【事件の表示】
　特許第３３５２９９８号「半導体装置の作製方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５２９９８号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件特許第３３５２９９８号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願２０００−１８２３６５号）平成１２年　６月１９日
    （原出願　特願平３−２３８７１４号　出願日：平成３年８月２６日）
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１４年　９月２０日
　特許異議申立（特許異議申立人：山枡幸文）平成１５年　５月３０日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１６年　４月１３日（起案日）
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　平成１６年　６月１８日
　
第２．訂正の適否についての判断  
　１．訂正の内容
（１）訂正事項１                    
　特許請求の範囲の「【請求項１】絶縁性基板上にブロッキング膜を形成し、前記ブロッキング膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜と密着してシリコンからなる半導体膜を形成し、前記半導体膜とゲイト絶縁膜とゲイト電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に窒化珪素膜を形成し、その後アニール処理することを特徴とする、半導体装置の作製方法。」を
　「【請求項１】可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜と密着してシリコンからなる半導体膜を形成し、前記半導体膜とゲイト絶縁膜とゲイト電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に窒化珪素膜を形成し、その後アニール処理することを特徴とする、半導体装置の作製方法。」と訂正する。　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の「【請求項２】絶縁性基板上にブロッキング膜を形成し、前記ブロッキング膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜と密着してシリコンからなる半導体膜を形成し、前記半導体膜とゲイト絶縁膜とゲイト電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に窒化珪素膜を形成し、その後アニール処理し、前記窒化珪素膜上に層間絶縁膜を形成することを特徴とする、半導体装置の作製方法。」を
　「【請求項２】可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜と密着してシリコンからなる半導体膜を形成し、前記半導体膜とゲイト絶縁膜とゲイト電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に窒化珪素膜を形成し、その後アニール処理し、前記窒化珪素膜上に層間絶縁膜を形成することを特徴とする、半導体装置の作製方法。」と訂正する。
　
　２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）訂正事項１
　訂正事項１は、「絶縁性基板」を「可動イオンを含有する絶縁性基板」と訂正すること（訂正事項１−１）と、　「絶縁性基板上にブロッキング膜を形成し、前記ブロッキング膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し」を、「絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し」と訂正すること（訂正事項１−２）に区分できる。
  （２）訂正事項２
　訂正事項２は、「絶縁性基板」を「可動イオンを含有する絶縁性基板」と訂正すること（訂正事項２−１）と、　「絶縁性基板上にブロッキング膜を形成し、前記ブロッキング膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し」を、「絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し」と訂正すること（訂正事項２−２）に区分できる。 
　
　ここで、訂正事項１−１と訂正事項２−１は実質的に同じ訂正であり、訂正事項１−２と訂正事項２−２は実質的に同じ訂正であるので、訂正事項１−１及び訂正事項２−１と、訂正事項１−２及び訂正事項２−２についてそれぞれ検討する。
　
　（３）訂正事項１−１と訂正事項２−１について
　訂正事項１−１及び訂正事項２−１は、「絶縁性基板」について「可動イオンを含有する」という技術的限定を追加することにより、訂正前の請求項１又は２に係る発明の構成を限定しようとするものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに相当する。
　さらに、訂正事項１−１及び訂正事項２−１、即ち、「絶縁性基板」が「可動イオンを含有する」ものであることは、「例えば、ＴＮガラスは安価なガラス基板で耐熱性がよく、熱膨張率等がシリコンに近いため、液晶ディスプレー用の基板として好ましいものであるが、リチウムを５％程度含有している。このリチウムの一部はイオン化し、可動イオンとして半導体素子に侵入し、素子の劣化をもたらす。」（特許明細書第８段落参照）、「本発明では、以上のような汚染を抑制するために薄膜半導体素子の下部と上部にそれぞれ窒化珪素や酸化アルミニウム、酸化タンタル等の可動イオンに対してブロッキング作用を有する膜（ブロッキング膜）を形成したことを特徴とする。」（特許明細書第１０段落参照）、「図１では本発明を用いたＴＦＴが示されている。すなわち、絶縁性基板１０１上に第１のブロッキング膜１０２として第１の窒化珪素膜が形成されている。第１の窒化珪素皮膜は基板からの汚染を防ぐ効果を有する。」（特許明細書第１１段落参照）、「本発明によって、ナトリウム等の可動イオンの影響の少ないＴＦＴ等の薄膜状半導体素子を作製することができる。従来、可動イオンが存在するため素子が形成できなかった基板においても、ＴＦＴを形成することが可能となった。」（特許明細書第３５段落参照）の記載から明らかであり、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項１−１及び訂正事項２−１は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（４）訂正事項１−２と訂正事項２−２について
