【事件の表示】
　平成　３年特許願第　１０００５号「薄膜形成装置」において、平成１１年１０月４日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件手続補正は、平成３年特許願第１０００５号「薄膜形成装置」の審査において、特許をすべき旨の査定の謄本の送達前の平成１１年１０月４日付けでなした手続補正であって、願書に最初に添付した明細書及び図面について補正するものである。補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】半導体基体の処理装置同士の間で半導体基体を搬送するための搬送手段において、その内部を水分濃度が１０ｐｐｂ以下の不活性ガスまたは空気雰囲気に保持されるようにしたことを特徴とする搬送手段。」
　
２　原決定の理由
　原審は、この手続補正について平成１２年７月３１日に補正の却下の決定をなした。この決定の理由は次のとおりのものである。
「　本件手続補正は、平成１１年１０月４日付け手続補正書により、請求項１を「半導体基体の処理装置同士の間で半導体基体を搬送するための搬送手段において、その内部を水分濃度が１０ｐｐｂ以下の不活性ガスまたは空気雰囲気に保持されるようにしたことを特徴とする搬送手段」と補正しようとするものであるが、出願当初の明細書または図面にはこのような記載も示唆もなく、自明のこととも認められないから、当初明細書に記載した事項の範囲内でないものである。
　当初明細書には、「半導体基体の地肌表面を露出する工程を行うための装置から」ないしは、「基体上に形成された金属配線表面を露出する工程を行うための装置から」搬送する搬送手段に係るものが記載されているのみであり、何らの限定もない「処理装置同士の間で半導体基体を搬送するための搬送手段」に係るものについての記載はなく、「自然酸化膜の発生を防止する」という本願発明の課題からみても、当初明細書に記載された上記限定を無くして、「処理装置同士の間で半導体基体を搬送するための搬送手段」に拡張できる根拠はない。
　したがって、この補正は、明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法第５３条第１項の規定により、上記結論の通り決定する。」
　
３　審判請求人の主張
　これに対し、審判請求人は、請求の理由において、次の旨主張している。
　出願当初の明細書の【００１４】に「本発明における搬送手段としては、例えば図１に示すような、ＲＩＥ装置２、ウェットクリーニング装置、酸化装置４、導電成膜成膜装置をトンネル１で連結し、トンネル１を大気とは遮断するとともに、該トンネル内１に水分濃度が１０ｐｐｂ以下のガスを流入せしめる構造のものを用いることができる。もちろん装置２〜５の外に他の装置を連絡してもよい。」と記載されており、「ＲＩＥ装置２、ウェットクリーニング装置、酸化装置４、導電成膜成膜装置」は、「半導体基体の地肌表面を露出する工程を行うための装置」ではないから、「半導体基体の地肌表面を露出する工程を行うための装置」以外の処理装置も出願当初の明細書に記載されている。
　また、「もちろん装置２〜５の外に他の装置を連絡してもよい。」の記載にも、「半導体基体の地肌表面を露出する工程を行うための装置」以外の処理装置が記載されている。
　
４　当審の判断
（１）補正後の請求項１に係る発明の要旨
　補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された「半導体基体の処理装置同士の間で半導体基体を搬送するための搬送手段」において、「半導体基体の処理装置」には、半導体基体の処理を行う装置であるという以外に何の限定もない。したがって、「半導体基体の処理装置」は、酸化、不純物導入、薄膜形成、レジスト、露光、エッチング、洗浄等、半導体基体に対する処理を行う装置一般を意味するものと認められる。そして、上記手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明の要旨は、上記に例示したような半導体基体に対する処理装置一般の装置同士の間で半導体基体を搬送するための搬送手段において、特定条件の雰囲気に保持されるように構成したものであると認められる。
　
（２）願書に最初に添付した明細書及び図面に記載された発明
　これに対し、願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「原明細書」という。）の段落番号【０００６】には、発明が解決しようとする課題として、「本発明は、コンタクト抵抗の劣化、耐圧特性の劣化を招くことのない薄膜形成装置を提供することを目的とする。」との記載がある。
　また、段落番号【０００７】には、課題を解決するための手段として、「上記課題は、半導体基体の地肌表面を露出する工程を行うための装置から、該露出された表面に導電性薄膜の形成を行うための装置へ該半導体基体を搬送するための第１の搬送手段、半導体基体の地肌表面を露出する工程を行うための装置から、該露出された表面に熱酸化膜の形成を行うための装置へ該半導体基体を搬送するための第２の搬送手段、または基体上に形成された金属配線表面を露出する工程を行うための装置から、該金属配線表面に導電性薄膜を形成するための装置へ該基体を搬送するための第３の搬送手段のうちの少なくとも一つの搬送手段が、不活性ガスまたは水分濃度が１０ｐｐｂ以下の空気雰囲気に保持されるように構成したことを特徴とする薄膜形成装置によって解決される。」との記載がある。
　さらに、段落番号【００１１】に「本発明者は、このように露出させた表面に、導電性薄膜を形成する場合及び熱酸化膜を形成する場合には、その露出表面を大気に曝してはならないことを見い出したのである。すなわち、導電性薄膜を形成する場合及び熱酸化膜を形成する場合に、この露出表面を大気に曝すとコンタクト抵抗の劣化、絶縁耐圧の劣化を招くことを見い出したことは前述した通りである。」との記載がある。
　以上の記載を前提として原明細書の段落番号【００１４】に記載を解釈すれば、「本発明における搬送手段として、例えば図１に示すような，ＲＩＥ装置２、ウェットクリーニング装置、酸化装置４、導電成膜成膜装置をトンネル１で連結し」との記載は、基体表面又は基体上に形成された金属配線表面を露出する工程を行うためのＲＩＥ装置から、該露出表面に導電成膜の形成を行うための導電成膜成膜装置に至る搬送経路を例示したものと認められる。また、「もちろん装置２〜５の外に他の装置を連絡してもよい。」における他の装置とは、基体表面又は基体上に形成された金属配線表面を露出する工程を行うための装置から、該露出表面に導電成膜又は熱酸化膜の形成を行うための装置に至る搬送経路中に介在する装置であると認められる。したがって、あくまでも、半導体基体の地肌表面又は基体上に形成された金属配線表面を露出する工程を行うための装置から、該露出表面に導電性薄膜又は熱酸化膜の形成を行うための装置への搬送手段を対象として、特定条件の雰囲気に保持されるように構成したのであって、半導体基体に対する処理装置一般の間の搬送装置を対象としたのではない。
　このほか、原明細書のいずれにも、半導体基体に対する処理装置一般の装置同士の間で半導体基体を搬送するための手段を対象として、その内部が特定の雰囲気に保持されるようにする旨の記載はなく、また、それを自明のこととして把握することができるような記載もない。
　
（３）明細書の要旨の変更の有無
　本件手続補正は、原明細書では、半導体基体の地肌表面又は基体上に形成された金属配線表面を露出する工程を行うための装置から、該露出表面に導電性薄膜又は熱酸化膜の形成を行うための装置への搬送手段を対象として、特定条件の雰囲気に保持されるように構成したものを、該補正によって、半導体基体に対する処理装置一般の装置同士の間の搬送手段を対象としたものへと変更するものである。
　したがって、本件手続補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において特許請求の範囲を補正するものではなく、明細書の要旨を変更するものである。
　
５　むすび
　結局、本件手続補正は特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものとした原決定は妥当である。
　よって、結論のとおり審決する。