【事件の表示】
　特願２００７−１６４０６６「強磁性構造、スピンバルブ構造およびその製造方法、磁気抵抗効果素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１０日出願公開、特開２００８−　　４９４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
本願は、平成１９年６月２１日（パリ条約による優先権主張２００６年６月２１日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２４年３月２１日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月１９日に手続補正がなされるとともに意見書が提出され、平成２５年３月１９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月２６日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日に手続補正がなされ、その後、同年１０月１１日付けで審尋がなされ、平成２６年３月１７日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２５年７月２６日になされた手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成２５年７月２６日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容 
  平成２５年７月２６日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１９を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１８に補正するとともに、明細書を補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「　【請求項１】
　フリー層と、
　前記フリー層の側から第１の強磁性層と結合層と第２の強磁性層とが順に積層されたピンド層と、
　前記フリー層およびピンド層の間に位置する非磁性スペーサ層と
　を含み、
　前記フリー層および第１の強磁性層のうちの少なくとも一方は、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化１で表される多層構造を有している
　ことを特徴とするスピンバルブ構造。
　（化１）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項２】
　前記ホイスラー合金層は、Ｃｏ2 ＭｎＳｉ，Ｃｏ2 ＭｎＧｅ，Ｃｏ2 ＭｎＳｎ，Ｃｏ2 ＭｎＧａ，Ｃｏ2 ＦｅＡｌまたはＣｏ2 ＭｎＡｌを含んでなり、かつ、１．０ｎｍ（１０Å）以上３．０ｎｍ（３０Å）以下の厚みを有する
　ことを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ構造。
　　【請求項３】
　前記挿入層は、アルミニウム（Ａｌ）、および鉄含有率が１０原子数％以上１００原子数％以下の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）のうちの少なくとも一方を含んでなり、かつ、０．０５ｎｍ（０．５Å）以上０．５ｎｍ（５Å）以下の厚みを有する
　ことを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ構造。
　　【請求項４】
　前記挿入層は、錫（Ｓｎ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ガリウム（Ｇａ），アンチモン（Ｓｂ）およびクロム（Ｃｒ）のうちの少なくとも１種を含んでなる
　ことを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ構造。
　　【請求項５】
　化１で表される前記多層構造における一対の表面のうちの少なくとも一方と接するように鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）層が設けられている
　ことを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ構造。
　　【請求項６】
　フリー層と、前記フリー層の側から第１の強磁性層と結合層と第２の強磁性層とが順に積層されたピンド層と、前記フリー層およびピンド層の間に位置する非磁性スペーサ層とを含むスピンバルブ構造を備え、
　前記フリー層および第１の強磁性層のうちの少なくとも一方は、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化２で表される多層構造を有しており、
　前記非磁性スペーサ層は、銅（Ｃｕ）からなる単一の導電層、一対の銅（Ｃｕ）層の間に電流狭窄層（ＣＣＰ層）が設けられた３層構造、またはトンネルバリア層のいずれかによって構成されている
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
　（化２）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項７】
　スピンバルブ構造に含まれる強磁性構造であって、化３、化４、化５または化６で表される多層構造からなる
　ことを特徴とする強磁性構造。
（化３）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。ホイスラー合金層同士は磁気的に平行結合している。）
　（化４）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。ホイスラー合金層同士は磁気的に平行結合している。）
　（化５）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数であり、ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層である。ホイスラー合金層同士は磁気的に平行結合している。）
　（化６）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。ホイスラー合金層同士は磁気的に平行結合している。）
　　【請求項８】
　前記スピンバルブ構造におけるフリー層または前記フリー層と隣接する強磁性層として機能する
