【事件の表示】
　特許第３２９９８６９号「液晶表示装置の製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２９９８６９号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２９９８６９号の請求項１〜４に係る発明についての出願は、平成７年９月２７日に特許出願されたものであって、平成１４年４月１９日にその特許の設定の登録がなされ、その後、斉藤忠及び広瀬祥次により請求項１〜４に係る特許について特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１５年５月１９日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　訂正事項ａ．特許請求の範囲の請求項１の
　「前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって改善する工程」を、
　「前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって荒らして密着性を改善する工程」と訂正する。
　訂正事項ｂ．特許請求の範囲の請求項１の
　「前記層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程」を、
　「前記表面が荒らされた層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程」と訂正する。
　訂正事項ｃ．特許請求の範囲の請求項２の
　「前記層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程」を、
　「前記表面が荒らされた層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極をスパッタ法により形成する工程」と訂正し、請求項２を従属形式から独立形式にする。
　訂正事項ｄ．特許請求の範囲の請求項３の
　「画素電極」を、「ＩＴＯからなる画素電極」と訂正する。
　訂正事項ｅ．特許請求の範囲の請求項４の
　「請求項２又は３に記載の液晶表示装置の製造方法。」を、
　「請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１の「層間絶縁膜表面の膜質」をどのように改善するかを、特許明細書の【００４５】の記載に基づいて具体的に限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｂは、請求項１の「層間絶縁膜表面」の状態を、特許明細書の【００４５】の記載に基づいて具体的に限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｃは、請求項２の「画素電極を形成する工程」を特許明細書の【００４６】の記載に基づいて具体的に限定するとともに、請求項１の従属形式を独立形式に書き改めるものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｄは、請求項３の「画素電極」を特許明細書の【００４６】の記載に基づいて具体的に限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｅは、請求項２又は３を引用していたものを、請求項２のみに従属するものに限定したものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、上記訂正事項ａ〜ｅは、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
２−３．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　　
　
３．本件発明
　本件の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１〜４」という。）は、訂正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりの次のものである。
「【請求項１】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、
　前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって荒らして密着性を改善する工程と、
　前記表面が荒らされた層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、
　前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって荒らして密着性を改善する工程と、
　前記表面が荒らされた層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極をスパッタ法により形成する工程と、
　前記画素電極を含むＴＦＴ基板と、対向電極が形成された対向基板とを貼り合わせる工程と、
　前記貼り合わされた基板の周辺部を予めスペーサを含み込んだシール材でシールする工程と、
　前記シールされた基板間に液晶を封入する工程と、を含んだことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　　【請求項３】　前記画素電極はＩＴＯからなる画素電極であり、　前記液晶中のスペーサより径の大きなスペーサを、前記シール材の内部に予め含み込んだことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
　　【請求項４】　前記液晶中のスペーサより硬度の大きいスペーサを、前記シール材の内部に予め含み込んだことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。」
　　
４．取消理由の概要
