【事件の表示】
　特許第３４６９０６１号「太陽電池」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４６９０６１号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４６９０６１号の請求項１〜４に係る発明についての出願は、平成９年１０月６日に出願され、平成１５年９月５日に設定登録され、その後、松村直子より特許異議の申立てがなされ、平成１６年１１月１６日付の取消理由通知に対して、平成１７年１月２４日付で意見書が提出された。
　
２．本件特許発明
　本件請求項１〜４に係る発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである（以下、「本件特許発明１」〜「本件特許発明４」という。）。
「【請求項１】  透光性基板と、この透光性基板上に形成された第１の透明電極膜と、この第１の透明電極膜上に形成された光電変換発電層と、この光電変換発電層上に形成された第２の透明電極膜と、この第２の透明電極膜上に形成された背面電極とを具備し、前記第１の透明電極膜はキャリア濃度が１×１０20〜２×１０21ｃｍ-3、移動度が１０〜１００ｃｍ2／Ｖ／ｓｅｃの範囲にあり、前記第１・第２の透明電極膜は０．０５〜０．５μｍの範囲の高低差のある凹凸を持つことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】  前記透明電極膜が酸化錫を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】  前記透明電極膜が錫添加酸化インジウムを主成分とすることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
【請求項４】  前記透明電極膜が酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。」
　
３．特許異議申立て
（１）特許異議の申立て理由及び取消理由の概要
　特許異議申立人松村直子は、（ア）本件特許発明１〜４は、自然法則を利用した技術的思想の創作に相当せず、特許法第２９条第１項柱書に違反する旨、（イ）本件特許発明１〜４は、下記の刊行物１〜７から明らかなとおり、既に知られていた太陽電池の構造において、透明電極膜の特性を、当業者が作製すればその範囲となる見かけ上の数値限定により特定したものに過ぎないので進歩性を欠き、特許法第２９条第２項に違反している旨、また、（ウ）本件特許明細書には、本件特許発明が必須とする「第１の透明電極膜」及び「第２の透明電極膜」を成膜する具体的方法や条件が開示されておらず、所定範囲のキャリア濃度及び移動度を実現する方法を明らかにしていないから、実施可能要件を満たしておらず、特許法第３６条第４項に違反している旨主張している。
　そして当審より、前記申立て理由（イ）、（ウ）に対応して、（ａ）透光性基板／第１の透明電極膜／光電変換発電層／第２の透明電極膜／背面電極という本件特許に係る基本的構成は刊行物１〜３に開示されているように周知であり、第１の透明電極膜として所定の数値範囲に入るキャリア濃度及び移動度を有するものを用いることは、刊行物４〜７及び下記の刊行物８、９の周知例からみて当業者の適宜採用しうる事項に過ぎず、また第１・第２の透明電極膜に所定の数値範囲に入る高低差のある凹凸を形成することも、刊行物１〜６及び下記の刊行物１０〜１２の開示からみて当業者の任意に設計しうる事項に過ぎず、さらに透明電極膜として本件特許発明２〜４の材料を採用することも周知事項の単なる適用に過ぎないから、本件特許発明１〜４は特許法第２９条第２項に違反しており、また、（ｂ）本件明細書及び図面において、第１、第２の透明電極膜の成膜方法や第１・第２透明電極膜に０．０５〜０．５μｍの範囲の高低差のある凹凸を形成することに関する具体的な説明がなされていないから、特許法第３６条第４項に違反しており、本件特許発明１〜４の特許は取り消すべき旨通知した。
