【事件の表示】
　特許第３３４７２２８号「半導体装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３４７２２８号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３４７２２８号の請求項１，２に係る発明は、平成６年１１月２９日に特許出願され、平成１４年９月６日にその特許権の設定登録がなされ、その後、近藤　利喜三（以下、異議申立人という。）より特許異議の申立がなされ、平成１７年４月１５日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年６月２７日付けで特許異議意見書が提出されたものである。
　
II．特許異議申立について
１．特許異議申立の概要
　異議申立人は、証拠として下記の甲第１〜１２号証を提出して、Ａ．請求項１，２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それらの特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべきである旨、Ｂ．特許明細書の記載には不備があり、請求項１，２に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項及び第５項の規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、これを取り消すべきである旨主張している。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平６−１１２３５４号公報（特許異議申立の甲第１号証）
刊行物２：特開平５−１２５１４８号公報（特許異議申立の甲第２号証）
刊行物３：特開平６−２９８９０３号公報（特許異議申立の甲第３号証）
刊行物４：特開平６−６９３７９号公報（特許異議申立の甲第４号証）
刊行物５：特開平６−２３９９７０号公報（特許異議申立の甲第５号証）
刊行物６：特開平６−２２８２７３号公報（特許異議申立の甲第６号証）
刊行物７：長谷川喜一　外３名著「高分子論文集　熱硬化性樹脂＝特集号」高分子学会　４１（１０）（１９８４年１０月）ｐｐ．５７５〜５８０
（特許異議申立の甲第７号証）
刊行物８：池口信之著「電子材料」（１９８６年１０月）ｐ．７８〜８４
（特許異議申立の甲第８号証）
刊行物９：特開平６−２９１１５４号公報（特許異議申立の甲第９号証）
刊行物１０：特開平５−１８５７８５号公報
（特許異議申立の甲第１０号証）
刊行物１１：特開平６−１４５３０７号公報
（特許異議申立の甲第１１号証）
刊行物１２：特開平２−２７６８１４号公報
（特許異議申立の甲第１２号証）    　　　
　
２．本件発明
　本件特許第３３４７２２８号の請求項１，２に係る発明（以下、「本件発明１」，「本件発明２」という。）は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１，２に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　半導体素子が搭載されたリード基板と、この半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止した、下記のエポキシ樹脂（Ａ）およびフェノール樹脂を主成分とするエポキシ樹脂組成物からなる樹脂硬化体層とを備えた半導体装置であって、上記リード基板が、その表面に金属配線を有するビスマレイミドトリアジン基板であって、封止温度から２５℃にかけての収縮量が０．１５〜０．２５％であり、かつ上記リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）が、０．８〜１．６の範囲に設定されていることを特徴とする半導体装置。
（Ａ）下記の一般式（１），式（２），式（３），式（４），式（５）および式（６）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つのエポキシ樹脂。
【請求項２】上記樹脂硬化体層形成材料が、上記エポキシ樹脂およびフェノール樹脂を主成分とする有機成分と、球状シリカを主体とする無機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記有機成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の５〜２５重量％に設定されている請求項１記載の半導体装置。」
　
３．特許法第２９条第２項違反について
３−１．証拠の記載事実
　刊行物１〜１２には、以下の事項の記載がある。
（１）刊行物１
（１−１）「【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体デバイスに関し、・・・リードレス・パッド・アレイ・キャリアの全体的な作りは、基板の上面にマウントされた半導体ダイ、および基板の下面に付着された複数のはんだボールを含む。既存の基板はビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂などのプリント回路板材であり、上下両面が銅で被覆されている。」（【０００１】〜【０００３】６行）
