【事件の表示】
　特許第２６５９０００号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２６５９０００号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は、特許第２６５９０００号（昭和６２年２月６日に出願された特願昭６２年２６６７７号の一部を特許法第４４条第１項の規定により、平成７年１２月１８日に特願平７年３２８６１３号として特許出願し、平成９年６月６日設定登録）に係る明細書を審判請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。
　
２．訂正事項の要旨
　本件訂正審判請求書における訂正事項は、下記（ａ）〜（ｒ）のとおりである。
（ａ）本件明細書の発明の名称（本件特許公報１頁１欄冒頭箇所）における
「トランジスタの製造方法」を
「薄膜トランジスタの製造方法」
に訂正する。
（ｂ）本件特許請求の範囲の【請求項１】（本件特許公報１頁１欄２行目）の文頭に
「プラズマを発生させる放電室と、前記放電室で励起したプラズマ中のイオンをガラスからなる絶縁基板上の多結晶あるいは非晶質シリコン膜に照射する処理室と、前記放電室と前記処理室の間に設けられた電極と、前記電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極とを備えたイオンシャワードーピングのための装置を用い、」
を挿入する
（ｃ）本件特許請求の範囲の【請求項１】（本件特許公報１頁１欄２行目）における
「絶縁基板」を
「ガラスからなる絶縁基板」
に訂正する。
（ｄ）本件特許請求の範囲の【請求項１】（本件特許公報１頁１欄５〜６行）における
「ドレイン部に、プラズマ空間中で形成された」を
「ドレイン部に、前記ガラスからなる絶縁基板から離れた位置にある前記放電室のプラズマ空間中で形成された」
に訂正する。
（ｅ）本件特許請求の範囲の【請求項１】（本件特許公報１頁１欄７〜８行）における
「不純物イオン及び水素イオンを前記プラズマ空間中から引出して同時に」を
「不純物イオン及び水素イオンを前記放電室のプラズマ空間中から前記別の電極の反対側へ引出し加速し前記処理室内のシリコン膜に同時に」
に訂正する。
（ｆ）本件特許請求の範囲の【請求項１】（本件特許公報１頁１欄８行目）における
「照射してソース、」を
「照射して、不純物イオンの注入によって発生した前記シリコン膜の欠陥を水素イオンで補償しながら、ソース、」
に訂正する。
（ｇ）本件特許請求の範囲の【請求項１】（本件特許公報１頁１欄９行目）における
「トランジスタの製造方法。」を
「薄膜トランジスタの製造方法。」
に訂正する。
（ｈ）本件特許請求の範囲の【請求項２】（本件特許公報１頁１欄１０行目）における
「絶縁基板」を
「ガラスからなる絶縁基板」
に訂正する。
（ｉ）本件特許請求の範囲の【請求項２】（本件特許公報１頁１欄１２〜１３行）における
「トランジスタの製造方法。」を
「薄膜トランジスタの製造方法。」
に訂正する。
（ｊ）本件特許請求の範囲の【請求項３】（本件特許公報１頁２欄１行目）における
「トランジスタの製造方法。」を
「薄膜トランジスタの製造方法。」
に訂正する。
（ｋ）本件明細書【０００３】（本件特許公報２頁３欄２６〜２７行）における
「バターン形成する」を
「パターン形成する」
に訂正する。
（ｌ）本件明細書【０００６】（本件特許公報２頁４欄９〜１７行）における
「上記目的を達成するために……引出して同時に照射して前記ソース、ドレイン領域のを形成するトランジスタの製造方法を提供する。」を
「上記目的を達成するために本発明は、プラズマを発生させる放電室と、前記放電室で励起したプラズマ中のイオンをガラスからなる絶縁基板上の多結晶あるいは非晶質シリコン膜に照射する処理室と、前記放電室と前記処理室の間に設けられた電極と、前記電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極とを備えたイオンシャワードーピングのための装置を用い、
