【事件の表示】
　特許第２９８１１０２号「薄膜トランジスタの製造方法」の請求項１〜１４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９８１１０２号の請求項１〜１１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第２９８１１０２号（平成６年１月２８日出願（優先権主張１９９３年１月２８日、米国）、平成１１年９月１７日設定登録）は、異議申立人池中　実及び平井貞雄により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１２月２５日に訂正請求がなされ、さらに取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１月３０日に新たな訂正請求がなされ、その後平成１３年１２月２５日になされた訂正請求を取り下げたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項２〜４を削除するとともに、請求項５〜１４を新たに請求項２〜１１として、以下のとおり訂正する。
　「【請求項１】　基板に向けられたガス流入マニホールド板を介して反応ガスを内部へ導入する真空チャンバ内で行われるプラズマ化学気相堆積法による薄膜トランジスタの製造方法であって、基板上にパターン化されたゲート層の上に、ゲート絶縁層を堆積する第１堆積工程と、前記ゲート絶縁層の上に、アモルファスシリコン薄膜を堆積する第２堆積工程と、エッチングストップシリコン窒化物が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される第３堆積工程とを備え、前記ゲート絶縁層が、ゲートシリコン窒化物であり、前記第１堆積工程と前記第２堆積工程と前記第３堆積工程とが、共に同一の前記真空チャンバ内で行われ、前記第１工程、前記第２工程及び前記第３工程のそれぞれにおいて、前記ガスマニホールド板と基板との間隔が、３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるように選択して調節されることが可能である薄膜トランジスタの製造方法。
　　【請求項２】　シリコン酸化物層が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される請求項１に記載の製造方法。
　　【請求項３】　前記基板がガラスである請求項１に記載の製造方法。
　　【請求項４】　基板に向けられたガス流入マニホールド板を介して反応ガスを内部へ導入する真空チャンバ内で行われるプラズマ化学気相堆積法による薄膜トランジスタの製造方法であって、基板上にパターン化されたゲート層の上に、ゲート絶縁用のシリコン窒化物層を堆積する第１堆積工程と、前記ゲート絶縁層の上に、アモルファスシリコン薄膜を堆積する第２堆積工程とを備え、前記第１堆積工程と前記第２堆積工程とが、共に同一の前記真空チャンバ内で行われ、前記第１堆積工程と前記第２堆積工程とにおいて、基板を保持するサセプタの温度が同じに維持され、前記第１工程及び前記第２工程のそれぞれにおいて、前記ガスマニホールド板と基板との間隔が、３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるように選択して調節されることが可能である薄膜トランジスタの製造方法。
　　【請求項５】　前記第１堆積工程において用いられるシリコン窒化物堆積のための前駆体ガスが、モノシランと、アンモニアと、窒素キャリアガスとを含んでいる請求項４に記載の製造方法。
　　【請求項６】　前記第２工程において用いられるアモルファスシリコン堆積のための前駆体ガスが、モノシランと、水素キャリアガスとを含んでいる請求項４に記載の製造方法。
　　【請求項７】　圧力が０．８〜２．５Ｔｏｒｒに保持されている請求項４に記載の製造方法。
　　【請求項８】　エッチングストップシリコン窒化物層が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン薄膜の上に堆積される請求項４に記載の製造方法。
　　【請求項９】　シリコン酸化層が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される請求項４に記載の製造方法。
　　【請求項１０】　ｎ＋がドープされたアモルファスシリコンの薄い層が、前記チャンバとは別のチャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される請求項４に記載の製造方法。
　　【請求項１１】　前記基板がガラスである請求項４に記載の製造方法。」
　
（２）訂正の適否
（２−１）訂正後の請求項１の記載事項は、特許明細書の請求項２〜４を削除するとともに、請求項１の記載事項に、請求項２、４の記載事項である「ゲート絶縁層がゲートシリコン窒化物である」点、及び「エッチングストップシリコン窒化物がアモルファスシリコンの上に堆積される」点を付加し、さらに、第３工程においても、「ガスマニホールド板と基板との間隙が、３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるように選択して調節されることが可能である」と限定したものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−２）特許明細書の請求項２〜４の削除にともない、特許明細書の請求項５〜１４を新に請求項２〜１１とするとともに、特許明細書の請求項１０、すなわち新たな請求項７に記載の「前記」を削除したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項（２−１）（２−２）については、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての概要
（１−１）異議申立人池中　実は、証拠として、
甲第１号証の１：平成１１年８月２日提出の本件特許に係る手続補正書
甲第１号証の２：平成１１年８月２日提出の本件特許に係る意見書
甲第２号証：平成１１年２月２日発送の本件特許に係る最後の拒絶理由通知書
甲第３号証：「広辞苑」第三版（株）岩波書店（昭和５８年１２月６日発行）（４８３頁）
を提出して、本件特許の特許明細書の請求項１、７、及び発明の詳細な説明には記載不備があり、同請求項１〜１４に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項、第５項第１、２号の規定に違反してされたものであり、また同請求項１、７に係る発明の特許は、同法第１７条の２第２項の規定に違反してされたものである旨主張している。
　
（１−２）異議申立人平井貞雄は、証拠として、
甲第１号証：特開昭６３−２４６８２９号公報
甲第２号証：特開平２−１８６６４１号公報
甲第３号証−１：昭和６１年春季応用物理学会講演予稿集（ｐｐ５００−５０１）
甲第３号証−２：特開昭６０−２０４８８０号公報
甲第３号証−３：「プラズマと成膜の基礎」日刊工業新聞社（１９８６年８月２９日発行）（ｐｐ１５９−１６９、ｐｐ１７７−１８７）
甲第３号証−４：特開平２−８０５７７号公報
甲第３号証−５：特開平２−２６７２７２号公報
甲第３号証−６：特開昭６０−１９０５６３号公報
甲第３号証−７：特開平４−２１１１１５号公報
甲第３号証−８：特開昭５８−１５２３０号公報
甲第３号証−９：特開平３−２０３３１７号公報
甲第３号証−１０：特開昭５８−２００５２９号公報
甲第３号証−１１：特開昭５６−４３７３１号公報
甲第４号証：特開平５−２７５３４６号公報
甲第５号証：特開平５−３３５３３５号公報
甲第６号証：特開平２−５１２７７号公報
甲第７号証：広辞苑第４版（株）岩波書店（１９９１年１１月１５日発行）
を提出して、本件特許の特許明細書の請求項１〜１４に係る発明は、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項１〜１４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また、同請求項７には記載不備があり、同請求項７に係る発明の特許は、同法第３６条第５項第１、２号の規定に違反してされたものである旨主張している。
　
（２）本件発明
　本件特許の訂正後の請求項１〜１１に係る発明（以下、「本件発明１〜１１」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された、上記「［２］（１）」に示すとおりのものである。
　
（３）異議申立人池中　実の提出した甲各号証の記載事項
（３−１）甲第１号証の１
　甲第１号証の１の平成１１年８月２日提出の本件特許に係る手続補正書には、請求項１，７に、「ガスマニホールド板と基板との間隙を３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるようにして選択して調節されることが可能である」と補正することが記載されている。
　
（３−２）甲第１号証の２
　甲第１号証の２の平成１１年８月２日提出の本件特許に係る意見書には、「（ｉｉｉ）補正の根拠　なお、請求項１で新たに「３８．１ｍｍ以下の範囲」を加えた根拠は、実施例４にある「１５００ｍｉｌ」（１ｍｉｌ＝０．０２５４ｍｍ）がその根拠です。　以上のような補正を行った結果、拒絶理由でご指摘の記載要件の不備は全て解消されたものと思料いたします。」と記載されている。
　
（３−３）甲第２号証
　甲第２号証平成１１年２月２日発送の本件特許に係る最後の拒絶理由通知書には、「本願実施例４における、上記第１、第２堆積工程に相当する部分は、ガスマニホールドと基板の間の間隙が同一であるため、ガスマニホールドと基板の間の間隙を選択して調節するという根拠にはなり得ないものと認められる。」と記載されている。
　
（３−４）甲第３号証
