【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７５１９６３号発明「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要 
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２７５１９６３号（以下「本件特許」という。平成１２年２月２３日付けの訂正請求による訂正後の請求項の数は４である。）の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。 
 　 
第２　手続の経緯  
１　設定登録の経緯 
　本件特許は、平成５年５月７日に出願され（国内優先権主張の日平成４年６月１０日及び平成４年１１月４日）、平成１０年２月２７日にその設定登録がなされ、その後、特許異議の申立て（平成１０年異議第７５３６５号）がなされ、取消理由通知がなされ、平成１２年２月２３日に訂正請求がなされ、上記異議に係る異議決定において、「訂正を認める。特許第２７５１９６３号の請求項１ないし４に係る発明の特許を維持する。」とされたものである。
　上記国内優先権主張の日のうち、最先の平成４年６月１０日を、以下「優先日」という。
　 　　  
２　本件審判の経緯 　  
平成２３年１２月１６日　審判請求  
平成２４年　３月１６日　審判事件答弁書提出（被請求人）  
平成２４年　３月１６日　訂正請求書提出（被請求人） 
平成２４年　５月１７日　審判事件弁駁書提出（請求人）
平成２４年　６月２７日　審判事件答弁書提出（被請求人）  
平成２４年　６月２７日　訂正請求書提出（被請求人） 
平成２４年１０月２３日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）  
平成２４年１１月　５日　口頭審理 
 　 
第３　訂正請求についての当審の判断 
１　訂正請求の内容 
　平成２４年６月２７日付けの訂正請求による訂正（以下「本件訂正」という。）は、平成１２年２月２３日付けの訂正請求により訂正された明細書（以下「本件明細書」という。）についてするものであり、その訂正の内容は、次のとおりである（下線は、平成２４年６月２７日付けの訂正請求書に添付した明細書のとおりである。）。 
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１について、
「有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」とあったのを、
「
基板上に、
原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて
　
前記キャリアガスを窒素に切替え、
６００℃より高く、９００℃以下の成長温度で、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、
　
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２について、
「前記原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」とあったのを、
「
前記有機金属気相成長法において、原料ガスを前記基板に押圧するガスを流すと共に、前記押圧するガスとして前記窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いること
　
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
　
（４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項４について、項の番号を３として請求項３とするとともに、
「前記窒化インジウムガリウム半導体成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、０．１以上にすることを特徴とする請求項１乃至３の内のいずれか１項に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」とあったのを、
「
前記窒化インジウムガリウム半導体のＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下であることを特徴とする請求項１または２
　
（５）訂正事項ｅ
　段落【０００７】について、
「即ち、本発明の成長方法は、有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、窒化インジウムガリウム層を成長させることを特徴とする。」とあったのを、
「即ち、本発明の成長方法は、
基板上に、
原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて
前記キャリアガスを窒素に切替え、
６００℃より高く、９００℃以下の成長温度で、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、
　
（６）訂正事項ｆ
　段落【００１８】について、
「続いて、温度を５１０℃まで下げ、石英ノズル５からアンモニア（ＮＨ３）４リットル／分と、キャリアガスとして水素を２リットル／分で流しながら、ＴMＧを２７×１０−６モル／分流して１分間保持してＧａＮバッファ一層を約２００オングストローム成長する。この間、コニカル石英チューブ７からは水素を５リットル／分と、窒素を５リットル／分で流し続け、サセプター２をゆっくりと回転させる。」とあったのを、
「続いて、温度を５１０℃まで下げ、石英ノズル５からアンモニア（ＮＨ３）４リットル／分と、キャリアガスとして水素を２リットル／分で流しながら、ＴMＧを２７×１０−６モル／分流して１分間保持してＧａＮバッファ一層を約２００オングストローム成長する。この間、コニカル石英チューブ
６
　
（７）訂正事項ｇ
　段落【００２０】について、
「ＧａＮ層成長後、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、窒素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ７から供給するガスも窒素のみとし、１０リットル／分で流し続ける。」とあったのを、
「ＧａＮ層成長後、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、窒素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ
６
　
（８）訂正事項ｈ
　段落【００２５】について、
「［比較例］実施例と同様にして、サファイア基板をクリーニングした後、８００℃にして、キャリアガスとして水素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮをサファイア基板の上に６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ７からは窒素５リットル／分、水素５リットル／分で流し続ける。」とあったのを、
「［比較例］実施例と同様にして、サファイア基板をクリーニングした後、８００℃にして、キャリアガスとして水素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮをサファイア基板の上に６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ
６
　　　　
２　訂正の適否
（１）　訂正事項ａについて
ア　訂正事項ａの内訳
　訂正事項ａは、次の訂正事項ａ１ないし訂正事項ａ４からなる。
（ア）　訂正事項ａ１
