【事件の表示】
　特許第３３５３４７７号「純水リンス方法及び半導体装置の製造方法」の請求項１乃至４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５３４７７号の請求項１乃至４に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３３５３４７７号の請求項１乃至４に係る発明についての出願は、平成６年７月１３日の特許出願であって、平成１４年９月２７日にその発明について特許権の設定の登録がされ、その後、平成１５年６月２日に特許異議申立人湯口保浩より全請求項に係る特許に対して特許異議の申立てがされ、全請求項に係る特許に対して取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年６月１８日に特許異議意見書が提出されるとともに訂正請求がされたものである。
　
第２　訂正の適否
１　訂正事項
　前記訂正請求による訂正事項は、設定登録時の願書に添付した明細書又は図面（以下「特許明細書等」という。）の特許請求の範囲に記載された下記（１）の訂正前の特許請求の範囲を、下記（２）の訂正後の特許請求の範囲に訂正するものである。
（１）訂正前の特許請求の範囲
「【請求項１】 薬液処理した後のウエハを純水でリンスする方法であって、
　常温の純水で前記ウエハをリンスし、次いで高温の純水で当該ウエハをリンスした後、常温の純水で当該ウエハをリンスすることを特徴とする純水リンス方法。
【請求項２】請求項１記載の純水リンス方法において、
　前記高温の純水は、その温度が５０℃〜沸点までの間の所定温度に設定されることを特徴とする純水リンス方法。
【請求項３】請求項１記載の純水リンス方法において、
　前記高温の純水は、その温度が６５℃〜沸点までの間の所定温度に設定されることを特徴とする純水リンス方法。
【請求項４】薬液処理した後のウエハを純水リンスすることを含む半導体装置の製造方法であって、
　常温の純水で前記ウエハをリンスし、次いで高温の純水で当該ウエハをリンスした後、常温の純水で当該ウエハをリンスすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（２）訂正後の特許請求の範囲
「【請求項１】 薬液処理した後のウエハを純水でリンスする方法であって、
　常温の純水で前記ウエハをリンスし、次いで
高温の純水を用いて当該高温の純水の比抵抗が回復するまで
　ことを特徴とする純水リンス方法。
【請求項２】請求項１記載の純水リンス方法において、
　前記高温の純水は、その温度が５０℃〜沸点までの間の所定温度に設定されることを特徴とする純水リンス方法。
【請求項３】請求項１記載の純水リンス方法において、
　前記高温の純水は、その温度が６５℃〜沸点までの間の所定温度に設定されることを特徴とする純水リンス方法。
【請求項４】薬液処理した後のウエハを純水リンスすることを含む半導体装置の製造方法であって、
　常温の純水で前記ウエハをリンスし、次いで
高温の純水を用いて当該高温の純水の比抵抗が回復するまで
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項は、請求項１及び４に記載された高温の純水でウエハをリンスすることについて、当該高温の純水の比抵抗が回復するまでリンスする時間的な長さを限定するものであるので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものである。
　そして、訂正事項は、特許明細書等の段落【００１３】及び段落【００１９】に記載の事項より、特許明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものである。
　また、訂正事項の訂正によって発明の目的が変更されるのものでもないので、訂正事項は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるので、前記訂正は、特許法第１２０条の４第２項並びに同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議の申立て及び取消しの理由の概要
