【事件の表示】
　特願２０１１−１５５７６３「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月１３日出願公開、特開２０１１−２０３７６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年３月２９日に出願した特願２００１−９６２６３号（以下「原出願」という。）の一部を平成２３年７月１４日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年１０月２２日付けで手続補正がなされたところ、同年１２月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月１５日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において同年８月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２２日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２５年１０月２２日付け手続補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「基板上にマトリクス配置されたバス配線と、前記バス配線に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置において、
　前記層間絶縁膜上に成膜され、前記画素電極を形成する透明導電膜が、前記層間絶縁膜を介して接続する下層金属膜と接続され、その接続部の下層金属膜の表面にＦが含有され、且つ前記接続部で、前記透明導電膜の結晶格子が前記接続部に到達するような結晶状態を有することを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２８３９３４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置などに用いられるスイッチング素子の製造方法ならびにこれらの方法を用いて作製する液晶表示装置に関する。」
　イ　「【００１６】本発明は、…透明性樹脂からなる層間絶縁膜を用いた高開口率ＴＦＴアレイにおいて層間絶縁膜のコンタクトホールを介した画素電極とドレイン電極とのコンタクト抵抗値が、安定的に１０Ｅ４Ω以下にすることができるＴＦＴアレイの製造方法ならびにこれらの方法によって作製する液晶表示装置を提供することを目的とする。」
　ウ　「【００４０】実施の形態１
以下に、図を用いて本発明の一実施の形態について説明する。
【００４１】図１および図２は、この発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す概略断面説明図である。図１および図２において、１は透明絶縁性基板であり、２はゲート電極であり、３は共通電極であり、４はゲート絶縁膜であり、５はａ−Ｓｉ膜であり、６はｎ＋−ａ−Ｓｉ膜であり、７はソース電極であり、８はドレイン電極であり、９はチャネル部であり、１０は層間絶縁膜であり、１１はコンタクトホール部であり、１２はコンタクトホール表面上の残さ物であり、１３は画素電極であり、１４はコンタクト面である。また、ＴＰは物理的表面処理を示す。
【００４２】まず図１（ａ）に示すように、ガラスなどからなる透明絶縁性ガラス基板１に、スパッタリング法などを用いてＣｒを成膜し、フォトリソグラフィ法にてゲート電極２および共通電極３を形成する。
【００４３】つぎに、プラズマＣＶＤ法などを用いて窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４、アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）５、不純物をドープした低抵抗アモルファスシリコン（以下、ｎ＋ａ−Ｓｉと記す）６を順次成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてａ−Ｓｉ膜５、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をパターニングして半導体層を形成する。
【００４４】つぎに、スパッタリング法などを用いてＣｒを成膜し、フォトリソグラフィ法により、半導体層のチャネル部９ならびにソース電極７、ドレイン電極８を形成してＴＦＴを形成する。
【００４５】さらに、ＴＦＴによる段差部を無くし表面が平坦化されるように、感光性のあるアクリル系透明性樹脂をスピンコート法などを用いて塗布・焼成して層間絶縁膜１０を形成したのち、フォトリソグラフィ法による露光・現像処理にてドレイン電極の表面の一部が露出するようにコンタクトホール１１を形成する。このとき、コンタクトホール開口部表面には粒状もしくは一様な薄膜状態の異物が残さ物として残る。このばあいの残差物のほとんどは層間絶縁膜１０を主成分としたものである。
【００４６】つぎに図１（ｂ）に示すように、コンタクトホール部１１を含む層間絶縁膜１０の表面全体を、物理的な方法を用いて表面処理する。この実施の形態では、表１に示すような数種類の処理を行った。これにより、コンタクトホール表面上の残さ物はほぼ完全に除去される。
