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　平成　３年特許願第２４２１９５号「電力用ＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　４月　２日出願公開、特開平　５−　８２７９１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
 本願は、平成３年９月２４日の特許出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１１年４月１２日付け手続補正書及び平成１１年7月２3日付け手続補正書で補正された明細書並びに図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１〜3に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】第一導電型の高不純物濃度の第一ドレイン領域と、第一ドレイン領域の上に積層された第一導電型の低不純物濃度の第一領域と、その第一領域の一側の表面層内に選択的に形成された第二導電型のベース領域と、そのベース領域の表面層内に第一領域との間にチャネル形成領域をはさんで形成された高不純物濃度の第一導電型のソース領域とを有する半導体基体の一側表面上に、チャネル形成領域とゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極と、ベース領域およびソース領域に共通に接触するソース電極を備え、半導体基体の他側の前記第一ドレイン領域の表面が所定の厚さ除去されて薄くなっており、その第一ドレイン領域の表面に接触するドレイン電極を備えたものにおいて、第一ドレイン領域のドレイン電極と接触する表面層に第一ドレイン領域より高不純物濃度である１×１０１９ｃｍ−３以上の表面濃度の第一導電型の第二ドレイン領域を有することを特徴とする電力用ＭＯＳＦＥＴ。」
　
２．引用文献に記載された発明
　原審の拒絶査定の理由で引用された特開昭６０−１９６９７５号公報（以下「引用文献１」という）は、縦型ＭＯＳＦＥＴに関するものであり、第７図と共に以下の点が記載されている。
「従来の縦型ＭＯＳＦＥＴとしては、例えば１９８１年ＩＲ社発行に係わるＨＥＸＦＥＴ　ＤＡＴＡＢＯＯＫＰ６〜Ｐ１１に示す如きものがある。
　この素子は、第７図に示す如く、ドレイン電極１０が接合される下面側のＮ＋型サブストレート９および上面側のＮ型ドレイン領域８からなる半導体基板に、所定間隔をおいて複数形成されたＰ型のチャンネル領域２と、チャンネル領域２内に形成されたソース領域１と、このソース領域１とドレイン領域８に股がって基体上面側に形成されたゲート電極５等からなるものである。なお、図中ａは空乏層、４はゲートＳｉＯ２膜、６は層間絶縁膜、７はソース電極である。」（第２頁左上欄３行目〜１５行目）
「そのため、実際にモータやソレイノイドのような誘導性負荷のスイッチングに使用する場合」（第２頁左下欄１７行目〜１８行目）」
　また、第７図から、ソース領域１がＮ＋型であることは明らかである。
　以上の記載から、引用文献１には「Ｎ＋型サブストレート９と、Ｎ＋型サブストレート９の上に積層されたＮ型ドレイン領域８と、そのＮ型ドレイン領域８の一側の表面層内に選択的に形成されたＰ型のチャンネル領域２と、そのＰ型のチャンネル領域２の表面層内にＮ型ドレイン領域８との間にチャネル形成領域をはさんで形成されたＮ＋型ソース領域１とを有する半導体基体の一側表面上に、チャンネル形成領域とゲートＳｉＯ２膜４を介して対向するゲート電極５と、Ｐ型のチャンネル領域２およびソース領域１に共通に接触するソース電極７を備え、そのＮ＋型サブストレート９の表面に接触するドレイン電極１０を備えたことを特徴とするモータやソレイノイドのような誘導性負荷のスイッチング用縦型ＭＯＳＦＥＴ。」
　
　原審の拒絶査定時に周知例として引用された特開平１−２２０４３９公報（以下「引用文献２」という）は、半導体装置の製造方法号に関するものであり、第１〜３図と共に以下の点が記載されている。
「［従来の技術］従来、シリコン基板と、この上に形成する電極との間にオーム接触を構成するためには、シリコン基板の表面に、ガス拡散あるいはイオンインプランテーションによって不純物を導入し、その後熱処理を行って高濃度の不純物領域を形成し、この不純物領域に電極を形成する方法が一般的である。」（第１頁左下欄１７行目〜右下欄４行目）
「このため、シリコン基板の表面素子を形成する前にシリコン基板の裏面に不純物を導入しかつ前記した熱処理を行って高濃度の不純物領域を形成する方法が採用されることになる。しかしながら、例えばパワートランジスタの製造工程においては、通常ウェハの大口径化に伴なうウェハ割れを回避するためにウェハ厚さを厚くして製造を行っているため、この方法を使用することは困難である。
