Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式
【化１】
2012528868.tif 000001
の化合物、または薬学的に許容できるその異性体、塩もしくは水和物。
【請求項２】
請求項１に記載の前記化合物の遊離塩基。
【請求項３】
請求項１に記載の前記化合物の薬学的に許容できる塩。
【請求項４】
請求項１に記載の前記化合物の水和物形態。
【請求項５】
請求項１に記載の前記化合物、またはその薬学的に許容できる異性体、塩もしくは水和物の単離および精製形態。
【請求項６】
請求項１に記載の有効量の化合物、またはその薬学的に許容できる異性体、塩もしくは水和物、および薬学的に許容できる担体を含む医薬組成物。
【請求項７】
請求項１に記載の有効量の化合物、またはその薬学的に許容できる異性体、塩もしくは水和物、および１つ以上の追加の心血管作動薬を含む医薬組成物。
【請求項８】
前記心血管作動薬が、アスピリン、クロピドグレル、およびプラスグレル、ならびにその薬学的に許容できる異性体、塩および水和物からなる群から選択される、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
心血管病態の治療のための、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
冠動脈バイパス移植手術に関連する病態の予防のための、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
経皮的冠動脈形成術を受けた患者における、主要心イベント（ｍａｊｏｒ  ｃａｒｄｉａｃ  ｅｖｅｎｔ）の予防のための、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
二次予防を必要とする患者の治療のための、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
化合物４
【化４】
2012528868.tif 000002
を調製する方法であって、
ａ）化合物（２）を含むＣＨ２Ｃｌ２および飽和ＮａＨＣＯ３の混合物にトリホスゲンを添加する段階；
ｂ）該有機層を除去する段階；
ｃ）ＣＨ２Ｃｌ２で該水性層を抽出する段階；
ｄ）Ｎａ２ＳＯ４で該混合有機層を脱水し、透明泡としてイソシアネート中間体を生成する段階；
ｅ）該透明泡を無水ＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、塩化銅（Ｉ）を添加する段階；
ｆ）２−（テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−イルオキシ）エタノールを添加する段階；
および
ｇ）水で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で脱水し、化合物４を生成する段階
を含む方法。
【化５】
2012528868.tif 000003
【請求項１４】
工程ａ）の前に、更に、下記工程ａ’）乃至ｇ’）からなる化合物２
【化２】
2012528868.tif 000004
を調製するプロセスを含む、請求項１３に記載の方法。
ａ’）濃ＨＣｌおよびＡｃＯＨの第一混合物をＳＣＨ５３０３４８−Ｗ（１）
【化３】
2012528868.tif 000005
に添加し、第二混合物を生成する段階；
ｂ’）前記第二混合物を１０時間から３０時間の間１００℃から１４０℃の温度に加熱する段階；
ｃ’）前記第二混合物を室温まで冷却し、粗製油を生成する段階；
ｄ’）飽和ＮａＨＣＯ３溶液を前記粗製油に添加し、６から１０のｐＨの第三混合物を生成する段階；
ｅ’）ＣＨ２Ｃｌ２で前記第三混合物を分配する段階；
ｆ’）ＣＨ２Ｃｌ２で前記第三混合物から有機層を抽出する段階；および
ｇ’）Ｎａ２ＳＯ４で前記抽出有機層を脱水し、白色泡（２）を生成する段階
【請求項１５】
前記第一混合物が約１．８から約２．２の比率で存在するＨＣｌおよびＡｃＯＨを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第二混合物が約１１５℃から約１２０℃の温度に加熱される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第三混合物のｐＨが約７．５から約８．５に至る、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
ＳＣＨ２０４６２７３（５）
2012528868.tif 000006
を調製する方法であって、
ａ）無水ＥｔＯＨに化合物（４）を溶解する段階；
【化６】
2012528868.tif 000007
ｂ）前記溶液にｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウムを添加する段階；
ｃ）前記溶液を５０℃から６０℃の温度に加熱する段階；
ｄ）蒸発乾燥し、透明な粗製油を生成する段階
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月2日(2015.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩基性の水性組成物に含まれる鉄イオンとアルミニウムイオンを分離する方法であり、
前記鉄イオン及び前記アルミニウムイオンを含む、pH約10.5〜約13、温度約50℃〜約150℃である前記塩基性の水性組成物を得るステップと、
前記塩基性の水性組成物をヘマタイトと反応させてヘマタイトの生成を促進、触媒及び／又は増強し、前記アルミニウムイオンを含む液相と、前記反応によって生成される、前記鉄イオンに伴う前記ヘマタイトを含む固相とを得るステップと、
前記液相と前記固相を分離するステップと
を含む方法。
【請求項２】
請求項1に記載の方法であり、前記液相のpHの値を約9〜約10に調整することにより前記液相から前記アルミニウムイオンを析出させるステップを更に含む方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であり、前記アルミニウムイオンの析出を促進するのに有効な析出剤を加えるステップを更に含む方法。
【請求項４】
請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法であり、前記ヘマタイトと反応させる前の前記塩基性の水性組成物が、Fe3+、Fe2+、又はそれらの混合物の形態の鉄を含む少なくとも1つの析出物を含む方法。
【請求項５】
請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法であり、前記ヘマタイトを前記塩基性の水性組成物と撹拌下で反応させる方法。
【請求項６】
請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法であり、前記塩基性の水性組成物のpHが約10.8〜約11.8である方法。
【請求項７】
