【事件の表示】
　特願２００８−　７４５１３「貼り合わせ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月　８日出願公開、特開２００９−２３１５０６、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２０年３月２１日の出願であって、平成２５年４月２３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年７月１７日に拒絶査定不服審判の請求がされ、同時に手続補正がされたものである。
　そして、同年８月１３日付けで審査官により作成された前置報告書に基づいて、同年８月２７日付けで審尋を行ったところ、審判請求人は同年１０月２２日付けで回答書を提出した。
　
第２　平成２５年７月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の適否
１　補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１−２を削除して、補正前の請求項３−６を補正後の請求項１−４とするとともに、明細書の発明の詳細な説明を補正しようとするものである。
　
２　補正の適否
　補正前の特許請求の範囲の請求項１−２を削除して、補正前の請求項３−６を補正後の請求項１−４とする補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に規定する請求項の削除、及び、同項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、本件補正に、特許法第１７条の２第３項に違反するところはない。
　したがって、本件補正は適法になされたものである。
　
第３　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２５年７月１７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　貼り合わせ基板の製造方法であって、
　少なくとも、
　シリコンウェーハと、ハンドルウェーハを準備する工程と、
　前記シリコンウェーハと前記ハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、表面活性化処理を行う工程と、
　前記ハンドルウェーハを静電チャックに吸着させる工程と、
　前記シリコンウェーハと前記ハンドルウェーハとを、該ハンドルウェーハを前記静電チャックに吸着させたまま貼り合わせる工程と、
　前記貼り合わせたウェーハを前記静電チャックに吸着させたまま熱処理を行う工程と、
　前記熱処理したウェーハを前記静電チャックより脱着させる工程と、
　前記脱着させたウェーハの前記シリコンウェーハを薄膜化する工程とを有し、
　前記熱処理工程の熱処理温度を２００℃以上とし、
　前記ハンドルウェーハを、熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上の材料からなるウェーハとすることを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。」
（以下、本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
第４　原査定の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
・請求項１〜６
・引用文献１
・備考
　引用文献１の、特に段落００４５〜００６８、請求項４を参照。
　引用文献１の段落００６８には、ステップが追加され、１つまたは複数のステップが除去され、あるいは１つまたは複数のステップが異なるシーケンスで実現される、他の代替案をも提供することができる旨記載されている。
　よって、引用文献１に記載された発明において、ハンドル基板の背面からバッキング基板を除去した後に、ドナー基板を薄膜化する工程を行うことは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
・請求項１、２、６
・引用文献１、２
・備考
　引用文献２の、特に段落００３６〜００４８を参照。
　引用文献１に記載されているように、基板を固定する手段として、真空チャックや静電チャックは、本願の出願前より知られていたものである。よって、引用文献２に記載された発明において、基板を固定する手段として、真空チャックにかえて、静電チャックを採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　また、ボンド基板とベース基板の貼り合わせる際に、熱処理を行うことは、本願の出願前より知られていた方法である。よって、引用文献２に記載された発明において、ボンド基板とベース基板の貼り合わせる際に、熱処理を行うことは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
・請求項３〜５
・引用文献１〜３
・備考
　引用文献２に記載された発明において、ベース基板として熱伝導率が大きい基板を採用することは、引用文献３の記載を参酌すれば、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.国際公開第２００６／０９３８１７号
２.特開２０００−０８２６４２号公報
３.特開２００６−２０２９８９号公報
　
第５　当審の判断
１　引用例とその記載事項、及び、引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１−引用例３には、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：国際公開第２００６／０９３８１７号
（１ａ）「 [0034] Figures 1 through 5 illustrate a layer transfer method for forming multi-layered substrate structures. As shown, we prepared certain samples of substrates that lead to breakage, and/or extreme surface roughness and discontinuous films. As merely an example, our initial substrate included silicon wafer 100, which is illustrated by Figure 1. The silicon wafer is single crystal silicon. The single crystal silicon was SEMI standard device grade material, P-type, 6 to 9 ohm-cm. The silicon wafer had surface region 107, a cleave region 103, and thickness of material 105 between the cleave region and the surface region. The cleave plane was provided using a hydrogen implantation process. Such hydrogen implantation process was provided at a dose of 6.6E16 atoms/cm 2  and an energy of about 34.5KeV according to a certain recipe.
[0035] The method also provided a transparent substrate 201 , which is illustrated by Figure 2. The transparent substrate had a thickness of about 800±20 microns, a backside surface, and a face. The transparent substrate was quartz, which was called synthetic quartz (VISIL-SQ, SX) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. of Tokyo, Japan. The surface roughness of the quartz was about 2 to 3 Angstroms surface roughness of a ten micron by a ten micron atomic force microscope (AFM) measurement.
[0036] 
The transparent substrate and silicon wafer were both subjected to plasma activated processes. Such plasma activated processes was used to clean and/or activate the surfaces of the substrates. Thereafter, each of these substrates were bonded together, as illustrated by Figure 3. As shown, the transparent substrate 201 has been bonded to silicon wafer 100. After bonding, the bonded structure was subjected to a bake treatment. The bake treatment maintained the bonded substrate to an anneal of about 350 Degrees Celsius for about 1 hour or so
[0037] 
The method performed a controlled cleaving process on the bonded substrate structure, as illustrated by Figure 3. The controlled cleaving process provided a selected energy 301 within a portion of the cleave region. As merely an example, the controlled cleaving process has been described in U.S. Patent No. 6,013,563 titled Controlled Cleaving Process, commonly assigned to Silicon Genesis Corporation of San Jose, California, and hereby incorporated by reference for all purposes. Upon performing the cleaving process, we discovered the certain portions of the bonded substrate deformed and/or flexed, as illustrated by Figure 4 upon initiation of the cleave energy provided by reference numeral 405
[0038] 
The method resulted in defects such as very rough films 501 , surface detachment 503, and/or film breakage 505 and other defects and imperfections. Such defects are unsuitable for the manufacture of integrated circuits or other devices. Based upon these activities, it was determined that a way to improve or at least reduce these defects among others for the manufacture of multi-layered substrate structures was needed that overcame undesirable bending characteristics. These and other limitations have been overcome using aspects of the present invention, which have been described throughout the present specification
[0035]この方法は、図２によって示される透明基板２０１を用意する。この透明基板は、約８００±２０μの厚さ、背面、正面を有する。この透明基板は、石英であり、この石英は、日本国東京の信越化学工業によって製造された合成水晶（ＶＩＳＩＬ−ＳＱ、ＳＸ）と呼ばれるものであった。この石英の表面粗さは、１０μ×１０μ原子間力顕微鏡（「ＡＦＭ」）測定の約２Åから約３Å表面粗さであった。
[0036]
透明基板とシリコン・ウエハの両方が、プラズマ活性化されたプロセス(plasma activated process)をうける。そのようなプラズマ活性化されたプロセスは、基板の表面を洗浄し、かつ／または活性化するのに使用された。その後、これらの基板のそれぞれが、図３によって示されるように一緒に結合された。図からわかるように、透明基板２０１は、シリコン・ウエハ１００に結合されている。結合の後に、結合された構造が、ベーキング処理をうけた。このベーキング処理は、結合された基板を、約１時間程度にわたって約３５０℃のアニールを維持した
[0037]
この方法は、図３によって示されるように、結合された基板構造に対して、制御された劈開プロセスを実行した。制御された劈開プロセスは、劈開領域の部分の中に選択されたエネルギ３０１を与える。単に例として、制御された劈開プロセスは、本願と共通して米国カリフォルニア州サン・ノゼのＳｉｌｉｃｏｎ　Ｇｅｎｅｓｉｓ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社に譲渡された、参照によってその全体が本明細書に組み込まれている米国特許第６０１３５６３号、名称「Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｃｌｅａｖｉｎｇ　Ｐｒｏｃｅｓｓ」に記載されている。劈開プロセスを実行する際に、図４によって示されるように、我々は、符号４０５によって示される劈開エネルギの開始の際に、結合された基板のある部分が変形し、かつ／または曲がることを発見した
[0038]
この方法は、非常に粗い膜５０１、表面剥離５０３、および／または膜破損５０５などの欠陥を生じ、さらに他の欠陥や不完全をもたらした。そのような欠陥は、集積回路または他のデバイスの製造に不適切である。これらの活動に基づいて、とりわけマルチレイヤ基板構造の製造に関して、望ましくない曲げ特性を克服する、これらの欠陥を改善し、または少なくとも減らすことが必要であると判定された。上記および他の制限は、本明細書全体を通じて説明される本発明の諸態様を使用することによって克服された
　
（１ｂ）「[0045] Figures 6 through 19 illustrates 
a method for manufacturing multi-layered substrates including devices using a backing member according to embodiments of the present invention
the method provides a transparent handle substrate 601
[0046] 
In alternative embodiments, the handle substrate can be any homogeneous, graded, or multilayered material, or any combination of these
the substrate can be silicon carbide
[0047] In a preferred embodiment, the present invention 
provides a backing substrate 701 to add rigidity to handle substrate structure
