【事件の表示】
　特許第３４４８２１１号「高密度実装基板およびその製造方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４４８２１１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３４４８２１１号の発明は、平成１０年５月２５日に特許出願され、平成１５年７月４日にその特許権の設定登録がなされ、その後、金子和弘より特許異議の申立てがなされ、平成１７年４月１５日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年６月７日に第１回目の訂正請求がなされたものであるが、さらにその後、前記指定期間内である平成１７年６月１７日付けで前記平成１７年６月７日の訂正請求が取下げられ、新たに同平成１７年６月１７日に訂正請求がなされたものである。
　　　
【２】平成１７年６月１７日付け訂正の適否判断
［１］訂正内容
訂正事項a；発明の名称を、
「高密度実装基板」と訂正する。
訂正事項b；【特許請求の範囲】の【請求項１】を、
「基板と、該基板上に互いに隙間を介して近接配置された複数の素子と、前記基板上に塗布され前記素子を接着する接着剤と、前記基板の前記各素子間の隙間に対応する部位に形成された接着剤溜まり部とを備え、前記接着剤は熱硬化型であって、前記接着剤溜まり部は、加熱時に流動化した接着剤が前記接着剤溜まり部から流れ込む、前記素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の接着剤流れ部を有する高密度実装基板。」と訂正する。
訂正事項c；【特許請求の範囲】の【請求項５】を削除する。
訂正事項d；段落【0001】を、
「この発明は、例えば高解像度密着型イメージセンサのように同一基板上に複数の素子を近接して実装した高密度実装基板に関するもので、特に素子間の隙間から素子上面への接着剤の這い上がりを防止する技術に関する。」と訂正する。
訂正事項e；段落【0008】を、
「この発明は、以上のような問題点を解決することを課題とするもの
であって、素子の実装間隔を狭くして高密度に配列しても、各素子間の
隙間から接着剤が素子上に這い上がることのない高密度実装基板を提供
することを目的とするものである。」と訂正する。
訂正事項f；段落【0009】を、
「この発明の高密度実装基板は、基板と、該基板上に互いに隙間を介し
て近接配置された複数の素子と、前記基板上に塗布され前記素子を接着
する接着剤と、前記基板の前記各素子間の隙間に対応する部位に形成さ
れた接着剤溜まり部とを備え、前記接着剤は熱硬化型であって、接着剤
溜まり部は、加熱時に流動化した接着剤が前記接着剤溜まり部から流れ
込む、前記素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の接着剤
流れ部を有している。」と訂正する。
訂正事項g；段落【0010】を削除する。
訂正事項h；段落【0025】を、
「以上説明したように、この発明の係る高密度実装基板によれば、基板と、該基板上に互いに隙間を介して近接配置された複数の素子と、前記基板上に塗布され前記素子を接着する接着剤と、前記基板の前記各素子間の隙間に対応する部位に形成された接着剤溜まり部とを備え、前記接着剤は熱硬化型であって、接着剤溜まり部は、加熱時に流動化した接着剤が前記接着剤溜まり部から流れ込む、前記素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の接着剤流れ部を有しているので、前記基板上に接着剤を塗布した際に、接着剤は凹状の接着剤溜まり部に溜まり、各素子間の隙間から接着剤が這い上がり、素子上面部に達することを防ぐことができる。この結果、たとえば１μｍ以上１００μｍ以下といった実装密度で実装することが可能となる。また、接着剤が接着剤流れ部に流れ、この流れの力が素子の両側に作用するので、素子の位置が安定し、接着位置精度が向上する。」と訂正する。
訂正事項i；段落【0029】を削除する。
　　　
［２］訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項bは、訂正前の特許明細書(以下、単に「訂正前明細書」という)の【特許請求の範囲】の【請求項１】における「接着剤流れ部」の形状を、訂正前明細書の段落【0021】に「中央の四角形状部の側辺から細溝の接着剤流れ部4aが形成されている」という記載に基づき、「細溝の接着剤流れ部」と限定したもので、特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。
　　　
　上記訂正事項cは、訂正前明細書の【特許請求の範囲】の【請求項５】を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　　　
