【事件の表示】
　特願２００８−５１９２６４号「半導体デバイス構造、及び第ＩＩＩ属窒化物半導体デバイス構造を製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１月１１日国際公開、ＷＯ２００７／００５０７４、平成２０年１２月１１日国内公表、特表２００８−５４５２７０号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１８年３月２０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００５年６月２９日　（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年２月４日付けの拒絶理由の通知に対して、同年６月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年１月２６日付けの拒絶理由＜最後＞の通知に対して、同年８月３日付けで意見書が提出され、同年９月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２５年２月４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同日付けで手続補正書が提出され、その後、特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した同年５月１０日付けの審尋を通知したところ、同年９月１７日付けで回答書が提出されたものである。  
 　  
２．平成２５年２月４日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２５年２月４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。  
［理由］  
(2-1)補正事項  
　本件補正は、特許請求の範囲の記載を補正するものであり、補正前後の特許請求の範囲の記載は次のとおりである。  
（補正前）  
「【請求項１】
　炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板と、
　４×１０８ｃｍ−２未満の転位密度と少なくとも５０Ｖの分離電圧とを有する、前記ＳｉＣ基板の上方の第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、
を含む半導体デバイス構造。
　　・・中略・・
【請求項２３】
　４×１０８ｃｍ−２未満の転位密度と少なくとも５０Ｖの分離電圧とを有する第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板上に形成するステップを含むことを特徴とする第ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス構造を製造する方法。
　　・・中略・・
【請求項３７】
　前記形成するステップは、第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を非パターン化ＳｉＣ基板上に形成するステップを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板と、
　４×１０８ｃｍ−２未満の転位密度と少なくとも５０Ｖの分離電圧とを有する、前記ＳｉＣ基板の上方の第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、
を含む半導体デバイス構造。
　　・・中略・・
【請求項２３】
　４×１０８ｃｍ−２未満の転位密度と少なくとも５０Ｖの分離電圧とを有する第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板上に形成するステップを含むことを特徴とする第ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス構造を製造する方法。
　　・・中略・・
【請求項３７】
　前記形成するステップは、第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を非パターン化ＳｉＣ基板上に形成するステップを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項３８】
　前記第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層は、ＧａＮを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス構造。
【請求項３９】　前記第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層は、ＧａＮを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。」
　
(2-2)補正の適否  
　本件補正は、請求項３８、３９を付加するものであって、特許請求の範囲の記載の請求項の数を増やすものであるところ、請求項１を引用する請求項３８および請求項２３を引用する請求項３９は、ｎ項引用形式請求項をｎ-1以下の請求項に変更するものではない（当審注：特許庁編「特許・実用新案　審査基準」第III部　第III節　４.３.１を参酌されたい。）ことから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号、第２号、第３号および第４号の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
