【事件の表示】
　特願２００７−　２７４１３「配線基板および実装構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２１日出願公開、特開２００８−１９２９３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１９年２月６日に出願したものであって、平成２４年１２月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年３月１４日に拒絶査定不服審判の請求とともに、請求項の削除を目的とした手続補正がなされたものである。
　そして、当審において、平成２５年９月６日付けで審尋を行ったところ、審判請求人は平成２５年１０月８日に回答書を提出した。
　なお、平成２４年７月１９日付けの手続補正は、原審において、平成２４年１２月１２日付けで、決定をもって却下されている。
　
２．本願発明 
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２５年３月１４日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　貫通孔を有する樹脂からなる絶縁層と、
　前記絶縁層に積層され、かつ少なくとも一部が前記貫通孔を介して露出する導体層と、
　前記導体層を覆うようにスパッタリング法で形成された、前記貫通孔の内面を覆うニッケル−クロム合金からなる第１の層および前記第１の層を覆うように形成された銅からなる第２の層からなる下地層と、
　前記下地層を覆うように、少なくとも一部が前記貫通孔に形成されたビア導体と、
を備えた配線基板であって、
　前記導体層と前記下地層との間には、前記導体層の金属材料と前記下地層の金属材料とからなる連続的な結晶構造の金属結晶が前記導体層および前記下地層の厚み方向にわたって形成されており、
　前記下地層と前記ビア導体との間には、前記下地層の金属材料と前記ビア導体の金属材料とからなる連続的な結晶構造の金属結晶が前記下地層および前記ビア導体の厚み方向にわたって形成されていることを特徴とする、配線基板。」
３．引用文献の記載事項 
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００３−２２９６６８号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線装置の製造方法に係り、特に配線が高密度に形成された多層配線基板の製造方法に関する。」
　
イ．「【００１０】本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、高密度化が容易で信頼性の高い多層配線を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、基板上に形成された第１の配線層上に層間絶縁膜を形成し、これにコンタクトホールを形成した後、基板表面全体を導電膜で被覆し、この導電膜を電極として、凹部に厚いめっき膜が形成され、平坦な表面を得るような条件で電気めっきを行い、表面の平坦化を行った後、このめっき膜にコンタクトするように第２の配線層を形成している。」
　
ウ．「【００１３】・・・さらに高融点金属としてはチタン、ニッケル、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステンの内少なくとも１種を用いるようにしている。・・・」
　
エ．「【００２０】まず、基板１の表面に絶縁膜２を形成し、この上層に第１層配線膜３として銅薄膜パターンを形成し、この上層に、フォトニースＵＲ−３１４と指称されている東レ社製の感光性ポリイミドを塗布し、露光現像を行い、１辺２０μｍ　程度のコンタクトホール９を形成する。こののち、４００℃で３０分程度の熱処理を行い、層間絶縁膜４を形成する（図１（ａ）　）。ここでポリイミドは熱処理後の膜厚が２０μｍ　程度となるように塗布時の膜厚を設定する。また段切れを防ぐため、コンタクトホールの底部と側壁との角度が１００度以上となるように露光現像条件をコントロールする。
