【事件の表示】
　特許第３０５８４０９号「半導体チップの実装方法および実装構造」の請求項１〜１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０５８４０９号の請求項１〜８に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３０５８４０９号（平成１０年１月５日出願、平成１２年４月２１日設定登録）は、異議申立人渡辺紀子により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１２月１０日に訂正請求がなされ、さらに再度の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年４月２日に上記訂正請求を取り下げるとともに、新たな訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否について
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項の概要
　本件特許に係る出願の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１〜１０において、請求項１、６を削除し、以下項数を繰り上げる。
　したがって、請求項２〜５、７〜１ ０が、それぞれ請求項１〜８になる。訂正後の請求項１は、訂正前の請求項１と請求項２の構成を含む独立項になる。訂正後の請求項２は、訂正前の請求項１と請求項３の構成を含む独立項になる。訂正後の請求項５は、訂正前の請求項６と請求項７の構成を含む独立項になる。訂正後の請求項６は、訂正前の請求項６と請求項８の構成を含む独立項になる。
　具体的には以下に示すとおりである。
　
（１−２）訂正事項（ａ）〜（ｔ）
（ａ）特許明細書の請求項２を請求項１として、「【請求項１】半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極およひ前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよひ前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装方法。」と訂正する。
　
（ｂ）特許明細書の請求項３を請求項２として、「【請求項２】半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップて印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装方法。」と訂正する。
　
（ｃ）特許明細書の請求項４を請求項３として、「【請求項３】前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着される請求項１または２記載の半導体チップの実装方法。」と訂正する。
　
（ｄ）特許明細書の請求項５を請求項４として、「【請求項４】前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１ 電極および前記第２電極の双方にそれぞれ固着される請求項１または２記載の半導体チップの実装方法。」と訂正する。
　
（ｅ）特許明細書の請求項７を請求項５として、「【請求項５】半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装構造。」と訂正する。
　
（ｆ）特許明細書の請求項８を請求項６として、「【請求項６】半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装構造。」と訂正する。
　
（ｇ）特許明細書の請求項９を請求項７として、「【請求項７】前記導電性バンプが、前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着された単一部分から形成されている請求項５または６記載の半導体チップの実装構造。」と訂正する。
　
（ｈ）特許明細書の請求項１０を請求項８として、「【請求項８】前記導電性バンプが、前記第１電極に固着された第１部分と、前記第２電極に固着された第２部分とから形成されている請求項５または６記載の半導体チップの実装構造。」と訂正する。
　
（ｉ）特許明細書の段落【００１３】を、「【００１３】【課題を解決するための手段】（１）請求項１に係る発明の半導体チップの実装方法は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。請求項２に係る発明の半導体チップの実装方法は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。」と訂正する。
　
（ｊ）特許明細書の段落【００１４】を、「【００１４】（２）請求項１、２に係る発明の半導体チップの実装方法では、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極の少なくとも一方に形成された凸部が、第３ステップで印加される圧力によってその高さ方向に塑性変形し、もって半導体チップに対する過剰な圧力の印加が防止される。このため、導電性バンプの高さにバラツキがあっても、印加された圧力をすべての第１電極と第２電極が導電性バンプを介して適正に接合されるように、且つ半導体チップに悪影響を与えないように設定することが可能となる。
よって、導電性バンプの高さにバラツキがあっても接合不良が生じない。」と訂正する。
　
（ｋ）特許明細書の段落【００１６】を、「【００１６】（３）請求項１に係る発明の半導体チップの実装方法では、前記第１ステップにおいて、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、前記凸部が形成される。」と訂正する。
　
（ｌ）特許明細書の段落【００１７】を、「【００１７】請求項２に係る発明の半導体チップの実装方法では、前記第１ステップにおいて、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記凸部が形成される。」と訂正する。
　
（ｍ）特許明細書の段落【００１８】を、「【００１８】請求項１または２に係る発明の半導体チップの実装方法のさらに好ましい例では、前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着される。」と訂正する。
　
（ｎ）特許明細書の段落【００１９】を、「【００１９】請求項１または２に係る発明の半導体チップの実装方法のさらに他の好ましい例では、前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極の双方にそれぞれ固着される。」と訂正する。
　
（ｏ）特許明細書の段落【００２０】を、「【００２０】（４）請求項５に係る発明の半導体チップの実装構造は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。請求項６に係る発明の半導体チップの実装構造は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。」と訂正する。
　
（ｐ）特許明細書の段落【００２１】を、「【００２１】（５）請求項５、６に係る発明の半導体チップの実装構造では、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極の少なくとも一方に形成された凸部が、第３ステップで印加される圧力によってその高さ方向に塑性変形し、もって半導体チップに対する過剰な圧力の印加が防止される。このため、導電性バンプの高さにバラツキがあっても、印加された圧力をすべての第１電極と第２電極が導電性バンプを介して適正に接合されるように、且つ半導体チップに悪影響を与えないように設定することが可能となる。よって、導電性バンプの高さにバラツキがあっても接合不良が生じない。」と訂正する。
　
（ｑ）特許明細書の段落【００２３】を、「【００２３】（６）請求項５に係る発明の半導体チップの実装構造では、前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有する。」と訂正する。
　
（ｒ）特許明細書の段落【００２４】を、「【００２４】請求項６に係る発明の半導体チップの実装構造では、前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲している。」と訂正する。
