【事件の表示】
　特許第３１２８８７８号「半導体装置」の請求項１、２、４〜７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２８８７８号の請求項１、２、４〜７に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続きの経緯
　本件特許第３１２８８７８号発明は、平成３年８月２３日に特許出願され、平成１２年１１月１７日にその特許の設定登録がなされた後、本件請求項１、２、４〜７に係る発明の特許について、特許異議申立人河村匡俊（以下、「申立人」という）により、平成１３年７月２７日付けで特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年４月１１日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正請求の適否
１．訂正の内容
　上記訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を、訂正請求書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という）のとおりに訂正しようとするものであって、その内容は次のとおりである。
（１）訂正事項Ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２の「表面に突起電極群を有する半導体チップと、前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜とを具備し、前記樹脂膜には前記突起電極群を構成する各突起電極の周囲を囲む内壁を備えた凹部が設けられ、前記突起電極群の少なくとも先端部が当該樹脂膜から露出していることを特徴とする半導体装置。」を、「表面に突起電極群を有する半導体チップと、前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜とを具備し、前記樹脂膜には前記突起電極群を構成する各突起電極の周囲を当該各突起電極との間に間隔を保って囲む内壁を備えた凹部が設けられ、当該各突起電極の先端部が当該樹脂膜から露出していることを特徴とする半導体装置。」と訂正する。
　より詳細には、訂正事項Ａは、次の訂正事項１、２からなるものである。
　訂正事項１：「各突起電極の周囲を囲む内壁を備えた凹部」を、「各突起電極の周囲を当該各突起電極との間に間隔を保って囲む内壁を備えた凹部」と訂正する。
　訂正事項２：「前記突起電極群の少なくとも先端部が当該樹脂膜から露出している」を、「当該各突起電極の先端部が当該樹脂膜から露出している」と訂正する。
（２）訂正事項Ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項４ないし７の「請求項１ないし請求項３いずれか１項記載の」を、「請求項１または請求項３いずれか１項記載の」と訂正する。
（３）訂正事項Ｃ
　特許明細書の第【０００９】欄の「また、第２の半導体装置は、突起電極群を有する半導体チップの表面を封止する樹脂膜に、この突起電極群を構成する各突起電極の周囲を囲む内壁を備えた凹部が設けられている。そして、この突起電極群の少なくとも先端部が樹脂膜から露出している。」を、「また、第２の半導体装置は、突起電極群を有する半導体チップの表面を封止する樹脂膜に、この突起電極群を構成する各突起電極の周囲を当該各突起電極との間に間隔を保って囲む内壁を備えた凹部が設けられている。そして、各突起電極の先端部が樹脂膜から露出している。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否の各要件についての判断
（１）訂正事項Ａについて
　訂正事項１について
　訂正事項１は、各突起電極と樹脂膜との関係について、各突起電極の周囲を囲む内壁を備えた凹部に、各突起電極との間に間隔を保ってとの限定を付したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項２について
　訂正事項２は、「前記突起電極群の少なくとも先端部が樹脂膜から露出している」を「当該各突起電極の先端部が樹脂膜から露出している」と「群の少なくとも」を削除したものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正の根拠は、特許明細書の第【００１６】欄および図５から読みとれる。　
　したがって、この訂正事項Ａは、特許請求の範囲の減縮、及び、明りょうでない記載の釈明を目的とし、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（２）訂正事項Ｂについて
　訂正事項Ｂは、請求項４〜７において引用する請求項２を削除したものであるから、この訂正は請求項４〜７における特許請求の範囲を減縮を目的としたものである。
