【事件の表示】
　特許第３２４４１０７号「ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２４４１０７号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２４４１０７号の請求項１〜２に係る発明は、平成７年６月２日に特許出願され、平成１３年１０月２６日にその発明についての特許権の設定登録がされ、その後、その請求項１〜２項に係る発明についての特許に、特許異議申立人田辺まさ子により特許異議申立てがなされ、当審より平成１４年９月５日付で取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１１月１８日に特許権者より訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての検討
　
（１）訂正の内容
　
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下の通りである。
　
（１−１）訂正事項１
　
　特許請求の範囲の請求項１〜２について、
「【請求項１】　透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
　露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要とする程度に微細な光透過パターン部と、
　露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要としない程度に広い光透過パターン部と、
　位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅をもって前記微細な光透過パターン部の周りに形成されたパターン周辺部と、
　そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、
　上記パターン周辺部は半透明位相シフト膜によって形成され、前記遮光部は遮光膜によって形成され、さらに
　前記パターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、
　前記広い光透過パターン部の周りには前記パターン周辺部が設定されないことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項２】　透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）前記透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（２）前記第１レジスト層を所定の形状にパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の第１レジスト膜を形成する工程と、
（３）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記遮光層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（４）パターニングされた前記第１レジスト膜及び前記遮光膜をマスクとして前記半透明位相シフト層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（５）前記第１レジスト膜を剥離する工程と、
（６）第２レジスト層を積層する工程と、
（７）位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅だけ光透過パターン部よりも広いパターン周辺部のデータを生成するリサイズ工程と、
（８）前記パターン周辺部のデータに従って前記第２レジスト層をパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（９）パターニングされた前記第２レジスト膜をマスクとして前記遮光膜をエッチングによってパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（１０）前記第２レジスト膜を剥離する工程とを有し、
（１１）前記光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度に微細な光透過パターン部と、位相シフト効果を必要としない程度に広い光透過パターン部とがあり、
（１２）前記リサイズ工程において、前記微細な光透過パターン部に対してのみ該微細な光透過パターン部のデータに基づいてパターン周辺部のデータを生成し、前記広い光透過パターン部に対してはその広い光透過パターンと同じデータを生成することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」を
　
「【請求項１】　透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
　有効パターン領域内の露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、
　前記有効パターン領域内の露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部と、
　位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅をもって前記微細な光透過パターン部の周りに形成されたパターン周辺部と、
　そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、
　上記パターン周辺部は半透明位相シフト膜によって形成され、前記遮光部は遮光膜によって形成され、さらに
　前記パターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、
　前記広い光透過パターン部の周りには前記パターン周辺部が設定されないことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項２】　透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）前記透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（２）前記第１レジスト層を所定の形状にパターニングして、有効パターン領域内の必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の第１レジスト膜を形成する工程と、
（３）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記遮光層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（４）パターニングされた前記第１レジスト膜及び前記遮光膜をマスクとして前記半透明位相シフト層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（５）前記第１レジスト膜を剥離する工程と、
（６）第２レジスト層を積層する工程と、
（７）位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅だけ光透過パターン部よりも広いパターン周辺部のデータを生成するリサイズ工程と、
（８）前記パターン周辺部のデータに従って前記第２レジスト層をパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（９）パターニングされた前記第２レジスト膜をマスクとして前記遮光膜をエッチングによってパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（１０）前記第２レジスト膜を剥離する工程とを有し、
（１１）前記光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部とがあり、
（１２）前記リサイズ工程において、有効パターン領域内の前記微細な光透過パターン部に対してのみ該微細な光透過パターン部のデータに基づいてパターン周辺部のデータを生成し、有効パターン領域内の前記広い光透過パターン部に対してはその広い光透過パターンと同じデータを生成することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」
　
（１−２）訂正事項２
　
　明細書段落【０００９】〜【００１３】について、
「【０００９】
【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成するため、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要とする程度に微細な光透過パターン部と、露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要としない程度に広い光透過パターン部と、位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅をもって前記微細な光透過パターン部の周りに形成されたパターン周辺部と、そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、上記パターン周辺部は半透明位相シフト膜によって形成され、前記遮光部は遮光膜によって形成され、さらに前記パターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、前記広い光透過パターン部の周りには前記パターン周辺部が設定されないことを特徴とする。
【００１０】
　上記の光透過パターンは、位相シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンによって形成される場合もあるし、位相シフト効果を必要としない程度に大面積の光透過パターンによって形成される場合もある。位相シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンとは、概ね、露光光の波長の２倍程度の寸法のパターンである。例えば、露光光としてｇ線（波長＝０．４３６μｍ）を考えれば０．９μｍ程度以下の線幅が、ｉ線（波長＝０．３６５μｍ）を考えれば０．８μｍ程度以下の線幅が、そして、ＫｒＦエキシマレーザ（波長＝０．２５４μｍ）を考えれば０．６μｍ程度以下の線幅が、それぞれ、本発明に係る微細パターンと考えられる。
【００１１】
　このような微細パターンを半透明位相シフト膜によって取り囲んで透明基板によって形成すれば、希望する位相シフト効果によって高解像度の転写像を得ることができる。一方、上記のような線幅寸法以上の線幅を有する大面積パターンに関しては、その大面積パターンを半透明位相シフト膜によって取り囲んで透明基板によって形成したとしても、位相シフト効果による解像度の向上はそれほど期待できない。
【００１２】
　半透明位相シフト膜としては、例えばＭｏとＳｉを主成分とする化合物、より具体的には、例えば化学記号ＭｏＳｉＯＸＮＹ（Ｘ，Ｙは整数）で表される材料を用いることができる。また、遮光膜としてはＣｒ（クロム）、ＣｒＯ（酸化クロム）、ＣｒＮ（窒化クロム）、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣＮ又はこれらを積層した複合膜を用いることができる。複合膜を用いる場合は、例えば、図１０及び図１１に示すような２層構造又は図１２に示すような３層構造とすることができる。
【００１３】
　次に、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法は、透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）前記透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（２）前記第１レジスト層を所定の形状にパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の第１レジスト膜を形成する工程と、