　
（ｓ）特許明細書の段落【００２５】を、「【００２５】請求項５または６に係る発明の半導体チップの実装構造のさらに好ましい例では、前記導電性バンプが、前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着された単一部分から形成される。」と訂正する。
　
（ｔ）特許明細書の段落【００２６】を、「【００２６】請求項５または６に係る発明の半導体チップの実装構造の他の好ましい例では、前記導電性バンプが、前記第１電極に固着された第１部分と、前記第２電極に固着された第２部分とから形成される。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項（ａ）〜（ｈ）について
　訂正前の請求項１、６を削除して、訂正前の請求項２〜５、７〜１０をそれぞれ請求項１〜８にするとともに、訂正後の独立形式の請求項１ 、２、５、６において、「加圧により変形可能な凸部を」を「加圧により塑性変形可能な凸部を」に限定し、また「前記凸部がその高さ方向に変形し」を「前記凸部がその高さ方向に塑性変形し」に限定して訂正するものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　この「塑性変形」の補正の根拠は、本件特許に係る出願の願書に最初に添付した明細書の段落【００５０】の「バンプ４および２４に印加された過剰な圧力がブリッジ部１２および２２の塑性変形により吸収される。」の記載、及び段落【００５２】の「バンプ４と２４の間の全ての間隙４０がなくなるように圧力を印加しても、バンプ４と２４に加わる圧力はブリッジ部１２と３２の塑性変形により吸収される。」の記載に基づくものである。
　
（２−２）訂正事項（ｉ）〜（ｔ）について
　訂正後の請求項１〜８の訂正に伴い、段落【００１３】、【００１４】、【００１６】〜【００２１】、【００２３】〜【００２６】の記載を整合させたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）本件発明
　本件特許の訂正後の請求項１〜８に係る発明（以下、「本件発明１〜８」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、
前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装方法。
　　【請求項２】　半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、
前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、
前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装方法。
　　【請求項３】　前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着される請求項１または２記載の半導体チップの実装方法。
　　【請求項４】　前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極の双方にそれぞれ固着される請求項１または２記載の半導体チップの実装方法。
　　【請求項５】　半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、
前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有しており、
前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方回に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装構造。
　　【請求項６】　半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、
前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲しており、
前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装構造。
　　【請求項７】　前記導電性バンプが、前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着された単一部分から形成されている請求項５または６記載の半導体チップの実装構造。
　　【請求項８】　前記導電性バンプが、前記第１電極に固着された第１部分と、前記第２電極に固着された第２部分とから形成されている請求項５または６記載の半導体チップの実装構造。」
　
（２）異議申立ての理由の概要
　申立人渡辺紀子は、以下に示す甲第１〜４号証を提出して、本件特許の請求項１〜１０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであり、また甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張している。
　
　甲第１号証：特願平９−１７９３３号の願書に最初に添付した明細書及び図面（特開平１０−３０３３４５号公報参照）
　甲第２号証：特開昭６４−１２５７号公報
　甲第３号証：特開平５−２９３８９号公報
　甲第４号証：特開平６−３７２３３号公報
　
（３）甲第１〜４号証の記載事項
＜甲第１号証＞
　甲第１号証の特願平９−１７９３３号の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、半導体チップの基板への実装構造に関する発明が図９〜１３とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
（発明が解決しようとする課題について）
　「圧接接続法では、半導体チップの複数の各電極上に形成されたバンプを、それに対応する基板上の複数の各接続端子に確実に電気的に接続するために、一律に研磨等して、それらの複数のバンプの高さを同一に揃える必要があった。そして、それらの複数の各バンプを、それに対応する基板上の同一高さで並ぶ複数の各接続端子に、均等な押圧力で圧接接続する必要があった。
　そのため、上記圧接接続法では、その半導体チップの複数の各電極上に形成されたバンプを研磨等して、それらの複数のバンプの高さを同一に揃える作業に、多大な手数と労力とを要した。」（【０００８】〜【０００９】）
（第５の実装構造について）
　「図９の第５の実装構造では、電極７２近くの半導体チップ７０上に、弾力性のあるポリイミド樹脂等からなるほぼ半球状の突起２００を、ポッティグ等により形成している。突起２００表面には、金属めっき層等からなる端子２１０を形成している。端子２１０の一端は、突起２００近くの半導体チップの電極７２に一連に接続している。
　・・・
　突起２００、２２０表面の端子２１０上には、導電性のＡｕ等からなるバンプ２３０を形成している。そして、そのバンプ２３０を基板１０上の接続端子５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、圧接接続している。
  具体的には、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０をそれに対応する基板１０上の接続端子５０に搭載した状態で、半導体チップ７０をバネ材（図示せず）等を用いて基板１０方向に押圧している。そして、突起２００、２２０表面の端子２１０上に形成されたバンプ２３０を、それに対応する基板１０上の接続端子５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、圧接接続している。
　図９又は図１０に示した第５の実装構造は、以上のように構成していて、この第５の実装構造においては、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０表面の端子２１０上に形成されたバンプ２３０に高低差があっても、それらの各バンプ２３０を、それに対応する基板１０上の複数の各接続端子５０に押しつけて、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０を、各バンプ２３０の高低差に合わせて、その下方に適宜量偏平に押し潰すことができる。そして、それらの高低差のある複数の各バンプ２３０を、それに対応する基板１０上の複数の各接続端子５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上で圧接接続できる。」（【００４７】〜【００５１】）
