【事件の表示】
　特願２００８−２３７０３１「半導体レーザモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月　２日出願公開、特開２０１０−　７３７５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２０年９月１６日の出願であって、平成２４年７月２７日付け及び平成２５年３月２２日付けで手続補正がなされたところ、同年７月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２５年１０月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年１０月２９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容  
　平成２５年１０月２９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２５年３月２２日付け手続補正後のもの）の請求項として、
　
「【請求項１】
　載置面を有するサブマウントと、
　前記サブマウントとは異なる材料のメタライズ層またはメッキ層からなる接合層を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
　前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記レーザ光を受け入れて他方の端部から出力する光ファイバと、
　前記サブマウントの載置面上の前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの一方の端部との間に載置され、前記レーザ光を前記光ファイバの一方の端部に結合させるレンズ部材と、
　を備え、前記接合層の厚さは、前記半導体レーザ素子と前記レンズ部材と前記光ファイバとの光軸が一致するように調整されており、
　前記サブマウントの前記載置面と対向する面に、前記サブマウントとは異なる材料のメタライズ層またはメッキ層からなる下部接合層が設けられていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
　【請求項２】
　前記接合層の厚さは、３６μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
　【請求項３】
　前記接合層および前記下部接合層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｓｎの少なくともいずれか一つからなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザモジュール。
　【請求項４】
　前記半導体レーザ素子は、基板を有するとともに、前記活性層が前記基板と前記サブマウントとの間に位置するように該サブマウントに載置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
　【請求項５】
　前記レンズ部材は、円柱型レンズであり、中心軸が前記載置面と平行になるように前記サブマウントに載置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
　【請求項６】
　前記サブマウントは、前記載置面の所定の領域に凹部を有し、前記円柱型レンズは該凹部上に載置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザモジュール。
　【請求項７】
　前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子、前記レンズ部材、および前記光ファイバが載置される前記載置面の各領域間の少なくとも一箇所に段差を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
　【請求項８】
　前記サブマウントは、前記載置面の所定の領域に溝部を有し、前記光ファイバは該溝部に嵌るように載置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】
　載置面を有するサブマウントと、
　前記サブマウントとは異なる材料のメタライズ層またはメッキ層からなる接合層を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
　前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記レーザ光を受け入れて他方の端部から出力する
、８０μｍ以上１２５μｍ以下の直径である
