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　特願２００７−２８４７５４「部品内蔵配線板」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年５月２１日出願公開、特開２００９−１１１３０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明  
　本願は、平成１９年１１月１日の出願であって、平成２４年１２月３日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１２月１１日）、これに対し、平成２５年３月１１日に拒絶査定不服審判が請求され、その審判の請求と同時に、明細書を対象とする手続補正がされ、その後、当審において、平成２６年４月７日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である同年６月６日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。  
　そして、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２６年６月６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。 
     
「【請求項１】
　第１の絶縁層と；
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する、少なくとも２つの絶縁層の積層である第２の絶縁層と；
　前記第１の絶縁層上に位置して前記第２の絶縁層に埋設され、かつ、端子パッドが形成された面を有する半導体チップと、該端子パッドに電気的接続されるように前記半導体チップの前記面上に設けられた、該端子パッドの配置より配置ピッチが粗いグリッド状配列の表面実装用端子と、を備えた半導体素子と；
　前記第１の絶縁層上に位置して前記第２の絶縁層にさらに埋設された、前記半導体素子よりも厚さの厚い電気／電子部品と；
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記半導体素子用の第１の実装用ランドと前記電気／電子部品用の第２の実装用ランドとを含む第１の配線パターンと；
　前記第２の絶縁層の前記少なくとも２つの絶縁層のうちの前記第１の絶縁層にもっとも近い層である第１の層と前記第１の絶縁層に次に近い層である第２の層との間に挟まれて設けられた、前記半導体素子および前記電気／電子部品のいずれの全高位置よりも低い位置にある第２の配線パターンと；
　前記半導体素子の前記表面実装用端子と前記第１の実装用ランドとを電気的に接続する第１の接続部材と；
　前記電気／電子部品の端子と前記第２の実装用ランドとを電気的に接続し、かつ前記第１の接続部材と同一の材料である第２の接続部材と；
　を具備することを特徴とする部品内蔵配線板。」 
      
第２　刊行物
　１　刊行物１ 
　これに対して、当審において通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００５−３９０９４号公報（以下「刊行物１」という。）には、「半導体チップ内蔵配線板」に関して、図面（特に、図４ないし図６参照。）と共に、次の事項が記載されている。
                               
