【事件の表示】
　特願２００８−１５８１７７「ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月１８日出願公開、特開２００８−２１９０５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年（２００３年）１０月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年１０月３０日、ドイツ、２００２年１２月１０日、ドイツ）を国際出願日とする特願２００４−５４７４０８号（以下「原出願」という。）の一部を平成２０年６月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年９月５日及び平成２４年５月１５日に特許請求の範囲の補正がなされたが、平成２４年７月２５日付けで、同年５月１５日になされた補正が却下されるとともに拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされたものである（以下、この平成２４年１１月２７日になされた補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
　１　結論
　本件補正を却下する。
 　 
　２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「チップから放射される一次ビームの少なくとも一部がルミネセンス変換材料によって変換される、発光ダイオード光源を製造するための方法において、
　表側の電気的なコンタクトを電気的なコンタクト面の形状で有するチップを準備するステップと、
　前記表側の電気的なコンタクトを前記電気的なコンタクト面に導電性材料を被着させることにより厚くするステップと、
　前記チップを前記ルミネセンス変換材料でもってコーティングするステップとを有し、
　前記一次ビームを放射するチップは複数の別の同種のチップと共にウェハ結合体に存在し、
　前記チップを前記ルミネセンス変換材料でもってコーティングする前に、個々のチップ間の切断線に沿って溝を形成し、
後に前記ルミネセンス変換材料でもってチップをコーティングする際に、前記溝を
　
前記チップのコーティング後に、前記発光ダイオード光源の色位置（ＣＩＥカラーチャート）の調節を実施し、前記発光ダイオード光源の色位置を、前記ルミネセンス変換材料からなる層の薄層化によって、該ルミネセンス変換材料からなる層の厚さを介して調節し、
　続いて前記チップをウェハ結合体から発光ダイオード光源に個別化することを特徴とする、発光ダイオード光源を製造するための方法。」
に補正することを含むものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
（２）刊行物の記載
　ア　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−６４１１２号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。
　
（ア）「【請求項１】 光電子部品素子が複数形成され、当該光電子部品素子各々に対して接続電極が形成された基板表面に溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された基板表面に透明樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記基板の裏面に透明樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝が形成された位置を切断して個々の光電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴とする光電子部品の製造方法。
・・・
【請求項３】 前記溝は、前記基板に形成された光電子部品素子間に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光電子部品の製造方法。
【請求項４】 前記光電子部品素子は、青色領域の光を発することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の光電子部品の製造方法。
【請求項５】 前記透明樹脂は、前記光電子部品素子から発せられる光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質を含むことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の光電子部品の製造方法。
・・・
【請求項８】 前記第１塗布工程と前記第２塗布工程との間に、第１塗布工程で基板表面に塗布した樹脂を研磨して前記接続電極を露出させる研磨工程を更に有することを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の光電子部品の製造方法。」
　
