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　特願２００７−５０２８４８「複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月　６日国際公開、ＷＯ２００５／０９３８５０、平成１９年１０月１８日国内公表、特表２００７−５２９１１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００５年２月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年３月１２日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年９月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年１月２０日に審判請求がされた。その後当審において、平成２５年１月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２９日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２　当審の拒絶理由
　当審において平成２５年１月２８日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願の請求項１に係る発明は、その優先権主張の日前に頒布された「国際公開第０３／０４０４４１号」（以下「引用例１」という。）に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本願の請求項１〜３に係る発明は、その優先権主張の日前に頒布された「特表平１１−５０５３７７号公報」（以下「引用例２」という。）に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本願の請求項２、３に係る発明は、引用例１に記載された発明、引用例２の記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというもの、また、本願の請求項１に係る発明は、その優先権主張の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた「特願２００２−２６６０１２号」の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないというもの、さらに、本願は、発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないというもの、並びに、本願は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないというものである。
　
３　本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２５年７月２９日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　ドレイン電極（１１２、２１２）；
　ソース電極（１１０、２１０）；
　前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と接触しているチャネル（１０８、２０８）であって、ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘからなる群から選択される１つ又は複数のアモルファス化合物からなり、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数である、
チャネル（１０８、２０８）；
　ゲート電極（１０４、２０４）；
　前記ゲート電極（１０４、２０４）と前記チャネル（１０８、２０８）との間に配置されたゲート誘電体（１０６、２０６）、
とを含んで成り、
　前記１つ又は複数の化合物が、各金属成分の相対濃度が約０．０２５〜約０．９５の範囲内にある原子組成比をそれぞれ有する、薄膜トランジスタ（１００、２００、４００）。」
　
４　引用例の記載と引用発明
（１）引用例２の記載
　引用例２には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜１４とともに、以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。
　
（ａ）「発明の技術分野
　本発明は透明材料の２つの接続電極と、透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置に関するものである。」（第４ページ第３〜７行）
　
（ｂ）「図１および２は透明材料の２つの接続電極２、３を有するスイッチング素子１と、半導体材料の介在透明チャネル領域４とを設けた透明半導体装置を示す。本例では、接続電極およびチャネル領域は同一半導体材料から造る。接続電極２、３の抵抗値はその幅のみにに起因して比較的低い。チャネル領域４には透明な導電性ゲート電極５を設け、これを透明絶縁層６によってチャネル領域４から分離する。本発明によればチャネル領域４の半導体材料は塩基性材料およびドーパント原子を有する縮退半導体材料を具える。」（第９ページ第５〜１１行）
