【事件の表示】
　特願２０１０−８０７６２号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年７月　８日出願公開、特開２０１０−１５３９２２号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年２月４日（優先権主張平成１６年２月９日）を国際出願日とする特願２００５−５１７７４１号の一部を平成２２年３月３１日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年１１月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年２月３日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年４月９日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年６月２８日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年８月２９日付けで平成２４年６月２８日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年２月２７日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年５月８日付けで意見書が提出されたものである。
　
２．平成２４年１２月２０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１２月２０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）本件補正
　平成２４年１２月２０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲は、
「　【請求項１】
DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記マスクを設計、作製するステップは、縮小投影レンズの開口数が１以下の従来の縮小投影露光に用いるマスクの回路パターンデータを準備するステップと、
半導体ウエハ上に形成される回路パターンの形状を相似形に縮小させるように、準備した前記回路パターンデータのデータ変換処理によって、前記皮膜に形成するための回路パターンデータを作成することで、別の縮小投影レンズの開口数が１以上の別の縮小投影露光に対応し、形状が縮小された回路パターンを含むマスクを作製するステップであり、
前記フォトレジスト膜を露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記マスク、前記ウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジスト膜を露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体を透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】
DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記マスクを設計、作製するステップは、露光光の波長が193nmまたは157nmのいずれかであること、及び縮小投影レンズの開口数が１以上であること、を含む条件の縮小投影露光に対応したマスクの回路パターンの設計ルールを設定し、コンピュータ処理により回路パターンデータを作成し、作成した回路パターンデータを用いてマスクを作製するステップであり、
前記フォトレジスト膜を露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記マスク、前記ウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体を透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項５】
DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記マスクを設計、作製するステップは、露光光の波長が193nmまたは157nmのいずれかであること、及び縮小投影レンズの開口数が１以上であること、を含む条件の縮小投影露光に対応した上に、マスク透過光の位相を互いに反転する手段が設けられたマスクを設計、作製するステップ、
または露光光の波長が193nmまたは157nmのいずれかであること、及び縮小投影レンズの開口数が１以上であること、を含む条件の縮小投影露光に対応した上に、前記皮膜に形成される回路パターンの変形を見込んで、回路パターンの寸法または形状を補正する光近接効果補正がなされたマスクを設計、作製するステップの内、少なくとも一方のマスクを設計、作製するステップであり、
前記フォトレジスト膜を露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光の際に所定の厚さとなるようにした透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記マスク、前記ウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジスト膜を露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体を透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項７】
DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記マスクを設計、作製するステップは、被露光面とフォーカス合せのための校正用パターン、または転写パターンの結像位置合せのための校正用パターンの内の少なくとも一方の校正用パターンを含む回路パターンのマスクを設計、作製するステップであり、
