(57)【要約】【課題】フィルタ内に気泡が存在することを抑制すること。【解決手段】液処理ユニットＵ１は、液処理に用いられる処理液の経路である処理液経路７０と、処理液経路７０に設けられ、処理液中の異物を除去するフィルタユニット３０と、処理液経路７０を経てフィルタユニット３０に処理液が供給される第１状態と、処理液経路７０を経てフィルタユニット３０に、空気よりも処理液に溶けやすい二酸化炭素ガスが供給される第２状態とを切り替える切替バルブＶ１４と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液処理に用いられる処理液の経路である処理液経路と、
前記処理液経路に設けられ、前記処理液中の異物を除去するフィルタユニットと、
前記処理液経路を経て前記フィルタユニットに前記処理液が供給される第１状態と、前記処理液経路を経て前記フィルタユニットに、空気よりも前記処理液に溶けやすいガスが供給される第２状態とを切り替える切替部と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液に対して、前記ガスの溶解性を高める処理を施す溶解促進部を更に備える、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記溶解促進部は、前記処理液を脱気する脱気部、又は前記処理液を冷却する冷却部である、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２状態後に前記第１状態に切り替わるように前記切替部を制御することを実行するように構成された制御部を更に備える、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１状態における前記処理液経路を流れる前記処理液の流量を調節する流量調節部を更に備え、
前記制御部は、
前記フィルタユニット内に前記処理液が充填する過程において、前記処理液の充填速さが徐々に早くなるように、前記流量調節部を制御することを更に実行するように構成されている、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記フィルタユニット内に前記処理液が充填した後において充填前よりも前記処理液の流量が少なくなるように、前記流量調節部を制御することを更に実行するように構成されている、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液経路は、前記フィルタユニットへ前記処理液を導入する第１経路と、前記フィルタユニットから前記処理液を排出する第２経路と、前記フィルタユニットから処理液供給用のノズルに前記処理液を導く第３経路と、を有し、
前記第２経路に設けられた第１バルブと、前記第３経路に設けられた第２バルブとを更に備え、
前記制御部は、
前記第２状態において、前記第１バルブを開くと共に前記第２バルブを閉じて前記第１経路から前記第２経路に前記ガスを供給することと、前記第１バルブを閉じると共に前記第２バルブを開いて前記第１経路から前記第３経路に前記ガスを供給することと、を切り替えて実行し、
前記第１状態において、前記第１バルブを開くと共に前記第２バルブを閉じて前記第１経路から前記第２経路に前記処理液を供給することと、前記第１バルブを閉じると共に前記第２バルブを開いて前記第１経路から前記第３経路に前記処理液を供給することと、を切り替えて実行するように構成されている、請求項４〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２経路に設けられ、前記ガスの濃度を測定する第１濃度計と、前記第３経路に設けられ、前記ガスの濃度を測定する第２濃度計と、を更に備え、
前記制御部は、
前記第２状態における前記第１濃度計及び前記第２濃度計の値に応じて、前記第２状態から前記第１状態に切り替えるか否かを判定すること、を更に実行するように構成されており、
切り替えると判定した場合に、前記第２状態から前記第１状態に切り替わるように前記切替部を制御する、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
液処理に用いられる処理液の経路であってフィルタが設けられた処理液経路に、空気よりも前記処理液に溶けやすいガスを供給する工程と、
前記ガスを供給する工程後において、前記処理液経路に前記処理液を供給する工程と、を含む基板処理方法。
【請求項１０】
前記処理液は水を主成分とした液であり、
前記ガスは二酸化炭素、塩素、アンモニア、及び硫化窒素の少なくともいずれかを含む気体である、請求項９記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理液を供給する処理液供給路に設けられるフィルタ部の気泡を除去する技術が開示されている。具体的には、特許文献１には、フィルタ部内を処理液で満たす工程と、フィルタ部内を減圧して負圧雰囲気にする工程と、フィルタ部のベントから処理液を排出する工程と、フィルタ部を通液した処理液を被処理体に供給する工程と、を含む液処理方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１８９４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、フィルタのポアサイズが小さくなることに伴い、フィルタの濡れ性が悪化してきている。これにより、フィルタ内に空気層（気泡）が発生するリスクが高まっている。フィルタ内に気泡が存在する場合には、フィルタの異物除去力を十分に発揮することができない。
【０００５】
本開示は上記実情に鑑みてなされたものであり、フィルタ内に気泡が存在することを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る基板処理装置は、液処理に用いられる処理液の経路である処理液経路と、処理液経路に設けられ、処理液中の異物を除去するフィルタユニットと、処理液経路を経てフィルタユニットに処理液が供給される第１状態と、処理液経路を経てフィルタユニットに、空気よりも処理液に溶けやすいガスが供給される第２状態とを切り替える切替部と、を備える。
【０００７】