　したがって、この訂正事項Ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。 
（３）訂正事項Ｃ について
　訂正事項Ｃは、上記訂正事項Ａの訂正にともなって特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、この訂正事項Ｃは、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。　　
　
３．訂正の認否
　したがって、この訂正は、特許法１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号改正前の同法第１２６条第１項ただし書き、第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立て
１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜７に係る発明は本件明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次のとおりのもの（以下、「本件発明１〜７」という）である。
「【請求項１】 表面に第１の高さの突起電極部と第２の高さの突起電極部を有する半導体チップと、前記第１の高さの突起電極部と前記第２の高さの突起電極部の少なくとも先端部を露出して前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜を具備し、前記第１の高さの突起電極部と前記第２の高さの突起電極群が前記樹脂膜から露出する突出高さは略同一であるとともに、前記第１の高さの突起電極群と前記第２の高さの突起電極群の間の前記樹脂膜は段差を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】表面に突起電極群を有する半導体チップと、前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜とを具備し、前記樹脂膜には前記突起電極群を構成する各突起電極の周囲を当該各突起電極との間に間隔を保って囲む内壁を備えた凹部が設けられ、当該各突起電極の先端部が当該樹脂膜から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】表面に突起電極群を有する半導体チップと、前記突起電極群の少なくとも先端部と、前記突起電極群の外側部とを露出して前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜を具備し、前記突起電極群の内側部と外側部において、前記樹脂膜は段差を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】前記半導体チップは少なくともその側面が露出していることを特徴とする請求項１または請求項３いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】前記半導体チップはその側面および下面が露出していることを特徴とする請求項１または請求項３いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】前記樹脂膜の少なくとも表面に絶縁保護強化膜を有することを特徴とする請求項１または請求項３いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項７】前記樹脂膜の表面および側面に絶縁保護強化膜を有することを特徴とする請求項１または請求項３いずれか１項記載の半導体装置。」
　
２．申立人の主張する特許異議申立の理由
　申立人は、甲第１〜３号証を提出して、本件発明１、２、４〜７は、甲第１号証に記載された発明と同一であるか、または、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから特許法第２９条第１項、または、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである旨、主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭６４−１２５７号公報（以下、「刊行物１」という）
甲第２号証：特開昭５９−９９７９４号公報（以下、「刊行物２」という）
甲第３号証：特開昭６２−２４１３５７号公報（以下、「刊行物３」という）
　
３．刊行物の記載事項
（１）刊行物１の記載事項
　第２頁左下欄８行〜第２頁右下欄１５行には、実施例として
