【事件の表示】
　特許第３３８５３４４号「電圧制御発振器」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３８５３４４号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１　手続の経緯
 　特許第３３８５３４４号の発明についての出願は、平成１０年２月２日に特許出願され、平成１５年１月１０日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、藤澤正人より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年８月１７日に訂正請求がされた後、訂正拒絶理由が通知され、平成１７年１月８日に手続補正書が提出されたものである。
　
２　訂正の適否についての判断
（１）訂正請求書及び訂正明細書に対する補正の適否について　
　特許権者は、訂正請求書に対して訂正事項（ｂ−３）及び（ｂ−４）を追加する補正を行い、訂正明細書に対して段落【００３３】及び【００３４】を補正するものである。
　上記訂正請求書に対して訂正事項（ｂ−３）及び（ｂ−４）を追加する補正は、訂正請求書の訂正事項を訂正請求書に添付された訂正明細書の発明の詳細な説明の段落【０００８】及び段落【００３９】の訂正に合致するようにするものであるが、上記訂正明細書に対する段落【００３３】及び【００３４】の補正は、訂正請求書の訂正事項及び補正後の訂正請求書の訂正事項のいずれにも合致しない。
　したがって、当該訂正請求の補正は、訂正請求書の要旨を変更するものと認められ、特許法第１２０条の４第３項において準用する同１３１条第２項の規定に適合しないので、当該訂正請求の補正は認められない。
（２）訂正の内容
　上記訂正請求及び訂正明細書に対する補正は認められないので、特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
・訂正事項（ａ）
　特許請求の範囲
「【請求項１】電圧可変容量素子により発振回路の発振周波数を可変した電圧制御発振器において、電圧可変容量素子を端子間に印加する直流電圧に対して端子間の静電容量がしきい値電圧を基準として階段状に変化する半導体素子とし、前記半導体素子の端子間に発振回路による正弦波状の発振電圧と直流電圧とを印加し、前記発振電圧の一周期における前記しきい値電圧を越える動作域Δθ（ｒａｄ）を前記直流電圧により制御するとともに前記動作域Δθを通過域として生ずる前記端子間のひずみ発振電流を制御し、前記発振電圧に対する前記ひずみ発振電流の基本波成分を変化させることにより、前記基本波成分に対する前記端子間の実効容量が可変したことを特徴とする電圧制御発振器。
【請求項２】第１項記載において、前記半導体素子をＭＯＳ素子としたことを特徴とする電圧制御発振器。」を
「【請求項１】電圧可変容量素子により発振回路の発振周波数を可変した電圧制御発振器において、前記電圧可変容量素子を端子間に印加する直流電圧に対して端子間の静電容量がしきい値電圧を基準として階段状に変化する半導体素子とし、前記半導体素子の端子間に発振回路による正弦波状の発振電圧と前記直流電圧とを印加し、前記発振電圧の一周期における前記しきい値電圧を越える動作域Δθ（rad）を前記直流電圧により制御するとともに前記動作域Δθを通過域として生ずる前記端子間のひずみ発振電流を制御し、前記発振電圧に対する前記ひずみ発振電流の基本波成分を変化させることにより、前記基本波成分に対する前記端子間の実効容量を可変し
、かつ、前記半導体素子の端子間には前記発振電圧を小さくする振幅制限回路を設けた
【請求項２】第１項記載において、前記半導体素子をＭＯＳ素子としたことを特徴とする電圧制御発振器。」と訂正する。
・訂正事項（ｂ−１）
　発明の詳細な説明の段落【００３４】
