長変換部材１３の表面１３Ａを覆う光透過性の被覆層１４とを備えている。
【００２１】
＜＜＜基板＞＞＞＞
基板１１としては、ＬＥＤ素子を実装するための一般的な配線基板等を用いることができる。
【００２２】
＜＜＜発光素子＞＞＞
発光素子１２としては、例えば、発光ダイオード素子（ＬＥＤ素子）やレーザーダイオード素子（ＬＤ素子）等が挙げられる。発光素子は、単一の波長域の光を放出する発光素子を用いることができる。例えば、発光素子１２とし、色純度の高い青色光を発する青色発光ダイオード（青色ＬＥＤ）を用いることができる。発光素子１２は、ワイヤ（図示せず）を介して基板１１と電気的に接続されている。
【００２３】
＜＜＜光波長変換部材＞＞＞
光波長変換部材１３は、発光素子１２を覆うように配置されている。光波長変換部材１３は、発光素子１２を封止する封止部材としても機能している。
【００２４】
光波長変換部材１３の表面１３Ａは、平坦面となっていてもよいが、図１に示されるようなレンズ面となっていてもよい。本明細書における「レンズ面」とは、レンズとして作用する面を意味する。レンズ面としては、集光機能を有するレンズ面および光拡散機能を有するレンズ面のいずれであってもよい。光波長変換部材１３の表面１３Ａを、集光機能を有するレンズ面とすることにより、前面への光取り出し効率を向上させることができる。また、直下型のバックライト装置の場合、輝度ムラを低減させるために、発光装置の光拡散性を向上させることが望まれるが、光波長変換部材１３の表面１３Ａを、光拡散機能を有するレンズ面とすることにより、光拡散性を向上させることができるので、直下型のバックライト装置に特に好適である。
【００２５】
光波長変換部材１３の表面１３Ａは、例えば半球状であってもよい。この場合、光波長変換部材１３は、マイクロレンズ等として機能する。
【００２６】
光波長変換部材１３の厚みは、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。光波長変換部材１３の厚みが、０．１ｍｍ以上であれば、発光素子１２からの光の波長変換を確実に行うことができるとともに、発光素子１２を確実に封止することができる。光波長変換部材１３の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、発光装置１０の断面を撮影し、その断面の画像において発光素子１２中心付近の光波長変換部材１３の膜厚を２０箇所測定し、その２０箇所の膜厚の平均値とする。
【００２７】
光波長変換部材１３は、量子ドット１５と、バインダ樹脂１６とを含んでいる。量子ドット１５としては、１種類の量子ドットを用いてもよいが、粒子径または材料等が異なることにより、それぞれ単独の波長域の発光帯を有する２種類以上の量子ドットを用いることも可能である。図１に示される量子ドット１５は、第１の量子ドット１５Ａと、第１の量子ドット１５Ａとは異なる波長域の発光帯を有する第２の量子ドット１５Ｂとを含んでいる。例えば、発光素子１２として青色発光ダイオードを用いた場合には、色域を広げる観点から、第１の量子ドット１５Ａとして、青色光を緑色光に変換する量子ドットを用い、第２の量子ドット１５Ｂとして、青色光を赤色光に変換する量子ドットを用いることが好ましい。光波長変換部材１３は、量子ドット１５およびバインダ樹脂１６の他、光散乱性粒子や蛍光体を含んでいてもよい。
【００２８】
＜＜量子ドット＞＞
量子ドット１５は、量子閉じ込め効果（quantum confinement effect）を有するナノサイズの半導体粒子である。量子ドット１５の粒子径および平均粒子径は、例えば、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下となっている。量子ドット１５は、励起源から光を吸収してエネルギー励起状態に達すると、量子ドット１５のエネルギーバンドギャップに該当するエネルギーを放出する。よって、量子ドット１５の粒子径又は物質の組成を調節すると、エネルギーバンドギャップを調節することができ、様々なレベルの波長帯のエネルギーを得ることができる。とりわけ、量子ドット１５は、狭い波長帯で強い蛍光を発生することができる。
【００２９】
具体的には、量子ドット１５は粒子径が小さくなるに従い、エネルギーバンドギャップが大きくなる。すなわち、結晶サイズが小さくなるにつれて、量子ドット１５の発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトする。そのため、量子ドット１５の粒子径を変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長全域にわたって、その発光波長を調節することができる。例えば、量子ドットが後述するＣｄＳｅ／ＺｎＳから構成されている場合には、量子ドットの粒子径が２．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の場合は青色光を発し、量子ドットの粒子径が３．０ｎｍ以上６．０ｎｍ以下の場合は緑色光を発し、量子ドットの粒子径が４．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下の場合は赤色光を発する。本明細書における「青色光」とは、３８０ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域を有する光であり、「緑色光」とは、４８０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の波長域を有する光であり、「赤色光」とは、５９０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長域を有する光である。なお、上記においては、青色光を発する量子ドットの粒子径と緑色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しており、また緑色光を発する量子ドットの粒子径と赤色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しているが、同じ粒子径を有する量子ドットであっても、量子ドットのコアの大きさによっても発光色が異なる場合があるので、何ら矛盾するものではない。量子ドット１５の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による光波長変換粒子の断面観察において量子ドット２０個の粒子径を測定し、その平均値を算出することで求めることができる。
【００３０】
量子ドット１５は、所望の狭い波長域で強い蛍光を発生することができる。このため、光波長変換シートを用いたバックライト装置は、色純度の優れた三原色の光で、表示パネルを照明することができる。この場合、表示パネルは、優れた色再現性を有することになる。