（３）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記遮光層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（４）パターニングされた前記第１レジスト膜及び前記遮光膜をマスクとして前記半透明位相シフト層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（５）前記第１レジスト膜を剥離する工程と、
（６）第２レジスト層を積層する工程と、
（７）位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅だけ光透過パターン部よりも広いパターン周辺部のデータを生成するリサイズ工程と、
（８）前記パターン周辺部のデータに従って前記第２レジスト層をパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（９）パターニングされた前記第２レジスト膜をマスクとして前記遮光膜をエッチングによってパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（１０）前記第２レジスト膜を剥離する工程とを有し、
（１１）前記光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度に微細な光透過パターン部と、位相シフト効果を必要としない程度に広い光透過パターン部とがあり、
（１２）前記リサイズ工程において、前記微細な光透過パターン部に対してのみ該微細な光透過パターン部のデータに基づいてパターン周辺部のデータを生成し、前記広い光透過パターン部に対してはその広い光透過パターンと同じデータを生成することを特徴とする。」を
　
「【０００９】
【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成するため、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、有効パターン領域内の露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、前記の有効パターン領域内の露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部と、位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅をもって前記微細な光透過パターン部の周りに形成されたパターン周辺部と、そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、上記パターン周辺部は半透明位相シフト膜によって形成され、前記遮光部は遮光膜によって形成され、
さらに前記パターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、前記広い光透過パターン部の周りには前記パターン周辺部が設定されないことを特徴とする。
【００１０】
　上記の光透過パターンは、位相シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンによって形成される場合もあるし、位相シフト効果を必要としない程度に大面積の光透過パターンによって形成される場合もある。位相シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンとは、概ね、露光光の波長の２倍程度の寸法のパターンである。例えば、露光光としてｇ線（波長＝０．４３６μｍ）を考えれば０．９μｍ程度以下の線幅が、ｉ線（波長＝０．３６５μｍ）を考えれば０．８μｍ程度以下の線幅が、そして、ＫｒＦエキシマレーザ（波長＝０．２５４μｍ）を考えれば０．６μｍ程度以下の線幅が、それぞれ、本発明に係る微細パターンと考えられる。
【００１１】
　このような微細パターンを半透明位相シフト膜によって取り囲んで透明基板によって形成すれば、希望する位相シフト効果によって高解像度の転写像を得ることができる。一方、上記のような線幅寸法以上の線幅を有する大面積パターンに関しては、その大面積パターンを半透明位相シフト膜によって取り囲んで透明基板によって形成したとしても、位相シフト効果による解像度の向上はそれほど期待できない。
【００１２】
　半透明位相シフト膜としては、例えばＭｏとＳｉを主成分とする化合物、より具体的には、例えば化学記号ＭｏＳｉＯＸＮＹ（Ｘ，Ｙは整数）で表される材料を用いることができる。また、遮光膜としてはＣｒ（クロム）、ＣｒＯ（酸化クロム）、ＣｒＮ（窒化クロム）、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣＮ又はこれらを積層した複合膜を用いることができる。複合膜を用いる場合は、例えば、図１０及び図１１に示すような２層構造又は図１２に示すような３層構造とすることができる。
【００１３】
　次に、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法は、透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）前記透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（２）前記第１レジスト層を所定の形状にパターニングして、有効パターン領域内の必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の第１レジスト膜を形成する工程と、
（３）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記遮光層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（４）パターニングされた前記第１レジスト膜及び前記遮光膜をマスクとして前記半透明位相シフト層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（５）前記第１レジスト膜を剥離する工程と、
（６）第２レジスト層を積層する工程と、
（７）位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅だけ光透過パターン部よりも広いパターン周辺部のデータを生成するリサイズ工程と、
（８）前記パターン周辺部のデータに従って前記第２レジスト層をパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（９）パターニングされた前記第２レジスト膜をマスクとして前記遮光膜をエッチングによってパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（１０）前記第２レジスト膜を剥離する工程とを有し、
（１１）前記光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部とがあり、
（１２）前記リサイズ工程において、有効パターン領域内の前記微細な光透過パターン部に対してのみ該微細な光透過パターン部のデータに基づいてパターン周辺部のデータを生成し、有効パターン領域内の前記広い光透過パターン部に対してはその広い光透過パターンと同じデータを生成することを特徴とする。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　
　訂正事項１は、ハーフトーン型位相シフトマスクにおける、微細な光透過パターン部、広い光透過パターン部、パターン周辺部の各々の構造、配置を限定するものであるから、これらは何れも特許請求の範囲の減縮に該当する。　　
　
　訂正事項２は、上記した訂正事項１の訂正に伴って、それとの整合を図るために発明の詳細な説明を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項１及び２は、何れも特許明細書の段落【００１０】、【００１９】、【００２２】及び【００２３】の記載に基づくものであり、しかも実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものではない。
　
（３）結論
　
　以上のとおりであるから、前記訂正（訂正事項１〜２）は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
　
（１）特許異議申立ての理由の概要
　
　特許異議申立人田辺まさ子は、証拠方法として下記の刊行物を提示し、訂正前の請求項１に係る発明は、下記甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の請求項２に係る発明は、甲第２〜３、１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規程に違反しており、これを取り消すべき旨、主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証　：　特開平７−　２０６２４号公報
甲第２号証　：　特開平７−１２８８４０号公報
甲第３号証　：　特開平６−２３６０２１号公報
参考資料１　：　特開平６−　８３０３４号公報
参考資料２　：　特開平６−２８９５８９号公報
　
（２）本件発明
　
　本件特許第３２４４１０７号の請求項１〜２に係る発明（以下、「本件発明１〜２」という。）は、上記のとおり訂正が認められたから、平成１４年１１月１８日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載されたとおりのものである。（上記２．訂正の適否についての判断の欄における（１−１）訂正事項１の記載を参照。）
　
（３）引用刊行物記載の発明
　
（３−１）当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物１（特開平６−２８９５８９号公報、異議申立人の参考資料２）には、次の事項が記載されている。
　
「【００２４】以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳述する。
　図１（ａ）〜（ｆ）は本発明に係わり、図１（ｆ）および図２に示した構成の半透過遮光型位相シフトマスクの製造方法の説明図である。
【００２５】図１（ａ）に示すように、透明基板１の上に、エッチング耐性をもち、かつ半透過する材料よりなる半透過遮光兼エッチングストッパー層３、透明材料よりなる位相シフト層５、及び一般的に金属及び金属酸化物材料よりなる遮光層７の順に所定の膜厚に設けられ、さらに遮光層７の上に電子線レジスト９をコートする。透明基板１はフォトマスク用として一般的に使用されている合成石英ガラス等の光学的に透明な材料からなり、通常は厚さが１．５乃至７ｍｍ程度のうちの何れかが使用されるが、その厚さは使用目的や技術的制約等に由来する要求仕様によるものであり特には制限はない。
【００２６】次に、半透過遮光兼エッチングストッパー層３はエッチング方法によって適正材料を選択する。さらに、透明材料よりなる位相シフト層５は材料としては光学的に透明であればよく、ＳｉＯX、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＭｇＦ2等が使用できるが、特に限定されるものではない。膜厚は前記の通り透過光の位相反転量が１８０°に相当する膜厚とすることが望ましい。
【００２７】次に、一般的に遮光層７は金属及び金属酸化物材料よりなり通常クロム、酸化クロム、位相シフト材料、従来フォトマスクに用いられる遮光材料でよいが、遮光性を有するように一定の光学濃度が必要であり、通常は光学濃度を２．０〜４．０程度とする。膜厚は一定の光学濃度とするために２０〜３００ｎｍ程度とする。
【００２８】最後に電子線レジスト層９が設けられ、主領域部１３にはパターンを描画し、主領域部以外の周辺部分１５には品名やパターン名、アライメントマーク、フィデュシャルマークのそれぞれのパターンが含まれる。ここで、前記レジスト材料として紫外線感光性フォトレジスト用いることも可能であり、レーザー描画装置を用いて描画すればよい。
【００２９】次に図１の（ｂ）に示すように、全領域部にレジストパターン１７をエッチングで形成を行う。さらに図１の（ｃ）の工程では、遮光層７をマスクとしてエッチングし、前記レジストパターン１７と遮光パターン１９をマスクにしてシフター層５と半透過遮光層３をエッチングする。
