【事件の表示】
　特許第３２８３０１７号「混合樹脂組成物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２８３０１７号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　本件特許第３２８３０１７号は、平成７年６月２０日に出願された特願平７−１７５６３８号の一部を新たな出願として、平成１１年７月２６日に出願されたものであって、平成１４年３月１日にその特許の設定登録がなされ、その後、ジェイエスアール株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、それに対し特許異議意見書とともに、その指定期間内である平成１５年４月１４日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア、訂正の内容
訂正事項ａ：特許請求の範囲の請求項８〜１０を削除する。
訂正事項ｂ：発明の名称「混合樹脂組成物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物」を「混合樹脂組成物」と訂正する。
訂正事項ｃ：発明の詳細な説明の訂正
ｃ−１、特許明細書の段落【0001】中の、
「、及びそれを用いたポジ型レジスト組成物」、及び
「、及び該混合樹脂を含有するポジ型レジスト組成物」を削除する。
ｃ−２、特許明細書の段落【0005】中の、
「に優れている上に、引置き経時安定性にも優れ、かつ良好なレジストパターンを形成できる」を、
「に優れた」と訂正する。
ｃ−３、特許明細書の段落【0006】中の、
「混合物を含有する」を、
「混合物及び放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する」と訂正する。
ｃ−４、特許明細書の段落【0007】中の、
「また、」を、「さらに詳しくは、」と訂正し、
「耐熱性に優れている上に、引置き経時安定性にも優れ、かつプロファイル形状の良好なレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物」を、
「耐熱性に優れたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物として好適に使用しうる混合樹脂組成物」と訂正する。
ｃ−５、特許明細書の段落【0008】中の、
「本発明は、」を、「本発明の混合樹脂組成物は、」と訂正する。
ｃ−６、特許明細書の段落【0009】中の、
「含有することを特徴とする混合樹脂組成物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物に係る。」を、
「含有する。」と訂正する。
ｃ−７、特許明細書の段落【0011】中の、
「ポジ型レジスト組成物」を、
「ポジ型レジスト組成物として好適に使用しうる混合樹脂組成物」と訂正する。
ｃ−８、特許明細書の段落【0051】中の、
「ポジ型レジスト組成物をして」を、
「ポジ型レジスト組成物として」と訂正する。
ｃ−９、特許明細書の段落【0053】中の、
「混合樹脂組成物からなるポジ型レジスト組成物は、」を、
「混合樹脂組成物をポジ型レジスト組成物として用いる場合は、」と訂正する。
ｃ−１０、特許明細書の段落【0067】中の、
「である上に、引置き経時安定性に優れ、かつプロファイル形状の良好なレジストパターンを形成でき、」を、
「であり、」と訂正する。
イ、訂正の適否
　訂正事項ａは、請求項８〜１０を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書の範囲内の訂正である。
　訂正事項ｂは、上記特許請求の範囲の訂正である訂正事項ａに合わせて、発明の名称を訂正するものである。
　訂正事項ｃは、発明の詳細な説明に係わる訂正であり、そのうち、ｃ−１、ｃ−３、ｃ−５〜ｃ−７及びｃ−９は、上記特許請求の範囲の訂正である訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲との整合性をはかるための、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、ｃ−２、ｃ−４及びｃ−１０は、有機カルボン酸化合物に係わる効果を削除することによって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、ｃ−８は、明らかな誤記の訂正を目的とするものであり、いずれも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正である。
　また、上記訂正事項ａ及びｃは、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア、申立て理由の概要
　特許異議申立人は、甲第１号証（特開平９−６００２号公報、原出願に係る公開公報）、甲第２号証（特許第３２９０５６５号公報、原出願に係る特許公報）、甲第３号証（特開平６−１９４８４２号公報）及び甲第４号証（特開平３−２２３８６０号公報）を提出し、以下の理由により、本件特許は取り消されるべき旨主張している。
１）本願は適法な分割出願でなく、その出願日は分割出願日である平成１１年７月２６日とされるべきであり、訂正前の本件請求項１〜１０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、訂正前の請求項１〜１０に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
２）訂正前の請求項８〜１０に係る発明は、甲第２号証の請求項１、１３及び１４に記載された発明と、実質的に同一であから、訂正前の請求項８〜１０に係る発明の特許は、特許法第３９条第１項の規定に違反し特許されたものである。
３）訂正前の請求項１〜８に係る発明は甲第３及び４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の請求項１〜８に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
４）明細書の記載に不備があるから、訂正前の請求項１〜１０に係る発明の特許は特許法第３６条の要件に満たさない出願に対してされたものである。
イ、訂正明細書の請求項１〜７に係る発明
　訂正明細書の請求項１〜７に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明７」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】（イ）水酸基の１０〜６０モル％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレンと、（ロ）水酸基の１０〜６０モル％が一般式化１
【化１】
