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　平成　７年特許願第３２７７０１号「プラズマ酸化膜処理方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　６月２４日出願公開、特開平　９−１６７７５５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年１２月１５日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明（以下、「本件発明１〜５」という。）は、平成１０年２月２日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、それぞれ特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】基板側の電極である基板側電極と、該基板側電極に対峙している対基板側電極と、電源とを有すると共に、前記基板側電極の周辺部が炭化珪素で構成され、ガスをプラズマの状態で用いて試料に対してエッチング及びＣＶＤ処理を行なうためのプラズマ酸化膜処理装置において、ＣＶＤ処理の際に生成される膜が二酸化珪素膜である場合にチャンバーエッチング処理を効率よく行なうためのプラズマ酸化膜処理方法であって、
　前記基板側電極を前記電源に接続して電源基板電極として用い、
　前記対基板側電極を、接地して接地電極として用い、
　エッチングを行なう際に使用する前記ガスを、フロロカーボン系ガスに限定することを特徴とするプラズマ酸化膜処理方法。
 【請求項２】電源と、基板側の電極である基板側電極と、該基板側電極に対峙した対基板側電極と、前記基板側電極又は前記対基板側電極のいずれか一方を前記電源に接続し且つ他方を接地する電源切換手段とを有すると共に、前記基板側電極の周辺部が炭化珪素で構成され、ガスをプラズマの状態で用いて試料に対してエッチング及びＣＶＤ処理を行なうためのプラズマ処理装置において、ＣＶＤ処理の際に生成される膜が二酸化珪素膜である場合に、ＣＶＤ処理及びチャンバーエッチングを効率よく行なうためのプラズマ酸化膜処理方法であって、
　エッチングを行なう際に使用する前記ガスを、フロロカーボン系ガスに限定し、
　ＣＶＤ処理の際には、前記基板側電極を接地して接地基板電極とし、チャンバーエッチングの際には、前記基板側電極を前記電源に接続して電源基板電極とすることを特徴とするプラズマ酸化膜処理方法。
 【請求項３】第１及び第２の電源と、基板側の電極である基板側電極と、該基板側電極に対峙した対基板側電極と、前記基板側電極に接続された第１の切換手段と、前記対基板側電極に接続された第２の切換手段とを有すると共に、該基板側電極の周辺部が炭化珪素で構成され、ガスをプラズマの状態で用いて試料に対してエッチング及びＣＶＤ処理を行なうためのプラズマ処理装置において、ＣＶＤ処理の際に生成される膜が二酸化珪素膜である場合に、ＣＶＤ処理及びチャンバーエッチングを効率よく行なうためのプラズマ酸化膜処理方法であって、
　エッチングを行なう際に使用する前記ガスを、フロロカーボン系ガスに限定し、
　ＣＶＤ処理の際には、前記第１の切換手段により前記基板側電極を接地して接地基板電極とし、且つ、前記第２の切換手段により前記対基板側電極を前記第２の電源に接続して電源電極とし、
　チャンバーエッチングの際には、前記第１の切換手段により前記基板側電極を前記第１の電源に接続して、電源基板電極とし、且つ、前記第２の切換手段により前記対基板側電極を接地して接地電極とすることを特徴とするプラズマ酸化膜処理方法。
 【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のプラズマ酸化膜処理方法であって、
　前記対基板側電極の周辺部も炭化珪素から構成することを特徴とするプラズマ酸化膜処理方法。
 【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプラズマ酸化膜処理方法であって、
