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【事件の表示】
　平成５年特許願第１０９５７号「磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成６年８月１２日出願公開、特開平６−２２３３３１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明　
　本願は、平成５年１月２６日に出願されたものであって、その請求項１に係る発明は、平成１１年３月１５日付け手続き補正書により補正された明細書及び図面の記載から見てその特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める（以下、本願発明という。）。　
「磁気抵抗効果素子部と、この磁気抵抗効果素子部に電流を供給するリードと、前記磁気抵抗効果素子部を挟むように設けられた一対のシールド部材と、この一対のシールド部材それぞれと前記磁気抵抗効果素子部との間に設けられた絶縁層とを備え、この絶縁層として、ダイヤモンドライクカーボン膜を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。」　
　
　
２．引用例　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、実願平２−７０１３５号（実開平４−３１４０９号公報）のマイクロフィルム（以下、引用例という。）の、　
　実用新案登録請求の範囲に、　
「磁気抵抗効果を利用した再生用磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果膜および磁気バイアス用の電流シャント膜を磁気シールド材料ではさんだ構造の磁気ヘッドにおいて、　
　磁気抵抗効果膜とシャント膜とを分離する分離膜、磁気抵抗効果膜およびシャント膜とシールド材とを分離する分離膜の少なくとも一方を、熱伝導性良好かつ電気絶縁性良好な有機物薄膜で構成することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」と、　
　
　同第５第１６行〜第１９行に、　
「ところが、上述したように第３図（第４図）に示す従来の構成では、ＭＲ膜３０１（４０１）は熱伝導率が低いＡｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２３０５（４０５）で周囲を囲まれているため熱の放散が悪い。」と、　
　
　同第６頁第７行〜第１３行に、　
「前述の問題点、すなわちＭＲ膜およびシャント膜が各々の印加電流によって発生するジュール熱の放散が悪いため著しく温度上昇を起こすという従来の欠点を防ぐため、本案においてはＭＲ膜、シャント膜とシールド材との間の電気絶縁材料として従来の材料Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２の代わりに、例えばダイヤモンド薄膜が用いられる。」と記載されている。　
　
　
　以上の記載から、引用例には、絶縁層としてＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２の代わりに熱伝導率と前縁性が共に優れたダイヤモンド薄膜を用いた、「ＭＲ膜と、このＭＲ膜に電流を供給するリードと、前記ＭＲ膜を挟むように設けられた一対のシールド部材と、この一対のシールド部材それぞれと前記ＭＲ膜との間に設けられた絶縁層とを備え、この絶縁層として、熱伝導性良好なダイヤモンド薄膜を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」の発明が記載されていると認められる。　
　
　
３．対比　
　本願発明と引用例の発明を対比すると、引用例の発明の「ＭＲ膜」は、本願発明の「磁気抵抗効果素子部」に相当するもので、両者は「磁気抵抗効果素子部と、この磁気抵抗効果素子部に電流を供給するリードと、前記磁気抵抗効果素子部を挟むように設けられた一対のシールド部材と、この一対のシールド部材それぞれと前記磁気抵抗効果素子部との間に設けられた絶縁層とを備え、この絶縁層として、熱伝導率の良好な膜を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。」で一致し、次の点で相違する。　
　
　熱伝導率の良好な膜が本願発明では、ダイヤモンドライクカーボン膜であるのに対して、引用例の発明では、ダイヤモンド薄膜である点。　
　
　
４．判断　
　相違点を判断する。　
　
　ダイヤモンド膜と同様の成分で、絶縁性が優れた熱伝導率の良好な性能により、ダイヤモンド膜と同様に採用されているダイヤモンドライクカーボン膜は周知であり（実願昭５９−１８９５００号（実開昭６１−１０２５３５号）のマイクロフィルム，特開昭６３−５６８２８号公報，特開平１−１５７４１２号公報）、磁気抵抗効果素子部の放熱のために、引用例のダイヤモンド薄膜に代えて、ダイヤモンドライクカーボン膜を用いることは、当業者が当業者が容易に推考できることである。　
　
　
５．むすび　
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成６年特許願第１１２３７３号「半導体メモリ装置」拒絶査定に対する審判事件［平成７年６月６日出願公開、特開平７−１４７０９９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年５月２６日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、平成９年１２月２５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認める。
