【事件の表示】
　特願２００１−５４２３９５「改良された電流拡散構造を有するスケーラブルＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月　７日国際公開、ＷＯ０１／４１２２３、平成１５年　８月１２日国内公表、特表２００３−５２４２９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成１２年１１月２２日　国際出願（パリ条約による優先権主張外国庁受理　１９９９年１２月１日（優先権主張番号６０／１６８３３８）、２０００年１１月２１日（優先権主張番号０９／７２１３５２）、何れも米国）
　平成２２年　６月　２日　拒絶理由通知（同年６月４日発送）
　平成２２年１１月　４日　意見書・手続補正書
　平成２３年　４月２７日　拒絶理由通知（最後）（同年５月１２日発送）
　平成２３年１１月１４日　意見書・手続補正書
　平成２４年　８月２７日　拒絶査定（同年８月３０日送達）
　平成２５年　１月　４日　拒絶査定不服審判の請求・手続補正書
　平成２５年　７月　８日　審尋
　平成２５年１２月１０日　回答書
　
２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１−２１に係る発明は、平成２５年１月４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−２１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１の記載は以下のとおりである。
　
「改良された電流拡散構造を有するスケーラブル発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
　エピタキシャル成長させたｐ型層（１６）、
　エピタキシャル成長させたｎ型層（１５）、および
　前記ｐ型層とｎ型層（１６、１５）の間に設けられたエピタキシャル成長させた活性層（１４）を有するＬＥＤコア（１３）と、
　前記ＬＥＤコア（１３）に隣接した第１のスプレッダ層（１１）と、
　前記ＬＥＤコア（１３）を通して前記第１のスプレッダ層（１１）に達する少なくとも１つの溝（２３）と、
　前記第１のスプレッダ層（１１）の上に少なくとも１つの第１の導電性指状部材（２２）を有する第１のコンタクト（２１）であって、前記第１のコンタクト（２１）及び前記少なくとも１つの第１の導電性指状部材（２２）は、前記少なくとも１つの溝（２３）の中において前記第１のスプレッダ層（１１）の上に堆積しており、前記第１のコンタクト（２１）から、前記少なくとも１つの第１の導電性指状部材（２２）、前記第１のスプレッダ層（１１）および前記ＬＥＤコア（１３）に電流が流れるようにした第１のコンタクト（２１）と、
　前記第１のスプレッダ層（１１）とは反対側の前記ＬＥＤコア（１３）の上に少なくとも１つの第２の導電性指状部材（２０ａ、２０ｂ）を有する第２のコンタクト（１９）であって、前記第２のコンタクト（１９）から、前記少なくとも１つの第２の導電性指状部材（２０ａ、２０ｂ）および前記ＬＥＤコア（１３）に電流が流れるようにした第２のコンタクト（１９）と
　を備えたことを特徴とするスケーラブルＬＥＤ。」(以下「本願発明」という。）
　
３　引用発明とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である（特開平３−２６８３６０号公報、以下「刊行物」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア　「２．特許請求の範囲
（１）基板表面に形成された絶縁層上にゲルマニウム（Ｇｅ）層を介して形成された第１導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層と、
　前記第１導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層上に、櫛歯状の第１の電極形成領域を残して選択的に順次形成されたIII−Ｖ化合物半導体のλ／４多層膜からなる反射層と、第１導電型のIII−Ｖ化合物半導体層と、第２導電型のIII−Ｖ化合物半導体層と、第２導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層と、
　さらに前記第１導電型および第２導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層にそれぞれ形成された第１および第２の電極とを具備し、
　前記第１および第２の電極間に所定の電圧を印加することにより、前記第１および第２の導電型のIII−Ｖ化合物半導体層間のｐｎ接合から、光を放出せしめるようにしたことを特徴とする半導体装置。」（１頁左下欄４行〜同頁右下欄３行）
　
イ　「（実施例）
　以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に説明する。
実施例１
　この発光装置は、第１図（ａ）に要部を示すように、信号処理回路等、他の素子の作り込まれたシリコン基板１の表面を覆う酸化シリコン膜２上に、帯域溶融再結晶化法（ＺＭＲ）法によって形成されたゲルマニウム（Ｇｅ）島領域３上に高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）が形成され、この上層に、櫛歯状をなすようにＧａＡｓ層とＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８が順次形成され、この上層に櫛歯状をなすように上部電極９が形成され、さらにこの上部電極下のｐ型頭域の櫛歯の間に位置するようにｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層上に直接同様の櫛歯状の下部電極１０が配設され、発光波長λ＝６６０ｎｍの発光ダイオードを構成してなるものである。
