【事件の表示】
　特願２００８−２６０７３１「ＣＯＦ半導体封止用フィルム状接着剤及びその接着剤を用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月２８日出願公開、特開２００９−１１７８１１、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
 　本願は、平成２０年１０月７日（優先権主張平成１９年１０月１６日）を出願日とする出願であって、平成２４年８月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月２０日付けで拒絶査定がなされた。
　そして、平成２５年２月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、同年４月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、その後、同年１０月２５日付けで審尋がなされ、同年１２月２５日に回答書が提出された。 
 　
 第２　本願発明 
 　本願の請求項１に係る発明は、平成２５年６月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 
　
 「【請求項１】
　金バンプを有する半導体チップと、表面がスズめっきされた金属配線を有するポリイミド基板とを３００℃以上の温度で金−スズ共晶を形成させて接続する際に前記半導体チップと前記ポリイミド基板との間に介在させるＣＯＦ半導体封止用フィルム状接着剤であって、
　（ａ）ポリイミド樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂と、（ｃ）硬化剤と、を含有し、
　１％熱重量減少温度が２５０℃以上である、ＣＯＦ半導体封止用フィルム状接着剤。」　 
 （以下、本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。） 
 　 
 第３　平成２５年４月１７日付けで通知された拒絶理由の概要 
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
請求項１乃至５
引用文献１、引用文献２、引用文献３、引用文献４及び引用文献５
備考
　引用文献１に記載の発明の「半導体チップ」、「回路基板」、「固定し電気的に接続する」、「フィルム状のアンダーフィル材として使用するフィルム状接着剤」、「ポリイミド樹脂」、「エポキシ樹脂」、「硬化剤」及び「ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等は、２種以上の混合体として使用することもでき、硬化剤を必須成分とすることが好ましい」との事項は、本請求項に係る発明の「半導体チップ」、「基板」、「接続するための」、「フィルム状接着剤」、「（ａ）ポリイミド樹脂」、「（ｂ）エポキシ樹脂」、「（ｃ）硬化剤」及び「を含有し」との事項にそれぞれ相当。
　引用文献２にみられるように、ＣＯＦは高耐熱、高絶縁性樹脂であるポリイミドフィルムと良導体である銅層を密着させてなる金属被覆ポリイミド基板を使用し、銅層をフォトリソグラフィー技法によってファインパターニングし、さらに所望な箇所に錫めっきおよびソルダーレジストを被覆して得るのが一般的であることは周知事項であるから、引用文献１に記載の発明において、当該周知事項を適用し、回路基板として、ＣＯＦを適用するよう構成し、そのため、高耐熱、高絶縁性樹脂であるポリイミドフィルムと良導体である銅層を密着させてなる金属被覆ポリイミド基板を使用し、銅層をフォトリソグラフィー技法によってファインパターニングし、さらに所望な箇所に錫めっきおよびソルダーレジストを被覆して得るのが一般的であるよう構成すること、すなわち、表面がスズめっきされた金属配線を有するポリイミドを備えるよう構成することは、当業者であれば適宜になし得る設計的事項にすぎないものである。
　その際、引用文献３にみられるように、実装はすずめっきを施した銅配線上に、チップの金バンプを金−すず共晶により熱圧着させるものであり、熱圧着ツールは３００℃以上に加熱されており、圧力や圧着時間については各部材に対して最適化された条件にて行うとの記載事項がみられるから、当該記載事項を適用し、実装はすずめっきを施した銅配線上に、チップの金バンプを金−すず共晶により熱圧着させるものであり、熱圧着ツールは３００℃以上に加熱されており、圧力や圧着時間については各部材に対して最適化された条件にて行うよう構成すること、すなわち、金バンプを有するよう構成するとともに、３００℃以上の温度で金−スズ共晶を形成させるよう構成することは、当業者であれば適宜になし得る設計的事項にすぎないものである。なお、引用文献１は、低粘度を示す加熱溶融時の温度や時間を規定する旨を記載するに留まるものであり、３００℃が高温であることや３００℃以上の温度で共晶接続を行うことを排除する旨をも開示するものではないから、引用文献１に記載の発明において、引用文献３の記載事項を適用する際、阻害要因は存在しないものといえる。
