【事件の表示】
　特許第２９５０８８９号「プラズマ装置の高周波電力整合方法及びその装置」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５０８８９号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　
特許出願　　　　　　　平成　２年　３月　７日
特許権の設定登録　　　平成１１年　７月　９日
特許公報発行　　　　　平成１１年　９月２０日
特許異議の申立て　　　平成１２年　３月１７日(株式会社ダイヘン)
　　　　　　　　　　　平成１２年　３月２１日(関戸美千代)
　　　　　　　　　　　平成１２年　３月２１日(佐藤正)
　　　　　　　　　　　平成１２年　３月２１日(田辺卓史)
取消理由通知　　　　　平成１３年　７月１３日(起案日)
特許異議意見書　　　　平成１３年　９月２５日
訂正請求書　　　　　　平成１３年　９月２５日
審尋(特許異議申立人)　平成１４年　２月　４日(起案日)
回答書　　　　　　　　平成１４年　４月　８日(田辺卓史)
　　　　　　　　　　　平成１４年　４月１５日(株式会社ダイヘン)
　　　　　　　　　　　平成１４年　４月１５日(関戸美千代)
　　　　　　　　　　　平成１４年　４月１６日(佐藤正)
取消理由通知　　　　　平成１４年　５月　９日(起案日)
特許異議意見書　　　　平成１４年　７月１９日
訂正請求書　　　　　　平成１４年　７月１９日
訂正請求取下書　　　　平成１４年　７月１９日
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
(a)　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の「プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相、インピーダンスを求めておき、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整することを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合方法。」を「プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて
記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、
し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスに個別に設定する様にした
(b)　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２の「前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させる請求項１のプラズマ装置の高周波電力整合方法。」を「
プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させ、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後、プラズマを発生させることを特徴とする
(c)　特許明細書の特許請求の範囲の請求項４を請求項３と訂正し、請求項３に係る記載を特許請求の範囲の減縮を目的として、「位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部とを備えたことを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合装置。」を「位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部とを備え
、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能とした
(d)　特許明細書の特許請求の範囲の請求項３及び５乃至請求項７を削除する。
(e)　特許明細書の［課題を解決する為の手段］の欄の記載、「本発明は、プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相、インピーダンスを求めておき、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整するものであり、更に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させるものであり、更にプラズマ発生後に前記高周波電力整合部の位相、インピーダンスを検出し、該検出結果に基づき位相・インピーダンスを調整するものであり、更に位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部とを備えたものであり、更に位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、プラズマ処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記位相・インピーダンス検出器からの信号と前記目標値出力部からの信号とを前記プラズマ発生検出器からの信号を検知して切替え前記駆動部へ入力させる様にした制御部とを備えたものであり、更に前記目標値出力部には、種々のプラズマ処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されており、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部を備えたものであり、更に又高周波電源と、位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、前記高周波電源から前記整合部を介して高周波電力が印加されるカソード電極と、プラズマ処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記位相・インピーダンス検出器からの信号と前記目標値出力部からの信号とを前記プラズマ発生検出器からの信号を検知して切替え前記駆動部へ入力させる様にした制御部とを備え、前記駆動部は、前記位相・インピーダンス検出器からの信号又は前記目標値出力部からの信号に基づき駆動して前記カソード電極へ印加される高周波電力の位相・インピーダンスを調整する様にしたことを特徴とするものである。」を「本発明は、プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて
記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、
し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスに個別に設定する様にしたプラズマ装置の高周波電力整合方法に係り、又プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に
、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後、プラズマを発生させるプラズマ装置の高周波電力整合方法に係り、更に又
、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能としたプラズマ装置の高周波電力整合装置に係るものである
　
２−２．訂正の目的の適否・新規事項の有無および拡張・変更の存否