　
（ｃ）「図１および２の半導体装置は次のように製造することができる。厚さ50ｎｍの導電性ＳｒＲｕＯ3層５は絶縁単結晶ＳｒＴｉＯ3基板７上にエピタキシヤル堆積により設ける。…（中略）…次に、ゲート電極５上および基板７の表面上に透明絶縁層６および半導体材料４を設ける。本例では、ＢａＺｒＯ2の厚さ0.2 μｍの絶縁層６は650 ℃の温度で、且つ0.2mbar の酸素圧でパルスレーザ堆積によって設ける。次いで、0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3の厚さ0.1 μｍの層４を、0.2mbar の酸素圧および505 ℃の温度でパルスレーザ堆積によって絶縁層６上および基板７の表面上に既知のように設ける。層４および６は、ゲート電極５に対する導電層の場合と同様に、フォトレジストおよびモリブデン層を用いて再びパターン化する。ゲート電極５に損傷を与えないように限定期間のみエッチングを行う。チャネル領域４および接続電極２は斯様にして形成する。」（第９ページ第２３行〜第１０ページ第１２行）
　
（ｄ）「また、
チャネル領域４の半導体材料に対し
例えば、Ｇａ
2
Ｏ
3
，Ｂｉ
2
Ｏ
3
，ＳｎＯ
2
，ＺｎＯ，Ｓｂ
2
Ｏ
3
，ＰｂＯ，ＧｅＯ
2
またはＩｎ
2
Ｏ
3
，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ
3
，ＺｎＧａ
2
Ｏ
4
，（審決注：「ＺｎＧａ２Ｏ
4
」は誤記と認定した。）またはＣｄＧａ
2
Ｏ
4
のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる
　
（ｅ）「
図４は本発明スイッチング素子１の第２実施例を示す
ガラス基板７
ゲート電極５
強誘電材料の
透明絶縁層６をゲート電極５上および基板７の表面上に設ける
　次いで、0.2mbar のＯ2圧且つ505 ℃の温度でパルスレーザ堆積により既知のように
強誘電層６上および基板７の表面上に0.03％のＳｂがドープされたＳｎＯ
2
の厚さ0.1 μｍの層４
チャネル領域４
その表面に
導電層を設ける
この層を
パターン化して
接続電極２および３を形成
　本例では、接続電極２，３、ゲート電極５およびチャネル領域４は同一の方のドーパント原子を設けた同一の塩基性材料、接続電極２．３の半導体材料およびゲート電極５の導電材料よりも少量のドーパント原子を有するチャネル領域４の半導体材料を具える。かかる半導体装置は比較的簡単に製造することができる。その理由はこれら材料に１種類の製造処理のみが必要となるだけであるからである。」（第１１ページ第１２行〜第１２ページ第１６行）
　
（ｆ）「第５実施例では、
トランジスタを第２実施例にならって形成する
　
（ｇ）「本発明は上述した実施例に限定されるものではない。従って、
上記実施例では非遷移金属の所定の共有結合酸化物を透明半導体及び導電材料として選定したが、本発明による半導体装置は非遷移金属の別の共有結合酸化物でも極めて良好に製造することができる
　材料を堆積したり、パターン化する方法としてレーザ堆積法、ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ法の如き所定の技法のみを提案したが、これは本発明をこのような技法でしか実施できないと云うことを意味するのではない。エピタキシャル成長（ＭＢＥ）や、印刷技法により材料をマスクしたりするような他の技法も極めて良好に用い得ることは明らかである。」（第１６ページ第１９行〜第１７ページ第１２行）
　
（ｈ）図４から、ゲート電極５はガラス基板７上に形成されていることが見てとれる。
　
（２）引用発明
　そうすると、図４を参酌してまとめると、引用例２には第２実施例として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ガラス基板７上に形成されたゲート電極５と、
　ゲート電極５上および基板７の表面上に設けられた強誘電材料の透明絶縁層６と、
　強誘電材料の透明絶縁層６上の表面上に形成された0.03％のＳｂがドープされたＳｎＯ2の厚さ0.1μmのチャネル領域４と、
　チャネル領域４の表面に形成された接続電極２および３とを備えた、スイッチング素子。」
　
５　対比
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「スイッチング素子」は、上記摘記事項（ｆ）も勘案すると、「トランジスタ」であることは当業者には明らかであるとともに、基板として「ガラス基板７」を用い、「厚さ0.1μmのチャネル領域４」、すなわち、「薄膜」のチャネル領域を備えているから、「薄膜トランジスタ」であることも明らかである。
　すると、引用発明の「接続電極２および３」、「強誘電材料の透明絶縁層６」、「チャネル領域４」、及び「スイッチング素子」は、それぞれ本願発明の「『ドレイン電極』および『ソース電極』」、「ゲート誘電体」、「チャネル」、及び「薄膜トランジスタ」に相当する。
　