　また、その際、引用文献１には、上記「フィルム状接着剤」との事項について、トランスファー成形が不要なシート状の半導体封止材等として用いることもできるとの記載がみられるから、当該記載に接した当業者であれば、当該「フィルム状接着剤」との事項が、アンダーフィル材に被覆される半導体チップの面を封止する機能をも有するものと理解することができるから、このように理解することができた当業者であれば、フィルム状接着剤の用途を、ＣＯＦ半導体封止用とするよう構成することは、当業者であれば適宜になし得る設計的事項にすぎないものである。
　引用文献４には、本請求項に係る発明に対応する実施例と同一のポリイミド樹脂が開示されていることから、引用文献１に記載の発明において、引用文献４の記載事項に基づき、当該ポリイミド樹脂を適用し、１％熱重量減少温度が２５０℃以上であるよう構成することは、当業者であれば普通になし得るものである。
　また、ポリイミド樹脂のガラス転位温度について、引用文献５を参照のこと。
　また、本請求項に係る発明が備えるその他の発明特定事項は、いずれも上記各引用文献の記載事項、周知事項又は設計的事項にすぎないものであるから、引用文献１に記載の発明において、これらの事項を適用するよう構成することは、当業者であれば適宜になし得るものである。
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
　
　１．特開２００４−１２３７９６号公報
　２．特開２００７−２１４５１９号公報
　３．特開２００６−１４２５１４号公報
　４．国際公開第２００７／０８３８１９号
　５．特開２００３−３２７６７１号公報
  　 
（当審注：上記引用文献４は「国際公開第２００７／０８３８１
９
０
　
 第４　当審の判断 
 １　引用例１、２の記載事項、及び、引用発明
（１）引用例１の記載事項
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、平成２５年４月１７日付けで通知された拒絶理由において引用文献１として引用された刊行物である、特開２００４−１２３７９６号公報（以下「引用例１」という。）には、「フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置」（発明の名称）に関して、図１とともに、次の記載がある。（なお、下線は当合議体が付加したものである。以下同様。）
　
ア　「【請求項１】
５０〜２５０℃のいずれかの温度で粘度が２００Ｐａ・ｓ以下に達し、硬化物の２５℃〜２６０℃における平均線膨張係数が２００ｐｐｍ／℃以下であるフィルム状接着剤
【請求項２】
下記（ａ）〜（ｄ）を必須成分とする請求項１に記載のフィルム状接着剤。（ａ）重量平均分子量が１０，０００以下で、常温（２５℃）において固形である樹脂、（ｂ）絶縁性無機フィラー、（ｃ）エポキシ樹脂、（ｄ）硬化剤
【請求項３】
（・・・以下省略・・・）」
　
イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップと回路基板との接続において、加熱圧接によって相対峙する電極を電気的に接続するフィルム状接着剤
に関する
（・・・途中省略・・・）」
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
フリップチップ実装のように半導体チップの電極と回路基板の電極が相対峙する実装方法においてフィルム状の接着剤を使用する場合は、あらかじめ半導体チップあるいは回路基板側に接着剤を予め配置するために接着剤により電極表面が覆われてしまう。そのため、電極の表面から接着剤を排除し電極同士を電気的に接続するためには、接着剤を加熱して電極同士を強く押し合わせる必要がある。この接続は高荷重（およそ、１ＭＰａ／ｃｈｉｐ）で行われている
【０００５】
近年、半導体チップのピン数は増加し、チップ厚みは減少する傾向にあり、半導体チップ一個当りに必要な接続荷重は増加している。一方、チップ厚みの薄肉化に伴い接続時の破損を防ぐために接続荷重の高圧化には限度がある。
また、半導体チップ側の電極と回路基板側の電極を合金化により直接接続する共晶接続や半田接続の場合には、電極間に不純物が存在すると十分な導通特性が得られないため、接続時に電極間から接着剤を完全に排除する必要がある
【０００６】
従って、半導体チップと回路基板を接続する接着剤には、接続時に粘度が十分低下する必要がある。また、排除性が良好であれば荷重を低圧化できるだけでなく、接続に要する時間を短縮したり温度を低温化することもできるため、半導体装置の製造にかかるコストを引き下げることができる
【０００７】
一般的に、フィルム状の接着剤を作製するためには、重量平均分子量が１０，０００以上の熱可塑性樹脂を配合している（例えば、特許文献２参照）。しかし、高分子量の樹脂を配合することによって加熱溶融時の粘度が十分低下せず、接続時の排除性が低下するため良好な接続信頼性が得られない
本発明は、接着剤による半導体チップと回路基板との電気的接続において、接続時の排除性が良好で、接続荷重が小さくチップ割れを防止できると共に接続信頼性に優れたフィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置を提供する
　
ウ　「【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明のフィルム状接着剤は、（ａ）重量平均分子量が１０，０００以下であって常温（２５℃）において固形である樹脂、（ｂ）絶縁性無機フィラー、（ｃ）エポキシ樹脂、（ｄ）硬化剤を必須成分とする
