【事件の表示】
　特許第３４０３７８１号「半導体製造方法及び半導体製造装置」の請求項１〜５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、
　次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４０３７８１号の請求項１，２に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３４０３７８１号に係る発明は、平成５年１１月９日(パリ条約による優先権主張、１９９２年１１月９日、大韓民国)に特許出願され、平成１５年２月２８日にその特許権の設定登録がなされ、その後、小滝俊より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その延長された指定期間内である平成１６年１２月２２日に訂正請求がなされたものである。
　　　
【２】訂正の適否についての判断
【２-1】訂正の内容
訂正事項1.；【特許請求の範囲】の【請求項１】を、
　「大気圧下において基板（１２）上にＲＦ電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも１個以上の電極（１４）に、反応ガスを供給する工程と、前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して前記基板に照射させる工程と、イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板内で拡散されるようにする工程と、前記電極（１４）間に供給される反応ガスの外側に、反応ガスの流出防止および空気を汚染防止のために、窒素（Ｎ２）ガスを基板（１２）の外側に供給する工程と、を備えることを特徴とするコロナ放電を利用した半導体製造方法。」と訂正する。
訂正事項2.；【特許請求の範囲】の【請求項２】を、
　「大気圧下において印加されるＲＦ電源（１３）によりコロナ放電を起す、基板台（１１）上部に設けられた少なくとも１個以上の電極（１４）と、前記電極の上方へ反応ガスを供給するガス供給システム（１５）と、前記基板台（１１）および電極（１４）の周囲に設けられて、外部空気によって基板（１２）が汚染されるのを防止する排気システム（２１）と、前記基板台（１１）の上部に設けられ、その移送により前記基板（１２）を連続して前記基板台上に移送するタイミングベルト（１８）とを備え、前記電極（１２）が第１電極（１４ａ）と第２電極（１４ｂ）とを有し、この第１電極（１４ａ）および第２電極（１４ｂ）が放電室を構成することを特徴とする半導体製造装置。」と訂正する。
訂正事項3.；段落【0002】,【0007】,【0018】,【0019】,【0023】,【0040】,【0041】および【符号の説明】における「基板保持台」を、
　「基板台」と訂正する。
訂正事項4.；段落【0012】の【課題を解決するための手段】を、
　「上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体製造方法は、大気圧下において基板（１２）上にＲＦ電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも１個以上の電極（１４）に、反応ガスを供給する工程と、前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して前記基板に照射させる工程と、イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板内で拡散されるようにする工程と、前記電極（１４）間に供給される反応ガスの外側に、反応ガスの流出防止および空気を汚染防止のために、窒素（Ｎ２）ガスを基板（１２）の外側に供給する工程と、を備えることを特徴とする。」と訂正する。
訂正事項5.；段落【0013】を、
　「本発明にかかる半導体製造装置は、大気圧下において印加されるＲＦ電源（１３）によりコロナ放電を起す、基板台（１１）上部に設けられた少なくとも１個以上の電極（１４）と、前記電極の上方へ反応ガスを供給するガス供給システム（１５）と、前記基板台（１１）および電極（１４）の周囲に設けられて、外部空気によって基板（１２）が汚染されるのを防止する排気システム（２１）と、前記基板台（１１）の上部に設けられ、その移送により前記基板（１２）を連続して前記基板台上に移送するタイミングベルト（１８）とを備え、前記電極（１２）が第１電極（１４ａ）と第２電極（１４ｂ）とを有し、この第１電極（１４ａ）および第２電極（１４ｂ）が放電室を構成することを特徴とするものである。」と訂正する。
訂正事項6.；段落【0014】を、
　「【実施例】
　　以下、本発明の一実施例を図３乃至図６に基づいて詳述する。」と訂正する。
訂正事項7.；段落【0015】,【0016】の記載を削除する。
　　　
【２-2】訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　この段落内で、特許明細書の特許請求の範囲の請求項を「旧請求項」といい、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項を「新請求項」という。