【００２１】次いで、スパッタリング法によりチタン（Ｔｉ）膜５および銅（Ｃｕ）膜６を順次連続的に積層し、全体としての膜厚が１μｍ　程度となるようにする。ここで銅膜はめっき陰極として作用するものである。またチタンは高融点金属であり、層間絶縁膜であるポリイミドあるいは第１層配線である銅と、めっき陰極および上層のめっき膜とのとの相互拡散を防止するバリアとして作用する。従って膜厚は薄くて良い。銅とポリイミドが直接接するように形成されると、ポリイミド中の酸素によって銅が酸化され、密着性が低下し、剥離し易くなる。また連続的に形成するのはチタン表面が酸化されやすいためである。このように真空を破ることなく連続的に上層の膜を形成することにより、自然酸化膜が介在することなく低抵抗の膜が形成される。
【００２２】このようにして、基板１を図２に示すように電気めっき装置に設置し、この陰極にめっき陰極として銅膜６を接続する。・・・膜厚２０μｍ　程度の銅めっき膜７を形成する。・・・」
　
オ．段落【００２０】の「基板１の表面に絶縁膜２を形成し、この上層に第１層配線膜３として銅薄膜パターンを形成し、この上層に、フォトニースＵＲ−３１４と指称されている東レ社製の感光性ポリイミドを塗布し、露光現像を行い、１辺２０μｍ　程度のコンタクトホール９を形成する。」との記載、及び【図１】（ａ）の図示内容から、【図１】（ａ）の状態では、第１層配線膜３は、層間絶縁膜４に積層され、かつ一部が前記コンタクトホール９を介して露出しているものといえる。
　　
カ．段落【００１１】の「基板上に形成された第１の配線層上に層間絶縁膜を形成し、これにコンタクトホールを形成した後、基板表面全体を導電膜で被覆し」との記載、段落【００２１】の「次いで、スパッタリング法によりチタン（Ｔｉ）膜５および銅（Ｃｕ）膜６を順次連続的に積層し、全体としての膜厚が１μｍ程度となるようにする。」との記載、及び【図１】の図示内容から、チタン（Ｔｉ）膜５および銅（Ｃｕ）膜６は、導電膜であるところ、第１層配線膜３及び層間絶縁膜４を覆うようにスパッタリング法により順次連続的に積層されたものであり、チタン（Ｔｉ）膜５はコンタクトホール９の内面を覆うように、銅（Ｃｕ）膜６は、チタン（Ｔｉ）膜５を覆うように形成されることが理解できる。
　
　以上の記載事項、及び図面からみて、本願発明の記載ぶりに倣って整理すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「コンタクトホール９を形成するポリイミドからなる層間絶縁膜４と、
　前記層間絶縁膜４に積層され、かつ一部が前記コンタクトホール９を介して露出する第１層配線膜３と、
　前記第１層配線膜３を覆うようにスパッタリング法により順次連続的に積層された、前記コンタクトホール９の内面を覆うチタン（Ｔｉ）膜５および前記チタン（Ｔｉ）膜５を覆うように形成された銅（Ｃｕ）膜６からなる導電膜と、
　前記導電膜を覆うように、前記コンタクトホール９に形成された銅メッキ膜７と、
を備えた多層配線基板。」
　
（２）　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００４−２８８７４８号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
キ．「【請求項１】
絶縁層と前記絶縁層を貫通するビアホールと前記ビアホール底部に露出する金属層を有した配線板を用いて、電解銅めっきにより、前記金属層のビアホール底部に露出する表面上に、前記ビアホールを充填して、導体ポストを形成する工程を含んで配線板を製造する方法において、前記金属層のビアホール底部に露出する表面が、０．５μｍ以下の表面粗さを有するものであることを特徴とする配線板の製造方法。」
　
ク．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年のプリント配線板の製造方法は小型化、高密度化に伴って多種多様化しており、ビルドアップ工法や、一括積層工法が用いられるようになり、特に、プリント配線板の層間接続部分においては、ブラインドビアからフィルドビアに変わりつつある。例えば、配線板の製造方法としては、片側に導体回路を有した絶縁層に、前記絶縁層側にビアホールを形成し、前記ビアホールに、電解銅メッキにより金属を析出させて導体ポストを形成させている（例えば、特許文献１参照。）。この際に、絶縁層と導体回路の密着性を向上させるため、導体回路上に粗化処理を施しているが、この粗化処理により、前記ビアホール底部では凹凸が形成される。この凹凸は導体ポストを形成する際に影響を与えており、導体ポスト表面にも、凹凸を発生させ、また、導体ポストの内部に空隙を生じさせる。これは、後で層間接続させる際に、接続不良や接続強度の低下などの原因となる。
