【事件の表示】
　特許第３４０５０３０号「マイクロ波用磁性体材料の製造方法、およびこれを用いた高周波回路部品」の請求項１ないし３、５ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４０５０３０号の請求項１ないし３、５ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４０５０３０号の請求項１ないし７に係る発明の手続きの経緯は、以下のとおりである。
　出願　　　　　　　　　　　　平成７年１２月１９日
　設定登録　　　　　　　　　　平成１５年３月７日
　特許異議の申立て（請求項１、２、３、５、６、７に対して）
　（アルプス電気株式会社）　　平成１５年１１月１１日
　取消理由通知　　　　　　　　平成１６年１０月１５日（起案日）
　意見書、訂正請求書　　　　　平成１６年１２月２４日
　
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１６年１２月２４日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
　
訂正事項ａ．特許第３４０５０３０号の明細書中の特許請求の範囲において、請求項１に係る記載の「【請求項１】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法。」とあるのを、
「【請求項１】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、
Ｂｉは２．０未満であり、
４．９４
、相対密度９０％以上に
　
訂正事項ｂ．特許第３４０５０３０号の明細書中の特許請求の範囲において、請求項４に係る記載の「【請求項４】　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とする請求項１、２又は３記載のマイクロ波用磁性体材料の製造方法。」
とあるのを、
「【請求項４】　
主成分として化学式Ａ
3
Ｂ
x
Ｏ
12
（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
【請求項８】
主成分として化学式Ａ
3
Ｂ
x
Ｏ
12
（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　
ＡがＹ
3-y
Ｂｉ
y
（ｙ＜２．００）で表され、
　
前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ
2
Ｏ
5
の重量部に換算して０＜Ｖ
2
Ｏ
5
≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ
3
の重量部に換算して０＜ＭｏＯ
3
≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ
3
の重量部に換算して０＜ＷＯ
3
≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
【請求項９】
主成分として化学式Ａ
3
Ｂ
x
Ｏ
12
（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　
Ａがカルシウム（Ｃａ）とビスマス（Ｂｉ）を含み、Ｂが鉄（Ｆｅ）とインジウム（Ｉｎ）とバナジウム（Ｖ）よりなり、
　
前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ
2
Ｏ
5
の重量部に換算して０＜Ｖ
2
Ｏ
5
≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ
3
の重量部に換算して０＜ＭｏＯ
3
≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ
3
の重量部に換算して０＜ＷＯ
3
≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　
訂正事項ｃ．特許第３４０５０３０号の明細書中の段落番号【０００９】の
「上記の問題点を解決する本発明に係るマイクロ波用磁性体材料の製造方法は、主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法である。」を、
「上記の問題点を解決する本発明に係るマイクロ波用磁性体材料の製造方法は、主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、
Ｂｉは２．０未満であり、
４．９４
、相対密度９０％以上に
　
訂正事項ｄ．特許第３４０５０３０号の明細書中の段落番号【００１３】の
「ｐ４．７６≦ｐ−（ｘ＋ｙ）＜５．００」を、
「４．７６≦ｐ−（ｘ＋ｙ）＜５．００」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア．前記訂正事項ａについては、請求項１に記載された「Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、」を「Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、
Ｂｉは２．０未満であり、
４．９４
、相対密度９０％以上に
　この「Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、
Ｂｉは２．０未満であり、
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に相当するものである。
　また、前記訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　また、「４．７６≦ｘ＜
４．９４
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に相当するものである。
　また、前記訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　また、「１１５０℃以下の温度で
、相対密度９０％以上に
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に相当するものである。
　また、前記訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
イ．前記訂正事項ｂについては、請求項４に記載された文言を形式的に独立した請求項４、８、９に書き換え、請求項１に記載された「Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、」を「Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、
Ｂｉは２．０未満であり、
、相対密度９０％以上に
　この「Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、
Ｂｉは２．０未満であり、
、相対密度９０％以上に
　
ウ．前記訂正事項ｃについては、前記訂正事項ａの如く特許請求の範囲を訂正することにより、課題を解決するための手段を明確化する訂正をしようとするものであるから、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当するものである。
　また、前記訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
エ．前記訂正事項ｄは、段落番号【００１３】の「ｐ４．７６≦ｐ−（ｘ＋ｙ）＜５．００」を「４．７６≦ｐ−（ｘ＋ｙ）＜５．００」に訂正しようとする訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正に相当するものである。
　また、前記訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
（３）独立特許要件の判断
（訂正後の請求項４、８、９に係る発明）
  【請求項４】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
【請求項８】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　ＡがＹ3-yＢｉy（ｙ＜２．００）で表され、
　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
【請求項９】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　Ａがカルシウム（Ｃａ）とビスマス（Ｂｉ）を含み、Ｂが鉄（Ｆｅ）とインジウム（Ｉｎ）とバナジウム（Ｖ）よりなり、
　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　
（刊行物）
刊行物１．特開平３−１５９９１５号公報（申立人の提出した甲第１号証）