　取消理由１）、２）のうち、１）の概要は、本件の請求項１〜４に係る発明は、下記刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開平４−２６４５２７号公報
　刊行物２：特開平５−２９９８４６号公報
　刊行物３：特開昭６４−４２１５２号公報
　刊行物４：特開平１−２８９９１５号公報
　刊行物５：特開平６−１１００６３号公報
　刊行物６：特開平６−３１７７８９号公報
　刊行物７：特開平６−２４２４３３号公報
　
５．当審の判断
５−１．刊行物記載の事項
（１）刊行物１：特開平４−２６４５２７号公報には、高精細液晶表示装置に適したアクティブマトリクス基板に関して下記の記載が認められる。
「【００１２】
　図１および図２は本発明の一実施例にかかるアクティブマトリクス基板を示しており、このアクティブマトリクス基板は、透明のガラス基板１上にゲートバスライン１０およびソースバスライン２０を縦横に配線し、両バスライン１０、２０で囲まれた矩形状の領域に絵素電極４０をマトリクス状に配設してなる。
【００１３】
　ゲートバスライン１０にはゲート電極１１が分岐され、ソースバスライン２０にはソース電極３１が分岐される。ゲート電極１１の位置にはスイッチング素子として機能するＴＦＴ３０が形成される。このＴＦＴ３０は前記ソース電極３１とドレイン電極３２を備え、図１に示す構造になっている。
【００１４】
　以下、図１に従いアクティブマトリクス基板の構造およびその製造手順について説明する。図１（ａ）に示すように、まずスパッタリング法によりガラス基板１上に膜厚３００ｎｍのＴａ膜を成膜し、次いで、該Ｔａ膜をフォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極１１を形成する（この時図２に示すゲートバスライン１０が同時に形成される。）。・・・
【００１５】
　次いで、これらを覆うようにしてガラス基板１上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍのＭｏ膜を成膜し、これをパターニングしてソース電極３１（この時図２に示されるソースバスライン２０が同時に形成される。）およびドレイン電極３２を得、これによりＴＦＴ３０がマトリクス状に配置されたＴＦＴアレイが作成される。
【００１６】
　次に、図１（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりガラス基板１上に膜厚１μｍのＳｉＮxからなる層間絶縁膜５４を形成する。
・・・
【００１７】
　次いで、図３（ｄ）に示すように、Ｔａ膜５５とレジスト５６を等しいエッチンググレード条件でドライエッチングする。このドライエッチングにより、層間絶縁膜５４の前記ドレイン電極３２に対応した部分にコンタクトホール５１が開口される。・・・
【００１８】
　次いで、スパッタリング法により膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜を層間絶縁膜５４上に積層し、その後、これをパターニングして図１（ｅ）に示される絵素電極４０を得る。パターニングされた絵素電極４０の一部はコンタクトホール５１に埋設された金属層６０に接続される。これにより、金属層６０を介して絵素電極４０とドレイン電極３２が電気的に接続され、アクティブマトリクス基板が作成される。・・・
【００２０】
　・・・層間絶縁膜５４としてアクリル樹脂を使用する・・・アクリル樹脂を使用する場合は、層間絶縁膜５４の表面を平坦化できる・・・」
　また、【図１】（ｂ）には、ＴＦＴ３０、ソース電極３１、ゲート電極１１等の上部に、層間絶縁膜５４が形成され、該層間絶縁膜５４上に形成されたＩＴＯ膜からなる絵素電極４０が、コンタクトホール５１に形成された金属層６０を介して、ＴＦＴのドレイン電極３２に接続されたアクティブマトリクス基板の一部断面図が示されている。
　上記によれば、刊行物１には、
「ガラス基板上にゲートバスラインおよびソースバスラインを縦横に配線し、前記ゲートバスラインにはゲート電極が分岐され、前記ソースバスラインにはソース電極が分岐され、ゲート電極の位置にはスイッチング素子として機能するＴＦＴがマトリクス状に形成され、前記ＴＦＴ、ソース電極、ゲート電極等（ゲートバスラインおよびソースバスラインを含む）の上部に、アクリル樹脂の層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上に前記ＴＦＴのドレイン電極に接続されたＩＴＯ膜からなる絵素電極をスパッタリング法により形成する液晶表示装置に適したアクティブマトリクス基板の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２）刊行物４：特開平１−２８９９１５号公報には、アクティブマトリックス型の液晶表示装置に関して、下記の記載が認められる。
　（ア）スペーサに関して
「まず第１図ないし第３図において加熱硬化型エポキシシール材中に９．５ｍ（μｍの誤記と認める）の直径のガラスファイバスペーサを混入して攪拌混合後、対向電極基板４のカラーフィルタ面側にシール材を・・・スクリーン印刷した。次に第４図に示すように常温の弾性率が５００ｋｇ／ｍｍ２で直径６．５μｍのプラスチックビーズ・・・を・・・ＴＦＴアレイ基板１上にスプレイ散布した。」（３頁右下欄８〜２０行）、
「シール材内のスペーサを・・・ガラスファイバなどの硬質スペーサを用い、面内スペーサに弾性率の低いプラスチックビーズを用いた」（４頁左下欄８〜１１行）。
　（イ）基板の貼り合わせ、液晶注入に関して
「次に、シール材を印刷した対向電極基板４と面内スペーサを散布したＴＦＴアレイ基板１を適当な光学系を持った重ね合わせ装置で重ね合わせる。次に重ね合わせたＴＦＴアレイ基板１と対向電極基板４を熱圧着プレスにセットし・・・熱圧着した。熱圧着した両基板のシール開口部より液晶を真空注入した後に開口部を封止材１２で封止した。」（４頁左上欄１６行〜右上欄３行）。
　
５−２．対比・判断
 ［本件発明１について］
