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【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射パネルを作成する方法であって、前記パネルは、構造パネルおよび／または音響パネルおよび／または熱パネルを形成するのに有用であり、前記方法は、
ボール紙を供給するステップを含み、前記ボール紙は、少なくともいくつかの使用済みアジア製ボール紙を含み、さらに、
前記ボール紙を所定の縮小された寸法の断片に粉砕するステップと、
前記縮小された寸法の断片を熱接合可能な生地材料と混合させて混合物を形成するステップと、
乾式不織ウェブ処理において所定の厚さの前記混合物のウェブを形成するステップと、
前記ウェブを加熱して前記熱接合可能な材料を前記縮小された寸法の断片に接合させ、少なくとも１つの不織シートを形成するステップとを含み、前記少なくとも１つの不織シートは対向する側面を有し、さらに、
少なくとも１つの反射層を前記対向する側面のうち少なくとも一方に接合するステップを含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの反射層を前記少なくとも１つの不織シートの露出した対向する側面に接合するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反射層のうち少なくとも１つをエンボス加工することによって、前記反射層の少なくとも１つの構造的剛性を増大させるステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
複数の前記少なくとも１つの不織シートを互いに積層するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
積層された不織シートの少なくとも１つの露出した側面に反射層を接合するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
積層された不織シートの露出した対向する各側面に反射層を接合するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つのスクリム層を少なくとも一対の前記不織シートの間に接合するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
熱接合可能な生地材料と、
リサイクルされた使用済みアジア製ボール紙とを備え、前記リサイクルされた使用済みアジア製ボール紙材料は、粉砕され、前記熱接合可能な生地材料に接合されて、少なくとも１つの不織シートを形成し、前記少なくとも１つの不織シートの各々は対向する側面を有し、さらに、
前記対向する側面の少なくとも一方に接合された少なくとも１つの反射層を備える、不織パネル。
【請求項９】
前記少なくとも１つの反射層のうち少なくとも１つはエンボス加工される、請求項８に記載の不織パネル。
【請求項１０】
複数の前記少なくとも１つの不織シートをさらに含み、前記複数の不織シートは、互いに接合されて前記不織シートの積層を形成し、前記積層の露出した対向する側面に前記少なくとも１つの反射層が接合される、請求項８に記載の不織パネル。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの反射層は、前記積層の露出した対向する各側面に接合された反射層を含む、請求項１０に記載の不織パネル。
【請求項１２】
複数の前記少なくとも１つの不織シートをさらに含み、前記複数の不織シートは、互いに接合されて前記不織シートの積層を形成し、さらに、少なくとも一対の前記不織シートの間に積層される少なくとも１つのスクリム層を含む、請求項８に記載の不織パネル。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの反射層は、前記少なくとも１つの不織シートの露出した対向する側面に接合された反射層を含む、請求項８に記載の不織パネル。
【請求項１４】
前記反射層の少なくとも１つはエンボス加工される、請求項１３に記載の不織パネル。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過フッ素化アルキルエーテルオイルの表面仕上げ剤を有する本質的に耐燃性のポリマーの複数本の繊維を含む合成繊維糸であって、前記過フッ素化アルキルエーテルが１０００〜４７３０の分子量を有し、かつ燃焼した場合に前記糸が６ｃｍ以下の炭化長を有する、糸。
【請求項２】
前記過フッ素化アルキルエーテルが、フッ素でエンドキャップしたヘキサフルオロプロピレンエポキシドのホモポリマーである、請求項１に記載の糸。
【請求項３】
前記過フッ素化アルキルエーテルが、
【化１】
2014514467.tif 000001
または
【化２】
2014514467.tif 000002
の化学構造式を有するか、またはこれらの混合物であり、式中、Ｆはフッ素であり、Ｃは炭素であり、Ｏは酸素であり、かつｎ＝１０〜６０である、請求項１に記載の糸。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
実施例４
６００デニール（６８０ｄｔｅｘ）のポリ（パラフェニレンテレフタルアミド）糸の代わりに、２００デニール（２００ｄｔｅｘ）のポリ（パラフェニレンテレフタルアミド）糸で１回、および３０００デニール（３３００ｄｔｅｘ）のポリ（パラフェニレンテレフタルアミド）糸で１回、実施例１を繰り返し、同様の予想された結果を得た。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕過フッ素化アルキルエーテルオイルの表面仕上げ剤を有する本質的に耐燃性のポリマーの複数本の繊維を含む合成繊維糸であって、前記過フッ素化アルキルエーテルが１０００〜４７３０の分子量を有し、かつ燃焼した場合に前記糸が６ｃｍ以下の炭化長を有する、糸。
〔２〕前記過フッ素化アルキルエーテルが、フッ素でエンドキャップしたヘキサフルオロプロピレンエポキシドのホモポリマーである、前記〔１〕に記載の糸。
〔３〕前記過フッ素化アルキルエーテルが、
2014514467.tif 000003
または
2014514467.tif 000004
の化学構造式を有するか、またはこれらの混合物であり、式中、Ｆはフッ素であり、Ｃは炭素であり、Ｏは酸素であり、かつｎ＝１０〜６０である、前記〔１〕に記載の糸。
〔４〕前記オイルが、２０℃で１５×１０6〜５２２×１０6ｍ2／秒（１５〜５２２センチストークス）の粘度を有する、前記〔３〕に記載の糸。
〔５〕表面仕上げ剤の量が、仕上げ剤を有する前記糸の総重量で除し１００を乗じた前記仕上げ剤の重量を基準にして０．５〜２重量％である、前記〔１〕に記載の糸。
〔６〕前記本質的に耐燃性のポリマーが、ポリベンザゾール、ポリピリダゾール、ポリオキサゾール、ポリイミダゾール、ポリチアゾール、アラミド、あるいはこれらのいずれかの混合物またはコポリマーである、前記〔１〕に記載の糸。
〔７〕前記アラミドが、ポリパラフェニレンテレフタルアミドである、前記〔６〕に記載の糸。
〔８〕前記アラミドが、ポリメタフェニレンイソフタルアミドである、前記〔６〕に記載の糸。
〔９〕２００〜３０００デニール（２２０〜３３００ｄｔｅｘ）の線密度を有する、前記〔６〕に記載の糸。
〔１０〕ａ）本質的に耐燃性のポリマーの複数本の繊維の糸を準備するステップと、