刊行物２．特開昭５１−１８８９４号公報（申立人の提出した甲第２号証）
刊行物３．特開昭５０−３４０９号公報（申立人の提出した甲第３号証）
刊行物４．特公昭４３−５３４４号公報（申立人の提出した甲第４号証）
刊行物５．特開平４−１１４４１１号公報（申立人の提出した甲第５号証）
刊行物６．特開平７−２１２１０８号公報（申立人の提出した甲第６号証）
刊行物７．特開平６−３３８７０７号公報（申立人の提出した甲第７号証）
刊行物８．特開平６−２９１５１５号公報（申立人の提出した甲第８号証）
刊行物９．セラミックス　１５　（１９８０）　Ｎｏ．１２　Ｐ．９７６−９８２（申立人の提出した甲第９号証）
　なお、刊行物１〜９に記載の発明の内容については、下記３．「（３）引用刊行物に記載された発明」部分を参照のこと。
　
（対比・判断）
　訂正後の本件請求項４、８、９に係る発明と刊行物１〜９に記載の発明とを対比すると、上記刊行物１〜９には、訂正後の本件請求項４、８、９に係る発明の構成要件である「前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む」点について、記載も示唆もない。
　そして、訂正後の本件請求項４、８、９に係る発明は、上記構成要件により、高周波用ガーネットが容易に製造可能となり、アイソレーターに用いた場合に、挿入損失の小さいものが得られるという、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、訂正後の本件請求項４、８、９に係る発明は、上記刊行物１〜９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、他に訂正後の本件請求項４、８、９に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができない理由を発見しないので、訂正後の本件請求項４、８、９に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
３．特許異議の申立てについて
（１）申立の理由及び取消理由通知
ア．申立の理由の概要について
　特許異議申立人は、証拠として本件出願前国内において頒布された甲第１号証（特開平３−１５９９１５号公報）、甲第２号証（特開昭５１−１８８９４号公報）、甲第３号証（特開昭５０−３４０９号公報）、甲第４号証（特公昭４３−５３４４号公報）、甲第５号証（特開平４−１１４４１１号公報）、甲第６号証（特開平７−２１２１０８号公報）、甲第７号証（特開平６−３３８７０７号公報）、甲第８号証（特開平６−２９１５１５号公報）、甲第９号証（セラミックス　１５　（１９８０）　Ｎｏ．１２　Ｐ．９７６−９８２）を提出し、本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と実質的に同一であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し取り消されるべきものであり、本件の請求項１、２、３、５、６，７に係る発明は、甲第１号証ないし甲第９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第第２９条第２項の規定に該当し取り消されるべきものであり、また、本件の請求項１に係る発明及び明細書の記載は不備のため、特許法第３６条第４項、あるいは第６項第２号の規定を満たさず、取り消されるべきものであると主張している。
　
イ．取消理由通知について
　当審で通知した取消理由の概要は、以下の通りである。
「１）本件特許の下記の請求項に係る発明は、その出願前国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を取り消されるべきものである。
２）本件特許の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３）本件特許は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
刊行物１．特開平３−１５９９１５号公報（申立人の提出した甲第１号証）
刊行物２．特開昭５１−１８８９４号公報（申立人の提出した甲第２号証）
刊行物３．特開昭５０−３４０９号公報（申立人の提出した甲第３号証）
刊行物４．特公昭４３−５３４４号公報（申立人の提出した甲第４号証）
刊行物５．特開平４−１１４４１１号公報（申立人の提出した甲第５号証）
刊行物６．特開平７−２１２１０８号公報（申立人の提出した甲第６号証）
刊行物７．特開平６−３３８７０７号公報（申立人の提出した甲第７号証）
刊行物８．特開平６−２９１５１５号公報（申立人の提出した甲第８号証）
刊行物９．セラミックス　１５　（１９８０）　Ｎｏ．１２　Ｐ．９７６−９８２（申立人の提出した甲第９号証）
　
・理由１
・請求項１
・刊行物１
　
・理由２
・請求項１〜３、５〜７
・刊行物１〜９
　
・理由３
・請求項１
　特許異議申立書第２１頁第３〜１４行に記載された理由を参照のこと。」
　
（２）本件請求項１ないし９に係る発明
　上記「２．訂正の適否についての判断」で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１ないし９係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜４．９４である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　【請求項２】　ＡがＹ3-yＢｉy（ｙ＜２．００）で表される、請求項１に記載のマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　【請求項３】　Ａがカルシウム（Ｃａ）とビスマス（Ｂｉ）を含み、Ｂが鉄（Ｆｅ）とインジウム（Ｉｎ）とバナジウム（Ｖ）よりなる事を特徴とする、請求項１記載のマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　【請求項４】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　【請求項５】　請求項１、２、３、４、記載の製造方法により得られた磁性体を用い、前記磁性体中に導体を埋め込んで閉磁路を形成したことを特徴とする高周波回路部品。
　【請求項６】　高周波回路部品が高周波用非可逆回路素子である請求項５記載の回路部品。
　【請求項７】　磁性体中の導体が、銀（Ａｇ）を主成分とする事を特徴とする、請求項第５項記載の高周波回路部品。
　【請求項８】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　ＡがＹ3-yＢｉy（ｙ＜２．００）で表され、
　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　【請求項９】　主成分として化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　Ａがカルシウム（Ｃａ）とビスマス（Ｂｉ）を含み、Ｂが鉄（Ｆｅ）とインジウム（Ｉｎ）とバナジウム（Ｖ）よりなり、
　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ2Ｏ5の重量部に換算して０＜Ｖ2Ｏ5≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ3の重量部に換算して０＜ＭｏＯ3≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ3の重量部に換算して０＜ＷＯ3≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。」
　
（３）引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消理由で引用した、本件特許出願前に日本国内で頒布された刊行物１（特開平３−１５９９１５号公報（申立人の提出した甲第１号証））には、「ガーネット微粒子粉末」（発明の名称）に関して、「光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ、光導波路、光メモリ等の用途に好適なガーネット微粒子粉末を提供することにある。」（第２頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第１行）こと、「本発明は、　一般式　ＲａＢｉｂＦｅｃＭｄＯｅ（ただし、ＲはＹ及びランタン系列元素からなる群より選ばれる一種以上の希土類元素を示し、ＭはＡｌ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｏ，Ｆｅ（II），Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｌｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｍｏ，Ｖ及びＮｂからなる群より選ばれる一種以上の元素を示し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝７．５〜８．０、ａ＋ｂ＝２．０〜３．５、ｃ＋ｄ＝４．５〜６．０、ａ＝０．５〜３．５、ｂ＝０〜２．５、ｃ＝３．０〜６．０、ｄ＝０〜２．０であり、ｅは他の元素の原子価を満足する酸素の原子数である。）で表され、かつ平均粒子径が３０〜１０００Åである希土類鉄ガーネット微粒子粉末に関する。」（第２頁右上欄第３行〜１４行）こと、「次いで、得られた沈澱物を水洗して、遊離のアルカリ分を除去した後、濾過、乾燥し、焼成することにより、希土類鉄ガーネット微粒子が得られる。焼成温度は、希土類鉄ガーネットの組成により異なるが、６００〜９００℃である。温度が低すぎると結晶化が十分でなく、また温度が高すぎると粒子が大きくなったり、焼結が起こるので好ましくない。」（第３頁左下欄第２〜９行）こと、「Ｙ１．５Ｂｉ１．５Ｆｅ５．０Ｏ１２であり、ガーネット単相であった。」（第４頁左下欄第１〜２行）ことが、記載されている。
