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　特願２００９−　２４８７１「ＳＯＩ基板の表面処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　９月２４日出願公開、特開２００９−２１８５７９、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年２月５日（優先権主張平成２０年２月１４日）の出願であって、平成２５年１月２４日付けの拒絶理由通知に対して、同年３月２９日に手続補正書及び意見書が提出され、同年６月３日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月９日に審判請求がなされるとともに、同日に手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成２５年９月９日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）の適否
　本件補正は、補正前の明細書の段落【０００７】を、補正後の明細書の段落【０００７】に補正するものであって、平成２５年３月２９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の内容と整合性をとるためのものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしていることは明らかである。
　したがって、本件補正は、適法になされたものである。
　
１．本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明（以下それぞれ「本願第１発明」〜「本願第６発明」という。）は、平成２５年９月９日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「　【請求項１】
ＳＯＩ基板の表面処理方法であって、少なくとも、
イオン注入層を形成したシリコンウェーハをドナーウェーハとし、その後前記ドナーウェーハとハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面にプラズマ活性化処理を行ってから貼り合わせ、しかる後に、３５０℃以下の熱処理で結合強度を増したものとし、その後、機械的衝撃を前記イオン注入層に加えて前記イオン注入層で剥離することにより前記ＳＯＩ基板を準備する工程と、
前記ＳＯＩ基板の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法、又は、ガスクラスターイオンビームを用いたＧＣＩＢ法によって処理する工程と、
前記処理を施したＳＯＩ基板を、アルゴン雰囲気中、又は、水素を４体積％以下含む不活性ガス雰囲気中で熱処理してアニールする工程とを有し、
前記アニール工程において、前記基板の表面の粗さをＲＭＳで０．３ｎｍ（１０μｍ×１０μｍ範囲）以下となるようにし、
前記ＳＯＩ基板のハンドルウェーハを、石英、ガラス、サファイア、ＳｉＣ、アルミナ、窒化アルミのいずれかとすることを特徴とするＳＯＩ基板の表面処理方法。
　　【請求項２】
前記アニール工程において、前記熱処理を９００℃以上１２５０℃以下の温度で施すことを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩ基板の表面処理方法。
　　【請求項３】
前記アニール工程において、前記不活性ガスを、窒素、アルゴン、ヘリウムのいずれかとすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩ基板の表面処理方法。
　　【請求項４】
イオン注入層を形成したシリコンウェーハをドナーウェーハとし、その後前記ドナーウェーハとハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面にプラズマ活性化処理を行ってから貼り合わせ、しかる後に、３５０℃以下の熱処理で結合強度を増したものとし、その後、機械的衝撃を前記イオン注入層に加えて前記イオン注入層で剥離することにより半導体薄膜層を準備する工程と、
前記半導体薄膜層の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法、又は、ガスクラスターイオンビームを用いたＧＣＩＢ法によって処理する工程と、
アルゴン雰囲気中、又は、水素を４体積％以下含む不活性ガス雰囲気中で熱処理してアニールする工程とを含み、
