【事件の表示】
　特願２０１０−　８９０３４「光酸発生剤のブレンドを含むフォトレジスト組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月２６日出願公開，特開２０１０−１８６１９３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１２年２月２１日（パリ条約による優先権主張１９９９年２月２０日，米国）に出願した特願２０００−４２６９０号の一部を平成２２年４月７日に新たな特許出願としたものであって，平成２２年８月１７日付けで拒絶理由が通知され，平成２３年２月２１日に意見書及び手続補正書が提出され，同年４月２８日付けで拒絶理由が通知され，同年１０月６日に意見書及び手続補正書が提出され，平成２４年５月８日付けで拒絶理由が通知され，同年１０月５日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２４年１０月５日提出の手続補正書による手続補正が平成２５年４月４日付けで却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされたところ，同年８月９日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出されたものである。
　なお，審判請求人は，当審における平成２５年１１月２２日付け審尋に対して，平成２６年２月２５日に回答書を提出している。
　
第２　補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２５年８月９日提出の手続補正書による手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　補正の内容
　平成２５年８月９日提出の手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）は，平成２３年１０月６日提出の手続補正書による手続補正による補正後（以下「本件補正前」という。）の特許請求の範囲について補正しようとするもので，そのうち，請求項１の補正については次のとおりである。（下線は補正箇所を示す。）
（１）本件補正前の請求項１
「化学的に増幅されたポジ型フォトレジスト組成物であって，
　ａ）アルキルアクリレート単位を含み，本質的にフェニルもしくは他の芳香族単位を含まない樹脂；および
ｂ）該組成物の露光されたコーティング層を現像するのに十分な量の光酸発生化合物の混合物であって，
　第１および第２の光酸発生化合物を含み，光活性化により，該第１および第２の酸発生化合物はそれぞれ第１および第２の光酸を生成し，該第１および第２の光酸の大きさが少なくとも４０立方オングストローム異なる，光酸発生化合物の混合物
を含み，
　前記第１および第２の光酸発生化合物の両方がスルホニウム化合物である，化学的に増幅されたポジ型フォトレジスト組成物。」
　
（２）本件補正後の請求項１
「化学的に増幅されたポジ型フォトレジスト組成物であって，
　ａ）アルキルアクリレート単位を含み，本質的にフェニルもしくは他の芳香族単位を含まない樹脂；および
ｂ）該組成物の露光されたコーティング層を現像するのに十分な量の光酸発生化合物の混合物であって，
　第１および第２の光酸発生化合物を含み，光活性化により，該第１および第２の酸発生化合物はそれぞれ第１および第２の光酸を生成し，該第１および第２の光酸の大きさが少なくとも４０立方オングストローム異な
り，強い光酸が，パーフルオロオクタンスルホン酸，パーフルオロヘキサンスルホン酸，パーフルオロ（４−エチル）シクロヘキサンスルホン酸，または電子吸引基で置換されている芳香族スルホン酸であ
を含み，
　前記第１および第２の光酸発生化合物の両方がスルホニウム化合物である，化学的に増幅されたポジ型フォトレジスト組成物。」
　
２　新規事項の追加の有無及び補正の目的について
　本件補正のうち請求項１に係る前記１の補正は，「第１および第２の光酸」について，そのうちの「強い光酸」が「パーフルオロオクタンスルホン酸，パーフルオロヘキサンスルホン酸，パーフルオロ（４−エチル）シクロヘキサンスルホン酸，または電子吸引基で置換されている芳香族スルホン酸」であることを限定しようとするものである。
　本件補正により請求項１に付加された，「第１および第２の光酸」のうちの「強い光酸」が「パーフルオロオクタンスルホン酸，パーフルオロヘキサンスルホン酸，パーフルオロ（４−エチル）シクロヘキサンスルホン酸，または電子吸引基で置換されている芳香族スルホン酸」であることは，本願の願書に最初に添付した明細書の【０００９】，【００２６】，【００５０】ないし【００５２】等に記載されており，願書に最初に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされた補正であるから，特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　また，請求項１に係る前記１の補正は，本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「第１および第２の光酸」を限定するものであって，本件補正の前後で当該請求項に係る発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であると認められるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）１７条の２第４項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下，「本願補正発明」という。）について，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　独立特許要件について
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのもの（前記１（２）にて示したとおりのもの）と認める。
　
（２）引用刊行物
　ア　特開平９−３２３９７０号公報
　特開平９−３２３９７０号公報（以下「引用例」という。）は，原査定の拒絶の理由において「引用文献２」として引用された，本願の優先権主張の日（以下「本願優先日」という。）前に頒布された刊行物であって，当該引用例には次の記載がある。（下線は，後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【０００１】
　　【発明の属する技術分野】本発明は，微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として好適な新規スルホニウム塩及びこのスルホニウム塩を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い，
パターンルールの微細化
遠紫外線リソグラフィーが有望視
遠紫外線の光源として高輝度なＫｒＦエキシマレーザーを利用
【０００３】このような観点から，近年開発された酸を触媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料（特公平２−２７６６０号，特開昭６３−２７８２９号公報等）は，感度，解像度，ドライエッチング耐性が高く，優れた特徴を有するもので，遠紫外線リソグラフィーに特に有望なレジスト材料である。
【０００４】この場合，化学増幅ポジ型レジスト材料においては，配合する酸発生剤が化学増幅ポジ型レジスト材料としての機能に特に大きな影響を及ぼすことが知られている。このような酸発生剤の代表的なものとしては，下記に示すオニウム塩が挙げられる。
【０００５】
・・・（中略）・・・
【０００６】上記オニウム塩は，それ自体が油溶性の化合物であるので，レジスト成分として配合するとレジスト材料のアルカリ水溶液に対する溶解度を低下させると共に，現像時の膜減りを抑える効果を有する。
【０００７】ところが，ポジ型レジスト材料の場合，酸発生剤が高エネルギー線を吸収することにより生成する分解生成物もやはり油溶性であることから，この分解生成物が露光部のアルカリ水溶液に対する溶解速度を低下させ，露光部と未露光部のアルカリ溶解速度比（溶解コントラストという）を大きくすることができない。
【０００８】このため，酸不安定基であるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基をｐ−ヒドロキシフェニルスルホニウム塩に導入し，高エネルギー線照射により分解し生成する酸の作用でアルカリ溶解性を持つフェノール誘導体を生成させ，溶解コントラストを大きくさせることが行なわれている（特開昭６４ー２６５５０号，同６４−３５４３３号，特開平２−１２１５３号公報）。
【０００９】しかしながら，このようなｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニルスルホニウム塩は熱安定性に欠け，高解像化が満足されておらず，更に発生する酸はハロゲン化金属アニオンやトリフルオロメタンスルホン酸のような強酸であり，発生酸の酸強度が強いため少量の酸で効率良く酸不安定基を分解することができるが，酸発生量が少ないため，露光からＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  ＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｅ）までの放置時間が長くなると，パターン形成した際にラインパターンがＴ−トップ形状になり，空気中からの塩基性化合物の汚染の影響を受け易い傾向にある。
【００１０】これは露光により発生したレジスト膜表面の酸が
空気中の塩基性化合物
【００１１】また，
光分解反応の際に生じるトリフルオロメタンスルホン酸等の強酸は，ＰＥＢ過程で，酸不安定基であるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル基の分解の際，好ましくない副反応を起こし，ヒドロキシフェニル基のｏ−位がｔｅｒｔ−ブチル化した副反応生成物がアルカリ溶解性を低下させる
【００１２】本発明は上記事情に鑑みなされたもので，微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として好適な新規スルホニウム塩及びこのスルホニウム塩を配合した化学増幅ポジ型レジスト材料を提供することを目的とする。」
（イ）「【００１３】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果，後述する方法により下記
一般式（１）で示される
スルホニウム塩
化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として用いることにより微細加工技術に適した高解像性を有し，特に遠紫外線リソグラフィーにおいて大いに威力を発揮し得る
【００１４】
【化３】
（但し，式中Ｒ
１
はアルキル基，アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり，それぞれ同じでも異なってもよい。ＯＲ
２
