【事件の表示】
　特許第３０９３４２７号「低反射シート」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０９３４２７号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０９３４２７号（平成４年３月３０日出願、平成１２年７月２８日設定登録）の請求項１に係る特許に対して、株式会社ディスク、旭硝子株式会社及び宮崎幸夫から特許異議申の申立があり、取消理由を通知したところ、その指定期間内である平成１３年８月２７日に特許異議意見書とともに訂正請求書が提出され、更に取消理由を通知したところ、その指定期間内である平成１３年１２月２７日に特許異議意見書とともに訂正請求書が提出された。平成１３年１２月２７日付訂正請求書に対して、訂正事項が明確でないことを理由として、補正指令を通知したところ、平成１４年４月１２日付で手続き補正書が提出されるとともに、平成１３年８月２７日付訂正請求書の取下書が提出された。そして、平成１４年４月１２日付手続補正書で補正された、平成１３年１２月２７日付訂正請求書に対して、平成１４年６月１０日付で訂正拒絶理由を通知したところ、平成１４年８月２０日付で意見書及び手続補正書が提出された。
ＩＩ．手続補正書による訂正請求書の補正についての判断
　平成１４年８月２０日付手続補正書は、（１）段落【００１７】の記載について、「この発明の低反射シートは、ＡＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネイト、ポリ塩化ビニルから選ばれる透明な有機材料からなる透光性基体シートの両面に形成された微細な凹凸上に透光性基体シートより屈折率が低い透明薄膜層を形成しているので、透明性基体シート面に垂直な入射光および垂直以外の角度で入射してくる入射光についての反射光を減少させることができる。したがって、作業者自身やその背景の像の映り込みが少なくなり表示の視認性が良好になる。」と訂正するとしていたのを、「この発明の低反射シートは、ＡＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネイト、ポリ塩化ビニルから選ばれる透明な有機材料からなる透光性基体シートの両面に形成された微細な凹凸上に透光性基体シートより屈折率が低いフッソ系化合物からなる膜厚が５００〜５０００Åの範囲にある透明薄膜層を形成しているので、透明性基体シート面に垂直な入射光および垂直以外の角度で入射してくる入射光についての反射光を減少させることができる。したがって、作業者自身やその背景の像の映り込みが少なくなり表示の視認性が良好になる。」と、訂正事項を補正することを含むから、該手続補正は、訂正事項を変更するものである。
　同じく（２）段落【００１８】に記載について、「・・・透視しやすくすることができる。」と訂正するとしていたのを、「・・・透視することができる。」と、訂正事項を補正することを含むから、該手続補正は、訂正事項を変更するものである。
　したがって、平成１４年８月２０付手続補正書は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１３１条第２項に違反するから、採用することができない。
ＩＩＩ．訂正請求書による訂正の適否についての判断
１．訂正請求書における訂正事項
　平成１４年４月１２日付手続補正書で補正された、平成１３年１２月２７日付訂正請求書には、次の訂正事項等が含まれる。
 （１）特許明細書の段落【００１７】における「この発明の低反射シートは、透光性基体シートの微細な凹凸上に透光性基体シートより屈折率が低いフッソ系化合物からなる膜厚が５００〜５０００Åの範囲にある透明薄膜層を形成しているので、透明性基体シート面に垂直な入射光および垂直以外の角度で入射してくる入射光についての反射光を減少させることができる。したがって、作業者自身やその背景の像の映り込みが少なくなり表示の視認性が良好になる。」の記載を「この発明の低反射シートは、ＡＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネイト、ポリ塩化ビニルから選ばれる透明な有機材料からなる透光性基体シートの両面に形成された微細な凹凸上に透光性基体シートより屈折率が低い透明薄膜層を形成しているので、透明性基体シート面に垂直な入射光および垂直以外の角度で入射してくる入射光についての反射光を減少させることができる。したがって、作業者自身やその背景の像の映り込みが少なくなり表示の視認性が良好になる。」と訂正する。
（２）特許明細書の段落【００１８】における「しかも、凹凸上にフッソ系化合物からなる膜厚が５００〜５０００Åの範囲にある透明薄膜層を有しているので、透光性基体シート後方からの透過光の散乱を緩和し透光性基体シートの全透過光量を増加させる。したがって、シート後方に配した文字や画像などの表示を明るく透視することができる。」の記載を「しかも、ＡＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネイト、ポリ塩化ビニルから選ばれる透明な有機材料からなる透光性基体シートの両面に形成された微細な凹凸上にフッソ系化合物からなる膜厚が５００〜５０００Åの範囲にある透明薄膜層を有しているので、透光性基体シート後方からの透過光の散乱を緩和し透光性基体シートの全透過光量を増加させる。したがって、シート後方に配した文字や画像などの表示を明るく透視しやすくすることができる。」と訂正する。
２．訂正拒絶理由の概要
　訂正事項（１）による訂正は、透光性基体シートの微細な凹凸上に形成する「透明薄膜層」について、訂正前は、「透光性基体シートより屈折率が低いフッソ系化合物からなる膜厚が５００〜５０００Åの範囲にある透明薄膜層」と規定していたのを、訂正後は、「透光性基体シートより屈折率が低い透明薄膜層」とするのみで、訂正前に透明薄膜層を限定していた「フッソ系化合物からなる膜厚が５００〜５０００Åの範囲にある」を削除するものであるから、明瞭でない記載の釈明には、該当しないと認められる、また、誤記の訂正にも、該当しないと認められる。
