【事件の表示】
　特許第３３２９５９４号「フォトマスク用サファイヤ基板の製造方法」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３２９５９４号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３３２９５９４号の請求項１ないし８に係る発明についての出願は、平成６年９月２８日に特許出願され、平成１４年７月１９日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人京セラ株式会社から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年８月５日に意見書が提出されたものである。
　
２．本件発明
　本件請求項１ないし８に係る発明は、次のとおりのものである。
【請求項１】　
　サファイヤの原石（４１）を用意する工程（工程１０１）と、
前記サファイヤの原石（４１）を四角形の板（４３）に加工する工程（工程１０２）と、
前記サファイヤの四角形の板（４３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
前記外周を仕上げた前記サファイヤの四角形の板（４４）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
前記表面を磨いた前記サファイヤの四角形の板（４５）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有し、
前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するフォトマスク用サファイヤ基板の製造方法。
（以下、「本件発明１」という。）
【請求項２】　
　前記サファイヤの原石（４１）を用意する工程（工程２０１）と、
前記サファイヤの原石（４１）を直方体（４２）に加工する工程（工程２０２）と、
前記直方体に加工したサファイヤの原石（４２）を四角形の板（４３）に加工する工程（工程２０３）と、
前記サファイヤの四角形の板（４３）の外周面を仕上げる工程（工程２０４）と、
前記外周面を仕上げた前記サファイヤの四角形の板（４４）の表面を研削する工程（工程２０５）と、
前記表面を研削した前記サファイヤの四角形の板（４５）の表面を研磨する工程（工程２０６）と、
前記表面を研磨した前記サファイヤの四角形の板（４６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有し、
前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するフォトマスク用サファイヤ基板の製造方法。
（以下、「本件発明２」という。）
【請求項３】
　サファイヤの原石（４１）を用意する工程（工程１０１）と、
前記サファイヤの原石（４１）を四角形の板（４３）に加工する工程（工程１０２）と、
前記サファイヤの四角形の板（４３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
前記外周を仕上げた前記サファイヤの四角形の板（４４）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
前記表面を磨いた前記サファイヤの四角形の板（４５）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有し、
前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するフォトマスク用サファイヤ基板の製造方法。
（以下、「本件発明３」という。）
【請求項４】
　前記サファイヤの原石（４１）を用意する工程（工程２０１）と、
前記サファイヤの原石（４１）を直方体（４２）に加工する工程（工程２０２）と、
前記直方体に加工したサファイヤの原石（４２）を四角形の板（４３）に加工する工程（工程２０３）と、
前記サファイヤの四角形の板（４３）の外周面を仕上げる工程（工程２０４）と、
前記外周面を仕上げた前記サファイヤの四角形の板（４４）の表面を研削する工程（工程２０５）と、
前記表面を研削した前記サファイヤの四角形の板（４５）の表面を研磨する工程（工程２０６）と、
前記表面を研磨した前記サファイヤの四角形の板（４６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有し、
前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するフォトマスク用サファイヤ基板の製造方法。
（以下、「本件発明４」という。）
【請求項５】
サファイヤの原石（４１）を用意する工程（工程１０１）と、
前記サファイヤの原石（４１）を四角形の板（４３）に加工する工程（工程１０２）と、
前記サファイヤの四角形の板（４３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
前記外周を仕上げた前記サファイヤの四角形の板（４４）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
前記表面を磨いた前記サファイヤの四角形の板（４５）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有し、
前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するレチクル用サファイヤ基板の製造方法。
（以下、「本件発明５」という。）
【請求項６】
　サファイヤの原石（４１）を用意する工程（工程２０１）と、
前記サファイヤの原石（４１）を直方体（４２）に加工する工程（工程２０２）と、
前記直方体に加工した前記サファイヤの原石（４２）を四角形の板（４３）に加工する工程（工程２０３）と、
前記サファイヤの四角形の板（４３）の外周面を仕上げる工程（工程２０４）と、
前記外周面を仕上げた前記サファイヤの四角形の板（４４）の表面を研削する工程（工程２０５）と、
前記表面を研削した前記サファイヤの四角形の板（４５）の表面を研磨する工程（工程２０６）と、
