【事件の表示】
　特願２０１２−５１２７２１「フェニル基含有プレポリマー及び耐熱性材料並びに素子封止構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　２月２３日国際公開、ＷＯ２０１２／０２３６１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯　  
　本願は、平成２３年８月１９日（優先権主張　２０１０年８月２０日）を国際出願日とする特許出願であって、平成２４年４月２４日に手続補正書が提出され、同年５月１８日に手続補正書が提出され、同年８月７日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月５日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２５年１月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月９日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出され、同年６月２７日付けで前置報告がなされ、それに基づいて当審で同年７月２２日付けで審尋がなされ、同年９月２１日に回答書が提出され、当審で平成２６年１月２３日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年３月３１日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。　　  
　
第２．平成２６年３月３１日提出の手続補正についての補正の却下の決定　
〔結論〕　  
　平成２６年３月３１日提出の手続補正を却下する。　  
　
〔理由〕　  
　１．補正の内容　  
　平成２６年３月３１日提出の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成２５年４月９日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲をさらに補正するものであって、本件補正前の特許請求の範囲の、　  
　  
「【請求項１】　
　両末端または片末端に金属および／または半金属アルコキシドと反応可能なシラノール基を有するポリジメチルシロキサンと、金属および／または半金属アルコキシドおよび／または上記アルコキシドのオリゴマーとの縮合反応によって製造された有機一無機ハイブリッドプレポリマーであって、　
　上記ポリジメチルシロキサンの質量平均分子量は３，７１８以上１００，０００以下の範囲であり、　
　上記金属および／または半金属アルコキシドの一部または全部には、フェニル基が導入されており、　
　上記両末端に金属および／または半金属アルコキシドと反応可能なシラノール基を有するポリジメチルシロキサンは一般式〔化１〕で表わされ、上記片末端に金属および／または半金属アルコキシドと反応可能なシラノール基を有するポリジメチルシロキサンは一般式〔化２〕で表わされ、　
　上記金属および／または半金属アルコキシドは一般式〔化３〕を有し、上記アルコキシドのオリゴマーは一般式〔化４〕を有し、更に上記フェニル基が導入された金属および／または半金属アルコキシドは一般式〔化５〕を有する　
ことを特徴とするフェニル基含有有機一無機ハイブリッドプレポリマー。　
　
　　【化１】　
　ここに、ｌは５０以上の整数である。　
 
　　【化２】　
　ここに、ｌは５０以上の整数である。　
 
　　【化３】
　
　ここに、Ｍは金属または半金属、Ｒは炭素数４以下のアルキル基であり、上記４個のアルキル基は同一のものでも、部分的に異なっていても、あるいは全部異なっていてもよい。　
　
　　【化４】　
　
　ここに、Ｍは金属または半金属、Ｒは炭素数４以下のアルキル基であり、上記アルキル基は同一のものでも、部分的に異なったものでも、あるいは全部異なったものでもよく、　
ｐは４〜６の整数である。　
　
　　【化５】　
　
　ここに、Ｒは炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基であり、これらのアルキル基は同一のものでも、部分的に異なったものでも、あるいは全部異なったものでもよい。　
　　【請求項２】　
　請求項１に記載のフェニル基含有有機−無機ハイブリッドプレポリマーを加熱ゲル化したゲル化物からなる　
ことを特徴とする耐熱性有機−無機ハイブリッド材料。　
　　【請求項３】　
　２５０℃の環境下で１０００時間経過後におけるショアーＥ硬度計による硬度が８０以下である　
請求項２に記載の耐熱性有機−無機ハイブリッド材料。　
　　【請求項４】　
　請求項２又は請求項３に記載の耐熱性有機−無機ハイブリッド材料を封止材として発熱性素子を封止した　
ことを特徴とする素子封止構造。　
　　【請求項５】　
　上記発熱性素子には半導体としてＳｉＣおよび／またはＧａＮが組み込まれている請求項４に記載の素子封止構造。」　  
　
なお、以下、上記「一般式〔化１〕〜〔化５〕」で表される化合物の構造式およびその説明を省略して「補正前〔化１〕〜〔化５〕」とのみ記す。
　  
との記載を、　  
　  
「【請求項１】　
　両末端または片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンと、フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドまたは上記フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドのオリゴマーとの縮合反応によって製造されたプレポリマーであって、　
　上記ポリジメチルシロキサンの質量平均分子量は２０，０００以上１００，０００以下の範囲であり、　
