【事件の表示】
　特願２００８−５１９２７３「鉛フリー半導体パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月　４日国際公開、ＷＯ２００７／００１５９８、平成２０年１２月　４日国内公表、特表２００８−５４４５７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１８（２００６）年４月１９日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　平成１７（２００５）年６月２７日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年５月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、同年１２月２６日付けで審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、平成２５年４月９日付けで回答書が提出されたものである。
　
【２】平成２４年９月１８日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年９月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
［１］補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項３は、以下のように補正された。
「ダイサイドおよびピンサイドを有し、前記ダイサイド上に複数の鉛フリーのダイはんだパッド（３）が位置し、前記ピンサイド上に複数の鉛フリーのピンはんだフィレット（５）位置したパッケージ基板（４）であって、
　前記複数の鉛フリーのダイはんだパッド（３）は、ダイはんだパッドリフロー温度を有し、前記複数の鉛フリーのピンはんだフィレット（５）はピンはんだフィレットリフロー温度を有し、前記ダイはんだパッドリフロー温度は前記ピンはんだフィレットリフロー温度よりも低く、前記ピンはんだフィレットリフロー温度は前記パッケージ基板（４）の熱分解温度よりも低く、
　前記複数の鉛フリーのダイはんだパッド（３）は、約７重量％〜約２０重量％のインジウム、約２重量％〜約４．５重量％の銀、約０重量％〜約０．７重量％の銅、約０重量％〜約０．５重量％のアンチモン、および、約７４．３重量％〜約９０重量％の錫から構成され
、
　
前記熱分解温度が少なくとも２７５℃であ
　
　上記補正は、本願の請求項３に係る発明の「パッケージ基板」の熱分解温度に関して、「少なくとも２７５℃である」ことを限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
　そこで、本件補正後の前記請求項３に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて、以下検討する。
　
［２］引用刊行物
　
　刊行物：特開２００５−３２９０５号公報
　
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として提示され、本願優先日前に頒布された上記刊行物には、図面とともに、以下のことが記載されている。
　
（ア）
「【発明の属する技術分野】
　本発明は、多層プリント配線板、特にパッケージタイプの多層プリント配線板に係り、導電性接続ピンのズレや脱落などが発生することなく、電気特性や信頼性を向上させることができる多層プリント配線板に関する。
【従来の技術】
　高周波数用のＩＣチップを搭載するパッケージ基板としてビルドアップ多層プリント配線板が用いられている。ビルドアップ多層プリント配線板の製造方法は、スルーホールが形成されたコア基板の両面もしくは片面に、層間絶縁樹脂を形成し、層間導通のためのバイアホールをレーザもしくはフォトエッチングにより開口させて、層間樹脂絶縁層を形成させる。そのバイアホール上にめっきなどにより導体層を形成し、エッチングなどを経て、パターンを形成し、導体回路を作り出させる。さらに、層間絶縁層と導体層を繰り返し形成させることにより完成する。必要に応じて、表層に半田バンプ、外部端子（ＰＧＡ（ＰＩＮ  ＧＲＩＤ  ＡＲＲＡＹ）／ＢＧＡ（ＢＡＬＬ  ＧＲＩＤ  ＡＲＲＡＹ）など）を形成させることにより、ＩＣチップを実装することができる基板やパッケージ基板となる。ＩＣチップはＣ４（フリップチップ）実装を行うことにより、パッケージ基板への電気的接続を行っている。ＰＧＡが設けられたパッケージ基板は、外部基板側のソケットに導電性接続ピンを嵌入させることで接続が行われる。・・・」（段落【０００１】〜【０００２】）
　
（イ）
「導電性接続ピンを接合する導電性接着剤には、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕなどからなる半田を用いることができる。その中でも鉛が配合されていない金属を用いることが望ましい。鉛は環境に影響を与えるし、融点を高くすることができない。そのために、ＩＣチップの実装に半田バンプを形成させるときに、温度に対して、導電性接着剤が溶融してしまうために、溶融によるピンの傾き、脱落を引き起こしてしまうからである。それ以外のものであれば、高融点にすることができるし、接合強度を確保することができるからである。
