【事件の表示】
　平成　４年特許願第２４２０６６号「改良型データ保護システム及びデータ保護方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　５年　８月１３日出願公開、特開平　５−２０４７７９、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年９月１０日（パリ条約による優先権主張１９９１年９月１１日、米国）の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に係る発明は、平成８年４月３０日付け、平成１０年８月１０日付け、平成１１年３月３日付け、及び平成１３年６月１３日付けの各手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】　揮発性メモリをアクセスするコンピュータのための改良型データ保護システムであって、前記改良型データ保護システムは、揮発性メモリ電源、予備電源、該揮発性メモリ電源における中断を感知するセンサ、不揮発性の補助メモリ、及び制御回路を含むものであり、かつ、前記改良型データ保護システムは、
　該制御回路と該揮発性メモリとに接続され、該揮発性メモリに格納されたデータの完全性を保持するメモリ保持手段と、
　該制御回路と該揮発性メモリとに接続され、該揮発性メモリ内のデータを選択的にアクセスするメモリアクセス手段であって、該揮発性メモリ内のデータを選択的にアクセスし、該データを該補助メモリへ転送するメモリ転送手段を含むものと、
　該揮発性メモリ電源が中断している時間の間、電力制御シーケンスに従って、該予備電源から該揮発性メモリ、該メモリ保持手段、及び該メモリアクセス手段へ電力を選択的に供給する指向手段であって、第１の所定時限の間、該予備電源から該揮発性メモリ、前記メモリ保持手段、及び前記メモリアクセス手段へ電力を選択的に印加する手段と、前記第１の所定時限が過ぎた後、第２の所定時限の間、該予備電源から該揮発性メモリ及び前記メモリ保持手段へ電力を選択的に印加する手段と、前記第２の所定時限が過ぎた後、該予備電源から該揮発性メモリ、前記メモリ保持手段、前記メモリアクセス手段、及び該補助メモリへ電力を選択的に印加するとともに該揮発性メモリから該補助メモリへ該データを転送する手段と、該データが該揮発性メモリから該補助メモリへ転送された後、該揮発性メモリ、前記メモリ保持手段、前記メモリアクセス手段、及び該補助メモリから該予備電源を切断する手段と、を含むものと、
　を具備する改良型データ保護システム。
【請求項２】　揮発性メモリに格納されコンピュータシステムによってアクセスされるデータを、該揮発性メモリの主電源の中断による故意でない損失から保護する方法であって、該方法は、
　該揮発性メモリの主電源を監視し、かつ、その中断を表示する信号を生成するステップと、
　該揮発性メモリの主電源が中断している時間の間、電力制御シーケンスに従って、予備電源から該揮発性メモリ、メモリ保持回路、メモリアクセス回路、及び不揮発性の補助メモリへ予備電力を選択的に供給するステップであって、第１の所定時限の間、該揮発性メモリ、該メモリ保持回路、及び該メモリアクセス回路へ予備電力を供給するサブステップと、前記第１の所定時限が過ぎた後、第２の所定時限の間、該メモリアクセス回路から、該予備電源による予備電力を切断するサブステップと、前記第２の所定時限が過ぎた後、該補助メモリへ予備電力を接続しかつ該メモリアクセス回路へ予備電力を再接続するサブステップと、該揮発性メモリから該補助メモリへデータを転送するサブステップと、該データが転送された後、該揮発性メモリ、該保持回路、該メモリアクセス回路、及び該補助メモリから該予備電力を切断するサブステップと、を含むものと、
　を具備するデータ保護方法。
【請求項３】　該揮発性メモリの主電源を連続的に監視し、該揮発性メモリから該補助メモリへデータを転送する間に該揮発性メモリの主電源の電力が回復した場合には該転送を終結させるステップを含む、請求項２記載のデータ保護方法。」
　
２．引用例の記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭６３−１５５２１３号公報（昭和６３年６月２８日出願公開、以下、「引用例１」という。）、特開平１−２３７８０９号公報（平成１年９月２２日出願公開、以下、「引用例２」という。）、特開昭６２−２６９２５３号公報（昭和６２年１１月２１日出願公開、以下、「引用例３」という。）、特開昭６３−１３１２１３号公報（昭和６３年６月３日出願公開、以下、「引用例４」という。）、特開昭６３−１５５２４５号公報（昭和６３年６月２８日出願公開、以下、「引用例５」という。）、には、それぞれ、次の記載がなされている。
