Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のネットワークのネットワークトラフィックを監視することと、
前記第１のネットワークに関連するネットワークイベントを検出することと、
第３のネットワークを介して第２のネットワークのサーバに前記ネットワークイベントを報告することと、
前記サーバから前記第１のネットワークのためのネットワークポリシー更新を受信することであって、前記ネットワークポリシー更新が、前記サーバに報告された前記ネットワークイベントのイベントタイプに少なくとも部分的に基づく、受信することと、
前記第１のネットワークにおいて前記ネットワークポリシー更新を実装することと
を備える方法。
【請求項２】
前記監視することと、前記検出することと、前記報告することと、前記受信することと、前記実装することとが、前記第１のネットワークの管理ノードによって実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記管理ノードが、前記第１のネットワークのルータと、アクセスポイントと、ケーブルモデムと、ネットワークスイッチとのうちの１つまたは複数を含むコンピュータシステムを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ネットワークイベントを前記検出することが、前記第１のネットワークにおいてオーバーサブスクリプションイベントを検出することと、前記第１のネットワークにおいて未知のパケットストリームを検出することと、前記第１のネットワークにおいてネットワーク障害イベントを検出することとのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ネットワークポリシー更新を前記実装することが、前記ネットワークイベントを処理し、解決するために前記第１のネットワークの管理ノードを構成した後に前記ネットワークポリシー更新を実装することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ネットワークトラフィックを前記監視することが、前記第１のネットワークの複数のネットワークデバイスから前記第３のネットワークに送られた前記ネットワークトラフィックを監視することと、前記第３のネットワークのリモートネットワークノードから前記第１のネットワークの前記複数のネットワークデバイスのうちの１つまたは複数に送られたネットワークトラフィックを監視することとを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ネットワークポリシー更新が、前記イベントタイプおよび複数のローカルエリアネットワークからの前記第２のネットワークにおいて収集された前記イベントタイプに関連するアグリゲートデータの分析に基づき、ここで、前記第１のネットワークは、ローカルエリアネットワークである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第３のネットワークの第１のルータから、前記第１のルータにおいて検出された前記第３のネットワークのネットワークイベントを示す報告メッセージを第２のネットワークのサーバにおいて第１のネットワークを介して受信することと、
前記サーバによって、前記第１のルータによって検出されたネットワークイベントのタイプを判断することと、
前記サーバによって、前記第１のルータによって報告されたネットワークイベントの前記タイプに関連するデータを、ネットワークイベントの前記タイプを同じく検出した第２のルータからの前に受信されたデータとアグリゲートすることと、
前記サーバによって、ネットワークイベントの前記タイプに関連する前記アグリゲートデータを分析することと、
前記サーバによって、ネットワークイベントの前記タイプに関連する前記アグリゲートデータを分析した結果に基づいてネットワークイベントの前記タイプに関連するネットワークポリシー更新を判断することと、
前記サーバによって、前記ネットワークポリシー更新で前記第１のルータを構成するために前記第１のルータに前記ネットワークポリシー更新を送ることと
を備える方法。
【請求項９】
ネットワークルータであって、
プロセッサと、
命令を記憶するように構成されたユニットであって、前記命令は、前記プロセッサによって実行されたとき、
第１のネットワークのネットワークトラフィックを監視することと、
前記第１のネットワークに関連するネットワークイベントを検出することと、
第３のネットワークを介して第２のネットワークのサーバに前記ネットワークイベントを報告することと、
前記サーバから前記ネットワークルータのためのネットワークポリシー更新を受信することであって、前記ネットワークポリシー更新が、前記ネットワークイベントのイベントタイプに少なくとも部分的に基づく、受信することと、
前記ネットワークルータにおいて前記ネットワークポリシー更新を実装することと
を備える動作を前記ネットワークルータに実行させる、ユニットと
を備えるネットワークルータ。
【請求項１０】
前記ネットワークイベントが、前記第１のネットワークにおけるオーバーサブスクリプションイベントと、前記ネットワークルータにおいて受信された未知のパケットストリームと、前記第１のネットワークにおけるネットワーク障害イベントとのうちの１つを備える、請求項９に記載のネットワークルータ。
【請求項１１】
プロセッサによって実行されたとき、請求項１から請求項８のうちの何れか１つに記載の前記方法の前記複数のステップを実行する命令を記憶した、機械可読記憶媒体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年8月7日(2015.8.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
ＡＰ１０４が、ＡＰ１０４に対応する短縮、仮想、または部分的識別子を含む探査要求２１０に応答するとき、ＡＰ１０４は、完全ＳＳＩＤおよび／または実ＭＡＣアドレスを探査応答２１５に含めてよい。短縮識別子は完全識別子よりも短くてよいので、ＳＴＡ１０６はより少ないビットを送信すればよく、そうすることによって、送信をスピードアップし、リンクセットアップ時間を削減する。さらに、ＡＰ１０４は、より少ないビットを受信し、これにより処理速度を増すことができる。様々な実施形態において、ＳＴＡ１０６は、後で図１０を参照してより詳細に説明するように、探査要求２１０を送信することができる。探査ＡＰ１０４は、後で図９を参照してより詳細に説明するように、探査応答２１５を送信することができる。１つまたは複数のメッセージは、後で図４を参照してより詳細に説明するように、アクション管理フレームを含み得る。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月1日(2015.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリフルオロアルカノイルホスホロジクロリダートの製造方法であって、前記方法は、
