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　特願２０１０−５４７６１２「大収容量および大電流のためのエレクトロマイグレーション試験装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　８月２７日国際公開、ＷＯ２００９／１０５１４４、平成２３年　４月２１日国内公表、特表２０１１−５１２５４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
平成２０年１２月１６日　　：国際特許出願
（優先権　平成２０年２月１９日　アメリカ合衆国）
平成２４年　７月１０日付け：拒絶理由通知
平成２４年１０月１１日　　：手続補正書
平成２４年１０月３０日付け：拒絶査定（同年１１月６日発送）
平成２５年　３月　５日　　：手続補正書（以下「本件補正」という。）
平成２５年　３月　５日　　：審判請求
　
第２　補正却下の決定
［結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
　１　補正の内容
　(1) 本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおりである。
「　　【請求項１】
　電子的な被試験デバイス（ＤＵＴ）のエレクトロマイグレーション試験を実行する方法であって，
　前記ＤＵＴを回路内に組み込む工程を備え，
　前記回路は，
　　前記ＤＵＴと直列に接続された出力電流を有する制御電流源と，
　　前記ＤＵＴと並列に接続された，ダイオードの電流−電圧特性によって特徴付けられる電圧リミッタと，
を備え，
　前記電圧リミッタは，
　　前記電圧リミッタを設けていない場合に，前記出力電流が，前記ＤＵＴを介した電圧（Ｖｄｕｔ）を特定の最大電圧Ｖｍａｘを超えさせるような電流であるとき，前記出力電流の少なくとも一部が前記電圧リミッタを流れると共に前記出力電流の他の一部が前記ＤＵＴを流れて，ＶｄｕｔをＶｍａｘ以下に制限し，
　　前記出力電流が，ＶｄｕｔをＶｍａｘ以下にするような電流であるとき，電流を流さないことを特徴とする，方法。」
　
　(2) 本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおりである（
下線
「　　【請求項１】
　電子的な被試験デバイス（ＤＵＴ）のエレクトロマイグレーション試験を実行する方法であって，
　前記ＤＵＴを回路内に組み込む工程を備え，
　前記回路は，
　　前記ＤＵＴと直列に接続された出力電流を有する制御電流源と，
　　前記ＤＵＴと並列に接続された，ダイオードの電流−電圧特性によって特徴付けられる電圧リミッタと，
を備え，
　前記電圧リミッタは，
　　前記電圧リミッタを設けていない場合に，前記出力電流が，前記ＤＵＴを介した電圧（Ｖｄｕｔ）を特定の最大電圧Ｖｍａｘを超えさせるような電流であるとき，前記出力電流
の一
　　前記出力電流が，ＶｄｕｔをＶｍａｘ以下にするような電流であるとき，電流を流さないことを特徴とする，方法。」
　
　２　本件補正の目的
　本件補正は，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）を特定するために必要な事項である，「前記出力電流の少なくとも一部が前記電圧リミッタを流れると共に前記出力電流の他の一部が前記ＤＵＴを流れて」の構成において，「少なくとも一部」が「全部」となる場合を除いて，「前記出力電流の一部が前記電圧リミッタを流れると共に前記出力電流の他の一部が前記ＤＵＴを流れて」と限定して減縮する補正を含む。
　そうしてみると，本件補正は，特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）が，特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて，以下に検討する。
　
　３　判断
　(1) 引用例に記載の事項
　本件国際特許出願の優先日前に頒布された刊行物である実願平３−９５７０６号（実開平５−３８８８７号）のＣＤ−ＲＯＭ（考案の名称：「半導体デバイスの信頼性評価用テストパターン」，出願人：「ソニー株式会社」，出願日：平成３年１０月２５日，公開日：平成５年５月２５日，以下「引用例」という。）には，図面とともに，以下の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】