［１］上記訂正事項1.は、
　旧請求項１を削除し、旧請求項１を実体的により限定した旧請求項２を新請求項１とするものである。
　したがって、当該訂正事項1.は、特許明細書に記載された事項に基づくものであり、特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的とし、かつ、新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　　　
［２］上記訂正事項2.は、
　旧請求項５の記載内容における、明りょうでない記載の釈明を図るとともに、当該旧請求項５の内容に、さらに旧請求項４の記載内容を付加し、新請求項２としたものであって、旧請求項３，４を削除するものである。
　したがって、当該訂正事項2.は、特許明細書に記載された事項に基づくものであり、明りょうでない記載の釈明および特許請求の範囲の減縮を目的とし、かつ、新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　　　
［３］上記訂正事項3.〜7.は、
　特許明細書に記載された事項に基づくものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、かつ、新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　　　
【２-3】まとめ
　上述のとおりであるから、上記【２-1】段落に記載した訂正事項1.〜7.からなる訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する特許法第１２６条第１項ただし書，第２項の規定に適合するので、その訂正を認める。
　　　
【３】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　小滝俊は、次の甲第１〜５号証を提示し、
　本件の請求項１〜５に係る発明は、新規性または進歩性を有さず、特許法第２９条第１項または同条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、また、本件特許明細書の記載は、不明瞭であり、特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本件の請求項１〜５に係る特許は、取り消されるべきものであるとしている。
　甲第１号証；特開昭６２−２３５３３９号公報
　甲第２号証；特開昭６０−３７７１８号公報
　甲第３号証；特開平３−２１９０８２号公報
　甲第４号証；「コロナ現象」室岡　著,コロナ社刊,1989年12月25日発行
　甲第５号証；特開平１−１３２７６９号公報
　　　
【４】本件特許発明
　本件については、上記【２】段落で示したようにその訂正が認められるから、本件の請求項１，２に係る発明(以下、「本件発明１，２」という)は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりの、
「【請求項１】
　大気圧下において基板（１２）上にＲＦ電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも１個以上の電極（１４）に、反応ガスを供給する工程と、
　前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して前記基板に照射させる工程と、
　イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板内で拡散されるようにする工程と、
　前記電極（１４）間に供給される反応ガスの外側に、反応ガスの流出防止および空気を汚染防止のために、窒素（Ｎ２）ガスを基板（１２）の外側に供給する工程と、を備えることを特徴とするコロナ放電を利用した半導体製造方法。
　【請求項２】
　大気圧下において印加されるＲＦ電源（１３）によりコロナ放電を起す、基板台（１１）上部に設けられた少なくとも１個以上の電極（１４）と、
　前記電極の上方へ反応ガスを供給するガス供給システム（１５）と、
　前記基板台（１１）および電極（１４）の周囲に設けられて、外部空気によって基板（１２）が汚染されるのを防止する排気システム（２１）と、
　前記基板台（１１）の上部に設けられ、その移送により前記基板（１２）を連続して前記基板台上に移送するタイミングベルト（１８）とを備え、
　前記電極（１２）が第１電極（１４ａ）と第２電極（１４ｂ）とを有し、この第１電極（１４ａ）および第２電極（１４ｂ）が放電室を構成することを特徴とする半導体製造装置。」である。
　　　
【５】上記甲各号証の記載内容
［１］甲第１号証には、
　「コロナ放電処理」を行なうコロナ放電装置が記載されている（第３頁左下欄第１６行〜同頁右下欄第１３行、第１０図）。
（1）コロナ放電処理は、「大気圧下」にて行なわれる（第２頁左下欄第２０行）。
