(57)【要約】【課題】  表示品位を改善することを可能とする。【解決手段】  カバー部材と、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板と前記カバー部材との間に位置し、前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に形成され、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間を保持するスペーサと、前記第２絶縁基板において、前記スペーサよりも前記カバー部材側に設けられた磁性体層と、を備える表示装置。【選択図】      図１
2018205633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバー部材と、
第１絶縁基板と、
前記第１絶縁基板と前記カバー部材との間に位置し、前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
前記第２絶縁基板上に形成され、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間を保持するスペーサと、
前記第２絶縁基板において、前記スペーサよりも前記カバー部材側に設けられた磁性体層と、を備える、表示装置。
【請求項２】
さらに、前記第２絶縁基板は、遮光層と、カラーフィルタと、を備え、
前記磁性体層は、前記遮光層である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
さらに、前記第２絶縁基板は、タッチ検出用の検出電極を備え、
前記磁性体層は、前記検出電極である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記磁性体層は、平面視した場合、第１方向に延出し、前記第１方向と交差する第２方向に配列されている、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板は、フレキシブル基板である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記カバー部材は、湾曲している湾曲部を有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
第１絶縁基板と、
前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
前記第２絶縁基板上に形成され、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間を保持するスペーサと、
前記第２絶縁基板に設けられた磁性体層とを有する表示パネルを備える表示装置の製造方法であって、
前記第２絶縁基板に対向する位置にカバー部材を配置し、
前記表示パネルを前記カバー部材に近づけ、
磁力により前記カバー部材に前記表示パネルを引き付けて取り付ける、表示装置の製造方法。
【請求項８】
さらに、前記第２絶縁基板は、遮光層と、カラーフィルタと、を備え、
前記磁性体層は、前記遮光層である、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
さらに、前記第２絶縁基板は、タッチ検出用の検出電極を備え、
前記磁性体層は、前記検出電極である、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板は、フレキシブル基板である、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記カバー部材は、湾曲している湾曲部を有する請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、第１基板と第２基板との間にスペーサを有する表示パネルと、カバー部材とを貼り合わせて構成されている。貼り合わせる工程において、表示パネルは、カバー部材に押し当てられて、接着される。このとき、スペーサと配向膜とが擦れ合い、配向膜を損傷するおそれがある。配向膜の損傷個所では、液晶分子の配向が乱れ、光漏れに起因したコントラスト比の低下を招くおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１１４６４３号公報
【特許文献２】特開２００９−９３０００号公報
【特許文献３】特開２０１０−１４９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位を改善することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態によれば、カバー部材と、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板と前記カバー部材との間に位置し、前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に形成され、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間を保持するスペーサと、前記第２絶縁基板において、前記スペーサよりも前記カバー部材側に設けられた磁性体層と、を備える、表示装置。
【０００６】
一実施形態によれば、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に形成され、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間を保持するスペーサと、前記第２絶縁基板に設けられた磁性体層とを有する表示パネルを備える表示装置の製造方法であって、前記第２絶縁基板に対向する位置にカバー部材を配置し、前記表示パネルを前記カバー部材に近づけ、磁力により前記カバー部材に前記表示パネルを引き付けて取り付ける、表示装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態の表示装置を構成する表示パネルの構成及び等価回路を示す図である。
【図２】図２は、第３方向Ｚの上側から第１基板を見たときの構成例を示す平面図である。
【図３】図３は、第３方向Ｚの上側から第２基板を見たときの構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３のＩＶ−ＩＶにおける表示装置の断面の一例を示す図である。
【図５】図５は、図３のＶ−Ｖにおける表示装置の断面の一例を示す図である。
【図６】図６は、第１実施形態に係る表示パネルのカバー部材への取り付けの概念を説明する断面図である。
【図７】図７は、カバー部材に取り付けるために表示パネルを設置した状態の一例を示す図である。