　本考案は，半導体デバイスに設けられた金属配線のエレクトロン・マイグレーション耐性などを調べるために，信頼性評価試験がなされるテストパターン（ＴＥＧ：test element group）に関する。」
　
　イ　「【０００２】
【従来の技術】
　半導体デバイスの信頼性試験は，デバイスの研究開発段階や，量産段階において実施されており，研究開発時には設計品質，材料，基本プロセスの評価のために実施され，量産時には品質保証試験又は定期的管理試験として実施されている。この信頼性試験には，その対象，目的等により種々の試験方法がある。
【０００３】
　近年では半導体デバイスが高度化，複雑化していることから，完成品段階での評価のみでは不十分であり，構成要素段階での評価が重要となっている。そのため，ＬＳＩ製造のプロセスの最適化条件の確立や新しいプロセスの開発，プロセスコントロールのために，デバイス製造の全工程または一部分の工程（例えば，酸化工程，ＣＶＤ工程，パターン工程，配線工程等）の評価が，各種評価用のＴＥＧ（test element group) を用いて行われている。
　ＴＥＧはテストパターンとも称され，材料，基本設計，基本プロセスを評価したり，故障メカニズムを調べるために特別に作られたテスト回路よりなる試料である。また，このＴＥＧは，ウェーハの一部やチップの隅部に試験的に作られている。」
　
　ウ　「【０００９】
【実施例】
　以下，本考案の一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
　図１は，本考案の一実施例に係る半導体デバイスの信頼性評価用テストパターンを評価装置と共に示す概略構成図である。」
【図１】
　
　エ　「【００１０】
　本実施例の信頼性評価装置１０は，図１に示すように，半導体デバイスに設けられた金属配線のエレクトロン・マイグレーション（以下，「ＥＭ」とも略す）耐性を調べるために，テストパターン（以下，「ＴＥＧ」とも略す）を用いて検査する。このＴＥＧは，ウェーハの一部やチップの隅部に試験的に作られている。また，金属配線を構成する金属としては，アルミニウム，銅，銀，プラチナ，チタン，タングステン等が用いられている。
【００１１】
　前記ＴＥＧには，抵抗Ｒｉ（ｉ＝１〜ｎ）を有する複数のテスト配線（サンプル）１１が予め作り込まれている。これらテスト配線１１は，直列に接続されて直列テスト配線群１２を形成している。直列テスト配線群１２の両端は，外部リード線が接続されるパッド部Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ接続され，このパッド部Ｐ１，Ｐ２には，直列テスト配線群１２に定電流Ｉを流す定電流供給手段としての定電流発生装置１３が接続されている。したがって，パッド部Ｐ１，Ｐ２は，直列テスト配線群１２の電流端子となっている。
【００１２】
　パッド部Ｐ１と抵抗Ｒ１との間，及び，抵抗Ｒｎとパッド部Ｐ２との間には，外部リード線が接続されるパッド部Ｐ３，Ｐ４がそれぞれ接続されている。このパッド部Ｐ３，Ｐ４には，直列テスト配線群１２の電位差を検出する電位差検出手段としての電位差計１４が接続されている。
【００１３】
　また，前記各テスト配線１１には，当該テスト配線１１が断線したときあるいは配線抵抗が所定の抵抗値以上に増大したときに電流を流すように作動するバイパス回路１５が設けられている。
【００１４】
　さらに詳しくは，前記バイパス回路１５のそれぞれは，順方向に接続されるダイオードＤｉ（ｉ＝１〜ｎ）を有し，このダイオードＤｉも，前述した抵抗Ｒｉと同様にＴＥＧに予め作り込まれている。各ダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉ（ｉ＝１〜ｎ）は，各抵抗Ｒｉの電位降下に比べて十分大きく設定されている。したがって，直列テスト配線群１２に定電流Ｉを流し始めたときには，抵抗Ｒｉの電位降下に比べてダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉが十分大きいために，テスト配線１１側にのみ電流Ｉが流れる。一方，ＥＭ劣化によりテスト配線１１が断線したり，あるいは，配線抵抗が所定の値よりも増大したりしたときには，テスト配線１１側の電位降下がダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉよりも大きくなるため，ダイオードＤｉがオンして，バイパス回路１５はテスト配線１１に替わって電流を流すように作動する。」
