【事件の表示】
　特願２００９−　３３０４９「半導体装置の製造方法及び積層粘着テープ」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　９月　２日出願公開、特開２０１０−１９２５３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２１年２月１６日に出願したものであって，平成２５年２月２２日付けで拒絶理由が通知され，同年４月２６日付けで手続補正がなされたが，同年９月１９日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年１２月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２５年１２月２４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１２月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正後の発明
　平成２５年１２月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１を，
「【請求項１】
　表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面側に、粘着テープを２層以上有する積層粘着テープを貼付する工程と、
　該半導体ウエハの裏面内周部を研削する工程と、
　該積層粘着テープのうち最外層の粘着テープを剥離する工程と、
　該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、を有
し、
　
半導体ウエハの回路面に貼付される粘着テープの基材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる、
と補正することを含むものである。（下線は補正箇所を示す）
　
　そうすると，本件補正は，補正前の請求項１に係る発明の特定事項である「粘着テープ」について「半導体ウエハの回路面に貼付される粘着テープの基材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる」と限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２　引用刊行物およびその記載事項
（１）本願出願前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１１−１４５０８９号公報（以下「刊行物１」という）には，「半導体ウエハの裏面研削方法およびそれに使用される保護テープ」について，図１〜８とともに次の事項が記載されている。
　
（１−ア）
「【請求項１】　半導体ウエハの表面に保護テープが貼付される保護テープ貼付工程と、この半導体ウエハの裏面が研削される研削工程と、前記保護テープの表層フィルムが剥離される表層フィルム剥離工程と、前記半導体ウエハがエッチングされるエッチング工程と、前記保護テープが前記半導体ウエハから剥離される保護テープ剥離工程とを備えていることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項２】　前記保護テープが前記半導体ウエハの表面に塗布されたレジストの上に貼付されることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項３】　前記保護テープが耐酸性を有するサポートフィルムを備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項４】　前記表層フィルムが前記サポートフィルムの上に粘着剤によって剥離可能に粘着されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウエハの裏面研削方法。」
　
（１−イ）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）の裏面研削技術、特に、研削加工歪みを除去する技術に関し、例えば、ウエハの裏面電極を形成するのに利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の所謂前工程において、ウエハの厚さはプロセスに必要な強度や剛性から６２５μｍまたは７２５μｍ程度が一般的である。他方、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の機能は数ｍｍ角のペレットの表面の数μｍを活用するのみであるため、ＩＣのパッケージの形態にあわせてウエハは薄くされる。ウエハを薄くするには、ウエハの裏面を機械的または化学的に研磨する。具体的には、グライディング、化学的エッチング、ラッピングの３つの方法があるが、グライディングが主流になっている。
