【事件の表示】
　特許第３１４３０８１号「半導体パッケ−ジ用チップ支持基板、半導体装置及び半導体装置の製造法」の請求項１〜７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１４３０８１号の請求項１〜７に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１４３０８１号は、平成９年７月３０日（優先権主張平成８年７月３１日、日本）の出願であって、特許権の設定登録の後、特許異議申立人　山浦智生より、請求項１〜７に係る発明（以下、「本件発明１〜７」という。）について特許異議の申立てがなされたものである。
　　
［２］特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人　山浦智生は、証拠として、本件優先日前に頒布された刊行物である下記の甲第１〜６、８、９号証、及び本件出願前に頒布された刊行物である下記の甲第７号証を提出して、本件発明１〜７は、甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜７についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきである旨主張している。
甲第１号証：ＮＩＫＫＥＩ　ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ　１９９４年５月号　第９８〜１０２頁
甲第２号証：ＮＩＫＫＥＩ　ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ　１９８９年９月号　第１０９〜１１４頁
甲第３号証：特開昭６３−１２１５７号公報
甲第４号証：実開平４−２３１４２号公報
甲第５号証：特開平６−１１２３６４号公報
甲第６号証：実開平４−８７６４３号公報
甲第７号証：特開平９−８２０７号公報
甲第８号証：特表平６−５０４４０８号公報
甲第９号証：特開平４−２９１９５０号公報
　　
［３］本件発明
　本件発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】Ａ．絶縁性支持基板の一表面には複数の配線が形成されており、前記配線は少なくとも半導体チップ電極と接続するインナー接続部及び半導体チップ搭載領域部を有すものであり、
Ｂ．前記絶縁性支持基板には、前記絶縁性支持基板の前記配線が形成されている箇所であって前記インナー接続部と導通するアウター接続部が設けらる箇所に、開口が設けられており、
Ｃ．前記配線の半導体チップ搭載領域部を含めて半導体チップが搭載される箇所に、絶縁性のフィルム状接着材が載置形成されており、
Ｄ．前記絶縁性支持基板の前記絶縁性フィルム状接着材が形成される箇所には、前記絶縁性のフィルム状接着材の平板性を維持するための少なくとも１つ以上の金属パターンが形成されている
ことを特徴とする半導体パッケージ用チップ支持基板。
【請求項２】絶縁性支持基板の絶縁性フィルム状接着材が載置形成される箇所に、少なくとも１個の第一の貫通穴が設けられている請求項１記載の半導体パッケージ用チップ支持基板。
【請求項３】絶縁性支持基板には半導体チップ封止用の封止樹脂が被覆される封止領域が設けられ、前記封止領域には少なくとも１個の第二の貫通穴が設けられている請求項１又は２記載の半導体パッケージ用チップ支持基板。
【請求項４】金属パターンが複数個形成され、相互間の間隔が１ミリメートル以下である請求項１〜３各項記載の半導体パッケージ用チップ支持基板。
【請求項５】複数個の金属パターンが、均等配置されてなる請求項４記載の半導体パッケージ用チップ支持基板。
【請求項６】請求項１〜５各項記載の半導体パッケージ用チップ支持基板と、前記支持基板のフィルム状接着材の面に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止を備える半導体装置。
【請求項７】請求項１〜５各項記載の半導体パッケージ用チップ支持基板のフィルム状接着材の面に半導体チップを接着する工程、半導体チップ電極を配線のインナー接続部とワイヤーボンディングにより接続する工程、半導体チップを樹脂封止する工程、前記支持基板の開口にインナー接続部と導通するアウター接続部を設ける工程を備える半導体装置の製造法。」