　
　オ　「【００１５】
　次に，本実施例の作用を，図２に基づいて説明する。
　電流端子としてのパッド部Ｐ１，Ｐ２を介して，定電流発生装置１３による定電流Ｉを直列テスト配線群１２に流し始めると，抵抗Ｒｉの電位降下に比べてダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉが十分大きいことから，テスト配線１１側にのみ定電流Ｉが流れる。このときのパッド部Ｐ３，Ｐ４間の電位差は，　Ｉ×ΣＲｉ（ｉ＝１〜ｎ）である。」
【図２】
　
　カ　「【００１６】
　この状態から時間ｔ１が経過すると，ＥＭ劣化が進行し，いずれかのテスト配線１１が断線したり，あるいは，その抵抗値が所定の値よりも増大する。このときには，当該テスト配線１１側の電位降下は，対応するダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉよりも大きくなるため，当該ダイオードＤｉがオンして，電流Ｉは当該テスト配線１１をバイパスしてバイパス回路１５を流れることになる。このようにバイパス回路１５にダイオードＤｉを設けることにより，テスト配線１１が断線したときのみならず，故障モードとしての抵抗変動も容易に検査することができる。バイパス回路１５が作動したのに伴う電位降下は，ｖｉ−Ｒｉ×Ｉ（ｉ：作動したバイパス回路の番号）となる。
【００１７】
　この状態を継続すると，図示するように，ＥＭ劣化が他のテスト配線１１でも順次進行し，時間ｔ２で２つ目のテスト配線１１が故障してこれに設けられたバイパス回路１５が作動し，時間ｔ３で３つ目のテスト配線１１が故障してこれに設けられたバイパス回路１５が作動することになる。つまり，いずれのテスト配線１１が故障しても，定電流Ｉは故障したテスト配線１１に設けられたバイパス回路１５を流れるために，他のテスト配線１１のＥＭ耐性試験をそのまま継続することができる。
【００１８】
　通電をさらに継続すると，ついには，全てのテスト配線１１が故障した状態となる。このときのパッド部Ｐ３，Ｐ４間の電位差は，  Σｖｉ（ｉ＝１〜ｎ）となる。
　そして，図２で示されるように，個々のテスト配線１１がＥＭ劣化により故障するまでの時間（ｔ１，ｔ２…）と，全てのテスト配線１１が故障するまでの時間（ｔｎ）と，時間ｔ１から時間ｔｎまでの間における故障時間の分布を得ることができる。この分布に所定の統計処理を施すことによって平均故障時間（ＭＴＦ：mediam time to failure）が得られ，テスト配線１１のＥＭ耐性を知ることができる。」
　
　キ　「【００１９】
　このように本実施例では，複数のテスト配線（サンプル）１１のＥＭ耐性を，１つの電流源で，しかも，同時に試験できるＴＥＧが得られるため，サンプル数の削減を通して信頼性評価装置１０の小型化を達成でき，試験時間の短縮化を図ることが可能となる。
【００２０】
　なお，ＥＭ劣化の目安を抵抗値の変動として把握する場合には，試験電流Ｉ，ダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉ，及び配線長さ等の各パラメータを適宜決定する必要がある。例えば，試験電流Ｉを５０ｍＡ（断面積０．５μｍの配線なら電流密度１×１０ｍＡ／ｃｍ），ビルト・イン・ポテンシャルｖｉを０．６Ｖとしても配線長さは１０Ωになるところまで選択できる。また，パッド部Ｐ３，Ｐ４間の電位差をモニターしておくと図２のような波形が得られるため，チャート紙等に記録すればテスト配線１１が故障したか否かの判定を容易に行うことができる。」
　
　ク　「【００２２】
【考案の効果】
　以上説明したように，本考案によれば，複数のテスト配線のエレクトロン・マイグレーションに対する耐性などを，１つの電流源で，しかも，同時に試験できるテストパターンが得られることになるため，信頼性評価装置の小型化を達成でき，試験時間の短縮化を図ることが可能になるという優れた効果を奏する。」
　
　(2) 引用発明