（第６の実装構造について）
　「図１１又は図１２の第６の実装構造では、突起２００、２２０表面の端子２１０上にバンプを形成せずに、基板１０上の接続端子５０上に導電性のＡｕ等からなるバンプ２４０を形成している。」（【００５３】）
（第７の実装構造について）
　「図（図１３）の第７の実装構造では、半導体チップ７０上に可撓性部材からなる複数の突起２５０を所定ピッチで縦横に格子状に並べて形成している。突起２５０内側には、突起２５０を没入させる空隙２６０を形成している。
　突起２５０は、可擦性の合成樹脂シートで形成していて、ドーム状をしている。突起２５０は、可塑性であると共に熱可塑性の合成樹脂シートを加熱して軟化させた状態で、その合成樹脂シートをプレス成形金型で上下に挟み込むことにより、その合成樹脂シートに縦横に並べて形成している。
　突起２５０周囲の合成樹脂シート部分は、電極７２が形成された半導体チップ７０部分及びそれに続く半導体チップ７０部分に熱圧着している。
　電極７２直上の突起２５０周縁部分には、スルーホールに導体を充填してなるビア２７０を、突起２５０周緑部分を上下に貫通させて形成している。突起２５０表面には、金属めっき層等からなる端子２８０を形成している。端子２８０は、ビア２７０に連ねている。そして、該端子２８０を、ビア２７０を介して、半導体チップの電極７２に電気的に接続している。」（【００５７】〜【００６０】）
　
＜甲第２号証＞
　甲第２号証の特開昭６４−１２５７号公報には、フリップチップ型の半導体装置に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
（発明が解決しようとする問題点について）
　「実装の際にバンプ７には力Fがかかる。この力Fはパッシべ−ション膜５に直接作用する。・・・この結果、膜５にクラックが生じ、保護が不完全となることがあった。」（２頁左上欄５〜１０行）
（実施例について）
　「２８は配線導体であり、第２図及び第３図に併せて示すように、一端を電極２４に接続されて、第１のボリイミド層２７上にハンダ形成予定箇所の方向に延出して形成してある。」（２頁左下欄末行〜右下欄３行）、
　「バンプ２１には、装置２０の実装の際に力Fが作用し、及びその後の熱履歴による熱応力σが互いに逆向きに作用する。
　この力Fはボリイミド層２７をその厚み方向に伝わる間に緩和され、バッシベーション膜２６には小さな力しか作用しない。・・・
　従って、バッシベーション膜２６に作用する力は僅かなものとなり、膜２６にクラックは生ぜず、装置本体２５の保護が損なわれることはない。」（２頁右下欄下から２行〜３頁左上欄９行）
　第１図には、半導体装置本体２５（半導体チップ）の表面に設けられた、凸部を有する配線導体２８（第１電極）と、基板２２（実装対象物）の表面に設けられた電極２３（第２電極）とを、バンプ２１（導電性バンプ）を介して接合してなる半導体チップの実装構造が記載されている。
　
＜甲第３号証＞
　甲第３号証の特開平５−２９３８９号公報には、フェイスダウン法によりフリップチップ接続する半導体素子の接続構造に関する発明が第１、３図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
（実施例について）
　「本発明では、前記した従来の熱ひずみを緩和する手段として、素子の電極部あるいは接続基板のパッド部の少なくとも一方に、片持ち梁構造を有する突起部を設けるとともに、この片持ち梁を弾性変形量の大きい材料を用いて形成することによって、温度変化が生じた場合に発生する熱ひずみを緩和しようとするものである。
　図１〜３は本発明による半導体素子の接続構造であり、１は半導体素子、２は接続基板、３ は半田バンプである。１１は断面L字状に形成した片持ち梁からなる突起部である。図１においては、素子側に突起部１１を設けている。この場合、半導体素子１に予め突起部をめつき若しくは蒸着により形成し、その後半田バンプを片持ち梁先端部に形成する。この素子を接続基板２ に位置合わせした後、リフロー炉に投入し、半田を溶融・凝固させて接続を得るものである。
　・・・図３においては、素子、基板それぞれにまず突起部１１、２１を形成し、この後、素子に半田バンプを形成する。接続を得るための方法は上記方法と同様である。
　前記片持ち梁を形成する材料としては、弾性変形量の大きい材料、例えばＴｉ‐Ｎｉ　、Ｃｕ‐Ａｌ‐Ｎｉ、Ａｕ‐Ｃｄ　、Ａｇ−Ｃｄ　、Ｃｕ‐Ｚｎ‐ＡＩ、Ｃｕ‐Ｓｎ　、Ｆｅ‐Ｐｔ　、Ｆｅ‐Ｐｄ　、ｌｎ‐Ｔｉ　、Ｎｉ‐ＡＩ　等の超弾性材料が望ましいが、図３に示すように、素子および基板双方に突起部を設けた場合に突起部を含む素子および突起部を含む基板間の熱変位量が極力小さくなるように材料を選択することによっても目的は達成される。また、片持ち梁構造の形状は必ずしも長方形断面の単純支持梁である必要はなく、例えば板ばね状にするなど必要に応じた形状にすることが可能である。」（【０００７】〜【００１０】）
　図１、３には、突起部１１と半導体素子１との間に空隙が形成された構造が示されている。
　
＜甲第４号証＞
　甲第４号証の特開平６−３７２３３号公報には、半導体チップを基板に高密度に実装する発明が図２０、図２１とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
（実施例２について）
　「前記実施例と同様の方法でリード５の一端を半導体チップ２のバンプ電極１０上に接合し、リード５の他端側を実装基板１の対応するフットプリント４に重ね合わせる。この時、半導体チップ２のコーナー部と実装基板１との間に紫外線や熱によって硬化する樹脂２２を充填し、外部から紫外線あるいは熱を供給して樹脂２２を硬化させる。
　上記の操作により、半導体チップ２は、樹脂２２が硬化するときの収縮応力によって実装基板１の主面方向に付勢され、リード５の一端は、リード５と半導体チップ２との間に介在された突起６を介してフットプリント４に確実に圧接される。
　その後、この状態で実装基板１および半導体チップ２を半田１２の溶融温度以上の高温雰囲気に曝し、実装基板１の主面上に半導体チップ２をフェイスダウンボンディングする。この時、半導体チップ２に加わる樹脂２２の収縮応力は、突起６の変形によって吸収、緩和されるので、この収縮応力による半導体チップ２のダメージを低減することができる。」（【００５８】〜【００６０】）
　図２１には、断面台形のリード５と半導体チップ２との間に空隙が形成されたものが記載されている。
　
（４）対比・判断
（４−１）特許法第２９条の２違反について
＜本件発明１＞
　本件発明１は、「第１電極および第２電極の少なくとも一方と、半導体チップおよび実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成（し）・・・、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印可して、・・・印可される圧力によって、・・・前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止する」点を有している。
　これに対し、甲第１号証の図１３には、半導体チップ７０上に、表面に端子２８０を形成した可撓性部材からなる複数の突起２５０が格子状に並べて形成され、この突起２５０の内側には突起２５０を没入させる空隙２６０を形成したものが記載されているが、突起２５０表面の端子２８０上に形成されたバンプ３００は、基板１０上の接続端子５０に突起２５０の弾性力を用いて圧接接続しているものであって、本件発明１のように塑性変形可能な凸部を形成する点については何も記載されていない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
＜本件発明２＞
　本件発明２は、「第１電極および第２電極の少なくとも一方を、半導体チップおよび実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成（し）・・・、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、・・・印加される圧力によって、・・・前記凸部がその高さ方向に変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止する」点を有している。