ｂ）前記糸の表面に過フッ素化アルキルエーテルオイルを含む仕上げ剤を、仕上げ剤を有する前記糸の重量を基準にして０．５〜２重量％の量で塗布するステップであって、前記過フッ素化アルキルエーテルが１０００〜４７３０の分子量および２０℃で１５×１０6〜５２２×１０6ｍ2／秒（１５〜５２２センチストークス）の粘度を有する、ステップと
を含む耐火性仕上げ剤を有する合成繊維糸を得る方法。
〔１１〕前記過フッ素化アルキルエーテルが、フッ素でエンドキャップしたヘキサフルオロプロピレンエポキシドのホモポリマーである、前記〔１０〕に記載の方法。
〔１２〕前記過フッ素化アルキルエーテルが、
2014514467.tif 000005
または
2014514467.tif 000006
の化学構造式を有するか、またはこれらの混合物であり、式中、Ｆはフッ素であり、Ｃは炭素であり、Ｏは酸素であり、またｎ＝１０〜６０である、前記〔１０〕に記載の方法。
〔１３〕前記本質的に耐燃性のポリマーが、ポリベンザゾール、ポリピリダゾール、ポリオキサゾール、ポリイミダゾール、ポリチアゾール、アラミド、あるいはこれらのいずれかの混合物またはコポリマーである、前記〔１０〕に記載の方法。
〔１４〕前記アラミドが、ポリパラフェニレンテレフタルアミドである、前記〔１３〕に記載の方法。
〔１５〕前記アラミドが、ポリメタフェニレンイソフタルアミドである、前記〔１３〕に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリル酸イソブチルおよびアクリル酸を含むブロックAを少なくとも1つ含む、AB、ABAまたはBAB構造のエチレン性ジブロックまたはトリブロックポリマーであって、
単独のまたは混合物としての以下の可溶性モノマー:
- 式CH2=C(CH3)-COOR1のメタクリレート(式中、R1は、直鎖状または分岐状C4〜C22アルキル基、あるいは8〜30個の炭素原子を有する環状アルキル基を表す)、
- 式CH2=CH-COOR2のアクリレート(式中、R2は、直鎖状または分岐状C6〜C22アルキル基、あるいは8〜30個の炭素原子を有する環状アルキル基を表す)
- 式CH2=C(CH3)-CONR3R4またはCH2=CH-CONR3R4の(メタ)アクリルアミド(式中、R3は、水素原子または直鎖状もしくは分岐状C1〜C12アルキル基を表し、R4は、直鎖状もしくは分岐状C8〜C12アルキル基を表す)、
- 式R5-CO-O-CH=CH2のビニルエステル(式中、R5は、直鎖状または分岐状C8〜C22アルキル基を表す)、
- ビニルアルコールのエーテルおよび式R6O-CH=CH2のアルコールのエーテル(式中、R6は、8〜22個の炭素原子を含む直鎖状または分岐状アルキル基を表す)、
- エステル基がシランまたはシロキサンを含有し、ケイ素原子を1個だけ含有するエチレン性モノマー、
- 重合性末端基を有する炭素系マクロモノマー
から選択される単独のまたは混合物としてのモノマーを、70重量%〜100重量%含む、第2のブロック、またはブロックBも含む、
エチレン性ジブロックまたはトリブロックポリマー。
【請求項２】
直鎖状ポリマーの形態の、請求項1に記載のポリマー。
【請求項３】
ブロックA中、アクリル酸イソブチルが、アクリル酸イソブチルとアクリル酸との混合物の総重量の、75重量%〜99.5重量%に相当し、アクリル酸が、アクリル酸イソブチルとアクリル酸との混合物の総重量の、0.5重量%〜25重量%に相当する、請求項1または2に記載のポリマー。
【請求項４】
アクリル酸イソブチルとアクリル酸との混合物が、前記ブロックAの総重量の、50重量%〜100重量%に相当する、請求項1から3のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項５】
前記ブロックAが、
- 任意選択によりヘテロ原子を含む、C1〜C18(メタ)アクリレート、
- メタクリル酸、(メタ)アクリルアミド、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリルオキシプロピルトリス(トリメチルシロキシ)シラン、
- およびこれらの塩
から単独でまたは混合物として選択される追加のモノマーを少なくとも1種含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造クラスタを制御するシステムであり、前記システムは：
基板を処理するための第１製造クラスタを含み、前記第１製造クラスタは：
前記基板の１又は複数の層をエッチングするように構成されるエッチングプロセスツールを含み、前記エッチングプロセスツールが、エッチングチャンバ、計測ビューポート、制御装置、及び１又は複数のエッチングプロセスパラメータを持ち；
エッチング段階を測定し、２以上のエッチング段階測定目標値を合致させるように構成されるエッチング段階測定システムを含み、前記エッチング段階測定システムが：
前記エッチングプロセスツールに接続された第１光学計測装置を含み、前記第１光学計測装置が前記エッチングチャンバからの電磁波エネルギーを測定するように構成され；
前記エッチングプロセスツールに接続される第２光学計測装置を含み、前記第２光学計測装置が、前記基板を１又は複数の位置で照射し、前記照射された１又は複数の位置からの回折信号を測定し；
前記エッチングプロセスツールに接続されたエッチングセンサ装置を含み、前記エッチングセンサ装置が、前記１又は複数のエッチングプロセスパラメータの１つのプロセスパラメータを測定するように構成され、前記プロセスパラメータが前記エッチング段階と高い関連性を持ち；及び
前記エッチングプロセスツール、前記第１光学計測装置及び前記第２光学計測装置に接続されたプロセッサーを含み、
前記プロセッサーは、前記第１及び第２光学計測装置からの測定された電磁波エネルギー及び前記エッチングセンサ装置から測定されたプロセスパラメータと、実際のエッチング段階データとの関連付けアルゴリズムを確立するように構成され、前記第１及び第２光学計測装置からのエッチング段階測定値及び前記エッチング段階測定値の実際のエッチング段階データとの前回の関連付けを用いて、エッチング測定値を導出するように構成され、２以上のエッチング段階測定目標値の組みと比較された、計算された２以上のエッチング段階測定目標値が合致しない場合には、第１及び第２光学計測装置を変更し、前記関連付けアルゴリズムを調節し、及び／又は前記測定された電磁波エネルギーのノイズについて調節することで前記エッチング段階測定を強化するように構成され、及び前記２以上のエッチング段階測定目標値が合致するまで、前記関連付けアルゴリズムを確立し、前記エッチング測定値を導出し、前記計算された２以上のエッチング段階測定目標値を前記２以上のエッチング段階測定値の組みと比較し、前記関連付けアルゴリズムを調節し、及び／又は前記測定された電磁波エネルギー目標値のノイズについて調節することで前記エッチング段階測定値を強化するように構成され；及び