　前記ガラスからなる絶縁基板上に、チャンネル部とソース、ドレイン部となる多結晶あるいは非晶質シリコン膜を形成した後、前記シリコン膜上に形成したマスクを用いて前記シリコン膜のソース、ドレイン部に、前記ガラスからなる絶縁基板から離れた位置にある前記放電室のプラズマ空間中で形成された周期律表ＩＩＩ又はＶ族元素イオンを含む不純物イオン及び水素イオンを前記放電室のプラズマ空間中から前記別の電極の反対側へ引出し加速し前記処理室内のシリコン膜に同時に照射して、不純物イオンの注入によって発生した前記シリコン膜の欠陥を水素イオンで補償しながら、ソース、ドレイン領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。」
に訂正する。
（ｍ）本件明細書【００１０】（本件特許公報３頁５欄５行目）における
「処理室」を
「処理室１１」
に訂正する。
（ｎ）本件明細書【００１０】（本件特許公報３頁５欄８行目）における
「均一なブラズマ」を
「均一なプラズマ」
に訂正する。
（ｏ）本件明細書【００１１】（本件特許公報３頁６欄７行目）における
「可能である」を
「可能である。」
に訂正する。
（ｐ）本件明細書【００１２】（本件特許公報３頁６欄１５行目）における
「可能である」を
「可能である。」
に訂正する。
（ｑ）本件明細書【００２９】（本件特許公報５頁９欄２６行目）における
「粒界（注２）制御」を
「粒界制御」
に訂正する。
（ｒ）本件明細書【００３３】（本件特許公報５頁１０欄１８行目）における
「均一なブラズマ」を
「均一なプラズマ」
に訂正する。
　
３．訂正の目的、新規事項、拡張、変更について
（３−１）　前記（ａ）の訂正は、特許請求の範囲の訂正に対応して、発明の名称をこれと整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
（３−２）　前記（ｂ）の訂正は、本件明細書【００１０】（本件特許公報３頁５欄１〜２７行）及び図２の下記の記載を根拠に、「トランジスタの製造方法」をより下位概念である
「プラズマを発生させる放電室と、前記放電室で励起したプラズマ中のイオンをガラスからなる絶縁基板上の多結晶あるいは非晶質シリコン膜に照射する処理室と、前記放電室と前記処理室の間に設けられた電極と、前記電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極とを備えたイオンシャワードーピングのための装置を用い、」
と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　なお、訂正の根拠とするところは、次のとおりである。
・「プラズマを発生させる放電室」：本件特許公報の３頁５欄３行及び図２の中では「プラズマ」と記載されている部分にプラズマを発生させる説明が示されている。
・「前記放電室で励起したプラズマ中のイオン」：本件特許公報の３頁５欄３〜４行に記載されている。
・「多結晶あるいは非晶質シリコン膜」：本件特許公報１頁１欄３行目に記載されている。
・「照射する処理室」：「処理室」は本件特許公報３頁５欄５行目に記載され、「照射」は本件特許公報１頁１欄８行目に記載されている。
・「前記放電室と前記処理室の間に設けられた電極」：本件特許公報３頁５欄２３行目及び図２の「電極１６」として記載されている。
・「前記電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極」：本件特許公報３頁５欄２４〜２５行に「別の電極１７」と記載され、図２にも「電極１７」として記載されている。
・「イオンシャワードーピングのための装置」：本件特許公報３頁５欄１行目に記載されている。
（３−３）　前記（ｃ）の訂正は、本件明細書【００２１】（本件特許公報４頁７欄２７行目）の「ガラス基板」の記載を根拠に、「絶縁基板」をより下位概念である「ガラスからなる絶縁基板」と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（３−４）　前記（ｄ）の訂正は、本件明細書【００２２】（本件特許公報４頁７欄４７行目）の「放電室の出口から約１５ｃｍ離れた位置で」の記載、及び図２の記載を根拠に、「ドレイン部に、プラズマ空間中で形成された」をより下位概念である「ドレイン部に、前記ガラスからなる絶縁基板から離れた位置にある前記放電室のプラズマ空間中で形成された」と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（３−５）　前記（ｅ）の訂正は、本件特許公報の図２を根拠に、より具体的に限定して明瞭化するものである。また「加速し」は、本件明細書【０００７】（本件特許公報２頁４欄２３行目）の「引き出して、これを低電圧加速により」、同【０００８】（同頁同欄４５〜４６行）の「発生したリンイオン４，水素イオン５を加速し」、【００２７】（５頁９欄８行目）の「６ＫｅＶでイオン加速し」の記載を根拠に、