the backing substrate has a thickness and material that is adequate to provide an effective deflection characteristic of a multilayered structure composed of at least the backing substrate and handle substrates to be suitable for a thickness of silicon bearing material from the donor substrate to be transferred onto the face of the handle substrate
[0048] 
As merely an example, the backing substrate is a silicon wafer for the quartz handle substrate
[0049] In a specific embodiment, 
the method performs a cleaning and /or activating process (e.g., plasma activated process) on surfaces of the backing substrate 802 and/or transparent handle substrate 902
[0050] Referring to Figure 10, the method initiates engagement 1002 of the backing substrate to the backside of the transparent handle substrate that is often physically separated from other structures. 
The method preferably temporarily attaches the backing substrate to the backside of the transparent handle substrate to firmly engage the backing substrate to the transparent handle substrate to form a multilayered structure
[0051] As shown, the method includes 
providing a donor substrate 1201 comprising a cleave region 1203, a face 1205, a backside 1207, and a thickness of silicon bearing material 1209 between the face and the cleave region
the donor substrate can be a silicon wafer
[0052] Depending upon the embodiment, the cleave region can be formed using a variety of techniques. That is, the cleave region can be formed using any suitable combination of implanted particles, deposited layers, diffused materials, patterned regions, and other techniques. Referring to Figure 12, the method introduces certain energetic particles 1211 using an implant process through a top surface of a donor substrate to a selected depth, which defines a thickness of the material region, termed the thin film of material. A variety of techniques can be used to implant the energetic particles into the silicon wafer. These techniques include ion implantation using, for example, beam line ion implantation equipment manufactured from companies such as Applied Materials, Inc. and others. Alternatively, implantation occurs using a plasma immersion ion implantation (PHI) technique, ion shower, and other non-mass specific techniques. Combination of such techniques may also be used. Of course, techniques used depend upon the application.
[0053] Depending upon the application, smaller mass particles are generally selected to reduce a possibility of damage to the material region according to a preferred embodiment. That is, smaller mass particles easily travel through the substrate material to the selected depth without substantially damaging the material region that the particles traverse through. For example, the smaller mass particles (or energetic particles) can be almost any charged (e.g., positive or negative) and or neutral atoms or molecules, or electrons, or the like. In a specific embodiment, the particles can be neutral and or charged particles including ions such as ions of hydrogen and its isotopes, rare gas ions such as helium and its isotopes, and neon, or others depending upon the embodiment. The particles can also be derived from compounds such as gases, e.g., hydrogen gas, water vapor, methane, and hydrogen compounds, and other light atomic mass particles. Alternatively, the particles can be any combination of the above particles, and or ions and or molecular species and or atomic species. The particles generally have sufficient kinetic energy to penetrate through the surface to the selected depth underneath the surface.
[0054] Using hydrogen as the implanted species into the silicon wafer as an example, the implantation process is performed using a specific set of conditions. Implantation dose ranges from about 10 15  to about 10 18  atoms/cm 2 , and preferably the dose is greater than about 10 16  atoms/cm 2 . Implantation energy ranges from about 1 KeV to about 1 MeV , and is generally about 50 KeV. Implantation temperature ranges from about 200 to about 600 Degrees Celsius, and is preferably less than about 400 Degrees Celsius to prevent a possibility of a substantial quantity of hydrogen ions from diffusing out of the implanted silicon wafer and annealing the implanted damage and stress. The hydrogen ions can be selectively introduced into the silicon wafer to the selected depth at an accuracy of about +/-0.03 to +/-0.05 microns. Of course, the type of ion used and process conditions depend upon the application.
[0055] Effectively, the implanted particles add stress or reduce fracture energy along a plane 1301 parallel to the top surface of the substrate at the selected depth. The energies depend, in part, upon the implantation species and conditions. These particles reduce a fracture energy level of the substrate at the selected depth. This allows for a controlled cleave along the implanted plane at the selected depth. Implantation can occur under conditions such that the energy state of the substrate at all internal locations is insufficient to initiate a non-reversible fracture (i.e., separation or cleaving) in the substrate material. It should be noted, however, that implantation does generally cause a certain amount of defects (e.g., micro-detects) in the substrate that can typically at least partially be repaired by subsequent heat treatment, e.g., thermal annealing or rapid thermal annealing. A resulting substrate 1300, which has been subject to implant, is illustrated by the simplified diagram of Figure 13.
[0056] Depending upon the embodiment, there may be other techniques for forming a cleave region and/or cleave layer. As merely an example, such cleave region is formed using other processes, such as those called a NanocleaveＴＭ process of Silicon Genesis
Corporation of Santa Clara, California, a SmartCutＴＭ process of Soitec SA of France, and an EltranＴＭ process of Canon Inc. of Tokyo, Japan, any like processes, and others. Of course, there may be other variations, modifications, and alternatives.
[0057] Referring to Figure 14, 
the transparent handle substrate, which has been coupled to the backing, and donor substrate are both subjected to plasma activated processes
Such plasma activated processes clean and/or activate the surfaces of the substrates
[0058] Thereafter, 
each of these substrates is bonded together
[0059] Accordingly, 
after bonding, the bonded structure is subjected to a bake treatment
The bake treatment maintains the bonded substrate at a predetermined temperature and predetermined time
Preferably, the temperature ranges from about 200 or 250 Degrees Celsius to about 400 Degrees Celsius and is preferably about 350 Degrees Celsius for about 1 hour or so for silicon donor substrates and transparent quartz handle substrates
[0060] In a specific embodiment, the substrates are joined or fused together using a low temperature thermal step. The low temperature thermal process generally ensures that the implanted particles do not place excessive stress on the material region, which can produce an uncontrolled cleave action. In a specific embodiment, the low temperature bonding process occurs by a self-bonding process. In particular, one wafer is stripped to remove oxidation there from (or one substrate is not oxidized). A cleaning solution treats the surface of the wafer to form O--H bonds on the wafer surface. An example of a solution used to clean the wafer is a mixture of hydrogen peroxide and sulfuric acid, and other like solutions. A dryer dries the wafer surfaces to remove any residual liquids or particles from the substrate surfaces. Self-bonding occurs by placing surfaces of cleaned substrates together.