「第１図は本発明の一実施例による半導体装置（フリップチップ）２０を示す。装置２０は、バンプ２１を基板２２上の電極２３と接続されてフェイスダウンで実装されている状態を示す。２４は電極であり、半導体装置本体２５の下面に形成してある。２６はパッシベーション膜であり、装置本体２５の下面に電極２４を除いて形成してある。２７は、第１のポリイミド層であり、所定の厚さｔ（例えば２０〜３０μ）を有し、パッシベーション膜２６上に電極２４を除いて形成してある。２８は配線導体で有り、第２図及び第３図に併せて示すように、一端を電極２４に接続されて、第１のポリイミド層２７上にバンプ形成予定個所の方向に延出して形成してある。２９は第２のポリイミド層であり、配線導体２８の内バンプ形成予定個所を除いて、配線導体２８上及び第１のポリイミド層２７上に形成してある。バンプ２１は配線導体２８の他端近傍のバンプ形成予定個所に形成してある。第２のポリイミド層２９は、主に、配線導体２８を保護するためと、バンプ形成のためにある。上記構成の装置２０によれば、各バンプ２１は電極２４に対してずれており、且つ各バンプ２１と装置本体２５の底面との間、厳密には各バンプ２１とパッシベーション膜２６との間に第１のポリイミド層２７が介在している。」が記載されている。
（２）刊行物２の記載事項
　第２頁左上欄１５行〜１９行には、
「なお、第２図の場合にはチップ搭載部の内側の電極部Ａと外部の電極部Ｂとの間では高さのばらつきが生じており、半導体チップ１側のバンプ電極の高さを変えることによりそのばらつきを吸収するようにしていた。」が記載されている。
（３）刊行物３の記載事項
　第２頁右上欄２行〜１９行には、
「この発明の実施例の作用、動作について説明する。第１図において保護膜（７）は、封止樹脂表面の細孔や封止樹脂とリード線との界面のすき間を被覆してあり、保護膜として用いたポリテトラフルオルエチレンを主成分とする物質は撥水性であるため、封止樹脂表面バルクや封止樹脂とリード線との界面から半導体装置内部への水の浸入の防止と、リード線の腐食の防止ができる。また、テトラフルオルエチレンを主成分ととする物質（７）は耐熱性、耐薬品性　絶縁性をそこなうことがない。なお、上記実施例では、保護膜（７）としてテトラフルオルエチレンを主成分ととする物質を使用していたが、他の高分子体やガラスなどの無機高分子体でもよく、さらに保護膜の厚みを印字（７）が外部から読める程度に薄くすることや透明物質で印字（６）の被覆を行うことにより印字の保護を行ってもよい。」が記載されている。　
　
４．当審の判断
（１）本件発明１と刊行物１に記載の発明との同一性
　記載事項「IIIー３．（１）」を総合すると、刊行物１には、「フリップチップ２０は、バンプ２１を基板２２上の電極２３と接続されてフェイスダウンで実装されるもので、半導体装置本体２５の下面に形成される電極２４を除いて形成されるパッシベーション膜２６と、パッシベーション膜２６上に電極２４を除いて形成される所定の厚さｔ（例えば２０〜３０μ）を有する第１のポリイミド層２７からなっており、半導体装置本体２５中の配線導体２８は、一端を電極２４に接続されて、第１のポリイミド層２７上にバンプ形成予定個所の方向に延出して形成され、第２のポリイミド層２９は、配線導体２８の内バンプ形成予定個所を除いて、配線導体２８上及び第１のポリイミド層２７上に形成される」点が、「バンプ２１は、配線導体２８の他端近傍のバンプ形成予定個所に形成され、第２のポリイミド層２９は、主に、配線導体２８を保護するためと、バンプ形成のために設けられるもので、フリップチップ２０を上記構成にすることにより、各バンプ２１は電極２４に対してずれ、且つ各バンプ２１と装置本体２５の底面との間、厳密には各バンプ２１とパッシベーション膜２６との間に第１のポリイミド層２７が介在する。」点とともに記載されている（以下、「引用発明１」という）。　そこで、本件発明１と引用発明１とを対比すると、    
　引用発明１の「バンプ」、「半導体装置本体」、「ポリイミド層」は、本件発明１の「突起電極」、「半導体チップ」、「半導体チップの表面を封止する樹脂膜」にそれぞれ相当するから、両者は、「表面に突起電極群を有する半導体チップと、突起電極群の少なくとも先端部を露出して前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜を具備し、樹脂膜は段差を有することを特徴とする半導体装置。」で一致している。
　しかしながら、両者は、下記の相違点１、２で相違している。
  相違点１：本件発明１が、半導体チップ表面に、封止樹脂膜を形成した際に、少なくとも先端部を露出する、第１の高さの突起電極群と第２の高さの突起電極群を有するのに対し、引用発明１には、バンプに高低差を有する２群を有する点についての記載がない点。　　　　　　　
  相違点２：本件発明１が、半導体チップ表面に、上記第１の高さの突起電極群と第２の高さの突起電極群を形成した後、前記第１の高さの突起電極群と前記第２の高さの突起電極群が前記樹脂膜から露出する突出高さが略同一となるよう前記第１の高さの突起電極群と前記第２の高さの突起電極群の間の前記樹脂膜に段差を設けているのに対し、引用発明１に形成された樹脂膜の段差は、半導体チップの内部配線形成のためのものであり、第１の高さの突起電極群と第２の高さの突起電極群を形成するものでない点。
　したがって、本件発明１が引用発明１と同一であるとすることはできない。
（２）本件発明２と刊行物１に記載の発明との同一性