　そして、上記訂正事項a,d,e,g,iは、前記訂正事項cによる【請求項５】の削除に伴って、訂正後の特許明細書(以下、単に「本件明細書」という)の記載を、本件明細書の特許請求の範囲の記載と整合させるためのものであり、明りようでない記載の釈明にあたる。
　　　
　また、上記訂正事項f,hは、上記訂正事項bによる【請求項１】の限定に伴って、本件明細書の発明の詳細な説明の記載を、本件明細書の特許請求の範囲の記載と整合させるためのものであり、明りようでない記載の釈明にあたる。
　　　
　以上のように、上記訂正事項a〜iは、特許請求の範囲の減縮を目的としたもの、および、明りようでない記載の釈明を目的としたものに該当し、かつ、新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものではない。
　　　
［３］まとめ
　上述のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　
【３】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　金子和弘は、下記の甲第１，２号証を提示し、本件に係る発明は、前記甲第１，２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきであると主張し、
　また、本件は、その明細書の記載が不備であり、その特許請求の範囲の請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるから、当該特許は取り消されるべきである旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証；特開平４−１３９８８３号公報(以下、「刊行物１」という)
　甲第２号証；特開平５−１４４８５３号公報(以下、「刊行物２」という)
　　　
【４】本件特許発明
　本件については、上記【２】段落で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜４に係る発明(以下、「本件発明１〜４」という)は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項１】基板と、該基板上に互いに隙間を介して近接配置された複数の素子と、前記基板上に塗布され前記素子を接着する接着剤と、前記基板の前記各素子間の隙間に対応する部位に形成された接着剤溜まり部とを備え、前記接着剤は熱硬化型であって、前記接着剤溜まり部は、加熱時に流動化した接着剤が前記接着剤溜まり部から流れ込む、前記素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の接着剤流れ部を有する高密度実装基板。
【請求項２】前記素子の端部を前記接着剤溜まり部に張り出して素子端部底面と接着剤溜まり部間に空隙を設け、該空隙に作用する毛細管現象による吸引力によって素子間の隙間への毛細管現象による吸引力を相殺するようにした請求項１に記載の高密度実装基板。
【請求項３】前記接着剤は素子の配列方向全長にわたって素子底面に接着された請求項１または請求項２に記載の高密度実装基板。
【請求項４】前記素子は複数の受光部が所定間隔で直線状に配列された光電変換を行う半導体素子である請求項１ないし請求項３の何れかに記載の高密度実装基板。」である。
　　　
【５】刊行物の記載内容
【５-1】刊行物１の記載内容
　第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第５行に、
(刊1a)「複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子が隣接して配置され接着剤によって接着固定される基板とからなる半導体素子の接着固定構造において、前記基板の半導体素子が接着固定される面には溝が形成され、当該溝は半導体素子を基板に接着するために供給された接着剤に対し、過多となった接着剤の容積よりも大きい容積を有しており、前記隣接して配置された複数の半導体素子の基板に接着固定される側で且つ互いに隣合っている縁部が前記一つの溝に対向して配置されていることを特徴とする半導体素子の接着固定構造」と記載され、
　第３頁左上欄第１〜３行に、
(刊1b)「この基板２１上には半導体素子２２がＡｇやＣｕのペースト等からなる接着剤によって接着固定されている」と記載され、
　第３頁左下欄第１２，１３行に、
(刊1c)「第４図に示すように接着剤２３がある程度溝２５内へ流れ込み、はみ出している程度がよく」と記載され、
　第３頁右下欄第１８行〜第４頁左上欄第４行に、
(刊1d)「基板４１には、溝４５が形成されており、この基板４１上には３つの半導体素子２２が接着剤２３によって接着固定されている。半導体素子２２の下面側縁部２２ａは溝４５の略中央に対向している。隣接して配置されている半導体素子２２の隣合う下面側縁部２２ａは、一つの溝を共用している」と記載されている。
