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　特願２００９−２２５８１１「垂直構造ダイオードとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月２４日出願公開、特開２００９−３０２５８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１４年１０月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年１０月２６日、米国）を国際出願日とする特願２００３−５４１０３２号の一部を平成２１年９月３０日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年１月１７日に手続補正がなされたが、同年１０月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年３月５日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。　
　
第２　本件補正についての補正却下の決定　
　
１　結論
　
　本件補正を却下する。
　
２　理由
　
（１）補正の内容
　
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（平成２４年１月１７日付け手続補正後のもの）の
　
　「発光ダイオードであって、
　金属層が第１のパッドとして機能する、金を含む前記金属層と、
　前記金属層上の第１の極性を有する反射導電層と、
　前記反射導電層上にある第１の表面を備えている、第１の極性を有する第１のＧａＮ層と、
　前記第１のＧａＮ層上の活性層と、
　前記活性層上の第２の極性を有する第２のＧａＮ層と、
　前記第２のＧａＮ層の第２の表面上の第２の極性を有する電極と、
　前記第２の極性を有する前記電極上の第２のパッドと、を有して構成され、
　前記反射導電層が第１の極性を有する電極として機能し、前記反射導電層が前記ダイオードの輝度を向上させるように、前記反射導電層が前記活性層から放射された光を反射する働きをし、前記金属層は前記ダイオードの底部に置かれ、前記第２のパッドは約０．５μｍ以上の厚さを有し、前記反射導電層の幅は、前記第２のパッドの幅より大きい、発光ダイオード。」
　
を、
　
　「発光ダイオードであって、
　金属層が第１のパッドとして機能する、金を含む前記金属層と、
　前記金属層上の第１の極性を有する反射導電層と、
　前記反射導電層上にある第１の表面を備えている、第１の極性を有する第１のＧａＮ層と、前記第１のＧａＮ層は前記反射導電層に接触し、
　前記第１のＧａＮ層上の活性層と、
　前記活性層上の第２の極性を有する第２のＧａＮ層と、
　前記第２のＧａＮ層の第２の表面上の第２の極性を有する電極と、
　前記第２の極性を有する前記電極上の第２のパッドと、を有して構成され、
　前記反射導電層が第１の極性を有する電極として機能し、前記反射導電層が前記ダイオードの輝度を向上させるように、前記反射導電層が前記活性層から放射された光を反射する働きをし、前記反射導電層および前記第２の表面は、前記反射導電層が前記活性層からの光を前記第２の表面に向けて反射させて前記第２の表面を通過させるように構成され、前記金属層は前記ダイオードの底部に置かれ、前記第２のパッドは約０．５μｍ以上の厚さを有し、前記反射導電層の幅は、前記第２のパッドの幅より大きい、発光ダイオード。」　
と補正することを含むものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
（２）独立特許要件についての検討　　
　
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。　
　
ア　刊行物の記載
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−７７４７６号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審にて付した）。
　
（ア）「【請求項１】　窒素及びガリウムを主成分とする窒素化合物半導体を基板とし、該基板上に窒素化合物半導体よりなる発光素子を形成する窒素化合物半導体発光素子において、前記窒素化合物半導体基板中に、不純物として第VII族に属する元素を含有させることを特徴とする窒素化合物半導体発光素子。」
　
（イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒素化合物半導体基板上に作製する窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法に関する。」
【０００２】
【従来の技術】従来、窒素化合物半導体はその特性を利用して、発光素子やハイパワーデバイスへの応用または研究がなされている。