　これに対し、甲第１号証の第９、１１図には、突起２００表面の端子２１０が半導体チップ７０上の電極７２から基板１０に向かって屈曲され、バンプ２３０、２４０を介して基板上の接続端子５０に接続したものが記載されているが、端子２１０と接続端子５０とは、バンプ２３０、２５０を介して突起２００のもつ弾性力を用いて圧接接続しているから、圧接接続する際には、突起２００表面の端子２１０は屈曲するものの、本件発明１のように塑性変形するものではない。
　したがって、本件発明２は甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
＜本件発明３、４＞
　本件発明３、４は本件発明１、２を引用する発明であって、本件発明１、２が甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることができない以上、本件発明３、４についても甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
＜本件発明５、６＞
　本件発明５、６の「塑性変形可能な凸部」については、上記のとおり、甲第１号証には何も記載されていない。
　したがって、本件発明５、６は、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
＜本件発明７、８＞
　本件発明７、８は本件発明５、６を引用する発明であって、本件発明５、６が甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることができない以上、本件発明７、８についても甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（４−２）特許法第２９条第２項違反について
＜本件発明１＞
　甲第２号証に記載された、一端が半導体装置本体２５の電極２４に接続された配線導体２８は、第１のポリイミド層２７上に形成されたものであるから、本件発明１のように、第１、２電極の少なくとも一方と、半導体チップおよび実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成するものではないし、ましてや、空隙を形成することにより、第１、２電極の少なくとも一方に対して加圧により塑性変形可能な凸部を形成したものでもない。
　また、甲第３号証に記載された片持ち梁からなる突起部１１は、半導体素子１あるいは接続基板２の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成しているが、この片持ち梁からなる突起部１１は弾性変形量の大きい材料で形成されているから、本件発明１のように、第１、２電極の少なくとも一方と、半導体チップおよび実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、第１、２電極の少なくとも一方に対して加圧により塑性変形可能な凸部を形成したものではない。
　さらに、甲第４号証の図２０、図２１には、半導体チップ２と略同一寸法の絶縁フィルム１１の全面に延在するリード５の中央部に凸部を形成することが記載されているものの、半導体チップ２のコーナー部と実装基板１との間に充填した樹脂２２の収縮応力は、リード５と半導体チップ２との間に介在した突起６の変形によって吸収、緩和するものであって、本件発明１のように、第１、２電極の少なくとも一方と、半導体チップおよび実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、第１、２電極の少なくとも一方に対して加圧により塑性変形可能な凸部を形成したものは記載されていないし示唆もされていない。
　してみると、本件発明１は、甲第２〜４号証に記載されのものを如何に組み合わせてみても容易に想到することはできないし、しかも、導電性バンプに印加された過剰な圧力が凸部の塑性変形により吸収されるという顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２＞
　甲第２号証に記載された配線導体２８は基板２２に対して屈曲し、また、甲第３号証に記載された突起部１１は、半導体素子１，接続基板２の少なくとも一方に対応する表面に対して屈曲し、さらに、甲第４号証に記載されたリード５は基板１の対応する表面に対して屈曲しているものの、本件発明２のように、第１、２電極の少なくとも一方を、半導体チップおよび実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、第１、２電極の少なくとも一方に対して加圧により塑性変形可能な凸部を形成したものは記載されていないし示唆もされていない。
　してみると、本件発明２は、甲第２〜４号証に記載されのものを如何に組み合わせてみても容易に想到することはできないし、しかも、導電性バンプに印加された過剰な圧力が凸部の塑性変形により吸収されるという顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明２は、甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明３、４＞
　本件発明３、４は本件発明１、２を引用する発明であって、本件発明１、２が甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明３、４についても甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明５、６＞
　本件発明５、６は、本件発明１、２の「半導体チップの実装方法」の発明を「半導体チップの実装構造」の発明に変更したものにすぎず、その内容は本件発明１、２と実質的に相違しないから、本件発明５、６は、本件発明１、２と同様の理由により、甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明７、８＞
　本件発明７、８は本件発明５、６を引用する発明であって、本件発明５、６が甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができない以上、本件発明７、８についても甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月２４日（２００２．９．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項（ａ）〜（ｔ）
（ａ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項２を請求項１として、「【請求項１】半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよひ前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装方法。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項３を請求項２として、「【請求項２】半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップて印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装方法。」と訂正する。
（ｃ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項４を請求項３として、「【請求項３】前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着される請求項１または２記載の半導体チップの実装方法。」と訂正する。
（ｄ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項５を請求項４として、「【請求項４】前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極の双方にそれぞれ固着される請求項１または２記載の半導体チップの実装方法。」と訂正する。