【００３０】半透過遮光層は金属および金属酸化物材料の単体または多層膜で構成されるが、その光学透過率は３〜２０％の範囲内とし、金属膜の膜厚を調整することによりこの値を得る。この後残ったレジストを除去する。
【００３１】次に、図１の（ｄ）のようにポジ型フォトレジスト２３をコートして、主領域部のみを紫外線露光２１して、現像処理を行って除去した。さらに図１（ｅ）の工程では、位相シフトパターン２５上の遮光膜をエッチングする。これで主領域部に位相シフトパターンを作製する。さらに図１（ｆ）の工程において、最後に残ったレジスト２３を除去して、位相シフトマスクを得る。
【００３２】この時、主領域部以外の周辺部分の位相シフト部１５もエッチングされているが、露光用マスクとしては遮光部に完全に被覆された位相シフト層は何ら作用をなさないので、この部分は露光転写の際、単に遮光パターンとして働く。
【００３３】図２は本発明に係わるハーフトーン型位相シフトマスクの構成を示す断面図及び平面図である。
【００３４】図２は前記図（ｆ）構成の位相シフシマスクの平面図を示し、主領域部１３透過部および位相シフト部が含まれ、遮光部は含まない。主領域部の外部すなわち周辺部は、遮光パターンであり、この中にフィデュシャルマーク部２７、パターン名部２９、ウライメントマーク部３１のそれぞれのパターンが含まれる。
　なお図２におけるこれらのパターン位置は例として示したものであり、特に位置は固定されるものではなく、パターンの大きさ、数も制限されない。」（段落００２４〜００３４）
　
（３−２）当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物２（特開平６−２８２０６３号公報）には、次の事項が記載されている。
　
「【００１３】図１及び図２において、符号１はハーフトーン型位相シフトマスク、符号２は透明基板、符号５は半透光膜、符号６は透光部、符号７は半透光部、符号８は遮光部である。
【００１４】ハーフトーン型位相シフトマスク１は、透明基板２の全面に半透光膜５を形成し、透明基板２の中央部においてこの半透光膜５の一部を除去して透光部６と半透光部７とで構成する単一のホールあるいはスペース等のマスクパターンを形成したものである。そして、透明基板２上の外周周辺に残された半透光膜５の上であって、マスクパターン転写領域Ｉと非転写領域との境界に隣接する非転写領域に、所定以上の幅を有する遮光部８を形成したものである。なお、半透光膜５は実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する光透過特性と、この透過光の位相を所定量ずらす位相シフト特性との双方の特性を兼ね備えた膜であれば１層の膜で構成してもよいが、この実施例では、この半透光膜５を、主として光透過特性を担う低透過率膜３と主として位相シフト特性を担う高透過率膜４との２層の膜で構成した例を示した。」（段落００１３〜００１４）
　
（３−３）当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物３（特開平７−１２８８４０号公報、異議申立人の甲第２号証）には、次の事項が記載されている。
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
少なくとも前記マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備えたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項２】　請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項３】　請求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際にその素材として用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
透明基板の上に半透光部を構成する半透光膜を有し、この半透光膜の上又は下に遮光層を構成する遮光膜を有することを特徴としたハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」（特許請求の範囲の請求項１〜３）
　
「【００２３】図１及び図２において、符号１はハーフトーン型位相シフトマスク、符号２は透明基板、符号３は低透過率層、符号４は高透過率層、符号５は半透光層、符号６は透光部、符号７は遮光層である。
【００２４】ハーフトーン型位相シフトマスク１は、透明基板２の全面に形成された膜の一部を除去して透光部６を形成することによってパターン化された半透光層５を形成し、この半透光層５の上における透光部６との境界部近傍を除く主要部分に遮光層７を形成したものである。
【００２５】半透光層５は、主として光透過特性を左右する低透過率層３の上に、主として位相シフト特性を左右する高透過率層４を重ねることによって構成したものである。
【００２６】透光部６は、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる部分である。また、半透光層５は、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる部分であると同時に、この半透光層５を通過する光の位相をシフトさせて該半透光層５を通過した光の位相と透光部６を通過した光の位相とを異ならしめることにより、透光部６と半透光層５との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたものである。
【００２７】また、領域Ｉが転写領域であり、それ以外は非転写領域である。さらに、領域Ｉ´は、このハーフトーン型位相シフトマスク１をステッパーのレティクルとして用いた場合におけるステッパーのアパーチャーの光通過領域である。この実施例は、転写領域Ｉ以外の非転写領域にも遮光層７を形成したものである。」（段落００２３〜００２７ ）
　
「【００３２】次に、図３ないし図１１を参照にしながら、上述の構成のハーフトーン型位相シフトマスク１の製造工程を説明する。
【００３３】まず、透明基板２上に、スパッタリング法によりＣｒからなる低透過率膜３ａを形成する。次に、低透過率膜３ａ上にＳｉＯ2系被覆膜形成用塗布液（アライドシグナル社製のアキュグラス＃３１１スピンオングラス（商品名））を滴下し、スピンコート法により全面に拡げ、その後、焼成してバインダーの有機化合物を揮発させて、ＳＯＧ（スピン・オン・グラス）膜からなる高透過率膜４ａを形成し、低透過率膜３ａと高透過率膜４ａとからなる半透光膜５ａを形成する。次に、高透過率膜４ａ上に、スパッタリング法によりＣｒを膜厚８０ｎｍに成膜して遮光膜７ａを形成する。次いで、ポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ−８１０Ｓ：日本ゼオン社製）を、遮光膜７ａの上に膜厚５００ｎｍに塗布し、ベークしてレジスト膜８ａを形成する（図３参照）。
【００３４】次に、透明基板２上の転写領域内におけるレジスト膜８ａに所望のパターンの電子線露光を施す（図４参照）。
【００３５】次に、上記露光したレジスト膜８ａを現像液で現像することにより、レジストパターン８を形成し、このレジストパターン８をマスクにして、遮光膜７ａを所定のエッチング液によりエッチングして遮光膜パターン７ｂを形成し（図５参照）、引き続き高透過率膜４ａをドライエッチングする（図６参照）。尚、この高透過率膜４ａのドライエッチングは、反応性ドライエッチング方式（ＲＩＥ）の平行平板型ドライエッチング装置を用いて、以下の条件で行う。
【００３６】
エッチングガス…ＣＦ4とＯ2との混合ガス
ガス圧…０．１Ｔｏｒｒ
高周波出力…２００Ｗ
次に、レジストパターン８を剥離した後（図７参照）、透明基板２の表面にポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ−８１０Ｓ：日本ゼオン社製）を膜厚５００ｎｍに塗布してベーク処理を施して電子線レジスト膜９ａを形成し（図８参照）、次いで、この電子線レジスト膜９ａに遮光層７を形成するための電子線露光を施す（図９参照）。
【００３７】次に、電子線レジスト膜９ａを現像し、位相シフト効果に寄与しない領域のレジストパターン９を形成する（図１０参照）。
【００３８】しかる後、そのレジストパターン９をマスクにして遮光膜パターン７ｂ及び低透過率膜３ａの露出部分を所定のエッチング液を用いてエッチングしてこれらの膜の露出部分を除去し（図１１参照）、次いで残存するレジストパターン９を除去することにより、ハーフトーン型位相シフトマスク１を得る（図１参照）。」（段落００３２〜００３８）
　
（３−４）当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物４（特開平７−２０６２４号公報、異議申立人の甲第１号証）には、次の事項が記載されている。
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】半遮光領域及び光透過領域を備え、該半遮光領域を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相とが異なるハーフトーン方式位相シフトマスクであって、
所定のパターンサイズを有する光透過領域における焦点深度が最大となるように、該光透過領域近傍の半遮光領域の振幅透過率が設定されていることを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク。
【請求項２】半遮光領域及び光透過領域を備え、該半遮光領域を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相とが異なるハーフトーン方式位相シフトマスクであって、
光透過領域のパターンサイズが大きくなるに従い、該光透過領域近傍の半遮光領域の振幅透過率を大きくすることを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク。
【請求項３】半遮光領域の一部に遮光領域を備えていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のハーフトーン方式位相シフトマスク。
【請求項４】基板上に半遮光領域及び光透過領域を備え、該半遮光領域を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相とが異なるハーフトーン方式位相シフトマスクを作製する方法であって、
（イ）基板上に一定厚さの半遮光層を形成する工程と、
（ロ）光透過領域形成予定領域近傍の半遮光領域の所定部分における半遮光層の厚さを、該光透過領域形成予定領域に形成される光透過領域のパターンサイズに依存して変化させ、以って該光透過領域形成予定領域に形成される光透過領域のパターンサイズに依存した振幅透過率を有する半遮光領域を形成する工程と、
（ハ）該光透過領域形成予定領域に、所定のパターンサイズを有する光透過領域を形成する工程、
を含むことを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク作製方法。
【請求項５】前記一定厚さの半遮光層の厚さは、最小パターンサイズを有する光透過領域における焦点深度が最大となるような厚さであることを特徴とする請求項４に記載のハーフトーン方式位相シフトマスク作製方法。
【請求項６】基板上に遮光領域、半遮光領域及び光透過領域を備え、該半遮光領域を通過した光の位相と光透過領域を通過した光の位相とが異なるハーフトーン方式位相シフトマスクを作製する方法であって、
（イ）基板上に一定厚さの遮光層を形成する工程と、
（ロ）光透過領域形成予定領域近傍の遮光領域の所定部分における遮光層の厚さを、該光透過領域形成予定領域に形成される光透過領域のパターンサイズに依存して変化させ、以って該光透過領域形成予定領域に形成される光透過領域のパターンサイズに依存した振幅透過率を有する半遮光領域を形成する工程と、
（ハ）該光透過領域形成予定領域に、所定のパターンサイズを有する光透過領域を形成する工程、
を含むことを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク作製方法。
