【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
参照ライブラリの作成方法であって、
ａ）標準温度にて第１の検体蒸気の既知の濃度（Ｙ）に暴露しながら、参照静電容量センサ素子の静電容量（Ｃｒｅｆ）を測定する工程であり、前記参照静電容量センサ素子が、第１の導電性電極と第２の導電性電極との間に配置され前記第１の導電性電極及び前記第２の導電性電極と接触するミクロ孔質誘電体材料の層を含み、前記検体蒸気の少なくとも一部が、前記ミクロ孔質誘電体材料の細孔内に吸収される、工程と、
ｂ）前記標準温度にて前記第１の検体蒸気の不在下で、前記参照静電容量センサ素子の基準静電容量（Ｃｒｅｆ  ｂａｓｅ）を測定する工程と、
ｃ）真の参照静電容量Ｃｒｅｆ  ｔｒｕｅ（但し、Ｃｒｅｆ  ｔｒｕｅ＝Ｃｒｅｆ−Ｃｒｅｆ  ｂａｓｅ）を決定する工程と、
ｄ）第２の検体蒸気の既知の濃度に暴露しながら、前記参照静電容量センサ素子の静電容量（Ｃｎ２）を測定する工程と、
ｅ）相対参照静電容量（Ｃｎ２  ｒｅｆ）（但し、Ｃｎ２  ｒｅｆ＝（Ｃｎ２−Ｃｒｅｆ  ｂａｓｅ）／Ｃｒｅｆ  ｔｒｕｅ）を決定する工程と、
ｆ）前記第２の検体蒸気の少なくとも２つの追加の異なる濃度で、工程ｄ）及びｅ）を繰り返す工程と、
ｇ）Ｃｎ２  ｒｅｆと、前記第２の検体蒸気の前記濃度との間の第１の基準相関を決定する工程と、
ｈ）前記第１の基準相関をコンピュータ可読媒体上に記録する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の検体蒸気と前記第２の検体蒸気とが異なる、請求項１に記載の参照ライブラリの作成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の参照ライブラリの作成方法に従って作成可能な参照ライブラリを含む情報が格納されたコンピュータ可読媒体と、
少なくとも一体構造の静電容量センサ素子に給電するようになっている演算回路であって、前記一体構造の静電容量センサ素子が、前記参照静電容量センサ素子と実質的に同一構成のものである、演算回路と、
前記演算回路と電気的に導通している検出モジュールであって、前記一体構造の静電容量センサ素子から電気信号を受け取るようになっている検出モジュールと、
前記検出モジュール及び前記コンピュータ可読媒体に通信可能に接続されるプロセッサモジュールであって、
対応する基準相関が前記校正ライブラリの中に存在する特定の検体蒸気の未知の濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の静電容量（Ｃｕｎｋ）を得る工程と；
前記一体構造の静電容量センサ素子の基準静電容量（Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅ）を得る工程と；
相対静電容量Ｃｕｎｋ  ｒｅｌ＝（Ｃｕｎｋ−Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅ）／Ｒｃｏｎｖを得る工程であり、
前記一体構造の静電容量センサ素子を前記第２の検体の既知の第１の蒸気濃度に暴露する工程であり、前記一体構造の静電容量センサ素子が、２つの電極の間に配置され前記２つの電極と接触するミクロ孔質材料の層を含み、前記第２の検体の少なくとも一部が、前記ミクロ孔質材料の細孔内に吸着される、工程と、
前記一体構造の静電容量センサ素子を前記第２の検体の既知の第１の蒸気濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の第１の静電容量（Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ１）を測定する工程と、
前記一体構造の静電容量センサ素子を前記第２の検体の既知の第２の蒸気濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の第２の静電容量（Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ２）を測定する工程と、
差（ΔＣｉｎｔ  ｍｅａｓ）（但し、ΔＣｉｎｔ  ｍｅａｓ＝｜Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ１−Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ２｜）を得る工程と、
前記第２の検体の前記第１の蒸気濃度における参照静電容量センサ素子の第１の相対参照静電容量（Ｃｎ２  ｒｅｆ１）と、前記第２の検体の前記第２の蒸気濃度における前記参照静電容量センサ素子の第２の相対参照静電容量（Ｃｎ２  ｒｅｆ２）との間の差（ΔＣｎ２  ｒｅｆ）（但し、ΔＣｎ２  ｒｅｆ＝｜Ｃｎ２  ｒｅｆ１−Ｃｎ２  ｒｅｆ２｜を得る工程と、
ＲｃｏｎｖをΔＣｉｎｔ  ｍｅａｓ／ΔＣｎ２  ｒｅｆとして算出する工程と、