【図８】図８は、表示パネルをカバー部材側に押圧した状態の一例を示す図である。
【図９】図９は、カバー部材に表示パネルを取り付けた状態の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態に係る表示装置のセンサの一構成例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、検出電極の一構成例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、第３方向Ｚの上側から第２基板を見たときの構成例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、図１２のＡ−Ａにおける表示装置の断面の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、図１２のＡ−Ａにおける変形例１に係る表示装置の断面の一例を示す図である。
【図１５】図１５は、変形例２に係る表示装置のセンサの一構成例を示す平面図である。
【図１６】図１６は、図１５に示した変形例２に係る表示装置の断面の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ  Ｒｅａｌｉｔｙ）ビュアー等の種々の装置に用いることができる。以下で、表示装置ＤＳＰを液晶表示装置として説明する。
【００１０】
図１は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰを構成する表示パネルＰＮＬの構成及び等価回路を示す図である。以下で、表示パネルＰＮＬをフレキシブルタイプの表示パネルとして説明する。なお、表示パネルＰＮＬは、フレキシブルタイプでなくともよい。  
ここで、図１では、互いに交差する第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面における表示パネルＰＮＬの平面図を示している。なお、図示した例では、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。以下で、第３方向Ｚを示す矢印の先端の向かう方向を上と定義し、矢印の先端と逆方向を下と定義する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。また、第３方向Ｚにおいて上から第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面に向かってみることを平面視という。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１と対向する第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層ＬＣと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態で、シール材ＳＬによって貼り合わせられている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップにおいてシール材ＳＬによって囲まれた内側に保持されている。表示パネルＰＮＬは、シール材ＳＬによって囲まれた内側に画像を表示する表示領域ＤＡを有している。表示領域ＤＡは、例えば、略長方形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸは、表示領域ＤＡに位置している。なお、表示領域ＤＡは、他の多角形状であっても良いし、そのエッジが曲線状に形成されていても良い。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡの外側に非表示領域ＮＤＡを有している。なお、第２基板ＳＵＢ２は、平面視で表示領域ＤＡと重なる領域である光透過領域ＴＡと、平面視で非表示領域ＮＤＡと重なる領域である非透過領域ＮＴＡとを有している。ここで、光透過領域ＴＡにおいては、配線等の遮光性を有する部材が配置されていても良い。
【００１２】
第１基板ＳＵＢ１は、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに沿って延出した走査線Ｇ、第２方向Ｙに沿って延出した信号線Ｓ、各画素ＰＸにおいて走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷと電気的に接続された画素電極ＰＥなどを備えている。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１は、共通電極ＣＥを備えている。
【００１３】
表示パネルＰＮＬは、その背面側に配置されたバックライトユニットからの光を選択的に透過することによって画像を表示する透過型パネルとして構成されても良いし、表示パネルＰＮＬに入射する外光を選択的に反射することによって画像を表示する反射型パネルとして構成されても良いし、透過型及び反射型を組み合わせた半透過型パネルとして構成されても良い。
【００１４】
駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）基板３などの表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号供給源は、非表示領域ＮＤＡに位置している。図示した例では、駆動ＩＣチップ２及びＦＰＣ基板３は、第２基板ＳＵＢ２の１つの基板側縁ＳＵＢ２ｅよりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに実装されている。実装部ＭＴは、第１基板ＳＵＢ１の１つの基板側縁ＳＵＢ１ｅに沿って形成されている。図示した例では、基板側縁ＳＵＢ１ｅ及びＳＵＢ２ｅは、第１方向Ｘに沿って互いに略平行に形成されている。図示していないが、第１基板ＳＵＢ１は、実装部ＭＴに信号供給源を接続するための接続端子（以下、パッドと称する）を備えている。パッドには、上記の走査線Ｇや信号線Ｓなどと電気的に接続されたものが含まれる。なお、図示した例では、第２基板ＳＵＢ２の他の３つの基板側縁は、第１基板ＳＵＢ１の他の３つの基板側縁と対向している。  
シール材ＳＬは、非表示領域ＮＤＡに配置され、表示領域ＤＡを取り囲んでいる。図示した例では、シール材ＳＬは、枠状に形成されている。
【００１５】