【００３１】
量子ドット１５は、例えば、第１の半導体化合物からなるコアと、およびこのコアを覆い、かつ第１の半導体化合物と異なる第２の半導体化合物からなるシェルと、シェルの表面に結合したリガンドとから構成されている。
【００３２】
コアを構成する第１の半導体化合物としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ及びＨｇＴｅのようなＩＩ−ＶＩ族半導体化合物、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＴｉＮ、ＴｉＰ、ＴｉＡｓ及びＴｉＳｂのようなＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物、Ｓｉ、Ｇｅ及びＰｂのようなＩＶ族半導体、等の半導体化合物又は半導体を含有する半導体結晶が挙げられる。また、ＩｎＧａＰのような３元素以上を含んだ半導体化合物を含む半導体結晶を用いることもできる。これらの中でも、作製の容易性、可視域での発光を得られる粒子径の制御性等の観点から、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ等の半導体結晶が好適である。
【００３３】
シェルを構成する第２の半導体化合物としては、励起子がコアに閉じ込められるように、コアを構成する第１の半導体化合物よりもバンドギャップの高い半導体化合物を用いることが好ましい。これにより、量子ドットの発光効率を高めることができる。シェルを構成する第２の半導体化合物としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＧａＮ、ＣｄＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＡｌＰ、ＺｎＳＴｅ、ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。
【００３４】
コアとシェルからなるコアシェル構造（コア／シェル）の具体的な組み合わせとしては、例えば、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、Ｇａｐ／ＺｎＳ、Ｓｉ／ＺｎＳ、ＩｎＮ／ＧａＮ、ＩｎＰ／ＣｄＳＳｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳ、Ｓｉ／ＡｌＰ、ＩｎＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。
【００３５】
リガンドは、不安定な量子ドットを安定化させるためのものである。リガンドとしては、チオール等の硫黄系化合物、ホスフィン系化合物またはホスフィン酸化物等のリン系化合物、アミン等の窒素系化合物、カルボン酸等が挙げられる。
【００３６】
量子ドットの形状は特に限定されず、例えば、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。量子ドットの粒子径は、量子ドットの形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。
【００３７】
量子ドットの粒子径、平均粒子径、形状、分散状態等の情報については、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡により得ることができる。量子ドットの平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による観察により測定された２０個の量子ドットの直径の平均値として求めることができる。また、量子ドットは粒子径によって発光色が変化するので、量子ドットの発光色の確認から量子ドットの粒子径を求めることも可能である。また、量子ドットの結晶構造、結晶子サイズについては、Ｘ線結晶回折（ＸＲＤ）により知ることができる。さらには、紫外−可視（ＵＶ−Ｖｉｓ）吸収スペクトルによって、量子ドットの粒子径等に関する情報を得ることもできる。
【００３８】
光波長変換部材１３における量子ドット１５の含有量は、０．０１質量％以上２質量％以下であることが好ましく、０．０３質量％以上１質量％以下であることがより好ましい。量子ドットの含有量が０．０１質量％以上であれば、充分な発光強度を得ることができ、また、量子ドットの含有量が２質量％以下であれば、充分な励起光の透過光強度を得ることができる。
【００３９】
量子ドットは、バリア粒子に内包されていてもよい。バリア粒子は、量子ドットを包み、光透過性を有し、かつ水分および酸素の透過を抑制するバリア性を有するものである。量子ドットをバリア粒子で包むことにより、量子ドットが水分や酸素に接触することを抑制できるので、量子ドットの劣化をより抑制できる。本明細書において、「光透過性」とは、光を透過させる性質を有することを意味し、「光透過性」には透明も含まれる。量子ドットからの発光を確認することができれば、バリア粒子や被覆層は光透過性を有すると言える。量子ドットの発光は蛍光光度計を用いて確認することができる。
【００４０】
バリア粒子の形成材料としては、光透過性を有し、かつバリア性が得られるものであれば特に限定されないが、例えば、無機酸化物が挙げられる。具体的には、上記無機酸化物としては、例えば、シリカ等の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、アルミナ等の酸化アルミニウム（ＡｌｎＯｍ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化イットリウム、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化窒化炭化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙＣｚ）等が挙げられ、これらの中でも、酸素や水蒸気の透過性が低いという観点からガラス等のシリカまたはアルミナが好ましい。これらの材料は、単独で用いられてもよく２種以上を組み合わせて用いられてもよい。また、酸化物半導体を除く無機酸化物を用いることも可能である。
【００４１】
量子ドットがＣｄを含んでいる場合、量子ドットに含まれるＣｄの溶出を防ぐために、バリア粒子の厚み（量子ドットの表面からバリア粒子の外表面までの距離）が２ｎｍ以上であることが好ましく、４ｎｍ以上であることがより好ましい。バリア粒子の平均粒子径が５０ｎｍ程度である場合には、バリア粒子の厚みは１０ｎｍ以上とすることも可能である。また、バリア粒子の平均粒子径が１００ｎｍ程度である場合には、バリア粒子の厚みは２０ｎｍ以上とすることも可能である。バリア粒子の厚みは、透過型電子顕微鏡観察において量子ドットを含まない外側の部分として容易に測定できる。バリア粒子の周縁の位置によって厚みが異なる場合には、バリア粒子周縁全体の平均によりバリア粒子の厚みとする。