は酸不安定基であり，Ｙは炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキルスルホネートで，その構造中にＣ＝Ｏカルボニル二重結合，Ｃ−Ｏ−Ｃエーテル結合又はアルコール性水酸基を含んでいてもよい。ｎは０〜２の整数，ｍは１〜３の整数で，かつｎ＋ｍは３である。ｒは１〜５の整数であり，ｐは０〜５の整数，ｑは０〜４の整数でｑ＋ｒは１〜５の整数である。）
【００１５】即ち，本発明の
上記式（１）のスルホニウム塩を化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として用いた場合，
高エネルギー線照射による分解によって生成する酸，レジスト材料中の水分及びＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）の作用で，効率良く酸不安定基が分解し，
【００１６】更に，
高エネルギー線照射により生じる酸は従来のトリフルオロメタンスルホン酸のような強酸ではなく，比較的弱いアルキルスルホン酸であるので，強酸を用いた時のような副反応やレジスト膜表面上での塩基性化合物による発生酸の失活の影響を少なくすることができる
【００１７】従って，上記式（１）のスルホニウム塩は，化学増幅ポジ型レジスト材料の酸発生剤として優れた性能を発揮することができ，上記式（１）のスルホニウム塩を含有するレジスト材料は，
上記式（１）のスルホニウム塩の酸不安定基の効果により，大きな溶解コントラストを有し，高解像度，広範囲の焦点深度を有するレジスト像を得ることができる
（ウ）「【００１８】以下，本発明につき更に詳細に説明すると，・・・（中略）・・・
【００２０】上記式（１）において，Ｒ１はアルキル基，アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり，具体的にアルキル基としては，メチル基，エチル基，プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ヘキシル基，シクロヘキシル基等の炭素数１〜８のものが好適であり，中でもメチル基，エチル基，イソプロピル基，ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましく用いられる。アルコキシ基としては，メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，イソプロポキシ基，ｎ−ブトキシ基，ｓｅｃ−ブトキシ基，ヘキシロキシ基，シクロヘキシロキシ基等の炭素数１〜８のものが好適であり，中でもメトキシ基，エトキシ基，イソプロポキシ基がより好ましく用いられる。ジアルキルアミノ基としては，ジメチルアミノ基，ジエチルアミノ基，ジプロピルアミノ基等の炭素数１〜４のアルキル基を有するアミノ基が用いられるが，中でもジメチルアミノ基が望ましい。
【００２１】ＯＲ２は酸不安定基である。ここで，酸不安定基としては，例えばｔｅｒｔ−ブトキシ基等の三級アルコキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭酸エステル基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ基等の三級カルボン酸エステル基，トリメチルシリルオキシ基，トリエチルシリルオキシ基，ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基等のトリアルキルシリルオキシ基，テトラヒドロフラニルオキシ基，テトラヒドロピラニルオキシ基，２−メトキシテトラヒドロピラニルオキシ基，メトキシメチルオキシ基，１ーエトキシエトキシ基，１−プロポキシエトキシ基，１−ｎ−ブトキシエトキシ基，１−ｉｓｏ−ブトキシエトキシ基，１−ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基，１−ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ基，１−アミロキシエトキシ基，１ーエトキシ−１−メチル−エトキシ基，１−プロポキシ−１−メチル−エトキシ基，１−ｎ−ブトキシ−１−メチル−エトキシ基，１−ｉｓｏ−ブトキシ−１−メチル−エトキシ基，１−ｓｅｃ−ブトキシ−１−メチル−エトキシ基，１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−１−メチル−エトキシ基，１−アミロキシ−１−メチル−エトキシ基等のアセタール又はケタール基などが挙げられる。
【００２２】また，Ｙは炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状あるいは環状のアルキルスルホネートで，その構造中にＣ＝Ｏカルボニル二重結合，Ｃ−Ｏ−Ｃエーテル結合，又はアルコール性水酸基を含んでいてもよい。例えばメチル，エチル，プロピル，ブチル，イソプロピル，ｓｅｃ−ブチル，イソブチル，ｔｅｒｔ−ブチル，ヘキシル，オクチル等の直鎖又は分岐状のアルキルスルホネート，シクロヘキシル等の環状のアルキルスルホネート，１−ヒドロキシシクロヘキシルスルホネート，１−メトキシシクロヘキシルスルホネート等のアルコール性水酸基，Ｃ−Ｏ−Ｃエーテル結合を有するアルキルスルホネート，更に（＋）−１０−カンファースルホネート等のバルキーな骨格でカルボニル二重結合を有するアルキルスルホネートも好適である。
【００２３】なお，本発明のカウンターアニオン（Ｙ−）に弱酸であるアルキルスルホネートを有する新規スルホニウム塩をレジスト材料の成分として用いると，その弱酸アニオンの効果，即ちレジスト膜表面での空気中の塩基性化合物による酸の失活の影響を非常に小さいものとすることができるため，表面難溶層の形成を抑えることができ，ＰＥＤ安定性が良好で，Ｔ−トップ形状の原因である表面難溶層の問題，即ちＰＥＤの問題を充分に解決し得，より良好な感度を得ることができる。」
（エ）「【００５１】本発明は更に上記一般式（１）で示されるスルホニウム塩を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。ここで，このレジスト材料は，
二成分系（有機溶媒，アルカリ可溶性樹脂，酸発生剤）もしくは三成分系（有機溶剤，アルカリ可溶性樹脂，酸発生剤，溶解阻止剤）
三成分系の化学増幅ポジ型
〔Ｉ〕（Ａ）有機溶剤，（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂，（Ｃ）酸不安定基を有する溶解阻止剤，（Ｄ）一般式（１）で表されるスルホニウム塩，（Ｅ）酸発生剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料。
〔ＩＩ〕
（Ａ）有機溶剤，（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂，（Ｃ）酸不安定基を有する溶解阻止剤，（Ｄ）一般式（１）で表されるスルホニウム塩，（Ｆ）下記一般式（８）で表されるオニウム塩
      
（Ｒ
４
）
ａ
ＭＹ’                                    …（８）
（但し，式中Ｒ
４
は同種又は異種の置換又は非置換芳香族基，Ｍはヨードニウム又はスルホニウム，Ｙ’は置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。ａは２又は３である。）を含有する化学増幅型ポジ型レジスト材料
〔ＩＩＩ〕（Ａ）有機溶剤，（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂，（Ｃ）酸不安定基を有する溶解阻止剤，（Ｄ）一般式（１）で表されるスルホニウム塩を含有する化学増幅型ポジ型レジスト材料。
〔ＩＶ〕（Ａ）有機溶剤，（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂，（Ｄ）一般式（１）で表されるスルホニウム塩を含有する化学増幅型ポジ型レジスト材料。
〔Ｖ〕
（Ａ）有機溶剤，（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂，（Ｄ）一般式（１）で表されるスルホニウム塩，（Ｅ）酸発生剤を含有する化学増幅型ポジ型レジスト材料
【００５２】ここで，（Ａ）成分の有機溶剤としては，シクロヘキサノン，メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類，３−メトキシブタノール，３−メチル−３−メトキシブタノール，１−メトキシ−２−プロパノール，１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類，プロピレングリコールモノメチルエーテル，エチレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノエチルエーテル，エチレングリコールモノエチルエーテル，プロピレングリコールジメチルエーテル，ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート，乳酸エチル，ピルビン酸エチル，酢酸ブチル，メチル−３−メトキシプロピオネート，エチル−３−エトキシプロピオネート等のエステル類などが挙げられ，これらを単独又は２種類以上を混合して使用することができる。
【００５３】また，ベース樹脂である（Ｂ）成分のアルカリ可溶性樹脂としては，ポリヒドロキシスチレン又はその誘導体が挙げられる。ポリヒドロキシスチレンの誘導体としては，ポリヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を部分的に酸に不安定な基で置換したものが好適であるが，ヒドロキシスチレンの共重合体も用いることができる。酸に不安定な置換基としては，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基等のｔｅｒｔ−ブチル誘導体の置換基，１−エトキシエチル基，，１−プロポキシエチル基，１−ｎ−ブトキシエチル基，１−ｉｓｏ−ブトキシエチル基，１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基，１−ｔｅｒｔ−アミロキシエチル基等の直鎖状若しくは分岐鎖状アセタール基，テトラヒドロフラニル基，テトラヒドロピラニル基，２−メトキシ−テトラヒドロピラニル基等の環状アセタール基が好ましい。また，これら酸不安定基は単独あるいは複数の種類を同時に用いてもかまわない。更に，このポリヒドロキシスチレン誘導体の重量平均分子量は３，０００〜１００，０００とすることが好ましい。３，０００に満たないと成膜性，解像性に劣る場合があり，１００，０００を越えると解像性に劣る場合がある。ヒドロキシスチレンの共重合体としては，ヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体，ヒドロキシスチレンとアクリル酸−ｔｅｒｔ−ブチルとの共重合体，ヒドロキシスチレンとメタクリル酸−ｔｅｒｔ−ブチルとの共重合体，ヒドロキシスチレンと無水マレイン酸との共重合体，ヒドロキシスチレンとマレイン酸−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルとの共重合体が挙げられる。
【００５４】
本発明では，（Ｄ）成分として上記式（１）のスルホニウム塩を酸発生剤として配合するものであるが，