　
　同刊行物２（特開昭５１−１８８９４号公報（申立人の提出した甲第２号証））には、「酸化物磁性材料」（発明の名称）に関して、「組成式｛ＢｉｘＣａｙ＋ｚ＋ｖ＋ｗＹ３−ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｖ−Ｗ｝［Ｆｅ２−ｕ−ｖ−ｗＩｎｕＺｒｖＳｎｗ］（Ｆｅ３−ｚ−０．５ｙＧｅｚＶ０．５ｙ）Ｏ１２において、０．０５≦ｘ≦１．４、０＜ｙ≦１．２、０≦ｚ≦０．６、０．２≦ｕ≦０．７、０≦ｖ＜０．７、０≦ｗ≦０．７（ｖ＝ｗ＝０の点を除く）であり、同時に、０．４≦ｙ＋ｚ＋ｖ＋ｗ＜１．４および０．３≦ｕ＋ｖ＋ｗ≦１．０であることを特徴とする酸化物磁性材料。」（第１頁左下欄第９〜１５行）こと、「ＶＨＦ、ＵＨＦおよびＳＨＦの周波数帯における高周波磁性材料として用いられるカルシウム−バナジウム（以下ＣａＶ系と記す）系フエリ磁性ガーネツトに係るものである。
　フエリ磁性ガーネツトをチユーナー、アイソレーター、サーキユレーターなどの素子として用いる」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第４行）、「素原料Ｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＣａＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＧｅＯ２およびＶ２Ｏ５を所要のモル比に精秤後、ボールミルで２４時間混合し、９００℃空気中で４時間仮焼後、ボールミル２４時間粉砕、９７０℃空気中で再仮焼、４８時間粉砕し、次いで金型プレスにより２ｔ／ｃｍ２で成形後、１０５０℃ないし１２００℃で２０時間Ｏ２中で焼成した。」（第３頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第１行）ことが、記載されている。
　
　同刊行物３（特開昭５０−３４０９号公報（申立人の提出した甲第３号証））には、「ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造法」（発明の名称）に関して、
「Ｒ３−ｚＢｉｚＦｅ５Ｏ１２但し、ｚは希土類元素Ｒの種類によって定まり，０乃至１．５の範囲内の値を有する一般式で表される多結晶焼結体であって，Ｂｉの固溶限で定まる温度よりも低い温度でホットプレスすることにより焼結体を得ることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造法。」（特許請求の範囲）であり、「ビスマス置換希土類鉄ガーネットにおいては，その構成元素であるビスマスの固溶限が温度に著しく依存し，温度が高くなるとビスマスの固溶限は急激に小さくなってしまう。ところで、緻密な焼結体を得るためには焼成温度を高くすることが必要であるが，この場合単一のガーネット相ではなくなる。したがって，通常の焼成法によってビスマス置換希土類鉄ガーネットの緻密な焼結体を得ることは本質的に困難である。このため，通常の焼成法におけるよりも低い温度において緻密な焼結体が得られるホットプレス焼成法がビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造法として極めて優れている。」（第１頁右下欄第１４行〜第２頁左上欄第６行）こと、「ビスマス置換希土類鉄ガーネットＲ３−ｚＢｉｚＦｅ５Ｏ１２焼結体を通常の焼成法によって作製した。原料はすべて酸化物でありＲ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３およびα−Ｆｅ２Ｏ３を所望のｚの値に応じて秤量し，よく混合粉砕した後，プレス成型し，９００℃〜１４００℃の焼成温度で，３時間焼結した。」（第２頁右下欄第１０〜１５行）こと、「ビスマス置換希土類鉄ガーネットＲ３−ｚＢｉｚＦｅ５Ｏ１２（Ｒ＝Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ）」（第３頁右上欄第３〜４行）が、記載されている。
　
　同刊行物４（特公昭４３−５３４４号公報（申立人の提出した甲第４号証））には、「合成鉄ガーネツト組成物」（発明の名称）に関して、「本発明は合成ガーネツトの製造方法に係る。
　合成ガーネツト特にイツトリウム鉄ガーネツトの発見はフエリ磁性材料の分野に新しい興味を喚起し、特にマイクロ波通信に使用される有用且つ有効な装置が開発された。」（第１頁右欄第２〜６行）こと、「蒼鉛をイツトリウム鉄ガーネツト中のイツトリウムに置換するとガーネツト相を生成するに必要な温度が５０°乃至数百度減少する。」（第１頁右欄第１５〜１７行）こと、「｛ＢｉｘＹ３−ｘ｝Ｆｅ２Ｆｅ３Ｏ１２　（１）
　大きさが大きいためＣ面へ蒼鉛を全部置換することは不可能である。この理由から得られる蒼鉛の最大置換度は５０％即ち化学式単位で１．５原子である。
　蒼鉛をガーネツト材料中に置換することに伴う利点は０．０５蒼鉛原子の如き少量を置換するとき現れる。従つて本発明は蒼鉛イオンの最小数が０．０５である蒼鉛置換ガーネツト材料に係る。」（第１頁右欄第３３〜４１行）こと、「一般にイツトリウム鉄ガーネツトの如き従来の単相磁性ガーネツトを得るのに必要な焼成温度は１４００乃至１５００℃である。前記最小量の蒼鉛を置換すると少くとも５０℃の所要焼成温度が減少するから一般に本発明方法は１３５０℃の最高焼成温度以下で実施される。従つて焼成温度は９００乃至１３５０℃がよい。」（第２頁左欄第４０〜４６行）こと、「今日迄行つた実験は蒼鉛含有量が０．０５乃至０．２５で１１００乃至１３５０℃の温度で約１８乃至３６時間焼成した蒼鉛置換ＹＩＧ系が特に良好な特性を有することを示す。」（第２頁右欄第１９〜２２行）こと、「｛ＢｉｘＡ３−ｘ｝［Ｆｅ２−ｙＢｙ］（Ｆｅ３−ｚＣｚ）Ｏ１２で表わされる組成物を有する鉄ガーネツト組成物（式中、Ａはイツトリウム、稀土類元素又はカルシウムであり：ｘは０．０５ないし１．５であり：０＜ｙ＋ｚ＜２．５であり：Ｂ及びＣは同一又は異なりて、アルミニウム、バナジウム、チタン、ジルコン、ハフニウム、マグネシウム、亜鉛、ガリウム、インジウム、珪素、ゲルマニウム、錫、クロム、マンガン、コバルト、ニツケルおよびスカンジウムからなる群から選ばれたものである。）。」（第５頁左欄１１行〜同頁右欄第１０行）ことが、記載されている。
　
　同刊行物５（特開平４−１１４４１１号公報（申立人の提出した甲第５号証））には、「マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物」（発明の名称）に関して、「（Ｙ１−ｘＧｄｘ）ｗ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＡｌｙＭｎｚ）８−ｗＯ１２で表わされる組成において、ｘ、ｙ、ｚおよびｗがそれぞれ０≦ｘ≦０．３５、０≦ｙ≦０．１６、０．０１≦ｚ≦０．０４、３．０２≦ｗ≦３．０６の範囲にある組成を主成分とし、これにＣｕＯの形で表わした酸化銅およびＳｎＯ２の形で表わした酸化錫をそれぞれ０．５モル％以上、２．０モル％以下添加含有してなるマイクロ波・ミリ波用磁性体組成物。」（特許請求の範囲）、「高安定なアイソレーターやサーキュレーターなどの回路素子に応用可能な材料である。」（第１頁右下欄第１２〜１４行）こと、「ＹＩＧフェライトは、ΔＨや誘電損失（ｔａｎδ）等の損失の値が微妙な組成の変動によって実用上支障をきたすほど大きくなるという欠点を有している。」（第２頁左上欄第５〜８行目）ことが、記載されている。
　
