【事件の表示】
　特願２０１２−１３６７４１「元素内包フラーレントムソン素子」拒絶査定不服審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２４年６月１８日の出願であって、平成２４年７月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１４日に意見書及び手続補正書が提出され、同年８月２７日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対して、同年１１月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、手続補正書が提出され、平成２５年２月１３日付けで審尋がなされ、前記審尋に対する回答書は提出されなかったが、同年４月１１日に意見書が提出された。
　その後、当審において、同年７月１日付けで、平成２４年１１月２６日に提出された手続補正書による補正の却下がなされるとともに、拒絶理由が通知され、同年８月３０日に意見書及び手続補正書が提出され、同年９月２０日に、同年８月３０日に提出された手続補正書を補正の対象とする手続補正書が提出された。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２５年９月２０日に提出された手続補正書によって補正された平成２５年８月３０日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであって、請求項１〜３に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」〜「本願発明３」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
中空の炭素ケージ内に金属原子がトラップされた元素内包フラーレントムソン素子おいて、該金属原子がｎ型半導体とｐ型半導体からなる元素内包フラーレントムソン素子に直流電圧が印加されてなることを特徴とする元素内包フラーレントムソン素子。
【請求項２】
元素内包フラーレントムソン素子のｎ型半導体の発熱部にもう一つの元素内包フラーレントムソン素子のｐ型半導体の発熱部が接続されたことを特徴とする請求項１記載の元素内包フラーレントムソン素子。
【請求項３】
元素内包フラーレントムソン素子のｐ型半導体の吸熱部にもう一つの元素内包フラーレントムソン素子のｎ型半導体の吸熱部が接続されたことを特徴とする請求項１記載の元素内包フラーレントムソン素子。」
　
３　当審の拒絶理由
　当審において平成２５年７月１日付けで通知した拒絶理由の要点は、平成２４年８月１４日付けでした手続補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず（以下「理由Ｉ」という。）、本件出願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず（以下「理由ＩＩ」という。）、また、本件出願は、発明の詳細な説明の記載（合議体注：「特許請求の範囲の記載」の誤記でした。）が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない（以下「理由ＩＩＩ」という。）、というものである。
　上記の理由Ｉ〜ＩＩＩの詳細は以下のとおりである。
　
３−１　新規事項追加禁止の要件違反（理由Ｉ）について
３−１−１　新規事項の追加であると判断された補正事項のうち主要なもの
　平成２４年８月１４日付けでした手続補正による補正（以下「本件補正１」という。）は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）について補正するものであり、本件補正１が補正事項ａ〜補正事項ｍを含むものであるところ、これら補正事項のうち、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであると判断された補正事項ａ，ｄ，ｍを除くと、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではないと判断された補正事項（即ち、新規事項の追加であると判断された補正事項）は、補正事項ｂ，ｃ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌであり、このうちの主要なものを挙げると次のとおりである。
　
　ア　補正事項ｂ 
　本件補正１前の請求項１の「金属原子」、段落【００１４】の「金属（半導体）内包フラーレン」を、それぞれ本件補正１後の請求項１の「半金属原子」、段落【００１４】の「半金属（半導体）内包フラーレン」とする。 
 　 
　イ　補正事項ｅ 
　本件補正１前の請求項１〜３と段落【００１１】〜【００１５】に記載された「ｎ型半導体」、「ｐ型半導体」を、それぞれ本件補正１後の請求項１〜３と段落【００１１】〜【００１５】に記載された「電子過剰半金属原子」、「電子欠損半金属原子」とする。 
 　 
　ウ　補正事項ｆ 
 　本件補正１前の段落【０００１】及び【０００６】に記載された「一つの原子として振る舞う」を、本件補正１後の段落【０００１】に記載された「一つの原子（super-atom：１個の半金属内包フラーレンの中にヘテロ接合を形成する自己組織化機能を有する超原子）として振る舞う」及び【０００６】に記載された「一つの原子（super-atom：１個の半金属内包フラーレンの中にヘテロ接合を形成した超原子）として振る舞う」とする。 
　
　エ　補正事項ｈ 
　本件補正１前の段落【００１４】に記載された「元素内包フラーレン１００は、籠の中、すなわちフラーレン殻の内部の半導体Ｇｅ原子１０１の二つ結合腕の一つと水素原子１０２が結合した構造をとることで電子が１個不足し、Ｇｅ原子１０１はｐ型半導体となる。Ｇｅ原子１０３には三つの結合腕に三つの水素原子１０４、１０５、１０６が結合している。負の電荷を持つ電子を１個多く持つので電子が余り、自由電子が増えｎ型半導体となる。」を、本件補正１後の段落【００１４】に記載された「元素内包フラーレン１００は、籠の中、すなわちフラーレン殻の内部の半導体Ｇｅ原子１０１の四つ結合腕に水素原子１０２、１０３、１０４、１０５が結合し、その一つの水素原子１０５と水素原子１０６が結合した構造をとることで電子が１個過剰となり、Ｇｅ原子１０１は電子過剰半金属原子となる。Ｇｅ原子１０７には三つの結合腕に三つの水素原子１０８、１０９、１１０が結合している。負の電荷を持つ電子が１個不足するので、電子が少ない電子欠損半金属原子となる。」とする。 
 　 
　オ　補正事項ｉ 
　本件補正１前の段落【００１４】に記載された「第一原理分子動力学法によるシミュレーションで元素内包フラーレン１００にＤＣ電圧１０７として５ｍＶを印加した時」を、本件補正１後の段落【００１４】に記載された「第一原理分子動力学法によるシミュレーションで元素内包フラーレン１００の半金属内包フラーレントムソン素子に１０ｎｍ以下離してナノプローブでＤＣ電源１１１として５ｍＶを印加した時」とする。 
 　 
　カ　補正事項ｊ 
　本件補正１前の段落【００１５】に記載された「この元素内包フラーレン２０１と元素内包フラーレン２０２にＤＣ電圧２０３、２０４を印加すると、元素内包フラーレン２０１は吸熱部、元素内包フラーレン２０２は発熱部となる。」を、本件補正１後の段落【００１５】に記載された「この元素内包フラーレン２０１と元素内包フラーレン２０２の半金属内包フラーレントムソン素子に１０ｎｍ以下離してナノプローブでＤＣ電源２０３、２０４を印加すると、元素内包フラーレン２０１の吸熱部は２０５、発熱部は２０６、元素内包フラーレン２０２は発熱部２０７、吸熱部は２０８となる。」とする。 
 　 
　キ　補正事項ｋ 
　本件補正１前の段落【００１５】に記載された「元素内包フラーレン２０１の最殻フラーレンと３個の水素原子が結合したＧｅ原子（ｎ型半導体）と最殻フラーレンからなる元素内包フラーレントムソン素子２０１と元素内包フラーレン２０２にＤＣ電圧２０３、２０４を各々５ｍＶ印加すると」を、本件補正１後の段落【００１５】に記載された「元素内包フラーレン２０１の最殻フラーレンと、四個の水素原子が結合したＧｅ原子（電子過剰半金属原子）の一つの水素原子に水素原子を結合させたＨ−Ｈ結合と、Ｇｅ原子（電子欠損半金属原子）には三つの結合腕に三つの水素原子が結合して、この元素内包フラーレン内でｐｎ接合状態が実現される。元素内包フラーレントムソン素子２０１と元素内包フラーレントムソン素子２０２にＤＣ電圧２０３、２０４を各々５ｍＶ印加すると」とする。
