【事件の表示】
　平成１１年特許願第１１７４７６号「アクティブマトリクス表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年１１月２６日出願公開、特開平１１−３２６９４１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年１０月２９日に出願した特願平２−２９２７１９号の一部を平成１１年４月２６日に新たな特許出願としたものであって、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年２月２０日付け手続補正により補正された明細書の記載からみて、同明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定される下記の通りである。
「【請求項１】　絶縁性透明基板、該絶縁性透明基板上に設けられた薄膜トランジスタアレイ、該薄膜トランジスタアレイを覆うように形成された透明絶縁膜、前記薄膜トランジスタアレイの各薄膜トランジスタの金属膜からなるドレイン電極及びソース電極、前記透明絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して該ドレイン電極と電気的に接続しているＩＴＯからなる絵素電極を有するアクティブマトリクス表示装置において、前記透明絶縁膜は有機系絶縁膜で形成されると共に、前記コンタクトホールは、前記薄膜トランジスタアレイのｎ＋Ｓｉ層上以外のドレイン電極上で前記薄膜トランジスタの近傍に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　原審において、平成１２年１０月５日付けの拒絶理由通知書で引用された特開平２−４８６３９号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、
「マトリクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極を駆動するために該絵素電極の各々の近傍に配された薄膜トランジスタと、該絵素電極の各々の少なくとも一部分と対向して付加容量を形成するための付加容量用電極とを備え、該薄膜トランジスタのゲート電極と該付加容量用電極とが絶縁性基板上に形成され、少なくとも該ゲート電極及び該付加容量用電極の上方にゲート絶縁膜が形成され、少なくとも該薄膜トランジスタ及び該ゲート絶縁膜の上方に保護絶縁膜が形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、該絵素電極が該保護絶縁膜の上方に形成されており、該絵素電極と該付加容量用電極との間に該保護絶縁膜と該ゲート絶縁膜とが介設されているアクティブマトリクス型液晶表示装置。」（特許請求の範囲）
　
「本実施例の具体的な製造工程の一例を説明することにより、その構造をより詳細に説明する。先ず、ガラスからなる絶縁性基板２７上に、スパッタリング或いは電子ビーム蒸着により、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属薄膜を２０００〜４０００Åの厚さに形成する。この金属薄膜をパターン化して、ゲートバスライン２２，ゲート電極２８及び付加容量用電極２６を同時に形成する。次に、ゲート電極２８及び付加容量用電極２６の表面を陽極酸化することにより、膜厚１０００〜３０００Åの陽極酸化膜２９を形成する。その後、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮＸからなるゲート絶縁膜３０を形成する。このようにして、付加容量用電極２６の上に、陽極酸化膜２９及びゲート絶縁膜３０からなる２層の誘電体層が積層される。更に、連続して、ａ−Ｓｉからなる半導体膜と、ＳｉＮＸからなる絶縁膜とを形成し、フォトエッチングによりパターニングすることによりａ−Ｓｉ膜３１及びＳｉＮＸ膜３２を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ＋−ａ−Ｓｉからなる半導体膜を形成し、フォトエッチングによりパターニングすることにより、ｎ＋−ａ−Ｓｉ膜３３を形成する。更に、スパッタリング或いは電子ビーム蒸着により、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等を付与し、フォトエッチングによりパターニングし、ソース電極３４ａ及びドレイン電極３４ｂを形成する。次に、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮＸからなる保護絶縁膜３５を形成し、これをフォトエッチングによりパターニングし、絵素電極２４とドレイン電極３４ｂとの電気的接触のためのコンタクトホール４０を形成する。更に、スパッタリング又は電子ビーム蒸着により、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を形成し、該透明導電膜をフォトエッチングによりパターニングすることにより、絵素電極２４を形成する。この絵素電極２４は、コンタクトホール４０に於いてドレイン電極３４ｂと電気的に接続される。・・・・・・尚、保護絶縁膜は、上述したＳｉＮＸの他、ＳｉＯ２等適宜の絶縁材料により構成することができる。」（３頁右上欄１８行〜４頁左上欄４行）と記載され、また、第１図には、コンタクトホール４０が、ｎ＋−ａ−Ｓｉ膜３３を下部に積層していない部分のドレイン電極３４ｂの上部に形成されていることが示されている。
　
　上記によれば、「ガラスからなる絶縁性基板、該絶縁性基板上にマトリクス状に配列された絵素電極、該絵素電極の各々の近傍に配された薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタのｎ＋−ａ−Ｓｉ膜上に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成し、その上にＳｉＯ２からなる保護絶縁膜を形成し、これをフォトエッチングして酸化インジウムを主成分とする透明導電膜からなる絵素電極と電気的接触するためのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記薄膜トランジスタのｎ＋−ａ−Ｓｉ膜以外のドレイン電極上に形成されているアクティブマトリクス表示装置。」が記載されている。
　
３．対比・判断
　ここで、本願発明と引用刊行物記載の発明とを比較すると、引用刊行物記載の発明における「ガラスからなる絶縁性基板」、「ｎ＋−ａ−Ｓｉ膜」は、本願発明における「絶縁性透明基板」、「ｎ＋Ｓｉ層」に相当し、また、引用刊行物記載の発明は、ソース電極及びドレイン電極はＴｉ，Ｍｏ，Ｗからなることから金属膜であるということができ、さらに、マトリクス状に配列された絵素電極の各々の近傍に薄膜トランジスタを有していることから、この薄膜トランジスタはアレイ状であるから、
両者は、絶縁性透明基板、該絶縁性透明基板上に設けられた薄膜トランジスタアレイ、該薄膜トランジスタアレイを覆うように形成された絶縁膜、前記薄膜トランジスタアレイの各薄膜トランジスタの金属膜からなるドレイン電極及びソース電極、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して該ドレイン電極と電気的に接続している絵素電極を有するアクティブマトリクス表示装置において、前記コンタクトホールは、前記薄膜トランジスタアレイのｎ＋Ｓｉ層上以外のドレイン電極上で前記薄膜トランジスタの近傍に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置である点で一致し、
（１）絵素電極が、本願発明は、ＩＴＯであるのに対し、引用刊行物記載の発明は、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜である点、及び、（２）絶縁膜が、本願発明は、透明な有機系絶縁膜であるのに対し、引用刊行物記載の発明は、ＳｉＯ２である点で相違する。
　以下、これら相違点について、検討する。
（１）の点について
　アクティブマトリックス液晶表示装置において、絵素電極をＩＴＯで構成することは、引用例を挙げるまでもなく、この出願前に当業界で慣用的に行われていることであり、しかも、ＩＴＯは、引用刊行物記載の酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の代表的な物質の一つであるから、この点に、何ら創作性が認められない。
（２）の点について
　アクティブマトリックス液晶表示装置において、薄膜トランジスタアレイを覆うように形成された絶縁膜として透明な有機系絶縁膜を用いることは、この出願前の当業界における周知技術（必要ならば、特開平２−１５７８２７号公報、特開平２−２１１４２８号公報、特開平２−２３４１３４号公報参照。）であり、また、引用刊行物記載の発明において絶縁膜として採用されているＳｉＯ２は、一般に透明な絶縁膜である。そうしてみると、引用刊行物記載の発明において、薄膜トランジスタアレイを覆う絶縁膜として、透明な有機系絶縁膜を用いることは、当業者にとって格別の困難性を有するものではない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。