【００４７】
【表１】
【００４８】最後に図２に示すように、スパッタリング法などを用いて基板表面温度を２００℃に設定して酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜ＩＴＯ（Indium Tin Ｏxide）を１０００Åの膜厚に成膜した。そののち、２３０℃で６０分保持して熱処理を行ったのちにフォトリソグラフィ法を用いてパターニングして画素電極１３を形成して所望の液晶表示装置ＴＦＴアレイ基板をえた。
【００４９】画素電極１３はコンタクトホール部１１のコンタクト面１４で、ドレイン電極８と電気的に接続されている。
…
【００６１】…以上のようにして形成されたＴＦＴアレイ基板と、従来と同様の対向基板とを組み合わせ、両基板で液晶材料を挟持して液晶表示装置をうる。ＴＦＴアレイ基板には従来と同様にゲート配線およびソース配線が設けられ、本発明のＴＦＴが、ゲート配線とソース配線の交差部近傍にマトリックス状に形成されている。また、対向基板には対向電極やカラーフィルタが設けられている。」
　ウ　「【００８６】実施の形態４
図６は、本発明の実施の形態４によるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。なお、図６においては、図１〜５に示した部分と同一の部分については同一の符号をつけて示してある。
【００８７】本実施の形態も、実施の形態３と同じく透明性樹脂からなる層間絶縁膜１０を形成する前に、パッシベーション膜１６として窒化シリコンなどの無機絶縁膜を形成することを特徴としているが、コンタクトホールの形成工程が異なっている。
【００８８】図６の（ａ）に示すように、たとえば窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜１６をプラズマＣＶＤ法などで形成したのちに、感光性のある透明樹脂膜からなる層間絶縁膜をスピンコート法などを用いて塗布・焼成し、フォトリソグラフィによる露光・現像処理にてコンタクトホール部１１を形成した層間絶縁膜１０を形成する。
【００８９】つぎに層間絶縁膜１０をマスクにして、たとえばＣＦ４＋Ｏ２ガスなどを用いたドライエッチング法を用いて窒化シリコンをエッチングする。
【００９０】本実施の形態では、ドレイン電極８としてＣｒ、ＡｌまたはＣｕを用いたばあい、図４（ｂ）に示すコンタクトホール部１１のドレイン電極８の表面には層間絶縁膜成分を主とした異物と、フッ化物を主成分とした異物が残さ物１２として残る。
…
【００９２】いずれのばあいでも以後、実施の形態１の図１の（ｂ）〜図２もしくは実施の形態２の図３の（ｂ）〜図４に示すものと同一の工程により、所望の低コンタクト抵抗値を有する液晶表示装置用ＴＦＴアレイをうる。」
　エ　上記イ及びウに照らして図６を見ると、図６に示された実施の形態４のＴＦＴアレイ基板は、まず、ガラスなどからなる透明絶縁性ガラス基板１に、スパッタリング法などを用いてＣｒを成膜し、フォトリソグラフィ法にてゲート電極２および共通電極３を形成し、つぎに、プラズマＣＶＤ法などを用いて窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）５、不純物をドープした低抵抗アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）６を順次成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてａ−Ｓｉ膜５、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をパターニングして半導体層を形成し、つぎに、スパッタリング法などを用いてＣｒを成膜し、フォトリソグラフィ法により、半導体層のチャネル部９ならびにソース電極７、ドレイン電極８を形成してＴＦＴを形成し、たとえば窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜１６をプラズマＣＶＤ法などで形成したのちに、感光性のある透明樹脂膜からなる層間絶縁膜をスピンコート法などを用いて塗布・焼成し、フォトリソグラフィによる露光・現像処理にてコンタクトホール部１１を形成した層間絶縁膜１０を形成し、つぎに層間絶縁膜１０をマスクにして、たとえばＣＦ４＋Ｏ２ガスなどを用いたドライエッチング法を用いて窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極８としてＣｒ、ＡｌまたはＣｕを用いたばあい、コンタクトホール部１１のドレイン電極８の表面には層間絶縁膜成分を主とした異物と、フッ化物を主成分とした異物が残さ物１２として残り、以後、コンタクトホール部１１を含む層間絶縁膜１０の表面全体を、物理的な方法を用いて表面処理し、これにより、コンタクトホール表面上の残さ物はほぼ完全に除去され、スパッタリング法などを用いて基板表面温度を２００℃に設定して酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を１０００Åの膜厚に成膜し、そののち、２３０℃で６０分保持して熱処理を行ったのちにフォトリソグラフィ法を用いてパターニングして画素電極１３を形成して所望の液晶表示装置ＴＦＴアレイ基板を得、以上のようにして形成されたＴＦＴアレイ基板と、従来と同様の対向基板とを組み合わせ、両基板で液晶材料を挟持して液晶表示装置を得、ＴＦＴアレイ基板には従来と同様にゲート配線およびソース配線が設けられ、ＴＦＴが、ゲート配線とソース配線の交差部近傍にマトリックス状に形成されている、といえる。