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2はメチル基又はエチル基であり、Ｒ3は低級アルキル基である。） で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンに加えてさらに放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする混合樹脂組成物。
【請求項２】（イ）成分が水酸基の１０〜６０モル％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基とし、重量平均分子量が３，０００〜３０，０００、分子量分布（Ｍw／Ｍn）が３〜５のポリヒドロキシスチレン、（ロ）成分が水酸基の１０〜６０モル％が一般式化３
【化３】
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2はメチル基又はエチル基であり、Ｒ3は低級アルキル基である。）で表わされる残基で置換され、重量平均分子量が３，０００〜３０，０００、分子量分布（Ｍw／Ｍn）が３〜５のポリヒドロキシスチレンであることを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。
【請求項３】（イ）成分および（ロ）成分の重量平均分子量が８，０００〜２２，０００の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。
【請求項４】混合樹脂組成物中の（イ）成分が１０〜７０重量％、（ロ）成分が３０〜９０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。
【請求項５】混合樹脂組成物中の（イ）成分が２０〜５０重量％、（ロ）成分が５０〜８０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項４記載の混合樹脂組成物。
【請求項６】放射線の照射により酸を発生する化合物がビススルホニルジアゾメタン類であることを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。
【請求項７】放射線の照射により酸を発生する化合物が（イ）成分および（ロ）成分の合計１００重量部に対し１〜２０重量部の範囲で含有することを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。」
ウ、刊行物に記載された事項
　当審が平成１５年１月３１日付で通知した取消理由に引用された刊行物１（特開平６−１９４８４２号公報、上記甲第３号証）及び刊行物２（特開平３−２２３８６０号公報、同甲第４号証）には次の記載が認められる。
ａ、刊行物１について
「【請求項１】一般式［I］
【化１】
［式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２及びＲ３は夫々独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し（但し、Ｒ２及びＲ３が共に水素原子の場合は除く。）、又、Ｒ２とＲ３で炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く、Ｒ４は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、Ｒ５は水素原子又はシアノ基を表し、Ｒ６は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ７は水素原子、シアノ基、−ＣＯＯＹ（但し、Ｙは炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表す。）又は下記一般式［II］
【化２】
（但し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基を表す。）を表し、又、Ｒ５とＲ７は互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−となっていても良く、ｋとｌは夫々独立して自然数を表し｛但し、０．１≦ｋ／（ｋ＋ｌ）≦０．９である。｝、ｍは０又は自然数を表す｛但し、ｍが自然数の場合、０．０５≦ｍ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）≦０．５０である。｝。］で示される重合体と、電子ビームの照射によって酸を発生することができる酸発生剤と、これ等を溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料。」（特許請求の範囲請求項１）
「本発明は、上記した如き状況に鑑みなされたもので、高感度、高解像度、高耐ドライエッチ性を有し、又、安定したパターン寸法を維持可能な化学増幅型ポジ型電子線レジスト及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供することを目的とする。」（第５頁第８欄３５〜３９行）
「本発明に係る重合体の平均分子量としては……、好ましい範囲としては、ポリスチレンを標準とするＧＰＣ測定法により求めた重量平均分子量が通常1000〜50000程度、より好ましくは3000〜40000程度である。」（第９頁第１６欄３７〜４２行）
「本発明に係る重合体と酸発生剤との、ポジ型レジスト材料に於ける混合比としては、重合体１重量に対して酸発生剤0.01〜0.3重量、好ましくは0.01〜0.1重量付近が挙げられる。」（第１２頁第２１欄１５〜１９行）
「得られた重合体のｐ-（1-エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ-ヒドロキシスチレン単位の構成比は……約１：１であった。重量平均分子量約8500、Ｍｗ／Ｍｎ≒１．８（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。」（第１４頁第２６欄２７〜３２行）
ｂ．刊行物２
「（２）酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けてアルカリ可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱性を付与する成分とから構成される耐熱性樹脂が一般式［I］
［式中、Ｒ１はメチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、……を表わし、Ｒ２は水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表わし、Ｒ３は水素原子、…を表わし、Ｒ４及びＲ６は夫々独立して水素原子、メチル基…を表わし、Ｒ５は水素原子、…を表わし、Ｒ９は水素原子又は…を表わし、ｋ及びｌは夫々独立して自然数を表わす。］で示される樹脂である請求項（１）に記載のレジスト材料。」（特許請求の範囲請求項２）
