【事件の表示】
　特許第３４０９１０７号「電子写真用感光体」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４０９１０７号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３４０９１０７号の請求項１ないし４に係る発明についての出願は、特許法第４１条に基づく優先権を主張して平成８年５月２０日（優先日、平成７年５月２４日）に出願され、平成１５年３月２０日にその発明についての特許の設定登録がされた。
　本件特許公報が、平成１５年５月２６日に発行されたところ、本件の請求項１ないし４に係る特許に対して、東谷満より特許異議の申立てがあり、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１７年７月１２日付けで訂正請求がなされた。
　
第２　訂正の適否について
１　訂正の内容
　本件訂正請求は、本件明細書を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は、次のとおりである。
訂正事項ａ：
　特許請求の範囲の請求項１に「前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であることを特徴とする電子写真用感光体。」とあるのを、「前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、
　前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、
　前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる
ことを特徴とする電子写真用感光体。」と訂正する。
訂正事項ｂ：
　特許請求の範囲の請求項２に「前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であることを特徴とする電子写真用感光体。」とあるのを、「前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、
　前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、
　前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる
ことを特徴とする電子写真用感光体。」と訂正する。
訂正事項ｃ：
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項４に「前記カーボン膜は、感光層を保護することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子写真感光体。」とあるのを、
「【請求項３】前記カーボン膜は、感光層を保護し、
　前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＮ２ガスが用いられることを特徴とする請求項１に記載の電子写真用感光体。
　【請求項４】　前記カーボン膜は、感光層を保護し、
　前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＣ２Ｆ６ガスが用いられることを特徴とする請求項２に記載の電子写真用感光体。」と訂正する。
訂正事項ｅ：
　段落【００１０】に「前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であることを特徴とする電子写真用感光体が提供される。」とあるのを、「前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体が提供される。」と訂正する。
訂正事項ｆ：
　段落【００１１】に「前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であることを特徴とする電子写真用感光体が提供される。」とあるのを、「前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体が提供される。」と訂正する。
訂正事項ｇ：
　段落【００１２】に「さらに、これら電子写真用感光体において、前記カーボン膜の膜厚が１〜３μｍであることを特徴とする電子写真用感光体が提供される。更にまた、これら電子写真用感光体において、前記カーボン膜が、感光層を保護することを特徴とする電子写真用感光体が提供される。」とあるのを、「更にまた、これら電子写真用感光体において、導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、前記カーボン膜は窒素元素を有し、窒素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ炭素に対する窒素の比（Ｎ／Ｃ比）が０．００５以下であり、前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体であって、前記カーボン膜が、感光層を保護し、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＮ２ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体、並びに、導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、前記カーボン膜はフッ素元素を有し、前記フッ素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ、前記カーボン膜の感光層近傍の炭素に対するフッ素の比（Ｆ／Ｃ比）が０．００１以下であり、前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体であって、前記カーボン膜が、感光層を保護し、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＣ２Ｆ６ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体が提供される。」と訂正する。
訂正事項ｈ：
　段落【００１４】に「感光層近傍付近とそれ以外の層でフッ素と炭素の含有原子量比を規定したり、あるいは表面保護層の膜厚を規定することにより、より一層上記特性を向上させることが可能となる。」とあるのを、「感光層近傍付近とそれ以外の層でフッ素と炭素の含有原子量比を規定したりすることにより、より一層上記特性を向上させることが可能となる。」と訂正する。
訂正事項ｉ：
　段落【００３０】に「感光体近傍付近の上記含有元素は、他の部分よりも少ないことが好ましいが、全く含まないことが最も好ましい。」とあるのを、「感光体近傍付近の上記含有元素は、他の部分よりも少ないことが好ましい。」と訂正する。
訂正事項ｊ：
　段落【００５２】に「さらに表面保護層の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であるとしたことから、」とあるのを、「さらに表面保護層の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられるとしたことから、」と訂正する。
訂正事項ｋ：
　段落【００５３】に「さらに表面保護層の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であるとしたことから、」とあるのを、「さらに表面保護層の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられるとしたことから、」と訂正する。
　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
(１)上記訂正事項ａは、請求項１における「前記カーボン膜」「の感光層近傍」を「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず」と限定し、「前記カーボン膜の最表層」を「前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる」とさらに限定するものである。
　そして、該訂正事項における「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる」の限定は、段落番号００３１及び実施例１（段落番号００３４〜段落番号００４０を参照する段落番号００４１）の記載に基づくものである。　
　よって、上記訂正事項ａに係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当するものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてするものであち、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
