【事件の表示】
　特許第３１２１１３１号「低温高圧のシリコン蒸着方法」の請求項１〜７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１２１１３１号の請求項１〜７に係る特許を取り消す。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１２１１３１号は、平成４年８月３日（パリ条約による優先権主張、１９９１年８月９日、米国）の出願であって、請求項１〜７に係る発明について特許権の設定登録がなされた後、特許異議申立人　伊藤太一より、請求項１〜７に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１２月１６日に特許異議意見書が提出されたものである。
　  
［２］特許異議申立てについての判断
［２−１］本件発明
　本件特許第３１２１１３１号の請求項１〜７に係る発明（以下、「本件発明１〜７」という。）は、設定登録された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】基板上にドープされたかまたはドープされていない非結晶または多結晶のシリコンまたはそれらの混合物を蒸着する方法であって、
ａ）温度を制御する手段を備えた光透過式単一基板型化学蒸着真空チャンバに基板を装填し、
ｂ）前記基板をランプ加熱し、
ｃ）前記基板の前記温度を６００°Ｃ〜７５０°Ｃに制御し、
ｄ）前記チャンバにモノシラン、ジシラン、ドーパント・ガスと混合されたモノシラン、及びドーパント・ガスと混合されたジシランからなるグループから選択されたシランを反応ガスとして加え、
ｅ）前記基板表面に前記反応ガスを流し、
ｆ）所望の厚みのシリコン層が得られるまで前記チャンバの圧力を約１０〜３５０トルに維持し、
ｇ）結果としての成長速度が毎分５００Åよりも大きいことを特徴とする方法。
【請求項２】前記圧力は、２５〜３５０トルに維持されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記基板温度は、非結晶シリコンを生成するために制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】前記基板温度は、非結晶シリコンと多結晶シリコンの混合物を生成するために制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記基板温度は、多結晶シリコンを生成するために制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記ドーパント・ガスは、ホスフィン及びアルシンで構成されているグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】前記基板は、前記真空チャンバに装填された後に回転されることを特徴とする請求項１に記載の方法。」
　　
［２−２］引用例に記載された発明
　当審で通知した取消理由で引用した、本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物である次の引用例１〜６には、それぞれ下記の事項が記載されている。
引用例１：特開昭５９−２２２９２２号公報（特許異議申立人　伊藤太一の提示した甲第１号証）
引用例２：特開昭６２−１５８１６号公報（同、甲第２号証）
引用例３：特開昭６３−２５７２１５号公報（同、甲第３号証）
引用例４：特公昭５１−１３８９号公報
引用例５：特開昭６３−１２５号公報
引用例６：特開平１−１４９４２０号公報
　　
［２−２−１］引用例１　
「本発明は、半導体素子用の各種膜の形成に使用する気相成長装置（以下「ＣＶＤ装置」という）に関するものであり、特に減圧下で試料一枚毎に各種膜を形成する減圧枚葉処理型気相装置に関するものである。」（公報第２頁左下欄４〜８行）、
「第２図は、反応室１の拡大断面図である。反応室１は、一枚毎に膜形成を行うために、例えば、縦約３２０ｍｍ，横約２６０ｍｍ，高さ約８０ｍｍの寸法とし、ガス置換時間等を考慮すると容積的には約１０ｌを越ないことが望ましい。反応室１は、上部にはチェンバカバー１１が被せられ、チェンバカバー１１の一部には必要に応じ透光性の窓１２が設けられ、一方底部にはシール用パッキン１３を介し透光性壁面である石英ガラス底板１４が設けられており、密閉空間を形成している。この密閉空間、すなわち反応室内に試料であるウエハ１５を支持し、主として輻射熱により前記ウエハ１５を加熱するサセプタ１６が配置されており、一方、このサセプタ１６は支持台１７に支持された隔壁１８上に載置されている。このサセプタ台１８には、ランプ光がサセプタ１６の裏面に支障なく照射されるように窓１８ａが設けられている。