　訂正事項１−２及び訂正事項２−２は、「ブロッキング膜」を「窒化珪素膜」と「膜」の材質を限定することにより、訂正前の請求項１又は２に係る発明の構成を限定しようとするものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに相当する。
　さらに、訂正事項１−２及び訂正事項２−２については、「ブロッキング膜」としての「窒化珪素膜」は、「本発明では、以上のような汚染を抑制するために薄膜半導体素子の下部と上部にそれぞれ窒化珪素や酸化アルミニウム、酸化タンタル等の可動イオンに対してブロッキング作用を有する膜（ブロッキング膜）を形成したことを特徴とする。」（特許明細書第１０段落参照）、「図１では本発明を用いたＴＦＴが示されている。すなわち、絶縁性基板１０１上に第１のブロッキング膜１０２として第１の窒化珪素膜が形成されている。第１の窒化珪素皮膜は基板からの汚染を防ぐ効果を有する。」（特許明細書第１１段落参照）に明確に記載されており、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項１−２及び訂正事項２−２は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立についての判断    
　１．本件発明
　上記第２　３．で示したように上記訂正は認められるから、本件請求項１ないし６に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明６」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜と密着してシリコンからなる半導体膜を形成し、前記半導体膜とゲイト絶縁膜とゲイト電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に窒化珪素膜を形成し、その後アニール処理することを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【請求項２】可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜と密着してシリコンからなる半導体膜を形成し、前記半導体膜とゲイト絶縁膜とゲイト電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に窒化珪素膜を形成し、その後アニール処理し、前記窒化珪素膜上に層間絶縁膜を形成することを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【請求項３】　請求項２において、前記層間絶縁膜はＰＳＧ膜であることを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【請求項４】　請求項１乃至３のいずれか一項において、前記窒化珪素膜は減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、又は光ＣＶＤ法によって形成されることを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【請求項５】　請求項１乃至４のいずれか一項において、前記窒化珪素膜の厚さは５０〜１０００ｎｍであることを特徴とする、半導体装置の作製方法。　
【請求項６】　請求項１乃至５のいずれか一項において、前記アニール処理は熱アニールまたはレーザーアニールであることを特徴とする、半導体装置の作製方法。」
　
　２．特許異議申立の理由及び取消理由の概要
（１）特許異議申立の理由
　特許異議申立人山枡幸文は、証拠として、
刊行物１．（特許異議申立人提出の甲第１号証）特開平３−９５９３９号公報
刊行物２．（同甲第２号証）特開昭６４−　４７０７６号公報
刊行物３．（同甲第３号証）特開昭６４−　３２６７８号公報
刊行物４．（同参考資料１）特開昭６４−　３５９５９号公報
刊行物５．（同参考資料２）特開昭６０−１７０９７２号公報
刊行物６．（同参考資料３）特開平　３ー　３４４３４号公報
を提出して、本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１〜６に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨の主張をしている。
　
　（２）取消理由の概要
　当審で通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
　１）本件出願の下記の請求項１ないし６に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。      　　
　
　本件の請求項１ないし６に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１ないし６に記載された発明から、当業者が容易に発明することができたものである。
　よって、本件の請求項１ないし６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
　さらに、異議申立人山枡幸文が提出した特許異議申立書の「３．申立ての理由」を参照されたい。なお、甲第１号証ないし甲第３号証は、それぞれ刊行物１ないし刊行物３と、参考資料１ないし３は、それぞれ刊行物４ないし６と読み替えるものとする。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
刊行物１．特開平　３−　９５９３９号公報（異議申立人山枡幸文提出の甲第１号証）
刊行物２．特開昭６４−　４７０７６号公報（同甲第２号証）
刊行物３．特開昭６４−　３２６７８号公報（同甲第３号証）　
刊行物４．特開昭６４−　３５９５９号公報（同参考資料１）　
刊行物５．特開昭６０−１７０９７２号公報（同参考資料２）
