【事件の表示】
　特願２００６−５４２１７６「マルチチップパッケージおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月　４日国際公開、ＷＯ２００６／０４６２９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１６年１０月２９日を国際出願日とする出願であって、平成２２年７月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２３年１１月１６日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年５月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年６月１８日付けで平成２２年７月１５日付けの拒絶理由によって拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２４年１０月２６日に審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年１２月６日付けで審判請求の理由を補正する手続補正書（方式）が提出され、同年１２月２７日に前置報告がなされ、これに基づく審尋が平成２５年１月２８日付けで送付され、同年４月２２日に回答書が提出されたものである。
　　
第２　平成２４年１０月２６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年１０月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を下記のように補正するものである。
「【請求項１】
　
マルチチップパッケージであって、
　隆起パッドを有するインターポーザと、　
　該インターポーザ上に接着剤により固定された半導体チップ積層体と
、
を備え、
　前記隆起パッドは、ワイヤによって前記半導体チップ積層体に接続され、かつ前記接着剤により被覆されない高さを有しており、
　前記隆起パッドは、絶縁物と
、
の上
　前記配線は、前記インターポーザ上に形成されたフリップ用パッドおよび配線部分と、
前記絶縁物の前記上面およ
び側
　前記接着剤は、前記配線の前記絶縁物の前記上面に位置する部分を露出し、かつ前記インターポーザ上に形成された前記配線の前記配線部分を覆
い、また、前記接着剤は、前記絶縁物の前記側面と前記絶縁物の前記側面に形成された前記配線の部分との双方の少なくとも下側部分と接している
【請求項２】
　前記積層体の最下層に位置する半導体チップは前記インターポーザにフリップチップ接続され、前記隆起パッドは前記積層体の最上層に位置する半導体チップとワイヤ接続されている請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項３】
　
マルチチップパッケージの製造方法であって、
　インターポーザ上に絶縁物を設ける工程と、　　
　隆起パッドとして供されかつ前記絶縁物
の上
の側
　前記インターポーザ上の接着剤により、前記インターポーザに半導体チップ積層体を取り付ける工程と、
を有し、
　前記配線は、前記インターポーザ上に形成されたフリップ用パッドおよび配線部分と、前記絶縁物の前記上面および前記側面に形成された部分とを有し、
　前記接着剤は、前記配線の前記絶縁物の前記上面に位置する部分を露出し、かつ前記インターポーザ上に形成された前記配線の前記配線部分を覆
い、また、前記接着剤は、前記絶縁物の前記側面と前記絶縁物の前記側面に形成された前記配線の部分との双方の少なくとも下側部分と接している
【請求項４】
　前記半導体チップ積層体の電極と、前記絶縁物の前記上面に形成された前記配線の前記部分との間にワイヤをボンディングする工程を含む請求項
３
【請求項５】
　
マルチチップパッケージであって、
　インターポーザと、
　前記インターポーザ上に形成された、ワイヤ用パッドを有する配線層と、
　前記ワイヤ用パッド上に接合された導電性の隆起パッド
であって、絶縁物と該絶縁物の上面に設けられた前記配線層の一部である導電体とを有する隆起パッド
　前記インターポーザ上の前記隆起パッドを避けた位置に接着剤により固定された半導体チップ積層体と
、
を備え、
　前記接着剤は
、
　前記隆起パッドは、前記接着剤により被覆されない高さの頂部を有しており、前記隆起パッドの前記頂部と前記半導体チップ積層体とがワイヤによって接続されて
おり、
　
前記接着剤は、前記絶縁物の側面と前記絶縁物の側面に形成された前記配線層の部分との双方の少なくとも下側部分と接している、
