【事件の表示】
　特許第３３９７１５６号「誘電体セラミック原料粉体の製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３９７１５６号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本件特許第３３９７１５６号は、平成１１年１月１３日に特許出願され、平成１５年２月１４日に特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人稲葉佳子（以下「申立人」という。）より、特許異議の申立てがなされ、取消理由の通知がなされ、その指定期間内の平成１６年８月３１日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否
　
２−１．訂正の内容
　
　本件訂正の内容は、本件特許明細書を、訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正すること、即ち、下記訂正事項（ａ）から（ｈ）のとおりに訂正しようとするものである。
　
　訂正事項（ａ）
【特許請求の範囲】の【請求項１】の
「（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに添加して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させる工程、」
を
「（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに攪拌しながら滴下して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に均一に付着させる工程、」
に訂正をする。
　
　訂正事項（ｂ）
【特許請求の範囲】の【請求項１】の
「（３）前記Ｓｉ化合物を付着させた誘電体セラミック基本組成物粉体を含むスラリーに、該スラリーを攪拌しながら、前記化合物を構成する金属元素を含む溶液と、」
を
「（３）前記Ｓｉ化合物を付着させた誘電体セラミック基本組成物粉体を含むスラリーに、該スラリーを攪拌しながら、前記化合物を構成する金属元素を含む水溶液と、」
に訂正をする。
　
　訂正事項（ｃ）
【特許請求の範囲】の【請求項１】の
「該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを添加する工程」
を
「該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる工程」
に訂正をする。
　
　訂正事項（ｄ）
【特許請求の範囲】の【請求項２】の
「（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに添加して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させる工程、」
を
「（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに攪拌しながら滴下して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に均一に付着させる工程、」
に訂正をする。
　
　訂正事項（ｅ）
【特許請求の範囲】の【請求項２】の
「（３）前記スラリー中に、該スラリーを攪拌しながら、ｐＨ緩衝液と、前記化合物を構成する金属元素を含む溶液と、」
を
「（３）前記スラリー中に、該スラリーを攪拌しながら、ｐＨ緩衝液と、前記化合物を構成する金属元素を含む水溶液と、」
に訂正をする。
　
　訂正事項（ｆ）
【特許請求の範囲】の【請求項２】の
「該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを添加する工程」
を
「該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる工程」
に訂正をする。
　
　訂正事項（ｇ）
　段落【００１０】の
「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため、本発明の誘電体セラミック原料粉体の製造方法は、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに添加して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させる工程、（３）前記Ｓｉ化合物を付着させた誘電体セラミック基本組成物粉体を含むスラリーに、該スラリーを攪拌しながら、前記化合物を構成する金属元素を含む溶液と、該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを添加する工程、（４）前記スラリーを洗浄し、その後乾燥させる工程、を備える。」
を、