　同刊行物６（特開平７−２１２１０８号公報（申立人の提出した甲第６号証））には、「非可逆回路素子」（発明の名称）に関して、「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非可逆回路素子に関し、特にマイクロ波帯で使用される非可逆回路素子の構造に関する。」こと、「【００１２】この様なフェライト組立体１１は、例えば、以下のようにして製造される。まず、円板状フェライトグリーン体の上面に、互いに絶縁され、かつ等角度で交差する中心導体を、導電ペーストで印刷形成する。この円板状フェライトグリーン体に、他の同形状の円板状フェライトグリーン体を積層し、密着させて中心導体を挟み込む。」こと、「【００１４】次に図３を参照して、本発明の一実施例を説明する。本実施例の非可逆回路素子は、上述したフェライト組立体１１と、フェライト組立体１１を収容する基台３１と、整合容量３２と、遮蔽板３３と、永久磁石３４ａ，３４ｂと、上部ヨーク３５ａと、下部ヨーク３５ｂとを有している。」こと、「【００１８】・・・永久磁石がそれぞれ接着された上部ヨーク３５ａ及び下部ヨーク３５ｂは、互いに接続部で接続されて閉磁路を構成する。」こと、「銀ペースト」（第１頁左下欄第７行）が、記載されている。
　
　同刊行物７（特開平６−３３８７０７号公報（申立人の提出した甲第７号証））には、「サーキュレータ」（発明の名称）に関して、「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯域等で用いられる無線機器、例えば携帯電話のごとき移動無線機器等に使用される集積型のサーキュレータに関する。」こと、「【００３６】基板シート５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５４ａ、５４ｂ及び５４ｃの上面には、コイルの巻回数に応じた数の上部内部導体５５ａ、５５ｂ及び５５ｃ並びに下部内部導体５６ａ、５６ｂ及び５６ｃが銀ペースト、パラジウムペースト、又は銀−パラジウムペーストの印刷又は転写によってそれぞれ形成される。」ことが、記載されている。
　
　同刊行物８（特開平６−２９１５１５号公報（申立人の提出した甲第８号証））には、「マイクロ波用非可逆回路素子」（発明の名称）に関して、「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばサーキュレーターやアイソレーター用として用いられるマイクロ用非可逆回路素子に関し、特に、磁性体材料と電極材料とを積層した後に一体焼成して得られる磁性体を用いて構成されたマイクロ波用非可逆回路素子に関する。」こと、「【００２７】磁性体グリーンシート５の上面には、インピーダンス整合回路用容量を構成するための内部電極１３〜１５が、磁性体グリーンシート６の上面には、同じくインピーダンス整合回路用容量を構成するための内部電極１６〜１８が形成されている。」こと、「【００３０】次に、上記マイクロ波用磁性体２０の外表面に、外部電極２０ａ〜２０ｆを形成した。外部電極２０ａ〜２０ｆは、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ等の金属粉末及びガラスフリットを含む導電ペーストを塗布し、９００〜１２００℃程度の温度で焼き付けることにより形成することができる。」こと、「【００３１】・・・従って、上記マイクロ波用非可逆回路素子の上下すなわちマイクロ波用磁性体２０の上下に永久磁石を配置し、中心電極９〜１１が交叉している部分に直流磁界を印加するように、金属製ヨークにより上記永久磁石を挟持することにより、磁気閉磁回路を形成することができ、サーキュレーターやアイソレーターとして用い得る非可逆回路装置を構成することができる。」ことが、記載されている。
　
　同刊行物９（セラミックス　１５　（１９８０）　Ｎｏ．１２　Ｐ．９７６−９８２（申立人の提出した甲第９号証））には、「ガーネット型フェライトは，主にＶＨＦ，ＵＨＦ等の１０〜１０５ＭＨｚの周波数領域でのマイクロ波回路素子用材料として用いられる。」（第９７７頁左欄第１０〜１２行）ことが、記載されている。
　
（４）対比・判断
ア．特許法第３６条についての判断
　本件請求項１に係る発明は、本件明細書に記載の表１等の結果に基づき、Ｂｉを２．０未満に訂正し、さらに焼結体の相対密度を９０％以上に限定した。
　その結果、本件請求項１に係る発明には、本件明細書中の表１による、Ｂｉの置換量が２．０で、焼成温度を８５０℃で第２相が現れるという好ましくない例が含まれなくなり、本件請求項１に係る発明は、明確になった。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしているものである。
　
イ．特許法第２９条第１項第３号についての判断
　刊行物１に記載の発明は、光アイソレータ、光サーキュレータ等の用途に好適な、ガーネット微粒子粉末型多結晶フェライト粉末を提供することを目的としている。そのため、刊行物１に記載の発明は、化学式、ＲａＢｉｂＦｅｃＭｄＯｅ（ＲはＹ及びランタン系列元素、ＭはＡｌ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｓｃ，Ｉｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｌｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｍｏ，ＶおよびＮｂ）で表され、かつ平均粒子系が３０〜１０００Åである希土類鉄ガーネット微粒子粉末である。
　そこで、本件請求項１に係る発明と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載の発明の組成は、本件請求項１に係る発明の組成物を包含する極めて広いものであるが、刊行物１に記載の発明はあくまで微粒子粉末であって、本件請求項１に係る発明の「化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜４．９４である）で表される組成比に配合した粉末を相対密度９０％以上に焼結する」という構成要件を備えておらず、本件請求項１に係る発明は、刊行物１に記載の発明と同一とは認められず、特許法第２９条第１項第３号には該当しないものである。
　
ウ．特許法第２９条第２項についての判断
ａ．本件請求項１に係る発明について
・本件請求項１に係る発明と刊行物１に記載の発明との対比について
　刊行物１に記載の発明は、上記「イ．特許法第２９条第１項第３号についての判断」にも記載したように、ガーネット微粒子粉末であり、本件請求項１に係る発明とは、構成も使用目的も異なるものである。
　刊行物１では、その第３頁左下欄第２〜６行に、「次いで、得られた沈澱物を水洗して、遊離のアルカリ分を除去した後、濾過、乾燥し、焼成することにより、希土類鉄ガーネット微粒子が得られる。焼成温度は、希土類鉄ガーネットの組成により異なるが、６００〜９００℃である。」という記載がある。これを受けて、異議申立書においては、その第１２頁第２０〜２８行において、焼成温度と焼結温度は、技術的用語に差異はあるが、ガーネット微粒子粉末を焼結して磁性体を成形することは、ごく一般に行われている周知慣用技術に他ならないから、上記相違点は、本件と刊行物１との同一性を覆すほどの差異点ではない旨の主張をしている。
　しかしながら、焼成温度とは単に熱処理をする温度のことであり、その温度で焼結する、すなわち粉末粒子が相互に物質拡散により一体化し、本件請求項１に係る発明のように、相対密度９０％以上の高密度焼結体となるかどうかとは、全く別の問題である。このことは、刊行物１に記載の発明においても、先にあげた記載の直後の、第３頁左下欄第６〜９行に、「温度が低すぎると結晶化が十分でなく、また温度が高すぎると粒子が大きくなったり、焼結が起こるので好ましくない。」と、焼成温度と焼結温度を切り分けて表現していることからも明らかである。
　刊行物１に記載の発明では、もともと焼結体とする考え方がないので、刊行物１に記載の発明の粉末を焼結体作製に用いた場合に、何℃で９０％以上の高密度に焼結するかの記載はない。しかしながら、先に上げた記載から、９００℃では焼結が開始さえしないことがわかる。焼結開始温度と焼結により緻密化する温度が、どれだけ差があるかは不明であるが、　　　　　　　
９００℃＜焼結開始温度＜高密度となる焼結温度
の関係があるはずで、９００℃よりかなり高い温度が必要となるという蓋然性が高い。
　これに対して、本件請求項１に係る発明では、組成によっては９００℃での高密度化も可能である。いずれにせよ、もともと焼結体にするという考え方のない刊行物１に記載の発明から、１１５０℃以下で焼結するという効果を期待することは、困難である。
　また、刊行物１に記載の発明では、本件請求項１に係る発明のＡ3ＢxＯ12表記におけるｘの値として、異議申立書第１２頁第１６〜１７行にあるように、４．５〜６．０となっており、本件請求項１に係る発明の４．７６≦ｘ＜４．９４を含む。しかしながら、その明細書の実施例では、ｘは５．０のみである。
　本件請求項１に係る発明では、４．７６≦ｘ＜４．９４の範囲内にした場合に、結晶性が優れた単相の焼結体が得られ、その結果、アイソレーターに用いた場合に、挿入損失の小さいものが得られるという作用効果があるが、刊行物１に記載の発明では、そのような効果について、記載も示唆もない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、刊行物１に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
