Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月10日(2015.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
チップエッジ近くにボンドパッドを有し、基板上にアセンブルされる半導体チップと、
前記基板であって、前記半導体チップに面する金属層を有し、前記金属層が、コンタクトパッドとして寸法づけられる規則的にピッチが空けられた行及び列を含むアレイにパターン化される、前記基板と、
前記アレイ内のゾーンであって、前記ゾーンが、コンタクトパッドの第１の対と平行の第２の対と、前記第１及び前記第２の対間の空間において、接地電位のための単一のコンタクトパッドと、スティッチパッドとして寸法づけられるパッドの互い違いの対とを含み、各スティッチパッド対が、平行で等しい長さのトレースによりそれぞれの隣接するコンタクトパッド対に接続される、前記ゾーンと、
ボンディングワイヤであって、ボンドパッドの対をスティッチパッドのそれぞれの対に接続するための平行で等しい長さの弧にわたり、そのため、ボンドパッドからコンタクトパッドまでの平行で等しい長さの導電体ラインの差動対を形成する、前記ボンディングワイヤと、
平行で対称的位置の導体ラインの２つの差動対であって、トランスミッタ／レシーバセルを形成する、前記２つの差動対と、
を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記半導体チップから遠い前記コンタクトパッドの表面に取り付けられるはんだバンプを更に含む、半導体デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、
１つの差動対の導体ラインの１つを形成する導体の合計が、その対の他の導体ラインを形成する導体の合計と５％以内で合致する、半導体デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のデバイスであって、
１つの差動対を形成する２つの導体ラインのボンディングワイヤが、それらの全長にわたって互いから１００μｍ間隔以内である、半導体デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載のデバイスであって、
１つの差動対を形成する２つの導体ラインのボンディングワイヤが、互いに対して５度以内の平行度である、半導体デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のデバイスであって、
２つの差動対の間の信号のカップリングが、５ＧＨｚで−４０ｄＢに対応して、電圧の１％に等しいかそれより小さい、半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記基板が、外部コンタクトパッドに面する金属層を有する、半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記基板が、導電性層のめっき又はエッチングによってつくられるパターンを有する、半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記基板上の絶縁性層が、ポリイミド、グラスファイバー強化プラスチック、又はエポキシモールディング化合物を含むグループから選択される、半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記半導体チップから遠い前記コンタクトパッドの表面が、はんだ付け可能であり、ＮｉＰｄＡｕ、銅ＯＳＰ、又は錫又は錫ベースの合金を含むグループから選択される、半導体デバイス。
【請求項１１】
半導体デバイスであって、
チップエッジ近くにボンドパッドを有し、基板上にアセンブルされる半導体チップと、
前記基板であって、前記半導体チップに面する金属層を有し、前記金属層が、コンタクトパッドとして寸法づけられた規則的にピッチが空けられた行及び列を含むアレイにパターン化される、前記基板と、
前記アレイ内の４つのゾーンであって、各ゾーンが、コンタクトパッドの第１の対と平行の第２の対と、前記第１及び前記第２の対間の空間において、接地電位のための単一のコンタクトパッドと、スティッチパッドとして寸法づけられたパッドの互い違いの対とを含み、各スティッチパッド対が、平行で等しい長さのトレースによりそれぞれの隣接するコンタクトパッド対に接続され、前記ゾーンが、各チップ側部において各々１つのゾーンを備えて前記半導体チップ周囲の辺りに対称的に配置される、前記４つのゾーンと、
各チップ側部における、ボンディングワイヤであって、ボンドパッドの対をスティッチパッドのそれぞれの対に接続するための平行で等しい長さの弧にわたり、そのため、ボンドパッドからコンタクトパッドまでの平行で等しい長さの導体ラインの差動対を形成する、前記ボンディングワイヤと、
平行で対称的位置の導体ラインの２つの差動対であって、前記２つの差動対が、高周波数信号をインテグリティを備えて導通させるためのトランスミッタ／レシーバセルを形成し、４つのセルが、各チップ側部において各々１つのゾーンを備えて前記半導体チップ周囲の辺りに対称的に配置される、前記２つの差動対と、
を含む、半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のデバイスであって、
前記半導体チップから遠い前記コンタクトパッドの表面に取り付けられるはんだバンプを更に含む、半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１２に記載のデバイスであって、
各セルにおいて、１つの差動対の導体ラインの１つを形成する導体の合計が、その対の他の導体ラインを形成する導体の合計と５％以内で合致する、半導体デバイス。
【請求項１４】
請求項１３に記載のデバイスであって、
各セルにおいて、１つの差動対を形成する２つの導体ラインのボンディングワイヤが、それらの全長にわたって互いから１００μｍ間隔以内である、半導体デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載のデバイスであって、
各セルにおいて、１つの差動対を形成する２つの導体ラインのボンディングワイヤが、互いに対して５度以内の平行度である、半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１５に記載のデバイスであって、
各セルにおいて、２つの差動対の間の信号のカップリングが、５ＧＨｚで−４０ｄＢに対応して、電圧の１％に等しいかそれより小さい、半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月10日(2015.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型電子パッケージであって、