そして隔壁１８及びサセプタ１６によって反応室内を反応空間Ａと断熱空間Ｂに分離しており反応空間Ａの一端には排気口１９他端には試料出し入れ口２０が設けられており、反応空間Ａの試料出し入れ口付近には反応ガス導入手段であるノズル２１が設けられ、断熱空間Ｂには反応ガスの流入を防止し透光性壁面１４への反応生成物の付着を防ぐためにパージ用ガスノズル２２が設けられている。そして透光性壁面１４はフランジ２３で反応室本体２４に固定されている。透光性壁面１４の下部にはランプ２５の収納されたランプユニット２６が配置されている。このランプユニット２６内には必要に応じてランプ２５の光を効率的に利用するための反射部２７を備えたり、ランプユニット内空冷のためのガス導入出口２８，２９を設けてもよい。そして排気口１９は配管４を通じ排気ユニット５内の反応室排気ユニット（図示せず）に接続されており、試料出し入れ口は扉２を介して予備室に接続されている。」（公報第３頁右上欄９行〜右下欄３行）、
「上述のような構造の反応室１において、ウエハ１５上に各種薄膜を形成させるには、前記断熱用空間Ｂにパージ用ノズル２２により、反応ガス浸入阻止用ガスを充填し、一方反応空間Ａには反応ガスノズル２１より反応ガスを導入すると共に、ランプユニット２６内のランプ２５によるランプ光を透光性壁面１４，断熱用空間Ｂ，透光板３２及び隔壁１８の光通過窓１８ａを通過させてサセプタ裏面１６ａに照射し、サセプタ１６表面上のウエハ１５を加熱し、前記ウエハ１５上に各種薄膜を形成させる。」（公報第４頁左上欄８〜１８行）、
「ランプ加熱方式を採用しているので、サセプタを短時間で一定の温度にすることができる。それ故試料を反応室内に出し入れした際にも直ちにサセプタ温度を一定温度に復帰させることができ、膜形成を短時間で行える。従って、これらの総合効果として、枚葉処理でありながら処理速度を速くできる利点がある。」（公報第４頁左下欄２〜８行）、
「このような工程で例えば多結晶シリコンを形成する場合の一例について説明する。ランプユニット２６のランプ２５を用いサセプタ１６を９００℃に加熱し、パージ用ノズル２２より断熱用空間ＤにＨｅ３ｌ／ｍｉｎを導入した状態で、反応ガス用ノズル２１より、ＳｉＨ４と、Ｈｅを反応空間ＡにＳｉＨ４分圧６×１０−４ａｔｍとなるように導入し、サセプタ１６上のウエハ１５に多結晶シリコン薄膜を形成させた。このときの成長速度は約１μｍ／ｍｉｎであった。」（公報第７頁右上欄１２行〜左下欄１行）、
「………両特性図とも、反応室内圧力が１５ｍｂａｒのときの結果である。第８−Ａ図から明らかなように、ウエハをサセプタ表面より離間させるためのサセプタ構造１０３を採用した方が、サセプタからウエハへの熱の伝達が輻射減少を利用したものになるため、凹凸を有するサセプタ１０３の形状にかかわらず、ウエハ１０１の基板面内での温度分布は均一になり、均一な膜厚分布が得られる。このようにウエハをサセプタ表面より離間させることにより、高い圧力でも均一な膜を形成することが可能となる。高い圧力では形成速度が速くなるので１枚あたりの処理速度を向上させることが可能となる。なお、形成圧力が高くなると、気相中の熱伝導の影響が現れて膜厚が不均一となるため、形成圧力は５０ｍｂａｒ以下程度とすることが望ましい。」（公報第７頁右下欄１３行〜第８頁左上欄９行）と記載され、そして、上述の記載に対応させて第１図、第２図、第８−Ａ図が示されている。
　　
［２−２−２］引用例２　
「（１）反応室の内部に位置し、半導体ウエハを載置するサセプターと、前記反応室の外部に位置し、前記サセプターの上方に設けた赤外線ランプと、内部に貫通孔を有し前記サセプターを保持するサセプター回転軸と、前記サセプターを回転させる手段と、前記サセプター回転軸の下方に配置した赤外線輻射温度計とからなり、サセプター回転軸の貫通孔をを介して赤外線輻射温度計により、サセプターもしくは半導体ウエハの温度を測定して温度制御を行うことを特徴とする赤外線加熱装置。」（特許請求の範囲第１項）、
「上記構成による気相成長装置において、その動作を多結晶シリコンの成長気相成長装置に適用した場合を例にとり説明する。まず、半導体ウエハ１７をサセプター１８の上部に載置する。次に駆動モータ２３を作動させギヤ２４，２２を連絡して磁石２１を回転させると、磁石２０およびサセプター回転軸１９を介してサセプター１８が回転する。さらに、反応室１１の空気を排気した後、モノシラン等の反応ガスを所定の圧力で反応ガス供給口１５から反応室１１に導入する。この際、半導体ウエハ１７を６００℃以上の所望の温度に加熱するため、サセプター１８の裏面温度を赤外線輻射温度計２５で測定し、赤外線ランプ２６に供給する電力パワーを制御する。」（公報第３頁右上欄７〜２０行）と記載され、そして、上述の記載に対応させて第１図が示されている。
