(57)【要約】【課題】ウェハなどの基板に、少量のプリウェット液でソフトプリウェット処理を実行することができる方法を提供する。【解決手段】本方法は、第２保持部材５８の開口部５８ａから基板Ｗの表面を露出させた状態で、基板Ｗを第１保持部材５４と第２保持部材５８との間に挟み、基板ホルダ１８のシール突起６６を基板Ｗの外周部に押し付け、基板ホルダ１８にシールブロック１４０を押し付け、外部空間Ｓ内に真空を形成し、シール突起６６によって形成されたシール状態を、外部空間Ｓ内の圧力の変化に基づいて検査するシール検査を実行し、外部空間Ｓを真空引きしながら外部空間Ｓにプリウェット液を供給し、該プリウェット液を基板Ｗの露出した表面に接触させるプリウェット処理を実行する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１保持部材と、開口部を有する第２保持部材とを備えた基板ホルダで基板を保持しながら該基板の表面を処理する方法であって、
前記第２保持部材の前記開口部から基板の表面を露出させた状態で、基板を前記第１保持部材と前記第２保持部材との間に挟むことで該基板を前記基板ホルダで保持し、かつ前記基板ホルダのシール突起を前記基板の外周部に押し付け、
前記シール突起を覆うようにシールブロックを前記基板ホルダに押し付けることで、前記基板ホルダと、前記基板の露出した表面と、前記シールブロックとによって外部空間を形成し、
前記外部空間内に真空を形成し、
前記シール突起によって形成されたシール状態を、前記外部空間内の圧力の変化に基づいて検査するシール検査を実行し、
前記外部空間を真空引きしながら、プリウェット液を前記外部空間に供給して、該プリウェット液を前記基板の露出した表面に接触させるプリウェット処理を実行することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記シール検査および前記プリウェット処理は、プリウェット槽内で連続して実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シール検査および前記プリウェット処理は、前記基板を保持した前記基板ホルダが鉛直姿勢の状態で実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シール検査の後であって前記プリウェット処理の前に、前記外部空間内に真空を再度形成し、
前記シールブロックによって形成されたシール状態を、前記外部空間内の圧力の変化に基づいて検査することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プリウェット処理の後に、前記外部空間から前記プリウェット液を排出し、
前記外部空間内に前処理液を供給して該前処理液を前記基板の露出した表面に接触させる前処理をさらに実行することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シール検査、前記プリウェット処理、および前記前処理は、プリウェット槽内で連続して実行されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
基板の表面を処理する装置であって、
第２保持部材の開口部から基板の表面を露出させた状態で、基板を第１保持部材と前記第２保持部材との間に挟み、かつシール突起を前記基板の外周部に押し付けることができる基板ホルダと、
前記シール突起よりも大きな形状を有するシールブロックと、
前記シールブロックを、前記基板ホルダに押し付けるアクチュエータと、
前記シールブロックに接続された真空ラインと、
前記真空ラインに取り付けられた開閉弁と、
前記シール突起によって形成されたシール状態を、前記基板ホルダと、前記基板の露出した表面と、前記シールブロックとによって形成された外部空間内の圧力の変化に基づいて検査するシール検査を実行する処理制御部と、
前記シールブロックに接続されたプリウェット液供給ラインと、
前記プリウェット液供給ラインに取り付けられたプリウェット液供給弁とを備え、
前記処理制御部は、少なくとも所定の期間、前記開閉弁と前記プリウェット液供給弁とを開いた状態に同時に維持することを特徴とする装置。
【請求項８】
前記シール検査および前記プリウェット液の供給が行われるプリウェット槽をさらに備えたことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記シールブロックに接続され、かつ前記外部空間に連通するドレインラインと、
前記シールブロックに接続され、かつ前記外部空間に連通する前処理液供給ラインをさらに備えたことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記基板ホルダにより保持された基板をめっき液に浸漬させてめっきするためのめっき槽をさらに備えたことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
第１保持部材と、開口部を有する第２保持部材とを備えた基板ホルダで基板を保持しながら該基板の表面を処理する方法をめっき装置に実行させるためのプログラムを格納した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記方法は、
前記第２保持部材の前記開口部から基板の表面を露出させた状態で、基板を前記第１保持部材と前記第２保持部材との間に挟むことで該基板を前記基板ホルダで保持し、かつ前記基板ホルダのシール突起を前記基板の外周部に押し付け、
前記シール突起を覆うようにシールブロックを前記基板ホルダに押し付けることで、前記基板ホルダと、前記基板の露出した表面と、前記シールブロックとによって外部空間を形成し、
前記外部空間内に真空を形成し、
前記シール突起によって形成されたシール状態を、前記外部空間内の圧力の変化に基づいて検査するシール検査を実行し、
前記外部空間を真空引きしながら、プリウェット液を前記外部空間に供給して、該プリウェット液を前記基板の露出した表面に接触させるプリウェット処理を実行することと、を有することを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハなどの基板をめっきする前に、プリウェット液を基板の表面に接触させて、基板の表面に形成されている凹部または貫通孔（ビアホール、トレンチ、レジスト開口部など）内の空気をプリウェット液で置換する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
めっき技術は、ウェハの表面に設けられた微細な配線用溝やホール、レジスト開口部に金属を析出させたり、基板の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成するのに使用される。さらに、めっき技術は、上下に貫通する多数のビアプラグを有し、半導体チップ等のいわゆる３次元実装に使用されるインタポーザまたはスペーサを製造する際におけるビアホールの埋込みにも使用される。
【０００３】
例えば、ＴＡＢ（Tape  Automated  Bonding）やフリップチップにおいては、配線が形成された半導体チップの表面の所定箇所（電極）に金、銅、はんだ、或いはニッケル、更にはこれらを多層に積層した突起状接続電極（バンプ）を形成し、このバンプを介してパッケージの電極やＴＡＢ電極と電気的に接続することが広く行われている。
【０００４】
ウェハの電解めっきは、アノードと、カソードとなるウェハをめっき液中に浸漬させた状態で、アノードとウェハとの間に電圧を印加することによって行われる。めっき液がウェハ表面に形成された凹部または貫通孔に進入しやすくするために、これら凹部または貫通孔内に存在する空気をプリウェット液で置換するプリウェット処理が行われる。プリウェット処理は、プリウェット槽内に保持されたプリウェット液中にウェハを浸漬させることによって行われる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本特許第４６６４３２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来のプリウェット処理は、ウェハ全体をプリウェット液中に浸漬させるために、多量のプリウェット液を必要とする。さらに、プリウェット液をプリウェット槽に注入し、プリウェット槽から排出するためには、かなりの時間を要する。
【０００７】
このような問題を解決するために、ウェハの表面にプリウェット液を噴霧するスプレー式プリウェット処理も提案されている。しかしながら、プリウェット液の圧力が高いため、ウェハに形成されているパターン倒れが起こるおそれがある。このような背景から、パターン倒れを起こさないソフトプリウェット技術が望まれている。
【０００８】
そこで、本発明は、ウェハなどの基板に、従来に比較して少量のプリウェット液でソフトプリウェット処理を実行することができる方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様では、第１保持部材と、開口部を有する第２保持部材とを備えた基板ホルダで基板を保持しながら該基板の表面を処理する方法であって、前記第２保持部材の前記開口部から基板の表面を露出させた状態で、基板を前記第１保持部材と前記第２保持部材との間に挟むことで該基板を前記基板ホルダで保持し、かつ前記基板ホルダのシール突起を前記基板の外周部に押し付け、前記シール突起を覆うようにシールブロックを前記基板ホルダに押し付けることで、前記基板ホルダと、前記基板の露出した表面と、前記シールブロックとによって外部空間を形成し、前記外部空間内に真空を形成し、前記シール突起によって形成されたシール状態を、前記外部空間内の圧力の変化に基づいて検査するシール検査を実行し、前記外部空間を真空引きしながら、プリウェット液を前記外部空間に供給して、該プリウェット液を前記基板の露出した表面に接触させるプリウェット処理を実行することを特徴とする方法が提供される。
