【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板、および
前記シリコン基板の面上の、少なくとも９０Ω/□のシート抵抗を提供するドーパントレベルを有し、かつ、ブラックシリコンを備える無反射性表面を有するエミッタ層
を含む、向上された青色感度を有する光起電装置であって、
前記ブラックシリコンの層が漸変密度層であり、前記ブラックシリコンが６５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の横構造寸法を有する光起電装置。
【請求項２】
前記エミッタ層が９０Ω/□〜１７０Ω/□の範囲のシート抵抗を有する請求項１記載の光起電装置。
【請求項３】
前記横構造寸法が、ブラックシリコンの孔の直径またはブラックシリコンのピラーの外径である請求項１記載の光起電装置。
【請求項４】
ブラックシリコン構造が約５００ｎｍ未満の深さまたは高さを有する請求項１記載の光起電装置。
【請求項５】
前記ブラックシリコンが金を含まない請求項１記載の光起電装置。
【請求項６】
前記ブラックシリコンが銀または銅を含み、そして、銀または銅が１０19ｃｍ-3未満のレベルである請求項１記載の光起電装置。
【請求項７】
前記光起電装置が、前記無反射性表面上の保護層、前記シリコン基板の、前記エミッタ層を有する側とは反対側上の裏面電気接点、および前記保護層を介して前記エミッタ層と接触する前面電気接点をさらに有する太陽電池である請求項１記載の光起電装置。
【請求項８】
前記保護層が酸化アルミニウムまたは酸化シリコンを含む請求項７記載の光起電装置。
【請求項９】
裏面と、受光面とする前面とを有するシリコンウェハ、
前記前面の受光面上の、６５ｎｍより大きい横構造寸法を有する複数のナノ構造を備える漸変密度層である無反射性ブラックシリコンの層、および
前記ブラックシリコンの層を通りそしてそれを抜けて、前記前面の受光面内の深さに拡散したドーパントであって、前記ドーパントの最大レベルが３×１０21ｃｍ-3未満であるドーパントを含むエミッタ
を有する光起電装置。
【請求項１０】
前記ブラックシリコンの層が実質的に再結合性の高い金属粒子を含まない請求項９記載の光起電装置。
【請求項１１】
前記ドーパントのレベルが、前記エミッタが９０Ω/□〜１７０Ω/□のシート抵抗を有するような範囲にある請求項９記載の光起電装置。
【請求項１２】
前記前面の受光面上に、前面接点であって、前記前面接点の底面のゾーンが前記エミッタ中のドーパントレベルを越えるレベルまでトープされている前記前面接点をさらに含む光起電装置であって、前記光起電装置が選択エミッタブラックシリコン装置である請求項１１記載の光起電装置。
【請求項１３】
前記横構造寸法が６５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲であり、該構造が約５００ｎｍ未満の深さまたは高さを有する請求項９記載の光起電装置。
【請求項１４】
４００ｎｍで約７０％より大きい内部量子効率を有する請求項９記載の光起電装置。
【請求項１５】
シリコン基板、および
前記シリコン基板の面上の、少なくとも９０Ω/□のシート抵抗を提供するドーパントレベルを有し、かつ、６５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の横構造寸法を有する密度漸変性のブラックシリコンを備える無反射性表面を有するエミッタ層
を含む、向上された青色感度を有する光起電装置を製造する方法であって、
前記シリコン基板の表面上にブラックシリコンを形成する工程、
ドーパントを前記ブラックシリコン表面中に拡散させることによって前記シリコン基板中にエミッタを形成する工程、
高度にドープされたシリコンのある量を除去するため前記ブラックシリコン表面の外側の層を除去するために前記シリコン基板を処理する工程、
前記ブラックシリコン表面上に表面保護コーティングを形成する工程、および
前記シリコン基板上に前面および裏面の電気接点を取り付ける工程
を含む方法。
【請求項１６】
前記外側の層を除去するための前記シリコン基板の処理の後に、前記エミッタが少なくとも約９０Ω/□のシート抵抗を提供するようなドーパントレベルをもつ請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記外側の層を除去するための前記シリコン基板の処理が、前記ブラックシリコン表面中のナノ構造の横構造寸法を６５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲まで増加させることを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記外側の層を除去するための前記シリコン基板の処理が、前記ブラックシリコン表面を一定の時間、ＴＭＡＨ、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＨＦおよびＨＮＯ3のうちの少なくとも１つを用いてエッチングすることを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
