【事件の表示】
　平成６年特許願第２３４２９号「非共鳴ファブリ・ペローＰＩＮ変調装置」拒絶査定に対する審判事件［平成８年１０月１１日出願公開、特開平８−２６２３８０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（手続の経緯、請求項に係る発明）
　この出願は、平成６年１月２６日の出願（パリ条約に基づく優先権主張１９９３年１月２７日、米国）であって、請求項１ないし請求項８に係る発明は、平成１０年６月８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８に記載されたとおりのものと認められ、請求項１には次のとおり記載されている。
「共鳴条件にそれぞれ対応している複数の光学周波数を有するファブリ・ペローエタロンを形成するように、離間して配置された第一の反射素子（２）および第二の反射素子（３）と、所定の光学周波数において、印加電圧により変化する非線形光学吸収特性を有し、前記第一および第二の反射素子の間に設けられた変調器（４）とからなる非共鳴ファブリ・ペローＰＩＮ変調装置において、前記所定の光学周波数は、前記ファブリ・ペローエタロンの非共鳴条件に相当する光学周波数であるよう、前記所定の光学周波数が前記複数の光学周波数のうちの隣接する二つの光学周波数の間にあり、前記変調器は、前記エタロンと一体に形成され、前記所定の光学周波数において非線形光学吸収を有し、前記変調器は、ｐ形ドープ領域（６４）と、真性領域（６６）と、ｎ形ドープ領域（７２）とを有するｐ−ｉ−ｎ変調器を構成する半導体材料からなり、前記真性領域は、前記ｐ形ドープ領域とｎ形ドープ領域の間に配置されていることを特徴とする非共鳴ファブリ・ペローＰＩＮ変調装置。」
　
（引用例）
　これに対して、原審における拒絶の理由に引用された、本願出願前公知であるOptics Letters Vol.17 No.7 pp.505-507（１９９２年４月１日）（以下、引用例１という。）には、
「この論文では、共振器内の可飽和吸収体である、２個の反射鏡間にモノリシックに集積された比較的高速のＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ半導体可飽和吸収体を有する、非共鳴ファブリペロー可飽和吸収体（Ａ−ＦＰＳＡ）を紹介する。Ａ−ＦＰＳＡの上の反射素子は、９８％の反射率を有するＴｉＯ２／ＳｉＯ２誘電体ミラーである。・・・Ｎｄ：ＹＬＦレーザーキャビティ内のこの新しいＡ−ＦＰＳＡによれば、レーザーが２Ｗのパワーで連続ポンプされたとき、平均７００ｍＷの出力パワーで、波長１．０４７μｍ、自己始動性で３．３ピコ秒の連続波モードロックパルスが得られた。」（第５０５頁左欄第２８行〜右欄第２行）、
「図１はセットアップされたレーザーキャビティを示す。レーザーは、標準的な、末端ポンピング定常波折り返し非点収差補正キャビティで構成される。５ｍｍのＮｄ：ＹＬＦ結晶棒は、１．０４７μｍのレーザー発振波長に対して高い反射率をもつ被覆であり、ポンピング波長に対しては反射防止の被覆がなされた端面を有している。反対側の端面は、ブルースター角でカットされている。銅のヒートシンク上にハンダ付けされたインジウムからなるＡ−ＦＰＳＡは、レーザーキャビティのエンドミラーを形成している。曲率半径１００ｍｍの曲面を持つ高反射ミラーは、８０μｍの算出されたビーム直径を作り出すために、Ａ−ＦＰＳＡ上にレーザービームを収束させる。キャビティ出力カプラーは、４５度の入射角と１％の透過率を持つ平面回転ミラーからなり、２％の全出力カプリングを提供する。レーザーは、波長７９８ｎｍでのｃｗ　Ｔｉ：サファイアレーザーによりポンピングされる。・・・Ａ−ＦＰＳＡは、約９６％の反射率を有し、ＧａＡｓ基板上に通常の温度（約６４０℃）で分子線エピタキシー法により成長されたＧａＡｓ／ＡｌＡｓの誘電体ミラー（７６．４ｎｍのＧａＡｓ層と９０．５ｎｍのＡｌＡｓ層の１６周期）から構成されている。Ｎｄ：ＹＬＦのレーザー発振波長１．０４７μｍに近いバンドギャップを有する０．６１μｍ厚の可飽和吸収層は、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓの誘電体ミラー上に約３８０℃の低温で成長され、ＧａＡｓバリアとＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ量子井戸（ｘ＝０．２９）の各々が６ｎｍ及び６．２ｎｍの極く薄い厚みで５０周期積層されている。最後に、９８％の反射率を有するＴｉＯ２／ＳｉＯ２誘電体ミラーが吸収層に蒸着される。」（第５０５頁右欄下から第６行〜第５０６頁左欄第２９行）、
「ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ層の厚さは、最後のＦＰＳＡの非共鳴がＮｄ：ＹＬＦのレーザー発振波長である１．０４７μｍに近くなるように選ばれる。最後のＡ−ＦＰＳＡの反射率〔曲線（ｃ）〕は、もしＴｉＯ２／ＳｉＯ２誘電体ミラーに進入する光の深度が０．５μｍとすれば、８次のファブリペロー共鳴ピークである９９２ｎｍを示す。このファブリペロー構造の全光学厚は４μｍであり、それは１３８ｎｍの自由スペクトル範囲とレーザー発振波長である１．０４７μｍに近い１．０６μｍの非共鳴を示す。」（第５０６頁右欄第１５行〜第２６行）と記載されている。
　同じく特開平４−３６７２９２号公報（以下、引用例２という。）には、
「【請求項１】活性層の層方向に共振器が形成され、この方向に光を取り出す端面出射型半導体レーザにおいて、３つの分布ブラッグ反射領域により等価共振器長の等しい２つの結合した光共振器構造を持ち、この二つの光共振器中にそれぞれ光増幅媒体と可飽和吸収媒体を含むことを特徴とするモード同期レーザ。
【請求項２】基板と垂直な方向に共振器が形成され、この方向に光を取り出す面発光型半導体レーザにおいて、３つの分布ブラッグ反射領域により等価共振器長の等しい２つの結合した光共振器構造を持ち、この二つの光共振器中にそれぞれ光増幅媒体と可飽和吸収媒体を含むことを特徴とするモード同期レーザ。
【請求項３】請求項１または請求項２記載のモード同期レーザの光増幅媒体あるいは可飽和吸収媒体の少なくとも一方への注入電流を該モード同期レーザの光共振器内部の光の周回時間に同期して変調することを特徴とするモード同期光パルス列発生方法。
【請求項４】レーザ装置の光共振器を構成する２対の反射鏡のうちの一方の反射鏡が、内部に可飽和吸収体を含み、かつ内部の光周回時間が所望の光パルス時間幅よりも十分に短くなる間隙を有する平行平面鏡からなるエタロンであることを特徴とするモード同期レーザ。」（特許請求の範囲）、
「本発明は、モード同期光パルス列の発生方法およびモード同期光パルス列を発生するモード同期レーザ装置に関するものである。特に光通信におけるマスターオシレータや分光実験用光源として有用なピコ秒モード同期レーザに関する。」（段落番号【０００１】）、
「式（６）は内部に光に対する変調成分がｍ（ｔ）で表されるような非線形媒質がある場合の非線形エタロンの振幅反射率を表す式と同一の形をしている。但し、非線形エタロンの場合には、ｅｘｐ（−ｉφ）のファクターはレーザ共振器と外部共振器の共振器長差によって生じる位相差ではなく、エタロン中を光が一往復する際に生じる位相差であり、・・・このような非線形エタロンをレーザ共振器を構成する一方のミラーとして用いた場合、エタロン中の光の周回時間が所望の光パルス時間幅よりも十分に小さいような場合には、非線形外部共振器を結合した場合と同様の効果が得られる。なぜならば、この場合非線形エタロンにおいても式（１）〜（６）はＡＰＭの場合と同様に成立し、従って式（７）が成り立つと考えられるからである。」（段落番号【００２０】）、
「本発明の第１および第２の発明は、これらのＡＰＭの原理を半導体レーザに適用し、受動モード同期動作をさせるもの、第３の発明はこれに加えて光増幅媒質あるいは可飽和吸収媒質あるいはその両者に注入する電流量を変調することにより強制モード同期をさせるもの、第４の発明は内部に非線形媒質を含み、かつ光周回時間が所望の光パルス幅よりも十分に小さいファブリ・ペロー・エタロンをレーザ共振器のミラーとして用いることにより、簡単かつ低コストな構造でモード同期動作を得るレーザ装置である。」（段落番号【００２６】）、
「【００２８】　図１は、請求項１の発明の端面発光型の半導体レーザの実施例を示した構造断面図である。ｎ型ＩｎＰ基板１１・・・光ガイド層１４としてノンドープＩｎＧａＡｓ・・・バッファ層１５としてｎ型ＩｎＰ・・・活性層１２および吸収層１３としてノンドープＩｎＧａＡｓ・・・クラッド層１６としてｐ型ＩｎＰ・・・をＬＰＥ成長する。・・・この後、活性層１２上、吸収層１３上および基板側に電極１７を形成する。こうして図１の素子が完成する。・・・この半導体レーザを用いて請求項２（３の誤記と認められる。）の光パルス発生方法について説明する。レーザの吸収層への注入電流を変調度２０％、繰り返し６６ＧＨｚで変調したところ、パルス幅は３ｐｓまで狭くなった。」（段落番号【００２８】〜【００３１】）、
「図２はこの一実施例の面発光型のモード同期半導体レーザの構造断面図である。ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に高抵抗層２６および・・・ＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ層からなる半導体多層膜反射鏡２４ｃを形成する。・・・この半導体多層膜鏡２４ｃの上に厚さ１００μｍのｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２５、３００μｍのノンドープＧａＡｓ吸収層、厚さ１００μｍのｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２５ａ、高抵抗層２６を形成する。