【事件の表示】
　平成　９年特許願第１６４４６７号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　１月２２日出願公開、特開平１１−　１７００５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成９年６月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１１年４月１２日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりである。
「半導体基板上に配線を有する半導体装置であって、
　前記配線の表面上に形成された第１の絶縁膜である酸化膜と、
　前記第１の絶縁膜で被覆された前記配線間にエアギャップを含むように成膜され前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。」
　なお、平成１１年１１月２２日付けの手続補正書は、補正却下の決定により却下された。
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−６４１７２号公報（公開日：平成９年３月７日。以下、「引用例３」という）には、
「図３（１）に示すように、シリコン基板（図示省略）に形成した下層配線（図示省略）を覆う状態に酸化ケイ素を０．６μｍの厚さに堆積して第１層間絶縁膜１１を形成した。・・・第２層目の配線となる導電体１２，１３に形成した。・・・次に図３の（２）に示すように、反応性スパッタ法によって、１Ｐａの雰囲気中で、上記導電体１２，１３の上部側に、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜を出発材料とした高品質の第２層間絶縁膜１４を６００ｎｍの厚さに堆積した。このとき、斜め入射反応性スパッタ法を用いることによって、導電体１２，１３間にほぼスパッタリング雰囲気の圧力と同等の雰囲気を有する空洞１５を形成した。・・・また、図４の製造方法の説明図に示すように、例えば、バイアスＥＣＲ（ＥＣＲはＥｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｒｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅの略で電子サイクロトロン共鳴という）ＣＶＤ法によって、上記導電体１２，１３の表面を覆う状態に高品質の絶縁膜１６を酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成した。その後、高真空状態（例えば雰囲気圧が１Ｐａ〜１００Ｐａの範囲の所定圧力）における反応性スパッタ法もしくはＣＶＤ法によって、上記導電体１２，１３の上部側に、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜を出発材料とした第２層間絶縁膜１４を堆積して空洞１５を形成してもよい。・・・また上記図３の場合でも、アスペクト比が小さい場合（例えば、アスペクト比が１．５程度の場合）には、図５に示すように、導電体１２，１３間の空洞１５の内壁に第２層間絶縁膜１４を構成する粒子が堆積された構造になる。この構造も半導体集積回路の信頼性を高める。」（【００２３】〜【００３０】）が、図３，図４，図５と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例３には、
「シリコン基板に形成した下層配線を覆う状態に堆積した第１層間絶縁膜１１上に形成された第２層目の配線となる導電体１２，１３と、
　上記導電体１２，１３の表面を覆う状態に形成された絶縁膜１６である酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と、
　上記導電体１２，１３の上部側に、空洞１５を形成するように堆積された第２層間絶縁膜１４とを有する半導体集積回路」が記載されているものと認められる。
　
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−３１８７５２号公報（以下、「引用例２」という）には、
「半導体基板上に形成した配線間に絶縁物が埋められており、この絶縁物の少なくとも一部が空洞よりなることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）、
