【事件の表示】
　平成　２年特許願第４０５６９９号「シリコン基板またはゲルマニウム基板用反射防止膜」において、平成１１年７月３０日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原決定を取り消す。
【理　由】
【1】手続の経緯
　 本願は平成2年12月25日の出願であって、平成11年7月30日付けで手続補正がなされたところ、この手続補正について、平成12年4月28日付けで、原審において補正の却下の決定をしたものである。
　
【2】原決定の理由
　 上記補正の却下の決定(以下、「原決定」という。)の理由は次のとおりのものである。
　 「平成11年7月30日手続補正によって、本願の請求項1〜4に係る発明の多層膜における二酸化ケイ素膜の光学膜厚が特定されることとなった。
　かかる特定につき、出願人は、本願の反射防止膜を具体化した特定の4層構成の反射防止膜における二酸化ケイ素膜の光学膜厚を、その根拠としている。
　しかしながら、それをもって、層数を限定しない多層膜における二酸化ケイ素膜の光学膜厚を補正後の本願のごとく特定する根拠とはできない。
　したがって、補正後の本願の請求項1〜4に係る発明は、出願当初の明細書に記載されていないし、その記載から自明な事項として導き出せるものともいえないといいうる。
　よって、この補正は明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法第53条第1項の規定により、上記結論の通り決定する。」
　
【3】補正の内容
　 上記日付でした手続補正は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲を以下のように補正するものである。
　 「【特許請求の範囲】
　  nd=(0.02〜0.04)λ
但し、
　n:基板に接する層の設計波長に対する屈折率、
　d:基板に接する層の膜厚、
　λ:設計波長、
である。
　  nd=(0.02〜0.03)λ
但し、
　n:基板に接する層の設計波長に対する屈折率、
　d:基板に接する層の膜厚、
　λ:設計波長、
である。
　【請求項3】シリコン基板用赤外線反射防止膜において、該反射防止膜が空気側から基板側に向かって、第1層、第2層、第3層および第4層からなり、
　第1層が設計波長に対する屈折率が1.25〜1.60であるフッ化物、
　第2層が硫化亜鉛(ZnS)
　第3層がゲルマニウム(Ge)
　第4層が設計波長に対する光学的膜厚が0.02〜0.04である二酸化ケイ素膜(SiO2)である。
　【請求項4】ゲルマニウム基板用赤外線反射防止膜において、該反射防止膜が空気側から基板側に向かって、第1層、第2層、第3層および第4層からなり、
　第1層が設計波長に対する屈折率が1.25〜1.60であるフッ化物、
　第2層が硫化亜鉛(ZnS)
　第3層がゲルマニウム(Ge)
　第4層が設計波長に対する光学的膜厚が0.02〜0.03である二酸化ケイ素膜(SiO2)である。」
　
【4】判断
　 原決定は、本願の願書に最初に添付された明細書に記載された、反射防止膜を具体化した特定の4層構成の反射防止膜における二酸化ケイ素膜の光学膜厚を、補正後の二酸化ケイ素膜の光学的膜厚の根拠としているが、それをもって、層数を限定しない多層膜における二酸化ケイ素膜の光学膜厚を補正後の本願のごとく特定する根拠とはできないので、補正後の本願の請求項1〜4に係る発明は、出願当初の明細書に記載されていないし、その記載から自明な事項として導き出せるものともいえないということを、補正の却下の理由としている。
　そこで、層数を限定しない多層膜における二酸化ケイ素膜の光学膜厚を補正後の請求項1〜4に記載された範囲とする根拠が、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されていたか否かを検討する。
《4-1》
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【0004】【0005】【0033】には、
　「【0004】
