【事件の表示】
　特願２００９−５１８４７５「ウェハプラットフォーム」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１０日国際公開、ＷＯ２００８／００５７１６、平成２１年１２月　３日国内公表、特表２００９−５４３３５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願は、２００７年６月２２日（パリ条約による優先権主張２００６年６月３０日　アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２４年１月２５日付けで拒絶の理由が通知され、同２４年４月２３日に意見書とともに特許請求の範囲についての手続補正書が提出されたが、同２４年６月２０日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされた。  
　これに対し、平成２４年１０月２６日に該査定の取消を求めて本件審判の請求がされるとともに特許請求の範囲についてさらに手続補正書が提出され、その後、当審の同２５年１月２５日付け審尋に対して同２５年５月２８日に回答書が提出されたものである。  
       
第２　平成２４年１０月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２４年１０月２６日付けの手続補正を却下する。  
       
［理由］  
１　補正の内容の概要  
　平成２４年１０月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、平成２４年４月２３日付けで補正された特許請求の範囲を、さらに以下のとおり補正するものである。なお、下線部は補正箇所を示す。  
         
（１）＜補正前の特許請求の範囲＞  
「【請求項１】
　半導体ウェハを支持するためのプラットフォームであって、
　上記半導体ウェハを支持可能なサイズ及び形状を有する平面状の上面を備えるボディと、
　上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
　上記チャンネルは、上記ボディの上面と連続し、かつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有し、
　上記エッジマージンの両方が、上記チャンネルの少なくとも一部にわたって凸状であり、
　上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記上面を超えず、上記チャンネルの少なくとも一部にわたって、
０．１ｍｍ
　　【請求項２】
　上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの少なくとも一部にわたって、０．５ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項１記載のプラットフォーム。
　　【請求項３】
　上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの全体にわたって、０．５ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項２記載のプラットフォーム。
　　【請求項４】
　アニールプロセスの間、半導体ウェハを垂直ウェハボートに支持する支持リングであって、
　当該支持リングは、
　上記垂直ウェハボートに受容可能な大きさ及び形状を有し、下面と、上記ウェハを支持可能な大きさ及び形状を有する平面状の上面と、を有する、リング状のボディと、
　上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
　上記チャンネルは、上記ボディの上面と連続し、かつ直径方向に関して離間された内側エッジマージンと外側エッジマージンとを有し、
　上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンの両方が凸状であり、
　上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、上記上面を超えず、上記チャンネルの少なくとも一部にわたって、
０．１ｍｍ
　　【請求項５】
　上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、０．５ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項４記載の支持リング。
　　【請求項６】
　上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの全体にわたって、０．５ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項５記載の支持リング。
　　【請求項７】・・・（中略）・・・・
　　【請求項１４】
　上記シリコン酸化物層は、２５ナノメートル〜５マイクロメートルの膜厚を有する請求項１３記載の支持リング。」  
     
（２）＜補正後の特許請求の範囲＞  
「　【請求項１】
　半導体ウェハを支持するためのプラットフォームであって、
　上記半導体ウェハを支持可能なサイズ及び形状を有する平面状の上面を備えるボディと、
　上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
　上記チャンネルは、上記ボディの上面と連続し、かつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有し、
　上記エッジマージンの両方が、上記チャンネルの少なくとも一部にわたって凸状であり、
　上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記上面を超えず、上記チャンネルの少なくとも一部にわたって、
０．５ｍｍ
　　【請求項２】
　上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの全体にわたって、０．５ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項１記載のプラットフォーム。
　　【請求項３】
　アニールプロセスの間、半導体ウェハを垂直ウェハボートに支持する支持リングであって、
　当該支持リングは、
　上記垂直ウェハボートに受容可能な大きさ及び形状を有し、下面と、上記ウェハを支持可能な大きさ及び形状を有する平面状の上面と、を有する、リング状のボディと、
　上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
　上記チャンネルは、上記ボディの上面と連続し、かつ直径方向に関して離間された内側エッジマージンと外側エッジマージンとを有し、
　上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンの両方が凸状であり、
　上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、上記上面を超えず、上記チャンネルの少なくとも一部にわたって、
０．５ｍｍ
　　【請求項４】
　上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの全体にわたって、０．５ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項３記載の支持リング。
　　【請求項５】・・・（中略）・・・・
　　【請求項１２】
　上記シリコン酸化物層は、２５ナノメートル〜５マイクロメートルの膜厚を有する請求項１１記載の支持リング。」  
     
