【事件の表示】
平成　４年特許願第　９５５８０号「半導体レーザ装置」拒絶査定に対する審判事件［　平成　５年１１月　５日出願公開、特開平　５−２９１６９０                        ］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（手続の経緯、請求項に係る発明）
　本願は、平成４年４月１５日の出願であって、請求項１及び請求項２に係る発明は、平成１０年９月２５日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１には次のとおり記載されている。
「化合物半導体量子井戸構造の半導体レーザ装置において、量子井戸を構成する井戸層の厚さＬzと、障壁層の伝導帯下端エネルギーと該井戸層の伝導帯下端エネルギーとの差Ｖ０との間に下記式〔Ｉ〕が成り立つように、ＬzとＶ０が設定されており、該量子井戸内の電子に対しては第１量子井戸準位のみが存在していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【数１】
　　
（式中、ｈはプランク定数、ｍ*は該量子井戸内における電子の有効質量を表す）。」
（先願明細書）
　これに対して、原査定の拒絶の理由において引用された、本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平３ー３０５３２１号（特開平５−１２１８４０号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、先願明細書という。）には、
公開公報の掲載箇所で示すと、
「基板上に、光閉じ込め層、量子井戸層と障壁層からなる活性層、および光閉じ込め層を順次積層し、第１量子準位のみが存在する半導体レーザ素子において、前記量子井戸層は基板に対して圧縮歪みを有することを特徴とする半導体レーザ素子。」（特許請求の範囲請求項１）、
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来のこのような格子整合系の量子井戸半導体レーザ素子では、第１量子準位および第２量子準位のそれぞれの電子?正孔間遷移によるエネルギーに相当する波長間で利得を持っている。従って、活性層の量子井戸構造は第２量子準位が存在するものに限定され、この結果、第１量子準位のみが存在する場合の低しきい値化を達成することができなかった。」（公報第２頁第１欄第３３行〜第４１行）、
「【０００５】
【作用】量子井戸構造のエネルギー準位は、格子整合系（無歪み）の場合には・・・重い正孔（ｈ．ｈ）バンドと軽い正孔（ｌ．ｈ）は重なっている。ところが・・・重い正孔（ｈ．ｈ）バンドと軽い正孔（ｌ．ｈ）が分裂し・・・圧縮歪みを与えた量子井戸層を用いると、第１量子準位から各々のバンドへの遷移に対応するエネルギーの波長λｈ．ｈ 、λｌ．ｈで励振し、放出スペクトル帯を広げることができる。そのため、量子井戸構造に第２量子準位が存在しなくても、このような半導体レーザ素子を外部共振器型波長可変レーザに用いると、広い波長可変幅を得ることができる。
【０００６】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。・・・本実施例は、図１に示すように、ｎ?ＩｎＰ基板１上に、ｎ?ＩｎＰクラッド層２、その上に・・・光閉じ込め層を順次積層し、その上に・・・ＧａＩｎＡｓ量子井戸層４と厚さ１４０ÅのＧａＩｎＡｓＰ障壁層５（λg ＝１．３μｍ）よりなる活性層を積層し、さらに・・・最後にｐ?ＩｎＰクラッド層７、ｐ?ＩｎＰコンタクト層８を積層したものである。」（公報第２頁第１欄第５０行〜第２欄第３３行）、
「【０００７】
【発明の効果】　以上説明したように本発明によれば、基板上に、光閉じ込め層、量子井戸層と障壁層からなる活性層、および光閉じ込め層を順次積層し、第１量子準位のみが存在する半導体レーザ素子において、前記量子井戸層は基板に対して圧縮歪みを有するため、この半導体レーザ素子を外部共振器型波長可変レーザに用いると、低しきい値化を図りながら広い波長可変幅を得ることができるという優れた効果がある。」（公報第２頁第２欄第３６行〜第４４行）と記載されており、先願明細書には、