一般式Ｒf−ＣＨ2−ＯＨ（式中、Ｒfは任意選択的にＯで中断されていてもよい直鎖又は分岐のＣ1〜Ｃ8のパーフルオロアルキル基である）を有するポリフッ化アルカノールを、Ｒf−ＣＨ2−ＯＨ１モル当り０．１〜０．２モルのＬｉＣｌ触媒の存在下、９５〜１１０℃の温度で、Ｒf−ＣＨ2−ＯＨ１モル当り少なくとも４モルのＰＯＣｌ3と反応させ、一般式Ｒf−ＣＨ2−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｃｌ2のポリフルオロアルカノイルホスホロジクロリダートを形成する工程を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ガスクロマトグラフィーから、生成物混合物中にはジ−付加体［（Ｃ3Ｆ7−ＣＨ2Ｏ）2−Ｐ（Ｏ）Ｃｌ］及びトリ−付加体［（Ｃ3Ｆ7−ＣＨ2Ｏ）3−Ｐ（Ｏ）］のみが存在することが示された（モル比１：１６．８）。モノ−リン酸エステル化生成物は観測されなかった。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．ポリフルオロアルカノイルホスホロジクロリダートの製造方法であって、前記方法は、
一般式Ｒf−ＣＨ2−ＯＨ（式中、Ｒfは任意選択的にＯで中断されていてもよい直鎖又は分岐のＣ1〜Ｃ8のパーフルオロアルキル基である）を有するポリフッ化アルカノールを、Ｒf−ＣＨ2−ＯＨ１モル当り０．１〜０．２モルのＬｉＣｌ触媒の存在下、９５〜１１０℃の温度で、Ｒf−ＣＨ2−ＯＨ１モル当り少なくとも４モルのＰＯＣｌ3と反応させ、一般式Ｒf−ＣＨ2−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｃｌ2のポリフルオロアルカノイルホスホロジクロリダートを形成する工程を含む、方法。
２．前記ポリフッ化アルカノールが、ペンタフルオロプロパノール、へプタフルオロ−１−ブタノール、２，３，３，３−テトラフルオロ−２−（ヘプタフルオロプロポキシ）−１−プロパノール、及び２，５−ジ（トリフルオロメチル）−３，６−ジオキサ−１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ノナノールからなる群から選択される、前記１に記載の方法。
３．前記ポリフッ化アルカノールを、ポリフッ化アルカノール１モル当り４〜８モルのＰＯＣｌ3と反応させる、前記１に記載の方法。
４．ポリフルオロアルカノイルホスホロジクロリダート対副生成物であるポリフルオロアルカノイルホスホロクロリダートのモル比が少なくとも１０対１である、前記１に記載の方法。
５．少なくとも５０％のポリフルオロアルカノイルホスホロジクロリダートの収率を有する、前記１に記載の方法。
６．少なくとも７５重量％のポリフルオロアルカノイルホスホロジクロリダートの収率を有する、前記５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月14日(2015.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス又はガラスセラミックシートを含む材料であって、該シートがその面のうちの一方の少なくとも一部に、燃焼化学気相堆積法によって堆積されたシリカ系副層上に堆積された酸化チタン系の光触媒被膜を備えており、該シリカ系副層の粗さＲａは４〜３０ｎｍ（限界値を含む）である、材料。
【請求項２】
該光触媒被膜は、酸化チタン、特にアナターゼ形態で結晶化された酸化チタンから形成されている、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
該シリカ系副層はシリカから形成されている、請求項１又は２に記載の材料。
【請求項４】
該副層は、該基板と接触した状態で堆積されている、請求項１から３までのいずれか１項に記載の材料。
【請求項５】
該副層の粗さＲａは５〜２５ｎｍ（限界値を含む）である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の材料。
【請求項６】
該シリカ系副層の厚さが１０〜１００ｎｍ、特に１０〜８０ｎｍ（両方とも限界値を含む）である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の材料。
【請求項７】
該光触媒被膜は、該ガラス又はガラスセラミックシート上に堆積されたスタックの最後の層である、請求項１から６までのいずれか１項に記載の材料。
【請求項８】
該光触媒被膜の厚さは１〜２０ｎｍ（限界値を含む）である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の材料。
【請求項９】
ＩＳＯ  ９０５０：２００３基準の意味での光透過率が少なくとも８０％、特に少なくとも９０％、そしてＩＳＯ  ９０５０：２００３基準の意味での光反射率が最大で１０％、特に最大で９％である、請求項１から８までのいずれか１項に記載の材料。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の少なくとも１種の材料を含むグレージングユニット又は光起電力セル。
【請求項１１】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の材料を得る方法であって、下記工程、すなわち：
−  ガラス又はガラスセラミックシート上に、燃焼化学気相堆積法を用いて、シリカ系副層を堆積させ、次いで、
−  前記シリカ系副層上に酸化チタン系の光触媒被膜を堆積させ、前記光触媒被膜の堆積前に、且つ／又は前記光触媒被膜の堆積中に、前記副層に少なくとも３００℃の温度を施す、
工程を含む、前記材料を得る方法。
【請求項１２】
該光触媒被膜の堆積が化学気相堆積法によって行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
該光触媒被膜は、該ガラス又はガラスセラミックシート上に堆積されたスタックの最後の層である、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
該副層の堆積と、該光触媒被膜の堆積とが、フロート法によるガラスの製造のためのライン上で連続して行われる、請求項１１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
該副層の堆積と、該光触媒被膜の堆積とが、フロート室の出口と徐冷炉(lehr)の入口との間で連続して行われる、請求項１１から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セシウムイオンを吸収し、人間または動物の体内から排出するための医療品または他の医薬品を製造するための、クリノプチロライトまたはクリノプチロライト含有混合物の使用であって、クリノプチロライトが、精製および微細化によって改質されており、改質されたクリノプチロライトの粒子が、微細化の後に２〜１５μｍの粒度を有することを特徴とする前記使用。
【請求項２】