　ことを特徴とする請求項７記載の強磁性構造。
　　【請求項９】
　前記ホイスラー合金層は、Ｃｏ2 ＭｎＳｉ，Ｃｏ2 ＭｎＧｅ，Ｃｏ2 ＭｎＳｎ，Ｃｏ2 ＭｎＧａ，Ｃｏ2 ＦｅＡｌまたはＣｏ2 ＭｎＡｌを含んでなり、
　前記挿入層は、アルミニウム（Ａｌ），錫（Ｓｎ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ガリウム（Ｇａ），アンチモン（Ｓｂ）、クロム（Ｃｒ）、および鉄含有率が１０原子数％以上１００原子数％以下の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）のうちの少なくとも１種を含んでなる
　ことを特徴とする請求項７記載の強磁性構造。
　　【請求項１０】
　フリー層と、
　前記フリー層の側から第１の強磁性層と結合層と第２の強磁性層とが順に積層されたピンド層と、
　前記フリー層およびピンド層の間に位置する非磁性スペーサ層と
　を含み、
　前記フリー層および第１の強磁性層のうちの少なくとも一方は、Ｃｏ2 ＭｎＺ（Ｚはコバルト、マンガン、アルミニウムおよび鉄を除く金属元素または半金属元素）で表されるホイスラー合金に鉄およびアルミニウムのうちの少なくとも一方が添加されてなり、かつ、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を有している
　ことを特徴とするスピンバルブ構造。
　　【請求項１１】
　基体上に、最上層に強磁性層を含むピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層における強磁性層の上に非磁性スペーサ層を形成する工程と、
　前記非磁性スペーサ層の上にフリー層を形成する工程と
　を含み、
　前記強磁性層およびフリー層のうちの少なくとも一方を、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化７、化８、化９または化１０で表される多層構造とする
　ことを特徴とするスピンバルブ構造の製造方法。
　（化７）［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化８）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化９）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数であり、ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層である。）
　（化１０）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項１２】
　全てを同一のスパッタ蒸着装置において形成する
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１３】
　Ｃｏ2 ＭｎＳｉ，Ｃｏ2 ＭｎＧｅ，Ｃｏ2 ＭｎＳｎ，Ｃｏ2 ＭｎＧａ，Ｃｏ2 ＦｅＡｌまたはＣｏ2 ＭｎＡｌを用いて前記ホイスラー合金層を形成する
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１４】
　１．０ｎｍ（１０Å）以上３．０ｎｍ（３０Å）以下の厚みを有するように前記ホイスラー合金層を形成する
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１５】
　アルミニウム（Ａｌ），錫（Ｓｎ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ガリウム（Ｇａ），アンチモン（Ｓｂ），クロム（Ｃｒ）、および鉄含有率が１０原子数％以上１００原子数％以下の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）のうちの少なくとも１種を用いて、０．０５ｎｍ（０．５Å）以上０．５ｎｍ（５Å）以下の厚みとなるように前記挿入層を形成する
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１６】
　２５０℃以上２８０℃以下の温度下で前記ホイスラー合金層のアニール処理を行う工程を含む
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１７】
　基体上に、最上層に強磁性層を含むピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層における強磁性層の上に、非磁性スペーサ層として、銅（Ｃｕ）からなる単一の導電層、一対の銅（Ｃｕ）層の間に電流狭窄層（ＣＣＰ層）が設けられた３層構造、またはトンネルバリア層のいずれかを形成する工程と、
　前記非磁性スペーサ層の上にフリー層を形成する工程と
　を含み、
　前記強磁性層およびフリー層のうちの少なくとも一方を、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化１１、化１２、化１３または化１４で表される多層構造とする
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
（化１１）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化１２）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化１３）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数であり、ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層である。）
　（化１４）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項１８】
　基体上に、最上層に強磁性層を含むピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層における強磁性層の上に非磁性スペーサ層を形成する工程と、
　前記非磁性スペーサ層の上にフリー層を形成する工程と
　を含み、
　前記強磁性層およびフリー層のうちの少なくとも一方を、Ｃｏ2 ＭｎＺ（Ｚはコバルト、マンガン、アルミニウムおよび鉄を除く金属元素または半金属元素）で表されるホイスラー合金に鉄およびアルミニウムのうちの少なくとも一方が添加されてなり、かつ、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を有する多層構造とする