さらにこの上に５対のＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ半導体多層膜反射鏡２４ｂ（反射率７０％）を形成し、再び厚さ１００μｍのｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２５ｂ、３００μｍのノンドープＧａＡｓ活性層２２、厚さ１００μｍのｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２５ｂを形成する。最後に７対のＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ半導体多層膜反射鏡２４ａ（反射率９０％）を形成する。・・・電極２７ａ〜ｄが設けられている。こうして図２の素子が完成する。・・・電極２７ｃ、２７ｄを用いて多層膜反射鏡２４を通じて吸収層２３に電流注入される。・・・さらに吸収層への注入電流を変調度２０％、繰り返し８０ＧＨｚで変調したところ、パルス幅は１ｐｓ以下であった。・・・次に図３により、請求項４の発明の一実施例について説明する。図３はモード同期レーザの構成を示す概略図であり、３１は出力ミラー、３３は光増幅媒質。３２は非線形エタロンでありその構造が円内に拡大して示されている。レーザ共振器は出力ミラー３１と非線形エタロン３２からなる。非線形エタロン３２は基板３６の上に構成した二対の多層膜反射鏡３５ａ、３５ｂによって挟まれた可飽和吸収体３４からなっている。」（段落番号【００３２】〜【００３６】）と記載されている。
　
（対比）
  本願の請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）と引用例１に記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、両者は、
「共鳴条件にそれぞれ対応している複数の光学周波数を有するファブリ・ペローエタロンを形成するように、離間して配置された第一の反射素子および第二の反射素子と、所定の光学周波数において、非線形光学吸収特性を有し、前記第一および第二の反射素子の間に設けられた可飽和吸収体とからなる非共鳴ファブリペロー可飽和吸収体において、前記所定の光学周波数は、前記ファブリ・ペローエタロンの非共鳴条件に相当する光学周波数であるよう、前記所定の光学周波数が前記複数の光学周波数のうちの隣接する二つの光学周波数の間にあり、前記所定の光学周波数において非線形光学吸収を有する非共鳴ファブリ・ペロー可飽和吸収体」である点で一致しており、
　非共鳴ファブリペロー可飽和吸収体が、本願発明では、「印加電圧により変化する非線形光学吸収特性を有し、第一および第二の反射素子の間に設けられた変調器とからなる非共鳴ファブリ・ペローＰＩＮ変調装置」であり、「前記変調器は、前記エタロンと一体に形成され、ｐ形ドープ領域と、真性領域と、ｎ形ドープ領域とを有するｐ−ｉ−ｎ変調器を構成する半導体材料からなり、前記真性領域は、前記ｐ形ドープ領域とｎ形ドープ領域の間に配置されている」のに対し、引用発明では、印加電圧により変化する非線形光学吸収特性を有する変調器を具備していない点、
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、「３つの分布ブラッグ反射領域により等価共振器長の等しい２つの結合した光共振器構造を持ち、この二つの光共振器中にそれぞれ光増幅媒体と可飽和吸収媒体を含むモード同期レーザ」、「ｉ層を可飽和吸収層とし、ｐ−ｉ−ｎ構造の半導体に注入する電流量を変調することにより強制モード同期をさせたレーザ」及び「光共振器を構成する２対の反射鏡のうちの一方の反射鏡が、内部に可飽和吸収体を含み、かつ内部の光周回時間が所望の光パルス時間幅よりも十分に短くなる間隙を有する平行平面鏡からなるエタロンであるモード同期レーザ」の発明が記載されており、モード同期レーザにおいて、強制モード同期とするために、ファブリ・ペローエタロン中の可飽和吸収体を、ｉ層を可飽和吸収層とするｐ−ｉ−ｎ構造の半導体とし、注入する電流量を変調する変調器とする技術が開示されているものと認められる。
　そして、本願明細書に「【産業上の利用分野】本発明は、ｐ−ｉ−ｎ変調器に関し、特にレーザーの能動モードロック用にレーザーのキャビティ内で用いられる変調器に関する。」と記載されているように、本願発明において、可飽和吸収体をｐ−ｉ−ｎ変調器により形成したのは、レーザーを能動モードロックとするためであり、引用発明において、レーザーを能動モードロックとするために、引用例２に開示された上記技術を適用して、本願発明の如く構成することに何ら困難性があるとは認められない。
　
（むすび）
　したがって、本願発明は、引用発明及び公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。