【事件の表示】
　特願２０１１−１５４３９４「発光ダイオードのための反射性マウント基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月　８日出願公開、特開２０１１−２４９８２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１９年１２月１３日（パリ条約による優先権主張２００６年１２月１５日、アメリカ合衆国）に出願した特願２００７−３２２５０９号（以下「原出願」という。）の一部を平成２３年７月１３日に新たな特許出願としたものであって、同年１２月１６日付けで拒絶の理由が通知され、平成２４年４月２０日に手続補正がされたが、同年１２月１８日付けで拒絶査定がされ、これに対して、平成２５年４月１９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がされ、当審により同年１２月６日付けで拒絶の理由が通知され、平成２６年３月１０日に手続補正がされたものである。 
 　 
第２　本願発明の認定  
 　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年３月１０日に補正された本願の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。 
 「ＬＥＤランプであって、
　リードフレームと、
　該リードフレーム上の発光ダイオードであって、半導体発光活性層、ボンディング金属層、およびマウント基板を含んでおり、該マウント基板は、該ボンディング金属層が該半導体発光活性層と該マウント基板の表面との間にあり、かつ該リードフレームが該マウント基板の反対側にある表面を支持するように、該ボンディング金属層を支持する、発光ダイオードと、
　該リードフレーム上の該ダイオードを封じ込めているレンズと、
　該ダイオードによって放出された光を第２の色に変換するための蛍光体であって、該第２の色は、該ダイオードによって放出された色と組み合わされたときに、白色光を生成する、蛍光体と
　を備えており、
　該マウント基板は、該ボンディング金属層の材料以外の材料を含み、該蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも５０パーセントを反射し、該ボンディング金属層は、該半導体発光活性層によって放出された所定の周波数を有する光を反射する、ランプ。」
 　  　 
第３　引用例１の記載事項及び引用発明１の認定  
　当審により平成２５年１２月６日付けで通知した拒絶の理由において引用した、原出願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／０９３０１５号（以下「引用例１」という。） には、次の１及び２の記載がある。
１　「図１は、第１の発光体（波長４２０ｎｍ〜５００ｎｍの光を発生する発光体）と第２の発光体とを有する本発明の発光装置の一実施例を示す模式的断面図である。図２は、図１に示す発光装置を組み込んだ面発光照明装置の一実施例を示す模式的断面図である。図１及び図２において、１は発光装置、２はマウントリード、３はインナーリード、４は第１の発光体、５は第２の発光体としての蛍光体含有部、６は導電性ワイヤー、７はモールド部材、８は面発光照明装置、９は拡散板、１０は保持ケースである。
　本発明の発光装置１は、例えば図１に示すように、一般的な
砲弾型
ＧａＮ系青色発光ダイオード等からなる第１の発光体４
　
２　「また、第２の発光体の蛍光体には、前述の本発明の蛍光体、即ち、前記一般式［１］で表される特定組成の蛍光体、さらには特定のメジアン径Ｄ50及び物体色の蛍光体のみならず、異なる組成比の複数の蛍光体を含有させたり、本発明の蛍光体以外の他の蛍光体を組み合わせて混合したりしても良く、適当な組み合わせを採用することにより、より広い
白色領域
第１の発光体の光とあわせて白色となる蛍光体
　
３　上記１で言及されている図１は、次のものである。
　
４　上記１ないし３によれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 
 「マウントリード２と、 
 　前記マウントリード２の上部カップ内に接着された、ＧａＮ系青色発光ダイオード４と、 
 　蛍光体と樹脂等の封止材料を混合、分散させ、前記上部カップ内に流し込むことにより形成され、前記ＧａＮ系青色発光ダイオード４を被覆し、固定する蛍光体含有部５と、
　前記ＧａＮ系青色発光ダイオード４と前記マウントリード２、及び前記ＧａＮ系青色発光ダイオード４と前記インナーリード３とを、それぞれ導通させる導電性ワイヤー６、６とを、
　モールド部材７で砲弾型に被覆、保護した発光装置１であって、
　前記蛍光体は、前記ＧａＮ系青色発光ダイオード４の光とあわせて白色となる光を発光する、発光装置１。」
 　 
第４　引用例２の記載事項及び引用発明２の認定  
　当審により平成２５年１２月６日付けで通知した拒絶の理由において引用した、優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／０４３７９６号（以下「引用例２」という。） には、次の１ないし６の記載がある。
１　「The present invention relates to a gallium nitride (GaN) based blue light emitting diode (LED) and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a vertical GaN LED element and a method of manufacturing the same.」（１頁の段落[1]。次に当審による訳を付す。以下同様。）
「本発明は窒化ガリウム系（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｎｉｔｒｉｄｅ；ＧａＮ）
青色発光ダイオード
垂直型構造のＧａＮＬＥＤ素子
　
２　「1. A light emitting element, comprising: 
a metallic support layer;
a P-type reflective film electrode on the metallic support layer;
a P-type semiconductor layer, an active layer and an N-type semiconductor layer sequentially formed on the P-type reflective film electrode; and
an N-type electrode formed on the N-type semiconductor layer.」（２４頁の段落[1]）
「１．金属支持層と、
　前記金属支持層の上に形成されたｐ型反射膜電極と、
  前記ｐ型反射膜電極の上にこの順序に積層形成されたｐ型半導体層、活性層、及びｎ型半導体層と、
  前記ｎ型半導体層の上に形成されたｎ型電極とを備えることを特徴とする発光素子。」
　
３　「Fig. 4 is a sectional view of a vertical LED according to a first embodiment of the  present invention, and Figs. 5 to 7 are sectional views of a vertical LED according to a modified embodiment of the present invention.
