【事件の表示】
　特許第３４１０６０８号「導光体の製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４１０６０８号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３４１０６０８号の請求項１〜６に係る発明についての出願は、平成８年６月１２日に特許出願（優先権主張　平成７年６月１６日、平成７年１２月１２日）され、平成１５年３月２０日に設定登録がなされ、その後その特許について、特許異議申立人済藤隆義、特許異議申立人辻幸子よりそれぞれ請求項１〜６に係る特許につき特許異議の申立てがなされた。そして、請求項１〜６に係る発明について平成１６年２月１０日付けで取消理由通知を通知したところ、特許権者から平成１６年４月１３日付けで意見書及び訂正請求書が提出された。
　さらに特許権者からの要望により、平成１６年１２月１０日に、申立人済藤隆義の同席のもと（申立人辻幸子は不在での技術説明を了承。）、合議体が技術説明を受けたところ、両者から上申書を提出したい旨の申し出があり、平成１７年３月１６日付けで特許権者から（平成１７年１月１２日にその内容はＦＡＸにて申立人済藤隆義に連絡済み。）、また平成１７年１月２１日付で申立人から上申書が提出された。
　そして、当審において手交により取消理由を通知したところ、平成１７年６月２１日付けで訂正請求書が提出されるとともに、平成１６年４月１３日付け訂正請求書が取り下げられた。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正事項
　本件訂正（平成１７年６月２１日付け）は、特許明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものであり、その内容は以下のとおりである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲請求項１及び３を削除する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲請求項２及び４〜６を、
「
【請求項１】
ポジ型
２０
、前記フォトレジスト層の厚さにより決定される高さを有する偏向要素を形成するための
　
【請求項２】
請求項１
　
【請求項３】
請求項１又は２
　
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項
と訂正する。
（３）訂正事項３
　上記訂正１，２に伴い、明細書の段落【０００９】、【００１０】、【００１１】、【００１６】を次のとおり訂正する。
「【０００９】【課題を解決するための手段】
　上記の課題を解決する本発明の導光体の製造方法は、平坦な基材に粘度が２００〜１２００ｃｐｓの範囲にある
ポジ型
２０
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の導光体の製造方法を図３を用いてより詳細に説明する。図３（ａ）における基材（１０）としては、表面を研磨するなどして平坦性を高めたガラス板や金属板が一般に用いられる。この基材の表面に図３（ａ）に示すようにフォトレジスト層（９）を形成す
る。
【００１１】偏向要素の高さはフォトレジスト層の厚さで決定される。高い輝度を実現し、偏向パターンが明暗の模様として認識されることや、モアレの発生を防止するために、設計値通りの偏向要素の高さを得ることは重要である。しかし、ＬＤ、ＣＤなどの光ディスクにおけるピットの高さが０．１μｍ程度であるのに対して、偏向要素の高さは一般に極めて大きく、偏向要素の形成に適した厚さのフォトレジスト層を得ることは困難である。偏向要素を設けるためには、粘度が２００〜１２００ｃｐｓの範囲にあるフォトレジストを用いてスピンコートして５〜
２０
い。なお
ポジ型が選択される。
どを
【００１６】
　本発明において用いられるフォトレジストがポジ型であれば、図３（ｃ）のようにフォトレジスト層の露光された部分（１２）が現像工程で除去され、露光されなかった部分（１３）が残ることにより偏向パターンが現れる
。現
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項１は、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（２）上記訂正事項２は、訂正前の請求項２，４〜６の「５〜３０μｍ」の厚さのフォトレジスト層を「５〜
２０
前記フォトレジスト層の厚さにより決定される高さを有する偏向要素を形成するための
　そして、フォトレジスト層の厚さに関しては、明細書の段落【００２３】の「本発明に基づく導光体の製造方法・・・厚膜用のポジ型フォトレジスト・・・を厚さが２０μｍになるようにスピンコートした。」との記載事項、またフォトレジスト層の厚さにより決定される高さを有するとの点については、明細書の段落【００１１】に「偏向要素の高さはフォトレジスト層の厚さで決定される」、段落【００２０】に「導光体の偏向要素における凹凸の高さをフォトレジストの膜厚で制御することができ、」との記載事項に基づいている。
　よって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（３）上記訂正事項３は、上記訂正事項１，２の特許請求の範囲の訂正に伴って、発明の詳細な説明を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
２−３．むすび
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き並びに第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
　本件発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりの次のものである。
「
【請求項１】
ポジ型
２０
、前記フォトレジスト層の厚さにより決定される高さを有する偏向要素を形成するための
　
【請求項２】
請求項１
　
【請求項３】
請求項１又は２
　
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項
　
３−２．申立の理由の概要
　平成１６年２月１０日付けの取消理由通知は、特許異議申立人済藤隆義、特許異議申立人辻幸子よりそれぞれなされた特許異議の申立ての理由と同様であって、その概要は以下の通りである。
（１）取消理由１
　本件請求項１〜６に係る発明（本件発明１〜４）は、下記の刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平６−１１８２４５号公報（異議申立人済藤隆義の提出した甲第１号証）
刊行物２：特公平６−８８２５４号公報（同甲第２号証）
刊行物３：特開平７−３２３４２８号公報（同甲第３号証）
刊行物４：特開平５−２１００１４号公報（同甲第４号証）
刊行物５：特開平５−２２４３９６号公報（同甲第５号証）
（２）取消理由２
　本件請求項１〜６に係る発明（本件発明１〜４）は、下記の刊行物６〜１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
記
刊行物６：特開平４−５２２８６号公報（異議申立人辻幸子の提出した甲第１号証）
刊行物７：特開平４−２２９２１１号公報（同甲第２号証）
刊行物８：特開平６−９９３１５号公報（同甲第３号証）
刊行物９：特開平１−１３５０４６号公報（同甲第４号証）
刊行物１０：特開平７−２２７３２号公報（同甲第５号証）
刊行物１１：特開平６−２５０１８２号公報（同甲第６号証）
刊行物１２：特開平２−２９７４０９号公報（同甲第７号証）
（３）取消理由３
　本件請求項１〜６に係る発明（本件発明１〜４）は、下記の点で特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない明細書に基づいて特許されたものである。
記
　厚さ５〜５０μｍのフォトレジスト層を用いてスタンパを得る工程について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　
３−３．甲各号証の記載事項
　上記取消理由通知で通知した刊行物のうち、下記に示す文献を主な引用例として、以下検討する。
３−３−１．刊行物１
　刊行物１：特開平６−１１８２４５号公報には、「導光板の製造方法」と題して、下記のことが記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】面状光源用導光板を金型を用いて製造する方法において、透明合成樹脂板の一面に設計、刻設した調光パターンを直接転写して得られる金型を用いることを特徴とする導光板の製造方法。