　引用例には，「テストパターンを用いて検査する」（段落【００１０】）と記載されているところ，「検査する」ことは，方法を実施することにほかならない。したがって，引用例には，以下の方法の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。
　半導体デバイスに設けられた金属配線のエレクトロン・マイグレーション（ＥＭ）耐性を調べるために，テストパターン（ＴＥＧ）を用いて検査する方法であって，
　ＴＥＧは，ウェーハの一部やチップの隅部に試験的に作られ，抵抗Ｒｉ（ｉ＝１〜ｎ）を有する複数のテスト配線１１が予め作り込まれ，これらテスト配線１１は，直列に接続されて直列テスト配線群１２を形成し，各テスト配線１１には，テスト配線１１が断線したときあるいは配線抵抗が所定の抵抗値以上に増大したときに電流を流すように作動するバイパス回路１５が設けられ，
　バイパス回路１５のそれぞれは，順方向に接続されるダイオードＤｉ（ｉ＝１〜ｎ）を有し，このダイオードＤｉも，抵抗Ｒｉと同様にＴＥＧに予め作り込まれ，各ダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉ（ｉ＝１〜ｎ）は，各抵抗Ｒｉの電位降下に比べて十分大きく設定され，
　直列テスト配線群１２の両端は，外部リード線が接続されるパッド部Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ接続され，このパッド部Ｐ１，Ｐ２には，直列テスト配線群１２に定電流Ｉを流す定電流供給手段としての定電流発生装置１３が接続され，
　直列テスト配線群１２に定電流Ｉを流し始めたときには，抵抗Ｒｉの電位降下に比べてダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉが十分大きいために，テスト配線１１側にのみ電流Ｉが流れ，
　ＥＭ劣化によりテスト配線１１が断線したり，あるいは，配線抵抗が所定の値よりも増大したりしたときには，テスト配線１１側の電位降下がダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉよりも大きくなるため，ダイオードＤｉがオンして，バイパス回路１５はテスト配線１１に替わって電流を流すように作動する，方法。
　
　(3) 対比
　本件補正後発明と引用発明を対比する。
　ア　電子的な被試験デバイス（ＤＵＴ）
　引用発明は，「ＴＥＧは，ウェーハの一部やチップの隅部に試験的に作られ抵抗Ｒｉ（ｉ＝１〜ｎ）を有する複数のテスト配線１１が予め作り込まれ，これらテスト配線１１は，直列に接続されて直列テスト配線群１２を形成し」の構成を具備するから，引用発明の「テスト配線１１」と本件補正後発明の「電子的な被試験デバイス（ＤＵＴ）」は，「被試験物」の点で共通する。
　また，引用発明は，「半導体デバイスに設けられた金属配線のエレクトロン・マイグレーション（ＥＭ）耐性を調べるために，テストパターン（ＴＥＧ）を用いて検査する方法」であるから，引用発明と本件補正後発明は，「被試験物のエレクトロマイグレーション試験を実行する方法」の点で共通する。
　イ　制御電流源
　引用発明は，「直列テスト配線群１２の両端は，外部リード線が接続されるパッド部Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ接続され，このパッド部Ｐ１，Ｐ２には，直列テスト配線群１２に定電流Ｉを流す定電流供給手段としての定電流発生装置１３が接続され」の構成を具備するから，引用発明の「定電流発生装置１３」と本件補正後発明の「制御電流源」は，「被試験物と直列に接続された出力電流を有する制御電流源」の点で共通する。
　ウ　電圧リミッタ
　引用発明は，「各テスト配線１１には，テスト配線１１が断線したときあるいは配線抵抗が所定の抵抗値以上に増大したときに電流を流すように作動するバイパス回路１５が設けられ」，「バイパス回路１５のそれぞれは，順方向に接続されるダイオードＤｉ（ｉ＝１〜ｎ）を有し，このダイオードＤｉも，抵抗Ｒｉと同様にＴＥＧに予め作り込まれ」及び「各ダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉ（ｉ＝１〜ｎ）は，各抵抗Ｒｉの電位降下に比べて十分大きく設定され」の構成を具備するから，引用発明の「バイパス回路１５」と本件補正後発明の「電圧リミッタ」は，「被測定物と並列に接続された，ダイオードの電流−電圧特性によって特徴付けられる電圧リミッタ」の点で共通する。
