【事件の表示】
　特願２００９−１１９６８９「シリコン単結晶の育成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月２５日出願公開、特開２０１０−２６５１５１、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
　本願は、平成２１年５月１８日の出願であって、平成２４年９月１９日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１０日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、平成２５年２月５日付けで拒絶理由が通知され、同年４月４日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、同年６月５日付けで拒絶理由が通知され、同年７月９日付けで意見書が提出されたが、同年９月１１日付けで拒絶査定がされ、これに対して、同年１１月１５日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、手続補正がされたものである。
 　 
第２　平成２５年１１月１５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１に、「強制冷却体の内径は、前記熱遮蔽体の前記下端開口部の前記開口径より大きく」との特定事項を加入するする補正（以下、「補正事項１」という。）を含んでいる。
２．補正の適否
　本件補正の補正事項１は、請求項１、２に記載した発明を特定するために必要な事項である「強制冷却体」について、その内径に関し「強制冷却体の内径は、前記熱遮蔽体の前記下端開口部の前記開口径より大きく」とする限定を付加するものであって、補正前の請求項１、２に記載された発明（以下、「補正発明１」、「補正発明２」という。）と補正後の請求項１、２に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後の前記請求項１、２に記載された発明（以下、「補正発明１」、「補正発明２」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
　補正後の特許請求の範囲の記載は、以下のとおりである。
「　【請求項１】
　育成中のシリコン単結晶の周囲を囲繞するように引き上げ軸と同軸に強制冷却体を配置するとともに、この強制冷却体の外周面および下端面を囲繞するように引き上げ軸と同軸に熱遮蔽体を配置した単結晶引き上げ装置を使用して、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法において、
　るつぼ内のシリコン融液に水平磁場を印加するとともに、
　単結晶成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配をＧ、単結晶中心部の引き上げ軸方向の温度勾配をＧｃ、単結晶外周部の引き上げ軸方向の温度勾配をＧｅとするとき、下記（１）式および（２）式を満たすように引き上げ軸方向の温度勾配を制御し、
　結晶欠陥の少ないシリコン単結晶を育成できる引き上げ速度で単結晶の引き上げを行い、
　前記単結晶成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配の制御を、前記熱遮蔽体の下端開口部の開口径を調整して前記冷却体から単結晶成長界面に向かう冷却能を制御することにより行い、
　前記強制冷却体の内径は、前記熱遮蔽体の前記下端開口部の前記開口径より大きく、前記熱遮蔽体は、前記強制冷却体の外周面を囲繞する側部と、前記強制冷却体の下端面を囲繞する下端部とを有し、前記下端部は、前記側部に対して、前記引き上げ軸側に突出して、前記育成中のシリコン単結晶から前記強制冷却体に向かう熱輻射の一部を遮蔽するように構成されており、前記下端部の突出量を、結晶育成前に調整することにより、前記熱輻射の遮蔽量を調整して、前記単結晶成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配の制
御を行い、
　前記下端部の突出量を調整することは、下記（１）式および（２）式を満たす温度勾配が得られる突出量を有する前記下端部を備えた前記熱遮蔽体を採用することを含み、