　なお、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８上に形成される上部電極９は金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）で構成され、ｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４上に形成される下部電極１０は金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）で構成されている。
　また、反射膜としてのλ／４多層膜５は、第１図（ｂ）に要部を拡大して示すように膜厚λ／４のｎ＋型ＧａＡｓ層５ａとｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（ｘ＝０．３５）５ｂとを交互に３０層積層して形成したもので、膜厚の４倍の波長を持つ光を選択的に反射する性質を持つものである。
　なお第１図では、電極表面を覆う絶縁膜および配線パターンは省略した。」（３頁左下欄１５行〜４頁左上欄６行）
　
ウ　「次に、この発光装置の製造方法について説明する。
　まず、第２図（ａ）に示すようにシリコン基板１内に、所定の素子領域（図示せず）を形成した後、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて酸化シリコン膜２を形成した後、真空蒸着法によりゲルマニウム膜３を形成しバターニングし、さらにこの上層を、スパタリング法およびＥＢ蒸着法で順次形成した２つの膜からなるるキャッピング用の酸化シリコン膜Ｃによって被覆する。
　この後、第２図（ｂ）に示すように、１０−６Ｔｏｒｒ程度の真空中で、この基板を下部ヒータＨ１上で所定の温度まで加熱した後、ストリップ状の上部ヒータＨ２を用いて狭帯域を加熱溶融し、このストリップ状の上部ヒータＨ２を動かし、微小領域づつ再結晶化させていくようにする。このとき再結晶化された領域は通常粒界を伴って単結晶成長するが、セルフシード法またはフィルタリング法等によってこの粒界の発生、成長を抑制することができる。
　続いて、第２図（ｃ）に示すように、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法によって膜厚０．３μｍの高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４、膜厚１６５ÅのＧａＡｓ層と膜厚１６５ÅのＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とを交互に計３０層積層してなる反射膜としてのλ／４多層膜５、膜厚１．０μｍのｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、膜厚０．７μｍのｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、膜厚０．３μｍの高濃度のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８を順次堆積する。
　この後、第２図（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ法によって形成したレジストパターンＲを介して反応性イオンエッチング法により、前記λ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８を櫛歯状にパターニングする。このときｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４も深さ０．２μｍまで残して除去する。
　そして、このレジストパターンをそのままにして、１２％のＧｅを含有するＡｕ−Ｇｅ層を真空蒸着法により堆積し下部電極１０を形成し４５０℃の窒素雰囲気中で２．５分加熱し急冷する。この後、第２図（ｅ）に示すように、レジストパターンを剥離除去し、再び上部電極形成領域に窓を有するレジストパターンを形成してＡｕ−Ｇｅ層を真空蒸着法により堆積し（基板温度は２５０℃とする）、リフトオフ法によりパターニングし、５００℃のフォーミングガス中で２分加熱し、上部電極９を形成する。同様にしてＡｕ−Ｚｎ層からなる下部電極１０を形成する。
　さらに、第２図（ｆ）に示すように、ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜１１を堆積し、電極取り出し用の窓Ｗｌ、Ｗ２を形成し、真空蒸着法により膜厚０．５μｍのアルミニウム層を堆積してパターニングし配線層１２を形成して、第１図に示した発光装置が完成する。」（４頁左上欄７行〜同頁右下欄１行）
　
エ　「このようにして形成された発光装置は、酸化シリコン膜上にＺＭＲ法によって形成されたＧｅ島領域３の存在により、この上に、極めて整合性よくＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．３５）が形成されており、欠陥のない良好なエピタキシャル成長層内に発光ダイオードが形成されているため、高特性を得ることが可能である。ここでＧｅの格子定数は５．６６ｎｍであるのに対し、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＝０．３５）の格子定数もこれと一致するため、極めて整合性の良好なＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を形成することができる。
　このように本発明によれば、絶縁膜の下部に受光素子、信号処理回路などを集積化する一方で、絶縁膜の上層には高特性の発光ダイオードを形成することができ、モノリンツクな多機能デバイスの形成が可能となる。
　また、この発光ダイオードは、基板の一方の面のみから電圧供給を行うことができると共に、電極が互いにかみ合うような櫛歯状をなしているため、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層との間に最も効率よく電界をかけることができる。