【０００３】例えば、窒素化合物半導体発光素子を作製する場合、その構成する組成を調整することにより、技術的には紫色から橙色までの幅の広い発光素子として利用することができる。近年、その特性を利用して、青色発光ダイオードや、緑色発光ダイオードの実用化がなされ、また、半導体レーザー素子として青紫色半導体レーザーが開発されてきている。
【０００４】窒素化合物半導体膜を製造する際には、基板として、サファイア、SiC、スピネル、Si、GaAs、GaN等の基板が使用される。例えば、基板としてサファイアを使用する場合には、GaN膜をエピタキシャル成長する前に、あらかじめ、500℃〜600℃の低温で、GaNまたはAlNのバッファー層を形成し、その後、基板を1000℃〜1100度の高温に昇温して窒素化合物半導体膜のエピタキシャル成長を行うと表面状態の良い、構造的及び電気的に良好な結晶を得ることができることが公知となっている。また、SiCを基板として使用する場合には、エピタキシャル成長を行う成長温度で薄いAlN膜をバッファー層として使用すると良いことが公知となっている。
【０００５】しかし、GaN等の窒素化合物半導体以外の基板を使用すると、成長する窒素化合物半導体膜との熱膨張係数の違いや、格子定数の違いにより、製造される窒素化合物半導体中には多数の欠陥が存在する。その密度は合計で約1×109cm-2〜１×107cm-2程度にもなる。これらの転位は、電気伝導を制御するキャリアをトラップして、製造した膜の電気的特性を損ねることが知られている他、大電流を流すようなレーザーに対しては、寿命特性の劣化を招くことが知られている。
【０００６】そのため、作製する格子欠陥を低減し、かつ電気的特性を良好な状態にするために、ハイドライド気相成長法（H-VPE）や、高圧合成法、昇華法等といった手法を用いて、20μm程度以上の厚みを有するGaN等の窒素化合物半導体厚膜を形成し、窒素化合物半導体厚膜基板として使用することが試みられている。
【０００７】この窒素化合物半導体厚膜基板を用いることにより、基板表面に到達する欠陥密度が減少し、良好な特性の発光素子が得られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述した20μmを越える厚みを有し、その上にエピタキシャル成長を行う窒素化合物半導体厚膜（以下、窒素化合物半導体基板）に於いても、C軸に垂直に延びる刃状転位が完全に無くなることはなく、１×106cm-2程度以上の転位が存在する。これらの転位は、他の基板を使用した場合と比較して、１桁以上少ないが、特に高密度の電流注入を行うレーザダイオード（以下、レーザ）等の発光素子に対しては、発光強度と寿命特性に影響を及ぼすことが分かっている。
【０００９】また、不純物をドーピングしていない窒素化合物半導体基板は、高抵抗を示すため、不純物をドーピングして、電気抵抗を下げなければならない。しかしながら、従来のように、Ｈ−ＶＰＥ法等でＧａＮ厚膜を成長するときに、ＧａＮ厚膜成長中に一定量の不純物を注入するだけでは、いくつかの問題が生じる。例えば、一定量の高不純物濃度を注入して作製した窒素化合物半導体基板を、窒素化合物半導体レーザ素子に使用した場合、閾値電圧は低下するものの、閾値電流密度は逆に増加傾向を示す。これは、結晶中の転位を通じて、窒素化合物半導体基板中にドーピングした不純物と、該基板上にエピタキシャル成長した発光素子構造を形成する膜中にドーピングした不純物との相互拡散が生じて、そのため、該窒素化合物半導体基板と、該エピタキシャル成長膜との界面で部分的に電流障壁が形成され、その影響で、発光素子の駆動電圧が高くなったり、発光素子の寿命が短くなる現象が確認されている。
【００１０】また、不純物を高濃度にドーピングした窒素化合物半導体基板の表面モフォロジーは、ドーピングしていない窒素化合物半導体基板と比較して表面凹凸が大きく、そのため、その上に作製したレーザ素子の閾値電圧は低くなるものの、表面の荒れに起因する伝搬光の散乱により、閾値電流密度は大きくなる傾向を示す。
【００１１】このことから、電気的特性が向上し、かつ、寿命特性を損なわない発光素子を形成するためには、転位密度が低く、かつ基板とエピタキシャル成長膜との電気的コンタクトが良好となるエピタキシャル成長を行う基板面（以下、成長面）を有する窒素化合物半導体基板を得ることが望まれていた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するためには、窒素化合物半導体基板の欠陥密度を減らし、窒素化合物半導体基板の成長面と、該窒素化合物半導体基板上に形成するエピタキシャル成長膜との電気的なコンタクトを適正な状態に制御することが重要である。
【００１３】本発明においては、まず、窒素及びガリウムを主成分とする窒素化合物半導体を基板とし、該基板上に窒素化合物半導体よりなる発光素子を形成する窒素化合物半導体発光素子において、基板上に、窒素化合物半導体よりなる発光素子を形成する際に、前記窒素化合物半導体基板中に、不純物として第VII族に属する元素を含有させることを特徴としている。このことにより、イオン半径の大きな第VII族元素のイオンが、窒素化合物半導体基板を構成しているイオン半径の小さな元素（たとえば、窒素、ガリウム、アルミニウム等）の結晶内に入り込むことで転位の結晶表面への伝搬が止まり、その結果、窒素化合物半導体基板表面の転位密度が小さくなる。本基板を使用することにより、窒素化合物半導体基板上にエピタキシャル成長された発光素子の発光強度は増大し、寿命特性が向上する。」