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＴＦＴアレイ基板と、従来と同様の対向基板とを組み合わせ、両基板で液晶材料を挟持して得られる液晶表示装置であって、
　ＴＦＴアレイ基板には従来と同様にゲート配線およびソース配線が設けられ、ＴＦＴが、ゲート配線とソース配線の交差部近傍にマトリックス状に形成されており、
　前記ＴＦＴアレイ基板は、まず、ガラスなどからなる透明絶縁性ガラス基板１に、スパッタリング法などを用いてＣｒを成膜し、フォトリソグラフィ法にてゲート電極２および共通電極３を形成し、つぎに、プラズマＣＶＤ法などを用いて窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）５、不純物をドープした低抵抗アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）６を順次成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてａ−Ｓｉ膜５、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をパターニングして半導体層を形成し、つぎに、スパッタリング法などを用いてＣｒを成膜し、フォトリソグラフィ法により、半導体層のチャネル部９ならびにソース電極７、ドレイン電極８を形成してＴＦＴを形成し、たとえば窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜１６をプラズマＣＶＤ法などで形成したのちに、感光性のある透明樹脂膜からなる層間絶縁膜をスピンコート法などを用いて塗布・焼成し、フォトリソグラフィによる露光・現像処理にてコンタクトホール部１１を形成した層間絶縁膜１０を形成し、つぎに層間絶縁膜１０をマスクにして、たとえばＣＦ４＋Ｏ２ガスなどを用いたドライエッチング法を用いて窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極８としてＣｒ、ＡｌまたはＣｕを用いたばあい、コンタクトホール部１１のドレイン電極８の表面には層間絶縁膜成分を主とした異物と、フッ化物を主成分とした異物が残さ物１２として残り、以後、コンタクトホール部１１を含む層間絶縁膜１０の表面全体を、物理的な方法を用いて表面処理し、これにより、コンタクトホール表面上の残さ物はほぼ完全に除去され、スパッタリング法などを用いて基板表面温度を２００℃に設定して酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を１０００Åの膜厚に成膜し、そののち、２３０℃で６０分保持して熱処理を行ったのちにフォトリソグラフィ法を用いてパターニングして画素電極１３を形成して得られるものであり、
　画素電極とドレイン電極とのコンタクト抵抗値が、安定的に１０Ｅ４Ω以下にすることができる液晶表示装置。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開平１０−１３３２１６号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　「【００３５】（実施形態４）次に、Ｃｒ膜とＩＴＯ膜とのコンタクト特性およびＣｒ−Ｍｏ合金膜とＩＴＯ膜とのコンタクト特性について説明する。
【００３６】まず、よく洗浄したガラス基板上にＣｒ膜とＣｒ−（５０ＷＴ％）Ｍｏ合金膜を枚葉式ＤＣマグネトロンスパッタ法で堆積する。このとき基板温度を２００℃、膜厚を２００ｎｍとした。この膜をホトリソグラフィによって多数の配線パターンに加工し、線幅を３０μｍとし、先端部には測定用端針を立てるためのパッドを形成した。Ｃｒ膜とＣｒ−（５０ｗｔ％）Ｍｏ合金膜とも硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いたウエットエッチング法によって加工した。そしてレジストを剥離した後、メタル配線パターン上に層間絶縁膜のＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。このとき基板温度を３００℃、膜厚を３５０ｎｍとした。次に、ホトリソグラフィによって、メタル配線上のＳｉＮ膜にスルーホールパターンを形成した。ＳｉＮ膜のスルーホールはＣＦ４とＯ２の混合ガスを用いたドライエッチング法によって加工した。次にレジストを剥離した後、ＩＴＯ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法（本工程では従来型のインライン式を利用）で堆積した。