　上記両末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンは一般式〔化１〕で表わされ、上記片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンは一般式〔化２〕で表わされ、　
　上記フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドは一般式〔化３〕で表され、上記フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドのオリゴマーは一般式〔化４〕で表される  　
ことを特徴とするフェニル基含有プレポリマー。　
　　【化１】　
　ここに、ｌは２７０以上の整数である。　
　　【化２】　
　ここに、ｌは２７０以上の整数である。　
　　【化３】  　
　
　ここに、Ｒは炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基であり、これらのアルキル基は同一のものでも、部分的に異なったものでも、あるいは全部異なったものでもよい。　
　　【化４】　
　ここに、Ｒは炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基であり、これらのアルキル基は同一のものでも、部分的に異なったものでも、あるいは全部異なったものでもよく、ｐは４〜６の整数である。　
　　【請求項２】　
　請求項１に記載のフェニル基含有プレポリマーを加熱ゲル化したゲル化物からなることを特徴とする耐熱性材料。　
　　【請求項３】　
　耐熱性として、２５０℃の環境下で１０００時間経過後におけるショアーＥ硬度計による硬度が８０以下であり、２５０℃の環境下で２００時間経過後における重量減少率が６％以下である請求項２に記載の耐熱性材料。　
　　【請求項４】　
　請求項２又は請求項３に記載の耐熱性材料を封止材として発熱性素子を封止したことを特徴とする素子封止構造。　
　　【請求項５】　
　上記発熱性素子には半導体としてＳｉＣおよび／またはＧａＮが組み込まれている請求項４に記載の素子封止構造。」　  
　
なお、上記「一般式〔化１〕〜〔化４〕」で表される化合物の構造式およびその説明を省略して「補正後〔化１〕〜〔化４〕」とのみ記す。　
　
とする補正を含むものである。　  
　
　２．本件補正の目的について　  
　上記特許請求の範囲に係る補正は、本件補正前の請求項１における　
〔補正事項１〕　
　ポリジメチルシロキサンに関して、「両末端または片末端に金属および／または半金属アルコキシドと反応可能なシラノール基を有する」なる事項を「両末端または片末端にシラノール基を有する」とする事項、
〔補正事項２〕　
　「金属および／または半金属アルコキシドおよび／または上記アルコキシドのオリゴマー」なる事項を「フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドまたは上記フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドのオリゴマー」とする事項、
〔補正事項３〕　
　「有機一無機ハイブリッドプレポリマー」なる事項を「プレポリマー」とする事項、
〔補正事項４〕　
　ポリジメチルシロキサンの質量平均分子量を「３，７１８以上１００，０００以下」なる事項を「２０，０００以上１００，０００以下」とする事項、
〔補正事項５〕　
　「上記金属および／または半金属アルコキシドの一部または全部には、フェニル基が導入されており」なる事項を削除する事項、
〔補正事項６〕　
　ポリジメチルシロキサンに関して、「補正前〔化１〕」「補正前〔化２〕」において、繰り返し単位「ｌは５０以上」で表わされるとしていた事項を「補正後〔化１〕」「補正後〔化２〕」において、繰り返し単位「ｌは２７０以上」で表わされるとする事項、
〔補正事項７〕　
　アルコキシドに関して、「補正前〔化３〕」「補正前〔化４〕」「補正前〔化５〕」を有するとの事項を、補正事項２により「フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドまたは上記フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドのオリゴマー」となったことから、この条件を満たさない「補正前〔化３〕」を削除し、上記オリゴマーに相当する「補正前〔化４〕」が上記条件を満たすよう「補正後〔化４〕」で表されるとし、上記ケイ素アルコキシドに相当する「補正前〔化５〕」が上記条件を満たすよう「補正後〔化３〕」で表されるとする事項、
〔補正事項８〕　
「フェニル基含有有機−無機ハイブリッドプレポリマー」なる事項を「フェニル基含有プレポリマー」とする事項、　
を含むものである。　
　
　〔補正事項１に関して〕本件補正前後において規定されている「両末端または片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサン」において何ら差異はない。そして、本件補正前に記載されている「金属および／または半金属アルコキシドと反応可能な」なる事項は「シラノール基」の性質を記載しているが、「シラノール基」は「金属および／または半金属アルコキシド」と反応可能であるという性質を備えるものであるから、この規定は、「シラノール基」を限定するものではなく、削除したとしても「シラノール基」が影響されるものではない。　
〔補正事項４，６に関して〕補正事項４は、質量平均分子量の範囲を減縮したものであるし、補正事項６はそれに伴い構造式の繰り返し単位数の整合性を図ったものである。　
