【事件の表示】
　特許第３３７１５２９号「ドライエッチング方法」の請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、
　次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３７１５２９号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３３７１５２９号の請求項１〜３に係る発明は、平成６年３月２９日に特許出願され、平成１４年１１月２２日にその特許権の設定登録がなされ、その後、山枡幸文より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１０月８日に訂正請求がなされたものである。
　　　
【２】訂正の適否についての判断
【２-1】訂正の内容
訂正事項a；【特許請求の範囲】の請求項１〜３を、
「【請求項１】アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上のパターニングされた導電層を覆ってエッチング対象層を形成する工程と、前記エッチング対象層上にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をパターニングし、前記画素表示基板毎に対応する所定パターンが形成される前記エッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域と、前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に設けられる前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域を露出する工程と、前記マスクを用いて、前記エッチング対象層をドライドライエッチングするドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程において発生する所定のスペクトル光の強度をモニタリングするモニタリング工程と、前記モニタリング工程において得られた強度に基づいて、前記ドライエッチングのエッチングエンドポイントを検出する工程と、を備えることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】前記ダミーのエッチング対象領域は、基板上に配列された前記複数の画素表示基板に対応する前記ダミーのエッチング対象領域がつながった格子状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板が複数配列された基板上のパターニングされた導電層を覆うエッチング対象層に、前記画素表示基板毎に対応する所定パターンがエッチングにより形成される前記エッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域と、前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に配置され、一連につながた格子状に形成される前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域とを設けることにより、ダミーのエッチング対象領域を基板上で均一に、且つエッチング対象領域の総面積を前記パターニング領域の面積より大きくしてエッチング時に発生するスペクトル光を強くし、該発光スペクトルを用いてエッチングエンドポイントを検出することを特徴とするドライエッチング方法。」と訂正する。
訂正事項b；段落【0005】の【課題を解決するための手段】を、
「アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上のパターニングされた導電層を覆ってエッチング対象層を形成する工程と、前記エッチング対象層上にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をパターニングし、前記画素表示基板毎に対応する所定パターンが形成される前記エッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域と、前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に設けられる前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域を露出する工程と、前記マスクを用いて、前記エッチング対象層をドライドライエッチングするドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程において発生する所定のスペクトル光の強度をモニタリングするモニタリング工程と、前記モニタリング工程において得られた強度に基づいて、前記ドライエッチングのエッチングエンドポイントを検出する工程と、を備えることを特徴とする。」と訂正する。
訂正事項c；段落【0006】の【作用】を、
