【事件の表示】
　平成４年特許願第１３８１３４号「光ファイバを用いる光情報記憶装置」拒絶査定に対する審判事件［平成６年３月２９日出願公開、特開平６−８８９８２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（手続の経緯、請求項に係る発明）
　この出願は、平成４年５月２９日の出願であって、請求項１ないし請求項１４に係る発明は、平成１２年３月２７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１４に記載されたとおりのものと認められ、請求項１及び請求項２には次のとおり記載されている。
「【請求項１】光入力によって非発光状態から発光状態へと移行する光サイリスタ素子からなる光スイッチ素子と、光ファイバとを有し、前記光スイッチ素子の発光出力を前記光ファイバの端面より入力し、他方の端面よりの出射光を前記光スイッチ素子の光入力とする第１の光経路を有することを特徴とする光ファイバを用いる光情報記憶装置。
　【請求項２】光入力によって非発光状態から発光状態へと移行する光サイリスタ素子からなる光スイッチ素子と、光ファイバとを有し、前記光ファイバは一方の端面に導波光を反射する構造の光反射面を有し、前記光スイッチ素子の発光出力を前記光ファイバの他方の端面より入力し、前記光ファイバを導波し前記一方の端面の前記光反射面で反射して戻ってきた導波光を前記光スイッチ素子の光入力とする第３の光経路を有することを特徴とする光ファイバを用いる光情報記億装置。」
　
（引用例）
　これに対して、当審で通知した拒絶理由に引用した、本願出願前公知である特開昭５２−１１３１３２号公報（以下、引用例１という。）には、
「所定の長さの光ファイバの入力端と出力端との間に光パルス増幅装置を設けて、前記光ファイバを含む閉ループを形成し、前記光ファイバの出力端に加えた光パルス情報を前記閉ループ内に循環させて記憶させることを特徴とする光ファイバ記憶装置。」（特許請求の範囲）、
「第１図は本発明の一実施例の説明図であり、ＦＩは入力光ファイバ、ＦＭは記憶用光ファイバ、ＦＴは出力光ファイバ、ＰＤはホトダイオード、ＡＭＰは増幅器、ＣＯＮＴは制御回路、ＤＲＶは駆動回路、ＬＺは半導体レーザである。記憶用光ファイバＦＭは半導体レーザＬＺからの光パルスをホトダイオードＰＤに伝送し、そのホトダイオードＰＤにより電気信号に変換した後増幅器ＡＭＰで増幅し、必要に応じて波形整形し、その出力で駆動回路ＤＲＶを動作させ、半導体レーザＬＺを駆動する。即ち記憶用光ファイバＦＭを含む閉ループに光パルスが光パルス増幅装置により損失分を増幅されて循環することにより、光パルスによる情報の記憶を行なうものである。・・・記憶すべき光パルスは入力光ファイバＦＩから加えられ、前述の如き動作により記憶用光ファイバＦＭを伝播しながらその光パルスが記憶され、伝播損失や波形歪等は光パルス増幅装置の一部を構成する増幅器ＡＭＰによって補償される。又記憶内容の読出しは出力光ファイバＦＴにより行なわれる。又内容の書替えや消去は、入力光ファイバＦＩから特定のパターンの光パルス又は記憶光パルスのレベルより大きいレベルの光パルスを書替え又は消去信号として加え、それを制御回路ＣＯＮＴが検出して、駆動回路ＤＲＶによる半導体レーザＬＺの駆動を一時停止するように制御し、記憶用光ファイバＦＭに伝播中の光パルスが存在しないようにすれば全消去が行なわれ、特定の位置の光パルスの消去であれば、その光パルスを半導体レーザＬＺから出射すべきタイミングに於いて駆動回路ＤＲＶによる半導体レーザＬＺの駆動を停止すれば良いことになる。その場合は制御回路ＣＯＮＴはビットカウンタと同様な機能により光パルス位置を監視するものである。この実施例は光パルスの入力を光パルスとして記憶し、且つ光パルスとして出力することができるものであり、ホトダイオードＰＤ及び半導体レーザＬＺは他の光電変換素子及び発光素子とすることができることは勿論である。」（公報第２頁左上欄第２行〜左下欄第７行）、
「第３図は本発明の更に他の実施例を示すもので、光を直接増幅する光パルス増幅装置としてのレーザ増幅器ＬＺＡを用いて、記憶用光ファイバＦＭを伝播する光パルスの減衰分を補償するものである。この実施例に於いては、読出しは第１図に示す実施例と同様に出力光ファイバＦＴにより行なわれるが、書替や消去は、制御回路ＣＯＮＴに指令を加えることにより駆動回路ＤＲＶを制御し、レーザ増幅器ＬＺＡの駆動の一時停止等を行なうことになる。」（公報第２頁左下欄第１９行〜右下欄第７行）と記載されている。
