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　特願２００７−５１５５８１「接触抵抗が低減された半導体デバイス及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月２２日国際公開，ＷＯ２００５／１２２２３６，平成２０年　１月２４日国内公表，特表２００８−５０２１５６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２００５年６月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年６月３日，アメリカ合衆国，２００５年６月２日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年２月１７日付けの拒絶の理由の通知に対して，同年７月２１日に意見書と手続補正書が提出され，平成２４年２月２７日付けで拒絶査定がなされ，その後，同年７月５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出されたものである。
　その後，平成２５年５月３０日付けで当審において拒絶の理由を通知し，同年１０月３０日に意見書と手続補正書が提出された。
　
２　本願発明
　本願の請求項１−２４に係る発明は，平成２５年１０月３０日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−２４に記載されている事項により特定されるとおりのものと認められるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　第１の導電性の材料から構成される電極を表面に有する半導体ダイと，
　前記第１の導電性の材料の抵抗率よりも低い抵抗率を有する第２の材料から構成され，前記電極の上に設けられた略平坦な導電性本体と，
　前記導電性本体の上に設けられたハンダ付け可能な本体と，
　前記ハンダ付け可能な本体上のパッシベーション本体と
を備え，
　前記電極，前記導電性本体，及び前記ハンダ付け可能な本体が，連続した側壁を共有する半導体デバイス。」
　
３　引用例とその記載事項，及び，引用発明
　平成２５年５月３０日付けの拒絶の理由で引用した，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
・引用例１：特開２００１−２１７２７５号公報
（１ａ）「【請求項２】　チップに設けられＡｌの電極にＣｕ層を介してＳｎを含んだ半田の層を積層することにより半田バンプを形成した半導体装置を用いて絶縁材料からなる基板上に設けられた電極上へフリップチップ実装する半導体装置のフリップチップ実装構造において，上記Ｃｕ層と上記半田の層との間に，上記Ｃｕ層への上記半田のＳｎの拡散によるＣｕとＳｎによる合金層の形成を遅らせる金属層をＳｎの拡散がＡｇよりも小さい金属で形成したことを特徴とする半導体装置のフリップチップ実装構造。」
　
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は，半田バンプを用いたＩＣのような半導体装置のフリップチップ実装構造に関するものである。」
　
（１ｃ）「【０００４】以下に従来の高温対応のフリップチップ実装の工程を図７に示す工程順によって説明する。
（バンプ形成工程＜図７の（ａ）＞）フリップチップ実装に関して，メッキ法等によるウェハプロセスを応用したメッキバンプがある。これは，
ＩＣを構成する半導体装置のチップ１
Ａｌ電極（組成がＡｌ９９％，Ｓｉ１％のもので，以下Ａｌ電極と言う）２
ＣｕメッキをしてＣｕコア層４
【０００５】その後，半田５をメッキにて形成する。半田５の組成としては，ＳｎＰｂ系が用いられ，高温対応として，例えばＳｎ２０％，Ｐｂ８０％のものがある。」
　
（１ｄ）「（
実施形態３
図３
チップ１
Ａ１電極２
バリア層３
Ｃｕコア層４
Ｎｉ層１５
Ａｕ層１６
Ｓｎ２０％Ｐｂ８０％よりなる半田５の層を積層することにより半田バンプを形成
半導体装置
その半田バンプと対向する位置にＡｇＰｔの電極１２を形成したセラミック基板９上ヘフリップチップ実装する
