【事件の表示】
　特許第３４１０９８３号「基板の組立方法およびその装置」の請求項６、９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４１０９８３号の請求項６、９に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯 
　特許第３４１０９８３号の請求項１〜９に係る発明は、平成１１年３月３０日に出願されたものであって、平成１５年３月２０日に設定登録がなされ、その後、信越エンジニアリング株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、応答期間内に訂正請求(後日取下げ)がなされた後、再度取消理由通知がなされ、その指定期間内に訂正請求(後日取下げ)がなされた後、さらに３回目の取消理由通知がなされ、その指定期間内に訂正請求がなされたものである。
　
【２】訂正の適否についての判断 
【２−１】訂正の要旨 
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項６の記載
「【請求項６】真空チャンバ内に一方の基板を保持する加圧板と、前記加圧板に加圧力を作用させる加圧手段と、前記加圧板に対向して他方の基板を保持する保持テーブルと、を備えた基板の組立装置において、
　前記加圧板は、基板を保持するための、吸引吸着力を作用させる吸引吸着手段と、静電吸着力を作用させる静電吸着手段と、を具備し、前記吸引吸着手段が動作中に、前記静電吸着手段を動作させることを特徴とする基板の組立装置。」
を
「【請求項６】真空チャンバ内に上基板を保持する加圧板と、前記加圧板に加圧力を作用させる加圧手段と、前記加圧板に対向して下基板を保持する保持テーブルと、を備え、真空中で前記上基板と前記下基板とを貼り合わせる基板の組立装置において、
　前記加圧板は、前記上基板を保持するための、吸引吸着力を作用させる吸引吸着手段と、静電吸着力を作用させる静電吸着手段と、を具備し、前記真空チャンバ内が大気下で前記吸引吸着手段が動作中に前記静電吸着手段を動作させ、前記真空チャンバ内を減圧することを特徴とする基板の組立装置。」
に訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の請求項７の記載
「【請求項７】請求項６記載の基板の組立装置において、前記吸引吸着手段が動作中に、真空ポンプによりチャンバ内を減圧すると共に、このチャンバ内の減圧過程途中で前記静電吸着手段を動作させることを特徴とする基板の組立装置。」
を
「【請求項７】真空チャンバ内に一方の基板を保持する加圧板と、前記加圧板に加圧力を作用させる加圧手段と、前記加圧板に対向して他方の基板を保持する保持テーブルと、を備えた基板の組立装置において、
　前記加圧板は、基板を保持するための、吸引吸着力を作用させる吸引吸着手段と、静電吸着力を作用させる静電吸着手段と、を具備し、前記吸引吸着手段が動作中に、真空ポンプによりチャンバ内を減圧すると共に、この真空チャンバ内の減圧過程途中で前記静電吸着手段を動作させることを特徴とする基板の組立装置。」
に訂正する。
ｃ．特許請求の範囲の請求項８の記載
「【請求項８】請求項６又は７記載の基板の組立装置において、真空チャンバ内の減圧を進める過程で吸引吸着力が弱くなることにより加圧板から落下する一方の基板を、加圧板から僅かに離れた位置にて受け止める複数の受止爪を設け、この複数の受止爪は、基板を静電吸着後、基板面から待避する待避機構を備えていることを特徴とする基板の組立装置。」
を、
「【請求項８】請求項７記載の基板の組立装置において、真空チャンバ内の減圧を進める過程で吸引吸着力が弱くなることにより加圧板から落下する一方の基板を、加圧板から僅かに離れた位置にて受け止める複数の受止爪を設け、この複数の受止爪は、基板を静電吸着後、基板面から待避する待避機構を備えていることを特徴とする基板の組立装置。」
に訂正する。
　
【２−２】訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否 
（Ａ）上記訂正事項ａ：
（イ）上記訂正事項ａは、訂正前の本件請求項６において、「真空チャンバ内に一方の基板を保持する加圧板」での「一方の基板」を、より下位概念である「上基板」に訂正するものであって、特許明細書の段落００１９「静電吸着板２８を保持した加圧板」呼び「後述するように静電吸着板２８に保持された上基板１ｂ」、段落００２１「上基板１ｂは静電吸着板２８の下面に密着保持される」、段落００２４「上基板１ｂを保持した静電吸着板２８が下降し上基板１ｂがテーブル９上の下基板１aと密着して、加圧力を与えることのできる」の記載に基づくもので、降下する加圧板２７に保持される一方の基板である上基板１ｂが「上基板」に相当する。
（ロ）上記訂正事項ａは、訂正前の本件請求項６において、「前記加圧板に対向して他方の基板を保持する保持テーブル」での「他方の基板」を、より下位概念である「下基板」に訂正するものであって、特許明細書の段落００１９「テーブル９に保持された下基板１ａ」、段落００２４「テーブル９上の下基板１ａ」の記載に基づくもので、テーブル９に保持される他方の基板である下基板１ａが「下基板」に相当する。