〔補正事項２，５，７に関して〕補正事項２は、金属および／または半金属アルコキシドをフェニル基が導入されたケイ素アルコキシドと限定するものである。また、補正事項５は、フェニル基が導入される部分が、「一部または全部」だったのを、補正事項２の限定により「全部」に限定するものである。さらに、補正事項７は、補正事項２の限定によりオリゴマーもフェニル基が導入されたケイ素アルコキシドとなったために構造式の整合性を図ったものである。　
〔補正事項３，８に関して〕補正事項３における「プレポリマー」は、補正事項８における「フェニル基含有プレポリマー」を意味していることは明らかであることから、補正事項８とともに検討すると、補正事項２、５、７により、全部のケイ素アルコキシドまたはそのオリゴマーがフェニル基が導入されたものとなったことから、結局得られるプレポリマーには「無機」部分が存在しないこととなったために整合性を図ったものである。　
　そうすると、本件補正の前と後とで産業上の利用分野及び解決しようとする課題を変更するものではないことから、本件補正後の請求項１についてする上記補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　  
　
　３．独立特許要件について　  
　そこで、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本件補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。　
　
（１）本件補正発明　  
　本件補正発明は以下のとおりのものである。　  
　
「両末端または片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンと、フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドまたは上記フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドのオリゴマーとの縮合反応によって製造されたプレポリマーであって、　
　上記ポリジメチルシロキサンの質量平均分子量は２０，０００以上１００，０００以下の範囲であり、　
　上記両末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンは補正後〔化１〕で表わされ、上記片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンは補正後〔化２〕で表わされ、　
　上記フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドは補正後〔化３〕で表され、上記フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドのオリゴマーは補正後〔化４〕で表される  　
ことを特徴とするフェニル基含有プレポリマー。」　
　
（２）刊行物の記載事項  
　平成２６年１月２３日付け拒絶理由通知において引用された、本願の優先日前に頒布された特開２００７−１１６１３９号公報（以下、「刊行物Ａ」という。）には、以下の事項が記載されている。  
　
Ａ１「【請求項３】　 
（５）固体Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルにおいて、　 
　（ｉ）ピークトップの位置がケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上０ｐｐｍ以下の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上、３ｐｐｍ以下であるピーク、及び、　 
　（ii）ピークトップの位置がケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上−４０ｐｐｍ未満の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上５ｐｐｍ以下であるピーク 
からなる群より選ばれるピークを、少なくとも１つ有するとともに、　 
（４）波長５５０ｎｍの光における屈折率が１．４５以上であり、　 
（６）シラノール含有率が０．０１重量％以上、１０重量％以下である　 
ことを特徴とする、半導体発光デバイス用部材。　
　
・・・　
　
【請求項９】　
　請求項１〜８の何れか一項に記載の半導体発光デバイス用部材の製造方法であって、　
　下記一般式（１）で表わされる化合物及び／又はそのオリゴマーを加水分解・重縮合して得られる重縮合物を乾燥する工程を有する　
ことを特徴とする、半導体発光デバイス用部材の製造方法。　
　　【化１】
（式（１）中、　
Ｍは、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、及びチタンより選択される少なくとも１種の元素を表わし、　
Ｘは、加水分解性基を表わし、　
Ｙ1は、１価の有機基を表わし、　
ｍは、Ｍの価数を表わす１以上の整数を表わし、　
ｎは、Ｘ基の数を表わす１以上の整数を表わす。但し、ｍ≧ｎである。）」
　
　なお、以下、上記一般式（１）で表される化合物の構造式およびその説明を省略して「一般式（１）」とのみ記す。　
　
Ａ２「【００２１】　
　本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、高い屈折率を有し、光取り出し効率に優れた高輝度の半導体発光デバイスを得られるとともに、透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することが可能な、新規な半導体発光デバイス用部材を提供することにある。」　
　
Ａ３「【００５６】　 
