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　平成　６年特許願第２０８６０３号「液体噴射記録ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　６月２０日出願公開、特開平　７−１５６４０２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明
　本願は、昭和６３年９月１日に出願された昭和６３年特許願第２１８８８７号の一部を平成６年９月１日に新たな特許出願として出願したものであって、その請求項１乃至請求項３に係る発明は、平成９年３月１８日付けおよび平成１１年８月２０日付け手続補正書によって補正された明細書および図面によれば、その特許請求の範囲に記載されたとおりの
　「【請求項１】　記録液体を収容するための液室と、該液室に連絡して平行に並べられた複数の流路と、前記液室に形成された記録液体流入口とよりなる蓋基板と、該蓋基板と係合し、前記液室および前記流路を構成し、該流路に対応して設けられ、前記記録液体に熱によって気泡を発生させ、該気泡の体積増加にともなう作用力によって、前記流路の先から液体を小滴として吐出させるための熱エネルギー発生手段を有するほぼ平板状の基板とを積層して成る液体噴射記録ヘッドにおいて、前記蓋基板は（１００）面の単結晶Ｓｉに熱酸化膜を耐エッチング用マスクとして用いた異方性エッチングを施し、インク流路方向を〈１１０〉軸方向に平行にするとともに複数の流路を形成した蓋基板であり、前記複数の流路は、等価な二つの平滑な（１１１）面で構成されたV字状溝であることを特徴とする液体噴射記録ヘッド。
　【請求項２】　記録液体を収容するための液室と、該液室に連絡して平行に並べられた複数の流路と、前記液室に形成された記録液体流入口とよりなる蓋基板と、該蓋基板と係合し、前記液室および前記流路を構成し、該流路に対応して設けられ、前記記録液体に熱によって気泡を発生させ、該気泡の体積増加にともなう作用力によって、前記流路の先から液体を小滴として吐出させるための熱エネルギー発生手段を有するほぼ平板状の基板とを積層して成る液体噴射記録ヘッドにおいて、（１１０）面の単結晶Ｓｉ に異方性エッチングを施し、前記（１１０）面に垂直な方向がインク流路深さとなり、かつ断面が矩形となる平行な複数の流路を形成したことを特徴とする液体噴射記録ヘッド。
　【請求項３】　前記V字状溝は、もしくは断面が矩形な流路は、ＳｉＯ２によってインクから保護されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液体噴射記録ヘッド。」
にあるものと認める。
　
２．当審の拒絶理由
　当審で平成１１年６月２５日付けで通知した拒絶の理由に引用した、特開昭６３−３４１５２号公報（以下、「刊行物１」という。）、特公昭５８−５７８５号公報（以下、「刊行物２」という。）、特開昭６０−２９４８号公報（以下、「刊行物３」という。）、特開昭６１−２９６７２１号公報（以下、「刊行物４」という。）、特開昭６３−１５２１２５号公報（以下、「刊行物５」という。）には、それぞれ下記の事項が記載されている。
　
［刊行物１］
　『一般に、熱インクジェットプリント方式は、一端で比較的小さいインク供給室と連通し、他端にノズルと呼ばれる開口を有する１つ以上のインク充満チャンネルを備えたプリントヘッドを有する。通常抵抗である熱エネルギー発生器が、ノズル近くのチャネル内にノズルから上流側へ所定の距離離れて配置されている。・・・インクを瞬間的に蒸発して、インク液滴を放出させるバブルを形成する。バブルが成長して一定量のインクをノズルから膨出させ、バブル崩壊の開始点で液滴を分離することによって、インク液滴が各ノズルから放出される。』（第３頁右上欄第１６行ないし左下欄第８行）、
　『第１図はプリントヘッド１０の前面の拡大概略斜視図で、・・・下側の電気絶縁性基板２８がその表面３０上にパターン化されたアドレス電極３３と加熱要素（不図示）を有する一方、上側の基板３１は、一方側に沿って延び該上側基板の前縁２９を貫いた平行で断面三角形状の溝１４を有する。各溝１４の他端は共通の内側凹部と連通している。内側凹部と三角形状断面の溝は破線で示してある。内側凹部１２の床面１３は、インク充填孔として使われる貫通開口２５を有する。溝を備えた上側基板の表面は・・・下側基板２８と整合及び接合され、複数の加熱要素の各１つが溝と下側基板で形成された各チャネル内に位置決めされる。』（第５頁右上欄第５〜１９行）、