「選択されたときに記憶しているデータに応じて導通状態又は非導通状態のいずれかになるメモリセルと、前記メモリセルに接続したビット線と、前記ビット線の電位と閾値電圧との大小関係に応じた論理レベルの出力信号を発生するセンスアンプと、前記メモリセルが非導通時に前記ビット線の電位が電源電圧より小さく前記センスアンプの閾値電圧よりも大きくなるよう前記ビット線をチャージアップするチャージアップレベル設定手段とを有し、前記チャージアップレベル設定手段は、前記電源電圧の供給点と前記ビット線との間に接続され閾値電圧が０に近いトランジスタを備えることを特徴とする半導体メモリ装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由で引用された特開昭５９−１１００９５号公報（昭和５９年６月２５日出願公開。以下、「引用例」という）には、「トランジスタ３に第２図（イ）に示す如きクロックパルスＣＰが与えられると容量４がプリチャージされる。次にアドレスラインＡＤＤ１・・・ＡＤＤＮを選択してその読出しを行う」（公報第１頁右下欄第１４行乃至第１８行）、「トランジスタ１に記憶させるべき２値情報はこれをエンハンスメント型とするか、又はデプレッション型とするかによって定めらている」（公報第１頁右下欄第２０行乃至第２頁左上欄第３行）、「アドレスラインＡＤＤｎが選択されてこれがローレベルになったものとすると、クロックパルスＣＰが立下がった時点で、アドレスラインＡＤＤｎに連なるトランジスタ１の型に応じたデータがデータライン２に得られることになる。即ち該トランジスタ１がエンハンスメント型である場合はそのゲートがローレベルであるのでオフのままであり、・・・（中略）・・・データライン２はプリチャージされたままのハイレベルを保持する。これに対して該トランジスタがデプレッション型である場合はオンし、容量４の電荷はトランジスタ１、１・・・を介して放電されることとなり、データライン２の電位は・・・（中略）・・・低下していく。而してこのようなＲＯＭのアクセスタイムは、選択されたトランジスタがデプレッション型であった場合において、プリチャージされたデータライン２の電位Ｖｄがインバータ５のしきい値電圧Ｖｔ＊以下にまで低下するに要する時間ｔにて支配される」（公報第２頁左上欄第７行乃至同頁右上欄第６行）、「アクセスタイムの高速化、つまりｔを小さくするためには・・・（中略）・・・３）Ｖｄを小さくする・・・（中略）・・・等の方法が考えられることになるが、本願発明は３）の方法によりアクセスタイムの高速化を図ったＲＯＭを提供する」（公報第２頁右上欄第１２行乃至同頁左下欄第２行）、「一端のトランジスタ１のドレインはデータライン２のプリチャージ用のエンハンスメント型のトランジスタ３のソースに連なり、このトランジスタ３のドレインは電源電圧クランプ用のトランジスタ６のソースに接続され、トランジスタ６のドレインは電位ＶＤＤの電源に連なっている。・・・（中略）・・・トランジスタ６のゲートにはＶＧの電位が与えられる。他端のトランジスタ１のソースは接地電位としてある」（公報第２頁左下欄第１１行乃至第２０行）、「本発明の回路においてはデータライン２のプリチャージ時の電位Ｖｄ’、・・・（中略）・・・Ｖｔｅは同じくトランジスタ６のスレッショルド電圧・・・（中略）・・・而して本発明の回路ではＶｄ’をＶｄより小さくすることを実現すべく、ＶＧ及びＶｔｅを適宜に選択する」（公報第２頁右下第１５行乃至第３頁左上欄第６行）が記載されており、また図面第４図には、トランジスタ６を設けたことによるデータライン２のプリチャージ電圧Ｖｄ’が、電源電圧より低い電位Ｖｄより小さく、インバータ５のしきい値電圧Ｖｔ＊より大きい点が記載されている。
　よって、引用例には、選択されたときに記憶している情報に応じてオン又はオフとなるトランジスタ１を有し、電源とデータライン２との間に電源電圧クランプ用のトランジスタ６が接続され、接地電位とデータライン２との間にトランジスタ１が接続され、データライン２の電位はインバータ５のしきい値電圧Ｖｔ＊により判別されて出力される半導体メモリ装置において、アクセスタイムを高速化するために、電源電圧クランプ用のトランジスタ６のゲート電圧ＶＧとスレッショルド電圧Ｖｔｅを適宜選択し、プリチャージを行っているトランジスタ１がオフ時にデータライン２の電位Ｖｄ’を電源電圧ＶＤＤより小さく、インバータ５のしきい値電圧Ｖｔ＊より大きくする構成が記載されていると認められる。
　
３．対比
　そこで本願発明と引用例に記載された発明を対比すると、引用例の「情報」、「オン」、「オフ」、「トランジスタ１」、「データライン２」、「しきい値電圧Ｖｔ＊」、「インバータ５」、「電源電圧クランプ用のトランジスタ６」、「トランジスタ６」は、それぞれ本願発明の「データ」、「導通状態」、「非導通状態」、「メモリセル」、「ビット線」、「閾値電圧」、「センスアンプ」、「チャージアップレベル設定手段」、「トランジスタ」にそれぞれ相当しているので、両者は、
「選択されたときに記憶しているデータに応じて導通状態又は非導通状態のいずれかになるメモリセルと、前記メモリセルに接続したビット線と、前記ビット線の電位と閾値電圧との大小関係に応じた論理レベルの出力信号を発生するセンスアンプと、前記メモリセルが非導通時に前記ビット線の電位が電源電圧より小さく前記センスアンプの閾値電圧よりも大きくなるよう前記ビット線をチャージアップするチャージアップレベル設定手段とを有し、前記チャージアップレベル設定手段は、前記電源電圧の供給点と前記ビット線との間に接続されたトランジスタを備える半導体メモリ装置」である点で一致し、チャージアップレベル設定手段が備えているトランジスタに関して、本願発明は閾値電圧を「０に近い」と限定しているのに対し、引用例記載の発明では閾値電圧を特定していない点で両者は相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討すると、本願発明では低電源電圧に適用するためにトランジスタの閾値電圧を０に近くしている。しかしながら、半導体メモリ装置の分野では、低電力化を図るために電源電圧を低電圧化することは周知であり、また引用例には「電源電圧クランプ用のトランジスタ６のゲート電圧ＶＧとスレッショルド電圧Ｖｔｅを適宜に選択」することが明記されている。
　よって引用例記載の発明において、電源電圧を低電圧化させた場合、トランジスタ６のソース電位を電源電圧より小さくインバータ５のしきい値電圧よりも大きくするために、トランジスタ６のスレッショルド電圧Ｖｔｅを０に近い値に選択することは、当業者ならば容易に発明できたものである。
　
５．むすび
　本願発明は引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第１０７８１４号「秘密にされるべき回路の解析を阻止する装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　６月２５日出願公開、特開平　５−１５８８００］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯及び本願発明
　本願は、平成４年４月２７日（パリ条約による優先権主張１９９１年４月２６日、米国）の出願であって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、平成８年７月１０日付で補正された明細書及び図面からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「秘密にされるべきプログラム可能なメモリと、解析を阻止するために前記プログラム可能なメモリを再プログラムする手段と、