（１−２）「図５において、半導体ダイ５０が基板４０の上にマウントされている。・・・パッケージ・ボディ５４は、トランスファ・モールディング工程・・・によって、基板上にオーバーモールドされてダイ５０・・・完全に被覆する。パッケージ・ボディ５４は、高分子封止樹脂などの封入材を使用できる・・・パッケージ・ボディ５４に用いる材料および高分子材基板４２は、モールド・デバイスの潜在的な反りを最小にするために、ほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有することが望ましい。」（【００１３】１１〜２３行）
　
（２）刊行物２
（２−１）「・・・請求項１記載のエポキシ樹脂と硬化剤とからなるエポキシ樹脂組成物。・・・硬化剤が多価フェノール類である請求項２記載のエポキシ樹脂組成物。・・・【産業上の利用分野】本発明はとくに電子部品の封止用として有用なエポキシ樹脂及びそれと硬化剤からなるエポキシ樹脂組成物に関する。・・・本発明の目的は、耐熱性の低下を抑えてより低吸湿性を示すエポキシ樹脂を提供し、耐クラック性を向上させることにある。」（【請求項２】〜【０００４】）
（２−２）「実施例４〜６および比較例２〜３
　上記実施例等で得た各種グリシジルエーテル化物、硬化剤としてフェノールノボラック（商品名　タマノール７５９　荒川化学工業（株）製）、硬化促進剤としてトリフェニルフォスフィン、充填剤として溶融シリカ（ＦＳ−８９１　電気化学工業（株）製）、離型剤としてカルナバワックス、カップリング剤（ＳＨ−６０４０　東レダウコーニングシリコーン（株）製）を表１に示した量（ｇ）で配合し、ロールで加熱混練し、トランスファー成形を行った。さらに、１８０℃オーブン中で、５時間ポストキュアーを行い、硬化成形物を得た。」（【００３０】１〜１１行）
（２−３）【表１】の比較例２として、ｏ−クレゾールノボラックのグリシジルエーテルとフェノールノボラックを含む硬化成形物が示されている。
　
（３）刊行物３
（３−１）「【請求項１】（Ａ）総エポキシ樹脂量中に３０〜１００重量％含む式（１）で示されるエポキシ樹脂、
【化１】
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、
（Ｃ）硬化促進剤　及び
（Ｄ）総エポキシ樹脂組成物中に８０〜９０重量％含む無機充填材
からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（【特許請求の範囲】）
（３−２）「【０００３】【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問題点に対して、無機充填材を総エポキシ樹脂組成物中に８０〜９０重量％含むことにより、成形物の低熱膨張化及び低吸水化を図り、エポキシ樹脂として式（１）で示されるエポキシ樹脂を用いることにより、リードフレーム及び半導体チップとの接着性の向上、成形物の高温時における低弾性率化による低応力化により、基板実装時における半導体パッケージの耐半田ストレス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するところにある。・・・本発明は、（Ａ）総エポキシ樹脂量中に３０〜１００重量％含む式（１）で示されるエポキシ樹脂、・・・（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤　及び（Ｄ）総エポキシ樹脂組成物中に８０〜９０重量％含む無機充填材からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物で、従来のエポキシ樹脂組成物に比べ、優れた信頼性として耐半田ストレス性と半田処理後の耐湿性を有するものである。」（【０００３】〜【０００６】）
（３−３）「更に得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ２、１２０秒の条件で半田クラック試験用として６ｍｍ×６ｍｍのチップを５２ｐＱＦＰに封止し、また半田耐湿性試験用として３ｍｍ×６ｍｍのチップを１６ｐＳＯＰに封止した。」（【００１５】１９〜２４行）
　
（４）刊行物４
（４−１）「【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）下記の（イ）および（ロ）の少なくとも一方。
　　（イ）下記の一般式（１）および（２）で表されるエポキシ樹脂の少なくとも一方。
【化１】
 
 ・・・
（Ｂ）下記の（ハ）および（ニ）の少なくとも一方
・・・のフエノール樹脂。
（Ｃ）無機質充填剤。」（【特許請求の範囲】）
（４−２）「【発明が解決しようとする課題】上記のように、これまでの封止用エポキシ樹脂組成物は、ＴＣＴテストの結果や半田浸漬時の耐クラツク性の特性が充分ではなかつた。このために上記の技術革新による半導体素子サイズの大形化や表面実装化に対応できるように、上記両特性を向上させることが強く望まれている。・・・本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上および半田溶融液浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体装置の提供をその目的とする。」（【０００４】〜【０００５】）