【請求項６】
　
マルチチップパッケージの製造方法であって、
　インターポーザ上に、ワイヤ用パッドを有する配線層を形成する工程と、
　前記ワイヤ用パッド上に、
絶縁物と該絶縁物の上面に設けられた前記配線層の一部である導電体とを有する
　前記インターポーザ上の接着剤により、前記インターポーザ上の前記隆起パッドを避けた位置に半導体チップ積層体を取り付ける工程と
、
を有し、
　前記接着剤は、前記隆起パッドの頂部を被覆しないように形成され、かつ前記インターポーザと前記半導体チップ積層体との間で前記配線層の一部を覆うように形成され、
　
該方法は、
、
し
　
前記接着剤は、前記絶縁物の側面と前記絶縁物の側面に形成された前記配線層の部分との双方の少なくとも下側部分と接している、
　　
２．補正の適否
　本件補正の特許請求の範囲の請求項５に係る補正は、補正前の請求項６の「隆起パッド」について「絶縁物と該絶縁物の上面に設けられた前記配線層の一部である導電体とを有する」ことを限定し、同じく「接着剤」について「前記絶縁物の側面と前記絶縁物の側面に形成された前記配線層の部分との双方の少なくとも下側部分と接している」ことを限定するものである。
　
　ここで、願書に最初に添付した明細書、請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）の発明を実施するための最良の形態には、実施例１として、「本発明のＳＭＣＰの配線層用の基板となるインターポーザ１０１と
絶縁体のアタッチメント１１１
インターポーザ１０１上の外周近傍領域の所定の箇所にアタッチメント１１１を熱硬化性の樹脂などにより接着して固定する
個々のワイヤ用パッド上に、Ｃｕなどの導電性材料からなる隆起パッド１０９を、導電性ペースト接着剤や超音波融着技術などにより接合する
個々のワイヤ用パッド上に、通常のボールボンディング法を用いて、隆起パッドの役割を果たすＡｕバンプ１１５を、熱圧着等により接合する
　しかし、当初明細書等には、
１）インターポーザ上に絶縁体のアタッチメントを設け、そのアタッチメントの上にワイヤ用パッドが形成され、そのワイヤ用パッドにボンディングワイヤが接続されたもの、
２）ワイヤ用パッド上にＡｕバンプ等の導電性材料からなる隆起パッドを接合し、その隆起パッドにボンディングワイヤが接続されたもの、
が個々に記載されているものの、「ワイヤ用パッド上に接合された」隆起パッドが、「導電性の隆起パッドであって、絶縁物と該絶縁物の上面に設けられた配線層の一部である導電体とを有」する構造は記載されておらず、当初明細書等の記載から、出願時の技術常識に照らして、上記構造が記載されているものと同然であると理解される事項であるともいえない。
　そうすると、本件補正の請求項５に係る補正の「ワイヤ用パッド上に接合された導電性の隆起パッドであって、絶縁物と該絶縁物の上面に設けられた前記配線層の一部である導電体とを有する隆起パッド」との事項は、当初明細書等に記載されておらず、当初明細書等の記載から自明な事項であるとも認められない。
　よって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内にしたものでない補正を含むものである。
　
　また、本件補正の請求項５に係る補正は、上記のように「隆起パッド」と「接着剤」について限定したものであって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当し、請求項５に係る本願補正発明５が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するか否か）検討すると、本件補正の請求項５に係る補正の「ワイヤ用パッド上に接合された導電性の隆起パッドであって、絶縁物と該絶縁物の上面に設けられた前記配線層の一部である導電体とを有する隆起パッド」との事項は、明細書の発明を実施するための最良の形態に記載も示唆もされておらず、本願補正発明５は、明細書の発明を実施するための最良の形態、すなわち発明の詳細な説明に記載された範囲を超えるものであり、特許法第３６条第６項第１号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものでもある。
　
３．まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定、または同条第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２４年５月２１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであり、そのうち、請求項１に係る発明は以下のとおりのものである。