必要により，上記式（１）のスルホニウム塩以外に（Ｅ）成分として他の酸発生剤も配合することができ
（Ｅ）成分の酸発生剤としては，
特に下記一般式（８）
      
（Ｒ
４
）
ａ
ＭＹ’                                    …（８）
（但し，式中Ｒ４は同種又は異種の置換又は非置換芳香族基，Ｍはヨードニウム又はスルホニウム，Ｙ’は置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。ａは２又は３である。）
で示されるオニウム塩が好適に使用され
【００５５】ここで，上記式（８）中のＲ４としては，例えばフェニル基，上記式（１）のＲ１と同様のアルキル基やアルコキシ基で置換されたフェニル基などの芳香族基が好ましく使用される。上記式（８）のオニウム塩として具体的には，下記構造の化合物を挙げることができる。
【００５６】
【化９】
【００５７】更に，（Ｃ）成分の溶解阻止剤としては，分子内に一つ以上酸によって分解する基を持つものであって，低分子量の化合物やポリマーの何れであっても良い。低分子の化合物の例としては，ビスフェノールＡ誘導体，炭酸エステル誘導体が挙げられるが，特にビスフェノールＡの水酸基の水素原子をｔｅｒｔ−ブトキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基等のｔｅｒｔ−ブチル誘導体の置換基，１−エトキシエチル基，１−プロポキシエチル基，１−ｎ−ブトキシエチル基，１−ｉｓｏ−ブトキシエチル基，１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基，１−ｔｅｒｔ−アミロキシエチル基等の直鎖状若しくは分岐鎖状アセタール基，テトラヒドロフラニル基，テトラヒドロピラニル基，２−メトキシ−テトラヒドロピラニル基等の環状アセタール基で置換した化合物や，４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）吉草酸−ｔｅｒｔ−ブチルの水酸基の水素原子をｔｅｒｔ−ブトキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基等のｔｅｒｔ−ブチル誘導体の置換基，１−エトキシエチル基，１−プロポキシエチル基，１−ｎ−ブトキシエチル基，１−ｉｓｏ−ブトキシエチル基，１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基，１−ｔｅｒｔ−アミロキシエチル基等の直鎖状若しくは分岐鎖状アセタール基，テトラヒドロフラニル基，テトラヒドロピラニル基等の環状アセタール基で置換した化合物が好ましく，これら酸不安定基は単独又は複数の組み合せであってもかまわない。
【００５８】ポリマーの溶解阻止剤の例としては，ｐ−ブトキシスチレンとｔ−ブチルアクリレートのコポリマーやｐ−ブトキシスチレンと無水マレイン酸のコポリマーなどが挙げられる。この場合，重量平均分子量は，５００〜１０，０００が好ましい。
【００５９】本発明の二成分系化学増幅型レジスト材料は，（Ａ）成分の有機溶剤を１５０〜７００部（重量部，以下同様），特に２５０〜５００部，（Ｂ）成分のアルカリ可溶性樹脂を７０〜９０部，特に７５〜８５部の割合で配合することが好ましく，三成分系化学増幅ポジ型レジスト材料においては，上記成分に加えて，（Ｃ）成分の酸不安定基を有する溶解阻止剤を５〜４０部，特に１０〜２５部配合することが好ましい。
【００６０】更に，（Ｄ）成分としての上記式（１）のスルホニウム塩の配合量は，０．５〜１５部，特に２〜８部とすることが好ましく，０．５部に満たないと露光時の酸発生量が少なく感度及び解像力が劣る場合があり，１５部を越えるとレジスト膜の透過率が低下し，解像力が劣る場合がある。
【００６１】また，必要により上記式（１）のスルホニウム塩以外に（Ｅ）成分として他の酸発生剤を配合する場合は，（Ｅ）成分の酸発生剤の配合を０．５〜１５部，特に２〜８部の範囲とすることが好適である。」
（オ）「【００６８】
【発明の効果】本発明に係わる上記式（１）の新規なスルホニウム塩は，
酸発生剤であるスルホニウム塩に酸不安定基を導入したことにより，露光部と未露光部の溶解コントラストを大きくすることができ，更に露光時には，従来の発生酸であるトリフルオロメタンスルホン酸等に比較して弱酸であるアルキルスルホン酸が発生するため露光後のＰＥＢ過程において副反応やレジスト膜表面からの塩基性化合物による発生酸の中和による失活の影響を小さくすることができ，微細加工技術に適した高解像性を有する
遠紫外線，
に対して高い感度を有し
解像度
に優れ
（カ）「【００９３】〔実施例１〜１５，比較例１〜４〕表１に示すように
下記式（Ｐｏｌｙｍ．１）で示される部分的に水酸基の水素原子をｔｅｒｔ−ブトシキカルボニル基で保護したポリヒドロキシスチレン，下記式（Ｐｏｌｙｍ．２）で示される部分的に水酸基の水素原子をテトラヒドロフラニル基で保護したポリヒドロキシスチレン又は下記式（Ｐｏｌｙｍ．３）で示される部分的に水酸基の水素原子を１−エトキシエチル基で保護したポリヒドロキシスチレンと，下記式（ＰＡＧ．１）から（ＰＡＧ．５）で示されるオニウム塩から選ばれる酸発生剤と，下記式（ＤＲＩ．１）で示される２，２’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパンの溶解阻止剤を溶剤に溶解し，表３，４に示す各種組成のレジスト組成物を調製した
【００９４】得られたレジスト組成物を０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過することによりレジスト液を調製した後，このレジスト液をシリコーンウェハー上へスピンコーティングし，０．７μｍに塗布した。
【００９５】次いで，このシリコーンウェハーを１００℃のホットプレートで１２０秒間ベークした。更に，
エキシマレーザーステッパー（ニコン社，ＮＳＲ２００５ＥＸＮＡ＝０．５）を用いて露光
【００９６】得られたレジストパターンを次のように評価した。結果を表１に示す。
レジストパターン評価方法：まず，感度（Ｅｔｈ）を求めた。次に，０．３０μｍのラインアンドスペースのトップとボトムを１：１で解像する露光量を最適露光量（感度：Ｅｏｐ）として，この露光量における分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度とした。また，解像したレジストパターンの形状は，走査型電子顕微鏡を用いて観察した。
【００９７】更に，レジストのＰＥＤ安定性は，最適露光量で露光後，放置時間を変えてＰＥＢを行い，レジストパターン形状の変化が観察された時間，例えばラインパターンがＴ−トップとなったり，解像できなくなった時間で評価した。この時間が長いほどＰＥＤ安定性に富む。なお，実施例１４，１５にはＰＥＤ安定性のための窒素含有化合物又はカルボン酸誘導体を添加剤として加えた。以上の結果を表１に示す。
【００９８】
【化１４】
【００９９】
【化１５】
【０１００】
【表１】
ＥｔＯＩＰＡ：１−エトキシ−２−プロパノール
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
ＥＬ／ＢＡ：乳酸エチル（８５重量％）と酢酸ブチル（１５重量％）の混合溶液
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン
ＢＨＶＡ：４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）吉草酸」
（キ）【０１００】の【表１】から，実施例１０のレジスト組成物が，
アルカリ可溶性樹脂として，（Ｐｏｌｙｍ．１）４０重量部と，（Ｐｏｌｙｍ．２）４０重量部を用い，酸発生剤として，（ＰＡＧ．２）を２重量部と，（ＰＡＧ．４）を２重量部とを用い，溶解阻止剤として，（ＤＲＩ．１）２０重量部を用い，溶媒として，ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテル４５０重量部を用い
　
　前記（キ）で摘記した実施例１０における酸発生剤としての（ＰＡＧ．２）は，一般式（１）において，ｎ＝１，ｍ＝２，ｐ＝０，ｑ＝０，ｒ＝１，ＯＲ２＝ＯＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３，Ｙ＝１０−カンファースルホン酸（炭素数１０の環状のアルキルスルホネート）である酸発生剤であるから，一般式（１）で表されるスルホニウム塩に該当する成分であり，同じく実施例１０における酸発生剤としての（ＰＡＧ．４）は，一般式（８）において，ａ＝３，Ｒ４＝２つのフェニル基（２つの同種の非置換芳香族基）及び１つのｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル基（１つの異種の置換芳香族基），Ｍ＝ヨードニウム，Ｙ’＝トリフルオロメチルスルホン酸（置換アルキルスルホネート）である酸発生剤であるから，一般式（８）で表されるオニウム塩に該当する成分であることが当業者に自明である。
　したがって，前記（ア）ないし（キ）を含む引用例全体の記載からみて，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「酸発生剤として，下記一般式（１）で表されるスルホニウム塩を配合するとともに，必要により下記一般式（８）で表されるオニウム塩も配合し，
　前記スルホニウム塩が，酸発生剤であるスルホニウム塩に酸不安定基が導入されたものであり，かつ，露光時に従来の発生酸であるトリフルオロメタンスルホン酸等に比較して弱酸であるアルキルスルホン酸を発生するものであることによって，露光部と未露光部の溶解コントラストを大きくし，露光後のＰＥＢ過程において副反応やレジスト膜表面からの空気中の塩基性化合物による発生酸の中和による失活の影響を小さくし，遠紫外線に対して高い感度を有しかつ解像度に優れるものとした化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物であって，
　有機溶剤，アルカリ可溶性樹脂，前記酸発生剤，溶解阻止剤を含有する三成分系の化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物として構成し，
　前記アルカリ可溶性樹脂として，下記式（Ｐｏｌｙｍ．１）で示される部分的に水酸基の水素原子をｔｅｒｔ−ブトシキカルボニル基で保護したポリヒドロキシスチレン４０重量部と，下記式（Ｐｏｌｙｍ．２）で示される部分的に水酸基の水素原子をテトラヒドロフラニル基で保護したポリヒドロキシスチレン４０重量部とを用い，
　前記スルホニウム塩として，下記式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩２重量部を用い，
　前記オニウム塩として，下記式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩２重量部を用い，
　前記溶解阻止剤として，下記式（ＤＲＩ．１）で示される２，２’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパン２０重量部を用い，