　訂正事項（２）による訂正は、「・・・透視することができる。」を「・・・透視しやすくすることができる。」とする訂正を含むものであるが、該訂正は、明瞭でない記載の釈明には該当しないと認められる、また、誤記の訂正にも、該当しないと認められる。
　したがって、本件訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号により改正前の特許法第１２６条ただし書きの規定に適合しない、というものである。
３．判断
　訂正拒絶理由において、訂正事項が、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないとしたことは、妥当である。
ＩＶ．特許異議の申立についての判断
１．請求項１に係る発明
　訂正請求は認められないので、請求項１に係る発明は、特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりのものである。
  「透光性基体シートの少なくとも一方の面に微細な凹凸が形成され、その凹凸上に透光性基体シートの屈折率より低い屈折率を有するフッソ系化合物からなる膜厚が５００〜５０００Åの範囲にある透明薄膜層が形成されていることを特徴とする低反射シート。」
２．取消理由の概要
　当審が平成１３年６月１８日付けで通知した取消理由Ｉの概要は、本件請求項１に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された特開平１−２３９５０１号公報（以下、刊行物１という。）に記載されたものであるから、その特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反されたものである、というものである。
３．判断
（１）刊行物１の記載
　刊行物１には次の記載がなされている。
ａ−１「プラスチツク基板の表面を高周波プラズマエツチング処理によつて粗面化し、この粗面上に反射防止層を形成したことを特徴とする反射防止板。」（特許請求の範囲第１項）
ａ−２「粗面化されたプラスチツク基板表面の凹凸の大きさが、平均０．０５〜５μｍの範囲にある請求項（１）に記載の反射防止板。」（特許請求の範囲第２項）
ａ−３「プラスチツク基板１は、透明性が高く、通常屈折率が１．４５〜１．６程度のものが用いられ、たとえばアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、エチレン−四弗化エチレン共重合体などが採用される。」（第２頁右上欄第４〜８行）
ａ−４「高周波プラズマエツチング処理は、真空中の槽内にアルゴンガスや酸素ガスなどの不活性ガスないし活性ガスを導入して、高周波電圧によりプラズマ放電させればよく、このエツチング処理により上記プラスチツク基板１の表面に微細な凹凸２が形成される。」（第２頁右上欄第９〜１４行）
ａ−５「凹凸２の大きさが０．０５μｍ未満では光散乱による基板自体の残留反射率の低減効果が小さくなり好ましくない。」（第２頁左下欄第１２〜１４行）
ａ−６「反射防止層３は、ＭｇＦ２　・・・Ｎａ３　ＡｌＦ６　、ＣａＦ２　などを通常の通電抵抗加熱や電子ビーム加熱などの真空蒸着技術により上記基板１の粗面上に形成させればよい。この反射防止層３を形成する薄膜の膜厚は、特に制限されないが、最も効率よく光の反射を低減させるために光の干渉条件を考慮し、単層として７０〜１２０ｎｍ程度の膜厚とすればよい。」（第２頁右下欄第２〜９行）
ａ−７「この発明の反射防止板は、高周波プラズマエツチング処理によって形成される基板表面の微細な凹凸による光散乱によって基板の残留反射率を低減させ、該基板を透過した像や物体を明確に視認できるとともに、上記処理面上に形成された反射防止層に起因する良好な反射防止効果が得られるようになる。」（第２頁右下欄第１５行〜第３頁左上欄第１行）
ａ−８「上記高周波プラズマエツチング処理と反射防止層の形成は、同一装置内で連続して行うことができるため、連続ライン化による量産化が容易となり、コストダウンに寄与できるなど、格別の効果が奏し得られるものとなる。」（第３頁左上欄第２〜６行）
ａ−９「実施例１　厚さ２ｍｍ、屈折率１．４９のアクリル樹脂基板を高周波プラズマエツチング装置の高圧側電極表面にセツトし、真空引きしたのち、アルゴンガスを導入し、４×１０−３Ｔｏｒｒに保持した後、３００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を放電してプラズマエツチング処理を行つた。このエツチング処理後のアクリル樹脂基板表面の凹凸の大きさは平均約０．３μｍであつた。次に、高周波プラズマエツチング装置の基板ホルダー上に、上記プラズマエツチング処理を施したアクリル樹脂基板を、その処理面が蒸着面となるようにセツトし、５×１０−５Ｔｏｒｒまで真空引きを行つたのち、抵抗加熱により屈折率１．３８のＭｇＦ２　膜を上記処理面に厚さ９０ｎｍとなるように形成して反射防止板を作製した。」（第３頁左上欄第１０行〜右上欄第５行）
ａ−１０：反射防止板の一例を示す断面図（第４頁左上欄、第１図）
（２）対比・検討
　本件請求項１に係る発明と刊行物１の実施例１として記載された反射防止板とを対比検討すると、刊行物１の実施例１の反射防止板における、「プラチック基板としての厚さ２ｍｍのアクリル樹脂基板」、「高周波プラズマエッチング処理による粗面」及び「反射防止層としてのＭｇＦ２　膜」は、本件請求項１に係る発明における「透光性基体シート」、「微細な凹凸」及び「フッソ系化合物からなる透明薄膜層」に、それぞれ相当する。
　そして、刊行物１の実施例１において、反射防止層のＭｇＦ２膜は、その膜厚は９０ｎｍ（９００Å）、その屈折率は１．３８であり、アクリル樹脂基板の屈折率１．４９であるから、刊行物１の実施例１の反射防止板は、本件請求項１に係る発明で特定される、「透光性基体シートの屈折率より低い屈折率を有するフッソ系化合物からなる膜厚が７００〜１２００Åの範囲にある透明薄膜層」の要件を充足するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明である。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月１０日（２００２．９．１０）