・本件請求項１に係る発明と刊行物２、３、４に記載の発明との対比について
　刊行物２、３、４に記載の発明は、いずれも、ＢｉとＹとＦｅを含むガーネット系酸化物磁性体材料であり、その焼結温度も、刊行物２で１０５０〜１２００℃、刊行物３で、ホットプレスという特殊な条件を含みながらも９００〜９５０℃、刊行物４で、９００〜１３５０℃となっており、本件請求項１に係る発明の焼結温度範囲を含んでいる。
　しかしながら、刊行物２、３、４に記載の発明では、化学式Ａ3ＢxＯ12のＢのサイトの量は常に５．０であり、本件請求項１に係る発明のような４．７６≦ｘ＜４．９４ではない。
　本件請求項１に係る発明では、その明細書に示すように、ＡにＢｉを含み、かつＢにおけるｘを４．７６≦ｘ＜４．９４とすることで、低温焼結可能でかつ結晶性が優れた単相の焼結体が得られ、その結果、アイソレーターに用いた場合に、挿入損失の小さいものが得られるという作用効果があるが、刊行物２、３、４に記載の発明では、そのような効果について、記載も示唆もない。
　
・本件請求項１に係る発明と刊行物５に記載の発明との対比について
　刊行物５に記載の発明は、Ｂｉを含まないこと、ＣｕとＳｎを必須元素として含むこと、その焼成温度が１４６０〜１４９０℃と高いことなど、本件請求項１に係る発明とは全く異なるものである。
　異議申立書では、その第１５頁第１２〜１４行において、「本件のＢサイトに相当する（Ｆｅ１−ｙ−ｚＡｌｙＭｎｚ）８−ｗの組成比は８−ｗであり、ｗは３．０２〜３．０６の範囲であるから、Ｂサイトの組成は４．９２〜４．９８の範囲内となる。」と記載されており、本件請求項１に係る発明の４．７６≦ｘ＜４．９４と重なる部分があるようにみえる。したがって、この刊行物５に記載の発明と、ＹをＢｉで置換することによって低温焼結を可能とする刊行物２，３，４に記載の発明を組み合わせれば、本願の構成を導き出すことになんら困難性がないと主張している。
　しかしながら、刊行物５には、その第２頁左上欄第５〜８行目に、「ＹＩＧフェライトは、ΔＨや誘電損失（ｔａｎδ）等の損失の値が微妙な組成の変動によって実用上支障をきたすほど大きくなるという欠点を有している。」と記載されており、そうであるならば、Ｂｉを含み、刊行物５に記載の発明よりもはるかに低温で焼結可能な本件請求項１に係る発明は、刊行物５に記載の発明と比較して、その組成において、「微妙な組成の変動」どころではない差があるので、刊行物５に記載の発明の組成でＢｉ置換を行えば、当然特性が劣化し、本件請求項１に係る発明のような優れた特性が得られることは、当業者が予想し得ないことである。
　また、たとえ、刊行物５に記載の発明と、刊行物２ないし４に記載の発明が組み合わせ得るとしても、刊行物５に記載の発明におけるｗが３．０２〜３．０６であるならば、８−ｗは異議申立書において主張する４．９２〜４．９８ではなく、４．９４〜４．９８となるはずであり、本件請求項１に係る発明の４．７６≦ｘ＜４．９４と重なる部分はない。このことは、刊行物５の実施例において、８−ｗが４．９４である試料Ｎｏ．４４，４９，５４が発明範囲内であるのに対して、８−ｗが４．９２となる試料Ｎｏ．４５，５０，５５が発明範囲外となっていることからも明らかである。
　以上のように、この刊行物５は、Ｂｉの有無と焼成温度が全く異なり、ｘの範囲も異なるものであるから、この刊行物５に記載の発明と刊行物２ないし４に記載の発明を組み合わせても、本件請求項１に係る発明は当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
・本件請求項１に係る発明と刊行物６、７、８、９に記載の発明との対比について
　刊行物６、７、８、９に記載の発明は、いずれもガーネットを使用していると推測、あるいは明示されているが、いずれもガーネットの組成や焼結温度については、全く記載がなく、本件請求項１に係る発明とは全く異なるものである。
　
・本件請求項１に係る発明と刊行物１〜９に記載の発明との対比について
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１〜９に記載の発明とを対比すると、上記刊行物１〜９には、本件請求項１に係る発明の構成要件である「化学式Ａ3ＢxＯ12（ここで、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜４．９４である）で表される組成比に配合した粉末を相対密度９０％以上に焼結する」点について、記載も示唆もない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記構成要件により、高周波用ガーネットが容易に製造可能となり、アイソレーターに用いた場合に、挿入損失の小さいものが得られるという、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物１〜９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
ｂ．本件請求項２、３、５、６、７に係る発明について
　本件請求項２、３、５、６、７に係る発明は、本件請求項１に係る発明を直接的又は間接的に引用した発明であるので、本件請求項１に係る発明と同様な理由により、上記刊行物１〜９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３、５ないし７に係る発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件請求項１ないし３、５ないし７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月２日（２００５．２．２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
マイクロ波用磁性体材料の製造方法、およびこれを用いた高周波回路部品
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　主成分として化学式Ａ３ＢｘＯ１２（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、
Ｂｉは２．０未満であり、
４．９４
、相対密度９０％以上に
　【請求項２】　ＡがＹ３−ｙＢｉｙ（ｙ＜２．００）で表される、請求項１に記載のマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　【請求項３】Ａがカルシウム（Ｃａ）とビスマス（Ｂｉ）を含み、Ｂが鉄（Ｆｅ）とインジウム（Ｉｎ）とバナジウム（Ｖ）よりなる事を特徴とする、請求項１記載のマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　【請求項４】　
主成分として化学式Ａ３ＢｘＯ１２（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ２Ｏ５の重量部に換算して０＜Ｖ２Ｏ５≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ３の重量部に換算して０＜ＭｏＯ３≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ３の重量部に換算して０＜ＷＯ３≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴と
するマイ
　【請求項５】　請求項１、２、３、４、記載の製造方法により得られた磁性体を用い、前記磁性体中に導体を埋め込んで閉磁路を形成したことを特徴とする高周波回路部品。
　【請求項６】　高周波回路部品が高周波用非可逆回路素子である請求項５記載の回路部品。
　【請求項７】　磁性体中の導体が、銀（Ａｇ）を主成分とする事を特徴とする、請求項第５項記載の高周波回路部品。
　
【請求項８】
主成分として化学式Ａ３ＢｘＯ１２（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　
ＡがＹ３−ｙＢｉｙ（ｙ＜２．００）で表され、
　
前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ２Ｏ５の重量部に換算して０＜Ｖ２Ｏ５≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ３の重量部に換算して０＜ＭｏＯ３≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ３の重量部に換算して０＜ＷＯ３≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
　
【請求項９】