【００１０】
一実施形態では、前記シール検査および前記プリウェット処理は、プリウェット槽内で連続して実行される。
一実施形態では、前記シール検査および前記プリウェット処理は、前記基板を保持した前記基板ホルダが鉛直姿勢の状態で実行される。
一実施形態では、前記シール検査の後であって前記プリウェット処理の前に、前記外部空間内に真空を再度形成し、前記シールブロックによって形成されたシール状態を、前記外部空間内の圧力の変化に基づいて検査する。
一実施形態では、前記プリウェット処理の後に、前記外部空間から前記プリウェット液を排出し、前記外部空間内に前処理液を供給して該前処理液を前記基板の露出した表面に接触させる前処理をさらに実行する。
一実施形態では、前記シール検査、前記プリウェット処理、および前記前処理は、プリウェット槽内で連続して実行される。
【００１１】
本発明の一態様では、基板の表面を処理する装置であって、第２保持部材の開口部から基板の表面を露出させた状態で、基板を第１保持部材と前記第２保持部材との間に挟み、かつシール突起を前記基板の外周部に押し付けることができる基板ホルダと、前記シール突起よりも大きな形状を有するシールブロックと、前記シールブロックを、前記基板ホルダに押し付けるアクチュエータと、前記シールブロックに接続された真空ラインと、前記真空ラインに取り付けられた開閉弁と、前記シール突起によって形成されたシール状態を、前記基板ホルダと、前記基板の露出した表面と、前記シールブロックとによって形成された外部空間内の圧力の変化に基づいて検査するシール検査を実行する処理制御部と、前記シールブロックに接続されたプリウェット液供給ラインと、前記プリウェット液供給ラインに取り付けられたプリウェット液供給弁とを備え、前記処理制御部は、少なくとも所定の期間、前記開閉弁と前記プリウェット液供給弁とを開いた状態に同時に維持することを特徴とする装置が提供される。
【００１２】
一実施形態では、前記シール検査および前記プリウェット液の供給が行われるプリウェット槽をさらに備える。
一実施形態では、前記シールブロックに接続され、かつ前記外部空間に連通するドレインラインと、前記シールブロックに接続され、かつ前記外部空間に連通する前処理液供給ラインをさらに備える。
一実施形態では、前記基板ホルダにより保持された基板をめっき液に浸漬させてめっきするためのめっき槽をさらに備える。
【００１３】
本発明の一態様では、第１保持部材と、開口部を有する第２保持部材とを備えた基板ホルダで基板を保持しながら該基板の表面を処理する方法をめっき装置に実行させるためのプログラムを格納した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記方法は、前記第２保持部材の前記開口部から基板の表面を露出させた状態で、基板を前記第１保持部材と前記第２保持部材との間に挟むことで該基板を前記基板ホルダで保持し、かつ前記基板ホルダのシール突起を前記基板の外周部に押し付け、前記シール突起を覆うようにシールブロックを前記基板ホルダに押し付けることで、前記基板ホルダと、前記基板の露出した表面と、前記シールブロックとによって外部空間を形成し、前記外部空間内に真空を形成し、前記シール突起によって形成されたシール状態を、前記外部空間内の圧力の変化に基づいて検査するシール検査を実行し、前記外部空間を真空引きしながら、プリウェット液を前記外部空間に供給して、該プリウェット液を前記基板の露出した表面に接触させるプリウェット処理を実行することと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板ホルダに保持されている基板の露出した表面とシールブロックとの間に外部空間が形成され、この外部空間にのみプリウェット液が供給される。したがって、プリウェット液の使用量を、従来の方法に比べて大幅に減らすことができる。さらに、外部空間を真空引きしながらプリウェット液が外部空間内に注入されるので、プリウェット液は、基板に形成されている凹部または貫通孔内に容易に進入し、これら凹部または貫通孔から空気を追い出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】めっき装置の全体配置図である。
【図２】基板ホルダの概略を示す斜視図である。
【図３】図２に示す基板ホルダの平面図である。
【図４】図２に示す基板ホルダの右側面図である。
【図５】図４のＡ部拡大図である。
【図６】シール検査およびプリウェット処理を実施するための構成の一実施形態を示す図である。
【図７】シール検査とプリウェット処理が行われるときの基板ホルダおよびシールブロックを示す図である。
【図８】シール検査およびプリウェット処理の一実施形態を示すフローチャートである。
【図９】シール検査、プリウェット処理、および前処理を行うことができる構成の一実施形態を示す図である。
【図１０】シール検査、プリウェット処理、および前処理の一実施形態を示すフローチャートである。
【図１１】シール検査およびプリウェット処理を実施するための構成の他の実施形態を示す図である。
【図１２】シール検査およびプリウェット処理の他の実施形態を示すフローチャートである。
【図１３】シール検査およびプリウェット処理を実施するための構成のさらに他の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、めっき装置の全体配置図を示す。図１に示すように、このめっき装置には、ウェハ等の基板を収納したカセット１０を搭載する２台のカセットテーブル１２と、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの切り欠きの位置を所定の方向に合わせるアライナ１４と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンリンスドライヤ１６が備えられている。スピンリンスドライヤ１６の近くには、基板ホルダ１８を載置して基板の該基板ホルダ１８への着脱を行う基板着脱部２０が設けられる。これらのユニットの中央には、これらの間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置２２が配置されている。
【００１７】
さらに、基板ホルダ１８の保管及び一時仮置きを行うストッカ２４、基板の表面を親水化処理するプリウェット槽２６、基板の表面に形成したシード層等の導電膜の表面の酸化膜をエッチング除去する前処理槽２８、前処理後の基板を洗浄する第１水洗槽３０ａ、洗浄後の基板の水切りを行うブロー槽３２、めっき後の基板を洗浄する第２水洗槽３０ｂ、及びめっき槽３４が順に配置されている。めっき槽３４は、オーバーフロー槽３６の内部に複数のめっきセル３８を収納して構成され、各めっきセル３８は、内部に１個の基板を収納して、銅めっきや金属めっき（Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｉｎめっき）、合金めっき（Ｓｎ／Ａｇ合金、Ｓｎ／Ｉｎ合金等）のめっきを施すようになっている。
【００１８】
さらに、めっき装置は、基板ホルダ１８を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置４０を備えている。この基板ホルダ搬送装置４０は、基板着脱部２０、ストッカ２４、プリウェット槽２６との間で基板を搬送する第１トランスポータ４２と、ストッカ２４、プリウェット槽２６、前処理槽２８、水洗槽３０ａ，３０ｂ、ブロー槽３２、及びめっき槽３４との間で基板を搬送する第２トランスポータ４４を有している。第２トランスポータ４４を備えることなく、第１トランスポータ４２のみを備えるようにしてもよい。この場合、第１トランスポータ４２は、基板着脱部２０、ストッカ２４、プリウェット槽２６、前処理槽２８、水洗槽３０ａ，３０ｂ、ブロー槽３２、及びめっき槽３４との間で基板を搬送できるように構成される。
【００１９】
めっき槽３４のオーバーフロー槽３６に隣接して、各めっきセル３８の内部に位置してめっき液を攪拌する掻き混ぜ棒としてのパドル（図示せず）を駆動するパドル駆動装置４６が配置されている。
【００２０】
基板着脱部２０は、レール５０に沿って横方向にスライド自在な載置プレート５２を備えている。この載置プレート５２に２個の基板ホルダ１８を水平状態で並列に載置して、この一方の基板ホルダ１８と基板搬送装置２２との間で基板の受渡しを行った後、載置プレート５２を横方向にスライドさせて、他方の基板ホルダ１８と基板搬送装置２２との間で基板の受渡しを行うようになっている。
【００２１】
基板ホルダ１８は、図２乃至図５に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第１保持部材（ベース保持部材）５４と、この第１保持部材５４にヒンジ５６を介して開閉自在に取付けた第２保持部材（可動保持部材）５８とを有している。なお、この例では、第２保持部材５８を、ヒンジ５６を介して開閉自在に構成した例を示しているが、例えば第２保持部材５８を第１保持部材５４に対峙した位置に配置し、この第２保持部材５８を第１保持部材５４に向けて前進させて開閉するようにしてもよい。
【００２２】
第２保持部材５８は、基部６０とシールホルダ６２とを有する。シールホルダ６２は、例えば塩化ビニル製であり、下記の押えリング６４との滑りを良くしている。シールホルダ６２の上面には、基板ホルダ１８で基板Ｗを保持した時、基板Ｗの表面外周部に圧接して基板Ｗと第２保持部材５８との間の隙間をシールする基板側シール突起（第１シール突起）６６が内方に突出して取付けられている。更に、シールホルダ６２の第１保持部材５４と対向する面には、基板ホルダ１８で基板Ｗを保持した時、第１保持部材５４に圧接して第１保持部材５４と第２保持部材５８との間の隙間をシールするホルダ側シール突起（第２シール突起）６８が取付けられている。ホルダ側シール突起６８は基板側シール突起６６の外方に位置している。