２　補正事項
　本件補正における補正事項は、次の補正事項１及び２のとおりである。
　
　補正事項１：補正前の請求項１を補正前の請求項２記載の事項に限定することにより、「第１エッジマージン及び」「第２エッジマージン」の曲率半径を、「０．１ｍｍ以上」から「０．５ｍｍ以上」として、補正後の請求項１とする。
　
　補正事項２：補正前の請求項４を補正前の請求項５記載の事項に限定することにより、「内側エッジマージン及び」「外側エッジマージン」の曲率半径を、「０．１ｍｍ以上」から「０．５ｍｍ以上」として、補正後の請求項３とする。
　
３　補正の適否　　　  
　上記補正事項１は、補正前の請求項１の「０．１ｍｍ以上」なる範囲を、さらに「０．５ｍｍ以上」と限定的に減縮するものであり、また、上記補正事項２も、補正前の請求項４の「０．１ｍｍ以上」なる範囲を、さらに「０．５ｍｍ以上」と限定的に減縮するものである。
　そこで、上記各補正事項のうち補正事項１について、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち独立特許要件について検討する。 　  
     
（１）補正発明  
　補正発明は、特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「プラットフォーム」であると認める。  
     
（２）刊行物  
　これに対して、原審の平成２４年１月２５日付け拒絶の理由に引用された、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である以下の文献には、以下の発明、あるいは事項が記載されていると認められる。  
     
　刊行物１：米国特許第７０３３１６８号明細書（原審の拒絶の理由の引用　　　　　　文献１）  
　刊行物２：国際公開第０１／０１８８５６号（原審の拒絶の理由の引用文　　　　　　献２） 
     