　訂正前は、バッファ層を成長させる対象が特定されていなかったのを、訂正により、該対象を基板とする。
　
（イ）　訂正事項ａ２
　訂正前は、窒化ガリウム層を形成する際に用いる原料ガスのキャリアガスが特定されていなかったのを、訂正により、該キャリアガスを水素とする。
　
（ウ）　訂正事項ａ３
　訂正前は、窒化インジウムガリウム半導体を形成する際に用いる原料ガスのキャリアガスが特定されていなかったのを、訂正により、該キャリアガスを窒素とする。
　
（エ）　訂正事項ａ４
　訂正前は、窒化インジウムガリウム半導体を形成する際の成長温度及びインジウム源のガスのインジウムとガリウムのモル比が特定されていなかったのを、訂正により、該成長温度を、６００℃より高く９００℃以下とし、該モル比を、ガリウム１に対し１．０以上とする。
　
イ　訂正事項ａによる訂正の目的
　訂正事項ａ１による訂正は、バッファ層が成長する対象を明確にするもの、またはバッファ層の成長条件を限定するものであるから、明りょうでない記載の釈明、または特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　訂正事項ａ２による訂正は、窒化ガリウム層の成長条件を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　訂正事項ａ３及び訂正事項ａ４による訂正は、窒化インジウムガリウム半導体の成長条件を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
ウ　訂正事項ａについての本件明細書の記載
（ア）　訂正事項ａ１についての記載
　基板上にバッファ層を形成することについては、本件明細書の段落【００２８】に、「また、ＧａＮ層を成長させる前にサファイア基板上に低温でバッファ層を成長させることにより、」と記載されている。
　
（イ）　訂正事項ａ２についての記載
　窒化ガリウム層を形成する際に用いる原料ガスのキャリアガスとして水素を用いることについては、本件明細書の段落【００１９】に「バッファ層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０３０℃まで上昇させる。温度が１０３０℃になったら、同じく水素をキャリアガスとしてＴＭＧを５４×１０−６モル／分で流して３０分間成長させ、ＧａＮ層を２μｍ成長させる。」と記載されている。
　　　
（ウ）　訂正事項ａ３についての記載
　窒化インジウムガリウム半導体を形成する際に用いる原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いることについては、本件明細書の段落【００２０】に「ＧａＮ層成長後、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、窒素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。」と記載されている。
　
（エ）　訂正事項ａ４についての記載
　窒化インジウムガリウム半導体を形成する際の成長温度を、６００℃より高く９００℃以下とすることについては、本件明細書の段落【００１１】に、「ＩｎＧａＮの成長温度は６００℃より高い温度が好ましく、さらに好ましくは７００℃以上、９００℃以下の範囲に調整する。」と記載されている。
　窒化インジウムガリウム半導体を形成する際のインジウム源のガスのインジウムとガリウムのモル比を、ガリウム１に対し１．０以上とすることについては、本件明細書の段落【０００９】に、「ＩｎＧａＮ成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比は、ガリウム１に対し、０．１以上に調整することを特徴とする。さらに好ましくは１．０以上に調整する。」と記載されている。
　
　上記（ア）ないし（エ）によれば、訂正事項ａ１ないし訂正事項ａ４による訂正は、本件明細書に記載されている事項の範囲内のものである。
　
エ　小括
　上記アないしウによれば、訂正事項ａ１ないし訂正事項ａ４からなる訂正事項ａによる訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とし、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項ａによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。
 　
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂによる訂正は、訂正前の請求項２の「原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いる」との限定が、訂正事項ａによる訂正によって、請求項２の引用する請求項１で既にされたことにともない、重複を避けるために、該限定を請求項２から削除するとともに、有機金属気相成長法について、「原料ガスを基板に押圧するガスを流すと共に、前記押圧するガスとして窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いる」との限定を付加するものであるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、「原料ガスを基板に押圧するガスを流すと共に」との事項については、本件明細書の段落【００１５】に「６は不活性ガスを基板に向かって垂直に供給することにより、原料ガスを基板面に押圧して、原料ガスを基板に接触させる作用のあるコニカル石英チューブ」と記載されており、「押圧するガスとして窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いる」との事項については、本件明細書の段落【００２０】に「・・・ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ７から供給するガスも窒素のみとし、１０リットル／分で流し続ける。」と記載されている。したがって、訂正事項ｂによる訂正は、本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　以上のことから、訂正事項ｂによる訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とし、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項ｂによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。
　
（３）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃによる訂正は、特許請求の範囲の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項ｃによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。
　
（４）訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄによる訂正は、訂正事項ｃによる訂正（請求項３の削除）にともない、項番を４から３に繰り上げるとともに、訂正前の請求項４において、「窒化インジウムガリウム半導体成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、０．１以上にする」との記載によって、インジウムとガリウムのモル比が限定されているところ、訂正事項ａによる訂正によって、訂正後の請求項３の引用する訂正後の請求項１で該モル比の限定がされたことにともない、該記載を訂正前の請求項４から削除するとともに、「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」を、「Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下」の窒化インジウムガリウム半導体が得られる成長方法に限定するものであるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、本件明細書には、