（１）特許異議の申立ての理由の概要は、請求項１乃至４に係る発明は、特許異議申立人が証拠として提出した甲第１号証：「’９３最新液晶プロセス技術」，株式会社プレスジャーナル，平成４年１０月１日，ｐ．２２６，２２７（以下「引用例１」という。）、甲第２号証：前田和夫著，「最新LSIプロセス技術」，株式会社工業調査会，１９８３年７月２５日，ｐ．１１９，１２３及び甲第３号証：特開平４−３５４３３４号公報（以下「引用例２」という。）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項１乃至４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから取り消されるべきものというものである。
　また、請求項２の記載は、不明確であり、請求項２に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから取り消されるべきものというものである。
（２）当審で通知した取り消しの理由の概要は、請求項１乃至４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから取り消されるべきものという上記特許異議の申立ての理由の概要と同様の趣旨のものである。
２　本件発明
　前記第２の３のとおり訂正が認められたので、本件の請求項１乃至４に係る発明（以下「本件発明１乃至４」という。）は、前記第２の１の（２）訂正後の特許請求の範囲の項の請求項１乃至４に記載のとおりのものと認める。
３　引用例記載事項
　引用例１及び２には、次の事項が記載されていると認める。
（１）引用例１
ア　第２２６頁左欄第２−８行
「ＬＣＤ基板の洗浄については、・・・ここではその中の洗浄装置について紹介する。」
イ　第２２６頁右欄第３−１０行
「ディップ＋ＵＳ洗浄は・・・液（水）温は４０℃〜６０℃の範囲内が最も効果がある・・・上下スプレーシャワーは、・・・最終的な仕上げを行うのに必要である」
ウ　第２２７頁図１
　洗剤スクラブ処理の後、純水スクラブ、純水ディップ＋ＵＳ、上下シャワースプレーという３つの連続した洗浄工程を行う洗浄ラインの構成例。
　また、上下シャワースプレーについては、純水を用いている旨明記されていないが、最終的な仕上げを行うのに必要な工程であることから、純水を用いているものと解される。
　さらに、純水スクラブ及び上下シャワースプレーに用いる純水の温度については、何ら記載されていないが、純水ディップ＋ＵＳに用いる純水の温度については、４０℃〜６０℃と記載されていることから判断して、純水ディップ＋ＵＳに用いる純水のみ加温し、純水スクラブ及び上下シャワースプレーに用いる純水は加温しないもの、すなわち常温であると解される。
　以上のとおりであるので、引用例１には、次の「純水洗浄方法」及び「ＬＣＤ基板装置の製造方法」が記載されていると認める。
　洗剤スクラブ洗浄後のＬＣＤ基板を純水で洗浄する方法であって、
　常温の純水で前記ＬＣＤ基板を純水スクラブ洗浄をし、次いで４０℃〜６０℃までの間の所定温度の純水を用いて当該ＬＣＤ基板を純水ディップ＋ＵＳ洗浄をした後、常温の純水で当該ＬＣＤ基板を上下シャワースプレー洗浄をする
　純水洗浄方法。（以下「引用例１記載の第１発明」という。）
　洗剤スクラブ洗浄後のＬＣＤ基板を純水洗浄することを含むＬＣＤ基板装置の製造方法であって、
　常温の純水で前記ＬＣＤ基板を純水スクラブ洗浄をし、次いで４０℃〜６０℃までの間の所定温度の純水を用いて当該ＬＣＤ基板を純水ディップ＋ＵＳ洗浄をした後、常温の純水で当該ＬＣＤ基板を上下シャワースプレー洗浄をする
　ＬＣＤ基板装置の製造方法。（以下「引用例１記載の第２発明」という。）
（２）引用例２
ア　段落【０００１】
「本発明は、例えば半導体ウエハのような被処理体に付着している付着物を完全に除去可能な洗浄方法及び洗浄装置に関するものである。」
イ　段落【００１４】
「加熱温度としては、６０℃以上が好ましい。」
ウ　段落【００２６】
「ノズル９の先端からオゾンを含む純水を噴霧化して半導体ウエハに吹き付けた。その際ヒーター７，８により純水を７０℃に加熱した。」
　上記記載事項より、引用例２には、次の事項が記載されていると認める。