【００２３】
基板側シール突起（第１シール突起）６６およびホルダ側シール突起（第２シール突起）６８は無端状のシールである。基板側シール突起６６およびホルダ側シール突起６８はＯリングなどのシール部材でもよい。一実施形態では、基板側シール突起６６およびホルダ側シール突起６８を含む第２保持部材５８自体がシール機能を有する材料から構成されてもよい。本実施形態では、基板側シール突起６６およびホルダ側シール突起６８は環状であり、同心状に配置されている。ホルダ側シール突起６８は省略してもよい。
【００２４】
図５に示すように、基板側シール突起（第１シール突起）６６は、シールホルダ６２と第１固定リング７０ａとの間に挟持されてシールホルダ６２に取付けられている。第１固定リング７０ａは、シールホルダ６２にボルト等の締結具６９ａを介して取付けられる。ホルダ側シール突起（第２シール突起）６８は、シールホルダ６２と第２固定リング７０ｂとの間に挟持されてシールホルダ６２に取付けられている。第２固定リング７０ｂは、シールホルダ６２にボルト等の締結具６９ｂを介して取付けられる。
【００２５】
第２保持部材５８のシールホルダ６２の外周部には、段部が設けられ、この段部に、押えリング６４がスペーサ６５を介して回転自在に装着されている。なお、押えリング６４は、シールホルダ６２の側面に外方に突出ように取付けられた押え板７２（図３参照）により、脱出不能に装着されている。この押えリング６４は、酸やアルカリに対して耐食性に優れ、十分な剛性を有する、例えばチタンから構成される。スペーサ６５は、押えリング６４がスムーズに回転できるように、摩擦係数の低い材料、例えばＰＴＦＥで構成されている。
【００２６】
押えリング６４の外側方に位置して、第１保持部材５４には、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状のクランパ７４が円周方向に沿って等間隔で立設されている。一方、押えリング６４の円周方向に沿ったクランパ７４と対向する位置には、外方に突出する突起部６４ｂが設けられている。そして、クランパ７４の内方突出部の下面及び押えリング６４の突起部６４ａの上面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面となっている。押えリング６４の円周方向に沿った複数箇所（例えば３箇所）には、上方に突出する凸部６４ａが設けられている。これにより、回転ピン（図示せず）を回転させて凸部６４ａを横から押し回すことにより、押えリング６４を回転させることができる。
【００２７】
第２保持部材５８を開いた状態で、基板Ｗは第１保持部材５４の中央部に置かれる。次いで、ヒンジ５６を介して第２保持部材５８を閉じ、押えリング６４を時計回りに回転させて、押えリング６４の突起部６４ｂをクランパ７４の内方突出部の内部に滑り込ませることで、押えリング６４とクランパ７４にそれそれぞれ設けたテーパ面を介して、第１保持部材５４と第２保持部材５８とを互いに締付けてロックし、押えリング６４を反時計回りに回転させて押えリング６４の突起部６４ｂを逆Ｌ字状のクランパ７４から外すことで、このロックを解くようになっている。
【００２８】
このようにして第２保持部材５８をロックした時（すなわち、基板ホルダ１８が基板Ｗを保持した時）、基板側シール突起６６の内周面側の下方突出部下端は、基板Ｗの表面外周部に均一に押圧され、第２保持部材５８と基板Ｗの表面外周部との間の隙間が基板側シール突起６６によってシールされる。同様に、ホルダ側シール突起６８の外周側の下方突出部下端は、第１保持部材５４の表面に均一に押圧され、第１保持部材５４と第２保持部材５８との間の隙間がホルダ側シール突起６８によってシールされる。
【００２９】
基板ホルダ１８は、基板Ｗを第１保持部材５４と第２保持部材５８との間に挟むことによって、基板Ｗを保持する。第２保持部材５８は、円形の開口部５８ａを有している。この開口部５８ａは、基板Ｗの大きさよりもやや小さい。基板Ｗが第１保持部材５４と第２保持部材５８との間に挟まれているとき、基板Ｗの被処理面は、この開口部５８ａを通じて露出される。したがって、後述するプリウェット液、前処理液、めっき液などの各種処理液は、基板ホルダ１８に保持された基板Ｗの露出した表面に接触することができる。この基板Ｗの露出した表面は、基板側シール突起（第１シール突起）６６に囲まれている。
【００３０】
基板ホルダ１８で基板Ｗを保持すると、図５に示すように、内周側を基板シール突起６６で、外周側をホルダ側シール突起６８でそれぞれシールされた第１内部空間Ｒ１（以下、単に内部空間Ｒ１という）が基板ホルダ１８の内部に形成される。さらに、基板Ｗの露出した表面とは反対側の面と、基板ホルダ１８の第１保持部材５４との間に第２内部空間Ｒ２（以下、単に内部空間Ｒ２という）が形成される。内部空間Ｒ１と内部空間Ｒ２とは、通路（後述する）を介して互いに連通している。内部空間Ｒ２は、図２および図３に示すように、第１保持部材５４の内部に形成された内部通路１００に接続され、この内部通路１００はハンド９０に設けた吸引ポート１０２に繋がっている。
【００３１】
第１保持部材５４の中央部には、基板Ｗの大きさに合わせてリング状に突出し、基板Ｗの外周部に当接して該基板Ｗを支持する支持面８０を有する突条部８２が設けられている。この突条部８２の円周方向に沿った所定位置に凹部８４が設けられている。
【００３２】
そして、図３に示すように、この各凹部８４内には複数（図示では１２個）の導電体（電気接点）８６が配置されており、これらの導電体８６は、ハンド９０に設けた外部接点９１から延びる複数の配線にそれぞれ接続されている。第１保持部材５４の支持面８０上に基板Ｗを載置した際、この導電体８６の端部が基板Ｗの側方で第１保持部材５４の表面にばね性を有した状態で露出して、図５に示す電気接点８８の下部に接触するようになっている。
【００３３】
導電体８６に電気的に接続される電気接点８８は、ボルト等の締結具８９を介して第２保持部材５８のシールホルダ６２に固着されている。この電気接点８８は、板ばね形状を有している。電気接点８８は、基板側シール突起６６の外方に位置して、内方に板ばね状に突出する接点部を有しており、この接点部において、その弾性力によるばね性を有して容易に屈曲する。第１保持部材５４と第２保持部材５８で基板Ｗを保持した時に、電気接点８８の接点部が、第１保持部材５４の支持面８０上に支持された基板Ｗの外周面に弾性的に接触するように構成されている。
【００３４】
第２保持部材５８の開閉は、図示しないエアシリンダと第２保持部材５８の自重によって行われる。つまり、第１保持部材５４には通孔５４ａが設けられ、基板着脱部２０の上に基板ホルダ１８を載置した時に該通孔５４ａに対向する位置にエアシリンダが設けられている。これにより、ピストンロッドを伸展させ、通孔５４ａを通じて押圧棒（図示せず）で第２保持部材５８のシールホルダ６２を上方に押上げることで第２保持部材５８を開き、ピストンロッドを収縮させることで、第２保持部材５８をその自重で閉じるようになっている。
【００３５】
基板ホルダ１８の第１保持部材５４の端部には、基板ホルダ１８を搬送したり、吊下げる際の支持部となる一対の略Ｔ字状のハンド９０が設けられている。ストッカ２４内においては、ストッカ２４の周壁上面にハンド９０を引っ掛けることで、基板ホルダ１８が垂直に吊下げられる。この吊下げられた基板ホルダ１８のハンド９０を基板ホルダ搬送装置４０のトランスポータ４２または４４で把持して基板ホルダ１８を搬送するようになっている。なお、プリウェット槽２６、前処理槽２８、水洗槽３０ａ，３０ｂ、ブロー槽３２及びめっき槽３４内においても、基板ホルダ１８は、ハンド９０を介してそれらの周壁に吊下げられる。図２および図３に示すように、基板ホルダ１８のハンド９０には、吸引ポート１０２が設けられている。
【００３６】
上記のように構成されためっき装置による一連の処理を説明する。先ず、カセットテーブル１２に搭載されたカセット１０から、基板搬送装置２２で基板を１枚取出し、アライナ１４に載せて、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの切り欠きの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ１４で方向を合わせた基板を基板搬送装置２２で基板着脱部２０まで搬送する。
【００３７】
基板着脱部２０においては、ストッカ２４内に収容されていた基板ホルダ１８を基板ホルダ搬送装置４０の第１トランスポータ４２で２基同時に把持して、基板着脱部２０まで搬送する。そして、基板ホルダ１８を水平な状態として下降させ、これによって、２基の基板ホルダ１８を基板着脱部２０の載置プレート５２の上に同時に載置する。２基のエアシリンダを作動させて２基の基板ホルダ１８の第２保持部材５８を開いた状態にしておく。
【００３８】
この状態で、中央側に位置する基板ホルダ１８に基板搬送装置２２で搬送した基板を挿入し、エアシリンダを逆作動させて第２保持部材５８を閉じ、しかる後、基板着脱部２０の上方にあるロック・アンロック機構で第２保持部材５８をロックする。そして、一方の基板ホルダ１８への基板の装着が完了した後、載置プレート５２を横方向にスライドさせて、同様にして、他方の基板ホルダ１８に基板を装着し、しかる後、載置プレート５２を元の位置に戻す。
【００３９】
基板は、その処理される面を基板ホルダ１８の開口部１８ａから露出させた状態で、基板ホルダ１８に保持される。内部空間Ｒ１にめっき液が浸入しないように、基板の外周部と第２保持部材５８との隙間は基板側シール突起６６でシール（密閉）され、第１保持部材５４と第２保持部材５８との隙間はホルダ側シール突起６８でシール（密閉）される。基板は、そのめっき液に触れない部分において複数の電気接点８８と電気的に導通する。配線は電気接点８８からハンド９０上の外部接点９１まで延びており、外部接点９１に電源を接続することにより基板のシード層等の導電膜に給電することができる。