（ｅ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項７を請求項５として、「【請求項５】半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装構造。」と訂正する。
（ｆ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項８を請求項６として、「【請求項６】半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする半導体チップの実装構造。」と訂正する。
（ｇ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項９を請求項７として、「【請求項７】前記導電性バンプが、前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着された単一部分から形成されている請求項５または６記載の半導体チップの実装構造。」と訂正する。
（ｈ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項１０を請求項８として、「【請求項８】前記導電性バンプが、前記第１電極に固着された第１部分と、前記第２電極に固着された第２部分とから形成されている請求項５または６記載の半導体チップの実装構造。」と訂正する。
（ｉ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１３】を、「【００１３】【課題を解決するための手段】（１）請求項１に係る発明の半導体チップの実装方法は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。請求項２に係る発明の半導体チップの実装方法は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。」と訂正する。
（ｊ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１４】を、「【００１４】（２）請求項１、２に係る発明の半導体チップの実装方法では、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極の少なくとも一方に形成された凸部が、第３ステップで印加される圧力によってその高さ方向に塑性変形し、もって半導体チップに対する過剰な圧力の印加が防止される。このため、導電性バンプの高さにバラツキがあっても、印加された圧力をすべての第１電極と第２電極が導電性バンプを介して適正に接合されるように、且つ半導体チップに悪影響を与えないように設定することが可能となる。
よって、導電性バンプの高さにバラツキがあっても接合不良が生じない。」と訂正する。
（ｋ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１６】を、「【００１６】（３）請求項１に係る発明の半導体チップの実装方法では、前記第１ステップにおいて、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、前記凸部が形成される。」と訂正する。
（ｌ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１７】を、「【００１７】請求項２に係る発明の半導体チップの実装方法では、前記第１ステップにおいて、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記凸部が形成される。」と訂正する。
（ｍ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１８】を、「【００１８】請求項１または２に係る発明の半導体チップの実装方法のさらに好ましい例では、前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着される。」と訂正する。
（ｎ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１９】を、「【００１９】請求項１または２に係る発明の半導体チップの実装方法のさらに他の好ましい例では、前記第２ステップにおいて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる前に、前記導電性バンプが前記第１電極および前記第２電極の双方にそれぞれ固着される。」と訂正する。
（ｏ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００２０】を、「【００２０】（４）請求項５に係る発明の半導体チップの実装構造は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。請求項６に係る発明の半導体チップの実装構造は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。」と訂正する。
（ｐ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００２１】を、「【００２１】（５）請求項５、６に係る発明の半導体チップの実装構造では、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極の少なくとも一方に形成された凸部が、第３ステップで印加される圧力によってその高さ方向に塑性変形し、もって半導体チップに対する過剰な圧力の印加が防止される。このため、導電性バンプの高さにバラツキがあっても、印加された圧力をすべての第１電極と第２電極が導電性バンプを介して適正に接合されるように、且つ半導体チップに悪影響を与えないように設定することが可能となる。よって、導電性バンプの高さにバラツキがあっても接合不良が生じない。」と訂正する。
（ｑ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００２３】を、「【００２３】（６）請求項５に係る発明の半導体チップの実装構造では、前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有する。」と訂正する。
（ｒ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００２４】を、「【００２４】請求項６に係る発明の半導体チップの実装構造では、前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲している。」と訂正する。
（ｓ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００２５】を、「【００２５】請求項５または６に係る発明の半導体チップの実装構造のさらに好ましい例では、前記導電性バンプが、前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方に固着された単一部分から形成される。」と訂正する。
（ｔ）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００２６】を、「【００２６】請求項５または６に係る発明の半導体チップの実装構造の他の好ましい例では、前記導電性バンプが、前記第１電極に固着された第１部分と、前記第２電極に固着された第２部分とから形成される。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体チップの実装方法および実装構造
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な
第１ステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、
前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、
前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向１塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止すること
　【請求項
２
半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な
第１ステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、