　前記フォトレジスト膜を露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記校正用パターンの透過光を利用して、露光光が前記ウエハカバーを透過させることに起因する前記縮小投影露光装置の投影レンズのフォーカス位置ズレ、または光軸との直交面上の結像位置ズレの少なくとも一方を校正するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光により、前記フォトレジスト膜を露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体を透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項９】
DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記マスクを設計、作製するステップは、露光光の波長が193nmまたは157nmのいずれかであること、及び縮小投影レンズの開口数が１以上であること、を含む条件の縮小投影露光に対応し、前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
マスクの回路パターンの方向と周期に対応して所定の角度だけ傾けて前記マスクを照明することで、前記開口数が１以上の条件に対応した縮小投影レンズ、及び透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストに露光によって形成されるパターンがより鮮明にさせるように、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体を透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１１】
DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成し、前記皮膜の形成後に、前記皮膜表面に対して、化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップであり、
前記露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記平坦化により、前記縮小投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、開口数が１以上の条件に対応した縮小投影レンズ、及び透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、
マスクを準備するステップは、縮小投影レンズの開口数が１以下の従来の縮小投影露光に用いるマスクの回路パターンデータを利用した、回路パターンの形状が相似形に追加縮小させるデータ変換処理を含み、縮小投影レンズの開口数が１以上の縮小投影露光に対応した、前記皮膜に回路パターンを形成するための回路パターンデータを作成し、マスク上に形状が追加縮小された回路パターンを含むマスクを作製するステップと、を含むことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１３】
DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体集積回路装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体集積回路装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記回路パターンのマスクは、第１の回路パターンのマスクと、第２の回路パターンのマスクと、を含み、
前記第１の回路パターンのマスクを設計、作成するステップは、半導体ウエハ上に形成した半導体素子の電気的な接続用の絶縁膜、または金属膜を含む皮膜を加工するための回路パターンのマスクを設計、作成するステップであり、
前記第１の回路パターンのマスクを用いて露光するステップは、露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記ウエハカバーを透過した露光光により露光するステップであり、
前記第２の回路パターンのマスクを設計、作成するステップは、ドナーまたはアクセプタをドーピングすることにより半導体ウエハ上に半導体素子領域を形成するための回路パターンのマスクを設計、作成するステップであり、
前記第２の回路パターンのマスクを用いて露光するステップは、透明な液体からなるウエハカバーを前記半導体ウエハ上に設けない状態で半導体ウエハを第２の縮小投影露光装置の所定の箇所に配置し、前記ウエハカバーを透過しない露光光により露光するステップであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
　　【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１の回路パターンのマスクを設計、作成するステップは、マスク透過光またはマスクの半透明膜の透過光の位相が反転する手段を設けた位相シフトマスクである、または露光によって形成される回路パターンの変形を見込んでマスク上の回路パターンの寸法または形状を補正した光近接効果補正マスクであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。」
と補正された。
　
　また、本件補正により明細書の段落【００２２】は、
「　【００２２】
縮小投影光学システムでは、マスク上の一点から出た光がウエハ上のフォトレジスト面の一点に結像する。結像投影光学系においては、マスク面である物面とウエハ面である結像面とは、投影レンズを挟んで一対一に対応する。仮に、ウエハ面から光を照射するならば、光束は最短距離となる光路パスを逆に進み、マスク面の対応箇所に結像する。ウエハ面から光を照射するならば、光路パスを逆に進み、マスク面の対応箇所に結像するとは、前記した投影光学系の物面であるマスク面側の透明媒体が結像面であるウエハ面側の透明媒体になるということであり、前記マスク面側の透明媒体は、均一の厚さとした場合、単に設けただけでは解像度低下させ、逆に解像度向上させる透明媒体厚さの条件がある、と同じように、前記結像面側の透明媒体は、均一の厚さとした場合、単に設けただけでは解像度低下させ、逆に解像度向上させる透明媒体厚さの条件があるということである。