刊行物６．特開平　３−　３４４３４号公報（同参考資料３）
　
  ３．刊行物に記載された発明
　（１）刊行物１に記載された発明　
　刊行物１は、半導体装置の製造方法（発明の名称）に関するものであり、第１図及び、第２図とともに以下の事項が記載されている。
・「（１）絶縁基体上に結晶性半導体薄膜を形成してなる半導体装置の製造方法において、前記の結晶性半導体薄膜の上下両端に、水素の拡散に対してバリアとなる第１、第２の絶縁膜をそれぞれ形成する工程と、前記の半導体薄膜中に水素を導入する工程と、その後に熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）前記の水素の拡散に対してバリアとなる絶縁膜として、減圧ＣＶＤ法、あるいは、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１及び２）
・「また、基板にガラスなどの安価な材料を用いると、基板材料中に含まれるＮａ+などのアルカリイオンが、プロセス中の熱処理によって移動し、基板との界面やシリコン薄膜中に可動イオンとして存在し、素子特性の劣化や、信頼性に問題を生じさせていた。
　これらの問題に対して、たとえば、素子形成後、素子の保護膜として、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜による水素パッシベーションを用いて、シリコン薄膜内の準位を減らし、移動度を高くすることが行われてきた。」（第２頁右上欄第１行〜第１１行）
・「さらに、水素の拡散に対してバリアとなる絶縁膜として、窒化シリコン膜を基体と半導体薄膜との間に形成することにより、ガラスなどの基板からのＮａ+などのアルカリイオンに対するブロッキングの効果が生じ、信頼性の向上が期待できる。」（第２頁左下欄第１９行〜右下欄第４行）
（２）刊行物２に記載された発明
　刊行物２は、ＭＯＳ型薄膜トランジスターの製造方法（発明の名称）に関するものであり、第２図及び、第３図とともに以下の事項が記載されている。
・「１．絶縁基板上にＳｉ半導体活性層を形成し、その表面を熱酸化してゲート酸化膜を形成し、ついでその上にゲート用Ｓｉ半導体膜を形成する工程を含むＭＯＳ型薄膜トランジスターの製造方法において、ゲート酸化膜形成後又はゲート用Ｓｉ半導体薄膜形成後、ハロゲンイオンの打込みを行うことを特徴とするＭＯＳ型薄膜トランジスターの製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
・「以上のような製造方法においてゲート酸化膜の形成工程、即ちＳｉ半導体活性層の熱酸化工程は、酸化膜中及び界面に存在するアルカリイオン、外部から侵入するアルカリイオン等の好ましくない不純物をゲッタリングしてトランジスタ−の信頼性を向上するために、通常Ｏ２ガス中にＣｌ２等のハロゲン単体又はハロゲン化水素を例えば２％程度添加した雰囲気中で行われている。しかしこのような熱拡散法ではハロゲンは活性層中に僅かしか入らないためゲッタリング効果が低い・・・」（第２頁左上欄第３行〜第１３行）
・「本発明の目的はゲート酸化膜側からハロゲンイオンの打込みを行なうことにより、充分なゲッタリング効果が得られる上、ハロゲン注入量の制御も容易なＭＯＳ型薄膜トランジスターの製造方法を提供することである。」（第２頁右上欄第２行〜第６行）
・「以上の如く本発明方法はゲート酸化膜側からハロゲンイオンの打込み工程を加えたので、充分なゲッタリング効果が得られ、トランジスタ−の信頼性が向上する上、ハロゲン注入量の制御も容易となる。」（第３頁右上欄第１５行〜第１９行）
（３）刊行物３に記載された発明
　刊行物３は、薄膜トランジスタ（発明の名称）に関するものであり、第２図とともに以下の事項が記載されている。
・「多結晶Ｓｉを活性層とするＭＯＳ型薄膜トランジスタにおいて、（イ）ＳｉＮｘＨｙ膜と、（ロ）ノンドープＳｉＯ２、ＰドープＳｉＯ２およびＢドープＳｉＯ２よりなる群から選らばれたＳｉＯ２系膜よりなる層間絶縁膜から前記活性層中に水素が拡散していることを特徴とするＭＯＳ型薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲請求項１）
・「これらのＳｉＯ２膜はＳｉＮｘＨｙよりステップカーバー性が良く、膜応力も小さいので良好な層間絶縁膜となるが好ましくはＰＳＧ膜を用い製膜後リフローさせたものが良い。・・・」（第２頁右上欄第１７行〜第２０行）
（４）刊行物４に記載された発明
　刊行物４は、薄膜トランジスタ（発明の名称）に関するものであり、第２図及び、第３図ともに以下の事項が記載されている。
・「絶縁基板上のチャンネルを形成する活性層とゲート電極との間のゲート絶縁膜が堆積法により作製したＳｉＯ２膜をハロゲン原子を含む酸素雰囲気中でアニールしたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲請求項１）
・「以上、本発明の薄膜トランジスタの代表的製造例を示したが、絶縁基板１に含まれる不純物が活性層５に向けて拡散するのを防ぐために活性層５と絶縁基板１との間にＰＳＧ膜及びＳｉＯ２膜からなる２層の絶縁膜を設けても良い。」（第３頁右上欄第６行〜第１０行）
（５）刊行物５に記載された発明
　刊行物５は、薄膜半導体装置（発明の名称）に関するものであり、図面とともに以下の事項が記載されている。
・「上述の実施例においては、ガラス基板１上にＰＳＧ膜２及びＳｉＯ２膜３を形成し、このＳｉＯ２膜３上に薄膜半導体素子、即ちソース５、ドレイン６、ゲート電極１０等から成るＭＯＳ　ＴＦＴを形成しているので次のような利点がある。即ち、ＰＳＧ膜２は特にＮａ+、Ｋ+等のアルカリイオンに対して拡散阻止能を有するため、ＭＯＳ　ＴＦＴの製造後または製造中にガラス基板１に含まれている例えばＮａ+がＰＳＧ膜２を通ってＭＯＳ　ＴＦＴに侵入することがない。・・・」（第２頁右上欄第１１行〜２０行）
・「上述の実施例においては、不純物イオンの拡散阻止層としてＰＳＧ膜２を用いているが、Ｎａ+等の不純物イオンに対して拡散阻止能を有していれば他の種類の材料から成る膜を用いてもよく、例えばプラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉ３Ｎ４膜（プラズマＳｉ３Ｎ４膜）を用いてもよい。」（第２頁左下欄第１５行〜第２０行）