「本発明は上記した状況に鑑みなされたもので、ｉ線光や、遠紫外光、例えばＫｒＦエキシマレーザ光による露光後に高い透過性を有し、耐熱性を有し、且つ高感度（低露光エネルギー量）のレジスト材料を提供することを目的とする。」（第３頁左上欄１９行〜同右上欄３行）
「本発明に係る樹脂の具体例としては例えば………、ｐ-tert-ブトキシスチレンとｐ-ヒドロキシスチレン共重合体、……等が挙げられるが、これ等に限定されるものではない。」（第４頁右上欄１１行〜同左下欄１５行）
「本発明に係る樹脂の重量平均分子量…は、通常1,000〜40,000程度、好ましくは3,000〜20,000程度である。」（第４頁右下欄１７〜１９行）
　また、実施例４には、重量平均分子量約8,000のｐ-tert-ブトキシスチレン-ｐ-ヒドロキシスチレン共重合体（ｋ／ｌ＝１／１）が記載されている。
オ、対比・判断
ａ、特許法第２９条第１項第３号違反について
　原出願明細書の段落【0012】には、樹脂成分の配合割合について記載され、段落【0013】には、酸発生剤から生じる酸により、これらの樹脂成分のアルカリに対する溶解性と溶解阻害能を程よく釣り合わせ、高感度、高解像性及び高耐熱性を達成するという作用効果も記載されており、原出願には、本件特許発明に係る酸発生剤を含有する混合樹脂組成物が記載されているので、本件出願については分割による特許出願が認められ、本件の出願日は原出願の出願日と見なされ、原出願に係る公開公報である甲第１号証は公知の刊行物とは認められないものである。
　したがって、甲第１号証によっては特許法第２９条第１項第３号違反とすることはできない。
ｂ、特許法第３９条第１項違反について
　上記訂正により、訂正前の請求項８〜１０は削除されており、特許異議申立人の主張する特許法第３９条違反とする対象は存在しない。
ｃ、特許法第２９条第２項違反について
　本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、水酸基の一部が特定の基で置換されたポリヒドロキシスチレン及び放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する混合樹脂組成物であって、置換された特定の基のモル％において重複する点で一致し、本件発明１では、水酸基の１０〜６０モル％をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレンをさらに含むものであるのに対し、刊行物１には、そういうことの記載がない点で相違するものと認める。
　そこで、上記相違点について検討するに、刊行物２には、水酸基の一部をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレンについて記載されてはいるものの、本件発明１の特定の基で置換されたポリヒドロキスチレンについての記載はなく、示唆も認められない。
　すなわち、刊行物１及び２には、本件発明１の水酸基の一部をｔｅｒｔ−ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン及び水酸基の一部が特定の基で置換されたポリヒドロキシスチレン（以下、「２種の置換されたポリヒドロキシスチレン」という。）を併用することの記載はなく、示唆も認められないものであり、本件発明１は、２種の置換されたポリヒドロキシスチレンを併用することにより、明細書記載の作用効果を奏するものと認める。
　したがって、本件発明１は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件発明２は、本件発明１を引用し、併用する２種の置換されたポリヒドロキシスチレンの重量平均分子量及び分子量分布を限定するものであるから、本件発明１における上記理由により、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件発明３は、本件発明１を引用し、併用する２種の置換されたポリヒドロキシスチレンの重量平均分子量をさらに限定するものであるから、本件発明１における上記理由により、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件発明４は、本件発明１を引用し、併用する２種の置換されたポリヒドロキシスチレンの成分比（重量比）を限定するものであるから、本件発明１における上記理由により、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件発明５は、本件発明４を引用し、さらに併用する２種の置換されたポリヒドロキシスチレンの成分比（重量比）を限定するものであるから、同様の理由により、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件発明６は、本件発明１を引用し、放射線の照射により酸を発生する化合物を特定のものに限定するものであるから、本件発明１における上記理由により、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件発明７は、本件発明１を引用し、放射線の照射により酸を発生する化合物の量を限定するものであるから、本件発明１における上記理由により、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
ｂ、特許法第３６条違反について、
　特許異議申立人は、特許明細書の比較例１〜３がいずれも有機カルボン酸を含有するものであるから、有機カルボン酸を含有しない本件発明の比較例ではなく、本件特許の特許請求の範囲には発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されていることにならないと主張するものであるが、有機カルボン酸を含有するものであっても、混合樹脂組成物自体の成分限定の効果を否定するものとは言えず、そのことでもって、明細書の記載不備とすることはできない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提出した証拠方法によっては、本件特許を取り消すことができない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月３日（２００３．６．３）
【訂正の要旨】
（ａ）　特許請求の範囲請求項８ないし１０を削除する。
（ｂ）　発明の名称「混合樹脂組成物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物」を「混合樹脂組成物」と訂正する。
（ｃ）　明細書段落番号０００１の欄第４行の「、及びそれを用いたポジ型レジスト組成物」及び第７〜８行の「、及び該混合樹脂組成物を含有するポジ型レジスト組成物」をそれぞれ削除する。
（ｄ）　明細書段落番号０００５の欄第５〜７行の「に優れている上に、引置き経時安定性にも優れ、かつ良好なレジストパターンを形成できる」を、「に優れた」と訂正する。
