【事件の表示】
　特許第３１９７４５４号「積層セラミックコンデンサー用ニッケル超微粉」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１９７４５４号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１９７４５４号の請求項１及び２に係る発明についての出願は、平成７年３月１０日になされ、平成１３年６月８日に、その発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議の申立てがなされ、平成１４年５月２８日に取消理由（平成１４年５月１７日付け）が通知され、その指定期間内である平成１４年７月２９日に特許異議意見書が提出され、さらに、平成１４年９月２０日に特許権者に審尋（平成１４年９月６日付け）がなされ、その指定期間内である平成１４年１１月１５日に回答書が提出されたものである。
　
２．本件発明
　本件請求項１及び２に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】平均粒径が0.1〜1.0μmで、かつタップ密度が(2)式で表される条件を満足し、さらに粒度分布の幾何標準偏差が2.0以下、かつ平均結晶子径が平均粒径の0.2倍以上であることを特徴とする積層セラミックコンデンサー用ニッケル超微粉。
　タップ密度≧−2.5×(平均粒径)2＋7.0×(平均粒径)＋0.8・・・(2)式
【請求項２】塩化ニッケル蒸気の気相還元方法によって製造されたことを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサー用ニッケル超微粉。」
　
３．取消理由の概要
　これに対して、当審で通知した取消理由の１つは、本件請求項１及び２に係る発明は、刊行物２（特開平４−３６５８０６号公報、特許異議申立人 亀井正裕が提出した甲第２号証）又は刊行物３（欧州特許出願公開第４６１８６６号公報、特許異議申立人 エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングが提出した甲第１号証）に記載された発明であるから、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるというものである。
　また、特許法第３６条第４項に関する取消理由は、本件特許明細書には、特許異議申立人 エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングによる特許異議申立書第１２頁第１行〜第１３頁第９行で説明されているように、当業者が容易に実施できる程度に発明の構成が記載されているとはいえないから、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるというものである。
　
４．審尋及びその回答
　当審が特許権者に通知した審尋の内容は次のとおりである。
(a)水素ガスを中央ノズルから下向きに供給する点について
　特許権者は、刊行物２、３に記載された製造条件に関し、平成１４年７月２９日付けの特許異議意見書で、『ところで、本件特許明細書の実施例１には、還元用の水素ガスを、「反応部５の中央ノズル６から下向きに５リットル／分の割合で供給」することが明記されている（本件特許公報第５欄第３６〜３７行）。しかるに刊行物２ないし刊行物３の実施例１〜５には水素ガスを下向きに供給したことは何ら記載がないから、刊行物２ないし刊行物３の実施例１〜５に記載されたＮｉ超微粉の製造条件が本件特許明細書に開示された製造条件と実質的に同一であるとはいえない。』（特許異議意見書第４頁第６〜１１行）と主張している。
　ところで、水素ガスを中央ノズル６から下向きに供給する点について、本件特許の明細書には、「【実施例】実施例１　図２に示すような反応器１を用い」と記載されているから、実施例１では図２の反応器を用いて水素ガスを中央ノズル６から下向きに供給しているものである。
　しかし、図２において、反応部５の中央ノズル６は水平に配置されており、水素ガスが下向きに供給されるようには構成されているものではない。さらに、刊行物２、３でも、本件特許の図２に記載された反応器と同一の反応器が使用されており、両者の反応器が同一である以上、本件特許発明において水素ガスが中央ノズルから下向きに供給されているとすれば、刊行物２、３に記載のものでも水素ガスを中央ノズルから下向きに供給されているといえるものである。
　そこで、
　イ、図２に示された反応器において、どのようにして水素ガスを中央ノズル６から下向きに供給するのか、その具体的なやり方。
　ロ、刊行物２、３に記載された反応器では水素ガスが下向きに供給されていない理由。
の２点についての説明を回答書に記載されたい。
(b)本件特許発明の実施可能要件について
　また、特許権者は、「しかし、上述したように本件発明１及び２のＮｉ超微粉は本件特許明細書の実施例に記載されたアルゴン、水素の流量条件、塩化ニッケルの蒸気濃度の条件、反応部の反応温度の条件に制御し、刊行物２、３には記載のない還元用の水素を下向きに供給することによって製造しており、製造可能要件を満足し、かつ製造されたＮｉ超微粉は刊行物２、３に記載された方法によるものとは相違したものである。したがって、本件特許の明細書には、当業者が容易に実施できる程度に発明を開示しており、指摘の記載不備はないと思料する。」（特許異議意見書第７頁第９〜１５行）とも主張している。