　引用発明１、及び、本件発明１と引用発明１の一致点は、上記「IIIー４．（１）」で認定したとおりであり、その際の認定を参照すると、本件発明２と引用発明１は、同様に、「表面に突起電極群を有する半導体チップと、前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜とを具備し、当該各突起電極の先端部が当該樹脂膜から露出していることを特徴とする半導体装置。」で一致している。　
　しかしながら、両者は、下記の相違点３で相違している。
  相違点３：本件発明２が、封止樹脂膜に突起電極群を構成する各突起電極の周囲を当該各突起電極との間に間隔を保って囲む内壁を備えた凹部を設けているのに対し、引用発明１には、突起電極との間に間隔を保って囲む内壁を備えた凹部が存在しない点。
　したがって、本件発明２が引用発明１と同一であるとすることはできない。
（３）本件発明４〜７と刊行物１に記載の発明との同一性
　本件発明４〜７は、その請求項の記載形式からみて、本件発明１または本件発明３を引用するものであるところ、本件発明３については異議の対象とはされていないのであるから、本件発明３に係る発明を引用する本件発明４〜７については実質的に異議申し立ての対象ではないといえる。
　そこで、本件発明１を引用する本件発明４〜７について検討する。　
　本件発明４〜７は、本件発明１の構成をすべて備えたものであり、本件発明４〜７は、少なくとも前記「IIIー４．（１）」であげた相違点１、２において引用発明１と相違するから、本件発明４〜７は、引用発明１と同一であるとすることはできない。
（４）本件発明１、４〜７の容易性
 本件発明１、４〜７と刊行物２、３に記載の発明との相違点１、２について検討すると、
 刊行物２、３には、記載事項「IIIー３．（２）、（３）」に記載したとおりの内容が記載され、刊行物２のチップ搭載部の内側の電極部Ａと外部の電極部Ｂとの間では高さのばらつきが生じており半導体チップ１側のバンプ電極の高さを変える旨の記載は、相違点１を示唆するものといえるが、相異なる高さの突起電極群が前記樹脂膜から露出する突出高さが略同一となるよう各突起電極群の間の前記樹脂膜に段差を設けることについて刊行物２、３には明らかにされるところもないから、刊行物２、３に前記相違点２に係る本件発明１の構成が開示乃至示唆されているとすることはできない。
  そして本件発明４〜７は、相違点２（あるいは、相違点１）をも構成として備えることにより「半導体チップ上の突起極が微細ピッチとなっても、隣接するリード間のショートが生じ難いＴＡＢボンディングを容易に行うことができ、半導体装置の小型化を達成することが可能になる。」という本件明細書第【００１８】欄に記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１、４〜７が刊行物１〜３に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（５）本件発明２の容易性
　本件発明２は、上記「IIIー４．（２）」において摘記した相違点３を有するものであるところ、刊行物２、３には、上記相違点３については、何ら記載されておらず、また、示唆するところもない。
　そして本件発明２は、相違点３をもその構成として備えることにより「凹部を突起電極とフットパターン８との接合材料にＡｕバンプ９の代わりに半田を用いたときに、隣接した突起電極間での半田ブリッジによるショートを防ぐための半田だまりの役目を持たせている。」という本件明細書第【００１８】欄に記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明２が刊行物１〜３に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、申立人の主張する理由及び提出した証拠によっては、本件発明を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月３日（２００２．９．３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲について
（１−１）請求項２の
「表面に突起電極群を有する半導体チップと、前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜とを具備し、前記樹脂膜には前記突起電極群を構成する各突起電極の周囲を囲む内壁を備えた凹部が設けられ、前記突起電極群の少なくとも先端部が当該樹脂膜から露出していることを特徴とする半導体装置。」を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、
「表面に突起電極群を有する半導体チップと、前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜とを具備し、前記樹脂膜には前記突起電極群を構成する各突起電極の周囲を当該各突起電極との間に間隔を保って囲む内壁を備えた凹部が設けられ、当該各突起電極の先端部が当該樹脂膜から露出していることを特徴とする半導体装置。」と訂正する。