【請求項７】前記（ロ）の工程において得られた光透過領域形成予定領域近傍の半遮光領域の所定部分の半遮光層の厚さは、該光透過領域形成予定領域に形成される所定のパターンサイズを有する光透過領域における焦点深度が最大となるような厚さであることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載のハーフトーン方式位相シフトマスク作製方法。
【請求項８】請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のハーフトーン方式位相シフトマスクを用いて、ウエハ上に形成されたレジスト材料を露光して、
ハーフトーン方式位相シフトマスクに形成されたパターン形状をレジスト材料に転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１〜８）
　
「【００５７】（実施例−４）実施例−４においては、実施例−１のハーフトーン方式位相シフトマスクの半遮光領域の一部に遮光領域１６が設けられている。実施例−４のハーフトーン方式位相シフトマスクの模式的な一部切断図を図８に示す。実施例−４においては、遮光領域１６の振幅透過率は、充分に露光光を遮光できるように、ほぼ０に設定されている。
【００５８】尚、半遮光領域１４も遮光領域１６もクロムから成る層で構成されている。半遮光領域１４を構成するクロムから成る半遮光層２２と、遮光層を構成するクロムから成る遮光層２６とでは、クロムの層厚が異なる。図においては、半遮光層２２と遮光層２６との区別を明確にするために、斜線の種類を異ならせた。
【００５９】このように、遮光領域１６を設け、半遮光領域１４の幅を適切に制限、選択することによって、従来のハーフトーン方式位相シフトマスクの光透過領域１２と半遮光領域１４の境界で生じる光の干渉効果に加えて、従来の所謂エッジ強調型位相シフトマスクと同様に、光透過領域１２と半遮光領域１４を通過した光との干渉効果が重畳し、従来のハーフトーン方式位相シフトマスクよりも、ウエハ上に形成されたレジスト材料へのパターン転写がシャープになるという著しい効果が得られる。
【００６０】更に、露光光が通過するハーフトーン方式位相シフトマスクの部分は光透過領域１２と半遮光領域１４に限定されているため、ステッパー等の露光装置を用いた露光において、容易に遮光帯をハーフトーン方式位相シフトマスクに形成することができる。尚、遮光帯の形成されたハーフトーン方式位相シフトマスクの模式的な平面図を図９に示す。遮光帯の断面構造は、遮光領域１６の断面構造と同様とすることができる。」（段落００５７〜００６０）
　
（３−５）当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物５（特開平６−８３０３４号公報、異議申立人の参考資料１）には、次の事項が記載されている。
　
「【０１７５】実施例１６
次に、この露光マスク用基板を用い前述した例と同様の方法で露光用マスクを形成する。ここでは前記実施例１１で作成した露光マスク用基板を用いる。この露光マスク用基板は、ＫｒＦエキシマレーザ用位相シフトマスクを作成するための基板であり、厚さ２．５mmの酸化シリコン基板９０上に、位相シフタとなる半透明膜として窒化シリコン膜ＳｉＮ0.9９１を形成し、この上層に遮光膜としてＣｒ膜９２を形成しさらにこの上層を反射防止層としてのＣｒＯ膜９３で被覆して構成されている。
【０１７６】まず、図１０(a)に示すように露光マスク用基板表面に電子線レジスト９４を膜厚５００nmで形成し、さらに塗布性導電膜９５を膜厚２００nmとなるように形成する。
【０１７７】次いで、図１０(b)に示すように電子線により４μＣ／ｃｍ2でデバイスパターンとデバイスパターン外領域を含むデータにより描画を行い、現像しレジストパターン９４ａを形成する。ここでも、塗布性導電膜９５上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパタ―ン９４ａを形成する。また図中Ｂはパターン領域とパターン外領域の境界を示す。
【０１７８】次いで、図１０(c)に示すように、レジストパタ―ンをマスクとしてＣｌ2ガスによる反応性イオンエッチングにより、レジストパタ―ンから露出するＣｒ膜およびＣｒＯ膜をエッチング除去したのち、ガスを切り換えＣＦ4とＯ2との混合ガスによる反応性イオンエッチングにより、露出している窒化シリコン膜ＳｉＮ0.9９１をエッチング除去する。
【０１７９】この後、図１０(d)に示すように、硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりレジストパタ―ンを除去する。これにより遮光膜と半透明膜からなる位相シフトパターンが形成されるが、この際同時に不要な遮光膜を除去するための露光を行うためのアライメントマークＭが形成される。
【０１８０】このようにして図１０(e)に示すように遮光膜と半透明膜からなる位相シフトパターンを形成した後、電子線レジスト９６を膜厚５００nmで形成し、さらに塗布性導電膜９７を膜厚２００nmとなるように形成する。
【０１８１】次いで、図１０(f)に示すように電子線により４μＣ／ｃｍ2でデバイスパターン外領域にレジスト膜が残るように作成されたデータにより描画を行い、現像しレジストパターン９６ａを形成する。ここでも、塗布性導電膜９７上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパタ―ン９６ａを形成する。
【０１８２】次いで、図１０(g)に示すように、このレジストパタ―ンをマスクとしてＣｌ2ガスによる反応性イオンエッチングにより、ＣｒＯ膜９３／Ｃｒ膜９２をエッチング除去する。
【０１８３】最後に、図１０(h)に示すように、硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりこのレジストパタ―ンを除去した。
【０１８４】このようにして形成された露光用マスクは、デバイスパターン領域では窒化シリコンとシリコンとの２層膜よりなる半透明膜、デバイスパターン領域外ではＣｒ膜を含む遮光膜となっている。
【０１８５】従ってパターン領域外の内少なくとも転写によるウェハ上に光が到達する領域で、露光光を遮光するようにしているため、複数回の露光を行う場合にもパターンの細りや焦点深度不足を防ぐことができる。
【０１８６】実施例１７
なお、前記実施例では露光マスク用基板に位相シフト層としての半透明膜と遮光膜との両方の形成されたものを用いた場合について説明したが、ここではＣｒ膜９２とＣｒＯ膜９３の形成された露光マスク用基板を用いて、枠部すなわちパターン領域外の遮光膜パターンを形成した後、位相シフト層パターンを形成する方法について説明する。
【０１８７】まず、図１１(a)に示すように、厚さ２．５mmの酸化シリコン基板９０にＣｒ膜９２とＣｒＯ膜９３の形成された露光マスク用基板に電子線レジスト９４を膜厚５００nmで形成し、さらに塗布性導電膜９５を膜厚２００nmとなるように形成する。
【０１８８】次いで、図１１(b)に示すように、電子線によりアライメントマークＭおよびデバイスパターン外領域の遮光膜形成を目的としたデータにより描画を行い、現像しレジストパターンを形成する。ここでも、塗布性導電膜上から電子線により描画し、さらに現像を行ってレジストパタ―ンを形成する。
【０１８９】次いで、図１１(c)に示すように、レジストパタ―ンをマスクとしてＣｌ2ガスによる反応性イオンエッチングにより、レジストパタ―ンから露出するＣｒＯ／Ｃｒ膜をエッチング除去し、レジストパタ―ンを除去する。
【０１９０】このようにしてアライメントマークＭおよびデバイスパターン外領域の遮光膜を形成した後、図１１(d)に示すように、シリコンをターゲットとした窒素雰囲気下で反応性スパッタリングを行い、Ｓｉ１モルに対し窒素０．６モルの均一な窒化シリコン膜ＳｉＮ0.6を膜厚７５ｎｍとなるように堆積する。ここで窒化シリコン膜ＳｉＮ0.6は水銀ランプのｉ線に対しその膜内で光の位相が２５４度であり、７５nmの空気中を進む光の位相７４度に対し１８０度位相が遅れるように設計されている。このＳｉＮ0.6膜９１のｉ線に対する振幅透過率は３％であった。
【０１９１】そして、図１１(e)に示すように、電子線レジスト９６を膜厚５００nmで形成し、さらに塗布性導電膜９７を膜厚２００nmとなるように形成する。
【０１９２】次いで、図１１(f)に示すように、電子線によりデバイスパターンおよびデバイスパターン外領域が残るように作成されたデータにより描画を行い、現像しレジストパターンを形成する。
【０１９３】さらに、図１１(g)に示すように、このレジストパタ―ンをマスクとしてＣＦ4＋Ｏ2の混合ガスによる反応性イオンエッチングにより、ＳｉＮ0.6膜９１をエッチングする。
【０１９４】最後に、図１１(h)に示すように、このレジストパタ―ンを除去した。
【０１９５】このようにして形成された露光用マスクは、前記実施例１６と同様デバイスパターン領域では窒化シリコン膜のみよりなる半透明膜、デバイスパターン領域外では遮光膜となっている。
【０１９６】この場合も、パターン領域外の内少なくとも転写によるウェハ上に光が到達する領域で、露光光を遮光するようにしているため、複数回の露光を行う場合にもパターンの細りや焦点深度不足を防ぐことができる。」（段落０１７５〜０１９６）
　
（３−６）当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物６（特開平６−２３６０２１号公報、異議申立人の甲第３号証）には、次の事項が記載されている。
　
「【請求項２】　所定基板上に堆積されたフォトレジスト膜に、パターン間隔が露光波長と同程度またはそれ以下となる状態で繰り返し配置される複数の繰返しパターンを転写する際に、前記繰返しパターンを転写するためにマスク基板上に配置された複数の繰返し光透過パターンの各々に、遮光パターンを挟んで互いに隣接する繰返し光透過パターンの各々を透過した光の位相が互いに逆相となるように主光透過パターンを配置するとともに、各々の繰返し光透過パターンにおいて、前記主光透過パターンの外周の少なくとも一部に、透過光の位相が前記主光透過パターンを透過した光の位相に対して逆相となるような副光透過パターンを配置した位相シフトマスクを用いる露光方法において、以下の工程を有することを特徴とする露光方法。
（ａ）前記位相シフトマスク上のパターンデータを作成する際に、前記複数の繰返しパターンの相対位置座標は変えないで、前記複数の繰返しパターンの各々の幅をプロセス条件に基づいて、少なくとも繰返し配置される方向に所定量だけ拡大することにより前記主光透過パターンのデータを作成する第１拡大工程。
（ｂ）前記第１拡大工程によって得られたデータ状態の主光透過パターンの幅を縮小投影露光光学系の特性条件に基づいて所定量拡大した後、その拡大によって得られたパターンのデータから前記主光透過パターンのデータを除くことにより前記副光透過パターンのデータを作成する第２拡大工程。
（ｃ）前記主光透過パターンのデータおよび前記副光透過パターンのデータに基づいて、前記マスク基板上に前記繰返し光透過パターンを有する位相シフトマスクを作成する工程。
（ｄ）前記位相シフトマスク上に形成された遮光パターンに、前記位相シフトマスクと前記所定基板との位置合せを行うための位置合せマークを設けることにより、露光処理に先立って、前記位相シフトマスクと前記所定基板との位置合せを行う工程。
（ｅ）前記位相シフトマスクに対して所定波長の露光光を照射し、前記主光透過パターンと前記副光透過パターンとの境界部分において主副双方の光透過パターンを透過した光の干渉および互いに隣接する前記主光透過パターン間の光の干渉を生じさせた状態で、前記所定基板上のフォトレジスト膜に前記複数の繰返しパターンを転写する露光工程。
（ｆ）前記フォトレジスト膜に転写される前記複数の繰返しパターンの各々の実効寸法が、前記第１拡大工程に起因して目的の寸法よりも拡大しないように露光処理中または露光処理前後のプロセス条件を補正する工程。」（特許請求の範囲の請求項２）
　
（４）対比・判断
　
（４−１）本件発明１について
　
