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　特願２００６−１８３１２７「集束イオンビーム装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月２４日出願公開、特開２００８−　１６２０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年７月３日の出願であって、平成２４年４月２３日に手続補正がなされたが、同年１１月７日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２５年２月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年４月１１日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年６月１４日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２５年２月８日付けの手続補正の補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２５年２月８日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正後の請求項に記載された発明 
　平成２５年２月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「被加工物上に照射されるイオンビームをＯＮ／ＯＦＦするブランキング用偏向系と、ブランキング時にイオンを捕集するイオン捕集器とを有する集束イオンビーム装置であって、
　前記イオン捕集器は、
　前記イオンビームの入射側を頂点とする円錐状の外周をなし、中心軸に沿って非ブランキング時に前記イオンビームが通過する開口を有するブランキングプレートと、
　前記ブランキングプレートのイオンビームの入射側に対向して配置され、前記ブランキングプレートの開口よりも大きい開口を有するカバーと、
　前記ブランキングプレートと前記カバーを支持するとともに、非磁性の導電部材からなる筒と、
　前記筒の外周側に対向して配置された一対のコイルとからなり、
　前記コイルから発生させた磁場により二次電子が前記イオン捕集器の壁にトラップされることを特徴とする集束イオンビーム装置。」
　
　そこで、本願の補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　　
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平１−１００９１９号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）第１頁右欄１８行〜第２頁左上欄４行
「ブランキングされた電子ビーム（２ａ）を例えば簡単な金属板で受けると、反射電子や２次電子が発生し、電子ビーム光軸周辺の部品を汚染または帯電させて描画精度を低下させる。また、発生した反射電子や２次電子の一部はブランキング中にターゲツト（４）に達し、不必要な露光を行うため描画精度をさらに低下させる。」
（１ｂ）第２頁左下欄６行〜右下欄１３行
「以下、この発明の一実施例を図面について説明する。第１図において、頂点が電子ビームの入射側にある円錐状の導電体でなるアパーチヤ部材（２１）に、中心軸に沿う開口（２０）が形成されている。アパーチヤ部材（２１）はセラミツクのような絶縁物でなる絶縁支持体（２２）により、電子銃室（２４）と加工室（２５）との隔壁（２６）の開口部（２６ａ）に支持板（２７）を介して支持されている。アパーチヤ部材（２１）の円錐状部分を囲んで装着された導電性の反射電子カバー（２３）には、中央部に開口（２３ａ）が形成されており、かつ、アパーチヤ部材（２１）の円錐面との間に円錐環状の空隙（２３ｂ）を形成している。反射電子カバー（２３）には、リード線を介して検知器（２８）が接続されている。また、反射電子カバー（２３）と隔壁（２６）の段部（２６ｂ）との間には絶縁リング（２９）が介在している。
　アパーチヤ部材（２１）、絶縁支持体（２２）、反射電子カバー（２３）、支持板（２７）および絶縁リング（２９）により、アパーチヤ機構（３０）が形成されている。
　第２図は以上のアパーチヤ機構（３０）を内蔵した電子ビーム加工装置であり、陰極（３１）、陽極（３２）、第１の集束レンズ（３３）、第２の集束レンズ（３４）、ターゲツト（４）、電子銃室（２４）を真空排気する第１の真空排気装置（３５）、加工室（２５）を真空排気する第２の真空排気装置（３６）が図示のように配置されている。」
（１ｃ）第２頁右下欄１４行〜第３頁右上欄３行
