【手続補正書】
【提出日】平成27年2月3日(2015.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
インダクタと、
クロス結合されたトランジスタの複数のセットであって、クロス結合されたトランジスタの各セットからの各トランジスタが前記インダクタに結合される、クロス結合されたトランジスタの前記複数のセットと、
クロス結合されたトランジスタの前記複数のセットからの各トランジスタに結合され、第１の周波数を有する入力信号を受け取るように構成される、入力回路と、
複数の部分を有する制御回路であって、前記各部分が、前記クロス結合されたトランジスタの複数のセットの少なくとも１つからの少なくとも１つのトランジスタに結合され、各部分が、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第１のトランジスタであって、前記第１のトランジスタの前記制御電極が制御信号を受け取るように構成される、前記第１のトランジスタと、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタの前記制御電極が前記制御信号を受け取るように構成され、前記第２のトランジスタの前記第１の受動電極が前記第１のトランジスタの前記第１の受動電極に結合される、前記第２のトランジスタと、
を含む、前記制御回路と、
各出力端子が前記インダクタに結合される複数の出力端子であって、前記出力端子が、前記第１の周波数の分数である第２の周波数を有する出力信号を提供するように構成される、前記複数の出力端子と、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記インダクタがセンタータップを有し、前記センタータップが供給電圧を受け取るように構成される、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記インダクタが、供給電圧を受け取るように構成される第１のインダクタと、前記供給電圧を受け取るように構成される第２のインダクタとを更に含む、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記クロス結合されたトランジスタの複数のセットの各々が、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第３のトランジスタと、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第４のトランジスタと、
を更に含み、
前記第３のトランジスタの前記第１の受動電極が前記第４のトランジスタの前記制御電極に結合され、前記第３のトランジスタの前記制御電極が前記第４のトランジスタの前記第１の受動電極に結合され、前記第３のトランジスタの前記第２の受動電極が前記第４のトランジスタの前記第２の受動電極に結合される、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記入力回路が、第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第５のトランジスタを更に含み、
前記第５のトランジスタの前記第１の受動電極が前記クロス結合されたトランジスタの複数のセットの少なくとも１つからの前記第３及び第４のトランジスタの前記第２の受動電極に結合され、前記第５のトランジスタの前記制御電極が前記入力信号の少なくとも一部を受け取るように構成される、装置。
【請求項６】
ＬＣ共振器であって、
供給電圧を受け取るように構成されるインダクタと、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極と第１の寄生容量とを有する第１のトランジスタであって、前記第１のトランジスタの前記第１の受動電極が前記インダクタに結合される、前記第１のトランジスタと、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極と第２の寄生容量とを有する第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタの前記第１の受動電極が前記インダクタに結合され、前記第１のトランジスタの前記第２の受動電極が前記第１の受動電極の前記第２の受動電極に結合され、前記第１及び第２のトランジスタの前記第１及び第２の寄生容量と前記インダクタのインダクタンスとがＬＣタンクを形成する、前記第２のトランジスタと、
を有する、前記ＬＣ共振器と、
前記第１及び第２のトランジスタの前記制御電極に結合されるラッチと、
第１の周波数を有する入力信号を受け取るように構成される入力回路であって、前記ラッチに結合され、前記第１及び第２のトランジスタの各々の前記第２の受動電極に結合される、前記入力回路と、
