【事件の表示】
　平成　４年特許願第　４４７１１号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　９月２１日出願公開、特開平　５−２４３２８１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成４年３月２日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１０年６月８日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面部に形成された前記半導体基板と反対導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の表面部にその所定箇所を除き形成された前記第１の半導体領域と同一導電型でこれより高濃度の第２の半導体領域と、前記所定箇所及び前記第２の半導体領域の表面部に形成された前記一導電型の半導体層と、前記半導体層の前記所定箇所に対応する部分とその近傍をそのまま浮遊拡散層とする出力構造を有する半導体装置。」（なお、平成１０年１０月１９日付けの手続補正は、却下され確定している。）
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６２−３３４６３号公報（以下、「引用例」という）には、
「一導電形の半導体基板と、該半導体基板上に形成された該半導体基板と反対導電形の第１および第２の半導体領域と、該半導体領域に形成された一導電形の埋込みチャネルの半導体層と、該半導体層に浮遊拡散層として形成された一導電形の半導体拡散層を備えた出力構造を有する電荷結合素子において、前記第２の半導体領域は前記半導体拡散層直下の少なくとも一部領域は欠除して形成され、かつその不純物濃度は素子主要部と比べより低濃度となされていることを特徴とする電荷結合素子。」（特許請求の範囲、請求項１）、
「第２図は従来の電荷結合素子の出力部の模式的断面図を示す。なお、以下の説明では便宜上Ｎ型半導体基板を用いたＮチャネルの素子について説明する。第２図において、１はＮ型の半導体基板　２，３はこの半導体基板上に形成される反対導電型すなわちＰ型の第１および第２の半導体領域で、ここでは第１および第２のＰウエルと呼ぶ。４はこれらＰウエル内に形成されるＮ型の半導体層（Ｎウエル）で、埋込みチャネルＣＣＤを構成する。５および６は高濃度のＮ型不純物を拡散した領域で、とくに５は浮遊拡散層としてＣＣＤの出力構造の一部を構成し、転送電荷の検出を行なうのに用いられる。７はＰ型の高濃度拡散層でチャネルストッパーを形成している。８は絶縁膜、９はリセット電極、１０は出力ゲート電極、１１，１２は転送ゲート電極である。本素子の動作においては通常前記第１、第２のＰウエル２，３と前記Ｎ型半導体基板１との間には逆バイアス電圧ＶＳＵＢが印加されている。本素子における第２のＰウエルはＮウエル４直下に形成され、ＣＣＤの転送電荷量の増大あるいは固体撮像におけるスミアの抑制に有効に作用する。」（第２頁左上欄第９行〜右上欄第１０行）、
「（従来技術の問題点）以上述べた一連の動作から、本素子の信号電荷の検出感度は、浮遊拡散層容量が小さいほど大きいことがわかる。浮遊拡散層５の容量は、第１，第２のＰウエルに対する容量、リセット電極９に対する容量、出力ゲート電極１０に対する容量、出力アンプ（図示せず）の入力容量等の合成容量となる。通常、第２のＰウエル３は比較的高濃度である。このため従来素子では浮遊拡散層からＰウエルに向って空乏層があまり延びず、対Ｐウエルの容量が比較的大きくなり、結果的に浮遊拡散層の容量が大となり、信号検出感度の劣化あるいはＳ／Ｎ比の低下等の問題が生じていた。（発明の目的）本発明の目的は、このような従来の問題点を解消することにより、信号検出感度が高く、Ｓ／Ｎ比のより電荷結合素子とその駆動方法を提供することにある。」（第２頁左下欄第９行〜右下欄第７行）、
「（構成の詳細な説明）本発明の第１の発明の電荷結合素子は、従来浮遊拡散層直下にあった二つのＰウエルの一方を除去することにより浮遊拡散層直下のＰウエルの不純物濃度を低下させ空乏層がより広がりやすくさせていることに特徴がある。」（第３頁左上欄第１４〜１９行）、
「（実施例）以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。第１図は、本発明の第１の発明による一実施例の模式的断面図を示し、素子出力部の要部について示している。第１図において、第２図と同一番号は同一対象物を示す。第１図において、１３，１４は第２のＰウエルであり、浮遊拡散層５直下は欠除して構成されている。１５は浮遊拡散層５直下の第１のＰウエル領域を示す。本素子の構成において領域１５は、素子主要部のＰウエル領域よりも全体としてその不純物濃度がより低濃度となっている。」（第３頁右上欄第１２行〜左下欄第４行）が、第１図、第２図と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例には、
「Ｎ型の半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成される反対導電型すなわちＰ型の第１の半導体領域（第１のＰウエル）２、及び比較的高濃度の第２の半導体領域（第２のＰウエル）１３、１４と、これらＰウエル内に形成されるＮ型の半導体層（Ｎウエル）４と、浮遊拡散層としてＣＣＤの出力構造の一部を構成する高濃度のＮ型不純物を拡散した領域５を有する電荷結合素子において、前記第２のＰウエル１３，１４は浮遊拡散層５直下は欠如して構成されていることを特徴とする電荷結合素子。」が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、本願発明の「一導電型の半導体基板」、「第１の半導体領域」、「第２の半導体領域」、「一導電型の半導体層」は、それぞれ引用例に記載された発明の「Ｎ型の半導体基板１」、「第１の半導体領域（第１のＰウエル）２」、「第２の半導体領域（第２のＰウエル）１３，１４」、「Ｎ型の半導体層（Ｎウエル）４」に相当する。
　従って、両者は、「一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面部に形成された前記半導体基板と反対導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の表面部にその所定箇所を除き形成された前記第１の半導体領域と同一導電型でこれより高濃度の第２の半導体領域と、前記所定箇所及び前記第２の半導体領域の表面部に形成された前記一導電型の半導体層と、前記半導体層の前記所定箇所に対応する部分とその近傍を浮遊拡散層とする出力構造を有する半導体装置。」である点で一致し、本願発明が「半導体層の前記所定箇所に対応する部分とその近傍をそのまま浮遊拡散層とする出力構造を有する」のに対して、引用例に記載された発明は「浮遊拡散層としてＣＣＤの出力構造の一部を構成する高濃度のＮ型不純物を拡散した領域５を有する」点において相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　電荷結合素子の出力構造として、一導電型の半導体層に高濃度の一導電型不純物を拡散した領域を形成して浮遊拡散層とすることなく、一導電型の半導体層の所定箇所とその近傍をそのまま浮遊拡散層とすることは周知である。（例えば、特開平２−２７５６４５号公報を参照）
　そして、引用例に記載された電荷結合素子の出力構造として、前記周知の構造を採用することは当業者が容易になし得たことであると認められる。また、出力構造として前記周知の構造を採用したことによる格別の効果も認められない。
　したがって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。