【００４２】
バリア粒子は、光波長変換部材のバインダ樹脂との密着性を向上させる観点から、バインダ樹脂と化学結合していることが好ましい。この化学結合は、シランカップリング剤で表面修飾されたバリア粒子によって行うことが可能である。
【００４３】
シランカップリング剤としては、用いる硬化性バインダ樹脂前駆体の種類にもよるが、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基およびイソシアネート基からなる群から選択される１種以上の反応性官能基を有するものを使用することが可能である。硬化性バインダ樹脂前駆体として（メタ）アクリロイル基を有する化合物を用いる場合には、カップリング剤は、メルカプト基、（メタ）アクリロイル基、ビニル基およびスチリル基からなる群から選択される少なくとも１種の反応性官能基を有することが好ましい。また、硬化性バインダ樹脂前駆体としてエポキシ基、イソシアネート基、および水酸基からなる群から選択される少なくとも１種の基を有する化合物を用いる場合には、シランカップリング剤はエポキシ基、イソシアネート基、メルカプト基およびアミノ基からなる群から選択される少なくとも１種の反応性官能基を有することが好ましい。
【００４４】
＜＜バインダ樹脂＞＞
バインダ樹脂１６としては、特に限定されないが、シリコーン樹脂やエポキシ化合物等の熱硬化性化合物の硬化物が挙げられる。
【００４５】
＜＜光散乱性粒子＞＞
光散乱性粒子は、光波長変換組成物や光波長変換部材に進入した光を散乱させることによって光の進行方向を変化させる作用を有する粒子である。
【００４６】
光散乱性粒子の平均粒子径は、量子ドットの平均粒子径の２０倍以上２０００倍以下であることが好ましく、５０倍以上１０００倍以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０倍未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０００倍を超えると、添加量が同じであっても光散乱性粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られないおそれがある。なお、光散乱性粒子の平均粒子径は、上述した量子ドットの平均粒子径と同様の方法で測定することができる。
【００４７】
また、光散乱性粒子の平均粒子径は、後述する光波長変換部材の平均膜厚の１／３００以上１／２０以下であることが好ましく、１／２００以上１／３０以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の１／３００未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の１／２０を超えると、添加量が同じであっても光波長変換部材に対する光散乱性粒子の割合が低下するため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。
【００４８】
具体的には、光散乱性粒子の平均粒子径は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．３μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が０．１μｍ未満であると、光波長変換シートの光波長変換効率が不充分となることがあり、充分な光散乱性を出すためには光散乱性粒子の添加量を多くする必要がある。一方、光散乱性粒子の平均粒子径が１０μｍを超えると、添加量（質量％）が同じであっても光散乱粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。
【００４９】
光散乱性粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状（真球状、略真球状、楕円球状等）、多面体状、棒状（円柱状、角柱状等）、平板状、りん片状、不定形状等が挙げられる。なお、光散乱性粒子の粒子径は、光散乱性粒子の形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。
【００５０】
光散乱性粒子は、アクリル樹脂粒子、スチレン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、およびウレタン樹脂粒子等の有機粒子であってもよいが、耐熱性試験時の前後における輝度変化率を小さくことができ、また光波長変換シートへの入射光を好適に散乱させることが可能となり、この入射光に対する光波長変換効率の向上を好適に図ることできることから、無機粒子が好ましい。
【００５１】
無機粒子は、Ａｌ２Ｏ３等のアルミニウム含有化合物、ＺｒＯ２等のジルコニウム含有化合物、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等のスズ含有化合物、ＭｇＯやＭｇＦ２等のマグネシウム含有化合物、ＴｉＯ２やＢａＴｉＯ３等のチタン含有化合物、Ｓｂ２Ｏ５等のアンチモン含有化合物、ＳｉＯ２等のケイ素含有化合物、およびＺｎＯ等の亜鉛含有化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、バインダ樹脂との屈折率差を大きくすることができるので、大きなミー散乱強度を得ることができる観点からも好ましい。光波長変換部材１３による入射光に対する光波長変換効率の向上をより好適に図ることができることから、光散乱性粒子は、２種以上の材料からなるものであってもよい。
【００５２】
＜＜蛍光体＞＞
蛍光体は、所望の色味の光を得るために、適宜選択して用いられる。蛍光体としては、一般的に知られている蛍光体を用いることができる。
【００５３】
＜＜＜被覆層＞＞＞
被覆層１４は、光波長変換部材１３の表面１３Ａを覆っている。本明細書における「覆っている」とは、被覆層が光波長変換部材に直接接触している場合のみならず、被覆層と光波長変換部材との間に何等かの層が介在している場合も含まれ、また光波長変換部材の上記表面を概ね（例えば、面積基準で５０％以上）覆っていれば全て覆っている必要はない。ただし、被覆層１４は、量子ドット１５の劣化をより抑制するために、光波長変換部材１３の表面全体（上記各面を面積基準で１００％）を覆っていることが好ましい。
【００５４】