　前記育成するシリコン単結晶が、ＣＯＰ、ＯＳＦおよび転位クラスターが存在しない結晶からなり、
　前記育成するシリコン単結晶が、直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハを切り出すことができる直径を有することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。
　　　　（Ｇｍａｘ−Ｇｍｉｎ）／Ｇｃ≦０．１ ・・・（１）
　　　　　Ｇｃ≦Ｇｅ ・・・（２）
　　　　　　ただし、Ｇｍａｘ：結晶半径方向でのＧの最大値
　　　　　　　　　　Ｇｍｉｎ：結晶半径方向でのＧの最小値
である。
　　【請求項２】
　前記育成するシリコン単結晶が、酸素析出促進領域のみからなることを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶の育成方法。」
　　　　
（１）刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−７９８８９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下に摘示の事項が記載されている。
1a　「【特許請求の範囲】
…
【請求項３】  磁場を印加したチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、結晶中の固液界面近傍の１４２０℃から１３５０℃の間の温度勾配またはシリコンの融点から１４００℃の間の温度勾配Ｇ（温度変化量／結晶軸方向長さ）［℃／ｃｍ］の値を、結晶中心部分の温度勾配Ｇｃ［℃／ｃｍ］と結晶周辺部分の温度勾配Ｇｅ［℃／ｃｍ］との差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）で表した時、△Ｇが５℃／ｃｍ以内となるように炉内温度を制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
…
【請求項１０】  磁場を印加したチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する装置において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、結晶中の固液界面近傍の１４２０℃から１３５０℃の間の温度勾配またはシリコンの融点から１４００℃の間の温度勾配Ｇ（温度変化量／結晶軸方向長さ）［℃／ｃｍ］の値を、結晶中心部分の温度勾配Ｇｃ［℃／ｃｍ］と結晶周辺部分の温度勾配Ｇｅ［℃／ｃｍ］との差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）で表した時、△Ｇが５℃／ｃｍ以内となるように炉内温度を形成することを特徴とする、シリコン単結晶の製造装置。
【請求項１１】  チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する装置において、シリコン溶融液の湯面直上にシリコン単結晶を囲繞するように固液界面断熱材を配置し、シリコン単結晶を囲繞した固液界面断熱材の下端と湯面との間の隙間を３〜５ｃｍとすることを特徴とする、請求項９又は請求項１０に記載したシリコン単結晶の製造装置。」
1b　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶欠陥が少なく、酸素濃度分布が均一なシリコン単結晶の製造方法、製造装置、並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハに関するものである。」
1c　「【０００４】シリコン単結晶において、Ｖ領域とは、Ｖａｃａｎｃｙ、つまりシリコン原子の不足から発生する凹部、穴のようなものが多い領域であり、Ｉ領域とは、シリコン原子が余分に存在することにより発生する転位や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことであり、そしてＶ領域とＩ領域の間には、原子の不足や余分が無い（少ない）ニュートラル（Ｎｅｕｔｒａｌ、以下Ｎと略記することがある）領域が存在していることになる。そして、前記グローンイン欠陥（ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ）というのは、あくまでもＶやＩが過飽和な状態の時に発生するものであり、多少の原子の偏りがあっても、飽和以下であれば、欠陥としては存在しないことが判ってきた。