　前記有機溶剤として，プロピレングリコールモノメチルエーテル４５０重量部を用いた，
　化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物。
　
［一般式（１）］
（但し，式中Ｒ１はアルキル基，アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり，それぞれ同じでも異なってもよい。ＯＲ２は酸不安定基であり，Ｙは炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキルスルホネートで，その構造中にＣ＝Ｏカルボニル二重結合，Ｃ−Ｏ−Ｃエーテル結合又はアルコール性水酸基を含んでいてもよい。ｎは０〜２の整数，ｍは１〜３の整数で，かつｎ＋ｍは３である。ｒは１〜５の整数であり，ｐは０〜５の整数，ｑは０〜４の整数でｑ＋ｒは１〜５の整数である。）
　
［一般式（８）］
      （Ｒ４）ａＭＹ’
（但し，式中Ｒ４は同種又は異種の置換又は非置換芳香族基，Ｍはヨードニウム又はスルホニウム，Ｙ’は置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。ａは２又は３である。）
　
［（Ｐｏｌｙｍ．１）及び（Ｐｏｌｙｍ．２）］
　
［（ＰＡＧ．２）］
　
［（ＰＡＧ．４）］
　
［（ＤＲＩ．１）］
」
　
　イ　特開平７−１９９４６７号公報
　特開平７−１９９４６７号公報（以下「周知例１」という。）は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該周知例１には次の記載がある。（下線は，後述する周知事項１の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし，現在広く用いられている単層用化学増幅型レジストを使用し，パターン微細化のため
２２０ｎｍより短波長の露光光，たとえばＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）
【００１０】現行のｉ線用レジストのほとんどに使用されている高分子化合物のノボラック樹脂，あるいは現在ＫｒＦエキシマレーザ露光用化学増幅型レジストのベース高分子として多用されているポリ（ｐ−ビニルフェノール）はいずれもその分子構造中に芳香環を持つ。これは半導体製造工程における
パターン形成後のプロセスであるドライエッチング工程にレジストが充分耐性を示すためには，樹脂の分子構造中に強固な結合である不飽和結合を多く含む必要があるからである。芳香環はその目的を満たす構造としての役割を果たしている
ＫｒＦ用レジストに多用されているポリ（ｐ−ビニルフェノール）は，ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）に対しては透明（膜厚が１μｍのとき透過率は約７０％）であるが，その構造中の芳香環のため，さらに短波長領域では強い吸収をもつ。このため短波長，詳しく言えば２２０ｎｍ以下の波長の光を露光光としたリソグラフィー用のレジストには利用できない
【００１１】２２０ｎｍ以下の波長領域で透明である樹脂としては，芳香環を持たないメタクリル系の樹脂，ポリ（メチルメタクリレート）（以後ＰＭＭＡと記す）などが良く知られており，・・・（中略）・・・
【００１２】したがって，例えば
芳香環をその樹脂構造より取り除くことで２２０ｎｍ以下の光に透明性を示す高分子化合物となり得るが，
ドライエッチング工程に耐え得る性状は得られない。
【００１３】たとえば１９３ｎｍに対し透明性を持ち，なおかつドライエッチング耐性を持つ高分子化合物として，脂環族高分子であるアダマンチルメタクリレート単位を持つ共重合体・・・（中略）・・・，あるいは，ポリ（ノルボニルメタクリレート）とポリ（ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート）の共重合体・・・（中略）・・・が提案されている。
【００１４】しかしこれら脂環アルキル基を持つメタクリル，あるいはアクリル系高分子化合物においては，高分子化合物中の脂環基，さらには保護基（極性変換基）が疎水性であるため，一般的に疎水性が高い。このため，これらの高分子化合物により形成した薄膜はシリコン基板との密着性が悪く，均一な塗布膜を再現性良く形成することは困難であった。・・・（中略）・・・
【００１９】このようにして，
２２０ｎｍ以下の波長
【００２０】本発明の目的は，
極遠紫外域の露光光に対し高い感度，解像性およびドライエッチング耐性を示し，さらに実際製造プロセスに使用可能な化学増幅型レジスト
（イ）「【００２１】
【課題を解決するための手段】発明者は鋭意研究の結果，上記技術的課題は，以下に開示する
三元共重合体構造を持つ高分子化合物
【００２２】すなわち樹脂の親水性を向上させるべく，−ＯＨ基を持つアクリレートまたはメタクリレート系のカルボン酸単量体を導入し，樹脂を三元共重合体にした。その結果，先に述べた欠点を克服することができた。
【００２３】その三成分は，
丸１
脂環式アルキル基（ジシクロペンテニル基，トリシクロデカニル基など），または脂環式エポキシ基（ノルボルナンエポキシ基など）を有する単量体
丸２　酸により解裂し，極性変換を起こす基（テトラヒドロピラニル基など）を有する単量体
丸３　アクリレートまたはメタクリレート系のカルボン酸よりなる群から選ばれる単量体
である。
【００２４】本発明の構成要素である
高分子化合物は，下記一般式（Ｉ）で表される
【００２５】
【化２】
【００２６】［上式において，ｎは５ないし１０００（より好ましくは１０ないし２００）のの正の整数，Ｒ１，
Ｒ
２
は
水素原子
Ｒ
５
は
ｔｅｒｔ−ブチル基，メチル基，エチル基，プロピル基
【００２７】
【表１】
【００２８】本発明の構成要素である
高分子化合物は，２２０ｎｍ以下の遠紫外線領域において高透明性であり，かつ酸に対して不安定な基を有する高分子を適当に設定して使用することができる
（ウ）「【００３４】
使用可能な光酸発生剤の例としては，
トリフェニルスルホニウム塩誘導体
他の
スルホニウム塩
などがある
【００３５】
その中でも一般式（ＩＩ）
で示す光酸発生剤を使用することがより好ましい
【００３６】
【化３】
【００３７】（ただし，Ｒ１およびＲ２は直鎖状，分枝状，または環状のアルキル基，Ｒ３は直鎖状，分枝状，または環状のアルキル基，２−オキソ環状アルキル基，あるいは２−オキソ直鎖状または分枝状アルキル基，
Ｙ
−
はＢＦ
４
−
，ＡｓＦ
６
−
，ＳｂＦ
６
−
，ＰＦ
６
−
，ＣＦ
３
ＣＯＯ
−
，ＣｌＯ
４
−
あるいはＣＦ
３
ＳＯ
３
−
等の対イオンである
　
　ウ　特開平７−２３４５１１号公報
　特開平７−２３４５１１号公報（以下「周知例２」という。）は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該周知例２には次の記載がある。（下線は，後述する周知事項１の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放射線感光材料及びその放射線感光材料を用いたパターン形成方法に関する。近年，半導体集積回路は集積化が進んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されており，これと共に最小パターンはサブミクロン領域に及び，更に微細化する傾向にある。微細パターンの形成には，薄膜を形成した被処理基板上をレジストで被覆し，選択露光を行った後に現像してレジストパターンを作り，これをマスクとしてドライエッチングを行い，その後にレジストを除去することにより所望のパターンを得るリソグラフィ（写真食刻）技術の使用が必須である。そしてこれに使用する露光光源として，当初は紫外線が使用されていたが，パターンの微細化に伴い波長の短い遠紫外線や電子線，Ｘ線などが光源として使用されるようになってきた。
【０００２】従って，特にエキシマレーザ（波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザ，波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザ）を用いたリソグラフィ技術に対応して，高解像性，高感度，優れた耐ドライエッチング性を有するレジスト材料が要求されている。
【０００３】
【従来の技術】従来のレジストは，
フェノール樹脂又はノボラック樹脂をベースとするものが数多く開発されてきたが，これらの材料は芳香族環を含んでおり，耐ドライエッチング性は優れているものの，ＫｒＦレーザの波長に対して透明性が低い。特にＡｒＦレーザの波長に対しては全く不透明である
【０００４】他方，エキシマ光に対して透明なレジストとして，メタクリル酸ｔ−ブチル重合体が提案されているが，このレジストは耐ドライエッチング性に欠ける。そのため，本発明者らは，
芳香族環並の耐ドライエッチング性を有し，かつＫｒＦレーザ及びＡｒＦレーザの波長に対して透明性をもつものとして，脂環族を用いた化学増幅型レジスト
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記の脂環共重合体を用いた化学増幅型レジストにおいては，
耐ドライエッチング性を付与する脂環族
【０００６】また，これらのレジストは密着性に乏しく，脂環族の導入によりレジスト膜が硬くなるため，レジスト膜にかかる歪みが大きくなって剥がれ易くなる。このため，安定性したパターン特性を得ることができないという問題があった。また，化学増幅型レジストに特有な問題として，露光から露光後ベーク（ＰＥＢ）までの間に，露光によって発生した酸が大気中の汚染物質（アミン成分等）により中和，失活されるため，所望のパターンが形成できないという現象が生じる。その改善方法としては，レジスト膜上に保護膜を塗布するパターン形成方法が有効であることが知られている。この方法は，従来のレジストの大部分を占める，フェノールをベースポリマとするレジストに対しては非常に効果的であった。しかし，非フェノール系で極性の低いポリマ，特に脂環族を含む疎水性のポリマをベースとするレジストに保護膜を適用する場合，両者の極性が類似しているため保護膜の塗布溶媒として従来使用されてきた芳香族炭化水素系の溶媒を用いると，レジスト膜そのものが溶解してしまい，保護膜の塗布が困難であるといった問題があった。
【０００７】このため，汚染物質の影響を受けてパターンが解像できなかったり，所望のパターンサイズから大きくはずれるといった問題があった。本発明の目的は，エキシマレーザを露光源とするリソグラフィにおいて使用する，優れた透明性及びエッチング耐性のみならず，高感度で，密着性に優れた放射線感光材料及びその放射線感光材料を用いたパターン形成方法を提供することにある。
【０００８】また，本発明の他の目的は，非フェノール系で極性の低いポリマにおいても保護膜を形成でき，安定性したパターン特性を得ることができるパターン形成方法を提供することにある。」
（イ）「【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は，一般式
【００１０】
【化２３】
で示される共重合体と放射線照射により酸を生じる物質とからなることを特徴とする放射線感光材料によって達成される。・・・（中略）・・・