　前記サブマウントの載置面上の前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの一方の端部との間に、
光軸が前記光ファイバの光軸と高さが一致するよう
　を備え、前記接合層の厚さは、前記半導体レーザ素子と前記レンズ部材と前記光ファイバとの光軸が一致するように
３６μｍ以上１００μｍ以下の範囲で
　前記サブマウントの前記載置面と対向する面に、前記サブマウントとは異なる材料のメタライズ層またはメッキ層からなる下部接合層が設けられていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
　【請求項２】
　前記接合層および前記下部接合層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｓｎの少なくともいずれか一つからなることを特徴とする請求項
１
　【請求項３】
　前記半導体レーザ素子は、基板を有するとともに、前記活性層が前記基板と前記サブマウントとの間に位置するように該サブマウントに載置されていることを特徴とする請求項１
または２
　【請求項４】
　前記レンズ部材は、円柱型レンズであり、中心軸が前記載置面と平行になるように前記サブマウントに載置されていることを特徴とする請求項１〜
３
　【請求項５】
　前記サブマウントは、前記載置面の所定の領域に凹部を有し、前記円柱型レンズは該凹部上に載置されていることを特徴とする請求項
４
　【請求項６】
　前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子、前記レンズ部材、および前記光ファイバが載置される前記載置面の各領域間の少なくとも一箇所に段差を有することを特徴とする請求項１〜
５
　【請求項７】
　前記サブマウントは、前記載置面の所定の領域に溝部を有し、前記光ファイバは該溝部に嵌るように載置されていることを特徴とする請求項１〜
６
　
と補正することを含むものである。
　 
２　新規事項
　本件補正は、補正前の請求項１において、「光ファイバ」が、「８０μｍ以上１２５μｍ以下の直径」のものであること（以下「本件補正事項」という。）、を追加するものである。
　
　この点について検討する。
　
　上記本件補正事項に関して、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「【０００７】
  本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体レーザ素子の放熱性が高いとともに光ファイバとの光結合効率が高い半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。」
（２）「【０００８】
  上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザモジュールは、載置面を有するサブマウントと、メタライズ層またはメッキ層からなる接合層を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記レーザ光を受け入れて他方の端部から出力する光ファイバと、前記サブマウントの載置面上の前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの一方の端部との間に載置され、前記レーザ光を前記光ファイバの一方の端部に結合させるレンズ部材と、を備え、前記接合層の厚さは、前記半導体レーザ素子と前記レンズ部材と前記光ファイバとの光軸が一致するように調整されていることを特徴とする。」
（３）「【００１７】
（実施の形態）
  …図１は、本実施の形態に係る半導体レーザモジュールの筐体を切り欠いて示して模式的な側面図である。図１に示すように、この半導体レーザモジュール１００は、たとえばＡｌからなる筐体１と、筐体１内の底面１ａ上に載置されたペルチェ素子等を用いた電子冷却装置２と、電子冷却装置２上に載置されたたとえばＡｌＮ、ＣｕＷ、Ｓｉ、ダイヤモンドからなるベースマウント３と、ベースマウント３上に載置され下部接合層４を介して接合された、上面に載置面５ａを有するサブマウント５と、接合層６を介してサブマウント５の載置面５ａ上に載置された半導体レーザ素子７と、サブマウント５の載置面５ａ上に一方の端部が載置された光ファイバ８と、サブマウント５の載置面５ａ上の半導体レーザ素子７と光ファイバ８の一方の端部との間に載置されたレンズ部材である円柱型レンズ９と、を備える。なお、光ファイバ８は、その一方の端部が載置面５ａ上に低融点ガラスや接着剤等からなる接合部材１０により固定されているとともに、筐体１の前方に設けられた挿入部１ｂに挿通し、固着剤１１により挿入部１ｂ内に固着されている。