（ハ）上記訂正事項ａは、基板の組立装置において上基板と下基板との貼り合わせに関し、「真空中で前記上基板と前記下基板とを貼り合わせる基板の組立装置」に限定するものであって、特許明細書の段落００１８「真空チャンバ内を真空に保つことができ」、段落００１９「ハウジング３０は、上チャンバ２１が下チャンバ１０と真空チャンバを形成して変形しても、シャフト２９に対し真空漏れを起こさないで上下動可能な真空シールを内蔵しているので、真空チャンバの変形がシャフト２９に与える力を吸収することができ、シャフト２９に固定され静電吸着板２８を保持した加圧板２７の変形がほぼ防止でき、後述するように静電吸着板２８に保持された上基板１ｂとテーブル９に保持された下基板１ａとの平行を保って貼り合せが可能となる。」、段落００２４「モータ４０によってシャフト２９が下降し、上基板１ｂを保持した静電吸着板２８が下降し上基板１bがテーブル９上の下基板１ａと密着して、加圧力を与えることのできる構造となっている」の記載に基づくもので、真空下にある真空チャンバ内で上基板と下基板との貼り合わせが可能であることを記述したものである。
（ニ）記訂正事項ａは、訂正前の本件請求項６において、「前記吸引吸着手段が動作中に、前記静電吸着手段を動作させる」を、より下位概念である「前記真空チャンバ内が大気下で前記吸引吸着手段が動作中に前記静電吸着手段を動作させ、前記真空チャンバ内を減圧する」に訂正するものであって、上基板の保持に関する限定である。これは、特許明細書の段落０００１「真空チャンバ内で貼り合せる基板同士をそれぞれ保持して対向させ真空中で間隔を狭めて貼り合わせる基板の組立方法とその装置に関する。」、段落００１９の上記（ハ）の摘示部分、段落００２０「２３は真空バルブ、２４は配管ホースで図示していない真空源に接続され、これらは真空チャンバを減圧し真空にする時に使用される。」、段落００２１「上基板１bは静電吸着板２８の下面に密着保持されるが、大気下において上基板１ｂは吸引吸着で静電吸着板２８に保持されるようになっている。」、段落００２２「尚、周りが大気の場合、静電吸着を併用してもよいし、静電吸着力が大きい場合は、吸引吸着を不要としてもよい。」、段落００２５「真空チャンバ内が減圧され真空になる過程で下基板１aとテーブル９との間に入り込んでいる空気が逃げて下基板１aが踊りずれる可能性がある」、段落００２４の上記（ハ）の摘示部分の記載に基づくもので、形成された真空チャンバ内で、加圧板２７で保持される静電吸着板２８で上基板１ｂを保持し、テーブル９上に下基板１ａが保持された状態でこの真空チャンバ内を減圧し、真空チャンバ内が真空になると、上基板１ｂを降下させてテーブル９上の下基板１ａに密着させて加圧し、これら上基板１ｂと下基板１ａとの貼り合わせを行うこと、及び真空チャンバ内が大気下にあるときに、一つのケースとして、真空吸着により上基板１ｂを静電吸着板２８に保持して、真空チャンバ内を減圧するものであり、もう一つのケースとして、真空吸着に加えて静電吸着も併用して上基板１ｂを静電吸着板２８で保持し、かかる保持状態で真空チャンバ内を減圧することを記述したものである。
（ホ）上記（イ）〜(ニ)のとおり、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（Ｂ）上記訂正事項ｂ：
（イ）上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａの本件請求項６の訂正に伴い、本件請求項７は、同請求項６に従属しないものとなるので、本件請求項７を独立請求項とするもので、明りょうでない記載の釈明に相当するもので、かつ新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（ロ）また、上記訂正事項ｂは、本件請求項７において、「チャンバ」の記載を「真空チャンバ」に訂正するもので、上記訂正事項ａの本件請求項６の訂正に伴い、訂正後の「真空チャンバ」と整合させるものであって、明りょうでない記載の釈明に相当するもので、かつ新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（Ｃ）上記訂正事項ｃ：
　上記訂正事項ｃは、上記訂正事項ａの本件請求項６の訂正に伴い、本件請求項８は、同請求項６に従属しないものとなるので、本件請求項８を同請求項７にのみに従属する請求項とするもので、明りょうでない記載の釈明に相当するもので、かつ新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
【２−３】むすび 
　以上のとおりであるから、上記ａ〜ｃの訂正は、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
【３】特許異議の申立てについての判断 
【３−１】本件発明 
　訂正された本件の請求項６、９に係る発明(以下、順に「本件発明１」、「本件発明２」という。)は、全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項６、９に記載された以下のものである。
「【請求項６】真空チャンバ内に上基板を保持する加圧板と、前記加圧板に加圧力を作用させる加圧手段と、前記加圧板に対向して下基板を保持する保持テーブルと、を備え、真空中で前記上基板と前記下基板とを貼り合わせる基板の組立装置において、
　前記加圧板は、前記上基板を保持するための、吸引吸着力を作用させる吸引吸着手段
と、静電吸着力を作用させる静電吸着手段と、を具備し、前記真空チャンバ内が大気下で前記吸引吸着手段が動作中に前記静電吸着手段を動作させ、前記真空チャンバ内を減圧することを特徴とする基板の組立装置。
【請求項９】　請求項６又は７又は８記載の基板の組立装置において、前記静電吸着手段を作用後、前記加圧手段を動作させることを特徴とする基板の組立装置。」
　
【３−２】特許異議申立ての理由の概要 
　申立人信越エンジニアリング株式会社は、
（１）甲第１号証〜甲第４号証の刊行物を提出し、請求項６，９に係る発明は、これら下記の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張する。
刊行物１：特開平４−２７１３２０号公報(甲第１号証)