「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため、本発明の誘電体セラミック原料粉体の製造方法は、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに攪拌しながら滴下して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に均一に付着させる工程、（３）前記Ｓｉ化合物を付着させた誘電体セラミック基本組成物粉体を含むスラリーに、該スラリーを攪拌しながら、前記化合物を構成する金属元素を含む水溶液と、該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる工程、（４）前記スラリーを洗浄し、その後乾燥させる工程、を備える。」
と訂正する。
　
　訂正事項（ｈ）
　段落【００１２】の
「さらに、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに添加して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させる工程、（３）前記スラリー中に、該スラリーを攪拌しながら、ｐＨ緩衝液と、前記化合物を構成する金属元素を含む溶液と、該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを添加する工程（ただし、前記ｐＨ緩衝液の添加は、前記金属元素を含む溶液、および前記沈殿剤の双方が添加される前とする）、（４）前記スラリーを洗浄し、その後乾燥させる工程、を備える。」
を
「さらに、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに攪拌しながら滴下して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に均一に付着させる工程、（３）前記スラリー中に、該スラリーを攪拌しながら、ｐＨ緩衝液と、前記化合物を構成する金属元素を含む水溶液と、該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる工程（ただし、前記ｐＨ緩衝液の添加は、前記金属元素を含む溶液、および前記沈殿剤の双方が添加される前とする）、（４）前記スラリーを洗浄し、その後乾燥させる工程、を備える。」
と訂正をする。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　
　上記訂正事項（ａ）は、【請求項１】の、Ｓｉ化合物を誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させる工程において、Ｓｉ化合物を誘電体セラミック基本組成物粉体スラリーに添加する方法として、「Ｓｉ化合物を前記スラリーに攪拌しながら滴下」する方法に限定し、かつ、付着の状態を「均一に」付着すると限定するものであるから、上記訂正事項（ａ）は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　上記訂正事項（ｂ）は、【請求項１】の、金属元素を含む「溶液」を、実質的に有機成分などを含まない「水溶液」に限定するものであるから、上記訂正事項（ｂ）は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　上記訂正事項（ｃ）は、【請求項１】の、Ｓｉ化合物が付着した誘電体セラミック基本組成物粉体を含むスラリーに、前記金属元素を含む水溶液と沈殿剤を添加する工程において、Ｓｉ化合物を核として前記金属元素が誘電体セラミック基本組成物粉体に付着する現象を付加し、実質的に限定するものであるから、上記訂正事項（ｃ）は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　また、上記訂正事項（ｄ）ないし（ｆ）は、上記訂正事項（ａ）ないし（ｃ）に対応して、【請求項１】と同様に【請求項２】を訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　さらに、上記訂正事項（ｇ）及び（ｈ）は、【請求項１】及び【請求項２】の訂正に整合させるためであって、明りようでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものである。
　そして、上記訂正事項（ａ）及び（ｄ）は特許明細書段落【００１６】に、上記訂正事項（ｂ）及び（ｅ）は特許明細書段落【００１７】に、上記訂正事項（ｃ）及び（ｆ）は特許明細書段落【００２１】にそれぞれ基づくものであり、上記訂正事項（ａ）ないし（ｈ）は、いずれも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２−３．まとめ
　
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
　
３−１．本件発明
　
　本件請求項１ないし４に係る発明（以下、「本件発明１ないし４」という。）は、上記２．で示したように、上記訂正が認められるから、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲請求項１ないし４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。（上記２−１．の訂正事項参照）