…
【００２１】
  また、光ファイバ８は、たとえばコア径が１０５μｍ、クラッド外径が１２５μｍであり、ＮＡがたとえば０．２２の石英ガラス系マルチモード型光ファイバである。また、円柱型レンズ９は、石英系ガラスからなり、直径が１２５μｍ、長さが５ｍｍである。また、円柱型レンズ９は、その中心軸が載置面５ａと平行になるようにサブマウント５に載置される。なお、円柱型レンズ９としては、たとえば光ファイバ８と同一の直径の光ファイバを所望の長さに切断したものを用いることができる。」
（４）「【００３０】
（変形例１）
  図４は、変形例１に係る半導体レーザモジュールの主要部の模式的な側面図である。また、図５は、図４に示す半導体レーザモジュールの主要部の模式的な斜視図である。図４、５に示すように、この変形例１に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態に係る半導体レーザモジュール１００において、サブマウント５、円柱型レンズ９、接合層６を、それぞれサブマウント１５、円柱型レンズ１９、接合層１６に置き換えた構成を有している。
【００３１】
  サブマウント１５は、その載置面１５ａにおいて、円柱型レンズ１９が載置される領域が、光ファイバ８が載置される領域よりも高くなるように、これらの領域間に段差Ｓを有している。一方、円柱型レンズ１９は、石英系ガラスからなり、直径が光ファイバ８のクラッド外径である１２５μｍよりも小さい８０μｍであり、その中心軸Ｏ２が載置面１５ａと平行になるようにサブマウント１５に載置される。なお、円柱型レンズ１９としては、たとえば対応する直径の光ファイバを所望の長さに切断したものを用いることができる。
…
【００３３】
  一方、半導体レーザ素子７については、その光軸面となる活性層７ｃの厚さ方向の中心面が線Ｘ２上になるように、接合層１６の厚さが調整されている。上記のように段差Ｓを有するが、この接合層１６の厚さは円柱型レンズ１９の直径により決定される。たとえば円柱レンズ１９の直径が８０μｍの場合、接合層の厚みは円柱型レンズ１９の半径に相当する４０μｍから半導体層７ｄの厚みを除いた、３６μｍとなる。」
　
　上記（１）〜（４）によれば、当初明細書等には、
　ａ　（実施の形態）において、（サブマウントの載置面上に一方の端部が載置される）光ファイバは、たとえばコア径が１０５μｍ、クラッド外径が１２５μｍである、石英ガラス系マルチモード型光ファイバであり、また、（その中心軸が載置面と平行になるようにサブマウントに載置される）円柱型レンズとしては、たとえば光ファイバと同一の直径の光ファイバを所望の長さに切断したものを用いることができること、
　ｂ　（変形例１）において、サブマウントは、その載置面において、円柱型レンズが載置される領域が、光ファイバが載置される領域よりも高くなるように、これらの領域間に段差を有しており、円柱型レンズは、直径が光ファイバのクラッド外径である１２５μｍよりも小さい８０μｍであること、
は記載されているものと認められる。
　しかしながら、当初明細書等には、上記本件補正事項（「光ファイバ」が、「８０μｍ以上１２５μｍ以下の直径」のものであること）については記載がされておらず、また、当該本件補正事項が当初明細書等の記載から自明な事項である、ということもできない。
　
　よって、上記本件補正事項を含む本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものとはいえない。
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　独立特許要件 
　上記２のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものであるが、仮に本件補正が同第１７条の２第３項の規定に違反するものでないとしたとしても、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）は、補正前の請求項１において、「光ファイバ」につき、「８０μｍ以上１２５μｍ以下の直径であ」るとの限定、「（サブマウントの載置面上の半導体レーザ素子と光ファイバの一方の端部との間に載置される）レンズ部材」につき、「光軸が前記光ファイバの光軸の高さと一致するように」されるとの限定、及び、「接合層の厚さ」につき、「３６μｍ以上１００μｍ以下の範囲で」あるとの限定、を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、以下に述べるとおり、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（１）引用刊行物記載の発明