（2）コロナ放電装置は、間の空間にコロナ放電を起こすための「電極７および電極７’」を有している（第３頁右下欄第１０行）。
（3）第３頁左上欄第７行〜第９行には「コロナ処理は・・・高周波放電・・・でもよい」と記載されている。
（4）コロナ放電装置には、含フッ素化合物と不活性ガスの混合ガス（すなわち反応ガス）のための「ガス供給路５」が設けられている（第３頁右下欄第８行）。
（5）下側の電極７’の上面に被処理物８がセットされている（第３頁右下欄第１１行〜第１２行）。したがって、電極７’は、基板保持台の機能を有している。この基板保持台としての電極７’の上方に電極７が配置されている。
（6）コロナ放電装置には、「ガス排気路６」が設けられている（第３頁右下欄第９行）。
　　　
［２］甲第２号証には、
　直流コロナ放電により半導体を製造する方法が記載されている（第１頁右欄第８行〜第２頁左欄第８行、第１図）。この方法に用いる装置は、コロナ放電を起こす電極としてグリッド７と極板６を有している。
　コロナ放電によりグリッド７からイオン５が放出され（第１頁右欄第１８行〜第２頁左欄第１行）、この放出イオン５が、基板１の裏面に堆積し、レーザー光９の走査によりアモルファスＳｉ膜３を結晶化してＳｉ結晶４を形成する（第２頁左欄第１行〜第３行）。
　　　
［３］甲第３号証には、
　大気圧グロー放電による表面処理装置が記載されている（第１頁右欄第２行〜第１０行、第４頁左上欄第７行〜右下欄第６行）。
構成２（第４頁右上欄第７行〜左下欄第１０行、第２図）の表面処理装置１０について、
（1）表面処理装置１０は、放電を起こすための高圧電極１２と接地電極１３を有している（第４頁右上欄第１２行）。
（2）電極１２，１３間が、放電空間１４になっている（第４頁右上欄第１４行）。
（3）放電空間１４は、大気圧に保たれている（第４頁右上欄第１９行）。
（4）放電用の電源は、RF電源でもよい（第２頁左下欄第１９行）。
（5）第２図によれば、反応ガスが、ガス供給管１５によって電極１２，１３の上方から電極１２，１３間の放電空間１４に供給されるようになっている。
（6）電極１２，１３間に電圧を印加することにより、グロー放電し反応ガスのプラズマ励起が発生し（第４頁右上欄第２０行〜左下欄第２行）、気体プラズマとなって放電空間１４より噴出される（第４頁右上欄第２行、同頁左下欄第６行）。
（7）この噴出ガスが、被処理シート材２０の表面に吹付けられ、シート材２０の表面に薄膜が形成される（第４頁左下欄第３行〜第４行）。
（8）被処理シート材２０は、水平に配置され、その上方に電極１２，１３が配置されている（第２図b）。
（9）放電空間１４より噴出した反応後の排ガスは、放電部１１開放下端に設けたスカート１９で反転し放電部１１内壁とＢガス用ダクト１７間を上昇し、放電部１１上部端の排気管１８より導出されて、回収、不活性ガスが再生される（第４頁左下欄第６行〜第１０行）。
（10）シート材２０表面にスカート３３が接触するように配置した箱型の排ガスダクト３４が付設され、各トーチ型成膜装置３１からシート材２０表面に噴射されて反応した後の排ガスが回収される構成からなる（第４頁左下欄第１８行〜右下欄第２行、第４図の構成３）。
（11）表面処理は、「成膜あるいは表面改質」に適用される（第２頁左下欄第１３行）。成膜の一例として、シリコンウェハ表面へのＳｉＮx膜形成を行なう半導体の製造に用いられる（第４頁右下欄第１１行）。
　　　
［４］甲第４号証には、
　「コロナ放電」の語義に関して、同号証の９７ページ第７行〜第８行に、「電極間がアーク状態になる以外の放電現象はコロナ放電に属するということもできる。」と記載されている。また、同号証の９８ページ第９行〜第１０行には、下記の「分類ではグロー放電をコロナの一種であるとしている」と記載されている。そして、同ページの図２８の分類表によれば、自続放電が、部分破壊（コロナ）と全路破壊等に分類され、部分破壊（コロナ）が、正極性コロナと負極性コロナに分類され、全路破壊が、グロー放電（コロナ）と電弧放電(アーク)に分類されている。
　　　
［５］甲第５号証には、
（1）常圧（第１頁左欄第１９行）すなわち大気圧下で、熱CVDによってウェハへの成膜を行なう装置が記載されている。常圧CVD装置には、不活性ガス導入室５cが設けられている（第２頁左下欄第８行）。不活性ガスとして窒素（N２）が用いられている（第１図）。不活性ガス導入室５cは、反応ガス噴出口６の外周を取り囲んでいる（第２頁左下欄第７行）。不活性ガス導入室５cの下部に不活性ガス噴出口９が開口されている（同欄第９行〜第１０行）。これにより、反応領域を取り囲む不活性ガス流を形成している（第２頁右上欄第３行〜第７行）。
（2）常圧CVD装置のヘッド５の外周には、反応ガス噴出口６からのガスを吸引排気する排気口７が形成されている（第２頁左下欄第１１行〜第１５行）。第１図によれば、排気口７は、処理中の半導体ウェハの周りを取り囲むようになっている。
（3）常圧CVD装置では、半導体ウェハをサセプタ１に搭載し、ベルトにより動かすようになっている（第２頁左下欄第１７，１８行）。
　　　
【６】特許異議申立てに対する当審の判断