　 
３−１−２　補正事項が新規事項の追加の補正にあたると判断された理由 
　上記３−１−１に記載した補正事項ｂ，ｅ，ｆ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋについて、新規事項の追加の補正にあたると判断された理由は以下のとおりである。
　
　ア　補正事項ｂについて 
　当初明細書等には、本件補正１前の「金属原子」及び「金属（半導体）」が、それぞれ「半金属原子」及び「半金属（半導体）」であることは、記載されていない。 
　そして、本件補正１前の請求項１の「金属原子」や段落【００１４】の「金属（半導体）内包フラーレン」における「金属原子」または「金属」とは、実施例１を説明した段落【００１４】に記載されているように、「Ｇｅ原子」と「Ｓｉ原子」を含むものであって、「電子が１個不足し、Ｇｅ原子１０１はｐ型半導体とな」ったり、「自由電子が増えｎ型半導体とな」ったり、「リンやホウ素をイオン打ち込みを行」なうことによって「ｎ型半導体やｐ型半導体」となる特徴を有するものである。 
　一方、請求人が平成２４年８月１４日に提出した意見書において、「半金属元素」の意味を岩波理化学辞典から、下記のとおり、引用するとともに、本件補正１前の「金属元素」とは「半金属元素」のことであると説明している。岩波理化学辞典の上記説明によれば「半金属元素」はケイ素やゲルマニウムを含むものではあるが、「半金属元素」にはその他にも例えばホウ素やテルルも含むものと説明されており、これらホウ素やテルルが本件補正前の「金属原子」または「金属（半導体）」に含まれる元素であることが、上記特徴に関する記載やその他の当初明細書等の記載を参照しても、自明な事項であるということはできない。
　
　岩波理化学辞典（第５版、第３６１頁より引用）
　「半金属元素」　類金属元素，メタロイドともいう。元素の分類上，非金属元素ではあるが，金属元素の傾向を示すものを指す。単体の変態の中に金属性を示すものがある。ハロゲン元素や酸素など電気陰性度の大きい元素と化合物をつくるときは極性の大きいものが多く，しかも自身が陽性成分となるなどの特色がある。周期表上で金属元素との境界付近の元素がこれに当る。ホウ素，ケイ素，ゲルマニウム，ヒ素，アンチモン，セレン，テルルなど。
　
　また、「半導体用語辞典」（発行所：日刊工業新聞社、１９９９年３月２０日発行）によれば、「半金属」について、「注目する性質によって定義範囲が異なる」と説明されていることから、「半金属」に含まれる元素の範囲が必ずしも明確ではないと言えるので、本件補正前の「金属元素」（合議体注：「金属原子」の誤記でした。）または「金属」が、本件補正後の「半金属元素」（合議体注：「半金属原子」の誤記でした。）のことであるということはできない。 
　以上から、本件補正前の「金属原子」または「金属」が、「半金属」であることは、当初明細書等に記載された事項ではなく、また、当初明細書等の記載から自明な事項であるともいえない。 
　したがって、補正事項ｂについての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。 
　よって、補正事項ｂは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　イ　補正事項ｅについて 
　当初明細書等には、「ｎ型半導体」、「ｐ型半導体」がそれぞれ「電子過剰半金属原子」、「電子欠損半金属原子」であることは記載されていない。
　また、「半導体」と「半金属」は異なる概念であり、それぞれに属する具体的な元素も同じものであるとはいえないから、本件補正１前の「ｎ型半導体」、「ｐ型半導体」をそれぞれ本件補正１後の「電子過剰半金属原子」、「電子欠損半金属原子」とすることは、当初明細書等の記載から自明な事項であるともいえない。 
　以上から、本件補正１前の「ｎ型半導体」、「ｐ型半導体」が、本件補正後の「電子過剰半金属原子」、「電子欠損半金属原子」であることは、当初明細書等に記載された事項ではなく、また、当初明細書等の記載から自明な事項であるともいえない。 
　したがって、補正事項ｅについての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。 
　よって、補正事項ｅは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　ウ　補正事項ｆについて 
　当初明細書等の段落【０００１】には「本発明は、金属内包フラーレンにより太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得できる一つの原子として振る舞う元素内包フラーレントムソン素子から構成される。」と、段落【０００６】には「Ｃ６０は、炭素原子を頂点にもつ５角形１２個と６角形２０個からなる「切頭十二面体」で、直径１０Åのサッカーボール型分子である。Ｃ６０は、ほぼ球形なのでその結晶は最密構造と呼ばれる構造を組む。最密構造は単体金属結晶の場合によく見られるが、この事実は、一つのフラーレンがまさに一つの原子として振る舞うことを示している。」と記載されているが、上記「一つの原子として振る舞う」「金属内包フラーレントムソン素子」が「１個の半金属内包フラーレンの中にヘテロ接合を形成する自己組織化機能を有する超原子」であることについて、当初明細書等には記載も示唆もされておらず、出願時において周知の技術事項であるとも認められない。 
　したがって、補正事項ｆについての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。 
　よって、補正事項ｆは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　エ　補正事項ｈについて
　本件補正１前の段落【００１４】の記載「元素内包フラーレン１００は、籠の中、すなわちフラーレン殻の内部の半導体Ｇｅ原子１０１の二つ結合腕の一つと水素原子１０２が結合した構造をとることで電子が１個不足し、Ｇｅ原子１０１はｐ型半導体となる。Ｇｅ原子１０３には三つの結合腕に三つの水素原子１０４、１０５、１０６が結合している。負の電荷を持つ電子を１個多く持つので電子が余り、自由電子が増えｎ型半導体となる。」によれば、元素内包フラーレン１００には、Ｇｅ原子に一つの水素原子が結合してｐ型半導体となったＧｅ原子（以下「ＧｅＨ＋」という。）と、Ｇｅ原子に三つの水素原子が結合してｎ型半導体となったＧｅ原子（以下「ＧｅＨ３−」という。）からなる二つの原子が含まれることが記載されている。 
　そして、本件補正１後の段落【００１４】は「元素内包フラーレン１００は、籠の中、すなわちフラーレン殻の内部の半導体Ｇｅ原子１０１の四つ結合腕に水素原子１０２、１０３、１０４、１０５が結合し、その一つの水素原子１０５と水素原子１０６が結合した構造をとることで電子が１個過剰となり、Ｇｅ原子１０１は電子過剰半金属原子となる。Ｇｅ原子１０７には三つの結合腕に三つの水素原子１０８、１０９、１１０が結合している。負の電荷を持つ電子が１個不足するので、電子が少ない電子欠損半金属原子となる。」と補正されたので、元素内包フラーレン１００は、Ｇｅ原子に五つの水素原子が結合して電子過剰半金属原子となったＧｅ原子（以下「ＧｅＨ５−」という。）と、Ｇｅ原子に三つの水素原子が結合して電子欠損半金属原子となったＧｅ原子（以下「ＧｅＨ３＋」という。）からなる二つの原子を含むものとなった。 
　しかしながら、当初明細書等には、元素内包フラーレン１００に含まれる二つの原子が、「ＧｅＨ＋」及び「ＧｅＨ３−」ではなく、「ＧｅＨ３＋」及び「ＧｅＨ５−」であることについて、記載も示唆もされておらず、出願時において周知の技術事項であるということもできない。 
　したがって、補正事項ｈについての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。 
　よって、補正事項ｈは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
 　 
　オ　補正事項ｉについて
　本件補正１前の段落【００１４】に記載された「第一原理分子動力学法によるシミュレーションで元素内包フラーレン１００にＤＣ電圧１０７として５ｍＶを印加した時、ナノ接合トムソン素子に流れる電流は２ｎＡであった。」によれば、元素内包フラーレンへのＤＣ電圧の印加はシミュレーションとして行われたと記載されているのみであり、元素内包フラーレンにＤＣ電圧を印加する方法については全く記載されていない。 