　ことを特徴とするスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１９】
　前記複数のホイスラー合金層を、Ｃｏ2 ＭｎＳｉのターゲットとアルミニウム（Ａｌ）のターゲットおよび鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）のターゲットのうちの少なくとも一方とを用いた同時スパッタリングにより、または、Ｃｏ2 ＭｎＳｉのターゲットとＣｏ2 ＭｎＡｌのターゲットおよびＣｏ2 ＦｅＳｉのターゲットのうちの少なくとも一方とを用いた同時スパッタリングにより形成する
　ことを特徴とする請求項１８記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　
（補正後）
「　【請求項１】
　フリー層と、
　前記フリー層の側から第１の強磁性層と結合層と第２の強磁性層とが順に積層されたピンド層と、
　前記フリー層およびピンド層の間に位置する非磁性スペーサ層と
　を含み、
　前記フリー層および第１の強磁性層のうちの少なくとも一方は、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化１で表される多層構造からなる
　ことを特徴とするスピンバルブ構造。
　（化１）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項２】
　前記ホイスラー合金層は、Ｃｏ2 ＭｎＳｉ，Ｃｏ2 ＭｎＧｅ，Ｃｏ2 ＭｎＳｎ，Ｃｏ2 ＭｎＧａ，Ｃｏ2 ＦｅＡｌまたはＣｏ2 ＭｎＡｌを含んでなり、かつ、１．０ｎｍ（１０Å）以上３．０ｎｍ（３０Å）以下の厚みを有する
　ことを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ構造。
　　【請求項３】
　前記挿入層は、アルミニウム（Ａｌ）、および鉄含有率が１０原子数％以上１００原子数％以下の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）のうちの少なくとも一方を含んでなり、かつ、０．０５ｎｍ（０．５Å）以上０．５ｎｍ（５Å）以下の厚みを有する
　ことを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ構造。
　　【請求項４】
　前記挿入層は、錫（Ｓｎ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ガリウム（Ｇａ），アンチモン（Ｓｂ）およびクロム（Ｃｒ）のうちの少なくとも１種を含んでなる
　ことを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ構造。
　　【請求項５】
　化１で表される前記多層構造における一対の表面のうちの少なくとも一方と接するように鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）層が設けられている
　ことを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ構造。
　　【請求項６】
　フリー層と、前記フリー層の側から第１の強磁性層と結合層と第２の強磁性層とが順に積層されたピンド層と、前記フリー層およびピンド層の間に位置する非磁性スペーサ層とを含むスピンバルブ構造を備え、
　前記フリー層および第１の強磁性層のうちの少なくとも一方は、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化２で表される多層構造からなり、
　前記非磁性スペーサ層は、銅（Ｃｕ）からなる単一の導電層、一対の銅（Ｃｕ）層の間に電流狭窄層（ＣＣＰ層）が設けられた３層構造、またはトンネルバリア層のいずれかによって構成されている
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
　（化２）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項７】
　スピンバルブ構造に含まれる強磁性構造であって、化３、化４、化５または化６で表される多層構造からなる
　ことを特徴とする強磁性構造。
（化３）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。ホイスラー合金層同士は磁気的に平行結合している。）
　（化４）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。ホイスラー合金層同士は磁気的に平行結合している。）
　（化５）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数であり、ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層である。ホイスラー合金層同士は磁気的に平行結合している。）
　（化６）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。ホイスラー合金層同士は磁気的に平行結合している。）
　　【請求項８】
　前記スピンバルブ構造におけるフリー層または前記フリー層と隣接する強磁性層として機能する
　ことを特徴とする請求項７記載の強磁性構造。
　　【請求項９】
　前記ホイスラー合金層は、Ｃｏ2 ＭｎＳｉ，Ｃｏ2 ＭｎＧｅ，Ｃｏ2 ＭｎＳｎ，Ｃｏ2 ＭｎＧａ，Ｃｏ2 ＦｅＡｌまたはＣｏ2 ＭｎＡｌを含んでなり、
　前記挿入層は、アルミニウム（Ａｌ），錫（Ｓｎ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ガリウム（Ｇａ），アンチモン（Ｓｂ）、クロム（Ｃｒ）、および鉄含有率が１０原子数％以上１００原子数％以下の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）のうちの少なくとも１種を含んでなる
　ことを特徴とする請求項７記載の強磁性構造。
　　【請求項１０】
　基体上に、最上層に強磁性層を含むピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層における強磁性層の上に非磁性スペーサ層を形成する工程と、
