【事件の表示】
　特願２０１０−２０６１８２「インプリントリソグラフィ方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月　７日出願公開、特開２０１１−　７１５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２２年９月１５日（パリ条約による優先権主張２００９年９月２２日、米国）の出願であって、平成２４年７月２０日に手続補正がなされたが、同年９月１９日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、平成２５年１月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために同年３月１４日付けで審尋がなされ、同年６月１３日に当該審尋に対する回答書が提出された。
　さらに、同年１０月２日付けで、当審により上記平成２５年１月１８日付けの手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶理由の通知がなされ、これに対して、同年１２月１８日に意見書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定に関する付言
　請求人は上記意見書において「「平成２５年１月１８日付けの手続補正は、補正前の発明に比べてどのような事項を限定しようとしたのかが当業者の技術常識を勘案しても明らかでなく、補正後の発明は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない」という合議体の認定は、「この補正は、補正前の請求項１に記載の「入射角は、ブルースター角より大きい」という発明特定事項を「基板が吸収する化学線からの熱の量が減少するように」という効果の観点から限定するものである」とする前置報告書の内容に矛盾するものであり、整合性を欠くものである」旨主張しているので、その点について付言する。
　上記補正の却下の決定では、上記補正が「基板が吸収する化学線からの熱の量が減少するように」という限定要素の追加による特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるものと認定している（「１．本件補正」参照）。
　この点において、合議体の認定と前置報告書の内容に何ら矛盾するところはない。
　したがって、請求人の上記主張には理由はない。
　
第３　本願の特許要件
１．本願発明  
　平成２５年１月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年７月２０日付けの手続補正（以下「査定前補正」という。）で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「インプリントテンプレートを基板上に設けられたインプリント可能媒体に接触させることと、化学線を前記インプリント可能媒体に誘導することと、を含むインプリントリソグラフィ方法であって、前記インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は、ブルースター角より大きい、インプリントリソグラフィ方法。」
　
２．付加事項
　査定前補正により、請求項１には、「インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に対する化学線の入射角は、ブルースター角より大きい」という事項（以下「付加事項」という。）が付加された。
　
３．当初明細書等の記載
　本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲、明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「【００１４】
　[0022]　化学線１４は非垂直角度でインプリント可能媒体１２内に進むので、基板６の表面にも非垂直角度で入射する。基板６が吸収する化学線の量は、化学線が基板に垂直に入射した場合に吸収されるであろう量と比較して減少する。
　【００１５】
　[0023]　基板が吸収する化学線の量は減少されるので、化学線による基板の加熱は減少され、それによって、加熱に起因して基板の熱膨張が発生する程度が減少される。熱膨張は、パターンが基板上に形成される際の精度を減少させ得るので、基板の熱膨張の量を減少させることは有利なことである。
　【００１６】
　[0024]　化学線に起因する基板の加熱の許容できる閾値量が存在し得る。例えば、基板の加熱がその閾値未満で維持される場合、パターンは望ましい精度で基板上に形成され得る。本発明の実施形態は、基板が吸収する化学線からの熱の量を減少させ、それによって基板の加熱が閾値未満でとどまることを促す。」
（２）「【００１８】
　[0026]　図２は、入射放射の反射率が、クォーツ（ＳｉＯ２）とシリコンとの間の界面（例えば、クォーツインプリントテンプレートとシリコン基板との間の界面）での入射角の関数としてどのように変化するかを示すグラフである。図２の角度は、界面からの垂線に対して測定される。放射は、例えば２００ｎｍから４００ｎｍの範囲の波長を有する、または３００ｎｍの波長を有するＵＶ放射である。
　【００１９】
　[0027]　図２から分かるように、反射率は入射放射の偏光に依存する。放射は界面に垂直に入射し（すなわち、図２の０°）、放射の反射率は２２％である。入射角が増加するにつれて、ｓ偏光放射の反射率は徐々に増加し、約６５°の入射角で５０％に達し、約８０°の入射角で８０％に達する。これとは対照的に、ｐ偏光放射の反射率は約７０°で２０％から０に着実に下降し、７０°より大きい角度で非常に急激に上昇する（７０°はこの界面に対するブルースター角であり、すべてのｐ偏光放射がシリコンによって吸収される角度である）。
　【００２０】
　[0028]　吸収率は反射率の逆数であるので、界面での反射率の増加は吸収率（すなわち、シリコン基板が吸収する放射量）の減少に対応する。放射が界面に入射する角度を選択することによってクォーツ・シリコン界面でのシリコン基板が吸収する放射量を減少させることが可能であることが、図２から分かる。このことは、放射の特定の偏光の選択と組み合わせて達成され得る。
　【００２１】
　[0029]　反射率が増加され得る１つの方法は、ｓ偏光化学線を使用し、界面に垂直でない角度で化学線を界面に誘導することである。この角度は、例えば３０°より大きい、５０°より大きい、または７０°より大きい角度であり得る。
　【００２２】
　[0030]　別の構成において、化学線は非偏光放射であってよく、またはｐ偏光成分を含んでよい。化学線は、界面に垂直でない角度で界面に対して誘導され得る。化学線は、例えば、８０°より大きい、または８５°より大きい角度で界面に対して誘導されてよい。
