【事件の表示】
　平成４年特許願第３８４８０号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成５年８月１３日出願公開、特開平５−２０６１２５、　　請求項の数（２）］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
   Ｉ．　手続の経緯及び本願発明　 
　
　本願は、平成４年１月２９日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１１年１０月２７日付けの手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。　
　「半導体基板上に形成された段差を有する下地絶縁膜上にアルミニウム合金膜を形成する工程と、　
このアルミニウム合金膜上に絶縁膜と有機膜と塗布型酸化膜とフォトレジスト膜を順次形成する工程と、　
前記フォトレジスト膜をパターニングした後、このフォトレジスト膜をマスクとして前記塗布型酸化膜をパターニングする工程と、　
この塗布型酸化膜をマスクに前記有機膜をパターニングし、この有機膜をマスクとし、前記絶縁膜をパターニングし、有機膜，塗布型酸化膜，フォトレジスト膜を除去した後、この絶縁膜のみをマスクとして前記アルミニウム合金膜をパターニングし、配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
　
ＩＩ．　引用刊行物の記載事実　
　
１．　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−２６６４１９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、　
　「エッチングされる基板あるいは薄膜の上にエッチングマスクを形成する工程において、その基板あるいは薄膜の表面上にまず第一層の膜を形成し、続いてその第一層の膜上に第二層の膜を、さらにその上に第三層の膜を形成し、その第三の膜上に光、電子線、Ｘ線のいずれかに感光するレジストを塗布して、そのレジストに光、電子線、Ｘ線のいずれかを照射してパターンを形成した後、そのレジストパターンをエッチングマスクにして第三層をドライエッチング（プラズマエッチングともいう）し、続いてパターニングされたレジストと第三層をエッチングマスクに第二層をドライエッチングし、続いてパターニングされたレジスト、第三層、第二層をエッチングマスクに第一層をドライエッチングした後、レジスト、第三層、第二層を除去して、第一層のみを残し、このパターニングされた第一層のみをエッチングマスクにして前記基板あるいは薄膜をエッチングすることを特徴とする四層マスクパターン形成法。」（第１頁左下欄第５〜右下欄第４行：特許請求の範囲の請求項１）、　
　「…第一層８は通常、レジスト材料を加熱ベークしたものであり、第二層９は、第一層をドライエッチングする際にエッチングマスクになるＳＯＧ（スピンオングラス：spin on glass）…等の無機材料である。」（第２頁左下欄第１３〜１８行）、　
　「（実施例１）　
　第１図に示すような手順により四層マスクパターンを形成した。１μｍ厚の酸化シリコンの段差２０上に形成された０．３μｍ厚のポリシリコン３の上に、まずＣＶＤ（化学気相成長）法により酸化シリコンを０．２μｍ堆積させた第一層の膜７を形成し、続いてその第一層７の膜上に光レジスト（フェノールノボラック系樹脂…）を２．０μｍの厚さに塗布し、２００から２５０℃の温度で加熱した第二層の膜８を形成する。さらにその上に０．１μｍ厚のＳＯＧからなる第三層の膜９を形成し、その第三層９の膜上に電子線用レジスト…１０を塗布して、電子線照射、現像、ベークによりパターニングを行った（図ａ）。　
　このレジストパターン１０をエッチングマスクにして第三層９のＳＯＧをＣＦ４ ガスのプラズマにより異方性ドライエッチングし（図ｂ）、続いてパターニングされたレジスト１０とＳＯＧ９をエッチングマスクに、ベークしたレジストからなる第二層８を、酸素を主成分にしたガスで異方性ドライエッチングした（図ｃ）。この時、最上層のレジスト１０は同時にエッチングされて消滅した。　
　続いて、ＳＯＧ９、ベークレジスト８の二層膜をマスクに、ＣＨＦ４で第一層酸化シリコン７を異方性ドライエッチングした（図ｄ）。この時、第三層のＳＯＧ９は同時にエッチング除去された。その後、第二層８を酸素プラズマでアッシャーして除去し、０．２μｍ厚の酸化シリコンマスク７を形成した（図ｅ）。これをエッチングマスクにして、下地ポリシリコンをＣｌ２でドライエッチングし、０．２μｍ幅の微細な溝を高精度に加工することができた。」（第３頁右上欄第１４行〜右下欄第８行）、　
　「本発明ではここに述べた実施例の他に次のような汎用性を有する。　
　下地材料は前記ポリシリコン以外に…アルミニウム…等ＬＳＩを構成するいずれの材料でもよい。」（第４頁左上欄第１６行〜右上欄第２行）、　
と記載されている。　
　
２．　引用刊行物の第１図（「図面の簡単な説明」の欄の記載によれば、「本発明の一実施例になる…図」）及び第２図（同じく「図面の簡単な説明」の欄の記載によれば、「従来の…図」）には、参照符号「１」及び「２」が付されており、そして、引用刊行物の実施例の説明部分では上記参照符号「１」及び「２」についての言及はないが、【従来の技術】の説明部分では、「これは、第２図に示すように、下地基板１あるいは薄膜２もしくは３上に凹凸部２０が存在する（図ａ）とき」（第２頁右上欄第１９行〜左下欄第１行）と記載されている。他方、引用刊行物の「図面の簡単な説明」の欄の「符号の説明」には、「１…シリコン基板」と、「２…酸化シリコン段差」と記載されているが、前に摘記したとおり、引用刊行物の「（実施例１）」では「酸化シリコンの段差２０」と記載されており、かつこの記載は図面の記載とも一致するから、上記「符号の説明」における「２…酸化シリコン段差」との記載は誤記であると認められる。　
