【事件の表示】
　特許第３１４６７２６号「バンプ付電子部品の実装方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４６７２６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１４６７２６号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平５−５０４６４号）　　　　　平成　５年　３月１１日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　１月１２日
　特許異議申立（異議申立人：大和田百合子）　　平成１３年　９月１９日
　取消理由通知（１）　　　　　　　　　　　　　平成１４年１０月１５日
　特許異議意見書　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年１２月２０日
　取消理由通知（２）　　　　　　　　　　　　　平成１５年　３月１０日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　　平成１５年　５月１６日
　　
２．訂正の適否
２．１　訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１５年　５月１６日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
２．１．１　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１における「前記基板の電極の面積を前記電子部品の電極の面積よりも大きく形成することにより、前記リフロー処理において加熱溶融したバンプを前記基板の電極上に拡散させてその断面形状を台形状にした後、Ｘ線装置によりバンプの平面積を観察し、この平面積の大小からボンディング良・ボンディング不良を判定する」を、
「前記基板の電極の面積を前記電子部品の電極の面積よりも大きく形成するとともに基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせることにより、前記リフロー処理において加熱溶融したバンプを前記基板の電極上に拡散させてその断面形状を台形状にした後、Ｘ線装置によりバンプの平面積並びに平面形状を観察し、この平面積の大小並びに平面形状からボンディング良・ボンディング不良を判定する」と訂正する。
２．１．２　訂正事項ｂ
　段落０００９における「このために本発明のバンプ付電子部品の実装方法は、基板の電極の面積を電子部品の電極の面積よりも大きく形成することにより、リフロー処理において加熱溶融したバンプを基板の電極上に拡散させてその断面形状を台形状にした後、Ｘ線装置によりバンプの平面積を観察し、この平面積の大小からボンディング良・ボンディング不良を判定するようにしたものである。」を、
「このために本発明のバンプ付電子部品の実装方法は、基板の電極の面積を電子部品の電極の面積よりも大きく形成するとともに基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせることにより、リフロー処理において加熱溶融したバンプを基板の電極上に拡散させてその断面形状を台形状にした後、Ｘ線装置によりバンプの平面積並びに平面形状を観察し、この平面積の大小並びに平面形状からボンディング良・ボンディング不良を判定するようにしたものである。」と訂正する。
２．１．３　訂正事項ｃ
　段落００１０、段落００１９における「またリフロー後にはバンプの平面積はリフロー前に比較して著しく大きくなるので、Ｘ線を使用してバンプの平面積の大きさを測定することにより、ボンディング良・ボンディング不良の良否判定を的確に行える。」を、
「またリフロー後にはバンプの平面積はリフロー前に比較して著しく大きくなるので、Ｘ線を使用してバンプの平面積の大きさを測定することにより、またバンプの平面形状から、ボンディング良・ボンディング不良の良否判定を的確に行える。」と訂正する。
　　
２．２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、「基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせる」点、及び、「バンプの平面積」だけでなく「バンプの平面積並びに平面形状」を観察し「バンプの平面積の大小並びに平面形状」からボンディング良・ボンディング不良を判定する点、をさらに限定するものであり、これらの点は段落００１７において「図７（ａ）（ｂ）（ｃ）は、電極６の平面形状を４角形にした場合の軟Ｘ線の画像を示している。・・・・・・・・・。図７（ｂ）に示すものは、リフローによりバンプ４は電極６の全面に拡散してバンプ４の平面形状は４角形になっており良品である。これに対し図７（ｃ）に示すものは、リフローによりバンプ４は十分に拡散しておらず、その平面形状は円形のままであり、不良品である。したがってこのように電極３と電極６の平面形状を異ならせておけば、リフロー後のバンプ４の平面形状から良否を容易に判定できる。電極６の形状としては、４角形以外にも６角形などでもよい。」と記載されている点に根拠を有する。
