【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の平行な水平行および垂直列に配置された複数のマイクロスラスタの動作を制御するための制御システムであって、
電源と、
電源に接続され、複数の平行な水平行のうちの１つの水平行にある複数のマイクロスラスタのうちの少なくとも１つのマイクロスラスタに接続された複数の第１の電源ラインと、
電源に接続され、複数の平行な垂直列のうちの１つの垂直列にある複数のマイクロスラスタのうちの少なくとも１つのマイクロスラスタに接続された複数の第２の電源ラインと、
電源に接続され、複数の第１の電源ラインの駆動および複数の第２の電源ラインの駆動を制御する制御ユニットとを備え、
複数の第１の電源ラインおよび複数の第２の電源ラインが複数の部位で交差し、
複数の第１の電源ラインのうちの選択された電源ラインおよび複数の第２の電源ラインのうちの選択された電源ラインが駆動されたときに電気回路が構成され、
電気回路は複数のマイクロスラスタのうちの選択された少なくとも１つのマイクロスラスタを駆動することを特徴とする制御システム。
【請求項２】
電源は電池を含むことを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
【請求項３】
制御ユニットは、中央演算ユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
【請求項４】
複数のマイクロスラスタのそれぞれは、１つのＮＭＳＥＴデバイスまたは一群のＮＭＳＥＴデバイスであることを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
【請求項５】
ＮＭＳＥＴデバイスは、
積層体を構成する少なくとも１つの第１および第２の層と、
高温層および低温層を構成するために第１および第２の層を加熱および／または冷却する手段とを備え、
低温層は、高温層より低い温度を有し、
少なくとも１つの貫通孔が積層体に形成され、
各高温層の表面が少なくとも１つの貫通孔の内面において露出し、
各低温層の表面が少なくとも１つの貫通孔の内面において露出し、
貫通孔の全体長は、ＮＭＳＥＴデバイスを包含するガスの平均自由行程の１０倍未満であり、１５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の制御システム。
【請求項６】
電源に接続され、複数のマイクロスラスタのうちの、第１の電源ラインに接続された同一の少なくとも１つのマイクロスラスタに接続された複数の第３の電源ラインと、
電源に接続され、複数のマイクロスラスタのうちの、第２の電源ラインに接続された同一の少なくとも１つのマイクロスラスタに接続された複数の第４の電源ラインと、
複数の第３の電源ラインおよび複数の第４の電源ラインの駆動が制御ユニットにより制御されることを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
【請求項７】
複数の第３の電源ラインのそれぞれは、複数の第１の電源ラインに冗長なものであることを特徴とする請求項６に記載の制御システム。
【請求項８】
複数の第４の電源ラインのそれぞれは、複数の第２の電源ラインに冗長なものであることを特徴とする請求項６に記載の制御システム。
【請求項９】
複数の第１または第２の電源ラインの少なくとも１つの電源ラインにおける故障を検出する故障検出デバイスをさらに有し、
故障検出デバイスは、故障を検出するために制御ユニットに接続されることを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
【請求項１０】
制御ユニットは、複数の第１または第２の電源ラインの少なくとも１つの電源ラインにおける故障を検出し、複数の第３または第４の電源ラインのうち、故障が検出された電源ラインに対応する電源ラインを制御して、電気回路を形成し、少なくとも１つの選択されたマイクロスラスタを駆動することを特徴とする請求項６に記載の制御システム。
【請求項１１】
制御ユニットは、複数のマイクロスラスタのうち選択された複数のマイクロスラスタを同時に制御することを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
【請求項１２】
電気回路は、少なくとも１つの選択されたマイクロスラスタを加熱することにより、少なくとも１つの選択されたマイクロスラスタを駆動することを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
【請求項１３】
複数のマイクロスラスタは、複数の導電性領域を有し、
各導電性領域をヒートバリアで包囲することにより、電気回路が複数の導電性領域のうちの少なくとも１つの導電性領域を駆動し、駆動された少なくとも１つの導電性領域が他の導電性領域とは絶縁されることを特徴とする請求項１１に記載の制御システム。
【請求項１４】
複数の平行な水平行および垂直列に配置された複数のマイクロスラスタの動作を制御する方法であって、この方法は、
複数の平行な水平行のうちの１つの水平行にある複数のマイクロスラスタのうちの少なくとも１つのマイクロスラスタに接続された複数の第１の電源ラインのうちの少なくとも１つの電源ラインに電源を接続するステップと、
複数の平行な垂直列のうちの１つの垂直列にある複数のマイクロスラスタのうちの少なくとも１つのマイクロスラスタに接続された複数の第２の電源ラインのうちの少なくとも１つの電源ラインに電源を接続するステップと、
複数の第１の電源ラインのうちの少なくとも１つの電源ラインおよび複数の第２の電源ラインのうちの少なくとも１つの電源ラインからなる電気回路を構成するステップと、
電気回路を介して選択された少なくとも１つのマイクロスラスタを駆動するステップとを有し、
複数の第１の電源ラインのうちの少なくとも１つの電源ラインに電源を接続するステップ、および複数の第２の電源ラインのうちの少なくとも１つの電源ラインに電源を接続するステップは、制御ユニットにより制御されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
電源は電池を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
制御ユニットは、中央演算ユニットを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
複数のマイクロスラスタのそれぞれは、１つのＮＭＳＥＴデバイスまたは一群のＮＭＳＥＴデバイスであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
ＮＭＳＥＴデバイスは、
積層体を構成する少なくとも１つの第１および第２の層と、
高温層および低温層を構成するために第１および第２の層を加熱および／または冷却する手段とを備え、
低温層は、高温層より低い温度を有し、
少なくとも１つの貫通孔が積層体に形成され、
各高温層の表面が少なくとも１つの貫通孔の内面において露出し、
各低温層の表面が少なくとも１つの貫通孔の内面において露出し、
貫通孔の全体長は、ＮＭＳＥＴデバイスを包含するガスの平均自由行程の１０倍未満であり、１５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
複数のマイクロスラスタのうちの、第１の電源ラインに接続された同一の少なくとも１つのマイクロスラスタに接続された複数の第３の電源ラインに電源を接続するステップと、
複数のマイクロスラスタのうちの、第２の電源ラインに接続された同一の少なくとも１つのマイクロスラスタに接続された複数の第４の電源ラインに電源を接続するステップとを有し、
制御ユニットが複数の第３の電源ラインおよび複数の第４の電源ラインの駆動を制御することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
複数の第３の電源ラインは、複数の第１の電源ラインに冗長なものであることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
複数の第４の電源ラインは、複数の第２の電源ラインに冗長なものであることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
複数の第１または第２の電源ラインの少なくとも１つの電源ラインにおける故障を検出するステップをさらに有し、
故障は、制御ユニットに接続された故障検出デバイスにより検出されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
複数の第３の電源ラインのうち少なくとも１つの電源ラインまたは複数の第４の電源ラインのうち少なくとも１つの電源ラインを制御して、少なくとも１つの選択されたマイクロスラスタを駆動する制御ユニットを設けるステップをさらに有することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
制御ユニットは、複数のマイクロスラスタのうち選択された複数のマイクロスラスタを同時に制御するステップをさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
少なくとも１つの選択されたマイクロスラスタを加熱することにより、少なくとも１つの選択されたマイクロスラスタを駆動する電気回路を設けるステップをさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２６】
複数のマイクロスラスタは、複数の導電性領域を有し、
各導電性領域をヒートバリアで包囲することにより、電気回路が複数の導電性領域のうちの少なくとも１つの導電性領域を駆動し、駆動された少なくとも１つの導電性領域が他の導電性領域とは絶縁されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。