（イ）「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一実施形態による光電子部品の製造方法について詳細に説明する。尚、以下の説明においては、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）チップを封止して光電子部品を製造する場合を例に挙げて説明する。図１は、本発明の一実施形態による光電子部品の製造方法の工程順を示すフローチャートであり、図２は、複数の光電子部品素子としてのＬＥＤチップが形成された半導体基板を示す斜視図であり、図３は、複数のＬＥＤチップが形成された半導体基板表面を拡大した上面図である。また、図４〜図６は、本発明の一実施形態による電子部品の製造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための断面図である。尚、以下の説明においては図１に示した工程手順について適宜図２〜図６を参照して説明する。
【００１２】まず、本実施形態において、光電子部品を製造するには、図２に示した複数のＬＥＤチップ１２が形成された半導体基板１０を用いる。本実施形態においては、ＬＥＤチップ１２として青色領域の光を発するＺｎＳｅ系のＬＥＤチップやＧａＮ系のＬＥＤチップを想定している。ＺｎＳｅ系のＬＥＤチップは、例えば半導体基板１０としてＺｎＳｅ基板を用い、ＺｎＳｅ基板上に順にｎ型のＺｎＳｅ層、ＺｎＣｄＳｅ層とＺｎＴｅＳｅ層とからなる多層膜、及びｐ型のＺｎＳｅ層を形成する。そして、ＬＥＤチップの一部をエッチング等によって除去し、ｎ型のＺｎＳｅ層にＩｎ等を用いて負電極を形成し、更にｐ型のＺｎＳｅ層にオーミックコンタクトにより正電極（例えば、金（Ａｕ））を形成する。
【００１３】ＧａＮ系のＬＥＤチップは、例えば半導体基板１０としてサファイア基板を用い、サファイア基板上に順にバッファ層、ｎ型のＧａＮ層、ＳｉをドープしたＧａＮ層、ＧａＮ層とＳｉをドープしたＩｎxＧａyＮ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１）層とからなる多層膜、Ｍｇをドープしたｐ型のＩｎxＧａyＮ層、及びＭｇをドープしたｐ型のＧａＮ層を形成する。そして、ＬＥＤチップの一部をエッチング等によって除去し、ｎ型のＧａＮ層にＮｉ等を用いて負電極を形成し、更にＭｇをドープしたｐ型のＧａＮ層にＮｉを用いて正電極を形成する。
【００１４】図３及び図４（ａ）に示したように、本実施形態では、各ＬＥＤチップ１２の負電極１４と正電極１６とが半導体基板１０の表面側に形成されており、半導体基板１０の厚み方向における負電極１４と正電極１６との位置が異なる構造のＬＥＤチップ１２を例に挙げて説明する。尚、図４（ａ）は図３中のＡ−Ａ線断面図である。
【００１５】処理が開始すると、
半導体基板１０上に複数形成されたＬＥＤチップ１２の負電極１４及び正電極１６上に接続電極としてのバンプを形成する工程が行われる
【００１６】バンプ１８，２０を形成する処理が終了すると、次に個々のＬＥＤチップ１２間に溝を形成する工程が行われる（工程Ｓ１２）。図４（ｃ）は、ＬＥＤチップ１２間に溝を形成する様子を示す断面図である。溝を形成するにあたり、まず半導体基板１０の裏面にシート２２を貼付する。このシート２２は、半導体基板１０に溝を形成した際に半導体基板１０が個々に離散するのを防止するとともに、半導体基板１０の表面に樹脂を印刷により塗布する際に、塗布した樹脂の漏れを防ぐために半導体基板１０の裏面に貼付される。尚、シート２２は印刷した封止樹脂を高温下で硬化させる場合には、樹脂硬化温度に耐え得るものが用いられる。
【００１７】半導体基板１０の裏面にシート２２を貼付した後、切断機２４を用いてＬＥＤチップ１２間に溝が形成される。切断機２４は、例えば０．０５〜０．４ｍｍ程度の幅を有する溝を形成するものが用いられる。この切断機２４を用いて半導体基板１０に溝を形成する訳であるが、図４（ｃ）に示した例では、半導体基板１０の表面から半導体基板１０の裏面に貼付したシート２２に至る溝２６が形成される。尚、図３に示したように個々のＬＥＤチップ１２の形状は矩形形状であり、溝２６はＬＥＤチップ１２の４辺全てに形成され、個々のＬＥＤチップ１２の周囲を取り囲むように形成される。
【００１８】半導体基板１０に溝２６が形成されると、溝２６が形成された半導体基板１０を図示しない樹脂印刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真空下においてバンプ１８，２０及び溝２６が形成された半導体基板１０表面に対して透明樹脂２８を印刷により塗布する工程が行われる（工程Ｓ１４）。図５（ａ）は、バンプ１８，２０及び溝２６が形成された半導体基板１０表面に対して透明樹脂２８を印刷により塗布した様子を示す断面図である。