1d　「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるＣＺ法によるシリコン単結晶及びウエーハを、高生産性を維持しながら得る…ことを目的とする。」
1e　「【００１５】…結晶成長時に、いわゆるホットゾーン（以下、ＨＺという）の調整により、すなわち、結晶中心部分の温度勾配Ｇｃ［℃／ｃｍ］と結晶周辺部分の温度勾配Ｇｅ［℃／ｃｍ］との差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）で表した時、△Ｇが５℃／ｃｍ以内となるように炉内温度を制御すれば、Ｖ−リッチ領域とＩ−リッチ領域の間に存在するＮ領域のみでの引上げを可能とし、その引上げ速度を決めることができるので、欠陥の多いＶ−リッチ領域とＩ−リッチ領域とが混在しない中性領域で、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるＣＺ法によるシリコン単結晶及びウエーハを、安定状態で高生産性を維持しながら製造することができる。」
1f　「【００２６】そして、本発明の請求項１１に記載した発明は、請求項９または請求項１０に記載の装置であって、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する装置において、シリコン溶融液の湯面直上にシリコン単結晶を囲繞するように固液界面断熱材を配置し、シリコン単結晶を囲繞した固液界面断熱材の下端と湯面との間の隙間を３〜５ｃｍとすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造装置である。
【００２７】このように、△Ｇが５℃／ｃｍ以内となる装置、特に磁場を印加した装置であれば、結晶欠陥の無いＮ領域のみで結晶を引き上げることが可能となる。例えば、ＨＺを取り巻く固液界面断熱材下端を湯面から３〜５ｃｍの隙間を設けて設置した構造にすれば、ヒータの輻射熱が固液界面に十分当たり、固液界面近傍の温度勾配の差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）を５℃／ｃｍ以下に制御することが可能なシリコン単結晶の製造装置を形成することが可能となり、結果的には、結晶欠陥の極めて少ない品質のシリコン単結晶およびシリコンウエーハを安定して製造することができる。
【００２８】この固液界面断熱材下端と湯面との隙間が３ｃｍ未満の場合は、ヒータ等からの熱輻射が不十分となり、結果として固液界面近傍の温度勾配の差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）が５℃／ｃｍを越える値となり、欠陥の多いＶ−リッチ領域とＩ−リッチ領域とが混在しない中性領域で、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるシリコン単結晶およびウエーハを作ることができなくなる。一方、この固液界面断熱材下端と湯面との隙間が５ｃｍを超える場合は、温度勾配Ｇそのものの値が小さくなり、必然的に結晶全面に亙って極低欠陥密度であるシリコン単結晶およびウエーハを得るためには引上げ速度を極端に遅くする必要が生じ、これでは安定状態で高生産性を維持することは難しい。」
1g　「【００４４】そこで、温度勾配Ｇの差を減らす方法を、例えば、ＦＥＭＡＧと呼ばれる総合伝熱解析ソフト（…）を使用して鋭意調査したところ、図６に示したように、結晶の高温域である１４２０〜１３５０℃またはシリコンの融点から１４００℃の範囲を断熱材で保温し、また固液界面近傍には融液からの輻射熱を直接当てるようにし、一方これより低温の部分を出来るだけ冷却すればよいことが判った。
【００４５】具体的には、シリコン溶融液の湯面直上にシリコン単結晶を囲繞するように固液界面断熱材を配置し、シリコン単結晶を囲繞した固液界面断熱材の下端と湯面との間に３〜５ｃｍの隙間を設けて設置すれば、ヒータの輻射熱が固液界面に十分当たり、結晶の成長速度と温度勾配との関係を示した図３のような温度勾配の差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）が５℃／ｃｍ以下となる熱分布が形成され、Ｖ、Ｉ欠陥の少ないホットゾーンが存在することが明らかになった。」