【６-1】本件明細書の記載不備(法３６条)による取消理由
　上記【２】段落の訂正によって、「基板保持台」は「基板台」となり、基板はタイミングベルト上に載置されて移送され連続的に処理されることが明確になった。
　また、基板は、あくまで、タイミングベルト上に載置された状態で所定の処理が施されるのであって、基板台へ移し変えられるものではない点も明らかとなった。すなわち、「移送」はタイミングベルト上に載置された基板が基板台の位置に持ちきたされることを意味する。
　さらに、基板は、タイミングベルトの上に載置されたままであるから、連続移送できることも明らかである。
　したがって、訂正明細書の記載において、明細書の記載不備はなくなり、それを根拠とする取消理由は解消した。
　　　
【６-2】特許された発明に新規性がない(法２９条１項)とする取消理由
　新規性がないとの異議申立がされたものは、訂正前の請求項１，３に係る発明であるが、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された発明は、訂正前の請求項２，５に係る発明に対応するものであるから、新規性がないことを根拠とする取消理由に該当する発明はなくなった。
　　　
【６-3】本件発明１，２の容易性(法２９条２項)を根拠とする取消理由
［１］本件発明１の容易性
　甲第１〜５号証のどこをみても、本件発明１の「大気圧下において基板上にＲＦ電源でコロナ放電を発生させ、供給される反応ガスの外側に窒素ガスを基板の外側に供給する」という構成要件(要件1)は、記載も示唆もされていない。
　つまり、本件発明１は、被処理物が反応ガスによって処理される領域と、その外側の大気とを遮蔽して、反応ガスの流出防止および空気による汚染防止をするというものであるところ、甲第１号証にはそのような発想はまったくない。
　また、甲第３号証には、反応後の排ガスを回収し、その中の不活性ガスを再生利用する排気システムが開示されてはいる。しかし、このシステムは、被処理シート材表面に接触・密接するスカートと排気系とで構成された、いわば閉ループ系である。
　すなわち、この甲第３号証は、被処理物が連続シート材であり、前記閉ループ系により排ガスを回収して不活性ガスを再生することが開示されているのみであり、被処理物が反応ガスによって処理される領域と、その外側の大気とを遮蔽するという発想を示唆するものではない。
　したがって、甲第５号証に、常圧熱ＣＶＤにおいて、窒素ガス流で処理領域と外気(大気)とを遮蔽することが開示されているからといっても、このことを前記甲第１，３号証の開示内容に結び付ける必然性がない。
　そして、本件発明１は、前記(要件1)により訂正明細書記載の「大気圧状態で処理される各種工程に連結する場合には、これらの工程を連続して行なうことができるので、半導体を一括して大量生産することができる」という作用効果を奏することになる。
　よって、本件発明１は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　　　
［２］本件発明２の容易性
　甲第１〜５号証のどこをみても、本件発明２の「大気圧下において印加されるＲＦ電源によりコロナ放電を起す少なくとも１個以上の電極と、基板台および電極の周囲に設けられて、外部空気によって基板が汚染されるのを防止する排気システムと、前記基板台の上部に設けられ、その移送により前記基板を連続して前記基板台上に移送するタイミングベルトとを備え」る構成(要件2)は、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明２は、前記(要件2)により、訂正明細書記載の「大面積の基板に対する処理能力を向上させることができ、この装置を大気圧状態で処理される各種工程に連結する場合には、これらの工程を連続して行なうことができるので、半導体を一括して大量生産することができる」という作用効果を奏する。
　したがって、本件発明２は、甲第1〜5号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明１，２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１，２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１月２１日（２００５．１．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体製造方法及び半導体製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　大気圧下において基板（１２）上にＲＦ電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも１個以上の電極（１４）に、反応ガスを供給する工程と、
　前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して前記基板に照射させる工程と、
　イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板内で拡散されるようにする工程と、