刊行物２：特開平５−３２６４５１号公報(甲第２号証)
刊行物３：特開平７−２６３５２９号公報(甲第３号証)
刊行物４：特開平１０−２０６８７６号公報(甲第４号証)
（２）請求項６に記載の発明は、不明確であり、発明の詳細な説明に記載したものではないから、特許法第３６条第６項の規定により特許を受けることができない旨主張する。
　
【３−３】取消理由の概要
　上記３回目の取消理由の概要は、請求項６については、不明確であり、また、当業者が容易に実施できる程度に明確かつ十分に、発明の詳細な説明に記載されていない、というものである。
　
【３−４】特許法第２９条第２項違反について 
【３−４−１】刊行物の開示事項 
　
刊行物１には
「【請求項１】　真空に保持される処理室と、該処理室内で２枚の基板を向かい合わせてそれぞれ別々に支持するとともに，相互に近接する位置まで移動させる基板の支持機構と，・・・・・・・・・・・・・・・・・液晶ディスプレイの製造装置。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
【請求項３】　液晶デイスプレイを形成する基板を真空チャンバー内に収納し、液晶をディスペンスする処理室内へ基板を供給する・・・・・液晶ディスプレイの製造装置。」、
「【０００９】
(処理室内での基板の支持機構)　基板に液晶を供給し、基板を貼り合わせる処理を行う処理室２０は、・・・・・・処理室２０はロードロック室１０と同様に真空チャンバーとして形成される。処理室２０の天井部には上基板２４ａを支持するための上ステージ２６が設けられ、処理室２０の底部には下基板２４ｂを支持するためのＸＹステージ２８が設けられる。上基板２４ａはチャック駆動系２７によって上ステージ２６に支持され、下基板２４ｂはチャック駆動系２９によってＸＹステージ２８に支持される。」、
「【００１２】
続いて、上記実施例の液晶ディスプレイの製造装置の動作について説明する。ロードロック室１０は基板をセットした後、処理室２０は１回の基板圧着処理が完了した後、それぞれ真空ポンプ１８，７０，７２によって１０−２Ｔｏｒｒ程度まで真空にひく。次いで、ゲートバルブ２２を開きロードロック室１０から処理室２０内に上基板２４ａと下基板２４ｂとを搬入し、上ステージ２６とＸＹステージ２８に別々に支持する。・・・・・・・・・。
液晶が吐出されると、サーボモータ３０が駆動され支持台３２が上昇して、下基板２４ｂが上基板２４ａに向けて上昇する。上基板２４ａと下基板２４ｂは、はじめは離間しているが、支持台３２の上昇とともに徐々に接近し、最後に下基板２４ｂが上基板２４ａに押しつけられるようにして接触する。・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・。また、基板の圧着時の押圧力は圧力センサ５２によって検出され、支持台３２による押圧力が所定圧力になったところで支持台３２に上昇が停止される。」
　
刊行物２には
「【００１３】そして，静電チャック４との併用吸着固定を行えば，更に確実な安定性を持たせることが可能となる。この時，吸着固定材料である被処理基板１が加熱しない状態，または温度コントロールをするため，被処理基板１と接する基板ホルダ２の吸着面に温度制御が可能な機能をもたせる。
【００１４】即ち，本発明の目的は，プラズマ処理装置内の被処理基板１の固定方法であって，図１に示すように，基板ホルダ２内に設けた真空排気管３により, 該被処理基板１の背面を, プラズマが発生しない真空度領域で吸着保持することにより，また，前記被処理基板１の真空吸着保持に加えて, 静電チャック４を併用することにより達成される。」、
「【００１９】エッチングガスとして塩素(Cl2)60sccm,三塩化硼素(BCl3)100sccm をチャンバ５内にガスシャワ８を介して導入する。プラズマエッチングの条件として，チャンバ８内の真空度0.06Torr, 周波数13.56MHz, 出力 250〜300 ＷでAl膜のエッチングを行った。
【００２０】エッチングのためには，10-2〜10-3Torrの真空度でないとプラズマが生じない。吸着固定用の真空ポンプはロータリーポンプまたはドライポンプ, 及び, ターボポンプを用いて行う。そして, 被処理基板１の吸着固定中の真空度はプラズマ発生が起こらない10-4〜10-5Torr付近の高真空度, 或いはそれ以上の高真空度で吸着固定をしている。また, 静電チャック４との併用で, より吸着固定力の分布を均一化し, 放熱をスムーズにしている。」
　
刊行物３には
「【００１５】
【実施例】図１は本発明の第一の実施例を示す断面図であり、図２は図１の平面図である。図１で、１は固定保持される被保持物体、例えば半導体ウエハ、２は静電吸着装置を構成する誘電体、３は電極板であり、４はウエハから取られる導通部、７はウエハ１と電極板３との間に電位差を発生させる電源である。なお、導通部４は、確実にウエハ１から導通を取るため弱いばね系９を介してウエハ１に接触している。また、誘電体２の抵抗率は使用温度で抵抗率１０9Ωcm から１０12Ωcm程度が好ましい。６は吸着状態を示すパラメータを検知する検出手段であり、８は静電吸着する手段とは独立に１を真空吸着する手段である。」、
「【００１７】以上のような操作を施した場合、ウエハ１，電極板３間では吸着・脱離の際に様々なパラメータの変化を示す。例えば、それは回路に流れる電流値，ウエハ−静電吸着装置間の静電容量、またはウエハ−静電吸着装置間の隙間である。これらのパラメータの変化をモニタすれば、ウエハの吸着状態を評価する上での、指標とすることができる。そこで本実施例では、静電吸着装置内に真空吸着手段を設け、静電吸着と真空吸着を同時に動作させる。この場合、ウエハは多少の変形があっても真空吸着により確実に吸着されるため、そのときパラメータ検出器６により検出されるパラメータは１００％の吸着力が得られた場合の値となる。このときの値をメモリ１１に保存しておき、実際にウエハを静電吸着させた場合の吸着力の評価は、そのときに示すパラメータの値とメモリ内に保存しておいた値を比較回路１２で比較することにより行う。・・・・。」、