被覆層１４の膜厚は、０．０２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。被覆層１４の膜厚が、０．０２μｍ以上であれば、水分および酸素の透過をより抑制でき、また５μｍ以下であれば、クラックの発生を抑制することができる。被覆層１４の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、被覆層１４の断面を撮影し、その断面の画像において被覆層１４の膜厚を２０箇所測定し、その２０箇所の膜厚の平均値とする。被覆層１４の膜厚の下限は、０．０５μｍ以上であることがより好ましく、上限は２μｍ以下であることがより好ましい。
【００５５】
被覆層は、単層構造であってもよく、２層以上から構成される積層構造であってもよい。図１に示される被覆層１４は、単層構造となっている。
【００５６】
被覆層１４は、水分および酸素の透過をより抑制する観点から、水分および酸素の透過を抑制するバリア性を有することが好ましい。
【００５７】
被覆層を構成する材料は、光透過性を有する材料であれば、特に限定されないが、水分および酸素の透過を抑制するバリア性を有する材料であることが好ましい。被覆層は、優れたバリア性を有する点から、無機物からなる層であることが好ましい。無機物からなる層は、ケイ素原子を含んでいてもよい。
【００５８】
無機物からなる層としては、例えば、ポリシラザン化合物、ポリシロキサン化合物、ポリシラン化合物等のケイ素系化合物、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ等の無機酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物、酸化窒化ケイ素等の無機酸化窒化物等を含む層が挙げられる。これらは、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、無機物からなる層は、ウエット塗工性、および優れたバリア性を有する観点から、ポリシラザン化合物を含むことが好ましい。
【００５９】
ポリシラザンとは、ケイ素−窒素結合を有するポリマーであり、好ましくは下記式（Ｉ）の構造を有する。
−［Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｎ（Ｒ３）］ｎ−    …（Ｉ）
上記一般式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、水素原子、置換または非置換の、アルキル基、アリール基、ビニル基または（トリアルコキシシリル）アルキル基であり、ｎは、１以上の整数である。
【００６０】
上記Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ、同じであってもあるいは異なるものであってもよい。ここで、アルキル基としては、炭素原子数１〜８の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基が挙げられる。より具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などがある。また、アリール基としては、炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。より具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などの非縮合炭化水素基；ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基などの縮合多環炭化水素基が挙げられる。（トリアルコキシシリル）アルキル基としては、炭素原子数１〜８のアルコキシ基で置換されたシリル基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基が挙げられる。より具体的には、３−（トリエトキシシリル）プロピル基、３−（トリメトキシシリル）プロピル基などが挙げられる。上記Ｒ１〜Ｒ３に場合によって存在する置換基は、特に制限はないが、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、メルカプト基（−ＳＨ）、シアノ基（−ＣＮ）、スルホ基（−ＳＯ３Ｈ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、ニトロ基（−ＮＯ２）などがある。なお、場合によって存在する置換基は、置換するＲ１〜Ｒ３と同じとなることはない。例えば、Ｒ１〜Ｒ３がアルキル基の場合には、さらにアルキル基で置換されることはない。これらのうち、好ましくは、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ビニル基、３−（トリエトキシシリル）プロピル基または３−（トリメトキシシリルプロピル）基である。
【００６１】
上記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物において、好ましい態様の一つは、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）である。
【００６２】
＜＜＜発光装置の製造方法＞＞＞
発光装置１０は、例えば、以下のようにして作製することができる。まず、一方の面１１Ａに発光素子１２を配置した基板１１を用意する。その後、図２（Ａ）に示されるように、発光素子１２を覆うように、量子ドット１５および硬化後にバインダ樹脂１６となる熱硬化性化合物を含む光波長変換部材用組成物の塗膜２１を形成する。光波長変換部材用組成物は、量子ドット１５および熱硬化性化合物の他、溶剤や光散乱性粒子を含んでいてもよい。
【００６３】
光波長変換部材用組成物の粘度は、１００ｍＰａ・ｓ以上１０００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。光波長変換組成物の粘度が、１００ｍＰａ・ｓ以上であると、塗布後の形状を容易に保つことができ、また１０００００ｍＰａ・ｓ以下であると、光波長変換部材用組成物の塗布を容易に行うことができ、また良好なレベリング性を得ることができる。
【００６４】
＜＜溶剤＞＞
溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコ−ル類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、シクロヘキサン等が挙げられる。
【００６５】
そして、図２（Ｂ）に示されるように光波長変換部材用組成物を８０℃以上１０００℃以下の温度で加熱して、光波長変換部材１３を形成する。
【００６６】
光波長変換部材１３を形成した後、光波長変換部材１３の表面１３Ａに被覆層１４を形成する。
【００６７】
