【事件の表示】
　特許第３１５４７９３号「基板処理装置」の請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５４７９３号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続きの経緯
　本件特許第３１５４７９３号発明は、平成４年３月２７日に特許出願され、平成１３年２月２日にその特許の設定登録がなされた後、本件請求項１〜３に係る発明の特許に対して特許異議申立人村井宏（以下、「申立人」という）により平成１３年１０月９日付けで異議申し立てがなされ、取消理由通知がなされその指定期間内である平成１４年６月４日付けで訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否
II−１．訂正の内容
　上記訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を、訂正請求書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という）のとおりに訂正しようとするものであって、その内容は次のとおりである。
　
（１）訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３の
「【請求項１】
　第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、前記第１ハンドラ室と異なる雰囲気にされる第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され、前記第２ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
　前記接続室に、基板に対する所定の処理を行う機能を持たせたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
　前記第１ハンドラ室に、基板に対する所定の処理を行う機能を持たせたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。」を、
「【請求項１】
　真空または減圧雰囲気とされる第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、大気圧雰囲気とされる第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され、前記第２ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室と、前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
　前記接続室に、基板に対する所定の処理を行う機能を持たせたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
　前記第１ハンドラ室に、基板に対する所定の処理を行う機能を持たせたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。」と訂正する。
  より詳細には、訂正事項ａは、次の訂正事項１〜３からなるものである。
　訂正事項１；「第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され」を、
「真空または減圧雰囲気とされる第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され」と訂正する。
　訂正事項２；「第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され」を、
「大気圧雰囲気とされる第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され」と訂正する。
　訂正事項３；「ロードロック機能を持った接続室と、を備えた」を、
「ロードロック機能を持った接続室と、前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されている」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【００１０】の
「上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、前記第１ハンドラ室と異なる雰囲気にされる第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され、前記第のハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室と、を備えたことを特徴としている。」を、
「上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、真空または減圧雰囲気とされる第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、大気圧雰囲気とされる第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され、前記第２ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室と、前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されていることを特徴としている。」と訂正する。