　この再プログラムする手段を秘密にされるべきプログラム可能なメモリに結合する結合手段とを具備している秘密にされるべき回路の解析を阻止する保護装置において、
　前記プログラム可能なメモリを再プログラムする手段はマルチバイブレータを具備し、
　前記結合手段は前記マルチバイブレータの出力と前記プログラム可能なメモリのアドレスラインとの間に接続されて放射線により照射されていない正常な動作状態では遮断状態にされているスイッチを備え、このスイッチは解析の時に通常照射されていない放射線により照射されたときにそれに応答して閉路状態に変化して前記マルチバイブレータの出力を前記プログラム可能なメモリに供給し、前記プログラム可能なメモリを循環的に再プログラムすることを特徴とする秘密にされるべき回路の解析を防止する保護装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、実公昭６２−３０１０９号公報（以下「引用例１」という）には次の事項が記載されている。
（１）「秘密のデータが他人に知られるのを防ぐことを目的としたメモリ消去回路に関する。」（第１頁左欄第１４−１６行）
（２）「本考案に係るメモリ消去回路は、従来方式と異なり、装置のフタが開けられたことをフォトトランジスタやフォトダイオードといった光検出手段により、装置外部からの光線を検出することによって認識し、この光検出手段の出力を用いて電流遮断手段を駆動し、電源からＣＭＯＳＲＡＭに供給される電源電流を遮断し、記憶データの消去を行うことを特徴としている。」（第１頁右欄第１９−２６行）
（３）「第２図において、外部光線ａ２がない場合には、フォトトランジスタ５は“ＯＦＦ”状態であり、トランジスタ７のベース電位ｖ２は抵抗６によって、ほぼ電源１の出力電圧ｖ３に等しい。故にトランジスタ７は“ＯＮ”状態であり、揮発性メモリ４に電源電流１２が供給されており、記憶データが保持されている。逆に外部光線ａ２が入射すると、フォトトランジスタ５が、“ＯＮ”状態になるため、トランジスタ７のベース電位ｖ２がほぼグランド電位まで落ちる。このために、トランジスタ７が“ＯＦＦ”状態となり、揮発性メモリ４への電源電流１２が遮断され、記憶データが消去される。」（第２頁左欄第１９行−同頁右欄第４行）
　
　上記及び図面の記載を総合すると、引用例１には以下の発明が記載されているものと認められる。
　秘密にされるべきメモリと、データの機密保持のために前記メモリを消去するための電源遮断手段と、
　この電源遮断手段を前記メモリに対して動作させる光検出手段とを具備している秘密にされるべきメモリの秘密保護装置において、
　前記電源遮断手段は、電源と前記メモリとの間に設けられ、
　前記光検出手段は、前記電源遮断手段に接続され、光線が照射されていない正常な動作状態では遮断状態となり、通常照射されていない光線により照射されたときそれに応答して閉路状態に変化して、前記電源遮断手段が前記電源からの電流を遮断することにより前記メモリの内容を消去する保護装置。
　
３．対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを比較すると、両者の一致点及び相違点は次のとおりである。
（１）一致点
ａ．秘密にされるべきメモリの内容の機密保持を行うものである点
ｂ．光が照射されていない正常な動作状態では遮断状態にされている光検出手段（スイッチ）を設ける点
ｃ．光検出手段（スイッチ）は、通常照射されていない光により照射されたときはそれに応じて閉路状態となり、メモリの内容を変化させる手段を秘密にされるべきメモリに対して動作させる点
（２）相違点
ａ．光が照射されたことを検出したときに、本願発明ではマルチバイブレータからの出力をメモリに供給してメモリを循環的に再プログラムしているに対し、引用例１に記載された発明では電源遮断手段によりメモリへの電源電流の供給を停止することによりメモリ内容を消去している点
ｂ．本願発明では放射線の照射を検出しているのに対し、引用例１に記載された発明では光検出手段で光線を検出している点
４．当審の判断
（１）相違点ａについて
　本願発明の構成要件である「循環的に再プログラムする」点について、請求人は原審における拒絶理由通知に対する意見書（平成８年１月２５日付）において、「再プログラムするとは記憶内容が変化されるとの意味であり、別のプログラムに書き換えることではありません」（第４頁第２３−２５行）、また、「『循環』は連続的に変化状態におかれることを示そうとしたものであります。」（第５頁第４−５行）と説明しており、これらの記載によれば、本願発明の「メモリを循環的に再プログラムする」は、具体的にはメモリを連続的に書き換えることを意味するものであると認められる。
　そして、原審における拒絶理由に引用した特開昭５８−２０７１２２号公報（以下「引用例２」という）には不正使用が識別された際にＰＲＯＭライタによりメモリの内容を破壊することが記載されており（特に、第３頁右上欄第１２行−同頁左下欄第５行）、これはメモリを連続的に書き換えるものに相当するので、引用例１に記載された発明の電源遮断手段に代えてメモリを循環的に再プログラムする手段を設けることは当業者が容易に推考することができたものと認められる。
　また、本願発明は、循環的に再プログラムを行うためにマルチバイブレータの出力をメモリに供給するようにしているが、０と１を循環させるためにマルチバイブレータを用いることは周知であるから、メモリを循環的に再プログラムさせるためにＰＲＯＭライタを用いるかマルチバイブレータを用いるかは単なる設計事項の変更にすぎないものと認められる。
（２）相違点ｂについて
