【事件の表示】
　特願２００６−２０００７３「階調マスク」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月　７日出願公開、特開２００８−　２６６６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年７月２１日を出願日とする出願であって、平成２３年１０月７日付けで手続補正がなされ、その後、平成２４年７月３１日付けで拒絶査定がなされた。 
　本件は、これを不服として、同年１０月３０日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２５年６月２０日付けで平成２４年１０月３０日付けの手続補正の却下の決定がなされるとともに、拒絶の理由（最後）が通知され、平成２５年８月２３日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２５年８月２３日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年８月２３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、そのうち特許請求の範囲の請求項１の補正は、補正前（平成２３年１０月７日付けで補正、以下同様。）の
「【請求項１】
　透明基板と、前記透明基板上に形成された遮光膜パターンおよび透過率調整機能を有する半透明膜パターンとを有し、前記透明基板上に前記遮光膜パターンが設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記遮光膜パターンおよび前記半透明膜パターンのうち前記半透明膜パターンのみが設けられた半透明領域と、前記透明基板のみを有する透過領域とを有する階調マスクであって、前記透過領域および前記半透明領域が接しており、前記透過領域および前記半透明領域の界面近傍に補正用遮光パターンが形成されており、
　前記半透明膜パターンがクロムから構成されることを特徴とする階調マスク。」を
「【請求項１】
　透明基板と、前記透明基板上に形成された遮光膜パターンおよび透過率調整機能を有する半透明膜パターンとを有し、前記透明基板上に前記遮光膜パターンが設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記遮光膜パターンおよび前記半透明膜パターンのうち前記半透明膜パターンのみが設けられた半透明領域と、前記透明基板のみを有する透過領域とを有する階調マスクであって、
　前記透過領域および前記半透明領域が接しており、
　前記半透明領域内であり、かつ前記透過領域および前記半透明領域の界面近傍に補正用遮光パターンが形成されており、
　前記補正用遮光パターンの端部と、前記透過領域および前記半透明領域の界面との距離が１μｍ〜５μｍの範囲内であり、
　前記半透明膜パターンがクロムから構成されることを特徴とする階調マスク。」と補正するものである。
　
２　補正の目的についての検討
　上記本件補正は、明らかに特許請求の範囲を限定して減縮するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下単に「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
３　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。
　
４　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、当審における平成２５年６月２０日付けの拒絶の理由で通知され、本願の出願前である平成１８年１月１９日に頒布された「特開２００６−１８００１号公報 」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
ａ　発明の詳細な説明の記載
（ア）「【０００１】 
　本発明は、半導体素子や画像表示素子などのパターン形成に用いられるフォトリソグラフィ技術において、複数のフォトマスクを用いて複数のリソグラフィ工程を行う代わりに、階調をもった１枚のフォトマスクを用い、その透過光量に応じた段差をもつレジストプロファイルを形成することにより、リソグラフィ工程数を減らす製造技術に用いられる階調フォトマスクおよびその製造方法に関する。」 
（イ）「【０００７】 