　ところで、本件特許発明のニッケル超微粉の製造条件として、明細書には、「塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ塩化ニッケル蒸気と水素を1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させる」（特許公報第５欄第２４〜２７行）と記載されている。また、明細書の実施例１には、アルゴンガスの流量10リットル／分、塩化ニッケルの蒸気濃度（分圧）8.0×10-2、反応部の温度1050℃で、水素ガスを下向きに5リットル／分の割合で供給する条件でタップ密度2.5g／cm3のニッケル粉を製造したことが記載され、比較例１〜４は、塩化ニッケルの蒸気濃度（分圧）と反応部の温度以外は実施例１と同じ条件でニッケル粉を製造したと記載されている。
　そこで、比較例についてみてみると、比較例１、２では、アルゴン、水素の流量条件及び水素を下向きに供給することは実施例１と同じであり、かつ、塩化ニッケルの蒸気濃度はそれぞれ2.2×10-1（すなわち、0.22）と1.4×10-1（すなわち、0.14）、反応部の温度は1110℃と1170℃となっており、これらの条件は、いずれも上記のニッケル粉の製造条件を満たしている。それにもかかわらず、比較例１、２はタップ密度は(1)式を満たしているが、(2)式を満たしていない、すなわち、本件特許発明の条件を満たしていないものとなっている。
　そうすると、還元用の水素を下向きに供給するという条件が、本件特許発明のニッケル超微粉の製造条件として特別の意味を持っているとは認めることができず、特許権者が主張するように、「本件発明１、２のＮｉ超微粉は本件特許明細書の実施例に記載されたアルゴン、水素の流量条件、塩化ニッケルの蒸気濃度の条件、反応部の反応温度の条件に制御し、刊行物２、３には記載のない還元用の水素を下向きに供給する」だけでは、本件特許発明のニッケル超微粉を製造できるものとはいえない。
　そこで、還元用の水素を下向きに供給するという条件についての当審の上記見解に対し、反論するところがあれば回答書に記載されたい。
　上記審尋に対し、特許権者が提出した回答の概要は次のようなものである。
(a)について
　本件特許と刊行物２及び刊行物３が反応器の説明に、たまたま同じ概略図を使用していたからといって、その細部において非同一であることが妨げられるものではない。特に本件特許は反応装置そのものの発明ではないのであるから、その概略を示す図２において、水素ガスを下向きに供給する構造が明白でなかったとしても、そのことが特許発明をなんら不明瞭にしている訳ではない。本件特許発明のニッケル超微粉の製造条件の例は、明細書の実施例中において「反応部５の中央ノズル６から下向きに5リットル／分の割合で供給される水素７」という明瞭な記載をもって、そのような記載のない刊行物２、刊行物３に記載された製造条件と明確に区別される。
　イについては、例えば、水素供給管の先端を閉止し、下向きに開口を設ける方法、水素供給管先端の内部にガイド板を設けて水素の流れを下向きにする方法、水素供給管の先端を屈曲させて下向きに水素を流す方法など、いずれも当業者が容易に実施可能な方法によって、水素を下向きに供給することができ、このような方法は、本件特許にわざわざ図示しなくとも、当業者であれば明細書中の「反応部５の中央ノズル６から下向きに5リットル／分の割合で供給される水素７」との記載に基づいて、容易に追試可能な事項である。
　ロについては、刊行物２の図１、刊行物３のFig.１はいずれも反応器の概略を示すに過ぎず、実際のニッケル超微粉の製造方法は各刊行物の実施例に記載されているとおりであり、両刊行物とも水素を下向きに供給した記載がないのであるから、水素を下向きに供給する方法を開示したものと認定することはできない。
(b)について
　本件特許明細書中の比較例１及び比較例２は、出願時明細書では実施例７及び実施例８となっていたものを、審査過程で拒絶理由を受けた際に手続補正書によって比較例１及び比較例２に変更したものである。これらの例は本来本件特許発明の趣旨を逸脱したものなので削除すべきところを誤って比較例として残したにすぎない。これらの比較例が残っているために、指摘のように本件特許発明の趣旨が不明瞭であるので、これを削除する訂正を行う所存である。
　
５．特許法第２９条第１項の規定違反について
5-1.刊行物２に記載された発明
　当審における取消理由で引用した刊行物２（特開平４−３６５８０６号公報）には、
　「塩化ニッケル蒸気と水素との化学反応によりニッケル微粉を製造する方法において、塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させることを特徴とする球状ニッケル超微粉の製造方法。」（特許請求の範囲）、
　「【０００２】