　　　
【５-2】刊行物２の記載内容
　段落【0001】に、
(刊2a)「本発明は、ＬＥＤチップやＣＣＤチップなどの複数個の半導体チップを並べてボンディングする技術に関する」と記載され、
　段落【0011】に、
(刊2b)「２は基板１上に銅箔で約２５μｍの厚さに形成された導体パターン（共通端子パターン）、３はＬＥＤチップ、４は１０μｍの隙間を設けて並べられる複数個のＬＥＤチップ３を導体パターン２に接着する銀ペースト等の導電性接着剤である。本実施例においては、さらに、複数個のＬＥＤチップ３の隙間の下部の導体パターン２をエッチングして除去し、基板面を露出させている。その結果、ＬＥＤチップ３間の隙間の下部には導体パターン２を構成する銅箔の厚み分(約２５μｍ)の凹み５が形成される」と記載され、
　段落【0012】に、
(刊2c)「ＬＥＤチップ３の下から隙間にはみだした接着剤４の余剰分は隙間の下部に形成された凹み５に収容されるので、ＬＥＤチップ３間の隙間を這い上がらなくなる」と記載され、
　段落【0013】に、
(刊2d)「隙間の下部に形成した凹み５のチップ配列方向の長さを隙間の間隔（１０μｍ前後）よりも長くする」と記載され、
　段落【0014】に、
(刊2e)「本発明はＣＣＤチップ等をダイボンディングする際に適用することもできる」と記載されている。
　　　
【６】特許異議申立てに対する当審の判断
【６-1】本件発明１〜４の容易性
［１］本件発明１について、
　本件発明１は、その発明特定事項として、要点1)「接着剤溜まり部は、素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の接着剤流れ部を有する」という事項を具備する。
　一方、刊行物１，２には、前記要点1)については、何らの記載も示唆もない。そして、本件発明１は、当該発明特定事項により、本件明細書記載の「接着剤溜まり部の四角形状部に溜まった接着剤が両側の接着剤流れ部に流れ込み、この流れる際の力が各半導体素子両側に作用するので、半導体素子の位置が安定し、接着位置精度が向上する」という格別の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、刊行物１，２の記載内容を如何様に組み合わせても、本件発明１を当業者が容易に想到できたということはできない。
　　　
［２］本件発明２〜４について、
　本件発明２〜４は、直接又は間接的に本件発明１を引用し、かつ更なる発明特定事項を付加して、その発明を限定したものである。
　したがって、前記［１］段落で述べたように、本件発明１が刊行物１，２に記載された発明から当業者が容易に想到できたとすることができない以上、必然の帰結として、本件発明２〜４も刊行物１，２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　　
【６-2】明細書(請求項１〜４)の記載不備
　特許異議申立人は下記のように主張して、本件の請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべきであるとしている。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　本件請求項１には「前記接着剤溜まり部は、前記素子の配列方向と直交する両方向に加熱時に流動化した接着剤が流れ込む接着剤流れ部を有する」という記載がある。しかし、接着剤が溜まるような窪んだ部位であれば、筒のように極端に細い形状でもなければ、液体や接着剤等の粘性を有するものは水平方向に濡れ拡がる。そして、水平方向には「前記素子の配列方向と直交する両方向」も含まれる。つまり、平面形状が円又は正方形等であっても、流動化した接着剤が流れ込む部分というものは必ず存在しており、本件請求項１の記載では、どのような形状のものが接着剤流れ部に該当し、どのような形状のものが接着剤流れ部に該当しないのかが不明確である。したがって、本件請求項１及びその従属項である請求項２乃至４の記載では、特許を受けようとする発明が明確でない。
　　　
　しかしながら、本件発明１は、「接着剤溜まり部は、加熱時に流動化した接着剤が前記接着剤溜まり部から流れ込む、素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の接着剤流れ部を有する」と、訂正によりその構造が明確に特定された。
　よって、特許異議申立人の上記主張は、もはやその論拠を欠くものとなったと言わざるを得ない。
　　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月７日（２００５．７．７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
