【事件の表示】
　平成　５年特許願第　１６７５４号「レーザ・カット・モノリシック・チップ・インダクタの製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年　１月２８日出願公開、特開平　６−　２０８４２、平成　７年１２月１８日出願公告、特公平　７−１１８４１９、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１、手続きの経緯
　本願は平成5年1月6日（優先権主張：1992年1月21日米国）の出願であり、平成7年12月18日に出願公告されたところ、異議申立（異議申立人平沢宗夫）があり、平成10年7月14日に異議決定と同時に拒絶査定がなされたものである。
２、本願発明
　本願請求項１に係る発明は、公告後の平成13年7月30日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである（以下「本願発明」という）。
  「【請求項１】  フェライト材料から成り、支持面を有する支持物体(34)と、前記支持物体の支持面に積層された１回転以上のヘリカルコイルで巻線間の隔たりが約５ミル（０．１２７mm）でヘリカルコイルの線幅が約５ミル（０．１２７mm）である導電素子(40)とから成り、該導電素子は前記支持面に導電材料の固体層(36)の残存不消失部分を含み、前記固体層を前記ヘリカルコイルのネガ像(15)に焦点を合わせたレーザ光の０．５〜２ミリセカンドの間の単一パルスに露光させた後、前記単一パルスのレーザ光は前記ヘリカルコイル以外の前記固体層の全部を消失させ、前記導電素子はパルスレーザ光をネガ像形状に形成されたステンシル開口(15)を有するマスク(13)を通し、更に前記導電材料に前記ネガ像に対応する焦点像を投影するために配置されたレンズ(18)を通すことにより形成され、前記焦点像は前記ステンシル開口から１０：１と７．８：１との間の比に縮小されることを特徴とするレーザ・カット・モノリシック・チップ・インダクタ(78)の製造方法。」
３、原査定の引用例
　原査定は特許異議の決定に記載した理由によって行われたが、その異議決定の理由に引用された特開昭63-73606号公報（異議申立人が提出した甲第１号証、以下「刊行物１」という）には、以下の事項が記載されている。
「混成集積回路に対する小型、高密度化の要求にともなって、専有面積が小さくかつインダクタンスの大きな厚膜イングクタを得ることを目的とする。」（第２頁左上欄第１〜４行）、「基板（１）上に導体層（２）を形成し、該導体層をレーザにて切削し渦巻状の導体パターン（３）を形成し、その上に誘電体層（７）を形成し、該誘電体層の上に再び導体層（１２）を形成し、該導体層をレーザにて切削し渦巻状の導体パターン（１３）を形成し、このような工程を繰り返して複数層積層するとともに各層の渦巻状導体パタ−ンの端部を順次接続するようしたことを特徴とする厚膜インダクタの製造方法」（特許請求の範囲）、「[実施例]…第１図（ａ）に示すように、セラミック等の無機質からなる基板１上に比較的広面積の導体層２を形成する。この導体層２の形成は周知の方法により、例えばスクリーン印刷により行ない、印刷後焼成により行う。次に、第１図（ｂ）に示すように、導体層２上にレーザ光線を照射することにより、第２図に示すような渦巻き状の導体パターン３を形成する。この導体パターン３は円形の渦巻形状であってもよいことは勿論である。４はレーザで切削された部分を示す。」（第２頁右上欄第３〜同頁左下欄第１行）」
　上記各記載と第１〜４図によれば、刊行物１には、セラミック等の無機質からなる基板上に広面積の導体を形成し、その上にレーザ光を照射して切削することによって渦巻き状の導体パターンを形成し、このような工程を繰り返し複数層積層して各層間を接続するようにしたチップ型の厚膜インダクタの製造方法が記載されている。
　同じく、引用された特開昭63-220991号公報（異議申立人が提出した甲第２号証、以下「刊行物２」という）には、以下の事項が記載されている。