３．本願発明について  
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年６月７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記２．(2-1)の（補正前）で示したものである。  
　
４．引用例の記載事項
(4-1)原査定の拒絶の理由の引用文献１として引用された特開２００５−１９８７２号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
(a)「【請求項１】
基板上に少なくとも第１〜第３の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、前記第１の窒化物半導体層を４００〜６００℃で成長させ、前記第１の窒化物半導体層を７００〜１，３００℃で熱処理した後、前記第１の窒化物半導体層の上に７００〜１，３００℃で前記第２及び第３の窒化物半導体層を成長させ、原料ガスとともに前記基板近傍へ供給するキャリアガスとして、前記第２の窒化物半導体層の成長時には水素を６３体積％以上含有する水素／窒素混合ガスを使用し、前記第３の窒化物半導体層の成長時には窒素を５０体積％以上含有する水素／窒素混合ガスを使用し、かつ前記第２の窒化物半導体層を１μｍより厚く形成することを特徴とする方法。」
　
(b)「【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、前記第１の窒化物半導体層の厚さが５〜４２ｎｍであることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、前記第３の窒化物半導体層の厚さが５００〜１０，０００ｎｍであることを特徴とする方法。」
　
(c)「【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、前記基板がサファイア、炭化珪素、珪素、ＺｒＢ２、ＺｎＯ、ＬｉＧａＯ２又はＬｉＡｌＯ２の単結晶からなることを特徴とする方法。」
　
(d)「【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、前記第１〜第３の窒化物半導体層の少なくとも一つが、アンドープ層、シリコンドープ層、酸素ドープ層、鉄ドープ層、亜鉛ドープ層又はマグネシウムドープ層であり、そのドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下であることを特徴とする方法。
　
(e)「【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法により作製した窒化物半導体を有する窒化物半導体デバイスであって、前記第３の窒化物半導体層上にデバイス構造を有することを特徴とする窒化物半導体デバイス。」
　
(f)「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、高濃度のＳｉを添加せずに窒化物半導体の転位密度を１×１０８個／ｃｍ２以下とすることができる窒化物半導体の製造方法を提供することである。」
　
(g)「【００２８】
窒化物半導体の結晶成長は気相成長装置内で行うのが好ましく、例えば有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置又はハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）装置内で行うのが好ましい。ＭＯＶＰＥ法は高結晶性の窒化物半導体結晶を成長させることができ、ＨＶＰＥ法は結晶成長速度が速いので効率良く窒化物半導体結晶を成長させることができる。ＭＯＶＰＥ法及びＨＶＰＥ法の実施条件は適宜設定してよい。またＭＯＶＰＥ法とＨＶＰＥ法とを組合せてもよい。例えば、まず基板上にＭＯＶＰＥ法により窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させて微結晶粒を形成し［工程（ａ）］、次いでその上にＨＶＰＥ法により工程（ｂ）及び（ｃ）の結晶成長を行うこともできる。」
　
(h)「【００４６】
実施例１
直径５０．８  ｍｍ及び厚さ３３０μｍのＣ面サファイア基板上に、ＭＯＶＰＥ法によりそれぞれ第１〜第３の窒化物半導体層としてＧａＮ半導体層を表１に示す条件で成長させた。各工程の手順は以下の通りである。
【００４７】
（１）  熱清浄化工程
基板をＭＯＶＰＥ装置内に導入し、７６０  Ｔｏｒｒの水素／窒素混合ガスからなるキャリアガス雰囲気（総流量＝１５０  ｓｌｍ、水素濃度＝３３体積％）中で、１１３５℃で１０分間加熱することにより基板表面の酸化物等を除去した。
【００４８】
（２）  工程（ａ）