・「・・・なお、不純物イオンの拡散阻止層として上述のプラズマＳｉ３Ｎ４膜を用いた場合、このプラズマＳｉ３Ｎ４膜上に直接非晶質シリコン層７を形成すると界面準位が多いため界面特性が悪いが、プラズマＳｉ３Ｎ４膜と非晶質シリコン層７との間にＳｉＯ２膜３を形成すればこの問題はなくなり、界面特性が良好である。」（第２頁右下欄第７行〜第１３行）  
（６）刊行物６に記載された発明
　刊行物６は、薄膜半導体装置及びその製造方法（発明の名称）に関するものであり、第２図とともに以下の事項が記載されている。
・「絶縁性基板と該基板上に形成された半導体層とを有する薄膜半導体装置の製造方法において、上記半導体層に第１の不純物を導入して熱処理した後、上記半導体層の所定領域に上記第１の不純物より高濃度の第２の不純物を導入して、エネルギビームを照射することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　
４．本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　（１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１ないし６に記載された発明とを対比すると、刊行物１ないし６には、本件発明１の構成要素である、「可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成」する工程を備えた「半導体装置の作製方法」が記載されていない。　
　
　本件発明１は、上記構成要素により、「本発明によって、ナトリウム等の可動イオンの影響の少ないＴＦＴ等の薄膜状半導体素子を作製することができる。従来、可動イオンが存在するため素子が形成できなかった基板においても、ＴＦＴを形成することが可能となった。」（第３５段落参照）という特許明細書に記載された顕著な効果を奏する。　
　　
　なお、刊行物１には、アルカリイオンなどの可動イオンを含んだ「絶縁基体上に結晶性半導体薄膜を形成してなる半導体装置の製造方法において、前記の結晶性半導体薄膜の上下両端に、水素の拡散に対してバリアとなる第１、第２の絶縁膜」として「減圧ＣＶＤ法、あるいは、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜」を「それぞれ形成する工程と、前記の半導体薄膜中に水素を導入する工程と、その後に熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１及び２）と、「さらに、水素の拡散に対してバリアとなる絶縁膜として、窒化シリコン膜を基体と半導体薄膜との間に形成することにより、ガラスなどの基板からのＮａ+などのアルカリイオンに対するブロッキングの効果が生じ、信頼性の向上が期待できる。」（第２頁左下欄第１９行〜右下欄第４行）ことは記載されており、絶縁基体上に形成された「絶縁膜」が「ガラスなどの基板からのＮａ+などのアルカリイオンに対するブロッキングの効果」を備える「半導体装置の製造方法」は記載されているものの、刊行物１には、少なくとも、本件発明１の、「可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成」することについては、記載も示唆もされていない。
　
　刊行物２には、「絶縁基板上にＳｉ半導体活性層を形成し、その表面を熱酸化してゲート酸化膜を形成し、ついでその上にゲート用Ｓｉ半導体膜を形成する工程を含むＭＯＳ型薄膜トランジスターの製造方法において、ゲート酸化膜形成後又はゲート用Ｓｉ半導体薄膜形成後、ハロゲンイオンの打込みを行うことを特徴とするＭＯＳ型薄膜トランジスターの製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）が記載されており、前記「ＭＯＳ型薄膜トランジスターの製造方法」により、ゲート絶縁膜に結果としてハロゲンイオンを導入した膜を形成することは記載されているものの、刊行物２には、少なくとも、本件発明１の、「可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成」することについては、記載も示唆もされていない。
　
  刊行物３には、 「多結晶Ｓｉを活性層とするＭＯＳ型薄膜トランジスタにおいて、（イ）ＳｉＮｘＨｙ膜と、（ロ）ノンドープＳｉＯ２、ＰドープＳｉＯ２およびＢドープＳｉＯ２よりなる群から選ばれたＳｉＯ２系膜よりなる層間絶縁膜から前記活性層中に水素が拡散していることを特徴とするＭＯＳ型薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲請求項１）及び、「これらのＳｉＯ２膜はＳｉＮｘＨｙよりステップカーバー性が良く、膜応力も小さいので良好な層間絶縁膜となるが好ましくはＰＳＧ膜を用い成膜後リフローさせたものが良い。」（第２頁右上欄第１７行〜第２０行）ことについては記載されているが、刊行物３には、少なくとも、本件発明１の、「可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成」することについては、記載も示唆もされていない。
　　
　また、刊行物４ないし６においても、少なくとも、本件発明１の、「可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成」することについては、記載も示唆もされていない。
　　
　さらに、本件発明１の発明の構成に欠くことできない事項である「窒化珪素膜膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成」する工程が記載も示唆もされていない刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、本件発明１の発明の構成に欠くことできない事項である「可動イオンを含有する絶縁性基板上に窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜膜上にハロゲンを含有する酸化珪素膜を形成」する工程を、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　したがって、本件発明１は、刊行物１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１における「その後アニール処理すること」を、「その後アニール処理し、前記窒化珪素膜上に層間絶縁膜を形成すること」と、アニール処理後に、さらに「前記窒化珪素膜上に層間絶縁膜を形成する」なる技術的限定を付加したものであるから、本件発明２についての判断は、「本件発明１について」において検討したとおりである。