前記アニール工程において、前記半導体薄膜層の表面の粗さをＲＭＳで０．３ｎｍ（１０μｍ×１０μｍ範囲）以下となるようにし、
前記ハンドルウェーハを、石英、ガラス、サファイア、ＳｉＣ、アルミナ、窒化アルミのいずれかとする貼り合わせウェーハの製造方法。
　　【請求項５】
前記アニール工程において、前記熱処理を９００℃以上１２５０℃以下の温度で施すことを特徴とする請求項４に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
　　【請求項６】
前記アニール工程において、前記不活性ガスを、窒素、アルゴン、ヘリウムのいずれかとすることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。」
　
４．引用刊行物に記載された事項及び発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００５−３４０６２２号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１ないし３とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、水素イオン注入技術を用いて作製される酸化膜上に活性層を設けたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板とこの基板を製造する方法に関するものである。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
　次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
　図１に示すように、ＳＯＩ基板１１は、シリコン単結晶ウェーハからなる支持基板１２と、支持基板１２上に第１酸化膜２１を介して貼合せられるシリコン単結晶ウェーハからなる活性層１３とを備える。上記第１酸化膜２１は電気絶縁性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）であり、活性層１３の表面のみならず裏面及び側面を含む全面に形成される。支持基板１２には上記酸化膜は形成されない。また活性層１３の表面は、後述するプラズマエッチング法で生成した反応性ラジカル２８（図２）のみを選択的に用いてエッチングされる。活性層１３の厚さは１０〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜７０ｎｍの範囲に形成されかつ活性層１３全体における膜厚の差は１．５ｎｍ以下、好ましくは１．０ｎｍ以下に形成される。ここで、活性層１３の厚さを１０〜２００ｎｍの範囲に限定したのは、１０ｎｍ未満では凸凹の許容値が活性層１３の厚さの約１／１０と考えられており１ｎｍ以下にする必要があるけれども現在のプラズマエッチングでは対応できず、２００ｎｍを越えると逆に凸凹の許容値が大きくなり過ぎて活性層１３の膜厚を均一化できないからである。また活性層１３全体における膜厚の差を１．５ｎｍ以下に限定したのは、１．５ｎｍを越えると完全欠乏型ＳＯＩデバイス構造においてはＳＯＩ基板１１の面内の各チップでデバイス動作が安定しないからである。
【０００９】
　このように構成された
ＳＯＩ基板１１の製造方法
　先ず
シリコン単結晶ウェーハからなる活性層用基板１４の表面のみならず裏面及び側面を含む全面に熱酸化により電気絶縁性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ
2
膜）からなる第１酸化膜２１を形成する（図１（ａ））。
上記活性層用基板１４の表面から水素イオンを４×１０
16
／ｃｍ
2
〜１０×１０
16
／ｃｍ
2
のドーズ量及び２０〜２００ｋｅＶの加速エネルギでイオン注入する。これにより活性層用基板１４内部にイオン注入領域１６を形成する（図１（ｂ））。
上記活性層用基板１４と同一表面積を有するシリコン単結晶ウエーハからなる支持基板１２を用意する（図１（ｃ））。
上記活性層用基板１４を第１酸化膜２１を介して支持基板１２に重ね合せて密着させる（図１（ｄ））。この状態でこれらの基板１２，１４を窒素雰囲気中で４００〜８００℃、好ましくは４５０〜６００℃に、１〜３０分間、好ましくは１０〜３０分間保持して第１熱処理を行う。
イオン注入領域１６のところで割れて、上部の厚肉部１７と下部の薄い活性層１３に分離する（図１（ｅ））。下部の活性層１３は第１酸化膜２１を介して支持基板１２に密着し貼合せ基板１８となる（図１（ｆ））。
【００１０】
　
次にこの貼合せ基板１８の活性層１３全体における膜厚のばらつきを膜厚測定器により測定する。
