【事件の表示】
　特許第３２５１０３９号「液晶表示装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５１０３９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２５１０３９号の請求項１に係る発明についての出願は、平成３年１０月１５日に特許出願され、平成１３年１１月１６日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人中川徹より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１２月１０日に訂正請求がなされたものである。
　　　
２．訂正の適否の判断
ア．訂正の内容
ａ．特許請求の範囲の請求項１の
　「【請求項１】　画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、
薄膜トランジスタであるスイッチング素子とこのスイッチング素子の一つの電極に接続されている画素電極とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子を駆動する薄膜トランジスタで構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板と、
この第１の基板に対向している第２の基板と、
これら第１及び第２の基板間に保持されている液晶層とを有している液晶表示装置において、
　前記第１の基板に設けられていて前記表示領域のうちの前記画素部以外の部分を遮光する第１の導電性遮光層と、前記第２の基板に設けられていて前記非表示領域を遮光する第２の導電性遮光層とが、前記表示領域と前記非表示領域との境界部で互いに重なり合っており、
前記画素部に入射する光のみを透過させることを特徴とする液晶表示装置。」
を、
　「【請求項１】　画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、
　薄膜トランジスタであるスイッチング素子とこのスイッチング素子の一つの電極に接続されている画素電極とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子を駆動する薄膜トランジスタで構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板と、
　この第１の基板に対向している第２の基板と、
　これら第１及び第２の基板間に保持されている液晶層とを有している液晶表示装置において、
　前記第１の基板のうちの前記第２の基板との対向面上に設けられていて前記表示領域のうちの前記画素部以外の部分及び前記表示領域と前記非表示領域との境界部のみを遮光する第１の導電性遮光層と、前記第２の基板に設けられていて前記非表示領域及び前記境界部のみを遮光する第２の導電性遮光層とが、前記境界部で互いに重なり合っており、
　前記画素部に入射する光のみを透過させることを特徴とする液晶表示装置。」
と訂正する。
ｂ．明細書の段落【００１０】の
　     【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明による液晶表示装置では、画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、薄膜トランジスタであるスイッチング素子１３とこのスイッチング素子１３の一つの電極１７ａに接続されている画素電極１２とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子１３を駆動する薄膜トランジスタ２２で構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板１１と、この第１の基板１１に対向している第２の基板２４と、これら第１及び第２の基板１１、２４間に保持されている液晶層２６とを有している液晶表示装置において、前記第１の基板１１に設けられていて前記表示領域のうちの前記画素部以外の部分を遮光する第１の導電性遮光層２３と、前記第２の基板２４に設けられていて前記非表示領域を遮光する第２の導電性遮光層２７とが、前記表示領域と前記非表示領域との境界部で互いに重なり合っており、前記画素部に入射する光のみを透過させる。」
を、
　「【００１０】
【課題を解決するための手段】
　本発明による液晶表示装置では、画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、薄膜トランジスタであるスイッチング素子１３とこのスイッチング素子１３の一つの電極１７ａに接続されている画素電極１２とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子１３を駆動する薄膜トランジスタ２２で構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板１１と、この第１の基板１１に対向している第２の基板２４と、これら第１及び第２の基板１１、２４間に保持されている液晶層２６とを有している液晶表示装置において、前記第１の基板１１のうちの前記第２の基板２４との対向面上に設けられていて前記表示領域のうちの前記画素部以外の部分及び前記表示領域と前記非表示領域との境界部のみを遮光する第１の導電性遮光層２３と、前記第２の基板２４に設けられていて前記非表示領域及び前記境界部のみを遮光する第２の導電性遮光層２７とが、前記境界部で互いに重なり合っており、前記画素部に入射する光のみを透過させる。」