「【００２３】また、図５に示すように、吸着確認パラメータ検出手段６としてウエハ１と電極板３間に静電容量検出器１６を用いてもよい。しかし、ウエハの吸着面、すなわち、裏面には、種々のプロセスを通過してくるために、絶縁膜が付着しており、通過してきたプロセスの種類によって異なった抵抗値を持つため、静電容量も、プロセスによってまちまちの値を示す。そこで同じようにそれぞれのプロセスを通過したウエハの中から１枚を抜き取り、真空吸着により確実に吸着させ、その状態で静電吸着装置に電圧を印加する。このときの静電容量をモニタして、１００％の吸着力が得られた場合のパラメータとすれば、同様の効果が得られる。
【００２４】このような手法を用いることにより、常圧プロセスにはもちろん対応できるが、真空プロセスに用いる場合も、装置を真空排気する前に真空吸着し、データを検出し保存しておく、または、あらかじめ常圧状態で真空吸着した場合に検出したパラメータをデータベース化しておくこと等により対応可能である。」、
「【００２６】本発明の第二の実施例を図６のプラズマ処理装置を用いて説明する。図６で１７は半導体製造装置の真空処理室、１８は上部電極、１９は静電吸着装置、２０は圧力検出器、２１は真空ポンプ、２２はガス導入手段である。
【００２７】プラズマ処理装置の真空処理室１７の静電吸着装置１９上に被保持物体１を載置し、静電吸着力を評価する際、実施例１に示すように、まず、被保持物体１を真空吸着によって保持しなければならない。しかし、本装置の場合処理室内が真空であるため、装置内の圧力を真空吸着できる圧力まで上昇させる必要がある。本実施例ではこの装置にガスを導入する手段２２を設け、装置内圧力を真空吸着できる圧力まで上昇させ、被保持物体１を真空吸着することができる。処理室内の圧力を上昇させる際は、例えば、０.５atmなど１.０atm以下の圧力でもよく、真空吸着できる圧力であればよい。また、この際導入するガスとしては、Ｈｅ，Ｎ2 など不活性ガスが好ましい。」
　
刊行物４には
「【０００３】この液晶基板の製造装置において、液晶基板をステージに固定する方法として、大気雰囲気中で使用される装置では、真空吸着が用いられる。図８は、この真空吸着によって液晶基板１１をステージ８に固定した状態の断面を示す。吸着穴８ａが設けられたステージ８の表面に液晶基板１１が載置され、外部真空源９によって減圧（−５００ｍｍＨｇ程度）されて、大気圧との差圧によって吸着される。しかし、真空雰囲気中での液晶基板のステージへの固定には、大気雰囲気中のように真空吸着を使用できない。
【０００４】ところで、一般に真空雰囲気を用いるシリコンウェハーの製造装置では、シリコンウェハーの固定に、正・負の電荷間に働くクーロン力によって吸着固定する静電チャックを用いる。図９は、シリコンウェハー１２を静電チャック４に固定した状態を示す。静電チャック４上にシリコンウェハー１２が載置され、シリコンウェハー１２を接地する。そして外部電源６によって静電チャック電極５に電圧が印加されると、静電チャック表面に電荷が誘導され、静電気力によってシリコンウェハー１２が吸着固定される。
【０００５】しかし、液晶基板に用いられているガラス基板は、シリコンウェハーのように半導電性でなく絶縁性であるため、静電気力による静電チャックでは十分な固定力を得ることができない。」、
「【００１０】そこで本発明は、上記従来の問題点を解消すべくなされたものであり、静電気力による静電チャックを用いて、真空装置内でもステージに十分な強度で固定できるように、液晶パターンを形成する面の反対側の面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成した液晶表示基板を提供することを目的とする。」
　
【３−４−２】刊行物記載の発明との対比・判断 
　本件発明１、及び２は、基板の組立装置において、「真空チャンバ内が大気下で吸引吸着手段が動作中に静電吸着手段を動作させ、前記真空チャンバ内を減圧する」ことを技術事項として含むものである。
　これに対して、刊行物１〜４は、いずれも上記技術事項を開示または示唆していない。
　すなわち、刊行物１は、処理室(本件発明１の「真空チャンバ」に相当。)内に下基板を保持するＸＹステージ(同じく、「加圧板」に相当。)と、前記ＸＹステージに加圧力を作用させる支持台(同じく、「加圧手段」に相当。)と、前記ＸＹステージに対向して上基板を保持する上ステージ(同じく、「保持テーブル」に相当。)とを備えた基板の組立装置において、前記ＸＹステージは、前記下基板を保持するための、チャック駆動系を具備し、前記チャック駆動系を作用後に、前記支持台を動作させることが開示されているだけである。刊行物２は、基板の固定・支持装置において、高真空度の状態で、吸引吸着手段及び静電吸着手段が併用されている点が開示されているだけで、大気下での吸着や減圧するタイミングについては何らの開示、示唆もない。刊行物３は、真空処理室内を真空吸着できる圧力まで上昇させた状態では、吸引吸着手段及び静電吸着手段が併用されることが開示されているだけで、大気下では両手段が併用されているか、また減圧のタイミングについては何らの記載、示唆もない。刊行物４は、単に大気下において吸引吸着手段及び静電吸着手段が併用されることが開示されているだけである。
　以上のことから、本件発明１、及び２が上記刊行物１〜４に記載された発明から当業者が容易に想到できたということはできない。