図２は、第３方向Ｚの上側から第１基板ＳＵＢ１を見たときの構成例を示す平面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。第１基板ＳＵＢ１は、走査線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）、信号線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５…）、スイッチング素子ＳＷ（ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３…）、及び画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３…）などを備えている。なお、一例では、第１基板ＳＵＢ１は共通電極を備えているが、ここでは共通電極の図示を省略する。
【００１６】
走査線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、第２方向Ｙに間隔をおいて配置され、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。信号線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５…）は、第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出している。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合せた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。一例では、画素ＰＸ（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４、ＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７、ＰＸ８…）は、走査線Ｇと信号線Ｓとで囲われている領域に相当し、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。図示した例では、画素ＰＸ１は、走査線Ｇ１及びＧ２と信号線Ｓ１及びＳ２とが成すマス目の領域に相当している。以下で、説明の便宜上、画素ＰＸ１を用いて説明するが、画素ＰＸ２乃至ＰＸ８も画素ＰＸ１と同様の構成が適用できる。なお、画素ＰＸの形状は、長方形状に限らず、適宜に変更することが可能である。  
スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを備えている。図２において、スイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造を有している。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ及び信号線Ｓに電気的に接続されている。一例ではスイッチング素子ＳＷ１は、半導体層ＳＣ１を備えている。スイッチング素子ＳＷ１は、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ１と電気的に接続されている。
【００１７】
半導体層ＳＣは、その一部分が信号線Ｓと重なるように配置され、他の部分が隣接する２つの信号線Ｓの間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣは、コンタクトホールＣＨを介して信号線Ｓに電気的に接続されている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていても良い。一例では、半導体層ＳＣ１は、その一部分が信号線Ｓ１と重なるように配置され、他の部分が信号線Ｓ１及びＳ２の間に延出している。半導体層ＳＣ１は、コンタクトホールＣＨ１１を介して信号線Ｓ１に接続されている。
【００１８】
画素電極ＰＥは、隣接する２つの走査線の間、且つ隣接する２つの信号線Ｓの間に配置されている。画素電極ＰＥは、主電極部ＰＡ及びコンタクト部ＰＢを備えている。主電極部ＰＡ及びコンタクト部ＰＢは、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨを介してドレイン層ＤＲに電気的に接続されている。ドレイン層ＤＲは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。ドレイン層ＤＲは、例えば、信号線Ｓと同一材料によって形成されている。なお、スイッチング素子ＳＷは、ドレイン層ＤＲを含んでいてもよい。
【００１９】
一例では、画素電極ＰＥ１は、コンタクト部ＰＢ１から走査線Ｇ１に向かって延出した２本の主電極部ＰＡ１を備えている。主電極部ＰＡ１は、それぞれ第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。２本の主電極部ＰＡ１は、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、それぞれ第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。コンタクト部ＰＢ１において、画素電極ＰＥ１は、コンタクトホールＣＨ１２を介してスイッチング素子ＳＷ１に電気的に接続されたドレイン層ＤＲ１にコンタクトホールＣＨ１３を介して電気的に接続される。言い換えると、画素電極ＰＥ１は、コンタクトホールＣＨ１３を介してスイッチング素子ＳＷ１に電気的に接続されている。
【００２０】
なお、画素電極ＰＥの形状は、図示した例に限定されるものではなく、画素ＰＸの形状などに合わせて適宜変更することができる。例えば、画素電極ＰＥは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する斜め方向に延出し、主電極部ＰＡが斜め方向に延出していても良い。
【００２１】
図３は、第３方向Ｚの上側から第２基板ＳＵＢ２を見たときの構成例を示す平面図である。  
第２基板ＳＵＢ２は、遮光層ＢＭ、及びカラーフィルタＣＦを備えている。  
遮光層ＢＭは、遮光性を有し、且つ磁性体材料（磁性体層）を含んでいる。遮光層ＢＭは、強磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又は、これらを組み合わせた合金等を含んでいる。なお、遮光層ＢＭは、全部が磁性体材料で構成されていてもよい。
【００２２】