対向する第１の表面及び第２の表面を有する基板と、
第１の超小型電子素子、第２の超小型電子素子、第３の超小型電子素子、及び第４の超小型電子素子であって、各超小型電子素子は、前記基板の前記第１の表面に隣接し前記第１の表面の方に向いた前面と、該前面における複数のコンタクトとを有し、該超小型電子素子の前記前面は、前記第１の表面に対して平行であるとともに前記第１の表面の上に重なる単一の平面内に配置され、各超小型電子素子は、前記前面に露出するとともにそれぞれの第１の軸、第２の軸、第３の軸、及び第４の軸に沿って配置されたコンタクトの列を有し、前記第１の軸及び前記第３の軸は互いに平行であり、前記第２の軸及び前記第４の軸は、前記第１の軸及び前記第３の軸に対して横向きであり、各超小型電子素子のコンタクトの列は、それぞれの超小型電子素子の前記前面の中心領域に配置されており、各超小型電子素子の前記軸は、前記超小型電子パッケージ内の他の前記超小型電子素子の１つの領域を横切るものである、第１の超小型電子素子、第２の超小型電子素子、第３の超小型電子素子、及び第４の超小型電子素子と、
前記第２の表面に露出した複数の端子であって、該端子は、該超小型電子パッケージの外部の少なくとも１つの構成要素に該超小型電子パッケージを接続するように構成されている、複数の端子と、
各超小型電子素子の前記コンタクトのうちの少なくとも幾つかから前記端子のうちの少なくとも幾つかに延在する電気的接続部と
を備えてなる、超小型電子パッケージ。
【請求項２】
前記電気的接続部は、下側超小型電子素子のそれぞれのコンタクトと、前記基板の前記第１の表面に露出した導電性ボンドパッドとの間に延在するフリップチップ接続部を含む、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項３】
請求項１に記載の超小型電子パッケージであって、該超小型電子パッケージにおいて、前記端子のうちの少なくとも幾つかと、前記超小型電子素子のうちの１つ以上のものとに電気的に接続されたバッファ素子を更に備え、該バッファ素子は、該超小型電子パッケージの前記端子のうちの１つ以上のものにおいて受信された少なくとも１つの信号を再生成するように構成されている、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの信号は、該超小型電子パッケージに転送されるアドレス信号の全てを含む、請求項３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項５】
前記超小型電子素子は、アドレス指定可能メモリモジュールとしてともに機能するように構成され、該超小型電子パッケージは、前記超小型電子素子のそれぞれにおいて受信されたデータの一部を記憶するように構成されている、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項６】
請求項２０に記載の超小型電子パッケージであって、該超小型電子パッケージは、デュアルインラインメモリモジュールとして機能するように構成されている、請求項５に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項７】
請求項２１に記載の超小型電子パッケージであって、該超小型電子パッケージは、同じコマンド及び信号インタフェースを有し、デュアルインラインメモリモジュールと同じ量のデータを転送するように構成されている、請求項６に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項８】
前記超小型電子素子のそれぞれは、主としてメモリ記憶アレイ機能を提供するように構成されている、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項９】
各超小型電子素子は、下側超小型電子素子であり、各超小型電子パッケージは、各下側超小型電子素子に対応する上側超小型電子素子を備え、各上側超小型電子素子は、前記下側超小型電子素子のうちの前記対応するものの背面の上に少なくとも部分的に重なる表面を有する、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１０】
前記上側超小型電子素子のうちの少なくとも１つは、前記下側超小型電子素子を貫通して延在する少なくとも１つの導電性ビアを通じて、前記下側超小型電子素子のうちの対応するものと電気的に接続されている、請求項９に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１１】
請求項１に記載の超小型電子パッケージと、該超小型電子パッケージに電気的に接続された１つ以上の他の電子構成要素とを備える、システム。
【請求項１２】
ハウジングを更に備え、前記超小型電子パッケージ及び前記他の電子構成要素が該ハウジングに実装されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
各超小型電子素子は、前記基板の前記第１の表面と前記第２の表面との間に延在する少なくとも１つの開口部の上に少なくとも部分的に重なり、各開口部は、それぞれの前記第１の軸、前記第２の軸、前記第３の軸、及び前記第４の軸に沿った長さを有し、前記電気的接続部は、少なくとも、前記少なくとも１つの開口部と位置合わせされた部分を有するリードを含む、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１４】
前記リードのうちの少なくとも幾つかは、前記開口部のうちの少なくとも１つを通って延在するワイヤボンドを含む、請求項１３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１５】
各超小型電子素子の前記コンタクトの列は、前記開口部のうちの対応するものと位置合わせされている、請求項１３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１６】
前記開口部のそれぞれは、前記それぞれの軸に対して横向きの方向に幅を有し、各開口部の前記幅は、該開口部の前記幅と同じ方向において、該開口部の上に少なくとも部分的に重なる前記超小型電子素子の幅よりも大きくない、請求項１３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１７】
前記基板の前記第２の表面は、その中央部分を占有する中央領域を有し、該中央領域は、前記第１の軸、前記第２の軸、前記第３の軸、及び前記第４の軸によって画定され、前記端子のうちの少なくとも幾つかは、前記中央領域に配置された第１の端子である、請求項１３に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１８】
