【事件の表示】
　特許第３３８９１７０号「ＮｉＭｎＺｎ系フェライト」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８９１７０号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３３８９１７０号の請求項１ないし５に係る発明についての特許出願は、平成１１年１０月１２日になされ、平成１５年１月１７日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人ＪＦＥケミカル株式会社より請求項１ないし５に係る発明について特許異議申立がなされ、平成１６年９月８日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年１１月１６日に訂正請求書及び意見書が提出されたものである。
　
第２　訂正の適否についての判断
　１．訂正事項について
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の「【請求項１】ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分が以下の通りである主成分範囲にあり、
　Ｆｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、
　ＭｎＯ　　＝２２〜４１ｍｏｌ％、
　ＺｎＯ　　＝　４〜１２ｍｏｌ％、
　ＮｉＯ　　＝　２〜　７ｍｏｌ％、
　かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分が以下の副成分範囲内にあり、　
　ＳｉＯ2 ：０．００５　〜０．０３ｗｔ％
　ＣａＯ　：０．００８　〜０．１７ｗｔ％
　Ｐ　　　：０．０００４〜０．０１ｗｔ％
　さらに、以下の添加物を以下の所定の範囲内で１種または２種以上を添加することを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　Ｎｂ2 Ｏ5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１　〜０．０８ｗｔ％
　Ｖ2 Ｏ5 　：０．０１　〜０．１　ｗｔ％
　ＺｒＯ2 　：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｂｉ2 Ｏ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　ＭｏＯ3 　：０．００５〜０．０４ｗｔ％」を
「【請求項１】ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分が以下の通りである主成分範囲にあり、
　Ｆｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、
　ＭｎＯ　　＝２２〜４１ｍｏｌ％、
　ＺｎＯ　　＝　４〜１２ｍｏｌ％、
　ＮｉＯ　　＝　２〜　７ｍｏｌ％、
　かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分が以下の副成分範囲内にあり、　
　ＳｉＯ2 ：０．００５　〜０．０３ｗｔ％
　ＣａＯ　：０．００８　〜０．１７ｗｔ％
　Ｐ　　　：０．０００４〜０．０１ｗｔ％
　さらに、以下の添加物を以下の所定の範囲内で１種または２種以上を添加するものであり、
　Ｎｂ2 Ｏ5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１　〜０．０８ｗｔ％
　Ｖ2 Ｏ5 　：０．０１　〜０．１　ｗｔ％
　ＺｒＯ2 　：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｂｉ2 Ｏ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　ＭｏＯ3 　：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　また、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。」と訂正する。
（２）訂正事項２
　請求項２を削除する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の「【請求項３】請求項２に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、
　焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上であることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。」を
「【請求項２】請求項１に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、
　焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上であることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。」と訂正する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の「【請求項４】請求項３に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、
　Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係が下記の条件を満たすことを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　Ｒ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ　ただしＲ≧４００」を
　「【請求項３】請求項２に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、
　Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係が下記の条件を満たすことを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　Ｒ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ　ただしＲ≧４００」と訂正する。
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の「【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトを使用することを特徴とするトランス又はチョークコイル。」を
　「【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトを使用することを特徴とするトランス又はチョークコイル。」と訂正すること。
　２．訂正事項の内容
（１）訂正事項１
　訂正事項１は、「ＳｉＯ2 ：０．００５　〜０．０３ｗｔ％
　ＣａＯ　：０．００８　〜０．１７ｗｔ％
　Ｐ　　　：０．０００４〜０．０１ｗｔ％
　さらに、以下の添加物を以下の所定の範囲内で１種または２種以上を添加すること」を、
「ＳｉＯ2 ：０．００５　〜０．０３ｗｔ％
　ＣａＯ　：０．００８　〜０．１７ｗｔ％
　Ｐ　　　：０．０００４〜０．０１ｗｔ％
　さらに、以下の添加物を以下の所定の範囲内で１種または２種以上を添加するものであり、」と訂正すること（訂正事項１−１）と、
「を特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　Ｎｂ2 Ｏ5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１　〜０．０８ｗｔ％
　Ｖ2 Ｏ5 　：０．０１　〜０．１　ｗｔ％
　ＺｒＯ2 　：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｂｉ2 Ｏ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　ＭｏＯ3 　：０．００５〜０．０４ｗｔ％」を、