請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法であり、前記塩基性の水性組成物1L当たり約0.5g〜約25gのヘマタイトを反応させる方法。
【請求項８】
請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法であり、前記塩基性の水性組成物のFe濃度が、約0.5g/L〜約10g/Lである方法。
【請求項９】
請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法であり、ヘマタイトと前記塩基性の水性組成物に含まれる総鉄量とのモル比を約0.005〜約0.5としてヘマタイトを加える方法。
【請求項１０】
請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法であり、
鉄及びアルミニウムを含む鉄含有材料を酸で浸出して、前記鉄イオン及び前記アルミニウムイオンを含む浸出液と、固体残渣とを得るステップと、
前記浸出液と前記固体残渣を分離するステップと、
前記浸出液を塩基と反応させるステップと
により前記塩基性の水性組成物を得る方法。
【請求項１１】
請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法であり、
鉄及びアルミニウムを含む鉄含有材料を酸で浸出して、前記鉄イオン及び前記アルミニウムイオンを含む浸出液と、固体残渣とを得るステップと、
任意に前記浸出液から前記鉄イオンの少なくとも一部分を除去するステップと、
前記浸出液と前記固体残渣を分離するステップと、
前記浸出液を塩基と反応させるステップと
により前記塩基性の水性組成物を得る方法。
【請求項１２】
請求項10又は11に記載の方法であり、前記鉄含有材料が、アージライト、赤泥、フライアッシュ、及びそれらの混合物のうちから選択される方法。
【請求項１３】
請求項10又は11に記載の方法であり、前記鉄含有材料が、粘土類、アージライト、泥岩、緑柱石、氷晶石、柘榴石、尖晶石、ボーキサイト、又はそれらの混合物のうちから選択されるアルミニウム含有材料である方法。
【請求項１４】
塩基性の水性組成物に含まれる鉄とアルミニウムを分離する方法であり、
前記鉄を析出物の形態のヘマタイトに少なくとも部分的に転化するのに適した条件下で、前記鉄及び前記アルミニウムを含む前記塩基性の水性組成物をヘマタイトと反応させることにより、液相及び固相を得るステップであって、前記鉄を析出物の形態のヘマタイトに少なくとも部分的に転化するのに適した前記条件が、約10.5〜約13のpHで前記塩基性の水性組成物をヘマタイトと反応させることを含むステップと、
前記液相と前記固相を分離するステップと、
前記液相のpHの値を約7〜約11に調整することにより前記液相から前記アルミニウムイオンを析出させるステップと
を含む方法。
【請求項１５】
請求項14に記載の方法であり、前記鉄含有材料が、アージライト、赤泥、フライアッシュ、及びそれらの混合物のうちから選択される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸アルミニウムと、ストロンチウム長石、ムライト、コージエライト、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つとを含むチタン酸アルミニウム複合体の熱機械特性を向上させる方法であって：
ガラス源、チタン酸アルミニウム源から選択される結晶複合相の源、およびストロンチウム長石、ムライト、コージエライト、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つの源、並びに細孔形成剤を組み合わせてバッチ組成物にする工程と；
前記組み合わされたバッチ組成物を、１３９０〜１４１０℃で焼成して、チタン酸アルミニウム相を含む２つ以上の結晶相、および該２つ以上の結晶相の間の粒界ガラス相または粒界ガラスセラミック相を有する前記チタン酸アルミニウム複合体を生成する工程と
を含み、ここで、
前記ガラス源が、前記２つ以上の結晶相の粒子間で、粒界ガラス相、粒界ガラス−セラミック相、またはそれらの組合せを提供し、前記粒界相が、前記複合体の粒界と界面に沿った粒界フィルムであり；
前記粒界フィルムが、２０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有し、
前記複合体の中央粒度が３〜５マイクロメートルだけ減少しており、
前記複合体の機械的強度が、前記ガラス源の非存在下で作製される前記複合体と比較して、５０％の多孔度で、１０×１０−７Ｋ−１未満のＣＴＥで、５〜２５％だけ向上されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ガラス源が、酸化リチウム、酸化ホウ素、シリカ、酸化リン、上記のいずれかの前駆体または源、あるいはそれらの混合物のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ガラス源を組み合わせる工程が：
シリカとアルカリ酸化物源との組合せを、０．３〜５重量％の量で前記バッチに加える工程；
酸化リン源を、０．１〜３重量％の量で前記バッチに加える工程；
酸化ホウ素源を、０．１〜２重量％の量で前記バッチに加える工程；
またはそれらの組合せ
のうちの少なくとも１つを含み、前記重量％が、前記バッチ組成物の重量に対するガラス源の超過添加に基づくことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
チタン酸アルミニウムベースの複合体の熱機械特性を向上させる方法であって：
完全に焼成されたチタン酸アルミニウムベースの複合体を、０．５〜１０重量％のリン酸水溶液中に浸漬する工程と；
前記浸漬された複合体をアニールして、０．５〜２重量％の、得られる複合体へのリンの組み込みを得る工程と
を含み、前記重量％が、前記浸漬されていない複合体の重量に対する超過添加に基づくことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再成形板ガラスを作製する方法であって、
（Ｉ）その対向する第１端部と第２端部との間に直線金型軸に沿って延在している中心部分を含み、かつ該中心部分の前記第１端部に運動可能に結合された第１エッジ金型と該中心部分の前記第２端部に結合された第２エッジ金型とを備えている、変形装置を提供するステップ、
（ＩＩ）中心部分と、対向するエッジ部分とを備えた、初期板ガラスを提供するステップ、
（ＩＩＩ）前記初期板ガラスの前記中心部分が前記変形装置の前記中心部分に係合しかつ前記初期板ガラスの前記対向するエッジ部分の少なくとも一方が前記第１エッジ金型および前記第２エッジ金型の対応する一方の上に延在するように、前記初期板ガラスを前記変形装置に対して位置付けるステップ、
（ＩＶ）前記初期板ガラスを加熱するステップ、その後、
（Ｖ）前記初期板ガラスの少なくとも１つの前記延在しているエッジ部分を、前記第１エッジ金型および前記第２エッジ金型の対応する一方の輪郭に従うように曲げるステップであって、この曲げるステップの後に前記再成形板ガラスが、少なくとも１つの前記エッジ部分が該再成形板ガラスの中心部分の面から離れて曲げられている、対向するエッジ部分を備えている、ステップ、さらにその後、
