【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットの表面上にパターンを転写する荷電粒子リソグラフィシステムであって、
メイン真空チャンバと、
前記メイン真空チャンバ中に位置された、ソースチャンバ及び中間チャンバと、
前記ソースチャンバ中に位置され、荷電粒子ビームを発生させるビームジェネレータと、
前記ビームから複数の荷電粒子小ビームを発生させる第１のアパーチャアレイ要素とを具備し、
前記第１のアパーチャアレイ要素は、前記メインチャンバと前記中間チャンバとに高い差圧を与えるように、前記メインチャンバと前記中間チャンバとを分離しており、
このシステムは、前記メイン真空チャンバ中の第１の圧力と、前記中間チャンバ中の第２の圧力と、前記ソースチャンバ中の第３の圧力とを維持するように構成され、
前記第１の圧力は、周囲圧力よりも低く、
前記第２の圧力は、前記第１の圧力よりも低く、
前記第３の圧力は、前記第２の圧力よりも低い荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項２】
前記中間チャンバは、
前記ソースチャンバから前記中間チャンバに前記荷電粒子ビームを透過させる第１の開口と、
前記中間チャンバから出た前記荷電粒子小ビームを前記メイン真空チャンバに透過させる第２の開口とを有し、
前記第１のアパーチャアレイ要素のアパーチャは、前記第２の開口を形成している請求項１のシステム。
【請求項３】
前記中間チャンバの前記第２の開口を閉じる弁をさらに具備する請求項２のシステム。
【請求項４】
前記ソースチャンバは、出口と、前記ソースチャンバ中に前記第３の圧力を生成するポンプシステムとを有する請求項１のシステム。
【請求項５】
前記ソースチャンバ及び前記中間チャンバの各々は、出口と、前記中間チャンバ中に前記第２の圧力を、及び前記ソースチャンバ中に前記第３の圧力を生成するポンプシステムとを有する請求項１のシステム。
【請求項６】
前記中間チャンバ中に位置され、前記荷電粒子ビームが前記第１のアパーチャアレイに到達する前に、前記荷電粒子ビームをコリメートするように構成されたコリメートシステムをさらに具備する請求項１のシステム。
【請求項７】
前記第１のアパーチャアレイ要素は、複数のグループで配置された複数のアパーチャを有し、前記アパーチャは、前記小ビームを前記アパーチャアレイ要素を通過させ、
前記アパーチャのグループは、複数のビーム領域を形成し、これらビーム領域は、これらビーム領域間に形成された複数の非ビーム領域とは異なりこれら非ビーム領域から分離され、前記非ビーム領域は、前記小ビームを通過させるアパーチャを含まない請求項１のシステム。
【請求項８】
前記第１のアパーチャアレイ要素には、前記第１のアパーチャアレイ要素を冷却する冷却媒体を透過させるように構成された冷却チャネルが設けられ、
前記冷却チャネルは、前記第１のアパーチャアレイ要素の前記非ビーム領域に設けられている請求項７のシステム。
【請求項９】
前記第１のアパーチャアレイ要素は、所定の厚さ及び幅を備えたプレートを有し、
前記アパーチャは、前記プレートの前記非ビーム領域に前記プレートの厚さにわたって形成され、
前記冷却チャネルは、前記プレートの前記非ビーム領域の内部に形成され、前記プレートの幅の方向に延びている請求項８のシステム。
【請求項１０】
前記第１のアパーチャアレイ要素は、一体的な電流制限アパーチャアレイを有し、
前記第１のアパーチャアレイ要素の前記アパーチャは、前記ビームジェネレータに面している前記第１のアパーチャアレイ要素の上面の下方に凹んだ最狭小部分を有する請求項１のシステム。
【請求項１１】
前記第１のアパーチャアレイ要素を含む複数のアパーチャアレイ要素と、
ブランカアレイと、
ビーム停止アレイと、
投影レンズアレイとをさらに具備し、
各々が、複数のグループで配置された複数のアパーチャを有し、
前記複数のアパーチャは、前記小ビームを前記アパーチャアレイ要素を通過させ、