【００２６】このように構成した本実施形態のフリップチップ実装構造によれば，Ａｕ層１６，Ｎｉ層１５により半田５からのＳｎのＣｕコア層４への移動（拡散）を妨げ，半田５中のＳｎ濃度が下がるのが遅くなり，結果Ｓｎ不足によるボイド形成を遅らせることができ，従来に比べて寿命が延びることになる。」
　
（１ｅ）図３は，引用例１に記載された発明の実施形態３の断面図であって，引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｄ）の記載を参酌すれば，同図から，
　Ａｌ９９％，Ｓｉ１％の組成から構成されるＡｌ電極２を表面に有する，ＩＣを構成する半導体装置のチップ１と，
　前記Ａ１電極２上に積層された，略平坦なバリア層３，及び，略平坦なＣｕコア層４と，
　前記Ｃｕコア層４の上に積層された，Ｎｉ層１５，Ａｕ層１６と，
　前記Ｃｕコア層４の上に前記Ｎｉ層１５，前記Ａｕ層１６を介してＳｎ２０％Ｐｂ８０％よりなる半田５の層を積層することにより形成した半田バンプとを備えた半導体装置を，
　前記半田バンプ対向する位置にＡｇＰｔの電極１２が形成されたセラミック基板９上へフリップチップ実装した，
　フリップチップ実装構造であって，
　前記半導体装置の，前記Ａ１電極２，前記バリア層３，前記Ｃｕコア層４，前記Ｎｉ層１５，及び前記Ａｕ層１６が，連続した側壁を共有し，
　前記半田バンプの側壁は，前記Ａｕ層１６の側端面よりも内側で前記Ａｕ層１６に接する，
　フリップチップ実装構造を，見て取ることができる。
　
　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）の記載を総合勘案すれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「Ａｌ９９％，Ｓｉ１％の組成から構成されるＡｌ電極２を表面に有する，ＩＣを構成する半導体装置のチップ１と，
　前記Ａ１電極２上に積層された，略平坦なバリア層３，及び，略平坦なＣｕコア層４と，
　前記Ｃｕコア層４の上に積層された，Ｎｉ層１５，Ａｕ層１６と，
　前記Ｃｕコア層４の上に前記Ｎｉ層１５，前記Ａｕ層１６を介してＳｎ２０％Ｐｂ８０％よりなる半田５の層を積層することにより形成した半田バンプとを備え，
　前記Ｃｕコア層４は，Ｃｕメッキによって形成されたものであり，
　前記Ａ１電極２，前記バリア層３，前記Ｃｕコア層４，前記Ｎｉ層１５，及び前記Ａｕ層１６が，連続した側壁を共有する半導体装置。」
　
４　対比
（１）引用発明の「Ａｌ９９％，Ｓｉ１％の組成から構成されるＡｌ電極２」，「ＩＣを構成する半導体装置のチップ１」，及び，「半導体装置」は，それぞれ，本願発明１の「第１の導電性の材料から構成される電極」，「半導体ダイ」，及び，「半導体デバイス」に相当する。
　
（２）引用発明の「Ｃｕメッキによって形成された」Ｃｕコア層４は，「Ａｌ９９％，Ｓｉ１％の組成から構成される」Ａｌ電極２よりも，「低い抵抗率を有する」ものと認められる。
　
（３）本願発明１である請求項１の従属請求項である請求項３において，「【請求項３】前記電極と前記導電性本体との間に挟持されたバリア層を含む，請求項１記載のデバイス。」と規定されていることから，本願発明１の「前記電極の上に設けられた略平坦な導電性本体」における，「電極の上に設けられた」は，当該電極に直接接して，導電性本体を設ける構造の他に，前記電極と前記導電性本体の間にバリア層等を介在させて，当該導電性本体を設ける構造をも含む意味で用いられているものと理解できる。
　してみれば，引用発明の「前記Ａ１電極２上に積層された，略平坦なバリア層３，及び，略平坦なＣｕコア層４」における「略平坦なＣｕコア層４」は，本願発明１の「前記電極の上に設けられた略平坦な導電性本体」に相当する。
　
（４）本願明細書には，次の記載がある。
「【００２０】
　適当なハンダづけ可能な本体２２の例は，銅本体２０を覆うように設けられたニッケル，例えば約２ミクロンの厚さの層と，このニッケル層の上に形成された鉛スズ層（例えば約１ミクロンの厚さ）と，ＮｉＡｇまたはＮｉＡｕのようなバイメタルスタックとを含んでいる。後者の場合，Ａｕをフラッシュとしてデポジットする。」
　そうすると，上記記載から，本願発明１の「ハンダづけ可能な本体」は，積層体によって構成されるものを含む概念であると理解することができる。