　第一に、上記訂正事項(a)は、訂正前の請求項１の「インピーダンスを求めておき、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整する」を、「インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスに個別に設定する様にした」に限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、この限定された点は、本件特許公報第６欄第１７〜２０行，第７欄第４〜３３行，第８欄第９〜１７行，第８欄第２０〜２３行に記載されているものであるから、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　第二に、上記訂正事項(b)は、請求項１の訂正に伴い、訂正前の請求項１を引用する引用形式請求項であった訂正前の請求項２を、独立形式請求項とするとともに、訂正前の請求項２に記載された「前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後」を、「プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させ、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後」に限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、この限定された点は、訂正前の請求項１，本件特許公報第６欄第１７〜１９行，第７欄第４〜３３行，第８欄第９〜１７行，第８欄第２０〜２３行に記載されているものであるから、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　第三に、上記訂正事項(c)は、訂正前の請求項４に記載された構成に「選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能とした」を付加して限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、この限定された点は、訂正前の請求項１，本件特許公報第６欄第１７〜１９行，第７欄第４〜３３行，第８欄第９〜１７行，第８欄第２０〜２３行に記載されているものであるから、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　第四に、上記訂正事項(d)は、請求項の削除であり、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
　第五に、上記訂正事項(e)は、上記訂正事項(a)(b)(c)による請求項の訂正、および、訂正事項(d)によって請求項が削除されたことに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の欄の記載の整合を図るためのものであって、不明りょうな記載の釈明を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．本件発明
　本件特許の請求項１〜３に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その請求項１〜３に記載されたとおりの次のものである。(以下「本件発明１」〜「本件発明３」という。)
　
「【請求項１】プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスに個別に設定する様にしたことを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合方法。
【請求項２】プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させ、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後、プラズマを発生させることを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合方法。
【請求項３】位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部とを備え、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能としたことを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合装置。」
　
４．取消理由通知の概要
　平成１４年５月９日付取消理由通知の概要は以下のとおりである。
　
「訂正前の請求項１，２に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の請求項１，２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであって、取り消すべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１　　特開昭６３−７６８６５号公報
刊行物２　　特開昭５９−２２１０２０号公報
刊行物３　　特開昭５９−６７６３８号公報」
　
５．刊行物
　平成１４年５月２９日付取消理由通知で引用された刊行物のうち、刊行物１，２には以下の記載があり、以下の発明が記載されている。
　
５−１．刊行物１
　上記刊行物１には、下記の記載がある。
　
「処理するプロセス条件に対するインピーダンスの整合条件を記憶する手段を設け、放電を開始する前にそのプロセス条件にあった整合条件に整合回路の回路定数を合わせておくことを特徴とするプラズマ処理装置。」(公報第１頁左下欄第５〜９行)
「[産業上の利用分野]
　本発明は半導体製造工程のプラズマ処理装置に係り、特にプラズマ処理の安定化を図るに好適なプラズマ処理装置に関する。」(公報第１頁左下欄第１１〜１４行)
「[発明が解決しようとする問題点]
　現在のドライエッチングプロセスは、パターン線幅微細化に伴うプロセスの多様化や、ウェハの大口径化に伴う、一枚処理化の傾向にあり、処理の高速化、プロセスの安定化が要求されている。また、スパッタ、ＣＶＤなどの膜形成においては、初期の放電の不安定が膜境界の膜質を不安定とさせ、デバイス特性に影響を与えるために、高速で精度の良い低ダメージの放電を再現性よく発生させることが必要となってきている。
　しかし、上記従来技術は、例えばウェハの品種変更によってプロセス条件を変えた場合や、例えば１段目をＣＣｌ４、圧力数十ｍＴｏｒｒでＡｌをエッチングし、２段目をＣＦ４、圧力数Ｔｏｒｒで後処理を行うといった多段ステップエッチングで１段毎にプロセス条件が異なる場合は、それぞれのプロセス条件に対する整合条件、即ち整合回路の可変コンデンサと可変コイルのダイヤル位置が前の処理の場合と大きく違うという点について配慮されていない。従って放電開始後、整合回路の可変コイルや２つの可変コンデンサを順次調整していたのでは、条件変更後のプラズマが安定するまでに十数秒もかかり、また放電開始直後から可変コイルと可変コンデンサの値が変化する時間を短くしてもハンチング(整合回路の回路定数が整合点に収束せず、整合点を中心にふれる現象)がおこり整合状態が悪くなって処理能力が低いという問題点がある。
　本発明の目的は、量産ラインにおける装置の安定化と処理能力を向上させるプラズマ処理装置を提供することになる。
[問題点を解決するための手段]
　上記目的は、放電を開始させる前にガス種類、圧力、流量、高周波電力といったプロセス条件に対して決まる整合条件を予めマイクロコンピュータのメモリに記憶しておき、放電開始前に整合回路の回路定数を合わせておくことにより達成される。すなわち、放電を開始させた後に可変コイルや、可変コンデンサの値を順次調整して整合をとるという方法では、放電が安定するまでに十数秒かかっていたのに対し、放電を開始させる前に整合回路の可変コイルや可変コンデンサの値を調整して予め整合条件に合わせておけば、放電開始直後より確実に安定した放電が維持できる。」(公報第１頁右下欄第９行〜第２頁右上欄第１２行)