前記第１の端子は、該超小型電子パッケージに転送されるアドレス信号の全てを搬送するように構成されている、請求項１７に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１９】
前記第１の端子は、該超小型電子パッケージに転送されるコマンド信号、アドレス信号、バンクアドレス信号、及びクロック信号のうちの少なくとも幾つかを搬送するように構成され、前記コマンド信号は、書き込みイネーブル信号、行アドレスストローブ信号、及び列アドレスストローブ信号であり、前記クロック信号は、前記アドレス信号をサンプリングするのに用いられるサンプリングクロックであり、前記第１の端子は、前記超小型電子素子のうちの少なくとも２つによって共有される、請求項１７に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項２０】
前記第１の端子は、前記超小型電子素子のそれぞれによって共有される、請求項１９に記載の超小型電子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月22日(2015.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子、出力端子及び制御端子を有する遮断スイッチと、
前記遮断スイッチの制御端子に接続された電圧リミッタと、
前記遮断スイッチの制御端子に接続された出力部を有する電流制限電圧源であって、前記電流制限電圧源の出力電圧は、前記遮断スイッチの出力端子の電圧を基準とする電流制限電圧源と、
を備え、
前記電流制限電圧源は、発振器により駆動され、前記遮断スイッチの出力端子を基準とするチャージポンプ回路を備える過渡電圧遮断回路。
【請求項２】
前記遮断スイッチは、低オン抵抗ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを備える請求項１に記載の過渡電圧遮断回路。
【請求項３】
前記遮断スイッチの出力端子は、ブースト電力変換器のブースト電力段に接続される請求項１に記載の過渡電圧遮断回路。
【請求項４】
前記電圧リミッタは、前記遮断スイッチの制御端子に接続される陰極及び前記過渡電圧遮断回路の接地に接続される陽極を有するチェナーダイオードを備える請求項１に記載の過渡電圧遮断回路。
【請求項５】
前記電流制限電圧源の出力電圧は、前記遮断スイッチのしきい値電圧を超える請求項１に記載の過渡電圧遮断回路。
【請求項６】
前記遮断スイッチの制御端子と前記遮断スイッチの出力端子の間に接続される静電放電保護装置を更に備え、
前記静電放電保護装置は、前記遮断スイッチの制御端子に接続される陰極及び前記遮断スイッチの出力端子に接続される陽極を有するチェナーダイオードであり、
前記静電放電保護装置は、前記遮断スイッチのしきい値電圧よりも大きいしきい値電圧を有する請求項１に記載の過渡電圧遮断回路。
【請求項７】
入力電圧を受け取るとともに出力電圧を供給する電力段と、
前記入力電圧が予め決定されたしきい値を超えるときは前記入力電圧を前記入力段から遮断する過渡電圧遮断回路と、
を備え、
前記入力電圧が目標出力電圧未満のときは、前記電力段の出力電圧は、前記入力電圧よりも高く、前記入力電圧が前記目標出力電圧と等しいか又はそれを超え、かつ、予め決定されたしきい値電圧未満のときは、前記電力段の出力電圧は、前記入力電圧にほぼ等しいことを特徴とする電力変換器。
【請求項８】
前記過渡電圧遮断回路は、
前記入力電圧を受け取る入力端子、制御端子及び前記制御端子における電圧に応じて前記入力電圧を前記電力段に選択的に供給する出力端子を有する遮断スイッチと、
前記遮断スイッチの前記制御端子に接続される電圧リミッタと、
前記遮断スイッチの前記制御端子に接続される出力部を有する電流制限電圧源であって、前記電流制限電圧源の出力電圧は、前記遮断スイッチの前記出力端子の電圧を基準とする電流制限電圧源と、
を備える請求項７に記載の電力変換器。
【請求項９】
前記入力電圧が前記目標出力電圧と等しいか又はそれを超え、かつ、予め決定されたしきい値電圧未満のときは、前記電力段の出力電圧は、前記入力電圧よりダイオード降下分だけ小さい請求項７に記載の電力変換器。
【請求項１０】
前記電力段は、ブースト電力段であり、前記電力変換器は、ブースト電力変換器である請求項７に記載の電力変換器。
【請求項１１】
前記遮断スイッチは、低オン抵抗ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを備える請求項８に記載の電力変換器。
【請求項１２】
前記電圧リミッタは、前記遮断スイッチの制御端子に接続される陰極及び前記過渡電圧遮断回路の接地に接続される陽極を有するチェナーダイオードを備える請求項８に記載の電力変換器。
【請求項１３】
前記電流制限電圧源は、発振器により駆動され、前記遮断スイッチの出力端子を基準とするチャージポンプ回路を備える請求項８に記載の電力変換器。
【請求項１４】
前記電流制限電圧源の出力電圧は、前記遮断スイッチのしきい値電圧を超える請求項８に記載の電力変換器。
【請求項１５】
前記遮断スイッチの制御端子と前記遮断スイッチの前記出力端子の間に接続される静電放電保護装置を更に備え、
前記静電放電保護装置は、前記遮断スイッチの制御端子に接続される陰極及び前記遮断スイッチの出力端子に接続される陽極を有するチェナーダイオードであり、
前記静電放電保護装置は、前記遮断スイッチのしきい値電圧よりも大きいしきい値電圧を有する請求項８に記載の電力変換器。
【請求項１６】
電力を供給する電源と、
前記電源から電力を受け取るとともに装置に電力を供給する電力変換器と、
を備え、前記電力変換器は、
入力電圧を受け取るとともに出力電圧を供給する電力段と、
前記入力電圧が予め決定されたしきい値を超えると、前記入力電圧を前記電力段から遮断する過渡電圧遮断回路と、
を備え、
前記過渡電圧遮断回路は、
前記入力電圧を受け取る入力端子、制御端子及び前記制御端子における電圧に応じて前記入力電圧を前記電力段に選択的に供給する出力端子を有する遮断スイッチと、
前記遮断スイッチの前記制御端子に接続される電圧リミッタと、
前記遮断スイッチの前記制御端子に接続される出力部を有する電流制限電圧源と、
を備える電気システム。
【請求項１７】
前記電源は、力学的エネルギーを電力に変換し、前記装置は、車両のアンチロックブレーキシステムであり、前記電力変換器は、ブースト電力変換器である請求項１６に記載の電気システム。
【請求項１８】
電力を受け取る装置と、
電力を前記装置に供給する電気システムと、
を備え、前記電気システムは、
電力を供給する電源と、
前記電源から電力を受け取るとともに装置に電力を供給する電力変換器と、