　甲第３号証の「広辞苑」第三版（株）岩波書店（昭和５８年１２月６日発行）（４８３頁）には、「か・のう【可能】（現に実現していなくとも）実現の余地があること。（しようと思えば）できることにも、理論上や規定上は矛盾なくそういう状態が考えられる意にも使う。」と記載されている。
　
（４）異議申立人平井貞雄の提出した甲各号証の記載事項
（４−１）甲第１号証
　甲第１号証の特開昭６３−２４６８２９号公報には、非常に高い圧力を含む広い範囲の圧力にわたって均一な蒸着を与える半導体処理リアクターに関する発明が第２、４〜８、１０図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「（５）反応ガスを室内のウエーハの処理に供給するために水平に配置した水平入口ガスマニホールドを含む室を中に規定するハウジングを含む半導体処理リアクターであって、ハウジングがさらに、ウエーハを支持するサセプター、サセプターを水平位置に装備するサセプター支持装備、およびガスマニホールドに密隣接する選択位置にサセプターおよびウエーハをガスマニホールドに平行に配置するためウエーハ支持装置を垂直に選択的に移動させる装置、を含むリアクター。（６）ガスマニホールドとサセプターとの間の平行間隔が約１ｃｍ以下である、特許請求の範囲第（５）項記載のリアクター。」（２頁左上欄７行〜右上欄２行）
　ウエーハ輸送設備について、「この輸送設備はサセプター／ウエーハと上方にあるガスマニホールドとの間に可変平行密間隔を与え、関連サセプター支持フィンガの垂直移動およびサセプターエレベーター設備の簡単な選択により可変間隔を与える。平行は１側または他側に傾く傾向を排除することによりプラズマの安定性および均一性を増大し、従って均一な処理（蒸着およびエッチング）を可能にする。ガスマニホールドの外側面とウエーハ表面との間に距離ｄの可変間隔は種々の型のプロセスの実行を容易にする。また、間隔は非常に小さい可変次元に、例えば１ｃｍ、０．５ｃｍ、およびそれ以下でも、調節することができ、ガス整流装置とウエーハとの間のプラズマおよび（または）ガス状反応物の幽閉を可能にする。この幽閉は反応効率を増大し、反応（分解またはエッチング）の速度を増大し、ウエーハ上以外の場所の貼着を、非常に高い室圧力でも防ぐのに役立つ。」（２０頁右下欄１６行〜２１頁左上欄１３行）
　
（４−２）甲第２号証
　甲第２号証の特開平２−１８６６４１号公報には、絶縁性基板上に設けられた薄膜電解効果型トランジスタ素子の製造方法に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　作用について、「本発明は上部絶縁膜がフッ酸処理やドライエッチング工程でエッチングされるのを防止するために、上部絶縁膜の上に金属保護膜を形成し、この金属保護膜をエッチングのストッパーとして利用する点に特徴がある。まず、本発明の逆スタッガード型薄膜電解効果型トランジスタの製造プロセスについて説明する。第１図に本発明の製造プロセスを示す。絶縁性基板１１上に金属でゲート電極１２を形成する（第１図（ａ））。次に、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜１３として窒化シリコンや酸化シリコンのような絶縁膜を形成する。さらに、非晶質半導体層としてアモルファスＳｉ１４、上部絶縁膜１５を順次堆積させる（第１図（ｂ））。この上部絶縁膜１５はゲート絶縁膜と同様に窒化シリコン膜や酸化シリコン膜が用いられる。本発明では、上部絶縁膜１５をフッ酸処理やドライエッチングでエッチングされるのを防ぐために、上部絶縁膜１５の上に金属保護膜１を形成する。次に金属保護膜１と上部絶縁膜２５をゲート電極２２上のパターンのみを残して、不要部分をエッチング除去する（第１図（ｃ））。このエッチングは例えば金属保護膜をウエットエッチングで、上部絶縁膜をドライエッチングでエッチングすることにより再現性、制御性よく加工することができる。ここで、露出したアモルファスＳｉ１４の表面をフッ酸を用いて清浄化し、ただちにｎ＋アモルファスＳｉ１６と金属膜１７を成膜する（第１図（ｄ））。金属膜１７とｎ＋アモルファスＳｉ１６をエッチング加工することによりソース１８とドレイン１９を形成する（第２図（ｅ））」（２頁左下欄１７行〜３頁左上欄７行）
　実施例について、「本発明の実施例について第１図を用いながら説明する。絶縁性基板１１としてホウケイ酸ガラス板を用いた。・・・次に、プラズマＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜１３、アモルファスＳｉ１４、上部絶縁膜１５を順次成膜する。ゲート絶縁膜１３には膜厚４００ｎｍと窒化シリコン膜を用いた。成膜条件は、ＳｉＨ４とＮＨ３を原料ガスとして、・・・基板温度２５０℃であり、本条件で・・・良好な絶縁性を有する窒化シリコン膜が得られる。・・・アモルファスＳｉ１４は、ＳｉＨ４ガスを原料とし、・・・基板温度２５０℃の条件で厚さ１００ｎｍ成膜した。次に、上部絶縁膜１５として、ゲート絶縁膜１３と同じ条件で窒化シリコン膜を膜厚１００ｎｍ成膜した。」（３頁左下欄１８行〜４頁左上欄１行）
　
（４−３）甲第３号証−１
　甲第３号証−１の「講演予稿集」には、Ｐ−ＣＶＤ法による窒化シリコン膜の高速成膜において、電極間距離を２５ｍｍにすることにより、反応ガスの流量，ＲＦパワーを変化させて、膜厚、屈折率の均一性が良好な膜を高速で成膜することができること、Ｓｉ−Ｎ膜の堆積に用いた装置の圧力を０．８Ｔｏｒｒとすることが記載されている（５００〜５０１頁「Ｐ−ＣＶＤ法による窒化シリコン膜の高速成膜（ｌ）（ｌｌ）」の欄）。
　
（４−４）甲第３号証−２
　甲第３号証−２の特開昭６０−２０４８８０号公報には、パッシベーション用絶縁膜、コーティング用薄膜などに利用される絶縁膜の製造方法に関する発明が開示され、さらに、従来技術の説明として、容量結合型高周波グロー放電により、窒化珪素膜を成膜する際に、高周波電極と基板ホルダとの両電極間距離ｄを３０〜３５ｍｍにすることにより、プラズマ放電状態の均一性やそれに伴う蒸着膜厚の均一性が得られることが記載され（１頁右欄８行〜２頁右上欄８行、２頁右下欄８行〜３頁右下欄１０行参照）、アモルファスシリコンを用いるＴＦＴのゲート絶縁膜のための容量結合型高周波グロー放電による窒化珪素膜の成膜において、被着膜厚の均一性、および絶縁破壊電界強度の点から、電極間距離を２０ｍｍ未満にするとよいこと、一方、電極間距離が小さいほど被着膜厚の均一性の点で好ましくないことが記載され、さらに、原料ガスとして、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２を用いることが記載されている（２頁右下欄８行〜３頁右下欄１０行参照）。
　
（４−５）甲第３号証−３
　甲第３号証の「プラズマと成膜の基礎」の図７−１０には、プラズマＣＶＤでアモルファスシリコン薄膜を成膜する過程において、電極間距離ｄと薄膜の堆積速度との関係を、ｄが約２．０〜４．５ｃｍの範囲を図示し、また、電極間距離ｄと圧力ｐの積であるｐｄの増大に伴い堆積速度が増加するが、さらにｐｄが大きいときには、再び堆積速度が減少することが記載されている。
　
（４−６）甲第３号証−４
　甲第３号証−４の特開平２−８０５７７号公報には、大気圧下でａ−Ｓｉ、ＴｉＮなどの薄膜をプラズマ法を用い、大面積に均一に形成する方法に関する発明が開示され、さらに、成膜室１の中に、互いに対向する電極２、３が設けられており、電極３の上に基板４を置き、電極２は放電空間へのガス供給口を兼ねていて、原料ガスが電極２を介して放電空間に供給され、電極２の基板との対向面は多孔板となっているプラズマＣＶＤ装置が記載され（４頁右上欄２行〜左下欄５行参照）、試料基板４と被接地電極２との間隙ｇが小さいほどグロー放電が均一に起こり膜厚分布が均一になり、小さすぎると電極２と基板４との距離の均一な接地が難しくなることが記載され（５頁右上欄１〜１２行）、さらに、プラズマＣＶＤ装置でアモルファスシリコン膜を成膜したときのｇと放電状態との関係、およびｇと膜厚分布の関係について記載され、ｇを１０ｍｍ以下（０．１ｍｍ以上）にすることにより、均一なプラズマが得られ、かつ膜厚のばらつきが小さくなることが記載されている（６頁左下欄５行〜７頁左上欄５行、第３図、第４表参照）。
　
（４−７）甲第３号証−５
　甲第３号証−５の特開平２−２６７２７２号公報には、プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコンや窒化チタンなどの薄膜を形成する装置に関する発明が第１、２図とともに開示され、さらに、プラズマＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン膜を成膜するとき、電極２と基板４との距離ｇを変化（１．０ｍｍ≦ｇ≦１０ｍｍの範囲内）させたときの成膜速度について、ｇが小さい場合には成膜速度が大きくなることが記載されている（３頁右下欄１５行〜４頁右上欄８行、第２表参照）。
　
（４−８）甲第３号証−６
　甲第３号証−６の特開昭６０−１９０５６３号公報には、アモルファスシリコン膜の形成に好適なグロー放電分解方法に関する発明が第２、３図とともに開示され、さらに、プラズマＣＶＤ措置により電極間距離ｌを２、３、５ｃｍと変化させたときのアモルファスシリコン膜の成膜速度を求めており、第２図にはｌを変化させたときの圧力Ｐと成膜速度との関係が、第３図には圧力Ｐとｌの積と成膜速度との関係が示されている。このとき、ｌにより成膜速度が変化すること、Ｐとｌとの積を調節することにより成膜速度が最大にすることができることがわかる（２頁右上欄１９行〜右下欄１０行、第２、３図参照）。また、アモルファスシリコン膜だけでなく、アモルファス酸化ケイ素膜、アモルファス窒化ケイ素膜等にも適用可能であることが記載されている（５頁左上欄１２行〜右上欄２行）。
　
（４−９）甲第３号証−７
