(57)【要約】【課題】同一の機能を有する検出部を複数備える場合であっても、夫々の検出部のセンシング精度の差異を低減できる変位センサを提供する。【解決手段】変位センサ１は、互いに同じ検出対象の変位量を検出し、変位量を検出する検出面１１が互いに対向して配置される一対の第１検出部１０と、一対の第１検出部１０と同じ検出対象の変位量を検出し、変位量を検出する検出面２１が互いに対向して配置される一対の第２検出部２０と、一方の面３１Ａに一対の第１検出部１０が配置され、他方の面３１Ｂに一対の第２検出部２０が配置されるメインフレーム３１、及び一対の第１検出部１０及び一対の第２検出部２０の夫々の検出面１１，２１に設けられた電極１２，２２とワイヤボンディングされるサブフレーム３２を有するリードフレーム３０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに同じ検出対象の変位量を検出し、前記変位量を検出する検出面が互いに対向して配置される一対の第１検出部と、
前記一対の第１検出部と同じ検出対象の変位量を検出し、前記変位量を検出する検出面が互いに対向して配置される一対の第２検出部と、
一方の面に前記一対の第１検出部が配置され、他方の面に前記一対の第２検出部が配置されるメインフレーム、及び前記一対の第１検出部及び前記一対の第２検出部の夫々の検出面に設けられた電極とワイヤボンディングされるサブフレームを有するリードフレームと、
を備える変位センサ。
【請求項２】
前記一対の第１検出部と前記一対の第２検出部とが、前記メインフレームを介して互いに対向して配置される請求項１に記載の変位センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出対象の変位量を検出する変位センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、変位量を検出する変位センサが広く利用されてきた。この種の変位センサにあっては、例えば半導体を用いて構成されるものがある（例えば特許文献１−３）。
【０００３】
特許文献１に記載の半導体集積回路装置は、インナーリードの下面に第一の絶縁層を介して第一の半導体チップを設け、インナーリードの上面に第二の絶縁層を介して第二の半導体チップを設ける。第一の半導体チップ及び第二の半導体チップは、夫々同じ方向を向く面にボンディングパッドが設けられ、インナーリードの上面の所定の部位とワイヤボンディングされる。
【０００４】
特許文献２に記載の半導体装置は、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップにおいて同一機能を有するバンプ電極を対向して配置し、同一のリードに接続している。
【０００５】
特許文献３に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置は、第１半導体チップと第２半導体チップとを、夫々の回路形成面（表面）と反対側の面（裏面）同士を向い合せ、回路形成面に設けられた外部電極の配列方向と直交する方向に位置をずらした積層状態で接着固定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−１０４３８０号公報
【特許文献２】特開平８−２１３５４１号公報
【特許文献３】特開２０００−１５６４６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
例えば、車両や航空機等にあっては、安全上の観点から同一の機能を有する回路（例えば検出部）を複数備えることがある。このような用途を鑑みた場合、特許文献１に記載の技術は、インナーリードの上面を用いてワイヤボンディングを行うため、夫々のチップの位置をずらす必要があり、磁気センサのようなセンシングポイントと検出対象との位置関係が重要な用途にあっては、互いの回路においてセンシング精度が著しく異なる可能性がある。また、特許文献２に記載の技術では、インナーリードを挟むように第１の半導体チップと第２の半導体チップとが配置する必要があるため、更に多くのチップを積層することができず、また、インナーリードと、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップの夫々とを接続するバンプ電極の厚さ分だけ部品の厚みが厚くなってしまう。また、特許文献３に記載の技術では、第１半導体チップと第２半導体チップとが互いに対向しない側の面を使ってワイヤボンディングを行うので、ワイヤの高さだけ厚みが厚くなってしまう。
【０００８】
