【事件の表示】
　特許第３１５５９２０号「プリント配線板用電解銅箔及びその製造方法」の請求項１〜４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５５９２０号の請求項１〜４に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１５５９２０号（平成８年１月１６日出願、平成１３年２月２日設定登録）は、特許異議申立人　西田　良幸より、請求項１〜４に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年９月１２日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲を以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって、該電解銅箔のコブ付け処理前の粗面側の表面粗度が１．５μｍ以下で、該粗面上に前記コブ付け処理して銅電着物を形成した後の表面粗度が１．５〜２．０μｍであることを特徴とするプリント配線板用電解銅箔。
【請求項２】前記コブ付け処理層の上に、防錆層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電解銅箔。
【請求項３】前記防錆層が亜鉛層と、該亜鉛層上に形成されたクロメート処理層からなることを特徴とする請求項２に記載の電解銅箔。
【請求項４】前記クロメート処理層の上に、さらにシランカップリング層を設けたことを特徴とする請求項３に記載の電解銅箔。
【請求項５】電解銅箔の粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成してコブ付け処理前の表面粗度を１．５μｍ以下にし、該粗面側上に前記コブ付け処理して銅電着物を形成した後の表面粗度を１．５〜２．０μｍとすることを特徴とするプリント配線板用電解銅箔の製造方法。」
　　
（１−２）訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
（ｂ−１）特許明細書の段落【００１２】の記載を、「【００１２】すなわち、本発明は粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって、該電解銅箔のコブ付け処理前の粗面側の表面粗度が１．５μｍ以下で、該粗面上に前記コブ付け処理して銅電着物を形成した後の表面粗度が１．５〜２．０μｍであることを特徴とする電解銅箔にある。」と訂正する。
　　
（ｂ−２）特許明細書の段落【００１８】の記載を、「【００１８】次に、本発明のプリント配線板用電解銅箔の製造方法についてさらに詳しく説明する。
　本発明の電解銅箔の製造方法は、電解銅箔の粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成してコブ付け処理前の表面粗度を１．５μｍ以下にし、該粗面側上に前記コブ付け処理して銅電着物を形成した後の表面粗度を１．５〜２．０μｍとすることを特徴とするものである。」と訂正する。　　
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「プリント配線板用電解銅箔」について、「粗面側をバフで研磨して粗面の元の状態を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって、」を直列的に付加して限定するものであり、また、同請求項５に記載された「プリント配線板用電解銅箔の製造方法」において、「電解銅箔の粗面側をバフで研磨して」の後に「粗面の元の状態を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成して」を直列的に付加して限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、上記「粗面側をバフで研磨して粗面の元の状態を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された」及び「粗面の元の状態を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成して」は、特許明細書の段落【００１１】の「電解銅箔の粗面側をバフで研磨して該粗面の元の状態を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成させて……」、及び同段落【００３３】の「電解析離箔の粗面側をバフで研磨して該粗面の元の状態を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成させ……」との記載に基づくものであるから、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂの（ｂ−１）（ｂ−２）は、特許請求の範囲における訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載に対応する発明の詳細な説明の記載の整合を図るためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。また、当該訂正は、上記訂正事項ａと同じ特許明細書の記載に基づくものであるから、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）独立特許要件について
  訂正後の請求項５についての訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、同請求項５に係る発明の独立特許要件について検討する。