　甲第３号証−７の特開平４−２１１１１５号公報には、成膜速度の向上と膜厚、膜質の均一化とを目指したＲＦプラズマＣＶＤ装置に関する発明が図５とともに開示され、さらに、真空容器１中に基板２を接地する基板第４と対向する対向面５１をシャワー供給面５１とするＲＦ電極５が取り付けられており、成膜時には、成膜用ガスをＲＦ電極５内へ送り込み，ＲＦ電極５のシャワー供給面５１の孔を通して基板２との対向空間に供給するプラズマＣＶＤ装置の構成が記載され（段落【００１４】〜段落【００１５】、段落【００１９】、段落【００２２】、図５参照）、また、シャワー供給面と基板との対向間隔Ｄ、すなわち、ＲＦ電極と基板と間隔が小さくなるほどプラズマ密度は大きくなり、活性種が均一に分布して成膜速度が向上し、膜厚、膜質が均一化されることが記載されている（段落【００１９】、段落【００２２】、図５参照）。
　
（４−１０）甲第３号証−８
　甲第３号証−８の特開昭５８−１５２３０号公報には、基板と電極との距離を適宜替えて基板上に非晶質シリコンを堆積させる非晶質半導体の製造方法に関する発明が開示され、さらに、高周波グロー放電法などにより、ｐ型、ｉ型、ｎ型のアモルファスシリコン層を形成するときに基板と電極との距離を変えて行うことが記載され、各々の膜形成工程において基板と電極との距離は高周波電力、真空度、流量、基板温度により最適距離も変化すると記載されている（１頁左欄５行〜２頁左下欄１７行）。
　
（４−１１）甲第３号証−９
　甲第３号証−９の特開平３−２０３３１７号公報には、ステップ処理の場合にも各ステップで最適の電極間隔に設定でき、ガス流れ及びプラズマ放電の最適化も図ることができるプラズマ処理装置に関する発明が開示され、さらに、プラズマＣＶＤ装置の下部電極と上部電極間が第１のプロセス条件に合わせて所定の間隔になるように上部電極の位置を調整し堆積膜を形成したのち、第２のプロセス条件に合わせて電極間の間隔を変えて堆積膜を形成した後、第２のプロセス条件に合わせて電極間の間隔を変えて堆積膜の形成を行なうことが記載され、各プロセス条件に合わせて電極間の間隔を変えることにより、プラズマ反応の均一性を高めることができ、高品質の加工を能率的に行うことができることが記載されている（２頁右下欄２行〜３頁左下欄７行、２頁左下欄１〜７行）
　
（４−１２）甲第３号証−１０
　甲第３号証−１０の特開昭５８−２００５２９号公報には、プローブの測定値と設定値とを比較して制御信号を得、安定したプラズマ状態を創出するようにフィードバック制御するようにしたプラズマ処理装置に関する発明が開示され、さらに、電極間隔を調整し、プラズマ電位を一定に維持することが記載され、電極が汚れてプラズマ電位が低下してくるとプローブが検知して可動電極を移動させることが記載され、さらにプラズマ電位を一定に維持することにより、良好なプラズマ雰囲気を維持でき、常に良好なＣＶＤ膜が生成されることが記載されている（２頁左下欄１３行〜右下欄１６行）。
　
（４−１３）甲第３号証−１１
　甲第３号証−１１の特開昭５６−４３７３１号公報には、高周波電極と被加工半導体ウエハとの距離を変化させることによって、形成膜の膜質を制御できるプラズマＣＶＤ法による成膜方法に関する発明が開示され、さらに、プラズマＣＶＤ装置によりシリコン窒化膜を成膜する際に、基板と電極との距離を大きくしてシリコンプアなシリコン窒化膜を成膜し、その上に距離を小さくしてシリコンリッチなシリコン窒化膜を成膜することが記載されている（２頁左上欄９行〜右下欄１０行）。
　
（４−１４）甲第４号証
　甲第４号証の特開平５−２７５３４６号公報には、非晶質シリコン膜、非晶質窒化シリコン膜の製造方法に関する発明が図２、３、８、９、２０，２４図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　プラズマＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン薄膜または窒化シリコン薄膜を成膜するとき、電極間距離ｄ（段落【００９１】、図２０からみて、アノード電極３０２とカソード電極３０３との間の距離であると認められる。基板３０１とアノード電極３０３との間の距離と実質的に同等である。）を大きくすることにより、膜厚分布が小さくなる傾向があり、ｄを３ｃｍより大きいときには高周波電源の周波数ｆに対してｆ（ＭＨｚ）／ｄ（ｃｍ）＜３０を満たすｄであれば良好な分布を得ることができ、膜中の欠陥の密度を減少させるためにはｄが４ｃｍ以上であるのが望ましいことが記載され（段落【００６７】〜段落【００６９】、段落【０１０９】〜段落【００１１０】、図２、３参照）、実施例として、４ｃｍとすることが記載されている（段落【００８２】〜段落【００９７】参照）。
　また、成膜圧力が０．２５〜２．５Ｔｏｒｒの範囲のときに、良好なアモルファスシリコン膜が得られることが記載されている（段落【００７２】〜段落【００７３】参照）。
　また、実施例に用いた平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を記載した図２４の説明には、４１０、４２０はシランガスラインバルブ、４１１、４２１は水素ガスラインバルブ、４１２、４２２はホスフィンガスラインバルブ、、４２３はジボランガスラインバルブ、４１４、４２４はフッ化シリコンガスラインバルブであることが記載されている。
　さらに、プラズマＣＶＤ装置によるＴＦＴの製造の実施例であって、ガラス基板２１（１３１）上のパターン化されたゲート電極２２（１３２）上に、ゲート絶縁層として窒化シリコン薄膜を形成し、次にアモルファスシリコン層を形成し、次にｎ＋アモルファスシリコン層を形成することが記載され、また、アモルファスシリコン薄膜成膜の原料ガスとして、モノシラン及び水素キャリアガスを用いること、及び窒化シリコン薄膜成膜の原料ガスとして、モノシラン、アンモニア及び窒素キャリアガスを用いること、しかもこれらの成膜工程は別々のチャンバー内で行うとともに、それぞれの成膜工程において基板を３０分間保持し基板温度が安定するのを待ったのち、高周波電力を投入して放電を開始し、放電終了後、ガスを排気して高真空引きして次工程に移ることが記載されている（段落【００８２】〜段落【００９７】、段落【０１１８】〜段落【０１２３】参照）。
　
（４−１６）甲第５号証
　甲第５号証の特開平５−３３５３３５号公報には、水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法に関する発明が開示され、さらに、ゲート絶縁層の原料ガスであるシラン、アンモニア、窒素を導入して窒化シリコンからなるゲート絶縁層を積層することが記載され（段落【００３２】〜段落【００３７】参照）、基板を約３００℃に加熱してゲート絶縁層を成膜することは記載されている（段落【００３３】）が、次のアモルファスシリコンの半導体層の成膜温度についての記載はなく、またゲート絶縁層と半導体層との成膜温度は等しくなくてもかまわないとの記載がある（段落【００４５】）。
　
（４−１７）甲第６号証
　甲第６号証の特開平２−５１２７７号公報には、非晶質シリコン薄膜トランジスタに関する発明が開示され、さらに、モノシラン、アンモニア、窒素ガスのプラズマ反応により３元系窒化シリコン層を形成することが記載され、また、非晶質シリコン層の成膜条件として圧力を１．２Ｔｏｒｒに設定することが記載されている（２頁左下欄４行〜３頁左上欄２行）。
　
（４−１８）甲第７号証
　内容省略
　
（５）平成１４年７月１９日付け取消理由の概要
　本件特許の請求項１〜１４に係る発明は、下記の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項１〜１４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
　刊行物１：特開平２−１８６６４１号公報（申立人平井貞雄の提出した甲第２号証）
　刊行物２：特開平５−２７５３４６号公報（同甲第４号証）
　刊行物３：「１９８６年（昭和６１年）春季第３３回応用物理学会関係連合講演会予稿集」（１９８６年４月１日発行）（社）応用物理学会　５００〜５０１頁（同甲第３号証−１）
　
（６）刊行物１〜３の記載事項
（６−１）刊行物１
　刊行物１の記載事項は、上記「（４−２）甲第２号証」に記載されたとおりである。
（６−２）刊行物２
　刊行物２の記載事項は、上記「（４−４）甲第４号証」に記載されたとおりである。
（６−３）刊行物３
　刊行物３の記載事項は、上記「（４−３）甲第３号証−１」に記載されたとおりである。
　
（７）対比・判断
（７−１）取消理由に対して
＜本件発明１＞
　本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載の発明は、プラズマＣＶＤ法を用いて成膜する方法であって、反応ガスを内部へ導入する真空チャンバ内で行われることは明らかであるから、両者は、「反応ガスを内部へ導入する真空チャンバ内で行われるプラズマ化学気相堆積法による薄膜トランジスタの製造方法であって、基板上にパターン化されたゲ一ト層の上に、ゲート絶縁層を堆積する第１堆積工程と、前記ゲ一ト絶縁層の上に、アモルファスシリコン薄膜を堆積する第２堆積工程と、シリコン窒化物が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される第３堆積工程とを備え、前記ゲート絶縁層が、ゲ一トシリコン窒化物である薄膜トランジスタの製造方法」の点で一致するものの、以下ａ〜ｃの点で相違する。
　
　ａ．本件発明１は、基板に向けられたガス流入マニホ一ルド板を介して反応ガスを真空チャンバ内部に導入するのに対し、刊行物１に記載の発明は反応ガスの導入手段については明らかではない点。
　ｂ．本件発明１は、第３堆積工程において堆積されるのはエッチングストップシリコン窒化物であるのに対し、刊行物１に記載の発明はそのようなものではない点。
　ｃ．本件発明１は、第１堆積工程と第２堆積工程と第３堆積工程とが、共に同一の真空チャンバ内で行われ、第１工程、第２工程及び第３工程のそれぞれにおいて、ガスマニホールド板と基板との間隔が３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるように選択して調節されることが可能であるのに対し、刊行物１に記載の発明はそのようなものではない点。