前記表面を研磨した前記サファイヤの四角形の板（４６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有し、
前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するレチクル用サファイヤ基板の製造方法。
（以下、「本件発明６」という。）
【請求項７】
　サファイヤの原石（４１）を用意する工程（工程１０１）と、
前記サファイヤの原石（４１）を四角形の板（４３）に加工する工程（工程１０２）と、
前記サファイヤの四角形の板（４３）の外周を仕上げる工程（工程１０３）と、
前記外周を仕上げた前記サファイヤの四角形の板（４４）の２つの表面を磨く工程（工程１０４）と、
前記表面を磨いた前記サファイヤの四角形の板（４５）を洗浄する工程（工程１０５）と、を有し、
前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するレチクル用サファイヤ基板の製造方法。
（以下、「本件発明７」という。）
【請求項８】
　サファイヤの原石（４１）を用意する工程（工程２０１）と、
前記サファイヤの原石（４１）を直方体（４２）に加工する工程（工程２０２）と、
前記直方体に加工した前記サファイヤの原石（４２）を四角形の板（４３）に加工する工程（工程２０３）と、
前記サファイヤの四角形の板（４３）の外周面を仕上げる工程（工程２０４）と、
前記外周面を仕上げた前記サファイヤの四角形の板（４４）の表面を研削する工程（工程２０５）と、
前記表面を研削した前記サファイヤの四角形の板（４５）の表面を研磨する工程（工程２０６）と、
前記表面を研磨した前記サファイヤの四角形の板（４６）を洗浄する工程（工程２０７）と、を有し、
前記表面を磨く工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するレチクル用サファイヤ基板の製造方法。
（以下、「本件発明８」という。）
　
３．異議申立人提出の証拠に記載された発明／取消理由で引用された刊行物に記載された発明
　
　刊行物１（甲第１号証）；エレクトロニク・セラミクス　’７９夏号
　刊行物１はサファイア基板の応用に関するものであって、同号証第１５頁左欄第１行から１２行には、単結晶サファイアが機械的強度や耐摩耗性、耐薬品性にすぐれる点が記載されている。
　また、同号証第１５頁右欄第１行から第１１行には、引き上げ法の一種であるＥＦＧ法によって、アルミナから単結晶サファイアを引き上げてサファイアを用意する工程が記載されている。
　さらに同号証第１６頁の右欄第１行から第４行、及び図９には、単結晶サファイアを角形の基板に加工する工程、表面を荒仕上げ、メカニカルポリッシュや、ケミカルポリッシュによって両面鏡面基板などに研磨する工程を経て、サファイア基板を加工する方法が示されている。
　
　刊行物２（甲第２号証）；特開昭５５−２０２６２号公報
　刊行物２には、サファイア単結晶基板の製造方法に関して、第１頁右欄１２行〜第２頁左欄７行に、サファイア単結晶塊体を切片に切断する工程、この切片の両面をダイヤモンドまたは炭化けい素微粉末などを用いて研削またはラッピング加工する工程、その後加工歪み層を除去した後に、ダイヤモンドまたはコロイダルシリカなどによって鏡面研磨する工程が示されている。
　
　刊行物３（甲第３号証）；日本物理学会誌　第２４巻第４号（１９６９）２３７．
　刊行物３には結晶を研磨するための技術条件が記載されており、第２１４３頁の第６表には、サファイアに対するラッピング条件として、２５μｍ、１５μｍのダイヤモンド砥粒を用いることが示され、ポリッシングも条件として、８μｍ、３μｍ、１μｍのダイヤモンド砥粒を用いることが示されている。
　
　刊行物４（甲第４号証）；特開昭５４−５２５７２号公報
　刊行物４は、半導体製造用のフォトマスク用基板に関するものであり、同号証第２頁左上欄第４行から第１８行には、フォトマスク用基板とするため、大型で角形のサファイア単結晶を製造し、切断後表面研磨する工程、同号証第２頁左下欄第４行〜第８行には、フオトマスク用基板として、２００×２００ｍｍのものを得る構成が記載されている。
　
４．対比・判断
４．１　本件発明１と引用刊行物との対比・判断
　本件発明１は、「鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用する」構成（以下、「本件発明１の特徴的構成」という。）を有するのに対し、刊行物２には、サファイア単結晶基板の製造方法において、コロイダルシリカによって鏡面研磨する工程が示されているものの、コロイダルシリカはシリコン乳剤とはその組成が異なるものであって、研磨剤としてコロイダルシリカが公知であるとしても、シリコン乳剤は鏡面仕上げの研磨剤として公知でないから、シリコン乳剤を鏡面仕上げ研磨剤として用いることは当業者が容易に想到できたとはいえない。
　また、刊行物１、３及び４においても、何ら、本件発明１の特徴的構成の記載または当該構成を示唆する記載を有しない。
　さらに、本件発明１は、本件発明１の特徴的構成を有することにより、平成１５年８月５日付け異議意見書第８頁第１２行ないし第１７行記載の効果を有する。
　そうすると本件発明１は、刊行物１ないし４に基づいて当業者が容易に発明できたすることはできない。
　
４．２　本件発明２ないし８と引用刊行物との対比・判断
　本件発明２ないし８は、本件発明１と同様に「鏡面仕上げ研磨ではシリコン乳剤を使用する」構成を有するから、本件発明１と同様に、刊行物１ないし４に基づいて当業者が容易に発明できたとすることはできない。　
　
５．特許法第３６条違反について
　特許法第３６条違反については、平成１５年８月５日付け異議意見書第８頁第７行ないし第１１行記載のとおりであるから、本件発明１ないし８に係る特許を取り消すべき理由として採用することができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし８に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１ないし８に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月２日（２００５．２．２）