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　特願２０１０−１５４８５４「光電変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月２６日出願公開、特開２０１２−　１９０２１、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年７月７日の出願であって、平成２４年１０月３１日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月１０日に意見書が提出され、同年１月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年４月５日に意見書が提出されたが、同年４月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２５年７月１１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の適否
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について、
「【請求項１】キャリア輸送層と硫化物半導体材料で構成される光吸収層とが接合された構造体を一対の電極で挟み込んだ光電変換素子であって、
　前記一対の電極のうち、キャリア輸送層側の電極は光透過性導電材料からなるものであり、光吸収層側の電極はＣｕからなるものである、
　光電変換素子。
【請求項２】前記光吸収層は、硫化物半導体材料で構成され、
　前記キャリア輸送層は、ｎ型ワイドギャップ半導体材料又はｐ型ワイドギャップ半導体材料であって前記光吸収層とは異なる材料で構成される、
　請求項１記載の光電変換素子。
【請求項３】前記光吸収層は、ＳｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ及びＦｅＳ2からなる群より選ばれた硫化物材料で構成され、
　前記キャリア輸送層は、ＴｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＳ及びＣｄＳからなる群より選ばれたｎ型ワイドギャップ半導体材料で構成される、
　請求項２記載の光電変換素子。」
　であったものを
「【請求項１】キャリア輸送層と硫化物半導体材料で構成される光吸収層とが接合された構造体を一対の電極で挟み込んだ光電変換素子であって、
　前記一対の電極のうち、キャリア輸送層側の電極は光透過性導電材料からなるものであり、光吸収層側の電極はＣｕからなるものであり、
　前記光吸収層は、ＳｎＳで構成され、
　前記キャリア輸送層は、ＴｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＳ及びＣｄＳからなる群より選ばれたｎ型ワイドギャップ半導体材料で構成される、
　光電変換素子。」
　と補正するものである。
　
２　補正の目的
　本件補正は、請求項２及び３を削除した上で、請求項１において、「光吸収層」を「ＳｎＳで構成され」るものと限定するとともに、「キャリア輸送層」を「ＴｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＳ及びＣｄＳからなる群より選ばれたｎ型ワイドギャップ半導体材料で構成される」ものと限定するものであり、また、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除、及び、同条第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正は願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであって、特許法１７条の２第３項に違反するところはなく、さらに、同法第４項に違反するところもない。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　刊行物の記載及び引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−１２２７６３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審にて付した。）。
ア　「【請求項１】
光吸収半導体層および正負の電極を有する光起電力素子において、上記光吸収半導体層が、価電子帯から伝導帯への電子の励起を中継するエネルギー準位を禁制帯中に有する
光起電力素子。
　
イ　「【０００５】【発明が解決しようとする課題】本発明は、タンデム・セルのような複雑な積層構造や製造プロセスをとらずに、太陽光を広い波長範囲で利用できる高効率の光起電力素子を提供することを目的とする。・・・
【００１０】本発明の光起電力素子の光吸収半導体層としては、Ｓｉ、Ｇｅおよびその混晶等のＩＶ族半導体、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰおよびその混晶等のＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅおよびその混晶等のＩＩ−ＶＩ族半導体、ＣｕＧａＳｅ2、ＣｕＧａＴｅ2、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＴｅ2およびその混晶等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体が挙げられる。また、ＳｎＳ、Ｃｕ2Ｏ等の光起電力素子に使用し得る半導体材料も本発明に適用できる。」
　
ウ　「【００１４】【実施例１】本発明を適用したＣｕＩｎＳｅ2系太陽電池の断面構造を図１に示す。この太陽電池の作製手順を以下に記す。ガラス基板４の上に１μｍ程度のＭｏ電極層５を成膜し、その上にＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅ、Ｆｅの四つの蒸着源を用いて４源同時蒸着法によりＣｕ／Ｉｎ比が０．８〜１．０の範囲となるようにＦｅドープＣｕＩｎＳｅ2（ＣｕＩｎＳｅ2：Ｆｅ）層６を２μｍ程度成膜した。このｐ型のＣｕＩｎＳｅ2：Ｆｅ層６の上にｎ型半導体層として０．３μｍ程度のＣｄＳ層７を成膜してｐｎ接合を形成した。最後に、ＣｄＳ層７の上に、透明電極層として０．５μｍ程度のＩＴＯ（５ｗｔ．％ＳｎＯ2含有Ｉｎ2Ｏ3）層８を成膜してＣｕＩｎＳｅ2系太陽電池を作製した。」
　
エ　第１図は次のものである。
　
オ　引用発明。
（ア）上記アによれば、引用文献１には次の発明が記載されていると認められる。
「光吸収半導体層および正負の電極を有する光起電力素子において、上記光吸収半導体層が、価電子帯から伝導帯への電子の励起を中継するエネルギー準位を禁制帯中に有する光起電力素子。」
　
