【事件の表示】
　特願２０１０−５４４９００号「太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年２月４日国際公開、ＷＯ２０１０／０１３９７２、平成２３年４月７日国内公表、特表２０１１−５１１４５３号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯 
　本願は、２００９年７月３１日（パリ条約による優先権主張　２００８年８月１日　（ＫＲ）大韓民国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年７月２９日付けで特許法第１８４条の４第１項の規定による明細書、請求の範囲、及び図面（図面の中の説明に限る）の日本語による翻訳文が提出され、平成２４年７月３１日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、同年１１月６日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、平成２５年４月２２日付けで拒絶査定がされ、これに対し同年９月５日に拒絶査定不服審判の請求がされ、同時に手続補正がされたものである。
　そして、当審において、平成２５年１１月２６日付けで審査官により作成された前置報告書について、同年１２月６日付け審尋を行ったところ、審判請求人は指定期間内に回答書を提出しなかったものである。
　
II．平成２５年９月５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年９月５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１、すなわち、 
「　【請求項１】
　第１導電型を有する基板の入射面に前記第１導電型と反対導電型である第２導電型のエミッタ層を形成する段階と、
　前記エミッタ層上には少なくとも一層の反射防止膜を形成し、
　前記入射面と対向し光が入射されない前記基板の裏面には前記基板の一部が露出した少なくとも一つの露出部を備えた少なくとも一層の保護膜を形成する段階と、
　前記エミッタ層と電気的に接続される第１電極を形成する段階と、
　前記露出部を通じて露出した前記基板の上に形成され、前記基板と電気的に接続される複数の第２電極を形成する段階と、
を含み、
　前記反射防止膜及び前記保護膜は前記反射防止膜及び前記保護膜の層の数と同一の数の複数のチャンバーを準備し、前記膜を前記複数のチャンバーで独立的に形成し、
　前記保護膜は、
　前記基板の裏面上に複数の開口部と複数の遮断部を備えたマスクを位置させる段階、そして
　前記開口部と向い合う前記基板の部分に膜が形成され前記遮断部と向い合う前記基板の部分を露出する複数の露出部が形成され、前記複数の露出部を有する前記保護膜を形成する段階,
を含む太陽電池の電極形成方法。」 
　を、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１、すなわち、 
「【請求項１】
　第１導電型を有する基板の入射面に前記第１導電型と反対導電型である第２導電型のエミッタ層を形成する段階と、
　前記エミッタ層上には少なくとも一層の反射防止膜を形成し、
　前記入射面と対向し光が入射されない前記基板の裏面には前記基板の一部が露出した少なくとも一つの露出部を備えた少なくとも一層の保護膜を形成する段階と、
　前記エミッタ層と電気的に接続される第１電極を形成する段階と、
　前記
エミッタ
を含み、
　前記反射防止膜及び前記保護膜は前記反射防止膜及び前記保護膜の層の数と同一の数の複数のチャンバーを準備し、前記膜を前記複数のチャンバーで独立的に形成し、
　前記保護膜は、
　前記基板の裏面上に複数の開口部と複数の遮断部を備えたマスクを位置させる段階、そして
　前記開口部と向い合う前記基板の部分に膜が形成され前記遮断部と向い合う前記基板の部分を露出する複数の露出部が形成され、前記複数の露出部を有する前記保護膜を形成する段階,を含み、
　
前記第１電極を形成する段階と前記第２電極を形成する段階は、
　　
前記反射防止膜の上に第１ペーストを塗布して第１電極パターンを形成する段階と、
　　
前記保護膜と前記露出部を通じて露出した前記基板の上に第２ペーストを塗布して第２電極用導電層パターンを形成する段階と、
　　
前記第１電極パターンと前記第２電極用導電層パターンを備えた前記基板を熱処理して、前記エミッタ層と電気的に接続される複数の第１電極と、前記基板と電気的に接続される少なくとも一つの第２電極を備えた第２電極用導電層を一度に形成する段階、とを含み、
　