（ＶＩ）前記再成形板ガラスを冷却するステップであって、このとき少なくとも前記第１エッジ金型の、前記変形装置の前記中心部分に向かう第１方向への動きによって、前記変形装置の収縮に対する前記再成形板ガラスのより大きな収縮に対応するステップ、
を含み、
前記第１エッジ金型の動きは、前記変形装置の前記中心部分に対する前記第１エッジ金型の回転運動を含まないことを特徴とする方法。
【請求項２】
ステップ（ＶＩ）の際の前記第１エッジ金型の前記動きが、前記直線金型軸に沿った前記第１方向への直線的な平行移動の動きを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ＩＶ）の際、前記初期板ガラスの前記対向するエッジ部分の少なくとも一方を、前記初期板ガラスの前記中心部分よりも高い温度まで加熱することを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
ステップ（Ｖ）の際、前記曲げられたエッジ部分が前記再成形板ガラスの前記中心部分と、約２ｍｍから約５０ｍｍまでの間の曲率半径を有する曲げ部で繋がるように、前記少なくとも１つの延在しているエッジ部分を曲げることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ＩＩＩ）が、前記初期板ガラスの前記対向するエッジ部分の両方が夫々前記第１エッジ金型および前記第２エッジ金型の対応する一方の上に延在するように、前記初期板ガラスを前記変形装置に対して位置付けるステップを含み、さらにステップ（Ｖ）が、前記初期板ガラスの前記エッジ部分の両方を、前記第１エッジ金型および前記第２エッジ金型の対応する輪郭に従うように曲げるステップであって、この曲げるステップの後に前記再成形板ガラスが、夫々該再成形板ガラスの前記中心部分の面から離れて曲げられている、対向するエッジ部分を備えている、ステップを含むことを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
板ガラスを再成形するための変形装置であって、
その対向する第１端部と第２端部との間に直線金型軸に沿って延在している、中心部分、
前記中心部分の前記第１端部に運動可能に結合され、かつ前記中心部分に向かう第１方向へと前記直線金型軸に沿って直線的に平行移動するよう構成された、第１エッジ金型、および、
前記中心部分の前記第２端部に運動可能に結合され、かつ前記中心部分に向かう、前記第１方向とは反対の第２方向へと前記直線金型軸に沿って直線的に平行移動するよう構成された、第２エッジ金型、
を備えていることを特徴とする変形装置。
【請求項７】
前記中心部分が第１材料を含み、かつ前記第１エッジ金型および前記第２エッジ金型が、前記第１材料とは異なる第２材料を含むことを特徴とする請求項６記載の変形装置。
【請求項８】
前記第１材料がステンレス鋼を含むことを特徴とする請求項７記載の変形装置。
【請求項９】
前記第２材料が、黒鉛と、ケイ酸アルミニウムと、さらに窒化ホウ素とから成る群から選択された材料を含むことを特徴とする請求項７または８記載の変形装置。
【請求項１０】
前記中心部分の金型表面と前記第１エッジ金型の金型表面との間に第１間隙が画成され、かつ前記中心部分の金型表面と前記第２エッジ金型の金型表面との間に第２間隙が画成されていることを特徴とする請求項６から９いずれか１項記載の変形装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
亜鉛（Ｚｎ）と、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃ、Ｓ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｌｉ、ＮａおよびＫよりなる群から選択される少なくとも１つの他のドープ剤とでドープされた二酸化チタン（ＴｉＯ２）ナノ粒子を含む光触媒組成物であって、
亜鉛（Ｚｎ）および少なくとも１つの他のドープ剤が、約２００ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲にわたって光の吸光度を増加させ、約４５０ｎｍより長波長の光の吸光度が、約３５０ｎｍより短波長の光の吸光度の５０％未満である、該組成物。  
【請求項２】
亜鉛に対する二酸化チタンの比率が、約５〜約１５０である請求項１記載の光触媒組成物。
【請求項３】
二酸化チタンナノ粒子が約２ｎｍ〜約２０ｎｍの平均粒子サイズを有する、請求項１記載の光触媒組成物。
【請求項４】
亜鉛（Ｚｎ）でドープされた二酸化チタン（ＴｉＯ２）ナノ粒子、および二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む光触媒組成物であって、
約５〜約１５０の亜鉛に対する二酸化チタンの比率および約１〜約５００の二酸化ケイ素に対する二酸化チタンの比率を有する、該組成物。
【請求項５】
二酸化ケイ素に対する二酸化チタンの比率が約３〜約２０である、請求項４記載の光触媒組成物。
【請求項６】
二酸化チタンナノ粒子が約２ｎｍ〜約２０ｎｍの平均粒子サイズを有する、請求項１記載の光触媒組成物。
【請求項７】
（Ａ）約５０００〜約８０００ｐｐｍの二酸化チタン、
（Ｂ）約５０〜約１００ｐｐｍの亜鉛、および
（Ｃ）約５００〜約１０００ｐｐｍの二酸化ケイ素を含む、
請求項１記載の光触媒組成物。
【請求項８】
約５〜約１５０の亜鉛に対する二酸化チタンの比率を有する亜鉛（Ｚｎ）でドープされた二酸化チタン（ＴｉＯ２）ナノ粒子を含む光触媒組成物を人工光で照明した表面に散布することを含むことを特徴とする、表面上の微生物の感染を処置または予防する方法。
【請求項９】
光触媒組成物が、さらに二酸化ケイ素を含み、ここに、二酸化ケイ素に対する二酸化チタンの比率は約１〜約５００であることを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
二酸化ケイ素に対する二酸化チタンの比率が約３〜約２０であることを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
二酸化チタンナノ粒子が約２ｎｍ〜約２０ｎｍの平均粒子サイズを有することを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
（Ａ）約５０００〜約８０００ｐｐｍの二酸化チタン、
（Ｂ）約５０〜約１００ｐｐｍの亜鉛、および
（Ｃ）約５００〜約１０００ｐｐｍの二酸化ケイ素
を含む、請求項９記載の光触媒組成物。
【請求項１３】
表面が無生物対象であることを特徴とする、請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面を規定するとともに、プリフォーム（preform）の受け入れに適している、成形用キャビティが設けられた成形型と、