　本発明の請求項１に係るフォトマスクは、透明基板上に所望のパターンを有するフォトマスクにおいて、前記パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない遮光膜と、露光光を所望の透過率で透過する半透明膜とからなり、前記透明基板上に、前記遮光膜と前記半透明膜とがこの順に積層されて存在する遮光領域、前記遮光膜のみが存在する遮光領域、前記半透明膜のみが存在する半透明領域、および前記遮光膜と前記半透明膜のいずれも存在しない透過領域、とが混在することを特徴とするものである。本発明のマスク構成にすることにより、高品質のグレートーンマスクが得られる。」 
（ウ）「【００１８】 
（グレートーンマスク） 
　本発明のグレートーンマスクの構成は、図１および図２に示すように、透明基板１０１、２０１上に所望のパターンを有するグレートーンマスク１１２、２１２において、
パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない遮光膜パターン１０６、２０６と、露光光を所望の透過率で透過する半透明膜パターン１１１、２１１とからなり、透明基板１０１、２０１上に、
遮光領域
半透明膜パターン１１１、２１１のみが存在する半透明領域、および、遮光膜パターン１０６、２０６と記半透明膜パターン１１１、２１１のいずれも存在しない透過領域、とが混在
　本発明において、実質的に露光光を透過しない遮光膜パターンとは、露光波長において、１回の露光により露光光を透過して感光性レジストを感光させない遮光膜パターンを意味するものであり、通常は透過率０．１％以下が望ましいとされている。」 
（エ）「【００２１】 
　遮光膜パターン１０６、２０６を形成する遮光膜としては、クロム系膜、モリブデンシリサイド、タンタル、アルミニウム、珪素、酸化ケイ素、酸化窒化珪素など、通常のマスク材料として使用できる薄膜であれば、いずれを使用しても可能であるが、最も使用実績のあるクロムを主成分としたクロム系膜がマスクブランクのコスト、品質上からより好ましい。クロム系膜は、通常、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロムの中から選ばれる材料の単層、または、２層以上の積層構造が用いられる。例えば、クロムを遮光膜とした場合には、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の範囲の膜厚で用いられる。 
　また、本発明においては、遮光膜パターン１０６、２０６上に低反射層が設けられていてもよい。例えば、クロム膜上に設けられた酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム膜の層は低反射層としての機能を有するものであり、これらの低反射層はクロム膜のパターンエッチング時に同時にエッチングすることが可能である。低反射層を設けることにより、マスク使用時のレジストの解像度を上げることができる。 
【００２２】 
　半透明膜パターン１１１、２１１を形成する半透明膜としては、前記遮光膜パターン１０６、２０６を形成する遮光膜の酸化膜、窒化膜、炭化膜などが用いられるが、半透明膜と遮光膜を同一エッチング設備、工程でパターニングし得るという利点から、半透明膜は遮光膜と同系の材料からなることが好ましい。遮光膜が前述の通りクロム系材料によるものであれば、半透明膜は、クロム膜を厚さ５〜５０ｎｍ程度の薄膜にして用いるか、クロムに酸素・窒素・炭素などを含む、透過率が比較的高い膜を用いればよい。例えば、クロム酸化膜を半透明膜とする場合には、５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の範囲の膜厚で用いられる。酸素・窒素・炭素などを含む半透明膜の場合は、その吸光度は組成により変わるので、膜と組成とを同時にコントロールすることで所望の透過率を実現できる。 
　本発明においては、
半透明膜パターン１１１、２１１を形成する半透明膜
（オ）「【００４５】 
（第３の実施形態） 
　次に、本発明のグレートーンマスクの製造方法を、従来のグレートーンマスクに適用した場合について述べる。 
　図７は、本発明のグレートーンマスクの製造方法を従来のグレートーンマスクに適用した場合の製造工程を示す断面模式図であり、図８は、図７に続く本発明のグレートーンマスクの製造工程を示す断面模式図である。 
【００４６】 
