【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
処理用ガスは、注入口１４２を介して導入される。複数の処理用ガスライン１４２‐１、１４２‐２、１４２‐３がマニホールド１５０に接続されている。処理用ガスは予混合されてもよいし、されなくてもよい。蒸着及びプロセスのプラズマ処理段階中、適切なガスが確実に供給されるように、適切な弁調節及び質量流制御メカニズム（通常、１４４‐１、１４４‐２、１４４‐３…のように識別する）が採用される。いくつかの実施例では、化学的先駆物質（単数又は複数）が、最初は液体形態で供給される。例えば、液体を蒸発させ、蒸発温度以上に加熱したマニホールド内の他の処理用ガスと混合される。処理用ガスは、排出口１６０を介して処理チャンバ１０２から排出される。真空ポンプ１６４は、典型的には、処理チャンバ１０２から処理用ガスを抜き、弁１６６などの流量制限装置により反応器内で好適な低圧を維持する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ここで図５を参照すると、シャワーヘッド６００の近傍で発生し得る寄生プラズマを低減するために、本開示による別のシステムが使用される。シャワーヘッド６００は、ヘッド部６０４及び柄部６０６を備える。基台６２０は、シャワーヘッド６００の下に配設される。総じて６３２として識別するチャック、フォーク又はリフトピンは、蒸着及び／又はプラズマ処理反応中、並びに反応間で基板６２８を保持し、移動させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
これまでの記述は当然ながら例示にすぎず、開示、その用途又は使用を制限することを意図したものではない。本開示の広範な教示を多様な形態で組み込むことができる。従って、本開示は特定の実施例を挙げているが、他の改変例が図面、明細書及び以下の請求項の研究で明らかになることから、本開示の実際の範囲はさほど限定的という訳ではない。明確にするという目的で、類似の要素を特定するために、図面では同じ参照番号を使用している。本明細書で使用しているように、Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つという表現は、非限定的な論理和ＯＲを用いている論理（Ａ又はＢ又はＣ）を意味すると解釈すべきである。なお、方法内の１つ又は複数の工程は、本開示の原理を変えずに異なる順序で（又は同時に）実行してよいことを理解されたい。
適用例１：半導体処理において寄生プラズマを低減するためのシステムであって、第１の面と、電極と前記第１の面との間に配置されている複数の誘電体層とを備え、前記第１の面と前記電極とは実質的に異なる電位を有し、前記複数の誘電体層は、前記電極と前記複数の誘電体層の中の１つの層との間に第１の間隙、前記複数の誘電体層の隣接層の間に第２の間隙、前記複数の誘電体層の最終層と前記第１の面との間に第３の間隙を画定し、前記複数の誘電体層の数、並びに前記第１の間隙、前記第２の間隙及び前記第３の間隙の寸法は、前記半導体処理中に前記第１の面と前記電極との間に生じる寄生プラズマを防止するように選択される、システム。
適用例２：適用例１に記載のシステムにおいて、前記第１の面は、接地されている導電構造体を備える、システム。
適用例３：適用例１に記載のシステムにおいて、さらに、前記複数の誘電体層間に蒸着先駆物質種が侵入することを防止するために、前記複数の誘電体層の径方向外端の間に配設されるバリアを備える、システム。
適用例４：適用例１に記載のシステムにおいて、前記電極と、前記複数の誘電体層の各層との間の距離が拡張するほど、前記複数の誘電体層それぞれの直径が小さくなる、システム。
適用例５：適用例１に記載のシステムにおいて、前記複数の誘電体層はそれぞれ、軸方向に第１の厚さを有する径方向内側部分、径方向外側に伸びて軸方向に第２の厚さを有する突起部分を備える、システム。
適用例６：適用例５に記載のシステムにおいて、前記第１の厚さと前記第２の厚さとの差は、前記第２の間隙に等しい、システム。
適用例７：適用例１に記載のシステムにおいて、前記半導体処理は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を含む、システム。
適用例８：基台システムであって、請求項２に記載のシステム、基板を支持し、非導電性材料から作製される基台盤を有する基台、前記基台に組み込まれている電極を備える、基台システム。
適用例９：適用例８に記載の基台システムにおいて、前記半導体処理中、前記接地された導電構造体はＲＦアースに接続され、前記電極はＲＦバイアスに接続される、基台システム。
適用例１０：適用例８に記載の基台システムにおいて、さらに、前記第１の面に接続されているカラー、前記カラーに接続されているアダプターを備える、基台システム。
適用例１１：適用例１０に記載の基台システムにおいて、前記第１の面、前記カラー及び前記アダプターはアルミニウム製である、基台システム。
適用例１２：適用例８に記載の基台システムにおいて、前記基台はセラミックからなり、前記第１の面は導電ディスクからなり、前記電極はワイヤ網からなり、前記複数の誘電体層はそれぞれディスクからなる、基台システム。
適用例１３：  シャワーヘッドシステムであって、請求項２に記載のシステムを備え、前記電極は、第１の柄部及びヘッド部を有する前記シャワーヘッドを備え、複数の誘電体層は、前記ヘッド部に隣接して配置されているＭ個の誘電体層、前記第１の柄部の周囲に配置されているＰ個の誘電体部を備え、Ｍ及びＰは２以上の整数である、シャワーヘッドシステム。
適用例１４：適用例１３に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記接地されている導電構造体は、前記第１の柄部及び前記Ｐ個の誘電体部の周囲に配置されている第２の柄部、前記第２の柄部から径方向外側に突出するディスク部を備える、シャワーヘッドシステム。