　
前記電極（１４）間に供給される反応ガスの外側に、反応ガスの流出防止および空気を汚染防止のために、窒素（Ｎ２）ガスを基板（１２）の外側に供給する工程と、を備えることを特徴とするコロナ放電を利用した半導体製造方法。
　【請求項２】
　
大気圧下において印加されるＲＦ電源（１３）によりコロナ放電を起す、基板台（１１）上部に設けられた少なくとも１個以上の電極（１４）と、
　前記電極の上方へ反応ガスを供給するガス供給システム（１５）と、
　前記基板台（１１）および電極（１４）の周囲に設けられて、外部空気によって基板（１２）が汚染されるのを防止する排気システム（２１）と、
　前記基板台（１１）の上部に設けられ、その移送により前記基板（１２）を連続して前記基板台上に移送するタイミングベルト（１８）とを備え、
　前記電極（１２）が第１電極（１４ａ）と第２電極（１４ｂ）とを有し、この第１電極（１４ａ）および第２電極（１４ｂ）が放電室を構成することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体製造方法および半導体製造装置の関し、特に大気圧においてコロナ放電を利用して注入ガスの種類に応じて諸工程を低コスト装備によってなされるようにした半導体製造方法およびその装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図１は従来の水素のプラズマ処理のための一例を示す概略図で、供給電源２により真空チャンバ内に高周波（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｉｑｕｅｎｃｙ）を発生させる一対の陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）３が真空チャンバ１内の上部に設けられ、その下部に、基板４を支持するとともに、一定温度で前記基板４を加熱する基板台５を備えた陽極（Ａｎｏｄｅ）が設けられている。また真空チャンバ１内には一対の陰極３間に水素（Ｈ２）を供給するガス供給システム６が設けられ、真空チャンバ１の側面には工程中に前記真空チャンバ１内の圧力を適正に維持させる排気システム７が設けられている。
　【０００３】
　このように構成された従来の半導体水素化処理用装置による工程を説明する。
　【０００４】
　水素（Ｈ２）を、基板４の大きさおよび真空チャンバ１の大きさに比例して１０〜５００ｓｃｃｍで流し、基板４温度を２５０〜３５０℃以内に維持させるとともに、排気システム７を調節して反応圧力０．１〜１Ｔｏｒｒの真空度に維持させる。
　【０００５】
　このような条件で、ＲＦ電源２から０．０５〜１Ｗ／ｃｍ２の電力を供給すると、水素（Ｈ２）はプラズマ状態に分離されて基板４上の半導体膜に拡散され、半導体膜は水素化された。
　【０００６】
　この時、前記装置の制御は、基板４表面における水素ラジカル（プラズマ分離）の濃度と基板温度の水素拡散速度に応じて決定される。
　【０００７】
　一方、図２は従来の半導体水素化処理用装置の他の例を示す縦断面図で、光を用いて水素化処理を行なう装置である。この装置は、真空チャンバ１内の下方に設けられて基板４を支持するとともに一定の温度に保持する基板台５と、前記真空チャンバ１の上方に設けられた石英窓８を通じて基板上部へ光を照射する低圧水銀灯９と、真空ポンプの駆動により真空チャンバ１内を一定の真空度で維持させる排気システム７と、前記真空チャンバ１内にガス（Ｈ２、Ｈｇ）が一定流量で供給されるように、これを調節するガス供給システム６とからなっている。
　【０００８】
　上述した装置における製造工程では、ガス供給システム６から水素（Ｈ２）と水銀（Ｈｇ）とを同時に一定流量で真空チャンバ１内に供給する。そして、低圧水銀灯９から波長１８４．９ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外線（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ｒａｙｓ）光を照射することによって、水銀（Ｈｇ）が励起された水銀（Ｈｇ＊）状態となり、これにより水素（Ｈ２）がラジカル（Ｒａｄｉｃａｌ）に分解される。この水素ラジカルは、半導体膜に拡散されて、半導体膜を水素化する。
　【０００９】
　ここで、前記装置は半導体の表面の水素（Ｈ２）ラジカル濃度と、薄膜内部へ水素（Ｈ２）が拡散される速度を決める基板温度とに応じて制御され、基板表面における水素（Ｈ２）濃度は真空チャンバ１内の水素（Ｈ２）および水銀（Ｈｇ）の分圧により決められる。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、このような従来の水素化処理用装置および方法は次のような問題点がある。
１．　共に真空チャンバ１内で工程が進行されるので、かならず排気システム７が必要である。
２．　これにより、設備が高価である真空チャンバ１および排気システム７を設置しなければならないので、施設のコストが高い。