　本実施形態のグレートーンマスクの製造法においては、まずは第一の膜である半透明膜３０８を透明基板３０１上に成膜したフォトマスクブランク３０３を準備する（図７（ａ））。半透明膜３０８は、通常、スパッタリング法で形成することができ、
例えば、半透明膜３０８がクロム系材料の場合には、クロム膜を薄膜にして用いる
　なお、半透明膜３０８もマスクパターン形成の機能を有するので、本発明においては、半透明膜３０８を透明基板３０１上に成膜したものもフォトマスクブランク３０３と称する。 
【００４７】 
　次に、上記のフォトマスクブランク３０３を常法に従って１回目のマスクパターン製版を行い、第一の膜である半透明膜３０８をパターニングする。すなわち、半透明膜３０８上にレーザ露光装置などの露光装置に対応した感光性レジストなどのレジストを塗布し、塗布後に所定時間ベークし、均一な厚さの半透明膜用レジスト膜３０９を形成する（図７（ｂ））。 
【００４８】 
　次に、レーザ光などのエネルギー線で半透明膜のパターン描画を行なう。この描画時に、２層目の遮光膜のパターニング時に位置合せに使用する描画用アライメントマークを、マスクの非転写領域に複数個描画配置しておく（図示せず）。 
　続いて、使用するレジストの特性上、必要ならば露光後ベーク工程を入れて、レジスト所定の現像液で現像し、リンスして、半透明膜用レジストパターン３１０を形成する（図７（ｃ））。 
【００４９】 
　次に、半透明膜用レジストパターン３１０より露出している半透明膜３０８をエッチングして、半透明膜パターン３１１を形成し、残存しているレジストを剥離除去し、半透明膜パターン付き基板３０７を得る（図７（ｄ））。 
　半透明膜３０８のエッチングは、ウェットエツチングもしくはドライエッチング方法が適用できるが、上記のように、画像表示素子用のフォトマスクの大型化に伴い、ドライエッチングでは装置、材料コストが高くなりすぎ、しかも大面積のドライエッチングはエッチング均一性が悪くなるので、ウェットエツチングが好ましい。半透明膜３０８がクロム系膜の場合には、硝酸セリウム系ウェットエッチャントが好適である。 
【００５０】 
　本実施形態においては、第一の膜のパターニング工程の後に、半透明膜パターン付き基板３０７の検査を行い、必要ならば欠陥修正をする工程を行なうことができる。半透明膜にクロム系膜を用いる場合には、従来のクロム系膜のフォトマスクの検査技術、修正技術が適用できる。この検査工程、必要ならば修正工程を行なうことにより、次工程に欠陥を有する基板が渡るのを防ぎ、良品率が高まり、マスクコスト低減に寄与する。 
　また、本実施形態においては、半透明膜パターン３１１の形成後に、基板全面に酸化シリコンなどの透明膜を設け、次工程の遮光膜エッチング時のエッチング停止層とすることもできる。 
【００５１】 
　次に、半透明膜パターン付き基板３０７の全面に、遮光膜３０２を成膜する（図７（ｅ））。
　ここで、遮光膜３０２は、前記半透明膜３０８と同系の材料からなることが好ましい。半透明膜３０８が前述のようにクロム系材料によるものであれば、遮光膜３０２は、クロム膜をスパッタリングなどにより成膜して形成される。
　次に、２回目のマスクパターン製版工程により、第二の膜である遮光膜３０２をパターニングし、下層の半透明膜パターン３１１との位置合せをした遮光膜パターンを形成する。すなわち、遮光膜３０２上にレーザ露光装置等の露光装置に対応した感光性レジストなどのレジストを塗布し、塗布後に所定時間ベークし、遮光膜用レジスト膜３０４を形成する（図８（ｆ））。
【００５２】 
　続いて、レーザ光などのエネルギー線で遮光膜３０２のパターン描画を行なう。この描画時に、１層目の半透明膜のアライメントマークを検出し位置合せを行なう。
　次に、使用するレジストの特性上、必要ならば露光後ベーク工程を入れて、レジスト所定の現像液で現像し、リンスして、遮光膜用レジストパターン３０５を形成する（図８（ｇ））。
【００５３】 
　次に、遮光膜用レジストパターン３０５より露出している遮光膜３０２をエッチングして、遮光膜パターン３０６を形成する（図８（ｈ））。 
　次いで、残存している遮光膜用レジストパターン３０５を剥離除去し、
グレートーンマスク３１２
  　 
ｂ　図面の記載 
「【図７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図８】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
ｃ　図面の記載の考察
　引用例１の【図８】（ｉ）には、