改質されたクリノプチロライトの粒子が、微細化の後に３〜１０μｍの粒度を有することを特徴とする、請求項１に記載のクリノプチロライトまたはクリノプチロライト含有混合物の使用。
【請求項３】
改質されたクリノプチロライトの粒子が、２０〜２６ｍＶのゼータ電位を有することを特徴とする、請求項１または２に記載のクリノプチロライトまたはクリノプチロライト含有混合物の使用。
【請求項４】
改質されたクリノプチロライトの粒子が、３０〜６０ｍ２／ｇの比表面積を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載のクリノプチロライトまたはクリノプチロライト含有混合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月28日(2015.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物：
Ｘａａ１−Ｘａａ２−Ｘａａ３−Ｘａａ４−Ｘａａ５−Ｘａａ６−Ｘａａ７−Ｘａａ８−Ｘａａ９−Ｘａａ１０−ＮＨ−（ＣＨ２）ｎ−Ｒ          （Ｉ）
（式中、
Ｘａａ１、Ｘａａ２、Ｘａａ３、Ｘａａ５、Ｘａａ７、Ｘａａ８、およびＸａａ１０は、リジン、３‐ヒドロキシリジン、４‐ヒドロキシリジン、５‐ヒドロキシリジン、３，４‐ジヒドロキシリジン、３，５‐ジヒドロキシリジン、４，５‐ジヒドロキシリジン、オルニチン、３‐ヒドロキシオルニチン、４‐ヒドロキシオルニチン、３，４‐ジヒドロキシオルニチン、２，４‐ジアミノブタン酸、３‐ヒドロキシ‐２，４‐ジアミノブタン酸、アルギニン、ヒスチジン、セリン、およびスレオニンからなる群より独立して選択され；
Ｘａａ４は、グリシン、３‐アミノプロパン酸、または４‐アミノブタン酸であり；
Ｘａａ６は、プロリン、３‐ヒドロキシプロリン、４‐ヒドロキシプロリン、アジリジン‐２‐カルボン酸、アゼチジン‐２‐カルボン酸、ピペコリン酸、４‐オキサプロリン、３‐チアプロリン、４‐チアプロリン、３，４‐デヒドロプロリン、４‐アミノプロリン、４‐フルオロプロリン、α‐メチルプロリン、またはα‐アリルプロリンであり；
Ｘａａ９は、アルギニン、２，３‐デヒドロアルギニン、シトルリン、２，３‐デヒドロシトルリン、カナバニン、または２，３‐デヒドロカナバニンであり；
ｎは、２、３、４、５、６、７、８、９、または１０であり；ならびに、
Ｒは、−ＯＨ、−ＮＨ２、または−ＣＯＯＨである）。
【請求項２】
Ｘａａ１が、リジンであり；
Ｘａａ２およびＸａａ３が、各々、３‐ヒドロキシ‐２，４‐ジアミノブタン酸であり；
Ｘａａ４が、グリシンであり；
Ｘａａ５が、オルニチンであり；
Ｘａａ６が、プロリンであり；
Ｘａａ７が、ヒスチジンであり；ならびに、
Ｘａａ９が、２，３‐デヒドロアルギニンである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｘａａ１が、リジンであり；
Ｘａａ２およびＸａａ３が、各々、３‐ヒドロキシ‐２，４‐ジアミノブタン酸であり；
Ｘａａ４が、グリシンであり；
Ｘａａ５が、オルニチンであり；
Ｘａａ６が、プロリンであり；
Ｘａａ７が、ヒスチジンであり；
Ｘａａ８が、リジンまたは５‐ヒドロキシリジンであり；
Ｘａａ９が、２，３‐デヒドロアルギニンであり；かつ
Ｘａａ１０が、リジンまたは５‐ヒドロキシリジンである、請求項１または２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｘａａ１が、リジンであり；
Ｘａａ２およびＸａａ３が、各々、３‐ヒドロキシ‐２，４‐ジアミノブタン酸であり；
Ｘａａ４が、グリシンであり；
Ｘａａ５が、オルニチンであり；
Ｘａａ６が、プロリンであり；
Ｘａａ７が、ヒスチジンであり；
Ｘａａ８が、リジンまたは５‐ヒドロキシリジンであり；
Ｘａａ９が、２，３‐デヒドロアルギニンであり；
Ｘａａ１０が、リジンまたは５‐ヒドロキシリジンであり；
ｎが４であり；ならびに、
Ｒが、ＮＨ２である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
前記化合物が式（Ｉａ）の化合物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物：
【化１】
2014534173.tif 000001
。
【請求項６】
前記化合物が式（Ｉｂ）の化合物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物：
【化２】
2014534173.tif 000002
。
【請求項７】
前記化合物が式（Ｉｃ）の化合物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物：
【化３】
2014534173.tif 000003
。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物を含んでなる医薬。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物を含み、さらに第二の抗生物質化合物を含んでなる、組成物。
【請求項１０】
前記第二の抗生物質化合物が、アミノグリコシド系抗生物質である、請求項８に記載の組成物。
【請求項１１】
前記第二の抗生物質化合物が、カナマイシンおよび／またはゲンタマイシンである、請求項９〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物、および薬学的に許容可能なキャリアを含んでなる、医薬組成物。
【請求項１３】
以下の工程：
ａ）ゼノラブダス・ネマトフィラ（Xenorhabdus nematophila）菌株ＣＮＣＭ  Ｉ‐４５３０を液体培地中にて成育させること；および、
ｂ）請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物を精製すること
を含んでなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物を産生する方法。
【請求項１４】
２０１１年９月２１日にＣＮＣＭに寄託された、ＣＮＣＭ  Ｉ‐４５３０の受託番号を有するゼノラブダス・ネマトフィラ（Xenorhabdus nematophila）菌株。
【請求項１５】
抗生物質活性を有する、請求項１４に記載のゼノラブダス・ネマトフィラ（Xenorhabdus nematophila）菌株からの培養上清。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半径方向カーカス補強材を備えたタイヤであって、前記タイヤは、一方の層と他方の層との間でクロス掛け関係をなしていて円周方向と１０°〜４５°の角度をなす補強要素の少なくとも２つの実働クラウン層で作られたクラウン補強材を有し、前記少なくとも２つの実働クラウン層の軸方向幅は、互いに等しくなく、ゴム混合物の層Ｃが少なくとも前記少なくとも２つの実働クラウン層の端相互間に配置され、前記クラウン補強材の半径方向頂部にはトレッドが載せられ、前記トレッドは、２つのサイドウォールを経て２つのビードに接合され、前記クラウン補強材は、前記２つの実働クラウン層相互間に半径方向に配置された円周方向補強要素の少なくとも１つの層を有し、軸方向に幅の最も狭い実働層の端とゴム混合物の前記層Ｃによって前記軸方向に幅の最も狭い実働層から隔てられた実働層との間の距離ｄは、１．１φ＜ｄ＜２．２φであるようなものであり、φは、前記円周方向補強要素の少なくとも１つの層の前記補強要素の直径であり、子午線平面で見て、前記ゴム混合物の層Ｃの厚さは、前記層Ｃの軸方向内端と前記軸方向に幅の最も狭い実働層の前記端との間の軸方向幅にわたって実質的に一様である、タイヤ。