（４−３）「以上の実施例および比較例によつて得られたエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフアー成形（条件：１７５℃×２分、１７５℃×５時間後硬化）することにより半導体装置を得た。」（【００７８】１〜４行）
（４−４）「　上記新規エポキシ樹脂，通常のフエノール樹脂とともに用いられるＣ成分の無機質充填剤は、・・・特にシリカ粉末を用いるのが好適である。このような無機質充填剤の含有量は、シリカ粉末の場合、エポキシ樹脂組成物全体の５０重量％（以下「％」と略す）以上に設定するのが好ましい。特に好ましくは８０％以上である。すなわち、シリカ粉末の含有量が５０％を下回ると充填剤を含有した効果が大幅に低下する傾向がみられるからである。」（【００３０】）
　
（５）刊行物５
（５−１）「【請求項１】（Ａ）次の式で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、
　　【化１】
（Ｂ）次の式で示されるナフタレン型四官能エポキシ樹脂、
　・・・
（Ｃ）フェノール樹脂および
（Ｄ）無機質充填剤
を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｄ）の無機質充填剤を25〜90重量％の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。」（【特許請求の範囲】【請求項１】）
（５−２）「【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物によって封止した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂クラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することができないという欠点があった。・・・本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリードフレームの間の剥がれや、内部樹脂クラックの発生がなく、また電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発生もなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするものである。・・・本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、2 種類の特定のエポキシ樹脂を併用し、さらにフェノール樹脂を用いることによって、耐湿性、半田耐熱性等に優れた樹脂組成物が得られることを見いだし、本発明を完成したものである。」（【０００３】〜【０００５】）
（５−３）「こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｄ）を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れており、本発明の顕著な効果を確認することができた。」（【００２５】）
（５−４）「実施例２　実施例１で用いたと同じ化７のビフェニル型エポキシ樹脂 9％、化８で示されるナフタレン型四官能エポキシ樹脂1 ％、フェノール樹脂4 ％、シリカ粉末85％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス類 0.3％およびシランカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ｂ）を製造した。」（【００２２】）
　
（６）刊行物６
（６−１）「【請求項１】（Ａ）トリアジン核にエポキシ基を少なくとも2 個有するエポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および（Ｃ）無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）の無機質充填剤を25〜90重量％の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】（Ａ）トリアジン核にエポキシ基を少なくとも2 個有するエポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および（Ｃ）無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）の無機質充填剤を25〜90重量％の割合で含有したエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップが封止されてなることを特徴とする半導体封止装置。」（ 【特許請求の範囲】）
（６−２）「本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、トリアジン核にエポキシ基を少なくとも2 個有する化合物である限り、その分子量等特に制限されることなく、封止用材料として使用されているものを広く包含することができる。例えば次式で示されるトリグリシジルイソシアヌレートが挙げられる。
・・・
　　【化１】
このエポキシ樹脂は、単独又は 2種以上混合して使用することができ、このエポキシ樹脂に、ノボラック系エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂を併用することができる。」（【０００８】，【０００９】）