【００４０】
基板を保持した基板ホルダ１８は、基板ホルダ搬送装置４０の第１トランスポータ４２によってプリウェット槽２６に搬送される。プリウェット槽２６では、シール検査とプリウェット処理がこの順に連続して行われる。シール検査は、基板側シール突起（第１シール突起）６６および／またはホルダシール突起（第２シール突起）６８によってシール状態が正しく形成されているかを調べる工程である。プリウェット処理は、基板ホルダ１８に保持されている基板の表面にプリウェット液を接触させて、基板の表面に親水性を付与する工程である。本実施形態ではプリウェット液として純水が使用されるが、他の液体を用いてもよい。例えば、めっき液と同じ成分を含む液体であってもよい。めっき液が硫酸銅めっき液の場合、希硫酸、金属イオン、塩素イオンや、促進剤、抑制剤、レベラーなどの添加剤を単独または組み合わせた水溶液であっても良い。
【００４１】
図示しないが、２基の基板ホルダ１８を水平に載置する基板着脱部２０の代わりに、第１トランスポータ４２で搬送された２基の基板ホルダを鉛直に（あるいは鉛直からわずかに傾けた角度で）支持するフィキシングステーションを備えてもよい。基板ホルダを鉛直に保持したフィキシングステーションを９０°回転させることによって、基板ホルダは水平な状態とされる。
【００４２】
また、この例では、１つのロック・アンロック機構を備えた例を示しているが、互いに隣接した位置に配置される２基のロック・アンロック機構により基板ホルダのロック・アンロックを同時に行うようにしてもよい。
【００４３】
次に、この基板を保持した基板ホルダ１８を、前記と同様にして、前処理槽２８に搬送し、前処理槽２８で基板表面の酸化膜をエッチングし、清浄な金属面を露出させる。更に、この基板を保持した基板ホルダ１８を、前記と同様にして、第１水洗槽３０ａに搬送し、この第１水洗槽３０ａに入れた純水で基板の表面を洗浄する。
【００４４】
洗浄が終了した基板を保持した基板ホルダ１８を、基板ホルダ搬送装置４０の第２トランスポータ４４で把持して、めっき液を満たしためっき槽３４に搬送し、基板ホルダ１８をめっきセル３８内に吊り下げる。基板ホルダ搬送装置４０の第２トランスポータ４４は、上記作業を順次繰り返し行って、基板を装着した基板ホルダ１８を順次めっき槽３４のめっきセル３８に搬送して所定の位置に吊下げる。
【００４５】
基板ホルダ１８を吊下げた後、めっきセル３８内のアノード（図示せず）と基板との間にめっき電圧を印加する。これと同時にパドル駆動装置４６により、めっき液に浸漬されたパドルを、基板の表面と平行に往復移動させながら、基板の表面にめっきを施す。この時、基板ホルダ１８は、めっきセル３８の上部でハンド９０により吊り下げられて固定され、めっき電源から導電体８６及び電気接点８８を通して、シード層等の導電膜に給電される。オーバーフロー槽３６からめっきセル３８へのめっき液の循環は、装置運転中は基本的に常に行われ、循環ライン中の図示しない恒温ユニットによりめっき液の温度が実質的に一定に保たれる。
【００４６】
めっきが終了した後、めっき電圧の印加及びパドル往復運動を停止し、めっきされた基板を保持した基板ホルダ１８を基板ホルダ搬送装置４０の第２トランスポータ４４で把持し、前述と同様にして、第２水洗槽３０ｂまで搬送し、この第２水洗槽３０ｂに入れた純水で基板の表面を洗浄する。
【００４７】
次に、この洗浄後の基板を装着した基板ホルダ１８を、前記と同様にして、ブロー槽３２に搬送し、ここで、エアーまたはＮ２ガスの吹き付けによって、基板ホルダ１８及び基板ホルダ１８で保持した基板の表面に付着した水滴を除去し乾燥させる。
【００４８】
基板ホルダ搬送装置４０の第２トランスポータ４４は、上記作業を繰り返し、めっきされた基板を保持した基板ホルダ１８をブロー槽３２に搬送する。
【００４９】
基板ホルダ搬送装置４０の第１トランスポータ４２は、ブロー槽３２で乾燥された基板ホルダ１８を把持し、基板着脱部２０の載置プレート５２の上に載置する。
【００５０】
そして、中央側に位置する基板ホルダ１８の第２保持部材５８のロックを、ロック・アンロック機構を介して解き、エアシリンダを作動させて第２保持部材５８を開く。この時、基板ホルダ１８の第２保持部材５８に、電気接点８８とは別のばね部材（図示せず）を設けて、基板が第２保持部材５８にくっついたまま第２保持部材５８が開くことを防止することが望ましい。その後、基板ホルダ１８内のめっき処理後の基板を基板搬送装置２２で取出してスピンリンスドライヤ１６に運び、純水で洗浄した後、スピンリンスドライヤ１６の高速回転によってスピンドライ（水切り）する。そして、スピンドライ後の基板を基板搬送装置２２でカセット１０に戻す。
【００５１】
そして、一方の基板ホルダ１８に装着した基板をカセット１０に戻した後、或いはこれと並行して、載置プレート５２を横方向にスライドさせて、同様にして、他方の基板ホルダ１８に装着した基板をスピンリンスドライしてカセット１０に戻す。
【００５２】
基板を取出した基板ホルダ１８には、基板搬送装置２２により新たに処理を行う基板が搭載され、連続的な処理が行われる。新たに処理を行う基板がない場合は、基板を取出した基板ホルダ１８を基板ホルダ搬送装置４０の第１トランスポータ４２で把持して、ストッカ２４の所定の場所に戻す。
【００５３】
そして、基板ホルダ１８から全ての基板を取出し、スピンドライしてカセット１０に戻して作業を完了する。このように、全ての基板をめっき処理してスピンリンスドライヤ１６で洗浄、乾燥し、基板ホルダ１８をストッカ２４の所定の場所に戻して一連の作業が完了する。
【００５４】
次に、プリウェット槽２６で行われる上述したシール検査およびプリウェット処理について詳細に説明する。シール検査およびプリウェット処理は、この順に連続して行われる。図６は、シール検査およびプリウェット処理を実施するための構成の一実施形態を示す図である。プリウェット槽２６には、図６に模式的に示すように、シールリング１０４を備えた吸引継手１０６と、吸引継手１０６に連結板１１０を介して連結されているエアシリンダ等のアクチュエータ１０８が設けられている。アクチュエータ１０８は、吸引継手１０６のシールリング１０４を、基板ホルダ１８の吸引ポート１０２に押し付けて、吸引継手１０６を基板ホルダ１８に接続することができる。アクチュエータ１０８は処理制御部１０９からの指示に従って動作する。また、以下に記載される全ての開閉弁は、処理制御部１０９からの指示に従って動作する。
【００５５】
処理制御部１０９は、その内部に記憶装置１０９ａと、演算装置１０９ｂを備えている。記憶装置１０９ａはハードディスクドライブ（ＨＤＤ）またはソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）などのストレージ装置を備える。演算装置１０９ｂとしては、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）が使用される。記憶装置１０９ａにはプログラムが予め格納されており、演算装置１０９ｂはプログラムに従って動作する。処理制御部１０９はコンピュータであってもよい。以下に記載する基板の表面を処理する方法をめっき装置に実行させるためのプログラムは、非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されてもよい。
【００５６】
本実施形態では、シール検査およびプリウェット処理は、基板Ｗを保持した基板ホルダ１８が鉛直姿勢の状態で実行される。すなわち、基板Ｗを保持した基板ホルダ１８は、プリウェット槽２６内に鉛直姿勢で配置される。一実施形態では、シール検査およびプリウェット処理は、基板Ｗを保持した基板ホルダ１８が水平姿勢の状態で実行されてもよい。例えば、基板Ｗの被処理面が下方を向いた状態で、基板ホルダ１８がウェット槽２６内に配置されてもよい。この場合、ホルダ側シール突起６８は省略してもよい。
【００５７】
基板ホルダ１８で基板Ｗを保持した時に、シール突起６６，６８で封止された内部空間Ｒ１が基板Ｗの周囲に形成され、さらに基板Ｗの裏面（開口部５８ａから露出した表面とは反対側の面）と第１保持部材５４との間に内部空間Ｒ２が形成される。内部空間Ｒ１と内部空間Ｒ２とは、通路５５を介して互いに連通している。基板Ｗのエッジ部および電気接点８８は内部空間Ｒ１内に位置しており、基板Ｗの裏面は内部空間Ｒ２に面している。内部空間Ｒ２は、内部通路１００を通じて吸引ポート１０２に連通している。内部空間Ｒ２の周囲には基板Ｗの裏面を支持するサポート突部としての支持面８０が配置されている。このサポート突部として、例えば、表面に弾性膜が被覆された部材を用いてもよい。
【００５８】
プリウェット槽２６には、基板ホルダ１８の開口部５８ａを覆うことができる形状を有するシールブロック１４０と、シールブロック１４０を基板ホルダ１８に押し付けるアクチュエータ１４１がさらに配置されている。アクチュエータ１４１は処理制御部１０９からの指示に従って動作する。シールブロック１４０および吸引継手１０６は、真空ポンプ等の真空源１１２から延びる真空ライン１１４に接続されている。真空ライン１１４は、真空源１１２に接続された主吸引ライン１１５と、主吸引ライン１１５から分岐したホルダ吸引ライン１２１および差圧検査ライン１２２と、ホルダ吸引ライン１２１から分岐したシールブロック吸引ライン１３３とを有している。ホルダ吸引ライン１２１の先端は、上述した吸引継手１０６に接続されている。したがって、ホルダ吸引ライン１２１は、吸引継手１０６を介して基板ホルダ１８に連結可能とされている。
【００５９】