【請求項２】
前記第１の層Ｃの１０％伸び率における引張り弾性率は、８ＭＰａ未満であり、前記第１の層Ｃのｔａｎ（δ）maxで示される最大ｔａｎ（δ）値は、０．１００未満である、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
前記ゴム混合物の層Ｃは、天然ゴムを主成分とし又は大部分がシス‐１，４鎖を含む合成ポリイソプレンを主成分とし且つオプションとして少なくとも１つの他のジエンエラストマー（天然ゴム又は合成ポリイソプレンは、ブレンドの場合、用いられる他のジエンエラストマーの含有量に対して大部分の含有量で存在する）及び
ａ）ＢＥＴ比表面積が６０ｍ2／ｇを超えるカーボンブラック、カーボンブラックは、
ｉ）カーボンブラックの構造指数（ＣＯＡＮ）が８５を超える場合、２０〜４０ｐｈｒの含有量で用いられ、
ｉｉ）カーボンブラックの構造指数（ＣＯＡＮ）が８５未満の場合、２０〜６０ｐｈｒの含有量で用いられ、
ｂ）又は、ＢＥＴ比表面積が６０ｍ2／ｇ未満のカーボンブラック、カーボンブラックは、構造指数がどのようなものであれ、２０〜８０ｐｈｒ、好ましくは３０〜５０ｐｈｒの含有量で用いられ、
ｃ）又は、沈降シリカ、熱分解法シリカ、アルミナ又はアルミノシリケートから成る群から選択されたＳｉＯＨ及び／又はＡｌＯＨ表面官能基を含むシリカ及び／又はアルミナ系の白色充填剤（ホワイトフィラー）、若しくは変形例として合成中又は合成後に改質された２０〜８０ｐｈｒ、好ましくは３０〜５０ｐｈｒの含有量で用いられる比表面積が３０〜２６０ｍ2／ｇのカーボンブラック、
ｄ）又は、（ａ）に記載されたカーボンブラック及び／又は（ｂ）に記載されたカーボンブラック及び／又は（ｃ）に記載された白色充填剤のブレンド（充填剤の全体的含有量は、２０〜８０ｐｈｒ、好ましくは４０〜６０ｐｈｒである）かのいずれかから成る補強用充填剤を主成分とするエラストマー混合物である、請求項２記載のタイヤ。
【請求項４】
前記少なくとも２つの実働クラウン層は各々、ゴム混合物の２つの圧延層相互間に挿入された補強要素で形成され、少なくとも１つの実働クラウン層の少なくとも１つの圧延層の１０％伸び率における引張り弾性率は、８．５ＭＰａ未満であり、少なくとも１つの実働クラウン層の前記少なくとも１つの圧延層のｔａｎ（δ）maxで示された最大ｔａｎ（δ）は、０．１００未満である、請求項１乃至３の何れか１項に記載のタイヤ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの実働クラウン層の少なくとも１つの圧延層は、天然ゴムを主成分とし又は大部分がシス‐１，４シーケンス又は鎖を含む合成ポリイソプレンを主成分とし且つオプションとして少なくとも１つの他のジエンエラストマー（天然ゴム又は合成ポリイソプレンは、ブレンドの場合、用いられる他のジエンエラストマーの含有量に対して大部分の含有量で存在する）及び
ａ）ＢＥＴ比表面積が６０ｍ2／ｇを超えるカーボンブラック、カーボンブラックは、
ｉ）カーボンブラックの構造指数（ＣＯＡＮ）が８５を超える場合、２０〜４０ｐｈｒの含有量で用いられ、
ｉｉ）カーボンブラックの構造指数（ＣＯＡＮ）が８５未満の場合、２０〜６０ｐｈｒの含有量で用いられ、
ｂ）又は、ＢＥＴ比表面積が６０ｍ2／ｇ未満のカーボンブラック、カーボンブラックは、構造指数がどのようなものであれ、２０〜８０ｐｈｒ、好ましくは３０〜５０ｐｈｒの含有量で用いられ、
ｃ）又は、沈降シリカ、熱分解法シリカ、アルミナ又はアルミノシリケートから成る群から選択されたＳｉＯＨ及び／又はＡｌＯＨ表面官能基を含むシリカ及び／又はアルミナ系の白色充填剤（ホワイトフィラー）、若しくは変形例として合成中又は合成後に改質された２０〜８０ｐｈｒ、好ましくは３０〜５０ｐｈｒの含有量で用いられる比表面積が３０〜２６０ｍ2／ｇのカーボンブラック、
ｄ）又は、（ａ）に記載されたカーボンブラック及び／又は（ｂ）に記載されたカーボンブラック及び／又は（ｃ）に記載された白色充填剤のブレンド（充填剤の全体的含有量は、２０〜８０ｐｈｒ、好ましくは４０〜６０ｐｈｒである）かのいずれかから成る補強用充填剤を主成分とするエラストマー混合物である、請求項４記載のタイヤ。
【請求項６】
前記軸方向に最も幅の広い実働クラウン層は、他の実働クラウン層に対して半径方向内部に位置している、請求項１乃至５の何れか１項に記載のタイヤ。
【請求項７】
前記円周方向補強要素の少なくとも１つの層の前記補強要素は、１０〜１２０ＧＰａの０．７％伸び率における割線モジュラス及び１５０ＧＰａ未満の最大接線モジュラスを示す金属補強要素である、請求項１乃至６の何れか１項に記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月28日(2015.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
形態Ａと称され、少なくとも以下の２θ反射位置
【表１】
2014534194.tif 000001
を有する室温粉末Ｃｕ（Ｋα１）Ｘ線回折パターンにより特徴づけられる、８−クロロ−Ｎ−［（２−クロロ−５−メトキシフェニル）スルホニル］−６−（トリフルオロメチル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボキサミドの多形体。
【請求項２】
形態ＴＳと称され、少なくとも以下の２θ反射位置
【表２】
2014534194.tif 000002
を有する室温粉末Ｃｕ（Ｋα１）Ｘ線回折パターンにより特徴づけられる、トルエンとの１：１溶媒和物としての８−クロロ−Ｎ−［（２−クロロ−５−メトキシフェニル）スルホニル］−６−（トリフルオロメチル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボ
キサミドの多形体。
【請求項３】
請求項１に記載の多形体形態Ａを調製する方法であって、
形態Ｂ、Ｃ、Ｄ、溶媒和物、非晶質形態、及び上記のいずれかと形態Ａとの混合物の群から選択される８−クロロ−Ｎ−［（２−クロロ−５−メトキシフェニル）スルホニル］−６−（トリフルオロメチル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボキサミドの１種又は複数種の固体形態のスラリーを溶媒と共に形成する工程、及び８−クロロ−Ｎ−［（２−クロロ−５−メトキシフェニル）スルホニル］−６−（トリフルオロメチル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボキサミドの固体形態が多形体形態Ａに転化する間前記スラリーを維持する工程を含み、