図示した例では、遮光層ＢＭは、格子状に形成されている。なお、遮光層ＢＭは、はしご状やストライプ状などの格子状以外の構成であっても良い。例えば、遮光層ＢＭは、縦部分ＢＭＹと、横部分ＢＭＸとを備えている。縦部分ＢＭＹは、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、第２方向Ｙに延出している。平面視した場合、縦部分ＢＭＹは、信号線Ｓと重なっている。図示した例では、縦部分ＢＭＹ１と重なる信号線Ｓ１と、縦部分ＢＭＹ２と重なる信号線Ｓ２とを図示し、その他の信号線については図示を省略している。縦部分ＢＭＹは、第１方向Ｘにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。横部分ＢＭＸは、間隔をおいて第２方向Ｙに並び、第１方向Ｘに延出している。横部分ＢＭＸは、平面視した場合、走査線Ｇ、スイッチング素子ＳＷなどの配線部と重なっている。図示した例では、横部分ＢＭＸ２と重なる走査線Ｇ２、スイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２を図示し、その他の走査線、スイッチング素子の図示を省略している。横部分ＢＭＸは、第２方向Ｙにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。縦部分ＢＭＹと横部分ＢＭＸとは、平面視した場合、交差している。図示した例では、縦部分ＢＭＹと横部分ＢＭＸとは、平面視した場合、十字状に交差している。なお、縦部分ＢＭＹと横部分ＢＭＸとは、平面視した場合、Ｔ字状、又はＹ字状に交差していてもよい。以下で、Ｘ―Ｙ平面においてほぼ一定の幅で延出する縦部分ＢＭＹ及び横部分ＢＭＸが交差する領域を非拡張部分ＩＳと定義する。また、Ｘ−Ｙ平面において縦部分ＢＭＹ及び横部分ＢＭＸが交差し、且つ非拡張部分ＩＳよりも大きい面積を有する領域を拡張部分ＥＩＳと定義する。
【００２３】
拡張部分ＥＩＳは、平面視した場合、メインスペーサ（以下、単に、スペーサと称する）ＭＳＰと重なっている。図示した例では、拡張部分ＥＩＳは、平面視した場合、縦部分ＢＭＹ２と横部分ＢＭＸ２とが交差する位置に位置し、スペーサＭＳＰと重なっている。
【００２４】
スペーサＭＳＰは、平面視した場合、第１方向Ｘにおいて２つの隣接するコンタクトホールＣＨ１３及びＣＨ２３の間に位置している。なお、図示していないが、平面視した場合、サブスペーサが、非拡張部分ＩＳに重なる位置に位置していてもよい。メインスペーサとは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に所定のセルギャップを形成するために、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の双方に接触しているものである。サブスペーサとは、メインスペーサよりも小さく、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に接触しているものである。
【００２５】
開口部ＯＰは、遮光層ＢＭによって区画され、表示に寄与する領域である。開口部ＯＰは、Ｘ―Ｙ平面上にマトリクス状に並んでいる。一例では、開口部ＯＰは、開口部ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３、ＯＰ４、ＯＰ５、ＯＰ６、ＯＰ７、及びＯＰ８を有している。  
カラーフィルタＣＦは、開口部ＯＰと重畳するように設けられている。カラーフィルタＣＦは、第１色のカラーフィルタＣＦ１と、第２色のカラーフィルタＣＦ２と、第３色のカラーフィルタＣＦ３とを備えている。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。一例では、カラーフィルタＣＦ１は、赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ２は、緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ３は、青色カラーフィルタである。
【００２６】
図示した例では、開口部ＯＰ１、ＯＰ４、ＯＰ５、及びＯＰ８は、カラーフィルタＣＦ１を有し、開口部ＯＰ２及びＯＰ６は、カラーフィルタＣＦ２を有し、開口部ＯＰ３及びＯＰ７は、カラーフィルタＣＦ３を有している。
図示した例では、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、及びＣＦ３は、この順に第１方向Ｘに繰り返し配置されている。また、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、それぞれ、第２方向Ｙに沿って配置されている。言い換えると、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、それぞれ第２方向Ｙに帯状に形成されている。なお、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の色の組み合せは、前述した例に限定されるものではない。また、カラーフィルタＣＦは、白色カラーフィルタを有していてもよい。この場合、第１方向Ｘにおいて、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタをそれぞれ有する３つの開口部に白色カラーフィルタを有する開口部が追加されても良い。この白色カラーフィルタを有する開口部（白色画素）に相当する開口部には無着色の樹脂材料が配置されていても良い。
【００２７】
図４は、図３のＩＶ−ＩＶにおける表示装置ＤＳＰの断面の一例を示す図である。  
表示装置ＤＳＰは、カバー部材ＣＧと、接着剤ＡＤと、表示パネルＰＮＬとを備えている。前述したように、表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢと、液晶層ＬＣとを備えている。
【００２８】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第５絶縁膜１５、信号線Ｓ１乃至Ｓ４、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。例えば、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び第５絶縁膜１５は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁膜である。例えば、第４絶縁膜１４は、アクリル樹脂などの有機絶縁膜である。なお、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び第５絶縁膜１５は、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。
【００２９】
第１絶縁基板１０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。一例として、第１絶縁基板１０は、可撓性を有するフレキシブル基板である。例えば、第１絶縁基板１０は、ポリイミド等の樹脂基板である。第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に位置している。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上に位置している。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上に位置している。  