【００１２】・・・（中略）・・・また，上記課題は，一般式
【００１３】
【化２５】
で示される三元共重合体と放射線照射により酸を生じる物質とからなることを特徴とする放射線感光材料によって達成される。ここで，
酸によりアルカリ可溶性基を生じるとしては，
エキシマ光に対して透明である点から，ベンゼン環を含まないものが適当である。従って，ｔ−ブチル基，
基がより好ましい
【００１４】また，上記の放射線感光材料において，前記共重合体における前記カルボン酸を有する単位構造が，５ｍｏｌ％以上３５ｍｏｌ％以下であることが望ましい。」
（ウ）「【００４２】・・・（中略）・・・尚，以上の放射線感光材料において用いた放射線照射により酸を生じる物質，即ち
酸発生剤としては，
【００４５】
・・・（中略）・・・
一般式
【００４６】
【化４８】
で示されるスルホニウム塩
【００４９】
・・・（中略）・・・
を使用することが可能
（エ）「【０１０１】・・・（中略）・・・
［実施例  ３］アクリル酸アダマンチルモノマとアクリル酸ｔ−ブチルモノマとを１：１で仕込み，５ｍｏｌ／ｌのトルエン溶液とした後，重合開始剤としてＡＩＢＮを２０ｍｏｌ％添加した。その後，温度８０℃で約８時間重合した。重合終了後，メタノールで沈澱精製を行った。その結果，
構造式
【０１０２】
【化８２】
で示される組成比４７：５３，重量平均分子量４６１０，分散度１．８３の共重合体
酸発生剤として
【０１０３】
【化８３】
で示される
トリフェニルスルフォニウムヘキサフロロアンチモン
【０１０４】こうして得られたウェーハ上のレジスト膜をＫｒＦエキシマステッパで露光した後，温度１００℃，６０秒間のＰＥＢを行った。続いて，アルカリ水溶液であるＮＭＤ−３を用いて６０秒間現像し，純水で３０秒間リンスした。このときの照射線量の閾値エネルギーＥｔｈは３７ｍＪ／ｃｍ２であり，解像力は０．５０μｍ幅のＬ＆Ｓパターンを示した。」
　
　エ　前記イ及びウからみて，次の技術的事項（以下「周知事項１」という。）が本願優先日前に周知であったと認められる。
「酸によりアルカリ可溶性を生じる樹脂と酸発生剤からなる二成分系の化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物において，
　前記樹脂として，波長２２０ｎｍ以下の極遠紫外域で強い吸収をもつ芳香環をその構造中に有していないものを用いることで，ＡｒＦエキシマレーザ等の前記極遠紫外域の光を露光光としたリソグラフィー用のレジストとして使用することができ，
　そのような樹脂として，酸により解裂し極性変換を起こすｔｅｒｔ−ブチル基，メチル基，エチル基あるいはプロピル基を有するアクリレート単位（周知例１では，一般式（１）においてＲ２を水素原子，Ｒ５をｔｅｒｔ−ブチル基，メチル基，エチル基又はプロピル基とした繰り返し単位。周知例２では，【０１０２】に記載された実施例３の構造式の右側の繰り返し単位。）と，ドライエッチング耐性を付与するための脂環族基を有するアクリレート又はメタクリレート単位（周知例１では，一般式（１）においてＲ４をトリシクロデカニル基，ジシクロペンテニル基，ジシクロペンテニルオキシエチル基，シクロヘキシル基，ノルボニル基，ノルボルナンエポキシ基，ノルボルナンエポキシメチル基又はアダマンチル基とした繰り返し単位。周知例２では，【０１０２】に記載された実施例３の構造式の左側の繰り返し単位。）とを有するものを用いることができ，
　前記酸発生剤には，スルホニウム塩を用いることができること。」
　
　オ　特開平１０−６００５６号公報
　特開平１０−６００５６号公報（以下「周知例３」という。）は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該周知例３には次の記載がある。（下線は，後述する周知事項２の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体素子等の製造に於いて使用されるレジスト組成物に関する。詳しくは露光エネルギー源として遠紫外線，
特に２００ｎｍ以下の遠紫外光，例えばＡｒＦエキシマレーザ光等を用いてポジ型のパターンを形成する際のレジスト組成物
【０００２】
【従来の技術】近年，半導体デバイスの高密度集積化に伴い，微細加工，中でもフォトリソグラフィに用いられる露光装置のエネルギー源は益々短波長化し，最近に到ってはＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）が検討されている。しかしながらこれ等波長に適した実用性の高いレジスト組成物は未だ適当なものが見出されていない。
【０００３】例えば，ＡｒＦエキシマレーザ光を光源とするレジスト組成物として１９３ｎｍ付近の光に対する透過性が高いアクリル酸又はメタクリル酸系ポリマーを使用したレジスト組成物が報告されている・・・（中略）・・・。しかし，これ等のレジスト組成物は共通して解像性能が劣っており，高解像性能が要求されるＡｒＦエキシマレーザ光用途には使用出来ない。一方，本発明と同様な機構で使用されるＫｒＦエキシマレーザ（２４８．４ｎｍ）光用の化学増幅型レジスト組成物が多数報告されている・・・（中略）・・・。しかしながら，これ等のレジスト組成物をＡｒＦエキシマレーザ光用に転用しようとしても
ポリマーとして使用されるポリビニルフェノール及びその誘導体が２００ｎｍ以下の波長領域の吸収が大きい
【０００４】この様に現在迄報告されているレジスト組成物や既存のレジスト組成物は高解像性能が期待されて開発が進められている２００ｎｍ以下，特にＡｒＦ（１９３ｎｍ）光用途には解像性能が不十分であり，使用が難しい。従って，これ等問題点を改善した実用的な高感度レジスト組成物が渇望されている現状にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した如き状況に鑑みなされたもので，２００ｎｍ以下の遠紫外光，特にＡｒＦエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し，これをレジスト組成物用のポリマーとして使用した場合にはエッチング耐性に優れた新規ポリマー及びこれを用いた高感度で高解像性能を有する実用的なレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は，一般式［１］
【０００７】
【化３】
【０００８】［式中，Ｒ１は水素原子又はシアノ基を表し，Ｒ２，Ｒ４及びＲ６は夫々独立して水素原子，低級アルキル基，ハロゲン原子，水酸基又はアルキルシリルオキシ基を表し，Ｒ３はシアノ基又はカルボン酸エステル基を表し，又，Ｒ１とＲ３とで脂肪族環を形成していても良く，Ｒ５は酸の作用で脱離し得る基を表し，Ｒ７は水素原子を表し，Ｒ８は置換アルキル基でエステル化されていても良いカルボキシル基，又はアミド基を表し，また，Ｒ７とＲ８とで結合して−ＣＯ−ＮＨ−ＣＯ−基を形成していくも良く，ｋ及びｌは夫々独立して自然数を表し，ｍは０又は自然数を表す。］で示されるポリマー，の発明である。
【０００９】更に，本発明は，上記記載の一般式［１］で示されるポリマーと，露光により酸を発生する感光性化合物と，これ等を溶解可能な溶剤とを含んで成るレジスト組成物，の発明である。」
（イ）「【００７８】本発明で用いられる
露光により酸を発生する感光性化合物
酸発生剤
としては，
本発明に於いて特に好ましい酸発生剤としては，
ジフェニルトリルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート等のスルホニウム塩類
等が挙げられる
（ウ）「【０１２３】実施例１４〜２４．表１，表２，表３及び表４の組成から成るレジスト組成物を夫々調製した。
・・・（中略）・・・
【０１２７】
【表４】
」
　
　カ　特開平１０−４８８２６号公報
　特開平１０−４８８２６号公報（以下「周知例４」という。）は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該周知例４には次の記載がある。（下線は，後述する周知事項２の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【０００１】
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子等の製造に於て使用されるレジスト材料とそれに用いられるポリマー組成物に関する。詳しくは露光エネルギー源として紫外線，特に３００ｎｍ以下の遠紫外光，例えばＫｒＦエキシマレーザ光等を用いてポジ型のパターンを形成する際のレジスト材料及びそれに用いられるポリマー組成物に関する。
・・・（中略）・・・
【０００７】この様に化学増幅型レジスト材料は従来のレジスト材料と比べて高感度化されたにもかかわらず，ポリマーの耐熱性が乏しい，基板との密着性が不良である，２４８．４ｎｍ付近の光透過性が不十分である，解像性能が不十分である，経時的にパターン寸法が変動したり，パターン形状が劣化する，貯蔵安定性が不良である，フォーカスマージンが不足している，マスクリニアリティが不良である，或はパターン形状で裾引きやスカムが残る，基板依存性が大きい等の問題点を有し，実用化されるには至っていない。従って，これ等問題点を改善した実用的な高感度レジスト材料が渇望されている現状にある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した如き状況に鑑み本発明が解決しようとする課題は，紫外線，特に３００ｎｍ以下の遠紫外光，ＫｒＦエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し，これ等光源による露光や電子線，軟Ｘ線照射に対して高い感度を有し，耐熱性及び基板との密着性が極めて優れ，高解像性能を有し，パターン寸法が経時変動せずに精度の高いパターンが得られ，貯蔵安定性に優れ，広いフォーカスマージンを有し，良好なマスクリニアリティを有し，基板依存性がなく，且つ裾引きやスカムのない矩形のパターン形状が得られる実用的なレジスト材料及びこれに用いられるポリマー組成物を提供することである。
【０００９】
【発明を解決するための手段】本発明は上記課題を解決する目的でなされたものであり，下記の構成から成る。
【００１０】『（１）（ｉ）酸の存在下，加熱により化学変化を受けて容易にアルカリ可溶性となり得る官能基（以下，官能基Ａと略す。）を有するモノマー単位を構成成分として含んで成るポリマー（ポリマー１）と，（ｉｉ）酸の存在下，加熱により化学変化を受けてアルカリ可溶性となり得る官能基ではあるが，上記（ｉ）に於ける官能基Ａよりは化学変化を受け難い官能基（以下，官能基Ｂと略す。）を有するモノマー単位を構成成分として含んで成るポリマー（ポリマー２）と，を含んで成ることを特徴とするポリマー組成物。
・・・（中略）・・・
【００１４】（５）更に感放射線照射により酸を発生する物質を含んで成る上記（１）〜（４）の何れかに記載のポリマー組成物。」
（イ）「【０１２８】本発明のポリマー組成物をレジスト材料として用いる場合は，本発明のポリマー組成物以外に感放射線照射により酸を発生する物質（以下，「酸発生剤」と略記する。）が他の構成成分として含まれる。これらの構成成分は溶剤に溶解された状態で使用に供されるのが一般的である。
