【事件の表示】
　特許第３２５１２１５号「電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法」の請求項１ないし１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５１２１５号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３２５１２１５号の請求項１〜２０に係る発明についての出願は、平成９年９月２９日（優先権主張　平成８年１０月２日）に特許出願され、平成１３年１１月１６日にその特許権の設定登録がなされたところ、平成１４年７月２９日に当該請求項１〜１５に係る発明の特許について特許異議申立人服部和子（以下、「異議申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、平成１７年３月１６日付で特許の取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年５月１８日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
［２−１］訂正事項
（１）訂正事項ａ
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１における「上記微小凹凸部の平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである」を「上記微小凹凸部の表面は上記チャンバーの内部に露出し、その平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである」と訂正する。
　　
（２）訂正事項ｂ
  特許明細書の特許請求の範囲の請求項６における「上記微小凹凸部の平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである」を「上記微小凹凸部の表面は上記チャンバーの内部に露出し、その平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである」と訂正する。
　　
（３）訂正事項ｃ
  特許明細書の特許請求の範囲の請求項１４における「上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部とを備えている」を「上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられ、かつ表面が上記チャンバーの内部に露出している微小凹凸部とを備えている」と訂正する。
　　
（４）訂正事項ｄ
  特許明細書の特許請求の範囲の請求項１５における「上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部とを備えている」を「上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられ、かつその表面が上記チャンバーの内部に露出している微小凹凸部とを備えている」と訂正する。
　　
　なお、訂正請求書の（訂正事項１）（訂正事項２）には「上記微少凹凸部」、「上記チャンバー内部」と記載されているが、特許明細書及び全文訂正明細書の該当する箇所には「上記微小凹凸部」、「上記チャンバーの内部」と夫々記載されているので、当該特許明細書及び全文訂正明細書の記載に基づき、上記訂正事項ａ、ｂのとおり認定した。
　　
［２−２］訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１において、「微小凹凸部」に「表面は上記チャンバーの内部に露出し」の事項を付加して「表面は上記チャンバーの内部に露出」する「微小凹凸部」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、当該訂正事項は、特許明細書の段落【００４５】、図１の記載に基づくものであるから、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項６において、「微小凹凸部」に「表面は上記チャンバーの内部に露出し」の事項を付加して「表面は上記チャンバーの内部に露出」する「微小凹凸部」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、当該訂正事項は、特許明細書の段落【００１０】、図６、８、９の記載に基づくものであるから、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１４において、「微小凹凸部」の前に「かつ表面が上記チャンバーの内部に露出している」の事項を付加して「表面が上記チャンバーの内部に露出している微小凹凸部」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、当該訂正事項は、特許明細書の段落【００４５】、図１の記載に基づくものであるから、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（４）訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１５において、「微小凹凸部」の前に「かつその表面が上記チャンバーの内部に露出している」の事項を付加して「その表面が上記チャンバーの内部に露出している微小凹凸部」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、当該訂正事項は、特許明細書の段落【００１０】、図６、８、９の記載に基づくものであるから、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
［２−３］まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについて
［３−１］特許異議申立理由の概要
　異議申立人は、証拠として甲第１〜６号証を提出して、訂正前の請求項１〜１５に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、同請求項１〜１５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定によりこれを取り消すべき旨主張する。
　　
［３−２］本件発明
　本件特許第３２５１２１５号の請求項１〜２０に係る発明は、上記［２］で述べたとおり訂正が認められるので、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、異議申立てがされている本件請求項１〜１５に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明１５」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの天井部の内面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、上記天井部は、石英ガラスにより構成されており、上記微小凹凸部の表面は上記チャンバーの内部に露出し、その平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍであることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項２】請求項１記載の電子デバイスの製造装置において、上記チャンバーの外で上記天井部に近接して配置され、上記チャンバー内に誘導結合型プラズマを発生させるための電磁波を送るコイルをさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項３】請求項１又は２記載の電子デバイスの製造装置において、上記被加工物は、多結晶シリコン，非晶質シリコン及び単結晶シリコンのうち少なくともいずれか１つを含む材料により構成される被処理部を有しており、上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、上記チャンバー内に、塩素または臭素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項４】請求項１又は２記載の電子デバイスの製造装置において、上記被加工物は、窒化シリコンにより構成される被処理部を有しており、上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項５】請求項１又は２記載の電子デバイスの製造装置において、上記被加工物は、酸化シリコンにより構成される被処理部を有しており、上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項６】被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能をクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、上記微小凹凸部の表面は上記チャンバーの内部に露出し、その平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍであることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項７】請求項６記載の電子デバイスの製造装置において、上記内部部材は、上記被加工物設置部上で上記被加工物の周囲を取り囲むように配設され、チャンバー内におけるガスの流れを制御するための石英リングであることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項８】請求項６記載の電子デバイスの製造装置において、上記チャンバーの天井部には、上記チャンバー内に上記被加工物の処理を行うためのガスを導入するガス導入口が形成されており、上記内部部材は、上記チャンバーの天井部に近接して配設され、上記導入口から上記チャンバー内に導入されるガスの流れをチャンバー内に分散させるための石英分散板であることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項９】請求項６，７又は８記載の電子デバイスの製造装置において、上記被加工物は、多結晶シリコン，非晶質シリコン及び単結晶シリコンのうち少なくともいずれか１つを含む材料により構成される被処理部を有しており、上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、上記チャンバー内に、塩素または臭素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項１０】請求項６，７又は８記載の電子デバイスの製造装置において、上記被加工物は、窒化シリコンにより構成される被処理部を有しており、上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項１１】請求項６，７又は８記載の電子デバイスの製造装置において、上記被加工物は、酸化シリコンにより構成される被処理部を有しており、上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項１２】請求項６，７，８又は９記載の電子デバイスの製造装置において、上記チャンバーの少なくとも一部を冷却するための冷却手段とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項１３】請求項１２記載の電子デバイスの製造装置において、上記冷却手段は、上記チャンバーの天板部を冷却するものであることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項１４】被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられ、かつ表面が上記チャンバーの内部に露出している微小凹凸部とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