　したがって、本件補正１後の段落【００１４】に記載された「第一原理分子動力学法によるシミュレーションで元素内包フラーレン１００の半金属内包フラーレントムソン素子に１０ｎｍ以下離してナノプローブでＤＣ電源１１１として５ｍＶを印加した時、ナノ接合トムソン素子に流れる電流は２ｎＡであった。」の下線部については、当初明細書等には記載も示唆もされていない。 
　また、平成２４年７月１０日付けの拒絶理由通知書において引用例３として引用された”Shannon K. Yee, 外3名，Thermoelectricity in Fullerene-Metal Heterojunctions，Nano Letters，2011年9月1日，Vol. 11，p. 4089-4094”に、Ｍｅｔａｌ ＳＴＭ Ｔｉｐによってフラーレン分子に電圧を印加することが記載されているように、ナノプローブでフラーレン分子にＤＣ電圧を印加することが周知の技術事項であったとしても、「第一原理分子動力学法によるシミュレーション」において「ナノプローブでＤＣ電源」「を印加」することが周知の技術事項であるとは認められない。 
　したがって、補正事項ｉについての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、補正事項ｉは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
  　 
　カ　補正事項ｊについて
　本件補正１前の段落【００１５】に記載された「この元素内包フラーレン２０１と元素内包フラーレン２０２にＤＣ電圧２０３、２０４を印加すると、元素内包フラーレン２０１は吸熱部、元素内包フラーレン２０２は発熱部となる。」によれば、２つの元素内包フラーレン２０１，２０２は、それぞれ吸熱部と発熱部になると記載されており、本件補正１前の図２も参照すると、吸熱部となるフラーレン２０１と、発熱部となるフラーレン２０２が接続されている。 
　一方、本件補正１後の段落【００１５】に記載された「この元素内包フラーレン２０１と元素内包フラーレン２０２の半金属内包フラーレントムソン素子に１０ｎｍ以下離してナノプローブでＤＣ電源２０３、２０４を印加すると、元素内包フラーレン２０１の吸熱部は２０５、発熱部は２０６、元素内包フラーレン２０２は発熱部２０７、吸熱部は２０８となる。」によれば、２つの元素内包フラーレン２０１と２０２はいずれも吸熱部と発熱部の両者を備えており、本件補正後の図２も参照すると、フラーレン２０１の発熱部２０６と、フラーレン２０２の発熱部２０７が接続されている。 
　つまり、本件補正１前と本件補正１後には、実施例２について、全く異なる内容の発明が記載されており、しかも、平成２４年８月１４日付けの意見書において、その補正の根拠は何ら説明されていないものではあるが、実施例１についての出願当初の段落【００１４】の記載によれば、元素内包フラーレンの両端部に吸熱部と発熱部が生じているのであるから、実施例１の上記記載に照らしてみると、本件補正１前の実施例２の接続に関する上記記載は実施例１の内容と明らかに矛盾しており、本件補正１後の実施例２の接続に関する上記記載であれば実施例１の上記記載と矛盾がなくなる。 
　また、本件補正前の段落【００１５】には「また、ｎ型半導体原子からなる元素内包フラーレントムソン素子の吸熱部にｐ型半導体原子からなる元素内包フラーレントムソン素子の吸熱部が接触した場合、発熱システムとして動作する。」と、２つの元素内包フラーレントムソン素子の吸熱部同士を接続させることにより発熱システムとして動作させることが記載されており、通電方向を逆にした場合には吸熱部と発熱部が反転することを考慮すると、２つの元素内包フラーレンがいずれも吸熱部と発熱部の両者を備えており、発熱部同士を接続することは、誤記の訂正を目的とする補正に該当している。 
　したがって、補正事項ｊのうち、２つの元素内包フラーレントムソン素子がいずれも吸熱部と発熱部の両者を備えており、発熱部同士を接続することついては、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるということができる。 
　しかしながら、補正事項ｊのうち、「この元素内包フラーレン２０１と元素内包フラーレン２０２の半金属内包フラーレントムソン素子に１０ｎｍ以下離してナノプローブでＤＣ電源２０３、２０４を印加する」ことを追加した点については、上記オで検討したと同様の理由により、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　したがって、補正事項ｊは、全体としてみると、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、補正事項ｊは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　キ　補正事項ｋについて
　上記エの補正事項ｈについての検討において記載した理由と同様の理由により、補正事項ｋについての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。 
　よって、補正事項ｋは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
３−２　実施可能要件違反及び委任省令要件違反（理由ＩＩ）について
３−２−１　請求項１に係る発明において、素子の両端部に吸熱部と発熱部を生じる点についての実現性について
　請求項１に係る発明は、実施例１として記載された発明に相当するものであると認められるところ、実施例１について記載された段落【００１４】には「第一原理分子動力学法によるシミュレーションで元素内包フラーレン１００の半金属内包フラーレントムソン素子に１０ｎｍ以下離してナノプローブでＤＣ電源１１１として５ｍＶを印加した時、ナノ接合トムソン素子に流れる電流は２ｎＡであった。元素内包フラーレン１００の両端部には、温度差１０℃の吸熱部と発熱部が生じている。」と記載されているが、以下の考察から、本願発明の元素内包フラーレン１００に直流電圧を印加しても、その両端部に吸熱部と発熱部が生じる点について実現性が疑わしいと考えられる。 
　実施例１として開示された元素内包フラーレン１００は、本願の図１を参照すると、その上半分の殻内（以下「北半球」という。）には、ｐ型半導体となったＧｅ原子（「ＧｅＨ＋」）が配置されており、その下半分の殻内（以下「南半球」という。）には、ｎ型半導体となったＧｅ原子（「ＧｅＨ３−」）が配置されており、上端部（以下「北極」という。）に正電位が印加され、下端部（以下「南極」という。）に負電位が印加されているものである。 
　このような、ｐ型半導体とｎ型半導体が直列に接続された素子は、ダイオードと言われる素子と同じ構成を有しているものと認められ、ダイオードは直流電圧を印加しても特に吸熱することはないから、本願発明においても吸熱部が生じることはないものと思われる。
　また、ｐ型半導体とｎ型半導体が金属を介して直列に接続された素子は、ペルチェ素子として知られている。このようなペルチェ素子のｐ型半導体端部に正電位を印加し、ｎ型半導体端部に負電位を印加すると、ｐ型半導体とｎ型半導体のいずれにおいても、半導体への多数キャリアの注入側が吸熱部となり、半導体からの多数キャリアの放出側が発熱部となるから、素子の両端部が吸熱部となり、素子の中心部が発熱部となる。 
　そこで、仮に、実施例１の元素内包フラーレン１００が、上記ペルチェ素子と同様に機能するものとすれば、南極と北極が吸熱部となり、赤道にあたる部分が発熱部となるものと考えられる。 
　したがって、請求項１に係る発明の元素内包フラーレントムソン素子の両端部に吸熱部と発熱部が生じる点について、実施可能な程度に明確かつ十分に記載されているものとは認められない。 
　
３−２−２　請求項２、３に係る発明が冷却システムや発熱システムとして機能する点について
　請求項１についての上記３−２−１で検討したとおり、請求項１に係る発明の元素内包フラーレントムソン素子に関して、その両端部に吸熱部と発熱部が生じる点について、実施可能性が極めて疑わしいから、そのような素子の発熱部同士（請求項２）または吸熱部同士（請求項３）を接続したとしても、実施例２として記載された冷却システムや発熱システムとして機能することはないものと考えられる。 