基板温度を５１５℃に下げるとともに、キャリアガス流量を１４０  ｓｌｍ、キャリアガス中の水素濃度を２９体積％とし、窒素原料としてアンモニア（ＮＨ３）ガスを１０  ｓｌｍの流量で成長装置に導入した。さらにＧａ原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を成長装置に導入し、基板上に厚さ２０  ｎｍのＧａＮ半導体層（低温バッファ層）を１．９μｍ／時の速度で成長させた。次に、キャリアガス流量を８０  ｓｌｍ、キャリアガス中の水素濃度を２９体積％、アンモニア流量を２０  ｓｌｍとし、基板温度を１０７５℃に上昇させて、ＧａＮ半導体層に熱処理を施し、基板上にＧａＮ半導体層の微結晶粒を形成した。
【００４９】
（３）  工程（ｂ）
ＧａＮ半導体層の熱処理が終了した時点で、キャリアガス中の水素濃度を８２体積％に上げ、島状構造のＧａＮ半導体層を２．２μｍ／時の速度で成長させた。表１に示すように、工程（ｂ）により厚さ２２５０  ｎｍ（２．２５μｍ）のＧａＮ半導体層が得られた。
【００５０】
（４）  工程（ｃ）
ＧａＮ半導体層を成長させながら装置内の圧力を３００  Ｔｏｒｒまで低下させ、キャリアガスの流量を１３０  ｓｌｍ、キャリアガス中の水素濃度を２３体積％、基板温度を１００５℃にし、ＧａＮ半導体層を３．１μｍ／時の速度で３０００  ｎｍの厚さに成長させ、ＧａＮ半導体表面を平坦化した。成長の終了後に基板温度を２００℃以下に下げ、成長装置内を７６０  Ｔｏｒｒの窒素ガスで満たした後、基板を成長装置より取り出した。
【００５１】
得られたＧａＮエピタキシャルウエハの表面は鏡面であった。また透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察から求めたＧａＮ半導体層表面の転位密度は５×１０７個／ｃｍ２であった。この転位密度は、従来の２段階成長法によるＧａＮエピタキシャルウエハの転位密度（１×１０９個／ｃｍ２）の１／２０であり、先発明での転位密度の最小値（基板表面を部分的にＳｉ層で被覆した後、被覆したＳｉ層上に微結晶粒を形成する方法により得られた値）と同じである。」
　
(i)「【００７９】
実施例１５
工程（ａ）〜（ｃ）で形成する各ＧａＮ半導体層にシリコンを５×１０１７〜１×１０２０原子／ｃｍ３の範囲でドーピングした以外実施例１（全ての層がアンドープ）と同じ条件で、基板上にＧａＮ半導体を作製した。ドーピング材料としては水素希釈した５  ｐｐｍの濃度のシラン（ＳｉＨ４）を用いた。その結果、ドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下であれば、転位密度及び表面平坦性を損なわないことが明らかとなった。ドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３より大きい場合、工程（ｃ）の終了後のＧａＮ半導体の表面粗さはｒｍｓ値で２０  ｎｍを超えてしまった。
【００８０】
酸素、鉄、亜鉛及びマグネシウムをそれぞれドープした場合について同じ実験を行った結果、全ての場合においてドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下であれば転位密度及び表面平坦性が損なわれないことを確認した。」
　
(j)「【００８９】
実施例１８及び比較例３のＨＥＭＴの直流伝達特性を調べたところ、実施例１８のＨＥＭＴの相互コンダクタンスは２５０  ｍＳ／ｍｍであり、比較例３のＨＥＭＴの相互コンダクタンスは７５  ｍＳ／ｍｍであった。実施例１８のＨＥＭＴは比較例３のＨＥＭＴに比べてアンドープＧａＮ半導体表面における転位密度が小さいため、ゲートリーク電流が減少しており、ゲート電圧による２次元電子密度の制御性が向上していると考えられる。」
　
(4-2)原査定の拒絶の理由の引用文献４として引用された国際公開第２００５／００８７８３号（以下、「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
(k)「[0088] Example 2: Semi-insulating HVPE GaN using low-level iron doping
　
[0089] In this example, the growth and properties of semi-insulating HVPE GaN crystals were demonstrated by incorporating low concentration iron impurity. 2.8 grams of 99.995% pure iron and 250 grams of 99.99999% gallium were loaded into the gallium boat (reservoir) at room temperature. The reactor was sealed and the reactor temperature was raised to the growth temperature. 
　
[0090] GaN crystals were grown on a sapphire template using the baseline growth conditions. The growth conditions were: growth temperature = 1030℃, growth pressure = 50 Torr, and growth rate = about 100 μm/hour. After four-hour growth, the GaN crystals were removed from the reactor and characterized. 