【従来の技術】粒度分布が狭く、平均粒径が0.1〜数μmの範囲にあり、粒子が球状の金属超微粉は、ペースト性状が良好でかつ電子回路の導体形成に用いたとき、導体部の微細パターン化あるいは薄層化が可能であることから、近年このような粉末が益々要望されている。
【０００３】例えば積層セラミックスコンデンサは、セラミックス誘電体と内部電極とを交互に層状に重ねて圧着しこれを焼成して一体化させて作られるが、・・・」（第１欄第１２〜２０行）、
　「【０００５】ところで内部電極の厚みは用いるペースト中のフィラーの粒径に制限される。すなわち、粒径より薄くすることはできない。したがって、粒径の小さなフィラー粉末を使用すればよいが、平均粒径が１μmより小さな粉末でも、内部電極ペースト印刷時のフィラーの充填が十分でなく密度が低いため・・・また、焼成時にデラミネーションが発生することが多かった。」（第１欄第３３〜４０行）、
　「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来技術に鑑みて、本発明は、平均粒径が0.1〜数μmの範囲にある球状のニッケル超微粉の安価な製造方法を提供することを目的とするものである。」（第２欄第２９〜３２行）、
　「【００１８】反応温度の上限はニッケルの融点1453℃（1726Ｋ）以下に限定される。これは融点以上では、生成粒子が液滴で存在するため、異常に巨大に成長した粒子が発生することがあり、粒度分布が広がり、また反応器の壁への付着が増大するからである。また蒸発部での塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）の上限は、0.3に限定される。濃度が0.3超では、粒径が粗大化し、所望の粒径が得られない。また、粗大化すると晶癖が発生しやすくなる。
【００１９】また塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）の下限は、0.05に限定される。濃度が0.05未満では、粒成長が遅く、晶癖が発生しやすくなる。」（第３欄第３４〜４５行）、
　「【００２０】
【実施例】
実施例１
図１に示すような反応器１を用い、蒸発部２の石英ボート３に原料の塩化ニッケルを10g入れ、2l／分のアルゴンガス４中に濃度（分圧）が5.0×10-2になるよう蒸発させた。この原料混合ガスを1030℃（絶対温度でニッケル融点の0.755倍）に設定した反応部５へ輸送し、反応中央ノズル６から１l／分の割合で供給される水素と接触・混合させ反応を起こさせた。反応部の温度を石英管で保護された熱電対８によって測定したところ1065℃（同0.775倍）まで上昇した。」（第３欄第４７行〜第４欄第８行）、
　「【００２３】実施例４
実施例１において、蒸発温度を1000℃（絶対温度でニッケル融点の0.74倍）、濃度（分圧）を8.5×10-2とした以外は同じ条件でニッケル粉を製造した。熱電対８によって測定したところ1053℃（同0.77倍）まで上昇した。発生したニッケル粉の比表面積は2.9m2／gであり、電子顕微鏡観察によれば、平均粒径0.23μmの球状粉であった。」（第４欄第３１〜３８行）
と記載されている。
5-2.対比・判断
　本件請求項１及び２に係る発明と刊行物２に記載された発明とを対比すると、両者は、「平均粒径が0.1〜1.0μmである積層セラミックコンデンサー用ニッケル超微粉。」である点で一致し、「塩化ニッケル蒸気の気相還元方法によって製造された」点でも一致するが、本件請求項１及び２に係る発明が、「タップ密度が上記(2)式で表される条件を満足し、さらに粒度分布の幾何標準偏差が2.0以下、かつ平均結晶子径が平均粒径の0.2倍以上である」のに対して、刊行物２には、タップ密度、粒度分布の幾何標準偏差、平均結晶子径が示されていない点で相違する。
　上記相違点について検討するにあたり、本件請求項１及び２に係る発明のニッケル超微粉の製造条件と刊行物２に記載された発明のニッケル超微粉の製造条件とを対比・検討する。
　本件特許明細書の発明の詳細な説明には、「上記特徴を持つニッケル粉を効率よく製造するために、反応器を用いて塩化ニッケル蒸気と水素を化学反応させる方法が適している。具体的には、塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ塩化ニッケル蒸気と水素を1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させる。」（本件特許公報第５欄第２２〜２７行）と記載されており、一方、刊行物２にも、「塩化ニッケル蒸気と水素との化学反応によりニッケル微粉を製造する方法において、塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させることを特徴とする球状ニッケル超微粉の製造方法。」（特許請求の範囲）と記載されているから、両者の基本的な製造条件は一致している。
　そして、本件特許明細書の実施例１においては、塩化ニッケル蒸気濃度8.0×10-2（0.08）、温度1050℃の条件で反応させて、比表面積が2.7m2／g、平均粒径が0.25μm、粒度分布の幾何標準偏差が1.4、平均結晶子径が0.2μm、タップ密度が2.5g／cm3のニッケル超微粉を得ており、反応させる際に、「10リットル／分のアルゴンガス」、「反応部５の中央ノズル６から下向きに5リットル／分の割合で供給される水素７」という条件を採用している。
