【事件の表示】
　特許第３２９３２３７号「積層セラミックコンデンサ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２９３２３７号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
本件特許第３２９３２３７号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平５−１２４１７３号）　　　　平成　５年　５月２６日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　４月　５日
　特許異議申立（異議申立人：小島武子）　　　　平成１４年１２月１７日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　３月２７日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　　平成１５年　６月　９日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に
「０．１重量％以下」とあるのを、　
「０．０２９重量％以上、０．１重量％以下」と訂正する。
　（２）　訂正事項ｂ
　明細書の段落【００１０】に
「０．１重量％以下」とあるのを、　
「０．０２９重量％以上、０．１重量％以下」と訂正する。
　（３）　訂正事項ｃ
　明細書の段落【００１１】に
「請求範囲以下」とあるのを、　
「請求範囲以内」と訂正する。
　
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）　訂正事項ａ
　訂正事項ａについては、特許請求の範囲の請求項１におけるＮｉ中に含まれるアクセプタイオンとなり得る不純物としてのＡｌ、Ｍｇ、ＦｅおよびＣｏの金属および金属酸化物の総含有量を「０．１重量％以下」から「０．０２９重量％以上、０．１重量％以下」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　さらに、訂正事項ａにおける「「０．０２９重量％以上」は、特許明細書の【００１６】の【表１】にペースト中の金属部に対する重量％として記載されているので新規事項には当たらない。したがって、訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（２）　訂正事項ｂ，ｃ
　訂正事項ｂ，ｃは、特許請求の範囲の訂正に対応して、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　さらに、訂正事項ｂ，ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立及びこれについての判断
　１　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「複数の誘電体セラミック層と前記誘電体セラミック層を介して互いに積層された状態で配置され静電容量を形成するための複数の内部電極とからなり、前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記内部電極がＮｉからなり、前記Ｎｉ中に含まれるアクセプタイオンとなり得る不純物としてのＡｌ、Ｍｇ、ＦｅおよびＣｏの金属および金属酸化物の総含有量が金属に換算して０．０２９重量％以上、０．１重量％以下であるものを内部電極に用いたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。」
　
　２　特許異議申立の理由及び取消理由の内容
　（１）　特許異議申立の理由
　特許異議申立人は、証拠として、
刊行物１（甲第１号証）：金属　Metals  Technology　１９８５年２月号第５５巻第２号　発行所：株式会社アグネ　Ｐ５０〜５１
刊行物２（甲第２号証）：特公平３−１７２０５号公報
を提出し、本件発明は、刊行物１又は２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を取り消すべき旨主張している。
　
　（２）　取消理由の内容
　特許異議申立の理由に加えて、本件発明は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
　３　刊行物に記載された発明
　（１）刊行物１に記載された発明
　刊行物１は、金属超微粉−ＭＦＰに関するものであり、以下の点が記載されている。
「［品位］表２にＣｕおよびＮｉの分析例を示す。粉末の純度は基本的に用いる原料品位に左右されるが，通常２Ｎ〜３Ｎ以上である。」（第５０頁右欄第１０行〜第１２行）
「表２　ＭＦＰ分析例・・・金属Ｎｉ・・・品位（ｗｔ％）、Ｆｅ：０．００７、Ｎｉ：Ｂａｌａｎｃｅ、Ｃｕ：０．００１、Ｐｂ：０．００２、Ｓ：０．０００、Ｎａ：０．０００、Ｃｌ：０．０００」（第５０頁表２）
「用途
　開発まもない材料であるので，公表された応用例はないが，ＭＦＰの特徴を生かした用途は種々の分野で開発中である。現在までに高い関心が寄せられているものについて以下にあげる。・・・
