【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明の実施形態による有機光電構成素子は、
・第１の電極と、
・該第１の電極の上に配置された第１の平坦化層と、
・該第１の平坦化層の上に配置された第１の注入層と、
・該第１の注入層の上に配置された有機機能層と、
・該有機機能層の上に配置された第２の電極とを有し、
第１の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．≦ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、または
第１の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ≦ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦかつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦが成り立ち、
ここでＥＦはフェルミエネルギー、ＥＨＯＭＯはそれぞれの層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥＬＵＭＯはそれぞれの層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明の別の実施形態では、第１の注入層は次から選択されるマトリクス材料を有する：
Ａｌｑ３（ＬＵＭＯ−３．１ｅＶ）、ＢＣＰ（ＬＵＭＯ−２．９ｅＶ）、Ｂｐｈｅｎ（ＬＵＭＯ−２．９ｅＶ）、ＮＴＣＤＡ（ＬＵＭＯ−４．０ｅＶ）、ＺｎＰｃ、ＴＨＡＰ（ＬＵＭＯ−４．６ｅＶ）。ここでこのマトリクス材料は以下の物質の１つによりｎドープされている：Ｌｉ、Ｃｓ、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ、ピロニン−Ｂ−塩化物、Ｃｓ２ＣＯ３、Ｒｕ（テルピー）２、ＣｏＣｐ２。ここで「ＬＵＭＯ」は最低空軌道である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
以下の表にはそれぞれの物質のそれぞれの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギーレベルが記入されている。
【表１】
2013506949.tif 000001
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
有機光電構成素子の製造方法の実施形態でこの方法は、
Ａ）第１の電極を準備する工程、
Ｂ）第１の平坦化層を第１の電極上に取り付ける工程、
Ｃ）第１の注入層を第１の平坦化層上に取り付ける工程、
Ｄ）有機機能層を第１の注入層上に取り付ける工程、
Ｅ）第２の電極を有機機能層の上に取り付ける工程、を有し、
第１の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．≦ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、または
第１の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ≦ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦかつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦが成り立ち、
ここでＥＦはフェルミエネルギー、ＥＨＯＭＯはそれぞれの層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥＬＵＭＯはそれぞれの層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
図３ａには、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギーレベルが示されている。電極（この場合はアノード）から、図では左から正孔７が第１の平坦化層２に放出される。個々の層のコンタクト形成により、第１の注入層３内にはポテンシャルポットが形成され、この中に正孔７を蓄積することができる。このポテンシャルポットから正孔を、これに続く有機機能層４に放出することができる。これは、隣接する有機機能層４に正孔７を均等かつ持続的に供給することを保証する。このことは構成素子内の電荷輸送の安定化に寄与する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
図３ｂには、最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーレベルが示されている。ここでは電極（この場合はカソード）から、図では右から電子８が平坦化層２に注入される。ここでも物質の適切な選択により、第１の注入層３内にポテンシャルポットが形成され、これにより電子８がポテンシャルポットに収集される。このポテンシャルポットから電子８を、有機機能層４に放出することができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・第１の電極（１）と、
・該第１の電極（１）の上に配置された第１の平坦化層（２）と、
・該第１の平坦化層（２）の上に配置された第１の注入層（３）と、
・該第１の注入層（３）の上に配置された有機機能層（４）と、
・該有機機能層（４）の上に配置された第２の電極（５）と、
・前記第２の電極（５）と前記有機機能層（４）との間に配置された第２の平坦化層（２’）と、
・前記第２の平坦化層（２’）と前記有機機能層（４）との間に配置された第２の注入層（３’）とを有する有機光電構成素子であって、
前記第１の電極（１）がアノードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥＦ，Ｉｎｊ．−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．≦ＥＦ，Ｐｌａｎ．−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ，Ｉｎｊ．−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ，Ｆｕｎｋ．−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、
前記第２の電極（５）がカソードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ，Ｉｎｊ．≦ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦ，Ｐｌａｎ．かつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ，Ｉｎｊ．＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、
ＥＦ，Ｉｎｊ．−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．は、前記第１の注入層のフェルミエネルギーと、前記第１の注入層の最高被占軌道エネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
ＥＦ，Ｐｌａｎ．−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．は、前記第１の平坦化層のフェルミエネルギーと、前記第１の平坦化層の最高被占軌道エネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
ＥＦ，Ｆｕｎｋ．−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．は、前記有機機能層のフェルミエネルギーと、前記有機機能層の最高被占軌道エネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ，Ｉｎｊ．は、前記第１の注入層の最低空軌道エネルギーレベルのエネルギーと、前記第１の注入層のフェルミエネルギーとの差であり、
ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦ，Ｐｌａｎ．は、前記第１の平坦化層の最低空軌道エネルギーレベルのエネルギーと、前記第１の平坦化層のフェルミエネルギーとの差であり、
ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦ，Ｆｕｎｋ．は、前記有機機能層の最低空軌道エネルギーレベルのエネルギーと、前記有機機能層のフェルミエネルギーとの差であることを特徴とする、
有機光電構成素子。
【請求項２】
前記第１の注入層及び前記第１の平坦化層はドープされており、かつ、それぞれが同一のマトリクス材料を有し、該マトリクス材料は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリンから選択されており、
前記第１の注入層はｐドープされており、かつ、前記第１の注入層のドーピング物質は、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＲｅＯ３、Ｒｅ２Ｏ７、Ｖ２Ｏ５から選択されている、
請求項１に記載の有機光電構成素子。
【請求項３】
エネルギーレベルに対して：
ＥＦ，Ｐｌａｎ．−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．＜ＥＦ，Ｆｕｎｋ．−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立つ、
請求項１または２に記載の有機光電構成素子。
【請求項４】
前記第１の電極（１）から放出される電荷担体が前記第１の注入層（３）に蓄積される、請求項１から３のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項５】
前記第１の注入層（３）に蓄積された電荷担体が、該注入層（３）に続く層に注入される、請求項４に記載の有機光電構成素子。
【請求項６】
前記第１の注入層（３）の層厚は１から２０ｎｍである、請求項１から５のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項７】
前記第１の注入層（３）はドープされている、請求項１から６のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項８】
ドーピング物質は、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＲｅＯ３、Ｒｅ２Ｏ７、Ｖ２Ｏ５から選択されている、請求項７に記載の有機光電構成素子。
【請求項９】
前記第１の注入層（３）は、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、フタロシアニン銅錯体、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタリン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン、ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジンから選択された物質を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１０】
前記第１の注入層（３）は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリンから選択された物質を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１１】
前記第１の平坦化層（２）は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＥＤＯＴベースの材料、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリンから選択された物質を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１２】
エレクトロルミネセンス構成素子として構成されている、請求項１から１１のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１３】
有機光電構成素子の製造方法において、
Ａ）第１の電極（１）を準備する工程、
Ｂ）第１の平坦化層（２）を前記第１の電極（１）上に取り付ける工程、
Ｃ）第１の注入層（３）を前記第１の平坦化層（２）上に取り付ける工程、
Ｄ）有機機能層（４）を前記第１の注入層（３）上に取り付ける工程、
Ｅ）第２の電極（５）を前記有機機能層（４）上に取り付ける工程、
Ｆ）第２の注入層（３′）を前記有機機能層（４）上に取り付ける工程、
Ｇ）第２の平坦化層（２′）を前記第２の注入層（３′）上に取り付ける工程、
を有し、
前記工程Ｆ）及びＧ）は前記ステップＥ）の前に実施し、
前記第１の電極（１）がアノードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥＦ，Ｉｎｊ．−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．≦ＥＦ，Ｐｌａｎ．−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．かつＥＦ，Ｉｎｊ．−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．＜ＥＦ，Ｆｕｎｋ．−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、
前記第２の電極（５）がカソードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ，Ｉｎｊ．≦ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦ，Ｐｌａｎ．かつＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ，Ｉｎｊ．＜ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦ，Ｆｕｎｋ．が成り立ち、
ＥＦ，Ｉｎｊ．−ＥＨＯＭＯ，Ｉｎｊ．は、前記第１の注入層のフェルミエネルギーと、前記第１の注入層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
ＥＦ，Ｐｌａｎ．−ＥＨＯＭＯ，Ｐｌａｎ．は、前記第１の平坦化層のフェルミエネルギーと、前記第１の平坦化層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
ＥＦ，Ｆｕｎｋ．−ＥＨＯＭＯ，Ｆｕｎｋ．は、前記有機機能層のフェルミエネルギーと、前記有機機能層の最高被占軌道のエネルギーレベルのエネルギーとの差であり、
ＥＬＵＭＯ，Ｉｎｊ．−ＥＦ，Ｉｎｊ．は、前記第１の注入層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーと、前記第１の注入層のフェルミエネルギーとの差であり、
ＥＬＵＭＯ，Ｐｌａｎ．−ＥＦ，Ｐｌａｎ．は、前記第１の平坦化層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーと、前記第１の平坦化層のフェルミエネルギーとの差であり、
ＥＬＵＭＯ，Ｆｕｎｋ．−ＥＦ，Ｆｕｎｋ．は、前記有機機能層の最低空軌道のエネルギーレベルのエネルギーと、前記有機機能層のフェルミエネルギーとの差であることを特徴とする、
製造方法。
【請求項１４】
前記第１の注入層（３）は、前記工程Ｃ）において湿式化学法により取り付けられる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の注入層及び前記第１の平坦化層はドープされており、かつ、それぞれが同一のマトリクス材料を有し、該マトリクス材料は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリンから選択されており、
前記第１の注入層はｐドープされており、かつ、前記第１の注入層のドーピング物質は、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＲｅＯ３、Ｒｅ２Ｏ７、Ｖ２Ｏ５から選択されている、
請求項１３に記載の方法。