　したがって、この訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．２．２　訂正事項ｂ、ｃ
　訂正事項ｂ、ｃは、特許請求の範囲の訂正（訂正事項ａ）に対応してこれと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　　
２．３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
３．特許異議申立てについての判断
３．１　本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】電子部品の電極に突設されたバンプを基板の電極に着地させ、次にリフロー処理を行ってバンプを加熱溶融させることによりバンプを基板の電極にボンディングするバンプ付電子部品の実装方法であって、前記基板の電極の面積を前記電子部品の電極の面積よりも大きく形成するとともに基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせることにより、前記リフロー処理において加熱溶融したバンプを前記基板の電極上に拡散させてその断面形状を台形状にした後、Ｘ線装置によりバンプの平面積並びに平面形状を観察し、この平面積の大小並びに平面形状からボンディング良・ボンディング不良を判定することを特徴とするバンプ付電子部品の実装方法。」（以下、「本件発明」という。）
　　　
３．２　取消理由通知（２）で引用された刊行物に記載された発明
　刊行物１（取消理由Ｂにおける周知例１）：特開平２−４３７４８号公報には、「ＩＣチップ実装方法」が図面とともに記載されており、従来技術の説明記載として、「・・・・、第８図Ａに示すように、ＩＣチップ１を基板６上にマウントし、これを半田リフロー炉内に配置して、この半田リフロー炉内の温度を上昇させる。このようにすると、第８図Ｂに示すように、半田バンプ４が融解し、半田バンプ４を構成している半田７が基板６に設けられたパッド８上に広がり、ＩＣチップ１のパッド２と基板６のパッド８とがボンディングされる。」と記載されている（第１頁第右下欄第１８行〜第２頁第左上欄第５行）。
また、第８図Ｂでは、半田７の断面形状がほぼ台形状になっている。
　　　
　刊行物２（取消理由Ｂにおける周知例２）：特開昭６２−２８１３４３号公報には、「半導体装置」が図面とともに記載されており、
実施例ＩＩの説明記載として、以下のような記載がなされている。
「第９図（半導体装置の要部断面図）に電極４Ａの寸法に比べて電極５Ａの寸法を小さく構成した場合の半導体装置を示す。・・・・、第９図・・・に示す半導体装置の突起電極６は、・・・ｐ点を中心とする半径Ｒで描かれる太鼓形状で構成されている。・・・・・、第９図に示す半導体装置は、電極４Ａ、電極５Ａの夫々の半径比を１．５：１で構成している。」（第５頁左上欄第３行〜第１２行）。
また、第９図では、リフロー後の突起電極がほぼ台形状になっている。
　　　
　刊行物３（取消理由Ｂにおける周知例６）：特開昭６３−６１１５５号公報には、Ｘ線源及びＸ線検出器をもつ内部欠陥検査装置が記載されており、その内部欠陥検査装置を用いてはんだ接続部の欠陥検査を行う点が開示されている。
　　
　刊行物４（取消理由Ｂにおける周知例７）：特開平１−３０１１５４号公報には、Ｘ線撮像方法及びＸ線撮像装置が記載されており、この装置を用いてＩＣチップが接続された微小なはんだ付部の観察や検査を行う点が開示されている。
　　
　刊行物５（取消理由Ｂにおける周知例８）：特開平４−３１５００６号公報には、Ｘ線によるフリップチップのボンディング検査方法が記載されており、撮像されたバンプの輪郭からボンディングの接合状態を判定する点が開示されている。　　
　　
　刊行物６（取消理由Ｂにおける周知例９）：特開平４−３１９６１０号公報には、Ｘ線によるフリップチップ検査装置が記載されており、この検査装置を用いることにより高速、高分解能、高感度をもってフリップチップ接続部のマイクロバンプの欠陥の自動検査が可能になる点が開示されている。
　　
　刊行物７（取消理由Ｂにおける周知例１０）：特開平４−３５９４４７号公報には、Ｘ線源、Ｘ線検出手段、ハンダ接合部異常判断手段等を備えた半導体装置のハンダ接合部検査装置が記載されており、この検査装置を用いることによりハンダ接合部をＸ線で透過することによって形成した濃淡データからハンダ接合部の異常を自動的に判断することができる点が開示されている。
　　　
　（取消理由Ｂにおける）周知例３：特開昭６１−１２５０５０号公報には、バンプ電極のペレットの径が基板側（マザーチップ側）の径よりも小さく構成され、半田バンプの断面形状がほぼ台形状であるような半導体装置が開示されている（第１図を参照）。