刊行物１（甲第１号証）：特開平８−１０７２２８号公報 
刊行物２（甲第２号証）：特開平５−１７５５２８号公報 
刊行物３（甲第３号証）：特開平８−５１２２９号公報 
刊行物４（甲第４号証）：R.Plattner,et al.,Transparent Conductive Tin-Oxide Layers for Thin-Film Solar Cells,Siemens Research and Development Reports, Bd.17(1988)Nr.3,pp.138-146 
刊行物５（甲第５号証）：M.Mizuhashi,et al.,Texture Morphology of SnO2:F Films and Cell Reflectance, Japanese Journal of Applied Physics,1988,Vol.27,No.11,pp.2053-2061 
刊行物６（甲第６号証）：K.Sato,et al.,Hydrogen Plasma Treatment of ZnO-coated TCO Films,The conference Record of the TWENTY THIRD IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE,1993,pp.855-859 
刊行物７（甲第７号証）：G.Frank,et al.,Transparent Heat-reflecting Coating for Solar Applications Based on Highly Doped Tin Oxide and Indium Oxide,Solar Energy Materials,North-Holland Publishing Company,1983,Vol.8,No.4,pp.387-398 
刊行物８：特開平８−１７１８２４号公報
刊行物９：特開平６−４１７２３号公報
刊行物１０：特開平２−８１４７８号公報
刊行物１１：特開昭６０−１７０２６９号公報
刊行物１２：特開昭６３−３１３８７４号公報
　
（２）特許権者による意見
　前記取消理由通知に対し、特許権者は平成１７年１月２４日付意見書において、前記３．（１）（ａ）に関し、本件特許は、第１透明電極膜において、キャリア濃度は抵抗と透光性に関連し、また移動度は抵抗と結晶粒径に関連し、当該結晶粒径は透過率と光散乱に関連すること、さらに第２透明電極膜において、前記第１透明電極膜の結晶粒径に依存する散乱角を考慮した適切な凹凸を形成することで裏面側電極で有効な散乱反射が可能となり導入太陽光の伝播パスが延びることから、結局第１透明電極膜のキャリア濃度と移動度の範囲、第１透明電極膜と第２透明電極膜の凹凸の範囲は有機的関連をもって全体として発電効率を向上させるものであるのに対し、刊行物１〜３は太陽電池の積層構造を示すだけで、刊行物４〜７は実験的に一例としてのキャリア濃度と移動度の範囲を示すに過ぎず、凹凸に関しては本件特許の第１透明電極膜に対応する膜の単なる写真を示すだけであるから、刊行物１〜７のいずれも第２透明電極膜の凹凸範囲を規定するものでも、第１透明電極膜との関係において第２透明電極膜の作用について述べるものでもないから、本件特許発明は刊行物１〜７単独でもその組み合わせでも達成できるものではない旨、また、前記３．（１）（ｂ）に関し、第１透明導電膜を形成する方法は刊行物４〜７に十分記載されており、第１・第２透明電極膜に０．０５〜０．５μｍの範囲の高低差のある凹凸を形成することは、刊行物４、５に十分記載されていることは当業者に明らかである旨、それぞれ主張している。
　
４．特許法第２９条第２項違反に関する当審の判断
４−１．本件特許発明１について
（１）刊行物の記載
（ア）刊行物１