　
II−２．訂正の適否、新規事項の有無、および拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項１は、「第１ハンドラ室」を、より下位概念の「真空または減圧雰囲気とされる第１ハンドラ室」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。また、この訂正は、特許明細書の段落【００１６】の「即ち、第１ハンドラ室４は、通常のシーケンスで基本となる圧力が真空若しくは減圧であり、第２ハンドラ室は、通常のシーケンスで基本となる圧力が大気圧となっている。」の記載に基づくものである。
　訂正事項２は、「第２ハンドラ室」を、より下位概念の「大気圧雰囲気とされる第２ハンドラ室」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。また、この訂正は、特許明細書の段落【００１６】の「即ち、…中略…第２ハンドラ室は、通常のシーケンスで基本となる圧力が大気圧となっている。」の記載に基づくものである。
　訂正事項３は、「ロードロック機能を持った接続室と、を備えた」を、より下位概念の「ロードロック機能を持った接続室と、前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されている」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。また、この訂正は、第１、２図、および、特許明細書の段落【００１５】の「前記第２ハンドラ室５には、ロードロック室１４を介してカセットステーション１５が接続され、このロードロック室１４の両側のカセットステーション１５及び第２ハンドラ室５との間には、ゲートバルブ１６、１７が夫々介装されている。」
および、段落【００２７】の「ここに、前記２つのロード・アンロード室３１、３２には、ロードロック機能が備えられており、このようにロードロック機能を備えることにより、ロードロック室を省略することができる。」の記載に基づくものである。
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、訂正事項ａに整合させるべく、発明の詳細な説明の欄の記載を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして訂正事項ａ、ｂに係る訂正は、いずれも特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（３）まとめ
　したがって、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立て
III−１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜３に係る発明は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのもの（以下、「本件発明１〜３」という）である。
「【請求項１】
　真空または減圧雰囲気とされる第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、大気圧雰囲気とされる第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され、前記第２ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室と、前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
　前記接続室に、基板に対する所定の処理を行う機能を持たせたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
　前記第１ハンドラ室に、基板に対する所定の処理を行う機能を持たせたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。」
　
III−２．特許異議の申立ての理由の概要
（１）申立人は「特許明細書の請求項１、２に係る発明は、下記の甲第１号証に記載された発明であり（「申立理由１」という。）、また、特許明細書の請求項１〜３に係る発明は、下記の甲第１号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証、甲第３号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである（「申立理由２」という。）から、特許明細書の請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に、また、特許明細書の請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定にそれぞれ違反してなされたものである」旨を主張している。
　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平３−１９２５２号公報（以下、「刊行物１」という）
甲第２号証：特開平３−１３６３４５号公報（以下、「刊行物２」という）
甲第３号証：特開平３−１９０２６０号公報（以下、「刊行物３」という）
　
III−３．刊行物の記載事項
（１）刊行物１の記載事項
（１−１）第４頁右上欄６行〜右下欄１８行には 