　前記非磁性スペーサ層の上にフリー層を形成する工程と
　を含み、
　前記強磁性層およびフリー層のうちの少なくとも一方を、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化７、化８、化９または化１０で表される多層構造とし、
　２５０℃以上２８０℃以下の温度下で前記ホイスラー合金層のアニール処理を行う工程をさらに含む
　ことを特徴とするスピンバルブ構造の製造方法。
　（化７）［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化８）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化９）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数であり、ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層である。）
　（化１０）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項１１】
　基体上に、最上層に強磁性層を含むピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層における強磁性層の上に非磁性スペーサ層を形成する工程と、
　前記非磁性スペーサ層の上にフリー層を形成する工程と
　を含み、
　前記強磁性層およびフリー層のうちの少なくとも一方を、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化１１、化１２、化１３または化１４で表される多層構造とする
　ことを特徴とするスピンバルブ構造の製造方法。
　（化１１）［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化１２）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化１３）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数であり、ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層である。）
　（化１４）
ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項１２】
　全てを同一のスパッタ蒸着装置において形成する
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１３】
　Ｃｏ2 ＭｎＳｉ，Ｃｏ2 ＭｎＧｅ，Ｃｏ2 ＭｎＳｎ，Ｃｏ2 ＭｎＧａ，Ｃｏ2 ＦｅＡｌまたはＣｏ2 ＭｎＡｌを用いて前記ホイスラー合金層を形成する
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１４】
　１．０ｎｍ（１０Å）以上３．０ｎｍ（３０Å）以下の厚みを有するように前記ホイスラー合金層を形成する
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１５】
　アルミニウム（Ａｌ），錫（Ｓｎ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ガリウム（Ｇａ），アンチモン（Ｓｂ），クロム（Ｃｒ）、および鉄含有率が１０原子数％以上１００原子数％以下の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）のうちの少なくとも１種を用いて、０．０５ｎｍ（０．５Å）以上０．５ｎｍ（５Å）以下の厚みとなるように前記挿入層を形成する
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１６】
　２５０℃以上２８０℃以下の温度下で前記ホイスラー合金層のアニール処理を行う工程を含む
　ことを特徴とする請求項１１記載のスピンバルブ構造の製造方法。
　　【請求項１７】
　基体上に、最上層に強磁性層を含むピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層における強磁性層の上に、非磁性スペーサ層として、銅（Ｃｕ）からなる単一の導電層、一対の銅（Ｃｕ）層の間に電流狭窄層（ＣＣＰ層）が設けられた３層構造、またはトンネルバリア層のいずれかを形成する工程と、
　前記非磁性スペーサ層の上にフリー層を形成する工程と
　を含み、
　前記強磁性層およびフリー層のうちの少なくとも一方を、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化１５、化１６、化１７または化１８で表される多層構造とする
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
　（化１５）
［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化１６）
　ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　（化１７）
　［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数であり、ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層である。）
　（化１８）
　ＦｅＣｏ［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ＼ＦｅＣｏ
（ＦｅＣｏは鉄コバルト合金からなる付加層であり、ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）
　　【請求項１８】
　基体上に、最上層に強磁性層を含むピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層における強磁性層の上に非磁性スペーサ層を形成する工程と、
　前記非磁性スペーサ層の上にフリー層を形成する工程と
　を含み、
　前記強磁性層およびフリー層のうちの少なくとも一方を、Ｃｏ2 ＭｎＺ（Ｚはコバルト、マンガン、アルミニウムおよび鉄を除く金属元素または半金属元素）で表されるホイスラー合金に鉄およびアルミニウムのうちの少なくとも一方が添加されてなり、かつ、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を有する多層構造とし、