　　
［２−２−３］引用例３
「不純物をドープしたドープド多結晶シリコン膜を導体基板上に形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記多結晶シリコン膜と半導体基板との界面の不純物濃度を決定するドーピングガスと膜厚を決定するソースガスを同時又は流量を変化させながら反応炉内に導入せしめ、反応炉内の温度をおよそ７３０℃から７５０℃に制御しドープド多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）、
「ステップＳ３はサセプタの温度を除々に下げ、サセプタ２上のシリコン基板３を成長温度に保持する。成長温度はＳｉＨ４ガス及びＡｓＣｌ３ガスの流量条件により７３０〜７５０℃の範囲内で選択する。」（公報第２頁右下欄２〜６行）と記載されている。
　　
［２−２−４］引用例４
「本発明の主なる目的は気相法により多結晶半導体被膜を形成させる場合、例えばシリコン半導体の多結晶被膜を形成させんとする場合、その被膜形成温度を４００〜７５０℃の基板の電気的特性に変化が発生しない低温度とし、かつ形成された被膜は結晶粒径が０．０１〜１μと小さい。すなわち緻密な被膜を形成することにある。このため本発明は従来に比較して減圧状態で被形成面上に被膜を形成または成長せしめることによりこの低温度での被膜の形成および緻密なかつ被形成面上の被膜の均一度の向上をはからんとしたものであり、」（公報第１頁第２欄１９〜２９行）、
「形成温度が４００℃〜９００℃の範囲では使用圧力は１０〜５００ｔｏｒｒの範囲での使用が実用上適していることがわかった。この結果例えば６５０℃の被形成面の温度で多結晶シリコン半導体被膜を１μの厚さに形成させた場合、反応システム内の圧力が７６０ｔｏｒｒの常圧の場合形成された被膜の結晶粒径は５〜３０μを有し、粒界は多元性となり膜厚のバラツキも±１０％もあった。他方反応システム内の圧力を５０〜１００ｔｏｒｒと減圧にした場合形成された被膜の多結晶の結晶粒径は０．０１〜０．１μときわめて小さく、みかけ上アモルファス（無定形）被膜となっていることが電子回折測定の結果わかって、このため、この半導体中に不純物をドープしても結晶粒界での異常拡散がなく、膜厚の均一度の高い被膜を得ることができた。」（公報第３頁第５欄１８〜３３行）と記載されている。
　　
［２−２−５］引用例５
「非晶質シリコン膜の堆積は、………５５０℃と６５０℃の間の温度において、アルゴンガスで体積比で５％にうすめたモノシランを供給することによって行われる。」（公報第３頁右下欄４〜７行）、
「非晶質シリコン層１１の堆積は、低圧気相堆積（ＬＰＣＶＤ）反応炉（……）中でのモノシラン（ＳｉＨ４）の熱分解によって行われる。………………………………堆積層の粒構造は成長温度に非常に敏感であることが見出された。５８０℃以下では、粒径は１０Å以下であって、膜は非晶質である。６００℃以上では、成長温度が増大すると共により大きくなり、膜は多結晶となる。」（公報第４頁左下欄１３行〜右下欄１０行）、
「約６２０℃の堆積温度においては、非晶質シリコン堆積速度は…………である。」（公報第５頁左上欄１〜３行）、
「下層の非晶質シリコンと混合した酸素ドープ多結晶シリコン膜の形成は、例えば、亜酸化窒素のような酸素源となる第２のガスを導入しながらモノシラン流量及び温度を一定に保つことによって行われる。アルゴンで希釈した（体積比５％）のモノシランを５０ｃｃ／分の流量にした場合、典型的な堆積温度は５４０−６５０℃である。」（公報第５頁右下欄１４〜２０行）と記載され、そして、上述の記載に対応させて第１図が示されている。
　　
［２−２−６］引用例６
「……ドーピングしながら多結晶Ｓｉ膜を形成する方法（ｉｎ−ｓｉｔｕドーピング法）がある。すなわち、ＳｉＨ４とともに不純物源となるフオスフィン（ＰＨ３），ジボラン（Ｂ２Ｈ６），アルシン（ＡｓＨ３）等を流し、多結晶Ｓｉ膜を形成しながら不純物を導入する方法である。」（公報第２頁左上欄１８行〜右上欄４行）と記載されている。
　　
［３］対比・判断
［３−１］請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）について
　上記［２−２−１］に摘記した事項を総合すると、引用例１には、気相成長装置の反応室内にサセプタを配置し、該サセプタ表面上に一枚のウエハを配置し、該反応室内に反応ガスノズルよりモノシラン（ＳｉＨ４）等の反応ガスを導入し、該反応室内を減圧状態に維持し、高い圧力では膜形成速度を速くできるが、膜厚を均一にするためには望ましくは５０ｍｂａｒ（約３７．５トル）以下程度に維持し、ランプユニットのランプ光を透光性壁面を介してサセプタ裏面に照射し、該サセプタを一定の温度に加熱して該サセプタの主として輻射熱により該サセプタ表面上に配置した単一のウエハを均一に加熱し、該ウエハ一枚毎に多結晶シリコン薄膜等の各種膜を速い成長速度で均一な膜厚に形成する方法であって、サセプタを９００℃に加熱してモノシラン（ＳｉＨ４）ガスを導入した時には、該サセプタ上に配置した単一のウエハに形成される多結晶シリコン薄膜の成長速度は約１μｍ／ｍｉｎ（毎分約１００００Å）である方法の発明が記載されているといえる。