「次に動作について説明する。第２図において、陰極（３１）から発生した電子ビーム（２）は、陽極（３２）を通過し、第１の集束レンズ（３３）および第２の集束レンズ（３４）で集束され、走査用偏向系（６）で偏向されてターゲツト（４）に照射される。ここで、ターゲツト（４）上に照射される電子ビーム（２）をＯＮ−ＯＦＦするためには、ブランキング用偏向系（７）とアパーチヤ機構（３０）が用いられる。つまり、ブランキング用偏向系（７）に電圧を印加して電子ビーム（２）を偏向し、アパーチヤ機構（３０）の開口を通過しないようにしてＯＦＦ動作を実現する。
　第１図において、実線で示した電子ビーム（２）はアンブランキング時、破線で示した電子ビーム（２ａ）はブランキング時の経路を示す。アンブランキング時には電子ビーム（２）がアパーチヤ部材（２１）の開口（２０）を通過して所定の加工が行われる。ブランキング時には電子ビーム（２ａ）はアパーチヤ部材（２１）と反射電子カバー（２３）との間に形成された隙間（２３ｂ）に入射される。アパーチヤ部材（２１）と反射電子カバー（２３）との隙間（２３ａ）は同軸状の円錐環状となつており、ブランキングされた電子ビーム（２ａ）がその面に斜めに入射するため、２次電子や反射電子は隙間（２３ａ）にトラツプされる。従つて、ブランキング中に２次電子や反射電子が開口（２０）を通過して漏洩する確率が極めて少なくなるので、例えば、電子ビーム描画の場合、露光用レジストが２次電子や反射電子で不要に露光されることが防止でき、描画精度を著しく向上することができる。」
（１ｄ）第３頁右上欄１２行〜左下欄８行
「また、アパーチヤ部材（２１）と反射電子カバー（２３）は絶縁サポート（２２）および絶縁リング（２９）で絶縁されているので、リード線により検知器（２８）を接続することにより、ブランキングされた電子ビーム（２ａ）の電流値を２次電子や反射電子発生による誤差を極めて小さくして正確に測定するフアラデーカツプとして使用することができる。その結果、ターゲツト（４）上に照射される電子ビーム電流を、加工室（２５）に特別に電子ビーム電流測定器を設けることなく随時正確に測定することができる。ターゲツト（４）上に照射される電子ビーム電流は陰極（３１）の絶縁部のリーク電流の変化や陽極（３２）の通過率により変化し、電子ビームを引き出す加速電源の電流では正確に測定できないので、上記のフアラデーカツプによる測定は、ターゲツト（４）への電子ビーム照射量の制御に極めて有効である。」
（１ｅ）第３頁右下欄１１行〜１５行
「なお、上記実施例では電子ビーム加工装置の場合について説明したが、ターゲツトに照射するビーム電流をブランキング装置でＯＮ−ＯＦＦするイオンビーム加工装置であつてもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。」
（１ｆ）「第１図
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｇ）「第２図　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｈ）アパーチヤ部材（２１）が円錐状であって、反射電子カバー（２３）がアパーチヤ部材（２１）の円錐状部分を囲んで装着され、アパーチヤ部材（２１）と反射電子カバー（２３）との隙間（２３ａ）が同軸状の円錐環状となっていること（上記摘記事項（１ｂ）〜（１ｃ）参照）を踏まえて第１図を参酌すると、反射電子カバー（２３）が円筒形状であることがわかる。
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「ターゲツト（４）上に照射される電子ビーム（２）をＯＮ−ＯＦＦするためにブランキング用偏向系（７）とアパーチヤ機構（３０）が用いられる電子ビーム加工装置であつて、
　アパーチヤ機構はアパーチヤ部材（２１）、絶縁支持体（２２）、反射電子カバー（２３）、支持板（２７）および絶縁リング（２９）により形成されており、
　頂点が電子ビームの入射側にある円錐状の導電体でなるアパーチヤ部材に、中心軸に沿う開口（２０）が形成されており、
　アパーチヤ部材の円錐状部分を囲んで装着された導電性で円筒形状の反射電子カバーの中央部に開口（２３ａ）が形成されており、かつ、アパーチヤ部材の円錐面との間に円錐環状の空隙（２３ｂ）を形成しており、
　アンブランキング時には電子ビームがアパーチヤ部材の開口を通過して所定の加工が行われ、
　ブランキング時には電子ビーム（２ａ）はアパーチヤ部材と反射電子カバー（２３）との間に形成された同軸状の円錐環状の隙間に入射され、ブランキングされた電子ビームがその面に斜めに入射するため、２次電子や反射電子は隙間にトラツプされ、
　反射電子カバーには、リード線を介して検知器（２８）が接続されており、ブランキングされた電子ビームの電流値を２次電子や反射電子発生による誤差を極めて小さくして正確に測定するフアラデーカツプとして使用することができる、
電子ビーム加工装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）引用文献２