（イ）引用発明は、「チャネル領域４の表面に形成された接続電極２および３」を備えるものであり、「チャネル領域４の表面」に「接続電極２および３」が形成されているのであるから、「チャネル領域４」は「接続電極２および３」と接触していることは明らかである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記ドレイン電極及び前記ソース電極と接触しているチャネル」を含んで成る点で一致する。
　
（ウ）引用発明は、「ゲート電極５上および基板７の表面上に設けられた強誘電材料の透明絶縁層６と、強誘電材料の透明絶縁層６上の表面上に形成されたチャネル領域４」を備えるものであるから、「強誘電材料の透明絶縁層６」が、「ゲート電極５とチャネル領域４との間に配置された」ものを特定していることは明らかである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記ゲート電極と前記チャネルとの間に配置されたゲート誘電体」を含んで成る点で一致する。
　
（エ）チャネルの形成材料について、引用発明の「チャネル領域４」の「0.03％のＳｂがドープされたＳｎＯ2」と、本願発明の「ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘからなる群から選択される１つ又は複数のアモルファス化合物からなり、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数である」とは、「金属酸化物」である点で一致する。
　
イ　したがって、上記（ア）〜（エ）を整理すると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「ドレイン電極；
　ソース電極；
　前記ドレイン電極及び前記ソース電極と接触しているチャネルであって、金属酸化物からなる、
チャネル；
　ゲート電極；
　前記ゲート電極と前記チャネルとの間に配置されたゲート誘電体、
とを含んで成る、薄膜トランジスタ。」
　
＜相違点１＞
　チャネルの形成材料について、本願発明では、「ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘからなる群から選択される１つ又は複数のアモルファス化合物からなり、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数である、チャネル」であって、「前記１つ又は複数の化合物が、各金属成分の相対濃度が約０．０２５〜約０．９５の範囲内にある原子組成比をそれぞれ有する」のに対し、引用発明では、「0.03％のＳｂがドープされたＳｎＯ2」であり、酸化物として、「ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘからなる群から選択される１つ又は複数」の化合物からなること、及び当該化合物の「各金属成分の相対濃度」は特定されていない点、並びに、当該化合物が「アモルファス化合物」からなることは特定されていない点。
　
６　当審の判断
　以下、上記相違点１について検討する。
ア　先ず、チャネルをなす化合物が、「ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘからなる群から選択される１つ又は複数」の化合物からなること、及び当該化合物の「各金属成分の相対濃度」について検討する。
　
（ア）上記「４」「（１）引用例２の記載」の上記摘記事項（ｇ）を勘案すると、第２実施例においても、上記摘記事項（ｄ）に記載された「チャネル領域４の半導体材料」である、「例えば、Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ2Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる」ことは明らかである。
　
（イ）さらに、当該摘記事項（ｄ）には、「チャネル領域４の半導体材料」に対する当該列挙箇所には「ＣｄＧａ２Ｏ４のような」と記載されていることから、上記「これら酸化物」として「ＣｄＯ」も例示乃至は示唆されていることは当業者には明らかである。
　すなわち、引用例２には、「チャネル領域４の半導体材料」として、「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3」等の酸化物に加え、「ＣｄＯ」を併せて、形成し、化合物とすることが示されていることは明らかである。
　
（ウ）他方、引用例２の当該列挙箇所には、１成分酸化物、これらの混合物、または２成分酸化物から形成された金属酸化物の具体的な化合物が列挙されており、３成分酸化物は記載されていないものの、金属酸化物として、３つの金属陽イオンを含む３成分酸化物を選択することも当業者であれば当然想到し得たことと認められるとともに、しかも、下記の周知例１には、３成分酸化物であって、１２族金属陽イオンと１３族金属陽イオンを含む複合酸化物が記載されている。
　
（ａ）周知例１：Ｍ．ＯＲＩＴＡ　ｅｔ．ａｌ．，　”Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｏｘｉｄｅ　ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：ａ　Ｚｎ　４ｓ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ”，　ＰＨＩＬＯＳＯＰＨＩＣＡＬ　ＭＡＧＡＺＩＮＥ　Ｂ，２００１，ＶＯＬ．８１，Ｎｏ．５，ｐ．５０１−５１５（当審において通知した拒絶の理由で引用した周知例１）