を備え、前記電力変換器は、
入力電圧を受け取るとともに出力電圧を供給する電力段と、
前記入力電圧が予め決定されたしきい値を超えると、前記入力電圧を前記電力段から遮断する過渡電圧遮断回路と、
を備え、
前記入力電圧が目標出力電圧未満のときは、前記電力段の出力電圧は、前記入力電圧よりも高く、前記入力電圧が前記目標出力電圧と等しいか又はそれを超え、かつ、予め決定されたしきい値電圧未満のときは、前記電力段の出力電圧は、前記入力電圧にほぼ等しい車両。
【請求項１９】
前記過渡電圧遮断回路は、
前記入力電圧を受け取る入力端子、制御端子及び前記制御端子における電圧に応じて前記入力電圧を前記電力段に選択的に供給する出力端子を有する遮断スイッチと、
前記遮断スイッチの前記制御端子に接続される電圧リミッタと、
前記遮断スイッチの前記制御端子に接続される出力部を有する電流制限電圧源と、
を備える請求項１８に記載の車両。
【請求項２０】
前記電源は、力学的エネルギーを電力に変換し、前記装置は、車両のアンチロックブレーキシステムであり、前記電力変換器は、ブースト電力変換器である請求項１８に記載の車両。
【請求項２１】
前記電流制限電圧源は、発振器により駆動され、前記遮断スイッチの出力端子を基準とするチャージポンプ回路を備える請求項１９に記載の車両。
【請求項２２】
前記入力電圧が目標出力電圧未満のときは、前記電力段の出力電圧は、前記入力電圧よりも高く、前記入力電圧が前記目標出力電圧と等しいか又はそれを超え、かつ、予め決定されたしきい値電圧未満のときは、前記電力段の出力電圧は、前記入力電圧にほぼ等しい請求項１６に記載の電気システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
ここで図１０を参照して、実施例に係るデータの通信を可能にする集積回路のブロック図が示される。図１０のブロック図は、８個のＡＤＣ回路６０２が単一の入力／出力ポート６０４に結合される図８の実施例のより詳細な例を示している。すなわち、ルーティングネットワーク８０４は、入力／出力ポート６０４におけるアナログ入力信号をブロック８０２の８個のＡＤＣ回路６０２の各々に結合することができる。クロック発生器１００２は複数のクロック信号を発生させ、当該複数のクロック信号は、入力／出力ポート６０４に結合されるアナログ入力信号をさまざまな時間においてサンプリングすることができるようにし、したがって信号のサンプリングレートを増大させる。より詳細に以下で説明するように、アナログ入力信号のサンプリングレートは、１００ＭｓｐｓのＡＤＣ回路のみを用いて８００Ｍｓｐｓを生成するように８倍に増大させることができる。クロック発生器１００２は、入力クロック信号ＣＬＫを受取って、異なる位相を有する合計８個のクロック信号について７個の位相シフトクロック信号を発生させる多相クロック回路を備え得る。位相シフトクロック信号は、例えばＣＬＫ信号の４５°、９０°、１３５°、１８０°、２２５°、２７０°および３１５°の位相であり得る。図７の例のようにわずか４個の位相シフトクロック信号が必要とされる場合には、ＣＬＫ（または０°の位相）ならびに９０°、１８０°および２７０°の位相を用いることができる。図１６を参照してより詳細に以下で説明するように、ＡＤＣ６０２は適切な時間に入力信号をサンプリングする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
ここで図１１を参照して、代替的な実施例に係る集積回路へのデータの通信を可能にする集積回路のブロック図が示される。図１１の実施例によれば、サンプラ１１０２が設けられる。図１０を参照して上記したサンプリングをＡＤＣ回路に実行させるのではなく、サンプラ１１０２は、ルーティングネットワーク８０４とともにアナログ信号の一部を適切なＡＤＣ変換器６０２に与える高速サンプラを備える。したがって、アナログ入力信号を受けてＡＤＣ回路によるサンプリングを可能にする一群のＡＤＣ回路のＡＤＣ回路６０２の各々にアナログ入力信号をルーティングするのではなく、サンプラ１１０２およびルーティングネットワーク８０４は、選択されたＡＤＣ回路６０２にアナログ入力信号のサンプルをルーティングすることを可能にする。すなわち、クロック発生器がアナログ入力信号を周期的にサンプリングする一方で、ルーティングネットワーク８０４が異なるＡＤＣ回路へのサンプリングされた信号のルーティングを周期的に変化させる。例えば、制御回路９３４は、クロック発生器が発生させた高速クロック信号に応答して、入力信号を単一のＡＤＣ回路６０２にルーティングし、アナログ入力信号のサンプルを受取るＡＤＣ回路は周期的に変化する。サンプラ１１０２およびルーティングネットワーク８０４は各々が集積回路の一部であってもよいことが理解されるべきである。代替的に、サンプラ１１０２、または、サンプラ１１０２およびルーティングネットワーク８０４の両方が、ＡＤＣ回路６０２およびプログラム可能なリソース１００８を実装する集積回路とは分離していてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
制御回路１２３４も、適切な制御信号Ｄ０〜Ｄ１１を生成して、適切な入力データを適切なデータ出力に結合する。制御回路は、コンフィギュレーションデータを格納するためのメモリ素子を備えていてもよい。したがって、集積回路を構成する際に、ＡＤＣは例えば図６〜図８に例えば示されるようにユーザが望む通りに構成されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月4日(2015.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
いくつかの実施形態では、基板１１４がパック２０２に十分にチャッキングされているかどうかの監視を促進するために、支持体２１４は、パック２０２内に形成された貫通孔２２５と相互作用して基板１１４の裏面２３４へガスを流すことを可能にする導管２２２を備えてもよい。いくつかの実施形態では、流れプラグ２２７は、導管２２２に結合されてもよく、貫通孔２２５と相互作用して導管２２２と貫通孔２２５との確実な結合を促進するように構成されてもよい。いくつかの実施形態では、気密嵌合を提供するために、シール２２３が、導管２２２及び流れプラグ２２７の一部分と、パック２２５との間に配置されてもよい。シール２２３は、任意の適した材料から製造してもよい。たとえば、いくつかの実施形態では、シール２２３は、ニッケルクロム合金などの合金を含む金属のイーシール（ｅ−ｓｅａｌ）であってもよい。１つの導管２２２のみが示されるが、支持体２１４は、たとえば２つ以上などの任意の数の導管２２２を含んでもよい。しかし、本発明者らは、１つまたは複数より多い（たとえば、１０個以上）導管２２２を利用する従来の静電チャックと比較すると、１つの導管２２２を提供することによって、静電チャック１１７のコストおよび複雑さを低減させながら、基板１１４のチャッキングの十分な監視が行われてもよいことに気付いた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