本開示の一態様に係る基板処理装置では、空気よりも処理液に溶けやすいガスが、処理液の経路である処理液経路を経てフィルタユニットに供給される。このことで、例えば上記溶けやすいガスが供給された後に、フィルタユニットに対して処理液が供給された場合には、処理液に対して、上記溶けやすいガスが含まれることとなる。このような溶けやすいガスは、処理液に溶解しやすいため、気泡（溶けやすいガスの気泡）が発生しにくい。更に、溶けやすいガスが処理液中で気泡となった場合であっても、当該気泡は処理液に溶けやすいため、時間の経過と共に気泡が溶解することが期待できる。以上より、本開示に係る基板処理装置によれば、フィルタユニット内に気泡が存在することを抑制することができる。なお、処理液が水を主成分（例えば水の含有率が５０質量％以上）とする液体の場合、空気よりも溶けやすいガスとして、二酸化炭素、塩素、アンモニア、及び硫化窒素等がある。安全面やコスト面から、二酸化炭素が扱い易い。
【０００８】
上記基板処理装置は、処理液に対して、ガスの溶解性を高める処理を施す溶解促進部を更に備えていてもよい。これにより、処理液に溶けやすいガスを、更に処理液に溶解し易くすることができ、フィルタユニット内に気泡が存在することをより好適に抑制できる。
【０００９】
溶解促進部は、処理液を脱気する脱気部、又は処理液を冷却する冷却部であってもよい。処理液を脱気すること及び処理液を冷却することにより、当該処理液に溶解するガスの量を増やすことができ、ガスの溶解促進を図ることができる。
【００１０】
上記基板処理装置は、第２状態後に第１状態に切り替わるように切替部を制御することを実行するように構成された制御部を更に備えていてもよい。これにより、第２状態においてフィルタユニット内に溶けやすいガスを充填した後に、第１状態において処理液をフィルタユニットに供給することができる。このことで、フィルタユニット内に気泡が存在することを好適に抑制することができる。
【００１１】
上記基板処理装置は、第１状態における処理液経路を流れる処理液の流量を調節する流量調節部を更に備え、制御部は、フィルタユニット内に処理液が充填する過程において、処理液の充填速さが徐々に早くなるように、流量調節部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。最初から流速を速くして充填した場合には、処理液が通り易い箇所にだけ処理液が流れ、フィルタユニットの全体を濡らすことができない場合がある。この点、流速を徐々に早くすることにより、フィルタユニットの下部から順に濡らし、濡れ性を十分に確保しながら処理液を充填させることができる。
【００１２】
切替部は、処理液及びガスのいずれも供給されない第３状態に切り替え可能であり、制御部は、フィルタユニット内に処理液が充填するまで第１状態を継続し、充填後に第１状態から第３状態に切り替わるように切替部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。これにより、フィルタユニット充填後には、フィルタユニットに対して、処理液及びガスの双方が供給されない（放置する）こととなる。溶けやすいガスの気泡は、時間経過と共に処理液に溶解することが期待できるため、充填後に放置することによって、処理液の消費を抑えながら、フィルタユニット内に気泡が存在することを抑制することができる。
【００１３】
制御部は、フィルタユニット内に処理液が充填した後において充填前よりも処理液の流量が少なくなるように、流量調節部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。充填後も少量の処理液を流し続けることにより、フィルタユニット内で処理液が流動し続けることとなり、毛細管現象によってフィルタユニットへの処理液の浸透が促進されることとなる。これにより、気泡の溶解を促進することができる。また、少量の処理液を流し続けることにより、フィルタユニット内に、ガスが溶解する前の新たな処理液を流入させることができ、処理液の溶解度を担保することができる。
【００１４】
処理液経路は、フィルタユニットへ処理液を導入する第１経路と、フィルタユニットから処理液を排出する第２経路と、フィルタユニットから処理液供給用のノズルに処理液を導く第３経路と、を有し、第２経路に設けられた第１バルブと、第３経路に設けられた第２バルブとを更に備え、制御部は、第２状態において、第１バルブを開くと共に第２バルブを閉じて第１経路から第２経路にガスを供給することと、第１バルブを閉じると共に第２バルブを開いて第１経路から第３経路にガスを供給することと、を切り替えて実行し、第１状態において、第１バルブを開くと共に第２バルブを閉じて第１経路から第２経路に処理液を供給することと、第１バルブを閉じると共に第２バルブを開いて第１経路から第３経路に処理液を供給することと、を切り替えて実行するように構成されていてもよい。これにより、フィルタユニットにおける、ドレイン側の経路及びノズル側の経路の双方に対して、ガスの供給及び処理液の供給を行うことができる。すなわち、フィルタユニット内において、万遍なく、気泡が存在することを抑制することができる。
【００１５】
上記基板処理装置は、第２経路に設けられ、ガスの濃度を測定する第１濃度計と、第３経路に設けられ、ガスの濃度を測定する第２濃度計と、を更に備え、制御部は、第２状態における第１濃度計及び第２濃度計の値に応じて、第２状態から第１状態に切り替えるか否かを判定すること、を更に実行するように構成されており、切り替えると判定した場合に、第２状態から第１状態に切り替わるように切替部を制御してもよい。これにより、フィルタユニット内に十分にガスが充填したことを確認した後に、第２状態から第１状態に切り替えることができる。このことで、フィルタユニット内に気泡が存在することをより好適に抑制できる。
【００１６】
本開示の一態様に係る基板処理方法は、液処理に用いられる処理液の経路であってフィルタが設けられた処理液経路に、空気よりも処理液に溶けやすいガスを供給する工程と、ガスを供給する工程後において、処理液経路に処理液を供給する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１７】
本開示によれば、フィルタユニット内に気泡が存在することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】処理液経路に設けられたフィルタユニットを説明するための図である。
【図５】フィルタユニットへの二酸化炭素ガスの供給を説明するための図であり、（ａ）は一次側、（ｂ）は二次側への二酸化炭素ガスの供給に関する図である。
【図６】フィルタユニットへの処理液の供給を説明するための図であり、（ａ）は一次側、（ｂ）は二次側への処理液の供給に関する図である。
【図７】処理液を供給されたフィルタユニットの模式図であり、、（ａ）は一次側、（ｂ）は二次側への処理液の供給に関する図である。
【図８】フィルタユニットにおける気泡除去の一例を説明する縦断面図であり、（ａ）は充填開始時、（ｂ）は充填完了時、（ｃ）は（ｂ）から所定時間経過後、（ｄ）は（ｃ）から更に所定時間経過後のフィルタユニットを示す図である。