前記ＬＣ共振器に結合され、制御信号を受け取るように構成される制御回路であって、複数の部分を有し、各部分が、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第３のトランジスタであって、前記第３のトランジスタの前記第１の受動電極が前記ＬＣ共振器に結合され、前記第３のトランジスタの前記制御電極が前記制御信号を受け取るように構成される、前記第３のトランジスタと、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第４のトランジスタであって、前記第４のトランジスタの前記制御電極が前記制御信号を受け取るように構成され、前記第４のトランジスタの前記第１の受動電極が前記第３のトランジスタの前記第１の受動電極に結合される、前記第４のトランジスタと、
を含む、前記制御回路と、
各出力端子が前記共振器に結合される複数の出力端子であって、前記出力端子が、前記第１の周波数の分数である第２の周波数を有する出力信号を提供する、前記複数の出力端子と、
を含む、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記インダクタがセンタータップを有し、前記センタータップが前記供給電圧を受け取るように構成される、装置。
【請求項８】
請求項６に記載の装置であって、
前記インダクタが、前記供給電圧を受け取るように構成される第１のインダクタと、前記供給電圧を受け取るように構成される第２のインダクタとを更に含む、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
前記ラッチが、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第５のトランジスタと、
第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第６のトランジスタと、
を更に含み、
前記第５のトランジスタの前記第１の受動電極が前記第６のトランジスタの前記制御電極に結合され、前記第５のトランジスタの前記制御電極が前記第６のトランジスタの前記第１の受動電極に結合され、前記第５のトランジスタの前記第２の受動電極が前記第６のトランジスタの前記第２の受動電極に結合される、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記入力回路が、第１の受動電極と第２の受動電極と制御電極とを有する第７のトランジスタを更に含み、
前記第７のトランジスタの前記第１の受動電極が第５及び第６のトランジスタの前記第２の受動電極に結合され、前記第７のトランジスタの前記制御電極が前記入力信号の少なくとも一部を受け取るように構成される、装置。
【請求項１１】
入力回路であって、
第１の周波数を有する差動入力信号の第１の部分をそのゲートで受け取るように構成される第１のＮＭＯＳトランジスタと、
前記差動入力信号の第２の部分をそのゲートで受け取るように構成される第２のＮＭＯＳトランジスタと、
を有する、前記入力回路と、
前記第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに結合されるラッチと、
前記ラッチに結合され、差動出力信号の第１の部分を提供する第１の出力端子であって、前記差動出力信号が前記第１の周波数の分数である第２の周波数を有する、前記第１の出力端子と、
前記ラッチに結合され、前記差動出力信号の第２の部分を提供する第２の出力端子と、
前記第１及び第２の出力端子の各々に結合されるＬＣ共振器であって、
供給電圧を受け取るように構成されるインダクタと、
前記インダクタに結合され、各々が寄生容量を有する複数の共振器ＭＯＳトランジスタであって、前記複数の共振器ＭＯＳトランジスタの前記寄生容量と前記インダクタのインダクタンスとがＬＣタンクを形成する、前記複数のＭＯＳトランジスタと、
を含む、前記ＬＣ共振器と、
第１の部分と第２の部分とを有する制御回路であって、前記制御回路の前記第１及び第２の部分の各々が、
前記第１及び第２の出力端子の少なくとも１つにそのゲートで、前記複数の共振器ＭＯＳトランジスタの少なくとも１つのゲートにそのドレインで結合される第１のコントローラＭＯＳトランジスタであって、制御信号をそのゲートで、前記供給電圧をそのボディで受け取るように構成される、前記第１のコントローラＭＯＳトランジスタと、
前記第１のコントローラＭＯＳトランジスタのドレインにそのドレインが結合され、前記制御信号をそのゲートで受け取るように構成される、第２のコントローラＭＯＳトランジスタと、
を含む、前記制御回路と、
を含む、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記インダクタが、
供給電圧を受け取るように構成され、前記第１の出力端子に結合される第１のインダクタと、
前記供給電圧を受け取るように構成され、前記第２の出力端子に結合される第２のインダクタと、
を更に含む、装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記ラッチが、
前記第１の出力端子にそのドレインで、前記第２の出力端子にそのゲートで、前記第１のＮＭＯＳトランジスタの前記ドレインにそのソースで結合される第３のＮＭＯＳトランジスタと、
前記第２の出力端子にそのドレインで、前記第１の出力端子にそのゲートで、前記第１のＮＭＯＳトランジスタの前記ドレインにそのソースで結合される第４のＮＭＯＳトランジスイタと、
