Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
菓子製品、マーガリンまたはスプレッドから選択される食品の調製に使用するのに適した、液体油中に分散された1質量%から15質量%の脂肪粒子を含む流動可能な食用油組成物を提供する方法であって、1質量%から15質量%の微粉化脂肪粒子を液体油と5℃から40℃の温度で混合するステップと、生成した組成物を6℃から35℃の温度で最長6週間保存するステップとを含み、前記混合および前記保存の条件により、保存後に流動可能な形態で前記組成物が得られ、少なくとも95%の前記脂肪粒子が、1μm未満の少なくとも1つの寸法を有する、方法。
【請求項２】
保存後の前記組成物が0.2cm/gから0.6cm/gの流動性を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
保存後の前記組成物が、スピンドルS-64を速度1.5rpmで使用して10秒後にBrookfield粘度計を用いて測定した場合、30000cP未満の粘度を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記脂肪粒子および前記液体油を、低剪断下で混合する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記液体油がヒマワリ油を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記脂肪粒子が、液化状態または超臨界状態のガスを含有する液体脂肪の混合物を噴霧するステップを含む方法によって生成される、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記脂肪粒子が、ココアバター代用脂(CBE)、ココアバターまたはパーム油ステアリンを含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記脂肪粒子の構造化特性が、食品の製造時に発揮できる、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
脂肪粒子は、好ましくは、1μm未満の少なくとも1つの寸法を有する。例えば、脂肪粒子は、厚さが1μm未満、例えば0.01μmから0.5μmの厚さの小板の形態、または肉厚が1μm未満、例えば0.01μmから0.5μmの肉厚の泡の形態の場合がある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
好ましくは、少なくとも95%の脂肪粒子が、1μm未満の少なくとも1つの寸法を有する。例えば、少なくとも95%の脂肪粒子は、厚さが1μm未満、例えば0.01μmから0.5μmの厚さの小板の形態、または肉厚が1μm未満、例えば0.01μmから0.5μmの肉厚の泡の形態であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月7日(2015.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導心筋細胞をインビトロで発生させる方法であって、Ｇａｔａ４、Ｍｅｆ２ｃ、Ｔｂｘ５、Ｍｅｓｐ１、Ｎｋｘ２−５、Ｉｓｌ−１、Ｍｙｏｃｄ、Ｓｍｙｄ１、及びＳｒｆポリペプチドから選択される１つ以上のリプログラミング因子を生後線維芽細胞内に導入することを含み、ここで該導入により心筋細胞内への生後線維芽細胞の直接リプログラミングが起こり、これにより誘導心筋細胞を発生させる、方法。
【請求項２】
リプログラミング因子がＧａｔａ４、Ｍｅｆ２ｃ、及びＴｂｘ５を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
生後線維芽細胞がヒト細胞、げっ歯類細胞、又は非ヒト霊長類細胞である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
該導入がリプログラミング因子ポリペプチドをコードするヌクレオチド配列を含む１つ以上の核酸で生後線維芽細胞を遺伝子的に修飾することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
該核酸が組み換えベクターである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
ヌクレオチド配列が転写調節エレメントに作動可能に連結している、請求項４記載の方法。
【請求項７】
転写調節エレメントが生後線維芽細胞中で機能する構成的プロモーターである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
該導入が生後線維芽細胞中に外因性のリプログラミング因子ポリペプチドを導入することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
該外因性リプログラミング因子ポリペプチドが異種性蛋白質形質導入ドメインを含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
誘導心筋細胞を単離することを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
遺伝子的に修飾された生後線維芽細胞であって、Ｇａｔａ４、Ｍｅｆ２ｃ、Ｔｂｘ５、Ｍｅｓｐ１、Ｎｋｘ２−５、Ｉｓｌ−１、Ｍｙｏｃｄ、Ｓｍｙｄ１、及びＳｒｆポリペプチドから選択される１つ以上のリプログラミング因子をコードするヌクレオチド配列を含む１つ以上の外因性核酸で遺伝子的に修飾されている、生後線維芽細胞。
【請求項１２】
リプログラミング因子がＧａｔａ４、Ｍｅｆ２ｃ、及びＴｂｘ５である、請求項１１記載の遺伝子的に修飾された生後線維芽細胞。
【請求項１３】
遺伝子的に修飾された生後線維芽細胞がヒト細胞、げっ歯類細胞、又は非ヒト霊長類細胞である、請求項１１記載の遺伝子的に修飾された生後線維芽細胞。
【請求項１４】
１つ以上の外因性核酸が線維芽細胞のゲノム内に組み込まれる、請求項１１記載の遺伝子的に修飾された生後線維芽細胞。
【請求項１５】
請求項１１記載の遺伝子的に修飾された生後線維芽細胞を含む組成物。
【請求項１６】
組成物が液体培地、凍結保存剤、又はマトリックス成分を含む、請求項１５記載の組成物。
【請求項１７】