そこで、同一の機能を有する検出部を複数備える場合であっても、夫々の検出部のセンシング精度の差異を低減できる変位センサが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る変位センサの特徴構成は、互いに同じ検出対象の変位量を検出し、前記変位量を検出する検出面が互いに対向して配置される一対の第１検出部と、前記一対の第１検出部と同じ検出対象の変位量を検出し、前記変位量を検出する検出面が互いに対向して配置される一対の第２検出部と、一方の面に前記一対の第１検出部が配置され、他方の面に前記一対の第２検出部が配置されるメインフレーム、及び前記一対の第１検出部及び前記一対の第２検出部の夫々の検出面に設けられた電極とワイヤボンディングされるサブフレームを有するリードフレームと、を備えている点にある。
【００１０】
このような特徴構成とすれば、一対の第１検出部の検出面同士が対向して配置されるので、一対の第１検出部の積層方向に沿って一対の第１検出部同士を近づけることができる。同様に、一対の第２検出部の検出面同士が対向して配置されるので、一対の第２検出部の積層方向に沿って一対の第２検出部同士を近づけることができる。更に、このような一対の第１検出部と、一対の第２検出部とでメインフレームを挟むように配置するので、一対の第１検出部と一対の第２検出部とを互いに近づけることができる。したがって、変位センサにおける一対の第１検出部と一対の第２検出部とのセンシング精度の差異を低減することが可能となる。また、一対の第１検出部の夫々の電極が、一対の第１検出部における積層方向の中央側を向くように配置することができ、一対の第２検出部の夫々の電極が、一対の第２検出部における積層方向の中央側を向くように配置することができるので、少なくとも１つの第１検出部や第２検出部の厚さ分だけ、ワイヤボンディングを行う際の高さに余裕ができる。したがって、変位センサをパッケージに収容した時にパッケージ全体の高さが高くなりすぎることを抑制できる。
【００１１】
また、前記一対の第１検出部と前記一対の第２検出部とが、前記メインフレームを介して互いに対向して配置されると好適である。
【００１２】
このような構成とすれば、一対の第１検出部と一対の第２検出部との面方向（積層方向に直交する方向）に沿った位置ずれを抑制できる。したがって、一対の第１検出部の検出結果と一対の第２検出部の検出結果との差異を小さくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】変位センサの側方断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明に係る変位センサは、同一の機能を有する検出部を複数備え、夫々の検出部の検出結果の差異が小さくなるように構成される。以下、本実施形態の変位センサ１について、磁束密度を検出する磁気センサに適用した場合の例を挙げて説明する。
【００１５】
図１は、本実施形態の変位センサ１の側方断面図である。図１に示されるように、変位センサ１は、第１検出部１０、第２検出部２０、リードフレーム３０を備えて構成される。
【００１６】
第１検出部１０は、一対の第１検出部１０Ａ，１０Ｂで構成される。第１検出部１０Ａ，１０Ｂは、互いに同じ検出対象の変位量を検出し、変位量を検出する検出面１１が互いに対向して配置される。「互いに同じ検出対象の変位量を検出する」とは、本実施形態では、第１検出部１０Ａ、及び第１検出部１０Ｂが、共に検出対象としての回転体に付設された磁石の回転量や回転角度（以下「回転量等」とする）を検出することをいう。このような第１検出部１０Ａ，１０Ｂは、例えばホール素子を用いて構成することが可能である。「変位量を検出する検出面１１」とは、第１検出部１０Ａにあっては検出面１１Ａが相当し、第１検出部１０Ｂにあっては検出面１１Ｂが相当する。これらの検出面１１Ａ，１１Ｂは、夫々ホール素子の検出面に相当する。
【００１７】
したがって、第１検出部１０Ａと第１検出部１０Ｂとは、第１検出部１０Ａの検出面１１Ａと第１検出部１０Ｂの検出面１１Ｂとが互いに対向するように接着剤５０を介して配置される。このように第１検出部１０Ａと第１検出部１０Ｂとを配置することにより、互いの検出点を近づけることができる（すなわち、第１検出部１０Ａの検出点と第１検出部１０Ｂの検出点とのＺ軸方向の距離を短くすることができる）ため、夫々の第１検出部１０Ａ，１０Ｂの検出結果の差異を小さくすることが可能となる。
【００１８】
第２検出部２０は一対の第２検出部２０Ａ，２０Ｂで構成される。第２検出部２０Ａ，２０Ｂは、一対の第１検出部１０と同じ検出対象の変位量を検出し、変位量を検出する検出面２１が互いに対向して配置される。上述したように本実施形態では、一対の第１検出部１０は磁石の回転量等を検出する。したがって、第２検出部２０Ａ，２０Ｂも第１検出部１０の検出対象と同じ磁石の回転量等を検出する。このような第２検出部２０Ａ，２０Ｂも、第１検出部１０Ａ，１０Ｂと同様に例えばホール素子を用いて構成することが可能である。検出面２１とは、第２検出部２０Ａにあっては検出面２１Ａが相当し、第２検出部２０Ｂにあっては検出面２１Ｂが相当する。これらの検出面２１Ａ，２１Ｂは、夫々ホール素子の検出面に相当する。