【０００１】【産業上の利用分野】本発明は線状光源から光を導入し、広い面積にわたり均一に光を放出するエッジライト型面状光源装置に使われる導光板の製造方法に関し、特に金型を用いる導光板の製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】エッジライト型面状光源は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、光拡散板１の下に導光板２、その下に反射板３を設け、リフレクタ４に囲まれた線状光源５の放射光を導光板の一端縁より導入し、光拡散板１の側から均一に放出、すなわち面状光源の発光面の輝度分布を均一にするものである。
【０００３】従来均一の輝度分布を得る手段としては、（１）導光板の表面に光散乱物質を塗着する方法（特開昭６３−６２１０４号公報、特開平１−１０７４０６号公報、特開平１−２４５２２０号公報、特開平２−１６０２１５号公報）、（２）導光板の裏面を粗面化する方法（特公昭５８−１７９５７号公報）、（３）導光板の裏面をヘアライン状に粗面加工する方法（実公昭５８−２５４０５号公報）、（４）導光板の裏面を特殊な曲面形状に形成する方法（特開昭６３−２０８００１号公報）、（５）断面が楔形をなす導光板の裏面にフレネル形状面を形成する方法（特開昭６４−１１２０３号公報）等にみられるように、導光板の表面に光散乱物質を塗着する（１）の方法と、裏面にミクロまたはマクロな凹凸処理を施した調光パターンを設ける（２）〜（５）の方法の２種に大別でき、一部はすでに実用化されている。
【０００４】導光板の表面より均一に光を放出させるためには、前者では例えばその塗着面積を、後者では凹凸処理した調光パターンの形状、大きさ、密度、粗さ等を、線状光源からの距離に応じて適宜変化させる工夫が一般になされている。特に、後者の方法は近年の導光板市場の拡大にともない、例えば透明合成樹脂の射出成形によるような生産性に富む製造方法が多用されている。従来は、必要な調光パターンを設計し、これを忠実に金型表面に機械加工して再現し、この金型を用いて所望の導光板を射出、成形していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら全表面にわたって均一な輝度を要求される導光板では、綿密な調光パターンの設計とこれに忠実にしたがった金型表面の微細かつ正確な機械加工が不可欠である。調光パターンの設計は、光路設計に基づくコンピューターによるシミュレーションやモックアップ等の製作により経験的に求めることができるが、いずれの場合も、まず透明合成樹脂板を設計どおりに切削等により加工してサンプルを試作し、この調光パターンに微修正作業を繰り返しながら、最終的に導光板表面の輝度分布のより高い均一性を有する調光パターンを得なければならない。
【０００６】従来はこのようにして得られた試作導光板の調光パターンを、金型に機械加工して再現し、これを用いて射出成形などの方法により導光板を製作していたが、屈折、（全）反射、散乱などの光の挙動が導光板表面の状態によって非常に敏感に変化するため、微修正を繰り返して得た導光板の調光パターンと、金型に機械加工した調光パターンとの間のミクロ、マクロにわたる形状、表面状態などの僅かな相違により、製作された導光板の特性は初めに設計したとおりにはならないのが通常である。」
　
３−３−２．刊行物２
　刊行物２：特公平６−８８２５４号公報は、「光ディスクやホログラムディスク等を樹脂成形等で量産する場合に用いられる微細パターン複製用金型の製作方法に関するもの」であって、下記のことが記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】シリコン基板上に感光性材料であるフォトレジストを塗布し、このフォトレジストのパターンを形成し、このフォトレジストのパターンをこのフォトレジストの耐熱温度以上で加熱し、上記フォトレジストのパターンの側壁が断面において先端に至るに従い次第に狭くなるような傾斜を持つように変形させて複製用金型の原盤を製作し、この原盤の表面に導体膜を形成し、この導体膜上よりニッケル電鋳を行ない、抜き勾配の溝を持つ金型を製作することを特徴とする微細パターン複製用金型の製作方法。
【請求項２】複製用金型の原盤を製作する工程として、シリコン基板上に感光性材料であるフォトレジストを塗布し、このフォトレジストのパターンを形成し、このフォトレジストのパターンをこのフォトレジストの耐熱温度以上で加熱し、上記フォトレジストのパターンの側壁が断面において先端に至るに従い次第に狭くなるような傾斜を持つように変形させ、このフォトレジストのパターンをマスクにしてリアクティブイオンエッチング、若しくはイオンミーリングによりシリコン基板を上記フォトレジストのパターンの傾斜状態を延長するように所定深さまで加工し、加工後、上記フォトレジストのパターンを除去することを特徴とする請求項１記載の微細パターン複製用金型の製作方法。
【請求項３】フォトレジストのパターンをフォトマスク上のパターンの露光、現像により形成する請求項１または２記載の微細パターン複製用金型の製作方法。
【請求項４】フォトレジストのパターンを電子ビーム等で描画し、現像して形成する請求項１または２記載の微細パターン複製用金型の製作方法。
【請求項５】複製金型の原盤の表面にニッケル薄膜を形成して導体化する請求項１、３、４のいずれかに記載の微細パターン複製用金型の製作方法。」
「従来の技術
　従来のこの種の微細パターン複製用金型の製作方法について第３図を参照しながら説明する。同図（ａ）、（ｂ）に示すようにまず、シリコン（Ｓｉ）、若しくはガラスからなる基板１上にフォトレジスト（ポジタイプ）２を塗布して乾燥する。次に同図（ｃ）に示すようにフォトマスク３のパターン３ａを紫外線４によりフォトレジスト２に露光し、次に同図（ｄ）に示すようにフォトレジスト２の現像を行ない、フォトレジスト２のパターンを形成する。次に同図（ｅ）に示すように基板１およびフォトレジスト２のパターン上にニッケル（Ｎｉ）薄膜６を形成して表面を導体化し、次に同図（ｆ）に示すようにニッケル（Ｎｉ）電鋳を行ない、ニッケル（Ｎｉ）金型７を形成する。その後、同図（ｇ）に示すように基板１およびフォトレジスト２のパターンを剥離することにより、複製用のニッケル金型７を製作することができる。」（３欄１３〜２８行）
「まず、本発明の第１の実施例について説明する。第１図（ａ）ないし（ｈ）は本発明の第１の実施例における微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図（（ｄ）、（ｅ）は一部拡大断面図）である。
第１図（ａ）に示すようにシリコン（Ｓｉ）基板１の上に感光性材料であるフォトレジスト２を塗布して乾燥させる。次に第１図（ｂ）に示すようにフォトマスク３のパターン３ａを介して紫外線４によりフォトレジスト２を露光する。次に第１図（ｃ）に示すようにフォトレジスト２の現像を行ない、シリコン基板１上にフォトレジスト２のパターンを形成する。次に第１図（ｄ）に示すようにフォトレジスト２の耐熱温度（１５０℃）以上で５のように加熱（ベーキング）し、第１図（ｅ）に示すようにフォトレジスト２のパターンにおける側壁が断面において先端に至るに従い次第に狭くなるような傾斜を持つように変形させて複製用金型の原盤を製作する。次に第１図Ｒ＞図（ｆ）に示すように原盤である基板１およびフォトレジスト２のパターン上にニッケル（Ｎｉ）薄膜６を形成して表面を導体化し、第１図（ｇ）に示すようにニッケル薄膜６上よりニッケル（Ｎｉ）電鋳を行ない、ニッケル（Ｎｉ）金型７を形成する。」（４欄２８〜４８行）
　
３−３−３．刊行物３
　刊行物３：特開平７−３２３４２８号公報は、「光学シート製造用スタンパーおよびそれを用いた光学シートの製造方法」と題して、下記のことが記載されている。
「【請求項１】基体上に加熱流動性フォトレジスト材料により形成された斑点または縞模様の立体パターン（レジスト層）を、加熱流動化することにより曲面化し、この表面に、導電性金属を被覆し、更にこの上に電鋳により金属層を形成した後、該金属層を分離して得られたことを特徴とする金属製の光学シート製造用スタンパー。」
「【発明の詳細な説明】【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学シート製造用スタンパーおよびそれを用いた光学シートの製造方法に関する。」
「【００１３】スタンパーの製造を図１を参照して説明する。図１における（ａ）〜（ｉ）により、本発明のスタンパーの製造工程例が示される。
【００１４】（ａ）基体１は、たとえばシリコンウエハ、ガラス板または金属板のようなフォトレジスト形成用溶液を塗布するためのベースである。
【００１５】（ｂ）シリコン単結晶板やガラス板のような基体１上にネガ型またはポジ型のフォトレジスト形成用溶液を斑点状または縞状に塗布してフォトレジスト形成用層２を形成した（レジスト塗布工程）。