　「 これらのことから、０から２πまでにわたって動作域Δθを制御するには、直流電圧Ｖ0は、直流合成電圧Ｖ0１の２倍（２Ｖ0１)以上が必要になる。逆に言えば、直流電圧Ｖ0が、直流合成電圧Ｖ0１の２倍以下の場合には、０から２πまでにわたる動作域Δθを制御できないことになる。」を「これらのことから、０から２πまでにわたって動作域Δθを制御するには、
図から明らかなように２倍の振幅電圧２Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和（２Ｖ１＋ＶT)
直流電圧Ｖ0が、２Ｖ１＋ＶT
・訂正事項（ｂ−２）
　発明の詳細な説明の段落【００３６】
「 このようなことから、制御用の直流電圧Ｖ0が一定値であれば、振幅電圧Ｖ1及び直流合成電圧Ｖ0１を相対的に小さくできる。したがって、直流電圧Ｖ0を直流合成電圧Ｖ0１の２倍以上にでき、動作域Δθを０から２πまでにわたって確実に制御できる。なお、振幅制限回路１０は、発振回路部２のＦＥＴのゲート・ソース間に挿入して、さらに振幅電圧をＶ1を小さくしてもよい（第１４図）。」を「このようなことから、制御用の直流電圧Ｖ0が一定値であれば、
振幅電圧Ｖ1を
２倍の振幅電圧２Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和（２Ｖ１＋ＶT)
（３）当審の判断
（イ）訂正事項（ｂ−１）は、明りょうでない記載の釈明を目的として、発明の詳細な説明の記載の段落【００３４】の「０から２πまでにわたって動作域Δθを制御するには、直流電圧Ｖ0は、直流合成電圧Ｖ01の２倍（２Ｖ01）以上が必要に成る。」及び「逆に言えば、直流電圧Ｖ0が、直流合成電圧Ｖ01の２倍以下の場合には、０から２πまでにわたる動作域Δθを制御できないことになる。」という記載を「０から２πまでにわたって動作域Δθを制御するには、図から明らかなように２倍の振幅電圧２Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和（２Ｖ１＋ＶT)以上が必要になる。」及び「逆に言えば、直流電圧Ｖ0が２Ｖ１＋ＶT以下の場合には、０から２πまでにわたる動作域Δθを制御できないことになる。」と訂正することを求めるものである。
　しかしながら、「０から２πまでにわたって動作域Δθを制御するには、２倍の振幅電圧２Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和（２Ｖ１＋ＶT)以上が必要になる。」及び「逆に言えば、直流電圧Ｖ0が２Ｖ１＋ＶT以下の場合には、０から２πまでにわたる動作域Δθを制御できないことになる。」は、願書に添付した明細書又は図面に記載されておらず、かつ、これらから、当業者が直接的かつ一義的に導き出せる事項ないし自明の事項でもないので、このような訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でなされたものに該当しない。
　特許権者は、「上記訂正は、「動作域Δθを０から２πまでの全領域で制御する」ための直流電圧Ｖ0を明記するものであり、これは本発明の趣旨及び第１１図（及び第７図）から自明な事項である。直接的かつ一義的に理解される事項であり、例えば最大の静電容量を得るには、発振電圧（正弦波）の０から２πまでの間これに応じた電流ｉｘを生じさせるため、振幅電圧の極小値をしきい値電圧ＶT以上にする必要があり、この場合、静電容量（ひずみ電流ｉｘ）を制御する直流電圧Ｖ0は、少なくとも振幅電圧Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和電圧（Ｖ１＋ＶT)が必要となる。またこれとは逆に、最小の静電容量を得るには、発振電圧（正弦波）の０から２πまでの間これに応じたひずみ電流ｉｘを０とするため、振幅電圧の極大値をしきい値電圧ＶT以下にする必要があり、この場合、直流電圧Ｖ0は、少なくとも振幅電圧Ｖ１としきい値電圧ＶTとの差電圧（−（Ｖ１−ＶT)）が必要となる。したがって、正弦波の０から２π間の動作域θを制御してこれに応じた静電容量を得るには、直流電圧Ｖ0は、ＶTを基準として、和電圧（Ｖ１＋ＶT)から差電圧（−（Ｖ１−ＶT)）に至るまでの電圧即ち２Ｖ１＋ＶTが必要となる。これは、第７図のように、２倍の振幅電圧Ｖ１（発振電圧である正弦波となる交流電圧の極大値）がしきい値電圧より小さい場合でも同様であり、正弦波の０〜２π間の動作域Δθを制御できる直流電圧Ｖ0は２Ｖ１＋ＶTであることは第７図〜第９図からも明白である。」ことを主張している。
