【事件の表示】
　特許第３３１９５９３号「マルチゾーン抵抗ヒータ」の請求項１ないし１７、２４ないし２６、２８ないし３０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３１９５９３号の請求項１ないし１７、２４ないし２６、２８ないし３０に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯
　本件特許第３３１９５９３号の発明についての出願は、平成１２年５月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９９年５月１９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１４年６月２１日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、藤野研治より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年７月２日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由が通知され、平成１７年４月５日に手続補正書が提出されたものである。
　
II．訂正の適否についての判断
１．訂正請求に対する補正の適否について
　特許権者は、訂正請求書第３頁第１１〜１８行記載の訂正事項３を削除する補正をするものであり、当該訂正請求に対する補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
　
２．訂正の内容
（１）訂正事項１
　請求項１の「ステージに連結されたシャフトと」を「ステージの中央部に連結されたシャフトと」と、又「ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の第２の抵抗とを備えた抵抗加熱部材であり、」を「ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の異なる第２の抵抗とを備えた抵抗加熱部材であり、」と、更に「ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の第２の抵抗とを備えた抵抗加熱部材である装置。」を「ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の異なる第２の抵抗とを備えた抵抗加熱部材である装置。」と訂正する。
　なお、訂正請求書の訂正事項１には「ステージに連結されたシャフトと、」を「ステージの中央部に連結されたシャフトと、」と訂正することについて、記載されていないが、訂正請求書の平成１７年４月５日付手続補正書に添付された全文訂正明細書では上記のとおり訂正されているので、訂正事項として認定した。また、訂正請求書の訂正事項１には２カ所「領域内の、異なる第２の抵抗」と訂正するとしているが、訂正請求書の平成１７年４月５日付手続補正書に添付された全文訂正明細書では上記のとおり訂正されているので、上記のとおり認定した。　
（２）訂正事項２
　請求項５の「ステージの前記領域の第２の部分内であってステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、」を「ステージの前記領域の異なる第２の部分内であってステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、」と訂正する。
　なお、訂正請求書の訂正事項２には「領域内の、異なる第２の抵抗」と訂正するとしているが、訂正請求書の平成１７年４月５日付手続補正書に添付された全文訂正明細書では上記のとおり訂正されているので、上記のとおり認定した。　  
（３）訂正事項３
　請求項２４の「第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源と、を備える、」を「第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源と、を備え、」と訂正する。
　なお、上記訂正事項は、訂正請求書の訂正事項には記載されていないが、訂正請求書の平成１７年４月５日付手続補正書に添付された全文訂正明細書では上記のとおり訂正されているので、上記のとおり認定した。　
　
３．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項１は、請求項１に記載の「ステージに連結されたシャフト」をより下位概念である「ステージの中央部に連結されたシャフト」に限定するとともに、「ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の第２の抵抗」をより下位概念である「ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の異なる第２の抵抗」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、これらの限定は、特許明細書段落【００５２】、【００５６】、図４、６、７の記載に裏付けられている。
（２）上記訂正事項２は、請求項５に記載の「ステージの前記領域の第２の部分」をより下位概念である「ステージの前記領域の異なる第２の部分」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、この限定は、特許明細書段落【００５０】、図８の記載に裏付けられている。    
（３）上記訂正事項３は、請求項２４に記載の「備える」を「備え」に訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　そして、上記訂正事項１〜３は、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立について
１．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１〜７号証を提出して、訂正前の請求項１〜１７、２４〜２６、及び２８〜３０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一か、または甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜１７、２４〜２６、及び２８〜３０に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項または第２項の規定に違反してされたものであり、さらに、訂正前の請求項２、７、２５、及び２６の記載は、特許明細書の発明の詳細な説明に記載されていない事項を含むものであり、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていないから、これを取り消すべき旨主張する。
　
２．本件発明
　本件特許第３３１９５９３号の請求項１〜３５に係る発明は、上記のとおり訂正が認められるから、平成１７年４月５日付の手続補正書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、異議申立てがされている請求項１〜１７、２４〜２６、及び２８〜３０（以下、それぞれ順に「本件発明１」〜「本件発明３０」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたステージと、
　ステージの中央部に連結されたシャフトと、
　ステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、
　本体の第１の面よりもステージの表面から離れたステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、
　第１の加熱部材は、ステージ表面の１つの領域に対して可変量の熱エネルギーを供給し、
　ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、ステージの前記領域の第１の部分が前記軸を中心とする第１の半径によって規定され、前記領域の第２の部分が前記軸を中心とする第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されるように、略円筒状を成しており、
　第１の加熱部材が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域内の第１の抵抗と、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の異なる第２の抵抗とを備えた抵抗加熱部材であり、
　第２の加熱部材が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域内の第１の抵抗と、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の異なる第２の抵抗とを備えた抵抗加熱部材である装置。
　【請求項２】第１の加熱部材の第１の抵抗が、第１の加熱部材の第２の抵抗よりも小さく、第２の加熱部材の第１の抵抗が、第２の加熱部材の第２の抵抗よりも大きい請求項１に記載の装置。
　【請求項３】第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度、および、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きい請求項１に記載の装置。
　【請求項４】第１の加熱部材が、一対のコイルの状態で第１の部分の周囲に配置され、第１の部分が、第１の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第１の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第１の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第１の軸を介して第２のコイルに連結され、
　第２の加熱部材が、一対のコイルの状態で第２の部分の周囲に配置され、第２の部分が、第２の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第２の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第２の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第２の軸を介して第２のコイルに連結され、第１の軸と第２の軸との交差部が、前記表面の面内で０゜〜１８０゜の角度を成しており、
　ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、ステージの前記領域の第１の部分が前記軸を中心とする第１の半径によって規定され、前記領域の第２の部分が前記軸を中心とする第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されるように、略円筒状を成しており、
　第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度、および、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きい請求項１に記載の装置。
　【請求項５】チャンバと、
ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたヒータステージと、
　ステージに連結されたシャフトと、
　ステージの前記領域の第１の部分内であってステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、
　ステージの前記領域の異なる第２の部分内であってステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、ヒータの本体の第２の面が、本体の第１の面よりもステージの表面から離れている抵抗体と、
を備え、
第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きく、第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも小さい反応装置。
　【請求項６】ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、第２のステージ領域が第１のステージ領域よりも中央部から離れるように、略円筒状を成している請求項５に記載の反応装置。
　【請求項７】第１の加熱部材が、一対のコイルの状態で第１の部分の周囲に配置され、第１の部分が、第１の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第１の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第１の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第１の軸を介して第２のコイルに連結され、
　第２の加熱部材が、一対のコイルの状態で第２の部分の周囲に配置され、第２の部分が、第２の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第２の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第２の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第２の軸を介して第２のコイルに連結され、第１の軸と第２の軸との交差部が、前記表面の面内で０゜〜１８゜の角度を成している請求項５に記載の反応装置。
　【請求項８】ステージの第１の温度を測定するために位置決めされたシャフト内に配置された第１の温度センサと、
ステージの前記領域の第１の部分とステージの前記領域の第２の部分のうちの一方に対応するステージの領域の第２の温度を測定するために位置決めされた第２の温度センサと、
を更に備えている請求項５に記載の反応装置。
　【請求項９】第１の温度センサが熱電対である請求項８に記載の反応装置。
　【請求項１０】第２の温度センサがパイロメータである請求項８に記載の反応装置。
　【請求項１１】チャンバが上面を備え、パイロメータが、チャンバの上面の窓内に配置されている請求項１０に記載の反応装置。
　【請求項１２】シャフトが、シャフトの長さにわたって内孔を形成する部分を有し、反応装置が、シャフトの内孔を通じて第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源を更に備えている請求項５に記載の反応装置。
　【請求項１３】電源に連結され、第１の加熱部材および第２の加熱部材の温度を制御するためのコントローラを更に備えている請求項１２に記載の反応装置。
　【請求項１４】コントローラが、第１の加熱部材および第２の加熱部材の温度を±３℃内に制御する請求項１３に記載の反応装置。
　【請求項１５】コントローラが、少なくとも２つの第１および第２の温度センサに連結されている請求項１４に記載の反応装置。
　【請求項１６】ヒータが、７５０℃を超える温度に耐える材料を備える請求項５に記載の反応装置。
　【請求項１７】ステージが、アルミニウムナイトライドを備え、１４０Ｗ／ｍｋ〜２００Ｗ／ｍｋの範囲の熱伝導率を有している請求項１６に記載の反応装置。
　【請求項２４】ＣＶＤ装置のための加熱システムであって、
　ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたステージと、　ステージに連結されたシャフトと、ステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、
　ステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、ステージの本体の第２の面が、本体の第１の面よりもステージの表面から離れている抵抗ヒータと、
　ステージの第１の温度を測定するために位置決めされたシャフト内に配置された第１の温度センサと、
　第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源と、
を備え、
　第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きく、第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも小さく、
　ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、ステージの前記領域の第１の部分が前記軸を中心とする第１の半径によって規定され、前記領域の第２の部分が前記軸を中心とする第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されるように、略円筒状を成している記載のシステム。
　【請求項２５】第１の加熱部材が、一対のコイルの状態で第１の部分の周囲に配置され、第１の部分が、第１の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第１の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第１の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第１の軸を介して第２のコイルに連結され、
　第２の加熱部材が、一対のコイルの状態で第２の部分の周囲に配置され、第２の部分が、第２の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第２の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第２の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第２の軸を介して第２のコイルに連結され、第１の軸と第２の軸との交差部が、前記表面の面内で０゜〜１８０゜の角度を成している請求項２４に記載のシステム。
　【請求項２６】第１の軸と第２の軸との交差部が、前期表面の面内で少なくとも９０゜の角度を成している請求項２５に記載のシステム。
　【請求項２８】ヒータのシャフトが、シャフトの長さにわたって内孔を形成する部分を有し、システムが、シャフトの内孔を通じて第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源を更に備えている請求項２４に記載のシステム。
　【請求項２９】電源に連結され、第１の加熱部材および第２の加熱部材の温度を制御するためのコントローラを更に備えている請求項２４に記載のシステム。
　【請求項３０】コントローラが、第１の加熱部材および第２の加熱部材の温度を±２．５℃内に制御する請求項２９に記載のシステム。」
　
３．当審での取消理由、及び引用した刊行物とその記載事項
　当審においては、取消理由として甲第１〜７号証に基づく特許法第２９条違反についてのみ通知したもので、そこで引用した刊行物１〜７、及びその記載事項は、次に示すとおりである。
　刊行物１：特開昭６３−２７８３２２号公報（甲第１号証）
　刊行物２：特開平１０−２９８７６７号公報（甲第２号証）
　刊行物３：特開平９−２７０４５４号公報（甲第３号証）
　刊行物４：特開平５−３２６１１２号公報（甲第４号証）
　刊行物５：特開平６−１７７０５６号公報（甲第５号証）
　刊行物６：特開平６−１０４１９２号公報（甲第６号証）
　刊行物７：特開平８−２３６５９９号公報（甲第７号証）
　
（１）刊行物１（特開昭６３−２７８３２２号公報）
（１ａ）〔産業上の利用分野〕には、気相成長装置、特にＭＯＣＶＤ法による気相成長に用いる加熱器が記載され、第１、２図には、一実施例として、ケーシング３の中に、抵抗発熱体Ａ１ａと抵抗発熱体Ａ１ａより下方に位置する抵抗発熱体Ｂ１ｂ、及びこれらに電力を供給する電力供給端子Ａ２ａを設置するとともに、ケーシング３の上部に被処理基板６を置くためのサセプタ５を設置した加熱器が示され、
（１ｂ）加熱器について「抵抗発熱体Ａ１ａの形状は、第２図（ａ）に示すような同心円状のものとし、中央部の黒い点の下が電力供給端子Ａ２ａと接続している。抵抗発熱体Ｂ１ｂの形状は、第２図（ｂ）に示すように周辺部のみの円形のものとし、中央部の黒い点の下が抵抗発熱体Ａ１ａと共通に電力供給端子Ａ２ａと接続している。」（２頁左下欄１５行〜右下欄１行）
（１ｃ）第１、２図の記載から、抵抗発熱体Ａ１ａはケーシング内で同心円状のもので、周辺部から中央部にわたって幅、厚さはほぼ一定で設置され、中央部で電力供給端子Ａ２ａと接続しており、抵抗発熱体Ｂ１ｂは抵抗発熱体Ａ１ａの環状をなす周辺部に対応する位置に設置し、中央部で電力供給端子Ａ２ａと接続していることが示され、
（１ｄ）「又、他の実施例は、第３図に示すように、ケーシング３や断熱材４は第１図と同様であるが、抵抗発熱体の構成と電力の供給方法が異なっている。この場合は抵抗発熱体が三つに分割され、抵抗発熱体Ｃ１ｃ、抵抗発熱体Ｄ１ｄ、抵抗発熱体Ｅ１ｅは同一面に位置し、それぞれの部分の発熱を担当することになる。更に電力供給端子もそれぞれ別個に有しており各抵抗発熱体に印加する電圧はそれぞれ独立に調節することが可能である。従来の
抵抗発熱体では第７図に示すようなサセプタ５の表面に生じていた温度分布のバラツキを、このように抵抗発熱体を複数個設けて発熱源の分布にバラツキをつくることにより、サセプタ５の表面の温度分布を補正することが可能となる。」（２頁右下欄５行〜１９行）
（１ｅ）第１、３図には、被処理基板６を置くサセプタ５が配置されるケーシング３は円筒状であり、ケーシング３はその中央部を電力供給端子が配置される円筒状体により支持されていることが記載され、
（１ｆ）発明の効果として、「本発明によれば少ない消費電力量で、極めて簡単な構成の抵抗発熱体を複数個設けることにより、サセプタの表面の温度分布のバラツキを補正して、被加熱基板を均一に加熱することが可能となる利点があり、・・・」（３頁左下欄２〜６行）が記載されている。
　
（２）刊行物２（特開平１０−２９８７６７号公報）
（２ａ）高温、大流量化学気相堆積装置が記載され、図１、３には、ＣＶＤ装置１０において、ウエーハ３６を支持するヒーターペデスタル３２がシャフトにより支持される構成が記載され、
（２ｂ）図１２及び段落【００５２】には、ペデスタル３２及びその上の基板を抵抗加熱するのに用いられるヒーター素子１０７は、ヒーター制御サブルーチン１６７により制御されることが記載され、さらに、ヒーター制御サブルーチン１６７は、ペデスタル３２により配置された熱電対により測定される温度により制御されることが記載されている。
　
（３）刊行物３（特開平９−２７０４５４号公報）
（３ａ）半導体装置や液晶基板などの製造装置における半導体ウエハの保持と加熱を行うウエハ保持装置が記載され、
（３ｂ）図１〜３には、半導体ウエハを保持するサセプタ１を、セラミック基体２の内部に２つの抵抗発熱体４、５をそれぞれ異なる深さに埋設した構成が、図３、４には、上下の抵抗発熱体の対向する厚みを相互に逆にして発熱ムラを相殺させること、上下の抵抗発熱体相互の位置を１８０゜ずらして配置することが、それぞれ記載されている。
　
（４）刊行物４（特開平５−３２６１１２号公報）
（４ａ）半導体製造工程のＣＶＤなどにおけるウエハを加熱するための複層セラミックスヒーターが記載され、図１〜３には、電気伝導層を２つあるいはそれ以上の複数個とし、これを互いにその欠損部を補完されるように重ねた構造のものが記載されている。
（４ｂ）均熱加熱のために、支持基板の両面に形成したヒータ層の高温部、低温部をそれぞれ補完するように配置したものについて、「・・・、これは電気伝導層と絶縁層とからなる複層セラミックスヒーターにおいて電気伝導層を２つあるいはそれ以上の複数個とし、これらがそれぞれの回路パターンの欠損部分が互いに補完されるように配置されてなることを特徴とするものであるが、これによれば一つの電気伝導層の回路パターンの切れ目、折り返し部などの低温となる部分に他の電気伝導層を重ね合わせると、この低温部が他の電気伝導層の高温部で補完されるので、低温部がなくなり、これを均熱加熱層とすることができるという有利性が与えられる。」（段落【０００６】）と記載され、
（４ｃ）図１の記載から、上のヒータ部（第１の加熱部材）の中央部におけるヒータ部の巾（第１の抵抗）が周辺部のヒータ部の巾（第２の抵抗）よりも大きい（抵抗が小さい）ことがわかる。
　
（５）刊行物５（特開平６−１７７０５６号公報）
（５ａ）半導体製造装置の製造工程において、半導体ウエハに所望の薄膜を形成するガス処理装置が記載され、
（５ｂ）図１には、ウエハ１を保持するサセプタ７の内部に内外２組の熱電対２４ａ、２４ｂがヒータ２２の内外のヒータ２２ａ、２２ｂの上側にそれぞれ位置するように挿入されており、これらの熱電対２４ａ、２４ｂはヒータ２２のコントローラ２３に接続され、内外のヒータ２２ａ、２２ｂはそれぞれフィートバック制御を得るようにしたもの（段落【００２５】）が記載されている。
　
（６）刊行物６（特開平６−１０４１９２号公報）
（６ａ）ＣＶＤ装置の温度検出器が記載されており、図２には、チャンバの上方の窓１０を通して赤外線放射温度計１１により基板置台上の温度を測定すること（段落【０００５】参照）が記載され、
（６ｂ）図１には、チャンバの上方のセンサ挿入ポート１２より線状耐熱導光体１４を延出させて基板置台４の温度を測定することが記載され、さらに、チャンバの上面の窓より赤外線放射温度計を使用して温度を測定すること（段落【００１５】参照）が記載されている。
　
（７）刊行物７（特開平８−２３６５９９号公報）
　ウエハ保持装置について記載されており、熱伝導率１８０〜２５０Ｗ／ｍ・Ｋの窒化アルミニウム質焼結体でサセプタの基体を形成すること（段落【００１７】参照）が記載されている。
　
４．対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比する。
　刊行物１には、上記摘記事項（１ｅ）によれば、被処理基板を置くサセプタが配置されるケーシングは円筒状であり、ケーシングはその中央部を電力供給端子が配置される円筒状体により支持されていることが記載されており、被処理基板を置く「サセプタ」と「ケーシング」、「円筒状体」、「抵抗発熱体Ａ」、「抵抗発熱体Ｂ」は、それぞれ本件発明１の「ステージ」、「シャフト」、「第１の加熱部材」、「第２の加熱部材」に相当している。
　また、刊行物１の第１、２図に記載の抵抗発熱体Ａの同心円状の形状のうち中央部は、本件発明１の第１の加熱部材が備える「第１の半径によって規定されたステージの第１の部分に対応する領域内にある第１の抵抗」に、同じく抵抗発熱体Ａの同心円状の形状のうち周辺部は、本件発明１の第１の加熱部材が備える「第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されたステージの第２の部分に対応する領域内にある第１の抵抗」に相当している。
　さらに、刊行物１に記載の抵抗発熱体Ｂの環状をなす周辺部は、本件発明１の第２の加熱部材が備える「ステージの第２の部分に対応する領域内にある第２の抵抗」に相当している。なお、抵抗発熱体Ｂの中央部には電力供給端子Ａと接続する部分があるものの、その大きさからみて、サセプタの発熱源としての機能を奏するものとは認められないから、この電力供給端子Ａと接続する部分は、本件発明１の第２の加熱部材が備える「ステージの第１の部分に対応する領域内にある第１の抵抗」に相当するものとはいえない。
　そうすると、両者は、「ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたステージと、ステージの中央部に連結されたシャフトと、ステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、本体の第１の面よりもステージの表面から離れたステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、第１の加熱部材は、ステージ表面の１つの領域に対して熱エネルギーを供給し、ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、ステージの前記領域の第１の部分が前記軸を中心とする第１の半径によって規定され、前記領域の第２の部分が前記軸を中心とする第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されるように、略円筒状を成しており、第１、２の加熱部材が抵抗加熱部材である装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
ａ．本件発明１の第１、２の加熱部材は、それぞれステージの領域の第１の部分に対応する領域内の第１の抵抗と、ステージの領域の第２の部分に対応する領域内の異なる第２の抵抗とを備えているのに対し、刊行物１に記載の抵抗発熱体Ａ、Ｂはそのようなものではない点。
ｂ．本件発明１の第１の加熱部材は、可変量の熱エネルギーを供給するのに対し、刊行物１に記載の抵抗発熱体Ａはこの点が記載されていない点。
　
　そこで、まず上記相違点ａについて、検討する。
　刊行物１には、第１、２図の記載からみて、抵抗発熱体Ａについては、その形状は同心円状をなし、その中央部と周辺部の幅、厚さはほぼ一定であるもので（摘記事項（１ｃ））、また、他に発明の詳細な説明の記載からも中央部と周辺部の幅、厚さがほぼ一定であることを否定する記載もないので、中央部の抵抗（抵抗率）と周辺部の抵抗（抵抗率）はほぼ同一であると認められる。逆に、中央部の抵抗（抵抗率）と周辺部の抵抗（抵抗率）を異ならせていることを示唆する記載は、刊行物１には何もない。又、抵抗発熱体Ｂについては、その形状は周辺部のみ環状をなし、抵抗発熱体Ａの周辺部の下面に配置して、抵抗発熱体Ａによるサセプタの表面温度のバラツキを補正しているものの、この抵抗発熱体Ｂには、上記したように、本件発明１の第２の加熱部材に備えられた第１の抵抗に相当するものはない。
　他方、刊行物１の第３、４図の記載では、３つの抵抗発熱体Ｃ、Ｄ、Ｅに印加する電圧を独立して調節することにより、サセプタの表面温度のバラツキを補正しているが、中央部の抵抗と周辺部の抵抗を異なる抵抗としているものの（摘記事項（１ｄ））、２層構造の抵抗発熱体ではない。
　しかも、刊行物１には、第１、２図に記載の２層構造の抵抗発熱体Ａ、Ｂに対して、第３、４図に記載のそれぞれの抵抗発熱体に印加する電圧を独立に制御して、サセプタの表面温度のバラツキを補正する技術が適用できることを示唆するような記載は何もない。
　そうすると、刊行物１に記載の抵抗発熱体Ａ〜Ｅの技術からでは、本件発明１の上記相違点ａなる構成を容易に想到することはできない。また、他の刊行物２〜７の記載からもこの点を示唆する記載はなく、上記相違点ａなる構成は当業者が容易に想到し得るものではない。
　そして、本件発明１は、ステージの少なくとも二つの別々の加熱ゾーンで、個別的な制御を可能にし、従って、従来技術のシングルゾーン加熱装置と比較して温度制御とステージの温度均一性を高めることができ（特許明細書段落【００１７】）、サセプタの表面温度のバラツキを補正して均一加熱にすることが可能になるという刊行物１〜７の記載からは予測することのできない顕著な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明１は、相違点ｂについて検討するまでもなく、刊行物１に記載された発明ではないし、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）本件発明２〜４について
　本件発明２〜４は、本件発明１を引用する発明であって、本件発明１を特定するために必要と認める事項をすべて含むものであり、本件発明１が刊行物１に記載された発明ではなく、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明２〜４についても、刊行物１に記載された発明ではなく、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）本件発明５について
　本件発明５と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１には、第２の部分に対応する領域における抵抗発熱体Ａの出力密度が、同じ領域における抵抗発熱体Ｂの出力密度より小さいとする記載はないから、両者は、「チャンバと、ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたヒータステージと、ステージに連結されたシャフトと、ステージの前記領域の第１の部分内であってステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、ステージの前記領域の異なる第２の部分内であってステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、ヒータの本体の第２の面が、本体の第１の面よりもステージの表面から離れている抵抗体と、を備えた反応装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
