【事件の表示】
　特許第３４２０４４７号「配線基板の実装構造」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４２０４４７号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】本件特許発明
　特許第３４２０４４７号(平成８年１０月３０日出願、平成１５年４月１８日設定登録)の請求項１〜６に係る発明(以下、「本件発明１〜６」という)は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項１】セラミックス絶縁基板と、該絶縁基板に配設されたメタライズ配線層と、前記絶縁基板に取着され前記メタライズ配線層と電気的に接続された複数の接続端子とを具備する配線基板を、少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に載置し、前記配線基板の接続端子と前記外部電気回路基板の配線導体とをロウ付けして実装してなる配線基板の実装構造において、下記数１
　　【数１】Ｆ＝Ｌ・Δα・ｔ−0.025・Ｌ３・Δα／Ｅ・ｔ３　　
式中、Ｌ：前記絶縁基板に取着された複数の接続端子のうち、２つの接続端子間の最大離間距離(mm)
　　Δα：前記配線基板における前記絶縁基板と前記外部電気回路基板との４０〜４００℃における熱膨張係数差(ppm／℃)
　　　ｔ：前記配線基板の厚み(mm)
　　　Ｅ：前記配線基板のヤング率(GPa)
で表されるＦ値が２００以下であり、Δαが０．２ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする配線基板の実装構造。
【請求項２】前記配線基板における配線基板の厚みｔが０．３ｍｍ以上、前記接続端子の最大離間距離Ｌが２０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の実装構造。
【請求項３】前記絶縁基板の４０〜４００℃における熱膨張係数が８〜２５ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の実装構造。
【請求項４】前記絶縁基板が、ガラスセラミック焼結体からなることを特徴とする請求項３記載の配線基板の実装構造。
【請求項５】前記外部電気回路基板の４０〜４００℃における熱膨張係数が８〜２８ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の実装構造。
【請求項６】前記絶縁基板が、Ｌｉ２Ｏを５〜３０重量％含有するリチウム珪酸ガラス２０〜８０体積％と、フォルステライト、クリストバライトおよびクォーツのうちの少なくとも１種を含むフィラー８０〜２０体積％とからなる混合物を成形し、焼成したものであることを特徴とする請求項４記載の配線基板の実装構造。」である。
　　　
【２】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　佐藤久美子は、甲第１号証(以下、「刊行物１」という)を提示し、本件発明１〜６は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることが出来ないものであり、その特許は取り消されるべきものであるとしている。
　また、本件は、その明細書の記載が不備であって、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされた特許であるから、その特許は取り消されるべきものであるとしている。
　　　証拠方法
　刊行物１；特開平８−２７９５７４号公報(甲第１号証)
　　　
【３】刊行物１の記載内容
　特許請求の範囲の【請求項１】に、
(刊a)「接続端子が取着された絶縁基板と、蓋体とから成る容器内部に半導体素子が収納され、前記接続端子と前記半導体素子の電極とが前記絶縁基板の表面あるいは内部に配設されたメタライズ配線層により電気的に接続されてなる半導体素子収納用パッケージを、少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に、前記半導体素子収納用パッケージの前記接続端子を前記配線導体にロウ付け接合し実装してなる半導体素子収納用パッケージの実装構造において、前記半導体素子収納用パッケージにおける絶縁基板がセラミック焼結体からなり、且つ４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０-7／℃であることを特徴とする半導体素子収納用パッケージの実装構造」と記載され、
　段落【0010】に、