　上記膜厚測定器を用いて活性層１３の膜厚を測定することにより、活性層１３の膜厚のばらつきを測定できる。上記活性層１３の膜厚を測定するときに、活性層１３全体における膜厚のばらつきを、活性層１３の中心から活性層１３周縁まで測定する、即ち活性層１３の半径をＲとし、膜厚を測定しない周縁のリング幅をｔとするとき、活性層１３の半径（Ｒ−ｔ）の範囲内で膜厚を測定する。このリング幅ｔは１〜３ｍｍ、好ましくは１〜２ｍｍである。
【００１１】
　
活性層１３の膜厚を測定した後、プラズマエッチング法により上記膜厚データから膜厚の大きい部分を多くエッチングし膜厚の小さい部分を少なくエッチングして活性層１３を上記所定の厚さまでエッチングする（図１（ｈ））。
「【００１４】
　
次に上記表面が平坦化された貼合せ基板１８を酸素、窒素、アルゴン又はこれらの混合ガス雰囲気中で９００〜１２００℃、好ましくは１０００〜１１５０℃に、３０〜１８０分間、好ましくは６０〜１２０分間保持する第２熱処理を行って、活性層１３と支持基板１２との第１酸化膜２１を介する貼合せを強固にする（図１（ｊ））。
【００１５】
　更に
第２熱処理により活性層１３表面を含む貼合せ基板１８の裏面及び側面に第２酸化膜２２が形成されており、この貼合せ基板１８を洗浄液に浸漬することにより上記第２酸化膜２２をエッチングして除去するとともに貼合せ基板１８を洗浄する。
洗浄液から活性層１３を引上げると、清浄化されたＳＯＩ基板１１が得られる（図１（ｋ））。
　
　そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「シリコン単結晶ウェーハからなる活性層用基板１４の全面にシリコン酸化膜からなる第１酸化膜２１を形成し、前記活性層用基板１４の表面から水素イオンをイオン注入することにより前記活性層用基板１４内部にイオン注入領域１６を形成し、シリコン単結晶ウエーハからなる支持基板１２を用意し、前記活性層用基板１４を前記第１酸化膜２１を介して前記支持基板１２に重ね合せて密着させ、前記支持基板１２及び前記活性層用基板１４を窒素雰囲気中で４００〜８００℃に、１〜３０分間保持して第１熱処理を行うことにより、前記活性層用基板１４が前記イオン注入領域１６のところで割れて、上部の厚肉部１７と下部の薄い活性層１３に分離することにより、前記活性層１３が前記第１酸化膜２１を介して前記支持基板１２に密着した貼合せ基板１８を作成し、
　前記貼合せ基板１８の前記活性層１３全体における膜厚のばらつきを測定し、その後、プラズマエッチング法により前記膜厚のばらつきのデータから前記膜厚の大きい部分を多くエッチングし前記膜厚の小さい部分を少なくエッチングして前記活性層１３を所定の厚さまでエッチングし、
　表面が平坦化された前記貼合せ基板１８を酸素、窒素、アルゴン又はこれらの混合ガス雰囲気中で９００〜１２００℃に、３０〜１８０分間保持する第２熱処理を行って、前記活性層１３と前記支持基板１２との前記第１酸化膜２１を介する貼合せを強固にし、
　前記貼合せ基板１８を洗浄液に浸漬することにより、前記第２熱処理により前記活性層１３表面を含む前記貼合せ基板１８の裏面及び側面に形成された第２酸化膜２２をエッチングして除去するとともに前記貼合せ基板１８を洗浄することにより、清浄化されたＳＯＩ基板１１を得る、
　ＳＯＩ基板１１の製造方法。」
　
５．本願第１発明と刊行物発明との対比・判断
（５−１）刊行物発明の「前記活性層１３が前記第１酸化膜２１を介して前記支持基板１２に密着した貼合せ基板１８を作成」することは、本願第１発明の「ＳＯＩ基板を準備する工程」に相当する。
　
（５−２）刊行物発明の「前記貼合せ基板１８の前記活性層１３全体における膜厚のばらつきを測定し、その後、プラズマエッチング法により前記膜厚のばらつきのデータから前記膜厚の大きい部分を多くエッチングし前記膜厚の小さい部分を少なくエッチングして前記活性層１３を所定の厚さまでエッチング」することと、本願第１発明の「前記ＳＯＩ基板の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法、又は、ガスクラスターイオンビームを用いたＧＣＩＢ法によって処理する工程」は、「前記ＳＯＩ基板の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法によって処理する工程」という点で共通する。
　