マトリックスがコラーゲン、ゼラチン、フィブリン、フィブリノーゲン、ラミニン、グリコサミノグリカン、エラスチン、ヒアルロン酸、プロテオグリカン、グリカン、ポリ（乳酸）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（ビニルピロリドン）、ポリ（エチレンオキシド）、セルロース；セルロース誘導体、澱粉、澱粉誘導体、ポリ（カプロラクトン）、及びポリ（ヒドロキシ酪酸）の１つ以上を含む、請求項１６記載の組成物。
【請求項１８】
請求項１１記載の遺伝子的に修飾された生後線維芽細胞から派生させた誘導心筋細胞。
【請求項１９】
請求項１の方法を用いて発生させた誘導心筋細胞。
【請求項２０】
請求項１８又は請求項１９の誘導心筋細胞を含む組成物。
【請求項２１】
組成物が液体培地、凍結保存剤、又はマトリックス成分を含む、請求項２０記載の組成物。
【請求項２２】
マトリックスがコラーゲン、ゼラチン、フィブリン、フィブリノーゲン、ラミニン、グリコサミノグリカン、エラスチン、ヒアルロン酸、プロテオグリカン、グリカン、ポリ（乳酸）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（ビニルピロリドン）、ポリ（エチレンオキシド）、セルロース；セルロース誘導体、澱粉、澱粉誘導体、ポリ（カプロラクトン）、及びポリ（ヒドロキシ酪酸）の１つ以上を含む、請求項２１記載の組成物。
【請求項２３】
ａ）
ｉ）Ｇａｔａ４、Ｍｅｆ２ｃ、Ｔｂｘ５、Ｍｅｓｐ１、Ｎｋｘ２−５、Ｉｓｌ−１、Ｍｙｏｃｄ、Ｓｍｙｄ１、及びＳｒｆポリペプチドから選択される２つ以上のリプログラミング因子；又は、
ｉｉ）Ｇａｔａ４、Ｍｅｆ２ｃ、Ｔｂｘ５、Ｍｅｓｐ１、Ｎｋｘ２−５、Ｉｓｌ−１、Ｍｙｏｃｄ、Ｓｍｙｄ１、及びＳｒｆポリペプチドから選択される２つ以上のリプログラミング因子をコードするヌクレオチド配列を含む１つ以上の核酸；と
ｂ）緩衝剤；
を含むリプログラミング組成物。
【請求項２４】
２つ以上のリプログラミング因子がＧａｔａ４、Ｍｅｆ２ｃ、及びＴｂｘ５である、請求項２３記載のリプログラミング組成物。
【請求項２５】
製薬上許容しうる賦形剤を更に含む、請求項２３記載のリプログラミング組成物。
【請求項２６】
治療剤を更に含む、請求項２３記載のリプログラミング組成物。
【請求項２７】
請求項２３記載のリプログラミング組成物を含む移植可能な装置。
【請求項２８】
装置がステントである請求項２７記載の移植可能な装置。
【請求項２９】
リプログラミング組成物が放出が制御された組成物である、請求項２７記載の移植可能な装置。
【請求項３０】
ドナー個体の生後線維芽細胞から誘導心筋細胞をインビトロで発生させることを含み、ここで該ドナー個体はレシピエント個体と免疫適合性である、細胞移植を要するレシピエント個体において細胞移植を実施するための方法。
【請求項３１】
レシピエントとドナーが同じ個体である、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
レシピエントとドナーが異なる個体である、請求項３０記載の方法。
【請求項３３】
誘導心筋細胞が請求項１記載の方法を用いて発生される、請求項３０記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
次のグループ：
ａ）α−ケトグルタル酸デヒドロゲナーゼ（ＥＣ１．２．４．２）のＥ１サブユニットをコードするｏｄｈＡ遺伝子、
ｂ）ジヒドロリポアミドスクシニルトランスフェラーゼ（ＥＣ２．３．１．６１）をコードするｓｕｃＡ遺伝子、
ｃ）ジヒドロジピコリネート−シンターゼ（ＤａｐＡ、ＥＣ４．２．１．５２）をコードするｄａｐＡ遺伝子、
ｄ）ジヒドロジピコリネート−シンターゼ（ＤａｐＢ、ＥＣ１．３．１．２６）をコードするｄａｐＢ遺伝子、
ｅ）メソ−ジアミノピメレートデヒドロゲナーゼ（Ｄｄｈ，ＥＣ１．４．１．１６）をコードするｄｄｈ遺伝子、
ｆ）ジアミノピメレート−デカルボキシラーゼ（ＬｙｓＡ，ＥＣ４．１．１．２０）をコードするｌｙｓＡ遺伝子、
ｇ）Ｌ−アルギニンの生合成のリプレッサー（ＡｒｇＲ）をコードするａｒｇＲ遺伝子、
ｈ）オルニチンカルバモイルトランスフェラーゼ（ＡｒｇＦ，ＥＣ２．１．３．３）をコードするａｒｇＦ遺伝子、
ｉ）アルギニノコハク酸シンターゼ（ＡｒｇＧ，ＥＣ６．３．４．５）をコードするａｒｇＧ遺伝子、
ｊ）アルギニノコハク酸リアーゼ（ＡＳＡＬ）（ＡｒｇＨ，ＥＣ４．３．２．１）をコードするａｒｇＨ遺伝子、
ｋ）アスパラギン酸キナーゼ（ＬｙｓＣ，ＥＣ２．７．２．４）をコードするｌｙｓＣ遺伝子及び
ｌ）アスパラギン酸セミアルデヒド−デヒドロゲナーゼ（Ａｓｄ，ＥＣ１．２．１．１１）をコードするａｓｄ遺伝子
から選択される１つ以上の遺伝子を更に弱める、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
場合により、Ｌ−オルニチン生産を改善するために、次のグループ：
ａ）α−ケトグルタル酸デヒドロゲナーゼ（ＥＣ１．２．４．２）のＥ１サブユニットをコードするｏｄｈＡ遺伝子、
ｂ）ジヒドロリポアミドスクシニルトランスフェラーゼ（ＥＣ２．３．１．６１）をコードするｓｕｃＡ遺伝子、
ｃ）ジヒドロジピコリネート−シンターゼ（ＤａｐＡ、ＥＣ４．２．１．５２）をコードするｄａｐＡ遺伝子、
ｄ）ジヒドロジピコリネート−シンターゼ（ＤａｐＢ、ＥＣ１．３．１．２６）をコードするｄａｐＢ遺伝子、
ｅ）メソ−ジアミノピメレートデヒドロゲナーゼ（Ｄｄｈ，ＥＣ１．４．１．１６）をコードするｄｄｈ遺伝子、
ｆ）ジアミノピメレート−デカルボキシラーゼ（ＬｙｓＡ，ＥＣ４．１．１．２０）をコードするｌｙｓＡ遺伝子、
ｇ）Ｌ−アルギニンの生合成のリプレッサー（ＡｒｇＲ）をコードするａｒｇＲ遺伝子、
ｈ）オルニチンカルバモイルトランスフェラーゼ（ＡｒｇＦ，ＥＣ２．１．３．３）をコードするａｒｇＦ遺伝子、
ｉ）アルギニノコハク酸シンターゼ（ＡｒｇＧ，ＥＣ６．３．４．５）をコードするａｒｇＧ遺伝子、
ｊ）アルギニノコハク酸リアーゼ（ＡＳＡＬ）（ＡｒｇＨ，ＥＣ４．３．２．１）をコードするａｒｇＨ遺伝子、
ｋ）アスパラギン酸キナーゼ（ＬｙｓＣ，ＥＣ２．７．２．４）をコードするｌｙｓＣ遺伝子及び
ｌ）アスパラギン酸セミアルデヒド−デヒドロゲナーゼ（Ａｓｄ，ＥＣ１．２．１．１）をコードするａｓｄ遺伝子
から選択される１つ以上の遺伝子を更に減衰させることが便利である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