　本願発明では放射線の照射によりスイッチの状態を変化させるものであるが、この点に関して、発明の詳細な説明には「保護装置は放射線に対して感度のある部品が入手できる限り、事実上、いかなるタイプの放射線にも応答する。これは光放射（可視で赤外部）、Ｘ線、および操作電子顕微鏡からの電子ビーム（放射線の形態と考えられる）が含まれる。」と記載されている（段落【０００８】）。即ち、本願発明のスイッチは通常の光を検出する半導体素子と認められるので、引用例１に記載された光検出手段（具体的にはフォトトランジスタやフォトダイオード）と実質的に相違は認められない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　１年特許願第１０１３６５号「図形処理装置およびその使用方法ならびにマイクロプロセッサ」拒絶査定に対する審判事件［平成　２年１１月１４日出願公開、特開平　２−２７８４７５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１年４月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成７年６月２２日付け、平成９年１２月２６日付け、平成１０年１１月２７日付け、平成１２年３月７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「ＣＰＵと、図形処理プロセッサと、第１のメモリと、第２のメモリと、第１のクロック発生器と、第２のクロック発生器とを含み、前記図形処理プロセッサは、前記第１のクロック発生器からの出力にしたがった第１のクロックに同期して、前記第１のメモリとデータの送受を行う第１のポートと、前記第２のクロック発生器からの出力にしたがった第２のクロックに同期して、前記ＣＰＵおよび前記第２のメモリとデータの送受を行う第２のポートと、を有し、前記第１、２のポートを利用して前記第１のメモリおよび前記第２のメモリにアクセスすることで、前記第２のメモリから図形データを読み出して描画処理を行い、その結果を前記第１のメモリに書き込むことを特徴とする図形処理装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由及び当審における平成１１年１２月１６日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開昭６２−１２３５７１号公報（以下、「引用例１」という。）には以下のことが記載されている。
（ア）「本発明は、２次元化された画像情報から当該画像を拡大、縮小または回転処理を行う画像信号処理装置に関する。」（第２頁左上欄第３〜５行）
（イ）「イメージプロセッサ９は、メインバス１２を介して、画像メモリ１０をアクセスすることができ、しかも、ローカルバス１５を介してフレームメモリ１１をアクセスできる。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第３行）
（ウ）「例えばイメージプロセッサ９は、ホストプロセッサ８から与えられたコマンドおよびパラメータに応じて、メインバス１２を介して画像メモリ１０をアクセスして、その中の画像情報を読み出して例えば拡大処理し、ローカルバス１５を介してフレームメモリ１１をアクセスして，その拡大画像情報をフレームメモリ１１内に書き込む。」（第３頁左上欄第１７行〜同右上欄第３行）
　そして、引用例１には特に明記されてはいないが、通常、プロセッサとバスとの接続はポートを介して行われることから、引用例１の「イメージプロセッサ９」は、「ローカルバス１５に接続され、フレームメモリ１１とデータの送受を行う第１のポート」と、「メインバス１２に接続され、ホストプロセッサ８および画像メモリ１０とデータの送受を行う第２のポート」とを有している（第２図参照）と認められる。
　以上のことから、引用例１には、
「ホストプロセッサと、イメージプロセッサと、フレームメモリと、画像メモリとを含み、前記イメージプロセッサは、フレームメモリとデータの送受を行う第１のポートと、ホストプロセッサおよび画像メモリとデータの送受を行う第２のポートと、を有し、ホストプロセッサから与えられたコマンドおよびパラメータに応じて、第２のポートを介して画像メモリをアクセスして、その中の画像情報を読み出して拡大、縮小または回転処理を行い、第１のポートを介してフレームメモリをアクセスして、その結果をフレームメモリ内に書き込む画像信号処理装置」が記載されていると認める。
　
３．対比
　上記（ウ）の記載から、引用例１の「イメージプロセッサ９」は本願発明の「図形プロセッサ」に、「ホストプロセッサ８」は「ＣＰＵ」に、「フレームメモリ１１」は「第１のメモリ」に、「画像メモリ１０」は「第２のメモリ」に、「画像信号処理装置」は「図形処理装置」に、それぞれ対応するものである。
　したがって、本願発明と引用例１記載発明とを比較すると、両者は、
「ＣＰＵと、図形処理プロセッサと、第１のメモリと、第２のメモリと、を含み、前記図形処理プロセッサは、前記第１のメモリとデータの送受を行う第１のポートと、前記ＣＰＵおよび前記第２のメモリとデータの送受を行う第２のポートと、を有し、前記第１、２のポートを利用して前記第１のメモリおよび前記第２のメモリにアクセスすることで、前記第２のメモリから図形データを読み出して描画処理を行い、その結果を前記第１のメモリに書き込むことを特徴とする図形処理装置。」
の点で一致し、
　本願発明の図形処理装置は、「第１のクロック発生器」、「第２のクロック発生器」を含み、図形処理プロセッサの「第１のポート」、「第２のポート」が、それぞれ「前記第１のクロック発生器からの出力にしたがった第１のクロックに同期して、前記第１のメモリとデータの送受を行う第１のポート」、「前記第２のクロック発生器からの出力にしたがった第２のクロックに同期して、前記ＣＰＵおよび前記第２のメモリとデータの送受を行う第２のポート」であるのに対し、引用例１には「第１のポート」及び「第２のポート」に係るクロック及びクロック発生器については言及していない点で相違している。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　ポートの駆動クロックは当該ポートが接続されるバスのクロックに対応するものであることは、この分野においては技術常識であり、クロックを発生するためにクロック発生のための手段が存在することは容易に予測されることである。
　そして、メインバスのクロックとローカルバスのクロックがそれぞれ別々であることはよくあることであり、マイクロプロセッサにおいては、通常、ラッチまたはバッファを備え内部クロックと外部クロックとの調停をはかることが行われており、さらに、２つのポートを有するデバイスにおいて、それぞれのポートが別々のクロックで非同期で動作されることも周知慣用（必要とあれば、特開昭６４−５９１７３号公報、特開昭６３−１４８２９２号公報、特開昭６３−２００２３２号公報参照）の技術事項であることを考えれば、第１のメモリとデータの送受を行う第１のポートと、第２のメモリとデータの送受を行う第２のポートと、を有する図形処理プロセッサにおいて、第１のポートに対する第１のクロックを発生する第１のクロック発生器と、第２のポートに対する第２のクロックを発生する第２のクロック発生器とを備えるようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　７年特許願第３２９９６５号「半導体集積回路」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　６月　６日出願公開、特開平　９−１４８９１６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明の要旨
