【事件の表示】
　平成　５年特許願第２８１７０５号「薄膜磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　５月　２日出願公開、特開平　７−１１４７１７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１０月１５日の出願であって、本願請求項１乃至７に係る発明は、平成１２年７月１８日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　ギャップ層と、前記ギャップ層上に形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と分離された主電極層とが形成され、前記磁気抵抗効果素子と主電極層とが接続電極層により接続され、前記主電極層の膜厚は前記接続電極層の膜厚よりも大きく、また前記主電極層のトラック幅方向の幅寸法は、前記接続電極層のトラック幅方向の幅寸法より大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
　なお、本願については、平成１１年９月１日付けの手続補正がされたが、該補正は平成１２年１月２５日付けの補正の却下の決定により却下され、確定している。
　
ＩＩ．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前公知の刊行物である特開平４−３３０６号公報（以下、「引用例」という。）には、
　（１）「１．磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜に電流を流すために設けられた信号検出用電極、該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加部、該磁気抵抗効果膜の両面に形成されたシールド膜、および該磁気抵抗効果膜と該シールド膜との間に設けられたギャップ層、かつ該信号検出用電極の間隔が再生時にトラック幅となる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該信号検出用電極の少なくとも該磁気抵抗効果膜上に形成された部分の信号検出用電極膜がＮｂ，Ｔｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｒあるいはこれら１つ以上を主とする合金のうちの少なくとも１つ以上の材料で構成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」（第１頁左下欄特許請求の範囲第１項参照）、
　（２）「上記信号検出用電極材料は比抵抗が大きい。このため上記信号検出用電極材料のみで電極５ａ，５ｂを構成すると電気抵抗が増加してしまい、発熱、ノイズの原因となる。本発明においては磁気抵抗効果膜上以外の領域に形成されている信号検出用電極は比抵抗の小さなＣｕ，Ａｌ，およびその合金薄膜、あるいは上記Ｎｂ等の薄膜との積層構造とした。」（第２頁左下欄第４〜１１行参照）こと、
　（３）「また、信号検出用電極５ａ，５ｂ上に積層された薄膜はＣｕ，Ａｌ，あるいはそれらの合金で形成されている。これにより信号検出用電極の電気抵抗を下げることができ、発熱、ノイズを低下できる。」（第２頁右下欄第４〜８行参照）こと、
　（４）「［実施例１］　第１図を用いて述べる。基板１にはＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣ板を用いた。基板１上に下部シールド膜２、および第１ギャップ層３を積層する。成膜にはスパッタリング法を用いた。下部シールド膜２は、ＮｉＦｅ合金で、膜厚は１μｍである。　  また、第１ギャップ層３はＳｉＯ２で、膜厚は０．３μｍである。続いて磁気抵抗効果膜４となるＮｉＦｅ合金薄膜を蒸着法で堆積する。膜厚は０．０４μｍとした。磁気抵抗効果膜４は通常ホトリソグラフィ技術により幅（トラック幅方向の長さ）３０μｍ、高さ（トラック幅方向に対し垂直方向の長さ）１０μｍの長方形状にパターニングし、その後、信号検出用電極５ａ，５ｂを形成した。信号検出用電極５ａ，５ｂの材料としてはＮｂを用いた。　信号検出用電極５ａ，５ｂの形成は以下の方法で行なった。磁気抵抗効果４の表面をわずかにスパッタクリーニングした後、Ｎｂ膜を堆積する。スパッタクリーリングは磁気抵抗効果膜４と信号検出用電極５ａ，５ｂとの電気的接続を良好にするために行なう。Ｎｂ膜の厚さは０．２μｍである。Ｎｂ膜のパターニングは平行平板型反応性プラズマエッチング法で行なった。」（第２頁右下第１１行〜第３頁左上欄第１４行参照）こと、
　（５）「信号検出用電極５ａ，５ｂを形成後、磁気抵抗効果膜４上以外の信号検出用電極５ａ，５ｂ上に低電気抵抗膜６を形成する。これは、上記Ｎｂ膜のみで信号検出用電極５ａ，５ｂを形成すると電極５ａ，５ｂの電気抵抗が大きくなりすぎ、発熱、ノイズの原因となるためである。ここで低電気抵抗膜６としてＣｕを用いた。Ｃｕ合金，Ａｌ，Ａｌ合金でも有効である。膜厚は１μｍとした。」（第３頁右上欄第１〜８行参照）こと、が記載されている。
