【事件の表示】
　特願２００９−１８４９１０「量子井戸と超格子とを有するＩＩＩ族窒化物系発光ダイオード構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１１月　５日出願公開、特開２００９−２６０３９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００２年５月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００１年５月３０日　米国（３件），２００２年５月７日　米国）を国際出願日とする出願（特願２００３−５００９８７号（以下「原出願」という。））の一部を平成２１年８月７日に新たな特許出願をしたものであって，平成２３年８月３日及び平成２４年１月４日に手続補正がなされたが，同年６月２６日付けで拒絶査定がなされ，これに対して同年１０月２９日に審判請求がなされるとともに，同日付けで手続補正がなされ，これらに対し，平成２５年３月１３日付けで審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるために審尋を行ったところ，同年６月１４日付けで回答書が提出されたものである。
 　
 　
第２　平成２４年１０月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年１０月２９日付けの手続補正を却下する。
 　
［理由］
１　補正の内容
　平成２４年１０月２９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前（平成２４年１月４日付け手続補正後のもの）の請求項１として，
 　
「周期的に繰り返された量子井戸構造からなる多重量子井戸構造を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスであって、
　前記多重量子井戸構造は、
　ＩＩＩ族窒化物系井戸支持層と、
　ＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、
　ＩｎXＧａ1-XＮ（ここで０≦Ｘ＜１）を含むＩＩＩ族窒化物系キャップ層と、
　を備え、前記ＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と前記ＩＩＩ族窒化物系キャップ層は、前記ＩＩＩ族窒化物系井戸支持層の成長温度よりも低い温度で成長することを特徴とするＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。」
 　
とあったものを，以下のように補正して新たな請求項１とすることを含むものである。
 　
「周期的に繰り返された量子井戸構造からなる多重量子井戸構造を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスであって、
　前記多重量子井戸構造は、
　
Ｉｎ
X
Ｇａ
1-X
Ｎ（ここで０≦Ｘ＜１）を含む
　ＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、
　ＩｎXＧａ1-XＮ（ここで０≦Ｘ＜１）を含むＩＩＩ族窒化物系キャップ層と、
　を備え、前記ＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と前記ＩＩＩ族窒化物系キャップ層は、前記ＩＩＩ族窒化物系井戸支持層の成長温度よりも低い温度で成長することを特徴とするＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。」（下線は審決で付した。以下同じ。）
 　
 　
２　補正の目的
　本件補正は，「ＩＩＩ族窒化物系井戸支持層」につき，「ＩｎXＧａ1-XＮ（ここで０≦Ｘ＜１）を含む」との限定を行うものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
 　
 　
３　独立特許要件 
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）先願
　原査定の拒絶の理由に引用され，原出願の優先日前の他の出願であって，同法第４１条第３項の規定によりその出願後に出願公開されたものとみなされる特願平１１−３０８９６４号（特開２００１−１６８４７１号）（以下「先願」という。）の明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には，図とともに以下の事項が記載されている。
　ア　「【産業上の利用分野】本発明はＬＥＤ、ＬＤ（レーザダイオード）等の発光デバイス、またはフォトダイオード等の受光デバイスに利用される
窒化物半導体
よりなる素子
 　
　イ　「また、活性層１０６の成長温度は障壁層１３の成長温度（以下、第１の温度という。）については７５０℃以上１１００℃以下、井戸層１１の成長温度（以下、第２の温度という。）については第１の温度より低く、７５０℃以上８８０℃以下。中間層１２の成長温度（以下、第３の温度という。）については井戸層１１と同温度の第２の温度か、それ以上で第１の温度よりは低い、７５０℃以上８８０℃以下とする。しかし、中間層１２についてはあまり成長温度が高くなると、井戸層の全面にわたってＩｎが分解してしまうので、本発明の課題の解決に反してしまう。従って中間層１２の成長温度は、最も好ましくは井戸層１１の成長温度と同温度とする。また、これらの温度は窒化物半導体素子を作成の際、発光させる波長によって井戸層１１のＩｎの混晶比は変わってくるので、そのＩｎの混晶比に対応させて最適な温度を決める必要がある。」（【００２４】）
 　
　ウ　「［実施例７］実施例１において、活性層１０６を以下のようにした。
（活性層１０６）温度を８８０℃にして
Ｉｎ
0.02
Ｇａ
0.98
Ｎよりなる障壁層１３
温度を８２０℃に下げ
Ｉｎ
0.4
Ｇａ
0.6
Ｎよりなる井戸層１１
同温度で
ＧａＮよりなる中間層１２
この障壁層１３、井戸層１１、中間層１２の３層構造をさらに５回繰り返して積層