前記マスクは前記基板と一緒に前記複数のチャンバー各々に移動する
　に補正する補正事項を含むものである。
 　
２．新規事項の有無 
２−１．本件補正が、特許法第１８４条の１２第２項により読み替える同法第１７条の２第３項の規定を満たすものであるか否か、すなわち、本件補正が、国際出願日における国際特許出願の明細書若しくは図面（図面の中の説明に限る。）の翻訳文、国際出願日における国際特許出願の請求の範囲の翻訳文又は国際出願日における国際特許出願の図面（図面の中の説明を除く。）（以下「当初明細書等」という）に記載した事項の範囲内でなされたものであるかについて検討する。
　
（１）前記「１．本件補正の内容」からして、本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「マスク」について、「前記マスクは前記基板と一緒に前記複数のチャンバー各々に移動する」との限定を付加する補正事項を含むものである。
　審判請求人は、上記補正事項の技術的意義につき、審判請求書において、『補正後の請求項１に係る発明は、・・・「前記マスクは前記基板と一緒に前記複数のチャンバー各々に移動する」との構成を備えております。したがって、本願発明は、上記構成を備えることにより、各チャンバーにおけるマスクと基板との位置合せをする時間を減らすことができ、太陽電池の電極形成行程全体の工程時間を短縮することができ、また、マスクと基板を同時に移動することによってマスクと基板との間の位置がずれることを防止することができます。』（「（４）本件の請求項１に係る発明について」の項）と主張する。
　そうすると、上記補正事項は、マスクを基板に対して所定位置に保ったままマスクと基板を同時に複数のチャンバー各々に移動することを意味するといえる。
　
（２）審判請求人は、上記補正事項の補正の根拠につき、審判請求書において、『補正事項２については、補正前の請求項１に記載される「前記基板の裏面上に複数の開口部と複数の遮断部を備えたマスクを位置させる段階」の「マスク」について、さらに、「前記マスクは前記基板と一緒に前記複数のチャンバー各々に移動する」と限定するものです。ここで、補正事項２は、本願明細書の例えば、段落〔００７７〕、〔００９２〕、図６の記載を根拠とするものです。』（「２．補正の根拠の明示　（１）補正後の請求項１について」の項）と主張する。
　審判請求人が上記補正事項の補正の根拠とする当初明細書等の記載は以下のとおりである。
「【００７７】
　既に説明したように、各保護膜１９１−１９３が形成される度に基板１１０が配置されるチャンバー２０３−２０５が変更されるので、各保護膜１９１−１９３の形成のために当該のチャンバー２０３−２０５に基板１１０が移動されて、露出部１８１の形成のために各チャンバー２０３−２０５には同一であるマスク３００が位置する。」
 
「【００９２】
　また、各保護膜１９１−１９３を形成するために当該のチャンバー２０３−２０５に基板１１０の位置が移動するによってマスク３００また移動して同一であるパターンの第１保護膜１９１ないし第３保護膜１９３が形成されるので、第１保護１９１乃至第３保護膜１９３に露出部１８１を形成するための別途の工程が必要なく製造時間さらに一層減る。」
 
【図６】　
（３）当初明細書等の段落【００７７】の記載からして、該段落【００７７】には、基板１１０上に保護膜１９１〜１９３を順次形成するために、基板１１０がチャンバー２０３からチャンバー２０５へ順次移動され、露出部１８１を形成するために、各チャンバー２０３〜２０５において、同一のマスク３００が所定位置に配置されることが記載されているといえる。
　
　当初明細書等の段落【００９２】の「基板１１０の位置が移動するによってマスク３００また移動して」との記載は日本語として明確とはいえないものの、基板１１０が移動されるとともに、マスク３００も移動される程度の事項を意味すると解されることからすれば、該記載を含む当初明細書等の段落【００９２】の記載からして、該段落【００９２】には、基板１１０上に保護膜１９１〜１９３を順次形成するために、基板１１０が、チャンバー２０３からチャンバー２０５へ順次移動されるとともに、マスク３００も、チャンバー２０３からチャンバー２０５へ順次移動されて、同一パターンの第１保護膜１９１〜第３保護膜１９３が形成されるので、第１保護膜１９１〜第３保護膜１９３に露出部１８１を形成するための別途の工程が必要なく製造時間がさらに一層減ることが記載されているといえる。
  　
　当初明細書等の図６には、基板１１０上に保護膜１９１〜１９３と露出部１８１を形成するために、各チャンバー２０３〜２０５において、マスク３００が基板に対して概略同じ位置に配置されることが記載されているといえる。