「不純物イオン及び水素イオンを前記プラズマ空間中から引出し同時に」をより下位概念である「不純物イオン及び水素イオンを前記放電室のプラズマ空間中から前記別の電極の反対側へ引出し加速し前記処理室内のシリコン膜に同時に」と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（３−６）　前記（ｆ）の訂正は、本件明細書【０００７】（本件特許公報２頁４欄３４〜３７行）の「不純物注入と同時に水素イオンが注入され、不純物注入時に誘起される欠陥を補償することができるため」、同【０００７】及び【００１８】（同３頁６欄５０行〜４頁７欄１３行）の「これに対し第３図Ｂの場合も同様に欠陥が発生すると思われる。しかしながら、本実施例のイオンシャワー方式の場合は不純物イオンとともに水素イオンも注入され、この水素イオンが不純物イオンの注入に伴って生じた欠陥を補償する役目を果たすものと思われる。特に半導体薄膜が非晶質シリコンの場合、初めから薄膜中に水素は導入されており、欠陥の補償の役目を果たすと思われるが、１個の不純物イオンの導入により発生する欠陥の数が多いため、初めから薄膜中に含まれていた水素だけでは十分に欠陥を補償できず、不純物イオン注入の際に水素イオンも同時に注入してやると、欠陥を十分に補償することができる。これにより、後の熱処理工程を低温で行うことが可能となる。」、同【００２６】（同４頁８欄３８〜４１行）の「不純物イオンのドーピングとともに水素イオンも同時に注入され、不純物のドーピング時に生ずる欠陥による電気的特性を補償することになり」の記載を根拠に、「照射してソース、」をより下位概念である「照射して、不純物イオンの注入によって発生した前記シリコン膜の欠陥を水素イオンで補償しながら、ソース、」と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　なおこの現象は非晶質シリコンだけでなく、多結晶シリコンにも発現させていることは、本件明細書【００２９】（本件特許公報５頁９欄２２〜３５行）の記載及び【００３３】（本件特許公報５頁１０欄４〜２１行）の［発明の効果］の記載からも明らかである。
（３−７）　前記（ｇ）、（ｉ）及び（ｊ）の訂正は、本件明細書【０００７】（本件特許公報２頁４欄２９〜３３行）の「多結晶シリコン，非晶質シリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域の形成，浅い電極領域の形成，ｐ，ｎ任意の選択ドーピング等が容易に行え、薄膜トランジスタの製造にも好適となる」の記載を根拠に、「特徴とするトランジスタの製造方法。」をより下位概念である「特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（３−８）　前記（ｈ）の訂正は、本件明細書【００２１】（本件特許公報４頁７欄２７行目）の「ガラス基板」の記載を根拠に、「絶縁基板」をより下位概念である「ガラスからなる絶縁基板」と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（３−９）　前記（ｌ）の訂正は、特許請求の範囲第１項の訂正に対応して、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
（３−１０）　前記（ｍ）の訂正は、「処理室」を「処理室１１」と訂正するもので、「処理室」と【図２】における「１１」との対応関係を明らかにするものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