適用例１５：適用例１３に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、半導体処理中、前記シャワーヘッドはＲＦバイアスに接続され、前記接地された導電構造体はＲＦアースに接続され、シャワーヘッドシステム。
適用例１６：半導体処理用の基台システムであって、非導電材料から作製され、電極が組み込まれている、基板を支持する基台盤と、前記電極とは実質的に異なる電位を有する第１の面と、前記基台盤と前記第１の面との間に配置されているＮ個の誘電体層と（Ｎは２以上の整数である）、を備え、前記Ｎ個の誘電体層は、前記基台盤と前記Ｎ個の誘電体層との間に第１の間隙と、前記Ｎ個の誘電体層の隣接層の間に第２の間隙と、前記Ｎ個の誘電体層と前記第１の面との間に第３の間隙とを画定し、Ｎの数、並びに前記第１の間隙、前記第２の間隙及び前記第３の間隙の寸法は、前記半導体処理中に、前記第１の面と前記電極との間に生じる寄生プラズマを防止するように選択される、基台システム。
適用例１７：適用例１６に記載の基台システムにおいて、前記半導体処理中、前記接地された導電構造体はＲＦアースに接続され、前記電極をＲＦバイアスに接続され、基台システム。
適用例１８：適用例１６に記載の基台システムにおいて、さらに、前記第１の面に接続さているカラーと、前記カラーに接続されているアダプターとを備える、基台システム。
適用例１９：適用例１８に記載の基台システムにおいて、前記第１の面、前記カラー及び前記アダプターはアルミニウム製である、基台システム。
適用例２０：適用例１６に記載の基台システムにおいて、前記基台盤はセラミックからなり、及び前記電極はワイヤ網からなる、基台システム。
適用例２１：適用例１６に記載の基台システムにおいて、前記Ｎの数、及び前記第２の間隙の幅は、前記Ｎ個の誘電体層の間のプラズマ形成を防止するように選択される、基台システム。
適用例２２：適用例１６に記載の基台システムにおいて、前記Ｎ個の誘電体層は、
軸方向に第１の厚さを有する径方向内側部分、径方向外側に伸びて軸方向に第２の厚さを有する突起部分とを備え、前記第１の厚さと前記第２の厚さとの差は前記第２の間隙に等しい、基台システム。
適用例２３：適用例１６に記載の基台システムにおいて、前記基台盤は、前記Ｎ個の誘電体層の直径よりも大きい直径を有し、前記Ｎ個の誘電体層は前記第１の面よりも大きい直径を有する、基台システム。
適用例２４：適用例１６に記載の基台システムにおいて、さらに、前記Ｎ個の誘電体層の径方向外端の間に配設されるバリアを備える、基台システム。
適用例２５：  半導体処理用のシャワーヘッドシステムであって、シャワーヘッドと前記シャワーヘッドとは実質的に異なる電位を有する第１の面と、複数の離間されている誘電体層を含み、前記第１の面と前記シャワーヘッドとの間に配置されている誘電構造体とを備え、前記複数の離間されている誘電体層の数、及び前記複数の離間されている誘電体層間の間隔は、前記半導体処理中に、前記第１の面と前記シャワーヘッドとの間に生じる寄生プラズマを防止するように選択される、シャワーヘッドシステム。
適用例２６：適用例２５に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記シャワーヘッドは、第１の柄部及びヘッド部を備える、シャワーヘッドシステム。
適用例２７：適用例２６に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記複数の離間されている誘電体層は、前記ヘッド部に隣接して前記第１の柄部の周りに配置されているＭ個の誘電体層からなる、シャワーヘッドシステム。
適用例２８：適用例２５に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記第１の面は、処理チャンバの面を含む、シャワーヘッドシステム。
適用例２９：適用例２７に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記複数の離間されている誘電体層は、さらに、前記シャワーヘッドの前記第１の柄部を取り囲む、Ｐ個の誘電体層を備える、シャワーヘッドシステム。
適用例３０：適用例２９に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記第１の面は、前記第１の柄部及び前記Ｐ個の誘電体層を取り囲む第２の柄部、前記第２の柄部の一端から径方向外側に突出し、かつ前記Ｍ個の誘電体層に隣接して配置されているディスク部
を備える、シャワーヘッドシステム。
適用例３１：適用例３０に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記Ｍ個の誘電体層は、前記シャワーヘッドと前記Ｍ個の誘電体層との間に第１の間隙、前記Ｍ個の誘電体層の隣接層の間に第２の間隙、前記Ｍ個の誘電体層と前記第１の面との間に第３の間隙を提供し、前記Ｐ個の誘電体層は、前記シャワーヘッドと前記Ｐ個の誘電体層との間に第４の間隙、前記Ｐ個の誘電体層の隣接層の間に第５の間隙、前記Ｐ個の誘電体層と前記第１の面との間に第６の間隙を提供する、シャワーヘッドシステム。
適用例３２：適用例２５に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記半導体処理中、前記シャワーヘッドはＲＦバイアスに接続される、シャワーヘッドシステム。
適用例３３：適用例２５に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、前記半導体処理は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を含む、シャワーヘッドシステム。
適用例３４：適用例２７に記載のシャワーヘッドシステムにおいて、さらに、前記Ｍ個の誘電体層の間に蒸着先駆物質種が侵入することを防止するために、前記Ｍ個の誘電体層の径方向外端の間に配設されるバリアを備える、シャワーヘッドシステム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ａ】
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