「上記構成によれば、アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上のパターニングされた導電層を覆って形成したエッチング対象層に、回路パターン等を作成するために必要なエッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域に加えて、本来は必要とされない（あっても害とならない）ダミーのエッチング対象領域を前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に配置し、エッチング対象領域の総面積を大きくする。このため、ドライエッチングに伴う特定のスペクトル光の発光量が多くなる。従って、この特性スペクトルの強度変化に基づいて、エッチングエンドポイントが容易に検出でき、しかも、導電層が露出することも無い。」と訂正する。
訂正事項d；段落【0014】の記載を、
「透明基板１１の四辺端部は半導体素子完成時に切断等して除去してもよく、特に害がない場合には、そのまま維持してもよい。また、ダミーのエッチング対象領域２５のエッチングにより導電層等が露出しないよう、予めこの領域の導電層をパターンニングしておくことが望ましい。」と訂正する。
訂正事項e；段落【0018】の【発明の効果】を、
「この発明によれば、アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上のパターニングされた導電層を覆って形成したエッチング対象層に、前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分にダミーのエッチング対象領域を設けたので、回路構成上必要なエッチング対象領域の面積が小さい場合であっても、エッチング時に発生するスペクトル光を基板全面に均一、安定且つ所望の強度で発光させることができる。従って、この特性スペクトルの強度からエッチングエンドポイントを検出でき、しかも、導電層が露出することも無い。」と訂正する。
　　　
【２-2】訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
［１］上記訂正事項aは、
（１）訂正前の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１において、「基板上にエッチング対象層を形成する」を「基板上のパターニングされた導電層を覆ってエッチング対象層を形成する」と、また「エッチング対象層のエッチング対象領域」を「エッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域」と、さらに「エッチング対象領域の周辺部に設けられる前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域」を「エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に設けられる前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域」というように発明特定事項を限定したものである。
（２）特許請求の範囲の請求項２が、請求項１を引用しているので、訂正後の請求項２にも、前記（１）と同様の限定をしたものである。
（３）訂正前の特許明細書の特許請求の範囲の請求項３において、「基板上に、前記画素表示基板毎に対応する」を「基板上のパターニングされた導電層を覆うエッチング対象層に、前記画素表示基板毎に対応する」と、また「エッチング対象層のエッチング対象領域」を「エッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域」と、さらに「エッチング対象領域の周辺部に配置され、一連につながった格子状に形成される前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域」を「エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に配置され、一連につながった格子状に形成される前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域」というように発明特定事項を限定したものである。
　そして、前記（１）〜（３）の内容は、本件の願書に添付した明細書の段落【0007】及び【0014】に、「図１、図２に示す基板は、ガラス等からなる透明基板１１上に導電パターン１３等を形成し」及び「透明基板１１の四辺端部は半導体素子完成時に切断等して除去してもよく、特に害がない場合には、そのまま維持してもよい。また、ダミーのエッチング対象領域２５のエッチングにより導電層等が露出しないよう、予めこの領域の導電層をパターンニングしておく」として記載され、また、本件の願書に添付した図面の【図１】及び【図２】にも示されている。
　したがって、上記訂正事項aは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、かつ新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　　　
［２］上記訂正事項b〜eは、
　上記【２-1】段落における訂正事項aの特許請求の範囲の訂正に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合を図るものであって、明瞭でない記載の釈明に相当し、かつ新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　　　