（２−１）刊行物１ 
ア　刊行物１記載の事項  
　刊行物１には、「Semiconductor wafer boat for a vertical furnace」（垂直炉用の半導体ウェハボート）に関して、図面とともに以下の事項が記載されている。（なお、括弧内の日本語は、当審による英和仮訳である。）  
　　  
（ア）第１欄第６〜９行  
「This invention relates generally to a semiconductor wafer boat, and more particularly, to an improved semiconductor wafer boat for use in heat treatment of semiconductor wafers in a vertical furnace.」  
　 
（この発明は、概して、半導体ウェハボートに関し、より詳細には、垂直炉中での半導体ウェハの熱処理に使用される改良された半導体ウェハボートに関する。） 
　
（イ）第４欄第１２〜３８行  
「Referring to FIG. 3, the fingers 13 that lie in a same generally horizontal plane engage and support a same wafer holder platform 20. The illustrated wafer holder platforms 20 are of an open-ring type. The open-ring type platform has top and bottom surfaces designated 22 and 24 (FIG. 6), respectively, an outer radius R1, and a hole 28 generally in the center portion of the disk having a radial opening extending from the hole to the outer periphery of the platform 20. Other types of wafer platforms, including a closed-ring type and a solid plate, are within the scope of this invention. For a wafer platform used to support 300 mm wafers, the radius R1 is about 150 mm, and a radius R2 of the hole 28 is about 95 mm. In the illustrated embodiment, the wafer holder platforms 20 have an arcuate groove 31 in the top surface 22. The groove is preferably between about 0.2 mm and about 0.5 mm deep. The groove 31 defines a pair of spaced apart plateaus 33 on opposite sides of the groove. The plateaus 33 directly support a semiconductor wafer while the wafer rests on the wafer holder platform 20. By resting on the plateaus 33 and over the groove 31, the wafer can be removed from the wafer holder platform without the wafer sticking to the wafer holder platform, as is well known in the art. It will be understood that constructions (not shown) other than the groove 31 can be used within the scope of the present invention. For instance, multiple grooves having different depths, or holes through the platform 20 could be used in plate of any groove(s).」  
　 
（図３を参照すると、同じ方向、一般には水平方向にあるフィンガー１３が、同一のウェハホルダープラットフォーム２０に係合して支持する。図示のウェハホルダープラットフォーム２０はオープンリングタイプである。オープンリングタイプのプラットフォームは上面２２及び下面２４(図６)を有し、それぞれ外径がＲ１である。ディスクの通常、中央部には孔があり、そこからプラットフォーム２０の外縁に延びる半径方向の開口を有する。クローズドリングタイプ及び孔のないプレートを含む他のタイプのウェハプラットフォームも、本発明に包含される。３００ｍｍのウェハを支持するために使用されるウェハプラットフォームにおいては、半径Ｒ１は約１５０ｍｍであり、また、孔２８の半径Ｒ２は約９５ｍｍである。図示の実施形態では、ウェハホルダープラットフォーム２０は上面２２の中に弓形の溝３１を有している。前記溝の深さは、約０．２ｍｍから約０．５ｍｍの間であることが好ましい。溝３１は、溝の両側に離間して存在する２つのプラテン３３を画定する。ウェハがウェハホルダープラットフォーム２０上に置かれる間、プラテン３３は、直接半導体ウェハを支持する。ウェハをプラテン３３及び溝３１上に置くことにより、当該技術においてよく知られているように、ウェハは、ウェハホルダープラットフォームに付着することなく、ウェハホルダープラットフォームから取り除くことができる。現在の発明の範囲内で溝３１
以外の構造(図示せず)を用いることができることが理解されよう。例えば、溝の代替として、異なる深さを有する複数の溝やプラットフォーム２０を貫通する孔を用いることができよう。）
　
（ウ）図２及び図３
　また、図２の以下に拡大して示す部分、及び図１０を参酌すれば、溝３１は、本体の上面に沿って延在し、上記本体のプラテン３３から下面２４へと延びる深さを有することが認められる。
　
　＜図２部分拡大図＞
　
　　　
（エ）図１０
　図１０に示されるウェハホルダープラットフォーム２０の断面図から、各ウェハホルダープラットフォーム２０のプラテン３３は平面形状であることが看取できる。 
　
イ　刊行物１に記載の発明  
　上記摘記事項（イ）の「・・・プラテン３３は、直接半導体ウェハを支持する。」なる記載及び「３００ｍｍのウェハを支持するために使用されるウェハプラットフォームにおいては、半径Ｒ１は約１５０ｍｍであり、」なる記載等を合理的に解釈すれば、ウェハホルダープラットフォーム２０は、半導体ウェハを支持可能なサイズ及び形状を有するプラテン３３を備える（ウェハホルダープラットフォーム２０の）本体を有している、ということができる。 
　さらに、上記本体のプラテン３３から下面２４へと延びる深さを有する溝３１については、arcuate groove 31（弓形の溝３１）なる記載、及び図１０に示された溝３１の形状から、溝３１は、底面部と、底面部から両側のプラテン３３に連続してつながる（補正発明の用語に倣って）「第１エッジマージン」と「第２エッジマージン」を有するものと認められる。　　　 
    
　そこで、上記摘記事項（ア）及び（イ）並びに認定事項（ウ）及び（エ）を、図面を参照しつつ、技術常識を踏まえて補正発明に照らして整理すると刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。  
「半導体ウェハを支持するためのウェハホルダープラットフォーム２０であって、
　上記半導体ウェハを支持可能なサイズ及び形状を有する平面状のプラテン３３を備える本体と、
　上記本体のプラテン３３に沿って延在し、上記本体のプラテン３３から下面２４へと延びる深さを有する溝３１と、を備え、
　上記溝３１は、上記本体のプラテン３３と連続し、かつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有し、
上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記プラテン３３を超えない、ウェハホルダープラットフォーム２０。」  
   