主吸引ライン１１５には、該真空ライン１１４内の圧力を測定する圧力センサ１１６と、主開閉弁１１８が設けられている。差圧検査ライン１２２の一端は主吸引ライン１１５に接続され、差圧検査ライン１２２の他端は、漏れが生じないことが保証されたマスター容器１２０に接続されている。差圧検査ライン１２２には開閉弁１２４ｂが設けられている。ホルダ吸引ライン１２１には開閉弁１２４ａおよび開閉弁１３０が設けられている。開閉弁１３０は、開閉弁１２４ａの上流側に配置されている。すなわち、開閉弁１３０は、開閉弁１２４ａと吸引継手１０６との間に位置している。さらに、ホルダ吸引ライン１２１には、大気開放弁１３８が取り付けられた大気開放ライン１３９が接続されている。大気開放ライン１３９とホルダ吸引ライン１２１との接続点は、開閉弁１３０と吸引継手１０６との間に位置している。
【００６０】
ホルダ吸引ライン１２１と差圧検査ライン１２２とはブリッジライン１２９で連結されている。ブリッジライン１２９とホルダ吸引ライン１２１との接続点は、開閉弁１２４ｂと開閉弁１３０との間に位置しており、ブリッジライン１２９と差圧検査ライン１２２との接続点は、開閉弁１２４ｂとマスター容器１２０との間に位置している。ブリッジライン１２９には差圧センサ１２６が設けられている。この差圧センサ１２６は、ホルダ吸引ライン１２１内の圧力と差圧検査ライン１２２と内の圧力との差を測定することができるように構成されている。差圧センサ１２６は処理制御部１０９に接続されており、差圧センサ１２６の出力信号は処理制御部１０９に送られる。
【００６１】
シールブロック１４０は、基板ホルダ１８に保持された基板Ｗの露出した表面を覆うことができる蓋であり、流体の通過を許容しない構造を有する。シールブロック１４０には、排気ポート１５１、プリウェット液供給ポート１５２、およびドレインポート１５３が形成されている。排気ポート１５１は、鉛直姿勢で配置されたシールブロック１４０の最上部に配置されており、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３は、鉛直姿勢で配置されたシールブロック１４０の最下部に配置されている。すなわち、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３は、排気ポート１５１から見てシールブロック１４０の反対側に位置している。
【００６２】
本実施形態では、排気ポート１５１、プリウェット液供給ポート１５２、およびドレインポート１５３は、基板ホルダ１８の第２保持部材５８の周囲に配置されている。より具体的には、排気ポート１５１は第２保持部材５８の上方に位置し、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３は第２保持部材５８の下方に位置している。したがって、排気ポート１５１は基板Ｗの露出面よりも上方に位置し、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３は基板Ｗの露出面よりも下方に位置している。
【００６３】
プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３には、プリウェット液供給ライン１５５およびドレインライン１５６がそれぞれ接続されている。プリウェット液供給ライン１５５およびドレインライン１５６には、プリウェット液供給弁１６１およびドレイン弁１６２がそれぞれ取り付けられている。
【００６４】
シールブロック吸引ライン１３３は、ホルダ吸引ライン１２１から分岐してシールブロック１４０の排気ポート１５１に接続されている。シールブロック吸引ライン１３３とホルダ吸引ライン１２１との接続点は、開閉弁１３０と開閉弁１２４ａとの間に位置している。シールブロック吸引ライン１３３には、開閉弁１５０が設けられている。さらに、シールブロック吸引ライン１３３には、大気開放弁１７２が取り付けられた大気開放ライン１７１が接続されている。この大気開放ライン１７１は、開閉弁１５０と排気ポート１５１との間に位置している。
【００６５】
シールブロック１４０は、その縁部に無端状の隔壁シール１４４を有している。本実施形態では、隔壁シール１４４は環状である。アクチュエータ１４１によってシールブロック１４０が基板ホルダ１８に押し付けられるとき、隔壁シール１４４が基板ホルダ１８の第１保持部材５４に接触するようになっている。シールブロック１４０の大きさは、第２保持部材５８のシール突起６６，６８よりも大きく、シール突起６６，６８および基板Ｗの露出した表面はシールブロック１４０によって覆われる。
【００６６】
次に、プリウェット槽２６において行われるシール検査とプリウェット処理について説明する。図７は、シール検査とプリウェット処理が行われるときの基板ホルダ１８およびシールブロック１４０を示す図である。基板Ｗを保持した基板ホルダ１８は鉛直姿勢でプリウェット槽２６内に配置される。シール検査とプリウェット処理は、プリウェット槽２６内において基板ホルダ１８が同じ位置に保たれた状態で、シール検査、プリウェット処理の順で連続して行われる。図７に示すように、シール検査が行われる前に、アクチュエータ１０８は吸引継手１０６のシールリング１０４を基板ホルダ１８の吸引ポート１０２に押し付け、これによって真空ライン１１４のホルダ吸引ライン１２１を基板ホルダ１８に接続する。
【００６７】
さらに、アクチュエータ１４１は、シールブロック１４０の隔壁シール１４４を基板ホルダ１８の第１保持部材５４に押し付ける。開口部５８ａから露出している基板Ｗの表面は、シールブロック１４０によって覆われている。シールブロック１４０と、基板Ｗの露出した表面と、基板ホルダ１８とにより、外部空間Ｓが形成される。この外部空間Ｓは、シールブロック１４０の排気ポート１５１、プリウェット液供給ポート１５２、およびドレインポート１５３を通じて、真空ライン１１４のシールブロック吸引ライン１３３、プリウェット液供給ライン１５５、およびドレインライン１５６にそれぞれ連通する。
【００６８】
シール検査およびプリウェット処理は、図７に示す状態で行われる。図８は、シール検査およびプリウェット処理の一実施形態を示すフローチャートである。上述したように、真空ライン１１４のホルダ吸引ライン１２１を、プリウェット槽２６内に配置された基板ホルダ１８に接続する（ステップ１）。さらに、シールブロック１４０を基板ホルダ１８に押し付けて外部空間Ｓを形成する（ステップ２）。開閉弁１３０、大気開放弁１３８、プリウェット液供給弁１６１、ドレイン弁１６２、大気開放弁１７２が閉じられた状態で、処理制御部１０９は、開閉弁１１８，１２４ａ，１２４ｂ，１５０を開き、外部空間Ｓおよびマスター容器１２０内に真空を形成する（ステップ３）。外部空間Ｓおよびマスター容器１２０は、共通の真空ライン１１４に連通しているので、外部空間Ｓおよびマスター容器１２０内の圧力（負圧）は同じである。この圧力（負圧）としては、たとえば、２００Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは１００Ｔｏｒｒ以下とすることができる。
【００６９】
次に、処理制御部１０９は、開閉弁１５０は開いた状態に維持しつつ、開閉弁１２４ａ，１２４ｂを閉じて、外部空間Ｓ内に形成されている真空を所定時間の間維持する（ステップ４）。処理制御部１０９は、上記所定時間内における外部空間Ｓ内の圧力の変化がしきい値よりも小さいか否かを判断する（ステップ５）。処理制御部１０９は、外部空間Ｓ内の圧力の変化を、差圧センサ１２６からの出力信号変化に基づいて、すなわち、外部空間Ｓ内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差の変化に基づいて決定することができる。より具体的には、処理制御部１０９は、上記所定時間内における外部空間Ｓ内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差がしきい値よりも小さいか否かを決定する。
【００７０】
このように、開閉弁１２４ａ，１２４ｂを閉じた時における外部空間Ｓ内の圧力とマスター容器１２０内の圧力の差を測定する差圧センサ１２６を使用して外部空間Ｓ内の圧力変化を検出することで、圧力センサを使用して外部空間Ｓ内の圧力変化を直接測定する場合に比較して、外部空間Ｓ内の微小な圧力変化をより正確に検出することができる。
【００７１】
所定時間内における外部空間Ｓ内の圧力の変化がしきい値以上である場合は、シール突起６６および／またはシール突起６８によるシール状態が正しく形成されていない、つまりシール突起６６および／またはシール突起６８に不具合が発生していると予想される。したがって、この場合は、処理制御部１０９は警報を発する（ステップ６）。
【００７２】
上記所定時間内における外部空間Ｓ内の圧力の変化がしきい値よりも小さい場合は、処理制御部１０９は、真空圧の設定値を変更し、外部空間Ｓ内に真空を再度形成する（ステップ７）。基板Ｗが割れることを防ぐために、外部空間Ｓ内に真空が形成されている間に、内部空間Ｒ１，Ｒ２に真空を形成してもよい。処理制御部１０９は、開閉弁１５０（および開閉弁１３０）は開いた状態に維持しつつ、開閉弁１２４ａ，１２４ｂを閉じて、外部空間Ｓ内に形成されている真空を所定時間の間維持する（ステップ８）。
【００７３】
処理制御部１０９は、所定時間内における外部空間Ｓ内の圧力の変化がしきい値よりも小さいか否かを判断する（ステップ９）。このステップ８，９で設定される所定時間およびしきい値は、上述したステップ４，５で設定される所定時間およびしきい値と同じでもよいし、または異なってもよい。処理制御部１０９は、外部空間Ｓ内の圧力の変化を、差圧センサ１２６からの出力信号変化に基づいて、すなわち、外部空間Ｓ内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差の変化に基づいて決定することができる。より具体的には、処理制御部１０９は、上記所定時間内における外部空間Ｓ内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差がしきい値よりも小さいか否かを判断する。
【００７４】
所定時間内における外部空間Ｓ内の圧力の変化がしきい値以上である場合は、シールブロック１４０の隔壁シール１４４によるシール状態が正しく形成されていない、つまり隔壁シール１４４に不具合が発生していると予想される。したがって、この場合は、処理制御部１０９は警報を発する（ステップ１０）。
