【事件の表示】
　特許第３４７１２２０号「半導体発光装置」の請求項１ないし１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４７１２２０号の請求項１ないし１３に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第３４７１２２０号の請求項１ないし１５に係る発明についての出願は、平成１０年５月２７日に特許出願され、平成１５年９月１２日にその特許の設定登録がなされ、その後、同年１２月３０日に寺田卓司より特許異議の申立てがなされ、平成１６年８月２０日付で取消理由通知がなされ、その指定期間内である同年１０月２６日に訂正請求がなされたものである。
　
２　訂正の適否についての判断
２．１　訂正事項
　平成１６年１０月２６日になされた訂正請求は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載事項を訂正することを求めるものであり、その内容には以下の(１)〜(５)の訂正事項がある。
(１)請求項１を
「リードフレームと、
　前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ネック部
と訂正する。
(２)請求項２を
「リードフレームと、
　前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ワイアよりも直径が太い部分
と訂正する。
(３)請求項３を
「リードフレームと、
　前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ネック部
と訂正する。
(４)請求項４を
「リードフレームと、
　前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ワイアよりも直径が太い部分
と訂正する。
(５)請求項５及び７を削除する。
　
２．２　訂正の適否についての判断
　上記(１)及び(３)の訂正事項は、請求項１及び３に、「前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し」とあるように、「端部」が「ボール部」と「ネック部」とを有することが記載されているところ、同請求項に記載された「前記第１の封止体は、その表面が、前記端部を横切るように設けられた」中にある「端部」を「ネック部」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、上記(２)及び(４)の訂正事項は、請求項２及び４に、「前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し」とあるように、「端部」が「発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部」と「ワイアよりも直径が太い部分」とを有することが記載されているところ、同請求項に記載された「前記第１の封止体は、その表面が、前記端部を横切るように設けられた」中にある「端部」を「ワイアよりも直径が太い部分」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、上記(１)〜(４)の訂正事項は、願書に最初に添付した明細書の段落【００５３】、【００５４】及び【００６４】等に記載された事項を根拠に訂正したものであるから、新規事項の追加に該当するものではなく、また実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　次に、上記(５)の訂正事項は、請求項の削除を目的とするものであり、新規事項の追加に該当するものでも、また実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　なお、全文訂正明細書には、上記(１)〜(５)による訂正に伴い必要となった、請求項の繰り上げ、引用請求項の訂正、及び特許請求の範囲と整合をとるための発明の詳細な説明の訂正がなされているが、これは明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項の追加に該当するものでも、また実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
２．３　むすび
　以上のとおりであるから、上記各訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３　特許異議の申立てについての判断
３．１　申立ての理由の概要及び取消理由通知
　申立人寺田卓司は、訂正前の本件の請求項１〜１５に係る発明につき、次の(ア)〜(エ)の理由により、特許を取り消すべきであると主張している。
(ア)請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証(国際公開９８／０５０７８号パンフレット)に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
(イ)請求項１〜６、８〜１５に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証(特開昭６１−１５６８２６号公報)に記載された発明並びに周知事項(甲第３〜５号証(特開平７−３２６６３９号公報、特開平８−１０２４６８号公報及び特開平６−２２４２６７号公報)を参照)に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
(ウ)請求項１〜２に係る発明は、特願平１０−１０１２４３号（特開平１１−２９８０４７号、甲第７号証）の出願当初の明細書又は図面に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
(エ)請求項７に係る発明は、特許法第４１条第３項の規定により出願公開されたとみなされた特願平１０−３５２７３号［出願公開された優先権主張を伴う特願平１１−３９２６２号(特開２０００−２８６４５５号、甲第６号証)を参照。］の出願当初の明細書又は図面に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　そして、当審において、上記異議の申立ての内容を含めて、以下の取消理由を通知した。
　
　本件特許第３４７１２２０号の請求項１〜１５に係る特許は、合議の結果、以下の理由によって取り消すべきものと認められます。これについて意見がありましたら、この通知の発送の日から６０日以内に意見書の正本１通及びその副本２通を提出して下さい。
　　　　　　　　　　　　　　　理　由
１）本件の請求項１〜６、８〜１５に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２）本件の請求項１〜６、８〜１５に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３）本件の請求項１〜１５に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：国際公開９８／０５０７８号パンフレット(甲第１号証)
刊行物２：特開昭６１−１５６８２６号公報(甲第２号証)
刊行物３：特開平７−３２６６３９号公報(甲第３号証)
刊行物４：特開平８−１０２４６８号公報(甲第４号証)
刊行物５：特開平６−２２４２６７号公報(甲第５号証)
出願１：特許法第４１条第３項の規定により出願公開されたとみなされた特願平１０−３５２７３号［出願公開された優先権主張を伴う特願平１１−３９２６２号(特開２０００−２８６４５５号)を参照。］(甲第６号証)
出願２：特願平１０−１０１２４３号(特開平１１−２９８０４７号)(甲第７号証)
　
　上記刊行物１〜５及び上記出願１、２の出願当初の明細書又は図面には、特許異議申立人寺田卓司の特許異議申立書の１０頁３６行〜１４頁５行の「２　先行技術発明が存在する事実及び証拠の説明」に記載された発明が記載されている。
　本件の請求項１〜６、８〜１５に係る発明は、同特許異議申立書１４頁８行〜１６頁１２行に記載された理由により上記刊行物１に記載されたものであり、また上記刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、さらに上記出願１の出願当初の明細書又は図面に記載された発明と同一のものである。なお、上記特許異議申立書１４頁８行〜１６頁１２行には、本件の請求項３〜６、８〜１５に係る発明が上記出願１の出願当初の明細書又は図面に記載された発明と同一のものであるとの主張はなされていないが、請求項３、４に係る発明においてリードフレームにカップ部を設けた点及び従属形式の請求項５、６、８〜１５の記載事項については、上記出願１の出願当初の明細書又は図面に記載されているか、もしくは記載されていなくても周知又は設計的事項であるから、本件の請求項３〜６、８〜１５に係る発明についても上記出願１の出願当初の明細書又は図面に記載された発明と同一であるといえる。
　本件の請求項７に係る発明は、同特許異議申立書１６頁１４〜２５行に記載された理由により上記出願２の出願当初の明細書又は図面に記載された発明と同一のものである。
　
３．２　訂正明細書の請求項１ないし１３に係る発明
　訂正明細書の請求項１ないし１３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された次の事項により特定されるとおりのものであって、訂正前の請求項５及び７が削除されたことから、訂正前の請求項８が請求項５に、また訂正前の請求項９〜１５が請求項７〜１３に対応することになる。
「【請求項１】リードフレームと、
　前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ネック部
「【請求項２】リードフレームと、
　前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ワイアよりも直径が太い部分
「【請求項３】リードフレームと、
　前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ネック部