　　
［４］甲各号証の記載事項
［４−１］甲第１号証（ＮＩＫＫＥＩ　ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ　１９９４年５月号　第９８〜１０２頁）
　甲第１号証には、半導体パッケージ用フレキシブル配線基板について、「このパッケージに使われるフレキシブル配線基板はＴＣＰテープと同様のプロセスで作る。接着剤を使わないＣｕ−ポリイミドいわゆる２層ＴＣＰと同じ構造が出発材料になる。Ｃｕ箔にポリイミドを塗布したもの、またはポリイミド・フィルムにスパッタ＋メッキしたものいずれでもよい。セミアディティブ法によりＡｕメッキ・パターンを形成する。一般的な設計ルールでは幅２５μｍ，ピッチ５０μｍの配線になる。ビアおよびボンディング部の穴はドライ・エッチング，レーザー加工またはウエット・エッチングのどれでもよい。…………ビア・ホールはＮｉメッキで埋め、さらにポリイミド・フィルムより高く半球状に積み上げＮｉバンプにする。この表面にさらに薄くＡｕメッキを施す。…………テープの全面にフルに多数個配置した回路形成ができ…………フレキシブル配線基板は、弾性のある接着剤を使ってチップ表面に張り付ける。Ａｕリードはチップ上のＡｌパッドまたはＡｕパッドに超音波併用の熱圧着ボンダーで接続し，ガルウイング（かもめの翼）状にする。」（第１００頁右欄３行〜第１０１頁左欄２１行）、
「バンプを形成したフレキシブル配線基板とチップ表面とは、約５０〜１００μｍ厚さの弾性接着剤が付いている。」（第９９頁左欄７〜９行）と記載されており、
また、甲第１号証の図４（ｂ）には、ポリイミドフイルムの１表面にフレキシブル配線を有し、該フレキシブル配線は半導体チップ上の電極と接続する接続部と半導体チップ搭載領域部を有し、該ポリイミドフイルムのフレキシブル配線が形成されている箇所に開口が設けられ、該開口を貫通して半田バンプが形成されており、該フレキシブル配線の半導体チップ搭載領域部を含めて半導体チップが搭載される箇所に、弾性接着剤層が載置形成されているフレキシブル配線基板を用いた半導体装置が示されている。
　　
［４−２］甲第２号証（ＮＩＫＫＥＩ　ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ　１９８９年９月号　第１０９〜１１４頁）
　甲第２号証には、「リードフレームの形状は，…ダイ付け部の平坦性確保……，などから決めている。」（第１１３頁右欄第８〜１２行）、
「インナーリードにフィルムを張ったものを樹脂封止する」（第１１１頁左欄第５〜６行）、
「チップとフィルム間のダイ・ボンディング層が剥離し，クラックが水平方向に伸びている」（第１１３頁左欄第３〜５行）と記載されている。
　　
［４−３］甲第３号証（特開昭６３−１２１５７号公報）
　「低密着性被膜形成領域に対応する上記モールド樹脂の裏側位置にて、その厚さ方向に入るようにベント孔を設けて……半導体装置」（特許請求の範囲第８〜１２行）、
「パッケージ裏側の上記低密着性被膜の形成領域上にベント孔を設ける」（第２頁左下欄第１０〜１１行）、
「ベント孔１８を設けることにより、２００℃を越える半田付け処理の際には、水蒸気はパッケージ内に固定されることなく外部へと放出される」（第３頁左上欄第７〜９行）、
「パッケージの裏面位置にベント孔を設けるように構成したので、半田付け等の熱処理の際にはガス化した吸湿水分は低密着性被膜とモールド樹脂との界面、及びベント孔を通して外部へと放出される。従って水蒸気圧に起因する内部応力は低減され、パッケージの亀裂発生を回避できる」（第４頁右上欄第４〜１０行）と記載されるとともに、第１図が示されている。
　　
［４−４］甲第４号証（実開平４−２３１４２号公報）
「ボンディングワイヤと半導体チップの全体を覆うように基板上に施された保護用樹脂コートを有してなり、基板上の隣接するダイランドとボンディングランドとの中間の適切な位置に、空気抜きの目的で設けられた基板を貫通するスルーホールがあり、………これによって空気封入によるボイドの不存在が保証されている………半導体実装基板。」（実用新案登録請求の範囲）と記載されている。
　　
［４−５］甲第５号証（特開平６−１１２３６４号公報）