　
　（３）本件発明３について
   本件発明３は、本件発明２に「前記層間絶縁膜はＰＳＧ膜であること」なる限定構成を付したものであるから、「本件発明２について」において検討したとおりである。
　
　（４）本件発明４について
   本件発明４は、本件発明１ないし本件発明３に「前記窒化珪素膜は減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、又は光ＣＶＤ法によって形成されること」なる限定構成を付したものであるから、「本件発明１について」又は「本件発明２について」において検討したとおりである。
　　
　（５）本件発明５について
   本件発明５は、本件発明１ないし本件発明４に「前記窒化珪素膜の厚さは５０〜１０００ｎｍであること」なる限定構成を付したものであるから、「本件発明１について」又は「本件発明２について」において検討したとおりである。
　
　（６）本件発明６について
   本件発明６は、本件発明１ないし本件発明５に「前記アニール処理は熱アニールまたはレーザーアニールであること」なる限定構成を付したものであるから、「本件発明１について」又は「本件発明２について」において検討したとおりである。
　
５．　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び取消理由によっては本件発明１ないし６についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし６についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１ないし６についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認めない。　
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月２４日（２００４．９．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の作製方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
可動イオンを含有する
窒化珪素
窒化珪素
　【請求項２】　
可動イオンを含有する
窒化珪素
窒化珪素
　【請求項３】　請求項２において、前記層間絶縁膜はＰＳＧ膜であることを特徴とする、半導体装置の作製方法。
　【請求項４】　請求項１乃至３のいずれか一項において、前記窒化珪素膜は減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、又は光ＣＶＤ法によって形成されることを特徴とする、半導体装置の作製方法。
　【請求項５】　請求項１乃至４のいずれか一項において、前記窒化珪素膜の厚さは５０〜１０００ｎｍであることを特徴とする、半導体装置の作製方法。
　【請求項６】　請求項１乃至５のいずれか一項において、前記アニール処理は熱アニールまたはレーザーアニールであることを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、信頼性および量産性に優れ、歩留りの高い、薄膜トランジスタ等の薄膜状半導体装置およびその製造方法に関する。本発明は、その応用分野として、例えば、液晶ディスプレーや薄膜イメージセンサー等の駆動回路あるいは３次元集積回路等を構成せんとするものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、半導体集積回路は、シリコン等の半導体基板上に形成されたモノリシック型が中心であったが、近年、ガラスやサファイヤ等の絶縁基板上に形成することが試みられている。その理由としては、基板と配線間の寄生容量が低下して動作速度が向上することと、特に石英その等のガラス材料は、シリコンウェファーのような大きさの制限がなく、安価であること、素子間の分離が容易で、特にＣＭＯＳのモノリシック集積回路で問題となるようなラッチアップ現象がおこらないこと等のためである。また、以上のような理由とは別に液晶ディスプレーや密着型イメージセンサーにおいては、半導体素子と液晶素子あるいは光検出素子とを一体化して構成する必要から、透明な基板上に薄膜トラジスター（ＴＦＴ）等を形成する必要がある。
　【０００３】
　このような理由から絶縁性基板上に薄膜状の半導体素子が形成されるようになった。従来の薄膜状半導体素子の例として、ＴＦＴを図５に示す。図に示されるように、絶縁性基板５０１上に、パッシベーション膜として、酸化珪素等の被膜５０３が形成され、その上にＴＦＴが他のＴＦＴとは独立して形成される。ＴＦＴは、モノリシック集積回路のＭＯＳＦＥＴと同様に、ソース（ドレイン）領域５０７とドレイン（ソース）領域５０９、それらに挟まれたチャネル形成領域（単にチャネル領域ともいう）５０８、ゲイト絶縁膜５０４、ゲイト電極５１０、そして、ソース（ドレイン）電極５１１とドレイン（ソース）電極５１２を有している。また、多層配線が可能なようにＰＳＧ等の層間絶縁物５０６が設けられる。
　【０００４】
　図５の例は、順コプラナー型と呼ばれるものであるが、ＴＦＴでは、ゲイト電極とチャネル領域の配置の様子によって、これ以外に逆コプラナー型、順スタガー型、逆スタガー型とよばれる形態があるが、その詳細については他の文献に任せるとして、ここではこれ以上、言及しない。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　モノリシック集積回路においても、ナトリウムやカリウムのようなアルカリイオン、あるいは鉄、銅、ニッケル等の遷移金属イオンによる汚染は深刻な問題であり、これらのイオンの侵入を食い止めるために、非常な注意が払われてきた。ＴＦＴでも、それらのイオンの問題は同様に重大なもので、極力、汚染がないように生産工程の清浄化には注意が向けられている。また、素子にもこれらの汚染が及ばないように対策が講じられている。
　【０００６】