　ここで、鉛が含まれていない低融点合金は、可塑性が低く、応力を伝達し易いが、本発明では、導電性接続ピンの接合部（釘頭部）の上面の面積よりも下面の面積を小さくすることにより、応力が上面と下面との稜線に沿って導電性接続ピンの外側に向って伝わるので、接合強度が低下することがない。
　導電性接続ピンを接合する導電性接着剤の融点は、２３０〜３００℃であることが望ましい。２３０°未満では、半田バンプとの融点の差が小さいので半田バンプリフロー時、ピンの傾きや脱落を引き起こしてしまう。３００°を越えると、樹脂の軟化を引き起こしてしまい。基板自体が耐えられなくなる。導電性接着剤には、半田を用いることが望ましい。半田以外にも例えばロウ付け材などの高融点である導電性接着剤を用いることも可能である。しかしながら、ロウ付け材の融点が、３００℃を越える高融点であるため、樹脂材料を用いているために、ロウ付け材の溶解させるための温度にすると、樹脂材料の溶解、軟化することが懸念されている。２８０℃未満の導電性接着剤がより望ましい。」（段落【００１４】〜【００１６】）
　
（ウ）
「この場合のコア基板とは、ガラスエポキシ樹脂などの芯材が含浸した樹脂基板、セラミック基板、金属基板、樹脂、セラミック、金属を複合して用いた複合コア基板、それらの基板の内層に（電源用）導体層が設けられた基板、３層以上の多層化した導体層が形成された多層コア基板を用いることができる。
電源層の導体の厚みを、厚くするために、金属を埋め込まれた基板上に、めっき、スパッタなどの一般的に行われる導体層を形成するプリント配線板の方法で形成したものを用いてもよい。
　本願発明でのコア基板とは、以下のように定義される。芯材等が含浸された硬質基材であり、その両面もしくは片面に、芯材などを含まない絶縁樹脂層を用いて、フォトビアもしくはレーザによりバイアホールを形成して、導体層を形成して、層間の電気接続を行う。相対的に、コア基板の厚みは、樹脂絶縁層の厚みよりも厚いものである。基本的には、コア基板は電源層を主とする導体層が形成されて、その他信号線などは表裏の接続を行うためだけに形成されている。」（段落【００１８】〜【００１９】）
　
（エ）
「第１実施例に係る半田バンプ７６としては、相対的に低融点のＳｎ／Ｐｂからなる半田が用いられる。また、ピン接続用半田８６としては、相対的に高融点のＳｎ／Ｓｂが用いられる。半田バンプ７６を構成しているＳｎ／Ｐｂからなる半田の融点は、１６０〜２００℃の間であり、ＩＣチップ９０を実装する際、リフロー温度２００〜２２０℃の間で行えば、半田バンプ合金は、軟化、溶解してＩＣチップ９０と接続させることができる。第１実施例では、一般的に広く用いられる６３Ｓｎ／３７Ｐｂｍｐ１８３℃（ここで、ｍｐ１８３℃は融点１８３℃を示す）の共晶半田を使用した。一方、ピン接続用半田８６は、融点が２３２〜２４０℃のＳｎ／Ｓｂが用いられている。その範囲の融点であれば、ＩＣチップ９０を実装するため上記２００〜２２０℃の温度を加えた際に、軟化、溶解しないので、導電性接続ピン８０のずれ、傾き、脱落を引き起こさないし、導電性接続ピン８０を配設する際にも、その熱がソルダーレジスト層７０、層間樹脂絶縁層５０、１５０に影響を与えないので、基板に反りを引き起こさない。」（段落【００２２】）
　
（オ）
「（２０）その後、２４０〜２６０℃でリフローすることで、Ｓｎ／Ｓｂ半田ペースト８６αをピン接続用半田８６にして、開口部７１Ｄ内に導電性接続ピン８０を接続固定させる（図６（Ａ））。・・・その後、２００〜２２０℃でリフローすることで、スズ−鉛を含有する半田ペースト７６αを半田バンプ７６とする（図７）。これにより、半田バンプ７６および導電性接続ピン８０を有する多層プリント配線板１０を得ることができる。・・・次に、完成した多層プリント配線板１０の半田バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置する。その後、２００〜２２０℃でリフローを行い、ＩＣチップ９０の取り付けを行う。これにより、ＩＣチップ９０を有する多層プリント配線板１０を得る（図８参照）。導電性接続ピンを半田付けしてから半田バンプを形成することも可能である。・・・」（段落【００５４】〜【００５７】）
　
　上記記載事項（イ）によれば、「３００°を越えると、樹脂の軟化を引き起こしてしまい。基板自体が耐えられなくなる。」ことから、基板の熱分解温度は３００℃以上であることが分かる。
　
　上記記載事項（ア）〜（オ）及び図面並びに当業者の技術常識によれば、上記刊行物には、以下の発明が記載されていると認められる。
　
「ＩＣチップ９０サイドおよび導電性接続ピン８０サイドを有し、前記ＩＣチップ９０サイド上に複数のスズ−鉛を含有する半田ペースト７６αからなる半田バンプ７６が位置し、前記導電性接続ピン８０サイド上に複数のＳｎ／Ｓｂ半田ペースト８６αからなるピン接続用半田８６が位置した多層プリント配線板１０であって、