　一方、刊行物２の実施例４においては、塩化ニッケル蒸気濃度8.5×10-2（0.085）、温度1053℃の条件で反応させて、比表面積が2.9m2／g、平均粒径が0.23μmのニッケル超微粉を得ており、反応させる際に、「2l／分のアルゴンガス」、「反応中央ノズル６から１l／分の割合で供給される水素」という条件を採用している。
　本件特許明細書の実施例１及び刊行物２の実施例４とを対比すると、塩化ニッケル蒸気濃度、反応温度は、ほぼ同一であり、比表面積、平均粒径もほぼ同程度であるから、粒度分布の幾何標準偏差、平均結晶子径、タップ密度もほぼ同程度のものが得られているものと認められる。
　そこで、刊行物２の実施例４で得られたニッケル超微粉について、本件請求項１に記載された(2)式の右辺を計算すると、−2.5×(0.23)2＋7.0×(0.23)＋0.8＝−0.13＋1.61＋0.8＝2.28となり、これが、本件特許明細書の実施例１で得られたものと同程度のタップ密度であるとすれば、2.5g／cm3程度であるから、本件請求項１に記載された(2)式を満たしているといえる。
　また、刊行物２の実施例４で得られたニッケル超微粉は、平均粒径が0.23μmであり、本件特許明細書の実施例１で得られたニッケル超微粉（平均粒径0.25μm）よりも平均粒径が若干小さく、タップ密度も若干小さくなっていることが予測されるところ（本件特許明細書の実施例２は、塩化ニッケル蒸気濃度1.0×10-1、反応温度1070℃、実施例４は、塩化ニッケル蒸気濃度1.2×10-1、反応温度1020℃であり、得られたニッケル超微粉は、それぞれ、比表面積が、1.7m2／g、1.5m2／g、平均粒径が、0.4μm、0.45μm、タップ密度が、3.7g／cm3、4.0g／cm3でほぼ同程度であるが、平均粒径が大きくなると、それに比例してタップ密度も大きくなることが示されている。）、刊行物２の実施例４で得られたニッケル超微粉のタップ密度が、平均粒径に比例して、本件特許明細書の実施例１における2.5g／cm3よりも小さくなっていると仮定した場合には、2.3g／cm3となるが、その場合でも、本件請求項１に記載された(2)式を満たしている。
　なお、上記両実施例においてはアルゴンガス及び水素の流量が相違し、刊行物２には水素を下向きに供給することが示されていないが、上記審尋において指摘したとおり、本件特許明細書に記載された比較例１、２では、アルゴンガス、水素の流量条件（10リットル／分のアルゴンガス、5リットル／分の水素）及び水素を下向きに供給することは実施例１と同じであり、かつ、塩化ニッケル蒸気濃度は、それぞれ2.2×10-1（0.22）、1.4×10-1（0.14）、反応温度は1110℃、1170℃であり、いずれも上記ニッケル超微粉の基本的な製造条件を満たしているにもかかわらず、いずれも、タップ密度は(1)式を満たしているが、(2)式を満たしていない、すなわち、本件請求項１、２に係る発明の条件を満たしていないものとなっているから、タップ密度が(2)式を満たすニッケル超微粉を得るために、「10リットル／分のアルゴンガス」、「反応部５の中央ノズル６から下向きに5リットル／分の割合で供給される水素７」という条件は本質的なものではなく（比較例１、２において、塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度を変更せずにタップ密度が(2)式を満たすニッケル超微粉を得るためには、アルゴンガス及び水素の流量、水素の供給方法を変更する必要がある。）、刊行物２に記載された実施例４のニッケル超微粉は、アルゴンガス及び水素の流量、水素の供給方法が相違することでタップ密度が(2)式を満たさないとはいえない。
　また、取消理由で引用した刊行物１（「第３回新素材交流会議講演集」、平成６年７月、日本鉱業協会発行、特許異議申立人 亀井正裕が提出した甲第１号証）には、ＣＶＤ法（塩化ニッケル蒸気と水素を化学反応させる方法）によるニッケル超微粉の一般的な特徴として、「粒度分布の幾何標準偏差が1.3〜1.5であり、平均粒径は0.1〜0.5μmの範囲で任意にコントロールできる」こと、「平均結晶子径は0.1μm以上であり、単結晶あるいは内部に双晶を含む高結晶性の粒子である」ことが記載されており（第１０頁第１〜１７行）、さらに、本件特許明細書の実施例においても、塩化ニッケル蒸気濃度5.0×10-2〜2.0×10-1、反応温度1010〜1070℃の範囲で、得られたニッケル超微粉の粒度分布の幾何標準偏差は1.4〜1.6、平均結晶子径は0.1〜0.2μmであり、ほとんど差異はなく、刊行物２の実施例４で得られたニッケル超微粉も、この範囲を大きく外れることはあり得ないから、粒度分布の幾何標準偏差は2.0以下、かつ平均結晶子径は平均粒径の0.2倍以上であると認められる。
　以上のとおり、刊行物２に記載された発明のニッケル超微粉は、本件請求項１及び２に係る発明のニッケル超微粉と同一の条件で製造されたものを含み、タップ密度、粒度分布の幾何標準偏差、平均結晶子径が本件請求項１、２に係る発明と重複するものと認められるから、両者は、上記の点で実質的に相違するとはいえない。