　ウエハの洗浄において、７０℃の高温の純水を用いること。（以下「引用例２記載の技術的事項」という。）
４　対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と引用例１記載の第１発明とを対比すると、引用例１記載の第１発明の「洗剤スクラブ洗浄」は、薬液の一種である洗剤を用いた処理であることから、本件発明１の「薬液処理」に相当していることが明らかである。
　また、本件発明１の高温の純水とは、特許明細書等の記載事項より、５０℃〜沸点までの所定温度を意味するものであるから、本件発明１の高温の純水と引用例１記載の第１発明の４０℃〜６０℃までの間の所定温度の純水とは、５０℃〜６０℃までの間の所定温度の温度、すなわち高温であることで共通している。
　さらに、本件発明１のウエハと引用例１記載の第１発明のＬＣＤ基板とは、基板であることに限り共通しており、本件発明１のリンスは、洗浄であることに限り引用例１記載の第１発明と共通しており、本件発明１の常温の純水でウエハをリンスすることと引用例１記載の第１発明の常温の純水でＬＣＤ基板を純水スクラブ洗浄をすることとは、常温の純水を用いて基板を洗浄することに限り共通している。
　以上のとおりであるので、両者は、次の「純水洗浄方法」で一致している。
　薬液処理した後の基板を純水で洗浄する方法であって、
　常温の純水を用いて基板を洗浄し、次いで高温の純水を用いて当該基板を洗浄した後、常温の純水で当該基板を洗浄する
　純水洗浄方法。
　そして、両者は、次の点で相違している。
　基板が、本件発明１では、ウエハであるのに対し、引用例１記載の第１発明では、ＬＣＤ基板である点。（以下「相違点１」という。）
　常温、高温及び常温の純水を用いた洗浄が、本件発明１では、リンスであるのに対し、引用例１記載の第１発明では、スクラブ洗浄であり、ディップ＋ＵＳ洗浄であり、上下シャワースプレー洗浄である点。（以下「相違点２」という。）
　高温の純水を用いた洗浄を、本件発明１では、当該高温の純水の比抵抗が回復するまでおこなうのに対し、引用例１記載の第１発明では、そのようなものではない点。（以下「相違点３」という。）
　上記相違点について、以下検討する。
ア　相違点１について
　本件発明１のウエハも引用例１記載の第１発明のＬＣＤ基板も、共に各種電子デバイスの製造に供されるものであり、共に高い清浄化レベルが要求されるものであって、技術的に親近性があることから、引用例１記載の第１発明のＬＣＤ基板の純水洗浄方法をウエハの純水洗浄方法に採用することに、格別の困難性は見当たらない。
イ　相違点２について
　純水を用いたウエハの洗浄方法として、常温の純水を用いたリンス、高温の純水を用いたリンスは、例えば前記甲第２号証第１２３頁 図2.1.9自動洗浄装置のシステム構成図に記載されているように、それぞれ従来周知の事項であるので、引用例１記載の第１発明のＬＣＤ基板の純水洗浄方法をウエハの純水洗浄方法に採用するに際し、スクラブ洗浄、ディップ＋ＵＳ洗浄及び上下シャワースプレー洗浄をそれぞれリンスに変更、すなわち常温の純水を用いたリンス、高温の純水を用いたリンス及び常温の純水を用いたリンスに変更することは、当業者であれば容易に想到することができたことである。
ウ　相違点３について
　純水を用いたウエハのリンスにおいて、当該純水の比抵抗が回復するまで当該ウエハをリンスすることは、例えば、実公昭６２−４２５３５号公報、特開平３−２３３９３０号公報等に記載されているように、従来周知の事項であり、また、この従来周知の事項を高温の純水に採用することを妨げる事情も見当たらないことから、高温の純水を用いたリンスに上記従来周知の事項を採用し、当該高温の純水の比抵抗が回復するまで当該ウエハをリンスすることも、当業者であれば容易に想到することができたことである。
エ　本件発明１の作用効果について
　本件発明１の奏する作用効果は、引用例１記載の第１発明及び上記各従来周知の事項から当業者が予測できる程度のものであって、格別のものではない。
オ　むすび
　以上のとおりであるので、本件発明１は、引用例１記載の第１発明及び上記各従来周知の事項に基いて当業者が容易の発明をすることができたものである。
（２）本件発明２について