【００１６】（ｃ）ガラス板４の上にクロム膜などの遮光層３を有するフォトマスク５を、前記（ｂ）のレジスト形成用層２の上に置き、矢印のように紫外線あるいは電子線などの活性光線を照射する（露光工程）。前記遮光層は、径（図２のａに相当する。）または幅（図４のｂに相当する。）が０．１〜１００μｍ、好ましくは０．１〜５０μｍ、更に好ましくは０．１〜２０μｍの斑点（形状は、正方形、長方形、円形、楕円形など任意）または縞状のパターンとする。径または幅が細かいほど輝度の面内均一性が向上するので、最大でも１００μｍ、好ましくは５０μｍ、更に好ましくは２０μｍ以下がよい。
【００１７】（ｄ）前記フォトレジスト形成用材料としてポジ型のものを使用したので、光の当った個所を現像により溶出した。光が当らなかった部分はそのまま残り、レジスト層２’となった（現像、リンス工程）。レジスト層の厚みは０．１〜１００μｍが好ましい。なお、ネガ型のものを用いれば、光が当った部分が残存する。現像液は、使用するレジスト材料によって選択される。
【００１８】（ｅ）レジスト層２’が熱流動する温度に加熱すると、レジスト層２’が溶融し、その表面張力によりレジスト層２’は図に示すように凸状またはかまぼこ状（山脈状）に凸出し、上に凸のレンズ形状の群（マイクロレンズアレイの形状）または断面が上に凸の曲線を有する立体縞（バー状レンズアレイの形状）のパターンが形成される（加熱凸状化工程）。加熱の温度は、レジスト層の形成材料に依存するが、通常１００〜２００℃である。
【００１９】（ｆ）冷却後、前記マイクロレンズアレイの形状２’またはバー状レンズアレイの形状２’の表面を銀、ニッケル等の導電性金属を蒸着、スパッタリング等の成膜法により被覆し、導電性金属層６を形成する（成膜工程）。導電性金属層６の厚さは通常０．０１〜１μｍである。
【００２０】（ｇ）前記導電性金属層６の上に、電鋳により、ニッケル、銅などの金属層７を形成する（電鋳工程）。金属層の厚さは通常０．０１〜５０ｍｍであるが、これに限定されるものではない。
【００２１】（ｈ）レジスト層２’をもつ基体１と、導電性金属層６／電鋳金属層７よりなる積層体とを剥離する（剥離工程）。剥離手段に制限はなく、手でも剥離することができる。」
　
３−３−４．刊行物４
　刊行物４：特開平５−２１００１４号公報には、「液晶バックライト用導光板とこれを成形する金型」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】透明板の側端面に１次光源を配置し、該透明板の一面を光放散面とし、これに対向する他の面を光反射面としてなる液晶バックライト用の導光板において、光放散面又は光反射面のいずれか一方に１次光源から遠くなるに従い拡大する突起を多数凸設し、該突起の先端表面及び／又はこの突起形成面の突起以外の表面を粗面化してなる導光板を金型成形法により形成したことを特徴とする液晶バックライト用導光板。」
「【発明の詳細な説明】【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は一定面積を均一な輝度で照射する液晶（ＬＣＤ）バックライト用導光板とこれを成形するための金型に関する。」
「【０００５】即ち本発明導光板は、透明板の側端面に１次光源を配置し、該透明板の一面を光放散面とし、これに対向する他の面を光反射面としてなる液晶バックライト用の導光板において、光放散面又は光反射面のいずれか一方に１次光源から遠くなるに従い拡大する突起を多数凸設し、該突起の先端表面及び／又はこの突起形成面の突起以外の表面を粗面化してなる導光板を金型成形法により形成したことを特徴とするものである。」
「【００１０】また上記粗面化は、対応する成形金型の内面に、（１）薬品によるシボ加工、（２）エッチング加工、（３）放電加工、（４）切削加工、（５）ブラスト加工、（６）その他のシボ加工等を施すことにより容易に実施できる。」
「【００２１】（実施例３）図１３及び図１４に示すように光反射面に図１５に示すような方形のドットであって、光源（２）設置側から遠ざかるにつれて次第に拡大する突起（１２）を形成し、さらに該突起の先端表面を粗面化表面（７）とし、光放散面を鏡面に形成した導光板（３）をアクリル樹脂で金型成形により製作した。そして光反射面には反射シート（４）を配設し、光放散面には拡散シート（５）を配設した。」
　
３−３−５．刊行物５
　刊行物５：特開平５−２２４３９６号公報には、「フォトマスク」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
「【０００１】【産業上の利用分野】この発明は、感光性樹脂のような被加工部材上に、光照射により格子状などの所定のパターンを転写する場合において、上記被加工部材の表面側に配置して使用されるフォトマスクに関するものである。
【０００２】【従来の技術】図４は、従来のフォトマスクを使用して、被加工部材の一例である感光性樹脂に所定のパターンを転写する方法を示す概略図である。同図において、１は従来から用いられているフォトマスクであり、石英などの透明基板２上にクロムなどの光不透過性物質で、例えば１８０μｍピッチの格子パターン３を描いて作製されている。４は例えば特願平１−１３２２８６号に記載された組成物からなる感光性樹脂で、ガラス基板５上にスピンコート法で約３μｍの膜厚に調整されている。
【０００３】上記感光性樹脂４の上部に適当な間隔Ｌを置いて上記フォトマスク１を配置した状態で、図示しない超高圧水銀ランプから発射された光を平行光線ａとしたのち、その平行光線ａを上記フォトマスク１を介して上記感光性樹脂４に照射することにより、上記格子パターン３を感光性樹脂４に転写する。
【０００４】【発明が解決しようとする課題】上記した従来のフォトマスクにおいては、パターン３がクロムなどの光不透過性物質から作製されているので、その光不透過部分に照射された光線ａは露光に利用されず、光の利用効率が悪く、露光時間が長くなる。また、希望する正弦波状のパターンを転写させるためには、照射した光の回折、散乱を利用し、フォトマスク１と感光性樹脂４との間隔Ｌを精密にコントロールする必要がある。因みに、試作テストを繰り返しおこない、最終的に上記間隔Ｌを９０μｍ、照射時間を１０分に設定して照射した結果、段差が０．５μｍの台形波状のパターンが得られ、上記間隔Ｌ、照射時間、感光性樹脂４の膜厚などの条件変更のみでは所望の正弦波状のパターンを得ることができないことが判った。」
　
３−３−６．刊行物６
　刊行物６：特開平４−５２２８６号公報には、「導光板の形成方法」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
「第１図は本発明の実施例の工程を示す。まず所定のパターン形状を透明又は半透明のストリッピングフィルムに作図し、写真工程により原版を作成する。一方キャビティ部を構成する部材を脱脂、酸洗い等の後に水洗いを行なう前処理を行なった後にフォトレジスト（感光液）に漬ける。この金型部材に原板を重ね露光を行なう。続いて現象処理しフォトレジスト層にパターン像を形成する。更にエッチング処理を行ない、パターン状にフォトレジスト層の除去された面を形成する。これにブラストその他の方法で梨地加工を行なった後にフォトレジスト層を剥離すればキャビティ内の金型部材の表面に所望のパターン状に梨地面を有する金型が得られる。」（２頁右上欄８行〜同頁左下欄１行）
　
３−３−７．刊行物７
　刊行物７：特開平４−２２９２１１号公報には、「スタンパの製造方法」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
「【０００１】【産業上の利用分野】この発明は、スタンパの製造方法に関する。ことに光ディスク用プラスチック基板の作製に用いられる。・・・
【０００８】そこで上述した問題点を解決するために、マスター原盤としてガラス基板に凹凸パターンをスパッタエッチングやイオンエッチング、プラズマエッチングにて直接形成したものが用いられている。図３はこの種のスタンパの一般的な製造方法を示したものである。まず図３（ａ）〜（ｃ）に示すようにガラス基板１にフォトレジスト２を塗布し、レーザー光７によってカッティングを行った後これを現像して所望の形状のレジストパターン２ａを形成する。次に図３（ｄ）〜（ｅ）に示すようにレジストパターン２ａをマスクにしてガラス基板１をスパッタエッチングやイオンエッチング、プラズマエッチング等の手段で所定パターンにエッチングし、フォトレジストを除去した後マスター原盤を得る。さらに図３（ｆ）〜（ｇ）に示すように所定パターンにエッチングされたガラス基板１上にスパッタリング、蒸着等の方法でニッケル導電膜４を形成し、電鋳処理を行ってニッケルの電鋳膜５を所望の厚さで形成する。その後ガラス基板１からニッケルの電鋳膜５を剥離して図３（ｈ）のようなスタンパ６とする。」