「【請求項４】リードフレームと、
　前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ワイアよりも直径が太い部分
「【請求項５】前記リードフレームの前記カップ部は、その内壁面の少なくとも一部が荒面仕上げとされていることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明５」という。)
「【請求項６】前記ボール部は、５０〜１００μｍの高さを有し、
　前記ネック部は、１０〜１００μｍの高さを有することを特徴とする請求項１又は３のいずれかに記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明６」という。)
「【請求項７】前記第１の封止体は、前記発光素子から放出される第１の波長の光を前記蛍光体が吸収して前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放出するものとして構成されたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明７」という。)
「【請求項８】前記第１の封止体は、無機系接着剤からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明８」という。)
「【請求項９】前記無機系接着剤は、アルカリ金属珪酸塩、燐酸塩、コロイダルシリカ、シリカゾル、水ガラス、Ｓｉ（ＯＨ）n 、ＳｉＯ２ 、及びＴｉＯ２ からなる群から選択されたいずれかにより構成されていることを特徴とする請求項８記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明９」という。)
「【請求項１０】前記第２の封止体は、ガラス転移温度が１５０℃以上の材料により構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明１０」という。)
「【請求項１１】前記リードフレームは、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の熱伝導率を有する材料により構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明１１」という。)
「【請求項１２】前記リードフレームは、鉄系の材料により構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明１２」という。)
「【請求項１３】前記リードフレームのアウターリード部は、半田外装メッキされていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体発光装置。」(以下、「本件発明１３」という。)
　
３．３　甲号証の記載事項
　甲第１号証には、次の(ａ)〜(ｈ)事項が記載されている。
(ａ)「図１の発光ダイオード１００は、マウント・リード１０５とインナーリード１０６とを備えたリードタイプの発光ダイオードであって、マウント・リード１０５のカップ部１０５ａ上に発光素子１０２が設られ、カップ部１０５ａ内に、発光素子１０２を覆うように、所定のフォトルミネッセンス蛍光体を含むコーティング樹脂１０１が充填された後に、樹脂モールドされて構成される。ここで、発光素子１０２のｎ側電極及びｐ側電極はそれぞれ、マウント・リード１０５とインナーリード１０６とにワイヤー１０３を用いて接続される。」(１３頁２１行〜１４頁３行)
(ｂ)「本実施形態１の発光ダイオードに用いられるフォトルミネセンス蛍光体は、半導体発光層から発光された可視光や紫外線で励起されて、励起した光と異なる波長を有する光を発光するフォトルミネセンス蛍光体である。」(１７頁９〜１１行)
(ｃ)「特に、蛍光体が含有されたコーティング部とモールド部材とをそれぞれ同一材料を用いたとしても、どちらか一方に蛍光体が入ることによる熱膨張係数の違いにより、それらの界面においては、導電性ワイヤーは断線し易い。そのために導電性ワイヤーの直径は、２５μｍ以上がより好ましく、発光面積や取り扱い易さの観点から３５μｍ以下が好ましい。導電性ワイヤーの材質としては、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金が挙げられる。このような材質、形状からなる導電性ワイヤーを用いることにより、ワイヤーボンディング装置によって、各発光素子の電極と、インナー・リード及びマウント・リードとを容易に接続することができる。」(２６頁１３〜２２行)
(ｄ)「発光素子が配置されるマウント・リードのカップ部の表面を鏡面状とし、表面に反射機能を持たせても良い。この場合の表面粗さは、０．１Ｓ以上０．８Ｓ以下が好ましい。」(２７頁１８〜２０行)
(ｅ)「また、マウント・リード上に複数の発光素子を積置する場合は、発光素子からの発熱量が多くなるため熱伝導度がよいことが求められ、その熱伝導度は、０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅、メタライズパターン付きセラミック等が挙げられる。」(２７頁２２行〜２８頁３行)
(ｆ)「コーティング部の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが適する。」(２９頁３〜５行)
(ｇ)「モールド部材１０４の具体的材料としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いられる。」(２９頁２３〜２５行)
(ｈ)「１４．　カップ部とリード部とを有するマウント・リードと、前記マウント・リードのカップ内に載置されかつ一方の電極がマウント・リードに電気的に接続されたＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップの他方の電極と電気的に接続されたインナー・リードと、前記ＬＥＤチップを覆うように前記カップ内に充填された透光性のコーティング部材と、前記マウント・リードのカップ部と、前記インナーリードと該ＬＥＤチップの他方の電極との接続部分とを含み、前記コーティング部材で覆われたＬＥＤチップを被覆するモールド部材とを有する発光ダイオードであって、前記ＬＥＤチップの発光層が窒化物系化合物半導体であり、かつ前記コーティング部材がフォトルミネッセンス蛍光体を含み、該フォトルミネッセンス蛍光体がＹ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素とを含み、セリウムで付活されたガーネット系蛍光体からなるフォトルミネッセンス蛍光体を含むことを特徴とする発光ダイオード。」(５７頁１６行〜５８頁６行、請求項１４)
　甲第２号証には、次の(ｉ)〜(ｋ)の事項が記載されている。
(ｉ)「第１の樹脂８の膜厚は、金属細線６の半球状のネールヘッド部の上部までは覆わない厚さにする。このことを第２図を参照しながら更に詳しく説明する。金属細線６の半球状の接合部分の最上部Ａ点は通常金属細線６を電極３に接合した際に最も細くなる部分であり、第１の樹脂８の表面Ｂは第１の樹脂８を設置した際に生じる盛上がる点である。」(２頁右上欄４〜１１行)
(ｊ)「Ｂ点はＡ点より下方に位置する様に第１の樹脂８の膜厚を決定する。ただし、第１の樹脂８を余り薄くすると本発明の目的を達成できず、また逆に第１の樹脂を厚くして
　ｔ１＞ｔ２　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２）
を満足する様に設定すると温度サイクルストレスによる金属細線６のＡ点における断線現象を呈してしまう。」(２頁右上欄１６行〜同頁左下欄３行)
(ｋ)「一般的には、ｔ２は６０μｍないし１００μｍ程度であり、従って本発明の実施例ではｔ１は３０μｍないし５０μｍ程度とする。」(２頁左下欄４〜６行)
　甲第３号証には、次の(ｌ)の事項が記載されている。
(ｌ)「図６に示すように、ボンディングツール１０Ｂが下降して初期ボール２１がパッド４１に接触し、超音波熱圧着によりパッド４１に圧着ボール２２が形成される（第１ボンディング）。」(段落【００１４】)
　甲第４号証には、次の(ｍ)の事項が記載されている。
(ｍ)「図１の（ａ）に示す工程では、キャピラリ１３を通じて繰り出された金属ワイヤ１４の先端部を放電によって溶かし、該部にボール１５を形成している。図１の（ｂ）に示す工程では、キャピラリ１３を用いてボール１５を半導体チップ１６の電極パッド１７に、熱圧着法または超音波溶接法を適用してボンディングしている。」(段落【００１３】)
　甲第５号証には、次の(ｎ)、(ｏ)の事項が記載されている。
(ｎ)「図２（ａ）に示すように、半導体チップ１の上面に形成された電極パッド（不図示）に、キャピラリ２の押下力によってボール３を圧接し、さらに超音波や熱を加えてボール３を電極パッドに圧着させる。」(段落【０００８】)
(ｏ)「このとき、ボール３の上側には、キャピラリ２の先端に形成されたインサイドチャンファ部４（図２参照）によって必ずコーン部５と呼ばれる円錐部分が形成され、且つそのコーン部５の周辺には平坦部６が形成される。」(段落【０００９】)
　甲第６号証には、次の(ｐ)の事項が記載されている。
(ｐ)「図２に示すようにＬＥＤチップ２０３周辺を上述と同様の蛍光物質２０２を含有した熱可塑性樹脂２０１で射出成形封止した後、注型成形にて透光性のエポキシ樹脂をモールド部材２０８として外側に形成した以外は実施例１と同様にして発光ダイオード２００を形成させた。」(段落【００４０】)
　甲第７号証には、次の(ｑ)〜(ｕ)の事項が記載されている。
(ｑ)「マウント・リードのカップ上に配置された発光素子と、該発光素子の電極とインナー・リードを電気的に接続するワイヤと、前記カップ内に充填された色変換部材と、前記マウント・リード及びインナー・リードの先端をモールド部材で被覆した発光装置であって、少なくとも発光素子上に形成された色変換部材は発光素子の電極上にワイヤボンディングされたボール部の上端よりも低く充填されていることを特徴とする発光装置。」（【請求項２】）