　本件発明１が、「有効パターン領域内において、露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部」を有する点（以下、「本件発明１の特徴的構成Ａ」という。）、「位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅をもって前記微細な光透過パターン部の周りに形成されたパターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定」する点（以下、「本件発明１の特徴的構成Ｂ」という。）を有するのに対して、上記刊行物１〜６のいずれにも、上記本件発明１の特徴的構成Ａ〜Ｂの記載及びその記載を示唆する記載がない。
　
　また、本件発明１は、上記本件発明１の特徴的構成Ａ〜Ｂを有することにより、「光透過パターンの周りの広い領域を半透明位相シフト膜によって形成するのではなく、半透明位相シフト膜を設ける領域を光透過パターンの周りの狭い領域であるパターン周辺部に限定したので、光透過パターンが大面積になる場合にもその大面積光透過パターンに対応する転写像にゴースト等が発生することを防止でき、さらに、光透過パターンを取り囲む非パターン部の面積が大きくなる場合にも光透過パターンを通過した露光光によって得られる転写像が不鮮明になることを防止できる。
　また、半透明位相シフト膜によって形成されるパターン周辺部は微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、広い光透過パターン部の周りには設定されず、さらに、パターン周辺部の周囲は遮光部として設定されるので、微細な光透過パターンに対しては効果的に位相シフト効果を提供でき、一方、位相シフト効果を必要としない広い光透過パターンに対しては完全な遮光効果を提供することによりゴースト等の転写不良を確実に防止できる。」（特許明細書の【発明の効果】）という上記刊行物１〜６に記載のいずれの発明にもない効果を有する。
　
　そうすると、本件発明１は、特許異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１〜３号証及び参考資料１〜２に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　
（４−２）本件発明２について
　
　本件発明２が、「有効パターン領域内において、光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部とを有し、位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅だけ光透過パターン部よりも広いパターン周辺部のデータを生成するリサイズ工程において、有効パターン領域内の前記微細な光透過パターン部に対してのみ該微細な光透過パターン部のデータに基づいてパターン周辺部のデータを生成し、有効パターン領域内の前記広い光透過パターン部に対してはその広い光透過パターンと同じデータを生成する」点（以下、「本件発明２の特徴的構成」という。）を有するのに対して、上記刊行物１〜６のいずれにも、上記本件発明２の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　
　また、本件発明２は、上記本件発明２の特徴的構成を有することにより、「光透過パターンの周りの広い領域を半透明位相シフト膜によって形成するのではなく、半透明位相シフト膜を設ける領域を光透過パターンの周りの狭い領域であるパターン周辺部に限定したので、光透過パターンが大面積になる場合にもその大面積光透過パターンに対応する転写像にゴースト等が発生することを防止でき、さらに、光透過パターンを取り囲む非パターン部の面積が大きくなる場合にも光透過パターンを通過した露光光によって得られる転写像が不鮮明になることを防止できる。
　また、半透明位相シフト膜によって形成されるパターン周辺部は微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、広い光透過パターン部の周りには設定されず、さらに、パターン周辺部の周囲は遮光部として設定されるので、微細な光透過パターンに対しては効果的に位相シフト効果を提供でき、一方、位相シフト効果を必要としない広い光透過パターンに対しては完全な遮光効果を提供することによりゴースト等の転写不良を確実に防止できる。」（特許明細書の【発明の効果】）という上記刊行物１〜６に記載のいずれの発明にもない効果を有する。
　
　そうすると、本件発明２は、特許異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１〜３号証及び参考資料１〜２に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　
（５）むすび
　
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件発明１〜２についての特許を取り消すことはできない。
　
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月１１日（２００２．１２．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項１
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１〜２を次のように訂正する。
「【請求項１】　透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
　有効パターン領域内の露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、
　前記有効パターン領域内の露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部と、
　位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅をもって前記微細な光透過パターン部の周りに形成されたパターン周辺部と、
　そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、
　上記パターン周辺部は半透明位相シフト膜によって形成され、前記遮光部は遮光膜によって形成され、さらに
　前記パターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、
　前記広い光透過パターン部の周りには前記パターン周辺部が設定されないことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
　【請求項２】　透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）前記透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（２）前記第１レジスト層を所定の形状にパターニングして、有効パターン領域内の必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の第１レジスト膜を形成する工程と、
（３）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記遮光層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（４）パターニングされた前記第１レジスト膜及び前記遮光膜をマスクとして前記半透明位相シフト層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（５）前記第１レジスト膜を剥離する工程と、
（６）第２レジスト層を積層する工程と、
（７）位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅だけ光透過パターン部よりも広いパターン周辺部のデータを生成するリサイズ工程と、
（８）前記パターン周辺部のデータに従って前記第２レジスト層をパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（９）パターニングされた前記第２レジスト膜をマスクとして前記遮光膜をエッチングによってパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（１０）前記第２レジスト膜を剥離する工程とを有し、
（１１）前記光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部とがあり、
（１２）前記リサイズ工程において、有効パターン領域内の前記微細な光透過パターン部に対してのみ該微細な光透過パターン部のデータに基づいてパターン周辺部のデータを生成し、有効パターン領域内の前記広い光透過パターン部に対してはその広い光透過パターンと同じデータを生成することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」
訂正事項２
　明細書段落【０００９】〜【００１３】を次のように訂正する。
「【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成するため、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、有効パターン領域内の露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、前記の有効パターン領域内の露光光を透過させるための光透過パターンであって位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部と、位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅をもって前記微細な光透過パターン部の周りに形成されたパターン周辺部と、そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、上記パターン周辺部は半透明位相シフト膜によって形成され、前記遮光部は遮光膜によって形成され、
さらに前記パターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、前記広い光透過パターン部の周りには前記パターン周辺部が設定されないことを特徴とする。
　【００１０】
　上記の光透過パターンは、位相シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンによって形成される場合もあるし、位相シフト効果を必要としない程度に大面積の光透過パターンによって形成される場合もある。位相シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンとは、概ね、露光光の波長の２倍程度の寸法のパターンである。例えば、露光光としてｇ線（波長＝０．４３６μｍ）を考えれば０．９μｍ程度以下の線幅が、ｉ線（波長＝０．３６５μｍ）を考えれば０．８μｍ程度以下の線幅が、そして、ＫｒＦエキシマレーザ（波長＝０．２５４μｍ）を考えれば０．６μｍ程度以下の線幅が、それぞれ、本発明に係る微細パターンと考えられる。
　【００１１】
　このような微細パターンを半透明位相シフト膜によって取り囲んで透明基板によって形成すれば、希望する位相シフト効果によって高解像度の転写像を得ることができる。一方、上記のような線幅寸法以上の線幅を有する大面積パターンに関しては、その大面積パターンを半透明位相シフト膜によって取り囲んで透明基板によって形成したとしても、位相シフト効果による解像度の向上はそれほど期待できない。
　【００１２】
　半透明位相シフト膜としては、例えばＭｏとＳｉを主成分とする化合物、より具体的には、例えば化学記号ＭｏＳｉＯＸＮＹ（Ｘ，Ｙは整数）で表される材料を用いることができる。また、遮光膜としてはＣｒ（クロム）、ＣｒＯ（酸化クロム）、ＣｒＮ（窒化クロム）、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣＮ又はこれらを積層した複合膜を用いることができる。複合膜を用いる場合は、例えば、図１０及び図１１に示すような２層構造又は図１２に示すような３層構造とすることができる。
　【００１３】