（ｅ）　明細書段落番号０００６の欄第２〜３行の「混合物を含有する」を、「混合物及び放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する」と訂正する。
（ｆ）　明細書段落番号０００７の欄第１行の「また、」を、「さらに詳しくは、」と、また第４〜６行の「耐熱性に優れている上に、引置き経時安定性にも優れ、かつプロファイル形状の良好なレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物」を、「耐熱性に優れたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物として好適に使用しうる混合樹脂組成物」と訂正する。
（ｇ）　明細書段落番号０００８の欄第２行の「本発明は、」を、「本発明の混合樹脂組成物は、」と訂正する。
（ｈ）　明細書段落番号０００９の欄の下より２行〜末行の「含有することを特徴とする混合樹脂組成物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物に係る。」を、「含有する。」と訂正する。
（ｉ）　明細書段落番号００１１の欄第１〜２行の「ポジ型レジスト組成物」を、「ポジ型レジストとして好適に使用しうる混合樹脂組成物」と訂正する。
（ｊ）　明細書段落番号００５１の欄第１行の「ポジ型レジスト組成物をして」を、「ポジ型レジスト組成物として」と訂正する。
（ｋ）　明細書段落番号００５３の欄第１行の「混合樹脂組成物からなるポジ型レジスト組成物は、」を、「混合樹脂組成物をポジ型レジスト組成物として用いる場合は、」と訂正する。
（ｌ）　明細書段落番号００６７の欄第５〜７行の「である上に、引置き経時安定性に優れ、かつプロファイル形状の良好なレジストパターンを形成でき、」を、「であり、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
混合樹脂組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　（イ）水酸基の１０〜６０モル％をｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレンと、（ロ）水酸基の１０〜６０モル％が一般式化１
　【化１】
　（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２はメチル基又はエチル基であり、Ｒ３は低級アルキル基である。）
で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンに加えてさらに放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする混合樹脂組成物。
　【請求項２】　（イ）成分が水酸基の１０〜６０モル％をｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基とし、重量平均分子量が３，０００〜３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が３〜５のポリヒドロキシスチレン、（ロ）成分が水酸基の１０〜６０モル％が一般式化３
　【化３】
　（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２はメチル基又はエチル基であり、Ｒ３は低級アルキル基である。）
で表わされる残基で置換され、重量平均分子量が３，０００〜３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が３〜５のポリヒドロキシスチレンであることを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。
　【請求項３】　（イ）成分および（ロ）成分の重量平均分子量が８，０００〜２２，０００の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。
　【請求項４】　混合樹脂組成物中の（イ）成分が１０〜７０重量％、（ロ）成分が３０〜９０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。
　【請求項５】　混合樹脂組成物中の（イ）成分が２０〜５０重量％、（ロ）成分が５０〜８０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項４記載の混合樹脂組成物。
　【請求項６】　放射線の照射により酸を発生する化合物がビススルホニルジアゾメタン類であることを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物。
　【請求項７】　放射線の照射により酸を発生する化合物が（イ）成分および（ロ）成分の合計１００重量部に対し１〜２０重量部の範囲で含有することを特徴とする請求項１記載の混合樹脂組成物
。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分として、異なる２種の置換基で各々置換されたポリヒドロキシスチレンの混合物を含有する
混合樹脂組成物に関し
混合樹脂組成物に関する
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子は、ホトレジスト組成物を用いたフォトリソグラフイー、エッチング、不純物拡散及び配線形成などの工程を数回繰り返し製造されている。フォトリソグラフイーにおいては、ホトレジスト組成物をシリコンウエーハ上に回転塗布などの方法により塗布し薄膜を形成し、それをマスクパターンを介して、紫外線などの放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成し、次いで、前記レジストパターンを保護膜としてエッチングが行われている。これまで、前記フォトリソグラフイーで使用されているホトレジスト組成物は、それに要求される解像性が、サブミクロン（１μｍ以下）、ハーフミクロン（０．５μｍ以下）程度であり、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）などの紫外線を利用したアルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド基含有化合物を基本成分としたポジ型ホトレジストが実用に供されてきた。
　【０００３】
　しかしながら、近年、半導体素子の微細化が益々高まり、今日ではクオーターミクロン（０．２５μｍ以下）の超微細パターンを用いた超ＬＳＩの量産がはじまろうとしている。このようなクオーターミクロンの超微細パターンを得るには、従来のアルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド基含有化合物を基本成分としたポジ型ホトレジストでは困難なことから、より短波長の遠紫外線（２００〜３００ｎｍ）、ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマレーザー、電子線及びＸ線を利用したレジストの開発が要望されている。かかるレジストとして高解像性が達成される上に、放射線の照射により発生した酸の触媒反応、連鎖反応を利用し量子収率が１以上であり、かつ高感度が達成できる化学増幅型レジストが注目され、盛んに開発が行われている。
