【事件の表示】
　平成２年特許願第７９７３８号「光半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成３年１２月９日出願公開、特開平３−２７８０１７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（手続の経緯、請求項に係る発明）
　この出願は、平成２年３月２７日の出願であって、本願の請求項１及び請求項２に係る発明は、平成１２年７月１０日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１及び請求項２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１には次のとおり記載されている。
「活性層を電子のド・ブロイ波長と同程度の厚さの量子薄膜とする量子箱構造又は量子細線構造の層で構成した光導波層を該光導波層より屈折率の小さい２つのクラッド層の間に配置し、前記クラッド層の一方側に絶縁層、ゲート層を配置すると共に、前記クラッド層の他方側にソースとドレインを配置してゲートにバイアスを印加することを特徴とする光半導体装置。」
　
（引用例）
　これに対して、当審における拒絶の理由に引用された、本願出願前公知である特開昭６３−１９８３９２号公報（以下、第１引用例という。）には、
「層厚が電子のドブロイ波長程度である平面状の半導体からなる量子井戸平面と、前記量子井戸平面上に隣接する太さが電子のドブロイ波長程度の箱状の半導体からなる少なくとも１つ以上の量子井戸箱とから構成される量子井戸構造を少なくとも１つ以上有し、前記量子井戸箱のポテンシャルエネルギーが前記量子井戸平面のポテンシャルエネルギーよりも低いことを特徴とする半導体超格子。」（特許請求の範囲）、
「第１図は本発明の一実施例を活性層として用いた半導体レーザを示す断面図である。この半導体レーザは、ｎ形ＧａＡｓからなる半導体基板１０上にｎ形ＧａＡｓからなるバッファ層１１、ｎ形Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓからなるｎ形クラッド層（厚さ１μｍ）１２、Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓからなる光ガイド層（厚さ０．１μｍ）１３ａ、１３ｂ、Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ａｓからなる量子井戸平面（厚さ３ｎｍ）１４、ＧａＡｓからなる量子井戸箱（厚さ１０ｎｍ、縦３０ｎｍ、横３０ｎｍ）１、ｐ形Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓからなるｐ形クラッド層（厚さ１μｍ）１６、ｐ形ＧａＡｓからなるキャップ層１７、及びｐ電極１８、ｎ電極１９を形成した構造となっている。」（公報第２頁右上欄第２行〜第１３行）、
「ｐ電極１８、ｎ電極１９からそれぞれ注入された正孔及び電子の多くは、量子井戸平面１４に注入されるが、隣接する量子井戸箱１５のポテンシャルエネルギーが低いから、量子井戸箱１５に流れ込む。・・・このため全てのキャリアがレーザ発振に有効に寄与し、発振閾値電流の非常に小さな半導体レーザが得られる。」（公報第２頁左下欄第４行〜第１４行）と記載されている。
　よって、第１引用例には、
「半導体基板上の一方の面に電極を設け、他方の面に、バッファ層、クラッド層、光ガイド層を設け、その上に層厚が電子のドブロイ波長程度である平面状の半導体からなる量子井戸平面と、太さが電子のドブロイ波長程度の箱状の半導体からなる多数の量子井戸箱とから構成される量子井戸構造を有し、その上に光ガイド層、クラッド層、キャップ層及び電極を設け、前記量子井戸箱のポテンシャルエネルギーが前記量子井戸平面のポテンシャルエネルギーよりも低いことを特徴とする半導体レーザ」
の発明（以下、引用発明１という。）が記載されている。
　同じく特開昭６４−９１１２６号公報（以下、第２引用例という。）には、
「ｃ軸方向がファンデルワールス力で結びついた層状化合物のｃ軸と直交する方向の長さがその方向の電子状態を量子化する長さ以下の層状化合物からなる量子細線構造物。」（特許請求の範囲請求項１）、
「実施例４
　第３図に示すごとく、基板３としてＺｎＳ半導体を用い、実施例１に示した方法でＧａＳｅからなる量子細線構造物５を形成した。ただし、この場合、一担量子細線構造物を形成した後、再びＺｎＳ半導体３を蒸着により形成し、その後再びＧａＳｅからなる量子細線構造物を形成するという過程を繰り返し行なった。このようにして、厚さ１５０Åの量子細線構造物とＺｎＳ半導体の層を１０層繰り返し形成した。つぎに、透明電極６を第３図に示すごとく形成し、光強度の変調素子を作製した。」（公報第２頁右下欄第４行〜第１５行）、
「実施例５
　第４図に示す如く、実施例４と同一の材料及び工程で量子細線構造物からなる半導体レーザを作製した。レーザのキャビティ長は３００μｍ、活性層は、ＧａＳｅとＺｎＳを３層重ねた構造となっている。電極６を通して電流５０ｍＡを注入したところ、波長６２０ｎｍの室温パルス発振動作が確認された。」（公報第３頁左上欄第２行〜第９行）と記載されている。
　よって、第２引用例には、
「半導体基板上に量子細線構造物を形成する過程を繰り返すことにより、活性層を構成し、両側に透明電極を設けた半導体レーザ」
の発明（以下、引用発明２という。）が記載されている。
　同じく特開平１−２４４６１１号公報（以下、第３引用例という。）には、
「基板上に量子ドットを形成する方法であって、該方法は、量子ドット構造を形成するための半導体素材の粒子懸濁を形成することと、所与のサイズの粒子と共振的に影響し合う波長のレーザ電磁輻射を該懸濁を通して該基板へ向けて発射することと、それによって該懸濁中の所与のサイズの粒子を該基板上に沈積させることを含むことを特徴とする量子ドット構造の形成方法。」（特許請求の範囲請求項１）、