「Ｎｂ2 Ｏ5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１　〜０．０８ｗｔ％
　Ｖ2 Ｏ5 　：０．０１　〜０．１　ｗｔ％
　ＺｒＯ2 　：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｂｉ2 Ｏ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　ＭｏＯ3 　：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　また、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。」と訂正すること（訂正事項１−２）に区分できる。
（２）訂正事項２
　請求項２を削除する。
（３）訂正事項３
　「【請求項３】請求項２に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライト」を、
「【請求項２】請求項１に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライト」と訂正するものである。
（４）訂正事項４
 「【請求項４】請求項３に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライト」を、
「【請求項３】請求項２に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライト」と訂正するものである。
（５）訂正事項５
　「【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトを使用すること」を、
「【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトを使用すること」に訂正するものである。
　３．訂正の目的の適否、拡張・変更の有無について
（１）訂正事項１
　訂正事項１−１について
　訂正事項１−１は、訂正前の請求項１に、訂正事項１−２についての訂正をするために、実質的に、「を添付すること」を「を添加するものであり、」と訂正するものであるので、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　訂正事項１−２について
　訂正事項１−２は、実質的には、「を特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。」の記載個所を
「Ｎｂ2 Ｏ5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１　〜０．０８ｗｔ％
　Ｖ2 Ｏ5 　：０．０１　〜０．１　ｗｔ％
　ＺｒＯ2 　：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｂｉ2 Ｏ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　ＭｏＯ3 　：０．００５〜０．０４ｗｔ％」の前から、請求項１の末尾に移動する（訂正事項１−２−１）とともに、
   「また、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであること」を「を特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。」の前に挿入すること（訂正事項１−２−２）であって、
　訂正事項１−２−１は、訂正事項１−２−２を訂正前の請求項１に追加するために、「を特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。」の記載個所を変更するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、訂正事項１−２−２は、実質的には、訂正前の、請求項１を引用する請求項である請求項２に記載される「焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであること」を訂正後の請求項１に記載するものであって、訂正前の請求項１に記載される「フェライト」焼結体の平均結晶粒径を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２）訂正事項２
　請求項を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（３）訂正事項３
　訂正事項３は、訂正前の請求項２の削除に伴う、請求項の項番の繰上と、請求項で引用する請求項の項番の繰上であって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（４）訂正事項４
　訂正事項４は、訂正前の請求項２の削除に伴う、請求項の項番の繰上と、請求項で引用する請求項の項番の繰上であって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（５）訂正事項５
　訂正事項５は、訂正前の請求項２の削除に伴う、請求項の項番の繰上と、請求項で引用する請求項の項番の繰上であって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　また、訂正事項１ないし訂正事項５は、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
　４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立について
　１．特許異議申立の概要
　特許異議申立人ＪＦＥケミカル株式会社は、本件の請求項１ないし５に係る発明は、以下の甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本件の請求項１ないし５に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものであって、同法１１３条第２号の規定により取り消されるべきものであると主張している。
　甲第１号証：特開平１０−　６４７１５号公報
　甲第２号証：特開平１０−２７０２２９号公報
　甲第３号証：特開平　７−１７６４２０号公報
　甲第４号証：特開平　５−　３６５１５号公報
　
　２．取消理由通知の概要
　平成１６年９月８日付けの取消理由通知の内容は以下のとおりである。
　「１）本件特許の請求項１〜５に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　記 
 刊行物１，特開平１０−　６４７１５号公報（甲第１号証） 
 刊行物２，特開平１０−２７０２２９号公報（甲第２号証） 
 刊行物３，特開平　７−１７６４２０号公報（甲第３号証）　 
 刊行物４，特開平　５−　３６５１５号公報（甲第４号証） 
 　 
　本件請求項１〜５に係る発明は、特許異議申立人が提出した特許異議申立書の「４．申立の理由」記載の理由により、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 」
　
　３．特許異議申立人ＪＦＥケミカル株式会社が提出した甲第１号証ないし甲第４号証（以下、「刊行物１」ないし「刊行物４」という。）に記載された事項　
　
（１）刊行物１．特開平１０−６４７１５号公報（特許異議申立人ＪＦＥケミカル株式会社が提出した甲第１号証）
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】Fe2O3 ：53〜57 mol％、
ZnＯ：４〜11 mol％および
NiＯ：0.5 〜４ mol％を含み、
残部実質的にMnＯの組成になる基本成分中に、
SiO2：0.0050〜0.0500wt％および　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
CaＯ：0.0200〜0.2000wt％を含有し、さらにTa2O5, ZrO2, Nb2O5, V2O5, TiO2およびHfO2のうちから選ばれるいずれか１種または２種以上の添加成分を下記範囲で含むことを特徴とする低損失フェライト磁心材料。
記
Ta2O5 ：0.0050〜0.1000wt％
ZrO2　：0.0100〜0.1500wt％
Nb2O5 ：0.0050〜0.0500wt％