被覆層１４の形成方法は、被覆層１４の構成材料によって異なるが、例えば、被覆層１４をポリシラザン化合物から構成する場合には、図３（Ａ）に示されるように、ポリシラザン化合物および溶剤を含む被覆層用組成物を光波長変換部材１３の表面１３Ａに塗布して、被覆層用組成物の塗膜２２を形成する。被覆層用組成物は、ポリシラザン化合物および溶剤の他、触媒や添加剤を含んでいてよい。なお、上記においては被覆層１４をポリシラザン化合物から構成しているので、上記方法を採用しているが、被覆層１４をポリシラザン化合物以外の無機物から構成する場合には、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いてもよい。
【００６８】
被覆層用組成物におけるポリシラザン化合物の濃度は、特に制限されず、被覆層の膜厚や被覆層用組成物のポットライフによっても異なるが、０．１質量％以上１０質量％以下であることが好ましい。
【００６９】
（溶剤）
被覆層用組成物の溶剤としては、ポリシラザン化合物を溶解または分散できるものであれば特に制限されないが、ポリシラザン化合物と容易に反応してしまう水および反応性基（例えば、ヒドロキシル基、あるいはアミン基等）を含まず、ポリシラザン化合物に対して不活性の有機溶媒が好ましく、非プロトン性の有機溶媒がより好ましい。具体的には、溶剤としては、非プロトン性溶剤；例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒；塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類：例えば、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル、モノ−およびポリアルキレングリコールジアルキルエーテル（ジグライム類）などを挙げることができる。上記溶剤は、単独で使用されてもまたは２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
【００７０】
（触媒）
触媒は、改質を促進するためのものである。触媒としては、塩基性触媒が好ましく、特に、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、３−モルホリノプロピルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン等のアミン触媒、Ｐｔアセチルアセトナート等のＰｔ化合物、プロピオン酸Ｐｄ等のＰｄ化合物、Ｒｈアセチルアセトナート等のＲｈ化合物等の金属触媒、Ｎ−複素環式化合物が挙げられる。これらのうち、アミン触媒を用いることが好ましい。この際添加する触媒の濃度としては、ポリシラザン化合物に対して、０．０１質量％以上２質量％以下であることが好ましい。触媒添加量をこの範囲とすることで、反応の急激な進行による過剰なシラノール形成、および膜密度の低下、膜欠陥の増大などを避けることができる。
【００７１】
（添加剤）
添加剤としては、特に限定されないが、例えば、セルロースエーテル類、セルロースエステル類；例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセトブチレート等、天然樹脂；例えば、ゴム、ロジン樹脂等、合成樹脂；例えば、重合樹脂等、縮合樹脂；例えば、アミノプラスト、特に尿素樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステルもしくは変性ポリエステル、エポキシド、ポリイソシアネートもしくはブロック化ポリイソシアネート、ポリシロキサン等が挙げられる。
【００７２】
被覆層用組成物を塗布する方法は、特に制限されず、従来公知の適切な湿式塗布方法を用いることができる。具体例としては、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。
【００７３】
光波長変換部材１３の表面１３Ａに、被覆層用組成物の塗膜２２を形成した後、塗膜２２を５０℃以上１００℃以下で乾燥させて、溶剤を除去する。乾燥雰囲気は、大気雰囲気下、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下、真空雰囲気下、酸素濃度をコントロールした減圧雰囲気下等のいずれの条件であってもよい。これらの中でも、緻密な被覆層を形成する観点から、窒素雰囲気下または真空雰囲気下が好ましい。
【００７４】
塗膜２２を乾燥させた後、塗膜２２の改質処理を行い、被覆層１４を形成する。これにより、図１に示される発光装置が得られる。塗膜の改質処理とは、上記で得られた塗膜に含まれるポリシラザンの一部または全部が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等へ転化する反応を指し、バリア性を発現するに貢献できるレベルの無機薄膜を形成する反応を指す。
【００７５】
改質処理は、塗膜に電離放射線を照射することにより行われる。電離放射線としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線、真空紫外線、Ｘ線、電子線、α線、β線、γ線等が使用可能であるが、電子線または紫外線、真空紫外線が好ましく、紫外線、真空紫外線がより好ましく、真空紫外線が特に好ましい。
【００７６】
真空紫外線照射は、常用されているいずれの紫外線発生装置を用いて行うことが可能である。なお、本明細書における「真空紫外線」とは、一般には１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の波長を有する電磁波を含む紫外光をいう。
【００７７】
真空紫外線照射による処理は、ポリシラザン内の原子間結合力より大きい、好ましくは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上１８０ｎｍ以下の波長の光エネルギーを用い、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみの作用により、直接切断しながら活性酸素やオゾンによる酸化反応を進行させることで、比較的低温（約２００℃以下）で、被覆層の形成を行う方法である。
【００７８】
真空紫外線の発生手段としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶ光レーザー等が挙げられるが、特に限定されない。また、発生させた真空紫外線を改質前の塗膜に照射する際には、効率向上と均一な照射とを達成する観点から、発生源からの真空紫外線を反射板で反射させてから改質前の塗膜に当てることが望ましい。真空紫外線源は、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。
【００７９】