　
[0091] Table II below shows the impurity concentration in a GaN crystal grown in this example. The impurity concentration was measured with secondary ion mass spectrometry (SIMS) by commercial vendor. The iron concentration was about 4x1016Fe atoms cm-3, which was slightly higher than the total donor impurity (silicon, oxygen, and carbon) concentration. 」
［【００８８】実施例２：低レベル鉄ドーピングを用いる半絶縁性ＨＶＰＥ−ＧａＮ
【００８９】この実施例において、半絶縁性ＨＶＰＥ−ＧａＮ結晶の成長および特性が、低濃度鉄不純物を取り込むことによって実証された。９９．９９５％の純鉄２．８グラムおよび９９．９９９９９％のガリウム２５０グラムが、室温でガリウムボート（貯蔵器）に入れられた。リアクタは密閉され、リアクタ温度は成長温度に上げられた。
【００９０】ＧａＮ結晶が、ベースライン成長条件を用いてサファイアテンプレート上で成長された。成長条件は、成長温度＝１０３０℃、成長圧力＝５０ｔｏｒｒおよび成長速度＝約１００μｍ／時だった。４時間の成長の後、ＧａＮ結晶はリアクタから取り出され、特徴付けられた。
【００９１】以下の表ＩＩは、この実施例で成長されたＧａＮ結晶における不純物濃度を示す。不純物濃度は、商用ベンダによって二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で測定された。鉄濃度は、約４×１０１６Ｆｅ原子ｃｍ−３で、これは、全ドナー不純物（シリコン、酸素および炭素）濃度よりわずかに高かった。］（当審注：［］内は、当審の仮訳である。以下同じ。）
 　  
(l)「[0092] The resistivity of the GaN crystal grown in Example 2 was measured as a function of temperature by the four-point probe method using InSn contacts. The contacts were ohmic once the InSn had melted and the temperature of the GaN was above〜60℃. Figure 1 shows resistivity data, as a function of inverse sample temperature, for the iron-doped GaN crystal sample grown by the method described above. The resistivity at 250℃ was 3x105ohm-cm and the resistivity at room temperature (determined by extrapolation) was 2x109ohm-cm. The activation energy for Fe-doped GaN was 0.51 eV, as shown in Figure 1. 」
［【００９２】実施例２において成長されたＧａＮ結晶の抵抗率は、ＩｎＳｎ接点を用いて、四探針法によって温度の関数として測定された。ひとたびＩｎＳｎが融解すると接点はオーム性であり、ＧａＮの温度は〜６０℃を超えていた。図１は、上記の方法によって成長された鉄ドープＧａＮ結晶サンプルのための、逆サンプル温度の関数としての抵抗率データを示す。２５０℃の抵抗率は３×１０５ｏｈｍ−ｃｍであり、室温の抵抗率（外挿によって決定）は２×１０９ｏｈｍ−ｃｍだった。図１に示すように、ＦｅドープＧａＮの活性化エネルギは、０．５１ｅＶだった。］
　
５．引用例記載の発明
(5-1)引用例１記載の発明
(Ａ)上記(a)ないし(e)の記載事項より、引用例１には、「厚さ５〜４２ｎｍの第１の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、１μｍより厚い第２の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、厚さ５００〜１０，０００ｎｍの第３の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層とからなり、鉄ドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下である鉄ドープＧａＮ層をサファイア基板または炭化珪素基板の上方に設ける」ことが記載されているということができる。       
  
(Ｂ)上記(h)(i)の記載事項より、引用例１（実施例１５）には、「厚さ２０ｎｍの第１の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、厚さ２２５０ｎｍの第２の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、厚さ３０００ｎｍの第３の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層とからなり、厚さが合計５２７０ｎｍであるとともに鉄ドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下である鉄ドープＧａＮ層をサファイア基板の上方に設ける」ことが記載されているということができる。