（イ）上記イによれば、上記（ア）の発明の「負の電極」は、「０．５μｍ程度のＩＴＯ（５ｗｔ．％ＳｎＯ2含有Ｉｎ2Ｏ3）層８」からなる「透明電極層」であってよいから、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「光吸収半導体層および正負の電極を有する光起電力素子において、上記光吸収半導体層が、価電子帯から伝導帯への電子の励起を中継するエネルギー準位を禁制帯中に有し、
　前記負の電極は、ＩＴＯ層からなる透明電極層である、光起電力素子。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００５−１０９３６０号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【００１７】図２は、本発明の第２の実施の形態を示す断面図である。図２において、図１に示した第１の実施の形態の部分と共通する部分には下１桁が共通する参照番号が付せられているので、重複する説明は省略するが、本実施の形態においては、基板２１上には、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの通常の金属材料からなる背面電極層２２が形成され、この背面電極層２２と光吸収層２３との間には、光吸収層−背面電極間のショットキー障壁を緩和する調整層２０が介在せしめられている。この層の介在により、ΔＥＦｐが広げられ（光吸収層がｐ導電型であるとき）、高いＶＯＣを実現できる。」
　
イ　図２は次のものである。
　
４　対比・判断
（１）本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「（ＩＴＯ層からなる透明電極層である）負の電極」及び「光起電力素子」は、本願補正発明の「（光透過性導電材料からなるキャリア輸送層側の）電極」及び「光電変換素子」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明は、「光吸収半導体層および正負の電極を有する光起電力素子」であるところ、上記３（１）ウの「Ｍｏ電極層５を成膜し、その上にＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅ、Ｆｅの四つの蒸着源を用いて４源同時蒸着法によりＣｕ／Ｉｎ比が０．８〜１．０の範囲となるようにＦｅドープＣｕＩｎＳｅ2（ＣｕＩｎＳｅ2：Ｆｅ）層６を２μｍ程度成膜した。このｐ型のＣｕＩｎＳｅ2：Ｆｅ層６の上にｎ型半導体層として０．３μｍ程度のＣｄＳ層７を成膜してｐｎ接合を形成した。最後に、ＣｄＳ層７の上に、透明電極層として０．５μｍ程度のＩＴＯ（５ｗｔ．％ＳｎＯ2含有Ｉｎ2Ｏ3）層８を成膜してＣｕＩｎＳｅ2系太陽電池を作製した」との記載、及び、上記３（１）エの図１に照らして、光吸収半導体層（ｐ型のＣｕＩｎＳｅ2：Ｆｅ層とｎ型半導体層であるＣｄＳ層からなるｐｎ接合された構造体）を、正負（Ｍｏ電極層と透明電極層）の電極で挟み込んだ光起電力素子であるといえる。
　そうすると、引用発明は、本願補正発明の「キャリア輸送層と硫化物半導体材料で構成される光吸収層とが接合された構造体を一対の電極で挟み込んだ光電変換素子」との構成のうち、「キャリア輸送層と光吸収層とが接合された構造体を一対の電極で挟み込んだ光電変換素子」との構成を備える。
　
ウ　上記ア及びイによれば、本願補正発明と引用発明とは、
「キャリア輸送層と光吸収層とが接合された構造体を一対の電極で挟み込んだ光電変換素子であって、
　前記一対の電極のうち、キャリア輸送層側の電極は光透過性導電材料からなるものである、
　光電変換素子。」
である点で一致し、下記の点で相違する。
　
　本願補正発明の「光吸収層側の電極」は「Ｃｕ」からなり、「光吸収層」は「硫化物半導体材料」である「ＳｎＳで構成され」、「キャリア輸送層」は、「ＴｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＳ及びＣｄＳからなる群より選ばれたｎ型ワイドギャップ半導体材料で構成される」のに対して、引用発明の「正の電極層」及び「光吸収半導体層」はこのように特定されるものではない点（以下「相違点」という。）。
　
（２）判断
ア　相違点について検討する。
　上記３（１）イには、「光吸収半導体層」としては、「Ｓｉ、Ｇｅおよびその混晶等のＩＶ族半導体、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰおよびその混晶等のＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅおよびその混晶等のＩＩ−ＶＩ族半導体、ＣｕＧａＳｅ2、ＣｕＧａＴｅ2、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＴｅ2およびその混晶等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体が挙げられ、また、ＳｎＳ、Ｃｕ2Ｏ等の光起電力素子に使用し得る半導体材料も適用できる」とされ、「光吸収半導体層」に適用可能な素材としてＳｎＳ及びＣｄＳが挙げられている。
　また、ｐ導電型である光吸収層側の背面電極層を、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの通常の金属材料からなるものとすることが、引用文献２（上記３（２））に記載されているように、電極層としてＣｕを用いることは、周知の事項にすぎない。
　したがって、引用発明において、光吸収半導体層をｐ型の層であるＳｎＳ層及びｎ型の層であるＣｄＳ層からなるｐｎ接合で構成するとともに、正の電極をＣｕからなるものとして、相違点に係る本願補正発明の構成とすることに格別の困難性は認められない。
　
イ　しかし、本願補正発明は、相違点の構成とすることにより、高い短絡電流密度Ｊｓｃと開放電圧Ｖｏｃが得られる、及び、全波長でＩＰＣＥが高く、長波長光を有効利用して光電変換する、との効果を奏するものであると認められる（本願明細書　段落【００２９】〜【００４０】）ところ、引用発明において、相違点に係る、本願補正発明の構成を採用する際に、かかる効果を奏することが当業者にとって予測し得たとは認められない。
　すなわち、本願補正発明は、当業者が予測し得ない顕著な効果を奏するものと認められるから、当業者が引用文献１及び２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものということはできない。
　したがって、本願補正発明は、特許法１７条の２第６項の規定に適合する。
　
５　本件補正の適否についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法１７条の２第３項ないし６項の規定に適合する。
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法１７条の２第３項ないし６項の規定に適合するから、本願の請求項に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する