　高密度のプラズマを電子サイクロトロン共鳴により発生させて、該高密度のプラズマを用いて試料を処理することを特徴とするプラズマ酸化膜処理方法。」
　
２．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由１に引用された刊行物１、２には次のような技術的事項が開示されている。
　
(1) 特開平６−８４８１２号公報（以下、「引用例１」という。）には、「多電極プラズマ処理装置」について、図１、４とともに、次のイ〜チのとおりのことが記載されている。
　
イ．「支持体３６は、囲いモジュール４４を支持してチャック２４を保持する棚４６を含む。チャック２４の底面４６は、半導体ウェーハ２２と接触する。熱容量の低いピン４８、５０は半導体ウエーハ２２を支えてチャック２４と接触させる。熱容量の低いピン４８、５０は、シャワーヘッド注入器５４を含むシャワーヘッド組立体５２で支持されている。」（第４頁左欄第３２〜３９行）
　
ロ．「プラズマ処理環境のハードウエア構成は、無線周波数エネルギー源又は電気接地に接続する３本の電極線を含む。これらは、（中略）シャワーヘッド組立体５２への番号７６で示す電極線Ｅ２と、チャック２４に接続する、以前番号２６で示した電極線Ｅ３とを含む。」（第４頁右欄第４〜１０行）
　
ハ．「２つの高周波源１００、１３２と１００ｋＨｚ低周波ＲＦ源１０８とを用いることにより、プラズマ処理およびその場で行われるクリーニングの多くの組み合わせができる。３つの電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３のどれも、浮遊リード線、高周波ＲＦ源、低周波ＲＦ源、接地に、選択的に接続してよい。」（第５頁左欄下から第８〜２行）
　
ニ．「
製作プロセス方法１
　
ホ．「
製作プロセス方法４
　
ヘ．「望ましい実施態様により、ウエーハのエッチングおよび堆積プロセスと共に実時間の効果的なその場での室のクリーニングができる。（中略）クリーニングは、二酸化珪素や窒化珪素やアモルファス珪素の堆積などの各ＰＥＣＶＤプロセスの後に行なってよく、処置室１０の内表面の残存堆積物を全て除去する。（中略）これらの残存堆積物を除去するため、室クリーニング剤はアルゴンとＣＦ４、アルゴンとＮＦ３、アルゴンとＳＦ５の組み合わせなどのプラズマを含んでよい。」（第６頁右欄第５〜１９行）
　
ト．「
クリーニング・プロセス方法３
　
チ．「図１０は、二酸化珪素堆積用の望ましい実施態様を用いて、クリーニング及びＰＥＣＶＤ処理を実時間で時分割多重化する動作を示す。（中略）線２０８は、時刻ｔ０でゼロレベル２０４で始まるＮＦ３クリーニングガスの流量を表わす。（第７頁右欄第１７〜２４行）
　
   以上の記載をまとめると、上記引用例１のニの部分には、製作プロセス方法１として、「電極線Ｅ２７６をスイッチ１１６により接点１１８で接地１１０に、また電極線Ｅ３２６をスイッチ１３４により接点１３８を経由して高周波ＲＦチューナー１２２に接続する」ことが記載されており、そのトの部分には、クリーニング・プロセス方法３として「Ｅ２７６を接地に、電極線Ｅ３２６を低周波ＲＦチューナー１０４に接続する」ことが記載されている。そしてこの製作プロセス方法及びクリーニング方法については、そのハの部分に記載されているように適宜「組み合わせ」ることができる。また、そのロの部分の記載から、「電極線Ｅ２７６」は「シャワーヘッド組立体５２」に、「電極線Ｅ３２６」は「チャック２４」にそれぞれ接続されている。さらに、そのヘの部分の記載から、クリーニングの際に使用するガスは、「アルゴンとＣＦ４、アルゴンとＮＦ３、アルゴンとＳＦ５の組み合わせなど」である。
　
　したがって、引用例１のイの部分の記載及び上記のまとめの記載を総合すると、製作プロセス方法１及びクリーニング・プロセス方法３を選択した場合として、引用例１には、
