【事件の表示】
　特許第３３０４３３８号「熱処理装置及び熱処理方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３０４３３８号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３３０４３３８号の請求項１及び２に係る発明についての特許出願は、平成２年１１月３０日に出願された特願平２−３３９８０９号の一部を分割して、平成１３年９月２１日になされ、平成１４年５月１０日にその特許の設定登録がなされ、その後、高橋学により請求項１及び２に係る発明について特許異議の申立てがなされ、平成１６年６月９日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年８月１１日に意見書が提出されたものである。
　
２．本件発明
　本件発明の請求項１及び２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された以下のとおりのものである。（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」という。）
　
「【請求項１】　大気圧の水素雰囲気でウェーハに熱処理を行う熱処理装置において、
一旦反応管内を真空引きした後、次に窒素ガスを大気圧に充満させ、しかる後、水素ガスを流入させることを特徴とする熱処理装置。」
「【請求項２】　大気圧の水素雰囲気でウェーハに熱処理を行う熱処理方法において、
一旦反応管内を真空引きした後、次に窒素ガスを大気圧に充満させ、しかる後、水素ガスを流入させることを特徴とする熱処理方法。」
　
３．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人高橋学は、本件発明１及び本件発明２は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載される発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１及び本件発明２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものであって、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものであると主張している。
　１．甲第１号証：特開昭６２−１０８５３２号公報
　２．甲第２号証：特開昭５１−０５９２６６号公報　
　３．甲第３号証：特開昭５７−５９３８１号公報　
　
４．取消理由通知の概要
　　平成１６年６月９日付けの取消理由通知の内容は以下のとおりである。
　「本件の、次の請求項１及び２に係る特許は、合議の結果、以下の理由によって取り消すべきものと認められます。これについて意見がありましたら、この通知の発送の日から６０日以内に意見書の正本１通及びその副本２通を提出して下さい。 
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　理　由 
　
１）本件の請求項１及び２に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　
　　　 
　請求項１について 
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と、刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）（特に、第３図、第４図及び第２頁の記載参照）とを対比すると、 
　本件発明１では、「一旦反応管内を真空引きした後、次に窒素ガスを大気圧に充満させ」ているのに対して、刊行物１発明では、反応管に窒素ガスを流入させていること（以下、「相違点１」という。）、及び、本件発明１では、「大気圧の水素雰囲気でウェーハの熱処理を行う」のに対して、刊行物１発明では、水素ガスで熱処理するときの圧力が記載されていないこと（以下、「相違点２」という。）において、両者は相違する。 
 　 
　以下に各相違点について検討する。 
　相違点１について 