透明基板３０１上の両端部は、遮光膜パターン３０６及び半透明膜パターン３１１のいずれも存在しない領域が存在し、該領域に接して半透明膜パターン３１１のみが存在する領域が存在し、さらに、半透明膜パターン３１１上に遮光膜パターン３０６が積層されて存在する
　
ｄ　引用例１記載の発明
　上記ａ及びｂの記載事項並びに上記ｃの考察によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない遮光膜パターン３０６と、露光光を所望の透過率で透過する半透明膜パターン３１１とからなり、透明基板３０１上に、半透明膜パターン３１１上に遮光膜パターン３０６が積層されて存在する遮光領域、半透明膜パターン３１１のみが存在する半透明領域、および遮光膜パターン３０６と半透明膜パターン３１１のいずれも存在しない透過領域、とが混在するグレートーンマスク３１２であって、透過領域に接して半透明領域が存在し、半透明膜パターン３１１を形成する半透明膜はクロム膜の薄膜であるグレートーンマスク３１２。」
　
（２）引用刊行物２
　また、当審における平成２５年６月２０日付けの拒絶の理由で通知され、本願の出願前である平成１５年１月２９日に頒布された「特開２００３−２９３９３号公報 」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
（ア）「【０００３】 
【従来の技術】従来より、半導体製造プロセスでのフォトリソグラフィ工程に於いては、いわゆる階調マスク（ハーフトーンマスク）が用いられている。この階調マスクは、１枚のマスク内で、透過させる光の透過率を段階的に変化させる機能を有している。」 
（イ）「【００７１】先ず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板２上に遮光部となるクロム膜２１を、従来公知の方法にて製膜する。次いで、クロム膜２１上にフォトレジスト（図示しない）を所定の形状に選択的に形成する。このフォトレジストをマスクとして、前記クロム膜２１に電子ビームを照射し、さらにフォトレジスト膜を除去する。これにより、所定の形状にパターニングした遮光部３を形成できる（図２（ｂ））。」 
（ウ）「【０１０３】（実施の形態３）本発明のさらに他の実施の形態について以下に説明する。尚、前記実施の形態１又は実施の形態２において述べたのと同様の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【０１０４】本実施の形態３に係るフォトマスクは、光の透過率が相互に異なる透過部間に補助遮光部を設けることにより、レジスト段差のある部分についても層厚を均一にしてパターニングを行うものである。ここで、図５は、本実施の形態３に係るフォトマスクと比較する為のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程を行った場合のフォトレジストのパターン形状を説明する為の説明図であって、同図（ａ）は前記フォトマスクの構成を示す断面図であり、同図（ｂ）は前記フォトマスクを透過する光の透過光量と露光位置との関係を示すグラフであり、同図（ｃ）は前記フォトマスクを用いて露光し、さらに現像した後のフォトレジストを示す断面図である。また、図６は本実施の形態３に係るフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程を行った場合のフォトレジストのパターン形状を説明する為の説明図であって、同図（ａ）は前記フォトマスクの構成を示す断面図であり、同図（ｂ）は前記フォトマスクを透過する光の透過光量と露光位置との関係を示すグラフであり、同図（ｃ）は前記フォトマスクを用いて露光し、さらに現像した後のフォトレジストを示す断面図である。図７は、本実施の形態３に係るフォトマスクの要部を示す平面図である。」
（エ）「【０１０８】即ち、本実施の形態３に係るフォトマスク４７に於いては、第１透過領域４２ａと第２透過領域４２ｂとの間に、補助遮光部４８を設けた（図６（ａ））。これにより、図６（ｂ）に示すように、第１透過領域４２ａと第２透過領域４２ｂとの間、および第２透過領域４２ｂと遮光部３との間で生じる回折光に離散性を持たせ、回折光同士の干渉を抑制することができる。この結果、第２透過領域４２ｂに対応する露光領域では透過光量の分布をフラットなピークＰ3とすることができる。従って、図６（ｃ）に示すように、ピンホールの無いレジスト段差４５の形成が可能となる。