「この動作を第２図を用いて説明する。キーボード２０から入力する項目としては、ガスの種類とその流量、圧力、それに高周波電力が用意されている。まずガス種類を決めると、メモリ１９ａにはそのガス種データ１９１に対して流量データ１９２，圧力データ１９３と高周波電力データ１９４の前記実験で求められた値が数種類記憶されていて、それぞれのプロセス条件に対する整合条件、すなわちマッチングコンデンサ５ａ、チューニングコンデンサ５ｂの容量の値とコイル５ｃの値がリアクタンスデータ１９５に格納してある。作業者が、ガス種類、流量、圧力、高周波電力という順序でキーボードから処理するエッチングプロセス条件を入力すると、マイクロコンピュータ１９はメモリ１９ａ内をサーチし、入力されたプロセス条件に対応する整合条件を見つけ出し、瞬時にして整合回路の回路定数を決定する。尚、キーボード２０から入力されたプロセス条件に対応する整合回路の回路定数がサーチされない場合は、すでに記憶されている数種類のプロセス条件データ１９１〜１９４から、入力された条件に適応する回路定数をマイクロコンピュータ１９が演算して求める。
　そしてマイクロコンピュータ１９はマッチングコンデンサ５ａ、チューニングコンデンサ５ｂ、コイル５ｃの駆動モータ６，７，８に指令を出し、角度検出器９，１０，１１の値を読み込みながら決定した回路定数に、マッチングコンデンサ５ａ、チューニングコンデンサ５ｂ、コイル５ｃを調整する。その後、流量、圧力の安定後、高周波電源４から電力を投入して放電を開始する。この時、整合回路の回路定数が予め設定されているので、電力投入直後からプラズマを安定させることができる。」(公報第３頁左上欄第１４行〜左下欄第５行)
　
　ここで、上記記載を検討する。
　第一に、上記「特にプラズマ処理の安定化を図るに好適なプラズマ処理装置に関する。」という記載からみて、上記刊行物１記載の発明は「プラズマ処理装置」のためのものであり、また、「上記目的は、放電を開始させる前にガス種類、圧力、流量、高周波電力といったプロセス条件に対して決まる整合条件を予めマイクロコンピュータのメモリに記憶しておき、放電開始前に整合回路の回路定数を合わせておくことにより達成される。」という記載からみて、上記刊行物１記載の発明は「高周波電力整合方法」ないし「高周波電力整合装置」であるから、結局、上記刊行物１記載の発明は「プラズマ処理装置の高周波電力整合方法／高周波電力整合装置」である。
　第二に、上記「プロセス条件に対して決まる整合条件を予めマイクロコンピュータのメモリに記憶しておき」という記載からみて、上記刊行物１記載の発明は「プロセス条件とプロセス条件に対応する整合回路の整合条件を求めて記憶しておく」ものである。
　第三に、上記「放電開始前に整合回路の回路定数を合わせておくことにより達成される。」「作業者が、ガス種類、流量、圧力、高周波電力という順序でキーボードから処理するエッチングプロセス条件を入力すると、マイクロコンピュータ１９はメモリ１９ａ内をサーチし、入力されたプロセス条件に対応する整合条件を見つけ出し、瞬時にして整合回路の回路定数を決定する。」という記載からみて、上記刊行物１記載の発明は「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致する場合、プラズマ発生前に整合回路を入力したプロセス条件に対応する整合条件に調整」するものである。
　第四に、上記「尚、キーボード２０から入力されたプロセス条件に対応する整合回路の回路定数がサーチされない場合は、すでに記憶されている数種類のプロセス条件データ１９１〜１９４から、入力された条件に適応する回路定数をマイクロコンピュータ１９が演算して求める。」「そしてマイクロコンピュータ１９はマッチングコンデンサ５ａ、チューニングコンデンサ５ｂ、コイル５ｃの駆動モータ６，７，８に指令を出し、角度検出器９，１０，１１の値を読み込みながら決定した回路定数に、マッチングコンデンサ５ａ、チューニングコンデンサ５ｂ、コイル５ｃを調整する。その後、流量、圧力の安定後、高周波電源４から電力を投入して放電を開始する。」という記載からみて、上記刊行物１記載の発明は「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致しない場合、プラズマ発生前にマイクロコンピュータが演算することにより入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求める」ものである。
　
　したがって、上記刊行物１には「プロセス条件とプロセス条件に対応する整合回路の整合条件を求めて記憶しておき、入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致する場合、プラズマ発生前に整合回路を入力したプロセス条件に対応する整合条件に調整し、入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致しない場合、プラズマ発生前にマイクロコンピュータが演算することにより入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求めるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置の高周波電力整合方法／高周波電力整合装置」(以下「刊行物１記載の発明」という。)が記載されている。
　
５−２．刊行物２
　上記刊行物２には、下記の記載がある。
　
　「このようにこの種のプラズマ利用装置においてはガスの種類、操作圧力、ターゲットの形状或いは材料等が異なる場合にはインピーダンス整合ポイントが大きく異なってくる。そして手動調整方式では無論のこと自動制御方式でもこのような整合ポイントのずれを探すことは大変であり、特に自動整合回路においては可変幅全体を操作し、適正な整合ポイントを探す際に安定するまでに相当な時間がかかったり、ハンチングを発生し、なかなか適正な整合ポイントにおちつかないことがしばしば生じ得る。」(公報第２頁左上欄第１０〜２０行)
　
　したがって、上記刊行物２には「プラズマ処理装置において整合の調整を行う場合に、その調整方法として、手動調整方式と自動制御方式があること」(以下「周知事項１」という。)が記載されている。
　
６．周知例
　当審において発見した特開昭６１−１３８３０１号公報(以下「周知例」という。)には、下記の記載がある。
　
「[発明が解決しようとする問題点]
　従来のＰＣ制御回路においては以上のように構成されているので、ＰＣの異常を検出していないため、その時のＰＣからの誤出力を防ぐことができず、従って、その場合、ＰＣからの誤出力により補機や弁を誤動作させてプラント／プロセスに影響を及ぼすので運転員の手でＰＣを切り離した上でプラント／プロセスの修復操作を行う必要があるなどの問題点があった。
　この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、ＰＣの異常時、これを検知するとともにプラント／プロセスへの制御出力をブロックでき、かつ手動にてプラント／プロセスの操作を行って、プラント／プロセスに悪影響を及ぼすことなく、異常時にも運転継続可能なプログラマブルコントローラの制御回路を得ることを目的とする。」(公報第２頁左上欄第９行〜右上欄第５行)
「第１図においてＰＣ１からのデータ、ストローブ信号はＤフリップフロップ２および監視装置５に出力される。この監視装置５による”ＰＣ異常”出力は、Ｄフリップフロップ２からの制御出力および操作制御盤３からの手動操作信号と共にＡＮＤ／ＯＲロジックの後、プラント／プロセス４に対して制御信号を発する。」(公報第２頁左下欄第２〜８行)