　
３−３−８．刊行物８
　刊行物８：特開平６−９９３１５号公報には、「導光体成形用金型の加工法」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
ａ．「【０００３】一般に導光体の下面１ｄには、前記入射光の透過や反射を制御するための処理が施されており、これによって出射面１ｅに向かう光量を調整して、出射面１ｅから出射される光量が出射面１ｅ全体で均一になるようにしている。」
ｂ．「【００１１】また、しぼ部は、しぼの深さが１０μｍ〜４０μｍ、ピッチが３０μｍ〜１００μｍの範囲内としたときが、導光体のしぼ部の真上付近に当たる出射面上で、最も光の出射量が多いことが、実験により判明した。しぼのピッチが上記の範囲よりあまり狭すぎたり広すぎたり、あるいは、しぼの深さが上記の範囲よりあまり深かったり浅かったりすると、しぼ部の真上付近に当たる出射面上での光の出射量が低下してしまった。」
ｃ．「【００１３】【実施例】図１は、本考案にかかる導光体の下面の一例を示す底面図である。１ａは、面粗度が０．５μｍ以下の鏡面部、斜線部１ｂは、しぼの深さが１０μｍ〜４０μｍ、ピッチが３０μｍ〜１００μｍの範囲内のいずれかの値であるしぼを施したしぼ部である。上記の導光体は、アクリル樹脂を金型を用いて成形によって作る。上記金型の加工方法は、まずサンドブラストなどの方法で、導光体の下面を成形する面全体を一度にしぼ加工を施す。」
　
３−３−９．刊行物９
　刊行物９：特開平１−１３５０４６号公報　には、「電子部品における外部電極の形成方法」と題して下記のことが記載されている。
ａ．「電子部品の接続用電極形成面に比較的粘度の高いフォトレジスト液を滴下したうえ、前記電子部品をスピニングしてフォトレジスト液を一様な所定の厚さに拡布してフォトレジスト膜を形成し、」（２頁右上欄１４行から１８行）
ｂ．「最上部に位置する金薄膜７上にディスペンサ８によりフォトレジスト液９ａを滴下する。このフォトレジスト液９ａは粘度が数百〜千数百ｃｐｓ（センチポイズ）で、通常のフォトレジストよりも数倍〜数十倍高いもの（例えば、東京応用化学工業（株）製のＢＭＲ−１０００）を使用する。この後、シリコンウエハ１を回転させて、滴下されたフォトレジスト液９ａをスピンコーティングし、第１図（Ｂ）および第２図（Ｂ）に示すように、シリコンウエハ１上の金薄膜７の表面にフォトレジスト膜９ｂを形成する。この場合の回転速度は、初期が数百ｒｐｍで、途中が千数百ｒｐｍで、最後が最初とほぼ同じ数百ｒｐｍの３段階に制御される。この実施例ではフォトレジスト膜９ｂの厚さが後述する金バンプ１０の高さよりも厚い３０μｍ程度となるように回転速度が３段階に選択される。このようにして、フォトレジスト膜９ｂが所定の厚さ（約３０μｍ程度）に形成された後は、」（３頁左上欄１９行〜同頁右上欄１８行）
　
３−３−１０．刊行物１０
　刊行物１０：特開平７−２２７３２号公報には、「微細配線の形成方法」と題して下記のことが記載されている。
「【００２４】前記セラミックス基板上にフォトレジスト層を形成する方法としては、例えばドライフィルムレジスト膜を前記セラミックス基板上に熱圧着する方法や液状フォトレジストを複数回セラミックス基板表面に塗布する方法等が挙げられる。
【００２５】前記方法のなかでは、厚さが２５〜５０μｍのドライフィルムレジスト膜を加熱ラミネート法等にて熱圧着させる方法が簡単な方法であり好ましい。前記液状フォトレジストを使用する方法では、一回の塗布で形成できる膜厚は１０μｍ以下であるため、２５〜５０μｍの厚さのフォトフォトレジスト層を形成するには工数がかかり、余り好ましい方法とは言えない。」
　
３−３−１１．刊行物１１
　刊行物１１：特開平６−２５０１８２号公報には、「面光源装置用プリズムシート」と題して下記のことが記載されている。
「【００１２】図１は本発明の第１の実施例を示す図で、面光源装置等と組み合わせた状態で、その一部を拡大して示してある。１はプリズムシート、３は面光源装置本体で、例えば図に示すような導光体式面光源装置等である。４は液晶表示装置で、いずれも一部分のみを示してある。本発明では、図１の構成において、そのうちのプリズムシート１のプリズム状の凸部１ａの表面にシボ２を形成したもので、これによってこのプリズムシート１のプリズム状の凸部２の配列および、液晶表示装置４のバスラインに関係なく、縞模様が生ずることがまったくない。ここでシボ面の面粗度は、１０μｍ以下であることが望ましい。」
　
３−３−１２．刊行物１２
　刊行物１２：特開平２−２９７４０９号公報には、「微細パターン複製用金型の製作方法」と題して下記のことが記載されている。
「第１図（ａ）に示すようにシリコン（Ｓｉ）基板１の上に感光性材料であるフォトレジスト２を塗布して乾燥させる。次に第１図（ｂ）に示すようにフォトマスク３のパターン３ａを介して紫外線４によりフォトレジスト２を露光する。次に第１図（ｃ）に示すようにフォトレジスト２の現像を行ない、シリコン基板１上にフォトレジスト２のパターンを形成する。次に第１図（ｄ）に示すようにフォトレジスト２の耐熱温度（１５０℃）以上で５のように加熱（ベーキング）し、第１図（ｅ）に示すようにフォトレジスト２のパターンにおける側壁が断面において先端に至るに従い次第に狭くなるような傾斜を持つように変形させて複製用金型の原盤を製作する。」（３頁左上欄５〜１８行）
　
３−３−１３．刊行物１３
　技術説明において合議体が提示した刊行物１３：特開平３−１９８００３号公報には、「マイクロレンズアレイの製造方法」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
ａ．「基板上にマイクロレンズの曲率半径を得るに十分なかなり厚めのフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト表面に前記マイクロレンズの寸法に見合った円形部がアレイ状に並んだフォトマスクを密着させて露光を行い、この露光後にフォトレジストの現像を行いアレイ状に並んだ円柱状のフォトレジストを作製し、この円柱状のフォトレジストのベーキングを行い表面がレンズ球面を有するフォトレジストを作製し、このフォトレジストの前記レンズ球面上にスパッタを行いニッケル膜を形成し、このニッケル膜表面の電鋳を行いこれに十分な厚みをもたせ、この十分な厚みをもったニッケル膜に裏打ち台を接着させ反対側に位置する前記基板を剥離した後前記フォトレジストの除去を行いレンズ球面を有するスタンパを作製し、このレンズ球面を有するスタンパの表面に感光性樹脂モノマーを滴下しこの上部より透明板を密着させた状態で紫外線露光を行い前記感光性樹脂モノマーを重合させ、その後、前記スタンパから前記透明板を剥離することによりマイクロレンズアレイを作製するようにした。」（２頁右上欄１３行から左下欄１５行）
ｂ．「フォトレジストの厚さ、フォトマスクの形状、露光量、ベーキング条件を変化させることによって、種々のレンズ球面を有するフォトレジスト及びスタンパを作製することができ、これにより再現性よくマイクロレンズを得ることができると共に、設計の自由度を高くとることができ、」（２頁左下欄１７行から右下欄４行）
ｃ．「基板としてのガラス基板４上にマイクロレンズの曲率半径を考慮したかなり厚めのフォトレジスト５を塗布する。この場合、レジスト厚を一定とするために、スピンコートを複数回行って塗布するようにする。」（２頁右下欄１２〜１６行）
ｄ．「次に、工程ｃでは、その露光後にフォトレジスト５の現像を行うことによって、アレイ状に並んだ円柱状のフォトレジスト５を作製することができる。次に、工程ｄでは、この円柱状のフォトレジスト５の表面のベーキングを行う。これにより、その円柱形状がくずれてレンズ球面を有するフォトレジスト５を作製することができる。この場合、温度、時間等を制御すれば任意の球面を得ることができる。次に、工程ｅでは、そのフォトレジスト５のレンズ球面上にニッケル（Ｎｉ）膜８を約５００Åだけスパッタする。」（３頁左上欄４〜１６行）
　
３−３−１４．刊行物１４
　技術説明において合議体が提示した刊行物１４：特開平５−４５６５２号公報には、「面状光源装置およびその製法」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等のバックライトなどに好適な面状光源装置およびその製法に関する。
【０００２】【従来の技術】従来、このような面状光源装置として、・・・ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂などの透光性材料からなり、その一側面端部が光入射部１とされた透光板２と、・・・透光板２の表面に貼り合わされた乳色半透明のポリエチレンテレフタレートフィルムなどの散乱板４と、透光板２の裏面に設けられた光拡散体５と、この光拡散体５上に設けられ、この光拡散体５から延びて光源３を包囲するアルミニウム鏡面板などからなる反射板６とから構成されている。