【０００３】グライディングはウエハ表面を保護テープによって保護し、ステージに真空吸着した状態でダイヤモンド砥石で研削して行く方法である。ベーパー・フェイズ・リフローや赤外線リフロー等の表面実装時にパッケージの受ける熱応力でペレットがクラックすることがある。ウエハの裏面研削仕上げ面はこのクラックに対して影響を及ぼす。クラックを防止するためには可及的に研削仕上げ面の粗さを小さくして破砕層を抑制することにより、ペレット自体の破砕応力耐性を上げる必要がある。そこで、ウエハの被研削面の破砕層や研削加工歪みを除去するために、裏面研削加工後にウエハの被研削面にウエットエッチング処理が実施されることがある。」
　
（１−ウ）
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、裏面研削後にウエハの被研削面にウエットエッチング処理が実施される場合には、ウエハに貼付された保護テープの表面に裏面研削中に付着した研削屑が、ウエットエッチング処理時にウエハの裏面に転写してしまう。ウエハの裏面に研削屑が転写すると、例えば、ウエハの裏面に裏面電極が形成される場合においては、裏面電極の品質が低下してしまう。
【０００７】本発明の目的は、研削屑が裏面に転写するのを防止することができる半導体ウエハの裏面研削技術を提供することにある。」
　
（１−エ）
「【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【００１０】すなわち、半導体ウエハの裏面研削方法は、半導体ウエハの表面に保護テープが貼付される保護テープ貼付工程と、この半導体ウエハの裏面が研削される研削工程と、前記保護テープの表層フィルムが剥離される表層フィルム剥離工程と、前記半導体ウエハがエッチングされるエッチング工程と、前記保護テープが前記半導体ウエハから剥離される保護テープ剥離工程とを備えていることを特徴とする。
【００１１】前記した手段によれば、裏面研削後に保護テープの表層フィルムが剥離されるため、研削工程において保護テープの表面に付着した研削屑は表層フィルムと一緒に保護テープの表面から除去されることになる。その結果、エッチング工程において保護テープの表面に付着した研削屑が半導体ウエハの裏面に転写する現象は、未然に回避することができる。」
　
（１−オ）
「【００１５】耐酸性テープ貼付工程２において、ウエハ１１のレジスト１２の表面には保護テープとしての耐酸性テープ１３が図３に示されているように貼付される。耐酸性テープ１３は後記する研削工程およびエッチング工程においてウエハ１１の表面に形成されたアクティブ・エリアの保護のために、ウエハ１１の表面にレジスト１２を介して貼付される。
【００１６】耐酸性テープ１３はビニールアセタール等の弾性を有する樹脂が使用されて全体にわたって均一のフィルム状に形成されている基材フィルム１４を備えており、図３（ａ）に示されているように、基材フィルム１４のウエハ側主面には、耐酸性テープ１３をウエハ１１に貼付するための粘着剤（以下、貼付用粘着剤という。）１５が全体にわたって均一に塗布されている。貼付用粘着剤１５はアクリル系粘着剤が使用されており、基材フィルム１４との相乗効果によって研削時の振動を吸収し、研削工程でのウエハの破損を防止するように設定されている。
【００１７】また、貼付用粘着剤１５は耐酸性テープ１３がウエハ１１から剥離される時に可及的に基材フィルム１４側に粘着した状態でウエハ１１側から剥離されるように構成されているとともに、万一、ウエハ１１側に残存した場合には、洗浄工程において洗浄することができるように構成されている。
【００１８】図３（ａ）に示されているように、貼付以前の状態においては、貼付用粘着剤１５の表面には保護のための剥離フィルム１６が貼付用粘着剤１５を被覆するように貼付されている。すなわち、剥離フィルム１６は保管時や輸送時等において貼付用粘着剤１５に塵埃が粘着したり、貼付用粘着剤１５が外力によって剥離されたりするのを防止することができるように構成されている。
【００１９】他方、図３（ａ）に示されているように、基材フィルム１４における貼付用粘着剤１５と反対側の主面にはサポートフィルム１７が接着や溶着等によって固着されている。サポートフィルム１７はエッチング工程で使用されるエッチング液に対して耐性を有する材料が使用されて形成されており、エッチング液の耐酸性テープ１３の表面からウエハ１１のアクティブ・エリアへの侵入を防止することができるように構成されている。
【００２０】サポートフィルム１７の基材フィルム１４と反対側の主面には、研削屑を除去するためのフィルム（以下、除去フィルムという。）１８が粘着剤（以下、除去フィルム用粘着剤という。）１９によって剥離可能に貼付されている。除去フィルム１８はゴム状ポリオレフィンやエチレンビニールアセテート等の樹脂によって形成されており、研削工程で使用される研削液に対して耐性を発揮するように構成されている。また、付着した研削屑を保持することができるように構成されている。