(ｒ)「本発明は、色変換部材１０２とモールド部材１０３の界面のずれなどに対してワイヤ１０４よりも強いボール部１０１（ワイヤ径よりも太いボール部）を利用して発光素子１０５の導通を確保するものであるから発光素子１０５への影響を少なくする範囲で種々選択することができる。色変換部材１０２とモールド部材１０４との熱収縮や熱膨張率等の違いなどが大きければ発光素子１０５の電極に近くボール部１０１の径が大きい部位に色変換部材１０２とモールド部材１０３との界面を形成する、或いはボール部１０１自体を大きくすることで断線を防ぐことができる。」(段落【００２１】)
(ｓ)「モールド部材１０３の具体的材料としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や低融点ガラスなどが好適に用いられる。ワイヤへの応力を考慮した場合、収縮や膨張などが少ないものが望ましい。」(段落【００２９】)
(ｔ)「ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（ただし、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を発光層として形成させた窒化物半導体としては、比較的高いエネルギを高輝度に発光させることができるため、蛍光体を励起させる発光素子として好適に利用することができる。以下、窒化物半導体素子について詳述する。窒化物半導体を用いた発光素子用の基板にはサファイアＣ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、その他、スピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性の基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ結晶等の材料を用いることができる。結晶性の良い窒化物半導体を比較的簡単に形成させるためにはサファイヤ基板（Ｃ面）やＧａＮ単結晶を用いることが好ましい。」(段落【００３３】)
(ｕ)「次に、銅入り鉄の平板を押圧加工及び打ち抜きによりタイバで接続されたマウント・リード及びインナー・リードを形成させる。マウント・リード及びインナー・リードに銀メッキを施した後、ダイボンド機器を用いて上述のＬＥＤチップをエポキシ樹脂を用いてマウント・リードのカップ内にマウントさせる。エポキシ樹脂を硬化後、直径３０μｍの金線を用いてＬＥＤチップの電極とボールボンディングする。第１のボンディングとしてＬＥＤチップ上にボールボンディングされた金線はインナー・リード或いはマウント・リードのカップ外部に第２のボンディングとしてステッチボンディングされる。」(段落【００４６】)
　
３．４　対比・判断
３．４．１　新規性及び進歩性について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証に記載された「マウント・リード１０５」、「導電性ワイヤー１０３」、「コーティング部１０１」及び「モールド部材１０４」が、それぞれ本件発明１の「リードフレーム」、「ワイア」、「第１の封止体」及び「第２の封止体」に相当する。
　してみれば、両者は、「リードフレームと、前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、を備え、前記ワイアは、端部を前記発光素子との接続部において有し、前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成された半導体発光装置」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本件発明１では、ワイアの端部が、ワイアの主たる部分よりも径が太く、またボール部及びネック部を有しており、第１の封止体の表面がネック部を横切るように設けられているのに対して、甲第１号証には、ワイアの端部が、ワイアの主たる部分よりも径が太く、またボール部及びネック部を有すること、及び第１の封止体の表面がネック部を横切るように設けられていることについて、明記されていない点
　上記相違点について検討する。
　甲第１号証に記載の発明では、ワイアがボンディングにより発光素子に接続されていることから、ワイアはその端部がその主たる部分よりも径が太いものと一応考えられるものの、ワイアの端部がボール部とネック部との両方を有しているとまではいえない。また、甲第１号証の図１には、第１の封止体の表面がワイヤの端部のあたりを横切ることが示されているものの、第１の封止体の表面がネック部を横切ることまでは、同図から看取できない。
　このように、甲第１号証には、上記相違点に係る本件発明１の構成を示唆するものがなく、また上記相違点が単なる構成上の微差であるとはいえないから、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明ではない。
　また、上記相違点に関して、甲第２号証には、樹脂封止型半導体装置において、第１の樹脂８と第２の樹脂７との界面が、金属細線６の半球状のネールヘッド部を横切るようにすることにより、温度サイクルストレスによる金属細線６の断線を防ぐことが記載されているものの、金属細線６の接続端部がボール部とネック部とを有し、第１の樹脂８と第２の樹脂７との界面が金属細線６のネック部を横切ることは、同甲号証に記載されておらず、甲第３〜５号証をみても、これらにはワイヤボンディングに関する事項が記載されているすぎず、二つの樹脂の界面がワイヤ端部のネック部を横切ることについて何ら記載されていないから、甲第１号証に記載された発明に甲第２〜５号証に記載された事項を適用して本件発明１の技術的事項とすることが、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　
　本件発明２と甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証に記載された「マウント・リード１０５」、「導電性ワイヤー１０３」、「コーティング部１０１」及び「モールド部材１０４」が、それぞれ本件発明２の「リードフレーム」、「ワイア」、「第１の封止体」及び「第２の封止体」に相当する。
　してみれば、両者は、「リードフレームと、前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、を備え、前記ワイアは、端部を前記発光素子との接続部において有し、前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成された半導体発光装置」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本件発明２では、ワイアの端部が、発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、第１の封止体の表面が、前記ワイアよりも直径が太い部分を横切るように設けられているのに対して、甲第１号証には、ワイアの端部が、発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部及びワイアよりも直径が太い部分を有していること、及び第１の封止体の表面がワイアよりも直径が太い部分を横切るように設けられていることについて、明記されていない点
　上記相違点について検討する。
　甲第１号証に記載の発明では、ワイアがボンディングにより発光素子に接続されていることから、ワイアの端部が発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部を有しているものと一応考えられるが、ワイアの端部が他にワイアよりも直径が太い部分を有しているとまではいえない。また、甲第１号証の図１には、第１の封止体の表面がワイアの端部のあたりを横切ることが示されているものの、第１の封止体の表面がワイアよりも直径が太い部分を横切ることまでは、同図から看取できない。
　このように、甲第１号証には、上記相違点に係る構成を示唆するものがなく、また上記相違点が単なる構成上の微差であるとはいえないから、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明ではない。
　また、上記相違点に関して、甲第２号証には、樹脂封止型半導体装置において、第１の樹脂８と第２の樹脂７との界面が、金属細線６の半球状のネールヘッド部を横切るようにすることにより、温度サイクルストレスによる金属細線６の断線を防ぐことが記載されているものの、金属細線６の接続端部がボール部とネック部とを有し、第１の樹脂８と第２の樹脂７との界面が金属細線６のネック部を横切ることは、同甲号証に記載されておらず、甲第３〜５号証をみても、これらにはワイヤボンディングに関する事項が記載されているすぎず、二つの樹脂の界面がワイヤ端部のネック部を横切ることについて何ら記載されていないから、甲第１号証に記載された発明に甲第２〜５号証に記載された事項を適用して本件発明２の技術的事項とすることが、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　
　本件発明３と甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証に記載された「マウント・リード１０５」、「導電性ワイヤー１０３」、「コーティング部１０１」及び「モールド部材１０４」が、それぞれ本件発明３の「リードフレーム」、「ワイア」、「第１の封止体」及び「第２の封止体」に相当する。
　してみれば、両者は、「リードフレームと、前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、を備え、前記ワイアは、端部を前記発光素子との接続部において有し、前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成された半導体発光装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本件発明３では、ワイアの端部が、ワイアの主たる部分よりも径が太く、またボール部及びネック部を有しており、第１の封止体の表面がネック部を横切るように設けられているのに対して、甲第１号証には、ワイアの端部が、ワイアの主たる部分よりも径が太く、またボール部及びネック部を有すること、及び第１の封止体の表面がネック部を横切るように設けられていることについて、明記されていない点
