【事件の表示】
　特許第３３１５５４４号「半導体ウエハ研磨装置および方法」の請求項１〜３３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３１５５４４号の請求項１〜３２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本件特許第３３１５５４４号の請求項１〜３３に係る発明についての出願は、平成６年１１月２９日に出願され、平成１４年６月７日にその発明について特許権の設定登録（平成１４年８月１９日特許公報発行）がされた。これに対して、平成１５年２月１９日に特許異議申立人・村戸良至（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年９月２８日に意見書の提出及び訂正請求がなされたものである。 
 　 
II．訂正の適否 
１．訂正の内容 
　平成１６年９月２８日付けの訂正請求書は、本件特許第３３１５５４４号の願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、上記訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、その内容は以下のとおりである。 
　なお、下線は対比の便宜のために当審において付したものである。 
（１）訂正事項ａ 
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項１の記載を、 
「【請求項１】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置し、
　前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、
洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、
 　 
（２）訂正事項ｂ 
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項１６の記載を、 
「【請求項１６】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備え、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離した研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、
　前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、
　半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、
　研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、前記搬送手段により洗浄後の半導体ウエハを乾燥手段に受け渡し、該乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥
し、洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに収納する
　
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項１８の記載を、 
「【請求項１８】　前
記乾
と訂正する。
　
（４）訂正事項ｄ 
 　特許明細書における特許請求の範囲の請求項２０を削除する。
　
（５）訂正事項ｅ 
　請求項２１以下の請求項の番号を順次繰り上げ、【請求項
２０
２１
２２
２３
２４
２５
２６
２７
２８
２９
３０
３１
３２
　特許請求の範囲の請求項２１の記載を「請求項１６乃至
１９
　特許請求の範囲の請求項２２の記載を「請求項１６乃至
１９
　特許請求の範囲の請求項２５の記載を「請求項１６乃至
２３
　特許請求の範囲の請求項２６の記載を「請求項１６乃至
２４
　特許請求の範囲の請求項２７の記載を「請求項１６乃至
２５
　特許請求の範囲の請求項２８の記載を「請求項
２６
　特許請求の範囲の請求項２９の記載を「請求項１６乃至
２７
　特許請求の範囲の請求項３０の記載を「請求項
２８
　特許請求の範囲の請求項３１の記載を「請求項１６乃至
２９
　特許請求の範囲の請求項３２の記載を「請求項
２２
　特許請求の範囲の請求項３３の記載を「請求項１６乃至
３１
　
（６）訂正事項ｆ 
 　特許明細書の段落【００１０】における、 
 「洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備えていることを特徴とするものである。」を、 
 「洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、
洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、
 　
（７）訂正事項ｇ 
 　特許明細書の段落【００１０】における、 
 「前記搬送手段により洗浄後の半導体ウエハを乾燥手段に受け渡し、該乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥させることを特徴とするものである。」を、 
 「前記搬送手段により洗浄後の半導体ウエハを乾燥手段に受け渡し、該乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥
し、洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに収納する
（８）訂正事項ｈ 
　特許明細書の段落【００１０】における、 
「前記研磨された半導体ウエハに対して光リソグラフィ処理をする。」を削除する。
　　 
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 
（１）訂正事項ａ 
　特許明細書には、段落【００３３】に、「２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハカセット４５に半導体ウエハ４を収納する。」と記載されている。 
　訂正事項ａは、上記記載事項に基づいてなされたものと認められ、特許請求の範囲の請求項１における「洗浄部」の構成を、「
洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、
　したがって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。 
 　 
（２）訂正事項ｂ 
　訂正事項ｂは、特許明細書の上記段落【００３３】の記載事項に基づいてなされたものと認められ、特許請求の範囲の請求項１６における「乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥させること」を、「乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥
し、洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに収納する
　したがって、訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。 
　
（３）訂正事項ｃ
　訂正事項ｃは、上記訂正事項ｂにおける訂正に伴い、請求項１８における重複する記載を削除するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　
（４）訂正事項ｄ
　訂正事項ｄは、請求項２０を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　
（５）訂正事項ｅ
　訂正事項ｅは、上記訂正事項ｄにおける請求項２０を削除したことに伴い、請求項の番号を順次繰り上げ、各請求項の記載の整合性を図るためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
 　 
（６）訂正事項ｆ〜ｈ 
　訂正事項ｆ〜ｈは、訂正事項ａ〜ｄによる請求項の記載の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の欄の記載との整合性を図るためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　
　そして、訂正事項ａ〜ｈは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加には該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 
 　 
３．訂正の適否についてのまとめ 
　以上のとおり、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。 
 　 
III．特許異議申立の理由の概要 
　申立人は、下記甲第１〜５号証を提出し、本件特許の請求項１〜１９及び２１〜３３に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとともに、請求項２０に係る発明は、明細書の発明の詳細な説明欄に記載されていないものであり、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、本件の請求項１〜３３に係る発明についての特許は取り消されるべきであると主張している。 
 ＜甲号各証＞ 
　甲第１号証： 米国特許第５３２９７３２号明細書
　　　　　　　　（翻訳文　特表平７−５０８６８５号公報）
　甲第２号証：特開平６−９９３４８号公報
　甲第３号証：特開昭６３−２０７５５９号公報 
　甲第４号証：特開平２−１５３５４６号公報