ｃ．本件発明５が、「第１の加熱部材の出力密度が、ステージのウエハを支持するための領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きく、第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも小さい」のに対し、刊行物１に記載の抵抗発熱体Ａ、Ｂはそのようなものではない点。
　
　そこで、上記相違点ｃについて、検討する。
　刊行物４に記載の２つの電気伝導層は、いずれも電気伝導層の周辺部の巾を中央部より小さくすること（摘記事項（４ｃ））により、単位面積当たりの発熱量を中央部より大きくするとともに、表面部の電気伝導層の回路パターンの欠損部（切れ目、折り返し部）による低温部を、裏面部の電気伝導層の高温部と重ね合わせることにより、均熱加熱を可能にしたもの（摘記事項（４ｄ））であるが、刊行物４には、中央部における表面部の電気伝導層の出力密度が裏面部の電気伝導層の出力密度よりも大きく、周辺部における表面部の電気伝導層の出力密度が裏面部の電気伝導層の出力密度よりも小さいことは記載されていないし、示唆もされていない。
　そうすると、刊行物１に記載の抵抗発熱体Ａ、Ｂに、刊行物４に記載の２つの電気伝導層の技術を適用しても、本件発明５の上記相違点ｃなる構成を容易に想到することはできない。また、他の刊行物２、３、５〜７の記載からもこの点を示唆する記載はなく、上記相違点ｃなる構成は当業者が容易に想到し得るものではない。
　
　そして、本件発明５は、ステージの少なくとも二つの別々の加熱ゾーンで、個別的な制御を可能にし、従って、従来技術のシングルゾーン加熱装置と比較して温度制御とステージの温度均一性を高めることができ（特許明細書段落【００１７】）、サセプタの表面温度のバラツキを補正して均一加熱にすることが可能になるという刊行物１〜７の記載からは予測することのできない顕著な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明５は、刊行物１に記載された発明ではなく、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４）本件発明６〜１７について
　本件発明６〜１７は、本件発明５を引用する発明であって、本件発明５を特定するために必要と認める事項をすべて含むものであり、本件発明５が刊行物１に記載された発明ではなく、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明６〜１７についても刊行物１に記載された発明ではなく、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）本件発明２４について
　本件発明２４と刊行物１に記載の発明とを対比すると、両者は、「ＣＶＤ装置のための加熱システムであって、ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたステージと、ステージに連結されたシャフトと、ステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、ステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、ステージの本体の第２の面が、本体の第１の面よりもステージの表面から離れている抵抗ヒータと、第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源と、を備え、ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、ステージの前記領域の第１の部分が前記軸を中心とする第１の半径によって規定され、前記領域の第２の部分が前記軸を中心とする第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されるように、略円筒状を成している記載のシステム」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
ｄ．本件発明２４は、「第１の加熱部材の出力密度が、ステージのウエハを支持するための領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きく、第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも小さ」いのに対し、刊行物１に記載の抵抗発熱体Ａ、Ｂはそのようなものではない点。
ｅ．本件発明２４は、ステージの第１の温度を測定するために位置決めされたシャフト内に配置された第１の温度センサを有するのに対し、刊行物１に記載の発明はそのような温度センサを有していない点。
　
　そこで、次に上記相違点ｄについて、検討する。
　相違点ｄは、本件発明５の相違点ｃと同一であるから、本件発明５の場合と同様に、刊行物１に記載の抵抗発熱体Ａ、Ｂに、刊行物４に記載の２つの電気伝導層の技術を適用しても、本件発明２４の上記相違点ｄなる構成を容易に想到することはできない。また、他の刊行物２、３、５〜７の記載からもこの点を示唆する記載はなく、上記相違点ｄなる構成は当業者が容易に想到し得るものではない。
　
　そして、本件発明２４は、ステージの少なくとも二つの別々の加熱ゾーンで、個別的な制御を可能にし、従って、従来技術のシングルゾーン加熱装置と比較して温度制御とステージの温度均一性を高めることができ（特許明細書段落【００１７】）、サセプタの表面温度のバラツキを補正して均一加熱にすることが可能になるという刊行物１〜７の記載からは予測することのできない顕著な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明２４は、刊行物１に記載された発明ではなく、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。　
　　
（６）本件発明２５、２６、及び２８〜３０について
　本件発明２５、２６、及び２８〜３０は、本件発明２４を引用する発明であって、本件発明２４を特定するために必要と認める事項をすべて含むものであり、本件発明２４が刊行物１に記載された発明ではなく、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明２５、２６、及び２８〜３０についても刊行物１に記載された発明ではなく、又刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　また、その他の異議申立理由は、本件特許の請求項１〜１７、２４〜２６、及び２８〜３０に係る発明を取り消すべき理由として採用することができない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜１７、２４〜２６、及び２８〜３０に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１７、２４〜２６、及び２８〜３０に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月２１日（２００５．７．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
マルチゾーン抵抗ヒータ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたステージと、
　ステージ
の中央部
　ステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、
　本体の第１の面よりもステージの表面から離れたステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、
　第１の加熱部材は、ステージ表面の１つの領域に対して可変量の熱エネルギーを供給し、
　ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、ステージの前記領域の第１の部分が前記軸を中心とする第１の半径によって規定され、前記領域の第２の部分が前記軸を中心とする第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されるように、略円筒状を成しており、
　第１の加熱部材が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域内の第１の抵抗と、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の異なる第２の抵抗とを備えた抵抗加熱部材であり、
　第２の加熱部材が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域内の第１の抵抗と、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域内の異なる第２の抵抗とを備えた抵抗加熱部材である装置。
　【請求項２】第１の加熱部材の第１の抵抗が、第１の加熱部材の第２の抵抗よりも小さく、第２の加熱部材の第１の抵抗が、第２の加熱部材の第２の抵抗よりも大きい、請求項１に記載の装置。
　【請求項３】第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度、および、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きい、請求項１に記載の装置。
　【請求項４】第１の加熱部材が、一対のコイルの状態で第１の部分の周囲に配置され、第１の部分が、第１の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第１の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第１の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第１の軸を介して第２のコイルに連結され、
　第２の加熱部材が、一対のコイルの状態で第２の部分の周囲に配置され、第２の部分が、第２の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第２の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第２の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第２の軸を介して第２のコイルに連結され、第１の軸と第２の軸との交差部が、前記表面の面内で０°〜１８０°の角度を成しており、
　ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、ステージの前記領域の第１の部分が前記軸を中心とする第１の半径によって規定され、前記領域の第２の部分が前記軸を中心とする第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されるように、略円筒状を成しており、
　第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度、および、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きい請求項１に記載の装置。
　【請求項５】チャンバと、
　ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたヒータステージと、
　ステージに連結されたシャフトと、
　ステージの前記領域の第１の部分内であってステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、
　ステージの前記領域の異なる第２の部分内であってステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、ヒータの本体の第２の面が、本体の第１の面よりもステージの表面から離れている抵抗体と、
　を備え、
　第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きく、第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも小さい反応装置。
　【請求項６】ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、第２のステージ領域が第１のステージ領域よりも中央部から離れるように、略円筒状を成している、請求項５に記載の反応装置。
　【請求項７】第１の加熱部材が、一対のコイルの状態で第１の部分の周囲に配置され、第１の部分が、第１の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第１の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第１の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第１の軸を介して第２のコイルに連結され、
　第２の加熱部材が、一対のコイルの状態で第２の部分の周囲に配置され、第２の部分が、第２の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第２の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第２の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第２の軸を介して第２のコイルに連結され、第１の軸と第２の軸との交差部が、前記表面の面内で０°〜１８°の角度を成している、請求項５に記載の反応装置。
　【請求項８】ステージの第１の温度を測定するために位置決めされたシャフト内に配置された第１の温度センサと、ステージの前記領域の第１の部分とステージの前記領域の第２の部分のうちの一方に対応するステージの領域の第２の温度を測定するために位置決めされた第２の温度センサと、を更に備えている、請求項５に記載の反応装置。
　【請求項９】第１の温度センサが熱電対である請求項８に記載の反応装置。
　【請求項１０】第２の温度センサがパイロメータである、請求項８に記載の反応装置。
　【請求項１１】チャンバが上面を備え、パイロメータが、チャンバの上面の窓内に配置されている、請求項１０に記載の反応装置。
　【請求項１２】シャフトが、シャフトの長さにわたって内孔を形成する部分を有し、反応装置が、シャフトの内孔を通じて第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源を更に備えている、請求項５に記載の反応装置。
　【請求項１３】電源に連結され、第１の加熱部材および第２の加熱部材の温度を制御するためのコントローラを更に備えている、請求項１２に記載の反応装置。
　【請求項１４】コントローラが、第１の加熱部材および第２の加熱部材の温度を±３℃内に制御する、請求項１３に記載の反応装置。
　【請求項１５】コントローラが、少なくとも２つの第１および第２の温度センサに連結されている請求項１４に記載の反応装置。
　【請求項１６】ヒータが、７５０℃を超える温度に耐える材料を備える、請求項５に記載の反応装置。
　【請求項１７】ステージが、アルミニウムナイトライドを備え、１４０Ｗ／ｍｋ〜２００Ｗ／ｍｋの範囲の熱伝導率を有している、請求項１６に記載の反応装置。
　【請求項１８】ヒータの本体が、底面と、本体を貫通するとともに前記底面に対して略垂直な孔を形成する部分とを有し、反応装置が、更に、第１の端部と第２の端部とを有するリフトピンを備え、第１の端部はヒータの本体を貫通する孔内に配置され、第２の端部はヒータの本体の底面の下方に延びており、シャフトに連結されるとともに、反応装置のチャンバ内の第１の位置と第２の位置との間でヒータを移動させるリフタアッセンブリを備え、リフタアッセンブリに連結されるとともに、チャンバ内に配置される部分を有するリフトプレートを備え、チャンバ内に配置される部分が、シャフトに対して垂直な方向に延び且つステージ本体の上面に略平行な面を有し、これによって、ヒータが第１の位置にある時に、リフトピンがリフトプレートに接触する、請求項５に記載の反応装置。
　【請求項１９】リフトプレートが、７５０℃を超える温度に耐える材料を備える、請求項１８に記載の反応装置。
　【請求項２０】リフトプレートが、アルミニウムナイトライドを備え、１４０Ｗ／ｍｋ〜２００Ｗ／ｍｋの熱伝導率を有している、請求項１９に記載の反応装置。
　【請求項２１】リフトピンが、サファイアとアルミニウムナイトライドの一方を備える、請求項１８に記載の反応装置。