　【０００４】
　上記化学増幅型レジストとしては、例えばポリヒドロキシスチレンの水酸基をｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシ基で置換した樹脂成分とオニウム塩などの酸発生剤を組み合わせたレジスト組成物が米国特許４，４９１，６２８号明細書に提案されている。しかしながら、前記レジスト組成物は、解像度、焦点深度幅特性において十分なものでない上、化学増幅型レジストに特有の露光により発生した酸の失活の起因する露光後一定時間放置した後、現像した場合のパターン形状劣化の問題（以下引置き経時安定性という）、すなわちレジストパターン上部が庇状に連なってしまうブリッジングの問題がある。このようなブリッジングができると所望の配線パターンが得られないため、半導体素子製造において致命的なものとなる。このような引置き経時の問題を解決する方法として、レジスト層上に露光により発生した酸の失活を防止するためトップコート層を設ける方法があるが、このような方法は、製造工程が増えスループットが悪くなるし、コスト高となるため好ましくない。従って、トップコート層を設ける必要のない引置き経時安定性に優れたレジストが強く望まれている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　そこで、本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分として、異なる２種の置換基で各々置換されたポリヒドロキシスチレンの混合物を含有する混合樹脂組成物をポジ型レジスト組成物の樹脂成分として使用することで、高感度、高解像性、耐熱性
に優れた
　【０００６】
　本発明は、酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分として、異なる２種の置換基で各々置換されたポリヒドロキシスチレンの
混合物及び放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する
　【０００７】
　
さらに詳しくは、
耐熱性に優れたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物として好適に使用しうる混合樹脂組成物
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成する
本発明の混合樹脂組成物は、
　【０００９】
　【化４】
　（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２はメチル基又はエチル基であり、Ｒ３は低級アルキル基である。）
で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンを
含有する
　【００１０】
　上記ポリヒドロキシスチレンの混合割合は（イ）成分が１０〜７０重量％、（ロ）成分が３０〜９０重量％、好ましくは（イ）成分が２０〜５０重量％、（ロ）成分が５０〜８０重量％の範囲がよい。そして、前記（ロ）成分の一般式化４で表わされる残基の具体例としては、例えば１‐メトキシエトキシ基、１‐エトキシエトキシ基、１‐ｎ‐プロポキシエトキシ基、１‐イソプロポキシエトキシ基、１‐ｎ‐ブトキシエトキシ基、１‐イソブトキシエトキシ基、１‐（１，１‐ジメチルエトキシ）‐１‐メチルエトキシ基、１‐メトキシ‐１‐メチルエトキシ基、１‐エトキシ‐１‐メチルエトキシ基、１‐ｎ‐プロポキシ‐１‐メチルエトキシ基、１‐イソブトキシ‐１‐メチルエトキシ基、１‐メトキシ‐ｎ‐プロポキシ基、１‐エトキシ‐ｎ‐プロポキシ基などが挙げられる。中でも、特に１‐エトキシエトキシ基及び１‐メトキシ‐ｎ‐プロポキシ基が感度、解像力がバランス良く向上するので好ましい。
　【００１１】
　上記混合樹脂組成物にさらに酸発生剤を含有させることで
ポジ型レジストとして好適に使用しうる混合樹脂組成物
　【００１２】
　上記（イ）成分は、ポリｔｅｒｔ‐ブチルオキシスチレンのｔｅｒｔ‐ブチル基を、塩酸、硫酸、シュウ酸、ｐ‐トルエンスルホン酸などの酸により、一部脱離させることにより、得ることができ、残存するｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基をポリヒドロキシスチレンの水酸基の１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５０モル％の範囲とすることが必要である。ｔｅｒｔ‐ブチル基が１０モル％未満ではプロファイル形状に優れたレジストパターンが得られず、また６０モル％を超えると感度が低下するため好ましくなく、実用上は２０〜５０モル％の範囲が有効である。
　【００１３】
　一方、（ロ）成分は、ポリヒドロキシスチレンの水酸基を、例えば１‐クロロ‐１‐エトキシエタンや１‐クロロ‐１‐メトキシプロパンなどにより、公知の置換反応に従い前記一般式化４の基で置換したもので、その置換率は１０〜６０モル％、好ましくは２０〜５０モル％とすることが必要である。この置換率が１０モル％未満では形状の優れたパターンが得られず、また６０モル％を超えるとレジストの感度が低下するため好ましくなく、実用的には２０〜５０モル％の範囲が有効である。
　【００１４】
　さらに、上記各樹脂成分の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマト法（ＧＰＣ法）に基づきポリスチレン基準で３，０００〜３０，０００、好ましくは８，０００〜２２，０００の範囲がよい。重量平均分子量が前記範囲未満では被膜性に劣り、また前記上限範囲を超えるとアルカリ水溶液に対する溶解性が低下する。さらに、前記各樹脂は重量平均分子量と数平均分子量の比で表わした分子量分布（ＭＷ／Ｍｎ）が３〜５の範囲であるのが好ましい。
　【００１５】