1h　「【００５８】また、本発明の製造方法に関わる製造条件を設定するために、結晶の固液界面の外周に環状の固液界面断熱材８を設け、その上に上部囲繞断熱材９が配置されている。この固液界面断熱材８は、その下端とシリコン融液２の湯面との間に３〜５ｃｍの隙間１０を設けて設置されている。上部囲繞断熱材９は条件によっては使用しないこともある。さらに、冷却ガスを吹き付けたり、輻射熱を遮って単結晶を冷却する筒状の冷却装置３６を設けている。」
1i　「【００６１】この場合、本発明では、本発明の目的を達成するために次のような設備を施した。先ず、図６（図１の部分拡大説明図）に示したように、引上げ室３１の湯面上の単結晶１中の液状部分の外周空間において、湯面近傍の結晶の温度が１４２０℃から１３５０℃（あるいはシリコンの融点から１４００℃）までの温度域、いわゆるＨＺに環状の固液界面断熱材８を設け、その上に上部囲繞断熱材９を配置している。この固液界面断熱材８は、その下端とシリコン融液２の湯面３との間に３〜５ｃｍの隙間１０を設けて設置されている。上部囲繞断熱材９は条件によっては使用しないこともある。さらに、この断熱材の上部に結晶を冷却する装置、例えば冷却装置３６を設けて、これに上部より冷却ガスを吹きつけて結晶を冷却できるものとし、筒下部に輻射熱反射板を取り付けた構造とすることもある。
【００６２】このように液面の直上の位置に所定の隙間を設けて断熱材を配置し、さらにこの断熱材の上部に結晶を冷却する装置を設けた構造とすることによって、結晶成長界面近傍では輻射熱により保温効果が得られ、結晶の上部ではヒータ等からの輻射熱をカットすることが出来るので、結晶周辺部の温度勾配Ｇｅが小さくなり、結晶中心部の温度勾配Ｇｃとの差も小さくなり、かつ固液界面４もフラットになって、結晶の全面において欠陥濃度の偏りの少ないＮ領域で結晶を引上げることが可能となった。この結晶の冷却装置としては、前記筒状の冷却装置３６とは別に、結晶の周囲を囲繞する空冷ダクトや水冷蛇管等を設けて所望の温度勾配を確保するようにしても良い。
【００６３】また、本発明では、図１２のように引上げ室３１の外側に磁石３８を配置するのが好ましい。この場合、印加される磁場を水平磁場とし、印加する磁場の強度を２０００Ｇ以上、より好ましくは３０００Ｇ以上とする。磁場を印加することによってシリコン融液の対流が抑制されて結晶中のＮ領域が広がる。また、固液界面形状を平坦化するには、水平磁場の方が縦磁場あるいはカスプ磁場等より好ましいし、２０００Ｇ未満では、磁場印加効果が少ないからである。」
1j　「【００７２】（実施例２）次に、図１２に示した引上装置で、３０００Ｇの水平磁場を融液に印加しつつ結晶を引き上げた。磁場を印加したこと以外は、実施例１と同じ条件とした。すなわち、２０インチ石英ルツボに原料多結晶シリコンを６０Ｋｇチャージし、直径６インチ、方位＜１００＞のシリコン単結晶棒を平均引上速度を１．０〜０．４ｍｍ／ｍｉｎに変化させて引上げた。シリコン融液の湯温は１４２０℃、湯面から環状の固液界面断熱材の下端までは、４ｃｍの空間とし、その上に１０ｃｍ高さの環状固液界面断熱材を配置し、湯面から引上げ室天井までの高さをルツボ保持軸を調整して３０ｃｍに設定し、上部囲繞断熱材を配備した。
【００７３】結晶の固液界面近傍のシリコンの融点から１４００℃の間の温度勾配は、Ｇｅ＝４５．０［℃／ｃｍ］、Ｇｃ＝４２．０［℃／ｃｍ］、△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）＝３．０［℃／ｃｍ］に設定した。  ここで得られた単結晶棒を縦割りにして、成長方向での結晶欠陥の変化の様子を見たのが、図１０（ｂ）である。
【００７４】図１０（ｂ）を見ると、通常ＣＺ法と同様、０．５５〜０．５８ｍｍ／ｍｉｎ付近の引上げ速度で引上げた場合に、全面ニュートラルなシリコンウエーハを作製することができることがわかる。また、結晶成長界面形状４３も平坦であり、酸素濃度分布も均一なものとなる。」
1k　「第６図
   
                                                                 」
1l　「第７図
　