　【請求項２２】本体を貫通する孔が、リフトピンの頭部を支持するための第１の径を有する第１の部分と、第１の径よりも小さい第２の径を有する第２の部分とを有している、請求項２１に記載の反応装置。
　【請求項２３】ウエハを支持するための領域が、約６０°〜９０°の角度でステージの表面内に押し下げられたウエハパケットを有している、請求項５に記載の反応装置。
　【請求項２４】ＣＶＤ装置のための加熱システムであって、
　ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたステージと、
　ステージに連結されたシャフトと、
　ステージの本体の第１の面内に配置された第１の加熱部材と、
　ステージの本体の第２の面内に配置された第２の加熱部材とを備え、ステージの本体の第２の面が、本体の第１の面よりもステージの表面から離れている抵抗ヒータと、
　ステージの第１の温度を測定するために位置決めされたシャフト内に配置された第１の温度センサと、
　第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源と、
　を備え、
　第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第１の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも大きく、第１の加熱部材の出力密度が、ステージの前記領域の第２の部分に対応する領域における第２の加熱部材の出力密度よりも小さく、
　ステージの本体が、中央部が前記表面に対して垂直な軸に一致しており、ステージの前記領域の第１の部分が前記軸を中心とする第１の半径によって規定され、前記領域の第２の部分が前記軸を中心とする第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定されるように、略円筒状を成している記載のシステム。
　【請求項２５】第１の加熱部材が、一対のコイルの状態で第１の部分の周囲に配置され、第１の部分が、第１の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第１の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第１の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第１の軸を介して第２のコイルに連結され、
　第２の加熱部材が、一対のコイルの状態で第２の部分の周囲に配置され、第２の部分が、第２の軸によって分割される２つのセグメントによって規定され、第１のコイルは第２の部分の第１のセグメント内に配置され、第２のコイルは第２の部分の第２のセグメント内に配置され、第１のコイルが、第２の軸を介して第２のコイルに連結され、第１の軸と第２の軸との交差部が、前記表面の面内で０°〜１８０°の角度を成している、請求項２４に記載のシステム。
　【請求項２６】第１の軸と第２の軸との交差部が、前期表面の面内で少なくとも９０°の角度を成している、請求項２５に記載のシステム。
　【請求項２７】ステージの前記領域の第１の部分とステージの前記領域の第２の部分のうちの一方に対応する第２の温度を測定するために位置決めされた第２の温度センサと、ステージの表面領域の第１の部分とステージの表面領域の第２の部分のうちの他方に対応する領域の第３の温度を測定するために位置決めされた第３の温度センサとを更に備えている、請求項２４に記載のシステム。
　【請求項２８】ヒータのシャフトが、シャフトの長さにわたって内孔を形成する部分を有し、システムが、シャフトの内孔を通じて第１の加熱部材および第２の加熱部材に連結された電源を更に備えている、請求項２４に記載のシステム。
　【請求項２９】電源に連結され、第１の加熱部材および第２の加熱部材の温度を制御するためのコントローラを更に備えている、請求項２４に記載のシステム。
　【請求項３０】コントローラが、第１の加熱部材および第２の加熱部材の温度を±２．５℃内に制御する、請求項２９に記載のシステム。
　【請求項３１】コントローラが、第１の温度センサと第２の温度センサと第３の温度センサのうちの少なくとも２つに連結されている、請求項３０に記載のシステム。
　【請求項３２】第１の温度センサが熱電対であり、第２の温度センサおよび第３の温度センサがそれぞれパイロメータである、請求項３１に記載のシステム。
　【請求項３３】第２の温度センサが、ＣＶＤチャンバの外面の第１の窓内に配置され、第３の温度センサが、チャンバの外面の第２の窓内に配置されている、請求項２７に記載のシステム。
　【請求項３４】チャンバ内の処理ガスを分配するためにチャンバの内面に連結されたマニホールドを更に備え、マニホールドが、ステージの表面の上側に位置決めされるとともに、第１の窓および第２の窓のうちの一方の幅の約３倍の厚さを有している、請求項３３に記載のシステム。
　【請求項３５】加熱のための方法であって、
　抵抗ヒータのステージの本体の第１の面に配置される第１の抵抗加熱部材と、ステージの本体の第２の面に配置される第２の抵抗加熱部材とに、電力を供給するステップと、
　ステージの少なくとも２つの領域で、第１の抵抗加熱部材と第２の抵抗加熱部材の少なくとも一方の抵抗を変化させるステップとを有し、
　第１の抵抗加熱部材と第２の抵抗加熱部材の少なくとも一方の抵抗を変化させるステップが、第１の抵抗を少なくとも有する第１の部分とこれとは異なる第２の抵抗を少なくとも有する第２の部分とを有する抵抗加熱部材を少なくとも１つ提供する工程を有し、
　抵抗ヒータが、ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたステージと、ステージの本体の第１の面内に形成された第１の加熱部材と、ステージの本体の第２の面内に形成された第２の加熱部材とを備え、第２の面が、第１の加熱部材よりも表面領域から離れて配置されており、
　抵抗を変化させるステップが、更に、
　第１の加熱部材を使用して、中央部から第１の半径によって規定されるステージの領域内に、中央部から第１の半径よりも大きい第２の半径によって規定される第２の領域よりも大きい抵抗を与える工程と、
　第２の加熱部材を使用して、第２の領域内に、第１の領域よりも大きい抵抗を与える工程と、
　を有する方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、処理チャンバの加熱機構、より詳しくは化学気相堆積チャンバの加熱機構に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　化学気相堆積（ＣＶＤ）は、基板上に種々のタイプのフィルムを堆積するために普及している処理方法であり、半導体をベースとした集積回路の製造、例えば半導体ウエハを処理して個々の集積回路デバイスを形成するような場合に広範囲に使用される。一般的なＣＶＤ処理において、一つのまたは複数のウエハが堆積チャンバまたはチャンバ内に配置され、反応ガスがチャンバ内に導入され、加熱面において分解され、反応されて一つのまたは複数のウエハ上に薄膜が形成される。
　【０００３】
　概して、単一ウエハおよび多数ウエハＣＶＤチャンバが現在使用されている。多数ウエハチャンバは、一般的に例えば２５個またはそれ以上のウエハを保持することができる垂直炉に似ている。例えば、Ｓｉ３Ｎ４０またはポリシリコンの堆積のための０．２５〜２．０トルの低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）に対して、多層ウエハチャンバの一般的な堆積時間は数時間となる。例えば、Ｓｉ３Ｎ４が７００〜８００℃の間の温度で、多数ウエハチャンバ内の層厚みに依存して４〜５時間の堆積時間で形成される。
　【０００４】
　第２のタイプのＣＶＤリアクタは単一ウエハチャンバであり、このチャンバ内でウエハがステージまたはサセプタによって支持される。サセプタは反応処理中回転される。例えば、ＬＰＣＶＤによるＳｉ３Ｎ４の堆積に関し、適切な層の厚みが７００〜８００℃で約２分で生成できる。
　【０００５】
　概して、二つのタイプの加熱機構がＣＶＤシステムに使用される。すなわち、ウエハ近傍に集中された抵抗加熱素子を使用するタイプと、リアクタの外部に普通配置された一つまたは複数のランプのような放射加熱素子を使用する放射加熱機構を使用するタイプである。単一ウエハチャンバ内の抵抗加熱機構は普通、ウエハをチャンバ内に支持するステージまたはサセプタ内で直接に抵抗加熱素子と共動する。この方式において、堆積中に発生される反応は、普通ウエハにずっと近接して集中される。
　【０００６】
　ウエハを支持しているステージまたはサセプタ内で加熱素子を利用する単一ウエハ抵抗加熱機構において、加熱素子は一般的にサセプタの本体の単一平面内に形成されたモリブデン（Ｍｏ）材料の薄いコイル状層（約２ミル）のような導電性材料の薄い層である。この設計は「単一区域（シングルゾーン）抵抗加熱器」と説明でき、「区域（ゾーン）」の表現は、ステージないしサセプタの本体内の単一平面内の加熱素子の位置を意味する。抵抗加熱器が一般的に使用されるＣＶＤ反応は、約５５０℃の温度両立性を有している。より高い温度において、温度均一性が問題となる。一つの理由は、抵抗加熱器内の熱損失がより高い温度に伴って増加し、特にステージまたはサセプタのエッジでそれが言える。単一区域抵抗加熱器は一般的に、ステージないしサセプタ両端に渡って熱損失の差を補正する能力がない。チャンバ内の圧力が単一区域抵抗加熱器の温度安定性も修正する。
　【０００７】
　必要とする温度を提供することに加えて、抵抗加熱素子は高温と化学種を有するチャンバ内の化学的環境も修正可能でなければならない。従来技術における両立性考慮に対する一つの解決策は、単一区域抵抗加熱器が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のサセプタをこのサセプタ内部に形成された加熱素子で形成することである。
　【０００８】
　放射加熱機構は、普通チャンバ内の耐熱性保護ガラスまたはクォーツの背後にランプを配置している。チャンバ全体がランプによって加熱されるので、ＣＶＤ反応がチャンバ内全体で発生する。
　【０００９】
　放射ないしランプ加熱機構は、チャンバ温度を発生し、抵抗加熱機構よりも高い温度を制御する利点を提供する。しかし、放射加熱機構は加熱素子、例えばチャンバの外部に配置されたランプを利用するので、チャンバ内の温度を制御する能力が、より困難になる。これはチャンバ壁が、化学剤または他の物質あるいはチャンバ内で使用される反応生成物でコーティングされることになるかれである。従って、チャンバ内で使用される物質がチャンバのガラスまたはクォーツに付着すると、例えば、加熱の有効性が低下し、処理性能に影響を受ける。
　【００１０】
　この点に関して、放射加熱機構に使用される反応チャンバはしばしばクリーニングしなければならない。一般的なクリーニング剤は三フッ化窒化（ＮＦ３）である。Ｓｉ３Ｎ４ＣＶＤ処理において、例えばＳｉ３Ｎ４反応生成物がチャンバ壁と、クォーツウインドウのようなチャンバ内部の他の要素に形成される。Ｓｉ３Ｎ４はＮＦ３のようなクリーニング剤で反応チャンバをクリーニングにすることは困難である。クリーニング温度は、ＮＦ３を分離し、十分な熱エネルギーを提供してＳｉ３Ｎ４をクリーニングするために、普通高くなければならない。クリーニング温度が高ければ、ＮＦ３がサセプタのようなチャンバ内の要素も冒すことになる。ＮＦ３を付勢するのに使用される遠隔プラズマ源がクリーニング温度を低下させるが、活性ＮＦ３種（特に、基）がクォーツ要素を冒す傾向にある。従って、現在、基をベースとするチャンバのための有効なクリーニング溶液はない。反応チャンバの壁がＮＦ３、Ｓｉ３Ｎ４で容易にクリーニングされないので、物質が蓄積し、チャンバの寿命を短くしている。
　【００１１】
　ＬＰＣＶＤ反応において、温度均一性が概して重要である。ＣＶＤ処理に関連する表面反応が、普通速度Ｒで実行される熱的活性化現象によってモデル化され、Ｒは次式で与えられ：Ｒ＝Ｒｏｅ［−Ｅａ／ｋＴ］ここにＲｏは周波数要素、Ｅａは電子ボルト（ｅＶ）による活性化エネルギー、またＴは絶対温度による温度である。この式によれば、表面反応速度は温度の上昇に伴って増加する。Ｓｉ３Ｎ４のようなＬＰＣＶＤ処理において、活性化エネルギー（Ｅａ）は普通非常に高く、０．９から１．３ｅＶ程度である。従って、ウエハ全体に渡って均一な厚みを得るために、ウエハ全体の温度均一性が厳密に制御されなければならなず、約７５０℃の温度に対して±２．５℃またはこれ以下であるのが好ましい。
　【００１２】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来技術の単一ウエハ放射加熱機構は、チャンバがクリーニングであるときは、より高い温度（例えば、７５０℃）でも許容できる温度均一性を提供する。しかし、物質がチャンバの壁上に蓄積するにつれて、温度均一性が難しくなってくる。
　【００１３】
　単一ゾーン抵抗加熱器では、ウエハ全面に均一な高温（例えば、７００〜７５０℃）を得ることも困難である。注記したように、概して、熱損失は高温にあるサセプタの表面全面では均一ではない。単一ゾーン加熱器は、例えばサセプタのエッジに向かってその中央よりも大きい熱損失を補償することができない。従って、温度均一性が問題である。
　【００１４】
　上述した、単一ゾーン抵抗加熱器及び７５０℃の高温に伴う第２の問題は、特定個所に加熱が集中することに関する問題である。高温において、単一区域加熱器は局部における加熱素子に印加される高密度電力に関する集中した局部化加熱を呈する。結果として、温度均一性に影響がでる。単一区域抵抗加熱器の第３の問題は、加熱素子の製造における変化が加熱素子の性能にばらつきを生ぜしめ、これが不均一性につながることである。単一区域加熱器は製造上の変化を補償するように調節できない。さらに、高温操作において、単一区域加熱器は、電力端子と加熱素子に印加される高電力密度のために寿命が短くなる。
　【００１５】
　なおその上、従来技術の抵抗加熱器およびチャンバは、限定された動的温度測定を実行するような加熱器を提供する。一般に、動的温度測定（すなわち、実時間温度測定）のみが、サセプタの表面の下方の個所でサセプタの中央に普通配置される熱電対によって実行される。温度測定（例えば、熱電対によるなど）は、サセプタの中央における温度の正確な温度測定を提供するが、サセプタのエッジにおける温度に関するいずれの情報も提供することができない。チャンバ外部の好都合な位置からチャンバ内の温度を監視する熱カメラが使用されるが、普通チャンバ内の温度に関する静的情報を提供するだけである。ＣＶＤ処理方法の調節に関するチャンバ圧に対するいかなる変化もチャンバ内の反応温度を制御するための能力に作用する傾向にある。従って、単一区域抵抗加熱機構は普通一つの特定温度と圧力で操作することに限定される。チャンバ温度またはチャンバ圧力のいずれかを変化させることは、温度均一性に否定的に作用する。従って、この種の単一区域加熱機構は高温ＣＶＤ処理には不適当である。
　【００１６】
　反応チャンバと、例えば７００℃程度以上の高温操作と両立する反応チャンバのための加熱機構に必要なことは、素子に対する化学的安定性と、反応領域の局所的に均一な高温を達成することである。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】
　加熱装置について開示する。一実施形態において、加熱装置は、ウエハを支持するための領域を有する表面と本体とを備えたステージないしサセプタと、ステージに結合されたシャフトと、第１の加熱素子と第２加熱素子とを備えている。第１加熱素子はステージの本体部の第１平面内に配置されている。第２加熱素子はステージの本体部の第２平面内に配置され、第１加熱素子よりもステージの表面から遠く離れたステージの本体部の第２平面内に配置されている。この具体例に従い、マルチゾーン（多区域）加熱装置は、第１の加熱素子と第２加熱素子で定義されるものを開示する。この方式では、本発明は、ステージの少なくとも二つの別々の加熱ゾーンで、個別的な制御を可能にし、従って、従来技術のシングルゾーン加熱装置と比較して温度制御とステージの温度均一性を高めることができる。
　【００１８】
　一つの特徴では、この加熱装置は、高温の操作が可能で、単一区域抵抗加熱器に対して高い温度均一性を提供できる、抵抗加熱器である。各加熱素子が別々に制御でき、ステージの表面全面に亘って均一な温度を維持するように制御される。例えば、ステージのある一定の領域で熱損失が大きくなるような場合では、これらの領域に関する加熱区域に大きな抵抗加熱を与えることにより、大きな熱損失にもかかわらず、選択された操作温度を維持する。これを達成する一つの方法は、ステージの領域全体に対して多数の加熱素子の抵抗値を変えることによる。例えば、シャフトを介する熱損失がステージの他の領域における熱損失よりも大きいことが決定されれば、シャフトに対応する（例えば、これを越える）ステージの領域にある一つの加熱素子の抵抗値が増大する。同様にしてステージの他の領域のエッジにおける熱損失が他の領域の熱損失よりも大きいことが判明した場合、領域内でステージのエッジ領域に対応する１つの加熱素子の抵抗値を大きくする。
