【事件の表示】
　特許第３２２２１２１号「半導体製造・検査装置用セラミックヒータ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２２１２１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．　手続の経緯
　本件特許第３２２２１２１号の発明についての出願は、出願日が平成１１年１０月２２日である平成１１年特許願第３００８８０号、出願日が平成１１年１１月２６日である平成１１年特許願第３３５６４０号、及び、出願日が平成１２年１月１１日である特許２０００−１０１５４１号を先の出願とする優先権の主張を伴って、平成１２年８月７日に出願され、平成１３年８月１７日にその発明についての設定登録がされ、その後、平成１４年４月２２日に、竹宮茂文より特許異議の申立がなされ、そして、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年１月１４日に訂正請求がなされたものである。
　
２．　訂正の適否についての判断
２−１　特許権者の求めている訂正
　特許権者が求めている訂正は、平成１５年１月１４日付け訂正請求書に記載された、以下のとおりのものである。
　
２−１−１　特許請求の範囲の記載に関して
訂正事項ａ
「【請求項１】 ・・外周寄り端縁部に屈曲パターンを配置してなり、
　前記屈曲パターンは、曲率半径０．１から２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有する・・」
を、
「【請求項１】・・　外周寄り端縁部に配線密度の高い屈曲パターンを配置してなり、
　前記屈曲パターンは、曲率半径１〜20 mmのアールを描いて略一定のパターン幅で屈曲する屈曲部を有する・・」
と訂正する。
　
２−１−２　発明の詳細な説明の記載に関して
訂正事項ｂ
　本件明細書の【０００７】段落に記載の、
「【課題を解決するための手段】・・外周寄り端縁部に屈曲パターンを配置してなり、前記屈曲パターンは、曲率半径０．１から２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有することを要旨とするものである。」
を、
「　　【課題を解決するための手段】・・外周寄り端縁部に配線密度の高い屈曲パターンを配置してなり、前記屈曲パターンは、曲率半径１〜20 mmのアールを描いて略一定のパターン幅で屈曲する屈曲部を有することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータを要旨とするものである。」 と訂正する。
　
訂正事項c
　本件明細書の【０００８】段落に記載の、
「・・発熱体パターンは上面視形状によって表現しているが、発熱体を配設するセラミック基板厚さ方向位置は同一平面上でなくともよく、該厚さ方向で上下位置となる部分を含んでもよい。」
を、
「・・発熱体パターンは上面視形状によって表現している。」
と訂正する。
　
訂正事項d
　本件明細書の【００１２】段落に記載の、
「・・ちなみに、本発明に係るセラミックヒータは、用途に合わせて１５０℃〜８００℃で使用可能である。本発明でいう屈曲とは、図１（ｂ）のように、発熱体パターンの屈曲部の前後でパターンが概ね平行である場合や図３に示すように、発熱体パターンの屈曲部の前後でパターンが直角、鋭角、鈍角を形成する場合をいうが、後者のように屈曲部の前後でパターンが角度を持った場合の方が、温度降下しやすいため、本発明の構成が特に有利である。」
を、
「・・ちなみに、本発明に係るセラミックヒータは、用途に合わせて１５０℃〜８００℃で使用可能である。」
と訂正する。
　
訂正事項e
　本件明細書の【００１３】段落に記載の、
「【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係るセラミックヒータ１００の主要部分を示した平面図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の点線部分を拡大して示したものである。図２は、セラミックヒータ１００に配設される発熱体パターンを拡大して示したもの、図３は、発熱体パターンの一部分を拡大して示したものである。図４は、セラミックヒータ１００の構造を示した部分断面図である。」を、
「【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係るセラミックヒータ１００の主要部分を示した平面図であり、図３は、発熱体パターンの一部分を拡大して示したものである。図４は、セラミックヒータ１００の構造を示した部分断面図である。」
と訂正する。
　
訂正事項ｆ
　本件明細書の【００１７】段落に記載の、
「・・１〜１０μmがより好ましい。また、セラミック基板１の内部に発熱体パターン２を形成する場合には、その厚さは、１〜５０μmが好ましい。また、セラミック基板１の表面に発熱体パターン２を形成する場合には、発熱体パターン２の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。また、セラミック基板１の内部に発熱体パターン２を形成する場合には、当該発熱体パターン２の幅は、５〜２０μmが好ましい。」
を、
「・・１〜１０μmがより好ましい。また、セラミック基板１の表面に発熱体パターン２を形成する場合には、発熱体パターン２の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。」
と訂正する。
　
訂正事項ｇ
　本件明細書の【００１８】段落に記載の、
「・・外周寄り端縁付近の温度低下を抑制できるからである。また、発熱体パターン２は、図２に示したように、屈曲パターンのみで構成してもよい。」
を、
「・・外周寄り端縁付近の温度低下を抑制できるからである。」
と訂正する。
　
訂正事項ｈ
　本件明細書の【００２０】段落に記載の、
「　ここで、前記セラミック基板の材質は、窒化アルミニウム焼結体が好適であるが、これに限定されるものではなく、その他にも炭化物セラミック、酸化物セラミック、及び窒化アルミニウム以外の窒化物セラミック等が好適である。」
を、
「　ここで、前記セラミック基板の材質は、窒化アルミニウム焼結体が好適であるが、これに限定されるものではなく、その他にも炭化物セラミック、及び窒化アルミニウム以外の窒化物セラミック等が好適である。」
と訂正する。
　
訂正事項ｉ
　本件明細書の【００２７】段落記載の、
「・・アールの曲率半径は、０．１ｍｍ〜２０ｍｍが望ましい。小さすぎると・・」 を、
「・・アールの曲率半径は、１ｍｍ〜２０ｍｍとする。小さすぎると・・」 と訂正する。
　
訂正事項ｊ
　本件明細書の【００２９】段落記載の、
「・・焼結させて得ることができる。そして、発熱体パターンの形態は、図１（ｂ）に示したように、有幅の略直線又は曲線であればよい。従って、幾何学的に厳密な直線や曲線であることを要しない。」
を、
「・・焼結させて得ることができる。」
と訂正する。
　
訂正事項ｋ
　本件明細書の【００３２】段落〜【００３６】段落の記載を、削除する。