　　　
　（取消理由Ｂにおける）周知例４：特開昭６４−５７７３７号公報には、フリップチップ型集積回路装置において、半導体チップの面に形成した電極（バンプ）と導体層との相互間が半田によって形成され、導体層のほうが電極（バンプ）よりも大きく形成されていて、半田の断面形状がほぼ台形状である点が開示されている（第１図、第２図を参照）。
　　　
　（取消理由Ｂにおける）周知例５：特開平４−２６８７３９号公報には、回路基板上の予めはんだ材料が供給された電極に半導体素子の突起電極を位置合わせして仮止めし、加熱によりはんだリフローして基板と半導体素子とを接合する構成において、突起電極のほうが回路基板上の電極よりも大きく形成されていて、リフローした半田の断面形状がほぼ台形状になっている点が開示されている（図１、図２を参照）。
　　　
３．３　本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　本件発明と刊行物１乃至７及び周知例３乃至５とを対比すると、刊行物１乃至７及び周知例３乃至５には、本件請求項１に係る発明の構成要件である「基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせることにより、前記リフロー処理において加熱溶融したバンプを前記基板の電極上に拡散させてその断面形状を台形状にした後、Ｘ線装置によりバンプの平面積並びに平面形状を観察し、この平面積の大小並びに平面形状からボンディング良・ボンディング不良を判定する」点について記載も示唆もされていない。
　（刊行物１、２、及び周知例３乃至５には、「前記基板の電極の面積を前記電子部品の電極の面積よりも大きく形成することにより、前記リフロー処理において加熱溶融したバンプを前記基板の電極上に拡散させてその断面形状を台形状にした後、Ｘ線装置によりバンプの平面積を観察し、この平面積の大小からボンディング良・ボンディング不良を判定する」旨の構成に相当するものは記載されているが、基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせ、バンプの平面形状からボンディング良・ボンディング不良を判定する点については記載も示唆もされていない。また、刊行物３乃至７には、Ｘ線装置によりバンプの平面積を観察することによりボンディングの良・不良を判定する点については記載されているが、リフロー処理において加熱溶融したバンプを前記基板の電極上に拡散させてその断面形状を台形状にする点、及び、基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせ、バンプの平面形状からボンディング良・ボンディング不良を判定する点、のいずれの点についても記載も示唆もされていない。したがって、刊行物１乃至７及び周知例３乃至５のいずれにおいても、基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせ、バンプの平面積並びに平面形状を観察し、この平面積の大小並びに平面形状からボンディング良・ボンディング不良を判定する点については記載も示唆もされていない。）
　そして本件発明は上記の点の構成を備えることにより、「リフロー後にはバンプの平面積はリフロー前に比較して著しく大きくなるので、Ｘ線を使用してバンプの平面積の大きさを測定することにより、またバンプの平面形状から、ボンディング良・ボンディング不良の良否判定を的確に行える。」（段落【００１９】を参照）という、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明は、刊行物１乃至７及び周知例３乃至５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、その他の異議申立理由及び証拠は、本件特許の請求項１に係る発明を取り消すべき理由として採用することができない。
　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年８月２２日（２００３．８．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
バンプ付電子部品の実装方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】電子部品の電極に突設されたバンプを基板の電極に着地させ、次にリフロー処理を行ってバンプを加熱溶融させることによりバンプを基板の電極にボンディングするバンプ付電子部品の実装方法であって、前記基板の電極の面積を前記電子部品の電極の面積よりも大きく形成する
とともに基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせる
並びに平面形状
並びに平面形状