　しかしながら、第１１図及び第７図から判断すると、振幅電圧の極小値及び極大値をしきい値電圧ＶTとする直流電圧Ｖ0は、それぞれ、（ＶT−Ｖ１)及び（ＶT＋Ｖ１)であって、その電圧間の幅はＶTを中心とする２Ｖ１であるから、「０から２πまでにわたって動作域Δθを制御するには、２倍の振幅電圧２Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和（２Ｖ１＋ＶT)以上が必要になる。」ことが本発明の趣旨及び第１１図（及び第７図）から自明な事項であって、直接的かつ一義的に理解される事項であるという上記主張は採用できない。
（ロ）訂正事項（ｂ−２）は、明りょうでない記載の釈明を目的として、発明の詳細な説明の記載の段落【００３６】の「制御用の直流電圧Ｖ0が一定値であれば、振幅電圧Ｖ1及び直流合成電圧Ｖ0１を相対的に小さくできる。したがって、直流電圧Ｖ0を直流合成電圧Ｖ0１の２倍以上にでき、動作域Δθを０から２πまでにわたって確実に制御できる。」という記載を「制御用の直流電圧Ｖ0が一定値であれば、振幅電圧Ｖ1を相対的に小さくできる。したがって、直流電圧Ｖ0を２倍の振幅電圧２Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和（２Ｖ１＋ＶT)以上にでき、動作域Δθを０から２πまでにわたって確実に制御できる。」と訂正することを求めるものである。
　しかしながら、「制御用の直流電圧Ｖ0が一定値であれば、振幅電圧Ｖ1を相対的に小さくできる。したがって、直流電圧Ｖ0を２倍の振幅電圧２Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和（２Ｖ１＋ＶT)以上にでき、動作域Δθを０から２πまでにわたって確実に制御できる。」は、願書に添付した明細書又は図面に記載されておらず、かつ、これらから、当業者が直接的かつ一義的に導き出せる事項ないし自明の事項でもないので、このような訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でなされたものに該当しない。
　特許権者は、「直流電圧Ｖ0を直流合成電圧Ｖ0１の２倍以上にでき」を「直流電圧Ｖ0を２倍の振幅電圧２Ｖ１としきい値電圧ＶTとの和（２Ｖ１＋ＶT)以上にでき」とする補正は段落【００３４】の補正に基づくものであると主張しているが、段落【００３４】の訂正は上記（イ）のように、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でなされたものに該当しないので、上記主張は採用できない。　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、当該訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する同１２６条第２項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
　
 ３　特許異議の申立てについて
（１）特許異議の申立て、取消理由の概要
　異議申立人藤澤正人は、下記の甲第１号証を提出し、請求項１、２に係る発明の特許は、甲第１号証より、特許法第２９条の２の規定により違反してなされたものであるから取り消すべき旨主張し、当審が通知した取消理由も同旨である。
　甲第１号証：特願平９−１０６１１３号（特開平１０−３０３６４３号公　報）
（平成９年４月２３日出願、平成１０年１１月１３日出願公開）
（２）本件発明
　上記２で示したように上記訂正は認められないから、本件特許３３８５３４４号の請求項１、２に係る発明は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。