 As shown in Fig. 4, the vertical GaN LED of this embodiment includes a metallic support layer 100, a reflective film electrode 110 (a p-type reflective film ohmic electrode layer), a p-type semiconductor layer 120, an InGaN active layer 130 and an n-type semiconductor layer 140 in sequence from the bottom.」（６頁の段落[47]ないし７頁の段落[48]）
「図４は、本発明の第１の実施形態による垂直型ＧａＮ−ＬＥＤの断面図であり、図５〜図７は、本実施形態の変形例による垂直型ＧａＮ−ＬＥＤの断面図である。
　この実施形態による図４に示す垂直型ＧａＮ−ＬＥＤは、最下面に金属支持層１００を形成し、その上に反射膜電極（ｐ型反射膜オーミック電極）１１０が、そしてその上にｐ型半導体層１２０、ＩｎＧａＮ活性層（活性層）１３０、ｎ型半導体層１４０がこの順に積層されている。」
　
４　「Hereinafter, a method of manufacturing the vertical LED element so configured will be explained with reference to the accompanying drawings. 
 Figs. 8 to 15 are a series of sectional views illustrating a process of manufacturing a vertical LED element according to the first embodiment of the present invention.
 Fig. 8 is a sectional view of a common GaN LED substrate. An n-type semiconductor layer 140, an InGaN active layer 130 and a p-type semiconductor layer 120 are grown sequentially on a sapphire substrate 200. The total thickness of the thin film is approximately 4 microns, and the thin film is deposited through a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD).
 Fig. 9 shows a process of etching an area other than the element region. The etching process is performed through a dry-etching method in a state where Cl2 gas flows after a substrate has been masked using photoresist or SiO2 . Fig. 10 shows a process of forming a p-type reflective film ohmic electrode 110. On the substrate etched for the element isolation is formed a SiO2 protective layer 162 with a thickness of 0.05-5.0 microns through a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). In order to form a reflective film ohmic electrode 110, a micro pattern is formed and an etching is then performed using buffered oxide etchant (BOE) or CF4 gas through a dry-etching method and using a photoresist as a mask. Thereafter, a metallic ohmic layer is deposited. Typically, Ni and Au are deposited with a thickness of several tens to several hundreds of nanometers using an e-beam evaporator. However, since reflectivity is important in case of a vertical LED shown in Figs. 4 to 7, metals including  Ni/ Ag, Pt/ Ag, Ru/ Ag, Ir/ Ag or the like are used. Then, heat treatment is performed within a temperature range of 300 to 600℃ to form the reflective film ohmic electrode 110.
 Fig. 11 shows a process of forming a metallic support layer 100 with a thickness of several microns to several tens of microns and radiating a laser. The metallic support layer 100 is formed through an electro-plating method, a vacuum vapor-deposition method such as sputtering, e-beam evaporation or thermal evaporation, or a wafer diffusion bonding method in which a metallic substrate is placed on a p-type electrode and they are pressed under a certain pressure at around 300℃ such that they are bonded to each other. When a laser is radiated through sapphire, the laser is absorbed in the GaN layer which in turn is decomposed into a Ga metal and N2 gas. At this time, the metallic support layer 100 serves to prevent the GaN thin film layer with a thickness of about 4 microns from being destroyed when the sapphire substrate 200 is removed by means of the laser radiation.