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、電子部品の電極に突設されたバンプを基板の電極に着地させ、次にリフロー処理を行ってバンプを加熱溶融させることによりバンプを基板の電極にボンディングするバンプ付電子部品の実装方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　バンプ付電子部品はリード付電子部品と比較して実装面積を小さくできることから、近年、次第に普及してきている。図８は、基板に実装された従来のバンプ付電子部品の側面図である。バンプ付電子部品１は、電子部品２の電極３にバンプ（突出電極）４を突設して形成されており、このバンプ４を基板５の電極６に着地させた後、リフロー処理を行ってバンプ４を加熱溶融させることにより、バンプ４を電極６にボンディングする。
　【０００３】
　図９は、バンプ４を基板５の電極６にボンディングする前の部分拡大図であって、バンプ４の断面形状は略円球状である。また図１０はボンディング後の部分拡大図であって、バンプ４は加熱溶融時の表面張力と電子部品２の自重により押し潰されて、やや扁平な断面形状となっている。
　【０００４】
　電子部品２に突設されるバンプ４の数は、一般に１０個以上、若しくは数１００個以上であってきわめて多いが、すべてのバンプ４を基板５の電極６に確実に着地させてボンディングしなければならず、ボンディング不良のバンプ４が１個でもあると、不良品となってしまう。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところがバンプ４の高さｄ１にばらつきが生じることはその製造上避けられず、また基板５にも反りが生じることはその製造上避けられないことから、従来の実装方法では、多数個のすべてのバンプ４を基板５の電極６に確実に着地させてボンディングさせることはかなり困難であるという問題点があった。因みに、バンプ４はスクリーン印刷法やメッキ法などにより形成される。
　【０００６】
　またバンプ付電子部品１を基板５に実装した後、バンプ４が基板５の電極６にしっかりボンディングされているか否かを検査する必要があるが、従来の実装方法では、ボンディング良とボンディング不良のバンプ４には形状的な差異はあまり無いので、例えば軟Ｘ線による外観検査を行っても信頼性の高い良否判定結果を得にくいという問題点があった。
　【０００７】
　ところで、図９に示すリフロー前のバンプ４の高さｄ１と、図１０に示すリフロー後のバンプ４の高さｄ２の差△ｄ＝ｄ１−ｄ２が大きい程、すなわちリフロー処理によってバンプ４の高さが収縮する程、バンプ４の高さのばらつきや基板５の反りを吸収でき、すべてのバンプ４を基板５の電極６に確実にボンディングできる。また図９に示すバンプ４の形状と、図１０に示すバンプ４の形状に顕著な差異がある程、ボンディング良・ボンディング不良の外観検査の良否判定を行いやすいものである。
　【０００８】
　そこで本発明は叙上の点を勘案してなされたものであって、電子部品のすべてのバンプを基板の電極に確実にボンディングでき、且つ実装後の外観検査においてボンディング良・ボンディング不良を的確に判定することが可能なバンプ付電子部品の実装方法を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　このために本発明のバンプ付電子部品の実装方法は、基板の電極の面積を電子部品の電極の面積よりも大きく形成する
とともに基板の電極の平面形状と電子部品の電極の平面形状を異ならせる
並びに平面形状
並びに平面形状
　【００１０】
　【作用】
　上記構成によれば、リフロー時に加熱溶融したバンプが面積の大きい基板の電極上に拡散することにより、その断面形状は台形となることから、リフロー前のバンプの高さとリフロー後のバンプ高さの差が大きくなり、このようなバンプの高さの収縮によってバンプの高さのばらつきや基板の反りを吸収してすべてのバンプを基板の電極にボンディングできる。またリフロー後にはバンプの平面積はリフロー前に比較して著しく大きくなるので、Ｘ線を使用してバンプの平面積の大きさを測定することにより、
またバンプの平面形状から、
　【００１１】
　【実施例】
　次に、図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。
　【００１２】
　図１は実装前のバンプ付電子部品と基板の斜視図である。バンプ付電子部品１は、電子部品２の下面に形成された電極３上にバンプ４を突設して形成されている。このバンプ付電子部品１は、上記した従来のバンプ付電子部品と同じものである。また基板５の上面には電極６がエッチング法などにより形成されているが、基板５の電極６の面積は、電子部品２の電極３の面積よりもかなり大きくしてある。なお本実施例の電極３、６の平面形状は円形であるが、四角形などでもよい。
　【００１３】