　前記複数のホイスラー合金層を、Ｃｏ2 ＭｎＳｉのターゲットとアルミニウム（Ａｌ）のターゲットおよび鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）のターゲットのうちの少なくとも一方とを用いた同時スパッタリングにより、または、Ｃｏ2 ＭｎＳｉのターゲットとＣｏ2 ＭｎＡｌのターゲットおよびＣｏ2 ＦｅＳｉのターゲットのうちの少なくとも一方とを用いた同時スパッタリングにより形成する
　ことを特徴とするスピンバルブ構造の製造方法。」
　
（２）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
　本件補正のうち、補正前の請求項１を補正後の請求項１に補正する補正事項について検討すると、当該補正事項は、補正前の請求項１の発明特定事項である「フリー層および第１の強磁性層」について、「互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化１で表される多層構造からなる」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００３９】ないし【００５０】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、当該補正事項は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成２５年７月２６日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）先願明細書に記載された発明
（３−３−１）原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その優先権主張の日後に出願公開された特願２００５−１３２４３７号（特開２００６−３１０６２０号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、「磁気検出素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【課題を解決するための手段】
【００１４】
　
本発明は、磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性材料層を介して形成され、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層、を有する磁気検出素子において、
　
前記フリー磁性層は、組成式がＣｏ
ｇ
Ｍｎ
ｈ
Ｘ
ｉ
Ｚ
ｊ
（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、元素ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上、ｇ、ｈ、ｉ、ｊは原子％であり、ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝１００原子％）で表される金属化合物からなるＣｏＭｎＸＺ合金層を有しており、
　
前記ＣｏＭｎＸＺ合金層の下面から上面に向けて、元素Ｚの組成比が変調していることを特徴するものである。
【００１５】
　本発明では、前記フリー磁性層がＣｏＭｎＸＺ合金層を有することにより、前記フリー磁性層の磁歪を低減することができる。
【００１６】
　本発明では、前記ＣｏＭｎＸＺ合金層の下面から上面に向けて、元素Ｚの組成比が増加する領域と、減少する領域とが交互に現われていてもよい。
【００１７】
　本発明では、前記ＣｏＭｎＸＺ合金層中の前記Ｚの原子％濃度が３原子％以上１５原子％以下であると、磁歪を著しく低減することができ、また、磁気検出素子の磁気抵抗変化量ΔＲと素子面積Ａの積ΔＲＡを高く維持することができる。
【００１８】
　
または本発明の磁気検出素子は、前記フリー磁性層は、組成式がＣｏ
ｇ
Ｍｎ
ｈ
Ｘ
ｉ
（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、ｇ＋ｈ＋ｉ＝１００原子％）で表される金属化合物からなるＣｏＭｎＸ合金層と、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上からなる中間層との積層体を有していることを特徴とするものである。
【００１９】
　
ＣｏＭｎＸ合金を主体とする前記フリー磁性層のなかに、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒが多く存在している領域が形成されていると、これらの層の磁歪が低下する。前述の発明のようにＡｌ、Ｓｎ、ＣｒがＣｏＭｎＸ合金の中に拡散していてもよいが、本発明のように、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒからなる中間層がＣｏＭｎＸ合金層と区別できる層として存在していてもよい。
【００２０】
　前記ＣｏＭｎＸ層と前記中間層とを一回ずつ積層した積層構成を一単位とし、この一単位に占める前記中間層の膜厚比率を、［元素中間層の膜厚／（ＣｏＭｎＸ合金層の膜厚＋中間層の膜厚）］と表したとき、前記中間層の膜厚比率を、０．０８以上０．２０以下とすることが好ましい。
【００２１】
　磁気検出素子の磁歪低減と高いΔＲＡの維持を両立するためには、前記中間層の膜厚が１．０Å以上３．０Å以下であることが好ましい。
【００２２】
　また本発明では、前記フリー磁性層は、ＣｏＭｎＸＺ合金層の上下に、磁性材料の拡散抑制層が形成された積層構造であり、前記拡散防止層が前記非磁性材料層との界面に接して形成されていることが好ましく、具体的には、前記拡散抑制層はＣｏＦｅ合金で形成されることが好ましい。これにより前記ＣｏＭｎＸＺ合金層が前記非磁性材料層に拡散することを適切に抑制することが出来る。
【００２３】
　また本発明では、反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される前記固定磁性層と、前記固定磁性層に前記非磁性材料層を介して形成された前記フリー磁性層とを有することが好ましい。
【００２４】
