【事件の表示】
　特許第２９６７８０５号「液晶表示素子」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９６７８０５号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２９６７８０５号の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、特願昭６３‐９４４５５号（昭和６３年４月１９日出願）の特許出願を平成７年４月１９日に分割して特許出願され、平成１１年８月２０日に設定登録され、その後、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年９月１８日に意見書が提出され、再度、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月１１日に意見書が提出されたものである。
２．本件発明
　本件特許第２９６７８０５号の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、本件発明１という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　一主面上に複数個の能動素子とこれに接続された画素電極とがそれぞれ配設され且つ前記能動素子及び前記画素電極の周りには配線が形成された能動素子基板と、この能動素子基板と対向して配置された共通電極を一主面上に有する対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶組成物とを有し、前記能動素子基板と前記対向基板の一主面上に互いの配向軸が概略９００をなし前記液晶分子に所定のプレチルトを付与するよう配向処理がそれぞれ施された液晶表示素子において、
　前記画素電極と前記配線との間の横方向電界の電界方向と前記配向軸とが所定の角度をもって交差すると共に、前記横方向電界が前記液晶分子の前記プレチルトに逆らう領域の前記画素電極を他の領域よりも多く遮光する遮光部を備えたことを特徴とする液晶表示素子。」
３．異議申立の理由の概要
異議申立人佐藤勝明は、証拠として甲第１号証（特開昭６２‐２６２０２６号公報）及び甲第２号証（特開昭６０‐２４３６３３号公報）を提出し、本件発明１は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、その特許は取り消されるべき旨主張している。
４．取消理由通知に引用した刊行物に記載の発明
　平成１２年１０月２日付け取消理由通知に引用した刊行物１（特開昭６２‐１１６９２１号公報）には、下記の事項が記載されている。
「一般にこの種の液晶表示装置は例えば第５図（イ）に示す如く上、下に対向させて配した基板２１、２２の対向面に、下側の基板２１にあっては矩形の表示電極２３、配向膜２４を、また上側の基板２２にあっては共通電極２５、配向膜２６を積層形成し、この配向膜２４、２６間に液晶２７（例えばツイストネマチック型液晶）を介在させた構成となっている。上下の配向膜２４、２６はいずれも有機高分子を材料にして所定の厚さに形成され、その硬化過程で布を用いて互いに直交する向きにラビングを施して液晶分子に対する配向力を与えており、これによって紡錘型の液晶分子は、第５図，（ロ）に示す如く下側の基板２１近くでは水平横向きに、また上側の基板２２近くでは水平に９０°向きを変えた状態に配向保持された状態となっている。そして、上、下の共通電極２５と表示電極２３との間に選択的に電圧が印加されると電圧を印加された表示電極２３と共通電極２５との間に位置する液晶分子が電界と平行な方向に立ち上がり、光の透過、又は遮断制御が行われるようになっている。
　ところでこのような液晶表示装置においては、電圧を印加した表示電極２３と共通電極２５との間に位置する液晶分子であって、且つ表示電極２３の一隅に対応して位置する液晶分子が第５図（ハ）に示す如く液晶分子の配方向が反転する、所謂エッジドメイン現象が発生し、第５図（ニ）に示す如く表示電極２３の一隅に表示状態の不良部分２３ａが発生することが知られている。」（第１頁左下欄第１９行〜第２頁左上欄第６行）
「本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、…エッジドメインによる不良表示部がこの薄膜トランジスタ上にオーバラップして形成されるように設定することにより本来的に不透明な薄膜トランジスタの存在を利用して表示電極上に不良表示部が占める面積を可及的に低減し、表示画質の向上を図れるようにした液晶表示装置を提供するにある。」（第２頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第１０行）