【００１０】
本発明において使用する（
ａ）重量平均分子量が１０，０００以下で、常温（２５℃）において固形である樹脂としては
ポリイミド樹脂
ポリイミド樹脂がより好ましい
【００１１】
本発明において使用する（ｂ）絶縁性無機フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ等が挙げられ、その中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン等が好ましく、シリカ、アルミナがより好ましい。これらは単独または２種以上の混合体として使用することもできる。また、絶縁性無機フィラーの形状は増粘の影響が少ない球状のものが好ましい。同種の絶縁性無機フィラーを同重量部配合した場合、粒径の大きいもの程溶融時の粘度が低くなるが、本発明のフィルム状接着剤をフリップチップ実装用のフィルム状アンダーフィル材として使用する場合、絶縁性無機フィラーが電極に捕捉され電極間の電気的な導通を阻害するのを防ぐため、粒径は１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明において使用する（ｃ）エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂など、各種の多官能エポキシ樹脂化合物が挙げられる
エポキシ樹脂は、２５℃において液状、固形のいずれでも使用することができる
（・・・途中省略・・・）
【００２１】
以上、説明した
本発明のフィルム状接着剤は、例えば図１〜３に示すように、半導体チップを回路基板に固定し電気的に接続するフィルム状のアンダーフィル材
として使用することができ、特にフリップチップ実装の短時間接続が可能な超音波接合等において有効である
　
エ　「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフィルム状接着剤をアンダーフィルフィルムとして用いて回路基板側に仮付けした場合のフリップチップ実装の例を示す断面図である。」
　
オ　摘記した上記段落【００２１】及び上記エの記載を参照すると、図１から、本発明のフィルム状接着剤をフリップチップ実装に利用する実例、すなわち、電極５が形成された回路基板４上に、本発明のフィルム状接着剤をアンダーフィルフィルム３として仮付けし、アンダーフィルフィルム３を介して半導体チップ１の突起電極２と回路基板４の電極５を対向させ、加熱・加圧することにより、突起電極２と電極５を接続する、フリップチップ実装の実例を見て取ることができる。
　
カ　本発明のフィルム状接着剤は、摘記した上記段落【００２１】に記載されているように、超音波接合を用いたフリップチップ実装に使用可能であるが、その他にも、摘記した上記段落【０００５】〜【０００７】の記載によれば、本発明のフィルム状接着剤は、加熱溶融時の粘度が十分低く、接続時相対峙する電極表面からの接着剤の排除性が良好であるため、半導体チップ側の電極と回路基板側の電極を合金化により直接接続する共晶接続を用いたフリップチップ実装にも使用可能であることが示唆されている。
 　 
（２）引用発明
　以上、上記（１）のア〜カの記載事項を総合すると、引用例１には、以下に示すフィルム状接着剤（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「回路基板上にフィルム状接着剤を仮付けした後、前記フィルム状接着剤を介して前記回路基板の電極と半導体チップの突起電極を対向させ、加熱・加圧して前記突起電極と前記電極を共晶接続させることにより、前記半導体チップと前記回路基板を接続するための前記フィルム状接着剤であって、
（ａ）重量平均分子量が１０，０００以下で、常温（２５℃）において固形である樹脂、
（ｂ）絶縁性無機フィラー、
（ｃ）エポキシ樹脂、
（ｄ）硬化剤
を必須成分とし、５０〜２５０℃のいずれかの温度で粘度が２００Ｐａ・ｓ以下に達し、硬化物の２５℃〜２６０℃における平均線膨張係数が２００ｐｐｍ／℃以下であるフィルム状接着剤。」
　
（３）引用例２の記載事項
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、平成２５年４月１７日付けで通知された拒絶理由において引用文献４として引用された刊行物である、国際公開第２００７／０８３８１０号（以下「引用例２」という。）には、「接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
　
ア　「技術分野
【０００１】
  本発明は、接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置に関する。
（・・・途中省略・・・）」
【０００８】