　次に、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法は、透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）前記透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（２）前記第１レジスト層を所定の形状にパターニングして、有効パターン領域内の必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の第１レジスト膜を形成する工程と、
（３）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記遮光層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（４）パターニングされた前記第１レジスト膜及び前記遮光膜をマスクとして前記半透明位相シフト層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（５）前記第１レジスト膜を剥離する工程と、
（６）第２レジスト層を積層する工程と、
（７）位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度に狭い半透明位相シフト膜幅に相当する幅だけ光透過パターン部よりも広いパターン周辺部のデータを生成するリサイズ工程と、
（８）前記パターン周辺部のデータに従って前記第２レジスト層をパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（９）パターニングされた前記第２レジスト膜をマスクとして前記遮光膜をエッチングによってパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（１０）前記第２レジスト膜を剥離する工程とを有し、
（１１）前記光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度、すなわち露光光の波長の２倍程度に微細な光透過パターン部と、位相シフト効果を必要としない程度、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度に広い光透過パターン部とがあり、
（１２）前記リサイズ工程において、有効パターン領域内の前記微細な光透過パターン部に対してのみ該微細な光透過パターン部のデータに基づいてパターン周辺部のデータを生成し、有効パターン領域内の前記広い光透過パターン部に対してはその広い光透過パターンと同じデータを生成することを特徴とする。」
（５４）【発明の名称】
ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
有効パターン領域内の
、すなわち露光光の波長の２倍程度
前記の有効パターン領域内の
、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度
位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度
、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度
そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、上記パターン周辺部は半透明位相シフト膜によって形成され、前記遮光部は遮光膜によって形成され、さらに前記パターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、前記広い光透過パターン部の周りには前記パターン周辺部が設定されないことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
　【請求項２】
　透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）前記透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（２）前記第１レジスト層を所定の形状にパターニングして、
有効パターン領域内の
（３）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記遮光層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（４）パターニングされた前記第１レジスト膜及び前記遮光膜をマスクとして前記半透明位相シフト層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（５）前記第１レジスト膜を剥離する工程と、
（６）第２レジスト層を積層する工程と、
（７）位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度
、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度
（８）前記パターン周辺部のデータに従って前記第２レジスト層をパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（９）パターニングされた前記第２レジスト膜をマスクとして前記遮光膜をエッチングによってパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（１０）前記第２レジスト膜を剥離する工程とを有し、
（１１）前記光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度
、すなわち露光光の波長の２倍程度
、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度
（１２）前記リサイズ工程において、
有効パターン領域内の
有効パターン領域内の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、主に投影露光装置において使用されるパターンを備えたフォトマスクであって、特に、そのフォトマスクを通過する投影露光光に位相差を与えて高解像度のパターン転写を可能にした位相シフトマスク及びその製造方法に関する。また、特に、透明基板上に希望のパターンのハーフトーン材料膜を形成して成るハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　位相シフトマスクとして、従来より、種々の形式のものが提案されている。例えば、マスク上の開口部の隣り合う一方に位相を反転させるような透明膜を設けた構造のレベンソン型位相シフトマスクや、形成すべきパターンの周辺部に解像限界以下の位相シフターを形成した構造の補助パターン付き位相シフトマスクや、基板上にクロムパターンを形成した後にオーバーエッチングによって位相シフターのオーバーハングを形成した構造の自己整合型位相シフトマスク等がある。
　【０００３】
　以上の各構造の位相シフトマスクは、基板上にクロムパターンとシフターパターンを設けたものであるが、この構造とは別に、シフターパターンのみによって形成された位相シフトマスクとして、透過型位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマスク等も知られている。透過型位相シフトマスクというのは、透明部を透過した光と位相シフターを透過した光との境界部において光強度がゼロとなることを利用してパターンを分離するようにした位相シフトマスクであって、シフターエッジ利用型位相シフトマスクとも呼ばれている。
　【０００４】
　また、ハーフトーン型位相シフトマスクというのは、投影露光光に対して部分透過性を有する、いわゆる半透明な位相シフターパターンを基板上に形成して、その位相シフターパターンの境界部に形成される光強度がゼロの部分でパターン解像度を向上するようにした位相シフトマスクである。透過型位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマスクはその層構造が単純であるため、製造工程が容易であり、しかもマスク上の欠陥も少ないという長所を有している。
　【０００５】
　位相シフターを用いることなく、例えばＣｒ等の遮光膜によって所望のパターンを形成した従来型のフォトマスクでは、線幅の狭いパターンをウエハ等といった露光対象物の上に正確に転写できない。つまり、解像度が悪い。露光光の波長をｇ線（波長＝０．４３６μｍ）、ｉ線（波長＝０．３６５μｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長＝０．２５４μｍ）の順のように、徐々に短くしてゆけば、解像度を向上させることができるのであるが、その場合でもやはり限界がある。この限界を打破するために開発されたものがハーフトーン型位相シフトマスクであり、このハーフトーン型位相シフトマスクでは、位相を反転することなく光透過パターンを通過した露光光と、位相シフターを通過して位相が反転した露光光との間で光を干渉させることにより、高解像度の転写パターンを得るようにしている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながらこのハーフトーン型位相シフトマスクに関しては、位相シフト効果を必要とする光透過パターンは、その線幅が露光光の波長よりも若干広い程度の微細なパターンであり、線幅がそれ以上であるような大面積の光透過パターンについては、位相シフト効果を利用する必要はない。しかも、このような大面積の光透過パターンについては、その周りの広い領域を位相シフター、すなわち半透明位相シフト膜のみによって形成すると、かえって、その大面積パターンに対応する転写像にゴースト等が発生するという問題があった。
　【０００７】
　また、ハーフトーン型位相シフトマスクは、通常、露光光を透過させるための光透過パターンと、その周りを取り囲む半透明位相シフト膜によって形成される非パターン部とによって構成されるが、光透過パターンの周囲の半透明位相シフト膜の面積が大きい場合には、光透過パターンを通過した露光光によって露光対象物上に転写される転写像が不鮮明になったり、あるいは、半透明位相シフト膜の部分に穴が開いたりするといった問題があった。
　【０００８】
　本発明は、ハーフトーン型位相シフトマスクにおける上記の問題点を解決するためになされたものであって、光透過パターンが大面積になる場合にもその大面積パターンに対応する転写像にゴースト等が発生することを防止し、さらに光透過パターンを取り囲む非パターン部の面積が大きくなる場合にも光透過パターンを通過した露光光によって得られる転写像が不鮮明になるのを防止することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成するため、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
有効パターン領域内の
、すなわち露光光の波長の２倍程度
前記の有効パターン領域内の
、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度
位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度
、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度
そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、上記パターン周辺部は半透明位相シフト膜によって形成され、前記遮光部は遮光膜によって形成され、さらに前記パターン周辺部は前記微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、前記広い光透過パターン部の周りには前記パターン周辺部が設定されないことを特徴とする。
　【００１０】
　上記の光透過パターンは、位相シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンによって形成される場合もあるし、位相シフト効果を必要としない程度に大面積の光透過パターンによって形成される場合もある。位相シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンとは、概ね、露光光の波長の２倍程度の寸法のパターンである。例えば、露光光としてｇ線（波長＝０．４３６μｍ）を考えれば０．９μｍ程度以下の線幅が、ｉ線（波長＝０．３６５μｍ）を考えれば０．８μｍ程度以下の線幅が、そして、ＫｒＦエキシマレーザ（波長＝０．２５４μｍ）を考えれば０．６μｍ程度以下の線幅が、それぞれ、本発明に係る微細パターンと考えられる。