【図９】フィルタユニットにおける気泡除去の一例を説明する縦断面図であり、（ａ）は充填開始時、（ｂ）は充填完了時、（ｃ）は（ｂ）から所定時間経過後、（ｄ）は（ｃ）から更に所定時間経過後のフィルタユニットを示す図である。
【図１０】コントローラのハードウェア構成図である。
【図１１】液処理のフローチャートである。
【図１２】比較例に係る、処理液経路のライン構成を示す図である。
【図１３】比較例におけるフィルタユニット内部を説明する図である。
【図１４】水に溶けるガス量を水の温度毎に示す図であり、（ａ）はガスが二酸化炭素、（ｂ）はガスが酸素、（ｃ）はガスが窒素の例である。
【図１５】変形例に係る溶解促進部である冷却部を示す図であり、（ａ）は冷却バス、（ｂ）は冷却タンク、（ｃ）は冷却カバーを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２０】
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
【００２１】
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００２２】
（塗布・現像装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。
【００２３】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００２４】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
【００２５】
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２６】
処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（塗布液）を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１についての詳細は後述する。
【００２７】
処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２８】
処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像用の処理液（現像液）を塗布した後、これを洗浄用の処理液（リンス液）により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００２９】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００３０】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００３１】
コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。
【００３２】
まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３３】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３４】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３５】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３６】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００３７】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００３８】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、現像処理用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００３９】
〔液処理ユニット〕
続いて、処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１について詳細に説明する。液処理ユニットＵ１は、露光後のレジスト膜を有するウェハＷに現像液と、次いでリンス液を供給する現像処理と、現像液及びリンス液の各供給システムにて当該液中の異物を除去するフィルタユニット３０に当該液を通液するウェッティング処理とを行う。つまり、液処理ユニットＵ１は、現像液供給システムと、リンス液供給システムとを、一部に有する。なお、現像液は水を主成分とする液体である。リンス液は、ＤＩＷ、又は水が主成分であり添加物を含む液体が使用される。
【００４０】
（処理液供給部）
上記リンス液供給システムの構成例を図４に示す。リンス液（処理液）供給システムは、処理液供給源２０と、ガス供給源５０と、切替バルブＶ１４（切替部）と、処理液経路７０と、フィルタユニット３０と、液処理部９０内へ処理液を吐出するノズル９３と、脱気部６０と、コントローラ１００（制御部）とを有する。ノズル９３には、配管である処理液経路７０が接続され、当該処理液経路７０には、上流側から処理液供給源２０、ポンプ（不図示）、フィルタユニット３０、が設けられている。処理液供給源からＮ２加圧により処理液が下流に流れ、フィルタユニット３０でろ過された処理液がノズル９３から噴出されるように構成されている。
【００４１】
（処理液経路）
処理液経路７０は、液処理（上述した現像処理及びウェッティング処理）に用いられる処理液の経路であり、上流側である処理液供給源２０から液処理部９０のノズル９３まで延びる配管である。また、処理液経路７０は、ウェッティング処理における二酸化炭素ガスの経路であり、ガス供給源５０に接続されている。また、処理液経路７０は、ウェッティング処理における処理液の排出経路であり、排液路（不図示）に接続されている。
【００４２】
処理液経路７０は、フィルタユニット３０へ処理液を導入する第１経路７１と、フィルタユニット３０から処理液を排出する第２経路７２と、フィルタユニット３０から処理液供給用のノズル９３に処理液を導く第３経路７３と、を有する。第１経路７１は、切替バルブＶ１４及びフィルタユニット３０をつなぐ。第２経路７２は、フィルタユニット３０及び排液路（ドレイン）（不図示）をつなぐ。第３経路７３は、フィルタユニット３０及びノズル９３をつなぐ。
【００４３】
第３経路７３には、分岐点ｂｐが設けられている。第３経路７３は、当該分岐点ｂｐから、ノズル側分岐経路７３ａと、排気路側分岐経路７３ｂとに分岐している。ノズル側分岐経路７３ａは、分岐点ｂｐ及びノズル９３をつなぐ。ノズル側分岐経路７３ａにはバルブＶ１５が設けられている。排気路側分岐経路７３ｂは、分岐点ｂｐ及び排液路（不図示）をつなぐ。