【００２１】除去フィルム用粘着剤１９の粘着力は貼付用粘着剤１５の粘着力よりも相対的に小さくなるように設定されている。また、除去フィルム用粘着剤１９は除去フィルム１８がサポートフィルム１７から剥離される時に、可及的に除去フィルム１８側に粘着した状態でサポートフィルム１７から剥離されるように構成されているとともに、万一、サポートフィルム１７側に残存した場合には、洗浄工程において容易に洗浄することができるように構成されている。
【００２２】図３（ｂ）に示されているように、耐酸性テープ１３がウエハ１１のレジスト１２の上に貼付されるに際しては、剥離フィルム１６が剥離され、耐酸性テープ１３は貼付用粘着剤１５によってウエハ１１のレジスト１２の表面に粘着される。この状態で、ウエハ１１の表面側は耐酸性テープ１３によって完全に被覆された状態になる。
【００２３】裏面研削工程３においては、図４（ａ）に示されているように、ウエハ１１はグライディング装置２０のテーブル２１に耐酸性テープ１３が当接されて真空吸着保持された状態で、ウエハ１１の裏面がダイヤモンド砥石２２によって研削される。この際、ウエハ１１はダイヤモンド砥石２２によってテーブル２１に押し付けられながら研削されるため、ウエハ１１には振動や衝撃が作用する可能性があるが、耐酸性テープ１３および貼付用粘着剤１５の弾性が振動を吸収するため、ウエハ１１が破損することはない。ちなみに、裏面研削工程３は粗研削および仕上げ研削が実施されるのが通例である。
【００２４】ウエハ１１の裏面が研削されることによりウエハ１１が指定された厚さになり、所定の仕上げ精度を呈する被研削面２３が形成されると、裏面研削工程３は終了する。裏面研削が終了した後において、テーブル２１から取り外されたウエハ１１における耐酸性テープ１３の表面には研削屑２４が図４（ｂ）に示されているように付着した状態になっている。研削屑２４が付着したままの状態で、ウエハ１１がエッチング液に浸漬されると、エッチング液中で研削屑２４がウエハ１１から遊離してウエハ１１の裏面に再付着するため、エッチング工程以前に研削屑２４はウエハ１１から除去する必要がある。
【００２５】除去フィルム剥離工程４においては、図５に示されているように、研削屑２４が付着した除去フィルム１８が耐酸性テープ１３のサポートフィルム１７から剥離される。この際、除去フィルム１８をサポートフィルム１７に粘着させている除去フィルム用粘着剤１９の粘着力は貼付用粘着剤１５の粘着力よりも小さく設定されているため、除去フィルム１８が剥離される際に、耐酸性テープ１３がウエハ１１から剥離されてしまうことはない。また、除去フィルム用粘着剤１９はサポートフィルム１７から剥離される除去フィルム１８側に粘着した状態でサポートフィルム１７から剥離されるように設定されているため、除去フィルム用粘着剤１９がサポートフィルム１７の表面に残存することは抑止ないしは抑制される。
【００２６】ところで、耐酸性テープ１３の表面に付着した研削屑２４は乾燥すると、洗浄によって洗い流すことは困難である。しかし、本実施形態においては、耐酸性テープ１３の表面に付着した研削屑２４は除去フィルム１８に付着させたままの状態で、除去フィルム１８ごと耐酸性テープ１３から除去されるため、確実かつ容易に除去することができる。
【００２７】除去フィルム１８が耐酸性テープ１３のサポートフィルム１７から剥離された後には、ウエハ１１は洗浄することが望ましい。この洗浄によって、万一、サポートフィルム１７側に残存した除去フィルム用粘着剤１９を洗浄することができるとともに、ウエハ１１の被研削面２３や側面に付着した研削屑等の異物を洗浄することができる。
【００２８】エッチング工程５において、図６に示されているように、ウエハ１１はエッチング槽３０のエッチング液３１に浸漬されて被研削面２３をウエットエッチングされる。ちなみに、エッチング液としては弗酸と硝酸とを主体とする混酸が使用される。この際、ウエハ１１の表面に貼付された耐酸性テープ１３はサポートフィルム１７を備えているため、エッチング液３１がウエハ１１のアクティブ・エリアに侵入することは防止される。
【００２９】ウエハ１１の被研削面２３に形成された破砕槽や研削加工歪みは、このエッチングによって除去される。その結果、ベーパー・フェイズ・リフローや赤外線リフロー等の表面実装時にパッケージの受ける熱応力でペレットがクラックするのを防止することができる。」
　
（１−カ）
「【００４０】以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるウエハの裏面電極形成技術に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、ウエハの裏面研削技術全般に適用することができる。特に、本発明は研削加工歪みを除去するエッチング工程を備えたウエハの裏面研削方法に適用して優れた効果を発揮する。