V2O5　：0.0050〜0.0500wt％
TiO2　：0.0500〜0.3000wt％
HfO2　：0.0050〜0.0500wt％
【請求項２】　80℃における飽和磁束密度が450mT 以上であることを特徴とする請求項１に記載の低損失フェライト磁心材料。」（特許請求の範囲請求項１及び請求項２）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、低損失フェライト磁心材料の関し、特に、スイッチング電源などの電源トランス等に供して好適な、高い飽和磁束密度を有する低損失フェライト磁心材料について提案する。」（０００１段落）
「この軟質磁性材料には、保磁力が小さく透磁率が高いこと、飽和磁束密度が大きいこと、低損失であることなどの多くの特性が要求される。」（０００２段落）
（２）刊行物２．特開平１０−２７０２２９号公報（特許異議申立人ＪＦＥケミカル株式会社が提出した甲第２号証） 
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  NiＯ： 1.0〜10 mol％、 Fe2O3：55〜68 mol％を含み、残部が実質的にMnＯからなることを特徴とするＭｎ−Ｎｉフェライト材料。
【請求項２】  NiＯ： 1.0〜10 mol％、 Fe2O3：55〜68 mol％、ZnＯ：８ mol％以下を含み、残部が実質的にMnＯからなることを特徴とするＭｎ−Ｎｉフェライト材料。
【請求項３】  NiＯ： 1.0〜10 mol％、 Fe2O3：55〜68 mol％を含み、残部が実質的にMnＯの組成となる基本成分中に、SiO2：0.02〜0.10wt％およびCaＯ：0.03〜0.30wt％を含有することを特徴とするＭｎ−Ｎｉフェライト材料。
【請求項４】  NiＯ： 1.0〜10 mol％、 Fe2O3：55〜68 mol％、ZnＯ：８ mol％以下を含み、残部が実質的にMnＯの組成となる基本成分中に、SiO2：0.02〜0.10wt％およびCaＯ：0.03〜0.30wt％を含有することを特徴とするＭｎ−Ｎｉフェライト材料。」（特許請求の範囲請求項１ないし４）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｍｎ−Ｎｉフェライト材料に関し、とくに、電源用トランス等の磁心に用いられる、高周波数域で損失の少ないＭｎ−Ｎｉフェライト系材料について提案する。」（０００１段落）
「かかる軟質磁性材料には、保磁力が小さく透磁率が高いこと、飽和磁束密度が大きいこと、低損失であること、など多くの特性が要求される。」（０００２段落）
「同様に結晶粒界に析出して粒界抵抗を高めるZr，Ta，Hf，Mo，Nb，V，Ti等の酸化物を添加することが知られており、これらの添加成分は渦電流損失の低減に寄与する。」（００１８段落）
（３）刊行物３．特開平７−１７６４２０号公報（特許異議申立人ＪＦＥケミカル株式会社が提出した甲第３号証）　 
　刊行物３には、表１，表２及び表３とともに以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　０．００５重量％以下のリンを含有するＭｎ−Ｚｎフェライト。」（特許請求の範囲請求項１）
「【００１１】次いで、表１の各酸化鉄を用い、これに高純度酸化マンガンや高純度酸化亜鉛等を調合して、Ｆｅ2Ｏ3：ＭｎＯ：ＺｎＯがモル比で、５３：２４．５：２２．５になるよう通常の方法で配合し、成形後、１３５０℃で焼成し、外径：２５mm、内径：１５mm、厚さ：５mmのリング状のテストピースを作成し、ＪＩＳ　Ｃ２５６１に沿って、１ＫＨｚ、２５℃における交流初透磁率μｉａｃと相対損失係数ｔａｎδ／μｉａｃを測定した。表２に各テストピースの配合粉の成分、すなわちフェライト組成と磁気特性を示した。表２のテストピースのＮｏ.は、使用した表１の酸化鉄のＮｏ.に対応する。
【００１２】表２のＮｏ.１〜Ｎｏ.８、Ｎｏ.１４，１５は、２２〜４４ppmのＰを含有する酸化鉄を使用したテストピースであるが、Ｎｏ.９〜Ｎｏ.１３の一般フェライト用酸化鉄を使用したテストピースと比べて磁気特性はμｉａｃ９０００以上、特に９３００以上と非常に優れている。とくに表２のＮｏ.１〜Ｎｏ.５、Ｎｏ.１４，１５はＰが２２〜３０ppmで、その磁気特性は良好である。しかし、結晶精製法によるＰ含有量のきわめて少ない酸化鉄を使用した２ppm以下とＰ量が０に近いテストピースＮｏ.１６の磁性特性は低下している。
【００１３】実施例２
高周波電源用のフェライトコアとしてのパワーロス値を評価した。すなわち、実施例１と同じ原料を用い、Ｆｅ2Ｏ3：ＭｎＯ：ＺｎＯがモル比で５３．５：３５：１１．５になるよう配合し、成形後、１３５０℃で焼成し、外径：２５mm、内径：１５mm、厚さ：５mmのリング状のテストピースを作成し、測定用巻線を一次、二次共５回巻線して、波形記憶装置（Ｂ−Ｈアナライザ）を用いてコア損失を測定した。表３に各テストピースの配合粉の成分（フェライト組成）と磁気特性とを示した。表３のテストピースのＮｏ.は、使用した表１の酸化鉄のＮｏ.に対応する。
【００１４】 Ｐの含有量が０．００５重量％以下のテストピースは１００ＫＨｚ、２００ｍＴ、１００℃のコア損失は４００ｍＷ／cm3以下の値を示しており、Ｐの含有量が０．００５重量％より大きいものや、０に近いものに比べ高性能であることは明らかである。」（００１０〜００１４段落）
また、表１には、「一般フェライト用市販品」として、酸化鉄中の不純物含有量として、「Ｍｎ（％）」、「ＳｉＯ２（ppm)」を含むと共に、「Ｐ（ppm)」がそれぞれ、１５０，９０，６４，１６０及び１５５である試料Ｎｏ９，１０，１１，１２及び１３が記載されており、表２及び表３には、表１の各試料の「磁気特性（（μｉａｃ）、（ｔａｎδ／μｉａｃ））」及び「コア損失（（＊Ｐ25mW/cm3）、（＊Ｐ100mW/cm3））」が記載されている。
（４）刊行物４，特開平５−３６５１５号公報（特許異議申立人ＪＦＥケミカル株式会社が提出した甲第４号証） 
　刊行物４には、表１とともに以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　主成分がＭｎＺｎフェライトよりなる多結晶焼結体からなる磁性体材料であって、前記多結晶焼結体を構成する結晶粒子の平均直径が１０μｍ以下であり、かつこの結晶粒子の表面が、結晶粒子内部よりも高電気抵抗の薄膜結晶粒界層でほぼ覆われて、全体の電気抵抗を１０Ω・ｃｍ以上にしたことを特徴とする磁性体材料。」（特許請求の範囲請求項１）
「【００１８】
【実施例】発明者らは、ＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その組成・微細構造・電磁気特性等と高周波における損失の関係を検討し、高周波において低損失なフェライトを得るためには、好ましくは４０００Ｇ程度以上の高い飽和磁速密度と、好ましくは８００以上、より好ましくは２０００程度の比初透磁率とともに、１０Ω・ｃｍ程度以上の高い電気抵抗率と１０μｍ以下の微細な結晶構造が必要である事をつきとめ、これを本発明の特定の２層構造により実現したものである。
【００１９】以下実施例によってより詳細に本発明を説明する。
実施例１
出発原料に純度９９．９％以上のα−Ｆｅ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＺｎＯの各粉末を用いた。これらの粉末を、組成比がＦｅ2 Ｏ3 −５２ｍｏｌ％、ＭｎＯ−３６ｍｏｌ％、ＺｎＯ−１２ｍｏｌ％となり、合計重量が３００ｇとなるようにそれぞれ秤量し、ボールミルにて水を加えて湿式で１６時間混合粉砕し、乾燥させた。この混合粉末を１０００℃で２時間空気中で仮焼した後、再度ボールミルにて１６時間、湿式で混合粉砕して乾燥させ、仮焼粉末とした。同様の方法で、仮焼温度を１０００〜１３００℃まで変化させた仮焼粉末を合成した。また、仮焼後ＮｉＯ，ＣｕＯ，ＭｎＯ，ＺｎＯ，ＣａＯ，ＳｉＯ2 を種々の量添加して混合粉砕した粉末も用意した。
【００２０】これらの粉末を５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で一軸金型成形し、この成形体を１１００〜１３００℃で２時間、Ｎ2 −１vol ％Ｏ2 雰囲気下で焼成（昇温・降温）し、焼結体を得た。得られた焼結体の焼結密度・平均結晶粒径を測定した。また焼結体より、外径２０ｍｍ、内径１４ｍｍ、高さ２ｍｍのリング状試料を切り出し、１ＭＨｚにおける磁気・電気特性を測定した。また損失の測定は、１ＭＨｚ，５０ｍＴにて行なった。その結果を（表１）に示した。」（００１９及び００２０段落）