「実施例　以下、本発明の第１の実施例を第１図にもとづいて説明する。第１図において、アルミ配線１１上の絶縁膜１３はアルミ配線の間隔が２μｍ以下の狭い領域上にのみ空洞１００ができるよう条件を選んで形成したプラズマＣＶＤＳｉＮ膜、プラズマＣＶＤＳｉＯ膜、常圧ＣＶＤＳｉＯ膜、常圧ＣＶＤＰＳＧ膜などである。上記空洞形成を行なうには、段差被覆性の悪い条件で膜形成をすればよい。・・・このような条件で前記絶縁膜１３をアルミ配線１１上に形成すると、膜厚が０．８〜１μｍ、間隔が２〜１μｍのアルミ配線の場合、空洞の大きさ１８が０．５±０．３μｍ、また間隔が１μｍ以下のアルミ配線１１においては配線間隔の約１／４〜３／４の大きさとなる。・・・第２の実施例を第２図にもとづいて説明する。本実施例は、前記第１の実施例に相当するアルミ配線２１と絶縁膜２３の間にプラズマＳｉＮ膜２２を薄く形成して半導体装置の信頼性をさらに高めたものであり、これ以外の点は第１の実施例と同じである。２４はＳＯＧ膜、２５，２６は絶縁膜、２７は半導体基板である。」（第２頁左上欄第４行〜左下欄第４行）が、第１図、第２図と共に記載されている。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例３に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「半導体基板」、「配線」、「半導体装置」、「前記配線の表面上に形成された第１の絶縁膜である酸化膜」、「エアギャップ」、「第２の絶縁膜」は、それぞれ引用例３に記載された発明の「シリコン基板」、「第２層目の配線となる導電体１２，１３」、「半導体集積回路」、「上記導電体１２，１３の表面を覆う状態に形成された絶縁膜１６である酸化ケイ素（ＳｉＯ２）」、「空洞１５」、「第２層間絶縁膜１４」に相当する。
　従って、本願第１発明と引用例３に記載された発明は、
「半導体基板と配線を有する半導体装置であって、
　前記配線の表面上に形成された第１の絶縁膜である酸化膜と、
　前記第１の絶縁膜で被覆された前記配線間にエアギャップを含むように成膜された第２の絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。」である点で一致するが、
　他方、本願第１発明では、半導体基板上に配線を有するのに対して、引用例３に記載された発明では、シリコン基板上に形成した下層配線を覆う状態に堆積した第１層間絶縁膜１１上に第２層目の配線となる導電体１２，１３を形成している点（相違点１）、
　及び、本願第１発明では、第２の絶縁膜が第１の絶縁膜を覆うのに対して、引用例３に記載された発明では、導電体１２を覆う状態に堆積された絶縁膜１６と、導電体１３を覆う状態に堆積された絶縁膜１６の間には、空洞１５があるだけで、第２層間絶縁膜１４が存在しないので、この導電体１２，１３間に位置する絶縁膜１６が第２層間絶縁膜によって覆われていない点（相違点２）において相違する。
　
４．当審の判断
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用例３に記載された発明は、シリコン基板上に形成した下層配線を覆う状態に堆積した第１層間絶縁膜１１上に形成された第２層目の配線となる導電体１２，１３を対象としている。
　しかしながら、引用例３に記載された発明を、シリコン基板上に直接形成した配線に適用することは当業者であれば容易に想到し得たことであり、また、これを妨げる格別の阻害要因も認められない。
　従って、引用例３に記載された発明において、シリコン基板上に形成した下層配線を覆う状態に堆積した第１層間絶縁膜１１上に形成された第２層目の配線となる導電体１２，１３に代えて、シリコン基板上に形成された配線とすることに、格別の困難は認められない。
　
（相違点２について）
　引用例３の「また上記図３の場合でも、アスペクト比が小さい場合（例えば、アスペクト比が１．５程度の場合）には、図５に示すように、導電体１２，１３間の空洞１５の内壁に第２層間絶縁膜１４を構成する粒子が堆積された構造になる。この構造も半導体集積回路の信頼性を高める。」との記載は、引用例３の図４に係る導電体１２，１３の表面上に絶縁膜１６が形成された半導体装置においても、アスペクト比が小さい場合には、導電体１２，１３の表面上に形成された絶縁膜１６間の空洞１５の内壁に第２層間絶縁膜１４を構成する粒子が堆積された構造になること、及びこの構造が半導体装置の信頼性を高めることを示唆しているものと認められる。
　また、引用例２の「間隔が２〜１μｍのアルミ配線の場合、空洞の大きさ１８が０．５±０．３μｍ、また間隔が１μｍ以下のアルミ配線１１においては配線間隔の約１／４〜３／４の大きさとなる。・・・第２の実施例を第２図にもとづいて説明する。本実施例は、前記第１の実施例に相当するアルミ配線２１と絶縁膜２３の間にプラズマＳｉＮ膜２２を薄く形成して半導体装置の信頼性をさらに高めたものであり、これ以外の点は第１の実施例と同じである。」との記載は、配線間にエアギャップを含むように成膜する絶縁膜を、該配線間の空洞の内壁にも堆積するように形成した構造が、周知であったことを示している。
　してみれば、引用例３に記載された上記発明において、配線間にエアギャップを含むように成膜する絶縁膜を、該配線間の空洞の内壁にも堆積して、前記導電体１２，１３間に位置する絶縁膜１６が第２層間絶縁膜によって覆われるようにすることは当業者が容易になし得たことであると認められる。
　
　したがって、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願第１発明は、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例３及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。