【事件の表示】
　平成　２年特許願第１４２１５５号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　２月　５日出願公開、特開平　４−　３４９８０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．経緯
　本願は平成２年５月３０日の出願に係り、審査官から拒絶の通知を受け、平成１１年１月１１日に意見書・手続補正書を提出したが、平成１１年２月１９日に拒絶査定され、平成１１年４月８日に審判請求し、平成１１年４月３０日に手続補正書が提出されている。
　
２．本願発明
　補正された明細書および図面の記載から見て、本願発明の要旨は、その特許請求の範囲（１）、（２）に記載されたとおりのものであり、その（１）に係る発明は次のとおりである。
「絶縁体基板上に形成された半導体層と、
該半導体層上に誘電体薄膜を介して形成されたゲート電極と、
該ゲート電極下の前記半導体層表面に形成された第１導電型のチャネル領域と、
該チャネル領域を挟んで、前記半導体層に形成され、該半導体層の表面から下部に到達する第２導電型の一対のソース／ドレイン領域と、
前記チャネル領域および前記一対のソース／ドレイン領域を取り囲んで、前記半導体層に形成された第１導電型のウエル領域と、
該ウエル領域が形成された前記半導体層の表面上に形成され、開口を有する分離用絶縁膜と、
前記開口を介して前記ウエル領域に接続するボディー用配線層とを備えたことを特徴とする半導体装置。」（以下、本願発明という）
　
３．引用例記載の発明
　前審の拒絶理由に引用された特開昭６２−１０４１７３号公報（以下、引用例という）には、「絶縁膜（２）上に島状に形成された一導電型単結晶半導体基体（３）を用いて構成され、該半導体基体（３）に、該半導体基体（３）の幅方向に帯状に形成された第１の一導電型領域（８）と、該第１の一導電型領域（８）を挟み、且つ該半導体基体（３）の幅よりも狭い幅で、該半導体基体（３）の底面に達して形成された一対の反対導電型領域（６）（７）と、該第１の一導電型領域（８）が該一対の反対導電型領城（６）（７）の側面に沿って該半導体基体（３）に延在してなる第２の一導電型領域（９ａ）と、該第　２の一導電型領城（９ａ）の該反対導電型領域（６）（７）に接しない側の側面に接し、該第１、第２の一導電型領減（８）（９ａ）より高不純物濃度を有する第３の一導電型領域（１０）とを有し、該第３の一導電型領域（１０）を介して該一導電型半導体基体（３）に固定電位が印加されることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）、
「以下本発明を図示実施例により、具体的に説明する。第１図は本発明の第１の実施例を模式的に示す平面図（ａ），Ａ−Ａ矢視断面図（ｂ）及びＢ−Ｂ矢視断面図（ｃ）で、第２図は本発明の第２の実施例を摸式的に示す平面図（ａ），Ａ−Ａ矢視断面図（ｂ）及びＢ−Ｂ矢視断面図（ｃ）である。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。第１図において、１はシリコン基板、２は厚さ１μｍ程度の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）絶縁膜、３はキャリア濃度１０１５〜１０１６ｃｍ−３程度，厚さ０．５μｍ程度の島状のｐ−型単結晶シリコン基体、４はゲートＳｉＯ２膜、５は例えば多結晶シリコンよりなるゲート電極、６は１０２０ｃｍ−３程度のキャリア濃度を有するｎ＋型ソース領域、７は１０２０ｃｍ−３程度のキャリア濃度を有するｎ＋型ドレイン領域、８はチャネルが形成さる第１のｐ−型領域、９ａ，９ｂはソース及びドレイン領域の側面に延在する第２のｐ−型領域、１０はキャリア濃度１０２０ｃｍ−３程度のｐ＋型基体コンタクト領域、１１は不純物ブロック用のＳｉＯ２膜、１２は燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）絶縁膜、１３はコンククト窓、１４はゲート配線、１５はソース配線、１６はドレイン配線、１７は基体コンタクト配線を示す。なお平面図（ａ）においては、不純物ブロック用のＳｉＯ２膜１１，ＰＳＧ絶縁膜１２，配線１４，１５，１６，１７が省略されている。発明に係わるＳＯＩ構造のＭＩＳトランジスタは例えば上記第１図に示すように、ｎ＋型ソース領域６及びｎ＋型ドレイン領域７の側面に沿ってチャネル領域となる第１のｐ−型領域８からｐ−型単結晶シリコン基体３の長さ方向に延在する第２のｐ−型領域９ａ，９ｂを有し、例えばゲート電極５のコンククト部が形成されない方の側の一端部を含む領域への基体３の延在部に、第２のｐ−型領域９ａのソース，ドレイン領域６，７に接しない側の側面に接するｐ＋型基体コンタクト領域１０が設けられてなり。基体コンタクト配線１７を介し該基体コンタクト領域１０から該ｐ−型単結晶シリコン基体３即ちチャネルが形成される第１のｐ−型領域８に接地電位等の固定電位が印加される。なおこの構造の場合ｐ＋型基体コンタクト領域１０はチャネル・ストッパの役目をも果たす。」（第３頁右上欄第１１行〜右下欄第１４行）と第１図（ａ）〜（ｃ）と共にそれぞれ記載されている。