　前記複数のスズ−鉛を含有する半田ペースト７６αからなる半田バンプ７６は、半田バンプ７６のリフロー温度として２００〜２２０℃を有し、前記複数のＳｎ／Ｓｂ半田ペースト８６αからなるピン接続用半田８６はピン接続用半田８６のリフロー温度として２４０〜２６０℃を有し、前記半田バンプ７６のリフロー温度は前記ピン接続用半田８６のリフロー温度よりも低く、前記ピン接続用半田８６のリフロー温度は前記多層プリント配線板１０の熱分解温度よりも低く、
　前記熱分解温度が３００℃以上である、多層プリント配線板１０。」（以下、「刊行物記載の発明」という。）
　
［３］対比
　本願補正発明と刊行物記載の発明とを対比すると、その機能及び作用からみて、刊行物記載の発明の「ＩＣチップ９０」、「導電性接続ピン８０」、「半田バンプ７６」、「Ｓｎ／Ｓｂ半田ペースト８６αからなるピン接続用半田８６」、「多層プリント配線板１０」、「半田バンプ７６のリフロー温度として２００〜２２０℃」、「ピン接続用半田８６のリフロー温度として２４０〜２６０℃」、「熱分解温度が３００℃以上」は、それぞれ、本願補正発明の「ダイ」、「ピン」、「ダイはんだパッド（３）」、「鉛フリーのピンはんだフィレット（５）」、「パッケージ基板（４）」、「ダイはんだパッドリフロー温度」、「ピンはんだフィレットリフロー温度」、「熱分解温度が少なくとも２７５℃」に相当する。
　
　そうすると、両者は、
「ダイサイドおよびピンサイドを有し、前記ダイサイド上に複数のダイはんだパッドが位置し、前記ピンサイド上に複数の鉛フリーのピンはんだフィレットが位置したパッケージ基板であって、
　前記複数のダイはんだパッドは、ダイはんだパッドリフロー温度を有し、前記複数の鉛フリーのピンはんだフィレットはピンはんだフィレットリフロー温度を有し、前記ダイはんだパッドリフロー温度は前記ピンはんだフィレットリフロー温度よりも低く、前記ピンはんだフィレットリフロー温度は前記パッケージ基板の熱分解温度よりも低く、
　前記熱分解温度が少なくとも２７５℃である、パッケージ基板。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
〈相違点〉
　「ダイはんだパッド」について、本願補正発明が「鉛フリー」であり、「約７重量％〜約２０重量％のインジウム、約２重量％〜約４．５重量％の銀、約０重量％〜約０．７重量％の銅、約０重量％〜約０．５重量％のアンチモン、および、約７４．３重量％〜約９０重量％の錫から構成され」ているのに対し、刊行物記載の発明では、「スズ−鉛を含有する半田ペースト７６α」からなる点。
　
［４］判断
　半導体装置の製造一般において、環境規制の観点から、鉛の使用を可及的に少なくすることは、当業者が考慮すべき課題の一つとして周知である（上記記載事項（イ）、原査定の拒絶の理由に引用文献３として提示された特開２０００−２８００９０号公報（以下、「周知例１」という。【０００３】参照）、同じく引用文献６として提示された特開平８−１８７５９１号公報（以下、「周知例２」という。【０００８】〜【００１０】参照）、同じく引用文献７として提示された特開平８−２０６８７４号公報（以下、「周知例３」という。【０００３】）等参照）。
　上記刊行物記載の発明では、ダイ（ＩＣチップ９０）サイド上に位置する複数のダイはんだパッド（半田バンプ７６）と、ピン（導電性接続ピン８０）サイド上に位置する複数のピンはんだフィレット（ピン接続用半田８６）が開示されているところ、ピンはんだフィレット（ピン接続用半田８６）は、鉛を使用しない「Ｓｎ／Ｓｂ半田ペースト８６α」からなるものであるが、ダイはんだパッド（半田バンプ７６）は、スズ−鉛を含有する半田ペースト７６αからなるものであり、鉛を有している。
　これについて考察すると、上記刊行物に記載されたものは、「導電性接続ピンのズレや脱落などが発生することなく、電気特性や信頼性を向上させることができる」（上記記載事項（ア））ことを課題としているところ、ピン接続に鉛を有する半田を用いれば、「環境に影響を与えるし、融点を高くすることができない」（上記記載事項（イ））、すなわち、ＩＣチップ実装時にダイはんだパッド（半田バンプ７６）を形成させるとき、温度に対して、ピンはんだフィレット（ピン接続用半田８６）が溶融してしまい、溶融によるピンの傾き、脱落を引き起こしてしまうので、ピンはんだフィレット（ピン接続用半田８６）は鉛を使用しない高融点のものとし、接続強度を確保するようにしたものである（上記記載事項（イ）参照）。
　一方、ダイはんだパッド（半田バンプ７６）についてみてみると、スズ−鉛を含有する半田ペースト７６αが用いられている理由は、ピンはんだフィレット（ピン接続用半田８６）よりも相対的に低融点である（上記記載事項（エ）参照）ことのみが挙がられており、ことさら「鉛」を用いた理由については、明確に記載されていない。そして、ダイはんだパッド（半田バンプ７６）を構成しているＳｎ／Ｐｂからなる半田の融点は、１６０〜２００℃の間である（上記記載事項（エ）参照）。
　上記刊行物に記載のＳｎ／Ｐｂからなる半田の融点と同等の融点を有する半田の例としては、スズ−銀−インジウム合金が従来周知である。例えば、上記周知例２では、次のような記載がある。
「【００３５】（実施例２）次の組成を有する合金を調製した。
錫            ８７．７％
銀              ３．２％