上記の検討から、本発明者は、マスクの回路パターン面でなく、ウエハ上のフォトレジスト面へウエハカバーを付加することで、縮小投影レンズを利用してフォトレジスト面へ露光するとパターン転写の解像度が向上することを見出した。」
と補正された。
　
（２）補正の却下の理由１（新規事項）
　本件補正により、本件補正前の請求項１、３、５、７、９、１１、１３では、「露光の際に所定の厚さとなるようにした透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上に設ける」であったのが、本件補正後には「露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設ける」となるとともに、明細書の段落【００２２】では、「仮に、ウエハ面から光を照射するならば、光束は最短距離となる光路パスを逆に進み、マスク面の対応箇所に結像する。」であったのが、本件補正後には「仮に、ウエハ面から光を照射するならば、光束は最短距離となる光路パスを逆に進み、マスク面の対応箇所に結像する。ウエハ面から光を照射するならば、光路パスを逆に進み、マスク面の対応箇所に結像するとは、前記した投影光学系の物面であるマスク面側の透明媒体が結像面であるウエハ面側の透明媒体になるということであり、前記マスク面側の透明媒体は、均一の厚さとした場合、単に設けただけでは解像度低下させ、逆に解像度向上させる透明媒体厚さの条件がある、と同じように、前記結像面側の透明媒体は、均一の厚さとした場合、単に設けただけでは解像度低下させ、逆に解像度向上させる透明媒体厚さの条件があるということである。」となった。
　しかし、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面には、ウエハカバーの厚さに関し「フォトレジスト面上に所定の厚さのウエハカバーを設けることで、転写パターンの解像度を向上させることができる」ことや「投影レンズの結像面側のレンズ端面からフォトレジスト面までの光路長に対し、ウエハカバーの厚さを増す程、転写パターンの解像度向上の大きい効果を得ることができる」（段落【００２４】参照）ことは記載されているものの、「均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たす」ことや、「均一の厚さとした場合、単に設けただけでは解像度低下させ、逆に解像度向上させる透明媒体厚さの条件がある」ことは記載されておらず、このような「均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たす」ことや、「均一の厚さとした場合、単に設けただけでは解像度低下させ、逆に解像度向上させる透明媒体厚さの条件がある」ことが願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載から自明な事項であるとも認められないから、本件補正は、願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（３）補正の却下の理由２（独立特許要件）
（ア）本願補正発明
　本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項７に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりのものである。
「DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記マスクを設計、作製するステップは、被露光面とフォーカス合せのための校正用パターン、または転写パターンの結像位置合せのための校正用パターンの内の少なくとも一方の校正用パターンを含む回路パターンのマスクを設計、作製するステップであり、
　前記フォトレジスト膜を露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記校正用パターンの透過光を利用して、露光光が前記ウエハカバーを透過させることに起因する前記縮小投影露光装置の投影レンズのフォーカス位置ズレ、または光軸との直交面上の結像位置ズレの少なくとも一方を校正するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光により、前記フォトレジスト膜を露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　本件補正は、本願補正発明を特定するために必要な事項である「露光の際に所定の厚さとなるようにした透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上に設ける」を、「露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設ける」と補正するものであるが、本件補正前には「透明な液体からなるウエハカバー」は「所定の厚さとなる」だけであったのが、「均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とを満たす」と単に所定の厚さとなるだけでなく均一厚さとする条件と、解像度が向上する透明媒体厚さの条件の２つの条件を満たすものに限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　そこで、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（イ）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−３０３１１４号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線部は後述する引用発明の認定と関連する箇所である。）
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
レチクル上に描画されたパターンを投影光学系によってウエハに焼付ける露光装置に関し、特に液浸型の露光装置に関する。
（ｂ）「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、すなわち、
レチクル上に描画されたパターンをウエハ上に焼付転写する
