【事件の表示】
　特許第３３３８１２３号「半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３３８１２３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３３８１２３号の発明についての出願は、平成５年４月３０日の出願であって、平成１４年８月９日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、鈴木俊孝より特許異議の申立がなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年９月２１日に訂正請求（後日取下）がなされ、その後、再度取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年２月２３日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否について
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　訂正前の請求項２を新たに請求項１として以下のとおり訂正するとともに、訂正前の請求項１を削除する。
　「【請求項１】
　反応容器内においてハロゲン元素を含むプラズマガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスまたはハロゲン元素を含むガスの化学反応を用いて被処理基体を処理する半導体製造装置において、処理の終わった被処理基体を大気中に取り出す前に、該被処理基体が収容されている容器に、プラズマにより活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含むプラズマにより活性化されたガスと水またはアルコールのみのガスであって活性化のされていないものとを減圧下でこの順に連続して供給することにより、被処理基体に付着した堆積膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（２）訂正事項ｂ
　明細書の発明の名称を「半導体装置の製造方法」と訂正するとともに、明細書段落【０００１】の「本発明は、半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法に関するもので、」を、「本発明は、半導体装置の製造方法に関するもので、」と、また同段落【０００１】の「半導体製造装置の洗浄方法及びこの装置を使用する半導体装置の製造方法」を、「半導体装置の製造方法」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書段落【００１７】を次のとおり訂正する。
　「本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、ハロゲン元素を含むプラズマ等を利用してエッチングや成膜等の処理を行なう半導体製造装置において、被処理基体を処理した後に、該基体に付着する堆積膜を大気にさらす前に、簡便な方法でこの堆積膜を除去できる半導体装置の製造方法を提供することである。」
（４）訂正事項ｄ
　明細書段落【００１８】の「本発明の半導体製造装置の洗浄方法は、」を、「本発明の関連技術に係る半導体製造装置の洗浄方法は、」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書段落【００２０】の「該被処理基体が収容されている容器に活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスと水素元素を含む極性をもったガスであってプラズマ処理による活性化のされていないものとを同時に或いはこの順に連続して供給することにより、」を、「該被処理基体が収容されている容器に、プラズマにより活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含むプラズマにより活性化されたガスと水またはアルコールのみのガスであって活性化のされていないものとを減圧下でこの順に連続して供給することにより、」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書段落【００３２】及び段落【００３７】に記載の「第３実施例」を、「第３参考例」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　明細書段落【００６３】に記載の「本発明」を、「本発明の関連技術」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａは、訂正前の請求項２に記載の「活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガス」を「プラズマにより活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含むプラズマにより活性化されたガス」と限定し、同請求項２に記載の「水素元素を含む極性をもったガスであってプラズマ処理による活性化されていないもの」を「水またはアルコールのみのガスであって活性化のされていないもの」と限定し、さらに同請求項２に記載の「同時に或いはこの順に」を「減圧下でこの順に」に限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、これらの点は、明細書段落【００２１】、【００２２】、【００４７】〜【００４９】の記載によって裏付けられている。
（２）訂正事項ｂ〜ｇは、上記訂正事項ａによる訂正に明細書の記載を整合させたものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　そして、上記訂正事項ａ〜ｇは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立について
１．特許異議の申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１〜５号証を提出して、訂正前の請求項１、２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１、３〜５号証に記載された発明、又は甲第２、３〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１、２項の規定に違反してされたものであり、また同請求項１、２には記載不備があるから、本件特許は特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平５−６８８０号公報（以下、「刊行物１」という。）