　
訂正事項ｌ
　本件明細書の【００３７】段落記載の、
「（評価試験） 本発明品として、窒化アルミニウムと炭化珪素セラミックで発熱体パターンが表面に形成されたもので、それぞれ屈曲パターンの曲率を変えたものを４種類づつ製造し、これをそれぞれ実施例１〜８とした。また、窒化アルミニウムセラミック、炭化珪素セラミックで発熱体パターンが内部に形成されたもので、屈曲パターンの曲率を変えたものを４種類づつ製造し、これをそれぞれ実施例９〜１６とした。また、比較品として、図６のような略直角の屈曲パターンを持つ発熱体パターンを表面および内部に持つセラミックヒータを窒化アルミニウムと炭化珪素でそれぞれ製造し、比較例１〜４とした。また、別の比較品として窒化アルミニウムと炭化珪素のセラミックヒータで曲率半径２５ｍｍのアールを持つパターンを表面および内部に形成し試験例１〜４とした。さらに、発熱体パターンが表面および内部に形成されたアルミナ基板を使用したセラミックヒータを製造し、試験例５〜１６とした。・・」
を、
「（評価試験） 　本発明品として、窒化アルミニウムと炭化珪素セラミックで発熱体パターンが表面に形成されたもので、それぞれ屈曲パターンの曲率を変えたものを４種類づつ製造し、これをそれぞれ実施例１〜８とした。また、比較品として、図６のような略直角の屈曲パターンを持つ発熱体パターンを表面および内部に持つセラミックヒータを窒化アルミニウムと炭化珪素でそれぞれ製造し、比較例１〜２とした。また、別の比較品として窒化アルミニウムと炭化珪素のセラミックヒータで曲率半径２５ｍｍのアールを持つパターンを表面および内部に形成し試験例１〜２とした。さらに、発熱体パターンが表面に形成されたアルミナ基板を使用したセラミックヒータを製造し、試験例５〜１０とした。・・」
と訂正する。
　
訂正事項ｍ
　本件明細書の【００３８】段落の【表１】の記載中、実施例９〜１６、比較例３、４、実験例３、４、１１〜１６の記載を削除する。
　
訂正事項ｎ
　本件明細書の【００３９】段落記載の、
「・・従って、曲率半径は、０．１〜２０ｍｍの範囲で本発明の効果が顕著である。また、この効果はアルミナよりも窒化アルミニウムや炭化珪素で著しい。これは、窒化アルミニウムや炭化珪素の方が温度追従性に優れている（つまり昇温時間が短い）分発熱量のバラツキに敏感なためである。」
を、
「・・従って、曲率半径は、１〜２０ｍｍの範囲で本発明の効果が顕著である。また、この効果はアルミナよりも窒化アルミニウムや炭化珪素で著しい。これは、窒化アルミニウムや炭化珪素の方が温度追従性に優れている（つまり昇温時間が短い）分発熱量のバラツキに敏感なためである。」
と訂正する。
　
訂正事項ｏ
　本件明細書の【００４２】段落記載の、
「【発明の効果】・・前記屈曲パターンは、曲率半径０．１から２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有するものであるから、・・」
を、
「【発明の効果】・・前記屈曲パターンは、曲率半径１ｍｍから２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有するものであるから、・・」
と訂正する。
　
２−１−３　図面の簡単な説明の記載に関して
訂正事項ｐ
　本件明細書の【図面の簡単な説明】に記載の、
「【図面の簡単な説明】 【図１】（ａ）は、本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの主要部分を示した平面図、（ｂ）は、（ａ）の点線囲の部分拡大図である。 【図２】本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの発熱体パターンの例を示した平面図である。 ・・ 【図９】（ａ）（ｂ）発熱体が内部に一体的に形成された場合の構成を示した図である。」
を、
「【図面の簡単な説明】 【図１】　（ａ）は、本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの主要部分を示した平面図である。（ｂ）は削除された。
【図２】は、削除された。 ・・
【図９】は、削除された。」
と訂正する。
　
２−１−４　図面の記載に関して
訂正事項ｑ
　本件図面の【図１】（ｂ）を削除する。
　
訂正事項ｒ
　本件図面の【図２】を削除する。
　
訂正事項ｓ
　本件図面の【図９】を削除する。
　
２−２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
    特許明細書の請求項１には、それら発明の構成の一部として「端縁部に屈曲パターンを配置」及び「屈曲パターンは、曲率半径0.1から20 ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部」と記載されており、特許明細書の【００１８】段落に、「図１に示した発熱体パターン２は、渦巻きパターンと屈曲パターンとの混成であるが、外周寄り端縁部に屈曲パターンを配置することが望ましい。屈曲パターンは、配線密度を高くすることができるため、温度が低下しやすい外周寄り端縁付近の温度低下を抑制できるからである。・・」と記載されている。
　したがって、「屈曲パターン」を「配線密度の高い屈曲パターン」と訂正することは、特許明細書中に記載された技術的事項により、特許請求の範囲に記載された構成を限定するものである。
　さらに、特許明細書の【００３９】段落に、「・・この結果によれば、上記構成を備えたセラミックヒータの場合には、曲率半径は、１〜１５ｍｍ程度が最適である。・・さらに、以下の内容が考察される。曲率半径は、２０ｍｍを越えると、逆に温度差が大きくなる。これは、パターン形成密度が下がるためである。従って、曲率半径は、０．１〜２０ｍｍの範囲で本発明の効果が顕著である。・・」と記載され、屈曲パターンの曲率半径の下限として１ｍｍが記載されており、さらに、特許明細書の【００１１】段落に、「・・発熱体の配設パターンを、アールを描いて屈曲する屈曲部を備えたものとすることにより、概ねｋ１＝ｋ２＝ｋ３とすることができ、・・」と、特許明細書の【００１９】段落に、「図１及び図２に示した発熱体パターン２は、・・所定の幅を有している。従って、発熱体パターン２は、そのパターン幅ｋ１，ｋ２，ｋ３が、ｋ１＝ｋ２＝ｋ３となるように構成され、・・」と「略一定のパターン幅で屈曲する屈曲部」が記載されている。
　したがって、屈曲パターンの曲率半径を１ｍｍ〜のアールに訂正し、かつ、「屈曲する屈曲部」を「略一定のパターン幅で屈曲する屈曲部」と訂正することは、特許明細書中に記載された技術的事項により、特許請求の範囲に記載された構成を限定するものである。
　よって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮に該当するものであって、新規事項を追加するものではなく、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　また、訂正事項ｂ、ｄ、ｅ、ｇ、ｉ、ｊ、ｎ、ｏは、上記の訂正事項ａに合わせ、不明瞭となる記載を釈明するものであり、新規事項を追加せず、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
