【事件の表示】
　特許第３２５７０３８号「現像方法及び現像装置」の請求項１ないし１９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５７０３８号の請求項１ないし１４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３２５７０３８号は、平成４年５月２７日出願（優先権主張平成３年６月４日、平成３年７月２９日）の出願であって、平成１３年１２月７日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人原純子及び櫻井隆圀から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年１月７日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年４月２１日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人原純子は、甲第１号証（特開平２−２９６３１６号公報）、甲第２号証（特開平２−２１１６５０号公報）、甲第３号証（特開昭６３−１５３８３９号公報）、甲第４号証（特開平３−１１７５０号公報）、甲第５号証（特開昭６３−２５９１６号公報）、甲第６号証（特開昭５９−１２３２３２号公報）及び甲第７号証（特開昭６０−１１７６２７号公報）を提出して以下の主張をしている。
　本件請求項１及び７に係る発明は、上記甲第１号証記載の発明であるから、本件請求項１及び７に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものであり、本件請求項１及び７に係る特許を取り消すべきである。
　本件請求項２〜６、８〜１９に係る発明は、上記甲第１号証〜甲第７号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項２〜６、８〜１９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、本件請求項２〜６、８〜１９に係る特許を取り消すべきである。
　また、異議申立人櫻井隆圀は、甲第１号証（特開平２−２９６３１６号公報）、甲第２号証（特開平２−２１１６５０号公報）、甲第３号証（特開平３−１２４０１７号公報）及び甲第４号証（特開平２一３０６６１５号公報）を提出して以下の主張をしている。
　本件請求項１及び７に係る発明は、上記甲第１号証記載の発明であるから、本件請求項１及び７に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものであり、本件請求項１及び３に係る特許を取り消すべきである。
　本件請求項２及び８に係る発明は、上記甲第１及び２号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項２及び８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、本件請求項２及び８に係る特許を取り消すべきである。
１．２　異議申立人原純子が提出した甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の第３頁左上欄第５行〜第２０行には、「このような構造と動作によって、下記に説明する現像処理をおこなう。
（１）（原文は丸数字）回転ステージ５を上部に上げて、ウエハー１をチャッキングする。
（２）（原文は丸数字）回転ステージ５を回転させながら、ノズル３からウエハー１面に現像液を滴下してウエハー面に現像液を盛る。
（３）（原文は丸数字）盛ったままで静止すると同時に真空吸着を止めて、回転ステージ５を下部に下げ、ウエハー１をゴムリング６上に載せる。この時のみ、第２図（ｂ）に示す状態になる。
（４）（原文は丸数字）一定時間が経過すると、回転ステージ５を上部に上げて、ウエハー１をチャッキングし、その後に回転させながらリンス液（純粋液）を滴下する。
（５）（原文は丸数字）高速に回転させて乾燥させる。」と記載されている。
１．３　異議申立人原純子が提出した甲第２号証の記載内容
　甲第２号証の第３頁右上欄第２行〜左下欄第３行には、「上記アライメントステージ（１２）は、上記ピンセット（１１）から授受されたウエハ（１）を支持ピン例えば、３本ピンで構成された支持ピン（１４）で支持するように配置されている。…上記３ケ所の孔（１５）には上下方向に進退自在な３本の支持ピン例えばφ３ｍｍ×Ｌ７０ｍｍの３本の支持ピン（１４）が上端を上方に向けて装着されている。この３本の支持ピン（１４）の底端は固定ブロック（１６）に固着され、この固定ブロック（１６）はエアーシリンダー（３）の駆動で昇降可能に形成されている。」と記載されている。
　第４頁右上欄第１７行〜左下欄第２行には、「上記実施例ではウエハを位置合わせする装置を用いて説明したが、これに限定するものではなく、ウエハを複数本の支持ピンが相対的に昇降して、載置面に載置する装置、例えばレジスト塗布装置、現像塗布装置、ウエハプローバ、ＬＣＤプローバ等の装置にも適用することが可能である。」と記載されている。
１．４　異議申立人原純子が提出した甲第３号証の記載内容
　甲第３号証の第５頁右上欄第１０行〜左下欄第１１行には、「４本の挟持爪３６・３６′・３８・３８′のうち１本の挟持爪３６が可動爪としてスライダ３に立設され、…後方側の挟持爪３８・３８′は位置決めピンとして機能する。
　また、これらの挟持爪の内径側には、挟持爪３６・３６′よりもさらに背丈の低いウエハ載置ピン３７・３７…が配設され、そのうちの１本３７ａはスライダ３に立設されている。
　したがって、一対の無端ベルト３５・３５′によって挟持爪３６・３６′の上方を水平搬送されてきたウエハＷは、挟持爪３８・３８′に当接して位置決めされ、次に回転軸６を第３図の二点鎖線位置まで上昇させることにより、ウエハＷを無端ベルト３５・３５′からウエハ載置ピン３７・３７′上に移載するとともに、下記の可動爪解除手段４１が非作動状態となり、ウエハＷを挟持爪３６・３６′・３８・３８′で挟持することができる。」と記載されている。
１．５　異議申立人原純子が提出した甲第４号証の記載内容
　甲第４号証の第３頁右上欄第７行〜第１９行には、「本静電式試料吸着ホルダを使用するには、まず、試料吸着面の上方に位置するリフトピン２５の上に試料Ｓを載置し、リフトピン２５を降下させることによって試料Ｓを吸着面上に移し換える。その後、直流電圧印加電極２１に所望の正負の電圧を印加して試料吸着面に静電荷を発生させて静電力によって試料Ｓを吸着し、冷却する。試料Ｓを回収するには、まず、試料Ｓを吸着するために印加した直流電圧を解除し、静電力が消滅するまで待機する。その後、試料の外周部をリフトピン２５で支持しながら上昇させることによって、試料Ｓを吸着面からリフトピン２５上に移し換えて搬送機構等によって回収する。」と記載されている。
１．６　異議申立人原純子が提出した甲第５号証の記載内容
　甲第５号証の第２頁左下欄第７行〜第１５行には、「また基板４を冷却する場合には、原料ガスの供給を止め、第３図に示すように冷却用ガス６を供給し、冷却用ガス６を基板支持台３に設けた噴出口１より噴出させ、ガス６の圧力により基板４を基板支持台３から浮上させてピン２に押し付ける。
このように基板４を基板支持台３から分離することにより、支持台３の温度を大幅に下げることなく基板４を冷却することが可能となり、熱容量が非常に小さくなる。」と記載され、その態様が第２図及び第３図に示されている。
１．７　異議申立人原純子が提出した甲第６号証の記載内容
　甲第６号証の第２頁右上欄第１行〜第４行には、「チャンバー内に配置されたレジスト膜を有する被処理板周囲の雰囲気温度を室温より低く、より好ましくは１０℃以下に冷却して現像液によるスプレー現像を行なう」と記載されている。
　第２頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第１４行には、「次に、前記スプレー現像装置を用いて現像方法を説明する。
　まず、マスク基板にボリメチルメタクリレートを塗布し、…これを被処理板とする。…スプレーノズル５よりメチルイソプチケトン：メチルエチルケトン＝１：１（現像液）を被処理板７表面のレジスト膜に４分間スプレーして現像処理を行った。」と記載されている。
１．８　異議申立人原純子が提出した甲第７号証の記載内容
　甲第７号証の第４頁左下欄第２０行〜第５頁左上欄第３行には、「次いで、現像前べ一クの完了したマスク基板２０を図示しない搬送部材により第１冷却室４１内に搬送してその内の支持台９上にセットした後、直ちに支持台９を下降させて冷却漕８内の任意所定温度Ｔｓ１，（Ｔｓ１，＜Ｔｇ）に調整された冷却水７中に浸潰して均一に急冷した。この時、第１内部シャツタ２１は閉じられ、第１冷却室４１内は第２温風供給器１４２と冷却用温度センサ１９１とにより前記冷却水７の温度（Ｔｓ１）に保たれる。…つづいて、第２内部シャッタ２２を閉じた後、真空チャック１２を所定速度で回転させてマスク基板２０及びその上のレジスト膜の均一冷却と乾燥を行なった。」と記載されている。
１．９　異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１号証の記載内容
　異議申立人原純子が提出した甲第１号証と同じ。
１．１０　異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第２号証の記載内容
　異議申立人原純子が提出した甲第２号証と同じ。
１．１１　異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第３号証の記載内容
　甲第３号証の第２頁右下欄第１３行目〜第３頁右上欄第１８行目には、「ウエハ１が図示しない搬送機構によりチャック３上に載置されると、ウエハ１はチャック３に吸着支持されカップ１３は第１図に図示のように上昇し、ウエハ１上に現像液供給系６より一定量の現像液８がノズル４より例えば２〜５秒間内で滴下され、現像液８の表面張力によりウエハ１に塗布されパターン露光済のレジスト膜Ｒ上に第２図に示すように滞在させる。…しかし例えば３０℃で上記の時間の現像を行うと均一な現像を行うことができる。この現像時間中、遠赤外線ランプ１４を極めて弱い光線を発生するよう作動させ、ウエハ１の周辺部Ｓを中心部に対して補償するよう加熱する。このように周辺部Ｓを微弱に加熱することにより第３図に示すようにウエハ１の現像時間ｔ中にウエハ１の中心部の温度低下勾配Ｃと周辺部の加熱を行わない状態の時に生じるウエハ１の周辺部Ｓの温度低下勾配Ｓ１との差を相殺し、周辺部Ｓにおいてもウエハ１の中心部と同様の温度低下勾配Ｃを保持することができる。このため、ウエハ１の全域に亘り、温度を均一にすることにより現像ムラを生じることがない。…即ち、遠赤外線ランプによるウエハー周辺部９の加熱に限らず、ウエハー全面の温度を均一に保持するものならばよく、第４図に示すようにウエハ１を支持するチャック３をウエハ裏面全面に接するような大型のものにして、周辺部に接する部分にヒータ１５を設け、周辺部を加熱するか、あるいは中心部に冷却装置を設け、中心部の冷却を行いウエハ全面の温度均一を企てるようにしてもよい。…ウエハー全面を一定温度に保持することができ好適である。」と記載されている。
１．１２　異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第４号証の記載内容
　甲第４号証の第２頁左下欄第８行目〜同右下欄第６行目には、「第１図に示すように本実施例は約６００ｍｍＨｇ真空度の真空吸着チャック２をウエハー１の裏面のほぼ全面に適用した状態でノズル４からレジスト３を塗布する。すなわち従来レジストが厚く塗布された中央部の真空吸着チャック部を全面に拡大し厚さの均一性を保持したものである。本実施例で塗布されたレジストの厚さのバラツキは約１０Åと従来より改善されていることがわかった。
次に第２実施例を第２図を用いて説明する。
第２図はウエハー裏面の周辺のみに真空吸着チャック２を適用した状態でノズル４からレジスト３を塗布する。本実施例での吸着位置は例えば直径６インチのウエハーで外周端部から約３〜５ｍｍの所迄とした。
本実施例では吸着部であるウエハー周縁部は従来と同様に厚くウエハーが塗布されたがその厚いレジスト塗布部分は使用しない（除去する）ためほぼ厚さが均一なレジスト膜が得られた。」と、記載されている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第３２５７０３８号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項Ａ−１
　特許明細書の請求項１の「前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有することことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
を、「前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正する。
訂正事項Ａ−２
　特許明細書の請求項２の「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われる、請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段によめ行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ
　該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されていること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正する。
訂正事項Ａ−３
　特許明細書の請求項３を削除する。
訂正事項Ａ−４
　特許明細書の請求項４の「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により行われる、請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、
「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正する。同時をこれを請求項３とする。
訂正事項Ａ−５
　特許明細書の請求項５の「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により行われる、請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。同時にこれを請求項４とする。
訂正事項Ａ−６
　特許明細書の請求項６の「前記レジス下付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項４または５に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項３または４に記載の露光済みレジストの現像方法。」と訂正する。同時にこれを請求項５とする。
訂正事項Ａ−７