　
　上記４．(a)ないし(i)の記載事項および上記(Ａ)の検討事項より、引用例１には、「サファイア基板または炭化珪素基板と、１×１０８個／ｃｍ２以下の転位密度を有する、前記基板の上方の『厚さ５〜４２ｎｍの第１の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、１μｍより厚い第２の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、厚さ５００〜１０，０００ｎｍの第３の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層とからなり、鉄ドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下である鉄ドープＧａＮ層』と、を含むＧａＮエピタキシャルウエハ。」の発明が記載されている。（当審注：「」内の「」を当審において『』に書き換えた。）
　
(5-2)引用例２記載の発明
(Ｃ)上記(k)の記載事項からして、引用例２には、「成長速度＝約１００μｍ／時で４時間の成長の後にＧａＮ結晶を取り出す」こと、つまり「約４００ミクロンの厚さのＧａＮ結晶を生成する」ことが記載されているということができる。
　
(Ｄ)上記(l)の記載事項からして、引用例２には、「ＧａＮ結晶の室温抵抗率が２×１０９ｏｈｍ−ｃｍである」こと、つまり「ＧａＮ結晶の室温抵抗率が２×１０８ｏｈｍ−ｍｍである」ことが記載されているということができる。
　
　上記４．(j)(k)の記載事項および上記(Ｃ)(Ｄ)の検討事項より、引用例２には、「厚さが約４００ミクロン、鉄濃度が約４×１０１６Ｆｅ原子ｃｍ−３、室温抵抗率が２×１０８ｏｈｍ−ｍｍである半絶縁性ＨＶＰＥ−ＧａＮ結晶。」の発明が記載されている。
　
６．対比・判断
(6-1)対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比する。
○引用例１記載の発明の「個／ｃｍ２」、「厚さ５〜４２ｎｍの第１の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、１μｍより厚い第２の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、厚さ５００〜１０，０００ｎｍの第３の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層とからなり、鉄ドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下である鉄ドープＧａＮ層」、「ＧａＮエピタキシャルウエハ」は、本願発明の「ｃｍ−２」、「第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層」、「半導体デバイス構造」のそれぞれに相当する。
　
○引用例１記載の発明の「サファイア基板または炭化珪素基板」と、本願発明の「炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板」とは、「炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板」という点で重複する。
　
○引用例１記載の発明の「１×１０８個／ｃｍ２以下」と、本願発明の「４×１０８ｃｍ−２未満」とは、「１×１０８ｃｍ−２以下」という点で重複する。
　
　上記より、本願発明と引用例１記載の発明とは、「炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板と、１×１０８ｃｍ−２以下の転位密度を有する、前記基板の上方の第ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、を含む半導体デバイス構造。」という点で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点＞
　本願発明では、「少なくとも５０Ｖの分離電圧を有する」のに対して、引用例１記載の発明では、上記「」内の事項の特定がない点。
　
＜相違点＞について検討する。
　引用例１（実施例１５）には、上記５．(5-1)の検討事項(Ｂ)で示したように、「厚さ２０ｎｍの第１の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、厚さ２２５０ｎｍの第２の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層と、厚さ３０００ｎｍの第３の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層とからなり、厚さが合計５２７０ｎｍであるとともに
鉄ドーピング濃度が５×１０
１９
原子／ｃｍ
３
以下である鉄ドープＧａＮ層をサファイア基板
サファイア基板または炭化珪素基板
鉄ドーピング濃度が５×１０
１９
原子／ｃｍ
３
以下である鉄ドープＧａＮ層