　甲第５号証：「１９９１年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集」　　　　　　第１分冊、社団法人精密工学会、１９９１年９月５日発行、
　　　　　　ｐ．２１１〜２１２ 
　
IV．通知した取消しの理由の概要
　平成１６年７月２８日付けで通知した取消しの理由の概要は、（１）本件特許の請求項１〜１９及び２１〜３３に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である以下の刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない（以下、「取消理由１」という。）、及び、（２）請求項２０に係る発明は、明細書の発明の詳細な説明欄に記載されていないものであり、特許法第３６条第５項第１号に規定する要件を満たしていない（以下、「取消理由２」という。）というものである。
［引用刊行物］ 
　刊行物１：米国特許第５３２９７３２号明細書 
 　　　　　　（申立人が提出した甲第１号証） 
　刊行物２：特開平６−９９３４８号公報 （同甲第２号証）
　刊行物３：特開昭６３−２０７５５９号公報 （同甲第３号証）
　刊行物４：特開平２−１５３５４６号公報 （同甲第４号証）
　刊行物５：「１９９１年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集」
　　　　　　第１分冊、社団法人精密工学会、１９９１年９月５日発行、
　　　　　　ｐ．２１１〜２１２（ 同甲第５号証）
　
Ｖ．本件発明 
　前述のとおり、本件訂正が認められたことにより、本件特許の請求項１〜３２に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３２」という。）は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３２に記載された次のとおりのものと認められる。
　【請求項１】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置し、
　前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、前記洗浄手段と乾燥手段間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備えていることを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項２】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置し、
　前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、前記乾燥手段とウエハカセット間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備えていることを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項３】　前記研磨部と前記洗浄部から個別に排気する排気系統を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項４】　前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項５】　前記洗浄部の洗浄手段は、洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項６】　前記洗浄部の洗浄手段により半導体ウエハを洗浄した後に、さらに洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項７】　半導体ウエハを、研磨する前に、反転するための反転機を備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項８】　半導体ウエハを、研磨後に、反転するための反転機を備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項９】　前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１０】　前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする請求項９に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１１】　前記研磨部には半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１２】　前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１３】　前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１４】　前記洗浄用スポンジを、洗浄後、退避する機構を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１５】　前記研磨部には自身が受け取った半導体ウエハをトップリングに渡す機構を有するウエハ搬送機構を有することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１６】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備え、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離した研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、
　前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、
　半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、
　研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、前記搬送手段により洗浄後の半導体ウエハを乾燥手段に受け渡し、該乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥し、洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項１７】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、前記乾燥手段とウエハカセット間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備え、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離した研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、
　前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、
　半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、
　研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、前記乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥し、前記搬送手段にて洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに受け渡すことを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項１８】　前記乾燥した半導体ウエハを該ウエハカセットで次工程へ払い出すことを特徴とする請求項１６に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項１９】　前記乾燥した半導体ウエハを前記ウエハカセットで次工程へ払い出すことを特徴とする請求項１７に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２０】　前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により個別に排気することを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２１】　前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように排気系統により排気することを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２２】　前記洗浄部の洗浄手段は、洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２３】　前記洗浄部の洗浄手段により半導体ウエハを洗浄した後に、さらに洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２４】　半導体ウエハを、研磨する前に、反転機により反転することを特徴とする請求項１６乃至２３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２５】　半導体ウエハを、研磨後に、反転機により反転することを特徴とする請求項１６乃至２４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２６】　