発光装置１０は、バックライト装置および画像表示装置に組み込んで使用することができる。以下、発光装置１０をバックライト装置および画像表示装置に組み込んだ例について説明する。図４は本実施形態に係るバックライト装置を含む画像表示装置の概略構成図であり、図５は図４に示されるレンズシートの斜視図であり、図６は本実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。
【００８０】
＜＜＜画像表示装置＞＞＞
図４に示される画像表示装置３０は、バックライト装置４０と、バックライト装置４０の出光側に配置された表示パネル１００とを備えている。画像表示装置３０は、画像を表示する表示面３０Ａを有している。図４に示される画像表示装置３０においては、表示パネル１００の表面が表示面３０Ａとなっている。
【００８１】
バックライト装置４０は、表示パネル１００を背面側から面状に照らすものである。表示パネル１００は、バックライト装置４０からの光の透過または遮断を画素毎に制御するシャッターとして機能し、表示面３０Ａに像を表示するように構成されている。
【００８２】
＜＜表示パネル＞＞
図４に示される表示パネル１００は、液晶表示パネルであり、入光側に配置された偏光板１０１と、出光側に配置された偏光板１０２と、偏光板１０１と偏光板１０２との間に配置された液晶セル１０３とを備えている。偏光板１０１、１０２は、入射した光を直交する二つの直線偏光成分（Ｓ偏光およびＰ偏光）に分解し、一方の方向（透過軸と平行な方向）に振動する直線偏光成分（例えば、Ｐ偏光）を透過させ、前記一方の方向に直交する他方の方向（吸収軸と平行な方向）に振動する直線偏光成分（例えば、Ｓ偏光）を吸収する機能を有している。
【００８３】
＜＜バックライト装置＞＞
図３に示されるバックライト装置４０は、エッジライト型のバックライト装置として構成され、発光装置１０と、発光装置１０の側方に配置された導光板としての光学板５０と、光学板５０の出光側に配置されたレンズシート６０と、レンズシート６０の出光側に配置されたレンズシート６５と、レンズシート６５の出光側に配置された反射型偏光分離シート７０と、光学板５０の出光側とは反対側に配置された反射シート８０とを備えている。バックライト装置４０は、光学板５０、レンズシート６０、６５、反射型偏光分離シート７０、反射シート８０を備えているが、これらのシート等は備えられていなくともよい。本明細書において、「出光側」とは、各部材においてバックライト装置から出射する方向に向かう光が出射される側を意味する。
【００８４】
バックライト装置４０は、面状に光を発光する発光面４０Ａを有している。図４に示されるバックライト装置４０においては、反射型偏光分離シート７０の出光面がバックライト装置４０の発光面４０Ａとなっている。
【００８５】
＜発光装置＞
発光装置１０は、被覆層１４の表面が、光学板５０の後述する入光面５０Ｃ側となるように配置されている。
【００８６】
＜光学板＞
導光板としての光学板５０は、平面視形状が四角形形状に形成されている。光学板５０は、表示パネル１００側の一方の主面によって構成された出光面５０Ａと、出光面５０Ａに対向するもう一方の主面からなる裏面５０Ｂと、出光面５０Ａおよび裏面５０Ｂの間を延びる側面とを有している。側面のうちの発光装置１０側の側面が、発光装置１０からの光を受ける入光面５０Ｃとなっている。入光面５０Ｃから光学板５０内に入射した光は、入光面５０Ｃと、入光面５０Ｃと対向する反対面とを結ぶ方向（導光方向）に光学板内を導光され、出光面５０Ａから出射される。
【００８７】
光学板５０を構成する材料としては、画像表示装置に組み込まれる光学シート用の材料として広く使用され、優れた機械的特性、光学特性、安定性および加工性等を有するとともに安価に入手可能な材料、例えば、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル等の一以上を主成分とする透明樹脂や、エポキシアクリレートやウレタンアクリレート系の反応性樹脂（電離放射線硬化型樹脂等）が好適に使用され得る。なお、必要に応じて、光学板５０中に光を拡散させる機能を有する光拡散材を添加することもできる。光拡散材としては、例えば、平均粒子径が０．５μｍ以上１００μｍ以下のシリカ（二酸化珪素）、アルミナ（酸化アルミニウム）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等の透明物質からなる粒子を用いることができる。
【００８８】
＜＜レンズシート＞＞
レンズシート６０、６５は、入射した光の進行方向を変化させて出光側から出射させる機能を有する。本実施形態においては、入射角度が大きい光の進行方向を変化させて出光側から出射させて、正面方向の輝度を集中的に向上させる機能（集光機能）とともに、入射角度が小さい光を反射させて、光学板５０側に戻す機能（再帰反射機能）を有している。レンズシート６０、６５は、光透過性基材６１と、光透過性基材６１の一方の面に設けられたレンズ層６２とを備えている。
【００８９】
＜光透過性基材＞
光透過性基材６１の構成原料としては、例えば、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、又は、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００９０】
＜レンズ層＞
レンズ層６２は、図５に示されるように、シート状の本体部６３、および本体部６３の出光側に並べて配置された複数の単位レンズ６４を備えている。
【００９１】
単位レンズ６４は、本体部６３の出光側面６３Ａ上に並べて配列されている。図５に示されるように単位レンズ６４は、単位レンズ６４の配列方向ＡＤと交差する方向に線状、とりわけ本実施の形態においては直線状に、延びている。また本実施の形態において、一つのレンズシート６０、６５に含まれる多数の単位レンズ６４は、互いに平行に延びている。また、レンズシート６０、６５の単位レンズ６４の長手方向ＬＤは、レンズシート６０、６５における単位レンズ６４の配列方向ＡＤと直交している。
【００９２】
単位レンズ６４は、三角柱状であってもよいし、波状や例えば半球状のような椀状であってもよい。具体的には、単位レンズとしては、単位プリズム、単位シリンドリカルレンズ、単位マイクロレンズ等が挙げられる。なお、そのような単位レンズ形状を有するレンズシートとしては、プリズムシート、レンチキュラーレンズシート、マイクロレンズシート等が挙げられる。単位レンズ６４は、出光側に向けて幅が狭くなる三角柱状の単位プリズムとなっている。
【００９３】
単位レンズ６４は、光の利用効率を向上させる観点から、８０°以上１００°以下の頂角を有することが好ましく、約９０°の頂角を有することがより好ましい。ただし、光波長変換シートの巻き取りの際における単位レンズの先端の破損を考慮すると、単位レンズ６４の先端は曲面であってもよい。