３．　真空状態において工程が進行されるので、基板の処理時間が長くなる。
４．　図１のような装置を用いた工程が大気圧下での処理工程の間で行われる場合、真空チャンバ内をその都度真空にする必要が生じるので生産性はさらに低下する。
５．　図２のような装置は、水銀（Ｈｇ）を使用するので、公害の発生原因となる。
６．　大形の基板を製造する場合、低圧水銀灯９の光を透過する石英窓８の大きさも大型化しなければならない。
７．　低圧水銀灯９は広い面積を均一に照射することができないので、良質の半導体製造が難しい。
　【００１１】
　本発明の目的は、上記問題点を解消するためのもので、大気圧下においてコロナ放電を利用して注入ガスを放電により分解させて高エネルギーのイオンおよびラジカル状態とした後、これを基板へ照射することにより、工程が行われる方法および装置を提供することにある。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体製造方法は、大気圧下において基板（１２）上にＲＦ電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも１個以上の電極（１４）に、反応ガスを供給する工程と、前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して前記基板に照射させる工程と、
　イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板内で拡散されるようにする工程と、前記電極（１４）間に供給される反応ガスの外側に、反応ガスの流出防止および空気を汚染防止のために、窒素（Ｎ２）ガスを基板（１２）の外側に供給する工程と、を備えることを特徴とする。
　【００１３】
　本発明にかかる半導体製造装置は、大気圧下において印加されるＲＦ電源（１３）によりコロナ放電を起す、基板台（１１）上部に設けられた少なくとも１個以上の電極（１４）と、前記電極の上方へ反応ガスを供給するガス供給システム（１５）と、前記基板台（１１）および電極（１４）の周囲に設けられて、外部空気によって基板（１２）が汚染されるのを防止する排気システム（２１）と、前記基板台（１１）の上部に設けられ、その移送により前記基板（１２）を連続して前記基板台上に移送するタイミングベルト（１８）とを備え、前記電極（１２）が第１電極（１４ａ）と第２電極（１４ｂ）とを有し、この第１電極（１４ａ）および第２電極（１４ｂ）が放電室を構成することを特徴とするものである。
　【００１４】
　【実施例】
　以下、本発明の一実施例を図３乃至図６に基づいて詳述する。
　【００１５】【００１６】
　【００１７】
　図３は本発明の半導体処理装置を説明するための概略図であり、図４は本発明の電極間距離と放電開始圧との関係を示すグラフであり、図６は本発明の半導体処理装置の一実施例を示す縦断面図および横断面図である。
　【００１８】
　本発明は、大気圧下の基板台１１上に載置されたＲＦ電源１３でコロナ放電を起す電極１４を、図３（ａ）に示すように、一対設けて一方の電極１４を接地させ、他方の電極１４はＲＦ電源１３と連結する。
　【００１９】
　または図３（ｂ）に示すように、基板１２上方に１個の電極１４を設けて前記電極１４をＲＦ電源１３と連結し、基板１２が載置される基板台１１は接地される。したがってＲＦ電源１３を印加すれば、電極１４間または電極１４と基板台１１間にコロナ放電が発生する。
　【００２０】
　コロナ放電が起った状態で、ガス供給システム１５により反応ガス、例えばＨ２、Ｏ２、Ｈ２、ＳｉＨ４、ＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＧｅＨ４、ＧｅＦ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｈｅ、Ａｒ、Ｏ、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨ２Ｆ２、ＮＦ３、ＣＣｌ２Ｆ２、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＷＦ６、２ＭｏＣｌ５、Ｃｒ〔Ｃ６Ｈ５ＣＨ（ＣＨ３）２〕２、Ａｌ（Ｃ４Ｈ９）３のいずれかのガスを、電極１４上部に供給することにより、電極１４間に励起された電子が反応ガスの分子を高エネルギーのイオンとラジカル状態にする。
　【００２１】
　このようにコロナ放電により生成された高エネルギーのイオンおよびラジカルは、基板に照射されて半導体表面において化学的反応を起しまたは半導体内に拡散される。
　【００２２】
　上述の工程は大気圧下において行われるが、前記工程進行時に基板１２が反応ガス以外の他のガス（空気）から汚染されることを防止するために、前記電極１４の周囲を覆うための別の窒素（Ｎ２）ガスを供給するのが望ましい。
　【００２３】
