【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月22日(2015.5.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料であって、
成長中、直接形成された窒素空孔欠陥を有する前記単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料中の総窒素濃度が５ｐｐｍ以上であり、
以下の特徴のうちの１つ又は２つ以上によって定められる欠陥の一様な分布状態を有し、当該特徴は、
（ｉ）前記総窒素濃度は、１０μｍ以下の分析領域を用いて５０×５０μｍ以上の面積にわたり二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によってマップされたとき、２点間のばらつきが平均総窒素濃度値の３０％未満であり、或いは、６０μｍ以下の分析領域を用いて２００×２００μｍ以上の面積にわたりＳＩＭＳによってマップされたとき、２点間のばらつきが平均総窒素濃度値の３０％未満であること、
（ｉｉ）成長により形成された窒素空孔欠陥（ＮＶ）濃度が７７Ｋ・ＵＶ可視吸収率測定を用いて測定して５０ｐｐｂ以上であって、前記窒素空孔欠陥は、５０ｍＷ連続波レーザを用いて室温で１０μｍ以下のスポットサイズの５１４ｎｍレーザ励起源を用いて励起され、１０μｍ未満のデータ間隔で５０×５０μｍ以上の面積にわたってマップされたとき、高フォトルミネッセンス強度の領域と低フォトルミネッセンス強度の領域との窒素空孔フォトルミネッセンスピークの強度面積比が、５７５ｎｍフォトルミネッセンスピーク（ＮＶ0）又は６３７ｎｍフォトルミネッセンスピーク（ＮＶ-）のいずれかについて２倍未満である低い２点間のばらつきが生じるよう合成単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料中に一様に分布すること、
（ｉｉｉ）ラマン強度のばらつきが、５０ｍＷ連続波レーザを用いて室温で１０μｍ以下のスポットサイズの５１４ｎｍレーザ励起源を用いて励起され（その結果、５５２．４ｎｍでのラマンピークが生じ）、１０μｍ未満のデータ間隔で５０×５０μｍ以上の面積にわたってマップされたとき、低ラマン強度の領域と高ラマン強度の領域とのラマンピーク面積の比が１．２５倍未満である低い２点間のばらつきが生じること、
（ｉｖ）成長により形成された窒素空孔欠陥（ＮＶ）濃度が７７Ｋ・ＵＶ可視吸収率測定を用いて測定して５０ｐｐｂ以上であり、５０ｍＷ連続波レーザを用いて７７Ｋで１０μｍ以下のスポットサイズの５１４ｎｍレーザ励起源を用いて励起されたとき、ＮＶ0に対応した５７５ｎｍでの強度が５５２．４ｎｍでのラマン強度の１２０倍超であること、及び／又はＮＶ-に対応した６３７ｎｍでの強度が５５２．４ｎｍでのラマン強度の２００倍超であること、
（ｖ）単置換型窒素欠陥（Ｎs）濃度が５ｐｐｍ以上であり、１３４４ｃｍ-1赤外吸収特徴を用い、０．５ｍｍ2よりも大きな面積をサンプリングしたとき、前記平均値で標準偏差を除算することにより導き出されるばらつきが８０％未満であるように、前記単置換型窒素欠陥が前記合成単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料中に一様に分布すること、
（ｖｉ）平均値で除算された標準偏差により求められる赤色ルミネッセンス強度のばらつきが１５％未満であること、
（ｖｉｉ）中性単置換型窒素濃度の平均標準偏差が８０％未満であること、
（ｖｉｉｉ）５０を超える平均濃淡値を含む顕微鏡画像からヒストグラムを用いて測定した色の強度が、前記濃淡値平均で除算した濃淡値標準偏差により特徴付けられる灰色のばらつきが４０％未満であるように、前記単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料中で一様であることである、単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項２】
前記単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料は、前記特徴のうちの２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ又は８つ全てを有する、請求項１記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項３】
前記総窒素濃度は、１０μｍ以下として定義された分析領域を用いて５０×５０μｍ以上の面積にわたり二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によってマップされたとき、２点間のばらつきが平均窒素濃度値の１５％未満である、請求項１又は２記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項４】
前記窒素空孔欠陥からのルミネッセンスは、１０μｍ以下として定義された分析領域を用いて５０×５０μｍ以上の面積にわたりマップされたとき、高ＰＬ強度の領域と低ＰＬ強度の領域の強度比が１．６未満であるような２点間のばらつきを有する、請求項１〜３のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項５】
５７５ｎｍにおける前記ＮＶ0ルミネッセンスは、５５２．４ｎｍでの前記ラマン強度の１６０倍を超えると共に／或いは６３７ｎｍにおける前記ＮＶ-ルミネッセンスは、５５２．４ｎｍにおける前記ラマン強度の２４０倍を超える、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項６】
前記単置換型窒素欠陥は、前記単置換型窒素欠陥からの１３４４ｃｍ-1赤外吸収特徴を用いると共に０．５ｍｍ2の面積よりも大きな面積をサンプリングすることによって、前記平均値で標準偏差を除算することによって導き出されるばらつきが４０％未満であるように前記合成単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料中に一様に分布する、請求項１〜５のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項７】
前記赤色ルミネッセンスのばらつきは、８％未満である、請求項１〜６のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項８】
前記中性単置換型窒素濃度の平均標準偏差は、４０％未満である、請求項１〜７のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項９】
前記色強度は、２００×２００×２００μｍ以上の体積にわたって画像化されたとき、前記平均濃淡値で除算した前記濃淡値標準偏差により定められる２点間のばらつきが、平均色強度の２０％未満である、請求項１〜８のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１０】
前記総窒素濃度は、１０ｐｐｍ以上である、請求項１〜９のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１１】
前記単置換型窒素欠陥（Ｎs）濃度は、１０ｐｐｍ以上である、請求項１〜１０のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１２】
前記成長により形成された窒素空孔欠陥（ＮＶ-）濃度は、２００ｐｐｂ以上である、請求項１〜１１のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１３】
１×１０15原子個数・ｃｍ-3以下の珪素の濃度を有する、請求項１〜１２のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１４】
前記単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料は、１ｍｍ以上の最も長い寸法を有する、請求項１〜１３のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１５】
前記１つ又は２つ以上の特徴が当てはまる０．５ｍｍ3以上の体積を有する、請求項１〜１４のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１６】
前記単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料は、厚さが５０μｍ未満の層の形態をしている、請求項１〜１５のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１７】
前記単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料は、厚さが１ｍｍ超の層の形態をしている、請求項１〜１６のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１８】
３×１０3転位数・ｃｍ-2以下の転位束密度を有する、請求項１〜１７のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項１９】
５×１０-6以下の複屈折性を有する、請求項１〜１８のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項２０】
アニールされると共に／或いは照射されている、請求項１〜１９のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。
【請求項２１】
前記単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料は、次の色、即ち、桃色、黄色、緑色、橙色、赤色、紫色のうちの１つ又は２つ以上を有する、請求項１〜２０のうちいずれか一に記載の単結晶ＣＶＤ合成ダイヤモンド材料。