【０００３】
・・・
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような問題に鑑みなされたもので、導体ポストを形成する際において、導体ポストの表面の凹凸が無く、また、導体ポストの内部に空隙等の不良を生じることがない導体ポストを有する配線板の製造方法を提供することを目的とする。」
　
ケ．「【００１８】
[実施例１]
厚み２５μｍのポリイミドフィルム上に、蒸着方法により、厚み５μｍで銅層を形成した２層基材（東洋メタライジング社製  メタロイヤル）を用意した。この２層基材の導体ポスト形成位置に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー（三菱（株）社）により、銅層の表面が露出するように、ビアホールを形成した。その後、ビアホールを形成する際に発生する樹脂スミアを、デスミア処理によって除去した。・・・
次に、共焦点レーザー顕微鏡（キーエンス社）により、ビアホール底面の表面粗さを算術平均粗さＲａにより測定したところ、０．１５５であった。測定範囲は１５μｍ×１５μｍとする。
続いて、蒸着した厚み５μｍの銅層を電解メッキ用のリードとして、硫酸銅水溶液（エンソンジャパン（株）社製）を用いて、ビアホールに厚み２５μｍの導体ポストを形成した。・・・
その後、導体ポスト内部の形状を観察するため、断面研磨を行い、光学顕微鏡をもちいて断面観察を行った。断面写真を図２に示す。」
　
コ．「【００２２】
【発明の効果】
本発明によれば、表面に凹凸が無く、内部に空隙が存在しない導体ポストを形成することができ、層間接続させる際において接続不良が無く、信頼性の高い配線板を提供することが出来る。」
　
　以上の記載事項、及び図面からみて、引用文献２には、次の事項（以下、「引用文献２に記載されている事項」という。）が記載されている。
　
「導体ポストの内部に生じる空隙等により、層間接続させる際の接続不良や接続強度の低下を無くすために、金属層のビアホール底部に露出する表面を、０．５μｍ以下の表面粗さにすること。及び、導体ポストを形成する前に銅層の表面をデスミア処理を施すこと。」
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００６−３３９４１２号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
サ．「【０００１】
　本発明はＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）型半導体装置に使用される半導体装置搭載用基板とその製造方法、及び、これに適した半導体装置基板形成用基材に関する。詳しくは半導体素子用ＢＧＡパッケージに用いるものに関し、特に信頼性と経済性を向上させ、半導体搭載用基板とその製造方法に関する。」
　
シ．「【００２３】
・・・
（ａ）前記ポリイミドフィルム１０上にスパッタ蒸着したＮｉ−Ｃｒ合金２１と銅合金３１に銅めっきを行い、それぞれ１０μｍ程度の銅めっき層２２及び３２を形成し、銅箔層２０及び３０を形成する。（図３）なお、銅箔層２０が本発明の「配線層」にあたり、銅箔層３０が本発明の「金属層」に該当するものである。このようにして、本発明の半導体装置基板形成用基材（以下、三層構造基材とする。）が製造される。
・・・」
　
ス．「【００３８】
　・・・この粒度の微粒子を用いてウエットブラストすれば、ビアの底にあたる配線銅層の露出表面をＲｚ＝０．５μｍ〜１．０μｍの範囲で荒れさせることが可能である。配線銅箔と絶縁性支持体層のビアの表面が適度な荒れを生じるため、はんだ材料の塗れ性向上および密着強度が向上し、接続信頼性が向上する。」
　
セ．「【００４３】
（実施例３）
実施例３では、（ａ）〜（ｆ）工程を実施例１と同様に行った。その後、以下の工程を行った。
（ｇ）　（ｅ）の工程終了後、さらに粒度１０μｍ以下のアルミナを水に分散させた懸濁液を、５ｋｇｆ／ｃｍ２のスプレー圧でビアパターンの銅箔層面側へウエットブラストし、ビアパターンから露出する銅箔および絶縁性支持体層のビア内の表面を荒らした、またこの工程ではビア内の配線銅箔上に残った絶縁性支持体層の残渣を完全に除去する。（図９）
