【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
＜安定性を高める添加物＞
半導体ナノ粒子を含む１次粒子へ、単一又は任意の望ましい組合せで加えられ得る添加物は、以下に示すような意図した機能によって、グループ化できる。
ａ．機械的シーリング(Mechanical sealing)：ヒュームドシリカ(例えば、Ｃａｂ−Ｏ−ＳｉｌＴＭ)、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛。全てが、機械的シーリングを与える、及び／又は多孔率を減ずるフィルターとして使用される。
ｂ．キャッピング剤：テトラデシルホスホン酸(ＴＤＰＡ)、オレイン酸、ステアリン酸、ポリ不飽和脂肪酸、ソルビン酸、メタアクリル酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛、イソプロピルミリステート。これらの幾つかは、複数の官能性を有しており、キャッピング剤、遊離基捕捉剤、及び／又は還元剤として機能する。
ｃ．還元剤：アスコルビン酸パルミテート、α−トコフェノール(ビタミンＥ)、オクタンチオール、ブチルヒドロキシアニソール(ＢＨＡ)、ブチルヒドロキシトルエン(ＢＨＴ)、ガレートエステル(プロピル、ラウリル、オクチルなど)、及びメタ重亜硫酸(例えば、ナトリウム又はカリウム塩)。
ｄ．遊離基捕捉剤：ベンゾフェノン、及び
ｅ．水素化物反応剤(Hydride reactive agents)：１，４−ブタンジオール、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸アリル、１，６ヘプタジエン−４−オル、１，７オクタジエン、及び１，４ブタジエン。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ナノ粒子の集団を含んでいる１次マトリックス材料を含む１次粒子であって、
各１次粒子は、半導体ナノ粒子の物理的、化学的及び／又は光安定性を高める添加物を更に含んでおり、それら１次粒子は、マイクロビーズの形態で提供され、
添加物は、還元剤、遊離基捕捉剤、及び水素化物反応剤からなる群から選択され、
水素化物反応剤は、１，４−ブタンジオール、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸アリル、１，６ヘプタジエン−４−オル、１，７オクタジエン、及び１，４ブタジエンからなる群から選択される、
１次粒子。
【請求項２】
マイクロビーズは、２０ｎｍ乃至０．５ｍｍの平均直径を有する、請求項１に記載の１次粒子。
【請求項３】
１次マトリックス材料は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコン及び(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる材料を含む、請求項１又は請求項２に記載の１次粒子。
【請求項４】
１次マトリックス材料は、アクリレートポリマー、エポキシド、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリチオエーテル、ポリアクリロニトリル、ポリジエン、ポリスチレンポリブタジエンコポリマー、パイリレン、シリカ−アクリレートハイブリッド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、ポリジビニルベンゼン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイソブチレン、ポリイソプレン、セルロース誘導体、及びこれらの組合せからなる群から選ばれる材料を含む、請求項１又は請求項２に記載の１次粒子。
【請求項５】
添加物は、アスコルビン酸パルミテート、α−トコフェノール、オクタンチオール、ブチルヒドロキシアニソール、ブチルヒドロキシトルエン、ガレートエステル、及びメタ重亜硫酸からなる群から選択される、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の１次粒子。
【請求項６】
添加物は、ベンゾフェノンである、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の１次粒子。
【請求項７】
１次粒子には、表面コーティング材料の層が与えられている、請求項１乃至請求項６の何れかに記載の１次粒子。
【請求項８】
表面コーティング材料は、１次マトリックス材料を通る酸素又は酸化剤の通過を妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項７に記載の１次粒子。
【請求項９】
表面コーティング材料は、１次マトリックス材料を通るフリーラジカル種の通過を妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項７に記載の１次粒子。
【請求項１０】
表面コーティング材料は、水分が１次マトリックス材料を通過することを妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項７に記載の１次粒子。
【請求項１１】