　
　以上によれば、審判請求人が補正の根拠とする当初明細書等の段落【００７７】、【００９２】、図６には、基板１１０上に保護膜１９１〜１９３を順次形成するために、基板１１０が、チャンバー２０３からチャンバー２０５へ順次移動されるとともに、マスク３００も、チャンバー２０３からチャンバー２０５へ順次移動され、さらに、露出部１８１を形成するために、各チャンバー２０３〜２０５において、同一のマスク３００が概略同じ位置に配置されて、同一パターンの第１保護膜１９１〜第３保護膜１９３が形成されるので、第１保護１９１〜第３保護膜１９３に露出部１８１を形成するための別途の工程が必要なく製造時間がさらに一層減ることが記載されているといえる。
　しかしながら、「基板１１０が、チャンバー２０３からチャンバー２０５へ順次移動されるとともに、マスク３００も、チャンバー２０３からチャンバー２０５へ順次移動され、さらに、露出部１８１を形成するために、各チャンバー２０３〜２０５において、同一のマスク３００が概略同じ位置に配置され」る場合、基板１１０とマスク３００とを所定位置に保ったまま移動する態様と基板１１０とマスク３００とを離して別々に移動する態様の２つの態様があるところ、当初明細書等には、これらのうちの一方であるのか、或いは両方であるのかについての記載はなく、また、当初明細書等の記載から基板１１０とマスク３００とを所定位置に保ったまま移動する態様であることが自明であるというべき根拠も見出せない。
　さらに、当初明細書等には、「別途の工程」が具体的にどのような行程であるのかについての記載はなく、また、当初明細書等の記載から「別途の工程」の内容が自明であるというべき根拠も見出せない。
　以上のとおり、本件補正により追加された「前記マスクは前記基板と一緒に前記複数のチャンバー各々に移動する」構成、すなわち、基板１１０に対してマスク３００を所定位置に保ったままマスク３００と基板１００を同時に複数のチャンバー各々に移動することにより、各チャンバーにおけるマスクと基板との位置合せをする時間を減らすことができるという効果を奏し得るという技術事項は、当初明細書等に記載されておらず、かつ、これらから自明な事項でもない。
　そうすると、本件補正における上記補正事項は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものであって、当初明細書等に記載した事項の範囲内でなされたものではない。 
　
２−２．むすび 
　したがって、本件補正は、特許法第１８４条の１２第２項により読み替える同法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
III.本願発明 
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２４年１１月６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。 
「　【請求項１】
　第１導電型を有する基板の入射面に前記第１導電型と反対導電型である第２導電型のエミッタ層を形成する段階と、
　前記エミッタ層上には少なくとも一層の反射防止膜を形成し、
　前記入射面と対向し光が入射されない前記基板の裏面には前記基板の一部が露出した少なくとも一つの露出部を備えた少なくとも一層の保護膜を形成する段階と、
　前記エミッタ層と電気的に接続される第１電極を形成する段階と、
　前記露出部を通じて露出した前記基板の上に形成され、前記基板と電気的に接続される複数の第２電極を形成する段階と、
を含み、
　前記反射防止膜及び前記保護膜は前記反射防止膜及び前記保護膜の層の数と同一の数の複数のチャンバーを準備し、前記膜を前記複数のチャンバーで独立的に形成し、
　前記保護膜は、
　前記基板の裏面上に複数の開口部と複数の遮断部を備えたマスクを位置させる段階、そして
　前記開口部と向い合う前記基板の部分に膜が形成され前記遮断部と向い合う前記基板の部分を露出する複数の露出部が形成され、前記複数の露出部を有する前記保護膜を形成する段階,
を含む太陽電池の電極形成方法。」
　 　 
IV．引用文献の記載事項 
　原査定で引用され、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平２−１４３５６９号公報（以下、「引用文献」という。）には、次の事項が記載されている。
　
引ア：「［産業上の利用分野］
　本発明は光電変換素子に関し、特にその光電変換効率を総体的に向上するための改良に関する。
［従来の技術］