【２-3】まとめ
　上述のとおりであるから、上記【２-1】段落に記載した訂正事項a〜eからなる訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する、特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項並びに第３項の規定に適合するので、その訂正を認める。
　　　
【３】特許異議申立て理由の概要
特許異議申立人山枡幸文は、次の甲第１〜３号証及び参考資料１を提示し、
　本件の請求項１〜３に係る発明は、本件特許出願前に特許出願され、本件特許出願後に出願公開された甲第１号証に記載された発明であり、その特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、取り消されるべきものであるとしている。
　さらに、本件の請求項１〜３に係る発明は、甲第２，３号証及び参考資料１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できた発明であり、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消されるべきであるとしている。
甲第１号証；特願平５−３１６９６９号(特開平７−１６８２０３号公報
　　　　　　参照)・・・以下、「先願」という。
甲第２号証；特開平１−１８９９２４号公報(以下、「刊行物２」という。)
甲第３号証；特開平１−２１７９１０号公報(以下、「刊行物３」という。)
参考資料１；日経ＢＰ社「フラットパネル・ディスプレイ1994」
　　　　　　1993年12月10日 発行
　　　
【４】本件特許発明
　本件については、上記【２】段落で示したようにその訂正が認められるから、本件の請求項１〜３に係る発明(以下、「本件発明１〜３」という)は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項１】アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上のパターニングされた導電層を覆ってエッチング対象層を形成する工程と、前記エッチング対象層上にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をパターニングし、前記画素表示基板毎に対応する所定パターンが形成される前記エッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域と、前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に設けられる前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域を露出する工程と、前記マスクを用いて、前記エッチング対象層をドライドライエッチングするドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程において発生する所定のスペクトル光の強度をモニタリングするモニタリング工程と、前記モニタリング工程において得られた強度に基づいて、前記ドライエッチングのエッチングエンドポイントを検出する工程と、を備えることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】前記ダミーのエッチング対象領域は、基板上に配列された前記複数の画素表示基板に対応する前記ダミーのエッチング対象領域がつながった格子状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板が複数配列された基板上のパターニングされた導電層を覆うエッチング対象層に、前記画素表示基板毎に対応する所定パターンがエッチングにより形成される前記エッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域と、前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に配置され、一連につながった格子状に形成される前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域とを設けることにより、ダミーのエッチング対象領域を基板上で均一に、且つエッチング対象領域の総面積を前記パターニング領域の面積より大きくしてエッチング時に発生するスペクトル光を強くし、該発光スペクトルを用いてエッチングエンドポイントを検出することを特徴とするドライエッチング方法。」である。
　　　
【５】先願、及び刊行物２，３の記載内容
［１］先願は、
　液晶表示装置のコンタクトホール開口のためのエッチング方法に関する(段落【0001】)ものであって、コンタクトホ一ルの寸法の微細化に伴いその断面形状を制御することが課題となるところ、コンタクトホ一ルを形成するためのエッチング工程においてダミー領域を同時にエッチングすることにより、コンタクトホ一ルの寸法制御を実現する(段落【0003】,【0004】)発明に関するものである。