「選ばれたサイズの粒子を沈殿させる基板１０は、キャリアとして適しているどんな素材で形成してもよい。・・・キャリア素材としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）やポリイミド樹脂、アクリル樹脂のようなガラス基板上にスパンコートできる（span-coated）プラスチック素材でよい。」（公報第４頁左下欄第１０行〜第２０行）
「所与のサイズの量子ドット構造の所望のパターンが沈積したならば、基板を一旦タンク１から引き上げて、キャリア素材の次の層、例えばＰＭＭＡが基板上にスパンコートされて、沈積した量子ドット構造を被覆する。これをまたタンクに戻して、上述の過程を繰返せば更に１層またはそれ以上の量子ドット構造の層を形成することができる。」（公報第５頁左下欄第４行〜第１０行）
「第４図は、本発明の方法を用いて製造された量子ウェル構造を応用したオプトエレクトロニック装置（発光器）の一例の断面を極く概念的に示している。第４図に見られる通り、この装置４０は、例えばガラス基板のような基板４１、およびその上に重ねた例えば酸化インジウムすずのような透明な導電層４２をもっている。この導電層４２は絶縁素材の層４３で覆われ、これは上述のキャリア素材の硬化層、例えばＰＭＭＡとか、ポリイミド又はアクリル樹脂の層でよい。層４３の上には、上述のようにして作られた能動域４４が載せられ、これは、選ばれた半導体素材の粒子が上述の方法の１つを用いてその中にはめ込まれているキャリア素材の１層又は多層でできている。更に絶縁素材の層４５が能動域を覆い、この層４５の上には導電接触層４６、例えばアルミニウム接触層が載せられている。導電層４２と導電接触層４６を横断して電圧が印加されると、キャリアが能動域内へと導入され、その結果、多分反転分布がレーザ放出の中に得られるならば、量子化伝導と量子ドットの価電子帯エネルギー・レベルによって決定される波長の電磁輻射の放出が生じる。」（公報第６頁左下欄第１３行〜右下欄第１５行）と記載されている。
　よって、第３引用例には、
「ガラス基板上に透明導電層、キャリア素材の絶縁層、１層または多層の量子ドット構造の能動層、絶縁層及び導電接触層とから構成される発光器」
の発明（以下、引用発明３という。）が記載されている。
　
（対比）
　本願の請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）と引用発明１ないし引用発明３とを対比すると、引用発明１ないし引用発明３において、半導体レーザや発光器は、本願発明の光半導体装置に相当し、引用発明２及び引用発明３は、半導体レーザ及び発光器であるから、活性層及び能動層に隣接しているのは屈折率の小さいクラッド層であること、また、この活性層及び能動層は、電子のド・ブロイ波長と同程度の厚さであることは、各々明らかであるから、これらは、
「活性層を電子のド・ブロイ波長と同程度の厚さの量子薄膜とする量子箱構造又は量子細線構造の層で構成した光導波層を該光導波層より屈折率の小さい２つのクラッド層の間に配置した光半導体装置」
である点で一致しており、
　本願発明では、「クラッド層の一方側に絶縁層、ゲート層を配置すると共に、クラッド層の他方側にソースとドレインを配置してゲートにバイアスを印加する」のに対し、引用発明１ないし引用発明３では、このような電極構造を有していない点で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点について検討すると、本願発明の電極構造は周知のＦＥＴ構造であるが、光半導体装置においてＦＥＴ電極構造を採用することは、特開昭６３−２９１４７９号公報、特開昭６４−５２１号公報、特開平１−１１４０８２号公報等で周知であり、該周知技術を引用発明１ないし引用発明３に適用して、本願発明の構成とすることに困難性は認められない。
　
　これについて審判請求人は平成１２年７月１０日付けの意見書において、
　各引用例に記載された発明は、本願発明のように「活性層を電子のド・ブロイ波長と同程度の厚さの量子薄膜とする量子箱構造又は量子細線構造の層で構成した光導波層を該光導波層より屈折率の小さい２つのクラッド層の間に配置し、前記クラッド層の一方側に絶縁層、ゲート層を配置すると共に、前記クラッド層の他方側にソースとドレインを配置してゲートにバイアスを印加する」ものではなく、本願発明は、特に活性層を電子のド・ブロイ波長と同程度の厚さの量子薄膜とする量子箱構造又は量子細線構造の層で構成した光導波層を用いることにより、通常の半導体に比べて絶対値の大きい吸収係数で、電子の注入により媒質の透明度が顕著に上がる光半導体、極低温における特性と違わない熱的に安定した装置を提供し、特定波長で吸収係数の大きい急峻なスペクトラムの装置を提供することができる旨、主張している。
　
　しかしながら、上記主張の前半部は、本願発明は引用発明１ないし引用発明３と同一でないことを主張しているのみであり、何故引用発明１ないし引用発明３に周知の電極構造であるＦＥＴ構造を適用することが困難であるかに関しては何ら主張しておらず、また、後半部は、引用発明１ないし引用発明３が具備している構成要件による作用効果を主張しているものであり、引用発明１ないし引用発明３においても同様の作用効果を奏するものと認められる。
　よって、審判請求人の上記主張は採用することができない。
　
（むすび）
　したがって、本願発明は、引用発明１ないし引用発明３及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。