前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする請求項１６乃至２５のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２７】　前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする請求項２６に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２８】　前記研磨部にはトップリングを有し、該トップリングにより半導体ウエハを保持することを特徴とする請求項１６乃至２７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項２９】　前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする請求項２８に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項３０】　前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする請求項１６乃至２９のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項３１】　前記洗浄用スポンジを、洗浄後、退避することを特徴とする請求項２２に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項３２】　前記研磨部にはウエハ搬送機構を有し、該ウエハ搬送機構により、自身が受け取った半導体ウエハをトップリングに渡すことを特徴とする請求項１６乃至３１のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　
VI．当審の判断
＜取消理由１について＞
１．引用刊行物の記載内容及び引用発明
　取消理由１において引用された各刊行物には、以下の技術的事項が記載されている。
　
（１）刊行物１
　刊行物１については、刊行物１のいわゆるパテントファミリーである特表平７−５０８６８５号公報（以下、「公報」という。）を翻訳文として参照した。
（１−イ）「本発明は、研磨方法及び装置に関し、より具体的には、高速度で、しかも半導体の処理を行うクリーンルームの環境に適合可能な方法にて半導体材料のウェーハを正確に研磨する方法及び装置に関する。」（第１欄第５〜１０行；公報第３頁右上欄第４〜６行）
　
（１−ロ）「図１は、本発明を具体化するウェーハ研磨装置100の斜視図である。ウェーハ研磨装置100は、ウェーハ入力／出力モジュール101と、ウェーハ処理モジュール102とを備えている。該ウェーハ研磨装置100の構造は、処理モジュール102をクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配置する一方、入力／出力モジュール101は、例えば、クラス10のクリーンルーム環境内に配置可能であるようにしてある。特別には図示しない手段により、研磨装置内に空気流が発生され、クラス10のクリーンルームの環境が悪影響を受けないようにその空気圧が調節される。」（第４欄第２３〜３５行；公報第４頁右上欄第１９〜２６行） 
 　 
（１−ハ）「更に、図２において、入力／出力モジュール101及び処理モジュール102を分離する壁104が示してある。ウェーハは多数ウェーハのカセットによって入力／出力モジュール101に供給され且つ該モジュールから除去され、図１及び図２には、上記のカセットの内、２つの入力カセット106、107及び２つ出力カセット108、109が示してある。」（第４欄第３９〜４５行；公報第４頁右上欄第２８行〜左下欄第４行） 
 　 
（１−ニ）「入力グリッパ115が整合したウェーハを把持し、該ウェーハを垂直方向に180°回転させ、図４に示すように、新たに整合したウェーハを入力カップ124内に配置する。」（第５欄第３８〜４０行；公報第４頁右下欄第２０〜２２行）  
 　 
（１−ホ）「この実施例において、ウェーハは、回転する研磨テーブル134と共に作動する多数ヘッドのウェーハ研磨組立体により、一度に５つずつ研磨される。この多数ヘッド研磨組立体132は、図１の切欠き図に示してあり、図２、図４及び図５には、透明な十角形として示してある。この研磨組立体132の構造の詳細については後で説明する。研磨組立体132は、５つのウェーハキャリヤ139乃至143を備えており、各ウェーハを回転させ、且つ、回転する研磨テーブル134上の２つの異なる径の外周間で各ウェーハを前後に揺動させると同時に、５つのウェーハを、回転する研磨テーブル134上に同時に押し出すことが出来る。図２、図４及び図５において、ウェーハキャリヤ139乃至143は、外周を広くして黒円で示してある。その間をウェーハキャリヤ139乃至143が揺動し得る２つの外周は、図２に示した元の位置と、図４に示した最大の外方揺動位置とからなっている。ウェーハの研磨が完了し、又はウェーハキャリヤ139乃至143が空になったとき、これらのウェーハは、研磨テーブル134から上方に相当な距離まで持ち上げる。ウェーハキャリヤ139乃至143が持ち上げられると、これらのウェーハキャリヤは元の揺動位置に戻る。」（第５欄第５４行〜第６欄第８行；公報第５頁左上欄第４〜１８行）
　 
（１−ヘ）「研磨組立体132は、回転する研磨テーブル134と割り出しテーブル117との間で処理モジュール102の長さに沿って伸長する、一対の搬送レール137により、処理モジュール102の主構造体板136に取り付けられている。研磨組立体132は、THK軸受NO.HSR 35CB2UUのような４つの搬送線形軸受によりレール137に接続された搬送フレーム144によってレール137に接続されている。レール137に沿って線形動作は、交流サーボモータ165により駆動されるTHK NO. BLK 3232EZZのようなモータ被動の搬送ボールスクリューにより制御される。」（第６欄第１６〜２６行；公報第５頁左上欄第２４行〜右上欄第３行）
　
（１−ト）「ウェーハの研磨は、研磨組立体132のウェーハキャリヤ139乃至143の動作と研磨及び／又は化学的スラリーの存在下で機能する研磨テーブル134の動作との複合作用により行われる。図16には、研磨テーブル134を通る断面線16−16に沿った処理モジュール102の断面図が示してある。研磨テーブル134は、軸受部材281により主構造体板136の上方で中央シャフト282の上に回転可能に支持されている。シャフト282は、板136を通って伸長し、又、駆動ベルト283及びプーリー284によって研磨テーブルモータ280の出力プーリー285に接続されている。モータ280は、当該技術分野で周知の型式のインターフェース442の命令に応答して作動し、研磨テーブル134の回転速度を正確に調節する。又、図16には、コンピュータ103の制御の下で作動して、スラリーをスラリーポンプ223（図15）からテーブル134上に分配する一対のスラリーノズル221が示してある。」（第８欄第３４〜５０行；公報第６頁左上欄第１７〜２８行）
 
（１−チ）「排出位置にあるウェーハカップ117を空気シリンダ160により持ち上げ、排出グリッパ116の縁部が排出カップ120内のウェーハ235を把持し、該カップを垂直方向に回転させ、該カップをウェーハ洗浄装置230内に配置したときに、排出工程が開始する。ウェーハ洗浄装置230は、図11の側面図及び図12の平面図に詳細に示してある。排出ウェーハ235は、その各々がボール軸受を介して取り付けたキャップ233を有する４つのスピンドル232の上にグリッパ116により配置される。これらのスピンドル232及びキャップ233は、排出ウェーハ235の外周を４つの全てのキャップの棚状突起236上に支持し得るように配置される。次に、６つの回転ブラシ238を有する洗浄組立体237をガイドシャフト240に沿ってウェーハ235に向け任意の方向に駆動して、ウェーハの上方及び下方の位置に配置する。かかる位置決めのとき、洗浄組立体237の底部のブラシ保持部分241は空気シリンダ239により上方に動かされて、上方及び下方組みのブラシ238の間でウェーハ235に係合する。次に、ブラシは、洗浄組立体237の上方部材244の複数のノズル243及びウェーハ235の下方に取り付けられた複数のノズル245により、脱イオン水が供給される間に、ステッパーモータ247、246及びベルト（図示ぜす）により回転される。ブラシ238を非対称に配置する結果、ウェーハ235は水中で回転し、それによりその面を洗浄する。洗浄が終了する所定の時間の経過後、洗浄組立体237をその最左側の位置に戻し、ウェーハ235は、エレベータ／アーム装置249により水洗浄組立体230の上方の位置に持ち上げる。次に、エレベータ／アーム組立体249をガイド部材248に沿って水スライド250（図１）まで動かし、ここで、ウェーハ235を排出ウェーハカセット108内への水流により摺動される。ウェーハカセット108は、操作者が排出するまで水中に没していることが望ましい。」（第１１欄第５２行〜第１２欄第１７行；公報第７頁右上欄第１８行〜左下欄第１３行）
 　 
　上記記載事項及び図面の記載からみて、刊行物１には次の発明（以下、「引用発明１」及び「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 
［引用発明１］
　ウェーハを研磨するウェーハ処理モジュール102と、ウェーハを洗浄するウェーハ洗浄装置230を備える入力／出力モジュール101とからなるウェーハ研磨装置100であって、研磨後のウェーハを前記ウェーハ処理モジュール102から前記ウェーハ洗浄装置230へ搬送する排出グリッパ116を設け、前記処理モジュール102をクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配置する一方、入力／出力モジュール101をクラス10のクリーンルーム環境内に配置し、入力／出力モジュール101及び処理モジュール102を分離する壁104を備え、
