【事件の表示】
　特願２００８−　６９４５７「フォトマスク及びそれを用いるイメージセンサの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月　９日出願公開，特開２００８−２４４４７８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２０年３月１８日（パリ条約による優先権主張２００７年３月１９日，大韓民国）の出願であって，平成２４年８月３０日付けで拒絶の理由が通知され，同年１１月８日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２５年５月１日付けで拒絶査定がなされ，その後，同年８月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年１１月２５日付けで審尋を行い，平成２６年２月２１日に回答書が提出されたものである。 
　
２　本願発明
　平成２５年８月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の請求項２３，２９，３５の「透光パターンの数」を，それぞれ補正後に「透光パターンの個数」と補正するものであるから，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とした補正といえる。
　そして，本件補正が，特許法第１７条の２第３項の規定に違反することがないことは明らかである。
　したがって，本件補正は適法なものといえるから，本願の請求項１−３７に係る発明は，平成２５年８月２８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−３７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，そのうち請求項１，１２に係る発明（以下「本願発明１」，「本願発明１２」という。）は，次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　イメージセンサのロジック回路領域とピクセル領域の双方の基板上に絶縁膜を形成するステップと，
　前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布するステップと，
　前記フォトレジストをパターニングして，前記ピクセル領域の絶縁膜を露出させる一方，前記ロジック回路領域の絶縁膜は露出させないステップであって，前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界部分において，前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって，フォトレジストパターンの厚さを徐々に小さくするサブステップを含むステップと，
　前記フォトレジストパターンと前記絶縁膜とのエッチング率を実質的に同一にして，前記絶縁膜及び前記フォトレジストパターンをエッチバックするステップと
　を含む方法。」
　
「【請求項１２】
　ロジック回路領域と，ピクセル領域と，前記ロジック回路領域と前記ピクセル領域との間に位置している境界領域とを持つ基板と，
　前記ロジック回路領域と前記境界領域と前記ピクセル領域とにわたって形成された絶縁膜であって，約０．４゜〜約１５゜の範囲にある傾斜により前記境界領域の絶縁膜の厚さが徐々に小さくなっている，絶縁膜と
　を備えたイメージセンサ。」
　
３　引用例とその記載事項，及び，引用発明
ア　引用例１：特開２００４−７１９３１号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である引用例１には，「固体撮像素子及びその製造方法」（発明の名称）について，図１ないし図４とともに，次の記載がある。（なお，下線は当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
半導体基板に
単位画素
撮像画素領域部
前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部
半導体基板上に
絶縁膜
前記撮像画素領域部上の複数配線層は，前記周辺回路部上の複数配線層に対して少ない層数で形成され，前記周辺回路部上の複数配線層よりも膜厚の小さい撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材が配置されている，