  次に、訂正事項ｃ、ｆ、ｈ、ｋ、ｌ、ｍ、ｐ、ｑは、本件請求項に記載された発明と無関係な記載を削除することにより、不明瞭な記載を釈明するものであり、新規事項を追加せず、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２−３　むすび
　上記訂正は、特許異議の申立がなされていない請求項に係るものではなく、以上のとおり、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．　特許異議申立に対する判断
３−１　申立て理由の概要
　異議申立人竹宮茂文は、本件特許明細書の【請求項１】に、「・・セラミック基板の表面に発熱体パターンが形成され・・前記屈曲パターンは、曲率半径０．１から２０ｍｍのアールを描いて・・」と記載されているのに対して、発明の詳細な説明の欄中には、セラミック基板の内部に発熱体パターンを形成したものを発明の実施の携帯として記載しており、かつ、０．１ｍｍの下限としての根拠が何等記載されていない。したがって、本件特許は、明細書の記載が、特許法第３６条第４項、第６項に規定する要件を満たしていない特許出願として拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
　さらに、異議申立人は、
甲第１号証として、米国特許第５９０４８７２号明細書
を提出するとともに、
参考文献１として、特開平１１−１６３２０２号公報
参考文献２として、実願昭５２−４９５１５号（実開昭５３−１４４５４４号）のマイクロフィルム
を後日提出して、甲第１号証には、
円盤状の加熱板の表面に発熱体を備え、反対面でウェハを加熱するようにした半導体製造装置用ヒータで、８インチのウェハを保持できる大きさの放熱板であり、窒化アルミニウムからなり、外周に屈曲部を有し、屈曲部は、アールを有して図示されている半導体製造装置用ヒータ
が記載されており、屈曲部にアールを設けることは、参考文献１，２にもあるように周知の技術であり、しかも、０．１ｍｍなる下限に技術的意味が示されていないのであるから、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証のものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は、特許法第２９条の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
　
３−２　判断
３−２−１　明細書の記載について
　上記のとおり、特許権者の請求した訂正は認められ、異議申立人の主張する、セラミック基板の内部に発熱パターンが形成されたものに係る記載は、現明細書の発明の詳細な説明の記載には認められない。
　また、アールの下限は、下限としての根拠が発明の詳細な説明に記載されている、「１ｍｍ」と訂正がなされており、現明細書の記載には、異議申立人の主張した不備は、認められない。
　
３−２−２　本件発明
　本件請求項１に係る発明は、訂正された特許請求の範囲に記載された以下の事項により特定されるものである。
【請求項１】　円板形状のセラミック基板の表面に、発熱体パターンが形成されてなり、その発熱体パターン形成面とは反対側のウエハ加熱面で、半導体ウエハを加熱する半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、
　前記セラミック基板の直径が２００ｍｍ以上であり、
　前記セラミックは、窒化物セラミック、炭化物セラミックの単独または２種以上からなるとともに、
　外周寄り端縁部に配線密度の高い屈曲パターンを配置してなり、
　前記屈曲パターンは、曲率半径１〜20 mmのアールを描いて略一定のパターン幅で屈曲する屈曲部を有することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、「外周寄り端縁部に配線密度の高い屈曲パターンを配置してなり、前記屈曲パターンは、・・アールを描いて略一定のパターン幅で屈曲する屈曲部を有する」構成（以下、「本件特徴構成」という。）をその構成の一部とするものである。
　
３−２−５　異議申立人の提出した刊行物に記載された発明との対比判断
　異議申立人が提出した甲第１号証には、異議申立人が主張するように、
円盤状の加熱板の表面に発熱体を備え、反対面でウェハを加熱するようにした半導体製造装置用ヒータで、８インチのウェハを保持できる大きさの放熱板であり、窒化アルミニウムからなり、外周に屈曲部を有し、屈曲部は、アールを有して図示されている半導体製造装置用ヒータ
の発明が記載されている。
　しかしながら、甲第１号証のものの屈曲部は、アールを有してはいるが、屈曲部で屈曲することによりパターン幅が大きくなるものであり、略一定のパターン幅で屈曲することを開示又は示唆するものではなく、外周寄り端縁部に配線密度の高い屈曲パターンを、開示又は示唆するものでもない。
　したがって、甲第１号証は、本件特徴構成を開示又は示唆するものではない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、本件特徴構成を有することにより、【００４２】段落に、「本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、・・その発熱体パターン形成面の反対側のウエハ加熱面で半導体ウエハを加熱するセラミックヒータであって、・・外周寄り端縁部に屈曲パターンを配置してなり、前記屈曲パターンは、曲率半径１ｍｍから２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有するものであるから、良好なパターン形成密度が得られるとともに、温度追従性に優れたものとなり、前記屈曲部に温度低下部分が発生せず温度の均一性に優れたものとなる。」と記載され、
【００１１】段落に、「・・アールを描いて屈曲する屈曲部を備えたものとすることにより、・・抵抗値の低下を防止し、温度の低下した特異点（スポット）の発生を防止できることを知見して本発明を完成させたのである。」と、さらに、【００１２】段落に、「上記構成を有する半導体製造・検査装置用セラミックヒータによれば、発熱体パターンの屈曲部は、アールを描いて屈曲しているため、当該パターン幅が略一定になり、局部的な温度の低下が起こらない。そのため、セラミックヒータの温度の均一化が実現される。・・」と記載される作用効果を奏するものであり、この構成を設計上の事項とすることはできない。
　また、参考文献１，２に屈曲部にアールを設けるものが記載されるが、これらは、略一定のパターン幅で屈曲するためのアールではなく、パターン幅をあえて変化させるアールであり、これら参考文献を見ても、本件特徴構成を周知であるとすることはできない。　
