【事件の表示】
　特許第３０７９３０８号「光磁気記録媒体」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７９３０８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１　経緯
　原特許出願　　　　　　　　　　　　　　　平成　１年　２月１０日
　本件特許出願（分割日）　　　　　　　　　平成　８年　９月１３日
　特許設定登録（特許第３０７９３０８号）　平成１２年　６月２３日
　特許異議申立て（日立マクセル株式会社）　平成１３年　２月２１日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　６月１１日
　特許異議意見書・訂正請求　　　　　　　　平成１３年　８月２１日
　訂正拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　平成１４年　４月１５日
　意見書　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　６月２１日
　
２　訂正の適否
（１）　訂正事項
訂正事項１
　特許された【特許請求の範囲】の【請求項１】
「基板に、垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜を形成し、これに重ねて誘電体よりなる保護膜を形成してなり、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、前記磁性薄膜がＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とした磁性薄膜であり、その膜厚をｔμｍ　、その飽和磁化をＭｓｅｍｕ／ｃｃとした場合に
ｔ×Ｍｓ　＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ
（但し、ｔ＝０．０４μｍかつ、
（１）Ｔｂ１８．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８２．０
（２）Ｔｂ１９．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８０．５
（３）Ｔｂ２１．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７９．０
（４）Ｔｂ２２．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７７．５
（５）Ｔｂ２４．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７６．０
の原子比で表記された５種類の組成を除く）を満足する磁性薄膜を備えていることを特徴とする光磁気記録媒体。（以下、特許発明という。）」の
「基板に、垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜を形成し、これに重ねて誘電体よりなる保護膜を形成してなり、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、」を、
「基板上に形成された誘電体膜、その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、その上に形成された誘電体膜、その上に形成された反射膜、その上に形成された誘電体よりなる保護膜を備え、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、」と訂正するものであり、以下のものである。
「Ａ　基板上に形成された誘電体膜、Ｂ　その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、Ｃ　その上に形成された誘電体膜、Ｄ　その上に形成された反射膜、Ｅ　その上に形成された誘電体よりなる保護膜を備え、Ｆ　磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、Ｇ　前記磁性薄膜がＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とした磁性薄膜であり、Ｈ　その膜厚をｔμｍ　、その飽和磁化をＭｓｅｍｕ／ｃｃとした場合に
ｔ×Ｍｓ　＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ
（但し、ｔ＝０．０４μｍかつ、
（１）Ｔｂ１８．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８２．０
（２）Ｔｂ１９．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８０．５
（３）Ｔｂ２１．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７９．０
（４）Ｔｂ２２．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７７．５
（５）Ｔｂ２４．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７６．０
の原子比で表記された５種類の組成を除く）を満足する磁性薄膜を備えていることを特徴とする光磁気記録媒体。（以下、訂正発明という。）」（Ａ〜Ｈは、整理のために便宜的に付加した。）
　
訂正事項２
　上記訂正事項１に伴い発明の詳細な説明における【０００９】を訂正するものである。
　
（２）　訂正拒絶理由の概要
　本訂正請求は、請求項１の発明に構成を追加したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、明細書の【００１８】に記載されているから、新規事項の追加に該当しない。しかしながら、基板上に形成された誘電体膜、反射膜を追加することは、カー回転角が大きくなるという新たな効果を奏するものであり、この効果が、Ｃ／Ｎの向上をさせるという当初の目的を、更に確実にするものとなり、実質的に目的を変更するものとなる。従って、この訂正は、特許請求の範囲を実質的に変更するものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる特許法第１２０条の４第３項において準用する特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認めない。
　
（３）　意見書での反論の概要
ａ　訂正拒絶理由に対する意見書で、権利者は概略次のように主張する。
ｂ　訂正前の目的は【０００８】に記載されたとおり、「記録媒体の変調磁界の強度が２００ Ｏｅ以下であってもキュリー点記録方式により記録媒体に情報を十分な記録状態にして記録し得る記録媒体を提供すること」であり、訂正前の効果は【００２１】に記載されたとおり「変調磁界の強度を２００　Ｏｅにして情報を記録した場合、カー回転角が大きくなるとともに、その情報の搬送波対雑音比 Ｃ／Ｎ を ４５ｄＢ 以上、ジッターσを４ｎｓｅｃ 以下になし得、そのため、エラーレートが小さく高速回転させて小さい変調磁界強度でキュリー点記録方式によってオーバライトが可能な光磁気記録媒体を提供できる」であります。一方、訂正後の発明は「基板上に形成された誘電体膜、反射膜」を追加することにより、カー回転角が大きくなるという作用効果を有するものでありますが、平成１３年８月２１日に提出した異議意見書で説明したとおり（異議意見書第９頁第２５行〜第１１頁第１２行）、「基板上に形成された誘電体膜、反射膜」を追加することにより単にカー回転角が大きくなるという新しい効果をもたらすのではなく、「基板上に形成された誘電体膜、反射膜を追加することによりカー回転角が大きくなる作用効果と、発明の構成要件であるｔ×Ｍｓ　＜５　μｍ・ｅｍｕ／ｃｃとの相乗効果によりＣ／Ｎの向上をさせるという当初の目的・効果を、更に確実にするものであり、かつ当初の目的から逸脱していないものであります。また、「カー回転角が大きくなる」という作用効果については、出願時明細書に記載されていた事項であるとともに、それによる最終的な発明の効果、すなわち「Ｃ／Ｎの向上」に含まれ、この効果に変更をきたすものではない（当初の目的・効果の範囲内）ため、発明の効果の訂正は行っておりません。従って、上記丸数字６には該当せず、審判便覧（５４−１０）による実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものに該当いたしません。
　
（４）異議申立理由
ａ　訂正の可否について検討する際に、適用する審判便覧・審査基準の検討が必要なので、本件特許の異議申立の経緯について検討する。