前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、
前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止すること
　【請求項
３
１または２記
　【請求項
４
１または２記
　【請求項
５
半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、
前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有して
おり、
前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする
　【請求項
６
半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、
前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲して
おり、
前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする
　【請求項
７
５または６記
　【請求項
８
５または６記
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップの実装方法および実装構造に関し、さらに言えば、回路基板等の実装対象物に対して導電性バンプを介して半導体チップを接合する、いわゆる「フリップチップ・ボンディング（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ　ｂｏｎｄｉｎｇ）」型の半導体チップの実装方法および実装構造に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】この種の半導体チップの実装構造の従来例を図８に示す。
　【０００３】図８において、半導体チップ１０１の表面１０１ａには、導電性膜からなる複数の電極１０２が形成されている。それらの電極１０２の上には、ソルダ材からなる導電性バンプ１０３がそれぞれ形成されている。一方、回路基板１１１の表面１１１ａには、導電性膜からなる複数の電極１１２が形成されている。それらの電極１１２の上には、ソルダ材からなる導電性バンプ１１３がそれぞれ形成されている。
　【０００４】この実装構造は、次のような実装工程により実現される。すなわち、まず、半導体チップ１０１の表面１０１ａの電極１０２上にバンプ１０３を、回路基板１１１の表面１１１ａの電極１１２上にバンプ１１３をそれぞれ固着させる。次に、半導体チップ１０１のバンプ１０３の端面１０３ａを、回路基板１１１のバンプ１１３の端面１１３ａに対向させる。その後、半導体チップ１０１と回路基板１１１の間に圧力を印加し、バンプ１０３とバンプ１１３を圧着する。さらに、加熱してバンプ１０３と１１３を溶解・凝固させることにより、それらのバンプ１０３と１１３とを機械的に接合させる。この機械的接合により、半導体チップ１０１の電極１０２と回路基板１１１の電極１１２とは電気的にも接続される。こうして、半導体チップ１０１が回路基板１１１上に実装される。
　【０００５】なお、特開平６−５７４８号公報には、この種の半導体チップの実装構造の他の従来例が開示されている。この公報に記載の実装構造では、半導体チップと回路基板との間に弾性材よりなる伝熱片が配置され、それによって半導体チップで発生する熱の放熱を効果的に行うようにしている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体Ｚチップの実装構造では、次のような問題点がある。
　【０００７】半導体チップ１０１または回路基板１１１に導電性バンプ１０３、１１３をそれぞれ形成または固着する際には、製造工程における種々の要因により、バンプ１０３、１１３の高さＨとＨ’にバラツキ（誤差）が生じることが避けられない。このバラツキがあると、図８に示すように、高さＨとＨ’が相対的に大きい領域１２１において、バンプ１０３、１１３の端面１０３ａ、１１３ａが接触しても、高さＨとＨ’が相対的に小さい領域１２２においては、端面１０３ａと端面１１３ａとの間に間隙１０５が生じてしまう。つまり、端面１０３ａと端面１１３ａとの間に接合不良を起こす。
　【０００８】この場合に、対向するバンプ１０３および１１３を全て圧着させて間隔１０５が生じないように、半導体チップ１０１と回路基板１２１の間の圧力を増加させると、接合不良は解消できる。しかし、こうすると、印加圧力は領域１２２では適正となるが領域１２１では過剰となる。この過剰な印加圧力は、半導体チップ１０１にクラックを発生させたり、印加圧力により発生した応力が半導体チップ１０１の電気的特性を変化させたりする、といった問題を引き起こす。
　【０００９】これらの問題は、シリコン（Ｓｉ）に比べて割れやすく、また応力により電気的特性が変動しやすい化合物半導体（例えばＧａＡｓなど）のチップの場合により顕著となる。すなわち、半導体チップ１０１が化合物半導体のチップである場合には、間隔１０５をなくすような十分な加圧が行えないため、対向するバンプ１０３および１１３の圧着が不十分となりやすく、接合不良を起こしやすい。
　【００１０】先に述べた特開平６−５７４８号公報に開示された半導体チップの実装構造は、半導体チップと回路基板との間に弾性材よりなる伝熱片を配置して放熱効率を改善するものであるから、この実装構造ではこれらの問題を解決することはできない。
　【００１１】そこで、この発明の目的は、導電性バンプの高さにバラツキがあっても、接合不良が生じない半導体チップの実装方法および実装構造を提供することにある。
　【００１２】この発明の他の目的は、実装時に半導体チップにクラックの発生や電気的特性の変化が生じる恐れのない半導体チップの実装方法および実装構造を提供することにある。
　【００１３】
　【課題を解決するための手段】（１）　
請求項１に係る
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を形成することにより、
塑性
塑性
　
請求項２に係る発明の半導体チップの実装方法は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合する半導体チップの実装方法において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方を、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲させることにより、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に対して、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を形成する第１ステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に前記導電性バンプを介在させて、前記半導体チップの表面を前記実装対象物の表面に対向させる第２ステップと、前記半導体チップと前記実装対象物との間に圧力を印加して、前記第１電極と前記第２電極とを前記導電性バンプを介して接合する第３ステップとを備え、前記第３ステップで印加される圧力によって、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方に形成された前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。
　【００１４】（２）　
請求項１、２に係る
塑性
　【００１５】また、印加された圧力は、半導体チップに悪影響を与えないように設定されるので、実装工程において半導体チップにクラックの発生や電気的特性の変化が生じない。
　【００１６】（３）　
請求項１に係る
法で
　【００１７】
請求項２に係る
法で
　【００１８】
請求項１または２に係る
に好
　【００１９】
請求項１または２に係る
　【００２０】（４）　
請求項５に係る
塑性
前記凸部が、その凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面との間に空隙を有しており、
塑性
　