「［従来の技術]
　汚染を滅少させ且つ処理量を増大させるため、最近開発された多くの単一ウェーハ処理チャンバは、カセットロードロックと複数／多重真空処理チャンバとの間でウェーハを移送するウェーハ移送ロボットを備えた装置構成を用いている。…中略…このような最新の装置によって提供される真空隔離は向上したのであるが、一般にかかる装置においては、高真空処理、例えばスパッタリングのような物理的蒸着に対して商業的に許容される処理量を提供されることが困難である。特に、処理チャンバまたはそのロードロックチャンバを、これにウェーハをロードした後に、その基礎真空度に排気するのに要する時間が過大である。
[発明が解決しようとする課題]
　本発明の目的は、装置のチャンバを、これにウェーハをロードした後、その基礎真空度に排気するのに要する時間を最小限にするように構成した半導体ウェーハのようなワークピースに対する処理装置を提供することにある。本発明の他の目的は、装置内にあるウェーハを、これが高真空領域に入る前に、予備クリーニング及びその他後処理することにより、汚染を減らし及び処理量を増加させることにある。本発明の更に他の目的は、極めて高い真空度のチャンバに対する、例えば、スパッタリングに対して用いられるもののような物理的蒸気処理チャンバに対し、排気時間を最小限にし、従って処理量を増加させるようにした前記種の装置を提供することにある。本発明の更に他の目的は、別々の隔離可能ウェーハ移送通路を提供することにより、処理能力及び処理量が増大した真空処理装置提供することにある。」が記載されている。
（１−２）第６頁右上欄１０行〜第７頁左下欄７行には
「[実施例]
　第１図は本発明の多段真空式半導体装置２０の平面図である。この装置は、４つの室を形成するハウジング２２、一端にあるロボット式バッファチャンバ２４、他端にある移送ロボットチャンバ２８、並びに中間処理チャンバ２６及び２７を有す。１つまたは複数のロードロックチャンバ２１を用いる場合もあるが、好ましくは、２つのかかるチャンバをバッファチャンバに取り付け、出入口３６及び付属のスリッドバルブ３８を介してバッファロボットチャンバの内部と連通させる。複数の真空処理チャンバ３４…中略…が移送ロボットステーションの周辺に取り付けられている。…中略…出入口は、付属の出入口３６及びゲートバルブ即ちスリットバルブ３８により、各チャンバに及びチャンバ相互間に設けられている。ロボットチャンバ２４及び２８は中間処理チャンバ２６及び２７介して互いに連通する。詳述すると、中間処理チャンバ２６は、移送ロボットチャンバ２８をバッファロボットチャンバ２４に接続する通路３０に沿って配置されている。同様に、第２の中間処理チャンバ２７は、ロボット２８及び２４を接続する別個の通路３２に沿って配置されている。…中略…装置２０を通るウェーハ移送の一般的な動作を示すと次の通り…中略…設計されている。…中略…その結果、真空度の変動、特にウェーハ移送中の真空度低下を、真空排気装置５０（第１図）を用いて最小限にし、この半導体処理装置をカセットロードロック２１から真空処理チャンバ３４まで横切る真空勾配を提供することができる。この装置を横切って多段真空が与えられ、真空度はカセットロードロック２１から処理チャンバ３４まで順々に高くなる。従って、チャンバ３４にウェーハをロードした後、このチャンバをその基礎真空度まで排気するに要する時間は最小限となり、長い排気時間を必要とせずに、従ってこの装置の処理量に悪影響を与えることなしに、極めて高い真空度を処理チャンバ３４内に用いることができる。また、高真空に入る前にウェーハを予備クリーニング及び／又は予備加熱することができるから、装置の汚染が少なく、また処理量が増加する。…中略…ほかに、前述したステーションまたはチャンバ４４及び４６をバッファロボットチャンバ２４に取り付け…中略…ることができる。」が記載されている。
（２）刊行物２の記載事項
（２−１）特許請求の範囲には
「１）半導体ウエーハを１枚づつ表面処理する枚葉処理方式の半導体ウエーハ処理装置であって、半導体ウエーハに表面処理が施されるプロセス反応室に真空仕切り弁を介して連設された１つの真空容器内に、表面処理前の半導体ウエーハを予備加熱する加熱手段と、表面処理後の半導体ウエーハを冷却する冷却手段と、半導体ウエーハを保持して前進後退、上昇下降、水平旋回させる機能を持ち該真空容器外部から該容器内へ表面処理前の半導体ウエーハを取り込むとともに前記プロセス反応室内のウエーハステージへ前記加熱手段による予備加熱後の半導体ウエーハを受け渡しする搬送機構とが相互間の仕切りを設けることなく開放状態に配設され、かつ該加熱手段と冷却手段とのそれぞれ下方に、半導体ウエーハが載置されて該半導体ウエーハを上下方向に移動させるウエーハ上下機構を備えるとともに該真空容器が加熱手段の反搬送機構側に半導体ウエーハが装填されたカセットを収容するカセット室を気密に結合可能に形成されていることを特徴とする半導体ウエーハ処理装置。」が記載されている。
（２−２）第４頁左上欄１２行〜右上欄１５行には
「[実施例]