【０００３】上記光拡散体５は、図１０に示すように、多数の小径から大径にいたるドット７…を分散したものからなり、透光板２の光入射部１に近い部分には小径（約３００μｍ程度）のドット７…が配され、光入射部１から離れるにしたがって、径が順次大きくされたドット７…が列状に複数列配置されている。
【０００４】これらのドット７…の形成は、２５〜３００μｍの深さ又は高さを必要とするために、印刷法では、複数回にわたって重ね塗りを必要とし、製造コストが高くなり、精度も得られない。したがって、通常これらの形成は射出成形法により、凸部を持った透光板２を成形するかもしくはアクリル樹脂板等をエンボス加工するなどの方法で行われている。」、
「【００１１】図１および図２は、・・・符号１１は透光性材料からなる透光板である。・・・透光板１１の裏面には、多数の微小凹部１４又は微小凸部１４’…が形成されている。
【００１２】この微小凹部１４又は微小凸部１４’…は、図２に示すようにその平面形状が楕円となっており、・・・深さ又は高さが５〜１０００μｍ程度とされるが、この範囲に限定されることはなく、透光板１１の寸法や用途等によって適宜変更することができる。
【００１３】このような多数の微小凹部１４又は微小凸部１４’…は、透明ドライフィルムレジストを用い、これの光硬化物で形成される。」、
「【００２５】そして、本発明では光散乱体となる微小凹部１４又は微小凸部１４’…を透明ドライフィルムレジストの光硬化物から構成するため、・・・形状、位置等を極めて正確に高い再現性と精度で形成することができる。・・・
【００２８】【実施例】（実施例１）厚さ８０μｍのアクリル樹脂系の無色透明ドライフィルムレジストを用意した。・・・
【００３０】・・・深さは８０μｍであった。・・・
【００３２】（実施例２）・・・高さは８０μｍであった。」
　
３−３−１５．刊行物１５
　技術説明において合議体が提示した刊行物１５：特開平４−１５７４０３号公報には、「光導波路およびその製造方法」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
「〔実施例〕・・・レジスト塗布工程として、第１図（ａ）に示すように、まず、シリコンウエハ又はガラスからなる平板２１の片側の表面に、スピンコート法によって、フォトレジスト２２を塗布する。フォトレジスト２２の材料としては、厚膜ポジタイプフォトレジスト（商品名ＰＭＥＲ　　Ｐ−Ｇ７９００、東京応化工業社製）を用いる。スピンコート法は１５００ｒｐｍで２０秒間行う。・・・前記フォトレジスト２２を塗布した面の上にさらにスピンコート法によって、フォトレジスト２２を重ね塗りする。・・・層厚３０μｍのフォトレジスト２２の層が形成される。」
　
３−３−１６．刊行物１６
　技術説明において合議体が提示した刊行物１６：特開平７−１０４１０６号公報には、「非球面マイクロレンズアレイの製造方法」と題して、おおよそ下記のことが記載されている。
「【００１５】【実施例】以下に図１にしたがって本発明の実施例を示す。洗浄された厚さ０．５ｍｍの単結晶シリコン基板表面に、ポジ型フォトレジストをスピン法で厚さ１５μｍ塗布した（Ａ）。また、直径２４０μｍの円形遮光部が縦・横にそれぞれ２５０μｍの間隔で１８×１８個形成されたフォトマスクを用意し、上記シリコン基板の上に密着させて水銀ランプ下でフォトレジストを露光し、現像液で感光された部分のフォトレジストを除去することにより、上記フォトマスク上の円形遮光部とほとんど同じ径を有する円板形状のレジスト層を形成する（Ｂ）。
【００１６】次に、上記シリコン基板を２６０℃で１５分間ベーキングしたところ、円板状のレジスト層は曲率半径が４００μｍの球面となった（Ｃ）。これをマスクとして、ＣＦ４ガスとＯ２ガスを含む雰囲気中でレジスト層が無くなるまでドライエッチングを行ったところ（Ｄ）、シリコン基板表面に、中心部の曲率半径が１６０μｍの非球面形状を有する母型が形成された（Ｅ）。
【００１７】・・・こうしてできたシリコン基板母型にＮｉ蒸着膜を形成し、さらに電気メッキ法で１ｍｍ厚のＮｉメッキを施した後、Ｎｉを母型から剥がし、１ｍｍ厚のＮｉ製金型を作製する。
【００１８】この金型表面に蒸着法でＰｔを被覆し、シート状の鉛ガラス・・・を・・・プレスして、・・・ガラス板を作製した。
【００１９】このガラス板の片面には凸状の微細なレンズが・・・形成されている。」
　
３−４．対比・判断　
（１）請求項１について
　本件発明１と刊行物８に記載された発明とを対比する。
　刊行物８において、導光体は、アクリル樹脂を金型を用いて成形によって作るのであるから、刊行物８の「金型」は、本件発明の「スタンパー」に相当する。
　そして、刊行物８の「しぼ」は、段落【０００４】にあるように、入射光の透過や反射を制御するために設けられるものであること、明細書全体の記載、及び、“広辞苑　第四版”岩波書店（１９９１年）の１１７３頁に、しぼ（皺）の説明として、「１．織物の糸の撚り方の具合で、織物の表面にあらわれた凹凸。また、革や紙に加工した皺のような凹凸。２．烏帽子の肌に作りなす皺。」と記載されていることから、刊行物８の「しぼ」は、「偏向要素を形成するための微小な凹凸断面形状」に相当する。
　したがって刊行物８には、本件発明の用語を用いると、「偏向要素を形成するための微小な凹凸断面形状の表面を持つスタンパーを作製し、該スタンパーを使用して成形することにより導光体を得る導光体の製造方法」が記載されており、本件発明１とはこの点で一致し、次の点で相違する。
＜相違点＞
　本件発明１では、「平坦な基材に粘度が２００〜１２００ｃｐｓの範囲にあるポジ型フォトレジストを用いてスピンコートすることによって５〜２０μｍの厚さのフォトレジスト層を形成する工程、フォトレジストを露光する工程、露光されたフォトレジストを現像する工程、フォトレジストの表面を導電化する工程および電鋳工程を含む方法で、フォトレジスト層の厚さにより決定される高さを有する偏向要素を形成するための微細な凹凸断面形状の表面を持つスタンパーを作製する」のに対し、刊行物８では、上記スタンパーの作製について記載がない点。
　
　上記相違点について判断する。
　刊行物１３には、平坦な基材にフォトレジスト層を形成する工程、フォトレジストを露光する工程、露光されたフォトレジストを現像する工程、フォトレジストの表面を導電化する工程および電鋳工程を含む方法で、マイクロレンズを形成するための微細な凹凸断面形状の表面を持つスタンパーを作製する方法が記載されている。（上記３−３−１３参照）
　また、刊行物１３に「基板４上にマイクロレンズの曲率半径を考慮したかなり厚めのフォトレジスト５を塗布する。この場合、レジスト厚を一定とするために、スピンコートを複数回行って塗布するようにする。」、「フォトレジストの厚さ、フォトマスクの形状、露光量、ベーキング条件を変化させることによって、種々のレンズ球面を有するフォトレジスト及びスタンパを作成することができ、」と記載されており、該記載と上記作製方法を勘案すると、上記凹凸断面形状の高さはフォトレジスト層の厚さにより決定されるものであることが明らかであって、刊行物１３では、「かなり厚め」と表現され、スピンコートを複数回行って塗布されていることを当時の技術常識に照らして考えると、刊行物１３のレジスト膜は数μｍ〜数十μｍ程度の厚さであると考えられる。
　しかしながら、刊行物１３を適用しようとする刊行物８は、元々フォトレジストを用いてスタンパーを形成しようとするものでもなければ、粘度が２００〜１２００ｃｐｓの範囲にあるポジ型フォトレジストを用いてスピンコートするものでもなく、またその厚さを５〜２０μｍとするものでもない。
　さらに、刊行物９（上記３−３−９参照）に、スピンコートすることによって３０μｍ程度のフォトレジスト層を形成するにあたり、粘度が数百〜千数百ｃｐｓの範囲にあるフォトレジストを用いることが記載されているとしても、本件発明のものは、フォトレジストの粘度を２００〜１２００ｃｐｓとすることにより５〜２０μｍの厚さのスタンパーを作成するものであって、数値範囲を異にするものであるから、刊行物９が知られているとしても、この点を容易と言うことはできない。
　
　上記相違点に関連して、その他の刊行物について言及すると、刊行物１ないし７及び刊行物９ないし１２及び刊行物１４ないし１６に、「３−３．甲各号証の記載事項」に示した記載事項が記載されているとしても、刊行物８に導光体の凹凸をサンドブラストなどの機械加工により形成した金型を用いた成形によって作ることが記載されているのみであり、仮にこれを刊行物１３のような凹凸を形成したフォトレジストの表面を導電化し電鋳する方法でスタンパーを作製しマイクロレンズを形成する技術を適用したにしても、本件発明は、さらに、微細な凹凸を形成するに適切なフォトレジストを選択し、またバックライトとして均斉度を有する微小な凹凸断面を所定の高さ（具体的には５〜２０μｍ）で形成する時に、凹凸の粘度をどの範囲に設定すればよいか（２００〜１２００ｃｐｓ）を規定したものであると理解され、そのときに個々の事項が各刊行物を含む多数の刊行物に記載されているとしても、それらの刊行物の中から本件発明１に合うような適切な条件を選択して本件発明１を構成することは容易とはいえないものである。また同様に、どの文献を主引用例として対比したとしても、その相違点を他の文献から容易と言うことはできない。