「プリント回路板に凹部を設け、該凹部周辺で封止部分の内側に貫通穴を設けて、該凹部に半導体チップを搭載した後、凹部周辺のボンディングパッドを取り囲む位置と該凹部周辺の貫通穴とを同時にエポキシ樹脂成形材料で封止することを特徴とする半導体搭載装置。」（【特許請求の範囲】の【請求項２】）、
「ボンディングパッド（１２）の周辺で配線パターンのない位置でかつエポキシ樹脂成形材料で封止される部分の内側に貫通穴（８）を設け、凹部と貫通穴とを同時にエポキシ樹脂成形材料で封止したものである。即ち、本発明による形成物は、エポキシ樹脂成形物が全体を覆うものではないため、貫通穴は、成形後の離型時に、成形物が基板から剥離することを防止するためのアンカー効果の役割をするためのものである。」（段落【０００６】第１２〜２０行）と記載されている。
　　
［４−６］甲第６号証（実開平４−８７６４３号公報）
「基板の前記半導体チップ実装領域の少なくとも一部に貫通孔を形成してなることを特徴とする半導体装置。」（実用新案登録請求の範囲第４〜５行）と記載されるとともに、第１〜３図が示されている。
　　
［４−７］甲第７号証（特開平９−８２０７号公報）
「従来より用いられている樹脂封止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）は、一般に図１１（ａ）に示されるような構造であり、半導体素子１１２０を搭載するダイパッド部１１１１や周囲の回路との電気的接続を行うためのアウターリード部１１１３、アウターリード部１１１３に一体となったインナーリード部１１１２、該インナーリード部１１１２の先端部と半導体素子１１２０の電極パッド１１２１とを電気的に接続するためのワイヤ１１３０、半導体素子１１２０を封止して外界からの応力、汚染から守る樹脂１１４０等からなっており、」（第２頁右欄下から４行〜第３頁左欄７行）、
「０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナーリード部先端」（第３頁右欄２８〜２９行）、
「インナーリードピッチは０．１２ｍｍ」（第６頁左欄２７行）、
「平坦幅Ｗ１を７０μｍ程度とすると、インナーリード先端部ピッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工ができる」（第７頁右欄４４〜４６行）と記載されるとともに、図６、８、１１が示されている。
　　
［４−８］甲第８号証（特表平６−５０４４０８号公報）
「基板２０にはまた、接触パッド２４の特定のパッドを相互接続している導線２６が配設されている。」（第８頁左上欄１〜２行）、
「チップと基板の間には柔軟性のシート状誘電体挿入物４２が配置されている。」（第８頁左上欄１７〜１８行）、
「本発明に係る組立方法によると、テープ７０は下流方向に（………）進み、チップ２８は各チップの１つの挿入物４２への且つ関連の端子及びリードへの組立の際にテープに接続される。これらのチップは、以下に論じられるように更なる作業を通してこの後テープと共に下流に運ばれる。」（第９頁右上欄２１〜２４行）、
「リードの接触端はアパーチュア内で処理され、トップ上の接点４０に結合される。…………………接点及びリードが互いに結合されると、挿入物及びチップは更なるステーションに進み、そこで封入剤６０が各アパーチュア５４内に適用される。」（第９頁左下欄７〜１２行）、
「チップ８２０はまた、列８３２に配置されている複数の周辺接点８３０を有しており」（第１０頁左下欄１４〜１５行）、
「各中心端子８４８は中心端子と一体的に形成されている部分リード５０及びボンディング端子８５２と接続されている。」（第１０頁右下欄２１〜２２行）、
「封入剤又ははんだマスク層には、各穴８６０を包囲する。…………………端子８４８との電気接点におけるはんだマスク層の穴には小さなスタッド、ボール又はピンを配置することができ、これらのスタッドは基板に半田付けされ得る。」（第１１頁左下欄１６〜２１行）、
「挿入物８３３６、ブリッジ素子８３６３及び固定素子８３６１は各々がその関連の固定素子及びブリッジ素子を有する幾つかの挿入物８３３６を含み得る延設されたテープ８３８１の部分として全て形成し得る（第１７図）」（第１２頁左下欄１５〜１８行）、
「穴８３６０が挿入物の中に且つ各固定素子の上層の中に中心素子８３４８及び外側端子８３７２と整合して配設されており、これにより中心端子及び外側端子が挿入物及び固定素子の第二面から、即ち、チップから離れるように向いている表面からアクセスできるようにしている。」（第１２頁右下欄１３〜１６行）と記載されるとともに、第１〜３、６〜８、１３〜１７図が示されている。