　さらに、ｎ＋ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とｎ＋ＧａＡｓ層との多層膜をｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層と、このｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層へのコンタクトのための高濃度のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層との間に介在させており、界面での欠陥の発生もなく光を効率よく表面方向に導出することができる。また、この多層膜は高濃度のｎ十層からなり、コンタクト層としての役割をもなしている。」（４頁右下欄２行〜５頁左上欄９行）
　
オ　第１図、第２図は、以下のとおりのものである。
　
　
　
　
（当審注：上記ウの「…膜厚０．３μｍの高濃度のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８を順次堆積する。…同様にしてＡｕ−Ｚｎ層からなる下部電極１０を形成する。」との記載に照らせば、第１図（ａ）中の「下部（Ｎ形）電極８」との記載は、「下部（Ｎ形）電極１０」の誤記と認められる。）
　
４　引用発明
ア　上記「３　ア」より、刊行物には、「基板表面に形成された絶縁層上にゲルマニウム（Ｇｅ）層を介して形成された第１導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層と、
　前記第１導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層上に、櫛歯状の第１の電極形成領域を残して選択的に順次形成されたIII−Ｖ化合物半導体のλ／４多層膜からなる反射層と、第１導電型のIII−Ｖ化合物半導体層と、第２導電型のIII−Ｖ化合物半導体層と、第２導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層と、
　さらに前記第１導電型および第２導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層にそれぞれ形成された第１および第２の電極とを具備し、
　前記第１および第２の電極間に所定の電圧を印加することにより、前記第１および第２の導電型のIII−Ｖ化合物半導体層間のｐｎ接合から、光を放出せしめるようにした半導体装置。」が記載されている。
　
イ　上記「３　イ」によれば、「第１導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層」は「高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）」であり、以下同様に、「III−Ｖ化合物半導体のλ／４多層膜からなる反射層」は「ＧａＡｓ層とＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜」、「第１導電型のIII−Ｖ化合物半導体層」は「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６」、「第２導電型のIII−Ｖ化合物半導体層」は「ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７」、「第２導電型の高濃度のIII−Ｖ化合物半導体層」は「高濃度のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８」、「第１…の電極」は「下部電極１０」、「第２の電極」は「上部電極９」である。
　
ウ　上記「３　イ」によれば、「この発光装置は、…高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）が形成され、この上層に、櫛歯状をなすようにＧａＡｓ層とＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８が順次形成され、この上層に櫛歯状をなすように上部電極９が形成され、さらにこの上部電極下のｐ型頭域の櫛歯の間に位置するようにｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層上に直接同様の櫛歯状の下部電極１０が配設され、発光波長λ＝６６０ｎｍの発光ダイオードを構成してなるものである」から、上記アの「半導体装置」は発光ダイオードである。
　
エ　上記「３　エ」によれば、発光ダイオードは「欠陥のない良好なエピタキシャル成長層内に」形成されているから、刊行物に記載された「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６」、「ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７」は、何れもエピタキシャル成長させた層である。
　
オ　上記「３　ウ」によれば、「フォトリソグラフィ法によって形成したレジストパターンＲを介して反応性イオンエッチング法により、前記λ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８」は「櫛歯状にパターニング」され、「ｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４も深さ０．２μｍまで残して除去」されている。
　
カ　上記「３　ウ」によれば、「…１２％のＧｅを含有するＡｕ−Ｇｅ層を真空蒸着法により堆積し下部電極１０を形成…」するから、下部電極１０は堆積して形成したものである。
　
キ　上記「３　イ」の記載を踏まえて第１図（ａ）を見ると、下部電極１０は、「櫛歯状にパターニング」された「前記λ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８」の隙間に延出する部分を備えている。また、上部電極９は、櫛歯状をなしていることが理解できる。
　