　そして、本件発明１は上記相違点を含む構成により本願明細書に記載の作用効果を奏する。
　したがって、本件発明１は、刊行物８を初めとする上記刊行物に記載された発明及び周知技術から当業者が容易になし得たということはできない。
　
　なお、申立人済藤隆義は、上申書において、フォトレジスト層の数値限定について、特許権者はフォトレジスト層の厚さを「５〜２０μｍ」に限定したが、国内優先の基礎出願のいずれにも上記数値の内、「５〜１０μｍ」については記載がなく、優先権主張の効果は及ばない、旨主張するが、国内優先にあたっては、基礎出願の出願日と現実の出願日の間に基礎出願に記載のない事項に関する文献等が存在する場合に問題になるのであって、本件発明１の場合に５〜１０μｍについて特別に記載した文献がその間に存在するわけではない。
　また、同申立人は、「５〜１０μｍ」についての根拠が明細書に無いから、特許法第３６条に違反するとも主張するが、本件発明１の実施例には、１０μｍのものが記載されているから、「５〜１０μｍ」について根拠がないとはいえないばかりでなく、本件発明１自身は「５〜２０μｍ」を規定するものであって、その範囲内の実施例として、１０，１２，２０μｍのものを実施例と見ることができるのであるから、特許請求の範囲の裏付けとなる実施例が無いとはいえない。
　さらに、特許明細書には、スピンコートするもので「５〜３０μｍ」及びドライフィルムレジストで「２０〜５０μｍ」の数値範囲が記載されており、審理の過程において、刊行物９に、粘度が数百〜千数百ｃｐｓのフォトレジスト液をスピンコートすることによって３０μｍ程度のフォトレジスト層を形成したことが記載されていること、及びドライフィルムレジストに関して特開平５−４５６５２号公報（刊行物１４、深さ又は高さが５〜１０００μｍ）があることを提示したところ、特許権者は、ドライフィルムレジストに関連する記載を削除（段落番号【００１０】，【００１１】）するとともに、刊行物９及び刊行物１４に対しても特許性を有するように、本件発明の実施例である２０μｍを上限とした範囲に減縮（２０より大きく５０μｍまでの範囲を削除）したものであって、刊行物の提示に伴い、刊行物の材料を除外するとともに、その材料と抵触しないような数値範囲にしたものであるから、その限定は根拠を有するとともに、新規事項とはいえない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を「【請求項２】予め上記微細な凹凸よりも小さい凹凸に粗面化された表面を持つ平坦な基材を用いてフォトレジスト層を形成する請求項１に記載の導光体の製造方法。」と限定するものであるが、「予め上記微細な凹凸よりも小さい凹凸に粗面化された表面を持つ平坦な基材を用いてフォトレジスト層を形成する」点については、刊行物４：特開平５−２１００１４号公報（済藤隆義の甲第４号証）、刊行物１１：特開平６−２５０１８２号公報（辻幸子の甲第６号証）のいずれにも記載されておらず、これは表現上の差異とも任意に設計し得る事項ともいえない。また、取消理由に挙げたその他の文献をみても、この点については記載されていない。
　そして、本件発明１自体も、上記刊行物に記載された発明及び周知技術から当業者が容易になし得るということはできないのであるから、本件発明１を限定した本件発明２も、上記刊行物に記載された発明及び周知技術から当業者が容易になし得たということはできない。
　
（３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１又は２を「【請求項３】基材に塗布されたフォトレジストをマスク露光方法により露光する際に、フォトマスクとフォトレジスト表面とを微小距離だけ離して露光する請求項１又は２に記載の導光体の製造方法。」と限定するものであるから、本件発明１又は２と同様の理由で、本件発明３は、上記刊行物に記載された発明及び周知技術から当業者が容易になし得たということはできない。
　
（４）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１ないし３のいずれかを「【請求項４】現像工程と表面導電化工程との間に加熱処理を加えて、フォトレジストの微細な凹凸断面形状を変形させる請求項１ないし３のいずれか一項に記載の導光体の製造方法。」と限定するものであるから、本件発明１ないし３と同様の理由で、本件発明４は、上記刊行物に記載された発明及び周知技術から当業者が容易になし得たということはできない。
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件の請求項１ないし４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月５日（２００５．７．５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
導光体の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】平坦な基材に粘度が２００〜１２００ｃｐｓの範囲にあるポジ型フォトレジストを用いてスピンコートすることによって５〜２０μｍの厚さのフォトレジスト層を形成する工程、フォトレジストを露光する工程、露光されたフォトレジストを現像する工程、フォトレジストの表面を導電化する工程および電鋳工程を含む方法で、前記フォトレジスト層の厚さにより決定される高さを有する偏向要素を形成するための微細な凹凸断面形状の表面を持つスタンパーを作製し、該スタンパーを使用して成形することにより導光体を得ることを特徴とする導光体の製造方法。
　【請求項２】予め上記微細な凹凸よりも小さい凹凸に粗面化された表面を持つ平坦な基材を用いてフォトレジスト層を形成する請求項１に記載の導光体の製造方法。
　【請求項３】基材に塗布されたフォトレジストをマスク露光方法により露光する際に、フォトマスクとフォトレジスト表面とを微小距離だけ離して露光する請求項１又は２に記載の導光体の製造方法。
　【請求項４】現像工程と表面導電化工程との間に加熱処理を加えて、フォトレジストの微細な凹凸断面形状を変形させる請求項１ないし３のいずれか一項に記載の導光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は液晶表示装置等に用いられるバックライト用の導光体を製造する方法に関するものであり、光を散乱または反射させる凹凸が表面に設けられた導光体を効率的に製造することができる方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶表示装置などに使用される面光源装置のバックライトに用いられる導光体は、一般に出射面とこれに対向する面とを有する。これらの面の少なくとも一つには、導光体を透過する光の角度または導光体で反射される光の角度を変える要素（以下、これを「偏向要素」という。導光体を透過する光を散乱させたり、光を反射させたりするものである点で、偏向要素を「散乱反射手段」ということもできる。）が設けられている。端面から導光体に入射した光は、出射面またはこれに対向する面でその方向を変えられて出射面から出射するか、これらの面で全反射されて導光体内を伝搬する。ここで、出射光の輝度が導光体の全面で均一になるように、偏向要素が分布する密度または偏向要素によって偏向される角度が決定されることが多い。
　【０００３】
　上記の偏向要素としては、▲１▼導光体表面に光を散乱または反射する物質が塗布されたもの、▲２▼導光体表面に光が散乱または反射されるような凹凸形状が設けられたもの、▲３▼導光体中に光拡散剤が含有されたものが挙げられる。ここで、▲１▼のタイプの導光体に関しては、光拡散剤を含む樹脂（塗料など）か、導光体の基材の材料とは異なる屈折率を有する樹脂を導光体表面に塗布することが一般的である。▲２▼のタイプの導光体に関しては、導光体表面を粗面化するもの、導光体表面に規則的な凹凸を設けるものなどがある。導光体表面に設けられた凹凸の平面形状としては、ライン状、ドット状などがあり、その断面形状としては矩形状、台形状、三角形状、円の一部のような形状などがある。▲３▼のタイプの導光体に関しては、導光体の基材の材料とは異なる屈折率を有する樹脂またはガラスの微小ビーズからなる光拡散剤を導光体の基材中に分散させたものが多い。なお、以下、本明細書において、導光体の出射面における輝度の分布を均一化する目的で、所定の関係式に従って分布密度に変化が与えられた偏向要素の集合を「偏向パターン」という。
