【事件の表示】
　特願２０１０−５４７４３８「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　７月２９日国際公開，ＷＯ２０１０／０８４７４６，請求項の数（６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
１ 手続の経緯
　本願は，平成２２年１月２０日（国内優先権主張　平成２１年１月２３日）を国際出願日とする出願であって，平成２５年７月３１日に手続補正がなされ，同年９月１７日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年１１月２０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１，２，３〜６に係る発明は，平成２５年７月３１日に手続補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１，２，３〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１及び２に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」，「本願発明２」という。）は，請求項１及び２に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　基体の表面に施された銀若しくは酸化銀と，半導体素子の表面に施された銀若しくは酸化銀と，が接合された半導体装置の製造方法であって，
　酸化銀が基体の表面および半導体素子の表面の少なくとも一方に施され，
　基体の表面に施された銀若しくは酸化銀の上に，半導体素子の表面に施された銀若しくは酸化銀が接触するように配置する工程と，
　半導体素子及び基体に２００℃〜９００℃の温度を加え，半導体素子と基体とを接合する工程と，を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（本願発明１）
　
「【請求項２】
　基体の表面に施された銀と，半導体素子の表面に施された銀と，が接合された半導体装置の製造方法であって，
　基体の表面に施された銀の上に，半導体素子の表面に施された銀が接触するように配置する工程と，
　半導体素子及び基体に２００℃〜９００℃の温度を加え，半導体素子と基体とを接合する工程と，を有し，
　接合する工程は，大気中若しくは酸素雰囲気中であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（本願発明２）
　
３　引用例の記載及び引用発明
（１）　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００６−１００５００号公報（以下「引用例」という。）には，「半導体発光素子及びその製造方法」(発明の名称）に関して，図１〜１４とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
　ア　「【０００１】
  本発明は，表示器又はランプ等に使用するための
半導体発光素子及びその製造方法に関する。
　
　イ　「【００２４】
  光反射層２は，導電率が半導体領域３よりも大きい導電材料からなり，光反射性とオーミック性との両方を満足させることができる金属又は合金から成ることが望ましい。この条件を満足する材料は例えばＡｇ（銀），又はＡｇ合金である。
  前記Ａｇ合金は，
    Ａｇ      ９０〜９９．５重量％
    添加元素  ０．５〜１０重量％
から成るＡｇを主成分とする合金であることが望ましい。
  前記添加元素は，合金元素とも呼ばれるものであって，好ましくは，Ｃｕ（銅），Ａｕ（金），Ｐｄ（パラジウム），Ｎｄ（ネオジウム），Ｓｉ（シリコン），Ｉｒ（イリジウム），Ｎｉ（ニッケル），Ｗ（タングステン），Ｚｎ（亜鉛），Ｇａ（ガリウム），Ｔｉ（チタン），Ｍｇ（マグネシウム），Ｙ（イットリウム），Ｉｎ（インジウム），及びＳｎ（スズ）から選択された１つ又は複数から成ることが望ましい。
【００２５】
  前記
添加元素は，Ａｇ又はＡｇ合金から成る光反射層２の酸化を抑制する機能，
の内の少なくとも１つを有する。光反射層２の酸化を抑制するためには特にＣｕ，Ａｕが有利である。
Ａｇ又はＡｇ合金から成る光反射層２に酸化又は硫化が生じていると，光反射層２を介した支持基板１と半導体領域３の良好な貼付けを達成できなくなる。
【００２６】