【００４４】
第２経路７２には、バルブＶ１８（第１バルブ）が設けられている。第３経路７３（詳細には、第３経路７３の分岐経路である排気路側分岐経路７３ｂ）には、バルブＶ１９（第２バルブ）が設けられている。また、第２経路７２には、二酸化炭素ガスの濃度を測定する第１濃度計ＣＳ１が設けられている。第１濃度計ＣＳ１は、例えば、第２経路７２におけるバルブＶ１８の下流に設けられている。また、第３経路７３には、二酸化炭素ガスの濃度を測定する第２濃度計ＣＳ２が設けられている。第２濃度計ＣＳ２は、例えば、第３経路７３における分岐点ｂｐの上流に設けられている。第１濃度計ＣＳ１及び第２濃度計ＣＳ２は、二酸化炭素ガスの濃度を測定できるものであれば限定されない。また、第１濃度計ＣＳ１及び第２濃度計ＣＳ２は、上記設置個所に常に設けられているものでなくてもよく、測定時にのみ設置されるハンディタイプであってもよい。
【００４５】
（フィルタユニット）
フィルタユニット３０は、処理液経路７０に設けられ、処理液中の異物（パーティクル）を捕集し除去する。フィルタユニット３０の構成について、図８（ａ）の縦断面図を参照しながら説明する。フィルタユニット３０は、カートリッジ３１と、カートリッジ３１を囲むカプセル３２とを有する。カートリッジ３１は、起立した内筒部３３と、内筒部３３の周囲を覆う保持部３４と、保持部３４内に内筒部３３の側周を囲むように設けられる濾過部材３５と、を有する。濾過部材３５は、例えば不織布により構成される膜部材を折り曲げて構成されている。濾過部材３５は、フィルタユニット３０を装着する際には乾燥しているが、使用時には処理液に浸される。
【００４６】
内筒部３３内には、流路３０１が形成されている。内筒部３３の側壁には開口部３０２が、保持部３４の側壁には開口部３０３が、保持部３４の上部には開口部３０４が、それぞれ形成されている。流路３０１、開口部３０２、及び開口部３０４は、互いに連通している。濾過部材３５は、開口部３０２，３０３間を遮るように設けられている。カプセル３２の上部には、ポート３３１，３３２，３３３が設けられている。
【００４７】
ポート３３１は、処理液経路７０の第１経路７１に接続される処理液導入ポートである。カプセル３２内にはガイド部材３６が設けられており、ポート３３１から流入した処理液は、ガイド部材３６によってカプセル３２の底部側を通過してから上側に向かうようにガイドされる。ガイド部材３６及びカプセル３２の内壁間には、流路３１４が形成されている。流路３１４の下端に連続するように、カートリッジ３１の下部には水平方向に流路３１５が形成されている。また、流路３１５に連続するように、保持部３４の外壁に沿って流路３１６が形成されている。ポート３３２は、処理液経路７０の第３経路７３に接続される処理液排出ポートであり、フィルタユニット３０によって濾過された処理液をノズル９３方向に排出する。ポート３３２は、カートリッジ３１の開口部３０４に開口している。ポート３３３は、処理液経路７０の第２経路７２に接続されるドレイン用（ベント用）ポートである。ポート３３３は、流路３１６に開口している。
【００４８】
フィルタユニット３０は、ポート３３１、流路３１４、流路３１５、流路３１６、及びポート３３３の順に処理液を流す、一次側経路３７（図８（ａ）参照）を有する。一次側経路３７では、ポート３３１（一端）が第１経路７１に連続し、ポート３３３（他端）が第２経路７２に連続している。また、フィルタユニット３０は、ポート３３１、濾過部材３５、開口部３０４、及びポート３３２の順に処理液を流す、二次側経路３８（図８（ｂ）参照）を有する。二次側経路３８では、ポート３３１（一端）が第１経路７１に連続し、ポート３３２（他端）が第３経路７３に連続している。
【００４９】
（切替バルブ）
切替バルブＶ１４は、処理液経路７０に設けられたスイッチングバルブである。切替バルブＶ１４は、処理液経路７０を経てフィルタユニット３０に処理液が供給される第１状態と、処理液経路７０を経てフィルタユニット３０に、空気よりも処理液に溶けやすいガスである二酸化炭素ガスが供給される第２状態とを切り替えるバルブである。更に、切替バルブＶ１４は、上記第１状態及び第２状態に加えて、処理液供給源２０から処理液が供給されず且つガス供給源５０から二酸化炭素ガスが供給されない第３状態に切り替え可能である。すなわち、切替バルブＶ１４は、第１経路７１に接続されると共に、コントローラ１００の制御に応じて、処理液供給源２０につながる処理液ライン７１１の弁を開くこと（図６参照。第１状態）、ガス供給源５０につながるガスライン７１２の弁を開くこと（図５参照。第２状態）、並びに、処理液ライン７１１及びガスライン７１２の両方の弁を閉めること（図４参照。第３状態）を切り替え可能に構成されている。
【００５０】
（処理液供給源）
処理液供給源２０は、処理液経路７０に処理液を供給する。処理液供給源２０は、ボトル２１と、加圧装置２２とを有する。ボトル２１は、処理液を貯留する密閉型のボトルである。加圧装置２２は、窒素ガスによりボトル２１内を加圧する装置である。加圧装置２２は、コントローラ１００の制御に応じて、第１状態における処理液経路７０を流れる処理液の流量を調節する流量調節部として機能する。なお、第１状態における処理液の流量は、加圧装置２２ではなく、例えば流量調整バルブ等により調節されるものであってもよい。加圧装置２２とボトル２１とはバルブＶ１１を介して配管で接続されている。
【００５１】
（ガス供給源）
ガス供給源５０は、処理液経路７０に二酸化炭素ガスを供給する。ガス供給源５０は、ガスライン７１２を介して切替バルブＶ１４に接続されている。ガスライン７１２には、バルブＶ５０が設けられている。なお、ガス供給源５０は、二酸化炭素ガス以外の、空気よりも処理液に溶けやすいガスを供給するものであってもよい。
【００５２】
（脱気部）
脱気部６０は、処理液を脱気することにより、処理液に対して二酸化炭素ガスの溶解性を高める処理を施す溶解促進部である。脱気とは、液体から溶存気体（ガス）を取り除くことをいう。脱気部６０による脱気の方法は限定されず、例えば三層複合中空糸膜を用いて当該膜の外側を真空状態にする脱気モジュールを用いてもよいし、ＰＣＳポンプ等を用いてもよい。脱気部６０は、処理液が二酸化炭素ガスと合流する箇所よりも上流、すなわち、切替バルブＶ１４よりも上流に設けられていればよく、例えば処理液ライン７１１に設けられている。
【００５３】
（コントローラ）
コントローラ１００は、第２状態後に第１状態に切り替わるように切替バルブＶ１４を制御することを実行するように構成されている。