「【００１６】［実施例１］まず、よく洗浄したサファイア基板を・・・
【００２２】さらに、ＩｎＧａＮ層のＸ線ロッキングカーブを取ると、Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ｎの組成を示すところにピークを有しており、その半値幅は８分であった。この８分という値は従来報告されている中では最小値であり、本発明の方法によるＩｎＧａＮの結晶性が非常に優れていることを示している。
【００２３】［実施例２］実施例１において、ＧａＮ層成長後、ＩｎＧａＮを成長させる際に、ＴＭＩの流量を２×１０−７モル／分にする他は同様にして、ＩｎＧａＮを成長させる。このＩｎＧａＮのＸ線ロッキングカーブを測定すると、Ｉｎ0.08Ｇａ0.92Ｎの組成のところにピークが現れ、その半値幅は６分であった。」
との記載がある。上記記載によれば、実施例１及び実施例２において、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下である窒化インジウムガリウム半導体が得られたことが理解できる。
　よって、訂正事項ｄによる訂正は、本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　以上のことから、訂正事項ｄによる訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とし、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項ｄによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。
　
（５）訂正事項ｅについて
　訂正事項ｅによる訂正は、訂正事項ａによる特許請求の範囲の訂正にともない、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の整合性を図るために、本件明細書の段落【０００７】に訂正事項ａによる訂正と同様の訂正を加えるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｅによる訂正は、上記「（１）　ウ」で述べたのと同じ理由により、本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　したがって、訂正事項ｄによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。
　
（６）訂正事項ｆないし訂正事項ｈについて
　訂正事項ｆないし訂正事項ｈによる訂正は、コニカル石英チューブの符号を７から６に変更するものであり、本件明細書段落【００２９】の【符号の説明】に「６・・・・コニカル石英チューブ６」とあることに整合させるものであるから、誤記の訂正を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項ｆないし訂正事項ｈによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。
　 　 
３　括り 
　以上のとおりであるから、本件訂正は、適法な訂正であり、これを認める。
　 　 
第４　本件発明 
　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許の請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）は、次の各請求項に記載したとおりのものと認められる。
「　【請求項１】　基板上に、有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて成長させた該窒化ガリウム層の上に、
　前記キャリアガスを窒素に切替え、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、６００℃より高く、９００℃以下の成長温度で、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
　　【請求項２】　前記有機金属気相成長法において、原料ガスを前記基板に押圧するガスを流すと共に、
　前記押圧するガスとして前記窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
　　【請求項３】　前記窒化インジウムガリウム半導体のＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」 
 　 
第５　請求人の主張の概要 
１　無効理由（特許法第２９条第２項違反） 
　本件発明１ないし本件発明３は、優先日前に頒布された甲第１号証（特開平３−２０３３８８号公報）に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、同法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。 
 　 　  
２　甲号証 
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。 
甲第１号証：特開平３−２０３３８８号公報
甲第２号証：特開昭５２−２３６００号公報
甲第３号証：日本結晶学会誌vol.15 No.34、1988、平松和政外「ＭＯＶＰＥ法によるサファイア基板上のＧａＮ結晶成長におけるバッファ層の効果」
甲第４号証：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOL.30. NO.10A, OCTOBER 1991, PP.L1705-L1707, GaN Growth Using GaN Buffer Layer
甲第５号証：特開平４−２９７０２３号公報
甲第６号証：平成１３年行（ケ）第１７２号審決取消請求事件の判決
（以上、審判請求書に添付して提出。）
甲第７号証：特開平４−１０６６５号公報 
甲第８号証：特開平４−２０９５７７号公報 
（以上、審判事件弁駁書に添付して提出。） 
　
３　請求人の主張の要点
　請求人の主張の要点は、以下の（１）ないし（６）である。
（１）訂正前の本件特許発明１と甲第１号証との対比
　甲第１号証に、バッファ層が２層である場合の層構成として、基板／第１のバッファ層／ＧａＮ層／ＧａＩｎＮ層という層構成が示唆されていることと、ＧａＮ層の下にバッファ層を低温で成長させることが、甲第２〜５号証に記載されているように、周知慣用の手段として認められることとを総合すると、本件特許発明１は、甲第１号証に開示された事項及び周知慣用の技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認めることができる。（審判請求書１０頁１８行〜１２頁１５行）
　
（２）キャリアガス切替えについて
　被請求人の主張は、「
原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて
前記キャリアガスを窒素に切替え、
　
ア　甲１には、キャリアガスとして水素又は窒素を用いて、ＧａＮ層及びＧａＩｎＮ層を形成することが記載されている。（審判事件弁駁書４頁１０、１１行）
　
イ　キャリアガスとして水素を用いてＧａＮ層を形成することは、例えば、甲７に記載されているとおり、周知技術である。（審判事件弁駁書４頁２０、２１行）