［導電ペースト］セラミックコンデンサ内部電極材等の高価で価格変動の激しい貴金属に代えて，Ｃｕ，Ｎｉペーストの開発研究が盛んである。」（第５１頁左欄第８行〜第２４行）
　
　（２）刊行物２に記載された発明
　刊行物２は、導電ペーストに関するものであり、以下の点が記載されている。
「実施例　１
・・・導電粉末として純度９９．９％のＮｉ粉末」（第２頁左欄第３６行〜第３８行）
「内部電極用導電ペーストには、Ｎｉ粉末１００ｇ・・・Ｎｉペーストを使用した。
　そして前記実施例１と同じ方法と条件で同じ規格の積層セラミツクコンデンサを５００個作つた。」（第３頁左欄第１行〜第５行）
　
　４　本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　本件発明は、焼成前のＮｉからなる内部電極用導電ペースト中に不純物としてＡｌ、Ｍｇ、ＦｅおよびＣｏの金属および金属酸化物の総含有量が金属に換算して０．０２９重量％以上、０．１重量％以下含有したものである。
　これに対して、刊行物１に記載された発明では、本件発明と同じ不純物としてＦｅが０．００７重量％含有されているだけであり、本件発明の「０．０２９重量％以上、０．１重量％以下」の範囲外である。
　さらに、刊行物２に記載された発明では、内部電極用導電ペーストとして純度９９．９％のＮｉ粉末が用いられているので、不純物が０．１重量％含有されている。しかし、不純物の種類及び種類毎の含有量については何ら記載がなく、本件発明と同じように「Ａｌ、Ｍｇ、ＦｅおよびＣｏの金属および金属酸化物の総含有量が金属に換算して０．０２９重量％以上、０．１重量％以下含有」しているか否かは不明である。
　したがって、本件発明は、刊行物１又は２に記載された発明であるということはできない。
　さらに、本件発明は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　５　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月１８日（２００３．７．１８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
積層セラミックコンデンサ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　複数の誘電体セラミック層と前記誘電体セラミック層を介して互いに積層された状態で配置され静電容量を形成するための複数の内部電極とからなり、前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記内部電極がＮｉからなり、前記Ｎｉ中に含まれるアクセプタイオンとなり得る不純物としてのＡｌ、Ｍｇ、ＦｅおよびＣｏの金属および金属酸化物の総含有量が金属に換算して
０．０２９重量％以上、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般的な積層セラミックコンデンサの製造方法は誘電体粉末と有機バインダ−を混合してスラリ−状にし、これをドクタ−ブレ−ド法等によって、グリ−ンシ−トを作成し、この上に内部電極となる金属粉末のペ−ストをスクリ−ン印刷法等によって印刷し、積層、圧着後、空気中で１３００〜１４００℃の温度で焼結し、焼結後、内部電極と導通する外部電極を端面に焼き付ける。
　【０００３】
　従って、内部電極に使用する材料としては、次の（１）、（２）、（３）の条件の制約を受ける。
（１）誘電体磁器が焼成される温度以上の融点を有する。
（２）高温で誘電体磁器と反応しない。
（３）大気中で焼成するとき酸化されない。
　【０００４】
　このような条件を満たす電極材料としては、白金、金、パラジウム、あるいはそれらの合金等の貴金属がある。これら貴金属の電極は優れた特性を有する反面、高価であるため積層セラミックコンデンサに占める内部電極材料費の割合は３０〜７０％にも達し、コストを上昇させ、大量生産を行ってもコストダウンを阻む要因となっていた。
　【０００５】
　このような問題を解決するため、内部電極材料にニッケル、鉄、コバルト、タングステン、モリブデン等の卑金属を使用すると、高温大気中では容易に酸化されるため、中性または還元性雰囲気で焼成しなければならない。そうすると従来の誘電体磁器材料では半導体化され、誘電体として使用できなくなる。
　【０００６】
　このような欠点を解消するため、誘電体材料の改良が行われ、チタン酸バリウムにおいてはバリウムサイト／チタンサイトの比を化学量論比より過剰にすれば半導体化しないチタン酸バリウムが得られるようになった。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　内部電極に卑金属を使用した場合、貴金属の場合と比べて、通常の使用条件では問題ないが、高温負荷、湿中負荷条件下では信頼性が低くなる傾向にあり、そのため焼成温度や焼成雰囲気の厳密な制御や誘電体の組成改良など、さらに信頼性を向上させるために様々な工夫を必要としている。
　【０００８】