[0061] Alternatively, an adhesive disposed on either or both surfaces of the substrates, which bond one substrate to another substrate. In a specific embodiment, the adhesive includes an epoxy, polyimide-type materials, and the like. Spin-on-glass layers can be used to bond one substrate surface onto the face of another. These spin-on-glass (SOG) materials include, among others, siloxanes or silicates, which are often mixed with alcohol-based solvents or the like. SOG can be a desirable material because of the low temperatures (e.g., 150 to 250 degree C) often needed to cure the SOG after it is applied to surfaces of the wafers.
[0062] Alternatively, a variety of other low temperature techniques can be used to join the donor wafer to the handle substrates. For instance, an electro-static bonding technique can be used to join the two substrates together. In particular, one or both substrate surface(s) is charged to attract to the other substrate surface. Additionally, the donor substrate can be fused to the handle wafer using a variety of other commonly known techniques. Of course, the technique used depends upon the application.
[0063] 
The method performs a controlled cleaving process 1601 on the bonded substrate structure
[0064] In a preferred embodiment, 
the method removes the backing substrate from the transparent handle substrate
[0065] Referring to Figure 19, the method forms devices 1901 onto surfaces of the thickness of silicon bearing material. Such devices can include integrated semiconductor devices, photonic and/or optoelectronic devices (e.g., light valves), piezoelectronic devices, microelectromechanical systems (MEMS), nano-technology structures, sensors, actuators, solar cells, flat panel displays (e.g., LCD, AMLCD), biological and biomedical devices, and the like. Such devices can be made using deposition, etching, implantation, photo masking processes, any combination of these, and the like. Of course, there can be other variations, modifications, and alternatives. Further details of alternative embodiments of the present invention can be found throughout the present specification and more particularly below.
[0066] In an alternative specific embodiment, the present invention provides a method for fabricating devices on a multilayered substrate structure according to an alternative embodiment of the present invention may be outlined as follows:
1. Provide a handle substrate, which has a first deflection characteristic, a backside and a face;
2. Provide a donor substrate comprising a cleave region, the thickness of material, and a surface region, the cleave region is within the donor substrate to define a thickness of material;
3. Perform a cleaning and /or activating process on surfaces of the handle and donor substrates;
4. Bond the surface region of the donor substrate to the face of the handle substrate;
5. Provide a backing substrate that is adequate to cause the first deflection characteristic of the handle substrate to be reduced to a predetermined level, which is a suitable deflection characteristic for a thickness of material to be transferred onto the face of the handle substrate while the backing substrate remains attached to the handle substrate to maintain at least the suitable deflection characteristic;
6. Perform a cleaning and /or activating process on surfaces of the handle and backing substrates;
7. Couple the backing substrate to the backside of the handle substrate;
8. Initiate a controlled cleaving process within a portion of the cleave region of the donor substrate to begin removal of the thickness of material from the donor substrate at a portion of the cleave region;
9. Optionally, remove the backing substrate from the backside of the handle substrate;
10. Form one or more devices on the detached thickness of material; and
11. Perform other steps, as desired. 
[0067] In an alternative specific embodiment, the present invention provides a method for fabricating a multilayered substrate structure according to an alternative embodiment of the present invention may be outlined as follows:
1. Provide a handle substrate, which has a first deflection characteristic, a backside and a face;