【０１０９】なお、本実施の形態３に於いては、補助遮光部４８の平面形状は、図７に示すように長方形状である。ここで、補助遮光部４８の幅Ｗは、４μｍ以下であることが好ましい。但し、この数値範囲は、露光装置の解像限界が４μｍであることに起因する。従って、補助遮光部４８の幅Ｗは、特に遮光部３および透過部４２のパターンサイズには依存せず、一般には露光装置の解像限界以下であることが好ましい。なお、補助遮光部４８の長さＬは、本実施の形態に於いては、第１透過領域４２ａおよび第２透過領域４２ｂに一致させている。 
【０１１０】また、以上に述べたパターン形成方法は、１５０ｍＪ／ｃｍ2の露光光を照射した場合に関する。さらに、フォトレジスト４３としてはＯＦＰＲ５０００を使用し、かつ層厚１．５μｍとしている。 
【０１１１】前記補助遮光部４８は、前記実施の形態１に於いて述べたフォトマスクの製造方法に於いて、クロム膜２１上にフォトレジストを形成する際に、該補助遮光部４８に対応した形状も同時にパターニングすれば、形成可能である。 
【０１１２】また、本実施の形態に係る補助遮光部４８は、前記実施の形態１または実施の形態２に於いて述べたフォトマスクにも適用可能である。例えば、実施の形態１に係るフォトマスクに於いては、各透過波長選択領域で透過させる光の波長領域が異なるが、一部波長領域が重複する部分も存在する。この様な場合、重複する波長領域の回折光同士が干渉し合うことにより、露光位置によっては局所的に透過光量の極端なピークが生じ、ピンホールの発生原因となることもある。しかしながら、本実施の形態の様に、各透過波長選択領域間で補助遮光部４８を設ければ、波長領域が重複する回折光同士の干渉を防止することができ、この結果段差部分での層厚を均一にしてピンホールの発生を防ぐことができる。」 
 　 
ｂ　図面の記載 
「【図６】
 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（３）引用刊行物３
　また、本願の出願前である平成８年１２月１３日に頒布された「特開平８−３２８２３５号公報 」（以下「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスク、特にハーフトーンマスクの構造及びその製造方法に関するものである。」
（イ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ハーフトーンマスクは遮光部が若干の透過率を有する半透明膜で、このハーフトーンマスクを用いて、例えばウエハ上にパターンを転写する場合、ウエハ上で１次回折光と半透明膜からの漏れ光が同位相で振幅合成される位置においてサイドローブが発生する。このサイドローブ強度は、図９に示すように、ハーフトーン膜の透過率（図中においてＴで示す。）に依存し、透過率が大きくなるとサイドローブ強度も大きくなるという相関関係にある。尚、図９では、波長が３６５ｎｍの光を用い、ＮＡ＝０．４２、コヒーレンスδ＝０．３の条件下で、透過率Ｔを０％、４％、８％、１６％、３６％と上げて行く場合を示している。サイドローブ強度がレジスト感度に到達すると、不要なパターンが転写される。例えば、図６に示す孤立コンタクトホールパターンの場合、コンタクトホール１３の周囲に同心円状のリングパターン１４が転写される。ハーフトーン膜の透過率設定は光コントラストの観点では、レジスト感度を考慮して遮光部のレジスト膜厚を確保することを絶対条件として、高いほど望ましい。」
（ウ）「【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明のフォトマスクは、透明基板上に、半透明膜によってパターンが形成されているフォトマスクにおいて、透過光の１次回折光が転写される位置に対応する箇所の少なくとも一部に遮光膜が形成されていることを特徴とするものである。」
（エ）「【００１３】
【作用】上記遮光膜を用いることにより、サイドローブ強度を低減することができ、その結果として、不要パターンの転写防止を図ることができる。また、遮光パターンの配置及びサイズを適正化し、サイドローブ強度を調節することにより、光コントラストの劣化を最小限に押えることができる。」
（オ）「【００１４】