　本件発明２と引用例１記載の第１発明とを対比すると、本件発明２は、高温の純水の温度について、「５０℃〜沸点までの間の所定温度」と限定している。
　これに対し、引用例１記載の第１発明の純水の温度は、４０℃〜６０℃までの間の所定温度であり、本件発明２と引用例１記載の第１発明とは、５０℃〜６０℃までの間の所定温度で一致しているので、本件発明２と引用例１記載の第１発明とは、純水の温度が高温であることで一致している。
　したがって、本件発明２は、本件発明１についてと同様に、引用例１記載の第１発明及び上記各従来周知の事項に基いて当業者が容易の発明をすることができたものである。
（３）本件発明３について
　本件発明３と引用例１記載の第１発明とを対比すると、本件発明３は、高温の純水の温度について、「６５℃〜沸点までの間の所定温度」と限定しており、上記相違点１乃至３に加え、本件発明３では高温の純水の温度が６５℃〜沸点までの間の所定温度であるのに対し、引用例１記載の第１発明では４０℃〜６０℃までの間の所定温度である点（以下「相違点４」という。）で、両者は相違している。
　そこで、相違点４について検討すると、前記３の（２）のとおり、引用例２には、ウエハの洗浄において、７０℃の高温の純水を用いるという技術的事項が記載されているので、ウエハの洗浄に用いる高温の純水の温度として、引用例２記載の技術的事項を採用し、相違点４に係る本件発明３の所定温度に含まれる温度とすることに、格別の困難性は見当たらない。
　また、本件発明３の奏する作用効果は、引用例１記載の第１発明、引用例２記載の技術的事項及び上記各従来周知の事項から当業者が予測できる程度のものであって、格別のものではない。
　したがって、本件発明３は、引用例１記載の第１発明、引用例２記載の技術的事項及び上記各従来周知の事項に基いて当業者が容易の発明をすることができたものである。
（４）本件発明４について
　本件発明４と引用例１記載の第２発明とを対比すると、本件発明４の半導体装置と引用例１記載の第２発明のＬＣＤ基板装置とは、基板装置であることに限り共通しており、本件発明１についての検討と同様に、両者は、次の「半導体装置の製造方法」で一致している。
　薬液処理した後の基板を純水洗浄することを含む基板装置の製造方法であって、
　常温の純水で前記基板を洗浄し、次いで高温の純水を用いて当該基板を洗浄した
　基板装置の製造方法。
　そして、上記相違点１乃至３に加え、基板装置が、本件発明４では半導体装置であるのに対し、引用例１記載の第２発明ではＬＣＤ基板装置である点（以下「相違点５」という。）で、両者は相違している。
　上記相違点１乃至３については、既に検討したとおりであるので、相違点５について、以下検討する。
　相違点５についても、上記相違点１と同様に、本件発明４の半導体装置も引用例１記載の第２発明のＬＣＤ基板装置も、共に各種電子デバイスの製造に供されるものであり、共に高い清浄化レベルが要求されるものであって、技術的に親近性があることから、引用例１記載の第２発明のＬＣＤ基板装置の製造方法を半導体装置の製造方法に採用することに、格別の困難性は見当たらない。
　また、本件発明４の奏する作用効果は、引用例１記載の第２発明及び上記各従来周知の事項から当業者が予測できる程度のものであって、格別のものではない。
　以上のとおりであるので、本件発明４は、引用例１記載の第２発明及び上記各従来周知の事項に基いて当業者が容易の発明をすることができたものである。
５　むすび
　以上のとおり、本件発明１乃至４は、引用例１記載の第１発明、引用例１記載の第２発明、引用例２記載の技術的事項及び上記各従来周知の事項に基いて当業者が容易の発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件の請求項１乃至４に係る特許は、特許異議申立人が主張する特許法第３６条第６項第２号規定違反について検討するまでもなく、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１０月２８日（２００４．１０．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