「隆起パッドを有するインターポーザと、
　該インターポーザ上に接着剤により固定された半導体チップ積層体とを備え、
　前記隆起パッドは、ワイヤによって前記半導体チップ積層体に接続され、かつ前記接着剤により被覆されない高さを有しており、
　前記隆起パッドは、絶縁物と該絶縁物の上面および側面のうち前記上面に設けられた導電体とを有し、該導電体は配線の一部であり、
　前記配線は、前記インターポーザ上に形成されたフリップ用パッドおよび配線部分と、前記絶縁物の前記上面および前記側面に形成された部分とを有し、
　前記接着剤は、前記配線の前記絶縁物の前記上面に位置する部分を露出し、かつ前記インターポーザ上に形成された前記配線の前記配線部分を覆うマルチチップパッケージ。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物の記載事項
ア　原査定の拒絶理由で引用された、本願の国際出願日前に頒布された刊行物である特開２００２−２３１８７９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「半導体装置の製造方法」について、図面とともに下記の事項が記載されている。
（ア１）「【０００２】
【従来の技術】従来から、携帯機器を中心に電子機器の小型化が進展し、半導体素子の実装構造体の小型化が要望されてきた。そこで、複数の半導体素子を積層して立体的な半導体装置として構成することにより、実装面積が小さい半導体装置が実用化されている。」
　　
（ア２）「【００１０】図６および図７は、２枚の半導体ウェハーの裏面どうしを接着した後に半導体素子のサイズに分割した積層体を配線基板に搭載する半導体装置の製造工程を示す図である。
・・・・
【００１６】次に図７（ｂ）に示すように、配線基板１５の裏面電極に半田等からなる外部端子１９を形成する。」
　　
（ア３）「【００５７】次に図４（ａ）に示すように、その電極にバンプ３５が形成された第１の半導体ウェハー３１を切断して分離し、第１の半導体素子３０を用意する。
【００５８】次に図４（ｂ）に示すように、バンプ３５が形成された第１の半導体素子３０の裏面に、図３（ｂ）で示した第２の半導体ウェハー３４を切断して分離した第２の半導体素子３３の裏面を接着剤３６を介して接着する。・・・・また、接着剤３６の材料は、本実施形態では硬化温度が１００〜２００[℃]の例えばエポキシからなる熱硬化性樹脂を用いている・・・・
【００５９】次に図４（ｃ）に示すように、第１の半導体素子３０の電極形成面または配線基板３７の電極部形成面に液状の接着剤３８を塗布して、第１の半導体素子３０の電極形成面と配線基板３７の電極部形成面とを接着するとともに、第１の半導体素子３０の電極形成面に形成されたバンプ３５と配線基板３７の電極部とを電気的に接続する。そして、第２の半導体素子３３の電極と配線基板３７の電極部とを金やアルミニウムなどの金属からなる金属細線３９によって電気的に接続する。なお、接着剤３８の材料は、接着剤３６と同一のものを用いる・・・・
【００６１】次に図４（ｄ）に示すように、第１の半導体素子３０、第２の半導体素子３３および金属細線３９を配線基板３７の上面部において封止樹脂４０によって封止した後、配線基板３７を半導体装置ごとにブレードを用いて切断して分割する。なお、配線基板３７の分割は、２個の積層した半導体素子を配線基板３７に搭載する前に行ってもよい。」
　　
（ア４）図４（ｄ）には、配線基板の上面に積層された２つの半導体素子が配置され、配線基板の下面に半田等からなる外部端子が設けられた半導体装置が記載されている。
　　
イ　また、原査定の拒絶理由で引用された、本願の国際出願日前に頒布された刊行物である特開２０００−２１９２０号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「半導体装置」について、図面とともに下記の事項が記載されている。