(２)上記訂正事項ｂは、請求項２における「前記カーボン膜」「の感光層近傍」を「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず」と限定し、「前記カーボン膜の最表層」を「前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる」とさらに限定するものである。　そして、該訂正事項における「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる」の限定は、段落番号００３１並びに実施例２（段落番号００３４〜段落番号００４０及び段落番号００４２〜段落番号００４３を参照する段落番号００４４）の記載に基づくものである。
　よって、上記訂正事項ｂに係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当するものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
(３)上記訂正事項ｃは、請求項３を削除するものである。よって、上記訂正事項ｃに係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。　
(４)上記訂正事項ｄは、請求項４における「請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子写真用感光体」を「請求項１に記載の電子写真用感光体」及び「請求項２に記載の電子写真用感光体」に分けて記載するとともに、その「請求項１に記載の電子写真用感光体」については、「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＮ２ガスが用いられる」と限定して新たに請求項３とし、また、その「請求項２に記載の電子写真用感光体」については、「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＣ２Ｆ６ガスが用いられる」と限定して新たに請求項４とするものである。
　そして、前記「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＮ２ガスが用いられる」の限定は、段落番号００３１及び実施例１（段落番号００３４〜段落番号００４０を参照する段落番号００４１）の記載に基づくものであり、また、「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＣ２Ｆ６ガスが用いられる」とする限定は、段落番号００３１並びに実施例２（段落番号００３４〜段落番号００４０及び段落番号００４２〜段落番号００４３を参照する段落番号００４４）の記載に基づくものであり、
　よって、上記訂正事項ｄに係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当するものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
(５)上記訂正事項ｅないし訂正事項ｋは、訂正事項ａないし訂正事項ｄによる特許請求の範囲の減縮に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載と間に生じた不整合を正すものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正であって、願書に添付された明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定、及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立について
１　本件発明
　前項に記載したとおり、本件訂正請求は認められるから、本件特許に係る発明は、平成１７年月日付訂正請求書に添付した全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された以下のとおりのものと認める。（以下、「本件発明１」ないし「本件発明４」という。）
「【請求項１】　導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、
　前記カーボン膜は窒素元素を有し、
　窒素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ炭素に対する窒素の比（Ｎ／Ｃ比）が０．００５以下であり、
　前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、
　前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、
　前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる
ことを特徴とする電子写真用感光体。
　【請求項２】　導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、
　前記カーボン膜はフッ素元素を有し、
　前記フッ素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ、前記カーボン膜の感光層近傍の炭素に対するフッ素の比（Ｆ／Ｃ比）が０．００１以下であり、
　前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、
　前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、
　前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる
ことを特徴とする電子写真用感光体。
　【請求項３】前記カーボン膜は、感光層を保護し、
　前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＮ２ガスが用いられることを特徴とする請求項１に記載の電子写真用感光体。
　【請求項４】　前記カーボン膜は、感光層を保護し、
　前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＣ２Ｆ６ガスが用いられることを特徴とする請求項２に記載の電子写真用感光体。」
　
２　特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１号証ないし甲第３号証を提出すると共に、
（１）訂正前の請求項２及び３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであること、
（２）訂正前の請求項１ないし４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明あるいは、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであること、
（３）訂正前の請求項１及び２には、その記載が不備のため特許法第３６条第５項、第６項に規定する要件を満たしていないこと、
を理由に、訂正前の請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すべきである旨主張している。
記
甲第１号証：特開平１−１３０１６５号公報
甲第２号証：特開平２−１３２４５５号公報
甲第３号証：特開平５−８８５２５号公報
　
４　甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明
(１)　甲第１号証
(1a)「１）導電性基体上にアモルファスシリコン系材料からなる光導電層を有し、該光導電層がバッファ層を介して炭素を主体としたアモルファス物質よりなる表面層で被覆されている電子写真感光体において、該表面層がバッファ層に接した第１の層と、第１の層より電気抵抗が低く自由表面側にある第２の層の２層構造であることを特徴とする電子写真感光体。
 ２）特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体において、該第２層が１ないし３０原子パーセントの弗素を含む水素化フッ素化アモルファス炭素であることを特徴とする電子写真感光体。」（特許請求の範囲）
に関し、
(1b)「本発明の目的は、前述の欠点を除去して、長期保存および繰り返し使用に際して特性劣化現象を起こさず、高湿雰囲気中においても出力画像不良などの特性の劣化がほとんどみられず、さらに現像、クリーニングなどの出力画像形成プロセスにより感光体表面が磨耗や損傷を受けにくい、耐湿性、耐刷性に優れた感光体を提供することにある。」（第２頁左下欄第１２〜１８行）
(1c)「バッファ層４の目的はより基体側の層、例えば光導電層３と表面層５との材料的異質性を緩和することである。材料的には、ａ−Ｃ（Ｈ），ａ−Ｃ（Ｈ，Ｆ），ａ−Ｓｉ１−ｘＣｘ（Ｈ）（０＜ｘ＜１），ａ−Ｓｉ１−ｘＣｘ（Ｆ，Ｈ）（０＜ｘ＜１），ａ−ＳｉＮｘ（Ｈ）（０＜ｘ＜４／３），ａ−ＳｉＯｘ（Ｈ）（０＜ｘ＜２），ａ−ＳｉＯｘ（Ｆ，Ｈ）（０＜ｘ＜２）などを使用できる。」（第３頁右上欄第１４〜１９行）
(1d)表面層５は水素を含むアモルファス炭素（ａ−Ｃ（Ｈ））からなる層であること（第３頁左下欄第３〜４行）
(1e)「ａ−Ｃ（Ｈ）表面層中に含有される水素は炭素の未結合手に結合してその安定化に寄与する。」（第３頁左下欄第７〜８行）
(1f)「炭素未結合手の安定化の手段としては、水素のみでなく、弗素、酸素、窒素によっても可能である。」（第３頁右下欄第１８〜２０行）