　したがって、本件請求項１及び２に係る発明は、刊行物２に記載された発明である。
　
６．特許法第３６条第４項の規定違反について
6-1.特許法第３６条第４項に関する取消理由
　取消理由において引用した上記特許異議申立書第１２頁第１行〜第１３頁第９行には、次のとおり記載されている。
i) 本件特許の出願人は、前述したように、平成１１年８月３０日付けの意見書中でアルゴンガスおよび水素の流量は生成する金属ニッケル粉の物性に大きな影響を及ぼす旨を主張しているのであるから、かかる主張を前提とすれば、本件特許発明のニッケル超微粉を実施するためには、アルゴンガスおよび水素の流量をどのように設定すればよいのかが明確でなければならない。然るに、本件明細書の発明の詳細な説明中には、実施例に記載されているアルゴンガスが10リットル／分であり水素が5リットル／分である条件以外の条件についてはどのように設定すればよいのかについては何ら記載されていない。
ii) また、平成１３年４月２３日に本件特許の出願人が提出した意見書の第８頁第３行目〜第７行目には「しかし、引用文献１の図４に生成ニッケル超微粉粒径のキャリアガス流量依存性が示されており、かつその第９頁８〜９行に『キャリアガス流量を変えることにより平均粒径を0.1〜0.5μmの範囲で任意にコントロールすることが可能である』と記載されていることからみて、キャリアガス流量がニッケル超微粉の粉体特性に影響を及ぼすことは当業者に一般に知られていること（出願時の技術常識）であります。」と記載されている。然しながら、本件請求項１には、平均粒径以外にも、(2)式を始めとする様々なニッケル超微粉の物性が構成要件として記載されており、平均粒径だけでなくこれらの物性条件の全てを一度に制御するようにキャリアガス流量を設定することは極めて難しいものである。また、ニッケル粉の物性は他の製造条件とも密接に関連するものであることに鑑みれば、これら他の製造条件との関係で、キャリアガス流量を変えることによりニッケル粉の物性を制御するためには多数回の実験が必要とされる。もし、このようなキャリアガス流量の設定が技術常識により容易に行うことができるのであれば、前述したように、当業者が、甲第１号証の開示に基づいて、周知である望まれる平均粒径を有するニッケル粉が得られるようにキャリアガス流量を適宜好適化することにより製造されたニッケル粉は本件特許発明のニッケル超微粉と同じ物性を有するであろう。また、出願人が技術常識であると主張している、キャリアガス流量がニッケル超微粉の粉体特性に影響を及ぼすことは当業者に一般に知られているとの事実をもって、ニッケル粉の物性を制御できるように流量を設定することが容易であることの根拠にはなり得ないことは言うまでもない。
iii) 上述した通りであるので、本件明細書の記載および出願時の技術常識を考慮しても、本件特許発明のニッケル超微粉を製造する条件を見つけるために、出願人は常識的限度を超える試行錯誤を繰り返す必要があり、従って、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件特許発明を容易に実施できる程度に記載されているとはいえない。
6-2．当審の判断
1)本件請求項１及び２に係る発明
　特許権者は、「本件特許明細書中の比較例１及び比較例２は、出願時明細書では実施例７及び実施例８となっていたものを、審査過程で拒絶理由を受けた際に手続補正書によって比較例１及び比較例２に変更したものである。これらの例は本来本件特許発明の趣旨を逸脱したものなので削除すべきところを誤って比較例として残したにすぎない。」旨の主張をするので、まず、この主張について検討する。
　本件特許の出願時の請求項１に係る発明は、
　「【請求項１】平均粒径が0.1〜1.0μmで、かつタップ密度が(1)式で表される条件を満足する積層セラミックコンデンサー用ニッケル超微粉。
　タップ密度≧−2.5×(平均粒径)2＋7.0×(平均粒径)＋0.6・・・(1)式」であったのに対して、原審で拒絶理由を回避するため、補正により、上記(1)式を上記(2)式に限定すると共に、「粒度分布の幾何標準偏差が2.0以下、かつ平均結晶子径が平均粒径の0.2倍以上である」という要件を付加して、本件請求項１としたものであるが、この限定に対応して、タップ密度が「(1)式を満たしているが、(2)式を満たしていない」出願時明細書における実施例７及び実施例８を、比較例１及び比較例２としたものである。
　そして、本件特許明細書には、「(1)式を満足する領域ではクラック、デラミネーション発生率が10％以下である。また、タップ密度が(2)式を満たすのが好ましく、この場合のクラック、デラミネーション発生率は5％以下となっている。」（段落【００１１】）、「粒度分布の幾何標準偏差が2.0を超えると粗大な粒子が混入するので、膜厚が不均一となってクラックの原因となり好ましくない。結晶子径は結晶性を意味し、粒子の焼結の難易と関係する。すなわち、結晶子径が小さいほど粒子は焼結しやすく、積層セラミックスコンデンサーの焼成時、結晶子径が小さいニッケル粉を電極層として用いた場合、ニッケル層が過焼結により収縮してしまうのである。発明者らは、許容結晶子径を求めるべく実験を繰り返した結果、平均粒径が0.1〜1.0μmの範囲で粒度分布の幾何標準偏差が2.0以下、かつ平均結晶子径が平均粒径の0.2倍以上であれば、焼成時にデラミネーションやクラックが発生しないことを見い出した。」（段落【００１２】）と記載されている。
