【事件の表示】
　特許第３２０７６３８号「半導体製造装置のクリーニング方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０７６３８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３２０７６３８号の請求項１〜３に係る発明は、平成５年１０月２９日に特許出願され、平成１３年７月６日にその特許権の設定登録がなされ、その後、近藤英生より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１５年４月２２日に訂正請求がなされたものである。
　　
【２】訂正の適否についての判断
［１］訂正の内容
［１-a］訂正事項a；特許請求の範囲の請求項１の記載について、「少なくとも一種類の塩素系または臭素系のガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
［１-b］訂正事項b；特許請求の範囲の請求項３の記載について、「少なくとも一種類の塩素系または臭素系のガス」および「塩素系または臭素系のガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
［１-c］訂正事項c；段落【0008】に「少なくとも一種類の塩素系または臭素系のガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
［１-d］訂正事項d；段落【0009】に「塩素系または臭素系のガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
［１-e］訂正事項e；段落【0011】に「塩素系（Ｃｌ系）ガス、例えばＣｌ２ガス」とあるのを、「塩素（Ｃｌ２）ガス」と訂正する。
［１-f］訂正事項f；段落【0013】に「Ｃｌ系ガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
［１-g］訂正事項g；段落【0015】に「Ｃｌ系ガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
［１-h］訂正事項h；段落【0017】を「その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。」と訂正する。
［２］訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　前記訂正事項は、発明の構成に欠くことができない事項である、クリーニング処理用のガスを「塩素ガス」のみに限定するものであり、しかも「塩素ガス」については、願書に添付された明細書および図面に記載されている。
　そして、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正、および、明瞭でない記載の釈明に該当し、かつ、新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものではない。
［３］まとめ
　上述のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号)附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
【３】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　近藤英生は、次の甲第１〜７号証（以下「刊行物１〜７」という）を提示し、本件の請求項１〜３に係る発明は、前記刊行物１〜７に記載された発明と実質的に同一であるか、または、同刊行物１〜７に記載された発明から容易に発明をすることができたものであるから、その請求項１〜３に係る特許は特許法第２９条の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきであると主張している。
　さらに、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、当業者が容易にその実施をすることができる程度に明確かつ十分には記載されておらず、また、その特許請求の範囲の記載が明確でないから、本件特許は、特許法第３６条第４項および第５項第２号に規定する要件を満たさない出願に係る発明についてされたものであるから、取り消されるべきであると主張している。
　刊行物１；特開平２−７７５７９号公報
　刊行物２；特開平１−３０７７６３号公報
　刊行物３；特開昭６４−１７８５７号公報
　刊行物４；特公平４−３８１号公報
　刊行物５；特開平４−１７１９２８号公報
　刊行物６；特開平４−２９９５２９号公報
　刊行物７；特開平１−１７１２２４号公報
　　
【４】当審における取消理由
　そこで、当審において、前記【３】段落の「異議申立の理由およびその証拠の刊行物」を詳細に検討し、審理した結果、本件特許については次の取消理由があると判断し、特許権者に対して期間を指定して意見書の提出を求めた。
　理由［１］
　本件請求項１〜３に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１，４，６に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、前記請求項１〜３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１（特開平２−７７５７９号公報）
　刊行物４（特公平４−３８１号公報）
　刊行物６（特開平４−２９９５２９号公報）
　　
　刊行物１には、「アルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成された反応処理室(反応容器)内に、フッ素を含むガス(ＳｉＦ４)を導入し、このガスをプラズマ化して被処理体(円筒状基体)を処理した後、この反応処理室内に塩素系のガス(ＣｌＦ３ガス)を導入するとともにこのガスをプラズマ化し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に堆積した反応生成物を排気させる半導体製造装置のクリーニング方法」が開示されている。