  訂正後の請求項５に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の請求項５に記載された事項により特定されるとおりのものであって、同訂正明細書の請求項１に係る発明と同様に、「電解銅箔の粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成」するという事項を具備するものであるところ、同請求項１に係る発明がこの事項を具備することにより、申立人が提示した甲第１号証に記載された発明に基づいて、又は申立人が提示した甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないことは、後記「［３］特許異議の申立てについて」の「（（４−１）本件発明１について」で述べるとおりであるから、同請求項５に係る発明も同請求項１に係る発明と同じ理由により、申立人が提示した甲第１号証に記載された発明に基づいて、又は申立人が提示した甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。また、他に同請求項５に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　したがって、上記訂正後の請求項５に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ、ｂは、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについて
（１）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人　西田　良幸は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証及び甲第２号証を提示して、本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、又は甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項１〜４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定に該当するので、取り消されるべきものである旨主張している。
　　
（２）本件発明
　上述したように、本件訂正は適法なものであるから、本件特許の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１〜４」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって、該電解銅箔のコブ付け処理前の粗面側の表面粗度が１．５μｍ以下で、該粗面上に前記コブ付け処理して銅電着物を形成した後の表面粗度が１．５〜２．０μｍであることを特徴とするプリント配線板用電解銅箔。
【請求項２】前記コブ付け処理層の上に、防錆層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電解銅箔。
【請求項３】前記防錆層が亜鉛層と、該亜鉛層上に形成されたクロメート処理層からなることを特徴とする請求項２に記載の電解銅箔。
【請求項４】前記クロメート処理層の上に、さらにシランカップリング層を設けたことを特徴とする請求項３に記載の電解銅箔。」
　　
（３）甲各号証の記載事項
（３−１）甲第１号証（特開平５−２９７４０号公報）
　甲第１号証には、「……プリント配線板用電解銅箔の光沢銅メッキ層の表面が粗さ０．２〜５μｍ に粗化処理されており、該粗化処理面のうち、少なくとも絶縁基板と接合する側に、亜鉛層、亜鉛合金層、ニッケル層及びニッケル合金層からなる群より選ばれた一種以上の薄層を有し、さらに、該薄層表面がクロメート処理されたプリント配線板用電解銅箔である。」（段落【００１３】）、
「……プリント配線板用電解銅箔の絶縁基板と接合する粗化処理面又はクロメート処理面にシランカップリング剤が塗布されたプリント配線板用電解銅箔である。」（段落【００１４】）、
「本発明に用いる光沢銅メッキ層としては、のちに該層と接合させる、絶縁基板や他の層との接合強度をより高めるために、表面を粗化処理したものが好ましい。表面を粗化処理した光沢銅メッキ層は、例えば、図２に示すように、光沢銅メッキ層２の凹凸６を、さらに微細な凹凸７にしたものである。粗化処理方法としては、…………電解液中で、限界電流密度近傍の高電流密度で、銅、銅合金、亜鉛及び亜鉛合金からなる群より選ばれた一種又は二種以上の金属薄層を、光沢銅メッキ層表面に電着する方法（……）が好ましい。」（段落【００２４】〜【００２５】）、
「実施例１
　粗面側の表面粗さが３．９μｍ で厚さが１８μｍ の電解銅箔の両面に、下記組成のメッキ浴を用い、下記条件で厚さが片面８．５μｍ の光沢銅メッキを行った。得られた光沢銅メッキの表面粗さ（Ｒｚ値）は、０．６μｍ であった。次に、これを水洗乾燥し、厚さが３５μｍ のプリント配線板用電解銅箔を作製した。」（段落【００５５】）、
「実施例６
　……３層のメッキ層を設けて、光沢銅メッキ層を粗化処理した。」（段落【００７３】）、
「この粗化処理した光沢銅メッキ面の表面粗さ（Ｒｚ値）を測定したところ、０．６μｍ と変わらなかったが、電子顕微鏡で観察したところ、光沢銅メッキの凹凸面上に、さらに微細な凹凸が形成されていた。」（段落【００７７】）、
「表面の粗さが小さいので、ファインパターンの回路を形成させることができ、しかも絶縁基板との接合強度を高めることができる。」（段落【００９１】）と記載されている。
　　
（３−２）甲第２号証（特開平７−２３１１５２号公報）
　甲第２号証には、「両面の表面粗さＲｚ＝１〜３μｍの銅箔の両面に、長さ０．６〜１．０μｍで最大径０．２〜０．８μｍの逆涙滴状の微細なこぶが設けられていることを特徴とするプリント回路内層用銅箔。」（【請求項１】）、