前記第１製造クラスタ及び前記エッチング段階測定システムに接続された第２製造クラスタを含み、前記第２製造クラスタは１又は複数の装置設定と１又は複数のプロセスパラメータを持ち、及び前記１又は複数の装置設定及び／又は前記１又は複数のエッチングプロセスパラメータを、少なくとも１つの導出されたエッチング測定値に基づいて調節する、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであり、前記第１の光学計測装置が、前記エッチングチャンバからの前記光の強度を測定するために設けられる分光装置を含む、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであり、前記第２光学計測装置が、前記エッチングチャンバ上に設けられる少なくとも１つの干渉計又は反射計を含み、照明ビームの伝達及び回折ビームの検出をビューポートを用いて可能にする、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであり、前記第２光学計測装置が、複数の干渉計又は反射計を含み、前記干渉計又は反射計がビューポートを用いて前記エッチングチャンバの上に設けられ、複数の照射ビームの伝達と複数の回折ビームの検出を可能にする、システム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムであり、前記第２光学計測装置が、５から９の干渉計又は反射計を含む、システム。
【請求項６】
請求項４に記載のシステムであり、前記複数の照射ビームが、１２０から１９０ナノメートルの範囲の波長を持つ分光ビームを含む、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであり、前記関連付けアルゴリズムの調節が、前記電磁波エネルギー測定値と前記実際のエッチング段階測定データとの非線形関数関係を用いることを含む、システム。
【請求項８】
エッチングプロセスで基板を処理するための製造クラスタを制御する方法であり、前記方法は：
２以上のエッチング段階測定目標値を選択し；
前記２以上のエッチング段階測定目標値を設定し；
選択された２以上の光学計測装置と選択されたエッチングプロセスセンサ装置を用いてエッチング段階測定値を得ることを含み、前記エッチングセンサ装置が、前記エッチングプロセス段階と高い関連性を持つプロセスパラメータを測定するように構成され；
１又は複数の標準測定技術を用いてそれぞれの前記エッチング段階測定値について実際の段階データを得て；
エッチング段階測定値と実際のエッチング段階データとの関連付けを確立し；
前記確立された関連付けアルゴリズムを用いてエッチング段階測定値を導出し、及びエッチング段階測定値は前記選択された２以上の計測装置及び前記選択されたエッチングプロセスセンサ装置を用いて得られ；
前記エッチング測定値を前記製造クラスタに伝達し；及び
前記伝達されたエッチング段階データにもとづいて、装置設定及び／又はプロセスパラメータを変更する、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であり、前記エッチング測定値の導出が、複数の選択されたエッチングプロセスセンサ装置からのエッチング段階測定値を含む、方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であり、前記２以上の選択された光学計測装置の第２光学計測装置が、ビューポートを用いて前記エッチングチャンバの上に配置された複数の干渉計又は反射計を含み、複数の照射ビームの伝達及び複数の回折ビームの検出を可能にする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定められた色スペクトルの光源光を出射するための発光面を有する光源と、
蛍光体増強照明装置の周囲に光を出射するための光出口窓と、
前記光源光の一部を吸収し、当該吸収された光の一部を第一の色の光に変換する無機発光体を含む第一光変換素子と、
前記光源光の一部及び／又は前記第一の色の前記光の一部を吸収し、当該吸収された光の一部を第二の色の光に変換する第一の有機発光体を含む第二光変換素子とを備え、
前記第二光変換素子は、光学的に、前記光出口窓と前記光源の前記発光面との間に配置され、前記第一光変換素子は、光学的に、前記第二変換素子と前記光源の前記発光面との間に配置され、前記第一光変換素子と前記第二光変換素子との間には、ギャップが存在し、
前記ギャップは真空によって形成され又は前記ギャップは流体で充填される、蛍光体増強照明装置。
【請求項２】
前記第一光変換素子は、前記光出口窓に周囲光が衝突する場合に周囲光が衝突する第一の表面を有し、
前記第二光変換素子は、前記光出口窓に周囲光が衝突する場合に周囲光が衝突する第二の表面を有し、
前記第一の表面は、前記第二の表面より小さい、請求項１に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項３】
前記第一光変換素子は、前記光源の近傍に配置され、前記第一光変換素子が前記光源の近傍に配置されるとは、前記光源から前記光出口窓への光路において、前記光源から前記第一光変換素子までの距離が、前記光源から前記第二光変換素子までの距離の２０％より小さいことを意味する、請求項１又は２に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項４】
前記第一光変換素子は、前記光源の前記発光面上に配置される、請求項１に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項５】
前記光源は、青色発光ダイオードであり、
前記無機発光体は、黄色又は黄緑色無機蛍光体であり、
動作時に光源光と前記第一の色の光との組み合わせである、前記光出口窓からの発光は、１０，０００Ｋより高い相関色温度を有し、色空間内において、当該色空間内の黒体線に近い又は黒体線上のカラーポイントを有する、請求項４に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項６】
前記光源と、前記第一光変換素子が配置される前記発光面との組み合わせは、８０％より大きい光学パッケージ効率を有し、前記光学パッケージ効率は、前記光源によって発せられる光子と、前記光源と前記第一光変換素子との組み合わせによって発せられる光子とのパーセントによって定義される、請求項４又は５に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項７】
前記第二光変換素子は、第二の屈折率を有し、
前記ギャップを形成する物質は、前記第二の屈折率より小さい第一の屈折率を有する、請求項１に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項８】
前記第二光変換素子は、前記光出口窓に配置されるか、又は、前記第二光変換素子は、前記光出口窓を形成する、請求項１に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項９】
前記光源は、ソリッドステートの発光素子である、請求項１に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項１０】
前記第一光変換素子と、前記第二光変換素子とのうちの少なくとも一つは層である、請求項１に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項１１】
前記第二光変換素子は、前記光源光の一部、前記第一の色の光の一部、及び／又は前記第二の色の光の一部を吸収し、当該吸収された光の一部を、第三の色の光に変換する第二の有機発光体を含む、蛍光体増強照明装置。
【請求項１２】
前記第二光変換素子は、前記第一の有機発光体を含み前記第二の有機発光体を含まない第一の層、及び、前記第二の有機発光体を含み前記第一の有機発光体を含まない第二の層を含む複数の層のスタックである、請求項１１に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項１３】