【実施例】以下、一実施例に基づいて本発明について詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施例のフォトマスクの製造工程を示す図であり、図２（ａ）は図８における点Ａ及び点Ｂを遮光するフォトマスクのレイアウトパターン、同（ｂ）は同（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図であり、同（ｃ）は同（ａ）のフォトマスクを用いた場合のフォトマスクを通過した光の振幅分布を示す図であり、図３（ａ）は図８における点Ａを遮光するフォトマスクのレイアウトパターン、同（ｂ）は同（ａ）におけるＹ−Ｙ断面図であり、同（ｃ）は同（ａ）のフォトマスクを用いた場合のフォトマスクを通過した光の振幅分布を示す図であり、図４（ａ）は従来のハーフトーンマスクの断面図であり、同（ｂ）は同（ａ）のマスクを用いた場合の転写パターン、同（ｃ）は同（ａ）のマスクを用いた場合のウエハ上の光強度分布図であり、図５（ａ）は本発明のハーフトーンマスクの断面図であり、同（ｂ）は同（ａ）のマスクを用いた場合の転写パターン、同（ｃ）は同（ａ）のマスクを用いた場合のウエハ上の光強度分布図である。図１乃至図５において、１は透明基板、２はハーフトーン膜、３は遮光膜、４、５はレジスト、６は層間絶縁膜、７はゲート電極、８はソース／ドレイン領域、９は半導体基板、１１はマスク上のコンタクトホールパターン、１２はサイドローブ位置、１３はウエハ上のコンタクトホールパターン、１４はウエハ上に転写された不要なパターン、１５はコンタクトホールパターンの光強度、１６はサイドローブの光強度を示す。
【００１６】まず、以下に、不要パターンの発生位置について説明する。
【００１７】不要パターンの発生はサイドローブ強度に依存している。つまり、サイドローブが同位相で振幅合成する位置関係（パターンピッチ）にあり、且つ、重畳する数が多いほど干渉後のサイドローブ強度は大きくなり、不要パターンが発生する。
【００１８】サイドローブの発生位置は、パターンサイズとパターン間のピッチ、露光条件（露光光の波長、コヒーレンスファクタδ、ＮＡ（開口率）、マスクの開口サイズ等）から算出することができ、更に、半透明膜の透過率も加え、ウエハ上のサイドローブの光強度の大きさを求め、この光強度とレジスト感度とから、遮光パターンの配置場所を決定すればよい。
【００１９】また、ハーフトーン膜の透過率を孤立コンタクトホールではサイドローブによる不要パターンが発生しない値に設定した場合、図８に示す、マスクパターンレイアウトではパターンピッチを大きくしていくと、不要パターンの発生位置がＡ点からＢ点へ移り、サイドローブ同士が干渉し得ない距離となった時点で不要パターンが消滅する。Ａ点に不要パターンが発生している際、周囲４個のコンタクトホールパターンのサイドローブが重畳していることは明らかであり、サイドローブ強度は最大値にある。Ａ点のサイドローブ強度最大値は、重畳個数の差により、Ｂ点のサイドローブ強度最大値を上回るが、Ｂ点が最大値を取るとき、Ａ点のサイドローブ間の距離が大きいため、その強度はＢ点の最大値を下回る。このため、上述のように、不要パターンの転写位置がパターンピッチに依存し、移動することとなる。
【００２０】以上のように、不要パターンが発生するサイドローブ位置はマスクパターンレイアウトにより限定されるため、クロム等で遮光することにより、このサイドローブ位置をレチクル上の特定部分のみ透過率をゼロにすれば（図５に示す）、ハーフトーン膜透過によりサイドローブ強度に寄与する部分が削除されるため、サイドローブ強度は減少し、不要パターンは発生しない。サイドローブ位置をクロム等で遮光すること自体は光コントラストを低下する傾向にあるが、サイドローブ強度はレジスト感度以下になれば良いので、遮光クロムパターンの配置、サイズ等の条件を最適化することにより、ハーフトーンマスク本来の性能を維持し、且つ、不要パターンの発生防止を図ることができる。」
　
ｂ　図面の記載
「【図５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
５　本件補正発明と引用発明の対比
　ここで、本件補正発明と引用発明を対比する。 
（１）引用発明の「遮光膜パターン３０６」、「半透明膜パターン３１１」、「透明基板３０１」及び「グレートーンマスク３１２」は、本件補正発明の「遮光膜パターン」、「半透明膜パターン」、「透明基板」及び「階調マスク」にそれぞれ相当する。 