と記載され、
(1g)実施例２には、次の条件でバッファ層側の層５ａ（０．１μｍ厚）、引き続いて自由表面側の層５ｂ（２μｍ厚）を形成し、表面層５としたところ、該自由表面側の層５ｂはＥｇ２．５ｅＶ、　硬度１０００ｋｇ／ｍｍ２、比抵抗２×１０１２Ωｃｍであったとが記載されている。
　　　　　　　　　　　　　バッファ層側の層５ａ　自由表面側の層５ｂ
　Ｃ３Ｈ６（１００％）流量　　２０ｃｃ／分　　　　　１０ｃｃ／分
　ＣＦ４ （１００％）流量　　　　　　　　　　　　　１０ｃｃ／分
　ガス圧　　　　　　　　　　０．０５Ｔｏｒｒ　　　０．０３Ｔｏｒｒ
　ＲＦ電力　　　　　　　　　２００Ｗ　　　　　　　２００Ｗ
　基体温度　　　　　　　　　１００℃　　　　　　　１００℃
　成膜時間　　　　　　　　　５分　　　　　　　　　５０分
　
(２)　甲第２号証
(2a)「１．導電性支持体上に有機系感光層、必要に応じて中間層、更に最表面に保護層をこの順に積層した構成の電子写真用感光体において、保護層が第１および第２の炭素または炭素を主成分とする被膜からなり、前記第２の被膜の比抵抗は前記第１の被膜の比抵抗に比べて１桁以上小さいことを特徴とする電子写真用感光体。
　２．特許請求の範囲第１項において、前記第２の被膜は硬度が第１の被膜に比べて５０％以上大きく有せしめたことを特徴とする電子写真用感光体。」（特許請求の範囲）
に関し、
(2b)「本発明に用いる第１の炭素または炭素を主成分とする被膜は帯電保持層として作用させるため、比抵抗は１０１０〜１０１５Ωｃｍ、好ましくは１０１２〜１０１３Ωｃｍ、膜厚は３００〜５０００Å、好ましくは５００〜２０００Åとするのが良い。また、同時に膜の剥がれや割れを防止するバッファー層として作用させるため、硬度はビッカース硬度５００ｋｇ／ｍｍ２以下とするのが良い。また、第２の炭素または炭素を主成分とする被膜は電荷を速やかに帯電保持層である第１の炭素または炭素を主成分とする被膜に伝導させるため、比抵抗は１０９〜１０１４Ωｃｍ、好ましくは１０１１〜１０１２Ωｃｍ、膜厚は１０００Å〜１０μｍ、好ましくは５０００Å〜２μｍとするのが良い。硬度はあまり硬くすると膜の剥がれや割れが発生するため、膜厚が１μｍ程度の場合には１５００〜４０００ｋｇ／ｍｍ２、膜厚が５μｍ以上の場合には１０００〜１５００ｋｇ／ｍｍ２とするのが良い。」（第６頁右下欄第１９行〜第７頁左上欄第１４行）
(2c)「この後電荷輸送層上に第１の炭素または炭素を主成分とする被膜をを設けた。
　前述の第２図の装置を用い、前述の方法でＮＦ３の流量を５ＳＣＣＭ、Ｃ２Ｈ４の流量を８０ＳＣＣＭ、反応圧力０．０５Ｔｏｒｒ、・・・・として有機系感光体上に比抵抗１×１０１３Ωｃｍの赤外または可視光に対し、透光性のアモルファス構造または結晶構造を有する第１の炭素または炭素を主成分とする被膜を０．１μｍ（中央部）生成させた。成膜速度は５００Å／分、硬度はビッカース硬度５００Ｋｇ／ｍｍ２、・・・・を有していた。
　同様に第１の被膜上にＮＦ３の流量を２０ＳＣＣＭ、Ｃ２Ｈ４の流量を８０ＳＣＣＭ、反応圧力０．０５Ｔｏｒｒ、・・・・として有機系感光体上に比抵抗１×１０１１Ωｃｍの赤外または可視光に対し、透光性のアモルファス構造または結晶構造を有する第２の炭素または炭素を主成分とする被膜を０．５μｍ（中央部）生成させた。成膜速度は４００Å／分、硬度はビッカース硬度１８００Ｋｇ／ｍｍ２、・・・・を有していた。」（第８頁左上欄第５行〜右上欄第８行）
(2d)「本実施例により作製された感光体に対し、−６０℃→室温→６０℃の温度サイクルを１００回行った結果、被膜にクラックが入ったり基板よりはがれたりせず、実際の複写機内においても、クリーニングブレード，分離爪，転写紙等によって局部的に機械的な負荷がかかっても、保護膜（４４）にクラック、ハガレの生ずることがなく、また、Ａ４版の大きさの紙を１０万枚コピーしても、複写用紙のこすりによるスクラッチが何ら表面に発生しなかった。」（第８頁右上欄第９〜１８行）、
と記載されている。
　
(３)　甲第３号証
(3a)「【請求項１】　繰返し使用される感光体と、該感光体を帯電する帯電装置と、帯電後の感光体表面を像露光して静電潜像を形成する露光装置と、該潜像をトナー像として可視像化する現像装置と、該トナー像を転写材に転写する転写装置と、トナー像転写後の感光体表面に残留するトナーを清掃するクリーニング装置と、トナー像転写後の感光体表面にクエンチング光を照射するクエンチング装置とを有する画像形成装置において、前記感光体が、導電性の基体上に少なくとも電荷移動層、電荷発生層、及び表面保護層を積層したものから成り、該表面保護層がａ−Ｃ：Ｈ膜により構成され、前記帯電装置が、プラスのコロナ放電によって感光体を正帯電する帯電器より成り、前記露光装置の光源が半導体レーザ又は赤色発光ダイオードアレイより成り、前記現像装置が、平均粒径１１μｍ以下の小粒径のトナーで静電潜像を可視像化する乾式現像装置より成り、前記クリーニング装置が、感光体の表面に線圧２２ｇ／ｃｍ以上の圧力で接する弾性体のクリーニングブレードを有し、前記クエンチング装置が、赤色発光ダイオードアレイより成ることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】　導電性基体上に少なくとも電荷発生層と電荷移動層とを任意の順で積層し、その表面に表面保護層を積層したものから成り、前記電荷発生層が８００ｎｍまでの長波長の光に感度を有し、前記電荷移動層が膜厚２５μｍ以上の有機半導体から成り、かつ前記表面保護層がヌーブ硬度１０００ｋｇ／ｍｍ２以上のａ−Ｃ：Ｈ膜により構成された感光体と、前記感光体を８００Ｖ以上に帯電する電帯装置と、帯電後の感光体表面に対し、波長６００ｎｍ以上の光により、４００ｄｐｉ以上の画素密度で像露光して感光体に静電潜像を形成する露光装置と、該静電潜像を、トナーとキャリアリキュドを有する現像液によってトナー像として可視像化する湿式現像装置と、前記トナー像を転写材に転写した後に感光体表面に残留するトナーを、クリーニング部材及びこれに供給されたクリーニング液で清掃するクリーニング装置とを具備して成る画像形成装置。
【請求項３】　導電性基体上に少なくとも電荷移動層及び電荷発生層を任意の順で積層し、その表面に表面保護層を積層したものから構成され、前記電荷発生層が８００ｎｍまでの長波長の光に感度を有し、前記電荷移動層が膜厚２５μｍ以上の有機半導体から成り、前記表面保護層がヌーブ硬度１０００ｋｇ／ｍｍ２以上のａ−Ｃ：Ｈ膜により構成されていることを特徴とする感光体。」（特許請求の範囲）
に関し、
(3b)「すなわち、図２に示した感光体１も図８の場合と同様に有機積層感光体であるが、その電荷移動層と電荷発生層の積層順序が図８の場合と異なっており、導電性の基体１２の上に電荷移動層（ＣＴＬ）１４が、その上に電荷発生層（ＣＧＬ）１３がそれぞれ積層されている。またこの電荷発生層１３の上には、ａ−Ｃ：Ｈ膜（アモルファス−カーボン：水素膜）より成る表面保護層（ＯＣＬ）１５が積層されている。」（【００３７】）
(3c)「先ず、ａ−Ｃ：Ｈ膜は、ヌーブ硬度１０００ｋｇ／ｍｍ２以上の高い硬度を有し、従来、感光体の表面保護層として採用されているものよりもはるかに高い耐摩耗性を示すものである。」（【００４３】）、
と記載されている。
　
第５　判断
１　理由（１）及び（２）（特許法第２９条第１項第３号違反及び同条第２項違反）について
(１)　本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者は、
「導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、前記カーボン膜の最表層の硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上である電子写真用感光体。」である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点ａ：
　本件発明１が、「前記カーボン膜は窒素元素を有し」としているのに対して、甲第１号証には、特に実施例において、カーボン膜としてフッ素を有するものしか示されていない点。
相違点ｂ：
　本件発明１が、「カーボン膜は窒素元素を有し、窒素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ炭素に対する窒素の比（Ｎ／Ｃ比）が０．００５以下」と規定しているのに対して、甲第１号証では、感光層近傍のカーボン膜中の窒素元素の量について記載していない点。
相違点ｃ：
　「カーボン膜の最表層の硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上」との限定における「硬度」について、本件発明１が、「ヌープ硬度」と規定するのに対して、甲第１号証には、単に「硬度」としか記載されていない点。
相違点ｄ：
　本件発明１が、「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる」としているのに対して、甲第１号証のものは、そのような言及がされていない点。
　したがって、本件発明１が甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
イ　相違点について