　光電変換素子の効率向上の試みは様々な観点から成されているが、ある意味では一種機械的ないし物理的な構造上の工夫により、総体的に変換効率を改善するため、特に結晶シリコン系太陽電池で採られている手法に、ｐｎ接合構造等、基本的にその内部で光電変換を営む層状の半導体光電変換部の上下両表面の中、いずれか一方の表面それ自体を粗面にするというものがある。」（１頁右下欄１２行〜２頁左上欄３行）
　
引イ：「［作　　用］
　先にも述べたように、本発明の光電変換素子においても、実質的にその内部で光電変換を営む層状光電変換部自体には種々の構造が考えられ、おおよそ、従来提示されている光電変換素子中に設けられている層状光電変換部と同様の構造群は、原則として全て、本発明で言う層状光電変換部として用いることができる。
　例えば基本的な結晶系、非結晶系のｐｎ接合構造を始め、ヘテロ接合構造や、さらには三層以上、もっと多くの層を積層して形成された光電変換構造等も含むことができる。ｐｉｎ接合等は多層積層構造の最も簡単な場合である。」（２頁右下欄１１〜３頁左上欄３行）
　
引ウ：「［実　施　例］
　第１図には本発明に従って構成された光電変換素子の一実施例が断面構造で示されている。
　図示の場合、基本的に光の入射により光電変換機能を営む層状光電変換部１０には、便宜的に第一の半導体層１１と第二の半導体層１２の積層構造から成るものが例示されている。
　第一の半導体層１１と第二の半導体層１２とは、光発生したキャリアを分離できるように組込み電界を形成できる関係にあれば良く、その最も古典的な関係は公知、既存のｐｎ接合である。」（３頁右下欄１〜１１行）
　
引エ：「第二半導体層１２がシリコンの場合、保護層３０を上記のように二層構造とし、第二半導体層１２に接する面側を酸化シリコン、外側を窒化シリコンとして構成すると、第二半導体層１２の表面電子状態を特に良好に保つことができ、さらに外側の窒化シリコンの上に、数十Åから数百Å程度の厚さの酸化シリコン膜を設けて三層構造とすると、その後に形成される表面凹凸層４０との接着性を向上させることもできる。」（４頁左下欄１０〜１８行） 
　
引オ：「第４図はこのように、層状光電変換部１０にあって入射面とは反対側の面（裏面）に保護層３０と表面凹凸層４０を形成した実施例を示している。
　この実施例においても、層状光電変換部１０中の構成自体は任意であり、図示されているように、第一半導体層１１の上に第１，２図示実施例において示された第二半導体層１２が整流性の接合を形成するように設けられている場合や、第３図示実施例において示されているように、第一半導体層１１の表面領域に電気的に誘起される反転層１４が第一半導体層１１とあいまって光電変換機能に寄与するような場合を含む外、種々の構造であって良く、また、その光入射面側の付帯構成には、この種の公知既存の光電変換素子において既に採用されている種々の工夫が適宜、任意に取込まれていて良い。
　例えば層状光電変換部１０の光入射面側の表面領域ないし第二半導体層１２の表面領域の上には、光透過性で反射防止機能の高い反射防止膜７０が保護膜を兼ねて備えられていて良く、取り出し電極５１はこの反射防止膜７０に適宜所定のパターンに従って開けられた開口を介し、層状光電変換部１０に電気的にオーミック接触するようになっていて良い。
　また、このオーミック接触部分には、先に第３図に即して説明したように、特に第二半導体層１２が反転層１４で形成されるような場合には、良好なオーミック接触を採るための不純物領域５４に相当する領域を備えて良い。
　対して層状光電変換部１０の光入射面とは反対側の面には、本発明に従い、保護層３０を介した後、表面凹凸層４０が形成され、さらにその上にもう一方の取り出し電極５２を形成する電極面が形成されている。
　この場合、当該電極面５２は裏面反射膜を兼ね、層状光電変換部１０中を通過してきた光を再度、光電変換部１０中に戻す働きし、本発明により備えられた表面凹凸層４０は、これに際して反射光を散乱し、その光路長を実効的に長くするべく機能する。
　もちろん、この電極面５２は、保護層３０と表面凹凸層４０に一連に、かつ要所に開けられた開口を介し、光電変換部１０の表面にオーミック接触している。」（７頁右上欄４行〜右下欄７行）
　
引カ：
引ａ：引アの「本発明は光電変換素子に関し、特にその光電変換効率を総体的に向上するための改良に関する。・・・光電変換素子の効率向上の試みは様々な観点から成されているが、・・・特に結晶シリコン系太陽電池で採られている手法に・・・というものがある。」との記載からして、引用文献に記載された光電変換素子は太陽電池の場合を含むといえる。
　