となるように形成したことを特徴とする液浸型露光装置であり、また、前記液体として、純水の表面張力を減少させ又は純水の界面活性度を増大させる添加剤を純水に添加したものを用いたことを特徴とする液浸型露光装置である。」
（ｃ）「【００１３】
レチクルＲは、走査露光時には大きなストロークで１次元方向に等速移動可能なレチクルステージ１６上に真空吸着（場合によっては静電吸着、機械締結）される。
【００１４】さて、
コンデンサーレンズ系１２とミラー１４から射出された矩形状のパルス照明光ＩＬがレチクルＲ上の回路パターン領域の一部を照射すると、その照明領域ＡＩ内に存在するパターンからの結像光束が１／４倍の縮小投影レンズ系ＰＬを通して、ウエハＷの表面に塗布された感応性のレジスト層に結像投影される。
【００１５】ところで、
ウエハＷはその裏面を吸着するホルダテーブルＷＨ上に保持される。このホルダテーブルＷＨの外周部全体には一定の高さで壁部ＬＢが設けられ、この壁部ＬＢの内側には液体ＬＱが所定の深さで満たされている。
ウエハＷは、ホルダテーブルＷＨの内底部の窪み部分に真空吸着される。
（ｄ）「【００２０】さて、本実施例では投影レンズ系ＰＬのワーキングディスタンスが小さく、
投影レンズＰＬの先端のレンズ素子とウエハＷとの間の２〜１ｍｍ程度の狭い間隔に液体ＬＱを満たす
（ｅ）「【００２４】なお、図１中のフォーカス・アライメントセンサーＦＡＤは投影レンズ系ＰＬの先端部周辺の１ケ所にだけしか設けられていないが、投影レンズ系ＰＬの先端部を挟んでＹ方向に２ケ所、Ｘ方向に２ケ所の計４ケ所に設けておくのがよい。また図１中のレチクルＲの上方には、
レチクルＲの周辺部に形成されたアライメント用のマークとウエハＷ上のアライメント用のマーク（又は基準マーク板上の基準マーク）とを投影レンズ系ＰＬを通して同時に検出して、レチクルＲとウエハＷとの位置ずれを高精度に計測するＴＴＲ（スルーザレチクル）方式のアライメントセンサー４５が設けられている。そしてこのＴＴＲアライメントセンサー４５からの位置ずれ計測信号は主制御器４０に送出され、レチクルステージ１６やＸＹステージ３４の位置決めに使われる。
（ｆ）「【００３０】ここで、本実施例による露光装置の特徴であるホルダテーブルＷＨ内の液体ＬＱの状態について、図３を参照して説明する。図３は投影レンズ系ＰＬの先端部からホルダテーブルＷＨまでの部分断面を表す。投影レンズ系ＰＬの鏡筒内の先端には、下面Ｐｅが平面で上面が凸面の正レンズ素子ＬＥ１が固定されている。このレンズ素子ＬＥ１の下面Ｐｅは、鏡筒金物の先端部の端面と同一面となるように加工（フラッシュサーフェス加工）されており、液体ＬＱの流れが乱れることを抑えている。さらに投影レンズ系ＰＬの鏡筒先端部で液体ＬＱ内に浸かる外周角部１１４は、例えば図３のように大きな曲率で面取り加工されており、液体ＬＱの流れに対する抵抗を小さくして不要な渦の発生や乱流を抑える。また、ホルダテーブルＷＨの内底部の中央には、ウエハＷの裏面を真空吸着する複数の突出した吸着面１１３が形成されてい。この吸着面１１３は、具体的には１ｍｍ程度の高さでウエハＷの径方向に所定のピッチで同心円状に形成された複数の輪帯状ランド部として作られる。そして各輪帯状ランド部の中央に刻設された溝の各々は、テーブルＷＨの内部で真空吸着用の真空源に接続される配管１１２につながっている。
【００３１】さて、本実施例では図３に示したように、
投影レンズ系ＰＬの先端のレンズ素子ＬＥ１の下面ＰｅとウエハＷ（又は補助プレート部ＨＲＳ）の表面とのベストフォーカス状態での間隔Ｌは、２〜１ｍｍ程度に設定される。
【００３２】ここで
本実施例で使う液体ＬＱは、入手が容易で取り扱いが簡単な純水を用いる。
　
　これらの記載事項を総合すると、引用例には、
「レチクル上に描画されたパターンを投影光学系によってウエハに焼付ける液浸型の露光方法であって、
　矩形状のパルス照明光ＩＬがレチクルＲ上の回路パターン領域の一部を照射すると、その照明領域ＡＩ内に存在するパターンからの結像光束が１／４倍の縮小投影レンズ系ＰＬを通して、ウエハＷの表面に塗布された感応性のレジスト層に結像投影されることでレチクル上に描画されたパターンをウエハ上に焼付転写するステップと、
　レチクルＲを、走査露光時には大きなストロークで１次元方向に等速移動可能なレチクルステージ１６上に真空吸着させるステップと、
　ウエハＷを、ホルダテーブルＷＨの内底部の窪み部分に真空吸着させるステップと、
　ウエハＷが保持されるホルダテーブルＷＨの外周部全体に一定の高さの壁部ＬＢを設け、この壁部ＬＢの内側は純水からなる液体ＬＱを所定の深さで満たし、また、投影レンズ系ＰＬの鏡筒内の先端に、下面Ｐｅが平面で上面が凸面の正レンズ素子ＬＥ１を固定し、投影レンズ系ＰＬの先端のレンズ素子ＬＥ１の下面ＰｅとウエハＷの表面とのベストフォーカス状態での間隔Ｌを、２〜１ｍｍ程度に設定するとともに投影レンズＰＬの先端のレンズ素子とウエハＷとの間の間隔に液体ＬＱを満たすステップと、
　レチクルＲの周辺部に形成されたアライメント用のマークとウエハＷ上のアライメント用のマークとを投影レンズ系ＰＬを通して同時に検出して、レチクルＲとウエハＷとの位置ずれをＴＴＲ（スルーザレチクル）方式のアライメントセンサー４５で計測し、このＴＴＲアライメントセンサー４５からの位置ずれ計測信号は主制御器４０に送出され、レチクルステージ１６やＸＹステージ３４の位置決めが行われる液浸型の露光方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（ウ）対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（ａ）引用発明の「レチクル上に描画されたパターンを投影光学系によってウエハに焼付ける液浸型の露光方法」は、半導体装置の製造に用いることができることは自明なことであるから、引用発明の「レチクル上に描画されたパターンを投影光学系によってウエハに焼付ける液浸型の露光方法」と、本願補正発明の「DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法」は「半導体装置を製造する方法」である点で共通している。