　また本発明では、前記フリー磁性層の上下に積層された非磁性材料層と、一方の前記非磁性材料層の上および他方の前記非磁性材料層の下に位置する前記固定磁性層を有する構成であってもよい。かかる場合、一方の前記固定磁性層の上および他方の前記固定磁性層の下に位置して、交換異方性磁界によりそれぞれの前記固定磁性層の磁化方向を一定の方向に固定する反強磁性層を有することが好ましい。
【００２５】
　また本発明は、特に、前記固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の膜面に対して垂直方向にセンス電流が流されるＣＰＰ型磁気検出素子の構造に効果的に適用できる。磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性材料層を介して形成され、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層、を有する磁気検出素子の製造方法において、
　前記フリー磁性層を、組成式がＣｏｇＭｎｈＸｉ（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、ｇ＋ｈ＋ｉ＝１００原子％）で表される金属化合物からなるＣｏＭｎＸ合金層と、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上からなる中間層との積層して形成することを特徴とするものである。
【００２６】
　これにより、ΔＲＡを高い値に維持しつつ磁歪も低減できる磁気検出素子を容易に製造することが出来る。
【００２７】
　
本発明では、前記ＣｏＭｎＸ合金層と、前記中間層とを交互に積層して形成することが好ましい。
【００２８】
　このとき、前記ＣｏＭｎＸ層と前記中間層とを一回ずつ積層した積層構成を一単位とし、この一単位に占める前記中間層の膜厚比率を、［元素中間層の膜厚／（ＣｏＭｎＸ合金層の膜厚＋中間層の膜厚）］と表したとき、前記中間層の膜厚比率を、０．０８以上０．２０以下とすることが好ましい。
【００２９】
　前記中間層の膜厚比率を大きくすれば、前記フリー磁性層や前記固定磁性層の磁歪を低減させることが出来るが、逆にΔＲＡの減少が大きくなるので、前記中間層の膜厚比率を上記範囲内で調整することが、磁歪の低減効果とΔＲＡの大きさを高く維持できて好ましい。
【００３０】
　本発明では、前記中間層の膜厚を１．０Å以上３．０Å以下にすることが好ましい。
　さらに、個々のＣｏＭｎＸ合金層の膜厚を、４０Å以下とすることが好ましい。
【００３１】
　また本発明では、前記磁気検出素子を形成したのち、前記磁気検出素子に対し熱処理を施すことが好ましい。これにより前記ＣｏＭｎＸ合金層やＣｏＭｎＸＺ合金層はＬ２１型あるいはＢ２型の結晶構造に規則化される。
【発明の効果】
【００３２】
　
本発明では、ＣｏＭｎＸ合金を主体とする前記フリー磁性層のなかに、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒが多く存在している領域が形成されている。Ａｌ、Ｓｎ、ＣｒがＣｏＭｎＸ合金の中に拡散していてもよいし、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒからなる中間層がＣｏＭｎＸ合金層と区別できる層として存在していてもよい。
　これによりΔＲＡを高い値に維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
　図１は本発明の実施形態のＣＰＰ型のデュアルスピンバルブ型薄膜素子の積層構造を示す模式図である。
【００３４】
　このデュアルスピンバルブ型薄膜素子は、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライダのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディスクなどの記録磁界を検出するものである。なお、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向はＹ方向である。
【００３５】
　
図１の最も下に形成されているのはＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち１種または２種以上の元素などの非磁性材料で形成された下地層１である。この下地層１の上に、シード層２が設けられる。
【００３６】
　なお、下地層１は非晶質に近い構造を有するが、この下地層１は形成されなくともよい。
【００３７】
　
前記シード層２の上に形成された反強磁性層３は、元素Ｚ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。
【００３８】
　これら白金族元素を用いたＸ−Ｍｎ合金は、耐食性に優れ、またブロッキング温度も高く、さらに交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできるなど反強磁性材料として優れた特性を有している。
【００３９】
　また本発明では、前記反強磁性層３は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されてもよい。
【００４０】
　前記反強磁性層３の元素Ｘあるいは元素Ｘ＋Ｘ′の原子％を４５（原子％）以上で６０（原子％）以下に設定することが好ましい。より好ましくは４９（原子％）以上で５６．５（原子％）以下である。これによって成膜段階において、固定磁性層４との界面が非整合状態にされ、しかも前記反強磁性層３は熱処理によって適切な規則変態を起すものと推測される。
【００４１】
　
下側固定磁性層４は、第１固定磁性層４ａ、非磁性中間層４ｂ、第２固定磁性層４ｃからなる多層膜構造で形成される。前記反強磁性層３との界面での交換結合磁界及び非磁性中間層４ｂを介した反強磁性的交換結合磁界（ＲＫＫＹ的相互作用）により前記第１固定磁性層４ａと第２固定磁性層４ｃの磁化方向は互いに反平行状態にされる。これは、いわゆる積層フェリ構造と呼ばれ、この構成により下側固定磁性層４の磁化を安定した状態にでき、また前記下側固定磁性層４と反強磁性層３との界面で発生する交換結合磁界を見かけ上大きくすることができる。
【００４２】
　ただし前記下側固定磁性層４は第２固定磁性層４ｃのみから構成され積層フェリ構造で形成されていなくてもよい。
【００４３】
　なお前記第１固定磁性層４ａは例えば１５〜３５Å程度で形成され、非磁性中間層４ｂは８Å〜１０Å程度で形成され、第２固定磁性層１４ｃは２０〜６０Å程度で形成される。
【００４４】
　