信号線Ｓ１乃至Ｓ４は、第３絶縁膜１３の上に位置し、第４絶縁膜１４によって覆われている。図示した例では、信号線Ｓ１乃至Ｓ４は、第３絶縁膜１３の上で、離間して配置されている。
【００３０】
共通電極ＣＥは、第４絶縁膜１４の上に位置している。第５絶縁膜１５は、共通電極ＣＥの上に位置している。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第５絶縁膜１５の上に位置し、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第５絶縁膜１５を介して共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。図示した例では、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第５絶縁膜１５の上で位置している。また、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第１方向Ｘにおいて離間して配置されている。第１配向膜ＡＬ１は、第５絶縁膜１５及び画素電極ＰＥの上に位置している。図示した例では、第１配向膜ＡＬ１は、第５絶縁膜１５及び画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上に位置している。
【００３１】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。図示した例では、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１の上に位置し、第１基板ＳＵＢ１と対向している。  
第２絶縁基板２０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。一例として、第２絶縁基板２０は、可撓性を有するフレキシブル基板である。例えば、第２絶縁基板２０は、ポリイミド等の樹脂基板である。第２絶縁基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する第１面２０Ａ及びカバー部材ＣＧと対向する第２面２０Ｂを有している。  
遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の下に位置し、カラーフィルタＣＦによって覆われている。つまり、遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の第１面２０Ａ側に位置している。また、遮光層ＢＭの縦部分ＢＭＹは、信号線Ｓの直上に位置している。図示した例では、縦部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ４は、それぞれ、信号線Ｓ１乃至Ｓ４の直上に位置している。
【００３２】
カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０及び遮光層ＢＭの下に位置している。カラーフィルタＣＦの一部は、遮光層ＢＭの下に重なっている。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥの直上に位置している。図示した例では、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、それぞれ、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の直上に位置している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの下に位置している。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣの下に位置している。  
なお、遮光層ＢＭは、カラーフィルタＣＦとオーバーコート層ＯＣとの間、あるいは、オーバーコート層ＯＣと第２配向膜ＡＬ２との間に配置されても良い。また、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。この場合、第２絶縁基板２０の下には、カラーフィルタＣＦを配置せずに、オーバーコート層ＯＣが配置されても良い。
【００３３】
第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間には、図３で示したスペーサＭＳＰによって所定のセルギャップが形成される。セルギャップは、例えば２〜５μｍである。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、所定のセルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。  
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子を含んでいる。このような液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。
【００３４】
上記のような構成の表示パネルＰＮＬに対して、第１基板ＳＵＢ１の下には、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、第２基板ＳＵＢ２の上には、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。図示した例では、第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０の下に配置され、第２光学素子ＯＤ２は、第２絶縁基板２０の上に配置されている。一例では、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、それぞれの吸収軸がＸ−Ｙ平面において互いに直交するように配置されている。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて、１／４波長板や１／２波長板などの位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていても良い。
【００３５】
カバー部材ＣＧは、第２基板ＳＵＢ２の上に位置している。カバー部材ＣＧは、例えばガラス製であるが、樹脂製であってもよい。カバー部材ＣＧは、第２基板ＳＵＢ２と接着剤ＡＤで接着されている。図示した例では、カバー部材ＣＧは、第２光学素子ＯＤ２の上に接着剤ＡＤで接着されている。なお、カバー部材ＣＧと第２光学素子ＯＤ２との間には、接着剤ＡＤ以外にいくつかの層が配置されていてもよい。
【００３６】