引ｂ：引ウの「第１図には本発明に従って構成された光電変換素子の一実施例が断面構造で示されている。・・・第一の半導体層１１と第二の半導体層１２とは、・・・既存のｐｎ接合である。」との記載からして、引用文献には、第１図に記載された実施例における光電変換素子の第一半導体層１１と第二半導体層１２とがｐｎ接合することが記載されているといえる。
　そして、引イの「おおよそ、従来提示されている光電変換素子中に設けられている層状光電変換部と同様の構造群は、原則として全て、本発明で言う層状光電変換部として用いることができる。例えば基本的な結晶系、非結晶系のｐｎ接合構造を・・・も含むことができる。」との記載及び引オの「第４図はこのように、層状光電変換部１０にあって入射面とは反対側の面（裏面）に保護層３０と表面凹凸層４０を形成した実施例を示している。この実施例においても、層状光電変換部１０中の構成自体は任意であり、図示されているように、第一半導体層１１の上に第１，２図示実施例において示された第二半導体層１２が整流性の接合を形成するように設けられている場合・・・を含む」との記載からして、引用文献には、第４図に記載された実施例における光電変換素子の第一半導体層１１と、第一半導体層１１の上、すなわち入射面の第二半導体層１２とが、第１図に記載された実施例における光電変換素子の第一半導体層１１と第二半導体層１２と同様に、ｐｎ接合することが記載されているといえる。
　そうすると、引用文献には、第４図に記載された実施例における光電変換素子について、第一半導体層１１の入射面に第一半導体層１１とｐｎ接合する第二半導体層１２を形成することが記載されているといえる。
　
引ｃ：引オの「第４図はこのように、層状光電変換部１０にあって入射面とは反対側の面（裏面）に保護層３０と表面凹凸層４０を形成した実施例を示している。」との記載、引オの「例えば層状光電変換部１０の光入射面側の表面領域ないし第二半導体層１２の表面領域の上には、光透過性で反射防止機能の高い反射防止膜７０が保護膜を兼ねて備えられていて良く」との記載、引オの「この電極面５２は、保護層３０と表面凹凸層４０に一連に、かつ要所に開けられた開口を介し、光電変換部１０の表面にオーミック接触している。」との記載及び第４図の図示内容からして、引用文献には、第４図に記載された実施例における光電変換素子について、第二半導体層１２上には反射防止膜７０を形成し、第一半導体層１１の入射面と対向する第一半導体層１１の裏面には第一半導体層１１の一部が露出した複数の開口を備えた構造の保護層３０を形成することが記載されているといえる。
　また、引エの第１図に記載された実施例における光電変換素子についての「第二半導体層１２がシリコンの場合、保護層３０を上記のように二層構造とし、・・・さらに・・・三層構造とする・・・こともできる。」との記載が第４図に記載された実施例における光電変換素子について当てはまることが明らかだから、引用文献には、第４図に記載された実施例における光電変換素子について、第二半導体層１２上には反射防止膜７０を形成し、第一半導体層１１の入射面と対向する第一半導体層１１の裏面には第一半導体層１１の一部が露出した複数の開口を備えた２，３層の構造の保護層３０を形成することも記載されているといえる。
　
引ｄ：引オの「取り出し電極５１はこの反射防止膜７０に適宜所定のパターンに従って開けられた開口を介し、層状光電変換部１０に電気的にオーミック接触するようになっていて良い。」との記載及び第４図の図示内容からして、引用文献には、第４図に記載された実施例における光電変換素子について、第二半導体層１２と電気的にオーミック接触する取り出し電極５１を形成することが記載されているといえる。
　
引ｅ：引オの「対して層状光電変換部１０の光入射面とは反対側の面には、本発明に従い、保護層３０を介した後、表面凹凸層４０が形成され、さらにその上にもう一方の取り出し電極５２を形成する電極面が形成されている。」との記載、引オの「この電極面５２は、保護層３０と表面凹凸層４０に一連に、かつ要所に開けられた開口を介し、光電変換部１０の表面にオーミック接触している。」との記載及び第４図に取り出し電極５２の複数の突出部が保護層３０の複数の開口を通じて露出した第一半導体層１１の上に形成されている態様が示されていることからして、引用文献には、第４図に記載された実施例における光電変換素子について、保護層３０の複数の開口を通じて露出した第一半導体層１１の上に形成され、第一半導体層１１とオーミック接触する取り出し電極５２の複数の突出部を形成することが記載されているといえる。
　
引ｆ：引ｄ、引ｅからして、引用文献には、第４図に記載された実施例における光電変換素子について、引ｂ〜引ｅの事項の段階を含む電極形成方法が記載されているといえる。