甲第２号証：特公平２−１２３５号公報（以下、「刊行物２」という。）
甲第３号証：特開平４−３２３３８９号公報（以下、「刊行物３」という。）
甲第４号証：特開平２−１９０４７２号公報（以下、「刊行物４」という。）
甲第５号証：特開平３−９４０５９号公報（以下、「刊行物５」という。）
　
２．本件発明
　本件特許第３３３８１２３の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、平成１７年２月２３日付訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記「II．訂正の適否について　１．訂正の内容　（１）訂正事項ａ」欄参照）。
　
３．各刊行物の記載事項
（１）刊行物１（特開平５−６８８０号公報）の記載事項
（１ａ）「本発明は、半導体素子の製造技術に係わり、特にハロゲン元素を含むガスを用いた処理工程を経ることにより表面に残留したハロゲンを除去するための表面処理方法に関する。」（段落【０００１】）
（１ｂ）「本発明は、・・・その目的とするところは、半導体や金属表面に残留したハロゲンを簡易に除去することのできる表面処理方法を提供することにある。」（段落【０００６】）
（１ｃ）「（第６の実施例）本発明の第６の実施例として、Ａｌ合金薄膜の異方性ドライエッチング加工とレジスト除去について述べる。・・
　図５は、本実施例で用いる表面処理装置の概略構成を示す断面図である。試料５０は、反応容器５１内に収納された試料台５２上に載置される。・・・反応容器５１には、ガス導入口５３ａから放電管５４を介してガスが導入され、ガス導出口５３ｃから排気される、また、反応容器５１内に、ガス導入口５３ｂから直接ガスを導入することもできる。
　・・・
　反応容器５１の内部には、試料台５２に対向して電極５８が設けられており、この電極５８に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加することにより高周波放電が生起される。また、反応容器５１の上壁部には石英窓５９が設置されており、この窓５９を通して試料５０に光を照射することが可能となっている。次に、Ａｌ合金薄膜の異方性ドライエッチング加工とレジスト除去について、図６の工程断面図を用いて説明する。・・
　まず、図６（ａ）に示すように、Ｓｉ基板６０上に熱酸化により１００ｎｍの酸化膜６１を形成し、スパッタにより５００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金薄膜６２を推積する。さらに、レジスト６３を塗布した後、フォトリソグラフィーによりレジスト６３をパターニングする。・・
　次いで、この試料５０を図５に示した装置の試料台５２上に載置し、反応容器５１内を真空排気したのち、ガス導入口５３ａからＢＣｌ３ガス３０ｓｃｃｍを導入し、反応容器５１の内部を０．０３Ｔｏｒｒに保つ。さらに、電極５８に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加し、ＢＣｌ３ガスのプラズマを発生させてＡｌ合金薄膜６２表面の自然酸化膜を除去する。・・
　次いで、ＢＣｌ３に代えてＣｌ２ガス５０ｓｃｃｍを導入し、反応容器５１の内部を０．０１Ｔｏｒｒに保って電極５８に高周波を印加し、Ｃｌ２プラズマを発生させる。１０分間処理することにより、図６（ｂ）に示すようにＡｌ合金薄膜６２は垂直にエッチングされた。このとき、Ａｌ合金薄膜６２の側壁には、Ｃｌを含む汚染層６４が形成された。・・
　次いで、ＣＦ４ガス５０ｓｃｃｍ，Ｏ２ガス５００ｓｃｃｍをガス導入口５３ａから導入し、反応容器５１の内部を０．２Ｔｏｒｒに保ったまま、放電管５４の内部でガスを放電させた。約１５分間の処理により、図６（ｃ）に示すようにレジスト６３は除去された。この処理により、Ａｌ合金薄膜６２の上面にはＦを含む層６５が形成され、側壁にはＣｌとＦを含む層６６が形成された。・・
　次いで、ＮＨ３ガス１００ｓｃｃｍをガス導入口５３ａから導入し、反応容器５１の内部を１Ｔｏｒｒに保ったまま、石英窓５９を介してＡｒＦレーザ光（波長１９３ｎｍ）を試料５０に照射し、同時に試料５０を回転させた。ＮＨ３はＡｒＦレーザ光により分解し、Ｈラジカルを生成する。このＨラジカルは汚染層６５，６６のＦやＣｌと反応し、これらをＨＦ，ＨＣｌとして除去するため、図６（ｄ）に示すように汚染層６５，６６を除去することができた。」（段落【００４０】〜段落【００４８】）
（１ｄ）「なお、本実施例では、ハロゲンを用いた処理とハロゲンを除去する処理を同一容器で行っている・・・本実施例のように同一容器内で表面を大気に晒さずに連続して処理を行う方が望ましい。」（段落【００５０】）
（１ｅ）「なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものではない。実施例では、分子内に水素元素を含む化合物ガスとして、ボランガスやＳｉＨ４，ＮＨ３を用いているが、カルボランガス（ＢｘＣ２Ｈｘ＋２）やＢｘＨｘ＋４，ＢｘＨｘ＋６，ＣｘＨ２ｘ−２，ＣｘＨ２ｘ，ＣｘＨ２ｘ＋２，Ｎ２Ｈ４，ＳｉｘＨ２ｘ＋２，ＰＨ３，ＡｓＨ３，ＧｅｘＨ２ｘ＋２，Ｈ２Ｓ，ＨＣＮ，ＣｓＨ，ＨＩ，さらにＮＨＲ１Ｒ２（Ｒ１，Ｒ２＝ＣｘＨｙ），などのガスを試料表面で分解させてもよい。」（段落【００７７】）
（１ｆ）「・・・さらに本発明では、・・・ハロゲンを除去する表面としては、半導体素子を形成する金属や半導体に限定されるものではなく、第１０の実施例で述べた、ハロゲンガスを用いた処理を内部で行う反応容器の壁面など、ハロゲンガスに晒される反応容器，真空部品，ガス配管の表面のように、腐食が問題となる金属表面に用いてもよい。」（段落【００７８】）
　
（２）刊行物２（特公平２−１２３５号公報 ）の記載事項
（２ａ）「本発明は、気相法により被膜形成を行った同一装置に対して、反応炉内壁に付着した被膜または粉体を弗化窒素・・・を利用してプラズマ気相エツチングを行うに際し、反応炉内壁に残存物を完全になくして清浄にするため、この領域をプラズマエツチによりクリーニングの際、水冷をやめて加熱昇温せしめて、反応炉壁面での反応を助長せしめ清浄度をを高めることを特徴としている。」（１頁２欄２３行〜２頁３欄７行）
（２ｂ）「反応炉５はその内壁に反応生成物９が被膜または粉体にて被着形成される。