　
（ウ）「【００２２】
【発明の実施の形態】本発明を詳細に説明する。20μmを越える厚みを有し、その上にエピタキシャル成長を行うための窒素化合物半導体厚膜（窒素化合物半導体基板）を作製する方法として、H-VPE、高圧合成法、昇華法が考えられているが、大面積を分布なく成長するには、H-VPE法により、サファイア基板上に成長を行う方法が最も良好である。本実施形態では、
サファイア基板上に、H-VPE法を用いて成長した厚膜のGaNを窒素化合物基板として使用した
【００２３】まず、(0001)面を有するサファイア基板を洗浄し、MOCVD法を用いて、以下の手順で、約３μmの厚みのアンドープGaN膜を下地層として成長する。
……
【００２４】次に、上記方法で作製したアンドープGaN下地層を成長したサファイア基板上に、厚膜を成長する際に、クラックが生じないように、厚さ0.2μm程度で、幅7μm、間隔10μmのストライプ状の成長抑制膜を形成し、その上にH-VPE法で選択成長を行い、平坦なGaN厚膜を成長する。本実施例では、成長抑制膜として、スパッタリング法により蒸着したSiO2膜をフォトリソグラフィを用いてエッチングしたものを使用した。
【００２５】以下、図２を参照して、H-VPE法によるGaN厚膜の成長方法を記述する。上述した方法で作製したストライプ状の成長抑制膜を有するアンドープGaN下地層を成長したサファイア基板230を、H-VPE装置内に導入する。図中、212はH-VPE装置の反応管であり、213は基板のサセプタである。N2キャリアガス205とNH3（204）を、それぞれ51/minマスフローコントローラ206で制御しながら導入管211より導入し、基板の温度を約1050℃まで昇温する。その後、基板上にGaClを導入管208より100cc/min導入してGaNの厚膜の成長を開始する。
【００２６】その際、キャリアガスを混合しても構わない。GaClは約850℃に保持されたGa金属207にHClガス201を流すことにより生成される。また、基板近傍まで単独で配管してある不純物ドーピングラインを用いて不純物ガスを流すことにより、任意に成長中に不純物のドーピングを行うことができる。本実施形態では塩素（Cl）をドーピングする目的で、成長を開始すると同時に、Cl2ガス202を導入管209より100ccl/min供給した。この際の厚膜GaN中のCl濃度は、２×1016cm-3であった。尚、Clのドーピングには、Cl2ガス以外に、HClガスを用いてもよい。また、シリコン（Si）を同時にドーピングする際には、シラン（SiH4）203、モノクロロシラン（SiH3Cl）や、ジクロロシラン（SiH2Cl2）、トリクロロシラン（SiHCl3）、シリコンテトラクロライド（SiCl4）、ヘキサクロロジシラン（Si2Cl6）等、を使用してもよい。Siもまた、独立して導入するための導入管210を有している。本実施形態では、Clに加えて、SiH4を100nmol/min供給した。この際の厚膜GaN中のSi濃度は、2×1018cm-3であった。
【００２７】このようにして、
ClとSiを共ドープしたGaN膜（102）を成長した
上記方法で、3時間の成長を行い、膜厚の合計が約350μmの厚さのGaNを成長し、窒素化合物半導体基板を得た
【００２８】以上の様にして得られた窒素化合物半導体基板上に、MOCVD法により発光素子構造を成長する。」
　
（エ）「【００３６】上記実施形態では、サファイア基板上に窒素化合物半導体基板を成長後、該サファイア基板を研磨してから、前記窒素化合物半導体基板上に窒素化合物半導体発光層を積層した例について示したが、前記工程でサファイア基板を研磨せずに、サファイア基板の付いた窒素化合物半導体基板を用いて窒素化合物半導体発光層を積層しても、あるいは、窒素化合物半導体発光層を積層した後に、該サファイア基板を除去しても本発明と同様の効果が得られた。」
　
（オ）「【００６５】尚、上述した実施例においては、全て発光素子としてレーザを作製した例について記述したが、
発光ダイオードに対しても有効な方法である。図１１に、発光ダイオードの一例を示す概略図を示す。図１１中、1101はAl/Ti電極等の材料よりなるn型オーミック電極、1102はClとSiをドーピングしたn型特性を示す窒素化合物半導体基板、1103は約4μm程度の厚さを有するSiをドーピングしたn型GaN膜、1104は数nmの厚さを有するInGaNの複数層よりなる発光層、1105は約20nmの厚さを有するp型のAlGaNよりなるキャリアブロック層、1106は約0.1μmの厚さを有するMgをドーピングしたP型GaN膜、1107はAu/Pd等よりなるp型オーミック電極である
　
（カ）図１１は、次のものである。
　
　