(刊b)「半導体素子収納用パッケージの内部に半導体集積回路素子を収容し、しかる後、プリント基板などの外部電気回路基板に実装した場合、半導体集積回路素子の作動時に発する熱が絶縁基板と外部電気回路基板の両方に繰り返し印加されると前記絶縁基板と外部電気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生する。この熱応力は、パッケージにおける端子数が３００以下の比較的少ない場合には、大きな影響はないが、端子数が３００を超え、パッケージそのものが大型化するに従い、その影響が増大する傾向にある」と記載され、
　段落【0013】に、
(刊c)「接続端子が設けられた絶縁基板と、蓋体とから成る容器内部に半導体素子が収納され、前記球状端子と前記半導体素子の電極とが前記絶縁基板の表面あるいは内部に配設されたメタライズ配線層により電気的に接続されてなる半導体素子収納用パッケージを、その表面に配線導体を有し且つ少なくとも有機樹脂を含む絶縁体からなる外部電気回路基板上に、前記半導体素子収納用パッケージの前記接続端子を前記配線導体にロウ付けにより実装してなる半導体素子収納用パッケージの実装構造において、前記半導体素子収納用パッケージにおける絶縁基板が、セラミック焼結体からなり、且つ４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が８０〜１８０×１０-7／℃であることを特徴とする」と記載され、
　段落【0024】に、
(刊d)「外部電気回路基板Ｂは、絶縁体９と配線導体８により構成されており、絶縁体９さ、少なくとも有機樹脂を含む材料からなるプリント基板からなる。具体的には、ガラス−エポキシ系複合材料などのような４０〜４００℃における線熱膨張係数が１２〜１６ｐｐｍ／℃の絶縁材料からなる」と記載され、
　段落【0035】に、
(刊e)「焼結体としては、いわゆるガラス質焼結体あるいはガラス−セラミック焼結体が挙げられ、ガラス形成成分として、それ自体高熱膨張を有する化合物を添加して焼結体中の結晶相として高熱膨張係数を有する結晶相を析出させて熱膨張係数を制御することができる。これら焼結体の組成としては、ＳｉＯ2 を必須成分として、その他の成分がＬｉ、Ｎａなどのアルカリ金属、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＰおよびＢの群から選ばれる少なくとも１種以上の組み合わせからなり、かかる焼結体中に高熱膨張を有する結晶相、具体的には４０〜４００℃における熱膨張係数が６０×１０-7／℃以上の結晶相として、・・・・・群から選ばれる少なくとも１種以上が析出した焼結体が挙げられる。特に８０×１０-7／℃以上の結晶相が良い」と記載され、
　段落【0042】に、
(刊f)「ドクターブレード法により厚み５００μｍのグリーンシートを作製した」と記載され、
　段落【0043】に、
(刊g)「メタライズペーストが塗布されたグリーンシートをスルーホールの位置合わせを行いながら６枚積層し圧着した」と記載され、
　段落【0046】，【0047】に、
(刊h)「球状端子は、１ｃｍ2 当たり２５端子の密度で配線基板の下面全体に形成した。一方、ガラス−エポキシ基板からなる４０〜８００℃における熱膨張係数が１３０×１０-7／℃の絶縁体の表面に銅箔からなる配線導体が形成されたプリント基板を準備した」と記載され、
　段落【0054】に、
(刊i)「原料として、ＢａＣＯ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 、Ｌｉ2 Ｏ、ＣａＣＯ3 を用いて、表２の組成になるように秤量混合した」と記載され、
　段落【0056】，【0057】に、
(刊j)「ドクターブレード法により厚み５００μｍのグリーンシートを作製した。・・・・・メタライズペーストが塗布されたグリーンシートをスルーホールの位置合わせを行いながら６枚積層し圧着した」と記載され、
　段落【0059】，【0060】に、
(刊k)「なお、接続端子は、１ｃｍ2 当たり３０端子の密度で配線基板の下面全体に形成した。一方、ガラス−エポキシ基板からなる４０〜８００℃における熱膨張係数が１３０×１０-7／℃の絶縁体の表面に銅箔からなる配線導体が形成されたプリント基板を準備した」と記載され、
　段落【0062】に、
(刊l)「次に、上記のようにしてパッケージ用絶縁基板をプリント基板表面に実装したものを大気の雰囲気にて−４０℃と１２５℃の各温度に制御した恒温槽に試験サンプルを１５分／１５分の保持を１サイクルとして最高１０００サイクル繰り返した。そして、各サイクル毎にプリント基板の配線導体とパッケージ用絶縁基板との電気抵抗を測定し電気抵抗に変化が現れるまでのサイクル数を表２に示した」と記載され、
　段落【0065】に、