【請求項１５】被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられ、かつその表面が上記チャンバーの内部に露出している微小凹凸部とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。」
　　
［３−３］当審での取消理由、及び引用例、及び異議申立人が提出した証拠
　当審における取消理由は、本件発明１〜１５が、本件優先日前に出願された特願平７−２６２０１２号の願書に最初に添付した明細書及び図面（特開平９−８６９６４号、異議申立人の提出した甲第４号証）（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明（以下、「先願発明」という。）と同一であり、本件発明１〜１５の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、本件出願の時において、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないから、本件発明１〜１５に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであるというものである。
　そして、上記取消理由で引用した先願明細書、及び参考文献１〜５、及び異議申立人が提出した甲第１〜６号証には、夫々以下の事項が記載されている。
　　
（１）先願明細書：特願平７−２６２０１２号の願書に最初に添付した明細書及び図面（特開平９−８６９６４号、異議申立人の提出した甲第４号証）
「中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５〜２．０μｍのシリカガラス基材の表面にガラス状カーボンが被覆されていることを特徴とする請求項１記載のシリカガラス部材」（請求項３）、
「本発明は、半導体素子製造工程に用いるシリカガラス部材、さらに詳しくはプラズマを用いる、ドライエッチングやスパッタリング成膜工程に用いるシリカガラス部材に関する」（段落０００１）、 
「緻密で発塵しにくい物質として知られているガラス状カーボンの使用が考えられ、・・・プラズマエッチング用電極として、また・・・ボート、・・・ウエハサセプタ等の半導体処理用治具としてガラス状カーボンの使用が検討されている。」（段落０００２）、 
「本発明は、・・・表面が粗のシリカガラス部材の表面にガラス状カーボンを被覆してなる高い表面硬度、耐プラズマ性を有し、かつ発塵のないシリカガラス部材を提供することを目的とする。 
　本発明は、ガラス状カーボンで被覆されている半導体素子製造用シリカガラス治具を提供することを目的とする。」（段落０００５〜０００６）、 
「炭化によりシリカガラス基材の表面にガラス状カーボン被膜が形成されるがその厚さは０．５μｍ〜８μｍの範囲がよい。ガラス状カーボン被膜の厚みが０．５μｍ以下では、ガラス状カーボンが有する耐プラズマ性、高い表面硬度、パーテクルや不純物の発生が少ないという特性が十分発揮できず、またガラス状カーボン被膜の厚みが８μｍを超える厚さは塗布工程と炭化工程を多数繰り返す必要があるため実用的でない。・・・かかる滑らかな表面のシリカガラス基材上への被覆は剥離が起こりやすく、膜厚２μｍ程度までが限界である。良好なガラス状カーボンの被膜を形成するにはシリカガラス基材の表面を粗にするのがよい。特に中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５〜２．０μｍの範囲で粗にするのが好ましい。表面粗さが中心線平均粗さで０．５μｍ未満では粗にした効果がなく、また表面粗さが２μｍを超える処理はシリカガラス基材を損傷し強度を低下させる。 
　シリカガラス基材の表面を粗にする方法としてはサンドブラスト法や化学的処理法が採用できるが、サンドブラスト法ではシリカガラス基材にクラックが発生し易く、そこに汚染物質が取り込まれ、それが半導体製品処理中に開放されて半導体素子を汚染することがあるので好適とはいえない。」（段落０００７〜０００８）、
　実施例として、図１、図２が示されるとともに、
「図１はシリカガラスチャンバーとシリカガラス製ウエハ支持治具を持つプラズマエッチング装置の図である。図１において、１は半導体ウエハ、２はシリカガラス製チャンバー、３シリカガラス製ウエハボート、４はガラス状カーボン被膜、５はガス排気口、６はガス導入口及び７はＲＦ電源（高周波電源）である。シリカガラス製ウエハ支持治具３は、・・・中心線平均粗さＲａ＝１．１μｍの治具基材を得、それに・・・炭化して・・・ガラス状カーボン４として製造された。得られた治具３に半導体ウエハ１を載置しそれをシリカガラス製チャンバーに導入してＣＦ４等のハロゲン化炭素系のガスを用いてプラズマでエッチング処理したところシリカガラス製ウエハ支持治具の表面のガラス光沢は失われなかった。また処理半導体ウエハ１へのパーテクル汚染もなかった。」（段落００１２）、
「図２は反応性イオンエッチング装置の概略図を示す。・・・シリカの反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）用チャンバー８をシリカガラスで製造し、・・・内表面を粗面化した。・・・その表面粗さは中心線平均粗さＲａ＝０．９μｍであった。・・・炭化を行い、ガラス状カーボン４の被膜を形成した。・・・プラズマによるチャンバーの損傷がなく良好なエッチングを行うことができた。」（段落００１４）、 
「図１は、ウエハ支持部をガラス状カーボンで被覆したシリカガラス治具を装備したプラズマエッチング装置の概略図である。 
　図２は、チャンバーの内側をガラス状カーボンで被覆したシリカガラス製チャンバーを持つ反応性イオンエッチング装置の概略図である。」（図面の簡単な説明）が記載されている。
 　 
（２）参考文献１：特開平７−１３５１９７号公報（異議申立人の提出した甲第１号証）
「【請求項１】チャンバの内部に、エッチングガスまたは薄膜形成材料ガスを導入し、基板をエッチング、または基板上に薄膜形成を行う基板処理装置であって、前記チャンバを形成する肉厚部には、前記チャンバ内部と遮断された空洞部と、該空洞部に温度調節された流体を導入するための導入口及び排出口が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記チャンバは石英からなり、前記チャンバ外部には、前記基板のエッチングの終点を光学的手段によって検出する終点検出器が設けられたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。」（特許請求の範囲）、
「このドライエッチングには、例えば単結晶シリコン、多結晶シリコン、窒化シリコンをエッチングする場合は、ＣＦ４ガス、二酸化シリコンをエッチングする場合はＣＨＦ３ガス・・・が用いられている。」（段落０００４）
 　 
（３）参考文献２：特開平６−３１４６７５号公報 
「被処理基体（試料）６は、ＳｉＯ２膜のマスクでパターニングされたＳｉ基板で、該試料６をＨＢｒとＳｉＦ４との混合ガスのプラズマ中で、処理（Ｓｉの異方性エッチング）する場合を例に取り上げる。」（段落００２３）
 　 
（４）参考文献３：特開平８−６４３９５号公報 
「真空容器内に配設した電極上に基板を載置し、真空容器内に適当なガスを導入しつつ排気を行って真空容器内を適当な圧力を保ち、電極に対向する真空容器の壁面に沿わせて配設されたコイルの一端を設置するとともにコイルの一端と他端との間の位置に高周波電圧を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。」（請求項１） 
 　 
（５）参考文献４：実願平１−７５４３７号（実開平３−１３７３３号）のマイクロフィルム（異議申立人の提出した甲第６号証参照） 
「シリコン系被エッチング物に対して反応ガスを励起して被エッチング物をエッチングするドライエッチング装置の反応室内で被エッチング物を保持する導体製の下部電極において、被エッチング物が設置される部分の側方周辺を取り囲んで石英部材を配置したことを特徴とする下部電極。」（実用新案登録請求の範囲） 
 　 
（６）参考文献５：特開平３−２９１９２８号公報 
「第３図はこの発明に係る他のドライエッチング装置の一部を示す断面図である。図において、１７は上部電極２に取り付けられた拡散板で、拡散板１７は石英からなる。１８は拡散板１７に設けられた拡散口で、拡散口１８はガス導入口１６と連通している。」（第２頁右下欄１９行〜第３頁左上欄４行）
　　
（７）甲第１号証：「（２）参考文献１」と同じ
　　
（８）甲第２号証：実願昭５９−１７３７０１号（実開昭６１−８８２３３号）のマイクロフィルム
「（1）内部に半導体ウェーハを収納して熱処理する石英製炉芯管の内面を凹凸面にした・・・半導体製造装置。」（実用新案登録請求の範囲）、
「本考案は上記石英製炉芯管の割れを防止することを目的とし」（第５頁５〜６行）、
「凹凸面（12）の荒さは凹凸面（12）に付着し堆積されるポリシリコン膜（10）の問題とされる厚さお下限値程度、例えば数十μｍから５０μｍ程度に設定される。」（第６頁５〜９行）
　　
（９）甲第３号証：特開平７−３１５８７２号公報
「石英ガラスからなる部材はその使用目的によりその表面に各種の凹凸加工が施されることがある。例えば半導体処理用炉芯管の内面に凹凸を設けＬＰＣＶＤ（・・・）処理におけるポリシリコン膜の剥離を防止したり、また、ボートの把持部端部への輻射線の伝搬を防止ぐため凹凸を形成したりしている。」（段落０００２）、
「本発明は、石英ガラス表面に０．５ｍｍから数ミリメートルの島状凹凸を形成できる表面加工方法を提供することを目的とする。」（段落０００５）
　　
（１０）甲第４号証：「（１）先願明細書」と同じ
　　
（１１）甲第５号証：特開平８−１９５２９７号公報
「【請求項１】プラズマ処理構造であって；処理箱と；前記処理箱の中に設置され溶接密封された封入アンテナを含む誘導的に結合されたプラズマ発生源とを含むプラズマ処理構造。」（特許請求の範囲）
　　
（１２）甲第６号証：「（５）参考文献４」と同じ
 　 
［３−４］対比・判断 
（１）本件発明１について 
 ［３−３］（１）に摘記した事項によれば、先願明細書には、「シリカガラス製チャンバー内に、シリカガラス製ウエハ支持治具を有し、ガス導入口よりガスを導入して該支持治具に載置された半導体ウエハを処理する装置において、シリカガラス製チャンバー天井部の内面、又はシリカガラス製ウエハ支持治具の表面は、中心線平均粗さが０．５〜２．０μｍの範囲で粗面化されており、該粗面化された内面又は表面にはガラス状カーボン被膜が形成されている、半導体ウエハを処理する装置」の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されている。 
　そこで、本件発明１と先願発明とを対比すると、先願発明における「チャンバー内に・・・ガス導入口よりガスを導入して・・・半導体ウエハを処理する」、「チャンバー内に、シリカガラス製ウエハ支持治具を有し」、「シリカガラス製チャンバー天井部の内面・・・は、中心線平均粗さが０．５〜２．０μｍの範囲で粗面化されており」、「半導体ウエハを処理する装置」は、本件発明１の「内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバー・・・を備え」、「チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部・・・を備え」、「チャンバーの天井部の内面に形成され、・・・平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、上記天井部は、石英ガラスにより構成されており、上記微小凹凸部の表面・・・の平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである」、「電子デバイスの製造装置」に相当するから、両者は、「被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの天井部の内面に形成され、・・・平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、上記天井部は、石英ガラスにより構成されており、上記微小凹凸部の表面・・・の平均表面粗さＲａは、０．５〜２μｍである電子デバイスの製造装置」の点で一致し、下記（イ）の点で相違する。