（キ）上記（オ）を踏まえて、上記（カ）の図１１をみると、n型特性を示す窒素化合物半導体基板1102の下面がn型オーミック電極1101に接触し、n型特性を示す窒素化合物半導体基板1102上にn型GaN膜1103が形成され、n型GaN膜1103上に発光層1104が形成され、発光層1104上にp型のAlGaNよりなるキャリアブロック層1105が形成され、キャリアブロック層1105上にP型GaN膜1106が形成され、P型GaN膜1106の上面の一部にのみp型オーミック電極1106が形成されていること、及びn型オーミック電極1101の幅がp型オーミック電極1107の幅より大きいことがみてとれる。
　
イ　引用発明
　
　上記アによれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
　「ClとSiをドーピングしたn型特性を示すGaNを窒素化合物半導体基板とし、該窒素化合物半導体基板の下面がAl/Ti電極よりなるn型オーミック電極に接触し、該窒素化合物半導体基板上にSiをドーピングしたn型GaN膜が形成され、該n型GaN膜上にInGaNの複数層よりなる発光層が形成され、該発光層上にp型のAlGaNよりなるキャリアブロック層が形成され、該キャリアブロック層上にp型GaN膜が形成され、該p型GaN膜の上面の一部にのみAu/Pdよりなるp型オーミック電極が形成されており、n型オーミック電極の幅がp型オーミック電極の幅より大きい発光ダイオード。」（以下「引用発明」という。）
　
ウ　対比・判断
　
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明の「発光ダイオード」は、本願補正発明の「発光ダイオード」に相当する。
　
（イ）引用発明の「Al/Ti電極よりなるn型オーミック電極」は、「第１の極性を有する導電層」である点で、本願補正発明の「反射導電層」と共通し、引用発明は、本願補正発明の「導電層が第１の極性を有する電極として機能」するとの特定事項を備えるものといえる。
　
（ウ）引用発明の「n型特性を示すGaN」からなる「窒素化合物半導体基板」は、「下面がAl/Ti電極よりなるn型オーミック電極に接触」するから、引用発明の「窒素化合物半導体基板」は、本願補正発明の「第１の極性を有する第１のＧａＮ層」に相当し、引用発明は、本願補正発明の「導電層上にある第１の表面を備えている、第１の極性を有する第１のＧａＮ層」を有し、「第１のＧａＮ層は」「導電層に接触」するとの特定事項を備えるものといえる。
　
（エ）引用発明の「InGaNの複数層よりなる発光層」は、「窒素化合物半導体基板上に」形成された「Siをドーピングしたn型GaN膜上に」形成されるので、本願補正発明の「活性層」に相当し、引用発明は、本願補正発明の「第１のＧａＮ層上の活性層」を有するとの特定事項を備えるものといえる。
　
（オ）引用発明の「p型GaN膜」は、「発光層上に」形成された「p型のAlGaNよりなるキャリアブロック層上に」形成され、「p型GaN膜の上面」に「Au/Pdよりなるp型オーミック電極が形成され」るので、引用発明の「p型GaN膜」及び「Au/Pdよりなるp型オーミック電極」は、本願補正発明の「第２の極性を有する第２のＧａＮ層」及び「第２の極性を有する電極」に相当し、引用発明は、本願補正発明の「活性層上の第２の極性を有する第２のＧａＮ層と」、「第２のＧａＮ層の第２の表面上の第２の極性を有する電極と」を有するとの特定事項を備えるものといえる。
　
（カ）なお、請求人は、審判請求書において、引用発明の「n型特性を示すGaN」からなる「窒素化合物半導体基板」は、成長基板の機能を有するので、本願補正発明の「第１の極性を有する第１のＧａＮ層」に相当しない旨主張するが、本願補正発明は、「第１の極性を有する第１のＧａＮ層」が、反射導電層上にある第１の表面を備え、反射導電層に接触し、第１のＧａＮ層上に活性層を有することを特定するのみであるから、採用できない。
 
　以上によれば、両者は、
　
「発光ダイオードであって、
　第１の極性を有する導電層と、
　前記導電層上にある第１の表面を備えている、第１の極性を有する第１のＧａＮ層と、前記第１のＧａＮ層は前記導電層に接触し、
　前記第１のＧａＮ層上の活性層と、
　前記活性層上の第２の極性を有する第２のＧａＮ層と、
　前記第２のＧａＮ層の第２の表面上の第２の極性を有する電極と、を有して構成され、
　前記導電層が第１の極性を有する電極として機能する発光ダイオード。」
　
で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
ａ　本願補正発明では、導電層が反射導電層であり、反射導電層が発光ダイオードの輝度を向上させるように、活性層から放射された光を反射する働きをし、反射導電層および第２の表面は、反射導電層が活性層からの光を第２の表面に向けて反射させて第２の表面を通過させるように構成されるのに対し、引用発明では、Al/Ti電極よりなるn型オーミック電極が活性層から放射された光を反射するものであるか否かが不明な点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ　本願補正発明では、金属層が第１のパッドとして機能する金を含む金属層と、第２のパッドとを有し、第２のパッドは約０．５μｍ以上の厚さを有し、反射導電層の幅は、第２のパッドの幅より大きいのに対し、引用発明では、n型オーミック電極及びp型オーミック電極上にパッドを有していない点（以下「相違点２」という。）。