　以上からすると、引用刊行物の第１図の参照符号「１」、「２」は、それぞれ「下地基板」ないし「シリコン基板」、「薄膜」を示すものと解される。　
　
３．　引用刊行物における前記記載：「パターニングされたレジスト１０とＳＯＧ９をエッチングマスクに、ベークしたレジストからなる第二層８を、…異方性ドライエッチングした…。この時、最上層のレジスト１０は同時にエッチングされて消滅した。」からすると、「第二層８」のエッチングマスクとして実質的に機能するのは「ＳＯＧ９」のみであると解される。また、同様に、引用刊行物における前記記載：「ＳＯＧ９、ベークレジスト８の二層膜をマスクに、…第一層酸化シリコン７を異方性ドライエッチングした…。この時、第三層のＳＯＧ９は同時にエッチング除去された。」からすると、「第一層酸化シリコン膜７」のエッチングマスクとして実質的に機能するのは「ベークレジスト８」のみであると解される。　
　
４．　以上をまとめると、引用刊行物には、　
　「シリコン基板上に形成された段差２０を有する酸化シリコン膜上に下地アルミニウム膜を形成する工程と、　
この下地アルミニウム膜上に酸化シリコンからなる第一層７（「第一層酸化シリコン膜７」）の膜と光レジストを塗布し、加熱した第二層の膜８（「ベークレジスト８」）とＳＯＧ（スピンオングラス：spin on glass）からなる第三層の膜９とフォトレジスト膜を順次形成する工程と、　
前記フォトレジスト膜をパターニングした後、このフォトレジスト膜をマスクとして前記ＳＯＧからなる第三層の膜９を異方性ドライエッチングする工程と、　
前記ＳＯＧからなる第三層の膜９をマスクとし、前記第二層の膜８を異方性ドライエッチングし、前記第二層の膜８をマスクとして前記酸化シリコンからなる第一層の膜７を異方性ドライエッチングし、光レジストを塗布し、加熱した第二層の膜８，ＳＯＧからなる第三層の膜９，フォトレジスト膜を除去した後、この酸化シリコンからなる第一層の膜７のみをマスクとして前記下地アルミニウム膜をパターニングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
が記載されているものと認められる。　
　
ＩＩＩ．　対比　
　
１．　本願の請求項１に係る発明（以下「本願第１発明」という。）と引用刊行物に記載された発明とを対比すると、引用刊行物における「シリコン基板」、「段差２０を有する酸化シリコン膜」、「酸化シリコンからなる第一層の膜７」又は「第一層酸化シリコン膜７」、「光レジストを塗布し、加熱した第二層の膜８」又は「ベークレジスト８」、「ＳＯＧ（スピンオングラス：spin on glass）からなる第三層の膜９」は、それぞれ、本願第１発明における「半導体基板」、「段差を有する下地絶縁膜」、「絶縁膜」、「有機膜」、「塗布型酸化膜」に相当し、更に、引用刊行物における「このフォトレジスト膜をマスクとして前記ＳＯＧからなる第三層の膜９を異方性ドライエッチング」すること、「前記ＳＯＧからなる第三層の膜９をマスクとして、前記第二層の膜８を異方性ドライエッチング」すること、「前記第二層の膜８をマスクとして前記酸化シリコンからなる第一層の膜７を異方性ドライエッチング」することは、それぞれ、本願第１発明における「このフォトレジスト膜をマスクとして塗布型酸化膜をパターニング」すること、「有機膜をパターニング」すること、「絶縁膜をパターニング」することに相当する。　
　
２．　したがって、本願第１発明と引用刊行物に記載された発明とは、　
　「半導体基板上に形成された段差を有する下地絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、　
この金属膜上に絶縁膜と有機膜と塗布型酸化膜とフォトレジスト膜を順次形成する工程と、　
前記フォトレジスト膜をパターニングした後、このフォトレジスト膜をマスクとして前記塗布型酸化膜をパターニングする工程と、　
この塗布型酸化膜をマスクに前記有機膜をパターニングし、この有機膜をマスクとし、前記絶縁膜をパターニングし、有機膜，塗布型酸化膜，フォトレジスト膜を除去した後、この絶縁膜のみをマスクとして前記金属膜をパターニングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法」　
である点で一致しており、　
（１）本願第１発明では、「絶縁膜のみをマスクとして前記金属膜をパターニングし、配線を形成」しているのに対し、引用刊行物に記載された発明では、「絶縁膜のみをマスクとして下地金属膜をパターニング」している点、　
（２）本願第１発明では、金属膜がアルミニウム合金であるのに対し、引用刊行物に記載された発明では、アルミニウムである点、　
で相違している。　
　
ＩＶ．　判断　
　
　引用刊行物に記載された発明においてはアルミニウムがパターニングされる下地膜となっているが、アルミニウムはＬＳＩを構成する半導体装置において配線材料として慣用されているものであること及び当該引用刊行物に記載された発明におけるアルミニウム下地膜の配置箇所からすると、当業者であれば、このアルミニウム下地膜が配線層に用いられ得ることは、格別の困難性なく看取できることである。また、アルミニウムもアルミニウム合金も、ＬＳＩを構成する半導体装置における配線材料の金属として慣用されているものであり、そして、引用刊行物に記載された発明にあって、アルミニウムの代わりにアルミニウム合金とすることを阻害する特段の事由も見出せない。したがって、引用刊行物に記載された発明におけるアルミニウムの下地膜を配線に用い、更に下地膜の材料をアルミニウム合金とした点に格別の困難性はない。　
　また、下地膜を配線に用い、更に下地膜の材料をアルミニウム合金としたことにより、格別の効果を生じるものとも認められない。　
　以上からすると、（１）の相違点及び（２）の相違点は、当業者が格別の創意工夫を要することなく、容易になし得たことである。　
　
Ｖ．　結び　
　
　したがって、本願第１発明は、当業者が引用刊行物に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。