（イ）本件発明１では、チャンバー天井部内面が、被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａの微小凹凸部表面に仕上げられ、該表面がチャンバーの内部に露出しているのに対し、先願発明では、粗面化されたチャンバー天井部内面にはガラス状カーボン被膜が形成され、該天井部内面はチャンバーの内部に露出していない点。
　次いで、相違点（イ）について検討するに、本件発明１は、チャンバー天井部内面の微小凹凸部表面をチャンバーの内部に露出させ、該微小凹凸部表面に被加工物を処理する際に発生した生成物を付着させる機能を持たせ、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持させたものであるが、先願発明は、粗面化されたチャンバー天井部内面の微小凹凸部表面に硬いガラス状カーボン被膜を形成し、該天井部内面から発塵しないようにしたものであるから、両発明のチャンバー天井部内面の構造、及び微小凹凸部の機能は相違する。
　したがって、本件発明１は、先願発明と同一であるとすることはできない。 
 　 
（２）本件発明２〜５について 
　本件発明２〜５はいずれも、本件発明１又はその下位の発明を引用し、更に別の特定事項を夫々付加したものであるから、上記（１）で述べた本件発明１と同様、先願発明と同一であるとすることはできない。
　　
（３）本件発明６について 
　本件発明６と先願発明とを対比すると、先願発明における「チャンバー内に・・・ガス導入口よりガスを導入して・・・半導体ウエハを処理する」、「チャンバー内に、シリカガラス製ウエハ支持治具を有し」、「シリカガラス製ウエハ支持治具の表面は、中心線平均粗さが０．５〜２．０μｍの範囲で粗面化されており」、「半導体ウエハを処理する装置」は、本件発明６の「内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバー・・・を備え」、「チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部・・・を備え」、「チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、・・・平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、上記微小凹凸部の表面・・・の平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである」、「電子デバイスの製造装置」に相当するから、両者は、「被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、・・・平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、上記微小凹凸部の表面・・・の平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである電子デバイスの製造装置」の点で一致し、下記（ロ）の点で相違する。
（ロ）本件発明６では、内部部材の表面が、被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能をクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａの微小凹凸部表面に仕上げられ、該表面がチャンバーの内部に露出しているのに対し、先願発明では、粗面化されたシリカガラス製ウエハ支持治具表面にはガラス状カーボン被膜が形成され、該治具表面はチャンバーの内部に露出していない点。
　次いで、相違点（ロ）について検討するに、本件発明６は、内部部材の微小凹凸部表面をチャンバーの内部に露出させ、該表面に被加工物を処理する際に発生した生成物を付着させる機能を持たせ、かつその機能をクリーニング後にも維持させたものであるが、先願発明は、粗面化されたシリカガラス製ウエハ支持治具表面の微小凹凸部表面に硬いガラス状カーボン被膜を形成し、該治具表面から発塵しないようにしたものであるから、両発明の内部部材表面の構造、及び微小凹凸部の機能は相違する。
　したがって、本件発明６は、先願発明と同一であるとすることはできない。 
 　 
（４）本件発明７〜１３について 
　本件発明７〜１３はいずれも、本件発明６又はその下位の発明を引用し、更に別の特定事項を夫々付加したものであるから、上記（３）で述べた本件発明６と同様、先願発明と同一であるとすることはできない。
　　
（５）本件発明１４について
　本件発明１４と先願発明とを対比すると、先願発明における「チャンバー内に・・・ガス導入口よりガスを導入して・・・半導体ウエハを処理する」、「チャンバー内に、シリカガラス製ウエハ支持治具を有し」、「シリカガラス製チャンバー天井部の内面・・・は、中心線平均粗さが０．５〜２．０μｍの範囲で粗面化されており」、「半導体ウエハを処理する装置」は、本件発明１４の「内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバー・・・を備えている」、「チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部・・・を備えている」、「チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられ、・・・微小凹凸部とを備えている」、「電子デバイスの製造装置」に相当するから、両者は、「被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、平均表面粗さＲａが０．５〜２μｍに仕上げられた微小凹凸部とを備えている電子デバイスの製造装置」の点で一致し、下記（ハ）の点で相違する。
（ハ）本件発明１４では、チャンバー天井部内面の微小凹凸部表面がチャンバーの内部に露出しているのに対し、先願発明では、粗面化されたチャンバー天井部内面にはガラス状カーボン被膜が形成され、該天井部内面の微小凹凸部表面はチャンバーの内部に露出していない点。
　次いで、相違点（ハ）について検討するに、本件発明１４は、チャンバー天井部内面の微小凹凸部表面をチャンバーの内部に露出させ、該表面に被加工物を処理する際に発生した生成物を付着させる機能を持たせ、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持させたものであるが、先願発明は、粗面化されたチャンバー天井部内面の微小凹凸部表面に硬いガラス状カーボン被膜を形成し、該天井部内面から発塵しないようにしたものであるから、両発明のチャンバー天井部内面の構造、及び微小凹凸部の機能は相違する。
　したがって、本件発明１４は、先願発明と同一であるとすることはできない。 
 　 
（６）本件発明１５について 
　本件発明１５と先願発明とを対比すると、先願発明における「チャンバー内に・・・ガス導入口よりガスを導入して・・・半導体ウエハを処理する」、「チャンバー内に、シリカガラス製ウエハ支持治具を有し」、「シリカガラス製ウエハ支持治具の表面は、中心線平均粗さが０．５〜２．０μｍの範囲で粗面化されており」、「半導体ウエハを処理する装置」は、本件発明１５の「内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバー・・・を備えている」、「チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部・・・を備えている」、「チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられ、・・・微小凹凸部とを備えている」、「電子デバイスの製造装置」に相当するから、両者は、「被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、平均表面粗さＲａが０．５〜２μｍに仕上げられた微小凹凸部とを備えている電子デバイスの製造装置」の点で一致し、下記（ニ）の点で相違する。
（ニ）本件発明１５では、内部部材の微小凹凸部表面がチャンバーの内部に露出しているのに対し、先願発明では、粗面化されたシリカガラス製ウエハ支持治具表面にはガラス状カーボン被膜が形成され、該治具表面はチャンバーの内部に露出していない点。
　　
　次いで、相違点（ニ）について検討するに、本件発明１５は、内部部材の微小凹凸部表面をチャンバーの内部に露出させ、該表面に被加工物を処理する際に発生した生成物を付着させる機能を持たせ、かつその機能をクリーニング後にも維持させたものであるが、先願発明は、粗面化されたシリカガラス製ウエハ支持治具表面の微小凹凸部表面に硬いガラス状カーボン被膜を形成し、該治具表面から発塵しないようにしたものであるから、両発明の内部部材表面の構造、及び該表面の微小凹凸部の機能は相違する。
　したがって、本件発明１５は、先願発明と同一であるとすることはできない。 
 　 
（７）異議申立人の主張する特許法第２９条第２項違反について 
　本件発明１〜１５はいずれも、平均表面粗さがＲａ０．２〜５μｍである石英ガラスの微小凹凸部表面をチャンバーの内部に露出する点を発明特定事項として含むものと認められる。
　これに対して、異議申立人の提出した甲第４号証（特開平９−８６９６４号公報）は、本件特許出願の優先日後の平成９年３月３１日を公開日とし、本件特許出願の優先日前に頒布された刊行物とはいえないので、本件発明１〜１５の特許法第２９条第２項違反の証拠とすることはできない。
　また、異議申立人の提出した甲第１〜３、５、６号証のいずれにも、石英ガラス表面を平均表面粗さがＲａ０．２〜５μｍである微小凹凸部とすることは、記載も示唆もされていないので、甲第１〜３、５、６号証に記載された発明から上記発明特定事項を導き出すことはできない。
　したがって、本件発明１〜１５は、甲第１〜３、５、６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、上記取消理由及び異議申立理由によっては、本件発明１〜１５についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年８月１７日（２００５．８．１７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、
　内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、
　上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、
　上記チャンバーの天井部の内面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、
　上記天井部は、石英ガラスにより構成されており、
　上記微小凹凸部の
表面は上記チャンバーの内部に露出し、その
　【請求項２】
　請求項１記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記チャンバーの外で上記天井部に近接して配置され、上記チャンバー内に誘導結合型プラズマを発生させるための電磁波を送るコイルをさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項３】
　請求項１又は２記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記被加工物は、多結晶シリコン，非晶質シリコン及び単結晶シリコンのうち少なくともいずれか１つを含む材料により構成される被処理部を有しており、
　上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、
　上記チャンバー内に、塩素または臭素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項４】