　【００１９】
　また、一実施形態において、チャンバと抵抗加熱器を備えるリアクタを開示する。抵抗加熱器は、ウエハを支持する領域を有する表面及び本体部を有しチャンバ内に配置されたステージと、ステージに結合されたシャフトと、ステージの本体部の第１平面内に配置された第１加熱素子とステージの本体の第２平面内に配置された第２加熱素子とを有している。一つの特徴では、第１加熱素子の電力密度はステージ領域の第１部分に対応する領域内の第１加熱素子の電力密度よりも大きい。これと同時に、第１加熱素子の電力密度はステージ領域の第２部分に対応する領域内の第２加熱素子の電力密度よりも大きい。
　【００２０】
　説明したように、本発明のリアクタは、ステージまたはサセプタの別個の平面内に配置された少なくとも二つの抵抗加熱素子を有する単一ウエハ加熱器等の多区域抵抗加熱器を提供する。一例として、別個の加熱素子がステージの分離した領域を、ステージの異なる領域内の個々の加熱素子の電力密度を変えることによって個々に調整することを可能にしている。一実施形態において、第１加熱素子を第２加熱素子よりもステージの表面に近い位置に配置することにより、大きな電力密度を第２加熱素子に印加することでステージのエッジに関連する領域の大きな熱損失に対する配慮ができ、他方、大きい電力密度に関連する潜在的な局所的「ホットスポット」を最小にすることができる。リアクタ（リアクタ）の一実施形態に関連する多数の温度センサーが、サセプタの中央に単一の熱電対のみを備えた従来技術のリアクタよりも抵抗加熱器の温度をより均一に制御する機会を提供する。
　【００２１】
　化学気相堆積装置のための抵抗加熱システムをさらに説明する。一実施形態において、加熱システムはウエハと本体部を支持する領域、ステージに結合されたシャフト、第１加熱素子、およびステージの本体部の専用平面内に配置された第２加熱素子を有する表面を有するステージを備える抵抗加熱器を含んでいる。本発明の加熱システムは、少なくとも二つの別々の加熱素子を備え、例えば７００℃を超える温度で作動される処理条件（例えば、ＬＰＣＶＤ）を有する高温ＣＶＤ処理における温度均一性を改善する加熱器の温度を制御するた多区域抵抗加熱器を提供する。
　【００２２】
　リアクタ内の温度を制御する方法をさらに次に説明する。一実施形態において、この方法は電力を、抵抗加熱器のステージの本体部の第１平面内に配置された第１抵抗加熱素子と、ステージの本体部の第２平面内に配置された第２抵抗加熱素子に印加する工程とを備える。この方法はさらにステージの少なくとも二つのエリ内の第１抵抗加熱素子と第２抵抗加熱素子の内の少なくとも一つの素子の抵抗値を変える工程を備える。
　【００２３】
　本発明の装置、リアクタ、加熱システムおよび方法の付加的な実施形態を本発明の他の特徴および利点とともに、図面、詳細な説明を説明し、また請求項を次に説明する。
　【００２４】
　【発明の実施の形態】
　本発明は、加熱装置、反応装置、化学気相堆積装置のための加熱システム、および反応装置における温度を制御する方法に関する。１つの態様において、本発明は、反応チャンバにおけるステージ、あるいはサセプタ上のシングルウエハ（たとえば、半導体ウエハ）を支持するのに適する加熱装置を利用している。加熱装置は、サセプタ（およびサセプタ上のウエハ）の表面の反応温度を均一に維持するために、少なくとも２つの加熱要素を含んでいる。１つの実施の形態において、各加熱要素は、ヒータのサセプタの異なる平面にある。各加熱要素は、１つの実施の形態において、電源に結合され、そして各加熱要素の抵抗は、ステージの領域全体にわたって変化される。サセプタの表面の異なる領域に関連する温度か、あるいはウエハにおける温度が測定され、そして、加熱要素が制御される。加熱装置の個々の加熱要素を制御することによって、反応装置における熱損失および圧力変化などの要因が、適応され、そして、改善された温度均一が、７００℃を超える温度で一様に達成される。したがって、マルチプル加熱要素（たとえば、多区域ヒータ）を有する加熱装置は、ＣＶＤ反応装置あるいはシステムおよびＳｉ３Ｎ４の堆積またはポリケイ素堆積に好ましい高温ＬＰＣＶＤプロセスのために有用な加熱要素を供給する。
　【００２５】
　図１、図２および図３は、本発明の実施の形態による反応装置を組み込むシステムの部分の断面図を示している。このようなシステムは、たとえば、ウエハあるいは基板へのＳｉ３Ｎ４あるいはポリケイ素フィルムの堆積のためのＬＰＣＶＤプロセスを有する、ＣＶＤプロセスに使用されている。
　【００２６】
　図１は、「ウエハプロセス」位置におけるプロセスチャンバ本体１００の内側を図示している。図２は、「ウエハ分離」位置におけるチャンバの同一の図を示している。最後に、図３は、「ウエハ装填」位置におけるチャンバの同一の断面側面図を示している。
　【００２７】
　図１、図２および図３は、反応チャンバ１４５を画定するチャンバ本体１００を示し、そのチャンバにおいて、１つまたは複数のプロセスガスとウエハとの間の反応が、たとえば、ＣＶＤ反応を行う。チャンバ本体１００は、１つの実施の形態において、アルミニウムで構成され、そして、チャンバ本体１００（たとえば、「コールド壁」反応チャンバ）を冷却するために、それを通ってポンプされる水のための通路１０２を有している。この図において、シャフト１５８によって支持されるサセプタ１５５を有する抵抗性ヒータ１５０が、チャンバ１４５内にある。１つの実施の形態において、サセプタ１５５は、半導体ウエハを支持するのに十分な表面領域を有している。ほぼ１０インチの長さを有するシャフトによって支持されるほぼ９．３３インチの直径を有する円筒形サセプタは、８インチの直径のウエハを支持するのに適している。
　【００２８】
　プロセスガスは、チャンバ本体１００のチャンバのふた１７０の上部表面における開口１７５を通って別の方法で密閉されたチャンバ１４５に入る。プロセスガスは、この図において、抵抗性ヒータ１５０の上に位置し、かつチャンバ１４５内側のチャンバのふた１７０に結合される穿孔面プレート１８０によってチャンバ１４５全体に分配される。
　【００２９】
　ウエハは、チャンバ本体１００の側面部分におけるエントリポート１０５を通ってサセプタ１５５上のチャンバ１４５に配置される。処理のためにウエハを収納するために、サセプタ１５５の表面が図３に示されるようにエントリポート１０５の下にあるように、ヒータ１５０は下げられる。一般に、ロボットの伝達メカニズムによって、ウエハは、たとえば、伝達ブレードによってサセプタ１５５の高い所にある表面のチャンバ１４５に装填される。装填されると、エントリポート１０５は、密閉され、そして、ヒータ１５０は、たとえば、ステッピングモータであるリフタアセンブリ１６０によって面プレートの方に高い方向（たとえば、上部）に前進される。前進は、ウエハが面プレート１８０から短い間隔（たとえば、４００〜７００ミル）であるとき停止する。このポイントで、ガスパネルによって制御されるプロセスガスは、穿孔面プレート１８０を介して、ガス分配ポート１７５を通ってチャンバ１４５に流入し、そして、フィルムを形成するために、一般に、反応するか、あるいはウエハの上に堆積される。圧力制御システムにおいて、チャンバ１４５の圧力は、チャンバ１４５に結合される１つまたは複数の圧力調整器によって確立されて、維持される。１つの実施の形態において、たとえば、圧力は、技術上周知のように、チャンバ本体１００に結合される１つまたは複数のｂａｒａｔｏｍｅ圧力調整器によって確立されて、維持される。
　【００３０】
　処理後、１つまたは複数の残余プロセスガスは、ポンピングプレート１８５を介してチャンバ１４５からコレクション容器にポンプされる。チャンバ１４５は、次に、たとえば、窒素などの不活性ガスで浄化される。処理および浄化後、ヒータ１５０は、図２に示される位置にリフタアセンブリ１６０によって、低い方向（たとえば、下部）に前進される。ヒータ１５０が移動されるとき、サセプタ１５５の表面の開口あるいは貫通孔を通って延在する端部と、サセプタ１５５の低い所にある（たとえば、下方の）表面から片持ばりふうに延在する第２の端部とを有するリフトピン１９５は、チャンバ１４５のベースに位置決めされるリフトプレート１９０と接触する。図２に図示されるように、１つの実施の形態において、このポイントで、リフトプレート１９０は、ヒータ１５０が前進するとき、ウエハ装填位置からウエハ分離位置に前進しない。その代わりとして、リフトプレート１９０は、シャフト１５８の上の、図２に示される基準レベル、Ｈ１に留まる。ヒータ１５０が、リフタアセンブリ１６０の作用を介して低い方向に移動し続けるとき、リフトピン１９５は、静止したままであり、そして、最後に、サセプタ１５５の表面から処理されたウエハを分離するために、サセプタ１５５の高い所にある表面、あるいは上部表面の上に延在する。
　【００３１】
　処理されたウエハは、サセプタ１５５の表面から分離されると、ロボットメカニズムの伝達ブレードは、開口１０５を通ってチャンバ１４５の内側の「ピックアウト」位置に挿入される。「ピックアウト」位置は、処理されたウエハの下である。次に、リフタアセンブリ１６０は、リフトプレート１９０を、たとえば、シャフト１５８の上の、図３に示される第２の基準レベル、Ｈ２に低い所に移動する（たとえば、下がる）。低い方向にリフトプレート１９０を移動することによって、リフトピン１９５は、さらに、処理されたウエハの下側までリフトピン１９５が伝達ブレードと接触するまで低い方向に移動される。処理されたウエハは、次に、たとえば、ウエハを取り除き、そして、次の処理ステップにウエハを伝達するロボットの伝達メカニズムによって、エントリポート１０５を通って取り除かれる。第２のウエハは、次に、チャンバ１４５に装填される。上述のステップは、ウエハをプロセス位置にもたらすために逆にされることができる。１つの適切なリフタアセンブリ１６０の詳細な説明は米国カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社に譲渡された米国特許第５，７７２，７７３号に記述されている。
　【００３２】
　Ｓｉ３Ｎ４、あるいはポリケイ素のＬＰＣＶＤ処理などの高温オペレーションにおいて、チャンバ１４５の内側の反応温度は、７５０℃あるいはそれ以上である。それゆえに、チャンバ１４５に露出したコンポーネントは、このような高温処理に影響を及ぼされないことが必要である。このような材料は、チャンバ１４５に導入されるプロセスガスおよび洗浄化学薬品などの他の化学薬品に影響を及ぼされないものであるべきである。１つの実施の形態において、ヒータ１５０の露出した表面は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成されている。たとえば、サセプタ１５５およびシャフト１５８は、類似の窒化アルミニウム材料で構成されてよい。別の方法として、好ましい構造において、サセプタ１５５の表面は、高熱導電性窒化アルミニウム材料（１４０Ｗ／ｍＫから２００Ｗ／ｍＫの熱伝導性を有するほぼ９５％の純度）で構成されているのに対して、シャフト１５８は、低熱導電性窒化アルミニウム（ほぼ６０Ｗ／ｍＫから１００Ｗ／ｍＫ）で構成されている。ヒータ１５０のサセプタ１５５は、このような結合が同様にチャンバ１４５の環境に耐えるように、一般に、拡散結合、あるいは硬ろう付けによってシャフト１５８に結合されている。
　【００３３】
　リフトピン１９５は、さらに、処理の間チャンバ１４５にある。それゆえ、リフトピン１９５は、チャンバ１４５内のオペレーティング状況に影響を及ぼされないことが必要である。リフトピン１９５のための適切な材料は、限定されるものではないが、サファイア、あるいは窒化アルミニウムを含有している。チャンバ１４５の環境に露出される別のコンポーネントは、リフトプレート１９０である。それゆえ、１つの実施の形態において、リフトプレート１９０のシャフトの部分を有するリフトプレート１９０は、窒化アルミニウム（たとえば、ほぼ１４０Ｗ／ｍＫから１００Ｗ／ｍＫの熱導電性窒化アルミニウム）組成物で構成されている。
　【００３４】
　図１は、さらに、サセプタ１５５の本体の断面図とシャフト１５８の断面図とを有する、ヒータの部分の断面図を示している。この図解において、図１は、第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０の２つの加熱要素を有するサセプタ１５５の本体を示している。第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０は、サセプタ１５５の本体における異なる平面に形成されている。ほぼ０．６８インチ（あるいは、１．７２８ｃｍ）の厚さを有するサセプタについて、第１の加熱要素２５０は、サセプタの表面からほぼ５〜８ｍｍに位置している。サセプタ１５５の表面に対する第１の加熱要素２５０の位置の意義は、下記に論じされるであろう。
　【００３５】
　各加熱要素（たとえば、加熱要素２５０と加熱要素２６０）は、サセプタの材料に類似する熱膨張特性を有する材料で作成されている。１つのこのような材料は、窒化アルミニウムと類似する熱膨張率を有するモリブデン（Ｍｏ）を含んでいる。１つの実施の形態において、各加熱要素は、コイル形状のモリブデン材料の薄い層（たとえば、２ミル）を含んでいる。
　【００３６】
　図１において、第２の加熱要素２６０は、第１の加熱要素２５０に対して低い所に（サセプタ１５５の表面に対して）位置するサセプタ１５５の本体の低い所に位置した平面に形成される。１つの実施の形態において、ほぼ１．７２８ｃｍの厚さを有するサセプタについて、第２の加熱要素２６０は、第１の加熱要素２５０の平面からほぼ５ｍｍの平面に位置している。
　【００３７】
　この実施の形態において、第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０は、動力端子に別々に結合されている。動力端子は、長手方向に延在する開口を通してシャフト１５８からサセプタ１５５の表面を加熱するための必要なエネルギーを供給する電源への導電性リード線のように低い方向に延在している。
　【００３８】
　図１に示されるようにヒータ１５０の断面図における注目は、熱電対２１０の存在である。熱電対２１０は、長手方向に延在する開口を通してシャフトからサセプタ１５５の高い所にある表面あるいは上部表面のちょうど下のポイントに延在している。サセプタ１５５が円筒形である１つの実施の形態において、熱電対２１０は、円筒形本体の中央地点にほぼ相当するポイントに延在している。
　【００３９】
　上記に示されるように、反応装置１４５の内側の環境は、多数の材料のため極端である。熱電対２１０と電源への導電性リード線とを反応装置−コンパチブルシャフトおよびサセプタにおける開口の内側に位置することによって、これらのコンポーネントの崩壊あるいは分解の懸念は、コンポーネントがチャンバ１４５の環境に露出されないとき軽減される。
　【００４０】
　図４は、サセプタ１５５とシャフト１５８とを有するヒータ１５０の半分の断面側面図を図示している。図４は、ヒータ１５０の様々なコンポーネントを収容する長さ周りに長手方向に延在する開口を有するシャフト１５８を示している。これらのコンポーネントは、第１の加熱要素２５０への導電性リード線２１５ａ、２１５ｂと第２の加熱要素２６０への導電性リード線２２０ａ、２２０ｂとを含んでいる。導電性リード線２１５ａ、２１５ｂ、２２０ａ、２２０ｂは、特定のプロセスのため必要な温度を供給するために、各加熱要素に必要なエネルギーを供給する１つ以上の給電に１つの端部で結合されている。
　【００４１】
　図４から分かるように、導電性リード線は、ヒータ１５０のサセプタ１５５の本体に延在している。導電性リード線２１５ａ、２１５ｂは、サセプタ１５５の本体に形成される第１の加熱要素２５０の位置に対応する線Ａ−Ａによって示されるほぼ平面によって画定されるポイントに、シャフト１５８からサセプタ１５５の本体の方に高い所に延在している。導電性リード線２２０ａ、２２０ｂは、導電性リード線２１５ａ、２１５ｂよりサセプタ１５５の表面からさらに遠いポイントにシャフト１５８からサセプタ１５５の本体の方に高い所に延在している。導電性リード線２２０ａ、２２０ｂは、サセプタ１５５の本体に形成される第２の加熱要素２６０の位置に対応する線Ｂ−Ｂによって示されるほぼ平面によって画定されるポイントに延在している。
　【００４２】