　そして、段落【0005】後半に、
「３０５はゲート線とソース線を絶縁する第１の層間絶縁膜(図２の２０５)と同一材料により同時に形成される。３０６は薄膜トランジスタのソース電極とソース線を接続する第１のコンタクトホール(図２の２０６)と、フォトレジスト３１０をマスクとして同時に開口される。エッチングはリアクティブイオンエッチング(以下ＲＩＥと略す。)により行なう」と記載され、
　段落【0006】に、
「本発明のポイントはＲＩＥのエッチングの終点検出方法に関係している。前記第１及び第２のコンタクトホールの大きさは、前述したようにデバイスの微細化に伴い３乃至２μｍ□以下の大きさにする必要がある。一方、ＲＩＥによるエッチング終点の検出は、エッチング中の反応生成物の発光スペクトルの検出により行われるので、ある程度の反応生成物の量が必要となる。しかし、コンタクトホ一ルの面積が小さくなると前記反応生成物の量が小さくなり、従って、目的とする発光スペクトルの強度が小さくなり、エッチングの終点検出が困難となる。しかし、本発明ではコンタクトホ一ルに対応するダミー領域を設けてあるために、充分な発光スペクトルの強度を確保することができ、従って、エッチングの終点検出が可能である。また、前記第１及び第２のダミー領域として、基板周辺の領域など、パネル形成のための基板の有効面積が損なわれないように設定することができる」と記載され、
　段落【0007】に、
「図１に於て、１０１は絶縁基板、１１２は液晶パネルとなる領域、１０６は前記第１のコンタクトホールに対応する前記第１のダミー領域、１０８は前記第２のコンタクトホールに対応する前記第２のダミー領域である。前記第１及び第２のダミー領域は、液晶パネルの組立工程でパネル切断の為のダイシング領域を兼ねている。図１に於て、第１のダミー領域１０６は縦方向のダイシング領域とし、第２のダミー領域１０８は横方向のダイシング領域としたが、第１及び第２のダミー領域の区分には特別な制限はない。望ましい前記区分としては、第１及び第２のダミー領域の面積がほぼ同程度で、且つ、基板全体からみて分布に偏りが無いことである」と記載されている。
　　　
［２］刊行物２の記載内容
　第２頁右上欄第６〜１８行に、
(刊2a)「終点検出器は、エッチング時のプラズマの発光スペクトルを監視し、被エッチング材料がなくなったときの発光スペクトルの変化を検出してエッチングの終点を検出するものである。すなわち、第４図に示すように、・・・光検出器４８および終点判定器５０からなる終点検出器５２を臨ませ、・・・この光検出器４８前面にはフィルタ(図示せず)が設けられており、所望の波長の発光のみを測定する」と記載され、
　第３頁左上欄第１〜１５行に、
(刊2b)「面積の割合は2.5％程度となり(第１ゲートエッチング時)終点が検出しにくくなるのである。・・・チップ上におけるパターン形成領域の占める割合が小さい場合は、エッチングの終了時すなわち終点到達時における物理量の変化が少なくなるために、終点検出器によりその物理量の変化が検出しにくくなり、エッチング工程の正確な終了制御ができにくくなって、下地にダメージを与えたり、または、逆にエッチングが不充分となる等の欠点が生じていた」と記載され、
　第３頁右上欄第２〜１１行に、
(刊2c)「本発明に係る半導体装置の製造方法は、被エッチング材料を前記パターン形成領域以外のダミーエッチング領域にも形成し、前記パターン形成領域の前記被エッチング材料と前記ダミーエッチング領域の前記被エッチング材料を同時にエッチングし、前記パターン形成領域ばかりでなく前記ダミーエッチング領域の前記エッチング材料のエッチングの終了に伴って生ずる物理量の変化をも含めて検出し、エッチング工程の終了制御に利用することを特徴とする」と記載され、
　第４頁左上欄第２〜８行に、
(刊2d)「エッチングが終了して被エッチング材料がなくなれば、プラズマ中のラジカルの種類（または量）が大きく変化するのであり、このラジカルによる発光の変化を前記光検出器４８により発光スペクトルの変化として検出し、終点判定器５０によりエッチングが終点に達したことを判定する」と記載され、
　第４頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第７行に、
(刊2e)「エッチング領域としては、全チップ面積の10％程度であれば終点検出器52は十分に作動することが確認できた。なお、本実施例では、EPROM，EEPROMおよびそれらを内蔵したマイコンについて説明したが、これらディバイスに限定する必要はなく、終点検出器を用いたエッチングにおいて、エッチング面積が小さいため、エッチングの終了制御に必要となる十分な物理量の変化が検出できない場合には、同様にダミーエッチング領域を設けることにより同様の効果を得ることができる」と記載され、
　第４頁右下欄第１３〜２０行に、
(刊2f)「前記構成を有する本発明は、ダミーエッチング領域の被エッチング材料をも含めた広い領域からエッチングの終了に伴う物理量に変化が発生するため、その広い領域からの物理量の変化を検出してエッチング工程の終了制御を行なうことができ、エッチング工程の終了制御が正確かつ容易となり、下地のダメージやエッチングの不充分という不都合な現象を極力防止し得る」と記載されている。