　即ち、珪化物気体・・・ＳｉＦ４・・・を１より導入し、・・・反応炉内で０．０１〜１０ｔｏｒｒに減圧された雰囲気をプラズマ化する。このプラズマ化された気体を・・・加熱した基板１０上にアモルファス、セミアモルファス・・・膜を・・・形成する。」（２頁３欄２４〜４０行）
（２ｃ）「かかる被膜形成法による・・・被膜を１〜３回繰り返すと、・・・被膜９が内壁に形成された、この後、本発明はかかる被膜または粉体９の除去を、弗化窒素・・・を・・・与えてプラズマ化して実施した。・・・この際反応炉内では活性弗素と窒素・・・ができ、・・・反応炉の内壁での反応性気体を容易に内壁の反応生成物と反応せしめエツチング除去させる・・・ことができた。
　このプラズマエツチを充分にした後、不活性気体または窒素のみまたはそれに水素を・・・添加した気体中でさらにプラズマ化を・・・行い、内壁に残存する活性エツチングガスである弗素を除去した後再び基板を反応炉内に導入し珪化物気体の被膜の作成を行つた。」（２頁４欄２２行〜３頁５欄４行）
　
（３）刊行物３（特開平４−３２３３８９号公報）の記載事項
（３ａ）「【請求項１】ハロゲン元素を含む成膜用ガス又はエッチング用ガスが導入された反応室に・・・水分を含有する空気又は不活性ガスを通過させて残留ハロゲンを除去することを特徴とする反応室内部の残留ハロゲン除去方法。」（特許請求の範囲）
（３ｂ）「【発明の目的】従って本発明は・・・、その目的は反応室の腐食を防いでそれ自体の長期信頼性を達成した反応室内部の残留ハロゲン除去方法を提供することにある。」（段落【０００６】）
（３ｃ）「このグロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｉ感光体を製作する場合には、ａ−Ｓｉ成膜用のドラム状基板１０を基板支持体２に装着し、ａ−Ｓｉ生成用ガスをガス導入口６より反応室内部へ導入し、このガスをガス噴出口５を介して基板面へ噴出し、更にヒータ３によって基板を所要の温度に設定すると共に基板支持体２と電極板４の間でグロー放電を発生させ、これにより、基板１０の周面にａ−Ｓｉが成膜した電子写真感光体ができる。・・
〔例１〕　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　上記のようにａ−Ｓｉ感光体を製作した場合、電極板４や反応室内部には汚染物質が付着している。・・
　そこで、基板１０と概ね同形状のアルミニウム金属から成る導電性ダミー基板・・・を基板支持体２に装着し、次いで、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣｌＦ３等のフッ素系エッチングガスをガス導入口６より反応室内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー基板へ向けて噴出し、更に基板支持体２と電極板４の間でグロー放電を発生させ、これによってエッチングガスが分解してその分解に伴って前記汚染物質をガス化する。」（段落【００１１】〜段落【００１３】）
（３ｄ）「次に反応室１の内部を大気圧下に戻すとともに排気用ポンプ９を作動させてガス導入口６より・・・、温度２５℃の空気を・・・導入し、反応室１の内部に空気の流路をつくる。・・
　かくして、このようなフッ素除去を１０分間行い、ダミー基板の吸着フッ素量を測定したところ、０．３ｐｐｍとなり、フッ素が顕著に除去されたことが判る。・・・」（段落【００１５】〜段落【００１６】）
（３ｅ）「また本発明者等は上記残留フッ素の除去を行うに当たって、その処理時間に対する反応室１の内部のＨＦ量を測定したところ、図２に示すような結果が得られた。同図にはエッチングガスとしてＣｌ２ガスを用いて同様な実験を行った場合の結果も示す。・・以上の結果から本発明者等は水分を含む空気や不活性ガスを用いると、・・・残留ハロゲンが除去されるものと考える。」（段落【００１８】〜段落【００１９】）
　
（４）刊行物４（特開平２−１９０４７２号公報）の記載事項
（４ａ）「本発明は、例えば、半導体・・・等の製造で使用される薄膜形成用のＣＶＤ炉、ＰＶＤ炉などの稼働に際して、基板などの目的物以外の炉内壁や治具類などに付着したアモルファスＳｉ、ＢＮなどをＮＦ３、ＣＦ４などのフッ化物系クリーニングガスでクリーニングした場合に、このフッ化物系ガスが炉内に残留して次回の薄膜形成時に当該薄膜の純度を低下させることを防止する。フッ化物系ガスのクリーニング後の汚染除去方法に関し、迅速且つ強力に汚染物質を除去できるうえ、安価に実施できるものを提供する。」（１頁右下欄１０〜末行）
（４ｂ）従来技術として、「一般に、ＧＤ法により基板上にアモルファスＳｉの薄膜を形成した場合、基板以外の反応室の内壁にも当該アモルファスＳｉ膜が付着するので、ＮＦ３ガスでプラズマクリーニングしてこの内壁に付着したＳｉ膜を排除しているが、
　ＮＦ３ガスのプラズマ化で生じる・・・フッ素系物質が今度は反応室内に残留する結果、次回に形成されるアモルファスＳｉ膜に上記フッ素系物質が混入してこれを汚染してしまう。」（２頁左上欄６〜１５行）
（４ｃ）「即ち、本発明は、少なくとも一部が金属類物質又はその化合物から成る部材を製造した処理操作系内にフッ化物系クリーニングガスを導入して、その処理操作系内の金属類物質又はその化合物の一部をクリーニング処理した後に、当該クリーニングガスから生じて処理操作系内に残留する汚染物質を除去する、膜形成操作系におけるフッ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法において、
　上記フッ化物系クリーニングガスがフッ化塩素、フッ化臭素の少なくとも一方を含有するガスであって、
　クリーニング後の処理操作系に、全体が分子状態にある水素含有化合物ガスを流して、上記汚染物質をこの水素含有化合物で除去するとともに、
　当該水素含有化合物がシラン、ホスフィン、アルシン、ジボラン、アンモニア及び低級パラフィン炭化水素のうち少なくとも一種であることを特徴とするものである。」（２頁右下欄８行〜３頁左上欄６行）
（４ｄ）「上記汚染物質を除去する水素含有化合物は、全体が分子状態にあるガスであって、プラズマ化されてイオンやラジカルに励起されたガスは含まないものであって、」（３頁左下欄２〜５行）
（４ｅ）「〈実験例１〉
　ソーダガラス表面にアモルファスＳｉを薄膜形成して、当該部材を・・・反応室１内から取り出した後、当該反応室１の内壁に付着した汚染アモルファスＳｉ膜を、Ａｒガスで・・・希釈したＣｌＦ３ガスを・・・流通させてクリーニングを行った。」（４頁１０〜１７行）