　本件発明１と上記引用例１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比すると、引用発明における「ウエハ」、「５０ｍｂａｒ（約３７．５トル）以下程度」、「ウエハに形成される多結晶シリコン薄膜の成長速度は約１μｍ／ｍｉｎ（毎分約１００００Å）」はそれぞれ、本件発明１における「基板」、「約１０〜３５０トル」、「結果としての成長速度が毎分５００Åよりも大きい」に相当し、また、引用発明における「気相成長装置の反応室」は、反応室内を減圧に維持し、ランプユニットのランプ光を該反応室の透光性壁面を介してサセプタに照射し、該サセプタ上に載置した単一のウエハを一枚毎に加熱し、反応ガスから生成する物質の各種膜を該ウエハ上に形成するものであるから、「光透過式単一基板型化学蒸着真空チャンバ」の範疇に含まれ、また、引用発明では、ランプ加熱によりサセプタを一定温度に加熱し、該サセプタの主として輻射熱によりウエハを均一な膜形成温度に加熱しているのであるから、該ランプ加熱は、サセプタを介してウエハの温度を膜形成温度に制御する手段であるともいえる。したがって、両発明は「基板上にシリコンを蒸着する方法であって、温度を制御する手段を備えた光透過式単一基板型化学蒸着真空チャンバに基板を装填し、ランプ加熱し、前記基板の温度を制御し、前記チャンバにモノシランを反応ガスとして加え、前記基板表面に前記反応ガスを流し、所望の厚みのシリコン層が得られるまで前記チャンバの圧力を約１０〜３５０トルに維持し、結果としての成長速度が毎分５００Åよりも大きい方法」の点で一致し、下記の点のみで相違する。
（イ）本件発明１では、基板をランプ加熱し、該基板の温度を６００℃〜７５０℃に制御し、その結果としてのシリコン層の成長速度が毎分５００Åよりも大きいのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　
　そこで、相違点（イ）について検討する。
　引用例２には、モノシラン等の反応ガスを供給して半導体ウエハ上にシリコン膜を気相成長させる場合に、該ウエハをランプ加熱し、該ウエハの温度を６００℃以上の所望の温度に制御することが記載されており、また、引用例３には、「サセプタ２上のシリコン基板３を成長温度に保持する。成長温度はＳｉＨ４ガス及びＡｓＣｌ３ガスの流量条件により７３０〜７５０℃の範囲内で選択する。」（公報第２頁右下欄２〜６行）により、また、引用例４には、「気相法により多結晶半導体被膜を形成させる場合、例えばシリコン半導体の多結晶被膜を形成させんとする場合、その被膜形成温度を４００〜７５０℃の基板の電気的特性に変化が発生しない低温度とし」（公報第１頁第２欄１９〜２３行）、「６５０℃の被形成面の温度で多結晶シリコン半導体被膜を１μの厚さに形成させた」（公報第３頁第５欄２１〜２３行）により、また、引用例５には、「非晶質シリコン膜の堆積は、………５５０℃と６５０℃の間の温度において、アルゴンガスで体積比で５％にうすめたモノシランを供給することによって行われる。」（公報第３頁右下欄４〜７行）、「６００℃以上では、成長温度が増大すると共により大きくなり、膜は多結晶となる。」（公報第４頁右下欄８〜１０行）、「約６２０℃の堆積温度においては、非晶質シリコン堆積速度は………」（公報第５頁左上欄１〜２行）、「下層の非晶質シリコンと混合した酸素ドープ多結晶シリコン膜の形成は…………典型的な堆積温度は５４０−６５０℃である。」（公報第５頁右下欄１４〜２０行）により、基板上にドープされたかまたはドープされていない非結晶または多結晶のシリコンまたはそれらの混合物を蒸着するために、該基板の温度、或いは、該基板上での被膜形成温度、被形成面の温度、成長温度、又は堆積温度を６００℃〜７５０℃にすることが記載されているので、上記引用発明において、基板をランプ加熱し、該基板の温度を６００℃〜７５０℃に制御することは、当業者が容易に想到できることであると認められる。更に、本件発明１に係る「結果としての成長速度が毎分５００Åよりも大きい」は、上記引用発明では約１μｍ／ｍｉｎ（毎分約１００００Å）の成長速度が既に得られており、該約１μｍ／ｍｉｎ（毎分約１００００Å）以下、毎分５００Åまでの広い範囲がこれに含まれるので、単一基板に蒸着するシリコンの成長速度として格別なものとはいえず、しかも、その下限を毎分５００Åとする技術的理由も、本件明細書及び図面の記載からは格別なものは見出せないので、かかる成長速度の範囲は、上記引用発明において、基板をランプ加熱し、該基板の温度を６００℃〜７５０℃に制御するに当たり、当業者が適宜に設定できたものと認められる。
