【手続補正書】
【提出日】平成27年6月9日(2015.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
望ましくない有機硫黄化合物の濃度を低減するための炭化水素供給物の処理方法であって、以下：
３２０℃〜３６０℃の範囲の温度留分境界点で炭化水素供給物を分留し、
易変性有機硫黄化合物を含有する低沸点留分、および
立体障害無反応性有機硫黄化合物を含有する高沸点留分
を得ること；
水素の存在下で前記高沸点留分と異性化触媒とを接触させ、特定の化合物の立体障害性を取り除き、異性化物および残留未反応水素を含む異性化流出物を生じさせること；
前記低沸点留分および前記異性化流出物に穏やかな水素化処理プロセスを施し、それによって硫黄含量を減らすこと；および
水素化処理炭化水素生成物を回収すること
を含む、方法。
【請求項２】
高沸点留分と異性化触媒とを接触させる前に、該高沸点留分と吸着材とを接触させて窒素含有化合物の濃度を低減させ、吸着処理された流出物を生じさせることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
温度留分境界点は３４０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
低沸点留分は脂肪族有機硫黄化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
脂肪族有機硫黄化合物は、スルフィド、ジスルフィドおよびメルカプタンを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
低沸点留分は、チオフェンおよびチオフェンのアルキル誘導体をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
高沸点留分は、高沸点留分の範囲の沸点を有するジベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェンのアルキル誘導体およびベンゾチオフェンの長鎖アルキル化誘導体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
高沸点留分と吸着材とを接触させるステップは、以下：
ａ．２つの充填カラムの第１に高沸点留分を通過させ；
ｂ．第１カラムを通る流れを中断しながら、高沸点留分を第１カラムから第２カラムへと移動させ；
ｃ．第１カラム中の吸着材から、窒素含有化合物および／または多核芳香族化合物を脱着および除去し、それによって該吸着材を再生し；
ｄ．第２カラムを通る流れを中断しながら、高沸点留分を第２カラムから第１カラムへと移動させ；
ｅ．第２カラム中の吸着材から、窒素含有化合物および／または多核芳香族化合物を脱着および除去し、それによって該吸着材を再生し；
ｆ．ステップ（ａ）〜（ｅ）を繰り返すこと、それにより、高沸点留分の処理が連続的であること
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
炭化水素供給物は、０.０５重量％〜２重量％の範囲の硫黄および１０ｐｐｍｗ〜３,０００ｐｐｍｗの範囲の窒素を含有する、１８０℃〜４５０℃の範囲で沸騰する直留ガスオイルであり；
穏やかな水素化処理プロセスの操作条件は、２０バール〜４０バールの範囲の水素分圧、３２０℃〜３８０℃の範囲の温度、および、オイル１リットルあたり２００リットルの水素（標準化）〜オイル１リットルあたり３００リットルの水素（標準化）の範囲の穏やかな水素化処理プロセスにおける水素供給量を含む
、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
異性化触媒は、２６０℃の温度での非晶質シリカ-アルミナ触媒の酸性度よりも少なくとも１５倍の酸性度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
高沸点留分と異性化触媒との接触工程を１５０℃〜３５０℃の範囲の温度で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
望ましくない有機硫黄化合物を含有する炭化水素供給物の処理装置であって、以下：
３２０℃〜３６０℃の範囲の温度留分境界点で炭化水素供給物をフラッシュ操作可能な分留カラムであって、
炭化水素供給物を受入用の入口、
易変性有機硫黄化合物を含有する低沸点留分を排出用の低沸点出口、および
無反応性有機硫黄化合物を含有する高沸点留分を排出用の高沸点出口
を含む、分留カラム；
高沸点出口と流体連通する入口、水素導入口、および立体障害物が除去された異性化化合物を有する高沸点留分を排出用の異性化反応ゾーン出口を有する、異性化反応ゾーン；および
水素導入口、および、異性化反応ゾーン出口および低沸点出口と流体連通する入口を有する穏やかな水素化処理のゾーンであって、水素化処理炭化水素生成物を排出用の水素化処理ゾーン出口を含む水素化処理ゾーン
を含む装置。
【請求項１３】
高沸点出口と流体連通する入口、および、低減濃度の窒素含有化合物を有するエキストラクトを排出用の吸着ゾーン出口を有する、吸着ゾーンをさらに含み、ここで、異性化反応ゾーン入口が該吸着ゾーン出口と流体連通する、請求項１２に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
好ましくなく高レベルの窒素含有化合物を含有する炭化水素供給物において、および、好ましくなく高レベルの多核芳香族化合物である特定の供給物において、異性化反応ゾーンに入る前に高沸点留分を吸着材と接触させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
炭化水素供給流は、フラッシングユニット２２の入口３２を介して導入され、約３００℃〜約３６０℃の範囲の目標留分境界点温度で、特定の態様において約３４０℃で、低沸点出口３４および高沸点出口３６から排出される２つの流れへと分留される。低沸点範囲留分は、異性化反応ゾーン３０の出口４０からの異性化流出物と混ぜ合わされ、水素化処理反応ゾーン２４の入口４２へと運ばれ、水素化脱硫触媒および導入口４４を介する水素と接触する。高沸点範囲留分は吸着ゾーン２６の入口へと運ばれ、窒素含有化合物および特定の態様において多核芳香族化合物を含む特定の汚染物質の濃度が低減される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
溶剤脱着の場合、新しい溶剤または再利用溶剤を吸着ゾーンに導入させる。除去された窒素含有化合物および／または多核芳香族化合物を含有する溶剤流は、出口３７を介して吸着ゾーン２６から排出され、フラッシュ分離または蒸留分離を用いて溶剤を回収することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
窒素含有化合物および特定の態様において多核芳香族化合物は、異性化触媒の使用寿命を高めるために、吸着ゾーン２６において除去される。例えば、塩基性窒素含有化合物は、酸性異性化触媒を害する傾向があるため除去される。吸着ゾーン２６で対象とされるかかる塩基性窒素含有化合物の例は、アクリジン類、キノリン類、アニリン類、キノリン、インドール、カルバゾール、キノリン-２(１Ｈ)-オン、および、前記のいずれかの誘導体を含む。さらに、他の嵩高い窒素含有化合物および任意の多核芳香族化合物は、異性化反応中に特に比較的低温反応条件で、該吸着サイトを埋める傾向がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
本明細書に記載の統合水素化処理装置およびプロセスにより、炭化水素燃料を深度脱硫するための従来方法と比較して明確な利点がもたらされる。例えば、深度脱硫化についての従来のある種の試みにおいては、全炭化水素流が吸着、異性化および水素化脱硫を受け、全てのプロセスに全供給流に適した容量のユニット操作が必要とされる。さらに、初期供給物の一部について、ある種の所望される燃料特性に悪影響を及ぼし得る異性化反応中の望ましくない副反応が避けられる。さらに、吸着ゾーンが必要とされる態様において、初期供給物の一部のみが吸着にさらされるため、全供給流に由来の窒素含有化合物および多核芳香族化合物の吸着に関する操作コストが低減される。