（イ１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディング方式を採用した表面実装型の半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面実装型の半導体装置の一つとして、例えば図３に示すようなワイヤボンディング方式を採用したボール・グリッド・アレイ（Ball Grid Array;以下、ＢＧＡと略す）パッケージが広く知られている。このＢＧＡパッケージは、板状に形成されたプリント配線基板１１の下面に球状の半田１２をアレイ状に並べてリードの代わりにしたものであり、各半田１２とプリント配線基板１１上面にダイマウントされた半導体素子１３との間が金（Au）線１４を用いたワイヤボンディングによって電気的に接続されているものである。なお、半導体素子１３および金線１４は、プリント配線基板１１上面を覆う封止樹脂１５によって封止されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、ＢＧＡパッケージに対しては、より一層の高密度実装を可能にするために、パッケージのサイズ（大きさおよび高さ）を極力抑えることが要求されている。そのためには、ワイヤボンディングを行う金線１４のワイヤ長またはループ高さを小さくすることが有効である。
【０００４】しかしながら、ＢＧＡパッケージは、通常、図４に示すように、ワイヤボンディングの第１ボンド点（半導体素子１３の電極）２１と第２ボンド点（プリント配線基板上面に設けられた内部電極）２２との間に、半導体素子１３のチップ厚さ（例えば、３５０〜４００μｍ）に相当する段差を有している。したがって、金線１４のワイヤ長またはループ高さを小さくすると、半導体素子１３のエッジと金線１４との間の距離（図中におけるＢ）が小さくなってしまい、例えば図５のようにこれらが互いに接触する不具合、すなわちエッジショートと呼ばれる不良を招いてしまう可能性が非常に高くなってしまう。
・・・・
【０００７】そこで、本発明は、ワイヤボンディング方式を用いたＢＧＡパッケージにような表面実装型の半導体装置において、エッジショートを招いてしまうことなくその小型化および薄型化を可能にするとともに、これを既存の組立プロセスや組立設備等を変更することなく容易に実現することのできる半導体装置を提供することを目的とする。」
　　
（イ２）「【００２９】図例のように、本実施の形態のＢＧＡパッケージは、プリント配線基板１ａが第１の実施の形態の場合のような凹部を有しておらず、板状に形成されている。ただし、このプリント配線基板１ａの上面には、半導体素子６の周辺部に、絶縁体または金属に樹脂コーティングしたもの等からなる凸部９が設けられている。
【００３０】凸部９の上面には、内部電極３が設けられており、さらにその内部電極３は、Ｃｕ箔等でパターニングした配線３ａおよびスルーホール５を介して外部接続端子４と電気的に接続している。
【００３１】このように構成されたＢＧＡパッケージでは、内部電極３が凸部９上に設けられているので、半導体素子６上面と内部電極３との間の段差を、従来のもの（図３参照）よりも小さくすることができる。・・・・
【００３３】以上のように、本実施の形態のＢＧＡパッケージは、内部電極３が凸部９上に設けられているので、半導体素子６上面と内部電極３との間の段差が半導体素子６自体の厚さよりも小さくなる。したがって、第１の実施の形態における場合と同様に、既存の組立プロセスや組立設備等を変更することなく、ＢＧＡパッケージの小型化または薄型化を実現できる。また、ワイヤボンディング工程での処理効率向上等も期待できる。
【００３４】ただし、本実施の形態のＢＧＡパッケージは、凸部９によって内部電極３を嵩上げする構成のため、第１の実施の形態の場合に比べると薄型化への効果が小さい。ところが、このＢＧＡパッケージでは、例えば凹部２のようなプリント配線基板１への加工を行わなくても、凸部９の接着等によりプリント配線基板１ａ上面に設けるだけでよいので、その対応が容易であり、コスト等の面からも好適なものとなる。また、既存のプリント配線基板１ａ等についても凸部９を追加するだけで小型化または薄型化への対応が可能となる。」
　　
ウ　また、本願の国際出願日前に頒布された刊行物である特開２００４−２２１５６８号公報（以下、「周知例１」という。）には、「半導体装置及びその作製方法」について、図面とともに下記の事項が記載されている。
「【００３４】
  図１は本発明の半導体装置の断面図である。絶縁性基板（インターポーザ）１０１上に、配線層１０２及び熱圧着シート等の接着層１０３を介して、半導体基板を用いて集積回路を形成した半導体素子１０４が設けられ、該半導体素子１０４上に熱圧着シート等の接着層１０５を介して、半導体薄膜を用いて集積回路を形成した半導体素子１０６が設けられている。絶縁性基板には貫通孔１０７が形成されており、該貫通孔を介して配線層１０２と半田ボール等の外部端子１０８とが接続されている。
・・・・
【００３６】
　また、半導体素子表面には、電極パット１０９、１１０が形成されており、電極パット１０９、１１０と配線部１０２の端子とが、それぞれワイヤー１１１、１１３で接続されている。電極パットは、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている。