　前記ウェーハ洗浄装置230は、研磨後のウェーハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄したウェーハを収納するウェーハカセット108と、前記洗浄手段とウェーハカセット108間を水平および昇降自在にウェーハの受け渡しが可能なエレベータ／アーム組立体249とを備えているウェーハ研磨装置100。
［引用発明２］
　ウェーハを研磨するウェーハ処理モジュール102と、ウェーハを洗浄するウェーハ洗浄装置230を備える入力／出力モジュール101とからなるウェーハ研磨装置100であって、前記ウェーハ洗浄装置230は、研磨後のウェーハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄したウェーハを収納するウェーハカセット108と、前記洗浄手段とウェーハカセット108間を水平および昇降自在にウェーハの受け渡しが可能なエレベータ／アーム組立体249とを備えているウェーハ研磨装置100によりウェーハを研磨する方法であって、
　前記処理モジュール102をクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配置する一方、入力／出力モジュール101をクラス10のクリーンルーム環境内に配置し、入力／出力モジュール101及び処理モジュール102を分離する壁104を備え、　
　ウェーハを前記処理モジュール102で研磨し、
　研磨後のウェーハを前記ウェーハ処理モジュール102から排出グリッパ116により前記ウェーハ洗浄装置230へ搬送し、前記洗浄手段にて研磨後のウェーハを洗浄し、前記エレベータ／アーム組立体249により洗浄後のウェーハをウェーハカセット108に受け渡し収納するウェーハ研磨方法。
 　 
（２）刊行物２ 
（２−イ）「上定盤６は、ウェーハＷを真空吸着により保持した後研磨機構８内に移動する。この研磨機構８は下定盤を備え、ウェーハＷはこれら定盤に挟まれて片面研磨される。研磨を終えた上定盤はウェーハＷを真空吸着して予備洗浄機構９と対向する位置に移動し、ウェーハの真空吸着を解放し、回転搬送機構１０のウェーハ受けに降ろす。この予備洗浄機構９および回転搬送機構のウェーハ保持部は研磨液および研磨生成物で汚れたウェーハと共に洗浄水により洗浄している。
　洗浄後、回転搬送機構１０はウェーハＷを挟持して裏返し、ブラシ洗浄を行うブラッシング機構１４を含むスピニング機構１２上に搬送する。洗浄およびスピニング機構１２はその回転台上にウェーハＷの非研磨面を吸着する。吸着されたウェーハＷ上にブラッシング機構１４が迫り出し、ノズルから洗剤あるいは洗浄水をウェーハＷに順次吹き付ける。ブラッシング機構１４はまた、下向きに一対のブラシを有し、これらブラシをウェーハＷの研磨面に順次当てて回転させ、研磨面のパーティクルを除去する。
　ブラシによる洗浄が完了したら、洗浄およびスピニング機構１２はウェーハＷを高速回転させ、洗浄水を振り切り除去して乾燥させる。乾燥したウェーハＷは、搬出ロボット１６に持ち上げられてウェーハカセット１８内に順次収容される。」（段落【００１８】〜【００２０】） 
 　 
（２−ロ）「以上説明したように、本発明に係るウェーハ仕上研磨装置は、カセットに入ったウェーハをウェーハ取り出し機構で取り出しセンタリング後リニアガイド上を走行可能な上定盤が真空吸着し、研磨機構に移動して揺動研磨した後、予備洗浄機構でウェーハを離脱させ反転後ブラシ洗浄しスピンニング乾燥してカセットに収容し、更に研磨布のドレシングと研磨されたウェーハと接触するバックパッドおよび治具を自動的に洗浄するカセットツウカセットの全自動研磨装置である。」（段落【００７２】） 
 　 
（３）刊行物３ 
（３−イ）「研削ユニット１４，１５の左方に、洗浄ユニット１６が配設されている。この洗浄ユニット１６の手前にも、ガイドレール８９を持つトランスファー手段７０が配設され、ガイドレール８９は、研削ユニット１４，１５のガイドレール８０に連結される。」（第５頁右下欄第６〜１０行）
　
（３−ロ）「トランスファーアーム５８によって研削ユニット１５から搬送されたウェーハ２６は、スピンナテーブル７２に載せられる。そしてフード７８をかけ、ウェーハを密封した状態で、洗浄液を供給しながら、スピンナテーブル７２が回転されて、ウェーハ２６を洗浄し、その後、スピンナテーブルを高速回転して、水滴を除去し、ウェーハを乾燥させる。」（第５頁右下欄第１５行〜第６頁左上欄第２行）
 　 
（４）刊行物４ 
（４−イ）「本発明は、高度な無塵状態が要求される半導体製造工場等に実施して好適な半導体の無塵化製造システムに関するものである。」（第１頁右下欄第１０〜１２行）
　
（４−ロ）「本発明は、上記課題を解決するための手段として、第１の発明にあっては、クリーン度が低または中程度の室１２内において、複数の加工装置２９を高クリーン度状態となるように区画して設け、前記室１２内に、自己無塵機能を有する搬送ロボット２３を前記加工装置２９の間に走行自在に設け、この搬送ロボット２３が前記加工装置２９の前に到達したとき、この搬送ロボット２３に設けられたアーム２６によって、搬送ロボット２３内の被搬送物３１を加工装置２９に移載するように制御することを特徴とする半導体の無塵化製造システムを得たものである。」（第２頁右上欄第４〜１５行） 
 　 
（４−ハ）「このアーム２６は仕切り壁１１に設けられた孔２７に出入して、室１３内に並べて設けられたストレ−ジストッカー２８および加工装置２９への被搬送物３１の搬入、搬出を行なうようになっている。」（第３頁左上欄第１４〜１８行） 
 　 
（４−ニ）「第３図は搬送ロボット２３が室１３の前部に到着し、被搬送物３１の搬入、搬出を行なう状態を表わしている。このように室１３の前に到着した搬送ロボット２３は、アーム２６が仕切り壁１１に対向するように頭部２５を回動させ、アーム２６を仕切り壁１１の孔２７から挿入して室１３内に伸ばすことになる。」（第３頁右上欄第１２〜１７行） 
　
（５）刊行物５ 
（５−イ）「ＬＳＩデバイス面のプラナリゼーション加工では、極力、汚染・異物混入の防止対策を施すことが肝要であることから、試作したポリシング装置は、新たに構築したスーパークリーン室（清浄度クラス１０）内に関係装置とあわせて設置している（図１参照）。」（第２１２頁左欄第２９〜３４行） 
 　 
２．対比・判断 
（１）本件発明１について
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１における「ウェーハ」は本件発明における「半導体ウエハ」に相当し、以下同様に、「ウェーハ処理モジュール102」は「研磨部」に、「ウェーハ洗浄装置230」は「洗浄部」に、「排出グリッパ116」は「搬送機構」に、「ウェーハ研磨装置100」は「半導体ウエハ研磨装置」に、それぞれ相当するから、両者は、「半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを有し、研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とからなる半導体ウエハ研磨装置であって、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、を備えている半導体ウエハ研磨装置。」である点で一致し、次の点で相違する。 
［相違点１］ 
　本件発明１では、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置しているのに対し、引用発明１では、処理モジュール102をクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配置する一方、入力／出力モジュール101をクラス10のクリーンルーム環境内に配置している点。 
［相違点２］
　本件発明１では、洗浄部は洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段を有し、前記洗浄手段と乾燥手段間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備えているのに対して、引用発明１では、乾燥手段を具備するとはされていない点。
　
　上記相違点１について検討する。
　引用発明１は、入力／出力モジュール101及び処理モジュール102を分離する壁104を備えている。しかしながら、引用発明１においては、処理モジュール102はクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配置され、入力／出力モジュール101はクラス10のクリーンルーム環境内に配置されるものであるから（上記記載事項（１−ロ）参照）、図２に示された「壁104」は上記２つのクリーンルームを仕切る壁と認められる。そして、刊行物１の他の図面の記載をみても、処理モジュール102と入力／出力モジュール101間に隔壁に相当する部材が存在するとは認められず、上記壁104は、処理モジュール102と入力／出力モジュール101との間を分離する隔壁とは認めることができない。
　してみると、引用発明１は、ウェーハ研磨装置を構成する処理モジュール102と入力／出力モジュール101とが、それぞれクリーン度の異なる２つのクリーンルーム環境内に隣接する壁を越えて配置されるものであって、研磨部と洗浄部と搬送機構とを側壁を有した筐体内に収納し、該筐体を１つのクリーンルーム内に設置している本件発明１とは技術思想が異なるものである。
　刊行物２及び３には、洗浄装置を研磨装置に隣接して設け、洗浄装置により洗浄されたウェーハを乾燥させることが記載されているが（上記記載事項（２−イ）〜（３−ロ）参照）、研磨装置をクリーンルーム内に設置すること及び洗浄装置と研磨装置とを筺体内に収納し両者の間に隔壁を設けることについては何ら開示されていない。
