【事件の表示】
　平成　４年特許願第　７５０３４号「不揮発性半導体記憶素子の駆動方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年１０月２９日出願公開、特開平　５−２８３７０７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成４年３月３１日の出願であって、その発明の要旨は、平成１０年１０月１９日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１及び２に記載されたとおりの「不揮発性半導体記憶素子の駆動方法」にあるものと認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。なお、平成１２年２月１５日付の手続補正は平成１２年４月１１日付で却下された。
　「Ｐ型の半導体基板に所定の間隔をおいて形成されたＮ型のソース領域及びドレイン領域と、第1の絶縁膜を介して前記ソース領域上の一部から前記ソース領域,ドレイン領域間上及び前記ドレイン領域上の一部にかけて形成された浮遊ゲート電極と、第２の絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極上に形成された制御ゲート電極とを備えた不揮発性半導体記憶素子のドレイン領域に電圧を印加しない開放状態とし、前記ソース領域にこのソース領域の接合耐電圧の１／２の電圧を越えない正の電圧を前記半導体基板の電圧を基準として印加し、前記制御ゲート電極に前記半導体基板の電圧を基準として負の所定の電圧を印加し前記不揮発性半導体記憶素子の記憶内容を消去するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶素子の駆動方法。」
（引用例）
  原審における拒絶の理由において引用された、本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に公開された特願平２−２２３１０１号（特開平４−１０５３６８号公報参照）の明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、「〔産業上の利用分野〕
　第６図は従来の書き込みをアバランシェ注入、消去をＦ−Ｎトンネリングで行う半導体記憶装置（ＥＥＰＲＯＭ）であって、電気的にデータの書き込み及び消去を行う１つの半導体記憶素子（以下メモリセルと称す）を示す構造断面図である。・・・図において、（１）は・・・Ｐ型シリコン半導体基板、（２）は上記シリコン基板（１）上に形成された・・・ウェル領域、（３）はシリコン基板（１）の主面上に形成された・・・トンネル酸化膜（ゲート酸化膜）、（４）はこのゲート酸化膜（３）上に形成された・・・フローティングゲート、（５）はこのフローティングゲート（４）上に形成された層間絶縁膜、（６）はこの層間絶縁膜上に形成された・・・コントロールゲート、（７）は・・・Ｎ＋型ソース領域、（８）は同様のドレイン領域、・・・。」（第１頁右欄第４行〜第２頁左上欄第５行）、「即ちコントロールゲート（６）を接地電位としソース（７）に高電圧を印加すると、フローティングゲート（４）とソース（７）の重なりの部分でバンド間トンネリングが生じる。」（第３頁左上欄第５〜８行）、「消去時には第１図（Ｂ）に示すように、まずドレイン電圧（Ｖｄ）をフローティング状態にし、コントロールゲート電圧（Ｖｇ）を−１２Ｖに設定する。その後ソース電圧（Ｖｓ）を５Ｖに上げる。」（第４頁左上欄第２〜５行）、「第４図は、メモリセルのフローティングゲート（６）に電極を接続し、ソース電流とゲート電流のソース電圧依存性を測定したものである。この時基板（１）は接地、ドレインはフローティングである。実線が従来のコントロールゲート０Ｖ消去に相当し、破線が本発明によるコントロールゲートに−１２Ｖ印加消去に相当する電源-電圧のグラフである。コントロールゲート（６）とフローティングゲート（４）との容量結合比は約０．５であるので第４図ではゲート電圧Ｖｇにー５Ｖを印加している。
いずれのモードにおいてもソース電流を見ればわかるように、ソース電圧（Ｖｓ）約８Ｖでアバランシェ降伏が起こっている。
この時ときＶｇ＝接地（ＧＮＤ）ではゲート電流はほとんど流れておらず、まだ消去動作は行なわれていない事がわかる。さらにソース電圧（Ｖｓ）１０Ｖでは完全なアバランシェ降伏が起こっており、ゲート電流は流れているものの、ほとんどがホットホール注入による電流であると考えられる。一方ゲート（Ｖｇ）−５Ｖ印加条件下では、ソース電圧（Ｖｓ）４Ｖ程度からゲート電流が流れ始めている。アバランシェ降伏は８Ｖ近辺で生じているのでソース電圧（Ｖｓ）５Ｖでは充分に余裕があり、このゲート電流はＦ−Ｎトンネリングによる電子電流が支配的であると考えられる。このようにゲートに負電位を印加することにより、ソース電位を低くおさえることができ、これによる横方向電界の緩和によってホットホールの生成が抑制されることが確認できた。」（第４頁左上欄第１７行〜左下欄第６行））及び「〔発明の効果〕