【００３７】
　図２は配線部１０２の上面図を示したものである。配線部１０２は、絶縁性基板１０１上に、外部端子に接続するための金属パット２２１と、半導体素子上の電極パット（図１の１０９、１１０）とワイヤー（図１の１１１、１１３）で接続される端子２２２とがあり、これらが配線２２３で接続されている。・・・・」
　　
エ　また、本願の国際出願日前に頒布された刊行物である特開２００３−６８９７４号公報（以下、「周知例２」という。）には、「半導体装置」について、図面とともに下記の事項が記載されている。
（エ１）「【０００４】図１は、従来の一例である半導体装置１を示している。同図に示す半導体装置１は、第１の半導体素子２と第２の半導体素子３を一つのモールドレジン５内に積層した、Chip on Chip構造のMCP型半導体装置である。
【０００５】この半導体装置１は、大略すると第１の半導体素子２，第２の半導体素子３，基板４，モールドレジン５，及び半田ボール６等により構成されている。第１の半導体素子２はアナログ素子であり、また第２の半導体素子３はデジタル素子である。
【０００６】また、第１の半導体素子２にはバンプ７が形成されており、このバンプ７は基板４に形成されたバンプ用パッド１０にフリップチップ接合している。また、第２の半導体素子３に形成された電極パッド（図示に現れず）と基板４に形成されたワイヤ用パッド９との間は、ワイヤ８により接続されている。
【０００７】半田ボール６は外部接続端子となるものであり、基板４の半導体素子搭載面と反対側面に形成されたボール用ランド１１に配設されている。このボール用ランド１１は、基板４に形成された配線１２（図２参照），スルーホール等によりワイヤ用パッド９，バンプ用パッド１０に接続されている。よって、基板４は、第１及び第２の半導体素子２，３と半田ボール６とを電気的に接続するインターポーザとして機能する。
【０００８】モールドレジン５は、基板４の半導体素子搭載面に形成され、第１及び第２の半導体素子２，３、ワイヤ８、ワイヤ用パッド９等を封止することにより、これらを保護する。」
　　
（エ２）「【００２７】図３及び図４は、本発明の一実施例である半導体装置２０Ａを示している。図３は半導体装置２０Ａの断面図であり、図４はモールドレジン２５を取り除いた状態の半導体装置２０Ａの平面図である。
・・・・
【００３０】下部に位置する第１の半導体素子２２にはバンプ２７が形成されており、このバンプ２７は基板２４に形成されたバンプ用パッド３０にフリップチップ接合されている。この第１の半導体素子２２と基板２４との離間部分には、第１の半導体素子２２と基板２４との熱膨張差に起因したバンプ２７の剥離を防止する目的等により、アンダーフィル材３５が配設されている。・・・・」
　　
（エ３）図１から、図３の実施例と同様に、第１の半導体素子２と基板４の間にアンダーフィル材が充填されていることが把握できる。
　
オ　また、本願の国際出願日前に頒布された刊行物である特開２００４−１９３１７４号公報（以下、「周知例３」という。）には、「半導体装置およびその製造方法」について、図面とともに下記の事項が記載されている。
「【０００５】
まず、図１２（ａ）に示した配線基板１を用意し、図１２（ｂ）に示すように、第１の半導体素子５を、その電極端子に形成されたバンプ４と第１の接続端子群２を接合することでフリップチップボンディングにより配線基板１上に搭載する。
【０００６】
次に、図１２（ｃ）に示すように、第１の半導体素子５と配線基板１の間に、第１の封止樹脂６を注入して硬化させる。
【０００７】
次いで、図１２（ｄ）に示すように、第２の半導体素子７を第１の半導体素子５の裏面に搭載し、図１２（ｅ）に示すように、第２の半導体素子７の電極端子群７ａと配線基板１上の第２の接続端子群３をボンディングワイヤー８を用いて電気的に接続する。
【０００８】
続いて、図１２（ｆ）に示すように、第２の封止樹脂９を用い、第１の半導体素子５と第２の半導体素子７の全体を覆ってモールドし、積層型の半導体装置が完成する。
【０００９】
このような半導体装置では、第１の封止樹脂６を注入した後に、第１の封止樹脂６が配線基板１上を伝って第２の接続端子群３に付着し、第２の半導体素子７と第２の接続端子群３のボンディングワイヤー８による接続が不安定となることがあった。そのため、第１の封止樹脂６が到達する範囲を考慮して、第１の半導体素子５から十分離間させて第２の接続端子群３を配置することが必要となり、その結果、配線基板１のサイズが大きくなって半導体装置の小型化の妨げとなっていた。」
　　
３．刊行物１に記載された発明