　このバンプ付電子部品１は、基板５の電極６にフラックスを塗布した後、バンプ４を電極６に着地させて基板５に搭載され、続いてリフロー処理が行われる。図２はリフロー装置の内部構造を示す断面図である。加熱室１１の内部には基板５を搬送するコンベア１２が配設されており、またコンベア１２の上方にはヒータ１３とファン１４が配設されている。１５はファン１４の駆動用モータである。また加熱室１１の後方には冷却室１６が設けられており、この冷却室１６には冷却用のファン１４が配設されている。
　【００１４】
　コンベア１２により基板５を右方へ搬送しながら、ヒータ１３で加熱された空気をファン１４により基板５に吹き付け、バンプ４を加熱溶融させてリフロー処理した後、冷却室１６において基板５に冷風を吹き付けることにより、加熱溶融したバンプ４を冷却して固化させる。なおリフロー装置としては、加熱室にチッソガスを供給するチッソリフロー装置も適用できる。
　【００１５】
　図３はリフロー後のバンプ付電子部品１と基板５の側面図、図４はその部分拡大図である。図示するように、基板５の電極６の面積は電子部品２の電極３の面積より大きいので、リフロー時には加熱溶融したバンプ４は流動し、電極６の全面若しくはほぼ全面に拡散して、その断面形状は台形状となり、その高さｄ２はリフロー前の高さｄ１（図８参照）よりも著しく収縮し、その差△ｄ＝ｄ１−ｄ２は上記従来の場合よりもかなり大きい。したがってバンプ４の高さのばらつきや基板５の反りは十分に吸収され、すべてのバンプ４は基板５の電極６にしっかりボンディングされる。
　【００１６】
　図５は、バンプ付電子部品１が搭載された基板５を軟Ｘ線装置により観察している側面図であって、１７は軟Ｘ線照射部、１８は受像部である。また図６（ａ）は、軟Ｘ線装置で入手したリフロー前のバンプ４の画像、図６（ｂ）はリフロー後の画像である。軟Ｘ線は、電子部品２や基板５を透過するので、バンプ４の画像を入手することができる。図示するように、リフロー後には、バンプ４は基板５の電極６の全面に拡散するので、その平面積はリフロー前よりも著しく大きくなる。ところで、基板５の電極６に着地できなかったバンプ４は、基板５の電極６上に拡散できないので、その平面形状はリフロー後においても図６（ａ）に示す小面積のままとなる。そこでリフロー後にバンプ４の平面積を軟Ｘ線により観察し、その平面積の大小を測定することにより、ボンディング良・ボンディング不良を的確に判定できる。
　【００１７】
　図７（ａ）（ｂ）（ｃ）は、電極６の平面形状を４角形にした場合の軟Ｘ線の画像を示している。図７（ａ）はリフロー前の画像、図７（ｂ）（ｃ）はリフロー後の画像である。図７（ｂ）に示すものは、リフローによりバンプ４は電極６の全面に拡散してバンプ４の平面形状は４角形になっており良品である。これに対し図７（ｃ）に示すものは、リフローによりバンプ４は十分に拡散しておらず、その平面形状は円形のままであり、不良品である。したがってこのように電極３と電極６の平面形状を異ならせておけば、リフロー後のバンプ４の平面形状から良否を容易に判定できる。電極６の形状としては、４角形以外にも６角形などでもよい。
　【００１８】
　本発明は上記実施例に限定されないのであって、例えばバンプ付電子部品としては、複数個のチップをパッケージしたマルチップパッケージタイプのバンプ付電子部品にも適用できる。
　【００１９】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明のバンプ付電子部品の実装方法によれば、リフロー時に加熱溶融したバンプが面積の大きい基板の電極上に拡散することにより、その断面形状は台形となることから、リフロー前のバンプの高さとリフロー後のバンプ高さの差が大きくなり、バンプの高さのばらつきや基板の反りを吸収してすべてのバンプを基板の電極にボンディングできる。またリフロー後にはバンプの平面積はリフロー前に比較して著しく大きくなるので、Ｘ線を使用してバンプの平面積の大きさを測定することにより、
またバンプの平面形状から、
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例のバンプ付電子部品と基板の斜視図
　【図２】
　本発明の一実施例のリフロー装置の断面図
　【図３】
　本発明の一実施例のリフロー後のバンプ付電子部品と基板の側面図
　【図４】
　本発明の一実施例のリフロー後のバンプ付電子部品と基板の部分拡大図
　【図５】
　本発明の一実施例の軟Ｘ線装置の側面図
　【図６】
　（ａ）本発明の一実施例のリフロー前のバンプの画像図
　（ｂ）本発明の一実施例のリフロー後のバンプの画像図
　【図７】
　（ａ）本発明の他の実施例のリフロー前のバンプの画像図
　（ｂ）本発明の他の実施例のリフロー後のバンプの画像図
　（ｃ）本発明の他の実施例のリフロー後のバンプの画像図
　【図８】
　従来のバンプ付電子部品と基板のリフロー後の側面図
　【図９】
　従来のバンプ付電子部品と基板のリフロー前の部分拡大図
　【図１０】
　従来のバンプ付電子部品と基板のリフロー後の部分拡大図
　【符号の説明】
　１　バンプ付電子部品
　２　電子部品
　３　電極
　４　バンプ
　５　基板
　６　電極