光学的に、前記光出口窓と前記第二光変換素子との間に配置される散乱層を有するか、又は、前記第二光変換素子が散乱粒子を含む、請求項１に記載の蛍光体増強照明装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の蛍光体増強照明装置を有する、レトロフィット電球又は管電球。
【請求項１５】
請求項１に記載の蛍光体増強照明装置、又は、請求項１４に記載のレトロフィット電球若しくは管電球を有する、照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
施設内での屋内ナビゲーションのためのシステムであって、
位置に対応する一意に特定可能な音声信号をそれぞれが送信する音源の構成と、
前記施設内の音源の識別情報を提供する音声検出イベントを前記施設内のモバイルデバイスから受信し、前記検出イベントからモバイルデバイスの位置を計算し、前記施設内で前記モバイルデバイスの位置を監視し、前記モバイルデバイスの前記位置が通知に関連する位置にあるときに前記モバイルデバイスに前記通知を送信するための１つ又は複数のコンピュータとを備える、システム。
【請求項２】
前記音源が、前記施設内の場内音声再生システムのラウドスピーカーを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記場内音声再生システムが、場内放送システムを備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記場内音声再生システムが、音声マスキングシステムを備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記モバイルデバイスが、無線電話を備え、前記音声検出イベントが、前記施設内のスピーカーから出力され、前記無線電話のマイクロホンにより取り込まれた音声内の識別情報の検出イベントである、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記モバイルデバイスが、前記施設内のショッピングカートのクレードルにつながれる、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記モバイルデバイスが、無線電話を備え、前記ショッピングカートのクレードルが、無線電話のためのバッテリー充電ステーションを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
通行監視システムをさらに備え、前記通行監視システムが、前記施設内の通行についての情報を提供し、前記情報から位置に基づく通知が生成され、前記施設内の前記モバイルデバイスに送信される、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記通行監視システムが、光ファイバーセンサーのネットワークを備える、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
コンピュータによって実行されるときに、
マイクロホンで取り込まれた音声信号から音源識別情報を検出するステップと、
施設内のモバイルデバイスの位置を計算するためのプロセスに前記音源識別情報を提供するステップと、
前記モバイルデバイスの前記位置が位置に基づく通知に関連する前記施設内の所定の位置内にあるときに、前記モバイルデバイスの出力デバイスで前記位置に基づく通知を生成するステップとを含む、屋内ナビゲーションのための方法を実行する命令が記憶されているコンピュータ可読媒体。
【請求項１１】
前記モバイルデバイスのメモリを備える、請求項１０に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１２】
前記モバイルデバイスが、無線電話を備え、前記マイクロホンが、前記無線電話のマイクロホンである、請求項１１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
コンピュータによって実行されるときに、
モバイルデバイスのマイクロホンから取り込まれた音声内で検出された音源識別情報を受信するステップと、
前記音源識別情報を使用して施設内のモバイルデバイスの位置を計算するステップと、
前記モバイルデバイスの前記位置が位置に基づく通知に関連する前記施設内の所定の位置内にあるときに、前記モバイルデバイスで出力するための前記位置に基づく通知を生成するステップとを含む、屋内ナビゲーションのための方法を実行する命令が記憶されているコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記モバイルデバイスと通信するサーバコンピュータのメモリを備える、請求項１３に記載のコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月19日(2015.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対側を向く第１および第２の表面および前記第１および第２の表面間に延在する少なくとも１つの開口を有する基板であって、前記第１の表面における基板接点および前記第２の表面における端子を有している基板と、
前記第１の表面と向き合う前面、そこから遠く離れた裏面、および前記前面と前記裏面との間に延在する縁を有する第１の超小型電子素子であって、前記第１の超小型電子素子は、前記前面に複数の接点を有しており、該複数の接点は、前記基板接点の対応するものと向き合い、かつ接合されている第１の超小型電子素子と、
前記第１の超小型電子素子と向き合う前面を有する第２の超小型電子素子であって、前記第１の超小型電子素子の前記縁を超えて前記第２の超小型電子素子の前記前面に露出した複数の接点を有しており、任意の他の機能よりもメモリ記憶アレイ機能をもたらす極めて多数の能動素子から構成されている第２の超小型電子素子と、
前記第２の超小型電子素子の前記接点を前記端子に電気的に接続するリードであって、前記少なくとも１つの開口と真っ直ぐに並んだ部分を有しているリードと、
を備えており、
前記第１の超小型電子素子は、前記端子において前記超小型電子アセンブリによって受信された少なくともいくつかの信号を再生し、前記信号を前記第２の超小型電子素子に転送するように、構成されている超小型電子アセンブリ。
【請求項２】
前記第１の超小型電子素子は、前記超小型電子アセンブリの外部のコンポーネントと前記第２の超小型電子素子との間でデータの転送を制御するように構成されている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項３】
前記第１の超小型電子素子は、前記外部コンポーネントと前記第２の超小型電子素子との間に信号のバッファリングをもたらすように構成されている請求項２に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項４】
前記第１の超小型電子素子は、論理機能を主に果たすように構成されている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項５】
前記第２の超小型電子素子に少なくとも部分的に重なる第３の超小型電子素子であって、前記第３の超小型電子素子は、その前面に露出した複数の接点を有しており、該複数の接点は、前記第２の超小型電子素子の縁を超えており、前記基板接点の少なくともいくつかに電気的に接続されている第３の超小型電子素子と、