「本発明は、太陽電池、ディスプレイ装置等に用いられる薄膜のフォトレジストを用いることなく線状の紫外光による直接描画を行う選択加工法に関する。」（第１頁右欄第２〜５行）、「[実施例]本実施例においては第１図に示す光学系を用いるレーザー光（４）としては248nmの波長を持つKrFエキシマレーザーを用い、マスク（５）のパターンは第２図（Ａ）に示す物を用い30mm×30mmの有効エリアとした。また、光学系の像倍率ｍは１／３とし、マスクのパターンの精度によりマージンを与えた。このマスク（５）にはビームエキスパンダ（６）等により拡大されたレーザービーム（７）を照射し、マスク（５）を通過したレーザー光（８）は結像光学系（９）を経由して被加工物（１０）に照射される。本実施例においては、この被加工物として硝子基板上に透光性導電膜が約2000Åの厚さで形成された物を用いた。被加工物に照射されたレーザー光のエネルギー密度が約１Ｊ／cm2・Pulsの場合２〜１０の照射で第２図（ｂ）のようにマスクパターンどうりに被加工物を加工することができた。」（第３頁右上欄第１２行〜同頁左下欄第９行）
　刊行物２の第２図（Ａ）には、マスクのネガ像のパターンが、同図（Ｂ）には被加工物の反転されたパターンが示されており、これらの図と第１図及び上記各記載とによれば、同刊行物には、エキシマレーザパルス光を、ネガパターンを有するマスクを経由し、像倍率ｍ＝１／３の結像光学系を通過させ縮小させて被加工物である硝子基板上の透光性導電膜に照射し、マスクに対し反転したパターンの加工を被加工物に行うようにした光加工法が記載されている。
　同じく引用した特開平3-278506号公報（異議申立人が提出した甲第３号証、以下「刊行物３」という）には、シートの上に、フェライトペーストを印刷し、その上に導電ペーストで線路を印刷し、その上にフェライトペーストを部分的に印刷し、その上に先の線路に続く線路を導電ペーストで印刷し、その上にまたフェライトペーストを部分的に印刷し、…ということを繰り返して、積層型コイルを製造する方法が記載されている。
　また、周知例として引用された特開昭60-176207号公報（以下「刊行物４」という）には、磁性体層にフェライトを用い、AgやCuなどの金属箔を打ち抜いて導体パターンを形成した積層チップ部品及びその製造方法が記載されている。
　同じく周知例として引用された特開平3-136307号公報（以下「刊行物５」という）には、フェライトからなるグリーンシート上に銀や銀パラジウムの導電ペーストを印刷して異なる導体パターンを形成したものを複数用意し、それらを積層してスルーホールで接続するようにした積層型チップインダクター及びその製造方法が記載されている。
　同じく周知例として引用された実公平1-15159号公報（以下「刊行物６」という）には、フェライトを磁性体に用い、コイル導体のパターンをAg、Ag-Pdなど粉末状をペースト状にして、これを所定パターンに印刷することによって形成した積層型ＬＣ複合部品及びその製造方法が記載されている。
４、対比
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は「無機質からなる支持物体に固体層（導体層）を形成し、その上にレーザ光を照射してヘリカルコイル（渦巻き状の導体パターン）を形成するようにしたチップ型インダクタの製造方法」という点で一致する。
　また、刊行物２記載の発明と本願発明とを対比すると、両者は「パルスレーザ光を、ネガ状形状に形成されたマスクを通し、縮小倍率の結像光学系を通過させてその焦点像を被加工物に照射し、照射部分を消失させてパターンの加工を被加工物に行う」という点で一致する。
　さらに、刊行物３〜６記載の発明と本願発明とを対比すると、両者は「フェライト材料からなる支持物体上にヘリカルコイルを形成するようにしたインダクタもしくはチップ・インダクタの製造方法」という点で一致する。
　しかしながら、本願発明における「１回転以上のヘリカルコイルで巻線間の隔たりが約５ミル（０．１２７mm）でヘリカルコイルの線幅が約５ミル（０．１２７mm）である導電素子とから成り、導電材料の固体層を前記ヘリカルコイルのネガ像(15)に焦点を合わせたレーザ光の０．５〜２ミリセカンドの間の単一パルスに露光させた後、前記単一パルスのレーザ光は前記ヘリカルコイル以外の前記固体層の全部を消失させ、焦点像はステンシル開口から１０：１と７．８：１との間の比に縮小される」という点は、刊行物１〜６のいずれにも示されていない。
　そして、本願発明は、この点により、従来デバイスよりもサイズが小さく、それにもかかわらず現在入手できるものとインダクタンス値が同じかそれよりも大きい、ヘリカルコイルの巻線間の隔たりが約５ミル（０．１２７mm）で線幅が約５ミル（０．１２７mm）であるモノリシック・チップ・インダクタを、単一パルスのレーザ光照射により作成できるという格別の作用効果を奏することが認められる。
５，結論
　したがって、本願発明は刊行物１〜６に記載された各発明から当業者が容易に発明することができたものとは認められない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。