【０１２９】本発明で用いられる酸発生剤としては，感放射線照射により酸を発生し得る物質であってレジストパターン形成に悪影響を及ぼさないものであれば何れにても良いが，特に２４８．４ｎｍ付近の光透過性が良好でレジスト材料の高透明性を維持出来るか，又は露光により２４８．４ｎｍ付近の光透過性が高められレジスト材料の高透明性を維持出来る酸発生剤が好ましく挙げられる。その様な本発明に於て特に好ましい酸発生剤としては，例えば下記一般式［２３］，一般式［２４］，一般式［２６］，一般式［２７］，一般式［２８］及び一般式［３０］で示される化合物が挙げられる。
・・・（中略）・・・
【０１３８】
【化３８】
【０１３９】［式中，Ｒ１６はアルキル基，フェニル基，置換フェニル基又はアラルキル基を表し，Ｒ１７及びＲ１８は夫々独立して水素原子，アルキル基，フェニル基，置換フェニル基，又はアラルキル基を表し，Ｒ１９はフルオロアルキル基，トリフルオロメチルフェニル基，メチル基，又はトリル基を表す。］
・・・（中略）・・・
【０１５１】一般式［２７］に於て，Ｒ１６，Ｒ１７及びＲ１８で示されるアルキル基としては，直鎖状，分枝状又は環状の何れにてもよく，好ましくは炭素数が１〜８である，例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，シクロプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチル基，ｔｅｒｔ−ペンチル基，１−メチルペンチル基，シクロペンチル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘキシル基，シクロヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基等が挙げられ，置換フェニル基としては，例えばトリル基，エチルフェニル基，ｔｅｒｔーブチルフェニル基，クロルフェニル基等が挙げられ，アラルキル基としては，例えばベンジル基，フェネチル基，フェニルプロピル基，メチルベンジル基，メチルフェネチル基，エチルベンジル基等が挙げられる。Ｒ１９で示されるフルオロアルキル基のアルキル基としては，直鎖状又は分枝状の何れにてもよく，好ましくは炭素数が１〜８である，例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチル基，ｔｅｒｔ−ペンチル基，１−メチルペンチル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基等が挙げられ，置換されているフッ素原子の合計数としては，１〜１７のものが好ましく挙げられる。
・・・（中略）・・・
【０１５８】一般式［２７］で示される酸発生剤としては，例えばトリフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート，
トリフェニルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，ジフェニル−ｐ−トリルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，トリス（ｐ−トリル）スルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，
・・・（中略）・・・
【０１６１】本発明のレジスト材料は，一般式［１］で示されるポリマー及び一般式［２］で示されるポリマー各１種以上，又は一般式［１］で示されるポリマー及び一般式［２］で示されるポリマー各１種以上並びに重量平均分子量が３００〜１５，０００のフェノール性化合物，或は一般式［１］で示されるポリマー１種以上及び重量平均分子量が３００〜１５，０００のフェノール性化合物１種以上と，一般式［２３］，一般式［２４］，一般式［２６］，一般式［２７］，一般式［２８］又は一般式［３０］で示される酸発生剤の１種又は任意の２種以上を組合せて用いることが好ましいが，酸発生剤を２種以上組合せて使用する場合の好ましい例としては，２４８．４ｎｍ付近の光透過性が良好でレジスト材料の高透明性が維持出来，露光後の加熱処理（ＰＥＢ）温度依存性が少なく，且つ
露光により弱酸を発生する一般式［２３］で示される酸発生剤と，一定の露光量に対して酸発生効率が高い，又は強酸を発生する
一般式［２７］
で示される酸発生剤とを組合せて使用する事がパターンの裾部分の形状改善及びスカム除去の点から特に好ましい
（ウ）「【０１８８】
【作  用】本発明の作用について具体例で説明すると，先ず，ＫｒＦエキシマレーザ光，遠紫外光等で露光された部位は例えば下記式１，式２，式３，式４，又は式５で示される光反応に従って酸が発生する。
・・・（中略）・・・
【０１９１】
【式３】
」
　
　キ　特開平８−１２３０３２号公報
　特開平８−１２３０３２号公報（以下「周知例５」という。）は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該周知例５には次の記載がある。（下線は，後述する周知事項２の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【０００１】
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用発明】本発明は半導体素子等の製造に於いて使用されるレジスト材料に関する。詳しくは露光エネルギー源として紫外線，特に３００ｎｍ以下の遠紫外光，例えばＫｒＦエキシマレーザ光等を用いてポジ型のパターンを形成する際のレジスト材料及びパターン形成方法に関する。
・・・（中略）・・・
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】この様に化学増幅型レジスト材料は従来のレジスト材料と比べて高感度化されたにもかかわらず，ポリマーの耐熱性が乏しい，基板との密着性が不良である，２４８．４　ｎｍ付近の光透過性が不十分である，解像性能が不十分である，経時的にパターン寸法が変動したり，パターン形状が劣化する，貯蔵安定性が不良である，フォーカスマージンが不足している，マスクリニアリティが不良である，或はパターン形状で裾引きやスカムが残る等の問題点を有し，実用化は難しい。従って，これ等問題点を改善した実用的な高感度レジスト材料が渇望されている現状にある。
【０００８】
【発明の目的】本発明は上記した如き状況に鑑みなされたもので，紫外線，特に３００ｎｍ以下の遠紫外光，ＫｒＦエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し，これ等光源による露光や電子線，軟Ｘ線照射に対して高い感度を有し，耐熱性及び基板との密着性が極めて優れ，高解像性能を有し，パターン寸法が経時変動せずに精度の高いパターンが得られ，貯蔵安定性に優れ，広いフォーカスマージンを有し，良好なマスクリニアリティを有し，且つ裾引きやスカムのない矩形のパターン形状が得られる実用的なレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【発明の構成】上記目的を達成する為，本発明は下記の構成から成る。
『（１）下記一般式［１］
【００１０】
【化１３】
【００１１】［式中，Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し，Ｒ２及びＲ３夫々独立して水素原子，炭素数１〜６の直鎖状，分枝状又は環状のアルキル基，炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のハロアルキル基，又はフェニル基を表し（但し，Ｒ２及びＲ３が共に水素原子の場合は除く。），また，Ｒ２とＲ３で炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く，Ｒ４は炭素数１〜１０の直鎖状，分枝状又は環状のアルキル基，炭素数１〜６の直鎖状，分枝状又は環状のハロアルキル基，アセチル基，又はアラルキル基を表し，Ｒ５は水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜６の直鎖状，分枝状又は環状のアルキル基，炭素数１〜６の直鎖状，分枝状又は環状のアルコキシ基，テトラヒドロピラニルオキシ基，テトラヒドロフラニルオキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメトキシ基，又はアセチルオキシ基を表し，ｋ，ｌ及びｍは夫々独立して自然数を表す（但し，０．１０≦（ｋ＋ｍ）／（ｋ＋ｒ＋ｍ）≦０．９０で且つ０．０１≦ｍ／（ｋ＋ｒ＋ｍ）≦０．２５である。］で示されるポリマーと，３００　ｎｍ以下の遠紫外線又はＫｒＦエキシマレーザー光を露光することにより酸を発生する感光性化合物と，これらを溶解可能な溶剤とを含んで成るレジスト材料。」
（イ）「【００７０】本発明で用いられる露光により酸を発生する感光性化合物（以下，「酸発生剤」と略記する。）としては，文字通り露光により酸を発生する感光性化合物でレジストパターン形成に悪影響を及ぼさないものであって，特に２４８．４ｎｍ付近の光透過性が良好でレジスト材料の高透明性を維持出来るか，又は露光により２４８．４ｎｍ付近の光透過性が高められレジスト材料の高透明性を維持できる酸発生剤が挙げられる。そのような本発明に於て特に好ましい酸発生剤としては，例えば下記一般式［２］，一般式［３］，一般式［５］，一般式［６］又は一般式［９］又は一般式［１２］で示される化合物が挙げられる。
・・・（中略）・・・
【００９１】
【化４４】
【００９２】［式中，Ｒ２５は炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状のアルキル基，フェニル基，置換フェニル基，又はアラルキル基を表し，Ｒ２６は水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜６の直鎖状，分枝状又は環状のアルキル基を表し，Ｒ２７は炭素数１〜８の直鎖状又は分枝状のパーフルオロアルキル基，炭素数１〜８の直鎖状，分枝状又は環状のアルキル基，１ーナフチル基，２ーナフチル基，１０ーカンファー基，フェニル基，トリル基，２，５−ジクロルフェニル基，１，３，４−トリクロルフェニル基，又はトリフルオロメチルフェニル基を表す。］
・・・（中略）・・・
【０１０１】一般式［１２］に於て，Ｒ２５で示される炭素数１〜４のアルキル基としては，メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基が挙げられる（直鎖状又は分枝状の何れにても可）。Ｒ２６で示される炭素数１〜６のアルキル基としては，メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基が挙げられる（直鎖状，分枝状又は環状の何れにても可）。Ｒ２５で示される置換フェニル基としては，トリル基，エチルフェニル基，ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基，クロルフェニル基が挙げられる（置換位置はｏ−，ｍ−又はｐ−位の何れにても可）。Ｒ２５で示されるアラルキル基としては，ベンジル基，フェネチル基が挙げられる。Ｒ２６で示されるハロゲン原子としては，塩素，臭素，フッ素，ヨウ素が挙げられる。Ｒ２７で示される炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基としては，トリフルオロメチル基，ペンタフルオロエチル基，パーフルオロプロピル基，パーフルオロブチル基，パーフルオロペンチル基，パーフルオロヘキシル基，パーフルオロヘプチル基，パーフルオロオクチル基が挙げられる（直鎖状又は分枝状の何れにても可）。又，Ｒ２７で示される炭素数１〜８のアルキル基としては，メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，ペプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基が挙げられる（直鎖状又は分枝状の何れにても可）。
