【事件の表示】
　特願２０１０−５０４１６０「担体基板を有する発光ダイオード上の透過性オーム接点」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月３０日国際公開、ＷＯ２００８／１３０８２３、平成２２年　７月２２日国内公表、特表２０１０−５２５５７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００８年４月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年４月２０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１月３０日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月２１日に手続補正がなされたが、同年１２月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２５年４月２５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。　  
             
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年４月２５日の手続補正により補正された請求項１ないし１８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
          
　「ＩＩＩ族窒化物の少なくともｐ型およびｎ型エピタキシャル層から形成される活性構造と、
伝導性担体基板と、
オーム接点と、
該オーム接点のうちの少なくとも１つであり、伝導性担体基板と反対側の、該活性構造上の透過性オーム接点と
を備える、発光ダイオードであって、
該透過性オーム接点の組成が該透過性オーム接点の中で漸進的に変化するような勾配を有していることとを特徴とする発光ダイオード。」　
　　
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である登録実用新案第３１０５４３０号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。　 
                  
　ア　「【請求項１】
　第１電極と、
　該第１電極の上方に位置する導電基板と、
　該導電基板の上方に位置する金属反射層と、
　該金属反射層の上方に位置する窒化ガリウム系半導体スタック構造と、
　該該窒化ガリウム系半導体スタック構造の上方に位置する酸化物ウインドウ層と、
　該酸化物ウインドウ層の上方に位置する第２電極と、
　を具えたことを特徴とする、垂直電極構造の窒化ガリウム系発光ダイオード。
【請求項２】ないし【請求項８】は、省略。
【請求項９】
  請求項１記載の垂直電極構造の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、
窒化ガリウム系半導体スタック構造がｐ型透光オーム金属層、ｐ型オームコンタクト層、発光層及びｎ型オームコンタクト層を具えた
　　
　イ　「【考案の効果】
【００１０】
　本考案によると、
酸化物ウインドウ層により、垂直電極の窒化ガリウム系発光ダイオードのフレネル反射損失及び全反射により外部発光効率を高め
【考案を実施するための最良の形態】
【００１１】
　本考案の垂直電極構造の窒化ガリウム系発光ダイオードは、第１電極の上方に位置する導電基板と、該導電基板の上方に位置する金属反射層と、該金属反射層の上方に位置する窒化ガリウム系半導体スタック構造と、該窒化ガリウム系半導体スタック構造の上方に位置する酸化物ウインドウ層と、該酸化物ウインドウ層の上方に位置する第２電極と、を具えている。
該酸化物ウインドウ層は、垂直電気良くの窒化ガリウム系発光ダイオードのフレネル反射損失と全反射を減らし、外部発光効率を高め
　
　ウ　「【実施例１】
【００１２】
　図５に示されるように、まず、サファイヤ基板３００の上に順に低温窒化ガリウム（ＧａＮ）バッファ層３１０、ｎ型窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）オームコンタクト層３２０、ＡｌＩｎＧａＮ発光層３３０及び
ｐ型ＡｌＩｎＧａＮオームコンタクト層３４０
透光オームコンタクト金属層３５０
ｎ型窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）オームコンタクト層３２０
続いて、第１電極３８２及び第２電極３７２を形成し、これは図１０に示されるとおりである
ｎ型の透光金属酸化物層３８０
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）
　
　エ　図１０は、以下のものである。
　　　             
（２）引用文献に記載された発明  
　ア　上記（１）アの記載によれば、  
　引用文献には、  
　「第１電極と、
　該第１電極の上方に位置する導電基板と、
　該導電基板の上方に位置する金属反射層と、
　該金属反射層の上方に位置する窒化ガリウム系半導体スタック構造と、
　該該窒化ガリウム系半導体スタック構造の上方に位置する酸化物ウインドウ層と、   　  　
　該酸化物ウインドウ層の上方に位置する第２電極と、
　を具えた、垂直電極構造の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、　
　窒化ガリウム系半導体スタック構造が、ｐ型透光オーム金属層、ｐ型オームコンタクト層、発光層及びｎ型オームコンタクト層を具えた、