「【請求項１】　誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに攪拌しながら滴下して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に均一に付着させる工程、（３）前記Ｓｉ化合物を付着させた誘電体セラミック基本組成物粉体を含むスラリーに、該スラリーを攪拌しながら、前記化合物を構成する金属元素を含む水溶液と、該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる工程、（４）前記スラリーを洗浄し、その後乾燥させる工程、を備える、誘電体セラミック原料粉体の製造方法。
　【請求項２】　誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに攪拌しながら滴下して、前記誘電体セラミック基本組成物粉体に均一に付着させる工程、（３）前記スラリー中に、該スラリーを攪拌しながら、ｐＨ緩衝液と、前記化合物を構成する金属元素を含む水溶液と、該金属元素と反応して沈殿を形成する沈殿剤とを滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる工程（ただし、前記ｐＨ緩衝液の添加は、前記金属元素を含む溶液、および前記沈殿剤の双方が添加される前とする）、（４）前記スラリーを洗浄し、その後乾燥させる工程、を備える、誘電体セラミック原料粉体の製造方法。
　【請求項３】　前記Ｓｉ化合物は、シリカゾルまたは塩であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の誘電体セラミック原料粉体の製造方法。
　【請求項４】　前記沈殿剤は、前記沈殿反応の化学量論的な等量を超えて過剰に添加することを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の誘電体セラミック原料粉体の製造方法。」
　
３−２．特許異議の申立ての理由の概要
　
　申立人は、証拠として甲第１及び２号証を提示し、下記の理由により、訂正前の本件請求項１ないし４に係る特許を取り消すべきと主張している。
　
【理由】訂正前の本件請求項１に係る発明は、下記の刊行物１の記載に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
【理由】訂正前の本件請求項２ないし４に係る発明は、下記の刊行物１及び２の記載に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の本件請求項２ないし４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
刊行物１：特表平５−５０３５０２号公報（甲第１号証）
刊行物２：特開平５−２９４６３２号公報（甲第２号証）
　
３−３．刊行物の記載
　
３−３−１．刊行物１は、「セラミック誘電体組成物」について記載したものであり、以下の事項が記載されている。
（ａ）「実施例８
　本実施例は、Ｎｂ２Ｏ５　１．２％、Ｎｄ２Ｏ３　０．８％、ＮｉＯ　０．２３％、ＭｎＯ　０．０５％及びＳｉＯ２　０．１％でコートされたチタン酸バリウムの製造方法を記載したものである。・・・脱イオン水２７５０ｍｌ、チタン酸バリウム２４４．１ｇ及び”Ｌｕｄｏｘ”ＡＳ−４０　０．６３ｇ（０．２５２ｇ　ＳｉＯ２）（コロイド状シリカゾル）を加えた。・・・スラリー（ｐＨ９．０）を約２５℃で約１．５時間攪拌した。スラリーに金属キレート溶液（２５０ｇ）を約２５℃で約２時間にわたって添加した。白色スラリー（ｐＨ６．６）を約２５℃で１時間攪拌した。シリンジポンプで水酸化ナトリウム・・・を約２５℃で約１時間にわたって添加した。スラリー（ｐＨ１１．６）を還流下（１００℃）で約８時間加熱した。・・・冷却した後、クリーム色のスラリー（ｐＨ１１．５）を濾過した。濾過ケーキを・・・洗浄し、乾燥して１０．１ｍ２／ｇの表面積を有する黄褐色固体・・・を得た。」（第９頁左上欄第１０行〜同右下欄第９行）
（ｂ）「生成組成物中に存在するシリカは融剤として働くかまたは組成物の焼成温度を低下させることにより焼結補助剤として機能する」（第５頁左下欄第５〜８行）
　
３−３−２．刊行物２には、以下の事項が記載されている。
「無機粉末を懸濁した水溶液中に、塩化錫及び塩化アンチモンの塩酸水溶液とアルカリ水溶液とを同時添加し、アンチモン及び錫の加水分解共沈反応を起こさせる。その際、前記の反応液には有機酸緩衝液を共存させることによって、そのｐＨを一定に保持し、共沈反応を一様に行なわせ、無機粉末表面に形成させる酸化アンチモンドープ酸化錫皮膜を均一にすることを可能にした」（第２頁右欄第２３〜２９行）
　
３−４．当審における判断
　
３−４−１．本件発明１について
　
　上記刊行物１の記載によれば、刊行物１には「脱イオン水にチタン酸バリウムとコロイド状シリカゾルを加えたスラリーに金属キレート溶液を添加し、水酸化ナトリウムを加え、前記チタン酸バリウムにシリカと前記金属化合物を付着するセラミック誘電体組成物の製造方法」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると言える。