　そして、引用文献に記載された光電変換素子は太陽電池の場合を含む（引ａ）から、引用文献には、引ｂ〜引ｅの事項の段階を含む太陽電池の電極形成方法が記載されているといえる。
　
　以上によれば、引用文献には以下の発明が記載されている。 
「第一半導体層１１の入射面に第一半導体層１１とｐｎ接合する第二半導体層１２を形成する段階と、
　第二半導体層１２上には反射防止膜７０を形成し、
　第一半導体層１１の入射面と対向する第一半導体層１１の裏面には第一半導体層１１の一部が露出した複数の開口を備えた２，３層の構造の保護層３０を形成する段階と、
　第二半導体層１２と電気的にオーミック接触する取り出し電極５１を形成する段階と、
　前記複数の開口を通じて露出した第一半導体層１１の上に形成され、第一半導体層１１とオーミック接触する取り出し電極５２の複数の突出部を形成する段階と、
を含む太陽電池の電極形成方法。」（以下、「引用発明」という。）
 
Ｖ．対比・判断 
１．対比
　引用発明の「第一半導体層１１」は、特定の導電型を有することが明らかであるから、本願発明の「第１導電型を有する基板」に相当する。
　
　本願明細書の発明の詳細な説明の「一般的な太陽電池はｐ型とｎ型のように互いに異なる導電型(conductive type)の半導体からなる基板(substrate)及びエミッタ層(emitter layer)、そして基板とエミッタ層にそれぞれ接続された電極を備える。この時、基板とエミッタ層の界面にはｐ−ｎ接合が形成されている。」（【０００２】）との記載からして、本願発明のエミッタ層は、基板と異なる導電型であって、基板とエミッタ層の界面にｐ−ｎ接合が形成されるものといえる。
　そうすると、「第一半導体層１１」の導電型と反対導電型であることが明らかであって、「第一半導体層１１」との界面にｐ−ｎ接合が形成される引用発明の「第一半導体層１１とｐｎ接合する第二半導体層１２」は本願発明の「第１導電型を有する基板の入射面に前記第１導電型と反対導電型である第２導電型のエミッタ層」に相当し、引用発明の「第一半導体層１１の入射面に第一半導体層１１とｐｎ接合する第二半導体層１２を形成する段階」は本願発明の「第１導電型を有する基板の入射面に前記第１導電型と反対導電型である第２導電型のエミッタ層を形成する段階」に相当する。
　
　引用発明の「反射防止膜７０」、「開口」、「保護層３０」は、本願発明の「反射防止膜」、「露出部」、「保護膜」に、それぞれ相当するとともに、引用発明の「第一半導体層１１の入射面と対向する第一半導体層１１の裏面」は光が入射されない面といえるから、引用発明の「第二半導体層１２上には反射防止膜７０を形成し、第一半導体層１１の入射面と対向する第一半導体層１１の裏面には第一半導体層１１の一部が露出した複数の開口を備えた２，３層の構造の保護層３０を形成する段階」は本願発明の「前記エミッタ層上には少なくとも一層の反射防止膜を形成し、前記入射面と対向し光が入射されない前記基板の裏面には前記基板の一部が露出した少なくとも一つの露出部を備えた少なくとも一層の保護膜を形成する段階」に相当する。　
　
　引用発明の「取り出し電極５１」、「取り出し電極５２の複数の突出部」は、本願発明の「第１電極」、「第２電極」に、それぞれ相当するから、引用発明の「第二半導体層１２と電気的にオーミック接触する取り出し電極５１を形成する段階」は本願発明の「前記エミッタ層と電気的に接続される第１電極を形成する段階」に相当し、引用発明の「前記複数の開口を通じて露出した第一半導体層１１の上に形成され、第一半導体層１１とオーミック接触する取り出し電極５２の複数の突出部を形成する段階」は、本願発明の「前記露出部を通じて露出した前記基板の上に形成され、前記基板と電気的に接続される複数の第２電極を形成する段階」に相当する。
　
　以上によれば、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
「第１導電型を有する基板の入射面に前記第１導電型と反対導電型である第２導電型のエミッタ層を形成する段階と、
　前記エミッタ層上には少なくとも一層の反射防止膜を形成し、
　前記入射面と対向し光が入射されない前記基板の裏面には前記基板の一部が露出した少なくとも一つの露出部を備えた少なくとも一層の保護膜を形成する段階と、
　前記エミッタ層と電気的に接続される第１電極を形成する段階と、
　前記露出部を通じて露出した前記基板の上に形成され、前記基板と電気的に接続される複数の第２電極を形成する段階と、
を含む太陽電池の電極形成方法。」
 
　そして、両発明は以下の点で相違する。
（相違点）
　反射防止膜及び保護膜の形成につき、