　また、刊行物４には、高クリーン度状態の室１３の仕切り壁１１に設けられた孔２７を介して、室１３内に設けられた加工装置２９へ被搬送物３１を搬入・搬出を行なうことが記載されている（同（４−ロ）〜（４−ニ）参照）。しかしながら、上記被搬送物３１の搬入・搬出は、製造工場建物内の室１３内に設けられた加工装置２９と室１３外の搬送ロボット２３との間で行われるものであって（同（４−イ）及び第１、２図参照）、筺体内に収納され隔壁により分離された２つの処理装置間の被搬送物の搬送を開示又は示唆するものではない。
　さらに、刊行物５には、スーパークリーン室内にポリシング装置（研磨装置）を設置することが記載されているが、加工における汚染・異物混入を極力防止するための対策とされている（同（５−イ）参照）。したがって、刊行物５に記載された事項は、クリーンルーム内に設置可能でクリーンルームを汚染することなく研磨後の洗浄、乾燥を行い次工程へ払い出すことを目的とする本件発明１とは、技術的課題を異にしている。
　
　そうすると、上記刊行物１〜５には、いずれにも上記相違点１に係る本件発明１の構成が記載されておらず、示唆する記載も見出すことができない。
　そして、本件発明１は、上記構成を具備することにより、訂正明細書に記載の「側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。」（段落【００３５】参照）という格別の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２と引用発明１とを対比すると、それぞれの構成要素は上記（１）に記載したものと同じ対応関係を有するから、両者は、「半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを有し、研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とからなる半導体ウエハ研磨装置であって、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、を備えている半導体ウエハ研磨装置。」である点で一致し、次の点で相違する。 
［相違点３］ 
　本件発明２では、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置しているのに対し、引用発明１では、処理モジュール102をクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配置する一方、入力／出力モジュール101をクラス10のクリーンルーム環境内に配置している点。 
［相違点４］
　本件発明２では、洗浄部は洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段を有し、前記乾燥手段とウエハカセット間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備えているのに対して、引用発明１では、乾燥手段を具備するとはされていない点。
　
　上記相違点３について検討するに、相違点３は、上記相違点１と同じであるから、（１）に述べたものと同様の理由により、上記刊行物１〜５には、上記相違点３に係る本件発明２の構成が記載又は示唆されているとすることができない。
　そして、本件発明２は、上記構成を具備することにより、訂正明細書に記載の格別の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（３）本件発明３〜本件発明１５について
　本件発明３〜１５は、本件発明１又は２を引用する発明であって、本件発明１又は２の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当するものである。 
　そして、本件発明１及び本件発明２は、上記（１）及び（２）に示した理由により、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、本件発明３〜１５も、同様の理由により、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。 
　
（４）本件発明１６について
　本件発明１６と引用発明２とを対比すると、それぞれの構成要素は上記（１）に記載したものと同じ対応関係を有するから、両者は、「半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを有した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段を備えた研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハを前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、洗浄した半導体ウエハをウエハカセットに収納する半導体ウエハ研磨方法。」である点で一致し、次の点で相違する。 
［相違点５］ 
　本件発明１６では、研磨装置が、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離したものであって、前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送しているのに対し、引用発明２では、処理モジュール102をクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配置する一方、入力／出力モジュール101をクラス10のクリーンルーム環境内に配置している点。 
［相違点６］
　本件発明１６では、洗浄部は洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段を有し、前記洗浄手段と前記乾燥手段間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段を備え、前記搬送手段により洗浄後の半導体ウエハを乾燥手段に受け渡し、該乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥し、洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに収納するのに対して、引用発明２では、乾燥手段を具備するとはされていない点。
　
　上記相違点５について検討するに、相違点５は、上記相違点１と実質的に同じであるから、（１）に述べたものと同様の理由により、上記刊行物１〜５には、上記相違点５に係る本件発明１６の構成が記載又は示唆されているとすることができない。
　そして、本件発明１６は、上記構成を具備することにより、訂正明細書に記載の格別の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１６は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（５）本件発明１７について
　本件発明１７と引用発明２とを対比すると、それぞれの構成要素は上記（１）に記載したものと同じ対応関係を有するから、両者は、「半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを有した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄した半導体ウエハを収納するウエハカセットとを備えた研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハを前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、洗浄した半導体ウエハをウエハカセットに受け渡す半導体ウエハ研磨方法。」である点で一致し、次の点で相違する。 
［相違点７］ 
　本件発明１７では、研磨装置が、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離したものであって、前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送しているのに対し、引用発明２では、処理モジュール102をクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配置する一方、入力／出力モジュール101をクラス10のクリーンルーム環境内に配置している点。 
［相違点８］
　本件発明１７では、洗浄部は洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段を有し、前記乾燥手段とウエハカセット間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段を備え、前記乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥し、前記搬送手段にて洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに受け渡すのに対して、引用発明２では、乾燥手段を具備するとはされていない点。
　
　上記相違点７について検討するに、相違点７は、上記相違点１と実質的に同じであるから、（１）に述べたものと同様の理由により、上記刊行物１〜５には、上記相違点７に係る本件発明１７の構成が記載又は示唆されているとすることができない。
　そして、本件発明１７は、上記構成を具備することにより、訂正明細書に記載の格別の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１７は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（６）本件発明１８〜本件発明３２について