　特許明細書の請求項７の「現像の進行中、 隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離することを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」を、「基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際にレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　現像の進行中、隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離し、かつ、
　前記基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」と訂正する。同時にこれを請求項６とする。
訂正事項Ａ−８
　特許明細書の請求項８を削除する。
訂正事項Ａ−９　　
　特許明細書の請求項９の「前記の第２の支持部材が、該第２の支持部材の温度を調整する温度調節手段を有した請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置。」を、「前記の隔離手段が温度調節されている、請求項６に記載の露光済みレジストの現像装置。」と訂正する。同時をこれを請求項７とする。
訂正事項Ａ−１０
　特許明細書の請求項１０の「前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き増される気体により支持部材から隔離して支持され、
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持される、露光済みレジストの現像装置。」を、「前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での濃度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに　
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」
と訂正する。同時にこれを請求項８とする。
訂正事項Ａ−１１
　特許明細書の請求項１１の「前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させる、露光済みレジストの現像方法。」を、「前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項１０に記載の露光済みレジストの現像装置。」と訂正する。同時にこれを請求項９とする。
訂正事項Ａ−１２
　特許明細書の請求項１２の「吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項１０または１１に記載の露光済みレジストの現像装置。」を、「吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項８または９に記載の露光済みレジストの現像装置。」と訂正する。同時にこれを請求項１０とする。
訂正事項Ａ−１３
　特許明細書の請求項１３の「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させる、露光済みレジストの現像方法。」を、「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、
　該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正する。同時にこれを請求項１１とする。
訂正事項Ａ−１４
　特許明細書の請求項１４の「前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行う、請求項１３に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　該低い濃度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、
　かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正する。同時にこれを請求項１２とする。
訂正事項Ａ−１５
　特許明細書の請求項１５を削除する。
訂正事項Ａ−１６
　特許明細書の請求項１６の「前記現像液により前記レジストを現像する工程を含む露光済みレジストの現像方法。」を、「前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、前記レジスト付基体に供給される純水の温度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。同時にこれを請求項１３とする。
訂正事項Ａ−１７
　特許明細書の請求項１７を削除する。
訂正事項Ａ−１８
　特許明細書の請求項１８の「前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とした、露光済みレジストの現像装置。」を「前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よめレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、
　該溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、
供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなることにより、
　前記現像液の前記レジス下付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」と訂正する。訂正後は請求項１４とする。
訂正事項Ａ−１９
　特許明細書の請求項１９を削除する。
訂正事項Ｂ−１　
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号０００７の「例えば、エキシマレーザーリソグラフィー用レジストがある。」を、「例えば、エキシマレーザーリソグラフイー用レジストがある。」と訂正する。
訂正事項Ｂ−２
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００４９の「ウェハー面内の温は均一になり、」を、「ウェハー面内の温度は均一になり、」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１２を「本出願の請求項１の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用しジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−２
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１３を、「本出願の請求項２の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジス下付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されていることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−３
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１４を、「本出願の請求項３の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−４
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１５を、「本出願の請求項４の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることによめ、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフイー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−５
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１６を、「本出願の請求項５の発明は、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項３または４に記載の露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−６
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１７の記載を削除する。
訂正事項Ｃ−７
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１８の当該段落番号を００１７に訂正する。
訂正事項Ｃ−８
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１９を００１８に繰り上げ、かつその記載を、「本出願の請求項６の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際にレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、現像の進行中、隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離し、かつ、前記基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−９
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２０を００１９に繰り上げ、かつその記載を、「本出願の請求項７の発明は、前記の隔離手段が温度調節されている、請求項６に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１０
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２１を００２０に繰り上げ、かつその記載を、「本出願の請求項８の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持する支持部材と、前記支持部材が、気体を吹き出す吹き出し口を有し、前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部村から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体によめ固定部とは非接触の状態で行われ、かつ前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１１
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２２を００２１に繰り上げ、かつその記載を、「本出願の請求項９の発明は、前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１２
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２３を００２２に繰り上げ、かつその記載を、「本出願の請求項１０の発明は、吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項８または９に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１３
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２４の記載を削除する。
訂正事項Ｃ−１４
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２５の当該段落番号を００２３に訂正する。
　訂正事項Ｃ−１５
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２６を００２４に繰り上げ、かつその記載を、「【００２４】
　本出願の請求項１１の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、供給される現像液の濃度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１６
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２７を００２５に繰り上げ、かつその記載を、「【００２５】
　本出願の請求項１２の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、該低い温度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１７
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２８を００２６に繰り上げ、かつその記載を、「【００２６】
　本出願の請求項１３の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト上に純水を供給する工程と、前記供給された純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させる工程と、前記溜めた純水をレジスト上から除いたあとに前記レジスト上に現像液を供給する工程と、前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、前記レジスト付基体に供給される純水の温度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定したことにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１８
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２９を００２７に繰り上げ、かつその記載を、「【００２７】本出願の請求項１４の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する際に、前記レジスト付基体がその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持部材により支持される現像装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成で、レジスト上に溜めて現像を行う装置において、前記レジスト上に純水を供給する手段と、前記レジスト上に現像液を供給する手段とを有し、前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、該溜めた離水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」と訂正する。
訂正事項Ｃ−１９
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００３０〜００３３の記載を削除する。
訂正事項Ｃ〜２０
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００３４の当該段落番号を００２８に訂正するとともに、以下の記載についての段落番号を繰り上げる。
訂正事項Ｃ−２１