［引用例１］
Ａ．「本発明は半導体メモリを使用した半導体ディスク装置において、交流電源が停電しバッテリ電源に切り替えられた時、直ちに半導体メモリの内容をマイクロディスクユニット等の不揮発性メモリに退避させないで、バッテリ容量が或る値になる迄半導体メモリをスタンドバイ状態にして記憶内容のみ保持されるようにして、短時間の停電における無用の退避動作を省き、復電時の迅速な動作回復とバッテリの長寿命化を図るものである。」（第１頁右下欄第８〜１６行）
Ｂ．「停電検出回路３３からの停電検出信号を受けると電源制御回路３４は直流スイッチ回路３５への出力のほかに、メモリ制御回路３７へＰＦ１信号を送信し、半導体メモリ３８の動作状態をスタンドバイ状態へ切換える。スタンドバイ状態に切換えられた半導体メモリ３８は電力消費量が通常の動作状態に比較して、例えば１／１０程度に減少する。停電が短時間で終わり交流電源が通電されるとスタンドバイ状態から通常の動作状態に回復する。
　停電が長く続きバッテリの残存容量（アンペア×時間）が所定値（例えば半導体メモリからＭＤへのデータセーブが可能な値）まで減少した時は、バッテリ容量監視回路３６から信号ＰＦ２が電源制御回路３４を介してメモリ制御回路３７へ供給され、半導体メモリ３８のスタンドバイ状態を通常の動作状態に復帰させる。次いで電源制御回路３４からデータセーブ制御回路３９を介してメモリ制御回路３７を制御し、半導体メモリ３８の記憶内容を不揮発性記憶ユニットであるＭＤ４０へ退避させるようデータセーブを開始する。データセーブは例えば通常１０分程度の時間を必要とする。データセーブが終了すると電源をオフしてバッテリの放電を停止させる。」（第３頁左上欄第１５行〜右上欄第１７行、及び第２図参照）
　
［引用例２］
「本発明の目的は、停電の際にバッテリにより給電を受けるようにし、停電後に第１の時間は非停電時と同様なサービスを行い、停電後の第１の一定時間から第２の一定時間までの間は新しいサービスに入ることだけを禁止し、第２の一定時間を経過した後は第３の一定時間にわたり一時記憶装置の内容を磁気ディスク装置へセーブしてアイドル状態とすることにより上記欠点を除去し、電源の切断によってもデータの破壊されることがないように構成したデータ処理装置を提供することにある。」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第８行）
　
［引用例３］
「上位からアクセスされる半導体メモリ部（１）と、該半導体メモリ部（１）のデータバックアップ用の不揮発性記憶部（２）と、該半導体メモリ部（１）と不揮発性記憶部（２）との間でデータ転送を行う転送回路（３）と、停電を検出し、バックアップ電源（４）に切換えて電源供給を行う電源制御部（５）と、該転送回路（３）の転送制御を行う制御部（６）とを有する半導体記憶装置において、該制御部（６）は、停電検出時、停電時間の計数を行う時間計数手段（６ａ）を備え、該停電時間が規定時間を超えたことに応じて、該制御部（６）が該転送回路（３）に該半導体メモリ部（１）のデータを該不揮発性記憶部（２）に退避させる転送指示を行うことを特徴とする半導体記憶装置の停電処理方式。」（第１頁左下欄第５行〜右下欄第３行、及び第１図参照）
　
［引用例４］
「入力電源（Ｐ１）を受け、所定の装置（６）に電源の供給を行う電源回路（１）と、該入力電源（Ｐ１）の停電を検出する停電検出回路（５）と、所定の直流電源（Ｐ２）を送出するバッテリ（３）と、該直流電源（Ｐ２）を該電源回路（１）に投入／切断を行うスイッチ回路（４）と、該入力電源（Ｐ１）の停電が該停電検出回路（５）によって検出されることにより該スイッチ回路（４）を介して該バッテリ（３）の該直流電源（Ｐ２）を該電源回路（１）に投入すると共に、該所定の装置（６）におけるデータの退避命令（Ｍ）を指令する制御回路（２）とを備えた電源制御装置において、入力電源（Ｐ１）の復帰を検出し、前記電源回路（１）に前記直流電源（Ｐ２）の投入が行われている場合は、、該入力電源（Ｐ１）に切り換えると共に、前記退避命令（Ｍ）の取り消しを行うように前記制御回路（２）に検出信号を送出する復電検出回路（７）が具備されたことを特徴とする電源制御装置。」（第１頁左下欄第５行〜右下欄第５行、及び第１図参照）
　
［引用例５］
「第１図は本発明の原理を説明するためのフローチャートであって、電源に異常が発生すると半導体ディスクの記憶内容は磁気ディスクなどの不揮発性記憶装置へのセーブが実行されるが、このセーブ期間中に電源が回復するとこのセーブを中止し、同時にプロセッサに対して半導体ディスク装置の動作が可能であることを示す信号を送出するなどの方法によってプロセッサの処理を再開させるようにした。」（第２頁右下欄第２〜１０行、及び第１図参照）　