　キャリアガスとして窒素を用いてＧａＩｎＮ層を形成することも、例えば、甲８に記載されているとおり、周知技術に過ぎない。（審判事件弁駁書５頁４、５行）
　
ウ　上記アで述べたとおり、甲１では、キャリアガスとして水素又は窒素を用いて、ＧａＮ層及びＧａＩｎＮ層を形成することができるところ、上記イで述べたとおり、キャリアガスとして水素を用いてＧａＮ層を形成することも、キャリアガスとして窒素を用いてＧａＩｎＮ層を形成することも、周知技術である。そうすると、ＧａＮ層及びＧａＩｎＮ層を、水素又は窒素のいずれを用いても形成することができる甲１発明において、キャリアガスを適宜選択して、キャリアガスとして水素を用いてＧａＮ層を形成し、キャリアガスとして窒素を用いてＧａＩｎＮ層を形成することは、当業者であれば容易に想到できたものである。（審判事件弁駁書５頁１８行ないし６頁１行）
　
（３）押圧ガスとして窒素のみを用いる点について
　被請求人は、本件訂正発明２は、「有機金属気相成長法において、原料ガスを基板に押圧するガスを流すと共に、前記押圧するガスとして前記窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いること」を構成要件とするから、進歩性を有する旨主張する。
　しかしながら、甲４の図１及び甲５の図８に示すとおり、「原料ガスを基板に押圧するガスを流す」ことは周知技術に過ぎない。そして、キャリアガスとして窒素を用いてＧａＩｎＮ層を形成することは周知技術であるところ、かかる「押圧するガス」として、キャリアガスと同一のガスを用いることは、当業者が適宜選択できることに過ぎない。（審判事件弁駁書６頁９〜１７行）
　
（４）成長温度について
　甲１には、ＧａＩｎＮ層を６００℃より高い温度で成長させることが記載されているから、本件訂正発明の「窒化インジウムガリウム半導体を６００℃より高い温度で成長させること」との構成要件は、甲１発明との相違点にはなり得ない。（審判事件弁駁書６頁２０行〜７頁７行）
　
　甲１発明において、成長温度を８００℃にすることが記載されている以上、「成長温度」を「９００℃以下」に限定したとしても、それが甲１発明に対する相違点となり得ないことは明らかである。（口頭審理陳述要領書４頁４〜７行）
　
（５）インジウムとガリウムのモル比について
　甲１において、インジウムとガリウムのモル比を２０／５、即ち４とすることが記載されている以上、「モル比」を「１．０」以上に限定しても、それが甲１発明に対する相違点になり得ないことは明らかである。（口頭審理陳述要領書４頁１４〜１７行）
　
（６）Ｘ線ロッキングカーブ半値幅について
　「窒化インジウムガリウム半導体のＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下であること」との特徴は、窒化インジウムガリウム半導体の成長方法についての特徴ではなく、本件訂正発明の成長方法によって成長した窒化インジウムガリウム半導体の特徴を示すものであるから、成長方法である本件訂正発明の特徴とはなり得ない。（審判事件弁駁書７頁１９〜２４行）
　
第６　被請求人の主張の概要 
１　無効理由に対して 
　本件発明１ないし３は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、請求人の主張する無効理由によって無効とされるべきものではない。  
 　 
２　乙号証 
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。 
乙第１号証：「エピタキシャル成長のメカニズム」、中嶋一雄編集、共立出版株式会社、２００２年５月２５日発行、１１８〜１１９頁 
（以上、平成２４年３月１６日付け審判事件答弁書に添付して提出。）
乙第２号証：Japanese Journal of Applied Physics, Vol.31, Part 2, No.10B(1992), pp.L1459, High-Quality InGaN Films Grown on GaN Films 
（以上、平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書に添付して提出。） 
 　 
３　被請求人の主張の要点
　被請求人の主張の要点は、以下の（１）ないし（４）である。
（１）本件発明の技術的意義
　本件発明は、窒化インジウムガリウムの成長においては、成長温度を、従来の５００〜６００℃程度から、６００℃より高く、９００℃以上とするとともに、成長温度を高くすることによる窒化インジウムガリウム中のＩｎＮの分解を抑制するために、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整してＩｎＮをＧａＮの結晶中に入れるとともに、キャリアガスを水素から窒素に切替えてＩｎＮが分解して結晶格子中から出て行くのを抑制して高品質な窒化インジウムガリウムの結晶を得るものである（本件明細書の【０００９】〜【００１３】）。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書４頁７〜１９行）
　
（２）キャリアガス切替えについて
　甲１号証は、ＧａＮ層の成長時にはキャリアガスとして水素を用い、ＩｎＧａＮ層の成長時には、キャリアガスである水素を窒素に切替えて、下地となるＧａＮ層の結晶性を良好に保ちながら、同時に、ＩｎＧａＮの成長時におけるＩｎＧａＮ中のＩｎＮの分解を抑制して高品質なＩｎＧａＮの成長を可能とするものではなく、解決課題及び手段において本件発明とは異なる。また、甲第７号証及び甲第８号証も、キャリアガスの切替えを行うものではない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書４頁２２〜２９行）
　
　甲第７号証には、Ｈ２をキャリアガスに用いることが記載されているが、全結晶成長工程を通じてＨ２をキャリアガスに用いてＧａＮ層を成長するものであり、甲第１号証の記載を超えるものではない。甲第８号証には、Ｈ２（あるいはＮ２ガス）をキャリアガスに用いることが記載されているが、Ｈ２（あるいはＮ２ガス）をバブリングガスや合流させるガスに用いて、酸化物基板上にＩｎＧａＡｌＮバッファ層を堆積するものであり、特定のＩｎＧａＮをキャリアガスにＮ２を用いて成長させることは記載されていおらず、当然に、ＩｎＧａＮを成長させるにあたりキャリアガスをＨ２からＮ２に切替えるとの記載もない。更には、ＩｎＧａＮを成長させる場合の課題についても記載されていない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書５頁１５行〜６頁１２行）
　
　このように、甲第７号証及び甲第８号証には、ＩｎＧａＮを成長する場合に、キャリアガスを水素から窒素に切替えとの内容は記載も示唆もされておらず、甲第１号証に記載された、キャリアガスに「Ｈ２又はＮ２を用い」てサファイア基板上にＧａＩｎＮ層を形成するとの内容と実質的に異なるものではない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書６頁２４〜２７行）
　
（３）押圧ガスとして窒素のみを用いる点について
　本件発明２は、窒化インジウムガリウムの成長時に、原料ガスのキャリアガスだけでなく、原料ガスを押圧するガスにも窒素を用いることで、窒化インジウムガリウム中の窒化インジウムの分解をさらに抑制して、一層高品質の窒化インジウムガリウムを実現できる。この特徴も、甲第１号証には記載も示唆もない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書７頁２０〜２７行）
　
（４）Ｘ線ロッキングカーブ半値幅について