　そこで、本件発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１の「チタン酸バリウム」は、本件発明１の「誘電体セラミック基本組成物粉体」に対応し、刊行物１の「コロイド状シリカ」は、本件発明１の「Ｓｉ化合物」に対応し、刊行物１の「Ｎｂ２Ｏ５」等の金属化合物は、本件発明１の、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に付着させる「金属元素の化合物」に対応し、刊行物１の「水酸化ナトリウム」は、本件発明１の「沈殿剤」に対応し、刊行物１の、シリカを付着するチタン酸バリウムの表面に前記金属元素の化合物を沈殿させる「セラミック誘電体組成物の製造方法」は、本件発明１の、Ｓｉ化合物を付着する誘電体基本組成物粉体表面に前記金属元素の化合物を沈殿させる「誘電体セラミック原料粉体の製造方法」に対応するので、
　両者は、「誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、誘電体セラミック基本組成物粉体及びＳｉ化合物を水に添加してスラリーを形成し、Ｓｉ化合物を誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させ、該スラリーに前記化合物を構成する金属元素を含む水溶液を加え、沈殿剤を添加して、誘電体セラミック基本組成物粉体上にＳｉ化合物と前記金属元素化合物を付着させる誘電体セラミック原料粉体の製造方法。」である点で一致し、
　本件発明１では、誘電体セラミック基本組成物粉体の水スラリーを攪拌しながら、Ｓｉ化合物を滴下させることにより、前記粉体表面にＳｉ化合物を均一に付着させるのに対し、刊行物１では、誘電体セラミック基本組成物粉体とＳｉ化合物を同時に水に添加して、前記粉体表面にＳｉ化合物を付着させている点（相違点１）、本件発明１では、前記金属元素の化合物を水溶液で添加するのに対し、刊行物１では、金属キレート溶液で添加している点（相違点２）、及び、本件発明１では、誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として前記金属元素の化合物を沈殿させ付着させるのに対し、刊行物１では、シリカは誘電体セラミック組成物の融剤若しくは焼結補助剤として配合させている点（相違点３）で相違する。
　
　以下、相違点について検討する。
　
　相違点１について、申立人は、予め基材を水に分散させたスラリーを攪拌させながら、被覆成分を添加することは慣用手段であるから、Ｓｉ化合物を誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させるのに、前記粉体スラリーを攪拌しながらＳｉ化合物を滴下することは当業者が容易になしうることである旨主張するが、本件発明１は、Ｓｉ化合物を単に添加するのではなく、攪拌しながら滴下することにより、前記粉体表面に均一に付着させることが可能となり（特許異議意見書添付の【参考表２】参照）、この均一に付着したＳｉ化合物が核となり前記金属元素の化合物を沈殿付着させることができるため（相違点３）、前記金属元素の化合物を均一に付着する誘電体セラミック原料粉体を得ることができるのであって、誘電体セラミック組成物の融剤若しくは焼結補助剤としてシリカを配合させる刊行物１の記載から、これらを予測することはできない。
　
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
　
３−４−２．本件発明２について
　
　本件発明２は、本件発明１において、Ｓｉ化合物を付着させた誘電体セラミック基本組成物粉体のスラリーに対し、前記金属元素を含む水溶液と、沈殿剤を滴下するときに、ｐＨ緩衝液を同時に滴下し、ｐＨの変動を抑制し、均一な沈殿を生成することを特徴とするものである。
　申立人は、沈殿反応において、緩衝液を添加してｐＨの変動を抑制することは、刊行物２に記載されているように、技術常識である旨主張するが、本件発明１に取消理由がない以上、上記３−４−１．で指摘した本件発明１の特徴を備えた本件発明２は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
　
３−４−３．本件発明３について
　
　本件発明３は、本件発明１又は２において、Ｓｉ化合物をシリカゾル又は塩と限定したことを特徴とするものであるが、本件発明１及び２に取消理由がない以上、本件発明３は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
　
３−４−４．本件発明４について
　
　本件発明４は、本件発明１ないし３において、沈殿剤を、沈殿反応の化学量論的な等量を超えて過剰に添加することを特徴とするものであるが、本件発明１ないし３に取消理由がない以上、本件発明４は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
　
４．まとめ
　
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１ないし４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１月１９日（２００５．１．１９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