　　
　刊行物４には、「反応処理室内に導入したガスをプラズマ化して半導体膜を形成した後、この反応処理室内に塩素系(ＣＦ２Ｃｌ２)または臭素系(ＣＦ３Ｂｒ)のガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化し、前記半導体膜の形成に伴い反応処理室内に堆積した反応生成物を除去する半導体製造装置のクリーニング方法」が開示されている。
　　
　（１）本件請求項１に係る発明では、「低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気」するとしている、一方、刊行物１及び／又は刊行物４に開示されたクリーニング方法では、「塩素系及び／又は臭素系のガス」をプラズマ化して堆積物をクリーニング除去している。この場合、低蒸気圧の反応生成物(すなわち、堆積物)が高蒸気圧の物質に置換されている可能性を否定できない。したがって、本件請求項１に係る発明は、刊行物１及び／又は刊行物４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到できたものといわざるを得ない。
　　
　刊行物６の第２頁第１欄、【特許請求の範囲】の【請求項１】には、「塩素系ガス又は臭素系ガスを用いるドライエッチング装置において、反応室内の表面の少なくとも側壁面をアルマイト処理したアルミニウム材質にすることを特徴とするドライエッチング装置。」と記載されている。
　　
　（２）本件請求項２に係る発明は、本件請求項１を引用するものであって、反応処理室を構成するアルミまたはアルミ合金を「アルマイト処理」した点を限定している。しかし、アルミの反応処理室をアルマイト処理することは周知であって、刊行物６にも記載されている。したがって、本件請求項２に係る発明は、刊行物１，４，６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　
　（３）本件請求項３に係る発明については、本件請求項１に係る発明の構成要件に加えて、「本来の処理を所定時間行う毎にクリーニングを一定時間行う」点を限定している。しかし、本件特許公報の段落【0011】，【0015】の記載及び図３を参酌しても「フッ素系ガスによる本来の処理１０時間毎に２時間クリーニングを行うこと」に何ら臨界的な技術的意義は見出せず、この点は単なる設計事項であるとしかいえない。すなわち、図３は、本件請求項３に係る発明とクリーニング処理をまったくしないものとを比較したものであって、本件請求項３に記載の数値の臨界的意義を示すものではない。したがって、本件請求項３に係る発明は、刊行物１及び／又は刊行物４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　
　理由［２］
　本件明細書の特許請求の範囲の記載は下記の点で不備のため、特許法第３６条第５項第１号および第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　請求項１〜３に記載の「塩素系または臭素系のガス」の範囲が明確でない。すなわち、本件特許明細書には塩素系ガスとして「Ｃｌ２ガス、ＢＣｌ３等に代表されるＣｌとの化合物ガス」と記載されているが、Ｃｌ２ガス以外の例えばＨＣｌガス、ＣｌＦ３ガス、ＣＦ２Ｃｌ２ガス、ＳｉＨＣｌ３ガスなどを用いても同様の効果が得られるか否か不明である。
　　
【５】本件特許発明
　本件については、上記【２】段落で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜３に係る発明（以下「本件発明１〜３」という）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりの、
「【請求項１】少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガスをプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置であって、
　前記反応処理室内に塩素ガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に堆積した低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気させることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
【請求項２】前記アルミニウムまたはアルミニウム合金はアルミアルマイト処理されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
【請求項３】少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガスをプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置であって、
　前記反応処理室内に塩素ガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に発生した低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気させ、
　前記塩素ガスによる反応処理室のクリーニングは、フッ素系ガスによる本来の処理１０時間毎に２時間行うことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。」である。
　　
【６】当審の判断
　上記【４】段落に示した、取消理由［１］および［２］に対して、本件発明１〜３において、クリーニング処理用ガスが「塩素ガス」に限定された。
　その結果、必然的に取消理由［２］は解消し、当該理由によって本件特許を取り消すことはできない。