【００９４】
図４から理解され得るように、レンズシート６０の単位レンズ６４の配列方向とレンズシート６５の単位レンズ６４の配列方向とは交差、さらに限定的には直交している。
【００９５】
＜反射型偏光分離シート＞
反射型偏光分離シート７０は、レンズシート６５から出射される光のうち、第１の直線偏光成分（例えば、Ｐ偏光）のみを透過し、かつ第１の直線偏光成分と直交する第２の直線偏光成分（例えば、Ｓ偏光）を吸収せずに反射する機能を有する。反射型偏光分離シート７０で反射された第２の直線偏光成分は再度反射され、偏光が解消された状態（第１の直線偏光成分と第２の直線偏光成分とを両方含んだ状態）で、再度、反射型偏光分離シート７０に入射する。よって、反射型偏光分離シート７０は再度入射する光のうち第１の直線偏光成分を透過し、第１の直線偏光成分と直交する第２の直線偏光成分は再度反射される。以下、同上の過程を繰り返す事により、レンズシート６５から出光した光の７０〜８０％程度が第１の直線偏光成分となった光源光として出光される。したがって、反射型偏光分離シート７０の第１の直線偏光成分（透過軸成分）の偏光方向と表示パネル１００の偏光板１０１の透過軸方向とを一致させることにより、バックライト装置４０からの出射光は全て表示パネル１００で画像形成に利用可能となる。したがって、発光装置１０から投入される光エネルギーが同じであっても、反射型偏光分離シート７０を未配置の場合に比べて、より高輝度の画像形成が可能となる。
【００９６】
反射型偏光分離シート７０としては、３Ｍ社から入手可能な「ＤＢＥＦ」（登録商標）を用いることができる。また、「ＤＢＥＦ」以外にも、Shinwha Intertek社から入手可能な高輝度偏光シート「ＷＲＰＳ」やワイヤーグリッド偏光子等を、反射型偏光分離シート７０として用いることができる。
【００９７】
＜反射シート＞
反射シート８０は、光学板５０の裏面５０Ｂから漏れ出した光を反射して、再び光学板５０内に入射させる機能を有する。反射シート８０は、白色の散乱反射シート、金属等の高い反射率を有する材料からなるシート、高い反射率を有する材料からなる薄膜（例えば金属薄膜）を表面層として含んだシート等から、構成され得る。反射シート８０での反射は、正反射（鏡面反射）でもよく、拡散反射でもよい。反射シート８０での反射が拡散反射の場合には、当該拡散反射は、等方性拡散反射であってもよいし、異方性拡散反射であってもよい。
【００９８】
＜＜他のバックライト装置＞＞
発光装置１０を組み込むバックライト装置は、図６に示されるような直下型のバックライト装置であってもよい。図６に示されるバックライト装置１１０は、発光装置１０と、発光装置１０の光を受け、かつ光拡散板として機能する光学板１１１と、光学板１１１の出光側に配置されたレンズシート６０と、レンズシート６５の出光側に配置されたレンズシート６５と、レンズシート６５の出光側に配置された反射型偏光分離シート７０とを備えている。本実施形態においては、発光装置１０は、光学板１１１の側方ではなく、光学板１１１の直下に配置されている。図６において、図４と同じ符号が付されている部材は、図４で示した部材と同じものであるので、説明を省略するものとする。なお、バックライト装置１１０においては、反射シート８０は備えられていない。
【００９９】
本実施形態によれば、光波長変換部材１３の表面１３Ａを覆う被覆層１４を形成しているので、被覆層１４によって光波長変換部材１３への水分や酸素の侵入を抑制することができる。特に、被覆層１４がバリア性を有している場合には、光波長変換部材１３への水分や酸素の侵入をより抑制することができる。これにより、量子ドット１５における水分や酸素の接触が抑制されるので、量子ドット１５の劣化を抑制することができる。
【０１００】
量子ドットが熱によって劣化しやすいのは、以下のことが原因であると考えられる。まず、上記したように、量子ドットの表面には硫黄系化合物、リン系化合物や窒素系化合物、カルボン酸等からなるリガンドが配位しているが、このリガンドは光や熱で脱離しやすい。リガンドが量子ドットから脱離すると、量子ドットに水分や酸素が付着しやすくなるので、量子ドットは、酸化され、劣化してしまう。これにより、量子ドットが熱によって劣化してしまうものと考えられる。これに対し、バインダ樹脂を形成するための熱硬化性化合物として窒素を含むシリコーン樹脂を用い、または熱硬化性化合物の硬化剤としてのカルボン酸を用いた場合には、量子ドットの近傍に窒素成分やカルボン酸成分を存在させることができ、これにより優れた耐熱性を有する光波長変換部材を得ることができる。これは、リガンドが量子ドットから脱離した場合であっても、バインダ樹脂中に存在する窒素成分やカルボン酸成分がリガンドの役割を補助するような機能（例えば、リガンドの代わりに量子ドットに結合して、リガンドを代替する機能および酸素を捕捉する機能の少なくともいずれかの機能）を発揮するので、量子ドットの劣化が抑制されるためであると考えられる。
【実施例】
【０１０１】
本発明を詳細に説明するために、以下に実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの記載に限定されない。
【０１０２】
＜光波長変換部材用組成物の調製＞
まず、下記に示す組成となるように各成分を配合して、光波長変換部材用組成物１を得た。
（光波長変換部材用組成物１）
・ジメチルシリコーン樹脂（製品名「ＫＥＲ−２５００」、信越化学工業社製）：１００質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
【０１０３】
＜被覆層用組成物の調製＞
まず、下記に示す組成となるように各成分を配合して、被覆層用組成物を得た。
（被覆層用組成物１）
・ポリシラザン（製品名「ＮＮ１２０」、メルク社製）：０．９質量部
・ポリシラザン（製品名「ＮＡＸ１２０」、メルク社製）：０．１質量部
・溶剤（製品名「ｐ−キシレン」、東京化成工業社製）：９９質量部
【０１０４】
（被覆層用組成物２）
・ポリシラザン（製品名「ＮＮ１２０」、メルク社製）：０．０９質量部
・ポリシラザン（製品名「ＮＡＸ１２０」、メルク社製）：０．０１質量部
・溶剤（製品名「ｐ−キシレン」、東京化成工業社製）：９９．９質量部
【０１０５】
＜実施例１＞