　また、参考文献２には、従来例として、パターン幅が一定であることを好ましくないとしているが、これは、発熱体の発熱に係る記載であり、本件請求項１に言う、「・・その発熱体パターン形成面とは反対側のウエハ加熱面で、・・」の熱の均一性とは、別異の事象であり、本件特徴構成の効果を判断するための論拠とはならない。
　したがって、本件請求項１に係る発明をその構成の一部を開示も示唆もなさない異議申立の提出した各刊行物に記載された発明とすることはできないばかりではなく、それらに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
３−３　むすび
　上述のとおり、異議申立人の提出した証拠及び理由によっては、本件請求項１に係る発明を取り消すことはできない。また、他に、本件請求項１に係る発明を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１月２７日（２００３．１．２７）
【訂正の要旨】
１　特許請求の範囲の記載に関して
訂正事項ａ
「【請求項１】　・・外周寄り端縁部に屈曲パターンを配置してなり、
　前記屈曲パターンは、曲率半径０．１から２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有する・・」
を、
「【請求項１】・・　外周寄り端縁部に配線密度の高い屈曲パターンを配置してなり、
　前記屈曲パターンは、曲率半径１〜２０ｍｍのアールを描いて略一定のパターン幅で屈曲する屈曲部を有する・・」
と訂正する。
２　発明の詳細な説明の記載に関して
訂正事項ｂ
　本件明細書の【０００７】段落に記載の、
「【課題を解決するための手段】・・外周寄り端縁部に屈曲パターンを配置してなり、前記屈曲パターンは、曲率半径０．１から２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有することを要旨とするものである。」
を、
「　　【課題を解決するための手段】・・外周寄り端縁部に配線密度の高い屈曲パターンを配置してなり、前記屈曲パターンは、曲率半径１〜２０ｍｍのアールを描いて略一定のパターン幅で屈曲する屈曲部を有することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータを要旨とするものである。」と訂正する。
訂正事項ｃ
　本件明細書の【０００８】段落に記載の、
「・・発熱体パターンは上面視形状によって表現しているが、発熱体を配設するセラミック基板厚さ方向位置は同一平面上でなくともよく、該厚さ方向で上下位置となる部分を含んでもよい。」
を、
「・・発熱体パターンは上面視形状によって表現している。」
と訂正する。
訂正事項ｄ
　本件明細書の【００１２】段落に記載の、
「・・ちなみに、本発明に係るセラミックヒータは、用途に合わせて１５０℃〜８００℃で使用可能である。本発明でいう屈曲とは、図１（ｂ）のように、発熱体パターンの屈曲部の前後でパターンが概ね平行である場合や図３に示すように、発熱体パターンの屈曲部の前後でパターンが直角、鋭角、鈍角を形成する場合をいうが、後者のように屈曲部の前後でパターンが角度を持った場合の方が、温度降下しやすいため、本発明の構成が特に有利である。」
を、
「・・ちなみに、本発明に係るセラミックヒータは、用途に合わせて１５０℃〜８００℃で使用可能である。」
と訂正する。
訂正事項ｅ
　本件明細書の【００１３】段落に記載の、
「【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係るセラミックヒータ１００の主要部分を示した平面図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の点線部分を拡大して示したものである。図２は、セラミックヒータ１００に配設される発熱体パターンを拡大して示したもの、図３は、発熱体パターンの一部分を拡大して示したものである。図４は、セラミックヒータ１００の構造を示した部分断面図である。」を、
「【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係るセラミックヒータ１００の主要部分を示した平面図であり、図３は、発熱体パターンの一部分を拡大して示したものである。図４は、セラミックヒータ１００の構造を示した部分断面図である。」
と訂正する。
訂正事項ｆ
　本件明細書の【００１７】段落に記載の、
「・・１〜１０μｍがより好ましい。また、セラミック基板１の内部に発熱体パターン２を形成する場合には、その厚さは、１〜５０μｍが好ましい。また、セラミック基板１の表面に発熱体パターン２を形成する場合には、発熱体パターン２の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。また、セラミック基板１の内部に発熱体パターン２を形成する場合には、当該発熱体パターン２の幅は、５〜２０μｍが好ましい。」
を、
「・・１〜１０μｍがより好ましい。また、セラミック基板１の表面に発熱体パターン２を形成する場合には、発熱体パターン２の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。」
と訂正する。
訂正事項ｇ
　本件明細書の【００１８】段落に記載の、
「・・外周寄り端縁付近の温度低下を抑制できるからである。また、発熱体パターン２は、図２に示したように、屈曲パターンのみで構成してもよい。」
を、
「・・外周寄り端縁付近の温度低下を抑制できるからである。」
と訂正する。
訂正事項ｈ
　本件明細書の【００２０】段落に記載の、
「　ここで、前記セラミック基板の材質は、窒化アルミニウム焼結体が好適であるが、これに限定されるものではなく、その他にも炭化物セラミック、酸化物セラミック、及び窒化アルミニウム以外の窒化物セラミック等が好適である。」
を、
「　ここで、前記セラミック基板の材質は、窒化アルミニウム焼結体が好適であるが、これに限定されるものではなく、その他にも炭化物セラミック、及び窒化アルミニウム以外の窒化物セラミック等が好適である。」
と訂正する。
訂正事項ｉ
　本件明細書の【００２７】段落記載の、
「・・アールの曲率半径は、０．１ｍｍ〜２０ｍｍが望ましい。小さすぎると・・」を、
「・・アールの曲率半径は、１ｍｍ〜２０ｍｍとする。小さすぎると・・」と訂正する。
訂正事項ｊ
　本件明細書の【００２９】段落記載の、
「・・焼結させて得ることができる。そして、発熱体パターンの形態は、図１（ｂ）に示したように、有幅の略直線又は曲線であればよい。従って、幾何学的に厳密な直線や曲線であることを要しない。」
を、
「・・焼結させて得ることができる。」
と訂正する。
訂正事項ｋ
　本件明細書の【００３２】段落〜【００３６】段落の記載を、削除する。
訂正事項ｌ
　本件明細書の【００３７】段落記載の、