　これに対し、酸素原子が３つ結合し、それ以外の原子（通常は炭素である。）が１つ結合しているケイ素原子は、一般にＴサイトと総称される。Ｔサイトに由来するピークはＱサイトの場合と同様に、Ｔ0〜Ｔ3の各ピークとして観測される。本発明においてはＴサイトに由来する各ピークをＴnピーク群と呼ぶこととする。Ｔnピーク群は一般にＱnピーク群より高磁場側（通常ケミカルシフト−８０〜−４０ｐｐｍ）の領域に連続した多峰性のピークとして観測される。　 
【００５７】　 
　更に、酸素原子が２つ結合するとともに、それ以外の原子（通常は炭素である）が２つ結合しているケイ素原子は、一般にＤサイトと総称される。Ｄサイトに由来するピークも、ＱサイトやＴサイトに由来するピーク群と同様に、Ｄ0〜Ｄnの各ピーク（Ｄnピーク群）として観測され、ＱnやＴnのピーク群より更に、高磁場側の領域（通常ケミカルシフト０〜−４０ｐｐｍの領域）に、多峰性のピークとして観測される。これらのＤn、Ｔn、Ｑnの各ピーク群の面積の比は、各ピーク群に対応する環境におかれたケイ素原子のモル比と夫々等しいので、全ピークの面積を全ケイ素原子のモル量とすれば、Ｄnピーク群及びＴnピーク群の合計面積は通常これに対する炭素原子と直接結合した全ケイ素のモル量と対応することになる。　 
　
・・・　 
　
【００６２】 
　一方、ゾルゲル法において４官能のシラン化合物から得られる加水分解・重縮合生成物は、完全無機のガラスとなり耐熱・耐候性に極めて優れたものであるが、硬化反応はシラノールの縮合（脱水・脱アルコール）反応により架橋が進行するので、脱水が起こる分重量減少、体積収縮を伴う。そのため、Ｑnピークを持つ４官能のシランのみで原料を構成すると、硬化収縮の程度が大きくなりすぎ、被膜にクラックが発生しやすくなり、厚膜化することができなくなる。このような系では、骨材として無機粒子を添加したり、重ね塗りにより膜厚増が試みられているが、一般に１０μｍ程度が限界膜厚となる。半導体発光デバイス用部材としてゾルゲルガラスを用いる場合、複雑な形状の配線部分上にモールドする必要があるため、５００〜１０００μｍの膜厚を確保しなければならないという課題があった。」　 
　
Ａ４「【０１１０】　 
　〔II−１．原料〕　 
　原料としては、下記一般式（１）で表わされる化合物（以下適宜「化合物（１）」という。）及び／又はそのオリゴマーを用いる。　 
　　【化４】　 
　
・・・　 
　 
【０１２３】 
　上述の化合物（１）の具体例を挙げると、Ｍがケイ素である化合物としては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルクロロシラン、メチルトリクロロシラン、γ−アシノプロピルトリエトキシシラン、４−アシノブチルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノメチルフェネチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリクロロシラン、（ｐ−クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、４−クロロフェニルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。」　 
　 
Ａ５「【０１３２】　 
　原料としては化合物（１）、化合物（２）、及び／又はそれらのオリゴマーを使用することができる。即ち、本発明の製造方法では、原料として、化合物（１）、化合物（１）のオリゴマー、化合物（２）、化合物（２）のオリゴマー、及び化合物（１）と化合物（２）とのオリゴマーのいずれを用いてもよい。なお、原料として化合物（１）のオリゴマー又は化合物（２）のオリゴマーを用いる場合、そのオリゴマーの分子量は、本発明の半導体発光デバイス用部材を得ることができる限り任意であるが、通常４００以上である。　 
　 
・・・　 
　 
【０１３６】 　 
＜２官能ケイ素のみからなるオリゴマーの例＞ 
　ＧＥ東芝シリコーン社製ヒドロキシ末端ジメチルポリシロキサンでは、例えば、ＸＣ９６−７２３、ＸＦ３９０５、ＹＦ３０５７、ＹＦ３８００、ＹＦ３８０２、ＹＦ３８０７、ＹＦ３８９７などが挙げられる。 
　ＧＥ東芝シリコーン社製ヒドロキシ末端メチルフェニルポリシロキサンでは、例えば、ＹＦ３８０４などが挙げられる。 
　Ｇｅｌｅｓｔ社製両末端シラノール　ポリジメチルシロキサンでは、例えば、ＤＭＳ−Ｓ１２、ＤＭＳ−Ｓ１４などが挙げられる。 
　Ｇｅｌｅｓｔ社製両末端シラノール　ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサン　コポリマーでは、例えば、ＰＤＳ−１６１５が挙げられる。 
　Ｇｅｌｅｓｔ社製両末端シラノール　ポリジフェニルシロキサンでは、例えば、ＰＤＳ−９９３１が挙げられる。　 
【０１３７】　 
＜３官能以上のケイ素を含むオリゴマーの例＞ 
　信越化学工業製　シリコーンアルコキシオリゴマー（メチル／メトキシ型）では、例えば、ＫＣ−８９Ｓ、ＫＲ−５００、Ｘ−４０−９２２５、Ｘ−４０−９２４６、Ｘ−４０−９２５０などが挙げられる。 
　信越化学工業製　シリコーンアルコキシオリゴマー（フェニル／メトキシ型）では、例えば、ＫＲ−２１７などが挙げられる。 
　信越化学工業製　シリコーンアルコキシオリゴマー（メチルフェニル／メトキシ型）では、例えば、ＫＲ−９２１８、ＫＲ−２１３、ＫＲ−５１０、Ｘ−４０−９２２７、Ｘ−４０−９２４７などが挙げられる。　
【０１３８】　
　これらのうち、２官能ケイ素のみからなるオリゴマーは本発明の半導体発光デバイス用部材に柔軟性を与える効果が大きいが、２官能ケイ素のみでは機械的強度が不十分となりやすい。このため、３官能以上のケイ素からなるモノマー若しくは３官能以上のケイ素を含むオリゴマーと共に重合することにより、本発明の半導体発光デバイス用部材は封止剤として有用な機械的強度を得ることができる。また、反応性基としてシラノールを有するものは事前に加水分解する必要が無く、水を加えるための相溶剤としてアルコール等の溶剤の使用をする必要が無い長所がある。なお、アルコキシ基を有するオリゴマーを使用する場合には、アルコキシ基を有するモノマーを原料とする場合と同様、加水分解するための水が必要となる。」　  
