【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月2日(2015.3.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウム電池の電極材料として使用するための、式Ａｂ’ＭｇａＭｂＸｙの化合物であって、
式中、
Ａは、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｕ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上のドーパントであり、
Ｍは、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｒ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上の遷移金属であり、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｆ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上の陰イオンであり、
０≦ｂ’≦２．９であり、
０≦ａ≦２．１であり、
０．５≦ｂ≦２．９であり、
１．５≦ｙ≦５．９であり、かつ
前記化合物は層構造を有し、
前記層構造は、稠密陰イオンＸ格子、八面体配位の遷移金属Ｍの層、および、完全または部分的に占有されたマグネシウムサイトの層を含み、該金属Ｍの層と該マグネシウムサイトの層は交互に並び、
ただし、前記化合物は、層状ＭｇａＶＳ２、層状ＭｇａＶ２Ｏ５、岩塩型ＭｇａＭｎＯ、層状ＭｇａＺｒＳ２のいずれでもない、化合物。
【請求項２】
ｂ’が０であり、式ＭｇａＭｂＸｙを有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｍは、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上の遷移金属であり、かつ
Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｆ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上の陰イオンである、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
主に遷移金属層間に分散したＭｇ層を主に含む層状物質と同形の単位格子原子配列を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
０．８ｅＶ未満のマグネシウム拡散障壁を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
層状ＭｇＶＯ３である、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
０．０５≦ｂ’≦３．９である、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の化合物を、固相合成、共沈、または、マグネシウム含有前駆体からの炭素熱還元により合成する方法であって、該マグネシウム含有前駆体は、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＭｇＣＯ３、ＭｇＳ０４、ＭｇＳ、ＭｇＦ２、ＭｇＨＰＯ４、Ｍｇ金属、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上の化合物である、方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の化合物を合成する方法であって、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｄ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、およびこれらの組み合わせからなる群より選ばれる１つ以上の金属を含有する前駆体化合物を使用することと、
前記金属を化学的または電気化学的に抽出し、化学的または電気化学的な挿入により該金属をＭｇに置換することと、
を含む方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載の化合物を含む、マグネシウム電池電極。
【請求項１１】
電極材料として使用するための式Ａｂ’ＭｇａＭｂＸｙの化合物を含む、マグネシウム電池電極であって、
式中、
Ａは、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｕ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上のドーパントであり、
Ｍは、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｒ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上の遷移金属であり、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｆ、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる１つ以上の陰イオンであり、
０≦ｂ’≦２．９であり、
０≦ａ≦２．１であり、
０．５≦ｂ≦２．９であり、
１．５≦ｙ≦５．９であり、かつ
前記化合物は層構造を有し、
前記層構造は、稠密陰イオンＸ格子、八面体配位の遷移金属Ｍの層、および、完全または部分的に占有されたマグネシウムサイトの層を含み、該金属Ｍの層と該マグネシウムサイトの層は交互に並び、
ただし、当該化合物は、層状ＶＳ２、層状Ｖ２Ｏ５、岩塩型ＭｎＯ、層状ＺｒＳ２のいずれでもない、マグネシウム電池電極。
【請求項１２】
前記化合物は層構造を有する、請求項１０又は１１に記載の電極。
【請求項１３】
電子導電性の添加剤をさらに含む、請求項１０又は１１に記載の電極。
【請求項１４】
前記導電性の添加剤はカーボンブラックである、請求項１３に記載の電極。
【請求項１５】
結合剤をさらに含む、請求項１０、１１又は１４に記載の電極。
【請求項１６】
前記結合剤は、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、およびこれらの三量体または共重合体からなる群より選ばれる１つ以上の化合物である、請求項１５に記載の電極。
【請求項１７】
エネルギー貯蔵デバイスであって、
請求項１記載の化合物を含む第１の電極と、
マグネシウム金属、マグネシウム合金、または請求項１記載の化合物を含む、第２の電極と、
を含むデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
いくつかの実施形態において、この化合物は層状Ａｂ’ＭｇａＶＳ２、スピネル型Ａｂ’ＭｇａＣｏ３Ｏ４、層状Ａｂ’ＭｇａＶ２Ｏ５、岩塩型Ａｂ’ＭｇａＭｎＯ、スピネル型Ａｂ’ＭｇａＭｎ２Ｏ４、スピネル型Ａｂ’ＭｇａＭｎ３Ｏ４、あるいは層状Ａｂ’ＭｇａＺｒＳ２のいずれでもない。いくつかの実施形態においては、この化合物は層状ＶＳ２、スピネル型Ｃｏ３Ｏ４、層状Ｖ２Ｏ５、岩塩型ＭｎＯ、スピネル型Ｍｎ２Ｏ４、スピネル型Ｍｎ２Ｏ４、スピネル型Ｍｎ３Ｏ４、あるいは層状ＺｒＳ２のいずれでもない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
さらに別の態様で、マグネシウム電池用の電極について述べるが、この電極は本明細書で述べているようなＡｂ’ＭｇａＭｂＸｙあるいはＡｂ’ＭｇａＭｂ（ＸＯｚ）ｙの化学式で示される化合物を含んでいる。いくつかの実施形態において、Ａｂ’ＭｇａＭｂＸｙで示される化合物は層状ＶＳ２、スピネル型Ｃｏ３Ｏ４、層状Ｖ２Ｏ５、岩塩型ＭｎＯ、スピネル型Ｍｎ２Ｏ４、あるいは層状ＺｒＳ２のいずれでもない。Ａｂ’ＭｇａＭｂ（ＸＯｚ）ｙで示される化合物はＭｇａＭｎＳｉＯ４あるいはＭｇ０．５Ｔｉ２（ＰＯ４）３のいずれでもない。いくつかの実施形態において、これらの化合物はカソード活性材料として用いられる。いくつかの実施形態においては、これらの化合物は層状構造を有している。他の実施形態においては、これらの化合物はスピネル構造を有している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０３】
［参考例］
ＭｇＭｎ２Ｏ４（スピネル型酸化マグネシウムマンガン）の化学的Ｍｇ脱離、ＭｇＭｎ２Ｏ４の化学電気的Ｍｇ脱離
本実施例は、Ｍｇ含有化合物を作製し、かつ化学的または電気化学手段によりトポタクティックにＭｇを脱離できることを表す典型例である。図１は、スピネル型ＭｇＭｎ２Ｏ４のＸ線回折（ＸＲＤ）スペクトルであり、１つ以上の実施形態による、（１）Ｍｇの化学的抽出、および（２）それに次ぐマグネシウムの電気化学的挿入を実証している。この図は、スピネル型ＭｇＭｎ２Ｏ４のサンプルに対応するＸ線回折スペクトルである。このサンプルは、合成後に酸に浸漬してＭｇを除去し、次いで、サンプルを電気化学試験セルに入れ、電気化学的にＭｇを再挿入したものである。図２は、電気化学試験セル内のスピネル型ＭｇＭｎ２Ｏ４に対応する電圧プロファイルであり、スピネル構造に追加のＭｇを挿入して、低電圧で岩塩型関連化合物の形成を試みる場合と比べて、スピネル型ＭｇＭｎ２Ｏ４の四面体サイトから高電圧で電気化学的にＭｇを抽出した方が、高い活性が観察されることを実証している。