　薄膜状半導体素子がモノリシック集積回路と異なることは、基板中の汚染イオンの濃度が比較的高いということである。すなわち、モノリシック集積回路に使用される単結晶シリコンは、長年の技術の蓄積によって、これらの有害な汚染元素を排除するようにして生産されており、現在市販されているものでは、これらの汚染元素は１０１０ｃｍ−３以下である。
　【０００７】
　しかしながら、一般に薄膜状半導体素子用の絶縁性基板の汚染元素濃度は低くない。もちろん、スピネル基板やサファイヤ基板のような単結晶基板では、上記汚染源となる異元素の濃度を低減することが理論的には可能であるが、採算面から現実的ではない。また、石英基板は、高純度シランガスと酸素を原料として、気相反応で製造すれば、理想的には異元素の侵入を食い止めることが可能であるが、構造がアモルファスであるので、いったん異元素が取り込まれた場合にこれを外部に吐き出すことが困難である。また、液晶ディスプレーに使用される基板は特にコストの問題が優先するため、価格の低いものを用いる必要があり、そのようなものでは製造・加工を容易にするため、最初から、各種の異元素を含有している。これらの異元素自体が半導体素子にとって好ましくないものもあるし、これらの異元素を添加する過程で、外部から混入し、あるいは添加材料に不純物として含まれる場合がある。
　【０００８】
　例えば、ＴＮガラスは安価なガラス基板で耐熱性がよく、熱膨張率等がシリコンに近いため、液晶ディスプレー用の基板として好ましいものであるが、リチウムを５％程度含有している。このリチウムの一部はイオン化し、可動イオンとして半導体素子に侵入し、素子の劣化をもたらす。また、このリチウムは９９％以上の高純度のものを製造することが難しく、通常、０．７％程度のナトリウムが含まれている。ナトリウムのイオン化率は１０％程度で、極めて大きく、このナトリウムイオンは素子の特性に極めて深刻な影響をもたらす。
　【０００９】
　従来の薄膜状半導体素子では、図５に示すように、この可動イオンの侵入に対しては、酸化珪素等をパッシベーション膜として使用し、また、層間絶縁物をＰＳＧやＢＰＳＧとすることによってこれらの可動イオンをゲッタリングすることによって対処されてきた。しかしながら、これらの方法では汚染を十分に防ぐことは困難であった。本発明は、これらの汚染元素・イオンを侵入によって素子が劣化することを抑制することを目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明では、以上のような汚染を抑制するために薄膜半導体素子の下部と上部にそれぞれ窒化珪素や酸化アルミニウム、酸化タンタル等の可動イオンに対してブロッキング作用を有する膜（ブロッキング膜）を形成したことを特徴とする。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　本発明の典型的な例は図１に示される。図１では本発明を用いたＴＦＴが示されている。すなわち、絶縁性基板１０１上に第１のブロッキング膜１０２として第１の窒化珪素膜が形成されている。第１の窒化珪素皮膜は基板からの汚染を防ぐ効果を有する。そして、第１の窒化珪素膜上に、例えば酸化珪素のようなシリコン材料と密着性のよい皮膜１０３を形成する。この皮膜１０３を形成せずして、直接、半導体皮膜を第１の窒化珪素上に形成し、ＴＦＴを作製すると、窒化珪素と半導体材料の界面に生ずるトラップ準位によってチャネル領域が導通化し、ＴＦＴが動作しなくなる。したがって、このような緩衝体を設けることは重要である。
　【００１２】
　皮膜１０３上にはＴＦＴが形成される。ＴＦＴは、ソース（ドレイン）領域１０７とドレイン（ソース）領域１０９、それらに挟まれたチャネル領域１０８、ゲイト絶縁膜１０４、ゲイト電極１１０を有する。ＴＦＴのソース、ドレイン、チャネル各領域は単結晶もしくは多結晶、あるいはアモルファスの半導体材料で形成される。半導体材料としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化珪素、およびこれらの合金が使用されうる。
　【００１３】
　そして、このＴＦＴを覆って、第２のブロッキング膜１０５として第２の窒化珪素皮膜が形成される。ここで、第２の窒化珪素皮膜が、ＴＦＴの作製の後で、かつ、ソースおよび／またはドレインに電極が形成される前に形成されることが本発明の特徴とするところである。従来の技術では、電極形成後にファイナルパッシベーション膜としての窒化珪素膜が形成されたが、本発明はそのような意味で形成される窒化珪素膜とは目的が異なる。すなわち、本発明における第２の窒化珪素膜は、第１の窒化珪素膜とともにＴＦＴを包み込んでしまうために形成されるのであり、ＴＦＴ形成後の電極形成の工程での汚染をも防ぐことを意図するものである。したがって、本発明によってＴＦＴとそれに付随する電極や配線を形成した後、従来のようにファイナルパッシベーション膜として窒化珪素膜を形成してもよい。
　【００１４】
　さて、第２の窒化珪素膜形成後に、層間背絶縁材料、例えばＰＳＧ等によって、層間絶縁膜１０６を形成し、ソース（ドレイン）電極１１１とドレイン（ソース）電極１１２を形成する。
　【００１５】
　図１の例では、しかしながら、ゲイト絶縁膜が遠方に延びており、その端部からＴＦＴ内部に侵入する可能性がある。これを改良したものが、図２に示される例で、ゲイト絶縁膜はＴＦＴ上にしかないため、図１のような問題はない。しかしながら、この場合はチャネル領域に隣接した部分のソース領域およびドレイン領域が窒化珪素膜に接触しているため、この部分の窒化珪素がゲイト電圧によって分極し、あるいは電子をトラップして、ＴＦＴの動作を妨げることがある。
　【００１６】
　その問題を克服した例が図３に示される。ここでは、チャネル領域に隣接したソース領域およびドレイン領域は窒化珪素膜に隣接していない。したがって、窒化珪素の分極や電子トラップという困難は解決される。しかしながら、ソースおよびドレイン領域の形成にあたって、ゲイト電極をマスクとするセルフアラインプロセスを採用する場合には、この例では図１の例と同様に、ゲイト絶縁膜を通して、アクセプターあるいはドナー元素を注入しなければならず、そのためイオン注入法を採用するのであれば、イオンの加速エネルギーを高める必要がある。その際、高速イオンが注入される結果、その２次散乱によってソースおよびドレイン領域が広がることがある。
　【００１７】