「ＰＣ１からの信号はＤフリップフロップ２、および監視装置５に出力されるが、この監視装置５ではデータとストローブ信号の周期性と規則性によってＰＣ１の異常(故障)を検知し、ＰＣ１異常の場合にはＤフリップフロップ２からの制御信号をＡＮＤ／ＯＲロジックによってブロックすることによりプラント／プロセス４に誤信号が発信されるのを防止するとともに、ＰＣ１のソフトウェアロジックに関与しない最終の手動操作信号は有効となるようにする。」(公報左下欄第１０〜１９行)
　また、第１図には、監視装置５の出力を反転したものとＤフリップフロップ２の出力がＡＮＤゲートに入力され、監視装置５の出力と操作制御盤３の出力がＡＮＤゲートに入力されていることがみてとれる。
　
　ここで、上記記載を検討する。
　第一に、上記「プラント／プロセスに悪影響を及ぼすことなく、異常時にも運転継続可能なプログラマブルコントローラの制御回路を得ることを目的とする。」との記載からみて、上記周知例には「プログラマブルコントローラの異常時にプロセスに悪影響を及ぼさないプロセスの制御回路」が記載されている。
　第二に、上記「第１図においてＰＣ１からのデータ、ストローブ信号はＤフリップフロップ２および監視装置５に出力される。この監視装置５による”ＰＣ異常”出力は、Ｄフリップフロップ２からの制御出力および操作制御盤３からの手動操作信号と共にＡＮＤ／ＯＲロジックの後、プラント／プロセス４に対して制御信号を発する。」「ＰＣ１からの信号はＤフリップフロップ２、および監視装置５に出力されるが、この監視装置５ではデータとストローブ信号の周期性と規則性によってＰＣ１の異常(故障)を検知し、ＰＣ１異常の場合にはＤフリップフロップ２からの制御信号をＡＮＤ／ＯＲロジックによってブロックすることによりプラント／プロセス４に誤信号が発信されるのを防止するとともに、ＰＣ１のソフトウェアロジックに関与しない最終の手動操作信号は有効となるようにする。」との記載、及び、第１図の記載からみて、上記周知例には「プログラマブルコントローラ１を監視装置５で監視し、プログラマブルコントローラ１が正常に動作しているときには、プログラマブルコントローラ１の出力をプロセス４に送り、プログラマブルコントローラ１が正常に動作していないときには、操作制御盤３からの手動操作信号をプロセス４に送るように自動的に切り替える」ことが記載されている。
　したがって、上記周知例には、「プログラマブルコントローラ１の異常時にプロセス４に悪影響を及ぼさないプロセスの制御回路において、プログラマブルコントローラ１を監視装置５で監視し、プログラマブルコントローラ１が正常に動作しているときには、プログラマブルコントローラ１の出力をプロセス４に送り、プログラマブルコントローラ１が正常に動作していないときには、操作制御盤３からの手動操作信号をプロセス４に送るように自動的に切り替えることを特徴とするプロセスの制御回路」(以下「周知事項２」という。)が記載されている。
　
７．対比・判断
７−１．本件発明１
　本件発明１と上記刊行物１記載の発明を比較する。
　
　第一に、上記刊行物１記載の発明の「プラズマ処理装置」は本件発明１の「プラズマ装置」に相当するから、上記刊行物１記載の発明と本件発明１は共に「プラズマ装置の高周波電力整合方法」であるという点で一致している。
　第二に、上記刊行物１記載の発明の「プロセス条件」「整合回路」「整合条件」が、本件発明１の「プラズマ処理条件」「高周波電力整合部」「位相・インピーダンス」に相当することは明らかである。
　第三に、上記刊行物１記載の発明の「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致する場合、プラズマ発生前に整合回路を入力したプロセス条件に対応する整合条件に調整し、」が、本件発明１の「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整し、」に相当することは明らかである。
　第四に、上記刊行物１記載の発明の「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致しない場合、プラズマ発生前にマイクロコンピュータが演算することにより入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求める」は、『「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合」「前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に」、一致した場合と異なる方法によって「位相・インピーダンスを設定する様にした」』という点で、本件発明１の「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスを設定する様にした」に対応している。
　第五に、上記「第４に」で述べたことからみて、上記刊行物１記載の発明の「マイクロコンピュータ」は本件発明１の「制御器」に相当する。
　
　したがって、本件発明１と上記刊行物１記載の発明は「プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に、一致した場合と異なる方法によって位相・インピーダンスを制御器から設定する様にしたことを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合方法。」という点で一致しており、下記の点で相違する。
　
(あ)　「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合」、本件発明１は「手動により」位相・インピーダンスを設定するのに対し、上記刊行物１記載の発明は「マイクロコンピュータが演算することにより入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求めるようにした」点。
(い)　「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合」、本件発明１は「手動に切替わ」るのに対し、上記刊行物１記載の発明は、その処理全体が自動であるため「手動に切替わ」るに相当する構成を有していない点。
　
　ここで、上記相違点について検討する。
　
７−１−１．相違点(あ)
　上記周知事項１にもみられるように「プラズマ処理装置において整合の調整を行う場合に、その調整方法として、手動調整方式と自動制御方式があること」は良く知られている。したがって、上記刊行物１記載の発明で「マイクロコンピュータ」が自動的に行う「入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求める」ことを、手動で行うようにしたことは、手動調整方式がきわめて良く行われていることを考えれば、当業者が容易になし得たことである。
　
７−１−２．相違点(い)
　制御系が、例えば異常時のような予定外の状態になったとき、適宜、自動制御から手動による制御に自動的に切り替えることは、上記周知事項２にもみられるように、普通に行われていることである。
　したがって、上記刊行物１記載の発明において「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致しない場合」に、自動的に「手動に切替わ」るように構成したことに、格別の技術的困難性は認められない。
　
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１記載の発明、および、周知事項に基づき、当業者が容易に発明できたものである。
　
７−２．本件発明２
　本件発明２と上記刊行物１記載の発明を比較する。
　
　第一に、上記刊行物１記載の発明の「プラズマ処理装置」は本件発明２の「プラズマ装置」に相当するから、上記刊行物１記載の発明と本件発明２は共に「プラズマ装置の高周波電力整合方法」であるという点で一致している。
　第二に、上記刊行物１記載の発明の「プロセス条件」「整合回路」「整合条件」が、本件発明２の「プラズマ処理条件」「高周波電力整合部」「位相・インピーダンス」に相当することは明らかである。