ｂ　異議申立人日立マクセル株式会社は、甲第１号証（「磁界変調記録法によるオーバライト」　電気学会研究会資料、マグネティックス研究会、ＭＡＧ−８６−８９〜９５、第５３〜６４頁）、参考資料１（「DYNAMIC READ/WRITE CHARACTERISTICS ON MAGNETO-OPTICAL TbFeCo AND DyFeCo DISK」　IEEE TRANSACTIONS OF MAGNETICS, VOL.MAG-20, NO.5, SEPTEMBER 1984 P1033-1035）、参考資料２（「数値シミュレーションによる光磁気ディスク構造の検討」第１２回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８８）第２４４頁）、参考資料３（「光磁気ディスク」　株式会社トリケップス、昭和６１年２月２０日、第９０〜９１，９６〜９７頁）を提出し、特許発明は、甲第１号証記載の発明と同一であると主張する。
　また、特許発明は甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると主張する。
　さらに、飽和磁化は温度と共に変化するので、ｔ×Ｍｓ　＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃは、不明瞭な限定であり、特許請求の範囲の記載が明らかでなく、この条件を満たす磁性薄膜を当業者が製造することができないので、明細書の記載は発明を実施できる程度に記載されてなく、ＴｂＦｅＣｏの組成が記載されておらず、明細書の記載は発明を実施できる程度に記載されていないと主張する。
　
（５）取消理由の概要
　１）特許発明は、甲第１号証（引用例１）記載の発明と同一である。
　２）引用例２　特開平２−２１０６３７号公報（原出願の公開公報）
　本件出願の原出願である、特願平１−３２１１６号の特許された発明は、特許第２６６０５６９号公報に記載されており、本件特許発明と、原の特許された請求項２に係る発明は、本件特許発明の除くとした点以外は同一である。
　そして、本件特許発明のものと原出願のものとその実施例は同一であり、本件特許発明と原出願の請求項２に係る発明は同一となり、本件出願は、原出願から分割をすることができない出願である。従って、本件出願の出願日は、遡及が認められず、平成８年９月１３日である。
　してみると、引用例２は本件出願前に公知である。
　特許発明は、引用例２記載の発明と同一である。
（６）　実質変更についての当審の判断
ａ　確かに、特許明細書の詳細な説明【０００８】、【０００９】、【００２１】に、本件出願の目的と称するものが記載されている。しかしながら、特許発明に示された基板，磁性薄膜，保護膜の構成のみを有する実施例は明細書に示されていない。そして実施例としては、【００１０】で、図３に関し、基板１，誘電体膜２，磁性薄膜３，保護膜４からなるもの、【００１５】で、図４に関し、基板１，誘電体膜２，磁性薄膜３，反射膜５，保護膜４からなるもの、【００１８】で、図５に関し、基板１，誘電体膜２Ａ，磁性薄膜３，誘電体膜２Ｂ，反射膜５，保護膜４からなるものが示されている。これらの構成を有するものは、上記【０００８】、【０００９】、【００２１】に記載された目的を実現し、効果を奏するものであると明細書において示されているが、特許発明の構成である基板，磁性薄膜，保護膜の構成による効果を【０００８】、【０００９】、【００２１】に記載されたものとして認めることはできないので、具体的に示されたとすることはできない。
　従って、特許権者は「この効果に変更をきたすものではない（当初の目的・効果の範囲内）ため、発明の効果の訂正は行っておりません。」と主張するが、特許権者が主張する特許発明の目的を【０００８】、【０００９】、【００２１】に記載されているものであるとするには、前提を欠いているので、当初の目的・効果の範囲内であるとの主張に理由はない。
ｂ　しかしながら、上記取消理由で述べているように、本件特許は原の特許と同一であるから、分割を認めないとして、出願日を平成８年９月１３日であるとしている。そうすると、平成７年６月３０日以前の出願に係る特許について、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものとして例示される審判便覧（５４−１０）丸数字６「その補正によって、特許請求の範囲が減縮されるものであっても、補正前の請求項に記載された事項によって構成される発明の具体的な目的の範囲を逸脱してその技術的事項を変更する場合。」は、平成７年７月１日以降の出願に係る特許においては、審判便覧（５４−１０）例１〜例７には記載がない。これは、平成７年７月１日以降の出願において、発明の詳細な説明の欄に発明の目的、効果、構成を記載するという事項がなくなったことに伴うものである。
　してみると、平成７年７月１日以降の出願に係る特許に対する基準を適用すれば、本件訂正は、特許請求の範囲を拡張または変更したものであるとはいえない。
　
（７）　訂正請求の取扱
　従って、この訂正は、特許請求の範囲を実質的に変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する特許法第１２６条第３項の規定に適合し、当該訂正は認められる。
　　
３　本件特許発明
　訂正が認められるので、上記訂正発明が、本件特許に係る発明である。
　
４　分割の適否
（１）　原特許発明
　原出願の請求項１および２に係る発明は特許第２６６０５６９号公報の記載からみて次のとおりである。
「【請求項１】基板に、垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜を形成してなり、磁界変調方式によりオーバライト可能な装置に用いられ、記録時にキュリー点温度以上に加温される光磁気記録媒体において、膜厚をｔμｍ、飽和磁化をＭｓｅｍｕ／ｃｃとした場合にｔ×Ｍｓ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃを満足する磁性薄膜を備えていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】前記磁性薄膜の構成主元素がＴｂ，Ｆｅ及びＣｏからなることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。」（以下、請求項２に係る発明を原特許発明という。）
　
（２）本件訂正発明と原特許発明との対比
　１）本件訂正発明と原特許発明との一致点
  本件特許発明では、
オーバライト可能とした
記録時にキュリー点温度以上に加温される
「基板に、垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜を形成し、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、前記磁性薄膜がＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とした磁性薄膜であり、その膜厚をｔμｍ　、その飽和磁化をＭｓｅｍｕ／ｃｃとした場合に
ｔ×Ｍｓ　＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ
を満足する磁性薄膜を備えていることを特徴とする光磁気記録媒体。」
　
　２）相違点
　そして、次の点で両者は相違する。
相違点１
　本件訂正発明では、「基板上に形成された誘電体膜、その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、その上に形成された誘電体膜、その上に形成された反射膜、その上に形成された誘電体よりなる保護膜を備え」ているが、原特許発明では「基板に、垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜を形成してなり」とする点、
相違点２
　本件特許発明では、ｔ＝０．０４μｍかつ、
（１）Ｔｂ１８．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８２．０
（２）Ｔｂ１９．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８０．５
（３）Ｔｂ２１．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７９．０
（４）Ｔｂ２２．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７７．５
（５）Ｔｂ２４．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７６．０
の原子比で表記された５種類の組成を除くとしているが、原特許発明では、そのような限定はない点。
　
　３）　相違点の検討
相違点１について