　
　４．本件発明
　上記第２　４．のとおり、訂正請求は容認されたので、本件発明はその訂正請求書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１ないし請求項４に係る発明は、以下のとおりのものである。（以下、請求項１に係る発明を「本件発明」という。）
　
「【請求項１】ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分が以下の通りである主成分範囲にあり、
　Ｆｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、
　ＭｎＯ　　＝２２〜４１ｍｏｌ％、
　ＺｎＯ　　＝　４〜１２ｍｏｌ％、
　ＮｉＯ　　＝　２〜　７ｍｏｌ％、
　かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分が以下の副成分範囲内にあり、　　
　ＳｉＯ2 ：０．００５　〜０．０３ｗｔ％
　ＣａＯ　：０．００８　〜０．１７ｗｔ％
　Ｐ　　　：０．０００４〜０．０１ｗｔ％
　さらに、以下の添加物を以下の所定の範囲内で１種または２種以上を添加するものであり、
　Ｎｂ2 Ｏ5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１　〜０．０８ｗｔ％
　Ｖ2 Ｏ5 　：０．０１　〜０．１　ｗｔ％
　ＺｒＯ2 　：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｂｉ2 Ｏ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　ＭｏＯ3 　：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　また、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　【請求項２】請求項１に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、
　焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上であることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　【請求項３】請求項２に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、
　Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係が下記の条件を満たすことを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　Ｒ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ　ただしＲ≧４００
　【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェライトを使用することを特徴とするトランス又はチョークコイル。」
　
５．対比・判断
　本件発明について
　本件発明と刊行物１に記載された発明又は刊行物２に記載された発明と比較検討すると刊行物１に記載された発明又は刊行物２に記載された発明は、少なくとも以下の点を備えていない。
　相違点１
　「ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分が以下の副成分範囲内にあ」る点。「ＳｉＯ2 ：０．００５　〜０．０３ｗｔ％
　ＣａＯ　：０．００８　〜０．１７ｗｔ％
　Ｐ　　　：０．０００４〜０．０１ｗｔ％」
　相違点２
　副成分としてＳｉＯ2、ＣａＯ及びＰを含んだＮｉＭｎＺｎ系フェライトの「焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍである」点。
　
　上記相違点について以下に検討する。
　相違点１について
　仮に、刊行物３に一般フェライト用市販品にＰが６４〜１６０ppm含有されていることが記載されているとしても、全ての市販品にＰが本件発明に記載される程度（０．０００４％〜０．０１wt%）含有されているか否か明らかでない。
　また、刊行物３の、表１には、「一般フェライト用市販品」として、酸化鉄中の不純物含有量として、Ｍｎが0.18〜0.26（％）、ＳｉＯ２が60〜105ppm含まれると共に、「Ｐ（ppm)」がそれぞれ、１５０，９０，６４，１６０及び１５５である試料Ｎｏ９，１０，１１，１２及び１３が記載されているものの、試料番号Ｎｏ９，１０，１１，１２及び１３の「一般フェライト用市販品」は、表２においては、Fe2O3を約70.5%、MnOを約14.5%、ZnOを約15.2%、SiO2を110〜129ppm、Pを52〜117ppm含む組成となっており、表３においては、Fe2O3を約71.5%、MnOを約20.7%、ZnOを約7.8%、SiO2を125〜133ppm、Pを52〜117ppm含む組成となっているものの、本件発明のように、NiO（本件発明では、2〜7mol%）、CaO（本件発明では、0.008〜0.17wt%）を含有しておらず、さらに、Fe2O3（本件発明では、53〜59mol%）、MnO（本件発明では、22〜41mol%）についても、表１に記載される上記試料のFe2O3及びMnOの組成範囲と一致していないので、本件発明における、Fe2O3、MnO、ZnO、NiO、SiO2、CaOをそれぞれの特許請求の範囲請求項１に記載される範囲の組成を含むＮｉＭｎＺｎ系フェライトが、刊行物３に記載される組成範囲のＰを必ず含有するものとは認められない。
　したがって、刊行物１ないし２に記載される「フェライト」材料において、本件発明に記載された組成範囲のＰが含まれているか否か明確でない。
　
　相違点２について
　刊行物４に「主成分がＭｎＺｎフェライトよりなる多結晶焼結体からなる磁性体材料であって、前記多結晶焼結体を構成する結晶粒子の平均直径が１０μｍ以下であり、かつこの結晶粒子の表面が、結晶粒子内部よりも高電気抵抗の薄膜結晶粒界層でほぼ覆われて、全体の電気抵抗を１０Ω・ｃｍ以上にしたことを特徴とする磁性体材料。」（特許請求の範囲請求項１）と記載され、ＭｎＺｎフェライトの副成分として、ＳｉＯ２、ＣａＯ及びＰが従来周知であったとしても、上記「ＭｎＺｎフェライトよりなる多結晶焼結体からなる磁性体材料」の「多結晶焼結体を構成する結晶粒子の平均直径が１０μｍ以下」ではあるが、上記従来周知の副成分を添加しても、「多結晶焼結体を構成する結晶粒子の平均直径が１０μｍ以下」となるか否か明らかではなく、さらに、従来周知の副成分を添加した場合に、刊行物４に記載される課題が解決されるか否か明らかではないので、上記副成分をＮｉＭｎＺｎ系フェライトに添加することが従来周知であることをもって、刊行物１又は刊行物２に記載された成分で構成された「フェライト磁心材料」において、刊行物４に示されるように、「前記多結晶焼結体を構成する結晶粒子の平均直径が１０μｍ以下」となるようにすることが当業者にとり容易であったとはいえない。
　さらに、「前記多結晶焼結体を構成する結晶粒子の平均直径が１０μｍ以下」の数値範囲が、仮に、「ＮｉＭｎＺｎ系フェライト」の「焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍである」との数値範囲に含まれるとしても、刊行物１又は刊行物２に記載されるフェライト材料において、「前記多結晶焼結体を構成する結晶粒子の平均直径が１０μｍ以下」とすることにより、直流重畳特性を改善できることが容易に予測できたもの、言い換えると、本件の課題を解決されることが予測できたものであるとも言えない。