　第１図は本発明による半導体ウエーハ処理装置構成の一実施例を示す平面図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ線に沿う装置の縦断面図、第３図は第１図におけるＡ−Ｂ線に沿う装置の縦断面図である。また第４図、第５図はそれぞれ第２図、第３図におけるＣ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線に沿う断面図であり、第６図に対応する同一部材には同じ符号が付してある。まず、第１図において、プロセス反応室１の側方には真空仕切り弁７を介してロードロック室２６が連設配備され、ロードロック室２６内には、搬送機構１５と加熱ゾーン１６と冷却ゾーン１７とが配設されている。さらにカセット室１８が真空仕切り弁１９を介してロードロック室２６に連設結合されており、かつ室外大気側とは真空仕切り弁８により仕切られている。そして第２図に示すように、前記カセット室１８にはカセット１３の段ごとに１ピッチ送りをする送り機構２０と真空排気系２１とが設けられており、ロードロック室２６は鋳込みヒータとして形成された加熱手段２２とウエーハ上下機構２３とを備える一方、第３図に示すように、ロードロック室２６内に水冷による冷却ステージ２４とウエーハ上下機構２３とが配備されている。」が記載されている。
（３）刊行物３の記載事項
（３−１）第３頁左上欄１６行〜左下欄５行には
「[実施例]
　第３図は、本実施例で使用するウエハ処理装置１の概略平面図である。ウエハ処理装置１は、互いに離間配置された第一の処理室２および第二の処理室３と、これら二つの処理室２、３を連結するロードロック室４とから構成されている。内部が所定の真空度まで排気された第一の処理室２には、ドライエッチング室５およびアッシング室６が設置されている。この処理室２の一端には、カセット室７が設置されており、その内部には、ウエハカセット８に収容された複数枚の半導体ウエハ９が搬入される。一方、内部が大気圧と等しい第二の処理室３には、洗浄室１０およびホットプレート１１が設置されている。第二の処理室３の一端には、カッセット室７が設置されており、処理工程が完了したウエハ９を一枚ずつウエハカセット８に収容する。ロードロック室４の内部には、第一の処理室２のアンローダ１２に載置されたウエハ９を第二の処理室３の位置決めステージ１３へと搬送する搬送アーム（搬送機構）１４が設置されている。第１図は、上記搬送アーム１４の先端部を示す断面図である。例えばステンレス鋼からなる搬送アーム１４は、その内部が中空のパージガス供給管１５となっており、この供給管１５を通じて外部から供給されるパージガスを吹き出し孔１６ａを通じてウエハ９の表面に吹き付ける構造となっている。パージガスとは、例えば水分を除去した窒素、アルゴンなどの不活性ガスやドライエアーなどである。」が記載されている。
（３−２）第５頁左下欄末行〜右下欄１行には
「第６図は、本発明の他の実施例であるウエハ処理装置のカセット室を示す概略斜視図である。」と記載され、第６図には、カセット室７のウエハカセット８内に収容された半導体ウエハに対してパージガス供給管１５にて窒素、アルゴンなどの不活性ガスやドライエアーなどのパージガスが供給されている点が開示されているといえる。
　
III−４．当審の判断
１．申立理由１について
　刊行物１の記載事項（１−１）、（１−２）を総合すると、刊行物１には、「ロードロックチャンバ２１から真空処理チャンバ３４までを横切る真空勾配を提供するために、真空装置でコントロールされ、一端にあるロボット式バッファチャンバ２４、他端にある移送ロボットチャンバ２８、並びに両者を並列に接続する中間処理チャンバ２６及び２７の４つの室からなるハウジング２２を持ち、１つのロードロックチャンバ２１をロボット式バッファチャンバ２４に取り付け、出入口３６及び付属のスリットバルブ３８を介してロボット式バッファチャンバ２４の内部と連通させ、複数のチャンバ４４、４６がバッファロボットチャンバ２４の周辺に取り付けられた、多段真空式半導体装置」の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
そこで、本件発明１、２と引用発明とを対比すると、
　引用発明の、「移送ロボットチャンバ２８」、「真空処理チャンバ３４」、「ロボット式バッファチャンバ２４」、「複数の真空処理チャンバ４４、４６」、「中間処理チャンバ２６及び２７」、「ロードロックチャンバ２１」、「多段真空式半導体装置」は、本件発明１、２の、「第１ハンドラ室」、「第１処理室」、「第２ハンドラ室」、「第２処理室」、「前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室」、「前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室」、「基板処理装置」にそれぞれ相当するから両者は、
「真空または減圧雰囲気とされる第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され、前記第２ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室と、前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室とを備え、この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して第２ハンドラ室に搬入され、かつ、前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。」で一致している。
　しかしながら、両者は少なくとも下記の相違点１で相違している。
相違点１：
　本件発明１、２の「第２ハンドラ室」が「大気圧雰囲気」であるのに対し、引用発明の「ロボット式バッファチャンバ２４」は「真空」である点。