（２−２）刊行物２ 
ア　刊行物２記載の事項  
　刊行物２は、「ウェーハ保持具」に関して、図面とともに以下の事項が記載されている。  
　
（ア）明細書第７ページ下から１１〜７行
「図１〜図３に示すように、縦型の熱処理炉１０は鉛直方向に延びるＳｉＣ製の反応管１１と、この反応管１１内に所定の間隔をあけて立設されかつＳｉＣにより形成された棒状の複数の支持具１２と、複数の支持具１２に長手方向に所定の間隔をあけてそれぞれ形成されかつウェーハ保持具１３の外周縁を遊挿可能な多数の保持具用凹溝１４とを備える。」
　     
（イ）明細書第８ページ第１〜１８行
「ウェーハ保持具１３は４本の支持具１２の同一水平面内に位置する４つの保持具用凹溝１４の下部水平面に載り、このウェーハ保持具１３の上面には８インチのシリコンウェーハ２２が載るように構成される（図１及び図２）。またウェーハ保持具１３は切欠きのない円板状に形成された保持具本体２３と、保持具本体２３にこの保持具本体２３の軸線を中心に円周方向に延びて形成されかつ上方に突出する複数のリング状の突起２４とを有する。保持具本体２３はＳｉＣにより形成される。
　一例として保持具本体２３と同一形状に形成されたカーボン基材上にＣＶＤ法にてＳｉＣを堆積していき、このＳｉＣが所定の厚さになったときに上記カーボン基材を焼失することにより、保持具本体２３が所定の形状に形成される。また保持具本体２３の突起２４となる部分の上面は平面加工（平面研磨や平面研削等）して平滑にされ、突起２４上面の平面加工後に突起２４上面の周縁は面取りされる（図１）。本明細書において「面取りする」とは面と面との交わりの角に斜面又は丸味（radius）を付与することをいい、この実施の形態では面と面との交わりの角に丸味（radius）を付与する。なお、保持具本体２３は切欠きのない円板状に形成される、即ち保持具本体２３はその軸線を中心とする点対称に形成されているため、保持具本体２３の製作時にこの保持具本体２３に反りが発生することはない。」
   
（ウ）明細書第１０ページ下から４行〜第１１ページ第７行
「また第１及び第２突起２４ａ，２４ｂの上面は平面加工されているので、突起２４ａ，２４ｂの上面にＣＶＤ処理時の粒成長等により発生した凸部が除去されて平滑になる。更に突起２４ａ，２４ｂの上面の平面加工後に突起２４ａ，２４ｂ上面の周縁を面取りすることにより、突起２４ａ，２４ｂ上面の周縁に丸味（radius）が付与される。この結果、第１突起２４ａにウェーハ２２を載せると、ウェーハ２２が第１突起２４ａの上面に均一に接触してウェーハ２２には殆ど内部応力が発生しない、即ちウェーハ２２の面圧が減少しかつウェーハ２２の荷重が分散されるので、ウェーハ２２にスリップは発生しない。またウェーハ２２の外周縁が保持具本体２３に接触せず、ウェーハ２２外周部の面だれの影響を受けずにウェーハ２２を均等に保持できるため、ウェーハ２２にスリップは発生しない。」  
  
イ　刊行物２事項  
　上記摘記事項（イ）の記載及び図１の記載内容を参酌すれば、（第１及び第２）突起２４は、ウェーハ保持具１３本体の上面に沿って延在し、また、第１及び第２突起２４ａ、２４ｂは、それぞれ上記ウェーハ保持具１３本体の上面と連続し、かつ離間された第１の傾斜面と第２の傾斜面とを有することが理解できる。　
　
　そこで、刊行物２の上記摘記事項（ア）ないし（ウ）を、図面を参照しつつ、技術常識を踏まえて整理すると、刊行物２には以下の技術的事項が記載されていると認められる。  
「シリコンウェーハ２２を支持するためのウェーハ保持具１３であって、
　上記ウェーハ保持具１３本体の上面に沿って延在する第１及び第２突起２４ａ、２４ｂと、を備え、
　上記第１及び第２突起２４ａ、２４ｂは、それぞれ上記ウェーハ保持具１３本体の上面と連続し、かつ離間された第１の傾斜面と第２の傾斜面とを有し、
　上記第１及び第２突起２４ａ、２４ｂ上面の周縁に丸味を付与することにより、シリコンウェーハ２２にスリップを発生しないようにすること。」（以下「刊行物２事項」という。）  
             