 Fig. 12 shows a state where a GaN thin film layer is attached to the metallic support layer 100 after the sapphire substrate 200 has been removed. Fig. 13 is a sectional view showing a state where an anti-reflective layer 160 is coated on the n-type semiconductor layer 140 such that photons generated in the i-InGaN active layer 130 can be smoothly emitted to the outside of the substrate. The anti-reflective layer 160 is formed of SiO2 or Si3N4 which is deposited through the PECVD method.
 Fig. 14 is a sectional view illustrating a state after portions of the anti-reflective layer 160 have been etched and an n-type ohmic electrode 150 is then formed on the etched portions. The N-type ohmic electrode is formed of Ti/ Al or Cr/ Au, or Ti/ Al or Cr/ Au on which Cr/ Au or Ni/ Au is deposited using an e-beam evaporator. Fig. 15 is a sectional view showing a state after the chip has been separated. The chip is separated through a dicing or laser-cutting technique.」（７頁の段落[50]ないし８頁の段落[56]）
「以下、図面に基づき、このような構造を有する垂直型ＬＥＤ素子の製造方法を説明する。
　図８〜図１５は、本発明の第１の実施形態による垂直型ＬＥＤ素子の製造工程を説明するための一連工程断面図である。
　図８は、通常使用するＧａＮ−ＬＥＤ基板の断面図である。サファイア基板２００の上にｎ型半導体層１４０、ＩｎＧａＮ活性層１３０、ｐ型半導体層１２０薄膜をこの順に成長させる。薄膜の総厚さは略４ミクロンであり、薄膜は金属−有機物化学蒸着法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＯＣＶＤ）により蒸着する。
　図９は、素子領域以外の部分をエッチングする工程を示している。エッチング工程は、通常、フォトレジストまたはＳｉＯ２によりマスキングした後、Ｃｌ２ガスを流しながらドライエッチング法によりエッチングする。
　図１０は、ｐ型反射膜オーミック電極１１０の形成工程を示している。素子分離のために、エッチング済みの基板上にＳｉＯ２の保護膜１６２を０．０５〜５．０ミクロンの厚さにＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により蒸着する。ｐ型反射膜オーミック電極１１０の形成のために、微細パターンを形成し、フォトレジスト膜をマスクとしてＢＯＥ（ｂｕｆｆｅｒｅｄ ｏｘｉｄｅ ｅｔｃｈａｎｔ）またはＣＦ４ガスを用いてドライエッチング法によりエッチングした後、オーミック金属層を蒸着する。通常、ＮｉとＡｕを数十から数百ナノメートルの厚さに電子線蒸着装置により蒸着して使用するが、図４〜図７に示す垂直型ＬＥＤの場合には反射度が重要であるため、Ｎｉ／Ａｇ、Ｐｔ／Ａｇ、Ｒｕ／Ａｇ、Ｉｒ／Ａｇなどの金属を使用する。次いで、３００〜６００℃の温度条件下で熱処理を実行し、ｐ型反射膜オーミック電極１１０を形成する。
　図１１は、数ミクロン〜数十ミクロンの厚さの金属支持層１００を作り、レーザーを照射する工程を示している。金属支持層１００は、電気メッキ法、またはスパッタリング、電子線蒸着、熱蒸着などの真空蒸着法、あるいは、金属基板をｐ型電極の上に載置して約３００℃の温度条件下で圧力を加えながら押し付ける基板拡散貼り合わせ法を用いて形成する。サファイアを介してレーザーを照射すると、レーザーがＧａＮ層に吸収され、ＧａＮ層は、Ｇａ金属とＮ２ガスに分解される。このとき、金属支持層１００は、レーザー照射によりサファイア基板２００が分離除去されるとき、約４ミクロンの薄いＧａＮ薄膜層が破損されることを防ぐ役目をする。
　図１２は、サファイア基板２００が分離除去された後、ＧａＮ薄膜層が金属支持層１００に付着している様子を示している。
　図１３は、ｉ−ＩｎＧａＮ活性層１３０から発せられた光子を基板の外部に円滑に放射させるために、ｎ型半導体層１４０の上に反射防止層１６０をコートしたときの断面図である。反射防止層１６０としては、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４などが使用され、これらの膜は、ＰＥＣＶＤにより蒸着する。
　図１４は、反射防止層１６０の一部をエッチングし、ｎ型オーミック電極１５０を形成した後の断面図である。ｎ型電極は、Ｔｉ／ＡｌやＣｒ／Ａｕ層、またはＴｉ／ＡｌやＣｒ／Ａｕ層層の上にＣｒ／ＡｕもしくはＮｉ／Ａｕ層を電子線蒸着装置により蒸着して形成する。
　図１５は、チップを分離した後の状態の断面図である。チップは、ダイシングやレーザーカット法により分離する。」
　
５　「16. A method of manufacturing a light emitting element, comprising the steps of: sequentially forming an N-type semiconductor layer, an active layer, a P-type semiconductor layer, a P-type reflective film electrode and a first metallic support layer on a substrate; removing the substrate; isolating the element by partially etching the P-type semiconductor layer, the active layer and the N-type semiconductor layer; and forming an N-type electrode on the N-type semiconductor layer. 
