【事件の表示】
　平成３年特許願第３４８３０６号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成５年６月２５日出願公開、特開平　５−１６０２７２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 Ｉ．　手続の経緯及び本願発明　
　
　本願は、平成３年１２月４日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成９年１２月２２日付けの手続補正及び平成１０年６月１１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項に記載された次のとおりのものである。　
　「（１）素子の作り込まれた半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、
　（２）その上に第１の絶縁膜と異なる材質の第２の絶縁膜を形成する工程、
　（３）その上に第２の絶縁膜と異なる材質の第３の絶縁膜を形成する工程、
　（４）前記第２の絶縁膜をエッチングストッパー、もしくは、終点検出に用い、配線パターンの溝を前記第３の絶縁膜に形成する工程、　
　（５）第１、第２の絶縁膜に導通孔を開孔する工程、　
　（６）導体を全面に被着し、導体膜を形成する工程、　
　（７）前記工程（６）の次に前記導体膜をリフローして前記溝及び導通孔に前記導体を埋め込む工程、　
　（８）前記導体膜をエッチバックして、前記溝及び導通孔内部のみに導体を残す工程、　
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
　
ＩＩ．　 引用刊行物の記載内容　
　
１．　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−１９８３２７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、　
　「第２、３図において、41は例えばシリコン（Ｓｉ）からなる基板である下地の膜、42は例えばＰＳＧからなる第１の絶縁膜、43は例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる第２の絶縁膜、44は例えばＰＳＧからなる第３の絶縁膜、45は第３の絶縁膜44に形成された第１の開口部、46は第１の開口部に近接して第３の絶縁膜44に形成された開口部、47は第１及び第２の絶縁膜42、43に形成され第１の開口部45の幅より幅の小さい第２の開口部、48は例えばＡｌ又はＡｌ合金からなる配線用の金属層、49は第１レジスト膜、50は第２レジスト膜、51は第３レジスト膜、52はレーザ光である。　
　次にその製造方法について説明する。　
　まず、第２図（ａ）に示すように、下地の膜41上に例えばＰＳＧ膜を0.7μｍ程度の厚さに通常のＣＶＤ法で成長させて第１の絶縁膜42を形成し、この第１の絶縁膜42上に例えば0.15μｍ程度の膜厚までアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）をスパッタリングして第２の絶縁膜43を形成し、更に、第２の絶縁膜43上に例えばＰＳＧ膜を通常のＣＶＤ法で成長させて第３の絶縁膜44を形成する。次いで、第３の絶縁膜44上にレジストを塗布して第１レジスト膜49を形成した後、通常の露光・現像により第１レジスト膜49をパターニングし、第１レジスト膜49に所定の開口部49ａ、49ｂを形成するとともに配線領域以外の領域に第１レジスト膜49を残しておく。　
　次いで、第２図（ｂ）に示すように、第１レジスト膜49をマスクとして第３の絶縁膜44を例えばＲＩＥでエッチングして開口部49ａ、49ｂに対応する…第１の開口部45及び開口部46を…形成するとともに、この開口部45、46内に第２の絶縁膜43を露出させる。このとき、……Ａｌ２Ｏ３からなる第２の絶縁膜43はエッチングされず、ＰＳＧからなる第３の絶縁膜44（「ＰＳＧからなる第１の絶縁膜42」とあるは、文脈及び図面の記載からみて、「ＰＳＧからなる第３の絶縁膜44」の誤記であると認定した。）のみがエッチングされるので選択性が極めて良好である。次いで、第１の開口部45内から第３の絶縁膜44上を覆うようにレジストを塗布して第２レジスト膜50を形成した後、通常の露光・現像により所定の開口部50ａを形成して開口部50ａ内に第２の絶縁膜43を露出させておく。　