RNCは、UMTS-LTEの異なるシステムのハンドオーバーを発起する時に、まず、SGSNがTarget  eNB  IDを識別することができるかどうかを確定する。例えば、Iuインターフェース交互情報中の予め設定された情報エレメント、例えば、RAB  ASSIGNMENT  REQUEST(RAB割り当て要求）又はCOMMON  ID（共通標識）メッセージにより指示してもよいが、これに限定されず、或いは、RNCは、バックグランドで構成されたSGSN情報により確定してもよい。SGSNがTarget  eNB  IDを識別することができなければ、次のようなルールに従って、ステップ301中の変換処理を行う。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
具体的には、RNCは、UMTS-LTEの異なるシステムのハンドオーバーを発起する時に、まず、SGSNがTarget  eNB  IDを識別することができるかどうかを確定する。例えば、Iuインターフェース交互情報中の予め設定された情報エレメント、例えば、RAB  ASSIGNMENT  REQUEST又はCOMMON  IDメッセージにより指示してもよいが、これに限定されず、又は、RNCは、バックグランドで構成されたSGSN情報に基いて確定しても良い。SGSNがTarget  eNB  IDを識別することができなければ、次のようなルールに従って、ステップ301中の変換処理を行ってもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光デバイス及び／又は光電デバイス（２０）用の変換素子（１０）の製造方法であって、該方法は、少なくとも、
ａ）発光物質（４；４ａ）もしくは該発光物質（４；４ａ）を含む材料（３ａ）を、発光物質を含まない透明かつ均質なガラス材料（２ａ）の面（１Ａ）に塗布し、前記ガラス材料（２ａ）の軟化温度（Ｔｗ）を上回る高い温度（Ｔ１）での熱処理（ＴＢ１）を行って、前記発光物質（４；４ａ）が前記ガラス材料（２ａ）内へ沈降する程度に前記ガラス材料（２ａ）を軟化させるステップと、
ｂ）沈降した前記発光物質（４；４ａ）とともに前記ガラス材料（２ａ）を冷却するステップと
を含む、方法において、
前記発光物質（４；４ａ）が軟化した前記ガラス材料（２ａ）の面（１Ａ）又は少なくとも加熱された前記ガラス材料（２ａ）の面（１Ａ）に塗布される前に、前記ガラス材料（２ａ）の前記熱処理（ＴＢ１）を開始する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
スプレー塗布もしくは刷毛塗布もしくは描画塗布もしくは静電堆積もしくはペースト層の印刷その他の手法によって、前記発光物質（４；４ａ）もしくは該発光物質（４；４ａ）を含む材料（３ａ）を、前記ガラス材料（２ａ）の面（１Ａ）に直接に塗布するか、又は、分離剤として前記ガラス材料（２ａ）を成形するための所定の型（２２）もしくはプレス型（２３）に塗布する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ガラス層としての前記ガラス材料（２ａ）を、前記発光物質（４；４ａ）もしくは該発光物質（４；４ａ）を含む材料（３ａ）によって被覆し、前記熱処理（ＴＢ１）にかける、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記ガラス層を、未加熱の状態で準備し、前記熱処理（ＴＢ１）によって軟化させる、請求項３記載の方法。
【請求項５】
まず、前記ガラス材料（２ａ）を予成形された固体のガラス基板（１）として準備し、前記熱処理（ＴＢ１）を行う前に、前記発光物質（４；４ａ）もしくは該発光物質（４；４ａ）を含む材料（３ａ）によって被覆する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記ガラス材料（２ａ）の冷却前、冷却中及び／又は冷却後に、さらに、
ｃ）前記ステップａ）で処理されたガラス材料（２ａ）上に、別のガラス材料（２ａ）から成る層（５）を設けるステップと、
ｄ）別の発光物質（４；４ｂ）もしくは該別の発光物質（４；４ｂ）を含む層（６）を、前記別のガラス材料（２ａ）から成る層（５）のうち前記ステップａ）で処理されたガラス材料（２ａ）から遠い側の面（５Ａ）に塗布するステップと、
ｅ）高温（Ｔ２）での沈降により、前記別の発光物質（４；４ｂ）を、前記別のガラス材料（２ａ）から成る層（５）のうち前記ステップａ）で処理されたガラス材料（２ａ）から遠い側の面（５Ａ）に導入するステップと
を行う、
請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記別のガラス材料（２ａ）を、前記ステップａ）で処理されたガラス材料（２ａ）のうち前記発光物質（４；４ａ）によって既に被覆された面に塗布し、前記ステップｄ）及び前記ステップｅ）において、前記ステップａ）で処理されたガラス材料（２ａ）に塗布されたものとは異なる発光物質（４；４ｂ）を用いる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記ガラス材料（２ａ）の冷却前、冷却中及び／又は冷却後に、さらに、
ｃ）別の発光物質（４；４ｂ）もしくは該別の発光物質（４；４ｂ）を含む層（６）を、前記ステップａ）で処理されたガラス材料（２ａ）の反対側の面（１Ｂ）に塗布するステップと、
ｄ）高温（Ｔ２）での沈降により、前記別の発光物質（４；４ｂ）を前記反対側の面（１Ｂ）へ導入するステップと
を行う、
請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記ステップａ）もしくは前記ステップｃ）において使用されるガラス材料（２ａ）は、５μｍから１０００μｍの間のガラス厚さを有するプレーンパラレルの薄膜ガラスもしくは超薄膜ガラスであるか、又は、所定の側に中空室（９）を有する管球状のガラスボディ（８）であるか、又は、レンズである、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】変換素子の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
関連出願書類の相互参照