　上記相違点ｄについて検討するに、甲第２号証及び甲第３号証には、カーボン膜の表面層を作製する際に、感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる点については、何等示唆する記載もない。
　したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１が、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
(２)　本件発明２について
ア　対比
　本件発明２と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者は、
「導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、前記カーボン膜はフッ素元素を有し、前記カーボン膜の最表層の硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上である電子写真用感光体。」である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点ｅ：
　本件発明２が、「カーボン膜はフッ素元素を有し、前記フッ素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ、前記カーボン膜の感光層近傍の炭素に対するフッ素の比（Ｆ／Ｃ比）が０．００１以下」と規定しているのに対して、甲第１号証では、感光層近傍のカーボン膜中には、フッ素元素を全く含有していない点。
相違点ｆ：
　「カーボン膜の最表層の硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上」との限定における「硬度」について、本件発明２が、「ヌープ硬度」と規定するのに対して、甲第１号証には、単に「硬度」としか記載されていない点。
相違点ｇ：
　本件発明２が、「前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる」としているのに対して、甲第１号証のものは、使用するガスについて記載していない点。
　したがって、本件発明２が甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
イ　相違点について
　上記相違点ｇについて検討するに、上記相違点ｄに示した判断と同様、甲第２号証及び甲第３号証には、カーボン膜の表面層を作製する際に、感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられる点については、何等示唆する記載もない。
　したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２が、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
(３)　本件発明３及び本件発明４について
　本件発明３及び本件発明４は、それぞれ本件発明１及び本件発明２の特定事項を全て引用して、さらに別の特定事項を加えるものであるから、本件発明３及び本件発明４についても、同様の理由で、甲第１号証に記載された発明とすることができないばかりでなく、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
２　理由（３）（特許法第３６条違反）について
　特許異議申立人が、本件明細書について記載不備を申し立てる趣旨は、概ね、次のようなものである。
　“本件明細書の請求項１に記載された「炭素に対する窒素の比（Ｎ／Ｃ比）が０．００５以下」及びカーボン膜中の窒素元素の含有量、あるいは、請求項２に記載された「炭素に対するフッ素の比（Ｆ／Ｃ比）が０．００１以下」及びカーボン膜中のフッ素元素の含有量について、下限の規定がないため、限りなく０に近い値をも意味し、コンタミネーションとして含有される窒素あるいはフッ素についても包含する。最表層側でも同様である。したがって、請求項１、２は、特許を受けようとする発明を特定できない。”
　しかしながら、本件請求項１においては、「前記カーボン膜は窒素元素を有し、窒素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ・・・・」、同じく請求項２においては、「前記カーボン膜はフッ素元素を有し、前記フッ素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ、・・・・」と記載されており、カーボン膜が、窒素元素あるいはフッ素元素を必須の要素として含有するものであることを明記している。
　そうであれば、窒素元素成分あるいはフッ素元素成分を添加しないでカーボン膜を作製した場合に含まれうるような、いわゆるコンタミネーションとされる程度の範囲のものを意味するものでないことは明らかである。
　したがって、申立人が主張する理由は採用できない。
　
第６　結び
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし４に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおりに決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月１４日（２００５．７．１４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
電子写真用感光体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、
　前記カーボン膜は窒素元素を有し、
　窒素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ炭素に対する窒素の比（Ｎ／Ｃ比）が０．００５以下であり、
　前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であ
り、
　
前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、
　
前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられ
ことを特徴とする電子写真用感光体。
　【請求項２】導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、
　前記カーボン膜はフッ素元素を有し、
　前記フッ素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ、前記カーボン膜の感光層近傍の炭素に対するフッ素の比（Ｆ／Ｃ比）が０．００１以下であり、
　前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であ
り、
　
前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、
　
前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられ
ことを特徴とする電子写真用感光体。
　【請求項３】前記カーボン膜は、感光層を保護
し、
　
前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＮ２ガスが用いられ
１に
　【請求項４】
前記カーボン膜は、感光層を保護し、
　
前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＣ２Ｆ６ガスが用いられることを特徴とする請求項２に記載の電子写真用感光体。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は電子写真用感光体に関し、更に詳しくは感光層上に耐剥離性に優れた表面保護層を有してなる電子写真用感光体に関する。
　【０００２】
　【従来技術】従来、電子写真方式において使用される感光体としては、導電性支持体上にセレンないしセレン合金を主体とする感光層を設けたもの、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機系光導電材料をバインダー中に分散させたもの、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンあるいはアゾ顔料などの有機光導電材料を用いたもの、及び非晶質シリコン系材料を用いたもの等が一般に知られている。
　【０００３】ところで、一般に「電子写真方式」とは、光導電性の感光体をまず暗所で例えばコロナ放電によって帯電させ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に散逸せしめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料などの着色剤と高分子物質などの結合剤とから構成される検電微粒子（トナー）で現像し可視化して画像を形成するようにした画像形成法の一つである。このような電子写真法において感光体に要求される基本的な特性としては、
　（１）暗所で適当な電位に帯電できること、
　（２）暗所において電荷の散逸が少ないこと、