ここで、前記溶媒が、水、Ｃ5−Ｃ8アルカン、Ｃ1−Ｃ4アルカノール、又はＣ3−Ｃ4ケトンを含む、上記方法。
【請求項４】
請求項１に記載の多形体形態Ａを調製する方法であって、
（Ａ）８−クロロ−６−トリフルオロメチル−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボニルクロリド又はその塩と２−クロロ−５−メトキシベンゼンスルホンアミドを、第１の溶媒の存在下で接触させて、８−クロロ−Ｎ−［（２−クロロ−５−メトキシフェニル）スルホニル］−６−（トリフルオロメチル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボキサミドの中間体固体形態を含む反応混合物を形成する工程、
（Ｂ）８−クロロ−Ｎ−［（２−クロロ−５−メトキシフェニル）スルホニル］−６−（トリフルオロメチル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボキサミドの中間体固体形態を分離する工程、及び
（Ｃ）８−クロロ−Ｎ−［（２−クロロ−５−メトキシフェニル）スルホニル］−６−（トリフルオロメチル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボキサミドの中間体固体形態を、任意選択で３０℃から第２の溶媒の沸点の間の温度に加熱された第２の溶媒と接触させ、前記中間体固体形態を請求項１に記載の多形体形態Ａに転化する工程を含み、
ここで、前記第１の溶媒がトルエンと酢酸エチルの混合物を含み、前記第２の溶媒が、水、メタノール、アセトン、又はｎ−ヘプタンを含む、上記方法。
【請求項５】
（ａ）請求項１に記載の多形体形態Ａ及び（ｂ）界面活性剤、固体希釈剤、及び液体担体からなる群から選択される少なくとも１種の追加の成分を含む殺線虫性組成物。
【請求項６】
（ａ）請求項１に記載の多形体形態Ａ及び（ｂ）少なくとも１種の他の殺線虫剤、殺虫剤、又は殺真菌剤を含む殺線虫性組成物。
【請求項７】
植物を線虫から保護する方法であって、植物、若しくはその一部、若しくはその種子に、又は前記植物の成長媒体に、殺線虫的に有効な量の、請求項１に記載の多形体形態Ａを含む８−クロロ−Ｎ−［（２−クロロ−５−メトキシフェニル）スルホニル］−６−（トリフルオロメチル）−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボキサミドを施用することを含む方法。
【請求項８】
（ｂ）の化合物が、アバメクチン、アセタミプリド、アクリナトリン、アミトラズ、アベルメクチン、アザジラクチン、ビフェントリン、ブプロフェジン、カルバリル、カルタップ、クロラントラニリプロール、クロルフェナピル、クロルピリホス、クロチアニジン、シアントラニリプロール、シフルトリン、ベータ−シフルトリン、シハロトリン、ガンマ−シハロトリン、ラムダ−シハロトリン、シペルメトリン、アルファ−シペルメトリン、ゼータ−シペルメトリン、シロマジン、デルタメトリン、ディルドリン、ジノテフラン、ジオフェノラン、エマメクチン、エンドスルファン、エスフェンバレレート、エチプロール、エトフェンプロックス、エトキサゾール、フェノチオカルブ、フェノキシカルブ、フェンバレレート、フィプロニル、フロニカミド、フルベンジアミド、フルフェノクスロン、フルバリネート、ホルメタナート、ヘキサフルムロン、ヒドラメチルノン、イミダクロプリド、インドキサカルブ、ルフェヌロン、メタフルミゾン、メチオカルブ、メソミル、メトプレン、メトキシフェノジド、ニテンピラム、ニチアジン、ノバルロン、オキサミル、ピメトロジン、ピレトリン、ピリダベン、ピリダリル、ピリプロキシフェン、リアノジン、スピネトラム、スピノサド、スピノジクロフェン、スピロメシフェン、スピロテトラマト、テブフェノジド、テトラメトリン、チアクロプリド、チアメトキサム、チオジカルブ、チオスルタップ−ナトリウム、トラロメトリン、トリアザメート、トリフルムロン、バチルス・チューリンゲンシス（Ｂａｃｉｌｌｕｓ  ｔｈｕｒｉｎｇｉｅｎｓｉｓ）の全株、及び核多角体病（Ｎｕｃｌｅｏ  ｐｏｌｙｈｙｄｒｏｓｉｓ）ウイルスの全株、からなる群から選択される、請求項６に記載の殺線虫性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内の静電チャックの温度を制御する装置であって、
処理チャンバ内に配置された静電チャックであり、基板支持表面を有するセラミック板を含む静電チャックと、
前記静電チャックの冷却能力を調整するために前記静電チャックの下方に配置された複数の冷却板を含む冷却アセンブリと
を備え、
前記複数の冷却板が、前記静電チャックの中心部分の温度を制御するように構成された内側冷却板と、前記静電チャックの外側部分の温度を制御するように構成された環状の外側冷却板とを含み、前記内側冷却板は、前記環状の外側冷却板の中央開口部内に配置される、装置。
【請求項２】
前記冷却アセンブリが、前記冷却アセンブリの底面と前記処理チャンバの胴体との間に配置された１つまたは複数のばねによって前記静電チャックに係合した、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記複数の冷却板がそれぞれ、その中を通して冷却材を循環させるように構成された１本または数本の冷却材導管を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記内側および外側冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記内側および外側冷却板の上面が前記静電チャックの底面に接触した、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記セラミック板の前記基板支持表面に形成された複数の溝であり、前記静電チャック上に基板が配置されたときに前記基板の底面を横切ってガスを流すように構成された複数の溝と、
前記複数の溝のうちの少なくとも１つの溝に、前記セラミック板内の中心入口点を通してガスを供給する中心ガス管路と、
前記セラミック板内の複数の外側入口点を介して前記複数の溝のうちの少なくともいくつかの溝に至る複数の外側ガス管路と
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記中心ガス管路は、前記内側冷却板を通り、前記複数の外側ガス管路は、前記外側冷却板を通る、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記セラミック板内に配置された１つまたは複数の電極と、
前記セラミック板内に配置された１つまたは複数のヒータと
をさらに備え、前記内側および外側冷却板が、（ａ）前記１つまたは複数の電極に供給された電力の量、及び（ｂ）前記１つまたは複数のヒータに供給された熱のうちの少なくとも一方に基づいて冷却能力を調整するように構成された、
請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