【００３７】次に、基板温度を２００℃とし、スパッタガスにＡｒとＯ２の混合ガスを用いた場合と、基板温度を室温とし、スパッタガスにＡｒとＨ２Ｏの混合ガスを用いた場合の２種類について検討した。前者の場合は、堆積した状態で多結晶のＩＴＯ膜（以下、ｐ−ＩＴＯと称する）、後者の場合には、堆積した状態では非晶質（アモルファス）のＩＴＯ膜（以下ａ−ＩＴＯと称する）になっている。非晶質の場合には、後の工程で最高２４０℃程度の熱が加わるため、結晶化して最終的には多結晶となる。また膜厚はどちらの場合にも１４０ｎｍとした。続いて、ホトリソグラフィによって、ＩＴＯ膜をパターンニングし、ＳｉＮ膜のスルーホールを介してメタル配線膜と十字上に交差するコンタクト抵抗の評価パターンを作成した。そしてＣｒからＩＴＯに対して電流を流し、４端針法によって、Ｃｒ膜とＩＴＯ膜とのコンタクト部と、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜とＩＴＯ膜とのコンタクト部における電圧降下Ｖをそれぞれ測定し、この測定結果から比コンタクト抵抗を求めた。この結果を次の表３に示す。
【００３８】
【００３９】表３から、メタル膜としてＣｒ−Ｍｏ合金膜を用いた場合には、ＩＴＯが多結晶、非晶質によらず比コンタクト抵抗がＣｒの場合よりも低いことが分かる。後述するが、パッド部３０、３４、３８におけるコンタクト部では比コンタクト抵抗が１×１０５μｍ２以下である必要が分かった。したがって、Ｃｒ膜の場合には、コンタクト特性が不十分であることが分かる。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物２には、次の技術的事項（以下「技術的事項１」という。）が記載されていると認められる。
　
「よく洗浄したガラス基板上にＣｒ膜とＣｒ−（５０ＷＴ％）Ｍｏ合金膜を枚葉式ＤＣマグネトロンスパッタ法で堆積し、このとき基板温度を２００℃、膜厚を２００ｎｍとし、この膜をホトリソグラフィによって多数の配線パターンに加工し、線幅を３０μｍとし、先端部には測定用端針を立てるためのパッドを形成し、Ｃｒ膜とＣｒ−（５０ｗｔ％）Ｍｏ合金膜とも硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いたウエットエッチング法によって加工し、レジストを剥離した後、メタル配線パターン上に層間絶縁膜のＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法によって形成し、このとき基板温度を３００℃、膜厚を３５０ｎｍとし、次に、ホトリソグラフィによって、メタル配線上のＳｉＮ膜にスルーホールパターンを形成し、ＳｉＮ膜のスルーホールはＣＦ４とＯ２の混合ガスを用いたドライエッチング法によって加工し、次にレジストを剥離した後、ＩＴＯ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法で堆積し、次に、基板温度を２００℃とし、スパッタガスにＡｒとＯ２の混合ガスを用いた場合と、基板温度を室温とし、スパッタガスにＡｒとＨ２Ｏの混合ガスを用いた場合の２種類について検討し、前者の場合は、堆積した状態で多結晶のＩＴＯ膜（以下、ｐ−ＩＴＯと称する）、後者の場合には、堆積した状態では非晶質（アモルファス）のＩＴＯ膜（以下ａ−ＩＴＯと称する）になっており、膜厚はどちらの場合にも１４０ｎｍとし、続いて、ホトリソグラフィによって、ＩＴＯ膜をパターンニングし、ＳｉＮ膜のスルーホールを介してメタル配線膜と十字上に交差するコンタクト抵抗の評価パターンを作成し、そしてＣｒからＩＴＯに対して電流を流し、４端針法によって、Ｃｒ膜とＩＴＯ膜とのコンタクト部と、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜とＩＴＯ膜とのコンタクト部における電圧降下Ｖをそれぞれ測定し、この測定結果から比コンタクト抵抗を求め、この結果、Ｃｒ膜の場合、ａ−ＩＴＯとの比コンタクト抵抗は５×１０６Ωμｍ２より大きく、ｐ−ＩＴＯとの比コンタクト抵抗は２×１０５Ωμｍ２であったこと。」
　
（３）引用刊行物３
　同じく、特開平１０−４８６７０号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　ア　「【００２４】ＩＴＯには、非晶質ＩＴＯと結晶質ＩＴＯがあるが、ソース電極、コモン配線、ゲート配線、ドレイン配線のコンタクト抵抗を低くするためには、結晶質ＩＴＯ膜の使用が好ましい。」
　イ　「【００３８】〔実施例  １〕図１に本発明のアクティブマトリクス基板の画素部の要部断面図、図２に平面図を示す。
【００３９】透明基板１上にスパッタリング法によりＣｒ膜を２００ｎｍの厚さに成膜した。次いで、ホトリソグラフィ法によりゲート配線２、コモン配線３に加工した。この際、開口部のコモン配線は後で形成する対向電極１２と重なる形状に加工した。
【００４０】次に上記のゲート配線２、コモン配線３を形成した基板１を、プラズマＣＶＤ装置中に設置し、ゲート絶縁膜４としてＳｉＮ膜を３５０ｎｍ、半導体膜５としてａ−Ｓｉ膜を２００ｎｍ、さらにコンタクト層６としてｎ(+)ａ−Ｓｉ膜を３０ｎｍの厚さに形成した。