を含む方法によってＲｃｏｎｖが得られる、相対静電容量を得る工程と、
Ｃｕｎｋ  ｒｅｌを、前記参照ライブラリの中の対応する基準相関と比較して前記検体蒸気の真の濃度を得て、前記真の濃度を前記コンピュータ可読媒体上に記録すること、及び前記真の濃度をディスプレイ部材に通信することの少なくとも一方を行う工程と、
を行うようになっているプロセッサモジュールと、
前記ディスプレイ部材及び前記プロセッサモジュールに通信可能に接続される通信インターフェイスモジュールと、
を含み、
前記演算回路が、少なくとも前記検出モジュール、プロセッサモジュール、ディスプレイ部材、及び通信インターフェイスモジュールに電力を供給する、電子素子。
【請求項４】
校正された電子センサの製造方法であって、
請求項３に記載の電子素子を準備する工程と、
前記一体構造の静電容量センサ素子の基準静電容量（Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅ）を得る工程と、
Ｒｃｏｎｖを得る工程であって、
前記一体構造の静電容量センサ素子を前記第２の検体の既知の第１の蒸気濃度に暴露する工程であり、前記一体構造の静電容量センサ素子が、２つの電極の間に配置され前記２つの電極と接触するミクロ孔質材料の層を含み、前記第２の検体の少なくとも一部が、前記ミクロ孔質材料の細孔内に吸着される、工程と、
前記一体構造の静電容量センサ素子を前記第２の検体の既知の第１の蒸気濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の第１の静電容量（Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ１）を測定する工程と、
前記一体構造の静電容量センサ素子を前記第２の検体の既知の第２の蒸気濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の第２の静電容量（Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ２）を測定する工程と、
差（ΔＣｉｎｔ  ｍｅａｓ）（但し、ΔＣｉｎｔ  ｍｅａｓ＝｜Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ１−Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ２｜）を得る工程と、
前記第２の検体の前記第１の蒸気濃度における参照静電容量センサ素子の第１の相対参照静電容量（Ｃｎ２  ｒｅｆ１）と、前記第２の検体の前記第２の蒸気濃度における前記参照静電容量センサ素子の第２の相対参照静電容量（Ｃｎ２  ｒｅｆ２）との差（ΔＣｎ２  ｒｅｆ）（但し、ΔＣｎ２  ｒｅｆ＝｜Ｃｎ２  ｒｅｆ１−Ｃｎ２  ｒｅｆ２｜）を得る工程と、
ＲｃｏｎｖをΔＣｉｎｔ  ｍｅａｓ／ΔＣｎ２  ｒｅｆとして算出する工程と、
前記校正された電子センサを準備するために、Ｒｃｏｎｖ及びＣｉｎｔ  ｂａｓｅを前記電子素子に格納する工程と、
を含む方法によりＲｃｏｎｖを得る工程と、
を含む方法。
【請求項５】
校正された電子センサの使用方法であって、
請求項４に記載の方法に従って作成される校正された電子センサを準備することと、
前記標準温度にて前記特定の検体蒸気の前記未知の濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の静電容量（Ｃｕｎｋ）を測定することと、
相対静電容量Ｃｕｎｋ  ｒｅｌ＝（Ｃｕｎｋ−Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅ）／Ｒｃｏｎｖを得ることと、
Ｃｕｎｋ  ｒｅｌを、前記参照ライブラリの中の対応する基準相関と比較し、前記検体蒸気の前記真の濃度を得ることと、
前記検体蒸気の真の濃度を前記コンピュータ可読媒体上に記録すること、及び、
前記検体蒸気の前記真の濃度を前記ディスプレイ部材に通信すること、
の少なくとも一方を行うことと、
を含む方法。
【請求項６】
参照ライブラリの作成方法であって、
ａ）標準温度にて第１の検体蒸気の既知の濃度（Ｙ）に暴露しながら、参照静電容量センサ素子の静電容量（Ｃｎ１）を測定する工程であり、前記参照静電容量センサ素子が、第１の導電性電極と第２の導電性電極との間に配置され前記第１の導電性電極及び前記第２の導電性電極と接触するミクロ孔質誘電体材料の層を含み、前記検体蒸気の少なくとも一部が、前記ミクロ孔質誘電体材料の細孔内に吸収される、工程と、
ｂ）前記標準温度にて前記第１の検体蒸気の不在下で、前記参照静電容量センサ素子の基準静電容量（Ｃｒｅｆ  ｂａｓｅ）を測定する工程と、
ｃ）相対参照静電容量（Ｃｎ１  ｒｅｆ）（但し、Ｃｎ１  ｒｅｆ＝（Ｃｎ１−Ｃｒｅｆ  ｂａｓｅ）／Ｃｒｅｆ  ｂａｓｅ）を決定する工程と、
ｄ）前記第１の検体蒸気の少なくとも２つの追加の異なる濃度で、工程ａ）及びｃ）を繰り返す工程と、