　【０００４】
　ところで、▲１▼のタイプの導光体はスクリーン印刷法により製造することが一般的である。▲２▼のタイプの導光体はエッチング法、サンドブラスト法、機械加工法等により製造することが一般的である。また、機械加工法によって偏向要素を設けたスタンパーを用いて射出成形等することにより樹脂製の導光体を大量に複製することも多い。さらに、▲３▼のタイプの導光体は導光体の基材を構成する樹脂材料中にガラスビーズ等を混入させておき、この樹脂を用いて成形することにより製造することが一般的である。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　▲１▼のタイプの導光体の製造方法については、スクリーン印刷という製造方法の特性上、微細な形状の再現性が低く、１００ミクロン以下の幅またはピッチを有する微細な偏向要素を設けることが事実上不可能である（特開平３−６８９２３号公報を参照）。したがって、所定の関係式に従った分布密度を有する偏向要素を設けようとした場合、偏向要素のピッチの下限寸法が上記のように１００ミクロン以上であるという制限を受け、偏向要素のピッチの上限寸法が１ｍｍ以上になってしまうことがある。このとき、偏向要素のピッチが大きい部分では偏向パターン自体が明暗の模様として認識されてしまい、均質な照明光が得られなくなってしまう。また、偏向要素のピッチとプリズムシートのピッチまたは液晶表示装置の画素のピッチとが干渉してモアレが発生し、液晶表示装置の画質を低下させる可能性も大きくなる（特開平５−２５７１４４号公報または特開平５−３１３０１７号公報を参照）。すなわち、スクリーン印刷法により導光体の偏向パターンを作製しようとすると、所望の光学的な性能が得られないことがある。
　【０００６】
　また、▲２▼のタイプの導光体の製造方法については、機械加工法によって微細な偏向要素を高い精度で加工することは一般に困難であり、所望の光学的な性能が得られないことがある。射出成形法等による導光体の製造に用いるため、機械切削によりスタンパーに偏向パターンを加工する場合、加工工具の位置決め精度の限界や加工工具の摩耗などにより、設計通りの正確な形状の多数の微細な偏向要素を、所定の関係式に従った分布密度になるように設けることは困難である。特に、大面積の導光体であれば加工が非常に困難である。加工精度が低いと、設計値通りの偏向特性が得られず、バックライトの性能として第一に求められる高い輝度が得られないことがある。また、加工できる最小寸法値が大きいため、一つの偏向要素の大きさが数百ミクロン以上にならざるを得ない。しかし、一つの偏向要素の寸法が数百ミクロン以上になると、上記▲１▼のタイプの導光体の場合と同様に偏向パターンが輝度のムラになって見えるという不都合が生じる。
　【０００７】
　さらに、▲３▼のタイプの導光体の製造方法に関しては、所定の関係式に従った分布密度になるように偏向要素を設けようとしても、高い再現性で基材中に光拡散剤を分散させることは非常に困難であるという問題がある。
　【０００８】
　本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は出射光の分布が均一化されており大面積のバックライトに用いることが好適な導光体を、高い加工精度で効率的に製造する方法を提供することにある。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記の課題を解決する本発明の導光体の製造方法は、平坦な基材に粘度が２００〜１２００ｃｐｓの範囲にあるポジ型フォトレジストを用いてスピンコートすることによって５〜２０μｍの厚さのフォトレジスト層を形成する工程、フォトレジストを露光する工程、露光されたフォトレジストを現像する工程、フォトレジストの表面を導電化する工程および電鋳工程を含む方法で、前記フォトレジスト層の厚さにより決定される高さを有する偏向要素を形成するための微細な凹凸断面形状の表面を持つスタンパーを作製し、該スタンパーを使用して成形することにより導光体を得ることを特徴とする。
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　本発明の導光体の製造方法を図３を用いてより詳細に説明する。図３（ａ）における基材（１０）としては、表面を研磨するなどして平坦性を高めたガラス板や金属板が一般に用いられる。この基材の表面に図３（ａ）に示すようにフォトレジスト層（９）を形成する。
　【００１１】
　偏向要素の高さはフォトレジスト層の厚さで決定される。高い輝度を実現し、偏向パターンが明暗の模様として認識されることや、モアレの発生を防止するために、設計値通りの偏向要素の高さを得ることは重要である。しかし、ＬＤ、ＣＤなどの光ディスクにおけるピットの高さが０．１μｍ程度であるのに対して、偏向要素の高さは一般に極めて大きく、偏向要素の形成に適した厚さのフォトレジスト層を得ることは困難である。偏向要素を設けるためには、粘度が２００〜１２００ｃｐｓの範囲にあるフォトレジストを用いてスピンコートして５〜２０μｍの厚さを有するフォトレジスト層を形成することが好ましい。なお、フォトレジストの種類にはポジ型とネガ型とがあるが本発明においてはポジ型が選択される。また、ポジ型フォトレジストとしては東京応化工業（株）製のＰＭＥＲ　Ｐ−ＡＲ９００、ＰＭＥＲ　Ｐ−ＡＲ３００シリーズなどを用いることができる。
　【００１２】
　ところで、基材上に塗布するフォトレジストの膜厚を変更することによって、導光体の輝度分布を調整することができる。すなわち、本発明の方法により試験的に作製した導光体の輝度分布の均斉度（最低輝度を最大輝度で割った値のことをいう。）が十分に高くなかった場合、塗布するフォトレジストの膜厚を変更することで偏向要素の高さを容易に変更することができ、偏向要素の設計をやり直すことなく、より均斉度の高い均一な輝度分布を有する導光体を得ることができる。したがって、導光体の試作段階では導光体寸法の最適化を効率的に行え、また量産段階では導光体寸法の微調整を容易に行うことができる。
　【００１３】
　次に、基材上のフォトレジストに偏向パターンを露光する。これに際しては、図３（ｂ）のようにフォトマスク（１１）をフォトレジスト層上に重ねて平行光線で全体を一度に露光する方法と、光ビームなどを用いてフォトレジストにパターンを直接に描画する方法とがある。前者は偏向パターンを描画したフォトマスクを予め作製しておくもので、同一パターンのスタンパーを複数枚作製する場合に有利であり、後者は同一パターンのスタンパーを一枚に限り作製する場合に適する。偏向パターンはドット、ラインなどその形状は問わない。またフォトマスクを使用する場合には、露光から現像までの工程における条件によって、フォトマスク上のパターンの幅と現像後のフォトレジストの偏向要素の幅とが一致しない場合がある。この場合は現像後の偏向要素の幅の変化を考慮して、これを補正する方向でフォトマスクのパターンの幅を決定しておけば良い。また、フォトマスクを用いて露光するときの光としては、紫外線を用いるのが一般的であり、できるだけ平行に近い光線を出す設備を用いて露光することが望ましい。また、直接描画の場合には、レーザー光線または電子線を用いることが一般的である。
　【００１４】
　上記の露光方法では、一般に偏向要素の断面形状は高さが一定の矩形状（図４（ａ））か台形状（図４（ｂ））になる。マスク露光方法であれば、フォトマスクを密着させずにレジスト面から微小間隔だけ離して露光することにより露光部分と未露光部分との境界部分を広げて、台形断面形状を有する偏向要素における側面の傾斜角度や偏向要素の角の丸みを変更することができる（図４（ｃ））。露光時の光線を基材の左右どちらかの上方から斜めに照射することで、偏向要素の底面に対する各側面の角度が異なる左右非対称の断面形状を有する偏向要素を得ることができる。また、所定の露光量の１／２の光量で一度露光した後で、基材をフォトマスクとともに１８０°回転させて所定の露光量の１／２の光量で再度露光させることによって、２種類の断面形状をもつ偏向要素を得ることができる。
　【００１５】
　一方、光ビームなどを用いて直接描画することにより露光する方法であれば、フォトレジスト表面に集光された光ビームスポットの焦点を微小量だけずらすこと（すなわち、ピントをぼかすこと）により、台形断面形状を有する偏向要素における側面の傾斜角度や偏向要素の角の丸みを変更することができる（図４（ｃ））。平行ではない光線を露光に使用することなど、条件を選ぶことでサインカーブ状の断面形状（図４（ｅ））を得ることもできる。このように露光条件を調整することにより、偏向要素が有する偏向性能の調整が可能となり、また成型時の転写性を向上させることもできる。前述の断面形状の調整は、現像工程において現像液の濃度や現像温度、現像時間などの条件を変更することによっても実現できる。また、現像工程と表面導電化工程との間に加熱処理工程を加えて、現像処理後に残ったフォトレジストの断面形状を変形させることで円の一部のような断面形状（図４（ｄ））を得ることができる。