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】  前記光学構造部材の上面の位置が前記周辺回路部の上面の位置よりも低い位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】  前記光学構造部材は，オンチップマイクロレンズを含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項４】  前記光学構造部材は，オンチップ光学フィルタを含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項５】  
前記複数配線層の上層絶縁膜は，前記撮像画素領域部と周辺回路部との境界部で段差を有する
【請求項６】  前記段差が所定のテーパ角度を有して形成されていることを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子。
【請求項７】  
前記段差のテーパ角度が６０°以下
【請求項８】  
半導体基板
単位画素
撮像画素領域部
前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部
半導体基板上に
絶縁膜
前記半導体基板に撮像画素領域部及び周辺回路部を構成する各素子を形成する工程と，
前記半導体基板上に撮像画素領域部及び周辺回路部とで共通する下層の複数配線層を形成する工程と，
前記下層の複数配線層上に周辺回路部に固有の上層の複数配線層を形成する工程と，
前記上層の複数配線層の形成時に形成された
撮像画素領域部上の絶縁膜を除去
撮像画素領域部と周辺回路部との境界部に段差を形成
前記撮像画素領域部上の複数配線層上に前記光学構造部材を設ける工程と，
を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】  
前記段差を所定のテーパ角度をもって形成
　
（１ｂ）「【００１８】
次に，このような
固体撮像素子の製造方法
まず，
シリコン基板１３０に対し，イオン注入と熱拡散によりｐ型半導体層のｐウェル領域，あるいはｎ型半導体層のｎウェル領域を形成
素子分離領域を形成
各種ＭＯＳトランジスタのしきい値を決めるためのイオン注入を行い
ゲート電極層などを形成
次いで，
レジスト塗布，パターニングを行い
ｎ型半導体層を形成するイオンを
イオン注入法によりシリコン基板１３０に打ち込み，フォトダイオードを形成
次いで，
ＰＳＧなどの酸化シリコン材料で層間絶縁膜を形成
コンタクトホールを開口
電極材を埋め込み，コンタクトを形成
次いで，アルミ等の
導電膜を
堆積し，パターニングを行い
１層目の信号線を形成
次いで，
コンタクト形成と絶縁層及び配線層の形成を繰り返し，所望の層数の多層配線層を形成
【００１９】
ところで，一般に増幅型固体撮像素子では，水平方向と垂直方向の信号線を形成するために，最低でも２層の配線が必要である。また，撮像画素領域部の周辺に配置されている信号処理回路や画素の微細化のためには３層の多層配線が効果的であるし，さらに複雑な信号処理を行う回路を混載するためには４層以上の多層配線が有効であり，
配線層数
たとえばアルミで３層配線を形成する場合には，フォトダイオードから３層目配線までの高さは５μｍ程度が普通である。
そこで本例では，図示のように，
撮像画素領域部１００Ａは３層，周辺回路部１００Ｃは５層とし，３層目までは撮像画素領域部１００Ａと周辺回路部１００Ｃの両方に配線パターンを形成し，それ以降の上層配線は周辺回路部１００Ｃのみに配線パターンを形成
【００２０】
その後，撮像画素領域部１００Ａのみの上層配線部の絶縁膜をエッチングによって除去する。なお，本例では，
撮像画素領域部１００Ａ以外を覆うレジストパターンを形成
ドライエッチングにより５層目と４層目の絶縁膜を除去
この後，従来の方法でＳｉＮなどのパッシベーション膜（平坦化膜）を堆積する。」
　
（１ｃ）「【００２２】
図２は，本発明の
第２の実施の形態例
上述した第１の実施の形態例では，従来の課題となっている周辺回路部には多層化した配線層を用いることを可能とする一方で，撮像画素領域部については上部の光学構造部材をフォトダイオードの受光面に近い位置に形成することができるため，感度の高い固体撮像素子が形成できるが，周辺回路部と撮像画素領域部との境界の段差部分には撮像画素領域部として使用できない無駄な部分があり，それだけチップサイズが大きくなってしまうことや，価格の高いカラーフィルタなどの塗布材料の使用量が多くなるという課題がある。