　請求項１「電圧可変容量素子により発振回路の発振周波数を可変した電圧制御発振器において、電圧可変容量素子を端子間に印加する直流電圧に対して端子間の静電容量がしきい値電圧を基準として階段状に変化する半導体素子とし、前記半導体素子の端子間に発振回路による正弦波状の発振電圧と直流電圧とを印加し、前記発振電圧の一周期における前記しきい値電圧を越える動作域Δθ（ｒａｄ）を前記直流電圧により制御するとともに前記動作域Δθを通過域として生ずる前記端子間のひずみ発振電流を制御し、前記発振電圧に対する前記ひずみ発振電流の基本波成分を変化させることにより、前記基本波成分に対する前記端子間の実効容量が可変したことを特徴とする電圧制御発振器。」
　請求項２「第１項記載において、前記半導体素子をＭＯＳ素子としたことを特徴とする電圧制御発振器。」
（３）請求項１に係る発明について
（イ）引用刊行物に記載の発明
　当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物（甲第１号証）には、その実施例と図面及びこれに係わる記載を参酌すると、以下のような技術的事項が記載されている。
　「コイル及びコンデンサで構成された共振回路に、容量可変手段としてＭＯＳトランジスタによるＭＯＳキャパシタを接続し、前記ＭＯＳキャパシタのゲート電圧を制御して発振周波数を可変にする電圧制御発振回路。」（公開公報【特許請求の範囲】の【請求項１】第２頁第１欄第２行〜６行）、「ノードＮ１には、ＭＯＳキャパシタ２３を構成するＮＭＯＳのゲートが接続され、該ＮＭＯＳのソース及びドレインが接地されている。ノードＮ１には、抵抗２４を介して制御電圧Ｖｃが印加され、電圧Ｖ１が現れる。【０００８】図３（ａ）〜（ｃ）は、図１のＶＣＯの動作波形図である。なお、図３中のＶｔは、ＭＯＳキャパシタ２３を構成するＮＭＯＳの閾値電圧である。」（公開公報段落【０００７】〜【０００８】第３頁第３欄第１９行〜第４欄第７行）及び「ＭＯＳキャパシタ２３の容量値Ｃ２３は、この両端の電極に順方向に印加される電位差がＭＯＳトランジスタの閾値Ｖｔを越えない範囲ではほぼ０である。ＭＯＳキャパシタ２３の両端の電極の順方向の電位差が閾値Ｖｔを越えると、容量値Ｃ２３は、例えばゲート酸化膜の誘電率とゲート面積にて決定される固定値となる。【０００９】ノードＮ１の電圧Ｖ１は、直流的には制御電圧Ｖｃによって与えられる電位にバイアスされるので、該制御電圧Ｖｃの電位を中心に振幅する。そのため、ＶＣＯの発振周波数は、ノードＮ１の電圧Ｖ１によって次式（１）、（２）のように表せる。・・・（１）、（２）式に基づいたノードＮ１の発振波形の例が、図３（ａ）に示されている。ノードＮ１での交流振幅は一定なので、電圧Ｖ１は制御電圧Ｖｃの電位によってその直流レベルを制御できる。例えば、制御電圧Ｖｃの電位を図３（ａ）の状態から上昇させたとすると、発振現象にＭＯＳキャパシタ２３の寄与する状態が長くなり、図３（ｂ）に示すように発振周波数は遅くなる。制御電圧Ｖｃの電位を図３（ａ）の状態から低下させると、発振現象にＭＯＳキャパシタ２３の寄与する状態が短くなり、図３（ｃ）に示すように発振周波数は早くなる。従って、制御電圧Ｖｃによって発振出力信号Ｖｏの発振周波数が制御される。」（公開公報段落【０００８】〜【０００９】第３頁第３欄第２３行〜第４９行）
　以上の記載からみて、この刊行物（甲第１号証）には、「容量可変手段により発振回路の発振周波数を可変した電圧制御発振器において、容量可変手段を端子間に印加する直流の制御電圧Ｖｃに対して容量値Ｃ２３が閾値Ｖｔを基準として階段状に変化するＭＯＳキャパシタ２３とし、前記ＭＯＳキャパシタ２３の端子間に発振回路による正弦波状の発振電圧と直流の制御電圧Ｖｃとを印加し、前記直流の制御電圧Ｖｃを可変にすることにより正弦波状の発振電圧における閾値Ｖｔ以上の領域部分の全振幅に対する割合を変化させ、発振現象にＭＯＳキャパシタ２３の寄与する状態の長さを可変して周波数を制御する電圧制御発振器。」の発明（以下、刊行物に記載の発明という。）が記載されていると認められる。