エッチング時間が少なくとも約１０秒である請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記シリコン基板の表面上にブラックシリコンを形成する工程がメタルアシストエッチングを含む請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記メタルアシストエッチングが、再結合性が高くない金属から形成されるナノ粒子を用いて行われる請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記メタルアシストエッチングが銀または銅のナノ粒子を用いて行われる請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記ブラックシリコンのナノ構造が約５００ｎｍ未満の深さまたは高さを有する請求項１７記載の方法。
【請求項２４】
シリコン基板、および
前記シリコン基板の面上の、少なくとも９０Ω/□のシート抵抗を提供するドーパントレベルを有し、かつ、６５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の横構造寸法を有するブラックシリコンを備える無反射性表面を有するエミッタ層
を含む、向上された青色感度を有する光起電装置を製造する方法であって、
前記シリコン基板の表面上に、ナノ構造を備える漸変密度層であるブラックシリコン層を形成する工程、
前記ナノ構造の横構造寸法を増加させるため前記ブラックシリコン層の外側部分を除去するために前記シリコン基板の表面を処理する工程、
ドーパントを前記ブラックシリコン層中に拡散させることによって前記シリコン基板中にエミッタを形成する工程、および
前記ブラックシリコン層上に表面保護コーティングを形成する工程、
を含む方法。
【請求項２５】
前記外側部分を除去するための前記シリコン基板の表面の処理が、ＴＭＡＨ、ＫＯＨ，ＮａＯＨ、ＨＦおよびＨＮＯ3のうちの少なくとも１つを含む溶液を用いたエッチングを含む請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記外側部分を除去するための前記シリコン基板の表面の処理が、前記ブラックシリコン層中のナノ構造の平均横構造寸法を６５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲まで増加させることを含む請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記ブラックシリコンのナノ構造が約５００ｎｍ未満の深さまたは高さを有する請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
前記ブラックシリコン層の形成が、銀または銅のナノ粒子を用いたメタルアシストエッチングを含む請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
シリコン基板、および
前記シリコン基板の面上の、少なくとも９０Ω/□のシート抵抗を提供するドーパントレベルを有し、かつ、６５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の横構造寸法を有する密度漸変性のブラックシリコンを備える無反射性表面を有するエミッタ層
を含む、向上された青色感度を有する光起電装置を製造する方法であって、
シリコンウェハの表面上に前記ブラックシリコンを形成する工程、および
ドーパントを前記ブラックシリコン中に拡散させることを含む、前記シリコンウェハの表面中にエミッタを形成する工程、
を含み、
前記ブラックシリコンの形成が、前記ブラックシリコン中のナノ構造の平均横構造寸法を６５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲まで増加させることを含む方法。
【請求項３０】
前記ブラックシリコンのナノ構造が約５００ｎｍ未満の深さまたは高さを有する請求項２９記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
入射光子の電流への効率がより短波長の光に対して改良され得たならば（例えば、より良好な青色感度）、高効率の例えば太陽電池などの光起電装置が、ＡＲ層／エレメントとしてのブラックシリコンの使用を通じて提供され得ることが認められた。これを念頭に、以下の記載は、卓越したスペクトル応答を青色光を含む短波長において有する効率的なナノ構造化されたシリコン太陽電池（または他の光起電装置）を教示する。記載される技術を実行することにより、１８．２％の効率（または１８．２％太陽電池）の太陽電池が製造され、これは、従来のブラックシリコン太陽電池の中の最善のものよりも効率においておよそ１０％の向上を示すものである。太陽電池は、４００ナノメートル（ｎｍ）の波長光において７０％を超える内部量子効率（ＩＱＥ）を有しており、太陽電池効率における向上の大部分が短波長におけるより良好なスペクトル感度のための太陽電池を製造することによって達成されたことを示す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
ライン７０６は、ＴＭＡＨエッチングが３０秒間行われた太陽電池を示しており、そして、いくぶんかの高度にドープされた材料のエミッタからの除去が、短波長における太陽電池のＩＱＥを改善し始めていることが見てとれる。さらなるエッチングがライン７０８で表されている太陽電池において提供され（例えば、ＴＭＡＨエッチングが４５秒間なされた）、そしてエミッタ（およびブラックシリコン）からの高度にドープされた材料の追加の除去がさらに青色感度を向上させており、ＩＱＥは約６０％まで向上した。ライン７１０は、ブラックシリコンの露出された表面からさらにより多くの高度にドープされた材料を除去する（これはまた、孔を拡げるかまたはブラックシリコン構造の横寸法を増加させる）ために、ＴＭＡＨが６０秒間行なわれて製造された太陽電池の、ある好ましい実施態様または実施に対応している。