　　　
［３］刊行物３の記載内容
　第２頁左下欄第９行〜同頁右下欄第５行に、
(刊3a)「タングステンの選択成長の原因は、シリコン基板の表面とスムースコート膜の表面との反応開始ガスの吸着サイト量の差によってシリコン基板の表面上に早期にタングステンが堆積されるものであると言われている。ところが、コンタクト孔が微小でありシリコン基板表面の露出面積が微小な場合には、・・・反応開始の遅延時間の再現性が乏しくなるという問題があった。このために、ウエハ面上の複数の半導体素子におけるタングステン層の堆積状態にばらつきを生じ素子の歩留りが悪化したり、コンタクト孔の設計上の多様性によって各種の半導体素子パターンごとに製造上のばらつきを生じるなどの問題が生じ、半導体装置の量産化を妨げていた」と記載され、
　第２頁右下欄第１８行〜第３頁左上欄第２行に、
(刊3b)「コンタクト孔の開孔面積より大きな面積を占めるシリコン層露出領域を用意し、前記コンタクト孔の開孔部と前記露出領域とに、同時に前記金属膜を堆積することを特徴とする」と記載され、
　第３頁左上欄第４行〜同頁右上欄第５行に、
(刊3c)「シリコンウエハ面上の素子領域上のコンタクト孔とは別の領域にシリコン層表面を露出させたダミー領域(シリコン層露出領域)を形成している。・・・このダミー領域の安定した選択成長によってシリコンウエハ全体が安定した還元反応雰囲気に設定され、コンタクト孔の微小な領域内部にも安定し金属膜を連続成長させることができる。また、このようにシリコンウエハ面上の還元反応の条件がダミー領域での還元反応によって支配されるため、種々のコンタクト配線パターンを有する個々のシリコンウエハに対してもコンタクト孔の配線パターンに依存することなく安定した金属膜の選択成長を行なうことができる」と記載され、
　第３頁左下欄第２〜５行に、
(刊3d)「シリコンウエハのダイシングライン１６上の酸化膜６もエッチング除去し、シリコン層表面が露出したダミー領域を形成する」と記載され、
　第３頁右下欄第９行〜第４頁左上欄第４行に、
(刊3e)「上記実施例では、安定した選択ＣＶＤ法による選択成長を行なわせるためのダミー領域としてダイシングライン部を用いた場合について説明したが、これに限定されることなく、たとえばシリコンウエハのエッジ領域であってもよいし、また素子領域の一部に設けてもよい。［発明の効果］以上のように、本発明によればシリコンウエハの面上のダミー領域にシリコン層の露出領域を形成し、この領域とコンタクト孔内部とに同時に選択ＣＶＤ法を用いて金属膜を堆積させるように構成したので、ダミー領域での安定した金属膜の選択成長の影響により微細なコンタクト孔の内部にも金属膜を安定的に堆積させることができ、これによって半導体素子の製造上の歩留りが向上し、量産化を行なうことが可能となった」と記載されている。
　　　
【６】特許異議申立てに対する当審の判断
【６-1】本件発明１〜３と先願の発明との同一性
　先願には、本件発明１〜３と同様の目的、すなわち、アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造において、微細なコンタクトホールを開口すべき積層膜をドライエッチングする際、エッチング終点の検出を容易にすることが記載され、かつ、そのエッチング工程において本件発明１〜３と類似の構成が示されていることは認められる。
　しかし、本件発明１〜３の、アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上のパターニングされた導電層を覆って形成したエッチング対象層に、回路パターン等を作成するために必要なエッチング対象層の前記導電層上に位置するエッチング対象領域に加えて、本来は必要とされないダミーのエッチング対象領域を前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に配置し、エッチング対象領域の総面積を大きくしてドライエッチングを行うようにした点については、記載も示唆もない。
　すなわち、先願の発明は、液晶パネルとなる領域の周辺部にコンタクトホールと同一構造のダミー領域を設け、エッチング終点の検出を容易にすることを開示している。しかし、これには画素表示基板毎にエッチング対象領域の周辺部の導電層が形成された部分以外の他の部分にダミーのエッチング対象領域を設けることを示すものではない。
　したがって、本件発明１〜３は先願の発明と、画素表示基板を複数配列した基板上に、回路パターン等を作成するために必要とされるエッチング対象領域と、前記エッチング対象領域の周辺部にダミーのエッチング対象領域を、画素表示基板毎に形成し、エッチングされるエッチング対象層の総面積を大きくしてドライエッチングを行う点では一致しているものの、
　本件発明１〜３が、エッチング対象層上に形成されるマスク層に、画素表示基板毎にエッチング対象領域の周辺部の導電層が形成された部分以外の他の部分に、前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域を形成する点で、前記先願の発明と異なっている。