しかし、これらの方法では、活性分子と不活性分子とを区別していない。調べられる相互作用において結合には活性分子しか寄与しないので、全分子濃度は分子の全濃度の推定値でしかなく、「活性」分子の濃度とはかなり異なるおそれがある。容易に理解されるように、これは間接的方法で結合化学量論を決定する際に大きなジレンマとなりかねない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、従来技術の方法の短所を克服する方法を提供し、分子溶液が相当量の不活性反応体分子を含有していた場合であっても間接的方法で結合化学量論の正確な決定法を提供することである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
好ましくは、少なくとも初期活性濃度の決定は、少なくとも部分的に物質移動が制限された条件下で、溶液を異なる流速でセンサ表面と接触させることを含んでおり、そのため校正基準を使用する必要がない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
センサ技術を用いた活性濃度の決定の開発において、被分析物濃度は、校正基準を参照せずに決定できる。この方法（ＣＦＣＡ（Calibration-Free Concentration Analysis）と呼ばれる））は、被分析物分子のセンサ表面への移動が拡散によって部分的又は完全に制限されていることによって観測される結合速度が部分的又は完全に制限されている条件下で、センサ表面に固定化された標的物との被分析物の結合を様々な流速で測定することに依拠する。ＣＦＣＡについて後で詳しく説明するが、まずバイオセンサの概念について簡単に説明しておく。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
この方法は、物質移動が部分的又は完全に制限されている条件下で流速を変化させたときの、表面に固定化された標的物（リガンド）に対する被分析物の結合速度の変化に依拠するものであり、拡散係数が既知であるか或いは対象の分子の分子量から推定される場合には、上述のように、既知濃度の標準を必要としない。このような無較正測定法の詳細については、例えば、上述のSigmundsson K., et al. (2002) Biochemistry 41(26):8263-8276を参照されたい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年11月6日(2014.11.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の一つの態様は、ランダムな整数fに基づいてdを変換することにより、変換済みの鍵（d’）を作成するための方法およびシステムを提供し、これは変換済み生成元（たとえばG’やg’）や、f自体とともに使用することができ、互換性のある署名メッセージを生成する。かかる様態によると、前記変換済み生成元は、前記生成元とnを法とするfの逆数とに基づいて生成される。また、ＤＳＧを少し変更して、前記ＤＳＧプロセス中で前記生成元（Gまたはg）とdとのかわりに変換済み生成元（たとえばG’やg’）とd’とを使用し、またfを組み込み、あたかもdと前記生成元とが前記ＤＳＧプロセスに実際に使用されているかのように公開鍵Qを使用する前記検証ステップによって検証されることができるデジタル署名を生成する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
一様態において、コンピュータが実行する、暗号化秘密鍵（d）を敵対者Ｂから保護する方法であって、dはそれに対応する暗号化公開鍵Qを有し、Qとdとの両方が位数nの生成元に関連し、dはコンピュータ装置Ａ上で記憶され使用され、敵対者Ｂはdを使用する暗号化デジタル署名生成（ＤＳＧ）プロセスの実行中にＡを観察でき、前記ＤＳＧプロセスはQを使用する公知の署名検証プロセスを有し、前記方法は、
ａ）1とn-1との間の区間におけるランダムな整数fを選択するステップと、
ｂ）前記生成元と、nを法とするfの逆数とに基づいて、変換済み生成元を生成するステップと、
ｃ）fに基づいてdを変換することにより、変換済み鍵（d’）を生成するステップと、
ｄ）前記生成元とdとのかわりに前記変換済み生成元とd’とを使用し、かつ、fを前記ＤＳＧプロセスに組み込んで、あたかもdと前記生成元とが前記ＤＳＧプロセスに実際に使用されているかのようにQを使用する前記検証ステップによって検証されることができるデジタル署名を生成するステップを含む方法が、本発明によって提供される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
さらなる態様において、コンピュータが実行する、暗号化秘密鍵（d）を敵対者Ｂから保護する方法であって、前記暗号化秘密鍵はそれに対応する暗号化公開鍵Qを有し、Qとdとの両方が位数nの生成元に関連し、dはコンピュータ装置Ａ上で記憶され使用され、敵対者Ｂはdを使用する暗号化デジタル署名生成（ＤＳＧ）プロセスの実行中にＡを観察でき、前記暗号化プロセスはQを使用する公知の署名検証プロセスを有し、前記方法は、
ａ）1とn-1との間の区間中のランダムな整数fを選択するステップと、
ｂ）前記生成元と、nを法とするfの逆数とに基づいて、変換済み生成元を生成するステップと、
ｃ）fに基づいてdを変換することにより、変換済み鍵（d’）を作成するステップと、
ｄ）機械実行可能な命令を記憶する機械読み取り可能な媒体に実施されるコンピュータプログラムを生成するステップであって、前記命令はＡによって実行される時に、前記生成元とdとに替えて前記変換済み生成元とd’とをＡに使用させ、かつ、fを前記ＤＳＧプロセスに追加して、あたかもｄと前記生成元とが前記ＤＳＧプロセスに実際に使用されているかのように前記検証プロセスによって検証されることができるデジタル署名を生成するステップを含む方法が、本発明によって提供される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
さらなる態様において、コンピュータ読み取り可能な命令を記憶するコンピュータ読み取り可能な有形の媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、前記命令はプロセッサで実行される時に前記プロセッサに暗号化秘密鍵（d）を敵対者Ｂから保護する方法を実行させ、dはそれに対応する暗号化公開鍵Qを有し、Qとdとの両方が位数nの生成元に関連し、dはコンピュータ装置Ａ上で記憶され使用され、敵対者Ｂはdを使用する暗号化プロセスの実行中にＡを観察でき、前記暗号化プロセスはQを使用する公知の捕捉的プロセスを有し、前記コンピュータ読み取り可能な命令は、