　次いで、第２図（ｃ）に示すように、第２レジスト膜50をマスクとしてエッチングし、絶縁膜42に開口部50ａに対応する第１の開口部45の幅より幅の小さい開口部47ａを形成するとともに、この開口部47ａ内に第１の絶縁膜42を露出させる。……次いで、…第１の絶縁膜42をエッチングし、開口部50ａ、47ａと略同一幅の開口部47ｂを形成するとともに開口部47ａ、47ｂからなる第２の開口部47内に下地の膜41を露出させる。次いで、第２の開口部47内の下地の膜41とコンタクトを取るように、第２の開口部47及び開口部46内から第３の絶縁膜44上を覆って例えばＡｌ又はＡｌ合金をスパッタリングにより0.6μｍ程度成長させ、配線用の金属層48を形成する。次いで、金属層48上にレジストを塗布して第３レジスト膜51を形成し、通常の露光・現像により第１の開口部45、開口部46より僅かに大きい幅に太らせて第３レジスト膜51をパターニングし、この第３レジスト膜51をマスクとして…金属層48をＲＩＥでエッチングする。　
　次いで、第２図（ｄ）に示すように、金属層48上から第３レジスト膜51を除去した後、金属層48上にレーザ光５２を照射する。……このとき、レーザ光52を照射された金属層48は溶融し、粘性流動することにより、第２図（ｅ）に示すように、 第１の開口部45及び開口部46の近傍の金属層48が第１の開口部45及び開口部46内に流れ込む。」（第９頁左上欄第２行〜第１０頁左上欄第５行）、　
　「このように、本実施例においては、配線用の金属層48を埋め込む第１の開口部45を形成する際、第２の絶縁膜43をエッチングストッパ−としているので、第３の絶縁膜44の膜厚に応じた所定深さの第１の開口部45を容易かつ高精度に形成することができる。」（第１０頁右上欄第３〜８行）、　
　「さらに、……下地の膜41に深さ0.1μｍのｐ−ｎ接合を形成した場合でもこのｐ−ｎ接合はレーザ光52の照射後も正常であり、金属層48がない領域の下層に位置する素子も何ら損傷することがなかった。」（第１０頁右上欄第１１〜８行）、　
と記載されている。　
　
２．　第２図（ｅ）には、シリコンからなる基板である下地の膜41、第１の絶縁膜42中の開口部47ｂ、第２の絶縁膜43中の開口部47ａ及び第３の絶縁膜44中の第１の開口部45並びに第３の絶縁膜44中の開口部46に金属層48が埋め込まれた、すなわち、開口部47ｂ、47ａ及び45並びに開口部46の内部のみに金属層48が残された半導体装置の構造が示されている。　
　
３． 以上をまとめると、引用刊行物には、　
　「（１）素子の作り込まれたシリコン（Ｓｉ）からなる基板41上に第１の絶縁膜42を形成する工程、　
　（２）その上に第１の絶縁膜42と異なる材質の第２の絶縁膜43を形成する工程、　
　（３）その上に第２の絶縁膜43と異なる材質の第３の絶縁膜44を形成する工程、　
　（４）前記第２の絶縁膜43をエッチングストッパーに用い、開口部46及び第１の開口部45を前記第３の絶縁膜44に形成する工程、　
　（５）前記第２の絶縁膜43、前記第１の絶縁膜42にそれぞれ開口部47ａ、開口部47ｂを形成する工程、　
　（６）金属をスパッタリングで全面に被着し、金属層48を形成する工程、　
　（７）前記金属層48上にレジストを塗布して第３レジスト膜51を形成する工程、　
　（８）前記第３レジスト膜51を、第１の開口部45、開口部46より僅かに大きい幅に太らせてパターニングする工程、　
　（９）前記第３レジスト膜51をマスクとして金属層48をエッチングする工程、　
　（10）前記第３レジスト51を除去する工程、　
　（11）前記金属層48上にレーザ光52を照射し、前記第３の絶縁膜44中の前記開口部46及び前記第１の開口部45の近傍の金属層48を溶融し、粘性流動させ、前記第３の絶縁膜44中の前記開口部46及び前記第１の開口部45に流れ込ませ、前記第３の絶縁膜44中の前記開口部46並びにシリコンからなる基板41を底とした前記第１の絶縁膜42中の前記開口部47ｂ、前記第２の絶縁膜43中の前記開口部47ａ及び前記第３の絶縁膜44中の前記第１の開口部45のみに、前記金属層48を残す工程、　
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」　
が記載されているものと認められる。　
　
ＩＩＩ．対比　
　