と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、明細書の段落【００１４】、図１及び図２の記載に基づいて、特許請求の範囲の請求項１において、第１の基板に設けられる第１の導電性遮光層に関し、表示領域のうちの画素部以外の部分及び表示領域と非表示領域との境界部のみを遮光するように限定し、第２の基板に設けられる第２の導電性遮光層に関し、非表示領域及び境界部のみを遮光するように限定し、「表示領域と非表示領域との境界部」を重複を避けて「前記境界部」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｂは、訂正事項ａによる特許請求の範囲の請求項１の訂正との整合を図るために、明細書の段落【００１４】、図１及び図２の記載に基づいて、段落【００１０】の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定及び同条第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　　
３．特許異議申立てについて
ア．本件発明
　平成１４年１２月１０日付けの訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものである。
　「画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、
　薄膜トランジスタであるスイッチング素子とこのスイッチング素子の一つの電極に接続されている画素電極とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子を駆動する薄膜トランジスタで構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板と、
　この第１の基板に対向している第２の基板と、
　これら第１及び第２の基板間に保持されている液晶層とを有している液晶表示装置において、
　前記第１の基板のうちの前記第２の基板との対向面上に設けられていて前記表示領域のうちの前記画素部以外の部分及び前記表示領域と前記非表示領域との境界部のみを遮光する第１の導電性遮光層と、前記第２の基板に設けられていて前記非表示領域及び前記境界部のみを遮光する第２の導電性遮光層とが、前記境界部で互いに重なり合っており、
　前記画素部に入射する光のみを透過させることを特徴とする液晶表示装置。」
イ．申立ての理由の概要
　特許異議申立人中川徹は、甲第１〜２号証及び参考資料１を提出して、本件の特許明細書の請求項１に係る発明は、甲第１号証刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができず、また、甲第１号証刊行物及び甲第２号証刊行物に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張する。
ウ．各刊行物の記載事項
刊行物１：特開昭５８−８５４７８号公報（甲第１号証刊行物）
　「・・・・第２図を参照して本発明装置の概略構成を説明するに、本発明においては、基板（１１）とこれに対向して設けられた透明基板（１２）との間に液晶（１３）を封入する液密空間を形成する。そして、その中央部において各絵素を構成する液晶表示部Ｅを配置し、その周辺の例えば四周に第１図で説明した制御回路（１）及び（２）を構成する周辺回路部Ｓを配置する。」（第２頁左上欄第１０〜１７行）
　「・・・・第４図は、この透過型液晶表示装置の要部の拡大断面図を示すもので、・・・・この例においても前述したと同様に基板（１１）と透明基板（１２）とを対向して設ける。そして両者間に形成した液密空間に液晶例えばネマチツクツイスト型の液晶（１３）を配置し、その中央部において各絵素を構成する液晶表示部Ｅを構成し、その周辺の例えば四周に第１図で説明した制御回路部（１）及び（２）を構成する周辺回路部Ｓを構成するものであるが、・・・・」（第３頁左下欄第１７行〜右下欄第７行）
　「・・・・この例においては、各絵素電極（２４）を透明電極例えばＳｎＯ２，ＴｉＯ３等によつて形成する。
　また透明基板（１２）側には、各絵素間を分離するように格子状、または網状に遮光性導電層（４３）例えばＣｒ層−Ａｕ層、或いはＴｉ層−Ａｕ層の各積層構造の導電層を被着する。この遮光性導電層（４３）は、透明基板（１２）の周辺に設けられた遮光電極（２７）の形成と同時に形成し得、更に相互に連結してすなわち電気的に互いに接続されるように形成し得る。透明対向電極（２９）は少なくとも遮光性導電層（４３）が形成されていない格子ないしは網目内に被着され前述した例と同様にＳｉＯ２等の絶縁層（２８）に穿設した窓を通じて遮光電極（２７）に連結される。
　基板（１１）の裏面には、遮光性導電層（４３）の格子ないしは網目部分に対向する部分に窓（４４）が穿設された遮光層（４５）例えば黒色のシリコン樹脂或いはエポキシ樹脂または黒色金属、カーボン層が被着され、その例えば一側縁に基板（１１）の裏面に直接的に接して例えば多結晶シリコン層（４６）を介してＡｌ等の金属層（４７）を形成する。・・・・このようにして基板（１１）及び（１２）の遮光層（４５）及び（４３）の格子ないしは網目内を光透過部としてこれらを表示部Ｅの各絵素部とし、遮光層（４５）及び（４３）が配置されて遮光された部分に各ＭＯＳが配置されるようにする。」（第４頁左上欄第１２行〜右上欄第１８行）