　
　そこで、上記相違点にａ〜ｃのうち相違点ｃついて検討すると、刊行物２には、プラズマＣＶＤ装置によるＴＦＴの製造の実施例であって、ガラス基板２１（１３１）上のパターン化されたゲート電極２２（１３２）上に、ゲート絶縁層としてＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス、窒素ガスを流して成膜し（この膜が窒化シリコン薄膜であることは明らかである。）、次にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスを流してアモルファスシリコン層を成膜し、次にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス、ホスフィンガスを流してｎ＋アモルファスシリコン層を成膜することが記載され、また、段落【０１１８】〜段落【０１２３】には、それぞれの成膜工程において基板を３０分間保持し基板温度が安定するのを待ったのち、高周波電力を投入して放電を開始し、放電終了後、ガスを排気して高真空引きして次工程に移ることが記載されていることからみて、それぞれの成膜工程は図２４に記載の同一チャンバーで行っているようにも解される。
　しかしながら、刊行物２には、プラズマＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン薄膜または窒化シリコン薄膜を成膜するとき、電極間距離ｄ（段落【００９１】、図２０からみて、アノード電極３０２とカソード電極３０３との間の距離であると認められる。基板３０１とアノード電極３０３との間の距離と実質的に同等である。）を大きくすることにより、膜厚分布が小さくなる傾向があり、ｄを３ｃｍより大きいときには高周波電源の周波数ｆに対してｆ（ＭＨｚ）／ｄ（ｃｍ）＜３０を満たすｄであれば良好な分布を得ることができ、ｄが４ｃｍより小さくなると膜中の欠陥順位密度が急激に増加し、この欠陥準位密度を減少させるためにはｄが４ｃｍ以上であるのが望ましいことが記載されている（段落【００６７】〜【００６９】、段落【０１０９】〜【０１１０】、図２、３参照）。
　してみると、基板と電極の間隔を４ｃｍ以下（たとえば、１ｃｍ、２ｃｍ程度のもの）にすることにより、堆積速度、成膜の均一性を高くすることは周知の技術である（必要ならば、特開昭６３−２４６８２９号公報、特開平２−８０５７７号公報、特開平４−２１１１１５号公報参照。）にしても、刊行物１に記載のアモルファスシリコン薄膜または窒化シリコン薄膜を成膜に際して、刊行物２に記載の成膜手段を採用すると、その間隔は４ｃｍ以上であるのが望ましいことから、上記周知の技術である間隔を４ｃｍ以下とすることは困難であるので、本件発明１のように、ガスマニホールド板と基板との間隔が３８．１ｍｍ以下の範囲で堆積速度及び成膜均一性を高くするようなことは容易に想到することはできない。
　したがって、刊行物１に記載の成膜工程において、刊行物２に記載の成膜手段を採用してみても、本件発明１のようにすることは困難であるから、上記相違点ａ、ｂについては検討するまでもなく、本件発明１は刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２、３＞
　本件発明２、３は、本件発明１を引用する発明であって、本件発明１の構成要件を全て含むものであり、さらに本件発明２は「シリコン酸化物層が反応チャンバ内でアモルファスシリコン層の上に堆積される」点を限定し、本件発明３は「基板がガラスである」点を限定したものであって、本件発明１が刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明２、３についても刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明４＞
　本件発明４は、本件発明１の「ゲート絶縁層」を「シリコン窒化物層」に限定するとともに、本件発明１の第３堆積工程を除き、さらに第１、２堆積工程において、「基板を保持するサセプタの温度が同じに維持され」る点を付加したものである。
　しかしながら、本件発明４においても、本件発明１と刊行物１に記載の発明との相違点である「ガスマニホールド板と基板との間隔が、３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるように選択して調節されることが可能である」点ｃを有しており、この相違点ｃにより本件発明１は刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明４についても刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできたものではない。
　
＜本件発明５〜１１＞
　本件発明５〜１１は、本件発明４を引用する発明であって、本件発明４の構成要件を全て含むものであり、さらに本件発明５は「第１堆積工程において用いられるシリコン窒化物堆積のための前駆体ガスが、モノシランと、アンモニアと、窒素キャリアガスとを含んでいる」点を限定し、本件発明６は「第２工程において用いられるアモルファスシリコン堆積のための前駆体ガスが、モノシランと、水素キャリアガスとを含んでいる」点を限定し、本件発明７は「圧力が０．８〜２．５Ｔｏｒｒに保持されている」点を限定し、本件発明８は「エッチングストップシリコン窒化物層が、反応チャンバ内で、アモルファスシリコン薄膜の上に堆積される」点を限定し、本件発明９は「シリコン酸化層が、反応チャンバ内で、アモルファスシリコン層の上に堆積される」点を限定し、本件発明１０は「ｎ＋がドープされたアモルファスシリコンの薄い層が、チャンバとは別のチャンバ内で、アモルファスシリコン層の上に堆積される」点を限定し、さらに本件発明１１は「基板がガラスである」点を限定したものである。
　しかしながら、本件発明４が刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明５〜１１についても刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　そして、刊行物３を参照してみても、本件発明１〜１１は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
（７−２）申立人池中　実の主張に対して
１）特許法第３６条違反について
　同申立人は、本件特許の請求項１、４に記載の第１、２工程において、ガスマニホールド板と基板との間隔を「３８．１ｍｍ以下の範囲で」という記載を裏付ける説明が本件特許明細書にはないし、また「３８．１ｍｍ以下」とする臨界的意義も記載されていない旨主張している。
　しかしながら、上記第１、２工程における間隔はいずれも「２５．４ｍｍ」であって、３８．１ｍｍ以下の範囲に含まれること、また「３８．１ｍｍ以下」とする臨界的意義については直接には記載されていないとしても、実施例４には、ゲート絶縁窒化物、アモルファスシリコンの第１、２層については間隔を２５．４ｍｍとし、エッチング停止シリコン窒化物の第３層については間隔を３８．１ｍｍとすることにより同一のチャンバー内で同一サセプタ温度で堆積が可能になった旨が記載されているから、間隔を３８．１ｍｍとすることによる効果は示唆されている。
　また本件特許に係る発明は温度と圧力のある条件が欠かせない構成であるが、請求項１、４には間隔以外の条件は特定されていないし、さらに請求項１、４に記載の、間隔は「調節されることが可能である」は、「調節する」場合と「調節しない」場合があるものの、本件特許明細書にはいずれか一方の場合しか記載されていない旨主張している。
　しかしながら、堆積速度と成膜均一性が高くなるように温度と圧力を選択することは当然であるから、温度と圧力については本件特許に係る発明に欠かせない構成である必要はないし、さらに本件特許明細書には間隔を調節する手段が記載されている以上、両方の場合を記載しなければならないものとは認められない。
　してみると、本件特許の明細書の記載は不備であるとの申立人の主張は採用することができない。
　
２）同法第１７条第２項違反について
　同申立人は、平成１１年８月２日付の手続補正により請求項１、７に付加された「３８．１ｍｍ以下の範囲内で」について、出願当初の明細書に記載された実施例４の第１、２工程は、間隔を３８．１ｍｍ以下の範囲とする根拠には成り得ない旨主張している。
　しかしながら、実施例４において、ゲート絶縁窒化物層を形成する第１工程の間隔は２５．４ｍｍ、アモルファスシリコン層を形成する第２工程の間隔は２５．４ｍｍ、エッチング停止シリコン窒化物層を形成する第３工程の間隔は１５００ｍｉｌｓ、すなわち３８．１ｍｍとしているから、第１〜３工程のいずれも間隔は３８．１ｍｍ以下の範囲に含まれるものである。
　してみると、上記手続補正は、願書に最初に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内ではないとの申立人の主張は採用することができない。
　
（７−３）申立人平井貞雄の主張に対して
１）特許法第２９条第２項違反について　　
＜本件発明１＞
　甲第１号証には、基板に向けられたガスマニホールド板を介して反応ガスを内部へ導入する真空チャンバ内で行われるプラズマ化学気相堆積法であって、基板とマニホールド板との間隔を０．４〜１．０ｃｍとすることが記載され、甲第２号証には、ゲート絶縁膜、アモルファスＳｉ、窒化シリコン膜を順次成膜することが記載され、甲第３号証−１〜甲第３号証−７には、電極間の間隔を３８．１ｍｍ以下のものが記載され、甲第３号証−８〜甲第３号証−１１には成膜する際に電極間の間隔を変化させることが記載され、甲第４号証には、ゲート絶縁層、アモルファスシリコン層、ｎ＋アモルファスシリコン層を順次成膜するとともに、電極間の間隔を調節することが記載され、甲第５号証にはゲート絶縁層と半導体層との成膜温度を等しくすることが示唆され、さらに甲第６号証にはモノシラン、アンモニア、窒素ガスのプラズマ反応により３元系窒化シリコン層を形成することが記載されている。