誘電体セラミック原料粉体の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに
攪拌しながら滴下
均一に
水溶液
滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる
　【請求項２】　誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに
攪拌しながら滴下
均一に
水溶液
滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる
　【請求項３】　前記Ｓｉ化合物は、シリカゾルまたは塩であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の誘電体セラミック原料粉体の製造方法。
　【請求項４】　前記沈殿剤は、前記沈殿反応の化学量論的な等量を超えて過剰に添加することを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の誘電体セラミック原料粉体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックコンデンサの材料として有用な誘電体セラミック原料粉体の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】一般に、セラミックコンデンサを製造する場合、基本となる誘電体セラミック組成物、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３などの基本組成物に種々の金属元素を添加して、誘電体セラミック基本組成物の電気特性や焼結性などの改良を図ることが行なわれている。この金属元素の添加方法としては、誘電体セラミック基本組成物の個々の粉体の表面に、添加金属元素を含む化合物を付着させる方法などが採用されている。この具体的な添加方法を以下に示す。
　【０００３】　（１）誘電体セラミック基本組成物粉体に、添加すべき金属元素の炭酸塩もしくは酸化物またはそれらの混合物などの粉体を添加し、ボールミルやサンドミルなどの機械的方法で、粉砕しながら粉体同志を混合する方法。
　【０００４】　（２）誘電体セラミック基本組成物粉体を、添加すべき金属元素を含む化合物が溶解した有機溶媒中に分散してスラリーとし、その後、有機溶媒を蒸発除去する方法。
　【０００５】　（３）誘電体セラミック基本組成物粉体を、添加すべき金属元素を含む金属塩水溶液中に分散してスラリーとし、その後、金属塩水溶液から沈殿を析出させて濾過分離するか、またはスラリー中の水溶媒を蒸発除去する方法（例えば、特開昭６３−１４１２０４号公報）。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、（１）の粉体同志を機械的に混合する方法は、添加元素が誘電体セラミック基本組成物粉体間に均一に分散せず、局所的な組成バラツキを生じる。そのため、例えば、添加元素が焼結助剤となる成分の場合、本来よりも過剰に添加しなければ目的とする焼結性が得られない。その結果、比誘電率が低下したり、添加元素の局所的な濃度不均一により、焼結体に絶縁抵抗などの非常に低い部分が生じ、信頼性が低下するという問題点を有していた。
　【０００７】また、（２）の添加元素を含む化合物が溶解したスラリー中の有機溶媒を蒸発除去する方法は、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に均一に添加元素を含む化合物が付着するため、添加元素が誘電体セラミック基本組成物粉体中に均一に分散する。その結果、焼結性、電気特性などに優れた誘電体セラミック原料粉体が得られる。しかしながら、この方法は、大量の有機溶媒を用いるため、防爆設備が必要となり、また、製造原価が高価となるという問題点を有していた。
　【０００８】さらに、（３）の添加元素を含む金属塩水溶液から沈殿を析出させて濾過分離するか、またはスラリー中の水溶媒を蒸発除去する方法は、それぞれ以下のような問題点を有していた。すなわち、沈殿を析出させる場合、スラリー内全体にわたって、均一に沈殿を析出させることが難しく、反応条件などによっては一部に集中して析出し、添加元素が誘電体セラミック基本組成物粉体中に均一に分散しない場合があった。また、蒸発乾燥させる場合、金属塩水溶液中の陰イオンが不純物として残留する場合があった。
　【０００９】そこで、本発明の目的は、上記問題点を解決して、水溶媒を用いるために防爆設備を必要としない安価な製造方法であって、不純物の混入を抑えた、添加元素が誘電体セラミック基本組成物粉体中に均一に分散した誘電体セラミック原料粉体の製造方法を提供することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明の誘電体セラミック原料粉体の製造方法は、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに
攪拌しながら滴下
均一に
水溶液
滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる
　【００１１】
　【００１２】さらに、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に金属元素の化合物を付着させた誘電体セラミック原料粉体の製造方法において、（１）前記誘電体セラミック基本組成物粉体を水に分散させてスラリーとする工程、（２）前記化合物の１つであるＳｉ化合物を前記スラリーに
攪拌しながら滴下
均一に
水溶液
滴下し、前記誘電体セラミック基本組成物粉体上に均一に付着したＳｉ化合物を核として該金属元素を均一に付着させる
　【００１３】そして、前記Ｓｉ化合物は、シリカゾルまたは塩であることを特徴とする。
　【００１４】また、前記沈殿剤は、前記沈殿反応の化学量論的な等量を超えて過剰に添加することを特徴とする。
　【００１５】
　【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、実施例に基づき説明する。
　【００１６】　（実施例１）まず、誘電体セラミック基本組成物粉体としてのＢａＴｉＯ３粉体５０ｇを、１００ｍｌの水に加えて攪拌し、分散させてスラリーを得た。その後、このスラリーに、攪拌しながら、付着させるべき化合物の１つである１．０ｗｔ％濃度のシリカゾル液２０ｍｌを０．５ｍｌ／分の速度で滴下し、ＢａＴｉＯ３粉体の表面にシリカゾルすなわちＳｉ化合物を付着させた。
　【００１７】次に、スラリー中に、攪拌しながら、付着させるべき化合物を構成する金属元素を含む溶液としてのＤｙＣｌ３、ＭｇＣｌ２およびＭｎＣｌ２の０．１モル／ｌ水溶液をそれぞれ８：５：１の割合で混合した水溶液２０ｍｌを、０．５ｍｌ／分の速度で滴下した。また、スラリー中に、攪拌しながら、沈殿剤として、これと化学量論的に等量の０．１モル／ｌＮａＯＨ水溶液５１．４ｍｌを１８ｍｌ／分の速度で滴下した。
　【００１８】次に、スラリーを濾過して脱水し、誘電体セラミック基本組成物粉体と沈殿物からなる固形物を得た。その後、固形物に５００ｍｌの水を加えて１時間攪拌し、その後、濾過して固形物を得るという洗浄工程を２回繰り返した。その後、得られた固形物を１１０℃で２４時間乾燥し、６０メッシュの篩を通して、誘電体セラミック基本組成物粉体としてのＢａＴｉＯ３粉体の表面に、Ｓｉ、Ｄｙ、ＭｇおよびＭｎ元素の化合物が付着した誘電体セラミック原料粉体を得た。
　【００１９】次に、得られた誘電体セラミック原料粉体表面のＳｉ、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｍｎの分散状態をＸ線マイクロアナライザ（ＸＭＡ）によってマッピング分析を行なったところ、これら元素の偏析は認められず、粉体表面に均一に分散していることが確認された。
　【００２０】また、誘電体セラミック基本組成物粉体にシリカゾルをあらかじめ付着させず、その他は本実施例と同様にして作製した従来例との比較で、得られた誘電体セラミック原料粉体をＳＥＭ観察した。図１は本実施例の誘電体セラミック原料粉体のＳＥＭ像（走査型電子顕微鏡写真）であり、図２は従来例の誘電体セラミック原料粉体のＳＥＭ像（走査型電子顕微鏡写真）である。図１と図２の比較から明らかなように、従来例の場合には、誘電体セラミック基本組成物粉体間で、析出物の付着にバラツキが見られる。これに対して、本発明の場合には、シリカゾルが析出核としてあらかじめ存在するため、どの誘電体セラミック基本組成物粉体にも同じように析出物が付着している。
　【００２１】このように、スラリーに、攪拌しながらシリカゾル液を添加することで、シリカゾルは全ての誘電体セラミック基本組成物粉体（ＢａＴｉＯ３粉体）に均一に接触する。そして、シリカゾルは、静電気力で誘電体セラミック基本組成物粉体表面に付着する。この誘電体セラミック基本組成物粉体表面に付着したシリカゾル粒子を核にして、その後の沈殿析出が起こる。したがって、シリカゾルを均一に付着させることで、その後の沈殿析出物も容易に均一に誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させることができる。
　【００２２】
　【００２３】
　【００２４】
　【００２５】
　【００２６】
　【００２７】　（実施例２）まず、誘電体セラミック基本組成物粉体としてのＢａＴｉＯ３粉体５０ｇを、１００ｍｌの水に加えて攪拌し、分散させてスラリーを得た。その後、このスラリーに、攪拌しながら、付着させるべき化合物の１つである１．０ｗｔ％濃度のシリカゾル液２０ｍｌを０．５ｍｌ／分の速度で滴下し、ＢａＴｉＯ３粉体の表面にシリカゾルすなわちＳｉ化合物を付着させた。
　【００２８】次に、スラリー中に、攪拌しながら、０．１モル／ｌのＢａＣｌ２水溶液１０ｍｌと０．１モル／ｌのＮａ２ＣＯ３水溶液１２ｍｌを０．５ｍｌ／分の速度で滴下し、ＢａＣＯ３を沈殿させてＢａＴｉＯ３粉体の表面に析出させた。
　【００２９】その後、このスラリー中に０．１Ｎアンモニア水溶液と０．１Ｎ塩化アンモニウム水溶液を体積比１：４で混合したｐＨ緩衝液を４００ｍｌ添加した。