そこで，本発明の第２の実施の形態例では，このような周辺回路部と撮像画素領域部との間の段差による無駄な領域を減少できる構成について提供するものである。
【００２３】
図２に示す増幅型固体撮像素子において，素子構造は図１に示すものと同様であるので，共通する要素については同一符号を付して説明は省略する。
本例の相違点は，上述した段差部１４０とテーパ角度の異なる段差部１４１を設ける
すなわち，
上述した段差部１４０は，８０°と垂直に近かったが，図２に示す段差部１４１では，テーパ角度を下げて段差を滑らかな形状にすることにより，塗布ムラや段差での塗布膜厚の遷移状態を改善した
      【００２４】
このような段差部１４１を形成する方法としては，
各配線層の形成後，撮像画素領域部１００Ａの上層配線部の絶縁膜をエッチングする際に，レジストの側壁のテーパ角度を４５°とし，エッチングを行う
このエッチングには，マグネトロン型プラズマエッチング装置を用い，エッチング条件はエッチングガスＣＨ2 Ｆ2 ／Ｏ2 ＝２０／５０ｓｃｃｍ，マイクロ波パワー１．５ｋＷ，圧力１０Ｐａ，ウエハー温度２０°Ｃとした。
この条件では，絶縁膜と同時にレジスト側壁もエッチングされて徐々に後退するので，段差部１４１のテーパ角度は約３０°となる
なお，このようなテーパ角度としては，６０°以下にすることで，一定の効果が期待できるものと解される。」
　
（１ｄ）「【００２９】
  また，本発明の固体撮像素子の製造方法によれば，撮像画素領域部及び周辺回路部とで共通する下層の複数配線層を形成した後，その上に周辺回路部に固有の上層の複数配線層を形成し，さらに，撮像画素領域部上の絶縁膜を除去することにより，撮像画素領域部と周辺回路部との境界部に段差を形成することで，撮像画素領域部上の配線層数を削減して複数配線層の膜厚を小さくし，周辺回路部では配線層数を多くして複数配線層の膜厚を大きくした固体撮像素子を容易に作製することができるので，撮像画素領域部ではフォトダイオードの受光面とオンチップマイクロレンズや光学フィルタとの間の距離が縮小され，複数配線に起因するシェーディングや混色を抑制し，撮像感度や画質の向上を図ることができ，周辺回路部では配線層をより多層化して集積化を図り，高機能化や小型化を促進することができる固体撮像素子を低コストで提供することが可能となる。」
　
イ　引用発明 
（ア）引用例１の上記摘記（１ｃ）の「【００２３】
図２に示す増幅型固体撮像素子において，素子構造は図１に示すものと同様であるので，共通する要素については同一符号を付して説明は省略する。
本例の相違点は，上述した段差部１４０とテーパ角度の異なる段差部１４１を設けることにより，撮像画素領域部１００Ａと周辺回路部１００Ｃとの間隔を短縮できるようにしたものである。」との記載から，引用例１の図２に示される「第２の実施の形態例」の説明においては，図１に示される「第１の実施の形態例」の説明と共通する要素については，説明が省略されているものと理解できる。
　
（イ）したがって，上記摘記（１ｂ）及び（１ｃ）の記載事項を総合すれば，引用例１には，「第２の実施の形態例」として，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
・引用発明
「（ａ）シリコン基板１３０に対し，イオン注入と熱拡散によりｐ型半導体層のｐウェル領域，あるいはｎ型半導体層のｎウェル領域を形成し，素子分離領域を形成し，各種ＭＯＳトランジスタのしきい値を決めるためのイオン注入を行い，ゲート電極層などを形成し，レジスト塗布，パターニングを行い，リンなどのｎ型半導体層を形成するイオンを，イオン注入法によりシリコン基板１３０に打ち込み，フォトダイオードを形成する工程と，
（ｂ）ＰＳＧなどの酸化シリコン材料で層間絶縁膜を形成し，コンタクトホールを開口して電極材を埋め込み，コンタクトを形成し，導電膜を堆積し，パターニングを行い，１層目の信号線を形成し，コンタクト形成と絶縁層及び配線層の形成を繰り返し，所望の層数の多層配線層を形成する工程であって，
　配線層数を，撮像画素領域部１００Ａは３層，周辺回路部１００Ｃは５層とし，３層目までは撮像画素領域部１００Ａと周辺回路部１００Ｃの両方に配線パターンを形成し，それ以降の上層配線は周辺回路部１００Ｃのみに配線パターンを形成する工程と，
（ｃ）撮像画素領域部１００Ａ以外を覆うレジストパターンを形成する工程であって，
　前記レジストの側壁のテーパ角度が４５°である工程と，
