【事件の表示】
　平成　１年特許願第２２９５２９号「マイクロ波素子」拒絶査定に対する審判事件〔平成　２年　６月２８日出願公開、特開平　２−１６８６０６、平成　７年　５月２４日出願公告、特公平　７−　４８４２５、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯、本願発明の要旨
  本願は、平成元年９月５日（優先権主張昭和６３年９月３０日）の出願であって、その請求項１ないし請求項６に係る発明は、出願公告後の平成１２年７月２６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１ないし請求項６に記載された次のとおりのものと認める。
「１．１２．３８３Å以上の格子定数を有する基板単結晶の上にこの基板単結晶と格子定数が合致する組成式（Ｙ１−ｘＭｘ）ａＦｅ８−ａＯ１２または（Ｙ１−ｘＭｘ）ａ（Ｆｅ１−ｙＮｙ）８−ａＯ１２（ここにＭはＬａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕから、またＮはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃから選択される少なくとも１つの元素、Ｘは０＜Ｘ＜０．９０、ｙは　０．１０≦ｙ≦０．２０、ａは３．１≧ａ＞３．０）で示される磁性膜結晶を厚さ５０μｍ以上でエピタキシャル成長させてなる酸化物ガーネット単結晶を用いてなることを特徴とするマイクロ波素子。
　２．基板単結晶がガドリニウム・ガリウム・ガーネットであり、格子定数が１２．３８３〜１２．３８６Åである請求項１に記載のマイクロ波素子。
　３．基板単結晶がネオジム・ガリウム・ガーネットであり、格子定数が１２．５０８±０．００３Åである請求項１に記載のマイクロ波素子。
　４．基板単結晶がサマリウム・ガリウム・ガーネットであり、格子定数が１２．４３８±０．００３Åである請求項１に記載のマイクロ波素子。
　５．基板単結晶が一部をＣａ、Ｚｒで置換した、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット系であり、格子定数が１２．４５±０．０１Åである請求項１に記載のマイクロ波素子。                          
　６．基板単結晶が一部をＣａ、Ｚｒ、Ｍｇで置換した、ガドリニウム・ガリウム・ガーネットで系あり、格子定数が１２．４９６±０．００３Åである請求項１に記載のマイクロ波素子。」
　
２．原査定の理由
　一方、原査定の拒絶の理由となった特許異議の決定の理由の概要は、本願請求項１ないし請求項６に係る発明は、いずれも“ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ”　Ｖｏｌ．ＭＡＧ−１３，Ｎｏ．５，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　１９７７　ｐ．１２３８−１２４０（以下、引用例という）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というにある。
　
３．引用例の記載
  引用例には、以下の点の記載がある。
・マイクロ波素子に用いるのに適した厚い置換されたＹＩＧフィルムは、フィルム基板の格子ミスマッチが少ない場合のみＧＧＧ基板の上に成長させることができること、ＧＧＧで成長させた１０μｍの厚さを超えるドープされていないＹＩＧフィルムは、通常、フィルム−基板界面で応力によるひびが入ること、ドープされていないＹＩＧの格子定数は、調和して成長するＧＧＧよりも０．００８Åほど小さいこと、ここに記載された方法は、ＹＩＧの格子を拡張させＧＧＧのそれに合致させるために非磁性のＬａ３＋を用いていること、（第１２３８頁のＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮの項第１〜９行）