　Ａ．「チャック２４と、チャック２４に対峙しているシャワーヘッド組立体５２と、ＲＦチューナー（高周波及び低周波）とを有すると共に、ガスをプラズマの状態で用いて試料に対してエッチング及びＰＥＣＶＤを行うためのプラズマ酸化膜処理装置において、ＰＥＣＶＤ処理の際に生成される膜が、二酸化珪素や窒化珪素やアモルファス珪素である場合にクリーニングプロセスを効果的に行うためのプラズマ酸化膜処理方法であって、チャック２４をＲＦチューナー（高周波及び低周波）に接続し、シャワーヘッド組立体５２を接地に接続し、クリーニング・プロセスの際に使用するガスが、アルゴンとＣＦ４、アルゴンとＮＦ３、アルゴンとＳＦ５の組み合わせなどであるプラズマ酸化膜処理方法」が記載されているものと認める。
　
　また、引用例１のホの部分には、製作プロセス方法４として、「電極線Ｅ２７６を高周波ＲＦチューナー１２２に、電極線Ｅ３を接地に接続する」ことが記載され、そのトの部分には、クリーニング・プロセス方法３として「Ｅ２７６を接地に、電極線Ｅ３２６を低周波ＲＦチューナー１０４に接続する」ことが記載されている。そして、引用例１のロ及びニの部分には、シャワーヘッド組立体５２に接続する電極線Ｅ２７６がスイッチ１１６に接続され、チャック２４に接続する電極線Ｅ３２６がスイッチ１３４に接続されていることが記載されている。
　
　したがって、製作プロセス方法４及びクリーニング・プロセス方法３を選択した場合として、引用例１には、
　Ｂ．「ＲＦチューナー１０４と、ＲＦチューナー１２２と、チャック２４と、チャック２４に対峙しているシャワーヘッド組立体５２と、チャック２４に接続されたスイッチ１３４と、シャワーヘッド組立体５２に接続されたスイッチ１１６とを有すると共に、ガスをプラズマの状態で用いて試料に対してエッチング及びＰＥＣＶＤを行うためのプラズマ酸化膜処理装置において、ＰＥＣＶＤ処理の際に生成される膜が、二酸化珪素や窒化珪素やアモルファス珪素である場合にクリーニング・プロセスを効果的に行うためのプラズマ酸化膜処理方法であって、クリーニング・プロセスの際に使用するガスが、アルゴンとＣＦ４、アルゴンとＮＦ３、アルゴンとＳＦ５の組み合わせなどであり、ＰＥＣＶＤ処理の際には、スイッチ１３４によりチャック２４を接地し、且つ、スイッチ１１６によりシャワーヘッド組立体５２をＲＦチューナー１２２に接続し、クリーニング・プロセスの際には、スイッチ１３４によりチャック２４をＲＦチューナー１０４に接続し、且つスイッチ１１６によりシャワーヘッド組立体５２を接地するようにした、プラズマ酸化膜処理方法」が記載されているものと認める。
　
(2) 特開平２−７００６６号公報（以下、「引用例２」という。）には、「プラズマＣＶＤ装置」について、第１図とともに、次のリ〜ヲのとおりのことが記載されている。
　
リ．「プラズマＣＶＤ装置でシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を連続して生成すると、電極などに反応生成物が付着し、ある付着量以上になると剥離して、プラズマ放電を阻害する。このため、所定枚数のウエアについて成膜処理が行われたら、プラズマエッチングにより電極などをクリーニングしなければならない。」（第２頁左上欄下から第７行〜最下行）
　
ヌ．「この発明は、接地基板電極を構成する金属製均熱板を有し、この金属製均熱板を加熱するための加熱手段を有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する高周波電極とを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記サセプタ上の金属製均熱板の周囲は非金属系絶縁材のカバーで包囲されていることを特徴とする（中略）。この非金属系絶縁材のカバーは炭化ケイ素から構成されていることが好ましい。」（第２頁右上欄下から第３行〜左下欄第７行）
　
ル．「プラズマエッチングクリーニングに使用されるフロン−１４（ＣＦ４）と絶縁カバーの材質のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とが反応し、ＡｌＦ３　が生成され、絶縁カバー全体を薄く覆ってしまうものと思われる。ＡｌＦ３　は表面エネルギーが小さいために、この上にプラズマシリコン酸化膜またはプラズマシリコン窒化膜が堆積して膜厚が厚くなっていくと膜剥離が起こるものと考えられる。従来の金属のアルミナに代えて、非金属の炭化ケイ素（ＳｉＣ）を使用すれば前記のような問題は起こらない。」（第２頁左下欄下から第４行〜右下欄第７行）