　また、最近の電子部品は小型化、チップ化の傾向が強まり、積層セラミックコンデンサも小型化、大容量化が求められている。積層セラミックコンデンサを小型化、大容量化する方法としては、一般的に高誘電率の材料を用いるか、誘電体層を薄膜化する方法が考えられる。誘電体層の薄膜化は内部電極から誘電体層中に拡散する不純物の金属酸化物の濃度が相対的に大きくなる。これら不純物の金属酸化物が誘電体に対してアクセプタとして作用すると、結晶格子中に酸素空孔を形成する。酸素空孔の存在は積層コンデンサの高温負荷時の絶縁抵抗劣化の原因となり、著しく信頼性が低下してしまう。
　【０００９】
　本発明の目的は、高温負荷や湿中負荷試験時において絶縁抵抗の劣化を防ぎ、安価な卑金属材料を内部電極に用いた積層セラミックコンデンサを提供することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　複数の誘電体セラミック層と前記誘電体セラミック層を介して互いに積層された状態で配置され静電容量を形成するための複数の内部電極とからなり、前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記内部電極がＮｉからなり、前記Ｎｉ中に含まれるアクセプタイオンとなり得る不純物としてのＡｌ、Ｍｇ、ＦｅおよびＣｏの金属および金属酸化物の総含有量が金属に換算して
０．０２９重量％以上、
　【００１１】
　【作用】
　内部電極に卑金属材料のＮｉを用いて、そのＮｉ中の不純物が請求範囲以
内
　【００１２】
　【実施例】
　本発明の実施例を以下に説明する。原料として炭酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化ジルコン、酸化マンガン、酸化ケイ素を準備し、これを
　【００１３】
　【化１】
　　｛（Ｂａ０．９Ｃａ０．１）Ｏ｝１．０１（Ｔｉ０．８Ｚｒ０．２）Ｏ２＋０．２５重量％ＭｎＯ２＋０．２重量％ＳｉＯ２
　【００１４】
　の割合となるように調合し、この調合原料をボ−ルミルで湿式混合・粉砕したのち乾燥し、空気中１１００℃、２時間仮焼した。この仮焼物を乾式粉砕し、この仮焼粉にポリビニルブチラ−ル系バインダおよびエタノ−ル等の有機溶剤を加えて、ボ−ルミルで湿式混合し、セラミックスラリ−とした。このセラミックスラリ−をドクタ−ブレ−ド法により厚み２３μｍのグリ−ンシ−トに成形した。
　【００１５】
　このグリ−ンシ−ト片面にニッケルを主とする導電ペ−ストを印刷した。この導電ペ−ストはアルミニウム、マグネシウム、鉄、コバルト等の金属あるいは金属酸化物を含んでいる。表１はアルミニウム、マグネシウム、鉄、コバルト等の金属あるいは金属酸化物を金属に換算して、導電ペ−スト中の金属部に対する割合として表したものである。
　【００１６】
　【表１】
　【００１７】
　導電ペ−スト層が形成されたグリ−ンシ−トを、導電ペ−ストの引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層、熱圧着し、適当な大きさの板状に切り出した。このようにして得られた積層体を３５０℃のチッ素雰囲気中にてバインダ−を燃焼し、酸素分圧が１０−３Ｐａの水素−チッ素−空気混合ガスで還元雰囲気中において１２５０℃、２時間焼成した。得られた板状の焼結体に外部電極を設けた外形寸法が幅１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの積層コンデンサを測定試料とした。
　【００１８】
　各試料につき、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、１ｖｒ．ｍ．ｓの条件で自動ブリッジ式測定器を用いて、静電容量（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎδ）を測定した。静電容量から誘電率（ε）を算出した。次に、絶縁抵抗計を用いて、２５Ｖの直流電圧を２分間印加して２５℃での絶縁抵抗（ＩＲ）を測定した。高温負荷試験として、各試料１０個を、温度１７５℃にて、各誘電体層に印加される直流電界が１０ｋＶ／ｍｍとなるようにして、絶縁抵抗の経時変化を測定した。故障判定基準としては、絶縁抵抗が初期値より２桁低下した時点とし、その結果をもとに平均寿命を算出した。
　【００１９】
　表２はその測定結果を示したものである。なお、表１、表２において、＊印を付したものはこの発明範囲外のものであり、その他のものはこの発明範囲内のものである。
　【００２０】
　【表２】
　【００２１】
　導電ペ−スト内の金属あるいは金属酸化物の量を請求範囲に限定したのは、次のような理由による。導電ペ−スト内の金属あるいは金属酸化物は不純物にあたり、誘電体磁器焼結体に拡散した場合、結晶格子中でアクセプタイオンとなり得る。そのため結晶格子中で酸素空孔を形成し、高温負荷試験時の絶縁抵抗劣化の原因となる。この金属あるいは金属酸化物が請求範囲を越えると結晶格子中の酸素空孔が増加して絶縁抵抗が劣化し高温負荷試験の平均寿命が著しく短くなる。
　【００２２】
　【発明の効果】
　この発明によれば、還元性雰囲気中で焼成しても誘電体セラミックは還元されず、高温負荷試験において長期に渡って絶縁抵抗が劣化せず、安価な積層セラミックコンデンサが得られる。さらに、この発明は誘電体層が薄い場合により大きな効果を発揮するので、コンデンサの小型、大容量化に対応できる。