本出願は、２０１１年８月１９日付けで出願された米国仮特許出願第６１／５２５，４５５号の発明の名称「非常に優れた耐火性をもつ熱可塑性ポリウレタン」に基づく優先権を主張するものであり、この参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２００６／００２００６４号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２００３／０１３３６７９号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２００７／００３２６３３号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１２／０１７２５００号明細書
（特許文献５）  米国特許第５，８３７，７６０号明細書
（特許文献６）  米国特許第４，６９０，９５４号明細書
（特許文献７）  米国特許第３，９４８，８６０号明細書
（特許文献８）  中国特許出願公開第１７７７６３２号明細書
（特許文献９）  米国特許第４，５６４，４６８号明細書
（特許文献１０）  米国特許第３，９４５，９５４号明細書
（特許文献１１）  米国特許第７，８９３，１４３号明細書
（特許文献１２）  米国特許第７，８３８，６０４号明細書
（特許文献１３）  米国特許第７，６４５，８５０号明細書
（特許文献１４）  米国特許第５，８３７，７６０号明細書
（特許文献１５）  米国特許第７，１５３，９０１号明細書
（特許文献１６）  米国特許第７，４４９，５２６号明細書
（特許文献１７）  米国特許第６，８６１，４９９号明細書
（特許文献１８）  米国特許第７，８１６，４８６号明細書
（特許文献１９）  米国特許第７，８６２，７４９号明細書
（特許文献２０）  米国特許出願公開第２００９／０１４９５８２号明細書
（特許文献２１）  米国特許出願公開第２００３／０１３３６７９号明細書
（特許文献２２）  米国特許第８，７７９，０４１号明細書
（特許文献２３）  米国特許出願公開第２００７／００３２６３３号明細書
（特許文献２４）  米国特許出願公開第２００６／００２００６４号明細書
（特許文献２５）  米国特許出願公開第２００６／００７９６１２号明細書
（特許文献２６）  米国特許第８，５３０，０４４号明細書
（特許文献２７）  米国特許第８，５６３，６３８号明細書
（特許文献２８）  米国特許出願公開第２０１２／０２６４８４４号明細書
（特許文献２９）  米国特許出願公開第２０１４／００００７５１号明細書
（特許文献３０）  米国特許出願公開第２０１２／０１７２５００号明細書
（特許文献３１）  米国特許出願公開第２００９／０３２６１０８号明細書
（特許文献３２）  米国特許出願公開第２００９／０３０６２３６号明細書
（特許文献３３）  米国特許出願公開第２０１０／００５６６６０号明細書
（特許文献３４）  国際公開第２００９／１０３７６５号
（特許文献３５）  国際公開第２０１２／０８８４０６号
（特許文献３６）  国際公開第２０１２／０８８４３５号
（非特許文献）
（非特許文献１）  Ｂｅｃｋｅｒ，Ｇｅｒｈａｒｄ  Ｗ．ｅｔ  ａｌ；Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ．Ｋｕｎｓｔｓｔｏｆｆ−Ｈａｎｄｂｕｃｈ；Ｖｏｌ  ７；Ｍ?ｎｃｈｅｎ，Ｗｉｅｎ；Ｈａｎｓｅｒ，１９８３．
（非特許文献２）  Ｗｉｌｋｉｅ，Ｃｈａｒｌｅｓ  Ａ．ｅｔ  ａｌ；Ｆｉｒｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｃｙ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ．２ｎｄ  Ｅｄ．；Ｂｏｃａ  Ｒａｔｏｎ，ＦＬ；ＣＲＣ  Ｐｒｅｓｓ，２０１０．
（非特許文献３）  Ｃｈｅｎ，Ｌｉ  ｅｔ  ａｌ；"Ａｒｙｌ  Ｐｏｌｙｐｈｏｓｐｈｏｎａｔｅｓ：  Ｕｓｅｆｕｌ  Ｈａｌｏｇｅｎ−Ｆｒｅｅ  Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔｓ  ｆｏｒ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，"Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ２０１０，３，ｐｐ．４７４６−４７６０
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービン側の排気部（５）内、およびコンプレッサ側の吸気部（６）内に組み込まれた排気ガスターボチャージャー（２）を有し、排気部（５）と吸気部（６）とを接続する排気ガス再循環ライン（７）が設けられた、過給内燃機関（１）であって、
上記排気ガス再循環ライン（７）は、排気ガスターボチャージャー（２）のタービン（３）の下流における排気部（５）から分岐して、コンプレッサ（４）の上流における吸気部（６）に開口し、
排気ガス再循環レートの開ループ／閉ループ制御を行うバルブ装置（８）が、排気ガス再循環ライン（７）の領域に配置され、
バルブ装置（８）は、
排気ガス再循環レートの開ループ／閉ループ制御のために軸方向に移動し得る、移動可能なバルブピストン（１５）を有し、
バルブ装置（８）の領域において、排気部（５）は、第１の排気ガスダクト（１２）、第２の排気ガスダクト（１３）、および排気ガス再循環ダクト（１４）に分かれ、
バルブ装置（８）は、第２の排気ガスダクト（１３）、または排気ガス再循環ダクト（１４）を閉じるように構成され、
バルブピストン（１５）は、少なくとも３つの位置、すなわち、
第２の排気ガスダクト（１３）を閉じ、第１の排気ガスダクト（１２）と、排気ガス再循環ダクト（１４）とが完全に開かれる第１の位置、
第１および第２の排気ガスダクト（１２，１３）、ならびに排気ガス再循環ダクト（１４）を完全に開く第２の位置、
排気ガス再循環ダクト（１４）を閉じ、第１および第２の排気ガスダクト（１２，１３）が完全に開かれる第３の位置
の間で移動可能であることを特徴とする内燃機関。
【請求項２】
請求項１の内燃機関であって、
排気ガスターボチャージャー（２）のタービン（３）と、バルブ装置（８）との間に、フィルタ（９）、特にディーゼル粒子フィルタが配置され、および／または
コンプレッサ（４）と、内燃機関（１）との間に、チャージ−エア・クーラー（１０）が配置され、および／または
バルブ装置（８）と、排気部（５）との間に、排気ガスクーラー（１１）が配置されていることを特徴とする内燃機関。
【請求項３】
請求項２の内燃機関であって、
バルブ装置（８）は、排気部（５）からの排気ガス再循環ライン（７）の分岐領域に配置され、または
バルブ装置（８）は、吸気部（６）への排気ガス再循環ライン（７）の開口領域に配置され、または
バルブ装置（８）は、フィルタ（９）の領域、特にその中に配置され、または