　第三に、上記刊行物１記載の発明の「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致する場合、プラズマ発生前に整合回路を入力したプロセス条件に対応する整合条件に調整し、」が、本件発明２の「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させ」に相当することは明らかである。
　第四に、上記刊行物１記載の発明の「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致しない場合、プラズマ発生前にマイクロコンピュータが演算することにより入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求める」は、『「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合」「前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に」、一致した場合と異なる方法によって「位相・インピーダンスを設定する様にした」』という点で、本件発明２の「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後、プラズマを発生させること」に対応している。
　第五に、上記「第４に」で述べたことからみて、上記刊行物１記載の発明の「マイクロコンピュータ」は本件発明２の「制御器」に相当する。
　
　したがって、本件発明２と上記刊行物１記載の発明は「プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させ、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に、一致した場合と異なる方法によって位相・インピーダンスを制御器から設定した後、プラズマを発生させることを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合方法。」という点で一致しており、下記の点で相違する。
　
(う)　「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合」、本件発明２は「手動により」位相・インピーダンスを設定するのに対し、上記刊行物１記載の発明は「マイクロコンピュータが演算することにより入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求めるようにした」点。
(え)　「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合」、本件発明２は「複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを」「選択して」設定するのに対し、上記刊行物１記載の発明は、これに相当する構成を有しない点。
(お)　「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合」、本件発明２は「手動に切替わ」るのに対し、上記刊行物１記載の発明は、その処理全体が自動であるため「手動に切替わ」るに相当する構成を有していない点。
　
　ここで、上記相違点(う)(お)は、「７−１．本件発明１」における相違点(あ)(い)と同じであるので、上記「７−１−１．相違点(あ)」「７−１−２．相違点(い)」を引用し、以下、上記相違点(え)についてのみ検討する。
　
７−２−１．相違点(え)
　数値を手動入力する場合に、頻繁に使う数値を、その都度入力する代わりに、事前に複数設定入力して記憶させておき、その中から選択して設定することは、電卓のメモリを利用するときなど、日常良く行われていることであるから、上記相違点(え)は、当業者が適宜選択しうる設計的事項に過ぎない。
　
　したがって、本件発明２は、上記刊行物１記載の発明、および、周知事項に基づき、当業者が容易に発明できたものである。
　
７−３．本件発明３
　本件発明３と上記刊行物１記載の発明を比較する。
　
　第一に、上記刊行物１記載の発明の「プラズマ処理装置」は本件発明３の「プラズマ装置」に相当するから、上記刊行物１記載の発明と本件発明３は共に「プラズマ処理装置の高周波電力整合装置」であるという点で一致している。
　第二に、上記刊行物１記載の発明の「プロセス条件」「整合回路」「整合条件」が、本件発明３の「処理条件」「位相・インピーダンス調整機構を有する整合部」「種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値」に相当することは明らかである。
　第三に、上記刊行物１記載の発明の「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致する場合、プラズマ発生前に整合回路を入力したプロセス条件に対応する整合条件に調整し、」が、本件発明３の「選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し」に相当することは明らかである。
　第四に、上記刊行物１記載の発明の「入力されたプロセス条件が記憶されたプロセス条件と一致しない場合、プラズマ発生前にマイクロコンピュータが演算することにより入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求める」は、『「選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合」「前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に」、一致した場合と異なる方法によって「個別に設定可能とした」』という点で、本件発明３の「選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能とした」に対応している。
　第五に、上記「第３に」「第４に」で述べたことからみて、上記刊行物１記載の発明の「マイクロコンピュータ」が、本願発明３の「種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部」「前記目標値出力部の出力値を選択する制御部」に相当することは明らかであるとともに、上記刊行物１記載の発明が本件発明３の「位相・インピーダンス検出器」「プラズマ発生検出器」「位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部」に相当する構成を有していることも明らかである。
　
　したがって、本件発明３と上記刊行物１記載の発明は「位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部とを備え、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に、一致した場合と異なる方法によって個別に設定可能としたことを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合装置。」という点で一致しており、下記の点で相違する。
　
(か)　「選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合」、本件発明３は前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に「手動により」個別に設定可能としたのに対し、上記刊行物１記載の発明は「マイクロコンピュータが演算することにより入力されたプロセス条件に適応する整合条件を求めるようにした」点。