　　
（５）刊行物５（特開平３−９４０５９号公報）の記載事項
（５ａ）「（１）処理室内に搬入された薄板状基板の表面に、金属酸化薄膜形成用の材料ガスを供給し、前記薄板状基板の表面に金属酸化薄膜を形成する成膜工程の前または後において、
　前記処理室内に弗化水素を含む蒸気を供給して前記処理室の内壁に付着した金属酸化薄膜を除去する膜除去工程と、
　前記処理室内に純水または水蒸気を供給して前記処理室内に残留した弗化水素成分を洗浄する洗浄工程と、・・・」（特許請求の範囲（１））
（５ｂ）「本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理室の内壁への堆積物に起因する品質低下を回避できるようにすることを目的とする。」（２頁右上欄４〜７行）
（５ｃ）「そして、上述成膜工程を経た後に、薄板状基板２を処理室１から排出しておいてから、第２図の工程図に示すように、先ず、膜除去行程により、弗化水素供給管８の制御弁８ａを開いて処理室１内に弗化水素を含む蒸気を供給し、処理室１の内壁やホットプレート３の周部などに堆積付着した金属酸化薄膜を除去し（Ｓ１）、その後に、洗浄工程に移行し、バルブ１３ａを開き、ドレインパイプ１３を通じて排出しながら純水供給管１０から純水を供給し、処理室１内に残留した弗化水素成分を洗浄除去する（Ｓ２）。
　次いで、水分除去工程に移行して、アルコール類供給管１１からアルコール類を供給し、処理室１内に残留した水分を洗浄除去する（Ｓ３）。」（３頁右下欄１６行〜４頁左上欄９行）
　
４．対比・判断
（４−１）本件発明と刊行物１に記載の発明との対比
　本件発明と刊行物１に記載の発明とを対比する。
　刊行物１には、上記摘記事項（１ｃ）によれば、反応容器内を減圧下で、ＢＣｌ３ガスのプラズマによりＡｌ合金薄膜表面の自然酸化膜を除去し、次いで、Ｃｌ２プラズマによりＡｌ合金薄膜をエッチングし、次いで、ＣＦ４ガスを導入して、ガスの放電処理によりレジストを除去し、その後、大気に晒さずに連続してＮＨ３ガスを導入し、レーザ光により、薄膜の上面、側面に形成された残留ハロゲン含有汚染物を除去する表面処理方法が記載され、「薄膜の上面、側面に形成された残留ハロゲン含有汚染物を除去する」ことは、本件発明の「被処理基体に付着した堆積膜を除去する」ことに相当しているから、両者は、「反応容器内においてハロゲン元素を含むプラズマガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスまたはハロゲン元素を含むガスの化学反応を用いて被処理基体を処理する半導体製造装置において、処理の終わった被処理基体を大気中に取り出す前に、該被処理基体が収容されている容器に、活性化されたガスを減圧下で供給することにより、被処理基体に付着した堆積膜を除去する半導体装置の製造方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　本件発明は、被処理基体に付着した堆積膜を除去するのに、「プラズマにより活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含むプラズマにより活性化されたガスと水またはアルコールのみのガスであって活性化のされていないものとを、減圧下でこの順に連続して供給する」のに対し、刊行物１に記載の表面処理方法は、そのようなものではない点。
　そして、上記相違点なる構成が自明なこととも認められないから、本件発明は、刊行物１に記載の発明ではない。
　
　次に、上記相違点について検討すると、刊行物２には、反応炉内壁の膜を、弗化窒素をプラズマ化して除去した後、窒素または水素を添加しプラズマ化して、残存する弗素を除去する清浄除去方法が、刊行物３には、ＮＦ３等のフッ素系エッチングガスのグロー放電により反応室内部に付着した汚染物を除去し、その後大気圧に戻して水分を含む空気を導入し、残留ハロゲンを除去すること、刊行物４には、反応室内をフッ化物系クリーニングガスによりクリーニング処理した後、残留するフッ素系汚染物質を水素含有化合物、即ちシラン、ホスフィン、アルシン、ジボラン、アンモニア及び低級パラフィン炭化水素のうち少なくとも一種により除去すること、更に刊行物５には、処理室内壁の金属酸化薄膜を弗化水素により洗浄し、その後純水により弗化水素成分を除去し、アルコールを供給して残留水分を除去することが記載されている。
　しかしながら、刊行物２〜５の記載はいずれも、反応容器に付着する堆積膜を取り除くものであって、本件発明の被処理基体に付着した堆積膜を除去するものとは処理する対象が異なる。
　そして、本件発明の上記相違点のように、「プラズマにより活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含むプラズマにより活性化されたガス」と、「水またはアルコールのみのガスであって活性化のされていないもの」とを、減圧下でこの順に連続して供給することは記載されていないし、更にこの点を示唆する旨の記載もない。そうすると、上記相違点なる構成が何れの刊行物にも記載ないし示唆がない以上、本件発明を当業者が容易に想到し得るものではない。
　そして、本件発明は、上記相違点なる構成により、被処理基体を処理した後に、該基体に付着する堆積膜を大気にさらす前に、簡便な方法でこの堆積膜を除去できるという刊行物１〜５の記載からは予測することのできない格別顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、刊行物１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４−２）本件発明と刊行物２に記載の発明との対比
　本件発明と刊行物２に記載の発明とを対比する。刊行物２には、珪化物気体（ＳｉＦ４）を反応炉内に導入し、減圧された雰囲気でこのプラズマ化された気体を基板上に、アモルファス、セミアモルファス膜として形成する際、反応炉内壁に付着した膜または粉体を除去するのに、弗化窒素をプラズマ化して除去した後、窒素または水素を添加しプラズマ化して、残存する弗素を除去する清浄除去方法が記載されているから、両者は、「反応容器内においてハロゲン元素を含むプラズマガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスまたはハロゲン元素を含むガスの化学反応を用いて被処理基体を処理する半導体製造装置において、該被処理基体が収容されている容器に、活性化されたガスを減圧下で供給することにより、堆積膜を除去する半導体装置の製造方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　本件発明は、「処理の終わった被処理基体を大気中に取り出す前に、該被処理基体が収容されている容器に、プラズマにより活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含むプラズマにより活性化されたガスと水またはアルコールのみのガスであって活性化のされていないものとを減圧下でこの順に連続して供給することにより、被処理気体に付着した堆積膜を除去する」のに対し、刊行物２に記載の清浄除去方法は、そのようなものではない点。