高密度実装基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】基板と、該基板上に互いに隙間を介して近接配置された複数の素子と、前記基板上に塗布され前記素子を接着する接着剤と、前記基板の前記各素子間の隙間に対応する部位に形成された接着剤溜まり部とを備え、前記接着剤は熱硬化型であって、前記接着剤溜まり部は、
加熱時に流動化した接着剤が前記接着剤溜まり部から流れ込む、前記素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の
　【請求項２】前記素子の端部を前記接着剤溜まり部に張り出して素子端部底面と接着剤溜まり部間に空隙を設け、該空隙に作用する毛細管現象による吸引力によって素子間の隙間への毛細管現象による吸引力を相殺するようにした請求項１に記載の高密度実装基板。
　【請求項３】前記接着剤は素子の配列方向全長にわたって素子底面に接着された請求項１または請求項２に記載の高密度実装基板。
　【請求項４】前記素子は複数の受光部が所定間隔で直線状に配列された光電変換を行う半導体素子である請求項１ないし請求項３の何れかに記載の高密度実装基板。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、例えば高解像度密着型イメージセンサのように同一基板上に複数の素子を近接して実装した
高密度実装基板に関する
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の密着型イメージセンサの実装基板は、図１４に示すように、受光部Ａ１，Ａ２，・・・を有する複数の半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・が、基板１上に１列に配列され、接着剤２を用いて実装されている。
　また、この密着型イメージセンサでは、原稿または画像を鮮明に読み込むために、各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・を精度良く配列しなければならない。理想的には一つの半導体素子Ｂｎ＋１上の受光部のピッチＸと近接する半導体素子Ｂｎ＋２の両端部に位置する受光部の間隔Ｙが等しくなることが望ましいが、そのためには近接する半導体素子Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２の実装間隔Ｚを、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下の高密度にする必要がある。
　【０００３】
　図１５は前記基板１上の半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の実装間隔を高密度化した場合で、近接する半導体素子Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２の間隔Ｚが狭くなることにより毛細管現象が発生し、接着剤２が近接する半導体素子間の隙間から這い上がってくる様子を示している。
　【０００４】
　図１６では、前記基板１上の半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の実装密度を、更に高密度にした場合で、接着剤２が近接する半導体素子間の隙間から這い上がり、這い上がった接着剤２が各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・上面の受光部Ａ１，Ａ２，・・・等に達した状態を示している。このように接着剤２が半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２上面の受光部Ａ１，Ａ２，・・・まで達した場合は、その受光部の光電変換特性に悪影響を与え、密着型イメージセンサの性能を低下させる。
　【０００５】
　これを避ける一般的方法としては、例えば図１７に示すように、基板１上の近接する半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の実装間隔Ｚを広くし、かつ接着剤２の塗布量を極力少量にすることにより、近接する半導体素子間の隙間からの接着剤２の這い上がりを軽減する方法が採られている。
　【０００６】
　また、図１７に示すように、接着剤２を塗布する領域の半導体素子の配列方向における長さｌを、半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・各々の前記配列方向の長さＬより短くすることにより、近接する半導体素子の隙間からの接着剤の這い上がりを防ぐ方法も知られている（特開平２−２１０８７５号公報参照）。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記従来の密着型イメージセンサの実装基板では、近接する半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の実装間隔Ｚが広くなるために、その部分には半導体素子の受光部が無い状態となり、その部分の原稿なり画像を連続的に読み込むことができないという問題点があった。