　請求項１又は２記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記被加工物は、窒化シリコンにより構成される被処理部を有しており、
　上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、
　上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項５】
　請求項１又は２記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記被加工物は、酸化シリコンにより構成される被処理部を有しており、
　上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、
　上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項６】
　被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、
　内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、
　上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、
　上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、
　上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能をクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、
　上記微小凹凸部の
表面は上記チャンバーの内部に露出し、その
　【請求項７】
　請求項６記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記内部部材は、上記被加工物設置部上で上記被加工物の周囲を取り囲むように配設され、チャンバー内におけるガスの流れを制御するための石英リングであることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項８】
　請求項６記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記チャンバーの天井部には、上記チャンバー内に上記被加工物の処理を行うためのガスを導入するガス導入口が形成されており、
　上記内部部材は、上記チャンバーの天井部に近接して配設され、上記導入口から上記チャンバー内に導入されるガスの流れをチャンバー内に分散させるための石英分散板であることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項９】
　請求項６，７又は８記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記被加工物は、多結晶シリコン，非晶質シリコン及び単結晶シリコンのうち少なくともいずれか１つを含む材料により構成される被処理部を有しており、
　上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、
　上記チャンバー内に、塩素または臭素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項１０】
　請求項６，７又は８記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記被加工物は、窒化シリコンにより構成される被処理部を有しており、
　上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、
　上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項１１】
　請求項６，７又は８記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記被加工物は、酸化シリコンにより構成される被処理部を有しており、
　上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置であり、
　上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項１２】
　請求項６，７，８又は９記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記チャンバーの少なくとも一部を冷却するための冷却手段とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項１３】
　請求項１２記載の電子デバイスの製造装置において、
　上記冷却手段は、上記チャンバーの天板部を冷却するものであることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
　【請求項１４】
　被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、
　内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、
　上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、
　上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられ
、かつ表面が上記チャンバーの内部に露出している
　【請求項１５】
　被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、
　内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、
　上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、
　上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、
　上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられ
、かつその表面が上記チャンバーの内部に露出している
　【請求項１６】
　石英ガラスにより構成される天井部に平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍである微小凹凸部を有するチャンバー内に被加工物を設置して、被加工物に電子デバイスを製造するための処理を行うとともに、上記処理の間、上記チャンバーの少なくとも一部を冷却して、チャンバーの内面に上記処理の際に発生した生成物が堆積するのを強化させることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
　【請求項１７】
　請求項１６記載の電子デバイスの製造方法において、
　上記チャンバーの少なくとも一部の温度を一定に保持することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
　【請求項１８】
　内部の雰囲気を被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成された平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍである微小凹凸部とを備えた電子デバイスの製造装置を用いた電子デバイスの製造方法であって、
　上記被加工物設置部に被加工物を設置する工程（ａ）と、
　上記被加工物を処理する工程（ｂ）とを備えている電子デバイスの製造方法。
　【請求項１９】
　内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部と、上記チャンバーの外で上記天井部に近接して配置され、上記チャンバー内に誘導結合型プラズマを発生させるための電磁波を送るコイルとを備えた電子デバイスの製造装置を用いた電子デバイスの製造方法であって、
　上記被加工物設置部に被加工物を設置する工程（ａ）と、
　上記被加工物のプラズマ処理を行なう工程（ｂ）とを備えている電子デバイスの製造方法。
　【請求項２０】
　内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成された平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍである微小凹凸部とを備えた電子デバイスの製造装置を用いた電子デバイスの製造方法であって、
　上記被加工物設置部に被加工物を設置する工程（ａ）と、
　上記被加工物を処理する工程（ｂ）とを備えている電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　【０００２】
　本発明は、チャンバ内でドライエッチング，スパッタリング，ＣＶＤ等の処理を行うようにした電子デバイスの装置及び電子デバイスの製造方法に関するものである。
　【従来の技術】
　【０００３】
　近年、半導体デバイスをはじめとする電子デバイスの高密度化や高集積化に伴い、高度な加工精度がますます求められるようになってきている。そのために、多数のトランジスタを集積して形成されるＬＳＩや、ＴＦＴ等の多くの素子を集積して形成される液晶デバイスの製造工程におけるドライエッチングやスパッタリング，ＣＶＤ等の各種の処理は、当該処理を行うのに必要な雰囲気とパーティクルのほとんどない清浄な雰囲気とを確保すべく、チャンバ内に被加工物を設置して行われるのが一般的である。
　【０００４】
　ここで、従来より行われているドライエッチング処理を例にとって、従来の電子デバイスの製造装置及び製造方法について説明する。
　【０００５】
　図１０は、特開平６−１９６４２１号公報に開示されているプラズマ装置であって、電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）を利用したものである。
　【０００６】
　同図に示すように、マイクロ波導入窓１０１ａ及びプラズマ引出窓１０１ｂを備えたプラズマ生成室１０１には、フロスト処理して粗面加工されたベルジャ１０４が配設されている。また、プラズマ生成室１０１に連接し、試料Ｓを載置する載置台１０８が配置された試料室１０３にはガス導入管１０９及び排気管１１１が接続されている。試料室１０３，載置台１０８及び排気管１１１の一端部に亘って防着板１０５が配設されている。プラズマ生成室１０１の側壁及び試料室１０３の側壁，低壁，排気管１１１の端部の外面には上部加温壁１０６ａ，１０６ｂ及び下部加温壁１０７ａ，１０７ｂがそれぞれ配設されている。また、上部加温壁１０６の周囲及びプラズマ生成室１０１に接続された導波管１０２の一端部に亘って励磁コイル１１２が配設されている。そして、上部加温壁１０６ａ，１０６ｂ及び下部加温壁１０７ａ，１０７ｂに温流体を循環させてベルジャ１０４及び防着板１０５を加温しつつ試料Ｓをプラズマ処理する。そして、上記ベルジャ１０４及び防着板１０５の内面は、粗面加工されている。
　【０００７】
　すなわち、それまでは防着板１０５の内面のみ粗面加工がされていたが、ベルジャ１０４からも付着している生成物（デポ物）が落下することに鑑み、ベルジャ１０５の内面も粗面加工して、この粗面加工された内面にプラズマ処理等で生じた生成物をデポ物として付着させる作用を強化するようになされている。これにより、ベルジャ１０５等の内面への生成物の付着作用が促進され、かつ付着している生成物の落下が抑制されるので、試料Ｓに付着するパーティクルの数を低減するようになされている。
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００８】
　しかしながら、上記従来のプラズマ装置には、一定の使用時間後に必要なクリーニングを行った後の機能については、いっさい考慮されていないので、以下のような問題があった。
　【０００９】