　上記工程および装置の基本原理は、図３に示すように、単一の種類の上述の反応ガスを一定流量で供給するガス供給システム１５と、コロナ放電を起すＲＦ電力を印加する電源１３と、これに連結された少なくとも１個以上の電極１４と、基板１２を支持しながら、一定温度で加熱する基板台１１とから構成される。この時使用電極１４はＷ、Ｔａのような高融点金属であり、コロナ放電時に前記電極の流出により汚染を防止するために、電極表面をＭｇＯまたはＳｉＯ２等のような金属酸化膜で表面処理する。また、印加される電源は、アーク放電を防止し、コロナ放電が持続して発生するように、１００ＫＨｚ以上の高周波電源を使用する。
　【００２４】
　各電極間の距離（ｄ１）、電極と基板間の距離（ｄ２）により決められる電界（ｆｉｅｌｄ）は１ＫＶ／ｍｍ以上、例えばｄ１、ｄ２＝５ｍｍである場合、５ＫＶ以上印加の可能な電源を使用する。
　【００２５】
　図４は、図３（ｂ）である場合の、電極間距離（ｄ２）に対する放電開始電圧（Ｖｉ）の依存性を示す。ここで、電極の径φ１、φ２、φ３が１ｍｍ、２ｍｍ、４ｍｍである場合、前記グラフのように、放電開始電圧（Ｖｉ）はｄ２のＬｏｇ函数と比例関係にあることがわかる。また電極の径が減少するにしたがって放電開始電圧が減少することがわかる。
　【００２６】
　図３（ａ）に示すような装置において、溶融されたＳｉＯ２で封止したタングステン（Ｗ）線を電極材として用い、電極間距離（ｄ１）が２ｍｍとなるようにして水素（Ｈ２）雰囲気で水素をガス供給システム１５により２００ｓｃｃｍ供給した。この時、電源１３としては周波数８０ＫＨｚの高周波電源を使用し、電圧を印加すると約６ＫＶの電圧において放電が開始された。
　【００２７】
　図５は、ＬＰＣＶＤによりシリコンウェーハ（基板）上に非晶質シリコン膜を３０００Ａで形成した後本発明により基板１２を３５０℃で加熱し、８ＫＶ電圧で３０分間処理することにより、非晶質シリコン膜内に水素（Ｈ２）を分布させた状態を分析した結果を示すグラフである。
　【００２８】
　このグラフから、表面の水素（Ｈ２）濃度が初期の水素濃度に比べて８倍以上にまで増加したことがわかる。
　【００２９】
　また、非晶質シリコン膜の深さに対して水素濃度はエラー函数（ｃｒｒｏｒ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を示すので、水素の高基板温度に応じた拡散により水素化される。
　【００３０】
　以下、本発明の一実施例を図６を参照してさらに詳述する。
　【００３１】
　本発明は大面積の絶縁基板上に形成された半導体薄膜を大気圧下において連続処理ができるように構成されている。
　【００３２】
　コロナ放電を起す電極１４は第１電極（１４ａ）と第２電極（１４ｂ）とからなり、第１電極（１４ａ）はＷ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏのいずれかの金属である。
　【００３３】
　前記第１電極（１４ａ）の表面にはＴａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２、ＮｇＯのいずれかの金属酸化膜が塗布されている。第２電極（１４ｂ）は表面を金属酸化膜で処理されている。
　【００３４】
　第１電極（１４ａ）の外側には空間部を有する第２電極（１４ｂ）が設けられて、少なくとも１個以上の放電室１６を備えている。
　【００３５】
　前記放電室１６はチューブ状をなし、Ｘ軸方向に長く形成されている。この時第１電極（１４ａ）の形状は線または棒状となり、その径は１ｍｍ以上になっている。
　【００３６】
　また、前記第１電極（１４ａ）と第２電極（１４ｂ）間、すなわち、放電室１６の内部への反応ガスの注入はガス供給システム１５により一定流量を供給するようになっている。
　【００３７】
　前記放電室１６の上部には拡散器１７が設けられている。前記放電質１６の上部に拡散器１７を設ける理由は、放電室１６に反応ガスをより均一に供給するためである。
　【００３８】
　また、ＲＦ電源１３としては交流電源を使用するが、８０ＫＨｚで最大２０ＫＶまで印加することができるようになっており、前記ＲＦ電源１３は第１電極（１４ａ）および第２電極（１４ｂ）の両端に連結されている。
　【００３９】
　前記放電室１６で分解された高エネルギーのイオンおよびラジカルが、放電室１６下部に拡管されたスリット状のノズルを通過することができるようになっている。
　【００４０】
　基板台１１の上部に設けられたタイミングベルト１８に基板１２が載置されて基板台１１に移送された後、一定温度で加熱された状態で、工程が行われるようになっている。
　【００４１】
　この時、各工程の進行は、反応ガスの流量、放電電圧、ベルト移送速度、基板台の加熱温度により制御される。
　【００４２】
　また、装置において反応ガスが流出されることを防止し、外部の空気によって装置が汚染されることを防止するために、窒素（Ｎ２）ガスが基板１２の外側に供給されるようになっている。
　【００４３】
　前記窒素ガスは、第２電極（１４ｂ）に形成された窒素供給口１９を通じて窒素供給システム２０から供給されるので、反応ガスの流出および基板の汚染を防止することが可能となる。
　【００４４】
　また、反応ガスを外部へ排出する排気システム２１は、タイミングベルト１８の外側と上部とに設けられている。未反応ガスを大気に強制排出する前に酸素を利用して酸化させて排気することにより、大気を汚染させないようにしている。