（１−２）請求項４ないし７の
「請求項１ないし請求項３いずれか１項記載の」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「請求項１または請求項３いずれか１項記載の」と訂正する。
（２）発明の詳細な説明について
　特許明細書の第【０００９】欄の「また、第２の半導体装置は、突起電極群を有する半導体チップの表面を封止する樹脂膜に、この突起電極群を構成する各突起電極の周囲を囲む内壁を備えた凹部が設けられている。そして、この突起電極群の少なくとも先端部が樹脂膜から露出している。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「また、第２の半導体装置は、突起電極群を有する半導体チップの表面を封止する樹脂膜に、この突起電極群を構成する各突起電極の周囲を当該各突起電極との間に間隔を保って囲む内壁を備えた凹部が設けられている。そして、各突起電極の先端部が樹脂膜から露出している。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　表面に第１の高さの突起電極群と第２の高さの突起電極群を有する半導体チップと、
　前記第１の高さの突起電極群と前記第２の高さの突起電極群の少なくとも先端部を露出して前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜を具備し、
　前記第１の高さの突起電極群と前記第２の高さの突起電極群が前記樹脂膜から露出する突出高さは略同一であるとともに、前記第１の高さの突起電極群と前記第２の高さの突起電極群の間の前記樹脂膜は段差を有すること
　を特徴とする半導体装置。
　【請求項２】　表面に突起電極群を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの表面を封止する樹脂膜とを具備し、
　前記樹脂膜には前記突起電極群を構成する各突起電極の周囲を
当該各突起電極との間に間隔を保って
当該各突起電極の先端部が
　を特徴とする半導体装置。
　【請求項３】　表面に突起電極群を有する半導体チップと、
　前記突起電極群の少なくとも先端部と、前記突起電極群の外側部とを露出して前記半導体チップの表を封止する樹脂膜を具備し、
　前記突起電極群の内側部と外側部において、前記樹脂膜は段差を有すること
　を特徴とする半導体装置。
　【請求項４】　前記半導体チップは少なくともその側面が露出していることを特徴とする
請求項１または請求項３
　【請求項５】　前記半導体チップはその側面および下面が露出していることを特徴とする
請求項１または請求項３
　【請求項６】　前記樹脂膜の少なくとも表面に絶縁保護強化膜を有することを特徴とする
請求項１または請求項３
　【請求項７】　前記樹脂膜の表面および側面に絶縁保護強化膜を有することを特徴とする
請求項１または請求項３
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体チップのパッド電極膜上に形成された突起電極先端部を外部接続端子となす半導体装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般にパターン形成が完了した半導体ウエハは裏面研削法を用いて所定の厚みに研削される。この裏面研削法は、保護フィルムとなる塩化ビニールなどを基材とする軟質性フィルムを半導体ウエハのパターン面に貼り付け、軟質フィルム上から半導体ウエハを均一に加圧して回転させながら、ダイヤモンド粒が樹脂中に練入された粒石により半導体ウエハ裏面を研削、除去するものである。
　【０００３】
　そして研削された半導体ウエハのスクライブラインを切断して個々の半導体チップに分割し、半導体チップと外部端子リードとをボンディングワイヤあるいはＴＡＢリードなどを介して相互に電気的に接合させ、樹脂封止後に外部端子リードを加工形成させるというものが一般的な技術であった。
　【０００４】
　また、半導体ウエハ上にＡｕバンプなどの突起電極を形成させるには、前記裏面研削法による半導体ウエハ裏面を研削し、除去する前もしくは後に、Ｃｒなどのバリア金属膜を形成して、Ａｕ電解メッキ法によりＡｕバンプを選択的に形成させていた。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　半導体装置は、コンピュータ、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、携帯電話、小型携帯カムコーダなどのあらゆる機器に多量に搭載されている。
　近年、これらの機器の小型化、軽量化の進展は著しく、また、今後これらの機器の小型化、軽量化そして高性能化、高機能化はさらに進むことから、これらの機器に搭載される半導体装置の小型化、薄形化、高信頼性化への要求は、半導体素子の高集積化、高機能化という要求と合わせて加速度的に増大していくものと予測される。
