【事件の表示】
　特許第３１８９６８７号「半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１８９６８７号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３１８９６８７号の請求項１乃至７に係る発明についての出願は、平成８年６月１７日付で特許出願され、平成１３年５月１８日付でその発明について特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人小野和広により特許異議の申立てがなされ、平成１４年５月１５日付で取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年７月２３日付で訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は次のとおりである。
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１、２、３に「当該個所に微小突起部が発生するように、」とあるのを、「当該パルスレーザビームの照射個所に微小突起部が発生し、分布するように、」と訂正する。
訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の段落【０００５】において「当該個所に微小突起部が発生するように、」とあるのを、「当該パルスレーザビームの照射個所に微小突起部が発生し、分布するように、」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項５に「当該個所に形成された微小突起部」とあるのを、「当該パルスレーザビームの照射個所に形成され分布した微小突起部」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａに関連する記載として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の発明の詳細な説明の段落【０００８】には、「微小突起部」が発生する個所について「レーザ光照射面には多数の微小突起部１００〜１０７が形成されている。」と記載されており、同じく段落【００１１】には、「微小突起部」が発生する状態について「非常に緻密に分布しているので、レーザ光照射部分とレーザ光非照射部分とは、光の反射の違いにより容易に識別可能となる。」と記載されていることから、「微小突起」が発生する個所が「パルスレーザビームの照射個所」であり、発生する状態が「分布する」ものである発明は、特許明細書に記載されているものと認められる。
　そうすると、上記訂正事項ａは、特許明細書に記載された事項の範囲内において、「微小突起部」が発生する個所及び発生する状態を限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との間の整合性を取るためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項ｃについても、訂正事項ａと同様の理由から、特許明細書に記載された事項の範囲内において、「微小突起部」が発生する個所及び発生する状態を限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）申立ての理由の概要
　特許異議申立人小野和広は、特許第３１８９６８７号の請求項１乃至５に係る発明は、甲第１号証又は甲第３号証で示す刊行物に記載された発明である点で、その特許が特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされ、及び、同請求項１乃至５に係る発明は、甲第１号証又は甲第３号証と甲第２号証に記載された発明に基づき容易に発明をすることができたものである点で、その特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたから、上記請求項に係る発明についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し取り消されるべきものである旨主張し、更に、同請求項１乃至７に係る発明についての特許は、次の記載不備（ア）の点で特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、また、同じく請求項１乃至７に係る発明についての特許は、次の記載不備（イ）〜（エ）の点で特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるから、特許法第１１３条第４号に該当し取り消されるべきものである旨主張している。
　
記載不備（ア）
　請求項１乃至７の記載からは「微小突起部」との記載が微少な突起の各々とも、微小な突起群からなる集合域とも解釈可能で、技術的内容が広い概念の用語として用いられているのに対し、発明の詳細な説明では微小な突起の集合体としてのみ記載されており、請求項１乃至７に記載の「微小突起部」はその技術的な内容が不明確なものである。
記載不備（イ）