　したがって、引用例１には、
「所定の長さの光ファイバの入力端と出力端との間に、ホトダイオード、増幅器、制御回路及び半導体レーザからなる光パルス増幅装置、あるいはレーザ増幅器からなる光パルス増幅装置を設けて、前記光ファイバを含む閉ループを形成し、前記光ファイバの入力端に加えた光パルス情報を前記閉ループ内に循環させて記憶させ、記憶すべき光パルスは入力光ファイバＦＩから加えられ、記憶内容の読出しは出力光ファイバＦＴにより行なわれることを特徴とする光ファイバ記憶装置。」の発明（以下、引用発明という。）が記載されている。
　同じく特公昭６２−４８００号公報（以下、引用例２という。）には、
「半導体レーザと、その半導体レーザに電流を印加するためのパルス発生器及び直流バイアス源と、光遅延用伝送路と、その光遅延用伝送路の一部に設けられた反射手段と、前記半導体レーザの一端面からの光パルスを前記光遅延用伝送路の他端に入射し、前記反射手段で反射され、その光遅延用伝送路から帰還した光パルスを前記半導体レーザの前記端面に入射させる手段とを具備し、前記半導体レーザは前記パルス発生器からのパルスにより光パルスを発生し、前記光遅延用伝送路から帰還入射された光パルスを光増幅するように前記パルス発生器のパルス電流及び前記直流バイアス源のバイアス値が選定されている光情報記憶装置。」（特許請求の範囲）、
「第１図において、直流バイアス電源３の直流バイアス電流とパルス電流発生器２のパルスとにより半導体レーザ１から発生した光パルス列は光ファイバ５等の遅延用伝送路を往復伝搬し、τ＝２Ｌ／Ｖ（ここにＬは光ファイバの長さ、Ｖは光ファイバ５中を光が伝搬する速度）の時間だけ遅れて半導体レーザ１に帰還する。この光パルス列がレーザ活性層に入射されると、第２図に示した点線ｂの特性に従って出力光が現われる。半導体レーザ１から、その入射光パルス列に対応した光パルス列が再び送出される。この場合、第３図に模式的に示す様に第３図Ａに示す送出光パルス列は光ファイバ５のベースバンド帯域特性の制限によって、半導体レーザ１に戻った時は第３図Ｂに示すようにパルス波形がなまるが、その光の強さに対応してバイアス電流Ｊｂを設定して、またあるレベル以上の光パルスが半導体レーザ１入射するようにしておくことにより、半導体レーザ１でレーザ発振が起り、再び送出される光パルスは第３図Ｃに示すように、もとの波形に近ずいたものになる。」（公報第２頁左欄第４０行〜右欄第１６行）、
「第１図に示した実施例では光ファイバ５の遠端にミラー６がとりつけられているため必要な光ファイバ５の長さは半分の３．２ｋｍとなる。」（公報第２頁右欄第２３行〜第２６行）と記載されている。
　
１．請求項１に係る発明について
（対比）
  本願の請求項１に係る発明（以下、第１発明という。）と引用発明とを対比すると、引用発明の、「光パルス増幅装置」は、光入力によって非発光状態から発光状態へと移行する機能を有する光スイッチ素子であり、また、引用発明の、「光ファイバを含む閉ループ」は、第１発明の、「第１の経路」に相当するから、両者は、
「光入力によって非発光状態から発光状態へと移行する光スイッチ素子と、光ファイバとを有し、前記光スイッチ素子の発光出力を前記光ファイバの端面より入力し、他方の端面よりの出射光を前記光スイッチ素子の光入力とする第１の光経路を有することを特徴とする光ファイバを用いる光情報記憶装置。」である点で一致しており、
　光スイッチ素子が、第１発明では、「光サイリスタ素子」であるのに対し、引用発明では、ホトダイオード、増幅器、制御回路及び半導体レーザからなる光パルス増幅装置、あるいはレーザ増幅器からなる光パルス増幅装置である点、で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
　上記相違点に係る第１発明の構成要件となっている「光サイリスタ素子」を光メモリに使用することは、特開昭６４−３１１３４号公報、特開平２−３７７７４号公報に記載されているように、本願出願前周知である。
　また、引用発明において、「光パルス増幅装置」は、自らが発生して記憶用光ファイバを伝播してきた光パルスを、帰還光として受光し、且つ光パルスとして出力することができるものであれば、Ｏ−Ｅ−Ｏ素子あるいはＯ−Ｏ素子等任意の素子が適用できることは明らかである。