(き)　「選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合」、本件発明１は「手動に切替わ」るのに対し、上記刊行物１記載の発明は、その処理全体が自動であるため「手動に切替わ」るに相当する構成を有していない点。
　
　ここで、上記相違点(か)(き)は、「７−１．本件発明１」における相違点(あ)(い)と実質同じであるので、上記「７−１−１．相違点(あ)」「７−１−２．相違点(い)」を引用する。
　
　したがって、本件発明３は、上記刊行物１記載の発明、および、周知事項に基づき、当業者が容易に発明できたものである。
　
８．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜３は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号)附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令(平成７年政令第２０５号)第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月１５日（２００２．８．１５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（ａ）　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の「プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相、インピーダンスを求めておき、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整することを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合方法。」を「プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて
記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、
し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスに個別に設定する様にした
（ｂ）　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２の「前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させる請求項１のプラズマ装置の高周波電力整合方法。」を「
プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させ、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後、プラズマを発生させることを特徴とする
（ｃ）　特許明細書の特許請求の範囲の請求項４を請求項３と訂正し、請求項３に係る記載を特許請求の範囲の減縮を目的として、「位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部とを備えたことを特徴とするプラズマ装置の高周波電力整合装置。」を「位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部とを備え
、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能とした
（ｄ）　特許明細書の特許請求の範囲の請求項３及び５乃至請求項７を削除する。
（ｅ）　特許明細書の［課題を解決する為の手段］の欄の記載、「本発明は、プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相、インピーダンスを求めておき、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整するものであり、更に前記高周波電力整合部を前記求めておいた位相・インピーダンスに調整した後、プラズマを発生させるものであり、更にプラズマ発生後に前記高周波電力整合部の位相、インピーダンスを検出し、該検出結果に基づき位相・インピーダンスを調整するものであり、更に位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、種々の処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部とを備えたものであり、更に位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、プラズマ処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記位相・インピーダンス検出器からの信号と前記目標値出力部からの信号とを前記プラズマ発生検出器からの信号を検知して切替え前記駆動部へ入力させる様にした制御部とを備えたものであり、更に前記目標値出力部には、種々のプラズマ処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されており、前記目標値出力部の出力値を選択する制御部を備えたものであり、更に又高周波電源と、位相・インピーダンス検出器、プラズマ発生検出器、位相・インピーダンス調整機構を有する整合部と、前記高周波電源から前記整合部を介して高周波電力が印加されるカソード電極と、プラズマ処理条件に対応する目標位相値、インピーダンス値が設定入力されている目標値出力部と、位相・インピーダンス調整機構を駆動する駆動部と、前記位相・インピーダンス検出器からの信号と前記目標値出力部からの信号とを前記プラズマ発生検出器からの信号を検知して切替え前記駆動部へ入力させる様にした制御部とを備え、前記駆動部は、前記位相・インピーダンス検出器からの信号又は前記目標値出力部からの信号に基づき駆動して前記カソード電極へ印加される高周波電力の位相・インピーダンスを調整する様にしたことを特徴とするものである。」を「本発明は、プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて
記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、
し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスに個別に設定する様にしたプラズマ装置の高周波電力整合方法に係り、又プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に
、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後、プラズマを発生させるプラズマ装置の高周波電力整合方法に係り、更に又
、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能としたプラズマ装置の高周波電力整合装置に係るものである
（５４）【発明の名称】
プラズマ装置の高周波電力整合方法及びその装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて
記憶しておき選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、
し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスに個別に設定する様にした
　【請求項２】　
プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に
、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後、プラズマを発生させることを特徴とする
　【
請求項３