　このため、読み込み結果が断続的になり、その断続的に読み込んだ結果を密着型イメージセンサを組み込む装置側において画像処理を行い補正しなければならないという問題点を有していた。
　この問題を解決するためには、半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の実装間隔Ｚを高密度にしなければならないが、図１６に示すように、接着剤２の這い上がりのために半導体素子の高密度実装ができなかった。
　【０００８】
　この発明は、以上のような問題点を解決することを課題とするものであって、素子の実装間隔を狭くして高密度に配列しても、各素子間の隙間から接着剤が素子上に這い上がることのない
高密度実装基板を提供
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　この発明の高密度実装基板は、基板と、該基板上に互いに隙間を介して近接配置された複数の素子と、前記基板上に塗布され前記素子を接着する接着剤と、前記基板の前記各素子間の隙間に対応する部位に形成された接着剤溜まり部とを備え、前記接着剤は熱硬化型であって、接着剤溜まり部は、
加熱時に流動化した接着剤が前記接着剤溜まり部から流れ込む、前記素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の
　【００１０】
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　以下に、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、従来と同一または相当部分は同一符号を付して説明する。
実施の形態１．
　図１はこの発明の実施の形態１に係る高密度実装基板の基板のみを示し、図２は高密度実装基板全体を示している。
　この高密度実装基板１０は、従来と同様の密着型イメージセンサを構成する実装基板で、基板１と、この基板１上に互いに隙間を設けて近接配置される複数の素子としての半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・と、基板１上に塗布され半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２を接着するための接着剤２と、基板１の各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・間の隙間に対応する部位に形成される凹状の接着剤溜まり部４とを備えている。
　【００１２】
　各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・は上面に複数の受光部Ａ１，Ａ２，・・・を有する直方体形状の素子で、基板１上に直線状に１列に配列されている。各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の実装間隔は、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下の高密度に設定されている。
　基板１上には各種電気配線パターン３が設けられており、各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・は電気配線パターン３上に接着固定されている。
　【００１３】
　このように接着剤溜まり部４を設けることにより、図２に示すように、半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・が高密度に実装されているにも関わらず、接着剤２が接着剤溜まり部４に溜まることにより、各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２間の隙間から半導体素子の表面の受光部Ａ１，Ａ２，・・・に這い上がってこない。
　【００１４】
　次に、上記高密度実装基板の製造方法について説明する。図３乃至図５は、ダイボンダで半導体素子が実装される過程が示されている。
　まず、図３に示すように、予め基板に接着剤溜まり部４を形成しておく。この接着剤溜まり部４は、基板１上に実装されるべき複数の半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の隙間位置に対応して設けられる。
　次に、図４に示すように、基板１上の接着部にスタンプにより接着剤２が転写によって塗布され、コレットによって半導体素子Ｂｎが実装される。図４では半導体素子Ｂｎが実装され、次の実装位置に接着剤が実装された時点を示している。