（６−３）「【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置は、特定のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂を用いることによって、樹脂組成物のガラス転移温度が上昇し、熱機械的特性と低応力性が向上し、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂クラックの発生がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるものである。・・・【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらの実施例よって限定されるものではない。以下の実施例および比較例において「％」とは「重量％」を意味する。・・・実施例１　トリグリシジルイソシアヌレート12％、ノボラック型フェノール樹脂12％、シリカ粉末75％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス類 0.3％およびシランカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ａ）を製造した。」（【００１５】〜【００１７】）
（６−４）「こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｅ）を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れており、本発明の顕著な効果を確認することができた。」（【００２２】）
　
（７）刊行物７
（７−１）Ｔａｂｌｅ　１．には、下記化学構造を有する４，４’型エポキシ化合物に含まれる、ＤＧＥＢ（２，６−ＤＭ）Ｆの記号で表されるもの（Ｒ１がＣＨ３，Ｒ２がＣＨ３）の特性が示されている。
　
（８）刊行物８
（８−１）「こういった Chip on Board (ＣＯＢ)化の要求に応えるために，材料樹脂として，・・・ビスマレイミド−トリアジン樹脂・・・などの耐熱性に優れた樹脂が開発され，単独あるいは複合系として高密度プリント配線板に対する検討および実用化が進められている。ここではＣＯＢ用に適したＢＴレジン（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）使用耐熱性銅張積層板について述べる。」（７８頁左欄９〜２１行）
（８−２）７８頁の「表１　材料特性の比較」には、ガラス布ＢＴレジン板の熱膨張率として、１１〜１６×１０−６／℃が示されている。
　
（９）刊行物９
（９−１）「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した従来の実装方式では、マウント工程の際に、半導体素子実装用基板とパッケージ材料との熱膨張係数の違いにより熱応力が生じて半導体装置の信頼性が低下する。さらに、この熱応力に伴い発生する反りがその後のプロセスを困難にするという問題があった。・・・
　これらの熱応力や反りは、半導体素子実装用基板とパッケージの材料選定の際に熱膨張係数の近いものを選ぶことや、ヤング率の小さなマウント材を選ぶことにより小さくすることができるものの、半導体素子実装用基板のサイズが大きくなってくると無視できなくなる。・・・
　本発明は、上述の如き従来の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、半導体実装用基板をパッケージ・ベッド部に実装するに際し、熱膨張係数の違いにより発生する熱応力や反りを抑えることができる半導体装置を提供することである。」（【０００３】〜【０００５】）
　
（１０）刊行物１０
（１０−１）「【請求項１】プリント配線板上に搭載されたＩＣをその搭載面のみを熱硬化性樹脂を用いて封止するに際して、封止樹脂のガラス転移温度以下でトランスファー成形することを特徴とする、薄型プラスチックＩＣパッケージの製造方法。」（【特許請求の範囲】）
（１０−２）「一方ＴＣＰは、バンプによってＩＣとリ−ドを接続するので、ＩＣとリ−ドの厚みに最小限の封止樹脂の厚みを加えるだけでよい。したがって、ある程度まで厚みを薄くする事は容易に出来るが、パッケ−ジのそりが発生しやすいという問題点があった。　特にＴＣＰのような表面実装型のパッケ−ジでは、パッケ−ジのそりがあるとプリント配線板等に実装する際、パッケ−ジのリ−ドとの接続の確実性が悪くなる等の障害が生じやすいという問題点があった。・・・
　さらにＴＣＰはＴＳＯＰ等のパッケ−ジと異なる構造であるため、製造するためにに新たなバンプ形成装置、リ−ド打抜き機、ボンディングするための加熱加圧ツ−ル等の特別な設備、装置も必要となり、またポリイミドテ−プの材料コストも高いという問題点があった。本発明の目的は、ＴＣＰの様に特別な設備、装置を必要とせず、ＴＳＯＰ等の多くのプラスチックパッケ−ジの製造に使用する設備、装置で製造することもでき、また全体を樹脂封止したパッケ−ジより厚みを薄くすることが容易にでき、しかもそりの少ない薄型プラスチックＩＣパッケ−ジの製造方法を提供することである。」（【０００６】，【０００７】）
　