（ａ）「【００１０】・・（製造例１）先ず絶縁性透明基板３として、ガラス基板上に５００Åの膜厚でＳｉＯ2 層４をコートしたものを用い、これにフッ素を添加したＳｎＯ2 を約８０００Åの膜厚で形成して透明電極層５を形成する。この時ＳｎＯ2 の表面には、反射による損失を低減する目的で微小凹凸を形成しておく。」
（ｂ）「【００１８】・・さらに透明電極層５としては、ＺｎＯ以外にＩＴＯ、ＳｎＯ2 なども使用可能であり、上述したように表面に凹凸の形状を設けて、薄膜半導体層７の内部で長波長の光が閉じこめられる構造が好ましい。また第１の透明導電性金属化合物層９ａとしても、ＺｎＯ以外にＩＴＯ、ＳｎＯ2 などが使用可能であり、・・」
　
（イ）刊行物２
（ａ）「【０００３】・・裏面電極はｎ型層上に形成され、透過光を散乱させる第１の裏面電極と該第１裏面電極内で散乱する光を完全に封じ込めるための第２裏面電極から構成される。」
　なお、特許権者は当該記載に関し、「第２裏面電極が第１裏面電極内で散乱する光を第１裏面電極内に完全に閉じ込める」ことを意味する旨意見書で主張しているが、第１裏面電極の片側にしか形成されていない第２裏面電極が第１裏面電極内の散乱光をその中に完全に閉じ込めることはあり得ないことは自明であり、第１裏面電極内で散乱する光が第２裏面電極により「太陽電池内」に完全に封じ込められると解されるべきであることは当然である。
　
（ウ）刊行物３
（ａ）「【０００２】【従来の技術】一般に集積型薄膜太陽電池は、受光面となるガラスのような透光性絶縁基板上に酸化錫（ＳｎＯ2 ）や酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜よりなる電極を形成し、その上に結晶または非晶質のような半導体光電変換層および反射板を兼ねた金属薄膜裏面電極を積層して形成される。」
（ｂ）「【０００８】図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、金属薄膜裏面電極のパターニングの説明のための集積型薄膜太陽電池の一例の断面図である。透光性絶縁基板１の表面に、一方の電極となる第１の透明導電膜２，光電変換層３，第２の透明導電膜４および反射板となる金属薄膜裏面電極８が積層されている。」
（ｃ）「【００１３】また、太陽電池としての変換効率を向上させる目的で、各積層膜がテクスチャ構造にされており、さらに反射板となる金属薄膜裏面電極層の膜厚のばらつきなどにより、１つのスクライブ条件における加工再現性や信頼性が低く、結果として、生産工程における歩留りの低下につながるという懸念があった。」
　前記摘記事項（ｃ）に関し、
（ｄ）「各積層膜がテクスチャ構造にされており」なる記載から、当該「積層膜」を構成する「第１の透明導電膜」及び「第２の透明導電膜」がテクスチャ構造にされていることは明らかである。
　したがって、刊行物３には、「透光性絶縁基板と、この透光性絶縁基板上に形成された第１の透明導電膜と、この第１の透明導電膜上に形成された光電変換層と、この光電変換層上に形成された第２の透明導電膜と、この第２の透明導電膜上に形成された金属薄膜裏面電極とを具備し、前記第１・第２の透明導電膜はテクスチャ構造にされている太陽電池」が開示されている（以下、「刊行物３発明」という。）。
　なお、特許権者は前記意見書において、摘記事項（ｃ）の記載から、刊行物３では、「テクスチャ構造を採用すると生産工程における歩留まりの低下の懸念があった」旨指摘しているが、刊行物３は各積層膜がテクスチャ構造を有していること自体を課題にしている訳ではなく（むしろ変換効率向上を実現するための前提構成とされている。）、上記認定を左右するものではない。
　
（エ）刊行物４
（ａ）図２には、ＳｎＯ2：Ｆ層にガラス基板より入射する光の散乱に関し、微細粒径のＳｎＯ2層（図２（ａ））よりも、粗粒径（図２（ｂ））の層の方が散乱角が大きいことが開示されている。
（ｂ）ＳｎＯ2：Ｆ層の電子移動度が２５〜５０ｃｍ2／Ｖｓ、キャリア濃度が１０20〜１０21ｃｍ-3の範囲にあるものが開示されている（「５　電気的特性」の欄、図９、１０参照）。