　上記酸発生剤としては、従来より酸発生剤として公知のものを使用することができ、特に制限はないが、具体的には（ａ）ビス（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル‐ｐ‐トルエンスルホニルジアゾメタン、１‐シクロヘキシルスルホニル‐１‐（１，１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１‐メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４‐エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３‐メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４‐メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４‐フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４‐クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのビススルホニルジアゾメタン類、（ｂ）２‐メチル‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）プロピオフエノン、２‐（シクロヘキシルカルボニル）‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）プロパン、２‐メタンスルホニル‐２‐メチル‐（４‐メチルチオ）プロピオフエノン、２，４‐ジメチル‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）ペンタン‐３‐オンなどのスルホニルカルボニルアルカン類、（ｃ）１‐ｐ‐トルエンスルホニル‐１‐シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１‐ジアゾ‐１‐メチルスルホニル‐４‐フエニル‐２‐ブタノン、１‐シクロヘキシルスルホニル‐１‐シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１‐ジアゾ‐１‐シクロヘキシルスルホニル‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、１‐ジアゾ‐１‐（１，１‐ジメチルエチルスルホニル）‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、１‐アセチル‐１‐（１‐メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１‐ジアゾ‐１‐（ｐ‐トルエンスルホニル）‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、１‐ジアゾ‐１‐ベンゼンスルホニル‐３，３‐ジメチル‐２‐ブタノン、１‐ジアゾ‐１‐（ｐ‐トルエンスルホニル）‐３‐メチル‐２‐ブタノン、２‐ジアゾ‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）酢酸シクロヘキシル、２‐ジアゾ‐２‐ベンゼンスルホニル酢酸ｔｅｒｔ‐ブチル、２‐ジアゾ‐２‐メタンスルホニル酢酸イソプロピル、２‐ジアゾ‐２‐ベンゼンスルホニル酢酸シクロヘキシル、２‐ジアゾ‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）酢酸ｔｅｒｔ‐ブチルなどのスルホニルカルボニルジアゾメタン類、（ｄ）ｐ‐トルエンスルホン酸２‐ニトロベンジル、ｐ‐トルエンスルホン酸２，６‐ジニトロベンジル、ｐ‐トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸２，４‐ジニトロベンジルなどのニトロベンジル誘導体、（ｅ）ピロガロールのメタンスルホン酸エステル、ピロガロールのベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ‐トルエンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ‐メトキシベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのメシチレンスルホン酸エステル、ピロガロールのベンジルスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメタンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンゼンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ‐トルエンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ‐メトキシベンゼンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメシチレンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンジルスルホン酸エステルなどのポリヒドロキシ化合物と脂肪族または芳香族スルホン酸エステル類などを挙げることができる。前記没食子酸アルキルにおけるアルキル基は、炭素数１〜１５のアルキル基、特にオクチル基及びラウリル基が好ましい。また、（ｆ）次の一般式化５、化６で表わされるオニウム塩系酸発生剤、（ｇ）一般式化７で表わされるベンゾイントレシート系酸発生剤も使用できる。
　【００１６】
　【化５】
　　Ｒ４―Ｉ＋―Ｒ５Ｘ−
　（Ｒ４及びＲ５は、アリール基、置換基を有するアリール基であり、それぞれ同一であっても異なってもよく、Ｘ−はＡｓＦ−６、ＰＦ−６、ＢＦ−４ＳｂＦ−６、ＣＦ３ＳＯ−３のいずれかである）
　【００１７】
　【化６】
　（Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、アリール基、置換基を有するアリール基であり、それぞれ同一であっても異なってもよく、Ｘ−はＡｓＦ−６、ＰＦ−６、ＢＦ−４ＳｂＦ−６、ＣＦ３ＳＯ−３のいずれかである）
　【００１８】
　【化７】
　（Ｒ９、Ｒ１０はアリール基、置換基を有するアルール基であり同一でも異なっていてもよく、Ｒ１１、Ｒ１２は水素原子、低級アルキル基、水酸基、アリール基であり同一でも異なってもよい。ｎは０又は１である）
　【００１９】
　上記一般式化６、７で表わされるオニウム塩の具体的なものとしては、以下の化８〜２９の化合物が挙げられる。
　【００２０】
　【化８】
　　ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート
　【００２１】
　【化９】
　　ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート
　【００２２】
　【化１０】
　　ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００２３】
　【化１１】
　　ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００２４】
　【化１２】
　　（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００２５】
　【化１３】