上記プリフォームへ第１の液体を押し出す圧力源と、
上記圧力源から上記第１の液体を受け入れるとともに、上記第１の液体をある圧力で、または、ある体積だけ上記プリフォームの中に移動させ、これにより、上記プリフォームを上記成形用キャビティ（mold cavity）の上記内面へ延ばし広げるとともに、上記第１の液体が最終製品としての容器の内部に残留した状態で、結果物としての容器（resultant container）を形成するブローノズルと、
上記圧力源に応じ、把持力を上記成形型へ加える圧力補償システムと、
を備えることを特徴とする容器の同時成形充填システム。
【請求項２】
上記圧力補償システムは、
上記把持力を加えるための、上記成形型を動作可能に固定する補償圧力供給器と、
上記第１の液体から上記補償圧力供給器に組み合わされた配管へ圧力を伝達するための、上記圧力源と動作可能に接続されたアイソレータシステムと、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項３】
上記アイソレータシステムは、上記第１の液体から上記配管に配された第２の液体へ上記圧力を伝えるアイソレータシリンダを備え、
上記第１の液体は、上記第２の液体から流動的に分離されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項４】
上記アイソレータシステムは、上記第１の液体から上記配管に配された第２の液体へ上記圧力を伝えるダイヤフラムを備え、
上記第１の液体は、上記第２の液体から流動的に分離されている、
ことを特徴とする請求項２または３に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項５】
上記アイソレータシリンダは、上記圧力源の上記圧力に抵抗するように、スプリングが接続されていることを特徴とする請求項３に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項６】
サーボモータシステムは、
少なくとも一つのサーボモータと、
制御装置と、
を備え、
上記少なくとも一つのサーボモータは、可変的に制御される、
ことを特徴とする請求項１に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項７】
上記液体は、加熱充填工程中に、上記プリフォームの中へ送られることを特徴とする請求項１に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項８】
上記第１の液体は、概ね、カ氏温度１８５度（セ氏温度８５度）からカ氏温度２０５度（セ氏温度９６度）までの温度で、上記プリフォームの中へ送られることを特徴とする請求項７に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項９】
上記第１の液体は、環境温度で、上記プリフォームの中へ送られることを特徴とする請求項１、３、または４に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１０】
上記第１の液体は、概ね、カ氏温度３２度（セ氏温度０度）からカ氏温度９０度（セ氏温度３２度）までの温度で、上記プリフォームの中へ送られることを特徴とする請求項９に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１１】
上記成形用キャビティは、概ね、カ氏温度１９０度（セ氏温度８８度）からカ氏温度２５０度（セ氏温度１２１度）までの温度に加熱されたプリフォームを受け入れることを特徴とする請求項１に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１２】
上記成形用キャビティは、概ね、カ氏温度２５０度（セ氏温度９３度）からカ氏温度３５０度（セ氏温度１７７度）までの温度に加熱されることを特徴とする請求項１または１１に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１３】
上記成形用キャビティは、概ね、カ氏温度３２度（セ氏温度０度）からカ氏温度９０度（セ氏温度３２度）までの温度であることを特徴とする請求項１または１１に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１４】
上記第１の液体は、概ね、１００ＰＳＩから６００ＰＳＩまでの圧力で、上記プリフォームの中へ送られることを特徴とする請求項１、３、４、８、または９に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１５】
上記プリフォームの中へ伸ばすことと、上記第１の液体が上記プリフォームの中へ押し出される前に、上記プリフォームを機械的に延伸することとに適した延伸ロッドをさらに備えることを特徴とする請求項１、７、８、９、または１０に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１６】
上記延伸ロッドは、大気に露出していることを特徴とする請求項１５に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１７】
上記プリフォームは、最初に、第１の圧力下で外の方へ延ばし広げられ、次に、第２の圧力下で外の方へ延ばし広げられ、
上記第２の圧力は、上記第１の圧力よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１８】
上記第１の圧力は、概ね、１００ＰＳＩから１５０ＰＳＩまでの圧力であり、
上記第２の圧力は、概ね、４００ＰＳＩから６００ＰＳＩまでの圧力である、
ことを特徴とする請求項１７に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項１９】
上記圧力補償システムは、
上記把持力を加えるための、上記成形型を動作可能に固定する補償圧力供給器と、
上記補償圧力供給器に圧力を供給する外部圧力源と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の容器の同時成形充填システム。
【請求項２０】
上記外部圧力源は、基本的に、ソレノイドと、液圧装置と、機械装置と、サーボとからなるグループより選択されることを特徴とする請求項１９に記載の容器の同時成形充填システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月21日(2015.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工表面のトポグラフィの加工尺度を提供する方法であって、
第１の状態および第２の状態にそれぞれ対応する前記トポグラフィの少なくとも第１の代表値および第２の代表値を記憶するステップと、
前記第１の状態および前記第２の状態の各々と関連付けられた少なくとも１つのパラメータの値を獲得するステップと、
前記パラメータの動作値および前記トポグラフィの前記記憶された代表値に基づいて前記加工尺度を提供するステップと、を含む