　したがって、請求項２、３に係る発明の元素内包フラーレントムソン素子に関して、冷却システムや発熱システムとなる点について、実施可能な程度に明確かつ十分に記載されているものとは認められない。 
　
３−２−３　請求項２、３に係る発明の製造方法が不明である点について
　実施例２として、２つの元素内包フラーレンの吸熱部同士を接続することが記載されているが、元素内包フラーレンの吸熱部同士を接続するための具体的製造方法が何ら記載されていない。 
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項２、３に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。 
　
３−２−４　請求項１〜３に係る発明について、発明の課題が解決されていない点について
　本願明細書の段落【００１２】に発明の効果として、「本願発明の元素内包フラーレントムソン素子は、半導体技術により大面積に渡って元素内包フラーレントムソン素子を集積形成できることから、太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得でき、その工業的価値は極めて高い。」と記載されているが、本願明細書には実施例として、「ＤＣ電圧を印加」することにより「吸熱及び発熱を発現させるようにした熱電変換システム」である「元素内包フラーレントムソン素子」が記載されているのみであって、熱（温度差）をエネルギーに変換する素子や、そのような素子を大面積に渡って集積形成することについて、具体的な装置の構成や製造方法等が一切記載されていない。
　ここで「太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得する」ということは、本願発明の効果であると同時に、課題にあたるものであるから、発明の詳細な説明には、発明が解決しようとする課題とその解決手段との関係が当業者に理解可能な程度に記載されていない。 
　したがって、発明の詳細な説明が、特許法第３６条第４項第１号の規定による委任省令で定めるところにより記載されたものではない。 
　
３−３　特許請求の範囲の不明りょうな記載（理由ＩＩＩ）について
３−３−１　「トムソン素子」なる文言の意味について
　一般にトムソン効果とは、温度勾配がある物質に電流を流すと、ジュール熱の発生以外に、温度勾配と電流に比例した熱の発生または吸収が起こる現象を言う。 
　一方、本願の請求項１〜３には「元素内包フラーレントムソン素子」と記載され、トムソン素子とはトムソン効果を利用した素子を意味するものと認められるから、本願発明の「元素内包フラーレントムソン素子」は、温度勾配の下で動作させることを意味するものと認められる。 
　しかしながら、発明の詳細な説明には、元素内包フラーレンに直流電圧を印加して動作させることについて記載されているが、温度勾配を与えて動作させる点については記載されていない。 
　したがって、請求項１〜３に記載された「トムソン素子」なる文言によって、どのような特徴を特定しようとしているのか不明である。 
　
４　当審の拒絶理由に対する請求人の主張及び対応
　請求人は、当審において平成２５年７月１日付けで通知した拒絶理由（理由Ｉ〜理由ＩＩＩ）に対して、平成２５年８月３０日に提出した意見書と、平成２５年９月２０日に提出した手続補正書によって補正された平成２５年８月３０日に提出した手続補正書による補正（以下「本件補正２」という。）によって、以下のように主張及び対応している。
　
４−１　新規事項追加禁止の要件違反（理由Ｉ）に対する請求人の主張及び対応
　請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書の［理由Ｉについて］において、上記３−１で指摘した点について、表にまとめた形式で、補正事項ｂ，ｃ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌについて、「補正事項を削除します。」と説明するとともに、平成２５年８月３０日に提出した手続補正書において、上記補正事項のうち、上記３−１において主要なものとした補正事項については、以下のとおり対応している。
　
　ア　補正事項ｂについての対応
　本件補正２前の請求項１に記載された「半金属原子」を、本件補正２後の請求項２の「金属原子」に補正しているが、本件補正２前の段落【００１４】の「半金属（半導体）内包フラーレン」については、何ら補正していない。
　
　イ　補正事項ｅについての対応
　本件補正２前の請求項１〜３と段落【００１１】〜【００１２】に記載された「電子過剰半金属原子」及び「電子欠損半金属原子」を、それぞれ、本件補正２後の請求項１〜３と段落【００１１】〜【００１２】の「ｎ型半導体」及び「ｐ型半導体」に補正しているが、本件補正２前の段落【００１３】〜【００１５】の「電子過剰半金属原子」及び「電子欠損半金属原子」については、何ら補正していない。
　
　ウ　補正事項ｆについての対応
　本件補正２前の段落【０００１】に記載された「一つの原子（super-atom：１個の半金属内包フラーレンの中にヘテロ接合を形成する自己組織化機能を有する超原子）として振る舞う」及び【０００６】に記載された「一つの原子（super-atom：１個の半金属内包フラーレンの中にヘテロ接合を形成した超原子）として振る舞う」については、何ら補正していない。
　
　エ　補正事項ｈについての対応
　本件補正２前の段落【００１４】に記載された「元素内包フラーレン１００は、籠の中、すなわちフラーレン殻の内部の半導体Ｇｅ原子１０１の四つ結合腕に水素原子１０２、１０３、１０４、１０５が結合し、その一つの水素原子１０５と水素原子１０６が結合した構造をとることで電子が１個過剰となり、Ｇｅ原子１０１は電子過剰半金属原子となる。Ｇｅ原子１０７には三つの結合腕に三つの水素原子１０８、１０９、１１０が結合している。負の電荷を持つ電子が１個不足するので、電子が少ない電子欠損半金属原子となる。」については、何ら補正していない。
　
　オ　補正事項ｉについての対応
　本件補正２前の段落【００１４】に記載された「第一原理分子動力学法によるシミュレーションで元素内包フラーレン１００の半金属内包フラーレントムソン素子に１０ｎｍ以下離してナノプローブでＤＣ電源１１１として５ｍＶを印加した時」については、何ら補正していない。
　
　カ　補正事項ｊについての対応
　本件補正２前の段落【００１５】に記載された「この元素内包フラーレン２０１と元素内包フラーレン２０２の半金属内包フラーレントムソン素子に１０ｎｍ以下離してナノプローブでＤＣ電源２０３、２０４を印加すると、元素内包フラーレン２０１の吸熱部は２０５、発熱部は２０６、元素内包フラーレン２０２は発熱部２０７、吸熱部は２０８となる。」については、何ら補正していない。
　
　キ　補正事項ｋについての対応
　本件補正２前の段落【００１５】に記載された「元素内包フラーレン２０１の最殻フラーレンと、四個の水素原子が結合したＧｅ原子（電子過剰半金属原子）の一つの水素原子に水素原子を結合させたＨ−Ｈ結合と、Ｇｅ原子（電子欠損半金属原子）には三つの結合腕に三つの水素原子が結合して、この元素内包フラーレン内でｐｎ接合状態が実現される。元素内包フラーレントムソン素子２０１と元素内包フラーレントムソン素子２０２にＤＣ電圧２０３、２０４を各々５ｍＶ印加すると」については、何ら補正していない。
　
４−２　実施可能要件違反（理由ＩＩ）に対する請求人の主張及び対応
４−２−１　請求項１に係る発明において、素子の両端部に吸熱部と発熱部を生じる点についての実現性について
　請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書の［理由ＩＩについて］の「・請求項：１の備考２−１に対する意見」において、上記３−２−１で指摘した点について、参考文献２（Ｈｅｎｒｙ　Ｅ．Ｄｕｃｋ　ｗｏｒｔｈ，“Ｅｌｅｃｔｒｉｃｉｔｙ　＆　Ｍａｇｎｅｔｉｓｍ”，Ｈｏｌｔ，Ｒｉｎｅｈａｒｔ　ａｎｄ　Ｗｉｎｓｔｏｎ，１９６１）の１８３頁の説明を引用して、トムソン効果について次のとおり説明している。
　「この実験では、電流はＵ−形に曲げられた鉄の棒を流れる。
　巻き線コイル（Ｒ１とＲ２）は、図に示されているようにＵの２つの周りに巻かれているバランス・ホイートストン・ブリッジは２本のアームを形成し、Ｕの下部Ｃは加熱されている。