まず、一方の面に発光ピーク波長が４５０ｎｍの青色発光ダイオードチップが配置された発光装置（製品名「Ｂ２０２０」、ジェネライツ社製）を用意した。次いで、青色発光ダイオードチップを覆うように光波長変換部材用組成物１を塗布し、塗膜を形成した。そして、塗膜を１５０℃で２時間加熱することによって、光波長変換部材用組成物の塗膜を硬化させて、青色発光ダイオードチップを覆う光波長変換部材を得た。光波長変換部材を得た後、光波長変換部材の表面に被覆層用組成物１を塗布し、塗膜を形成した。塗膜を形成した後、塗膜を８０℃で１時間加熱することによって、塗膜を乾燥させた。次いで、窒素雰囲気下で真空紫外線を積算光量が５０００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を改質させて、光波長変換部材の表面を覆う被覆層を形成し、これにより実施例１に係る発光装置を得た。なお、光波長変換部材の表面を覆っている被覆層の膜厚は１μｍであった。
【０１０６】
＜実施例２＞
実施例２においては、被覆層用組成物１の代わりに、被覆層用組成物２を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、発光装置を得た。なお、光波長変換部材の表面を覆っている被覆層の膜厚は０．１μｍであった。
【０１０７】
＜実施例３＞
実施例３においては、窒素雰囲気下で真空紫外線を照射する代わりに、大気雰囲気下で真空紫外線を照射したこと以外は、実施例１と同様にして、発光装置を得た。なお、光波長変換部材の表面を覆っている被覆層の膜厚は１μｍであった。
【０１０８】
＜実施例４＞
実施例４においては、窒素雰囲気下で真空紫外線を照射する代わりに、大気雰囲気下において１５０℃で２４時間加熱したこと以外は、実施例１と同様にして、発光装置を得た。なお、光波長変換部材の表面を覆っている被覆層の膜厚は１μｍであった。
【０１０９】
＜実施例５＞
実施例５においては、被覆層用組成物１を用いて被覆層を形成する代わりに、スパッタリング法により酸化ケイ素を蒸着して被覆層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、発光装置を得た。なお、光波長変換部材の表面を覆っている被覆層の膜厚は０．１μｍであった。
【０１１０】
＜比較例１＞
比較例１においては、光波長変換部材の表面に被覆層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、発光装置を得た。
【０１１１】
＜通電耐熱試験後における輝度維持率測定＞
上記実施例および比較例に係る発光装置において、青色発光ダイオードへの印加電力が０．５Ｗとなるように通電して８０℃の環境下で５００時間連続点灯させる通電耐熱試験を行い、発光装置における通電耐熱試験前の輝度に対する通電耐熱試験後における輝度の維持率を調べた。具体的には、まず、Kindle Fire（登録商標）HDX7のバックライト装置を用意した。そして、このバックライト装置の発光装置を実施例および比較例に係る通電耐熱試験前の発光装置に代えることによって、バックライト装置に実施例および比較例に発光装置を組み込んだ。
【０１１２】
そして、実施例および比較例に係る発光装置を組み込んだバックライト装置において、青色発光ダイオードへの印加電力が０．５Ｗとなるように通電することによって青色発光ダイオードを点灯させて、バックライト装置の発光面（第２のプリズムシートの表面）から出射する光の輝度を、バックライト装置の厚み方向におけるバックライト装置の発光面（表面）から４００ｍｍ離れた位置において、分光放射輝度計（製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて、測定角１°の条件で、測定した。
【０１１３】
次いで、この状態で、青色発光ダイオードを８０℃の環境下で５００時間連続点灯させる通電耐熱試験を行った。そして、通電耐熱試験後におけるバックライト装置の発光面（第２のプリズムシートの表面）から出射する光の輝度を、上記と同様に、バックライト装置の厚み方向におけるバックライト装置の発光面（表面）から４００ｍｍ離れた位置において、分光放射輝度計（製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて、測定角１°の条件で、測定した。
【０１１４】
測定したこれらの輝度から、通電耐熱試験前の輝度に対する通電耐熱試験後の輝度の維持率をそれぞれ求めた。輝度維持率は、輝度維持率をＡとし、通電耐熱試験前のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をＢとし、通電耐熱試験後のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をＣとし、下記式によって求めた。
Ａ＝Ｃ／Ｂ×１００
【０１１５】
以下、結果を表１に示す。
【表１】
2018160646.tif 000003
【０１１６】
以下、結果について述べる。表１から分かるように、実施例１〜５に係る発光装置においては、光波長変換部材の表面に被覆層を形成したので、被覆層を形成していない比較例１に係る発光装置によりも通電耐熱試験後の輝度維持率が高かった。これにより、量子ドットが被覆層によって劣化を抑制できることが理解できる。
【０１１７】
実施例１、２に係る発光装置の方が実施例３、４に係る発光装置よりも輝度維持率が高かったのは、実施例１、２に係る発光装置の被覆層の方が実施例３、４に係る発光装置の被覆層よりもバリア性が高かったからであると考えられる。すなわち、実施例１、２に係る発光装置においては、被覆層形成時に窒素雰囲気下で真空紫外線照射を行っているが、実施例３、４に係る発光装置においては、被覆層形成時に大気雰囲気下で真空紫外線照射や加熱を行っているので、実施例１、２に係る発光装置の被覆層は、実施例３、４に係る発光装置の被覆層よりも窒素含有量が多いが、酸素含有量は少ない。ここで、窒素原子は酸素原子よりも原子半径が小さいので、実施例１、２に係る発光装置の方が、実施例３、４に係る発光装置よりも被覆層が緻密な層となっており、バリア性が高く、これにより輝度維持率が高かったと考えられる。また、実施例５に係る発光装置においては、スパッタリング法によって被覆層を形成しているので、実施例３、４に係る発光装置の被覆層よりも緻密な層が形成されたために、実施例３、４に係る発光装置よりも輝度維持率が高かったと考えられる。
【０１１８】
上記実施例においては、緑色発光量子ドットや赤色発光量子ドットのコア材料としてＣｄＳｅを用いているが、コア材料としてＩｎＰ、ＩｎＡｓ等の非Ｃｄ系材料を用いても、上記実施例と同様の結果が得られた。
【符号の説明】
【０１１９】
１０…発光装置
１１…基板
１１Ａ…一方の面
１２…発光素子
１３…光波長変換部材
１３Ａ…表面
１４…被覆層
１５…量子ドット
１６…バインダ樹脂
３０…画像表示装置
４０…バックライト装置
１００…表示パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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