　本願は、平成７年１１月２４日の出願であって、その発明の要旨は、平成１１年４月３０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項３に記載された次のとおりのものと認める。
　「ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板上に形成されたＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタの信号端子を共通に接続し、ゲートに相補信号を入力してなるＣＭＯＳトランスファゲートを入力信号端子と出力信号端子との間に１又は複数直列形態に接続し、前記１又は複数直列形態に接続した前記ＣＭＯＳトランスファゲートと前記相補信号との組み合わせにより所定の論理回路を構成してなることを特徴とする半導体集積回路。」
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶理由に引用された特開平４−１１１６１１号公報（平成４年４月１３日出願公開、以下「引用例１」という。）には、第３図の記載と共に「第３図は、第２図のパリティチェッカー用に、発明した３入力の奇/偶判定回路である。図において、Ａ，Ｂ，Ｃは入力信号であり、Ｙは出力信号である。また、図中、３０１〜３０４はインバータ、インバータ３１１〜３１６はＰＭＯＳとＮＭＯＳを並列接続したパススイッチである。（公報第６頁右下欄第９行ないし１４行）、「本発明の目的は・・・超高速、高集積、低消費電力のマイクロプロセッサを提供することにある。」（公報４頁左上欄下から６行ないし４行）の記載がある。
　これらの記載によれば、引用例１には、第３図に示された３入力奇数／偶数判定回路中において、「ＰＭＯＳとＮＭＯＳの信号端子を共通に接続し、ゲートに相補信号を入力してなるパススイッチ３１１と３１５が、入力端子と出力端子との間で直列形態に接続された論理回路を構成してなる半導体集積回路」（以下、「引用例１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
（２）同じく引用された特開平７−１６２２８８号公報（平成７年６月２３日出願公開、以下「引用例２」という。）には、「本発明は半導体集積回路に係わり、特にＣＭＯＳ回路を用いた半導体集積回路に関する。・・・近年、各種汎用ＬＳＩの高集積化、バッテリ駆動のために、低消費電力化と共に電源のＶｃｃの定電圧化が進められていいる。」（公報２頁右欄３１行ないし３７行）、「（７）ＣＭＯＳ回路を構成する各トランジスタとして、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造のトランジスタを用いること。」（公報４頁左欄１６行ないし１８行）、「図１は、本発明の第１実施例に係わる半導体集積回路構成である。これは、４段のＣＭＯＳインバータを構成した例である。・・・従来のインバータはｎＭＯＳトランジスタとｐＭＯＳトランジスタの各１個から構成する」（公報４頁右欄５０行ないし５頁左欄４行）、「図５（ａ）に示すようにＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造は、図５（ｂ）に示すように容量最大値Ｃｍａｘ／容量最小値Ｃｍｉｎの比が大きい。このため、ＳＯＩ構造を用いることにより、ＯＦＦからＯＮする側のスピードは，ＯＦＦからＯＮする側のｎＭＯＳトランジスタ又はｐＭＯＳトランジスタより早くなり、スピードはさらに改善する。」（公報第５頁左欄第３５行〜右欄第２９行）との記載がある。
　これらの記載によれば、引用例２には，ＣＭＯＳ回路を形成する各トランジスタを、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上に構造することにより、回路の動作速度を向上させる技術が開示されているものと認められる。
　
３．対比
 そこで本願発明と引用例１記載の発明を対比する。
（１）一致点
　引用例１記載の発明の「ＰＭＯＳ」、「ＮＭＯＳ」、「パススイッチ」は、それぞれ本願発明の「Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ」、「Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ」、「ＣＭＯＳトランスファゲート」に相当するから、両者は、「Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタの信号端子を共通に接続し、ゲートに相補信号を入力してなるＣＭＯＳトランスファゲートを入力信号端子と出力信号端子との間に直列形態に接続し、前記直列形態に接続した前記ＣＭＯＳトランスファゲートと前記相補信号との組み合わせにより所定の論理回路を構成してなる半導体集積回路」であることで一致する。
（２）相違点
　Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを、本願発明はＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板上に形成するのに対し、引用例１記載の発明では、ＳＯＩ基板上に形成する構成がない点で相違する。
　
４．当審の判断
  上記相違点について検討する。
　引用例２には，ＣＭＯＳ回路を構成する各トランジスタとして、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上にトランジスタを形成することにより、回路の動作速度を向上させる技術が開示されており、引用例２のＣＭＯＳ回路は、本願発明のようなＣＭＯＳトランスファゲートの構成ではないものの、本願発明と同様にインバータとして使用するものであることから、この技術を引用例１記載の発明に適用することに格別の困難性はないというべきである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　３年特許願第１７１０３０号「シャワー装置」拒絶査定に対する審判事件［平成５年１月２６日出願公開、特開平５−１５５７０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願は、平成３年７月１１日の出願であって、その発明は、補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のものにあると認める。