　図２において、２０１は絶縁性基板、２０２は第１の窒化珪素膜、２０３は酸化珪素等の緩衝用絶縁膜、２０４はゲイト絶縁膜、２０５は第２の窒化珪素膜、２０６は層間絶縁膜、２０７はソース（ドレイン）領域、２０８はチャネル領域、２０９はドレイン（ソース）領域、２１０はゲイト電極、２１１はソース（ドレイン）電極、２１２はドレイン（ソース）電極である。また、図３において、３０１は絶縁性基板、３０２は第１の窒化珪素膜、３０３は酸化珪素等の緩衝用絶縁膜、３０４はゲイト絶縁膜、３０５は第２の窒化珪素膜、３０６は層間絶縁膜、３０７はソース（ドレイン）領域、３０８はチャネル領域、３０９はドレイン（ソース）領域、３１０はゲイト電極、３１１はソース（ドレイン）電極、３１２はドレイン（ソース）電極である。
　【００１８】
　本発明において、ブロッキング膜として窒化珪素膜を用いる場合には、化学式でＳｉＮｘで表したとき、ｘ＝１．０からｘ＝１．７が適し、特に、ｘ＝１．３からｘ＝１．３５の化学量論的組成（ｘ＝１．３３）のもの、あるいはそれに近いのものでよい結果が得られた。したがって、本発明では、窒化珪素は減圧ＣＶＤ法によって形成する方が良かった。しかしながら、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法で形成された窒化珪素皮膜であっても、本発明を使用しない場合に比べて素子の信頼性が向上することは言うまでもない。
　【００１９】
　減圧ＣＶＤ法によって、窒化珪素膜を形成しようとすれば、原料ガスとしてジクロールシラン（ＳｉＣｌ２Ｈ２）とアンモニア（ＮＨ３）を用い、圧力１０〜１０００Ｐａで５００〜８００℃、好ましくは５５０〜７５０℃で反応させればよい。もちろん、シラン（ＳｉＨ４）やテトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）を用いてもよい。
　【００２０】
　さらに、窒化珪素以外に酸化アルミニウムや酸化タンタルがブロッキング膜として用いられることは先に述べた通りである。これらの被膜を形成するには、ＣＶＤ法やスパッタ法を用いればよい。例えば、酸化アルミニウム膜の形成には、トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ３）３を酸化窒素（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２）等と酸化反応させればよい。
　【００２１】
　図４には、本発明を使用して、公知の技術である低不純物濃度ドレイン（ＬＤＤ）を形成する例を示した。まず、石英あるいはＡＮガラス等の絶縁性基板４０１上に減圧ＣＶＤ法によって窒化珪素膜４０２を厚さ５０〜１０００ｎｍ形成する。このとき、基板の表面だけでなく、裏面をも窒化珪素膜で被覆してしまうと本発明をより確実に効果的に実施できる。すなわち、製造工程においては裏面から発生した可動イオン（それらは基板に含まれているのだが）が、さまざまな理由によって表面に到達することがよくあり、その結果、例えば、ゲイト酸化膜作製中に膜中に可動イオンが侵入する。また、裏面が可動イオンの発生源であると、成膜装置等の製造装置は絶えず、可動イオンによって汚染されているので、製造装置の清浄度を保つうえでも、基板の裏面に窒化珪素膜を設けることは必要なことである。窒化珪素膜の上に緩衝用の酸化珪素皮膜４０３を同じく減圧ＣＶＤ法によって、厚さ５０〜１０００ｎｍ形成する。この際、原料ガス中に体積比で３％から６％、例えば５％ほどの塩化水素等のハロゲンを含むガスを混入させておくと、得られる酸化珪素膜中にハロゲン元素が取り込まれる。このハロゲンはナトリウム等のアルカリイオンと結合して、ナトリウムを固定するので、ナトリウム汚染を防ぐうえでより大きな効果が得られる。しかし、過剰なハロゲンの添加は膜を粗にし、密着性や表面の平坦性を損なうので好ましくない。
　【００２２】
　次にドナーもアクセプターも添加されない非晶質シリコン膜を減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法、あるいはスパッタ法によって厚さ２０〜５００ｎｍだけ形成する。そして、これを島上にエッチングする。その上にゲイト絶縁膜として、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化珪素膜を減圧ＣＶＤ法、あるいはスパッタ法によって形成する。この際も、先のように、原料ガス中、あるいはスパッタガス中にハロゲン材料ガスを混入させておくとよい。
　【００２３】
　そして、その上に減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法によって、リンが１０２１ｃｍ−３程度にドープされた多結晶あるいは微結晶シリコン膜を形成する。そして、このシリコン膜およびその下のゲイト絶縁膜（酸化珪素）をパターニングし、ゲイト電極４１０とゲイト絶縁膜４０４を形成する。
　【００２４】
　さらに、このゲイト電極をマスクとしてセルフアライン的にイオン注入をおこない、比較的不純物濃度の小さい（１０１７〜１０１９ｃｍ−３程度）ソース（ドレイン）領域４０７、ドレイン（ソース）領域４０８を形成する。不純物の注入されなかった部分がチャネル領域４０８として残る。こうして、図４（Ａ）が得られる。
　【００２５】
　次に、図４（Ｂ）に示すように減圧ＣＶＤ法によって、全体にＰＳＧ膜４１３が形成される。そして、これを公知の方向性エッチングによってエッチングし、ゲイト電極の横に側壁４１４を形成する。その後、再び、イオン注入をおこない、不純物濃度の高いソース（ドレイン）領域４０７ａとドレイン（ソース）領域４０９ａを形成する。不純物濃度の低い領域はソース（ドレイン）領域４０７ｂとドレイン（ソース）領域４０９ｂとなって、ＬＤＤを形成する。こうして、図４（Ｃ）を得る。
　【００２６】
　その後、図４（Ｄ）に示すように、減圧ＣＶＤ法によって、全体に窒化珪素膜４０５を、厚さ５０〜１０００ｎｍ形成する。その後、例えば、６００℃程度の低温アニールによってシリコン膜の結晶化をおこない、ソース、ドレイン領域の活性化をおこなう。この工程はレーザーアニールでおこなってもよい。このようにして、ＴＦＴの中間体が得られる。
　【００２７】
　図４の例は、本発明の例を示したに過ぎず、本発明が、上記の工程に制約されないことは明らかであろう。図４の例では、図３の例と同様に、窒化珪素膜とゲイト電極とソースあるいはドレイン領域が隣接する部分がない。すなわち、図２の場合とは違って、側壁４１４が存在するため、図２で懸念されたような問題はない。さらに、図３とは異なって、ドナーやアクセプターの添加は容易におこなえるという特徴を有する。