　すると、補正による上記請求項１の限定は、積層セラミックコンデンサー焼成時におけるクラック、デラミネーション発生率をより少なくする目的で行われたことは明らかであり、タップ密度が「(2)式を満たしている」ニッケル超微粉のみを実施例とし、タップ密度が「(1)式を満たしているが、(2)式を満たしていない」ニッケル超微粉を実施例から外して比較例１及び２としたのは、この目的にそうものであるから、特許権者の主張するように本来本件特許発明の趣旨を逸脱したものとはいえない。
　以上のとおりであるから、本件請求項１及び２に係る発明は、積層セラミックコンデンサー焼成時におけるクラック、デラミネーション発生率をより少なくするために、ニッケル超微粉のタップ密度が満たすべき条件を、「タップ密度≧−2.5×(平均粒径)2＋7.0×(平均粒径)＋0.6・・・(1)式」から「タップ密度≧−2.5×(平均粒径)2＋7.0×(平均粒径)＋0.8・・・(2)式」に限定した点にこそその眼目があるということができる。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、タップ密度が「(2)式を満たしている」本件請求項１及び２に係る発明のニッケル超微粉の製造条件が、タップ密度が「(1)式を満たしているが、(2)式を満たしていない」ニッケル超微粉の製造条件と区別して当業者が容易に実施をすることができる程度に記載されていなければならないといえる。
2)本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載
　5-2.に記載したとおり、本件請求項１及び２に係る発明のニッケル超微粉の基本的な製造条件として、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、「上記特徴を持つニッケル粉を効率よく製造するために、反応器を用いて塩化ニッケル蒸気と水素を化学反応させる方法が適している。具体的には、塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ塩化ニッケル蒸気と水素を1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させる。」（本件特許公報第５欄第２２〜２７行）と記載されている。
　そして、本件特許明細書に記載された実施例においては、この塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度の範囲に含まれる数値を採用し、すなわち、実施例１においては、塩化ニッケル蒸気濃度8.0×10-2（0.08）、反応温度1050℃、実施例２においては、塩化ニッケル蒸気濃度1.0×10-1（0.1）、反応温度1070℃、実施例３においては、塩化ニッケル蒸気濃度2.0×10-1（0.2）、反応温度1010℃、実施例４においては、塩化ニッケル蒸気濃度1.2×10-1（0.12）、反応温度1020℃、実施例５においては、塩化ニッケル蒸気濃度5.0×10-2（0.05）、反応温度1015℃を採用し、それぞれ、平均粒径が、0.25μm、0.4μm、0.6μm、0.45μm、0.15μmで0.1〜1.0μmの範囲内にあり、粒度分布の幾何標準偏差が、1.4、1.5、1.5、1.6、（実施例５は不明）で2.0以下であり、平均結晶子径が、0.2μm、0.2μm、0.2μm、0.15μm、0.1μmで平均粒径の0.2倍以上であり、いずれもタップ密度が(2)式を満たしているニッケル超微粉を得ている。
　これに対して、比較例３においては、塩化ニッケル蒸気濃度は5.0×10-2（0.05）であるが、反応温度が950℃で上記の範囲外であるため、得られるニッケル超微粉は、平均粒径は0.15μmであるが、タップ密度が(1)式を満たしていない（より厳しい条件である本件請求項１及び２に係る発明の(2)式も満たしていない）というものである。また、比較例４においては、反応温度は1110℃であるが、塩化ニッケル蒸気濃度が4.0×10-2（0.04）で上記の範囲外であるため、得られるニッケル超微粉は、タップ密度は(1)式を満たしているが、平均粒径は1.1μmで本件請求項１及び２に係る発明の範囲内にないというものである。
　したがって、実施例１〜５、比較例３〜４から、本件請求項１及び２に係る発明のニッケル超微粉を得るためには、「塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ塩化ニッケル蒸気と水素を1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させる」ことが必要であることはわかる。