  一方、支持部材が表面に配線を有する有機基板である場合、前記の配線段差に対する十分な充填性（埋め込み性）を確保することが、半導体装置の耐湿信頼性、及び配線間の絶縁信頼性を確保する上で重要である。前記の埋め込み性は、半導体装置の組立工程のうち、封止工程でのトランスファモールド時の熱と圧力を利用することによって達成できる。しかしながら、上述したように複数の半導体素子の積層化が進むにつれて、個々の半導体素子を接合し、積層化するために要する熱履歴プロセス（ダイボンド、及びワイヤボンドなど）は、半導体素子の積層数の増大と共に長時間化する傾向にある。よって、複数の半導体素子を積層した半導体装置において、最下段である半導体素子と配線段差付き有機基板間の接合に用いられるフィルム状接着剤には、ダイボンドからトランスファモールドの工程までの間に、上段の半導体素子を積層するための熱履歴を受ける。そのため、加熱硬化により流動性が低下し、基板表面の配線段差に対して、トランスファモールド工程での熱と圧力を利用した埋め込み性を確保することが困難となる。前記の埋め込み性が確保されなかった場合、未充填による空隙が原因で、耐湿信頼性及び耐リフロー性の低下が懸念されるようになる。よって、
このような半導体装置の最下段である半導体素子及び配線段差付き有機基板間の接合に用いられるフィルム状接着剤においては、半導体素子を有機基板に接合する工程、すなわちダイボンドの時点で基板表面の配線段差への埋め込み性を確保できることが望まれる
ダイボンド時の熱と圧力は、熱応力による半導体素子の反り、及び半導体素子上の回路面へのダメージの抑制から、トランスファモールド時の熱と圧力よりも低温、低圧、さらに短時間の条件となるため、上記のフィルム状接着剤としては、この条件で発泡、又は未充填によるボイドが生じることなく、基板表面の配線段差への埋め込み性を確保できる熱時流動性を有することが望まれる
　
イ　「発明の開示
【００１０】
  上述したように、
低温加工性と耐熱性を両立するための設計として、これまでに、比較的Ｔｇが低いポリイミド樹脂又はアクリルゴムと、エポキシ樹脂からなる樹脂組成が提案され
Ｂステージにおいて、低温、低圧、及び短時間の条件での基板表面の配線段差を埋め込む熱時流動性と、Ｃステージにおける耐熱性の両立を狙った設計が提案されている
【００１１】
  本発明は、上述した従来技術の問題に鑑み、
被着体に対する充填性（埋め込み性）、低温ラミネート性などのプロセス特性、及び耐リフロー性などの半導体装置の信頼性を高度に両立できる接着剤組成物、及びフィルム状接着剤を提供することを目的とする
【００１２】
  また、本発明は、上述したダイシングシートからの易剥離性などのプロセス特性に優れた接着シートを提供することを目的とする。
【００１３】
  さらに、本発明は、生産性に優れ、熱時の高い接着強度及び耐湿性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。
【００１４】
  本発明の発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の解決手段を提供するに至った。すなわち、本発明は、以下＜１＞〜＜１９＞に記載の事項をその特徴とするものである。
【００１５】
  ＜１＞半導体素子を被着体に接着するために用いられる接着剤組成物であって、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）で示されるビスアリルナジイミド、及び（Ｃ）２官能以上の（メタ）アクリレート化合物を含有してなることを特徴とする接着剤組成物。
【化１】(・・・化学式を省略・・・)
【００１６】
（式中、Ｒ１は芳香族環および／または直鎖、分岐若しくは環状脂肪族炭化水素を含む２価の有機基を表す。）
（・・・途中省略・・・）
【００２５】
  ＜１０＞前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする上記＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の接着剤組成物。
（・・・途中省略・・・）
【００４４】
  また、
本発明において使用する上記（Ｂ）ビスアリルナジイミドは、無触媒下での単独硬化では、２５０℃以上の硬化温度が必要で、実用化に際しては大きな障害となっていた
最終硬化には２５０℃前後の温度が必要であった。そこで、上記の硬化温度を２００℃以下にすることを目的に種々検討した結果、ビスアリルナジイミドと後述する（Ｃ）２官能以上の（メタ）アクリレート化合物、又はマレイミド化合物のいずれかを併用することによって上記目的が達せられることを見出した
（・・・途中省略・・・）
【００６５】
  また、
上記ポリイミド樹脂の重量平均分子量は、１００００〜２０００００の範囲内で制御されていることが好ましく
上記重量平均分子量が１００００より小さいと、フィルム形成性が悪くなる傾向にあり、また、フィルムの強度が小さくなる傾向にある
（・・・途中省略・・・）
【０１０９】
  
本発明のフィルム状接着剤の用途について、本発明のフィルム状接着剤を備える半導体装置について図面を用いて具体的に説明する
【０１１０】
  図６には一般的な構造の半導体装置が示されている。
図６において、半導体素子９は本発明のフィルム状接着剤１を介して半導体搭載用支持部材１０に接着され
【０１１１】
  また、
図７には半導体素子同士を接着した構造を有する半導体装置の一例が示されている。図７において、一段目の半導体素子９ａは本発明のフィルム状接着剤１を介して半導体搭載用支持部材１０に接着され、一段目の半導体素子９ａの上に更に本発明のフィルム状接着剤１を介して二段目の半導体素子９ｂが接着されている