　しかしながら、半導体ウエハの大口径化の進展にともない従来の裏面研削法による半導体ウエハ厚の加工には、ハンドリング時もしくは研削時の半導体ウエハの破損防止という制約により厚みを薄くすることに限界が生じ、この結果、半導体装置に収納する半導体チップが厚くなり、半導体装置の薄形化ひいては機器の薄形化を阻害する要因となっている。
　さらに、半導体ウエハは裏面研削時のＡｕバンプへの荷重集中による半導体ウエハの破損を回避するために、Ａｕバンプの形成を裏面研削後に行っているのが一般的であり、Ａｕバンプを形成した後に裏面研削を行うことは、荷重の局部集中による半導体ウエハの破損を回避することを考慮すると、非常な困難さを伴うおそれがあった。
　【０００６】
　一方、機器内での半導体装置が占める実装面積は、半導体素子の高集積化、高機能化にともない増大する方向にあり、特に、従来の半導体装置の内側はボンディングワイヤ、インナーリードなどの電気的導通経路を必要とし、かつ、半導体装置の外側には接合を得るためのアウターリードを必要とするために本質的に実装面積は大きくなり、さらには、樹脂厚みと半導体チップ厚みからなる実装高さも高くなり、これらのことが半導体装置の小型化、軽量化を阻害し、ひいては、機器の小型化、軽量化を阻害する要因となっていた。
　【０００７】
　さらに、研削後に分割される半導体チップの素子面は外部からのわずかな力により簡単に損傷を受けやすく、組立工程や実装工程における半導体チップのハンドリングや装置条件の設定には細心の注意が必要であった。
　【０００８】
　本発明は、半導体ウエハを裏面研削により薄く加工しても半導体ウエハ破損が生じないようにすることと同時に半導体チップの素子面への損傷が生じないようにすること、そして、２次元的な電気的導通経路を最小にして実装面積を小さくし、かつ、樹脂厚みおよび半導体チップ厚みを最小にして実装高さを小さくすることを目的としている。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の半導体装置は、前述のような課題を解決するものであり、以下のように構成されたことを特徴としている。
　先ず、第１の半導体装置は、表面に第１の高さの突起電極群と第２の高さの突起電極群とを有する半導体チップと、これらの突起電極群の少なくとも先端部を露出して半導体チップの表面を封止する樹脂膜を具備している。ここで、第１の高さの突起電極群と第２の高さの突起電極群が樹脂膜から露出する突出高さは略同一であるとともに、これらの突起電極群の間の樹脂膜は段差を有していることとする。
　また、第２の半導体装置は、突起電極群を有する半導体チップの表面を封止する樹脂膜に、この突起電極群を構成する各突起電極の周囲を
当該各突起電極との間に間隔を保って
各突起電極の先端部
　そして、第３の半導体装置は、半導体チップ表面の突起電極群の少なくとも先端部と、この突起電極群の外側部とを露出して半導体チップの表面を封止する樹脂膜を具備している。また、突起電極群の内側部と外側部において、この樹脂膜は段差を有している。
　【００１０】
　【作用】
　前述した第１の半導体装置では、段差を有する樹脂膜から突出高さを略同一にして異なる高さの突起電極群の先端を露出させたことによって、半導体チップ上の突起電極が微細ピッチとなっても、隣接リード間のショートが生じ難いＴＡＢボンディングが容易に行なわれるようになる。
　そして、第２の半導体装置では、各突起電極の周囲を囲む内壁を備えた凹部を樹脂膜に設けたことで、実装の際に突起電極を半田付けする場合に、この凹部が各突起電極毎の半田だまりとなる。したがって、突起電極間での半田ブリッジによるショートが防止される。
　また、第３の半導体装置では、突起電極群の先端部と外側部とを樹脂膜から露出させたことで、実装の際に突起電極群の先端部と外側部とで半田接合が図られる。
　【００１１】
　【実施例】
　本発明の第１の実施例を図１および図２にもとづいて説明する。
　図１は本発明の第１の実施例の半導体装置を示す斜視図であり、図２は第１の実施例の半導体装置の製造方法について説明する断面図である。
　図１は表面に樹脂膜３および突起電極５を形成した半導体ウエハ１を個々の半導体チップ２の大きさに切断した状態を示しており、切断前において表面に樹脂膜３を形成した状態で半導体ウエハ１の裏面を裏面研削法を用いて鏡面状に研削を行って、半導体ウエハ１の厚みを薄く加工した後、スクライブライン４をダイシングブレードを用いて切断している。
　この半導体ウエハ１の裏面の研削は、裏面研削前に半導体ウエハ１の表面に樹脂膜３を形成させることにより、樹脂膜３を保護強化板として機能させ、６インチ径の半導体ウエハ１であればウエハプロセス加工時の厚みが約０．６ｍｍのものが裏面研削法により０．３５ｍｍ〜０．４ｍｍ程度まで半導体ウエハ１の厚みを薄く加工でき、８インチ径の半導体ウエハ１であってもウエハプロセス加工時の厚みが０．７ｍｍ程度のものが同様に０．４ｍｍ〜０．５ｍｍ程度まで半導体ウエハ１の厚みを薄く加工できる。このことにより、半導体ウエハ１の厚み、すなわち、半導体ウエハ１の大きさ如何に関わらず半導体ウエハ１の厚みを薄く加工するとができる。