　そこで、上記相違点について検討する。上記（４−１）において検討したとおり刊行物１には、本件発明と同じく被処理基体に付着した堆積膜を除去するものが記載されているものの、刊行物１、３〜５には、「プラズマにより活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含むプラズマにより活性化されたガス」と、「水またはアルコールのみのガスであって活性化のされていないもの」とを、減圧下でこの順に連続して供給することは記載されていないし、更にこの点を示唆する旨の記載もないから、本件発明を当業者が容易に想到し得るものではない。
　そして、本件発明は、上記したとおりの格別顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、刊行物１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
５．特許法第３６条違反について
　特許異議申立人は、本件特許明細書には、次の記載不備があるがあるから本件特許は特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである旨主張している。
（１）訂正前の請求項２には「処理の終わった被処理基体を大気中に取り出す前に、該被処理基体が収容されている容器に、活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガス・・・とを同時に或いはこの順に連続して供給することにより、被処理基体に付着した堆積膜を除去する」と記載されているが、例えばＮＦ３プラズマに晒すと被処理基体自体のＳｉがエッチングされてしまうため、プロセスとして用いることができないものである。よって、同請求項２はプロセスとして用いることができない構成を含んでいるから、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものとは認められない。
（２）明細書の記載（段落【００１９】）によれば、「活性化されたガス」とは、「エネルギーを与えたり構造を変えることにより、化学反応性を高められた分子または分子集合体である」とされているが、このような記載では、本件発明における「活性化されたガス」がどのような範囲のものまで及ぶのか明確でない。よって、訂正前の請求項１、２は特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものとは認められない。
　
　そこで、上記主張について検討する。
（１）について
　通常、ＮＦ３プラズマに晒したからといって、直ちに被処理基体のＳｉに致命的なエッチングが生ずるものではなく、Ｓｉのエッチング量は、ＮＦ３の流量、圧力、プラズマのパワー、処理時間などの各種のパラメータにより総合的に決定されるものであり、また堆積膜は、その膜質が粗であり、エッチング速度が被処理基体のＳｉよりも大きい場合が多い。
　したがって、被処理基体のＳｉにはほとんど影響を与えずに表面の堆積膜のみを効果的に除去することは、当業者であれば適宜実施できることである。そうすると、請求項２はプロセスとして用いることができない構成を含んでいるとまではいえず、上記特許異議申立人が主張する記載不備はない。
（２）について　
　「活性化されたガス」は、訂正請求書のとおり、「プラズマにより活性化されたガス」と訂正されたことにより、上記記載不備は解消した。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年３月１日（２００５．３．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　反応容器内においてハロゲン元素を含むプラズマガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスまたはハロゲン元素を含むガスの化学反応を用いて被処理基体を処理する半導体製造装置において、処理の終わった被処理基体を大気中に取り出す前に、該被処理基体が収容されている容器に、
プラズマにより
プラズマにより
水またはアルコールのみのガス
て活性化
減圧下で
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、
半導体装置の製造方法
半導体装置の製造方法
　【０００２】
　【従来の技術】
　ハロゲン元素を含むプラズマを用いて物質を処理（エッチング、成膜等）する半導体製造装置として、一般的な反応性イオンエッチング装置（ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ　ｓｙｓｔｅｍ．以下ＲＩＥ装置と略記する）を使用し、金属をエッチングする場合を例にとり、従来技術を説明する。
　【０００３】
　図１は、一般的なＲＩＥ装置の基本的な構成を示す模式的断面図である。反応容器１の外囲壁は接地され、陽極でもある。反応容器内は排気系（真空ポンプ等を含む）２により減圧される。反応容器１にはガス導入孔３が設けられ、ハロゲン元素を含むガスが、必要によっては、他のガスと混合して導入される。反応容器１の内部は、このガスの導入と排気系２による排気とにより、一定圧力に保たれる。反応容器１内には試料６の載置台４が設けられ、載置台４は、ブロッキングキャパシタと呼ばれる容量９を介して、接地された高周波電源５に接続される。この状態で反応容器内にプラズマが発生し、載置台４は陰極となり、陰極４上の試料６で、
　　ａＭ＋ｂＸ→ＭａＸｂ↑……（１）
但しＭ：金属，Ｘ：ハロゲン，ａ，ｂ，：正数
の反応式で表わされる反応によって、金属Ｍのエッチングが進む。
　【０００４】