【００５４】
コントローラ１００は、フィルタユニット３０内に処理液が充填する過程において処理液の充填速さが徐々に早くなるように、加圧装置２２を制御することを更に実行するように構成されている。
【００５５】
コントローラ１００は、フィルタユニット３０内に処理液が充填するまで第１状態を継続し、充填後に第１状態から第３状態に切り替わるように切替バルブＶ１４を制御することを更に実行するように構成されている。
【００５６】
コントローラ１００は、フィルタユニット３０内に処理液が充填した後において充填前よりも処理液の流量が少なくなるように、加圧装置２２を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。
【００５７】
コントローラ１００は、第２状態において、バルブＶ１８を開くと共にバルブＶ１９を閉じて、第１経路７１から第２経路７２に（すなわち、フィルタユニット３０の一次側経路３７（図７（ａ）参照）に）二酸化炭素ガスを供給することと、バルブＶ１８を閉じると共にバルブＶ１９を開いて、第１経路７１から第３経路７３に（すなわち、二次側経路３８（図７（ｂ）参照）に）二酸化炭素ガスを供給することと、を切り替えて実行し、第１状態において、バルブＶ１８を開くと共にバルブＶ１９を閉じて、第１経路７１から第２経路７２に（すなわち、フィルタユニット３０の一次側経路３７（図７（ａ）参照）に）処理液を供給することと、バルブＶ１８を閉じると共にバルブＶ１９を開いて、第１経路７１から第３経路７３に（すなわち、二次側経路３８（図７（ｂ）参照）に）処理液を供給することと、を切り替えて実行するように構成されている。
【００５８】
コントローラ１００は、第２状態における第１濃度計ＣＳ１及び第２濃度計ＣＳ２の値に応じて、第２状態から第１状態に切り替えるか否かを判定すること、を更に実行するように構成されており、切り替えると判定した場合に、第２状態から第１状態に切り替わるように切替バルブＶ１４を制御する。
【００５９】
図４に示すように、コントローラ１００は、機能モジュールとして、バルブ制御部１０１と、切替判定部１０２と、流量制御部１０３とを有する。
【００６０】
バルブ制御部１０１は、液処理ユニットＵ１に設けられた各バルブを制御する。バルブ制御部１０１は、ウェッティング処理及び現像処理の両方の処理において、各バルブを制御する。ウェッティング処理において、バルブ制御部１０１は、最初に、二酸化炭素ガスが処理液経路７０に供給される第２状態となるように各バルブを制御し、その後、処理液が処理液経路７０に供給される第１状態となるように各バルブを制御する。すなわち、バルブ制御部１０１は、第２状態後に第１状態に切り替わるように、切替バルブＶ１４等のバルブを制御する。以下、第２状態とする制御をガス供給制御、第１状態とする制御を処理液供給制御と記載する場合がある。バルブ制御部１０１は、後述するように、ガス供給制御において、バルブＶ１８を開くと共にバルブＶ１９を閉じて、フィルタユニット３０の一次側経路３７に二酸化炭素ガスを供給することと、バルブＶ１８を閉じると共にバルブＶ１９を開いて、フィルタユニット３０の二次側経路３８に二酸化炭素ガスを供給することと、を切り替えて実行する。また、バルブ制御部１０１は、後述するように、処理液供給制御において、バルブＶ１８を開くと共にバルブＶ１９を閉じて、フィルタユニット３０の一次側経路３７に処理液を供給することと、バルブＶ１８を閉じると共にバルブＶ１９を開いて、フィルタユニット３０の二次側経路３８に処理液を供給することと、を切り替えて実行する。
【００６１】
ガス供給制御では、バルブ制御部１０１は、初期状態において閉成された各バルブ（図４の状態）のうち、バルブＶ５０及びバルブＶ１８を開成すると共に、ガスライン７１２の弁が開成されるように切替バルブＶ１４を制御する。この状態においては、図５（ａ）に示されるように、ガス供給源５０から供給された二酸化炭素ガスが、ガスライン７１２及び第１経路７１を経てフィルタユニット３０に流入する。二酸化炭素ガスは、フィルタユニット３０の一次側経路３７を通過して、第２経路７２から排気路２０１方向に流れる。これにより、フィルタユニット３０の一次側経路３７に二酸化炭素ガスが充填する。
【００６２】
続いて、バルブ制御部１０１は、バルブＶ１８を閉成すると共に、バルブＶ１９を開成する。この状態においては、図５（ｂ）に示されるように、ガス供給源５０から供給された二酸化炭素ガスが、ガスライン７１２及び第１経路７１を経てフィルタユニット３０に流入する。二酸化炭素ガスは、フィルタユニット３０の二次側経路３８を通過して、排気路側分岐経路７３ｂから排気路（不図示）方向に流れる。これにより、フィルタユニット３０の二次側経路３８に二酸化炭素ガスが充填する。バルブ制御部１０１は、ガス供給制御が完了すると、全てのバルブを閉成する。バルブ制御部１０１は、切替判定部１０２が第２状態から第１状態に切り替える（ガス供給制御から処理液供給制御に切り替える）と判定したことを契機として、ガス供給制御から処理液供給制御に切り替える。
【００６３】
処理液供給制御では、バルブ制御部１０１は、初期状態において閉成された各バルブ（図４の状態）のうち、バルブＶ１１及びバルブＶ１８を開成すると共に、処理液ライン７１１の弁が開成されるように切替バルブＶ１４を制御する。この状態で、流量制御部１０３により加圧装置２２が制御されボトル２１が加圧されると、図６（ａ）及び図７（ａ）に示されるように、処理液供給源２０から供給された処理液が、処理液ライン７１１及び第１経路７１を経てフィルタユニット３０に流入する。処理液は、フィルタユニット３０のポート３３１からポート３３３に向かって一次側経路３７を通過し、第２経路７２から排液路（不図示）方向に流れる。これにより、事前のガス供給制御において二酸化炭素ガスが充填されていたフィルタユニット３０の一次側経路３７に、処理液が流れることとなる。
【００６４】
続いて、バルブ制御部１０１は、バルブＶ１８を閉成すると共に、バルブＶ１９を開成する。この状態で、流量制御部１０３により加圧装置２２が制御されボトル２１が加圧されると、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示されるように、処理液供給源２０から供給された処理液が、処理液ライン７１１及び第１経路７１を経てフィルタユニット３０に流入する。処理液は、フィルタユニット３０のポート３３１からポート３３２に向かって二次側経路３８を通過し、排気路側分岐経路７３ｂから排液路（不図示）方向に流れる。これにより、事前のガス供給制御において二酸化炭素ガスが充填されていたフィルタユニット３０の二次側経路３８に、処理液が流れることとなる。なお、バルブ制御部１０１は、一次側経路３７への処理液供給と、二次側経路３８への処理液供給とを交互に繰り返しながら、フィルタユニット３０に処理液を充填してもよい。その際、流量は徐々に上げることが好ましい。