17. The method as claimed in claim 15 or 16, wherein an isolated second metallic support layer is formed on the first metallic support layer, and the first  and second metallic support layers are formed through an electro-plating method or using a vacuum vapor-deposition apparatus such as a thermal evaporator, an e- beam evaporator, a laser evaporator, a sputter and an MOCVD apparatus.
18. The method as claimed in claim 17, wherein the first and second metallic support layers are formed of at least one of Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt and Cr, or using a conductive ceramic substrate such as SrTiO3 doped with Nb, ZnO doped with Al, ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) or a semiconductor substrate such as B-doped Si, As-doped Si and diamond doped with impurities, and a total thickness of the first and second metallic support layers is 0.5 to 200 nm.」（２５頁の段落[16]ないし２６頁の段落[18]）
「１６．基板の上にｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｐ型反射膜電極、及び第１の金属支持層をこの順序に積層形成するステップと、
  前記基板を除去するステップと、
  前記ｐ型半導体層、前記活性層、及び前記ｎ型半導体層の一部をエッチングして素子間を分離するステップと、
  前記ｎ型半導体層の上にｎ型電極を形成するステップとを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
１７．前記第１の金属支持層の上に素子間分離された第２の金属支持層を形成し、前記第１及び第２の金属支持層は、電気メッキにより形成するか、あるいは、熱蒸着器、電子線蒸着器、レーザー蒸着器、スパッタ、ＭＯＣＶＤなどの真空蒸着器により形成することを特徴とする請求項１５又は１６に記載の発光素子の製造方法。
１８．前記第１及び第２の金属支持層は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ａｇ、Ｐｔ及びＣｒの内の少なくともいずれか１種の金属から形成するか、あるいは、ＮｂドープのＳｒＴｉＯ３、ＡｌドープのＺｎＯ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの伝導性セラミック基板やＢドープのＳｉ、ＡｓドープのＳｉ、不純物ドープのダイヤモンドなどの不純物ドープの半導体基板の内のいずれか１種の基板から形成し、かつ、前記第１の金属支持層と第２の金属支持層との総厚さが０．５〜２００ｍｍであることを特徴とする請求項１７に記載の発光素子の製造方法。」
　
６　「According to a still further aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting element, comprising the steps of sequentially forming an N-type semiconductor layer, an active layer, a P-type semiconductor layer, a P-type reflective film electrode and a first metallic support layer on a substrate; removing the substrate; isolating the element by partially etching the P-type semiconductor layer, the active layer and the N-type semiconductor layer; and forming an N-type electrode on the N-type semiconductor layer.
 Preferably, an isolated second metallic support layer is formed on the first metallic support layer, and the first and second metallic support layers are formed through an electro-plating method or using a vacuum vapor-deposition apparatus such as a thermal evaporator, an e-beam evaporator, a laser evaporator, a sputter and an MOCVD apparatus.