（１）「【００４５】
　次に、上記各実施形態で使用できる半導体チップ１３についてさらに説明する。上記で半導体チップ１３の入出力端子の配置ルールをより粗にするため金属バンプ１３を設けることについて言及したが、このような金属バンプの形成方法の例を以下図４を参照して説明する。図４は、本発明の各実施形態に係る半導体チップ内蔵配線板において部材として使用することができる半導体チップを調製する過程を示す模式的断面図である。
【００４６】
　まず、図４（ａ）に示すように、ウエハ５１上に完成された多数の半導体装置（すなわちウエハ状態の半導体装置）を用意する。半導体装置上にはそれぞれ入出力用のパッド５１ａが形成されている。この配置ルールは、半導体装置としてのルールによっており、通常きわめて密の間隔である。次に、図４（ｂ）に示すように、半導体装置上全面に例えばポリイミド５２などの絶縁層を塗布、硬化させる。そして、例えばフォトリソグラフィを用いてポリイミド５２の必要箇所にパッド５１ａに通じる開口を形成する。さらに、開口に露出したパッド５１ａ上にニッケルなどのバリアメタル層を形成し、続けて、図４（ｃ）に示すように、バリアメタル層に接続して銅などで再配線層５３を形成する。この再配線層５３により、入出力端子としての配置ルールをより粗にすることが可能である。
【００４７】
　次に、図４（ｄ）に示すように、再び半導体装置上全面に例えばポリイミド５４などの絶縁層を塗布、硬化させる。そして、例えばフォトリソグラフィを用いてポリイミド５４の必要箇所に再配線層５３に通じる開口を形成する。さらに、開口に露出した再配線層５３上に金属バンプ５５を形成する。以上は、いわゆるウエハレベル・パッケージングとも呼ばれている技術である。続いて、図４（ｅ）に示すように、ウエハ５１はダイシングされ各半導体チップ５１Ａとして分離される。分離された半導体チップ５１Ａは、次に図４（ｆ）に示すように、厚さが１００μｍ程度となるように裏面が研削される（半導体チップ５１Ｂ）。ここで、半導体チップ５１Ｂが先の実施形態における半導体チップ１３に相当し、金属バンプ５５が先の実施形態における金属バンプ１５に相当する。半導体チップ５１Ｂの裏面には例えば熱硬化性の接着テープ（図示せず：接着樹脂１４に相当）が貼付される。
【００４８】
　このように半導体チップ５１Ｂとして入出力端子が再配置化されていると、その入出力端子の配置ルールはより粗にされ得、半導体チップ５１Ｂのキャビティ内への配置にさほどの（通常のフリップチップ実装で要するほどの）精度を必要としなくなる。したがって、半導体チップ５１Ｂの配置に通常の電子部品実装用のマウンタを用いることが可能であり、しかも、これにより大面積のパネルに多数の配線板を面付けして製造し生産性をさらに向上できる。
【００４９】
　次に、本発明のさらに別の実施形態について図５を参照して説明する。図５は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体チップ内蔵配線板を製造する過程を示す模式的断面図である。図５において、すでに説明したものと同じものには同一符号を付してある。
【００５０】
　まず、図５（ａ）に示すように、配線板素材６０上の配線パターン６２上の所定位置に半導体チップとの接続用のクリーム半田６５を例えばスクリーン印刷により付着させる。配線板素材６０は、絶縁板６１と、絶縁板６１の両面の配線パターン６２、６３と、これらの配線パターン６２、６３の間を電気的に接続する層間接続バンプ６４とを有する。このような配線板素材６０は、すでに説明した配線板素材２０などと同様に製造することができる。また、クリーム半田６５は、これに代えて導電性ペーストを塗布するようにしてもよい。
【００５１】
　次に、クリーム半田６５が付着された配線板素材６０上に、その付着位置に合致する位置の入出力端子を有する半導体チップ１３をフリップチップ実装する。この実装は、半導体チップ１３上に上記ですでに説明したような再配置による入出力端子があらかじめ設けられていれば、例えば通常の電子部品実装用のマウンタにより行なうことができる。配置に、通常のフリップチップ実装ほどの精度を要しないからである。半導体チップ１３の実装のあと、クリーム半田６５を溶融、固化する（半田６５Ａ）。クリーム半田６５に代えて導電性ペーストが付着されている場合には、この導電性ペーストを乾燥させる。
【００５２】
　次に、図５（ｃ）に示すような積層、一体化を行なう。すなわち、半導体チップ１３が実装された配線板素材６０の上に、半導体チップ１３に対応する位置にキャビティ８１ａを有する別の配線板素材を配置する。この別の配線板素材は、キャビティ８１ａが形成されていることを除けば、図３において説明したものと構造自体は同様のものである。すなわち、絶縁板７１、その両面に形成された配線パターン７２、７３、および配線パターン７２、７３間を電気的接続する層間接続バンプ７４からなる両面配線板の配線パターン７２上に、円錐状の導電性バンプ７５を印刷・形成し、さらに導電性バンプ７５が貫通するように、あらかじめキャビティ８１ａに相当する開口が形成されたプリプレグ８１を積層させたものである。
【００５３】
　図５（ｃ）に示す配置で積層方向に加圧かつ加熱して一体化することにより、図５（ｄ）に示す状態となる。このとき、導電性バンプ７５の先端が、対向して位置する配線板素材６０の上側の配線パターン６２に達して塑性変形し（層間接続バンプ７５Ａ）、これらの間の電気的接続が確立される。また、プリプレグ８１が熱により流動性を得て半導体チップ１３周りの空間が埋める。さらに、この一体化により、プリプレグ８１は、半硬化状態から完全に硬化した状態（硬化絶縁板８１Ａ）になる。図５（ｄ）に示す状態により本実施形態に係る半導体チップ内蔵配線板が完成する。
【００５４】
　この実施形態では、図１、図２に示した実施形態に比較して、半導体チップ１３の入出力端子である金属バンプ１５と配線板側の配線パターン６２との接続が、より確実なものになる点で信頼性上好ましいものとなる。すなわち、図１、図２に示したものでは、この接続が積層時の加圧による当接になっているが、本実施形態では、半田接続または導電性ペーストを介した接続になっている。
【００５５】
　その他の点について述べると、先の実施形態と同様に、半導体チップ１３の側面を始めその周りの空間が硬化絶縁板８１Ａにより埋められており、新たな樹脂の充填や硬化の工程を要しない。したがって相当に生産性が向上する。また、図示していないが、原理的には半導体チップ１３の背面にも配線パターン７２を配置することができ、配線板としての機能性の面でも改善される。さらに、図５（ｄ）に示す半導体チップ内蔵配線板は、配線層の数が４であるが、さらに配線層数を増加させた配線板とすることもできる。これは、例えば図３に示した配線板素材をさらに積層することにより達成される。また、図５（ｄ）において、層間接続バンプ６４、７４は、周知のスルーホールによる層間接続体であってもよい。」  
     