　　（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００２６】
　【化１４】
　　ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート
　【００２７】
　【化１５】
　　ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート
　【００２８】
　【化１６】
　　ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００２９】
　【化１７】
　　ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３０】
　【化１８】
　　トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート
　【００３１】
　【化１９】
　　トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００３２】
　【化２０】
　　トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３３】
　【化２１】
　　（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００３４】
　【化２２】
　　（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３５】
　【化２３】
　　（４−メチルフェエル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３６】
　【化２４】
　　ビス（４−メチルフェニル）フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３７】
　【化２５】
　　トリス（４−メチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３８】
　【化２６】
　　（２，４，６−トリメチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３９】
　【化２７】
　　（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−フェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００４０】
　【化２８】
　　ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムヘキサフルオロフォスフェート
　【００４１】
　【化２９】
　　ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００４２】
　上記オニウム塩の中でトリフルオロメタンスルホネートを陰イオンとするオニウム塩が半導体素子製造の際に使用されるリン、ホウ素、アンチモンなどの拡散剤として用いられる原子を含まないため好ましい。
　【００４３】
　（ｇ）ベンゾイントシレート系酸発生剤の具体的なものとしては以下の化３０〜３４の化合物が挙げられる。
　【００４４】
　【化３０】
　【００４５】
　【化３１】
　【００４６】
　【化３２】
　【００４７】
　【化３３】
　【００４８】
　【化３４】
　【００４９】
　上記酸発生剤は１種を用いてもよいし、２種以上を組み合せて用いてもよい。前記酸発生剤の中で、エキシマレーザ用のレジストに好適なものとしては特にビススルホニルジアゾメタン類が好ましく、中でもビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン又はビス（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、或はそれらの混合物が好適である。特に、前記混合物がより高感度となるため好ましい。
　【００５０】
　また、電子線用レジストの酸発生剤としては、上記（ａ）、（ｃ）以外の酸発生剤、特には、（ｄ）のニトロベンジル誘導体、中でもｐ‐トルエンスルホン酸２，６‐ジニトロベンジル、（ｅ）のポリヒドロキシ化合物の脂肪族又は芳香族スルホン酸エステル、中でもピロガロールトリメシレート、（ｆ）のオニウム塩、中でもビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、及び（ｇ）ベンゾイントシレート系酸発生剤が好ましい。上記酸発生剤の配合割合は、樹脂成分１００重量部に対し１〜２０重量部、好ましくは２〜１０重量部の割合である。酸発生剤が１重量部未満の配合では効果が不十分であり、２０重量部を超えると、溶剤に溶け切れず、また樹脂成分との混和性が悪くなる。
　【００５１】
　本発明の混合樹脂組成物を
ポジ型レジスト組成物として
　【００５２】
　本発明の混合樹脂組成物は、その使用に当たって、特にポジ型レジスト組成物の使用に当たっては各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトンなどのケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフエニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
　【００５３】
　本発明の
混合樹脂組成物をポジ型レジスト組成物として用いる場合は、
　【００５４】
　上記ポジ型レジスト組成物の使用に当たっては、該ポジ型レジスト組成物を溶剤に溶解しそれをスピンナー等を用いて基板等に塗布し、乾燥し、感光層を形成させたのち、縮小投影露光装置等により、ｄｅｅｐ−ＵＶ光、ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して照射するか、電子線により描画し、現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のような弱アルカリ性水溶液などを用いて現像処理するのがよい。前記によりマスクパターンに忠実で良好なレジストパターンが形成できる。
　【００５５】
　【実施例】
　次に製造例及び実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
　【００５６】
製造例１
（水酸基３５モル％をｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレンの合成）
　重量平均分子量１０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）４のポリｔｅｒｔ‐ブチルオキシスチレン１２０ｇをジオキサン４８０ｇに溶解し、この溶液に２１．６ｇの塩酸水溶液を加え、８０℃で２時間かき混ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純水を加え、かき混ぜてｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基が６５モル％離脱したポリヒドロキシスチレンを析出させた。該析出物を純水で洗浄、脱水、乾燥して、水酸基の３５モル％をｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン１２５ｇを得た。