　【００１１】
　このような微細パターンを半透明位相シフト膜によって取り囲んで透明基板によって形成すれば、希望する位相シフト効果によって高解像度の転写像を得ることができる。一方、上記のような線幅寸法以上の線幅を有する大面積パターンに関しては、その大面積パターンを半透明位相シフト膜によって取り囲んで透明基板によって形成したとしても、位相シフト効果による解像度の向上はそれほど期待できない。
　【００１２】
　半透明位相シフト膜としては、例えばＭｏとＳｉを主成分とする化合物、より具体的には、例えば化学記号ＭｏＳｉＯＸＮＹ（Ｘ，Ｙは整数）で表される材料を用いることができる。また、遮光膜としてはＣｒ（クロム）、ＣｒＯ（酸化クロム）、ＣｒＮ（窒化クロム）、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣＮ又はこれらを積層した複合膜を用いることができる。複合膜を用いる場合は、例えば、図１０及び図１１に示すような２層構造又は図１２に示すような３層構造とすることができる。
　【００１３】
　次に、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法は、透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）前記透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（２）前記第１レジスト層を所定の形状にパターニングして、
有効パターン領域内の
（３）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記遮光層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（４）パターニングされた前記第１レジスト膜及び前記遮光膜をマスクとして前記半透明位相シフト層をエッチングによってパターニングして、必要とする光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（５）前記第１レジスト膜を剥離する工程と、
（６）第２レジスト層を積層する工程と、
（７）位相シフト効果を実現できる程度に広く且つ露光対象物の露光時に該露光対象物上の転写像を不鮮明にしない程度
、すなわち露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲の程度
（８）前記パターン周辺部のデータに従って前記第２レジスト層をパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（９）パターニングされた前記第２レジスト膜をマスクとして前記遮光膜をエッチングによってパターニングして、光透過パターン部及びその周りのパターン周辺部が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（１０）前記第２レジスト膜を剥離する工程とを有し、
（１１）前記光透過パターン部としては、位相シフト効果を必要とする程度
、すなわち露光光の波長の２倍程度
、すなわち露光光の波長の２倍の長さより長い程度
（１２）前記リサイズ工程において、
有効パターン領域内の
有効パターン領域内の
　【００１４】
　上記リサイズ工程におけるパターン周辺部のデータの生成は、光透過パターン部のデータに基づいてコンピュータプログラムに従って自動的に生成することもできるし、あるいは、いわゆるデジタイザ等といった座標情報入力手段からの入力によって生成することもできる。
　【００１５】
　【作用】
　本発明のハーフトーン型位相シフトマスクでは、ウエハ等といった露光対象物を露光する際、露光光は光透過パターンを通過してウエハ等に照射され、一方、パターン周辺部及び遮光部から成る非パターン部では露光光の通過が阻止、すなわち遮光される。光透過パターンは、位相シフト効果を必要とする程度に微細な光透過パターンによって構成される場合や、位相シフト効果を必要としない程度に広い光透過パターンによって構成される場合がある。
　【００１６】
　微細な光透過パターンの周りにパターン周辺部を設けてそのパターン周辺部を半透明位相シフト膜によって形成し、さらにそのパターン周辺部の外側の遮光部をＣｒ等の遮光膜によって形成すれば、半透明位相シフト膜の働きによって希望の位相シフト効果を得ることができ、しかも同時に、半透明位相シフト膜が設けられる領域をパターン周辺部に限定し、そのパターン周辺部を取り囲む遮光部はＣｒ等の遮光膜によって形成したので、光透過パターンの周りの広い領域に半透明位相シフト膜を設けた従来の場合に比べて、転写像を鮮明に形成でき、また、光透過パターンの周囲の半透明位相シフト膜の部分に穴が開く等といった不都合は発生しない。
　【００１７】
　他方、限られた所定幅のパターン周辺部を面積の広い光透過パターンの周りに設けてそのパターン周辺部を半透明位相シフト膜によって形成し、さらにそのパターン周辺部の外側の遮光部をＣｒ等といった遮光膜によって形成すれば、光透過パターンの周りの広い領域を半透明位相シフト膜のみによって形成した従来の場合において光透過パターンに対応する部分に発生していたゴースト等といった不都合を確実に回避できる。
　【００１８】
　なお、面積の広い光透過パターンに関しては、それを半透明位相シフト膜によって取り囲んだとしても、もともと、位相シフト効果による解像度の向上は望めない。従って、この広い光透過パターンに関しては、必ずしも、その光透過パターンの周りに半透明位相シフト膜から成るパターン周辺部を設ける必要はなく、その光透過パターンの周囲にいきなりＣｒ等の遮光膜から成る遮光部を設けるようにしても良い。
　【００１９】
　【実施例】
（ハーフトーン型位相シフトマスクの参考例）
　図１は、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの参考例を示している。図２は、その位相シフトマスクの断面構造を示している。図示の例は、位相シフトマスクの有効パターン領域内の一部分を拡大して示している。図示の位相シフトマスクは、４×４＝１６個の微細な光透過パターンＰ１と、面積の広い光透過パターンＰ２と、それらの光透過パターンＰ１及びＰ２の外側の領域であって鎖線で囲まれる所定幅の領域であるパターン周辺部Ｈと、それらのパターン周辺部Ｈを取り囲む遮光部Ｓとによって構成される。
　【００２０】
　図２において、光透過パターンＰ１及びＰ２は透明基板１のみによって形成されている。また、パターン周辺部Ｈは光透過パターンＰ１及びＰ２の周りにおいて半透明位相シフト膜２ａによって形成されている。そして、遮光部ＳはＣｒ等の遮光膜３ａによって形成されている。
　【００２１】
　個々の微細な光透過パターンＰ１は、Ｔ１×Ｔ２の寸法を有している。これらの寸法Ｔ１及びＴ２は、いずれも、露光対象物を露光するための露光光の波長の約２倍の長さよりも短い値に設定される。この寸法は、位相シフト効果、すなわち光透過パターンＰ１及びＰ２を透過した光と、半透明位相シフト膜２ａを透過して位相が１８０°反転した光との間の干渉により解像度を向上させる効果、を得ることができる程度の微細な寸法である。
　【００２２】
　一方、広い光透過パターンＰ２は、Ｔ３×Ｔ４の寸法を有している。これらの寸法Ｔ３及びＴ４は、いずれも、露光光の波長の約２倍の長さよりも長い値に設定される。この寸法は、位相シフト効果を必要としない寸法、換言すれば、その光透過パターンを半透明位相シフト膜で取り囲んだとしても解像度の向上を望むことができないような寸法である。
　【００２３】
　パターン周辺部Ｈの幅Ａ、すなわち光透過パターンＰ１及びＰ２の外周縁とパターン周辺部Ｈの外周縁との間の間隔は、露光光の波長の値以上であって１００μｍ以下の範囲、より好ましくは露光光の波長の値以上であって５０μｍ以下の範囲内の任意の値に設定される。なお、露光光がｇ線であればその波長は約０．４３６μｍ、ｉ線であればその波長は約０．３６５μｍ、そしてＫｒＦエキシマレーザであればその波長は約０．２５４μｍである。
　【００２４】
　この位相シフトマスクを用いて露光対象物、例えばウエハに転写像を形成する場合には、図１３に示すように、露光光Ｒを位相シフトマスク６に照射し、その位相シフトマスク６を透過した光、特に光透過パターンＰ１及びＰ２等を通過した光によってウエハ７を露光し、これにより、ウエハ７上に希望パターンの転写像が結像される。参考例の位相シフトマスクが、いわゆるレチクルマスクとして構成されていれば、通常は、１／５程度の縮小像がウエハ７上に形成される。
　【００２５】
　微細な光透過パターンＰ１を透過した光は、パターン周辺部Ｈを透過して位相が反転した光との間で干渉を生じ、これにより、位相シフト効果が発現してウエハ上に鮮明で微細な転写像が得られる。微細な光透過パターンＰ１及び面積の広い光透過パターンＰ２のいずれに関しても、その周りに設けられる半透明位相シフト膜２ａの存在領域はパターン周辺部Ｈの領域に限定され、そのパターン周辺部Ｈの外側の遮光部ＳはＣｒ等の遮光膜によって形成されている。
　【００２６】
　光透過パターンＰ１及びＰ２の周りの広い範囲が半透明位相シフト膜２ａのみによって形成される場合には、微細パターンが不鮮明になったり、広い面積のパターン内にゴースト等といった転写不良が発生したりするおそれがあるが、半透明位相シフト膜２ａの存在領域をパターン周辺部Ｈに限定した構成によれば、そのような問題が解消する。
　【００２７】
（図１の位相シフトマスクの製造方法の参考例）
　図３及び図４は、図１に示す位相シフトマスクを製造するための製造方法の参考例を工程順に示している。また、図５は、その製造方法において、特に位相シフトマスクの基材の上にパターンを描画するための描画システムを模式的に示している。図５において、パターンデータ入力装置８は、例えばキーボード、マウス等によって構成され、このパターンデータ入力装置８によって光透過パターンＰ１及びＰ２のパターンデータがＣＰＵ（中央処理装置）９の入力ポートへ送られる。
　【００２８】
　ＣＰＵ９の演算処理部はリサイズ演算部１０を含んでいる。このリサイズ演算部１０は、パターンデータ入力装置８から送られた光透過パターンＰ１及びＰ２のパターンデータに基づいて、メモリ１１内に格納された所定のプログラムに従って、幅Ａのパターン周辺領域Ｈを演算する。微細な光透過パターンＰ１に関しては、リサイズ演算部１０は個々の光透過パターンＰ１の１つづつに対してパターン周辺領域Ｈを演算するが、これら全てのパターン周辺領域Ｈをつなぎ合わせると、結果的に、図１の鎖線で示すような全ての光透過パターンＰ１を包含する大きな正方形領域になる。
　【００２９】
　ＣＰＵ９は、以上のようにして演算された光透過パターンのデータに基づいて画像制御部１２を駆動し、これにより、ＣＲＴモニタ１３の画面上に位相シフトマスクのパターン画像が表示される。また、ＣＰＵ９は、演算された光透過パターンのデータを描画装置１４へ送る。描画装置１４はそのデータに基づいて電子線ビーム又は露光光を出力し、それらの電子線ビーム又は露光光により、位相シフトマスクの完成途中品６ａの上に光透過パターンＰ１及びＰ２や、パターン周辺領域Ｈが描画される。
　【００３０】
　なお、電子線ビームを用いる描画の場合は、電子線の電荷によって位相シフトマスクの基板が帯電するので、それを防止するために基板上の適所に導電層を形成することが広く行われている。露光光を用いた描画の場合には帯電の心配がないので、そのような導電層を形成する必要はない。これ以降の説明では、露光光を用いる描画の場合を想定して導電層のことには特に触れないことにするが、電子ビームによる描画を行う場合には導電層を用いることが必要になることに注意する。
　【００３１】
　以下、図３及び図４に基づいて、図１の位相シフトマスクの製造方法を説明する。まず、図３（ａ）に示すように、石英によって形成された透明基板１の上に、周知の成膜方法を用いて、Ｍｏ・Ｓｉ系の材料から成る半透明位相シフト層２、Ｃｒ等の遮光材から成る遮光層３、そしてポジレジストから成る第１レジスト層４を順次に積層した。各層の厚さは、半透明位相シフト層２を１２００〜２０００Å、遮光層３を３００〜１５００Å、そして第１レジスト層４を３０００〜６０００Åとした。