を更に含む、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
前記複数の共振器ＭＯＳトランジスタが、
前記第１の出力端子にそのドレインで、前記第２の出力端子にそのゲートで、前記第２のＮＭＯＳトランジスタの前記ドレインにそのソースで結合される第５のＮＭＯＳトランジスタと、
前記第２の出力端子にそのドレインで、前記第１の出力端子にそのゲートで、前記第２のＮＭＯＳトランジスタの前記ドレインにそのソースで結合される第６のＮＭＯＳトランジスタと、
前記第１の出力端子にそのドレインで、前記第２の出力端子にそのゲートで、前記第２のＮＭＯＳトランジスタの前記ドレインにそのソースで結合される第７のＮＭＯＳトランジスタと、
前記第２の出力端子にそのドレインで、前記第１の出力端子にそのゲートで、前記第２のＮＭＯＳトランジスタの前記ドレインにそのソースで結合される第８のＮＭＯＳトランジスタと、
を更に含む、装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置であって、
前記制御回路の前記第１の部分からの前記第１及び第２のＭＯＳコントローラトランジスタが、それぞれ、
前記第２の出力端子にそのソースで、前記第７のＮＭＯＳトランジスタの前記ゲートにそのドレインで結合されるＰＭＯＳトランジスタであって、前記制御信号をそのゲートで、前記供給電圧をそのボディで受け取るように構成される、前記ＰＭＯＳトランジスタと、
前記第７のＮＭＯＳトランジスタの前記ゲートにそのドレインで結合される第９のＮＭＯＳトランジスタであって、前記制御信号をそのゲートで受け取るように構成される、前記第９のＮＭＯＳトランジスタと、
を含む、装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置であって、
前記ＰＭＯＳトランジスタが第１のＰＭＯＳトランジスタを更に含み、
前記制御回路の前記第２の部分からの前記第１及び第２のＭＯＳコントローラトランジスタが、それぞれ、
前記第１の出力端子にそのソースで、前記第８のＮＭＯＳトランジスタの前記ゲートにそのドレインで結合される第２のＰＭＯＳトランジスタであって、前記制御信号をそのゲートで、前記供給電圧をそのボディで受け取るように構成される、前記第２のＰＭＯＳトランジスタと、
前記第８のＮＭＯＳトランジスタの前記ゲートにそのドレインで結合される第１０のＮＭＯＳトランジスタであって、前記制御信号をそのゲートで受け取るように構成される、前記第１０のＮＭＯＳトランジスタと、
を含む、装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の装置であって、
前記第１の周波数が約１２０ＧＨｚである、装置。
【請求項１８】
第１の入力端子と、
第２の入力端子と、
第１の出力端子と、
第２の出力端子と、
制御端子と、
前記第１及び第２の入力端子に結合される入力回路と、
前記入力回路と前記第１の出力端子と前記ダイ２の出力端子とに結合されるラッチと、
共振器であって、
前記第１及び第２の出力端子に結合されるインダクタと、
前記入力回路と前記第１の出力端子と前記第２の出力端子とに結合されるクロスカップルされたトランジスタの第１のペアと、
前記入力回路にそのソースで、前記第１の出力回路にそのドレインで結合される第１のＭＯＳトランジスタと、
前記入力回路にそのソースで、前記第２の出力端子にそのドレインで結合される第２のＭＯＳトランジスタと、
を有する、前記共振器と、
制御回路であって、
前記第２の出力端子と前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ゲートとの間に結合され、前記制御端子にそのゲートで結合される第３のＭＯＳトランジスタと、
前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ゲートに結合され、前記制御端子にそのゲートで結合される第４のＭＯＳトランジスタと、
前記第１の出力端子と前記第２のＭＯＳトランジスタの前記ゲートとの間に結合され、前記制御端子にそのゲートで結合される第５のＭＯＳトランジスタと、
前記第２のＭＯＳトランジスタの前記ゲートに結合され、前記制御端子にそのゲートで結合される第６のトンラジスタと、
を有する、前記制御回路と、
を含む、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の装置であって、
前記クロスカップルされたトランジスタの第１のペアが第１及び第２のＮＭＯＳトランジスタを更に含む、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、
前記インダクタが複数のインダクタを更に含む、装置。
【請求項２１】
請求項１９に記載の装置であって、
前記第１、第２、第４及び第６のＭＯＳトランジスタが、第３、第４、第５及び第６のＮＭＯＳトランジスタを更に含み、前記第３及び第５のＭＯＳトランジスタが第１及び第２のＰＭＯＳトランジスタを更に含む、装置。