　図４は、さらに、サセプタ１５５の表面の拡大図を示している。この図において、サセプタ１５５の表面は、ほぼ０．０３インチの深さの窪みであるウエハポケット１５６を有するように示されている。サセプタ１５５の表面に装填されるウエハは、ウエハポケット１５６内に設置する。ウエハポケット１５６は、１つの方法において、特に、ウエハ装填プロセスの間、サセプタ１５５の表面にウエハをトラップするように作用するか、あるいはウエハがサセプタ１５５の表面を離れてスライドすることを防止するように作用する。１つの実施の形態において、ウエハポケットは、角をなすエッジ、たとえば、６０°〜８０°の角度αを有するエッジを備えている。
　【００４３】
　図４は、さらに、リフトピン１９５を支持する開口１９８の拡大図を示している。１つの実施の形態において、リフトピン１９５は、本体より大きい直径を有するヘッドを備えている。リフトピン１９５は、ヒータ１５０が、「ウエハプロセス」状態にあるとき、サセプタ１５５の表面と同じ高さに（ウエハポケット１５６の表面と同じ高さに）位置を占めている。それゆえ、開口１９８は、リフトピン１９５のヘッドを収容するために高い所にある端部に幅が広い十分な直径を有する。したがって、ほぼ０．１１インチの厚さのヘッド部分を有するリフトピンについて、開口１９８の高い所にある端部は、リフトピン１９５のヘッドを収容するために０．１１インチの深さを有することになる。開口１９８の直径は、リフトピン１９５が開口を通して逸出することを防止するために高い所にある端部の下に狭くされている。熱損失は開口１９８を通して起こることが分かる。したがって、１つの実施の形態において、開口１９８の直径は、熱損失を減少するために最小にされる。たとえば、開口１９８の高い所にある部分の直径は、わずかに小さい直径の類似物を有するリフトピンのヘッドを収容するために０．１８０インチである。開口１９８の残りの部分は、類似物、あるいはわずかに小さい直径を有するリフトピンの本体を収容するために０．１３インチである。
　【００４４】
　この特定の場合、ＣＶＤ反応プロセスは大気圧以上で作用されることが分かる。ＬＰＣＶＤ反応状況の場合、たとえば、チャンバ１４５（図２、図３および図４を参照）の内側の圧力は、一般に、たとえば、１〜２５０トルで作用される。示されているように、ヒータ１５０の外側は、チャンバ１４５の内側の反応状況に露出される。ヒータ１５０の外側表面がこの真空に露出されると同時に、ヒータ１５０の内側部分は、チャンバ１４５内の環境から保護される。したがって、たとえば、導電性リード線２１５ａ、２１５ｂ、２２０ａ、２２０ｂおよび熱電対２１０は、開口、あるいはシャフト１５８を通る導管に、そしてサセプタ１５５の本体に配置されることによってチャンバ１４５内の環境から保護される。１つの実施の形態において、開口、あるいはシャフト１５８を通る導管内の圧力は、チャンバ１４５内に存在する真空に施されない。その代わりとして、開口、あるいはシャフト１５８を通る導管は、大気圧にある。そのため、チャンバ１４５においてヒータ１５０およびリフトプレート１９０を移動する（たとえば、上および下に）ステッピングモータは、チャンバにおける真空力に対抗して移動するサイズとされている。このように、本発明のヒータの構成の１つの利点は、チャンバ１４５の内側のヒータ１５０を移動する（たとえば、上および下に）モータに過度の需要を配置するために、ヒータ１５０におけるチャンバ環境から保護されるコンポーネントがネストされている（入れ込状に収められている）のでシャフトの直径があまり大きくなく、そして、シャフト１５８の内側の容量があまり多くないことである。サセプタ１５５の本体の独立した平面に加熱要素（たとえば、第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０）を配置することにより、このようなネスティング（入れ子）を可能にする。ネスティングは、さらに、シャフト１５８の開口、あるいは導管を通るシステムの熱損失を最小にする。
　【００４５】
　図５は、シャフト１５８のベースを通る本発明のヒータの実施の形態の図を示している。この図から、サセプタ１５５を中心に互いにネスとされた第１の加熱要素２５０のための導電性リード線２１５ａ、２１５ｂおよび第２の加熱要素２６０のために導電性リード線２２０ａ、２２０ｂが個々に示されている。さらに、導電性リード線２１５ａ、２１５ｂ、２２０ａ、２２０ｂとともにネスとされた熱電対２１０が示されている。この図解によって分かるように、ヒータ１５０のシャフト１５８の直径は、この場合、サセプタ１５５の直径のほぼ１／３に小さくされている。図５は、さらに、サセプタ１５５の本体における４つの開口、あるいは貫通孔１９８を示している。開口、あるいは貫通孔１９８は、たとえば、ウエハをサセプタ１５５の高い所にある表面に上げたり、あるいは下げたりするのに使用されるリフトピン１９５を支持する。
　【００４６】
　図６は、図５の線Ａ−Ａを通るサセプタ１５５の平面断面図を示している。この図において、図４の線Ａ−Ａによって画定される平面に形成される第１の加熱要素２５０が示されている。第１の加熱要素２５０は、たとえば、鏡像のように示される２つの対向するコイル部分２３０ａ、２３０ｂで構成されている。
　【００４７】
　第１の加熱要素２５０のコイル部分２３０ａ、２３０ｂは、図４の線Ｂ−Ｂによって画定される平面におけるサセプタ１５５の本体に形成される。第１の加熱要素２５０のコイル部分２３０ａ、２３０ｂは、それぞれに導電性リード線２１５ａ、２１５ｂを介してコイル部分を電源に接続するために、それぞれに端子２１６ａ、２１６ｂに結合されている。コイル部分２３０ａ、２３０ｂは、たとえば、電源の電流需要およびヒータのための温度範囲に影響を及ぼさない材料で作られている。コイル部分２３０ａ、２３０ｂは、さらに、１つの実施の形態において、窒化アルミニウムに類似する熱膨張特性を有する材料で作られるように選択される。示されるように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ステージあるいはサセプタに形成されるほぼ２ミルの厚さを有するモリブデン（Ｍｏ）は、７５０℃を超えるサセプタ温度を生成することが可能である（適切な給電に結合されるとき）。１つの実施の形態において、対向するコイル部分２３０ａ、２３０ｂは、ほぼ３〜５ｍｍだけ端子２１６ａ、２１６ｂで分離される。コイル部分間の間隔は、コイル部分間の効果的な「コールド区域」を減少するように減少されることが可能である。
　【００４８】
　図７は、図５の線Ｂ−Ｂについてサセプタ１５５の断面平面図を示している。図７は、第２の加熱要素２６０の平面を図示している。この実施の形態において、第２の加熱要素２６０は、第１の加熱要素２５０よりサセプタ１５５の表面からさらに遠い位置でサセプタ１５５の本体に形成される（すなわち、線Ｂ−Ｂによって画定される平面に、線Ｂ−Ｂによって画定される平面よりサセプタ１５５の表面により近い）。図６と同様に、第２の加熱要素２６０は、たとえば、ほぼ線Ｂ−Ｂによって画定される平面に鏡像のように形成されるモリブデン（Ｍｏ）で作られる対向するコイル部分２３２ａ、２３２ｂを備えている。第１の加熱要素２３２のコイル部分２３２ａ、２３２ｂは、導電性リード線２２０ａ、２２０ｂを介してコイル部分を電源に接続するために、それぞれに端子２２１ａ、２２１ｂに結合されている。１つの実施の形態において、対向するコイル部分２３２ａ、２３２ｂは、ほぼ３〜５ｍｍだけ端子２２１ａ、２２１ｂで分離されている。その間隔は、コイル部分間の効果的な「コールド区域」を減少するために減少されることが可能である。
　【００４９】
　図６および図７に図示される実施の形態において、第２の加熱部材２６０のコイル部分２３２ａ、２３２ｂは、軸２１７周りに図７において互いに反対側にあり、そして第１の加熱部材２５０のコイル部分２３０ａ、２３０ｂは、同様な軸周りに図７において互いに反対側にある。図の対照は、コイル部分２３２ａ、２３２ｂが、コイル部分２３０ａ、２３０ｂに対して１８０°回転されることである。このように、第１の加熱部材２５０か、あるいは第２の加熱部材２６０のいずれかにおける対向するコイル部分間の領域は、別の加熱部材によって補償される。加熱部材コイルの構成が、図示されるように１８０°だけオフセットされる必要がないことは明らかである。その代わりとして、加熱部材コイルは、たとえば、互いの上に直接位置することができるか（すなわち、補償がない）、あるいは対向するコイル部分間の領域を何らかの方法で補償するために、様々な角度で互いにオーバーラップすることができる。
　【００５０】
　図８は、サセプタ１５５の概略平面図を示している。サセプタ１５５の表面は、少なくとも３つの区域に分割されている。図８に示されるように、領域２４５は、半径Ｒ１によって画定される領域を有する区域を形成する。領域２４５は、シャフト１５８上のサセプタ１５５の領域と関連している。領域２５４は、半径Ｒ２によって画定される領域から半径Ｒ１によって画定される領域２４５を引いた区域を形成する。領域２５５は、サセプタ１５５のエッジに関連し、そして、半径Ｒ３によって画定される領域から半径Ｒ２によって画定される領域２５４と半径Ｒ１によって画定される領域２４５とを引いた区域を形成する。
　【００５１】
　１つの実施の形態において、第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０は、独立した熱分配を行い、そのため、独立して制御されることができる。このように、第１の加熱要素２５０は、第２の加熱要素２６０の特定のポイントと比べて特定のポイントでほぼ同じ動力を受けることができる。別の加熱要素は、抵抗性ヒータにおける別の加熱区域をさらに画定するために、サセプタ１５５の本体に追加することがこの点でさらに明らかである。マルチプル加熱要素を組み込むという考慮は、サセプタ１５５の平面および別の導電性リード線のネスティングにおける位置選定を含んでいる。
　【００５２】
　第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０が、独立して制御される１つの方法は、サセプタ１５５の領域全体にわたる各加熱要素の幅を変えると同時に、加熱要素の厚さをほぼ一定に保つことによってである。抵抗性ヒータについて、加熱要素に供給される動力、例えば、加熱要素によって放出される熱は、加熱要素における抵抗に直接関連すると言われている。一定の厚さを有する抵抗性加熱要素について、加熱要素の広い部分（すなわち、大きい容量）は、より少ない抵抗を有し、電流を移動するのにより少ない動力を必要とし、そして、加熱要素の狭い部分より少ない熱を放出する（すなわち、より少ない容量）。したがって、特定のポイントにおいて加熱要素の幅を減少する（すなわち、加熱要素の容量を減少する）ことによって、加熱要素に供給される動力は、加熱要素の幅が縮小されないポイントにおいてよりも加熱要素を通る電流の量を移動するこれらのポイントにおいて一層大きい。縮小されたポイントにおいて放出される温度は、同様に、加熱要素の幅が縮小されないポイントにおいて一層高い。順番に、加熱要素全体にわたり電流の量を移動するのに必要とされる動力の量としてほぼ画定される出力密度は、縮小された幅を有する加熱要素のこれらの部分において一層大きい。
　【００５３】
　図６において、第１の加熱要素２５０は、たとえば、ほぼ２ミルの厚さを有するモリブデン（Ｍｏ）材料である。第１の加熱要素２５０の幅は、この実施形態において、領域２４５における第１の加熱要素２５０に動力分配を局部化するために変えている（図８を参照）。領域２４５は、この実施形態において、シャフト１５８上の領域を取り囲むように画定されている。開口が、熱電対２１０および導電性リード線２１５ａ、２１５ｂ、２２０ａ、２２０ｂを収容するために、シャフト１５８を通って形成されている１つの実施の形態において、サセプタ１５５の領域における熱損失は、シャフト１５８上の領域、表示された領域２４５と関連するサセプタ１５５の領域全体にわたって大きい。したがって、加熱要素２５０のその部分における領域２４５と関連する出力密度は、加熱要素２５０のその部分における領域２５５と関連する出力密度よりも大きい。
　【００５４】
　図６および図８を参照すると、１つの実施形態において、領域２４５（図８を参照）に対応する領域における第１の加熱要素２５０の幅Ｗ１は、ヒータ１５０のサセプタ１５５の領域２５５（図８を参照）に対応する幅Ｗ２未満である。第１の加熱要素２５０の狭い幅Ｗ１部分を通って移動する電流は、加熱要素２５０の他の部分（たとえば、幅Ｗ２）を通って移動する電流と比べて大きい抵抗を経験し、したがって、加熱要素２５０によって放出される熱は、領域２４５において一層多い。２ミルの厚さを有するモリブデン（Ｍｏ）材料の加熱要素について、幅Ｗ１は、たとえば、領域２５５に対して領域２４５に出力密度を増大するために、幅Ｗ２の１０パーセント以下である。モリブデン材料の１つの実施の形態において、第１の加熱要素２５０全体にわたる抵抗は、２オール（たとえば、幅Ｗ２）の値から４オーム（たとえば、幅Ｗ１）の値の間を変化する。
　【００５５】
　図７および図８を参照すると、領域２５５は、この実施形態において、サセプタ１５５のエッジに対応する領域を取り囲むように画定されている。１つの実施の形態において、サセプタ１５５の表面の領域の熱損失は、エッジにおいて示された領域２５５よりも大きい。したがって、たとえば、加熱要素２６０のその部分における領域２５５と関連する出力密度は、サセプタ１５５の別の領域と関連する出力密度よりも大きい。
　【００５６】
　図７および図８を参照すると、第２の加熱要素２６０は、たとえば、ほぼ２ミルの厚さを有するモリブデン（Ｍｏ）材料である。第２の加熱要素２６０の幅は、この実施形態において、出力密度を領域２５５における第２の加熱要素２６０に局部化するように変化する（図８を参照）。したがって、領域２５５（図８を参照）に対応する領域における第２の加熱要素２６０の幅Ｗ１は、ヒータ１５０のサセプタ１５５の別の領域に対応する幅Ｗ３未満である。加熱要素２６０の狭い幅Ｗ４部分を通って移動する電流は、加熱要素２６０の他の部分を通って移動する電流と比べて大きい抵抗を経験し、したがって、加熱要素２６０によって放出される熱は、領域２５５において一層多い。２ミルの厚さを有するモリブデン（Ｍｏ）材料の加熱要素について、幅Ｗ１は、たとえば、領域２５５に対して領域２４５に出力密度を増大するために、幅Ｗ４の１０パーセント以下である。モリブデン材料の１つの実施の形態において、第１の加熱要素２５０全体にわたる抵抗は、２オーム（たとえば、幅Ｗ３）の値から４オーム（たとえば、幅Ｗ４）の値の間を変化する。
　【００５７】
　図９は、ヒータ１５０のサセプタ１５５の表面の加熱要素の個々の制御を線図で図示している。図９は、サセプタ１５５の半径に対する第１の加熱要素および第２の加熱要素に供給される動力比を示している。動力比は、この実施の形態において、第１の加熱要素２５０の動力および第２の加熱要素２６０の動力の比として定義されている。表示されるように、第１の加熱要素２５０の動力比は、第１の加熱要素２５０に供給される追加の動力のためサセプタ１５５の別の区域と比べて領域あるいは区域２４５におけるよりも大きい。同様に、動力比は、サセプタ１５５の別の領域と比べて領域あるいは区域における第２の加熱要素２５０に供給される追加の動力のため領域あるいは区域２５５におけるよりも大きい。
　【００５８】
　図４乃至図８に図示されるなどの多区域抵抗性加熱要素は、ヒータのサセプタの個々の領域あるいは区域が独立してアドレスされることを可能とし、それによって、シングル区域の抵抗性ヒータと比べてサセプタの表面全体にわたって一層の温度均一性を供給する。たとえば、図４乃至図８に示されるようなデュアル区域の抵抗性ヒータは、第１の区域（領域２４５）がサセプタ１５５の別の領域と個々にアドレスされることを可能とする。したがって、シャフト１５８を通る熱損失は、サセプタ１５５の表面全体にわたって温度均一性を損なうことなく調整されることができる。同様に、第２の区域（領域２５５）は、サセプタ１５５の別の領域と個々にアドレスされることができる。したがって、サセプタ１５５のエッジにおける熱損失（７５０℃以上の温度でさえ）は、サセプタ１５５の表面全体わたって温度均一性を損なうことなく調整されることができる。したがって、高温度適用（たとえば、ほぼ７５０℃以上）について、独立した領域は、たとえば、シャフト１５８およびサセプタ１５５のエッジと関連する領域における熱損失が第１の領域２４５および第２の領域への動力分配を増大することによって調整されることができるように制御される。サセプタ１５５の表面全体にわたる温度は、そのために、従来技術のシングル区域の抵抗性ヒータと比べて一層一定した値で維持されることができる。