　ところで、この時発生する反応生成物（ＭａＸｂ）や、未反応のガス等は、排気孔２ａを経て排気系２によって、大部分は、反応容器１から排出されるが、一部は反応容器内に残留し、例えば図２に示すように、反応生成物の堆積物７が、反応容器１の内壁や、ガス導入孔３や、排気孔２ａの管壁に堆積する。また反応生成物は、試料６にも堆積する。図３は、図２に示す円周ａで囲まれる試料部分を拡大し、反応生成物が試料６に堆積する状況を概念的に示す断面図で、試料６の端部あるいは試料をエッチングして形成された突出部６ａの側壁に、反応生成物の堆積８が発生していることを示している。
　【０００５】
　このような状態で、エッチングを続ければ、堆積物は厚みを増して行き、ストレスにより亀裂が入って、剥がれ落ち、半導体製造では特に嫌われるパーティクル（粉塵）の発生源となってしまう。
　【０００６】
　そこで、堆積物が剥がれ落ちる前に、定期的に堆積物を除去する工程が必要になる。この方法としては、例えばＮＦ３やＳＦ６等のＦ（弗素）を含むガスのプラズマを用いて、
　　ＭａＸｂ＋ｃＦ＊→ＭａＦｃ↑＋Ｘｂ↑……（２）
の反応を利用して堆積物を除去する方法がある。しかしながら現実には、堆積物の組成は、（１）式で表わされるような単純な物（ＭａＸｂ）ではなく、導入されるガスの他の元素や、試料のマスク材などから来る様々な元素が、複雑に絡み合ったものであり、これを完全に取り除くのは極めて困難である。
　【０００７】
　そのため、前述のＦを用いた処理を、１回或いは複数回行なった後に、それに続いて反応容器内を大気圧に戻し、内部を薬品で処理したり、堆積物を物理的に取り除いたり、部品の交換をしたりする必要がある。
　【０００８】
　しかしながら、ひとたび反応容器を大気圧に戻し、内部の洗浄を行なうと、洗浄、組み立て、排気及びエッチング特性の再現に、数時間から１日程度の時間を必要とする。また、反応容器内を大気圧に戻している間、内部の錆防止のために、例えば反応容器内部に乾燥ガスを流したり、反応容器や部品を加熱したり等の方策をとらねばならず、生産的見地から見て、装置の稼働率の低下や、経費の負担増を招くという問題が生ずる。
　【０００９】
　また反応容器内に残留する堆積物は、水との反応性が高く、大気に触れると、大気中の水分により加水分解を起こし、有毒のハロゲン化水素が放出され、運営上も危険である。
　【００１０】
　またガス導入孔３に堆積物がたまると、目づまりを起こし、エッチング速度等が変化する。
　【００１１】
　また試料６に付着する堆積物は、ＲＩＥ装置の場合、異方性エッチングの助けとして、利用される場合もあるが、試料を、この堆積膜を除去するための工程を経ずに大気に取り出すと、反応容器内に付着する堆積物と同様、ハロゲン化水素を出して、装置を腐食させたり、加水分解後の反応物がこの工程に続く工程の装置を汚す原因にもなる。
　【００１２】
　以上従来技術とその問題点を、ＲＩＥ装置を使用して金属をエッチングする場合を例にとって説明したが、前述の問題点は、ハロゲンガスのプラズマを利用して金属をエッチングするＲＩＥ装置に限らず、金属を含む物質、半導体、半導体を含む物質等、その他の物質をエッチングするＲＩＥ装置、さらには、処理装置としてエッチングに限らず、スパッタリング装置や化学的気相堆積装置（ＣＶＤ装置）等、ハロゲン元素を含むプラズマや活性種や化学反応を利用する半導体製造装置すべてに共通するものである。
　【００１３】
　【発明が解決しようとする課題】
　これまで詳述したように、ハロゲン元素を含むプラズマやハロゲン元素を含む活性種等の化学反応を利用して、被処理基体を処理する半導体製造装置においては、被処理基体にエッチング等の処理を施すと、ハロゲン元素を含む反応生成物の一部が、反応容器やこれに連結する容器の内壁等に堆積し、残留する。このような状態で処理を続けると、堆積物は成長し、ついには剥がれ落ち、粉塵の発生源となる。
　【００１４】
　このため、弗素を含むクリーニングガス等を用いて、堆積物の除去を行なうが、完全に除去することができないので、さらに反応容器内を大気圧に戻し、内部を薬品で処理したり、部品を分解して、堆積物を物理的に取り除いたりする必要があった。
　【００１５】
　しかし、ひとたび反応容器を大気圧に戻すと、復元するまでに種々の問題があり、装置の稼働率の低下、経費の負担増、運営上の危険性等の問題がある。
　【００１６】
　試料をエッチング等処理する際に発生する反応生成物は、試料自体にも付着するが、この堆積膜を除去しないで大気に取り出すと、有害なハロゲン化水素が放出され、危険であると共に装置の汚染原因となる。
　【００１７】
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、ハロゲン元素を含むプラズマ等を利用してエッチングや成膜等の処理を行なう半導体製造装置に
おいて、被処理基体
　【００１８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の
関連技術に係る
　【００１９】
　なお、上記の処理とは、エッチング及びスパッタリングやＣＶＤ法による成膜で、被処理基体とは該処理を受ける物体で、その物質は限定されない。また活性化されたガスを単に活性種と呼ぶことがある。活性種はエネルギーを与えたり構造を変えることにより、化学反応性を高められた分子または分子集合体である。
　【００２０】
　本発明の半導体装置の製造方法は、反応容器内においてハロゲン元素を含むプラズマガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスまたはハロゲン元素を含むガスの化学反応を用いて被処理基体を処理する半導体製造装置において、処理の終わった被処理基体を大気中に取り出す前に、該被処理基体が収容されている容器に、
プラズマにより
プラズマにより
水またはアルコールのみのガス
て活性化
減圧下で
　【００２１】
　【作用】
　被処理基板をハロゲン元素を含むプラズマガス等により処理することにより、反応容器内及びこれに連結するガス導入孔や排気孔等の内壁にハロゲン元素を含む堆積膜が付着する。この反応容器内に活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスを導入すると、従来技術と同様、堆積物は導入ガスと反応し、気化して排気系より容器外に除去されるが、完全に除去することができない。
　【００２２】
　本発明においては、この導入ガスと同時に或いはこれに続けて、Ｈ２Ｏ、アルコール等の水素元素を含む極性を持ったガス（化学結合で電子分布がどちらかの原子に偏ったり或いは分子全体として双極子モーメントを持つ分子から成るガス）またはそれらの混合物を反応容器内に供給することにより、反応容器内の堆積膜をほぼ完全に除去することができた。試行結果によれば、水素元素を持つ極性を持ったガスにより、従来技術では除去できなかった残留堆積物との反応性が改善されるものと推定される。また同一の手法により被処理基体に付着する堆積膜をほぼ完全に除去することができる。