　してみれば、引用発明の光スイッチ素子として、上記周知の光サイリスタ素子を選択することにさしたる困難性があるとは認められない。
　
（むすび）
　したがって、第１発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
２．請求項２に係る発明について
（対比）
  本願の請求項２に係る発明（以下、第２発明という。）と引用発明とを対比すると、両者は、
「光入力によって非発光状態から発光状態へと移行する光スイッチ素子と、光ファイバとを有し、前記光スイッチ素子の発光出力を前記光ファイバの他方の端面より入力し、前記光ファイバを導波した導波光を前記光スイッチ素子の光入力とする第３の光経路を有することを特徴とする光ファイバを用いる光情報記億装置。」である点で一致しており、
ｉ）光スイッチ素子が、第２発明では、「光サイリスタ素子」であるのに対し、引用発明では、ホトダイオード、増幅器、制御回路及び半導体レーザからなる光パルス増幅装置、あるいはレーザ増幅器からなる光パルス増幅装置である点、
ii）第２発明では、「光ファイバは一方の端面に導波光を反射する構造の光反射面を有し」、「光反射面で反射して戻ってきた導波光を光スイッチ素子の光入力とする」のに対し、引用発明では、光ファイバは光反射面を有していない点、
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記各相違点について検討する。
　相違点ｉ）については、１．請求項１に係る発明について（当審の判断）において示したとおりである。
　相違点ii）について
　引用例２には、光情報記憶装置において、必要な光ファイバの長さを半分にするために、「半導体レーザと、光ファイバに設けられた反射手段と、半導体レーザの一端面からの光パルスを光ファイバに入射し、反射手段で反射され帰還した光パルスを半導体レーザに入射させる手段」が記載されており、引用発明の光ファイバとして、光の伝送距離を倍加するために、引用例２の反射手段を具備するものに変更することは、当業者にとって単なる設計変更程度にすぎないものと認められる。
　
（むすび）
　したがって、第２発明は、引用発明及び公知・周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　なお、審判請求人は、意見書において、本願発明の特徴は、自己発光出力の帰還光においても、外部光源からの発光出力に対しても波長や強度などの広い範囲で安定にスイッチング可能な光サイリスタ素子を用いることで、光ファイバーを伝搬した光パルス列を再生することにあるが、引用例１及び引用例２に記載された発明では、波形歪みの補償が困難、安定な動作ができない等の問題点があり、周知の光サイリスタ素子は、自己発光出力の帰還光によるスイッチングについての言及がなく、使用する機能自体が全く異なるので、動機付けが阻害されている旨、主張している。
　しかしながら、引用例１には、「この実施例は光パルスの入力を光パルスとして記憶し、且つ光パルスとして出力することができるものであり、ホトダイオードＰＤ及び半導体レーザＬＺは他の光電変換素子及び発光素子とすることができることは勿論である。」と記載され、また、第３図の実施例として、光を直接増幅する光パルス増幅装置としてのレーザ増幅器を用いた実施例が記載されていることから、「光パルス増幅装置」は、自らが発生して記憶用光ファイバを伝播してきた光パルスを、帰還光として受光し、且つ光パルスとして出力することができるものであれば、Ｏ−Ｅ−Ｏ素子あるいはＯ−Ｏ素子等任意の素子が適用できることが示唆されているものと認められる。
　そして、光サイリスタ素子は、外部光源からの光入力のみならず、自己発光出力の帰還光によっても、光パルスを発生することは自明であるから、この周知の光サイリスタ素子を、引用発明の、自己発光出力の帰還光を受光して光パルスを出力する「光パルス増幅装置」に適用することを妨げる要因はない。
　さらに、この周知の光サイリスタ素子を、引用発明の「光パルス増幅装置」に適用すれば、波長や強度などの広い範囲で安定にスイッチングし、光ファイバーを伝搬した光パルス列を再生する、という作用効果を奏するものとなることは明らかである。
　以上のとおりであるから、審判請求人の主張は採用できない。
　
　よって、結論のとおり審決する。