　【００１６】
　本発明において用いられるフォトレジストがポジ型であれば、図３（ｃ）のようにフォトレジスト層の露光された部分（１２）が現像工程で除去され、露光されなかった部分（１３）が残ることにより偏向パターンが現れる。現像の方法としては、所定の現像液を用いて行うデイップ法、パドル法、シャワー法などが一般的である。
　【００１７】
　現像後のレジストの表面に蒸着、スパッタリング、無電解メッキなどの方法で金属膜を設けて導電化し（図３（ｄ））、電鋳法によりスタンパー（１６）を得る（図３（ｅ）、図３（ｆ））。場合によってはこの電鋳後のスタンパーの表面に剥離用の処理を施した後に、再度電鋳処理することによって、最初のスタンパーとは凹凸が逆転した偏向パターンを有する複製スタンパーを得ることができる。さらにはこの複製スタンパーを用いて電鋳することで、最初のスタンパーと同一の凹凸の偏向パターンを有する複製スタンパーを複数個得ることもできる。
　【００１８】
　電鋳で作製したスタンパーの裏面が粗れていればこれを研磨して平坦化し、外形を必要な寸法に加工することで成形用のスタンパーを得る。この成形用のスタンパーを用いて射出成形、プレス成形、２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ−ｐｏｌｙｍｅｒ）成形等をすることで凹凸パターンが精密に転写された導光体を大量に得ることができる。
　【００１９】
　なお、エッチングやサンドブラスト等の方法により、フォトレジストを塗布する平坦な基材表面を偏向要素よりも小さい凹凸構造を持つように粗し、この粗れた表面をもつ基材にフォトレジストを塗布し、以下、上記と同様の処理を経ることで基材の微細な粗れが導光体に転写され、偏向要素の頂部または底面が梨地状に粗れた導光体を製造することができる。
　【００２０】
　従来の機械加工などによっては、ダイヤモンドバイトを使用した精密加工技術をもってしても導光体に要求される精密で微細な形状の偏向要素が得られず、光の利用効率を十分に向上させることができなかった。しかし、上記の説明のように、光ディスクや半導体などの製造プロセスにおいて微細な凹凸パターンを高い精度で形成するために用いられるフォトリソグラフィーの技術を応用することで、高く均一な輝度を有する導光体を得るために必要とされる微細凹凸パターンを形成することができる。また、本発明によれば、導光体の偏向要素における凹凸の高さをフォトレジストの膜厚で制御することができ、各偏向要素の高さを一定にすることができる。
　【００２１】
　【実施例】
　以下、本発明の方法により製造した導光体を使用した液晶表示装置の実施例について具体的に説明する。
　【００２２】
　液晶表示装置等に使用される面光源装置のバックライトに用いられる導光体は、平坦な出射面とこれと対向する偏向要素を有する面とを有し、端面から入射した光を偏向要素により反射させて偏向させるものであり、偏向要素が分布する密度に所定の関係式に従った勾配を設けることにより、輝度を導光体の全面にわたって均一化させているものが一般的である。図１に典型的な一灯式エッジライト型バックライトと液晶表示装置との側面図を示す。光源（２）には線状ランプを用い、このランプを半円型または放物線型の形状を有する反射鏡（３）の焦点位置に置く。導光体（１）としては、矩形断面を有する透明な板状物が一般的である。最近は軽量化のためにテーパー状の断面形状が採られることも多い。導光体の上側（出射面側）には光を均一に分布させる目的で拡散シート（６）が配置されており、さらに光がほぼ垂直方向になるように光を偏向させる目的でプリズムシート（７）が配置されている。なお、最近は垂直方向の輝度を向上させるために２枚のプリズムシートを直交させて配置することが一般的になっている。導光体の下面には端面から入射した光を上面から出射させるために偏向要素（５）が施されている。光源に近い側から遠い側まで出射量を均一化するために、偏向要素の分布密度に勾配が与えられる。一般的には、光源に近い側における偏向要素の密度を小さくし、光源に遠い側における偏向要素の密度を大きくする。また密度を部分的に変えて、面全体の輝度を均一化するための補正がなされる。導光体の下側には、下側に出た光を導光体側に反射して戻すために偏向シート（４）が配置される。以上の構成がバックライトとなり、液晶表示板（８）の背後に置かれる。図２に偏向要素の分布密度に勾配を与えた例を示す（図２（ａ））。面の上端（光源とは反対の側）では図２（ｂ）で示す様に高密度、下端（光源側）では図２（ｃ）に示すように低密度の分布となっている。
　【００２３】
　本発明に基づく導光体の製造方法について、以下に詳細に説明する。ガラス製の基材、ポジ型フォトレジストおよびフォトマスクを使用する場合について説明する。直径３５０ｍｍで厚さが５ｍｍの円形のガラス基材に厚膜用のポジ型フォトレジスト（粘度が９００ｃｐｓである。）を厚さが２０μｍになるようにスピンコートした。プリベークした後に、この上に対角のサイズが１０．４インチであり、偏向要素の分布密度に勾配が与えられた偏向パターンが描かれたフォトマスクを重ね、マスク露光装置でフォトレジストメーカーが指定する光量になるように露光した。フォトマスクには、塩化銀の粒子を分散させた乳剤をガラス板に塗布し、ＣＡＤで作製したパターンの像を写真の原理を応用して縮小して焼き付けるという一般的な方法で作製したものを使用した。現像液はこのポジ型フォトレジストに適合した所定のものを使用し、デイップ法で現像を行って偏向要素のパターン付きの原盤を得た。この原盤において、現像後に残ったフォトレジスト部分の断面形状はほぼ矩形状または台形状となった。この原盤の表面に数１０ｎｍ程度の厚さになるようにスパッタリング法によりニッケル膜を設けて導電膜とした。次にニッケル膜の厚さが３００μｍになるようにニッケル電鋳を行った後、表面に残留したフォトレジストを除去し、裏面を研磨し、外形を加工するなどの工程を経てスタンパーを得た。このスタンパーを用いて射出成形を行い、微細な凹凸形状で構成される偏向要素を片面に持つ導光体を得た。その寸法は偏向パターン部の有効面積の対角が１０．４インチであり、入光側の端部の厚さが３．０ｍｍであり、これと対向する側の端部の厚さが１．１ｍｍである。導光体の性能を評価するにあたって、白色散乱シート、３．０ｍｍ径の冷陰極管、拡散シートおよびプリズムシートを使用した。測定機は（株）トプコン製の輝度計（形式：ＢＭ−７）を測定距離５００ｍｍ、測定角１度の条件で使用した。本製法で得られた導光体における輝度分布（図中Ａで示す）と白色の散乱体のドットをスクリーン印刷法により設けた従来の導光体における輝度分布（図中Ｂで示す）との比較を図５に示す。本発明によれば高輝度の導光体が得られることが図５より明らかである。
　【００２４】
　次に、上記実施例においてフォトレジストの膜厚と均斉度との関係を測定した結果について説明する。図６に導光体の輝度分布を測定した結果を示す（測定機および測定方法は上記と同様である。）。フォトレジストの膜厚を１２μｍ、１０μｍおよび１７μｍとした場合の輝度分布を図６中のＡ、ＢおよびＣでそれぞれ示す。測定結果より均斉度を求めると、図中Ｂで示すように、膜厚が１０μｍの場合には、均斉度７４％と低かったがフォトレジストの膜厚を１２μｍとした場合、図中Ａで示すように均斉度８４％と改善された。さらにフォトレジストの膜厚を１７μｍとすると図中Ｃで示すように均斉度は逆に４３％と悪化した。
　【００２５】
　【発明の効果】
　本発明によれば、出射光の分布が均一化されており大面積のバックライトに用いることが好適な導光体を、高い加工精度で効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】エッジライト方式のバックライトの一般的な構成を示す断面図である。
　【図２】偏向パターンの一例の平面図である。
　【図３】本発明による導光体のスタンパーの製造方法の説明図である。
　【図４】偏向要素の一例の拡大断面を示す図である。
　【図５】本発明の実施例で示した方法で作製した導光体の輝度測定結果Ａと、従来のドット印刷された偏向要素を有する導光体の輝度測定結果Ｂとを対照して示す図である。
　【図６】本発明の実施例においてフォトレジストの膜厚を変更した場合の輝度測定結果を示す図である。
　【符号の説明】
　１・・・導光体
　２・・・光源（冷陰極管）
　３・・・反射鏡
　４・・・散乱反射シート
　５・・・偏向要素（偏向パターン）
　６・・・拡散シート
　７・・・プリズムシート
　８・・・液晶表示板