　一方、上記審尋において指摘したとおり、比較例１、２では、アルゴンガス、水素の流量条件（10リットル／分のアルゴンガス、5リットル／分の水素）及び水素を下向きに供給することは実施例１と同じであり、かつ、塩化ニッケル蒸気濃度は、それぞれ2.2×10-1（0.22）、1.4×10-1（0.14）、反応温度は1110℃、1170℃であり、いずれも上記のニッケル超微粉の基本的な製造条件を満たしているにもかかわらず、いずれも、タップ密度は(1)式を満たしているが、(2)式を満たしていない、すなわち、本件請求項１及び２に係る発明の条件を満たしていないものとなっている。
3)本件特許明細書の記載に基づいて実施することの容易性
　取消理由で指摘したとおり、特許権者は、平成１１年８月３０日付けの意見書中でアルゴンガス及び水素の流量は生成する金属ニッケル粉の物性に大きな影響を及ぼす旨を主張しているのであるから、かかる主張を前提とすれば、本件請求項１及び２に係る発明のニッケル超微粉を実施するためには、アルゴンガス及び水素の流量をどのように設定すればよいのかが明確でなければならないが、本件特許明細書の発明の詳細な説明中には、実施例に記載されているアルゴンガスが10リットル／分であり水素が5リットル／分である条件以外の条件についてはどのように設定すればよいのか何ら記載されていない。
　例えば、上記比較例１、２において、塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度を変更しないで、タップ密度が(2)式を満たすようにするには、アルゴンガス及び水素の流量を変更する必要があるが、どのように変更すればよいのか示されていない。
　この点に関し、特許権者は、原審において平成１３年４月２３日に提出した意見書中で、引用文献１（「第３回新素材交流会議講演集」、平成６年７月、日本鉱業協会発行、取消理由通知の刊行物１に同じ）の図４に生成ニッケル超微粉粒径のキャリアガス流量依存性が示されており、かつその第９頁８〜９行に「キャリアガス流量を変えることにより平均粒径を0.1〜0.5μmの範囲で任意にコントロールすることが可能である。」と記載されていることからみて、キャリアガス（アルゴンガス）及び水素の流量がニッケル超微粉の粉体特性に影響を及ぼすことは本件特許の出願時の技術常識であり、当業者に期待し得る程度以下の試行錯誤を行うだけで、本件請求項１及び２に係る発明を実施することができる旨の主張をしている。
　しかしながら、引用文献１の図４には、キャリアガス（アルゴンガス）流量が1l／minから4l／minまで増えるにしたがって、平均粒径が約0.45μmから約0.2μmまで減少することが示されているだけで、本件明細書の実施例のようにアルゴンガス流量が10l／min程度と大きい場合に平均粒径にどのような影響を及ぼすのかは明らかでなく（5-2.で述べたように、本件特許明細書の実施例１においては、塩化ニッケル蒸気濃度8.0×10-2、温度1050℃、アルゴンガス流量10l／min、水素流量5l／minという条件で反応させて、平均粒径が0.25μmのニッケル超微粉を得ており、一方、刊行物２の実施例４においては、塩化ニッケル蒸気濃度8.5×10-2、温度1053℃、アルゴンガス流量2l／分、水素流量１l／分という条件で反応させて、平均粒径が0.23μmのニッケル超微粉を得ており、両者の塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度は、ほぼ同一であるから、引用文献１の図４に示された傾向が、キャリアガス（アルゴンガス）流量が大きい範囲についても当てはまるとすれば、本件特許明細書の実施例１のニッケル超微粉は、刊行物２の実施例４のものより平均粒径がかなり小さくなるはずであるが、同程度の平均粒径であり、アルゴンガス流量の影響は不明である。）、また、アルゴンガス流量がタップ密度にどのような影響を及ぼすのかは示されていないから、この引用文献１の記載によっても、得られるニッケル超微粉のタップ密度が(2)式を満たすようにするために、アルゴンガス及び水素の流量をどのような範囲に設定すればよいのかは明らかでない。
　以上のとおりであるから、「タップ密度≧−2.5×(平均粒径)2＋7.0×(平均粒径)＋0.8・・・(2)式」を満たしている本件請求項１及び２に係る発明のニッケル超微粉を、タップ密度が「(1)式を満たしているが、(2)式を満たしていない」ニッケル超微粉と区別して製造するためには、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された「塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ塩化ニッケル蒸気と水素を1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させる」、「10リットル／分のアルゴンガス」、「反応部５の中央ノズル６から下向きに5リットル／分の割合で供給される水素７」といった条件では足りず、塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度を上記範囲内でさらに特定の条件とする必要があり、また、塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度だけでなくアルゴンガス及び水素の流量を特定の範囲に設定する必要があると認められるが、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、これらの製造条件については記載されていない。