「（評価試験）　本発明品として、窒化アルミニウムと炭化珪素セラミックで発熱体パターンが表面に形成されたもので、それぞれ屈曲パターンの曲率を変えたものを４種類づつ製造し、これをそれぞれ実施例１〜８とした。また、窒化アルミニウムセラミック、炭化珪素セラミックで発熱体パターンが内部に形成されたもので、屈曲パターンの曲率を変えたものを４種類づつ製造し、これをそれぞれ実施例９〜１６とした。また、比較品として、図６のような略直角の屈曲パターンを持つ発熱体パターンを表面および内部に持つセラミックヒータを窒化アルミニウムと炭化珪素でそれぞれ製造し、比較例１〜４とした。また、別の比較品として窒化アルミニウムと炭化珪素のセラミックヒータで曲率半径２５ｍｍのアールを持つパターンを表面および内部に形成し試験例１〜４とした。さらに、発熱体パターンが表面および内部に形成されたアルミナ基板を使用したセラミックヒータを製造し、試験例５〜１６とした。・・」
を、
「（評価試験）　　本発明品として、窒化アルミニウムと炭化珪素セラミックで発熱体パターンが表面に形成されたもので、それぞれ屈曲パターンの曲率を変えたものを４種類づつ製造し、これをそれぞれ実施例１〜８とした。また、比較品として、図６のような略直角の屈曲パターンを持つ発熱体パターンを表面および内部に持つセラミックヒータを窒化アルミニウムと炭化珪素でそれぞれ製造し、比較例１〜２とした。また、別の比較品として窒化アルミニウムと炭化珪素のセラミックヒータで曲率半径２５ｍｍのアールを持つパターンを表面および内部に形成し試験例１〜２とした。さらに、発熱体パターンが表面に形成されたアルミナ基板を使用したセラミックヒータを製造し、試験例５〜１０とした。・・」
と訂正する。
訂正事項ｍ
　本件明細書の【００３８】段落の【表１】の記載中、実施例９〜１６、比較例３、４、実験例３、４、１１〜１６の記載を削除する。
訂正事項ｎ
　本件明細書の【００３９】段落記載の、
「・・従って、曲率半径は、０．１〜２０ｍｍの範囲で本発明の効果が顕著である。また、この効果はアルミナよりも窒化アルミニウムや炭化珪素で著しい。これは、窒化アルミニウムや炭化珪素の方が温度追従性に優れている（つまり昇温時間が短い）分発熱量のバラツキに敏感なためである。」
を、
「・・従って、曲率半径は、１〜２０ｍｍの範囲で本発明の効果が顕著である。また、この効果はアルミナよりも窒化アルミニウムや炭化珪素で著しい。これは、窒化アルミニウムや炭化珪素の方が温度追従性に優れている（つまり昇温時間が短い）分発熱量のバラツキに敏感なためである。」
と訂正する。
訂正事項ｏ
　本件明細書の【００４２】段落記載の、
「【発明の効果】・・前記屈曲パターンは、曲率半径０．１から２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有するものであるから、・・」
を、
「【発明の効果】・・前記屈曲パターンは、曲率半径１ｍｍから２０ｍｍのアールを描いて屈曲する屈曲部を有するものであるから、・・」
と訂正する。
　訂正事項ｐ
３　図面の簡単な説明の記載に関して
訂正事項ｐ
　本件明細書の【図面の簡単な説明】に記載の、
「【図面の簡単な説明】【図１】（ａ）は、本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの主要部分を示した平面図、（ｂ）は、（ａ）の点線囲の部分拡大図である。【図２】本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの発熱体パターンの例を示した平面図である。・・【図９】（ａ）（ｂ）発熱体が内部に一体的に形成された場合の構成を示した図である。」
を、
「【図面の簡単な説明】【図１】　（ａ）は、本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの主要部分を示した平面図である。（ｂ）は削除された。
　【図２】は、削除された。・・
　【図２】は、削除された。」
と訂正する。
４　図面の記載に関して
訂正事項ｑ
　本件図面の【図１】（ｂ）を削除する。
訂正事項ｒ
　本件図面の【図２】を削除する。
訂正事項ｓ
　本件図面の【図９】を削除する。
（５４）【発明の名称】
セラミックヒータ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　円板形状のセラミック基板の表面に、発熱体パターンが形成されてなり、その発熱体パターン形成面とは反対側のウエハ加熱面で、半導体ウエハを加熱する半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、
　前記セラミック基板の直径が２００ｍｍ以上であり、
　前記セラミックは、窒化物セラミック、炭化物セラミックの単独または２種以上からなるとともに、
　外周寄り端縁部に
配線密度の高い
　前記屈曲パターンは、曲率半径
１
略一定のパターン幅で
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、主として半導体産業において用いられる半導体製造・検査装置用セラミックヒータに関し、更に詳しくは、温度が低下した特異点が生じない発熱体パターンを備えた乾燥用のセラミックヒータに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体応用製品は種々の産業において必要とされる極めて重要な製品であり、その代表的製品である半導体チップは、例えば、シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウエハを作製した後、このシリコンウエハ上に種々の回路等を形成することにより製造される。
　【０００３】
　この種々の回路等を形成するには、シリコンウエハ上に導電性薄膜等を形成したのち、感光性樹脂等からなるエッチングレジストを、回路パターンを有するマスクを介して塗布し、パターンエッチングする。このエッチングレジストを塗布する場合、感光性樹脂は粘液状であるので、塗布後に乾燥する必要があり、感光性樹脂が塗布されたシリコンウエハをヒータ上に載置して加熱乾燥硬化することが通常行われている。また、プラズマエッチングやスパッタリング等の際にウエハを加熱する必要があった。
　【０００４】
　かかるシリコンウエハ等の半導体ウエハをヒータ上に載置して加熱乾燥するためのこの種のヒータとしては、従来、アルミニウム製の基板の裏面側に電気抵抗体等の発熱体を備えたものが多用されていたが、アルミニウム製の基板は厚さ１５ｍｍ程度を要するので、重量が大きくて嵩張るため取扱いの便が必ずしも良好でないばかりか、電気的抵抗体による加熱であるので、通電電流に対する温度追従性という観点での温度制御性が不充分であり、均一な加熱を得ることが容易ではなかった。そこで、特開平１１−４０３３０号公報のように、窒化物セラミック等からなる板状体の表面に金属粒子等を焼結して形成した線条状の発熱体を設けたセラミックヒータが提案されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、このようなセラミックヒータに発熱体を形成する際、屈曲部を有するパターンで発熱体を形成すると、屈曲部の温度が低下してしまい、表面温度にむらができるという課題があり、なおも改良の余地があった。このような表面温度むらは、窒化物セラミックのような熱伝導率の高いセラミック程顕著であった。
　【０００６】