　したがって、本件発明の如く、「「ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分が以下の副成分範囲内にあ」る点。「ＳｉＯ2 ：０．００５　〜０．０３ｗｔ％　　ＣａＯ　：０．００８　〜０．１７ｗｔ％　　Ｐ　　　：０．０００４〜０．０１ｗｔ％」」及び、「副成分としてＳｉＯ2、ＣａＯ及びＰを含んだＮｉＭｎＺｎ系フェライトの「焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍである」」との構成を備えたものとすることは、刊行物１ないし４に記載された発明をどのように組み合わせても、当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
　
　本件特許の特許請求の範囲請求項２ないし４に係る発明について
　本件発明（請求項１に係る発明）が刊行物１ないし４に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではないので、本件特許の請求項１を引用する本件特許の請求項２ないし４に係る発明についても、刊行物１ないし４に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
　
　また、本件発明は、本件特許の「（１）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲にあり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．００８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％の副成分範囲内にあるもの」なる構成により、「飽和磁束密度Ｂｓが４４０ｍＴ以上で直流重畳特性が優れ、広温度域で使用することができる。」（００６０段落参照）とともに、「ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍである」との構成により、「保磁力Ｈｃの小さく、飽和磁束密度Ｂｓが４４０ｍＴ以上であり、低電力損失のものを得ることができる。」（００６３段落参照）という本件特有の作用効果を奏するものである。
　
　６．特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び取消理由によっては、本件請求項１ないし請求項４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の請求項１ないし請求項４に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月２１日（２００５．７．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ＮｉＭｎＺｎ系フェライト
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分が以下の通りである主成分範囲にあり、
　Ｆｅ２Ｏ３＝５３〜５９ｍｏｌ％、
　ＭｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、
　ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、
　ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％、
　かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分が以下の副成分範囲内にあり、
　ＳｉＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　ＣａＯ：０．００８〜０．１７ｗｔ％
　Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％
　さらに、以下の添加物を以下の所定の範囲内で１種または２種以上を添加する
ものであり、
　Ｎｂ２Ｏ５：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｔａ２Ｏ５：０．０１〜０．０８ｗｔ％
　Ｖ２Ｏ５：０．０１〜０．１ｗｔ％
　ＺｒＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％
　Ｂｉ２Ｏ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　ＭｏＯ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％
　
また、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍである
　【請求項２】請求項
１
　焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上であることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　【請求項３】請求項
２
　Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係が下記の条件を満たすことを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。
　Ｒ＝（Ｂｓ−３００）２／Ｈｃ　ただしＲ≧４００
　【請求項４】請求項１〜
３
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、広温度域において使用されるトランス及びチョークコイル用のコアに用いることができるＮｉＭｎＺｎ系フェライト及びそれを使用したトランス及びチョークコイルに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、その他のフェライト材料及び軟磁性金属材料に比べ、数十ｋＨｚから数百ｋＨｚの周波数帯域で使用されるスイッチング電源トランス用コアとして使用した場合の電力損失が小さく、また、飽和磁束密度が比較的大きいため、トランス及びチョークコイル用のコアとして主要な材料となっている。
　【０００３】
　しかし、近年、電子機器の小型化、高出力化に伴い、また、自動車用の部品のように使用環境温度の高い条件下（少なくとも１００℃、好ましくは１５０℃まで）での使用要求も高まり、従来のフェライト材料では飽和磁束密度Ｂｓ、特に高温域での飽和磁束密度Ｂｓが不十分であった。
　【０００４】
　そこで、特公昭６３−５９２４１号公報、特公昭６３−５９２４２号公報等においては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに一部Ｎｉ、Ｍｇ、Ｌｉフェライトのうち少なくとも一種を置換し、１５０℃以上の使用環境で低電力損失で、かつ磁気的安定性の高いフェライト材料について開示されているが、高温での飽和磁束密度Ｂｓ特性が不十分であった。
　【０００５】
　また、特開平２−８３２１８号公報においては、ＮｉＭｎＺｎ系フェライトによって、高温下、高磁界中において磁気特性の安定化が高く、飽和磁束密度Ｂｓが高く、かつ低電力損失であるフェライト材料が開示されているが、高温での飽和磁束密度Ｂｓ特性が不十分であった。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】上記従来のものには次のような課題があった。
　【０００７】
　（１）：トランス及びチョークコイル用のフェライト材料として使用する場合、通常、可能性のある最も高い温度条件の特性で設計を行うが、上記いずれの従来例においても高温度域における飽和磁束密度Ｂｓが十分でなかった。
　【０００８】
　（２）：トランス及びチョークコイル用のフェライト材料として使用する場合、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの関係において、飽和磁束密度Ｂｓが高く、保磁力Ｈｃの小さい材料では、Ｂ−Ｈループの初磁化曲線の立ち上がり方が、飽和状態に近い磁束密度まで急峻に立ち上がり、結果的に直流重畳特性が良好な（飽和磁束密度近辺まで直流を重畳してもインダクタンスＬの低下が見られない）ものが得られるが、保磁力Ｈｃの大きいものは初磁化曲線の前半は急峻に立ち上がるものの、中盤にかけて傾きが緩やかになり、飽和状態に近い磁束密度近辺においては非常に傾きの小さい曲線となる。そのため、直流重畳特性を評価すると、磁束密度が飽和する前にインダクタンスの低下が生じてしまい、Ｂｓ特性が高いにもかかわらずその特性を活かすことができず、結果として良好な直流重畳特性が得られないものである。