　【００２３】
　[0031]　ｓ偏光化学線はさまざまな方法で得ることができる。例えば、偏光化学線を生成する放射源を使用してよい。あるいは、放射源は非偏光放射を生成してよく、偏光フィルタを使用してｓ偏光放射を提供してよい。偏光フィルタは、例えば透過フィルタであってよく、あるいは反射フィルタであってよい。例えば、反射フィルタは、入射化学線に対してブルースター角で方向付けられる面であってよく、それによって当該面はｓ偏光放射のみを反射する。」
（３）「【００２６】
　[0034]　インプリントテンプレート２１０を出ると、化学線２０２はインプリント可能媒体２１２に入る。インプリント可能媒体２１２は、例えばシリコンベースであってよく、インプリントテンプレート２１０の屈折率（例えば、ｎ＝１．４６）と同等の屈折率を有してよい。従って、化学線２０２は、インプリント可能媒体２１２に入射する際に大きな屈折を受けない。その後、化学線２０２は、平坦化層２０８内に進む。さらにまた、平坦化層の屈折率は、インプリント可能媒体の屈折率と同等であってよく、その結果、化学線２０２は平坦化層２０８に入る際に大きな屈折を受けない。
　【００２７】
　[0035]　平坦化層を出ると、化学線２０２は基板２０６に入射する。基板２０６は、例えば、ｎ＝４の屈折率を有するシリコンから形成され得る。化学線２０２の一部は基板２０６から反射され、残りは基板２０６によって吸収される。
　【００２８】
　[0036]　図４は、ｓ偏光化学線２０２が示す反射率が、界面に対する放射の入射角の関数としてどのように変化するかを示すグラフである。用語を簡略化するために、入射角は、問題としている界面からの垂線に対して測定される。空気・クォーツ界面での反射率は、破線として示され、クォーツ・シリコン界面（言い換えるとレジスト・シリコンまたは平坦化層・シリコン）が示す反射率は実線として示される。」
（４）「【００６１】
　[0069]　ｓ偏光化学線を使用し、かつｐ偏光を使用しない場合、式４のみが必要となる。図９は、ｓ偏光放射の反射率が、異なる屈折率を有する基板に対する入射角の関数としてどのように変化するかを示すグラフである。グラフは、１．５の屈折率ｎ１を有する第１材料について作成されたものであり、２、３、４、または５の屈折率ｎ２を有する第２材料（例えば、基板）についての反射率曲線を示す。
　【００６２】
　[0070]　図９から、基板の屈折率が増加するにつれて反射率が増加することが分かる。というのは、基板の屈折率とインプリントテンプレートの屈折率の差が増加するからである。基板の屈折率とインプリントテンプレートの屈折率の差が増加するほど、反射率も増加する。基板の屈折率とインプリントテンプレートの屈折率の差は、例えば、０．５より大きい、１より大きい、２より大きい、またそれ以上の値であり得る。
　【００６３】
　[0071]　図９から、基板に対する３０°の入射角θ１は反射率の大きな増加をもたらすことが分かる。入射角θ１は、例えば、３０°より大きい、４５°より大きい、６０°より大きい、または７０°より大きい角度であり得る。一実施形態において、リソグラフィ装置は、３０°より大きい、４５°より大きい、６０°より大きい、または７０°より大きい入射角を提供するように構成され得る。
　【００６４】
　[0072]　基板に対する入射角θ１についての言及は、インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に対する入射角と同等であるとみなされ得る。」
（５）「【００６６】
　[0074]　上記式と図９において、便宜上、インプリントテンプレートは基板と接触することを前提とする。実際には、基板に接触するのはインプリント可能媒体（または平坦化層が存在する場合は平坦化層）である。インプリント可能媒体および平坦化層がインプリントテンプレートと同一の屈折率を有することが前提とされ得る。あるいは、上記式および図９を調整してインプリント可能媒体の屈折率および（平坦化層が存在する場合）平坦化層の屈折率を考慮してよい。上記式および図９を調整して存在し得る他の層を考慮してもよい。」
　
４．判断
　上記各摘記事項を含む当初明細書等には、「インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は、ブルースター角より大きい」という付加事項は記載されていない。
　上記摘記事項（２）（当初明細書等の段落【００１８】〜【００２３】）には、ｐ偏光放射について入射角７０゜がクォーツ（ＳｉＯ２）とシリコンとの間の界面に対するブルースター角であることは記載されているが、この界面が本願発明における上記付加事項の「インプリントテンプレートのパターン付けされた表面」に対応するものでないことは、本願発明においては「インプリントテンプレート」と「基板」との間に「インプリント可能媒体」が設けられていることからも明らかである。
　段落【００２１】には「入射角が７０°より大きい」旨の記載があるが、これは「ｓ偏光化学線を使用し」た場合の実施例であるから、ｐ偏光放射についてのブルースター角である入射角７０゜とは、何ら関係のないものである。
　段落【００２２】にはｐ偏光成分を含む実施例の記載があるが、そこには「化学線は、例えば、８０°より大きい、または８５°より大きい角度で界面に対して誘導されてよい。」と記載されているのみで、ブルースター角との関係は記載されていない。
　段落【００２３】には、「反射フィルタは、入射化学線に対してブルースター角で方向付けられる面であってよく、それによって当該面はｓ偏光放射のみを反射する。」と記載されており、当該実施例ではｐ偏光成分を除去するためにブルースター角が用いられていることが分かる。したがって、ここにも上記付加事項は記載されていない。
　請求人が補正の根拠と主張する箇所を含め、当初明細書等の他の記載を総合的に勘案しても、上記付加事項が記載又は示唆されているとは言えないし、そのような事項が本願の優先日あるいは出願当時、当業者にとって自明の事項であったとする根拠もない。
　これらのことから、上記付加事項は当初明細書等に記載されていない事項である。
　
５．結論
　したがって、査定前補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものでない。
　よって、査定前補正は、本願の当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえなから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第４９条第１項１号の規定により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。