（１１）刊行物１１
（１１−１）「（実施例８〜１９）
１）熱硬化性樹脂組成物の調製
　エポキシ樹脂としてビフェニール型エポキシ樹脂ＹＸ−４０００（油化シェルエポキシ（株）製）、硬化剤として上で合成した樹脂Ｃ、樹脂Ｄ、樹脂Ｅを使用し、実施例１〜３と同様にして熱硬化性樹脂組成物を製造した。・・・
２）成形物の調製　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２本のアルミニウム配線をシリコンチップ上に有するテストチップを、上記の方法で調製したエポキシ樹脂組成物を用いて、金型温度１８０℃、硬化時間９０秒で低圧トランスファー成形した後、１７５℃７時間ポストキュアを行い、成形物を得た。」（【００７３】５９行〜【００７４】６行）
（１１−２）【表３】〜【表６】には、実施例８〜１９として、ビフェニール型エポキシ樹脂と、樹脂Ｃ、Ｄ、Ｅとを含むエポキシ樹脂組成物の線膨張係数が１４，１１，９，７，１４，１２，９，７，１５，１２，９，８（１０−６／℃）であることが示されている。
　
（１２）刊行物１２
（１２−１）「成形収縮率：ＪＩＳＤ　Ｋ　６９１１　法に準じ、前記成形条件にて成形収縮率円板を成形し、三次元測定機・・・にて寸法を測定し、成形収縮率を求めた。」（９頁左下欄１４〜１８行）
（１２−２）「実施例１乃至６、比較例１乃至４
配合成分
　Ａ：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂２１５）
  Ｂ：フェノールノボラック樹脂（フェノール当量１０４）」（９頁左上欄６〜１１行）と記載され、１０頁第１表、第２表には、Ａ成分とＢ成分を含む組成物の実施例１〜６の成形収縮率が、０．１１，０．３，０．２８，０．１１，０．１０，０．１０％であることが示されている。
　
３−２．対比・判断
（１）本件発明１について
　上記摘記事項（１−１）には、半導体デバイスに関して、半導体ダイが上面にマウントされた上下両面が銅で被覆されたビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂のプリント回路板材の基板が記載され、上記摘記事項（１−２）には、半導体ダイが基板の上にマウントされ、パッケージ・ボディは、トランスファ・モールディング工程によって、基板上にオーバーモールドされて、前記ダイを完全に被覆すること、パッケージ・ボディとしては、高分子封止樹脂などの封入材を使用できることが記載されているので、上記摘記事項（１−１）（１−２）を総合すると、刊行物１には、「表面が銅で被覆されたビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂のプリント回路基板の上面に半導体ダイがマウントされ、該基板上に、高分子封止樹脂がオーバーモールドされた半導体デバイス」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　本件発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「半導体ダイ」、「表面が銅で被覆されたビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂のプリント回路基板」、「高分子封止樹脂」「プリント回路基板の上面に半導体ダイがマウントされ、該基板上に、高分子封止樹脂がオーバーモールドされ」「半導体デバイス」は、それぞれ、本件発明１の「半導体素子」、「表面に金属配線を有するビスマレイミドトリアジン基板」、「樹脂硬化体層」「半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止した」「半導体装置」に相当しているので、両者は、「半導体素子が搭載されたリード基板と、この半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止した樹脂組成物からなる樹脂硬化体層とを備えた半導体装置であって、上記リード基板が、その表面に金属配線を有するビスマレイミドトリアジン基板である半導体装置」という点で一致しており、以下の点で相違している。
　
イ．樹脂硬化体層について、本件発明１が、特定の化学式（１）〜（６）のエポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つのエポキシ樹脂（以下、「化学式（１）〜（６）のエポキシ樹脂」という。）およびフェノール樹脂を主成分とするエポキシ樹脂組成物からなるとされているのに対し、刊行物１発明においては、材料の特定がなされていない点。
ロ．リード基板について、本件発明１が、封止温度から２５℃にかけての収縮量が０．１５〜０．２５％であるのに対して、刊行物１発明においては、そのような記載のない点。
ハ．本件発明１においては、リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）が０．８〜１．６の範囲に設定されているのに対して、刊行物１発明においては、デバイスの反りを最小にするために、パッケージ・ボディに用いる材料および高分子材基板が、ほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有するようにすることが望ましいとされている点。
　
以下、相違点について検討する。