　しかし、硫化亜鉛は基板との接着性が悪く、膜剥離が生じる等、耐久性に欠ける問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
　すなわち、本発明は、中赤外光用の光学部品の基板として使用されるシリコンまたはゲルマニウム基板上に反射防止特性および耐久性に優れた反射防止膜を提供することを目的とする。
　上記目的は、従来シリコンまたはゲルマニウム基板上に反射防止膜を形成するにあたって、基板に接してZnS層を形成していたことに代えて、二酸化ケイ素(SiO2)の層を形成することにより達成される。」、
　「【0033】
【発明の効果】
　シリコンまたはゲルマニウムを基板に接する層として二酸化ケイ素からなる層を有する反射防止膜とすることにより、光学的特性に優れかつ耐久性にも優れた中赤外域の光学部品用反射防止膜を形成することができる。」
　と記載され、本願の発明が、シリコンまたはゲルマニウム基板上に反射防止膜を形成するにあたって、基板に接する従来のZnS層に代えて、二酸化ケイ素(SiO2)の層を基板に接して形成することにより、シリコンまたはゲルマニウム基板上に反射防止特性および耐久性に優れた反射防止膜を提供することを目的とするものであることが説明されている。
　
《4-2》
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【0006】【0007】【0008】には、
　「【0006】
【課題を解決するための手段】
　本発明は二酸化ケイ素(SiO2)を基板に接する層として含む多層膜からなるシリコン基板またはゲルマニウム基板用反射防止膜に関する。
　シリコンまたはゲルマニウム基板上に設けた二酸化ケイ素膜を有する反射防止膜は、光学的特性に優れ、かつ耐久性に優れている。
【0007】
　シリコン基板またはゲルマニウム基板上に形成される第N層に使用されるSiO2は、中赤外領域の光をわずかではあるが吸収するので、反射防止膜の構成材料として、従来適用されたことはなかった。しかし、後述するようにSiO2膜は非常に薄い膜厚であり、その吸収による光学的特性が受ける悪影響は無視できるほどに小さい。SiO2膜はシリコンまたはゲルマニウム基板との接着性、また隣接するGe膜との接着性に優れており、耐久性向上の目的達成に寄与する効果の方が大きい。
【0008】
　本発明の反射防止膜の構成を図1に示した。本発明においては空気側から第1層、第2層、・・・・・第N層が形成され、第N層がシリコン基板またはゲルマニウム基板に接して形成される。第1層はフッ化物、第2層は硫化亜鉛(ZnS)層、第3層がゲルマニウム(Ge)層、以後ZnS層とGeの層が交互に形成され、第(N-1)層にGe層、第N層が二酸化ケイ素(SiO2)膜からなる。
　本発明の反射防止膜は、引っ張り応力をもつ材料(フッ化物、Ge)と圧縮応力を有する材料(ZnS)とが交互に積層されているので、相互に応力が緩和され、かつ相互に接着性に優れているので、膜割れが生じにくい。一般に、反射防止膜は、屈折率に差のある物質を積層した構造とし、膜厚、屈折率等を調整することにより反射防止効果が得られるものであり、何層構成とすることも可能であるが、あまり多くの層を積層すると膜厚が厚くなりすぎ、透過率が低下するのみならず、積層膜が割れやすくなる。特に、反射防止膜の膜厚が、中赤外域の波長に依存して決定されるので、この傾向が強くなる。このような観点から、シリコンまたはゲルマニウム基板上に形成する反射防止膜は4層構成とすることが最も好ましい。」
　と記載され、本発明の目的を達成するための構成として、空気側から第1層、第2層、・・・・・第N層が形成され、第N層がシリコン基板またはゲルマニウム基板に接して形成されること、第1層はフッ化物、第2層は硫化亜鉛(ZnS)層、第3層がゲルマニウム(Ge)層、以後ZnS層とGeの層が交互に形成され、第(N-1)層にGe層、第N層が二酸化ケイ素(SiO2)膜からなること、後述するようにSiO2膜は非常に薄い膜厚であり、その吸収による光学的特性が受ける悪影響は無視できるほどに小さいこと、すなわち、本発明の目的を達成するための構成として反射防止膜を4層構成とすることが好ましいが層の数は4層には限らないことが説明されている。