  光反射層２をＡｇ合金で構成する場合において，Ａｇに対する添加元素の割合を増大させるに従ってＡｇ又はＡｇ合金の酸化又は硫化の抑制効果が増大する反面，光反射率が低下する。前記特許文献１のＡｌ反射層よりも高い反射率及びオーミック性を得るために，Ａｇに対する添加元素の割合を０．５〜１０重量％にすることが望ましい。添加元素の割合が０．５重量％よりも少なくなると，所望の酸化又は硫化の抑制効果を得ることが困難になり，１０重量％よりも大きくなると所望の反射率を得ることが困難になる。添加元素のより好ましい割合は１．５〜５重量％である。
【００２７】
  光反射層２は，ここでの光の透過を阻止するために５０ｎｍ以上の厚さを有することが望ましい。また，支持基板１に対する半導体領域３の貼付け機能を良好に得るために光反射層２の厚みを８０ｎｍ以上にすることが望ましい。しかし，光反射層２の厚さが１５００ｎｍを越えると光反射層２を構成するＡｇ層又はＡｇ合金層にクラックが発生する。従って，光反射層２の好ましい厚みは５０〜１５００ｎｍ，より好ましい厚みは８０〜１０００ｎｍである。」
　
　ウ　「【００４２】
  図１の半導体発光素子を製造する時には，まず，図２に示す成長用基板３０を用意する。成長用基板３０は，この上に半導体領域３を気相成長させることができるものであればどのようなものでもよく，例えば，ＧａＡｓ等の３−５族半導体，又はシリコン，又はサファイア等から選択される。この実施例では，低コスト化のために成長用基板３０がシリコンで形成されている。
【００４３】
  次に，成長用基板３０の上に図１に示したｐ型補助半導体層１４とｐ型半導体層１３と活性層１２とｎ型半導体層１１とを順次に周知の気相成長法で形成して発光機能を有する半導体領域３を得る。この気相成長時にｐ型半導体層１４はｐ型半導体層１３，活性層１２，ｎ型半導体層１１のバッファ層として機能する。
【００４４】
  次に，
図３に示すように半導体領域３の一方の主面１７上にＡｇ又はＡｇ合金から成る第１の貼合せ層２ａを周知のスパッタリング方法で形成する。勿論，第１の貼合せ層２ａをスパッタリング方法以外の別の蒸着方法等で形成することもできる。
【００４５】
  次に，
図４に示すように図１と同一構成の導電性を有するシリコンから成る支持基板１を用意し，この一方の主面１５上にＡｇ又はＡｇ合金から成る第２の貼合せ層２ｂを周知のスパッタリング方法で形成する。
【００４６】
  次に，
図５に示すように支持基板１上の第２の貼合せ層２ｂに対して図３に示した半導体領域３の一方の主面１７上の第１の貼合せ層２ａを重ね合せ，且つ互いに加圧接触させて例えば２１０〜４００℃の熱処理を施してＡｇ又はＡｇ合金材料を相互に拡散させて第１及び第２の貼合せ層２ａ，２ｂを一体化して光反射層２を得る。この種の接合は一般に拡散接合又は熱圧着と呼ばれている。第１及び第２の貼合せ層２ａ，２ｂがＡｇの場合には表面をエッチングして酸化又は硫化膜を除去した後に貼合せるのが望ましい。
【００４７】
次に，成長用基板３０を切削又はエッチングで除去して図６に示す半導体基体を得る。なお，図３の
貼付け工程前の状態で成長用基板３０を除去し，半導体領域３のみを第１及び第２の貼合せ層２ａ，２ｂを介して支持基板１に貼付けることもできる
　
（２）引用発明の認定　
　以上を総合すると，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体発光素子の製造方法であって，
　半導体領域３の一方の主面１７上にＡｇ又はＡｇ合金から成る第１の貼合せ層２ａを形成し，
　シリコンから成る支持基板１の一方の主面１５上にＡｇ又はＡｇ合金から成る第２の貼合せ層２ｂを形成し，
　支持基板１上の第２の貼合せ層２ｂに対して，半導体領域３の一方の主面１７上の第１の貼合せ層２ａを重ね合せ，且つ互いに加圧接触させて，
　２１０〜４００℃の熱処理を施してＡｇ又はＡｇ合金材料を相互に拡散させて拡散接合する工程を有する，
半導体発光素子の製造方法。」
　
４　対比・判断
（１）　本願発明１について
　ア　対比
　以下に，本願発明１と引用発明とを対比する。
（ア）　引用発明の「半導体発光素子」は，「半導体装置」のうちの１つであるから，引用発明の「半導体発光素子の製造方法」は，本願発明１の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　
（イ）　引用発明の「Ａｇ合金」と，本願発明１の「酸化銀」とは，「銀を含有する金属化合物」という点で一致する。
　