　即ち、引用例には、次のことが示されている。
　「絶縁膜（２）上に島状のｐ−型単結晶シリコン基体（３）と、シリコン基体（３）上にゲートＳｉＯ２膜（４）を介して形成されたゲート電極（５）と、ゲート電極（５）下のｐ−型単結晶シリコン基体（３）に形成されたチャネル領域となる第１のｐ−型領域８と、チャネル領域となる第１のｐ−型領域８を挟んで、ｐ−型単結晶シリコン基体（３）に形成され、半導体基体（３）の底面に達して形成された一対の反対導電型領域（ｎ＋型ソース領域（６）、ｎ＋型ドレイン領域（７））と、ゲート電極５のコンククト部が形成されない方の側の一端部を含む領域への基体３の延在部に、第２のｐ−型領域９ａのソース，ドレイン領域６，７に接しない側の側面に接するｐ＋型基体コンタクト領域１０と、不純物ブロック用のＳｉＯ２膜１１，ＰＳＧ絶縁膜１２と、コンククト窓１３と、コンククト窓１３を介して基体コンタクト配線１７を介し該基体コンタクト領域１０から該ｐ−型単結晶シリコン基体３即ちチャネルが形成される第１のｐ−型領域８に接地電位等の固定電位が印加される基体コンタクト配線１７とを有する半導体装置。」
　
４．本願発明と引用例との対比
　引用例における「絶縁膜（２）」、「島状のｐ−型単結晶シリコン基体（３）」、「ゲートＳｉＯ２膜（４）」、「ｐ」、「ｎ」、「基体コンタクト配線」が、本願発明の「絶縁体基板」、「半導体層」、「誘電体薄膜」、「第１導電型」、「第２導電型」、「ボディー用配線層」に相当するから、両者は次の点で一致する。
「絶縁体基板上に形成された半導体層と、
該半導体層上に誘電体薄膜を介して形成されたゲート電極と、
該ゲート電極下の前記半導体層表面に形成された第１導電型のチャネル領域と、
該チャネル領域を挟んで、前記半導体層に形成され、該半導体層の表面から下部に到達する第２導電型の一対のソース／ドレイン領域と、
前記チャネル領域および前記一対のソース／ドレイン領域に接して、前記半導体層に形成された第１導電型の領域と、
該領域が形成された前記半導体層の表面上に形成され、開口を有する絶縁膜と、
前記開口を介して前記領域に接続するボディー用配線層とを備えたことを特徴とする半導体装置。」
　そして、両者は次の点で相違している。
１）本願発明は、「チャネル領域および前記一対のソース／ドレイン領域を取り囲んで、前記半導体層に形成された第１導電型のウエル領域」であるのに対して、引用例のものは「ｎ＋型ソース領域６及びｎ＋型ドレイン領域７の側面に沿ってチャネル領域となる第１のｐ−型領域８からｐ−型単結晶シリコン基体３の長さ方向に延在する第２のｐ−型領域９ａ，９ｂ」である点、
２）本願発明は、「該ウエル領域が形成された前記半導体層の表面上に形成され、開口を有する分離用絶縁膜と、前記開口を介して前記ウエル領域に接続するボディー用配線層とを備えた」のに対して、引用例のものは、「不純物ブロック用のＳｉＯ２膜１１，ＰＳＧ絶縁膜１２と、コンククト窓１３と、コンククト窓１３を介して基体コンタクト配線１７を介し該基体コンタクト領域１０から該ｐ−型単結晶シリコン基体３即ちチャネルが形成される第１のｐ−型領域８に接地電位等の固定電位が印加される基体コンタクト配線１７」を有する点。
　
５．相違点の検討
（相違点１）について）
　一対のソース／ドレイン領域を取り囲むか、側面に設けるかは、チャネル部に接続する半導体基体を同電位にする点では役割は変わらないので、当業者が任意に選択できた事項である。
（相違点２）について）
　本願発明における分離用絶縁膜６について検討する。明細書には、「ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴの分離用として分離用絶縁膜６を用いており、分離用絶縁膜６下には、チャネル領域と同一導電型のＰ型の不純物が、例えば１０１６〜１０１８atoms／cm３導入されたウエル領域１１が形成されている。」と記載されているのみである。引用例においては、「１１は不純物ブロック用のＳｉＯ２膜」とされ、第１図（ｂ）、（ｃ）を見ると、半導体基体３、６、７、８、９、１０を取り囲んで、ＰＳＧ絶縁膜１２と半導体基体の間に位置して設けられており、引用例のものも素子を不純物ブロック用のＳｉＯ２膜１１で分離する役割を果たしており、不純物ブロック用のＳｉＯ２膜１１の下には、半導体基体３、６、７、８、９、１０がある。してみると、本願発明のように分離用絶縁膜とした点に格別のことが認められない。
　そして、本願発明において、分離用絶縁膜および層間絶縁膜に開口を設けて配線することと、引用例のように不純物ブロック用のＳｉＯ２膜１１，ＰＳＧ絶縁膜１２に開口を設けて配線することの違いについて、格別のことが認められない。
　
６．まとめ
　上記各相違点は格別のものではなく、総合的に見ても格別のものではないから、本願発明は、引用例記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。