　　
［４−９］甲第９号証（特開平４−２９１９５０号公報）
「半導体チップの回路形成面上に、複数の信号用インナーリードが、前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁フープを介在して接着され、該インナーリードと半導体チップとがそれぞれボンディングワイヤで電気的に接続され、モールド樹脂で封止される半導体装置であって、前記複数の信号用インナーリードと前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁フィルムは、絶縁テープ基板の両面に同質のポリイミド系樹脂を施したものであることを特徴とする半導体装置。」（【請求項１】）、
「図１、図２及び図３図に示すように、ＤＲＡＭ(半導体チップ)１は、……………樹脂封止型パッケージ２で封止されている。前記ＤＲＡＭ１は、１６[Ｍｂｉｔ］×１[ｂｉｔ］の大容量で構成され、１５.５８[ｍｍ]×８.１５[ｍｍ］の平面長方形状で構成されている。このＤＲＡＭ１は、４００[ｍｉｌ]の樹脂封止型パッケージ２に封止される。」（段落【００１８】）、
「前記インナーリード３Ａはその一端側をアウターリード３Ｂと一体に構成している。アウターリード３Ｂは、標準規格に基づき、それぞれに印加される信号が規定され、番号が付されている。図１中、左端手前は１番端子、右端手前は１４番端子である。」（段落【００２９】）、
「このようにインナーリード３Ａを等間隔に配置することにより、特別に広い空間が形成されないので、ＤＲＡＭ１の主面と絶縁テープ４との接着面にボイドの発生を防止することができる。」（段落【００４４】）、
「インナーリード３Ａ，共用インナーリード３Ａ２ ，封止樹脂部支持用リード３Ａ２１及びダミーリード３Ｃのそれぞれに対向する位置の上に、絶縁テープ４をあらかじめ（「おらかじめ」は誤記と認められる。）接着しておき、それをＤＲＡＭ１の主面の保護膜２０（……）の所定の位置に位置合せして、りードフレームの絶縁テープ４側を接着剤により接着固定する。」（段落【００４９】）と記載されるとともに、図１〜８が示されている。
　　
［５］対比・判断
［５−１］本件発明１について
　［４−１］に摘記した事項を総合すると、甲第１号証には、ポリイミドフイルムの一表面にフレキシブル配線を多数個配置し、該フレキシブル配線は、ポリイミドフイルムの一表面内に半導体チップ搭載領域部を有するとともに、同表面外に半導体チップ上のパッド電極と接続する接続部を有し、該ポリイミドフイルムのフレキシブル配線が形成されている箇所に開口が設けられ、該開口を貫通して半田バンプ又はＮｉバンプが形成されており、該フレキシブル配線の半導体チップ搭載領域部を含めて半導体チップが搭載される箇所に、弾性接着剤が接着される半導体パッケージ用フレキシブル配線基板の発明が記載されているといえる。
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、後者の「ポリイミドフイルム」、「半導体チップ上のパッド電極と接続する接続部」、「半田バンプ又はＮｉバンプ」、「弾性接着剤が接着される」、「フレキシブル配線基板」はそれぞれ、前者の「絶縁性支持基板」、「インナー接続部」、「アウター接続部」、「絶縁性の接着材が載置形成されている」、「チップ支持基板」に相当するので、両者は、「絶縁性支持基板の一表面には複数の配線が形成されており、前記配線は少なくとも半導体チップ搭載領域部を有すものであり、前記絶縁性支持基板には、前記絶縁性支持基板の前記配線が形成されている箇所であって前記インナー接続部と導通するアウター接続部が設けらる箇所に、開口が設けられており、前記配線の半導体チップ搭載領域部を含めて半導体チップが搭載される箇所に、絶縁性の接着材が載置形成されている半導体パッケージ用チップ支持基板。」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本件発明１では、配線の半導体チップ搭載領域部を含めて半導体チップが搭載される箇所に、絶縁性のフィルム状接着材を載置形成するとともに、該絶縁性支持基板の絶縁性のフィルム状接着材が形成される箇所に、該フィルム状接着材の平板性を維持するための少なくとも１つ以上の金属パターンを形成しているのに対し、甲第１号証に記載された発明では、そのようなフィルム状接着材も金属パターンも形成していない点。