請求項６に係る発明の半導体チップの実装構造は、半導体チップの表面に設けられた第１電極と実装対象物の表面に設けられた第２電極とを導電性バンプを介して接合してなる半導体チップの実装構造において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記導電性バンプが接触する箇所に加圧により塑性変形可能な凸部を有しており、前記凸部を備えた前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方が、前記半導体チップおよび前記実装対象物の少なくとも一方の対応する表面に対して屈曲しており、前記半導体チップを前記実装対象物に接合する際に印加される圧力によって前記凸部がその高さ方向に塑性変形し、もって前記半導体チップに対する過剰な圧力の印加を防止することを特徴とする。
　【００２１】（５）　
請求項５、６に係る
塑性
　【００２２】また、印加された圧力は、半導体チップに悪影響を与えないように設定されるので、実装工程において半導体チップにクラックの発生や電気的特性の変化が生じない。
　【００２３】（６）　
請求項５に係る
造で
　【００２４】
請求項６に係る
造で
　【００２５】
請求項５または６に係る
に好
　【００２６】
請求項５または６に係る
　【００２７】
　【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施の形態を添付図面を参照しながら具体的に説明する。
　【００２８】（第１実施形態）図１は、この発明の第１実施形態の半導体チップの実装構造に使用される半導体チップ１および回路基板２１を示す。
　【００２９】図１（ａ）に示すように、この半導体チップ１は、本体部２の表面（電極形成面）３に形成された複数の電極１０と、それら電極１０上に固着された複数の導電性バンプ４を備えている。
　【００３０】各電極１０は、導電性の膜をパターン化して形成されており、半導体チップ１の本体部２の表面３に沿って延在するリード部１１と、表面３から離れて断面が略台形に屈曲したブリッジ部１２とを備えて構成されている。ブリッジ部１２と表面３との間には、断面が略台形の空隙１４が形成されている。空隙１４には、大気が封入されている。こうして、ブリッジ部１２はエアブリッジ構造をなしている。
　【００３１】各バンプ４は、略円錐台形状をなし、対応する電極１０のブリッジ部１２上に固着されている。
　【００３２】各電極１０は、例えば、幅が９０±９μｍ、膜厚が３±０．３μｍのストライプ状のＡｕ膜により形成される。半導体チップ１の表面３から電極１０のブリッジ部１２の内面までの距離（空隙１４の高さ）ｄ１は、例えば１０±１μｍとなるように形成される。ブリッジ部１２の平坦部の幅Ｌ１は、例えば９０±９μｍである。各バンプ４は、例えば、最大直径Ｄ１が６０±６μｍ、ブリッジ部１２の平坦部の外面からの高さＴ１が３０±３μｍの円錐台形とされる。各バンプ４は、例えばＰｂ／Ｓｎなどのソルダ材で形成される。
　【００３３】図１（ｂ）に示すように、この回路基板２１は、本体部２２の表面（チップ実装面）２３に形成された複数の電極３０と、それら電極３０上に固着された複数の導電性バンプ２４を備えている。
　【００３４】各電極３０は、導電性の膜をパターン化して形成されており、回路基板２１の本体部２２の表面２３に沿って延在するリード部３１と、表面２３から離れて断面が略台形に屈曲したブリッジ部３２とを備えて構成されている。ブリッジ部３２と表面２３との間には、断面が略台形の空隙３４が形成されている。空隙３４には、大気が封入されている。こうして、ブリッジ部３２はエアブリッジ構造をなしている。
　【００３５】各バンプ２４は、略円錐台形状をなし、電極３０のブリッジ部３２上に固着されている。
　【００３６】各電極３０は、例えば、幅が９０±９μｍ、膜厚が３±０．３μｍのストライプ状のＡｕ膜により形成される。回路基板２１の表面２３から電極３０のブリッジ部３２の内面までの距離（空隙３４の高さ）ｄ２は、１０±１μｍとなるように形成される。ブリッジ部３２の平坦部の幅Ｌ２は、例えば９０±９μｍである。各バンプ２４は、例えば、最大直径Ｄ２が６０±６μｍ、ブリッジ部３２の平坦部の外面からの高さＴ２が３０±３μｍの円錐台形とされる。各バンプ２４は、例えばＰｂ／Ｓｎなどのソルダ材で形成される。
　【００３７】以上の構成を持つ半導体チップ１は、例えば図２（ａ）〜図２（ｄ）に示すようにして製造される。
　【００３８】まず、本体部２の表面３の全面に、厚さの均一なポリイミド膜（例えば、厚さ３±０．３μｍ）を例えばスピンコート法により形成する。その後、このポリイミド膜に対して、公知のフォトレジスト技術を用いてパターニングを行い、図２（ａ）に示すように、表面３上の所定箇所にスペーサ６０を形成する。
　【００３９】次に、本体部２の表面３上に、スペーサ６０と重なるように電極１０用の金属膜（例えばＡｕ膜）を形成した後、フォトレジスト技術を用いてその金属膜を所定形状にパターン化する。次いで、このパターン化した金属膜の開口部にＡｕメッキを施す。こうして、図２（ｂ）に示すように、スペーサ６０を被覆する電極１０が表面３上に形成される。このとき、スペーサ６０により金属膜の一部が盛り上がり、電極１０のブリッジ部１２が形成される。この金属膜の表面３に接触する部分は、リード部１１となる。
　【００４０】次に、図２（ｃ）に示すように、こうして形成した電極１０のブリッジ部１２の上に、例えばボール・ボンディング法によりＰｂ／Ｓｎソルダからなる導電性バンプ４が形成され、ブリッジ部１２に固着される。
　【００４１】最後に、電極１０のブリッジ部１２下にあるスペーサ６０を、酸素プラズマや適当な溶剤を用いて除去する。こうして、図２（ｄ）に示すように、ブリッジ部１２と表面３との間にエアブリッジ構造を形成する空隙１４が形成され、図１（ａ）に示す半導体チップ１が得られる。
　【００４２】回路基板２１は、以上のような半導体チップ１の製法と同じ製法により得られる。
　【００４３】次に、以上の構成を持つ半導体チップ１を回路基板２１に実装する方法について、図３を参照しながら説明する。
　【００４４】まず、裏面をコレットに吸着させた半導体チップ１の表面２を、上向きの保持した回路基板２１の表面２２に対向させて配置する。このとき、半導体チップ１のバンプ４とそれらバンプ４と接合される回路基板２１のバンプ２４とが一対一に対向するように、半導体チップ１の位置合わせがなされる。
　【００４５】次に、半導体チップ１を回路基板２１に向けて下降し、図３（ａ）に示すように、半導体チップ１のバンプ４の端面４ａを回路基板２１の対応するバンプ２４の端面２４ａにそれぞれ当接させる。
　【００４６】ここで、領域５１のバンプ４とバンプ２４の高さは、領域５２のバンプ４とバンプ２４の高さよりも大きいと仮定する。また、領域５１および領域５２におけるバンプ４の端面４ａから半導体チップ１の表面３までの高さをそれぞれＨ１およびＨ３とし、領域５１および領域５２におけるバンプ２４の端面２４ａから回路基板２１の表面２３までの高さをそれぞれＨ２およびＨ４とする。
　【００４７】すると、
　　（Ｈ１　＋　Ｈ２）＞（Ｈ３　＋　Ｈ４）
の関係式が成立する。この関係式は、図３（ａ）に示すように、領域５１におけるバンプ４とバンプ２４の端面４ａおよび２４ａが互いに当接した時に、領域５２におけるバンプ４とバンプ２４の端面４ａおよび２４ａの間には間隙４０が生じることを意味する。
　【００４８】次に、図３（ｂ）に示すように、半導体チップ１の本体部２に矢印５５の向き（下向き）に圧力を印加し、半導体チップ１上の全バンプ４を回路基板２１上の全バンプ２４に対して押し付ける。例えば、半導体チップ１の表面３と回路基板２１の表面２３との間隔Ｈ５が、
　　Ｈ５≒（Ｈ３　＋　Ｈ４）
となるように圧力を印加する。この場合、領域５２においては、対向するバンプ４と２４との間には適正な圧力が作用するが、領域５１においては、対向するバンプ４と２４との間には適正な圧力を上回る過剰の圧力が作用する。
　【００４９】しかし、バンプ４および２４はいずれもＰｂ／Ｓｎなどのソルダ材で形成されており、また、電極１０および３０は薄いＡｕ膜により形成されているため、電極１０および３０のブリッジ部１２および２２の機械的強度はバンプ４および２４のそれよりも低い。このため、印加された圧力により、ブリッジ部１２および３２が図３（ｂ）に示すようにそれぞれ変形し、その結果、バンプ４と２４はそれぞれ対応する表面３と２３に近づく。Ａｕ膜は靱性が高いため、この際に電極１０および１２が破断することはない。