（５−３）刊行物発明の「表面が平坦化された前記貼合せ基板１８を酸素、窒素、アルゴン又はこれらの混合ガス雰囲気中で９００〜１２００℃に、３０〜１８０分間保持する第２熱処理を行って、前記活性層１３と前記支持基板１２との前記第１酸化膜２１を介する貼合せを強固に」することと、本願第１発明の「前記処理を施したＳＯＩ基板を、アルゴン雰囲気中、又は、水素を４体積％以下含む不活性ガス雰囲気中で熱処理してアニールする工程」とは、「前記処理を施したＳＯＩ基板を、アルゴン雰囲気中で熱処理してアニールする工程」という点で共通する。
　
（５−４）刊行物発明において、「前記貼合せ基板１８の前記活性層１３全体における膜厚のばらつきを測定し、その後、プラズマエッチング法により前記膜厚のばらつきのデータから前記膜厚の大きい部分を多くエッチングし前記膜厚の小さい部分を少なくエッチングして前記活性層１３を所定の厚さまでエッチング」することは、「貼合せ基板１８」の「活性層１３」の表面を処理することであるから、刊行物発明の「ＳＯＩ基板１１の製造方法」は、本願第１発明の「ＳＯＩ基板の表面処理方法」に相当する。
　
（５−５）そうすると、本願第１発明と刊行物発明とは、
「ＳＯＩ基板の表面処理方法であって、
ＳＯＩ基板を準備する工程と、
前記ＳＯＩ基板の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法によって処理する工程と、
前記処理を施したＳＯＩ基板を、アルゴン雰囲気中で熱処理してアニールする工程とを有するＳＯＩ基板の表面処理方法。」
である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）本願第１発明では、「イオン注入層を形成したシリコンウェーハをドナーウェーハとし、その後前記ドナーウェーハとハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面にプラズマ活性化処理を行ってから貼り合わせ、しかる後に、３５０℃以下の熱処理で結合強度を増したものとし、その後、機械的衝撃を前記イオン注入層に加えて前記イオン注入層で剥離することにより」、「ＳＯＩ基板を準備する」のに対して、刊行物発明では、「前記活性層１３が前記第１酸化膜２１を介して前記支持基板１２に密着した貼合せ基板１８を作成」する具体的工程について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）本願第１発明では、「前記アニール工程において、前記基板の表面の粗さをＲＭＳで０．３ｎｍ（１０μｍ×１０μｍ範囲）以下となるように」するのに対し、刊行物発明では、「活性層１３」の表面の粗さについて、特定がなされていない点。
　
（相違点３）本願第１発明では、「前記ＳＯＩ基板のハンドルウェーハを、石英、ガラス、サファイア、ＳｉＣ、アルミナ、窒化アルミのいずれかとする」のに対し、刊行物発明では、「支持基板１２」が「シリコン単結晶ウエーハ」からなる点。
　
（５−６）判断
　上記相違点のうち、相違点２について検討する。
　刊行物発明では、「前記第２熱処理により前記活性層１３表面を含む前記貼合せ基板１８の裏面及び側面に」「第２酸化膜２２」が「形成され」ていることから、「第２の熱処理」は、「前記活性層１３と前記支持基板１２との前記第１酸化膜２１を介する貼合せを強固に」するという目的でなされるものであって、それ以上に、「活性層１３」の表面の粗さ（ＰＭＳ）を改善することまでも意図してなされるものではないものと認められる。すなわち、「第２の熱処理」により、「活性層１３」の表面には「第２酸化膜２２」が形成され、その後、洗浄液に浸漬することより「第２酸化膜２２」をエッチング除去していることから、「第２の熱処理」後の「酸化膜２２」が形成された状態での「活性層１３」、あるいは、「第２酸化膜２２」がエッチング除去された状態での「活性層１３」において、その表面の粗さが改善されているかどうかは明らかでないものと認められる。
　そうすると、刊行物発明において、「第２の熱処理」の条件を適宜設定することにより、本願第１発明のように、「前記基板の表面の粗さをＲＭＳで０．３ｎｍ（１０μｍ×１０μｍ範囲）以下となるように」することは、当業者といえども想到し得ず、容易になし得たこととは言えない。
　
（５−７）まとめ
　以上の通りであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本願第１発明は、刊行物発明に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
６．本願第４発明と刊行物発明との対比・判断
（６−１）刊行物発明の「活性層１３」は、本願第４発明の「半導体薄膜層」に相当するから、刊行物発明の「前記活性層１３が前記第１酸化膜２１を介して前記支持基板１２に密着した貼合せ基板１８を作成」することは、本願第４発明の「半導体薄膜層を準備する工程」に相当する。