【００６５】
バルブ制御部１０１は、フィルタユニット３０内に処理液が充填するまで処理液供給制御（第１状態とする制御）を継続し、充填後に第１状態から第３状態に切り替わるように切替バルブＶ１４等のバルブを制御する。フィルタユニット３０に処理液が充填するとは、処理液中に気泡が残存している状態をも含む。バルブ制御部１０１は、例えば、フィルタユニット３０内に処理液が充填するのに要する所定時間だけ処理液供給制御を行った後に、第３状態となるように切替バルブＶ１４を制御すると共に他のバルブを閉成する。切替バルブＶ１４が第３状態とされることにより、フィルタユニット３０には新たな処理液が流入しない。また、他のバルブが閉成されることにより、フィルタユニット３０内の処理液の逆流が防止される。
【００６６】
このような制御を行う場合のフィルタユニット３０内の状態について、図８を参照して説明する。図８（ａ）に示される、ガス供給制御後のフィルタユニット３０に対して、処理液の充填が開始され所定の時間が経過すると、図８（ｂ）に示されるよに処理液がフィルタユニット３０内に充填する。この時点では、二酸化炭素ガスの気泡ＣＢが、処理液中に存在することとなる。この状態で、逆流を防止しながら処理液の流入を停止して一定の時間が経過すると、図８（ｃ）に示されるように、フィルタユニット３０内の二酸化炭素ガスの気泡ＣＢが、徐々に処理液に溶解する。更に時間が経過すると、図８（ｄ）に示されるように、フィルタユニット３０内の二酸化炭素ガスの気泡ＣＢが処理液に完全に溶解することとなる。
【００６７】
バルブ制御部１０１は、処理液の充填後に第１状態から第３状態に切り替わるように切替バルブＶ１４等のバルブを制御することに替えて、フィルタユニット３０内に処理液が充填した後においても第１状態を継続するように切替バルブＶ１４等を制御することとしてもよい。この場合には、後述する流量制御部１０３による流量調節が行われる（詳細は後述）。
【００６８】
ウェッティング処理後の現像処理において、バルブ制御部１０１は、バルブＶ１１及びバルブＶ１５を開成すると共に、処理液ライン７１１の弁が開成されるように切替バルブＶ１４を制御する。この状態で、流量制御部１０３が、加圧装置２２による圧力を調整することにより、ノズル９３からウェハＷへの処理液の供給が開始される。
【００６９】
なお、処理液が充填された状態で新しいフィルタユニット３０を装着する場合においては、二酸化炭素ガスで処理液を押し出す（処理液経路７０をパージする）処理を行った後に、新たなフィルタユニット３０を装着してもよい。これにより、フィルタユニット３０及びバルブ等の交換をより安全に行うことができる。
【００７０】
切替判定部１０２は、第２状態（ガス供給制御中）における第１濃度計ＣＳ１及び第２濃度計ＣＳ２の値に応じて、第２状態から第１状態に切り替える（処理液供給制御に切り替える）か否かを判定する。切替判定部１０２は、例えば、所定の時間間隔で、第１濃度計ＣＳ１及び第２濃度計ＣＳ２から二酸化炭素ガスの濃度を取得する。切替判定部１０２は、例えば、第１濃度計ＣＳ１及び第２濃度計ＣＳ２から取得した二酸化炭素ガスの濃度が、いずれも所定値以上である場合に、処理液供給制御に切り替えると判定する。切替判定部１０２は、処理液供給制御に切り替えると判定した場合に、バルブ制御部１０１に切り替え命令を出力する。
【００７１】
流量制御部１０３は、現像処理及びウェッティング処理における処理液の流量を制御する。流量制御部１０３は、加圧装置２２を制御することにより、ウェッティング処理における処理液の流量を制御する。具体的には、流量制御部１０３は、フィルタユニット３０内に処理液が充填する過程において処理液の充填速さが徐々に早くなるように、加圧装置２２を制御する。なお、徐々に早くなるとは、常時流量が増加するものであってもよいし、段階的に流量が増加するものであってもよい。
【００７２】
また、流量制御部１０３は、フィルタユニット３０内に処理液が充填した後においても第１状態が継続される場合において、フィルタユニット３０内に処理液が充填した後における処理液の流量が充填前よりも少なくなるように、加圧装置２２を制御してもよい。
【００７３】
このような制御を行う場合のフィルタユニット３０内の状態について、図９を参照して説明する。図９（ａ）に示される、ガス供給制御後のフィルタユニット３０に対して、処理液の充填が開始され所定の時間が経過すると、図９（ｂ）に示されるよに処理液がフィルタユニット３０内に充填する。この時点では、二酸化炭素ガスの気泡ＣＢが、処理液中に存在することとなる。この状態で、充填前よりも少ない流量で処理液の流入が継続されると、毛細管現象によってフィルタユニット３０への処理液の浸透が促進され、図９（ｃ）に示されるように、フィルタユニット３０内の二酸化炭素ガスの気泡ＣＢが、徐々に処理液に溶解する。更に処理液の流入が継続されると、図９（ｄ）に示されるように、フィルタユニット３０内の二酸化炭素ガスの気泡ＣＢが処理液に完全に溶解することとなる。
【００７４】
コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図１０に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。
【００７５】
入出力ポート１２４は、切替バルブＶ１４等の各バルブ、第１濃度計ＣＳ１、第２濃度計ＣＳ２、加圧装置２２、及びポンプ２５との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順を実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。
【００７６】
なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００７７】
〔液処理手順〕
次に、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて液処理ユニットＵ１が実行する液処理手順を説明する。図１１に示すように、コントローラ１００は、ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５を順に実行する。ステップＳ１〜Ｓ４は、フィルタユニット３０に処理液を通液するウェッティング処理に係る処理であり、ステップＳ５は、処理液（現像液に次いでリンス液の順に）をウェハＷに供給する現像処理に係る処理である。より詳細には、ステップＳ１，Ｓ２は、上述したガス供給制御に係る処理であり、ステップＳ３，Ｓ４は、上述した処理液供給制御に係る処理である。