　また、引用発明の「半透明膜パターン３１１上に遮光膜パターン３０６が積層されて存在する遮光領域」、「半透明膜パターン３１１のみが存在する半透明領域」及び「遮光膜パターン３０６と半透明膜パターン３１１のいずれも存在しない透過領域」は、本件補正発明の「遮光膜パターンが設けられた遮光領域」、「遮光膜パターンおよび前記半透明膜パターンのうち前記半透明膜パターンのみが設けられた半透明領域」及び「透明基板のみを有する透過領域」にそれぞれ相当する。 
　そうすると、引用発明の「パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない遮光膜パターン３０６と、露光光を所望の透過率で透過する半透明膜パターン３１１とからなり、透明基板３０１上に、半透明膜パターン３１１上に遮光膜パターン３０６が積層されて存在する遮光領域、半透明膜パターン３１１のみが存在する半透明領域、および遮光膜パターン３０６と半透明膜パターン３１１のいずれも存在しない透過領域、とが混在するグレートーンマスク３１２」は、本件補正発明の「透明基板と、前記透明基板上に形成された遮光膜パターンおよび透過率調整機能を有する半透明膜パターンとを有し、前記透明基板上に前記遮光膜パターンが設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記遮光膜パターンおよび前記半透明膜パターンのうち前記半透明膜パターンのみが設けられた半透明領域と、前記透明基板のみを有する透過領域とを有する階調マスク」に相当する。 
 　 
（２）引用発明の「透過領域に接して半透明領域が存在」する構成は、本件補正発明の「透過領域および前記半透明領域が接して」いる構成に相当する。 
 　 
（３）引用発明の「半透明膜パターン３１１を形成する半透明膜はクロム膜の薄膜である」構成は、本件補正発明の「半透明膜パターンがクロムから構成される」構成に相当する。 
 　 
　上記（１）〜（３）の点から、本件補正発明と引用発明は、 
「透明基板と、前記透明基板上に形成された遮光膜パターンおよび透過率調整機能を有する半透明膜パターンとを有し、前記透明基板上に前記遮光膜パターンが設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記遮光膜パターンおよび前記半透明膜パターンのうち前記半透明膜パターンのみが設けられた半透明領域と、前記透明基板のみを有する透過領域とを有する階調マスクであって、 
前記透過領域および前記半透明領域が接しており、 
　前記半透明膜パターンがクロムから構成されることを特徴とする階調マスク。」 
で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
（相違点） 
　本件補正発明は、半透明領域内であり、かつ透過領域および半透明領域の界面近傍に補正用遮光パターンが形成されており、前記補正用遮光パターンの端部と、前記透過領域および前記半透明領域の界面との距離が１μｍ〜５μｍの範囲内であるのに対し、引用発明は、そのような構成を有さない点。
 　 
６　当審の判断 
　以下、上記相違点について検討する。
　階調マスクにおいて、露光光を実質的に全て透過させる第１透過領域４２ａ（本件補正発明の「透過領域」に相当。）と露光光を所定の透過率に減衰させて透過させる第２透過領域４２ｂ（本件補正発明の「半透明領域」に相当。）との間に補助遮光部４８（本件補正発明の「補正用遮光パターン」がこれに相当。）を設けて、第１透過領域４２ａと第２透過領域４２ｂとの間、および第２透過領域４２ｂと遮光部３との間で生じる回折光に離散性を持たせ、回折光同士の干渉を抑制して、フォトレジスト４３に不要なピンホール４６が発生するのを防止することが、引用例２（引用例２では、【０１０５】、【０１０８】、図６を参照。）に記載されている。すなわち、引用例２には、階調マスクにおいて、回折光による不要パターンの発生を防止するために補助遮光部４８を設けることが記載されているといえる。
　一方、透明基板上に半透明膜（本件補正発明の「半透明膜パターン」に相当。）を有するハーフトーンマスクにおいて、半透明膜と開口部との境界付近の干渉による不要パターンの転写防止のために、半透明膜上に遮光パターン（本件補正発明の「補正用遮光パターン」に相当。）を形成すること、及び、遮光パターンの配置を適正化して不要パターンによる光コントラストの劣化を最小限にすることが、いずれも引用例３（引用例３では、前者は【０００５】、【００１１】、【００２０】、図５、後者は【００１３】をそれぞれ参照。）に記載されている。