　
ヲ．「金属製シャワー電極２２及び金属導体２６は絶縁リング３０により保持されている。（中略）また従来の装置では、前記の絶縁リング３０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で出来ていたが、これを炭化ケイ素に代えることもできる。」（第３頁左上欄下から第２行〜右上欄下から第３行）
　
　以上の記載をまとめると、引用例２には、
　Ｃ）プラズマＣＶＤ装置において、ＣＶＤ処理の際に生成される膜の材質が「二酸化珪素」である場合に、金属製均熱板の周囲を包囲するカバーの材質を「炭化珪素」で構成し、チャンバーエッチングの際に使用されるガスの成分をＣＦ４ に限定することが記載されているものと認める。
　
３．対比
３−１．本件発明１について
　
（一致点・相違点）
　本件発明１と引用例１に記載された発明とを比較すると、引用例１には、Ａの部分で示した発明が記載されており、引用例１に記載された発明における「チャック２４」、「シャワーヘッド組立体５２」、「ＲＦチューナー（高周波及び低周波）」、「ＰＥＣＶＤ」、及び「クリーニング・プロセス」は、それぞれ、本件発明１における「基板側電極」、「対基板側電極」、「電源」、「ＣＶＤ処理」、及び「チャンバーエッチング」に相当するから、
　両者は、基板側の電極である基板側電極と、該基板側電極に対峙している対基板側電極と、電源とを有すると共に、ガスをプラズマ状態で用いて試料に対してエッチング及びＣＶＤ処理を行うためのプラズマ酸化膜処理装置において、チャンバーエッチング処理を効率よく行うためのプラズマ酸化膜処理方法であって、前記基板側電極を前記電源に接続して電源基板電極として用い、前記対基板側電極を接地して接地電極として用いるようにした、プラズマ酸化膜処理方法である点で一致し、
　ＣＶＤ処理の際に生成される膜と基板側電極の周辺部の材質、チャンバーエッチングを行なう際に使用されるガスの組み合わせについて、本件発明１は、ＣＶＤ処理の際に生成される膜の材質を「二酸化珪素」に、基板側電極の周辺部の材質を「炭化珪素」に、チャンバーエッチングを行なう際に使用されるガスの成分を「フロロカーボン系ガス」に限定されているのに対し、引用例１に記載された発明は、生成される膜すなわち堆積膜が、「二酸化珪素」、「窒化珪素」、「アモルファス珪素」のいずれかであり、チャンバーエッチングを行なうの際に使用されるガスも「アルゴンとＣＦ４、アルゴンとＮＦ３、アルゴンとＳＦ５の組み合わせなど」としており、さらに、チャック２４の周辺部、すなわち基板側電極の周辺部の材質については、何ら言及していない点で相違する。
　
（相違点の検討）
　次に、相違点について検討する。相違点に関して、引用例１のチの部分には、堆積膜、すなわちＣＶＤ処理の際に生成される膜が二酸化珪素膜である場合に、チャンバーエッチングを行なう際に使用されるガスとして、ＮＦ３を使用する例が記載されている。このことからみて、引用例１に記載された発明においては、ＣＶＤ処理の際に生成される膜とチャンバーエッチングを行なう際に使用されるガスの組み合わせについて、ＣＶＤ処理の際に生成される膜として、二酸化珪素、窒化珪素、アモルファス珪素のいずれかの中から１つを選択し、チャンバーエッチングを行なう際に使用されるガスとして、ＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ５のいずれかの中から１つを選択しうるものと認める。
　一方、引用例２には、Ｃの部分で示した発明が記載されており、引用例２に記載された発明における「カバーで包囲されている金属製均熱板の周囲」は、本件発明１における「基板側電極の周辺部」に相当するから、引用例２には、プラズマＣＶＤ装置において、ＣＶＤ処理の際に生成される膜の材質が「二酸化珪素」である場合に、基板側電極の周辺部の材質を「炭化珪素」で構成し、チャンバーエッチングを行なう際に使用されるガスの成分をＣＦ４ に限定することが記載されているものと認める。