【００４１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００４２】半導体ウエハの裏面が研削された後に保護テープの表層フィルムを剥離することにより、研削工程において保護テープの表面に付着した研削屑を表層フィルムと一緒に保護テープの表面から除去することができるため、その後のエッチング工程において保護テープの表面に付着した研削屑がウエハの裏面に転写する現象は、未然に防止することができる。」
　
（２）同様に，本願出願前に頒布され，原査定の拒絶の理由にて引用された刊行物である特開２００７−２８７７９６号公報（以下「刊行物２」という）には，「ウェーハの加工方法」について，図１〜１３とともに次の事項が記載されている。
　
（２−ア）
「【０００３】
　さらに、近年では、例えば特許文献１に記載されているように、ウェーハの表面にデバイス領域とこれを取り囲む外周余剰領域とを設け、ウェーハの裏面のデバイス領域に対応する部分のみを研削して凹状に形成することが行われている。このようなウェーハでは、外周余剰領域に肉厚な補強部が形成され、ハンドリングや加工時のウェーハの破損が防止される。このようなウェーハでは、裏面の凹部に研削による機械的なダメージ層が残余しているため、プラズマエッチングによりダメージ層を除去することが行われている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１２３４２５号公報」
　
（２−イ）
「【００１１】
　以下、図面を参照して本発明の一実施形態の半導体ウェーハの加工方法を説明する。
［１］半導体ウェーハ
　図１の符号１は、半導体ウェーハ（以下ウェーハと略称）を示している。このウェーハ１はシリコンウェーハ等であって、厚さは例えば６００〜７００μｍ程度のものである。ウェーハ１の表面には、格子状の分割予定ライン２によって複数の矩形状の半導体チップ（デバイス）３が区画されている。これら半導体チップ（デバイス）３の表面には、トランジスタ等の図示せぬディスクリートデバイスが形成されている。複数の半導体チップ３は、ウェーハ１と同心の概ね円形状のデバイス領域４に形成されており、このデバイス領域４の周囲に、製品となる半導体チップ３が形成されない環状の外周余剰領域５が存在している。
【００１２】
　以下に、図１に示すウェーハ１から複数の半導体チップに個片化する加工方法を工程順に説明していく。
［２］凹状加工工程
　まず、図１に示すようにウェーハ１の表面に、電子回路を保護する目的で保護テープ６を貼り付ける。保護テープ６には、例えば、厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の基材が用いられ、その片面のウェーハ１の外周余剰領域に対応する部分にのみ厚さ５〜２０μｍ程度のアクリル系等の粘着剤６ａが塗布されている。
【００１３】
　続いて、図２および図３に示す研削装置１０により、ウェーハ１の裏面におけるデバイス領域４に対応する領域を研削して、その部分を必要な厚さ（例えば２００〜１００μｍ程度、あるいは５０μｍ程度）まで薄化するとともに、ウェーハ１の裏面に凹部１ａを形成する。研削装置１０は、回転駆動する真空チャック式のチャックテーブル１１と、研削ユニット１２とを備えている。チャックテーブル１１はウェーハ１よりも大きな円盤状であり、水平に設定される上面にウェーハ１が載置される。ウェーハ１は空気吸引によってその上面に吸着、保持される。チャックテーブル１１は、中心を軸として図示せぬ駆動機構により回転させられる。
【００１４】
　研削ユニット１２は、円筒状のスピンドルハウジング１３内に組み込まれたスピンドル１４がモータ１５によって回転駆動させられると、スピンドル１４の先端にフランジ１６を介して固定されたカップホイール１７が回転し、カップホイール１７の下面の外周部に全周にわたって環状に配列されて固定された多数の砥石１８が、ワークを研削するものである。砥石１８の円形の研削軌跡の外径は、ウェーハ１のデバイス領域４の半径にほぼ等しい。チャックテーブル１１と研削ユニット１２とは、チャックテーブル１１に対して研削ユニット１２がオフセットされている。詳しくは、図３に示すように、環状に配列された多数の砥石１８のうちの最もチャックテーブル１１の内側に位置する砥石１８の刃先の刃厚（径方向長さ）のほぼ中央部分が、チャックテーブル１１の中心を通る鉛直線Ｌ上に位置するように、相対位置が設定されている。
【００１５】