　これから２つの温度勾配ができる。ＡからＣまでは、正の温度勾配、ＣからＢまでは、負の温度勾配となる。この動作結果として、ブリッジはＲ１の抵抗はＲ２の抵抗より増えて不平衡状態になる。明らかに、Ｒ１は発熱し、Ｒ２は吸熱する。」
　また、本願発明の元素内包フラーレントムソン素子について、「従来周知のダイオード素子やペルチェ素子とは異なっており、このトムソン素子の両端部に発生する吸熱部と発熱部が生じる機構を利用している。」と説明している。
　
４−２−２　請求項２、３に係る発明において、冷却システムや発熱システムとして機能する点についての実現性について
　請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書の［理由ＩＩについて］の「・請求項：２、３の備考２−２に対する意見」において、上記３−２−２で指摘した点について、次のとおり反論している。
　「請求項１についての上記備考２−１（当審注：上記４−２−１で引用している）で説明したとおり、請求項１に係る発明の元素内包フラーレントムソン素子に関して、その両端部に吸熱部と発熱部が生じる点を利用しており、そのような素子の発熱部同士（請求項２）または吸熱部同士（請求項３）を接続して、実施例２として記載された冷却システムや発熱システムとして機能する。
　したがって、請求項２、３に係る発明の元素内包フラーレントムソン素子に関するトムソン素子であることから、冷却システムや発熱システムとなる点について、実施可能な程度に明確かつ十分に記載されている。」
　
４−２−３　請求項２、３に係る発明の製造方法が不明である点について
　請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書の［理由ＩＩについて］の「・請求項：２、３の備考２−３に対する意見」において、上記３−２−３において指摘した点について、次のとおり反論している。
　「実施例２として、２つの元素内包フラーレンの吸熱部同士を接続することが記載されているが、元素内包フラーレンの吸熱部同士を接続するためのトムソン素子であることは明らかである。」
　
４−２−４　請求項１〜３に係る発明について、発明の課題が解決されていない点について
　請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書の［理由ＩＩについて］の「・請求項：１〜３の備考２−４に対する意見」において、上記３−２−４で指摘した点について、次のとおり反論している。
　『本願明細書の段落【００１２】に発明の効果として、「本願発明の元素内包フラーレントムソン素子は、半導体技術により大面積に渡って元素内包フラーレントムソン素子を集積形成できることから、太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得でき、その工業的価値は極めて高い。」と記載されているが、本願明細書には実施例として、「ＤＣ電圧を印加」することにより「吸熱及び発熱を発現させるようにした熱電変換システム」である「元素内包フラーレントムソン素子」が記載されているのみであるが、熱（温度差）をエネルギーに変換する素子や、そのような素子を大面積に渡って集積形成することについて、当事者であれば、具体的な装置の構成や製造方法等を解釈できる。
　ここで「太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得する」ということは、本願発明の効果であると同時に、課題にあたるものであるから、発明の詳細な説明には、発明が解決しようとする課題とその解決手段との関係が当業者に理解可能な程度に解釈できる。』
　
４−３　特許請求の範囲の不明りょうな記載（理由ＩＩＩ）に対する請求人の主張及び対応
４−３−１　「トムソン素子」なる文言の意味について
　請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書の［理由３について］において、上記３−３−１で指摘した点について、次のとおり反論している。
　『「トムソン素子」とは、トムソン効果を利用した熱電変換素子である。
　参考文献の理化学辞典（岩波書店、第５版）の９６４頁〜９６５頁には、「トムソン効果（Ｔｈｏｍｓｏｎ　ｅｆｆｅｃｔ）とは、不均一温度分布をもつ導体（または半導体）に電流を通すとき、導体内にジュール熱以外の熱の発生または吸収がおこる現象。トムソン（ケルビン卿）が発見した。（１８５６）単位時間に発生する熱量をＱ，電流をＩ、温度差をΔＴとすれば、比例関係　Ｑ＝θＩΔＴが成り立つ。比例定数θをトムソン係数あるいは電気の比熱といい、銅、亜鉛などは正、白金、鉄なでは負になる。鉛はθがほとんど０なので、熱起電力の比較のさいに基準物質とされる。ペルティエ係数ｐ、熱電能ηとの間には、トムソンの関係式　θ＝ｄｐ／ｄＴ―ηが成立することが熱力学から導かれる。」と説明されている。
　１８５６年に発見されたこのトムソン素子（効果）は、ペルティエ素子（効果）ほど日本や米国ではなじみがない。本件を、段落【００１１】・・・元素内包トムソン素子に外部から不均一温度分布として、加熱又は冷却をフラーレンに与え電流を流し、・・・・元素内包トムソン素子を実現できる。」する説明することで元素内包トムソン素子が実現できることを発明の詳細な説明とする。』
　
５　当審の判断
５−１　新規事項追加禁止の要件違反（理由Ｉ）についての当審の判断
５−１−１　各補正事項についての判断
　ア　補正事項ｂについて
　請求人は、平成２５年８月３０日付けで提出された意見書において、上記４−１で確認したように、補正事項ｂについては、補正事項を削除します、と記載している。
　補正事項を削除する、とはいかなる補正をしようとしているか不明であるが、上記４−１　アに記載したように、本件補正２において、補正事項ｂに関して、本件補正２前の請求項１に記載された「半金属原子」を、出願当初の記載である、本件補正２後の「金属原子」に補正していることから、補正事項ｂが新規事項を追加する補正であることを認めて、出願当初の記載に戻す補正を行うことを意図しているものと認められる。
　しかしながら、本件補正２前の段落【００１４】に記載された「半金属（半導体）内包フラーレン」については、何ら補正されていないため、補正事項ｂに関して、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、とする拒絶理由が依然として解消されていない。
　
　イ　補正事項ｅについて
　請求人は、平成２５年８月３０日付けで提出された意見書において、上記４−１で確認したように、補正事項ｅについては、補正事項を削除します、と記載している。
　補正事項を削除する、とはいかなる補正をしようとしているか不明であるが、上記４−１　イに記載したように、本件補正２において、補正事項ｅに関して、本件補正２前の請求項１〜３と段落【００１１】〜【００１２】に記載された「電子過剰半金属原子」及び「電子欠損半金属原子」については、それぞれ、出願当初の記載である、本件補正２後の「ｎ型半導体」及び「ｐ型半導体」に補正していることから、補正事項ｂと同様に、補正事項ｅが新規事項を追加する補正であることを認めて、出願当初の記載に戻す補正を行うことを意図しているものと認められる。
　しかしながら、本件補正２前の段落【００１３】〜【００１５】に記載された「電子過剰半金属原子」及び「電子欠損半金属原子」については、何ら補正されていないため、補正事項ｅに関して、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、とする拒絶理由が依然として解消されていない。
　
　ウ　補正事項ｆ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋについて
　請求人は、平成２５年８月３０日付けで提出された意見書において、上記４−１で確認したように、補正事項ｆ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋについては、補正事項を削除します、と記載している。補正事項を削除するとは、上記アとイで検討したように、出願当初の記載に戻す補正を行うことを意図しているものと認められる。
　しかしながら、本件補正２において、明細書の段落【０００１】、【０００６】、【００１４】、【００１５】の記載に関しては何ら補正をしていないため、補正事項ｆ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋに関して、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、とする拒絶理由が依然として解消されていない。