　そして、本件発明１、及び２は、上記技術事項により、本件特許明細書段落【００４８】に記載された効果を奏するものと認められる。
　よって、上記刊行物１〜４に記載された発明を根拠として、本件発明１及び２が特許法第２９条第２項に違反して特許されたものということはできない。
　
【３−５】特許法第３６条違反について
　異議申立人は、請求項６に記載の発明は、不明確であり、発明の詳細な説明に記載したものではない旨主張する。なるほど、本件特許明細書の段落００２１，００２２の記載は、単独で見れば不明確な点があり、また００３４，００３５、００４５の記載は、受止爪の存在を前提とした主として請求項１に係る発明の説明である。
　ところで、本件請求項６は上記訂正事項ａにより訂正され、「真空チャンバ内に上基板を保持する加圧板と、前記加圧板に加圧力を作用させる加圧手段と、前記加圧板に対向して下基板を保持する保持テーブルと、を備え、真空中で前記上基板と前記下基板とを貼り合わせる基板の組立装置において、
　前記加圧板は、前記上基板を保持するための、吸引吸着力を作用させる吸引吸着手段
と、静電吸着力を作用させる静電吸着手段と、を具備し、前記真空チャンバ内が大気下で前記吸引吸着手段が動作中に前記静電吸着手段を動作させ、前記真空チャンバ内を減圧することを特徴とする基板の組立装置。」となった。
　つまり、上記【２−２】（Ａ）（ニ）の記載及び、段落００２２における「周りが大気の場合」とは、チャンバ内にセットされた基板の周囲が、未だ減圧される前の大気の状態にあることを意味していると解するのが相当であり、その後徐々に減圧を開始し、減圧が進むにつれ吸引吸着が弱まっていくこと、その際併用している静電吸着が停止されずに継続して動作することも、当業者の自明事項である点を考慮すれば、もはや請求項６の記載は、不明確ということはできないし、また発明の詳細な説明に記載したものではないといえないばかりか、実質的に当業者が容易に実施できる程度に記載されていないということはできない。
　
【３−６】むすび 
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件の請求項６、９に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項６、９に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１０月６日（２００４．１０．６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基板の組立方法およびその装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　真空チャンバ内に貼り合わせる一方の基板を加圧板の下面に保持し、貼り合わせる他方の基板をテーブル上に保持して対向させ、真空中で両基板の間隔を狭めて少なくともいずれか一方の基板に設けた接着剤により貼り合わせる基板の組立方法において、
　前記加圧板に吸引吸着力を作用させて一方の基板を保持し、他方の基板をテーブル上に保持して前記一方の基板に対向配置し、真空チャンバ内を減圧して所定の圧力になった時に、加圧板に静電吸着力を作用させることにより、一方の基板を加圧板に貼り合わせることを特徴とする基板の組立方法。
　【請求項２】　請求項１記載の基板の組立方法において、
　前記基板を保持するため加圧板に作用させた吸引吸着力がチャンバ内の減圧によって小さくなり、前記一方の基板が加圧板から外れて受止爪上に落下した後、加圧板に前記静電吸着力を印加することを特徴とする基板の組立方法。
　【請求項３】　請求項２記載の基板の組立方法において、
　前記一方の基板を加圧板に静電吸着した後、前記受止爪を基板面外に待避させてから、前記一方の基板を保持する加圧板を押し下げて他方の基板と加圧接着することを特徴とする基板の組立方法。
　【請求項４】　請求項１又は２記載の基板の組立方法において、
　前記一方の基板に静電吸着力を作用させることにより、加圧板が前記一方の基板を保持し、さらに所定の真空状態になった後、前記一方の基板を保持した加圧板を押し下げて他方の基板と加圧接着することを特徴とする基板の組立方法。
　【請求項５】　請求項３記載の基板の組立方法において、
　前記基板の接着終了後、チャンバ内にガスを導入して大気圧に戻し、その後基板の除電処理を行うことを特徴とする基板の組立方法。
　【請求項６】　真空チャンバ内に
上基板
下基板
、真空中で前記上基板と前記下基板とを貼り合わせる
　前記加圧板は、
前記上基板
　
前記真空チャンバ内が大気下で
に前
、前記真空チャンバ内を減圧する
　【請求項７】　
真空チャンバ内に一方の基板を保持する加圧板と、前記加圧板に加圧力を作用させる加圧手段と、前記加圧板に対向して他方の基板を保持する保持テーブルと、を備えた基板の組立装置において、
　
前記加圧板は、基板を保持するための、吸引吸着力を作用させる吸引吸着手段と、静電吸着力を作用させる静電吸着手段と、を具備し、
　前記吸引吸着手段が動作中に、真空ポンプにより
真空チャンバ
真空チャンバ
　【請求項８】　請求項
７
　真空チャンバ内の減圧を進める過程で吸引吸着力が弱くなることにより加圧板から落下する一方の基板を、加圧板から僅かに離れた位置にて受け止める複数の受止爪を設け、この複数の受止爪は、基板を静電吸着後、基板面から待避する待避機構を備えていることを特徴とする基板の組立装置。
　【請求項９】　請求項６又は７又は８記載の基板の組立装置において、