【００１９】
したがって、第２検出部２０Ａと第２検出部２０Ｂとは、第２検出部２０Ａの検出面２１Ａと第２検出部２０Ｂの検出面２１Ｂとが互いに対向するように接着剤５０を介して配置される。このように第２検出部２０Ａと第２検出部２０Ｂとを配置することにより、互いの検出点を近づけることができる（すなわち、第２検出部２０Ａの検出点と第２検出部２０Ｂの検出点とのＺ軸方向の距離を短くすることができる）ため、夫々の第２検出部２０Ａ，２０Ｂの検出結果の差異を小さくすることが可能となる。
【００２０】
リードフレーム３０は導電性の材料からなり、メインフレーム３１及びサブフレーム３２を有する。メインフレーム３１は、一方の面３１Ａに一対の第１検出部１０が配置され、他方の面３１Ｂに一対の第２検出部２０が配置される。上述したように、一対の第１検出部１０は、互いの検出面１１が対向するように接着剤５０を介して配置され、一対の第２検出部２０は、互いの検出面２１が対向するように接着剤５０を介して配置される。リードフレーム３０の一方の面３１Ａには、このように構成された一対の第１検出部１０が接着剤６０を介して貼り合され、リードフレーム３０の他方の面３１Ｂには、このように構成された一対の第２検出部２０が接着剤６０を介して貼り合される。
【００２１】
本実施形態では、一対の第１検出部１０と一対の第２検出部２０とは、メインフレーム３１を介して互いに対向して配置される。このように一対の第１検出部１０と一対の第２検出部２０とを配置することにより、一対の第１検出部１０の検出点と一対の第２検出部２０の検出点とのＸ軸方向の距離を短くすることができるため、一対の第１検出部１０の検出結果と、一対の第２検出部２０の検出結果との差異を小さくすることが可能となる。なお、特に、一対の第１検出部１０と一対の第２検出部２０とは、一対の第１検出部１０及び一対の第２検出部２０の積層方向に沿って見た場合に、第１検出部１０Ａと第２検出部２０Ｂとが、メインフレーム３１を介して、互いに重複するように構成すると良い。これにより、第１検出部１０Ａと第２検出部２０ＢとのＸ軸方向及びＹ軸方向の距離をゼロにすることができ、一対の第１検出部１０の検出点と一対の第２検出部２０の検出点とのＸ軸方向及びＹ軸方向の距離をより短くすることが可能となる。
【００２２】
なお、図示はしないが、一対の第１検出部１０の検出点と一対の第２検出部２０の検出点とのＸ軸方向の距離を短くするだけでなく、Ｙ軸方向の距離も短くするように配置すると好適である。
【００２３】
一対の第１検出部１０の検出面１１には電極１２が設けられる。具体的には、第１検出部１０Ａの検出面１１Ａには電極１２Ａが設けられ、第１検出部１０Ｂの検出面１１Ｂには電極１２Ｂが設けられる。
【００２４】
また、一対の第２検出部２０の検出面２１には電極２２が設けられる。具体的には、第２検出部２０Ａの検出面２１Ａには電極２２Ａが設けられ、第２検出部２０Ｂの検出面２１Ｂには電極２２Ｂが設けられる。
【００２５】
サブフレーム３２は、一対の第１検出部１０に設けられた電極１２及び一対の第２検出部２０に設けられた電極２２とワイヤボンディングされる。この時、図１に示されるように、電極１２Ａとワイヤボンディングされるワイヤ７０が、第１検出部１０Ｂの外端面４１よりも内側（メインフレーム３１側）に位置するように構成でき、電極２２Ｂとワイヤボンディングされるワイヤ７０が、第２検出部２０Ａの外端面４２よりも内側（メインフレーム３１側）に位置するように構成することが可能となる。したがって、この状態で、変位センサ１を例えば樹脂８０内に封入した場合であっても、樹脂８０の厚さ（Ｚ方向の高さ）が厚くなり過ぎないように構成することが可能となる。
【００２６】
〔その他の実施形態〕
上記実施形態では、変位センサ１として磁気センサの例を挙げて説明したが、変位センサ１を他のセンサに適用することも可能である。
【００２７】
上記実施形態では、一対の第１検出部１０と一対の第２検出部２０とが、メインフレーム３１を介して互いに対向して配置されるとして説明したが、一対の第１検出部１０と一対の第２検出部２０とが、メインフレーム３１を介して互いに対向しないように配置する、すなわち、図１において一対の第１検出部１０と一対の第２検出部２０とが、Ｘ方向及びＹ方向の少なくとも一方に互いに位置をずらして配置することも可能である。
【００２８】
本発明は、検出対象の変位量を検出する変位センサに用いることが可能である。
【符号の説明】
【００２９】
１：変位センサ
１０：第１検出部
１１：検出面
１２：電極
２０：第２検出部
２１：検出面
２２：電極
３０：リードフレーム
３１：メインフレーム
３１Ａ：一方の面
３１Ｂ：他方の面
３２：サブフレーム
【図１】
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