「給湯機と、この給湯機から供給される湯を高温ミストにして座位人体の体表面に向け噴出する噴出ノズルとを備え、かつ前記噴出ノズルは座位人体の体表面を高温ミストで包み込んで体表面に温熱環境を形成するように複数配置したシャワー装置。」
　
２．これに対して、原審の拒絶理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−６３４６０号公報（以下「引用例」という。）には、「サウナ熱源としての温水をその供給圧により霧状に噴射する噴霧ノズルをサウナ用空間内に設け、前記噴霧ノズルにサウナ熱源の温水を加圧供給する給湯装置を設けてあるサウナ装置」に関する発明が記載され、第２図には、多数の噴霧ノズルから、浴槽内の人体に、顔面を除く体表面に、温水ミストを噴霧する態様が記載されている（第２図および第２頁左下欄最下行〜右下欄第４行参照）。また、噴霧ノズルから噴霧される温水は「給湯装置からの温水４５〜８０度Ｃ」である旨記載されている（第２頁左下欄第１５〜１９行参照）。
  そして、第２図にみられるように、多数の噴霧ノズルから顔面を除く体表面に温水ミストが噴霧されていることからみて、実質的に人体の体表面が高温ミストで包み込まれて体表面に温熱環境が形成されるものと認められる。
  これらの点を考慮して、本願発明と引用例に記載された装置を対比すると、両者は、「給湯機と、この給湯機から供給される湯を高温ミストにして人体の体表面に向け噴出する噴出ノズルとを備え、かつ前記噴出ノズルは座位人体の体表面を高温ミストで包み込んで体表面に温熱環境を形成するように複数配置したシャワー装置」である点で、実質的に一致しており、一方、本願発明が、「座位」人体に対して高温ミストを噴出しているのに対して、引用例のものでは寝そべった状態の人体に対して温水ミストを噴霧している点で相違する。
  ところで、サウナやシャワーバス等において、「座位」の人体に温水等を噴霧することは、原審の拒絶査定中に引用された実願平１−１１６７５４号（実開平３−５６４４３号）のマイクロフィルム、実公平２−４０９８２号公報、実願平１−２０８３４２号（実開平３−７３１４８号）のマイクロフィルムなどにみられるように本願出願前に広く行われていることであるから、引用例における人体への温水ミストの噴霧を「座位」にて行うようにすることは、当業者が適宜なし得ることというべきである。
　そうすると、相違点は、当業者が適宜なし得る程度のことであって、本願発明は、周知の事項を考慮すれば、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得ることというべきである。
  なお、請求人は、引用例のものは、浴槽内に湯水霧を充満させこの浴槽内をサウナ用空間としてサウナ浴を得ようとするもので従来の浴室全体をサウナ空間とするものと何ら変わりのない、高温ミストで座位人体の体表面を包み込んで体表面という省スペース空間を温熱環境にするという技術思想が全く見受けられない、浴槽内全体に湯水霧を漂わせる構成となっていて人体の体表面のみに温熱環境を作るというものではなくサウナ用空間となる浴槽内全体を充満させるための湯水霧を必要とする、多くの湯水霧を必要とすると同時にスチームサウナに似た入浴感を簡便かつ省スペース空間で確実に得ることができるというものでもない、浴槽という閉空間を湯水霧で充満してサウナ浴を得られるようにするというものであって高温ミストで体表面を包み込んでこの高温ミストで体表面という省スペース空間を温熱環境にすると云うものではなく本願発明とは全く異なる、浴槽内をサウナ用空間とするというものであるから入浴者は寝そべった状態にならなければ入浴感が得られず座位姿勢で手軽に入浴感が得られるようにするという考え方も見受けられない、などと主張し（平成１１年１１月１１日付け審判請求理由補充書第４頁第２２行〜第５頁第９行）、本願発明の顕著な効果として、(１)給湯機からの湯を噴出ノズルで高温ミストとし、その高温ミストで座位人体の体表面を包み込んで体表面に温熱環境を形成するように前記噴出ノズルを複数配置したことにより、浴室をスチームで満たすことによって実現していたこれまでのスチームサウナに似た入浴感を、浴室全体をスチームで満たすことなく高温ミストで包み込んだ体表面という省スペース空間で簡便に得ることができ、その結果高温ミスト量も少なくてよくなり、安価なものとすることもできる、(２)噴出ノズルからの高温ミストが使用者の座位人体に直接当たるので身体にマッサージ作用のある心地よい刺激を与えることができる、(３)給湯機と噴出ノズルにより得た高温ミスト浴を、椅子等に座ったままできるので、浴槽入浴にあるような水圧による圧迫感や窮屈感のない、温かでゆったりした入浴感が得られる、という点を主張している（同書第２頁最下行〜第３頁第１０行）。
　しかしながら、引用例の第２図のものでは、前述したとおり、多数の噴霧ノズルから顔面を除く体表面に温水ミストが噴霧されるものであるから、実質的に人体の体表面が高温ミストで包み込まれて体表面に温熱環境が形成されるものと認められ、また、座位姿勢で噴霧を受けることも本願出願前に広く行われていることであり、請求人の言う各効果も、当業者が容易に予測できる程度のものにすぎない。
　
３．したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　２年特許願第　６７８１３号「電気的接続部材及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年１２月　２日出願公開、特開平　３−２６９９６３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
  本願は、平成２年３月１６日の出願（特願平２−６７８１３号）であって、その請求項２に係る発明は、平成１１年１０月２９日付けで補正された明細書の記載及び出願当初の図面の記載からみて、特許請求の範囲請求項２に記載されたとおりの、
「電気的絶縁材からなる保持体と、該保持体に相互に絶縁状態にて装備された複数の導電部材とを有し、前記各導電部材の両端が前記保持体の両面に露出している電気的接続部材において、
　前記保持体は、
　前記導電部材を装備する部分を除く部分であって、導電部材で包囲される部分に保持体を貫通する長方形又は長円状の穴を設けてある