　「窒化インジウムガリウム半導体のＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下であること」との特徴は、結果物である窒化インジウムガリウム半導体についてＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下の場合に限定したものである。この特徴も、甲第１号証には記載も示唆もない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書８頁２〜６行）
  
第７　無効理由についての当審の判断 
１　甲号証の記載 
（１）甲第１号証 
　優先日前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平３−２０３３８８号公報）には、以下の記載がある。 
ア　「２．　特許請求の範囲
 (1)　窒化処理した基板と、この基板上に形成したバッファ層と、このバッファ層上に形成したＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造とを備え、前記バッファ層がＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層である半導体発光素子。
 (2)　基板が、酸化アルミニウム単結晶であることを特徴とする請求項(1)記載の半導体発光素子。
 (3)　キャリアガスとして、Ｈ２またはＮ２を用い、III族の原料ガスとして、有機Ｉｎ化合物、有機Ａｌ化合物、有機Ｇａ化合物を用い、Ｖ族の原料ガスとして、ＮＨ３を用いて結晶成長を行う有機金属気相成長法であって、
　基板を昇温する際、ＮＨ３雰囲気中で行い、前記基板の表面を窒化処理した後に、この窒化処理した基板の表面に、バッファ層としてＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層および
ＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層を成長させる工程と、
　この表面にＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造を形成する工程とを含む半導体発光素子の製造方法。」（１頁左下欄４行〜右下欄７行）　  　 
　
イ　「〔実施例］
　第１図はこの発明の一実施例の半導体発光素子を示す構造図である。
　第１図に示すように、サファイア基板１と、このサファイア基板１上にバッファ層として形成したＡｌＮ層２と、このＡｌＮ層２上に形成したｎ−ＧａｘＩｎ１−ｘＮ層３（０≦ｘ≦１）およびｐ−ＧａｘＩｎ１−ｘＮ層４（０≦ｘ≦１）からなるｐｎ接合構造と、この表面に形成したＡｌの電極５，６とを備えたものである。
　なおバッファ層として、ＡｌＮ層２を形成したが、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層またはＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦Ｚ≦１）を形成しても良い。
　このように構成された半導体発光素子Ｘは、波長４２０ｎｍの青色で発光する（Ａ方向）。
　第２図はこの発明の一実施例のために用いられる有機金属気相（ＭＯＶＰＥ）装置を示す概念図である。
　第２図に示すように、有機金属気相（MOVPE）装置Ｙは、キャリアガス２０として、Ｈ２またはＮ２を用い、原料ガスとして、III族にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）１０，ＴＭＧ（トリメチルガリウム）１１，ＴＭＩ（トリメチルインジウム）１２を用い、Ｖ族にはＮＨ３を用いた。またｐ型ドーパントには、ＣＰ２Ｍｇ（シンクロペンタジエニルマグネシウム）１３を用い、ｎ型ドーパントには、Ｈ２Ｓｅ（セレン化水素）１５を用いた。
　有機金属気相（ＭＯＶＰＥ）装置Ｙは、石英製のリアクタ１６内に載置されたカーボン製のサセプタ１７を高周波誘導加熱することにより、このサセプタ１７上に載置した基板２１を加熱し、この基板２１上に化合物半導体層単結晶等を成長させるものである。
　なおリアクタ１６内の圧力は、７６Ｔｏｒｒである。
　この発明の一実施例の半導体発光素子の製造方法を第２図および第３図に基づいて説明する。
　第３図はこの発明の一実施例の半導体発光素子の製造方法を示す工程図である。
　なお有機金属気相（ＭＯＶＰＥ）装置として、第２図に示す装置を用いた。
　第３図（ａ）に示すように、結晶成長を開始する前に、サファイア基板１をＮＨ３雰囲気中で1000℃まで昇温して、１０分間熱処理を施し、サファイア基板１の表面を薄いＡｌＮ膜（図示せず）で覆ってしまう。その後、サファイア基板１の温度を950℃に下げて、バッファ層として厚さ０．５μｍのＡｌＮ膜２を成長させる。
　このように、結晶成長前の昇温時に、サファイア基板１の表面を窒化処理し、薄いＡｌＮ膜を形成することにより、この表面に形成するＡｌＮ層２（バッファ層）とサファイア基板ｌとの格子定数および熱膨張係数の整合性が共に良くなる。
　次に第３図(b)に示すように、サファイア基板１の温度を８００℃まで下げ、ＡｌＮ層２（バッファ層）の表面に、ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層３およびｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層４を形成する。
　なお、ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層３は層厚１μｍであり、ｎ型ドーパントであるＨ２Ｓｅ１５をドープして結晶成長させたものであり、ｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層４は層厚１．５μｍであり、ｐ型ドーパントであるＣｐ２Ｍｇ１３をドープして結晶成長させたものである。
　なおこの際、原料ガスの流量は、ＴＡＭ１０は１０ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＧ１１は５ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＩ１２は２０ｃｃ／ｍｉｎとし、
　ＮＨ３の流量は、１２ｃｃ／ｍｉｎとし、ドーパントの流量は、各々Ｈ２Ｓｅ（セレン化水素）１５は２５ｃｃ／ｍｉｎ、Ｃｐ２Ｍｇ１３は10ｃｃ／ｍｉｎとした。
　またリアクタ１６内に入るキャリアガスの総流量は、５ｌ／ｍｉｎとした。」（３頁左上欄８行〜右下欄２０行）
 　
ウ　「以下第１図および第３図に示すバッファ層（ＡｌＮ層２）として、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層またはＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１）層を形成した場合について、以下説明する。
　バッファ層の形成には、ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていき、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層を形成する方法と、組成のみのＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１）層を形成する方法とがあるが、この表面に形成するＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）の結晶性は、後者に比較すると、前者の方が優れる傾向がある。ただし、後者もバッファ層として、十分に使用できる。」（４頁右上欄末行〜左下欄１２行）
   　 
（２）甲第７号証 
　同じく甲第７号証（特開平４−１０６６５号公報）には、以下の記載がある。 