　ア　引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−１５７４０５号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（ア）「（産業上の利用分野）
　本発明は、端面受発光型光素子を基板上に搭載した光素子モジュールに関するものである。」（１頁右下欄１３〜１５行）
（イ）「（従来の技術）
　第２図は、従来の端面受発光型光素子（以下、単に端面型光素子という）を基板上に搭載した光素子モジュールの構造を示した図で、同図の（ａ）は分解斜視図、同図の（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視方向の断面図である。
　第２図において、１は基板、２は端面型光素子、２ａは端面型光素子２の導波路部、２ｂは端面型光素子２の電極、３は接続用はんだ、４は基板１上のほぼ中央部に形成された端面型光素子２の接続用金属パターン、５は光ファイバ、５ａは光ファイバ５のコア、６は例えばエポキシ接着剤からなる接合剤、７は基板１上の一端側に形成されたＶ溝である。
　端面型光素子２は、その電極２ｂが基板１上の接続用金属パターン４に接続用はんだ３で接続され、光ファイバ５は、基板１上のＶ溝７内に収められ、接合剤６で固定される。
　この種の光素子モジュールでは、端面型光素子２の導波路部２ａと光ファイバ５のコア５ａの光結合効率向上が重要な課題であり、少なくとも、両者の光軸を高精度に位置合わせすることが必要となる。
　次に、従来の光素子モジュールでは、両者の光軸が良好に位置合わせされることを、第２図に設定した直交座標系におけるＹ−Ｚ平面内とＸ方向とに分けて説明する。
…
　次に、『Ｘ方向』の位置合わせについて説明する。
　端面型光素子２は、接続用はんだ３の量を制御すること（はんだメツキ、はんだ蒸着時のプロセスコントロール）により、図中のＸ方向の位置が高精度に制御される…。」（１頁右下欄１６行〜２頁左下欄１９行）
（ウ）「（実施例）
　第１図は、本発明に係る光素子モジュールの第１の実施例を示す構造図で、同図の（ａ）は分解斜視図、同図の（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視方向の断面図であり、従来例を示す第２図と同一構成部分は同一符号をもって表す。
　即ち、１は基板、２は端面型光素子（端面受発光型光素子）、２ａは端面型光素子２の導波路部、２ｂは端面型光素子２の電極、３は接続用はんだ、４は接続用金属パターン、５は光ファイバ、５ａは光ファイバ５のコア、６は接合剤、７は基板１上に形成されたＶ溝、１０は穴、１１はレンズ、１１ａはレンズ１１の光軸である。
　穴１０は、開口部が底面積より大きな方形状をなし、各内壁は底面に向かって徐々に傾斜するように、基板１上の金属パターン４とＶ溝７の端面との間に形成されている。
　レンズ１１は、球状をなし、その光軸１１ａが端面型光素子２の導波路部２ａ及び光ファイバ５の光軸と一致するように、穴１０に接合剤６により固定されている。
　この光素子モジュールにおいて、端面型光素子２は、その電極２ｂが基板１上の接続用金属パターン４に接続用はんだ３で接続され、光ファイバ５は基板１上のＶ溝７内に収められると共に、レンズ１１は穴１０内に収められて、それぞれ基板１に接合剤６で固定される。
　この場合、端面型光素子２の導波路部２ａと光ファイバ５のコア５ａの相互位置は、前述した従来技術と同様の原理により高精度に位置合わせされる。
　レンズ１１は、基板１上の穴１０の内壁との突き合わせにより、基板１上に第１図中に設定した直交座標系におけるＹ−Ｚ平面内で高精度に位置合わせされ、穴１０の深さの制御（穴エツチング時のプロセスコントロール）により、図中のＸ方向の位置が高精度に制御される。
　この結果、光ファイバのコア５ａと同様に、端面型光素子２の導波路部２ａとレンズ１１の光軸１１ａは、高精度に位置合わせされる。
　なお、穴１０の形成方法については特に問わないが、例えば、基板１がシリコン単結晶の（１００）スライスウェハであれば、異方性エツチングにより（１１１）を内壁とした穴を、Ｖ溝と同時にリソグラフィ技術で形成することができる。」（３頁左下欄末行〜４頁右上欄４行）
（エ）上記（ウ）に照らして第１図を見ると、「光素子モジュール」は、「基板１」の上面に「接続用金属パターン４」が形成され、該「接続用金属パターン４」において「接続用はんだ３」を介して「（端面受発光型光素子２の）電極２ｂ」が接続されて当該「端面受発光型光素子２」が取付けられ、また、前記「基板１」の上面には「光ファイバ５」を収める「Ｖ溝７」が形成され、さらに、前記「基板１」上の「接続用金属パターン４」と「Ｖ溝７」の端面との間には「（開口部が底面積より大きな方形状をなし、各内壁は底面に向かって徐々に傾斜するような）穴１０」が形成され、前記「穴１０」には「（球状をなし、その光軸１１ａが端面型光素子２の導波路部２ａ及び光ファイバ５の光軸と一致するよう）レンズ１１」が「接合剤６」により固定されている、といえる。