　してみると、上記相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することは、当業者にとって容易であると認められる。
　そして、これによって奏される本件発明１の効果も、引用例１〜５の記載から当然予期できる程度のものであって、格別なものはみられない。
　したがって、本件発明１は、引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。             
　　
［３−２］請求項２に係る発明（以下、「本件発明２」という。）について
　本件発明２は、本件発明１の構成を全て備えた上、更にそのチャンバの圧力を２５〜３５０トルの範囲に限定するものである。
　しかしながら、上記引用発明が上記相違点（イ）以外の本件発明１の必須の構成を全て備え、該相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することが当業者にとって容易であることは上記［３−１］で述べたとおりであり、また、上記引用発明において、膜形成のために望ましいとされるチャンバの圧力は２５〜３５０トルの範囲にあって、本件発明２におけるチャンバの圧力と相違しないので、本件発明２は、上記［３−１］で述べた本件発明１と同様の理由により、引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　　
［３−３］請求項３に係る発明（以下、「本件発明３」という。）について
　本件発明３は、本件発明１の構成を全て備えた上、更にその基板温度が、非結晶シリコンを生成するために制御されるものである。
　しかしながら、上記引用発明が上記相違点（イ）以外の本件発明１の必須の構成を全て備え、該相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することが当業者にとって容易であることは上記［３−１］で述べたとおりである。また、引用例５には、「非晶質シリコン膜の堆積は、……５５０℃と６５０℃の間の温度において、アルゴンガスで体積比で５％にうすめたモノシランを供給することによって行われる。」（公報第３頁右下欄４〜７行）、「約６２０℃の堆積温度においては、非晶質シリコン堆積速度は……」（公報第５頁左上欄１〜２行）により、基板上に非結晶シリコンを堆積させるために、その堆積温度を６００℃〜７５０℃の範囲に入る所定の温度とすることが記載されているので、上記引用発明において、上記相違点（イ）に係る本件発明１の構成を採用するに当たり、その基板温度を、非結晶シリコンを生成するための上記堆積温度に制御することは、当業者が容易に想到できることであると認められる。
　そして、これによって奏される本件発明３の効果も、引用例１〜５の記載から当然予期できる程度のものであって、格別なものはみられない。
　したがって、本件発明３は、引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　　
［３−４］請求項４に係る発明（以下、「本件発明４」という。）について
　本件発明４は、本件発明１の構成を全て備えた上、更にその基板温度が、非結晶シリコンと多結晶シリコンの混合物を生成するために制御されるものである。
　しかしながら、上記引用発明が上記相違点（イ）以外の本件発明１の必須の構成を全て備え、該相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することが当業者にとって容易であることは上記［３−１］で述べたとおりである。また、引用例４には、「６５０℃の被形成面の温度で………………反応システム内の圧力を５０〜１００ｔｏｒｒと減圧にした場合形成された被膜の多結晶の結晶粒径は０．０１〜０．１μときわめて小さく、みかけ上アモルファス（無定形）被膜となっていることが電子回折測定の結果わかって」（公報第３頁第５欄２１〜３１行）により、また、引用例５には、「下層の非晶質シリコンと混合した酸素ドープ多結晶シリコン膜の形成は、例えば、亜酸化窒素のような酸素源となる第２のガスを導入しながらモノシラン流量及び温度を一定に保つことによって行われる。アルゴンで希釈した（体積比５％）のモノシランを５０ｃｃ／分の流量にした場合、典型的な堆積温度は５４０−６５０℃である。」（公報第５頁右下欄１４〜２０行）により、基板上に非結晶シリコンと多結晶シリコンの混合物を堆積させるために、被形成面の温度又は堆積温度を６００℃〜７５０℃の範囲に入る所定の温度とすることが記載乃至示唆されているので、上記引用発明において、上記相違点（イ）に係る本件発明１の構成を採用するに当たり、その基板温度を、非結晶シリコンと多結晶シリコンの混合物を生成するための上記被形成面の温度又は堆積温度に制御することは、当業者が容易に想到できることであると認められる。