　【０００９】
　上記いずれの従来例においても飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの関係において、飽和磁束密度Ｂｓが高く保磁力Ｈｃが小さくなるような特性が得られず、良好な直流重畳特性が得られないものであった。
　【００１０】
　従って本発明は、直流重畳特性の優れ、電力損失が室温から１５０℃程度において低電力損失であるＮｉＭｎＺｎ系フェライトを得ることを目的とする。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解決するため次のように構成した。
　【００１２】
　（１）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分がＦｅ２Ｏ３＝５３〜５９ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲にあり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳｉＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．００８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％の副成分範囲内にあり、さらに、添加物をＮｂ２Ｏ５：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｔａ２Ｏ５：０．０１〜０．０８ｗｔ％、Ｖ２Ｏ５：０．０１〜０．１ｗｔ％、ＺｒＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ２Ｏ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％、ＭｏＯ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％の所定の範囲内で１種または２種以上を添加するものとする。
　【００１３】
　【００１４】
　【００１５】
　（２）：前記（１）のＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであるものとする。
　【００１６】
　（３）：前記（２）のＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上であるものとする。
　【００１７】
　（４）：前記（３）のＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係がＲ＝（Ｂｓ−３００）２／Ｈｃ（ただしＲ≧４００）の条件を満たすものとする。
　【００１８】
　（５）：前記（１）〜（４）のＮｉＭｎＺｎ系フェライトを使用するトランス又はチョークコイルとする。
　【００１９】
　このような構成により次のような作用を奏する。
　【００２０】
　ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分がＦｅ２Ｏ３＝５３〜５９ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲にあり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳｉＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．００８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％の副成分範囲内にあるものとする。このため、飽和磁束密度Ｂｓが４４０ｍＴ以上で直流重畳特性が優れ、広温度帯域で使用することができる。
　【００２１】
　また、ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分がＦｅ２Ｏ３＝５３〜５９ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝２２〜３９ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、ＮｉＯ＝４〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲にあり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳｉＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．００８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％の副成分範囲内にあるものとする。このため、飽和磁束密度Ｂｓの特性がより向上し、直流重畳特性が優れ、広温度帯域で使用することができる。
　【００２２】
　さらに、前記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、さらに添加物をＮｂ２Ｏ５：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｔａ２Ｏ５：０．０１〜０．０８ｗｔ％、Ｖ２Ｏ５：０．０１〜０．１ｗｔ％、ＺｒＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ２Ｏ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％、ＭｏＯ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％の所定の範囲内で１種または２種以上を添加するものとする。このため、飽和磁束密度Ｂｓが４５０ｍＴ以上であり直流重畳特性がさらに優れ、低電力損失のものを得ることができる。
　【００２３】
　また、前記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであるものとする。このため、保磁力Ｈｃの小さく、飽和磁束密度Ｂｓが４４０ｍＴ以上であり、低電力損失のものを得ることができる。
　【００２４】
　さらに、焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上であるものとする。このため、直流重畳特性が優れたものを得ることができる。
　【００２５】
　また、Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係がＲ＝（Ｂｓ−３００）２／Ｈｃ（ただしＲ≧４００）の条件を満たすものとする。このため、Ｒの値（Ｒ≧４００）を指標として直流重畳特性が優れたものを得ることができる。
　【００２６】
　さらに、前記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトを使用するトランス又はチョークコイルとする。このため、直流重畳特性が優れ、広温度帯域において使用できるトランス又はチョークコイルを作製することができる。
　【００２７】
　【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を表１、表２及び図１〜図３に基づき説明する。
　【００２８】
　（１）：本発明の要点
　本発明は、ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの主成分をキュリー温度が高く、Ｂ−Ｈループの保磁力（Ｈｃ）の小さくなる主成分範囲に制御し、かつ焼結過程において結晶粒の構造に影響を及ぼすＰ、及び副成分であるＳｉＯ２、ＣａＯを所定の含有量に制御することによって、なおかつ焼結体の平均結晶粒径を所定の範囲に制御することによって、焼結体の密度が高く、保磁力（Ｈｃ）の小さい特性で飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上である直流重畳特性の優れたＮｉＭｎＺｎ系フェライトを得るものである。また、電力損失における温度特性の極小値を示す温度が１００℃程度から１５０℃程度にある主成分範囲に制御することによって、かつ焼結体の平均結晶粒径を所定の範囲に制御することによって電力損失が室温から１５０℃程度において低電力損失であるＮｉＭｎＺｎ系フェライトを得るものである。