　
５−１−２　新規事項追加禁止の要件違反（理由Ｉ）についての判断のまとめ
　請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書の［理由Ｉについて］において、補正事項ｂ，ｃ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌのいずれについても、「補正事項を削除します。」と記載しているところ、補正事項を削除する、とはいかなる補正をしようとしているか不明であるが、上記５−１−１で検討したように、上記各補正事項が新規事項を追加する補正であることを認めて、出願当初の記載に戻す補正を行うことを意図しているものと認められる。
　しかしながら、補正事項ｂ，ｅによって補正された特許請求の範囲及び明細書については、本件補正２によって、その一部について出願当初の記載に戻す補正を行っているのみであり、補正事項ｂ，ｅに関して、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、とする拒絶理由が依然として解消されていない。また、補正事項ｆ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋによって補正された明細書の記載については、全く補正されていないため、補正事項ｆ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋに関して、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、とする拒絶理由が依然として解消されていない。
　したがって、補正事項ｂ，ｅ，ｆ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋを含む、平成２４年８月１４日付けでした手続補正による補正（本件補正１）は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、とする拒絶理由が依然として解消されていない。
　
５−２　実施可能要件違反及び委任省令要件違反（理由ＩＩ）についての当審の判断
５−２−１　本願発明１が素子の両端部に吸熱部と発熱部を生じる点についての実施可能性に関する判断
　請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書の［理由ＩＩについて］の「・請求項：１の備考２−１に対する意見」において、トムソン効果とは、不均等に加熱された導体に沿って流れる電流によって熱の発生または吸収が生じることを言い、本願発明の元素内包フラーレントムソン素子は、正及び負の温度勾配を与えた鉄の棒に直流電流を流した際に、素子の両端部に吸熱部と発熱部が生じる機構を利用している、と説明している。
　そして、本願明細書の段落【００１４】には「この元素内包フラーレン１００に外部からＤＣ電圧を加えると、元素内包フラーレンは、原子レベルのトムソン効果が生じ、フラーレンの両端で発熱と吸熱が生じる。」と記載されていることから、本願発明の元素内包フラーレントムソン素子がトムソン効果を利用する素子であることが明記されている。
　したがって、本願明細書には、本願発明の元素内包フラーレントムソン素子を加熱して温度勾配を与える点について全く記載はされていないけれども、トムソン効果についての技術常識に基づけば、本願発明１の元素内包フラーレントムソン素子は、その両端に直流電圧を印加するとともに、不均一温度分布を与えることにより、元素内包フラーレントムソン素子の両端部に、吸熱部と発熱部を生じさせるものであることが、明らかになった。
　よって、本願発明１が、素子の両端部に吸熱部と発熱部を生じる点についての実施可能性に対する疑いは、発明の原理の面からは解消した。
　なお、本願発明１に関する、原理的な面における実施可能性についての疑いは上述のとおり解消しているが、製造方法の実施可能性についての疑いは、新規事項を追加する補正がなされていない、当初明細書等の記載に基づいて予備的に検討している、下記６−２、６−３、６−４において示されているように、解消していない。
　
５−２−２　本願発明２、３が、それぞれ、冷却システム及び発熱システムとして機能する点についての実施可能性に関する判断
　上記５−２−１で検討したように、本願発明１の元素内包フラーレントムソン素子は、その両端に直流電圧を印加するとともに、不均一温度分布を与えることにより、その両端部に、吸熱部と発熱部を生じさせるものであることが明らかになったので、２つの元素内包フラーレントムソン素子の吸熱部同士を接続することによって、接続した素子の両端部を発熱部とすることができ、また、２つの元素内包フラーレントムソン素子の発熱部同士を接続することによって、接続した素子の両端部を吸熱部とすることができることが、明らかとなった。
　よって、本願発明２、３について、冷却システムや発熱システムとして機能する点についての実施可能性に対する疑いは、発明の原理の面からは解消した。
　
５−２−３　本願発明２、３の製造方法の実施可能性に関する判断
　上記５−２−２で検討したように、２つの元素内包フラーレントムソン素子の吸熱部同士を接続することによって、両端部を発熱部とすることができ、また、２つの元素内包フラーレントムソン素子の発熱部同士を接続することによって、両端部を吸熱部とすることができることが、原理的に可能であることが明らかとなったが、請求項２、３に係る発明の製造方法、すなわち、２つの元素内包フラーレントムソン素子の発熱部同士または吸熱部同士を接合するために必要な製造装置や具体的な製造工程については、本願明細書の発明の詳細な説明には全く記載されておらず、また、本願明細書及び図面の記載と、出願時の技術常識とに基づいて、当業者が発明を製造しようとしても、どのように製造するかが全く理解できない。
　そして、この点について、上記４−２−３に記載したように、請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書において、「実施例２として、２つの元素内包フラーレンの吸熱部同士を接続することが記載されているが、元素内包フラーレンの吸熱部同士を接続するためのトムソン素子であることは明らかである。」と言うのみであり、当業者が、明細書及び図面の記載と、出願時の技術常識に基づいて、本願発明２と本願発明３について、当業者が容易に製造することができたものであることについては、何の説明もしていない。
　ここで、発明の実施可能要件を定める特許法第３６条第４項第１号は、「・・・発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであること」と規定する。したがって、明細書及び図面に記載された事項と出願時の技術常識とに基づいて、当業者が発明を実施しようとした場合に、どのように実施するかが理解できないとき（例えば、どのように実施するかを発見するために、当業者に期待しうる程度を超える試行錯誤等を行う必要があるとき）には、実施可能要件は満たされない。ここで、発明の「実施」とは、「物の発明」の場合、その物を製造、使用することであるから、当業者がその物を製造することができる程度に明確かつ十分に記載されていなければならない。
　したがって、「物の発明」である本願発明２と本願発明３の「元素内包フラーレントムソン素子」について、当業者が当該素子を製造することができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、発明の詳細な説明は、当業者が本願発明２と本願発明３を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　
５−２−４　本願発明１〜３が発明の課題を解決していない点についての判断