　そして、引用例１及び２のものは、いずれも、プラズマＣＶＤ装置においてチャンバーエッチング処理によりＣＶＤ処理の際に生成される膜の除去を効率的に行うためのものであり、引用例１に記載された発明において、そのＣＶＤ処理の際に生成される膜の除去を更に効果的なものとするために、そのＣＶＤ処理の際に生成される膜の材質と、基板側電極の周辺部の材質と、チャンバーエッチングを行なう際に使用されるガスの成分の組み合わせとして、前記記載のものから、引用例２に記載された、二酸化珪素と、炭化珪素と、ＣＦ４の組合わせを採用して、本件発明１のようにすることは、当業者ならば容易になし得たものである。
　しかも、本件発明１の構成による格別顕著な作用効果は認められない。
　
（まとめ）
　以上のとおりであるから、本件発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
３−２．本件発明２について
　
（一致点・相違点）
  本件発明２は、本件発明１において、基板側電極又は対基板側電極のいずれか一方を電源に接続し且つ他方を接地する電源切換手段を有すると共に、ＣＶＤ処理の際には、前記基板側電極を接地して接地基板電極とし、チャンバーエッチングを行なう際には、前記基板側電極を前記電源に接続して電源基板電極とする点を新たな構成として付加したものであり、それ以外の構成については、本件発明１と何ら差異がないものと認める。
　
（相違点の検討）
　そこで、新たに付加された構成の部分について検討すると、引用例１には、Ｂの部分で示した発明が記載されており、引用例１に記載された発明における「ＲＦチューナー」、「チャック２４」、「シャワーヘッド組立体５２」、「スイッチ１３４、１１６」、「ＰＥＣＶＤ」及び「クリーニング・プロセス」は、それぞれ、本件発明２における「電源」、「基板側電極」、「対基板側電極」、「電源切換手段」、「ＣＶＤ処理」及び「チャンバーエッチング」に相当するから、引用例１に記載された発明も、基板側電極又は対基板側電極のいずれか一方を電源に接続し且つ他方を接地する電源切換手段を有すると共に、ＣＶＤ処理の際には、前記基板側電極を接地して接地基板電極とし、チャンバーエッチングを行なう際には、前記基板側電極を前記電源に接続して電源基板電極とするようにしたものであり、そうすると、新たに付加された構成の部分については、両者の間に、何ら差異が認められない。
　したがって、本件発明２と引用例１に記載された発明との相違点は、本件発明１と引用例１に記載された発明との相違点と一致しており、その相違点のようにすることは、本件発明１の場合と同じ理由により、当業者ならば容易になし得たものである。
　しかも、本件発明２の構成による格別顕著な作用効果は認められない。
　
（まとめ）
　以上のとおりであるから、本件発明２は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−３．本件発明３について
　
（一致点・相違点）
　本件発明３は、本件発明１において、第１及び第２の電源と、基板側電極に接続された第１の切換手段と、対基板側電極に接続された第２の切換手段とを有すると共に、ＣＶＤ処理の際には、前記第１の切換手段により前記基板側電極を接地して接地基板電極とし、且つ、前記第２の切換手段により前記対基板側電極を前記第２の電源に接続して電源電極とし、チャンバーエッチングを行なう際には、前記第１の切換手段により前記基板側電極を前記第１の電源に接続して、電源基板電極とし、且つ、前記第２の切換手段により前記対基板側電極を接地して接地電極とする点を新たな構成として付加したものであり、それ以外の構成については、本件発明１と何ら差異がないものと認める。
　
（相違点の検討）