さらに実施例１の（ｇ）〜（ｉ）工程を行い、半導体装置基板および半導体用ＢＧＡパッケージ製品を作製した。この半導体装置基板は半導体素子の断面を観察したところ、半田内に気泡や隙間がなかった。また、ヒートサイクルテストにおいても、はんだ材料とワイヤボンディングパッド間の抵抗変化率が８％以内であった。」
　
ソ．「【００４６】
・・・
【図１１】金属層に浮き、剥がれが生じた半導体装置基板のビア形成面
【図１２】金属層に浮き、剥がれが生じていない半導体装置基板のビア形成面」
　
　以上の記載事項、及び図面からみて、引用文献３には、次の事項（以下、「引用文献３に記載されている事項」という。）が記載されている。
　
「半田内に気泡や隙間をなくして配線銅層に浮き、剥がれを防止するために、ビアの底にあたる配線銅層の露出表面をＲｚ＝０．５μｍ〜１．０μｍの範囲で荒らすこと。及び、ビア内に半田を充填する前に、配線銅箔上に残った残渣を除去すること。」
　
４．対比
　本願発明と引用発明を対比すると、その意味、機能または構造からみて、
　後者の「コンタクトホール９」は前者の「貫通孔」に相当し、
　後者の「コンタクトホール９を形成するポリイミドからなる」「層間絶縁膜４」は前者の「貫通孔を有する樹脂からなる」「絶縁層」に相当する。
　後者の「前記層間絶縁膜４に積層され、かつ一部が前記コンタクトホール９を介して露出する」「第１層配線膜３」は、前者の「前記絶縁層に積層され、かつ少なくとも一部が前記貫通孔を介して露出する」「導体層」に相当する。
　後者の「前記第１層配線膜３を覆うようにスパッタリング法により順次連続的に積層された」は前者の「前記導体層を覆うようにスパッタリング法で形成された」に含まれ、後者の「前記コンタクトホール９の内面を覆うチタン（Ｔｉ）膜５」と前者の「前記貫通孔の内面を覆うニッケル−クロム合金からなる第１の層」とは、「前記貫通孔の内面を覆う」「第１の層」という限りにおいて共通し、後者の「前記チタン（Ｔｉ）膜５を覆うように形成された」「銅（Ｃｕ）膜６」は、前者の「前記第１の層を覆うように形成された」「銅からなる第２の層」に相当し、後者の「導電膜」は、前者の「下地層」に相当する。
　後者の「導電膜を覆うように、前記コンタクトホール９に形成された」「銅メッキ膜７」は、前者の「前記下地層を覆うように、少なくとも一部が前記貫通孔に形成された」「ビア導体」に相当し、後者の「多層配線基板」は前者の「配線基板」に含まれる。
　
　そうすると、両者は本願発明の用語を用いて表現すると、次の点で一致する。
［一致点］ 
「貫通孔を有する樹脂からなる絶縁層と、
　前記絶縁層に積層され、かつ少なくとも一部が前記貫通孔を介して露出する導体層と、
　前記導体層を覆うようにスパッタリング法で形成された、前記貫通孔の内面を覆う第１の層および前記第１の層を覆うように形成された銅からなる第２の層からなる下地層と、
　前記下地層を覆うように、少なくとも一部が前記貫通孔に形成されたビア導体と、
を備えた配線基板。」
　そして、両者は次の点で相違する。 
［相違点１］ 
　「第１の層」に関し、
　本願発明は、「ニッケル−クロム合金からなる」のに対し、
　引用発明は、「チタン（Ｔｉ）」である点。
［相違点２］ 
　本願発明は、「前記導体層と前記下地層との間には、前記導体層の金属材料と前記下地層の金属材料とからなる連続的な結晶構造の金属結晶が前記導体層および前記下地層の厚み方向にわたって形成されており、前記下地層と前記ビア導体との間には、前記下地層の金属材料と前記ビア導体の金属材料とからなる連続的な結晶構造の金属結晶が前記下地層および前記ビア導体の厚み方向にわたって形成されている」のに対し、
　引用発明の、「第１層配線膜３」と「導電膜」との間、及び該「導電膜」と「銅メッキ膜７」との間でかかる構造を有するか不明である点。
５．判断 
（１）　上記相違点１、２について検討する。
［相違点１］