・Ｌａ３＋：ＹｌＧフィルムは、アライドケミカル社の１インチに磨かれた（１１１）ＧＧＧウエーハの上に成長させられたこと、成膜温度は、９５０−９６０℃から変化させられたこと、フィルムは、１０−１３℃のスーパークーリング、１．０μｍ／ｍｉｎを超える速度で成膜されたこと、０．９μｍ／ｍｉｎ未満の速度で成膜したフィルムは、（１１０）面を示したこと、この成膜速度における面形成は、バブル素子装置のために形成された磁気ガーネットフィルムと同様（共通）ではないこと、面形成は、より低い温度で成長させられたＰｂ２＋、Ｐｂ４＋：ＹＩＧフィルムでは観察されていなかったこと、ＹＩＧのメルトにＬａ２０３の付加は、基板−フィルムの格子定数のミスマッチを減らすためになされたこと、ドープされていないＹＩＧフィルムおよびＬａ３＋：ＹｌＧフィルムの（８８８）反射のθスキャンは、Ｆｉｇ．１に示されること、｜ａｏｓ−ａｏｆ｜＜０．００２Åとなる溶融組成はＴａｂｌｅ１に示されること、フィルム組成は、Ｔｏｌｋｓｄｏｆらのデータから計算されたこと、ミスマッチゼロの組成は、Ｌａ０．０２Ｙ２．９８Ｆｅ５０１２であること、格子を拡張しＧＧＧにマッチさせることによるフィルムの応力の除去は、１８μｍフィルムの成膜を可能にしたこと、近年の文献では、Ｇｌａｓｓは、１００μｍ厚さのＰｂ２＋、Ｐｔ４＋：ＹＩＧフィルムを成膜したこと、Ｌａ３＋：ＹｌＧフィルムにおいても同程度の厚さのものを成長させることができるであろうこと、（第１２３８頁のＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＡＬのＩ．Ｆｉｌｍ　Ｇｒｏｗｔｈの項第１〜最終行）
・このプロセスによって達成された最良の半値幅は０．４５０ｅであったこと、（第１２４０頁の左欄第１５〜１６行）
　
４．対比・判断
  本願請求項１に係る発明（以下、前者という）と引用例に記載された発明（以下、後者という）とを対比すると、両者は、基板単結晶の上に、イットリウム鉄ガーネット（ＹＩＧ）磁性膜結晶をエピタキシャル成長させるにあたり、基板単結晶の格子定数と磁性膜結晶の格子定数とのミスマッチを防止するためにＬａをドープする点で一致するが、（Ｙ：Ｌａ）とＦｅとの比、ａ：（８−ａ）のａの値が前者では、３．１≧ａ＞３．０であるのに対し、後者ではａ＝３である点、及び前者で得られる磁性膜結晶の厚さが５０μｍ以上であるのに対し、後者で得られる磁性膜結晶の厚さは、１８μｍのものが例示されている点で相違する。
　そこで、これら相違点につき検討するに、後者において、（Ｙ：Ｌａ）とＦｅとの比は、Ｌａをドープする前のＹＩＧにおける、ＹとＦｅとの比３：５のままであり、これを変更することについて引用例には記載も示唆もない。そして、前者は、（Ｙ：Ｌａ）とＦｅの比を前記した範囲の値とする、すなわち、ＦｅをＹＩＧにおけるよりもａ＝３．１までの範囲で相対的に少なくすることにより、後者におけるよりも厚い磁性膜結晶を成長させることができたものと認められる。引用例には、１００μｍ厚さのＰｂ２＋、Ｐｔ４＋：ＹＩＧフィルムを成膜したこと、Ｌａ３＋：ＹｌＧフィルムにおいても同程度の厚さのものを成長させることができるであろうこと、が記載されているが、現実に１００μｍの厚さの膜を成長させたのは、前者とは異なる組成のものであり、Ｌａをドープした膜について同程度の厚さのものを成長させることに関しては、その可能性が示唆されるのみで、どのような手段によりそれを実現するかについては何ら記載も示唆もない。したがって、本願請求項１に係る発明が引用例に記載された発明に基いて当業者の容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
  本願請求項２ないし請求項６は、いずれも本願請求項１の構成を全て備えたものであるから、本願請求項１について検討したと同様の理由により引用例に記載された発明に基いて当業者の容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　
５．むすび
  以上のとおりであるから、本願請求項１ないし請求項６に係る発明は引用例に記載された発明に基いて当業者の容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、とした原審の判断は妥当でない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり審決する。