　また、取消理由［１］についても、上記刊行物１，４，６には、本件発明１〜３の構成要件である「反応処理室内に塩素ガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化し、(前記)被処理体の処理に伴い反応処理室内に堆積(発生)した低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気させ」て、半導体製造装置のクリーニングを行う点に関しては、なんらの記載も示唆もない。
　そして、本件発明１〜３は、前記の点により、特許明細書および訂正明細書記載の「反応処理室を真空状態に保持したまま、反応処理室の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起因した発塵を防止することが可能な半導体製造装置のクリーニング方法を提供できる」という作用効果を奏するものであるから、前記刊行物１，４，６に記載された事項から当業者が容易に想到できたものとはいえないから、取消理由［１］によって本件特許を取り消すことはできない。
　さらに、取消理由［１］および［２］以外の異議申立理由によっても本件特許を取り消すことはできない。
　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月３日（２００３．６．３）
【訂正の要旨】
　（３−１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載について、「少なくとも一種類の塩素系または臭素系のガス」を「塩素ガス」と訂正する。
　（３−２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項３の記載について、「少なくとも一種類の塩素系または臭素系のガス」および「塩素系または臭素系のガス」とあるのを「塩素ガス」と訂正する。
　（３−３）訂正事項ｃ
　段落【０００８】に「少なくとも一種類の塩素系または臭素系のガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
　（３−４）訂正事項ｄ
　段落【０００９】に「塩素系または臭素系のガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
　（３−５）訂正事項ｅ
　段落【００１１】に「塩素系（Ｃｌ系）ガス、例えばＣｌ２ガス」とあるのを「塩素（Ｃｌ２）ガス」と訂正する。
　（３−６）訂正事項ｆ
　段落【００１３】に「Ｃｌ系ガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
　（３−７）訂正事項ｇ
　段落【００１５】に「Ｃｌ系ガス」とあるのを、「塩素ガス」と訂正する。
　（３−８）訂正事項ｈ
　　段落【００１７】を「その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体製造装置のクリーニング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガスをプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置であって、前記反応処理室内に
塩素ガス
　【請求項２】　前記アルミニウムまたはアルミニウム合金はアルミアルマイト処理されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
　【請求項３】　少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガスをプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置であって、前記反応処理室内に
塩素ガス
塩素ガス
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、例えば半導体デバイスの微細パターンを形成する半導体製造装置に係わり、特に、この半導体製造装置をドライクリーニングするクリーニング方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体デバイスの微細加工技術としては、マイクロ波プラズマエッチング、反応性イオンエッチング等が知られている。前記反応性イオンエッチングにおいては、平行平板電極を使用した方法、ＥＣＲ（サイクロトロン共鳴）を使用した方法等がある。
　【０００３】
　図２は、平行平板電極を使用した従来の反応性イオンエッチング装置を示すものである。反応処理室１０は例えばアルミニウムやアルミニウム合金によって構成されている。反応処理室１０はその一部分をアルミニウムやアルミニウム合金によって構成してもよい。反応処理室１０の上部には、アルミニウム合金によって構成された平行平板電極を構成する上部電極１１が設けられ、反応処理室１０の内部には下部電極１２が設けられている。反応処理室１０の内壁２１はアルミニウム母材からの汚染を防ぐため、通常アルミアルマイト処理が施されるか、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックによって被覆されている。また、前記上部電極１１は接地され、内部は中空状とされている。上部電極１１の上面には反応ガスを導入する導入パイプ１３が設けられ、下面には反応ガスを反応処理室１０内に導入する複数の透孔１４が設けられている。また、前記下部電極１２の上には、例えばシリコンウェーハ等の被処理体１５が載置される。この下部電極１２はブロッキングコンデンサ１６を介して高周波電源１７に接続されている。前記反応処理室１０内で、前記下部電極１２の周囲にはバッフル板１８が設けられ、このバッフル板１８には複数の透孔１９が設けられている。さらに、反応処理室１０の側面には排気パイプ２０が設けられている。
　【０００４】