2. Provide a donor substrate comprising a cleave region, the thickness of material, and a surface region, the cleave region is within the donor substrate to define a thickness of material;
3. Perform a cleaning and /or activating process on surfaces of the handle and donor substrates;
4. Bond the surface region of the donor substrate to the face of the handle substrate;
5. Provide a backing substrate that is adequate to cause the first deflection characteristic of the handle substrate to be reduced to a predetermined level, which is a suitable deflection characteristic for a thickness of material to be transferred onto the face of the handle substrate while the backing substrate remains attached to the handle substrate to maintain at least the suitable deflection characteristic;
6. Perform a cleaning and /or activating process on surfaces of the handle and backing substrates;
7. Couple the backing substrate to the backside of the handle substrate;
8. Initiate a controlled cleaving process within a portion of the cleave region of the donor substrate to begin removal of the thickness of material from the donor substrate at a portion of the cleave region;
9. Optionally, remove the backing substrate from the backside of the handle substrate; and
10. Perform other steps, as desired.
[0068] The above sequence of steps provides a method according to an embodiment of the present invention. 
As shown, the method uses a combination of steps including a way of forming a multilayered substrate structure and devices using a stiffening substrate on a substrate having undesirable bending characteristics
Other alternatives can also be provided where steps are added, one or more steps are removed, or one or more steps are provided in a different sequence without departing from the scope of the claims herein
バッキング部材を使用してデバイスを含むマルチレイヤ基板を製造する方法を示す
透明ハンドル基板６０１を用意する
[0046]
代替実施形態では、ハンドル基板を、任意の同質材料、傾斜材料、またはマルチレイヤ材料、あるいはこれらの任意の組合せとすることができる
基板は、炭化珪素
[0047]好ましい実施形態では、本発明は、図７に示されているように、
ハンドル基板構造に剛性を追加するためにバッキング基板７０１を用意する
バッキング基板は、ドナー基板からのシリコン担持材料の層をハンドル基板の正面に転写するのに適切な、少なくともバッキング基板とハンドル基板からなるマルチレイヤ構造の有効たわみ特性を与えるのに適切な厚さと材料を有する
[0048]
単に例として、バッキング基板は、石英ハンドル基板に対してシリコン・ウエハである
[0049]特定の実施形態では、この方法は、図８および９によって示されるように、
バッキング基板の表面に対する洗浄プロセスおよび／または活性化プロセス８０２ならびに／あるいは透明ハンドル基板の表面に対する洗浄プロセスおよび／または活性化プロセス９０２（たとえば、プラズマ活性化されたプロセス）を実行する
[0050]図１０を参照すると、この方法は、他の構造から物理的に分離されることが多い透明ハンドル基板の背面へのバッキング基板の係合１００２を開始する。
この方法は、好ましくは、マルチレイヤ構造を形成するためにバッキング基板を透明ハンドル基板にしっかりと係合させるために透明ハンドル基板の背面にバッキング基板を一時的に取り付ける
[0051]図示されているように、この方法は、図１２に示されているように、
劈開領域１２０３、正面１２０５、背面１２０７、正面と劈開領域との間のシリコン担持材料の層１２０９を含むドナー基板１２０１を用意する
ドナー基板を、シリコン・ウエハ
[0052]実施形態に応じて、劈開領域を、さまざまな技法を使用して形成することができる。すなわち、劈開領域は、注入される粒子、堆積されるレイヤ、拡散される物質、パターン形成される領域、その他の技法の任意の適切な組合せを使用して形成することができる。図１２を参照すると、この方法は、ドナー基板の上面を介する選択された深さまでの注入プロセスを使用して、あるエネルギ粒子１２１１を導入し、この選択された深さは、材料の「薄膜」と称する材料領域の層を定義する。さまざまな技法を使用して、エネルギ粒子をシリコン・ウエハに注入することができる。これらの技法に、たとえば、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．社や他の会社によって製造されるビーム・ライン・イオン注入(beam line ion implantation)機器を使用するイオン注入が含まれる。代替案では、注入は、プラズマ浸入イオン注入(plasma immersion ion implantation)（「ＰＩＩＩ」）技法、イオン・シャワー、その他の質量固有でない技法を使用して行われる。そのような技法の組合せを使用することもできる。もちろん、使用される技法は、応用例に依存する。
[0053]応用例に応じて、より小さい質量の粒子が、一般に、好ましい実施形態に従って材料領域への損傷の可能性を減らすために選択される。すなわち、より小さい質量の粒子は、その粒子が通る材料領域に実質的に損傷を与えずに、基板材料を通って選択された深さまで簡単に移動する。たとえば、より小さい質量の粒子（またはエネルギ粒子）は、ほとんどが、任意の帯電した（たとえば正または負の）および／または中性の原子もしくは分子または電子あるいは類似物とすることができる。特定の実施形態で、粒子は、実施形態に応じて、水素とその同位元素のイオン、ヘリウムとその同位元素、ネオンなどの希ガス・イオンまたは他のイオンなどのイオンを含む中性のおよび／または帯電した粒子とすることができる。粒子は、たとえば水素ガス、水蒸気、メタン、水素化合物のガス、その他の軽い原子質量の粒子などの化合物から導出することもできる。代替案では、粒子を、上記の粒子および／またはイオンおよび／または分子種および／または原子種の任意の組合せとすることができる。粒子は、一般に、表面を通って表面の下の選択された深さまで貫通するのに十分な運動エネルギを有する。
[0054]例として、シリコン・ウエハに注入される種として水素を使用すると、注入プロセスは、条件の特定の組を使用して実行される。注入線量は、約１０15原子／ｃｍ2から約１０18原子／ｃｍ2までの範囲にわたり、好ましくは、線量は、約１０16原子／ｃｍ2を超える。注入エネルギは、約１ＫｅＶから約１ＭｅＶまでの範囲にわたり、一般に約５０ＫｅＶである。注入温度は、約２００℃から約６００℃の範囲にわたり、好ましくは、かなりの量の水素イオンが、注入されるシリコン・ウエハから外に拡散し、注入された損傷や応力をアニールする可能性を防ぐために、約４００℃未満である。水素イオンを、約±０．０３μから約±０．０５μまでの正確さでシリコン・ウエハの選択された深さまで選択的に導入することができる。もちろん、使用されるイオンの種類やプロセス条件は、応用例に依存する。
[0055]効果的に、注入される粒子は、選択された深さにある、基板の上面に平行な平面１３０１に沿った応力を増やす、すなわち、破断エネルギを減らす。このエネルギは、部分的には注入種と注入条件に依存する。これらの粒子は、選択された深さでの基板の破断エネルギ・レベルを減らす。これは、注入された平面に沿った選択された深さでの制御された劈開を可能にする。注入は、すべての内部位置での基板のエネルギ状態が基板材料内の非可逆破断（すなわち、分離または劈開）を開始するのに不十分になる条件の下で行うことができる。しかし、注入線量が、一般に、後続熱処理、たとえば熱アニールまたは高速熱アニールによって通常は少なくとも部分的に修復できる基板内のある量の欠陥（たとえば、マイクロ欠陥）を引き起こすことに留意されたい。注入をうけた、結果の基板１３００は、図１３の単純化された図によって示される。