第１固定磁性層４ａはＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅＮｉなどの強磁性材料で形成されている。
【００４５】
　
第２固定磁性層４ｃは、非磁性材料層５に接するＣｏＭｎＸ合金層４ｃ１（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上）と非磁性中間層側磁性層４ｃ２の２層構造として成膜される。また、前記非磁性中間層側磁性層４ｃ２は、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅなどの強磁性材料で形成されている。
【００４６】
　前記固定磁性層４の上に形成された非磁性材料層５は、Ｃｕ、Ａｕ、またはＡｇで形成されている。Ｃｕ、Ａｕ、またはＡｇで形成された非磁性材料層５は、面心立方（ｆｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１１}面として表される等価な結晶面が優先配向している。
【００４７】
　前記非磁性材料層５上にはフリー磁性層６が形成されている。前記フリー磁性層６上には、非磁性材料層７が形成され、材質は上記した前記非磁性材料層５に使用される材質から選択される。前記非磁性材料層７上には上側固定磁性層８が形成されている。前記上側固定磁性層８は、下から、第２固定磁性層８ｃ、非磁性中間層８ｂ及び第１固定磁性層８ａの順で積層された積層フェリ構造である。前記第１固定磁性層８ａ、非磁性中間層８ｂ及び第２固定磁性層８ｃの各材質は、上記した前記第１固定磁性層４ａ、非磁性中間層４ｂ及び第２固定磁性層４ｃに使用される材質からそれぞれ選択される。また前記第２固定磁性層８ｃは、前記第２固定磁性層４ｃと同様に、非磁性材料層７に接するＣｏＭｎＸＺ合金層８ｃ１と非磁性中間層側磁性層８ｃ２の２層構造として成膜される。また、上側固定磁性層８は第２固定磁性層８ｃのみで構成されていてもよい。
【００４８】
　前記上側固定磁性層８上には上側反強磁性層９が形成される。前記上側反強磁性層９の材質は、下側反強磁性層２に使用される材質から選択される。前記上側反強磁性層９上にはＴａ等の保護層１０が形成される。
【００４９】
　
前記フリー磁性層６はトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に磁化されている。
「【００５８】
　
図２は、ＣＰＰ型のシングルスピンバルブ型薄膜素子の膜構成を示す模式図である。図１に示す符号と同じ符号がつけられている層は図１と同じ層を示している。
【００５９】
　
図２に示すＣＰＰ型のシングルスピンバルブ型薄膜素子の膜構成は、下から、下地層１、シード層２、反強磁性層３、固定磁性層４、非磁性材料層５、フリー磁性層６及び保護層１０の順に積層された構成である。
　
（３−３−２）先願明細書の段落【００２２】に、「また本発明では、
前記フリー磁性層は、ＣｏＭｎＸＺ合金層の上下に、磁性材料の拡散抑制層が形成された積層構造であり、前記拡散防止層が前記非磁性材料層との界面に接して形成されていることが好ましく
前記フリー磁性層は、
積層体を有している
積層体」からなる
　
（３−３−３）そうすると、先願明細書には、以下の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「下から、下地層１、シード層２、反強磁性層３、固定磁性層４、非磁性材料層５、フリー磁性層６及び保護層１０の順に積層され、
　前記固定磁性層４は、第１固定磁性層４ａ、非磁性中間層４ｂ、第２固定磁性層４ｃからなる多層膜構造で形成されるとともに、前記第１固定磁性層４ａは強磁性材料で形成され、前記第２固定磁性層４ｃは、前記非磁性材料層５に接するＣｏＭｎＸ合金層４ｃ１（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上）と強磁性材料で形成される非磁性中間層側磁性層４ｃ２の２層構造として成膜され、
　前記フリー磁性層は、組成式がＣｏｇＭｎｈＸｉ（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、ｇ＋ｈ＋ｉ＝１００原子％）で表される金属化合物からなるＣｏＭｎＸ合金層と、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上からなる中間層とが交互に積層された積層体からなる
　ＣＰＰ型のシングルスピンバルブ型薄膜素子。」
　
（３−４）対比
（３−４−１）先願発明の「フリー磁性層６」は、補正後の発明の「フリー層」に相当する。
　
（３−４−２）先願発明の「第１固定磁性層４ａ」及び「第２固定磁性層４ｃ」は、各々補正後の発明の「第１の強磁性層」及び「第２の強磁性層」に相当する。また、先願明細書の段落【００４１】の「下側固定磁性層４は、第１固定磁性層４ａ、非磁性中間層４ｂ、第２固定磁性層４ｃからなる多層膜構造で形成される。前記反強磁性層３との界面での交換結合磁界及び非磁性中間層４ｂを介した反強磁性的交換結合磁界（ＲＫＫＹ的相互作用）により前記第１固定磁性層４ａと第２固定磁性層４ｃの磁化方向は互いに反平行状態にされる。これは、いわゆる積層フェリ構造と呼ばれ、この構成により下側固定磁性層４の磁化を安定した状態にでき、また前記下側固定磁性層４と反強磁性層３との界面で発生する交換結合磁界を見かけ上大きくすることができる。」という記載から、先願発明の「非磁性中間層４ｂ」は、補正後の発明の「結合層」に相当する。そして、先願発明の「固定磁性層４」は、補正後の発明の「ピンド層」に相当する。
　
（３−４−３）先願発明の「非磁性材料層５」は、補正後の発明の「非磁性スペーサ層」に相当する。
　
（３−４−４）先願発明の「ＣｏＭｎＸ合金層４ｃ１（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上）」は、補正後の発明の「ホイスラー合金層」に相当する。そして、先願発明の「組成式がＣｏｇＭｎｈＸｉ（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、ｇ＋ｈ＋ｉ＝１００原子％）で表される金属化合物からなるＣｏＭｎＸ合金層と、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上からなる中間層とが交互に積層された積層体からなる」「フリー磁性層」と、先願発明の「互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで化１で表される多層構造からなる」「フリー層および第１の強磁性層のうちの少なくとも一方」は、「複数のホイスラー合金層を含ん」だ「多層構造からなる」「フリー層」という点で共通する。