　上記相違点について検討する。
　甲第１号証に記載の発明では、ワイアがボンディングにより発光素子に接続されていることから、ワイアはその端部がその主たる部分よりも径が太いものと一応考えられるものの、ワイアの端部がボール部とネック部との両方を有しているとまではいえない。また、甲第１号証の図１には、第１の封止体の表面がワイヤの端部のあたりを横切ることが示されているものの、第１の封止体の表面がネック部を横切ることまでは、同図から看取できない。
　このように、甲第１号証には、上記相違点に係る本件発明３の構成を示唆するものがなく、また上記相違点が単なる構成上の微差であるとはいえないから、本件発明３は、甲第１号証に記載された発明ではない。
　また、上記相違点に関して、甲第２号証には、樹脂封止型半導体装置において、第１の樹脂８と第２の樹脂７との界面が、金属細線６の半球状のネールヘッド部を横切るようにすることにより、温度サイクルストレスによる金属細線６の断線を防ぐことが記載されているものの、金属細線６の接続端部がボール部とネック部とを有し、第１の樹脂８と第２の樹脂７との界面が金属細線６のネック部を横切ることは、同甲号証に記載されておらず、甲第３〜５号証をみても、これらにはワイヤボンディングに関する事項が記載されているすぎず、二つの樹脂の界面がワイヤ端部のネック部を横切ることについて何ら記載されていないから、甲第１号証に記載された発明に甲第２〜５に記載された事項を適用して本件発明３の技術的事項とすることが、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　
　本件発明４と甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証に記載された「マウント・リード１０５」、「導電性ワイヤー１０３」、「コーティング部１０１」及び「モールド部材１０４」が、それぞれ本件発明４の「リードフレーム」、「ワイア」、「第１の封止体」及び「第２の封止体」に相当する。
　してみれば、両者は、「リードフレームと、前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、を備え、前記ワイアは、端部を前記発光素子との接続部において有し、前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成された半導体発光装置」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本件発明４では、ワイアの端部が、発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、第１の封止体の表面が、前記ワイアよりも直径が太い部分を横切るように設けられているのに対して、甲第１号証には、ワイアの端部が、発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部及びワイアよりも直径が太い部分を有していること、及び第１の封止体の表面がワイアよりも直径が太い部分を横切るように設けられていることについて、明記されていない点
　上記相違点について検討する。
　甲第１号証に記載の発明では、ワイアがボンディングにより発光素子に接続されていることから、ワイアの端部が発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部を有しているものと一応考えられるが、ワイアの端部が他にワイアよりも直径が太い部分を有しているとまではいえない。また、甲第１号証の図１には、第１の封止体の表面がワイアの端部のあたりを横切ることが示されているものの、第１の封止体の表面がワイアよりも直径が太い部分を横切ることまでは、同図から看取できない。
　このように、甲第１号証には、上記相違点に係る構成を示唆するものがなく、また上記相違点が単なる構成上の微差であるとはいえないから、本件発明４は、甲第１号証に記載された発明ではない。
　また、上記相違点に関して、甲第２号証には、樹脂封止型半導体装置において、第１の樹脂８と第２の樹脂７との界面が、金属細線６の半球状のネールヘッド部を横切るようにすることにより、温度サイクルストレスによる金属細線６の断線を防ぐことが記載されているものの、金属細線６の接続端部がボール部とネック部とを有し、第１の樹脂８と第２の樹脂７との界面が金属細線６のネック部を横切ることは、同甲号証に記載されておらず、甲第３〜５号証をみても、これらにはワイヤボンディングに関する事項が記載されているすぎず、二つの樹脂の界面がワイヤ端部のネック部を横切ることについて何ら記載されていないから、甲第１号証に記載された発明に甲第２〜５号証に記載された事項を適用して本件発明４の技術的事項とすることが、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　
　本件発明５〜１３と甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　本件発明５〜１３は、本件発明１〜４のいずれかの技術的事項をすべて引用するものであるから、本件発明１〜４と同様に、甲第１号証に記載された発明ではなく、また甲第１号証に記載された発明に甲第２〜５号証に記載された事項を適用して、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
３．４．２　先願明細書に記載された発明との同一性について
　本件発明１と特願平１０−１０１２４３号（特開平１１−２９８０４７号、甲第７号証）の出願当初の明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明とを対比する。
　先願明細書に記載された「マウント・リード１０６」、「ワイヤ１０４」、「色変換部材１０２」及び「モールド部材１０３」が、それぞれ本件発明１の「リードフレーム」、「ワイア」、「第１の封止体」及び「第２の封止体」に相当する。
　してみれば、両者は、「リードフレームと、前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、を備え、前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部を有する半導体発光装置」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本件発明１では、ワイアの端部がボール部の他にネック部を有し、第１の封止体の表面がネック部を横切るように設けられているのに対して、先願明細書に記載された発明では、第１の封止体の表面がボール部を横切るように設けられているものの、ワイアの端部がボール部の他にネック部を有し、第１の封止体の表面がネック部を横切ることについては、先願明細書に記載がない点
　上記相違点について検討する。
　ワイアの端部がボール部の他にネック部を有することが、例えば甲第３〜５号証等から周知であったとしても、第１の封止体の表面がネック部を横切ることまでは周知とみることができないから、本件発明１が先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるとはいえない。
　
　本件発明２と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　先願明細書に記載された「マウント・リード１０６」、「ワイヤ１０４」、「色変換部材１０２」、「モールド部材１０３」及び「ボール部１０１」が、それぞれ本件発明１の「リードフレーム」、「ワイア」、「第１の封止体」、「第２の封止体」及び「前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部」に相当する。
　してみれば、両者は、「リードフレームと、前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、を備え、前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部を有する半導体発光装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本件発明２では、ワイアの端部が発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部の他にワイアよりも直径が太い部分を有し、第１の封止体の表面が、ワイアよりも直径が太い部分を横切るように設けられているのに対して、先願明細書に記載された発明では、第１の封止体の表面が、発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部を横切るように設けられているものの、ワイアの端部が発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部の他にワイアよりも直径が太い部分を有し、第１の封止体の表面がワイアよりも直径が太い部分を横切ることについては、先願明細書に記載がない点
　上記相違点について検討する。
　ワイアの端部が発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部の他にワイアよりも直径が太い部分を有することが、例えば甲第３〜５号証等から周知であったとしても、第１の封止体の表面がワイアよりも直径が太い部分を横切ることまでは周知とみることができないから、本件発明２が先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるとはいえない。
　
　本件発明３と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　先願明細書に記載された「マウント・リード１０６」、「ワイヤ１０４」、「色変換部材１０２」及び「モールド部材１０３」が、それぞれ本件発明３の「リードフレーム」、「ワイア」、「第１の封止体」及び「第２の封止体」に相当する。