　上記周知例１及び２に記載されているように、配線基板の半導体素子を接着する面には、通常、外部端子に接続されたスルーホールに対して、半導体素子にワイヤボンディングで接続される電極部との間や、半導体素子下部のバンプと接続される電極部との間を接続するための配線が設けられており、刊行物１の配線基板においても、第１の半導体素子３０の電極形成面に形成されたバンプ３５と電気的に接続される配線基板３７の電極部と外部端子に接続されたスルーホールとの間と、第１の半導体素子の上に積層された第２の半導体素子３３の電極と金属細線３９により接続される配線基板３７の電極部と外部端子に接続されたスルーホールとの間を接続する配線が、配線基板上に備えられていることは明らかである。
　
　そうすると、刊行物１には下記の発明が記載されていると認められる。
「バンプ３５が形成された第１の半導体素子３０の裏面に第２の半導体素子３３の裏面を接着剤３６を介して接着して積層し、第２の半導体素子３３を積層した第１の半導体素子３０の電極形成面または配線基板３７の電極部形成面に液状の熱硬化性樹脂からなる接着剤３８を塗布して、第１の半導体素子３０の電極形成面と配線基板３７の電極部形成面とを接着剤３８を硬化させて接着するとともに、第１の半導体素子３０の電極形成面に形成されたバンプ３５と電気的に接続される配線基板３７の電極部と外部端子に接続されたスルーホールとの間と、第１の半導体素子の上に積層された第２の半導体素子３３の電極と金属細線３９により接続される配線基板３７の電極部と外部端子に接続されたスルーホールとの間を接続する配線基板上の配線、を設けた半導体装置。」（以下、「引用発明」という。）
　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明の「配線基板」、「接着剤」、「第２の半導体素子を積層した第１の半導体素子」、「金属細線」、「第１の半導体素子３０の電極形成面に形成されたバンプ３５と電気的に接続される配線基板３７の電極部」、「第１の半導体素子３０の電極形成面に形成されたバンプ３５と電気的に接続される配線基板３７の電極部と外部端子に接続されたスルーホールとの間と、第１の半導体素子の上に積層された第２の半導体素子３３の電極と金属細線３９により接続される配線基板３７の電極部と外部端子に接続されたスルーホールとの間を接続する配線基板上の配線」、「半導体装置」は、それぞれ本願発明の「インターポーザ」、「接着剤」、「半導体チップ積層体」、「ワイヤ」、「フリップ用パッド」、「配線部分」、「マルチチップパッケージ」に相当する。
　また、引用発明の「第１の半導体素子３０の電極形成面に形成されたバンプ３５と電気的に接続される配線基板３７の電極部」、「配線基板上の配線」及び「第２の半導体素子３３の電極と金属細線３９によって電気的に接続される配線基板３７の電極部」からなる導電部分は、本願発明の「配線」と、「インターポーザ上に形成されたフリップ用パッドおよび配線部分と、ワイヤによって半導体チップ積層体に接続される電極部を有する配線」であることで一致する。
　さらに、引用発明の第１の半導体素子３０の電極形成面と配線基板３７の電極部形成面とを接着する「熱硬化性樹脂からなる接着剤３８」は、配線基板上に塗布されて硬化して接着する際に、引用発明の「配線基板上の配線」を覆うことになるのは明らかである。
　　
　したがって、本願発明と引用発明は、
「インターポーザと、
　該インターポーザ上に接着剤により固定された半導体チップ積層体と、
　インターポーザ上に形成されたフリップ用パッドおよび配線部分と、ワイヤによって半導体チップ積層体に接続される電極部を有する配線を有し、
　前記接着剤は、インターポーザ上に形成された配線の配線部分を覆う、
マルチチップパッケージ。」で一致し、下記の点で相違する。　
　　
・相違点
　本願発明が、インターポーザは隆起パッドを有し、前記隆起パッドは、ワイヤによって半導体チップ積層体に接続され、かつ接着剤により被覆されない高さを有しており、前記隆起パッドは、絶縁物と該絶縁物の上面および側面のうち前記上面に設けられた導電体とを有し、該導電体は配線の一部であり、前記配線は、前記インターポーザ上に形成されたフリップ用パッドおよび配線部分と、前記絶縁物の前記上面および前記側面に形成された部分とを有し、前記接着剤は、前記配線の前記絶縁物の前記上面に位置する部分を露出するのに対し、引用発明は、隆起パッドを備えておらず、配線については、第１の半導体素子３０の電極形成面に形成されたバンプ３５と電気的に接続される配線基板３７の電極部と外部端子に接続されたスルーホールとの間と、第１の半導体素子の上に積層された第２の半導体素子３３の電極と金属細線３９により接続される配線基板３７の電極部と外部端子に接続されたスルーホールとの間を接続する配線基板上の配線からなり、接着剤については、第２の半導体素子３３を積層した第１の半導体素子３０の電極形成面または配線基板３７の電極部形成面に液状の接着剤３８を塗布して、第１の半導体素子３０の電極形成面と配線基板３７の電極部形成面とを熱硬化性樹脂からなる接着剤３８を硬化させて接着した点。