　
（６−２）刊行物発明の「前記貼合せ基板１８の前記活性層１３全体における膜厚のばらつきを測定し、その後、プラズマエッチング法により前記膜厚のばらつきのデータから前記膜厚の大きい部分を多くエッチングし前記膜厚の小さい部分を少なくエッチングして前記活性層１３を所定の厚さまでエッチング」することと、本願第４発明の「前記半導体薄膜層の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法、又は、ガスクラスターイオンビームを用いたＧＣＩＢ法によって処理する工程」は、「前記半導体薄膜層の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法によって処理する工程」という点で共通する。
　
（６−３）刊行物発明の「表面が平坦化された前記貼合せ基板１８を酸素、窒素、アルゴン又はこれらの混合ガス雰囲気中で９００〜１２００℃に、３０〜１８０分間保持する第２熱処理を行って、前記活性層１３と前記支持基板１２との前記第１酸化膜２１を介する貼合せを強固に」することと、本願第４発明の「アルゴン雰囲気中、又は、水素を４体積％以下含む不活性ガス雰囲気中で熱処理してアニールする工程」とは、「アルゴン雰囲気中で熱処理してアニールする工程」という点で共通する。
　
（６−４）刊行物発明の「ＳＯＩ基板１１の製造方法」は、本願第４発明の「貼り合わせウェーハの製造方法」に相当する。
　
（６−５）そうすると、本願第４発明と刊行物発明とは、
「半導体薄膜層を準備する工程と、
前記半導体薄膜層の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法によって処理する工程と、
アルゴン雰囲気中で熱処理してアニールする工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法。」
である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点４）本願第４発明では、「イオン注入層を形成したシリコンウェーハをドナーウェーハとし、その後前記ドナーウェーハとハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面にプラズマ活性化処理を行ってから貼り合わせ、しかる後に、３５０℃以下の熱処理で結合強度を増したものとし、その後、機械的衝撃を前記イオン注入層に加えて前記イオン注入層で剥離することにより半導体薄膜層を準備する」のに対して、刊行物発明では、「前記活性層１３が前記第１酸化膜２１を介して前記支持基板１２に密着した貼合せ基板１８を作成」する具体的工程について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点５）本願第４発明では、「前記アニール工程において、前記半導体薄膜層の表面の粗さをＲＭＳで０．３ｎｍ（１０μｍ×１０μｍ範囲）以下となるように」するのに対し、刊行物発明では、「活性層１３」の表面の粗さについて、特定がなされていない点。
　
（相違点６）本願第４発明では、「前記ハンドルウェーハを、石英、ガラス、サファイア、ＳｉＣ、アルミナ、窒化アルミのいずれかとする」のに対し、刊行物発明では、「支持基板１２」が「シリコン単結晶ウエーハ」からなる点。
　
（６−６）判断
　上記相違点のうち、相違点５について検討する。
　相違点５は、本願第１発明と刊行物発明の相違点２と同じであるから、上記（５−６）で述べたのと同様、刊行物発明において、「第２の熱処理」の条件を適宜設定することにより、本願第４発明のように、「前記アニール工程において、前記半導体薄膜層の表面の粗さをＲＭＳで０．３ｎｍ（１０μｍ×１０μｍ範囲）以下となるように」することは、当業者が容易になし得たこととは言えない。
　
（６−７）まとめ
　以上の通りであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本願第４発明は、刊行物発明に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
７．むすび
　以上のとおり、本願第１発明及びそれを引用する本願第２、３発明並びに本願第４発明及びそれを引用する本願第５、６発明は、刊行物発明に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえないから、原査定の理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。