                                                              」
1m　「【図１０】（ｂ）
　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 」
1n　「第１２図
  
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）刊行物１に記載された発明
　刊行物１は、「結晶欠陥が少なく、酸素濃度分布が均一なシリコン単結晶の製造方法、製造装置、並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ」（摘示1b【０００１】）に関するものであって、そのシリコン単結晶の製造方法として、
「磁場を印加したチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、結晶中の固液界面近傍の１４２０℃から１３５０℃の間の温度勾配またはシリコンの融点から１４００℃の間の温度勾配Ｇ（温度変化量／結晶軸方向長さ）［℃／ｃｍ］の値を、結晶中心部分の温度勾配Ｇｃ［℃／ｃｍ］と結晶周辺部分の温度勾配Ｇｅ［℃／ｃｍ］との差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）で表した時、△Ｇが５℃／ｃｍ以内となるように炉内温度を制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。」（摘示1a【請求項３】）及び、その方法のための、「チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する装置において、シリコン溶融液の湯面直上にシリコン単結晶を囲繞するように固液界面断熱材を配置し、シリコン単結晶を囲繞した固液界面断熱材の下端と湯面との間の隙間を３〜５ｃｍとする…シリコン単結晶の製造装置。」（摘示1a【請求項１０】、【請求項１１】）などが記載されている。
　そして、その方法の具体例と認められる実施例２（摘示1j）には、「図１２に示した引上装置で、３０００Ｇの水平磁場を融液に印加しつつ」平均引上速度を１．０〜０．４ｍｍ／ｍｉｎに変化させて直径６インチのシリコン結晶を引き上げたこと（摘示1j【００７２】）、「結晶の固液界面近傍のシリコンの融点から１４００℃の間の温度勾配は、Ｇｅ＝４５．０［℃／ｃｍ］、Ｇｃ＝４２．０［℃／ｃｍ］、△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）＝３．０［℃／ｃｍ］に設定した」（同【００７３】）こと、「０．５５〜０．５８ｍｍ／ｍｉｎ付近の引上げ速度で引上げた場合に、全面ニュートラルなシリコンウエーハを作製することができる」（同【００７４】）こと、が記載されている。
　その「図１２に示した引上装置」とは、図１２（摘示1n）及び、図１２の装置において磁石がない図６（摘示1k）の装置について説明する記載（摘示1i）によれば、
「引上げ室３１の湯面上の単結晶１中の液状部分の外周空間において、湯面近傍の結晶の温度が１４２０℃から１３５０℃（あるいはシリコンの融点から１４００℃）までの温度域、いわゆるＨＺに環状の固液界面断熱材８を設け、その上に上部囲繞断熱材９を配置している。この固液界面断熱材８は、その下端とシリコン融液２の湯面３との間に３〜５ｃｍの隙間１０を設けて設置されている。上部囲繞断熱材９は条件によっては使用しないこともある。さらに、この断熱材の上部に結晶を冷却する装置、例えば冷却装置３６を設けて、これに上部より冷却ガスを吹きつけて結晶を冷却できるもの」（摘示1i【００６１】）において、さらに、「引上げ室３１の外側に磁石３８を配置」（同【００６３】）したものであると認められる。
　図１２に示された引上装置においては、上部囲繞断熱材９は、冷却装置３６の外周面を囲繞するように引き上げ軸と同軸に配置されていること、及び、冷却装置３６は育成中のシリコン単結晶の周囲を囲繞するように引き上げ軸と同軸の筒体であることが認められる。
　また、上記「シリコン融液２の湯面３との間に３〜５ｃｍの隙間１０」は、実施例２において「４ｃｍ」（摘示1j【００７２】）に設定されている。
　そうすると、刊行物１には、