　光磁気記録媒体において、「基板上に形成された誘電体膜、その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、その上に形成された誘電体膜、その上に形成された反射膜、その上に形成された誘電体よりなる保護膜を備え」ることで、カー回転角が大きくなるという顕著な効果を奏するものであり、訂正発明は原特許発明とは同一ではない。
　
相違点２について
　本件発明において、上記（１）〜（５）の５点のＴｂＦｅＣｏの組成を除いているが、本件明細書を参照してもその５点の組成における光磁気記録媒体としての特異点が示されているわけでもなく、また、その５点の組成を除いたことによる光磁気記録媒体としての効果を特に奏することも示されておらず、他の引用例と同一にならないよう単に除いたものであり、本件特許発明と原特許発明とを比較する際には、何ら技術的な意味を有するものとはいえないから、この点は実質的な相違点ではない。
　
（３）　分割の適否の判断
　してみると、本件訂正発明と原特許発明とは同一でないから、本件訂正発明は２以上の発明を包含する特許出願の一部を一又は二以上の新たな特許出願をしたものに該当し、本件特許出願は特許法第４４条の規定による出願に該当し、同条第２項の出願日のみなしは適応され、原出願の出願日（平成　１年　２月１０日）が本件特許出願の出願日である。
　
（本異議申立事件の経緯を見ると、まず本件特許発明は原特許発明と同一であるとして、分割出願であるとは認められないとして、出願日の遡及を認めなかった。現実の出願日に適用する新基準により訂正請求が認められ、そうで有れば、原特許発明とは同一でなくなるので、２以上の発明を分割した出願であると認められることになる。また出願日の遡及が認められる結果、原出願の出願日に戻ることになるが、ここでまた原出願の出願日に適用する旧基準で検討する必要があるとすると、堂々巡りになる。それ故、権利者（出願人）に不利にならないように、即ち権利者が主張・請求している内容の方向で判断した。
　なお、権利者は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものとして例示される審判便覧（５４−１０）丸数字６にも該当しないと主張しているが、この点は認めることができない。）
　
５　本件特許発明と引用例２記載の発明との対比
　引用例２は、本件の原特許出願の公開公報であり、本件出願日の後に公開されたものであり公知ではない。従って特許法第２９条第１項第３号乃至第２項の引用例とはなり得ない。
　
６　異議申立理由の検討
（１）　甲第１号証及び参考資料１〜３記載事項
ａ　甲第１号証（「磁界変調記録法によるオーバライト」　電気学会研究会資料、マグネティックス研究会、ＭＡＧ−８６−８９〜９５、第５３〜６４頁）の、第５３頁第２２〜２７行に、
「２．記録磁界しきい値
　記録媒体としては，ＺｎＳ干渉層付ＴｂＦｅＣｏディスクを用いた。図１は線速５ｍ／ｓ，記録周波数２ＭＨｚ（光変調）におけるＣ／Ｎの外部磁界依存性である。図２にその測定法を図式化した。最初−１ＫＯｅの外部磁界で消去を行なってから，磁石との距離を変化させることにより，記録磁界を一方向から＋方向へ変えることによって各々Ｃ／Ｎをスペアナ（帯域３０ｋＨｚ）で測定した。」と記載され、
　第５４頁の図２には、ディスクに垂直な方向に外部記録磁界を印加している様子が示されている。
　第５６頁第１〜２行に、
「記録磁界しきい値の値はＭｓによって発生する反磁界の大きさに比例していることを示唆している。」と記載されている。
第５６頁第１８〜１９行には、「図６（ａ），（ｂ）はそれぞれＭｒ，Ｈｃの温度特性で」と記載されており、第５７頁の図６（ａ）には、３種類の組成のＴｂＦｅＣｏ磁性膜について残留磁化Ｍｒの温度特性のグラフが示されている。
　異議申立人は、「図６（ａ）のグラフにより、ＴｂＸ（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）１００−Ｘ（Ｘ＝２０．９）の組成の磁性膜の残留磁化Ｍｒの値は、２５℃〜３０℃では、約２０〜２５ｅｍｕ／ｃｃであることがわかる。」と主張し、この点は、権利者も認めている。
　第６０頁第８〜９行には、「この磁界変調記録装置によって、原理的に、ＣＤ用のＥＦＭの信号をｏｖｅｒＷｒｉｔｅすることが可能である」と記載されている。
　第６０頁Ｔａｂｌｅ１に、
「構造　　　　Ｓｕｂ／ＺｎＳ／ＴｂＦｅＣｏ／ＺｎＳ、
　　　　　　　　（８００Ａ）（８００Ａ）（８００Ａ）
　組成　　　　Ｔｂ２１（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９」と記載されている。
　
　図２の測定法は、記録層が垂直な磁気異方性を有していることを示している。
　即ち甲第１号証には、
「（Ａ）基板上に形成されたＺｎＳ膜を形成し、（Ｂ）その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、（Ｃ）その上に形成されたＺｎＳ膜を備え、（Ｆ）磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、（Ｇ）前記磁性薄膜がＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とした磁性薄膜を備えていることを特徴とする光磁気記録媒体。」
が記載されている。
　
ｂ　参考資料１（「DYNAMIC READ/WRITE CHARACTERISTICS OF MAGNETO-OPTICAL TbFeCo AND DyFeCo DISK」　IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL.MAG-20, NO.5, SEPTEMBER 1984 P1033-1035）の１０３３頁右欄第２４〜２６行の「記録媒質、誘電体層及び保護層の材料としてそれぞれ、（ＴｂまたはＤｙ）ＦｅＣｏ，ＺｎＳ及びＳｉＯ２を選択した。」と記載されている。
　
ｃ　参考資料２（「数値シミュレーションによる光磁気ディスク構造の検討」第１２回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８８）第２４４頁）のＦｉｇ．１（ａ）、Ｆｉｇ．１（ｂ）に、磁界変調記録方式に用いられるディスク構造として磁性層を誘電体で挟んだ３層構造のディスク（substrate/ nitride 75nm/ TbFeCo 100nm/ nitride 200nm/ over coat）や、さらに反射層を誘電体層上に設けた４層構造（substrate/ nitride 100nm/ TbFeCo 40nm/ nitride 60nm/ Al 40nm/ over coa）のディスクが示されている。
　
ｄ　参考資料３（「光磁気ディスク」　株式会社トリケップス、昭和６１年２月２０日、第９０〜９１，９６〜９７頁）の９０頁下から４行〜第９１頁１行には光磁気記録の使用されるアモルファスＲＥ−ＴＭ合金膜に関して、「図５には、ＴｂＦｅのＭｓ，Ｈｃ，最小バブル径ｄｃの組成依存性を示す。Ｍｓの小さい領域では磁化が膜面垂直に配向して角型のヒステリシスを示し、Ｈｃも大きく・・・このような傾向はＴｂＦｅ以外の合金でも同じである」と記載されている。
　
（２）　同一性に対する異議申立人の主張
　残留磁化Ｍｒと飽和磁化Ｍｓの関係は、磁性体の磁界と磁化の関係を表すヒステリシスループの角型比（＝Ｍｒ／Ｍｓ）から求めることができ、記録媒体の磁性膜に使用されるＴｂＦｅＣｏの角型比（＝Ｍｒ／Ｍｓ）は、通常、ほぼ１であることが当業者の常識である。これは添付の参考資料３：「光磁気ディスク」（株式会社トリケップス）、第９０〜９１、９７頁からも裏付けられる。すなわち、参考資料３の９０頁下から４行〜第９１頁１行には光磁気記録の使用されるアモルファスＲＥ−ＴＭ合金膜に関して、「図５には、ＴｂＦｅのＭｓ，Ｈｃ，最小バブル径ｄｃの組成依存性を示す。Ｍｓの小さい領域では磁化が膜面垂直に配向して角型のヒステリシスを示し、Ｈｃも大きく・・・このような傾向はＴｂＦｅ以外の合金でも同じである」と記載されており、その図５を見ると、Ｔｂが１６〜３０ａｔ％の領域で垂直磁化膜となっていることがわかる。そして図５には１６〜３０ａｔ％の領域におけるヒステリシスカーブの形状が描かれている。よく知られているようにＭｓはヒステリシスの飽和での磁化を示し、残留磁化Ｍｒはヒステリシスにおける磁界がゼロの磁化を示すことから（同資料の９７頁３〜４行参照）、図５に示されたＴｂ１６〜３０ａｔ％の領域に示されたヒステリシスカーブからすれば飽和磁化Ｍｓ＝残留磁化Ｍｒであり角型比はほぼ１であることがわかろう。そして、ヒステリシスカーブの形状は、参考資料にも記載されているようにＴｂＦｅ以外の合金でも同様であり、ＴｂＦｅ合金であるＴｂＦｅＣｏでも同様である。このこともまた当業者の常識である。