[0056]実施形態に応じて、劈開領域および／または劈開レイヤを形成する他の技法が存在する。単に例として、そのような劈開領域は、米国カリフォルニア州サンタ・クララのＳｉｌｉｃｏｎ  Ｇｅｎｅｓｉｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社のＮａｎｏｃｌｅａｖｅ（商標）プロセスと呼ばれる技法、フランス国のＳｏｉｔｅｃ  ＳＡ社のＳｍａｒｔＣｕｔ（商標）プロセス、日本国東京のキャノン社のＥｌｔｒａｎ（商標）プロセス、それらの類似するプロセス、その他のプロセスなど、他のプロセスを使用して形成される。もちろん、他の変形形態、修正形態、代替形態があり得る。
[0057]図１４を参照すると、
バッキングに連結された透明ハンドル基板と、ドナー基板との両方が、プラズマ活性化されたプロセスをうける
そのようなプラズマ活性化されたプロセスは、基板の表面を洗浄し、かつ／または活性化する
[0058]その後、やはり図１４によって示されるように、
これらの基板のそれぞれを一緒に結合する
[0059]したがって、
結合の後に、結合された構造は、ベーキング処理をうける
このベーキング処理は、結合された基板を所定の時間だけ所定の温度に維持する
好ましくは、温度は、約２００℃または約２５０℃から約４００℃までの範囲にわたり、シリコン・ドナー基板と透明石英ハンドル基板について好ましくは約１時間程度にわたって約３５０℃である
[0060]特定の実施形態で、基板は、低温熱ステップ(low temperature thermal step)を使用して一緒に接合されまたは融着される。低温熱プロセスは、一般に、注入された粒子が、制御されない劈開作用を生じる可能性がある過度の応力を材料領域に働かせないことを保証する。特定の実施形態で、低温結合プロセスは、自己結合プロセスによって行われる。具体的に言うと、１つのウエハが、酸化を除くためためにはぎ取られる（すなわち、１つの基板が酸化されない）。洗浄液が、ウエハの表面を処理して、ウエハ表面にＯ−Ｈ結合を形成する。ウエハの洗浄に使用される液の例が、過酸化水素、硫酸、その他の類似する液の混合物である。乾燥機が、ウエハ表面を乾かして、すべての残留する液または粒子を基板表面から除去する。自己結合は、洗浄された基板の表面を一緒に置くことによって行われる。
[0061]代替案では、接着剤が基板の一方または両方の表面に配置される。この接着剤は、一方の基板をもう１つの基板に結合する。特定の実施形態で、接着剤は、エポキシ、ポリイミドタイプの材料、それらの類似物を含む。スピンオングラス・レイヤを使用して、一方の基板表面をもう１つの基板の正面に結合させることができる。これらのスピンオングラス（「ＳＯＧ」）材料に、とりわけ、シロキサンまたは珪酸塩が含まれ、このシロキサンまたは珪酸塩は、しばしば、アルコール系の溶剤または類似物と混合される。ＳＯＧは、ウエハの表面に塗布された後にＳＯＧを硬化させるのにしばしば必要な低温（たとえば、１５０℃から２５０℃）のゆえに、望ましい材料である。
[0062]代替案では、さまざまな他の低温技法を使用して、ドナー・ウエハをハンドル基板に接合させることができる。たとえば、静電結合技法を使用して、２つの基板を一緒に接合することができる。具体的に言うと、一方または両方の基板表面を帯電させて、他方の基板表面を引き付ける。さらに、ドナー基板を、さまざまな他の一般に知られている技法を使用してハンドル・ウエハに融着することができる。もちろん、使用される技法は、応用例に依存する。
[0063]この方法は、図１５、１６によって示されるように、
結合された基板構造に対して制御された劈開プロセス１６０１を実行する
[0064]好ましい実施形態では、この方法は、図１８に示されているように、
透明ハンドル基板からバッキング基板を除去する
[0065]図１９を参照すると、この方法は、シリコン担持材料の層の表面にデバイス１９０１を形成する。そのようなデバイスに、集積された半導体デバイス、フォトニック・デバイス、および／または光エレクトロニクス・デバイス（たとえば、光弁）、ピエゾエレクトロニック・デバイス、微細電気機械システム（「ＭＥＭＳ」）、ナノテクノロジ構造、センサ、アクチュエータ、太陽電池、フラット・パネル・ディスプレイ（たとえば、ＬＣＤ、ＡＭＬＣＤ）、生物デバイスと生医学デバイス、それらの類似物を含めることができる。そのようなデバイスは、堆積、エッチング、注入、フォト・マスク・プロセス、これらの任意の組合せ、それらの類似物を使用することによって作ることができる。もちろん、他の変形形態、修正形態、代替形態があり得る。本発明の代替実施形態のさらなる詳細は、本明細書全体を通じて、より具体的には下で見ることができる。
[0066]代替の特定の実施形態では、本発明は、本発明の代替実施形態によるマルチレイヤ基板構造上でデバイスを製造する方法を提供する、次のように概要を示すことができる。
  １．第１たわみ特性、背面、正面を有するハンドル基板を用意し、
  ２．劈開領域、材料の層、表面領域を含むドナー基板を用意し（劈開領域は、材料の層を定義するためにドナー基板内にある）、
  ３．ハンドル基板とドナー基板の表面に対して洗浄プロセスおよび／または活性化プロセスを実行し、
  ４．ハンドル基板の正面にドナー基板の表面領域を結合させ、
  ５．バッキング基板が少なくとも適切なたわみ特性を維持するためにハンドル基板に取り付けられたままである間に、材料の層をハンドル基板の正面に転写するのに適切なたわみ特性である所定のレベルまでハンドル基板の第１たわみ特性を減少させるのに適切なバッキング基板を用意し、
  ６．ハンドル基板とバッキング基板の表面に対して洗浄プロセスおよび／または活性化プロセスを実行し、
  ７．バッキング基板をハンドル基板の背面に連結し、
  ８．劈開領域の部分でのドナー基板からの材料の層の除去を開始するためにドナー基板の劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始し、
  ９．任意選択として、ハンドル基板の背面からバッキング基板を除去し、
  １０．材料の剥離された層の上で１つまたは複数のデバイスを形成し、
  １１．望みに応じて他のステップを実行する。
[0067]代替の特定の実施形態では、本発明は、本発明の代替実施形態によるマルチレイヤ基板構造を製造する方法を提供する、次のように概要を示すことができる。
  １．第１たわみ特性、背面、正面を有するハンドル基板を用意し、
  ２．劈開領域、材料の層、表面領域を含むドナー基板を用意し（劈開領域は、材料の層を定義するためにドナー基板内にある）、
  ３．ハンドル基板とドナー基板の表面に対して洗浄プロセスおよび／または活性化プロセスを実行し、
  ４．ハンドル基板の正面にドナー基板の表面領域を結合させ、
  ５．バッキング基板が少なくとも適切なたわみ特性を維持するためにハンドル基板に取り付けられたままである間に、材料の層をハンドル基板の正面に転写するのに適切なたわみ特性である所定のレベルまでハンドル基板の第１たわみ特性を減少させるのに適切なバッキング基板を用意し、
  ６．ハンドル基板とバッキング基板の表面に対して洗浄プロセスおよび／または活性化プロセスを実行し、
  ７．バッキング基板をハンドル基板の背面に連結し、
  ８．劈開領域の部分でのドナー基板からの材料の層の除去を開始するためにドナー基板の劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始し、
  ９．任意選択として、ハンドル基板の背面からバッキング基板を除去し、
  １０．望みに応じて他のステップを実行する。
[0068]上のステップのシーケンスは、本発明の実施形態による方法を実現する。
示されているように、この方法は、望ましくない曲げ特性を有する基板上で、強化基板を使用してマルチレイヤ基板構造とデバイスを形成することを含むステップの組合せを使用する
本明細書に添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱せずに、ステップが追加され、１つまたは複数のステップが除去され、あるいは１つまたは複数のステップが異なるシーケンスで実現される、他の代替案をも提供することができる
　
（１ｃ）「 WHAT IS CLAIMED IS:
  1. A method for manufacturing multi-layered substrates, the method comprising:
　 providing a donor substrate, the donor substrate having a first deflection characteristic, the donor substrate having a backside, a face, a cleave region, and a thickness of material defined between the cleave region and the face;
　bonding the face of the donor substrate to a face of the handle substrate; 
　