 More preferably, the first and second metallic support layers are formed of at least one of Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt and Cr, or using a conductive ceramic substrate such as SrTiO3 doped with Nb, ZnO doped with Al, ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) or a semiconductor substrate such as B-doped Si, As- doped Si and diamond doped with impurities, and a total thickness of the first and second metallic support layers is 0.5 to 200 nm.」（４頁の段落[21]ないし[23]）
「また、本発明のさらに他の側面によれば、基板の上にｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｐ型反射膜電極、及び第１の金属支持層をこの順序に積層形成するステップと、前記基板を除去するステップと、前記ｐ型半導体層、前記活性層、及び前記ｎ型半導体層の一部をエッチングして素子間を分離するステップと、前記ｎ型半導体層の上にｎ型電極を形成するステップとを有することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
　ここで好ましくは、前記第１の金属支持層の上に素子間分離された第２の金属支持層を形成し、前記第１及び第２の金属支持層を電気メッキにより形成するか、あるいは、熱蒸着器、電子線蒸着器、レーザー蒸着器、スパッタ、ＭＯＣＶＤなどの真空蒸着器により形成する。
　さらに好ましくは前記第１及び第２の金属支持層は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ａｇ、Ｐｔ及びＣｒのうち少なくともいずれか１種の金属から形成するか、あるいは、ＮｂドープのＳｒＴｉＯ３、ＡｌドープのＺｎＯ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの伝導性セラミック基板やＢドープのＳｉ、ＡｓドープのＳｉ、不純物ドープのダイヤモンドなどの不純物ドープの半導体基板のうちいずれか１種の基板から形成し、かつ、前記第１の金属支持層と第２の金属支持層の総厚さが０．５〜２００ｍｍである。」
　
７　上記３で言及されている図４は、次のものである。
８　上記１ないし４によれば、引用例２には、図４に示される、上記４にいう「本発明の第１の実施形態による垂直型ＧａＮ−ＬＥＤ」として、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 
「ｐ型半導体層１２０、ＩｎＧａＮ活性層１３０、ｎ型半導体層１４０がこの順に積層された半導体積層部分と、
　前記ｐ型半導体層１２０に接して形成され、垂直型ＬＥＤの場合には反射度が重要であるため、Ｎｉ／Ａｇ、Ｐｔ／Ａｇ、Ｒｕ／Ａｇ、Ｉｒ／Ａｇなどの金属を使用する、ｐ型反射膜オーミック電極１１０と、 
　金属支持層１００とを備え、
　前記金属支持層１００は、金属基板を、前記ｐ型反射膜オーミック電極１１０の、前記ｐ型半導体層１２０に接する側と反対側に載置して約３００℃の温度条件下で圧力を加えながら押し付ける基板拡散貼り合わせ法を用いて形成される、 
 　垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ。」 
 　 　  
９　上記５，６に記載されたＬＥＤは、上記８のＬＥＤの金属支持層（第１の金属支持層）の上に別の金属層（第２の金属支持層）を設けたものに相当する。
　上記５，６によれば、第１及び第２の金属支持層は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ａｇ、Ｐｔ及びＣｒのうち少なくともいずれか１種の金属から形成してもよい。
　
第５　対比 
　引用発明１と本願発明とを対比する。 
１　引用発明１の「発光装置１」は、本願発明の「ＬＥＤランプ」に相当し、以下同様に、 
 　「マウントリード２」は、「リードフレーム」に、 
 　「マウントリード２の上部カップ内に接着された、ＧａＮ系青色発光ダイオード４」は、「リードフレーム上の発光ダイオード」に、 
 　「『マウントリード２と、・・・ＧａＮ系青色発光ダイオード４と、・・・蛍光体含有部５と、・・・導電性ワイヤー６、６とを』『被覆、保護』する『モールド部材７』」は、「リードフレーム上のダイオードを封じ込めているレンズ」に、 
 　「『ＧａＮ系青色発光ダイオード４の光とあわせて白色となる光を発光する』『蛍光体』」は、「ダイオードによって放出された光を第２の色に変換するための蛍光体であって、該第２の色は、該ダイオードによって放出された色と組み合わされたときに、白色光を生成する、蛍光体」に、 
　それぞれ、相当する。 
 　 