「本発明は、……層間の信頼性を向上させ、また処理工程を削減し、しかも微細回路のエッチング性の向上と多層板で要望されている基材厚みの減少化による層間絶縁の低下を防止し、さらには銅箔両面の密着性の向上を同時に図れるプリント回路内層用銅箔およびその製造方法を提供することにある。」（段落【０００７】）、
「この電解によりこぶ付けされた銅箔は防錆処理される。銅箔に使用される防錆は、一般的に用いられている方法が使用可能である。亜鉛、亜鉛−錫または亜鉛−ニッケル合金による防錆は、回路用銅箔として使用される場合に樹脂基材とのプレス接着、回路エッチング、メッキ等の工程を経る際の加熱酸化防止、基材との密着性向上、銅箔へのサイドからのアンダーエッチングの防止に対して非常に有効であることが知られており、」（段落【００１８】）、
「上述の表面粗さの小さな銅箔に対して、電解によるこぶ付け、亜鉛、亜鉛−錫または亜鉛−ニッケル合金による防錆処理、加熱拡散処理を行なった銅箔の表面粗さを測定したところ、両面ともＲｚ＝２〜４μｍとなり、通常の電解銅箔を使用した両面処理銅箔の粗面粗さのＲｚ＝７μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．５μｍに比較して両面とも均一で、適度な粗度のあるこぶ付けがなされており、内層用銅箔としての密着性の向上が図れると共に、回路作成のためのエッチングの際に基材部分への銅の足残りが少ないため非常に微細な回路を作成することが可能となる。さらに、上記防錆処理の後、加熱拡散処理前にクロメート処理やシランカップリング剤処理を施すことができる。クロメート処理液としては酸性、アルカリ性いずれも可能であり、浸漬法、電解法いずれでも良い。シランカップリング剤としては………等があり、代表的な処理条件は以下に示す通りである。」（段落【００２０】〜【００２１】）、
「実施例３
　厚さ３５μｍの電解銅箔（粗面粗さＲｚ＝７．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ）を三菱ガス化学社製化学研磨液ＣＰＢ−３０（商品名）を用いて粗面を化学研磨し、Ｒｚ＝２．８μｍまで平滑化した。続いて平滑面を同じく三菱ガス化学社製ＣＰＢ−６０（商品名）を用いてエッチング処理し、Ｒｚ＝１．５μｍまで粗化した銅箔を使用した。この銅箔を用いて実施例１と同様の条件でこぶ付け、かぶせメッキを行なった。………
実施例４
　実施例３で用いたのと同様の電解銅箔（粗面粗さＲｚ＝７．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ）を加工率１０％において圧延処理することにより、粗面粗さＲｚ＝２．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．０μｍとした銅箔を使用した。この銅箔を用いて実施例１と同様の条件でこぶ付け、かぶせメッキを行なった。」（段落【００３３】〜【００３６】）と記載されている。
　　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明１について
　（３−１）に摘記した事項を総合すると、甲第１号証 には、「電解銅箔の両面に光沢銅メッキ層を形成して電解銅箔の粗面の元の形状を完全に覆って消滅させ、該光沢銅メッキ面に、銅薄膜を電着して新たに微細な凹凸を形成する電解銅箔であって、該電解銅箔の粗面側光沢銅メッキ面の、銅薄膜を電着して新たに微細な凹凸を形成する前の表面粗度が０．６μｍであり、該銅薄膜を電着して新たに微細な凹凸を形成した後の表面粗度が０．２〜５μｍであるプリント配線板用電解銅箔」の発明が記載されているといえる。
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、後者における「銅薄膜を電着して新たに微細な凹凸を形成」は、前者における「コブ付け処理」に相当し、両者は、「粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって、該電解銅箔のコブ付け処理前の粗面側の表面粗度が１．５μｍ以下で、該粗面上に前記コブ付け処理して銅電着物を形成したプリント配線板用電解銅箔」の点で一致するが、下記の点で相違する。
（イ）本件発明１が、電解銅箔の粗面をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させるのに対し、甲第１号証に記載された発明では、光沢銅メッキ層により電解銅箔の粗面の元の形状を完全に覆って消滅させる点。
（ロ）本件発明１が、電解銅箔の粗面上にコブ付け処理して銅電着物を形成した後の表面粗度が１．５〜２．０μｍの範囲であるのに対し、甲第１号証に記載された発明では、同粗面のコブ付け処理後の表面粗度が１．５〜２．０μｍの範囲には限定されない点。
　　
　そこで、相違点（イ）について検討する。
　甲第１号証には、電解銅箔の粗面の元の形状を光沢銅メッキ層によって完全に覆い、そのコブ付け処理前の表面粗度を１．５μｍ以下にすることが示されてはいるが、電解銅箔のコブ付け処理前の粗面をバフで研磨することについては記載も示唆もされておらず、該バフ研磨の採用を自明とする根拠も見出せない。してみると、電解銅箔のコブ付け処理前の粗面をバフで研磨することを甲第１号証の記載から導き出すことはできないので、甲第１号証に記載された発明に基づいて本件発明１の相違点（イ）に係る事項を想到することは、当業者にとって容易であるとすることはできない。