　そして、基板処理装置の技術分野において、上記相違点１は周知慣用の技術手段であるとは認められないから、本件発明１、２が、引用発明と同一であるとは認められない。
　
２．申立理由２について
　本件発明３は、実質的に本件発明１を引用して記載したものであるから、本件発明１〜３は、少なくとも前記相違点１において引用発明と相違する。
　そこで、相違点１を刊行物２、３の記載から容易になし得るか否かを以下に検討する。
　刊行物２の記載事項（２−１）、（２−２）を総合すると、刊行物２には、
「半導体ウエーハを１枚づつ表面処理する枚葉処理方式の半導体ウエーハ処理装置であって、プロセス反応室１の側方には真空仕切り弁７を介してロードロック室２６が連設配備され、ロードロック室２６内には、搬送機構１５と加熱ゾーン１６と冷却ゾーン１７とが配設され、さらにカセット室１８が真空仕切り弁１９を介してロードロック室２６に連設結合されており、かつ室外大気側とは真空仕切り弁８により仕切られて、ロードロック室２６は鋳込みヒータとして形成された加熱手段２２とウエーハ上下機構２３とを備える一方、ロードロック室２６内に水冷による冷却ステージ２４とウエーハ上下機構２３とが配備されている。」点が記載されている。
　そして、刊行物２に記載の「ロードロック室」、「加熱ゾーン１６と冷却ゾーン１７、およびプロセス反応室１」は、本件発明１の「第１ハンドラ室」、「第１処理室」に相当するから、刊行物２には、「真空または減圧雰囲気とされる第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室」については記載されていることが認められるが、大気圧雰囲気とされる第２ハンドラ室を設ける点については、何らの開示も示唆もない。
　また、刊行物３の記載事項（３−１）、（３−２）を総合すると、刊行物３には、
「互いに離間配置された第一の処理室２および第二の処理室３と、これら二つの処理室２、３を連結するロードロック室４と、この処理室２、３の一端に、パージガスが供給されるカセット室７、７がそれぞれ連結されたウエハ処理装置１において、ウエハは第一の処理室２の一端に設置されたカセット室７から、当該ウエハを最初に処理するための内部が所定の真空度まで排気され、かつ、ドライエッチング室５およびアッシング室６が設置された第一の処理室２に搬入され、次いで、第一の処理室２のアンローダ１２に載置されたウエハ９を、洗浄室１０およびホットプレート１１がそれぞれ設置され、更に、該内部が大気圧と等しい第二の処理室３の位置決めステージ１３へと搬送する搬送アーム１４を内部に設置したロードロック室を介して、前記第二の処理室３に搬入されて処理され、当該処理工程の終了したウエハは第二の処理室３の一端に設置されたカセット室７に収納されるが、この際、前記両カセット室７にはパージガスが供給される」点が記載されている。
　そして、刊行物３に記載の「第二の処理室」、「洗浄室」、「第一の処理室」、「ドライエッチング室およびアッシング室」、「ロードロック室」は、本件発明１の「第１ハンドラ室」、「第１処理室」、「第２ハンドラ室」、「接続室」にそれぞれ相当するから、刊行物３には、「第１ハンドラ室と、前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、第２ハンドラ室と、前記第２ハンドラ室に接続され、前記第２ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室とを備えたことを特徴とする基板処理装置」が記載されていると認められる。
　しかしながら、刊行物３に記載のものは、ウエハ処理装置によって処理されるカセット室から搬出されたウエハが、「内部が所定の真空度まで排気された第一の処理室と内部が大気圧と等しい第二の処理室」との間を移動するものではあるが、少なくとも「第１ハンドラ室よりも前に基板が搬入される第２ハンドラ室」に相当する「第一の処理室」において、その雰囲気を大気圧雰囲気とすることについては、何らの開示も示唆もない。
　そうすると、上記相違点１は、刊行物２、３の記載を考慮したとしても、当業者が容易になし得たとすることはできない。  
　そして、本件発明１〜３は、相違点１に係る構成をもその構成として有することにより、本件明細書の【００３６】〜【００３７】に記載の、
「本発明によれば、真空対応が不可能若しくは困難な処理室も構成要素となすことができ、この場合、真空対応が不可能若しくは困難な処理室と真空室であるハンドラ室との基板の出入れに、別の基板搬送装置を準備する必要もなく、かつ真空対応とするための新たな設計も不要となる。しかも、処理時間の短縮を図るとともに、コスト面で有利となすことができ、装置としての柔軟性に富んだものとすることができる」という刊行物１〜３には記載も示唆もない格別な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１〜３は、刊行物１〜３に記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、申立人の主張する理由及び提出した証拠によっては、本件発明１〜３の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年４月９日（２００３．４．９）
【訂正の要旨】
　ａ．　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を下記の通り訂正する。
『
真空または減圧雰囲気とされる