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００７４〜００８０を削除し、段落番号００８１の段落番号を００６８とする。
２．２　訂正の適否
訂正事項Ａ−１
　上記訂正事項Ａ−１については、特許明細書の請求項１の「前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有することことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
を、下位概念である「前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること」は、特許明細書００３４、０００７、００４１、００４４及び００４６段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−１は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−２
　上記訂正事項Ａ−２については、特許明細書の請求項２の「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われる。請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、下位概念である「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段によめ行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ
　該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されていること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること」は、特許明細書００３４、０００７、００４１、００４４及び００４６段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−１は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−３
　訂正事項Ａ−３は、特許明細書の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、上記訂正事項Ａ−３は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−４
　上記訂正事項Ａ−４については、特許明細書の請求項４の「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により行われる、請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、下位概念である「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と前、記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と前、記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること」は、特許明細書００３４、０００７、００４１、００４４、００４６及び００４８段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−４は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−５
　上記訂正事項Ａ−５については、特許明細書の請求項５の「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により行われる、請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、下位概念である「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること」は、特許明細書００３４、０００７及び００４１段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−５は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−６
　上記訂正事項Ａ−６については、特許明細書の請求項６の「前記レジス下付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項４または５に記載の露光済みレジストの現像方法。」を、「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項３または４に記載の露光済みレジストの現像方法。」と訂正するものであるから、請求項の削除に伴う明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、上記訂正事項Ａ−６は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−７
　上記訂正事項Ａ−７については、特許明細書の請求項７の「現像の進行中、 隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離することを特徴とする露光澄みレジストの現像装置。」を、下位概念である「基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際にレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　現像の進行中、隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離し、かつ、
　前記基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること」は、特許明細書００３４、０００７及び００４１、００４４及び００４６段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−７は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−８
　上記訂正事項Ａ−８については、特許明細書の請求項８を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、上記訂正事項Ａ−８は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。。
訂正事項Ａ−９
　上記訂正事項Ａ−９については、特許明細書の請求項９の「前記の第２の支持部材が、該第２の支持部材の温度を調整する温度調節手段を有した請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置。」を、「前記の隔離手段が温度調節されている、請求項６に記載の露光済みレジストの現像装置。」と訂正するものであるから、請求項の削除に伴う明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、上記訂正事項Ａ−９は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１０
　上記訂正事項Ａ−１０については、特許明細書の請求項１０の「前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き増される気体により支持部材から隔離して支持され、
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持される、露光済みレジストの現像装置。」を、下位概念である「前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での濃度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに　
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」
と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での濃度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに　
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること」は、特許明細書００３４、０００７及び００４１段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−７は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１１
　上記訂正事項Ａ−１１については、特許明細書の請求項１１の「前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項１０に記載の露光済みレジストの現像装置。」を、「前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置。」と訂正するものであるから、請求項の削除に伴う明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、上記訂正事項Ａ−１１は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１２
　上記訂正事項Ａ−１２については、特許明細書の「吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項１０または１１に記載の露光済みレジストの現像装置。」を、「吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項８または９に記載の露光済みレジストの現像装置。」と訂正するものであるから、請求項の削除に伴う明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、上記訂正事項Ａ−１２は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１３
　上記訂正事項Ａ−１３については、特許明細書の請求項１３の「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に，前記現像液を供給し現像を進行させる、露光済みレジストの現像方法。」を、下位概念である「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、
　該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、
　該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させること」は、特許明細書００５６段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−１３は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１４
　上記訂正事項Ａ−１４については、特許明細書の請求項１４の「前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行う、請求項１３もこ記載の露光済みレジストの現像方法。」を、下位概念である「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　該低い濃度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、
　かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　該低い濃度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、
　かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させること」は、特許明細書００５６段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−１３は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１５
　上記訂正事項Ａ−１５については、特許明細書の請求項１５を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、上記訂正事項Ａ−１５は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１６
　上記訂正事項Ａ−１６については、特許明細書の請求項１６の「前記現像液により前記レジストを現像する工程を含む露光済みレジストの現像方法。」を、下位概念である「前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、前記レジスト付基体に供給される純水の温度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該訂正特許明細書請求項１７から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−１６は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１７
　上記訂正事項Ａ−１７については、特許明細書の請求項１７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、上記訂正事項Ａ−１７は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１８
　上記訂正事項Ａ−１８については、特許明細書の請求項１８の「前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とした、露光済みレジストの現像装置。」を下位概念である「前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よめレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、
　該溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、
供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなることにより、
　前記現像液の前記レジス下付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該訂正は、特許明細書請求項１９から、直接かつ一義的に導き出されるものであるので、上記訂正事項Ａ−１８は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ａ−１９
　上記訂正事項Ａ−１９については、特許明細書の請求項１９を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、上記訂正事項Ａ−１９は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ｂ−１及びＢ−２