　また、甲第２号証には、プリント回路内層用電解銅箔の粗面をコブ付け処理前に化学研磨又は圧延処理によって平滑化することが記載されてはいるが、電解銅箔の粗面をバフで研磨することについては記載も示唆もされておらず、上記化学研磨又は圧延処理に代えてバフ研磨を採用することを自明とする根拠も見出せない。してみると、この甲第２号証の記載を上記甲第１号証に記載されたものと組み合わせても、電解銅箔のコブ付け処理前の粗面をバフで研磨することを導き出すことはできないので、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて本件発明１の相違点（イ）に係る事項を想到することもまた、当業者にとって容易であるとすることはできない。
  そして、本件発明１は、相違点（イ）に係る事項を採用することにより、電解銅箔の粗面側に微細で均一な銅電着物からなる処理コブを密度高く施すことができ、基板との密着性を維持しながら、回路パターン間の絶縁信頼性に優れ、また、電解銅箔の両面の粗度が低いため、層間の絶縁信頼性が高く、かつ高周波特性にも優れた超ファインパターン用途の電解銅箔が製造できるという、訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、相違点（ロ）について検討するまでもなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて、又は甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（４−２）本件発明２〜４について
  本件発明２〜４はいずれも、本件発明１における電解銅箔のコブ付け処理層の上に更に他の層を付加した発明であって、本件発明１の特定事項を全て具備するものであるから、上記（４−１）において述べた本件発明１と同じ理由により、甲第１号証に記載された発明に基づいて、又は甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月７日（２００３．３．７）
【訂正の要旨】
　ａ．特許請求の範囲を、
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって
　【請求項２】　前記コブ付け処理層の上に、防錆層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電解銅箔。
　【請求項３】　前記防錆層が亜鉛層と、該亜鉛層上に形成されたクロメート処理層からなることを特徴とする請求項２に記載の電解銅箔。
　【請求項４】　前記クロメート処理層の上に、さらにシランカップリング層を設けたことを特徴とする請求項３に記載の電解銅箔。
　【請求項５】　電解銅箔の粗面側をバフで研磨して
粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成して
と訂正する。
　ｂ．明細書の段落００１２の記載を、
「　　【００１２】
　すなわち、本発明は
粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって
と訂正する。
　ｃ．明細書の段落００１８の記載を、
「　　【００１８】
　次に、本発明のプリント配線板用電解銅箔の製造方法についてさらに詳しく説明する。
　本発明の電解銅箔の製造方法は、電解銅箔の粗面側をバフで研磨して
粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成して
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プリント配線板用電解銅箔及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって
　【請求項２】　前記コブ付け処理層の上に、防錆層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電解銅箔。
　【請求項３】　前記防錆層が亜鉛層と、該亜鉛層上に形成されたクロメート処理層からなることを特徴とする請求項２に記載の電解銅箔。
　【請求項４】　前記クロメート処理層の上に、さらにシランカップリング層を設けたことを特徴とする請求項３に記載の電解銅箔。
　【請求項５】　電解銅箔の粗面側をバフで研磨して
粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成して
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明はプリント配線板に使用される電解銅箔及びその製造方法に関し、さらに詳しくはバフ研磨を施した電解銅箔の粗面側に微細な粒子状の銅電着物を均一に密度高く設けた銅箔とすることにより、配線パターン形成時のエッチング特性に優れ、高周波特性及び絶縁信頼性に優れた超ファインパターン用途に好適な電解銅箔に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、プリント配線板に用いられる電解銅箔は、銅電解液を電解して電気化学的に陰極ドラム面上に銅を電着させた後に剥離して得られ、電解析離箔と呼ばれる。このようにして得られた電解析離箔の電解析出開始面（光沢面）は、比較的平滑であり、電解析出終了面（粗面）は一般的に凹凸を有する。プリント配線板に用いられる銅張積層板は、この電解析離箔の粗面側に粒子状の銅電着物を形成（コブ付け処理）し、この処理面にガラスエポキシ、ポリイミドなどの樹脂基材を張り合わせて製造する。プリント配線板の配線パターンは、銅張積層板をエッチングして形成する。
　【０００３】
　しかし、近年のプリント配線板の超ファインパターン用途においては、形成される配線パターンに対し銅箔の粗面側の凹凸が相対的に大きくなるため、回路間及び層間の絶縁信頼性が損なわれるなどの問題点があった。
　【０００４】