・「ABSTRACT
  With the purpose of creating ZnO-based amorphous transparent conductors a range of 
amorphous films InGaO
3
(ZnO)
m
（「要約
　ＺｎＯベースのアモルファス透明導電体を形成する目的で、
アモルファス薄膜ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
ｍ
　
・「Table I lists the electric transport parameters of t
he amorphous InGaO
3
(ZnO)
m
 films
（「表１は、室温における
アモルファス薄膜ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
ｍ
薄膜
　
（エ）したがって、引用発明において、「チャネル領域４の半導体材料」の「これら酸化物から形成された化合物」として、例えば、「これら酸化物」として、ＺｎＯ，Ｇａ2Ｏ3，ＣｄＯを選択し、あるいはＺｎＯ，Ｉｎ2Ｏ3，ＣｄＯを選択し、あるいはＣｄＯ，Ｇａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3を選択して、本願発明のように、３つの金属陽イオンを含む３成分酸化物の「『ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘ』からなる群から選択される１つ又は複数」の化合物を選択することは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
（オ）そして、「チャネル領域４の半導体材料」として、「これら酸化物から形成された化合物」を用いるならば、その実施化に際し、「各金属成分の相対濃度」をどのような数値範囲とするかは、当業者が適宜選択し得る設計的事項である。
　
（カ）一方、本願の明細書、特許請求の範囲及び図面（以下、これらをまとめて「明細書等」という。）において、本願発明の「チャネル」に関連した事項については、以下のように記載されているだけである。
　「【００２３】
　種々の実施形態において、チャネル２０８は、化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含む複合酸化物材料から形成することができる。そのような実施形態では、各ＡはＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択することができ、各ＢはＧａ、Ｉｎから成るグループから選択することができ、各ＣはＺｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎから成るグループから選択することができ、
各Ｏは酸素原子にすることができ、各ｘは個別に０以外の整数とする
カドミウム−ガリウム−インジウム酸化物、亜鉛−カドミウム−ガリウム酸化物及び亜鉛−カドミウム−インジウム酸化物
Ａ、Ｂ及びＣはそれぞれ約０．０２５〜約０．９５の範囲内にある
この実施形態によるチャネルは、各成分の相対濃度が約０．０２５〜約０．９５の範囲内に入る原子組成比を有する種々の３成分酸化物を含む
　すなわち、３成分酸化物として、「カドミウム」を含むもの、含まないものとが同列で列挙され、原子組成比の例示として、「カドミウム」を含むものは示されていない。
　
　そして、上記段落を含め、明細書等全般を精査しても、本願発明における「ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘからなる群から選択される１つ又は複数」の「化合物からなり、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数である、チャネル」とすることにより格別の効果を奏するとの記載は見い出せない。
　
（キ）次に、本願発明におけるチャネルをなす「化合物」の各金属成分の原子組成比について、上記段落を含め、明細書等全般を精査しても、「前記１つ又は複数の化合物が、各金属成分の相対濃度が約０．０２５〜約０．９５の範囲内にある原子組成比をそれぞれ有する」ものとすることにより、その数値範囲外のものと比較して、格別の効果を奏するとの記載は見い出せない。
　したがって、当該化合物が、「各金属成分の相対濃度が約０．０２５〜約０．９５の範囲内にある原子組成比をそれぞれ有する」ものとすることの「各金属成分の相対濃度」の原子組成比の数値範囲の下限値「約０．０２５」と上限値「約０．９５」の臨界的意義を認めることはできない。
　