・・・（中略）・・・
【０１０７】そして，一般式［１２］で示される化合物として，例えばトリフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート，トリフェニルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，
ジフェニル−ｐ−トリルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，トリス（ｐ−トリル）スルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，
・・・（中略）・・・
【０１０８】本発明のレジスト材料の好ましい態様としては，一般式［１］で示されるポリマーと，一般式［２］で示される酸発生剤，一般式［３］で示される酸発生剤，一般式［５］で示される酸発生剤，一般式［６］で示される酸発生剤，一般式［９］で示される酸発生剤及び一般式［１２］で示される酸発生剤から成る群より選ばれた１種以上の酸発生剤との組合せが挙げられる。２種以上の酸発生剤を組合せて使用する場合の好ましい例としては，２４８．４ｎｍ付近の光透過性が良好でレジスト材料の高透明性が維持出来，ＰＥＢ温度依存性が少なく，且つ
露光により弱酸を発生する一般式［２］で示される酸発生剤１種以上と，一定の露光量に対して酸発生効率が高い，又は強酸を発生する
一般式［１２］で示される酸発生剤
とを組合せて使用することがパターンの裾部分の形状改善及びスカム除去の点から特に好ましい
【０１０９】更に好ましくは，一般式［２］で示される酸発生剤１種以上と，一般式［３］で示される酸発生剤，一般式［９］で示される酸発生剤，及び一般式［１２］で示される酸発生剤から成る群より選ばれた１種以上の酸発生剤との組合せである。
【０１１０】尚，
裾引きやスカムの面で極めて有効な一般式［１２］で示される酸発生剤
（ウ）「【０１２３】
【作  用】本発明の作用について具体例で説明すると，先ず，ＫｒＦエキシマレーザ光，遠紫外光等で露光された部位は例えば下記式１，式２，式３，式４又は式５で示される光反応に従って酸が発生する。
・・・（中略）・・・
【０１２８】
【式５】
」
（エ）「【０２１２】実施例１８〜２９
下記表６〜９の各組成から成るフォトレジスト材料を夫々調製した。
・・・（中略）・・・
【０２１４】
【表７】
・・・（中略）・・・
【０２１６】
【表９】
」
　
　ク　前記オないしキからみて，「酸発生剤として，スルホニウムイオンが同種又は異種の置換又は非置換芳香族基を３つ有し，露光によりパーフルオロオクタンスルホン酸を発生するスルホニウム塩（周知例３では「ジフェニルトリルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート」，周知例４では「トリフェニルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，ジフェニル−ｐ−トリルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，トリス（ｐ−トリル）スルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート」，周知例５では「ジフェニル−ｐ−トリルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート，トリス（ｐ−トリル）スルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート」。）を用いること」（以下「周知事項２」という。）が本願優先日前に周知であったと認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物」，「アルカリ可溶性樹脂」である「式（Ｐｏｌｙｍ．１）で示される部分的に水酸基の水素原子をｔｅｒｔ−ブトシキカルボニル基で保護したポリヒドロキシスチレン」と「式（Ｐｏｌｙｍ．２）で示される部分的に水酸基の水素原子をテトラヒドロフラニル基で保護したポリヒドロキシスチレン」の混合物，「一般式（１）で表されるスルホニウム塩」である「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」と「一般式（８）で表されるオニウム塩」である「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」，及び，当該「スルホニウム塩」と「オニウム塩」からなる「酸発生剤」は，本願補正発明の「化学的に増幅されたポジ型フォトレジスト組成物」，「樹脂」，「第１および第２の光酸発生化合物」，及び，「光酸発生化合物の混合物」にそれぞれ相当する。
　
　イ　引用例の記載事項（カ）で摘記した実施例１０においては矩形のパターンが形成されているのであるから，引用発明の「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」の量である２重量部，及び，「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」の量である２重量部が，引用発明の「化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物」を用いて形成したレジスト膜を現像するのに十分な量であることは明らかである。
　したがって，引用発明の「一般式（１）で表されるスルホニウム塩」である「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」と「一般式（８）で表されるオニウム塩」である「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」の混合物からなる「酸発生剤」の量と，本願補正発明の「光酸発生化合物の混合物」の量とは，「組成物の露光されたコーティング層を現像するのに十分な量」である点で一致する。
　
　ウ　引用発明の「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」が，露光（光活性化）により１０−カンファースルホン酸を発生し，引用発明の「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」が，露光（光活性化）によりトリフルオロメチルスルホン酸を発生することが当業者に自明であるから，引用発明の「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」及び「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」と，本願補正発明の「第１および第２の光酸発生化合物」は，「光活性化により，それぞれ第１および第２の光酸を生成」する点で一致する。
　
　エ　本願の出願当初明細書の【００５０】に示された各種酸の大きさ及びｐＫａ値を参酌すると，引用発明の「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」が発生する１０−カンファースルホン酸は，大きさが１９３立方オングストロームで，ｐＫａ値が−１．７７であり，引用発明の「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」が発生するトリフルオロメチルスルホン酸は，その大きさが７９立方オングストロームで，ｐＫａ値が−５．２１であるから，両酸の大きさの差は１１４立方オングストロームであるところ，ｐＫａ値の小さい酸が強い酸であるから，両酸のうち強い酸はトリフルオロメチルスルホン酸である。
　したがって，引用発明の「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」及び「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」と，本願補正発明の「第１および第２の光酸発生化合物」は，それぞれが生成する「第１および第２の光酸の大きさが少なくとも４０立方オングストローム異なり，第１および第２の光酸の一方が強い光酸である」点で一致する。
　
　オ　引用発明の「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」及び「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」は，どちらもスルホニウム化合物であるから，本願補正発明の「第１および第２の光酸発生化合物」と，「両方がスルホニウム化合物である」点で一致する。
　
　カ　前記アないしオから，本願補正発明と引用発明とは，
「化学的に増幅されたポジ型フォトレジスト組成物であって，
　樹脂；および
　該組成物の露光されたコーティング層を現像するのに十分な量の光酸発生化合物の混合物であって，
　第１および第２の光酸発生化合物を含み，光活性化により，該第１および第２の酸発生化合物はそれぞれ第１および第２の光酸を生成し，該第１および第２の光酸の大きさが少なくとも４０立方オングストローム異なり，第１および第２の光酸の一方が強い光酸である，光酸発生化合物の混合物
を含み，
　前記第１および第２の光酸発生化合物の両方がスルホニウム化合物である，化学的に増幅されたポジ型フォトレジスト組成物。」である点で一致し，次の点で相違している。
　
相違点１：
　本願補正発明の樹脂が，「アルキルアクリレート単位を含み，本質的にフェニルもしくは他の芳香族単位を含まない」ものであるのに対して，
　引用発明のアルカリ可溶性樹脂が，式（Ｐｏｌｙｍ．１）で示される部分的に水酸基の水素原子をｔｅｒｔ−ブトシキカルボニル基で保護したポリヒドロキシスチレン４０重量部と，式（Ｐｏｌｙｍ．２）で示される部分的に水酸基の水素原子をテトラヒドロフラニル基で保護したポリヒドロキシスチレン４０重量部との混合物であって，芳香族単位を含んでいる点。
　
相違点２：
　「第１及び第２の光酸」のうちの「強い光酸」が，
　本願補正発明では，パーフルオロオクタンスルホン酸，パーフルオロヘキサンスルホン酸，パーフルオロ（４−エチル）シクロヘキサンスルホン酸，または電子吸引基で置換されている芳香族スルホン酸であるのに対して，
　引用発明では，トリフルオロメチルスルホン酸である点。
　
（４）判断
　前記相違点１及び２について検討する。
　ア　相違点１について