　垂直電極構造の窒化ガリウム系発光ダイオード。」　　
　が記載されているものと認められる。  　  　
                                   　    　
　イ　上記（１）ウの記載に照らせば、  　
　上記アの「酸化物ウインドウ層」は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等のｎ型の透光金属酸化物層であってもよいものと認められる。
　
　ウ　上記（１）ウの記載を踏まえて、図１０を見ると、
　上記アの「第２電極」はｎ型の透光金属酸化物層に接しているからｎ側電極であることが、上記アの「第１電極」は第２電極と反対側に位置することからｐ側電極であることが把握できる。
　また、上記アの「窒化ガリウム系半導体スタック構造」は、
　Ｐ型透光オーム金属層と、
　エピタキシャル成長させて形成した、ｐ型ＡｌＩｎＧａＮオームコンタクト層と、ＡｌＩｎＧａＮ発光層及びｎ型窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）オームコンタクト層を備えていることが把握できる。
　　　  　
　エ　上記アないしウから、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　  
        　  　
　「
ｐ側電極である第１電極
　第１電極の上方に位置する導電基板と、
　導電基板の上方に位置する金属反射層と、
　金属反射層の上方に位置する窒化ガリウム系半導体スタック構造と、
　該窒化ガリウム系半導体スタック構造の上方に位置するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等のｎ型の透光金属酸化物層と、
　ｎ型の透光金属酸化物層の上方に位置する
ｎ側電極である第２電極
　を具えた、垂直電極構造の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、　
　窒化ガリウム系半導体スタック構造が、　 
　Ｐ型透光オーム金属層と、  　
　エピタキシャル成長させて形成した、ｐ型ＡｌＩｎＧａＮオームコンタクト層と、ＡｌＩｎＧａＮ発光層及びｎ型窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）オームコンタクト層を備えた、
　垂直電極構造の窒化ガリウム系発光ダイオード。」　　
   　                       
第４　対比・判断  　　
１　対比　     　　  　
　本願発明と引用発明とを対比する。  
（１）引用発明の「窒化ガリウム」は本願発明の「ＩＩＩ族窒化物」に相当し、同様に、
　「導電基板」は「伝導性担体基板」に、
　「第２電極」、「ｎ型の透光金属酸化物層」、「Ｐ型透光オーム金属層」及び「第１電極」は「オーム接点」に、
　「ｎ型の透光金属酸化物層」は「透過性オーム接点」に、
　「窒化ガリウム系発光ダイオード」は「発光ダイオード」に、それぞれ、相当する。
　                                                     
（２）引用発明の「ｐ型ＡｌＩｎＧａＮオームコンタクト層と、ＡｌＩｎＧａＮ発光層及びｎ型窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）オームコンタクト層」が、エピタキシャル成長させて形成したものであることに照らせば、
　引用発明の「ｐ型ＡｌＩｎＧａＮオームコンタクト層と、ＡｌＩｎＧａＮ発光層及びｎ型窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）オームコンタクト層」は、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物の少なくともｐ型およびｎ型エピタキシャル層から形成される活性構造」に相当する。
　してみると、引用発明と本願発明とは「ＩＩＩ族窒化物の少なくともｐ型およびｎ型エピタキシャル層から形成される活性構造と、
伝導性担体基板と、
オーム接点と、」を備える点で一致する。
　　　  　
（３）引用発明の「ｎ型の透光金属酸化物層」は、窒化ガリウム系半導体スタック構造の上方に位置することに照らせば、　
　引用発明と本願発明とは「該オーム接点のうちの少なくとも１つであり、伝導性担体基板と反対側の、該活性構造上の透過性オーム接点と
を備える、」点で一致する。
    　
（４）本願明細書の【００４５】の「透過性オーム接点２０および２１（ならびに、可能性として、基板１４とのオーム接点２２）はまた、異なる屈折率を有する異なる透過性材料の
複数の層から形成され得る
フレネル損失を最小化する
　本願発明の「透過性オーム接点」は、フレネル損失を低減するものと解される。
　一方、引用文献の記載に照らせば（摘記イ及びウを参照。）、引用発明の「ｎ型の透光金属酸化物層」も、フレネル損失を減らすものであると認められる。
　してみると、引用発明と本願発明とは「該透過性オーム接点は、フレネル損失を低減するものである」点で共通する。
　        　
（５）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「ＩＩＩ族窒化物の少なくともｐ型およびｎ型エピタキシャル層から形成される活性構造と、
　伝導性担体基板と、
　オーム接点と、
　該オーム接点のうちの少なくとも１つであり、伝導性担体基板と反対側の、該活性構造上の透過性オーム接点と
を備える、発光ダイオードであって、
　該透過性オーム接点は、フレネル損失を低減するものである、
　発光ダイオード。」　　　  
     