　
相違点ハについて　
　刊行物２には、上記摘記事項（２−１）〜（２−３）からみて、化学式（１）のエポキシ樹脂とフェノール樹脂を含むエポキシ樹脂組成物を半導体の封止に用いることについては記載があるが、半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止する場合に用いること、及びリード基板の樹脂封止後の収縮量と、樹脂硬化体層の収縮量の比を特定の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　刊行物３には、上記摘記事項（３−１）〜（３−３）からみて、化学式（２）のエポキシ樹脂とフェノール樹脂を含むエポキシ樹脂組成物を半導体の封止に用いることについては記載があるが、半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止する場合に用いること、及びリード基板の樹脂封止後の収縮量と、樹脂硬化体層の収縮量の比を特定の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　刊行物４には、上記摘記事項（４−１）〜（４−４）からみて、化学式（３）のエポキシ樹脂とフェノール樹脂を含むエポキシ樹脂組成物を半導体の封止に用いることについては記載があるが、半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止する場合に用いること、及びリード基板の樹脂封止後の収縮量と、樹脂硬化体層の収縮量の比を特定の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　刊行物５には、上記摘記事項（５−１）〜（５−４）からみて、化学式（４）のエポキシ樹脂とフェノール樹脂を含むエポキシ樹脂組成物を半導体の封止に用いることについては記載があるが、半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止する場合に用いること、及びリード基板の樹脂封止後の収縮量と、樹脂硬化体層の収縮量の比を特定の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　刊行物６には、上記摘記事項（６−１）〜（６−４）からみて、化学式（５）のエポキシ樹脂とフェノール樹脂を含むエポキシ樹脂組成物を半導体の封止に用いることについては記載があるが、半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止する場合に用いること、及びリード基板の樹脂封止後の収縮量と、樹脂硬化体層の収縮量の比を特定の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　刊行物７には、上記摘記事項（７−１）に、化学式（６）のエポキシ樹脂については記載があるが、半導体の封止に用いること自体何ら記載も示唆もない。
　刊行物８には、上記摘記事項（８−１）に、ＣＯＢ用にビスマレイミド−トリアジン樹脂使用耐熱性銅張積層板が適していること、及び上記摘記事項（８−２）に、その熱膨張率が記載されているものの、リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）を０．８〜１．６の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　刊行物９には、上記摘記事項（９−１）に、本件発明１のリード基板に相当する半導体実装用基板をパッケージ・ベッド部に実装するに際し、熱膨張係数の違いにより発生する熱応力や反りを抑えるため、半導体素子実装用基板とパッケージの材料選定の際に熱膨張係数の近いものを選ぶことが記載されているものの、リード基板をさらに実装する場合のベッド部との間の反りに関するものであり、リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）を０．８〜１．６の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。　
　刊行物１０には、上記摘記事項（１０−１），（１０−２）からみて、プリント配線板上に搭載されたＩＣをその搭載面のみを熱硬化性樹脂を用いて封止する際に、そりの発生を抑えるため、封止樹脂のガラス転移温度以下でトランスファー成形することの記載はあるものの、用いる封止樹脂について何ら記載がなく、リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）を０．８〜１．６の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　刊行物１１には、上記摘記事項（１１−１），（１１−２）からみて、化学式（４）のエポキシ樹脂とポリフェノール類を含むエポキシ樹脂組成物を半導体の封止に用いることについては記載があるが、半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止する場合に用いること、及びリード基板の樹脂封止後の収縮量と、樹脂硬化体層の収縮量の比を０．８〜１．６の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　刊行物１２には、上記摘記事項（１２−１），（１２−２）からみて、化学式（１）のエポキシ樹脂とフェノール樹脂を含むエポキシ樹脂組成物を半導体の封止に用いること及び該組成物の成形収縮率については記載があるが、半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止する場合に用いること、及びリード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）を０．８〜１．６の範囲に設定することについては、何ら記載も示唆もない。