　発明の詳細な説明の段落【０００８】の「多数の微小突起部１００〜１０７」との記載において、図番１００〜１０７のそれぞれが「微小突起部」に該当するのか、１００〜１０７をまとめた集合体が「微小突起部」に該当するのかが不明りょうである。
記載不備（ウ）
　甲第３号証では、本件発明におけるエネルギー密度よりも小さい１．９±０．２Ｊ／ｃｍ２のエネルギーのパルスレーザで半導体材料を蒸発させているが、本件発明の詳細な説明には、１．９±０．２Ｊ／ｃｍ２よりも高いエネルギーで如何に蒸発させることなく溶融再結晶化させるかについて、実施可能な程度に記載されていない。
記載不備（エ）
　特許明細書の図４において、「微小突起部」はＳｉウエハー表面から直接隆起した状態に描かれているが、該表現では、質量の補給なしに、平面であったものの表面から一部が隆起したことになり、自然法則に反するものだから、同図には自然法則に反した未完成発明が記載されている。
　
（２）本件特許発明
　特許第３１８９６８７号の請求項１乃至７に係る発明は、平成１４年７月２３日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された次の事項により特定されるものである。
「パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する過程で当該パルスレーザビームの照射個所に微小突起部が発生し、分布するように、前記パルスレーザビームのエネルギーとパルス幅との少なくとも１つを制御することを特徴とする半導体材料表面への刻印方法。（以下、「本件発明１」という。）」
「パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する過程で当該パルスレーザビームの照射個所に微小突起部が発生し、分布するように、パルスレーザビームのパルス幅を０.０５ms〜０.４０msに選定したことを特徴とする半導体材料表面への刻印方法。（以下、「本件発明２」という。）」
「パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する過程で当該パルスレーザビームの照射個所に微小突起部が発生し、分布するように、半導体材料表面のパルスレーザビームのエネルギー密度を１８Ｊ／cm2〜４０Ｊ／cm2に選定したことを特徴とする半導体材料表面への刻印方法。（以下、「本件発明３」という。）」
「上記パルスレーザビームのエネルギー密度を１８Ｊ／cm2〜４０Ｊ／cm2にすると共に、パルス幅を０.０５ms〜０.４０msに選定することを特徴とする請求項１記載の半導体材料表面への刻印方法。（以下、「本件発明４」という。）」
「パルスレーザビームを半導体材料，電子部品等の物品表面に照射し、該パルスレーザビーム照射面を溶融，再結晶化する過程で当該パルスレーザビームの照射個所に形成され分布した微小突起部よりなる刻印を、表面に有することを特徴とする物品。（以下、「本件発明５」という。）」
「刻印すべきパターンが二次元コードを含み、該パターンを発生する手段が液晶マスクであることを特徴とする請求項１，２，３，４項のいずれか１項記載の物品への刻印方法。（以下、「本件発明６」という。）」
「半導体材料，電子部品等の物品に刻印すべきパターンが二次元コードを含み、該パターンを発生する手段が液晶マスクであることを特徴とする請求項５項記載の物品。（以下、「本件発明７」という。）」
　
（３）引用刊行物
甲第１号証：特開昭５９−８４５１５号公報（以下、「刊行物１」という。）
甲第２号証：MATERIALS RESEARCH SOCIETY、SYMPOSIA PROCEEDINGS、Elsevier Science Publishing Company．Inc．1984年発行、VOLUME 23、203〜208頁
IAN W. BOYD et al．「INITIAL OBSERVATION OF THE CRYSTAL-AMORPHOUS TRANSITION AND THE FORMATION OF RIPPLE PATTERNS ON SILICON INDUCED BY 7 ps PULSES AT  1．05 μｍ 」（「以下、「刊行物２」という。）
甲第３号証：特開昭６０−３７７１６号公報（以下、「刊行物３」という。）
　
（４）刊行物に記載された発明
　刊行物１には、「半導体基板の同一個所に複数のパルスレーザ光を、各パルス毎におけるレーザ光のスポット径を順次小さくして照射することを特徴とするレーザ光による半導体基板へのマーキング方法」（第１頁左下欄第６〜１０行）、「このときの第１のレーザ光Ｌ１のエネルギは、上記半導体基板ａから飛散物ｅを蒸発飛散させることがなく、しかも周辺部に盛り上がる第１の溶融物１１の高さ寸法が素子形成における許容誤差以下の寸法となる大きさとする。」