方法。
【請求項２】
前記第１の状態および前記第２の状態の各々は、複数の関連付けられたパラメータを有し、
前記加工表面のトポグラフィは、前記加工表面の２次元トポグラフィであり、前記第１の状態と前記第２の状態の間で変化し、
前記パラメータの前記動作値は、前記パラメータの前記獲得された値である
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
それぞれ前記加工表面の少なくとも第１の区域および第２の区域に対応する前記少なくとも１つのパラメータの値を獲得するステップと、
前記区域間で補間するステップと、を含む
請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記トポグラフィの各代表値が、
前記加工表面上に較正画像を印刷するステップと、
前記印刷された較正画像を解析して前記印刷された較正画像を予期される画像と比較するステップと、
前記印刷された較正画像と前記予期される画像との差に基づいて前記加工表面の前記トポグラフィの変動を計算するステップと、
によって獲得される
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記較正画像を印刷するステップは、前記加工表面から複数の高さに配置された印刷ヘッドを使用して複数の較正画像を印刷するステップを含む
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの印刷ヘッドを備え、前記加工尺度を使用して前記印刷ヘッドからインクを放出するタイミングを制御するインクジェットプリンタのための制御システムに、前記加工尺度を提供するステップを含む
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記インクジェットプリンタは複数の印刷ヘッドを備え、各印刷ヘッドからインクを放出するタイミングは個別に制御される
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記加工表面は被印刷物または被印刷物支持体を含む
請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記加工表面の前記トポグラフィの前記加工尺度は、前記加工表面と印刷ヘッドとの間の印刷ギャップの尺度と、２次元領域上の高さの変動の尺度と、を含む群の中から測定される
請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記加工表面の前記トポグラフィの前記加工尺度を使用して補正値の２次元配列を作成するステップと、
前記加工表面を横切る加工ヘッドに前記補正値を適用するステップと、をさらに含む
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記補正値は、前記加工表面を横切る印刷ヘッドの動作を制御するためのタイミング補正値を含む
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記パラメータの動作値は、測定値または導出値または入力値である
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記パラメータは、温度、エネルギー束、基準位置での高さ、または動作時間の尺度である
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記トポグラフィの各代表値は、１または複数の基準位置での前記加工表面の測定値を取ることによって獲得される
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記パラメータの前記動作値に基づいて、前記トポグラフィの前記記憶された代表値間で補間を使用して、前記トポグラフィの前記加工尺度が提供される
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
インクジェットプリンタの印刷ギャップ変動を補正するための装置であって、
プリンタ動作状態に関連した獲得パラメータに基づいて印刷ギャップの局所的尺度を提供するための論理回路と、
前記局所的尺度に基づいて前記プリンタの印刷ヘッドからのインク放出のタイミングを調整するための論理回路と、
を備える装置。
【請求項１７】
前記論理回路は、請求項１〜１５のいずれかに記載の方法を実行するための論理回路を備え、
前記加工尺度は、前記印刷ギャップの局所的尺度を含む
請求項１６に記載の印刷ギャップ変動を補正するための装置。
【請求項１８】
少なくとも１つの印刷ヘッドを搭載している印刷キャリッジ、および印刷台であって、複数の印刷線に沿って印刷方向に相対的に移動可能であるように配置された前記印刷キャリッジおよび前記印刷台と、
少なくとも前記印刷方向での前記印刷キャリッジの位置を指示する位置信号を提供するためのエンコーダと、
印刷ギャップの局所的尺度に基づいて前記エンコーダ信号を処理するように構成された補正システムと、を備える
インクジェットプリンタ。
【請求項１９】
前記補正システムは、請求項１６または１７に記載の装置による補正システムを含む
請求項１８に記載のインクジェットプリンタ。
【請求項２０】
前記補正システムは、
少なくとも１つのパラメータの変動を伴う印刷領域の端から端までの印刷ギャップの変動のモデルを記憶するためのデータストアと、
前記パラメータまたは各パラメータの値を獲得するように構成された装置と、
前記記憶されたモデルおよび前記パラメータの値に基づいて前記印刷ギャップの変動を補正するように構成されたプロセッサと、を備える
請求項１９に記載のインクジェットプリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月13日(2015.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層の、リオセル繊維を含む繊維性不織布を備え、前記不織布は、架橋バインダー、研磨粒子、及び潤滑剤ブレンドを含んだ硬化接着性コーティングを有し、前記潤滑剤ブレンドは、少なくとも脂肪酸、鉱油及びグリセリンを含む、内蔵型繊維性バフ研磨物品。
【請求項２】
前記脂肪酸がステアリン酸を含む、請求項１に記載の内蔵型繊維性バフ研磨物品。
【請求項３】
繊維の重量パーセントが１０〜２５重量％であり、前記研磨粒子の重量パーセントが２０〜６０重量％であり、前記潤滑剤ブレンドの重量パーセントが５〜４５重量％である、請求項１又は２に記載の内蔵型繊維性バフ研磨物品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の軸（Ｒ１）を有し、
前記第１の軸（Ｒ１）に沿って離間されている、対向する第１の一次面（４２）および第２の一次面（４２）と、
前記第１の一次面（４２）と前記第２の一次面（４２）との間に延在しているパッド外周面（４０）と、