　
Ａ６「【０３８０】　 
　〔半導体発光デバイス用部材の適用〕　 
　以上説明した各実施形態Ａ−１，Ａ−２，Ｂ−１〜Ｂ−４０の発光装置（半導体発光デバイス）１Ａ，１Ｂにおいて、本発明の半導体発光デバイス部材を適用する箇所は特に制限されない。上記の各実施形態においては、透明部材３Ａや蛍光体部３Ｂ，３３，３４などを形成する部材として本発明の半導体発光デバイス部材を適用した例を示したが、これ以外にも、例えば上述のモールド部１１、枠材１８、封止部１９等を形成する部材として好適に用いることができる。これらの部材として本発明の半導体発光デバイス部材を用いることにより、上述した優れた封止性、透明性、耐光性、耐熱性、成膜性、長期間使用に伴うクラックや剥離の抑制等の各種の効果を得ることが可能となる。　 
　
・・・　 
　
【０３８３】　 
　〔半導体発光デバイスの用途等〕　 
　半導体発光デバイスは、例えば、発光装置に用いることができる。半導体発光デバイスを発光装置に用いる場合、当該発光装置は、赤色蛍光体、青色蛍光体及び緑色蛍光体の混合物を含む蛍光体含有層を、光源上に配置すればよい。この場合、赤色蛍光体は、青色蛍光体、緑色蛍光体とは必ずしも同一の層中に混合されなくてもよく、例えば、青色蛍光体と緑色蛍光体を含有する層の上に赤色蛍光体を含有する層が積層されていてもよい。　 
　
・・・　 
　
【０３８８】　 
　光源に制限は無いが、３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にピーク波長を有する光を発光するものが好ましく、具体例としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザーダイオード（ＬＤ）等を挙げることができる。その中でも、ＧａＮ系化合物半導体を使用した、ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤが好ましい。なぜなら、ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤは、この領域の光を発するＳｉＣ系ＬＥＤ等に比し、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、前記蛍光体と組み合わせることによって、非常に低電力で非常に明るい発光が得られるからである。例えば、２０ｍＡの電流負荷に対し、通常ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤはＳｉＣ系の１００倍以上の発光強度を有する。ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤにおいては、ＡｌXＧａYＮ発光層、ＧａＮ発光層、またはＩｎXＧａYＮ発光層を有しているものが好ましい。ＧａＮ系ＬＥＤにおいては、それらの中でＩｎXＧａYＮ発光層を有するものが発光強度が非常に強いので、特に好ましく、ＧａＮ系ＬＤにおいては、ＩｎXＧａYＮ層とＧａＮ層の多重量子井戸構造のものが発光強度が非常に強いので、特に好ましい。」　 
　
Ａ７「【０４１２】　 
［II．半導体発光デバイス用部材の製造］　 
［実施例１］　 
　フェニルトリメトキシシラン６．７ｇ、ジメチルジメトキシシラン２．０ｇ、水１．５ｇ、屈折率調整剤として粒子径が５ｎｍのシリカジルコニアコーティング付きチタニアゾル（固形分２０重量％のメタノール分散液）２８．０ｇ、触媒として５％アセチルアセトンアルミニウム塩メタノール溶液１．８０ｇを密閉できる容器に入れて混合し、密栓してスターラーで攪拌しながら５０℃の温水バスにて８時間加熱した後に室温に戻し、加水分解・重縮合液を調液した。この液の加水分解率は１２０％である。　 
【０４１３】　 
　また、上述の加水分解・重縮合液４．１ｍｌを直径５ｃｍのテフロン（登録商標）シャーレに入れ、防爆炉中、微風下、４０℃で４時間保持し、次いで４０℃から６５℃まで３時間かけて昇温し第一の乾燥を行った後、１５０℃で３時間保持し第二の乾燥を行ったところ、厚さ約０．５ｍｍの独立した円形半透明ガラス膜を得た。このサンプルを用いて上述の透過率の測定、耐熱試験及び紫外耐光試験を行った。また、このサンプルを乳鉢を用いて粉砕し、固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定、屈折率の測定及び特定金属元素含有率の測定を行った。さらに、円形半透明ガラス膜を製造する過程で得た加水分解・重縮合液を用いて、密着性評価方法により剥離率を測定し、また、連続点灯試験により５００時間経過後の輝度の向上率を測定した。また、付加型触媒含有率測定試験により、サンプル中のＰｔ及びＲｈの含有率も測定した。結果を表２に示す。　 
【０４１４】　 
［実施例２］　 