　研削装置１０によってウェーハ１の裏面に上記凹部１ａを形成するには、まず、真空運転されているチャックテーブル１１の上面に、裏面を上に向けて露出させたウェーハ１を概ね、同心状に載置して保護テープ６を密着させる。このようにしてチャックテーブル１１上にウェーハ１を保持したら、カップホイール１７を高速回転させるとともに研削ユニット１２を下降させ、露出するウェーハ１の裏面に全ての砥石セグメント１８を押し付けながら、チャックテーブル１１を回転させる。これによって、ウェーハ１の裏面のデバイス領域４に対応する領域が研削され、薄化される。研削箇所の全面が所定の厚さまで均一に研削されたら、研削ユニット１２を上昇させるとともに、チャックテーブル１１の回転を停止させる。ウェーハ１の裏面には、この研削によって図４に示すようにデバイス領域４に対応する領域に凹部１ａが形成されると同時に、外周余剰領域５に対応する部分に、元の厚さが残って裏面側に突出する補強部１ｂが形成された断面凹状に加工される。
【００１６】
［３］付加工程
　凹部１ａを形成したウェーハ１の裏面には、研削による機械的なダメージ層が残余しているためウェーハ１の強度が低下している。これを回復するため、プラズマエッチングなどの化学的処理によってダメージ層に相当する部分を除去する。プラズマエッチングの場合はＳＦ６などのフッ素系ガスを真空下でプラズマ化することでシリコンを除去することができるが、この工程も一般的にウェーハ１を昇温させる工程となっている。その後、裏面に必要な金属膜、例えば金などをスパッタリングや蒸着といった一般的に良く知られる方法によって被覆する。また、半導体チップの仕様に応じて金属イオンを打ち込むイオン注入などの工程も合わせて実施する。
【００１７】
　これらの付加工程は、プロセス温度が数百℃まで上昇する加熱工程であり、保護テープ６がこれに耐えうる場合には保護テープ６をウェーハ１の表面に貼着したまま付加工程を実施してもよい。また、もし保護テープ６が充分な耐熱性を具備していない場合は、保護テープ６を剥離してから付加工程を実施してもよい。いずれにしても、保護テープ６には外周余剰領域５に対応する部分にしか粘着剤６ａが配設されていないため、仮に加熱工程にてウェーハ１に過度な熱が加わったとしても、デバイス領域４に粘着剤６ａが溶融固化するような事態は生じない。
【００１８】
　付加工程の後に、各デバイスが電気的特性に問題ないことを確認するためのテスト工程を実施してもよい。その場合は、保護テープ６を剥離してから表面のデバイスの電極パッドに触針するなどして実施することになる。この場合でも保護テープ６の粘着剤６ａは最初からデバイス領域４には存在しないため、粘着剤６ａ残りによる電極パッドへの接触不良などの問題も生じることはない。なお、保護テープ６を剥離した場合には、付加工程またはテスト工程の後に保護テープ６をウェーハ１に貼着する。」
　
（３）同様に，本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−８７２８２号公報（以下「刊行物３」という）には，「半導体ウェハデバイス面保護用フィルム及びこれを用いた半導体ウェハ裏面研磨処理方法」について，図１〜７とともに次の事項が記載されている。
　
（３−ア）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハをバックグラインド工程からスピンエッチング工程の間、半導体ウェハデバイス面（以下デバイス面と略す）を研磨屑及びエッチング液から保護する半導体ウェハデバイス面保護用フィルム及びこれを用いた半導体ウェハのバックグラインド及びスピンエッチング方法に関する。」
　
（３−イ）
「【０００５】
【発明の実施の形態】次に、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明にかかる半導体ウェハデバイス面保護用フィルムの構造を示したもので、粘着剤層を有する補強層１１と同じく粘着剤層を有する保護層１２の２層構成からなる。本発明に用いる補強層の基材１１ａとしてはプラスチックフィルムが好ましくもちいられ、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン又はこれらの共重合体、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル共重合体等が挙げられ、単一層でも、２層以上の積層体でもよい。プラスチックフィルムの種類及び構造については制限はないが、あまり、フィルムが硬いとデバイス面の凹凸を吸収できないため、ある程度の柔軟性が必要である。また、プラスチックフィルムの厚さは２５〜２００μｍが好ましい。これは、これより薄いとバックグラインドの際、デバイス面の凹凸の吸収性が悪くなり、それに起因する半導体ウェハの割れ研磨ムラが発生する。また、これより厚いと剥離しづらいという不具合が生じる。このプラスチックフィルムは、後に塗布される粘着剤との密着を高める目的から、物理的又は化学的処理の何れか又は両方の処理をした方が好ましい。物理的処理を例示すると、サンドブラスト、研磨処理等があり、化学処理としては、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理等が挙げられる。処理と効果の兼ね合いからコロナ処理がより好ましい。