前記第３の超小型電子素子の前記接点を前記端子に電気的に接続する第２のリードであって、前記少なくとも１つの開口と真っ直ぐに並んだ部分を有している第２のリードと、
をさらに備えている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項６】
前記第２および第３の超小型電子素子は、各々、不揮発性フラッシュメモリを含んでいる請求項５に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項７】
前記第１の超小型電子素子は、メモリ記憶アレイをもたらす以外の優先的機能を有している請求項５に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項８】
前記第２の超小型電子素子の前記接点は、前記第２の超小型電子素子の前記縁に隣接して配置されており、前記第３の超小型電子素子の前記接点は、前記第３の超小型電子素子の前記縁に隣接して配置されている請求項５に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項９】
前記第２の超小型電子素子の前記接点は、その前記前面の中央領域内に配置されており、前記中央領域は、前記第２の超小型電子素子の互いに向き合った第１および第２の縁から離間している請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１０】
前記基板は、前記第１および第２の基板表面を画定する第１および第２の表面を有する誘電体要素を含んでおり、前記誘電体要素の前記第１または第２の表面の少なくとも１つに沿って前記少なくとも１つの開口の縁を超えて延在する前記リードは、前記第２の超小型電子素子の前記接点に接合されている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１１】
前記基板は、７ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有している請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１２】
前記リードは、前記少なくとも１つの開口内を通って、前記基板の前記第２の表面のボンディング接点に延在するワイヤボンドを含んでいる請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１３】
前記基板または前記第１の超小型電子素子の少なくとも１つから延在する実質的に剛性の導電ポストをさらに備えている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１４】
前記第２の超小型電子素子の前記前面と前記基板の前記第１の表面との間にスペーサ要素をさらに備えている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１５】
前面およびそこから遠く離れた裏面を有する第３の超小型電子素子であって、前記裏面は、前記第１の超小型電子素子の前記裏面と向き合っており、前記第３の超小型電子素子は、その前記前面に露出した複数の接点を有している、前記第３の超小型電子素子と、前記第３の超小型電子素子の前記接点を前記基板接点の少なくともいくつかに電気的に接続する複数のリードと、をさらに備えている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１６】
前記第３の超小型電子素子の前記接点を前記基板接点の少なくともいくつかに接続する前記リードは、ワイヤボンドを含んでいる請求項１５に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１７】
前記第３の超小型電子素子の前記接点を前記基板接点の少なくともいくつかに接続する前記リードは、前記第３の超小型電子素子の縁を超えて延在するリードボンドを含んでおり、前記第３の超小型電子素子の前記縁は、前記第３の超小型電子素子の前記前面と前記裏面との間に延在している請求項１５に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１８】
前記誘電体要素と向き合う前面およびそこから遠く離れた裏面を有する第４の超小型電子素子をさらに備えており、前記第４の超小型電子素子は、その前記前面に露出した複数の接点を有しており、該複数の接点は、前記第１の導電要素の少なくともいくつかに電気的に接続されており、前記第２の超小型電子素子は、前記第４の超小型電子素子に少なくとも部分的に重なっている請求項１５に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項１９】
前記基板と向き合う前面およびそこから遠く離れた裏面を有する第３の超小型電子素子をさらに備えており、前記第３の超小型電子素子は、その前記前面に露出した複数の接点を有しており、該複数の接点は、前記基板接点の少なくともいくつかに電気的に接続されており、前記第２の超小型電子素子は、前記第３の超小型電子素子に少なくとも部分的に重なっている請求項１に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項２０】
前記第３の超小型電子素子は、論理機能を主に果たすように構成されたチップを含んでいる請求項１９に記載の超小型電子アセンブリ。
【請求項２１】
請求項１に記載のアセンブリと、前記アセンブリに電気的に接続された１つまたは複数の他の電子コンポーネントとを備えるシステム。
【請求項２２】
ハウジングをさらに備えており、前記アセンブリおよび前記他の電子コンポーネントは、前記ハウジングに実装されている請求項２１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月1日(2015.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィシステム内において基板を搬送するための装置であり、前記リソグラフィシステムは、アンクランプされた基板を受け取るための基板供給システムをもつインターフェースと、アンクランプされた基板を基板支持構造体にクランプするための基板準備ユニットを備えており、
本装置は、アンクランプされた基板を運ぶための第一のセットのフィンガーと、基板がクランプされた基板支持構造体を運ぶための第二のセットのフィンガーが設けられた本体を備えており、
前記第一のセットのフィンガーは前記第二のセットのフィンガーのフィンガーとは異なる形状を有しており、前記第一のセットのフィンガーと前記第二のセットのフィンガーの高さの差は、基板支持構造体の厚さを超えている、装置。
【請求項２】
前記第一および第二のセットのフィンガーの前記フィンガーは共に前記本体から同じ方向に延びている、請求項１の装置。
【請求項３】
前記第一のセットのフィンガーの前記フィンガーが、前記第二のセットのフィンガーによって運ばれる基板支持構造体と干渉しないように、前記第一のセットのフィンガーの前記フィンガーは、前記第二のセットのフィンガーの前記フィンガーよりも十分に下方に配される、請求項１または２の装置。
【請求項４】
前記第二のセットのフィンガーの前記フィンガーは、前記基板支持構造体の半径を越える長さが前記本体から延びている対向三日月形状構造体の形を取っている、請求項１〜３のいずれか一つの装置。
【請求項５】
前記第二のセットのフィンガーの前記フィンガーは、前記基板支持構造体を少なくとも部分的に取り巻くように配される、請求項４の装置。