ａ）1とn-1との間の区間中のランダムな整数fを選択するための命令と、
ｂ）fmod nの逆数に基づいて、前記生成元の変換済み生成元値を計算するための命令と、
ｃ）fに基づいたdの変換済み値d’を計算するための命令と、
ｄ）前記fの値と、前記変換済み生成元と、d’とを、変換済み暗号化プロセスで引き続き使用されるように安全に記憶することであって、前記変換済み暗号化プロセスは、fと、前記変換された生成元と、d’とを使用して、あたかもｄと前記生成元とが前記暗号化プロセスに実際に使用されているかのようにQを使用する前記捕捉的プロセスによって検証されることができるデジタル署名を作成することを含む、コンピュータプログラム製品が、本発明によって提供される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
この事前プロセスは、実施形態に準じて、図５に示されている。図４のフローチャートでは、入力は既知の生成元、この場合Gと、秘密鍵dである。プロセスはランダムな整数fを選択すること（５０４）によって開始されるが、ここでfは区間[1, n-1]内のランダムな整数である。前記変換済み生成元G’が、nを法とするfの逆数（f-1と示す）を計算することによって決定され（５０６）、その後、５０８で、f-1とGの楕円曲線乗算を行う。そして、変換済み（または難読化済み）鍵d’にfd mod nの値が割り当てられる。出力は、ランダムな整数f、変換済み（または難読化済み）鍵d’、および変換済み（または難読化済み）生成元G’である。下記に検討するように、これら3つの値すべてがロバストなＥＣＤＳＡ署名生成プロセスの実施形態で使用される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
動作中、プレート８０は、車両との衝突中にダイヤフラム組立体１４がガイドレール１２に対して上向きに移動するのを防ぐ。ガイド７４は、取り外し可能な締結具７６によってダイヤフラム組立体１４内の適所に保持されているので、衝突時に損傷した場合、ダイヤフラム組立体１４を取り外すことなくガイド７４を交換することができる。軸方向の衝突で車両障害物１０が崩壊すると、ダイヤフラム組立体１４がガイドレール１２を後方に摺動し、このガイドレール１２が、車両障害物１０の実質的に全ての横方向の動きを防ぐ。ガイド７４は、かなりの長さを有することができ、例えば２０ｃｍの長さ及び約１．３ｃｍの厚みを有することができる。ガイド７４は、例えば、ＡＳＴＭ  Ａ−３６又はＡＩＳＭ１０２０などの熱間圧延鋼で作成することができる。このガイド７４の長さは、軸方向／長手方向の崩壊／圧縮時にダイヤフラム組立体１４が揺動してガイドレール１２に結合するあらゆる傾向を低減し、これにより車両障害物１０の安定した着実な軸方向崩壊を保証する。下部プレート８０がフランジ２９の下側に係合するので、下部プレート８０及びフランジ２９は、衝突イベント中に車両障害物１０が横転又は反転するのを防ぐ。
ガイド７４の上部プレート７８は、支持面が不規則であるにもかかわらず、ダイヤフラム組立体１４をガイドレール１２に対して適当な高さに維持する。ガイドレール１２及びガイド７４は、崩壊する車両障害物１０の軸方向の行程全体にわたって、横方向の抑制、誘導された崩壊、及び耐横転性を実現する。さらに、フェンダパネル１６にぶつかる側面衝突の場合、ガイド７４は、衝突する車両によってガイドレール１２に対して斜めの位置に動いた時にガイドレール１２にぶつかってロックされる傾向にある。このロック作用は、側面衝突の際に車両障害物１０に一層の横方向剛性を与える。足部６８間が広く離れていることにより、車両障害物１０の安定性及び側面衝突の際の耐横転性が増大する。図１に示すように、フェンダパネル１６の後部は、締結具１０４及びプレート１０６によって後方の隣接するダイヤフラムに固定される。このプレート１０６は、隣接する隆起部８２に適合するように成形された側部、並びに車両のひっかかりを減少させるように勾配を付けた前端部及び後端部を有することができる。プレート１０６は比較的大きく、例えば２５ｃｍの長さを有することができ、またそれぞれのスロット８８内へ下向きに延びるラグを定めることができる。この構成は、軸方向の崩壊においてフェンダパネル１６が互いに円滑に入れ子状に嵌まり合い、締結具１０４が抜けるのを実質的に防ぐシステムを実現する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
１つの実施形態では、カートリッジ２２が脆弱であるため、これらをコンパートメント２内に、例えばノーズコンパートメント内又はベイ４のうちの１つの中の適所に恒久的に固定するのは困難な場合がある。さらに、カートリッジ２２は、ノーズコンパートメント及びベイ４のダイヤフラム１４が加圧されて後方にめり込む際に崩壊するように設計されているので、衝突及び変形中には適所に固定されたままでないことが好ましい。
従って、１つの実施形態では、カートリッジ２２が、ノーズコンパートメント及びベイ４を含むコンパートメント２内に、ダイヤフラム及びフェンダパネルを含むフレームに取り付けられないように配置される。この実施形態では、カートリッジ２２の下面が、各コンパートメント２内に配置された支持体上に単に載っているだけである。例えば、図１、図１１、図１３及び図１７に示すように、最前方のカートリッジ２２を、最前方のダイヤフラム１４の前面に取り付けられた棚ブラケット２０３上、及びノーズフェンダに取り付けられた棚ブラケット２０１上に載せることができる。しかしながら、カートリッジ２２は、ノーズコンパートメント内のノーズフェンダ２４又はその他の構成要素に取り付けられるのではなく、コンパートメント内でこれらによって単に支持されるだけである。同様に、ベイ４内では、カートリッジ２２が、ダイヤフラム１４、フェンダパネル１６又はガイドレール１２に実際に取り付けられず、これらによって定められるコンパートメント内に支持される。他の実施形態では、衝突時に機能を損ない、衝突イベント中にコンパートメント２が入れ子状に嵌まり合って崩壊するとカートリッジ２２が後方に移動できるようにするように設計された剪断ピンなどによって、カートリッジ２２をフレームに脆弱に取り付けることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年9月24日(2015.9.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