　同じく、特開２０００−１１９３１号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）「【００３２】図１(ａ)の符号３１は、イオン源２５から射出され、イオン電流検出装置１０に入射しているイオンビームを示している。
【００３３】このイオン電流検出装置１０は、容器１１を有しており、該容器１１の開口部には蓋部１２が配置されている。イオン電流検出装置１０の姿勢は、イオンビーム３１がこの蓋部１２に垂直に入射するように設定されている。
【００３４】蓋部１２には、主スリット１４と副スリット１５とが設けられており(面積１cm2)、図１(ａ)は、蓋部１２に照射されたイオンビーム３１のうち、一部のイオンビーム３２が主スリット１４から容器１１内に入射し、他の一部のイオンビーム３３が副スリット１５から容器１１内に入射している状態を示している。
【００３５】容器１１内には、主検出部４０と副検出部５０とが配置されている。主検出部４０は蓋部１２近傍に配置され、副検出部５０は、主検出部４０の後方位置(イオンビーム３１の下流側)に配置されている。
【００３６】主検出部４０内には、主ファラディカップ４３と偏向器４２とが配置されている。偏向器４２は、２枚の平板状の永久磁石４２1、４２2が互いに異なる磁極を向けて平行に対向配置されて構成されている。
【００３７】図１(ａ)では、２枚の永久磁石４２1、４２2は重なって見えるが、一方の永久磁石４２1は紙面手前方向に配置されており、他方の永久磁石４２2は紙面奥方向に配置されている。従って、この主検出部４０を紙面左方から見た場合のＢ−Ｂ線截断面図は、図１(ｂ)に示すように、主ファラディカップ４３の右方に一方の永久磁石４２1が配置され、左方に他方の永久磁石４２2が配置されており、右方の永久磁石４２1のＳ極と、左方の永久磁石４２2のＮ極とが対向して配置され、従って、その間には平行磁場が形成されている。
【００３８】主スリット１４及び副スリット１５から入射したイオンビーム３２、３３は、２枚の永久磁石４２1、４２2の間に入射するようになっている。
【００３９】主ファラディカップ４３は有底円筒形形状にされており、永久磁石４２1、４２2間の主スリット１４の直下位置に配置されている。その開口部は、主スリット１４に向けられており、従って、主スリット１４から入射したイオンビーム３２は、主ファラディカップ４３内に入射するようになっている。
【００４０】他方、副スリット１５から入射したイオンビーム３３は、主ファラディカップ４３の側方位置を通過し、主検出部４０を透過して後方に照射されるように構成されている。
【００４１】副スリット１５から入射した直後のイオンビーム３２の軌道は、永久磁石４２1、４２2が形成する磁場と垂直になっているが、主検出部４０を透過する際にその軌道が曲げられる。」
（２ｂ）「【００４８】副検出部５０は、有底円筒形形状の副ファラディカップ５３を有しており、該副ファラディカップ５３は、開口部を蓋部１２側に向けて配置されている。
【００４９】ここで、副ファラディカップ５３は、イオン電流検出装置１０内で固定されており、その位置は、所定の加速電圧Ｖに対し、副スリット１５から入射したイオンビーム３３中のＮ2+イオンの軌道３３2上に配置されている。また、副ファラディカップ５３の位置は、Ｎ+イオンの軌道３３1からは離れている。
【００５０】従って、主検出部４０内で質量分析されたＮ2+イオンは、副ファラディカップ５３内に入射するのに対し、Ｎ+イオンは副検出部５０から逸れ、容器１１の壁面に入射する。このように、副スリット１５から入射したイオンビーム３３は、その中のＮ2+イオンによる電流値だけが副ファラディカップ５３で検出される。
【００５１】他方、主スリット１４から主検出部４０内に入射したイオンビーム３２は、主ファラディカップ４３の両側に配置された永久磁石４２1、４２2の影響を受け、軌道が曲げられるものの、全量が主ファラディカップ４３に入射し、Ｎ+イオンとＮ2+イオンを合計した電流値が測定される。
【００５２】このイオン電流検出装置１０は、イオンビーム３１が蓋部１２表面に垂直に入射するように配置されており、その状態で、イオンビーム３１の進行方向と略垂直方向(イオンビーム３１の径方向)に移動させられるようになっている。
【００５３】主及び副ファラディカップ４３、５３は、配線１９によって図示しない電流計に接続されており、イオン電流値を測定しながらイオン電流検出装置１０をイオンビーム３２の径方向に移動させると、主検出部４０によるイオン電流の測定値(及び主スリット１４の面積)から、イオンビーム３１の全イオン量及びその径方向の分布が測定できるようになっている。」
（２ｃ）「【００５４】上記のようにイオンビーム３２、３３が主又は副ファラディカップ４３、５３に入射すると、ファラディカップ４３、５３壁面から２次電子が放出されてしまう。その２次電子は、イオン電流を測定する際の誤差原因となるが、副検出部５０内では、副ファラディカップ５３は電子トラップ５２内に配置されている。