前記第１の一次面（４２）と前記第２の一次面（４２）との間に配置されており、パッド外周面（４０）を通過する、前記第１の軸（Ｒ１）に対して垂直である中央平面（Ｐ１）と、
を備え、
各一次面（４２）は、当接面（５４）および少なくとも１つの凸接触面（５０）を含み、
前記少なくとも１つの凸接触面（５０）は、前記当接面（５４）に比べてより遠く、前記中央平面（Ｐ１）から離れて外の方へ延在し、前記当接面（５４）は複数の平らな当接副面（５６）を含んでいる、
ことを特徴とする切削工具支持パッド（２４）。
【請求項２】
前記一次面（４２）は、前記第１の軸（Ｒ１）を中心に、鏡面対称または１８０°回転対称を有することを特徴とする請求項１に記載の切削工具支持パッド（２４）。
【請求項３】
各当接面（５４）は４つの当接副面（５６）を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の切削工具支持パッド（２４）。
【請求項４】
前記複数の当接副面（５６）は同一平面上にあることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の切削工具支持パッド（２４）。
【請求項５】
前記一次面（４２）の各々の平面図では、前記少なくとも１つの凸接触面（５０）の各々の少なくとも一部が２つの当接副面（５６）間に配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の切削工具支持パッド（２４）。
【請求項６】
所与の一次面（４２）の平面図では、その接触面（５０）が、他方の一次面（４２）の２つの対応する当接副面（５６’）間に配設されている前記他方の一次面（４２）の領域の真上に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の切削工具支持パッド（２４）。
【請求項７】
各一次面（４２）の平面図では、前記当接副面（５６）は真っ直ぐであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の切削工具支持パッド（２４）。
【請求項８】
前記パッド外周面（４０）は、２つの対向する二次面（４６）、およびそれらの間に延在している２つの対向する端面（４８）を含み、
前記２つの対向する二次面（４６）は、中を通過しかつ前記第１の軸（Ｒ１）に対して垂直である第２の軸（Ｒ２）を中心に１８０°回転対称を有し、
前記２つの対向する端面（４８）は、それを通過しかつ前記第１の軸（Ｒ１）および前記第２の軸（Ｒ２）の両方に対して垂直である第３の軸（Ｒ３）を中心に１８０°回転対称を有する、
ことを特徴とする請求項１から５および７のいずれか一項に記載の切削工具支持パッド（２４）。
【請求項９】
前記二次面（４６）は平面であることを特徴とする請求項８に記載の切削工具支持パッド（２４）。
【請求項１０】
中を通って延在しておりかつ前後方向を画定する長手方向回転軸Ａを有する切削工具本体（１４）を含む切削工具（１０）であって、前記切削工具本体（１４）は、その外周部（２１）に工具外周面（１８）、少なくとも１つの切削部（１７）、および前記少なくとも１つの切削部とは異なる少なくとも１つの案内部（２０）を備え、前記少なくとも１つの案内部は、前記外周部（２１）に配設されている少なくとも１つの支持パッドポケット（２２）を含み、前記支持パッドポケット（２２）は、
前記工具外周面（１８）に比べて、前記回転軸Ａにより近接して配置されている支持面（２６）と、
前記支持面（２６）と前記工具外周面（１８）との間に延在している側壁（２８）と、
前記側壁（２８）に接続されており、かつ前記支持面（２６）と前記工具外周面（１８）との間に延在している端壁（３０）と、
前記支持面（２６）に形成されている支持面陥凹部（３８）と、を含み、
前記切削工具（１０）は、さらに、
前記切削工具本体（１４）の支持パッドポケット（２２）内に固定されている切削工具支持パッド（２４）であって、請求項１から９のいずれか一項に記載の切削工具支持パッド（２４）を含み、
一方の一次面（４２）の前記当接面（５４）は、前記支持面（２６）に当接し、
前記切削工具支持パッド（２４）の前記パッド外周面（４０）は、前記端壁（３０）および前記側壁（２８）に当接し、
前記一方の一次面（４２）の前記少なくとも１つの凸接触面（５０）は、前記支持面陥凹部（３８）内に配置されている、
ことを特徴とする切削工具（１０）。
【請求項１１】
前記支持パッドポケット（２２）の平面図では、前記支持面陥凹部（３８）は、前記支持面（２６）の２つの支持面部（３９）間に配置されており、
前記支持面（２６）の前記２つの支持面部（３９）およびその間にある前記支持面陥凹部（３８）は、前記回転軸（Ａ）に対して垂直である径方向平面と交差する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の切削工具（１０）。
【請求項１２】
各々が前記支持面（２６）の対応する２つの支持面部（３９）間に配置されている２つの支持面陥凹部（３８）
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の切削工具（１０）。
【請求項１３】
前記側壁（２８）は、側壁陥凹部（３４）により分離されている２つの離間された側壁部分（３２）を含むことを特徴とする請求項１０に記載の切削工具（１０）。
【請求項１４】
前記支持面（２６）は、それが、前方に向いているヘッド面（１６）の軸方向後方の領域に比べて、前記ヘッド面（１６）に最も近接した領域内で前記回転軸Ａから径方向により遠く配置されているように傾斜されていることを特徴とする請求項１０に記載の切削工具（１０）。
【請求項１５】
前記支持面（２６）、前記側壁（２８）、および前記端壁（３０）は、前記切削工具支持パッド（２４）に当接している前記支持パッドポケット（２２）内の限られた面である、
ことを特徴とする請求項１０に記載の切削工具（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己免疫性疾患と診断されており、ＩＳＭｌｏであると決定されているか又はＩＳＭｌｏであることに基づいた治療に選択されている患者に有効量のインターフェロン阻害剤を投与することを含む、患者における自己免疫性疾患を治療する方法における使用のためのインターフェロン阻害剤を含む医薬。
【請求項２】
ＩＳＭｌｏが患者からのサンプル中における一又は複数のインターフェロン応答遺伝子（ＩＲＧｓ）のｍＲＮＡ発現レベルを測定することによって決定される、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
一又は複数のＩＲＧｓのｍＲＮＡ発現レベルがｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎｇ受容体（ＴＦＲＣ）のｍＲＮＡ発現レベルに対して正規化されている、請求項２に記載の医薬。
【請求項４】
サンプルが血液サンプルである、請求項２〜３の何れか一項に記載の医薬。
【請求項５】
ＥＰＳＴＩ１、ＨＥＲＣ５及びＴＹＫＩ（ＣＭＰＫ２）のｍＲＮＡ発現レベルが決定される、請求項２〜４の何れか一項に記載の医薬。