各アパーチャアレイ要素のアパーチャの前記グループは、複数のビーム領域を形成し、これらビーム領域は、これらビーム領域間に形成された複数の非ビーム領域とは異なりこれら非ビーム領域から分離され、前記非ビーム領域は、前記小ビームを通過させるアパーチャを含まず、
前記アパーチャアレイ要素の前記ビーム領域は、ビームのシャフトを形成するようにアライメントされ、各々が、複数の小ビームを有し、前記アパーチャアレイ要素の前記非ビーム領域は、その中に小ビームを有さない非ビームのシャフトを形成するようにアライメントされている請求項１のシステム。
【請求項１２】
前記中間チャンバと前記中間チャンバとは、単一の真空チャンバとして構成され、前記単一の真空チャンバは、前記ソースチャンバと前記中間チャンバとを形成するように、単一の真空チャンバを分けている壁を有する請求項１のシステム。
【請求項１３】
前記中間チャンバは、前記中間チャンバ中に前記第２の圧力を生成するためのポンプシステムに接続可能な出口を有する請求項１のシステム。
【請求項１４】
前記ソースチャンバと前記中間チャンバとの少なくとも一方には、ケミカルポンプ又はガッタポンプが設けられている請求項１のシステム。
【請求項１５】
前記中間チャンバは、前記ソースチャンバから前記中間チャンバに前記荷電粒子ビームを透過させる第１の開口と、前記中間チャンバから出た前記荷電粒子小ビームを前記メイン真空チャンバに透過させる第２の開口とを含む請求項１のシステム。
【請求項１６】
前記中間チャンバは、前記中間チャンバの前記第２の開口を閉じる弁を有する請求項１２のシステム。
【請求項１７】
前記第１のアパーチャアレイ要素のアパーチャは、前記中間チャンバの前記第２の開口を形成している請求項１２のシステム。
【請求項１８】
前記ソースチャンバは、前記中間チャンバの上に装着されている請求項１のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
本発明が、上述の所定の実施の形態を参照することにより説明されてきた。これらの実施の形態には、本発明の意図並びに範囲を逸脱することなく、当業者にとって明らかなさまざまな変更並びに変形がなされることができる。従って、特定の実施の形態が説明されてきたが、これらは単なる例であり、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲により規定される。
出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を以下に付記する。
［１］ターゲットの表面上にパターンを転写する荷電粒子リソグラフィシステムであって、メイン真空チャンバと、前記メイン真空チャンバ中に位置された、ソースチャンバ及び中間チャンバと、前記ソースチャンバ中に位置され、荷電粒子ビームを発生させるビームジェネレータと、前記中間チャンバ中に位置され、前記ビームから複数の荷電粒子小ビームを発生させる第１のアパーチャアレイ要素とを具備し、このシステムは、前記メイン真空チャンバ中の第１の圧力と、前記中間チャンバ中の第２の圧力と、前記ソースチャンバ中の第３の圧力とを維持するように構成され、前記第１の圧力は、周囲圧力よりも低く、前記第２の圧力は、前記第１の圧力よりも低く、前記第３の圧力は、前記第２の圧力よりも低い荷電粒子リソグラフィシステム。
［２］前記中間チャンバは、前記ソースチャンバから前記中間チャンバに前記荷電粒子ビームを透過させる第１の開口と、前記中間チャンバから出た前記荷電粒子小ビームを前記メイン真空チャンバに透過させる第２の開口とを有し、前記第１のアパーチャアレイ要素のアパーチャは、前記第２の開口を形成している［１］のシステム。
［３］前記中間チャンバの前記第２の開口を閉じる弁をさらに具備する［２］のシステム。
［４］前記ソースチャンバは、出口と、前記ソースチャンバ中に前記第３の圧力を生成するポンプシステムとを有する［１］ないし［３］のいずれか１のシステム。