（３−１１）　前記（ｑ）の訂正は、「粒界（注２）制御」を「粒界制御」と訂正するもので、対応箇所のない「（注２）」という明りょうでない記載を削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
（３−１２）　前記（ｋ）、（ｎ）、（ｏ）、（ｐ）、及び（ｒ）の訂正は、明らかに誤記の訂正に相当する。
（３−１３）　以上の如く（ａ）〜（ｒ）の訂正は、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、さらに、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（４）独立特許要件の判断
（４−１）　本件訂正発明
　訂正後の特許請求の範囲第１項の発明（以下「本件訂正発明」という。）は、次のとおりである。
「プラズマを発生させる放電室と、前記放電室で励起したプラズマ中のイオンをガラスからなる絶縁基板上の多結晶あるいは非晶質シリコン膜に照射する処理室と、前記放電室と前記処理室の間に設けられた電極と、前記電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極とを備えたイオンシャワードーピングのための装置を用い、
前記ガラスからなる絶縁基板上に、チャンネル部とソース、ドレイン部となる多結晶あるいは非晶質シリコン膜を形成した後、前記シリコン膜上に形成したマスクを用いて前記シリコン膜のソース、ドレイン部に、前記ガラスからなる絶縁基板から離れた位置にある前記放電室のプラズマ空間中で形成された周期律表ＩＩＩ又はＶ族元素イオンを含む不純物イオン及び水素イオンを前記放電室のプラズマ空間中から前記別の電極の反対側へ引出し加速し前記処理室内のシリコン膜に同時に照射して、不純物イオンの注入によって発生した前記シリコン膜の欠陥を水素イオンで補償しながら、ソース、ドレイン領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
（４−２）　各刊行物に記載の発明
　本件に関する平成１２年（行ケ）第１２５号取消決定取消請求事件（平成１０年異議第７１４５７号事件の取消決定取消請求事件）においては、本件訂正前の発明と下記の刊行物に記載の発明との容易性が争点になっている。
　刊行物１：特開昭６１−４８９７９号公報
　刊行物８：特開昭５６−１３８９２１号公報
（４−２−１）　刊行物１
　刊行物１（特開昭６１−４８９７９号公報）には、以下の点が第２図と共に記載されている。
　「（１）多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、ソース領域及びドレイン領域をＰＨ３（フオスフイン）またはＢ２Ｈ６（ジボラン）を含む反応性気体をプラズマ分解することによりドーピングして形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。
（２）Ｈ２（水素）によって希釈されたＰＨ３又はＢ２Ｈ６を含む反応性気体をプラズマ分解することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲）
　「（技術分野）本発明は大面積基板に低温プロセス（約６００℃以下）により、ソース領域及びドレイン領域を形成して作製される多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法に関する。」（第１頁左下欄第１６行〜右下欄第２行）
　「［目的］本発明は、耐熱温度の低いガラス基板上に、欠陥密度の少ないＮチヤネル及びＰチヤネル多結晶シリコン薄膜トランジスタを大面積にわたって作製することを可能にさせることが目的である。」（第２頁右上欄第１５行〜第１９行）