　
　よって、上記（ウ）及び（エ）によれば、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　
「基板１の上面に接続用金属パターン４が形成され、該接続用金属パターン４において接続用はんだ３を介して端面受発光型光素子２の電極２ｂが接続されて当該端面受発光型光素子２が取付けられ、また、前記基板１の上面には光ファイバ５を収めるＶ溝７が形成され、さらに、前記基板１上の接続用金属パターン４とＶ溝７の端面との間には開口部が底面積より大きな方形状をなし、各内壁は底面に向かって徐々に傾斜するような穴１０が形成され、前記穴１０には球状をなし、その光軸１１ａが端面受発光型光素子２の導波路部２ａ及び光ファイバ５の光軸と一致するようレンズ１１が接合剤６により固定されており、
　端面受発光型光素子２の導波路部２ａと光ファイバ５のコア５ａの相互位置は高精度に位置合わせされ、端面受発光型光素子２の導波路部２ａとレンズ１１の光軸１１ａは、高精度に位置合わせされる、光素子モジュール。」
　
　イ　引用刊行物２
　同じく、特開２００５−２５２００５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに下記の事項が記載されている。
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設置した光素子により構成される光デバイスにおいて、光素子の電極パッド部に、金属膜で嵩上げ層を形成し光軸高さを合わせたことを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
金属膜の嵩上げ層が、メッキ成膜法により形成したＡｕ層であることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
…」
（イ）「【０００４】
  光ファイバ固定用Ｖ溝、光導波路、光送受信部等を有する光デバイスの、光軸を簡便に一致させる方法を提供することを課題とする。」
（ウ）「【００１２】
  図１は、本発明による光デバイスの構造の一例を示す模式図である。この図１の１、５、１０、２２は同一のシリコン基板であり、この基板にＳｉＯ２膜を成膜し、その上に各素子を形成あるいは実装する。光導波路７、ＰＤ２７の光軸高さは同一であり、ＬＤ２０の光軸高さが、それらより低い場合について説明する。
【００１３】
  …光デバイスにファイバを接続するためのＶ溝３はシリコン基盤１上にフォトリソグラフィーとＫＯＨによるエッチングにより形成する。…
【００１５】
  この例では、ＬＤ２０の光軸が他の素子の光軸より低いため嵩上げを実施する。ＬＤ２０の光軸合わせ用の嵩上げ層１５は、電極パッド１２、１３、１４の上に、嵩上げメッキパターンを、フォトリソグラフィーを用いて形成し、メッキ成膜法によりＡｕの嵩上げ層１５を形成する。次に、真空成膜法、あるいはメッキ成膜法をもちいて、バリア層であるＴｉ層１６、Ｐｔ層１７、更にＡｕ層１８を成膜した後、リフトオフを行う。
【００１６】
  Ａｕ層１８の上の半田層１９は、フォトリソグラフィーとメッキ成膜法や真空成膜法で同時成膜、もしくは積層成膜した後、リフトオフを行い形成する。…」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、といえる。
　
「同一のシリコン基板にＳｉＯ２膜を成膜し、その上に光導波路７、ＰＤ２７、ＬＤ２０の各素子を形成あるいは実装する光デバイスであって、
　前記光導波路７、ＰＤ２７の光軸高さは同一であり、ＬＤ２０の光軸高さが、それらより低い場合において、ＬＤ２０の光軸が他の素子の光軸より低いため嵩上げを実施し、ＬＤ２０の光軸合わせ用の嵩上げ層１５は、電極パッド１２、１３、１４の上に、嵩上げメッキパターンを、フォトリソグラフィーを用いて形成し、メッキ成膜法によりＡｕの嵩上げ層１５を形成し、光ファイバ固定用Ｖ溝、光導波路、光送受信部等の光軸を簡便に一致させた、光デバイス。」
　
（２）対比
  本願補正発明と引用発明１を対比する。
　ア　引用発明１の「基板１」は、その「上面に接続用金属パターン４が形成され、該接続用金属パターン４において接続用はんだ３を介して端面受発光型光素子２の電極２ｂが接続されて当該端面受発光型光素子２が取付けられ」るものであるから、本願補正発明の「（載置面を有する）サブマウント」に相当する。
　