純水リンス方法及び半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　薬液処理した後のウエハを純水でリンスする方法であって、
　常温の純水で前記ウエハをリンスし、次いで
高温の純水を用いて当該高温の純水の比抵抗が回復するまで
　ことを特徴とする純水リンス方法。
　【請求項２】　請求項１記載の純水リンス方法において、前記高温の純水は、その温度が５０℃〜沸点までの間の所定温度に設定される
　ことを特徴とする純水リンス方法。
　【請求項３】　請求項１記載の純水リンス方法において、前記高温の純水は、その温度が６５℃〜沸点までの間の所定温度に設定される
　ことを特徴とする純水リンス方法。
　【請求項４】　薬液処理した後のウエハを純水リンスすることを含む半導体装置の製造方法であって、常温の純水で前記ウエハをリンスし、次いで
高温の純水を用いて当該高温の純水の比抵抗が回復するまで
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、半導体からなるウエハを薬液洗浄した後に純水でリンスする方法及び半導体装置の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】半導体装置の製造工程では、その殆ど全ての工程でウエハ表面に汚染物質が付着する。上記ウエハ表面への汚染物質の付着は、半導体装置の歩留りを低下させる要因になるため、半導体装置製造のプロセスフロー中には、ウエハの洗浄工程が繰り返し挿入される。
　【０００３】上記ウエハの洗浄工程では、様々な薬液を用いてウエハの薬液処理が行われ、この薬液処理の後にはウエハ表面に付着した残留薬液を除去する純水リンスが行われる。この純水リンスは、水槽内にオーバーフロー状態で供給される純水中に上記ウエハを浸漬するか、または上記ウエハの洗浄面に純水をスプレー供給することによって行われる。上記純水は高温または常温で用いられ、高温の純水を用いた場合には常温の純水と比較してウエハ表面の残留薬液を早く除去することができるためリンス時間を短縮化することができる。それと共に、純水中でのバクテリアの増殖が防止され、清浄度が保たれた純水でウエハのリンスを行うことが可能になる。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の純水リンスには、以下のような課題があった。すなわち、高温の純水を用いたリンスでは、ウエハ表面に局所的に残留している薬液と高温の純水との反応によって当該ウエハ表面での薬液による局所的な反応が促進される。これによって例えばウエハ表面にエッチングムラのような薬液処理効果のバラツキが生じてしまう。一方、常温の純水を用いたリンスでは、高温の純水を用いた場合と比較してウエハ表面に付着している残留薬液を除去するのに時間が掛かる。このため、上記の純水リンス工程が、薬液処理を含めた洗浄工程全体の律速となり、当該洗浄工程のスループットを低下させる要因になる。
　【０００５】さらに、常温の純水は、ウエハ表面に対するエッチング作用が弱い。このため、常温の純水によるリンスには、例えば残留薬液中から再付着してウエハ表面に残留する汚染物質を除去する効果は無い。近年、半導体装置の高集積化に伴い、デバイス構造の微細化が進展している。このため、上記のようにして洗浄薬液中から持ち出された汚染物質のウエハ表面への残留が、製品の歩留りや信頼性に大きな影響を及ぼすようになってきている。
　【０００６】そこで、本発明は、上記の課題を解決する純水リンス方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】上記目的を達成するための本発明の純水リンス方法及び半導体装置の製造方法は、薬液処理したウエハを、先ず常温の純水でリンスし、次いで高温の純水でリンスする。また、高温の純水でウエハをリンスした後に、常温の純水でリンスを行う。
　【０００８】上記高温の純水は、５０℃〜沸点までまたは６５℃〜沸点までの間の所定温度に設定される。
　【０００９】