子と電気的に接続され、封止材１２によって封止されている。このように、本発明のフィルム状接着剤は、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。
【０１１２】
  尚、
前記構造を備える半導体装置（半導体パッケージ）は、例えば、半導体素子と半導体搭載用支持部材との間に本発明のフィルム状接着剤を挾み、加熱圧着して両者を接着させ、その後ワイヤボンド工程、必要に応じて封止材による封止工程等の工程を経ることにより得られる。前記加熱圧着工程における加熱温度は、通常、２０〜２５０℃
　
ウ　「実施例
【０１１３】
  以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１４】
＜ポリイミド樹脂（ＰＩ）の合成＞
（・・・途中省略・・・）
【０１１５】
（ＰＩ−２）
  温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した３００ｍＬフラスコ中に、１，１２−ジアミノドデカン２．１０ｇ（０．０３５ｍｏｌ）、ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、Ｄ２０００（分子量：１９２３））１７．３１ｇ（０．０３ｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学製、ＬＰ−７１００）２．６１ｇ（０．０３５ｍｏｌ）、及びＮ−メチル−２−ピロリドン１１３ｇを仕込んだ反応液を攪拌した。１，１２−ジアミノドデカン、及びポリエーテルジアミンが溶解した後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）１５．６２ｇ（０．１ｍｏｌ）（ＤＳＣによる吸熱開始温度と吸熱ピーク温度の差：５．０℃）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させた後、キシレン７５．５ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱することにより、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を大量の水中に注ぎ、沈澱したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂（ＰＩ−２）を得た。得られたポリイミド樹脂のＧＰＣを測定したところ、ポリスチレン換算で、Ｍｗ＝７００００、Ｍｎ＝２０８００であった。また、得られたポリイミド樹脂のＴｇは５３℃であった。
（・・・途中省略・・・）
【０１１９】
＜接着剤組成物の調製＞
  上記で得た各ポリイミド樹脂ＰＩ−１〜ＰＩ−５を用い、下記表１および２の配合表に示す通り、接着剤組成物ワニスを調製した。
（・・・途中省略・・・）
【０１３７】
  表３、４に示すように、実施例１〜９の接着剤組成物を用いてなるフィルム状接着剤（接着シート）においては、ピール強度が全て１０Ｎ／ｃｈｉｐ以上であり、また、ダイシング時のチップ飛びも少なく、ウェハ裏面貼付温度を低く抑えることができた。また、
リフロー量が全て１０００〜３０００μｍの範囲であるため、被着体に対する充填性（埋め込み性）に優れ、樹脂はみ出しやボイドの発生も生じ難いと考えられる
　
 ２．対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「フィルム状接着剤」と本願発明の「ＣＯＦ半導体封止用フィルム状接着剤」は、いずれも、「フィルム状接着剤」である点で共通している。
　
イ　引用発明の「突起電極」は、本願発明の「バンプ」に相当しているから、引用発明において「半導体チップ」が「突起電極」を有していることと、本願発明において「半導体チップ」が「金バンプ」を有していることは、「半導体チップ」が「バンプ」を有している点で共通している。
　
ウ　引用発明の「回路基板」と本願発明の「ポリイミド基板」はいずれも「基板」である点で共通している。
　
エ　引用発明において「回路基板の電極」は、回路基板上に形成された導電性の部材であることは明らかであるから、引用発明の「電極」と本願発明の「表面がスズめっきされた金属配線」は、「導電性部材」である点で共通している。
　
オ　引用発明において「加熱・加圧して前記突起電極と前記電極を共晶接続させること」と、本願発明において「３００℃以上の温度で金−スズ共晶を形成させて接続する」ことは、いずれも、「共晶を形成させて接続する」点で共通している。
　
カ　引用発明において「前記フィルム状接着剤を介して前記回路基板の電極と半導体チップの突起電極を対向させ」ることは、本願発明において「ＣＯＦ半導体封止用フィルム状接着剤」を「前記半導体チップと前記ポリイミド基板との間に介在させる」ことに相当する。
　
キ　引用発明の「（ａ）重量平均分子量が１０，０００以下で、常温（２５℃）において固形である樹脂」の具体的な材料として、引用例１の段落【００１０】には、ポリイミド樹脂が好ましいと記載されている。したがって、
引用発明の「（ａ）重量平均分子量が１０，０００以下で、常温（２５℃）において固形である樹脂」は本願発明の「（ａ）ポリイミド樹脂」に相当している。