「エッジドメインにより表示電極３上の一隅に現れる不良表示部は配向膜５、８における配向処理方向と一定の関係にあり、これは第３図に示すとおりである。第３図（イ）〜（ニ）は液晶分子が左遷性を示す場合の配向処理方向と不良表示部発生位置との関係を示す説明図であり、左側に下側の配向膜５に対する配向処理方向を破線で、また上側の配向膜８に対する配向処理方向を実線で夫々示し、また右側には表示電極３上に生じる不良表示部３ａを夫々を示してある。　これから明らかなように左遷性の液晶の場合第３図（イ）に示す如く下側の配向処理を右下がり、上側の配向処理を右上がりとした場合は不良表示部３ａは左側上隅に生じ、また第３図（ロ）に示す如く下側の配向処理を左下がり、上側の配向処理を右下がりとした場合には不良表示部３ａは右側上隅に生じ、また第３図（ハ）に示す如く下側の配向処理を右上がり、上側の配向処理を左下がりとした場合は不良表示部３ａは右下隅に生じ、更に第３図（ニ）に示す如く下側の配向処理を右上がり、下側の配向処理を左上がりとした場合は不良表示部３ａは左側下隅に生じることが解る。」（第３頁左上欄第６行〜同頁右上欄第７行）
　同じく平成１２年１０月２日付け取消理由通知に引用した刊行物２（特開昭６２‐２６２０２６号公報、甲第１号証）には、下記の事項が記載されている。
「第１図は本発明の一実施例を示すアクティブマトリクスパネルの平面図である。１はポリシリコンやアモルファスシリコン等からなるＴＦＴ、２は走査線でありＴＦＴゲート電極も兼ねる。３はデータ線、４は画素電極、５はＴＦＴのドレイン部と画素電極との間のコンタクトホール、６はＴＦＴのソース部とデータ線との間のコンタクトホールである。８は遮光層であり、画素電極４とデータ線３との間、及び画素電極相互間のすき間７からもれる光を遮断する。これによってコントラスト比を大きくすることができる。
　次に、このアクティブマトリクスパネルの製造方法を第３図の断面図を用いて説明する。まず絶縁基板４１上に不透明な導電性のある層５３をデポジットし、第１図８のように格子状の形状とし、遮光層となす。画素電極相互のすき間がちょうど走査線の上にくる場合には、画素電極とデータ線のすき間のみを覆うような縦ストライプ状の遮光層にしてもよい。遮光層の材料としては、以後の製造プロセスにおいても溶解することのないものを選ぶ必要があり、ＴＦＴの材料にポリシリコンを用いる場合には、・高融点金属やポリシリコン等が上げられる。次に、この遮光層５３上に絶縁層５４を形成する。そして通常の工程に従い、４３のポリシリコンまたはアモルファスシリコン等から成るＴＦＴのチャネル部を形成し、その上にゲート絶縁膜４４、ゲート電極４５を形成する。イオン打ち込みによりソース部及びドレイン部を形成し、絶縁膜４６で覆いコンタクトホールを開口し、透明導電膜４７をデポジットする。こうしてできたアクティブマトリクス基板と数μｍの空間を介して、対向電極を対面させ、空間保持剤５０を用いて固定する。対向基板は絶縁基板４２上に透明導電膜からなる共通電極４８を形成したものであり、さらにこの共通電極上にカラーフィルタを配置するとフルカラー表示も可能である。２つの基板の間に液晶５２を封入するとアクティブマトリクスパネルとなる。共通電極４８は４９、のような導体を通して５１の端子部と導通をとると同時に、遮光層５３とも導通をとる。これにより常に共通電極４８と遮光層５３が同電位となり、アクティブマトリクス素子は静電しや蔽されることになる。」（第２頁左下欄第１５行〜第３頁左上欄第１６行）
５．対比・判断
　刊行物１に記載の「薄膜トランジスタ」、「表示電極」、「下側基板」、「上側基板」、「配向処理方向」、「液晶分子」は、本件発明１の「能動素子」、「画素電極」、「能動素子基板」、「対向基板」、「配向軸」、「液晶分子を含む液晶組成物」に対応し、それぞれの対応に格別の差異がない。
　そして、刊行物１の第３図及び第５図に関する記載からして、その上下側基板の配向処理方向（配向軸）は互いに概略９０°をなし、プレチルトが付与されていることは明らかである。
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、両者は「一主面上に複数個の能動素子とこれに接続された画素電極とがそれぞれ配設され且つ前記能動素子及び前記画素電極の周りには配線が形成された能動素子基板と、この能動素子基板と対向して配置された共通電極を一主面上に有する対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板の一主面上に互いの配向軸が概略９０°をなし前記液晶分子に所定のプレチルトを付与するよう配向処理がそれぞれ施された液晶表示素子」であるという点で一致し、下記の２点（以下、相違点１及び２という。）で相違している。
　相違点１：本件発明１では、「画素電極と前記配線との間の横方向電界の電界方向と前記配向軸とが所定の角度をもって交差すると共に、前記横方向電界が前記液晶分子の前記プレチルトに逆らう領域」を他の領域よりも多く遮光しているのに対して、刊行物１に記載の発明では、「エッジドメイン現象による不良表示部」を視野から消している点で相違している。