　本件発明１８〜３２は、本件発明１６又は１７を引用する発明であって、本件発明１６又は１７の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当するものである。 
　そして、本件発明１６及び本件発明１７は、上記（４）及び（５）に示した理由により、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、本件発明１８〜３２も、同様の理由により、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。 
　
３．まとめ
　上記のとおり、本件発明１〜３２は、上記刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、特許法第２９条第２項の規定に違反するものとすることはできない。 
　
＜取消理由２について＞
　訂正により、旧請求項２０が削除されたので、通知した取消理由２は解消された。
　
VII．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１〜３２に係る発明についての特許を取り消すことはできない。 
　また、他に本件請求項１〜３２に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　したがって、本件請求項１〜３２に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。 
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月１５日（２００５．２．１５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体ウエハ研磨装置および方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置し、
　前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、
洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、
　【請求項２】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置し、
　前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、前記乾燥手段とウエハカセット間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備えていることを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項３】　前記研磨部と前記洗浄部から個別に排気する排気系統を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項４】　前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項５】　前記洗浄部の洗浄手段は、洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項６】　前記洗浄部の洗浄手段により半導体ウエハを洗浄した後に、さらに洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項７】　半導体ウエハを、研磨する前に、反転するための反転機を備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項８】　半導体ウエハを、研磨後に、反転するための反転機を備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項９】　前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１０】　前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする請求項９に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１１】　前記研磨部には半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１２】　前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１３】　前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１４】　前記洗浄用スポンジを、洗浄後、退避する機構を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１５】　前記研磨部には自身が受け取った半導体ウエハをトップリングに渡す機構を有するウエハ搬送機構を有することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ研磨装置。
　【請求項１６】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備え、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離した研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、
　前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、
　半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、
　研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、前記搬送手段により洗浄後の半導体ウエハを乾燥手段に受け渡し、該乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥
し、洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに収納する
　【請求項１７】　側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、前記乾燥手段とウエハカセット間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備え、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離した研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、
　前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、
　半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、
　研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、前記乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥し、前記搬送手段にて洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに受け渡すことを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項１８】　前
記乾
　【請求項１９】　前記乾燥した半導体ウエハを前記ウエハカセットで次工程へ払い出すことを特徴とする請求項１７に記載の半導体ウエハ研磨方法。
　【請求項
２０
１９
　【請求項
２１
１９
　【請求項
２２
　【請求項
２３
　【請求項
２４
２３
　【請求項
２５
２４
　【請求項
２６
２５
　【請求項
２７
２６
　【請求項
２８
２７
　【請求項
２９
２８
　【請求項
３０
２９
　【請求項
３１
２２
　【請求項
３２
３１
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体ウエハ研磨装置および方法に係り、特に半導体ウエハを平坦かつ鏡面状に研磨した後に洗浄する洗浄機能を有する半導体ウエハ研磨装置および方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平坦度を必要とする。
　そこで、半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の１手段として半導体ウエハ研磨装置により研磨することが行われている。
　【０００３】
　従来、この種の半導体ウエハ研磨装置は、各々独立した回転数で回転するターンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間に半導体ウエハを介在させて半導体ウエハの表面を平坦且つ鏡面に研磨している。
　【０００４】
　半導体ウエハの研磨をより良く行うために、通常ターンテーブル上の研磨布の上に研磨液が供給される。研磨液は、例えば１μｍ以下の粒径の酸化シリコン、酸化セリウム等の研磨材を含む液を用いる。また、研磨液には水・研磨材の他に研磨材の凝集を防ぐために分散材を少量入れたり、また物理的な研磨作用の他に化学的な研磨作用を得るために酸、アルカリ等を入れることもある。
　【０００５】
　研磨後の半導体ウエハ上には、ウエハの研磨粉の他に研磨材が多量に付着して汚れている。研磨直後の汚染粒子数は約１０万個／ウエハ程度もあり、これを効率良く１００個／ウエハ以下まで低減することが望まれている。