ク　上記「３　エ」によれば、「…、ｎ＋ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とｎ＋ＧａＡｓ層との多層膜…。…、この多層膜は高濃度のｎ十層からなり、…」との記載があるから、「ＧａＡｓ層とＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜」は「ｎ＋ＧａＡｓ層とｎ＋ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜」である。
　
ケ　上記「３　エ」によれば、「電極が互いにかみ合うような櫛歯状をなしているため、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層との間に最も効率よく電界をかけることができる」ものである。
　
コ　以上によれば、刊行物には、以下の発明が記載されている。
「基板表面に形成された絶縁層上にゲルマニウム（Ｇｅ）層を介して形成された高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）と、
　前記高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）上に、櫛歯状の下部電極１０形成領域を残して選択的に順次形成されたｎ＋ＧａＡｓ層とｎ＋ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜と、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６と、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７と、高濃度のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８と、
　さらに前記ｎ十型およびｐ型の高濃度のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層にそれぞれ形成された下部電極１０および上部電極９とを具備し、
　前記下部電極１０および上部電極９間に所定の電圧を印加することにより、前記ｎ型およびｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層間のｐｎ接合から、光を放出せしめるようにした発光ダイオードであって、
　前記ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７は、何れもエピタキシャル成長させた層であり、
　前記λ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８は櫛歯状にパターニングされ、ｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４も深さ０．２μｍまで残して除去されており、
　上部電極９は櫛歯状をなしており、
　下部電極１０は、堆積して形成したものであり、
　下部電極１０は、櫛歯状にパターニングされたλ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８の隙間に延出する部分を備えており、
　電極が互いにかみ合うような櫛歯状をなしているため、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層との間に最も効率よく電界をかけることができる、
　発光ダイオード。」（以下「引用発明」という。）
　
５　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
ア　本願発明の「改良された電流拡散構造を有するスケーラブル発光ダイオード（ＬＥＤ）」と、引用発明の「発光ダイオード」を対比すると、両者は「発光ダイオード（ＬＥＤ）」の点で一致する。
　
イ　本願発明の「エピタキシャル成長させたｐ型層（１６）、エピタキシャル成長させたｎ型層（１５）、および前記ｐ型層とｎ型層（１６、１５）の間に設けられたエピタキシャル成長させた活性層（１４）を有するＬＥＤコア（１３）」と、引用発明の「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６と、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７」であって、「前記ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７は、何れもエピタキシャル成長させた層であり」、「前記ｎ型およびｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層間のｐｎ接合から、光を放出」することを対比する。
（ア）本願発明の「エピタキシャル成長させたｐ型層（１６）」と、引用発明の「ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７」であって、「前記…ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７は、…エピタキシャル成長させた層であ」ることを対比すると、両者は「エピタキシャル成長させたｐ型層」の点で一致する。
（イ）本願発明の「エピタキシャル成長させたｎ型層（１５）」と、引用発明の「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６」であって、「前記ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６…は、…エピタキシャル成長させた層であ」ることを対比すると、両者は「エピタキシャル成長させたｎ型層」の点で一致する。　
（ウ）引用発明は、「ｎ型およびｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層間のｐｎ接合から、光を放出」するから、「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６と、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７」は発光ダイオードの発光部である。