【００７５】
このように、本実施形態では、基板ホルダ１８のシール突起６６，６８によるシール状態を検査する第１のシール検査がステップ３〜６に従って実行され、次いで、シールブロック１４０の隔壁シール１４４によるシール状態を検査する第２のシール検査がステップ７〜１０に従って実行される。以下に説明するプリウェット処理は、第１のシール検査および第２のシール検査に合格した基板ホルダ１８およびシールブロック１４０を用いて行われる。
【００７６】
上記所定時間内における外部空間Ｓ内の圧力の変化がしきい値よりも小さい場合は、処理制御部１０９は、開閉弁１２４ａを開き、真空ライン１１４を外部空間Ｓ（および内部空間Ｒ１，Ｒ２）に連通させることによって、外部空間Ｓ（および内部空間Ｒ１，Ｒ２）の真空引きを再度開始する。そして、外部空間Ｓ（および内部空間Ｒ１，Ｒ２）内を真空引きしながら、処理制御部１０９はプリウェット液供給弁１６１を開き、プリウェット液をプリウェット液供給ライン１５５を通じて外部空間Ｓ内に供給する（ステップ１１）。処理制御部１０９は開閉弁１２４ａおよびプリウェット液供給弁１６１を同時に開いてもよい。プリウェット液の液面は外部空間Ｓ内を上昇し、ついには、プリウェット液は基板Ｗの露出した表面の全体に接触する。処理制御部１０９は、開閉弁１２４ａおよびプリウェット液供給弁１６１を、少なくとも所定の期間、開いた状態に同時に維持する。この所定の期間は、プリウェット液が外部空間Ｓ内に供給されてから、プリウェット液が基板Ｗの露出した表面の全体に接触するまでの想定される期間である。
【００７７】
プリウェット液の液面が基板Ｗよりも高くなった時点で、処理制御部１０９はプリウェット液供給弁１６１を閉じてプリウェット液の供給を停止し、開閉弁１２４ａ，１５０（および開閉弁１３０）を閉じて外部空間Ｓ（および内部空間Ｒ１，Ｒ２）内の真空引きを停止する。処理制御部１０９は、開閉弁１２４ａ，１５０（および開閉弁１３０）を、プリウェット液供給弁１６１と同時に閉じてもよい。内部空間Ｒ１，Ｒ２内の真空引きを停止した後に、大気開放弁１３８を開いて、内部空間Ｒ１，Ｒ２を大気開放ライン１３９を通じて大気に連通させてもよい。
【００７８】
本実施形態によれば、外部空間Ｓ内を真空引きしながらプリウェット液が外部空間Ｓ内に供給されるので、プリウェット液内の気泡が除去される。さらに、プリウェット液は、真空下の基板Ｗの表面に形成されている凹部または貫通孔（ビアホール、トレンチなど）内に容易に侵入し、これら凹部または貫通孔内に存在する空気はプリウェット液で置換される。このようにして、基板Ｗの表面には親水性が付与される。本実施形態では、プリウェット液には、純水が用いられている。一実施形態では、プリウェット液は、脱気された純水でもよい。プリウェット液と基板Ｗとの接触は、予め設定された時間の間維持される（ステップ１２）。
【００７９】
上記予め設定された時間が経過した後、処理制御部１０９は、大気開放弁１７２を開き、大気開放ライン１７１を通じて外部空間Ｓを大気に連通させる（ステップ１３）。さらに、処理制御部１０９は、ドレイン弁１６２を開き、プリウェット液を外部空間Ｓからドレインライン１５６を通じて排出する（ステップ１４）。処理制御部１０９は、大気開放弁１７２およびドレイン弁１６２を同時に開いてもよい。
【００８０】
上記実施形態では、プリウェット液として純水のみが供給される例を示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、（１）第１のプリウェット液として純水を外部空間Ｓ内に供給して一定時間保持し、次いでこの純水を外部空間Ｓからドレインライン１５６を通じて排出し、（２）外部空間Ｓを真空引きしながら、第２のプリウェット液を外部空間Ｓ内に供給して所定時間保持した後に、この第２のプリウェット液を外部空間Ｓからドレインライン１５６を通じて排出する。この第２のプリウェット液には、微量の促進剤や、塩化物イオンを含んでいてもよい。さらに、（３）外部空間Ｓを真空引きしながら、洗浄水としての純水を外部空間Ｓ内に供給した後、この純水を外部空間Ｓからドレインライン１５６を通じて排出するようにしてもよい。このように、外部空間Ｓを真空引きしながらプリウェット液を供給することで、基板Ｗの表面に形成されている凹部または貫通孔（ビアホール、トレンチなど）内に容易にプリウェット液が侵入する。また、プリウェット液を外部空間Ｓ内に供給するために、プリウェット液供給ポート１５２にノズルを設け、そのノズル形状を基板に対して微細な液滴が噴射されるような形状になるように構成してもよい。
【００８１】
本実施形態によれば、基板ホルダ１８に保持されている基板Ｗの露出した表面とシールブロック１４０との間に外部空間Ｓが形成され、この外部空間Ｓにのみプリウェット液が供給される。したがって、プリウェット液の使用量を、従来の方法に比べて大幅に減らすことができる。さらに、外部空間Ｓを真空引きしながらプリウェット液が外部空間Ｓ内に注入されるので、プリウェット液内の気泡を除去することができる。しかも、プリウェット液は、基板Ｗに形成されている凹部または貫通孔内に容易に進入し、これら凹部または貫通孔から空気を追い出すことができる。
【００８２】
一実施形態では、シール検査およびプリウェット処理の後に、前処理を行ってもよい。前処理は、基板の表面に形成したシード層等の導電膜の表面の酸化膜をエッチング除去する工程である。前処理は、プリソーク処理とも呼ばれる。本実施形態では、シール検査、プリウェット処理、および前処理は、シール検査、プリウェット処理、および前処理の順にプリウェット槽２６内で連続して実行される。シール検査、プリウェット処理、および前処理の間、基板ホルダ１８はプリウェット槽２６内の同じ位置に保たれる。
【００８３】
図９は、シール検査、プリウェット処理、および前処理を行うことができる構成の一実施形態を示す図である。図９に示す実施形態が図７に示す実施形態と異なる点は、シールブロック１４０には前処理液供給ポート１８０が形成され、前処理液供給ライン１８１が前処理液供給ポート１８０に接続され、前処理液供給ライン１８１に前処理液供給弁１８２が取り付けられている点である。その他の構成は図７に示す構成と同じであるので、重複する説明を省略する。前処理液供給ポート１８０は、鉛直姿勢で配置されたシールブロック１４０の最下部に位置している。本実施形態では、前処理液供給ポート１８０は、プリウェット液供給ポート１５２とドレインポート１５３との間に位置している。
【００８４】
図１０は、シール検査、プリウェット処理、および前処理の一実施形態を示すフローチャートである。図１０に示すステップ１からステップ１４は、図７に示すステップ１からステップ１４と同じである。ステップ１５では、ドレイン弁１６２を閉じた状態で、処理制御部１０９は前処理液供給弁１８２を開き、前処理液供給ライン１８１を通じて前処理液（プリソーク液ともいう）を外部空間Ｓ内に供給し、基板Ｗの露出した表面の全体に前処理液を接触させる。前処理液の液面が基板Ｗよりも高くなった時点で、処理制御部１０９は前処理液供給弁１８２を閉じる。
【００８５】
前処理液と基板Ｗとの接触は、予め設定された時間の間維持される（ステップ１６）。上記予め設定された時間が経過した後、処理制御部１０９は、ドレイン弁１６２を開き、前処理液を外部空間Ｓからドレインライン１５６を通じて排出する（ステップ１７）。さらに、前処理の後に、基板Ｗのリンスが行われる（ステップ１８）。本実施形態では、プリウェット液として純水が使用されているので、リンス水としての純水がプリウェット液供給ライン１５５を通じて外部空間Ｓ内に供給される。具体的には、処理制御部１０９は、プリウェット液供給弁１６１を開き、プリウェット液として使用されている純水を外部空間Ｓ内に供給し、基板Ｗの露出した表面の全体に純水を接触させる。その後、処理制御部１０９は、ドレイン弁１６２を開いて、純水を外部空間Ｓからドレインライン１５６を通じて排出する。
【００８６】
本実施形態では、プリウェット液として純水が使用されているので、プリウェット液供給ライン１５５は、リンス水としての純水を外部空間Ｓ内に供給するリンス水供給ラインとしても機能する。プリウェット液として純水が用いられていない場合には、純水からなるリンス水を外部空間Ｓ内に供給するためのリンス水供給ラインをシールブロック１４０に接続してもよい。
【００８７】
本実施形態によれば、シール検査およびプリウェット処理の後に、前処理と基板Ｗのリンスがプリウェット槽２６内で行われるので、上述した前処理槽２８および第１水洗槽３０ａを省略することができる。したがって、めっき装置の全体のダウンサイジングが実現される。
【００８８】
次に、シールブロック１４０の他の実施形態について説明する。図１１は、シール検査およびプリウェット処理を実施するための構成の他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図７に示す構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。
【００８９】
シールブロック１４０は、無端状の第１隔壁シール１４４ａおよび第２隔壁シール１４４ｂを備えている。第１隔壁シール１４４ａは、上述した実施形態における隔壁シール１４４に相当する。本実施形態では、第１隔壁シール１４４ａおよび第２隔壁シール１４４ｂは、環状の形状を有している、第２隔壁シール１４４ｂの大きさは第１隔壁シール１４４ａよりも小さく、第２隔壁シール１４４ｂは第１隔壁シール１４４ａの内側に配置されている。アクチュエータ１４１がシールブロック１４０を基板ホルダ１８に押し付けると、第１隔壁シール１４４ａは基板ホルダ１８の第１保持部材５４に接触し、第２隔壁シール１４４ｂは基板ホルダ１８の第２保持部材５８に接触するようになっている。
【００９０】