【請求項６】
リソグラフィシステムであり、
基板にパターン形成するために真空チャンバー中に配されたリソグラフィ装置と、
基板を前記真空チャンバーの中へ、またそこから外へ搬送するためのロードロックシステムと、
基板を基板支持構造体にクランプするための基板準備ユニットと、
アンクランプされた基板を受け取るための基板供給システムをもつインターフェースと、
前記ロードロックシステムと前記基板準備ユニットと前記インターフェースの間において基板を搬送のための請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板搬送装置を備えている、リソグラフィシステム。
【請求項７】
前記ロードロックシステムには、さらなる搬送装置が設けられており、前記さらなる搬送装置は、基板支持構造体を前記基板搬送装置から受け取り、前記基板支持構造体を前記リソグラフィ装置の中に置くために、また、基板支持構造体を前記リソグラフィ装置から取り外し、前記基板支持構造体を前記基板搬送装置に与えるために配されている、請求項６のリソグラフィシステム。
【請求項８】
請求項６または７に記載のリソグラフィシステムにおける使用のための基板を運ぶための基板支持構造体であり、
前記基板を受けるための表面が設けられた本体と、
前記基板搬送装置の前記第二のセットのフィンガーと係合するための二つの突起を備えており、前記二つの突起は、本基板支持構造体の円周に沿って配置されており、前記突起は、本基板支持構造体の質量中心の上方の第一の高さレベルに配置されている、基板支持構造体。
【請求項９】
前記第一の高さレベルは、本基板支持構造体とそれにクランプされた基板の組み合わせ体の質量中心の上方にある、請求項８の基板支持構造体。
【請求項１０】
前記二つの突起は、本基板支持構造体の一方の側に沿って配置されており、本基板支持構造体は、本基板支持構造体の他方の反対側に配置されたさらなる突起をさらに備えている、請求項８または９の基板支持構造体。
【請求項１１】
本基板支持構造体はさらに、三つの追加突起を備えており、前記追加突起の二つは、本基板支持構造体の一方の側に沿って配置された二つの突起の間に前記第一の高さレベルに設けられており、前記追加突起の第三の突起は、本基板支持構造体の他方の反対の側に第二の高さレベルに設けられており、前記第二の高さレベルは前記第一の高さレベルの下方にある、請求項１０の基板支持構造体。
【請求項１２】
その表面に基板が設けられた基板支持構造体を受け渡すための方法であり、前記基板支持構造体は、
前記基板を受けるための表面が設けられた本体と、
前記基板支持構造体の周囲のまわりに配置された二つ以上の第一の突起を備えており、前記第一の突起の少なくとも一つは、前記基板支持構造体の質量中心の上方にある第一の高さレベルに配置されており、また、
前記基板支持構造体の周囲のまわりに配置された二つ以上の第二の突起を備えており、前記第二の突起の少なくとも一つは、前記基板支持構造体の質量中心の上方にある第一の高さレベルに配置されており、前記第二の突起の少なくとも一つは、前記第一の高さレベルよりも下方にある第二の高さレベルに配置されており、
本方法は、
請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板搬送装置で前記基板支持構造体を取り出すことを有し、その結果、前記第二のセットのフィンガーの前記フィンガーは前記第一の突起と係合し、また、
さらなる搬送装置の方へ前記基板支持構造体を移動させることを有しており、本方法はまた、
前記さらなる搬送装置の前記フィンガーが前記第二の突起と係合するように、前記基板搬送装置または前記さらなる搬送装置を移動させることと、
前記基板搬送装置の前記フィンガーが前記第一の突起からはずれるように、前記基板搬送装置または前記さらなる搬送装置を移動させることと、
前記基板支持構造体が前記さらなる搬送装置によって運ばれるように、前記基板搬送装置を引っ込めることを有している、方法。
【請求項１３】
前記さらなる搬送装置の前記セットのフィンガーの前記フィンガーが前記第二の突起と係合するように、前記基板搬送装置または前記さらなる搬送装置を移動させるステップは、前記基板搬送装置の前記フィンガーの少なくとも一つと前記さらなる搬送装置の前記セットのフィンガーの前記フィンガーの少なくとも一つが、前記基板支持構造体の周囲のまわりに異なる高さで互いに重なるように、前記基板搬送装置または前記さらなる搬送装置を移動させることを有している、請求項１２の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月27日(2015.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を製造する方法であって、
その上にゲートスタックを有する基板の半導体表面上に第１の誘電体材料を堆積することであって、前記ゲートスタックがゲート誘電体上のゲート電極を含む、前記堆積することと、
前記ゲートスタックの側壁上に前記第１の誘電体材料を含む側壁スペーサを形成するために前記第１の誘電体材料をエッチングすることと、
前記側壁スペーサを形成するエッチングの後に、変換された側壁スペーサ表面を提供するために、そこに少なくとも１つの要素を付加することにより前記側壁スペーサの前記第１の誘電体材料の頂部表面を第２の誘電体材料に化学的に変換させることと、
を含み、
前記第２の誘電体材料が遷移領域にわたって前記第１の誘電性材料に化学的に結合される、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を含み、前記化学的に変換させることが、前記第１の誘電性材料との化学反応を起こすための条件下でガスを流すことを含む、方法。
【請求項３】
集積回路を製造する方法であって、
その上にゲートスタックを有する基板の半導体表面上に第１の誘電体材料を堆積することであって、前記ゲートスタックがゲート誘電体上のゲート電極を含む、前記堆積することと、
前記ゲートスタックの側壁上に前記第１の誘電体材料を含む側壁スペーサを形成するために前記第１の誘電体材料をエッチングすることと、
変換された側壁スペーサ表面を提供するために、そこに少なくとも１つの要素を付加することにより前記第１の誘電体材料の頂部表面を第２の誘電体材料に化学的に変換させることと、
を含み、
前記第２の誘電体材料が遷移領域にわたって前記第１の誘電性材料に化学的に結合され、
前記エッチングすることが、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を含み、前記化学的に変換することが、前記第１の誘電性材料との化学反応を起こすための条件下でガスを流すことを含み、
前記条件が３００℃〜８００℃の温度で炭化水素ガスを流すことを含み、前記要素が炭素を含み、前記第１の誘電体材料が炭素を含まない、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記第１の誘電性材料がシリコンナイトライドを含み、前記第２の誘電性材料が、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコンカーボナイトライド（ＳｉＣＮ）、又はシリコンオキシカーボナイトライド（ＳｉＯＣＮ）を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記ゲートスタックの横の前記半導体表面に軽くドープされたソース及びドレインを形成するようにイオン注入することと、