　【００２９】
　また、本発明は、上記の発明に対して、さらに所定の添加物を所定の含有量に制御することによって、より焼結体の密度が高く、保磁力（Ｈｃ）の小さい特性で飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４５０ｍＴ以上であり直流重畳特性がさらに優れ、より低電力損失であるＮｉＭｎＺｎ系フェライトを得るものである。
　【００３０】
　（２）：実施例による説明
　表１はマンガン系フェライト材料（主成分、副成分、添加物）とその焼結体の平均結晶粒径と電磁気特性及びＲ値である。なお、表１において、比較は比較例、実施は実施例をそれぞれ示している。
　【００３１】
　表１の主成分、副成分、添加物となるように各成分を秤量、混合、仮焼、粉砕、バインダーを加え顆粒とし、トロイダル状のサンプルを成型した。そのサンプルを、３００℃／ｈｒで昇温し、１２１０〜１４００℃で焼成した。安定温度以降は２００℃／ｈｒで室温まで冷却したが、安定から室温までの雰囲気はフェライトの平衡酸素分圧に従い設定した。
　【００３２】
　それらのサンプルの飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃、１５０℃）、保磁力Ｈｃ（１５０℃）、４０ｋＨｚ−２００ｍＴにおける電力損失（室温ＲＴ、１００℃、１５０℃）をそれぞれ測定した。また、それらのサンプルにおける平均結晶粒径を測定した。
　【００３３】
　そして、本サンプルにおける直流重畳特性の指標となる特性値（Ｒ）をＢ−Ｈループより算出する計算式を以下に考案して算出した。それらの結果を表１に示す。
　【００３４】
　　Ｒ＝（Ｂｓ−３００）２／Ｈｃ・・・・・・▲１▼
　なお、▲１▼式におけるＢｓ：（ｍＴ）ａｔ１５０℃、Ｈｃ：（Ａ／ｍ）ａｔ１５０℃とする。
　【００３５】
　【表１】
　【００３６】
・直流重畳特性の説明
　▲１▼式は、直流重畳特性の指標となる値である、Ｒの大きいほど直流重畳特性は良好となることがわかった。現在一般的に使用されるＭｎＺｎ系フェライトにおける１５０℃のＢｓ特性は、高いもので約３００ｍＴであり、▲１▼式における（Ｂｓ−３００）２の項は、本発明におけるＮｉＭｎＺｎ系フェライトのＢｓ特性との差を二乗した項である。また残りの／Ｈｃについては直流重畳特性における電流値に対するインダクタンス特性の直線的な伸びを表すための項である。
　【００３７】
　本発明において、さまざまな形を持つＢ−Ｈループ特性のサンプルと直流重畳特性の関係を調査した結果、飽和磁束密度Ｂｓが高いサンプルで、保磁力Ｈｃの小さいものはＢ−Ｈループの初磁化曲線の立ち上がり方が、飽和状態に近い磁束密度まで急峻に立ち上がり、結果的に直流重畳特性が良好なものが得られるが、保磁力Ｈｃの大きいものは初磁化曲線の前半は急峻に立ち上がるものの、中盤にかけて傾きが緩やかになり、飽和状態に近い磁束密度近辺では非常に傾きの小さい曲線となる。
　【００３８】
　そのため、直流重畳特性を評価すると、磁束密度が飽和する前にインダクタンスの低下が生じてしまい、Ｂｓ特性が高いにもかかわらずその特性を活かすことができず、結果として良好な直流重畳特性が得られない。
　【００３９】
・実施例１と比較例４の説明
　以下の表２は実施例１と比較例４の材料について１００℃の飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの特性を示す。
　【００４０】
　【表２】
　【００４１】
　図１は直流重畳特性の説明図である。図１において、表２の材料を用いて作製したトランスの直流重畳特性を示している。これにより、実施例１と比較例４の材料とも飽和磁束密度Ｂｓ特性は同等であるが、保磁力Ｈｃの大きい比較例４の材料は、インダクタンスＬが低下し始める直流電流値Ｉ．ｄ．ｃ．が小さく、直流電流が重畳される前のインダクタンスＬの値が１０％低下する直流電流値は約１．４（Ａ）である。一方、保磁力Ｈｃの小さい実施例１の材料は、インダクタンスＬの値が１０％低下する直流電流値は約１．７５（Ａ）と比較例４の材料より直流重畳特性が伸びていることがわかる。
　【００４２】
　これらのデータにより直流重畳特性は、飽和磁束密度Ｂｓ特性のみに依存せず、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの関係が重要であり、特に広温度帯域で使用される材料は、▲１▼式のＲの値が大きいことが必要であることがわかった。
　【００４３】
・Ｒの値と直流重畳特性の関係の説明
　図２はＲの値と直流重畳特性の関係の説明図である。図２において、表１における比較例１と実施例１、３、８の材料を用いて作製したトランスの１００℃における直流重畳特性を示したものである。これによりＲの値が３１、４２５、７８０、１１３０と大きくなるに従い直流重畳特性が向上することがわかる。従来のフェライトでは、Ｒの値が４００以上の値を達成することは困難であり、Ｒの値が４００以上のものを本発明とする。
　【００４４】
・平均結晶粒径の説明
　平均結晶粒径は、サンプルのフェライト焼結体を鏡面研磨後、フッ酸によりエッチングし、研磨面を５００倍程度で光学顕微鏡により撮影した写真に基づき調べる。まず、上記のようにして得られた写真上に粒子が１００個程度入る例えば２００μｍ×２００μｍの正方形の区画をとり、この区画中に存在する結晶粒子の数を算定する。ただし、区画の境界に存在する結晶粒子は、１／２個として数える。この数をｎとし、下記式により平均結晶粒径ｄを算出する。
　【００４５】
　【数１】
　【００４６】
　実施例１〜１９に示すように主成分が所定の範囲内にあり、かつ副成分が所定の範囲内に存在し、なおかつ焼結体の平均結晶粒径が６〜２５μｍのものはＲが４００以上で電力損失が室温から１５０℃において電力損失Ｐｃｖが５００ｋＷ／ｍ３以下であり、飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上に制御されている。
　【００４７】
　しかし、比較例５のように焼結体の平均結晶粒径が６μｍの範囲より小さいものは保磁力Ｈｃが大きくなり飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以下となる。また、比較例６のように焼結体の平均結晶粒径が２５μｍの範囲より大きいものはＲが４００以下で低電力損失である特性が得られない。平均結晶粒径が２５μｍの範囲より大きいものは、焼成条件によっては異常粒成長を生じることなく粒成長をさせることは可能で、Ｒを比較的良好な値に制御することが可能であるが、使用周波数帯における電力損失の増大や、焼成コストを考慮すると本発明の平均結晶粒径の範囲が好ましいものである。
　【００４８】
・比較例１１、１２のように主成分におけるＦｅ２Ｏ３成分が５９ｍｏｌ％以上、ＮｉＯ成分が７ｍｏｌ％以上と所定の範囲より多く含まれる領域においてはＢ−Ｈループがパーミンバー型となりその傾向が顕著で、飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が高いにもかかわらず保磁力Ｈｃが大きくなることによってＲが４００以下となる。また、それに伴い電力損失も急増する。Ｆｅ２Ｏ３成分が５３ｍｏｌ％未満では所定の飽和磁束密度Ｂｓが得られない。また、ＮｉＯ成分は、０〜２ｍｏｌ％では比較例１、２に示すように飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）の向上に対する添加効果が少なく、所望の特性が得られない。そのため、ＮｉＯ成分は２ｍｏｌ％以上が必要となる。実際には４ｍｏｌ％以上が好ましく、飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）の特性向上が顕著でＲの値も大きくなる。そして、４〜６ｍｏｌ％においてＲの値が最大となりそれ以上の領域においては低下する。
　【００４９】
・比較例４のようにＺｎＯ成分が４ｍｏｌ％の範囲より少ない領域では、飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が高いにもかかわらず保磁力Ｈｃが大きくなりやはりＲの値は低下し、良好な直流重畳特性が得られず、かつ低電力損失である特性が得られない。比較例３のようにＺｎＯ成分が１２ｍｏｌ％の範囲より多い領域では、キュリー温度が低下することによって飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が十分に得られない。