【００５５】この電子トラップ５２は、平板状の２枚の永久磁石５２1、５２2を有している。電子トラップ５２の図１(ａ)のＣ−Ｃ線切断面図を同図(ｃ)に示す。２枚の永久磁石５２1、５２2は、偏向器４２内の磁石４２1、４２2と同様に、異なる磁極を向けて互いに平行に対向配置されている。
【００５６】従って、副検出部５０内では、有底円筒状の副ファラディカップ５３の中心軸線に対し、垂直方向の平行磁場が形成されており、副ファラディカップ５３から放出された２次電子は、電子トラップ５２が形成する磁場に捕捉され、副ファラディカップ５３に再入射する。このように、副検出部５０内で発生した２次電子は系外に脱出できず、高精度のイオン電流測定を行うことができる。
【００５７】また、主検出部４０内でも、主ファラディカップ４３は２枚の永久磁石４２1、４２2で構成された偏向器４２内に配置されており、その２枚の永久磁石４２1、４２2はイオントラップとしても機能するから、主ファラディカップ４３内で発生した２次電子も主検出部４０の系外には放出されず、高精度のイオン電流測定ができるようになっている。」
（２ｄ）「図１
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を比較する。
（１）引用発明の「ターゲツト」は補正発明の「被加工物」に相当する。また、引用発明の「電子」と補正発明の「イオン」はともに「粒子」である点で共通し、その結果、引用発明と補正発明の各事項は、それぞれ以下の点で共通する。
　「電子ビーム」と「イオンビーム」はともに「粒子ビーム」である点、
　「電子ビーム加工装置」と「収束イオンビーム装置」はともに「粒子ビーム装置」である点、
　「電子ビームをＯＮ−ＯＦＦするためのブランキング用偏向系」と「イオンビームをＯＮ／ＯＦＦするブランキング用偏向系」はともに「粒子ビームをＯＮ／ＯＦＦするブランキング用偏向系」である点、
　「アパーチヤ機構」と「ブランキング時にイオンを捕集するイオン捕集器」はともに「ブランキング時に粒子を捕集する粒子捕集器」である点、
　「中心軸に沿う開口が形成されており、頂点が電子ビームの入射側にある円錐状の導電体でなるアパーチヤ部材」と「イオンビームの入射側を頂点とする円錐状の外周をなし、中心軸に沿って非ブランキング時に前記イオンビームが通過する開口を有するブランキングプレート」はともに「粒子ビームの入射側を頂点とする円錐状の外周をなし、中心軸に沿って非ブランキング時に前記粒子ビームが通過する開口を有するブランキングプレート」である点、
　「アパーチヤ部材の円錐状部分を囲んで装着された、中央部に開口が形成された導電性の反射電子カバー」と「ブランキングプレートのイオンビームの入射側に対向して配置され、前記ブランキングプレートの開口よりも大きい開口を有するカバー」はともに「ブランキングプレートの粒子ビームの入射側に対向して配置され、開口を有するカバー」である点、
　及び「ブランキングされた電子ビームがその面に斜めに入射するため、２次電子や反射電子は隙間にトラツプされ」る構成と「二次電子が前記イオン捕集器の壁にトラップされること」はともに「二次電子が粒子捕集器の壁にトラップされる」点。
（２）引用発明は「アパーチヤ部材の円錐状部分を囲んで円筒形状の反射電子カバー」が「装着され」 、本願明細書に記載の実施例（段落【００２７】〜【００２９】参照）において、２次電子カバー１６Ｃと筒１６Ｂは接合されて一体となっていることを考慮すれば、引用発明の「円筒形状の反射電子カバー」は補正発明の「ブランキングプレートを支持する筒」に相当する。
　
　以上のことから、両者は、
　「被加工物上に照射される粒子ビームをＯＮ／ＯＦＦするブランキング用偏向系と、ブランキング時に粒子を捕集する粒子捕集器とを有す粒子ビーム装置であって、
　前記粒子捕集器は、
　前記粒子ビームの入射側を頂点とする円錐状の外周をなし、中心軸に沿って非ブランキング時に前記粒子ビームが通過する開口を有するブランキングプレートと、
　前記ブランキングプレートの粒子ビームの入射側に対向して配置され、開口を有するカバーと、
　前記ブランキングプレートと前記カバーを支持するとともに、導電部材からなる筒とからなり、
　二次電子が前記粒子捕集器の壁にトラップされる粒子ビーム装置。」
の点で一致し、次の各点で相違している。
　
（相違点１）
　カバーの開口が、補正発明では「ブランキングプレートの開口よりも大きい」のに対して、引用発明ではその大きさが不明な点。
（相違点２）
　粒子が、補正発明では「イオン」であるのに対して、引用発明では「電子」であり、それに伴って、両者の相当関係が上記「３．対比」（２）で述べたとおりの共通点にとどまる点。
（相違点３）