　
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりとなる。 　
 ≪一致点≫
　バンプを有する半導体チップと、導電性部材を有する基板とを共晶を形成させて接続する際に前記半導体チップと前記基板との間に介在させるフィルム状接着剤であって、
　（ａ）ポリイミド樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂と、（ｃ）硬化剤と、を含有する、フィルム状接着剤。 
 　 
 ≪相違点≫
 ≪相違点１≫
　本願発明では「バンプ」が「金」で形成されているのに対して、引用発明では「突起電極」の材質について特定されていない点。
　
 ≪相違点２≫
　本願発明では「基板」が「ポリイミド」で形成されているのに対して、引用発明では「基板」の材質について特定されていない点。
　
 ≪相違点３≫
　本願発明では「導電性部材」が、「表面がスズめっきされた金属配線」で形成されているのに対して、引用発明では「導電性部材」が、「電極」であり、また、当該「電極」の材質について特定されていない点。
　
 ≪相違点４≫
　本願発明と引用発明は、いずれも、「半導体チップ」の「バンプ」と「基板」の「導電性部材」を「共晶を形成させて接続する」点で共通するものであるが、本願発明は「３００℃以上の温度で金−スズ共晶を形成させて接続」するものであるのに対して、引用発明は「共晶」による接続の詳細について特定されていない点。
　
 ≪相違点５≫
　「フィルム状接着剤」の用途について、本願発明においては「ＣＯＦ半導体封止用」と特定されているのに対して、引用発明においてはそのような特定がなされていない点。
　
 ≪相違点６≫
　「フィルム状接着剤」の性質について、本願発明においては「１％熱重量減少温度が２５０℃以上である」と特定されているのに対して、引用発明においてはそのような特定がなされていない点。 
 　 
 ３．判断 
　上記相違点のうち、相違点６について検討する。
ア　ポリイミド樹脂について
　引用例２に記載された接着剤組成物は、上記１（３）イで摘記した段落【００１１】に記載されているように、被着体に対する充填性（埋め込み性）、低温ラミネート性などのプロセス特性、及び耐リフロー性などの半導体装置の信頼性を高度に両立できる接着剤組成物、及びフィルム状接着剤を提供することを目的とするものであり、また、同段落【００４４】及び【０１１２】に記載されているように、加熱圧着工程における加熱温度を２５０℃以下の温度に使用することを目的とするものである。さらに、引用例２に記載された接着剤組成物は、同段落【０００８】、【０１３７】に記載されているように、発泡やボイドの発生も生じがたいという特性を有するものである。
　そして、上記接着剤組成物に配合されるポリイミド樹脂の製造方法が、同段落【０１１５】に次のように記載されている。「温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した３００ｍＬフラスコ中に、１，１２−ジアミノドデカン２．１０ｇ（０．０３５ｍｏｌ）、ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、Ｄ２０００（分子量：１９２３））１７．３１ｇ（０．０３ｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学製、ＬＰ−７１００）２．６１ｇ（０．０３５ｍｏｌ）、及びＮ−メチル−２−ピロリドン１１３ｇを仕込んだ反応液を攪拌した。１，１２−ジアミノドデカン、及びポリエーテルジアミンが溶解した後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）１５．６２ｇ（０．１ｍｏｌ）（ＤＳＣによる吸熱開始温度と吸熱ピーク温度の差：５．０℃）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させた後、キシレン７５．５ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱することにより、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を大量の水中に注ぎ、沈澱したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂（ＰＩ−２）を得た。
得られたポリイミド樹脂のＧＰＣを測定したところ、ポリスチレン換算で、Ｍｗ＝７００００、Ｍｎ＝２０８００であった