　上記訂正事項Ｂ−１及びＢ−２については、明らかな誤記の訂正であり、また上記訂正事項Ｂ−１及びＢ−２は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
訂正事項Ｃ−１〜Ｃ−２１
　上記訂正事項Ｃ−１〜Ｃ−２１については、特許明細書の請求項の訂正に伴い、請求項の記載と発明の詳細な説明の整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に当たる。
　また、上記訂正事項Ｃ−１〜Ｃ−２１は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
２．３　訂正の適否の判断
　上記訂正事項Ａ−１〜Ｃ−２１は、上記のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
３．特許異議申立てについての判断
３．１　本件請求項１〜１４に係る発明
請求項１
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。
請求項２
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ
　該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されていること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。
請求項３
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を極の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。
請求項４
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体による固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。
請求項５
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項３または４に記載の露光済みレジストの現像方法。
請求項６
　基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際にレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　現像の進行中、隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離し、かつ、前記基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置。
請求項７
　前記の隔離手段が温度調節されている、請求項６に記載の露光済みレジストの現像装置。
請求項８
　基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持する支持部材と、
　前記支持部材が、気体を吹き出す吹き出し口を有し、
　前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置。
請求項９
　前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置。
請求項１０
　吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項８または９に記載の露光済みレジストの現像装置。
請求項１１
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。
請求項１２
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持機材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　該低い温度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて披露して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、
　かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。
請求項１３
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト上に純水を供給する工程と、
　前記供給された純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させる工程と、
　前記溜めた純水をレジスト上から除いたあとに前記レジスト上に現像液を供給する工程と、
　前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、
　前記レジスト付基体に供給される純水の濃度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法。
請求項１４
　基体上の露光済みレジストを現像する際に、前記レジスト付基体がその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持部材により支持される現像装置であって現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成で、レジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　前記レジスト上に離水を供給する手段と、
　前記レジスト上に現像液を供給する手段とを有し、
　前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、該溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなることにより、
前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像装置。
３．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
３．３　対比、判断
３．３．１　本件請求項１に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とした」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項１に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．２　本件請求項２に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項２に係る発明が、「レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ
　該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されている」構成（以下、「本件請求項２に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項２に係る発明は、上記本件請求項２に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項２に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．３　本件請求項３に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項３に係る発明が、「レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる」構成（以下、「本件請求項３に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項３に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項３に係る発明は、上記本件請求項３に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項３に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．４　本件請求項４に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項４に係る発明が、「レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われる」構成（以下、「本件請求項４に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項４に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項４に係る発明は、上記本件請求項４に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項４に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．５　本件請求項６に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項６に係る発明が、「基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって前記実質的に点接触となる隔離とした」構成（以下、「本件請求項６に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項６に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項６に係る発明は、上記本件請求項６に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項６に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．６　本件請求項８に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項８に係る発明が、「レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持する支持部材と、
　前記支持部材が、気体を吹き出す吹き出し口を有し、
　前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持される」構成（以下、「本件請求項８に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項８に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項８に係る発明は、上記本件請求項８に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項８に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．７　本件請求項１１に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項１１に係る発明が、「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させる」構成（以下、「本件請求項１１に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項１１に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１１に係る発明は、上記本件請求項１１に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項１１に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．８　本件請求項１２に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項１２に係る発明が、「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　該低い温度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて披露して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、
　かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定した」構成（以下、「本件請求項１２に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項１２に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１２に係る発明は、上記本件請求項１２に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項１２に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．９　本件請求項１３に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項１３に係る発明が、「供給された純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させる工程と、
　前記溜めた純水をレジスト上から除いたあとに前記レジスト上に現像液を供給する工程と、
　前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、
　前記レジスト付基体に供給される純水の濃度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定した」構成（以下、「本件請求項１３に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項１３に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１３に係る発明は、上記本件請求項１３に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項１３に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．１０　本件請求項１４に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項１４に係る発明が、「現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、該溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなる」構成（以下、「本件請求項１４に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明にも上記本件請求項１４に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１４に係る発明は、上記本件請求項１４に係る発明の特徴的構成を有することにより、発明の効果の項に記載された特有の効果を有する。