【０００６】補強層１１に塗布される粘着剤１１ｂとしては汎用の粘着剤、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、天然ゴム、合成ゴム等を使用できる。常温で粘着性を有するものであればよい。これらの中でよく用いられるものとしては、アクリル樹脂系粘着剤がある。これは、比較的扱い易く変性も容易であることから使用される。更に、その凝集力を向上させる目的から架橋剤によって架橋することも可能である。この架橋剤を例示すると、イソシアネート、エポキシ、アミン、イミド、メラミン樹脂等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。その他、粘着付与剤、着色剤等の添加剤を添加することもできる。この粘着剤の接着力については、室温では以下に説明する保護層の粘着剤１２ｂの接着力よりも低く、その半分以下であれば更に好ましい。これは、バックグラインド後、補強層のフィルム１１を選択的に剥離するためである。前述のプラスチックフィルム基材１１ａに粘着剤１１ｂを均一に塗布、乾燥することにより、補強層１１を得る。該粘着フィルムを製造するための塗工、搬送、乾燥の方法については特に制限はないが、乾燥温度は、プラスチックフィルム基材の溶融温度以上にすると、フィルムが切れる恐れがあるので注意する必要がある。フィルム上に塗布する粘着剤の厚みは、接着力を勘案して決定され、２〜８０μｍが好ましい。
【０００７】次に、保護層１２の基材１２ａとしては、前述の補強層の基材１１ａと同じく制限はない。しかし、スピンエッチングに伴い発生する半導体ウェハのカールを防止する目的から、ＰＥＴ等の弾性率の高いフィルムが好ましい。」
　
３　当審の判断
（１）引用発明
ア　上記記載事項（１−イ）の「【０００２】・・・・・半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の機能は数ｍｍ角のペレットの表面の数μｍを活用するのみであるため、ＩＣのパッケージの形態にあわせてウエハは薄くされる。・・・・・」からみて，刊行物１には「表面に回路が形成された半導体ウエハ」が記載されているといえる。
　
イ　上記記載事項（１−オ）の「【００１５】耐酸性テープ貼付工程２において、ウエハ１１のレジスト１２の表面には保護テープとしての耐酸性テープ１３が図３に示されているように貼付される。・・・・・【００１６】耐酸性テープ１３はビニールアセタール等の弾性を有する樹脂が使用されて全体にわたって均一のフィルム状に形成されている基材フィルム１４を備えており、図３（ａ）に示されているように、基材フィルム１４のウエハ側主面には、耐酸性テープ１３をウエハ１１に貼付するための粘着剤（以下、貼付用粘着剤という。）１５が全体にわたって均一に塗布されている。」からみて，刊行物１には「半導体ウエハの回路面に貼付される保護テープの基材フィルムが，ビニールアセタール等の弾性を有する樹脂からなる」ことが記載されているといえる。
　
ウ　そうすると，上記記載事項（１−ア）〜（１−カ）および上記ア〜イを総合すると，刊行物１には以下の発明が記載されていると認められる。
「表面に回路が形成された半導体ウエハの表面に表層フィルムと基材フィルムとを含む２層以上からなる保護テープが貼付される保護テープ貼付工程と，
　この半導体ウエハの裏面が研削される研削工程と，
　前記保護テープの表層フィルムが剥離される表層フィルム剥離工程と，
　前記半導体ウエハがエッチングされるエッチング工程と，
　前記保護テープが前記半導体ウエハから剥離される保護テープ剥離工程とを備え，
　前記半導体ウエハの回路面に貼付される保護テープの基材フィルムが，ビニールアセタール等の弾性を有する樹脂からなる，半導体ウエハの裏面研削方法。」（以下「引用発明」という）
　
（２）対比
　補正発明と引用発明とを比較する。
ア　上記記載事項（１−オ）の「基材フィルム１４のウエハ側主面には、耐酸性テープ１３をウエハ１１に貼付するための粘着剤（以下、貼付用粘着剤という。）１５が全体にわたって均一に塗布されている。」からみて，引用発明の「保護テープ」は，「粘着テープ」の一種であるといえ，また，上記記載事項（１−ア）の「前記表層フィルムが前記サポートフィルムの上に粘着剤によって剥離可能に粘着されている」からみて，引用発明の「表層フィルム」が，補正発明の「最外層の粘着テープ」に相当することは明らかである。そうすると，引用発明の「表層フィルムと基材フィルムとを含む２層以上からなる保護テープ」が補正発明の「粘着テープを２層以上有する積層粘着テープ」に相当する。そして，引用発明の「表面に回路が形成された半導体ウエハの表面に表層フィルムと基材フィルムとを含む２層以上からなる保護テープが貼付される保護テープ貼付工程」は，補正発明の「表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面側に、粘着テープを２層以上有する積層粘着テープを貼付する工程」に相当する。