　（３）光照射によって速やかに電荷を散逸できること、
などが挙げられる。近年、電子写真複写機の高速化、大型化が進むなか、感光体に対して上記特性以外に長期繰返し使用に際しても高画質を保つことの出来る信頼性が強く要求される様に成っている。
　【０００４】複写機の中で感光体の寿命を損なっている主な原因としては、大きく分けて２つ考えられており、ひとつは、現像プロセス、クリーニングプロセス、コピー紙などから受ける機械的なストレスによってひきおこされる摩耗やスクラッチによるもの、もうひとつは、帯電、転写、分離過程等で受けるコロナ放電によって引き起こされる化学的な損傷によるものである。前者の感光体の摩耗を防ぐ方法として、感光体表面に保護層を設ける技術が知られている。例えば、感光層の表面に有機フィルムを設ける方法（特公昭３８−１５４６６号公報）、無機酸化物を設ける方法（特公昭４３−１４５１７号公報）、接着層を設けた後絶縁層を積層する方法（特公昭４３−２７５９１号公報）、あるいはプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等によってａ−Ｓｉ層、ａ−Ｓｉ：Ｎ：Ｈ層、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｈ層等を積層する方法（特開昭５７−１７９８５９号、特開昭５９−５８４３７号各公報）等が開示されている。
　【０００５】また、近年、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、スパッタ法等の方法で得られる、炭素又は炭素を主成分とする高硬度膜（ａ−Ｃ：Ｈ膜、無定形炭素膜、非晶質炭素膜、ダイヤモンド状炭素膜等と称されている。）の感光体保護層への応用が活発化している。例えば、感光層の表面に無定形炭素又は硬質炭素からなる保護層を設けたもの（特開昭６０−２４９１５５号公報）、最表面にダイヤモンド状カーボン保護層を設けたもの（特開昭６１−２５５３５２号公報）、感光層上に炭素を主成分とする高硬度絶縁層を形成したもの（特開昭６１−２６４３５５号公報）あるいは有機感光層上に窒素原子、酸素原子、ハロゲン原子、アルカリ金属原子等の原子を少なくとも含むグロー放電により生成された非晶質炭化水素膜からなる保護層を設けたもの（特開昭６３−２２０１６６〜９号各公報）などを挙げることが出来る。
　【０００６】これらの方法により表面硬度が非常に向上した耐摩耗性に優れた感光体が得られるようになった。しかし、これらの感光体は、電子写真複写プロセスにより受ける局部的で且つ長期的な機械的ストレスにより発生する表面保護層の剥離及びクラックに対しては充分な抵抗力を有していない。
　【０００７】そこで、表面保護層である非晶質炭化水素膜に含有されるフッ素濃度を膜厚方向に且つ感光層側に大きくなるように変化させることにより、耐久性耐湿性を改善するとともに画像かぶりを防ぐこと（特開平１−２２７１６１号公報）等が提案されているが、表面保護層の剥離抵抗性という点では未だ不十分であることが明らかとなった。
　【０００８】また本発明者らにより、水素を含有するダイヤモンド状カーボンもしくは非晶質カーボン構造を有する表面保護層に、窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素及び沃素などの添加物元素を含有させ、その添加物元素の炭素に対する含有原子量比が、感光層近傍付近よりも最表層付近の方が大きいとする発明（特開平７−１６８３８５号公報）が提案されている。さらに本発明者らにより、表面保護層を３層構成とし、感光層に近い第１表面保護層と最表層側にある第３表面保護層が炭素を主成分とし、それ以外に、水素、酸素を含有する膜よりなり、且つ前記両層に挟まれる第２表面保護層が炭素を主成分とし、それ以外に少なくとも水素、酸素及び窒素を含有する膜とするという発明（特開平７−２４４３９４号公報）も提案されている。これらの発明は、何れも表面保護層の剥離抵抗性の向上という点については満足するものであるが、耐スクラッチ性については未だ充分ではないことが判明した。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの問題点を解決する為になされたものであって、その目的は、感光層上に炭素を主成分とする保護層を有する感光体の耐剥離性及び耐スクラッチ性を向上させることが可能な電子写真用感光体を提供することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、前記カーボン膜は窒素元素を有し、窒素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ炭素に対する窒素の比（Ｎ／Ｃ比）が０．００５以下であり、前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であ
り、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられ
　【００１１】また、本発明によれば、導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、前記カーボン膜はフッ素元素を有し、前記フッ素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ、前記カーボン膜の感光層近傍の炭素に対するフッ素の比（Ｆ／Ｃ比）が０．００１以下であり、前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であ
り、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられ
　【００１２】
更
導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、前記カーボン膜は窒素元素を有し、窒素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ炭素に対する窒素の比（Ｎ／Ｃ比）が０．００５以下であり、前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体であって、
し、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＮ２ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体、並びに、導電体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、水素を含有するダイヤモンド状又は非晶質カーボン膜を有する電子写真用感光体において、前記カーボン膜はフッ素元素を有し、前記フッ素元素は、前記カーボン膜中の感光層近傍において最も少なく、かつ、前記カーボン膜の感光層近傍の炭素に対するフッ素の比（Ｆ／Ｃ比）が０．００１以下であり、前記カーボン膜の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であり、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられることを特徴とする電子写真用感光体であって、前記カーボン膜が、感光層を保護し、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、炭化水素ガス及びＣ２Ｆ６ガスが用いられ
　【００１３】本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に少なくとも感光層、水素を含有するダイヤモンド状カーボンもしくは非晶質カーボン構造を有するカーボン膜（表面保護層）を順次積層した構成を持つ電子写真感光体において、前記表面保護層が窒素元素またはフッ素元素を含有する膜からなり、さらにその添加物元素の炭素に対する含有原子量比が表面保護層の感光層近傍付近において、それ以外の部分よりも少ないものとし、表面保護層の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であるとしたことから、感光体の保護層の耐剥離性及び耐スクラッチ性が向上できる。
　【００１４】これらの表面保護層の耐剥離性及び耐スクラッチ性向上の推定メカニズムは、次の通りである。表面保護層に窒素またはフッ素の添加物元素を含有させることにより、表面保護層を低抵抗化及び透過性の良好な膜とし、画像特性の向上は図られる。しかし、この膜を単独で感光層表面に製膜した場合、製膜時に添加物元素を含有させるために用いるＮＨ３、Ｎ２、Ｃ２Ｆ６、ＣＨ３Ｆの添加物ガスにより、感光層がエッチングされダメージを受ける。感光層がダメージを受けた場合、感光体の残留電位が高くなり、さらに長期的な通紙により、接着性が低下する。本発明者らの検討によれば、添加物ガスによる感光層へのダメージ防止のために、感光層近傍付近に表面保護層を製膜するとき、前記の添加物ガスの添加量を少なくし、そしてある一定膜厚で製膜した後、添加物ガスの添加量を増やすことにより、画像特性が向上し、感光層のダメージの少ない感光体を製膜することが可能となることが判明した。さらに上記表面保護層の最表層にヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上の膜を製膜することにより、上記特性に加えて、更に摩耗特牲及び耐クラック性を向上させることが可能となることも知見された。また、上記表面保護層に、窒素を含有し、感光層近傍付近とそれ以外の層で窒素と炭素の含有原子量比を規定したり、若しくは表面保護層に、フッ素を含有し、感光層近傍付近とそれ以外の層でフッ素と炭素の含有原子量比を規定した