バルブ装置（８）は、チャージ−エア・クーラー（１０）の領域に配置されていることを特徴とする内燃機関。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうち何れか１項の内燃機関であって、
バルブピストン（１５）は、セラミックから構成されていることを特徴とする内燃機関。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月24日(2015.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自由ピストンエンジン発電機用のピストンおよび直線型発電機手段であって、ピストンシャフトに沿って同軸上に配置された１つまたは複数の要素を含み、
前記ピストンの全長が、前記ピストンの最大直径の少なくとも５倍であり、
前記要素の少なくとも１つは、すべての方向で５．０×１０−６Ω・ｍを超える等方性電気抵抗を有する透磁性導電性複合材料から形成され、
前記ピストンは、前記ピストンの軸と同軸の複数のトロイド状磁束回路を誘導する直線型発電機手段内に配置され、
前記直線型発電機手段は、複数の同軸コイルおよびステータ要素を含み、前記ピントンの移動が前記トロイド状磁束回路を切り、それにより、前記直線型発電機手段によって加えられた磁束が変動するように、前記ピストンに近接して配置される、ピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項２】
前記磁束を少なくとも１００Ｈｚの周波数で変化させることができるスイッチング手段をさらに含む、請求項１に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項３】
冷却剤および／または潤滑液体を前記ピストンの表面に直接噴霧することを可能にする液体噴霧手段を有する自由ピストンエンジン内に配置される、請求項１または２に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項４】
前記要素の少なくとも１つは非磁性材料で形成され、各要素は、隣接する要素間の接触が維持されるように固定される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項５】
ピストンの一方または両方の末端に設けられたピストンクラウンをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項６】
前記ピストンクラウンはセラミックである、請求項５に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項７】
前記ピストンクラウンは凹状である、請求項５または６に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項８】
前記ピストンクラウンの露出した表面積は、前記ピストンの断面積の少なくとも２倍であり、露出した表面の材料は、燃焼室内容物の酸化を促進する触媒として機能する、請求項５〜７のいずれか一項に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項９】
前記ピストンシャフトは中空である、請求項５〜８のいずれか一項に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項１０】
前記ピストンシャフト上に同軸に配置された前記要素は、同じ外径を有する環状リングとして形成される、請求項１〜９のいずれか一項に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項１１】
前記シリンダの円周面の一部は、摩擦を低減する耐摩耗性材料でコーティングされる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のピストンおよび直線型発電機手段。
【請求項１２】
ピストンの軸と同軸の複数のトロイド状磁束回路を誘導することで、請求項１〜１１に記載の移動ピストンに力を加える方法であって、前記ピストン内のピーク磁束密度が、外部から発生した前記トロイド状の磁束回路が存在しない場合に存在する最大残留磁束密度を超えるように外部電磁手段を使用する、方法。
【請求項１３】
前記トロイド状磁束は、前記電磁式磁束発生手段を少なくとも１００Ｈｚの周波数でスイッチングすることで制御される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
液体が前記ピストンに噴霧され、それにより、磁束の変化および燃焼プロセスによって前記ピストン内に発生した熱が、前記液体が蒸発するときに回収されて、前記ピストン用のガスベアリングをもたらし、エンジン効率を上げる、請求項１２または１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自由ピストンエンジン発電機のピストンおよび直線型発電機手段
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月23日(2015.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部で回転可能に配置された膨張機ロータを有する膨張機ケーシングと、
第１の温度で、作業流体の第１の流れを受け入れる前記膨張機ケーシングへの第１の入口と、
前記第１の温度よりも低い第２の温度で前記作業流体の第２の流れを受け入れる前記膨張機ケーシングへの第２の入口と、
軸方向に回転翼が続く非回転固定羽根を各々含有し前記膨張機ロータに沿って軸方向に配置された1または2以上の膨張ステージと、
前記1または2以上の膨張ステージに沿って軸方向に延びて、前記1または2以上の膨張ステージを外側膨張機流路と内側膨張機流路に分離する一連のフローストリーム分割部材と、
前記第１の入口および前記外側膨張機流路の双方と流体的に連結して前記外側膨張機流路が前記作業流体の前記第１の流れを受け入れる外側入口マニホルドと、
前記第２の入口および前記内側膨張機流路の双方と流体的に連結して前記内側膨張機流路が前記作業流体の前記第２の流れを受け入れる内側入口マニホルドとを有し、前記外側膨張機流路は前記内側膨張機流路から半径方向に変位しているとともに、
前記内側入口マニホルドは入れ子構造で前記外側入口マニホルド内に同軸に設けられ、前記内側入口マニホルドは前記第２の入口を、前記外側入口マニホルドを通して延びる管状セグメントを通して前記内側膨張機流路と流体的に連結させる膨張装置。
【請求項２】
前記第１および第２の流れは実質的に同一の圧力を有する請求項１に記載の膨張装置。
【請求項３】
前記作業流体は、二酸化炭素を有する請求項１に記載の膨張装置。
【請求項４】
各回転翼は前記膨張機ロータと連結したディスク状回転盤の外径の領域に設けられた請求項１に記載の膨張装置。