　
イ　「半導体ウエハの裏面内周部」は，「半導体ウエハの裏面」の一部であるから，引用発明の「この半導体ウエハの裏面が研削される研削工程」と，補正発明の「該半導体ウエハの裏面内周部を研削する工程」とは，「該半導体ウエハの裏面を研削する工程」の点で共通する。
　
ウ　上記記載事項（１−オ）の「【００２８】エッチング工程５において、図６に示されているように、ウエハ１１はエッチング槽３０のエッチング液３１に浸漬されて被研削面２３をウエットエッチングされる。ちなみに、エッチング液としては弗酸と硝酸とを主体とする混酸が使用される。」からみて，引用発明の「エッチング工程」は，補正発明の「ケミカルエッチングする工程」に相当する。
　
エ　補正発明の「ポリエチレンテレフタレートフィルム」は「樹脂フィルム」の一種であるから，引用発明の「前記半導体ウエハの回路面に貼付される保護テープの基材フィルムが，ビニールアセタール等の弾性を有する樹脂からなる」と，補正発明の「半導体ウエハの回路面に貼付される粘着テープの基材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる」とは，「半導体ウエハの回路面に貼付される粘着テープの基材が、樹脂フィルムからなる」点で共通する。
　
オ　「半導体ウエハの裏面研削」は，「半導体装置の製造」の部分工程であるから，引用発明の「半導体ウエハの裏面研削方法」は，補正発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　
　そうすると，両者は，
（一致点）
「表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面側に，粘着テープを２層以上有する積層粘着テープを貼付する工程と，
　該半導体ウエハの裏面を研削する工程と，
　該積層粘着テープのうち最外層の粘着テープを剥離する工程と，
　該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と，を有し，
　半導体ウエハの回路面に貼付される粘着テープの基材が，樹脂フィルムからなる，半導体装置の製造方法。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
「研削する工程」が，補正発明では「裏面内周部を研削する工程」であるのに対して，引用発明では「裏面が研削される研削工程」であって，「内周部」に限定されていない点。
　
（相違点２）
「樹脂フィルム」が，補正発明では「ポリエチレンテレフタレートフィルム」であるのに対して，引用発明では「ビニールアセタール等の弾性を有する樹脂からなる」フィルムである点。
　
（３）相違点１について
　上記記載事項（２−ア）の「【０００３】さらに、近年では、例えば特許文献１（特開２００５−１２３４２５号公報）に記載されているように、ウェーハの表面にデバイス領域とこれを取り囲む外周余剰領域とを設け、ウェーハの裏面のデバイス領域に対応する部分のみを研削して凹状に形成することが行われている。このようなウェーハでは、外周余剰領域に肉厚な補強部が形成され、ハンドリングや加工時のウェーハの破損が防止される。このようなウェーハでは、裏面の凹部に研削による機械的なダメージ層が残余しているため、プラズマエッチングによりダメージ層を除去することが行われている。」からみて，刊行物２には，「裏面内周部を研削する工程」が記載されているといえる。
　また，本願出願前に頒布された刊行物である特開２００８−４７６９５号公報の「【技術分野】【０００１】本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの裏面研削をデバイス形成領域に対応する部分のみに行って裏面に凹部を形成し、その凹部の研削面に残る機械的ダメージを除去して強度を確保するためにエッチングを施すウエーハのエッチング方法に関する。」との記載からみて，「半導体ウエハの裏面内周部を研削する工程」は，従来周知であるといえる。
　そして，上記記載事項（１−カ）の「【００４０】・・・・・
ウエハの裏面研削技術全般に適用する
　してみると，引用発明において，その「研削工程」を，上記刊行物２記載の，あるいは，従来周知の「裏面内周部を研削する工程」とする，すなわち，相違点１における補正発明の構成とすることは，当業者において十分動機付けが存在し，また，何ら困難性・阻害要因が存在せず，当業者ならば容易に想到し得る事項であるというべきである。