　また、引用例１には、上記４．(4-1)の(e)で示した「【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法により作製した窒化物半導体を有する窒化物半導体デバイスであって、前記第３の窒化物半導体層上にデバイス構造を有することを特徴とする窒化物半導体デバイス。」および同(j)で示した「【００８９】・・・実施例１８のＨＥＭＴは比較例３のＨＥＭＴに比べてアンドープＧａＮ半導体表面における転位密度が小さいため、ゲートリーク電流が減少しており、ゲート電圧による２次元電子密度の制御性が向上していると考えられる。」との記載があり、これらからして、引用例１記載の発明は、「厚さが５ミクロンを超え、鉄ドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下である鉄ドープＧａＮエピタキシャル層」に、ゲート電極を有するデバイス、つまり「ソース電極とドレイン電極を接続する領域」を有するデバイスを形成することを想定するものである。
　さらに、一般に、ソース電極とドレイン電極を接続する領域を半絶縁性にすることは、従来より周知（例えば、特開２００２−２９９６２２号公報の特に【００２２】ないし【００２６】参照）の技術であることから、引用例１記載の発明の上記「ソース電極とドレイン電極を接続する領域」は、「ソース電極とドレイン電極を接続する半絶縁性の領域」というべきである。
　ここで、引用例２記載の発明は、上記５．(5-2)で示したように、「厚さが約４００ミクロン、鉄濃度が約４×１０１６Ｆｅ原子ｃｍ−３、室温抵抗率が２×１０８ｏｈｍ−ｍｍである半絶縁性ＨＶＰＥ−ＧａＮ結晶。」であり、これを言い換えると、「厚さが約４００ミクロン、鉄ドーピング濃度が約４×１０１６Ｆｅ原子／ｃｍ３、室温抵抗率が２×１０８ｏｈｍ−ｍｍである半絶縁性の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層。」になるということができ、これと引用例１記載の発明の「厚さが５ミクロンを超え、鉄ドーピング濃度が５×１０１９原子／ｃｍ３以下である鉄ドープＧａＮエピタキシャル層」に形成された「ソース電極とドレイン電極を接続する半絶縁性の領域」とは、半絶縁性の鉄ドープＧａＮエピタキシャル層であるという点で軌を一にしており、また、導電性、半絶縁性、絶縁性の区別は、主に抵抗率により規定されるものであるということができることから、引用例１記載の発明の「ソース電極とドレイン電極を接続する半絶縁性の領域」の「半絶縁性（抵抗率）」は、引用例２記載の発明の「２×１０８ｏｈｍ−ｍｍ（半絶縁性）」と同程度もしくはこれに近い値になっているとみるのが妥当である。
　そして、本願明細書には、「【００２８】
　分離電圧とは、エピタキシャル層１４上の非ゲート・トランジスタ構造に対して１ｍＡ／ｍｍの電流を提供する電圧を指す。したがって、例えば、ソースとのドレイン間の間隔が５μｍのＨＥＭＴ構造をエピタキシャル層１４上に形成し、ゲートをデバイス構造から除去することによって、デバイス構造の分離電圧を計測することもできる。・・・」との記載があり、これからして、分離電圧の定義は、非ゲートのトランジスタ構造（ソース電極とドレイン電極を接続する領域）に１ｍＡ／ｍｍの電流を（オフ時に）提供したときの電圧であるということができる。
　そうすると、引用例１記載の発明について、「ソース電極とドレイン電極を接続する半絶縁性の領域」の「半絶縁性（抵抗率）」を、引用例２記載の発明の「２×１０８ｏｈｍ−ｍｍ（半絶縁性）」に近い「１０８ｏｈｍ−ｍｍ」と仮定し、１ｍＡ／ｍｍの電流を提供したときの分離電圧を算出すると、１０５Ｖとなり、また、分離電圧が１０５Ｖでないとしても、半絶縁性であるならば、１０５Ｖから大きく離れた５０Ｖ未満の分離電圧になるとは想定し難いことから、引用例１には、「少なくとも５０Ｖの分離電圧を有する」ことが記載されているということができ、そうでないとしても、１０５Ｖに近い分離電圧にする、つまり「少なくとも５０Ｖの分離電圧を有する」ようにすることに格別の困難性があるとはいえない。
　したがって、相違点に係る本願発明の発明特定事項は、引用例１に記載されたものであって、相違点は実質的な相違点ではなく、また、引用例１、２記載の発明および周知技術に基いて当業者であれば容易に想起し得るものである。
　
　また、本願発明の「低い転位密度と、有用な電気特性（例えば、少なくとも５０Ｖの分離電圧）を得る」等の作用効果は、引用例１、２記載の発明および周知技術に基いて当業者であれば十分に予測し得るものである。
　よって、本願発明は、引用例１に記載されたものであり、また、引用例１、２記載の発明および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　 
７．むすび  
　したがって、本願発明は、引用例１に記載されたものであって、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができないものであり、また、引用例１、２記載の発明および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　それゆえ、本願は、特許請求の範囲の請求項２ないし３７に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。