　本発明は、熱伝導率の高いセラミック材料をヒータ基板として用いて、温度の均一性に優れた半導体製造・検査装置用セラミックヒータを提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するために、請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、円板形状のセラミック基板の表面に、発熱体パターンが形成されてなり、その発熱体パターン形成面とは反対側のウエハ加熱面で、半導体ウエハを加熱する半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、前記セラミック基板の直径が２００ｍｍ以上であり、前記セラミックは、窒化物セラミック、炭化物セラミックの単独または２種以上からなるとともに、外周寄り端縁部に
配線密度の高い
１
略一定のパターン幅で
　【０００８】
　かかる構成により、発熱体の配設パターン（発熱体パターンということがある）の屈曲部の温度低下がない。屈曲部がアールを描かない場合、例えば直角に屈曲する場合は、この直角部分の温度が下がってしまう。なお、以下の説明において、発熱体パターンは上面視形状によって表現している
。
　【０００９】
　従来技術にかかる問題の原因について本発明者らは鋭意研究した結果、以下のような原因を発見するに至った。図５は、従来のセラミックヒータに用いられていた発熱体３２を示したものであるが、かかる発熱体は、図示されるようにその一部が直角に屈曲している。そしてこの直角屈曲部（矢示３２ａ）の温度は、他の部分の温度よりも下がってしまう。その原因は、略直線部のパターン幅ｈ１，ｈ３と、直角屈曲部のパターン幅ｈ２とが異なるからである。図５に示した場合には、パターン幅ｈ２は、パターン幅ｈ１，ｈ３よりも大きいため、パターン幅ｈ２の部分の抵抗値が低下するが、これにより、該当部分に温度が低下した特異点（スポット）が発生してしまうのである。
　【００１０】
　特に円板形状のセラミックヒータの場合は、四角形状のセラミックヒータとは異なり、温度分布の均一性が要求される。四角形状のセラミックヒータは、熱の伝搬が同心円状であるから四隅の表面温度が低下してしまうため、もともと温度分布の均一性は要求されていない。このことは、図７、図８から明らかである。図７は、四角形状のセラミックヒータであり、図８は４００℃まで昇温し、ウエハ等被加熱物の加熱面の表面をサーモビュアで観察した図である。結局、四隅の部分は温度が低くなっており、四角形状のセラミックヒータでは、温度分布の均一性など本来要求されていない特性であることが判る。ところが円板形状の場合は、温度分布を均一にできるため、温度分布の均一性が要求され、その均一性故に半導体ウエハを載置できるのである。このため、このような円板形状では温度が低下した特異点（スポット）の発生を防ぐ必要がある。
　【００１１】
　そこで、本発明者らは、図３のように発熱体の配設パターンを、アールを描いて屈曲する屈曲部を備えたものとすることにより、概ねｋ１＝ｋ２＝ｋ３とすることができ、抵抗値の低下を防止し、温度の低下した特異点（スポット）の発生を防止できることを知見して本発明を完成させたのである。
　【００１２】
　上記構成を有する半導体製造・検査装置用セラミックヒータによれば、発熱体パターンの屈曲部は、アールを描いて屈曲しているため、当該パターン幅が略一定になり、局部的な温度の低下が起こらない。そのため、セラミックヒータの温度の均一化が実現される。なお、特開平９−２８９０７５号公報、実用新案公開平３−１９２９２号公報、実用新案公開昭５４−１２８９４５号公報には、四角形状のセラミックヒータの屈曲パターン部分に丸みを形成したものが開示されているが、これは、四角形状のヒータであり、本発明のような円板形状ではない。このため四隅の温度が低下し、温度均一性など全く達成できない。また、特開平９−８２７８６号公報には、発熱体バルクとセラミック基板との間に空間を形成したヒータを開示するが、これは本発明のようにセラミック基板と発熱体が一体化しているものではない。このため、空間部分で熱が伝わらないのだから本発明のように加熱面の温度を均一化することなどできない。また、特開昭５３−６９３６号公報には、セラミック製熱板の片面に発熱体を配した電熱器具を開示している。しかしながら、これは電子レンジや電気コンロに使用するものであり、人体に対する影響やセラミックの反応性を考慮すると、アルミナ、シリカなどの耐水性があり、無毒のセラミック、すなわち酸化物のセラミックを使用しなければならず、本発明のような窒化物や炭化物のセラミックは使用できない。このような酸化物セラミックでは温度追従性（昇温してもすぐに温度が上がらない）が悪い。また、これらの文献には、屈曲の曲率半径は記載、示唆ともなく、これらの文献により、本発明の特許性が阻却されることがないことを付記しておく。ちなみに、本発明に係るセラミックヒータは、用途に合わせて１５０℃〜８００℃で使用可能である
。
　【００１３】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係るセラミックヒータ１００の主要部分を示した平面図であり
、図
　【００１４】
　これらの図において、セラミックヒータ１００は、絶縁性の窒化物セラミックス又は炭化物セラミックスからなる板状セラミック基板１を用い、このセラミック基板１の一主面に特定の幅を持ち、その断面が扁平状の発熱体パターン２を、例えば図１に示したごとく形成し、他の主面にシリコンウエハ等を載置して加熱するようにしたものである。
　【００１５】
　発熱体パターンの形態は、線条状、または有幅の概ね直線または曲線によって構成される。発熱体の断面の形状は、扁平であれば限定されず、方形、楕円形等でもよい。また、線条状の発熱体がらせん形状になっていてもよい。発熱体パターン２の断面のアスペクト比（発熱体の幅／発熱体の厚さ）は、１０〜５０００であることが望ましい。この範囲に調整することにより、発熱体パターン２の抵抗値を大きくすることができるとともに、加熱面の温度の均一性を確保することができるからである。
　【００１６】
　ちなみに、発熱体パターン２の厚さを一定とした場合、アスペクト比が上記範囲より小さいと、セラミック基板１のウエハ加熱方向への熱の伝搬量が小さくなり、当該発熱体パターン２に近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。逆にアスペクト比が大きすぎると発熱体パターン２の中央の直上部分が高温となってしまい、結局、当該発熱体パターン２に近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従って、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、１０〜５０００であることが好ましいのである。
　【００１７】
　セラミック基板１の表面に発熱体パターン２を形成する場合には、発熱体パターン２の厚さは、１〜３０μｍが好ましく、１〜１０μｍがより好ましい
。ま
。
　【００１８】