　ここで、この樹脂膜３を形成する樹脂材料には、例えば低応力、高耐熱性を有するポリイミド樹脂を用いており、樹脂部の形成方法には一般によく用いられているポリイミド樹脂をスピンコーティングした後に熱硬化させる方法を用いている。また所定の樹脂膜厚を得るためには、スピンコーティングを繰り返すことにより容易に得られる。
　なお、半導体ウエハ１の表面に形成される樹脂膜３の樹脂材料としては、前述のようなポリイミド樹脂の代わりに、低応力、低収縮性を有するエポキシ系の樹脂を用いることも可能であり、所定の樹脂膜３の厚みはスキージ印刷法を用いることにより容易に得ることができ、この結果、樹脂膜３の保護強化板としての機能はさらに向上することになる。
　【００１２】
　本発明の第１の実施例の半導体装置の製造方法を図２にもとづいて説明する。
　まず、第１の工程では図２Ａに示すように、パターンが形成された０．６ｍｍ程度の厚みを有する半導体ウエハ１の電極パッド上に、クロム薄膜を介して電解メッキ法により選択的にＡｕメッキを施し、円柱状の突起電極５を約１００μｍの高さで形成する。
　つぎに、第２の工程では図２Ｂに示すように、半導体ウエハ１上に突起電極５の上端部を覆う程度の厚みで樹脂膜３を形成する。
　そして、第３の工程では図２Ｃに示すように、この樹脂膜３を保護強化板として半導体ウエハ１の裏面を裏面研削法により研削し半導体ウエハ１の厚みを０．４ｍｍ程度となるように薄く加工する。
　第４の工程では図２Ｄに示すように、半導体ウエハ１の上部に設けられた樹脂膜３の上面を軽くエッチングし、突起電極５の上端部を露出させる。　第５の工程では図２Ｅに示すように、ダイシングブレードにてスクライブライン４の樹脂膜３を削り取り、高温乾燥後、プラズマＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜６を突起電極５の上端部を除いて選択的に形成させる。
　最後に、第６の工程では図２Ｆに示すように、ダイシング用粘着性テープ（図示せず）にこの半導体ウエハ１を貼り、スクライブライン４で半導体ウエハ１を完全にダイシングブレードにて削りとり、１個１個の半導体チップ２に分離する。
　なお、スクライブライン４の樹脂膜３を取り除くためには、第５の工程で説明したような物理的な方法だけではなく、化学的エッチングによる方法も可能である。
　一方、シリコンナイトライド膜６の形成は、絶縁強化保護としての機能は若干低下するが、樹脂膜３の軽いエッチング直後に行うことも可能である。
　【００１３】
　さらに、図１において前述のように個々の半導体チップ２の大きさに切り出された半導体装置は、既に説明した通り裏面研削を施されて薄くなった半導体チップ２の上面に樹脂膜３が形成されており、この樹脂膜３の上面からは半導体チップ２のパッド電極に対して垂直に形成された円柱状の突起電極５の先端部が突出しており、その突起電極５は電解メッキ法を用いて形成されたＡｕ電極であり、その高さは８０μｍ〜１００μｍである。ただし、この突起電極５の形状は、円柱状であっても良いし、角柱状であっても良い。
　一方、この突起電極５の突出量は、突起電極５の高さ、樹脂膜３の厚み、そして、接合安定性から決定され、第１の実施例では２０μｍ程度を突出させている。
　また、第１の実施例では、半導体チップ２の側面がダイシングされた状態で露出しており、同様にその裏面が研削された状態で露出している。さらに、図１では特に図示してはいないが、これら半導体チップ２の側面、裏面および突起電極５表面を除いた樹脂膜３最表面には半導体装置としての信頼性を高めるためのシリコンナイトライド膜６がプラズマＣＶＤ法により２００℃〜２５０℃の比較的低温で１μｍ程度形成され、樹脂膜３への水分吸湿による半導体装置の信頼性低下を防ぐ絶縁強化保護膜としている。
　【００１４】
　本発明の第１の実施例の半導体装置を種々の実装形態に適合できることを示すプリント配線板への接合方法を図３にもとづいて説明する。
　図３は、図１に示した本発明の第１の実施例の半導体装置のプリント配線板への接合方法を示す断面図である。
　図３Ａにしめすように、フットパターン８が形成されたプリント配線板７へ半導体装置が直接フェイスダウンボンディングされており、フットパターン８上に予め設けられたＡｕバンプ９と半導体チップ２の突起電極５が熱圧着により合金接合されている。またこの合金接合部を含めた半導体装置の信頼性を高めるために、半導体装置の周縁部をエポキシ系の封止樹脂１０をポッティング法で封止している。
　図３Ｂに示すように、図３Ａに示した半導体装置の裏面に高熱伝導性のシリコン系接着剤１１を塗布し、放熱板１２となるＡｌ合金板を貼付け、半導体装置からの放熱性を積極的に向上させている。