（６）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞ 　 
　透過性オーム接点に関し、　 
　本願発明は、「組成が該透過性オーム接点の中で漸進的に変化するような勾配を有している」のに対して、 
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
　　　                
２　判断 　  
（１）上記＜相違点＞について検討する。  
　ア　フレネル損失とは、光が屈折率の異なる２つの媒体の境界面を通過する際に発生する反射損失であることは、当業者にとって周知であるところ（例えば、特開２００５−２６１９３号公報の【０００３】ないし【０００６】、特開２００２−１６２８７号公報の【００４６】及び特開２００１−２０３３９２号公報の【０００３】ないし【０００６】を参照。）、
　屈折率の異なる２つの媒体の境界面に透明電極が位置する際に、透明電極を通過する光の透過率を高くするために（つまり、反射を低減するために）、その屈折率を光の進行方向に沿って変化させることは、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−１２８６３１号公報（【請求項１】、【００６２】及び図８を参照。）、原査定において周知であることを示すために引用された特開平９−１３９５１５号公報（【００２４】を参照。）及び特開昭６１−１４１１８５号公報（特許請求の範囲、第２頁左上欄、【発明の効果】の欄及び第２図を参照。
                       　
　第２図は、以下のものである。
　　　
【発明の効果】の欄には、ＩＴＯからなる透明導電膜をＳｎＯ２含有量が減少していく
複数の蒸発源を用いて段階的にＳｎＯ
２
含有量の異なる多層膜
       
　イ　してみると、引用発明において、「窒化ガリウム系半導体スタック構造」と「空気」との境界面に位置する「インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等のｎ型の透光金属酸化物層」を通過する光の透過率を高くするために、「インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）」の屈折率を光の進行方向に沿って変化させることは、当業者が容易に着想し得たことである。
　その際、「インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）」におけるインジウムと錫の組成を変化させることで、屈折率を徐々に変化させることに、格別の困難性は認められない。                           　
           
　ウ　以上の検討によれば、引用発明において、上記相違点に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が周知技術に基づいて容易になし得たことである。 
                                                           
（２）効果  
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明及び周知技術から予測し得る範囲内のものである。  
 　
３　回答書（第６ないし７頁）における主張
　請求人は、以下のように主張しているので、この点について検討する。
　
　「半導体発光素子が光を放出するのに対して、太陽電池は光を取り込み電気へ変換させる機構を備えます。すなわち、
半導体発光素子と太陽電池とは、全く異なる機能からなるもの
      　
　「上記２（１）ア」で指摘したように、フレネル損失とは、光が屈折率の異なる２つの媒体の境界面を通過する際に発生する反射損失であることが、当業者にとって周知であることに照らせば、太陽電池及び発光ダイオードの、それぞれの透明電極において、光の進行方向に沿って、同様のフレネル損失が生じることは、当業者が容易に理解し得ることである。　         　
　よって、請求人の主張は、採用できない。　
　　　                           
３　進歩性についてのまとめ  
　本願発明は、当業者が引用発明及び周知の事実に基づいて容易に発明をすることができたものである。　 　  
            
第５　むすび 　 　  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　 　 
    
　よって、結論のとおり審決する。