　
（３−４−５）先願発明である「ＣＰＰ型のシングルスピンバルブ型薄膜素子」における「固定磁性層４、非磁性材料層５、フリー磁性層６」「の順に積層され」た部分は、補正後の発明の「スピンバルブ構造」に相当する。
　
（３−４−６）そうすると、補正後の発明と先願発明とは、
「フリー層と、
　前記フリー層の側から第１の強磁性層と結合層と第２の強磁性層とが順に積層されたピンド層と、
　前記フリー層およびピンド層の間に位置する非磁性スペーサ層と
　を含み、
　前記フリー層は、複数のホイスラー合金層を含んだ多層構造からなる
　スピンバルブ構造。」の点で一致し、次の２点で一応相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「複数のホイスラー合金層」が「互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合し」ているのに対して、先願発明では、「ＣｏＭｎＸ合金層」について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「フリー層」が「複数のホイスラー合金層を含んで化１で表される多層構造からな」るとともに、当該「化１」は、「［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ　（ＨＡはホイスラー合金層であり、ＩＬは挿入層であり、ｎは繰り返しの積層数を表す１以上の整数である。）」であるのに対し、先願発明では、「組成式がＣｏｇＭｎｈＸｉ（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、ｇ＋ｈ＋ｉ＝１００原子％）で表される金属化合物からなるＣｏＭｎＸ合金層と、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上からなる中間層との積層体からなる」「フリー磁性層」について、補正後の発明の「化１」のような特定がなされていない点。
　
（３−５）判断
　上記相違点１及び２について、以下、検討する。
（３−５−１）相違点１について
　先願明細書の段落【００４９】には、「前記フリー磁性層６はトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に磁化されている。」と記載されており、先願発明の「ＣｏＭｎＸ合金層と、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上からなる中間層とが交互に積層された積層体」において、「ＣｏＭｎＸ合金層」が、「中間層」を介して、「平行な方向に磁化されている」こと、すなわち、補正後の発明のように、「前記フリー層」「は、互いに平行な磁気モーメントを有して平行結合した複数のホイスラー合金層を含んで」いる構成となっていることは明らかである。
　よって、相違点１は、実質的なものではない。
　
（３−５−２）相違点２について
　先願発明の「ＣｏｇＭｎｈＸｉ（元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、ｇ＋ｈ＋ｉ＝１００原子％）で表される金属化合物からなるＣｏＭｎＸ合金層」及び「Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上からなる中間層」は、各々補正後の発明における「ホイスラー合金層」（ＨＡ）及び「挿入層」（ＩＬ）に相当する。
　ここで、補正後の発明における「化１」の「［ＨＡ＼ＩＬ］n ＨＡ」は、「ホイスラー合金層」（ＨＡ）及び「挿入層」（ＩＬ）が交互に積層されるとともに、その両端が「ホイスラー合金層」（ＨＡ）となっている多層構造を意味するものであるところ、先願明細書の段落【００３２】の「本発明では、
ＣｏＭｎＸ合金を主体とする前記フリー磁性層のなかに、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒが多く存在している領域が形成されている。
Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒからなる中間層がＣｏＭｎＸ合金層と区別できる層として存在していてもよい。
　よって、相違点２は、実質的なものではない。
　
（３−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と先願発明との相違点は、いずれも、実質的なものでなく、補正後の発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、補正後の発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の優先権主張の日に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、補正後の発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものを含むが、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２５年７月２６日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１９に係る発明は、平成２４年９月１９日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．先願明細書に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された先願明細書には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項、並びに上記２．（３−３−３）において認定したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、先願明細書に記載された発明と同一である以上、本願発明も、当然に先願明細書に記載された発明と同一であると認められ、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の優先権主張の日に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。