　【００３０】次に、スラリー中に、攪拌しながら、付着させるべき化合物を構成する金属元素を含む溶液としてのＤｙＣｌ３、ＭｇＣｌ２およびＭｎＣｌ２の０．１モル／ｌ水溶液をそれぞれ８：５：１の割合で混合した水溶液２０ｍｌを、０．５ｍｌ／分の速度で滴下した。また、スラリー中に、攪拌しながら、沈殿剤として、これと化学量論的に等量の０．１モル／ｌＮａＯＨ水溶液５１．４ｍｌを１８ｍｌ／分の速度で滴下した。
　【００３１】次に、スラリーを濾過して脱水し、誘電体セラミック基本組成物粉体と沈殿物からなる固形物を得た。その後、固形物に５００ｍｌの水を加えて１時間攪拌し、その後、濾過して固形物を得るという洗浄工程を２回繰り返した。その後、得られた固形物を１１０℃で２４時間乾燥し、６０メッシュの篩を通して、誘電体セラミック基本組成物粉体としてのＢａＴｉＯ３粉体の表面に、Ｓｉ、Ｄｙ、ＭｇおよびＭｎ元素の化合物が付着した誘電体セラミック原料粉体を得た。
　【００３２】次に、得られた誘電体セラミック原料粉体表面のＳｉ、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｍｎの分散状態をＸ線マイクロアナライザ（ＸＭＡ）によってマッピング分析を行なったところ、これら元素の偏析は認められず、粉体表面に均一に分散していることが確認された。
　【００３３】また、ＢａＣｌ２水溶液にＮａ２ＣＯ３を加えてＢａＣＯ３を沈殿させるときのＮａ２ＣＯ３量を、化学量論的な等量を超えて過剰にすることで、ＢａＣＯ３の析出不足を防ぐとともに、ＢａＴｉＯ３から溶出するＢａイオンを再析出させることができ、得られる誘電体セラミック原料粉体の組成ずれを抑えることができた。
　【００３４】次に、このようにして作製した原料粉末をアクリル樹脂をトルエンに溶解したバインダー液と混合し、ドクターブレード法により厚さ５μｍのグリーンシートを得た。このグリーンシートを所定の寸法に打ち抜き、Ｎｉ金属粉末をビヒクルに分散させた電極ペーストを印刷し、乾燥させた。さらに、交互に積層し、圧着した後、カットして積層体を作製し、Ｎ２雰囲気中で１２２０℃で２時間焼成した。これに、Ａｇ−Ｐｄペーストで外部電極を形成し、焼付けることで積層コンデンサを得た。
　【００３５】得られた積層コンデンサは、１層当りの誘電体層厚みが約３μｍであった。そして、電気特性を特定した結果、室温の比誘電率が約３０００、誘電損失（ＤＦ）が２％、絶縁抵抗（ＩＲ）が５×１０９Ωであって、静電容量の温度特性はＪＩＳ規格で規定するＢ特性、およびＥＩＡＪ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足した。また、直流電圧１．６Ｖを１０００時間印加した後のＩＲ劣化は認められなかった。
　【００３６】なお、上記実施例１、２においては、誘電体セラミック基本組成物粉体がＢａＴｉＯ３の場合について示したが、本発明はこれのみに限定されるものではない。ＢａＴｉＯ３以外に、ＳｒＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３など種々の誘電体セラミック組成物粉体の場合に適用できる。また、添加剤として付着させる金属化合物は、目的とする誘電体特性に応じて、誘電体セラミック基本組成物粉体との組み合わせで、適宜選択することができる。
　【００３７】また、誘電体セラミック基本組成物粉体にあらかじめ付着させるＳｉ化合物としては、上記実施例で示したシリカゾル以外に、ハロゲン化ケイ素（フルオロケイ酸、フルオロケイ酸塩等）、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３、Ｎａ４ＳｉＯ４等）などの水や酸、塩基と反応してＳｉＯ２、ケイ酸、ケイ酸塩などの沈殿を生じるものを用いても同様の効果を得ることができる。
　【００３８】さらに、ｐＨ緩衝液は、沈殿反応時の最適ｐＨに応じて、上記実施例のアンモニア−塩化アンモニウム系以外に適宜選択して用いることができる。
　【００３９】
　【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の誘電体セラミック原料粉体の製造方法によれば、誘電体セラミック基本組成物粉体の表面に、Ｓｉ化合物を核にして添加金属元素の化合物を付着させるため、添加金属元素が誘電体セラミック基本組成物粉体中に均一に分散した誘電体セラミック原料粉体を得ることができる。
　【００４０】また、沈殿析出反応時に、スラリー中に緩衝溶液を加えることで、ｐＨの変化が小さくなり、析出反応の速度を一定にすることができる。したがって、スラリー中で均一に沈殿反応が起こり、沈殿析出物を均一に誘電体セラミック基本組成物粉体に付着させることができる。
　【００４１】また、沈殿剤を過剰に加えることで、誘電体セラミック原料粉体の構成金属元素、例えばＢａイオンの溶出を防いで、組成ずれを抑えることができる。
　【００４２】さらに、本発明の製造方法は、水溶媒を用いるために防爆設備を必要としない安価な製造方法であり、不純物の混入を抑えた、添加元素が誘電体セラミック基本組成物粉体中に均一に分散した誘電体セラミック原料粉体の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の方法で得られた、誘電体セラミック原料粉体の走査型電子顕微鏡写真である。
　【図２】従来の方法で得られた、誘電体セラミック原料粉体の走査型電子顕微鏡写真である。