　　
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物２には、プリント配線基板の上面に絶縁体からなる凸部が取り付けられ、凸部の上面に内部電極が設けられるとともに、その内部電極は、凸部の側面に設けた配線を介して外部接続端子に電気的に接続されており（図２においては、配線３ａは、凸部の外側側面に形成されるものが例示されているが、周知例１及び２のとおり、外部端子及びスルーホールが、配線基板上のワイヤボンディング用電極より内側に設けられるものが周知であることから、上記配線は、凸部の内側に設けられる場合も含んでいると解される。）、この凸部によって嵩上げされた内部電極と半導体素子上面を金線で接続することにより、接続される金線のループ高さやワイヤ長を凸部を設けない時よりも小さくでき、表面実装型の半導体装置の小型化および薄型化を可能とするとともに、ワイヤボンディング工程での処理効率向上も期待できる旨記載されている。
　刊行物１に記載されているように、携帯機器等の電子機器の小型化に対応して、電子機器に実装される半導体装置の小型化も求められており、引用発明の半導体装置においても半導体装置自体の小型化という課題が存在するといえるから、引用発明の第２の半導体素子の電極と配線基板の電極部を金属細線で接続する際、接続される金属細線のループ高さやワイヤ長を小さくして半導体装置の小型化を図るために、刊行物２に記載されたように、金属細線が接続される配線基板上の導電体としての電極部の位置を、絶縁体からなる凸部を配線基板に取り付けて嵩上げするとともに、嵩上げされた凸部の上面の電極部と配線基板上の配線とを接続するために凸部の側面に配線を設けることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、周知例３に記載されているように、半導体素子と配線基板の間に封止樹脂を注入する際、注入した封止樹脂が接続端子群にまで流出してボンディングワイヤーによる接続が不安定になる恐れがあることが従来より知られており、凸部により嵩上げされた電極部の高さと接着剤の塗布量を設定するにあたり、半導体素子と配線基板の間に塗布した接着剤により金属細線との接続が妨げられないように、絶縁物からなる凸部の上面に位置する電極部を露出するように設定することは、当業者が適宜なし得る設計的事項であるといえる。
  　　
　さらに、本願発明により奏される効果は、引用発明、刊行物２に記載された技術的事項及び周知の技術的事項から容易に予測できるものである。
　したがって、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術的事項及び周知の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、平成２５年４月２２日付けの回答書において、審判請求時の補正後の請求項５、６を削除し、削除後の本願の特許請求の範囲を、審判請求時の補正後の請求項１−４に補正する旨、回答している。
　ここで、審判請求時の補正後の請求項１は、補正前の請求項１（審判請求前の平成２４年５月２１日付けの手続補正書の請求項１）に、同じく補正前の請求項３の内容を加えて、「接着剤」について、更に「前記接着剤は、前記絶縁物の前記側面と前記絶縁物の前記側面に形成された前記配線の部分との双方の少なくとも下側部分と接している」と限定したものである。
　しかし、半導体素子と配線基板の間に塗布する接着剤は、その塗布量あるいは粘度に応じて、半導体素子と配線基板の間からあふれることは周知であり、その際に「絶縁物の側面と絶縁物の側面に形成された配線の部分との双方の少なくとも下側部分と接」するかどうかは、当業者が適宜なし得る設計的事項である。
　よって、審判請求時の補正後の請求項５、６を削除して本願の特許請求の範囲を補正したとしても、直ちに補正後の請求項１−４に係る各発明が特許を受けることができるものではない。　
　
５．むすび
　以上のように、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術的事項及び周知の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。