（ｂ)引用発明の「ウエハＷの表面に塗布された感応性のレジスト層」は、本願補正発明の「フォトレジスト膜」に相当する。また、引用発明のウエハ上にはレチクル上の回路パターンが焼き付け転写されるのであるから、感応性のレジスト層が塗布されるウエハＷの表面には、回路パターンとなる導電膜や絶縁膜が形成されていることは自明なことである。そうすると、引用発明は、本願補正発明の「半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップ」、「前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップ」及び「前記フォトレジスト膜を露光するステップ」に相当する発明特定事項を備えているといえる。
（ｃ）引用発明の「レチクルＲ」は、本願補正発明の「マスク」に相当する。また、引用発明の「レチクル上に描画された（回路）パターン」は、何らかの設計、作製するステップを有することは自明なことである。したがって、引用発明は、本願補正発明の「前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップ」に相当する発明特定事項を備えているといえる。
（ｄ）引用発明の「レチクルＲ」には「アライメント用のマーク」が周辺部に形成されており、このアライメント用のマークを検出してレチクルＲとウエハＷとの位置ずれを計測し、位置決めが行われるのであるから、引用発明の「レチクルＲの周辺部に形成されたアライメント用のマーク」は、本願補正発明の「転写パターンの結像位置合せのための校正用パターン」に相当する。そして、引用発明の「レチクルＲの周辺部に形成されたアライメント用のマーク」は、上記（ｃ）で述べたことを踏まえると「前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップ」において形成されることは自明なことである。そうすると、引用発明は、本願補正発明の「前記マスクを設計、作製するステップは、被露光面とフォーカス合せのための校正用パターン、または転写パターンの結像位置合せのための校正用パターンの内の少なくとも一方の校正用パターンを含む回路パターンのマスクを設計、作製するステップ」に相当する発明特定事項を備えているといえる。
　また、引用発明は本願補正発明の「前記校正用パターンの透過光を利用して、露光光が前記ウエハカバーを透過させることに起因する前記縮小投影露光装置の投影レンズのフォーカス位置ズレ、または光軸との直交面上の結像位置ズレの少なくとも一方を校正するステップ」に相当する発明特定事項を備えていることも明らかである。
（ｅ）引用発明の「レチクルＲを、走査露光時には大きなストロークで１次元方向に等速移動可能なレチクルステージ１６上に真空吸着させるステップ」は、本願補正発明の「前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップ」に相当する。
（ｆ）引用発明の「ウエハＷを、ホルダテーブルＷＨの内底部の窪み部分に真空吸着させるステップ」は、本願補正発明の「前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップ」に相当する。また、引用発明の「投影レンズＰＬの先端のレンズ素子とウエハＷとの間の間隔に」「満た」した「純水からなる液体ＬＱ」は、本願補正発明の「高屈折率の透明媒体からなるウエハカバー」に相当する。そして、引用発明の「ウエハＷの表面に塗布された感応性のレジスト層」への露光は、「純水からなる液体ＬＱ」を露光光が透過して行われることは自明なことであり、引用発明は「下面Ｐｅが平面」の「投影レンズ系ＰＬの先端のレンズ素子ＬＥ１の下面ＰｅとウエハＷの表面とのベストフォーカス状態での間隔Ｌを、２〜１ｍｍ程度に設定するとともに投影レンズＰＬの先端のレンズ素子とウエハＷとの間の間隔に液体ＬＱを満た」しているのであるから、投影レンズ系ＰＬの先端のレンズ素子ＬＥ１の下面ＰｅとウエハＷの表面との間の液体ＬＱは均一厚さとなっていることは明らかである。そうすると、引用発明は、本願補正発明の「均一厚さとする条件」を満たしているといえる。
　以上述べたことから、引用発明と本願補正発明は、「露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件を満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップ」を備えている点で共通しているといえる。
　また、引用発明は、本願補正発明の「透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光により、前記フォトレジスト膜を露光するステップ」に相当する発明特定事項を備えていることは明らかである。
（ｇ）引用発明が、本願補正発明の「露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成する」ことに相当する発明特定事項を備えていることは明らかである。
　
上記（ａ）〜（ｇ）に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、
「半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記マスクを設計、作製するステップは、被露光面とフォーカス合せのための校正用パターン、または転写パターンの結像位置合せのための校正用パターンの内の少なくとも一方の校正用パターンを含む回路パターンのマスクを設計、作製するステップであり、
　前記フォトレジスト膜を露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
露光光が高屈折率の透明媒体からなるウエハカバーを透過してフォトレジスト膜を露光可能とし、前記透明媒体が液体であって均一厚さとする条件を満たすウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記校正用パターンの透過光を利用して、露光光が前記ウエハカバーを透過させることに起因する前記縮小投影露光装置の投影レンズのフォーカス位置ズレ、または光軸との直交面上の結像位置ズレの少なくとも一方を校正するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光により、前記フォトレジスト膜を露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成する半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］本願補正発明では、製造する半導体装置が、DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置であるのに対し、引用発明では、製造する半導体装置がどのようなものであるか不明である点。