　前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、
　
大気圧雰囲気とされる
　前記第２ハンドラ室に接続され、前記第２ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、
　前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室と、
　
前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、
　
この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されている
　ｂ．　特許明細書の段落００１０を下記の通り訂正する。
『上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、
真空または減圧雰囲気とされる
大気圧雰囲気とされる
前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されている
（５４）【発明の名称】
基板処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
真空または減圧雰囲気とされる
　前記第１ハンドラ室に接続され、前記第１ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第１処理室と、
　
大気圧雰囲気とされる
　前記第２ハンドラ室に接続され、前記第２ハンドラ室に設けられたハンドラを介して基板が搬出入される第２処理室と、
　前記第１ハンドラ室および前記第２ハンドラ室に連結されるとともに、前記第１ハンドラ室の雰囲気と前記第２ハンドラ室の雰囲気を分離する、ロードロック機能を持った接続室と、
　
前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、
　
この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されている
　【請求項２】
　前記接続室に、基板に対する所定の処理を行う機能を持たせたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
　【請求項３】
　前記第１ハンドラ室に、基板に対する所定の処理を行う機能を持たせたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、超ＬＳＩ等の半導体デバイス等を製造する際に、基板を処理室内に導いて薄膜成長等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　例えば半導体ウェハ等の基板の表面に薄膜を成長させる薄膜成長技術は、半導体デバイスの高性能化のためのキー・テクノロジーの一つであり、特にＣＶＤ（化学的気相成長）法による薄膜成長は、半導体製造工程において広く用いられている。
　【０００３】
　従来、この種の薄膜成長装置等の基板処理装置においては、複数の処理室を備えたマルチチャンバ型のものの開発が進められ、その適用範囲も徐々に拡大する傾向にある。これに伴い、複数のハンドラ室を具備する基板処理装置も見られるようになった。
　【０００４】
　ここに、この種のマルチ室型基板処理装置に備えられている処理室は、プラズマ気相成長やスパッタリング等を行うものが大勢を占め、これらの処理室が真空領域で処理を実施するものであることから、ハンドラ室を含め基板処理装置を構成する全ユニットは、圧力が真空であることを基本としている。ここで真空とは、大気圧より低い圧力を意味し、減圧から高真空までの圧力領域を含む。本発明で述べる真空とはこの圧力領域を示す。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、マルチ室型基板処理装置の適用範囲の拡大は、ハンドラ室に接続される処理室の種類の増大へと進み、真空対応が不可能な処理室も構成要素として使用したい場合がある。このような場合、真空対応の処理室と真空を基本としているハンドラ室との間で基板の出入れを行うためには、両者の間にロードロック室等の別の基板搬送手段を設ける必要がある。
　【０００６】
　また、真空対応が不可能でないにしても、真空対応とするために新たな設計が必要となったり、処理時間の増大に繋がるばかりでなく、使用できる材料に制限が加わってしまうことがあると考えられる。
　【０００７】
　更に、ハンドラ室を含めマルチチャンバ型基板処理装置を構成する全ユニットの圧力が真空であることを基本とすると、構成が硬直化してしまい、例えば薄膜成長装置においてもこれが当てはまり、処理室の接続場所が限定されているのが現状であった。
　【０００８】
　このように、複数のハンドラ室を備えたマルチチャンバ型基板処理装置に関して、様々な問題点が示されている。
　【０００９】
　本発明は上記に鑑み、複数のハンドラ室の全てを真空を基本とすることなく、それに接続される処理室に適した雰囲気にすることにより、マルチチャンバ型基板処理装置の適用範囲の拡大に対応できるようにしたものを提供することを目的とする。
　【００１０】
　上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、
真空または減圧雰囲気とされる
大気圧雰囲気とされる