　したがって、当業者が、本件特許明細書の実施例１〜５に示された以外の条件で本件請求項１及び２に係る発明を実施しようとした場合、タップ密度が(2)式を満たしているニッケル超微粉を製造できるかどうかも不明のまま、塩化ニッケル蒸気濃度、反応温度、アルゴンガス及び水素の流量を変更して不相当に多くの試行錯誤をしなければならないことになるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて当業者が本件請求項１及び２に係る発明を容易に実施し得るとはいえない。
4)本件特許の出願時の公知技術との関係
　上記審尋において引用した刊行物２（特開平４−３６５８０６号公報）には、「塩化ニッケル蒸気と水素との化学反応によりニッケル微粉を製造する方法において、塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させることを特徴とする球状ニッケル超微粉の製造方法。」（特許請求の範囲）が記載されており、そして、上記範囲内の塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度を採用することにより、平均粒径0.18〜0.8μmのニッケル超微粉が得られることが実施例として示されている。
　また、同じく引用した１９９１年（平成３年）１２月１８日に公開された刊行物３（欧州特許出願公開第４６１８６６号公報）にも、同様の記載がある。
　してみると、本件請求項１及び２に係る発明のニッケル超微粉の製造条件と刊行物２及び３に記載されたニッケル超微粉の製造条件とは、「塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ塩化ニッケル蒸気と水素を1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させる」点で一致し、この条件を採用することにより、平均粒径が0.1〜1.0μmの範囲内にあるニッケル超微粉を得る点でも一致するから、刊行物２及び３に記載された発明においても、「タップ密度が(2)式で表される条件を満足し、さらに粒度分布の幾何標準偏差が2.0以下、かつ平均結晶子径が平均粒径の0.2倍以上である」本件請求項１及び２に係る発明と同一のニッケル超微粉が得られている蓋然性が極めて大きいといい得る。
　そうである以上、本件特許明細書の発明の詳細な説明において記載不備が問題となるのは、公知技術である刊行物２及び３に記載されたニッケル超微粉の製造条件と区別するための具体的な製造条件であり、塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度を上記の範囲でどのようなさらに限定された条件とするのか、アルゴンガス及び水素の流量をどのような範囲に設定するのかなどであるが、3)で述べたとおり、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、これらの条件は記載されていない。
5)まとめ
　以上のとおり、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、「塩化ニッケル蒸気濃度（分圧）を0.05〜0.3 とし、かつ塩化ニッケル蒸気と水素を1004℃（1277Ｋ）〜1453℃（1726Ｋ）の温度で化学反応させる」こと、この化学反応において、「10リットル／分のアルゴンガス」、「反応部５の中央ノズル６から下向きに5リットル／分の割合で供給される水素７」を用いることが記載されているが、「タップ密度が(2)式で表される条件を満足し、さらに粒度分布の幾何標準偏差が2.0以下、かつ平均結晶子径が平均粒径の0.2倍以上である」ニッケル超微粉を得るために必要な、塩化ニッケル蒸気濃度及び反応温度の範囲並びにアルゴンガス及び水素の流量の範囲については記載がなく、当業者が、上記発明の詳細な説明の記載に従って製造しようとしても、製造できるかどうかも不明のまま不相当に多くの試行錯誤をしなければならないことになるから、当業者が、「タップ密度が(2)式で表される条件を満足し、さらに粒度分布の幾何標準偏差が2.0以下、かつ平均結晶子径が平均粒径の0.2倍以上である」ニッケル超微粉を容易に製造することができるとすることはできず、このような発明の詳細な説明の記載について、「その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易にその実施をすることができる程度」に記載されているということはできない。
　
７．むすび
　したがって、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　また、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月１９日（２００３．２．１９）