　よって、甲第１号証記載のＴｂ２１（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９磁性膜の角型比はほぼ１であることが分かる。
　ここで、計算の都合上、角型比を極めて低く見積もって０．８と仮定した場合、飽和磁化Ｍｓの値は、前述の残留磁化Ｍｒの値２０〜２５ｅｍｕ／ｃｃから２５〜３１．２５ｅｍｕ／ｃｃ程度の値が求まる。証拠の説明８に示したように、組成Ｔｂ２１（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９磁性膜の膜厚は８００Å（０．０８μｍ）である。これらの値から飽和磁化と膜厚との積は、２５×０．０８〜３１．５×０．０８＝２〜２．５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃとなり、本件特許発明におけるｔ×Ｍｓ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃを十分に満足している。ましてや、角型比がほぼ１の場合は、当然にこの条件を満足する。それゆえ、甲第１号証におけるＴｂ２１（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９磁性膜はｔ×Ｍｓ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃを満足しており、本件特許発明の構成要件Ｆもまた甲第１号証に記載されているといえる。
　
（３）　同一性に対する権利者の反論
　甲第１号証に記載の発明は、本特許発明と同様光磁気記録媒体に関するものであることで一致します。しかしながら、甲第１号証には本特許発明の構成要素のうち、Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆ，Ｇが記載されていますが、構成要素Ｃ，Ｄ，Ｈについては記載されていない点で相違します。
ａ）まず、構成要素Ｈ中のｔ×Ｍｓ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃについて説明します。
　甲第１号証には２つの試料（磁性薄膜）が記載されています。一方は異議申立人が室温付近のＭｒの値を２０〜２５と読み取った第５７頁中図６（ａ）の試料（以下、第１の試料と称す）、他方は膜厚の記載されているＴａｂｌｅｌに記載の試料（以下、第２の試料と称す）です。
　異議申立人は第１の試料のＭｒからＭｓを導き，そのＭｓを第２の試料のＭｓとし第２の試料の膜厚８００Åを用いてＭｓ×ｔの積を求めています。しかしながら、膜厚の記載された第２の試料にはＭｓの記載はないことは明白であります。
　以下、第１の試料のＭｒから第２の試料のＭｓを直接導くことができないことを説明する。
　図５のグラフはあくまでもＴｂＦｅＣｏではなく、ＴｂＦｅのものであり、図５中記載のヒステリシスカーブも模式図であります。図５に記載のＴｂＦｅについて、本異議意見書添付の乙第１号証（R.B.van Dover et al.「Intrinsic anisotropy of Tb-Fe fims prepared by magnetic Co sputtering」J.Appl.Phys.57(1),15 April 1985 pp3897-3899）をご参照ください。この文献のＦｉｇ１には測定されたヒステリシスカーブが示されており、該Ｆｉｇ１の上段Ｔｂ１５ａｔ％、中段Ｔｂ２８ａｔ％を見ると、上記参考資料３のＴｂ１６〜３０ａｔ％の範囲外である、Ｔｂ１５ａｔ％が角型のヒステリシスカーブを示し、上記参考資料３のＴｂ１６〜３０ａｔ％の範囲内である、Ｔｂ２８ａｔ％が角型のヒステリシスカーブを示さないことがわかります。
　また、異議申立人が引用した甲第１号証の第５５頁図４には、Ｃｏ量の異なる時のＴｂ量に対する外部磁界のしきい値に関する２つの曲線が示されており、Ｃｏ量が異なれば、外部磁界のしきい値といった磁気特性が異なることを示唆しています。
　すなわち、同じＴｂＦｅ系であってもその組成だけでヒステリシスカーブは一義的に決められるものではなく、ましてやＴｂＦｅＣｏのようにＣｏを含んだ系であれば、短絡的に推測ができるものではありません。よって、第１の試料のＭｒをＭｓに関係付ける根拠もないことが明白であります。
ロ）次に異議申立人は、第２の試料の磁気特性（ＭｒあるいはＭｓ）の記載がないにもかかわらず、第１の試料の磁気特性を第２の試料の磁気特性に転用しようとしています。その根拠も明白ではありません。逆に転用できない根拠が甲第１号証には示唆されています。上記表１の基板の欄に注目すると、第１の試料には基板が明記されていません。図６（ａ）のグラフを見れば、Ｍｒの測定が２５０℃近傍までなされていることがわかります。すなわち、ＶＳＭ法によりＭｒを測定する際に、試料全体が２５０℃まで昇温されていることを示しています。一方、第２の試料はＴａｂｌｅ１に明記されているとおり、ＰＭＭＡであります。ここで、本異議意見書添付の乙第２号証（「光ディスク技術ハンドブック」財団法人光産業技術振興協会監修、第２７頁）を参照ください。ここには、光ディスクに用いられる各種基板材料の物性が記載されています。第２の試料の基板であるＰＭＭＡの軟化温度は９５℃ですから、第１の試料のように２５０℃まで昇温させる測定に用いられたとは考えられません。すなわち、第１、第２の試料の基板は異なることが示唆されています。
　ところで、磁性薄膜の磁気特性は製造条件や環境条件によって影響を受けることが知られています。例えば、異議申立人による参考資料３にもそのことが記載されています（乙第３号証（参考資料３に頁を一部追加したもの：「光磁気ディスク」、株式会社トリケップス、第８８〜９１頁））。本異議意見書添付の乙第３号証第８８頁下から７行目〜第８９頁２行目に「…現実には薄膜を基盤上に作製する過程で、原子の配列の仕方や、環境条件の変化などにより、一軸性の異方性ができることが充分考えられる。磁気異方性の出来る要因としては、
（１）基盤などからの歪効果
（２）原子配列が異方的になる。・・・
（３）膜の成長過程で生じる柱状構造による形状異方性
などが指摘されている。」と記載されているとおり、角型性を決定する主要因である磁気異方性について、基板、成膜条件、環境条件がその特性に影響を与えることが示されています。さらに、乙第３号証第９０頁第１１〜１２行にも「Ｈｃは膜厚や製造条件によっても変化するが…」と記載されており、磁気特性の１つである保磁力についても成膜条件の影響があることが示されています。すなわち、磁気特性は、基板、成膜条件、環境条件によって依存することが記載されています。
　上述のとおり、甲第１号証に記載の第１の試料、第２の試料は基板が異なることが容易に推定でき、成膜条件が同じであるとの記載もみあたりません。さらに、第２の試料の基板ＰＭＭＡは参考文献２のとおり吸水率の高い基板のため、成膜条件及び成膜後の保存条件（環境条件）によっては磁性薄膜が酸化してしまうなど、磁気特性は影響を受けやすいものであります。従って、第１の試料の磁気特性（Ｍｒ）から第２の試料の磁気特性を容易に推定できるものではなく、ましてや転用することなどできないものであります。
　ハ）上述のとおり、イ）で述べたように第１の試料のＭｒからＭｓを導出する根拠が明確でなく、仮に第１の試料のＭｓを推定できたとしても、ロ）で述べたように、第２の試料の磁気特性（ＭｒあるいはＭｓ）の記載はなく、第１の試料の磁気特性（Ｍｒ）から第２の試料の磁気特性を容易に推定できないことから、甲第１号証には本特許発明の構成要件Ｈに記載のｔ×Ｍｓ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃを満たす記載も示唆もないことが明白であります。
　
（４）　同一性についての当審の判断
　甲第１号証のＴａｂｌｅ１に示されている磁性層はＴｂ２１（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９ であり、図６．（ａ）のグラフに示された磁性層はＴｂ２０．９（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９。１ であり、組成が異なる。そして、甲第１号証において、Ｔａｂｌｅ１の磁性層が、図６．（ａ）のＴｂ２０．９（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９。１ と同じものである証拠はない。図６．（ａ）は、Ｔｂの成分比が異なると温度に対するＭｒ値が著しく異なることを示しており、Ｔｂ２１（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９の室温時のＭｒ値を図６．（ａ）から読みとることはできない。