、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能とした
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体デバイスの製造工程の１つであるドライエッチング或は薄膜の生成等、表面処理を行うプラズマ装置に於ける整合装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　上記したプラズマ装置は、減圧下でイオン、又はラジカル原子或は分子を用いて被処理基板（ウェーハ）の表面のエッチング或は薄膜の成膜を行うものである。
　【０００３】
　先ず、第３図に於いてプラズマ装置の１つであるプラズマエッチング装置の概略を説明する。
　【０００４】
　高周波電源１に整合装置８を介して接続された平板電極（カソード電極）２と、該平板電極２に相対して接地電位にある対向電極（アノード電極）３が設置されている。前記カソード電極２、アノード電極３は真空容器４に収納され、カソード電極２は絶縁材５により真空容器４と絶縁されている。
　【０００５】
　該真空容器４には反応性ガスを導入する導入系６と真空容器４内の圧力を一定に保つ為の排気系７が設けられている。
　【０００６】
　被処理物、例えばシリコンウェーハ９は、通常前記カソード電極２上に載置される。
　【０００７】
　前記両電極２，３間に高周波電力、例えば１３．５６ＭＨｚを印加して両電極間にプラズマを発生させるとプラズマ内の電子と正イオンの移動速度の大きな違いにより、高周波電力を印加した側（カソード電極２側）の電極に大きな陰極降下電圧（セルフバイアス）が発生する。この陰極降下電圧で反応性ガスイオンは加速されてウェーハ９に垂直に入射し、垂直方向のエッチングが進行する。
　【０００８】
　前記した高周波電源１は通常５０オームの純抵抗に供給する様に製作されており、前記整合装置８は両電極２，３間の負荷、整合装置８の合成抵抗が５０Ωとなる様に調整するものである。
　【０００９】
　ところで、上記エッチング装置によりエッチング処理を行う場合に処理状態を決定するものの要因として、真空容器４内の圧力、反応ガスの流量、反応ガスの種類、印加電力が挙げられる。
　【００１０】
　又、これら要因はエッチング処理状態を決定すると共に整合装置８の整合条件を決定する要因でもある。従って、要求されたエッチング処理をする為前記した要因を変更した場合には、整合装置８により位相及びインピーダンスの調整も行わなければならない。
　【００１１】
　従来の整合装置８を、第４図に於いて説明する。
　【００１２】
　該整合装置８は、位相とインピーダンスを検出する位相・インピーダンス検出器１０、インピーダンス調整器１１を構成する可変コンデンサ１２、モータユニット１３、位相調整器１４を構成する可変コンデンサ１５、モータユニット１６、更にプラズマ発生検出器１７、ＨＦコイル１８、前記位相・インピーダンス検出器１０及びプラズマ発生検出器１７から成る整合部２０との検出結果に基づき前記モータユニツト１３，１６を駆動制御する制御器１９から構成されている。
　【００１３】
　上記整合装置８に於いて、高周波電源１より、両電極２，３間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。プラズマが発生する迄は、モータユニット１３，１６は駆動されなく、可変コンデンサ１２，１５の容量調整は行われない。プラズマが発生するとプラズマ発生検出器１７によりプラズマ発生が検出され、その検出結果が前記制御器１９へ入力される。プラズマ発生の検出信号が入力されることで、制御器１９は前記位相・インピーダンス検出器１０で検出される電流と電圧の位相差信号、インピーダンス差信号がそれぞれ零となる様前記モータユニット１３，１６を駆動し、可変コンデンサ１２，１５の容量を調整する。
　【００１４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記した従来の整合装置ではプラズマが発生したときから、整合動作を開始し、モータユニット１３，１６によってコンデンサの容量を変えていることから、整合が完了する迄に数秒、具体的には７〜８秒必要とする。ところが整合が完了する迄の間のプラズマは発生しているので、ウェーハは不安定なプラズマ下でエッチングされていることになり、製品品質に悪影響を及ぼす。更に、整合に要する時間はエッチング工程のロスタイムともなり、装置の稼動率、生産性も低下させる原因となる。特に、ウェーハを一枚毎にエッチング処理してゆく、枚葉式のプラズマエッチング装置にあっては、整合に要する時間の長短は、製品品質、生産性の点で重大な問題であった。
　【００１５】
　本発明は、斯かる実情に鑑み、整合に要する時間を可及的に短くし、製品品質、生産性を向上させようとするものである。
　【００１６】
　【課題を解決する為の手段】
　本発明は、プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて
記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、
し、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択されたプラズマ処理条件に見合った位相・インピーダンスに個別に設定する様に、プラズマ発生前に手動により制御器から位相・インピーダンスに個別に設定する様にしたプラズマ装置の高周波電力整合方法に係り、又プラズマ処理条件に対応する高周波電力整合部の位相・インピーダンスを求めて記憶しておき、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件であるかどうかが判断され、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に
、又、選択されたプラズマ処理条件が記憶された前記プラズマ処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、複数事前に設定入力されたプラズマ処理条件に対応した位相・インピーダンスを手動により制御器から選択して設定した後、プラズマを発生させるプラズマ装置の高周波電力整合方法に係り、更に又
、選択された処理条件が前記目標値出力部に記憶されている処理条件に該当する場合、プラズマ発生前に前記高周波電力整合部を設定入力した前記位相値・インピーダンス値に調整し、選択された処理条件が前記目標出力部に記憶されている処理条件に該当しない場合、手動に切替わり、前記選択された処理条件に見合った位相値・インピーダンス値に手動により個別に設定可能としたプラズマ装置の高周波電力整合装置に係るものである
　【００１７】
　【作用】
　プラズマ発生前にエッチング条件に合せて事前に入力していた、位相値、インピーダンス値に合致させる様整合部を調整し、プラズマが発生した後は、位相、インピーダンス検出器からの信号に基づき整合部により負荷側との整合をとる。
　【００１８】
　【実施例】
　以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
　【００１９】
　尚、第１図中、第４図中で示すものと同一のものには同符号を付してあり、又整合部２０は前述したものと同一の構成であるので説明は省略する。
　【００２０】
　位相、インピーダンス検出器１０からのレベル差検出信号Ｚ２は、増幅器２１で増幅された後スイッチング器２２、増幅器２３を介してモータユニット１３のモータドライバ２４に入力される様になっており、又該位相・インピーダンス検出器１０からのインピーダンス差検出信号Ｚは増幅器２５で増幅された後、スイッチング器２６、増幅器２７を介してモータユニット１６のモータドライバ２８に入力される様になっている。
　【００２１】