　
３．当審の判断
［請求項１に係る発明について］
　引用例１には、半導体メモリを使用した半導体ディスク装置において、交流電源が停電しバッテリ電源に切り替えられた時、半導体メモリ３８の動作状態をスタンドバイ状態へ切換え、停電が長く続いたある時点において、バッテリ容量監視回路３６から信号ＰＦ２を電源制御回路３４を介してメモリ制御回路３７へ供給し、半導体メモリ３８のスタンドバイ状態を通常の動作状態に復帰させ、次いで電源制御回路３４からデータセーブ制御回路３９を介してメモリ制御回路３７を制御し、半導体メモリ３８の記憶内容を不揮発性記憶ユニットであるＭＤ４０へ退避させるようにすることが記載されている。
　ここで、半導体メモリ３８の動作状態がスタンドバイ状態となっている間、メモリ制御回路３７への給電はどのようになっているのかは、引用例１に明示されていないが、半導体メモリ３８の動作状態がスタンドバイ状態となっている期間のある時点でバッテリ容量監視回路３６から信号ＰＦ２をメモリ制御回路３７へ供給することによって、半導体メモリ３８のスタンドバイ状態を通常の動作状態に復帰させる動作を行っていることからして、メモリ制御回路３７への給電は行われ続けて待機状態となっているものと解することが相当である。
　仮に、交流電源が停電しバッテリ電源に切り替えられた時、半導体メモリ３８の動作状態をスタンドバイ状態へ切換えると同時にメモリ制御回路３７への給電を遮断し、停電が長く続いたある時点において、バッテリ容量監視回路３６から信号ＰＦ２をメモリ制御回路３７へ供給する直前にメモリ制御回路３７への給電を復帰させるのであっても、少なくとも、メモリ制御回路３７のうちメモリ保持手段及びメモリアクセス手段の双方に給電する第１段階、メモリ保持手段のみに給電する第２段階に分けるということに関しては、何ら記載されていない。
　そこで、引用例１に記載のものに対して引用例２に記載の技術を転用することにより、上記給電を第１、第２段階に分けることが容易に想到し得るかどうかについて検討する。
　引用例２に記載のものは、停電後、一時記憶装置の内容を磁気ディスク装置へセーブする動作を開始するまでの間の段階を２つに分けているが、その２つの段階というのは、非停電時と同様なサービスを行う段階と、新しいサービスに入ることだけを禁止する段階という２つの段階であり、メモリ保持手段及びメモリアクセス手段の双方に給電する第１段階、メモリ保持手段のみに給電する第２段階に分けるという、給電に関するものとは全く異なるものである。
　よって、引用例１に記載のものに対して引用例２に記載の技術を転用しても、給電に関する段階を分けることは容易に想到し得ないものである。
　また、引用例３〜５の記載をみても、メモリ保持手段及びメモリアクセス手段の双方に給電する第１段階、メモリ保持手段のみに給電する第２段階に分けるということは、当業者が容易に想到し得るものではない。
　そして、請求項１に係る発明は、メモリ保持手段及びメモリアクセス手段の双方に給電する第１段階、メモリ保持手段のみに給電する第２段階に分けることにより、第１段階では、揮発性メモリシステムに格納されたデータをオンライン状態で保持でき、第２段階では、予備電源に置かれる電力負荷を自動的に最小限に抑えることができるという明細書記載の効果を奏するものと認められる。
　したがって、請求項１に係る発明は、引用例１〜５に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
［請求項２に係る発明について］
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明における「揮発性メモリ電源」、「メモリ保持手段」、「メモリアクセス手段」を、「揮発性メモリの主電源」、「メモリ保持回路」、「メモリアクセス回路」と表現し、カテゴリーを「方法」としたものであるが、実質的に請求項１に係る発明と同様のものであり、引用例１〜５に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
［請求項３に係る発明について］
　請求項３に係る発明は、請求項２に係る発明に対して、ステップを追加するものであり、同様に、引用例１〜５に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原査定の判断は妥当でない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。