　【００５０】このようにして、領域５１では、バンプ４および２４に印加された過剰な圧力がブリッジ部１２および２２の塑性変形により吸収される。このため、領域５１のバンプ４が半導体チップ１の本体部２に過大な負荷を作用させる恐れがない。
　【００５１】印加圧力がさらに増加すると、領域５２のブリッジ部１２と３２も塑性変形を始める。領域５１のブリッジ部１２と３２の変形が可能な限り、バンプ４および２４に印加される圧力はブリッジ部１２と３２により吸収されることができる。
　【００５２】例えば、半導体チップ１のバンプ４の高さＴ１と回路基板２１のバンプ２４の高さＴ２がそれぞれ３０±３μｍ、ブリッジ部１２の高さｄ１とブリッジ部３２の高さｄ２がそれぞれ１０±１μｍである場合、電極１０と３０の厚さが同じとすると、対向するバンプ４と２４の間隙４０の最大値は１４μｍである。また、ブリッジ部１２の空隙１４の高さｄ１とブリッジ部３２の空隙３４の高さｄ２の和（ｄ１＋ｄ２）の最小値は１８μｍである。よって、バンプ４と２４の間の全ての間隙４０がなくなるように圧力を印加しても、バンプ４と２４に加わる圧力はブリッジ部１２と３２の塑性変形により吸収される。よって、十分な圧力を印加してすべてのバンプ４と２４を圧着することができる。しかも、半導体チップ１の本体部２にクラックが発生したり、過剰な応力の発生により半導体チップ１の電気的特性が劣化することもない。
　【００５３】（第２実施形態）図４は、この発明の第２実施形態の半導体チップの実装構造を示す。
　【００５４】図４に示すように、第２実施形態の実装構造は、半導体チップ１と回路基板２１の接合に際して、半導体チップ１側の電極１０にのみ導電性バンプ４を固着し、回路基板２１の電極３０には導電性バンプ２４を固着していない点で、上述した第１実施形態の半導体チップの実装構造と異なる。その他の構成は第１実施形態のそれと同じである。よって、図４において同一または対応する構成要素に図３（ｂ）と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。
　【００５５】第２実施形態の実装構造では、半導体チップ１側の電極１０のブリッジ部１２に固着されたバンプ４の端面４ａが直接、回路基板２１の電極３０のブリッジ部３２に接合されている。
　【００５６】第２実施形態の実装構造においても、第１実施形態と同じ作用効果が得られることは明らかである。
　【００５７】なお、図４の構成とは逆に、半導体チップ１側の電極１０に導電性バンプ４を固着しないで、回路基板２１の電極３０にのみ導電性バンプ２４を固着してもよいことは勿論である。
　【００５８】（第３実施形態）図５は、この発明の第３実施形態の半導体チップの実装構造を示す。
　【００５９】図５に示すように、第３実施形態の実装構造は、半導体チップ１と回路基板２１の接合に際して、半導体チップ１側の電極１０にのみブリッジ部１２と導電性バンプ４とを設け、回路基板２１の電極２６にはブリッジ部と導電性バンプを設けていない点で、上述した第１実施形態の半導体チップの実装構造と異なる。その他の構成は第１実施形態のそれと同じである。よって、図５において同一または対応する構成要素に図３（ｂ）と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。
　【００６０】第３実施形態の実装構造では、図５に示すように、回路基板２１の電極２６はバンプ４の接触箇所の周囲だけでなくその接触箇所自体も平坦であり、ブリッジ部を備えていない。半導体チップ１側の電極１０のブリッジ部１２に固着されたバンプ４の端面４ａが直接、回路基板２１の平坦な電極２６に接合されている。
　【００６１】第３実施形態の実装構造においては、回路基板２１の電極２６にブリッジ部と導電性バンプを設けていないため、バンプ４に作用する過剰な圧力を吸収する範囲は第１実施形態のそれに比べて減少するが、それ以外は第１実施形態と同じ作用効果が得られる。
　【００６２】（第４実施形態）図６は、この発明の第４実施形態の半導体チップの実装構造を示す。
　【００６３】図６に示すように、第４実施形態の実装構造は、半導体チップ１と回路基板２１の接合に際して、回路基板２１の電極にブリッジ部を設けていない点で、上述した第１実施形態の半導体チップの実装構造と異なる。その他の構成は第１実施形態のそれと同じである。よって、図６において同一または対応する構成要素に図３（ｂ）と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。
　【００６４】第４実施形態の実装構造では、図６に示すように、回路基板２１の電極２６はバンプ２４の固着箇所だけでなくその周囲も平坦であり、ブリッジ部を備えていない。半導体チップ１側の電極１０のブリッジ部１２に固着されたバンプ４の端面４ａが、回路基板２１の平坦な電極２６に固着されたバンプ２４の端面２４ａに接合されている。
　【００６５】第４実施形態の実装構造においては、回路基板２１の電極２６にブリッジ部を設けていないため、バンプ４と２４に作用する過剰な圧力を吸収する範囲は第１実施形態のそれに比べて減少するが、それ以外は第１実施形態と同じ作用効果が得られる。
　【００６６】（第５実施形態）図７は、この発明の第５実施形態の半導体チップの実装構造を示す。
　【００６７】図７に示すように、第５実施形態の実装構造は、半導体チップ１と回路基板２１の接合に際して、半導体チップ１の電極６にブリッジ部を設けていない点で、上述した第１実施形態の半導体チップの実装構造と異なる。その他の構成は第１実施形態のそれと同じである。よって、図７において同一または対応する構成要素に図３（ｂ）と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。
　【００６８】第５実施形態の実装構造では、図７に示すように、半導体チップ１の電極６はバンプ４の固着箇所だけでなくその周囲も平坦であり、ブリッジ部を備えていない。回路基板２１側の電極３０のブリッジ部３２に固着されたバンプ２４の端面２４ａが、半導体チップ１の平坦な電極６に固着されたバンプ４の端面４ａに接合されている。
　【００６９】第５実施形態の実装構造においては、半導体チップ１の電極６にブリッジ部を設けていないため、バンプ４と２４に作用する過剰な圧力を吸収する範囲は第１実施形態のそれに比べて減少するが、それ以外は第１実施形態と同じ作用効果が得られる。
　【００７０】なお、上述した第１〜第５の実施形態では、半導体チップを回路基板上に実装しているが、実装対象物としては回路基板以外のものも使用可能である。
　【００７１】
　【発明の効果】以上説明した通り、この発明の半導体チップの実装方法および実装構造では、導電性バンプの高さにバラツキがあっても、接合不良が生じない。また、実装時に半導体チップにクラックの発生や電気的特性の変化が生じる恐れがない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】（ａ）は、この発明の第１実施形態の半導体チップの実装構造に使用される半導体チップを示す部分断面図、（ｂ）は同回路基板を示す部分断面図である。
　【図２】この発明の第１実施形態の半導体チップの実装構造に使用される半導体チップの製造工程を示す部分断面図である。
　【図３】この発明の第１実施形態の半導体チップの実装構造の実装工程を示す部分断面図である。【図４】この発明の第２実施形態の半導体チップの実装構造を示す部分断面図である。
　【図５】この発明の第３実施形態の半導体チップの実装構造を示す部分断面図である。
　【図６】この発明の第４実施形態の半導体チップの実装構造を示す部分断面図である。
　【図７】この発明の第５実施形態の半導体チップの実装構造を示す部分断面図である。
　【図８】従来の半導体チップの実装構造を示す部分断面図である。
　【符号の説明】
　１　半導体チップ
　２　半導体チップの本体部
　３　半導体チップの本体部の表面
　４　半導体チップのバンプ
　６　半導体チップの電極
　１０　半導体チップの電極
　１１　半導体チップの電極のリード部
　１２　半導体チップの電極のブリッジ部
　１４　半導体チップの電極の空隙
　２１　回路基板
　２２　回路基板の本体部
　２３　回路基板の本体部の表面
　２４　回路基板のバンプ
　２６　回路基板の電極
　３０　回路基板の電極
　３１　回路基板の電極のリード部
　３２　回路基板の電極のブリッジ部
　３４　回路基板の電極の空隙
　５１、５２　領域
　４０　バンプ間の間隙
　６０　スペーサ