　しかしながら、甲第１〜６号証のいずれにも、本件発明１のように、各成膜工程が同一の真空チャンバ内で行われ、しかも各工程においてマニホールド板と基板との間隔を３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度、成膜均一性が高くなるように調節可能である点については何も記載されていないし、示唆もされていない。
　したがって、本件発明１は甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明２、３＞
　本件発明２、３は本件発明１を引用する発明であって、本件発明１の構成要件を全て含むものであり、本件発明１が甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明２、３についても甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明４＞
　本件発明４は、上記「［３］（７−１）＜本件発明４＞」において指摘したように、本件発明１の「ゲート絶縁層」を「シリコン窒化物層」に限定するとともに、本件発明１の第３堆積工程を除き、さらに第１、２堆積工程において、「基板を保持するサセプタの温度が同じに維持され」る点を付加したものである。
　しかしながら、本件発明４においても、本件発明１と刊行物１に記載の発明との相違点である「ガスマニホールド板と基板との間隔が、３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるように選択して調節されることが可能である」点ｃを有しており、この相違点ｃにより本件発明１は甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明４についても甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本件発明５〜１１＞
　本件発明５〜１１は、上記「［３］（７−１）＜本件発明５〜１１＞」において指摘したように、本件発明４を引用する発明であって、本件発明４の構成要件を全て含むものであり、本件発明４が甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本件発明５〜１１についても甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
２）同法第３６条違反について
　同申立人は、本件特許の請求項４（訂正前の請求項７）に記載の「間隔が、・・・選択して調節されることが可能である」について、本件特許明細書の段落【００２１】には「・・・ガス、電力、間隔及び圧力を単に変えるだけで、・・・堆積することができる。」と記載され、実施例４にはゲート絶縁窒化物とアモルファスシリコンとを堆積する際の間隔が等しい（２５．４ｍｍ）と記載され、それぞれは相互に矛盾する旨主張している。
　しかしながら、段落【００２１】の記載は、少なくとも、ガス、電力、間隔及び圧力の内のいずれか一つを変えることによりシリコン窒化物上にアモルファスシリコンを堆積することができると解することが可能であり、この解釈は、実施例４のゲート絶縁窒化物とアモルファスシリコンとの堆積において、間隔は変えていないものの電力と圧力は変えていることからも裏付けられる。
　したがって、本件特許に係る明細書の記載は不備であるとの申立人の主張は採用することができない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜１１についての特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　また、他に本件発明１〜１１についての特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月１０日（２００３．６．１０）
【訂正の要旨】
　平成１３年１２月２５日提出の訂正請求書に基づいて説明する。
　訂正は、特許請求の範囲の請求項７のみにおいて行う。従って、発明の名称、発明の詳細な説明、図面の簡単な説明及び添付の図面についての訂正はない。
　本訂正では、先の取消理由通知書においてご指摘のあった請求項７（取消理由通知書では、特許査定時の請求項１０についてのご指摘）の先行詞なき「前記」を削除するものである。この点以外の訂正はない。
（５４）【発明の名称】
薄膜トランジスタの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板に向けられたガス流入マニホールド板を介して反応ガスを内部へ導入する真空チャンバ内で行われるプラズマ化学気相堆積法による薄膜トランジスタの製造方法であって、
　基板上にパターン化されたゲート層の上に、ゲート絶縁層を堆積する第１堆積工程と、
　前記ゲート絶縁層の上に、アモルファスシリコン薄膜を堆積する第２堆積工程と、
　エッチングストップシリコン窒化物が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される第３堆積工程と
を備え、
前記ゲート絶縁層が、ゲートシリコン窒化物であり、
前記第１堆積工程と前記第２堆積工程と前記第３堆積工程とが、共に同一の前記真空チャンバ内で行われ、前記第１工程、前記第２工程及び前記第３工程のそれぞれにおいて、前記ガスマニホールド板と基板との間隔が、３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるように選択して調節されることが可能である薄膜トランジスタの製造方法。
　【請求項２】　シリコン酸化物層が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される請求項１に記載の製造方法。
　【請求項３】　前記基板がガラスである請求項１に記載の製造方法。
　【請求項４】　基板に向けられたガス流入マニホールド板を介して反応ガスを内部へ導入する真空チャンバ内で行われるプラズマ化学気相堆積法による薄膜トランジスタの製造方法であって、
　基板上にパターン化されたゲート層の上に、ゲート絶縁用のシリコン窒化物層を堆積する第１堆積工程と、
　前記ゲート絶縁層の上に、アモルファスシリコン薄膜を堆積する第２堆積工程と
を備え、
前記第１堆積工程と前記第２堆積工程とが、共に同一の前記真空チャンバ内で行われ、
前記第１堆積工程と前記第２堆積工程とにおいて、基板を保持するサセプタの温度が同じに維持され、
前記第１工程及び前記第２工程のそれぞれにおいて、前記ガスマニホールド板と基板との間隔が、３８．１ｍｍ以下の範囲で、堆積速度及び成膜均一性が高くなるように選択して調節されることが可能である薄膜トランジスタの製造方法。
　【請求項５】　前記第１堆積工程において用いられるシリコン窒化物堆積のための前駆体ガスが、モノシランと、アンモニアと、窒素キャリアガスとを含んでいる請求項４に記載の製造方法。
　【請求項６】　前記第２工程において用いられるアモルファスシリコン堆積のための前駆体ガスが、モノシランと、水素キャリアガスとを含んでいる請求項４に記載の製造方法。
　【請求項７】　
圧力
　【請求項８】　エッチングストップシリコン窒化物層が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン薄膜の上に堆積される請求項４に記載の製造方法。
　【請求項９】　シリコン酸化層が、前記反応チャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される請求項４に記載の製造方法。
　【請求項１０】　ｎ＋がドープされたアモルファスシリコンの薄い層が、前記チャンバとは別のチャンバ内で、前記アモルファスシリコン層の上に堆積される請求項４に記載の製造方法。
　【請求項１１】　前記基板がガラスである請求項４に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は化学気相成長法を用いて多層薄膜を堆積することに関する。さらに詳しくは、本発明は同一のプロセスチャンバー内で、別の薄膜層を連続的に堆積する方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶セルの製造において、２枚のガラス基板は、その間にサンドイッチされている液晶物質の層によって互いに結合されている。ガラス基板は、液晶物質の配向を変えるための電源に接続できる導電膜（これは、ＩＴＯ膜のように少なくとも透明である必要がある）を有している。液晶セルの様々な領域には、導電膜の適正なパターニング（Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）によってアクセスすることができる。ごく最近では、薄膜状トランジスタは、液晶セルの各領域に個別に、かつ高速でアドレスするために用いられてきた。このような液晶セルは、テレビやコンピュータのモニタのようなアクティブマトリクスディスプレイに有用である。
　【０００３】
　液晶モニタの解像度（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）に対する要望が増大するにつれて、画素と称される液晶セルの多くの領域に個別にアドレスすることが望まれている。このため最近のディスプレイでは、約１００万画素もあり、各画素に個別にアドレスできるよう、ガラス基板の上には少なくとも同数のトランジスタが形成される必要がある。
　【０００４】
　異なるタイプの薄膜トランジスタが最近では使用されているが、その殆どは、上面にアモルファスシリコン層を有するパターン化されたゲート金属の上にゲート絶縁層を堆積する必要がある。金属接点は、アモルファスシリコンとその上の金属接点の被覆層との間の接触を改善するため、上部にドープ（ｄｏｐｅ）されたシリコンの薄い層を持ち得るアモルファスシリコン層の上に堆積されている。
　【０００５】