　従って、本件請求項１４に係る発明は、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
３．３．１１　本件請求項５、７、９及び１０に係る発明と異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項３又は４に係る発明を引用する本件請求項５に係る発明は、本件請求項３又は４に係る発明と同様に、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
　本件請求項６に係る発明を引用する本件請求項７に係る発明は、本件請求項６に係る発明と同様に、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
　本件請求項８に係る発明を引用する本件請求項９に係る発明は、本件請求項８に係る発明と同様に、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
　本件請求項８又は９に係る発明を引用する本件請求項１０に係る発明は、本件請求項８又は９に係る発明と同様に、異議申立人原純子が提出した甲第１〜７号証及び異議申立人櫻井隆圀が提出した甲第１〜４号証記載の発明と同一ではなく、また当該各発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜１４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜１４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月３日（２００３．６．３）
【訂正の要旨】
　訂正事項Ａ−１
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１の
「前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有することことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。
　訂正事項Ａ−２
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項２の
「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われる、請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ
　該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されていること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。
　訂正事項Ａ−３
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項３を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
　訂正事項Ａ−４
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項４の
「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により行われる、請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。同時にこれを請求項３とする。
　訂正事項Ａ−５
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項５の
「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により行われる、請求項１に記載の露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。同時にこれを請求項４とする。
　訂正事項Ａ−６
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項６の
「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項４または５に記載の露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項３または４に記載の露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。同時にこれを請求項５とする。
　訂正事項Ａ−７
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項７の
「現像の進行中、隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離することを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際にレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　現像の進行中、隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離し、かつ、
　前記基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること
を特徴とする露光済みレジストの現像装置。」
と訂正する。同時にこれを請求項６とする。
　訂正事項Ａ−８
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項８を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
　訂正事項Ａ−９
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項９の
「前記の第２の支持部材が、該第２の支持部材の温度を調整する温度調節手段を有した請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記の隔離手段が温度調節されている、請求項６に記載の露光済みレジストの現像装置。」
と訂正する。同時にこれを請求項７とする。
　訂正事項Ａ−１０
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１０の
「前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持され、
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持される、露光済みレジストの現像装置。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
を特徴とする露光済みレジストの現像装置。」
と訂正する。同時にこれを請求項８とする。
　訂正事項Ａ−１１
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１１の
「前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させる、露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項１０に記載の露光済みレジストの現像装置。」
と訂正する。同時にこれを請求項９とする。
　訂正事項Ａ−１２
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１２の
「吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項１０または１１に記載の露光済みレジストの現像装置。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項８または９に記載の露光済みレジストの現像装置。」
と訂正する。同時にこれを請求項１０とする。
　訂正事項Ａ−１３
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１３の
「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させる、露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、
　該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。同時にこれを請求項１１とする。
　訂正事項Ａ−１４
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１４の
「前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行う、請求項１３に記載の露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　該低い温度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、
　かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。同時にこれを請求項１２とする。
　訂正事項Ａ−１５
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１５を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
　訂正事項Ａ−１６
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１６の
「前記現像液により前記レジストを現像する工程を含む露光済みレジストの現像方法。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、
　前記レジスト付基体に供給される純水の温度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。」
と訂正する。同時にこれを請求項１３とする。
　訂正事項Ａ−１７
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１７を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
　訂正事項Ａ−１８
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１８の
「前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とした、露光済みレジストの現像装置。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、該溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、
　供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像装置。」
と訂正する。訂正後は請求項１４とする。
　訂正事項Ａ−１９
　特許第３２５７０３８号明細書の特許請求の範囲の中の請求項１９を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
　訂正事項Ｂ−１
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号０００７の記載「例えば、エキシマレーーザーリソグラフィー用レジストがある。」を、誤記の訂正を目的として、「例えば、エキシマレーザーリソグラフィー用レジストがある。」と訂正する。
　訂正事項Ｂ−２
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００４９の記載「ウェハー面内の温は均一になり、」を、誤記の訂正を目的として、「ウェハー面内の温度は均一になり、」と訂正する。（後記する訂正に伴い段落番号は００４３に訂正）。
　訂正事項Ｃ−１
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１２の記載を、前記訂正事項Ａ−１による訂正に整合させて、下記のように訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項１の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−２
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１３の記載を、前記訂正事項Ａ−２による訂正に整合させて、下記のように訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項２の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されていることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−３
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１４の記載を、前記訂正事項Ａ−３による訂正に整合させて、下記のように訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項３の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−４
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１５の記載を、前記訂正事項Ａ−３による訂正に整合させて、下記のように訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項４の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−５
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１６の記載を、前記訂正事項Ａ−４による訂正に整合させて、下記のように訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項５の発明は、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項３または４に記載の露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−６
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１７の記載を、前記訂正事項Ａ−４による訂正に整合させて、削除する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致、特に請求項の削除に伴う当該不一致を解消するものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