【００７８】
ステップＳ１では、コントローラ１００が、フィルタユニット３０の一次側経路３７に二酸化炭素ガスが供給されるように、各バルブを制御する。具体的には、バルブ制御部１０１は、初期状態において閉成された各バルブ（図４の状態）のうち、バルブＶ５０及びバルブＶ１８を開成すると共に、ガスライン７１２の弁が開成されるように切替バルブＶ１４を制御する。
【００７９】
つづいて、ステップＳ２では、コントローラ１００が、フィルタユニット３０の二次側経路３８に二酸化炭素ガスが供給されるように、各バルブを制御する。具体的には、バルブ制御部１０１は、バルブＶ１８を閉成すると共に、バルブＶ１９を開成する。
【００８０】
つづいて、ステップＳ３では、コントローラ１００が、フィルタユニット３０の一次側経路３７に処理液が供給されるように、各バルブを制御する。具体的には、バルブ制御部１０１は、初期状態において閉成された各バルブ（図４の状態）のうち、バルブＶ１１及びバルブＶ１８を開成すると共に、処理液ライン７１１の弁が開成されるように切替バルブＶ１４を制御する。この状態で、流量制御部１０３により加圧装置２２が制御されボトル２１が加圧されることにより、処理液供給源２０から供給された処理液が、処理液ライン７１１及び第１経路７１を経てフィルタユニット３０に流入する。
【００８１】
つづいて、ステップＳ４では、コントローラ１００が、フィルタユニット３０の二次側経路３８に処理液が供給されるように、各バルブを制御する。具体的には、バルブ制御部１０１は、バルブＶ１８を閉成すると共に、バルブＶ１９を開成する。
【００８２】
つづいて、ステップＳ５では、コントローラ１００が、ノズル９３からウェハＷに対する処理液供給が開始されるように制御する。具体的には、バルブ制御部１０１は、バルブＶ１１及びバルブＶ１５を開成すると共に、処理液ライン７１１の弁が開成されるように切替バルブＶ１４を制御する。この状態で、流量制御部１０３が、ポンプ（不図示）を駆動させることにより、ノズル９３からウェハＷへの処理液の供給が開始される。
【００８３】
〔作用効果〕
本実施形態に係る液処理ユニットＵ１の作用効果について、比較例に係る構成と対比しながら説明する。図１２に示されるように、比較例に係る処理液経路１７０においては、バルブＶ１１４を介して処理液供給源からフィルタユニット３０に処理液が供給される。近年、フィルタユニットのポアサイズが小さくなることに伴い、フィルタユニットの濡れ性が悪化してきている。これによって、図１３に示されるように、フィルタユニット内に空気層（気泡ＡＢ）が発生するリスクが高まっている。フィルタユニット内に気泡ＡＢが存在する場合には、フィルタユニットの異物除去力を十分に発揮することができない。また、フィルタユニットに濡れていない領域が存在した場合には、当該領域の洗浄が十分に行えず、ゴミが発生し続けるおそれがある。
【００８４】
これに対して、本実施形態に係る液処理ユニットＵ１は、図４に示されるように、液処理に用いられる処理液の経路である処理液経路７０と、処理液経路７０に設けられ、処理液中の異物を除去するフィルタユニット３０と、処理液経路７０を経てフィルタユニット３０に処理液が供給される第１状態と、処理液経路７０を経てフィルタユニット３０に、空気よりも処理液に溶けやすい二酸化炭素ガスが供給される第２状態とを切り替える切替バルブＶ１４と、を備える。すなわち、上述した比較例に係る構成と異なり、切替バルブＶ１４を介して、処理液だけでなく二酸化炭素ガスを供給可能とされている。このことで、例えば二酸化炭素ガスが供給された後に、フィルタユニット３０に対して処理液が供給された場合には、処理液に対して、二酸化炭素ガスが含まれることとなる。二酸化炭素ガスは、処理液に溶解しやすいため、気泡が発生しにくい。更に、二酸化炭素ガスが処理液中で気泡となった場合であっても、当該気泡は処理液に溶けやすいため、時間の経過と共に気泡が溶解することが期待できる。以上より、液処理ユニットＵ１によれば、フィルタユニット３０内に気泡が存在することを抑制することができる。また、液処理ユニットＵ１によれば、フィルタユニット３０において濡れていない領域が発生しにくいので、上述したゴミが発生し続けることも抑制できる。
【００８５】
なお、二酸化炭素ガスの処理液への溶けやすさは、例えば図１３のグラフにより示される。図１３は、水に溶けるガス量を水の温度毎に示す図であり、（ａ）はガスが二酸化炭素である場合、（ｂ）はガスが酸素である場合、（ｃ）はガスが窒素である場合を示している。横軸が水の温度、縦軸が溶解度を示している。当該グラフからも、二酸化炭素ガスが、空気の主な構成要素である酸素及び窒素と比べて、遥かに処理液に溶けやすいことが確認できる。
【００８６】
液処理ユニットＵ１は、処理液に対して二酸化炭素ガスの溶解性を高める処理を施す溶解促進部として、処理液を脱気する脱気部６０を備えている。これにより、処理液に溶けやすいガスを、更に処理液に溶解し易くすることができ、フィルタユニット内に気泡が存在することをより好適に抑制できる。
【００８７】
液処理ユニットＵ１は、第２状態後に前記第１状態に切り替わるように切替バルブＶ１４を制御することを実行するように構成されたコントローラ１００を備える。これにより、第２状態においてフィルタユニット３０内に溶けやすい二酸化炭素ガスを充填した後に、第１状態において処理液をフィルタユニット３０に供給することができる。このことで、フィルタユニット３０内に気泡が存在することを好適に抑制することができる。
【００８８】
液処理ユニットＵ１は、第１状態における処理液経路７０を流れる処理液の流量を調節する流量調節部として加圧装置２２を備え、コントローラ１００は、フィルタユニット３０内に処理液が充填する過程において、処理液の充填速さが徐々に早くなるように、加圧装置２２を制御することを更に実行するように構成されている。最初から流速を速くして充填した場合には、処理液が通り易い箇所にだけ処理液が流れ、フィルタユニット３０の全体を濡らすことができない場合がある。この点、流速を徐々に早くすることにより、フィルタユニット３０の下部から順に濡らし、濡れ性を十分に確保しながら処理液を充填させることができる。
【００８９】