表面コーティング材料は、最大で５００ｎｍの厚さを有する、請求項７乃至請求項１０の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１２】
表面コーティング材料は、５乃至１００ｎｍの厚さを有する、請求項７乃至請求項１０の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１３】
表面コーティング材料は、無機材料を含む、請求項７乃至請求項１２の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１４】
無機材料は、誘電体、金属酸化物、金属窒化物、又はシリカベースの材料からなる群から選択される、請求項１３に記載の１次粒子。
【請求項１５】
表面コーティング材料は、ポリマー材料を含む、請求項７乃至請求項１２の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１６】
ポリマー材料は、飽和炭化水素ポリマー又は不飽和炭化水素ポリマーであり、或いは、１又は複数のヘテロ原子若しくはヘテロ原子含有官能基を組み込んでいるポリマーである、請求項１５に記載の１次粒子。
【請求項１７】
半導体ナノ粒子は、周期表の１１族、１２族、１３族、１４族、１５族及び／又は１６族から選ばれるイオン、或いは、１又は複数タイプの遷移金属イオン若しくはｄブロック金属イオンを含む、請求項１乃至請求項１６の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１８】
半導体ナノ粒子は、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＳ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ及びそれらの組合せからなる群から選ばれる、１又は複数の半導体材料を含む、請求項１乃至請求項１６の何れかに記載の１次粒子。
【請求項１９】
２次マトリックス材料に分散された、請求項１乃至請求項１８の何れかに記載の複数の１次粒子を組み込んでいる複合材料。
【請求項２０】
２次マトリックス材料は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコン及び(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる材料を含む、請求項１９に記載の複合材料。
【請求項２１】
２次マトリックス材料は、１又は複数の２次粒子の形態であり、各２次粒子は、半導体ナノ粒子の物理的、化学的及び／又は光安定性を高める１又は複数の添加物を含む、請求項１９又は請求項２０に記載の複合材料。
【請求項２２】
ホスト発光ダイオードカプセル化媒体に埋め込まれており、請求項１乃至請求項１８の何れかに記載の複数の１次粒子を含む調製物と光学的に繋がっている１次光源を有する発光デバイス。
【請求項２３】
ホスト発光ダイオードカプセル化媒体に埋め込まれており、請求項１９乃至請求項２１の何れかに記載の複合材料を含む調製物と光学的に繋がっている１次光源を有する発光デバイス。
【請求項２４】
１次マトリックス材料と、半導体ナノ粒子の集団と、半導体粒子の物理的、化学的及び／又は光安定性を高める添加物とを含む１次粒子を調製する方法であって、
半導体ナノ粒子と、１次マトリックス材料と、添加物とを結合させることで、１次粒子を生成することと、
１次粒子をマイクロビーズの形態で提供することと、
を含んでおり、
添加物は、還元剤、遊離基捕捉剤、及び水素化物反応剤からなる群から選択され、
水素化物反応剤は、１，４−ブタンジオール、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸アリル、１，６ヘプタジエン−４−オル、１，７オクタジエン、及び１，４ブタジエンからなる群から選択される、
方法。
【請求項２５】
添加物は、１次マトリックス材料の前駆体の反応中に、半導体ナノ粒子と、１次マトリックス材料の前駆体とに結合する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
半導体ナノ粒子は、１次マトリックス材料の前駆体と結合する前に、マトリックス材料内に含まれている、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
半導体ナノ粒子が第１マトリックス材料に取り込まれた後で、添加物が加えられる、請求項２４、請求項２５、又は請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
表面コーティングが、１次粒子の表面に与えられている、請求項２４乃至請求項２７の何れかに記載されている方法。
【請求項２９】
表面コーティングは、１乃至５００ｎｍの層厚を有するように形成されている、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
表面コーティングは、原子層堆積によって与えられる、請求項２８又は請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
表面コーティングは、１次粒子の表面上にイン・サイチュで生成される、請求項２８又は請求項２９に記載の方法。