　訂正事項Ｃ−７
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１８の当該段落番号を００１７に訂正する。これは上記訂正事項Ｃ−６による段落番号００１７の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
　訂正事項Ｃ−８
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００１９の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００１８に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６による段落番号００１７の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項６の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際にレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、現像の進行中、隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離し、かつ、前記基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−９
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２０の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００１９に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６による段落番号００１７の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項７の発明は、前記の隔離手段が温度調節されている、請求項６に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−１０
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２１の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００２０に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６による段落番号００１７の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項８の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持する支持部材と、前記支持部材が、気体を吹き出す吹き出し口を有し、前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−１１
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２２の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００２１に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６による段落番号００１７の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項９の発明は、前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−１２
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２３の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００２２に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６による段落番号００１７の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「本出願の請求項１０の発明は、吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項８または９に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−１３
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２４の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、削除する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致、特に請求項の削除に伴う当該不一致を解消するものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
　訂正事項Ｃ−１４
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２５の当該段落番号を００２３に訂正する。これは上記訂正事項Ｃ−６、Ｃ−１３による段落番号００１７、００２４の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
　訂正事項Ｃ−１５
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２６の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００２４に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６、Ｃ−１３による段落番号００１７、００２４の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「　　　【００２４】
　本出願の請求項１１の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−１６
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２７の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００２５に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６、Ｃ−１３による段落番号００１７、００２４の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「【００２５】
　本出願の請求項１２の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、該低い温度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−１７
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２８の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００２６に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６、Ｃ−１３による段落番号００１７、００２４の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「【００２６】
　本出願の請求項１３の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部村で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト上に純水を供給する工程と、前記供給された純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させる工程と、前記溜めた純水をレジスト上から除いたあとに前記レジスト上に現像液を供給する工程と、前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、前記レジスト付基体に供給される純水の温度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定したことにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−１８
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００２９の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、下記のように訂正する。同時に段落番号を００２７に訂正する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。同時に上記訂正事項Ｃ−６、Ｃ−１３による段落番号００１７、００２４の記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
「【００２７】
　本出願の請求項１４の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する際に、前記レジスト付基体がその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持部材により支持される現像装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成で、レジスト上に溜めて現像を行う装置において、前記レジスト上に純水を供給する手段と、前記レジスト上に現像液を供給する手段とを有し、前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、該溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。」
　訂正事項Ｃ−１９
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００３０〜００３３の記載を、前記訂正事項Ａ−５による訂正に整合させて、削除する。すなわちこれは、特許請求の範囲の訂正による発明の詳細な説明と特許請求の範囲との不一致、特に請求項の削除に伴う当該不一致を解消するものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
　訂正事項Ｃ−２０
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００３４の当該段落番号を００２８に訂正するとともに、以下の記載についての段落番号を繰り上げる。これは上記訂正事項Ｃ−６、Ｃ−１３、Ｃ−１９による記載の削除に伴って、段落の番号を繰り上げたものである。よってこの訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
　訂正事項Ｃ−２１
　特許第３２５７０３８号明細書の発明の詳細な説明の欄の段落番号００７４〜００８０（記載内容無し）を削除し、段落番号００８１の段落番号を００６８とする。この訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正である。
（５４）【発明の名称】
現像方法及び現像装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。
　【請求項２】
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ
　該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されていること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。
　【請求項３】
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。
　【請求項４】
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、
　前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、
　前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
　を特徴とする露光済みレジストの現像方法。
　【請求項５】
　前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項３または４に記載の露光済みレジストの現像方法。
　【請求項６】
　基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際にレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　現像の進行中、隔離手段を用いて前記支持部材から前記基体を隔離し、かつ、
　前記基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、
　前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、
　前記隔離手段としてピンを用いることによって前記実質的に点接触となる隔離としたものであること
を特徴とする露光済みレジストの現像装置。
　【請求項７】
　前記の隔離手段が温度調節されている、請求項６に記載の露光済みレジストの現像装置。
　【請求項８】
　基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持する支持部材と、
　前記支持部材が、気体を吹き出す吹き出し口を有し、
　前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ
　前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに
　前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであること
を特徴とする露光済みレジストの現像装置。
　【請求項９】
　前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置。
　【請求項１０】
　吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項８または９に記載の露光済みレジストの現像装置。
　【請求項１１】
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、
　該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。
　【請求項１２】