　イ　引用発明１は、「基板１の上面に接続用金属パターン４が形成され、該接続用金属パターン４において接続用はんだ３を介して端面受発光型光素子２の電極２ｂが接続されて当該端面受発光型光素子２が取付けられ」るものであって、前記「端面受発光型光素子２」は「導波路部２ａ」を有し、該「端面受発光型光素子２」が「端面発光型光素子」（発光素子）である場合、前記「導波路部２ａ」が「（発光素子の）活性層」を含む層といえることは明らかであるから、
　（ア）引用発明１の「（基板１に端面受発光型光素子２を取り付ける）接続用はんだ３」と、本願補正発明の「前記サブマウントとは異なる材料のメタライズ層またはメッキ層からなる接合層」とは、「接続部材」である点で一致し、
　（イ）引用発明１の「（接続用はんだ３を介して基板１に取り付けられ、導波路部２ａを有する）端面受発光型光素子２」と、本願補正発明の「前記サブマウントとは異なる材料のメタライズ層またはメッキ層からなる接合層を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層からレーザ光を出射する半導体レーザ素子」とは、「接続部材を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層から光を出射する発光素子」である点で一致する。
　
　ウ　引用発明１は、「前記基板１の上面には光ファイバ５を収めるＶ溝７が形成され」るものであって、当該「光ファイバ５」は、「基板１」側の一方の端部から光を受け入れて他方の端部から出力するものといえるから、引用発明１の「光ファイバ５」と、本願補正発明の「前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記レーザ光を受け入れて他方の端部から出力する、８０μｍ以上１２５μｍ以下の直径である光ファイバ」とは、「前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記光（発光素子の活性層からの光）を受け入れて他方の端部から出力する光ファイバ」である点で一致する。
　
　エ　引用発明１は、「（基板１上の接続用金属パターン４とＶ溝７の端面との間の穴１０には）球状をなし、その光軸１１ａが端面受発光型光素子２の導波路部２ａ及び光ファイバ５の光軸と一致するようレンズ１１が接合剤６により固定されて」いるものであるから、引用発明１の上記「レンズ１１」と、本願補正発明の「前記サブマウントの載置面上の前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの一方の端部との間に、光軸が前記光ファイバの光軸と高さが一致するよう載置され、前記レーザ光を前記光ファイバの一方の端部に結合させるレンズ部材」とは、「前記サブマウントの載置面上の前記発光素子と前記光ファイバの一方の端部との間に、光軸が前記光ファイバの光軸と高さが一致するよう載置され、前記光を前記光ファイバの一方の端部に結合させるレンズ部材」である点で一致する。
　
　オ　引用発明１の「光素子モジュール」と、本願補正発明の「半導体レーザモジュール」とは、「発光素子モジュール」である点で一致する。
　
　よって、両者は、　  
「載置面を有するサブマウントと、
　接合部材を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層から光を出射する発光素子と、
　前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記光を受け入れて他方の端部から出力する光ファイバと、
　前記サブマウントの載置面上の前記発光素子と前記光ファイバの一方の端部との間に、光軸が前記光ファイバの光軸と高さが一致するよう載置され、前記光を前記光ファイバの一方の端部に結合させるレンズ部材と、
　を備える発光素子モジュール。」
である点で一致し、以下の相違点において相違する。
　
相違点
［相違点１］：発光素子が、本願補正発明では、レーザ光を出射する「半導体レーザ素子」であるのに対し、引用発明１では、「端面受発光型光素子」ではあるものの、「半導体レーザ素子」であるのか否か明らかでない点。
［相違点２］：本願補正発明は、接合部材が、「サブマウントとは異なる材料のメタライズ層またはメッキ層からなる接合層」であり、「前記接合層の厚さ」が、「前記半導体レーザ素子と前記レンズ部材と前記光ファイバとの光軸が一致するように３６μｍ以上１００μｍ以下の範囲で調整されて」いるのに対し、引用発明１は、接合部材が、「接続用はんだ」であって、接合層とはいえず、その厚さもそのような範囲のものか否か明らかでない点。
［相違点３］：光ファイバが、本願補正発明では、「８０μｍ以上１２５μｍ以下の直径である」のに対し、引用発明１では、そのような直径のものであるのか否か明らかでない点。