　上記構成において、被処理体１５のエッチングを行う場合、上部電極１１の複数の透孔１４から反応処理室１９の内部に反応ガスを導入するとともに、排気パイプ２０からこれを排気し、反応処理室１０内の圧力を制御する。これとともに、高周波電源１７より下部電極１２に高周波電力を供給し、上部電極１１および下部電極１２の相互間にプラズマを生成することにより、被処理体１５の被エッチング膜がエッチングされる。このとき、プラズマにさらされている反応処理室１０の内壁２１のアルミニウムやアルマイト等も同時にエッチングされる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、上記従来の半導体処理装置においては、上部電極１１と下部電極１２の相互間で、フッ素系ガス例えばＣＨＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６等をプラズマ化し、被処理体１５をプラズマ処理する。このため、被処理体１５のみならず反応処理室１０の内壁材までもエッチングしてしまう。このときに発生するＡｌＦ３なる反応生成物は非常に蒸気圧が低いため排気されにくく、反応処理室１０の内壁に堆積２１する現象が発生する。これら反応生成物は処理毎に経時的に厚くなり、パーティクルの発生源となる。
　【０００６】
　従来、上記反応生成物を除去するためには、反応処理室１０を大気開放し、物理的に拭き取る方法がとられている。しかし、反応生成物の膜質は非常に強固であるため、完全に除去することが困難なものであった。
　【０００７】
　この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、反応処理室を真空状態に保持したまま、反応処理室の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起因した発塵を防止することが可能な半導体製造装置のクリーニング方法を提供しようとするものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　この発明は、上記課題を解決するため、少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガスをプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置であって、前記反応処理室内に
塩素ガス
　【０００９】
　【作用】
　すなわち、この発明は、アルミニウムを母材とした反応処理室内に
塩素ガス
　【００１０】
　【実施例】
　以下、この発明の一実施例について、図面を参照して説明する。図１において図２と同一部分には同一符号を付す。図１において、前記被処理体がシリコンウェハ上に形成された絶縁膜である場合、ＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系ガス単体、もしくはその他添加ガスとの混合ガスでプラズマエッチング処理が行われる。これら反応ガスは導入パイプ１３により反応処理室１０内に導入される。この導入されたガスは高周波電力によってプラズマ化され、このプラズマによってシリコンウェハ上の絶縁膜がエッチングされる。このとき、反応処理室１０の内壁２１のアルミニウムもしくはアルマイトも被処理体１５とともにエッチングされ、同図に２２で示すＡｌＦ３等の低蒸気圧の反応生成物が生成される。この反応生成物は反応処理室１０の内壁に堆積される。経時的に堆積したこれらの膜は膜自身のストレス、もしくはプラズマにさらされることにより、反応処理室１０の内壁２１から剥がれ落ち、パーティクルの原因となる。
　【００１１】
　この実施例では、反応生成物が反応処理室１０の内壁から剥がれ落ちる前に、反応処理室１０に対して本来のプラズマ処理とは異なるクリーニングのためのプラズマ処理（以下、クリーニング処理と称す）を行う。このクリーニング処理の間隔は、例えば本来のプラズマ処理１０時間に対して２時間の頻度で行われる。クリーニング処理においては、クリーニング用のガス２３を導入パイプ１３から反応処理室１０に導入する。このクリーニング用のガス２３は
塩素（Ｃｌ２）ガス
　【００１２】
　導入パイプ１３より反応処理室１０に導入したクリーニング用のＣｌ２ガスは、下部電極１２に供給される高周波電力によってプラズマ化される。このため、本来のプラズマ処理において反応処理室１０の内壁に堆積したＡｌＦ３からなる反応生成物はＣｌ２ガスによるプラズマ処理によりＡｌＣｌ３なる物質に変化する。このＡｌＣｌ３は周知のように高蒸気圧のガスであり、気化、排気され易い物質である。したがって、排気パイプ２０から容易に排気することができる。
　【００１３】
　上記実施例によれば、本来のプラズマ処理に対して所定の間隔により
塩素ガス
　【００１４】
　また、この実施例の方法によれば、反応処理室のクリーニングに際して反応処理室を大気開放する必要がなく、しかも、使用するガス以外は本来のプラズマ処理と殆ど変らない工程によって反応処理室をクリーニングできる。したがって、従来に比べてクリーニング作業が容易なものである。
　【００１５】
　図３は、被処理体の処理枚数と本来のプラズマ処理を行う前後での反応処理室１０内における発塵性を評価したものであり、ウェハを２５枚処理する毎にウェハ１枚当りの発塵量を測定したものである。
塩素ガス
　【００１６】
　上記実施例においては、平衡平板のドライエッチング装置にこの発明を適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ＥＣＲ、ダウンフロータイプ等に代表されるガスの解離による反応処理を行う装置全般に有効であることは言うまでもない。
　【００１７】
　その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
　【００１８】
　【発明の効果】
　以上、詳述したようにこの発明によれば、反応処理室を真空状態に保持したまま、反応処理室の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起因した発塵を防止することが可能な半導体製造装置のクリーニング方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の方法の一実施例を示す構成図。
　【図２】
　従来の反応性イオンエッチング装置を示す構成図。
　【図３】
　反応処理室内のクリーニングの有無による発塵量の変化を示す図。
　【符号の説明】
　１０…反応処理室、１１…上部電極、１２…下部電極、１３…導入パイプ、１５…被処理体、１７…高周波電源、２０…排気パイプ、２３…クリーニング用のガス。