　本件発明１と引用発明とを対比するに、引用発明の「ガラス基板」、「ＴＦＴ」、「ゲートバスラインおよびソースバスラインを縦横に配線」、「アクリル樹脂の層間絶縁膜」及び「絵素電極」は、本件発明１の「基板」、「スイッチング素子」、「走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成」、「樹脂よりなる層間絶縁膜」及び「画素電極」にそれぞれ相当する。又、引用発明において、絵素電極はＴＦＴのドレイン電極に接続されているから、本件発明１の「スイッチング素子と接続された画素電極」に相当することは明らかである。
　よって、両者は、
「基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程とを含む液晶表示装置の製造方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
（相違点１）本件発明１は、前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって荒らして密着性を改善する工程と、前記表面が荒らされた層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程とを含むのに対して、引用発明は、層間絶縁膜表面の膜質を改善する工程を含まず、したがって、画素電極を形成する層間絶縁膜の表面が荒らされているものではない点。
　
　上記相違点１について検討する。
　一般に、積層体等において、層間の密着性を高めるために、一方の層の表面を粗面とすることは周知慣用手段であるが、一方の樹脂層の表面をプラズマアッシング（灰化処理）により粗面化し、密着力を大きくすることは、特開平５−２９９８４６号公報（上記取消理由に引用した刊行物２）及び特開平５−１６６９７６号公報に記載されているように従来周知である。
　そして、上記周知例のような多層配線基板や半導体装置の製造方法及び本件発明や引用発明のような液晶表示装置の製造方法は、共に、フォトリソグラフィの技術を用いる点で共通の技術分野に属しているということができる。なお、フォトリソグラフィの技術を用いる液晶表示装置の製造工程において、絶縁膜の上に透明電極を形成する前等に、プラズマアッシングを行うことも従来周知（例えば、特開平３−２００２１５号公報参照。）である。
　そうしてみると、引用発明において、層間絶縁膜と絵素電極との密着性を高めるために、従来周知のプラズマアッシングの技術を適用し、層間絶縁膜の表面を荒らし、その表面が荒らされた層間絶縁膜上に絵素電極を形成することは、当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、本件発明１によってもたらされる効果は、引用発明及び従来周知の技術から予想し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　したがって、本件発明１は、引用発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［本件発明２について］
　本件発明２と引用発明とを対比するに、上記［本件発明１について］の対比で述べたに加え、引用発明の「絵素電極をスパッタリング法により形成する」は、本件発明２の「画素電極をスパッタ法により形成する」に相当するから、両者は、
「基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極をスパッタ法により形成する工程と、を含んだ液晶表示装置の製造方法。」
の発明で一致し、下記の点で相違する。
（相違点１）本件発明２は、前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって荒らして密着性を改善する工程と、前記表面が荒らされた層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程とを含むのに対して、引用発明は、層間絶縁膜表面の膜質を改善する工程を含まず、したがって、画素電極を形成する層間絶縁膜の表面が荒らされているものではない点、      
（相違点２）本件発明２は、前記画素電極を含むＴＦＴ基板と、対向電極が形成された対向基板とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わされた基板の周辺部を予めスペーサを含み込んだシール材でシールする工程と、前記シールされた基板間に液晶を封入する工程と、を含むのに対して、引用発明には、この点が明記されていない点。
　
　上記相違点について検討するに、相違点１は、［本件発明１について］の相違点１の検討で述べたとおりであり、周知技術により当業者が容易に想到し得たものである。
　また、相違点２は、引用発明のようなアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置において、周知慣用手段（必要であれば、上記刊行物４：特開平１−２８９９１５号公報参照。）であり、この点は、単なる周知慣用手段の付加にすぎない。
　よって、本件発明２は、本件発明１に対するとほぼ同様の理由により、引用発明及び上記刊行物４などに示される従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［本件発明３について］
　本件発明３は、本件発明２の構成を全て引用し、更に「前記画素電極はＩＴＯからなる画素電極であり、前記液晶中のスペーサより径の大きなスペーサを、前記シール材の内部に予め含み込んだこと」を限定している。
　そこで検討するに、画素電極をＩＴＯで形成することは引用発明に記載されているし、液晶中のスペーサより径の大きなスペーサを、シール材の内部に予め含み込むことは、上記取消理由に引用した刊行物４〜６に記載されているように従来周知の事項である。
　よって、本件発明３は、本件発明２に対するとほぼ同様の理由により、引用発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［本件発明４について］