　【０００６】
　従来の半導体ウエハ研磨装置は、装置本体からの発塵が多いためにクリーンルームに設置することができなかった。研磨後の汚れた半導体ウエハは一旦乾燥してしまうと、洗浄しても汚れが落ちなくなってしまうため、研磨直後に水を入れた特殊なウエハキャリヤでクリーンルームに持ち込みウエハ洗浄機で洗浄していた。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来の半導体ウエハ研磨装置は、洗浄機と離れた位置に置かれており、しかも研磨後の半導体ウエハは水中に保管しながら運ぶため、クリーンルーム内での生産効率が悪かった。
　【０００８】
　また洗浄機についても、研磨後の半導体ウエハのダストは非常に多く、洗浄機を汚してしまうため、従来のクリーンルームに設置されたものを利用することができず、専用の洗浄機が必要となるため、設備費用が高くついた。
　【０００９】
　本発明は、クリーンルーム内に設置可能で、かつクリーンルームを汚染することなく研磨後の半導体ウエハを洗浄および乾燥した後に、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ払い出すことができる半導体ウエハ研磨装置および方法を提供することを目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上述した目的を達成するため、本発明の半導体ウエハ研磨装置の１態様は、側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置し、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、
洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、
　本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを収納した前記筐体をクリーンルーム内に設置し、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、前記乾燥手段とウエハカセット間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備えていることを特徴とするものである。
　前記研磨部と前記洗浄部から個別に排気する排気系統を設けた。
　前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設けた。
　前記洗浄部の洗浄手段は、洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄する。
　前記洗浄部の洗浄手段により半導体ウエハを洗浄した後に、さらに洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄する。
　半導体ウエハを、研磨する前に、反転するための反転機を備えた。
　半導体ウエハを、研磨後に、反転するための反転機を備えた。
　前記研磨部にはターンテーブルを有する。
　前記ターンテーブルはモータに連結している。
　前記研磨部には半導体ウエハを保持するトップリングを有する。
　前記トップリングは昇降可能である。
　前記研磨部には砥液供給ノズルがある。
　前記洗浄用スポンジを、洗浄後、退避する機構を有する。
　前記研磨部には自身が受け取った半導体ウエハをトップリングに渡す機構を有するウエハ搬送機構を有する。
　本発明の半導体ウエハ研磨方法の１態様は、側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備え、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離した研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、前記搬送手段により洗浄後の半導体ウエハを乾燥手段に受け渡し、該乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥
し、洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに収納する
　本発明の半導体ウエハ研磨方法の他の態様は、側壁を有した筐体内に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄し乾燥させる洗浄部とを収納した研磨装置であって、該洗浄部は研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、洗浄及び乾燥した半導体ウエハを収納するウエハカセットと、前記乾燥手段とウエハカセット間を水平および昇降自在に半導体ウエハの受け渡しが可能な搬送手段とを備え、前記研磨部と前記洗浄部との間を隔壁により分離した研磨装置により、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって、前記研磨装置をクリーンルーム内に設置し、半導体ウエハを前記研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハを前記隔壁に設けられた開口を介して前記洗浄部に搬送し、前記洗浄手段にて研磨後の半導体ウエハを洗浄し、前記乾燥手段にて洗浄後の半導体ウエハを乾燥し、前記搬送手段にて洗浄及び乾燥した半導体ウエハをウエハカセットに受け渡すことを特徴とするものである。
　前記洗浄乾燥の終了した半導体ウエハをウエハカセットに収納し、乾燥した半導体ウエハを該ウエハカセットで次工程へ払い出す。
　前記乾燥した半導体ウエハを前記ウエハカセットで次工程へ払い出す
。
　前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により個別に排気する。
　前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように排気系統により排気する。
　前記洗浄部の洗浄手段は、洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄する。
　前記洗浄部の洗浄手段により半導体ウエハを洗浄した後に、さらに洗浄用スポンジを半導体ウエハに押し当てて半導体ウエハを洗浄する。
　半導体ウエハを、研磨する前に、反転機により反転する。
　半導体ウエハを、研磨後に、反転機により反転する。
　前記研磨部にはターンテーブルを有する。
　前記ターンテーブルはモータに連結している。
　前記研磨部にはトップリングを有し、該トップリングにより半導体ウエハを保持する。
　前記トップリングは昇降可能である。
　前記研磨部には砥液供給ノズルがある。
　前記洗浄用スポンジを、洗浄後、退避する。
　前記研磨部にはウエハ搬送機構を有し、該ウエハ搬送機構により、自身が受け取った半導体ウエハをトップリングに渡す。
　【００１１】
　【作用】
　本発明の半導体ウエハ研磨装置によれば、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。また、研磨部と洗浄部とがウエハを搬送するための小さい開口部を有する隔壁で仕切られ、かつ研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、研磨部を洗浄部より低い圧力に保持するか又は隔壁の開口部にシャッターが設けられているため研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を図１及び図２を参照して説明する。図１は半導体ウエハ研磨装置の立面図、図２は半導体ウエハ研磨装置の平面図である。
　【００１３】
　図１及び図２において、符号１は側壁を有した筐体であり、筐体１内には、半導体ウエハを研磨する研磨部２と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部３０とが収納されている。そして、研磨部２と洗浄部３０とは隔壁２２によって分離されている。
　【００１４】
　研磨部２には、ターンテーブル３と、半導体ウエハ４を保持しつつターンテーブル３に押しつけるトップリング５とを備えた研磨機構６が設置されている。前記ターンテーブル３はモータＭ１に連結されるとともにその上面には研磨布７が貼設されている。またトップリング５はトップリング回転用モータＭ２とトップリング昇降用シリンダ１１とを備えたトップリングヘッド８に連結されており、トップリング５は昇降可能になっているとともにその軸心の回わりに回転可能になっている。そして、トップリングヘッド８はガイドレール９上を左右に移動可能になっている。なお、研磨布７には、その上面に砥液供給ノズル１０より研磨材を含む砥液が供給されるようになっている。
　【００１５】
　一方、研磨機構６に半導体ウエハ４を供給する供給機構１２は、第１ウエハ搬送機構１３と、ウエハ反転機１４と、第２ウエハ搬送機構１５とから構成されており、第１ウエハ搬送機構１３によってウエハカセット置き場１６に置かれたウエハカセット１７から半導体ウエハ４を取り出してウエハ反転機１４に渡し、このウエハ反転機１４によって半導体ウエハ４を反転させて研磨面を下に向けた後に、この半導体ウエハ４を第１ウエハ搬送機構１３によって受け取って第２ウエハ搬送機構１５に渡すようになっている。
　【００１６】
　前記第２ウエハ搬送機構１５は、ウエハ保持部材１９と、ウエハ保持部材昇降用スクリューロッド２０とから構成され、第１ウエハ搬送機構１３から受け取った半導体ウエハ４をトップリング５に渡すようになっている。
　【００１７】