「水平磁場を印加したチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、ＨＺの温度勾配Ｇ（温度変化量／結晶軸方向長さ）［℃／ｃｍ］の値を、結晶中心部分の温度勾配Ｇｃ［℃／ｃｍ］４２．０、結晶周辺部分の温度勾配Ｇｅ［℃／ｃｍ］４５．０、差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）で表した時、△Ｇが３℃／ｃｍとなるように炉内温度を制御するシリコン単結晶の製造方法において、
　引上げ室の湯面上の単結晶中の液状部分の外周空間において、ＨＺに環状の固液界面断熱材を設け、その上に上部囲繞断熱材を配置し、この固液界面断熱材は、その下端とシリコン融液の湯面との間に４ｃｍの隙間を設けて設置され、この断熱材の上部に結晶を冷却する育成中のシリコン単結晶の周囲を囲繞するように引き上げ軸と同軸である筒体を設けて、これに上部より冷却ガスを吹きつけて結晶を冷却できるようにした、
０．５５〜０．５８ｍｍ／ｍｉｎ付近の引上げ速度で引上げた場合に全面ニュートラルなシリコンウエーハを作製する６インチのシリコン単結晶の製造方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているということができる。
　　
（３）引用発明との対比
　補正発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明における「水平磁場を印加したチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する」方法は、補正発明１における「チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法において、るつぼ内のシリコン融液に水平磁場を印加する」方法に相当するし、引用発明における、［Ｇｃ］，［Ｇｅ」は、それぞれ、「結晶中心部分の温度勾配」、「結晶周辺部分の温度勾配」であるので、補正発明の「Ｇｃ」、「Ｇｅ」に相当する。
　そして、引用発明の「ＨＺの温度勾配Ｇ（温度変化量／結晶軸方向長さ）［℃／ｃｍ］の値を、結晶中心部分の温度勾配Ｇｃ［℃／ｃｍ］４２．０、結晶周辺部分の温度勾配Ｇｅ［℃／ｃｍ］４５．０、差△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）で表した時、△Ｇが３℃／ｃｍとなるように炉内温度を制御する」においては、Ｇｃ＜Ｇｅであり、また、刊行物１の図７（摘示1l）などの記載から、「Ｇｃ」、「Ｇｅ」は、それぞれ補正発明１の「Ｇｍｉｎ」、「Ｇｍａｘ」であるとも認められるから、（Ｇｍａｘ−Ｇｍｉｎ）／Ｇｃは０．０７となる。そうすると、引用発明の上記制御は、補正発明１における「単結晶成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配をＧ、単結晶中心部の引き上げ軸方向の温度勾配をＧｃ、単結晶外周部の引き上げ軸方向の温度勾配をＧｅとするとき、下記（１）式および（２）式を満たすように引き上げ軸方向の温度勾配を制御し…
　　　　（Ｇｍａｘ−Ｇｍｉｎ）／Ｇｃ≦０．１ ・・・（１）
　　　　　Ｇｃ≦Ｇｅ ・・・（２）
　　　　　　ただし、Ｇｍａｘ：結晶半径方向でのＧの最大値
　　　　　　　　　　Ｇｍｉｎ：結晶半径方向でのＧの最小値」
に相当するといえる。
（審決注：刊行物１の実施例２のＨＺはシリコン融点から１４００℃であり、補正発明１のＧは、発明の詳細な説明を参酌すると、引き上げ直後の融点（１４１０℃）から１３５０℃までの温度範囲（本願明細書【００２５】）であって、両者のＨＺに５０℃の相違がある。したがって、引用発明の制御が補正発明１の制御と一致すると、直ちにはいえない。ただ、刊行物１には、ＨＺを１４２０℃から１３５０℃とするときもシリコン融点から１４００℃とするときも△Ｇを５以下とするように制御することが示されているし（摘示1aの【請求項３】）、実施例２においてＧｃ，Ｇｅが両範囲で大きく異なる事情も認められないことから、引用発明の１４２０℃から１３５０℃の範囲におけるＧｃ，Ｇｅも同程度であると認め、一応一致点とした。）