　また、第２図には液晶表示装置の平面図が、第４図には透過型液晶表示装置の断面図が示されている。
刊行物２：特開平１−２９１２２０号公報（甲第２号証刊行物）
　「１．絵素電極がマトリクス状に配置された基板を有する画像表示装置であって、該絵素電極の周囲に於いて絶縁膜を介して非透光性の金属膜が形成されている画像表示装置。」（特許請求の範囲）
　「第１図は本発明の一実施例であるアクティブマトリクス液晶表示装置に用いられる絵素電極基板Ｓｃの平面図、第２図は後述する金属膜１３ａ〜１３ｆが設けられていない状態の該基板の平面図である。・・・・
　第１図に於いて、斜線のハッチングを施して示した領域に金属膜１３ａ〜１３ｆが形成されている。・・・・第３図はＴＦＴ１０が構成されている部分を示している。この部分では、ガラス基板１上に、ゲート電極２，ゲート絶縁層３、及びアモルファスシリコン半導体層４が積層されている。半導体層４の上には、リンドープアモルファスシリコン層５を介して、ドレイン電極６及びソース電極７が形成されている。ドレイン電極６は、ゲート絶縁層３上に形成された絵素電極８に電気的に接続されている。尚、符号９は保護絶縁膜を示している。保護絶縁膜９の上には金属膜１３ａが形成されている。・・・・
　このように、金属膜１３ａ〜１３ｆはそれぞれ、絵素電極８の周囲を覆うようなパターンに形成されている。これは、非透光性の金属膜１３ａ〜１３ｆによりバックライト光の透過を入射側で防止するためである。・・・・」（第２頁左下欄第７行〜第３頁左上欄第８行）
刊行物３：特開昭６２−２６２０２６号公報（参考資料）
　アクティブマトリクスパネルにおいて、画素電極とデータ線との間及び画素電極相互間のすき間からもれる光を遮断するように遮光層が格子状に形成されることが記載されている。
エ．対比、判断
　本件発明と各刊行物に記載のものとを対比すると、本件発明において、「第１の基板のうちの第２の基板との対向面上に設けられていて表示領域のうちの画素部以外の部分及び表示領域と非表示領域との境界部のみを遮光する第１の導電性遮光層と、第２の基板に設けられていて非表示領域及び前記境界部のみを遮光する第２の導電性遮光層とが、前記境界部で互いに重なり合って」いる点については、いずれの刊行物にも記載されていず、また、示唆するところもない。
　刊行物１に記載のものにおいては、第４図に示される透過型液晶表示装置において、遮光層４５は基板１１（本件発明における第１の基板に相当する）のうちの透明基板（本件発明における第２基板に相当する）とは反対側に、周辺回路部Ｓの領域（本件発明における非表示領域に相当する）を覆うように設けられている。
　刊行物２及び刊行物３のいずれにおいても、第１の基板における第１の導電性遮光層が表示領域のうちの画素部以外の部分及び表示領域と非表示領域との境界部のみを遮光することは記載されていず、示唆するところはない。
　しかるに、本件発明においては、第１及び第２の導電性遮光層を上記のようにすることにより、明細書に記載のような格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、刊行物１に記載された発明ではなく、また、刊行物１〜３に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月２７日（２００２．１２．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
▲１▼　訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲における請求項１の記載を、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的として、下記の通りに訂正する。
「【請求項１】　画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、
　薄膜トランジスタであるスイッチング素子とこのスイッチング素子の一つの電極に接続されている画素電極とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子を駆動する薄膜トランジスタで構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板と、
　この第１の基板に対向している第２の基板と、
　これら第１及び第２の基板間に保持されている液晶層とを有している液晶表示装置において、
　前記第１の基板
のうちの前記第２の基板との対向面上
及び前記表示領域と前記非表示領域との境界部のみ
及び前記境界部のみ
記境
　前記画素部に入射する光のみを透過させることを特徴とする液晶表示装置。」
▲２▼　訂正事項ｂ
　上記特許請求の範囲の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との整合を図るために、明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１０】の記載を下記の通りに訂正する。