　そこで、新たに付加された構成の部分について検討すると、引用例１には、Ｂの部分で示した発明が記載されており、引用例１に記載された発明における「ＲＦチューナー１０４」、「ＲＦチューナー１２２」、「チャック２４」、「シャワーヘッド組立体５２」、「スイッチ１３４」、「スイッチ１１６」、「ＰＥＣＶＤ」及び「クリーニング・プロセス」は、それぞれ、本件発明３における「第１の電源」、「第２の電源」、「基板側電極」、「対基板側電極」、「第１の切換手段」、「第２の切換手段」、「ＣＶＤ処理」及び「チャンバーエッチング」に相当するから、引用例１に記載された発明も、第１及び第２の電源と、基板側電極に接続された第１の切換手段と、対基板側電極に接続された第２の切換手段とを有すると共に、ＣＶＤ処理の際には、前記第１の切換手段により前記基板側電極を接地して接地基板電極とし、且つ、前記第２の切換手段により前記対基板側電極を前記第２の電源に接続して電源電極とし、チャンバーエッチングを行なう際には、前記第１の切換手段により前記基板側電極を前記第１の電源に接続して、電源基板電極とし、且つ、前記第２の切換手段により前記対基板側電極を接地して接地電極とするようにしたものであり、そうすると、新たに付加された構成の部分については、両者の間に、何ら差異が認められない。
　したがって、本件発明３と引用例１に記載された発明との相違点は、本件発明１と引用例１に記載された発明との相違点と一致しており、その相違点のようにすることは、本件発明１の場合と同じ理由により、当業者ならば容易になし得たものである。
　しかも、本件発明３の構成による格別顕著な作用効果は認められない。
　
（まとめ）
　以上のとおりであるから、本件発明３は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−４．本件発明４について
　
（一致点・相違点及び相違点の検討）
　本件発明４は、本件発明１乃至３において、対基板側電極の周辺部も炭化珪素から構成する点を新たな構成として付加したものであり、それ以外の構成については、本件発明１乃至３と何ら差異がないものと認める。
　そこで、新たに付加された構成の部分について検討すると、引用例２のヲの部分には、「金属製シャワー電極２２及び金属導体２６」を保持する「絶縁リング３０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で出来ていたが、これを炭化ケイ素に代えることもできる。」と記載されている。そして、引用例２に記載された発明における「絶縁リング」は、本件発明４における「対基板側電極の周辺部」に相当する。
　そうすると、引用例１に記載された発明において、そのＣＶＤ処理の際に生成される膜の除去を更に効果的なものとするために、そのＣＶＤ処理の際に生成される膜の材質と、基板側電極の周辺部の材質と、チャンバーエッチングを行なう際に使用されるガスの成分の組み合わせとして、引用例２に記載された二酸化珪素と、炭化珪素と、ＣＦ４の組合わせを採用する際に、基板側電極の周辺部だけでなく、対基板側電極の周辺部も炭化珪素で構成して、本件発明４のようにする程度のことは、当業者ならば容易になし得たものである。
　しかも、本件発明４の構成による格別顕著な作用効果は認められない。
　
（まとめ）
　以上のとおりであるから、本件発明４は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−５．本件発明５について
　
（一致点・相違点及び相違点の検討）
　本件発明５は、本件発明１乃至４において、高密度のプラズマを電子サイクロトロン共鳴により発生させて、該高密度のプラズマを用いて試料を処理する点を限定したものであるが、プラズマ酸化膜処理装置として、電子サイクロトロン共鳴によるものは、本願の出願前周知の構成であり（必要ならば、前審で既に引用されている、特開平４−１３１３７９号公報、特開平４−２１４８７３号公報を参照されたい。）、チャンバーエッチング処理を効率よく行なうことは、電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ酸化膜装置とそれ以外のプラズマ酸化膜処理装置の間において共通の課題であるから、プラズマ酸化膜装置を電子サイクロトロン共鳴によるものに限定する点に、何ら困難性は見いだせない。
　しかも、本件発明５の構成による格別顕著な作用効果は認められない。
　
（まとめ）
　したがって、本件発明５は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本件発明１乃至５は、いずれも、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。