２　引用発明１は、「ＧａＮ系青色発光ダイオード４」が「マウントリード２の上部カップに接着された」ものであるから、「マウントリード２（リードフレーム）がＧａＮ系青色発光ダイオード４（発光ダイオード）を支持する」ものといえる。 
　一方、本願発明は、「発光ダイオード」が備える「ボンディング金属層」を「リードフレーム」が支持するから、「リードフレームが発光ダイオードを支持する」ものといえる。 
　してみると、両者は、「リードフレームが発光ダイオードを支持する」点で共通している。 
 　 
３　上記１及び２によれば、本願発明と引用発明１とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。 
＜一致点＞ 
「ＬＥＤランプであって、 
　リードフレームと、 
　該リードフレーム上の発光ダイオードと、 
　該リードフレーム上の該発光ダイオードを封じ込めているレンズと、 
　該発光ダイオードによって放出された光を第２の色に変換するための蛍光体であって、該第２の色は、該発光ダイオードによって放出された色と組み合わされたときに、白色光を生成する、蛍光体と 
　を備えており、 
　該リードフレームが該発光ダイオードを支持する、 
　ＬＥＤランプ。」 
 　 
＜相違点１＞ 
　本願発明の「発光ダイオード」は、「半導体発光活性層、ボンディング金属層、およびマウント基板を含んでおり、該マウント基板は、該ボンディング金属層が該半導体発光活性層と該マウント基板の表面との間にあり、かつリードフレームが該マウント基板の反対側にある表面を支持するように、該ボンディング金属層を支持する、発光ダイオード」であるのに対して、引用発明１の「発光ダイオード」（ＧａＮ系青色発光ダイオード４）は、ボンディング金属層及びマウント基板を含んでいない点。
　  　 
＜相違点２＞
　本願発明は、「マウント基板は、ボンディング金属層の材料以外の材料を含み、蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも５０パーセントを反射し、該ボンディング金属層は、半導体発光活性層によって放出された所定の周波数を有する光を反射する」と特定されているのに対して、引用発明１は、該特定を有しない点。 
 　
第６　判断  
　上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞について検討する。 
１　＜相違点１＞について
　＜相違点１＞に係る構成を、
　「発光ダイオードは、半導体発光活性層、ボンディング金属層、およびマウント基板を含む」点（「＜相違点１−１＞という。）及び
　「マウント基板は、ボンディング金属層が半導体発光活性層と該マウント基板の表面との間にあり、かつリードフレームが該マウント基板の反対側にある表面を支持するように、該ボンディング金属層を支持する」点（「＜相違点１−２＞という。）に分けて検討する。
（１）　＜相違点１−１＞について
　引用発明１と引用発明２は、ともに青色発光ダイオードを用いているから、引用発明１の「ＧａＮ系青色発光ダイオード４」を、引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」に置き換えることは、当業者が容易に想到し得ることと認められる。
　そして、引用発明１の「ＧａＮ系青色発光ダイオード４」を、引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」に置き換えると、引用発明１の「発光ダイオード」は、本願発明の「半導体発光活性層」に相当する「ＩｎＧａＮ活性層１３０」、本願発明の「マウント基板」に相当する「金属支持層１００」、本願発明の「ボンディング金属層」に相当する「『基板拡散貼り合わせ法』によって『金属支持層１００』に貼り合わされる、『反射度が重要であるため、Ｎｉ／Ａｇ、Ｐｔ／Ａｇ、Ｒｕ／Ａｇ、Ｉｒ／Ａｇなどの金属を使用する、ｐ型反射膜オーミック電極１１０』」を備えたものなる。
　
（２）　＜相違点１−２＞について
　引用発明１は「リードフレームが発光ダイオードを支持するＬＥＤランプ」であるから、引用発明１の「ＧａＮ系青色発光ダイオード４」を、引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」に置き換える際には、リードフレームが引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」を支持するように取り付けなければならない。
　そこで、引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」を、リードフレームに取り付けることについて検討する。
　引用例２には、引用発明の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」を、リードフレームに取り付けることについては記載されていない。しかしながら、優先日前に頒布された刊行物である、特開平６−６９５４６号公報（以下「周知例１」という。）、特開２００３−２７３４０７号公報（以下「周知例２」という。）及び特開２００２−１７０９８９号公報（以下「周知例３」という。）には、それぞれ、以下のアないしウの記載があることから、垂直型ＬＥＤ（一般に「導電性基板上に、活性層を含む半導体層が積層され、該半導体層の上と該導電性基板の下に、それぞれ電極が設けられた形式のＬＥＤ」を指す。）をリードフレームに取り付けるに際して、リードフレームが垂直型ＬＥＤの導電性基板を支持するように取り付けることは、周知の技術事項と認められる。