「【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明による液晶表示装置では、画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、薄膜トランジスタであるスイッチング素子１３とこのスイッチング素子１３の一つの電極１７ａに接続されている画素電極１２とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子１３を駆動する薄膜トランジスタ２２で構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板１１と、この第１の基板１１に対向している第２の基板２４と、これら第１及び第２の基板１１、２４間に保持されている液晶層２６とを有している液晶表示装置において、前記第１の基板１１
のうちの前記第２の基板２４との対向面上
及び前記表示領域と前記非表示領域との境界部のみ
及び前記境界部のみ
記境
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、
　薄膜トランジスタであるスイッチング素子とこのスイッチング素子の一つの電極に接続されている画素電極とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子を駆動する薄膜トランジスタで構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板と、
　この第１の基板に対向している第２の基板と、
　これら第１及び第２の基板間に保持されている液晶層とを有している液晶表示装置において、
　前記第１の基板
のうちの前記第２の基板との対向面上
及び前記表示領域と前記非表示領域との境界部のみ
及び前記境界部のみ
記境
　前記画素部に入射する光のみを透過させることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、夫々がスイッチング素子を有している複数の画素がマトリックス状に配列されているアクティブマトリックス型の液晶表示装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図３、４は、アクティブマトリックス型の液晶表示装置の一従来例を示している。この従来例はガラス等から成る絶縁基板１１を有しており、表示領域の絶縁基板１１上には、画素（液晶セル）を構成する透明な画素電極１２と画素を駆動するためのスイッチング素子である薄膜トランジスタ１３とがマトリックス状に配列されている。
　【０００３】
　各画素電極１２の行間には、各画素の行を選択する選択信号を供給するためのゲートライン（図示せず）が配置されており、このゲートラインの分枝部が薄膜トランジスタ１３のゲート電極１４になっている。また、各画素電極１１の列間には、画像信号を供給するための信号ライン１５が配置されている。
　【０００４】
　画素電極１２は、導電膜１６を介して薄膜トランジスタ１３の一方のソース／ドレイン１７ａにコンタクトしており、信号ライン１５は、薄膜トランジスタ１３の他方のソース／ドレイン１７ｂに直接にコンタクトしている。
　【０００５】
　非表示領域中の領域２１の絶縁基板１１上には、薄膜トランジスタ２２で構成されており表示領域の薄膜トランジスタ１３を駆動するための駆動回路が集積されている。この駆動回路の入力は絶縁基板１１の端部のパッド（図示せず）に接続されており、出力はゲートラインまたは信号ライン１５に接続されている。
　【０００６】
　表示領域のうちの画素部以外の部分と非表示領域とを、全面一体の遮光層２３が覆っている。遮光層２３は、遮光性の高い金属層から成っており、表示領域のうちの画素間の空きスペース、薄膜トランジスタ１３、ゲートライン及び信号ライン１５等の画素部以外の部分に入射する光と非表示領域に入射する光とを遮光し、画素部に入射する光のみを透過させて、表示のコントラストを高めるためのものである。
　【０００７】
　絶縁基板１１に絶縁基板２４が対向しており、この絶縁基板２４の絶縁基板１１側には、対向電極２５が全面に形成されている。そして、ツイストネマチック液晶層等である液晶層２６が、絶縁基板１１、２４の間に保持されている。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、上述の従来例の様に駆動回路を周辺に集積させた液晶表示装置では、非表示領域において、駆動回路上の信号配線と遮光層２３との間のリークの発生確率が高い。また、駆動回路を周辺に集積させていない構造でも、非表示領域において、ゲートラインの引き出し線又は信号ライン１５の引き出し線と遮光層２３との間でリークが発生し得る。
　【０００９】
　これらのリークを防止して液晶表示装置の全体に亘って絶縁性を確保するために、材料の異なる多層の絶縁膜を積層して層間絶縁膜を形成していた。しかし、この様にしても、工程が煩雑になるだけで、絶縁性を確実には確保することができず、画素の欠陥や表示のコントラスト低下等を生じて、歩留りが低かった。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明による液晶表示装置では、画素部を有する表示領域と非表示領域とが設けられており、薄膜トランジスタであるスイッチング素子１３とこのスイッチング素子１３の一つの電極１７ａに接続されている画素電極１２とが前記表示領域でマトリックス状に配列され、前記スイッチング素子１３を駆動する薄膜トランジスタ２２で構成されている駆動回路が前記非表示領域で集積されている第１の基板１１と、この第１の基板１１に対向している第２の基板２４と、これら第１及び第２の基板１１、２４間に保持されている液晶層２６とを有している液晶表示装置において、前記第１の基板１１