　【００２３】
　【実施例】
　本発明を実施例により詳細に説明する。使用した半導体製造装置は、Ｓｉ　ＲＩＥ装置で、その基本的構成は、従来技術の説明に用いた図１に示すものと同じである。被処理基体（試料）６は、ＳｉＯ２膜のマスクでパターニングされたＳｉ基板で、該試料６をＨＢｒとＳｉＦ４との混合ガスのプラズマ中で、処理（Ｓｉの異方性エッチング）する場合を例に取り上げる。ＨＢｒとＳｉＦ４との混合ガスを反応ガスとして、ガス導入孔３より反応容器１内に導入し、排気系２を稼働して、反応容器１内を１０−２Ｔｏｒｒ程度の圧力に保つ。２Ｗ／ｃｍ２程度の電力を高周波電源５より供給して、放電させ、発生したプラズマにより、試料１枚当たり、５分間のＳｉの異方性エッチングを行なう。被処理基体と処理条件を上記の通り一定とし、処理する回数と、処理後の前記ＲＩＥ装置内の堆積物除去条件とを変えて実施した試行のうち、４例について述べる。
　【００２４】
　第１実施例
　（ａ）Ｓｉの前記エッチングを１回行なった後に試料６を反応容器１内に残したまま、ＨＢｒとＳｉＦ４とを排気系２のポンプで排気する。
　【００２５】
　（ｂ）これに続いて反応容器１内にガス導入孔３よりＮＦ３を供給して、反応容器１内を１０−１Ｔｏｒｒ程度の圧力に保持し、２Ｗ／ｃｍ２程度の電力を高周波電源５より供給して放電させ、この状態で１５秒間保持する。
　【００２６】
　（ｃ）次に電力及びＮＦ３の供給を止めて、反応容器１内を封じ切った状態で反応容器１内に、ガス導入孔３よりＨ２Ｏを供給し、チャンバー１内の圧力を１０Ｔｏｒｒ程度に上げる。この状態で５秒間保持した後、反応容器１内をポンプで排気する。
　【００２７】
　（ｄ）上記工程を終えた試料を反応容器１から取り出し、次の試料を反応容器１内にセットし、上記（ａ）ないし（ｄ）と同じ操作を繰り返す。
　【００２８】
　第２参考例
　（ａ）Ｓｉの前記エッチングを一回行なった後に、試料６を反応容器１内に残したまま、ＨＢｒとＳｉＦ４との供給を止めて、反応容器１内を排気系２のポンプで排気する。
　【００２９】
　（ｂ）これに続いて反応容器１内に導入孔３よりＮＦ３及びＨ２Ｏを同時に供給して、反応容器１内を１０−１Ｔｏｒｒ程度の圧力に保持し、２Ｗ／ｃｍ２の電力を高周波電源５より供給して放電させ、この状態で１５秒間保持する。この後電力、ＮＦ３及びＨ２Ｏの供給を止め、反応容器１内を排気系２のポンプで排気する。
　【００３０】
　（ｃ）上記工程を終えた試料を反応容器１から取り出し、次の試料を反応容器１内にセットし、同じ操作を繰り返す。
　【００３１】
　前記Ｓｉのエッチングを行なうことにより、図２に示すように反応容器１及びこれに連結されたガス導入孔３、排気孔２ａ或いは計器連結口等の内壁に堆積膜７、また図３に示すように試料６の表面や、加工部６ａの側壁、周辺部に堆積膜８が付着するが、前記第１及び第２参考例のように、ハロゲン元素を含むプラズマと極性を持ったＨ２Ｏガスとをこの順に（第１実施例）、或いは同時に（第２参考例）、反応容器１及びこれに連結する容器に供給することにより、上記堆積膜はエッチング終了毎にほぼ完全に除去することができた。
　【００３２】
　第３
参考例
　（ａ）Ｓｉの前記エッチングを、被処理基体を替えて２００回行なった後に、反応容器１内にＮＦ３を供給して、反応容器１内を１０−１Ｔｏｒｒ程度の圧力に保持し、２Ｗ／ｃｍ２の電力を高周波電源５より供給して放電させ、この状態で３０分間保持する。
　【００３３】
　（ｂ）この後、電力及びＮＦ３の供給を止めて、反応容器１内を封じ切った状態で反応容器１内にＨ２Ｏを供給し、反応容器内の圧力をほぼ大気圧まで上げる。この状態で５秒間保持する。
　【００３４】
　（ｃ）その後、反応容器１内をポンプで排気する。次に上記（ａ）、（ｂ）の操作を繰り返す。
　【００３５】
　第４参考例
　（ａ）Ｓｉの前記エッチングを、被処理基体を替えて２００回行なった後に反応容器１内にＮＦ３及びＨ２Ｏを同時に供給して、反応容器１内を１０−１Ｔｏｒｒ程度の圧力に保持し、２Ｗ／ｃｍ２程度の電力を高周波電源５より供給して放電させ、この状態で３０分間保持する。
　【００３６】
　（ｂ）この後、電力、ＮＦ３及びＨ２Ｏの供給を止め、反応容器１内をポンプで排気する。この後、上記（ａ）と同じ動作を繰り返す。
　【００３７】
　第３
参考例
　【００３８】
　本発明の効果について、そのメカニズムは十分解明されていないが、従来技術の問題点及び本発明の効果等から、以下のように考えられる。
　【００３９】
　本発明のメカニズムを考えるに当たり、実施例に示したＳｉ　ＲＩＥ装置を例にとる。
　【００４０】
　まず実施例に示したエッチング条件で、Ｓｉエッチングを２００回繰り返し処理する。次に反応容器を、この状態のまま大気にさらす。このときの反応容器内壁の堆積の挙動は次の通りである。
　【００４１】
　（ａ）大気に晒された瞬間堆積物は黄〜黄白色を呈し、（ｂ）時間と共にハロゲン特有の刺激臭のある基体を放出しながら白みがかって行き、（ｃ）数分から１０分後には完全に白色の粉体となる。
　【００４２】
　この粉を分析すると、ほとんどがＳｉＯ２であり、ごく微量（約１００ｐｐｍ）のＡｌ、Ｍｇ等の反応容器を構成する金属が検出された。分析結果を表１に示す。
　【００４３】
　【表１】
　【００４４】
　図４は、上記試行において、反応容器を大気にさらして放置する時間と堆積物中のＢｒ（Ｆ）の含有量との関係を示すもので、大気放置時間の増加に伴い、堆積物中のＢｒ（Ｆ）の含有量が減少することを示している。また前記（ａ）ないし（ｃ）のように、堆積物の色は、大気に晒されている時間が増加するに伴い、濃い黄色から黄白色、最後は白色の粉体（ＳｉＯ２）に、刺激臭を放散しながら変化する。これらより、放出されるものはＢｒ（Ｆ）によるものと考えられる。
　【００４５】
　これに対しＳｉエッチングを２００回繰り返した後に、反応容器内をＮＦ３ガスのプラズマに１５分間さらした後に、反応容器を大気にさらすと、内壁の堆積物は、前述の場合とほぼ同一の挙動を示すが最終的に残るＳｉＯ２量は、前述の場合と比べて大幅に少ない。しかし完全には除去されていない。
　【００４６】
　そして本発明の方法では、ほぼ完全に堆積物は除去される。
　【００４７】