　ここで、引用発明は、グレートーンマスク３１２（引用例２に記載された「階調マスク」に相当。）に関する発明であって、「透過領域に接して半透明領域が存在」するものであるから、引用例２記載の「回折光による不要パターンの発生を防止」という課題を有するものである。
　したがって、引用発明において、引用例３記載の事項を採用して、半透明膜パターン３１１上に遮光パターンを形成することは当業者が容易になし得たことであって、その際に、干渉による不要パターンの転写防止という課題を考慮しながら、遮光パターンの端部と、遮光領域および半透明領域の界面との距離を１μｍ〜５μｍの範囲内として、上記相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。 
 　 
　そして、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例２、３記載の事項から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。 
　よって、本件補正発明は、引用発明及び引用例２、３記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　 
７　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年８月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１０月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（上記「第２」［理由］「１」参照。）
　
２　引用刊行物
　本願の出願前に頒布された引用例１及び２、その記載事項、ならびに引用発明は、上記「第２」［理由］「４」に記載したとおりである。
　
３　対比
　上記「第２」［理由］「５」において本件補正発明と引用発明を対比した際と同様に、本願発明と引用発明を対比すると、本願発明と引用発明は、
「透明基板と、前記透明基板上に形成された遮光膜パターンおよび透過率調整機能を有する半透明膜パターンとを有し、前記透明基板上に前記遮光膜パターンが設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記遮光膜パターンおよび前記半透明膜パターンのうち前記半透明膜パターンのみが設けられた半透明領域と、前記透明基板のみを有する透過領域とを有する階調マスクであって、 
前記透過領域および前記半透明領域が接しており、 
　前記半透明膜パターンがクロムから構成されることを特徴とする階調マスク。」 
で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
（相違点） 
　本願発明は、半透明領域内であり、かつ透過領域および半透明領域の界面近傍に補正用遮光パターンが形成されているのに対し、引用発明は、そのような構成を有さない点。
　
４　当審の判断
　階調マスクにおいて、露光光を実質的に全て透過させる第１透過領域４２ａ（本件補正発明の「透過領域」に相当。）と露光光を所定の透過率に減衰させて透過させる第２透過領域４２ｂ（本件補正発明の「半透明領域」に相当。）との間に補助遮光部４８（本件補正発明の「補正用遮光パターン」がこれに相当。）を設け、第１透過領域４２ａと第２透過領域４２ｂとの間、および第２透過領域４２ｂと遮光部３との間で生じる回折光に離散性を持たせ、回折光同士の干渉を抑制することが、引用例２（引用例２では、【０１０５】、【０１０８】、図６を参照。）に記載されている。 
　また、引用発明は、「透過領域に接して半透明領域が存在」するものであるから、引用例２に記載された「回折光同士の干渉を抑制」する課題を有するものといえる。 
　したがって、引用発明において、引用例２記載の事項を適用することは当業者が容易になし得たことであって、その際に、引用発明の半透明領域の透過領域側端部の半透明膜パターン３１１上に補正用遮光パターンを形成して、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。 
 　 
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例２記載の事項から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。 
　よって、本願発明は、引用発明及び引用例２記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。