　すなわち、先願の発明では、液晶パネルとなる領域の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するに際して、液晶パネルとなる領域の周辺部のダミー領域に、コンタクトホールを形成する部分の積層構造と同じ積層構造の積層膜を形成し、前記コンタクトホールと前記ダミー領域の層間絶縁膜をエッチングするようにしたものであり、エッチングが終了した後の前記ダミー領域には、前記層間絶縁膜の下層のソース、ドレイン電極を形成する導電膜が露出するエッチング方法となっている。
　これに対して、本件発明１〜３は、ダミーのエッチング対象領域を、画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に配置し、回路パターン等を作成するために必要なエッチング対象領域とともにエッチングするものであるから、エッチングの完了後においても前記導電層が表面に露出しないことがその特徴の一つである。
　以上のように、本件発明１〜３は、ダミー領域を下層の導電層が形成された部分以外の他の部分に配置した点で先願の発明と相違するから、先願の発明とは異なる発明である。
　よって、本件発明１〜３が、先願(甲第１号証)に記載された発明と同一であるとは認められない(特許法第２９条の２に該当せず)。
　　　
【６-2】本件発明１〜３の、刊行物２，３及び参考資料１からの、容易性
　刊行物２には、半導体装置の製造工程に用いられるドライエッチング技術分野において、エッチング工程において発生する所定のスペクトル光の強度をモニターしてエッチング終点を検出することは開示されている。
　また、エッチング対象領域の周辺又は近傍にダミーのエッチング対象領域を設けて両対象領域を同時にエッチングし、その際に発生するスペクトル光の物理量を検出し、エッチングの終点を認識することも刊行物２に記載されている。
　しかし、本件発明１〜３の発明特定事項である「アクティブマトリックス液晶表示装置を複数配列した基板上のエッチングである」点および、「画素表示基板毎に対応する所定パターンが形成されるエッチング対象層の導電層上に位置するエッチング対象領域と、前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に設けられる前記エッチング対象層のダミーのエッチング対象領域を露出する」点が、刊行物２には記載も示唆もされていない。
　一方、刊行物３には、半導体素子をＣＶＤ法を用いて金属膜堆積を行う工程において、複数の素子を多数個取りするための格子状に形成されるダイシングラインの領域等をダミーの金属膜堆積領域として安定した反応を実現することが記載されている。
　また、液晶表示装置の技術分野において、一枚の基板上にドライエッチング工程を経て多数の表示パネルを形成して製造し、ダイシングラインで切断することにより複数の表示パネルを得ることが、周知技術として例えば参考資料１に示されているとは言え、この資料において、そのエッチングがどのように行われるのか、また、当該資料を参考にしても、アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列したものでない一般の半導体装置とどのように関連付けられるのかは不明である。
　したがって、これら刊行物３及び参考資料１を、刊行物２の記載内容と組み合わせ・結び付ける必然性がまったくないのであるから、本件発明１〜３の前記発明特定事項を刊行物３，参考資料１から容易に想到し得たとはいえない。
　そして、本件発明１〜３は、「アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上のパターニングされた導電層を覆って形成したエッチング対象層に、前記画素表示基板毎に前記エッチング対象領域の周辺部の前記導電層が形成された部分以外の他の部分にダミーのエッチング対象領域を設けたので、回路構成上必要なエッチング対象領域の面積が小さい場合であっても、エッチング時に発生するスペクトル光の強度を増強できる。従って、この特性スペクトルの強度からエッチングエンドポイントを検出でき、しかも、導電層が露出することも無い」という作用効果を奏する。
　よって、本件発明１〜３が、刊行物２，３及び参考資料１の記載内容を組み合わせることにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない(特許法第２９条第２項の規定に該当せず)。
　　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１１月１７日（２００４．１１．１７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ドライエッチング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上
のパターニングされた導電層を覆って
　前記エッチング対象層上にマスク層を形成する工程と、
　前記マスク層をパターニングし、前記画素表示基板毎に対応する所定パターンが形成される前記エッチング対象層
の前記導電層上に位置する
の前記導電層が形成された部分以外の他の部分
　前記マスクを用いて、前記エッチング対象層をドライドライエッチングするドライエッチング工程と、
　前記ドライエッチング工程において発生する所定のスペクトル光の強度をモニタリングするモニタリング工程と、