主成分として化学式Ａ３ＢｘＯ１２（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、Ｂｉは２．０未満であり、Ｂは少なくとも鉄（Ｆｅ）を含み、４．７６≦ｘ＜５．００である）で表される組成比に配合した粉末を１１５０℃以下の温度で、相対密度９０％以上に焼結する、マイクロ波用磁性体材料の製造方法であって、
　
Ａがカルシウム（Ｃａ）とビスマス（Ｂｉ）を含み、Ｂが鉄（Ｆｅ）とインジウム（Ｉｎ）とバナジウム（Ｖ）よりなり、
　
前記粉末が、副成分として、前記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ２Ｏ５の重量部に換算して０＜Ｖ２Ｏ５≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ３の重量部に換算して０＜ＭｏＯ３≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ３の重量部に換算して０＜ＷＯ３≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含む事を特徴とするマイクロ波用磁性体材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、高周波回路部品用に使用される、マイクロ波用磁性体材料の製造方法およびこれを用いて作製した高周波用回路部品である。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、衛星通信や移動体通信の市場拡大に見られるように、情報・通信分野の高速・高密度化が進展し、使用周波数の高周波数化が進んでいる。このような高周波で使用される磁性体として、電気抵抗率が高く、高周波における損失が小さい、ガーネット系磁性体が注目されている。また、高周波信号処理用として、磁性体のジャイロ磁気効果を利用した、サーキュレータ、アイソレータ、ジャイレータ等の非可逆回路素子があり、この場合にも主にガーネット系磁性体が利用されている。
　【０００３】
　非可逆回路素子の代表として、サーキュレータを取り上げると、一般的な分布定数型Ｙストリップラインタイプのものでは、ストリップラインの上下にガーネット円盤を配し、これを上下より永久磁石ではさむ構造となっている。この時の最小挿入損失を与える磁性体円盤の直径ｄは、次式で与えられる。
　　ｄ＝ａ／（ｆ・（μ’・ε’）０．５）
　ここでａは定数、ｆは周波数、μ’は比透磁率の実数成分、ε’は比誘電率の実数成分である。従って、磁性体のμ’が高いほど磁性体円盤の直径が小さくなり、サーキュレータを小型化できる。この場合のμ’は、強磁性共鳴による順方向透磁率μ＋’であり、外部直流磁場の強さに依存する。強磁性共鳴直下となる外部磁場下でμ＋’は最大となるが、損失成分μ”も大きくなり、挿入損失が大きくなるため、通常は共鳴点よりもやや大きい外部磁場をかけ、μ”があまり大きくない状態で用いるのが一般的である。同じμ”となる外部直流磁場下で用いる場合、材料の磁気共鳴半値幅ΔＨが小さいほど、μ＋’が大きくなり、小型化が可能となる。こうした事情は、より小型の集中定数型でも、またアイソレーターでも同様である。
　【０００４】
　一方、ガーネット系磁性体材料は、通常単結晶薄膜か、あるいは多結晶焼結体として利用されている。単結晶の作製は、引き上げ法で作製されるＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）単結晶を基板として、ＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法で９００℃程度の温度で薄膜として作製されるのが一般的である。この方法で作製された試料は、磁気共鳴半値幅ΔＨが小さいが、アイソレータ等で使用されるような厚みのある試料の作製には時間がかかりすぎ、また高価な点が欠点である。一方、多結晶は、通常のセラミックス焼結体として作製されるため、ΔＨは単結晶より一桁以上大きいものの、任意のサイズの試料が容易に作製でき、かつ単結晶に比べてはるかに安価であり、サーキュレータやアイソレータ用としては、この多結晶焼結体が用いられていた。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、一般的なＹｌＧ（イットリウム鉄ガーネット）は、その飽和磁束密度や温度特性を調整するために、ＹをＧｄ等で、またＦｅをＡｌやＧａ等で置換したものでは、焼成温度が１４００℃以上の高温になり、特殊な炉が必要となり、また、省エネルギーの面からも問題があった。
　【０００６】
　また前述したサーキュレータの構造において容易に推測されるように、ストリップラインに電流を流す事によって生じる磁束が、磁性体とその隙間を交互に通り、開磁路構成となる。このためみかけの透磁率は、空隙部分（μ’＝１）の影響を受け、磁性体本来の透磁率より低下してしまうという欠点があった。この欠点を防ぐためには閉磁路構成とする必要があり、導体を磁性体に埋め込んで、同時に焼成する方法も考案されている（信学技報、ＭＷ９４−１４、Ｐ１７（１９９４））。しかしながらこの方法では、ガーネットの焼成温度が１４００℃と高いため、内部電極として融点の高いパラジウム等を用いる必要があり、パラジウムが高価でかつ比較的電気抵抗率が高いため、高コスト・低Ｑとなるといった問題点があった。
　【０００７】
　また高周波インダクタとして使用する場合にも、小型で高いインダクタンス値を得るためには、電極材料を内蔵して閉磁路構成とする必要があるが（工業調査会刊、「マイクロ磁気デバイスのすべて」Ｐ１７６−１７７）、サーキュレーターと同様の理由から、高コスト・低Ｑとなるといった問題点があった。
　【０００８】
　本発明は、前記従来の問題を解決するため、低温で焼成可能な組成を最適化した多結晶セラミックス磁性体材料の製造方法、及びこれを用いた高周波回路部品を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記の問題点を解決する本発明に係るマイクロ波用磁性体材料の製造方法は、主成分として化学式Ａ３ＢｘＯ１２（ここで、Ａは少なくともビスマス（Ｂｉ）とイットリウム（Ｙ）もしくは希土類金属元素の１種類以上と含み、
Ｂｉは２．０未満であり、
４．９４
、相対密度９０％以上に
　また、ＡがＹ３−ｙＢｉｙ（ｙ＜２．００）で表され得る。また、Ａがカルシウム（Ｃａ）とビスマス（Ｂｉ）を含み、Ｂが鉄（Ｆｅ）とインジウム（Ｉｎ）とバナジウム（Ｖ）よりなる事が好ましい。また、本発明では、上記粉末が、副成分として、上記主成分を１００重量部として、バナジウム（Ｖ）をＶ２Ｏ５の重量部に換算して０＜Ｖ２Ｏ５≦１、銅（Ｃｕ）をＣｕＯの重量部に換算して０＜ＣｕＯ≦１、モリブデン（Ｍｏ）をＭｏＯ３の重量部に換算して０＜ＭｏＯ３≦１、タングステン（Ｗ）をＷＯ３の重量部に換算して０＜ＷＯ３≦１、鉛（Ｐｂ）をＰｂＯの重量部に換算して０＜ＰｂＯ≦１の１種類以上を含み得る。また、本発明の高周波回路部品は、磁性体中に導体を埋め込んで閉磁路を形成したことを特徴とする高周波回路部品である。また本発明の高周波回路部品は高周波用非可逆回路素子である。この素子においては、磁性体中の導体としては、銀（Ａｇ）を主成分とする事が望ましい。
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について、ガーネットの代表として主にＹｌＧを例として説明する。
　【００１１】
　（実施の形態１）
　出発原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５粉末を用いる。これらの粉末を、化学式Ｙ３−ｙＢｉｙＦｅｘＯ１２で表される組成比に配合し、添加物として０．１ｗｔ％Ｖ２Ｏ５を添加し、８５０℃で仮焼した後、再度粉砕する。ｘの値としては４．７６≦ｘ＜５．００、ｙの値としてはｙ＜２．００である。この仮焼粉末を成形後、所定の温度で３時間焼成した。得られた試料はガーネット構造を持つ磁性体材料である。Ｂｉ量ｙが大きくなるにしたがい、より低温で緻密化する。しかしながら、粉末Ｘ線回折により、第２相の有無を求めた結果、Ｂｉ置換量ｙが２．０以上か、あるいはＦｅ量ｘが４．７０以下か、あるいはＦｅ量ｘが５．００を超えるとガーネット単相とはならず、第２相の存在が認められる。Ｆｅ量が５．００の場合は、単相ではあるが、Ｆｅ量が化学量論組成比より少ない組成において、損失の低いものが得られる。なお、添加物は仮焼後に添加しても同様の効果が得られる。
　【００１２】
　（実施の形態２）
　出発原料として、Ｙ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯ粉末を用いる。これらの粉末を、化学式Ｙ３ＦｅｘＯ１２＋ｚｗｔ％Ｖ２Ｏ５で表される組成比に配合し、１１００℃で仮焼した後、再度粉砕する。ｘの値としては４．７６≦ｘ＜５．００、ｚの値としてはｚ＜２．０である。この仮焼粉末を成形後、所定の各温度で３時間焼成する。得られた試料はガーネット構造を持つ磁性体材料である。ｚの値が大きくなるにしたがい、より低温で緻密化する。しかしながら、粉末Ｘ線回折により、第２相の有無を求めた結果、Ｖ２Ｏ５添加量ｚが２．０以上か、あるいはＦｅ量ｘが４．７０以下か、あるいはＦｅ量ｘが５．００を超えるとガーネット単相とはならず、第２相の存在が認められる。なお、添加物は仮焼後に添加しても同様の効果が得られる。