　【００３２】
　次いで、電子線又は露光光Ｒ１により光透過パターンＰ１及びＰ２のパターンを露光し（図３（ｂ））、さらに、現像を行って必要とするパターンのみが欠落した状態の第１レジスト膜４ａを形成した（図３（ｃ）及び図３（ｄ））。さらに、その第１レジスト膜４ａをマスクとして、硝酸第２セリウムアンモニウムに過塩素酸を加えて製造したエッチング液を用いた常法のウエットエッチングにより、又は塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、遮光層３をパターニングして、必要とするパターンのみが欠落した状態の遮光膜３ａを形成した（図３（ｅ））。このとき、半透明位相シフト層２は上記の各エッチング剤によってはエッチングされない。
　【００３３】
　その後、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等といったフッ素系ガスを用いたドライエッチングによって半透明位相シフト層２を所望パターンの半透明位相シフト膜２ａへとパターニングした（図３（ｆ））。このとき、マスクとして働く遮光層４ａはエッチングされないので、半透明位相シフト膜２ａのパターンは極めて高精度な寸法精度で得られた。
　【００３４】
　次いで、酸素プラズマや硫酸を用いて第１レジスト膜４ａを剥離することにより、図３（ｈ）に示すように、微細パターンＰ１及び面積の広いパターンＰ２を有するパターンが形成される。このとき、両パターンＰ１及びＰ２は透明基板１のみによって形成され、それらのパターンＰ１及びＰ２以外の非パターン部Ｑは、主に、遮光膜３ａによって形成される。
　【００３５】
　次に、あらためてポジレジストをマスク全体に塗布して第２レジスト層５を形成し（図４（ｉ））、さらに、電子線又は露光光Ｒ２によって再び描画を行う（図４（ｊ））。このときの描画は、図５に示したＣＰＵ９のリサイズ演算部１０によって決められるリサイズ寸法に従って行われる。このリサイズ寸法というのは、図４（ｋ）に示すように、微細パターンＰ１及び広いパターンＰ２に、それらよりも所定幅Ａだけ広いパターン周辺領域を加え合わせた領域に相当する。
　【００３６】
　その後、第２レジスト層５を現像して第２レジスト膜５ａを形成した（図４（１））。これにより、図４（ｍ）に示すように、微細パターンＰ１及び広いパターンＰ２と、それらのパターン周辺領域とを加え合わせた領域である露光領域Ｒ２を除いた領域に、斜線で示すように、第２レジスト膜５ａが残された。そして、その第２レジスト膜５ａをマスクとして、常法のウエットエッチング又は塩素ガスを用いたドライエッチングにより遮光膜３ａをパターニングした（図４（ｎ））。このとき、半透明位相シフト膜２ａはエッチングされない。
　【００３７】
　その後、酸素プラズマや硫酸を用いて第２レジスト膜５ａを剥離することにより、図４（ｏ）及び図４（ｐ）に示すように、光透過パターン部Ｐ１及びＰ２が基板１のみによって形成され、パターン周辺部Ｈが光透過パターンＰ１及びＰ２の周りにおいて半透明位相シフト膜２ａによって形成され、そして、遮光部ＳがＣｒ等の遮光膜３ａによって形成された状態の位相シフトマスクが得られた。
　【００３８】
（ハーフトーン型位相シフトマスクの実施例）
　図６は、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの一実施例を示している。図７は、その位相シフトマスクの断面構造を示している。この位相シフトマスクが図１に示したハーフトーン型位相シフトマスクと異なる点は、パターン周辺部Ｈが微細な光透過パターンＰ１の周りに設定されるだけで、面積の広い光透過パターンＰ２の周りにはパターン周辺部Ｈが設定されないことである。遮光部Ｓはパターン周辺部Ｈ及び広い光透過パターンＰ２の周りに形成される。この実施例でも図７に示すように、光透過パターンＰ１及びＰ２は基板１のみによって形成され、パターン周辺部Ｈは光透過パターンＰ１の周りにおいて半透明位相シフト膜２ａによって形成され、そして、遮光部ＳはＣｒ等の遮光膜３ａによって形成される。
　【００３９】
　広い光透過パターンＰ２の周りにパターン周辺部Ｈを設定しないのは、次の理由による。すなわち、広い光透過パターンＰ２に関しては、その周りを半透明位相シフト膜２ａによって形成したとしても、もともと、位相シフト効果による解像度の向上は望めない。従って、この広い光透過パターンＰ２に関しては、必ずしも、その光透過パターンの周りに半透明位相シフト膜から成るパターン周辺部を設ける必要はなく、その光透過パターンの周囲にいきなりＣｒ等の遮光膜から成る遮光部を設けるようにしても良いからである。
　【００４０】
　（図６の位相シフトマスクの製造方法の一実施例）
　図９は、図６に示す位相シフトマスクを製造するのに適したパターン描画システムの一例を模式的に示している。この描画システムが図５に示した描画システムと異なる点は、リサイズ寸法の設定方法に改変を加えたことであり、具体的には、いわゆるデジタイザ等といった座標情報入力装置１５をＣＰＵ９の入力ポートに接続したことである。本実施例では、微細な光透過パターンＰ１に対応させてパターン周辺部Ｈを設定する際に、ペン入力又はマウス入力等によってオペレータが座標情報入力装置１５へ位置データを入力し、これにより、パターン周辺部Ｈを設定する。
　【００４１】
　図８は、上記の描画システムを用いた位相シフトマスクの製造方法の一例を工程順に模式的に示している。図８に示す工程は、図３を用いて既に説明した一連の工程に引き続いて実行されるものである。本実施例においても、図３（ａ）から図３（ｈ）までに示した工程が実行されるが、これらについては既に説明したのでそれらの説明は省略する。
　【００４２】
　図３（ｇ）及び図３（ｈ）までの工程で、微細な光透過パターンＰ１及び広い光透過パターンＰ２が透明基板１のみによって形成され、それらの周りに非パターン部Ｑが、主に、遮光膜３ａによって形成される。その後、あらためてポジレジストをマスク全体に塗布して第２レジスト層５を形成し（図８（ｉ’））、さらに、電子線又は露光光Ｒ３−１及びＲ３−２によって再び描画を行う（図８（ｊ’））。このときの描画は、図９に示した座標情報入力装置１５によって決められるリサイズ寸法に従って行われる。このリサイズ寸法というのは図８（ｋ’）に示すように、微細パターンＰ１に関してはそれよりも所定幅Ａだけ広いパターン周辺領域を加え合わせた領域Ｒ３−１のことであり、一方、広いパターンＰ２に関してはパターン周辺領域を考慮しない広いパターンＰ２そのものの領域Ｒ３−２のことである。
　【００４３】
　その後、第２レジスト層５を現像して第２レジスト膜５ａを形成した（図８（ｌ’））。これにより、図８（ｍ’）に示すように、微細パターンＰ１及びそのパターン周辺領域とを加え合わせた露光領域Ｒ３−１並びに広いパターンＰ２に相当する露光領域Ｒ３−２の両領域を除いた領域に、斜線で示すように、第２レジスト膜５ａが残された。そして、その第２レジスト膜５ａをマスクとして、常法のウエットエッチング又は塩素ガスを用いたドライエッチングにより遮光膜３ａをパターニングした（図４（ｎ’））。このとき、半透明位相シフト膜２ａはエッチングされない。
　【００４４】
　その後、酸素プラズマや硫酸を用いて第２レジスト膜５ａを剥離することにより、図８（ｏ’）及び図８（ｐ’）に示すように、光透過パターン部Ｐ１及びＰ２が基板１のみによって形成され、微細な光透過パターンＰ１のみに対応して設定されたパターン周辺部Ｈが光透過パターンＰ１の周りにおいて半透明位相シフト膜２ａによって形成され、そして、遮光部ＳがＣｒ等の遮光膜３ａによって形成された状態の位相シフトマスクが得られた。
　【００４５】
　以上、好ましい実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変できる。例えば、図６に示した微細な光透過パターンＰ１及び広い光透過パターンＰ２は、説明を分かり易くするために模式的に例示したパターンであって、実際に作成されるパターンは、希望に応じた形状のパターンとされる。
　【００４６】
　また、上記説明では、ＣＰＵ９によってリサイズ寸法を演算するようにした図５の描画システムを用いて、面積の広い光透過領域Ｐ２にもパターン周辺部Ｈを設定するという図１のパターンを描画し、一方、座標情報入力装置１５を用いた図９の描画システムを用いて、広い光透過領域Ｐ２にはパターン周辺部Ｈを設定しないという図６に示すパターンを描画した。しかしながら、図５に示す描画システムを用いて図６に示すパターンを描画しても良いし、又は図９に示す描画システムを用いて図１に示すパターンを描画しても良い。
　【００４７】
　【発明の効果】
　本発明によれば、光透過パターンの周りの広い領域を半透明位相シフト膜によって形成するのではなく、半透明位相シフト膜を設ける領域を光透過パターンの周りの狭い領域であるパターン周辺部に限定したので、光透過パターンが大面積になる場合にもその大面積光透過パターンに対応する転写像にゴースト等が発生することを防止でき、さらに、光透過パターンを取り囲む非パターン部の面積が大きくなる場合にも光透過パターンを通過した露光光によって得られる転写像が不鮮明になることを防止できる。
　【００４８】
　また、半透明位相シフト膜によって形成されるパターン周辺部は微細な光透過パターン部の周りにのみ設定され、広い光透過パターン部の周りには設定されず、さらに、パターン周辺部の周囲は遮光部として設定されるので、微細な光透過パターンに対しては効果的に位相シフト効果を提供でき、一方、位相シフト効果を必要としない広い光透過パターンに対しては完全な遮光効果を提供することによりゴースト等の転写不良を確実に防止できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　ハーフトーン型位相シフトマスクの参考例を模式的に示す平面図である。
　【図２】
　図１のハーフトーン型位相シフトマスクの断面構造を模式的に示す断面図である。
　【図３】
　上記参考例に係るハーフトーン型位相シフトマスク及び本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一実施形態を工程順に模式的に示す図である。
　【図４】
　上記参考例に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を工程順に模式的に示す図であって、図３に引き続く工程を示す図である。
　【図５】
　露光描画装置の一例を示すブロック図である。
　【図６】
　本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの一実施例を模式的に示す平面図である。
　【図７】
　図６のハーフトーン型位相シフトマスクの断面構造を模式的に示す断面図である。
　【図８】
　本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一実施例を工程順に模式的に示す図であって、図３に引き続く工程を示す図である。
　【図９】
　露光描画装置の他の実施例を示すブロック図である。
　【図１０】
　遮光膜の一実施例の部分断面構造を示す図である。
　【図１１】
　遮光膜の他の実施例の部分断面構造を示す図である。
　【図１２】
　遮光膜のさらに他の実施例の部分断面構造を示す図である。
　【図１３】
　図２に示す位相シフトマスクを用いてウエハを露光する状態を模式的に示す図である。
　【符号の説明】
　１　　　　　　透明基板
　２　　　　　　半透明位相シフト層
　２ａ　　　　　半透明位相シフト膜
　３　　　　　　遮光層
　３ａ　　　　　遮光膜
　４　　　　　　第１レジスト層
　４ａ　　　　　第１レジスト膜
　５　　　　　　第２レジスト層
　５ａ　　　　　第２レジスト膜
　６　　　　　　位相シフトマスク
　７　　　　　　ウエハ
　Ａ　　　　　　リサイズ寸法
　Ｈ　　　　　　パターン周辺部
　Ｐ１　　　　　微細な光透過パターン
　Ｐ２　　　　　大面積パターン
　Ｑ　　　　　　非パターン領域
　Ｒ１　　　　　第１描画露光
　Ｒ２　　　　　リサイズ露光
　Ｓ　　　　　　遮光部