前記表面変換された側壁スペーサ上にソース・ドレインスペーサを形成することと、
前記ソース・ドレインスペーサを形成した後に、前記ゲートスタックの横の前記半導体表面にソース及びドレインを形成することと、
前記ソース及びドレインを前記形成した後に、前記第２のスペーサを選択的に取り除くことと、
を更に含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記選択的除去がリン酸（ＨＰＡ）エッチングを含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記ＨＰＡエッチングのための温度が１２０〜１８０℃である、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の誘電性材料がシリコンナイトライドを含む、方法。
【請求項９】
集積回路を製造する方法であって、
その上にゲートスタックを有する基板の半導体表面上に第１の誘電体材料を堆積することであって、前記ゲートスタックがゲート誘電体上にゲート電極を有する、前記堆積することと、
前記ゲートスタックの側壁上に前記第１の誘電体材料を含む側壁スペーサを形成するために前記第１の誘電体材料を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）することと、
表面変換された側壁スペーサを提供するために、そこに少なくとも１つの要素を付加することにより前記第１の誘電体材料の頂部表面を第２の誘電体材料に化学的に変換させることと、
を含み、
前記化学的に変換させることが、前記第１の誘電性材料との化学反応を起こすための条件下で３００℃〜８００℃の温度で炭化水素ガスを流すことを含み、
前記要素が炭素を含み、前記第１の誘電体材料が炭素を含まず、
前記第２の誘電体材料が遷移領域にわたって前記第１の誘電性材料に化学的に結合される、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記表面変換された側壁スペーサ上に第２のスペーサを形成することと、
前記第２のスペーサを形成した後に、前記ゲートスタックの横に前記半導体表面にソース及びドレインを形成するためイオン注入することと、
前記イオン注入の後に、１２０℃〜１８０℃の温度のリン酸（ＨＰＡ）エッチングを用いて前記第２のスペーサを選択的に取り除くことと、
を更に含む、方法。
【請求項１１】
集積回路（ＩＣ）であって、
半導体表面を有する基板と、
前記半導体表面上の少なくとも一つの金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタと、
を含み、
前記ＭＯＳトランジスタが、
ゲートスタックの側壁上の側壁スペーサを有するゲート誘電体上のゲート電極を含む前記ゲートスタックであって、前記側壁スペーサが第１の誘電性材料上の第２の誘電体材料を含む、前記ゲートスタックと、
前記側壁スペーサの横のソース及びドレイン領域と、
を含み、
前記第２の誘電性材料が炭素を含み、前記第１の誘電体材料が炭素を含まず、
前記第２の誘電体材料が遷移領域にわたって前記第１の誘電性材料に化学的に結合される、ＩＣ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＩＣであって、
前記第１の誘電性材料がシリコンナイトライドを含み、前記第２の誘電性材料が、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコンカーボナイトライド（ＳｉＣＮ）、又はシリコンオキシカーボナイトライド（ＳｉＯＣＮ）を含む、ＩＣ。
【請求項１３】
請求項１１に記載のＩＣであって、
前記第２の誘電体材料の或るエリアが前記第１の誘電性材料の或るエリアと整合する、ＩＣ。
【請求項１４】
請求項１１に記載のＩＣであって、
前記側壁スペーサの総厚が１００オングストロームより小さい、ＩＣ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部と外部コーティングとを含む少なくとも一つの粒子であって、該内部は塩及びＣａＯからなる群から選ばれた少なくとも一種を含み、該外部コーティングは疎水性ナノ粒子を含み、粒子が１〜１０００μｍの平均粒径を有する上記粒子を含む、吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項２】
前記塩が吸湿性である請求項１記載の吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項３】
前記塩が、リチウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、コバルト、ニッケル、鉄、亜鉛、マンガン、カリウム、及びアルミニウムの塩化物、塩素酸塩、過塩素酸塩、臭化物、ヨウ化物、炭酸塩、及び硝酸塩、並びにリチウム、ナトリウム、及びカリウムの硫化物及び水酸化物からなる群から選ばれる、請求項１〜２のいずれか一項記載の吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項４】
前記塩が、Ｎａ２Ｓ、ＬｉＢｒ、ＬｉＣｌ、ＣａＣｌ２、及びＣａＢｒ２からなる群から選ばれる、請求項１〜３のいずれか一項記載の吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項５】
前記ナノ粒子が、疎水性的に修飾したＳｉＯ２粒子及び炭素材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料を含む、請求項１〜４のいずれか一項記載の吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項６】
疎水性ナノ粒子がＳｉＯ２を含み、共有結合された疎水性化合物により修飾されている、請求項１〜４のいずれか一項記載の吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項７】
前記粒子が更に少なくとも一種の液体を含む、請求項１〜６のいずれか一項記載の吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項８】
前記粒子が更に水を含む、請求項１〜７のいずれか一項記載の吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項９】
前記疎水性ナノ粒子がグラファイト及びグラフェンからなる群から選ばれる少なくとも一種の炭素材料を含む、請求項１〜８のいずれか一項記載の吸収式化学ヒートポンプ。
【請求項１０】
内部と外部コーティングとを含む粒子であって、該内部は塩及びＣａＯからなる群から選ばれた少なくとも一種を含み、該外部コーティングは疎水性ナノ粒子を含み、粒子が１〜１０００μｍの平均粒径を有する上記粒子の、吸収式化学ヒートポンプで行われる吸収プロセスにおける使用。
【請求項１１】
内部と外部コーティングとを含む少なくとも一つの粒子であって、内部が塩及びＣａＯからなる群から選ばれた少なくとも一種を含み、該外部コーティングが疎水性ナノ粒子を含む上記少なくとも一つの粒子を含む吸収式化学ヒートポンプの製造方法であって、ａ）塩及びＣａＯから選ばれた少なくとも一種を疎水性ナノ粒子と混合する工程、及びｂ）ナノ粒子でコーティングされた塩及びＣａＯから選ばれた少なくとも一種を含む粒子を得るのに十分なエネルギーで混合する工程を含む上記方法。
【請求項１２】