　してみると、Ｔａｂｌｅ１に示されている磁性層はＴｂ２１（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９ のＭｒ値は不明であり、まして、権利者が主張するように、基板が異なる蓋然性が高いので、Ｍｒ値とＭｓ値の関係を示唆されているとはいえず、Ｍｓ値を導出ことはできない。
　してみると、甲第１号証記載のＴａｂｌｅ１に示されている磁性層Ｔｂ２１（Ｆｅ７８Ｃｏ２２）７９において、ｔ×Ｍｓ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃの関係を有することは示されていない。
　従って、甲第１号証記載のものは、本件訂正発明のものと同一であるとすることはできない。
　
（５）　容易性についての異議申立人の主張
　更に、異議申立人は次のように主張する。
「第５８頁第１〜３行には、「反磁界を計算してみた。この反磁界Ｈｓは、
Ｈｓ＝（ｄ／４πμ０）∫２π０∫∞０Ｍ（γ，θ）・（１／γ３）ｄｒ・γｄθ　・・・式１
で表される。ここでＭ（γ，θ）は磁化分布、ｄは膜厚を示す」と記載されている。残留磁化Ｍｒは、極座標で表された磁化分布を全域（０≦θ≦２π、０≦γ≦の）に渡って積分した値、即ち、
Ｍｒ＝∫２π０∫∞０Ｍ（γ，θ）・（１／γ３）ｄｒ・γｄθ
で表されることが当業者に良く知られており、式１は以下の式１’のように磁性膜の膜厚ｄと残留磁化Ｍｒとの積で書き換えることができる。
Ｈｓ＝（１／４πμ０）×ｄ×Ｍｒ・・・１’式
　この式１’より反磁界Ｈｓが磁性膜の膜厚ｄと残留磁化Ｍｒとの積に比例することがわかる。証拠の説明４より、記録磁界強度を小さくするには「反磁界」を低下させればよいことがわかっているので、式１’との関係で、記録磁界強度を小さくするには、磁性膜の膜厚ｄと残留磁化Ｍｒとの積を小さくすればよいこともすぐに導かれる。」、
「本件特許公報には磁性膜の膜厚ｄと飽和磁化Ｍｓとの積を５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ未満に数値限定する根拠として、「磁性薄膜の膜厚ｔ×飽和磁化Ｍｓ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃを満足すると、記録媒体の変調磁界の強度を２０００ｅにして情報を記録した場合、搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上、ジッターσが４ｎｓｅｃ以下になる」と記載されている（特許公報第４欄１９〜２３行）。この記載から、磁性薄膜の膜厚ｔ×飽和磁化Ｍｓの値は、記録媒体の変調磁界の強度を比較的小さな値である２００Ｏｅに設定した場合、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以上及びジッター４ｎｓｅｃ以下という再生特性の特定レベルを達成するために設定された上限値にすぎないことがわかる。ここで、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ及びジッター４ｎｓｅｃなる値は、当業者が光磁気記録媒体の規格や再生特性の調整上、適宜選択する値にすぎない。ちなみに、甲第１号証においても変調磁界強度として±２００Ｏｅが選定されていることは証拠の説明３から明らかである。
　上記のことより、磁性膜の膜厚ｄと飽和磁化Ｍｓとの積の条件式において５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃという値に限定することには特別に臨界的な意義が存在するわけではなく、所望のＣ／Ｎを得るために選択された値であり、当業者の設計上の選択事項にすぎないことがわかる。」
　
（６）　容易性に対する権利者の反論
　しかしながら、権利者は次のように反論している。
「甲第１号証には記録磁界強度の膜厚依存性についての記載など一切なく根拠に乏しいものであります。また、異議申立人主張中のＭｒの式において左右の次元が違います。さらに、Ｈｓの式１におけるγはｒとｄとの関数で記載されるため、一見Ｈｓの式１の積分定数であるｄ／４πμ０からＨｓがｄに比例するように思えますが、積分内のγがｒとｄの関数（γ＝（ｒ２十（ｄ／２）２）１／２）・・・添付説明資料１「甲第１号証式１に関して」参照）のため、Ｈｓはｄに対して複雑な依存性をもちます。従って、上記異議申立人の主張「記録磁界強度を小さくするには、磁性膜の膜厚ｄと残留磁化Ｍｒとの積を小さくすればよいこともすぐに導かれる」は根拠がないものであります。またこの主張をさらに展開させた異議申立書第１２頁下から６行〜１０行に記載の主張「特許発明も甲第１号証もいずれも磁性膜の膜厚と飽和磁化（すなわち残留磁化）の積が浮遊磁界に比例しているとの理論に基づいて浮遊磁界を低下させることを議論している点で共適しているのである。それゆえ、特許発明における技術思想はすべて甲第１号証に教示または示唆されており、」も根拠がないものであることは明白であります。」
　
（７）　容易性に対する当審の判断
ａ　訂正発明と甲第１号証記載の発明との対比
　甲第１号証における、（Ａ）の「基板上に形成されたＺｎＳ膜」及び（Ｃ）の「その上に形成されたＺｎＳ膜」は、参考資料１，２の記載から見て、訂正発明の「誘電体膜」に相当する。
（一致点）
　従って、訂正発明と甲第１号証記載の発明とは、次の点で一致する。
「Ａ　基板上に形成された誘電体膜、Ｂ　その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、Ｃ　その上に形成された誘電体膜を有し、Ｆ　磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、Ｇ　前記磁性薄膜がＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とした磁性薄膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。」
（相違点）
　そして、次の点で相違する。
（相違点１）
　訂正発明は、「Ｄ　その（誘電体膜）上に形成された反射膜、Ｅ　その上に形成された誘電体よりなる保護膜を備え」ているのに対して、甲第１号証のものは、明記されていない点、
（相違点２）
　訂正発明は、「Ｈ　その膜厚をｔμｍ　、その飽和磁化をＭｓｅｍｕ／ｃｃとした場合に
ｔ×Ｍｓ　＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ
（但し、ｔ＝０．０４μｍかつ、
（１）Ｔｂ１８．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８２．０
（２）Ｔｂ１９．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８０．５
（３）Ｔｂ２１．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７９．０
（４）Ｔｂ２２．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７７．５
（５）Ｔｂ２４．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７６．０
の原子比で表記された５種類の組成を除く）を満足する磁性薄膜」であるのに対して、甲第１号証のものは、ｔ×Ｍｓの値は明記されていない点。
　
ｂ　相違点の判断
（相違点１について）
　参考資料２によれば、４層構造（substrate/ nitride 100nm/ TbFeCo 40nm/ nitride 60nm/ Al 40nm/ over coa）のディスクが示されている。この４層構造は、誘電体膜上に反射膜としてのＡｌ、その上のｏｖｅｒ　ｃｏａｔが、保護膜の役割を果たしている。そして、参考資料２の磁性体膜は、訂正発明と同じＴｂＦｅＣｏ膜であるから、訂正発明の反射膜、保護膜を設けることは、当業者が容易になしえたものである。
　沿って、この相違点は格別のものではない。
　
（相違点２について）
　訂正明細書【０００９】に、「・・・記録媒体の浮遊磁界の強度は、記録媒体の磁性薄膜の膜厚ｔμm とその飽和磁化Ｍs emu/ccとの乗算値に比例する。磁性薄膜の膜厚ｔ×飽和磁化Ｍs ≦５μm・emu/ccを満足すると、記録媒体の変調磁界の強度を200 Oeにして情報を記録した場合、搬送波対雑音比 C/Nが45dB以上、ジッターσが４nsec以下になる。これにより情報を十分な記録状態で記録するのに、変調磁界の強度を大きくせずにすむ。」と、