　本願発明では、「前記反射防止膜及び前記保護膜は前記反射防止膜及び前記保護膜の層の数と同一の数の複数のチャンバーを準備し、前記膜を前記複数のチャンバーで独立的に形成し、
　前記保護膜は、
　前記基板の裏面上に複数の開口部と複数の遮断部を備えたマスクを位置させる段階、そして
　前記開口部と向い合う前記基板の部分に膜が形成され前記遮断部と向い合う前記基板の部分を露出する複数の露出部が形成され、前記複数の露出部を有する前記保護膜を形成する段階」を含む方法により形成するのに対して、
 引用発明では、どのような段階を含む方法により形成するのか不明である点。
 
２．判断
　そこで、相違点について検討する。
　例えば、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００３−２３１９６９号公報に、従来技術として「図２に示される従来の製膜装置は、基材８に膜の形成を行う製膜室１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄを有する。この製膜室１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄは、それぞれ１種類の膜しか形成することがきず、基材に複数の膜を形成する場合には、製膜室の数が、その膜数分だけ必要となる。さらに各製膜室は、それぞれ電極２、３とガス導入口４を有する。」（【００５１】）と記載されているように、基材に形成する膜の数だけチャンバーを準備することは、本願の優先権主張日前に周知の技術であったといえるから、引用発明において、反射防止膜７０及び保護層３０を形成するにあたり、上記周知技術に倣って、「前記反射防止膜及び前記保護膜は前記反射防止膜及び前記保護膜の層の数と同一の数の複数のチャンバーを準備し、前記膜を前記複数のチャンバーで独立的に形成」する構成とすることに格別の困難性は見出せない。
　加えて、例えば、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００８−１３５５６５号公報に「反射防止膜３の形成方法は、ＰＥＣＶＤ（plasma enhanced chemical vapor deposition）法、蒸着法、スパッタ法などを用いて形成する。なお、反射防止膜３は、・・・表面電極４を形成するために所定のパターンでパターニングしておく。パターニング法としては・・・・反射防止膜３形成時にマスクを予め形成しておき、反射防止膜３形成後にこれを除去する方法を用いることができる。」（【００５７】）と記載され、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００６−７３８４９号公報に、従来技術として「パターニングの従来技術に、マスクによる方法がある・・・メタルマスク方式と呼ばれるパターニングに於いては、メタルマスクの開口部に半導体層、裏面電極層が堆積形成される。」（【０００７】〜【０００８】）と記載されているように、マスクを用いて膜を形成することは、本願の優先権主張日前に周知の技術であったといえる。
　しかも、上記周知技術において、マスクが開口部と遮断部を備えるとともに、マスクの開口部と向き合う面上には膜が形成され、マスクの遮断部と向き合う面上には膜が形成されずに、面が露出した開口（露出部）が形成されることは明らかである。
　そうすると、引用発明において、第一半導体層１１の裏面に複数の開口を備えた２，３層の構造の保護層３０を形成する段階を「前記保護膜の層の数と同一の数の複数のチャンバーを準備し、前記膜を前記複数のチャンバーで独立的に形成」する構成とするにあたり、上記周知技術に倣ってマスクを用いて保護層３０を形成するようにし、「前記基板の裏面上に複数の開口部と複数の遮断部を備えたマスクを位置させる段階、そして　前記開口部と向い合う前記基板の部分に膜が形成され前記遮断部と向い合う前記基板の部分を露出する複数の露出部が形成され、前記複数の露出部を有する前記保護膜を形成する段階」を含む構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る設計事項にすぎない。
　以上によれば、相違点に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に想到し得る事項である。
　そして、本願発明による効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
  
VI．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。