このような構成例の表示装置ＤＳＰにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、バックライトユニットＢＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子は、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、バックライトユニットＢＬからの光の一部は、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。
【００３７】
図５は、図３のＶ−Ｖにおける表示装置ＤＳＰの断面の一例を示す図である。  
半導体層ＳＣ１乃至ＳＣ３は、それぞれ、第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との間に位置している。半導体層ＳＣ１乃至ＳＣ３は、第１絶縁膜１１の上で離間して配置されている。
【００３８】
画素電極ＰＥ１は、コンタクトホールＣＨ１３を介してドレイン層ＤＲ１に電気的に接続されている。ドレイン層ＤＲ１は、図２に示したコンタクトホールＣＨ１２を介してスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。言い換えると、画素電極ＰＥ１は、ＣＨ１３を介してスイッチング素子ＳＷ１に接続されている。また、画素電極ＰＥ２は、コンタクトホールＣＨ２３を介してドレイン層ＤＲ２に電気的に接続されている。ドレイン層ＤＲ２は、図２に示したコンタクトホールＣＨ２２を介してスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続されている。言い換えると、画素電極ＰＥ２は、コンタクトホールＣＨ２３を介してスイッチング素子ＳＷ２に接続されている。
【００３９】
スペーサＭＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。スペーサＭＳＰは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を支持し、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に所定のセルギャップを形成する。図示した例では、スペーサＭＳＰは、オーバーコート層ＯＣの下に形成され、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。スペーサＭＳＰは、下に向かって先細るテーパ形状を有している。スペーサＭＳＰの下の先端部は、例えば、第１配向膜ＡＬ１に接触している。
【００４０】
図６は、第１実施形態に係る表示パネルＰＮＬのカバー部材ＣＧへの取り付けの概念を説明する断面図である。  
チャンバＣＢは、例えば、磁気発生部ＥＭを備えている。磁気発生部ＥＭは、例えば、電磁石で構成されている。チャンバＣＢは、例えば、メカニカルチャック等でカバー部材ＣＧを支持している。表示パネルＰＮＬは、カバー部材ＣＧに対向するように配置されている。チャンバＣＢは、磁気発生部ＥＭで発生する磁力により、磁性体材料を含む表示パネルＰＮＬをカバー部材ＣＧ側に引き付ける。このため、磁性体材料は、磁気発生部ＥＭのより近くに配置している方が良く、スペーサＭＳＰよりもカバー部材ＣＧ側に位置していることが好ましい。例えば、磁性体材料は、第１基板ＳＵＢ１よりも磁気発生部ＥＭに近くに配置された第２基板ＳＵＢ２に設けられている。図示した例では、遮光層ＢＭが磁性体材料を含んでいるため、表示パネルＰＮＬがカバー部材ＣＧに引き付けられやすい。また、スペーサＭＳＰは、第２基板ＳＵＢ２側に形成されているため、第１配向膜ＡＬ１に押圧されない。そのため、磁気発生部ＥＭで発生する磁力により表示パネルＰＮＬをカバー部材ＣＧに取り付ける場合、表示パネルＰＮＬにおいて、スペーサＭＳＰと第１配向膜ＡＬ１との擦れ合いが抑制される。
【００４１】
図７、図８及び図９を参照して、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。図７乃至図９において、カバー部材ＣＧは、第１方向Ｘの両端部に湾曲している湾曲部ＣＶを有する。図７乃至図９に示した例では、カバー部材ＣＧは、第１方向Ｘに沿って全体が湾曲している。なお、表示パネルＰＮＬは、図６に示したように、第３方向に、第１基板ＳＵＢ１、スペーサＭＳＰ、及び第２基板ＳＵＢ２の順に配置されている。  
図７は、カバー部材ＣＧに取り付けるために表示パネルＰＮＬを設置した状態の一例を示す図である。図示した例では、表示パネルＰＮＬ、カバー部材ＣＧ、及びチャンバＣＢの順に配置されている。表示パネルＰＮＬは、台座ＳＴの上に配置されている。接着剤ＡＤは、表示パネルＰＮＬの上に配置されている。チャンバＣＢは、表示パネルＰＮＬに対向するようにカバー部材ＣＧを支持している。
【００４２】
図８は、表示パネルＰＮＬをカバー部材ＣＧ側に近づけた状態の一例を示す図である。例えば、台座ＳＴと表示パネルＰＮＬとの間に配置されたクッションＣＵを用いて、カバー部材ＣＧ側に表示パネルＰＮＬを持ち上げ、表示パネルＰＮＬをカバー部材ＣＧに近づける。クッションＣＵは、表示パネルＰＮＬが第１方向Ｘにおいてカバー部材ＣＧに沿って湾曲するように、表示パネルＰＮＬを持ち上げる。
【００４３】
図９は、カバー部材ＣＧに表示パネルＰＮＬを取り付けた状態の一例を示す図である。チャンバＣＢは、磁気発生部ＥＭで発生する磁力により、磁性体材料を含む遮光層ＢＭを有する表示パネルＰＮＬをカバー部材ＣＧ側に引き付けることで、カバー部材ＣＧに表示パネルＰＮＬを取り付ける。取り付け後、クッションＣＵによって、カバー部材ＣＧに表示パネルＰＮＬを押圧する。その後、例えば、紫外線等により接着剤ＡＤを硬化させ、表示パネルＰＮＬとカバー部材ＣＧとを接着する。こうして、第１方向Ｘの両端部に湾曲している湾曲部ＣＶを有する表示装置ＤＳＰが製造される。
【００４４】
なお、表示装置ＤＳＰは、湾曲部ＣＶを有し、且つ第１方向Ｘに沿って湾曲しているとしたが、湾曲部ＣＶを有していなくともよい。例えば、表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘに沿って平坦であってもよい。
第１実施形態によれば、表示装置１は、磁性体材料を含む遮光層ＢＭを備えている。遮光層ＢＭは、スペーサＭＳＰよりもカバー部材ＣＧ側に位置し、スペーサＭＳＰは第２絶縁基板２０側に形成されている。そのため、表示装置１は、機械的に押圧するだけで形成される場合に比べて、スペーサＭＳＰと第１配向膜ＡＬ１とが擦れることなく、表示パネルＰＮＬをカバー部材ＣＧに取り付けることができる。つまり、表示装置１は、配向膜の損傷を防止できるため、配向不良やコントラストの低下を防止できる。したがって、表示品位を改善可能な表示装置を提供することができる。  