(刊m)「表２、３の結果から明らかなように、熱膨張係数が８０〜１８０×１０-7／℃のガラスセラミックスを絶縁基板として作製したパッケージ用絶縁基板では、昇降温１０００サイクル後もプリント基板の配線導体とパッケージ用絶縁基板との間に電気抵抗変化は全く見られず、極めて安定で良好な電気的接続状態を維持できた」と記載され、
　そして、(刊n)「【表１】〜【表３】には、各実施例に関するデータ」が記載されている。
　　　
【４】特許異議申立てに対する当審の判断
【４-1】特許法第２９条第１項違反について
　［１］本件発明１について、
　前記【３】段落の(刊a)〜(刊n)のどこを参照しても、本件発明１の発明特定事項である「配線基板の実装構造において、下記数１
　　【数１】Ｆ＝Ｌ・Δα・ｔ−0.025・Ｌ３・Δα／Ｅ・ｔ３　　
式中特に、Ｅ：前記配線基板のヤング率(GPa)
で表されるＦ値が２００以下」であるという点は、当該刊行物１にはまったく記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は前記発明特定事項により「配線基板の半導体回路素子の大型化による多端子化に十分対応できる信頼性の高い配線基板の実装構造」を予測・実現できるという特許明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１が、前記刊行物１に記載された発明であるとはいえない。（また、当該刊行物１の記載から当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。）
　［２］本件発明２〜６について、
　本件発明２〜６は、直接的または間接的に本件発明１を引用するものであって、更なる発明特定事項を有している。
　してみれば、前記［１］段落で述べたように、本件発明１が上記刊行物１に記載された発明でない以上、本件発明２〜６も必然の結果として当該刊行物１に記載された発明ではない。
　　　
【４-2】特許法第３６条の規定要件不充足について
　特許異議申立人は、記載不備の具体的内容について、「請求項１に係る発明は、数式１で算出されるパラメータＦ値で規定される。数式１の根拠については、【0022】から【0026】に定性的な説明があるが、右辺Ｂ項(Ｌ３・Δα／Ｅ・ｔ３)の係数0.025の数値を決定した根拠が何等開示されていない。またＦ値は応力の大きさを示すとしているが、右辺Ａ項(Ｌ・Δα・ｔ)には応力を表すパラメータを有さず、その導き出し方が何等説明されていないので、数式１の意味が不明確である。また、接続端子間の最大距離Ｌ、配線基板の厚みｔ等は、必要に応じて適宜設定される単なる設計事項であって、類似構造の公知の物においても様々に設定されている。しかしながら本件発明においては、Ｌが３０mm、７１mm、ｔが１．２mm、１．８mmの場合しか開示されておらず、前記公知の物においてＦ値が２００を超えるのかどうか不明であり、出願時の技術水準との関係が理解できないので、数式１で算出されるＦ値を２００以下として規定する発明の範囲が不明確である。さらに、請求項２〜６は、請求項１に従属しているから、同様の理由で不備がある」と主張している。
　しかし、本件特許明細書中に、【表１】〜【表４】で示されるように、接合・実装構造とＦ値との間には実際的相関が存在している。
　そして、前記明細書の段落【0011】の【課題を解決するための手段】に記載の如く、「本発明者らは、パッケージ等の配線基板の外部電気回路基板への実装時において発生する熱応力を緩和させる方法について種々検討を重ねた結果、配線基板における絶縁基板に取着された複数の接続端子のうち、２つの接続端子間の最大離間距離、配線基板における絶縁基板と配線基板を実装する外部電気回路基板との熱膨張係数差、配線基板の厚み、配線基板のヤング率を特定の関係になるように制御することにより、半田に発生する応力を軽減し、長期にわたり安定した実装が可能となることを見いだし、本発明に至った」としている。
　したがって、係数の０．０２５は、実験的手法により、Ｆ値について２００が目標値となるように決定されたものと解され、格別に不合理なものではない。
　さらに、数式１の右辺は、応力の「大きさ」を示すもので、所定の単位での各変数の数値を代入することにより、左辺のＦ値が次元のないパラメータとして【表１】〜【表４】に記載されている。
　よって、本件特許明細書に特許異議申立人が主張するような記載不備はなく、本件特許が、特許法第３６条に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとは認められない。
　　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年３月２９日（２００５．３．２９）