ア　周知例１の記載
（ア）　「【０００２】
【従来の技術】
従来、実用化されている発光ダイオード（ＬＥＤ）
素子チップ２４をリードフレーム４９に接着する場合には片方の電極をリードフレームのミラー部５０にハンダあるいは導電性ペーストにより接着し
　
（イ）　上記（ア）にいう「従来、実用化されている発光ダイオード（ＬＥＤ）」を示す図１２は、次のものである。
　
イ　周知例２の記載
（ア）　「【００４６】（実施形態３）ｎ−Ｓｉ基板上にＰ−Ｎ接合を含む窒化物系化合物半導体多層膜が形成されたＬＥＤチップを発光素子として備えたＬＥＤランプの実施の形態３の発明例について説明する。図３にＬＥＤランプの断面図を示し、以下に実施の形態３のＬＥＤランプの組み立て方法について説明する。
【００４７】ダイボンダーに固定したリードフレーム３０１のカップ３０２上にディスペンサにて第１の樹脂３０３を所定量塗布する。
【００４８】カップ３０２の底部の中央には、ＬＥＤチップ３０４の外周より少し大きな溝３０５が形成されており、この溝３０５が埋るように第１の樹脂３０３を塗布する。表面を水平にならし、一旦、第１の樹脂３０３を加熱硬化する。
【００４９】さらに、硬化した第１の樹脂３０３およびカップ３０２の底部上に、フィラーが添加されたチップ接着剤３０６を塗布し、塗布したチップ接着剤３０６上にＬＥＤチップ３０４を載置し、加熱硬化する。
【００５０】ＬＥＤチップ３０４の主面に形成されたｐ側パッド電極３０７は、ワイヤー３０８に通じて、また、
ＬＥＤチップ３０４の基板裏面に形成されたｎ側電極３０９は、チップ接着剤３０６を通じて、リードフレーム３０１と電気的に接続する
【００５１】その後、第２の樹脂３１０でモールドを行う。」
　
（イ）　上記（ア）で言及されている図３は、次のものである。
ウ　周知例３の記載
「【００５９】本発明の作製工程を詳細に説明する。
（１）ＧａＮ基板１０（厚さ２００μｍ）上に、実施例１と同様の方法で蛍光体層２３を形成し、前記蛍光体層を覆うように絶縁体ＳｉＯ2層を形成する。その幅は５０μｍ、厚さが２．５μｍ、隣接する蛍光体層間の間隔は１０μｍとした。この上に再成長ＧａＮ層１１を厚さ１００μｍ成長した。さらに、再成長ＧａＮ層１１の上に、蛍光体層２３を形成し、前記蛍光体層を覆うように絶縁体ＳｉＯ2層を形成する。その幅は４０μｍ、厚さが２．５μｍ、隣接する蛍光体層間の間隔は１０μｍとした。この上に積層するＧａＮ層１２の厚さは１５０μｍ成長した。蛍光体層２３としては、実施例１と同様の材料を用いることができる。
（２）その上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層３、窒化ガリウム系化合物半導体発光層４、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５を順次積層する。
（３）その上にＰ型厚膜電極６を形成する。ここで、
ｐ型厚膜電極６は、厚さ３ｎｍのＰｄと厚さ１μｍのＡｇで形成した
Ｐ型厚膜電極６側をカップ底部に載置し
　
　してみると、引用発明１の「ＧａＮ系青色発光ダイオード４」を、引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」に置き換える際に、リードフレームが引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」の導電性基板である「金属支持層」を支持するように取り付けることは、当業者が周知技術に基づいて適宜なし得たことと認められる。 
　そして、引用発明１において、「ＧａＮ系青色発光ダイオード４」を、引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」に置き換えるに際して、上記の取り付けの仕方を採用すれば、リードフレームが「金属支持層１００」（マウント基板）の下面を支持し、「ｐ型反射膜オーミック電極１１０」（ボンディング金属層）が「ＩｎＧａＮ活性層１３０」（半導体発光活性層）と「金属支持層１００」（マウント基板）の上面との間にあるものとなる、すなわち、＜相違点１−２＞に係る構成を備えることになる。
　
（３）　上記（１）及び（２）によれば、引用発明１において、本願発明の＜相違点１＞に係る構成を備えることは、当業者が引用発明２及び周知技術に基づいて容易に想到し得たものと認められる。 
　 　 
２　＜相違点２＞について
（１）　引用発明２における「ボンディング金属層」（ｐ型反射膜オーミック電極１１０）は、「垂直型ＬＥＤの場合には反射度が重要であるため、Ｎｉ／Ａｇ、Ｐｔ／Ａｇ、Ｒｕ／Ａｇ、Ｉｒ／Ａｇなどの金属」からなるものであり、これらの「垂直型ＬＥＤの場合には反射度が重要であるため」に選ばれた金属は、可視光をよく反射するから、「半導体発光活性層によって放出された所定の周波数を有する光を反射」するものと認められる。
　