【００１０】に、「【発明の実施の形態】以下本発明を発明の実施の形態を示す図面によって詳述する。図１はジッターσと搬送波対雑音比C/N との関係を、図２は搬送波対雑音比C/N と膜厚ｔ×飽和磁化ＭS との関係を示すグラフである。さて、本発明の実施の形態を説明するに先立って発明の原理を説明する。本願発明者は記録媒体に情報を十分な記録状態で記録するために、記録媒体の変調磁界の強度を200 Oe以上にして、記録媒体自体から発生する浮遊磁界の影響の有無について実験により確かめた。そして記録媒体の浮遊磁界は、記録媒体における情報記録膜、つまり磁性薄膜の膜厚ｔと、その飽和磁化ＭS との積に比例することを確認した。そして、記録媒体を用いて情報を記録して記録信号と再生信号との時間的ズレを示すジッターσと搬送波対雑音比 C/Nとの関係を求めたところ図１に示す如き結果が得られた。図１は縦軸をジッターσとし、横軸を搬送波対雑音比 C/Nとして示している。この図１から明らかなようにジッターσが 3.5nsec以上になると搬送波対雑音比C/N が45dB以下になり十分な記録状態で情報を記録できないことになる。一方、記録媒体の変調磁界の強度を200 Oeにして、搬送波対雑音比 C/Nに対し膜厚ｔと飽和磁化ＭS との乗算値の関係を求めたところ、図２に示す如き結果が得られた。図２は縦軸を搬送波対雑音比 C/Nとし、横軸を膜厚ｔと飽和磁化ＭS との乗算値として示している。この図２から明らかなように、膜厚ｔ×飽和磁化ＭS の乗算値が低下するにともない搬送波対雑音比 C/Nが上昇し、両者の関係を示す曲線は下側に僅かに弯曲して右下りの弧状に示される。そして膜厚ｔと飽和磁化ＭS との乗算値が５μm ・emu/cc以下になると搬送波対雑音比 C/Nが45dB以上を保持することになる。これに対し５μm・emu/cc以上では搬送波対雑音比 C/Nが45dB以下に低下して前述したように十分な記録状態で情報を記録できないことになる。換言すれば記録媒体に情報を十分な記録状態で記録するためには、記録媒体の磁性薄膜の膜厚ｔと飽和磁化ＭS との乗算値を５μm ・emu/cc以下にすべきことが判る。・・・」と記載している。
　そして、図１によれば、ジッターは、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以下で、急激に値が上昇することが示されている。してみると、この知見は、異議申立人が主張する「特別に臨界的な意義が存在するわけではなく、所望のＣ／Ｎを得るために選択された値であり、当業者の設計上の選択事項にすぎない」ものではないことを示している。
　従って、相違点２は格別なものである。
　
（８）　明細書記載の明確性
　異議申立人は、「飽和磁化は温度と共に変化するので、ｔ×Ｍｓ　＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃは、不明瞭な限定であり、特許請求の範囲の記載が明らかでなく、この条件を満たす磁性薄膜を当業者が製造することができないので、明細書の記載は発明を実施できる程度に記載されてなく、ＴｂＦｅＣｏの組成が記載されておらず、明細書の記載は発明を実施できる程度に記載されていない」と主張する。
　しかしながら、光磁気記録媒体が使用される温度は自ずとその範囲が決まるものであり、室温から、使用時の温度上昇した状態での温度において、使用可能であることは当業者なら、明記されていなくとも実施できるものであると認められ、明細書の記載が実施できない程度であるとすることはできない。
　
（９）　異議申立に関するまとめ
　従って、異議申立の理由及び取消理由は、根拠がない。
　
７　まとめ
　本件訂正発明は、異議申立の理由・取消理由の理由及び証拠よっては取り消すことができない。
　その他取り消すべき理由を発見しない。
　よって上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月９日（２００２．１０．９）
【訂正の要旨】
訂正事項１
　特許された【特許請求の範囲】の【請求項１】
「基板に、垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜を形成し、これに重ねて誘電体よりなる保護膜を形成してなり、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、前記磁性薄膜がＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とした磁性薄膜であり、その膜厚をｔμｍ、その飽和磁化をＭｓｅｍｕ／ｃｃとした場合に
　　ｔ×Ｍｓ　＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ
（但し、ｔ＝０．０４μｍかつ、
（１）Ｔｂ１８．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８２．０
（２）Ｔｂ１９．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８０．５
（３）Ｔｂ２１．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７９．０
（４）Ｔｂ２２．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７７．５
（５）Ｔｂ２４．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７６．０
の原子比で表記された５種類の組成を除く）を満足する磁性薄膜を備えていることを特徴とする光磁気記録媒体。」の
「基板に、垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜を形成し、これに重ねて誘電体よりなる保護膜を形成してなり、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、」を、
「基板上に形成された誘電体膜、その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、その上に形成された誘電体膜、その上に形成された反射膜、その上に形成された誘電体よりなる保護膜を備え、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、」と訂正する。
訂正事項２
　上記訂正事項１に伴い発明の詳細な説明における【０００９】を訂正するものである。
（５４）【発明の名称】
光磁気記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に形成された誘電体膜、その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、その上に形成された誘電体膜、その上に形成された反射膜、その上に形成された誘電体よりなる保護膜を備え、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、前記磁性薄膜がＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とした磁性薄膜であり、その膜厚をｔμｍ、その飽和磁化をＭＳｅｍｕ／ｃｃとした場合に
　　ｔ×ＭＳ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ
（但し、ｔ＝０．０４μｍかつ、
（１）Ｔｂ１８．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８２．０
（２）Ｔｂ１９．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８０．５
（３）Ｔｂ２１．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７９．０
（４）Ｔｂ２２．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７７．５
（５）Ｔｂ２４．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７６．０
の原子比で表記された５種類の組成を除く）を満足する磁性薄膜を備えていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は磁界変調方式によりオーバライト（情報の重ね書き）ができる光磁気記録媒体に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　光磁気記録媒体（以下記録媒体という）に磁界変調方式によりオーバライトする方法が種々検討されている。そして磁界変調方式によりオーバライトを行う場合は、記録媒体に光強度が一定のレーザ光を投射し、その投射位置に所定強度の変調磁界を与えることによって、記録媒体に既に書き込まれている情報を消去するとともに新たな情報を書き込むことができる。また、このような磁界変調方式により光磁気記録を行った研究結果は、例えば１９８７年１１月２４日に社団法人　電気学会が発行した「電気学会研究会資料マグネティックス研究会　ＭＡＧ−８７−１７３−１８０」に発表されている。