　してみれば、両者は、「リードフレームと、前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、を備え、前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部を有する半導体発光装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本件発明３では、ワイアの端部がボール部の他にネック部を有し、第１の封止体の表面がネック部を横切るように設けられているのに対して、先願明細書に記載された発明では、第１の封止体の表面がボール部を横切るように設けられているものの、ワイアの端部がボール部の他にネック部を有し、第１の封止体の表面がネック部を横切ることについては、先願明細書に記載がない点
　上記相違点について検討する。
　ワイアの端部がボール部の他にネック部を有することが、例えば甲第３〜５号証等から周知であったとしても、第１の封止体の表面がネック部を横切ることまでは周知とみることができないから、本件発明３が先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるとはいえない。
　
　本件発明４と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　先願明細書に記載された「マウント・リード１０６」、「ワイヤ１０４」、「色変換部材１０２」、「モールド部材１０３」及び「ボール部１０１」が、それぞれ本件発明４の「リードフレーム」、「ワイア」、「第１の封止体」、「第２の封止体」及び「前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部」に相当する。
　してみれば、両者は、「リードフレームと、前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、を備え、前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部を有する半導体発光装置」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本件発明４では、ワイアの端部が発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部の他にワイアよりも直径が太い部分を有し、第１の封止体の表面が、ワイアよりも直径が太い部分を横切るように設けられているのに対して、先願明細書に記載された発明では、第１の封止体の表面が、発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部を横切るように設けられているものの、ワイアの端部が発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部の他にワイアよりも直径が太い部分を有し、第１の封止体の表面がワイアよりも直径が太い部分を横切ることについては、先願明細書に記載がない点
　上記相違点について検討する。
　ワイアの端部が発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部の他にワイアよりも直径が太い部分を有することが、例えば甲第３〜５号証等から周知であったとしても、第１の封止体の表面がワイアよりも直径が太い部分を横切ることまでは周知とみることができないから、本件発明４が先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるとはいえない。
　
　本件発明５〜１３と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　本件発明５〜１３は、本件発明１〜４のいずれかの技術的事項をすべて引用するものであるから、本件発明１〜４と同様に、先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるとはいえない。
　
　なお、訂正前の請求項７に係る発明は、訂正の結果削除されたので、上記「３．１　申立ての理由の概要及び取消理由通知」の(エ)の理由による異議申立てについては、その対象が存在しなくなった。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件の請求項１ないし１３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１２月２０日（２００４．１２．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体発光装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　リードフレームと、
　前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ネック部
　【請求項２】
　リードフレームと、
　前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ワイアよりも直径が太い部分
　【請求項３】
　リードフレームと、
　前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ネック部
　【請求項４】
　リードフレームと、
　前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、
前記ワイアよりも直径が太い部分
　【請求項５】
　前記リードフレームの前記カップ部は、その内壁面の少なくとも一部が荒面仕上げとされていることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体発光装置。
　【請求項６】
　前記ボール部は、５０〜１００μｍの高さを有し、
　前記ネック部は、１０〜１００μｍの高さを有することを特徴とする請求項１又は３記載の半導体発光装置。
　【請求項７】
　前記第１の封止体は、前記発光素子から放出される第１の波長の光を前記蛍光体が吸収して前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放出するものとして構成されたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体発光装置。
　【請求項８】
　前記第１の封止体は、無機系接着剤からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体発光装置。
　【請求項９】
　前記無機系接着剤は、アルカリ金属珪酸塩、燐酸塩、コロイダルシリカ、シリカゾル、水ガラス、Ｓｉ（ＯＨ）ｎ、ＳｉＯ２、及びＴｉＯ２からなる群から選択されたいずれかにより構成されていることを特徴とする請求項８記載の半導体発光装置。
　【請求項１０】
　前記第２の封止体は、ガラス転移温度が１５０℃以上の材料により構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体発光装置。
　【請求項１１】
　前記リードフレームは、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の熱伝導率を有する材料により構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
　【請求項１２】
　前記リードフレームは、鉄系の材料により構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
　【請求項１３】
　前記リードフレームのアウターリード部は、半田外装メッキされていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体発光装置に関する。より詳細には、本発明は、窒化ガリウム系半導体発光素子を搭載した発光装置であって、半田付けに対する耐熱性や信頼性が顕著に改善された半導体発光装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体発光装置は、コンパクト且つ低消費電力であり、信頼性に優れるなどの多くの利点を有し、近年では、種々ので高い発光輝度が要求される室内外の表示板、鉄道／交通信号、車載用灯具などについても広く応用されつつある。
　【０００３】
　これらの半導体発光装置のうちで、窒化ガリウム系半導体を用いた発光装置が最近、注目されている。窒化ガリウム系半導体は、直接遷移型のＩＩＩ−Ｖ族化合物導体であり、比較的短い波長領域において高効率で発光させることができるという特徴を有する。
　【０００４】
　なお、本願明細書において「窒化ガリウム系半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ（１−ｘ−ｙ−ｚ）Ｎ（Ｏ≦ｘ≦１、Ｏ≦ｙ≦１、Ｏ≦ｚ≦１、Ｏ≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎに加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むものとする。例えば、ＩｎＧａＮ（ｘ＝０、ｙ＝０．３、ｚ＝０）も「窒化ガリウム系半導体」に含まれるものとする。
　【０００５】
　窒化ガリウム系半導体は、組成ｘ、ｙ及びｚを制御することによってバンドギャップを大きく変化させることができるために、ＬＥＤや半導体レーザの材料として有望視されている。特に、青色や紫外線の波長領域で高輝度に発光させることができれば、各種光ディスクの記録容量を倍増させることができる。さらに、このような短波長の光を用いて蛍光体を励起させれば、発光波長の自由度が極めて高い光源を実現することができる。すなわち、可視光から赤外光までの幅広い波長領域において自由に発光波長を選択することが可能となり、表示装置のフルカラー化も容易に実現できる。そこで、窒化ガリウム系半導体を発光層に用いた窒化ガリウム系半導体発光素子は、その初期特性や信頼性の向上に向けて急速に開発が進められている。
　【０００６】
　図４は、窒化ガリウム系半導体発光素子を搭載した従来の半導体発光装置の概略構成を表す断面図である。すなわち、同図（ａ）は全体断面図であり、同図（ｂ）はその要部断面図である。