【請求項５】
前記一連のフローストリーム分割部材は、各固定羽根に重ねられた羽根分割部材および各回転翼に重ねられた翼分割部材を含有し、対応する翼分割部材が各羽根分割部材に対して軸方向にかつそれに接して続いている請求項１に記載の膨張装置。
【請求項６】
前記外側膨張機流路と流体的に連結して前記作業流体の前記第１の流れを排出する第１の出口と、
前記内側膨張機流路と流体的に連結して前記作業流体の前記第２の流れを排出する第２の出口とをさらに有する請求項１に記載の膨張装置。
【請求項７】
第１の温度にある作業流体の第１の流れを第１の入口およびそれと流体的に連結する外側入口マニホルドを通して膨張装置に導入し、
前記第１の温度よりも低い第２の温度にある前記作業流体の第２の流れを第２の入口およびそれと流体的に連結する内側入口マニホルドを通して前記膨張装置に導入し、
前記膨張装置の1または2以上の膨張ステージに沿って軸方向に定められ前記外側入口マニホルドと流体的に連結した外側膨張機流路に前記第１の流れを向かわせ、
前記1または2以上の膨張ステージに沿って軸方向に定められ前記内側入口マニホルドと流体的に連結した内側膨張機流路に前記第２の流れを向かわせ、
前記第１および第２の流れを前記1または2以上の膨張ステージを横切って膨張させ、かつ
前記第１および第２の流れを前記第１および第２の出口を通して前記膨張装置から各々排出することを有するととともに、
前記内側および外側の膨張機流路は、熱的にかつ密封して前記内側膨張機流路を前記外側膨張機流路から隔離するように形成された一連のフローストリーム分割部材によって半径方向に分離され、
前記内側入口マニホルドは、入れ子構造で前記外側入口マニホルド内に同軸に設けられ、
前記内側入口マニホルドは、前記第２の入口を、前記外側入口マニホルドを通して延びる管状セグメントを通して前記内側膨張機流路と流体的に連結した作業流体の膨張方法。
【請求項８】
1または2以上の膨張ステージで膨張する前記第１および第２の流れに応じて膨張機ロータを回転させ、
前記膨張機ロータと連結した発電機ロータを駆動し、かつ
前記発電機で電気を発生させることをさらに有し、
前記発電機ロータは回転のために発電機を支持するように形成された請求項７に記載の方法。
【請求項９】
実質的に同一の圧力で、前記第１および第２の流れを前記膨張装置に導入することをさらに有する請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記作業流体は二酸化炭素を有する請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
回転のために内部に配置された膨張機ロータを有する第１のケーシング内に密封された膨張装置と、
前記第１のケーシングと連結した第２のケーシング内に密封された被駆動機構とを有し、
前記膨張装置は、前記膨張機ロータに沿って軸方向に配置されかつ一連のフローストリーム分割部材によって外側膨張機流路および内側膨張機流路に半径方向に分離された1または2以上の膨張ステージ、
前記外側膨張機流路に流体的に連結され第１の温度での作業流体の第１の流れを前記外側膨張機流路に向かわせる第１の入口、
前記内側膨張機流路に流体的に連結され前記第１の温度よりも低い第２の温度での前記作業流体の第２の流れを前記内側膨張機流路に向かわせる第２の入口、
前記第１の入口を前記外側膨張機流路と流体的に連結する外側入口マニホルド、および、
前記第２の入口を前記内側膨張機流路と流体的に連結する内側入口マニホルドを有し、
前記内側入口マニホルドは入れ子構造で前記外側入口マニホルド内に同軸に設けられ、かつ、該内側入口マニホルドは、前記第２の入口を、前記外側入口マニホルドを通して延びる管状セグメントを通して前記内側膨張機流路と流体的に連結し、
前記第２のケーシングは、回転のために内部に配置された被駆動機構ロータを有して前記膨張機ロータに連結した回転機構。
【請求項１２】
前記作業流体は二酸化炭素を有する請求項１１に記載の回転機構。
【請求項１３】
前記被駆動機構は電気発生器を有する請求項１１に記載の回転機構。
【請求項１４】
前記第１および第２のケーシングは、内部に前記膨張装置および前記被駆動機構を密封する単一のハウジング構造を形成する請求項１１に記載の回転機構。
【請求項１５】
前記一連のフローストリーム分割部材は対応する固定羽根に重ねられた1または2以上の羽根分割部材および対応する回転翼に重ねられた1または2以上の翼分割部材を有し、各羽根分割部材は、軸方向であってかつそれに接するように対応する翼分割部材が続き、前記外側膨張機流路から前記内側膨張機流路を熱的にかつ密封して隔離する請求項１１に記載の回転機構。
【請求項１６】
前記外側膨張機流路と流体的に連結して前記作業流体の前記第１の流れを排出する第１の出口と、前記内側膨張機流路と流体的に連結して前記作業流体の前記第２の流れを排出する第２の出口とをさらに有する請求項１１に記載の回転機構。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月23日(2015.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２−（４−アミノフェニル）−５（６）アミノベンズイミダゾール（ＤＡＰＢＩ）、ＰＰＤ、およびテレフタロイルジクロライドを含むポリマーであって、ＩＰＣピークブロック比が１．５２〜１．５６であり、固有粘度が２ｄｌ／ｇより大きいポリマー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【表１】
2014521805.tif 000001
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕２−（４−アミノフェニル）−５（６）アミノベンズイミダゾール（ＤＡＰＢＩ）、ＰＰＤ、およびテレフタロイルジクロライドを含むポリマーであって、ＩＰＣピークブロック比が１．５２〜１．５６であり、固有粘度が２ｄｌ／ｇより大きいポリマー。
〔２〕固有粘度が４ｄｌ／ｇ以上である、前記〔１〕に記載のポリマー。
〔３〕ＩＰＣピークブロック比が１．５３〜１．５５である、前記〔１〕または〔２〕に記載のポリマー。
〔４〕（ｉ）Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）またはジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）と（ｉｉ）無機塩とを含む溶媒系に溶解することができ；前記溶媒系から取り出した後、前記溶媒系に再溶解することができる、前記〔１〕に記載のポリマー。
〔５〕固有粘度が２ｄｌ／ｇより大きい、前記〔４〕に記載のポリマー。
〔６〕固有粘度が４ｄｌ／ｇ以上である、前記〔５〕に記載のポリマー。