（ｃ）図４には、ＳｎＯ2：Ｆ層の表面に、写真右上のスケール（２００ｎｍ）を参照すると高低差が５０〜５００ｎｍ（０．０５〜０．５μｍ）の範囲にある凹凸が形成されていることが見て取れる。
　
（オ）刊行物５
（ａ）「しかし最近光起電力分野において、アモルファス太陽電池の変換効率が、短絡電流の点から、ＴＣＯ表面又は裏面電極上にいわゆるテクスチャ構造を形成することで改善することが見いだされた。・・それはまた、凹凸のある酸化錫多結晶粒の傾斜表面で屈折後ｐｉｎ構造内で多重反射することで光路長を増大させるよう機能する。このように表面テクスチャを形成することは関係する全波長域にわたり吸光を向上させる。」（「１章　序文」の第２段落参照）
（ｂ）ＳｎＯ2：Ｆ層の電子移動度が３５ｃｍ2／Ｖｓ、キャリア濃度が５０＊１０20ｃｍ-3が開示されている（「３．２　電気的かつ光学的特性」の欄、図３参照）。またキャリア濃度が概略２＊１０20〜６＊１０20ｃｍ-3の範囲にあり、キャリア濃度が増加すると光の吸収係数が大きくなり光透過率が低下することが開示（「３．４　液浸法」の最終段落、図１１参照）。
（ｃ）「バリアコートの有無に関わらず、基板上のフィルムの膜厚が薄くなると抵抗率が高くなるのは、未熟な粒構造にも起因し、・・」、「膜厚が厚くなると抵抗率が下がるのは粒成長に起因し、その際一般に移動度とキャリア濃度も増大する」（「３．２　電気的かつ光学的特性」２０５５頁左欄４〜８行、及び同欄２１〜２３行参照）
（ｄ）図６、７には、同図が備えるスケール（１μｍ）を参照すると、ＳｎＯ2：Ｆ層の表面に、高低差が０．０５〜０．５μｍの範囲にある凹凸が形成されていることが見て取れる。
　
（カ）刊行物６
（ａ）「高効率のａ−Ｓｉ太陽電池を実現するためには、低シート抵抗、高透光性、及び光トラップ効果をもつテクスチャ表面がＴＣＯ（透明導電酸化物）基板に求められる。」（「序文」の欄）
（ｂ）図３及び図４には、同図が備えるスケール（２０００Å＝０．２μｍ）を参照すると、各々ＳｎＯ2：Ｆ層及びＺｎＯで被覆したＳｎＯ2：Ｆ層の表面に、高低差が０．０５〜０．５μｍの範囲にある凹凸が形成されていることが見て取れる。
（ｃ）ＳｎＯ2：Ｆ層の電子移動度が１０〜１００ｃｍ2／Ｖｓの範囲内、キャリア濃度が１０20〜１０21ｃｍ-3の範囲内にあるものが開示されている（「結果と議論」の欄、表１、図５、６参照）
　
（キ）刊行物７
（ａ）不純物が注入されたＳｎＯ2とＩｎ2Ｏ3膜において、電子移動度を１０ｃｍ2／Ｖｓ以上、キャリア濃度を１０20〜１０21ｃｍ-3とするものが開示されている（「１．序文」参照）。
（ｂ）図１より、キャリア濃度が高くなると透過率曲線の降下端が短波長側にシフトすることが見て取れる。
　
（ク）刊行物８
（ａ）「【０００２】・・薄膜太陽電池・・として、可視光透過率が高く、低抵抗な特性を有する透明導電膜が欠かせない。現在最も広く利用されている透明導電膜としては、金属酸化物薄膜が主であり、高い化学的安定性を有する酸化錫ＳｎＯ2系（Ｆまたはアンチモン（Ｓｂ）を添加したものが主として利用されている。）、優れた電気的・光学的特性を誇る錫添加酸化インジウム［ＳｎＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、以下ＩＴＯという］、さらに最近では、申請者らが開発した低コストで資源的にも全く問題がなく、ＩＴＯに匹敵する優れた電気的・光学的特性を有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）系（例えば、アルミニウム（Ａｌ）を添加したＺｎＯ：Ａｌ、以下ＡＺＯという）透明導電膜が知られている。」