　東芝シリコーン社製　両末端シラノールジメチルシリコーンオイルＸＣ９６−７２３　を５０．０ｇ、フェニルトリメトキシシラン５．０ｇ、触媒としてジルコニウムテトラｎ−プロポキシド溶液（ジルコニウムテトラｎ−プロポキシドの７５重量％ｎ−プロパノール溶液５重量部をトルエン９５重量部で希釈したもの）１１．０ｇを撹拌翼とコンデンサを取り付けた三つ口コルベン中に計量し、室温にて大気圧下１５分撹拌し、初期加水分解を行った後に約５０℃にて８時間撹拌しつつ加熱した。この後反応液を室温まで冷却し、ナス型フラスコに移し、エバポレーターを用いて５０℃、１ｍＰａで３０分間溶媒及び反応によって生じたアルコールや水分、低沸ケイ素成分を留去し、無溶剤の封止剤液を得た。カプリル酸により疎水化表面処理されたジルコニア粒子粉末（ＺｒＯ2含有率７３重量％、溶媒分散時の平均粒子径４ｎｍ）１．０ｇを５０ｍｌの冷却管を供えたナス型フラスコに秤量し、１０ｇのトルエンを加えて完全に溶解させ透明液とした。更に、０．１ｇのジフェニルジメトキシシラン（アズマックス）を加えて窒素雰囲気下、９０℃で３時間加熱攪拌した。一旦、溶液を冷却後、前述の封止剤液を３．９ｇ加えると白濁したが、すぐに透明に溶解した。この溶液を更に窒素雰囲気下、９０℃、３ｈ加熱攪拌した。その後、５０℃で溶媒を減圧留去し、有機無機ハイブリッド封止材を作製した。この液２ｇを直径５ｃｍのテフロン（登録商標）シャーレに入れ、防爆炉中、微風下、１１０℃で１時間、続いて１５０℃で３時間保持したところ厚さ約１ｍｍの独立した円形透明エラストマー状膜が得られた。」　 
　
（３）刊行物Ａに記載された発明　  
　「酸素原子が２つ結合するとともに、それ以外の原子（通常は炭素である）が２つ結合しているケイ素原子は、一般にＤサイトと総称される。Ｄサイトに由来するピークも、ＱサイトやＴサイトに由来するピーク群と同様に、Ｄ0〜Ｄnの各ピーク（Ｄnピーク群）として観測され、ＱnやＴnのピーク群より更に、高磁場側の領域（通常ケミカルシフト０〜−４０ｐｐｍの領域）に、多峰性のピークとして観測される。」との記載（摘示Ａ３）から、摘示Ａ１における「（５）固体Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルにおいて、（ｉ）ピークトップの位置がケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上０ｐｐｍ以下の領域にあり」との記載は、Ｄサイトに由来するものである。さらに、「２官能ケイ素のみからなるオリゴマーの例」として、「ヒドロキシ末端ジメチルポリシロキサン、ヒドロキシ末端メチルフェニルポリシロキサン、両末端シラノール　ポリジメチルシロキサン、両末端シラノール　ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサン　コポリマー、両末端シラノール　ポリジフェニルシロキサン」が記載（摘示Ａ５）されている。同様に、「Ｔサイトに由来する各ピークをＴnピーク群と呼ぶこととする。Ｔnピーク群は一般にＱnピーク群より高磁場側（通常ケミカルシフト−８０〜−４０ｐｐｍ）の領域に連続した多峰性のピークとして観測される。」との記載（摘示Ａ３）から、摘示Ａ１における「（ii）ピークトップの位置がケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上−４０ｐｐｍ未満の領域にあり」との記載は、Ｔサイトに由来するものである。そして、２官能ケイ素のみでは機械的強度が不十分となりやすいため、３官能以上のケイ素からなるモノマー若しくは３官能以上のケイ素を含むオリゴマーと共に重合することが記載（摘示Ａ５）されていることをふまえて、摘示Ａ１の記載から刊行物Ａには、以下の発明（以下「刊行物Ａ発明」という。）が記載されているといえる。　 
　 
「（５）固体Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルにおいて、　 
　（ｉ）ピークトップの位置がケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上０ｐｐｍ以下の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上、３ｐｐｍ以下であるピーク、及び、　 
　（ii）ピークトップの位置がケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上−４０ｐｐｍ未満の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上５ｐｐｍ以下であるピーク 
からなる群より選ばれるピークを、少なくとも１つ有するとともに、　 
（４）波長５５０ｎｍの光における屈折率が１．４５以上であり、　 
（６）シラノール含有率が０．０１重量％以上、１０重量％以下であり、　
　上記（ｉ）は、２官能ケイ素のみからなるオリゴマーに由来するものであり、当該オリゴマーが、ヒドロキシ末端ジメチルポリシロキサン、ヒドロキシ末端メチルフェニルポリシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサン　コポリマー、ポリジフェニルシロキサンから選択される少なくとも一つから得られるものであり、　 
　上記（ii）は、３官能以上のケイ素からなるモノマー若しくは３官能以上のケイ素を含むオリゴマーに由来するものであり、　 
　半導体発光デバイス用部材に用いる、
　一般式（１）で表わされる化合物及び／又はそのオリゴマーを加水分解・重縮合して得られる重縮合物。」  
　 
（４）特許法第２９条第１項第３号、特許法第２９条第２項について　
　Ａ．本件補正発明と刊行物Ａ発明との対比・判断　  
　刊行物Ａ発明における「上記（ｉ）は、２官能ケイ素のみからなるオリゴマーであり、ヒドロキシ末端ジメチルポリシロキサン、ヒドロキシ末端メチルフェニルポリシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサン　コポリマー、ポリジフェニルシロキサンから選択される少なくとも一つから得られるものであり」は、摘示Ａ５において「ヒドロキシ末端ジメチルポリシロキサン」として例示されている「ＸＣ９６−７２３」が、摘示Ａ７において「両末端シラノールジメチルシリコーン」と記載されていることからしても、本件補正発明における「両末端または片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサン」に相当する。　 
　