　熱処理するための容器中に不活性ガス又は処理雰囲気ガスを導入する前に、容器を真空にした後に不活性ガス又は処理雰囲気ガスを導入することは、例えば、刊行物２（特に、第１図及び第２頁右下欄参照）、刊行物３（特に、第１図及び、第３頁の記載参照）に記載されるように従来周知であり、また、熱処理雰囲気ガス導入前の窒素ガス雰囲気の圧力又は熱処理雰囲気ガスとしての窒素ガス圧を常圧とすることは、例えば、刊行物７（特に、第３図及び第２頁右上欄参照）、刊行物６（特に、第１頁右下欄参照）に記載されるように従来周知であるから、刊行物１発明において、窒素ガスを反応管に導入する前に反応管内を真空とするとともに、その後導入する窒素ガスの圧力を大気圧とすることは当業者が容易になしえたものである。 
 　 
　相違点２について 
　水素雰囲気中で熱処理するときに、大気圧（常圧）で行うことは、例えば、刊行物３（特に、第１図及び、第３頁の記載参照）、刊行物４（特に、第２頁右上欄〜左下欄参照）、刊行物５（特に、第１，３，４図及び、第２頁左下欄、第３頁上段参照）、及び刊行物６（特に、第１頁右下欄参照）に記載されるように従来周知であるから、刊行物１発明において、水素ガスで熱処理する際の圧力を大気圧とすることは、当業者が何ら困難性なくなしえたものである。 
 　 
　したがって、請求項１に係る発明は、当業者が、刊行物１ないし７に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　請求項２について 
　本件の請求項２に係る発明は、本件発明１と実質的に同一であるから、「請求項１について」に記載した理由と同様な理由により、当業者が、刊行物１ないし７に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　よって、本件の請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。 
 　 
　また、異議申立人高橋学の提出した特許異議申立書の「３．申立の理由」（第２頁第１行〜第９頁第３行）（甲第３号証についての記載を除く）も参照されたい。なお、「甲第１号証」及び「甲第２号証」はそれぞれ、「刊行物２」及び「刊行物１」と読み替える。 
 　 
　　　　　　　　　　　　　引用文献等一覧 
 　 
刊行物１．特開昭５１−０５９２６６号公報（異議申立人高橋学提出の甲第２号証） 
刊行物２．特開昭６２−１０８５３２号公報（異議申立人高橋学提出の甲第１号証） 
刊行物３．特開昭６３−２２６０２９号公報 
刊行物４．特開昭６１−１７１１３９号公報 
刊行物５．特開平　２−１７７５４２号公報 
刊行物６．特開昭５４−１２７２７８号公報 
刊行物７．特開昭６３−　４４７３１号公報 」
　
５．刊行物記載事項
　取消理由通知で引用された各刊行物及び特許異議申立人高橋学提出の甲第３号証（特開昭５７−５９３８１号公報）に記載された事項は以下のとおりである。
　
（１）刊行物１．特開昭５１−０５９２６６号公報（異議申立人高橋学提出の甲第２号証）
　刊行物１には、第３図及び第４図とともに以下の事項が記載されている。
　「次に、前記装置に依る作業工程を説明する。・・・第３図は半導体ウエハの挿脱時、第４図は熱処理時を表わしている。また、次に記述する工程では半導体ウエハ１３としてシリコン・ウエハを用い、そのシリコン・ウエハを水素雰囲気中で熱処理する場合について説明されているが、これに限らず、他の半導体ウエハ、他のガスを用いる場合においても有用である。
(1) 反応管１１中にシリコン・ウエハがセットされていない状態で窒素ガス　を流入させる。
(2) 加熱炉１２を、第３図に見られる如く、反応管１１の右方に設定する。
(3) 蓋体１５を開いてウエハ・ホルダ１４に従ってシリコン・ウエハを反応　管１１の開口近傍、即ち加熱炉１２から外れた位置に挿設し、蓋体１５を　閉成する。
(4) 窒素ガスを反応管１１内に充分流入させ、他のガスを排除する。
(5) 窒素ガスを水素ガスに切換えて窒素ガスの排除を行なう。
(6) 加熱炉１２を、第４図に見られる如く、反応管１１の左方に移動してシ　リコン・ウエハのセット位置に設定し、熱処理を行なう。 
(7) 熱処理終了後、加熱炉１２を再び第３図に見られる位置に移動して固定　する。
(8) シリコン・ウエハが適当に冷却されてから、水素ガスを窒素ガスに切換　えて水素ガスを十分に排除する。
(9) 蓋体１５を開いてウエハ・ホルダ１４とともにシリコン・ウエハを取出　す。」（第２頁右上欄第９行〜同頁左下欄第１８行）
　
（２）刊行物２．特開昭６２−１０８５３２号公報（異議申立人高橋学提出の甲第１号証）