　『第３図を参照すると、両面研磨した（１００）シリコンウェハ３９が、プリントヘッド用の複数の上側基板３１を作製するのに使われる。ウェハを化学的に洗浄した後、熱分解によるＣＶＤ窒化シリコン層（不図示）が両面に被着される。・・・複数の各上側基板３１毎の充填孔２５用パターン路と、所定の位置における少なくとも２つの整合開口４０用パターン路とが・・・ウェハ面上にプリントされる。次いで、窒化シリコンが充填孔と整合開口を表わすパターン路からプラズマエッチングで除去される。・・・充填孔と整合開口をエッチ除去するのには水酸化カリウム（ＫＯＨ）での非等方性エッチングが使われる。この場合、（１００）ウェハの（１１１）面がウェハの表面と５４．７度の角度を成す。・・・次に、こうして先にエッチ形成された整合孔を基準として用いて第３図に示すウェハ３９の反対面がフォトリソグラフィーでパターン形成され、最終的にそれぞれプリントヘッドのインクマニホルド及びインクチャネルになる比較的大きい矩形凹部１２及び対応した複数の三角形状チャネル溝１４を形成する。・・・細長い溝５３と凹部４６が、後述する接合工程時においてプリントヘッドの電極端子用間隙を与える。凹部とチャネル溝を形成するのにはＫＯＨ溶液による非等方性エッチングを用いるが』（第６頁右上欄第２行ないし右下欄第１３行）、
　『こうして、上側基板の前面２９に対して直角にチャネル溝が開口され、ノズルが形成される。』（第７頁左上欄第１６行ないし第１８行）、
　『（１００）シリコンウェハの非等方性エッチングは必ず保護層の方形または矩形パターン路を介して実施し、エッチングが（１１１）面に沿って生じるようにしなければならない。・・・例えば、エッチ形成された小さい矩形表面形状は、全ての壁がウェハ表面に対して５４．７度を成す細長いＶ字状溝凹部を生じる。当該分野で周知なように、内部表面だけが非等方的にエッチングされる。』（第７頁左上欄第２０行ないし右上欄第１１行。、
　
［刊行物２］
　『本発明は、・・・インクジェット記録装置に用いられるノズルヘッドに係り、特にそのノズルヘッドを構成する基板と蓋板との接合に関する。』（第１頁第２欄第３１行ないし第３５行）、
　『基板として用いられるシリコンは、・・・特に、単結晶を用い、表面に形成したＳｉＯ２をマスクとしてアルカリエッチング法によりノズル用の溝を形成すると、エッチング速度が結晶方位により著しく異なるため、シリコン基板の結晶面と溝方向を工夫することにより、きわめてシャ−プな断面形状を有する寸法精度の高い溝を形成することができる。』（第２頁第４欄第４２行ないし第３頁第５欄第５行）、
　『上記実施例では、基板としてシリコンを、蓋板として硼硅酸ガラスを用いたが、基板としてシリコン、・・・等の半導体、蓋板としてセラミックスを用いることもでき、』（第３頁第５欄第１０行ないし第１３行）。
　
［刊行物３］
　『（技術分野）この発明は、単結晶シリコン基板にテーパエッチングを施すエッチング方法に関するものである。』（第１頁左欄第１１行ないし第１３行）、
　『１１は表面が（１００）の単結晶シリコン基板であり、まずこの基板１１上に・・・熱酸化膜１２を成長させる。』（第２頁左上欄１８行ないし第２０行）。
［刊行物４］
　『［発明の技術分野］本発明は、単結晶シリコンの微細加工方法の改良に関する。』（第１頁右下欄第２行ないし第４行）、
　『Ｐ型（１００）Ｓｉ基板４を９５０℃水素燃焼酸化することにより・・・熱酸化膜５を形成する。』（第２頁右上欄９行ないし第１０行）。
［刊行物５］
　『（イ）産業上の利用分野）本発明はＳｉＣ単結晶のエッチング方法に関する。』（第１頁左下欄第１０行ないし第１２行）、
　『ウェハ（４）を１０００℃の酸素雰囲気中に約８時間保持することにより行う。斯る熱処理により得られる熱酸化膜（５）はＳｉＯ２からなり、』（第２頁左上欄第１７行ないし第２０行）。
　
４．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明と刊行物１の発明を対比すると、両者は、
　「記録液体［刊行物１のインクに相当。以下、括弧内の記載は刊行物１のものを指す。］を収容するための液室［内側凹部１２］と、該液室［内側凹部１２］に連絡して平行に並ベられた複数の流路［三角形状の溝１４］と、前記液室［内側凹部１２］に形成された記録液体流入口［貫通開口２５］とよりなる蓋基板［上側基板３１］と、該蓋基板［上側基板３１］と係合し、前記液室［内側凹部１２］および前記流路［三角形状の溝１４］を構成し、該流路［三角形状の溝１４］に対応して設けられ、前記記録液体［インク］に熱によって気泡を発生させ、該気泡の体積増加にともなう作用力によって、前記流路の先から液体を小滴として吐出させるための熱エネルギー発生手段［加熱要素］を有するほぼ平板状の基板［下側基板２８］とを積層して成る液体噴射記録へッドにおいて、