（ｄ）ドライエッチングにより５層目と４層目の絶縁膜を除去するものとする工程であって，
　前記ドライエッチングは，絶縁膜と同時にレジスト側壁もエッチングされて徐々に後退するものであって，段差部１４１のテーパ角度が約３０°となる条件である工程と，
　を含む固体撮像素子の製造方法。」
　
４　本願発明１の進歩性について
（１）対比 
ア　本願発明１と引用発明との対応関係 
　引用発明の「固体撮像素子」及び「撮像画素領域部１００Ａ」は，それぞれ本願発明１の「イメージセンサ」及び「ピクセル領域」に相当する。
　また，引用発明の「周辺回路部１００Ｃ」と，本願発明１の「ロジック回路領域」とは，「回路領域」である点で一致する。
　
イ　引用発明の「レジスト」は，本願発明１の「フォトレジスト」に相当する。したがって，引用発明の「レジストの側壁のテーパ角度が４５°である」は，本願発明１の「前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって，フォトレジストパターンの厚さを徐々に小さくする」に相当する。
　
ウ　引用発明の「『絶縁膜と同時にレジスト側壁もエッチングされて徐々に後退する』『ドライエッチング』」は，本願発明１の「前記絶縁膜及び前記フォトレジストパターンをエッチバック」に相当する。
　
エ　一致点と相違点 
　上記ア−ウの対応関係に基づくと，本願発明１と引用発明の一致点と相違点は次のとおりである。
　
＜一致点＞ 
 「イメージセンサの回路領域とピクセル領域の双方の基板上に絶縁膜を形成するステップと，
　前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布するステップと，
　前記フォトレジストをパターニングして，前記ピクセル領域の絶縁膜を露出させる一方，前記回路領域の絶縁膜は露出させないステップであって，前記ピクセル領域と前記回路領域との境界部分において，前記回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって，フォトレジストパターンの厚さを徐々に小さくするサブステップを含むステップと，
　前記絶縁膜及び前記フォトレジストパターンをエッチバックするステップと
　を含む方法。」 
 　 
＜相違点＞
・相違点１
　本願発明１の「回路領域」が「ロジック回路領域」であるのに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。
　
・相違点２ 
　本願発明１では，フォトレジストパターンと絶縁膜とのエッチング率を「実質的に同一」にしているのに対して，引用発明では，このように特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断 
　上記相違点について検討する。 
・相違点１について
　引用例１の上記摘記（１ａ）の「前記撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う周辺回路部」との記載から，引用発明の「周辺回路部」が，撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行うことが理解できる。
　そして，下記の周知例１の記載からも明らかなように，固体撮像素子の撮像領域に隣接してロジック回路領域を形成することは周知の構造である。
　そうすると，引用発明において，「撮像画素領域部１００Ａ」に隣接する，撮像画素領域部の駆動制御及び撮像信号に対する信号処理を行う「周辺回路部１００Ｃ」を，ロジック回路領域とすること，すなわち，上記相違点１について本願発明１の構成となすことは，当業者が適宜なし得たことである。
　
・周知例１：特開２００６−１９６７６９号公報
（周１ａ）「【背景技術】
【０００２】
  近年，
画素部
周辺のＣＭＯＳロジック回路部
固体撮像装置
【０００３】
  一般に，
画素部領域
ＣＭＯＳロジック回路領域
　
（周１ｂ）図１０は，周知例１に記載された従来のＣＭＯＳ固体撮像装置の，画素部と周辺回路部を含む断面図であって，同図から，画素領域３１０と，ＣＭＯＳロジック回路領域３３０とが隣接していることを見て取ることができる。
　
・相違点２について 
ア　本願発明１は，フォトレジストパターンと絶縁膜とのエッチング率を「実質的に同一」にすることを，発明特定事項として含む。
　そして，本願明細書の【００２７】には，「エッチバック後，境界部分Ｂにおける，エッチングされた絶縁膜２１０’の傾斜角は，パターニングされたフォトレジスト２２０の傾斜角が実質そのまま転写されて，非常に低い傾斜角を有する。」と記載されている。