　これを順次繰り返していき、半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・を次々とプログラムされた位置に繰り返し実装をしていくものである。
　【００１５】
　半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・の実装が完了すると、図５に示すように、接着剤溜まり部４に接着剤２が溜まり、近接する半導体素子間の微小の隙間を維持しながらも接着剤２の這い上がりが回避できる。
　なお、本実施の形態では接着剤２の塗布方法としてスタンプによる転写方式を例に説明したが、接着剤２の塗布方法これには限るものではない。
　【００１６】
　次に、本発明の他の実施の形態をついて説明する。以下の説明では実施の形態１との相違点のみについて説明し、同一の構成部分については同一の符号を付してその説明は省略する。
　【００１７】
実施の形態２．
　図６乃至図８には本発明の実施の形態２が示されている。
　この実施の形態では、図７に示すように、各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の配列方向端部を接着剤溜まり部４に被さるように張り出して、各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２の端部底面と接着剤溜まり部４間に空隙４１を設け、この空隙４１の毛細管現象による吸引力によって半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２間の隙間ｇへの毛細管現象による吸引力を相殺するようにしたものである。
　【００１８】
　図６は、接着剤溜まり部４の寸法関係を示している。
　接着剤溜まり部４の断面矩形状に成形されており、図中、Ｍは各接着剤溜まり部４の幅を示し、Ｐは接着剤溜まり部４のピッチを示す。Ｏは接着剤溜まり部４のピッチＰの範囲内の接着剤溜まり部４以外の寸法を示し、Ｐ＝（１／２）Ｍ＋（１／２）Ｍ＋Ｏの関係にある。なお、Ｎは半導体素子Ｂの寸法を表す。
　【００１９】
　図７のように、実装後の半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の両端部底面が接着剤溜まり部４上に張り出すためには、Ｐ（＝２×１／２Ｍ＋Ｏ）＞Ｎとなるように接着剤溜まり部の寸法Ｍにする必要がある。
　このようにすれば、図８に示すように、近接する半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の隙間ｇから接着剤２が這い上がろうとする前に、半導体素子底面と接着剤溜まり部４との間に生じる空隙４１間に接着剤２が引っ張られるために、接着剤２が近接する半導体素子間の隙間ｇから半導体素子上面に這い上がることが防止される。
　【００２０】
実施の形態３．
　図９および図１０には本発明の実施の形態３が示されている。
　この実施の形態は、接着剤溜まり部４の形状に特徴を持たせたもので、接着剤溜まり部４は、素子の配列方向と直交した両方向に加熱時に流動化した接着剤が流れる接着剤流れ部４ａを有している。
　【００２１】
　図９において、Ｐｎ，Ｐｎ＋１，・・・は、半導体素子配列方向に対する接着剤溜まり部のピッチである。接着剤溜まり部４の特徴とは、半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の近接部付近で、これら半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２の配列方向Ｔ−Ｕに対して直交するＶ−Ｗ方向に特徴をもち、かつＴ−Ｕを中心にして対称な形状である。図示例では、中央の四角形状部の側辺から細溝の接着剤流れ部４ａが形成されている。
　【００２２】
　この実施の形態では、接着剤２が熱硬化型であることが前提で、熱硬化型の接着剤２は塗布時には粘度が高いが、加熱して熱硬化する際に粘度が一度低下する。したがって、接着剤２の粘度が高い実装時に位置決めしたとしても、加熱して硬化させる段階で接着剤２が流動化し、半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・がその配列方向に対して横方向にずれる場合がある。
　接着剤溜まり部４に接着剤流れ部４ａを形成しておけば、接着剤溜まり部４の四角形状部に溜まった接着剤２が両側の接着剤流れ部４ａに流れ込む。この流れる際の力が各半導体素子両側に作用するので、半導体素子の位置が安定し、接着位置精度が向上する。
　【００２３】
　図示例の場合には、Ｖ−Ｗの方向の細溝の接着剤流れ部４ａに接着剤が流れ込み、この接着剤２の流れによって各半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・が引っ張られ、半導体素子Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２，・・・の配列方向Ｔ−Ｕに対し直交するような力が生じる。