　ことを特徴とする電気的接続部材。」（以下、「本願発明」という。）
にあるものと認める。
　
２．引用例
  これに対して、原審における平成１１年４月１３日付けの拒絶理由通知において引用文献１として提示された特開昭６１−２８４０７４号公報（以下、「引用例」という。）には、例えば、
［１］公報第２頁右上欄第５〜１１行の
『コネクター１は電気的に絶縁特性を有する材料からなるシート状マトリクス２とこのマトリクス２の厚み方向に配列された多数の線状導電体３を有し、また線状導電体のピッチよりも小さな径の貫通孔４´が分散配置されている。
　貫通孔４´は応力を逃がす効果を高めるために第１図のように十字形とする。』
なる記載、および
［２］第１図における、
（１）多数の線状導電体３が、シート状マトリクス２に相互に絶縁状態にて分散配置され、
（２）各線状導電体３の両端がシート状マトリクス２の両面に露出し、そして
（３）貫通孔４´が、シート状マトリクス２の線状導電体３を配置する部分を除く部分であって、線状導電体３で包囲される部分に設けられている図示の内容、
等からみて、
　電気的に絶縁特性を有する材料からなるシート状マトリクス２と、該シート状マトリクス２に相互に絶縁状態にて配置された多数の線状導電体３とを有し、前記各線状導電体３の両端が前記シート状マトリクス２の両面に露出しているシート状導電異方性コネクター１において、
　前記シート状マトリクス２は、
　前記線状導電体３を配置する部分を除く部分であって、線状導電体３で包囲される部分にシート状マトリクス２を貫通する十字形の貫通孔４´を設けてある
　シート状導電異方性コネクター、
が記載されているものと認められる。
　
３．対比
  そこで、本願発明と上記引用例に記載されたもの（以下、単に「引用例のもの」という。）とを比較すると、引用例のものにおける「電気的に絶縁特性を有する材料」、「シート状マトリクス２」、「配置」、「多数の」、「線状導電体３」、「シート状導電異方性コネクター１」そして「貫通孔４´」なる各文言は、それらの意味、機能または作用等からみて、それぞれ、順に、本願発明における「電気的絶縁材」、「保持体」、「装備」、「複数の」、「導電部材」、「電気的接続部材」そして「穴」なる各文言に相当すると認められるので、本願発明と引用例のものとは、
「電気的絶縁材からなる保持体と、該保持体に相互に絶縁状態にて装備された複数の導電部材とを有し、前記各導電部材の両端が前記保持体の両面に露出している電気的接続部材において、
　前記保持体は、
　前記導電部材を装備する部分を除く部分であって、導電部材で包囲される部分に保持体を貫通する穴を設けてある
　電気的接続部材」、
である点で一致しており、下記の点で相違しているものと認められる。
［相違点］
　保持体を貫通する穴の形状が、引用例のものでは十字形であるのに対して、本願発明においては長方形又は長円状である点。
　
４．当審の判断
  上記相違点について以下検討する。
  引用例のものの穴（貫通孔４´）も本願発明の穴も、共に、電気的接続部材の保持体に生じる内部応力を緩和するという機能において一致しているものであり、当該穴の形状を具体的にどのように設定するかは、当該機能が保持される範囲内において、適宜に選択し得るものと認められる。
　それ故、引用例のものの十字形の穴の形状を長方形又は長円状に変更して、本願発明のもののように構成する程度のことは、当業者が必要に応じて容易になし得た設計的事項であると認められる。
　そして、本願発明の構成によってもたらされる明細書に記載の効果も、引用例のものから当業者であれば予測できる範囲のものであって、格別なものとはいえない。
　
５．むすび
  したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成５年特許願第１１８９０７号「移動バーチャル表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成６年１０月２８日出願公開、特開平６−３０１３４９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
  本願は、平成５年４月１２日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成９年１０月２３日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「複数の発光体を設けた本体を手で振り、且つ前記発光体の明滅の位置を手で振る角度により制御し、面積的に仮想像を出す事を特徴とする移動バーチャル表示装置。」
　なお、平成１２年１月３１日付けの手続補正書による補正は、同年３月３１日付けで補正却下となり、同年５月２６日に当該補正却下が確定されたため、本願発明を上記のように認定した。
　
２．引用例
（Ａ）これに対して、当審における、平成１１年１１月１５日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開平２−６１６９３号公報（以下、「引用例１」という。）には、発光表示器に関するものであって、
ａ）「一定軌道を往復移動若しくは周回移動する移動体に適数個の発光体を設け、該発光体を移動体の移動に対応して点滅作動せしめて、残像による画像表示を行うことを特徴とする発光表示器。」（公報第１頁の特許請求の範囲）、
ｂ）「回転検知センサ９は羽根体２の回転速度に対応する検知パルスを出力するようになっており、また基準位置検知センサ１０は、所定の反射部１１ａに形成される延長部１１ｃからの反射光を受光することにより基準位置を検知するようになっている。」（同第２頁右上欄第１１〜１６行）、
ｃ）「前記回転検知センサ９及び基準位置検知センサ１０の出力パルスに基づいて点灯タイミングの調整が成されるようになっている。」（同第２頁右下欄第３〜５行）、
ｄ）「叙述の如く構成された本発明の実施例において、電動モータ５の駆動による羽根体２の回転に伴って・・・（中略）・・・発光作動して文字等を表示することになる。」（同第２頁右下欄第１３〜１８行）、
ｅ）「尚、本発明は・・・（中略）・・・例えば、往復揺動するアーム体・・・（中略）・・・に発光体を設けて発光表示器を構成してもよく、またこの場合、発光体の数や配置等も自由に設定することができる。」（同第３頁右上欄第９〜１８行）、
とそれぞれ記載され、
ｆ）第１図及び第２図には、発光表示器の全体構成が、第５図には、発光表示器の制御機構がブロック図で、第８図には、残像による画像表示の例がそれぞれ示されている。
（Ｂ）同じく、引用した特開平４−３６６８８３号公報（以下、「引用例２」という。）には、ＬＥＤ表示器具に関するものであって、