　【００５０】
・また、主成分が所定の範囲内にあるものでも、比較例７〜１０のように、副成分の含有量が所定の範囲を外れるＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、焼成過程において粒成長の不足や異常粒成長が生じ十分な焼結体の密度が得られず、飽和磁束密度Ｂｓ、Ｒの値が低下し、電力損失も急増する。
　【００５１】
　ＳｉＯ２が０．００５ｗｔ％及びＣａＯが０．００８ｗｔ％の範囲よりも少ないと電気抵抗が下がり電力損失が大きくなる。また、ＳｉＯ２が０．０３ｗｔ％及びＣａＯが０．１７ｗｔ％の範囲を超えると焼成時の異常粒成長により所望の飽和磁束密度Ｂｓ及び低電力損失が得られない。
　【００５２】
　特に、Ｐの副成分は、少量で焼結体の密度に影響を及ぼし、Ｐは０．０００４ｗｔ％〜０．０１ｗｔ％の範囲が本発明である。比較例９のようにＰの含有量が０．０１ｗｔ％より多い領域では焼結過程で異常粒成長を生じ十分な焼結体の密度が得られず、その結果所定の飽和磁束密度Ｂｓ、Ｒの値が得られない。また、比較例１０のようにＰの含有量が０．０００４ｗｔ％より少ない領域では焼結性が不十分でやはり所定の飽和磁束密度Ｂｓ、Ｒの値が得られない。
　【００５３】
・それに対して主成分、副成分が所定の範囲内にあるＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、実施例８〜１９のように添加物としてＮｂ２Ｏ５：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｔａ２Ｏ５：０．０１〜０．０８ｗｔ％、Ｖ２Ｏ５：０．０１〜０．１　ｗｔ％、ＺｒＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ２Ｏ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％、ＭｏＯ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％の所定の範囲で１種または２種以上を添加し、かつ焼結体の平均結晶粒径が６〜２５μｍの範囲に制御されたものは、これらの添加物を添加しないものと比べ、相対密度のより高い焼結体が得られ、結果としてより保磁力Ｈｃが小さくかつ飽和磁束密度Ｂｓが高くＲ値のより大きい特性が得られる。また、特に、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５の添加物は、電力損失の低減にも効果的である。
　【００５４】
　これらの添加物の水準が所定の範囲より少ない領域では、その添加効果が明確ではなく、また所定の範囲より多い領域では、焼結過程において異常粒成長を生じ、所望の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）、並びに低電力損失は得られない。
　【００５５】
　（３）：トランス及びチョークコイルの説明
　図３はトランス及びチョークコイルの説明図である。図３（ａ）はＥＥ型の外観斜視図、図３（ｂ）はＥＥ型の断面図、図３（ｃ）はＥＩ型の外観斜視図である。
　【００５６】
　図３（ａ）、図３（ｂ）において、トランス及びチョークコイルは、一対のＥ型フェライトコア１を対接して磁心を構成し、中央磁脚２にコイル４が巻かれたボビン３が嵌合されるものである。なお、中央磁脚２間のギャップＧは、インダクタンスを調整するためのもので、無くてもかまわないものである。
　【００５７】
　図３（ｃ）において、Ｅ型フェライトコア１１とＩ型フェライトコア１２を対接して磁心を構成し、Ｅ型フェライトコア１１の中央磁脚１０１にコイル１４が巻装されている。
　【００５８】
　このような構成のトランス及びチョークコイルのコアに本願のＮｉＭｎＺｎ系フェライトを用いることで、広温度域において使用することができるトランス及びチョークコイルを製作することができる。
　【００５９】
　【発明の効果】本発明により下記の効果を奏することができる。
　【００６０】
　（１）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分がＦｅ２Ｏ３＝５３〜５９ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲にあり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳｉＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．００８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％の副成分範囲内にあるものとするため、飽和磁束密度Ｂｓが４４０ｍＴ以上で直流重畳特性が優れ、広温度域で使用することができる。
　【００６１】
　（２）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その主成分がＦｅ２Ｏ３＝５３〜５９ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝２２〜３９ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、ＮｉＯ＝４〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲にあり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳｉＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．００８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％の副成分範囲内にあるものとすると、飽和磁束密度Ｂｓの特性がより向上し、直流重畳特性が優れ、広温度帯域で使用することができる。
　【００６２】
　（３）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、さらに添加物をＮｂ２Ｏ５：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｔａ２Ｏ５：０．０１〜０．０８ｗｔ％、Ｖ２Ｏ５：０．０１〜０．１ｗｔ％、ＺｒＯ２：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ２Ｏ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％、ＭｏＯ３：０．００５〜０．０４ｗｔ％の所定の範囲内で１種または２種以上を添加するため、飽和磁束密度Ｂｓが４５０ｍＴ以上であり直流重畳特性がさらに優れ、低電力損失のものを得ることができる。
　【００６３】
　（４）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであるものとするため、保磁力Ｈｃの小さく、飽和磁束密度Ｂｓが４４０ｍＴ以上であり、低電力損失のものを得ることができる。
　【００６４】
　（５）：焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上であるものとするため、直流重畳特性が優れたものを得ることができる。
　【００６５】
　（６）：Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係がＲ＝（Ｂｓ−３００）２／Ｈｃ（ただしＲ≧４００）の条件を満たすものとするため、Ｒの値（Ｒ≧４００）を指標として直流重畳特性が優れたものを得ることができる。
　【００６６】
　（７）：前記のＮｉＭｎＺｎ系フェライトを使用するトランス又はチョークコイルとするため、直流重畳特性が優れ、広温度域において使用できるトランス又はチョークコイルを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】直流重畳特性の説明図である。
　【図２】Ｒの値と直流重畳特性の関係の説明図である。
　【図３】トランス及びチョークコイルの説明図である。