（ロ）本件発明では、絶縁性支持基板の一表面上の配線に半導体チップ電極と接続するインナー接続部が設けられているのに対し、甲第１号証に記載された発明では、絶縁性支持基板の表面外の配線に半導体チップ電極と接続するインナー接続部が設けられている点。
　
　そこで、上記相違点（イ）（ロ）について以下検討する。
相違点（イ）について
　甲第１号証には、フレキシブル配線基板の配線について、「一般的な設計ルールでは幅２５μｍ，ピッチ５０μｍの配線になる。………テープの全面にフルに多数個配置した回路形成ができ」（第１００頁右欄１１行〜第１０１頁左欄１０行）と記載されてはいるが、該配線によってフィルム状接着剤の平板性を維持することは記載も示唆もされておらず、該配線の形状をフィルム状接着剤の平板性を維持するためのものとみることはできない。また、甲第２号証には、「リードフレームの形状は……ダイ付け部の平坦性確保…………などから決めている。」（第１１３頁右欄第８〜１２行）と記載されてはいるが、「ダイ付け部の平坦性確保」ができるからといって、必ずしもダイ付け部に載置形成されるフィルム状接着材の平板性を維持できるとは限らず、このリードフレームの記載をもって、ダイ付け部に載置形成されるフィルム状接着材の平板性を維持する金属パターンの形状が記載乃至示唆されているとすることはできない。また、甲第９号証には、「インナーリード３Ａを等間隔に配置することにより、特別に広い空間が形成されないので、ＤＲＡＭ１の主面と絶縁テープ４との接着面にボイドの発生を防止することができる。」（段落【００４４】）と記載されてはいるが、「ＤＲＡＭ１の主面と絶縁テープ４との接着面にボイドの発生を防止することができる」からといって、必ずしも該インナーリードの形状で絶縁性支持基板上に載置形成されるフィルム状接着材の平板性を維持できるとは限らず、このインナーリードの記載をもってフィルム状接着材の平板性を維持するための金属パターンの形状が記載乃至示唆されているとすることはできない。更にまた、甲第３〜８号証のいずれにも、絶縁性支持基板上に載置形成されるフィルム状接着材の平板性を維持するための金属パターンについて記載乃至示唆するところは見当たらない。
　してみると、甲第１〜９号証に記載された発明をどのように組み合わせても、本件発明１の相違点（イ）に係る事項を導き出すことはできないので、甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて本件発明１の相違点（イ）に係る事項を想到することが当業者にとって容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、相違点（イ）に係る事項を備えることにより、「配線が疎な部分の絶縁性接着フィルムの陥没を防止でき、絶縁性接着フィルムの平板性を維持して、チップと絶縁性接着フィルムとの間に空隙部が生じることを防止し、したがって、接着フィルムとチップとの接着性を向上させることができる。これにより、耐リフロー性や長期信頼性を向上させることができる」（段落【０００７】参照）という、明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、相違点（ロ）について検討するまでもなく、甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
［５−２］本件発明２〜７について
　本件発明２〜７はいずれも、本件発明１を引用する発明、又はその発明を更に引用する発明であって、本件発明１の特定事項を全て備えるものであるから、本件発明２〜７は、上記［５−１］において述べた本件発明１と同じ理由により、甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜７についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜７についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月１８日（２００３．３．１８）