（ｂ）ＺｎＯ−ＳｎＯ2系透明導電膜のキャリア濃度及び移動度が、それぞれ１〜２×１０20ｃｍ2及び２０ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ（実施例１）、５．６×１０20ｃｍ-3及び２１ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ（実施例３）、８．９×１０20ｃｍ-3及び２０ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ（実施例４）、４×１０20ｃｍ-3及び２２ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ（実施例５）、１．３×１０20ｃｍ-3及び２３ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ（実施例６）の数値を有するものが開示されている。
　
（ケ）刊行物９
（ａ）「【０００２】・・ＩＴＯ（Ｓｎを添加したＩｎ2 Ｏ3 ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 等の導電材料を用いた透明導電薄膜は、・・太陽電池における透明電極等の分野において広く用いられており、今後の需要増加が予想される。透明導電薄膜の品質は膜の比抵抗値によって決まり、例えば液晶ディスプレイにおいては、大面積化、表示密度の向上に伴って、より比抵抗値の小さい透明導電薄膜が要求されるようになってきた。他の用途においても同様に、比抵抗値をより小さくすることが求められている。」
（ｂ）「【０００９】本発明の透明導電膜の透明性としては、可視光透過率で少なくとも数十％以上が必要で、実用的には８０％程度以上が通常要求される。導電性は、キャリア濃度（キャリア電子の密度）と移動度（易動度）の積に比例する。本発明においては、得られる膜のキャリア濃度、移動度は高い程良いが、キャリア濃度は通常１．０〜６．０×１０21cm-3、移動度は通常４．０〜１０cm2 ／Ｖ・秒である。」
　
（コ）刊行物１０
（ａ）「薄膜太陽電池の特性向上のため光の閉じ込め効果を利用することが知られている。すなわち裏面電極へ垂直に入射する光の反射率よりも斜めに入射した光の反射率が高いことを利用し、ａ−Ｓｉ膜を透過した光をａ−Ｓｉ膜に再入射させて光電変換を行わせるもので、透明電極を形成する透明導電膜の表面を５００Åないし３０００Åの高さの凹凸を有する面に形成し、・・」（１頁右下欄１１〜１８行）
（ｂ）「本発明によれば、裏面電極と半導体薄膜の間に表面凹凸のある透明導電膜を設けることにより、半導体薄膜を透過した光が垂直に裏面電極に入射しないようにし、光の閉じ込め効果が生ずることにより、半導体薄膜とは無関係にＪscを増大させることができ、Ｖocには変化がないので変換効率が凹凸の大きさの増大と共に向上する薄膜太陽電池を得ることができた。」（３頁左上欄１７行〜同頁右上欄４行）
（ｃ）第４図には、ａ−Ｓｉ太陽電池の特性パラメータを透明導電膜（第１図７参照）の表面凹凸の高さに対しプロットしたものが記載されており、凹凸の高低差として概ね５００Å〜３５００Åの範囲について記載されている。
　
（サ）刊行物１１
（ａ）「本発明によれば、透光性絶縁基板上に積層される透明導電膜の表面に５００Åないし３０００Åの高さの凹凸を形成し、その上に非晶質半導体薄膜を生成することにより得られる薄膜太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。」（２頁右下欄３〜７行）
　
（シ）刊行物１２
（ａ）「本発明の・・透明電導膜２２の表面は全体に渡って凹凸面となっており、多数の凸部２４を有している。・・かかる凸部２４の高さは０．１〜０．６μｍ、特に、０．２５μｍ以下であることが好ましい。」（３頁左上欄２〜９行）
（ｂ）「本発明において、透明電導膜内に入射した光は、透明電導膜とａ−Ｓｉの界面をへて、ａ−Ｓｉ層に入射される。その際、電導膜表面が凹凸構造を有していると光は散乱されてａ−Ｓｉ層内にとり込まれるため、Ｓｉ層内でのオプティカルパス（光路長）が長くなり光の吸収効率が高まる。」（３頁左下欄５〜１０行）