　【００２８】
　【実施例】
　本発明を用いたＴＦＴの特性について記述する。本実施例で使用したＴＦＴは石英ガラス基板上に図４のプロセスに従って作製したＬＤＤ型ＴＦＴである。まず、石英ガラス基板４０１上およびその裏面と側面（すなわち、基板全体）に減圧ＣＶＤ法によって窒化珪素膜４０２を厚さ１００ｎｍ形成し、さらに、連続的に減圧ＣＶＤ法によって酸化珪素膜（低温酸化膜（ＬＴＯ膜）ともいう）４０３を厚さ２００ｎｍ形成し、最後に、やはり減圧ＣＶＤ法によって非晶質シリコン膜を厚さ３０ｎｍ形成した。このときの最高プロセス温度は６００℃であった。次に、非晶質シリコン膜を島状にパターニングした。そして、その非晶質シリコン膜の表面のごく薄い部分、厚さ２〜１０ｎｍを陽極酸化法によって酸化した。その後、スパッタ法によって酸化珪素膜を１００ｎｍ形成した。ここで、スパッタ雰囲気は酸素とアルゴンもしくは他の希ガスの混合気体とし、かつ、酸素の分圧を８０％以上とした。このとき、スパッタ衝撃によって、下地の膜に欠陥が生じる。例えば、下地がシリコン膜であった場合には、シリコン中に酸素原子が打ち込まれ、酸素の濃度が増加する。このような状態ではシリコンは極在準位の多いものとなってしまう。すなわち、シリコンと酸化珪素の境界がはっきりしないものとなってしまう。しかし、本実施例のように予め薄い陽極酸化膜を形成しておけば、スパッタの際には既に酸化珪素が存在しているため、上記のような原子の混合が避けられ、シリコン膜と酸化珪素膜の境界は保たれる。
　【００２９】
　この酸化珪素膜の形成後、減圧ＣＶＤ法によって、リンを１０２１ｃｍ−３程度含んだｎ＋型の微結晶珪素膜を厚さ３００ｎｍ形成した。以上の被膜形成の最高プロセス温度は６５０℃であった。その後、ゲイト電極のパターニングをおこないゲイト電極４１０とゲイト絶縁膜４０４を形成した。さらに、イオン打ち込みによって砒素イオンを２×１０１８ｃｍ−３だけ注入し、ソースおよびドレイン領域４０７、４０９を形成した。こうして、図４（Ａ）を得た。
　【００３０】
　次いで、図４（Ｂ）のように減圧ＣＶＤ法によってＰＳＧ膜４１３を形成し、方向性エッチングによって、図４（Ｃ）に示される側壁４１４を形成した。さらに、イオン打ち込み法によって砒素イオンを領域４０７ａおよび４０９ａに５×１０２０ｃｍ−３注入した。
　【００３１】
　その後、全体に窒化珪素膜４０５を減圧ＣＶＤ法によって形成した。こうして、図４（Ｄ）を得た。その後、真空中６２０℃で４８時間アニールして、領域４０７ａ、４０７ｂ、４０８、４０９ａ、４０９ｂを活性化させた。そして、減圧ＣＶＤ法によって層間絶縁物として、全体にＰＳＧ膜を形成し、電極用の穴を開け、アルミ電極をソース領域およびドレイン領域に形成した。そして、最後に、パッシベーションの目的で全体に再び、減圧ＣＶＤ法によって窒化珪素膜を形成した。
　【００３２】
　このようにして形成されたＴＦＴは極めて信頼性の高いものであった。いわゆるバイアス−温度処理（ＢＴ処理）によっても素子の動作特性が変化しないことが示された。その例を図６に示す。ＢＴ処理は図６中に示された回路図のように配線して、加温中でゲイト（Ｇ）とソース（Ｓ）、ドレイン（Ｄ）間にバイアス電圧ＶＢを加えることによっておこなった。具体的には、作製後直ちに室温でＴＦＴのゲイト電圧−ドレイン電流特性を測定し（ＶＢ＝０）、その後、１５０℃で１時間、ゲイト電極に＋２０Ｖの電圧を加え、室温でＴＦＴのゲイト電圧−ドレイン電流特性を測定し（ＶＢ＝＋２０Ｖ）、次に、再び、１５０℃で１時間、ゲイト電極に今度は−２０Ｖの電圧を加え、その後、室温でＴＦＴのゲイト電圧−ドレイン電流特性を測定し（ＶＢ＝−２０Ｖ）、ＴＦＴのしきい値電圧の変動を調べた。
　【００３３】
　図６（Ｂ）が以上に記載した方法によって作製したＴＦＴの特性である。このように、バイアス電圧ＶＢに全く特性が影響されず、精密な測定の結果、しきい値電圧の変動は０．２Ｖ以下であった。
　【００３４】
　一方、図６（Ａ）に示されるものは、窒化珪素膜４０２と４０５を設けなかった以外は本実施例に示した方法と全く同じプロセスで作製したものであるが、図から明らかなように特性がＶＢに大きく依存してしまっている。このような特性の変動（しきい値電圧の変動）は、ゲイト絶縁膜中のナトリウム等の可動イオンによるものと説明され、変動が大きいほど可動イオンが多く、また、図６（Ｂ）のように変動が少ないものは可動イオンの量がすくないと説明されている。しきい値電圧の変動幅から本実施例で作製したＴＦＴのゲイト電極中の可動イオンの量は８×１０１０ｃｍ−３程度であると推定される。すなわち、本発明のように窒化珪素膜を設けることによって、ＴＦＴの特性を著しく改善し、信頼性を向上せしめることが可能であることが示された。
　【００３５】
　【発明の効果】
　本発明によって、ナトリウム等の可動イオンの影響の少ないＴＦＴ等の薄膜状半導体素子を作製することができる。従来、可動イオンが存在するため素子が形成できなかった基板においても、ＴＦＴを形成することが可能となった。本発明を実施するには、図１ないし図４のようにコプラナ型であっても、また、逆コプラナ型やスタガ型、逆スタガ型のＴＦＴを用いても構わない。また、本発明は、薄膜状半導体素子の動作について制約を加えるものではないので、トランジスタのシリコンはアモルファスであっても、多結晶であっても、微結晶であっても、またそれらの中間状態のものであっても、さらには単結晶であっても構わないことは明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
本発明によるＴＦＴの例を示す。
　【図２】
本発明によるＴＦＴの例を示す。
　【図３】
本発明によるＴＦＴの例を示す。
　【図４】
本発明によるＴＦＴの作製例を示す。
　【図５】
従来のＴＦＴの例を示す。
　【図６】
本発明を利用したＴＦＴと利用しないＴＦＴの特性を示す。
　【符号の説明】
　１０１　　　　　絶縁性基板
　１０２　　　　　第１のブロッキング膜
　１０３　　　　　緩衝絶縁膜
　１０４　　　　　ゲイト絶縁膜
　１０５　　　　　第２のブロッキング膜
　１０６　　　　　層間絶縁膜
　１０７　　　　　ソース（ドレイン）領域
　１０８　　　　　チャネル領域
　１０９　　　　　ドレイン（ソース）領域
　１１０　　　　　ゲイト電極
　１１１　　　　　ソース（ドレイン）電極
　１１２　　　　　ドレイン（ソース）電極