　本願明細書の段落【００１２】に、発明の効果として記載された、「本願発明の元素内包フラーレントムソン素子は、半導体技術により大面積に渡って元素内包フラーレントムソン素子を集積形成できることから、太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得する」ということは、本願発明の効果であると同時に、本願発明の課題であると理解できるところ、本願発明の「元素内包フラーレントムソン素子」は、「ＤＣ電圧を印加」することにより「吸熱及び発熱を発現させるようにした熱電変換システム」ではあるから、エネルギー（ＣＤ電圧）を温度差（吸熱及び発熱）に変換する素子であっても、熱（温度差）をエネルギーに変換する素子ではないから、発明の詳細な説明には、発明が解決しようとする課題とその解決手段との関係が当業者に理解可能な程度に記載されていないとの指摘に対して、上記４−２−４に記載したように、請求人は、『本願明細書には実施例として、「ＤＣ電圧を印加」することにより「吸熱及び発熱を発現させるようにした熱電変換システム」である「元素内包フラーレントムソン素子」が記載されているのみであるが、熱（温度差）をエネルギーに変換する素子や、そのような素子を大面積に渡って集積形成することについて、当事者であれば、具体的な装置の構成や製造方法等を解釈できる。
　ここで「太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得する」ということは、本願発明の効果であると同時に、課題にあたるものであるから、発明の詳細な説明には、発明が解決しようとする課題とその解決手段との関係が当業者に理解可能な程度に解釈できる。』と反論している。
　しかしながら、請求人は、上記反論において、「熱（温度差）をエネルギーに変換する素子や、そのような素子を大面積に渡って集積形成することについて、当事者であれば、具体的な装置の構成や製造方法等を解釈できる。」と主張するのみであり、上記「具体的な装置の構成や製造方法」をどのように「解釈」するかについて、何ら具体的な説明はしていない。
　そもそも、本願発明の元素内包フラーレントムソン素子は、上記５−２−１の検討で明らかになったように、素子に温度勾配を与えた上でＤＣ電圧を印加することにより、素子の両端部に吸熱部と発熱部を生じさせるものであって、温度勾配を与えることによって素子の両端部に電圧を生成するものではない。本願発明はトムソン効果を利用した素子であるが、トムソン効果によって発電できるという作用は知られておらず、トムソン効果によって発電できる理論的根拠も不明であり、トムソン効果によって実際に発電ができたとの実験結果も示されていないから、上記素子によって熱電変換することが可能であると認めることができない。そして、単一の上記素子による熱電変換ができないのであるから、仮に、複数の上記素子を大面積に渡って集積したとしても、「太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを獲得」することはできないものと認められる。
　したがって、請求人の上記反論は採用することができず、発明の詳細な説明には、発明が解決しようとする課題とその解決手段との関係が当業者に理解可能な程度に記載されていないものと判断される。
　
５−２−５　実施可能要件違反及び委任省令要件違反（理由ＩＩ）についての判断のまとめ
　本願発明１の元素内包フラーレントムソン素子は、その両端に直流電圧を印加するとともに、不均一温度分布を与えることにより、上記素子の両端部に吸熱部と発熱部を生じさせるものであり、本願発明２，３の元素内包フラーレントムソン素子は、そのような２つの元素内包フラーレントムソン素子の各々の発熱部同士または吸熱部同士を接続することにより、接続した素子の両端部が吸熱部又は発熱部となるものであることは明らかになった。したがって、本願発明１〜３についての実施可能要件違反の拒絶理由については、その発明の原理の面に関しては、解消した。
　しかしながら、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が、本願発明２、３の元素内包フラーレントムソン素子を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではなく、また、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願発明１〜３の元素内包フラーレントムソン素子を用いて熱電変換することに関して、発明が解決しようとする課題とその解決手段との関係が当業者に理解可能な程度に記載されていないから、本件出願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
５−３　特許請求の範囲の不明りょうな記載（理由ＩＩＩ）について
　上記５−２−１及び５−２−２の検討によって、また、上記４−３−１に記載した請求人の主張によって、本願発明１の元素内包フラーレントムソン素子は、トムソン効果を利用した素子であり、上記素子の両端に直流電圧を印加するとともに、不均一温度分を与えることにより、上記素子の両端部を吸熱部又は発熱部とするものであり、本願発明２，３の元素内包フラーレントムソン素子は、２つの元素内包フラーレントムソン素子の各々の発熱部同士または吸熱部同士を接続することにより、接合した素子の両端部を吸熱部又は発熱部とするものであることは明らかになった。
　しかしながら、請求項１においては、そして、請求項１を引用する請求項２，３においても、「トムソン素子」の特徴である不均一温度分布を与える点について特定されていないから、依然として、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
６　平成２５年７月１日付けの拒絶理由 において再掲した、平成２４年７月１０日付けの拒絶理由について
６−１　当初明細書等に基づく予備的な検討
　上記５−１−２において検討したとおり、請求人は、平成２５年８月３０日に提出した意見書において、本件補正１に関して、補正事項ｂ，ｃ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌのいずれについても、「補正事項を削除します。」と記載しており、上記各補正事項が新規事項を追加する補正であることを認めて、出願当初の記載に戻す補正を行うことを表明しているものと認められるが、本件補正２によっては、上記補正事項のいくつかについては適切に補正されなかったため、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、とする拒絶理由が依然として解消されていない、との判断を行った。
　そこで、仮に、平成２５年８月３０日に提出した手続補正書によって、上記補正事項の全てについて、上記意見書に記載のとおり、出願当初の記載に戻す補正が行われることによって、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとする拒絶理由が解消されていたとしても、平成２５年７月１日付けの拒絶理由 において、 ≪平成２４年７月１０日付け拒絶理由通知書の拒絶理由の再掲≫ として記載した、特許法第３６条第４項第１号並びに第６項第１号及び第６項第２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶理由（以下「理由１」という。）のうち、少なくとも、（３）〜（５）については依然として解消されないので、この点について以下に予備的に検討する。
　
６−２　理由１の（３）についての当審の判断
　上記３−１−１において記載した、補正事項ｈに関して、仮に、本件補正１後の段落【００１４】の記載である「元素内包フラーレン１００は、籠の中、すなわちフラーレン殻の内部の半導体Ｇｅ原子１０１の四つ結合腕に水素原子１０２、１０３、１０４、１０５が結合し、その一つの水素原子１０５と水素原子１０６が結合した構造をとることで電子が１個過剰となり、Ｇｅ原子１０１は電子過剰半金属原子となる。Ｇｅ原子１０７には三つの結合腕に三つの水素原子１０８、１０９、１１０が結合している。負の電荷を持つ電子が１個不足するので、電子が少ない電子欠損半金属原子となる。」を、出願当初の記載である、本件補正１前の段落【００１４】の「元素内包フラーレン１００は、籠の中、すなわちフラーレン殻の内部の半導体Ｇｅ原子１０１の二つ結合腕の一つと水素原子１０２が結合した構造をとることで電子が１個不足し、Ｇｅ原子１０１はｐ型半導体となる。Ｇｅ原子１０３には三つの結合腕に三つの水素原子１０４、１０５、１０６が結合している。負の電荷を持つ電子を１個多く持つので電子が余り、自由電子が増えｎ型半導体となる。」なる記載に戻す補正がなされたものとする。
　このとき、本願の明細書には、フラーレン殻の内部において、Ｇｅ原子に１つの水素原子を結合させることにより「ｐ型半導体」を構成し、Ｇｅ原子に３つの水素原子を結合させることにより「ｎ型半導体」を構成することが記載されることとなるが、このような結合によっては「ｐ型半導体」と「ｎ型半導体」の組合せを構成できないと考えられる。これは以下の理由による。