（第２頁右上欄第１〜６行）、「第２のレーザ光Ｌ２は、第１のレーザ光Ｌ１に比べてエネルギが同じもしくはそれ以下である」（第２頁右上欄第１６〜１７行）、「第２のレーザ光Ｌ２とエネルギが同じもしくはそれ以下で、スポット径Ｄ３が第２のレーザ光Ｌ２のスポット径Ｄ２よりも小さな第３のレーザ光Ｌ３を照射し、」（第２頁左下欄第５〜８行）、「エネルギが第３のレーザ光Ｌ３と同じもしくはそれ以下で、スポット径Ｄ４が第３のレーザ光Ｌ３よりも小さな第４のレーザ光Ｌ４で照射すれば、」（第２頁左下欄第１３〜１６行）、「第１乃至第４のレーザＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４のエネルギは、半導体基板ａから飛散物ｅを発生させることのない大きさであるから、上記半導体基板ａの表面に飛散物ｅが付着することがなく、」（第２頁右下欄第３〜７行）、「半導体基板から飛散物を発生させたり、溶融物を許容誤差以上の高さ寸法で堆積させることなく所望する深さのマークを形成することができる」（第３頁左上欄第７〜１０行）との記載からみて、「半導体基板にパルスレーザ光を照射してマークを形成する方法において、上記半導体基板の同一箇所に複数のパルスレーザ光を照射し、前記同一箇所における同半導体基板から飛散物を蒸発飛散させることなく周辺部に盛り上がる溶融物を形成するように、パルスレーザ光のエネルギーを制御することを特徴とする半導体基板へのマーキング方法」及び「パルスレーザ光を半導体基板に照射し、該レーザ光照射面から飛散物を蒸発飛散させることなく周辺部に盛り上がる溶融物を形成する過程で当該箇所に形成された盛り上がった溶融物よりなるマークを表面に有することを特徴とする半導体基板」が記載されていると認められる。
　刊行物２には、「光学励起は、モードロックされたＮｄ：リン酸グラスファイバー（λ＝１．０５μｍ）又はモードロックされたＮｄ：ＹＡＧレーザー（λ＝１．０６μｍ）のいずれかにより提供される。」（第２０４頁第２〜３行）、「十分なエネルギーがｃ−Ｓｉに供給されると、バルク溶融温度（１６８５Ｋ）が得られること、また調整されたメルトフロントが放射領域の中心から外方へ放射状に増えることが一般的に知られている。」（第２０４頁第５４行〜第２０６頁第２行）、「しかしながら、この段階における最も重要な観察は、ＥＴＨとシングルショットの悲惨な損傷の点との間のエネルギー密度に関して、溶融したＳｉは比較的構造上順序だった状態に再結晶化されるということである。」（第２０６頁１２〜１５行）との記載から、「シリコン表面にパルスレーザを照射すると、表面が溶融し、その溶融した部分が再結晶化する現象が起こる」ことが記載されていると認められる。
　刊行物３には、「本発明は半導体表面の一部をその都度、レーザービームによって溶融及び一部蒸発させることにより得られる表面パターンによって、半導体表面を特性化する方法に関する。」（第１頁右下欄第７〜１０行）、「表面パターンに相当する面の表面小部分の中央部分においてのみ半導体材料を溶融させ、一部蒸発させるように、レーザーパルスのエネルギーを調節する段階を特徴とする方法によって達成される。」（第２頁右上欄第１１〜１５行）、「本発明による方法を実施するためには、レーザービームの直径又はパルスエネルギー、あるいは特に好ましくはこの両方のパラメータが特に連続的に調節可能であるような装置を用いることが望ましい。」（第２頁右下欄第１２〜１６行）、「沈下した部分は漸次外方へ拡大し、最後には元の表面から隆起して表面パターンの境界を表わす環状の隆起２に変る。この隆起は溶融物から成り、表面パターンの内側から外側へ押しのけられている。」（第３頁右下欄第７〜１１行）、「ＹＡＧレーザー（波長１．０６μｍ、ＴＥＭ００−モードにおいて連続作動−公称出力１２ワットを有する）を使用した。このレーザーは１ＫＨｚの反復周波数において約１５０ｎｓの半減期を有するパルスを発生した。」（第４頁左上欄第１９行〜第４頁右上欄第４行）、「レーザビームをディスク表面の１５５μｍ直径上のみに収束させた。」（第４頁右上欄第１１〜１２行）、「パルスエネルギーをその最大値の１．８ｍＪから、減衰器を用いて、連続的に減じて、表面部分の中央の溶融し、一部蒸発した部分が望ましい大きさになるようにする。これは０．９３ｍＪにおいて達成された。」（第４頁右上欄第１５〜１９行）、「実施例１に述べた装置において、１０個の研磨ゲルマニウムディスク（直径５０ｍｍ、（１００）配向性）に文字を書いた。レーザービームの直径は１５５μｍであり、パルス・エネルギーは０．４６ｍＪであった。」（第４頁左下欄第１７行〜第４頁右下欄第１行）、及び「ディスク表面上に、７０±５μｍ範囲の直径、０．９±０．３μｍの隆起高さ及び１．７±０．５μｍの深さを有する円形の表面要素が得られた。」（第４頁右下欄第２〜４行）との記載からみて、「パルスレーザービームを照射して半導体表面に表面パターンを特性化する方法において、パルスレーザービームを照射した半導体表面が溶融して、一部蒸発する過程で、当該箇所に内側から外側に押しのけられた環状の隆起した部分が発生するように、前記パルスレーザービームのエネルギーを制御することを特徴とする半導体表面部への表面パターンを特性化する方法」、「パルス幅約１５０ｎｓ、エネルギー密度２．４Ｊ／ｃｍ２又は４．９Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザを用いて、隆起部の高さ１．０±０．３μｍ及び隆起部の直径を７５±５μｍとした形状の表面パターンとしての隆起部を特性化すること」、及び「パルスレーザビームを半導体表面に照射し、該パルスレーザビーム照射面に内側から外側に押しのけられた環状の隆起部を形成する過程で当該箇所に形成された隆起部よりなるパターンを表面に有することを特徴とする半導体材料」が記載されていると認められる。