　エ　回路
　前記イ及びウのとおりであるから，引用発明の「定電流発生装置１３」及び「バイパス回路１５」を備える回路は，（被測定物に関する点を除き）本件補正後回路発明の「回路」と共通する。
　オ　ＤＵＴを回路内に組み込む工程
　引用発明の検査を実施するためには，直列テスト配線群１２に定電流発生装置を電気的に接続する必要があるから，引用発明と本件補正後発明は，「被試験物を回路内に組み込む工程」を備える点で共通する。
　カ　電圧リミッタの動作
　引用発明は，「直列テスト配線群１２に定電流Ｉを流し始めたときには，抵抗Ｒｉの電位降下に比べてダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉが十分大きいために，テスト配線１１側にのみ電流Ｉが流れ」及び「ＥＭ劣化によりテスト配線１１が断線したり，あるいは，配線抵抗が所定の値よりも増大したりしたときには，テスト配線１１側の電位降下がダイオードＤｉのビルト・イン・ポテンシャルｖｉよりも大きくなるため，ダイオードＤｉがオンして，バイパス回路１５はテスト配線１１に替わって電流を流すように作動する」の構成を具備する。したがって，引用発明の「バイパス回路」と本件補正後発明の「電圧リミッタ」は，「電圧リミッタを設けていない場合に，出力電流が，被試験物を介した電圧（Ｖｔ）を特定の最大電圧Ｖｍａｘを超えさせるような電流であるとき，出力電流が前記電圧リミッタを流れて，ＶｔをＶｍａｘ以下に制限し，前記出力電流が，ＶｔをＶｍａｘ以下にするような電流であるとき，電流を流さない」点で共通する。
　
　そうしてみると，本件補正後発明と引用発明の一致点及び相違点は以下のとおりとなる。
　
（一致点）
　被試験物のエレクトロマイグレーション試験を実行する方法であって，
　前記被試験物を回路内に組み込む工程を備え，
　前記回路は，
　　前記被試験物と直列に接続された出力電流を有する制御電流源と，
　　前記被試験物と並列に接続された，ダイオードの電流−電圧特性によって特徴付けられる電圧リミッタと，
を備え，
　前記電圧リミッタは，
　　前記電圧リミッタを設けていない場合に，前記出力電流が，前記被試験物を介した電圧（Ｖｔ）を特定の最大電圧Ｖｍａｘを超えさせるような電流であるとき，前記出力電流が前記電圧リミッタを流れて，ＶｔをＶｍａｘ以下に制限し，
　　前記出力電流が，ＶｔをＶｍａｘ以下にするような電流であるとき，電流を流さないことを特徴とする，方法。
　
（相違点１）
　被試験物について，本件補正後発明は，ＤＵＴ（電子的な被試験デバイス）であるのに対し，引用発明の被試験物は，「テスト配線１１」である点。
　
（相違点２）
　電圧リミッタについて，本件補正後発明の電圧リミッタは，「前記電圧リミッタを設けていない場合に，前記出力電流が，前記ＤＵＴを介した電圧（Ｖｄｕｔ）を特定の最大電圧Ｖｍａｘを超えさせるような電流であるとき，前記出力電流の一部が前記電圧リミッタを流れると共に前記出力電流の他の一部が前記ＤＵＴを流れて，ＶｄｕｔをＶｍａｘ以下に制限し」の構成を具備するのに対し，引用発明は，これが明らかでない点。
　
　(4) 判断
（相違点１について）
　ＤＵＴに関して，本件出願の段落【０００１】には，半導体チップパッケージで利用されるはんだバンプコンタクトのエレクトロマイグレーション試験が例示されている。他方，引用発明のテスト配線１１は，「半導体デバイスに設けられた金属配線」であり，ウェーハやチップに作られるものである。
　そうしてみると，引用発明のテスト配線１１は，本件補正後発明でいう「ＤＵＴ」に該当し，少なくとも，ＤＵＴの配線を検査対象とすることは，当業者が容易にできることである。
　また，引用例の段落【０００３】に「近年では半導体デバイスが高度化，複雑化していることから，完成品段階での評価のみでは不十分であり，構成要素段階での評価が重要となっている。」と記載されているとおり，引用例は，構成要素段階での評価が重要となっているとの見解を示しつつも，完成品段階での評価も行われることを開示しており，また，引用例の図１には，評価を行うために必要な回路全体の構成が開示されている。
　そうしてみると，引用発明において，引用例図１の回路のＲｉ（ｉ＝１〜ｎ）をＤＵＴに置き換えて検査することは，当業者が容易にできることである。