　Ｇｅ原子は、最外殻電子数が４つであり、安定状態である最外殻電子数８つに対して４つ電子が不足しているので、Ｇｅ原子を３つの水素原子と結合させる場合には、３つの電子が水素から供給されるものの、安定状態である最外殻電子数８つに対して依然として１つの電子が不足している状態となる。また、Ｇｅ原子を１つの水素原子と結合させる場合には、１つの電子が水素から供給されるものの、安定状態である最外殻電子数８つに対して３つの電子が不足している状態となる。
　したがって、Ｇｅ原子に３つの水素原子を結合させたものも、Ｇｅ原子に１つの水素原子を結合させたものも、いずれも電子が不足する状態になるので、両者とも同じ導電型の半導体となり、フラーレン殻の内部には、「ｎ型半導体」と「ｐ型半導体」の両者が存在することにはならないものと考えられる。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１〜３を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、本件出願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　
６−３　理由１の（４）についての当審の判断
　平成２４年７月１０日付けで通知された拒絶理由において、理由１の（４）として、『本願の明細書には、フラーレン内部に２つのＧｅ原子を内包させ、一方のＧｅ原子には１つの水素原子を結合させ、他方のＧｅ原子には３つの水素原子を結合させることが記載されているが、このような状態を選択的に作り出す方法について、本願明細書には「プラズマイオン照射方法で作製している。」（段落【0014】）という記載でしか開示されておらず、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤なしに作れるような具体的な開示がなされていない。本願明細書に記載されたプラズマイオン照射方法によって、フラーレンに２つのＧｅ原子と４つの水素原子を注入することまでは仮に可能であるとしても、結果として、一方のＧｅ原子に２つの水素原子が結合し、他方のＧｅ原子にも水素原子が２つ結合したものができたり、２つのＧｅ原子同士が共有結合した分子の外殻に水素原子が４つ結合したものができたりするものと考えられる。多数のフラーレンのうち、一方のＧｅ原子に１つの水素原子が結合し、他方のＧｅ原子に３つの水素原子が結合したものができる確率は仮にゼロではないとしても、本願明細書には、実際に作られたフラーレンの混合物から、どのようにして目的のものを単離するのかの具体的な開示がなされていない。』と指摘した。
　この指摘に対して、請求人は、平成２４年８月１４日に提出された意見書において、「本願発明は、
ステップ１．ＧｅＨ４をフラーレン殻に内包させる。フラーレン殻のＧｅＨ４に水素原子Ｈ１を結合させ、ｐ型半導体に相当するＧｅＨ５＋を作製する。
ステップ２．ｎ型半導体に相当するＧｅＨ３―をステップ１のフラーレン殻に内包させる。
以上の製作過程でｐｎ接合半金属内包フラーレンが得られる。
この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１−３に係る発明を実施することができる程度に記載します。」と記載している。
　しかしながら、請求人は、上記理由１の（４）で指摘した、プラズマイオン照射方法によって作られた、様々な状態のＧｅを内包する多数のフラーレンの混合物から、どのようにして目的のものを単離するのかについての具体的な開示がなされていない、との指摘に対して、具体的な単離方法について何ら説明をしておらず、依然として、本願発明の製造方法が不明である。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１〜３を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、本件出願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
６−４　理由１の（５）についての当審の判断
　平成２４年７月１０日付けで通知された拒絶理由において、理由１の（５）として、『本願発明のフラーレントムソン素子を動作させるためには、フラーレンに内包された「ｎ型半導体」及び「ｐ型半導体」を電場の方向または温度勾配の方向に（直列になるように）配向させる必要があるものと認められる。しかしながら、本願の明細書には、そのようにフラーレンを配向させる方法の具体的な開示がなく、本願発明を実施するのに、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を要するものと認められる。』と指摘した。
　この指摘に対して、請求人は、平成２４年８月１４日に提出された意見書において、「本願発明のフラーレントムソン素子の動作作動を確認するためにナノプローブを１０ｎｍ以下に近接させ、半金属内包フラーレンの特性を測定する。」と記載するとともに、図を示して、フラーレントムソン素子の対向する両端に２つのナノプローブを近接させて特性を測定することを説明している。
　ここで、上記３−２−１で検討したように、平成２５年８月３０日に提出された意見書によって、本願発明のフラーレントムソン素子を動作させて吸熱部と発熱部を生じさせるためには、上記素子の炭素ケージ内に存在する「ｐ型半導体」と「ｎ型半導体」の間に、直流電圧を印加するとともに、温度勾配（不均一温度分布）を与える必要があることが明らかになっている。つまり、本願発明１の元素内包フラーレントムソン素子の炭素ケージ内に存在する「ｐ型半導体」と「ｎ型半導体」の積層方向を、直流電圧の印加方向のみでなく、温度勾配の方向に一致させる必要がある。
　しかしながら、平成２４年８月１４日に提出された意見書、審判請求書、及び平成２５年８月３０日に提出された意見書のいずれにも、フラーレントムソン素子に、直流電圧を印加するとともに温度勾配を与える装置又は方法については説明されていない。本願発明１のフラーレントムソン素子を動作させて吸熱と発熱を発生させるためには、素子の対向する両端部に、２つのナノプローブを近接させて、該両端部に直流電圧を印加するとともに温度勾配を与える必要があるが、請求人が説明する上記の方法によっては、フラーレントムソン素子に直流電圧を印加するとともに温度勾配を与えることはできない。また、フラーレントムソン素子の対向する両端部に直流電圧を印加するとともに温度勾配を与えることができるような方法又は装置が当業者にとって周知であるとも認められない。
　したがって、請求人が説明した上記特性の測定方法によっては、フラーレントムソン素子を正しく動作させることできず、特性の正しい測定はできないものと認められる。
　また、仮に、請求人が説明した上記特性の測定方法において、フラーレントムソン素子に何らかの方法で温度勾配を与えることができたとしても、そのような方法は、単に、フラーレントムソン素子に内包された「ｎ型半導体」及び「ｐ型半導体」の位置、つまり、吸熱部と発熱部の位置を特定するにとどまる。本願発明のフラーレントムソン素子を吸熱・発熱装置として使用する際には、フラーレントムソン素子の吸熱部と発熱部を特定の方向に配向させる必要があるが、上記特性を測定する方法によっては、フラーレントムソン素子を移動や回転させることができないので、吸熱部と発熱部を特定の方向に配向することができないことは明らかである。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１〜３を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、本件出願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　
７　むすび
　以上の次第で、平成２４年８月１４日付けでした手続補正による補正（本件補正１）は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、また、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号の規定を満たしていないから、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。