なお、遮光層ＢＭが磁性体材料を含むとしたが、遮光層ＢＭに限らず、スペーサＭＳＰよりもカバー部材ＣＧ側に位置している配線等が磁性体材料を含んでいればよい。
【００４５】
次に、他の実施形態および変形例に係る表示装置について説明する。以下に説明する他の実施形態および変形例において、前述した第１実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略あるいは簡略化し、第１実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。
【００４６】
図１０は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰのセンサＳＳの一構成例を示す平面図である。第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、センサＳＳを構成する電極が磁性体材料を含む点が相違する。  
センサＳＳは、タッチ検出用のセンサである。図示した例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、タッチ検出用の検出電極ＢＲｘ、共通電極駆動回路ＣＤ、及び検出回路ＲＣを備えている。センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極ＢＲｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。一例では、検出電極ＢＲｘは、検出電極ＢＲｘ１、ＢＲｘ２、ＢＲｘ３、ＢＲｘ４、…、ＢＲｘｎ−２、ＢＲｎ−１、及びＢＲｘｎを含む。平面視した場合に、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極ＢＲｘとは、交差している。検出電極ＢＲｘは、第３方向Ｚにおいてセンサ駆動電極Ｔｘと対向している。
【００４７】
センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極ＢＲｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、第２方向Ｙに延出している。検出電極ＢＲｘは、間隔をおいて第２方向Ｙに並び、第１方向Ｘに延出している。例えば、検出電極ＢＲｘの一部は、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドに接続され、このパッドに接続された配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。図示した例では、検出電極ＢＲｘ１、ＢＲｘ３、…、ＢＲｘｎ−２、及びＢＲｘｎは、それぞれ、第１基板ＳＵＢ１に設けられた各パッドに接続され、各パッドに接続された各配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。検出電極ＢＲｘ２、ＢＲｘ４、…、及びＢＲｘｎ−１は、ダミー配線である。なお、ダミー配線である検出電極ＢＲｘ２、ＢＲｘ４、…、ＢＲｘｎ−１を遮光層ＢＲｘ２、ＢＲｘ４、…、ＢＲｘｎ−１としてもよい。
【００４８】
センサ駆動電極Ｔｘは、配線を介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘは、共通電極ＣＥを有する。センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極ＢＲｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極ＢＲｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
【００４９】
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極ＢＲｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要な検出信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極ＢＲｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を検出回路ＲＣに出力する。
【００５０】
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極ＢＲｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極ＢＲｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
【００５１】
図１１は、検出電極ＢＲｘの一構成例を示す断面図である。  
検出電極ＢＲｘは、遮光部ＳＤと、配線部ＷＲとを備えている。遮光部ＳＤは、遮光性を有する。例えば、遮光部ＳＤは、積層された複数の層により黒色化されていてもよい。遮光部ＳＤは、第３方向Ｚにおいて配線部ＷＲの上に位置している。配線部ＷＲは、強磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又は、これらを組み合わせた合金等を含んでいる。なお、配線部ＷＲは、複数の層を備えていてもよい。また、検出電極ＢＲｘは、遮光部ＳＤを含まず、配線部ＷＲのみで構成されていてもよいし、遮光部ＳＤも配線部ＷＲと同様に複数の層を備えていてもよい。なお、配線部ＷＲは、全部が磁性体材料で構成されていてもよいし、遮光部ＳＤの全部が磁性体材料で構成されていてもよい。
【００５２】
図１２は、第３方向Ｚの上側から第２基板ＳＵＢ２を見たときの構成例を示す平面図である。  
図示した例では、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、及びＣＦ３は、この順に第１方向Ｘに繰り返し配置されている。また、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、及びＣＦ３は、それぞれ、第２方向Ｙに沿って配置されている。
【００５３】
検出電極ＢＲｘは、第２方向Ｙに並び、第１方向Ｘに延出している。平面視した場合、検出電極ＢＲｘは、走査線Ｇ、スイッチング素子ＳＷなどの配線部などに重なっている。図示した例では、検出電極ＢＲｘ２と重なる走査線Ｇ２、スイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２を図示し、その他の走査線、スイッチング素子の図示を省略している。検出電極ＢＲｘは、第２方向Ｙにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。一例では、検出電極ＢＲｘは、矩形状の板で形成されている。以下で、Ｘ−Ｙ平面において周囲の幅より拡張された検出電極ＢＲｘの拡張部分ＥＰと定義する。拡張部分ＥＰは、平面視した場合、スペーサＭＳＰと重なっている。図示した例では、拡張部分ＥＰは、平面視した場合、信号線Ｓ２と重なる部分に位置し、スペーサＭＳＰと重なっている。