　補正発明では、ブランキングプレートと前記カバーを支持する導電部材からなる筒が「非磁性」であって、「筒の外周側に対向して配置された一対のコイル」を有し、該「コイルから発生させた磁場により二次電子が前記イオン捕集器の壁にトラップされる」のに対して、引用発明では磁性か非磁性かが不明で、一対のコイルを有さない点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用発明が、ブランキング時に反射電子カバー（本願発明の「カバー」に相当）の開口を通過した２次電子をアパーチヤ部材（同「ブランキングプレート」に相当）の開口は通過させずに円錐環状の隙間に入射させることを考慮すれば、引用発明の反射電子カバーの開口をアパーチヤ部材の開口より大きくすることは、当業者であれば当然考慮すべき事項である。
（相違点２について）
　引用文献１には電子ビーム加工装置をイオンビーム加工装置に替えて用いることができることが記載（上記摘記事項（１ｅ）参照）されており、電子ビーム加工装置とイオンビーム加工装置が、その動作原理に由来して多くの共通する構成を有することは、当業者の技術常識である。
　そして、引用発明の「電子」を「イオン」に置き換えることにより、上記「３．対比」（２）で述べたとおりの共通点が、両者が相当する相当関係となることは、当業者にとって自明である。
　してみると、引用発明の電子をイオンに置き換えることにより上記相違点２に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
（相違点３について）
　引用文献２には、「イオン電流検出装置において高精度のイオン電流測定を行うためにファラディカップの中心軸線に対し、垂直方向の平行磁場を形成することにより、ファラディカップから放出された２次電子が電子トラップの形成する磁場に捕捉され、ファラディカップに再入射することにより検出部内で発生した２次電子は系外に脱出できないようにした発明。」（以下「引用２発明」という。）が記載されている。
　引用発明がブランキング時のアパーチヤ機構からの２次電子の漏洩を抑えるためのものであること（上記摘記事項（１ｃ）参照））、２次電子が汚染の原因となることが広く知られていたこと（同（１ａ）参照）、及び２次電子発生による誤差を小さくして正確に測定するフアラデーカップとして使用するものであること等に鑑みれば、引用２発明を引用発明に適用することに、格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　その場合に反射電子カバーを非磁性の部材とすることは、２次電子を捕捉するために磁場を用いることから、当業者が当然考慮すべき事項である。
　してみると、上記相違点３に係る構成は、引用発明に引用２発明を適用することにより、当業者が容易になしうる事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び引用２発明から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明及び引用２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人が回答書（上記「第１　手続の経緯」参照）に添付した補正案の内容を参酌しても、上記判断に変わりはない。
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２５年２月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２４年４月２３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「被加工物上に照射されるイオンビームをＯＮ／ＯＦＦするブランキング用偏向系と、ブランキング時にイオンを捕集するイオン捕集器とを有する集束イオンビーム装置であって、
　前記イオン捕集器は、
　前記イオンビームの入射側を頂点とする円錐状の外周をなし、中心軸に沿って非ブランキング時に前記イオンビームが通過する開口を有するブランキングプレートと、
　前記ブランキングプレートのイオンビームの入射側に対向して配置され、前記ブランキングプレートの開口よりも大きい開口を有するカバーと、
　前記ブランキングプレートと前記カバーを支持するとともに、非磁性の導電部材からなる筒と、
　前記筒の外周側に対向して配置された一対のコイルとからなることを特徴とする集束イオンビーム装置。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願出願前に頒布された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明から「前記コイルから発生させた磁場により二次電子が前記イオン捕集器の壁にトラップされる」という特定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び引用２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。