インジウム      ９．１％
得られた合金は、２０２．４℃の固相化温度、および２０７．５℃の液相化温度を有する。この合金は５．１℃のペースト状範囲を有する。
【００３６】（実施例３）次の組成を有する合金を調製した。
錫            ８４．０％
銀              ３．０％
インジウム    １３．０％
得られた合金は、１９４．１℃の固相化温度、および１９９．２℃の液相化温度を有する。この合金は５．１℃のペースト状範囲を有する。
【００３７】（実施例４）次の組成を有する合金を調製した。
錫            ８０．４％
銀              ２．９％
インジウム    １６．７％
得られた合金は、１８８．９℃の固相化温度、および１９４．１℃の液相化温度を有する。この合金は５．２℃のペースト状範囲を有する。
【００３８】（実施例５）次の組成を有する合金を調製した。
錫            ７７．２％
銀              ２．８％
インジウム    ２０．０％
得られた合金は、１７８．５℃の固相化温度、および１８９．１℃の液相化温度を有する。この合金は１０．６℃のペースト状範囲を有する。」
　上記記載によれば、上記周知例２には、鉛を含まない、錫７７．２〜８７．７％、銀２．８〜３．２％、インジウム９．１〜２０．０％の構成のはんだ合金であって、融点が１８９．１〜２０７．５℃のものが開示されている。
　また、上記周知例３には、【表１】の実施例４として、鉛を含まない、錫８６．５％、銀３．５％、インジウム１０％の構成のはんだ合金であって、融点が２００℃のものが開示されている。
　してみると、半導体装置の製造一般において、環境規制の観点から、鉛の使用を控えることは周知の課題であるところ、刊行物記載の発明において、ダイはんだパッド（半田バンプ７６）に用いられている、スズ−鉛を含有する半田ペースト７６αに代えて、鉛を有さない、同等の融点を有する従来周知のスズ−銀−インジウムはんだ合金を採用することは、当業者ならば必要に応じて適宜なし得るものであり、格別の困難性はないものとみられる。
　また、本願補正発明が規定する「ダイはんだパッド」の材料構成（約７重量％〜約２０重量％のインジウム、約２重量％〜約４．５重量％の銀、約０重量％〜約０．７重量％の銅、約０重量％〜約０．５重量％のアンチモン、および、約７４．３重量％〜約９０重量％の錫）についても、上記周知例２及ぶ周知例３に記載されたものと相違するものではなく、格別の顕著性はないものとみられる。
　
　そして、本願補正発明の効果も、刊行物記載の発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものということができない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
［５］むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
【３】本願発明について
　平成２４年９月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年８月３０日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項３に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
（本願発明）
「ダイサイドおよびピンサイドを有し、前記ダイサイド上に複数の鉛フリーのダイはんだパッド（３）が位置し、前記ピンサイド上に複数の鉛フリーのピンはんだフィレット（５）位置したパッケージ基板（４）であって、
　前記複数の鉛フリーのダイはんだパッド（３）は、ダイはんだパッドリフロー温度を有し、前記複数の鉛フリーのピンはんだフィレット（５）はピンはんだフィレットリフロー温度を有し、前記ダイはんだパッドリフロー温度は前記ピンはんだフィレットリフロー温度よりも低く、前記ピンはんだフィレットリフロー温度は前記パッケージ基板（４）の熱分解温度よりも低く、
　前記複数の鉛フリーのダイはんだパッド（３）は、約７重量％〜約２０重量％のインジウム、約２重量％〜約４．５重量％の銀、約０重量％〜約０．７重量％の銅、約０重量％〜約０．５重量％のアンチモン、および、約７４．３重量％〜約９０重量％の錫から構成される、パッケージ基板（４）。」
　
［１］引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された上記刊行物の記載事項は、前記【２】［２］に記載したとおりである。
　
［２］対比・判断
　本願発明は、前記【２】で検討した本願補正発明について、「パッケージ基板」の熱分解温度に関して、「少なくとも２７５℃である」という限定をなくすものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、前記【２】［４］に記載したとおり、刊行物記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［３］むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。