　
（相違点２について）
　引用例の段落【００１３】及び段落【００１６】には，テスト配線１１が断線したときあるいは配線抵抗が所定の抵抗値以上に増大したときにバイパス回路１５が作動することが記載されているところ，段落【００１６】には，「テスト配線１１が断線したときのみならず，故障モードとしての抵抗変動も容易に検査することができる」と記載されている。
　そうしてみると，引用発明において，特に故障モードとしての抵抗変動に着目して検査すべく引用発明を実施することは，当業者が容易にできることである。
　また，引用発明において，抵抗変動に伴い配線抵抗が所定の抵抗値以上に増大すると，バイパス回路１５が作動し，この状態において，配線に，「所定の抵抗値」÷「ｖｉ」の電流が流れることは自然法則からみて明らかである。
　相違点２に係る構成を克服することは，当業者が容易にできることである。
　
　(5) 小括
　以上のとおり，本件補正後発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，同法２９条２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　
　４　補正却下についてのまとめ
　本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本件出願の請求項１に係る発明は，明細書及び図面の記載からみて，以下のとおりである（再掲：本願発明）。
「　　【請求項１】
　電子的な被試験デバイス（ＤＵＴ）のエレクトロマイグレーション試験を実行する方法であって，
　前記ＤＵＴを回路内に組み込む工程を備え，
　前記回路は，
　　前記ＤＵＴと直列に接続された出力電流を有する制御電流源と，
　　前記ＤＵＴと並列に接続された，ダイオードの電流−電圧特性によって特徴付けられる電圧リミッタと，
を備え，
　前記電圧リミッタは，
　　前記電圧リミッタを設けていない場合に，前記出力電流が，前記ＤＵＴを介した電圧（Ｖｄｕｔ）を特定の最大電圧Ｖｍａｘを超えさせるような電流であるとき，前記出力電流の少なくとも一部が前記電圧リミッタを流れると共に前記出力電流の他の一部が前記ＤＵＴを流れて，ＶｄｕｔをＶｍａｘ以下に制限し，
　　前記出力電流が，ＶｄｕｔをＶｍａｘ以下にするような電流であるとき，電流を流さないことを特徴とする，方法。」
　
　２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，概略，この出願の請求項１ないし４に係る発明は，その優先日前に日本国内において頒布された引用例に記載された発明に基づいて，その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　
　３　引用例に記載の事項及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例に記載の事項及び引用発明は，前記「第２　補正却下の決定」「３　判断」の「(1) 引用例に記載の事項」及び「(2) 引用発明」に記載したとおりである。
　
　４　対比及び判断
　本願発明は，本件補正後発明を特定するために必要な事項である，「前記出力電流の一部が前記電圧リミッタを流れると共に前記出力電流の他の一部が前記ＤＵＴを流れて」の構成において，「前記出力電流の一部」が「前記出力電流の全部」になる場合を加え，「前記出力電流の少なくとも一部が前記電圧リミッタを流れると共に前記出力電流の他の一部が前記ＤＵＴを流れて」としたものである。
　そうすると，本願発明は，本件補正後発明と同一の発明の態様を包含するものであるから，本願発明は，前記「第２　補正却下の決定」「３　判断」の「(3) 対比」及び「(4) 判断」と同じ理由により，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　結び
　以上のとおり，本願発明は，その優先日前に日本国内において頒布された引用例に記載された発明に基づいて，その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について審理するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。