【００４１】原料ガスとして、ＳｉＮ膜の成膜にはＳｉＨ４，ＮＨ３，Ｈ２の混合ガス、ａ−Ｓｉの成膜にはＳｉＨ４、Ｈ２の混合ガス、また、ｎ(+)ａ−Ｓｉの成膜にはＳｉＨ４、Ｈ２の混合ガスにＰＨ３を添加したものをそれぞれ用いた。
【００４２】次いで、ホトリソグラフィ法によりｎ(+)ａ−Ｓｉ，ａ−Ｓｉを島状に加工しＴＦＴ部を形成した。
【００４３】次に、スパッタリング法によりＣｒ膜を２００ｎｍの厚さに成膜し、ホトリソグラフィ法により、ドレイン配線７、ソース電極８に加工した。この際、ソース電極は、後で形成する画素電極１１と重なる形状に加工した。その後、チャネル部のｎ(+)ａ−Ｓｉ膜をドライエッチングにより除去した。この上に保護性絶縁膜９（ＳｉＮ）をプラズマＣＶＤ法により成膜した。
【００４４】さらに、ホトリソグラフィ法でゲート絶縁膜４、保護性絶縁膜９のＳｉＮに、ソース電極８およびコモン配線３に達するコンタクトホール１０を、ドレイン配線端子部、ゲート配線端子部、ドレイン配線端子部のコンタクトホールを形成した。
【００４５】さらに、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により基板温度２２０℃で結晶質ＩＴＯ膜を２００ｎｍの厚さに成膜した。ホトリソグラフィ法によりＩＴＯ膜を加工し、画素電極１１および対向電極１２、ドレイン配線端子部、ゲート配線端子部、ドレイン配線端子部を形成した。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用刊行物３には、次の技術的事項（以下「技術的事項２」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＩＴＯには、非晶質ＩＴＯと結晶質ＩＴＯがあるが、Ｃｒ膜よりなるソース電極、コモン配線、ゲート配線、ドレイン配線のコンタクト抵抗を低くするためには、結晶質ＩＴＯ膜の使用が好ましいこと。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「液晶表示装置」は、「ＴＦＴアレイ基板と、従来と同様の対向基板とを組み合わせ、両基板で液晶材料を挟持して得られる」ものであって、当該「ＴＦＴアレイ基板」には、「従来と同様にゲート配線およびソース配線が設けられ、ＴＦＴが、ゲート配線とソース配線の交差部近傍にマトリックス状に形成され」、「前記ＴＦＴアレイ基板」は、「…透明絶縁性ガラス基板１に、…ゲート電極２…を形成し、つぎに、…窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）５、不純物をドープした低抵抗アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）６を順次成膜し、…ａ−Ｓｉ膜５、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をパターニングして半導体層を形成し、つぎに、…Ｃｒを成膜し、…半導体層のチャネル部９ならびにソース電極７、ドレイン電極８を形成してＴＦＴを形成し、…窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜１６を…形成したのちに、感光性のある透明樹脂膜からなる層間絶縁膜をスピンコート法などを用いて塗布・焼成し、フォトリソグラフィによる露光・現像処理にてコンタクトホール部１１を形成した層間絶縁膜１０を形成し、つぎに層間絶縁膜１０をマスクにして、たとえばＣＦ４＋Ｏ２ガスなどを用いたドライエッチング法を用いて窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極８としてＣｒ…を用いたばあい、コンタクトホール部１１のドレイン電極８の表面には層間絶縁膜成分を主とした異物と、フッ化物を主成分とした異物が残さ物１２として残り、…酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を…成膜し、そののち、…パターニングして画素電極１３を形成して得られる」ものであるから、
　ア　引用発明の「ゲート配線およびソース配線」、「（ゲート配線とソース配線の交差部近傍にマトリックス状に形成される）ＴＦＴ」、「（スピンコート法などを用いて塗布・焼成される感光性のある透明樹脂膜からなる）層間絶縁膜」、「画素電極１３」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明の「（基板上にマトリクス配置された）バス配線」、「（前記バス配線に接続される）スイッチング素子」、「（塗布系の）層間絶縁膜」、「画素電極」及び「液晶表示装置」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「基板上にマトリクス配置されたバス配線と、前記バス配線に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置において」との事項を備える。