ａ）「対称形は勿論のこと・・・（中略）・・・表わし、操作者から左，右両面に非対称の絵や文字を同じ形状に見えるようにする。」（公報第１頁の【要約】【目的】の項）、
ｂ）「１列に配置した複数個のＬＥＤ群と、このＬＥＤ群を左右に往復移動させた時、残像現象によって絵や文字等の表示が見えるようにＬＥＤ群を所定の間隔で順次点滅させるタイマ回路と、前記左右への往復移動の１周期を測定する計測部と、前記計測部で測定された値に一定の演算を行って前記タイマ回路を制御する演算部とから構成され、・・・（中略）・・・表示の大きさを常に最適値にすることを特徴としたＬＥＤ表示器具。」（同第２頁左欄の【請求項１】）、
とそれぞれ記載され、
ｃ）【図３】には、手で左右に振ることができるように構成されているＬＥＤ表示器具の構造が示されている。
　
３．対比
  本願発明と引用例１に記載された発明を対比すると、引用例１に記載のものにおける「適数個の発光体」が本願発明における「複数の発光体」に相当し、以下同様に「移動体」が「本体」に、「往復移動若しくは周回移動する」が「振り」に、「発光体を移動体の移動に対応して点滅作動」が「発光体の明滅の位置を振る角度により制御」に、「残像による画像表示を行う」が「面積的に仮想像を出す」に、「発光表示器」が「移動バーチャル表示装置」にそれぞれ相当している。
　したがって、両者は、「複数の発光体を設けた本体を振り、且つ前記発光体の明滅の位置を振る角度により制御し、面積的に仮想像を出す事を特徴とする移動バーチャル表示装置。」である点で一致し、
　複数の発光体を設けた本体を振る手段に関し、本願発明が「手」であるのに対し、引用例１に記載のものは、「電動モータ」である点で相違している。
　
４．当審の判断
  上記相違点について以下検討する。
　引用例２には、複数の発光体を設けた本体（「ＬＥＤ表示器具」が相当。）を手で振ることにより、残像現象によって絵や文字等の表示をなし得るようにしたものが記載されている。
  引用例１及び２に記載のものは、いずれも残像現象を利用した表示装置という共通の技術分野に属するものであるから、引用例１に記載のものにおいて、引用例２に記載の技術を適用し、複数の発光体を設けた本体を手で振るように改変することは当業者が容易に推考しうるところである。
　そして、本願発明の奏する効果は、各引用例に記載の事項から当業者が予測しうる範囲のものである。
　
５．むすび
  したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　２年特許願第　２３３７９号「電子スチル・カメラ」において、平成１２年　２月２４日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２年２月１日の出願であって、平成１１年１２月２４日付けで手続補正書が提出されたところ、原審においてこの手続き補正について平成１２月２月２４日に補正却下の決定がなされたものである。
　
２．原決定の理由
　原決定の理由の概要は、
「補正後の明細書に記載された、撮影動作及び記録動作を行っている間は焦点距離調整動作の開始を禁止することは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されておらず（同明細書又は図面の記載において、回転記録媒体の回転開始（第３図Ｓ８）と撮影及び記録（第３図Ｓ１５〜１７）とはたがいに別異の概念である）、かつ、同明細書又は図面の記載からみて自明のこととも認められないので、この補正は、明細書の要旨を変更するものと認める。したがって、この補正は特許法第１６１条の３第１項の規定によって準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。」
というものである。
　
３．当審の判断
　よって検討するに、願書に最初に添付した明細書には、
「Ｓ１０の後、レリーズ・スイッチ５４ａがオンである間、更にレリーズ・スイッチが押し込まれてレリーズ・スイッチ５４ｂがオンするのを待つ（Ｓ１１，１２）。レリーズ・スイッチ５４ａがオフになると（Ｓ１２）、撮影しないということであるから、・・・・・回転記録媒体の回転を及び撮像素子３０の駆動を停止して（Ｓ１３）、Ｓ２に戻る。レリーズ・スイッチ５４ｂがオンになると、撮影動作が開始される。即ち、絞り２６を、Ｓ９で決めた絞り値になるように駆動し（Ｓ１４）、・・・・・撮影映像を回転記録媒体の未記憶領域に記録する（Ｓ１７）。
この後、未処理レリーズ・スイッチ５４ｂがオンのままであれば撮影及び記録（Ｓ１５〜１７）が繰り返される（Ｓ１８）。・・・・・スイッチ５４ａがオフになると絞り２６を開放して（Ｓ２０）、合集レンズ１０ａを所定の待機状態（無限遠合集位置）に移動し、回転記録媒体の回転及び撮像素子３０の駆動を停止して（Ｓ１３）、撮影を終了する。」（第１０頁第２行〜第１１頁９行目、第３図）との記載が認められる。
　してみれば、補正後の“撮影動作及び記録動作を行っている間”のステップ範囲は、Ｓ１５〜１７の範囲、広義に解釈するとしてもＳ１１〜Ｓ１９の範囲までとなり、出願当初の“回転記録媒体の回転”のステップ範囲がＳ８〜Ｓ２０であるから、Ｓ８〜Ｓ１０、Ｓ２０ーＳ１３間が除外され、両者の技術構成は一義的に対応するものでなくなる。
　この結果、多量の電力消費の概念は出願当初“回転記録媒体の回転”状態であったものから“撮影動作及び記録動作を行っている間”に変更になり“回転記録媒体の回転”状態であっても“撮影動作及び記録動作の間”の範囲でない上記ステップ除外範囲は、焦点距離の調整を可能とする構成も採用でき、これは出願当初明細書に記載の「大量の電力消費は“回転記録媒体の回転”させることにより生ずる」事項からの課題の変更である。
また、“回転記録媒体の回転”“焦点距離の調整”の両方同時動作は一時的に電力の多量消費となり、従来の電源電圧低下による磁気ディスク回転ムラの問題点を解決できなくなる。
　また、上記ステップ除外範囲は［発明の効果］に“大量の電力を消費する２つの回路機構”（第１２頁第１４〜１５行）との記載があるが、この回路機構も変更するものとなる。
　そして、“撮影動作及び記録動作を行っている間”＝“回転記録媒体の回転”状態は自明のことと認めることもできないから、上記日付でした手続補正は、明細書の要旨を変更するものである。
　
４．結び
　したがって、上記日付でした手続き補正は特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものとした原査定は妥当である。
　よって、結論のとおり審決する。