（ウ）　引用発明の「支持基板１」は，本願発明１の「基体」に相当し，引用発明の「半導体領域３」は，本願発明１の「半導体素子」に相当する。
　
（エ）　上記（イ），（ウ）から「半導体領域３の一方の主面１７上にＡｇ又はＡｇ合金から成る第１の貼合せ層２ａを形成」することを構成要件として含む引用発明と，本願発明１とは，「半導体素子の表面に」銀若しくは銀を含有する金属化合物を施す点で一致し，また，「シリコンから成る支持基板１の一方の主面１５上にＡｇ又はＡｇ合金から成る第２の貼合せ層２ｂを形成」することを構成要件としている引用発明と，本願発明１とは，「基体の表面に」銀若しくは銀を含有する金属化合物を施す点で一致する。
　
（オ）　「支持基板１上の第２の貼合せ層２ｂに対して，半導体領域３の一方の主面１７上の第１の貼合せ層２ａを重ね合せ」る工程を含む引用発明と，本願発明１とは，「基体の表面に施された」銀若しくは銀を含有する金属化合物「の上に，半導体素子の表面に施された」銀若しくは銀を含有する金属化合物「が接触するように配置する工程」を有する点で一致する。
　
（カ）　熱による接合を行う時の温度範囲として，引用発明は，「２１０〜４００℃」の範囲であり，本願発明１の「２００℃〜９００℃」の範囲に含まれている。したがって，「２１０〜４００℃の熱処理を施してＡｇ又はＡｇ合金材料を相互に拡散させて拡散接合する工程」を含む引用発明と，本願発明１とは，「半導体素子及び基体に」「２００℃〜９００℃」「の温度を加え，半導体素子と基体とを接合する工程」を有する点で一致する。
  
　以上から，本願発明１と引用発明とは，
　
＜一致点＞
　「基体の表面に施された銀若しくは銀を含有する金属化合物と，半導体素子の表面に施された銀若しくは銀を含有する金属化合物と，が接合された半導体装置の製造方法であって，
　基体の表面に施された銀若しくは銀を含有する金属化合物の上に，半導体素子の表面に施された銀若しくは銀を含有する金属化合物が接触するように配置する工程と，
　半導体素子及び基体に２００℃〜９００℃の温度を加え，半導体素子と基体とを接合する工程と，を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　で一致し，以下の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願発明１及び引用発明はともに，基体及び半導体素子表面に銀若しくは銀を含有する金属化合物を施されたものではあるが，上記銀を含有する金属化合物が，本願発明１は「酸化銀」であるのに対して，引用発明は「Ａｇ合金」である点。
　
＜相違点２＞
　本願発明１は，基体の表面および半導体素子の表面の少なくとも一方に「酸化銀」が施されているのに対して，引用発明はこの点が特定されていない点。
　
　イ　判断
（ア）　相違点１について
　引用例の段落２４を参照すると，引用発明におけるＡｇ合金としては，添加元素として，「Ｃｕ（銅），Ａｕ（金），Ｐｄ（パラジウム），Ｎｄ（ネオジウム），Ｓｉ（シリコン），Ｉｒ（イリジウム），Ｎｉ（ニッケル），Ｗ（タングステン），Ｚｎ（亜鉛），Ｇａ（ガリウム），Ｔｉ（チタン），Ｍｇ（マグネシウム），Ｙ（イットリウム），Ｉｎ（インジウム），及びＳｎ（スズ）から選択された１つ又は複数」と記載されているのみであり，引用例には，添加元素として酸素を含んでも良いことは記載も示唆もされていない。
　また，熱による拡散接合するときの接合面に形成する金属材料として，酸化銀を用いることが半導体装置の接合の技術分野において周知技術であることを記載若しくは示唆した文献を発見することができない。
　以上から，相違点１に係る金属化合物として酸化銀を用いる点は，当業者が容易になし得たこととはいえない。
　
（イ）　まとめ
　以上検討したとおり，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 
　　
（２）　本願発明２について
　ア　対比
　以下に，本願発明２と引用発明とを対比する。
（ア）　引用発明の「半導体発光素子」は，「半導体装置」のうちの１つであるから，引用発明の「半導体発光素子の製造方法」は，本願発明２の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　
（イ）　引用発明の「Ａｇ又はＡｇ合金」と，本願発明２の「銀」とは，「銀」で一致し，引用発明の「支持基板１」は，本願発明２の「基体」に相当し，引用発明の「半導体領域３」は，本願発明２の「半導体素子」に相当する。したがって，引用発明の「半導体領域３の一方の主面１７上に」形成された「Ａｇ」「から成る第１の貼合せ層２ａ」は，本願発明２の「半導体素子の表面に施された銀」に，また引用発明の「シリコンから成る支持基板１の一方の主面１５上に」形成された「Ａｇ」「から成る第２の貼合せ層２ｂ」は，本願発明２の「基体の表面に施された銀」に相当する。