塩及びＣａＯから選ばれた少なくとも一種及びナノ粒子が、工程ａ）で少なくとも一種の液体と一緒に混合される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記液体が水である請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイング吸着接触器システムであって、
各々が内面及び軸方向開口端部を備えた複数個の中空剛性ライナであって、隣り合うライナは、互いにしっかりと連結されている中空剛性ライナと、
各ライナ内に設けられたモノリス吸着剤接触器であって、各モノリス吸着剤接触器が前記ライナの前記内面から間隔を置いて位置した外面を有するモノリス吸着剤接触器と、
前記モノリス吸着剤接触器の外面と前記ライナの内面との間の空間内に設けられ前記空間内のガス流を阻止するシールを形成する結合剤とを備えている、
ことを特徴とするスイング吸着接触器システム。
【請求項２】
前記モノリス吸着剤接触器は、少なくとも２つのモノリス吸着剤接触器のスタックを備え、
前記スタックは、好ましくは、２つの前記モノリス吸着剤接触器の隣り合う軸方向端部の周りでテープによって互いに保持されている、
請求項１に記載のスイング吸着接触器システム。
【請求項３】
各ライナは、前記ライナの各軸方向端部から軸方向に突き出た一体形スタンドオフを有する、
請求項１に記載のスイング吸着接触器システム。
【請求項４】
前記結合剤は、硬化可能であり、
前記硬化可能な結合剤は、好ましくは、硬化時では半剛性である、
請求項１に記載のスイング吸着接触器システム。
【請求項５】
スイング吸着接触器システムを組み立てる方法であって、
複数個の中空剛性ライナを互いにしっかりと連結するステップであって、前記ライナの各々が内面及び軸方向開口端部を有しているステップと、
モノリス吸着剤接触器を各ライナ内に配置するステップであって、各モノリス吸着剤接触器が外面を有し、前記配置ステップが、各モノリス吸着剤接触器の前記外面を前記ライナの内面から間隔を置いて配置するステップを備えている配置ステップと、
結合剤を前記モノリス吸着剤接触器の前記外面と前記ライナの前記内面との間の空間内に配置して前記空間内にガス流を阻止するシールを形成するステップとを、備えている、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記結合剤は、硬化可能であり、
前記硬化可能な結合剤を半剛性材料の状態に硬化させるステップを更に備えている、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
スイング吸着容器は、前記複数個の中空剛性ライナを受け入れるハウジングを有し、前記方法は、
蝋の保護リングを前記ハウジング内にそのベースのところに配置し、その後、前記複数個の中空剛性ライナをハウジング内に配置して前記蝋のリングが変形して前記モノリス吸着剤接触器の前記外面と各ライナの前記内面との間の前記空間の底部を封止するようにするステップを更に備えている、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記結合剤配置ステップの実施前に、蝋の保護層を各モノリス吸着剤接触器の軸方向頂端部上に配置するステップを更に備えている、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記硬化性結合剤を半剛性材料の状態に硬化させるステップの実施後に、各モノリス吸着剤接触器の前記軸方向頂端部上の前記蝋の保護層と前記ハウジング内の前記蝋の保護リングの両方を溶融するステップを更に含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
複数個の中空剛性ライナを備え、各ライナは、内部領域を画定する内面、長手方向軸線に沿う第１の軸方向開口端部、前記第１の軸方向開口端部と反対側の前記長手方向軸線に沿う第２の軸方向開口端部及び前記内部領域の外側に位置する外面を有し、
複数個のモノリス吸着剤接触器を備え、前記複数個のモノリス吸着剤接触器のうちの１つは、前記複数個のライナのうちの１つの中に設けられ、前記１つのモノリス吸着剤接触器は、長手方向軸線に沿って少なくとも１本の通路が貫通して形成された本体及び前記本体の外面を有し、
前記モノリス吸着剤接触器の前記外面と前記ライナの内面との間に設けられていて、前記モノリス吸着剤接触器と前記中空剛性ライナとの間のガス流を阻止する結合剤を備えている、
請求項１に記載のスイング吸着接触器システム。
【請求項１１】
前記複数個のモノリス吸着剤接触器のうちの２つ又は３つ以上は、前記複数個の中空剛性ライナのうちの１つ中に同一長手方向軸線に沿って互いに積み重ねられている、
請求項１０に記載のスイング吸着接触器システム。
【請求項１２】
互いに隣接して位置する前記複数個の中空剛性ライナのうちの２つ又は３つ以上は、互いにしっかりと連結されている、
請求項１０に記載のスイング吸着接触器システム。
【請求項１３】
少なくとも１つのライナが、前記ライナの各軸方向端部から軸方向に突き出た一体形スタンドオフを有する、
請求項１０に記載のスイング吸着接触器システム。
【請求項１４】
スイング吸着接触器システムを組み立てる方法であって、
複数個の中空剛性ライナを用意するステップを含み、各中空剛性ライナは、内部領域を画定する内面、長手方向軸線に沿う第１の軸方向開口端部、前記第１の軸方向開口端部と反対側の前記長手方向軸線に沿う第２の軸方向開口端部及び前記内部領域の外側に位置する外面を有し、
複数個のモノリス吸着剤接触器のうちの１つを前記複数個の中空剛性ライナのうちの１つ内に配置するステップを含み、前記１つのモノリス吸着剤接触器は、長手方向軸線に沿って少なくとも１本の通路が貫通して形成された本体及び前記本体の外面を有し、
前記複数個のモノリス吸着剤接触器の前記１つを前記複数個の中空剛性ライナのうちの前記１つに前記モノリス吸着剤接触器の前記外面と前記中空剛性ライナの前記内面との間に設けられた結合剤により結合するステップを含み、前記結合剤は、前記モノリス吸着剤接触器と前記中空剛性ライナとの間の流体の流れを阻止する、
請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数個の中空剛性ライナのうちの２つ又は３つ以上を互いにしっかりと連結するステップを更に含む、
請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不織繊維ウェブと、
第１の可撓性バインダーによって結合されている形成セラミック研磨粒子を含む凝集塊と、
前記凝集塊を前記不織繊維ウェブに結合する第２のバインダーと、を含む、不織布研磨物品。
【請求項２】
前記形成セラミック研磨粒子が、三角形板を含む形成セラミック研磨粒子を含む、請求項１に記載の不織布研磨物品。
【請求項３】
前記第１の可撓性バインダーの弾性率が、２８，０００ｐｓｉ（１９３．０５ＭＰａ）未満である、請求項１又は２に記載の不織布研磨物品。
【請求項４】
前記形成セラミック研磨粒子のサイズを前記凝集塊のサイズで除した比が、０．００３３〜０．５である、請求項１又は２に記載の不織布研磨物品。
【請求項５】
前記凝集塊がフィラー粒子を含み、
前記形成セラミック研磨粒子の含有量が７５重量％〜９６重量％であり、
前記第１の可撓性バインダーの含有量が４重量％〜１０重量％であり、
前記フィラー粒子の含有量が１０重量％〜３５重量％である、請求項１又は２に記載の不織布研磨物品。