　前記静電吸着手段を作用後、前記加圧手段を動作させることを特徴とする基板の組立装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、真空チャンバ内で貼り合せる基板同士をそれぞれ保持して対向させ真空中で間隔を狭めて貼り合わせる基板の組立方法とその装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶表示パネルの製造には、透明電極や薄膜トランジスタアレイを付けた２枚のガラス基板を数μｍ程度の極めて接近した間隔をもって接着剤（以下、シール剤ともいう）で貼り合わせ（以後、貼り合せ後の基板をセルと呼ぶ）、それによって形成される空間に液晶を封止する工程がある。
　【０００３】
　この液晶の封止には、注入口を設けないようにシール剤をクローズしたパターンに描画した一方の基板上に液晶を滴下しておいて他方の基板を一方の基板上に配置し真空中で上下の基板を接近させて貼り合せる特開昭６２−１６５６２２号公報で提案された方法や、一方の基板上に注入口を設けるようにシール剤をパターン描画して真空中で基板の貼り合わせ後にシール剤の注入口から注入する特開平１０−２６７６３号公報で提案された方法などがある。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記従来技術では、シール剤のパターン描画の前後に係わらず、いずれも両基板は真空中で貼り合わせている。真空中では、大気状態時のように、基板を大気との圧力差で吸引吸着することができない。
　【０００５】
　上側に位置する基板（以下、上基板と呼ぶ。）の端部を機械的に保持すると基板の中央部がたわみ、そのたわみは最近の基板大型化，薄板化傾向が強まるにつれて大きくなっている。
　【０００６】
　上下各基板の周縁端部に設けた位置合わせマークを利用して位置決めを行うため、たわみが大きい程両基板の端部同士の間隔は拡がり位置合わせができない。
　【０００７】
　更に、上基板のたわみで上基板の中央部が周縁部よりも先に下側の基板（以下、下基板と呼ぶ。）に接触するので、基板間隔を一定にする為に基板間に散布されているスペーサが動き、基板上に形成されている配向膜などを傷つけてしまう。
　【０００８】
　実際には貼り合せる上下の基板は同サイズなので、保持代がほとんど取れない状態にある。
　【０００９】
　それゆえ本発明の目的は、基板サイズが大型化，薄板化しても真空中で高精度に同程度の基板同士を貼り合せることが可能な基板の組立方法およびその装置を提供することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成する本発明の特徴とするところは、加圧板から上基板に静電吸着力を作用させて加圧板に上基板を保持させて真空中で貼り合わせを行うことにある。
　【００１１】
　さらには、上基板を加圧板に大気中で吸引吸着力で保持させ、減圧を進める過程で吸引吸着力が消えた時に落下する上基板を加圧板から僅かに離れた程度の位置に受け止めて、この上基板に加圧板から静電吸着力を作用させて、再び加圧板に上基板を保持させて真空中で貼り合わせを行なうことにある。
　【００１２】
　【発明の実施の形態】
　以下，本発明の一実施形態を図に基づいて説明する。
　【００１３】
　図１乃至図３において、本発明になる基板組立装置は、液晶滴下部Ｓ１と基板貼合部Ｓ２から構成され、この両部分は架台２上に隣接して配置される。架台２の上方には基板貼合部Ｓ２を支持するフレーム３がある。また、架台２の上面には、ＸＹθステージＴ１が備えられている。Ｘステージ４ａは、駆動モータ５により、図面上で左右のＸ軸方向に、即ち、液晶滴下部Ｓ１と基板貼合部Ｓ２間を往来できるようになっている。Ｙステージ４ｂはＸステージ４ａ上にあり、駆動モータ６によりＸステージと直交するＹ軸方向に往来できるようになっている。θステージ４ｃはＹステージ４ｂ上にあり、回転ベアリング７を介して駆動モータ８によりＹステージ４ｂに対して水平に回転可能になっていて、θステージ４ｃ上に基板を搭載するテーブル９が固定される。また、Ｙステージ４ｂにプレート１３で下チャンバ１０が固定されている。θステージ４ｃは、下チャンバ１０に対し回転ベアリング１１と真空シール１２を介して軸Ａを回転中心として回転自由に取付けられ、θステージ４ｃが回転しても下チャンバ１０はつられて回転しない構造としている。
　【００１４】
　液晶滴下部Ｓ１は、テーブル９に保持された下基板１ａに所望量の液晶剤を滴下するためのフレーム３から突出したブラケット１４で支持されたディスペンサ１７とこれを上下移動させるためのＺ軸ステージ１５とそれを駆動するモータ１６で構成される。下基板１ａをテーブル９上に保持搭載したＸＹθステージＴ１は、液晶剤を滴下するディスペンサ１７のノズル１８に対し、ＸおよびＹ方向に移動する。これにより、下基板１ａ上の任意の個所に所望量の液晶剤が滴下される。
　【００１５】
　液晶滴下後の下基板１ａを搭載保持したＸＹθステージＴ１は基板貼合部Ｓ２の下部に駆動モータ５によって移動する。
　【００１６】
　基板貼合部Ｓ２では、上チャンバ２１とその内部の静電吸着板２８がそれぞれ独立して上下動できる構造になっている。即ち、上チャンバ２１は、リニアブッシュと真空シールを内蔵したハウジング３０を有しており、シャフト２９をガイドとしてフレーム２に固定されたシリンダ２２により上下のＺ軸方向に移動する。
　【００１７】
　ＸＹθステージＴ１が基板貼合部Ｓ２に移動していて上チャンバ２１が下降すると、下チャンバ１０の周りに配置してあるＯリング４４に上チャンバ２１のフランジが接触し一体となり、この時真空チャンバとして機能する状態になる。
　【００１８】
　Ｏリング４４のつぶれ量は、上チャンバ２１の下降停止位置を調整し、真空チャンバ内を真空に保つことができ、かつ、最大の弾性が得られる程度に設定する。
　【００１９】