【００５４】
図１３は、図１２のＡ−Ａにおける表示装置ＤＳＰの断面の一例を示す図である。  
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、検出電極ＢＲｘ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。  
検出電極ＢＲｘは、第２絶縁基板２０の下に位置している。つまり、検出電極ＢＲｘは、第２絶縁基板２０の第１面２０Ａ側に位置している。カラーフィルタＣＦは、検出電極ＢＲｘの下に位置している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの下に位置している。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣの下に位置している。  
図示した例では、スペーサＭＳＰは、オーバーコート層ＯＣの下に形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣ及びスペーサＭＳＰを覆っている。  
第２実施形態においても、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５５】
図１４は、図１２のＡ−Ａにおける変形例１に係る表示装置ＤＳＰの断面の一例を示す図である。変形例１に係る表示装置ＤＳＰは、図１３に示した表示装置ＤＳＰと比べて検出電極ＢＲｘの位置が異なる点が相違する。  
検出電極ＢＲｘは、第２絶縁基板２０の上に位置している。つまり、検出電極ＢＲｘは、第２絶縁基板２０の第２面２０Ｂ側に位置している。カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の下に位置している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの下に位置している。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣの下に位置している。  
図示した例では、スペーサＭＳＰは、オーバーコート層ＯＣの下に形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣ及びスペーサＭＳＰを覆っている。
【００５６】
図示した例では、第２光学素子ＯＤ２は、検出電極ＢＲｘの上に配置されている。なお、第２絶縁基板２０と第２光学素子ＯＤ２との間において、検出電極ＢＲｘは、第２絶縁基板２０の第２面２０Ｂに接触していてもよいし、第２光学素子ＯＤ２に接触していてもよい。  
変形例１においても、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５７】
図１５は、変形例２に係る表示装置ＤＳＰのセンサＳＳの一構成例を示す平面図である。変形例２に係る表示装置ＤＳＰは、第２実施形態と比べてセンサＳＳの構成が異なる点が相違する。
図示した例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、検出電極Ｒｘ、共通電極駆動回路ＣＤ、及び検出回路ＲＣを備えている。検出電極Ｒｘは、図１０に示した検出電極ＢＲｘとほぼ同等の構成であるが、遮光部ＳＤを備えていない。つまり、検出電極Ｒｘは、図１０に示した検出電極ＢＲｘの配線部ＷＲに対応する。検出電極Ｒｘは、第２方向Ｙの幅が検出電極ＢＲｘの第２方向Ｙの幅よりも大きくてもよい。例えば、検出電極Ｒｘは、微細な金属細線の集合体によって形成されていてもよい。一例では、検出電極Ｒｘは、メッシュ状に形成されている。検出電極Ｒｘは、磁性体層を含む。検出電極Ｒｘは、磁性体材料、例えば、鉄、コバルト、及びニッケル、これらを主成分とする合金、又はこれらを組み合わせた合金等を含んでいる。
【００５８】
図１６は、図１５に示した変形例２に係る表示装置ＤＳＰの断面の一例を示す図である。  
第２基板ＳＵＢ２は、検出電極Ｒｘ、第２絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。  
検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の上に位置している。つまり、検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の第２面２０Ｂ側に位置している。遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の下に位置している。つまり、遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の第１面２０Ａ側に位置している。カラーフィルタＣＦは、遮光層ＢＭの下に位置している。図示した例では、スペーサＭＳＰは、オーバーコート層ＯＣの下に形成され、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。なお、遮光層ＢＭは、磁性体層を含んでいてもよい。
【００５９】
図示した例では、第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に配置されている。なお、第２絶縁基板２０と第２光学素子ＯＤ２との間において、検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の第２面２０Ｂに接触していてもよいし、第２光学素子ＯＤ２に接触していてもよい。  
変形例２によれば、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル  ＳＵＢ１…第１基板  ＳＵＢ２…第２基板
ＢＬ…照明装置  ＤＡ…表示領域  ＮＤＡ…非表示領域
Ｇ…走査線  Ｓ…信号線  ＳＷ…スイッチング素子  ＰＥ…画素電極
ＣＥ…共通電極  ＢＭ…遮光層  ＣＦ…カラーフィルタ  ＭＳＰ…メインスペーサ
ＳＳ…センサ  Ｔｘ…センサ駆動電極  ＢＲｘ、Ｒｘ…検出電極
ＣＤ…共通電極駆動回路  ＲＣ…検出回路
【図１】
2018205633.tif 000003
【図２】
2018205633.tif 000004
【図３】
2018205633.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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