　これを改善するために、最近では電解析離箔の粗面側の粗度を低くした超低粗度箔（ＶＬＰ箔）を用いたりしている。ＪＩＳ　Ｂ　０６０１によれば、１８ミクロン厚さの通常の電解析離箔では、粗面側の表面粗度は５〜８ミクロン程度であり、ＶＬＰ箔の場合は３〜５ミクロン程度である。なお、粗面側とは逆の光沢面側（平滑面側）は、ドラム面の転写となるため、析離箔の種類に係わらず、光沢面側の表面粗度は、１．５〜２．０ミクロン程度である。
　【０００５】
　ところが、ＶＬＰ箔でも表面粗度が比較的低いとはいえ凹凸が存在するため、コブ付け処理の際にコブが山の先端にのみ集中し、ファインパターンを形成した後にはこれらが残銅となって基材の中に埋まり込み、その除去のために余分なエッチングを行なわなくてはならないといった問題がある。さらには、オーバーエッチング気味になるため、所定のパターン幅よりも細くなってしまうという問題点も生じている。
　【０００６】
　また、電解析離箔の平滑面側にコブ付け処理を施し、この面を基材と張り合わせて製造した銅張積層板を用いて、ファインパターンを形成する方法も開示されている（特開平６−２７０３３１）。
　【０００７】
　しかし、この特開平６−２７０３３１に開示された方法では平滑面側にコブ付けする際に、平滑面に銅粒が均一に電着せず、コブ付け処理後の粗度はＲｚで２．０〜２．２程度と低いものの、比較的大きなコブが局所的に形成されるため、更なる超ファインパターン用途として用いるには困難である。
　【０００８】
　この他に、電解析離箔を、その粗面の形状が完全に消失しない程度に圧延加工した後にコブ付け処理を施す方法（特公昭６２−４２０２２）や、その粗面の形状が完全に消失しない程度に研削加工、切削加工、放電加工もしくは電解研磨加工等の処理をした後にコブ付け処理を施す方法（特開昭５９−１４５８００）などが開示されている。
　【０００９】
　しかし、上記従来技術におけるようなコブ付け方法では、いずれの場合も元の銅箔の凹凸の形状が部分的に残っているため、微細なコブ付けを均一に施すことは難しく、局所的に電着が生じることは避けられず、粗面側の表面が有する粗度をある程度以下にまで減少させることは困難であるため、配線パターン形成時のエッチング特性及び高周波特性に優れ、絶縁信頼性の高い超ファインパターン用途に好適な電解銅箔が得られるには至っていない。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、これら従来技術の問題点を解決し、基材との接着力を維持しながら配線パターン形成時のエッチング特性及び高周波特性並びに絶縁信頼性に優れた、超ファインパターン用途に好適な電解銅箔及びその製造方法を提供することにある。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは上記従来技術の問題点について鋭意研究を重ねた結果、電解銅箔の粗面側をバフで研磨して該粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成させてその表面粗度を１．５μｍ以下にし、該粗面側上に前記銅電着物を均一に形成（コブ付け処理）して表面粗度を１．５〜２．０μｍとした電解銅箔とすることにより上記従来技術の問題点を解決し、基材との接着力を維持しながら配線パターン形成時のエッチング特性及び高周波特性並びに絶縁信頼性に優れた、超ファインパターン用途に好適なプリント配線板用電解銅箔が得られる、本発明を完成するに至ったものである。
　【００１２】
　すなわち、本発明は
粗面側をバフで研磨して粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸が形成された電解銅箔であって
　【００１３】
　以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
　本発明に用いられる銅箔としては、粗面側の粗度の大きい通常銅箔、或いは粗度の低い低粗度銅箔（ＶＬＰ銅箔）等のいずれでも使用可能であるが、以下、ＶＬＰ銅箔を用いた場合について説明する。
　【００１４】
　本発明のプリント配線板用電解銅箔では、その粗面側（電解析出終了面側）の表面粗度が１．５μｍ以下にバフ研磨処理され、該粗面側上にコブ付け処理した後の表面粗度が１．５〜２．０μｍである。
　【００１５】
　電解銅箔の粗面側の表面粗度が１．５μｍ以上では、該粗面側上に粒子状の銅電着物を形成（コブ付け処理）する際に、銅電着物が凹凸の山の先端にのみ集中し易くなって好ましくない。
　【００１６】
　一方、該粗面側上に粒子状の銅電着物を形成した後の表面粗度が１．５μｍ以下では、プリント配線板の配線パターンを形成後のピール強度が十分ではなく、また、表面粗度が２．０μｍ以上では、部分的に大きな処理コブが成長してしまい、エッチング特性、高周波特性及び絶縁信頼性を損なうこととなる。
　【００１７】
　なお、本発明でいうコブ付けとは、電解銅箔の基材との接着面側にアンカー効果を生じさせるために、電解液中で該銅箔の粗面側に微細な粒子状の銅電着物を均一に形成することをいう。
　【００１８】
　次に、本発明のプリント配線板用電解銅箔の製造方法についてさらに詳しく説明する。
　本発明の電解銅箔の製造方法は、電解銅箔の粗面側をバフで研磨して
粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成して
　【００１９】
　本発明の電解銅箔の製造方法においては、まず電解析離箔をガイドロールに通しながら、粗面側にバフを押し当てて該粗面の元の形状を完全に消滅させると同時に新たに微細な凹凸を形成させ、表面粗度がＲｚで１．５ミクロン以下になるように研磨を施す。ここでバフの回転数は１００〜１０００ｒｐｍが好ましい。バフの回転数が１００ｒｐｍ以下では表面粗度が均一にならず、一方、１０００ｒｐｍ以上ではバフの回転が不安定になり、いずれの場合も表面粗度が１．５μｍ以下の電解銅箔を安定して得ることが難しい。