　ハウジング３０は、上チャンバ２１が下チャンバ１０と真空チャンバを形成して変形しても、シャフト２９に対し真空漏れを起こさないで上下動可能な真空シールを内蔵しているので、真空チャンバの変形がシャフト２９に与える力を吸収することができ、シャフト２９に固定され静電吸着板２８を保持した加圧板２７の変形がほぼ防止でき、後述するように静電吸着板２８に保持された上基板１ｂとテーブル９に保持された下基板１ａとの平行を保って貼り合せが可能となる。
　【００２０】
　２３は真空バルブ、２４は配管ホースで図示していない真空源に接続され、これらは真空チャンバを減圧し真空にする時に使用される。また、２５はガスパージバルブ、２６はガスチューブで、Ｎ２やクリーンドライエアー等の圧力源に接続され、これらは真空チャンバを大気圧に戻す時に使用される。
　【００２１】
　上基板１ｂは静電吸着板２８の下面に密着保持されるが、大気下において上基板１ｂは吸引吸着で静電吸着板２８に保持されるようになっている。即ち、４１は吸引吸着用継手、４２は吸引チューブであり、図示していない真空源に接続され、静電吸着板２８面には、それにつながる複数の吸引孔が設けられている。
　【００２２】
　尚、周りが大気の場合、静電吸着を併用してもよいし、静電吸着力が大きい場合は、吸引吸着を不要としてもよい。
　【００２３】
　静電吸着板２８はシャフト２９で支持された加圧板２７に取付けられており、シャフト２９はハウジング３１、３２に固定されている。ハウジング３１はフレーム２に対してリニアガイド３４で取付けられ、静電吸着板２８は上下動可能な構造になっている。その上下駆動はフレーム２とつながるフレーム３５上のブラケット３８に固定されたモータ４０により行う。駆動の伝達はボールねじ３６とナットハウジング３７で実行される。ナットハウジング３７は荷重計３３を介してハウジング３２とつながり、その下部の静電吸着板２８と一体で動作する。
　【００２４】
　従って、モータ４０によってシャフト２９が下降し、上基板１ｂを保持した静電吸着板２８が下降し上基板１ｂがテーブル９上の下基板１ａと密着して、加圧力を与えることのできる構造となっている。この場合、荷重計３３は加圧力センサとして働き、逐次、フィードバックされた信号を基にモータ４０を制御することで、上下基板１ａ，１ｂに所望の加圧力を与えることが可能となっている。
　【００２５】
　下基板１ａは重力方向の搭載なので、図２に示すようにテーブル９に設けた位置決め部材８１に押付ローラ８２による水平方向での押付けによる位置決めの固定で十分であるが、貼り合わす直前の微小位置決めの際、上基板１ｂが下基板１ａ上のシール剤や液晶剤と接触した影響で下基板１ａがずれたり持上がる可能性があることや真空チャンバ内が減圧され真空になる過程で下基板１ａとテーブル９との間に入り込んでいる空気が逃げて下基板１ａが踊りずれる可能性があるので、テーブル９に対しても静電吸着の機能を持たせても良い。そして、テーブル９に上下Ｚ軸方向に移動できるピンを設け接地しておくと、基板貼り合わせ後のセルの帯電防止とテーブル９からのセル取り外しを容易に行なうことができる。
　【００２６】
　図２に示す６０は、静電吸着板２８が吸引吸着をしていて真空チャンバが減圧され吸引吸着力が消えて上基板１ｂが落下するときに静電吸着板２８の僅か下の位置で受け止める受止爪で、上基板１ｂの２個の対角の位置にあって下方に伸びたシャフト５９で釣り下げた形に支持されている。具体的には、図３に示すように、シャフト５９は上チャンバ２１のハウジング５８を介して真空シールされて回転と上下移動ができるようになっている。即ち，シャフト５９は、シャフト２９に設けたブラケット６３に固定された昇降アクチェータ６２でシャフト２９の上下移動とは独立してさらに上下に移動できるだけでなく、回転アクチェータ６１によって回転できるようになっている。
　【００２７】
　次に、基板を吸着する静電吸着板２８について説明する。
　【００２８】
　静電吸着板２８は絶縁物の板であり、方形の凹部を２個有していて、各凹部に内蔵された平板電極を誘電体で覆ってその誘電体の主面が静電吸着板２８の下面と同一平面になっている。埋め込まれた各平板電極はそれぞれ正負の直流電源に適宜なスイッチを介して接続されている。
　【００２９】
　従って、各平板電極に正あるいは負の電圧が印加されると、静電吸着板２８の下面と同一平面になっている誘電体の主面に負あるいは正の電荷が誘起され、それら電荷によって上基板１ｂの透明電極膜との間に発生するクーロン力で上基板１ｂが静電吸着される。各平板電極に印加する電圧は同極でもよいしそれぞれ異なる双極でもよい。
　【００３０】
　次に、本基板組立装置で基板を貼り合わせる工程について説明する。
　【００３１】
　先ず、テーブル９に上基板１ｂを保持した治具を搭載し、駆動モータ５でＸＹθステージＴ１を基板貼合部Ｓ２に移動させる。そこでモータ４０によりシャフト２９を介して加圧板２７や静電吸着板２８を降下させ、テーブル９上の上基板１ｂを吸引吸着させてから、モータ４０で上昇させて、上基板１ｂを待機状態とする。
　【００３２】
　ＸＹθステージＴ１は液晶滴下部Ｓ１に戻って、空になった治具が外されテーブル９上に下基板１ａが搭載され、図２に示すように所望位置に固定保持される。
　【００３３】
　図１には示していないが、フレーム３にシール剤を吐出するデイスペンサがあって、ＸＹθステージＴ１の各モータ５，６で下基板１ａをＸＹ軸方向に移動させつつシール剤を吐出させると、下基板１ａ上にクローズ（閉鎖）したパターンでシール剤を描画できる。その後、デイスペンサ１７から液晶剤を下基板１ａ上に滴下する。この場合、シール剤がダムとなって、滴下した液晶剤は流失することはない。
　【００３４】