基板が存在するときに前記１つまたは複数のヒータと前記基板の間の熱伝達を制御するよう調節されるように、前記内側および外側冷却板が構成された、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数の冷却板が、前記静電チャックの底面に接触した上冷却板と、前記上冷却板の底面に接触した下冷却板とを含む、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記上冷却板と前記静電チャックの間に熱伝導性の箔が配置された、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記上および下冷却板への冷却材の流れを独立して制御することにより、前記内側および外側冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記内側および外側冷却板がそれぞれ上および下冷却板を含み、前記内側および外側冷却板に含まれる前記上および下冷却板の温度を独立して制御することができる、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
静電チャック１１０の処理表面１２８に配置された本発明のいくつかの実施形態に基づく複数の溝１２４が図３に示されている。例えば、上で論じたように、これらの複数の溝１２４を利用して、基板１０１の裏側の表面に裏側ガスを供給することができる。例えば、このガスを使用して、セラミック板１２０と基板１０１の間の均一な熱伝達を容易にすることができる。さらに、例えば圧力トランスデューサまたは適当な任意の圧力感知装置によって溝１２４の圧力を監視することができる。例えば、溝１２４内の圧力低下が、例えば亀裂などの基板１０１の損傷を知らせていることがある。この圧力低下の結末として、チャンバ内での堆積処理を停止して、静電チャック１１０が処理環境にさらされることを防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月30日(2015.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
基板の縁におけるブラシ接触だけでなく、ブラシ・基板の干渉の特性は基板の位置によっても変化し、ブラシ・基板界面の位置に応じて変化する。また、従来技術である図１Ａ〜図１Ｄが最も良くわかるが、円柱状のブラシが回転する間、基板は回転しており、円柱状のブラシは基板の円形をした下面の直径や半径や弦の位置に置かれている。ブラシ・基板の接触は通常、ブラシの径に対して十分幅の狭い帯状の接触領域とも呼べる領域内にあるこぶで行われる。当然だが、いかなる瞬間でも「帯状領域」がその全面積で基板と接触するわけではなく、帯状領域内に存在するこぶのみである。また、基板が回転しているという点で、帯状領域は常に基板上を移動している。帯状領域が基板の回転中心を横切るところでは、基板との継続的な接触が効果的に維持される。つまり、帯状領域内のこぶは（ブラシの回転に伴って）帯状領域を出入りするものの、帯状領域が基板の中心から離れることはない。基板の縁では、基板が回転するに伴い帯状領域が特定の領域と瞬間的に接触する。これに対応して、基板の単位面積当たりのブラシ・基板の接触時間は基板の中央で最大になり、こぶの形状・配置が図１Ａのように均一である程度において、基板の単位面積あたりのブラシ・基板の接触時間は帯状領域に沿って基板の縁に向かって減少する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の各種実施例の特徴および利点としては、こぶの基板接触面のうち、ブラシが回転する間基板に最初に接触する部分を丸みを帯びた形状とすることがある。基板接触面が丸みを帯びていると、直角や「鋭利」な接触面よりも基板に加わる力が分散されるため、こぶとの接触による基板への損傷の可能性が減少する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
化学機械平坦化後クリーニング用のブラシ（ＣＭＰブラシ）を使って基板をクリーニングする際の機械的な力は、不均一または非対称なパターンのこぶを用いることでさらに効率を良くすることができると考えられる。例えば、基板と接触する部分が湾曲したり丸みを帯びたりしており、基板に接触しない後側の縁が異なる形態となっているような非対称のこぶであるとクリーニングが有利になると考えられる。また、軸方向に沿ってこぶの密度を変化させることで、中心軸周りに回転する円形基板に特有な回転基板における相対速度とこする時間の差を相殺することができる。例えば、図１Ａの基板の中央部はほとんど絶え間なく回転ブラシによってこすられるが、ウエハの外縁近くの部分は相対的にではあるがブラシと接触する頻度が少ない。本発明の実施例のひとつとして、ブラシの軸と円柱状の基部の軸とを通る面に対してこぶを非対称とすることができ、またブラシの軸方向長さに沿ってこぶの密度を変化させることもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図４ａ−１９では、本発明の各種実施例としてのさまざまな非対称のこぶの形態の表現を見ることができる。図４ａ、図４ｂ、図１２は本発明の実施例のひとつによるこぶ１００、１１０を示しており、基板接触面１０９、１１９は、上面１０７、１１７に加え、前面１０５、１１５とこの上面１０７、１１７とが出合う箇所に形成された丸みを帯びた前側の縁１０３、１１３を含んでいる。上面１０７は平坦または丸みを帯びた形態とすることができる。本明細書に説明する通りにブラシの周りにこぶ１００、１１０を分散配置し、回転させて基板をクリーニングするとき、こぶ１００、１１０の前側の丸みを帯びた曲面状の縁１０３、１１３が最初に基板に接触する部分となるため、鋭い前側の縁で過度の力がかかるおそれが低減する。矢印は各実施例のこぶを備える円柱状の基部の意図する回転方向を示している。しかし別の実施例としてシリンダを反対方向に回転させることもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
こぶ１１０は上記のこぶ１００よりも高さに対する幅ないし周長の比を小さくすることができる。こうすることでこぶ１１０が容易に変形できるようになるため、１個のこぶが基板上に与える機械的な力が減少し、基板を引っ掻く可能性が減る。実施例のひとつとして、このようなこぶ１１０を用いるＣＭＰ後用ブラシであれば、太いこぶ１１０のブラシよりもこぶ１００を多く設けることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図８と図１８のこぶ１４０は前側に鋭い縁１４１を備え、こぶ１４０の後面１４６からこぶ１４０の前面１４５までにわたる曲面状ないし丸みを帯びた基板接触面１４９を備えている。図９と図１９に示すこぶ１５０は初期接触部１５５に段差があり、こぶ１５０の後側１５６に曲面状で丸みを帯びた表面１５９を備えている。こぶは基部ないし接地部が円状であるとして描かれているが、例えば図１０Ａ〜図１０Ｆに示すような正方形や長方形、あるいは長円形や三角形等の形状など、様々な形態のこぶとすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2014534615.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月19日(2015.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ機械加工される部品を支持する装置であって、