【００１９】透明樹脂２８の印刷は、半導体基板１０の直径よりも僅かに小さい径の孔が形成された図示しない印刷用の孔版と孔版上を摺動するスキージとを用いて行われる。本実施形態で用いる透明樹脂２８は液状のものであり、硬化後に半導体基板１０の反りが極めて少なくなるよう抑えられるものが好ましい。尚、本実施形態では、ＬＥＤチップ１２が青色領域の光を発し、ＬＥＤチップ１２から発せられた光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する光電子部品を製造する場合を例に挙げて説明している。ここで、波長変換を行うための蛍光物質が透明樹脂２８に混合されている。
【００２０】ここで、蛍光物質とは、少なくともＬＥＤチップ１２から発せられた可視光で励起されて可視光を発光する蛍光物質をいう。ＬＥＤチップ１２から発せられた可視光と、蛍光物質から発せられる可視光とが補色関係などにある場合やＬＥＤチップ１２からの可視光とそれによって励起され発光する蛍光物質の可視光がそれぞれ光の３原色（赤色領域の光、緑色領域の光、青色領域の光）に相当する場合、ＬＥＤチップ１２から発せられる光と蛍光物質から発せられる光とを混色表示させると白色系の発光色表示を行うことができる。また、蛍光物質を適宜調整したり、ＬＥＤチップ１２から発せられる光の波長を選択することにより光電子部品から発せられる光を、白色を含め電球色等の任意の色調にすることができる。
・・・
【００２２】印刷を行う際には、まず、半導体基板１０の上面に孔版を接触させて配置する。このとき、孔版に形成された孔が半導体素子１０表面に形成されたＬＥＤチップの上方に位置するよう孔版を配置する。つまり、孔版がＬＥＤチップを覆わないよう孔版を配置する。次に、孔版上に透明樹脂２８を滴下し、スキージを孔版の面に沿って摺動させる。スキージを摺動させることにより、透明樹脂２８が孔版に形成された孔内に流入するとともに、孔内に流入した透明樹脂２８の上面が孔版と同一の高さになり、且つ上面が平坦となる。このとき、半導体基板１０に形成された溝２６内部に封止樹脂が充填される。
・・・
【００２４】透明樹脂２８の印刷が終了すると、印刷した透明樹脂２８を硬化させ、硬化後に半導体基板１０の裏面に貼付されたシート２２を剥離して、バンプ１８，２０が露出するまで透明樹脂２８を研磨する工程が行われる（工程Ｓ１６）。図５（ｂ）はは、透明樹脂２８を研磨してバンプ１８，２０が露出した様子を示す断面図である。透明樹脂２８がバンプ１８，２０を覆っていると、ＬＥＤチップとマザーボード等の外部の回路とを電気的に接続することができないため、接続電極としてのバンプ１８，２０を露出させる目的でこの工程が設けられる。
・・・
【００２６】以上の工程が終了すると、次に半導体基板１０の裏面に透明樹脂３０を塗布する工程が行われる（工程Ｓ１８）。図５（ｃ）は、半導体基板１０の裏面に透明樹脂３０を塗布した状態を示す断面図である。この透明樹脂３０は、前述した透明樹脂２８と同様に液状のものであり、波長変換を行うための蛍光物質が混合されている。透明樹脂３０の塗布は、透明樹脂２８を塗布する場合と同様に印刷により塗布することが好ましく、更に真空下で印刷を行うことが好ましい。透明樹脂３０の塗布が完了すると、塗布した透明樹脂３０を硬化させる工程が行われる（工程Ｓ２０）。ここで、透明樹脂２０も熱風乾燥機を用いて乾燥させることにより硬化させる。
・・・
【００２９】最後に、透明樹脂２８及び透明樹脂３０を切断することによりＬＥＤチップ１２を個々に分離して光電子部品３８を形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。図６（ｂ）は、ＬＥＤチップ１２を個々に分離して光電子部品３８を形成する様子を示す断面図である。ＬＥＤチップ１２の分離にあたって、透明樹脂３０の表面にシート３４を貼付する。このシート３４は、ＬＥＤチップ１２を分離することよって光電子部品３８を得る際に、光電子部品３８が個々に離散するのを防止するために貼付される。
【００３０】ＬＥＤチップ１２の分離は、ダイシング装置３６によって行う。ダイシング装置３６によって切断を行う際には、工程Ｓ１２において形成した溝２６のほぼ中央部を切断する。尚、切断は通常のダイシング装置を用いることができるが、レーザを用いたレーザ切断装置を用いても良い。また、ダイシング装置の切断刃の厚みは５〜２００μｍ程度であって、溝２６の幅より薄いものである。」
　
（ウ）「【００３３】以上、本発明の一実施形態による光電子部品の製造方法について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態における工程Ｓ１２では、図４（ｃ）に示したように、半導体基板１０の裏面にシート２２を貼付して切断機２４により、半導体基板１０の表面からシート２２に至る溝２６を形成していた。
【００３４】しかしながら、
半導体基板１０の厚みの半分程度の深さを有する溝を形成
　
　イ　同じく特開２００１−１７７１５８号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