　次に、ＸＹθステージＴ１を基板貼合部Ｓ２に移動させ、シリンダ２２で上チャンバ２１を降下させ、そのフランジ部２１ａをＯリング４４に当接させて下チャンバ１０と真空チャンバを形成させる。そして、真空バルブ２３を開放して真空チャンバ内を減圧していく。この時、上基板１ｂは静電吸着板２８に吸引吸着された状態になっているので、減圧が進み真空化していくと上基板１ｂに作用していた吸引吸着力は消えて行き、上基板１ｂが自重で落下する。これを図２に示すように受止爪６０で受け止めて、図３に示すように静電吸着板２８の僅か下の位置に保持しておく。
　【００３５】
　真空チャンバ内が充分真空になった時点で、静電吸着板２８に電圧を印加して受止爪６０上の上基板１ｂを、静電吸着板２８にクーロン力で吸引保持する。この場合、既に真空になっているので、静電吸着板２８と上基板１ｂの間に空気が残るようなことは無いし、その空気が逃げるときに上基板１ｂが踊ることもない。より重要なことは空気を介在させることなく、静電吸着板２８に上基板１ｂが密着していることである。そのため、誘起電荷で放電を発生することがない。
　【００３６】
　空気を残したまま放電を生じると空気が膨張し、上基板１ｂを静電吸着板２８から剥離させたり薄ガラス製の上基板１ｂを破壊することがあるが、本実施形態によれば空気が存在しないので、そのような異常事故は発生しない。
　【００３７】
　その後、昇降アクチェータ６２でシャフト５９を下降させ、次に、回転アクチェータ６１でシャフト５９を回転させ、受止爪６０が上下両基板の貼り合わせの邪魔にならぬようにしてから、モータ４０で加圧板２７を降下させ、荷重計３３で加圧力を計測しつつモータ４０を制御して上下両基板１ａ，１ｂを所望間隔に貼り合わせる。
　【００３８】
　この場合、上基板１ｂは静電吸着板２８に密着していて中央部が垂れ下がっていることはないから、液晶剤中のスペーサに悪影響を与えたり、基板同士の位置合わせが不可能になることはない。因みに、位置合わせは図示を省略した上チャンバ２１に設けた覗き窓から画像認識カメラで上下各基板１ａ，１ｂに設けられている位置合わせマークを読み取って画像処理により位置を計測し、ＸＹθステージＴ１の各ステージ４ａ乃至４ｃを微動させて、高精度な位置合わせを行なう。
　【００３９】
　貼り合わせが終了すると、真空バルブ２３を締めてガスパージバルブ２５を開き、真空チャンバ内にＮ２やクリーンドライエアーを供給し、大気圧に戻してからガスパージバルブ２５を閉じて、シリンダ２２で上チャンバ２１を上昇させ、ＸＹθステージＴ１を液晶滴下部Ｓ１に戻して、テーブル９からセルを外し次の貼り合わせに備える。ここで、貼合後のセルは帯電している場合があるので、接地した除電バーに接触させたりイオン風を吹き当てるなどの除電処理をしてから、テーブル９からセルを外すと良い。テーブル９から外したセルは下流のＵＶ光照射装置や加熱装置などでシール剤が硬化される。
　【００４０】
　以上の実施形態では、シール剤を吐出して液晶を滴下し直ちに貼り合せに移行するので、基板が塵埃を受けづらく生産歩留まりを向上できる。また、ＸＹθステージＴ１を上基板１ｂの真空チャンバ内への搬送に利用でき、装置の小型化が図られている。
　【００４１】
　本発明は以上説明した実施形態に限らず、以下の様に実施しても良い。
　【００４２】
　（１）　上基板１ｂの静電吸着板２８への供給は、ＸＹθステージＴ１に上下方向に伸縮可能な複数の受止爪（図２の受止爪６０相当のもの）を設けておいて、ＸＹθステージＴ１が液晶滴下部Ｓ１にあるときにその複数の受止爪上に上基板１ｂを載せて、ＸＹθステージＴ１を基板貼合部Ｓ２に移動させるようにしてもよい。
　【００４３】
　（２）　また、ロボットハンドから直接静電吸着板２８に吸引吸着をしてよい。
　【００４４】
　（３）　上記（１）で説明したＸＹθステージＴ１に設けた受止爪で、減圧が進む際に落下する上基板１ｂを受け止めるようにしてもよい。
　【００４５】
　（４）　さらに、図２の受止爪６０や上記（１）で説明したＸＹθステージＴ１に設けた受止爪で、上基板１ｂが落下する前に上基板１ｂを静電吸着板２８に押し付けておいて、静電吸着板２８に吸引吸着された状態から減圧を進めて、静電吸着に切替えてもよい。この場合、物理的に上基板１ｂが静電吸着板２８に密着しているということがないようにしておくことで、上基板１ｂと静電吸着板２８の間の空気を減圧とともに真空化することができる。
　【００４６】
　（５）　さらにまた、図２の受止爪６０や上記（１）で説明したＸＹθステージＴ１に設けた受止爪で、上基板１ｂを静電吸着板２８から僅かに離れた位置に保持しておいて、吸引吸着をしないで減圧を進める途中で静電吸着を行なってもよい。
　【００４７】
　（６）　また、図２では受止爪６０により上基板１ｂの２個の角部（対角を構成する２隅）を保持しているが、上基板１ｂの４個の角部（４隅）を保持したり、上基板１ｂの４辺あるいは長手方向の２辺または幅方向の２辺を適宜な手段で保持するようにしてもよい。
　【００４８】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば，基板サイズが大型化，薄板化しても真空中で高精度に同程度の基板同士を貼り合せることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施形態を示す基板組立装置の概略図である。
　【図２】
　上下の各基板を貼り合わせるときの状況を示す斜視図である。
　【図３】
　上基板に静電吸着力を作用させ上下両基板を貼り合わせる直前の状況を示す要部の断面図である。
　【符号の説明】
　Ｓ２　基板貼合部
　１ａ　下基板
　１ｂ　上基板
　９　テーブル
　１０　下チャンバ
　２１　上チャンバ
　２３　真空バルブ
　２７　加圧板
　２８　静電吸着板
　５９　シャフト
　６１　回転アクチェータ
　６２　昇降アクチェータ