りす
　【００１５】
　【発明の実施の形態】以下、図面に沿って本発明を説明する。図１は本発明の電子写真用感光体の模式断面図であり、導電性支持体１上に感光層２、表面保護層３を順次設けた構成のものである。図２〜４は各々本発明の他の電子写真用感光体の構成例を示すものであり、図２は導電性支持体１上に下引層４を介して感光層２、表面保護層３を順次設けたものであり、図３は感光層２が電荷発生層（ＣＧＬ）２ａと電荷輸送層（ＣＴＬ）２ｂより構成される機能分離型タイプのもの、図４は機能分離型タイプの感光層２のＣＧＬ、ＣＴＬの積層順序が逆になっているものをそれぞれ示したものである。なお、本発明においては、導電性支持体１上に感光層２と表面保護層３を少なくとも有していれば、上記のその他の層、及び感光層のタイプは任意に組み合わされていても構わない。
　【００１６】本発明において電子写真用感光体に使用される導電性支持体としては、導電体あるいは導電処理をした絶縁体、例えばＡｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕなどの金属あるいはそれらの合金の他、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上にＡｌ、Ａｇ、Ａｕ等の金属あるいはＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２等の導電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をした紙等が使用できる。導電性支持体の形状は特に制約はなく板状、ドラム状あるいはベルト状のいずれのものも使用できる。
　【００１７】導電性支持体と感光層との間に必要に応じ設けられる下引層は感光特性の改善、接着性の向上等の目的で設けられ、その材料としてはＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ＰＶＡ等の接着性の良いバインダー樹脂等が使用される。その他、前記接着性の良い樹脂にＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＺｎＳ等を分散したものも使用できる。下引層の形成方法としては無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が、また、有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用される。なお、下引層の厚さは５μｍ以下が適当である。この導電性支持体に直接あるいは下引層を介して設けられる感光層の種類は前述したＳｅ系、ＯＰＣ系等のいずれもが、またその構成は単層型、機能分離型のいずれもが適用できる。これらのうちＯＰＣ系について以下に簡単に説明する。
　【００１８】単層型有機感光層の例としては、色素増感された酸化亜鉛、酸化チタン、硫酸亜鉛等の光導電性粉体、無定形シリコン粉本、スクアリック塩顔料、フタロシアニン顔料、アズレニウム塩顔料、アゾ顔料等を必要に応じて結着剤樹脂及び／又は後述する電子供与性化合物と共に塗布形成されたもの、またビリリウム系染料とビスフェノールＡ系のポリカーボネートとから形成される共晶錯体に電子供与性化合物を添加した組成物を用いたもの等が挙げられる。結着樹脂としては後述する機能分離型感光体と同様のものを使用することができる。この単層型感光体の厚さは５〜３０μｍが適当である。
　【００１９】一方、機能分離型感光層の例としては電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）を積層したものが例示される。画像露光により潜像電荷を発生分離させるための電荷発生層（ＣＧＬ）としては、結晶セレン、セレン化ヒ素等の無機光導電性粉体あるいは有機系染顔料を結着剤樹脂に分散もしくは溶解させたものが用いられる。
　【００２０】電荷発生物質としての有機系染顔料としては、例えば、シーアイピグメントブルー２５｛カラーインデックス（ＣＩ）２１１８０｝、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ４５２１０）、さらにポリフィリン骨格を有するフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクアリック塩顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、スチリルスチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３８２２９号公報に記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２５４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３４号公報に記載）、カルバゾール骨格を有するトリアゾ顔料（特開昭５７−１９５７６７号公報、同５７−１９５７６８号公報に記載）等、さらにシーアイピグメントブルー１６（ＣＩ７４１００）等のフタロシアニン系顔料、シーアイバッドブラウン５（ＣＩ７３４１０）、シーアイバッドダイ（ＣＩ７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイオレット社製）インダンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）等のペリレン系顔料等を使用することができる。これらの電荷発生物質は単独であるいは２種以上併用して用いられる。結着剤樹脂は、電荷発生物質１００重量部に対して０〜１００重量部用いるのが適当であり、好ましくは０〜５０重量部である。
　【００２１】これら有機染顔料と併用される結着剤樹脂としてはポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルなど縮合系樹脂並びにポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体等の重合体および共重合体等の接着性、絶縁性樹脂が挙げられる。
　【００２２】電荷発生層は、電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより分散し、分散液を適当に希釈して塗布することにより形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍである。
　【００２３】また、本発明において、電荷発生物質として結晶セレン又はセレン化ヒ素合金等の粒子を用いる場合には、電子供与性粘着剤及び／又は電子供与性有機化合物とが併用される。このような電子供与性物質としてはポリビニルカルバゾールおよびその誘導体（例えばカルバゾール骨格に塩素、臭素などのハロゲン、メチル基、アミノ基などの置換基を有するもの）、ポリビニルピレン、オキサジアゾール、ピラゾリン、ヒドラゾン、ジアリールメタン、α−フェニルスチルベン、トリフェニルアミン系化合物などの窒素含有化合物およびジアリールメタン系化合物等があるが、特にポリビニルカルバゾールおよびその誘導体が好ましい。またこれらの物質は混合しても用いられるが、この場合にはポリビニルカルバゾールおよびその誘導体に他の電子供与性有機化合物を添加しておくことが好ましい。この種の無機系電荷発生物質の含有量は層全体の３０〜９０重量％が適当である。また無機系電荷発生物質を用いた場合の電荷発生層の厚さは０．２〜５μｍ程度が適当である。
　【００２４】電荷輸送層（ＣＴＬ）は帯電電荷を保持させ、かつ露光により電荷発生層で発生分離した電荷を移動させて保持していた帯電電荷と結合させることを目的とする層である。帯電電荷を保持させる目的達成のために電気抵抗が高いことが要求され、また保持していた帯電電荷で高い表面電位を得る目的を達成するためには、誘電率が小さくかつ電荷移動性が良いことが要求される。これらの要件を満足させるための電荷輸送層は、電荷輸送物質および必要に応じて用いられるバインダー樹脂より構成される。すなわち、以上の物質を適当な溶剤に溶解ないし分散してこれを塗布乾燥することにより電荷輸送層を形成することができる。電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
　【００２５】正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルミゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体等の電子供与性物質が挙げられる。