　前記モニタリング工程において得られた強度に基づいて、前記ドライエッチングのエッチングエンドポイントを検出する工程と、
　を備えることを特徴とするドライエッチング方法。
　【請求項２】
　前記ダミーのエッチング対象領域は、基板上に配列された前記複数の画素表示基板に対応する前記ダミーのエッチング対象領域がつながった格子状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
　【請求項３】
　アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板が複数配列された基板上
のパターニングされた導電層を覆うエッチング対象層に、
前記導電層上に位置する
の前記導電層が形成された部分以外の他の部分に
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明はドライエッチング方法に関し、特に、エッチングの終了時点を簡単かつ正確に検出する方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体装置、液晶表示装置、マイクロデバイス等の製造工程等において実行されるドライエッチングにおいては、エッチングが終了したか否かの判断を、エッチングにより発生する光のレベルをモニタリングすることにより行っている。即ち、ドライエッチングを実行する際には、エッチング対象層の材質と反応ガスにより定まる特定のスペクトルの光が発生する。エッチングがエンドポイントに達すると、この光が非常に弱くなり、エッチングがエンドポイントに達したことが検出される。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、例えば、エッチング部分がコンタクトやパッドのような小面積の場合、エッチング時の発光量が少なく、発光スペクトルの変化からエッチングエンドポイントを確認することが困難である。
　【０００４】
　この発明は上記実状に鑑みてなされたもので、小面積のエッチングの場合であっても、容易にエッチングポイントを見いだすことができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上
のパターニングされた導電層を覆って
　前記エッチング対象層上にマスク層を形成する工程と、
　前記マスク層をパターニングし、前記画素表示基板毎に対応する所定パターンが形成される前記エッチング対象層
の前記導電層上に位置する
の前記導電層が形成された部分以外の他の部分
　前記マスクを用いて、前記エッチング対象層をドライドライエッチングするドライエッチング工程と、
　前記ドライエッチング工程において発生する所定のスペクトル光の強度をモニタリングするモニタリング工程と、
　前記モニタリング工程において得られた強度に基づいて、前記ドライエッチングのエッチングエンドポイントを検出する工程と、
　を備えることを特徴とする。
　【０００６】
　【作用】
　上記構成によれば、アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上
のパターニングされた導電層を覆って形成したエッチング対象層に
なエッチング対象層の前記導電層上に位置する
前記導電層が形成された部分以外の他の部分
、しかも、導電層が露出することも無い
　【０００７】
　【実施例】
　以下、図面を参照してこの発明の実施例にかかるドライエッチング方法を説明する。図１はこの発明の一実施例に係るエッチング対象基板の平面図、図２は図１の２−２線での断面図である。図１、図２に示す基板は、ガラス等からなる透明基板１１上に導電パターン１３等を形成し、その上に基板全面にわたって本実施例のエッチング対象であるシリコン窒化膜１５が形成されている。シリコン窒化膜１５の上には、フォトレジスト層１７が形成されており、フォトレジスト層１７のうち、図１にハッチングを付して示されるエッチング対象領域２３、２５上の部分が露光及び現像されて除去されている。
　【０００８】
　図１に示すエッチング対象領域のうち、符号２１で示される最大パターン領域（その内部に回路パターンが形成される領域）内のエッチング対象領域２３は回路パターン等を形成するためにエッチングが必要な領域であり、本実施例では、導電パターン１３の端子部を露出するために必要な領域であるとする。一方、最大パターン領域２１の外のエッチング対象領域２５は回路パターン等を形成するためには必要とされない領域であり、本来であれば、非エッチング対象領域として、図３に示すようにフォトレジスト層１７により覆われている領域である。換言すれば、エッチング対象領域２５は、シリコン窒化膜１５をドライエッチングする際に、エッチングエンドポイントを明確化するために配置されたダミーのエッチング対象領域である。
　【０００９】
　図４に示すように、チャンバー３１内の載置台３３上に図１、図２に示す構成を有する素子３５を載置し、６フッ化イオウ（ＳＦ６−Ｏ２）等の反応ガスを用いてシリコン窒化膜１５をドライエッチングする。この際、分光器３７を用いて、エッチングの間に発光する、波長３３５ｎｍを中心にした光（反応ガスが６フッ化イオウで、エッチング対象がシリコン窒化膜の場合に特有のスペクトル光）の強度をモニタリングする。