　図１に示した発熱体パターン２は、渦巻きパターンと屈曲パターンとの混成であるが、外周寄り端縁部に屈曲パターンを配置することが望ましい。屈曲パターンは、配線密度を高くすることができるため、温度が低下しやすい外周寄り端縁付近の温度低下を抑制できるからである
。
　【００１９】
　図１及び図２に示した発熱体パターン２は、図３にその屈曲部の一例を示すが、同図に示したように、所定の幅を有している。従って、発熱体パターン２は、そのパターン幅ｋ１，ｋ２，ｋ３が、ｋ１＝ｋ２＝ｋ３となるように構成され、且つその屈曲部が曲率半径ｒを有するように構成されている。そのため、発熱体パターン２は、パターン幅の差による抵抗値の低下、及びこれに起因する温度の低下した特異点（スポット）の発生が防止された構成になっている。
　【００２０】
　ここで、前記セラミック基板の材質は、窒化アルミニウム焼結体が好適であるが、これに限定されるものではなく、その他にも炭化物セラミック
、及
　【００２１】
　例えば、炭化物セラミックの例としては、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等の金属炭化物セラミックを挙げることができ、酸化物セラミックの例としては、アルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライト等の金属酸化物セラミックを挙げることができる。さらに、窒化物セラミックの例としては、窒化アルミニウムのほか窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等の金属窒化物セラミックを挙げることができる。
　【００２２】
　これらのセラミック材料のうち、一般的に窒化物セラミック、炭化物セラミックは、高い熱伝導率を示す点で酸化物セラミックよりも好ましい。また、これらの材料は、単独でも２種以上を併用してもよい。例えば、窒化物セラミックに酸化物セラミックや炭化物セラミックを添加してもよく、炭化物セラミックに酸化物セラミックや炭化物セラミックを添加してもよい。熱伝導率が高いセラミックの方が屈曲部の温度低下が著しく、本発明の効果が大きい。本発明のセラミック基板は、その厚さは、５０ｍｍ以下、特に１８ｍｍ以下が望ましい。特にセラミック基板の厚さが１８ｍｍを超えると、セラミック基板の熱容量が大きくなり、特に温度制御手段を設けて加熱、冷却すると、熱容量の大きさに起因して温度追従性が低下してしまうからである。また、本発明のセラミック基板が解決する温度の不均一の問題は、厚さが１８ｍｍを超えるような厚いセラミック基板では発生しにくいからである。特に５ｍｍ以下が最適である。なお、厚みは、１ｍｍ以上が望ましい。本発明のセラミック基板の直径は２００ｍｍ以上が望ましい。特に１２インチ（３００ｍｍ）以上であることが望ましい。次世代のシリコンウエハの主流となるからである。また、本発明が解決する温度不均一の問題は、直径が２００ｍｍ以下のセラミック基板では発生しにくいからである。本発明のセラミック基板においては、セラミック基板中に５〜５０００ｐｐｍのカーボンを含有していることが望ましい。カーボンを含有させることにより、セラミック基板を黒色化することができ、セラミックヒータとして使用する際に輻射熱を充分に利用することができるからである。カーボンは、非晶質のものであっても、結晶質のものであってもよい。非晶質のカーボンを使用した場合には、高温における体積抵抗率の低下を防止することができ、結晶質のものを使用した場合には、高温における熱伝導率の低下を防止することができるからである。従って、用途によっては、結晶質のカーボンと非晶質のカーボンの両方を併用してもよい。また、カーボンの含有量は、５０〜２０００ｐｐｍがより好ましい。セラミック基板にカーボンを含有させる場合には、その明度がＪＩＳ　Ｚ　８７２１の規定に基づく値でＮ４以下となるようにカーボンを含有させることが望ましい。この程度の明度を有するものが輻射熱量、隠蔽性に優れるからである。ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で表示したものである。実際の明度の測定は、Ｎ０〜Ｎ１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点１位は０または５とする。なお、本発明のセラミック基板では、シリコンウエハをセラミック基板のウエハ載置面に接触させた状態で載置するほか、シリコンウエハを支持ピンなどで支持し、図４に示すようにセラミックス基板との間に一定の間隔を保って保持する場合もある。図４では、貫通孔８に支持ピン７が挿通されてシリコンウエハ９を保持している。支持ピン７を上下することにより、搬送機からシリコンウエハ９を受け取ったり、シリコンウエハ９をセラミック基板上に載置したり、図示しないピン上にシリコンウエハ９を支持したまま加熱したりできる。また、セラミック基板の底面には、発熱体２が形成され、その発熱体２の表面には金属被覆層が設けられている。また、有底孔が設けられているが、ここには熱電対を挿入する。この形態では、発熱体はセラミック基板表面に形成されており、抵抗値を調整したり、冷却する際に冷却ガスを吹きつけることができ、急速冷却が可能である。また、セラミック基板の厚さ方向全ての領域を熱拡散板として使用できるため、内部に発熱体を設けた場合よりもセラミック基板を薄くでき、熱容量を小さくできることから急速昇温降温が可能になる。シリコンウエハ９は、発熱体形成面の反対側のウエハ加熱面側で加熱される。次に、本発明に係るセラミックヒータ１００の製造方法について説明する。以下の説明においては、工程条件は、あくまで一例を示すものであり、この実施形態に限定されるものではない。従って、工程条件は、試料の大きさや処理量等によって適宜の変更を伴って設定される。
　【００２３】
　まず、窒化アルミニウム粉末（平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１２重量部、及び、アルコールを混合混練したのち、スプレードライヤ法によって顆粒状粉末とした。また、炭化珪素を使用する場合も炭化珪素粉末（平均粒径１．０μｍ）１００重量部、ＣまたはＢ４Ｃ０．５重量部、アクリル系樹脂バインダ１２重量部、及び、アルコールを混合混練したのち、スプレードライヤ法によって顆粒状粉末とした。なお、後述する試験例等でアルミナを使用しているが、この場合はアルミナ粉末（平均粒径１．０μｍ）と、アクリル系樹脂バインダ１２重量部、及び、アルコールを混合混練したのち、スプレードライヤ法によって顆粒状粉末とした。
　【００２４】
　次に、この顆粒状粉末を成形用金型に投入し、平板状に成形して生成形体を得た。この生成形体に、半導体ウエハ支持ピンを挿入するための貫通孔と、熱電対を埋め込むための凹部とをドリル加工によって穿設した。
　【００２５】