ア　「2.特許請求の範囲
　ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-xN;X=0を含む)からなるｎ層と、ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-xN;X=0を含む)からなるｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記ｉ層のドーピング元素は、亜鉛(Zn)とシリコン(Si)であることを特徴とする発光素子。」（１欄４〜１１行）
　
イ　「次に温度を400℃まで低下させて、第１ガス管２８からＨ２を１０l/分、15℃のＴＭＡ中をバブリングしたＨ２を50ml/分、第２ガス管２９からＨ２を10ｌ／分、ＮＨ３を10ｌ／分で2分間供給した。この成長工程で、ＡｌＮのバッファ層52が約500Åの厚さに形成された。
　次に、2分経過した時にＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板５１の温度を1150℃に保持し、第１ガス管２８からＨ２を10ｌ／分、−15℃のＴＭＧ中をバブリングしたＨ２を200ml/分、Ｈ２で1ppmに希釈したシラン(SiH4)を200ml/分、第２ガス管２９からＨ２を10ｌ／分、ＮＨ３を10ｌ／分で15分間供給して、膜厚約2.5μｍ、キャリア濃度2×1016/cm3のＧａＮから成る高キヤリア濃度ｎ層５３を形成した。
　続いて、サファイア基板５１の温度を1150℃に保持し、同様に、第１ガス管２８、第２ガス管２９から、Ｈ２を20ｌ／分、−15℃のＴＭＧ中をバブリングしたＨ２を100ml／分、NH3を10ｌ／分の割合で20分間供給し、膜厚約1.5μm、キャリア濃度1×1016/cm3のGaNから成る低キヤリア濃度ｎ層５４を形成した。
　次に、サファイア基板５１を900℃にして、同様に、第１ガス管２８、第２ガス管２９から、それぞれ、Ｈ２を10ｌ／分、−15℃のＴＭＧ中をバブリングしたＨ２を100ml／分、5℃のＤＥＺ中をバブリングしたＨ２500ml／分、Ｈ２で1ppmに希釈したシラン(SiH4)を100ml／分、NH3を10ｌ／分の割合で１分間供給して、膜厚750ÅのGaNから成るｉ層５５を形成した。」（９欄９行〜１０欄１８行）
  
（３）甲第８号証 
　同じく甲第８号証（特開平４−２０９５７７号公報）には、以下の記載がある。 
ア　「【請求項２】　Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｇａｘ Ａｌｙ Ｎ（０≦ｘ≦１；０≦ｘ＋ｙ≦１）薄膜を少なくとも一層を含み、基板、バッファ層、クラッド層または低抵抗層、発光層を備え、前記基板はＭｎＯ、ＺｎＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４ 、ＭｇＯ、ＣａＯのいずれかであり、かつ基板上に接して形成されたバッファ層はＩｎ１−ｘ−ｙ ＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１；０≦ｘ＋ｙ≦１）よりなる半導体発光素子の製造において、前記バッファ層を１０００℃以下の成長温度で基板上に堆積することを特徴とする半導体発光素子の作製方法。」
　
イ　「【０００９】（実施例１）図２は本発明の第一の実施例を説明する図であって、発光素子の断面を示す。この発光素子はＭｎＯ（１１１）基板１の上に成長した膜厚５００ÅのアンドープＧａＡｌＮバッファ層２、膜厚５μｍのＳｎドープｎ型低抵抗ＧａＡｌＮ層３、膜厚０．５μｍのＺｎドーピングにより半絶縁化したＧａＡｌＮ発光層４、前記発光層上に設けた半絶縁層の電極５、及び低抵抗層３上に設けたｎ型抵抗層のオーミック電極６からなる。・・・」
　
ウ　「【００１０】（実施例２）図３は本発明の第二の実施例を説明する図であって、発光素子の断面を示す。この発光素子はＭｇＯ（１１１）基板１０の上に成長した膜厚５００ÅのアンドープＩｎＧａＮバッファ層１１、膜厚５μｍのＳｎドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１２、膜厚０．５μｍのアンドープＩｎＧａＮ活性層１３、膜厚２μｍのＭｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１４、ｐ型クラッド層のオーミック電極１５、ｎ型クラッド層のオーミック電極１６からなる。」
　
エ　「【００１１】（実施例３）図４は本発明の第三の実施例を説明する図であって、発光素子の断面を示す。この発光素子は低抵抗ＺｎＯ（１１１）基板１７の上に成長した膜厚５００ÅのアンドープＡｌＮバッファ層１８、膜厚５μｍのＳｎドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１９、膜厚０．５μｍのアンドープＩｎＧａＮ活性層２０、膜厚２μｍのＭｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層２１、ｐ型クラッド層のオーミック電極２２、ｎ型クラッド層のオーミック電極２３からなる。」
　
オ　「【００１２】次に本発明の素子の作製方法について説明する。図５は、原料ガスとしてＩＩＩ族有機金属とＮＨ３を用いる場合について、本発明の半導体発光素子の作製方法を実施するための成長装置の一例を示すものである。石英反応管３２の内部に成長基板３０を保持するカーボン・サセプタ３１を収めると共に石英反応管の外部に高周波誘導コイル３３を配置する。また石英反応管３２に対して有機金属ガス導入管３５、ＮＨ３ ガス導入管３６、Ｈ２ガス及びＮ２ガス導入管３７、及び排気口３８を設ける。３４は熱電対を示す。
【００１３】この装置で、本発明の半導体発光素子用の多層膜構造を作製するには、まず石英反応管３０内を真空排気装置により排気する。次に、石英反応管３２内に０．５〜２０ｌ／分の不活性ガスであるＮ２ガスを導入した後、高周波誘導コイル３３に通電することによりカーボン・サセプタ３１を５００〜６００℃に加熱し、Ｎ２ガスを０．５〜２０ｌ／分のＮＨ３ガスに切り替える。この状態で、バブラの温度を−３０〜５０℃に設定したトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）及びトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）のうち必要な原料を１〜１０００cc／分のＨ２ガス（あるいはＮ2ガス）でバブリングし、０〜１０ｌ／分のＨ２ガス（あるいはＮ２ガス）と合流させた後、導入管３７より石英反応管３２へ供給し、成長基板上にＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）バッファ層を堆積する。成長中の石英反応管３２内の総ガス圧は４０〜１０００Torrに調整する。
【００１４】これに続けて、必要な膜厚を堆積したＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）バッファ層をＮＨ３雰囲気中６００〜１３００℃の温度で１〜６０分保持した後、６００〜１３００℃に基板温度を設定し上記と同様の手順で発光素子用の多層膜構造（例えばクラッド層、活性層）を作製する。・・・」
　
カ　「【００１５】・・・また、上記の実施例では、キャリアガス、バブリングガスとしてＨ２またはＮ２を用いたが、これに代えてＨｅやＡｒ等のその他の不活性ガスを用いても同様の効果が得られる。」
　　
２　甲第１号証に記載された発明 
（１）　上記「１　（１）　ア」には、(3)として、次のとおりの半導体発光素子製造方法が記載されている。
「キャリアガスとして、Ｈ２またはＮ２を用い、III族の原料ガスとして、有機Ｉｎ化合物、有機Ａｌ化合物、有機Ｇａ化合物を用い、Ｖ族の原料ガスとして、ＮＨ３を用いて結晶成長を行う有機金属気相成長法であって、