　
（５）新規性及び進歩性についての当審の判断
ａ．本件発明１について
　本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載の発明における「パルスレーザ光」、「半導体基板」及び「マークを形成する方法」は本件発明１の「パルスレーザビーム」、「半導体材料」及び「パターンを刻印する方法」に相当する。そして、刊行物１に記載の発明ではパルスレーザ光の照射により半導体基板に溶融物が形成されていることから、パルスレーザ光を照射した個所の半導体基板表面が溶融していると認められ、また、例えば刊行物２に記載されているように溶融した半導体は再結晶化することから、刊行物１に記載の発明においても溶融した半導体は再結晶化すると認められ、更に刊行物１に記載の発明における「盛り上がる溶融物」は微小突起部が連続して構成しているものと認められることから、本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、「パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融、再結晶化する過程で微小突起部が発生するように、前記パルスレーザビームのエネルギーを制御することを特徴とする半導体材料表面への刻印方法」である点で両者は一致し、前者では、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布するのに対し、後者では、微小突起部は照射個所の周辺部に盛り上がるように形成される点で相違する。そして、刊行物１には、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布する点について示唆もされておらず、また刊行物２にも上記の点について記載も示唆もされていない。しかも本件発明１は、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布する構成を備えることにより、「レーザ光照射部分とレーザ光非照射部分とは、光の反射の違いにより容易に識別可能となる」という特許明細書記載の作用効果を奏するものである。
　してみると、本件発明１は刊行物１に記載された発明でないばかりか、刊行物１乃至２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　本件発明１と刊行物３に記載の発明とを対比する。刊行物３に記載の発明の「半導体」及び「特性化する方法」は、本件発明１の「半導体材料」及び「刻印方法」に相当する。そして、例えば刊行物２に記載されているように溶融した半導体は再結晶化することから、刊行物３に記載の発明においても溶融した半導体は再結晶化すると認められ、更に刊行物３に記載の発明における「隆起した部分」は微小突起部が連続して構成しているものと認められることから、　本件発明１と刊行物３に記載の発明とを対比すると、両者は、「パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する過程で当該パルスレーザビームの照射個所に微小突起部が発生するように、前記パルスレーザビームのエネルギーを制御することを特徴とする半導体材料表面への刻印方法。」である点で一致し、前者では、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布するのに対し、後者では、微小突起部はパルスレーザビームの照射個所の内側から外側に押しのけられるように環状に連続して発生している点で、両者は相違する。そして、刊行物３には、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布する点について示唆もされておらず、また刊行物２にも上記の点について記載も示唆もされていない。しかも本件発明１は、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布する構成を備えることにより、「レーザ光照射部分とレーザ光非照射部分とは、光の反射の違いにより容易に識別可能となる」という特許明細書記載の作用効果を奏するものである。
　してみると、本件発明１は刊行物３に記載された発明でないばかりか、刊行物２乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
ｂ．本件発明２乃至４について
　本件発明２乃至４は、本件発明１の構成要件をすべて含み、更に他の構成要件を付加したものに相当するから、上記ａ．で検討したのと同様の理由により、刊行物１又は３に記載された発明と同一、若しくは刊行物１又は３と刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
ｃ．本件発明５について