「ＩｎＰ基板上に、光閉じ込め層、ＧａＩｎＡｓ量子井戸層とＧａＩｎＡｓＰ障壁層からなる活性層、および光閉じ込め層を順次積層し、第１量子準位のみが存在する半導体レーザ素子において、前記量子井戸層は基板に対して圧縮歪みを有することを特徴とする半導体レーザ素子。」
の発明（以下、先願発明という。）が記載されている。
　
（対比）
  本願の請求項１に係る発明（以下、単に本願発明という。）と先願発明とを対比する。
　先願発明における「ＧａＩｎＡｓ量子井戸層とＧａＩｎＡｓＰ障壁層からなる活性層」は化合物半導体量子井戸構造であり、先願発明の半導体レーザ素子は、化合物半導体量子井戸構造の半導体レーザ装置に相当する。
　また、先願明細書には、【発明が解決しようとする課題】として、従来の量子井戸半導体レーザ素子では、第１量子準位および第２量子準位が存在し、この結果、第１量子準位のみが存在する場合の低しきい値化を達成することができなかったこと、【作用】として、圧縮歪みを与えた量子井戸層を用いると、第１量子準位のみで、第２量子準位が存在しなくても、広い波長可変幅を得ることができること、【発明の効果】として、第１量子準位のみが存在する半導体レーザ素子において、低しきい値化を図りながら広い波長可変幅を得ることができるという優れた効果があることが記載されており、第２図には、量子井戸内の電子に対して第１量子井戸準位のみが存在していることが示されているから、先願発明においても量子井戸内の電子に対しては第１量子井戸準位のみが存在していることは明らかである。
　よって両者は、
「化合物半導体量子井戸構造の半導体レーザ装置において、該量子井戸内の電子に対しては第１量子井戸準位のみが存在していることを特徴とする半導体レーザ装置。」である点で一致しており、
本願発明では、「量子井戸を構成する井戸層の厚さＬzと、障壁層の伝導帯下端エネルギーと該井戸層の伝導帯下端エネルギーとの差Ｖ０との間に下記式［Ｉ］が成り立つように、ＬzとＶ０が設定されている」のに対し、先願発明には、これに関する記載はない点、
で一応相違している。
【数１】
　　
（式中、ｈはプランク定数、ｍ*は該量子井戸内における電子の有効質量を表す）。」
　
（当審の判断）
  上記相違点について検討する。
　審判請求人は、審判請求書において、上記式［Ｉ］は本願発明者らが初めて明らかにしたとして、その導出過程を審判請求書第５頁第９行〜第７頁末行にかけて説明し、上記式［Ｉ］は、量子力学の世界で周知の内容ではない、旨主張している。
　しかしながら、有限な高さの障壁層を有する一次元井戸型ポテンシャルにおける、井戸内外領域の粒子のシュレディンガー方程式が審判請求書第５頁の（１）式及び（２）式で表されること、境界条件を考慮して方程式を解けば、審判請求書第６頁の（Ａ）式及び（Ｂ）式が得られること、（Ａ）式及び（Ｂ）式はグラフを利用して解を求めることができ、その結果、井戸内で粒子が一つのエネルギー準位のみを有するようにする条件が、審判請求書第７頁の［Ｉ］式（上記式［Ｉ］と同じ）で表されることは、例えば「新版量子力学（上）」（シッフ著、吉岡書店、１９８７年４月２５日第１５刷発行、第４４頁〜第４９頁）に記載されている（第４６頁第１８行の波動方程式が上記（１）式に、第４５頁（９．１）式が上記（２）式に、第４７頁の（９．７）式及び（９．６）式が上記（Ａ）式及び上記（Ｂ）式に対応し、また、第４８頁下から第５行〜第４行にかけての
　　
なる記載が［Ｉ］式の条件に対応する。）ように、量子力学において本願出願前周知である。
　そして、量子井戸内の電子の波動方程式は、質量ｍに有効質量ｍ＊を代入すれば同様に表されることも周知であるから（例えば、「面発光レーザ」伊賀健一、小山二三夫共著、オーム社、１９９０年９月２５日発行、第１９９頁〜第２００頁参照）、上記相違点は、量子井戸内の電子が第１量子井戸準位のみを有するようにするための、単なる周知技術の付加であって、新たな作用効果を奏するものではない。
　よって、本願発明と先願発明とは実質的に同一の発明である。
　
（むすび）
　したがって、本願発明は、先願発明と実質的に同一の発明であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時において、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。