アルミニウム材料の金属射出成形は、この技術に関する特許は存在するが、工業上まだ充分に確立されていない。これは、アルミニウム合金の焼結機構が上記の材料のそれとは完全に異なっているという事実のためである。アルミニウム粉末の表面の非還元性の酸化物は、焼結に対する大きな障害となっている。この理由のために、刊行物は、無酸素雰囲気について記載するのみである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
発明の開示
本発明者らはこの目的を、金属射出成形によるアルミニウム合金をベースとする成形品の製造方法を提供することにより達成した。この方法は、以下のステップを含んでいる。
ａ）金属粉末および／または１以上の金属合金粉末の形態の所望の合金に含まれる金属を、バインダと混合させることにより供給原料を製造し、
ｂ）前記供給原料を射出成形することによりグリーン体を製造し、
ｃ）触媒脱脂および／または溶剤脱脂および／または熱脱脂によってグリーン体から少なくとも部分的にバインダを除去することによりブラウン体を製造し、
ｄ）前記少なくとも部分的に脱脂されたブラウン体を焼結して所望の成形品を得る。
ここで本発明の方法は、ステップｃ）で、任意にその前に１以上の脱脂ステップが行われた後に、（残留）バインダを除去するために熱脱脂が少なくとも酸素を０．５体積％含む雰囲気内で行われ、バインダが完全に除去され、その後に、このようにして得られた、完全に脱脂されたブラウン体を焼結することを特徴としている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本方法は、アルミニウム合金の高純度の成形品を産生する。ステップｃ）においてバインダを完全に除去するため、合金化金属とプラスチック材料との望ましくない反応が生じないためである。雰囲気中に存在する酸素のため、比較的低い温度であっても、バインダの完全な除去が達成される。酸素の存在は完全に防ぐべきとする現在の教示に反して、本発明者らは、少量の酸素（少なくとも０．５体積％）はアルミニウムの酸化を大幅には増加させず、より早い、完全な脱脂に寄与することを見出した。粉末混合物の組成および温度条件に応じて、例えば２０〜１００体積％の酸素含有量が適用される。これは、純Ｏ２ガスを使用することさえ可能であることを意味している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明の方法のステップｃ）での脱脂は、バインダが完全に除去される酸素の存在中での１つの熱脱脂ステップを備えても良い。代替的に、１以上の先行する脱脂ステップが行われてバインダの大部分を除去し、その後に、本発明の熱脱脂ステップを行い、酸素の存在中で残りのバインダを除去するようにしてもよい。先行する脱脂ステップもまた、熱脱脂ステップ（酸素の非存在下または同様に酸素の存在下）であってもよい。これは、脱脂のための様々な処理パラメータ（例えば、異なる温度で、または異なる雰囲気中（例えば、酸素の有無、空気または純酸素、等）で）を用いて複数のステップの熱脱脂処理を行うことも可能であることを意味している。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明の方法の個々のステップにおける各雰囲気の組成は、ステップｃ）の熱脱脂のために酸素が存在することを除いて、いかなる特定の制限も受けるものではなく、当業者は、各ステップの各粉末混合物に最適な雰囲気を選択することができ、真空も選択肢である。しかし、焼結ステップｄ）は、極端に乾燥した、窒素含有雰囲気（つまり純窒素）内で、標準圧または減圧下（「分圧焼結」）で、または、窒素と純不活性ガス（ヘリウム、アルゴン）の、好ましくは、−４０℃より下の露点を有する、混合気中で、行われることが好ましい。窒素の存在が、生じている金属融解物との粉末粒子の濡れ性を著しく促進するためである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
引張試験棒の脱脂と焼結
最初に、第１の熱脱脂が、５０ｌのオーブン内で、空気（５００ｌ／時）中、１８０℃、１４時間、行われた。重量損失は２７．０％であった。
その後、第２の熱脱脂が、純酸素中で１時間以内、４２０℃までの温度で行われ、その後、再度、６６５℃に設定されたオーブン温度で１時間焼結された。
結果
長さの収縮：９．５％
棒直径の収縮：１１．４％
焼結密度：２．１３ｇ／ｃｍ３
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
引張試験棒の脱脂と焼結
最初に、触媒脱脂が、５０ｌのオーブン内で、窒素（５００ｌ／時）中２体積％のＨＮＯ３（工業グレード）を用いて、１４０℃、１０時間、行われた。重量損失は２２．１％であった。その後、ビーズ状の外部成長が表面上に観察された。それは、ＨＮＯ３とのＭｇの反応によって形成されたと考えられた。
その後、熱脱脂が、実施例３に記載のように、純酸素中で１時間以内、４２０℃までの温度で行われ、その後、再度、６６５℃に設定されたオーブン温度で１時間焼結された。
結果
長さの収縮：１０．７％
棒直径の収縮：１４．６５％
焼結密度：２．３６ｇ／ｃｍ３
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
アンチフレッチング層の１態様によれば、スズ含量は５ｗｔ％〜２５ｗｔ％、好ましくは８ｗｔ％〜１９ｗｔ％、特に１０ｗｔ％〜１６ｗｔ％である。このようにして、アンチフレッチング層の硬さは増大し、それにより、一方において「焼き付き」の傾向は低下し、他方において耐摩耗性はさらに増大する。２５％を超えると、著しく、金属間化合物相が形成されるが、非常に脆く、それにより耐摩耗性はさらに低下する。５％未満では、わずかな改良がみられるが、所望の改良をもたらすものではない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
１つの態様によれば、アンチフレッチング層は好適には本質的に金属間化合物相がなく、ＸＲＤ測定において銅結晶格子を有する混合結晶のように見え、それにより好適な態様において、格子は格子定数の０．３６３０ｎｍ〜０．３７５０ｎｍを持つ銅混合結晶からなる。このようにして、銅系合金における銅混合結晶粒の好適な配列が支持され、少なくとも損なわれないので、アンチフレッチング層はもっと均質な特性プロファイルを有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