　前記トップリング５で保持されターンテーブル３に押しつけられて研磨された半導体ウエハ４は、研磨終了後にトップリング５に保持された状態でトップリングヘッド８のガイドレール９上の移動によりウエハ支持台２１の真上まで搬送される。そして、半導体ウエハ４はトップリング５から離脱され、ウエハ支持台２１上に置かれる。
　【００１８】
　また、研磨部２と洗浄部３０とを分離する隔壁２２には、開口２２ａが形成されており、この開口２２ａに隣接して開口２２ａを開閉するためのシャッター２３が設置されている。さらに、隔壁２２に隣接してウエハ反転機２４が設置されている。ウエハ反転機２４は、ウエハ反転軸２５、ウエハ反転用アクチュエータ２６、ウエハ反転用アーム２７とから構成され、アクチュエータ２６により反転軸２５を介して反転用アーム２７が回転させられるようになっている。
　【００１９】
　前記ウエハ反転機２４では、シャッター２３が開いているときに反転用アーム２７が回転してウエハ支持台２１上の半導体ウエハ４を吸着し、その後、反転用アーム２７が逆転して半導体ウエハ４を反転させるとともに洗浄部３０に搬送する。
　【００２０】
　洗浄部３０は、半導体ウエハ４の１次洗浄を行う１次洗浄装置３１と、半導体ウエハ４の２次洗浄を行う２次洗浄装置４０とを備えている。前記１次洗浄装置３１は、半導体ウエハ４の外周部を保持して回転させる複数のローラ３２と、半導体ウエハ４を洗浄する洗浄用スポンジローラ３３と、洗浄水供給管３４とから構成されている。半導体ウエハ４はローラ３２により保持されつつ一部のローラの駆動モータによる回転駆動により回転される。回転している半導体ウエハ４に対して回転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てられ、そこに洗浄水が供給されて１次洗浄が行われる。そして、１次洗浄が終わった半導体ウエハ４は第３ウエハ搬送機構３５によって２次洗浄装置４０に搬送される。
　【００２１】
　第３ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持台３６と、ウエハ保持台３６上に設けられたウエハ保持部材３７と、ウエハ保持台回転モータ３８と、ウエハ保持台昇降用スクリューロッド３９とから構成される。ウエハ保持部材３７はウエハ保持台３６上で、図で矢印で示すように水平方向に動き、ウエハ保持台３６から離れた所にある半導体ウエハ４の受渡しが可能になっている。そして、１次洗浄後の半導体ウエハ４を受け取った第３ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持部材３７を引っ込めて半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方に移動し、ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材３７を再び押し出すことにより、半導体ウエハ４を２次洗浄装置４０に渡すようになっている。
　【００２２】
　前記２次洗浄装置４０は、ウエハ保持台４１と、ウエハ保持台回転モータ４２と、洗浄用スポンジ４３と、洗浄水供給管４４とから構成されている。そして、ウエハ保持台４１で半導体ウエハ４を支持しつつ回転させながら洗浄水供給管４４から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポンジ４３を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ４３を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ４２の回転数を上げてウエハ保持台４１を高速で回転させ半導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
　【００２３】
　２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハカセット４５に半導体ウエハ４を収納するようになっている。
　また、研磨部２と洗浄部３０には、研磨部２と洗浄部３０とから各々独立に排気するための排気ダクト４６，４７が設置されている。
　【００２４】
　次に、前述のように構成された半導体ウエハ研磨装置の動作を説明する。
　まず、第１搬送機構１３の舌部１３ａによってウエハカセット置き場１６に置かれたウエハカセット１７から半導体ウエハ４を取り出してウエハ反転機１４に渡す。ウエハ反転機１４によって半導体ウエハ４を反転させて研磨面を下に向けた後に、再び第１搬送機構１３が半導体ウエハ４を受け取って第２搬送機構１５に渡す。
　【００２５】
　次に、トップリングヘッド８がガイドレール９上を移動して、トップリング５が第２ウエハ搬送機構１５のウエハ保持部材１９の上に位置し、ウエハ保持部材１９が上昇して保持している研磨対象の半導体ウエハ４をトップリング５に渡す。
　【００２６】
　トップリング５は半導体ウエハ４を保持したまま移動してターンテーブル３上の研磨位置に位置する。そしてターンテーブル３とトップリング５が回転し、ターンテーブル３上に貼着された研磨布７上に砥液供給ノズル１０から研磨材を含む砥液が供給され、トップリング５が下降し、トップリング５に保持された半導体ウエハ４が研磨布７に押しつけられて研磨が行われる。
　【００２７】
　研磨終了後、半導体ウエハ４を保持したままトップリングヘッド８が移動してトップリング５がウエハ支持台２１の真上に位置する。そして、トップリング５から半導体ウエハ４が離脱され、半導体ウエハ４がウエハ支持台２１上に置かれる。トップリング５は次の研磨に向けて第２ウエハ搬送機構１５に向かって移動する。
　【００２８】
　研磨後の半導体ウエハ４がウエハ支持台２１に置かれた時点でシャッター２３が開き、ウエハ反転機２４のウエハ反転用アーム２７が回転して半導体ウエハ４上に移動して半導体ウエハ４を吸着する。
　【００２９】
　上記の回転により、研磨後の半導体ウエハ４を保持したアーム２７が逆回転して、半導体ウエハ４を１次洗浄装置３１に渡す。なお、隔壁２２の開口２２ａは半導体ウエハ４を保持したアーム２７が通過可能な形状になっている。半導体ウエハ４およびアーム２７が開口２２ａを通過して洗浄部３０側に移動した時点でシャッター２３が閉じて開口２２ａを閉塞する。
　【００３０】
　アーム２７によって１次洗浄装置３１に半導体ウエハ４が渡された後、アーム２７は下方に退避する。１次洗浄装置３１において、半導体ウエハ４はローラ３２により保持されつつ一部のローラ３２の回転により回転される。そして、回転している半導体ウエハ４に回転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てられ、そこに洗浄水供給管３４から洗浄水が供給されて１次洗浄が行われる。
　【００３１】
　１次洗浄後の半導体ウエハ４は第３ウエハ搬送機構３５に受け取られる。半導体ウエハ４を受け取った後、ウエハ搬送機構３５では、ウエハ保持部材３７を引っ込めて半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方に移動し、ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材３７を再び押し出すことにより半導体ウエハ４を２次洗浄装置４０に渡す。
　【００３２】
　２次洗浄装置４０において、ウエハ保持台４１によって半導体ウエハ４を回転させながら洗浄水供給管４４から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポンジ４３を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ４３を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ４２の回転数を高くしてウエハ保持台４１を高速で回転させ半導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
　【００３３】
　２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハカセット４５に半導体ウエハ４を収納する。
　【００３４】
　以上の工程で研磨および洗浄が行われる間に研磨部２と洗浄部３０が隔壁２２とシャッター２３で仕切られていることにより、研磨部２で発生する研磨砥液の飛沫や研磨粉が洗浄部３０に入ることを防いでいる。この構造に合わせて排気ダクト４６，４７を含む排気系統が研磨部２と洗浄部３０から個別に排気できるように設けられている。又、研磨部の圧力を洗浄部の圧力より低く保持することによって隔壁のシャッターを省略することもできる。
　【００３５】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。
　【００３６】
　また本発明によれば、研磨部と洗浄部とが隔壁と、隔壁に設けられたシャッターで仕切られ、かつ研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統が設けられているため、研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を示す立面図である。
　【図２】
　本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を示す平面図である。
　【符号の説明】
　　１　　筐体
　　２　　研磨部
　　３　　ターンテーブル
　　５　　トップリング
　　６　　研磨機構
　　７　　研磨布
　　８　　トップリングヘッド
　１２　　供給機構
　１３　　第１ウエハ搬送機構
　１４　　ウエハ反転機
　１５　　第２ウエハ搬送機構
　２２　　隔壁
　２３　　シャッター
　２４　　ウエハ反転機
　３０　　洗浄部
　３１　　１次洗浄装置
　３５　　第３ウエハ搬送機構
　４０　　２次洗浄装置
　４６，４７　排気ダクト