ｅ）Ｃｎ１  ｒｅｆと、前記第１の検体蒸気の前記濃度との間の第１の基準相関を決定する工程と、
ｆ）前記第１の基準相関をコンピュータ可読媒体上に記録する工程と、
を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の参照ライブラリの作成方法に従って作成された参照ライブラリを含む情報が格納されたコンピュータ可読媒体と、
少なくとも一体構造の静電容量センサ素子に給電するようになっている演算回路であって、前記一体構造の静電容量センサ素子が、前記参照静電容量センサ素子と実質的に同一構成のものである、演算回路と、
前記演算回路と電気的に導通している検出モジュールであって、前記一体構造の静電容量センサ素子から電気信号を受け取るようになっている検出モジュールと、
前記検出モジュール及び前記コンピュータ可読媒体に通信可能に接続されるプロセッサモジュールであって、
対応する基準相関が前記校正ライブラリの中に存在する特定の検体蒸気の未知の濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の静電容量（Ｃｕｎｋ）を得る工程と、
前記一体構造の静電容量センサ素子の基準静電容量（Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅ）を得る工程と、
相対静電容量（Ｃｕｎｋ  ｒｅｌ）＝（Ｃｕｎｋ−Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅ）／Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅを得る工程と、
Ｃｕｎｋ  ｒｅｌを、前記参照ライブラリの中の対応する基準相関と比較し、前記検体蒸気の真の濃度を得て、前記真の濃度を前記コンピュータ可読媒体上に記録すること、及び前記真の濃度をディスプレイ部材に通信することの少なくとも一方を行う工程と、
を行うようになっている、プロセッサモジュールと、
前記ディスプレイ部材及び前記プロセッサモジュールに通信可能に接続される通信インターフェイスモジュールと、
を含み、
前記演算回路が、少なくとも前記検出モジュール、プロセッサモジュール、ディスプレイ部材、及び通信インターフェイスモジュールに電力を供給する、電子素子。
【請求項８】
前記演算回路が、前記一体構造の静電容量センサ素子を加熱するようになっている加熱素子と電気的に導通している、請求項７に記載の電子素子。
【請求項９】
校正された電子センサの製造方法であって、
請求項８に記載の電子素子を準備する工程と、
前記一体構造の静電容量センサ素子の基準静電容量（Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅ）を得る工程であって、
前記一体構造の静電容量センサ素子を前記第１の検体の既知の第１の蒸気濃度に暴露する工程であり、前記一体構造の静電容量センサ素子は、２つの電極の間に配置され前記２つの電極と接触するミクロ孔質材料の層を含み、第２の検体の少なくとも一部は、前記ミクロ孔質材料の細孔内に吸着される、工程と、
前記一体構造の静電容量センサ素子を前記第１の検体の既知の第１の蒸気濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の第１の静電容量（Ｃｉｎｔ  ｍｅａｓ１）を測定する工程と、
前記第１の検体の前記第１の蒸気濃度における参照静電容量センサ素子の第１の相対参照静電容量（Ｃｎ１  ｒｅｆ１）を得る工程と、
Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅをＣｉｎｔ  ｍｅａｓ１／（１＋Ｃｎ１  ｒｅｆ１）として算出する工程と、
前記校正された電子センサを準備するために、Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅを前記電子素子に格納する工程と、
を含む方法によって前記一体構造の静電容量センサ素子の基準静電容量を得る工程と、
を含む方法。
【請求項１０】
校正された電子センサの使用方法であって、
請求項９に記載の校正された電子センサの製造方法に従って作成される、校正された電子センサを準備することと、
前記標準温度にて前記特定の検体蒸気の前記未知の濃度に暴露しながら、前記一体構造の静電容量センサ素子の静電容量（Ｃｕｎｋ）を測定することと、
相対静電容量（Ｃｕｎｋ  ｒｅｌ）＝（Ｃｕｎｋ−Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅ）／Ｃｉｎｔ  ｂａｓｅを得ることと、
Ｃｕｎｋ  ｒｅｌを、前記参照ライブラリの中の対応する基準相関と比較し、前記検体蒸気の真の濃度を得ることと、
検体蒸気の前記真の濃度を前記コンピュータ可読媒体上に記録すること、及び前記検体蒸気の前記真の濃度を前記ディスプレイ部材に通信することの少なくとも一方を行うことと、
を含む方法。