　図３Ｃは、半導体装置に形成された突起電極５のピッチが微細な場合についての実施例であり、通常のテープキャリア方式のＴＡＢテープと半導体チップ２との接合方法と全く同一な方法で、第１の実施例の半導体装置とＴＡＢテープ１３とを突起電極５を介して接合させ、そして、このＴＡＢテープ１３のリードの終端部とプリント配線板７上のフットパターン８とを半田接合法を用いて接合させ、この半田接合部を含む半導体装置の周縁部を図３Ａ，図３Ｂと同様にエポキシ系の封止樹脂１０でポッティング法により封止させた例である。
　図３Ｄは、図３Ｃで説明した半導体装置裏面に高熱伝導性のシリコン系接着剤１１を塗布し、放熱板１２となるＡｌ合金板を貼り付け、半導体装置からの放熱性を向上させている。
　【００１５】
　次に、本発明の第２の実施例を図４にもとづいて説明する。
　図４Ａは、本発明の第２の実施例の半導体装置を示す斜視図であり、図４Ｂは図４Ａの側面図を示している。
　図４Ａ、図４Ｂに示すように、裏面研削により薄く加工された半導体チップ２上に２つの異なる高さを有した突起電極５が千鳥状に半導体チップ２の周囲に形成されている。そして、半導体チップ２の内側に形成された突起電極５の配列には高い突起電極５が、その外側に形成された突起電極５の配列には低い突起電極５が形成され、突出量が２０μｍ前後となるように樹脂膜３が段状に形成されている。このように半導体装置を構成したことにより、半導体チップ２上の突起電極５が微細ピッチとなっても、隣接リード間のショートが生じにくいＴＡＢボンディングが容易に行えるようになる。
　【００１６】
　つぎに本発明の第３の実施例および第４の実施例を、図５および図６にもとづいて説明する。
　図５および図６は、それぞれ第３の実施例および第４の実施例の半導体装置を示す斜視図である。図５に示す第３の実施例は、半導体装置に突出させた突起電極５の周囲部の樹脂膜３に凹部１４を形成させてあり、この凹部１４を、図３Ａに示す突起電極５とフットパターン８との接合材料にＡｕバンプ９の代わりに半田を用いたときに、隣接した突起電極５間での半田ブリッジによるショートを防ぐための半田だまりの役目を持たせている。
　一方、図６に示す第４の実施例は、半導体装置に突設させた突起電極５の上端部と円柱側部のうちの外側部を露出させた例であり、プリント配線板７に凹状の半導体装置収納部（図示せず）と前記半導体装置収納部の側面に縦状の導体パターン（図示せず）と底面に導体パターンを連続して設け、第４の実施例に示した半導体装置をプリント配線板７の半導体装置収納部に収納し、半導体装置の突起電極５の上端部と円柱側部とを前記導体パターンとを半田接合させるようにして半田接合時の信頼性向上をはかると同時に、プリント配線板７への実装時の高さの低減をはかっている。
　【００１７】
　以上説明してきたように、本発明の半導体装置は半導体チップ２の表面に樹脂膜３を形成することにより、半導体ウエハ１の破損、半導体チップ２の素子面の損傷を生じないようにすることができる。また、プリント配線板７への実装時の２次元的な電気導通経路を最小にすると同時に実装高さを小さくすることができる。
　【００１８】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の請求項１に係る半導体装置では、段差を有する樹脂膜から突出高さを略同一にして異なる高さの突起電極群の先端を露出させたことによって、半導体チップ上の突起電極が微細ピッチとなっても、隣接リード間のショートが生じ難いＴＡＢボンディングを容易に行なうことができ、半導体装置の小型化を達成することが可能になる。
　そして、請求項２に係る半導体装置では、各突起電極の周囲を囲む内壁を備えた凹部を樹脂膜に設けたことで、実装の際に突起電極を半田付けする場合に、この凹部を各突起電極毎の半田だまりとすることができ、隣接した突起電極間での半田ブリッジによるショートを防止することが可能になる。
　また、請求項３に係る半導体装置では、突起電極群の先端部と外側部とを樹脂膜から露出させたことで、実装の際に突起電極群の先端部と外側部とで半田接合を図ることが可能になり、半田接合の信頼性の向上を図ると共に、プリント配線板への実装の高さの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施例の半導体装置を示す斜視図。
　【図２】
　本発明の第１の実施例の半導体装置の製造方法について説明する断面図。
　【図３】
　本発明の第１の実施例の半導体装置のプリント配線板への接合方法を示す断面図。
　【図４】
　本発明の第２の実施例の半導体装置を示す斜視図および断面図。
　【図５】
　本発明の第３の実施例の半導体装置を示す斜視図。
　【図６】
　本発明の第４の実施例の半導体装置を示す斜視図である。
　【符号の説明】
　１　半導体ウエハ
　２　半導体チップ
　３　ポリイミド樹脂膜
　４　スクライブライン
　５　突起電極
　６　シリコンナイトライド膜
　７　プリント配線板
　８　フットパターン
　９　Ａｕバンプ
　１０　封止樹脂
　１１　シリコン系接着剤
　１２　放熱板
　１３　ＴＡＢテープ