　引用文献１の段落【００２１】に「チタンは高融点金属であり、層間絶縁膜であるポリイミドあるいは第１層配線である銅と、めっき陰極および上層のめっき膜とのとの相互拡散を防止するバリアとして作用する。従って膜厚は薄くて良い。銅とポリイミドが直接接するように形成されると、ポリイミド中の酸素によって銅が酸化され、密着性が低下し、剥離し易くなる。」と記載されているように、引用発明の「チタン（Ｔｉ）膜５」は、樹脂からなる層間絶縁膜４あるいは第１層配線３と、銅（Ｃｕ）膜６及び銅めっき膜７相互の密着性の低下を防ぐためにバリア層として介在されるものである。また、樹脂からなる絶縁層と銅からなる配線層との密着性を向上させるために、特開２００６−３０３１７１号公報には、背景技術として段落【０００４】に「例えば特許文献１には、シート状基材と銅の薄膜層との間にニッケル−クロム合金からなる密着層を用いたことが記載されている。」と記載され、該例示された特許文献１（特開平９−８３１３４号公報）の段落【０００７】，【０００８】には、ポリイミドからなるシートと銅箔との間にニッケル−クロム合金を介在させることが記載され、また、特開２００２−２５２２５７号公報の【０００９】には、ポリイミド系フィルムの表面にニッケル−クロム合金のスパッタ層及び銅メッキ層を設けることが記載されているように、ニッケル−クロム合金の層をバリア層として介在させることは、従来周知の技術であるから、引用発明の「チタン（Ｔｉ）膜５」に代えて、同じく樹脂と銅との密着性の低下を防ぐためにバリア層として「ニッケル−クロム合金」を採用することは当業者であれば適宜になし得ることである。
　よって、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
［相違点２］
　金属層が積層される場合に、その界面において各層の厚み方向にわたって金属結晶が生じることは技術常識であるから、引用発明の、第１層配線膜３、導電膜、及び銅メッキ膜７を積層した各膜の間でも、各膜の厚み方向にわたって金属結晶が生じるものである。　
　そして、相違点２に係る発明特定事項である「連続的な結晶構造」の金属結晶に関し、審判請求書の［（３）本願発明が特許されるべき理由、（ｄ）本願発明と引用発明との対比］における「本願発明１では、『下地層とビア導体とからなる連続的な結晶構造の金属結晶』を形成するために、スパッタリング法によって下地層を形成した後に、わざわざ下地層の表面を洗浄し、下地層とビア導体との間に汚れ（異物）が入り込まないよう工夫をしています。その上、下地層の洗浄を空気にさらされた環境下で行なう場合には、下地層表面における酸化膜の形成を抑制する工夫までしています（当初明細書等の段落【００９８】参照）。」との主張、及び、回答書の［（２）前置報告書の内容、（ａ）理由１について）］における「本願発明の特徴部分は、本願の明細書における段落００７９〜段落００９９に記載されているように、まず、絶縁層の貫通孔の内面および導体層における貫通孔から露出した部分を粗面化する工程を経て、次に、下地層を形成する工程を経て、次に、下地層の汚れ（異物）を洗浄する工程を経て、そして、ビア導体を形成する工程を経ることで形成することができます。」との主張、並びに、同じく回答書の［（２）前置報告書の内容、（ｂ）理由２について）］における、「本願の明細書の段落００７９〜段落００９９には、導体層の金属材料と下地層の金属材料とからなる連続的な結晶構造の金属結晶を導体層および下地層の厚み方向にわたって形成する方法、ならびに下地層の金属材料とビア導体の金属材料とからなる連続的な結晶構造の金属結晶を下地層およびビア導体の厚み方向にわたって形成する方法が詳細に記載されています。」との主張からみて、（あ）「導体層における貫通孔から露出した部分を粗面化すること」、（い）「ビア導体を形成する前に下地層の汚れ（異物）を洗浄すること」、及び（う）「下地層表面における酸化膜の形成を抑制すること」が充足されると「連続的な結晶構造」の金属結晶が得られるものと理解できる。
　そこで、上記（あ）から（う）についてさらに検討する。
（あ）について
　「粗面化すること」に関して、本願明細書の段落【０００９】には、従来からの課題として、「粗面化処理は、下地層９４Ａ，９４Ｂの密着性を高めるための処理であり、通常は、十点平均粗さＲｚが２μｍ〜３μｍとなるように行なわれる。そのため、下地層９４Ａ，９４Ｂは、比較的に粗い表面（たとえば十点平均粗さＲｚが２μｍ〜３μｍ）に形成されることとなり、下地層９４Ａ，９４Ｂの表面も比較的に粗い面となる。その結果、下地層９４Ａ，９４Ｂとこの層９４Ａ，９４Ｂに接する導体９２Ａ，９２Ｂ，９５Ａ，９５Ｂとの間には、結晶が不連続な界面が生じるため、その界面においてクラックが発生しやすくなる。」と記載され、本願明細書の段落【００８１】に「本発明における表面粗化処理は、導体層５０における露出面５０Ａおよび貫通孔５０Ａの内面５０Ａａの表面粗さＲｚが１μｍ以下（好ましくは３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下）となるように行なわれる。」と記載されている。これらの記載から、導体層における貫通孔から露出した部分を粗面化する工程において「表面粗さＲｚを１μｍ以下にすること」で、連続的な結晶構造の金属結晶の界面が得られることが理解できる。