　相違点２：本件発明１は、遮光部を形成しているのに対して、刊行物１に記載の発明は、薄膜トランジスタ（能動素子）を不良表示部に重なるように配置している点で相違している。
　そこで、上記相違点１及び２について検討する。
　相違点１について
　本件発明１の「画素電極と配線との間の横方向電界の電界方向と配向軸とが所定の角度をもって交差すると共に、横方向電界が液晶分子の前記プレチルトに逆らう領域」について、本件特許明細書第３頁左欄第３９〜４４行において、「【００１５】　図３はこの実施例の一画素部において上述の「画素端部におけるチルトリバース」が発生する領域を示す概略平面図である。同図からわかるように、「画素端部におけるチルトリバース」は画素電極（１２）全体に広がることはほとんどなく、極めて限定された領域（３３）にのみ発生する。」と記載され、更に、本件特許明細書第３頁左欄第３９〜４４行において、「【００１６】　そして、「画素端部におけるチルトリバース」は、液晶分子（３１）の配向方向と、マトリクス状の配線（１３）と画素電極（１２）との間の電界との相関で発生するため、能動素子基板（１４）側のラビング方向と強い関連があり、画素電極（１２）のラビング開始方向側に大きくなる。」と記載されて、刊行物１に記載の「エッジドメインによる不良表示部３ａ」（刊行物１第３図）と同様の位置関係の「極めて限定された領域（３３）」（第３図）が図示されている。
　してみると、本件発明１の「画素電極と配線との間の横方向電界の電界方向と配向軸とが所定の角度をもって交差すると共に、横方向電界が液晶分子のプレチルトに逆らう領域」には、刊行物１に記載の「エッジドメインによる不良表示部３ａ」（刊行物１第３図）が含まれるから、相違点１は格別のことではない。
　なお、権利者は、平成１２年１２月１１日付け意見書において、「刊行物１記載の表示状態の不良部部分２３ａが、電極エッジ部分での垂直方向（液晶組成物を挟んで配置される一対の電極間方向）の電気力線の拡がりに起因したものであることは明らかであります（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第６行及び第５図（ハ），（ニ）等ご参照）。」（意見書第３頁下から第７行〜下から第３行）と主張している。
　ところが、権利者が参照する刊行物１の第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第６行には、「ところでこのような液晶表示装置においては、電圧を印加した表示電極２３と共通電極との間に位置する液晶分子であって、且つ表示電極２３の一隅に対応して位置する液晶分子が第５図（ハ）に示す如く液晶分子の配方向が反転する、所謂エッジドメイン現象が発生し、第５図（ニ）に示す如く表示電極２３の一隅に表示状態の不良部分２３ａが発生することが知られている。」と記載されているのみであり、権利者が主張する「表示状態の不良部部分２３ａが、電極エッジ部分での垂直方向（液晶組成物を挟んで配置される一対の電極間方向）の電気力線の拡がりに起因したものである」ことは記載も示唆もされておらず、刊行物１の第５図（ハ）及び（ニ）に図示もされていない。
　そして逆に、刊行物１の「表示状態の不良部分２３ａが発生する」とされる「表示電極２３の一隅」は、その第３図（イ）〜（ハ）に図示して記載されているように、本件特許明細書の第３図に図示される「図１（ｂ）における能動素子基板（１４）側のラビング方向（２６）における画素電極（１２）のラビング開始側に位置する角部（２７）」に相当する部分である「チルトリバース発生領域３３」に含まれることは明らかである。
　したがって、権利者の上記主張は当を得ないものである。
　相違点２について
　刊行物２には、画素電極４とデータ線３との間、及び画素電極相互間のすき間７からもれる光を遮断する遮光層８を形成することが記載されて公知である。
　してみると、刊行物１に記載の発明において、遮光部を形成して「エッジドメインによる不良表示部３ａ」（極めて限定された領域（３３））を遮光するようにすることは、刊行物２に記載の発明に基づいて当業者であれば容易になし得ることである。
　よって、本件発明１は、上記刊行物１及び２に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本件発明１は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、本件発明１についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
　したがって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１２日（２００１．１．１２）