前記部品の平坦な底部表面を支持する平坦な粗面である第一表面と前記第一表面の反対側の第二表面と外側端を有し、光透過性材料から形成されるプレート形の本体から形成されるチャックと、
マイクロ機械装置のステージ上の前記チャックを支持するチャック支持であって、前記チャック支持は前記チャックの前記外側端の周りに延びる内周壁を有し、前記チャック支持の前記内周壁と前記チャックの前記外側端の間に真空チャンバを形成する前記チャック支持と、
前記真空チャンバにより前記粗面と空気連結される少なくとも一つの真空吸引孔と、
前記少なくとも一つの真空吸引孔、前記真空チャンバおよび前記粗面に形成される通路を通じて真空を引き前記部品の前記平坦底部を前記粗面に引き付けるために前記少なくとも一つの真空吸引孔に空気結合される減圧源と
を有する装置。
【請求項２】
更に、
前記チャック支持の前記内周壁に対して前記チャックの前記外側端部を封止して、前記真空チャンバの封止を形成するＯリング、または、
前記チャック支持の表面に対して前記チャックの底部表面を封止して前記真空チャンバの封止を形成するために環状封止
を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
更に、
前記少なくとも一つの真空吸引孔は前記チャック支持の前記内周壁を通って延び、前記チャック支持のまわりに配置される複数の真空吸引孔を有する請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記部品がテープ・フレームによって支持されるウェーハであり、前記テープ・フレームは前記チャック支持により支持され、前記真空チャンバは前記チャック支持によって形成され、封止が前記チャック支持および前記テープ・フレームのテープに対して前記チャックを封止する請求項１または２に記載の装置。
【請求項５】
前記光透過性材料が、天然または合成の溶融石英または溶融ガラスの少なくとも一つを有する請求項１または２に記載の装置。
【請求項６】
前記光透過性材料が均一であり、前記第一の表面に沿った任意の点において前記第一表面から前記第二表面への均一な通路を提供する請求項１または２に記載の装置。
【請求項７】
前記粗面が前記第一表面または前記第二表面の全体に延びている請求項１または２に記載の装置。
【請求項８】
前記プレートのような形状が０．５００の±０．００５インチの比較的均一の厚みを有し、前記粗面に形成される前記通路は、１５０〜２００マイクロインチの深さを有する請求項１または２に記載の装置。
【請求項９】
前記粗面が経路を負圧の適用通路を提供し、前記部品が前記負圧の適用によって歪められない程度に微細である請求項１または２に記載の装置。
【請求項１０】
更に、
前記部品をバックライトするために前記チャックの下に位置する光源を有する請求項１または２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月15日(2015.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチメディアコンテンツを送信する方法であって、
制御メッセージを識別するステップと、
前記制御メッセージを送信するステップと、を含み、
前記制御メッセージは、少なくとも一つのテーブルを含み、
前記少なくとも一つのテーブルのうちの一つは、パッケージに該当するテーブルであり、
前記テーブルは、前記パッケージと関連したアセットリストを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記テーブルは、アセットの数と関連した情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記テーブルは、前記テーブルを識別するテーブル識別子を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月30日(2015.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型電子パッケージであって、
第１の表面と、複数の基板コンタクトと、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有する基板であって、前記第２の表面は、第１の方向及び前記第１の方向を横切る第２の方向に延在する、基板と、
その他の機能よりもメモリ記憶アレイ機能を与える多数のアクティブデバイスを有する超小型電子素子であって、該超小型電子素子は、前記第１の表面を向く後面と、該後面の反対側の前面と、それぞれが前記前面と前記後面との間に延在しかつ前記前面に平行な方向に延在する対向する第１の縁部及び第２の縁部とを有し、該超小型電子素子は、前記前面に沿う前記第１の方向に延在する、素子コンタクトの少なくとも１つの列を有し、前記第１の縁部及び第２の縁部は、前記第１の方向に延在するとともに、前記超小型電子素子の前記後面に垂直な第３の方向に延在する軸平面を規定しており、該軸平面は、、前記第１の縁部及び前記第２の縁部に対して中央に置かれる、超小型電子素子と、
前記素子コンタクトを前記基板コンタクトに電気的に接続する、前記前面の上に延在する導電性構造と、
前記第２の表面において前記基板コンタクトに電気的に接続された、前記第１の方向に延在する端子の複数の平行な列であって、前記端子は、前記基板の前記第２の表面の中央領域内に露出する第１の端子を含み、前記第１の端子は、前記超小型電子素子内のメモリ記憶アレイの全ての利用可能なアドレス指定可能メモリ位置の中から、１つのアドレス指定可能メモリ位置を決定するのに該パッケージ内の回路によって使用可能なアドレス情報を運ぶように構成される、端子の複数の平行な列と
を含んでなり、
前記中央領域は、前記第２の方向に幅を有し、前記中央領域の前記幅は、前記端子の前記平行な列の任意の２つの隣接する列間の最小ピッチの３．５倍以下であり、前記軸平面は前記中央領域に交わる、超小型電子パッケージ。
【請求項２】
前記第１の端子は、前記メモリ記憶アレイ内の前記アドレス指定可能メモリ位置を決定するのに該パッケージ内の前記回路によって使用可能な前記アドレス情報の全てを運ぶように構成される、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項３】
前記導電性構造は、前記素子コンタクトから延在し、前記基板コンタクトに電気的に接続されたワイヤボンドを含む、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項４】