　本件発明５と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載の発明における「パルスレーザ光」、「半導体基板」及び「マーク」は本件発明５の「パルスレーザビーム」「物品」及び「刻印」に相当する。そして、刊行物１に記載の発明ではパルスレーザ光の照射により半導体基板に溶融物が形成されていることから、パルスレーザ光を照射した個所の半導体基板表面が溶融していると認められ、また、例えば刊行物２に記載されているように溶融した半導体は再結晶化することから、刊行物１に記載の発明においても溶融した半導体は再結晶化すると認められ、さらに刊行物１に記載の発明における「盛り上がる溶融物」は微小突起部が連続して構成しているものと認められることから、本件発明５と刊行物１に記載の発明とを対比すると、両者は「パルスレーザビームを半導体材料等の物品表面に照射し、該パルスレーザビーム照射面を溶融，再結晶化する過程で形成された微小突起部よりなる刻印を、表面に有することを特徴とする物品。」である点で一致し、前者では、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布するのに対し、後者では、微小突起部が照射個所の周辺部に盛り上がる溶融物となるように連続して形成される点で相違する。そして、刊行物１には、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布する点について示唆もされておらず、また刊行物２にも上記の点について記載も示唆もされていない。しかも本件発明５は、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布する構成を備えることにより、「レーザ光照射部分とレーザ光非照射部分とは、光の反射の違いにより容易に識別可能となる」という特許明細書記載の作用効果を奏するものである。
　してみると、本件発明５は刊行物１に記載された発明でないばかりか、刊行物１乃至２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　本件発明５と刊行物３に記載の発明とを対比する。刊行物３に記載の発明の「半導体」及び「パターン」は、本件発明１の「物品」及び「刻印」に相当する。そして、例えば刊行物２に記載されているように溶融した半導体は再結晶化することから、刊行物３に記載の発明においても溶融した半導体は再結晶化すると認められ、さらに刊行物３に記載の発明における「隆起した部分」は微小突起部が連続して構成しているものと認められるから、本件発明５と刊行物３に記載の発明とを対比すると、両者は「パルスレーザビームを半導体材料等の物品表面に照射し、該パルスレーザビーム照射面を溶融，再結晶化する過程で当該パルスレーザビームの照射個所に形成され分布した微小突起部よりなる刻印を、表面に有することを特徴とする物品。」である点で一致し、前者では、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布するのに対し、後者では微小突起部はパルスレーザビームの照射個所の内側から外側に押しのけられるように環状に連続して発生している点で、両者は相違する。そして、刊行物３には、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布する点について示唆もされておらず、また刊行物２にも上記の点について記載も示唆もされていない。しかも本件発明５は、微小突起部がパルスレーザビームの照射個所に発生し、分布する構成を備えることにより、「レーザ光照射部分とレーザ光非照射部分とは、光の反射の違いにより容易に識別可能となる」という特許明細書記載の作用効果を奏するものである。
　してみると、本件発明５は刊行物３に記載された発明でないばかりか、刊行物２乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（６）記載不備についての当審の判断
ａ．記載不備（ア）について
　訂正により、「微小突起部」はパルスレーザビームの照射個所に分布するように発生する微小突起の各々を意味するものであることが明りょうとなったことからみて、申立人が主張する明細書に関する記載の不備は解消している。
ｂ．記載不備（イ）について
　訂正により、「微小突起部」はパルスレーザビームの照射個所に分布するように発生する微小突起の各々を意味するものであり、「多数の微小突起部１００〜１０７」は図番「１００〜１０７」の各々が「微小突起部」であることが明りょうとなったことからみて、申立人が主張する明細書に関する記載の不備は解消している。
ｃ．記載不備（ウ）について
　半導体表面の溶融、蒸発の程度は単にエネルギー密度によって決まるのではなく、時間あたりのエネルギー密度によって決まるものであり、特許権者の試算によれば（特許異議意見書の第４頁第１８行以下参照）、特許明細書に記載された発明の時間当たりのエネルギー密度は、刊行物３に記載された発明のそれの５０分の１程度以下である。よって明細書の記載を参照すれば、半導体材料表面を蒸発を行わずに溶融だけを行わせることは十分可能であると認められ、本件明細書の記載に不備はない。
ｄ．記載不備（エ）について
　本件明細書の図４は半導体材料表面に微小突起部が分布するように発生した状態を模式的に図示したものであり、平面であったものの表面に突起部が付け加わるように隆起している状態を表したものではないから、図４のみをもって本願明細書に記載の発明を自然法則に反するとすることはできない。
　よって本件特許が、特許法第３６条第４項或いは第６項第２号に規定する要件を満たさない特許出願に対してされたものとすることはできない。