（エ）してみると、両者は、「エピタキシャル成長させたｐ型層、エピタキシャル成長させたｎ型層を有するＬＥＤコア」の点で一致する。
　
ウ　本願発明の「前記ＬＥＤコア（１３）に隣接した第１のスプレッダ層（１１）」と、引用発明の「高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）」と「前記高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）上に、櫛歯状の下部電極１０形成領域を残して選択的に順次形成されたｎ＋ＧａＡｓ層とｎ＋ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜」を一体にしたものであって、「…反射膜と、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６」が「前記高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）上に、…順次形成され」ていることを対比する。
（ア）はじめに、本願発明の「スプレッダ層」の技術的意義について、発明の詳細な説明を参酌して検討する。
　本願の発明の詳細な説明には、「【００１６】…スプレッダ層は、隣接するＬＥＤコア層よりも導電性が高く、これによって電流は、第２のコンタクト／フィンガから第２のスプレッダ層およびＬＥＤコア全体に、より自由に流れることができる。」、「【００２４】第１のスプレッダ１１は、活性層１４への電流拡散を容易にする厚さおよびドーピング濃度を有する。好ましいドーピング濃度は、１×１０２１ｃｍ−３から１×１０１５ｃｍ−３であり、好ましい厚さは０．２μｍから１００μｍである。」との記載がある。ここで、ドーピング濃度を高くすると導電性が高くなることが技術常識であることを考慮すると、本願発明の「スプレッダ層」の技術的意義は、ドーピング濃度を高くする等して、隣接するＬＥＤコア層よりも導電性を高くした層と解される。
（イ）引用発明の「高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）」と「前記高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）上に、櫛歯状の下部電極１０形成領域を残して選択的に順次形成されたｎ＋ＧａＡｓ層とｎ＋ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜」を一体にしたものは、「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６」に隣接すると共に、「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６」よりもドーピング濃度が高い。また、上記イで検討したとおり、「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６」は発光ダイオードの発光部を構成する層の一つである。そうすると、引用発明の「高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）」と「前記高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）上に、櫛歯状の下部電極１０形成領域を残して選択的に順次形成されたｎ＋ＧａＡｓ層とｎ＋ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜」を一体にしたものは、「スプレッダ」として機能する。してみると、両者は「ＬＥＤコアに隣接した第１のスプレッダ層」の点で一致する。
　
エ　本願発明の「前記ＬＥＤコア（１３）を通して前記第１のスプレッダ層（１１）に達する少なくとも１つの溝（２３）」と、引用発明の「前記λ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８は櫛歯状にパターニングされ、ｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４も深さ０．２μｍまで残して除去されて」いることを対比する。
　引用発明の「ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７」は、上記イで検討したとおり、発光ダイオードの発光部を構成するものである。また、「ｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４も深さ０．２μｍまで残して除去されて」いるところ、「ｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層」は、上記ウ（イ）で検討したとおり、スプレッダとして機能する層である。そして、「櫛歯状にバターニング」されていることは、刊行物の第１図（ａ）を見ても理解できる様に、溝が形成されていることである。
　してみると、両者は相当関係にある。
　
オ　本願発明の「前記第１のスプレッダ層の上に少なくとも１つの第１の導電性指状部材を有する第１のコンタクトであって、前記第１のコンタクト及び前記少なくとも１つの第１の導電性指状部材は、前記少なくとも１つの溝の中において前記第１のスプレッダ層の上に堆積しており、前記第１のコンタクトから、前記少なくとも１つの第１の導電性指状部材、前記第１のスプレッダ層および前記ＬＥＤコアに電流が流れるようにした第１のコンタクト」と引用発明の「さらに前記ｎ十型…の高濃度のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層に…形成された」下部電極１０であって、「下部電極１０は、堆積して形成したものであり」、「下部電極１０は、櫛歯状にパターニングされたλ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８の隙間に延出する部分を備えており」、「前記下部電極１０および上部電極９間に所定の電圧を印加することにより、前記ｎ型およびｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層間のｐｎ接合から、光を放出せしめ」、「電極が互いにかみ合うような櫛歯状をなしているため、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層との間に最も効率よく電界をかけることができる」「下部電極」を対比する。