［５］前記ソースチャンバ及び前記中間チャンバの各々は、出口と、前記中間チャンバ中に前記第２の圧力を、及び前記ソースチャンバ中に前記第３の圧力を生成するポンプシステムとを有する［１］ないし［４］のいずれか１のシステム。
［６］前記中間チャンバ中に位置され、前記荷電粒子ビームが前記第１のアパーチャアレイに到達する前に、前記荷電粒子ビームをコリメートするように構成されたコリメートシステムをさらに具備する［１］ないし［５］のいずれか１のシステム。
［７］前記第１のアパーチャアレイ要素は、複数のグループで配置された複数のアパーチャを有し、前記アパーチャは、前記小ビームを前記アパーチャアレイ要素を通過させ、前記アパーチャのグループは、複数のビーム領域を形成し、これらビーム領域は、これらビーム領域間に形成された複数の非ビーム領域とは異なりこれら非ビーム領域から分離され、前記非ビーム領域は、前記小ビームを通過させるアパーチャを含まない［１］ないし［６］のいずれか１のシステム。
［８］前記第１のアパーチャアレイ要素には、前記第１のアパーチャアレイ要素を冷却する冷却媒体を透過させるように構成された冷却チャネルが設けられ、前記冷却チャネルは、前記第１のアパーチャアレイ要素の前記非ビーム領域に設けられている［７］のシステム。
［９］前記第１のアパーチャアレイ要素は、所定の厚さ及び幅を備えたプレートを有し、前記アパーチャは、前記プレートの前記非ビーム領域に前記プレートの厚さにわたって形成され、前記冷却チャネルは、前記プレートの前記非ビーム領域の内部に形成され、前記プレートの幅の方向に延びている［８］のシステム。
［１０］前記第１のアパーチャアレイ要素は、一体的な電流制限アパーチャアレイを有し、前記第１のアパーチャアレイ要素の前記アパーチャは、前記ビームジェネレータに面している前記第１のアパーチャアレイ要素の上面の下方に凹んだ最狭小部分を有する［１］ないし［９］のいずれか１のシステム。
［１１］前記第１のアパーチャアレイ要素を含む複数のアパーチャアレイ要素と、ブランカアレイと、ビーム停止アレイと、投影レンズアレイとをさらに具備し、各々が、複数のグループで配置された複数のアパーチャを有し、前記複数のアパーチャは、前記小ビームを前記アパーチャアレイ要素を通過させ、各アパーチャアレイ要素のアパーチャの前記グループは、複数のビーム領域を形成し、これらビーム領域は、これらビーム領域間に形成された複数の非ビーム領域とは異なりこれら非ビーム領域から分離され、前記非ビーム領域は、前記小ビームを通過させるアパーチャを含まず、前記アパーチャアレイ要素の前記ビーム領域は、ビームのシャフトを形成するようにアライメントされ、各々が、複数の小ビームを有し、前記アパーチャアレイ要素の前記非ビーム領域は、その中に小ビームを有さない非ビームのシャフトを形成するようにアライメントされている［１］ないし［１０］のいずれか１のシステム。
［１２］前記第１のアパーチャアレイ要素には、前記ビームジェネレータに面している湾曲した上面が設けられている［１］ないし［１１］のいずれか１のシステム。
［１３］前記第１のアパーチャアレイ要素は、アパーチャ無し領域及びアパーチャ領域に交互に細分され、各アパーチャ領域は、複数のアパーチャを有し、前記湾曲した上面は、複数の前記アパーチャ無し領域及び前記アパーチャ領域を囲んでいる［１２］のシステム。
［１４］前記第１のアパーチャアレイ要素の前記湾曲した上面は、前記ビームジェネレータに向かって前記上面の上方に突出している高くなったドーム形状領域を形成している［１２］又は［１３］のシステム。
［１５］前記第１のアパーチャアレイ要素の前記湾曲した上面は、前記ビームジェネレータに面している前記上面の領域にドーム形状の窪みを形成している［１２］又は［１３］のシステム。
［１６］このシステムは、光軸を有し、前記湾曲した上面は、前記光軸を中心とした余弦関数に従う形状である［１２］ないし［１５］のいずれか１のシステム。