　
（４）相違点２について
　そもそも，例えば，上記記載事項（３−イ）の「【０００７】次に、保護層１２の基材１２ａとしては、前述の補強層の基材１１ａと同じく制限はない。しかし、スピンエッチングに伴い発生する半導体ウェハのカールを防止する目的から、ＰＥＴ等の弾性率の高いフィルムが好ましい。」からみて，「保護層の基材がＰＥＴ等の弾性率の高いフィルムからなる半導体ウェハ裏面研磨処理方法」が本願出願前周知であるといえる。そして，その機能・構成からみて，該「保護層の基材」および「ＰＥＴ等の弾性率の高いフィルム」が，それぞれ，補正発明の「粘着テープの基材」および「ポリエチレンテレフタレートフィルム」に相当することは明らかである。
　一方，「ポリエチレンテレフタレートとポリビニルアセタールとが適宜選択し得る樹脂である」ことが，種々の技術分野において周知の事項であるといえる。例えば，本願出願前に頒布された刊行物である特開２００８−１３６７６号公報には「【００２３】・・・・・支持体としては、特に限定されず、例えば、
ポリエチレンテレフタレート
ポリビニルアセタール
ポリビニルアセタール
ポリブチレンテレフタレート
ポリエチレンテレフタレート
ポリビニルアセタール
ポリエチレンテレフタレート
ポリビニルアセタール
　そして，引用発明においては，「ビニールアセタール
等
等
　してみると，引用発明において，上記周知の事項を適用して，その「保護テープの基材フィルム」を「ビニールアセタール等の弾性を有する樹脂」から「ポリエチレンテレフタレート」に変更することは，十分動機付けが存在し，また，何ら困難性・阻害要因が存在せず，当業者ならば容易に想到し得る事項であるというべきである。
　
（５）効果について
　相違点１〜２による本願明細書に記載された効果は，刊行物１〜２の記載および従来周知の事項から当業者が予測し得る範囲内のものに過ぎず，格別顕著なものとはいえない。
　
　なお，本願明細書の段落【００２１】〜【００２２】に「表面保護テープ２０は、基材２２と、その片面に形成された粘着剤層２１とからなる。
基材２２は、エッチング耐性を有し、引裂強度の高いフィルムが好ましい。
ポリエチレンテレフタレートフィルム
　したがって，本願明細書の記載からみて，「ポリエチレンテレフタレートフィルム」を採用したことにより，格別顕著な効果を奏するとは，到底いえない。
　
（６）したがって，補正発明は，引用発明，刊行物２の記載および従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により，却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されることとなるので，本願の請求項１〜３に係る発明は，平成２５年４月２６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されたものであると認められ，その請求項１に係る発明は，次のとおりである。
「【請求項１】
　表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面側に、粘着テープを２層以上有する積層粘着テープを貼付する工程と、
　該半導体ウエハの裏面内周部を研削する工程と、
　該粘着テープのうち最外層の粘着テープを剥離する工程と、
　該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、を有する半導体装置の製造方法。」（以下「本願発明」という）
　
２　引用刊行物およびその記載事項
　本願出願前に頒布された刊行物１〜２およびその記載事項は，上記「第２　２　引用刊行物およびその記載事項」に記載したとおりである。
　
３　当審の判断
　本願発明は，補正発明の特定事項である「粘着テープ」について，「半導体ウエハの回路面に貼付される粘着テープの基材が、ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる」との限定を除いたものである。
　そして，本願発明の構成を全て備えた補正発明が，上記「第２　３　当審の判断」にて検討したとおり，引用発明，刊行物２の記載および従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明，刊行物２の記載および従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきである。
　
第４　まとめ
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その他の請求項について言及するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。