　
（７）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１乃至７についての特許を取り消すことはできない。また、他に本件発明１乃至７についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月１３日（２００２．１１．１３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１、２、３に「当該個所に微小突起部が発生するように、」とあるのを、「当該パルスレーザビームの照射個所に微小突起部が発生し、分布するように、」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、発明の詳細な説明の段落【０００５】の記載において「当該個所に微小突起部が発生するように、」とあるのを、「当該パルスレーザビームの照射個所に微小突起部が発生し、分布するように、」と訂正する。と訂正する。
＊訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項５に「当該個所に形成された微小突起部」とあるのを、「当該パルスレーザビームの照射個所に形成され分布した微小突起部」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する過程で当該
パルスレーザビームの照射
発生し、分布
　【請求項２】
　パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する過程で当該
パルスレーザビームの照射
発生し、分布
　【請求項３】
　パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融，再結晶化する過程で当該
パルスレーザビームの照射
発生し、分布
　【請求項４】
　上記パルスレーザビームのエネルギー密度を１８Ｊ／ｃｍ２〜４０Ｊ／ｃｍ２にすると共に、パルス幅を０．０５ｍｓ〜０．４０ｍｓに選定することを特徴とする請求項１記載の半導体材料表面への刻印方法。
　【請求項５】
　パルスレーザビームを半導体材料，電子部品等の物品表面に照射し、該パルスレーザビーム照射面を溶融，再結晶化する過程で当該
パルスレーザビームの照射
形成され分布した
　【請求項６】
　刻印すべきパターンが二次元コードを含み、該パターンを発生する手段が液晶マスクであることを特徴とする請求項１，２，３，４項のいずれか１項記載の物品への刻印方法。
　【請求項７】
　半導体材料，電子部品等の物品に刻印すべきパターンが二次元コードを含み、該パターンを発生する手段が液晶マスクであることを特徴とする請求項５項記載の物品。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は半導体材料表面又は電子部品へのパルスレーザビームによる刻印方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　レーザビームによって半導体材料表面に文字あるいは数字を刻印する方法は公知である。公知の方法には、半導体材料表面の刻印すべき箇所にレーザビームを移動させながら照射し、照射部の半導体材料を溶融蒸発させて、連続した凹状の痕跡を形成する方法と、特公平１−４１２４５号公報にみられるように、レーザビームの照射部に円形の凹みを形成する方法が有る。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　半導体材料への刻印においては、
１）刻印作業によって塵埃を発生しないこと、
２）視認性に優れること、特に光学系読み取り装置により簡単に読み取れること、が求められる。しかしこの要求は相反したものとなっており、双方を同時に満足させることは難しい。
　【０００４】
　本発明の目的は、レーザビームによって半導体材料表面に文字，数字あるいはパターンを刻印する作業において、塵埃の発生を抑制し、しかも視認性に優れる刻印方法を提供することにある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の刻印方法は、パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、半導体材料表面のレーザビーム照射面が溶融，再結晶化する過程で当該
パルスレーザビームの照射
発生し、分布
　【０００６】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の一実施例を図１〜図４により説明する。
　【０００７】
　図１において、１はパルス発振のＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器であり、ほぼ均一な強度分布を有するレーザ光２を出射する。レーザ光２は、拡大光学系３を経て刻印すべきパターンが形成された金属マスク４に照射される。金属マスクの代わりに部分的に不透明部を有するガラスマスクを用いることもできる。透過レーザ光５は結像光学系６によりワーク７上に照射されパターンを刻印する。図２はワーク７としてのＳｉウエハ８上に形成された刻印９の様子を、図３は刻印９の拡大模式図を、図４は図３のＩＶ−ＩＶ断面図をそれぞれ示す。