（２）「【００５８】
　次に、本発明のさらに別の実施形態について図６を参照して説明する。図６は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体チップ内蔵配線板の構造を示す模式式的断面図である。図６において、すでに説明したものと同じものには同一符号を付してある。この実施形態では、図５に示した実施形態に対して、硬化絶縁板８１Ａに埋め込み設けられた表面実装型電気・電子部品（例としてチップコンデンサ８５）をさらに有する。
【００５９】
　このような配線板を製造するには、半導体チップ１３の実装（図５（ｂ）を参照）の前または後にチップコンデンサ８５のような表面実装形電気・電子部品をも、例えばマウンタにより実装する。表面実装形電気・電子部品と配線パターン６２との接続は、半導体チップ１３と同様に、クリーム半田の溶融、固化による半田８６（または乾燥された導電性ペースト）による。積層前のプリプレグ８１には、実装された表面実装形電気・電子部品に対応する位置に開口またはキャビティを設けておく。このように、図５に示した実施形態では、半導体チップ１３に加えて他の電気・電子部品を内蔵する構造に容易に変形することができる。したがって、半導体チップ内蔵内線板としてより付加価値の高いものを提供できる。」
　
（３）図６には、図５とあわせみると、絶縁板６１と絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａとに挟まれて設けられた、半導体チップ１３用の第１の接続部とチップコンデンサ８５用の第２の接続部とを含む配線パターン６２が示されている。 
     
（４）上記（１）の「図４（ａ）に示すように、ウエハ５１上に完成された多数の半導体装置（すなわちウエハ状態の半導体装置）を用意する。半導体装置上にはそれぞれ入出力用のパッド５１ａが形成されている。この配置ルールは、半導体装置としてのルールによっており、通常きわめて密の間隔である。」（段落【００４６】）との記載、及び同「図４（ｅ）に示すように、ウエハ５１はダイシングされ各半導体チップ５１Ａとして分離される。分離された半導体チップ５１Ａは、次に図４（ｆ）に示すように、厚さが１００μｍ程度となるように裏面が研削される（半導体チップ５１Ｂ）。ここで、半導体チップ５１Ｂが先の実施形態における半導体チップ１３に相当し、金属バンプ５５が先の実施形態における金属バンプ１５に相当する。」（段落【００４７】）との記載からみて、図６の半導体チップ１３は、パッドが形成された面を有する半導体装置を備えたものである。
　
　これらの記載事項及び図面の図示内容を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、図６に示された実施形態に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
      
「絶縁板６１と；
　前記絶縁板６１に対して積層状に位置する絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａと；
　前記絶縁板６１上に位置して前記絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａに埋設され、かつ、パッドが形成された面を有する半導体装置と、該パッドに電気的接続されるように前記半導体装置の前記面上に設けられた、該パッドの配置より配置ピッチが粗い金属バンプ１５と、を備えた半導体チップ１３と；
　前記絶縁板６１上に位置して前記絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａにさらに埋設された表面実装型電気・電子部品（チップコンデンサ８５）と；
　前記絶縁板６１と前記絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａとに挟まれて設けられた、前記半導体チップ１３用の第１の接続部と前記表面実装型電気・電子部品用の第２の接続部とを含む配線パターン６２と；
　前記半導体チップ１３の前記金属バンプ１５と前記第１の接続部とを電気的に接続する半田６５Ａと；
　前記表面実装型電気・電子部品の端子と前記第２の接続部とを電気的に接続する半田８６と；
　を具備する半導体チップ内蔵配線板。」  
        
　２　刊行物２
　また、当審において通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００３−８６６２６号公報（以下「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。   
   
（１）「【０００２】
【従来の技術】電子部品としての半導体装置の中には、例えば、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）パッケージやＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）パッケージというものが知られている。これらは、半導体素子を実装したチップキャリアの外部接続電極がチップキャリアの裏面にグリッド状に配置されてなる半導体装置である。
【０００３】この半導体素子が実装されてなる半導体装置は、従来のＱＦＰ（クォータ・フラット・パッケージ）に比べると、外部接続電極がパッケージの裏面にあるので電子部品のサイズが大幅に小型化されるという利点がある。
【０００４】このＢＧＡやＬＧＡ構造のＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）等のパッケージの電極ピッチは、従来１．２７ｍｍという大きさのものが主に用いられていたが、電子機器の小型軽量化に伴い、０．８ｍｍ〜０．５ｍｍピッチのものが用いられるようになってきた。」  
     