「【００１６】請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の半導体発光装置の製造方法であって、（１）前記発光素子の基板が上を向く姿勢として前記ｐ側及びｎ側の電極をそれぞれ導通基板側に導通搭載する工程と、（２）少なくとも前記基板が上を向いた面として形成される主光取出し面を含めて前記発光素子の周りを、
波長変換用の蛍光物質を含有する樹脂材料によって被膜する
樹脂材料を主光取出し面と平行になるように研磨して波長変換層を形成することで色度むらのない波長変換光が得られるとともに、研磨量を調整することで波長変換度も調節でき発光色の色調の調整も自在に行える
　
（３）引用発明
　上記（２）アによれば、刊行物１には、
「青色領域の光を発する光電子部品素子が複数形成され、当該光電子部品素子各々の電極上に接続電極としてのバンプが形成された基板表面に半導体基板の厚みの半分程度の深さを有する溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された基板表面に透明樹脂を塗布する第１塗布工程と、第１塗布工程で基板表面に塗布した樹脂を研磨して前記接続電極を露出させる研磨工程と、前記基板の裏面に透明樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝が形成された位置を切断して個々の光電子部品に分離する分離工程とを有する光電子部品の製造方法において、前記溝は、前記基板に形成された光電子部品素子間に形成され、前記透明樹脂は、前記光電子部品素子から発せられる光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質を含む光電子部品の製造方法」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
（４）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
　ア　引用発明の「青色領域の光電子部品素子」及び「前記光電子部品素子から発せられる光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質」は、それぞれ、本願補正発明の「チップ」及び「ルミネセンス変換材料」に相当し、引用発明の「光電子部品の製造方法」は、本願補正発明の「チップから放射される一次ビームの少なくとも一部がルミネセンス変換材料によって変換される、発光ダイオード光源を製造するための方法」との特定事項を備えるものといえる。
　
　イ　引用発明は、「基板表面」に形成された「光電子部品素子各々」の「電極上に接続電極としてのバンプが形成された」ものであるから、引用発明の「光電子部品素子各々の電極」及び「バンプ」は、それぞれ、本願補正発明の「電気的なコンタクト面」及び「導電性材料」に相当し、引用発明は、本願補正発明の「表側の電気的なコンタクトを電気的なコンタクト面の形状で有するチップを準備するステップ」及び「前記表側の電気的なコンタクトを前記電気的なコンタクト面に導電性材料を被着させることにより厚くするステップ」との特定事項を備えるものといえる。
　
　ウ　引用発明の「前記光電子部品素子から発せられる光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質を含む」「透明樹脂」を「基板表面」に「塗布する第１塗布工程」は、本願補正発明の「前記チップを前記ルミネセンス変換材料でもってコーティングするステップ」に相当する。
　
　エ　引用発明の「基板」は、本願補正発明の「ウェハ結合体」に相当し、該「基板」表面には、「青色領域の光を発する光電子部品素子が複数形成され」ているから、引用発明は、本願補正発明の「前記一次ビームを放射するチップは複数の別の同種のチップと共にウェハ結合体に存在し」との特定事項を備えるものといえる。
　
　オ　引用発明の「溝」は、「光電子部品素子間」に形成され、同じく「第１塗布工程」は、「前記溝が形成された基板表面に透明樹脂を塗布する」工程であり、引用発明の「分離工程」は、「前記溝が形成された位置を切断して個々の光電子部品に分離する」工程であるから、引用発明は、本願補正発明の前記チップを前記ルミネセンス変換材料でもってコーティングする前に、個々のチップ間の切断線に沿って溝を形成し、後に前記ルミネセンス変換材料でもってチップをコーティングする際に、前記溝を少なくとも部分的に前記ルミネセンス変換材料でもって充填し」、「続いて前記チップをウェハ結合体から発光ダイオード光源に個別化する」との特定事項を備えるものといえる。
　
　カ　以上によれば、本願補正発明と引用発明とは、
「チップから放射される一次ビームの少なくとも一部がルミネセンス変換材料によって変換される、発光ダイオード光源を製造するための方法において、
　表側の電気的なコンタクトを電気的なコンタクト面の形状で有するチップを準備するステップと、
　前記表側の電気的なコンタクトを前記電気的なコンタクト面に導電性材料を被着させることにより厚くするステップと、
　前記チップを前記ルミネセンス変換材料でもってコーティングするステップとを有し、