（ア）引用発明の「下部電極」は、「ｎ十型…の高濃度のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層に…形成」されたものであるところ、上記ウ（イ）で検討したとおり、「ｎ十型…の高濃度のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層」はスプレッダとして機能する層であるから、「下部電極」は「スプレッダとして機能する層」の上に形成されている。
（イ）引用発明の「下部電極」は、「櫛歯状にパターニングされたλ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８の隙間に延出する部分を備え」ているところ、前記「延出する部分」は「指状」といえる。　
（ウ）引用発明の「下部電極」は、「堆積して形成したもの」である。また、「櫛歯状にパターニングされたλ／４多層膜５、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７、高濃度のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８の隙間に延出する部分を備え」ているところ、上記エで検討したとおり、「溝」が形成されているといえる。そして上記（ア）を踏まえると、「下部電極」は溝の中においてスプレッダとして機能する層の上に堆積して形成されている。
（エ）引用発明は、「前記下部電極１０および上部電極９間に所定の電圧を印加することにより、前記ｎ型およびｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層間のｐｎ接合から、光を放出せしめ」るものであり、「ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層との間に最も効率よく電界をかけることができる」ものであるところ、「前記下部電極１０および上部電極９間に所定の電圧を印加す」ると、下部電極１０と上部電極９間に電流が流れることは技術常識である。そうすると、引用発明は、下部電極１０、延出する部分、高濃度のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７に電流が流れるものである。
（オ）上記（ア）〜（エ）によれば、両者は相当関係にある。
　
カ　本願発明の「前記第１のスプレッダ層とは反対側の前記ＬＥＤコアの上に少なくとも１つの第２の導電性指状部材を有する第２のコンタクトであって、前記第２のコンタクトから、前記少なくとも１つの第２の導電性指状部材および前記ＬＥＤコアに電流が流れるようにした第２のコンタクト（１９）」と、引用発明の「ｐ型の高濃度のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層に…形成され…」ている「上部電極９」であって、「上部電極９は櫛歯状をなして」おり、「前記高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４（ｘ＝０．３５）上に」「ｎ＋ＧａＡｓ層とｎ＋ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層とのλ／４多層膜５からなる反射膜と、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層６と、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７と、高濃度のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層８」が「順次形成」されていることを対比する。
（ア）引用発明の「上部電極９」が形成されている「ｐ型の高濃度のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層」は、「ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７」の上に形成されているところ、「ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層７」は発光ダイオードの発光部を構成する層の一つであることを踏まえると、「上部電極９」は、スプレッダとして機能する「高濃度のｎ十型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４」とは反対側の発光ダイオードの発光部を構成する層の上に形成されているといえる。
（イ）引用発明の「上部電極９」は「櫛歯状をなして」いるから、指状の部材を有している。
（ウ）上記オ（エ）と同様に、「上部電極９」から指状の部材、発光ダイオードの発光部を構成する層に電流が流れるものである。
（エ）してみると、両者は相当関係にある。
　　
キ　以上のことから、本願発明と引用発明は、
「発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
　エピタキシャル成長させたｐ型層、及びエピタキシャル成長させたｎ型層を有するＬＥＤコアと、
　前記ＬＥＤコアに隣接した第１のスプレッダ層と、
　前記ＬＥＤコアを通して前記第１のスプレッダ層に達する少なくとも１つの溝と、
　前記第１のスプレッダ層の上に少なくとも１つの第１の導電性指状部材を有する第１のコンタクトであって、前記第１のコンタクト及び前記少なくとも１つの第１の導電性指状部材は、前記少なくとも１つの溝の中において前記第１のスプレッダ層の上に堆積しており、前記第１のコンタクトから、前記少なくとも１つの第１の導電性指状部材、前記第１のスプレッダ層および前記ＬＥＤコアに電流が流れるようにした第１のコンタクトと、