　前記蓋基板［上側基板３１］は（１００）面の単結晶Ｓｉ［シリコンウェハ］に耐エッチング用マスクを用いた異方性エッチング［非等方性エッチング］を施し、複数の流路［三角形状の溝１４］を形成した蓋基板［上側基板３１］であり、
　前記複数の流路［三角形状の溝１４］は、等価な二つの平滑な（１１１）面で構成されたV字状溝であることを特徴とする液体噴射記録ヘッド［インクジェットプリントヘッド］。」である点で一致し、次の点で相違する。
　相違点１：耐エッチング用マスクとして、請求項１に係る発明が熱酸化膜を使用したのに対して、刊行物１のものはＣＶＤ窒化シリコン層を用いた点。
　相違点２：インク流路方向を、請求項１に係る発明が〈１１０〉軸方向に平行にするとしたのに対して、刊行物１のものはその点が明記されていない点。
　
　これらの相違点について検討する。
　相違点１について。
　請求項１に係る発明の「熱酸化膜」は、「基板１２を摂氏８００〜１０００度程度の水蒸気雰囲気中に置き、表面にできる酸化膜」であるところ、刊行物２には、インクジェット記録装置のノズルヘッドを、シリコン基板をＳｉＯ２をマスクとしてアルカリエッチング法によりノズル用の溝を形成して製造する点が記載されているとともに、単結晶シリコンのエッチングに際して熱酸化膜を耐エッチング用マスクとして用いることは、本願の請求項１に係る発明の出願時において、当業者に周知慣用の技術的事項である（例えば、刊行物３〜５等参照）ので、刊行物１に記載されたＣＶＤ窒化シリコン層に代えて本願の請求項１に係る発明のように「熱酸化膜を耐エッチング用マスクとして用いる」ことは当業者が容易に想到し得たことである。
　次に、相違点２について。
　刊行物２には、『単結晶を用い、表面に形成したＳｉＯ２をマスクとしてアルカリエッチング法によりノズル用の溝を形成すると、エッチング速度が結晶方位により著しく異なるため、シリコン基板の結晶面と溝方向を工夫することにより、きわめてシャ−プな断面形状を有する寸法精度の高い溝を形成する』と記載されているので、単結晶シリコンの（１００）面の異方性エッチングを（１１１）面に沿って行う際に、溝方向を〈１１０〉軸方向に平行にすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　なお、請求人は、「刊行物３，４、５に係るものは、本願発明のように、単結晶Ｓｉ基板に、アルカリ系溶液によって異方性エッチングを行うものとは異なり、ドライエッチングに関するものであり、本願発明に適用することは想到し得る範囲を超えている」旨主張するが（平成１１年８月２０日付け意見書第４頁第３行ないし第５頁第１０行）、刊行物３、４に係る発明は、いずれも『単結晶Ｓｉ基板』に係るものであり、刊行物５に係る発明は、『ＳｉＯ２の熱酸化膜』を形成するものであり、いずれも、本願発明と共通の、単結晶Ｓｉ基板にエッチングを施す技術分野に適用されることを明記しているものであるから、また、刊行物２のように『（インクジェット記録用ノズルヘッド（刊行物２の発明の名称）の）基板として、シリコン等の半導体をも用いることもできる』ことが当業者に通常の知識となっていること、および、『基板表面に所望の薄膜パターンを形成する方法として、化学エッチングあるいはドライエッチングは、ホトエッチングと総称されること』（「薄膜ハンドブック」昭和５８年１２月１０日発行、日本学術振興会薄膜第１３１委員会、株式会社オーム社、第２８１頁右欄下から第８行ないし第２行）を併せ考慮すると、請求人の主張は、理由がない。
　
　そして、本願の請求項１に係る発明が奏する「吐出口部の変形、閉そく（切削粉あるいは接着剤の流入による）がなく、高精度の吐出口が得られ、粒子化特性のバラツキない優れたヘッドとなる。また、接着等を行なわないため、製造組立コストが安い等の利点がある。」という効果（段落【００８６】）（効果の認定については、平成９年８月６日付け意見書第１頁第２１行によれば、「本願明細書中から「光沢を有する」という表現を全て削除した」ものである点を参照。）は、刊行物１ないし５に記載された構成から当業者が推認できる程度のものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が刊行物１ないし５に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。