　基板を昇温する際、ＮＨ３雰囲気中で行い、前記基板の表面を窒化処理した後に、この窒化処理した基板の表面に、バッファ層としてＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層および
ＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層を成長させる工程と、
　この表面にＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造を形成する工程とを含む半導体発光素子の製造方法。」
　
（２）　上記「１　（１）　イ」には、上記（１）の半導体発光素子製造方法の実施例が記載されていると認められるところ、これによれば、上記（１）の半導体発光素子製造方法における「バッファ層」、「『有機Ｉｎ化合物とその流量」、「『有機Ａｌ化合物』とその流量」、「『有機Ｇａ化合物』とその流量」、「『基板』を『ＮＨ３雰囲気中』で『昇温』し『窒化処理』する工程」、「窒化処理した基板の表面に、バッファ層としてＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層を成長させる工程」及び「この表面にＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造を形成する工程」は、具体的には、「ＡｌＮ層」、「ＴＭＩ（トリメチルインジウム）２０ｃｃ／ｍｉｎ」、「ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）１０ｃｃ／ｍｉｎ」、「ＴＭＧ（トリメチルガリウム）５ｃｃ／ｍｉｎ」、「サファイア基板をＮＨ３雰囲気中で1000℃まで昇温して、１０分間熱処理を施し、サファイア基板の表面を薄いＡｌＮ膜で覆い」、「サファイア基板の温度を950℃に下げて、バッファ層として厚さ０．５μｍのＡｌＮ膜２を成長させ」及び「サファイア基板の温度を８００℃まで下げ、バッファ層の表面に、ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層及びｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層からなるｐｎ接合構造を形成する」であることが認められる。
　
（３）　上記（１）の半導体発光素子製造方法の「バッファ層」は、「ＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層」を成長させたものである。
　加えて、上記「１　（１）　イ」の「なおバッファ層として、ＡｌＮ層２を形成したが、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層またはＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦Ｚ≦１）を形成しても良い。」との記載によれば、バッファ層は、ＡｌＮ層に代えてＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層でもよいことが認められる。
　そして、上記「１　（１）　ウ」のとおり、甲第１号証には、バッファ層をＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層で形成する方法について、「ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていき」との記載があり、これによれば、上記（２）で検討した実施例において、バッファ層を、ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていき、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層として形成してよいことが認められる。
　
（４）　以上によれば、甲第１号証には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「キャリアガスとして、Ｈ２またはＮ２を用い、III族の原料ガスとして、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム），ＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム）を用い、該原料ガスの流量は、ＴＭＡは１０ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＧは５ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＩは２０ｃｃ／ｍｉｎとし、Ｖ族の原料ガスとして、ＮＨ３を用いて結晶成長を行う有機金属気相成長法であって、
　サファイア基板をＮＨ３雰囲気中で1000℃まで昇温して、１０分間熱処理を施し、サファイア基板の表面を薄いＡｌＮ膜で覆い、
　その後、サファイア基板の温度を950℃に下げ、ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていくことにより、バッファ層としてのＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層を形成し、
　次に、サファイア基板の温度を８００℃まで下げ、該バッファ層の表面に、ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層及びｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層からなるｐｎ接合構造を形成することを含む、半導体発光素子の製造方法。」 
　　
３　本件発明１と甲１発明との対比、判断 
（１）対比 
　本件発明１と甲１発明とを対比する。 
ア　甲１発明における「サファイア基板」、「ＴＭＧ（トリメチルガリウム）」、「ＴＭＩ（トリメチルインジウム）」、「ＮＨ３」、「ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層及びｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層」及び「半導体発光素子の製造方法」は、それぞれ、本件発明１における「基板」、「ガリウム源のガス」、「インジウム源のガス」、「窒素源のガス」、「窒化インジウムガリウム半導体」及び「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」に相当する。 
　
イ　甲１発明における「ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていくことにより」形成される「バッファ層としてのＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層」の、ＡｌＮ層から徐々に組成が変わっていく部分及びＧａＮ層となった部分は、それぞれ、本件発明１の「バッファ層」及び「窒化ガリウム層」に相当する。
 　 
ウ　甲１発明における「窒化インジウムガリウム半導体」（ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層及びｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層）の成長温度である「８００℃」は、本件発明１における「窒化インジウムガリウム半導体」の成長温度である「６００℃より高く、９００℃以下」に含まれる。
　