　【作用】上記純水リンス方法及び半導体装置の製造方法では、先ず常温の純水でリンスしたウエハを高温の純水でリンスすることから、ウエハ表面の残留薬液の大部分が常温の純水によって除去された後に高温の純水でウエハがリンスされる。このため、残留薬液と高温の純水との反応を防止した状態で、当該高温の純水によって残りの残留薬液が除去される。そして、高温の純水中ではウエハ表面のエッチングとウエハ表面の酸化とが進行することから、ウエハ表面の汚染物質が除去されると共にウエハ表面に自然酸化膜が形成される。
　【００１０】そして、ウエハを高温の純水でリンスした後に常温の純水でリンスする場合には、ウエハの温度が常温にまで冷却されて活性度が低く抑えられた状態で純水リンスが終了する。
　【００１１】また、上記高温の純水の温度を、５０℃から沸点までの間の所定温度にした場合には、常温の純水中で形成された自然酸化膜の少なくとも表面層がエッチングされる。一方、上記高温の純水の温度を、６５℃〜沸点までの間の所定温度にした場合には、ウエハ表面の自然酸化膜がエッチングされる。
　【００１２】
　【実施例】以下、本発明の実施例を図１の工程図に基づいて説明する。ここで、純水リンスを行うウエハ１は薬液処理を行ったものであり、表面には当該薬液処理の際にウエハ１に付着した薬液が残留している。このウエハ１を、半導体装置の製造工程において純水リンスする場合には、図１（１）に示すように、先ず純水槽２内に常温の純水１０をオーバーフロさせながら供給する。そして、この常温の純水１０中に、上記ウエハ１を浸漬することによってウエハ１のリンスを行う。ここでは、例えば約１分間のリンスを行う。
　【００１３】次に、図１（２）に示すように純水槽２内に、高温の純水２０をオーバーフロさせながら供給する。これによって、ウエハ１を高温の純水２０でリンスする。ここでは、例えば高温の純水２０の比抵抗が回復するまでリンスを行う。
　【００１４】上記の後、図１（３）に示すように、純水槽２内に、常温の純水３０をオーバーフローさせながら供給する。これによって、ウエハ１を常温の純水３０でリンスする。
　【００１５】上記純水リンス方法では、先ず常温の純水１０でリンスしたウエハ１を高温の純水２０でリンスすることから、ウエハ１表面の残留薬液の大部分が常温の純水１０によって除去された後に高温の純水２０でウエハ１がリンスされる。このため、ウエハ１表面に局所的に付着している残留薬液と高温の純水２０との反応を防止した状態で、当該高温の純水２０によって残りの残留薬液が除去される。そして、高温の純水中２０ではウエハ１表面のエッチングとウエハ１表面の酸化とが進行することから、ウエハ１表面の汚染物質が除去されると共にウエハ１表面に自然酸化膜が形成される。
　【００１６】さらに。上記のような状態のウエハ１を、再び常温の純水３０でリンスするため、ウエハ１の温度が常温にまで冷却されてウエハ表面の活性度が低く抑えられた状態で純水リンスが終了する。
　【００１７】ここで、上記高温の純水２０の温度は、例えば以下のように設定する。図２のグラフは、自然酸化膜上に吸着するパーティクルとして微粒子状にしたシリコンチップで故意に汚染させたウエハを、高温の純水でリンスした場合のパーティクル除去の純水温度依存性のグラフを示す。このグラフから、純水の温度が５０℃以上になるとパーティクルの除去効率が大幅に上昇することがわかる。このことから、高温の純水の温度を、５０℃〜沸点までの間の所定温度に設定する。ここでは、例えば６０□とする。図３には、６０℃の純水でのパーティクル除去のリンス時間依存性を示すグラフである。このグラフから、６０℃の純水では、１５分以上のリンス時間で、パーティクルの除去効率が上昇することがわかる。そこで、ここでは、高温の純水（２０）によるリンス時間を、１５分以上でかつ純水の比抵抗が回復するまでの時間に設定する。
　【００１８】上記のように、５０℃〜沸点までの間に高温の純水（２０）の温度を設定した場合には、図４に示すようにウエハ１のリンスが行われる。先ず図４（１）に示すように、高温の純水（２０）でリンスするウエハ１の表面には、上述のように自然酸化膜１ａが形成される。この自然酸化膜１ａ上には、例えばパーティクル状の汚染物質２が付着している。上記純水リンスでは、高温の純水（２０）の温度を、パーティクルの除去率から５０℃〜沸点までの間の所定温度に設定した。このことから、上記高温の純水（２０）によるリンスでは、図４（１）に示すように、自然酸化膜１ａの表面層がエッチングされて当該自然酸化膜１ａと共にこの自然酸化膜１ａ上に付着した汚染物質２が除去される。そして、上記と同様に高温の純水（２０）中では、新たな自然酸化膜の成膜が進むため、図４（２）に示すように、ウエハ１の表面は新たに成膜された表面を有する自然酸化膜１ｂで覆われる。