　例えば、内面の平均表面粗さＲａが１０μｍにもなる石英ベルジャ等からシリコンを含む付着物を除去しようとすると、１％程度の濃度のフッ酸水溶液に１時間程度浸漬して超音波洗浄を行う必要がある。しかし、このように長時間の間、フッ酸水溶液に石英ベルジャ等を浸漬して超音波洗浄を行うと、石英ベルジャの内面自体も同時にエッチングされ、粗面加工された内面の凹凸が鈍化されて表面が平滑化される。そのために、ベルジャ等の内面の生成物の付着を強化する機能が小さくなってしまう。したがって、ベルジャの内面から付着物を取り除く洗浄を行った後も、ベルジャ内面における生成物の付着強化機能を維持しようとすると、石英ベルジャを洗浄するたびに粗面加工を施さなければならない。その結果、手間の煩雑化と石英ベルジャの消耗により、実用に耐えないものになる。
　【００１０】
　また、本発明者達が、クリーニング後における石英部材等のデポ物の付着力増大機能を安定して保持するためには、内面がどのような凹凸状態を有していなければならないのかを調べた結果、内面の最大表面粗さＲｍａｘよりは内面の平均表面粗さＲａが重要であることがわかった。つまり、最大表面粗さＲｍａｘは比較的広い範囲における最大高さのピーク値と最低高さの谷値との差であるが、平均表面粗さＲａは微小範囲における凹凸の平均的な大きさをよく表しており、デポ物の除去しやすさは微小範囲の凹部にどの程度デポ物が食い込んでいるかどうかに依存する。それに対し、上記公報はじめ従来の技術においては、クリーニング後における生成物の付着強化機能を維持するために平均表面粗さＲａをどのようにすればよいかについては全く考慮されていないので、装置の一定の使用時間毎に必要とされるクリーニングを実施した後も、安定してその効果を維持することができないおそれがあった。
　【００１１】
　本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法において、反応により生じた生成物がチャンバー内に露出している部材の表面に付着するのを強化する機能をクリーニング後にも安定して保持しうる手段を講ずることにより、電子デバイスの製造工程における歩留まりの向上と、製造された電子デバイスの信頼性の向上とを実現することにある。
　【課題を解決するための手段】
　【００１２】
　本発明の第１の電子デバイスの製造装置は、被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの天井部の内面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、上記天井部は、石英ガラスにより構成されており、上記微小凹凸部の平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである。
　【００１３】
　これにより、天井部の微小凹凸部に付着した生成物と微小凹凸部との密着性が高くなるので、生成物層の一部が温度変化などによって脱落するのを抑制することができ、チャンバー内に浮遊するパーティクルの数を低減することができる。また、微小凹凸部により天井部の表面積が拡大されるので、生成物を多く付着させることができ、その分、チャンバー内に浮遊するパーティクルの数をさらに低減することができる。しかも、天井部の平均表面粗さＲａがこの付着している生成物の落下しやすさと、天井部のクリーニング時における付着している生成物の除去しやすさに深く相関関係を有することに着目し、微小凹凸部の平均表面粗さＲａを適正範囲になるように構成しているので、長期間の使用において被加工物に付着するパーティクルの数を低減することができる。
　【００１４】
　そして、上記微小凹凸部の平均表面粗さＲａを０．２〜５μｍとすることにより、多数回のクリーニングを行っても、被加工物の処理に際して被加工物に付着するパーティクルの数を低減できることが、石英ガラス製の部材に関する実験結果により裏付けられている。
　【００１５】
　上記チャンバーの外で上記天井部に近接して配置され、上記チャンバー内に誘導結合型プラズマを発生させるための電磁波を送るコイルをさらに備えることができる。
　【００１６】
　これにより、被加工物の処理時には天井部とチャンバー内部のプラズマとの間に電界が生じ、プラズマイオンが天井部に衝突する状態となるので、天井部に付着した生成物には、イオンの衝突によって落下しやすくなる部分と、イオンの衝突によって微小な凹部内に食い込んでクリーニング時に除去しにくくなる部分とが生じる。このとき、微小凹凸部の平均表面粗さＲａが適正範囲にあることで、微小凹凸部による生成物の付着強化機能が得られるとともに、過大なクリーニングを行わなくても天井部がチャンバー内の生成物の付着を強化する機能が安定して維持される。
　【００１７】
　上記被加工物が、多結晶シリコン，非晶質シリコン及び単結晶シリコンのうち少なくともいずれか１つを含む材料により構成される被処理部を有し、上記電子デバイスの製造装置が上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置である場合には、上記チャンバー内に、塩素または臭素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えることが好ましい。
　【００１８】
　上記被加工物が窒化シリコンにより構成される被処理部を有し、上記電子デバイスの製造装置が上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置である場合には、上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えることが好ましい。
　【００１９】
　上記被加工物が酸化シリコンにより構成される被処理部を有し、上記電子デバイスの製造装置が上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置である場合には、上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えることが好ましい。
　【００２０】
　これらにより、被加工物のエッチングを円滑に行うことができるとともに、被加工物のエッチングによって発生する上記生成物がシリコン原子を含んであり、このようなシリコン原子を含む生成物が付着した上記天井部を過大な条件でクリーニングすると、生成物を除去するための薬品によって天井部の微小な凹凸が鈍されるおそれが大きい。しかし、天井部の微小凹凸部の平均表面粗さＲａが適正範囲にあることで、過大なクリーニングを行わなくても付着している生成物が容易に除去されるので、処理時における天井部の生成物の付着を強化する機能が安定して維持されることになる。
　【００２１】
　本発明の第２の電子デバイスの製造装置は、被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能をクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａに仕上げられた微小凹凸部とを備え、上記微小凹凸部の平均表面粗さＲａは、０．２〜５μｍである。
　【００２２】
　これにより、内部部材の微小凹凸部に付着した生成物と微小凹凸部との密着性が高くなるので、生成物層の一部が温度変化などによって脱落するのを抑制することができ、チャンバー内に浮遊するパーティクルの数を低減することができる。また、微小凹凸部により内部部材の表面積が拡大されるので、生成物を多く付着させることができ、その分、チャンバー内に浮遊するパーティクルの数をさらに低減することができる。しかも、内部部材の平均表面粗さＲａがこの付着している生成物の落下しやすさと、内部部材のクリーニング時における付着している生成物の除去しやすさに深く相関関係を有することに着目し、微小凹凸部の平均表面粗さＲａを適正範囲になるように構成しているので、長期間の使用において被加工物に付着するパーティクルの数を低減することができる。
　【００２３】
　そして、上記微小凹凸部の平均表面粗さは、０．２〜５μｍであることにより、多数回のクリーニングを行っても、被加工物の処理に際して被加工物に付着するパーティクルの数を低減できることが石英ガラス製の部材に関する実験結果により裏付けられている。
　【００２４】
　上記内部部材を、上記被加工物設置部上で上記被加工物の周囲を取り囲むように配設され、チャンバー内におけるガスの流れを制御するための石英リングとすることができる。
　【００２５】
　上記チャンバーの天井部には、上記チャンバー内に上記被加工物の処理を行うためのガスを導入するガス導入口が形成されており、上記内部部材を、上記チャンバーの天井部に近接して配設され、上記導入口から上記チャンバー内に導入されるガスの流れをチャンバー内に分散させるための石英分散板とすることができる。
　【００２６】
　これらにより、被加工物の処理時には内部部材とチャンバー内部のプラズマとの間に電界が生じ、プラズマイオンが内部部材に衝突する状態となるので、内部部材に付着した生成物には、イオンの衝突によって落下しやすくなる部分と、イオンの衝突によって微小な凹部内に食い込んでクリーニング時に除去しにくくなる部分とが生じる。このとき、微小凹凸部の平均表面粗さＲａが適正範囲にあることで、微小凹凸部による生成物の付着強化機能が得られるとともに、過大なクリーニングを行わなくても内部部材がチャンバー内の生成物の付着を強化する機能が安定して維持される。
　【００２７】
　上記被加工物が、多結晶シリコン，非晶質シリコン及び単結晶シリコンのうち少なくともいずれか１つを含む材料により構成される被処理部を有し、上記電子デバイスの製造装置が上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置である場合には、上記チャンバー内に、塩素または臭素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えることが好ましい。
　【００２８】
　上記被加工物が窒化シリコンにより構成される被処理部を有し、上記電子デバイスの製造装置が上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置である場合には、上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えることが好ましい。
　【００２９】
　上記被加工物が酸化シリコンにより構成される被処理部を有し、上記電子デバイスの製造装置は、上記被加工物の被処理部をエッチングするためのエッチング装置である場合には、上記チャンバー内に、フッ素を含むガスを導入するためのガス供給装置をさらに備えることが好ましい。
　【００３０】
　これらにより、被加工物のエッチングを円滑に行うことができるとともに、被加工物のエッチングによって発生する上記生成物がシリコン原子を含んであり、このようなシリコン原子を含む生成物が付着した上記内部部材を過大な条件でクリーニングすると、生成物を除去するための薬品によって内部部材の微小な凹凸が鈍されるおそれが大きい。しかし、内部部材の微小凹凸部の平均表面粗さＲａが適正範囲にあることで、過大なクリーニングを行わなくても付着している生成物が容易に除去されるので、処理時における内部部材の生成物の付着を強化する機能が安定して維持されることになる。
　【００３１】
　上記チャンバーの少なくとも一部を冷却するための冷却手段とを備えることにより、特に、上記冷却手段を、上記チャンバーの天板部を冷却するものとすることにより、冷却手段によって冷却されるチャンバーの一部の内面において生成物の揮発が生じにくくなりかつ生成物の付着が強化され、チャンバー内に浮遊するパーティクルの数を低減することができる。
　【００３２】
　本発明の第３の電子デバイスの製造装置は、被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部とを備えている。
　【００３３】
　本発明の第４の電子デバイスの製造装置は、被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバー内に配設され、石英ガラスにより構成される内部部材と、上記内部部材のチャンバー内に露出する表面に形成され、平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部とを備えている。