　グロー放電又はプラズマ型の処理によりアモルファスシリコン層を堆積する方法が知られている。しかし、膜の堆積速度は例えば、１分間につき約１００〜３００オングストロームと全く低い。そのため、厚さが約５０００オングストローム程度までの膜は、薄膜トランジスタ製造のために必要とされるが、それには比較的長い堆積時間が要求され、膜の製作コストが増大する。コストを低減するためにＣＶＤ膜の堆積速度を改善することは望ましいことである。
　【０００６】
　例えば、寸法が約３５０×４５０×１．１ｍｍという大きな寸法と重量のあるガラス基板であると、一般に、その上に薄膜を堆積するために大きな反応チャンバーが必要となる。そして、これら薄膜の連続する堆積のため基板を１つの反応チャンバーから他の反応チャンバーに移送するため、大型で、しばしばスピードの遅い移送装置が必要となる。基板の移送にはかなりの時間がかかり、そのためシステムの生産性が低下する。さらに、移送は一般に基板温度の低下を伴うものである。基板はこのような移送の後、堆積温度まで再加熱する必要があり、そのうえ、堆積時間が増加される。加えて、一つのチャンバーから他のチャンバーに移送する間に堆積された膜が汚染される危険性が常に存在する。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　膜の品質やその堆積速度を犠牲にしないで、上に列挙したような不具合がある１つ以上の移送ステップを不要とし、同一の反応チャンバー内で効率的な方法により１つ以上の膜を連続的に堆積することが強く望まれている。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者は、薄膜トランジスタを製造するのに有用な多数の連続的な膜は、温度と圧力の或る条件のもとで、同一の反応チャンバー内で連続的に堆積できることを見出した。この方法では、大面積の反応チャンバーを複数の反応チャンバー間で１回以上移送することを不要とするものである。或るタイプのトランジスタでは、同一チャンバー内で、ゲート絶縁用シリコン窒化物及び活性アモルファスシリコン薄膜を堆積することは可能である。他のタイプのトランジスタでは、同一チャンバー内で、ゲート絶縁用シリコン窒化物、活性アモルファスシリコン及び第２のシリコン窒化物を堆積することは可能である。上記以外のトランジスタ設計や膜の組合せも必要とされるかもしれない。そして、これらの膜は同一のチャンバー内で堆積されるであろう。さらに、本発明者等は、堆積速度が従来方法よりも改善され、その為に現在の方法の効率が２倍に改善できることを見出した。
　【０００９】
　【実施例】
　薄膜の堆積についての詳細は、ロウ等（Ｌａｗ　ｅｔａｌ）の関連出願“化学気相成長法によりガラス基板上に高堆積速度でシリコン窒化薄膜を堆積する方法”（米国特許出願第０８／０１０１０９号）及び、“化学気相成長法によりガラス基板上に高堆積速度でアモルファスシリコン薄膜を堆積する方法”（米国特許出願第０８／０１０１１８号）の中で記述されている。
　【００１０】
　本発明者は、同一のチャンバー内で、その上に前もって形成されたゲート金属領域を有する大面積のガラス基板上に、膜を連続的に堆積できることを見出した。大面積のガラス基板上にトランジスタを形成する全体の方法は、上に参照した関連出願の中で記述されている堆積ステップを含む多くのステップを包含している。これらの堆積方法は高い堆積速度を有する。他のステップは、チャンバー内の諸条件の安定又は変化（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）を含んでいる。この連続堆積間のステップは、連続する層の界面にとって重要である。堆積間になされたステップは、すべてが同一真空チャンバー内で実行されるので、この方法により、従来の堆積システムを用いて得られる界面特性の制御を改善するに至る。
　【００１１】
　ワン等（Ｗａｎｇ　ｅｔ　ａｌ）の米国特許第４，８９２，７５３号では、本ＣＶＤプロセスを実施するに適した特徴を有するところの、プラズマ増強型ＣＶＤ反応装置について説明されている。この反応装置は、半導体ウエハの処理については説明されているけれども、適用できる寸法調整については、現在の大面積のガラス基板に適応するようになっていると思われる。
　【００１２】
　この反応装置を図１を参照してさらに説明する。
　【００１３】
　図１は、通常はアルミニウムで作製されていて、かつ反応領域１２を有する真空チャンバー１０の切断面図である。基板１４は、サセプタ内に埋設された抵抗発熱体により加熱されるような適当な支持具又はサセプタ１６で支持されている。基板１４の上方には、前駆体反応ガス、キャリアガスおよびパージガスをガス入口１９から反応領域１２に供給するガスマニホールド板１８が存在している。基板１４とガスマニホールド１８との間の間隙−ｄ−は調整可能である。この間隙は、圧力、電力、ガス流量および温度の他の調整可能なプロセス条件と共に調整することができるので、高い堆積率を達成している一方、一定の膜特性及び基板の広い領域に亘って一定の膜特性の均一性を達成することが可能である。ワン等により開示されているように、チャンバー内の基板１４とガスマニホールドプレート１８の間の間隙は通常、約２５．４ｍｍ（約１インチ）である。昇降装置４０は基板支持具１６をガスマニホールドプレート１８に対して上下動させることができる。
　【００１４】
　昇降装置４０は２つの機能を有している。チャンバー（図示せず）に近い位置にあるロボットで操作される基板支持アーム２０により、基板１４がチャンバー１０内に移送されたとき、チャンバー内の当該基板１４の位置は、当該点線１４Ａで示されている。このとき、支持アーム２０がチャンバーから引込んでいる間、リフトピン４１は当該基板を支持するため持ち上げられる。その後、昇降装置４０はサセプタ１６と基板１４を処理位置まで持ち上げる。閉塞自在な開口３０は、ロボットの支持アーム２０により基板１４の出し入れが出来るように開口されている。処理中は、閉塞可能な開口３０はピストン駆動のスリットバルブ３２により閉じられている。
　【００１５】
　ガスマニホールドプレート１８は、当該プレート１８の上に均等に分配された多数の貫通孔を有する板である。ここで使用可能な代表的なマニホールドプレート１８は、全体の面積が、基板１４とほぼ同一サイズの板に約１０，０００個の開口を有する。
　【００１６】
　ガスマニホールドプレート１８は、ガス分配システムの一部であって、このガス分配システムは、プロセスガスを基板１４を横切って、かつ基板の端部に向けて外側に放射状に流し、排出口（図示せず）に接続された排気チャンネル２２によって、プロセスガスが除去される場合には（そこを）越えて流す。遮へい板やシャドウ・フレーム２４は、基板１４の端部の上に堆積がなされないようにするものである。
　【００１７】
　ガスマニホールド１８の温度は、当該ガスマニホールド１８上での反応固形生成物の堆積を最少限に抑えるよう調整されている。
　【００１８】
　ＲＦ電力の供給とネットワーク（図示せず）のマッチングにより、反応領域１２において、前駆体ガス（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ　ｇａｓｅｓ）からプロセスガス（ｐｒｏｃｅｓｓ　ｇａｓｅｓ）のプラズマを生成し、かつ保持できる。１３．５６ＭＨｚの高周波ＲＦ電力が使用されるのが好ましいが、これは決定的なことではなく、これよりも低周波を使用してもよい。さらに、マニホールドプレート１８は、サセプタ又は基板支持具１６が接地されている間、ＲＦ駆動される。チャンバーの壁は保護用セラミック材で覆われている。このデザインは、ガスマニホールド１８と基板支持具１６との間の高度のプラズマ閉じ込めを許容し、それにより、反応種の濃度および対象の薄膜の堆積速度を増大させることができる。
　【００１９】
　ガスマニホールドプレートと基板との間の間隙−ｄ−を比較的小さく維持することにより、チャンバー自体を一層小さくでき、堆積の進行は一層コントロールし易くなり、さらに、反応領域１２の容積が小さいと、当該反応領域１２にあるガス成分を急速に変化させることができ、最初の堆積からの反応ガスや副産物ガスは取り除かれ、後の１以上の堆積物に取り換えられる。
　【００２０】
　ゲート絶縁用シリコン窒化膜は、ガラス基板の上に薄膜トランジスタを形成するうえで有用なよう高品質でなければならない。この発明の方法により、全く予期されないことに高品質のシリコン窒化膜を２０００〜３０００オングストローム／分に至る堆積速度で製造される。これらの堆積速度は、堆積中、ＣＶＤチャンバー内の圧力を約０．８から２．０Ｔｏｒｒに、基板温度を約３００〜３５０℃に維持することにより達成可能である。さらに、前駆体ガスの流速は適正な反応ガスレベルを維持するように調整されている。シラン（１００〜３００ｓｃｃｍ）及びアンモニア（５００〜１０００ｓｃｃｍ）は、シリコン窒化膜を堆積するために、キャリアガスである窒素（１０００〜１００００ｓｃｃｍ）の中に適正に用いられている。
　【００２１】
　同様な方法で、アモルファスシリコン薄膜は、水素キャリアガス（１０００〜３０００ｓｃｃｍ）中の前駆体ガス（１００〜１２００ｓｃｃｍ）としてシランを使用してゲート絶縁用シリコン窒化膜の上に堆積される。予期しないことに、本発明者等はアモルファスシリコン薄膜は、シリコン窒化膜に対する温度と同じ温度を使用してシリコン窒化層の上に均一に高速度で堆積できることを見出した。そのため、ガス、電力、間隙、及び圧力を単に変えるだけで、シリコン窒化物とアモルファスシリコンの薄膜を同じ反応チャンバー内にある大面積のガラス基板上に高堆積速度で連続的に堆積することができる。一般的に薄膜トランジスタの適用に対し、アモルファスシリコン膜の厚さは、約３００〜３０００オングストロームの間で変動する。なお、ｎ＋がドープされたアモルファスシリコンの薄い層が、別のチャンバ内で、アモルファスシリコン層の上に堆積されてもよい。
　【００２２】