　【００１９】また、上記高温の純水（２０）の温度は、例えば以下のように設定しても良い。図５のグラフは、特に自然酸化膜中に取り込まれ易いＦｅによって故意に汚染させたウエハを、上記高温の純水（２０）によるリンスと同様に各温度の純水中に浸漬した後のＦｅの濃度を示している。このグラフから、６５℃までは純水の温度に伴ってＦｅの除去効率が上昇することがわかる。このことから、高温の純水（２０）の温度は、６５℃から沸点までの間の所定温度に設定する。ここでは、例えば６５℃とする。また、図６のグラフは、６５℃の純水でのＦｅ除去のリンス時間依存性を示すグラフである。このグラフから、６５℃の純水では、５分以上のリンス時間で、Ｆｅの除去効率が上昇することがわかる。そこで、ここでは、高温の純水（２０）によるリンス時間を、５分以上でかつ純水の比抵抗が回復するまでの時間に設定する。
　【００２０】上記のように、６５℃〜沸点までの間に高温の純水（２０）の温度を設定した場合には、図７に示すようにウエハ１のリンスが行われる。先ず図７（１）に示すように、高温の純水（２０）でリンスするウエハ１の表面には、上述のように自然酸化膜１ａが形成されている。この自然酸化膜１ａはその表面に汚染物質２が付着しその内部に汚染物質３が取り込まれている。ここでは、特に酸化膜中に取り込まれ易いＦｅの除去効率から、高温の純水（２０）の温度を６５℃〜沸点までの問の所定温度に設定している。このことから、上記高温の純水（２０）によるリンスでは、自然酸化膜１ａの大部分がエッチングされて当該自然酸化膜１ａと共に汚染物質２，３が除去される。また、高温の純水（２０）中では、上記自然酸化膜１ａのエッチングと共に新たな自然酸化膜の成膜が進むため、図７（２）に示すように、ウエハ１の表面は新たに成膜された自然酸化膜１ｃで覆われる。
　【００２１】上記実施例では、純水槽中にオーバーフロー状態で供給される純水中にウエハを浸漬するディップ方式を例にとって説明した。しかし、ウエハに純水を吹きつけるスプレー方式にも適用可能である。
　【００２２】
　【発明の効果】以上説明したように本発明の純水リンス方法及びこの純水リンスを行う半導体装置の製造方法によれば、先ずウエハ表面を常温の純水でリンスした後に高温の純水でリンスすることによって、ウエハ表面に局所的に付着している残留薬液と高温の純水との反応を防止しながらリンス時間の短縮化を図ることが可能になる。したがって、ウエハ表面のエッチングムラを防止した状態で洗浄工程のスループットを向上させることができる。また、上記高温の純水でのリンスでは、ウエハ表面のエッチングと自然酸化膜の形成とが進行することによって、ウエハ表面の汚染物質が除去された清浄な自然酸化膜をウエハ表面に形成することが可能になる。したがって、半導体装置の歩留りの向上を図ることができる。そして、ウエハを高温の純水でリンスした後に常温の純水でリンスした場合には、ウエハ表面の活性度を低く抑えて純水リンスを終了することが可能になり、純水リンスを終了した後のウエハに汚染物質が吸着することを防止できる。また、上記高温の純水を５０℃〜沸点の間の所定温度にした場合には、ウエハ表面の自然酸化膜上に付着する汚染物質を除去することが可能になる。一方、上記高温の純水を６５℃〜沸点の間の所定温度にした場合には、上記汚染物質と共に上記自然酸化膜中に取り込まれている汚染物質を除去することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】実施例を説明する工程図である。
　【図２】パーティクル除去の純水温度依存性のグラフである。
　【図３】パーティクル除去のリンス時間依存性のグラフである。
　【図４】実施例によるウエハ表面層の変化を示す図である。
　【図５】Ｆｅ除去の純水温度依存性のグラフである。
　【図６】Ｆｅ除去のリンス時間依存性のグラフである。
　【図７】実施例によるウエハ表面層の変化を示す図である。
　【符号の説明】
　１　ウエハ
　１０，３０　常温の純水
　２０　高温の純水