　【００２０】
　また、バフの押圧は、０．５〜３．０ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましく、さらに好ましくは１．０〜２．０ｋｇｆ／ｃｍ２である。バフの押圧が、０．５ｋｇｆ／ｃｍ２以下では圧力が弱すぎて所望の表面粗度まで下げることができず、一方、３．０ｋｇｆ／ｃｍ２以上では圧力が強すぎて銅箔の物理的強度に及ぼす影響が大きくなり、時として銅箔の破断が生じることもある。
　【００２１】
　さらにバフ研磨は、ラインスピード２〜４ｍ／分で行うのが好ましい。ラインスピードがこの範囲を外れると、研磨が不均一となり、表面粗度が１．５μｍ以下の電解銅箔を得ることが難しい。
　【００２２】
　このバフによる研磨に用いる研磨剤の種類は特に限定されないが、その粒径範囲は、５〜５０μｍが好ましい。例えば、研磨剤として酸化アルミニウムを付着させた１０００番のバフ等を用いて研磨すると良い。このバフ研磨により、研磨後の粗面側の表面粗度をＲｚで１．５μｍ以下にする。このバフ研磨により、電解で生じた銅箔の粗面側の凹凸を除去（元の形状を完全に消滅）し、新たに非常に微細な凹凸を密度高く生じさせて所定の表面粗度以下にする。
　【００２３】
　続いて、このように１．５μｍ以下に研磨された粗面側にコブ付け処理を施すが、通常、コブ付け処理では、凹凸の先端箇所から優先的にコブ状の銅粒が電着されていく。従って、非常に微細な凹凸処理が密度高く施された銅箔面上では、単位面積当たりに占める先端箇所が多いため銅粒は均一に電着し、銅粒は密度高く電着される。このコブ付け処理は、バフ研磨を施した粗面側に不溶性電極を相対して配置して銅電解液を電解して行う。このコブ付け処理は、ヤケメッキ、カブセメッキ及びヒゲメッキの一連のメッキ処理によって行われるが、この一連のメッキ処理は、以下の電解条件で行う。
　【００２４】
　（１）ヤケメッキ
　バフ研磨を施した電解銅箔の粗面側に不溶性電極を相対して配置して以下の電解条件で行う。
　　銅濃度：５〜３０ｇ／Ｌ
　　硫酸濃度：５０〜１５０ｇ／Ｌ
　　液温：２０〜３０℃
　　電流密度：２０〜４０Ａ／ｄｍ２
　　時間：５〜１５秒
　この電解条件により、ヤケメッキと呼ばれる電解銅箔の粗面側に粒子状の銅電着物層が形成される。
　【００２５】
　（２）カブセメッキ
　次に、このようにしてヤケメッキ処理された表面に、さらに以下の電解条件でカブセメッキを行う。
　　銅濃度：４０〜８０ｇ／Ｌ
　　硫酸濃度：５０〜１５０ｇ／Ｌ
　　液温：４５〜５５℃
　　電流密度：２０〜４０Ａ／ｄｍ２
　　時間：５〜１５秒
　この電解条件により、カブセメッキと呼ばれる前記粒子状の銅電着物層の上に銅の被覆が形成される。
　【００２６】
　（３）ヒゲメッキ
　さらに、このようにしてカブセメッキ処理された表面に、以下の電解条件でヒゲメッキを行う。
　　銅濃度：５〜３０ｇ／Ｌ
　　硫酸濃度：３０〜６０ｇ／Ｌ
　　液温：２０〜３０℃
　　電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ２
　　時間：５〜１５秒
　この電解条件により、ヒゲメッキと呼ばれる前記銅の被覆の上にヒゲ状の銅が形成される。
　【００２７】
　このコブ付け処理後の銅箔の粗面側の表面粗度は、Ｒｚで１．５〜２．０ミクロンである。表面粗度Ｒｚが１．５ミクロン以下では、基板に接着して回路を形成した場合に十分なピール強度が期待できず、また、表面粗度Ｒｚが２．０ミクロン以上では、部分的に大きな処理コブが成長してしまい、エッチング特性、高周波特性及び絶縁信頼性を損なうこととなる。
　【００２８】
　以上のように粗面側上にコブ付け処理した電解銅箔には、続いて防錆処理を行う。この防錆処理における条件は、当該分野で一般に用いられている処理方法が適用可能である。
　【００２９】
　この防錆処理としては、以下に示すように、コブ付け処理された銅箔表面に亜鉛処理を施した後、電解クロメート処理を施し、さらにシランカップリング剤処理を施す。
　まず、亜鉛処理では、亜鉛濃度５ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、液温２５℃の電解溶液を用いて、電流密度５Ａ／ｄｍ２で８秒間、亜鉛メッキを施す。
　【００３０】
　さらに亜鉛処理された表面には、無水クロム酸２ｇ／Ｌ、ｐＨ４の電解溶液を用いて、電流密度１Ａ／ｄｍ２で５秒間、電解クロメート処理を行う。
　最後に、このようにクロメート処理された表面には、例えば、シランカップリング剤としてγ−グシドキシプロピルトリメキシシランを用いて塗布する。
　【００３１】
　このように表面処理して得られた電解銅箔は、公知の方法によりガラスエポキシ、ポリイミドなどの樹脂基板の片面に、研磨面側で加熱圧着、加圧圧着などにより銅張積層板を得る。
　【００３２】
　次に、このようにして得られた銅張積層板に、公知の方法によりドライフィルムをラミネートし、所定のレジスト幅及び回路間隔のパターンフィルムを用いてＵＶ露光によってパターンを形成する。さらに、このように形成された回路パターンのエッチングは、市販の塩化銅エッチング液を用いて、公知の方法によりエッチングを行い、所望の配線パターンを有するプリント配線板を得る。
　【００３３】
　【発明の効果】
　本発明では、電解析離箔の粗面側をバフで研磨して該粗面の元の形状を完全に消滅させ、新たに微細な凹凸を形成させその表面粗度を１．５μｍ以下に制御した該粗面側上に微細で均一な粒子状の銅電着物からなる処理コブを密度高く施すことにより、基板との密着性を維持しながら、回路パターン間の絶縁信頼性にすぐれた超ファインパターン用途の電解銅箔が製造可能となった。また、本発明では、電解銅箔の両面の粗度が低いため、ファインパターンのプリント配線板を形成した際にも、層間の絶縁信頼性が高く、かつ高周波特性にも優れた超ファインパターン用途の電解銅箔が製造可能となった。