（２）「【００８７】以上のように本発明によれば、非常に簡単な工程で、極めて信頼性の高い狭ピッチな実装が可能となり、特に他のＳＭＤ（表面実装部品）部品と同じ工程で同時にＣＳＰ等の能動部品も実装可能なため、従来のインフラで、安価で簡単に電子機器を製造することができその効果は極めて大きい。」 
　
 第３　対比 　  
　本願発明と引用発明とを対比すると、後者の「絶縁板６１」は前者の「第１の絶縁層」に相当し、以下同様に、「絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａ」は「第２の絶縁層」に、「パッド」は「端子パッド」に、「金属バンプ１５」は「表面実装用端子」に、「半導体チップ１３」は「半導体素子」に、「表面実装型電気・電子部品」は「電気／電子部品」に、「接続部」は「実装用ランド」に、「配線パターン６２」は「第１の配線パターン」に、「半田６５Ａ」は「第１の接続部材」に、「半田８６」は「第２の接続部材」に、「半導体チップ内蔵配線板」は「部品内蔵配線板」にそれぞれ相当する。
　
　また、前者の「半導体チップ」に関し、本願明細書の「端子パッド４２ｃは、通常、半導体チップの各辺に沿って一列に列設されているので、その配置ピッチは比較上狭い。」（段落【００３３】）との記載及び図２（ｂ）からみて、後者の「半導体装置」は前者の「半導体チップ」に相当する。
　
　したがって、両者は、  
「第１の絶縁層と；
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と；
　前記第１の絶縁層上に位置して前記第２の絶縁層に埋設され、かつ、端子パッドが形成された面を有する半導体チップと、該端子パッドに電気的接続されるように前記半導体チップの前記面上に設けられた、該端子パッドの配置より配置ピッチが粗い表面実装用端子と、を備えた半導体素子と；
　前記第１の絶縁層上に位置して前記第２の絶縁層にさらに埋設された電気／電子部品と；
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記半導体素子用の第１の実装用ランドと前記電気／電子部品用の第２の実装用ランドとを含む第１の配線パターンと；
　前記半導体素子の前記表面実装用端子と前記第１の実装用ランドとを電気的に接続する第１の接続部材と；
　前記電気／電子部品の端子と前記第２の実装用ランドとを電気的に接続する第２の接続部材と；
　を具備する部品内蔵配線板。」で一致し、次の点で相違する。  
      
〔相違点１〕
　本願発明は、表面実装用端子が「グリッド状配列」であるのに対し、引用発明は、金属バンプ１５の配列が不明である点。
　
〔相違点２〕
　本願発明は、第２の接続部材が「前記第１の部材と同一の材料である」のに対し、引用発明は、半田８６が半田６５Ａと同一の材料であるか不明である点。
　
〔相違点３〕
　本願発明は、電気／電子部品が「前記半導体素子よりも厚さの厚い」ものであるのに対し、引用発明の半導体チップ１３及び表面実装型電気・電子部品がかかる構成を備えていない点。
　
〔相違点４〕
　本願発明は、第２の絶縁層が「少なくとも２つの絶縁層の積層」であって、「前記第２の絶縁層の前記少なくとも２つの絶縁層のうちの前記第１の絶縁層にもっとも近い層である第１の層と前記第１の絶縁層に次に近い層である第２の層との間に挟まれて設けられた、前記半導体素子および前記電気／電子部品のいずれの全高位置よりも低い位置にある第２の配線パターン」を備えるのに対し、引用発明の絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａがかかる構成を備えていない点。
      