　
（ウ）　引用発明の「支持基板１上の第２の貼合せ層２ｂに対して，半導体領域３の一方の主面１７上の第１の貼合せ層２ａを重ね合せ」る工程は，本願発明２の「基体の表面に施された銀の上に，半導体素子の表面に施された銀が接触するように配置する工程」に相当する。
　
（エ）　熱による接合を行う時の温度範囲として，引用発明は，「２１０〜４００℃」の範囲であり，本願発明２の「２００℃〜９００℃」の範囲に含まれている。
　したがって，「２１０〜４００℃の熱処理を施してＡｇ又はＡｇ合金材料を相互に拡散させて拡散接合する工程」を含む引用発明と，本願発明２とは，「半導体素子及び基体に」「２００℃〜９００℃」「の温度を加え，半導体素子と基体とを接合する工程」を有する点で一致する。
　
　以上から，本願発明２と引用発明とは，
＜一致点＞
　「基体の表面に施された銀と，半導体素子の表面に施された銀と，が接合された半導体装置の製造方法であって，
　基体の表面に施された銀の上に，半導体素子の表面に施された銀が接触するように配置する工程と，
　半導体素子及び基体に２００℃〜９００℃の温度を加え，半導体素子と基体とを接合する工程と，を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　で一致し，以下の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願発明２は，半導体素子と基体とを接合する工程が「大気中若しくは酸素雰囲気中」で行われるのに対して，引用発明は，接合する工程の雰囲気について特定がなされていない点。
　
　イ　判断
（ア）　相違点１について　
　ａ　引用例の段落【００４６】には「第１及び第２の貼合せ層２ａ，２ｂがＡｇの場合には表面をエッチングして酸化又は硫化膜を除去した後に貼合せるのが望ましい。」と記載されており，銀の表面が酸化されている状況が貼合わせのためには好ましくないことが分かり，エッチング除去した後も酸化しない雰囲気で行うことは当業者にとって自明の事項である。そして，酸化膜をエッチング除去した後，あえて酸化しやすい大気中若しくは酸素雰囲気中で貼り合わせることの示唆もなく，またそうすることの動機も無い。
　
　ｂ　また，引用例の段落【００２５】の「添加元素は，Ａｇ又はＡｇ合金から成る光反射層２の酸化を抑制する機能」を有すること，「Ａｇ又はＡｇ合金から成る光反射層２に酸化又は硫化が生じていると，光反射層２を介した支持基板１と半導体領域３の良好な貼付けを達成できなくなる」という記載からは，酸化を避ける意味で，酸化しない雰囲気で貼付けを行うが，それでも完全には酸化を避けられないから，酸化を抑制する添加元素を加えるものと解するのが妥当であり，Ａｇ合金は，酸化を抑制する機能を有する添加元素を含んでいるのであるから，あえて，酸素を含む大気中若しくは酸素雰囲気中で貼付けを行ってもよいのであると解することはできない。
　
　ｃ　以上から，引用例には，大気中若しくは酸素雰囲気中で貼合わせを行うことの記載，示唆はない。
　
　ｄ　そして，銀の拡散接合の時に，大気中若しくは酸素雰囲気中で行うことが，半導体装置の接合の技術分野における周知技術であることを記載若しくは示唆した文献を発見することはできない。
　
　ｅ　以上から，相違点１の半導体素子と基体とを接合する工程を大気中若しくは酸素雰囲気中で行う点は，当業者が容易になし得たことととはいえない。
　
（イ）　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明２は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 　　
　
（３）　請求項３〜６に係る発明について
　請求項３〜６は，請求項１又は２のいずれかを引用してこれを更に限定しているから，本願発明１及び本願発明２が当業者が容易に発明することができたものでない以上，請求項３〜６に係る発明も当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　
５　まとめ
　以上から，本願については，原査定の理由を検討してもその理由によって拒絶べきものとすることができない。
　また，他に本願を，拒絶すべき理由を発見しない。