　以上より本発明のメカニズムを考える。Ｓｉのエッチングを２００回繰り返すと、反応容器内壁等に堆積する堆積物は、多量のＳｉが、さらに多量でＳｉに対し不活性なＢｒ（Ｆ）に取り囲まれており、これが大気圧でＨ２Ｏのみにさらされると、Ｂｒ（Ｆ）が急激にＨ２Ｏと反応して、Ｓｉが取り残され、前述の（ａ）ないし（ｃ）の挙動を示す。
　【００４８】
　Ｓｉのエッチングを２００回繰り返した後、従来のように、ＮＦ３のプラズマにさらすと、まずＦ＊やＦ＋にさらされ、Ｆ＊（Ｆ＋）が直接にＳｉと反応或いはＳｉを取り囲むＢｒ（Ｆ）を活性化してＳｉと反応し、蒸気圧の高い化合物となり、大部分のＳｉが取り除かれる。この後大気圧にさらされると上述の場合と同様に、残留するＢｒ（Ｆ）は急激に大気中のＨ２Ｏと反応し、Ｓｉが取り残される。
　【００４９】
　これに対し、本発明の方法では、Ｆ＊（Ｆ＋）にさらした後に、減圧下でＨ２Ｏにさらされるので、残留するＢｒ（Ｆ）は、Ｈ２Ｏのみでなく、わずかに残ったＳｉとも反応すると推定され、反応容器内壁等の堆積物は、ほぼ完全に取り除かれる。
　【００５０】
　活性化されたハロゲンガスとＨを含む極性を持ったガス、すなわちＦ＊（Ｆ＋）とＨ２Ｏガスとを同時に反応容器に供給した場合にも、Ｆ＊（Ｆ＋）とＨ２Ｏガスとの効果は、各々の存在比を適当に調節することにより、同時進行し、反応容器内壁等の堆積物は、ほぼ完全に除去される。
　【００５１】
　以上の実施例では、ＨＢｒとＳｉＦ４との混合ガスのプラズマを用いてＳｉをエッチングし、活性化されたハロゲンガスを供給する手段として、ＮＦ３プラズマを利用し、極性を持つ物質としてＨ２Ｏをガス導入孔より供給するＲＩＥ装置について説明した。上記第１ないし第４実施例及び本発明のメカニズムを解明するために行なった実験と考察とからも明らかなように、本発明は上記実施例に限定されない。
　【００５２】
　本発明において、ハロゲン元素（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのいずれか１種または２種または３種の元素）を含むプラズマまたは前記ハロゲン元素を含む活性化されたガスの化学反応を用いて、被処理基体（基板または基板上に形成されたＳｉまたはＳｉ化合物）を処理（エッチングまたは成膜）する半導体製造装置において、前記被処理基体を処理することによって反応容器等の内壁に付着する堆積物を、反応容器等に活性化されたＮＦ３またはＳＦ６と水素元素を含む極性を持ったガス（Ｈ２Ｏまたはアルコール）とを同時に或いはこの順に連続して供給することにより、除去することは、本発明の半導体製造装置の洗浄方法の望ましい実施態様である。
　【００５３】
　また本発明において、ハロゲン元素（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのいずれか１種または２種または３種の元素）を含むプラズマまたは前記ハロゲン元素を含む活性化されたガスの化学反応を用いて、処理（エッチングまたは成膜）の終わった被処理基体（基板または基板上に形成されたＳｉまたはＳｉ化合物）を大気中に取り出す前に、被処理基体が収容されている容器に、活性化されたＮＦ３またはＳＦ６とＨ２Ｏまたはアルコールガスとを同時に或いはこの順に連続して供給することにより、前記被処理基体に付着する堆積膜を除去することは、本発明の半導体装置の製造方法の望ましい実施態様である。
　【００５４】
　本発明は、前記望ましい実施態様に限定されない。例えば、ハロゲン元素を含むガスにハロゲン元素を含まないガスが添加されていてもよい。またクリーニングガスもＮＦ３やＳＦ６に限らず、ハロゲン元素を含むガスならよく、またハロゲン元素を含まない物質が添加されていてもよい。
　【００５５】
　また極性を持つ物質は、Ｈ２Ｏやアルコールに限らず少なくともＨを含む極性を持つ物質ならよい。
　【００５６】
　また処理する物質もＳｉまたはＳｉ化合物に限定されない。そのハロゲン化物が、排気系の能力内で気化するものなら、金属及びその他の半導体、絶縁体等であっても差し支えない。
　【００５７】
　またハロゲン元素を含む活性化されたガスの供給手段として、試料を処理する反応容器とは別の容器で、活性種を生成してそれを反応容器まで運ぶなどしてもよい。
　【００５８】
　また活性化の方法も、高周波放電に限らず、直流放電や、光のエネルギーを利用するものであっても差し支えない。
　【００５９】
　半導体製造装置もＲＩＥ装置に限らず、スパッタリング装置や、ＣＶＤ装置等でハロゲン元素を含むプラズマガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスまたはハロゲン元素を含むガスの化学反応を利用するものであればよい。
　【００６０】
　また上記実施例では、反応容器等の内壁に付着する堆積膜と、試料に付着する堆積膜とを同時に同一場所で除去する例を示したが、試料に付着する堆積膜は、別の容器で除去しても構わない。
　【００６１】
　上記実施例の半導体製造装置の洗浄方法により、従来のように反応容器を大気にさらすことなく、その内部状態を良好なまま維持することが可能となり、該装置の信頼性及び稼働率の向上、装置のメンテナンス及びそのときの人件費の軽減、また有害ガスを大気に放出させることが防げることから、運営上の安全性も向上し、その波及効果は極めて大きい。
　【００６２】
　また上記実施例の半導体装置の製造方法により、従来技術の問題点で示したように、半導体製造装置の腐蝕や、後工程への悪影響を防げることから、装置の信頼性及び耐久性の向上、工程数の削減、製造環境の向上等その波及効果は極めて大きい。
　【００６３】
　【発明の効果】
　本発明
の関連技術
　【００６４】
　また本発明により、被処理基体を処理した後に、該基体に付着する堆積膜を大気にさらす前に、簡便な方法でこの堆積膜を除去できる半導体装置の製造方法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明及び従来例に使用する一般的なＲＩＥ装置の基本的構成を示す断面図である
　【図２】
　被処理基体を処理することにより、反応容器等の内壁に付着した堆積物を示す図１のＲＩＥ装置の断面図である。
　【図３】
　図２の円周ａで囲まれた試料部分を拡大し、堆積物の付着状況を概念的に示す断面図である。
　【図４】
　反応容器等の内壁の堆積物中のＢｒ含有量と大気放置時間との関係を示す特性図である。
　【符号の説明】
　１　反応容器（陽極）
　２　排気系
　３　ガス導入孔
　４　載置台（陰極）
　５　高周波電源
　６　被処理基体（試料）
　７，８　堆積物