　一方、本願発明に対応する実施例１のフィルム状接着剤に配合されるポリイミド樹脂の整合方法が、本願明細書の段落【００７６】に次のように記載されている。「温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、１，１２−ジアミノドデカン２．１０ｇ（０．０３５モル）、ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ社製、商品名：Ｄ２０００、分子量：１９２３）１７．３１ｇ（０．０３モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学社製、商品名：ＬＰ−７１００）２．６１ｇ（０．０３５モル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン（関東化学社製）１５０ｇを仕込み、攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、無水酢酸で再結晶精製した４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）（ＡＬＤＲＩＣＨ社製、商品名：ＢＰＡＤＡ）１５．６２ｇ（０．１０モル）を少量ずつ添加した。窒素ガスを吹き込みながら、１７０℃で８時間加熱しながら攪拌した。生成する水を除去してポリイミド樹脂の溶液（ワニス）を得た。得られたポリイミド樹脂（固形分）は、Ｔｇが２２℃、重量平均分子量が４７０００、ＳＰ値が１０．２であった。なお、フィルム状接着剤の作製には、この溶液からポリイミド樹脂を単離せずに、ワニス（固形分濃度４０．６質量％）のまま使用した。」
　ここで、引用例２に記載された、上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）の製造方法と、本願明細書の実施例１で使用されたポリイミド樹脂の製造方法を対比すると、両者は、ポリイミド樹脂を製造するために、１，１２−ジアミノドデカンやポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、Ｄ２０００（分子量：１９２３））等の同じ材料を使用している点で共通しているものの、（１）Ｎ−メチル−２−ピロリドンの配合重量が、引用例２では「１１３ｇ」であるが、本願明細書の実施例１では「１５０ｇ」である点、（２）引用例２では、「室温で８時間反応させ」ているが、本願明細書の実施例１では、「１７０℃で８時間加熱しながら攪拌」している点、（３）引用例２では、「キシレン７５．５ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱することにより、水と共にキシレンを共沸除去」しているが、本願明細書の実施例１では、「生成する水を除去して」いる点、（４）引用例２では、「反応液を大量の水中に注ぎ、沈澱したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂（ＰＩ−２）を得」ているが、本願明細書の実施例１では、「ポリイミド樹脂の溶液（ワニス）を得」た後「この溶液からポリイミド樹脂を単離せずに、ワニス（固形分濃度４０．６質量％）のまま使用」している点で相違している。
　したがって、引用例２に記載された、上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）と、本願明細書の実施例１で使用されたポリイミド樹脂は、使用している原料が同じであるものの、配合重量や、反応温度、水の除去方法、ポリイミドを単離するか否かに係る製造方法において相違する点があり、得られたポリイミド樹脂の組成や物性が両者で同一となっているかは不明である。
　
イ　エポキシ樹脂について
　引用発明のフィルム状接着剤に配合されるエポキシ樹脂について、引用例１の段落【００１２】には、「
本発明において使用する（ｃ）エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
が挙げられる
エポキシ樹脂は、２５℃において液状、固形のいずれでも使用することができる
　一方、本願発明のフィルム状接着剤に配合されるエポキシ樹脂について、本願明細書の段落【００５１】には、「
本発明において用いる（ｂ）エポキシ樹脂は
例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
などを使用することができる
室温で固形のエポキシ樹脂を用いることが望ましい
　したがって、引用発明で使用されるエポキシ樹脂と、本願発明に使用されるエポキシ樹脂は、いずれも、例えば、室温において固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂という同じ樹脂を使用できることが記載されている。
　
　以上、上記アとイの検討に基づいて、仮に、引用発明において、「（ａ）重量平均分子量が１０，０００以下で、常温（２５℃）において固形である樹脂」として、引用例２に記載された上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）を採用し、「（ｃ）エポキシ樹脂」として、引用例１において例示された、室温において固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を採用したとしても、上記アで検討したように、上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）の組成や物性が本願明細書の実施例１のポリイミド樹脂と同一となっているか否か不明であるので、上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）及び上記室温において固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を採用した引用発明のフィルム状接着剤が「１％熱重量減少温度が２５０℃以上」という条件を満たしているということはできない。