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、
　該低い温度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、
　かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。
　【請求項１３】
　基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、
　前記レジスト上に純水を供給する工程と、
　前記供給された純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させる工程と、
　前記溜めた純水をレジスト上から除いたあとに前記レジスト上に現像液を供給する工程と、
　前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、
　前記レジスト付基体に供給される純水の温度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定したことにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像方法。
　【請求項１４】
　基体上の露光済みレジストを現像する際に、前記レジスト付基体がその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持部材により支持される現像装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成で、レジスト上に溜めて現像を行う装置において、
　前記レジスト上に純水を供給する手段と、
　前記レジスト上に現像液を供給する手段とを有し、
　前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、該溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、
　その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、
　供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなることにより、
　前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させる
ことを特徴とする露光済みレジストの現像装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、現像方法及び現像装置に関する。本発明の現像方法及び現像装置は、例えば、電子材料の製造の際に、露光・現像を行ってパターン形成を行うフォトリソグラフィー技術における現像手段として好適に用いることができる。
　【０００２】
　【従来の技術】半導体装置等の電子材料の形成の際、フォトレジストを使ったフォトリソグラフィー技術を用いることは良く知られている。この種の技術で露光後のレジストの現像を行う場合、図５（ａ）に示すように、被現像体１である半導体ウェハー等をウェハーチャック等の支持部２に載置し、現像液３をノズル３０等を用いて被現像体１上のレジスト面１ａに液の表面張力を利用して盛り上げる構成で付着させて、図５（ｂ）に示すように現像を進行させる、いわゆるパドル現像法が用いられている。本明細書中、このように被現像面上に現像液を表面張力を利用して付着されることを、「液盛り」と称する。図５中、１１は現像装置のカップである。
　【０００３】ところで一般に、現像液温の変化によって現像速度が変化し、よって現像されたレジスト線幅が変化することは、良く知られている（１９８９年春の応用物理学会予稿集２ａ−Ｋ−２、同年秋の同予稿集２９ｐ−Ｌ−１０参照）。
　【０００４】一方、従来においては、現像中は被現像体であるウェハー上に現像液が厚さ数ｍｍで盛られているため、熱容量が大きく、温度変化は無いと言われていた。よって従来技術にあっては、吐出される現像液のみが温調されている。
　【０００５】しかし、今回、実際には現像中に現像液の温度変化が６℃程度あることがわかった。この温度低下は、主として現像液の蒸発によるものと推定される。また、ウェハー中心と周辺で、温度差が発生することがわかった。即ち、図６に示すように、横軸に時間をとり、縦軸に現像液温度をとったグラフを見ると、黒丸で示すウェハー中心についても、白丸で示すウェハー周辺についても、ともに１００秒間で現像液の蒸発により約４℃の温度変化があり、３００〜６００秒間では６℃程度の温度低下が生ずる。かつ、ウェハー中心と周辺では温度自体が異なり、更に温度変化の状態の挙動も相当に異なる。このような温度差は、次のような理由により生ずると考えられる。即ち、ウェハー中心付近は支持部２であるウェハーチャックと接触しているため温度が下がりにくく、周辺は何も無いため、温度が下がり易い。よって温度差が生じる。これは図５（ｂ）に示すように、被現像体１が支持部２よりも大面積であるため、周辺は支持部２と接触しないので、不可避的に生じてしまうものである。なお、被現像体１であるウェハーをこれより小さなウェハーチャック（支持部２）に載置するのは、
　▲１▼ウェハー搬送系が存在するため、ウェハーチャックはウェハーより小さくしなければならない。
　▲２▼現像液による汚れをできるだけ少なくする。という理由に基づく。
　【０００６】上記した現像液温度変化の影響で、温度に敏感なレジストでは、ウェハー周辺の線幅が細くなってしまう。即ち、図７（ａ）に示すように、被現像体１であるウェハーの基板１〜７（図７（ｂ）参照）について、従来技術におけるレジスト線幅のウェハー面内均一性を見ると、図ＩＩａ〜ＩＩｃで示すように、中心部で太く、周辺部で細くなる傾向が見られる。その差は０．０４〜０．０５μｍ程度ある（使用レジストはフジハント（株）のＦＨ−ＥＸ）。
　【０００７】このような現像液の温度変化に敏感なレジストとしては、例えばエキシマレーザーリソグラフィー用レジストがある。エキシマレーザーリソグラフィー技術は、近年の微細化集積化の傾向に対して有効であるので、上記問題を解決することが望まれている。
　【０００８】この問題を解決するため、図８に示すように、ウェハーチャック（支持部２）をウェハー（被現像体１）と同じ、またはそれより大きくすることにより、ウェハー全体がウェハーチャックに接触するようにして、面内の均一性を向上させることも考えられる。しかしこの技術では、必ずしもウェハーチャック２の影響が排除できるとは限らず、抜本的な解決にはならない。かつ、ウェハー搬送手段の設置や、現像液による汚れの問題が新たに生じ、実用的でない。
　【０００９】
　【発明の目的】本発明は上記従来技術の問題点を解決し、被現像体の被現像面であるレジスト面における現像液の温度が面内で均一になり、現像変化も小さくて、現像速度が一定であり、よってレジスト現像の場合もウェハー等の面内のレジスト線幅均一性を向上させることができる現像方法を提供せんとするものである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】本出願に係る各発明においては、下記構成をとることにより上記目的を達成する。
　【００１１】本出願に係る現像方法は、下記構成をとることにより、上記目的を達成する。
　【００１２】本出願の請求項１の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１３】本出願の請求項２の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって、前記実質的に点接触となる隔離とし、かつ該ピンは熱交換器を用いた温調器によって温度調節されていることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１４】
　本出願の請求項３の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１５】
　本出願の請求項４の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成でレジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト付基体上に前記現像液を供給した後、隔離手段を用いて前記支持部材から前記レジスト付基体を隔離する工程と、前記レジスト付基体を前記支持部材から隔離後に現像を進行させる工程とを有し、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から前記基体に対して斜めに吹き出される気体により固定部とは非接触の状態で行われることにより、前記現像液の前記基体面内での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１６】
　本出願の請求項５の発明は、前記レジスト付基体と前記基体の支持部材との隔離が、前記基体の支持部材から吹き出され前記基体の周囲の雰囲気の温度と同程度に温度調節された気体により行われる、請求項３または４に記載の露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１７】
　次に本出願に係る現像装置は、下記構成をとることにより、上記目的を達成する。
　【００１８】
　本出願の請求項６の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際にレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、現像の進行中、隔離手段を胆いて前記支持部材から前記基体を隔離し、かつ、前記基体と前記支持部材との隔離が、前記基体との接触が実質的に点接触となる隔離手段により行われることにより、前記現像液の前記レジスト上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに、前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであり、前記隔離手段としてピンを用いることによって前記実質的に点接触となる隔離としたものであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００１９】
　本出願の請求項７の発明は、前記の隔離手段が温度調節されている、請求項６に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００２０】
　本出願の請求項８の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜めて現像を行う装置において、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持する支持部材と、前記支持部材が、気体を吹き出す吹き出し口を有し、前記レジスト付基体は、少なくとも現像が進行している際に前記支持部材の気体吹き出し口から吹き出される気体により支持部材から隔離して支持されるとともに、該隔離が、該気体により固定部とは非接触の状態で行われ、かつ前記気体が吹き出されない時は、前記レジスト付基体は支持部材により支持されることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させるとともに前記レジストはエキシマレーザーリソグラフィー用レジストであることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００２１】
　本出願の請求項９の発明は、前記支持部材の気体吹き出し口が、前記レジスト付基体に対して気体を斜め方向に吹き出すように設けられた請求項８に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００２２】
　本出願の請求項１０の発明は、吹き出す気体の温度を調節する手段が、前記基体吹き出し口に接続された請求項８または９に記載の露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００２３】
　次に本出願に係る更なる現像方法は、下記構成をとることにより、上記目的を達成する。
　【００２４】
　本出願の請求項１１の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、かつ、前記レジスト付基体を予め冷却し、該冷却した基体に現像液を供給し現像を行うとともに、該冷却は純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させるものであることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００２５】
　本出願の請求項１２の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触するような支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、供給される現像液の温度に比較して相対的に低い温度に設定された前記レジスト付基体に、前記現像液を供給し現像を進行させ、該低い温度への設定は、純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させることによるものであり、かつ、供給される現像液は、支持部材に支持されたレジスト付基体の温度より高く温度調節し、該レジスト付基体の温度と供給される現像液の温度の差を、５〜１０℃に設定したことにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００２６】
　本出願の請求項１３の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する方法であって、前記レジスト付基体をその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触する支持部材で支持し、前記レジスト上に現像液を供給し、前記現像液を液の表面張力を利用して盛り上げる構成で前記レジスト上に溜めて現像を進行させる方法において、前記レジスト上に純水を供給する工程と、前記供給された純水を前記レジスト上に溜めて放置して、前記溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させる工程と、前記溜めた純水をレジスト上から除いたあとに前記レジスト上に現像液を供給する工程と、前記現像液により前記レジストを現像する工程を含むとともに、前記レジスト付基体に供給される純水の温度を調節し、前記レジスト付基体及び前記基体支持部材の温度に比較し５℃以上の温度差で低く設定したことにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像方法であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００２７】