　【００５９】
　図４乃至図８において、第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０は、サセプタ１５５のほぼ同一領域を占有している。このような構成の１つの利点は、１つの加熱要素が作動しない場合、もう１つの加熱要素がサセプタ１５５の表面全体を加熱するように構成されていることである。個々の加熱要素は、サセプタ１５５の同様の領域を占有する必要はないが、領域２４５あるいは領域２５などの特定の領域だけを占有するように構成されていることが明らかである。
　【００６０】
　図４乃至図８において、第１の加熱要素２５０は、第２の加熱要素２６０の平面（図５の線Ｂ−Ｂによって表示される）と比べてサセプタ１５５の高い所にある表面に近接する平面（図４の線４−４によって表示される）に位置されている。１つの実施の形態において、第１の加熱要素２５０は、サセプタ１５５の表面からほぼ５〜８ｍｍにある。このように第１の加熱要素２５０を表面から分離することにより、一層良好な温度分配を行い、そして局部化された加熱を減少する。
　【００６１】
　それぞれの加熱要素の配置は、プロセスの状況およびプロセスの目的により変えられることは明らかである。第１の加熱要素２５０と関連する平面よりも下方にサセプタ１５５の本体の平面に第２の加熱要素２６０を配置する１つの理由は、第２の加熱要素２６０に供給される動力が第１の加熱要素２５０に供給される動力よりも大きいからである。このような状態は、たとえば、サセプタ１５５の表面のエッジにおける熱損失が、サセプタ１５５の表面の中央における熱損失と比べて一層大きいときに生ずる。それゆえ、サセプタ１５５の中心と比較するとサセプタ１５５のエッジに供給される追加の動力（たとえば、高い出力密度）は、１つの例において、加熱要素がサセプタ１５５の表面に近接する平面に位置される場合と比べて、第２の加熱要素２６０（線Ｂ−Ｂによって示される）の位置とサセプタ１５５の表面との間の一層大きい相違の結果として一層良好に分配されることが可能である。一層良好な分配は、サセプタ１５５の表面における熱の一層均一な分配を行う局部化された加熱あるいは「ホットスポット」のためのポテンシャルを減少する。第２の加熱要素２６０の位置を通って一層均一に熱を分配することによって、サセプタ１５５の表面の温度を、たとえば、特定のスポットにおいて７５０℃以上の温度でさえ、±３℃に制御する可能性が容易にされる。一層一様な分配は、さらに、サセプタのひび割れあるいは損傷の可能性を減少する。
　【００６２】
　図１０および図１１は、サセプタ１５５の表面の温度を監視したり、あるいは表示するための１つの実施の形態を図示している。図１０は、チャンバ本体の上部表面の部分、特に、チャンバのふた１７０の部分および穿孔面プレート１８０の部分を概略的に示している。２つのパイロメータである第１のパイロメータ２００および第２のパイロメータ２０５は、チャンバのふた１７０における開口を通って延在している。図１１は、結合される第１のパイロメータ２００と第２のパイロメータ２０５とを有するチャンバのふた１７０の平面図を示している。第１のパイロメータ２００および第２のパイロメータ２０５は、たとえば米国ワシントン州バンクーバーのＳｅｋｉｄｅｎｋｏ　Ｉｎｃ．より入手可能である。各パイロメータは、サセプタ１５５の表面における（あるいは、サセプタ１５５上のウエハの表面における）温度についてのデータを供給している。１つの実施の形態において、各パイロメータは、３３５℃から１２００℃の温度測定範囲を有している。各パイロメータは、パイロメータの位置に対応する領域におけるサセプタ１５５の温度を測定する。図１１に示される実施形態において、第１のパイロメータ２００は、領域あるいは区域２４５におけるサセプタ１５５の温度を測定し、第２のパイロメータ２０５は、領域あるいは区域２５４におけるサセプタ１５５の温度を測定する。熱電対２１０は、サセプタ１５５の中心２３５とほぼ等しいか、あるいは近くに対応するサセプタ１５５の表面における温度を測定する。パイロメータおよび熱電対は、例示的なものであり、そして、別の装置が温度インジケータとして使用されることができることは明らかである。たとえば、熱カメラは、本発明の別の実施の形態におけるパイロメータの代わりに用いられることができる。
　【００６３】
　第１のパイロメータ２００および第２のパイロメータ２０５は、パイロメータが、露呈される放射エネルギーあるいは光に一部分基づき温度測定を行うので、各パイロメータは、チャンバ１４５の内側にアクセスできる。アクセスは、この場合、それぞれに、第１のパイロメータ２００および第２のパイロメータ２０５のベースにおける窓２９０、２９５によって、そしてそれぞれに、チャンバのふた１７０に形成される開口２７０、２７５によって、また面プレート１８０にそれぞれに形成される開口２８０、２８５によって行われる。ＣＶＤ堆積プロセスなどの特定の実施の形態において、それぞれに、第１のパイロメータ２００および第２のパイロメータ２０５への使用可能な放射あるいは光を中断し、パイロメータの温度を測定し損なう窓２９０、２９５に起こり得るコーティングについての懸念がある。それゆえ、１つの実施の形態において、特に、開口２８０、２８５、あるいは開口２７０、２７５の長さおよび幅は、窓２９０、２９５をコーティングする可能性を最小にするように構成されている。１つの実施の形態において、開口の比率は、面プレート１８０の厚さに関連する。開口対面プレートの厚さについての適切な関係は、１対３である。
　【００６４】
　１つの実施の形態において、マルチプル温度測定は、サセプタ１５５の表面の温度を調整し、そして制御するのに使用されている。たとえば、Ｓｉ３Ｎ４の堆積のためのＬＰＣＶＤプロセスにおいて、７５０℃の表面反応温度は、ヒータ１５０のサセプタ１５５の表面全体にわたって±２．５℃の温度差を有することが望まれる。本発明のシステムは、基準温度あるいは制御温度として使用されるサセプタ１５５の中央地点における温度を測定する（この実施の形態において、熱電対２１０によって測定される）ことによってヒータ１５０の温度を調整し、そして制御することができる。サセプタ１５５全体にわたる温度均一性は、第１のパイロメータ２００および第２のパイロメータ２０５の温度差ΔＴによって測定される。測定されたΔＴから、システムは、Ｓｉ３Ｎ４のＬＰＣＶＤプロセスのための７５０℃において±２．５℃などの特定の範囲にΔＴを制御するために、第１の加熱要素および第２の加熱要素の動力比を調節する。温度差（たとえば、ΔＴ）測定を使用する利点は、少なくとも２つの部分である。第１は、ウエハ間の放射率変化が、各パイロメータの絶対温度をもたらすが、ΔＴの相対値をもたらさないことである。第２に、使用中チャンバの状況における変化が、相対温度測定をもたらさないが、一般に、絶対温度測定をもたらすことである。
　【００６５】
　図１２は、本発明の実施の形態により構成される反応装置におけるウエハを処理する一般的な方法について記述している。図１２は、たとえば、ＣＶＤプロセスの間、デュアル区域、シングルウエハ抵抗性ヒータにおける温度を制御する方法について記述している。第１のステップ（ステップ３００）として、ＣＶＤ反応装置のチャンバ１４５においてヒータ１５０は、ウエハ装填位置に配置される（図３および添付テキストを参照）。次に、ウエハは、たとえば、ロボットの伝達メカニズムを使用して、サセプタ１５５に装填される（ステップ３１０）。ヒータ１５０は、次に、ウエハがたとえば図１に図示されるように、穿孔面プレート１８０に隣接するように配置される（ステップ３２０）。反応装置は、次に、プロセス温度にランプされる（ステップ３３０）。Ｓｉ３Ｎ４のＬＰＣＶＤプロセスにおいて、たとえば、温度は７５０℃にランプされる。温度は、ヒータ１５０のサセプタ１５５の表面全体にわたる温度を調整するために、熱電対２１０と、第１のパイロメータ２００および第２のパイロメータ２１０の１つか、あるいは両方で測定される（ステップ３４０）。温度は、第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０への給電を調整することによって制御される（ステップ３５０）。
　【００６６】
　反応が完了し、そして所望のフィルム厚さが達成されると、チャンバに供給されるプロセスガスが停止され、そしてチャンバは、窒素などの不活性ガスで浄化される（ステップ３７０）。次に、ヒータステージは、ウエハ装填位置に移動され（図３と添付テキストとを参照）、そして処理されたウエハは、取り除かれて、別のウエハに置き換えられる（ステップ３８０）。
　【００６７】
　上記の説明は、ヒータ１５０のサセプタ１５５の表面の温度と、サセプタ１５５の異なる領域あるいは区域における温度を制御し、そして調整することによって、サセプタ１５５の表面上のウエハの表面反応温度とを制御することに関していた。この制御および調整は、手動か、あるいはシステムコントローラの助けで行われることができることが明らかである。前の例において、オペレータは、異なる温度インジケータ（たとえば、第１のパイロメータ２００、第２のパイロメータ２０５および熱電対２１０）の温度測定を記録し、そして、第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素のいずれかか、あるいは両方に供給される動力を手動で調節することができる。別の方法として、コントローラは、温度インジケータによって測定された温度を記録し、そしてたとえば、温度差の相対値を決定し、そしてその結果、加熱要素を調節するアルゴリズムに基づき加熱要素に供給される動力を制御するように構成されることができる。
　【００６８】
　図１２は、たとえば、第１のパイロメータ２００、第２のパイロメータ２０５およびコントローラ２２５に設けられる熱電対２１０などのインジケータによって行われる温度測定に基づき第１の加熱要素２５０および第２の加熱要素２６０を制御するシステムを概略的に図示している。１つの実施の形態において、コントローラ２２５は、温度インジケータが許容可能な範囲内にあるように、ヒータ１５０の温度を調整するために、少なくとも２つの温度インジケータの温度差を比較し、そして給電２１５を制御するべく適切なアルゴリズムを備えている。たとえば、ヒータ１５０のサセプタ１５５の表面全体にわたり７５０℃±２．５℃であることが望まれる実施形態において、コントローラ２２５は、少なくとも２つのインジケータによって行われる測定に基づきこの結果を達成するように給電２１５を制御する。
　【００６９】
　コントローラ２２５には、コントローラ２２５におけるメモリなどのコンピュータ読み取り可能ミディアムに格納されるコンピュータプログラムであるソフトウェアインストラクション論理が供給される。メモリは、たとえば、ハードディスクドライブの部分である。コントローラ２２５は、さらに、オペレータが所望の反応温度およびインジケータ間の温度差（たとえば、±３℃）の許容可能な許容差などの反応パラメータを入力することを可能にするユーザインターフェイスに結合されることができる。ＬＰＣＶＤ反応プロセスにおいて、コントローラ２２５は、さらに、チャンバ１４５における圧力を調節するために、チャンバ１４５における圧力と真空原とを測定する圧力インジケータに結合されることができる。
　【００７０】
　一般に、ヒータ要素制御は、電圧か、あるいは電流調整のいずれかによって行われる。ヒータ要素の動力出力は、電圧調整によって、動力＝電圧２／抵抗率に相当する。
　【００７１】
　図１３において、コントローラ２２５には、所望のオペレーティング温度（温度設定ポイント２０１によって供給される）が供給される。コントローラ２２５は、必要な電圧を第１の加熱要素駆動対２１６と第２の加熱要素駆動対２１７とに供給する給電２１５を制御する。加熱要素駆動対は、順番に、第１の加熱要素２５０および第２の加熱用を２６０にそれぞれに供給される電圧を制御する。コントローラ２２５は、ヒータ１５０のランプ割合と、ヒータ１５０の電圧あるいは動力比（ランプ割合／ＰＩＤ制御２０３および電圧比２０２とをそれぞれに）とを制御する。
　【００７２】
　下記には、たとえば、図１３に記述されるシステムを使用するマルチプル区域ヒータ制御の実施の形態が記述されている。マルチプル区域温度は、インナ区域（たとえば、領域あるいは区域２４５）における１つの温度センサで制御されのに対して、較正された相互関係関数は、インナ区域（たとえば、領域あるいは区域２４５）とアウタ区域（たとえば、領域あるいは区域２５４、もしくは領域あるいは区域２５５）との間に設定される。温度制御は、２つの方法論を採用している。ヒータの温度が、設定ポイントに近接し、そして、比例積分微分フォワード（ＰＩＤＦ）サーボバンド内にあるとき、ＰＩＤＦ制御アルゴリズムが、ヒータ温度を設定ポイントに調整するのに使用される。これに反して、ヒータがランピングアップモードか、あるいはクーリングダウンモードにあるとき、ランプアルゴリズムが、ヒータ耐用期間を延長するために、加熱あるいは冷却の予め画定された割合でヒータ温度を制御するのに使用される。デュアル区域ヒータ温度の均一性は、インナ区域とアウタ区域との間の電圧比あるいは動力比によって制御される。その比は、定数ではないが、ヒータの温度が増大するとき、サセプタのインナ区域とアウタ区域との間に異なって熱損失が増加するので、温度が変化するとき、変更される必要がある。比設定は、されに、チャンバ圧力およびガスフローなどのチャンバ状況による。
　【００７３】
　ヒータ制御モードは、ランプ制御およびＰＩＤＦ制御とに分けられることが可能である。ランプ制御は、さらに、異なる電圧比あるいは動力比を有する温度範囲によって、「低い温度ランプ」および「高い温度ランプ」のように分けられることが可能である。「低い温度ランプ」は、固定電圧比を採用する。「高い温度ランプ」は、式で計算される様々な電圧比あるいは動力比を採用する。
　【００７４】
　Ｉ．制御状況チャンバオペレーション状況は、２つのモードに分けられることが可能である：「チャンバオフライン／オンライン」および「方法」オペレーション。オペレーティングシーケンスは、下記のとおりである：
　Ａ．チャンバオフライン／オンラインヒータが、温度を設定するために、加熱することを開始するとき、制御ステップは：
　１．ヒータ温度が予め画定された温度以下であるとき、低い温度ランプ。
　【００７５】
　２．ヒータ温度が予め画定された温度以上であるとき、高い温度ランプ。
　【００７６】
　３．ヒータ温度が予め画定されたサーボバンド内の必要とされた温度に達するとき、ＰＩＤＦサーボ。
　【００７７】
　ヒータが、冷却することを開始するとき、制御ステップは逆にされる：
　１．ヒータ温度が予め画定された温度以上であるとき、高い温度ランプ。
　【００７８】
　２．ヒータ温度が予め画定された温度以下であるとき、低い温度ランプ。
　【００７９】
　３．ヒータ温度が予め画定されたサーボバンド内の必要とされた温度に達するとき、ＰＩＤＦサーボ。
　【００８０】
　ランプ比および他のＰＩＤファクターは、予め画定されたシステム定数に従う。
　【００８１】
　Ｂ．方法オペレーション方法オペレーションにおいて、ヒータ制御は、温度制御必要条件パラメータを含んでいる：温度設定、電圧比およびランプ比（必要とされる温度が前のステップと異なる場合）。
　【００８２】
　クリーン方法について、制御シーケンスは、たとえば：
　３３．プロセス温度におけるＰＩＤＦサーボ。
　【００８３】
　３４．クリーン温度にランプダウン。
　【００８４】
　３５．クリーン温度におけるＰＩＤＦサーボ。
　【００８５】
　３６．プロセス温度にランプアップ。
　【００８６】
　３７．プロセス温度におけるＰＩＤＦサーボ。
　【００８７】
　ＰＩＤＦサーボの間の、電圧比は、方法のステップにリストされている。ランプアップあるいはランプダウンの間の、ランプ比は、方法のステップにリストされ、そして、電圧比は、「チャンバオフライン／オンライン」に使用されるような予め画定された値に従う。
　【００８８】
　ＩＩ．ランプ制御ランプ制御に使用される１つのアルゴリズムは、ヒータ温度のランプ比についての比例制御を使用する下記の方程式に記述される。
　【００８９】
　　ヒータランプ電圧：インナ区域ヒータランプ電圧＝前のインナ区域ヒータランプ電圧＋（［ランプＰゲイン］＊（ターゲットランプレート−アクチュアルランプレート））
アウタ区域ヒータランプ電圧＝電圧比＊インナ区域ヒータランプ電圧アウタ区域ヒータランプ電圧＞１００％（たとえば、１０Ｖ）であるとき、アウタ区域ヒータランプ電圧＝１００％（たとえば、１０Ｖ）およびインナ区域ランプヒータ電圧＝アウタ区域ヒータランプ電圧／電圧比とする。
　【００９０】