(ロ)　対比
　請求項１に係る発明と刊行物に記載の発明を対比すると、刊行物に記載の発明の「容量可変手段」、「直流の制御電圧Ｖｃ」、「容量値Ｃ２３」、「閾値Ｖｔ」及び「ＭＯＳキャパシタ２３」は、それぞれ、請求項１に係る発明の「電圧可変容量素子」、「直流電圧」、「端子間の静電容量」、「しきい値電圧」及び「半導体素子」に相当するものであり、刊行物に記載の発明の「直流の制御電圧Ｖｃを可変にすることにより正弦波状の発振電圧における閾値Ｖｔ以上の領域部分の全振幅に対する割合を変化させ」は、請求項１に係る発明の「発振電圧の一周期における前記しきい値電圧を越える動作域Δθ（ｒａｄ）を前記直流電圧により制御する」に相当すると認められるから、
　両者は、
「電圧可変容量素子により発振回路の発振周波数を可変した電圧制御発振器において、電圧可変容量素子を端子間に印加する直流電圧に対して端子間の静電容量がしきい値電圧を基準として階段状に変化する半導体素子とし、前記半導体素子の端子間に発振回路による正弦波状の発振電圧と直流電圧とを印加し、前記発振電圧の一周期における前記しきい値電圧を越える動作域Δθ（ｒａｄ）を前記直流電圧により制御するとともに前記動作域Δθを通過域として生ずる前記端子間のひずみ発振電流を制御する電圧制御発振器。」で一致するものであり、次の点で一応相違するものである。
＜相違点＞
　請求項１に係る発明では「前記動作域Δθを通過域として生ずる前記端子間のひずみ発振電流を制御し、前記発振電圧に対する前記ひずみ発振電流の基本波成分を変化させることにより、前記基本波成分に対する前記端子間の実効容量を可変」するのに対し、上記刊行物に記載の発明は、「発振現象にＭＯＳキャパシタ２３の寄与する状態の長さを可変して周波数を制御する」ものであるが、「前記動作域Δθを通過域として生ずる前記端子間のひずみ発振電流を制御し、前記発振電圧に対する前記ひずみ発振電流の基本波成分を変化させることにより、前記基本波成分に対する前記端子間の実効容量を可変」することについて明記されていない点。
（ハ）判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　請求項１に係る発明における、「前記発振電圧に対する前記ひずみ発振電流の基本波成分」及び「前記基本波成分に対する前記端子間の実効容量」については、「合成電圧ＶP(交流電圧Ｖ1sinωt）の一部がしきい値電圧ＶTを越えた場合には、しきい値電圧ＶTを越える部分のみで、静電容量Ｃは発生する。したがって、静電容量Ｃの発生時間のみ、交流電圧Ｖ1sinωtに応答した回路電流ｉを生ずる（第９図）。なお、この回路電流ｉをひずみ電流ｉXとする。
【００１８】ここで、ひずみ電流ｉXをフーリェ級数に展開すると、（３）式になる。すなわち、基本波成分とその倍調波からなる。但し、θ１は時間ｔとともにしきい値電圧ＶTを越える電圧上昇時の通過点を表す、θ２は同電圧下降時の通過点を表す位相（ラジアン、ｒｄ）である。
        ｉX=ａ1cosωt＋ａ2cos2ωt＋ａ3cos3ωt＋・・・（３）
　　　　      　     　　θ2−θ1                                
　但し、ａ１＝────・ωＣＶ1　　　
　　　　　　  　２π                   
      　       　　 ＶT−Ｖ0    　　 　　       　   ＶT−Ｖ0 
θ１＝sin-1─── 、θ２=π−sin-1───・・・（４）   
                 　　　　　　Ｖ1　       　     　  　 　　　Ｖ1