　刊行物２には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
　「・・・その真空予備室８内に挿入されているサセプタ18を、熱処理室７に移動させる。この後、排気用バルブ12を閉じ排気用バルブ14を拡散ポンプ11側を開けるようにしてから、排気用バルブ15を開き本格的な排気を行ない、所望の真空度に達したら排気用バルブ15を閉にしてから不活性ガス注入調節用バルブ16を開にして、例えば不活性ガスとして窒素ガスを熱処理室７に注入させ、それが所定の圧力になってから、ハロゲンランプ20の光及び熱をウェーハ19に照射し熱処理を行なう。」（第２頁右下欄第１〜１０行）
　
（３）刊行物３．特開昭６３−２２６０２９号公報 
　刊行物３には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
　「次に、第１図の同反応炉を用いての本発明の第２の実施例を説明する。
　まず、シリコン基板１３を石英ボート１４へ垂直に立てて、石英管１２の入口扉１５を開き該石英管１２内に挿入する。このとき石英管１２中へは第１のガス導入管１６より窒素ガスを導入し、シリコン基板１３の挿入時に不必要な酸化が進行しないよう配慮する。また同様な配慮およびシリコン基板１３の反りを防止するため、反応炉の温度は低温、例えば４００〜８００℃としておく。
　シリコン基板１３を搭載した石英ボート１４が定位置に挿入されたならば、第１のガス導入管１６を閉じ窒素ガスの導入を停止させ、同時に扉１５を閉じ、ガス排気管１８から石英管１２中の窒素ガスを真空に排気する。
　石英管１２中が真空になったならば、第１のガス導入管１６から水素ガスを導入する。このとき扉１５は閉じたままとし、水素ガスはガス排気管１８から排気する。また、このときの石英管１２内は減圧でも常圧でもよく・・・。
　その後、反応炉の温度を徐々に、例えば毎分５℃の割合で昇温し、８００〜９５０℃とする。このように水素雰囲気中で熱処理を行うことによってシリコン基板１３表面の自然酸化膜を除去することができ、清浄化することができる。」（第３頁左下欄第１４行〜同頁右下欄第１９行）
　
（４）刊行物４．特開昭６１−１７１１３９号公報 
　刊行物４には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
　「第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法の主要工程段階を示し、図において、２１はシリコン基板、２２はマスク、２３はシリコン基板２１の凹部、２４は酸素イオン、２４ａは注入された酸素イオンである。
　次に本製造方法について説明する。　
　まず、シリコン基板２１を準備し、その一主面上の凹部となる領域以外の領域にマスク２２を形成する。次に、このマスク２２越しに酸素イオン２４の注入を行なうと、シリコン基板２１内部に、注入された酸化イオン２４ａにより酸化された酸化膜２１ａとシリコン２１とのシリコン・酸化膜界面が形成される。この注入深さはエネルギーを変えることにより任意に設定できる。この状態を第２図（ａ）に示す。次に、上記マスク２２を除去し、水素雰囲気中で、高温（1050℃以上）、かつ常圧・・・でアニールすることにより、上記酸化膜２１ａを水素還元によるエッチングを行なって除去し、シリコン基板２１上に凹部２３を形成する。この完成状態を第２図（ｂ）に示す。」（第２頁右上欄第５行〜同頁左下欄第４行）
　なお、第２図（ａ）、第２図（ｂ）は、それぞれ第１図（ａ）、第１図（ｂ）の誤記である。
　
（５）刊行物５．特開平２−１７７５４２号公報 
　刊行物５には、第１図及び第４図とともに以下の事項が記載されている。
「実施例１
　同一のＣＺ−シリコン単結晶インゴットの同一領域から複数のシリコンウェハを切り出し、鏡面加工した。これらの鏡面シリコンウェハはｎタイプ・・・である。これらの鏡面シリコンウェハを、100％水素雰囲気中において、それぞ１atm、１０atm、２０atmの加圧条件で、アニール温度を800℃、1000℃、1200℃、1300℃と変化させて１時間アニールした。」（第２頁右上欄第１８行〜同頁左下欄第７行）
　「第４図から明らかなように、水素雰囲気中で加圧してアニールする場合、同一のアニール温度、アニール時間であれば、圧力が高いほど、シリコンウェハ表面に形成される酸化膜の耐圧特性が良好であることがわかる。」（第３頁右上欄第２〜６行）
　