　ターゲットランプレートは、オンライン／オフラインにおけるヒータの温度ランプレートであり、そして、ターゲットランプレートは、「クリーン」方法における「ランプレート」によってオーバーライトされることが可能である。表１は、上記方程式における各パラメータの説明を呈し、そして、ＬＰＣＶＤチャンバのための典型的な推奨値を提供している。
　　表１ヒータのパラメータの説明−ランプ制御インナ区域ヒータ動力出力ランプレート（ランプレートの変化の限界）
説明：システムコントローラからのアナログ出力が変化することが可能な最大速度。
　【００９１】
　推奨値：１００ｍＶＰＩＤ制御にスイッチするための温度エラー説明：ランプ制御からＰＩＤ制御にスイッチするため、およびＰＩＤ制御からランプ制御にスイッチするための温度バンド推奨値：１０℃温度ランプ比例ゲイン（ランプＰゲイン）
説明：ランプ制御の間のヒータ電圧を計算するのに使用される比例ゲイン。
推奨値：８チャンバ×ヒータ温度ランプレートヒート温度ランプレート（ターゲットランプレート）
説明：温度が上がるか、あるいは下がるかの速度。
推奨値：０．１５℃／秒電圧比パラメータ：説明：制御温度におけるアウト区域とインナ区域との間の電圧比。このパラメータは異なる温度のために変化する。詳細のために「電圧比」のセクションを参照すること。
　【００９２】
　熱電対の故障検出タイムアウト説明：アクチュアルランプレートが、ターゲットランプレートの７０％未満である場合、警報を信号で知らせるためのタイム。
推奨値：３００秒ランプ制御について、電圧比は、ヒータの温度範囲による。
　【００９３】
　Ａ．電流温度（℃）＜［ＴＬ］である場合：その場合、電圧比＝［ＲＬ］である。
　【００９４】
　　注記：ＲＬ＝低い温度ランプの電圧比ＴＬ＝低いランプの温度限度（℃）
　Ｂ．［ＴＬ］＜電流密度（℃）＜設定温度（℃）−［ＰＩＤ制御をスイッチするための温度エラー］である場合、その場合、電圧比＝［ＲＬ］＋（［ＲＨ］−［ＲＬ］）＊（電流温度−［ＴＬ］）／（［ＴＨ］−［ＴＬ］）である。
　【００９５】
　　注記：ＲＬ＝低い温度ランプの電圧比ＲＨ＝高い温度ランプの電圧比ＴＨ＝高いランプの温度限度（℃）
　　ＴＬ＝低いランプの温度限度（℃）
ＲＬ、ＲＨは、２つの区域（ＰＭ）の最大電圧比によって限定される。
　【００９６】
　Ｃ．方法（プロセスおよびクリーン）において：電圧比は、所望のヒータの温度範囲による。
　【００９７】
　プロセス温度において：電圧比＝方法におけるプロセス温度での電圧比。
　【００９８】
　方法における各要求温度（℃）＝［ＰＩＤ制御をスイッチするための温度エラー］の前にヒータ温度がランプダウンするか、あるいはランプアップするとき。
　【００９９】
　電圧比＝［ＲＬ］＋（［ＲＨ］−［ＲＬ］）＊（電流温度−［ＴＬ］）／（［ＴＨ］−［ＴＬ］）である。
　【０１００】
　　注記：ＲＬ＝低い温度ランプの電圧比ＲＨ＝高い温度ランプの電圧比ＴＨ＝高いランプの温度限度（℃）
　　ＴＬ＝低いランプの温度限度（℃）
ＲＬ、ＲＨは、２つの区域（ＰＭ）の最大電圧比によって限定される。
　【０１０１】
　１０℃の温度変化毎に再計算された電圧比。
　【０１０２】
　ＩＩＩ．ＰＩＤＦ制御ＰＩＤＦ制御は、ヒータ温度がシステムによって設定された温度バンド範囲内であるときに使用される。ＰＩＤＦ制御バンド範囲内で、最大５つの異なる温度が総ヒータ電圧を計算するのに使用される。これらの５つのパラメータは、フィードフォワード、温度プリセット、Ｐ、ＩおよびＤである。フィードフォワードレッグは、特定の設定ポイントに温度を維持するのに必要な電圧を供給する。無負荷である場合、それは総ヒータ電圧に貢献するコンポーネントのみであるべきである。フィードフォワードを追加する１つの目的は、抵抗が変化する異なるヒータのために制御安定性を供給することである。温度プリセットは、大きい負荷がガス導入あるいは圧力ランプの間ヒータに存在するときヒータに瞬時電圧変化を与えるために、プロセス方法において使用可能である。Ｐレッグは、温度エラーにゲインを掛けることによって決定され、Ｉレッグは、総温度エラーにゲインを掛けることによって決定され、そしてＤレッグは、温度エラースロープにゲインを掛けることによって決定される。Ｉレッグは、温度が設定ポイントに近いとき、至近の安定状態状況だけに使用される。Ｉレッグは、温度プリセットがプロセスの間に使用されるとき、総電圧計算に使用されない。
　【０１０３】
　ＰＩＤＦ制御の間のインナ区域ヒータ電圧は、表２の方程式により決定される。Ｄレッグは、別のレッグが追加される間に、総電圧から引かれる。個々のレッグのための方程式は、いくつかの実験例の計算で示されている。Ｉレッグおよび温度プリセットレッグは、互いに相容れない。Ｉレッグは、温度プリセットがゼロであるときだけに、総電圧に貢献する。温度プリセットがゼロでない場合、ｉレッグは使用されない。
　【０１０４】
　ＰＩＤＦ制御の間のアウタ区域ヒータ電圧は、インナ区域ＰＩＤ制御出力電圧と電圧比（動力相互関係）の積によって決定される。電圧比（動力相互関係）は、リールプロセス状況、異なる製造業社からのヒータ、およびホットアイドル状況に基づいて計算された表か、あるいは一覧表にある。
表２ＰＩＤ制御方程式インナ区域ヒータＰＩＤ電圧＝（フィードフォワードレッグ＋Ｉレッグ＋温度プリセットレッグ）−Ｄレッグアウタ区域ヒータ電圧＝電圧比＊インナ区域ヒータ制御電圧アウタ区域ヒータ電圧＞１００％であるとき、アウタ区域ヒータ電圧＝１００％（１０Ｖ）とする。
　【０１０５】
　　インナ区域ヒータ電圧＝アウタ区域ヒータランプ電圧／電圧比フィードフォワードレッグ＝温度設定ポイント＊（［１ディグリーに対するバイアスワット数］）／（［インナの最大ワット］＋［アウタの最大ワット］＊電圧比＾２））
　　Ｐレッグ＝温度エラー＊（［Ｐゲイン］＊［エラーの１ディグリーに対する訂正動力］）／（［インナの最大ワット］＋［アウタの最大ワット］＊電圧比＾２））
　　Ｉレッグ＝温度エラートータル＊（［Ｉゲイン］＊［エラーの１ディグリーに対する訂正動力］）／（［インナの最大ワット］＋［アウタの最大ワット］＊電圧比＾２））
　　Ｄレッグ＝温度エラースロープ＊（［Ｄゲイン］＊［エラーの１ディグリーに対する訂正動力］）／（［インナの最大ワット］＋［アウタの最大ワット］＊電圧比＾２））
　　温度プリセットレッグ＝［温度プリセット］／（［インナの最大ワット］＋［アウタの最大ワット］＊電圧比＾２））
実験例：（インナ）ヒータＰＩＤ電圧＝（４９．１％＋３．４％＋０％）−２．０％＝５３．３％＝＞１０７ＶＡＣフィードフォワードレッグ＝７５０＊（０．６５５／（２０００＋２０００＊２＾２）＝＞４９．１％＊Ｐレッグ＝０．８＊（１４２．７＊３０／（２０００＋２０００＊２＾２）＝＞３．４％（アウタ）ヒータ電圧＝１．１５＊１０７＝＞１２３ＶＡＣ動力比＝１．５注記：計算における矢印は、示される計算された値が大きさにおいて１０Ｘのファクターだけ異なることを示している。
　　表３ヒータパラメータの説明−ＰＩＤ制御チャンバ×最大インナアナログ出力における動力のワット（インナの最大ワット）
説明：フィードフォワードレッグ、Ｐレッグ、Ｉレッグ、Ｄレッグおよび温度プリセットレッグのための計算におけるゲインファクタとして使用される。
　【０１０６】
　　チャンバ×最大アウタアナログ出力における動力のワット（アウタの最大ワット）
説明：フィードフォワードレッグ、Ｐレッグ、Ｉレッグ、Ｄレッグおよび温度プリセットレッグのための計算におけるゲインファクタとして使用される。
　【０１０７】
　チャンバ×抵抗性ヒータサーボバンド幅説明：積分制御が使用される設定ポイント周囲の温度バンド。積分制御は、温度がこのバンド範囲を超える毎にリセットされる。
　　推奨値：１５℃チャンバ×エラーのディグリーに対する訂正動力（エラーの１ディグリーに対する訂正動力）
説明：Ｐレッグ、ＩレッグおよびＤレッグに使用されるゲインファクター。
　【０１０８】
　　推奨値：３０．０Ｗ／℃チャンバ×アウタ区域電圧サーボ比（電圧比）
説明：電圧比は、インナ区域ＰＩＤサーボ値に基づくアウタ区域電圧サーボ較正ファクターのために使用される。それは、電気負荷の変化、すなわち、電流に関係する。
　【０１０９】
　　チャンバ×エラーヒストリートータルのパーセントによるサーボ（Ｉゲイン）
説明：Ｉレッグのためのゲインファクター。Ｉレッグは、安定状態エラーを訂正するのに使用され、そして、温度が設定ポイントに近いときだけ使用される。Ｉレッグは、方法において温度プリセットがないときだけ使用される。
　【０１１０】
　　チャンバ×現在のエラーのパーセントによるサーボ（Ｐゲイン）
説明：Ｐレッグのためのゲインファクター。Ｐレッグは、ｂガスフロー、クールウエハなどを生ずるあらゆる負荷妨害に対抗するのに使用される。
　【０１１１】
　　チャンバ×現在のスロープのパーセントによるサーボ（Ｄゲイン）
説明：Ｄレッグのためのゲインファクター。Ｄレッグは、温度における振幅を減少するのに使用される。それは、総動力から引かれ、そして温度における急激な変化に対抗するために作用する。
　【０１１２】
　　チャンバ×１ディグリー設定ポイントに対するヒータバイアスワット数（１ディグリーに対するバイアスワット数）
説明：フィードフォワードレッグのためのゲインファクター。フィードフォワードレッグは、ホットアイドル（無負荷）におけるとき、すべての電圧を総ヒータ電圧に貢献するようにチューンされるべきである。
推薦値：０．２５Ｗ／℃（チューニング時のヒータ間の変動が）
温度プリセット（温度プリセット）
レシピとしてプログラムされている。
　【０１１３】
　説明：方法に要求されるとき、電圧における瞬時変化を与える。大きな負荷がヒータに存在するとき、ガスフロー導入の間に使用される。温度プリセットが使用されるとき、Ｉレッグはゼロになる。温度プリセットは、特に堆積ステップの間に、使用されるＩレッグのためにゼロである。
　【０１１４】
　推薦値：レシピにより異なる。温度プリセット５０ｍＷごとに多区域ヒータ用ヒータに１．８％電圧を追加する。
　【０１１５】
　ＰＩＤＦ制御について、電圧比は、ヒータ温度の範囲による。
　【０１１６】
　Ａ．設定温度（℃）は、［ＴＬ］以下である：電圧比＝［ＲＬ］である。
　【０１１７】
　　注記：ＲＬ＝低い温度ランプの電圧比ＴＬ＝低いランプの温度限度（℃）
　Ｂ．設定温度（℃）が、［ＴＬ］と［ＴＨ］との間である場合、電圧比＝［ＲＬ］＋（［ＲＨ］−［ＲＬ］）＊（設定温度−［ＴＬ］）／（［ＴＨ］−［ＴＬ］）である。
　【０１１８】
　　注記：ＲＬ＝低い温度ランプの電圧比ＲＨ＝高い温度ランプの電圧比ＴＨ＝高いランプの温度限度（℃）
　　ＴＬ＝低いランプの温度限度（℃）
　Ｃ．電圧比−方法における（プロセス／クリーン）：プロセス温度±ＰＩＤ制御をスイッチするための温度エラーの範囲内で、電圧比＝方法におけるプロセス温度での電圧比。電圧比設定は、２つの区域（ＲＭ）の最大電圧比によって制限される。
　【０１１９】
　表４は、ヒートアップ、待機／プロセスおよびクーリングダウンのためのヒータのパラメータについて記述している。
表４ヒータパラメータの説明−ヒートアップ、待機／プロセス、クーリングダウンヒータパラメータの説明−（ｓｙｓｃｏｎｓ（シスコン）は、プロセス／チャンバのパラメータに従ってヒータ較正スクリーンに位置される。）
　　チャンバ×低いランプの温度限度（℃）（ＴＬ）
説明：ヒータがこの温度を超えるとき、２つの区域の電圧比は、基本電圧比に等しい。
　【０１２０】
　推奨値：７５０℃（設定可能：６００℃から８００℃）
待機温度（℃）
説明：チャンバが待機状況のもとにあるとき、ヒータは、この温度に維持される。
　【０１２１】
　推奨値：プロセス温度＋１０℃チャンバ×低い温度ランプ（ＲＬ）の電圧比説明：［低いランプの温度限度（℃）（ＴＬ）］の温度のもとで、アウタ区域とインナ区域との間の電圧比チャンバ×高い温度ランプ（ＲＭ）の電圧比説明：［高いランプの温度限度（℃）（ＴＨ）］の温度を超えて等しいアウタ区域とインナ区域との間の電圧比２つの区域の最大電圧比（ＲＭ）
説明：最大電圧比。方法にＲＨ、ＲＬおよびＲを有する。
許容された範囲値：０から２．２温度設定（℃）（ＴＳ）
説明：ヒータターゲットオペレーティング温度。ヒータがこの温度にあるとき、２つの区域の電圧比は、基本電圧比に等しい。
　【０１２２】
　設定温度の電圧比説明：温度が、［チャンバ×抵抗性ヒータサーボバンド幅（℃）］の範囲内の設定温度に達するとき、コントローラは、ＰＩＤＦ制御を行うために、この電圧比を使用する。
　【０１２３】
　表５は、チャンバクリーン方法のためのヒータパラメータについて記述している。
表５
ヒータパラメータ−クリーン方法ヒータパラメータの説明−（パラメータは、方法に位置されている）
プロセス温度（℃）
パラメータ：方法にプログラムされている。
説明：チャンバがプロセス状況にあるとき、ヒータは、この温度に作用される。
　【０１２４】
推奨値：プロセスによる。
　【０１２５】
プロセス温度における電圧比シスコン：方法にプログラムされている。
　【０１２６】
説明：［サーボバンド］の範囲内のプロセス温度におけるアウタ区域とインナ区域との間の電圧比限度値：ＲＭランプレート（アップあるいはダウン）（℃／分）（ターゲットランプレートをオーバーライトすること）
パラメータ：方法にプログラムされている。
　【０１２７】
説明：温度設定は、前のステップと異なる。ヒータ温度のランプレートは、ソフトウェアによって設定され、そして制御される必要がある。
　【０１２８】
限度値：…℃／分上記の説明は、本来、多区域、ＣＶＤシステムに使用されるシングルウエハヒータの使用に関している。本発明は、デュアル区域ヒータ装置を含んで記述している。加熱要素に関係する別の加熱要素および温度インジケータが、本発明の精神あるいは範囲から逸脱することなく含まれることができることは明らかである。本発明は、ＣＶＤ反応装置、システム、あるいは方法に限定されるものではないが、正確な温度制御が保証される様々な別の適用に使用することができることはさらに明らかである。
　【０１２９】
上記の詳細な説明において、本発明は、特定の実施の形態を参照として記述されている。とはいえ、様々な修正および変更が、請求の範囲に述べられるような本発明の広い精神および範囲から逸脱することなく行われてよいことは明らかである。明細書および図面は、それゆえに、限定するという意味ではなく実例を示すとして考慮されるものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施形態に基づく「ウエハ処理」形態にある反応チャンバ内部の加熱器を示すＣＶＤシステムの断面側面図である。
　【図２】本発明の実施形態に基づく「ウエハ分離」形態にある反応チャンバ内部の加熱器を示す図１のＣＶＤシステムの断面側面図である。
　【図３】本発明の実施形態に基づく「ウエハ装荷」形態にある反応チャンバ内部の加熱器を示す図１のＣＶＤシステムの断面側面図である。
　【図４】本発明の実施形態に基づくＣＶＤシステムの加熱器部分の一部の拡大半断面図である。
　【図５】本発明の実施形態に基づいて備えられたＣＶＤシステムの加熱器の低面図である。
　【図６】本発明の実施形態に基づく図４の線Ａ−Ａから見たＣＶＤシステムの加熱器のステージないしサセプタの平面図である。
　【図７】本発明の実施形態に基づく図４の線Ｂ−Ｂから見たＣＶＤシステムの加熱器のステージないしサセプタの平面図である。
　【図８】本発明の実施形態に基づく三つの区域を示すＣＶＤシステムの加熱器のステージないしサセプタの平面図である。
　【図９】本発明の実施形態に基づく電力比対加熱器のステージまたはサセプタの半径のグラフによる説明図である。
　【図１０】本発明の実施形態に基づくチャンバ壁の頂部に結合された二つの高温計を示すＣＶＤシステムの部分の拡大断面図である。
　【図１１】本発明の実施形態に基づくそれぞれの加熱区域上方にある二つの高温計を示すＣＶＤシステムのチャンバの平面図である。
　【図１２】本発明の実施形態に基づくＣＶＤのチャンバ内のウエハの処理方法のフローチャートである。
　【図１３】加熱器の加熱素子に印加される電力を制御するためのコントローラを有する本発明のシステムの実施形態のブロック図である。
　【符号の説明】
　１００…プロセスチャンバ本体、１０２…通路、１０５…エントリーポート、１４５…チャンバ、１５０…ヒータ、１５５…サセプタ、１５６…ウエハポケット、１５８…シャフト、１６０…リフタアセンブリ、１７０…チャンバリッド、１７５…ガス散布ポート、１８５…ポンピングプレート、１９０…リフトプレート、１９５…リフトピン、１９８…開口、２００…第１のパイロメータ、２０５…第２のパイロメータ、２０１…温度設定ポイント、２１０…熱電対、２１５…給電、２１６ａ，２１６ｂ…端子、２１６…第１の加熱要素駆動体、２１７…軸、２１５ａ，２１５ｂ，２２０ａ，２２０ｂ…導電性リード線、２２１ａ，２２１ｂ…端子、２２５…コントローラ。