　【００１３】
　（実施の形態３）
　出発原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＣａＣＯ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５粉末を用いる。これらの粉末を、化学式Ｙ３−（２ｘ＋ｚ）ＢｉｚＣａ２ｘＦｅｐ−（ｘ＋ｙ）ＩｎｙＶｘＯ１２で表される組成比に配合し、８５０℃で仮焼した後、再度粉砕する。変数値としてはｘ≦０．８、ｙ≦０．７、ｚ＜２．００
、４
　【００１４】
　（実施の形態４）
　出発原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＰｂＯ粉末を用いた。これらの粉末を、化学式Ｙ３−ｙＢｉｙＦｅｘＯ１２で表される組成比に配合し、添加物としてＶ２Ｏ５、ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＰｂＯのいずれかを添加し、８５０℃で仮焼した後、再度粉砕する。ｘの値としては４．７６≦ｘ＜５．００、ｙの値としてはｙ＜２．００である。この仮焼粉末を成形後、所定の温度で３時間焼成した。得られた試料はガーネット構造を持つ磁性体材料である。Ｂｉ量ｙが大きくなるにしたがい、より低温で緻密化する。９０％以上の密度が得られる焼成温度は、Ｖ２Ｏ５では１２５０℃、ＣｕＯでは１２５０℃、ＭｏＯ３では１２５０℃、ＷＯ３では１３００℃、ＰｂＯでは１３００℃である。同一添加物ではＦｅ２Ｏ３量に関係なく一定である。しかしながら、粉末Ｘ線回折により、第２相の有無を求めた結果、Ｂｉ置換量ｙが２．０以上か、あるいはＦｅ量ｘが４．７０以下か、あるいはＦｅ量ｘが５．００を超えるとガーネット単相とはならず、第２相の存在が認められる。Ｆｅ量が５．００の場合は、単相ではあるが、Ｆｅ量が化学量論組成比より少ない組成において、損失の低いものが得られる。添加物としてＶ２Ｏ５、ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＰｂＯ、それぞれ低温での緻密化に効果があるが、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯ添加がより効果的である。なお、添加物は仮焼後に添加しても同様の効果が得られる。
　【００１５】
　（実施の形態５）
　出発原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５粉末を用いる。これらの粉末を、化学式Ｙ２ＢｉＦｅ４．８８で表される組成比に配合し、添加物としてＶ２Ｏ５を０．１ｗｔ％の割合で添加し、８５０℃で仮焼した後、再度粉砕する。この仮焼粉末を成形後、９００℃で焼成し、ガーネット円板状試料を得る。この円板状試料をストリップラインの上下に置き、さらに上下から磁石ではさみ、金属ケースに納め、ストリップラインの一つの端部にターミネータ用抵抗を接続して、分布定数型Ｙストリップラインアイソレータを構成する。得られたアイソレータの１ＧＨｚでの正方向挿入損失を測定した結果、０．２８ｄＢである。Ｆｅ量を精密に制御することにより、第２相の存在なしに、従来よりもはるかに低温で緻密化し、特に、９００℃以下でも焼結可能であり、挿入損失０．５ｄＢ以下で、アイソレーターとして使用可能である。
　【００１６】
　（実施の形態６）
　出発原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５粉末を用いる。これらの粉末を、化学式Ｙ２ＢｉＦｅ４．８８で表される組成比に配合し、添加物としてＣｕＯを０．１ｗｔ％の割合で添加し、８５０℃で仮焼した後、再度粉砕する。この仮焼粉末に有機バインダを混合し、リバース・ロールコータ方式により均一なグリーンシートを形成した後、上記グリーンシートを円形に切断する。他方、Ａｇにエチルセルロース系ビビクルを混合してなる導伝ペーストを用意し、先のグリーンシート上にストリップラインとして印刷する。同じ物を３枚用意し、ストリップラインがお互いに１２０度の角度で交わるように重ね、その上にさらに１枚のグリーンシートを重ねて、厚み方向に圧力を加えて圧着し、磁性体４層に導体が３層サンドイッチされたグリーンシート積層体を作製する。これを９００℃で焼成して閉磁路構成をとるようにし、その焼結体の側面の内部導体の位置にＡｇペーストを塗布し、７００℃で焼き付ける事により外部電極を形成する。この積層体の電極のうち、互いに１２０度離れた３ヶ所を接地し、他の３ヶ所の内、１ヶ所は、整合抵抗を介して接地してターミネートし、他の２ヶ所に端子と適当な負荷容量を設け、さらに上下より磁石ではさみ、磁性金属ケースにおさめて、１．９ＧＨｚ用集中定数型アイソレータを作製する。
　【００１７】
　また、同様の方法で、Ｆｅ量や添加物（Ｖ２Ｏ５あるいはＣｕＯ）の配合量を変えたガーネットを用い、ＡｇとＰｄのいずれかの電極材料を使用する集中定数型アイソレーターを作製する。さらに比較のため、従来どうりの、磁性体と電極を別々に配した、開磁路構成集中定数型アイソレーターも作製する。なお、磁性体サイズは、どちらも同じとする。得られたアイソレーターのアイソレーション比帯域（２０ｄＢ以上のアイソレーションが得られる周波数帯域幅／最大アイソレーション周波数）と挿入損失を測定する。閉磁路構成は、開磁路構成より、比帯域が広くなる。本発明のＦｅ量を精密制御し、Ｖ２Ｏ５あるいはＣｕＯ、とＢｉを含む磁性体では、９００℃で焼成可能であるため、Ａｇを内部電極として同時焼成／閉磁路構成とする事が可能であり、その結果、広い比帯域、低い挿入損失が得られる。Ｆｅ量が多すぎ、あるいは少なすぎる場合は、Ｖ２Ｏ５あるいはＣｕＯの含有量、あるいは電極材料の種類に係わらず、挿入損失が若干大きくなった。これは、Ｆｅの過不足により、９００℃焼成では、焼結体の緻密化が充分ではなく、さらに第２相の存在により相対的な密度が低下し、損失が大きくなるためと考えられる。また、Ｆｅ量が化学量論組成比より若干少ない４．８２≦Ｆｅ≦４．９４の間で、挿入損失の小さい、特性の良いものが得られる。
　【００１８】
　一方、Ｖ２Ｏ５あるいはＣｕＯ、とＢｉを含まない通常のＹｌＧの場合、Ａｇ内部電極同時焼成／閉磁路構成では、Ｆｅ量を精密制御してもアイソレーターとならない。これは、温度が低いとＹｌＧがほとんど緻密化せず、一方温度が高くなると、ＹｌＧは緻密化するが、Ａｇの融点を大幅に越えるために、電極が切れてしまったためと考えられる。この場合、Ｐｄを内部電極として１４００℃で焼成すれば、かなり良好な特性のものが得られるが、Ｐｄが高価、高温焼成が必要、若干挿入損失が大といった欠点がある。
　【００１９】
　なお、以上の説明では、主にＹｌＧを例として説明したが、本発明はこれに拘束される物ではなく、ガーネット材料でよく行われるように、その飽和磁束密度や温度特性を調整するために、ＦｅをＡｌやＧａで置換したものや、ＹをＧｄで置換したものでも、全く同様の効果が認められる。また高周波部品の代表として、非可逆回路素子のＹストリップライン型アイソレーターを例として説明するが、本発明はこれに拘束される物ではなく、他のタイプの高周波回路部品においても、全く同様の効果が得られる物である。
　【００２０】
　次に、本発明の具体例を説明する。
　（実施例１）
　出発原料として、純度９９．９％のＹ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５粉末を用いた。これらの粉末を、Ｙ２Ｏ３量３−ｙ、Ｂｉ２Ｏ３置換量ｙ、Ｆｅ２Ｏ３量ｘが（表１）の値となり、合計重量が３００ｇとなるように配合し、添加物としてＶ２Ｏ５を０．１ｗｔ％添加し、ボールミルにて混合し、８５０℃で各２時間仮焼した後、再度ボールミルで粉砕した。この仮焼粉末を成形後、５０℃きざみの所定の各温度で３時間焼成した。得られた試料の相対密度を測定し、９０％以上の相対密度が得られる最低焼成温度と粉末Ｘ線回折により、第２相の有無をもとめた結果を（表１）に示した。
　【００２１】
　【表１】
　【００２２】
　（表１）より明らかなように、本発明の磁性体では、ｙの置換量が多くなるにしたがい、より低温で緻密化した。しかしながら、Ｂｉ置換量ｙが２．０以上か、あるいはＦｅ量ｘが４．７０以下か、あるいはＦｅ量ｘが５．００を超えるとガーネット単相とはならず、第２相の存在が認められた。Ｆｅ量が５．００の場合は、単相ではあるが、Ｆｅ量が化学量論組成比より少ない組成において、結晶性の優れたものが得られた。
　【００２３】
　（実施例２）