シールブロック１４０が基板ホルダ１８に押し付けられているとき、基板Ｗの露出した表面と、基板ホルダ１８と、シールブロック１４０とによって第１外部空間Ｓ１が形成され、基板ホルダ１８とシールブロック１４０とによって第２外部空間Ｓ２が形成される。第１外部空間Ｓ１と第２外部空間Ｓ２とは第２隔壁シール１４４ｂによって仕切られる。第１外部空間Ｓ１および第２外部空間Ｓ２は、互いに連通していない独立した空間である。一方、基板ホルダ１８内に形成される内部空間Ｒ１、内部空間Ｒ２は、通路５５を介して互いに連通している。
【００９１】
真空ライン１１４のシールブロック吸引ライン１３３は、第１分岐ライン１３３ａと第２分岐ライン１３３ｂとを有している。第１分岐ライン１３３ａと第２分岐ライン１３３ｂには、開閉弁１５０ａおよび開閉弁１５０ｂがそれぞれ取り付けられている。シールブロック１４０には、第１排気ポート１５１ａおよび第２排気ポート１５１ｂが形成されている。第１分岐ライン１３３ａおよび第２分岐ライン１３３ｂは第１排気ポート１５１ａおよび第２排気ポート１５１ｂにそれぞれ接続されている。
【００９２】
第１排気ポート１５１ａは第２隔壁シール１４４ｂよりも内側に位置し、第２排気ポート１５１ｂは第２隔壁シール１４４ｂよりも外側であって、かつ第１隔壁シール１４４ａよりも内側に位置している。第１分岐ライン１３３ａは、第１排気ポート１５１ａを通じて第１外部空間Ｓ１に連通し、第２分岐ライン１３３ｂは、第２排気ポート１５１ｂを通じて第２外部空間Ｓ２に連通している。
【００９３】
第１大気開放ライン１７１ａは第１分岐ライン１３３ａに接続されている。この第１大気開放ライン１７１ａは、開閉弁１５０ａと第１排気ポート１５１ａとの間に位置している。第２大気開放ライン１７１ｂは第２分岐ライン１３３ｂに接続されている。この第２大気開放ライン１７１ｂは、開閉弁１５０ｂと第２排気ポート１５１ｂとの間に位置している。第１大気開放ライン１７１ａおよび第２大気開放ライン１７１ｂには、第１大気開放弁１７２ａおよび第２大気開放弁１７２ｂがそれぞれ取り付けられている。
【００９４】
第１排気ポート１５１ａは、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３よりも高い位置にある。より具体的には、第１排気ポート１５１ａは、第１外部空間Ｓ１の最上部に連通し、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３は第１外部空間Ｓ１の最下部に連通している。
【００９５】
本実施形態では、シール検査およびプリウェット処理は、図１１に示す状態で行われる。図１２は、シール検査およびプリウェット処理の他の実施形態を示すフローチャートである。上述したように、真空ライン１１４のホルダ吸引ライン１２１を、プリウェット槽２６内に配置された基板ホルダ１８に接続する（ステップ１）。さらに、シールブロック１４０を基板ホルダ１８に押し付けて第１外部空間Ｓ１および第２外部空間Ｓ２を形成する（ステップ２）。開閉弁１３０，１５０ｂ、大気開放弁１３８、プリウェット液供給弁１６１，ドレイン弁１６２，大気開放弁１７２が閉じられた状態で、処理制御部１０９は、開閉弁１１８，１２４ａ，１２４ｂ，１５０ａを開き、第１外部空間Ｓ１およびマスター容器１２０内に真空を形成する（ステップ３）。
【００９６】
次に、処理制御部１０９は、開閉弁１５０ａは開いた状態に維持しつつ、開閉弁１２４ａ，１２４ｂを閉じて、第１外部空間Ｓ１内に形成されている真空を所定時間の間維持する（ステップ４）。処理制御部１０９は、上記所定時間内における第１外部空間Ｓ１内の圧力の変化がしきい値よりも小さいか否かを判断する（ステップ５）。処理制御部１０９は、第１外部空間Ｓ１内の圧力の変化を、差圧センサ１２６からの出力信号変化に基づいて、すなわち、第１外部空間Ｓ１内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差の変化に基づいて決定することができる。より具体的には、処理制御部１０９は、上記所定時間内における外部空間Ｓ１内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差がしきい値よりも小さいか否かを決定する。
【００９７】
所定時間内における第１外部空間Ｓ１内の圧力の変化がしきい値以上である場合は、シール突起６６によるシール状態が正しく形成されていない、つまりシール突起６６に不具合が発生していると予想される。したがって、この場合は、処理制御部１０９は警報を発する（ステップ６）。
【００９８】
上記所定時間内における第１外部空間Ｓ１内の圧力の変化がしきい値よりも小さい場合は、処理制御部１０９は、開閉弁１５０ａを閉じる。第１外部空間Ｓ１内の真空はそのまま維持される。さらに、処理制御部１０９は、開閉弁１２４ａ，１２４ｂ，１５０ｂを開いて、第２外部空間Ｓ２およびマスター容器１２０内に真空を形成する（ステップ７）。次に、処理制御部１０９は、開閉弁１５０ｂは開いた状態に維持しつつ、開閉弁１２４ａ，１２４ｂを閉じて、第２外部空間Ｓ２内に形成されている真空を所定時間の間維持する（ステップ８）。
【００９９】
処理制御部１０９は、上記所定時間内における第２外部空間Ｓ２内の圧力の変化がしきい値よりも小さいか否かを判断する（ステップ９）。処理制御部１０９は、第２外部空間Ｓ２内の圧力の変化を、差圧センサ１２６からの出力信号変化に基づいて、すなわち、第２外部空間Ｓ２内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差の変化に基づいて決定することができる。より具体的には、処理制御部１０９は、上記所定時間内における第２外部空間Ｓ２内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差がしきい値よりも小さいか否かを決定する。
【０１００】
所定時間内における第２外部空間Ｓ２内の圧力の変化がしきい値以上である場合は、シール突起６８によるシール状態が正しく形成されていない、つまりシール突起６８に不具合が発生していると予想される。したがって、この場合は、処理制御部１０９は警報を発する（ステップ１０）。本実施形態によれば、シール突起（第１シール突起）６６またはシール突起（第２シール突起）６８のどちらに不具合があるかを決定することができる。
【０１０１】
上記所定時間内における第２外部空間Ｓ２内の圧力の変化がしきい値よりも小さい場合は、処理制御部１０９は、開閉弁１５０ｂを閉じ、ついて大気開放弁１７２ｂを開いて、第２外部空間Ｓ２を大気に連通させる。次いで、処理制御部１０９は、真空圧の設定値を変更し、第１外部空間Ｓ１内に真空を再度形成する（ステップ１１）。基板Ｗが割れることを防ぐために、第１外部空間Ｓ１内に真空が形成されている間に、内部空間Ｒ１，Ｒ２に真空を形成してもよい。処理制御部１０９は、開閉弁１５０ａ（および開閉弁１３０）は開いた状態に維持しつつ、開閉弁１２４ａ，１２４ｂを閉じて、第１外部空間Ｓ１内に形成されている真空を所定時間の間維持する（ステップ１２）。
【０１０２】
処理制御部１０９は、所定時間内における第１外部空間Ｓ１内の圧力の変化がしきい値よりも小さいか否かを判断する（ステップ１３）。このステップ１２，１３で設定される所定時間およびしきい値は、上述したステップ４，５で設定される所定時間およびしきい値と同じでもよいし、または異なってもよい。処理制御部１０９は、第１外部空間Ｓ１内の圧力の変化を、差圧センサ１２６からの出力信号変化に基づいて、すなわち、第１外部空間Ｓ１内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差の変化に基づいて決定することができる。より具体的には、処理制御部１０９は、上記所定時間内における第１外部空間Ｓ１内の圧力とマスター容器１２０内の圧力との差がしきい値よりも小さいか否かを判断する。
【０１０３】
所定時間内における第１外部空間Ｓ１内の圧力の変化がしきい値以上である場合は、シールキャップ１４０の第２隔壁シール１４４ｂによるシール状態が正しく形成されていない、つまり第２隔壁シール１４４ｂに不具合が発生していると予想される。したがって、この場合は、処理制御部１０９は警報を発する（ステップ１４）。
【０１０４】
本実施形態においても、基板ホルダ１８のシール突起６６，６８によるシール状態を検査する第１のシール検査がステップ３〜１０に従って実行され、次いで、シールブロック１４０の隔壁シール１４４によるシール状態を検査する第２のシール検査がステップ１１〜１４に従って実行される。以下に説明するプリウェット処理は、第１のシール検査および第２のシール検査に合格した基板ホルダ１８およびシールブロック１４０を用いて行われる。
【０１０５】
上記所定時間内における第１外部空間Ｓ１内の圧力の変化がしきい値よりも小さい場合は、処理制御部１０９は、開閉弁１２４ａを開き、真空ライン１１４を外部空間Ｓ（および内部空間Ｒ１，Ｒ２）に連通させることによって、第１外部空間Ｓ１（および内部空間Ｒ１，Ｒ２）内の真空引きを再度開始する。そして、第１外部空間Ｓ１（および内部空間Ｒ１，Ｒ２）内を真空引きしながら、処理制御部１０９はプリウェット液供給弁１６１を開き、プリウェット液をプリウェット液供給ライン１５５を通じて第１外部空間Ｓ１内に供給する（ステップ１５）。処理制御部１０９は開閉弁１２４ａおよびプリウェット液供給弁１６１を同時に開いてもよい。プリウェット液の液面は第１外部空間Ｓ１内を上昇し、ついには、プリウェット液は基板Ｗの露出した表面の全体に接触する。処理制御部１０９は、開閉弁１２４ａおよびプリウェット液供給弁１６１を、少なくとも所定の期間、開いた状態に同時に維持する。この所定の期間は、プリウェット液が第１外部空間Ｓ１内に供給されてから、プリウェット液が基板Ｗの露出した表面の全体に接触するまでの想定される期間である。
【０１０６】