　引用刊行物には「配線領域以外の領域に第１レジスト膜49を残しておく。…第１レジスト膜49をマスクとして第３の絶縁膜44を…エッチングして開口部49ａ、49ｂに対応する…第１の開口部45及び開口部46を…形成するとともに、この開口部45、46内に第２の絶縁膜43を露出させる。」、「第２レジスト膜50をマスクとしてエッチングし、絶縁膜42に開口部50ａに対応する第１の開口部45の幅より幅の小さい開口部47ａを形成する……第１の絶縁膜42をエッチングし、開口部50ａ、47ａと略同一幅の開口部47ｂを形成するとともに開口部47ａ、47ｂからなる第２の開口部４７内に下地の膜41を露出させる。」及び「レーザ光52を照射された金属層48は溶融し、粘性流動することにより、第２図（ｅ）に示すように、…金属層48が第１の開口部45及び開口部46内に流れ込む。」と記載されていることから、引用刊行物にいう「第１の開口部45」及び「開口部46」は、本願発明における「配線パターンの溝」に相当し、引用刊行物にいう「開口部47ａ」及び「開口部47ｂ」は、本願発明における「導通孔」に相当するものと解される。また、引用刊行物にいう「金属」、「金属層48」は、本願発明における「導体」、「導体膜」にそれぞれ相当し、更に、引用刊行物における「金属層48を溶融し、粘性流動させ」るということは、本願発明における「導体膜をリフロー」させるということに相当する。　
　したがって、本願発明と引用刊行物に記載された発明とを対比すると、両者は、　
　「（１）素子の作り込まれた半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、　
　（２）その上に第１の絶縁膜と異なる材質の第２の絶縁膜を形成する工程、　
　（３）その上に第２の絶縁膜と異なる材質の第３の絶縁膜を形成する工程、　
　（４）前記第２の絶縁膜をエッチングストッパーに用い、配線パターンの溝を前記第３の絶縁膜に形成する工程、　
　（５）第１、第２の絶縁膜に導通孔を開孔する工程、　
　（６）導体を全面に被着し、導体膜を形成する工程、　
　（８）前記溝及び導通孔内部のみに導体を残す工程、　
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」      　  
である点で一致しており、　
　本願発明では、「（７）前記工程（６）（「導体を全面に被着し、導体膜を形成する工程」）の次に前記導体膜をリフローして前記溝及び導通孔に前記導体を埋め込む工程、（８）前記導体膜をエッチバックする工程」を備えているのに対し、引用刊行物に記載された発明では、「（７）導体上にレジストを塗布して第３レジスト膜51を形成する工程、（８）第３レジスト膜51を、前記溝、導通孔より僅かに大きい幅に太らせてパターニングする工程、（９）前記第３レジスト膜51をマスクとして導体膜をエッチングする工程、（10）前記第３レジスト膜51を除去する工程、（11）前記導体膜をリフローして前記溝及び前記導通孔に前記導体を流れ込ませ、埋め込む工程」を備えている点、　
で相違している。　
　
ＩＶ．　判断   　 
　
　前記相違点について検討する。　
　本願発明も引用刊行物に記載された発明も、ともに、「配線パターンの溝及び導通孔内部のみに導体を残す」半導体装置の構造とすることを目的とするものであるが、両者は、前記構造とするための、導体を全面に被覆し導体膜を形成する工程の後の工程において相違しているものである。　
　ところで、「配線パターンの溝及び導通孔内部のみに導体を残す」半導体装置の構造とするために、導体を全面に被着し、導体膜を形成する工程の次に、「導体膜をリフローして配線パターンの溝及び導通孔に導体を埋め込み、次いで、前記導体膜をエッチバックする」ことは、本願出願前周知の技術である（例えば、特開昭６３−２１３３６０号公報、特開平３−２０１５３４号公報を参照）。　
　しかも、「導体を全面に被覆し、導体膜を形成する工程」を経て、「配線パターンの溝及び導通孔内部のみに導体を残す」ために、引用刊行物に記載された発明における前記（７）ないし（11）の工程を前記周知の技術の工程で置き換え、もって前記相違点に係る本願発明の構成とすることを阻害する特段の事由は見出せない。　
　以上からすれば、前記相違点は、引用刊行物に記載された発明における工程の一部を前記周知の技術で置換することにより、当業者が容易になし得たことである。　
　
Ｖ．　　結び　
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が格別の創意工夫を要することなく、容易に発明をすることができたものである。したがって、本願発明については特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。