（３）対比  
　補正発明と刊行物１発明とを対比すると以下のとおりである。  
　刊行物１発明の「ウェハホルダープラットフォーム２０」は、補正発明の「プラットフォーム」に相当することは、技術常識に照らして明らかであり、以下同様に「プラテン３３」は「上面」に、「本体」は「ボディ」に、「下面２４」は「下面」に、「溝３１」は「チャンネル」に相当することも明らかである。  
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致しているということができる。  
＜一致点＞  
「半導体ウェハを支持するためのプラットフォームであって、
　上記半導体ウェハを支持可能なサイズ及び形状を有する平面状の上面を備えるボディと、
　上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
　上記チャンネルは、上記ボディの上面と連続し、かつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有し、
上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記上面を超えない、プラットフォーム。」  
     
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違している。  
＜相違点１＞  
　補正発明は、エッジマージンの両方が、チャンネルの少なくとも一部にわたって凸状であり、それら第１エッジマージン及び第２エッジマージンのそれぞれが、チャンネルの少なくとも一部にわたって、０．５ｍｍ以上の曲率半径を有するものであるのに対し、刊行物１発明のエッジマージンは、そのような特定がされていない点。
         
（４）相違点の検討  
　上記（２）（２−２）イにて指摘したように、刊行物２事項は、  
「シリコンウェーハ２２を支持するためのウェーハ保持具１３であって、
　上記ウェーハ保持具１３本体の上面に沿って延在する第１及び第２突起２４ａ、２４ｂと、を備え、
　上記第１及び第２突起２４ａ、２４ｂは、それぞれ上記ウェーハ保持具１３本体の上面と連続し、かつ離間された第１の傾斜面と第２の傾斜面とを有し、
　上記第１及び第２突起２４ａ、２４ｂ上面の周縁に丸味を付与することにより、シリコンウェーハ２２にスリップを発生しないようにすること。」というものであるところ、これを補正発明の用語に倣って表現すれば、刊行物２事項の「シリコンウェーハ２２」は「半導体ウェハ」と表現でき、以下同様に、「ウェーハ保持具１３」は「プラットフォーム」と、「ウェーハ保持具１３本体」は「ボディ」と、「第１の傾斜面と第２の傾斜面」は「第１エッジマージンと第２エッジマージン」と表現できる。
　したがって、刊行物２事項は、  
「半導体ウェハを支持するためのプラットフォームであって、
　ボディの上面に沿って延在する第１及び第２突起２４ａ、２４ｂと、を備え、
　上記第１及び第２突起２４ａ、２４ｂは、それぞれ上記ボディの上面と連続し、かつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有し、
　上記第１及び第２突起２４ａ、２４ｂ上面の周縁に丸味を付与することにより、半導体ウェハにスリップを発生しないようにすること」と言い換えることができる。  
 
　ここで、刊行物１発明と刊行物２事項は、いずれも、半導体ウェハを支持するためのプラットフォームである点で技術分野が共通している。
　また、刊行物１発明のエッジマージンを有する「溝３１」と、刊行物２事項の「第１及び第２突起２４ａ、２４ｂ」とは、相対的な深さ方向の差を設けるための構造、である限りにおいて共通する。さらに、一般にプラットフォーム（あるいは支持リング）において、半導体ウェハのスリップ発生を防止することは、刊行物２事項のみならず、例えば、原審の拒絶理由通知にて先行技術文献として示した特開２００５−２６４６３号公報（段落【０００６】、【０００９】等を参照）、同じく特開２００６−５２７１号公報（段落【０００６】〜【０００７】等を参照）にも示されるように、従来周知の課題である。
　そうしてみると　同じ技術分野の刊行物２に接した当業者が、半導体ウェハのスリップ発生の防止という従来周知の課題を解決すべく、これを刊行物１発明に適用し、刊行物１発明における相対的な深さ方向の差を設けるための構造たる溝３１の、第１エッジマージンと第２エッジマージンの周縁に丸味を付与することを試みることに格別困難性はない。そして、その場合、周縁に丸味を付与されたエッジマージンは、（相違点１に係る補正発明のように）凸状であるということができる。 
     