　【００４５】
　以下、反応ガスの種類に応じて基板の製造工程が相異することを、実施例を参照して説明する。
実施例１
ウェーハ不純物のドーピング方法
　本発明で用いた水素（Ｈ２）ガスの代わりに、半導体不純物ドーピング用ガスである３価または５価の元素を含むフォスフィン（ＰＨ３）、ジボラン（Ｂ２Ｈ５）、アルシン（ＡｓＨ３）ガス等を、ガス供給システム１５と拡散器１７を通過させて放電室１６に供給し、前記反応ガスをコロナ放電を利用して分解して基板１２表面の半導体薄膜に拡散させることにより、ｎ型またはｐ型の半導体を製作する。
　【００４６】
　大気圧下において、高エネルギーで分解された３価または５価の元素を基板１２に照射することにより、高温で拡散させてイオン注入を行なう従来の半導体ドーピング方法と比べて、半導体膜を含む大面積の基板の不純物のドーピング処理を大量に行なうことができる。
実施例２
表面洗浄および高分子膜除去工程
　本発明で用いた水素（Ｈ２）ガスの代わりに酸素ガスを用いれば、放電により分解された高エネルギーの酸素イオンおよび酸素ラジカルが基板１２の表面に照射される。これにより、高エネルギーの酸素イオンおよび酸素ラジカルは基板１２の表面に残っている有機物と反応して酸化され、除去される。
　【００４７】
　特に、このような方法は、フォトレジスト膜を除去するためのアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程において大気圧下で高エネルギーの酸素イオンおよび酸素ラジカルを用いることより、従来技術であるドライ−エッチ（Ｄｒｙ−Ｅｔｏｈ）または紫外線−アッシング（ＵＶ−Ａｓｈｉｎｇ）処理に比べて量産が可能である。
実施例３
半導体膜の形成方法
　本発明で用いた水素（Ｈ２）ガスの代わりにシラン系ガス（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＦ４）を用いてコロナ放電を利用して分解させた後、これを加熱基板１２上に照射することにより、基板温度に応じて非晶質シリコンまたは結晶質シリコン膜を形成する。
　【００４８】
　従来、半導体膜の形成装置は高価の真空設備であるが、本発明は大気圧下における連続形成工程が可能であるので生産性が向上する。
実施例４
絶縁膜の形成方法
　本発明で用いた水素（Ｈ２）ガスの代わりにシラン系ガスおよび酸化性ガス（Ｏ２、Ｎ２Ｏ等）または窒化膜用ガス（ＮＨ３等）を混合して使用することにより、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜の形成が可能である。
　【００４９】
　またシラン系ガスの代わりに、各種金属が含まれた反応ガス、例えばＷＦ６、２ＭｏＣｌ５、Ｃｒ〔Ｃ６Ｈ５ＣＨ（ＣＨ３）２〕２、Ａｌ（Ｃ４Ｈ９）３のいずれかのガスを、酸化性ガスまたは窒化膜用ガスと混合して反応させることにより、基板表面に金属酸化膜や金属窒化膜が形成される。
実施例５
乾式触刻方法
　本発明で用いた水素（Ｈ２）ガスの代わりに、ＣＦ４、ＮＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＳＦ６、ＣＣｌ２Ｆ２等、乾式触刻時に使用される反応ガスをコロナ放電を利用して分解させた後に基板に照射することにより、基板表面の金属膜、半導体膜、絶縁膜の乾式触刻が可能である。
　【００５０】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、１個の装置で大気圧下において多種の反応ガスを選択的に供給し、これをコロナ放電を利用して分解させた後、基板表面に照射して化学的な反応または拡散が起るようにしたので、大面積の基板に対する処理能力を向上させることができる。さらに、前記装置を大気圧状態で処理される各種工程に連結する場合には、これらの工程を連続して行なうことができるので、半導体を一括して大量生産することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　従来の半導体水素化処理用装置の一例を示す縦断面図である。
　【図２】
　従来の半導体水素化処理用装置の他の例を示す縦断面図である。
　【図３】
　本発明の半導体処理装置を説明するための概略図である。
　【図４】
　本発明による電極間の距離と放電の開始電圧との関係を示すグラフである。
　【図５】
　本発明により非晶質シリコン膜が形成されたシリコンウェーハを水素化処理して水素分布を分析したグラフである。
　【図６】
　本発明の半導体処理装置の一実施例を示す断面図で、（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は横断面図である。
　【符号の説明】
　１１　基板台
　１２　基板
　１３　電源
　１４　電源
　１４ａ　第１電極
　１４ｂ　第２電極
　１５　ガス供給システム
　１６　放電室
　１７　拡散器
　１８　タイミングベルト
　１９　窒素供給口
　２０　窒素供給システム
　２１　排気システム