　してみれば，引用発明の「Ｓｎ２０％Ｐｂ８０％よりなる半田５の層を積層することにより形成した半田バンプ」が設けられることになる「前記Ｃｕコア層４の上に積層された，Ｎｉ層１５，Ａｕ層１６」は，本願発明１の「前記導電性本体の上に設けられたハンダ付け可能な本体」に相当する。
　
（５）そうすると，本願発明１と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりといえる。
　
＜一致点＞
「第１の導電性の材料から構成される電極を表面に有する半導体ダイと，
　前記第１の導電性の材料の抵抗率よりも低い抵抗率を有する第２の材料から構成され，前記電極の上に設けられた略平坦な導電性本体と，
　前記導電性本体の上に設けられたハンダ付け可能な本体と，
を備え，
　前記電極，前記導電性本体，及び前記ハンダ付け可能な本体が，連続した側壁を共有する半導体デバイス。」
　
＜相違点＞　 
・相違点１：本願発明１が，「ハンダ付け可能な本体上のパッシベーション本体」を備えるのに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。
　
５　相違点についての判断
（１）相違点１について
ア　本願明細書には，次の記載がある。
「【００２２】
　次に，図４および図５を参照する。本発明に係わるデバイスは，（図４で斜線で示されている）パッシベーション本体２４を含むことがある。このパッシベーション本体２４は，それぞれのハンダづけ可能な本体２２を露出させるための少なくとも１つの開口部２２を有し，導電性接着剤がパッシベーション本体２４内の各開口部の底部にある露出したハンダづけ可能な本体に到達することができる。」
　そうすると，本願発明１の「ハンダ付け可能な本体上のパッシベーション本体」を備えたという構造は，ハンダづけ可能な本体２２を露出させるための少なくとも１つの開口部２２を有するように，前記ハンダ付け可能な本体の上面の全面ではなく，その一部のみを覆うようにパッシベーション本体を設けた構造を含むものと理解することができる。
　
イ　一方，ハンダ付け可能な本体を有する半導体デバイスにおいて，前記ハンダ付け可能な本体間のエリアの保護，前記ハンダ付け可能な本体間の電気的分離の強化等を目的として，ハンダ付け可能な本体上の一部を含めた半導体デバイスの表面に，パッシベーション本体を設けた構造は，下記の周知例１−３にも記載されるように，周知である。
　
ウ　そして，半田バンプがその上に形成されることになる「Ａ１電極２，バリア層３，Ｃｕコア層４，Ｎｉ層１５，及びＡｕ層１６によって構成される接点」を備えた引用発明１の半導体装置において，当該接点間のエリアの保護，及び，当該接点間の電気的分離の強化等が望ましい場合があることは当業者において明らかである。
　
エ　そうすると，引用例１には，「パッシベーション本体」についての記載はないが，引用発明の半導体装置においても，接点間のエリアの保護，及び，接点間の電気的分離の強化等を目的として，引用発明のＮｉ層１５，Ａｕ層１６の上に，前記Ｎｉ層１５，Ａｕ層１６の一部が露出するように「パッシベーション本体」を設けること，すなわち，上記相違点１について，本願発明１の構成となすことは当業者が適宜なし得たことである。また，このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲内のものである。
　
・周知例１：国際公開２００４／０３８８０９号
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である上記周知例１には，図面とともに次の記載がある。
（周１ａ）「An advantage of applying the further layer of photoresistive material is that areas of varying size, specifically, smaller or larger than the contact positions, can be exposed, which means that portions of the layer of passivation material can be removed from areas smaller than the conductive contacts. 