　本件発明４は、本件発明２の構成を全て引用し、更に「前記液晶中のスペーサより硬度の大きいスペーサを、前記シール材の内部に予め含み込んだこと」を限定している。
　しかし、スペーサの硬度をこのように規定することは、上記刊行物４及び刊行物５に記載されているように、従来周知の技術である。
　よって、本件発明４は、本件発明２に対するとほぼ同様の理由により、引用発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本件発明１〜４は、引用発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜４の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月３日（２００３．６．３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、
　前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって
荒らして密着性を
　前記
表面が荒らされた
　【請求項２】
　基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、
　前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって
荒らして密着性を
　前記
表面が荒らされた
スパッタ法により
　前記画素電極を含むＴＦＴ基板と、対向電極が形成された対向基板とを貼り合わせる工程と、
　前記貼り合わされた基板の周辺部を予めスペーサを含み込んだシール材でシールする工程と、
　前記シールされた基板間に液晶を封入する工程と、を含んだことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】
　
前記画素電極はＩＴＯからなる画素電極であり
　前記液晶中のスペーサより径の大きなスペーサを、前記シール材の内部に予め含み込んだことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】
　前記液晶中のスペーサより硬度の大きいスペーサを、前記シール材の内部に予め含み込んだことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置とその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図５（ａ）は、従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の平面図を示している。
　【０００３】
　図５（ａ）において、アクティブマトリクス基板には、複数の画素電極５４がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極５４の周囲を通り、互いに直交交差するように、各ゲート配線５１とソース配線５２とが形成されている。これらのゲート配線５１とソース配線５２との交差部近傍には、前記画素電極５４にコンタクトホールを介して接続されるスイッチング素子としてのＴＦＴが形成されている。
　【０００４】
　図５（ｂ）は、図５（ａ）の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＢ−Ｂ´線断面図を示している。
　【０００５】
　図５（ｂ）において、透明絶縁性基板６０上に、図５（ａ）のゲート配線５１と枝分かれしたゲート電極５１が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜５５が設けられている。その上にはゲート電極５１と重畳するように半導体層６２が設けられ、その中央部上にチャネル保護層６３が設けられている。この半導体層６２及びチャネル保護層６３の両端部を覆い、該チャネル保護層６３上で分断された状態で、ソース電極５２及びドレイン電極５３が設けられている。このようにして形成されたＴＦＴ及びゲート配線５１、ソース配線５２の上部を覆って層間絶縁膜５９が設けられており、該層間絶縁膜５９上には画素電極５４が設けられ、層間絶縁膜５９を貫くコンタクトホールを介して前記ＴＦＴと接続されている。
　【０００６】
　このようにして構成されたＴＦＴ基板６０と対向電極５６を備えた対向基板６１との間に液晶５８を封入して従来の液晶表示装置は完成する。このとき、前記ＴＦＴ基板６０と対向基板６１との間隙は、スペーサ５７を用いて所定の間隔に保たれている。（特開昭６１−１５６０２５号公報）
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記公報に開示された従来の液晶表示装置においては、層間絶縁膜５９としてポリイミド樹脂を用いているが、その他にも、例えば透明度の高いアクリル樹脂やポリスチレン、ポリエステル等が一般的に用いられている。
　【０００８】
　また、スペーサ５７については特に開示されていないが、通常はガラス等の硬質材料やプラスチックビーズ等が用いられており、プラスチックビーズスペーサの材料としては、ポリイミドやエポキシ、ポリスチレン等が一般的に用いられている。
　【０００９】
　しかしながら、上述したようなアクリル系樹脂を層間絶縁膜５９として用い、スペーサ５７としてエポキシ樹脂を用いて上記液晶表示装置を作製した場合、液晶を注入封止後に点灯検査を行うと、ニュートンリング（水に石等を落下させた時に水面に現れるリング状の波紋のようなもの）が現れた。特に、シール部分でこの現象は多発し、シール部分の下層に層間絶縁膜を設けた液晶表示装置の場合には特に顕著に現れた。
　【００１０】
　このような現象が現れる原因を調べると、前記スペーサ５７が前記層間絶縁膜５９に画素電極５４を挟んでめり込んでしまい、前記ＴＦＴ基板６０と対向基板６１との間隙が変化したことに起因していることが分かった。
　【００１１】