【請求項６】
ＣＨＭＰ５、ＣＩＧ５、ＥＰＳＴＩ１、ＧＩＰ２、ＨＥＲＣ５、ＩＦＩ４４、ＩＦＩ４４Ｌ、ＩＦＩＴ１、ＩＦＩＴ４、ＩＦＩＴ５、ＩＲＦ７、ＭＸ１、ＯＡＳ１、ＯＡＳ２、ＯＡＳ３、ＯＡＳＬ、ＰＡＲＰ９、ＲＩＧ１、ＲＩＧＥ、ＳＡＭＤ９Ｌ、ＳＰ１１０、ＴＹＫ１（ＣＭＰＫ２）、ＸＩＡＰ、ＺＢＰ１、ＩＦＩ２７、ＳＩＧＬＥＣ１、ＤＮＡＰＴＰ６、ＵＳＰ１８、ＩＦ１６、ＨＳＸＩＡＰＡＦ１、及びＬＡＭＰ３から成る群から選択される一又は複数のＩＲＧｓのｍＲＮＡ発現レベルが決定される、請求項２〜４の何れか一項に記載の医薬。
【請求項７】
ＣＨＭＰ５、ＣＩＧ５、ＥＰＳＴＩ１、ＧＩＰ２、ＨＥＲＣ５、ＩＦＩ４４、ＩＦＩ４４Ｌ、ＩＦＩＴ１、ＩＦＩＴ４、ＩＦＩＴ５、ＩＲＦ７、ＭＸ１、ＯＡＳ１、ＯＡＳ２、ＯＡＳ３、ＯＡＳＬ、ＰＡＲＰ９、ＲＩＧ１、ＲＩＧＥ、ＳＡＭＤ９Ｌ、ＳＰ１１０、ＴＹＫＩ（ＣＭＰＫ２）、ＸＩＡＰ、及びＺＢＰ１から成る群から選択される一又は複数のＩＲＧｓのｍＲＮＡ発現レベルが決定される、請求項２〜４の何れか一項に記載の医薬。
【請求項８】
自己免疫性疾患が、ループス、関節リウマチ、乾癬、乾癬性関節炎、インスリン依存性糖尿病（ＩＤＤＭ）、多発性硬化症（ＭＳ）、筋炎、皮膚筋炎、血管炎、粥状動脈硬化、強直性脊椎炎、及びシェーグレン症候群から成る群から選択される、請求項１〜７の何れか一項に記載の医薬。
【請求項９】
患者が、全身性エリテマトーデス（ＳＬＥ）、中程度〜重度の活性ループス、中程度〜重度の活性ＳＬＥ、ループス腎炎、クラスＩＩＩ-Ｖループス腎炎、又は小児ループスを有する、請求項８に記載の医薬。
【請求項１０】
インターフェロン阻害剤が、インターフェロンα、インターフェロンβ、インターフェロンω、インターフェロンλ、及びそれらの組合せから成る群から選択されるインターフェロンに特異的に結合する抗体であってもよい抗インターフェロンタイプＩ抗体である、請求項１〜９の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１１】
抗体が、アミノ酸配列ＲＡＳＱＳＶＳＴＳＳＹＳＹＭＨ（配列番号：１）を含んでなるＨＶＲ-Ｌ１、アミノ酸配列ＹＡＳＮＬＥＳ（配列番号：２）を含んでなるＨＶＲ-Ｌ２、及びアミノ酸配列ＱＨＳＷＧＩＰＲＴＦ（配列番号：３）を含んでなるＨＶＲ−Ｌ３を含んでなる軽鎖；及び／又はアミノ酸配列ＧＹＴＦＴＥＹＩＩＨ（配列番号：４）を含んでなるＨＶＲ-Ｈ１、アミノ酸配列ＳＩＮＰＤＹＤＩＴＮＹＮＱＲＦＫＧ（配列番号：５）を含んでなるＨＶＲ-Ｈ２、及びアミノ酸配列ＷＩＳＤＦＦＤＹ（配列番号：６）を含んでなるＨＶＲ-Ｈ３を含んでなる重鎖を含むか；抗体が、配列番号：７のアミノ酸配列に少なくとも９５％配列同一性の重鎖可変領域配列；及び／又は配列番号：８のアミノ酸配列に少なくとも９５％配列同一性の軽鎖可変領域配列を含むか；抗体が、配列番号：７のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域；及び配列番号：８のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含むか；又は抗体が、ＣＡＳ登録番号９４８５７０-３０-７を有するロンタリズマブである、請求項１０に記載の医薬。
【請求項１２】
インターフェロン阻害剤治療から利益を受けうるか、インターフェロン阻害剤治療に応答しそうである患者として同定される、ＩＳＭｌｏである患者からのサンプル中におけるＩＲＧステータスを決定することを含んでなり、インターフェロン阻害剤治療から利益を受けうるループス患者を同定、又はインターフェロン阻害剤治療に対するループス患者の反応性を予測する方法のためのキット。
【請求項１３】
ＩＲＧ発現レベルが、健常人の同じＩＲＧｓの発現レベルの平均値の１．４倍未満である場合、患者が、ＩＳＭｌｏとして考えられる、請求項１２に記載のキット。
【請求項１４】
ＩＲＧ発現レベルが、健常人の同じＩＲＧｓの発現レベルの平均値に対して２標準偏差未満である場合、患者が、ＩＳＭｌｏとして考えられる、請求項１２に記載のキット。
【請求項１５】
ＩＳＭｌｏが、請求項２〜７のいずれか一項に記載の患者からのサンプル中における一又は複数のインターフェロン応答遺伝子（ＩＲＧｓ）のｍＲＮＡ発現レベルを測定することによって決定される、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１６】
自己免疫性患者から血液サンプルを採取するためのバイアル、及び自己免疫性患者がＩＳＭｌｏであるかを決定するための指示書を含んでなる、インターフェロン阻害剤治療から利益を受けうる自己免疫性患者を同定するためのキット。
【請求項１７】
自己免疫性患者からのサンプル中におけるＥＰＳＴＩ１、ＨＥＲＣ５、ＴＹＫＩ（ＣＭＰＫ２）、ＩＦＩ２７、ＩＦＩ４４、ＩＦＩＴ１、ＭＸ１、ＯＡＳ１、ＯＡＳ２、及びＯＡＳ３から成る群から選択される少なくとも一つの遺伝子の発現レベルを検出するための試薬、及び自己免疫性患者がＩＳＭｌｏであるかを決定するための指示書を含んでなる、インターフェロン阻害剤治療から利益を受けうる自己免疫性患者を同定するためのキット。
【請求項１８】
キットが、インターフェロン阻害剤をさらに含み、そして、指示書が、自己免疫性患者がＩＳＭｌｏであると決定される場合に、インターフェロン阻害剤を投与するための指示を含む、請求項１６又は１７に記載のキット。
【請求項１９】
インターフェロン阻害剤が、抗インターフェロン抗体である、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載のキット。
【請求項２０】
自己免疫性疾患がループスである、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個体の癌細胞及び／又は癌幹細胞（CSC）の治療に使用される、IL1ベータとIL1R1との結合及び／又はIL1R1とIL1RaCPとのヘテロダイマー形成を阻害するポリペプチド。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月24日(2015.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、ジカルボン酸の製造方法：
（ａ）第一触媒システムの存在下でラクトンを加熱し、アルケン酸を製造する工程；および
（ｂ）該アルケン酸を一酸化炭素、水および第二触媒システムと接触させ、第二触媒システムおよびジカルボン酸を含む反応組成物を製造する工程であって、かかる第二触媒システムがパラジウム触媒を含む、工程。
【請求項２】
工程（ａ）を実質的に水の非存在下で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ａ）におけるラクトンの加熱が、反応蒸留を含み、それによりアルケン酸を含む留出物が提供される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）をラクトンの通常の沸点以上の温度で行う、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