　そうすると，本願発明１のエッチング率を「実質的に同一」にするとは，エッチバック後，境界部分Ｂにおける，エッチングされた絶縁膜２１０’の傾斜角が，パターニングされたフォトレジスト２２０の傾斜角を実質そのまま転写したものとなるように，フォトレジストパターンのエッチング率と，絶縁膜のエッチング率とを定めることを意味しているものと理解することができる。
　
イ　エッチング率を「実質的に同一」として，フォトレジストパターンの形状を転写する方法は，下記の周知例２−４の記載からも明らかなように周知である。
　一方，引用例１の上記摘記（１ｃ）の「すなわち，上述した段差部１４０は，８０°と垂直に近かったが，図２に示す段差部１４１では，テーパ角度を下げて段差を滑らかな形状にすることにより，塗布ムラや段差での塗布膜厚の遷移状態を改善した。」及び「このような段差部１４１を形成する方法としては，各配線層の形成後，撮像画素領域部１００Ａの上層配線部の絶縁膜をエッチングする際に，レジストの側壁のテーパ角度を４５°とし，エッチングを行う。」との記載から，引用発明は，段差部のテーパ角度を下げて段差を滑らかな形状にすることにより，塗布ムラや段差での塗布膜厚の遷移状態を改善することを目的とした発明であると理解できる。
　そうすると，引用発明において，段差部で約３０°のテーパ角度を得るために，引用発明で用いられている，側壁のテーパ角度が４５°であるレジストを形成し，絶縁膜と同時に前記レジスト側壁も徐々に後退するようにエッチングをする方法に替えて，前記周知の方法を用いること，すなわち，フォトレジストパターンと絶縁膜とのエッチング率を「実質的に同一」として，フォトレジストパターンの形状を絶縁膜に転写することによって，所望の段差部のテーパ角度を得ることは当業者が適宜なし得たことである。
　そして，上記相違点２の構成に基づいて，本願発明１が奏する効果も，当業者が予測し得る程度のものにすぎない。 
　
ウ　なお，審判請求人は，回答書において，本願発明１を「１−Ａ：　イメージセンサのロジック回路領域とピクセル領域の双方の基板上に絶縁膜を形成するステップと，
　１−Ｂ：　前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布するステップと，
　１−Ｃ：　前記フォトレジストをパターニングして，前記ピクセル領域の絶縁膜を露出させる一方，前記ロジック回路領域の絶縁膜は露出させないステップであって，前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界部分において，前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって，フォトレジストパターンの厚さを徐々に小さくするサブステップを含むステップと，
　１−Ｄ：　前記フォトレジストパターンと前記絶縁膜とのエッチング率を実質的に同一にして，前記絶縁膜及び前記フォトレジストパターンをエッチバックするステップと
　を含む方法。」と分説した上で，「上記特徴１−Ｄを有する請求項１の方法によれば，同特徴に応じて，フォトダイオード上の不要な絶縁膜の厚さを減らして，受光効率を増大させることができるとともに，絶縁膜のエッチング時に，ピクセル領域とロジック回路領域との境界部分における傾斜角を非常に緩やかに形成して，後続のカラーフィルタ及びマイクロレンズの処理の際，薄膜の蒸着均一度を増大させるなど，工程マージンを向上させることができます（段落［００１１］，［００４１］）。 
　このような上記特徴１−Ｄに応じた効果は，上記特徴１−Ｄを開示していない引用文献１及び５〜９には期待できないものです。」と，本願発明１の効果を主張するので，この点について検討する。
　審判請求人が，主張の根拠とする上記段落［００１１］，［００４１］には，次の記載がある。
（明１）「【００１１】
　そこで，本発明は，上記のような従来技術の問題を解決するためになされたものであって，その目的は，フォトダイオード上の絶縁膜をエッチングするとき，エッチングの境界部分の傾斜を最大限に小さくして，後続の工程マージンの向上に適切なイメージセンサの製造方法を提供することにある。」
（明２）「【００４１】
　本発明は，フォトダイオード上の不要な絶縁膜の厚さを減らして，受光効率を増大させる。また，絶縁膜のエッチング時，ピクセル領域とロジック回路領域との境界部分における傾斜角を非常に緩やかに形成して，後続のカラーフィルタ及びマイクロレンズの処理の際，薄膜の蒸着均一度を増大させるなど，工程マージンを増大できる効果がある。」