　本出願の請求項１４の発明は、基体上の露光済みレジストを現像する際に、前記レジスト付基体がその表面積に比較して小さな面積で前記基体に接触して支持部材により支持される現像装置であって、現像の際に、前記現像液供給手段からレジスト上に供給された現像液を、液の表面張力を利用して盛り上がる構成で、レジスト上に溜めて現像を行う装置において、前記レジスト上に純水を供給する手段と、前記レジスト上に現像液を供給する手段とを有し、前記の現像する為の現像液の供給に先立ち、前記純水供給手段よりレジスト上に純水を供給し、純水の表面張力を利用して盛り上がる構成でレジスト上に溜め、該溜めた純水の蒸発により前記レジスト付基体の温度を低下させ、その後に前記現像液供給手段よりレジスト上に現像液を供給し、現像を行う構成とするとともに、供給される純水の温度を調節する装置を有し、該純水調温装置が前記の純水を供給する手段に接続されてなることにより、前記現像液の前記レジスト付基体上での温度を均一にして、レジスト線幅の均一性を向上させることを特徴とする露光済みレジストの現像装置であって、これにより上記目的を達成するものである。
　【００２８】
　【作用】本出願の各発明においては、現像をレジスト上の現像液の温度分布の広がりを抑制する構成で行うので、被現像体の被現像面であるレジスト面における現像液の温度が面内で均一になり、現像変化も小さくて、現像速度が一定であり、よってレジスト現像の場合もウェハー等の面内のレジスト線幅均一性が向上する。
　【００２９】更に、本出願の各発明において、現像液の温度分布の広がりを抑制する手段として、ウェハーチャック等の支持部と、ウェハー等の被現像体とを離して現像を進行させる手段を用いる発明については、支持部（ウェハーチャック）等の影響を排除でき、温度変化を抑制して、均一な現像を達成することができる。
　【００３０】また、被現像面であるレジスト上に純水の液層を形成して前記半導体基板を冷却させた後、現像液を適用する発明については、当初からの冷却による温度変化の防止により、均一な現像を達成することができる。
　【００３１】また、現像液の温度を、被現像体である半導体基板等、半導体基板等の支持台及び現像雰陶気のそれぞれの温度より相対的に高く保持して、該現像液を前記レジスト上面に適用する発明については、現像液の高温保持により、均一な現像を達成することができる。
　【００３２】また、現像液を被現像面であるレジストの上面に適用して該現像液の液層を該レジスト上面に形成した後、現像液の液層表面にカバーを接触させあるいは近接させて現像を行う発明については、現像液の蒸発が防止され、よって蒸発による温度変化が防止されて、均一な現像を達成することができる。
　【００３３】
　【実施例】以下本発明の実施例について説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施例により限定されるものではない。
　【００３４】実施例１
　この実施例は、本発明を、微細な半導体集積回路装置を製造する場合のように、微細なレジストパターンを形成する必要があるフォトリソグラフィー技術における現像方法として具体化した。
　【００３５】本実施例においては、微細パターンを形成することが可能であるが、温度変化に敏感なレジストである、エキシマレーザー用のＦＨ−ＥＸ（フジハント（株））を用いた。
　【００３６】図１を参照する。本実施例は、ウェハーチャックである支持部材２に、この支持部材２よりも大面積の被現像体基体１であるウェハーを支持させ、被現像面に現像液３を液盛りして図１（ｂ）のような状態にして現像を行うのであるが、このとき、図１（ｃ）に示すように、支持部材２であるウェハーチャックと被現像体基体１であるウェハーとを離して現像を進行させるものである。１ａは被現像レジスト面である。
　【００３７】更に詳しくは、本実施例では、図１（ａ）に示すように、被現像体基体（ウェハー）１を支持部材（ウェハーチャック）２に固定し、回転しながら、ノズル３０から現像液３を吐出する。その後静止すると、被現像体基体（ウェハー）１上に現像液３が表面張力によって保持され図１（ｂ）の状態になる。
　【００３８】次に本実施例では、支持部材２であるウェハーチャックにかかっていた吸引支持用のヴァキュームを切り、ウェハーの下部に設置した隔離手段であるピン５１ａ，５１ｂを上昇させ、被現像体基体（ウェハー）１を支持部材（ウェハーチャック）２から離し、図１（ｃ）の状態にして、現像を進める。
　【００３９】本実施例においては、被現像体基体１であるウェハーは支持部材２であるウェハーチャックから離れているため、支持部材２であるウェハーチャックの影響は無く、ウェハー面内の温度分布は均一になり、現像速度が均一になる。よって、ウェハー面内のレジスト線幅均一性が向上する。図７（ａ）に符号Ｉで本例におけるレジストの面内均一性を示すが、従来技術のＩＩａ〜ＩＩｃの場合に比べてばらつきは小さく、０．０１μｍ程度に収まっている。
　【００４０】実施例２
　本実施例も実施例１と同様に、被現像体基体１であるウェハーを隔離手段であるピン５１ａ，５１ｂで支えることにより、隔離させる。しかし、このピン５１ａ，５１ｂは、現像処理枚数が進むにつれて、冷えていく可能性があり、ピン５１ａ，５１ｂが接触する近傍で現像液温度が下がるおそれがあって、これが現像均一性に悪影響を与える可能性がある。
　【００４１】そこで本実施例では、図２に示すように、温調器６ａによって、被現像体基体１である毎ウェハーごとに初期の温度にもどす構成とした。図２中、６１は温調水であり、６２ａは熱交換器を示す。
　【００４２】実施例３
　次に図３を参照して、実施例３を説明する。本実施例においても、まず、被現像体基体１であるウェハーを支持部材２であるウェハーチャックに固定した後、ノズル３０から現像液３を吐出する（図３（ａ））。そして静止すると、現像液３がウェハー上に盛られ、現像が開始する（図３（ｂ））。ここで、本例にあっては、電磁弁７によって、ウェハーチャック・ラインをヴァキュームからエア（Ａｉｒ）に切換える。すると図３（ｃ）に示すように、本例では支持部２であるウェハーチャックからエア８が吹き出し、被現像体基体（ウェハー）１と支持部材（ウェハーチャック）２が離れる。即ち、エア８が両者を隔離させる隔離手段となる。
　【００４３】よって、ウェハー面内の温度は均一になり、現像速度が均一になる。これにより、レジスト線幅均一性が向上する。
　【００４４】実施例４
　本実施例は、実施例３の変形例であり、図４に示すように、支持部２であるウェハーチャックの空気吹き出し用溝２１を斜めにあけたものである。
　【００４５】こうすると、ウェハー裏面のエア８の流速がより速くなり、圧力が下がる（ベンチュリ効果）。よってウェハーチャック上、ある一定の高さで、ウェハーは保持される（なお、垂直な溝でもベンチュリ効果はある）。
　【００４６】実施例５
　図３を参照する。実施例３において、エア８の温度が雰囲気の温度と違うと、濃度分布に悪影響を与えるおそれがある。例えば、エア８が雰囲気温度より低いと、ウェハー中心の現像液温度が下がる。よって本例では、エア８の温度を制御する温調器６ｄを設ける。これによって、更に良好な現像液の液温保持を達成できる。６１は温調器６ｄにより温度調整された温調水であって、６２ｄの熱交換器によってエア８の温度を雰囲気の温度と同じにする。
　【００４７】実施例６
　現像液を露光済みレジストを上面に載置したウェハー上に吐出すると該ウェハーの温度は低下する。従って、同様に純水をウェハー面上に吐出すると該ウェハーの温度は同程度低下する。
　【００４８】図１０は本発明に係るレジストの現像方法の他の実施例（実施例６）を説明するための工程概略図である。
　【００４９】図１０（ａ）に示すように、所定のパターンを露光したレジスト１ａを載置した半導体基板であるウェハー１を、その支持台であるウェハーチャック２を３〜５秒間１０〜５０ｒｐｍで回転させ、純水用ノズル４０から純水４をレジスト１ａ表面上に吐出する。その後、ウェハー１の回転を停止し純水４の吐出を止めると、レジスト１ａ上に表面張力によって盛られた純水液層４が図１０（ｂ）に示すように形成される。
　【００５０】この状態で放置すると、純水の蒸発によってウェハー１とウェハーチャック２の温度が徐々に低下する。上記放置（静止）時間は約３００秒間とした。水分の蒸発による温度低下は、約３００秒以上放置すると、現像液でも純水でも同じ程度で、図６に示すように、ウェハー１の温度は１７℃迄低下し、更にウェハー１周辺温度と中心温度（ウェハーチャック２の温度）は、その差が無くなる。
　【００５１】次にレジスト１ａ上に盛られた純水液層４を、図１０（ｃ）に示すように約１０秒間４０００ｒｐｍで回転させながら振り切り乾燥し（Ｓｐｉｎ　Ｄｒｙ）、次にレジスト１ａを純水で３秒間１０００ｒｐｍで回転させながら予め湿らし（Ｐｒｅ　Ｗｅｔ）、次に図１０（ｄ）に示すように現像液用ノズル３０から１７℃に温調された現像液３を吐出し、図１０（ｅ）に示すようにレジスト１ａ上に現像液の液層３を盛り、約４０秒間静止して現像する。現像終了後、純水リンスを約１０秒間１０００ｒｐｍで施し、約１０秒間４０００ｒｐｍで回転させながら水を振り切り乾燥（Ｓｐｉｎ　Ｄｒｙ）させて現像工程を完了する。
　【００５２】図１１に上記工程のフローチャートを示した。なお、図１２に本実施例６とその効果を比較するための比較例としての従来法のフローチャートを示す。
　【００５３】図１２に示すように、従来法ではいわゆる単にウェハー１上の露光済みレジスト１ａ表面に現像液を吐出し液盛りし、更に静止して現像を行う方法であって、本実施例６の如く現像前にウェハー等の冷却を行わない方法である。
　【００５４】上記本実施例６の温度低下に関する効果を図１３に示す。図１３によれば、従来法において現像液の温度低下は６℃であったが、本実施例６の場合、その温度低下は２℃に抑えられ、現像時の現像液の温度が安定しているのがわかる。
　【００５５】また、現像完了後のレジスト線幅均一性を本実施例６及び従来法で測定した結果を図１４に示す。レジスト線幅は図７（ｂ）のように各レジスト面で７ケ所測定した。図１４から本実施例６の方がレベル線幅の範囲が小さくなっており、レベル面内均一一性が向上しているのがわかる。
　【００５６】現像液としては、ＮＭＤ−３（アンモニウムハイドロオキサイド）２．３８％水溶液を用い、ウェハーの支持台としてウェハーチャックの材質はデルリンを用いた。
　【００５７】実施例７
　純水での冷却効果を高めるために純水の温度をウェハー１及びウェハーチャック２の温度より５℃以上低くする。
　【００５８】図９は本発明の実施例法を行うためのレジスト現像装置を示す概略図である。図９に示すように、レジスト１ａを上面に載置したウェハー１をウェハーチャック２に固定保持した後、ウェハー１上に純水を吐出し、ウェハー１とウェハーチャック２を冷却する。ここで使用された純水は温調器６ｂで温調された水と熱交換器６２ｂで熱交換される。この熱交換により、純水はウェハー１とウェハーチャック２より低い温度になるため冷却効果が向上して、実施例６の場合のように冷却に３００秒も要しなかった。
　【００５９】本実施例７では純水を温調器６ｂで１８℃に設定した場合、ウェハー１とウェハーチャック２が１７℃まで下がるのに要した時間は１００秒であった。その後、実施例６と同様に純水を振り切り、現像液を温調器６ｃで温調された水と熱交換器６２ｃで熱交換する。所定の温度になった現像液は，現像液用ノズル３０を介してウェハー１（レジスト１ａ）上に吐出され、温度・湿度コントローラ１０により雰囲気が制御された状態で現像に供された。本実施例７も実施例６と同様にレジスト線幅の面内均一性が向上した。図において、１１は純水や現像液の廃液を受けるカップであり、１２は現像室のフードである。
　【００６０】実施例８
　本実施例は、実施例６，７の変形例であり、この例ではレジスト１ａの現像前に、ウェハー１を冷却する。即ち、ウェハー１をウェハー下部に設けられたウェハー温調器（図示せず）によって冷却する。例えば、ウェハー温調器には１７℃に温調された水を流す。その結果、ウェハー１は１７℃に冷却される。１７℃に冷却されたウェハー１を図９に示すようにカップ１１内に搬送し、ウェハーチャック２に固定保持する。この時、ウェハー１によりウェハーチャック２が冷却される。従って、本実施例８では実施例６の場合におけるウェハーの冷却時間がより短縮される。即ち、実施例６ではウェハーを１７℃まで冷却するのに３００秒間要したが、本実施例８の方法では２００秒間に短縮した。
　【００６１】本実施例の効果は、実施例６と同様に従来法に比較してレジスト面内線幅の均一性が向上したことである。
　【００６２】実施例９
　上記実施例６において、ウェハー、ウェハーチャック等を冷却することなく現像液３の温度を通常のウェハー１及びウェハーチャック２の温度より高い温度に設定する。例えば、ウェハー１及びウェハーチャック２の温度を１７℃に対して現像液３の温度を２３℃に設定した。
　【００６３】現像液３をウェハー１上（レジスト上）に盛ったとき、ウェハー１周辺はすぐに２３℃になるが、ウェハー１中心付近はウェハーチャック２の熱容量によって上記２３℃より低い、例えば１８〜２０℃の温度になる。従って、現像速度は温度が低い程速いから、ウェハー１周辺と比較してウェハー１中心付近は現像速度が速くなる。
　【００６４】ところが、現像が進むにつれて、現像液の蒸発により温度が低下する。この温度低下はウェハーチャック２の影響によりウェハー１の中心で小さくなる。従って、現像が進むにつれウェハー１周辺の方が現像速度が速くなる。従って、トータルの現像量はウェハー１の周辺と中心とで相対的に均一となり、ウェハー面内でのレジスト線幅均一性が実施例６と同様向上する。
　【００６５】本実施例９の結果を、従来法の現像方法と比較して図１５に示す。図１５から理解されるように、レジスト線幅均一性は従来法で線幅範囲（ｒａｎｇｅ）が０．０４２μｍであったものが、本実施例９では０．００８μｍに改善された。
　【００６６】なお、本実施例９では、ウェハー１、ウェハーチャック２を純水により冷却しなくとも、現像液３の温度をウェハー１及びウェハーチャック２より高い温度に設定すれば、上記実施例６と同様の効果が得られる。
　【００６７】この場合、現像液の温度をウェハー１、ウェハーチャック２及び周囲雰囲気温度より５〜１０℃高くするのが好ましい。
　【００６８】
　【発明の効果】上述の如く、本発明の現像方法によれば、被現像体基体の被現像部である露光済レジストにおける現像液の温度が面内で均一になり、液温変化も小さくて、現像速度が一定であり、よってレジスト現像についてウェハー等の面内のレジスト線幅均一性を向上させることができるという効果を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施例１を示す構成図である。
　【図２】本発明の実施例２を示す構成図である。
　【図３】本発明の実施例３（及び実施例５）を示す構成図である。
　【図４】本発明の実施例４を示す構成図である。
　【図５】従来技術を示す図である。
　【図６】問題点を示す図であって、現像液の温度変化を示す図である。
　【図７】被現像体であるウェハーのレジスト線幅面内均一性を示す図である。
　【図８】比較例を示す構成図である。
　【図９】実施例７の現像装置を示す構成図である。
　【図１０】実施例６の工程概略図である。
　【図１１】実施例６のフローチャートを示す。
　【図１２】従来法のフローチャートを示す。
　【図１３】実施例６の説明図であって、現像液温度低下の幅を示す図である。
　【図１４】実施例６の説明図であって、レジスト線幅均一性を示す図である。
　【図１５】実施例９と従来法のレジスト線幅均一性を示す図である。
　【符号の説明】
　１　　被現像体基体（ウェハー）
　２　　支持部材（ウェハーチャック）
　３　　現像液