　刊行物Ａ発明における「上記（ii）は、３官能以上のケイ素からなるモノマー若しくは３官能以上のケイ素を含むオリゴマーに由来するものであり」は、本件補正発明における「ケイ素アルコキシドまたはケイ素アルコキシドのオリゴマー」に相当する。　
　
　そして、刊行物Ａ発明における上記「（ｉ）」と「（ii）」とを「加水分解・重縮合」して反応させていることから、本件補正発明における「縮合反応によって製造された」に相当する。　
　
　刊行物Ａ発明における「重縮合物」は、本件補正発明における「プレポリマー」に相当する。　
　
　以上をまとめると、本件補正発明と刊行物Ａ発明との一致点及び相違点は次のとおりである。　 
　
〔一致点〕　 
　両末端または片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンと、ケイ素アルコキシドまたは上記ケイ素アルコキシドのオリゴマーとの縮合反応によって製造されたプレポリマー。　 
　
〔相違点１〕　 
　本件補正発明は、「ポリジメチルシロキサンの質量平均分子量は２０，０００以上１００，０００以下の範囲」と特定しているのに対し、刊行物Ａ発明は、上記特定をしていない点。　 
　
〔相違点２〕　
　本件補正発明は、ケイ素アルコキシドを「フェニル基が導入された」、または、ケイ素アルコキシドのオリゴマーを「フェニル基が導入された」と特定しているのに対し、刊行物Ａ発明は、「３官能以上のケイ素からなるモノマー若しくは３官能以上のケイ素を含むオリゴマー」とのみ特定し、特定の官能基を有することを特定していない点。　
　
〔相違点３〕　 
　本件補正発明は、補正後〔化１〕及び補正後〔化２〕のポリジメチルシロキサンの繰り返し単位「ｌ」を「２７０以上」と特定しているのに対し、刊行物Ａ発明は、上記特定をしていない点。　 
　
〔相違点４〕
　プレポリマーの原料である３官能成分について、本件補正発明は、フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドを「補正後〔化３〕」で表される、または、フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドのオリゴマーを「補正後〔化４〕」で表されると特定しているのに対し、刊行物Ａ発明は、「３官能以上のケイ素からなるモノマー若しくは３官能以上のケイ素を含むオリゴマー」とのみ特定し、特定の構造を有することを特定していない点。　
　
〔相違点５〕　
　プレポリマーが、本件補正発明は、「フェニル基含有」と特定しているのに対し、刊行物Ａ発明は、上記特定をしていない点。　
　
　Ｂ．相違点について　 
　〔相違点１、３について〕刊行物Ａには、「オリゴマーの分子量は、４００以上である」との記載（摘示Ａ５）とともに、該オリゴマーの具体例として商品名が「ＸＦ３９０５」「ＹＦ３０５７」のものが記載（摘示Ａ５）されており、「ＸＦ３９０５」は２０，０００の分子量である（平成２５年９月２１日提出の回答書中４頁２−７行参照）し、「ＹＦ３０５７」は３２，０００の分子量である（本願明細書段落【００３１】参照）ことから、刊行物Ａ発明における２官能ケイ素のみからなるオリゴマーの分子量は、本件補正発明における「上記ポリジメチルシロキサンの質量平均分子量は２０，０００以上１００，０００以下の範囲であり」との規定を備えるものを含んでおり、この点は相違点とはならない。また、相違点３におけるポリジメチルシロキサンの繰り返し単位数は、上記分子量範囲を満たす下限として規定されたものであることからすると、この点も上記と同様の理由により、相違点とはならない。　
　仮に、相違点であるとしても、上記のとおり、刊行物Ａには、分子量３２，０００のオリゴマーが記載されていることからすると、記載されているものを使用することは、当該技術分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）において、容易になし得ることである。また、その効果も格段優れたものとは認められない。（なお、請求人が主張する効果に関しては、下記「（５）」参照のこと。）　　
　〔相違点２、４について〕刊行物Ａには、実施例において、３官能以上のケイ素を含むモノマーの具体例として「フェニルトリメトキシシラン」のみを用いることが記載（摘示Ａ７）されており、「フェニルトリメトキシシラン」は「フェニル基が導入されたケイ素アルコキシド」であって、補正後〔化３〕で表されるものに相当するから、この点は実質的な相違点とはならない。　
　仮に、相違点であるとしても、上記のとおり、刊行物Ａには、「フェニルトリメトキシシラン」のみを用いることが記載されていることからすると、記載されているものを使用することは、当業者において、容易になし得ることである。また、その効果も格段優れたものとは認められない。（なお、請求人が主張する効果に関しては、下記「（５）」参照のこと。）　
　〔相違点５について〕上記〔相違点２、４について〕で述べたとおり、刊行物Ａ発明における、重縮合物は「フェニルトリメトキシシラン」を含むことからすると「フェニル基含有重縮合物」であり、この点は実質的な相違点とはならない。　
　
　Ｃ．まとめ　  
　よって、本件補正発明は、刊行物Ａに記載された発明である。　
　また、本件補正発明は、刊行物Ａに記載された発明に基いて、当業者が容易になし得たものである。  
　
（５）請求人の主張についての検討　  
　請求人は、平成２６年３月３１日提出の意見書において、追加実験例を示し、本件補正発明の実施例に相当する分子量３２，０００の両末端シラノールポリジメチルシロキサンを用いた場合に、分子量６，０００の両末端シラノールポリジメチルシロキサンを用いた場合に比べ、格段優れた効果を有することを主張するとともに、刊行物Ａの〔０１３６〕段落には分子量２０，０００のＰＤＭＳであるＸＦ３９０５が例示されているものの、ＸＦ３９０５とフェニル基が導入されたケイ素アルコキシドとを結びつければ耐熱性があり、熱劣化せず、柔軟性が維持され、割れや剥離と云う破壊現象が発生しない封止材として好適な耐熱性材料を与えるプレポリマーを得ることが出来る、ということは全く開示も示唆もされていない旨の主張をしている。　