After this removal of portions of said passivation layer, the passivation material can overlap with the conductive contacts
This means that the passivation material may be applied over portions of the conductive contacts, providing good mechanical contact, and reducing the possibility of gaps being formed between the conductive material and passivation material
パッシベーション層の一部のこの除去の後で，パッシベーション材料は導電接点と重なることができる
このことは，パッシベーション材料を導電接点の一部上に塗布し，優れた機械的接点を供給し，導電性材料とパッシベーション材料との間にギャップができる可能性を低減することができることを意味する
　
（周１ｂ）「
Preferably the radiation detector includes an electrically insulating passivation layer between contacts distributed on the semiconductor substrate, which enables the area between metal contacts to be protected, thus giving the detector stable performance over time and avoiding effects such as oxidation which increase the surface leakage current and decrease the inter-contact resistivity
好適には，放射線検出装置は，半導体基板上に分散している接点間に電気的絶縁パッシベーション層を含むことが好ましい。それにより，金属接点間のエリアを保護することができ，それにより時間が経過しても検出装置の性能を安定させることができ，表面漏洩電流を増大させ，接点間抵抗率を低減する酸化などの影響を避けることができる
　
（周１ｃ）「Figure 6 is a schematic cross section of part of a radiation imaging device 60. Such radiation imaging devices are known and radiation detectors constructed in accordance with the embodiments of the present invention can be used within such a device. 
The radiation imaging device 60 comprises a radiation detector 62 and a readout chip 64 for reading charge from the conductive contacts 12 of the radiation detector 62
Readout circuits 66 are joined to respective contacts 12 via bonds 68 and may be 'flip-chip' joined
by bump bonding using low temperature soldering with tin lead bismuth (PbSnBi) alloy solder 
放射線画像形成デバイス６０は，放射線検出装置６２および放射線検出装置６２の導電接点１２からの電荷を読み出すための読み出しチップ６４を備える
読み出し回路６６は，ボンド６８を通して各接点１２に接合していて，各回路に「フリップチップ」接合することができる
スズ鉛ビスマス（ＰｂＳｎＢｉ）合金はんだによる低温はんだ付け
を使用するバンプ・ボンディング
　
（周１ｄ）「 Claims
  1. A method of manufacturing a radiation detector having one or more conductive contacts on a semiconductor substrate, the method including the steps of:
 applying a first conductive layer to a first surface of the semiconductor substrate;
 applying a second conductive layer to form a plurality of contiguous layers of conductive materials, said plurality of contiguous layers including said first conductive layer; and
 selectively removing parts of said plurality of contiguous layers so as to form said conductive contacts, the conductive contacts defining one or more radiation detector cells in the semiconductor substrate.
　・・・＜途中省略＞・・・
  4. A method according to any one of the preceding claims, including 
forming a layer of passivation material on said conductive contacts and the regions around conductive contacts
 
and removing portions of said passivation material overlying said conductive contacts to expose the conductive contacts
  5. A method according to any one of the preceding claims, including:
 forming a layer of photoresistive material on said substrate surface;
 selectively exposing said photoresistive material and removing said photoresistive material from areas corresponding to said contact positions to expose said semiconductor substrate surface;
 forming at least said first and second layers of conductive material on remaimng photoresistive material and on said exposed semiconductor substrate surface; and
 removing conductive material overlying said remaining photoresistive material by removing said remaining photoresistive material.
  6. A method according to any one of the preceding claims, wherein the step of removing portions of said passivation material overlying said conductive contacts to expose the conductive contacts comprises:
 forming a further layer of photoresistive material over said passivation layer;
 selectively exposing said further layer of photoresistive material and removing said further photoresistive material to expose portions of said passivation layer corresponding to said contact positions;
 removing said exposed portions of passivation material; and
 removing remaining further photoresistive material.