coupling a backing substrate to the backside of the donor substrate
　
initiating a controlled cleaving process within a portion of the cleave region of the donor substrate to begin removal of the thickness of material from the donor substrate at a portion of the cleave region, while the backing substrate remains intact to the donor substrate to maintain at least the suitable deflection characteristic
  2. The method of claim 1 further comprising: removing the thickness of material from the donor substrate; and forming one or more devices on a portion of the thickness of material.
  3. The method of claim 2 wherein the one or more devices includes at least an optoelectronic device or an integrated circuit or an optical device.
  4. The method of claim 2 wherein 
the backing substrate comprises one of an electrostatic chuck
  第１たわみ特性を有し、さらに、背面、正面、劈開領域をゆうするとともに前記劈開領域と前記正面との間で決められる材料の層を有するドナー基板を用意すること、
  前記ドナー基板の前記正面をハンドル基板の正面に結合することと、
  マルチレイヤ構造を形成するために
バッキング基板を前記ドナー基板の前記背面に連結する
  
前記バッキング基板が少なくとも前記適切なたわみ特性を維持するために前記ドナー基板に対して損なわれないままである間に、前記劈開領域の部分で前記ドナー基板からの材料の前記層の除去を開始するために前記ドナー基板の前記劈開領域の部分内での制御された劈開プロセスを開始する
  を含む、マルチレイヤ基板を製造する方法。
【請求項２】
  前記ドナー基板から材料の前記層を除去することと、
  材料の前記層の一部の上で１つまたは複数のデバイスを形成することと
  をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
  前記１つまたは複数のデバイスは、少なくとも光エレクトロニクス・デバイスまたは集積回路または光デバイスを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
  
前記バッキング基板は
静電チャック
　
イ　引用発明１
　引用例１の上記摘記（１ｂ）を総合勘案すれば、引用例１には以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「透明ハンドル基板を用意する工程と、
　前記ハンドル基板構造に剛性を追加するためにバッキング基板を用意する工程と、
　前記バッキング基板の表面に対する洗浄プロセスおよび／または活性化プロセスならびに／あるいは前記透明ハンドル基板の表面に対する洗浄プロセスおよび／または活性化プロセス（たとえば、プラズマ活性化されたプロセス）を実行する工程と、
　前記バッキング基板を前記透明ハンドル基板にしっかりと係合させるために前記透明ハンドル基板の背面に前記バッキング基板を一時的に取り付ける工程と、
　劈開領域、正面、背面、正面と劈開領域との間のシリコン担持材料の層を含むドナー基板（ドナー基板を、シリコン・ウエハとすることができる。）を用意する工程と、
　前記バッキングに連結された前記透明ハンドル基板と、前記ドナー基板との両方が、プラズマ活性化されたプロセスをうけることで、基板の表面を洗浄し、かつ／または活性化する工程と、
　これらの基板のそれぞれを一緒に結合する工程と、
　前記結合の後に、結合された構造は、約２００℃または約２５０℃から約４００℃までの範囲にわたる温度（シリコン・ドナー基板と透明石英ハンドル基板について好ましくは約１時間程度にわたって約３５０℃）であるベーキング処理をうける工程と、
　前記結合された基板構造に対して制御された劈開プロセスを実行する工程と、
　前記透明ハンドル基板から前記バッキング基板を除去する工程とを有する、
　バッキング部材を使用してデバイスを含むマルチレイヤ基板を製造する方法であって、
　前記バッキング基板は、前記ドナー基板からの前記シリコン担持材料の層を前記ハンドル基板の正面に転写するのに適切な、少なくとも前記バッキング基板と前記ハンドル基板からなる前記マルチレイヤ構造の有効たわみ特性を与えるのに適切な厚さと材料を有するものである、
　バッキング部材を使用してデバイスを含むマルチレイヤ基板を製造する方法。」
　
ウ　引用例２：特開２０００−０８２６４２号公報
（２ａ）「【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本願の発明の第１及び第２実施形態を、図１、２を参照しながら説明する。図１が、第１実施形態を示している。この第１実施形態では、図１（ａ）に示す様に、一つの面に絶縁膜１６等が形成されておりボンド基板である半導体基板１１と、ベース基板であり半導体基板１１に貼り合わされるべき半導体基板１２とを用意する。
【００３７】半導体基板１１、１２は例えばＳｉ基板であり、絶縁膜１６は例えばＳｉＯ2 膜であり、絶縁膜１６が半導体基板１１よりも熱収縮係数が小さい。このため、図１（ａ）に示す様に、半導体基板１２は平坦であるが、半導体基板１１は絶縁膜１６の表面つまり半導体基板１１の貼り合わせ面１１ａが凸状になる様に湾曲している。つまり、用意した半導体基板１１、１２は、図４に示した従来例と実質的に同様である。
【００３８】しかし、この第１実施形態では、平坦な真空チャック１３で平坦な状態に固定する対象が、図４（ｂ）に示した様に半導体基板１２ではなく、図１（ｂ）に示す様に半導体基板１１である。真空チャック１３で半導体基板１１を固定した後は、図３に示した方法と同様の工程を実行して半導体基板１１、１２同士を貼り合わせる。
【００３９】貼り合わせ後に真空チャック１３による半導体基板１１の固定を解除すると、半導体基板１１には熱収縮係数の差に起因して貼り合わせ面１１ａを凸状に戻そうとする力が働き、半導体基板１２には接着時の伸びに起因して貼り合わせ面１２ａを凸状にしようとする力が働く。
【００４０】つまり、貼り合わせ後には、半導体基板１１、１２の両方に働く力が互いに弱め合って、図１（ｃ）に示す様に、貼り合わせ前の半導体基板１１よりも湾曲が軽減されている貼り合わせＳＯＩ基板１５が形成される。
【００４１】図２が、第２実施形態を示している。この第２実施形態でも、図２（ａ）に示す様に、
一つの面に絶縁膜１６等が形成されておりボンド基板である半導体基板１１
ベース基板であり半導体基板１１に貼り合わされるべき半導体基板１２
【００４２】しかし、
半導体基板１１、１２は上述の第１実施形態と同様に例えばＳｉ基板
絶縁膜１６は例えばＳｉＮ膜
半導体基板１２は平坦
半導体基板１１は絶縁膜１６の表面つまり半導体基板１１の貼り合わせ面１１ａが凹状になる様に湾曲している
【００４３】しかし、この第２実施形態では、
平坦な真空チャック１３で平坦な状態に固定する対象が
半導体基板１２
半導体基板１１、１２同士を貼り合わせる
【００４４】貼り合わせ後に真空チャック１３による半導体基板１２の固定を解除すると、半導体基板１１には熱収縮係数の差に起因して貼り合わせ面１１ａを凹状に戻そうとする力と接着時の伸びに起因して貼り合わせ面１１ａを凸状にしようとする力との両方が働く。
【００４５】つまり、貼り合わせ後には、半導体基板１１に働く力が互いに弱め合って、図２（ｃ）に示す様に、貼り合わせ前の半導体基板１１よりも湾曲が軽減されている貼り合わせＳＯＩ基板１５が形成される。
【００４６】図４、５に示した何れの従来例でも、貼り合わせＳＯＩ基板１５の半導体基板１１を研削して形成した島状の半導体層及び絶縁膜１６のパターンが、既述の様に−４ｐｐｍ〜２５ｐｐｍ程度の範囲で伸縮していた。しかし、図１、２に示した第１及び第２実施形態では、半導体基板１１の一つの面に凹部が形成されていても、貼り合わせＳＯＩ基板１５の半導体基板１１を研削して形成した島状の半導体層及び絶縁膜１６のパターンは絶対値が３ｐｐｍ以下の範囲でしか伸縮していない。
【００４７】なお、上述の第１及び第２実施形態では、加圧棒１４で半導体基板１２や半導体基板１１に圧力を加えているが、圧縮気体等で半導体基板１２や半導体基板１１に圧力を加えれば、加圧棒１４が接触することによる半導体基板１２や半導体基板１１の汚染を防止したり、均等な面圧によって貼り合わせ面１１、１２における気泡の残留を防止したりすることができる。
【００４８】また、上述の第１及び第２実施形態は、一つの面に絶縁膜１６等が形成されているために湾曲している半導体基板１１と別の平坦な半導体基板１２との貼り合わせに本願の発明を適用したものであるが、半導体基板以外の基板であって何らかの理由で湾曲している基板と別の平坦な基板との貼り合わせ等にも本願の発明を適用することができる。」　