　
（２）対比・判断
　本件特許発明１と刊行物３発明を対比すると、刊行物３発明の「透光性絶縁基板」は本件特許発明１の「透光性基板」に相当し、同様に、「第１の透明導電膜」は「第１の透明電極膜」に、「光電変換層」は「光電変換発電層」に、「第２の透明導電膜」は「第２の透明電極膜」に、金属薄膜裏面電極」は「背面電極」に、「テクスチャ構造」は「高低差のある凹凸」に相当することから、両者は、「透光性基板と、この透光性基板上に形成された第１の透明電極膜と、この第１の透明電極膜上に形成された光電変換発電層と、この光電変換発電層上に形成された第２の透明電極膜と、この第２の透明電極膜上に形成された背面電極とを具備し、前記第１・第２の透明電極膜は高低差のある凹凸を持つ太陽電池」である点で一致し、次の点で相違している。
[相違点１]
　本件特許発明１の第１透明電極膜は、「キャリア濃度が１×１０20〜２×１０21ｃｍ-3、移動度が１０〜１００ｃｍ2／Ｖ／ｓｅｃの範囲」にあるのに対し、刊行物３発明には第１透明導電膜のキャリア濃度や移動度についての数値範囲に関し特段の記載のない点。
[相違点２]
　本件特許発明１の第１・第２の透明電極膜は、凹凸の高低差が「０．０５〜０．５μｍの範囲」にあるのに対し、刊行物３発明には凹凸の高低差についての数値範囲に関し特段の記載のない点。
　
　そこで、前記相違点１、２について検討する。
[相違点１について]
　本件特許発明１の第１透明電極膜におけるキャリア濃度及び移動度の数値範囲に含まれる数値は、太陽電池に使用される透明電極膜の通常有するごくありふれた程度の数値を規定したに過ぎないことは、引用した多数の刊行物４〜９の開示に照らし明らかである（上記「４．（１）刊行物の記載」の（エ）（ｂ）、（オ）（ｂ）、（カ）（ｃ）、（キ）（ａ）、（ク）（ｂ）、（ケ）（ｂ）参照）。
　特許権者は意見書において、キャリア濃度と移動度は抵抗や透光性、結晶粒径とも関係し、これらは全体として発電効率に寄与しており、本件特許はかかる事項を踏まえて適切なキャリア濃度・移動度の範囲を明らかにした点で、単なる周知事項の適用とは異なる旨主張しているが、キャリア濃度・移動度と抵抗、透光性、結晶粒径、散乱等の関係は上記刊行物の開示からみて周知にすぎず（上記「４．（１）刊行物の記載」の（エ）（ａ）、（オ）（ｂ）（ｃ）、（キ）（ｂ）、（ケ）（ｂ）参照）、透明電極膜に対する低抵抗化や高透光性も周知の課題に過ぎないこと（上記「４．（１）刊行物の記載」の（カ）（ａ）、（ク）（ａ）、（ケ）（ａ）参照）、また本件明細書・図面においては上記意見書で述べられているような技術的意義を踏まえてキャリア濃度と移動度の数値範囲を本件特許の数値に設定することを具体的に窺わせるような記載は見あたらないことから、依然キャリア濃度や移動度の数値範囲の選択に何ら格別の技術的意義を見いだすことはできない。
　
[相違点２について]
　太陽光の入射側基板上の透明電極膜（本件特許発明１の第１透明電極膜に相当）に形成された凹凸の高低差として、本件特許発明１の数値範囲に含まれる数値は、ごくありふれた程度の数値を規定したに過ぎないことは、引用した多数の刊行物４〜６、１０〜１２の開示に照らし明らかである（上記「４．（１）刊行物の記載」の（エ）（ｃ）、（オ）（ｄ）、（カ）（ｂ）、（コ）（ａ）、（サ）（ａ）、（シ）（ａ）参照）。そして刊行物３発明における裏面側の第２透明導電膜上の凹凸が変換効率向上を企図したものであって、かかる凹凸形状による変換効率の向上が、凹凸形状での光散乱による光路長拡大によるものである点で入射側透明導電膜上の凹凸形状の作用と何ら変わらないことは明らかである（上記「４．（１）刊行物の記載」の（ア）（ｂ）、（イ）（ａ）、（オ）（ａ）、（コ）（ｂ）、（シ）（ｂ）参照）以上、刊行物３発明において、第２透明導電膜の凹凸の高低差を第１透明導電膜と同程度の数値範囲に含まれる数値とすることは当業者が任意に設計する程度の事項に過ぎない。