　【００１０】
　図１及び図３から明らかなように、本来のエッチング対象領域２３の面積は非常に小さく、通常であれば、図５に破線で示すように、スペクトル光の強度は非常に弱い。しかし、本実施例では、ダミーのエッチング対象領域２５が配置されているので、総エッチング面積は十分に大きくなり、該スペクトル光の強度は図５に実線で示すように十分に大きな値となる。
　【００１１】
　エッチングがエッチングエンドポイントの近傍に達すると、スペクトル光の強度は図５に示すように急激に低下する。この急激な強度変化により、エッチングエンドポイントに達したことが判別でき、エッチング処理を終了する。これにより、ジャストエッチングの状態でエッチングを終了することができ、アンダーエッチングやオーバーエッチングを防止できる。その後、素子３５をチャンバー３１から取り出され、後工程を行う。
　【００１２】
　以上説明したように、本実施例によれば、ダミーのエッチング対象領域２５が配置されているので、ドライエッチングの際に、十分な面積のエッチング対象領域を確保でき、ドライエッチング時の発光量が多くなり、その強度変化をモニタリングすることによりエッチングエンドポイントを確実に検出できる。
　【００１３】
　ドライエッチングでは、基板のエッジ部から中心部に向かってエッチングが進行する傾向がある。この実施例では、透明基板１１の周辺部にダミーのエッチング対象領域２５を設けているので、基板上の片寄った部分のみをエッチングするような場合でも、安定したエッチングレートで、エッチングを行うことができる。
　【００１４】
　透明基板１１の四辺端部は半導体素子完成時に切断等して除去してもよく、特に害がない場合には、そのまま維持してもよい。
　また、ダミーのエッチング対象領域２５のエッチングにより導電層等が露出しないよう、予めこの領域の導電層をパターンニングして
おくことが望ましい
　【００１５】
　この発明は上記実施例に限定されない。例えば、上記実施例では、透明基板１１の４辺全てにダミーのエッチング対象領域２５を配置したが、一辺のみにダミーのエッチング対象領域を配置してもよい。また、上記実施例では、最大パターン領域２１の外にダミーのエッチング対象領域２５を配置したが、最大パターン領域２１内の回路構成に無関係な部分にダミーのエッチングパターンを配置してもよい。
　【００１６】
　エッチングを用いて形成される素子・回路の種類は限定されない。例えば、図６に示すように、１枚のガラス基板上に形成された複数の画素表示基板（アクティブマトリクス液晶表示素子の能動素子が形成された基板）の端子部Ｔ上の絶縁膜をエッチングして端子部Ｔを露出させるような場合にも、この発明を適用できる。また、図６に示す画素表示基板のように、１つの基板上に複数の素子或いは回路を形成し、形成終了後、個々のパーツに分離するような場合には、基板の周辺部だけでなく破線で示す切断ライン（ダイシングライン）及びその近傍等にダミーのエッチング対象領域を配置してもよい。基板内にダミーのエッチング対象領域を確保できない場合には、例えば、別個の基板上に同一条件で形成したエッチング対象領域を設け、２つの基板をチャンバー３１の載置台３３上に隣接して載置し、エッチングするようにしてもよい。
　【００１７】
　エッチングの対象もシリコン窒化膜（ＳｉＮ）に限定されず、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）等の他の絶縁膜、アルミニウム、クロムなどの金属膜、シリコン等の半導体層等でもよい。エッチング対象物の種類に応じた反応ガスが使用され、エッチングエンドポイントを検出するための発光スペクトルはエッチングの対象と反応ガスに応じて適宜選択する。基板もガラス等からなる透明基板に限定されず、光非透過性の基板、半導体基板、絶縁基板等いずれでもよい。
　【００１８】
　【発明の効果】
　この発明によれば、アクティブマトリックス液晶表示素子の能動素子が形成され、それぞれが液晶表示素子を構成するための画素表示基板を複数配列した基板上の
パターニングされた導電層を覆って形成したエッチング対象層に
の前記導電層が形成された部分以外の他の部分
、しかも、導電層が露出することも無い
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の一実施例にかかるドライエッチング法を実施する基板の平面構成を示す図である。
　【図２】
　図１における２−２線での断面図である。
　【図３】
　図１に示す基板を通常の手法でエッチングする場合の基板の平面構成を示す図である。
　【図４】
　エッチング工程、及びエッチングが終了したか否かを判別する工程を説明するための図である。
　【図５】
　エッチング時の特性スペクトルの強度の変化を示す図である。
　【図６】
　製造過程にある表示画素基板の平面構成を示す図である。
　【符号の説明】
　１１・・・透明基板、１３・・・導電パターン、１５・・・シリコン窒化膜、１７・・・フォトレジスト層、２１・・・最大パターン領域、２３・・・エッチング対象領域、２５・・・エッチング対象領域、３１・・・チャンバー、３３・・・載置台、３５・・・エッチング対象の素子、３７・・・分光器