【事件の表示】
　平成　５年特許願第３３４７８０号「ゲート絶縁膜保護ダイオードを有するＭＯＳＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴの層間絶縁膜形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　８月　４日出願公開、特開平　７−２０２１８１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
本願は、平成５年１２月２８日の出願であって、その発明の要旨は、平成１１年８月２０日付及び平成１１年１１月１６日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲１及び２に記載されたとおりの「ゲート絶縁膜保護ダイオードを有する縦型ＤＭＯＳＦＥＴおよび縦型ＤＭＯＳＦＥＴの層間絶縁膜形成方法」と認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。　　
「Ａ）以下のa1)〜a5)を有する縦型ＤＭＯＳＦＥＴ、
　　a1)ドレイン部として用いられる第１導電型の半導体基板、
　　a2)前記半導体基板の表面に形成された第２導電型領域、
　　a3)前記ドレイン部との間にチャネル部を形成するように、前記第２導電型領域内に設けられたソース部、
　　a4)前記チャネル部上に形成されたゲート絶縁膜、
　　a5)前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極、
　Ｂ）前記半導体基板の上に形成された第１絶縁膜、
　Ｃ）前記第１絶縁膜の上に形成されたダイオードであって、一端が前記ゲート電極に電気的に接続されており、他端が前記ソース部に電気的に接続されているＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜保護用のダイオード、
　Ｄ）前記ダイオードを覆うとともに、リンを含む層間絶縁膜、
　を備えた縦型ＤＭＯＳＦＥＴであって、
　前記ダイオードと前記層間絶縁膜との間にリンを含まない堆積層を設けたことを特徴とするゲート絶縁膜保護ダイオードを有する縦型ＤＭＯＳＦＥＴ。」　
（引用例）
　原審における拒絶理由において引用された特開昭５８−８７８７３号公報（以下、「引用例１」という。）には、「１はＭＯＳＦＥＴ（なお、ＭＯＴＦＥＴはＭＯＳＦＥＴの誤記と認定した。）のドレインとなるＮ型Ｓｉ基板、２はＰ型拡散層、３はＮ＋層拡散ソース（引用例１に記載の第１，４図及び図面の簡単な説明中の「３・・・Ｎ＋型ソース」の記載からドレインはソースの誤記と認定した。）、４はゲート絶縁膜となる薄いＳｉＯ２膜、５は多結晶Ｓｉゲート、６はフィールド絶縁膜となる厚いＳｉＯ２膜であり、これらにより縦型ＭＯＳＦＥＴが構成される。この絶縁膜６上にＭＯＳＦＥＴ保護ダイオードとなる多結晶Ｓｉ層が形成される。」（第２頁右上欄第８〜１５行目）及び「保護ダイオードとなる多結晶Ｓｉ層のうち、内側のＮ＋型拡散層７ｂはＡｌ配線８'を介してＭＯＳＦＥＴのゲートに接続され、外側のＮ＋型拡散Ｓｉ層７ｃはＡｌ配線８を介してソース電極に接続される。なおこれらＡｌ配線８，８′は多結晶Ｓｉ層の上に形成された層間絶縁膜、例えばＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）９上を延在して各電極に接続されることになる。」（第２頁左下欄第５〜１３行目）が記載されている。
即ち、上記引用例１には、「ドレインとなるＮ型Ｓｉ基板１、上記基板１の表面上に形成されたＰ型拡散層２、上記基板１との間にチャネル部を形成するように上記Ｐ型拡散層２領域内に設けられたＮ＋層拡散ソース３、上記チャネル部上に形成されたゲート絶縁膜となる薄いＳｉＯ２膜４、前記ゲート絶縁膜となる薄いＳｉＯ２膜４の上に形成された多結晶Ｓｉゲート５、上記基板１の上に形成されたはフィールド絶縁膜となる厚いＳｉＯ２膜６、上記ＳｉＯ２膜６の上に形成された多結晶シリコンからなる保護ダイオードであって、一端が上記ゲートに接続され、他端がソースに電気的に接続されているＭＯＳＦＥＴ保護ダイオード７及び保護ダイオード上に形成されたＰＳＧからなる層間絶縁膜を有する縦型ＤＭＯＳＦＥＴ」が記載されている。