　【００２６】電子輸送物質としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノンジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ（１，２−ｂ）チオフェノン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェノン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容物質が挙げられる。これらの電荷輸送物質は、単独又は２種以上混合して用いられる。
　【００２７】また、必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂が挙げられる。溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチレンなどが用いられる。
　【００２８】電荷輸送層の厚さは５〜１００μｍ程度が適当である。また電荷輸送層中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂に対して０〜３０重量％程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して０〜１重量％程度が適当である。これらのＣＧＬとＣＴＬは支持体上に支持体側からＣＧＬ、ＣＴＬの順に積層しても、ＣＴＬ、ＣＧＬの順に積層してもかまわない。
　【００２９】本発明において感光体の表面に設けられる保護層とは、水素を含有するダイヤモンド状カーボンもしくは非晶質カーボン構造を有し、窒素元素またはフッ素元素を有し、表面保護層の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上である高硬度薄膜より構成される。
　【００３０】上記高硬度薄膜とは、好ましくはＳＰ３軌道を有するダイヤモンドと類似のＣ−Ｃ結合を有しており、膜厚が１〜３μｍであることが望ましい。この膜厚の範囲では、感光体表面の耐スクラッチ性、光透過性、感度などの静電特性がより向上する。感光体近傍付近の上記含有元素は、他の部分よりも少ないことが好まし
い。
　【００３１】表面保護層を作製するときには、炭化水素ガス（メタン、エタン、エチレン、アセチレン等）を主材料として、Ｈ２、Ａｒ等のキャリアガスを用いる。さらに添加物元素を供給するガスとしては減圧下で気化できるもの、加熱することにより気化できるものであれば構わない。例えば窒素を供給するガスとしてＮＨ３、Ｎ２等を用い、フッ素を供給するガスとしてＣ２Ｆ６、ＣＨ３Ｆ等を用いることができる。上記のようなガスを用い、プラズマＣＶＤ法、グロー放電分解法、光ＣＶＤ法などやグラファイト等をターゲットとしたスパッタリング法等により形成される。特にその製膜法は限定されるものではないが、保護層として良好な特性を有する炭素を主成分とする膜を形成する方法として、プラズマＣＶＤ法でありながらスパッタ効果を伴わせつつ製膜させる方法（特開昭５８−４９６０９号公報）等が知られている。
　【００３２】プラズマＣＶＤ法を利用した炭素を主成分とする保護層の製膜法では、支持体を特に加熱する必要がなく、約１５０℃以下の低温で被膜を形成できるため、耐熱性の低い有機系感熱層上に保護層を形成する際にも、何ら支障がないというメリットがある。この炭素を主成分とする保護層の膜厚は製膜時間の制御等により調節できる。表面保護層の膜組成を分析する方法としては、ＸＰＳ、ＡＥＳ、ＳＩＭＳ等の測定法を用いる。
　【００３３】
　【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発明の態様が限定されるものではない。部は何れも重量基準である。
　【００３４】（参考例１）
アルミニウム製シリンダー状支持体（外径８０ｍｍφ、長さ３４０ｍｍ）に下記組成比の混合物をボールミルで１２時間分散し、調製した下引層形成液を乾燥後の膜厚が約２μｍになるように浸漬法で塗工し、下引層を形成した。
　ＴｉＯ２（石原産業社製：タイペーク）　　　　　　　　　　　　　　　１部
　ポリアミド樹脂（東レ社製：ＣＭ８０００）　　　　　　　　　　　　　１部
　メタノール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２５部
　【００３５】この下引層上に下記構造のトリスアゾ顔料を含む電荷発生層塗工液を浸漬塗工し、１２０℃で１０分間乾燥させ、膜厚約０．１５μｍのＣＧＬを形成した。
　【化１】
　ポリエステル樹脂（東洋紡社製：バイロン２００）　　　　　　　　　１２部
　シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３６０部
［上記混合物をボールミルで７２時間分散した後、さらにシクロヘキサノン：メチルエチルケトン＝１：１（重量比）の混合溶媒５００部で希釈調製する。］
　【００３６】ついで、このＣＧＬ上に下記組成の電荷輸送層塗工液を乾燥後の膜厚が約３０μｍになるように浸漬塗工して有機感光層を作成した。
　【化２】
　ポリカーボネート（帝人化成社製：パンライトＣ−１４００）　　　　１０部
　テトラヒドロフラン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８０部
　シリコーンオイル（信越シリコーン社製：ＫＦ５０）　　　　　０．００１部
　【００３７】このようにして作製した有機感光体を図５〜図７に示すようなプラズマＣＶＤ装置にセットし、炭素又は炭素を主成分とする薄膜よりなる保護層を形成した。ここで図５中１０７はプラズマＣＶＤ装置の真空槽であり、ゲート弁１０９によりロード／アンロード用予備室１１７と仕切られている。真空槽１０７内は排気系１２０（圧力調整バルブ１２１、ターボ分子ポンプ１２２、ロータリーポンプ１２３よりなる）により真空排気され、また一定圧力に保たれるようになっている。真空槽１０７内には反応槽１５０が設けられている。反応槽は図６、図７に示すような枠状構造体１０２（電極側より見て四角又は六角形状を有している）と、この両端の開口部を覆うようにしたフード１０８、１１８、さらにこのフード１０８、１１８に配設された一対の同一形状を有する第一及び第二の電極１０３、１１３（アルミニウム等の金属メッシュを用いている）より構成されている。１３０は反応槽１５０内へ導入するガスラインを示しており、各種材料ガス容器が接続されており、それぞれ流量計１２９を経てノズル１２５より反応槽１５０の中へ導入される。枠状構造体１０２中には、前記感光層を形成した支持体１０１（１０１−１、１０１−２…１０１−ｎ）が図６、図７のように配置される。なお、それぞれの支持体は、後述するように第三の電極として配置される。電極１０３、１１３にはそれぞれ第一の交番電圧を印加するための一対の電源１１５（１１５−１、１１５−２）が用意されている。第一の交番電圧の周波数は１〜１００ＭＨｚである。これらの電源はそれぞれマッチングトランス１１６−１、１１６−２とつながる。このマッチングトランスでの位相は位相調整器１２６により調整し、互いに１８０°または０°ずれて供給できる。すなわち対称型または同相型の出力を有している。マッチングトランスの一端１０４及び他端１１４はそれぞれ第一及び第二の電極１０３、１１３に連結されている。またトランスの出力側中点１０５は接地レベルに保持されている。更にこの中点１０５と第三の電極すなわち支持体１０１（１０１−１、１０１−２…１０１−ｎ）またはそれらに電気的に連結するホルダ１０２の間に第二の交番電圧を印加するための電源１１７が配設されている。この第二の交番電圧の周波数は１〜５００ＫＨｚである。この第一及び第二の電極に印加する第一の交番電圧の出力は１３．５６ＭＨｚの周波数の場合０．１〜１ＫＷであり、第三の電極すなわち支持体に印加する第二の交番電圧の出力は１５０ＫＨｚの周波数の場合約１００Ｗである。
　【００３８】保護層を２層構成とし、感光層に接している側から順に第１表面保護層、第２表面保護層とした。第１表面保護層は、水素および窒素含む非晶質炭素膜である。その製膜条件は以下の通りである。
　ＣＨ４流量：２００ｓｃｃｍ
　Ｎ２流量：２０ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０１ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ
　膜厚：０．１２μｍ
　Ｎ／Ｃ比：０．００８
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素、水素及び窒素を含有することが判明した。
　【００３９】第２表面保護層は、水素を含む非晶質炭素膜であって、更に窒素を含有する膜からなる。その製膜条件は以下の通りである。
　ＣＨ４流量：９０ｓｃｃｍ
　Ｈ２流量：２１０ｓｃｃｍ
　Ｎ２流量：４５ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０２ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−３５Ｖ
　膜厚：４μｍ
　ヌープ硬度：１２００ｋｇ／ｍｍ２
　Ｎ／Ｃ比：０．１５
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素、水素及び窒素を含有していることが判明した。
　【００４０】このようにして作成した感光体を初期及び市販デジタル複写機イマジオ４２０Ｖ［（株）リコー製］を用いて５０万枚の通紙試験を行った後、感光体表面の保護層の剥離状況、スクラッチ状況などの評価を行った。評価結果を表１に示す。