のうちの前記第２の基板２４との対向面上
及び前記表示領域と前記非表示領域との境界部のみ
及び前記境界部のみ
記境
　【００１１】
　【作用】
　本発明による液晶表示装置では、非表示領域の導電性遮光層２７が第２の基板２４に設けられているので、非表示領域における第１の基板１１上の駆動回路上の信号配線や引き出し線と導電性遮光層２７との間でリークが発生しない。しかも、表示領域の導電性遮光層２３は第１の基板１１に設けられているので、画素電極１２等と導電性遮光層２３との重ね合わせ精度がよく、開口率が大きい。また、表示領域と非表示領域との境界部における導電性遮光層２３、２７の重なりを大きくすることによって、第１の基板１１と第２の基板２４との重ね合わせ精度を緩くすることができ、更に、導電性遮光層２３、２７の加工が本来的に容易である。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、薄膜トランジスタがスイッチング素子になっているアクティブマトリックス型の液晶表示装置に適用した本発明の一実施例を、図１、２を参照しながら説明する。なお、図３、４に示した一従来例と対応する構成部分には、同一の符号を付してある。
　【００１３】
　本実施例は、薄膜トランジスタ２２で構成されており表示領域の薄膜トランジスタ１３を駆動するための駆動回路が集積されている領域２１を含む非表示領域では、Ｃｒから成る遮光層２７が絶縁基板２４に設けられており、非表示領域の絶縁基板１１には遮光層２３が設けられていないことを除いて、図３、４に示した一従来例と実質的に同様の構成を有している。
　【００１４】
　図２に示す様に、絶縁基板１１上の遮光層２３と絶縁基板２４上の遮光層２７とは表示領域と非表示領域との境界部で互いに重なり合っており、この重なりが絶縁基板１１、２４同士の重ね合わせのマージンになっている。従って、このマージンを大きくすることによって、表示領域の遮光層２３をも絶縁基板２４に設ける構造に比べて、重ね合わせ精度を緩くすることができ、製造工程が煩雑になることもない。
　【００１５】
　遮光層２７としては、十分な遮光性が得られる膜であればよい。遮光性は、４００〜７００ｎｍの可視光領域で透過率１％以下、好ましくは０．１％以下であればよい。遮光層２７の材料としては、Ｃｒの他に、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属、及びこれらの合金やシリサイド等を用いてもよく、更に、染料や顔料を含む絶縁性の有機物を用いてもよい。
　【００１６】
　なお、本実施例では、絶縁基板２４上の遮光層２７は非表示領域の遮光のみを行っているが、絶縁基板１１上の遮光層２３と相補的なパターンの遮光層２７を表示領域の絶縁基板２４上にも形成して、遮光層２３の補助として遮光層２７で表示領域の遮光を行ってもよい。
　【００１７】
　また、絶縁基板１１上の遮光層２３は全面一体であるが、遮光層２３を信号ライン１５に対して相補的なパターンに形成して、遮光層２３と信号ライン１５とで表示領域の遮光を行ってもよい。この時、遮光層２３は画素毎に分割されていてもよく、遮光層２３と信号ライン１５との間に間隙があっても上述の様に絶縁基板２４上の遮光層２７でこの間隙を相補的に遮光すればよい。
　【００１８】
　また、非表示領域の領域２１に駆動回路が集積されているが、非表示領域に駆動回路が集積されている必要はない。しかし、その場合でも信号ライン１５やゲートラインの引き出し線が非表示領域に形成されるので、これらの引き出し線と遮光層２７との間のリークを回避することができる。
　【００１９】
　また、本実施例にはカラーフィルタが設けられていないが、絶縁基板１１、２４の何れかにカラーフィルタを設けてもよい。また、図１から明らかな様に本実施例では薄膜トランジスタ１３、２２がプレーナ型であるが、正スタガ型や逆スタガ型の薄膜トランジスタを用いてもよい。更に、薄膜トランジスタ１３、２２の活性層の材料として、多結晶Ｓｉと非晶質Ｓｉとの何れをも用いることができる。
　【００２０】
　また、本実施例では薄膜トランジスタ１３がスイッチング素子になっているが、薄膜トランジスタ等の３端子素子以外に、ダイオード、バリスタ及び金属−絶縁物−金属（ＭＩＭ）素子等の２端子素子をスイッチング素子として用いることもできる。２端子素子を用いる場合は、マトリックス状の複数の画素電極及び２端子素子と第１の電極群とを一方の絶縁基板上に設け、第１の電極群と交差する第２の電極群を他方の絶縁基板上に設ける。
　【００２１】
　【発明の効果】
　本発明による液晶表示装置では、画素電極等と導電性遮光層との重ね合わせ精度がよくて開口率が大きいにも拘らず、非表示領域における駆動回路上の信号配線や引き出し線と導電性遮光層との間でリークが発生しないので、画素の欠陥や表示のコントラスト低下等を生じることがなく、また、第１の基板と第２の基板との重ね合わせ精度を緩くすることができ、更に、導電性遮光層の加工が本来的に容易であるので、歩留りが高い。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例の側断面図である。
　【図２】
　一実施例の平面図である。
　【図３】
　本発明の一従来例の側断面図である。
　【図４】
　一従来例の平面図である。
　【符号の説明】
　１１　絶縁基板
　１２　画素電極
　２３　遮光層
　２４　絶縁基板
　２７　遮光層