　【０００７】
　同図の半導体発光装置においては、リン脱酸銅などの銅系の材料で形成されたリードフレーム１０２のカップ部に窒化ガリウム系半導体発光素子１０４がマウントされている。発光素子１０４のマウントは、接着剤１０６を用いて行われる場合が多い。また、リードフレーム１０２のアウターリード部１０２Ａには、銀（Ａｇ）メッキが施されることが多い。
　【０００８】
　発光素子１０４の上部には、図示しない電極が設けられ、それぞれワイア１０８，１０８によってリードフレーム１０２に接続されている。また、リードフレームのカップ部は、発光素子１０４を覆うように第１の封止体１１０により封止されている。第１の封止体１１０としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂が用いられることが多い。ここで、第１の封止体１１０に蛍光体を混入し、窒化ガリウム系半導体発光素子１０４からの短波長の光を波長変換して所定の波長の光を取り出すこともできる。また、リードフレーム１０２の頭部全体は、第２の封止体１１２により封止され、発光素子１０４を保護するとともに光を集光したり拡散するようにされている。第２の封止体１１２としては、エポキシ樹脂が用いられることが多い。
　【０００９】
　このように第１の封止体１１０と第２の封止体１１２とを用いたいわゆる「２重モールド構造」は、特に、蛍光体を利用した半導体発光装置の場合に重要である。すなわち、半導体発光素子１０４から放出された光を高い効率で波長変換し集光して外部に放出するためには、蛍光体を発光素子１０４の周囲に高い密度で配置することが望ましい。仮に、図４において、第２の封止体１１２にまで蛍光体を混入させると光の放出源が広がってしまい、レンズとしての集光効果が得られなくなるという問題が生ずる。従って、図４に示したような「２重モールド構造」において、発光素子１０４の周囲の第１の封止体１１０のみに蛍光体を混入するようにすることが必要とされる。
　【００１０】
　このような「２重モールド構造」の半導体発光装置は、発光素子１０４から放出された短波長の光が第１の封止体に混入された蛍光体により波長変換され、さらに第２の封止体により集光または拡散されて外部に取り出される。
　【００１１】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、このような半導体発光装置を実用に供するためには、リードフレーム１０２のアウターリード部１０２Ａを半田付けすることにより、所定の基板やソケットなどに実装する必要がある。
　【００１２】
　しかし、本発明者が独自に行った試作検討の結果、図４に示したような従来の半導体発光装置は、耐熱性が十分でなく、実装時の半田付けによって各種の異常が生ずることが分かった。具体的には、実装時の半田付けによってワイア１０８の断線や、光取り出し効率の低下などの不具合が生じた。そして、この原因をさらに詳しく検討した結果、半田付けにともなう加熱により、封止体１１０，１１２が膨張することが原因であることが分かった。
　【００１３】
　すなわち、半田付け実装時の加熱により、封止体１１０，１１２が膨張してワイア１０８が断線するという不具合を生じやすいことが分かった。特に、窒化ガリウム系半導体発光素子の場合には、ＧａＡｓ系発光素子などと異なり、ひとつの素子に対しワイア１０８を２本用いる必要がある。その結果として、窒化ガリウム系半導体発光装置の場合、ワイアを１本しか用いない他の発光素子と比べてワイア断線の確率が２倍に増えるという問題がある。
　【００１４】
　また、図４に示した半導体発光装置は、蛍光体を混合した第１の封止体１１０を発光素子載置済みのリードフレームのカップ部に充填し、さらに第２の封止体１１２で全体を封止する２重モールド構造を有する。このような２重モールド構造は、前述したように、蛍光体を発光素子１０４の周囲に高密度に配置するために極めて便利な構成である。ところが第１の封止体１１０と第２の封止体１１２の熱膨張係数が異なる場合は、半田付け実装時の加熱で２つの封止体が別々の膨張率で膨張する。そして、これらの界面においてワイア１０８に大きな剪断応力がかかり断線などの不具合を生じやすかった。
　【００１５】
　また、封止体１１２の成形時や半田付け実装時に２つの封止体１１０，１１２の界面や、封止体とリードフレーム１０２のカップ部の内壁面との界面に隙間が生じ、その界面での反射ロスにより発光素子１０４やその周囲の蛍光体から放出された光が効率よく外部へ取り出せない不具合が発生した。
　【００１６】
　さらに、従来の半導体発光装置は、このような耐熱性の問題を有するために、封止後にアウターリード１０２Ａに半田メッキを施すことが極めて困難であった。そのために代替手段として予め銀（Ａｇ）メッキが施されたリードを用いる場合が多かった。しかし、アウターリードに半田メッキを施すことができないために、実装時の半田付け工程において、半田の「濡れ」が十分でなく、歩留まりが低下するという問題が生ずる。
　【００１７】
　本発明は、以上説明したような本発明者が独自に認識した種々の課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、耐熱性が高く、実装工程においても安定して半田付けを行うことができる窒化ガリウム系半導体発光装置を提供することにある。
　【００１９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の半導体発光装置は、
　リードフレームと、
　前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、前記ネック部を横切るように設けられたことを特徴とする。
　また本発明の半導体発光装置は、
　リードフレームと、
　前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記発光素子を覆うようにその周囲に設けられ、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその周囲に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、前記ワイアよりも直径が太い部分を横切るように設けられたことを特徴とする。
　【００２０】
　あるいは本発明の半導体発光装置は、
　リードフレームと、
　前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、前記ネック部を横切るように設けられたことを特徴とする。
　あるいはまた本発明の半導体発光装置は、
　リードフレームと、
　前記リードフレームに設けられたカップ部の底部に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、
　前記リードフレームの電極端子と前記発光素子とを接続するワイアと、
　前記カップ部の少なくとも一部に充填され、蛍光体を含有する第１の封止体と、
　前記第１の封止体を覆うようにその上に設けられた第２の封止体と、
　を備え、
　前記ワイアは、その主たる部分よりも径が太いものとして構成された端部を前記発光素子との接続部において有し、
　前記端部は、前記ワイアのボンディングにより形成され、前記発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部、及び前記ワイアよりも直径が太い部分を有し、
　前記第１の封止体は、その表面が、前記ワイアよりも直径が太い部分を横切るように設けられたことを特徴とする。
　【００２１】
　ここで、前記リードフレームの前記カップ部は、その内壁面の少なくとも一部が荒面仕上げとされていてもよい。
　【００２２】
　前記ボール部は、５０〜１００μｍの高さを有し、前記ネック部は、１０〜１００μｍの高さを有するものであってもよい。
　【００２３】
　前記第１の封止体は、前記発光素子から放出される第１の波長の光を前記蛍光体が吸収して前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放出するものとして構成されていてもよい。
　【００２４】
　また、前記第１の封止体は、無機系接着剤からなるものであってよい。
　【００２５】
　前記無機系接着剤は、アルカリ金属珪酸塩、燐酸塩、コロイダルシリカ、シリカゾル、水ガラス、Ｓｉ（ＯＨ）ｎ、ＳｉＯ２、及びＴｉＯ２からなる群から選択されたいずれかにより構成されていてもよい。
　【００２６】
　前記第２の封止体は、ガラス転移温度が１５０℃以上の材料により構成されていてもよい。
　【００２７】
　また、前記リードフレームは、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の熱伝導率を有する材料により構成されていてもよい。
　【００２８】
　また、前記リードフレームは、鉄系の材料により構成されていてもよい。
　【００２９】
　また、前記リードフレームのアウターリード部は、半田外装メッキされていてもよい。
　【００３０】
　【発明の実施の形態】
　本発明においては、リードフレームの材料として、従来用いられていた銅系の材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。このような材料としては、例えば、鉄を主成分とした鉄系の材料を挙げることができる。このようにすることにより実装半田付けの際の封止体の加熱を抑制し、ワイアの断線などの不具合を防止することができる。さらに、本発明においては、第１の封止体と第２の封止体との界面の位置を調節することにより、ワイアの断線を顕著に低減することができる。
　【００３１】
　以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
　図１は、本発明の窒化ガリウム系半導体発光装置の概略構成を表す断面図である。すなわち、同図（ａ）は全体断面図であり、同図（ｂ）はその要部断面図である。
　【００３２】