第４　当審の判断  
　そこで、各相違点を検討する。 
　１　相違点１について
　半導体装置において外部接続電極をグリッド状に配置することは、周知技術（例えば、刊行物２の段落【０００２】参照。）であるから、引用発明において、表面実装用端子を「グリッド状配列」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　２　相違点２について
　引用発明の半田６５Ａと半田８６とは、クリーム半田を溶融、固化させたものである点で共通する（段落【００５１】及び段落【００５９】）。
　
　また、刊行物２には、他の表面実装部品と同じ工程で同時にＣＳＰ等の能動部品を実装すると、従来のインフラで、安価で簡単に電子機器を製造することができ、その効果は極めて大きいことが記載されている（段落【００８７】）。
　
　そうすると、引用発明と刊行物２に記載された事項とは、半導体素子と電気／電子部品とを実装する点で共通性があるから、引用発明において、刊行物２の上記記載に倣って、同じ工程で同時に実装できるように、半田８６と半田６５Ａとを「同一の材料」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　３　相違点３について
　引用発明の「表面実装型電気・電子部品」には、刊行物１に「表面実装型電気・電子部品（例としてチップコンデンサ８５）」（段落【００５８】）と記載されるように、チップコンデンサの他に、チップインダクタやチップ抵抗が含まれており、その厚さは様々であるから、引用発明において、半導体チップ１３と表面実装型電気・電子部品との厚さの相対的な大小関係が３通りの態様（等しい場合を含む。）となることは、当業者にとって自明である（例えば、国際公開第２００７／０３４６２９号の図１及び図２のチップ部品４ａ及び半導体素子（ＩＣ）４ｂ、特開２００４−６３５８３号公報の図１４の半導体素子２８３，２８１，７４１及び受動素子２３１，２３２，２３３参照。）。
　
　そうすると、引用発明において、上記態様のなかから、表面実装型電気・電子部品が半導体チップ１３よりも厚さの厚い態様とすることは、設計的事項である。
　
　また、本願発明の「半導体素子よりも厚さの厚い電気／電子部品」に関して、本願明細書には、「プレス工程において、半導体素子４２に加わるプレス力を緩和しその破壊などの不良発生を抑止するには、チップ部品４１の高さに比べて半導体素子４２の高さをやや低くしておくようにすると好ましい。多くのアプリケーションで半導体素子４２の数は少なく（例えば１個）、かつこれを取り巻くようにチップ部品４１が配置されることが多いからである。このように取り囲んで配置されたチップ部品４１がよりプレス力を負担して半導体素子４２に加わるプレス力は小さくなる。」（段落【００６５】）との記載があり、この記載からみて、本願発明の「半導体素子よりも厚さの厚い電気／電子部品」は、プレス工程における半導体素子４２に加わるプレス力を緩和するという作用を生じるものであるが、引用発明において、表面実装型電気・電子部品が半導体チップ１３よりも厚さの厚い態様とした場合には、プレス工程において同様の作用を生じるから、本願発明の上記作用は、格別のものとはいえない。
　
　そうしてみると、引用発明において、表面実装型電気・電子部品が半導体チップ１３よりも厚さの厚いものとすることは、当業者が容易になし得た設計変更である。　
　
　４　相違点４について
　本願の出願前に、半導体素子又は電気／電子部品が位置する第１の絶縁層に対して積層される第２の絶縁層が、少なくとも２つの絶縁層の積層であって、前記第２の絶縁層の前記少なくとも２つの絶縁層のうちの前記第１の絶縁層にもっとも近い層である第１の層と前記第１の絶縁層に次に近い層である第２の層との間に挟まれて設けられた、前記半導体素子又は前記電気／電子部品の全高位置よりも低い位置にある第２の配線パターンを備えるようにすることは、周知技術（例えば、特開２００７−７３８６６号公報の図１及び図５のチップ部品４１、配線層２２及び２３並びに絶縁層１２及び１３、特開２００４−６３５８３号公報の図７（ｊ）及び図８（ｋ）（ｌ）の半導体素子７４、配線パターン６６ａ，６６ｂ及びコア基板７８の下面の配線パターン並びにコア基板７８及び穴あきプリプレグ７６参照。）である。
　
　引用発明と前記周知技術とは、半導体素子又は電気／電子部品が位置する第１の絶縁層に対して第２の絶縁層を積層する点で共通するから、引用発明の絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａに前記周知技術を適用して、引用発明の絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａが「少なくとも２つの絶縁層の積層」であって、「前記第２の絶縁層の前記少なくとも２つの絶縁層のうちの前記第１の絶縁層にもっとも近い層である第１の層と前記第１の絶縁層に次に近い層である第２の層との間に挟まれて設けられた、前記半導体素子および前記電気／電子部品のいずれの全高位置よりも低い位置にある第２の配線パターン」を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　５　効果について
　本願発明が奏する効果は、全体としてみても、引用発明、刊行物２に記載された事項及び前記周知技術から、当業者が予測できる範囲内のものであって、格別なものでない。
　
　６　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された事項及び前記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
   
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された事項及び前記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。