　【００３４】
　【実施例】
　以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
　光沢面粗度（Ｒｚ）１．６０μｍ、粗面粗度（Ｒｚ）２．５０μｍで１８μｍ厚の電解銅箔の粗面側に砥粒が酸化アルミニウムの１０００番のバフ（角田ブラシ社製）を用い、回転数２００ｒｐｍ、押圧１．０ｋｇｆ／ｃｍ２、ラインスピード３ｍ／分でバフ研磨を施した。研磨後の粗面側の表面粗度（Ｒｚ）は１．５０μｍであった。これらの研磨する前の電解銅箔（１８μｍ）の顕微鏡断面写真（１０００倍）を図１に、その粗面側を研磨した後の顕微鏡断面写真（１０００倍）を図２にそれぞれ示す。この顕微鏡断面写真から明らかなように、研磨後の粗面側は元の形状が完全に消滅し、新たに微細な凹凸が密度高く形成されていることが分かる。
　【００３５】
　次に、銅濃度１２ｇ／Ｌ、硫酸濃度１００ｇ／Ｌ、液温２５℃の電解溶液を用いて、３０Ａ／ｄｍ２の電流密度でバフ研磨を施した側に不溶性電極を配置して１０秒間、電解によりヤケメッキを施した後、銅濃度６０ｇ／Ｌ、硫酸濃度１００ｇ／Ｌ、液温５０℃の電解溶液を用いて、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で１０秒間カブセメッキを行った。
　【００３６】
　さらに、銅濃度１２ｇ／Ｌ、硫酸濃度４５ｇ／Ｌ、液温２５℃の電解溶液を用いて、電流密度１０Ａ／ｄｍ２で１０秒間ヒゲメッキを施して粒状銅層を形成した。コブ付け処理後の粗面側の表面粗度（Ｒｚ）は１．８９μｍであった。このようにコブ付け処理した電解銅箔の表面顕微鏡写真（５０００倍）を図３に示す。図３の顕微鏡写真から明らかなように、粗処理面側の微細な凹凸に沿って粒状銅のコブが電着しているのが分かる。
　【００３７】
　次に、コブ付け処理した電解銅箔の粗面側に、以下のようにして防錆処理を行った。
　まず、亜鉛濃度５ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、液温２５℃の電解溶液を用いて、電流密度５Ａ／ｄｍ２で８秒間亜鉛メッキを施した。さらに無水クロム酸２ｇ／Ｌ、ｐＨ４の電解溶液を用いて、電流密度１Ａ／ｄｍ２で５秒間電解クロメート処理を行い、流水で洗浄した後、温風にて乾燥した。
　このように処理して得られた電解銅箔をガラスエポキシ樹脂基板（ＦＲ−４）の片面に、研磨面側で加熱圧着し、銅張積層板を得た。
　【００３８】
　次に、このようにして得られた銅張積層板に、ドライフィルム（日合アルファ社製）をラミネートし、レジスト幅５０μｍ、回路間隔１００μｍのパターンフィルムを用いてＵＶ露光によってパターンを形成した。
　回路パターンのエッチングは、市販の塩化銅エッチング液を用いて、液温５０℃で３０秒間エッチングを行ない、所定の回路パターンを有するプリント配線板を得た。
　【００３９】
　また、このプリント配線板に関して以下の評価試験を実施した。
　【００４０】
　（１）ガラスエポキシ樹脂基板に埋没している銅粒の大きさ
　プリント配線板のピースを冷間埋め込み樹脂を用いて埋め込み、一昼夜放置して完全に硬化させた後に、回路の横方向への断面を形成できるようにして、倒立型顕微鏡で１５００倍の写真を撮影した（図４）。
　【００４１】
　次に図５に示すように直線を引き、等間隔に１５点の測定点での直線から銅粒までの距離を測定し、その平均値と標準偏差を算出した。この標準偏差は銅粒の大きさのバラツキを示す評価指針とするものであり、この標準偏差の値が小さい程バラツキが小さいことを示している。
　得られた平均値は、０．４８であり、標準偏差は、０．４３であった。
　【００４２】
　（２）エッチングファクター
　エッチングファクターは、上記（１）と同じ断面のピースを６００倍の光学顕微鏡写真を撮影し、その写真から以下のようにして求めた。即ち、図６に示すようにプリント配線板の配線パターンの上底をＷ１、下底をＷ２、銅箔の厚さをＴとしてエッチングファクターＥｆを下記式で求めた。
　【００４３】
　　Ｅｆ＝２Ｔ／（Ｗ２−Ｗ１）
　ここで回路の断面が四角形に近くなるほど、すなわちシャープになるほど、エッチングファクターが大きくなることが分かる。ここで得られたエッチングファクターは、６点の断面ピースの平均で３．６９であった。
　【００４４】
　（３）配線パターンの直線性
　実施例１で得られた電解銅箔の処理面側をガラスエポキシ基材にプレス接着して５０−１００μｍの回路を作製した。その回路を電子顕微鏡用の試料台に載せ、電解放射型電子顕微鏡（日立製作所製、Ｓ−４１００）で６００倍の顕微鏡写真を撮影した（図７）。本発明で得られた電解銅箔は両面の粗度が低いので、回路の直線性が良い。本発明では、このようなエッチング特性の違いが、回路の下部（ボトム）の凹凸に現れることに着目し、以下のような凹凸の程度でエッチング特性を評価した。
　【００４５】
　図８に示すように回路の下部（ボトム）の幅について、回路の長さ方向に平行線を引き、等間隔に１５点の測定点での幅を測定し、それぞれの平均値と標準偏差を算出した。この標準偏差は回路の下部の直線性の度合いを示す指針であり、数値が小さい程、幅のバラツキが小さいこと、すなわちエッチングされた跡がより直線に近い形状で残っていることになる。本発明で得られた回路幅の標準偏差は０．６７μｍであり、直線性は良好であった。従って、エッチング後の回路のボトム部での銅残が極めて少なく、回路間絶縁性が良好となる。
　【００４６】
　（４）引き剥し強さ