　「（実施例）第２図は、本発明の実施例を示す図である。同（ａ）に示すようにガラス基板７上に、多結晶シリコン薄膜８を形成する。その上にゲート絶縁膜９を堆積させ、次いでゲート電極１０を形成する。続いて同図（ｂ）で示すように該ゲート電極１０をマスクとしてゲート絶縁膜９に示すような形にパターニングしソース領域及びドレイン領域となる多結晶シリコン薄膜の表面を露出させる。そして、Ｎチヤネル薄膜トランジスタを作製する場合は、ＰＨ３プラズマ雰囲気中に、Ｐチヤネル薄膜トランジスタを作製する場合はＢ２Ｈ６プラズマ雰囲気中にさらすことにより、ソース領域１１及びドレイン領域１２を形成する。この時、Ｈ＋も同時に膜中に取り込まれる。プラズマ発生装置としては、誘導結合型あるいは容量結合型の通常のプラズマＣＶＤ装置を応用できる。前記ＰＨ３ガスあるいはＢ２Ｈ６ガスはＨ２にて希釈されているのでプラズマ雰囲気の温度は３００℃以下におさえる。
これは、膜中に取り込まれたＨ＋が外へ放出されるのを防ぐためである。その後同図（ｃ）に示すように層間絶縁膜１３を堆積させ、コンタクトホールをあけてソース電極１４及びドレイン電極１５を形成して薄膜トランジスタが完成する。
（効果）本発明により、低温（６００℃以下）で、多結晶シリコン薄膜トランジスタを作製することができる。しかも不純物拡散にイオン打込み装置を使わずプラズマ分解を用いるので、費用を大幅に低減させることができ、さらに、大面積基板に薄膜トランジスタを作製することが可能となる。まず、不純物の拡散にイオン打込み装置を使わなくてすむということで装置にかかる費用は大幅に削減できる。プロセスは低温でよいので安価なガラス基板を用いることができる。」（第２頁左下欄第５行〜右下欄第１９行）
　「従ってプラズマ雰囲気中にはＨ＋も多量に発生しており、多結晶シリコン薄膜を水素プラズマ処理する効果も得られる。多結晶シリコンを水素プラズマ雰囲気にさらすと、結晶粒界付近に存在するダングリングボンドがＨ＋によって終端化されＳｉ−Ｈ結合が生成される。ダングリングボンドはトラップ中心として働くが、そのトラップ中心が減少するため、従って易動度が増大するという効果がある。本発明を実施すれば、ソース領域及びドレイン領域を形成すると同時に多結晶シリコン薄膜を水素プラズマ処理することができるので易動度の向上が計れるという大きな効果が期待できるものである。一方、水素プラズマによりトラップ中心を終端化しながらＰあるいはＢをドーピングするので、不純物原子の活性化率も向上するものである。
　以上述べてきたように、本発明は、信頼性のよい多結晶シリコン薄膜を用い、安価なガラス基板上に大面積にわたって薄膜トランジスタを作り込むことを可能にする。しかも、多結晶シリコンに本質的に多量に含まれるダングリングボンドを低減させながらソース領域及びドレイン領域を形成するという優れた不純物拡散方法を用いているので薄膜トランジスタの易動度を増大させるという効果もあわせて持っている。」（第３頁左上欄第１０行〜右上欄第１４行）
　以上の記載から、刊行物１には、耐熱温度の低いガラス基板上に、欠陥密度の少ないＮチヤネル及びＰチヤネル多結晶シリコン薄膜トランジスタを大面積にわたって作製することを可能にさせることを目的とする「ガラス基板上に、多結晶シリコン薄膜を形成した後、その上に形成したゲート電極をマスクとして用いて前記多結晶シリコン薄膜のソース領域、ドレイン領域を、Ｈ２によって希釈されたＰＨ３又はＢ２Ｈ６を含む反応性気体をプラズマ分解したプラズマ雰囲気中にさらすことによりソース、ドレイン領域を形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。」が記載されている。
　
（４−２−２）　刊行物８
　刊行物８（特開昭５６−１３８９２１号公報）には、以下の点が第２図と共に記載されている。
　「被処理物が配置され、不純物又は不純物を含む物質が導入された容器内に放電を発生せしめ、該放電によって生ずる不純物又は不純物を含む物質のイオンを前記被処理物の表面に導入し、該被処理物表層部に不純物導入層を形成することを特徴とする不純物導入層の形成方法。」（特許請求の範囲）
　「本発明は不純物導入層の形成方法にかかり、特に浅い不純物導入層の形成方法に関する。」（第１頁左下欄第１１行〜第１２行）
　「又本発明の方法をイオン・ビーム・エッチング装置を用いて行う第２の実施例に於ては、第２図に示すように上部にマイクロ（μ）波導入窓８を有し、中間部にイオン加速電極９を有し、下部に絶縁された試料台１０を有する真空容器３の試料台１０上に被処理物例えばＳｉ基板４を載置し、ガス導入管５から真空容器３内へ２０［ｃｃ／分］の量で例えばＰＨ３：Ｈ＝１：９９の組成を有する混合ガスを導入しながら、排気管６から排気を行って真空容器３内の混合ガスの圧力を例えば０．１［Ｔｏｒｒ］とする。