特定の含有量では、効果が小さすぎ、ある値を超え、特に合計３０ｗｔ％を超えると、大量の硬く、脆い金属間化合物相が形成され、アンチフレッチング層に負の影響を与えることが観察された。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅系合金よりなる多層ラジアル軸受（１）のためのアンチフレッチング層（５）であり、  銅系合金は、主な合金元素としての銅に加えて、ゲルマニウム、スズ、インジウム、亜鉛、ニッケル、コバルト、ビスマス、鉛、銀、アンチモン、ならびに製造に由来する不可避不純物を含み、これらの合金元素の合計割合は少なくとも１ｗｔ％、最大３０ｗｔ％であり、そしてその銅系合金には銅および少なくとも１つの元素で形成される銅混合結晶粒があり、
そこでは銅混合結晶粒は、各格子面セット{ｈｋｌ}の式
【数１】
2013524020.tif 000001
による配向指数Ｍ{ｈｋｌ}が３．０未満の値を有するように配向されており、ここでI{ｈｋｌ}は、アンチフレッチング層の{ｈｋｌ}格子面のＸ線回折強度を示し、そしてI０{ｈｋｌ}は、完全に無配向の銅粉末試料のＸ線回折強度を示す。
【請求項２】
{２２０}反射の配向指数が１．０未満である請求項１に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項３】
{２００}格子面のＸ線回折強度は、{１１１}格子面のＸ線回折強度の５０％〜２００％である請求項１または２に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項４】
Ｉ{１１１}およびＩ{２００}のＸ線回折強度の合計は、合計Ｘ線回折強度の少なくとも７０％である請求項１〜３のいずれか１項に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項５】
Ｘ線回折強度Ｉ{１１１}が全Ｘ線回折強度の少なくとも７０％である請求項１に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項６】
スズ含有量は、５ｗｔ％〜２５ｗｔ％である請求項１〜５のいずれか１項に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項７】
亜鉛含有量は、０．５ｗｔ％〜２５ｗｔ％である請求項１〜６のいずれか１項に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項８】
ゲルマニウム、インジウム、亜鉛、ニッケル、コバルト、ビスマス、鉛、銀およびアンチモンの１つまたはそれより多い元素の含有量は、合計０．２ｗｔ％〜２０ｗｔ％である請求項１〜７のいずれか１項に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項９】
アンチフレッチング層５は、２μｍ〜１００μｍの層厚さを有する請求項１〜８のいずれか１項に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項１０】
アンチフレッチング層は、３ポンド（約１．３５ｋｇ）の試験荷重について、ＨＶ２００〜ＨＶ５００のビッカース微小硬さを有する請求項１〜９いずれか１項に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項１１】
銅混合結晶粒が５ｎｍ超の粒径を有する請求項１〜１０のいずれか１項記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項１２】
アンチフレッチング層５は本質的に金属間化合物層がなく、ＸＲＤ測定において銅結晶格子を有する混合結晶のようにみえる請求項１〜１１のいずれか１項に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項１３】
アンチフレッチング層が、０．３６３０ｎｍ〜０．３７５０ｎｍの格子定数を有する銅系合金からなる請求項１２に記載のアンチフレッチング層（５）。
【請求項１４】
支持されるべき要素に向かい合う前面４および前面４の反対の裏面４からなる多層ラジアル軸受１であり、支持層２、前面４上に配置される減摩耗層３、ならびに裏面４上に配置されるアンチフレッチング層５からなり、ここでアンチフレッチング層５は請求項１〜１３のいずれか１項に記載により形成される。
【請求項１５】
アンチフレッチング層は、支持層２または必要ならば支持層２とアンチフレッチング層５の間に配置される中間層、の粗さＲｚの、少なくとも５０％の層厚さを有する請求項１４に記載の多層ラジアル軸受（１）。
【請求項１６】
アンチフレッチング層５が、アンチフレッチング層５よりも軟らかいコーティングを有する請求項１４または１５に記載の多層ラジアル軸受（１）。
【請求項１７】
コーティングは、スズ、鉛、ビスマス、銀、ポリマー系腐食防止塗料を含む群から選択される材料で製造される請求項１６に記載の多層ラジアル軸受（１）。
【請求項１８】
多層ラジアル軸受（１）の支持層の背面にアンチフレッチング層（５）を電流により堆積する方法であり、アンチフレッチング層は銅合金から製造され、銅合金は、主な合金元素としての銅に加えて、ゲルマニウム、スズ、インジウム、亜鉛、ニッケル、コバルト、ビスマス、鉛、銀、アンチモン、ならびに製造に由来する不可避不純物を含み、そしてこれらの合金元素の合計は少なくとも１ｗｔ％、最大３０ｗｔ％であり、電解液において塩の形態で使用され、アンチフレッチング層（５）の堆積は８５℃未満の温度で、最大電流密度６Ａ/ｄｍ２で実施され、そこでは電解液は、堆積される金属のための塩に加えて、ポリカルボン酸塩、ナフトール、ナフトール誘導体、およびチオ化合物を含む群から選ばれる有機化合物を含む、アンチフレッチング層（５）の電流による堆積方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声サンプルデータを符号化するための符号化装置であって、
前記符号化装置は、
音声サンプルデータをＡＥＳ暗号化（１６、５２、１１６、１５２）を用いて暗号化し、
暗号化した前記音声サンプルデータについてＣＭＡＣを計算することによって認証保護する、
ことを含む符号化を行い、
前記符号化を前記音声サンプルデータ毎に行う、
ことを特徴とする符号化装置。
【請求項２】
前記符号化装置は、ＣＭＡＣエラーに基づいて認証チェックでエラーが生じたとき、復号化された音声をミュートする、請求項１記載の符号化装置。
【請求項３】
前記符号化装置は、前記暗号化およびＣＭＡＣアルゴリズム（２６、１３２、１６６）において、異なるキーを用いる、請求項１または２記載の符号化装置。
【請求項４】
暗号化され、認証保護された音声サンプルデータを復号化するための復号化装置であって、