　ガラス板の温度は、高品質膜を形成するのに十分な程高温でなければならないが、当該大面積のガラス基板が曲がるおそれがあるときは、約４５０℃以下に維持されなければならない。一般的に堆積中は、約２７０〜３５０℃からの堆積温度が維持されている。
　【００２３】
　本発明はつぎの実施例でさらに説明されるが、当該発明は、そこでの詳細な説明に制限されない。
　【００２４】
　実施例１
　上面にアレイ状に堆積されており、かつ前もって選択されたゲート金属パッドのパターンを有し、また、その上に約２５００オングストロームの厚さのシリコン酸化層を有する３６０×４５０×１．１ｍｍ厚のガラス基板を、ＣＶＤチャンバに入れて真空下にあらしめた。基板が窒素を流入しながら３３０℃まで加熱されたとき、アモルファスシリコン薄膜は以下の条件の下で堆積された。
　【００２５】
　　シリコン窒化物堆積について
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　１１０ｓｃｃｍ
　　ＮＨ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５５０ｓｃｃｍ
　　Ｎ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３９００ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６００ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．２Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　　　　　　　　　　　３９７℃
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　３４０℃
　堆積速度は９３０オングストローム／分であり、約５００オングストロームの膜厚の層が（約３２秒で）堆積された。
　【００２６】
　この層は屈折率１．９１、圧縮応力−４．９×１０９ダイン／ｃｍ２、６：１で緩和された（ｂｕｆｆｅｒｅｄ）ＨＦ溶液中でのウエットエッチング３６０オングストローム／分、２乗平均の平方根（ｒｏｏｔ　ｍｅａｎ　ｓｑｕａｒｅｄ）での表面の粗さ１．１ｎｍであった。そして、これらのすべては良品質のゲート絶縁用窒化物が堆積されることを示すものである。
　【００２７】
　窒素で約３０秒掃気の後、第２番目の層、この場合、アモルファスシリコンは、次の条件の下で同一のマニホールド−基板の間隙を使用してシリコン窒化層の上に堆積された。
　【００２８】
　　アモルファスシリコン堆積について
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２７５ｓｃｃｍ
　　Ｈ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５５０ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．２Ｔｏｒｒ
　　サセプタ温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３９７℃
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３２０℃＊
　　＊サセプタ温度と圧力は同一になっているが、水素は良好な熱伝達媒体なので、基板温度は僅かに低くされている。
　【００２９】
　アモルファスシリコンの堆積速度は、９４４オングストローム／分であり、膜は３０００オングストロームの厚さに堆積された。この膜の応力は−６．９×１０９ダイン／ｃｍ２と測定された。ＳｉＨのピーク位置は２０００ｃｍ−１であり、ピーク幅は１２０ｃｍ−１より小であった。
　【００３０】
　上記の膜は完成されたトランジスタ装置の中に形成されてテストされた。装置は、しきい値電圧、オフモードにおける移動度及び漏れ電流を含む満足しうるデバイス特性を有し、従来の堆積装置で製造される装置に匹敵するものであった。
　【００３１】
　これに続くシリコン窒化ゲート絶縁及びアモルファスシリコンの高品質膜の堆積は、同一チャンバーの中で、高堆積速度及び、同一のサセプタ温度で実施された。
　【００３２】
　実施例２
　シリコン窒化およびアモルファスシリコン膜は、実施例１の工程によって堆積された。但し、シリコン窒化膜堆積において以下の変更点がある。
　【００３３】
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　１１０ｓｃｃｍ
　　ＮＨ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５５０ｓｃｃｍ
　　窒素　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３７００ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６００ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．８Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　　　　　　　　　　　３９７℃
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　３３０℃＊
　　＊圧力の低下は、サセプタから基板への熱移動の効率を低下させるため、基板温度を低下させることになる。
　【００３４】
　上記条件のもとで堆積されたシリコン窒化膜は良品質であると判定された。
　【００３５】
　窒素を用いた３０秒の掃気の後、第２の層であるアモルファスシリコンがシリコン窒化物の上に実施例１と同じ条件の下で堆積された。
　【００３６】
　これらの膜で作られたトランジスタの電気特性は、良好であった。
　【００３７】
　この実施例は、サセプタの温度が一定に保持されている間は、可変的なプロセス条件、この場合には圧力、使用して基板温度を変え得ることを示す。
　【００３８】
　実施例３
　シリコン窒化物とアモルファスシリコンは、サセプタ温度がシリコン窒化物堆積のための３５８℃から、アモルファスシリコン堆積のための４１０℃に変えられたことを除いて、実施例１の工程に従って堆積された。その結果、２つの膜の各々に対し基板の堆積温度は、３００℃及び３３０℃となった。
　【００３９】
　　シリコン窒化物堆積
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　１１０ｓｃｃｍ
　　ＮＨ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５５０ｓｃｃｍ
　　窒素　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３９００ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６００ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．８Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　　　　　　　　　　　３５８℃
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００℃
　　アモルファスシリコン堆積
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　２７５ｓｃｃｍ
　　Ｈ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５５０ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．２Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　　　　　　　　　　　４１０℃
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　３３０℃
　シリコン窒化物とアモルファスシリコン膜は、良品質と判定され、またこれらの膜で作られたトランジスタの電気特性は良好と判定された。
　【００４０】
　上記の実施例で、ガラスがまだチャンバー内でシリコン窒化物およびアモルファスシリコン堆積の間にある間、サセプタ温度は変化した。サセプタ温度の変化速度は３〜５℃／分であり、それ故、温度の大きな変化は長時間を要し、この実施例の場合およそ１５分間必要とされる。当該サセプタ温度の変化が小さい場合、この工程は実用的である。
　【００４１】
　上記の実施例は、基板温度は引きつづいて行なわれる堆積のために下げなければならないこと、例えばアモルファスシリコン堆積のための基板温度はゲート絶縁用シリコン窒化物の堆積のための基板温度よりも低くなければならないこととか、エッチング停止シリコン窒化物のための基板温度は、アモルファスシリコン層を作るための基板温度よりも低くなければならないことといった、報告された制約は、この方法の要件ではないことを証明している。この特徴は、従来方法よりも十分に勝っている利点である。
　【００４２】
　実施例４
　この実施例では、約５００オングストローム厚さのゲート絶縁用シリコン窒化層と、約５００オングストローム厚さのアモルファスシリコン層及び、約３０００オングストローム厚さのエッチング停止シリコン窒化層の３つの層が同じ反応チャンバー内で、かつ同じサセプタ温度で連続して堆積された。堆積条件は大体以下のとおりであった。
　【００４３】
　　ゲート絶縁窒化物
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　１１０ｓｃｃｍ
　　ＮＨ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５５０ｓｃｃｍ