（ア）引用例の【００５１】（前記（２）ア（エ））等の記載からみて，引用発明の「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」及び「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」からなる「酸発生剤」は，有機溶媒，アルカリ可溶性樹脂及び酸発生剤を含有する二成分系の化学増幅型ポジ型レジスト材料の酸発生剤として用いることができるものである。
（イ）引用例の【０００２】（前記（２）ア（ア）），【００１３】（前記（２）ア（イ）），【００９５】（前記（２）ア（カ））等の記載からみて，引用発明の化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物は，高解像性を実現するために，遠紫外線を光源とするリソグラフィーに用いるためのものであって，光源としては，遠紫外線の中でも特にＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を想定しているものと認められる。
（ウ）前記（２）エで認定したとおり，
「酸によりアルカリ可溶性を生じる樹脂と酸発生剤からなる二成分系の化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物において，
　前記樹脂として，波長２２０ｎｍ以下の極遠紫外域で強い吸収をもつ芳香環をその構造中に有していないものを用いることで，ＡｒＦエキシマレーザ等の前記極遠紫外域の光を露光光としたリソグラフィー用のレジストとして使用することができ，
　そのような樹脂として，酸により解裂し極性変換を起こすｔｅｒｔ−ブチル基，メチル基，エチル基あるいはプロピル基を有するアクリレート単位と，ドライエッチング耐性を付与するための脂環族基を有するアクリレート又はメタクリレート単位とを有するものを用いることができ，
　前記酸発生剤には，スルホニウム塩を用いることができること。」が本願優先日前に周知であったと認められる。
（エ）前記（ア）ないし（ウ）からみて，引用発明において，更なる高解像性を実現することを目的として，例えばＫｒＦエキシマレーザーより短波長のＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等の極遠紫外線を光源とするリソグラフィーに対応できるものとするために，引用発明の「式（Ｐｏｌｙｍ．１）で示される部分的に水酸基の水素原子をｔｅｒｔ−ブトシキカルボニル基で保護したポリヒドロキシスチレン」と「式（Ｐｏｌｙｍ．２）で示される部分的に水酸基の水素原子をテトラヒドロフラニル基で保護したポリヒドロキシスチレン」からなる「アルカリ可溶性樹脂」，及び，「溶解阻止剤」である「式（ＤＲＩ．１）で示される２，２’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパン」に代えて，周知事項１の「波長２２０ｎｍ以下の極遠紫外域で強い吸収をもつ芳香環をその構造中に有していない」樹脂であって，「酸により解裂し極性変換を起こすｔｅｒｔ−ブチル基，メチル基，エチル基あるいはプロピル基を有するアクリレート単位と，ドライエッチング耐性を付与するための脂環族基を有するアクリレート又はメタクリレート単位とを有する」樹脂を採用し，二成分系の化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物として構成することは，周知事項１に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
（オ）前記（エ）の「波長２２０ｎｍ以下の極遠紫外域で強い吸収をもつ芳香環をその構造中に有していない」ことは，本願補正発明の「本質的にフェニルもしくは他の芳香族単位を含まない」ことに相当し，前記（エ）の「酸により解裂し極性変換を起こすｔｅｒｔ−ブチル基，メチル基，エチル基あるいはプロピル基を有するアクリレート単位」は，本願補正発明の「アルキルアクリレート単位」に該当する。
　したがって，引用発明において，相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項のように構成することは，周知事項１に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　
　イ　相違点２について
（ア）引用発明は，「一般式（８）で表されるオニウム塩」として，「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」を配合したものであるが，一般式（８）に該当するものの中で，どのようなオニウム塩を配合するのかは，当業者が適宜決定できる事項である。
（イ）前記（２）クで認定したとおり，「酸発生剤として，スルホニウムイオンが同種又は異種の置換又は非置換芳香族基を３つ有し，露光によりパーフルオロオクタンスルホン酸を発生するスルホニウム塩を用いること」が本願優先日前に周知であったと認められるところ，当該「スルホニウム塩」は，前記（ア）の「一般式（８）で表されるオニウム塩」に該当する。
（ウ）前記（ア）及び（イ）からみて，引用発明において，「一般式（８）で表されるオニウム塩」として，「式（ＰＡＧ．４）で示されるオニウム塩」に代えて，周知事項２の「スルホニウムイオンが同種又は異種の置換又は非置換芳香族基を３つ有し，露光によりパーフルオロオクタンスルホン酸を発生するスルホニウム塩」を用いることは，当業者が適宜なし得たことである。
（エ）本願の発明の詳細な説明の【００５０】に示された各種酸の大きさ及びｐＫａ値を参酌すると，パーフルオロオクタンスルホン酸は，その大きさが２４４立方オングストロームで，ｐＫａ値が−４．７１である。
　前記エで述べたとおり，引用発明の「式（ＰＡＧ．２）で示されるスルホニウム塩」が発生する１０−カンファースルホン酸は，大きさが１９３立方オングストロームで，ｐＫａ値が−１．７７であるから，前記（ウ）の変更を行った引用発明は，酸発生剤が発生する１０−カンファースルホン酸及びパーフルオロオクタンスルホン酸のうち，強い酸がパーフルオロオクタンスルホン酸である。
　したがって，前記（ウ）の変更を行った引用発明は，相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を具備している。
　また，１０−カンファースルホン酸及びパーフルオロオクタンスルホン酸の大きさの差は５１立方オングストロームであって，本願補正発明の「少なくとも４０立方オングストローム異なる」という第１及び第２の光酸の大きさの差に係る規定を依然として満たしているから，前記（ウ）の変更を行うことによって，引用発明と本願補正発明との間に相違点１及び２以外の新たな相違点が生じることはない。
（オ）本願補正発明の「強い光酸が，パーフルオロオクタンスルホン酸，パーフルオロヘキサンスルホン酸，パーフルオロ（４−エチル）シクロヘキサンスルホン酸，または電子吸引基で置換されている芳香族スルホン酸である」という発明特定事項について，本願の発明の詳細な説明には，【０００９】に「例えば，好ましい「強い」光発生された酸の実例としては，パーフルオロ置換されたアルキルスルホン酸，例えば
パーフルオロオクタンスルホン酸
パーフルオロヘキサンスルホン酸
パーフルオロ（４−エチル）シクロヘキサンスルホン酸
電子吸引基，例えばフルオロ，ニトロ，シアノおよびトリフルオロメチルで置換されている芳香族スルホン酸
　また，前記記載から，「パーフルオロオクタンスルホン酸，パーフルオロヘキサンスルホン酸，パーフルオロ（４−エチル）シクロヘキサンスルホン酸」（本願補正発明において，「電子吸引基で置換されている芳香族スルホン酸」以外の「強い光酸」として列挙された物質）が，「強い光酸」として好ましいパーフルオロ置換されたアルキルスルホン酸の例であることを把握できるが，パーフルオロ置換されたアルキルスルホン酸のうちで，これらの酸を用いることで，例えば，「トリフルオロメタンスルホン酸」（引用発明における「強い光酸」）等の他のパーフルオロ置換されたアルキルスルホン酸を用いた場合に比べて如何なる効果が得られるのかは，当該記載からも本願の出願当初明細書の他の記載からも把握することができない。
　したがって，本願補正発明において，相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を具備することに格別の技術上の意義を見出すことはできない。
（カ）前記（ウ）ないし（オ）からみて，引用発明において，相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項のように構成することは，周知事項２に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
（キ）なお，仮に，相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項の「強い光酸」が大きい光酸を意味しているとした場合であっても，パーフルオロオクタンスルホン酸の大きさは２４４立方オングストロームであり，１０−カンファースルホン酸の大きさは１９３立方オングストロームであって，大きい光酸（すなわち「強い光酸」）はパーフルオロオクタンスルホン酸であるから，前記（カ）の結論が変わることはない。
　
（５）効果について
　本願補正発明が有する効果は，引用例１の記載，周知事項１及び周知事項２から当業者が予測することができた程度のものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，引用発明，周知事項１及び周知事項２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は，改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は前記のとおり却下されたので，本願の請求項１ないし４に係る発明は本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載されたとおりのものであるところ，そのうち，請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，前記第２〔理由〕１（１）に本件補正前の請求項１として示したとおりのものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由で請求項１に係る発明に対して引用された引用例の記載事項及び引用発明については，前記第２〔理由〕３（２）アのとおりである。
　
３　対比・判断 
　本願発明と引用発明とを対比すると，本願発明と引用発明とは，前記第２〔理由〕３（３）で示した相違点１（ただし「本願補正発明」を「本願発明」に読み替える。）で相違し，その余の点で一致する。
　そして，引用発明において，相違点１に係る本願発明の発明特定事項のように構成することは，前記第２〔理由〕３（４）アで述べたとおり，周知事項１に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　したがって，本願発明は，当業者が引用発明及び周知事項１に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知事項１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。