前記復号化装置は、
暗号フィードバックモードでのＡＥＳ暗号化を用い、これにより付加的な同期の必要をなくし、
ＣＭＡＣ認証チェックが１つの音声サンプルデータから成功するか否かを検出する、
ことを含む復号化を行い、
暗号化からの初期化ベクトルを知らない場合、正しいデータを復号化可能である前に、前記復号化装置は暗号ブロックのビット数を取得し、
前記復号化装置は、前記復号化を前記音声サンプルデータ毎に行う、
ことを特徴とする復号化装置。
【請求項５】
前記復号化装置は、ＣＭＡＣエラーに基づいて認証チェックでエラーが生じたとき、復号化された音声をミュートする、請求項４記載の復号化装置。
【請求項６】
前記復号化装置は、前記暗号化およびＣＭＡＣアルゴリズム（２６、１３２、１６６）において、異なるキーを用いる、請求項４または５記載の復号化装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本方法は、たとえば、標準ＡＥＳ（Advanced Encryption Standard）暗号化を暗号フィードバックモードで用いる（ＡＥＳ−ＣＦＢ）。本方法を用いることにより、追加的な暗号化の必要がなくなる。サンプル毎、すなわちサンプルを１つずつ暗号化し、付加的な同期データを何ら必要とすることなく、サンプルを再び復号化することができる。さらに、暗号化から初期化ベクトルを知ることなく復号化することができる。しかし、正しいデータが復号化可能である前に、暗号ブロックのビット数が必要である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
ＣＭＡＣとＡＥＳ−ＣＦＢとの組み合わせは、認証保護の他に、ＣＭＡＣ認証チェックが１つの音声サンプルから成功するか否かを検出することができるというメリットがある。これが当てはまる場合、ＡＥＳ−ＣＦＢ復号化が成功する前に、暗号ブロックにおけるビット数が必要である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
音声サンプル期間ｎ＋１
音声サンプルｎ＋１に関する現在の初期化ベクトル（参照番号５０）は、２４ビット暗号化音声サンプル２４であり、従前の初期化ベクトル１０からの１０４ビットと連結されている。初期化ベクトル（ＩＶ）５０は次いでＡＥＳ暗号化処理５２において１２８ビットキー（１）１４で暗号化され、キーストリーム（２）５４が形成される。このキーストリーム（２）５４は、論理演算５８（本例ではＸＯＲ）により２４ビット音声サンプル（サンプル期間ｎ＋１）５６と組み合わされ、２４ビットの暗号化音声サンプル６０が形成される。この音声サンプル６０は１２８ビットキー（２）４０とともにＡＥＳ−ＣＭＡＣアルゴリズム６２に入れられ、２４ビットＣＭＡＣ６４が形成される。暗号化音声サンプル６０およびＣＭＡＣ６４は組み合わされ、音声サンプル期間ｎ＋１に関するセキュアな音声サンプル６６が形成される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
音声サンプル期間ｎ＋１
音声サンプルに関する現在の初期化ベクトル（参照番号１５０）は、２４ビット暗号化音声サンプル１２０であり、これは従前の初期化ベクトル１００からの１０４ビットと連結されている。初期化ベクトル１５０は次いでＡＥＳ暗号化処理１５２において１２８ビットキー（１）１１４で暗号化され、キーストリーム（２）１５４が形成される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
一実施形態では、デバイス、例えば図５の中で参照されるディスプレイデバイス５００が提供される。デバイス５００は、光放射領域５２６、５２８、５３０、および光非放射領域５３２、５３４を画定する層５１０を含むことができる。例えば、層５１０は、基板５１２の上に間隔５２０および５２２で配置された複数のＯＬＥＤ５１４、５１６、および５１８を有する基板５１２を含むことができる。ＯＬＥＤ５１４、５１６、５１８は、例えば図１および／または図２で示されたように構成することができる。ＯＬＥＤ５１４、５１６、および５１８から放射された光５２４は、基板５１２を通り抜けることができる。層５１０上で画定された光放射領域５２６、５２８、および５３０は、ＯＬＥＤ５１４、５１６、および５１８におおよそ対応する。層５１０上で画定された光非放射領域５３２および５３４は、ＯＬＥＤ５１４、５１６、および５１８が基板５１２上に配置された間隔５２０および５２２におおよそ対応する。光抽出機構５３６および５３８は、光非放射領域５３２および５３４の一部または全部の上に配置することができる。光抽出機構５３６および５３８は、光５４０を層５１０から抽出する働きをすることができる。さまざまなタイプの光抽出機構が光非放射領域および光放射領域の上に配置することができるように、ある実施形態では、光抽出機構５３６および５３８は、さらに光放射領域５２６、５２８、および５３０の一部または全部の上に配置することができる。例えば、一実施形態では、下記図６で説明する表面不整６３６、６３８を含む光抽出機構を光放射領域の上に配置することができ、下記図１０で説明する屈折率整合素子１０３６、１０３８を含む光抽出機構を光非放射領域の上に配置することができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
一実施形態では、光抽出機構５３６、５３８は、層５１０の中の光非放射領域に配置された表面不整を含むことができる。本明細書では、熟語「表面不整」は、層５１０の表面５１２上に画定された粗い表面機構を意味する。例えば、図２を参照すると、表面不整は、ＯＬＥＤデバイス２００の透過層２１８の表面を物理的に変更することによって形成することができる。一実施形態では、表面の変更は、層５１０の対応する部分の表面上に機械的なかき傷、くぼみ、および／もしくは溝を形成すること、ならびに／または、層５１０の特定の部分に腐食、除去、および／または、分解をもたらす化学処理を用いることにより、光非放射領域に対応する表面を物理的に変更することを含むことができる。一実施形態では、図５に示された表面不整５３６、５３８は、表面の連続性を阻害する働きをする、くぼみ、かき傷、および溝を含むことができる。表面不整５３６、５３８の限定的でない例には、ＯＬＥＤの透過層の表面に刻まれた表面機構が含まれ得る。一実施形態では、表面不整機構は、くぼみまたはへこみ７３６、７３８のように図７に示されたような点機構の形状の中にあり得る。さまざまな実施形態では、点機構には、三角形、半円形、正方形、長方形、五角形、または六角形の断面形状が含まれ得る。別の実施形態では、表面不整機構は、かき傷（６３６および６３８、表面上の浅い切り傷もしくは印）または溝（図には示されない、細長い溝もしくはへこみ）のように図６に示されたような線機構の形状の中にあり得る。さまざまな実施形態では、線機構は直線または曲線であり得る。さまざまな実施形態では、線表面不整機構には、三角形、半円形、正方形、長方形、五角形、または六角形の断面形状が含まれ得る。線機構の断面形状は線機構に沿って均一であり得るか、または線機構の長さに沿って変化することができる。ある実施形態では、表面不整機構は点機構と線機構のどちらの組合せでもあり得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