　
エ　検討
　
（ア）相違点１について
　
　引用発明において、「Al/Ti電極よりなるn型オーミック電極」は、光を反射するものと認められるところ、引用発明は、p型GaN膜の上面の一部にのみp型オーミック電極が形成されていることからみて、上方（p型GaN膜側）に光を放射するものと解され、n型オーミック電極の電極厚を薄くして光透過性とすることにより下方（窒素化合物半導体基板側）に光を放出するよう構成すべき特段の事情は認められないから、引用発明の「Al/Ti電極よりなるn型オーミック電極」は、本願補正発明の「第１の極性を有する反射導電層」に相当し、引用発明は、相違点１に係る本願補正発明の構成を備えているものといえる。
　また、そうでないとしても、発光ダイオードにおいて、電極を反射電極とするにより輝度を増大させることは周知の技術である（例えば、特開平１１−１３９９号公報の段落【００４３】には、n型電極の裏面にメタル電極を蒸着して電極自体が反射鏡を兼ねるようにすることが記載されている。また、特開２０００−９１６３８号公報の段落【００２１】には、p側電極が、活性層で発生した光のうちp側電極の方へ向かう光を反射させてn側電極の方へ向かわせる反射電極としても機能することが記載されている。）から、引用発明のn型オーミック電極を反射電極とし、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（イ）相違点２について
　
　オーミック電極上に金からなるパッドを設けること、及びパッドの厚みを０．５μｍ以上とすることは周知の技術である（例えば、特開２０００−２５２２３０号公報の段落【００６８】には、Ti膜及びPt膜からなるオーミック電極上にAu膜からなるパッド電極を形成することが記載されている。また、特開２０００−３１５８１９号公報の段落【０００５】には、従来はパッド電極は１μｍ程度の厚さに形成されていること、段落【００１９】には、透明電極及びn側電極の上に、Auを成膜してp側及びn側のパッド電極を形成すること、このパッド電極は１〜７．５μｍの厚さに形成されることが記載されている。）から、引用発明のn型オーミック電極及びp型オーミック電極上にパッドを形成し、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（ウ）本願補正発明の効果について
　
　本願補正発明によってもたらされる効果を全体としてみても、引用発明及び周知の技術から当業者が当然に予測できる程度のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
（エ）審判請求書の主張について
　
　なお、請求人は、審判請求書において、引用発明の「n型特性を示すGaN」からなる「窒素化合物半導体基板」は、２０μｍ以上の厚さを有し、ある量の光を吸収するので、n型オーミック電極の反射特性は、本願発明より低いことは明らかである旨主張するが、本願補正発明は、「第１の極性を有する第１のＧａＮ層」の厚さを特定するものではなく、厚さに関する相違は認められないから、採用できない。
　
オ　小括
　
　以上のとおり、本願補正発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知の技術に基いて、容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）補正却下の決定のむすび
　
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について　　
　
１　本願発明　
　
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年１月１７日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２、２（１）において、本件補正前の請求項１として示したとおりのものである。　
　
２　判断　　
　
　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定を付したものが本願補正発明であるところ、本願補正発明が、前記第２、２（２）において検討したとおり、引用文献に記載の発明及び周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであることに照らせば、本願発明が引用文献に記載の発明及び周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。
　
３　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知の技術に基いて、容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。