　次に、配線パターンの回路幅１０ｍｍでの引き剥し強さを測定した。得られた引き剥し強さは１．０２ｋｇｆ／ｃｍであった。
　【００４７】
　これらの得られた結果をまとめて表１に示す。
比較例１
　光沢面粗度（Ｒｚ）１．６０μｍ、粗面粗度（Ｒｚ）４．６０μｍを有する厚さ１８μｍの電解銅箔の粗面側に、研磨処理を施さずに、実施例１と同一条件下で粒状銅層を形成した。このようにして得られた粗面側の粗度は、５．７５μｍであった。このように粒状銅層を形成した電解銅箔の表面顕微鏡写真（５０００倍）を図９に示す。図９から明らかなように、粗面側に不規則な粒状銅のコブが電着しているのが分かる。
　【００４８】
　次に、このように粒状銅層を形成した電解銅箔の粗面側に、実施例１と同一条件下で防錆処理を行った。
　このように表面処理して得られた電解銅箔を、実施例１と同様にガラスエポキシ樹脂基板の片面に、研磨面側で加熱圧着し、銅張積層板を得た。
　【００４９】
　次に、このようにして得られた銅張積層板に、実施例１と同様にして、レジスト幅５０μｍ、回路間隔１００μｍのパターンフィルムを用いてＵＶ露光によってパターンを形成し、さらにエッチングを施し、プリント配線板を得た。
　【００５０】
　このプリント配線板に関して実施例１と同様にして評価試験を実施した。
　基板に埋没している銅粒の大きさは平均値で、２．０１であり、標準偏差は、１．６７であった。
　エッチングファクターは、６点の断面ピースの平均で１．８６であった。
　【００５１】
　実施例１と同様に、電解銅箔の処理面側をガラスエポキシ基材にプレス接着して５０−１００μｍの回路を作製し６００倍の顕微鏡写真を撮影した（図１０）。この顕微鏡写真から明らかなように、銅箔の粗面側の粗度が高いので、回路の直線性が悪いことが分かる。
　【００５２】
　次に実施例１と同様に、回路の下部（ボトム）の幅について、回路の長さ方向に平行線を引き、等間隔に１５点の測定点での幅を測定し、それぞれの平均値と標準偏差を算出した。
　また、回路幅１０ｍｍでの引き剥し強さは１．５１ｋｇｆ／ｃｍであった。
　このようにして得られた粗面粗度、エッチングファクター及び回路の直線性等の評価試験の結果をまとめて表１に示す。
　【００５３】
比較例２
　実施例１で用いた光沢面粗度（Ｒｚ）１．６０μｍ、粗面粗度（Ｒｚ）２．５０μｍを有する厚さ１８μｍの電解銅箔の光沢面側に、研磨処理を施さずに、実施例１と同一条件で粒状銅層を形成した。光沢面側の粗度は２．０９μｍであった。このように粒状銅層を形成した電解銅箔の表面顕微鏡写真（５０００倍）を図１１に示す。図１１から明らかなように、粗面側に不規則な粒状銅のコブが電着しているのが分かる。
　【００５４】
　次に、このように粒状銅層を形成した電解銅箔の粗面側に、実施例１と同一条件で防錆処理を行った。
　【００５５】
　このように処理して得られた光沢面側に粒状銅層が形成された電解銅箔を、実施例１と同様にして、レジスト幅５０μｍ、回路間隔１００μｍのパターンフィルムを用いてＵＶ露光によってパターンを形成し、さらにエッチングを施し、プリント配線板を得た。
　このプリント配線板に関して実施例１と同様にして評価試験を実施した。
　基板に埋没している銅粒の大きさは平均値で、０．９８であり、標準偏差は、０．７８１であった。
　エッチングファクターは、６点の断面ピースの平均で２．２２であった。
　【００５６】
　実施例１と同様に、電解銅箔の処理面側をガラスエポキシ基材にプレス接着して５０−１００μｍの回路を作製し６００倍の顕微鏡写真を撮影した（図１２）。この顕微鏡写真から明らかなように、超ファインパターン用途としては回路の直線性は十分なものではなかった。
　【００５７】
　次に実施例１と同様に、回路の下部（ボトム）の幅について、回路の長さ方向に平行線を引き、等間隔に１５点の測定点での幅を測定し、それぞれの平均値と標準偏差を算出した。
　また、回路幅１０ｍｍでの引き剥し強さは１．１３ｋｇｆ／ｃｍであった。
　このようにして得られた粗面粗度、エッチングファクター及び回路の直線性等の評価試験の結果をまとめて表１に示す。
　【００５８】
　【表１】
注）
　　ａ）表面粗さ計で３点測定した時の平均値を示す。
　　ｂ）銅箔粗面側の顕微鏡写真（×５０００）より無作意に銅粒の直径を１０点測定した時の平均値とその標準偏差を示す。
　　ｃ）ガラスエポキシ基材と銅箔の粗面側をプレス圧着し、基材に埋まったコブの深さの１５点測定した時の平均値とその標準偏差を示す。
　　ｄ）銅箔のコブ処理面側をガラスエポキシ基材にプレス接着し、５０−１００μｍの回路を作製し、回路幅を１５点測定した時平均値とその標準偏差を示す。
　　ｅ）比較例２は、すべて光沢面側の数値を示す。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　物理研磨する前の電解銅箔（１８μｍ）の断面顕微鏡断面写真。
　【図２】　電解銅箔（１８μｍ）の粗面側を砥粒が酸化アルミニウムの＃１０００のバフで物理研磨した時の顕微鏡断面写真。
　【図３】　実施例１で得られた粒状銅層を形成後の電解銅箔の表面顕微鏡写真。
　【図４】　配線パターン部分の横方向の断面の倒立型顕微鏡写真。
　【図５】　銅粒の平均値と標準偏差を算出するための模式図。
　【図６】　エッチングファクターＥｆを求めるための模式図。
　【図７】　実施例１で得られた電解銅箔の処理面側の電子顕微鏡写真。
　【図８】　回路の直線性の度合いを算出するための模式図。
　【図９】　比較例１で得られた粒状銅層を形成後の電解銅箔の表面顕微鏡写真。
　【図１０】　比較例１で得られた電解銅箔の処理面側の電子顕微鏡写真。
　【図１１】　比較例１で得られた粒状銅層を形成後の電解銅箔の表面顕微鏡写真。
　【図１２】　比較例２で得られた電解銅箔の処理面側の電子顕微鏡写真。