　
［相違点２］本願補正発明では、ウエハカバーが、解像度が向上する透明媒体厚さの条件を満たすのに対し、引用発明では、そのような条件を満たすか否かが不明である点。
　
　そこで上記相違点について検討する。
　まず、相違点１について検討する。
　液侵型の露光装置がＤＲＡＭなどの半導体装置の製造に用いられることは周知技術（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−１６８８６６号の【００１９】等参照）であり、引用発明を必要に応じてＤＲＡＭなどの半導体装置の製造に用いて、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項を得るようにすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　次に、相違点２について検討する。
　解像度が向上する透明媒体厚さの条件が本願の明細書の発明の詳細な説明には具体例が記載されておらず、また、通常液侵型の露光装置における解像度は用いられる投影レンズの開口数、露光波長等で決まるものと考えられるから、解像度が向上する透明媒体厚さの条件とはどのような条件のことであるのかが必ずしも明確ではないが、引用発明は「投影レンズ系ＰＬの先端のレンズ素子ＬＥ１の下面ＰｅとウエハＷの表面とのベストフォーカス状態での間隔Ｌを、２〜１ｍｍ程度に設定するとともに投影レンズＰＬの先端のレンズ素子とウエハＷとの間の間隔に液体ＬＱを満たす」のであるから、液体ＬＱの厚さに相当する「投影レンズ系ＰＬの先端のレンズ素子ＬＥ１の下面ＰｅとウエハＷの表面とのベストフォーカス状態での間隔Ｌ」を変化させるとベストフォーカス状態と比べてフォーカスが合っていない状態となることは自明なことであり、ベストフォーカス状態とフォーカスが合っていない状態では、ベストフォーカス状態の方が解像度が高いことも自明なことである。そうすると、引用発明の「投影レンズ系ＰＬの先端のレンズ素子ＬＥ１の下面ＰｅとウエハＷの表面とのベストフォーカス状態での間隔Ｌを、２〜１ｍｍ程度に設定するとともに投影レンズＰＬの先端のレンズ素子とウエハＷとの間の間隔に液体ＬＱを満たす」ことでベストフォーカス状態となる液体ＬＱの厚さとすることも解像度が向上する厚さの条件を満たしているものといえる。してみると、相違点２は実質的な相違点とはいえない。
　
　また、本願補正発明の効果についても、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（エ）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
　平成２４年１２月２０日付けの手続補正は前記のとおり却下され、平成２４年６月２８日付けの手続補正は平成２４年８月２９日付けで却下されているので、本願の特許請求の範囲の請求項７に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成２４年２月３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項７に記載された以下のとおりのものである。
　
「DRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または同一基板上に設けたDRAM、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサを含む半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜を含む皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記フォトレジスト膜を露光するステップと、を含み、
前記マスクを設計、作製するステップは、被露光面とフォーカス合せのための校正用パターン、または転写パターンの結像位置合せのための校正用パターンの内の少なくとも一方の校正用パターンを含む回路パターンのマスクを設計、作製するステップであり、
　前記フォトレジスト膜を露光するステップは、前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記半導体ウエハ上への回路パターンの形成は、露光の際に所定の厚さとなるようにした透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上に設けると共に、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記校正用パターンの透過光を利用して、露光光が前記ウエハカバーを透過させることに起因する前記縮小投影露光装置の投影レンズのフォーカス位置ズレ、または光軸との直交面上の結像位置ズレの少なくとも一方を校正するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光により、前記フォトレジスト膜を露光するステップであり、
露光後前記ウエハカバーを除去し、フォトレジスト膜を現像することによって半導体ウエハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、前記「２．」「（３）」「（イ）」に記載したとおりである。
　　
５．対比・判断
　本願発明は、前記「２．」「（３）」「（ア）」で検討した本願補正発明の限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．」「（３）」「（ウ）」に記載したとおり、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。