　
エ　引用発明２
　引用例２の上記摘記（２ａ）を総合勘案すれば、引用例２には以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「一つの面に絶縁膜であるＳｉＮ膜が形成されている、前記絶縁膜の表面つまり貼り合わせ面が凹状になる様に湾曲している、ボンド基板であるＳｉ基板を用意する工程と、
　平坦な、ベース基板であるＳｉ基板を用意する工程と、
　前記ベース基板であるＳｉ基板を、平坦な真空チャックで平坦な状態に固定する工程と、
　前記ボンド基板であるＳｉ基板と、前記ベース基板であるＳｉ基板を、前記絶縁膜であるＳｉＮ膜を介して貼り合わせる工程と、
　を有する、基板の貼り合わせ方法。」
　
オ　引用例３：特開２００６−２０２９８９号公報
（３ａ）「【００２３】
　図１は、本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示す工程図である。
　まず、
単結晶シリコンウェーハ及び単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい熱伝導性基板を用意する
　単結晶シリコンウェーハとしては特に限定されず、例えばチョクラルスキー法により育成された単結晶をスライスして得られたもので、例えば直径が１００〜３００ｍｍ、導電型がＰ型またはＮ型、抵抗率が１０Ω・ｃｍ程度のものを用いることができる。
　また、熱伝導性基板も特に限定されないが、これを窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化ボロン、ダイヤモンドのいずれかを含むものとすれば、大幅に単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい基板となる。すなわち、熱伝導率についてはシリコンが１４８Ｗ／ｍＫであるのに対して、窒化アルミニウムは３３０Ｗ／ｍＫ、炭化珪素（ＳｉＣ）は４５０Ｗ／ｍＫ、窒化ボロンは立方晶窒化ボロン（ｃ−ＢＮ）で６００Ｗ／ｍＫ、ダイヤモンドは２０００Ｗ／ｍＫであり十分に大きいから、これを用いて基板からの放熱性に優れたＳＯＩウェーハを製造できる。
【００２４】
　次に、単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する（工程Ｂ）。
　例えば、単結晶シリコンウェーハの温度を２５０〜４５０℃とし、その表面から所望のＳＯＩ層の厚さに対応する深さ、例えば０．５μｍ以下の深さにイオン注入層を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する。このときの条件として、例えば注入エネルギーは５０〜１００ｋｅＶ、注入線量は１×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２とできる。また、単結晶シリコンウェーハの表面にあらかじめ薄いシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成しておき、それを通してイオン注入を行なえば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。
【００２５】
　
次に、この単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は熱伝導性基板の表面をプラズマ及び／又はオゾンで処理する
　プラズマで処理をする場合、真空チャンバ中にＲＣＡ洗浄等の洗浄をした単結晶シリコンウェーハ及び／又は熱伝導性基板を載置し、プラズマ用ガスを導入した後、１００Ｗ程度の高周波プラズマに５〜１０秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、単結晶シリコンウェーハを処理する場合、表面を酸化する場合には酸素ガスのプラズマ、酸化しない場合には水素ガス、アルゴンガス、又はこれらの混合ガスあるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスを用いることができる。熱伝導性基板を処理する場合はいずれのガスでもよい。
【００２６】
　オゾンで処理をする場合は、大気を導入したチャンバ中にＲＣＡ洗浄等の洗浄をした単結晶シリコンウェーハ及び／又は熱伝導性基板を載置し、窒素ガス、アルゴンガス等のプラズマ用ガスを導入した後、高周波プラズマを発生させ、大気中の酸素をオゾンに変換することで、表面をオゾン処理する。プラズマ処理とオゾン処理とはどちらか一方又は両方行なうことができる。
【００２７】
　このプラズマ及び／又はオゾンで処理することにより、単結晶シリコンウェーハ及び／又は熱伝導性基板の表面の有機物が酸化して除去され、さらに表面のＯＨ基が増加し、活性化する。処理する面としては、接合面とされ、単結晶シリコンウェーハであれば、イオン注入面とされる。処理は単結晶シリコンウェーハ、熱伝導性基板の両方ともに行なうのがより好ましいが、いずれか一方だけ行なってもよい。
【００２８】
　
次に、この単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と熱伝導性基板の表面とを、プラズマ及び／又はオゾンで処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する
　工程Ｃにおいて、単結晶シリコンウェーハのイオン注入面または熱伝導性基板の表面の少なくとも一方がプラズマ処理及び／又はオゾン処理されているので、これらを例えば減圧または常圧下、一般的な室温程度の温度下で密着させるだけで後工程での機械的剥離に耐え得る強度で強く接合できる。従って、１２００℃以上といった高温の結合熱処理が必要でなく、加熱により問題になる熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなく好ましい。
【００２９】
　
なお、この後、接合したウェーハを１００〜３００℃の低温で熱処理して結合力を高める工程を行なってもよい
　例えば熱伝導性基板がＳｉＣ基板の場合、熱膨張係数はシリコンに比べて大きく（Ｓｉ：２．３３×１０−６、ＳｉＣ：３．７〜４．７×１０−６）、同程度の厚さのシリコンウェーハと張り合わせて加熱すると、３００℃を超えるとシリコンウェーハが割れてしまう。しかし、このような比較的低温の熱処理であれば、熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなく好ましい。
なお、バッチ処理方式の熱処理炉を用いる場合、熱処理時間は０．５〜２４時間程度であれば十分な効果が得られる
　
（３ｂ）「【００３１】
　こうして、剥離工程により熱伝導性基板上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハが得られるが、このように得られたＳＯＩウェーハのＳＯＩ層表面に鏡面研磨を施すことが好ましい（工程Ｇ）
　この鏡面研磨によって、剥離工程で発生したヘイズと呼ばれる表面粗れを除去したり、イオン注入により生じたＳＯＩ層表面近傍の結晶欠陥を除去できる。この鏡面研磨として、例えばタッチポリッシュと呼ばれる研磨代が５〜４００ｎｍと極めて少ない研磨を用いることができる。」
　
２　引用例１を主引用例とした場合の進歩性の有無についての検討
ア　本願発明と引用発明１との対比
　引用発明１の「シリコン担持材料の層を含むドナー基板（ドナー基板を、シリコン・ウエハとすることができる。）」は、本願発明の「シリコンウェーハ」に相当する。また、引用発明１の「透明ハンドル基板」と、本願発明の「『熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上の材料からなるウェーハとする』『ハンドルウェーハ』」とは、少なくとも「ハンドルウェーハ」である点で一致する。さらに、引用発明１の「バッキング基板」と、本願発明の「静電チャック」とは、少なくとも「ハンドルウェーハ」に、一時的に取り付けられ、その後取り外される部材である点で一致する。
　本願発明と引用発明１とを対比すると、両者は、少なくとも、
「貼り合わせ基板の製造方法であって、
　少なくとも、
　シリコンウェーハと、ハンドルウェーハを準備する工程と、
　前記シリコンウェーハと前記ハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、表面活性化処理を行う工程と、
　前記ハンドルウェーハを、前記ハンドルウェーハに一時的に取り付けられその後取り外される部材に取り付ける工程と、
　前記シリコンウェーハと前記ハンドルウェーハとを、該ハンドルウェーハを前記ハンドルウェーハに一時的に取り付けられその後取り外される部材に取り付けたまま貼り合わせる工程と、
　前記貼り合わせたウェーハを前記ハンドルウェーハに一時的に取り付けられその後取り外される部材に取り付けたまま熱処理を行う工程とを有し、
　前記熱処理工程の熱処理温度を２００℃以上とする、
　貼り合わせ基板の製造方法。」である点で一致している。
　
　他方、本願発明と引用発明１は、少なくとも、
　引用発明の「バッキング基板」が、「結合された基板構造に対して制御された劈開プロセスを実行する工程」の
後
　本願発明は「前記脱着させたウェーハの前記シリコンウェーハを薄膜化する工程」を有する点、すなわち、「前記脱着させたウェーハのシリコンウェーハを薄膜化させる工程」の
前
　
イ　相違点についての検討
　上記相違点について検討する。
　引用例１の上記摘記（１ａ）の記載から、当業者であれば、以下の事項を理解することができる。