　本発明の半導体発光装置においては、従来の銅系の材料よりも熱伝導率の低い材料で形成されたリードフレーム１２を用いる。リードフレーム１２の材料としては、鉄の他に、例えば、いわゆる「４２アロイ」などの鉄系の合金材料を挙げることができる。リードフレーム１２のカップ部には、窒化ガリウム系半導体発光素子１４がマウントされている。発光素子１４のマウントは、例えば、接着剤１６を用いて行うことができる。接着剤１６の材料としては、ワイアボンディング工程における加熱に耐えられるような耐熱性を有する無機系材料を用いることが望ましい。また、接着剤１６に所定の蛍光体を混入しても良い。
　【００３３】
　発光素子１４の上部には、図示しない電極が設けられ、それぞれワイア１８，１８によってリードフレーム１２に接続されている。ワイアの材料としては、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）を用いることができる。ワイア径は、応力に対する機械的強度を確保するため直径３０μｍ以上のものが望ましい。また、リードフレームのカップ部には、発光素子１４を覆うように第１の封止体２０が充填されている。ここで、第１の封止体２０に蛍光体や散乱剤を混入し、窒化ガリウム系半導体発光素子１４からの短波長の光を波長変換して所定の波長の光を取り出すこともできる。
　【００３４】
　紫外線領域の光で効率良く励起される蛍光体としては、例えば、赤色の発光を生ずるものとしては、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、青色の発光を生ずるものとしては、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｅｕ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２、緑色の発光を生ずるものとしては、３（Ｂａ、Ｍｇ、Ｅｕ、Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３などを挙げることができる。これらの蛍光体を適当な割合で混合すれば、可視光領域の殆どすべての色調を表現することもできる。
　【００３５】
　また、青色領域の波長の光受けて波長変換し、より長波長の光を放出する蛍光体としては、前述した無機蛍光体の他に有機蛍光体を挙げることができる。有機蛍光体としては、例えば、赤色の発光を生ずるものとしては、ｒｈｏｄａｍｉｎｅ　Ｂ、緑色の発光を生ずるものとしては、ｂｒｉｌｌｉａｎｔｓｕｌｆｏｆｌａｖｉｎｅ　ＦＦなどを挙げることができる。
　【００３６】
　リードフレーム１４の頭部全体は、第２の封止体２２により封止され発光素子１４を保護するとともに、光を集光したり拡散することができる。
　【００３７】
　さらに、リードフレーム１２のアウターリード部１２Ａには、半田メッキが施され実装工程における半田付けを容易に行えるようにされている。
　【００３８】
　本発明の半導体発光装置も「２重モールド構造」を有するので、発光素子１４から放出された短波長の光を、第１の封止体に混入された蛍光体により高い効率で波長変換し、さらに第２の封止体により集光または拡散して外部に取り出すことができる。
　【００３９】
　以下に、本発明の半導体発光装置において用いるリードフレーム１２について詳細に説明する。リードフレーム１２の材料として用いる鉄系の材料は、図４に示したような従来の発光装置のリードフレームの材料である銅系の材料よりもはるかに低い熱伝導率を有するという特徴がある。
　【００４０】
　銅系の材料と鉄系の材料の熱伝導率の一例を示すと以下の如くである。
　ここで、「ＫＬＦ−１」とは銅（Ｃｕ）合金の製品名（神戸製鋼所）であり、ニッケル（Ｎｉ）を約３．０％、シリコン（Ｓｉ）を約０．７％含有する。一方、「４２アロイ」は、鉄（Ｆｅ）合金の名称であり、ニッケルを約４２％含有する。上述のデータから、銅系の「ＫＬＦ−１」は、鉄系の「４２アロイ」の１０倍以上高い熱伝導率を有することが分かる。
　【００４１】
　従って、本発明において「鉄」や「４２アロイ」などの鉄系のリードフレームを用いることにより、半田付けの際にアウターリード部を加熱してもその熱が封止体に伝わりにくくなり、ワイアの断線や光取り出し効率の低下は生じない。
　【００４２】
　本発明者は、種々の半導体発光装置を試作し、そのアウターリード部を半田付けする際の加熱特性を調べた。
　【００４３】
　図２は、半田付け時間と発光素子の周囲の温度との関係を表すグラフ図である。同図においては、鉄系のリードフレームを用いた半導体発光装置と銅系のリードフレームを用いた半導体発光装置の加熱特性をそれぞれ示した。ここで用いたリードフレームは、板厚０．５ｍｍのプレスフレームによるものであり、半導体発光装置のリードフレームとしては、当業者の間で多く用いられているものである。
　【００４４】
　一般に、アウターリード部の半田付けや半田メッキに要する時間は最大で５秒程度である。図２から、従来の銅系リードフレームの場合においては、５秒間の半田付けによって発光素子の周囲が１７０℃〜２００℃まで加熱されるのに対して、本発明において用いる鉄系のリードフレームの場合には、最大温度が約１４５℃程度に抑えられていることが分かる。このように、従来よりも温度上昇を抑制した結果、封止体の熱膨張を抑制し、ワイアの断線や光取り出し効率の低下を防止することができる。
　【００４５】
　本発明は、特に窒化ガリウム系半導体と蛍光体とを具備する発光装置に適用して効果的である。つまり、このような発光装置においては、蛍光体を発光素子の周囲に高い密度で配置するために、２重モールド構造を採る必要がある。本発明によれば、このような２重モールド構造においても、封止体の加熱を抑制することができ、ワイアの断線や光取り出し効率の低下を防止することができるからである。
　【００４６】
　さらに、本発明によれば、封止体２０，２２のガラス転移温度を１５０℃まで低下させることができる。すなわち従来よりも低いガラス転移温度を有する材料を用いることができるために、本発明によれば、封止体の選択の範囲が広がり、従来よりも熱膨張係数の小さい材料や残留応力の小さい材料などを用いることができるようになるという効果も得られる。
　【００４７】
　さらに、本発明によれば、不具合を生ずることなくアウターリード部１２Ａに半田メッキを施すことができる。その結果として、実装工程の半田付けを安定して行うことができるようになる。
　【００４８】
　ここで、封止樹脂として広く用いられている有機材料としてエポキシ樹脂がある。この樹脂のガラス転移温度は、約１５０℃である。従って、前述のように典型的な半田付け時間である５秒間の間に１５０℃を超えないようにすることが望ましい。図２に示したデータから試算した結果、このためには、リードフレームの材料の熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることが望ましいことが分かった。
　【００４９】
　次に、本発明の第１の封止樹脂２０に関して詳細に説明する。
　本発明者の試作検討の結果、第１の封止体２０としては、無機系の接着剤が適していることが分かった。これらの無機系の接着剤は、Ｓｉ（ＯＨ）ｎや、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などの無機材料が有機溶媒などのに媒体中に分散され、媒体の乾燥蒸発によって、無機材料が接着あるいは埋め込み材料として作用するものである。無機接着剤の具体例としては、アルカリ金属珪酸塩、燐酸塩、コロイダルシリカ、シリカゾル、水ガラスなどを挙げることができる。また、これらの他に、無機接着剤の溶質としては、Ｓｉ（ＯＨ）ｎや、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などの無機化合物を挙げることができる。さらに、これら以外にも、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、すず（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、コバルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）などの酸化化合物を挙げることができる。このような酸化化合物としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）などを挙げることができる。さらに、これらの無機化合物を混合したものでも良い。
　【００５０】
　これらの無機化合物を溶媒中に分散させた無機系接着剤は、硬化温度のわりに耐熱性が高く、比較的短時間で硬化させることができるという特徴を有する。すなわち、従来の樹脂封止工程と同程度の１００〜１５０℃程度の加熱工程で硬化し、硬化後の耐熱温度としてはだいたい２００〜１０００℃以上を実現できる。また、硬化時間も２０〜３０分程度と比較的短時間である。また、硬化時の水分の蒸発により体積が収縮するために、含有させた蛍光体層を半導体発光素子１４やカップ部の内壁面に薄く形成することができる。さらに、粘度が低いので硬化時に蛍光体が沈殿しやすく、蛍光体層を薄く均一に形成できるという特徴も有する。
　【００５１】
　このような無機系接着剤と比較すると、従来第１の封止体として用いられていたエポキシ樹脂の場合には、ガラス転移温度を超えると線膨張係数が急増するためにワイアの断線を生じやすいという問題があった。また、シリコーン樹脂の場合には、一般に第２の封止体に比べ線膨張係数が大きいため、加熱時に外側の第２の封止体やリードフレームとの界面において剥離が発生しやすいという問題があった。これに対して、本発明において用いる無機系接着剤は、線膨張係数が比較的小さく、また薄膜状に塗布されるため体積自体も比較的小さい。よって温度変化による体積変化量は比較的小さく、これらの問題点を解消することもできる。
　【００５２】
　また、第１の封止体として有機系の樹脂を用いる場合には、エポキシ樹脂のように、ガラス転移温度が１５０℃以上の樹脂を用いることが望ましい。
　【００５３】
　さらに、本発明においては、図１（ｂ）に示したように、第１の封止体２０をリードフレーム１２のカップ内に充填するに際して、ワイアのボンディングボール部またはネック部などの太くなっている部分が封止体の表面を貫くように充填量を調節する。すなわち、ワイア１８を半導体発光素子１４にボンディングすると、その接続部分にボール部１８Ａとネック部１８Ｂとが形成される。