　前記貫通孔及び凹部を穿設した生成形体を約１８００℃、圧力２００ｋｇ／ｃｃｍ２でホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウムまたは炭化珪素板状焼結体を得た。これを直径２１０ｍｍの円板状に切り出してセラミックヒータ１００用のセラミック基板１とした。このセラミック基板の表面に酸化膜などの絶縁膜を形成した後、後述する発熱体を印刷することが望ましい。具体的には、ガラスペーストを塗布して１０００℃以上に加熱して溶融させる方法やセラミック基板の表面を酸化雰囲気で５００〜１０００℃で焼成する方法がある。特に炭化物セラミックの場合は、純度が低い場合電気的導電性があるため、絶縁膜の形成が望ましい。絶縁膜としては、０．１〜１０００μｍがよい。
　【００２６】
　このセラミック基板１に、図１に示したパターン状に発熱体パターン２を配設するようにスクリーン印刷法により導電ペーストを印刷した。ここで用いた導電ペーストは、徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄ（商品名）であり、この導電ペーストは、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、及びアルミナの混合物からなる金属酸化物（重量比は、この順に、５／５５／１０／２５／１０）を銀の量に対して７．５重量％含有する、いわゆる鉛含有銀ペーストである。ちなみに銀の平均粒径は４．５μｍであり、形状は鱗片状のものが主体であった。
　【００２７】
　このように導電ペーストを印刷したセラミック基板を７８０℃で加熱焼成して導電ペースト中の銀や鉛を焼結させるとともに、セラミック基板に焼き付けた。このとき、鉛含有銀焼結体による発熱体パターンは、その厚さが約５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗が７．７ｍΩ／□であった。発熱体パターンは、外周寄り端縁部位にアールを描きながら屈曲するパターンを有する。アールの曲率半径は、
１
とする
　【００２８】
　次に、それぞれ１リットルあたりの濃度が、硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜燐酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の各水溶液を含有してなる無電解ニッケルメッキ浴に前記セラミック基板を浸漬して前記鉛含有銀焼結体の表面に厚さ約１μｍのニッケルの金属層を析出させて発熱体パターンを形成した。
　【００２９】
　図１（ａ）に示したように、発熱体パターン２，３１，３１ａは、セラミック基板１上に、同図に示すような所定のパターン状に形成し、形成した状態で焼成して金属微粒子や金属酸化物微粒子同士を互いに融着させる程度に焼結させて得ることができる
。
　【００３０】
　最後に、図４に示したように、発熱体パターン２と電源との接続を確保するための端子ピン３を取付ける部分にスクリーン印刷法により銀含有鉛半田ペースト（田中貴金属工業（株）製）を印刷してはんだ層６を配設し、さらに、このはんだ層の上にコバール製の端子ピン３を載置して４２０℃で加熱リフローし、端子ピン３を発熱体パターン２の表面に取り付けた。
　【００３１】
　また、温度制御のための熱電対（図示せず）をセラミック基板１に埋め込み、本発明に係るセラミックヒータ１００を得た。図４において、符号７は半導体ウエハ９を支持する支持ピンを示し、支持ピン７が、セラミック基板１に穿設された貫通孔８に挿通されることを示す。そして、発熱体パターン２は所定の抵抗値を有していることから、発熱体パターン２は、当該発熱体パターン２に通電するための端子ピン３の取付けられる位置から通電され、発熱体パターン２は、ジュール熱による発熱を生じて半導体ウエハ９を加熱する。
　【００３２】
　削除
　【００３３】
　削除
　【００３４】
　削除
　【００３５】
　削除
　【００３６】
　削除
　【００３７】
（評価試験）
　本発明品として、窒化アルミニウムと炭化珪素セラミックで発熱体パターンが表面に形成されたもので、それぞれ屈曲パターンの曲率を変えたものを４種類づつ製造し、これをそれぞれ実施例１〜８とした
。ま
２
２
面に
１０
　【００３８】
　【表１】
　【００３９】
　この結果から明らかなように、本発明に係るセラミックヒータによれば、アールを描く屈曲パターン付近の温度と渦巻パターン近傍の温度との差は、５℃以内に収まっているが、比較例として用いたセラミックヒータによれば、直角屈曲パターン付近の温度と渦巻パターン近傍の温度との差は、１０℃〜１５℃となった。従って、本発明に係るセラミックヒータによれば、セラミック基板の温度の均一化が図られることが判明した。この結果によれば、上記構成を備えたセラミックヒータの場合には、曲率半径は、１〜１５ｍｍ程度が最適である。また、実施例では熱衝撃試験でもクラックは発生しなかったのに対して比較例では、クラックが見られた。さらに、以下の内容が考察される。曲率半径は、２０ｍｍを越えると、逆に温度差が大きくなる。これは、パターン形成密度が下がるためである。従って、曲率半径は、
１
　【００４０】
　以上本発明の一実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。
　【００４１】
　なお、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、そのセラミック基板に電極を埋設すれば静電チャックとして使用することができる。また、本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、そのセラミック基板の表面に導体層を、内部に電極を埋設すればウエハプローバとして使用することができる。
　【００４２】
　【発明の効果】
　本発明に係る半導体製造・検査装置用セラミックヒータは、円板形状のセラミック基板の表面に発熱体パターンが形成されてなり、その発熱体パターン形成面の反対側のウエハ加熱面で半導体ウエハを加熱するセラミックヒータであって、前記セラミック基板の直径が２００ｍｍ以上であり、前記セラミックは、窒化物セラミック、炭化物セラミックの単独または２種以上からなるとともに、外周寄り端縁部に屈曲パターンを配置してなり、前記屈曲パターンは、曲率半径
１ｍｍ
【図面の簡単な説明】
　【図１】　（ａ）は、本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの主要部分を示した平面
図で
　【図２】は、削除された。
　【図３】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの発熱体パターンの一部を拡大して示した部分拡大図である。
　【図４】　本発明の一実施の形態に係るセラミックヒータの構造を示した部分断面図である。
　【図５】従来のセラミックヒータの発熱体パターンの一部を拡大して示した部分拡大図である。
　【図６】　比較例として用いたセラミックヒータの主要部分を示した平面図である。
　【図７】　四角形状のセラミックヒータの図面代用写真である。
　【図８】　サーモビュアの図面代用写真である。
　【図９】は、削除された。
　【符号の説明】
　１００　セラミックヒータ
　１　セラミック基板
　２，３１，３１ａ　発熱体パターン
【図面】