　さらに、引用発明の「０．５５〜０．５８ｍｍ／ｍｉｎ付近の引上げ速度で引上げた場合に全面ニュートラルなシリコンウエーハを作製する」ことができる結晶は、その「ニュートラル」が、「Ｖ領域とＩ領域の間には、原子の不足や余分が無い（少ない）ニュートラル（Ｎｅｕｔｒａｌ、以下Ｎと略記することがある）領域」であり、「グローンイン欠陥（ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ）というのは、あくまでもＶやＩが過飽和な状態の時に発生するものであり、多少の原子の偏りがあっても、飽和以下であれば、欠陥としては存在しないことが判ってきた」（1c「【０００４】）との記載、図１０（ｂ）（摘示1m）のＮ領域の記載からみて、ＣＯＰ、ＯＳＦおよび転位クラスターが存在しない結晶であると認められ、補正発明１の「結晶欠陥の少ないシリコン単結晶を育成できる引き上げ速度で単結晶の引き上げを行い」、「前記育成するシリコン単結晶が、ＣＯＰ、ＯＳＦおよび転位クラスターが存在しない結晶からなり」に相当するといえる。
　また、製造装置について、引用発明の「結晶を冷却する装置」は、育成中のシリコン単結晶の周囲を囲繞するように引き上げ軸と同軸に設けられている筒体であって、「上部より冷却ガスを吹きつけて結晶を冷却できるようにする」もので「強制」冷却するものであるから、補正発明１の「強制冷却体」とは、「育成中のシリコン単結晶の周囲を囲繞するように引き上げ軸と同軸」である強制冷却する装置の点において一致する。
　そして、引用発明の「環状の固液界面断熱材を設け、その上に上部囲繞断熱材」は、図１２によれば、上部囲繞断熱材が「結晶を冷却する装置」の外周面を囲繞するように引き上げ軸と同軸に配置され、強制冷却する装置の「外周面を囲繞する側部」といえ、またこれら「断熱材」は熱を遮蔽する部材といえるから、補正発明１の「熱遮蔽体」と、これらの点において一致する。
　そうすると、補正発明１と引用発明とは、
「育成中のシリコン単結晶の周囲を囲繞するように引き上げ軸と同軸に強制冷却する装置を配置するとともに、この強制冷却する装置の外周面を囲繞するように引き上げ軸と同軸に熱を遮蔽する部材を配置した単結晶引き上げ装置を使用して、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法において、
　るつぼ内のシリコン融液に水平磁場を印加するとともに、
　単結晶成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配をＧ、単結晶中心部の引き上げ軸方向の温度勾配をＧｃ、単結晶外周部の引き上げ軸方向の温度勾配をＧｅとするとき、下記（１）式および（２）式を満たすように引き上げ軸方向の温度勾配を制御し、
　結晶欠陥の少ないシリコン単結晶を育成できる引き上げ速度で単結晶の引き上げを行い、
　前記熱を遮蔽する部材は、前記強制冷却をする装置の外周面を囲繞する側部を有し
　前記育成するシリコン単結晶が、ＣＯＰ、ＯＳＦおよび転位クラスターが存在しない結晶からなるシリコン単結晶の育成方法。
　　　　（Ｇｍａｘ−Ｇｍｉｎ）／Ｇｃ≦０．１ ・・・（１）
　　　　　Ｇｃ≦Ｇｅ ・・・（２）
　　　　　　ただし、Ｇｍａｘ：結晶半径方向でのＧの最大値
　　　　　　　　　　Ｇｍｉｎ：結晶半径方向でのＧの最小値
である。」
において点で一致し、以下の点において相違する。
相違点１
　引上装置が、補正発明１は、強制冷却体と、強制冷却体の下端面を囲繞する下端部を有する熱遮蔽体を有するものであって、その熱遮蔽体の下端部は、側部に対して、引き上げ軸側に突出して、前記育成中のシリコン単結晶から前記強制冷却体に向かう熱輻射の一部を遮蔽するように構成され、強制冷却体の内径は、熱遮蔽体の下端開口部の開口径より大きい、というものであるのに対して、引用発明は、引上げ室の湯面上の単結晶中の液状部分の外周空間において、ＨＺに環状の固液界面断熱材を設け、その上に上部囲繞断熱材を配置し、この固液界面断熱材は、その下端とシリコン融液の湯面との間に４ｃｍの隙間を設けて設置され、この断熱材の上部に結晶を冷却する筒体を設けて、これに上部より冷却ガスを吹きつけて結晶を冷却できるようにするものである点
　
相違点２
　温度勾配の制御を、補正発明１は、熱遮蔽体の下端開口部の開口径を調整して前記冷却体から単結晶成長界面に向かう冷却能を制御することにより行うものであって、前記下端部の突出量を調整することは、下記（１）式および（２）式を満たす温度勾配が得られる突出量を有する前記下端部を備えた前記熱遮蔽体を採用することを含むものであるのに対して、引用発明は、そのような調整をするかは不明な点