　また、仮に、上記上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）の組成や物性が本願明細書の実施例１のポリイミド樹脂と同一となっており、上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）及び上記室温において固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を採用した引用発明のフィルム状接着剤が「１％熱重量減少温度が２５０℃以上」という条件を満たすものとなったとしても、引用例２には、上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）は、Ｍｗ＝７００００であると記載されており、「Ｍｗ」は「重量平均分子量」を表すから（この点について、例えば、特開2006-124700号公報の特許請求の範囲の請求項１に「重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ」と記載されているように、技術常識である。）、引用発明のフィルム状接着剤の必須成分である「（ａ）重量平均分子量が１０，０００以下で、常温（２５℃）において固形である樹脂」の条件に該当しないものである。また、引用例２の摘記した上記段落【００６５】にも「ポリイミド樹脂の重量平均分子量は、１００００〜２０００００の範囲内で制御されていることが好ましく、・・・上記重量平均分子量が１００００より小さいと、フィルム形成性が悪くなる傾向にあり、また、フィルムの強度が小さくなる傾向にある。」と記載されており、引用例２において採用されるポリイミド樹脂の重量平均分子量は、引用発明のポリイミド樹脂の重量平均分子量についての上記条件に該当しないものである。仮に、引用発明において、引用例２に記載された上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）のような重量平均分子量の大きな樹脂を採用すると、引用例１の段落【０００７】の記載「一般的に、フィルム状の接着剤を作製するためには、重量平均分子量が１０，０００以上の熱可塑性樹脂を配合している（例えば、特許文献２参照）。しかし、高分子量の樹脂を配合することによって加熱溶融時の粘度が十分低下せず、接続時の排除性が低下するため良好な接続信頼性が得られない」によれば、加熱溶融時の粘度が低下せず、接続時の排除性が低下するため、良好な接続信頼性が得られないこととなってしまう。
　したがって、引用発明において、仮に、上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）及び上記室温において固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を採用した場合には、得られたフィルム接着剤が「１％熱重量減少温度が２５０℃以上」になるものであったとしても、引用発明において、引用例２に記載された上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）を採用することには阻害要因がある。
　よって、引用発明において、引用例２に記載された上記ポリイミド樹脂（ＰＩ−２）を採用することはできず、引用発明のフィルム状接着剤を「１％熱重量減少温度が２５０℃以上」のものとすること、すなわち、相違点６に係る本願発明の構成とすることは、当業者にとって容易になし得たことであるということはできない。
　また、フリップチップ実装の技術分野において、当該実装に使用される、（ａ）ポリイミド樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂と、（ｃ）硬化剤を含有する接着剤において、「１％熱重量減少温度が２５０℃以上」とすることが、周知の技術であるともいえない。
　
　以上から、引用発明において、引用例２の記載に基づいて、もしくは、周知の技術に基づいて、フィルム状接着剤を「１％熱重量減少温度が２５０℃以上」のものとすること、すなわち、上記相違点６に係る本願発明の構成を採用することが、当業者が容易になし得たことであるということはできない。
 
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 
 　 
　また、本願の請求項２〜５に係る発明は、いずれも請求項１を引用し、これをさらに限定する発明であるところ、本願発明が、上記のように、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえないことから、本願の請求項２〜５に係る発明も、本願発明と同様に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 
 　 
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明及び本願の請求項２〜５に係る発明はいずれも、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。