　出発原料として、純度９９．９％のＹ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯ粉末を用いた。これらの粉末を、Ｙ２Ｏ３＝３、Ｆｅ２Ｏ３量ｘが（表２、３）の割合となり、合計重量が３００ｇとなるように配合し、さらに添加物としてＶ２Ｏ５、ＣｕＯを（表２、３）の割合で添加し、ボールミルにて混合し、１１００℃で各２時間仮焼した後、再度ボールミルで粉砕した。この仮焼粉末を成形後、５０℃きざみの所定の各温度で３時間焼成した。得られた試料の相対密度を測定し、９０％以上の相対密度が得られる最低焼成温度と第２相の有無をもとめた結果を（表２、３）に示した。
　【００２４】
　【表２】
　【００２５】
　【表３】
　【００２６】
　（表２、３）より明らかなように、本発明の磁性体では、ｚの添加量が多くなるにしたがい、より低温で緻密化した。しかしながら、Ｖ２Ｏ５添加量ｚが２．０ｗｔ％以上か、あるいはＦｅ量ｘが４．７０以下か、あるいはＦｅ量ｘが５．００を超えるとガーネット単相とはならず、第２相の存在が認められた。Ｆｅ量が５．００の場合は、単相ではあるが、Ｆｅ量が化学量論組成比より少ない組成において、結晶性の優れたものが得られた。なお、添加物は仮焼後に添加しても同様の効果が得られた。
　【００２７】
　（実施例３）
　出発原料として、純度９９．９％のＹ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＰｂＯ粉末を用いた。これらの粉末を、Ｙ２Ｏ３＝３、Ｆｅ２Ｏ３量ｘが（表４）の割合となり、合計重量が３００ｇとなるように配合し、さらに添加物としてＶ２Ｏ５、ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＰｂＯを０．１ｗｔ％の割合で添加し、ボールミルにて混合し、８５０℃で各２時間仮焼した後、再度ボールミルで粉砕した。この仮焼粉末を成形後、５０℃きざみの所定の各温度で３時間焼成した。得られた試料の相対密度を測定し、９０％以上の相対密度が得られる最低焼成温度と第２相の有無をもとめた結果を（表４）に示した。
　【００２８】
　【表４】
　【００２９】
　（表４）より明らかなように、本発明の磁性体では、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＰｂＯのいずれかを添加した場合、同一添加物ではＦｅ２Ｏ３量に関係なく焼成温度は一定である。しかしながら、いずれの添加物においても、Ｆｅ量ｘが４．７０以下か、あるいはＦｅ量ｘが５．００を超えるとガーネット単相とはならず、第２相の存在が認められた。Ｆｅ量が５．００の場合は、単相ではあるが、Ｆｅ量が化学量論組成比より少ない組成において、結晶性の優れたものが得られた。添加物Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＰｂＯは、それぞれ低温焼成での緻密化に効果があるが、特にＶ２Ｏ５、ＣｕＯ添加が効果的であった。なお、添加物は仮焼後に添加しても同様の効果が得られた。
　【００３０】
　（実施例４）
　出発原料として、純度９９．９％のＹ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５粉末を用いた。これらの粉末を、Ｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３のｍｏｌ比が（Ｙ２Ｏ３＋Ｂｉ２Ｏ３）：Ｆｅ２Ｏ３＝３：４．８８となり、Ｙ２Ｏ３とＢｉ２Ｏ３のｍｏｌ比がＹ／Ｂｉ＝２／１の値となり、合計重量が３００ｇとなるように配合し、添加物としてＶ２Ｏ５を０．１ｗｔ％の割合で添加し、ボールミルにて混合し、８５０℃で２時間仮焼した後、再度ボールミルで粉砕した。この仮焼粉末を成形後、９００℃で３時間焼成し、外形２５ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍのガーネット円板状試料を得た。この円板状試料をＹ形状のストリップラインの上下に置き、さらに上下からＳｒフェライト円板ではさみ、磁性金属ケースに納め、ストリップラインの一つの端部にターミネータ用抵抗を接続して、分布定数型Ｙストリップラインアイソレータを構成した。得られたアイソレータの１ＧＨｚでの正方向挿入損失を測定した結果、０．２８ｄＢであった。比較のため、Ｆｅ２Ｏ３＝５．００でアイソレータを作成すると、挿入損失が０．３５ｄＢとなった。
　【００３１】
　本発明の磁性体では、Ｆｅ量を精密に制御することにより、第２相の存在なしに、従来よりもはるかに低温で緻密化し、特に、９００℃以下でも焼結可能であり、挿入損失０．５ｄＢ以下で、アイソレーターとして使用可能であった。
　【００３２】
　（実施例５）
　実施例１と同様の方法で、Ｙ２Ｏ３：Ｂｉ２Ｏ３：Ｆｅ２Ｏ３＝２：１：４．８８のｍｏｌ比となり、合計重量が３００ｇとなるように配合し、添加物としてＣｕＯを０．１ｗｔ％添加し、ボールミルにて混合し、８５０℃にて５時間仮焼した後、再度ボールミルで粉砕した。この仮焼粉末に有機バインダを混合し、リバース・ロールコータ方式により均一なグリーンシートを形成した後、上記グリーンシートを円形に切断した。他方、Ａｇにエチルセルロース系ビビクルを混合してなる導伝ペーストを用意し、先のグリーンシート上にストリップラインとして印刷した。同じ物を３枚用意し、ストリップラインがお互いに１２０度の角度で交わるように重ね、その上にさらに１枚のグリーンシートを重ねて、厚み方向に圧力を加えて圧着し、磁性体４層に導体が３層サンドイッチされたグリーンシート積層体を作製した。これを９００℃で３ｈｒ焼成して閉磁路構成をとるようにし、その焼結体の側面の内部導体の位置６ヶ所にＡｇペーストを塗布し、７００℃で１０分間焼き付ける事により外部電極を形成した。この積層体の６ヶ所の電極のうち、互いに１２０度離れた３ヶ所を接地し、他の３ヶ所の内、１ヶ所は、整合抵抗を介して接地してターミネートし、他の２ヶ所に端子と適当な負荷容量を設け、さらに上下より磁石円盤ではさみ、磁性金属ケースにおさめて、１．９ＧＨｚ用集中定数型アイソレータを作製した。
　【００３３】
　また、同様の方法で、（表５）に示すガーネット組成と電極材料を用いた集中定数型アイソレーターを作製した。さらに比較のため、従来どうりの、磁性体と電極を別々に配した、開磁路構成集中定数型アイソレーターも作製した。なお、磁性体サイズは、どちらも同じとした。得られたアイソレーターのアイソレーション比帯域（２０ｄＢ以上のアイソレーションが得られる周波数帯域幅／最大アイソレーション周波数）と挿入損失を測定した。結果を（表５）に示した。
　【００３４】
　【表５】
　【００３５】
　（表５）より明らかなように、閉磁路構成では、比帯域が広くなった。本発明のＦｅ量を精密制御し、Ｖ２Ｏ５あるいはＣｕＯ、とＢｉを含む磁性体では、９００℃で焼成可能であるため、Ａｇを内部電極として同時焼成／閉磁路構成とする事が可能であり、その結果、広い比帯域、低い挿入損失が得られた。Ｆｅ量が多すぎ、あるいは少なすぎる場合は、添加物の種類あるいは電極材料の種類に係わらず、挿入損失が若干大きくなった。これは、Ｆｅの過不足により、９００℃焼成では、焼結体の緻密化が充分ではなく、焼結性が充分でないため、損失が大きくなるためと考えられる。また、Ｆｅ量が化学量論組成比より若干少ない４．８２≦Ｆｅ≦４．９４の間で、挿入損失の小さい、特性の良いものが得られた。
　【００３６】
　（実施例６）
　実施例１と同様の方法で、Ｙ２Ｏ３：Ｂｉ２Ｏ３：ＣａＣＯ３：Ｆｅ２Ｏ３：Ｉｎ２Ｏ３：Ｖ２Ｏ５＝０．８：１．４：０．８：４．１８：０．３：０．４のｍｏｌ比となり、合計重量が３００ｇとなるように配合し、ボールミルにて混合し、８５０℃にて５時間仮焼した後、再度ボールミルで粉砕した。この仮焼粉末を実施例５と同様の方法で、集中定数型アイソレータを作製した。
　【００３７】
　また、同様の方法で、（表６）に示すガーネット組成の集中定数型アイソレーターを作製した。得られたアイソレーターのアイソレーション比帯域（２０ｄＢ以上のアイソレーションが得られる周波数帯域幅／最大アイソレーション周波数）と挿入損失を測定した。結果を（表６）に示した。
　【００３８】
　【表６】
　【００３９】
　（表６）より明らかなように、本発明のＦｅ量を精密制御し、Ｂｉ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｖを含む磁性体では、９００℃で焼成可能であるため、Ａｇを内部電極として同時焼成／閉磁路構成とする事が可能であり、その結果、広い比帯域、低い挿入損失が得られた。Ｆｅ量が多すぎ、あるいは少なすぎる場合は、挿入損失が若干大きくなった。これは、Ｆｅの過不足により、９００℃焼成では、焼結体の緻密化が充分ではなく、焼結性が充分でないため、損失が大きくなるためと考えられる。また、Ｆｅ量が化学量論組成比より若干少ない４．１２≦Ｆｅ≦４．２４の間で、挿入損失の小さい、特性の良いものが得られた。
　【００４０】
　【発明の効果】
　以上説明した通り、本発明は、低温で焼成可能なマイクロ波用ガーネットフェライト焼結体である。また、これを用いた高周波回路部品である。本発明により、高周波用ガーネットが容易に製造可能となり、また、９００℃以下で焼成可能であるために、電極材料や、例えば誘電体材料等とも同時焼成が可能で、より高性能・小型の高周波回路部品が得られる。