　
相違点３
　育成するシリコン単結晶の直径が、補正発明１は、「３００ｍｍ以上のシリコンウェーハを切り出すことができる」ものであるのに対して、引用発明は６インチである点
　
（４）相違点についての判断
　相違点１について検討する。
　引用発明における冷却装置は、
「結晶の高温域である１４２０〜１３５０℃またはシリコンの融点から１４００℃の範囲…より低温の部分を出来るだけ冷却」する（摘示1g【００４４】）もの、すなわち、ＨＺより上部のより低温の結晶部分を冷却するものであって、具体的には、結晶を同軸に囲繞する筒体に「上部より冷却ガスを吹きつけて結晶を冷却できるようにする」（摘示1i【００６１】）、「冷却ガスを吹き付けたり、輻射熱を遮って単結晶を冷却する」（摘示1h【００５８】）ものであり、図６（摘示1k）によれば、冷却装置筒体の内径と上部囲繞断熱材の引き上げ軸側に突出している部分の内径とはほぼ同径であり、上部囲繞断熱材の空隙を通る冷却ガス流を示すと認められる矢印の記載によれば、冷却ガスはＨＺよりも上方において外部に流れると認められる。
　すると、引用発明の冷却装置は、ＨＺよりも上方、さらに上部囲繞断熱材の突出部よりも上方、を冷却するように構成されているものと認められる。
　
イ　検討 
　このように構成された引用発明の引上装置において、相違点１に係る補正発明１の発明特定事項である、
Ａ　強制冷却体を下端面を有するものとすること、
Ｂ　熱遮蔽体を強制冷却体の下端面を囲繞する下端部を有するものとし、かつ、熱遮蔽体の下端部は、側部に対して、引き上げ軸側に突出して、前記育成中のシリコン単結晶から前記強制冷却体に向かう熱輻射の一部を遮蔽するように構成すること
Ｃ　強制冷却体の内径を熱遮蔽体の下端開口部の開口径より大きいものとすることについて、刊行物１には、明示の記載はない。
　なお、刊行物１には、冷却装置について、「前記筒状の冷却装置３６とは別に、結晶の周囲を囲繞する空冷ダクトや水冷蛇管等を設けて所望の温度勾配を確保するようにしても良い。」（摘示1j【００６１】）との記載がある。ここにおける「筒状の冷却装置３６とは別に」なる記載が、筒状の冷却装置の置換を意味し、「結晶の周囲を囲繞する空冷ダクトや水冷蛇管等」が下端面を有する強制冷却装置であったとすれば、上記Ａについての示唆があるともいえる。
　しかし、いずれにしても、上記Ｂ，Ｃについては、刊行物１には何らの記載も示唆もない。
　　
　そして、引用発明において、上部囲繞断熱材の突出部及び固液界面断熱材を突出して、前記育成中のシリコン単結晶から前記強制冷却体に向かう熱輻射の一部を遮蔽するように構成し、かつ強制冷却体の内径を、熱遮蔽体の下端開口部の開口径より大きいものとする動機付けも認められない。
　むしろ、引用発明は、単結晶育成中のＨＺの熱の状況を主に固液界面断熱材により形成し、ＨＺ及び上部囲繞断熱材の突出部よりも上方の熱の状況を冷却装置で形成する引上装置を採用しているのであるから、このような装置において、敢えて両者の熱の状況の相互に作用し、それぞれの状況に変化を与えるような構造変更をすることは、阻害されると考える。
　すると、引用発明において、相違点１に係る補正発明１の構成を採用することは、当業者が容易になし得ることとはいえない。
　
（５）まとめ
　したがって、補正発明１は、相違点２、３を検討するまでもなく、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえなし、補正発明２についても、 同様の理由から引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　よって、本件補正の補正事項１は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　本件補正のその余の補正事項についても、特許法第１７条の２第３項ないし第６項に違反するところはない。
　　　
３．むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　　　　　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１、２に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。