【００１９】ひずみ電流ｉXにおける基本波成分の振幅電圧ａ１は、前（４）式から明らかなとおり、交流電圧の一周期におけるしきい値電圧ＶTを越える、交流電圧の動作域及びこれに応答したひずみ電流の通過域Δθ＝θ2−θ1(rad）に比例して、その値が大きくなる。すなわち、ゲート・ソース間に静電容量Ｃを発生させる時間（ｔ2−ｔ１)が長いほど、大きい。 【００２０】ここで、ＭＯＳ素子４のゲート・ソース間に印加した交流電圧Ｖ1sinωtと、ひずみ電流ｉXの基本波成分ａ1cosωtに基づき、インピーダンスＺを求めると（５）式になる。そして、ここでのインピーダンスＺは、基本的に容量成分のみなので、Ｚ＝１／ωＣXとなる。但し、ＣXは、ひずみ電流ｉXの基本波成分に対するゲート・ソース間の実効容量（以下、基本波容量とする）である。
                             　　　１　   　　Ｖ1  
                        Ｚ＝────＝───・・・（５）           
     　                      　ωＣX 　　ａ1  
【００２１】これを変形して（４）式を代入し、ひずみ電流ｉXの基本波容量ＣXを求めると（６）式になる。
                  　　　ａ1　 　 θ2−θ1
ＣX＝───＝─────・Ｃ ・・・（６） 
　　　ωＶ1　　    ２π
【００２２】したがって、基本波容量ＣXは、しきい値電圧ＶTを越えるひずみ電流ｉXの通過域Δθ＝θ２−θ１に比例して大きくなる。このことから、直流電圧Ｖ0により、ひずみ電流ｉXの通過域Δθを制御すれば、基本波容量ＣXを可変できる。」（特許公報　段落【００１７】〜【００２２】第３頁第６欄１１行〜第３６行）及び「 直流電圧Ｖ0により、発振電圧Ｖ1sinωtの通過域及びひずみ発振電流ｉXの通過域Δθを制御して、基本波容量ＣXを可変する。したがって、水晶振動子１の負荷容量を変化するので、ひずみ発振電流ｉXの基本波成分である発振周波数ｆを制御できる。」（特許公報　段落【００３０】第４頁第７欄第３１行〜第３５行）と説明されている。
　そうすると、上記刊行物に記載の発明おいて、閾値Ｖｔを超える領域を制御すると発振電圧の実効値電圧が変化するのだから、これに伴い回路電流（ひずみ発振電流に相当する。）が制御され、正弦波状の回路電流の基本波成分が変化することは自明であり、該回路電流の基本波成分の変化によって発振現象にＭＯＳキャパシタ２３の寄与する状態の長さを可変して周波数を制御するのであるから、発振電圧に対する回路電流の基本波成分を変化させることにより、前記基本波成分に対する前記端子間の実効容量を可変していることも明らかである。
　したがって、この点に実質的な差異は認められず、上記刊行物には、請求項１に係る発明の全ての構成を具備する発明が記載されていると認められる。
　上記刊行物は、本件出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされたものであり、その発明者及び出願人は本件出願の発明者及び出願人と同一とは認められない。
　してみると、請求項１に係る発明は、上記刊行物に記載の発明と同一であって、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、当該発明の特許は取り消されるべきものである。
（４）請求項２に係る発明について
 上記刊行物には、上記請求項１に係る発明の場合に述べたことに加え、半導体素子をＭＯＳキャパシタ（ＭＯＳ容量素子に相当する。）としたことが記載されている。
　したがって、上記刊行物には、請求項２に係る発明の全ての構成を具備する発明が記載されている。
　上記刊行物は、本件出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされたものであり、その発明者及び出願人は本件出願の発明者及び出願人と同一とは認められない。
　そうすると、請求項２に係る発明は、上記刊行物に記載の発明と同一であって、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、当該発明の特許は取り消されるべきものである。
　
４　むすび
 　以上のとおりであるから、本件請求項１，２に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１月２４日（２００５．１．２４）