　一方，本願発明１は，「後続のカラーフィルタ及びマイクロレンズの処理」及び「薄膜の蒸着」を発明特定事項として備えていないから，前記（明２）に記載された効果のうち，「後続のカラーフィルタ及びマイクロレンズの処理の際，薄膜の蒸着均一度を増大させる」という具体的な効果は，本願発明１の効果としては認めることができない。
　そうすると，上記（明１）及び（明２）の記載からは，本願発明１について，ピクセル領域とロジック回路領域との境界部分における傾斜角を小さく（緩やかに）形成することで，後続の工程マージンを向上するという効果を得ることができるという技術的事項を理解することができるに留まるものといえる。
　一方，引用例１の上記摘記（１ｃ）には，「すなわち，上述した段差部１４０は，８０°と垂直に近かったが，図２に示す段差部１４１では，テーパ角度を下げて段差を滑らかな形状にすることにより，塗布ムラや段差での塗布膜厚の遷移状態を改善した。」と記載されている。
　そして，引用例１の上記摘記（１ｃ）の前記「テーパ角度を下げて段差を滑らかな形状にすること」及び「塗布ムラや段差での塗布膜厚の遷移状態を改善」は，それぞれ上記摘記（明１）及び（明２）に記載された技術的事項の前記「ピクセル領域とロジック回路領域との境界部分における傾斜角を小さく（緩やかに）形成すること」及び「後続の工程マージンを向上」に相当するものと認められる。
　そうすると，引用発明は本願発明１と同様な効果を奏するものと認められるから，審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
エ　したがって，引用発明において，上記相違点２について本願発明の構成を採用することは当業者にとって容易である。 
　
・周知例２：国際公開第０１／６９３１６号
（周２ａ）「（実施例２）
　実施例２は，図２に示す露光量制御用フォトマスク（Ｂ）およびその製造方法について説明する。
　マスク基板３上に酸化膜などの透明材料５を堆積する。次にレジストを堆積する。該レジストに対し場所ごとに照射強度を変える，もしくは照射強度を一定にして照射回数や照射時間を変え，照射量を制御して照射を行い，その後現像してレジストの厚みを曲面状凹凸部に形成する。
前記レジストと下地の絶縁体材料のエッチング比率を同じにして，エッチバックを行い，レジストの形状を下地の絶縁体材料５に転写する
　
・周知例３：特開２００４−１１７７８８号公報
（周３ａ）「【００２７】
　
ドライエッチングはフォトレジスト形状を，基板材をエッチングして転写するものである
正確にフォトレジスト形状を転写するには，フォトレジストと基板材のドライエッチングレートが完全に一致していることが重要である
　
・周知例４：特開平９−４５９６８号公報
（周４ａ）「【００３８】以下に，第３の実施形態に示す超伝導薄膜を用いた回路の製造方法を図７に基づいて説明する。単結晶誘電体基板１０表面に超伝導材料をヘテロエピタキシャル成長させて，第１単結晶超伝導薄膜２０を形成する（図７−ａ）。次に前記第１単結晶超伝導薄膜２０をパターンエッチして第１，第２，第３回路構成要素２１，２２，２３を形成する（図７−ｂ）。次に第１単結晶超伝導薄膜２０と
エッチングレートの等しいエッチバック部材７０を
塗布する
【００３９】次に
エッチバック部材７０において得るべき第３，第４傾斜面２５，２５，２６，２６に対応する形状の傾斜面を有する凹部７１，７１を形成する
第１，第３回路構成要素２１，２３表面が露出するまでエッチバック部材７０を除去すると，凹部７１に対応する第１単結晶超伝導薄膜２０も同時にエッチング除去が開始する
最終的には，凹部７１，７１の形状が第１単結晶超伝導薄膜２０に転写
　
（周４ｂ）「【００４２】以下に，エッチバック部材７０に傾斜面を有する凹部７１および凸部７２を形成する方法を述べる。一般にレジストのパターニング法としては，まず基板にポジレジストを塗布し，このポジレジストに，透明部と不透明部のあるマスクをあて，これを通して紫外線を照射する。ポジレジストにおいて，感光された部分（マスクの透明部分に対応する部分）は現像の際に除去され，感光されていない部分（マスクの不透明部分に対応する部分）は現像の際に基板上にそのまま残る。
【００４３】このようにして，ポジレジストがパターニングされる。そして
本実施形態では
傾斜面に対応する位置においては，後工程の紫外線照射量が，上記矩形状透明部の辺側から傾斜面が形成されなくなる部分に対応する位置に向かって徐々に減少するように複数の縞状透明部を設ける