同様に引用された特開平２−１７０４６６号公報（以下、「引用例２」という。）には、「本発明は、層間絶縁膜からのリンが基板に拡散して特性を不良にすることのない半導体集積回路装置を提供することを目的とするものである。（課題を解決するための手段）本発明では、基板上に形成される層間絶縁膜として、下層がリンを含まないシリコン酸化膜であり、上層がリンを含んだシリコン酸化膜である多層構造のものを使用する。（作用）拡散領域と層間絶縁膜の間の酸化膜に欠陥があるとしても、下層のリンを含まないシリコン酸化膜によって上層のリンを含んだシリコン酸化膜から基板へのリンの拡散が阻止される。（実施例）第１図は一実施例を表わす。２はＰ型シリコン基板、４はＮウエルであり、フイールド酸化膜６によって活性領域に分離されている。基板２にはＮ＋型拡散領域８，９が形成され、これらの拡散領域８，９と、基板上のゲート酸化膜１２を介してチャネル領域上に形成された多結晶シリコン層のゲート電極２０とによってＮＭＯＳトランジスタが形成されている。」（第２頁左上欄第２０行目〜左下欄第１行目）、「層間絶縁膜は、厚さが２０００Å程度でリンを含まない下層のＮＳＧ膜２４と、厚さが６０００Åでリンを含んだ上層のＢＰＳＧ膜２６の二層構造になっている。」（第２頁左下欄第１１〜１４行目）及び「（発明の効果）本発明では、基板上に形成される層間絶縁膜として、下層がリンを含まないシリコン酸化膜であり、上層がリンを含んだシリコン酸化膜である多層構造のものを使用したもので、Ｐ＋型拡散領域にリンが拡散するのを防ぎ、Ｐ＋−Ｎ−間でのリーク電流を低減することができる。」（第３頁左上欄第１８行目〜右上欄第４行目）が記載されている。
即ち、引用例２には、「リンを含む層間絶縁膜からのリンが基板に拡散して特性を不良にすることがないように、基板とリンを含む層間絶縁膜との間にリンを含まないシリコン酸化膜を設けたＭＯＳＦＥＴ」が記載されているものと認められる。
（対比）
 次に、本願第１発明と上記引用例１記載の発明とを対比すると、上記引用例１記載の発明の Ｎ型Ｓｉ基板１、Ｐ型拡散層２、Ｎ＋層拡散ソース３、ゲート絶縁膜となる薄いＳｉＯ２膜４、多結晶Ｓｉゲート５、フィールド絶縁膜となる厚いＳｉＯ２膜６、ＭＯＳＦＥＴ保護ダイオード７、ＰＳＧからなる層間絶縁膜はそれぞれ本願第１発明の第１導電型の半導体基板、第２導電型領域、ソース部、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第１絶縁膜、ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜保護用のダイオード、リンを含む層間絶縁膜に相当するから、本願第１発明と上記引用例１記載の発明とは
Ａ）以下のa1)〜a5)を有する縦型ＤＭＯＳＦＥＴ、
　　a1)ドレイン部として用いられる第１導電型の半導体基板、
　　a2)前記半導体基板の表面に形成された第２導電型領域、
　　a3)前記ドレイン部との間にチャネル部を形成するように、前記第２導電型領域内に設けられたソース部、
　　a4)前記チャネル部上に形成されたゲート絶縁膜、
　　a5)前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極、
　Ｂ）前記半導体基板の上に形成された第１絶縁膜、
　Ｃ）前記第１絶縁膜の上に形成されたダイオードであって、一端が前記ゲート電極に電気的に接続されており、他端が前記ソース部に電気的に接続されているＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜保護用のダイオード
  Ｄ）前記ダイオードを覆うとともに、リンを含む層間絶縁膜、
　を備えた縦型ＤＭＯＳＦＥＴ
の点で一致するが、本願第１発明は前記ダイオードと前記層間絶縁膜との間にリンを含まない堆積層を設けているのに対して、上記引用例１記載の発明はそのような構成を採用していない点で相違するものと認められる。
（検討）                        　
 そこで、上記相違点について以下検討する。
リンを含む層間絶縁膜からのリンが基板に拡散して特性を不良にすることがないように、リンを含まないシリコン酸化膜を設ける２層構造のＭＯＳＦＥＴが引用例２に記載されており、引用例１記載の発明において多結晶シリコンからなる保護ダイオードへもその上に形成されたリンを含む層間絶縁膜からリンが拡散して特性不良をまねく問題があることは引用例２記載の発明の課題から容易に予測し得ることであり、当然引用例１記載の発明においてもこのような問題を解決するために、引用例２記載の発明を適用にして多結晶シリコンから成る保護ダイオードとリンを含む層間絶縁膜との間にリンを含まないシリコン酸化膜である堆積層を設けることは当業者が容易に想到し得ることと認められる。
（むすび）
本願第1発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。