　即ち、この種のパワーデバイスでは電力損失を防ぐ目的で、例えばコレクタ・エミッタ飽和電圧の値をなるべく小さくすることが要求され、このためには基板の厚さを制限することが一つの重要な要件となる。このため、製造工程では厚いウェハを、最終的にはその裏面を研削除して基板の厚さを薄く調整させることが行われている。したがって、前工程で基板の裏面に形成しておいた高濃度不純物領域が、この研削によって除去されることになり、最終工程で形成する裏面電極のオーム接触が得られなくなる。」（第１頁右下欄１４行目〜第２頁左上欄１２行目）
「〔課題を解決するための手段〕　
　本発明の半導体装置の製造方法は、比較的厚いシリコン基板の表面に素子を形成した後、このシリコン基板の裏面を研削してその厚さを低減する工程と、この後シリコン基板の裏面に基板と同じ導電型の不純物をイオン注人する工程と、この裏面に金薄膜を蒸着しかつ金−シリコン共晶を生成する温度で熱処理する工程とを含んでいる。
［作用］
　上述した方法では、イオン注人した不純物を、金−シリコン共晶の再結晶工程での不純物活性化により活性化して高濃度不純物領域を形成し、金属膜との良好なオーム接触を形成する。」（第２頁左上欄１６行目〜第２頁右上欄８行目）
　また、第１〜３図から明らかなように、引用文献２の半導体装置は縦型デバイスである。
　以上の記載から、引用文献２には「縦型パワーデバイスにおいて電力損失を防ぐため、厚いシリコン基板の裏面を研削して薄くした後、シリコン基板の裏面に基板と同じ導電型の不純物をイオン注入して、高濃度不純物領域を形成し、電極とのオーム接触を得ること」が記載されている。
　
３．本願発明と引用文献に記載された発明との対比・判断
　引用文献１の「Ｎ＋型サブストレート９」、「Ｎ型ドレイン領域８」、「Ｐ型のチャンネル領域２」、「Ｎ＋型ソース領域１」、「ゲートＳｉＯ２膜４」は、それぞれ本願発明の「第一導電型の高不純物濃度の第一ドレイン領域」、「第一導電型の第一領域」、「第二導電型のベース領域」、「高不純物濃度の第一導電型のソース領域」、「ゲート絶縁膜」に相当する。また、引用文献１の縦型ＭＯＳＦＥＴは、モータやソレイノイドのような誘導性負荷のスイッチング用であるから電力用である。
　したがって、本願発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者は、
「第一導電型の高不純物濃度の第一ドレイン領域と、第一ドレイン領域の上に積層された第一導電型の第一領域と、その第一領域の一側の表面層内に選択的に形成された第二導電型のベース領域と、そのベース領域の表面層内に第一領域との間にチャネル形成領域をはさんで形成された高不純物濃度の第一導電型のソース領域とを有する半導体基体の一側表面上に、チャネル形成領域とゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極と、ベース領域およびソース領域に共通に接触するソース電極を備え、半導体基体の他側の前記第一ドレイン領域の表面に接触するドレイン電極を備えたことを特徴とする電力用ＭＯＳＦＥＴ。」である点で一致し、
　相違点１：第一導電型の第一領域が、本願発明では、低不純物濃度であるのに対して、引用文献１ではＮ型である点、
　相違点２：本願発明では、第一ドレイン領域の表面が所定の厚さ除去されて薄くなっており、第一ドレイン領域のドレイン電極と接触する表面層に第一ドレイン領域より高不純物濃度である１×１０１９ｃｍ−３以上の表面濃度の第一導電型の第二ドレイン領域を有するのに対して、引用文献１では、そのようになっていない点、
において、両者は相違する。
　そこで、上記相違点について検討する
　相違点１：不純物濃度が低濃度であるか否かは相対的なものであり、引用文献１ではＮ＋型サブストレート９に対してドレイン領域８がＮとなっており、ドレイン領域８は相対的に低濃度となっているので、引用文献１記載のものも第一導電型の第一領域は低不純物濃度であるといえる。
　相違点２：引用文献２には「縦型パワーデバイスにおいて電力損失を防ぐため、厚いシリコン基板の裏面を研削して薄くした後、シリコン基板の裏面に基板と同じ導電型の不純物をイオン注入して、高濃度不純物領域を形成し、電極とのオーム接触を得ること」が記載されている。そして、引用文献１の縦型ＭＯＳＦＥＴも引用文献２と同じ縦型パワーデバイスの一種であるから、引用文献２と同様な課題が引用文献１の縦型ＭＯＳＦＥＴにおいても存在することは明らかであり、そのため引用文献２と同じ対策を講じた点に格別の困難性はない。さらに、濃度については、金属電極とオーミック接触を行うためには高濃度の方がよいことは周知のことであり、どの程度の濃度とするかは、必要に応じて当業者が適宜決定し得ることである。なお、基板濃度を１０１９ｃｍ−３オーダーとしてオーミック接触をとることは、例えば特開昭５９−８４４７４号公報（特に第１頁右下欄１０行目〜１２行目参照）にも示されており、格別の値ではない。
　また、本願発明の効果についても、引用文献１，２の記載から当業者が予想し得る範囲のものである。
　
４．結び
　ゆえに、本願発明は、本願出願前に国内で頒布された刊行物である前記引用文献１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。そうである以上、他の請求項２，３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。