　以上のように、この発明による半導体装置は、データ消去時にコントロールゲートに負電位を印加したので、消去時のソース電位を下げることが可能となった。これによりドレイン−ソース間の電界が減少し、それによってホットホールの生成、フローティングゲートへの注入が抑制されることとなり、その結果メモリセルの書き換え回数を増大させ、信頼性を向上させる。」（第４頁左下欄第１７行〜右下欄第５行）が記載されている。そして、先願明細書記載の発明がＥＥＰＲＯＭに印加する電圧に関するものであるから先願明細書記載の発明のＥＥＰＲＯＭの構成は第６図に示す構成であるといえ、また第４図に関する詳細な説明の記載から先願明細書記載の発明のＥＥＰＲＯＭに印加されるソース電圧（Ｖｓ）５Ｖ及びゲート電圧（Ｖｇ）−１２Ｖはウエル領域２を基準とした値であることは明らかである。してみると、上記先願明細書には、Ｐ型半導体基板のＰ型ウエル領域に形成されたＮ型のソース領域及びドレイン領域と、トンネル酸化膜（ゲート酸化膜）を介して一部がソース領域と重なり、ソース領域からドレイン領域にかけて形成されたフローティングゲートと、層間絶縁膜を介してフローティングゲート上に形成されたコントロールゲートからなる不揮発性半導体記憶素子において、ドレイン電圧（Ｖｄ）をフローティングとし、コントロールゲート電圧（Ｖｇ）を負の電圧である−１２Ｖとし、ソース電圧をアバランシェ降伏に対して充分な余裕を有する電圧５Ｖとして不揮発性半導体記憶素子の記憶内容の消去を行う不揮発性半導体記憶素子の駆動方法が記載されているものと認められる。
（対比）
  次に、本願第１発明と上記先願明細書記載の発明とを対比すると、本願第１発明と上記先願明細書記載の発明とは「Ｐ型の半導体基板に所定の間隔をおいて形成されたＮ型のソース領域及びドレイン領域と、第1の絶縁膜を介して前記ソース領域上の一部から前記ソース領域,ドレイン領域間上にかけて形成された浮遊ゲート電極と、第２の絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極上に形成された制御ゲート電極とを備えた不揮発性半導体記憶素子のドレイン領域に電圧を印加しない開放状態とし、前記ソース領域に正の電圧を前記半導体基板の電圧を基準として印加し、前記制御ゲート電極に前記半導体基板の電圧を基準として負の所定の電圧を印加し前記不揮発性半導体記憶素子の記憶内容を消去するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶素子の駆動方法」の点で一致するが、以下の点で一応相違するものと認められる。
（１）本願第１発明がドレイン領域の一部にかけて浮遊ゲート電極を形成しているのに対して、先願明細書記載の発明がそのような構成を採っているか否か不明である点。
（２）不揮発性半導体記憶素子に記憶内容の消去時にソース領域に加える電圧が、本願第１発明においてはソース領域の接合耐圧の１／２を越えない電圧であるのに対して、先願明細書記載の発明においてはアバランシェ降伏に対して充分な余裕を有する電圧である点。
（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
  相違点（１）について、ドレイン領域の一部にかけて浮遊ゲート電極を形成するか否かは単なる設計的事項にすぎない。よって、先願明細書記載の発明がドレイン領域の一部にかけて浮遊ゲート電極を形成するようにすることは当業者が必要に応じて任意になし得ることである。
　相違点（２）について、本願第１発明が不揮発性半導体記憶素子に記憶内容の消去時にソース領域に加える電圧をソース領域の接合耐圧の１／２を越えない電圧としたのは、アバランシェ降伏を完全に抑えるためであり、先願明細書記載の発明においても不揮発性半導体記憶素子に記憶内容の消去時にアバランシェ降伏に対して充分な余裕を有する電圧すなわちアバランシェ降伏を完全に抑える電圧をソース領域に与えており、また本願第１発明が不揮発性半導体記憶素子に記憶内容の消去時にソース領域に加える電圧をソース領域の接合耐圧の１／２を越えない電圧とした点に特段の意義も認められないから、アバランシェ降伏を完全に抑えるためにソース領域に加える電圧をソース領域の接合耐圧の１／２を越えない電圧とすることは単なる設計的事項にすぎない。よって、先願明細書記載の発明においても不揮発性半導体記憶素子に記憶内容の消去時にソース領域に加える電圧をソース領域の接合耐圧の１／２を越えない電圧にすることは当業者が必要に応じて任意になし得たことである。
（むすび）
  本願第１発明は、上記先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願第１発明の発明者が上記先願明細書記載の発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時にその出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。