　前記第１のスプレッダ層とは反対側の前記ＬＥＤコアの上に少なくとも１つの第２の導電性指状部材を有する第２のコンタクトであって、前記第２のコンタクトから、前記少なくとも１つの第２の導電性指状部材および前記ＬＥＤコアに電流が流れるようにした第２のコンタクトと
　を備えたＬＥＤ。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：発光ダイオードが、本願発明では「改良された電流拡散構造を有するスケーラブル発光ダイオード」であるのに対し、引用発明では、そのようなものなのか否か不明である点
相違点２：ＬＥＤコアのｐ型層とｎ型層の間に、本願発明では、「エピタキシャル成長させた活性層」を有するのに対し、引用発明は、そのような層を有するものではない点
　
６　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（１）相違点１について
ア　はじめに、本願発明の「改良された電流拡散構造を有するスケーラブル発光ダイオード」の技術的意義について、発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。
　発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
「【００１４】
　　（発明の概要）
　本発明は、新しい電流拡散構造を有する改良されたＬＥＤを提供する。この改良されたＬＥＤは、標準サイズとすることができ、またはより大きなサイズにスケーリングして、パワー出力および光束を増大させることができる。新しい電流拡散構造は、小型ＬＥＤと大型ＬＥＤの両方でｐ型およびｎ型層内における電流拡散を改善する。その結果、ＬＥＤの活性層への正孔および電子の注入が向上し、これにより発光効率が高まり、直列抵抗および加熱が低減する。
　　　【００１５】
　新しいＬＥＤは一般に、エピタキシャル成長させたｐ型およびｎ型層、ならびにｐ型層とｎ型層の間にエピタキシャル成長させた活性層を有するＬＥＤコアを含む。ＬＥＤコアに隣接して第１の電流スプレッダ（spreader）層が含まれる。ＬＥＤコアを通してスプレッダ層に達する少なくとも１つの溝が形成され、この溝の中の前記第１のスプレッダ層上に、少なくとも１つの第１の導電性フィンガを有する第１のコンタクトがある。電流は、第１のコンタクトから、導電性フィンガ、第１のスプレッダ層およびＬＥＤコアに流れる。第１の導電性層とは反対側のＬＥＤコア上に、少なくとも１つの第２の導電性フィンガを有する第２のコンタクトが含まれ、電流は、第２のコンタクトから、第２のフィンガおよびＬＥＤコアに流れる。」
　
イ　上記記載によれば、「改良された電流拡散構造」とは、「ＬＥＤコアに隣接して第１の電流スプレッダ（spreader）層が含まれ」、「ＬＥＤコアを通してスプレッダ層に達する少なくとも１つの溝が形成され、この溝の中の前記第１のスプレッダ層上に、少なくとも１つの第１の導電性フィンガを有する第１のコンタクトがある」構造であって、「電流は、第１のコンタクトから、導電性フィンガ、第１のスプレッダ層およびＬＥＤコアに流れる」ことを意味するものと解される。また、「スケーラブル発光ダイオード」とは、「標準サイズとすることができ、またはより大きなサイズにスケーリングして、パワー出力および光束を増大させることができる」発光ダイオードを意味するものと解される。
　
ウ　そこで検討すると、「ＬＥＤコアに隣接して第１の電流スプレッダ（spreader）層が含まれ」、「ＬＥＤコアを通してスプレッダ層に達する少なくとも１つの溝が形成され、この溝の中の前記第１のスプレッダ層上に、少なくとも１つの第１の導電性フィンガを有する第１のコンタクトがある」構造は、上記「５　対比」の欄で実質的に検討しており、引用発明は、本願発明の「改良された電流拡散構造」を備えているといえる。また、引用発明は、具体的にサイズが特定されるものではないところ、標準的なサイズとしたり、より大きなサイズとしてパワー出力および光束を増大させ得るものである。
　そうすると、引用発明は、「改良された電流拡散構造を有するスケーラブル発光ダイオード」であると言えるから、相違点１は実質的な相違点ではない。
　
（２）相違点２について
　ｐ型層とｎ型層の間に設けられた活性層を有する発光ダイオードは、例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２５６６０２号公報（「【００３４】図１において、…。ｎ型ＧａＮ層上の一部には、概略正方形のメサ状に、ＩｎＧａＮ発光層１０４およびｐ型ＧａＮ層１０５が設けられる。」との記載、図１参照。）、あるいは特開平１１−１７７１３８号公報（「【０００３】…。なお、発光層１１３はｐ−ｎ接合を形成するもので、この例ではｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１１３ａ、ＧａＡｌＡｓ活性層１１３ｂ，ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１１３ｃの３層が積層されたダブルヘテロ構造を形成したＬＥＤ素子チップ１１０としている。」との記載、図１１を参照。）に記載されるように、周知の技術事項であり、「エピタキシャル成長させ」る点も格別のものではない。そうすると、引用発明において、光を放出する「ｎ型およびｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層間のｐｎ接合」として、「ｐ型層とｎ型層の間に設けられたエピタキシャル成長させた活性層」を採用することに困難性は無い。
　
（３）　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明と周知の技術事項に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであって、格別のものとは認められない。
　
（４）　よって、本願発明は、引用発明と周知の技術事項に基いて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。