　【０００８】
　図３において、右半分のレーザ光照射面には多数の微小突起部１００〜１０７が形成されている。微小突起部１００〜１０７は円形或いは帯状を呈しており、概略高さは１μｍ以下である。直径は０．５〜１．０μｍ、相互間隔はおおよそ１．５〜２．５μｍで、密度は１．６〜４．５×１０７個／ｃｍ２のオーダである。
　【０００９】
　微小突起部が出来る理由として、本発明者らの実験によれば、半導体材料表面へのパルスレーザビームの照射によって、当該個所は瞬時に溶融状態となるが、レーザ照射の終了と共に、再結晶化が始まり、この際に概略高さ１μｍ以下の多数の突起が形成される現象が観測された。そして、この現象の発生にはパルスレーザビームの強度分布，照射エネルギー密度，パルス幅が重要な因子であることも分かった。即ち、均一な強度分布を有するパルスレーザビームを照射して、照射面を溶融状態に維持する（蒸発させない）ことにより、塵埃の発生を押さえつつ、微小な高さの多数の突起の形成が可能であることが分かった。
　【００１０】
　そして、この現象を利用して半導体材料表面に形成された文字あるいはパターンは、多数の微小な突起による光の乱反射現象により、視認性に優れた刻印となる。このような現象を利用したマーキング方法は従来知られていなかった。
　【００１１】
　即ち、図４に示すようにワーク８上に光１０９が照射されると、左半分のレーザ光非照射部分ではそのまま反射するが、微小突起部例えば１０５〜１０７に照射された光は、乱反射光１１０〜１１３と成る。微小突起部１０５〜１０７は上述したように、非常に緻密に分布しているので、レーザ光照射部分とレーザ光非照射部分とは、光の反射の違いにより容易に識別可能となる。
　【００１２】
　この場合、パルスレーザ光の条件は照射エネルギー密度＝３０Ｊ／ｃｍ２，パルス幅＝０．１５ｍｓで、Ｓｉウエハは結晶方位（１００）の研磨品を使用した。また、照射エネルギー密度の下限値は１８Ｊ／ｃｍ２以下では表面に溶融が起こらないので、微小突起部１００〜１０７は形成されない。４０Ｊ／ｃｍ２以上では表面で部分的に蒸発が起こるため、塵埃が発生し、製造工程上好ましく無い。例えば塵埃を除去する工程が増えて好ましく無い。従って、照射エネルギー密度値は１８Ｊ／ｃｍ２〜４０Ｊ／ｃｍ２の範囲であれば、乱反射光１１０〜１１３を生じる微小突起部１０５〜１０７を有し、識別が出来ると共に、塵埃が発生しない。
　【００１３】
　一方、パルス幅の上限と下限とは照射エネルギー密度と密接に関係しており、１８〜４０Ｊ／ｃｍ２の範囲では、パルス幅は０．０５〜０．４０でｍｓの範囲で微小突起部１００〜１０４が形成される。即ち、パルス幅は０．０５ｍｓより短い場合には刻印された文文，数字等の線幅が細くなり、識別しにくくなる。また０．４０ｍｓより長くなると、刻印された文字，数字等の線幅が太くなり、例えば２本の平行線を刻印する時に、平行線同志があたかも同じ線のように見える所謂分解能が低下し、識別しにくくなる。従って、パルス幅は０．０５〜０．４０ｍｓの範囲であれば、識別が容易となる。
　【００１４】
　すなわち、Ｓｉウエハ，部品等に刻印する場合は、照射エネルギー密度値を１８Ｊ／ｃｍ２〜４０Ｊ／ｃｍ２の範囲内の値と、パルス幅を０．０５〜０．４０ｍｓの範囲内の値とを選択して、パルスレーザ光を照射すれば、塵埃が発生しない状態で、尚且つ識別が容易な刻印を得ることが出来る。
　【００１５】
　また、レーザ発振器からの出射レーザビームの強度分布はマスク４面上で±５％程度の均一性が要求されるので、従来より半導体材料表面への刻印に使用されているシングルモード、或いは低次モードで発振するレーザ発振器は使用できず、発振器としては均一強度分布を実現しやすいスラブレーザが適している。
　【００１６】
　図５〜図９は本発明の他の実施例を示すもので、直線偏光発振のＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器１１からのレーザ光１２が液晶マスク１３に照射される。パターン情報を含むレーザ光１５はビームスプリッタ１４により分離された後、結像レンズ６によりワーク７上に照射されパターンが刻印される。液晶マスク１３にはパターン情報が、制御装置１６から液晶マスクコントローラ１７を経て送られる。不用光１８は吸収板１９で吸収される。
　【００１７】
　図６は液晶マスク１３上に表示されたパターンの部分拡大図で、二次元コード２０が表示されている。二次元コード２０、例えばベリコード，データコード等は、セル２１と呼ばれる正四角形パターンの集合体で構成される。従って、正四角の画素の集合体で刻印用パターンを表示する液晶マスク１３は二次元コード用のパターン発生用のマスクとして最適である。
　【００１８】
　ところで、ＴＮ（ねじれネマティク）型液晶マスクの表示モードには、図７，図８に示す２通りの表示モードを有する。いずれの文字の「Ｔ」を表示している。液晶マスク５０は四角形の画素５１の集合体で構成されているが、図７のノーマリークローズドモードと呼ばれる表示モードでは、パターンを表示する画素５２（斜線を施した）に電圧を印加される。しかし、画素間のギャップ部５３には電圧が印加できないので、図示していないワーク上に刻印されるパターンは不連続な四角形の集合体となる。