　また、第N層(4層構成の場合は第4層)を構成し基板と接する上記二酸化ケイ素(SiO2)膜は「その吸収による光学的特性が受ける悪影響は無視できるほどに小さい」こと、「シリコンまたはゲルマニウム基板との接着性、また隣接するGe膜との接着性に優れており、耐久性向上の目的達成に寄与する効果の方が大きい」と記載され、「SiO2膜は非常に薄い膜厚」については後述する旨説明されている。
　
《4-3》
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【0010】には、
「【0010】
　各層の光学的膜厚については、シリコン基板を用いる場合、
第1層目 n1d1=(0.21〜0.27)λ(λ:設計主波長、以下同じ)
第2層目 n2d2=(0.12〜0.29)λ
第3層目 n3d3=(0.02〜0.10)λ
第4層目 n4d4=(0.02〜0.04)λ、
ゲルマニウム基板を用いる場合、各層は光学的膜厚が、
第1層目 n1d1=(0.19〜0.26)λ
第2層目 n2d2=(0.13〜0.28)λ
第3層目 n3d3=(0.02〜0.11)λ
第4層目 n4d4=(0.02〜0.03)λ
の範囲内になるように形成する。」と記載され、さらに、実施例1〜9にシリコン基板を用いる4層構成の場合の第4層の光学的膜厚(nd/λ0)を0.030、0.027、0.028、0.036とした実施例が示され、実施例10〜13にゲルマニウム基板を用いる4層構成の場合の第4層の光学的膜厚(nd/λ0)を0.027、0.022、0.025、0.030とした実施例が示されている。
　すなわち、シリコン基板を用いる4層構成の場合、基板と接する第4層目の光学的膜厚を「(0.02〜0.04)λ」、ゲルマニウム基板を用いる4層構成の場合、基板と接する第4層目の光学的膜厚を「(0.02〜0.03)λ」とすることが説明され、各実施例において、上記数値範囲内の光学的膜厚が示されている。
　ここで、段落【0010】及び実施例の反射防止膜の層の数はいずれも4であるが、《4-2》で述べたように段落【0007】において「SiO2膜は非常に薄い膜厚」については後述する旨説明され、光学的特性が受ける悪影響は無視できるほど小さいから反射防止の光学特性には殆ど影響を与えないものと考えられるから、シリコン基板を用いる4層構成の場合、基板と接する第4層目の光学的膜厚を「(0.02〜0.04)λ」、ゲルマニウム基板を用いる4層構成の場合、基板と接する第4層目の光学的膜厚を「(0.02〜0.03)λ」及び、各実施例の第4層の光学的膜厚は、段落【0008】に説明された「4層構成とすることが好ましいが層の数は4層には限らない」とする反射防止膜の基板と接して接着性、耐久性向上させる第N層の膜厚の例示であると解するのが相当である。してみると、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面には、層数を限定しない多層膜における第N層、又は4層構成の場合の第4層を構成する二酸化ケイ素膜の光学的膜厚を、λを設計主波長とするとき、シリコン基板を用いる場合、(0.02〜0.04)λとし、ゲルマニウム基板を用いる場合、(0.02〜0.03)λとすること、すなわち補正後の請求項1〜4に記載された範囲とする根拠が、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されていたと認められる。
　よって、原決定における、層数を限定しない多層膜における二酸化ケイ素膜の光学膜厚を補正後の請求項1〜4に係る発明のごとく特定する根拠が、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されていなかったという理由で「補正後の本願の請求項1〜4に係る発明は、出願当初の明細書に記載されていないし、その記載から自明な事項として導き出せるものともいえない」とした原審の判断は失当であり、この理由をもって明細書の要旨を変更するものとすることはできない。
　
【5】むすび
　 以上のとおり、これを却下すべきものとした原決定は失当である。
　 よって、結論のとおり審決する。