【００４４】
こうすることにより，エッチバック部材７０に凹部７１，７１を形成できる
　
（３）小括 
　以上検討したとおり，相違点１−２にかかる本願発明１の構成は，当業者が容易に想到し得たものであるから，本願発明１は，引用発明に周知の技術を勘案することにより当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
５　本願発明１２の進歩性について
（１）対比
ア　本願発明１２と引用発明との対応関係 
　引用発明の「固体撮像素子」及び「撮像画素領域部１００Ａ」は，それぞれ本願発明１２の「イメージセンサ」及び「ピクセル領域」に相当する。
　また，引用発明の「周辺回路部１００Ｃ」と，本願発明１２の「ロジック回路領域」とは，「回路領域」である点で一致する。
　
イ　引用発明の「段差部１４１のテーパ角度が約３０°」は，本願発明１２の「傾斜により前記境界領域の絶縁膜の厚さが徐々に小さくなっている」に相当する。
　
ウ　一致点と相違点 
　上記ア−イの対応関係に基づくと，本願発明１２と引用発明の一致点と相違点は次のとおりである。
　
＜一致点＞ 
 「回路領域と，ピクセル領域と，前記回路領域と前記ピクセル領域との間に位置している境界領域とを持つ基板と，
　前記回路領域と前記境界領域と前記ピクセル領域とにわたって形成された絶縁膜であって，傾斜により前記境界領域の絶縁膜の厚さが徐々に小さくなっている，絶縁膜と
　を備えたイメージセンサ。」 
 　 
＜相違点＞
・相違点３
　本願発明１２の「回路領域」が「ロジック回路領域」であるのに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。
　
・相違点４ 
　本願発明１２では，約０．４゜〜約１５゜の範囲にある傾斜により前記境界領域の絶縁膜の厚さが徐々に小さくなっているのに対して，引用発明では，段差部１４１のテーパ角度が約３０°である点。
　
（２）相違点についての判断 
　上記相違点について検討する。 
・相違点３について
　上記「相違点１について」と同様の理由により，相違点３について本願発明１２の構成となすことは，当業者が適宜なし得たことである。
　
・相違点４について 
　引用例１の上記摘記（１ｃ）の「すなわち，上述した段差部１４０は，８０°と垂直に近かったが，図２に示す段差部１４１では，テーパ角度を下げて段差を滑らかな形状にすることにより，塗布ムラや段差での塗布膜厚の遷移状態を改善した。」及び「この条件では，絶縁膜と同時にレジスト側壁もエッチングされて徐々に後退するので，段差部１４１のテーパ角度は約３０°となる。なお，このようなテーパ角度としては，６０°以下にすることで，一定の効果が期待できるものと解される。」との記載から，引用発明は，段差部１４１のテーパ角度を下げて段差を滑らかな形状にすることにより，塗布ムラや段差での塗布膜厚の遷移状態を改善するものであり，前記段差部のテーパ角度は，６０°以下で小さければ小さい程，塗布ムラや段差での塗布膜厚の遷移状態が改善されるであろうことは当業者であれば直ちに理解することといえる。
　一方，本願発明１２の発明特定事項である，上記「約０．４゜〜約１５゜の範囲」の上限である「約１５゜」という数値に臨界的な意義があるとは，本願の明細書または図面の記載からは認めることはできない。
　そうすると，引用発明おいて，段差部１４１のテーパ角度を引用発明の「約３０°」よりも小さくして，例えば「約０．４゜〜約１５゜の範囲」に含まれる傾斜とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　そして，上記相違点４の構成に基づいて，本願発明１２が奏する効果も，当業者が予測する範囲内のものにすぎない。 
　したがって，引用発明において，上記相違点４について本願発明１２の構成を採用することは当業者にとって容易である。 
　
（３）小括 
　以上検討したとおり，相違点３−４にかかる本願発明１２の構成は，当業者が容易に想到し得たものであるから，本願発明１２は，引用発明に周知の技術を勘案することにより当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
６　むすび
　以上のとおり，本願発明１及び本願発明１２は，引用例１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
 　 
　よって，結論のとおり審決する。