　　窒素　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３９００ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６００ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．８Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　　　　　　　　　　　３３７℃
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　２８２℃
　　アモルファスシリコン
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　２７５ｓｃｃｍ
　　水素　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５５０ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．２Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　　　　　　　２５．４ｍｍ（１０００ｍｉｌｓ）
　　サセプタ温度　　　　　　　　　　　　　　　　３３７℃
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　２８０℃
　　エッチング停止シリコン窒化物
　　ＳｉＨ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　３３０ｓｃｃｍ
　　ＮＨ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　１１００ｓｃｃｍ
　　窒素　　　　　　　　　　　　　　　　　　１１０００ｓｃｃｍ
　　電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５００ｗａｔｔｓ
　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２．０Ｔｏｒｒ
　　間隙　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５００ｍｉｌｓ
　　サセプタ温度　　　　　　　　　　　　　　　　３３７℃
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００℃
　ゲート絶縁用シリコン窒化物とアモルファスシリコンは良質の膜であった。エッチング停止シリコン窒化物は、ゲート絶縁用シリコン窒化物とは異なった膜特性を有し、そのため、上記で検討された基準からは高品質膜とは見なされていない諸特性を有していることが要求される。特に、エッチング停止シリコン窒化物は、高速のウェットエッチング速度と高濃度Ｓｉ−Ｈボンドを有している。これらの膜で作られたトランジスタの電気特性は良質であり、かつエッチング停止シリコン窒化物よりも高温で堆積されたゲート絶縁及び、アモルファスシリコン膜で製造されるトランジスタに匹敵するものである。
　【００４４】
　この実施例では、本発明者は、トランジスタの３つの層は、同一のチャンバー内で同じサセプタ温度で堆積することが可能なことを立証した。ここに使用された方法は、従来技術の作業者により報告されている制約、すなわち、連続する複数の層は漸進的に（ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｖｅｌｙ）に低下した基板温度のもとで堆積されなければならないことから外れるにも拘らず成功した。上記のＣＶＤ方法は、半導体基板の多段階製法として知られているシステム、例えばメイダン等（Ｍａｙｄａｎ　ｅｔ　ａｌ）により米国特許第４，９５１，６０１号又は、薄膜トランジスタの製造用大面積ガラス基板上に多層を堆積するために設計された真空システム等に開示されているシステムに利用できる。この真空システムは、ノーマン・ターナー等による同時係属出願の関連出願“生産性が改善された真空処理装置”（米国特許出願第０８／０１０６８４号）及び、同時に出願され引用形式で組み込まれた“大面積のガラス基板を加熱及び冷却する方法及び装置”（米国特許出願第０８／１０６８３号）の中で記述されている。この真空システムについては、図２を参照して以下に説明する。
　【００４５】
　図２は、大きい面積のガラス基板の上に複数膜を堆積するための真空システムの平面図である。
　【００４６】
　次に、図２を参照すると、堆積システム１１１は大面積のガラス基板の上に複数の薄膜を堆積するため一連のチャンバーを備えている。カセット１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄは、その上に大きなガラス基板を貯蔵するため昇降装置上に搭載された多数の棚を内包に有している。ロボット１１４は、１回に１つのガラス基板をカセット１１２から、２つの連結冷却及びロードロックチャンバー１１６Ａ，１１６Ｂの内の一つに、閉塞自在な開口１１７を通じて大気に移送するのに用いられる。また、システム１００は、ガラス基板を堆積温度まで上げる加熱チャンバー１１８を含んでいる。２つの冷却ロードロックチャンバー１１６及び加熱チャンバー１１８と共に、一連の４つのＣＶＤチャンバー１２０、１２２、１２４、１２６は、これらと真空トランスチャンバー１２８を画成する。冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａと１１６Ｂと加熱チャンバー１１８は、垂直方向に索引（ｉｎｄｅｘ）できる昇降装置（図示せず）に搭載されたカセットを保持している。これらの加熱及び冷却チャンバー１１６Ａ、１１６Ｂ及び１１８のカセットは、ガラス基板が加熱され又は冷却されている間、当該ガラス基板をその内部で支持するための熱伝導性の棚を有している。
　【００４７】
　ロボット１１４が、ガラス基板をカセット１１２から冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａのカセットの中に移送した後、他のガラス基板がロボット１１４によって冷却チャンバーカセット１１６Ａに移送されている時は、昇降装置は、１つの棚の高さ分だけカセットを持上げ（又は持下げ）る。チャンバー１１６Ａのカセットの中にすべての棚が充填されたとき、閉塞自在な開口１１７は閉じられ、チャンバー１１６Ａは排気される。望ましい圧力に達したとき、トランスファーチャンバー１２８に近い閉塞自在な開口１３１は開放される。トランスファーロボット（図示せず）は、全てのガラス基板を冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａから、その内部でガラス基板は堆積温度近くまで加熱されている加熱チャンバー１１８の中にあるカセットに移送する。加熱チャンバー１１８内のカセットと冷却チャンバーカセット１１６Ａは、トランスファーチャンバー１２８内にあるトランスファーロボットに別の棚を与える各移送の後、持上げられ又は持下げられる。
　【００４８】
　ガラス基板が堆積温度に達したとき、トランスファーロボットは、ガラス基板を予め選択された順序で１つ以上のＣＶＤチャンバー１２０、１２２、１２４又は１２６に次々と移送する。例えば、本発明の多層薄膜は第１番目のＣＶＤチャンバー内で堆積される。ドープされたアモルファスシリコンの膜は第２番目のＣＶＤチャンバー内で堆積され、以下同様になされる。予め選択された全ての堆積が行なわれたとき、トランスファーロボットは、処理されたガラス基板を冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａに移送して戻す。閉塞自在な開口１３１は、冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａ内のすべての棚が充填されたときは閉じられる。同時にロボット１１４は、他の一群の（ｂａｔｃｈ　ｏｆ）ガラス基板を、別のカセット１１２Ｃから冷却／ロードロックチャンバー１１６Ｂの中のカセット１１２Ｃに移送し、装填が完了した時にチャンバー１１６Ｂを排気する。
　【００４９】
　冷却／ロードロックチャンバー１１６Ａ内の処理されたすべてのガラス基板が約１５０℃以下に冷却されたとき、チャンバー１１６Ａは大気圧と同じにされ、閉塞自在な開口１１７は開放されて、ロボット１１４は今処理されて冷却されたガラス基板を脱着（ｕｎｌｏａｄ）し、カセット１１２に戻る。
　【００５０】
　こうして、システム１００は、作業を連続できるように作られている。ガラス基板の一連の（ｂａｔｃｈ）加熱及び冷却という組合せ、例えば数分という比較的長い時間がかかる操作、および比較的短い時間の単一基板の薄膜ＣＶＤ法によりシステム１００の生産性と作業効率を最大にすることができる。
　【００５１】
　本発明は、いくつかの具体例と実施例によって説明したが、本発明はそれに限定されることを意味しない。ここでのＣＶＤ法は、実用的な堆積速度のもとで、高品質の膜を得るためにガスの流速と圧力及び温度を調整できる他のチャンバーを使用して実施することができる。シリコン酸化物、ゲート絶縁用シリコン窒化物、エッチング停止シリコン窒化物、及びアモルファスシリコン等の連続した薄膜は、上記のように種々の堆積パラメータを調整することにより同一のチャンバー内で、及びトランジスタを製造するための設計に従って種々の順番で堆積することができる。例えば、シリコン酸化層は、９２４オングストローム／分の堆積を行うため、流速３００ｓｃｃｍ、窒素酸化物の流速６０００ｓｃｃｍ、電力５００ワット、圧力２Ｔｏｒｒ、及び間隙３７．１３ｍｍ（１４６２ｍｉｌｓ）を使用して実施例１のチャンバー内で堆積することができる。また、１以上の堆積膜は、図１に示すように他のチャンバーの中で堆積することができる。
　【００５２】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によると、膜の品質やその堆積速度を犠牲にしないで、同一の反応チャンバー内で効率的な方法により基板上に１つ以上の膜を連続的に堆積することができる。