（ク）よって、引用発明において、「チャネル領域４」を形成する半導体材料を、「これら酸化物から形成された化合物」である、例えば、「ＺｎＯ，Ｇａ2Ｏ3，ＣｄＯから形成された化合物」、あるいは「ＺｎＯ，Ｉｎ2Ｏ3，ＣｄＯから形成された化合物」、あるいは「ＣｄＯ，Ｇａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3から形成された化合物」を選択して、本願発明のように、３つの金属陽イオンを含む３成分酸化物の「『ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘ』からなる群から選択される１つ又は複数」の化合物を選択するとともに、「各金属成分の相対濃度」を、「前記１つ又は複数の化合物が、各金属成分の相対濃度が約０．０２５〜約０．９５の範囲内にある原子組成比をそれぞれ有する」ものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　
イ　次に、チャネルが、「アモルファス化合物」からなることについて検討する。
（ア）一般に、金属酸化物を含む半導体装置において、当該金属酸化物には、アモルファス状態のものと結晶状態のものとの両者があることは、上記周知例１及び下記の周知例２に記載されているように、当業者における周知技術であり、しかも、下記の周知例２には、酸化物透明導電膜の材料として、「ＺｎＯに…（中略）…Ｇａ、Ｉｎ、…（中略）…またはこれらの酸化物等を添加したもの、ＩｎＧａＯ２、…（中略）…ＣｄＧａＯ４、…（中略）…等の無機材料の透明導電材料が用いられる。」旨が記載されており、「金属酸化物」の金属元素として、本願発明のアモルファス化合物の金属成分と同じＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄが挙げられている。
　また、アモルファス状態のものと結晶状態のものと、どちらの形態を有する金属酸化物を選択するかは、求められる金属酸化物の特性に応じて当業者であれば適宜選択することができる事項である。
　
（ａ）周知例２：特開２００３−１６８５７号公報
・「【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯなどの透明導電膜は、液晶表示素子、プラズマ発光表示素子、太陽電池、光デバイス等に用いる透明電極など、様々な分野で用いられその需要はますます増大しつつある。基材上に透明導電膜を形成するには、通常、基材を２００℃以上に加熱しながら、電子ビーム蒸着法（ＥＢ法）、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法などにより、基材上に
アモルファス酸化物
結晶化した酸化物
　
・「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記のごとき問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、低温でかつ簡便な工程により透明導電膜を低抵抗化する方法、特に、プラスチック基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題は、以下の透明導電膜の製造方法を提供することにより解決される。
（１）基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、２５℃以上で３００℃以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
（２）前記酸化物透明導電膜がアモルファス酸化物透明導電膜であることを特徴とする前記（１）に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。」
　
・「【００１５】本発明において、酸化物透明導電膜の材料としては、ＳｎＯ2にＳｂ、Ｚｎ、またはこれらの酸化物、またはＦ等を添加したもの、Ｉｎ2Ｏ3にＳｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれらの酸化物、またはＦ等を添加したもの、
ＺｎＯに
Ｇａ、Ｉｎ、
またはこれらの酸化物等を添加したもの、ＩｎＧａＯ
2
、
ＣｄＧａＯ
4
、
等の無機材料の透明導電材料が用いられる
　
（イ）しかも、本願発明において、チャネルをアモルファス化合物からなるものとするならば結晶化工程が不要となることは、当業者には自明であるとともに、本願明細書等において、「アモルファス」について記載されている段落【０００５】、【００２６】、【００２７】及び【００５３】を見ても、そのほかに、結晶状態のものに比して、アモルファス状態とすることにより格別の効果を奏するとの記載も見い出せない。
　
（ウ）したがって、上記「ア」で検討したとおり、引用発明において、「チャネル領域４の半導体材料」として、「本願発明のように、３つの金属陽イオンを含む３成分酸化物の「『ＺｎｘＧａｘＣｄｘＯｘ、ＺｎｘＩｎｘＣｄｘＯｘ及びＣｄｘＧａｘＩｎｘＯｘ』からなる群から選択される１つ又は複数」の化合物を選択する」ならば、当該化合物の状態として、本願発明のように、「アモルファス化合物」からなるものを選択することも、当業者であれば適宜なし得たことである。 
　
ウ　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例２に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、当審で通知した上記拒絶の理由によって拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。