プリウェット液の液面が基板Ｗよりも高くなった時点で、処理制御部１０９はプリウェット液供給弁１６１を閉じてプリウェット液の供給を停止し、開閉弁１２４ａ，１５０ａ（および開閉弁１３０）を閉じて第１外部空間Ｓ１（および内部空間Ｒ１，Ｒ２）内の真空引きを停止する。処理制御部１０９は、開閉弁１２４ａ，１５０ａ（および開閉弁１３０）を、プリウェット液供給弁１６１と同時に閉じてもよい。内部空間Ｒ１，Ｒ２内の真空引きを停止した後に、大気開放弁１３８を開いて、内部空間Ｒ１，Ｒ２を大気開放ライン１３９を通じて大気に連通させてもよい。
【０１０７】
プリウェット液の供給を停止させるタイミングは所定の管理時間が経過した時点であってもよい。例えば、プリウェット液の液面が基板Ｗよりも高くなる時間を予め測定し、その時間を管理時間と定義し、管理時間経過後にプリウェット液の供給を停止させてもよい。また、別の方法として、大気開放ライン１７１、１７１ａ、および１７１ｂに図示しない液検出センサをそれぞれ取り付けておき、プリウェット液が大気開放ライン１７１、１７１ａ、および１７１ｂのいずれかに到達したことを液検出センサが検知した段階で、この検知信号に基づき、処理制御部１０９がプリウェット液供給弁１６１を閉じてプリウェット液の供給を停止するように構成してもよい。
【０１０８】
プリウェット液と基板Ｗとの接触は、予め設定された時間の間維持される（ステップ１６）。上記予め設定された時間が経過した後、処理制御部１０９は、大気開放弁１７２を開き、大気開放ライン１７１を通じて外部空間Ｓを大気に連通させる（ステップ１７）。さらに、処理制御部１０９は、ドレイン弁１６２を開き、プリウェット液を外部空間Ｓからドレインライン１５６を通じて排出する（ステップ１８）。処理制御部１０９は、大気開放弁１７２およびドレイン弁１６２を同時に開いてもよい。なお、ドレインライン１５６に液検出センサが取り付けられてもよい。プリウェット液が外部空間Ｓからドレインライン１５６を通じて排出された後に、プリウェット液が液検出センサにより検出されなくなった段階で処理完了とし、その後、処理制御部１０９がドレイン弁１６２を閉じるようにしてもよい。
【０１０９】
先に述べた実施形態と同様に、シール検査およびプリウェット処理の後に、前処理を行ってもよい。前処理を実行するための構成は、図９および図１０を参照して説明した上述の実施形態と同じ構成である。前処理は、シール検査およびプリウェット処理と同様に、プリウェット槽２６内で実行され、基板ホルダ１８は同じ位置に保たれる。本実施形態においても、前処理は、図９および図１０を参照して説明した上述の実施形態で説明した動作に従って実行される。従って、前処理に関する重複する説明を省略する。
【０１１０】
次に、シールブロック１４０のさらに他の実施形態について説明する。図１３は、シール検査およびプリウェット処理を実施するための構成の他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図６および図７に示す構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。
【０１１１】
本実施形態では、基板ホルダ１８は、ホルダ側シール突起（第２シール突起）６８を備えていなく、基板側シール突起（第１シール突起）６６のみが設けられている。シールブロック１４０の大きさは、第２保持部材５８と同じか、それよりも小さい。さらに、シールブロック１４０の大きさは、第２保持部材５８のシール突起６６よりも大きい。アクチュエータ１４１によってシールブロック１４０が基板ホルダ１８に押し付けられるとき、隔壁シール１４４は基板ホルダ１８の第２保持部材５８に接触する。シール突起６６および基板Ｗの露出した表面は、シールブロック１４０によって覆われる。シールブロック１４０が基板ホルダ１８に押し付けられると、シールブロック１４０と、基板Ｗの露出した表面と、基板ホルダ１８とにより、外部空間Ｓが形成される。
【０１１２】
排気ポート１５１は、鉛直姿勢で配置されたシールブロック１４０の最上部に位置しており、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３は、鉛直姿勢で配置されたシールブロック１４０の最下部に位置している。排気ポート１５１はシール突起６６の上方に位置し、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３はシール突起６６の下方に位置している。したがって、排気ポート１５１は基板Ｗの露出面よりも上方に位置し、プリウェット液供給ポート１５２およびドレインポート１５３は基板Ｗの露出面よりも下方に位置している。
【０１１３】
本実施形態のシール検査およびプリウェット処理は、図８に示すフローチャートに従って実施されるので、その重複する説明を省略する。また、プリウェット処理の後に、前処理およびリンス処理を図１０に示すフローチャートに従って実施してもよい。本実施形態は、基板ホルダ１８が水平姿勢でプリウェット処理を行うプリウェット槽に好適である。
【０１１４】
今まで説明した各実施形態における基板Ｗは、ウェハなどの円形の基板であるが、本発明は四角形の基板にも適用することができる。四角形の基板を保持するための基板ホルダの各構成部材は、その基板の形状に適合する形状を有する。例えば、上述した開口部５８ｂは、四角形の基板全体のサイズよりも小さい四角形の開口部とされる。基板側シール突起６６、ホルダ側シール突起６８などの各種シール要素も、四角形の基板の形状に適合する形状とされる。その他の各構成部材の形状も、上述した技術思想から逸脱しない範囲内で適宜変更される。
【０１１５】
なお、基板へのめっき処理を連続的に行うにあたり、プリウェット槽２６自体及びシールブロック１４０を常に清浄状態に維持するため、基板ホルダをプリウェット槽２６が受け入れていないタイミングで、図示しない洗浄ノズル（例えばスプレー）から純水（ＤＩＷ）等の洗浄液を供給するようにして、プリウェット槽２６の内部（シールブロック１４０含む）を自動的に洗浄するように構成することもできる。なお、この洗浄を終えるタイミングは、例えば洗浄排液中に含まれる粒子の数をパーティクルカウンターによりカウントすることで判定するように構成できる。このように構成すれば、シール検査、プリウェット処理、および前処理の一連の連続的な処理を行うようにしたプリウェット槽２６について、複数基板へのめっき処理を自動的にかつ連続的に行うことができる。
【０１１６】
上述した実施形態では、基板を基板ホルダにセットし、めっき槽に基板ホルダを垂直に浸漬するディップ方式の基板ホルダによる基板のプリウェットについて記載してあるが、本発明は基板の被処理面を下向きに水平に置き、あるいは水平面から傾斜させて置き、めっき液を下から供給するカップ方式の基板ホルダによる基板のプリウェットにも適用することができる。
【０１１７】
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
【符号の説明】
【０１１８】
１０      カセット
１２      カセットテーブル
１４      アライナ
１６      スピンリンスドライヤ
１８      基板ホルダ
２０      基板着脱部
２２      基板搬送装置
２４      ストッカ
２６      プリウェット槽
２８      前処理槽
３０ａ    第１水洗槽
３０ｂ    第２水洗槽
３２      ブロー槽
３４      めっき槽
３６      オーバーフロー槽
３８      めっきセル
４０      基板ホルダ搬送装置
４２      第１トランスポータ
４４      第２トランスポータ
５４      第１保持部材（固定保持部材）
５５      通路
５６      ヒンジ
５８      第２保持部材（可動保持部材）
６０      基部
６２      シールホルダ
６４      押えリング
６５      スペーサ
６６      基板側シール突起（第１シール突起）
６８      ホルダ側シール突起（第２シール突起）
７０ａ    第１固定リング
７０ｂ    第２固定リング
７４      クランパ
８０      支持面
８２      突条部
８４      凹部
８６      導電体（電気接点）
８８      電気接点
８９      締結具
９０      ハンド
９１      外部接点
１０４    シールリング
１０６    吸引継手
１０８    アクチュエータ
１０９    処理制御部
１１０    連結板
１１２    真空源
１１４    真空ライン
１１５    主吸引ライン
１１６    圧力センサ
１１８    主開閉弁
１２０    マスター容器
１２１    ホルダ吸引ライン
１２２    差圧検査ライン
１３３    シールブロック吸引ライン
１３８    大気開放弁
１３９    大気開放ライン
１４０    シールブロック
１４１    アクチュエータ
１４４、１４４ａ、１４４ｂ    隔壁シール
１１８，１２４ａ，１２４ｂ，１３０，１５０，１５０ａ，１５０ｂ    開閉弁
１５１，１５１ａ，１５１ｂ    排気ポート
１５２    プリウェット液供給ポート
１５３    ドレインポート
１５５    プリウェット液供給ライン
１５６    ドレインライン
１６１    プリウェット液供給弁
１６２    ドレイン弁
１７１，１７１ａ，１７１ｂ    大気開放ライン
１７２，１７２ａ，１７２ｂ    大気開放弁
１８０    前処理液供給ポート
１８１    前処理液供給ライン
１８２    前処理液供給弁
Ｒ１，Ｒ２      内部空間
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２    外部空間
Ｗ      基板
【図１】
2018104799.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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