　【００３４】
　本発明の第１の電子デバイスの製造方法は、石英ガラスにより構成される天井部に平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍである微小凹凸部を有するチャンバー内に被加工物を設置して、被加工物に電子デバイスを製造するための処理を行うとともに、上記処理の間、上記チャンバーの少なくとも一部を冷却して、チャンバーの内面に上記処理の際に発生した生成物が堆積するのを促進させる方法である。
　【００３５】
　この方法により、冷却されているチャンバーの一部の内面において生成物の揮発が生じにくくなりかつ生成物の付着が強化され、チャンバー内に浮遊するパーティクルの数を低減することができる。
　【００３６】
　上記少なくとも一部の温度を一定に保持することが好ましい。
　【００３７】
　この方法により、冷却されているチャンバーの一部において、付着している生成物が温度変化によって落下するのが抑制されるので、チャンバー内に浮遊するパーティクルの数がさらに低減することになる。
　【００３８】
　本発明の第２の電子デバイスの製造方法は、内部の雰囲気を被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成された平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍである微小凹凸部とを備えた電子デバイスの製造装置を用いた電子デバイスの製造方法であって、上記被加工物設置部に被加工物を設置する工程（ａ）と、上記被加工物を処理する工程（ｂ）とを備えている。
　【００３９】
　本発明の第３の電子デバイスの製造方法は、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの天井部の内面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部と、上記チャンバーの外で上記天井部に近接して配置され、上記チャンバー内に誘導結合型プラズマを発生させるための電磁波を送るコイルとを備えた電子デバイスの製造装置を用いた電子デバイスの製造方法であって、上記被加工物設置部に被加工物を設置する工程（ａ）と、上記被加工物のプラズマ処理を行なう工程（ｂ）とを備えている。
　【００４０】
　本発明の第３の電子デバイスの製造方法は、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの石英ガラスにより構成される天井部の内面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部と、上記チャンバーの外で上記天井部に近接して配置され、上記チャンバー内に誘導結合型プラズマを発生させるための電磁波を送るコイルとを備えた電子デバイスの製造装置を用いた電子デバイスの製造方法であって、上記被加工物設置部に被加工物を設置する工程（ａ）と、上記被加工物のプラズマ処理を行なう工程（ｂ）とを備えている。
　【発明の実施の形態】
　【００４１】
　以下、本発明の実施形態の電子デバイスの製造装置について、図面を参照しながら説明する。
　【００４２】
（第１の実施形態）
　図１は、第１の実施形態における誘導結合型プラズマを利用したドライエッチング装置の構造を概略的に示す断面図である。
　【００４３】
　図１において、１はチャンバー、６はチャンバー１内下部に設置された下部電極、３は高周波コイル、５はチャンバー１内に形成されるプラズマ領域、７は下部電極６上に設置された被加工物である半導体基板、４，８はいずれもブロッキングコンデンサ、１１ａ，１１ｂはチャンバー１内にガスを供給するための導入口、１２はチャンバー１からガスを排出するための排出口、１０は石英天板をそれぞれ示す。ドライエッチングを行う際には、下部電極６に対しブロッキングコンデンサ８を介して高周波出力ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、プラズマ領域５中の反応種の方向を揃えている。また、石英天板１０の上に設置されたコイル３に対しブロッキングコンデンサ４を介して高周波出力ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、高密度のプラズマ領域５を生成して下部電極６上に置かれた半導体基板７をエッチングするように構成されている。また、図１において、２１はエッチングの際に発生した生成物であって、石英天板１０の下面に付着しているもの（以下、デポ物という）である。
　【００４４】
　本実施形態のプラズマ装置によりドライエッチングを行う場合、被加工物の材質に応じて、一般的には以下のような種類のガスを用いる。
　【００４５】
　ポリシリコン膜，アモルファスシリコン膜，シリコン基板をエッチングする際には、塩素または臭素を含むガスを用いる。また、シリコン窒化膜をエッチングする場合には、フッ素を含むガスを用いる。シリコン酸化膜をエッチングする場合には、フッ素を含むガス例えばＯ２ガス，ＣＦ４ガス，Ｃ２Ｆ６ガス，Ｃ４Ｆ８ガス及びＣＨＦ３ガスの混合ガスを用いる。
　【００４６】
　ここで、本実施形態の特徴は、石英天板１０の表面が平滑でなく、わざと微小な凹凸を生ぜしめている点、言い換えると表面粗さを大きくしている点である。すなわち、一般的に用いられている石英天板の表面は、非常に平滑であるつまり表面粗さがきわめて小さいのに対し、本実施形態では、石英天板１０のチャンバー内に露出している表面を粗くする処理を施している。このような粗い表面を形成するための処理としては、例えばサンドブラストや、粗い砥粒を使用した研削などがある。そして、このような表面処理により、石英天板１０の下面に微小凹凸部を形成し、この微小凹凸部によって石英天板１０にデポ物２１の付着を強化する機能を与えている。また、このような機能が石英天板１０のクリーニング後にも安定して維持されるようにしている。以下、これらの機能に関して行った実験結果について説明する。
　【００４７】
［デポ物の付着強化機能に関する実験］
　図２（ａ），（ｂ）は、本実施形態において使用した１つの石英天板と、一般的に使用されている平滑な表面を有する石英天板とについて、触針式表面粗さ測定器を用いて表面粗さを測定した例を示すデータである。図２（ｂ）に示すように、汎用されている石英天板の平均表面粗さＲａは０．０４μｍ程度と極めて小さいのに対し、図２（ａ）に示すように、本実施形態のうちの１つの例である石英天板の平均表面粗さＲａは、サンドブラストを施されているので、１．１４μｍと極めて大きくなっている。ただし、本実施形態では、以下に説明するように、Ｒａ０．２〜５μｍの範囲で各種の表面粗さのサンプルを作成し、これらのサンプルを使用した場合にウエハに付着するパーティクルの数と、石英天板の付着物の除去に関する試験を行っている。
　【００４８】
　図３は、第１の実施形態におけるドライエッチング装置と、平滑な表面を有する石英天板を装着したドライエッチング装置における１ロットのスライス処理順番とパターン欠陥となる１スライス中の異物の数との関係をプロットしたグラフである。ただし、以下の説明において、本実施形態における１ロットはウエハの２５枚を意味し、２５枚目のスライスの処理が終了するとしばらく休止して、次のロットのスライスを連続的に処理するというプロセスを採用している。図３に示すデータは、チャンバーのクリーニング後、５００スライス程度のウエハを処理した後における１ロット（２５スライス）内における異物の数を示す。表面が平滑な石英天板を装着したドライエッチング装置を使用した場合には、同図に示すように、１ロットの処理の始まりの頃には、休止の間にチャンバー内に浮遊するパーティクルが排出されているので、１ロットの最初のウエハの異物の数は少ない。その後、連続処理を行うに従って異物の数が増加し、２５スライス目では１００個を超える異物が生じている。つまり、ウエハに付着する異物の数が多くかつ異物の数には処理枚数依存性があることがわかる。それに対し、本実施形態におけるドライエッチング装置を使用した場合には、１ロット内におけるウエハに付着する異物の数の処理枚数依存性は全くない。また、５００スライスの処理を終了した後の１ロットの最終スライスにおいても、異物の数を０〜３個と極めて少ない値に抑制することが可能となった。
　【００４９】
　図４は、本実施形態におけるドライエッチング装置を使用した場合と、平滑な表面を有する石英天板を装着したドライエッチング装置を使用した場合とにおけるウエハ処理枚数とウエハに付着している０．３μｍ以上のパーティクルの数との関係を示したグラフである。ただし、同図に示すパーティクルの数は、２５枚のスライスで構成される１ロット中の最初のスライスについて測定したデータである。平滑な表面を有する石英天板を装着したドライエッチング装置を使用した場合には、同図の折れ線グラフＳＡ１に示すように処理枚数が１０００枚程度でパーティクルの数が増加し、その時点でチャンバー１のクリーニングを必要としている。それに対し、本実施形態におけるドライエッチング装置を使用した場合には、同図の折れ線グラフＳＡ２に示すように、処理枚数が２０００枚に達してもパーティクルの数の増加は見られず、よりクリーンで高歩留りなドライエッチングプロセスを行うことが可能となった。なお、同図の折れ線グラフＳＡ２に示すデータは、本実施形態において実験を行った表面粗さがＲａ０．２〜５μｍの範囲の石英天板についてほぼ共通に得られた傾向を示したが、特に、平均表面粗さＲａが１μｍ以上のときに、付着物の脱落を抑制する機能が大きいことがわかった。
　【００５０】
　ここで、平滑な表面を有する石英天板を用いたドライエッチング装置と本実施形態のドライエッチング装置との間で、ウエハに付着する異物の数について、上述のような相違が生じるのは以下の理由によるものと思われる。
　【００５１】
　平滑な表面を有する天板を装着したドライエッチング装置では、石英天板の下面において、デポ物の一部が塊状に脱落してパーティクルとなってチャンバー内に浮遊することから、ウエハに付着する異物の数が多い。それに対し、本実施形態によると、チャンバー１内に設置される石英天板１０の表面が粗く仕上げられていることから、石英天板１０の表面とデポ物２１との密着性を高く維持することができる。したがって、第１に、生じた生成物を石英天板１０の表面にデポ物２１として付着させる機能が高いので、その分、チャンバー１内に浮遊するパーティクルの数を抑制することができる。第２に、いったん石英天板１０の表面に形成されたデポ物２１が塊状に脱落する抑制することができるので、チャンバー１内に浮遊するパーティクルの数をさらに低減することができる。よって、よりクリーンなドライエッチングプロセスを実現することが可能となる。
　【００５２】
　なお、石英天板１０の表面粗さを粗くすることによって、石英天板の１０の表面積が増大するので、その結果、生成物を付着する面積が増大することによっても、チャンバー１内に浮遊するパーティクルを低減する効果が生じているものと思われる。
　【００５３】
　具体的には、デポ物の付着を強化し、その落下を抑制するためには、微小凹凸部の平均表面粗さＲａが０．２μｍ以上であることが好ましく、さらに１μｍ以上であることがもっとも好ましい。
　【００５４】
［クリーニングに関する実験］
　次に、プラズマエッチングに使用した結果付着物が厚く堆積している石英天板をクリーニングする実験をも行った。実験を行ったクリーニング方法の主なものは、石英天板を流水ですすぐ方法と、フッ酸の約１％水溶液（水１００に対してフッ酸１の容積比で作成された水溶液）に浸漬して超音波を印加する方法とである。前者の流水ですすぐ方法は、シリコン原子を含む付着物の除去には効果が薄いことがわかった。そして、後者のフッ酸水溶液中で超音波洗浄を行うと付着したパーティクルをクリーニングできる効果があることと、以下のように、石英天板の平均表面粗さＲａには上限があるということがわかった。
　（１）平均表面粗さＲａとクリーニング時間との関係