  7. A method according to any one of claim 5 or claim 6, wherein said 
portions of said passivation layer are removed from areas smaller than the size of said conductive contacts such that the passivation layer overlaps said conductive contacts
前記導電接点および導電接点の周囲の領域上にパッシベーション材料の層を形成するステップと，前記導電接点の上に位置する前記パッシベーション材料の一部を除去して前記導電接点を露出するステップ
前記パッシベーション層の前記一部が，前記パッシベーション層が前記導電接点を覆うように，前記導電接点のサイズより小さなエリアから除去される
　
　そして，上記周知例１の「導電接点」は，スズ鉛ビスマス（ＰｂＳｎＢｉ）合金はんだによる低温はんだ付けを使用するバンプ・ボンディングによって接合されるのであるから，本願発明１の「ハンダ付け可能な本体」に相当する。したがって，上記周知例１には，ハンダ付け可能な本体上にパッシベーション本体を設けた構造が記載されているものと認められる。
　また，上記周知例１の記載から，導電接点と重なるように設けられたパッシベーション層が，優れた機械的接点を供給し，導電性材料とパッシベーション材料との間にギャップができる可能性を低減し，金属接点間のエリアを保護することができ，それにより時間が経過しても検出装置の性能を安定させることができ，接点間抵抗率を低減する酸化などの影響を避けることができる等の機能を果たすことが知られていたことを理解することができる。
　
・周知例２：特開２００３−４５８７７号公報（平成２５年５月３０日付けの拒絶理由通知書の引用文献２）
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には，図３（ａ）−（ｄ）とともに次の記載がある。
（周２ａ）「【００８３】次に，図３（ｂ）に示すように，上記の化学的エッチングの際に形成された
主導体層６上の酸化膜を除去した後，無電解めっき法により第２バリアメタル層７を形成する
金属層８を第２バリアメタル層７上面全体に形成する
【００８４】次に，図３（ｃ）に示すように，
外部接続端子１０のための第３開口部９ｂを有する第３絶縁層９を形成する
　・・・＜途中省略＞・・・
【００８７】次に，図３（ｄ）に示すように，
第３絶縁層９に形成した第３開口部９ｂに外部接続端子１０を形成する
【００８８】なお，図３（ｂ）に示した工程において形成した金属層８を形成しないで第３絶縁層９を形成する場合は，以下の工程で外部接続端子１０を形成する。すなわち，第３開口部９ｂによって露出された第２バリアメタル層７上に無電解めっき法によりＡｕ，もしくは白金族からなる金属層８を形成し，はんだボールを搭載する。そして，窒素雰囲気でリフローを行うことにより外部接続端子１０を形成する。
【００８９】上記の工程によれば，引出配線層１２と外部接続端子１０とを確実に接続するための金属層は，第３開口部９ｂにより露出されている第２バリアメタル層７のみに形成される。すなわち，上記金属層の形成領域は，外部接続端子１０が形成される領域に限定される。これにより，外部接続端子１０の形成時に，金属層８が拡散により外部接続端子１０に取り込まれても，第３絶縁層９と主導体層６との間に空隙ができることなく信頼性の低下を防止できる。
なお，第３絶縁層９については，外部接続端子１０をはんだボールのリフローにより形成する以外の方法を用いる場合には，なくてもよい
　
（周２ｂ）図３（ｄ）は，周知例２に記載された発明の実施の一形態に係る半導体装置の製造工程を示す縦断面図であって，上記摘記（周２ａ）の記載を参酌すれば，同図から，金属層８上に第３絶縁層９が設けられていることを見て取ることができる。
　
　そして，上記摘記（周２ａ）の「なお，第３絶縁層９については，外部接続端子１０をはんだボールのリフローにより形成する以外の方法を用いる場合には，なくてもよい。」との記載から，「外部接続端子１０をはんだボールのリフローにより形成する」場合には，第３絶縁層９が必要であると理解できるところ，前記「第３絶縁層９」が，本願発明１の「パッシベーション本体」に相当し，上記周知例２の「金属層８」が，本願発明１の「ハンダ付け可能な本体」に相当すると理解できるから，上記周知例２には，ハンダ付け可能な本体上にパッシベーション本体を設けた構造が記載されているものと認められる。
　
・周知例３：国際公開２００４／０４４９８４号
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である上記周知例３には，図面とともに次の記載がある。
（周３ａ）「WHAT IS CLAIMED IS:
  1. A semiconductor device package comprising:
 a semiconductor die having a first major surface;
 a schottky structure disposed over and in ohmic contact with a portion of said first major surface;
 a first electrode electrically connected to said schottky structure;
 a second electrode electrically connected to said first major surface of said semiconductor die, but electrically isolated from said first electrode;
 
a plurality of solder bumps at least one of which is connected to one said first electrode and said second electrode
  2. A semiconductor device package according to claim 1, 
further comprising a passivation layer disposed over said first electrode and said second electrode
ハンダバンプのうちの少なくとも１つは，前記１つの第１電極および第２電極に接続されている
前記第１電極および第２電極の上に配置されたパッシベーション層を更に備え
　
６　むすび 
　以上のとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。