　ここで、前記層間絶縁膜５９上にはＩＴＯやＡｌ等からなる画素電極５４が形成されているにも拘わらず、前記スペーサ５７がめり込んでしまうのは、前記画素電極５４の厚さが５００〜２０００オングストロームであるのに対して、前記層間絶縁膜５９の厚さは１．５〜４μｍであり、該画素電極５４が絶対的に薄い為であると考えられる。このことは配向膜（図示せず）についても同様と考えられる。
　【００１２】
　このように、従来の液晶表示装置においては、スペーサが層間絶縁膜にめり込んでしまうことに起因して、点灯検査時にニュートンリングが発生してしまい、良品率、信頼性を著しく損なうという問題を有していた。
　【００１３】
　本発明は、このような問題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、層間絶縁膜とスペーサとの材料の最適化を図ることにより、層間絶縁膜に樹脂を用いた液晶表示装置に発生する様々な問題点を解決することにある。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって改善する工程と、前記層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程とを含むことを特徴としており、そのことにより上記目的が達成される。
　【００１５】
　本発明の液晶表示装置は、前記層間絶縁膜の膜厚が１．５μｍ以上４μｍ以下であることを特徴としており、そのことにより上記目的が達成される。
　【００１６】
　また、前記シール材の内部にスペーサが設けられている場合、該シール材内部のスペーサが、前記液晶中のスペーサより大きいほうが望ましい。
　【００１７】
　また、前記シール材の内部にスペーサが設けられている場合、該シール材内部のスペーサの硬度が、前記液晶中のスペーサの硬度より大きいほうが望ましい。
　【００１８】
　また、前記シール材の下側には、前記層間絶縁膜が存在しないほうが望ましい。
　【００１９】
　また、前記シール材の下側には、金属膜、チッ化膜、酸化膜のいずれかが設けられているほうが望ましい。
　【００２０】
　また、前記層間絶縁膜として透明度が高い樹脂を用いたほうが望ましい。
　【００２１】
　【００２２】
　また、前記層間絶縁膜をパターニングする前にプリベーク処理して該層間絶縁膜を乾燥させる工程を含むほうが望ましい。
　【００２３】
　上記構成により、以下、その作用を説明する。
　【００２４】
　本発明においては、走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子の上部には層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜の上部には該スイッチング素子と接続された画素電極が設けられる一方基板が、他方基板と対向配置されるとともに、該対向配置された基板間に該基板間隙を一定に保つスペーサ及び液晶がシール材により封止されてなる液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の硬度が、前記スペーサ材の硬度と同じか、もしくは大きいことを特徴としており、そのことにより層間絶縁膜表面にスペーサ材がめり込むことが防止でき、表示品位の高い液晶表示装置が得られる。また、液晶表示装置完成後に、ユーザーが表面を拭く等して圧力が加わった場合であっても、基板間隙を一定に保つことができるため、信頼性が向上するとともに良品率も向上する。
　【００２５】
　また、走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子の上部には層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜の上部には該スイッチング素子と接続された画素電極が設けられる一方基板が、他方基板と対向配置されるとともに、該対向配置された基板間に該基板間隙を一定に保つスペーサ及び液晶がシール材により封止されてなる液晶表示装置において、前記層間絶縁膜として、弾性体を用いたことを特徴としており、そのことにより例え液晶表示装置の表示面表面が加圧され、層間絶縁膜表面にスペーサ材がめり込み、一時的に基板間隙が変化したとしても、加圧が取り除かれたときに反発力が起こり、所定の基板間隙に復元される。つまり、液晶表示装置の基板間隙を一定に保つことができるため、信頼性が向上するとともに良品率も向上する。
　【００２６】
　また、前記シール材の内部にスペーサが設けられている場合、該シール材内部のスペーサが、前記液晶中のスペーサより大きいものを使用することにより、特にシール材部分で発生していた基板間隙の変化を防止することができる。
　【００２７】
　また、前記シール材の内部にスペーサが設けられている場合、該シール材内部のスペーサの硬度が、前記液晶中のスペーサの硬度より大きいものを使用することにより、さらに効果が上がる。
　【００２８】
　また、前記シール材の下側に、前記層間絶縁膜を存在させないことにより、一層効果が上がる。
　【００２９】
　また、前記シール材の下側に、金属膜、チッ化膜、酸化膜のいずれかを設けることにより、シール材部分の密着性が向上し、さらに信頼性の高い液晶表示装置を得ることができる。
　【００３０】
　また、前記層間絶縁膜として透明度の高い樹脂を用いることにより、特に透過型液晶表示装置として使用する場合には、着色のない美しい画像表示を得ることができるとともに、透過率が低下することを防止でき、バックライトにおける消費電力の増加も発生しない。
　【００３１】
　また、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって改善する工程と、前記層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程とを含む製造方法を用いることにより、層間絶縁膜を形成する樹脂として表面密着性の悪い材料を使用することも可能となる。また、このときフォトレジストの除去を同時に行うことができ、製造工程の削減を図ることもできる。