前記第２ハンドラ室に接続されたロードロック機能を持った室と、を備え、この基板処理装置に搬入された基板が前記ロードロック機能を持った室を介して大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室に搬入され、かつ、大気圧雰囲気の前記第２ハンドラ室内にある基板が前記接続室を介して真空または減圧雰囲気の前記第１ハンドラ室に搬入されるように構成されている
　【００１１】
　なお、前記接続室に基板に対する所定の処理を行う機能を持たせるようにしてもよく、また、前記第１ハンドラ室に基板に対する所定の処理を行う機能を持たせてもよい。
　【００１２】
　【作用】
　上記のように構成した本発明によれば、例えば１つのハンドラ室を真空を基本としたものとなして、このハンドラ室に真空領域で処理を実施する処理室を接続させ、他のハンドラ室を前記ハンドラ室とは独立に大気圧を基本としたものとなして、このハンドラ室に大気圧で処理を行う処理室を接続するすることにより、基板処理の効率を向上させることができる。
　【００１３】
　【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
　【００１４】
　図１は、薄膜成長装置に適用した本発明の第１の実施例を示すもので、この薄膜成長装置１には、内部にハンドラ２，３を備えた第１及び第２ハンドラ室４，５の２つのハンドラ室が備えられ、この一方の第１ハンドラ室４には、ゲートバルブ６，７及び８を介して合計３つの処理室９，１０及び１１が、他方の第２ハンドラ室５には、ゲートバルブ１３を介して１つの処理室１２が夫々接続されている。
　【００１５】
　前記第２ハンドラ室５には、ロードロック室１４を介してカセットステーション１５が接続され、このロードロック室１４の両側のカセットステーション１５及び第２ハンドラ室５との間には、ゲートバルブ１６，１７が夫々介装されている。
　【００１６】
　前記第１ハンドラ室４と第２ハンドラ室５とは、両側にゲートバルブ１８，１９を備えたロードロック機能を有する接続室２０を介して連結され、これによって第１及び第２ハンドラ室４，５の雰囲気が該接続室２０を介して分離されるようなされている。即ち、第１ハンドラ室４は、通常のシーケンスで基本となる圧力が真空若しくは減圧であり、第２ハンドラ室は、通常のシーケンスで基本となる圧力が大気圧となっている。
　【００１７】
　ここに、前記第１ハンドラ室４に接続される処理室９〜１１は、真空若しくは減圧下で基板の所定の処理または検査を行うものであり、第２ハンドラ室５に接続される処理室１２は、大気圧下で基板の所定の処理または検査を行うものである。
　【００１８】
　具体的には、前記処理室９は、減圧気相成長により基板の表面にシリコンエピタキシャル膜等の薄膜を形成するための薄膜形成室であり、処理室１０は、減圧下で、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等により基板の表面に付着している自然酸化膜をエッチングにより除去する除去室であり、処置室１１は、前記酸化膜除去作業で基板の表面に付着した反応生成物を除去する洗浄室である。また、処理室１２は、前工程によって基板の表面にこの表面の保護のために形成した保護膜を大気圧下で除去したり、薄膜形成後の基板の表面に該薄膜保護のために保護膜を形成する処理室である。
　【００１９】
　そして、前処理されカセット等に収納されて、例えばクリーンルーム等から搬送されてきた基板は、カセットステーション１５にセットされ、ゲートバルブ１６の開閉に連動して一枚ずつロードロック室１４内に搬送され、ゲートバルブ１６を閉じて第２ハンドラ室５の雰囲気にロードロック室１４の雰囲気を合せる。
　【００２０】
　そして、このロードロック室１４内に搬送された基板は、ゲートバルブ１７，１３の開閉動作に連動して第２ハンドラ室５内に配置されているハンドラ３により、このハンドラ室５を通過して処理室１２に搬送される。この処理室１２内に基板が収容されると、ここで基板の表面に形成されている該表面を保護するための保護膜の除去が行われる。
　【００２１】
　この保護膜の除去が行われた基板は、ゲートバルブ１３、１８の開閉に連動して接続室２０に搬送され、ゲートバルブ１８を閉じて減圧若しくは真空雰囲気になされた後、ゲートバルブ１９，７の開閉に連動して、第１ハンドラ室４内のハンドラ２により、処理室（除去室）１０に搬送され、ここで、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等により基板の表面に付着している自然酸化物をエッチングする前処理が施される。
　【００２２】
　自然酸化物が除去された基板は、ゲートバルブ７，６の開閉動作に連動して第１ハンドラ室４内のハンドラ２により、処理室（洗浄室）１１に搬送され、ここで基板の表面に付着しているＦ（フッ素）等の反応生成物の洗浄が行われる。
　【００２３】
　そして、この洗浄後の基板は、ゲートバルブ８，６の開閉動作に連動して処理室（薄膜形成室）９内に搬送され、ここで、所定のガスが供給されて所定の薄膜成長が行われて、基板の表面に薄膜が形成される。
　【００２４】
　所定の薄膜成長を行った後の基板は、ゲートバルブ６，１９の開閉動作に連動して第１ハンドラ室４のハンドラ２により、接続室２０内へ移動させられる。そして、ゲートバルブ１９を閉じて、大気圧雰囲気にした後、この基板は、第１ハンドラ室５のハンドラ３により、ゲートバルブ１８，１３の開閉動作に連動して処理室１２へ搬送され、ここで保護膜の形成が行われた後、上記と逆の動作でロードロック室１４からカセットステーション１５のカセットに収容されて一連のシーケンスが終了する。