（６）刊行物６．特開昭５４−１２７２７８号公報 
　刊行物６には、以下の事項が記載されている。
　「一般に材料のアニール処理法としては、常圧以上の加熱処理を施こすのが通例である。特に、半導体工業においては半導体処理用構成体（材料）のアニール処理法として、半導体と絶縁体との界面準位を減少する目的で約４００℃程度のＮ２，Ｈ２又はＮ２＋Ｈ２ガス中で約３０分程度の常圧アニールを施こしているのが通例である。」（第１頁右下欄第１〜７行）
　
（７）刊行物７．特開昭６３−４４７３１号公報
　刊行物７には、第１図〜第３図とともに以下の事項が記載されている。
　「第１図は、本発明の一実施例である水素雰囲気中での熱処理工程を実施する処理装置の構成図、第２図，第３図はそれぞれ処理温度、雰囲気ガスの圧力のそれぞれについて時間変化を示すものである。
　・・・
　第３図は、ガス圧力の時間経過による変化を示している。処理開始点Ｅは大気圧の窒素雰囲気であり、Ｆで水素ガス雰囲気に切りかえると同時にチューブ１内の圧力を増加させていく。３気圧・・・になったＧから、第１図ｂにおける処理終了点Ｄの３０分前、つまり２８０℃にまで冷却されたＨ点まで高圧状態を保持する。その後、窒素ガスに切りかえると同時に圧力を低下させ、１気圧になった時点Ｉで処理を終了する。」（第２頁左上欄第２０行〜同頁左下欄第６行）
　
（８）刊行物８．特開昭５７−５９３８１号公報（特許異議申立人高橋学提出の甲第３号証）
　刊行物８には、第２図とともに以下の事項が記載されている。
「１０００℃に昇温した二重石英管に流量３ｌ／minの窒素ガスを流しておく。初めに、シリコン・ウェハを設置した石英ボートを石英管内に挿入し、窒素（Ｎ２）中で１０分間アニールする。このとき、Mo薄膜は結晶成長し、アニール前に１０〜３０ｎｍであった結晶粒径は１００〜２００ｎｍ程度となる。Mo薄膜内に含まれる不純物量は窒素中アニールではほとんど変化せず、例えば酸素の場合、第２図に示すようになる。またMo薄膜の欠陥は、走査型電子顕微鏡観察で検出されない。アニール時間が１０分を経過した段階で、３００ｃｃ／ｍｉｎの水素を石英管内に追加して流し、この状態でさらに１０分間アニールする。この窒素、水素混合ガス中（Ｎ２／Ｈ２）アニールによって、MoゲートＭＯＳ素子の可動イオンおよび界面準位が大幅に減少する。」（第２頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第１２行）
　 
６．対比・判断
　本件発明１について
　本件発明１と、刊行物１に記載された発明とを比較すると、刊行物１には、本件発明１の「一旦反応管内を真空引きした後、次に窒素ガスを大気圧に充満させ」る点が記載されておらず、この点については、刊行物２ないし８にも記載されていない。
　次に、本件発明１と、刊行物３に記載された発明とを比較すると、刊行物３にも、本件発明１の「一旦反応管内を真空引きした後、次に窒素ガスを大気圧に充満させ」る点が記載されておらず、この点については、刊行物１，２、４ないし８にも記載されていない。
　本件発明１は、上記構成を備えることにより、「大気圧の水素雰囲気でウェーハに熱処理を行う熱処理装置」において、「シール性が十分に得られ、安全性を向上することができる」という特許明細書記載の顕著な効果が奏せられるものである。　　
　よって、本件発明１は、刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　本件発明２について
　本件発明２の特徴とする構成は、本件発明１と概ね一致しており、刊行物１ないし８に記載される発明との比較検討は、「本件発明１において」で検討したとおりである。　
　よって、本件発明２は、刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
７．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由によっては本件発明１，２についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１．２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１，２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。 　　
【異議決定日】
平成１７年３月１８日（２００５．３．１８）