　石英天板の平均表面粗さＲａが粗すぎるものでは、かなり長時間の間、フッ酸の約１％水溶液中で超音波洗浄を行う必要があり、このクリーニングのために必要な時間は、石英天板の表面粗さが大きいほど長くなる傾向がある。例えば、平均表面粗さＲａが１０μｍの石英天板では、１時間以上クリーニングを行う必要があった。
　（２）表面粗さの種類
　一般的に、表面粗さを表示する方法には多数の表示方法があるが、もっともよく使用されているものとして、被測定物の表面をある断面でスキャンした場合に得られる凹凸曲線の最大高さ位置（ピーク）と最低高さ位置（ヴァリー）との差である最大表面粗さＲｍａｘと、微小な凹凸の平均的な粗さを示す平均粗さＲａとがある。最大表面粗さＲｍａｘが大きいと表面積が増大するので、表面積の増大効果により生成物の付着強化機能は確かに大きくなる。しかし、付着している生成物の落下を抑制する機能は、むしろ平均表面粗さＲａに強く依存するものと思われる。特に、クリーニング時にデポ物を除去しやすいかどうかは、最大表面高さＲｍａｘとは直接的には関係がないと思われる。つまり、クリーニング時におけるデポ物の除去しやすさは、微小凹凸部の表面積が増大しているかどうかではなく、微小凹凸部にデポ物が密着しているかどうかに依存するはずだからである。
　【００５５】
　本実施形態に関する実験の結果、特に石英天板のクリーニング時間については、最大表面粗さＲｍａｘよりも平均表面粗さＲａとの関連性が深いことがわかった。これは、平均表面粗さＲａが大きいと小さな範囲における谷も深くなるために、デポ物がこの深い谷内に食い込んでしまうためと思われる。ここで、一般的に最大表面粗さＲｍａｘが同じでも平均表面粗さＲａが同じとは限らない。ただし、平均表面粗さＲａが大きいと最大表面粗さＲｍａｘも大きくはなる。したがって、間接的には、最大表面粗さＲｍａｘとデポ物の除去しやすさとは関係があるが、最大表面粗さＲｍａｘにより微小凹凸部の適正な粗さの範囲を定めるのは妥当でないことがわかった。
　（３）クリーニング条件とクリーニング後におけるデポ物の付着強化機能との関係
　実験の結果、長時間のクリーニングを行った石英天板を用いてエッチングを行うと、石英天板の微小凹凸部におけるデポ物の付着強化機能が小さくなることがわかった。その理由は、以下の通りである。平均表面粗さＲａが大きい石英部材をクリーニングする場合、デポ物にシリコン原子が含まれていると、水：ＨＦ＝１００：１程度の水溶液中で超音波洗浄する必要がある。平均表面粗さＲａが特に１０μｍ程度になると１時間ぐらい洗浄する必要があり、このクリーニングによって石英部材の凹凸が鈍ってしまう。こうなると、もはやデポ物の付着を強化してデポ物の脱落を抑制する機能が薄れてくる。そのため、このようなあまりに大きい平均表面粗さＲａを有するものでは、クリーニングを行うと共に再度表面を粗くするための加工を行う必要があり、実用に耐えなかった。なお、フッ酸の濃度を濃くしてクリーニング時間を短縮しても、同様の結果が得られた。また、深く入り込んだ付着物がとりきれずにそのまま残り、次の使用中に落下して基板上にパーティクルとして付着することもある。ところが、Ｒａが５μｍ以下であれば、数分以内のフッ酸水溶液中の超音波洗浄によって付着物が除去できる。数分以内の洗浄であると石英板の平均表面粗さＲａには変化はない。特に、平均表面粗さＲａが２μｍ以下の場合には、フッ酸を用いずに単に流水で洗浄するだけでもシリコン原子を含むデポ物を除去することができる。
　（４）クリーニングを繰り返したときにもデポ物の付着強化機能を保持するための平均表面粗さＲａ
　以上のように、何回もクリーニングを繰り返したときに、デポ物の付着力増大機能を安定して発揮するには、石英天板の平均表面粗さＲａが２μｍ以下であることがもっとも好ましい。ただし、Ｒａが５μｍ以下であれば、多数回のクリーニングを行った後には石英天板の表面を粗くする加工を再び行う必要が生じるかもしれないが、実用性は十分得られた。
　【００５６】
［上記実験を総合して得られた微小凹凸部の最適な表面粗さ］
　以上の結果を総合すると、石英天板の最適な表面粗さは、最大表面粗さＲｍａｘよりも平均表面粗さＲａがどの範囲にあるかに強く依存している。そして、使用中におけるデポ物の付着強化機能とクリーニング後におけるこの機能の低下の防止という２つ観点から見て、石英天板の平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍの範囲にあることが好ましく、さらに平均表面粗さＲａが１〜２μｍの範囲にあることがもっとも好ましい。
　【００５７】
　なお、上記従来のＥＣＲ型プラズマを利用したプラズマ装置と本実施形態のプラズマ装置であるドライエッチング装置との相違について、以下に説明する。
　【００５８】
　本実施形態で使用した誘導結合型プラズマを利用したプラズマ装置においては、コイル３に印加された高周波電力によって発生する電磁波が石英天板１０内の通過するために石英天板１０が正に帯電し、チャンバー１内に形成されるプラズマ５と石英天板１０との間に電圧Ｖｄｃが存在していて、この電圧Ｖｄｃによって加速されたイオンが石英天板１０に衝突する状態となっている。したがって、デポ物２１と石英天板１０との付着力が小さいと、このイオンの衝突によってデポ物２１の剥がれが生じやすい。このため、一般的に使用されている平滑な表面を有する石英天板を装着した場合、図１に示すコイル３の下方が選択的に剥がれやすい。一方、本発明のように微小凹凸部を有する石英天板１０を装着した
場合には、微小凹凸部の谷部に入り込んだデポ物２１がイオンによってたたかれて谷部に食い込む状態となり、クリーニング時には除去されにくいものとなっている。したがって、微小凹凸部の谷部が深すぎると石英天板１０のクリーニング条件を過度にしないと、デポ物が除去できないことになる。
　【００５９】
　それに対し、従来のプラズマ装置の場合、同公報中の図１に示されるように、励磁コイル１２によって磁界を形成しつつプラズマ生成室１内にマイクロ波を導入してプラズマを生成し、生成したプラズマを励磁コイル１２により形成される発散磁界によって試料室３内の載置台８の上方付近に導くものである。かかる構造のものでは、プラズマとベルジャとの間に電圧Ｖｄｃがほとんど存在しないので、本実施形態のごとくデポ物がプラズマイオンによってたたかれることがないので、ベルジャの内面におけるデポ物の付着機構は本実施形態とは異なっているものと思われる。
　【００６０】
　したがって、微小凹凸部の表面粗さの適正範囲を最大表面粗さＲｍａｘではなく平均表面粗さＲａで規定することは、特に本実施形態のようなプラズマ領域と微小凹凸部が形成される部材との間に電圧Ｖｄｃが存在する形態のプラズマを発生させるもの、つまり、誘導結合型プラズマ、あるいは後述の容量結合型プラズマを利用した電子デバイスの製造装置において、顕著な効果を発揮することができる。
　【００６１】
　また、特にシリコン原子を含むデポ物を除去しようとすると、フッ酸水溶液中での超音波洗浄を行う必要があるが、例えばアルミニウム等のデポ物は流水で除去できるので、石英ガラスで構成される部材ではその表面の凹凸が鈍されることはない。したがって、石英ガラスで構成される部材に微小凹凸部を設ける場合には、シリコン原子を含むデポ物を生成するような加工を行うプラズマ装置においてその効果が大きい。
　【００６２】
（第２の実施形態）
　図５は、本実施形態におけるドライエッチング装置の構造を概略的に示す断面図である。図５において、１はチャンバー、６はチャンバー１内下部に設置された下部電極、３は高周波コイル、５はチャンバ１内に形成されるプラズマ領域、７は下部電極６上に設置された被加工物である半導体基板、４，８はいずれもブロッキングコンデンサ、１１ａ，１１ｂはチャンバー１内にガスを供給するための導入口、１２はチャンバー１からガスを排出するための排出口、１４は石英天板をそれぞれ示す。ドライエッチングを行う際には、下部電極６に対しブロッキングコンデンサ８を介して高周波出力ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、プラズマ領域５中の反応種の方向を揃えている。また、石英天板１４の上に設置されたコイル３に対しブロッキングコンデンサ４を介して高周波出力ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、高密度のプラズマ領域５を生成して下部電極６上に置かれた半導体基板７をエッチングするようにしている。
　【００６３】
　ここで、本実施形態の特徴は、上記石英天板１４が中空状に形成されていて、水冷できるように構成されており、この石英天板１４にデポ物２１を積極的に付着させるように構成されている点である。ただし、本実施形態では、石英天板１４の表面は平滑に仕上げられていて、上記第１の実施形態のような表面を粗くする処理は行っていない。
　【００６４】
　本実施形態においても、以下の作用により、上記図３，図４に示す第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　【００６５】
　まず、石英天板１４を低温に冷却することで、石英天板１４への生成物の堆積作用を強化することができ、その分、チャンバー１内に浮遊するパーティクルの数を低減することができる。
　【００６６】
　特に、石英天板１４を一定温度に冷却することで、デポ物２１とは熱膨張率の異なる石英天板の加熱，冷却サイクルに起因して生じるデポ物２１の脱落を抑制することができ、チャンバー１内に浮遊するパーティクルの数を低減することができ、著効を発揮することができる。
　【００６７】
　ただし、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、温度を一定に制御せずに石英天板を冷却するだけでもよい。
　【００６８】
　なお、本実施形態の場合には、石英天板１４の表面を粗しなくてもよいので、原則的には、クリーニングによるデポ物の付着強化機能の低下を考慮する必要はないが、本実施形態の構成に加えて、上記第１の実施形態のごとく、石英天板１４の下面を粗く仕上げる場合には、平均表面粗さＲａを０．２〜５μｍの間にすることが好ましく、さらに１〜２μｍの間にすることがより好ましい。
　【００６９】
（第３の実施形態）
　次に、第３の実施形態について説明する。図６は、本実施形態に係る容量結合型プラズマを利用したＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によるドライエッチング装置の構造を概略的に示す断面図である。
　【００７０】
　図６において、１はチャンバー、６はチャンバー１内の下部に設置された下部電極、５はチャンバ１内に形成されるプラズマ領域、７は下部電極６上に設置された被加工物である半導体基板、８はブロッキングコンデンサ、１１はチャンバー１内にガスを供給するための導入口、１２はチャンバー１からガスを排出するための排出口をそれぞれ示す。ドライエッチングを行う際には、下部電極６に対しブロッキングコンデンサ８を介して高周波出力ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、プラズマ領域５を生成して、下部電極６上に置かれた半導体基板７をエッチングするようにしている。
　【００７１】
　ここで、本実施形態の特徴は、図６に示すように、クランプ１３の上にガスの流れを制御し、エッチングの均一性を向上させるための石英リング１５が配設されており、この石英リング１５の表面が粗く仕上げられていて、この石英リング１５にデポ物２１を積極的に付着させるように構成されている点である。
　【００７２】
　図７は、平滑な表面を有する石英リングを用いたドライエッチング装置を使用した場合と本実施形態に係るドライエッチング装置を使用した場合とにおけるウエハ処理枚数とウエハに付着している０．３μｍ以上のパーティクルの数との関係を示したグラフである。ただし、同図に示すパーティクルの数は、２５枚のスライスで構成される１ロット中の最初のスライスについて測定したデータである。平滑な表面を有する石英リングを装着したドライエッチング装置を使用した場合には、同図の折れ線グラフＳＡ３に示すように、処理枚数が５００枚程度でパーティクルの数が増加し、その時点でクリーニングを必要としている。それに対し、本実施形態におけるドライエッチング装置を使用した場合には、同図の折れ線グラフＳＡ４に示すように、処理枚数が１５００枚に達してもパーティクル数の増加は見られず、よりクリーンで高歩留りなドライエッチングプロセスを行うことが可能となった。