（１）透明基板とシリコン・ウエハのそれぞれの基板の表面を、プラズマプロセスで洗浄し活性化した後、結合し、その後、約１時間程度にわたって約３５０℃のアニールを維持するベーキング処理を行い、次いで、前記結合された基板構造に対して、制御された劈開プロセスを実行する方法では、非常に粗い膜、表面剥離、および／または膜破損などの欠陥を生じ、さらに他の欠陥や不完全をもたらし、そのような欠陥は、集積回路または他のデバイスの製造に不適切であること。
（２）前記劈開プロセスを実行する際に、結合された基板のある部分が変形し、かつ／または曲がることを発見したこと。
（３）前記発見を契機として、マルチレイヤ基板構造の製造に関して、望ましくない曲げ特性を克服することで、これらの欠陥を改善し、または少なくとも減らすことが必要であると判定され、上記および他の制限が、本明細書全体を通じて説明される本発明の諸態様を使用することによって克服されたこと。
　
　そうすると、引用発明１においては、劈開プロセスを実行する際に、結合された基板のある部分が変形し、かつ／または曲がることがないように、「ドナー基板からの前記シリコン担持材料の層を前記ハンドル基板の正面に転写するのに適切な、少なくとも前記バッキング基板と前記ハンドル基板からなる前記マルチレイヤ構造の有効たわみ特性を与えるのに適切な厚さと材料を有する」バッキング基板が、透明ハンドル基板の背面に取り付けられていることは、必要不可欠な構成であると認められる。
　
　してみれば、引用例１に記載された発明において、ハンドル基板の背面からバッキング基板を除去した後に、ドナー基板を薄膜化する工程を行うようにすることには、阻害事由があるといえるから、上記相違点について、本願発明の構成を採用することが当業者であれば容易になし得たことであるとはいえない。したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
　
　なお、引用文献１の上記摘記（１ｂ）に「ステップが追加され・・・る、他の代替案をも提供することができる。」と記載されている。一方、引用例３の上記摘記（３ｂ）の記載からも明らかなように、剥離工程で発生したヘイズと呼ばれる表面粗れを除去したり、イオン注入により生じたＳＯＩ層表面近傍の結晶欠陥を除去するために、剥離工程により得られたＳＯＩウェーハのＳＯＩ層表面に鏡面研磨を施すことは周知であると認められる。そうすると、引用発明１の全工程の終了後に、表面に鏡面研磨を施すことは当業者が適宜なし得たことと解する余地は認められる。しかしながら、前記鏡面研磨は、本願発明でいう「シリコンウェーハを薄膜化する工程」に相当するとは認められない。
　したがって、引用文献１の上記摘記（１ｂ）の「ステップが追加され・・・る、他の代替案をも提供することができる。」との記載を考慮しても、上記相違点について、本願発明の構成を採用することが当業者であれば容易になし得たことであるとは認めることはできない。
　
３　引用例２を主引用例とした場合の進歩性の有無についての検討
ア　本願発明と引用発明２との対比
　引用発明２の「一つの面に絶縁膜であるＳｉＮ膜が形成されている、前記絶縁膜の表面つまり貼り合わせ面が凹状になる様に湾曲している、ボンド基板であるＳｉ基板」と、本願発明の「シリコンウェーハ」とは、シリコンを有するウェーハである点で一致する。また、引用発明２の「平坦な、ベース基板であるＳｉ基板」と、本願発明の「『熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上の材料からなるウェーハとする』『ハンドルウェーハ』」とは、少なくとも「ハンドルウェーハ」である点で一致する。さらに、引用発明２の「真空チャック」と、本願発明の「静電チャック」とは、少なくとも「ハンドルウェーハ」を吸着するチャックである点で一致する。
　本願発明と引用発明２とを対比すると、両者は、少なくとも、
「貼り合わせ基板の製造方法であって、
　少なくとも、
　シリコンを有するウェーハと、ハンドルウェーハを準備する工程と、
　前記ハンドルウェーハをチャックに吸着させる工程と、
　前記シリコンを有するウェーハと前記ハンドルウェーハとを、該ハンドルウェーハを前記チャックに吸着させたまま貼り合わせる工程と、
　前記貼り合わせたウェーハを前記チャックより脱着させる工程と、
　を有する、貼り合わせ基板の製造方法。」である点で一致している。
　
　他方、本願発明と引用発明２は、少なくとも、下記（１）−（５）の点で相違する。
（１）本願発明が、「貼り合わせたウェーハをチャックに吸着させたまま熱処理を行う工程」を有するのに対して、引用発明２は、そのような工程を備えていない点。
（２）本願発明の「シリコンウェーハ」に対して、引用発明２では「『一つの面に絶縁膜であるＳｉＮ膜が形成されている、前記絶縁膜の表面つまり貼り合わせ面が凹状になる様に湾曲している』『Ｓｉ基板』」である点。
（３）本願発明が、「前記シリコンウェーハと前記ハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、表面活性化処理を行う工程」を有するのに対して、引用発明２は、そのような工程を備えていない点。
（４）本願発明の「静電チャック」に対して、引用発明２では「真空チャック」である点。
（５）本願発明のハンドルウェーハが、「熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上の材料からなるウェーハ」であるのに対して、引用発明２では「『平坦な』『Ｓｉ基板』」である点。
　
イ　相違点についての検討
　上記相違点について検討する。
（ア）相違点（１）について
　引用例３には、単結晶シリコンウェーハ及び単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい熱伝導性基板を用意し、これらの表面をプラズマ及び／又はオゾンで処理し、次いで、両者を室温で密着させて接合する方法に係る発明が記載されている。前記引用例３に記載された発明と、引用発明２とは、接合の対象となる材料の構成が異なることから、引用例３に記載された発明を、直ちに引用発明２に適用することができると認めることはできないが、引用例３の上記摘記（３ａ）に、「なお、この後、接合したウェーハを１００〜３００℃の低温で熱処理して結合力を高める工程を行なってもよい」と記載されていることから、当該記載に基づいて、引用発明２において、上記相違点（ア）について、本願発明の構成を採用することが容易であったかを仮に検討する。
　
　引用例３の上記摘記（３ａ）には「なお、バッチ処理方式の熱処理炉を用いる場合、熱処理時間は０．５〜２４時間程度であれば十分な効果が得られる。」と記載されている。そうすると、仮に、引用例３の「なお、この後、接合したウェーハを１００〜３００℃の低温で熱処理して結合力を高める工程を行なってもよい」との記載に基づいて、引用発明２において、接合したウェーハを１００〜３００℃の低温で熱処理して結合力を高める工程を行なうことが容易になし得たことであったと認めることができたとしても、前記熱処理は、バッチ処理方式の熱処理炉を用いて行うことになると解するのが自然といえる。
　
　すなわち、接合したウェーハを１００〜３００℃の低温で熱処理して結合力を高める工程は、０．５〜２４時間程度の長時間を要することが示されているところ、ウェーハ一枚の処理毎に、チャックを０．５〜２４時間程度の長時間に渡って専有することは、作業の効率の観点から望ましくないものと認められる。してみれば、引用例３に記載された、バッチ処理方式の熱処理炉を用いることに替えて、貼り合わせたウェーハをチャックに吸着させたまま熱処理を行うようにすることには、特段の動機が必要と解されるところ、いずれの引用例からも適切な動機を認めることはできない。また、本願発明は、貼り合わせたウェーハをチャックに吸着させたまま熱処理を行うことによって、本願の明細書に示された所定の効果を奏するものと認められる。
　
　したがって、仮に、引用発明２において、接合したウェーハを１００〜３００℃の低温で熱処理して結合力を高める工程を行なうことが、容易になし得たことであったと認めることができたとしても、前記熱処理を、貼り合わせたウェーハをチャックに吸着させたままで行うことまでは容易であったとは認めることはできないから、引用発明２において、上記相違点（ア）について、本願発明の構成を採用することが当業者であれば容易になし得たことであるとはいえない。
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
　
　なお、引用例１には、ハンドル基板をバッキング基板に結合した状態で熱処理することが示されている。しかしながら、引用発明１では、劈開時にハンドル基板がバッキング基板によって補強されていることが必要であるため、前記劈開工程に先立つ熱処理工程において、ハンドル基板をバッキング基板に結合した状態で熱処理しているものと認められる。したがって、劈開時にハンドル基板がバッキング基板によって補強されている構成を備えていない引用発明２において、前記ハンドル基板をバッキング基板に結合した状態で熱処理する工程を採用する動機は存在しないから、引用例１に、ハンドル基板をバッキング基板に結合した状態で熱処理することが示されているとしても、引用発明２において、上記相違点（ア）について、本願発明の構成を採用することが当業者であれば容易になし得たことであるとは認めることはできない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載されたいずれの発明に基づいても、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。