　特許権者は意見書において、第１透明電極膜の結晶粒径（凹凸の範囲）に対して適切な第２透明電極膜の凹凸範囲を明らかにしたとして本件特許の技術的意義について主張しているが、第１・第２透明電極膜の凹凸の高低差の値を互いに関連づけて適切に設定する旨の記述は本件明細書・図面に何ら記載されておらず、示唆する記載もない以上（この点に関し、後記５．参照）、結局本件特許における第１・第２透明電極膜の凹凸の高低差の値は、ごくありふれた数値範囲のものを各々採用した程度の事項に過ぎないと言わざるを得ない。
　なお、凹凸形状と結晶粒径、さらには移動度や透光性等が互いに関連しあっているとしても、かかる関連性は上記相違点１の判断で言及したように、格別の知見ではなく、またかかる関連性の技術的意義をとらえ本件特許の数値範囲を定めたことを窺わせる記載は本件明細書・図面において一切ない以上、本件特許発明１の作用効果も、刊行物３発明に、キャリア濃度、移動度、凹凸高低差の数値として周知の値を有する第１・第２透明電極膜を採用したことから予測しうる程度のものでしかない。
　
４−２．本件特許発明２〜４について
　本件特許発明２〜４は、本件特許発明１に対して、透明電極膜の材質を、それぞれ酸化錫、錫添加酸化インジウム、及び酸化亜鉛を主成分とする点に限定するものであるが、太陽電池の透明電極膜として、酸化錫（上記「４．（１）刊行物の記載」の（ア）（ａ）、（ウ）（ａ）等参照）、錫添加酸化インジウム（同（ウ）（ａ）、（ク）（ａ）等参照）、及び酸化亜鉛（同（ア）（ｂ）、（ク）（ａ）等参照）を用いることは周知であって、この点の限定は何ら創作性を要するものではない。
　
４−３．むすび
　したがって、本件特許発明１〜４は、刊行物３及び周知技術から当業者が容易になしえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反している。
　
５．特許法第３６条第４項違反に関する当審の判断
　本件明細書及び図面において、第１、第２の透明電極膜の成膜方法や第１・第２透明電極膜に０．０５〜０．５μｍの範囲の高低差のある凹凸を形成することに関する具体的な説明がなされていないとの取消理由通知に対し、特許権者は意見書において所定の高低差を有する凹凸形状を第１・第２透明電極膜に形成する方法は周知技術より当業者に明らかである旨主張するが、他方進歩性判断における特許権者の主張によれば、第２透明電極膜の凹凸は、第１透明電極膜の結晶粒径に依存する散乱角を考慮して適切な範囲を定めるのであって、第２透明電極膜は第１透明電極膜と同等の凹凸を有することが効果的であることを明らかにしたとしている（意見書８頁２３〜２７行、９頁１３〜１８行参照）。
　しかるに第１透明電極膜の散乱角を「どのように」考慮して適切な範囲を定めるのか、また「同等」の凹凸とは数値がどの程度一致していることを指すのか、等に関する具体的記述が本件明細書・図面には一切開示がない。
　したがって、たとえ各透明電極膜の形成方法自体は周知であったとしても、特許権者の主張する本件特許の技術的意義に沿うように第１・第２透明電極膜の凹凸形状を形成することに関する開示が本件明細書・図面にはないという外はなく、依然当業者が実施しうる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項第１号の規定する要件を満たしていない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１〜４にかかかる特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また、同法第３６条第４項第１号の規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、特許法第１１３条第２号及び同条第４号に該当し取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年３月３日（２００５．３．３）