　【００２５】
　なお、前記自然酸化膜の除去を、接続室１２で行うことにより、除去室（処理室）１０を省略したり、自然酸化膜除去によって基板の表面に付着した反応生成物の除去を第１ハンドラ室４で行って、処理室（洗浄室）１１を省略したり、また前工程で形成された保護膜の除去を、第１ハンドラ室４に接続した処理室（除去室）１０、接続室２０または第１ハンドラ室４で行い、処理室（処理室）１２では薄膜の保護のための保護膜の形成のみを行うようにすることもできる。
　【００２６】
　図２は、薄膜成長装置に適用した第２の実施例を示すもので、本実施例における薄膜成長装置３０は、２つのロード・アンロード室３１，３２と、内部に夫々ハンドラ３３，３４を収納した２個の第１及び第２ハンドラ室３５，３６と、これらの各ハンドラ室３５，３６に接続された合計５個の処理室３７〜４１とを備え、この処理室３７〜４１の内の両ハンドラ室３５，３６に共通して接続された２つの処理室４０，４１をロードロック機能を有する接続室としたものである。
　【００２７】
　ここに、前記２つのロード・アンロード室３１，３２には、ロードロック機能が備えられており、このようにロードロック機能を備えることにより、ロードロック室を省略することができる。
　【００２８】
　即ち、前処理されカセット等に収納されて、例えばクリーンルーム等から搬送されてきた基板を収容する第１および第２のロード・アンロード室３１，３２が設けられ、これらの室３１，３２の扉４２，４３を開閉操作することにより基板が該室３１，３２内にセットされ、第２ハンドラ室の雰囲気にロード・アンロード室３１、３２の雰囲気を合せる。
　【００２９】
　第１或いは第２のロード・アンロード室３１，３２内にセットされた基板は、ゲートバルブ４４，４５の開閉動作に連動して第２ハンドラ室３６内に配置されているハンドラ３４により、このハンドラ室３６内に搬送され、このハンドラ室３６を介して接続室（処置室）４０内へゲートバルブ４６の開閉動作に連動して移動させられる。この接続室４０は、基板に前処理を施して自然酸化膜を除去する除去室となされ、ここに基板が収容されると、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等により基板の表面に付着している自然酸化物をエッチングする前処理が施される。
　【００３０】
　自然酸化物が除去された基板は、ゲートバルブ４７の開閉動作に連動して第１ハンドラ室３５内にハンドラ３３により搬送される。このハンドラ室３５を通過する基板は、その後ゲートバルブ４８の開閉動作に連動してハンドラ３３により、オリフラ室とした処理室３９へと移動させられる。
　【００３１】
　処理室（オリフラ室）３９内では、基板のオリフラの位置検出がなされ、所定の方向に位置合わせされる。このオリフラ合わせが必要無い場合、或いは他の方法でオリフラ合わせを実施する場合には、この処理室３９を独立して設ける必要がないが、この処理室３９内で基板の厚さをエピタキシャル成長の前後で各々測定して、成長薄膜の膜厚を測定したりすることに利用することもできる。
　【００３２】
　オリフラ合わせ後、基板は、ハンドラ３３により、ゲートバルブ４９，５０の開閉動作に連動して第１或いは第２の薄膜成長室とした処理室３７，３８内に移動させられる。この各処理室（薄膜成長室）３７，３８内では、まず先のエッチング（前処理）時にＨＦガスを用いている場合には、基板表面に付着しているＦ（フッ素）を紫外線等を照射することで除去し、その後、所定のガスを供給しながら所定の薄膜成長を行い、基板の表面に薄膜を形成する。
　【００３３】
　所定の薄膜成長を行った後の基板は、第１或いは第２の処理室３７，３８からゲートバルブ４９，５０の開閉動作に連動してハンドラ３３により第１ハンドラ室３５内へ移動させられる。そして、このハンドラ室３５を通過した基板は、ハンドラ３３によりゲートバルブ５１の開閉動作に連動して、測定装置５２が配置された測定室とした処理室（接続室）４１内へと搬送される。
　【００３４】
　この処理室（測定室）４１内では、薄膜に対する種々の測定・検査が行われる。
　【００３５】
　それらの測定が終了した後、基板は、ゲートバルブ５３の開閉動作に連動してハンドラ３４により第２ハンドラ室３６内へ搬送され、このハンドラ室３６からハンドラ３４により第１或いは第２のロード・アンロード室３１，３２内のカセットに収容されて一連のシーケンスが終了する。
　【００３６】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、真空対応が不可能若しくは困難な処理室も構成要素となすことができ、この場合、真空対応が不可能若しくは困難な処理室と真空室であるハンドラ室との基板の出入れに、別の基板搬送装置を準備する必要もなく、かつ真空対応とするとための新たな設計も不要となる。
　【００３７】
　しかも、処理時間の短縮を図るとともに、コスト面で有利となすことができ、装置としての柔軟性に富んだものとすることができるといった効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施例の概要構成を示す概要図。
　【図２】
　同じく第２の実施例の概要構成を示す概要図。
　【符号の説明】
　１，３０　薄膜成長装置
　２，３，３３，３４　ハンドラ
　４，５，３５，３６　ハンドラ室
　９〜１２，３７〜３９　処理室
　１４　ロードロック室
　２０　接続室
　４０，４１　接続室（処理室）