　【００３２】
　このとき、前記層間絶縁膜をパターニングする前にプリベーク処理して該層間絶縁膜を乾燥させる工程を含むことにより、層間絶縁膜を形成する樹脂の粘度を下げることができ、生産性が向上するとともに、寸法精度を向上させることができる。
　【００３３】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について説明する。
　【００３４】
　（実施形態１）
　図１（ａ）は、本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
　【００３５】
　図１（ａ）において、アクティブマトリクス基板には、複数の画素電極４がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極４の周囲を通り、互いに直交交差するように、走査配線としてのゲート配線１と信号配線としてのソース配線２とが形成されている。このとき、これらのゲート配線１とソース配線２とは、その一部分が前記画素電極４の外周部分とオーバーラップして形成されている。また、これらのゲート配線１とソース配線２との交差部近傍には、前記画素電極４にコンタクトホールを介して接続されるスイッチング素子としてのＴＦＴが形成されている。これは、ＭＩＭ等のスイッチング素子でもかまわない。また、付加容量配線（Ｃｓ配線）１２が前記画素電極４の中央部分のゲート配線１と同層に、ゲート配線１と同じプロセスにより形成されている。このとき、前記Ｃｓ配線１２は共通配線に接続されるＣｓ　ｏｎ　Ｃｏｍ方式となっている。
　【００３６】
　図１（ｂ）は、図１（ａ）の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＡ−Ａ´線断面図を示している。
　【００３７】
　図１（ｂ）において、透明絶縁性基板１０上に、図１（ａ）のゲート配線１と枝分かれしたゲート電極３１が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜５が設けられている。その上にはゲート電極３１と重畳するように半導体層３４が設けられ、その中央部上にチャネル保護層３５が設けられている。この半導体層３４の一部及びチャネル保護層３５の両端部を覆い、該チャネル保護層３５上で分断された状態で、ソース電極３２及びドレイン電極３３となるｎ＋層３６が設けられている。
　【００３８】
　このようにして形成されたＴＦＴの上部を覆って層間絶縁膜９が設けられており、該層間絶縁膜９上には画素電極４が設けられ、該画素電極４は該層間絶縁膜９を貫くコンタクトホール３７を介して前記ＴＦＴのドレイン電極３３と接続されている。そして、前記画素電極４上及び対向基板１１上に形成された対向電極６上には、それぞれ図示しない配向膜が形成されており、該配向膜間には液晶８が封入されている。
　【００３９】
　このとき、前記ＴＦＴ基板１０と前記対向基板１１との間隙は、スペーサ７により保たれている。ここでは、層間絶縁膜９としてロックウェル硬度Ｍ９０のアクリル系樹脂を用い、また、スペーサ７としてはロックウェル硬度Ｍ８０のポリスチレンを用いた。これは、透明度の高いアクリル系樹脂を層間絶縁膜９として用いたことにより、着色が全くない高表示品位の液晶表示装置を得ることができるとともに、スペーサ７として層間絶縁膜９よりも柔らかいポリスチレンを用いたことにより、基板に対してスペーサがめり込まず前記両基板間隙を一定に保つことができる液晶表示装置を得ることができた。
　【００４０】
　以上のように本実施形態１のアクティブマトリクス基板が構成され、以下のようにして製造することができる。
　【００４１】
　まず、ガラス基板等からなる透明絶縁性基板１０上に、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ等の金属からなるゲート配線１（ゲート電極３１）と、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２等からなるゲート絶縁膜５と、Ｓｉ等からなる半導体層３４と、ＳｉＮｘ等からなるチャネル保護層３５と、ｎ＋層３６とを順次成膜パターニングして形成する。ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマトリクス基板の製造方法と同様にして行うことができる。
　【００４２】
　次に、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ等の金属からなるソース配線２（ソース電極３２及びドレイン電極３３）上にＩＴＯを形成して２層配線とした。これは、断線冗長性を持たせるためと実装端子部分の低抵抗化のためである。
　【００４３】
　さらに、その上に、層間絶縁膜９として感光性のアクリル系樹脂をスピンコート法により例えば３μｍの膜厚で形成する。この膜厚は、樹脂等の膜の誘電率によって決定される。これは、各配線と画素電極４とが重畳して形成されているために寄生容量ができてしまうからであり、なるべく誘電率の低い樹脂を用いることが好ましい。この樹脂に対して、所望のパターンに従って露光し、アルカリ性の溶液にて処理する。これにより露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜９を貫通するコンタクトホール３７が形成されることになる。
　【００４４】
　このとき、感光性のアクリル樹脂を用いたことにより、フォト工程だけでパターニングすることができるので、感光性を持たせることができる樹脂には感光性を持たせる方が好ましい。また、低粘度の樹脂を用い生産性を向上させるとともにパターニング前にプリベーク処理して乾燥させることにより、本硬化時に寸法がずれる等の悪影響を防止することができさらに好ましい。
　【００４５】
　また、表面の密着性が悪い樹脂については、この段階で灰化処理や光照射により表面を荒らして密着性を改善するとよい。このときフォトレジストも同時に取除けば工程が増えることもない。