多重量子井戸（ＭＱＷ）からなる活性層１０６を成長させる
 　
（２）先願明細書に記載された発明
　ア　上記（１）ア，イ及びウによれば，先願明細書には，先願明細書に記載された発明の一態様として，次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
 　
「窒化物半導体よりなる素子であって、その活性層は、
８８０℃で成長させたＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎよりなる障壁層、
温度を８２０℃に下げ成長させたＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなる井戸層、
さらに、同温度（８２０℃）で成長させたＧａＮよりなる中間層、
この障壁層、井戸層、中間層の３層構造をさらに５回繰り返して積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）からなる活性層、
よりなる素子。」
 　
（３）対比
　本願補正発明と先願発明とを対比する。
　ア　先願発明の「
ＧａＮよりなる中間層
Ｉｎ
0.02
Ｇａ
0.98
Ｎよりなる障壁層
Ｉｎ
0.4
Ｇａ
0.6
Ｎよりなる井戸層
ＧａＮを含むＩＩＩ族窒化物系キャップ層
Ｉｎ
X
Ｇａ
1-X
Ｎ（ここで０≦Ｘ＜１）を含むＩＩＩ族窒化物系キャップ層
窒化物半導体よりなる素子
８８０℃で成長させたＩｎ
0.02
Ｇａ
0.98
Ｎよりなる障壁層
温度を８２０℃に下げ成長させたＩｎ
0.4
Ｇａ
0.6
Ｎよりなる井戸層
同温度（８２０℃）で成長させたＧａＮよりなる中間層
多重量子井戸（ＭＱＷ）からなる活性層
ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス
Ｉｎ
X
Ｇａ
1-X
Ｎ（ここで０≦Ｘ＜１）を含むＩＩＩ族窒化物系井戸支持層
ＩＩＩ族窒化物系量子井戸層
Ｉｎ
X
Ｇａ
1-X
Ｎ（ここで０≦Ｘ＜１）を含むＩＩＩ族窒化物系キャップ層
多重量子井戸構造
　イ　先願発明の「多重量子井戸（ＭＱＷ）からなる活性層」は「障壁層，井戸層，中間層の３層構造をさらに５回繰り返して積層した」ものであるから，先願発明は，本願補正発明の「周期的に繰り返された量子井戸構造」を備える。
 　
　したがって，両者は，　  
「周期的に繰り返された量子井戸構造からなる多重量子井戸構造を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスであって、
　前記多重量子井戸構造は、
　ＩｎXＧａ1-XＮ（ここで０≦Ｘ＜１）を含むＩＩＩ族窒化物系井戸支持層と、
　ＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、
　ＩｎXＧａ1-XＮ（ここで０≦Ｘ＜１）を含むＩＩＩ族窒化物系キャップ層と、
　を備え、前記ＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と前記ＩＩＩ族窒化物系キャップ層は、前記ＩＩＩ族窒化物系井戸支持層の成長温度よりも低い温度で成長することを特徴とするＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。」
との点で一致し，相違点はない。
 　
　したがって，本願補正発明と先願発明との間には相違点は存在せず，本願補正発明は先願明細書に記載された発明と同一である。
 　
　しかも，本願補正発明の発明者が上記先願明細書に記載された先願発明の発明者と同一であるとも，また，本願の出願時に，その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので，本願補正発明は，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができないものである。 
 　
 　
４　補正却下の決定についてのむすび
 　以上のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　
 　
第３　本願発明について
１　本願発明
 　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２４年１月４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された，上記第２の１において本件補正前のものとして記載したとおりのものである。
 　
 　
２　判断
 　本願発明は，上記第２の３（３）で検討した本願補正発明において，
「ＩＩＩ族窒化物系井戸支持層」につき，「ＩｎXＧａ1-XＮ（ここで０≦Ｘ＜１）を含む」との限定を除いたものである。
 　そうすると，上記第２の３（３）での検討に照らして，本願発明と先願発明との間に相違するところはないから，本願発明は，先願明細書に記載された発明と同一であり，しかも，本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された先願発明の発明者と同一であるとも，また，本願の出願時に，その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないから，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができないものである。 
 　
 　
３　むすび
 　以上のとおり，本願発明は，先願明細書に記載された発明と同一であり，しかも，本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも，また，本願の出願時に，その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので，本願発明は，特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
 　
 　よって，結論のとおり審決する。