図６、図７および図１７を参照すると、さまざまな実施形態では、光抽出機構は表面不整６３６、６３８、７３６、および７３８を含むことができる。一実施形態では、表面不整はかき傷６３６、６３８またはくぼみ７３６、７３８を含むことができる。さまざまな実施形態では、かき傷またはくぼみは、カーバイドスクライバツール、かみそりの刃、ダイヤモンドグリッドダイシングホイール、および、当業者に既知の光学的品質のかき傷またはくぼみを形成する他の方法を使用して形成することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明によって提供される解決法により、ＭＢＳＦＮ方式でＭＢＭＳ制御信号、好ましくは１つのＭＢＳＦＮサブフレームで多重ＭＢＭＳ制御信号およびＭＢＭＳサービス・データを伝送することが実現され、ＭＢＳＦＮサブフレームにおいてＭＢＭＳ制御信号に対して動的にリソースを割り当てる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
ＭＣＣＨおよびＭＴＣＨがすべてＭＣＨ（Ｍｕｌｔｉｃａｓｔ  Ｃｈａｎｎｅｌ）にマップされる場合、それは、ＭＣＣＨおよびＭＴＣＨをＭＢＳＦＮサブフレームでしか搬送することができないことを意味する。ＭＢＳＦＮサブフレームにＭＣＣＨ伝送およびＭＴＣＨ伝送の両方がある場合、ＭＴＣＨがＭＢＳＦＮ方式で伝送される時、それは、ＭＣＣＨがＭＢＳＦＮ方式で伝送されなければならないことを意味する。一方、ＭＣＣＨが非ＭＢＳＦＮ方式で伝送される場合、それが、ＭＢＳＦＮ方式で伝送される同じＭＢＳＦＮサブフレームのＭＴＣＨサービス・データ伝送に影響を与え、たとえばＭＣＣＨ制御信号と同じＭＢＳＦＮサブフレームにおけるＭＴＣＨサービス・データを、異なるｅＮＢの同じリソースに割り当てることはできない。さらに、すでに上述したように、ＵＥは、結合されたＭＢＳＦＮ方式を用いて受信信号を推定し、したがって、異なるｅＮＢがＭＣＨ上で非ＭＢＳＦＮ方式で伝送している場合、ＵＥは、受信データを正確に復調および復号することができない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信ネットワークの基地局においてＭＢＭＳ制御信号伝送を制御する方法であって、
Ａ．ＭＢＭＳサービス・データおよびＭＢＭＳ制御信号を１つのＭＢＳＦＮサブフレームに多重化するステップであって、前記ＭＢＳＦＮサブフレームが指示情報を含む、ステップ、
無線セルネットワーク一時ＩＤに従って前記指示情報を巡回冗長検査するステップ、および
Ｂ．ＭＢＳＦＮ方式で、ＭＢＭＳサービス・データと前記同じＭＢＳＦＮサブフレームにおいて多重化された前記ＭＢＭＳ制御信号を伝送するステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記ステップＢが、
修正期間および／または反復期間に従って、ＭＢＳＦＮ方式でＭＢＭＳ制御信号を伝送するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記修正期間および／または前記反復期間に関連する情報が、システム・メッセージを介して送信される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ステップＡが、
Ａ１．ＭＢＭＳ制御信号に従って第１のＴＢを生成し、ＭＢＭＳサービス・データに従って第２のＴＢを生成するステップであって、前記第１のＴＢおよび前記第２のＴＢが１つのＭＢＳＦＮサブフレームに多重化される、ステップ
をさらに含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記指示情報が、前記第１のＴＢの位置と変調および符号化方式とを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記指示情報が、新たなＭＢＭＳが生成されるか否かの指示をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＭＢＳＦＮにおける一定時間周波数リソースを前記第１のＴＢに割り当てるステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記ステップＡが、
Ａ１’．ＭＢＭＳ制御信号およびＭＢＭＳサービス・データに従って第３のＴＢを生成するステップ
をさらに含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ＭＢＭＳ制御信号のＱｏＳに従って前記第３のＴＢの変調および符号化方式を確定するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
無線通信ネットワークの基地局においてＭＢＭＳ制御信号伝送を制御する方法であって、
Ａ’．ＭＢＭＳ制御信号を排他的に１つのＭＢＳＦＮサブフレームにパケット化するステップであって、前記ＭＢＳＦＮサブフレームが指示情報を含む、ステップ、
無線セルネットワーク一時ＩＤに従って前記指示情報を巡回冗長検査するステップ、および
Ｂ．ＭＢＳＦＮ方式で、前記ＭＢＳＦＮサブフレームに排他的にパケット化している前記ＭＢＭＳ制御信号を伝送するステップ
を含む方法。
【請求項１１】
無線通信ネットワークの基地局におけるＭＢＭＳ制御信号伝送を制御する制御装置であって、
ＭＢＭＳサービス・データおよびＭＢＭＳ制御信号を、指示情報を含む１つのＭＢＳＦＮサブフレームに多重化し、無線セルネットワーク一時ＩＤに従って前記指示情報を巡回冗長検査する処理手段、および
ＭＢＳＦＮ方式で、ＭＢＭＳサービス・データと前記同じＭＢＳＦＮサブフレームにおいて多重化された前記ＭＢＭＳ制御信号を伝送する送信手段
を具備する制御装置。