（２）引用発明は、「ＴＦＴを形成し、…窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜１６をプラズマＣＶＤ法などで形成したのちに、感光性のある透明樹脂膜からなる層間絶縁膜をスピンコート法などを用いて塗布・焼成し、フォトリソグラフィによる露光・現像処理にてコンタクトホール部１１を形成した層間絶縁膜１０を形成し、つぎに層間絶縁膜１０をマスクにして、たとえばＣＦ４＋Ｏ２ガスなどを用いたドライエッチング法を用いて窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極８としてＣｒ、ＡｌまたはＣｕを用いたばあい、コンタクトホール部１１のドレイン電極８の表面には層間絶縁膜成分を主とした異物と、フッ化物を主成分とした異物が残さ物１２として残り、…酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を…成膜し、そののち、…パターニングして画素電極１３を形成」するから、
　ア　引用発明の「透明導電膜ＩＴＯ」及び「（Ｃｒを用いる）ドレイン電極８」は、それぞれ、本願発明の「（画素電極を形成する）透明導電膜」及び「下層金属膜」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「前記層間絶縁膜上に成膜され、前記画素電極を形成する透明導電膜が、前記層間絶縁膜を介して接続する下層金属膜と接続され」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「基板上にマトリクス配置されたバス配線と、前記バス配線に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置において、
　前記層間絶縁膜上に成膜され、前記画素電極を形成する透明導電膜が、前記層間絶縁膜を介して接続する下層金属膜と接続される液晶表示装置。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　本願発明は、透明導電膜と下層金属膜との接続部の下層金属膜の表面にＦが含有され、且つ前記接続部で、前記透明導電膜の結晶格子が前記接続部に到達するような結晶状態を有するのに対し、引用発明は、それらの接続部の下層金属膜の表面にＦが含有されるのか否か明らかでなく、また、前記接続部で透明導電膜の結晶格子がそのような結晶状態を有するのか否か明らかでない点（以下「相違点」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　引用発明は、「（透明樹脂膜からなる）層間絶縁膜１０をマスクにして、たとえばＣＦ４＋Ｏ２ガスなどを用いたドライエッチング法を用いて窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極８としてＣｒ…を用いたばあい、…フッ化物を主成分とした異物が残さ物１２として残」ってしまうとの認識のもと、「画素電極とドレイン電極とのコンタクト抵抗値が、安定的に１０Ｅ４Ω以下にする」ために、「コンタクトホール部１１を含む層間絶縁膜１０の表面全体を、物理的な方法を用いて表面処理し、これにより、コンタクトホール表面上の残さ物はほぼ完全に除去」し、その後に「透明導電膜ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を…成膜し、…画素電極１３を形成」するものである。したがって、引用発明自体は、「コンタクトホール部１１を含む層間絶縁膜１０の表面全体を、物理的な方法を用いて表面処理し、これにより、コンタクトホール表面上の残さ物はほぼ完全に除去」するものではあるが、「ＣＦ４＋Ｏ２ガスなどを用いたドライエッチング法を用いて窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極８としてＣｒ…を用いたばあい、…フッ化物を主成分とした異物が残さ物１２として残」ってしまうこと、つまり、接続部の下層金属膜の表面にＦが含有されることを当業者に認識させるものである。
　しかるところ、上記２（２）及び（３）によれば、引用刊行物２及び３には、「Ｃｒ膜」と「ＩＴＯ膜」とのコンタクト抵抗は、該「ＩＴＯ膜」を結晶質（多結晶）とした場合の方が、非晶質（アモルファス）である場合よりも低くできる、との技術的事項（技術的事項１、２）が記載されているから、引用発明において、上記技術的事項に鑑み、「透明導電膜ＩＴＯ」と「（Ｃｒを用いる）ドレイン電極８」との接続部のコンタクト抵抗値を低くすべく、「コンタクトホール部１１を含む層間絶縁膜１０の表面全体を、物理的な方法を用いて表面処理」することなく、前記「透明導電膜ＩＴＯ」を結晶質（多結晶）のものとなすことは当業者が容易になし得ることである。そして、その際、当該「透明導電膜ＩＴＯ」の結晶格子が、「ドレイン電極８」との接続部にまで到達するような結晶状態となるようになすことは、当業者が必要に応じて適宜になし得る程度のことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用刊行物２、３に記載された上記の技術的事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び引用刊行物２、３に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。