　【００７３】
　なお、本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様のクリーニングに関する実験を行った結果、石英リングのクリーニングによるデポ物の付着を強化する機能を付与し、かつクリーニング後におけるこの機能の低下を防止する意味で、石英リングの平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍの範囲にあることが好ましく、さらに平均表面粗さＲａが１〜２μｍの範囲にあることがより好ましい。
　【００７４】
　また、本実施形態の容量結合型プラズマを利用したプラズマ発生装置においてもプラズマ５と石英リング１５との間に電圧Ｖｄｃが存在するので、微小凹凸部に付着するデポ物の付着状態は、上記第１の実施形態と同じであると思われる。したがって、微小凹凸部の表面粗さの適正範囲を最大表面粗さＲｍａｘではなく平均表面粗さＲａで規定することは、本実施形態のような電子デバイスの製造装置において顕著な効果を発揮する。
　【００７５】
　また、特にシリコン原子を含むデポ物を除去しようとすると、フッ酸水溶液中での超音波洗浄を行う必要があるが、例えばアルミニウム等のデポ物は流水で除去できるので、石英ガラスで構成される部材ではその表面の凹凸が鈍されることはない。したがって、石英ガラスで構成される部材に微小凹凸部を設ける場合には、シリコン原子を含むデポ物を生成するような加工を行うプラズマ装置においてその効果が大きい。
　【００７６】
（第４の実施形態）
　次に、第４の実施形態について説明する。
　【００７７】
　図８は、第４の実施形態における誘導結合型プラズマを利用したドライエッチング装置の構造を概略的に示す断面図である。
　【００７８】
　図８において、１はチャンバー、２は上部電極、６はチャンバー１内下部に設置された下部電極、５はチャンバー１内に形成されるプラズマ領域、７は下部電極６上に設置された被加工物である半導体基板、４，８はいずれもブロッキングコンデンサ、１１はチャンバー１内にガスを供給するための導入口、１２はチャンバー１からガスを排出するための排出口をそれぞれ示す。ドライエッチングを行う際には、下部電極６に対しブロッキングコンデンサ８を介して高周波出力ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、プラズマ領域５中の反応種の方向を揃えている。また、上部電極２に対しブロッキングコンデンサ４を介して高周波出力ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、中密度のプラズマ領域５を生成して下部電極６上に置かれた半導体基板７をエッチングするように構成されている。
　【００７９】
　ここで、本実施形態の特徴は、上部電極２の下方には、導入口１１から導入されたガスを分散してチャンバー１内に流入されるための石英天分散板３０が配設されていて、この石英分散板３０の下面が平滑でなく、わざと微小な凹凸を生ぜしめてこの石英分散板３０にデポ物２１を積極的に付着させるように構成されている点である。すなわち、石英分散板３０の下面を粗くする処理を施している。このような粗い表面を形成するための処理としては、例えばサンドブラストや、粗い砥粒を使用した研削などがある。そして、石英分散板３０の下面の平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍの範囲内にある。
　【００８０】
　本実施形態のプラズマ装置においても、第１の実施形態と同様の被加工物に対し、上記第１の実施形態と同様のガスを用いてドライエッチングを行うことができる。
　【００８１】
　そして、本実施形態においては、石英分散板３０によりチャンバー１内のガスの流れが均一化されて半導体基板７上におけるエッチングの均一性が確保されるとともに、石英分散板３０の下面が粗く仕上げられているので、エッチング加工における生成物を付着させる機能が強化され、かつデポ物の付着力が高められてその脱落が抑制される。また、平均表面粗さＲａが適正な範囲内にあることで、クリーニング後も安定してその機能が有効に保持される。
　【００８２】
　なお、本実施形態のエッチング装置においても、石英分散板３０とプラズマ５との間に電圧Ｖｄｃが存在する。したがって、デポ物を除去するクリーニングを行う時点では、デポ物が石英分散板３０の微小凹部内に食い込んだ状態となっているので、本発明を適用する効果が大きい。
　【００８３】
（第５の実施形態）
　次に、第５の実施形態について説明する。図９は、本実施形態に係る２周波放電式のプラズマを利用したＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によるドライエッチング装置の構造を概略的に示す断面図である。
　【００８４】
　図９において、１はチャンバー、６はチャンバー１内の下部に設置された下部電極、５はチャンバ１内に形成されるプラズマ領域、７は下部電極６上に設置された被加工物である半導体基板、８はブロッキングコンデンサ、１１はチャンバー１内にガスを供給するための導入口、１２はチャンバー１からガスを排出するための排出口をそれぞれ示す。ドライエッチングを行う際には、下部電極６に対しブロッキングコンデンサ８を介して高周波出力ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、プラズマ領域５を生成して、下部電極６上に置かれた半導体基板７をエッチングするようにしている。
　【００８５】
　ここで、本実施形態の特徴は、チャンバー内上部には、導入口１１から導入されたガスを分散してチャンバー１内に流入されるための石英天分散板３０が配設されていて、この石英分散板３０の下面が平滑でなく、わざと微小な凹凸を生ぜしめてこの石英分散板３０にデポ物２１を積極的に付着させるように構成されている点である。すなわち、石英分散板３０の下面を粗くする処理を施している。このような粗い表面を形成するための処理としては、例えばサンドブラストや、粗い砥粒を使用した研削などがある。そして、石英分散板３０の下面の平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍの範囲内にある。
　【００８６】
　そして、本実施形態においても、石英分散板３０によりチャンバー１内のガスの流れが均一化されて半導体基板７上におけるエッチングの均一性が確保されるとともに、石英分散板３０の下面が粗く仕上げられているので、エッチング加工における生成物を付着させる機能が強化され、かつデポ物の付着力が高められてその脱落が抑制される。また、平均表面粗さＲａが適正な範囲内にあることで、クリーニング後も安定してその機能が有効に保持される。
　【００８７】
　なお、本実施形態のエッチング装置においても、石英分散板３０とプラズマ５との間に電圧Ｖｄｃが存在する。したがって、デポ物を除去するクリーニングを行う時点では、デポ物が石英分散板３０の微小凹部内に食い込んだ状態となっているので、本発明を適用する効果が大きい。
　【００８８】
（その他）
　上記第１，第３〜第５の実施形態では、石英天板１０，石英リング１５又は石英分散板３０の表面を粗く形成したが、アルミニウム等で構成されるチャンバー１のケーシングの内壁面を粗く形成することによっても同じ効果が得られる。また、すべての部分がガラス製でなくても、例えば表面部のみがガラス状の物質でコートされた電極等の表面を粗く仕上げておくことによっても、本発明の効果を発揮することができる。また、表面粗さという概念に入らない比較的大きな凹凸であるが物体の大きさからすると微小凹凸部を、わざとチャンバーの内壁面や内部部材の表面に設けて表面積を増大させることによっても、本発明の効果を得ることができる。
　【００８９】
　特に、石英ガラス等の透明性部材は、光を透過させるために表面が鏡面状に平滑に仕上げられていることが多いが、そのようなガラス部材の表面を粗く仕上げることによって、本発明の効果を発揮することができる。
　【００９０】
　また、上記各実施形態では、ドライエッチング装置について本発明を適用した例を説明したが、本発明は斯かる実施形態に限定されるものではなく、プラズマＣＶＤや、プラズマを使用しない処理装置例えばスパッタリング装置等の処理装置全般について適用できるものである。さらに、電子デバイスを製造するための装置に限定されるものではなく、例えば液晶デバイス等の異物の付着が問題となる電子デバイス全般に適用されるものである。
　【発明の効果】
　【００９１】
　本発明の第１の電子デバイスの製造装置によれば、電子デバイスの製造装置において、チャンバーの天井部に、被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部を設けたので、繰り返しクリーニングを行っても、生成物の付着強化機能を安定して維持することができ、よって、電子デバイスの歩留まりの向上と製造される電子デバイスの信頼性の向上とを図ることができる。
　【００９２】
　本発明の第２の電子デバイスの製造装置によれば、電子デバイスの製造装置において、チャンバー内に配設される内部部材に、被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられた微小凹凸部を設けたので、繰り返しクリーニングを行っても、生成物の付着強化機能を安定して維持することができ、よって、電子デバイスの歩留まりの向上と製造される電子デバイスの信頼性の向上とを図ることができる。
　【００９３】
　本発明の電子デバイスの製造方法によれば、電子デバイスの製造方法として、電子デバイスに対して所望の処理を行う間、天井部の平均表面粗さＲａが０．２〜５μｍに仕上げられたチャンバーの少なくとも一部を冷却するようにしたので、生成物の付着強化作用と生成物の揮発防止作用とによりチャンバー内に浮遊するパーティクルの数を低減することができ、よって、電子デバイスの製造歩留まりの向上と、製造される電子デバイスの信頼性の向上とを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【００９４】
　【図１】
　第１の実施形態におけるドライエッチング装置の断面図である。
　【図２】
　第１の実施形態に使用した石英天板の表面粗さと汎用されている石英天板の表面粗さを触針式表面粗さ測定器で測定した結果を示すデータである。
　【図３】
　第１の実施形態におけるドライエッチング装置と平滑な表面を有する石英天板を装着したドライエッチング装置における１ロットのスライス処理順番とパターン欠陥となる１スライス中の異物の数との関係をプロットしたグラフである。
　【図４】
　第１の実施形態におけるドライエッチング装置と平滑な表面を有する石英天板を装着したドライエッチング装置におけるウエハ処理枚数とウエハに付着した０．３μｍ以上のパーティクルの数との関係を示した折れ線グラフである。
　【図５】
　第２の実施形態におけるドライエッチング装置の断面図である。
　【図６】
　第３の実施形態におけるドライエッチング装置の断面図である。
　【図７】
　第３の実施形態におけるドライエッチング装置と平滑な表面を有する石英リングを装着したドライエッチング装置におけるウエハ処理枚数とウエハに付着した０．３μｍ以上のパーティクルの数との関係を示した折れ線グラフである。
　【図８】
　第４の実施形態におけるドライエッチング装置の断面図である。
　【図９】
　第５の実施形態におけるドライエッチング装置の断面図である。
　【図１０】
　従来のＥＣＲ型プラズマを利用したプラズマ装置の断面図である。
　【符号の説明】
　【００９５】
　１　チャンバー
　２　上部電極
　３　コイル
　４　ブロッキングコンデンサ
　５　プラズマ領域
　６　下部電極
　７　半導体基板（電子デバイス）
　８　ブロッキングコンデンサ
　１０　石英天板
　１１　導入口
　１２　排出口
　１３　クランプ
　１４　石英天板
　１５　石英リング
　２１　デポ物
　３０　石英分散板