　これらの記載からすると、引用例には、「ギャップ層と、前記ギャップ層上に形成された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜上以外の領域に比抵抗の小さい低電気抵抗膜からなる信号検出用電極とが形成され、前記磁気抵抗効果膜と前記低電気抵抗膜からなる信号検出用電極とが、少なくとも磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極により接続され、前記低電気抵抗膜からなる信号検出用電極の膜厚（実施例１では１μｍ）は前記少なくとも磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極の膜厚（実施例１では０．２μｍ）より大きい磁気抵抗効果型ヘッド。」の発明が記載されているものと認める。
　
ＩＩＩ．対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例に記載の「磁気抵抗効果膜」、「磁気抵抗効果膜上以外の領域に比抵抗の小さい低電気抵抗膜からなる信号検出用電極」、「少なくとも磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極」、「磁気抵抗効果型ヘッド」は、それぞれ本願発明の「磁気抵抗効果素子」、「主電極層」、「接続電極層」、「薄膜磁気ヘッド」に相当するから、両者は、「ギャップ層と、前記ギャップ層上に形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と分離された主電極層とが形成され、前記磁気抵抗効果素子と主電極層とが接続電極層により接続され、前記主電極層の膜厚は前記接続電極層の膜厚より大きい薄膜磁気ヘッド。」の発明である点で一致する。
　他方、本願発明では、「主電極層のトラック幅方向の幅寸法は、接続電極層のトラック幅方向の幅寸法より大きいこと」を必須の構成としているのに対して、引用例記載の発明では、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）のトラック幅方向の幅寸法を、少なくとも磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極（即ち接続電極層）のトラック幅方向の幅寸法より大きくすることについて言及していない点で相違する。
　なお、引用例記載の発明では、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）の電気抵抗を小さくするために膜の材質、即ち比抵抗の小さなもの（実施例でＣｕ）を採用しているけれども、本願発明においても、段落【００１４】に比抵抗の小さい導電材料を用いることが明示され、実施例においてＣｕを採用しているから、相違点とはなりえない。
　
ＩＶ．相違点についての判断
  引用例記載の発明において、磁気抵抗効果膜上以外の領域に比抵抗の小さい低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）を形成するのは、前記摘示（２）、（３）、（５）から明らかなように該電極の抵抗値を下げることで信号検出用電極全体の電気抵抗を下げ発熱やノイズの改善を図るためである。　この目的は、本願発明の目的と軌を一にするものといえる。
　そして、電気抵抗が比抵抗に比例し、断面積に反比例することは周知のことであり、電極層でいえば断面積とは膜の厚さ×幅に相当することを勘案し、そして前記目的を勘案すれば、引用例の実施例に記載のように、磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極（即ち接続電極層）であるＮｂ膜の厚さを０．２μｍとし、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）であるＣｕ膜の厚さを１μｍとしたのは、該Ｃｕ膜の膜厚を大きくすることで抵抗値をより下げ、信号検出用電極全体の抵抗をより下げるためであると認められる。　更に、引用例記載の発明において低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）の抵抗値をより下げるために膜厚を大きくすることに加え幅をも大きくすること、即ち、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）の幅（トラック幅方向）を磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極（即ち接続電極層）の幅（トラック幅方向）より大きくすることは、当業者であれば容易に想起することといえる。  また、このような構成を採用することにより得られる作用効果も予測し得る域を出るものではなく、格別顕著なものがあるとは認められない。
　してみれば、引用例記載の発明において、信号検出用電極全体の電気抵抗をより下げるために、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）の膜厚を磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極（即ち接続電極層）の膜厚よりも大きくすると共に、低電気抵抗膜からなる信号検出用電極（即ち主電極層）のトラック幅方向の幅寸法を磁気抵抗効果膜上に形成された部分を有する信号検出用電極（即ち接続電極層）のトラック幅方向の幅寸法より大きくすることは、当業者であれば容易に想到し得る。
　
Ｖ．まとめ
  以上のとおり、本願発明は、引用例記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本願出願の他の請求項にかかる発明について検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。
　よって、結論のとおり審決する。