　したがって、本件発明１で特定されている化学式（１）〜（６）の樹脂について記載のある刊行物２〜７，１１，１２はもちろん、それらの樹脂について記載のない、刊行物８〜１０にも、リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の関係について、何らのべられておらず、さらに、その比（Ｙ／Ｘ）を０．８〜１．６の範囲に設定することについても、何ら示唆もない。
　刊行物１において、パッケージ・ボディに用いる材料および高分子材基板は、モールド・デバイスの潜在的な反りを最小にするために、ほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有することが望ましいとされていることは、本件発明１の樹脂硬化体層の収縮量、すなわち封止工程で生じる硬化収縮量と後硬化を含む硬化後に封止温度から室温まで冷却することによって生じる冷却収縮量の和（Ｙ）とリード基板の収縮量（Ｘ）との比を算出するに必要な樹脂特有の冷却収縮工程の変化を示唆しているとはいえず、刊行物２〜１２を勘案しても、刊行物１発明のパッケージ・ボディに用いる材料および高分子材基板の各収縮量の比を０．８〜１．６に特定することを、容易に想到することはできない。
　そして、本件発明１は、相違点ハを含む、半導体素子が搭載されたリード基板と、この半導体素子搭載リード基板の半導体素子搭載面側のみを樹脂封止した、化学式（１）〜（６）のエポキシ樹脂（Ａ）およびフェノール樹脂を主成分とするエポキシ樹脂組成物からなる樹脂硬化体層とを備えた半導体装置であって、上記リード基板が、その表面に金属配線を有するビスマレイミドトリアジン基板であって、封止温度から２５℃にかけての収縮量が０．１５〜０．２５％であり、かつ上記リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）が、０．８〜１．６の範囲に設定されているという構成を具備することにより、ＴＣＴテスト特性および耐リフロークラック特性と加熱により発生するパッケージ反りの低減が両立され、片面封止タイプの半導体装置において、高性能の半導体装置に高い信頼性が付与されるという明細書に記載したような顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は、相違点イ、ロについて論ずるまでもなく、刊行物１〜１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の樹脂硬化体層の形成材料に関して、「上記エポキシ樹脂およびフェノール樹脂を主成分とする有機成分と、球状シリカを主体とする無機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記有機成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の５〜２５重量％に設定されている」という点を追加したものである。
　したがって、（１）でのべたように、相違点ハに関して、刊行物１〜１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない以上、本件発明２も、刊行物１〜１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
４．特許法第３６条違反に関して
　異議申立人は、請求項１のエポキシ樹脂（Ａ）のうち、式（１），式（３），式（４）で表されるエポキシ樹脂を用いたものについては、実施例の記載がなく、当業者が実施できる程度に発明が開示されていない旨主張している。
　しかしながら、明細書には実施例として、化学式（２），（５），（６）のエポキシ樹脂を用いたものが記載されており、化学式（１），（３），（４）のエポキシ樹脂がまったく知られていない封止樹脂であるわけではないから、記載されている実施例の記載等を参考に製造すればよく、全部の実施例がないことをもって、当業者が実施できる程度に記載されていないとすることはできない。
　また、明細書に記載されていない発明を特許請求の範囲に記載したものともいえない。
　さらに、平成１７年６月２１日付けの秋月伸也作成の実験成績証明書では、実施例のない化学式（１），（３），（４）のエポキシ樹脂の場合にも、反りの小さい半導体装置が得られることが示されており、明細書の記載から予測できる同等の効果を確認することができる。
　したがって、異議申立人のいうような記載不備はない。
　
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１，２の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月２１日（２００５．７．２１）