　これにより、図１１に示すような、加熱硬化時の接着剤２の不均一な流れに起因する力による半導体素子の配列方向Ｔ−Ｕに対するθ方向の回転が緩和され、これらの実装位置精度を向上させることができる。
　図９では接着剤溜まり部４の接着剤流れ部４ａの形状の１例を示したもので、同様な効果を得るためには、三角形，菱形等でも可能であり、本実施の形態の形状に限るものではない。
　【００２４】
実施の形態４．
　図１２および図１３は本発明の実施の形態４を示している。
　本発明の高密度実装基板の製造方法については、実施の形態１において説明した通りであるが、図１２および図１３には、基板１上への接着剤溜まり部４の加工方法を示している。
　図１３は基板１の一般的な構成を示す模式的断面図で、基板１を階層的に示している。すなわち、基材５の表面に銅（Ｃｕ）層６、ニッケル（Ｎｉ）層７、金（Ａｕ）層８が積層されており、金層８上にソルダーレジスト９等が形成されている。
　通常、基板１の電気配線パターン３は、図１３の銅層６，ニッケル層７，金層８から階層的に構成され、その形状はパターンエッチング方法によって形成される。そして、図１２に示す接着剤溜まり部４は半導体素子実装位置の電気配線パターン３のパターンエッチングの際に同時に形成される。
　【００２５】
　【発明の効果】
　以上説明したように、この発明の係る高密度実装基板によれば、基板と、該基板上に互いに隙間を介して近接配置された複数の素子と、前記基板上に塗布され前記素子を接着する接着剤と、前記基板の前記各素子間の隙間に対応する部位に形成された接着剤溜まり部とを備え、前記接着剤は熱硬化型であって、接着剤溜まり部は、
加熱時に流動化した接着剤が前記接着剤溜まり部から流れ込む、前記素子の配列方向と直交する両方向に形成された細溝の
　【００２６】
　また、この発明の高密度実装基板によれば、素子の端部を接着剤溜まり部に張り出して素子端部底面と接着剤溜まり部間に空隙を設け、該空隙に作用する毛細管現象による吸引力によって素子間の隙間への毛細管現象による吸引力を相殺するようにしたので、隣り合う素子間の隙間への接着剤の這い上がりをより効果的に防止できる。
　【００２７】
　また、この発明の高密度実装基板によれば、接着剤によって、素子底面は素子の配列方向全長にわたって接着されるので、接着強度が向上する。
　【００２８】
　また、この発明の高密度実装基板によれば、素子は複数の受光部が所定間隔で直線状に配列された光電変換を行う半導体素子である構成としてので、受光部への接着剤の這い上がりが防止され、光電変換効率が低下するおそれがなく、また、実装密度を可及的に高めることにより、より高解像度の密着型イメージセンサを製造することが可能となる。
　【００２９】
【図面の簡単な説明】
　【図１】この発明の実施の形態１に係る高密度実装基板の半導体素子を実装する前の基板のみの模式的斜視図である。
　【図２】図１の基板に半導体素子を実装した状態の模式的斜視図である。
　【図３】図２の半導体素子を実装する前の基板のみの模式的側面図である。
　【図４】図３の基板上に接着剤を塗布し半導体素子を実装する手順を示す模式的側面図である。
　【図５】図３の状態から複数の半導体素子を実装した状態を示す模式的側面図である。
　【図６】この発明の実施の形態２に係る高密度実装基板の基板に形成する接着剤溜まり部の寸法関係を示す図である。
　【図７】図６の基板の接着剤溜まり部と実装される半導体素子の寸法関係を示す図である。
　【図８】図８（ａ）は図７の半導体素子を実装した場合の接着剤溜まり部における接着剤の挙動を示す図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＱ部拡大図である。
　【図９】この発明の実施の形態３に係る高密度実装基板の基板に形成する接着剤溜まり部の平面形状を示す平面図である。
　【図１０】図９の基板に半導体素子を実装した状態の平面図である。
　【図１１】実装時に半導体素子がずれた状態を示す平面図である。
　【図１２】この発明の実施の形態４に係る高密度実装基板に形成される接着剤溜まり部を示す平面図である。
　【図１３】図１２の接着剤溜まり部の拡大断面図である。
　【図１４】従来の実装基板を示す模式的側面図である。
　【図１５】図１４の半導体素子間の隙間を狭くした場合の接着剤の這い上がり状態を示す模式的側面図である。
　【図１６】図１４の半導体素子間の隙間をさらに狭くして場合の接着剤の這い上がり状態を示す模式的側面図である。
　【図１７】接着剤の這い上がりを防止した他の従来の実装基板を示す模式的側面図である。
　【符号の説明】
　１　基板、２　接着剤、３　配線パターン、４　接着剤溜まり部、４ａ　接着剤流れ部、Ｂｎ，Ｂｎ＋１，Ｂｎ＋２　半導体素子（素子），Ａ１，Ａ２　受光部、４１　空隙、ｇ　隙間。