　【００５７】
製造例２
（水酸基の３５モル％をエトキシエトキシ基で置換したポリヒドロキシスチレンの合成）
　重量平均分子量１０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）４のポリヒドロキシスチレン１２０ｇをＮ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶解し、この溶液の中に１‐クロロ‐１‐エトキシエタン３７．２ｇを加え、かき混ぜて完全に溶解したのち、かき混ぜながらトリエチルアミン７８．８ｇを約３０分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間かき混ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純水を加え、かき混ぜて水酸基が１‐エトキシエトキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１３０ｇを得た。
　【００５８】
実施例１
　製造例１で得られた水酸基の３５モル％をｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン｛重量平均分子量１０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）４｝１．４８ｇと製造例２で得られた水酸基の３５モル％をエトキシエトキシ基で保護したポリヒドロキシスチレン｛重量平均分子量１０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）４｝１．４８ｇとをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．１４８ｇとべンゾフエノン０．０９３ｇを更に加えて溶解して得られた溶液を孔径０．２μｍメンブレンフイルターでろ過してポジ型レジストの塗布液を調製した。
　【００５９】
　調製した塗布液をスピンナーを使用して６インチシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレートで９０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、テストチャートマスクを介してエキシマレーザーを露光したのち、１２０℃、９０秒間加熱し、次いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間パドル現像し、３０秒間水洗・乾燥してレジストパターンを形成した。得られたレジストパターンは０．２１μｍのラインアンドスペースパターンであった。また、形成された０．５μｍのラインパターンの耐熱性（熱によるフローが生じる温度）を調べた結果、１３０℃であった。
　【００６０】
　上記露光処理を施したのち、１５分間静置してから１２０℃、９０秒間の加熱処理を施したレジストパターンを形成したところ、最小解像度が０．３０μｍのラインアンドスペースパターンが形成された。
　【００６１】
比較例１
　水酸基の８％をｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと水酸基の８％がメトキシ‐ｎ‐プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、ｏ‐ニトロ安息香酸０．００９ｇ、ベンゾフェノン０．１２８ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジストの塗布液を調製した。
　【００６２】
　上記塗布液について露光後加熱処理の温度を１２０℃から１１０℃に変えた以外は実施例１と同様にしてレジスト特性の評価を行ったところ、レジストパターンが得られず、評価が不能であった。
　【００６３】
比較例２
　水酸基の７０％をｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと水酸基の７０％が１‐メトキシ‐ｎ‐プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、ＳＡＸ（商品名、三井東圧化学社製）０．００９ｇ、ベンゾフェノン０．１２８ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジストの塗布液を調製した。
　【００６４】
　上記塗布液について比較例１と同様のレジスト特性の評価を行ったところ、０．３μｍのラインアンドスペースパターンが限界であり、そのレジストパターン断面は、Ｔ字形を呈し不良なものであった。また、目視で確認できる大面積のレジストパターンがパターニングされ基板表面が現れる最小露光量（以下最小露光量という）は２０ｍＪ／ｃｍ２であった。さらに形成された０．５μｍのラインパターンの耐熱性を調べた結果、１３０℃であった。
　【００６５】
比較例３
　水酸基の８％をｔｅｒｔ‐ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレン１．０５ｇと水酸基の７０％が１‐メトキシ‐ｎ‐プロピルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン１．９５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１６．８ｇに溶解したのち、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．２１ｇ、フタル酸０．００９ｇ、ベンゾフェノン０．１２８ｇを更に加えて、溶解して得られた溶液を０．２μｍメンブレンフイルターでろ過し、ポジ型レジストの塗布液を調製した。
　【００６６】
　上記塗布液について比較例１と同様のレジスト特性の評価を行ったところ、０．３μｍのラインアンドスペースパターンが限界であり、そのレジストパターン断面は、逆三角形に近い形を呈し不良なものであった。また、最小露光量は１０ｍＪ／ｃｍ２であった。さらに形成された０．５μｍのラインパターンの耐熱性を調べた結果、１３０℃であった。
　【００６７】
　【発明の効果】
　本発明の混合樹脂組成物は酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分として、異なる２種の置換基で各々置換されたポリヒドロキシスチレンの混合物を含有し、該混合樹脂組成物を用いて作製したポジ型レジスト組成物は、化学増幅型であって、高感度、高解像性及び高耐熱性
であり、