　そして真空容器３の上部に配設された導波管１１を通して、例えば２．４５［ＧＨｚ］のμ波を真空容器３内の混合ガスに照射し放電を起こさせ、この放電によって発生したＰ及びＰとＨの化合物のイオンを例えば６００［Ｖ］の電位差を与えた加速電極９により加速し、イオン電流１［ｍＡ／ｃｍ２］の条件で例えば１［分］間Ｓｉ基板４の表面に注入する。
　そして上記注入条件に於てＳｉ基板４の表層部に形成されるＰの注入層即ちＮ＋−Ｓｉ層は、Ｐの表面濃度１０２０［個／ｃｍ２］程度で、深さ５０［Å］程度の極めて薄い均一な層となり、この極めて薄いＮ＋−Ｓｉ層のＰ濃度や深さの値はＰ或いはＰの化合物を含むガスの組成，流量及び圧力やイオンの加速電圧，イオン電流等の条件を一定にすれば極めて再現性よく形成することができる。
　なおこの不純物導入層は活性化するために熱処理を施す場合もある。
　又上記イオン・ビーム・エッチング装置を用いる方法に於てはイオン電流の測定が可能であるので不純物導入層の不純物濃度を極めて精度よく制御することができる。
　上記第１，第２の実施例に於ては、何れも本発明を被処理基板の一面全体に薄い不純物導入層を形成する場合について説明したが、本発明の方法はフォト・レジスト等のマスク材を用いて基板面に選択的に不純物導入層を形成する際にも適用することができる。」（第２頁右上欄第２行〜左下欄第１９行）
　「以上説明したように本発明の方法によれば、不純物濃度が充分に制御された浅い不純物導入層を正確な深さに形成することができる。
　又本発明の方法に於ては被処理基板を載置する電極或いは試料台全面に不純物イオンが同時に照射されるので、多数枚の被処理基板の同時処理が可能なので作業能率が大幅に向上するとともに、比較的安価なドライ・エッチング装置を兼用することができるので設備費を大幅に削減することができる。」（第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄第８行）
　また、第２図の記載から、プラズマ空間は被処理物から離れた位置にあることは明らかである。
　以上の記載から、刊行物８には、「上部にマイクロ（μ）波導入窓を有し、中間部にイオン加速電極を有し、下部に絶縁された試料台を有する真空容器の試料台上に被処理物を載置し、被処理物から離れた位置にあるプラズマ空間中で形成されたイオンをプラズマ空間中から引出して、被処理物に導入する不純物導入層の形成方法」が記載されている。
　
（４−３）　本件訂正発明と各刊行物に記載の発明との対比・判断
　本件訂正発明と刊行物１，８に記載の発明とを対比すると、刊行物１，８には、本件訂正発明の必須の構成要件である「放電室と処理室の間に設けられた電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極を備えたイオンシャワードーピング装置」が記載されておらず、さらにこれらを示唆する記載もない。また、本件訂正発明は、前記構成要件を具備することにより、別の電極（背面電極）は、イオンが背面側に照射されることを防止し、結果として「均一なプラズマと所望のイオンを容易に得る事ができ、従って大面積基板に対し均一に短時間で薄膜トランジスタを製造することができる」（特許公報５頁１０欄１８〜２０行）という効果を奏するものである。
　ゆえに、本件訂正発明が、上記刊行物１，８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（４ー４）独立特許要件の判断のむすび
　他に本件訂正発明について特許を受けることができないものとするに足る理由を発見しない。
　したがって、本件訂正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件審判の請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項により、なお従前の例とされる改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合する。
　
　よって、結論のとおり審決する。