エ　炭素Ｃ、水素Ｈ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）Ｃ３Ｈ９Ｇａ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）Ｃ３Ｈ９Ｉｎの質量数は、それぞれ、１２、１、７０、１１５、１１５、１６０であるから、甲１発明における、ＴＭＧ５ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＩ２０ｃｃ／ｍｉｎは、インジウム源のガスのインジウムのガリウムに対するモル比でいえば、
２０×１１５／１６０：５×７０／１１５＝４．７：１であり、これは、本件発明１における、「インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上」との条件を満たしている。
　
オ　本件発明１と甲１発明とは、キャリアガスとして、水素または窒素を用いる点で共通している。
　
カ　本件発明１は、「窒化ガリウム層」が「バッファ層」より高温で成長するのに対して、甲１発明の「バッファ層」（ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層の、ＡｌＮ層から徐々に組成が変わっていく部分）及び「窒化ガリウム層」（ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層のＧａＮ層となった部分）は、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層が基板温度９５０℃で形成されることから、ともに同じ温度９５０℃で成長している。
　
キ　以上によれば、本件発明１と甲１発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。
＜一致点＞
「キャリアガスとして、水素または窒素を用い、
　基板上に、有機金属気相成長法により、バッファ層を介して成長させた窒化ガリウム層の上に、
　原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、６００℃より高く、９００℃以下の成長温度で、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」
　
＜相違点１＞
　本件発明１は、キャリアガスとして水素を用いて「窒化ガリウム層」を成長させ、その後、キャリアガスを切替えて、キャリアガスとして窒素を用いて「窒化インジウムガリウム半導体」を成長させるのに対して、甲１発明は、キャリアガスとして水素または窒素を用いるものの、「窒化ガリウム層」成長時と「窒化インジウムガリウム半導体」成長時とで、それぞれキャリアガスとして水素または窒素のどちらを用いるのか不明である点。
　
＜相違点２＞
　本件発明１は、「窒化ガリウム層」が「バッファ層」より高温で成長するのに対して、甲１発明の「バッファ層」（ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層の、ＡｌＮ層から徐々に組成が変わっていく部分）及び「窒化ガリウム層」（ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層のＧａＮ層となった部分）は、同じ温度９５０℃で成長している点。
　
（２）判断 
　＜相違点１＞について検討する。
ア　半導体発光素子の製造において、キャリアガスとして水素を用いてＧａＮ層を形成し、続けてＧａＩｎＮ層を形成する際に、キャリアガスを窒素に切り替えれば製造工程が複雑になることは自明であるから、該切り替えを採用するには相応の動機が必要と認められる。
　
イ　請求人は、「『原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて成長させた該窒化ガリウム層の上に、前記キャリアガスを窒素に切替え、・・・窒化インジウムガリウム半導体を成長させること』は周知技術に過ぎない。甲１では、キャリアガスとして水素又は窒素を用いて、ＧａＮ層及びＧａＩｎＮ層を形成することができるところ、キャリアガスとして水素を用いてＧａＮ層を形成することは甲７に、キャリアガスとして窒素を用いてＧａＩｎＮ層を形成することは甲８に記載されており、ともに周知技術である。そうすると、ＧａＮ層及びＧａＩｎＮ層を、水素又は窒素のいずれを用いても形成することができる甲１発明において、キャリアガスを適宜選択して、キャリアガスとして水素を用いてＧａＮ層を形成し、キャリアガスとして窒素を用いてＧａＩｎＮ層を形成することは、当業者であれば容易に想到できたものである。」旨を主張している（上記「第５　３　（２）」参照。）。
　
ウ　そこで、甲第７号証及び甲第８号証の記載を検討する。
（ア）　上記「１　（２）」によれば、甲第７号証には、キャリアガスに水素を用いてＧａＮ層を形成することが記載されていると認められる。
　しかし、ＧａＮ層を形成する際にキャリアガスとして水素を用いるとともに、ＧａＩｎＮ層を形成する際にキャリアガスとして窒素を用いることの記載もそれを示唆する記載も認められない。　
　
（イ）　上記「１　（３）」によれば、甲第８号証には、キャリアガスに水素、窒素、及びＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを用いて、ＧａＡｌＮ層、ＩｎＧａＡｌＮ層、ＩｎＧａＮ層、ＡｌＮ層等のＩｎ１−ｘ−ｙ Ｇａｘ Ａｌｙ Ｎ（０≦ｘ≦１；０≦ｘ＋ｙ≦１）層を形成することが、広く一般的に記載されていると認められる。
　しかし、ＧａＮ層を形成する際にキャリアガスとして水素を用いるとともに、ＧａＩｎＮ層を形成する際にキャリアガスとして窒素を用いることの記載もそれを示唆する記載も認められない。
　
エ　上記ウによれば、キャリアガスとして水素又は窒素を用いて、ＧａＮ層及びその上のＩｎＧａＮ層を形成する甲１発明において、ＧａＮ層を形成する際にキャリアガスとして水素を用いるとともに、ＧａＩｎＮ層を形成する際にキャリアガスとして窒素を用いることを、甲第７号証及び甲第８号証の記載が示唆するものとは認められない。
　してみると、「ＧａＮ層及びＧａＩｎＮ層を、水素又は窒素のいずれを用いても形成することができる甲１発明において、キャリアガスを適宜選択して、キャリアガスとして水素を用いてＧａＮ層を形成し、キャリアガスとして窒素を用いてＧａＩｎＮ層を形成することは、当業者であれば容易に想到できたものである。」との請求人の主張は採用できない。
　
オ　以上によれば、甲１発明において、甲第７号証及び甲第８号証に記載された周知技術に基づいて、本件発明１の＜相違点１＞に係る構成を備えることが、当業者に想到容易であったとは認められない。
　したがって、＜相違点２＞について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。  　 
　
４　本件発明２及び本件発明３について 
　本件発明２及び本件発明３は、それぞれ、本件発明１が記載された請求項１を引用する請求項２及び請求項３に記載された発明であり、本件発明１の特定事項をすべて含むものであるから、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえない以上、本件発明２及び本件発明３が、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえないことは明らかである。 
 　 
５　まとめ 
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、無効とすることはできない。 
 　 
第８　むすび 
　以上のとおり、請求人が主張する無効理由によっては、本件発明１ないし３についての特許を無効とすることはできない。 
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。