　【００５４】
　ここで、ボール部１８Ａは、ボンディングの前にワイアの先端が溶融されて球状に形成され、しかる後に、超音波を印加しながら発光素子１４の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部分である。また、ネック部１８Ｂは、ボンディング装置のキャピラリの先端部の内部口径が大きい部分に対応して形成された直径が太い部分である。ボール部１８Ａの高さは、概ね５０〜１００μｍ程度である場合が多い。一方、ネック部１８Ｂの長さ（高さ）は、ボンディングの際に用いるキャピラリの先端開口形状に依存し、概ね数１０〜１００μｍである場合が多い。
　【００５５】
　これらの太い部分は、剪断応力に対する機械的な耐久性も高い。従って、ワイア１８のうちで、これらの太い部分が第１の封止体２０の表面を貫くようにすれば、第１の封止体２０と第２の封止体２２との熱膨張率の差により封止体の界面において剪断応力が働いても、ワイア１８の断線を防止することができる。このための封止体２０としては、無機系コーティング剤などを用いると充填量の調節が容易で良好な薄膜を形成できる。また、ワイア１８のボンディングに際して、ボール部１８Ａやネック部１８Ｂができるだけ太く、また、これらの高さをできるだけ確保するように、キャピラリの形状やボンディングの条件を適宜調節すれば、さらにワイア１８の断線を効果的に防止することもできる。
　【００５６】
　或いは、第１の封止樹脂２０がワイア１８の全体を覆い尽くすように充填してもよい。すなわち、第１の封止体２０によりワイア全体が覆われていれば、界面の剪断応力がワイア１８に働くことが解消される。
　【００５７】
　本発明によれば、このように第１の封止樹脂の表面の位置を制御することにより、２重モールド構造においても耐熱性を十分に確保することができるようになる。
　【００５８】
　さらに、第１の封止体２０は、発光素子１４のマウント用の接着剤１６とほぼ同一の熱膨張率を有することが望ましい。このようにすれば、発光素子１４に無用な応力が印加されることがなくなる。
　【００５９】
　一方、第２の封止体２２としては、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。ここで、エポキシ樹脂のガラス転移温度は、約１５０℃である。従って、図２に関して前述したように、従来の半導体発光装置においては、半田付けの際に、そのガラス転移温度をはるかに超えた温度に加熱されるという問題があったが、本発明においては、そのガラス転移温度を超えずに半田付けを行うことができる。
　【００６０】
　また、第２の封止体２２としては、エポキシ樹脂の他にも、第１の封止体２０とほぼ同一の熱膨張率を有する材料とすれば、これらの界面で生ずる剪断応力を抑制することができる。その結果して、ワイアの断線や、界面での隙間の形成による光の取り出し効率の低下を防止することができる。
　【００６１】
　一方、リードフレーム１２のカップ部の内壁面は、封止体２０との密着性を増し光の散乱率を上げるため荒面仕上げにしても良い。
　【００６２】
　本発明者は、図１に示した半導体発光装置と図４に示した従来の半導体発光装置とを試作してその半田付け加熱試験を行った。ここでは、発光装置のアウターリード部を溶融半田槽に１０秒間浸漬して、ワイアの断線不良を評価した。以下にその結果を示す。
　ここで、各項目の分母は発光装置の試験数であり、分子はワイア断線不良を生じた発光装置の数である。従来の発光装置の場合には、２８０℃程度の温度から断線不良が生じ、半田温度が上昇するにつれて断線不良が増大している。これに対して、本発明によれば、温度３４０℃で浸漬時間が１０秒という極めて過酷な条件においてもワイアの断線不良は全く生ずることが無く、耐熱性が極めて優れていることがわかる。
　【００６３】
　次に、本発明の第２の実施の形態にかかる半導体発光装置について説明する。
　図３は、本発明の第２の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す概念図である。すなわち、同図（ａ）は全体断面図であり、同図（ｂ）はその要部断面図である。
　図３に示した半導体発光装置においても、従来の銅系の材料よりも熱伝導率の低い材料で形成したリードフレーム１２’の上に窒化ガリウム系半導体発光素子１４がマウントされ、第１の封止体２０と第２の封止体２２とによって封止された２重モールド構造を有する。前述した図１の発光装置と同一の部分には同一の符合を付して詳細な説明は省略する。
　【００６４】
　ここで、図１に示した発光装置との違いは、リードフレーム１２’にカップ部が設けられていない点である。すなわち、図３の発光装置においては、リードフレームの頭部は平坦であり、その表面に発光素子１４がマウントされている。発光素子１４の周囲は、第１の封止体２０により覆われ、その内部に混入された蛍光体により波長変換が行われる。また、第１の封止体２０は、その表面がワイア１８のうちの太いネック部１８Ｂを横切るように設けられている。ここで、ボール部１８Ａを横切るように第１の封止体２０を設けても良い。本実施形態においても、ワイアのボール部１８Ａまたはネック部１８Ｂが第１の封止体２０の表面を貫くように形成することにより、第１の封止体２０と第２の封止体２２との界面に剪断応力が働いてもワイアが断線することが防止される。
　【００６５】
　また、第１の封止体２０を発光素子１４の周囲にコンパクトに形成することにより、蛍光体を高い密度で配置することができ、波長変換効率や第２の封止体２２による集光効率を上げることができる。
　【００６６】
　以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。たとえば、前述した具体例においては、２重モールド構造の場合を例示したが、この他にも例えば、３重モールド構造であっても良い。すなわち、第１の封止体と第２の封止体との間に第３の封止体が介在してなる構成であっても良い。
　【００６７】
　また、リードフレーム、発光素子、ワイア、封止体などの形状についても、図示したもの以外に適宜用いて同様の効果を得ることができる。
　【００６８】
　【発明の効果】
　本発明によれば、ワイアに径の太い部分を設け、半導体発光素子の周囲を覆う封止体の表面がその径の太い部分を横切るように構成することにより、ワイアの断線を顕著に低減し、製造歩留まりが飛躍的に向上するとともに、半導体発光装置の信頼性も飛躍的に改善される。ここで、ワイアの端部は、ワイアのボンディングにより形成されたボール部及びネック部を有するものであってもよく、あるいは、ワイアのボンディングにより形成され、発光素子の電極に加圧して接続した際につぶれた先端部及びワイアよりも直径が太い部分を有するものであってもよい。
　【００６９】
　あるいは、リードフレームに設けられたカップ部の底部に窒化ガリウム系半導体発光素子が載置され、カップ部の少なくとも一部に、蛍光体を含有する第１の封止体が充填され、第１の封止体を覆うようにその上に第２の封止体が設けられていても同様の効果を奏する。
　【００７０】
　さらに、本発明によれば、リードフレームにカップ部が設けられている場合、その内壁面の少なくとも一部を荒面仕上げにすることにより、封止体との密着性を改善し界面剥離による光反射のロスを防ぐことができる。
　【００７１】
　また、従来は、封止体の中に蛍光体を高濃度で混入させると母体の封止体から熱膨張率が変化する場合があった。これに対して、本発明によれば、上記のような施策をした上で封止体や接着剤に混入すれば、耐熱性や光取り出し効率の問題が解決できる。
　【００７２】
　さらに、本発明によれば、発光素子の周囲を覆う封止体として、無機接着剤を用いることにより、硬化温度のわりに耐熱性が高く、比較的短時間で硬化させることができる。すなわち、従来の樹脂封止工程と同程度の１００〜１５０℃程度の加熱工程で硬化し、硬化後の耐熱温度としてはだいたい２００〜１０００℃以上を実現できる。また、硬化時間も２０〜３０分程度と比較的短時間である。また、硬化時の水分の蒸発により体積が収縮するために、含有させた蛍光体層を半導体発光素子１４やカップ部の内壁面に薄く形成することができる。さらに、粘度が低いので硬化時に蛍光体が沈殿しやすく、蛍光体層を薄く均一に形成できるという特徴も有する。
　【００７３】
　また、本発明によれば、鉄系のリードフレームを用いることにより、半田付けに対する耐熱性が著しく向上する。
　【００７４】
　さらに、本発明によれば、従来は不可能だったアウターリードへの半田外装メッキにより、ボード等への半田実装が容易となる。またリードカット時に露出した切り口を外装メッキで保護できるため、切り口から母材（特に鉄を使用する場合）が腐食を起こすという不具合を未然に防止できる。
　【００７５】
　また、本発明によれば、封止体のガラス転移温度を１５０℃より高く設定することにより、半田耐熱性が著しく向上する。
　【００７６】
　以上説明したように、本発明によれば、半田耐熱性が高く、信頼性が高い半導体発光装置を提供することができるようになり、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の窒化ガリウム系半導体発光装置の概略構成を表す断面図である。すなわち、同図（ａ）は全体断面図であり、同図（ｂ）はその要部断面図である。
　【図２】
　半田付け時間と発光素子の周囲の温度との関係を表すグラフ図である。
　【図３】
　本発明の第２の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す概念図である。すなわち、同図（ａ）は全体断面図であり、同図（ｂ）はその要部断面図である。
　【図４】
　窒化ガリウム系半導体発光素子を用いた従来の半導体発光装置の概略構成を表す断面図である。すなわち、同図（ａ）は全体断面図であり、同図（ｂ）はその要部断面図である。
　【符号の説明】
　１２、１０２　リードフレーム
　１２Ａ、１０２Ａ　アウターリード
　１４、１０４　窒化ガリウム系半導体発光素子
　１６、１０６　接着剤
　１８、１０８　ワイア
　１８Ａ　ボール部
　１８Ｂ　ネック部
　２０、１１０　第１の封止体
　２２、１１２　第２の封止体