　そうした上で、補正発明においては、第１エッジマージン及び第２エッジマージンのそれぞれが、チャンネルの少なくとも一部にわたって、０．５ｍｍ以上の曲率半径を有する点で、なお刊行物２事項及び従来周知の事項を適用した刊行物１発明と相違している。 
　これにつき検討するに、まず、０．５ｍｍ以上の曲率半径とすることは物品形状の数値範囲の最適化であって、格別な臨界的意義が見い出せない限り、想到困難ということはできないところ、本件明細書段落【００２４】に「 プラットフォームＥは、図４に示すように、０．５ｍｍの曲率半径を有する凸状のエッジマージンを有する。・・・図１２から容易に明らかなように、プラットフォームＥでは、ウェハＥにおけるスリップはゼロであった。」と記載され、該実施例等に基づいて、請求人は、「０．１ｍｍから０．５ｍｍ未満の範囲では、いくらかスリップが発生しているが（本願の図１１参照）、０．５ｍｍ以上ではスリップの量が最も少ないか若しくはゼロであるため（本願の図１２参照）、曲率半径が０．５ｍｍ以上であることについて臨界的意義が示されております。」と主張する（審判請求書第２ページ下から２〜６行）。
　しかしながら、当審は、以下の理由により、請求人の主張には理由がなく、０．５ｍｍ以上の曲率半径とすることに進歩性を見い出し得ない、という見解である。というのも、
（ア）そもそも、ウェハのスリップの量は、プラットフォームの曲率半径のみならず、ウェハの外径や厚さによって変化すると考えられるから、それらを規定することなく、一律に「０．５ｍｍ以上の曲率半径」と規定することの技術的意義は乏しく、
（イ）ウェハを凸曲面で支持する際に、その曲率半径を０．５ｍｍ以上とすることは、例えば、上記特開２００６−５２７１号公報（段落【００３０】、【００３２】〜【００３３】等を参照）にも示されるように、従来周知の事項とも言える、ごく一般的なものであり、
（ウ）請求人は、０．５ｍｍ以上ではスリップの量が最も少ないか若しくはゼロであるため、曲率半径が０．５ｍｍ以上であることについて臨界的意義が示される旨主張するが、スリップ量はウェハが製品として正常といえる範囲以内のものであれば足り、必ずしもゼロ付近である必要はなく、
（エ）「０．５ｍｍ以上の曲率半径」という範囲は、上限がないことから広範であり、大きな曲率半径のものを全て包含する、からである。
 　
　よって、刊行物１発明に刊行物２事項及び従来周知の事項を適用して、相違点１に係る発明特定事項を補正発明のものとすることは、当業者が容易に想到し得るものである。　  
  
　したがって、補正発明は、刊行物１発明、刊行物２事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
       
４　むすび  
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
     
第３　本件出願の発明について  
１　本件出願の発明  
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の特許請求の範囲の請求項に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、平成２４年４月２３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「プラットフォーム」である。  
     
２　引用例  
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された刊行物は、上記第２の３（２）に示した刊行物１及び２であり、その記載事項は上記第２の３（２）（２−１）及び（２−２）のとおりである。 
     
３　対比・検討  
　本件出願の発明は、上記第２の３で検討した補正発明において、実質的に、「０．５ｍｍ以上」なる特定を、「０．１ｍｍ以上」というより範囲の広い特定としたものである。  
　そうすると、本件出願の発明と刊行物１発明とは、上記第２の３（３）で示した一致点を有し、下記相違点２において相違する。
＜相違点２＞  
　本件出願の発明は、エッジマージンの両方が、チャンネルの少なくとも一部にわたって凸状であり、それら第１エッジマージン及び第２エッジマージンのそれぞれが、チャンネルの少なくとも一部にわたって、０．１ｍｍ以上の曲率半径を有するものであるのに対し、刊行物１発明のエッジマージンは、そのような特定がされていない点。
　
　そして、相違点２については、上記第２の３（３）で示した、より範囲の狭い特定を前提とした相違点１が想到容易である以上、それよりも範囲の広い特定を前提とした相違点２も想到容易ということになる。
　したがって、本件出願の発明は、刊行物１発明、刊行物２事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということになる。  
     
４　むすび  
　以上により、本件出願の発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　よって、本件出願のその余の請求項２ないし１４に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。