　【００１９】
　一方、図８のノーマリーオープンモードと呼ばれる表示モードでは、背景部に相当する個所の画素５４（斜線を施した）に電圧が印加される。即ち、この表示モードには電圧を印加しない画素５５でパターン表示をするので、各画素間のギャツプ５３部分もパターンの一部を構成すことになる。従って、ワーク（図示せず）上に刻印されるパターンは、連続した四角形の集合体となり、セル間のつながり状態が重要視される二次元コードの刻印に適している。厳密には刻印パターンに関係ない格子状のパターンがワーク上に刻印されることになるが、この部分のワーク上の線幅は５〜１０μｍ程度と狭いことに加え、ワーク内部への拡散熱によりレーザ照射部分の温度上昇が抑制されるので、ワーク上には痕跡は生じない。
　【００２０】
　図９には、図５の構成によりワーク７上に刻印された二次元コード２０の模式図を示したが、液晶マスク１３には図６のパターンを表示している。本発明ではワーク７はＳｉウエハであり、パルスレーザ光の条件は照射エネルギー密度＝３０Ｊ／ｃｍ２，パルス幅＝０．１５ｍｓを採用した。そして、表示モードとして上述のノーマリーオープンモードを採用することにより、隣接するセル２２，２３，２４は境界を作ることなく表面に形成された多数の微小突起部（図示せず）により、二次元コード２０を表現している。
　【００２１】
　図１０は刻印された二次元コードの読み取り方法を示すもので、読み取り装置２５からの参照光２６はワーク７上に照射され、反射光２７と微小突起部２８からの乱反射光２９の内、主として前者が読み取り装置２５内の二次元ＣＣＤセンサ（図示せず）に取り込まれて、パターンの読み取りが行われる。
　【００２２】
　図１１には参考までに、従来のレーザマーカによる二次元コードを刻印例を示したが、ワーク７上では１個のセルに対して、円形の凹み１個を対応させることになる。そのため、単独で存在するセル２４Ａと複数のセルの集合体２４Ｂを区別するため読み取み装置にはパターン処理機能を付加する必要があり、コストアップの要因となる。また、円形の凹み部からの反射光は本発明のように乱反射光にならないので光の分離に工夫を要する。本発明では、各セルは正方形で構成され、刻印部からの反射光は乱反射となるため簡単な読み取り装置での読み取りが可能となる。
　【００２３】
　ところで、刻印された二次元コードの読み取り装置２５での読み取り率を高めるには、
　１）刻印された各セルの大きさがそろっていること、
　２）隣接するセル間には空間を作らないこと、
　３）二次元ＣＣＤセンサに取り込まれる反射光２７と乱反射光２９の比が大きいこと、
等が重要である。
　【００２４】
　これに対し、液晶マスクの採用で１），２）が、上述した照射パルスレーザビームのエネルギーとパルス幅の制御で、１），３）の条件がそれぞれ満たされ、刻印パターンの正確な読み取りが実現できる。
　【００２５】
　図１２は本発明を半導体生産ラインに適用した場合の一例を示すもので、ワーク３０は、先ず本発明の刻印装置３１により管理番号（英数字あるいは二次元コードで表示）が刻印され、移動装置により製造工程３２，３３，３４へ送られる。各工程の間には必要に応じて読み取り装置２５が配置され、その情報が製造ライン制御用コンピュータ３５に送られる。また、必要ならば、工程間に刻印装置３１を配置して、前工程での情報をワーク３０に刻印することもできる。
　【００２６】
　以上の説明では半導体材料としてＳｉ単結晶の場合を述べたが、Ｓｉ単結晶面上に酸化膜あるいは、窒化膜が形成されている半導体ウエハや、半導体チップ，樹脂モールド型部品などの電子部品にも本発明の刻印方法を適用することができる。
　【００２７】
　【発明の効果】
　本発明では、パルスレーザビームの照射によって半導体材料の表面に形成される、概略高さ１μｍ以下の多数の微小突起部を刻印に使用したので、刻印時に塵埃を発生することなく、鮮明な刻印が実現できる。また微小突起部では乱反射光を生じて、識別が出来るので、パターン読み取り装置を使用した場合に、高い読み取り率を実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例として示した液晶式レーザマーカの概略説明図。
　【図２】
　図１の装置で加工した半導体基板の表面図。
　【図３】
　図２の刻印の部分拡大表面図。
　【図４】
　図３のＩＶ−ＩＶ線断面図。
　【図５】
　本発明の他の実施例として示した液晶式レーザマーカの概略説明図。
　【図６】
　図５の液晶マスクに表示されたパターンの部分拡大図。
　【図７】
　図６のワーク上に刻印されたパターンの部分拡大図。
　【図８】
　図６のワーク上に刻印されたパターンの部分拡大図。
　【図９】
　図６のワーク上に刻印されたパターンの部分拡大図。
　【図１０】
　刻印されたパターンの読み取り装置の説明図。
　【図１１】
　従来のワーク上に刻印されたパターンの部分拡大図。
　【図１２】
　本発明を半導体製造工程に適用した刻印装置の配置工程を示す概略説明図である。
　【符号の説明】
　１…Ｎｄ：ＹＡＧレーザ発振器、４…金属マスク、８…Ｓｉウエハ、９…刻印、１０…液晶マスク、２０…二次元コード、２８…乱反射光、１００〜１０７…微小突起部。