　前記一次ビームを放射するチップは複数の別の同種のチップと共にウェハ結合体に存在し、
　前記チップを前記ルミネセンス変換材料でもってコーティングする前に、個々のチップ間の切断線に沿って溝を形成し、後に前記ルミネセンス変換材料でもってチップをコーティングする際に、前記溝を少なくとも部分的に前記ルミネセンス変換材料でもって充填し、
　続いて前記チップをウェハ結合体から発光ダイオード光源に個別化する、発光ダイオード光源を製造するための方法。」
である点で一致し、
「本願補正発明は、『前記チップのコーティング後に、前記発光ダイオード光源の色位置（ＣＩＥカラーチャート）の調節を実施し、前記発光ダイオード光源の色位置を、前記ルミネセンス変換材料からなる層の薄層化によって、該ルミネセンス変換材料からなる層の厚さを介して調節』するのに対して、引用発明は、かかる調節を行うものかどうか不明である点」（以下、単に「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
（５）判断
　　ア　前記（２）ア（イ）の「ＬＥＤチップ１２から発せられた可視光と、蛍光物質から発せられる可視光とが補色関係などにある場合やＬＥＤチップ１２からの可視光とそれによって励起され発光する蛍光物質の可視光がそれぞれ光の３原色（赤色領域の光、緑色領域の光、青色領域の光）に相当する場合、ＬＥＤチップ１２から発せられる光と蛍光物質から発せられる光とを混色表示させると白色系の発光色表示を行うことができる。また、蛍光物質を適宜調整したり、ＬＥＤチップ１２から発せられる光の波長を選択することにより光電子部品から発せられる光を、白色を含め電球色等の任意の色調にすることができる」との記載のとおり、引用発明は、発光色をしかるべきものとすることを念頭においた発明である。
　
　イ　そして、引用発明は、「第１塗布工程で基板表面に塗布した樹脂を研磨して前記接続電極を露出させる研磨工程」を備えるところ、前記（２）イによれば、刊行物２には、波長変換用の蛍光物質を含有する樹脂材料の研磨量を調整することで発光色の色調の調整も自在に行えるとの知見が開示されていることが認められるから、引用発明の上記「研磨工程」を行う際に、研磨量を調整することで発光色の色調の調整を行うこと、すなわち、相違点に係る本願補正発明の特定事項を備えるものとすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　ウ　そして、本願補正発明において、引用発明ないし刊行物１及び２の記載事項から予測困難なほどの格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。
　
（６）補正却下の決定のむすび
　以上の検討によれば、本願補正発明は、当業者が引用発明及び刊行物２の記載事項に基づいて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願の請求項に係る発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年７月４日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「チップから放射される一次ビームの少なくとも一部がルミネセンス変換材料によって変換される、発光ダイオード光源を製造するための方法において、
　表側の電気的なコンタクトを電気的なコンタクト面の形状で有するチップを準備するステップと、
　前記表側の電気的なコンタクトを前記電気的なコンタクト面に導電性材料を被着させることにより厚くするステップと、
　前記チップを前記ルミネセンス変換材料でもってコーティングするステップとを有し、
　前記一次ビームを放射するチップは複数の別の同種のチップと共にウェハ結合体に存在し、
　前記チップを前記ルミネセンス変換材料でもってコーティングする前に、個々のチップ間の切断線に沿って溝を形成し、該溝を、後続のチップのコーティングの際に、少なくと
も部分的に前記ルミネセンス変換材料でもって充填し、
　続いて前記チップをウェハ結合体から発光ダイオード光源に個別化することを特徴とする、発光ダイオード光源を製造するための方法。」
　
　２　判断
　本願発明は、本願補正発明の「前記チップのコーティング後に、前記発光ダイオード光源の色位置（ＣＩＥカラーチャート）の調節を実施し、前記発光ダイオード光源の色位置を、前記ルミネセンス変換材料からなる層の薄層化によって、該ルミネセンス変換材料からなる層の厚さを介して調節し」との特定事項、すなわち、前記第２、２（４）カの、相違点に係る本願補正発明の特定事項を除いたものに相当すると認められるから、本願発明と引用発明との間に相違するところはないことは、明らかである。
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明というべきである。
　
　３　むすび
　上記のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。