前記第１の端子は、端子のわずか２つ以下の列に配列される、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項５】
前記第１の端子は、端子の単一の列に配列される、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項６】
前記第１の端子は、端子の４つ以下の列に配列される、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項７】
前記基板は、互いに反対側の前記第１の表面と前記第２の表面との間に対向する第１の縁部及び第２の縁部を有し、前記第１の縁部及び前記第２の縁部は前記第１の方向に延在し、前記第２の表面は、前記第１の縁部及び前記第２の縁部に隣接する第１の周辺領域及び第２の周辺領域をそれぞれ有し、前記中央領域は、前記第１の周辺領域及び前記第２の周辺領域を分離し、
前記端子は、前記第２の表面において前記周辺領域の少なくとも一方の周辺領域内に露出する複数の第２の端子を含み、前記第２の端子のうちの少なくともいくつかは前記アドレス情報以外の情報を運ぶように構成される、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項８】
前記第２の端子のうちの少なくともいくつかはデータ信号を運ぶように構成される、請求項７に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項９】
前記第１の端子は、前記超小型電子素子のメモリ記憶アレイの全ての利用可能なアドレス指定可能メモリ位置の中から、１つのアドレス指定可能メモリ位置を決定するのに該パッケージ内の回路によって使用可能なアドレス情報の大部分を運ぶように構成される、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【請求項１０】
前記超小型電子素子は、第１の超小型電子素子及び第２の超小型電子素子を含み、該第１の超小型電子素子及び第２の超小型電子素子のそれぞれは、その他の機能よりもメモリ記憶アレイ機能を与える多数のアクティブデバイスを実現しており、該第１の超小型電子素子及び該第２の超小型電子素子は、前記第１の表面上で互いから離間し、それぞれが前記第１の方向に延在する平行な第１の縁部を有し、前記軸平面は、前記第１の縁部の間で中央に置かれる、
請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
比較例１：メタクリル酸塩化物からのＮ−イソプロピルメタクリルアミドの製造
機械的攪拌機、滴加漏斗、内部温度センサおよび還流冷却器を備えた１Ｌの４口丸型フラスコ中で、５００ｇ（１ｍｏｌ）の２Ｎ苛性ソーダ、５９ｇ（１ｍｏｌ）のイソプロピルアミンならびに阻害剤として２，４−ジメチル−６−（ｔｅｒｔ．ブチル）フェノールを装入し、かつ室温で、メタクリル酸塩化物１０４ｇ（１ｍｏｌ）を攪拌しながら計量供給する。供給終了後に、回分を１時間に亘って後攪拌し、再度水酸化ナトリウム１０ｇを添加し、かつさらに３０分に亘って撹拌する。沈澱した結晶を吸引し、かつ空気乾燥する。ガスクロマトグラフにより測定された９０．７％の純度を有する、Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド１０８ｇ（８５％ｄ．Ｔｈ．）１０８ｇが得られる。副生成物として、Ｎ−イソプロピルメタクリルアミドに対するメタクリル酸塩化物の付加生成物が９％得られる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
有機相１４９ｇ／ｈを予熱装置により１００℃に加熱し、かつ１００ミリバールで運転されていた一段のフラッシュに導通した。このフラッシュからの蒸気相を、後方冷却器中で凝縮し（水約４８％、イソノナノール２３％、イソノネン２９％）、かつ方法から排出する（７．３ｇ／ｈ、そのうち１．７ｇ／ｈがイソノナノール）。フラッシュ（１４１．７ｇ／ｈ、イソノナノール９７％）からの液状の、低沸点成分（イソノネン）が低減された相を、アルコール回収容器に導通し、かつここからエステル化に返送した。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
有機相の一部を、予熱装置により１２０℃に加熱し、かつ８０ミリバールに維持されていた放圧容器へと放圧した。放圧の際に形成される蒸気相を凝縮し（水０．１％、２−ＰＨ２７．８％、デセン７２．１％）、かつ方法から排出した（７．３ｇ、そのうち２ｇ／ｈが２−ＰＨ）。放圧からの、低沸点成分が低減された液相をアルコール回収容器に導通し、かつここからエステル化へ返送した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月1日(2014.12.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
図４は、図３に示した実施形態の頂面概略図であって、インクインレット２２０、電気回路２３０及び電極２４０を含む細部が追加的に示されている。まず、インレット２２０は特許文献２に詳示のデュアルフィード型であり、プリントヘッドモジュール２１０の背面からそのインレット２２０に隣接する一群の液滴吐出器２１２へとインクを供給できるように構成されている。図示例ではインレット２２０が複数個のセグメントに分割されており、そのセグメントが各アレイ２１１の両側に千鳥配置されている。こうしたセグメントは、例えば、米国特許出願第１２／２４１７４７号（出願日：２００８年９月３０日，発明者：Lebens et al.）の記載に倣いスロット２２１として形成することができる。次に、回路２３０内には、電気パルス源１６からの電気パルス供給に応じ液滴吐出器２１２を作動させる駆動用トランジスタが設けられている。その駆動用トランジスタは、スロット２２１間アレイ２１１の左右いずれかから延びるリードで、対応する液滴吐出器２１２に接続されている。回路２３０内には、更に、コントローラ１４及び画像処理部１５から供給される画像データに従い駆動用トランジスタを制御し、適切な吐出器２１２を適切なタイミングで作動させる論理回路が設けられている。そして、モジュール２１０への電気信号供給に使用される電極２４０は、モジュール２１０の非突合辺２０９のうち一方又は双方に沿うよう、方向２０６沿いに配列されている。電極２４０は、ワイヤボンディング又はテープ自動化ボンディングによって、支持基板２０５上にある回路基板等（図２では省略）に接続されている。このように、回路２３０内に駆動回路及び論理回路を設けた構成では、数百個に上る吐出器２１１を比較的少数の電極（２０個オーダ）で作動させることができる。更に、その回路２３０は吐出器２１２で形成されるアレイ２１１それぞれの両側にある。突合辺２１４の最寄りにあるアレイ２１１も例外ではなく、突合辺２１４の最寄りにありその突合辺２１４に対し略平行なアレイ２１１と、その突合辺２１４との間にも、モジュール２１０を構成する回路２３０の一部分が存している。