（２）　「垂直型ＬＥＤ素子」の導電性基板は、その上の半導体層を支えたり、電極に電流を伝えたりする、導電性基板としての機能を果たせばよいのであるから、「ボンディング金属層」（ｐ型反射膜オーミック電極１１０）の材料（Ｎｉ／Ａｇ、Ｐｔ／Ａｇ、Ｒｕ／Ａｇ、Ｉｒ／Ａｇなどの金属）と同じ材料である必要はないものと解される。
　例えば、上記１（２）ウの「ｐ型厚膜電極６は、厚さ３ｎｍのＰｄと厚さ１μｍのＡｇで形成した」との記載によれば、周知例３における導電性基板は、ＰｄとＡｇからなっており、このＰｄとＡｇの組み合わせは、上記「Ｎｉ／Ａｇ、Ｐｔ／Ａｇ、Ｒｕ／Ａｇ、Ｉｒ／Ａｇ」に含まれていない。
　また、上記「第４　８」によれば、「マウント基板」（金属支持層）は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ａｇ、Ｐｔ及びＣｒのうち少なくともいずれか１種の金属でもよいと認められるところ、このうち、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒは、上記「Ｎｉ／Ａｇ、Ｐｔ／Ａｇ、Ｒｕ／Ａｇ、Ｉｒ／Ａｇ」に含まれていない。
　よって、引用発明２の「マウント基板」（金属支持層）の材料として、ボンディング金属層の材料以外の材料を用いることは、当業者が適宜なし得ることと認められる。
　
（３）　本願発明における「マウント基板は、・・・蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも５０パーセントを反射し」との構成は、かならずしも明確でない。例えば、本願発明のように、リードフレーム上のダイオードをレンズで封じ込めているＬＥＤは、ＬＥＤチップの光と蛍光体で変換された光の大部分が、レンズを介してリードフレーム上方に放射されるものであって、マウント基板に向かう光は相対的に少ないから、マウント基板が、蛍光体によってあらゆる方向に放出される全ての光の５０パーセント以上を反射することは想定できない。
　そこで、本願明細書の記載を参酌するに、本願明細書の発明の詳細な説明には、マウント基板が、蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光をどのように反射するかについての具体的な記載はないが、請求人は、平成２６年３月１０日の意見書の２頁１０ないし１７行で、「段落［０１２０］の『レンズの縁に衝突する光子の一部（ダイオードによって放出された光子および蛍光体によって放出された光子の両方）は、（Ｓｎｅｌｌの法則に基づいて、ならびに入射角および関連する屈折率に依存して）反射されてパッケージに戻され得る。反射された光子が、本発明にしたがう反射性基板（２５または３３）に衝突すると、それらは、反射し返され得、ランプ３５または４５の外に出る統計的に大きな確率を有し得る。』の記載からは、『マウント基板は、蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも５０パーセントを反射』することが明らかです。」と主張している。
　してみると、「マウント基板は、・・・蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも５０パーセントを反射し」とは、ＬＥＤチップの光と蛍光体で変換された光の大部分がレンズに向かい、そのうちレンズと空気との境界面に臨界角以上の角度で入射した光が該境界で反射してマウント基板方向に向かい、（反射率が大きい）マウント基板により、（５０パーセント以上であるかどうかは不明ながら大きい反射率で）反射されることを意味すると解される。
　一方、引用発明２の「マウント基板」（金属支持層）は金属であり、反射率が大きい（例えば、上記（２）で、引用発明２の「マウント基板」（金属支持層）の材料の例として挙げた「Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ」の反射率は、ＡｕとＣｒが６０〜７０％、Ａｌが７０〜７５％、ＣｕとＷが５０〜６０％である。）から、それに向かう光を高い反射率で反射するものと認められる。
　よって、引用発明において、「発光ダイオード」として、引用発明２の「垂直型ＧａＮ系青色ＬＥＤ」を採用した際には、「マウント基板は、・・・蛍光体によって放出された所定の周波数を有する光の少なくとも５０パーセントを反射し」との構成を備えるものと認められる。
　
（４）　上記（１）ないし（３）によれば、引用発明において、本願発明の上記＜相違点１＞に係る構成を備えた際には、同＜相違点２＞に係る構成を備えるものと認められる。
 
３　まとめ
　上記１及び２によれば、引用発明において、本願発明の上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が引用発明２及び周知技術に基づいて容易に想到し得たものと認められる。 
　また、該構成を備えることによる効果は、当業者が予想し得る程度のものと認められる。 
　したがって、本願発明は、当業者が引用例１、引用発明２及び周知技術に基づいて容易に発明することができたものである。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用例１、引用発明２及び周知技術に基づいて容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。