　【００４１】（実施例１）
第１表面保護層の製膜条件を下記に示す条件とした以外は、すべて参考例１と同様にして感光体を作成し、評価を行った。
　ＣＨ４流量：２００ｓｃｃｍ
　Ｎ２流量：５ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０１ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ
　膜厚：０．１２μｍ
　Ｎ／Ｃ比：０．００２
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素、水素及び窒素を含有していることが判明した。評価結果を表１に示す。
　【００４２】（参考例２）
第１表面保護層と第２表面保護層の製膜条件を下記に示す条件としたこと以外は、すべて参考例１と同様にして感光体を作成し、評価を行った。
（第１表面保護層）
　ＣＨ４流量：２５０ｓｃｃｍ
　Ｃ２Ｆ６量：２０ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０１ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ
　膜厚：０．１２μｍ
　Ｆ／Ｃ比：０．００２
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素、水素及びフッ素を含有していることが判明した。
　【００４３】
（第２表面保護層）
　ＣＨ４流量：１００ｓｃｃｍ
　Ｈ２流量：２００ｓｃｃｍ
　Ｃ２Ｆ６流量：５０ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０２ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−５０Ｖ
　膜厚：４μｍ
　ヌープ硬度：１２００ｋｇ／ｍｍ２
　Ｆ／Ｃ比：０．０５
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、水素及びフッ素を含有していることが判明した。評価結果を表１に示す。
　【００４４】（実施例２）
第１表面保護層の製膜条件を下記に示す条件としたこと以外は、すべて参考例２と同様にして感光体を作成し、評価を行った。
（第１表面保護層）
　ＣＨ４流量：２５０ｓｃｃｍ
　Ｃ２Ｆ６量：５ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０１ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ
　膜厚：０．１２μｍ
　Ｆ／Ｃ比：０．０００５
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素、水素及びフッ素を含有していることが判明した。評価結果を表１に示す。
　【００４５】（比較例１）
保護層に第１表面保護層を設けないこと以外は、参考例１と同様にして感光体を作成し、評価を行った。ただし、ここでの保護層のＮ／Ｃ比は０．１５である。評価結果を表１に示す。
　【００４６】（比較例２）
第１表面保護層と第２表面保護層の製膜条件を下記に示す条件とした以外は、すべて参考例１と同様にして感光体を作成し、評価を行った。
（第１表面保護層）
　ＣＨ４流量：９０ｓｃｃｍ
　Ｈ２流量：２１０ｓｃｃｍ
　Ｎ２流量：４５ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０２ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−３５Ｖ
　膜厚：０．１４μｍ
　Ｎ／Ｃ比：０．１５
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素、水素及び窒素を含有することが判明した。
　【００４７】
（第２表面保護層）
　ＣＨ４流量：２００ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０１ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−１００Ｖ
　膜厚：４μｍ
　ヌープ硬度：２０００ｋｇ／ｍｍ２
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素及び水素を含有していることが判明し、窒素は含有していないことが判明した。評価結果を表１に示す。
　【００４８】（比較例３）
第１表面保護層と第２表面保護層の製膜条件を下記に示す条件とした以外は、すべて参考例１と同様にして感光体を作成し、評価を行った。
（第１表面保護層）
　ＣＨ４流量：２００ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０１ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−１００Ｖ
　膜厚：０．１５μｍ
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素及び水素を含有することが判明し、窒素は含有していないことが判明した。
　【００４９】
（第２表面保護層）
　ＣＨ４流量：９０ｓｃｃｍ
　Ｈ２流量：２１０ｓｃｃｍ
　Ｎ２流量：４５ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０３ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−５Ｖ
　膜厚：４μｍ
　ヌープ硬度：５００ｋｇ／ｍｍ２
　Ｎ／Ｃ比：０．１５
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、酸素、水素及び窒素を含有していることが判明した。
　【００５０】（比較例４）
第２表面保護層の製膜条件を下記に示す条件とした以外は、すべて参考例１と同様にして感光体を作成し、評価を行った。
　ＣＨ４流量：１００ｓｃｃｍ
　Ｈ２流量：２００ｓｃｃｍ
　Ｃ２Ｆ６流量：５０ｓｃｃｍ
　反応圧力：０．０２ｔｏｒｒ
　第一の交番電圧出力：１００Ｗ　１３．５６ＭＨｚ
　バイアス電圧（直流分）：−２５Ｖ
　膜厚：４μｍ
　ヌープ硬度：９００ｋｇ／ｍｍ２
この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成が、炭素、水素及びフッ素を含有していることが判明した。評価結果を表１に示す。
　【００５１】
　【表１】
　【００５２】
　【発明の効果】請求項１の電子写真用感光体は、導電性支持体上に少なくとも感光層、水素を含有するダイヤモンド状カーボンもしくは非晶質カーボン構造を有する表面保護層を順次積層した構成を持つ電子写真用感光体において、前記表面保護層が窒素元素の炭素に対する含有原子量比が表面保護層の感光層近傍付近において、それ以外の部分よりも少なく、さらに表面保護層の最表層のヌープ硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であ
り、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられ
　【００５３】請求項２の電子写真用感光体は、導電性支持体上に少なくとも感光層、水素を含有するダイヤモンド状カーボンもしくは非晶質カーボン構造を有する表面保護層を順次積層した構成を持つ電子写真用感光体において、前記表面保護層が
フッ素
り、前記カーボン膜の感光層近傍を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられず、前記カーボン膜の最表層を作製するときには、Ｈ２ガスが用いられ
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の画像形成装置で使用する電子写真用感光体の断面の模式図。
　【図２】本発明の画像形成装置で使用する電子写真用感光体の断面の模式図。
　【図３】本発明の画像形成装置で使用する電子写真用感光体の断面の模式図。
　【図４】本発明の画像形成装置で使用する電子写真用感光体の断面の模式図。
　【図５】炭素又は炭素を主成分とする薄膜よりなる保護層を形成する際に用いるプラズマＣＶＤ装置の具体例の説明図。
　【図６】上記プラズマＣＶＤ装置の枠状構造体１０２の平面図。
　【図７】上記プラズマＣＶＤ装置の枠状構造体１０２の平面図。
　【符号の説明】
図１〜４について
　１　導電性支持体
　２　感光層
　２ａ　電荷発生層（ＣＧＬ）
　２ｂ　電荷輸送層（ＣＴＬ）
　３　保護層
　４　下引層
図５〜７について
　１０１−０〜１０１−ｎ　支持体
　１０２　枠状構造体
　１０３、１１３　電極
　１０４、１１４　マッチングトランスの端部
　１０５　トランス出力側中点
　１０７　真空槽
　１０８、１１８　フード
　１０９　ゲート弁
　１１５　電源
　１１６−１、１１６−２　マッチングトランス
　１１７　電源
　１２０　排気系統
　１２１　調整バルブ
　１２２　ターボ分子ポンプ
　１２３　ロータリーポンプ
　１２５　ガス導入ノズル
　１２６　位相調整器
　１３０〜１３４　ガスライン
　１４０　交番電源系
　１５０　反応槽