　【０００３】
　一方、低バイアス磁界による磁界変調方式に適し、オーバライト（重ね書き）を可能とした光磁気記録素子が特開平１−１９９３４２号公報に示されている。この光磁気記録素子は垂直磁化膜が希土類金属成分として少なくともＧｄ元素及び遷移金属成分としてＦｅ元素を含有し、且つＦｅ副格子磁化優勢であり、基板上に有する誘電体層が非晶質窒化シリコンから成り、更に前記光磁気記録素子はその垂直磁化膜の磁化ＭＳが２０ｅｍｕ／ｃｃ≦ＭＳ≦７０ｅｍｕ／ｃｃに且つ該磁化ＭＳと保磁力ＨＣの積が１００ｅｍｕ・ｋＯｅ／ｃｃ≦ＭＳ・ＨＣ≦５００ｅｍｕ・ｋＯｅ／ｃｃの範囲内となるように設定されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、前述した記録媒体に情報を高密度に書き込むためには変調磁界を与える磁気ヘッドの変調周波数を高くする必要がある。また、それとは別に磁気ヘッドと記録媒体との距離を、記録媒体の反り及び厚さのバラツキ等を考慮して長くする必要がある。
　【０００５】
　しかし乍ら、変調周波数を高くすると磁気ヘッドから発生する磁界の強度が低下する。また記録媒体が高速回転していることにより、記録媒体に与えられる変調磁界の強度が磁気ヘッドの変調磁界の強度に追従せず、記録媒体に与えられる変調磁界の強度が低下する。また磁気ヘッドと記録媒体との距離を長くしたことによっても記録媒体に与えられる変調磁界の強度が低下するという問題がある。
　【０００６】
　そのため、記録媒体に情報を十分な記録状態で記録するためには磁気ヘッドの変調磁界の強度を２００Ｏｅ以上にする必要がある。これは記録媒体自体から発生している浮遊磁界が磁気ヘッドから与えられる変調磁界に反発するためであると考えられている。
　【０００７】
　一方、それとは別の特開平１−１９９３４２号公報に示されている光磁気記録素子は、垂直磁化膜が希土類金属成分として少なくともＧｄ元素及び遷移金属成分としてＦｅ元素を含有しており、垂直磁化膜の磁化ＭＳが２０ｅｍｕ／ｃｃ≦ＭＳ≦７０ｅｍｕ／ｃｃに且つ磁化ＭＳと保磁力ＨＣの積が１００ｅｍｕ・ｋＯｅ／ｃｃ≦ＭＳ・ＨＣ≦５００ｅｍｕ・ｋＯｅ／ｃｃの範囲内となるように設定されているので、磁界変調方式に適した補償温度記録方式によりオーバライトできる光磁気記録素子を提供できるが、磁界変調方式に適したキュリー点記録方式によって、小さい磁化でオーバライトできる光磁気記録媒体を提供できないという問題がある。
　【０００８】
　本発明は斯かる問題に鑑み、記録媒体の変調磁界の強度が２００Ｏｅ以下であってもキュリー点記録方式により記録媒体に情報を十分な記録状態にして記録し得る記録媒体を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に形成された誘電体膜、その上に形成された垂直な磁気異方性を有する磁性薄膜、その上に形成された誘電体膜、その上に形成された反射膜、その上に形成された誘電体よりなる保護膜を備え、磁界変調方式の装置に用いられ、オーバライト可能とした光磁気記録媒体において、前記磁性薄膜がＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とした磁性薄膜であり、その膜厚をｔμｍ、その飽和磁化をＭＳｅｍｕ／ｃｃとした場合にｔｘＭＳ＜５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ
（但し、ｔ＝０．０４μｍかつ、
（１）Ｔｂ１８．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８２．０
（２）Ｔｂ１９．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）８０．５
（３）Ｔｂ２１．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７９．０
（４）Ｔｂ２２．５（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７７．５
（５）Ｔｂ２４．０（Ｆｅ０．８９　Ｃｏ０．１１）７６．０
の原子比で表記された５種類の組成を除く）
を満足する磁性薄膜を備えていることを特徴とする。記録媒体の浮遊磁界の強度は、記録媒体の磁性薄膜の膜厚ｔμｍとその飽和磁化ＭＳｅｍｕ／ｃｃとの乗算値に比例する。磁性薄膜の膜厚ｔ×飽和磁化ＭＳ≦５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃを満足すると、記録媒体の変調磁界の強度を２００Ｏｅにして情報を記録した場合、搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上、ジッターσが４ｎｓｅｃ以下になる。これにより情報を十分な記録状態で記録するのに、変調磁界の強度を大きくせずにすむ。
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　以下本発明を発明の実施の形態を示す図面によって詳述する。図１はジッターσと搬送波対雑音比Ｃ／Ｎとの関係を、図２は搬送波対雑音比Ｃ／Ｎと膜厚ｔ×飽和磁化ＭＳとの関係を示すグラフである。さて、本発明の実施の形態を説明するに先立って発明の原理を説明する。本願発明者は記録媒体に情報を十分な記録状態で記録するために、記録媒体の変調磁界の強度を２００Ｏｅ以上にして、記録媒体自体から発生する浮遊磁界の影響の有無について実験により確かめた。そして記録媒体の浮遊磁界は、記録媒体における情報記録膜、つまり磁性薄膜の膜厚ｔと、その飽和磁化ＭＳとの積に比例することを確認した。そして、記録媒体を用いて情報を記録して記録信号と再生信号との時間的ズレを示すジッターσと搬送波対雑音比Ｃ／Ｎとの関係を求めたところ図１に示す如き結果が得られた。図１は縦軸をジッターσとし、横軸を搬送波対雑音比Ｃ／Ｎとして示している。この図１から明らかなようにジッターσが３．５ｎｓｅｃ以上になると搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以下になり十分な記録状態で情報を記録できないことになる。一方、記録媒体の変調磁界の強度を２００Ｏｅにして、搬送波対雑音比Ｃ／Ｎに対し膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値の関係を求めたところ、図２に示す如き結果が得られた。図２は縦軸を搬送波対雑音比Ｃ／Ｎとし、横軸を膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値として示している。この図２から明らかなように、膜厚ｔ×飽和磁化ＭＳの乗算値が低下するにともない搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが上昇し、両者の関係を示す曲線は下側に僅かに弯曲して右下りの弧状に示される。そして膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値が５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下になると搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上を保持することになる。これに対し５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以上では搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以下に低下して前述したように十分な記録状態で情報を記録できないことになる。換言すれば記録媒体に情報を十分な記録状態で記録するためには、記録媒体の磁性薄膜の膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値を５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下にすべきことが判る。さて、図３は本発明に係る記録媒体の模式的拡大断面図である。ポリカーボネート基板又は２Ｐガラス基板からなる基板１の一方の面には、ＳｉＮ膜からなり膜厚が０．０６μｍの誘電体膜２が形成されており、この誘電体膜２上にはＴｂＦｅＣｏ膜からなり膜厚が０．０８μｍであって飽和磁化ＭＳを６０ｅｍｕ／ｃｃとしている情報記録膜たる磁性薄膜３が形成されている。そして磁性薄膜３上にはＳｉＮ膜からなり膜厚０．０８μｍの保護膜４が形成されている。これらの各薄膜はいずれもスパッタリング法で形成されている。これにより膜厚ｔμｍと飽和磁化ＭＳｅｍｕ／ｃｃとの乗算値は４．８μｍ・ｅｍｕ／ｃｃとなっている。このように構成した試作記録媒体に、記録信号周波数Ｆ＝７．４ＭＨｚ、記録媒体の回転数Ｎ＝３６００ｒ．ｐ．ｍ、変調磁界の強度２００Ｏｅとして情報を記録して搬送波対雑音比Ｃ／Ｎ及びジッターσを測定したところ表１の如き結果が得られた。磁性薄膜３の膜厚ｔが０．０８μｍであり、飽和磁化ＭＳが６０ｅｍｕ／ｃｃである試作記録媒体Ｓ１では、搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４６．０ｄＢ、ジッターσが３．��８ｎｓｅｃで得られた。