　そして、これによって奏される本件発明４の効果も、引用例１〜５の記載から当然予期できる程度のものであって、格別なものはみられない。
　したがって、本件発明４は、引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　　
［３−５］請求項５に係る発明（以下、「本件発明５」という。）について
　本件発明５は、本件発明１の構成を全て備えた上、更にその基板温度が、多結晶シリコンを生成するために制御されるものである。
　しかしながら、上記引用発明が上記相違点（イ）以外の本件発明１の必須の構成を全て備え、該相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することが当業者にとって容易であることは上記［３−１］で述べたとおりであり、また、上記引用発明では、基板温度は多結晶シリコンを生成するために制御されており、その点において本件発明５と上記引用発明とは相違しないので、本件発明５は、上記［３−１］で述べた本件発明１と同様の理由により、引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　  
［３−６］請求項６に係る発明（以下、「本件発明６」という。）について
　本件発明６は、本件発明１の構成を全て備えた上、更にそのドーパント・ガスは、ホスフィン及びアルシンで構成されているグループから選択されることとし、該ドーパント・ガスをシランガスに混合し、または混合せず、ドープされたかまたはドープされていない非結晶または多結晶のシリコンまたはそれらの混合物を蒸着するものである。
　しかしながら、上記引用発明が上記相違点（イ）以外の本件発明１の必須の構成を全て備え、該相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することが当業者にとって容易であることは上記［３−１］で述べたとおりであり、また、引用例６には、ホスフィン、アルシン等のドーパント・ガスをシランガスに混合し、ドープされたシリコン膜を形成することが記載されているので、上記引用発明において、上記相違点（イ）に係る本件発明１の構成を採用してシリコンを蒸着するに当たり、該蒸着の態様の選択肢として、上記ドーパント・ガスをシランガスに混合し、ドープされたシリコンを蒸着するものを設けることは、当業者が容易に想到できることであると認められる。
  そして、これによって奏される本件発明６の効果も、引用例１〜６の記載から当然予期できる程度のものであって、格別なものはみられない。
　したがって、本件発明６は、引用例１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　　
［３−７］請求項７に係る発明（以下、「本件発明７」という。）について
　本件発明７は、本件発明１の構成を全て備えた上、更にその基板が真空チャンバに装填された後に回転されるものである。
　しかしながら、上記引用発明が上記相違点（イ）以外の本件発明１の必須の構成を全て備え、該相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することが当業者にとって容易であることは上記［３−１］で述べたとおりであり、また、引用例２には、反応室内に装填した後の基板を回転させることも記載されているので、上記引用発明において、上記相違点（イ）に係る本件発明１の構成を採用するとともに、その真空チャンバ内に装填した後の基板を回転させることは、当業者が容易に想到できることであると認められる。
  そして、これによって奏される本件発明７の効果も、引用例１〜５の記載から当然予期できる程度のものであって、格別なものはみられない。
したがって、本件発明７は、引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。。
　　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜７は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１〜７についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年５月３０日（２００３．５．３０）