第一触媒システムが酸触媒を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
第一触媒システムが不均質な固体触媒を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
第一触媒システムが均質な触媒を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
第一触媒システムが、アルミナ、シリカ、ゼオライト、粘土、硫酸、p−トルエンスルホン酸およびメタンスルホン酸のうち、１つ以上を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
第一触媒システムがアルミナとシリカの混合物を含む、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
アルケン酸が複数の異性体を含む、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｂ）を実質的に酸素の非存在下で行う、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
工程（ｂ）を約８０℃〜約１２０℃の温度で行う、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｂ）を約３bar〜約８０barの圧力で行う、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
該パラジウム触媒が、式（Ｉ）：
【化１】
2014519476.tif 000001
［式中、
Ｘは結合基であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５およびＲ６はそれぞれ独立して、置換されてよい有機基であるか、または、
Ｒ１とＲ２および／またはＲ５とＲ６はともに、それらが結合しているＰ原子と一緒になって環式基を形成する。］
を有する、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
第二触媒が、パラジウム化合物、二座配位ジホスフィンおよび酸を結合させることで製造される、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
二座配位ジホスフィンが、式（ＩＩ）：
【化２】
2014519476.tif 000002
［式中、
Ａｒは置換されてよい芳香族基であり；
Ｒ１およびＲ２は同一であっても異なっていてもよく、三級アルキルを表しているか、
または
ともにそれらが結合しているＰ原子と一緒になって式（ＩＩＩ）：
【化３】
2014519476.tif 000003
［式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立して、置換されてよいヒドロカルビル基を表す。］
を有するホスファトリオキサアダマンタン基を形成し；
Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して、置換されてよいアルキレン基を表し；そして
Ｒ５およびＲ６はそれぞれ独立して、置換されてよい有機基を表すか、または
ともにそれらが結合しているＰ原子と一緒になって、環式基を形成する。］
を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
パラジウム触媒が、酢酸パラジウム、１，２−ビス［ジ（ｔ−ブチル）ホスフィノメチル］ベンゼンおよびメタンスルホン酸を結合させることで製造される、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
ラクトンの一部が、工程（ａ）の後で未反応であり、以下の工程をさらに含む、請求項１〜１７のいずれかに記載の方法：
（ａ１）一部または実質的に全ての未反応のラクトンをアルケン酸から分離する工程；および
（ａ２）工程（ａ１）より分離した未反応のラクトンの一部または実質的に全てを工程（ａ）に再利用する工程。
【請求項１９】
ラクトンの一部が、工程（ａ）の後で未反応であり、工程（ｂ）の反応組成物が工程（ａ）による未反応のラクトンの一部または実質的に全てを含み、さらに以下の工程を含む、請求項１〜１８のいずれかに記載の方法：
（ｂ１）未反応のラクトンを一部または実質的に全て、ジカルボン酸から分離する工程；および
（ｂ２）工程（ｂ１）より分離した未反応のラクトンを一部または実質的に全て、工程（ａ）に再利用する工程。
【請求項２０】
工程（ｂ）の反応組成物が未反応のアルケン酸を含み、以下の工程をさらに含む、請求項１〜１９のいずれかに記載の方法：
（ｂ３）未反応のアルケン酸の一部または実質的に全てを、ジカルボン酸から分離する工程；および
（ｂ４）工程（ｂ３）より分離した未反応のアルケン酸の一部または実質的に全てを工程（ａ）に、および／または工程（ｂ３）より、分離した未反応のアルケン酸の一部または実質的に全てを工程（ｂ）に再利用する工程。
【請求項２１】
さらに以下の工程を含む、請求項１〜２０のいずれかに記載の方法：
（ｃ）工程（ｂ）の反応組成物の残りからジカルボン酸を分離し、ジカルボン酸を含む第一の部分および第二触媒システムを含む第二の部分を製造する工程；および
（ｄ）第二触媒システムを含む、かかる第二の部分を工程（ｂ）に再利用する工程。
【請求項２２】
ラクトンがγ−バレロラクトンであり、したがって、アルケン酸がペンテン酸であり、そしてジカルボン酸がアジピン酸である、請求項１〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
ペンテン酸が、２−ペンテン酸、３−ペンテン酸および４−ペンテン酸の１つ以上を含むか、またはこれら全てを含んでいてよい、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
レブリン酸の水素化によりγ−バレロラクトンを製造する工程をさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
セルロースの酸接触加水分解によりレブリン酸を製造する工程をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
リグノセルロースを分解することによってセルロースを製造する工程をさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
以下の工程を含む、ナイロン６−６の製造方法：
（ａ）γ−バレロラクトンを、第一触媒システムの存在下で加熱し、ペンテン酸を製造する工程；
（ｂ）ペンテン酸を一酸化炭素、水および第二触媒システムと接触させて、第二触媒システムとアジピン酸を含む反応組成物を製造する工程であって、該第二触媒システムがパラジウム触媒を含む、工程、および、
（ｃ）アジピン酸をヘキサメチレンジアミンと共重合させ、それによりナイロン６−６を形成する工程。