切替バルブＶ１４は、処理液供給源２０から処理液が供給されず且つガス供給源５０から二酸化炭素ガスが供給されない第３状態に切り替え可能であり、コントローラ１００は、フィルタユニット３０内に処理液が充填するまで第１状態を継続し、充填後に第１状態から第３状態に切り替わるように切替バルブＶ１４を制御することを更に実行するように構成されている。これにより、フィルタユニット３０充填後には、フィルタユニット３０に対して、処理液及び二酸化炭素ガスの双方が供給されない（放置する）こととなる。二酸化炭素ガスの気泡は、時間経過と共に処理液に溶解することが期待できるため、充填後に放置することによって、処理液の消費を抑えながら、フィルタユニット３０内に気泡が存在することを抑制することができる。
【００９０】
コントローラ１００は、フィルタユニット３０内に処理液が充填した後において充填前よりも処理液の流量が少なくなるように、加圧装置２２を制御することを更に実行するように構成されている。充填後も少量の処理液を流し続けることにより、フィルタユニット３０内で処理液が流動し続けることとなり、毛細管現象によってフィルタユニット３０への処理液の浸透が促進されることとなる。これにより、気泡の溶解を促進することができる。また、少量の処理液を流し続けることにより、フィルタユニット３０内に、ガスが溶解する前の新たな処理液を流入させることができ、処理液の溶解度を担保することができる。
【００９１】
処理液経路７０は、フィルタユニット３０へ処理液を導入する第１経路７１と、フィルタユニット３０から処理液を排出する第２経路７２と、フィルタユニット３０から処理液供給用のノズル９３に処理液を導く第３経路７３と、を有し、第２経路７２に設けられたバルブＶ１８と、第３経路７３に設けられたバルブＶ１９とを備え、コントローラは、第２状態において、バルブＶ１８を開くと共にバルブＶ１９を閉じて第１経路７１から第２経路７２に二酸化炭素ガスを供給することと、バルブＶ１８を閉じると共にバルブＶ１９を開いて第１経路７１から第３経路７３に二酸化炭素ガスを供給することと、を切り替えて実行し、第１状態において、バルブＶ１８を開くと共にバルブＶ１９を閉じて第１経路７１から第２経路７２に処理液を供給することと、バルブＶ１８を閉じると共にバルブＶ１９を開いて第１経路７１から第３経路７３に処理液を供給することと、を切り替えて実行するように構成されている。これにより、フィルタユニット３０における、ドレイン側の経路及びノズル側の経路の双方に対して、二酸化炭素ガスの供給及び処理液の供給を行うことができる。すなわち、フィルタユニット３０内において、万遍なく、気泡が存在することを抑制することができる。
【００９２】
液処理ユニットＵ１は、第２経路７２に設けられ、二酸化炭素ガスの濃度を測定する第１濃度計ＣＳ１と、第３経路７３に設けられ、二酸化炭素ガスの濃度を測定する第２濃度計ＣＳ２と、を備え、コントローラ１００は、第２状態における第１濃度計ＣＳ１及び第２濃度計ＣＳ２の値に応じて、第２状態から第１状態に切り替えるか否かを判定すること、を更に実行するように構成されており、切り替えると判定した場合に、第２状態から第１状態に切り替わるように切替バルブＶ１４を制御する。これにより、フィルタユニット３０内に十分に二酸化炭素ガスが充填したことを確認した後に、第２状態から第１状態に切り替えることができる。このことで、フィルタユニット３０内に気泡が存在することをより好適に抑制できる。
【００９３】
以上、実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、二酸化炭素ガスの溶解性を高める処理を施す溶解促進部として、脱気部６０を設けるとして説明したが、当該脱気部６０に替えて、処理液を冷却する冷却部を用いてもよい。図１３（ａ）に示すように、二酸化炭素ガス等のガスは、処理液が冷却されることにより溶解性が高まるので、処理液を冷却することによっても二酸化炭素ガスの溶解促進を図ることができる。
【００９４】
処理液を冷却する構成の例について、図１５を参照して説明する。処理液を冷却する構成としては、例えば図１５（ａ）に示す冷却バス４００（冷却部）を用いてもよい。冷却バス４００では、フィルタユニットや、フィルタユニットへの入力側の配管を冷却用のバスに入れ、冷却された液をポンプ４０１から送り込んで循環させることにより処理液を冷却する。或いは、図１５（ｂ）に示す冷却タンク５００（冷却部）を用いてもよい。冷却タンク５００では、配管に接する各面に例えば「２」の字形状のジグザグの流路を設け、該流路に冷却媒体を流す。「２」の字形状の流路とすることにより、１つのパーツで流路を作成すると共に、各面において冷却媒体が流れる領域を広く（長く）することができる。流路は、複数ブロックをＯリング等で封止しながら連結固定することにより、長い形状とすることができる。或いは、図１５（ｃ）に示す冷却カバー６００（冷却部）を用いてもよい。冷却カバー６００は、例えばフィルタユニットへの入力側の配管に設けられる。冷却カバー６００においては、水６０１と、アンモニウムニトラート６０２とが化学反応することにより、吸熱反応が起こり、配管内の処理液を冷却する。水６０１の層と、アンモニウムニトラート６０２の層とは、通常分け隔てられて混ざらないようになっており、上記吸熱反応を起こさせる場合に、針状部材６０３をこれらの層に貫通させることにより、水６０１とアンモニウムニトラート６０２の反応が開始する。
【００９５】
また、第２状態から第１状態への切り替えタイミングは、第１濃度計ＣＳ１及び第２濃度計ＣＳ２の測定値に応じて決定されるとして説明したがこれに限定されず、事前のシュミレーション結果に応じて、二酸化炭素ガスへの置換が十分に行える時間を計算して、切り替えタイミングを決定してもよい。
【００９６】
また、切替部の一例として一つの切替バルブＶ１４を用いるとして説明したがこれに限定されず、切替部は、処理液供給源につながる処理液ラインと、ガス供給源につながるガスラインとを切り替え可能であればよく、例えば上記２つのラインそれぞれに設けられたバルブの組み合わせであってもよい。現像処理及びウェッティング処理での処理液流量調整は、処理液ライン７１１にポンプが設けられる場合は、流量制御部１０３によりポンプを制御することで成されてもよい。
【符号の説明】
【００９７】
２…塗布・現像装置（基板処理装置）、２２…加圧装置（流量調節部）、３０…フィルタユニット、６０…脱気部（溶解促進部）、７０…処理液経路、７１…第１経路、７２…第２経路、７３…第３経路、９３…ノズル、１００…コントローラ、４００…冷却バス（冷却部，溶解促進部）、５００…冷却タンク（冷却部，溶解促進部）、６００…冷却カバー（冷却部，溶解促進部）、ＣＳ１…第１濃度計、ＣＳ２…第２濃度計、Ｖ１４…切替バルブ（切替部）、Ｖ１８…バルブ（第１バルブ）、Ｖ１９…バルブ（第２バルブ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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