　【００１１】
　【表１】
　【００１２】
　また磁性薄膜の膜厚ｔを０．１０μｍ、飽和磁化ＭＳを５０ｅｍｕ／ｃｃとしている試作記録媒体Ｓ２では搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５．０ｄＢ、ジッターσが３．８０ｎｓｅｃで得られ、更に磁性薄膜の膜厚ｔを０．０８μｍ、飽和磁化を３０ｅｍｕ／ｃｃとした試作記録媒体Ｓ３では搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４８．０ｄＢ、ジッターσが３．５０ｎｓｅｃで得られた。
　【００１３】
　一方、試作記録媒体Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と同様の組成の磁性薄膜を形成し、膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値が５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以上となっている従来の記録媒体ＳＳ１，ＳＳ２を同様に測定した場合は表１に示しているようにいずれも搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以下に、またジッターσが５．０ｎｓｅｃ以上で得られた。
　【００１４】
　このように記録媒体の磁性薄膜の膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値を５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下にしたことにより記録媒体の変調磁界の強度を２００Ｏｅになしても、搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５．０ｄＢで得られ、ジッターσも４ｎｓｅｃ以下で得られて、エラーレートが小さく、高速回転させて小さい変調磁界強度でオーバライトが可能な記録媒体を得ることができる。
　【００１５】
　図４は本発明の他の実施の形態を示した記録媒体の模式的拡大断面図である。ポリカードネート基板又は２Ｐガラス板からなる基板１の一方の面には、ＳｉＮ膜からなり膜厚ｔが０．０６μｍの誘電体膜２が形成されており、この誘電体膜２上には例えばＴｂＦｅＣｏ膜からなり、膜厚ｔが０．０３μｍであって飽和磁化ＭＳを１００ｅｍｕ／ｃｃとしている磁性薄膜３が形成されている。そして磁性薄膜３上にはＡｌＮｉ膜からなり、膜厚が０．０４μｍである反射膜５が形成されている。更に反射膜５上にはＳｉＮ膜からなり膜厚ｔが０．０８μｍの保護膜４が形成されている。なお、前記磁性薄膜３にはＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ又はＧｄＴｂＦｅＣｏあるいはＢｉＹＩＧ、ＢｉＤｙ−Ｇａｒｎｅｔの膜を用いることができる。
　【００１６】
　このように構成した記録媒体も前記記録媒体Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と同様に記録媒体に情報を記録して搬送波対雑音比Ｃ／Ｎ及びジッターσを測定したところ表２に示す如き結果が得られた。
　【００１７】
　【表２】
　【００１８】
　この表２から明らかなように磁性薄膜３をＴｂＦｅＣｏで形成し、その膜厚ｔを前述した記録媒体Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の膜厚ｔの略１／３の０．０３μｍにした場合も膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値を５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下にすると、そのうよにした試作記録媒体Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６では搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上、またジッターσが４．０ｎｓｅｃ以下で得られる。そしてこの記録媒体Ｓ４，Ｓ４と同様の組成で磁性薄膜３を形成し、膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値が６μｍ・ｅｍｕ／ｃｃである従来の記録媒体ＳＳ３では搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４４．２ｄＢに、ジッターσが４．４ｎｓｅｃになった。このように磁性薄膜３が薄い場合でも膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値を５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下にすることによってエラーレートが小さく、高速回転させて小さい変調磁界強度でオーバライトが可能な記録媒体を得ることができる。図５は本発明の更に他の実施の形態を示す記録媒体の模式的拡大断面図である。前記同様の基板１の一方の面にはＳｉＮ膜からなり膜厚ｔが０．０６μｍの第１の誘電体膜２Ａが形成されており、この誘電体膜２Ａ上には例えばＴｂＦｅＣｏ膜であって膜厚ｔが０．０３μｍであり飽和磁化ＭＳが５０ｅｍｕ／ｃｃの磁性薄膜３を形成している。そして磁性薄膜３上にはＳｉＮ膜からなり膜厚ｔが０．０６μｍの第２の誘電体膜２Ｂが形成されており、その誘電体膜２Ｂ上にはＡｌＮｉ膜からなり膜厚ｔが０．０４μｍの反射膜５を形成している。更に反射膜５上にはＳｉＮ膜からなり膜厚ｔが０．０８μｍの保護膜４が形成されている。このように構成した記録媒体を前記同様にして情報を記録して搬送波対雑音比Ｃ／Ｎ及びジッターσを測定したところ表３に示す結果を得た。
　【００１９】
　【表３】
　【００２０】
　この表３から明らかなように磁性薄膜３が０．０３又は０．０４μｍと薄く、磁性薄膜３と反射膜５との間に誘電体膜２Ｂを介在させている記録媒体であっても、磁性薄膜３の膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値を５μｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下にしている試作記録媒体Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８は、いずれも搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上、ジッターσが４．０ｎｓｅｃで得られる。これに対し膜厚ｔと飽和磁化ＭＳとの乗算値が６．４μｍ・ｅｍｕ／ｃｃである従来の記録媒体ＳＳ４では搬送波対雑音比Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以下に、ジッターσが４ｎｓｅｃ以上になる。このように磁性薄膜３と反射膜５との間に誘電体膜２Ｂを形成している記録媒体においても、エラーレートが小さく、高速回転させて小さい変調磁界強度でオーバライトできる記録媒体を得ることができる。なお、磁性薄膜３と反射膜５との間に誘電体膜２Ｂを形成している記録媒体はカー回転角θｋが大きくなる。
　【００２１】
　【発明の効果】
　以上詳述したように本発明に係る光磁気記録媒体は、変調磁界の強度を２００Ｏｅにして情報を記録した場合、その情報の搬送波対雑音比Ｃ／Ｎを４５ｄＢ以上、ジッターσを４ｎｓｅｃ以下になし得、そのため、エラーレートが小さく高速回転させて小さい変調磁界強度でキュリー点記録方式によってオーバライトが可能な光磁気記録媒体を提供できる優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　ジッター及び搬送波対雑音比の関係を示すグラフである。
　【図２】　搬送波対雑音比及び磁性薄膜の膜厚と飽和磁化との乗算値との関係を示すグラフである。
　【図３】　本発明の光磁気記録媒体の実施の形態を示す模式的拡大断面図である。
　【図４】　本発明の他の実施の形態を示す光磁気記録媒体の模式的拡大断面図である。
　【図５】　本発明の他の実施の形態を示す光磁気記録媒体の模式的拡大断面図である。
　【符号の説明】
　１　基板、　２，２Ａ，２Ｂ　誘電体膜、　３　磁性薄膜、　４　保護膜、　５　反射膜。