　【００４６】
　その後、画素電極４となるＩＴＯをスパッタ法により形成し、パターニングする。これにより画素電極４は、層間絶縁膜９を貫くコンタクトホール３７を介して、ＴＦＴ３のドレイン電極３３と接続されることになる。
　【００４７】
　そして、このようにして作製したＴＦＴ基板１０と対向電極６が形成された対向基板１１とを貼り合わせる。このとき、周辺部分をシール材、その他の部分をスペーサ７により間隙を一定に保った。その後、前記両基板間に液晶８を封入して本実施形態１の液晶表示装置を製造した。
　【００４８】
　なお、ここでは、層間絶縁膜９をロックウェル硬度Ｍ９０のアクリル系樹脂を用い、スペーサとしてロックウェル硬度Ｍ８０のポリスチレンを用いた。
　【００４９】
　したがって、このようにして得られるアクティブマトリクス基板は、透過型の液晶表示装置に用いる場合には、層間絶縁膜９として透明度の高いもの、具体的には過射光領域の透過率９０％以上のものを用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド（Ｅ６１〜７４）、ポリアリレート（Ｍ８７〜９３）、ポリエーテルイミド（Ｍ１０５〜１０９）、エポキシ（Ｍ８０〜１１０）、透明度の高いポリイミド（Ｅ４５〜５８：例えばヘキサフルオロプロピレンを含む酸二無水物とジアミンとの組合わせ）等を用いることができる。また、スペーサ７としては、特に透明である必要は無く、例えば黒色に着色されたものであってもよい。そのため、前記層間絶縁膜９よりも材料選択の範囲は広く、該層間絶縁膜９と同じ材料もしくはそれより柔らかいものを用いればよい。
　【００５０】
　また、上述したアクティブマトリクス基板を反射型の液晶表示装置に用いる場合には、前記透過型の液晶表示装置に用いる場合よりも層間絶縁膜９の材料選択の範囲はずっと広くなり、例えば、ポリイミドでは一般的に良く知られるカプトンのような着色材を用いることができる。
　【００５１】
　（実施形態２）
　本実施形態２の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板では、弾性率の高い樹脂、特に反発弾性力の強い樹脂を用いて層間絶縁膜を形成しており、その他は実施形態１と同様の手法により液晶表示装置を作製した。
　【００５２】
　ここで、上下基板の貼り合わせ時やパネル完成後等に、指でパネル表面を押したりするような表面上からの圧力が加わった場合、反発弾性力の強い樹脂を用いて層間絶縁膜を形成した液晶表示装置であれば、一時的に層間絶縁膜の表面は凹んでしまうものの、圧力が解除されるとともに弾性力（反発力）が働いて元の状態に戻り、それに伴って変化していた基板間隔も所定の状態に戻るという利点がある。
　【００５３】
　本実施形態２で用いた弾性率の高い樹脂としては、透過型の液晶表示装置では、ブタジエンスチレン共重合体、ブチルゴム、フッ素ゴムを、また、反射型の液晶表示装置としては、ポリオレフィン系ラストマー、ポリウレタンゴム等のゴム状弾性高分子を好適に用いることができる。
　【００５４】
　（実施形態３）
　図２、図３、図４は、本発明の実施形態３の液晶表示装置におけるシール部分の拡大断面図である。なお、図１と同様の作用を奏する部材には同一の符号を付けてその説明は省略する。
　【００５５】
　まず、実施形態１と同様の手法によりＴＦＴ基板を作製後、図２に示すように、層間絶縁膜９のパターニング時にシール１４部分下側の層間絶縁膜９を取り除いた。つまり、シール１４の下側の透明絶縁性基板１０上には、ゲート配線１と該ゲート配線１上に形成されたゲート絶縁膜５とが設けられており、該シール１４よりも内側の透明絶縁性基板１０上には、前記ゲート配線１とゲート絶縁膜５上に層間絶縁膜９と画素電極４とが積層された状態となっている。
　【００５６】
　その後、対向電極６が形成された対向基板１１とＴＦＴ基板１０とを前記シール１４を介して所定の間隔で貼り合わせた。このとき、スペーサ７及びスペーサ１３により所定の間隙を保っているが、表示領域内（液晶中）のスペーサ７よりもシール１４内のスペーサ１３の方に直径が大きいものを用いた。
　【００５７】
　このような構造とすることにより、これまで問題となっていたシール１４部分近傍での表示の不具合が解消された。ここで、シール１４内のスペーサ１３としては、ガラス粒子等の硬質のものを用いるとさらに効果的である。また、このときの表示領域内のスペーサ７としては、プラスチックビーズ等を用いることが望ましい。なお、液晶表示装置作製時に、前記表示領域内のスペーサ７がシール１４内に流れ込むことも考えられるが、このことは特に問題ではない。
　【００５８】
　ここで、上述したようにして形成した液晶表示装置において、図３に示すように、シール１４の下側の透明絶縁性基板１０上に、さらにソース配線やＩＴＯ４０を設けることにより、該シール１４との密着性が向上するとともに、静電気対策の点においても効果的である。このときのソース配線材料や画素電極材料としては、金属、チッ化物、酸化物等を用いることが特に好ましい。
　【００５９】
　さらに、図４に示すように、前記層間絶縁膜９の端部を斜めに形成することにより、液晶８の注入時において気泡等の発生を未然に防ぐことができ、スムーズな液晶注入が可能となる。
　【００６０】
　以上のように本実施形態３のアクティブマトリクス基板が構成され、以下のようにして製造することができる。ここでは、実施形態１と同様のプロセスについては省略して説明する。
　【００６１】
　まず、透明絶縁性基板１０上に層間絶縁膜９を形成する工程までは、実施形態１と同様の手法により行った。次に、コンタクトホール形成のために前記層間絶縁膜９のパターニングを行う。このときに、表示領域の周囲部分、つまりシール１４形成部分の下側に位置する層間絶縁膜９についても、コンタクトホール部分と同様に取り除いた。その後、前記層間絶縁膜９の表示領域に相当する部分に画素電極４を形成して、図示しない配向膜を形成した。
　【００６２】