［相違点４］：サブマウントの載置面と対向する面に、本願補正発明では、「前記サブマウントとは異なる材料のメタライズ層またはメッキ層からなる下部接合層が設けられている」のに対し、引用発明１では、そのような下部接合層が設けられているのか否か明らかでない点。
　
（３）判断  
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　「端面発光型光素子」として半導体レーザ素子はこの分野では周知のものであって、引用発明の「端面受発光型光素子」を半導体レーザ素子となすことは、当業者において格別困難なことではない。
　
［相違点２］について
　引用発明１は、「端面受発光型光素子２の導波路部２ａと光ファイバ５のコア５ａの相互位置は高精度に位置合わせ」するものであるところ、上記（１）イによれば、引用刊行物２には、「同一のシリコン基板…上に光導波路７、ＰＤ２７、ＬＤ２０の各素子を形成あるいは実装する光デバイス」において、「『前記光導波路７、ＰＤ２７の光軸高さは同一であり、ＬＤ２０の光軸高さが、それらより低い場合において、ＬＤ２０の光軸が他の素子の光軸より低いため嵩上げを実施し、ＬＤ２０の光軸合わせ用の嵩上げ層１５』として『メッキ成膜法によりＡｕの嵩上げ層１５を形成』する光デバイス。」の発明（引用発明２）が記載され、「ＬＤ２０」の光軸を他の素子の光軸高さと同じにするためにメッキ成膜法により該「ＬＤ２０」のシリコン基板側に「Ａｕの嵩上げ層１５」を形成することが示されているから、引用発明１において、上記目的のため、「端面受発光型光素子２」の「基板１」側にメッキ成膜法により「Ａｕの嵩上げ層１５」を形成するようになすことは、当業者が容易になし得ることである。そして、その際、当該「嵩上げ層１５」の厚さをどの程度とするかは、当業者が適宜に定め得る設計的事項であって、その値を「３６μｍ以上１００μｍ以下」と定めたことに設計的事項を超えるほどの技術的意義は認められず、この点については、当業者が適宜に定め得る程度のことと認められる。
　
［相違点３］について
　引用発明１の「光ファイバ５」としてどの程度の直径のものを用いるかは、当業者が当該引用発明１を実施する際に適宜に定めるべき設計的事項であるところ、本願明細書をみても、その値の範囲を「８０μｍ以上１２５μｍ以下」と定めたことによる格別の技術的意義は認められず、この点については、当業者が適宜に定め得る程度のことである。
　
［相違点４］について
　基板載置面上に半導体レーザを載置した光学装置において、当該基板の前記載置面と対向する面に、該基板とは異なる材料（低融点ハンダ、Ａｕ等）の金属層を設けたものは、本願の出願時点で周知であったから（例えば、特開２００２−３３５０３２号公報（【００３２】、【００３３】、図３）、特開平３−１８３１７８号公報（２頁右上欄下から３行〜同頁右下欄７行、第１図）参照。）、引用発明１において、「基板１」の上面と対向する面に、該「基板１」と異なる材料の金属層を設けて、上記相違点４に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたされる効果は、上記引用刊行物１及び引用刊行物２記載の発明及び上記各周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年３月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１において補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２　引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された引用刊行物１、２及び引用発明１、２は、上記第２の３（１）のとおりである。
　
３　判断
　本願発明は、上記第２の３（３）で検討した本願補正発明において、「光ファイバ」につき、「８０μｍ以上１２５μｍ以下の直径であ」るとの限定、「（サブマウントの載置面上の半導体レーザ素子と光ファイバの一方の端部との間に載置される）レンズ部材」につき、「光軸が前記光ファイバの光軸の高さと一致するように」されるとの限定、及び、「接合層の厚さ」につき、「３６μｍ以上１００μｍ以下の範囲で」あるとの限定、を省いたものである。そうすると、本願発明を減縮したものである本願補正発明が、上記第２の３（３）で検討したとおり、引用刊行物１及び２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１及び２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。　
平成２６年８月１１日