　次に、２９は記憶部であり、種々のエッチングに対応した条件テーブル、（圧力Ｐ、反応ガス流量Ｆ、電力Ｖ）３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，…が設定入力されており、後述する制御器３１からの選択信号が入力されると、前記条件テーブル３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，…のいずれかの条件テーブルに属するＰ，Ｆ，Ｖを設定器３２へ出力する。又、該記憶部２９には前記条件テーブル３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，…とは別に、個別に手動でエッチング条件（具体的にはθ′，Ｚ′）を個別に入力し得る様になっている。
　【００２２】
　前記設定器３２にはθ−Ｚ設定器３３が接続され、該θ−Ｚ設定器３３はスイッチング器３４，３５に接続されている。又、該スイッチング器３４，３５は前記記憶部２９にも接続してある。該スイッチング器３４は増幅器３６、スイッチング器３７を介して前記増幅器２３に接続され、又スイッチング器３５は増幅器３８、スイッチング器３９を介して前記増幅器２７へ接続されている。
　【００２３】
　前記増幅器２３へはモータユニット１３による調整容量を検出するＺ容量検出器４０を増幅器４１、スイッチング器４２を介して接続し、前記増幅器２７へはモータユニット１６による調整容量を検出するθ容量検出器４３が増幅器４４、スイッチング器４５を介して接続されている。
　【００２４】
　前記制御器３１は前記スイッチング器２２，２６，３７，４２，３９，４５の切換え、条件テーブルの選択を行う。
　【００２５】
　以下作用を第２図に示すタイミング線図を併用して説明する。
　【００２６】
　エッチング装置のサイクル作動について説明すると、先ずウェーハの移載、エッチングチャンバの閉動作等の機構動作が行われ、次に物理的エッチング条件充足（具体的には圧力設定、反応ガス流通等）が行われる。このエッチング条件の充足と平行して整合部を予め求めておいた値又はその近くで放電を開始しやすい値に調整し、エッチング条件の充足、整合部の調整完了と同時に高周波電力が印加されプラズマが発生する。
　【００２７】
　次に、整合動作について詳述する。
　【００２８】
　制御器３１に於いて作業者が処理すべきウェーハのロットに合せて条件テーブル３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，…のいずれかを選択する。尚、ウェーハのロット番号と条件テーブル３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，…の対応関係を予め定めておけば、ロット番号の選択だけでよい。
　【００２９】
　エッチング工程開始時には、制御器３１はスイッチング器２２，２６をＯＦＦ、スイッチング器３７，４２，３９，４５をＯＮとする。この状態で前記記憶部２９へ処理テーブルの選択信号が出される。記憶部２９は選択信号に該当する条件テーブルがあるか否かを判断し、該当する条件テーブルがあれば選択し、スイッチング器３４，３５を切換え、θ−Ｚ設定器３３と増幅器３６とを接続させ、θ−Ｚ設定器３３と増幅器３８とを接続させると共に該テーブルに設定されている諸条件（圧力Ｐ、電力Ｖ、流量Ｆ）を前記設定器３２へ出力する。該設定器３２はこれら諸条件が入力されるとエッチング処理を行う場合の各条件値の範囲を演算してその結果を、θ−Ｚ設定器３３に入力する。
　【００３０】
　該θ−Ｚ設定器３３にはこれら諸条件に見合う、実験経験等で得たθ値、Ｚ値が予め入力されており、θ−Ｚ設定器３３はθ値、Ｚ値を選択して、Ｚ値をスイッチング器３４、増幅器３６、スイッチング器３７を介して増幅器２３に入力し、又θ値をスイッチング器３５、増幅器３８、スイッチング器３９を介して増幅器２７に入力する。又、前記増幅器２３にはＺ容量検出器４０から検出信号Ｚが増幅器４１、スイッチング器４２を介して入力されており、θ−Ｚ設定器３３からの信号とＺ容量検出器４０からの信号との間に偏差があれば、該偏差は増幅器２３で増幅されてモータドライバ２４に入力される。モータドライバ２４は増幅器２３からの信号に基づきモータユニット１３を駆動し、可変コンデンサ１２容量を変更する。可変コンデンサ１２の容量はＺ容量検出器４０によって検出されフィードバックされるので、モータドライバ２４は前記偏差が零となる迄モータユニット１３を駆動する。
　【００３１】
　同様に前記増幅器２７にはθ容量検出器４３から検出信号θが増幅器４４、スイッチング器４５を介して入力されており、両信号の偏差が零となる迄モータドライバ２８によってモータユニット１６が駆動され、可変コンデンサ１５の容量が調整される。
　【００３２】
　上記の如くして可変コンデンサ１２，１５の容量がプリセットされるが、この調整作動は前記した様にエッチング条件充足期間と並行して行われ、プラズマ発生前である。而して、プラズマが発生される時点では、プラズマ発生状態で全抵抗値が略所定の値（５０Ω）となる様に調整される。
　【００３３】
　次に両電極２，３間に高周波電力が印加されプラズマが発生すると、プラズマ発生がプラズマ検出器１７で検知され、その検知信号は前記制御器３１へ入力される。該制御器３１はプラズマ検出信号が入力されるとスイッチング器３７，４２，３９，４５をＯＦＦとし、スイッチング器２２，２６をＯＮとする。而して位相・インピーダンス検出器１０は整合部２０での実際のＺ値、θ値を検出して前記増幅器２３、増幅器２７へ入力し、Ｚ値、θ値が零となる様増幅器２３、モータドライバ２４を介してモータユニット１３によって、又増幅器２７、モータドライバ２８を介してモータユニット１６によって、可変コンデンサ１２及び可変コンデンサ１５をそれぞれ容量調整する。
　【００３４】
　尚、プラズマ発生後の整合作動については従来のものと同様である。
　【００３５】
　次に、作業者が記憶部２９に入力されていない条件テーブル３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，…、以外のロット番号、或はエッチング条件を制御器３１より指示又は選択すると、記憶部２９は入力されている条件以外であることを判断し、スイッチング器３４，３５を切換え記憶部２９と増幅器３６及び増幅器３８とを直接接続する。この状態で作業者はエッチング条件に見合ったθ´値、Ｚ´値を個別に設定することができ、該θ´値、Ｚ´値を目標に可変コンデンサ１２、可変コンデンサ１５の容量調整がなされる。この容量調整の作動については前述したと同様であるので説明は省略する。
　【００３６】
　尚、θ´値、Ｚ´値の個別入力は予定されたエッチング条件に対応させて、何通りか事前に設定入力し、選択する様にしてもよく、又作業毎に設定入力する様にしてもよい。
　【００３７】
　而して、上記プラズマ発生前の可変コンデンサ１２、可変コンデンサ１５の調整により、プラズマ発生時には合成抵抗が目標値である略５０Ωとなっており、プラズマ発生状態での整合部２０の整合作動は円滑に且極めて迅速に行われ、アーク発生初期に於けるプラズマ不安定状態を著しく短縮できる。
　【００３８】
　【発明の効果】
　以上述べた如く本発明によれば、処理時のプラズマ不安定状態を著しく短縮できるので、ウェーハの処理品質が向上し且整合作動をプラズマ発生迄に略完了させてしまうので、整合作動時間を極めて短縮でき処理時間の短縮、生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は該実施例に於けるタイミング線図、第３図はプラズマエッチング装置の基本構成図、第４図は従来の整合装置の説明図である。
　１０は位相・インピーダンス検出器、１７はプラズマ検出器、２０は整合部、２６はスイッチング器、２９は記憶器、３１は制御器、３３はθ−Ｚ設定器、３７，３９，４２，４５はスイッチング器を示す。