　そして、上述したようにして作製したＴＦＴ基板１０と対向電極６が形成された対向基板１１との周囲部分を、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂や光硬化樹脂からなるシール１４で貼り合わせた。このとき、スペーサ７及びスペーサ１３により前記両基板間隙を一定に保った。その後、前記シール１４を硬化させ、液晶８を封入することにより本実施形態３の液晶表示装置を製造することができる。
　【００６３】
　本実施形態３では、前記シール１４形成部分の下側に前記層間絶縁膜９を設けていないので、該シール１４硬化時に該層間絶縁膜９を形成する樹脂が硬化収縮熱膨張を起こして前記両基板の間隙が変わってしまうことも無くなる。また、本実施形態３では、前記シール１４形成部分の下側にゲート絶縁膜５を設けているが、これは該シール１４との密着性を向上させるためである。このとき、あらかじめスペーサ１３を含み込んだシール１４を用いることが生産性向上の点で好ましい。なお、本発明では、Ｃｓ　ｏｎ　Ｃｏｍ方式の液晶表示装置を用いて説明したが、これがＣｓ　ｏｎ　Ｇａｔｅ方式の液晶表示装置であっても構わない。
　【００６４】
　【発明の効果】
　以上の様に本発明によれば、層間絶縁膜の硬度がスペーサの硬度と同じか、もしくは大きいことにより、層間絶縁膜表面にスペーサ材がめり込むことが防止でき、表示品位の高い液晶表示装置が得られる。また、液晶表示装置完成後に、ユーザーが表面を拭く等して圧力が加わった場合であっても、基板間隙を一定に保つことができるため、信頼性が向上するとともに良品率も向上する。
　【００６５】
　また、層間絶縁膜として、弾性体を用いることにより、例え液晶表示装置の表示面表面が加圧され、層間絶縁膜表面にスペーサ材がめり込み、一時的に基板間隙が変化したとしても、加圧が取り除かれたときに反発力が起こり、所定の基板間隙に復元される。つまり、液晶表示装置の基板間隙を一定に保つことができるため、信頼性が向上するとともに良品率も向上する。
　【００６６】
　また、シール材の内部にスペーサが設けられている場合、該シール材内部のスペーサが、液晶内のスペーサより大きいものを使用することにより、特にシール材部分で発生していた基板間隙の変化を防止することができる。
　【００６７】
　また、シール材の内部にスペーサが設けられている場合、該シール材内部のスペーサの硬度が、液晶内のスペーサの硬度よりも硬いものを使用することにより、さらに効果が上がる。
　【００６８】
　また、前記シール材の下側に、前記層間絶縁膜を存在させないことにより、一層効果が上がる。
　【００６９】
　また、前記シール材の下側に、金属膜、チッ化膜、酸化膜のいずれかを設けることにより、シール材部分の密着性が向上し、さらに信頼性の高い液晶表示装置を得ることができる。
　【００７０】
　また、前記層間絶縁膜として透明度の高い樹脂を用いることにより、特に透過型液晶表示装置として使用する場合には、着色のない美しい画像表示を得ることができるとともに、透過率が低下することを防止でき、バックライトにおける消費電力の増加も発生しない。
　【００７１】
　また、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状に形成するとともに、該スイッチング素子と接続される走査配線及び信号配線を互いに交差するように形成する工程と、前記スイッチング素子、走査配線、信号配線の上部に、樹脂よりなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜表面の膜質を、灰化処理または光照射によって改善する工程と、前記層間絶縁膜上に前記スイッチング素子と接続された画素電極を形成する工程とを含む製造方法を用いることにより、層間絶縁膜を形成する樹脂として表面密着性の悪い材料を使用することも可能となる。また、このときフォトレジストの除去を同時に行うことができ、製造工程の削減を図ることもできる。
　【００７２】
　また、前記層間絶縁膜をパターニングする前にプリベーク処理して該層間絶縁膜を乾燥させる工程を含むことにより、層間絶縁膜を形成する樹脂の粘度を下げることができ、生産性が向上するとともに、寸法精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　図１（ａ）は、本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＡ−Ａ´線断面図を示している。
　【図２】
　図２は、本発明の実施形態３の液晶表示装置におけるシール部分の拡大断面図である。
　【図３】
　図３は、本発明の実施形態３の液晶表示装置におけるシール部分の拡大断面図である。
　【図４】
　図４は、本発明の実施形態３の液晶表示装置におけるシール部分の拡大断面図である。
　【図５】
　図５（ａ）は、従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の平面図を示している。図５（ｂ）は、図５（ａ）の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のＢ−Ｂ´線断面図を示している。
　【符号の説明】
　１　ゲート配線
　２　ソース配線
　３　ＴＦＴ（スイッチング素子）
　４　画素電極
　５　ゲート絶縁膜
　６　対向電極
　７　スペーサ
　８　液晶
　９　層間絶縁膜
　１０　透明絶縁性基板（ＴＦＴ基板）
　１１　対向基板
　１２　付加容量配線（Ｃｓ配線）
　１３　スペーサ
　１４　シール材
　３１　ゲート電極
　３２　ソース電極
　３３　ドレイン電極
　３４　半導体層
　３５　チャネル保護層
　３６　ｎ＋層
　３７　コンタクトホール
　４０　ソース配線やＩＴＯ
　５１　ゲート配線、ゲート電極
　５２　ソース配線、ソース電極
　５３　ドレイン電極
　５４　画素電極
　５５　ゲート絶縁膜
　５６　対向電極
　５７　スペーサ
　５８　液晶
　５９　層間絶縁膜
　６０　透明絶縁性基板
　６１　対向基板
　６２　半導体層
　６３　チャネル保護層