　しかしながら、引用文献２には、上述したとおり「導体ポストの内部に生じる空隙等により、層間接続させる際の接続不良や接続強度の低下を無くすために、金属層のビアホール底部に露出する表面を、０．５μｍ以下の表面粗さにすること。」が記載され、引用文献３には「半田内に気泡や隙間をなくして配線銅層に浮き、剥がれを防止するために、ビアの底にあたる配線銅層の露出表面をＲｚ＝０．５μｍ〜１．０μｍの範囲で荒らすこと。」が記載されている。そうすると、引用文献２、３に記載されている事項からみて、充填されるビア導体と導体層との間に空隙を生じさせないために、ビア内の導体層の表面粗さＲｚを、１μｍ以下にすることは、当業者であれば適宜に設定し得る程度のものである。
（い）について
　上述したとおり、引用文献２には「導体ポストを形成する前に銅層の表面にデスミア処理を施すこと」が記載され、また、引用文献３には、上述のように、「ビア内に半田を充填する前に、配線銅箔上に残った残渣を除去すること」が記載されており、配線基板の製造分野において、ビア導体を形成する前に、該ビア導体が積層される銅層の表面を洗浄することは、当業者にとってよく知られている事項といえる。
（う）について
　引用文献１の段落【００２１】に、「連続的に形成するのはチタン表面が酸化されやすいためである。このように真空を破ることなく連続的に上層の膜を形成することにより、自然酸化膜が介在することなく低抵抗の膜が形成される。」と記載されているように、信頼性の高い多層配線を得るために、ビア内にビア導体を形成する工程において、酸化膜の形成を抑えることは、技術常識として知られている。
　ところで、引用発明は、「信頼性の高い多層配線を提供する」（段落【００１０】を参照。）ことを課題とし、上記[相違点１]の検討で述べたように、第１層配線膜３と、導電膜、及び銅メッキ膜７を積層した各膜の間の密着性の低下を防止するものであるところ、第１層配線膜３と導電膜との間及び導電膜と銅メッキ膜７との間に空隙を生じさせないこと、及び導電膜と銅メッキ膜７との間に異物が混入することを防止すること、並びに酸化膜の形成を抑えることは当業者であれば当然考慮に入れることであるから、第１層配線膜３の表面粗さＲｚを粗面化処理により１μｍ以下に設定し、ビア導体に相当する銅メッキ膜７を形成する前に下地層に相当する導電膜のうち銅メッキ膜７側にある銅膜６を洗浄し、さらに、酸化膜の形成を抑える工夫を施す動機付けは十分にあるといえる。
　そして、上述したように、下地層や導体層等の金属材料が積層される場合に、各層との間に各層の厚み方向にわたって金属結晶が生じることは技術常識であるから、第１層配線膜３の粗面化処理による表面粗さＲｚを１μｍ以下に設定し、銅メッキ膜７を形成する前に導電膜の表面を洗浄し、さらに、酸化膜の形成を抑える工夫を施を施した引用発明は、第１層配線膜３、導電膜、及び銅メッキ膜７を積層した各膜の間で、各膜の厚み方向にわたって連続的な結晶構造の金属結晶が生じるものとなる。
　
　よって、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　　
（２）効果について
　本願発明の奏する効果も、引用発明、引用文献２及び３に記載された事項及び前記周知技術から、当業者が予測できる範囲内のものであって、格別ではない。
　
（３）まとめ
 したがって、本願発明は、引用発明、引用文献２及び３に記載された事項及び前記周知技術に基づいて容易に発明できたものである。
　　
６．むすび
　以上総合すると、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明、引用文献２及び３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができない以上、本願の請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。