　しかし、本願当初明細書には、両末端または片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンの分子量が２０，０００以上１００，０００以下の場合に本件補正発明の効果が得られ、該分子量が６，０００の場合には本件補正発明の効果が得られないとする記載はない。それどころか、本願明細書中段落【００１４】には、「ＰＤＭＳの質量平均分子量は１，５００以上１００，０００以下の範囲に有るものを使用することが望ましい。」との記載があるとおり、両末端または片末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンの分子量が６，０００であることは、本件補正発明における好ましい質量平均分子量の範囲となっている。そうすると、追加実験例を示すことにより主張している分子量が２０，０００以上１００，０００以下であることとフェニル基が導入されたケイ素アルコキシドとを結びつけたことにより本件補正発明の効果が得られるとする請求人の上記主張は、本願当初明細書に記載のない新たな効果の主張であり、採用することはできない。　
　
（６）まとめ　  
　したがって、本件補正発明は、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物Ａに記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。または、本件補正発明は、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物Ａに記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。よって、本件補正は特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３．本願発明について　  
　１．本願発明　  
  平成２６年３月３１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２５年４月９日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。　  
　  
「【請求項１】　
　両末端または片末端に金属および／または半金属アルコキシドと反応可能なシラノール基を有するポリジメチルシロキサンと、金属および／または半金属アルコキシドおよび／または上記アルコキシドのオリゴマーとの縮合反応によって製造された有機一無機ハイブリッドプレポリマーであって、　
　上記ポリジメチルシロキサンの質量平均分子量は３，７１８以上１００，０００以下の範囲であり、　
　上記金属および／または半金属アルコキシドの一部または全部には、フェニル基が導入されており、　
　上記両末端に金属および／または半金属アルコキシドと反応可能なシラノール基を有するポリジメチルシロキサンは補正前〔化１〕で表わされ、上記片末端に金属および／または半金属アルコキシドと反応可能なシラノール基を有するポリジメチルシロキサンは補正前〔化２〕で表わされ、　
　上記金属および／または半金属アルコキシドは補正前〔化３〕を有し、上記アルコキシドのオリゴマーは補正前〔化４〕を有し、更に上記フェニル基が導入された金属および／または半金属アルコキシドは補正前〔化５〕を有する　
ことを特徴とするフェニル基含有有機一無機ハイブリッドプレポリマー。」
　
　２．平成２６年１月２３日付け拒絶理由の概要　  
　
　平成２６年１月２３日付け拒絶の理由とされた理由１、２の概要は、　  
「１）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。  
 ２）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」　 
　
というものであり、刊行物として、特開２００７−１１６１３９号公報（刊行物Ａ）を引用している。　 
　
　３．当審の判断　  
（１）刊行物Ａについて　  
　刊行物Ａには、前記「第２．」「３．」「（２）」に記載した事項が記載されている。　
　
（２）刊行物Ａ発明について　 
　刊行物Ａには、前記「第２．」「３．」「（３）」に記載した刊行物Ａ発明が記載されている。　  
　
（３）対比・判断　  
　本願発明は、本件補正発明におけるポリジメチルシロキサンの質量平均分子量の範囲を拡張し、「フェニル基が導入されたケイ素アルコキシドまたはフェニル基が導入されたケイ素アルコキシドのオリゴマー」なる事項をより一般的な「フェニル基含有有機−無機ハイブリッドプレポリマー」をも含む上位概念化するものである。　  
　  
　そうすると、本願発明をさらに限定した本件補正発明が前記「第２．」「３．」「（４）」に記載したとおり、刊行物Ａに記載された発明であるから、本願発明もまた刊行物Ａに記載された発明であるか、または、刊行物Ａに記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明もまた刊行物Ａに記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
　
第４．むすび　  
　以上のとおり、本願発明についての平成２６年１月２３日付け拒絶理由は妥当なものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願はこの理由により拒絶すべきものである。　  
　よって、結論のとおり審決する。