【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サージ保護システムを有するイオン注入システムであって、該イオン注入システムが、
イオン源アセンブリと、
このイオン源アセンブリを駆動する高電圧電源と、
この高電圧電源の出力端と前記イオン源アセンブリとの間に直列に結合された熱イオンダイオードアセンブリと
を具えているイオン注入システム。
【請求項２】
サージ保護システムを有するイオン注入システムであって、該イオン注入システムが、
（ｉ）イオン源アセンブリであって、
イオン源、
外皮面を有する筐体、
前記イオン源の真空区分を前記筐体の前記外皮面に結合する流体連結アセンブリ、及び
陰極フィラメント電源と、前記流体連結アセンブリ内に配置され且つ前記イオン源アセンブリの前記筐体の前記外皮面にほぼぴったり重なるように装着されている陰極フィラメントとより成る陰極
を含む当該イオン源アセンブリと、
（ii）このイオン源アセンブリを駆動するために圧力タンク内に収容された高電圧電源と、
（iii ）この高電圧電源の出力端と前記イオン源アセンブリの前記筐体との間に直列に結合された絶縁チューブを有する熱イオンダイオードアセンブリと
を具えるイオン注入システム。
【請求項３】
請求項２に記載のイオン注入システムにおいて、前記絶縁チューブは、その一端で、前記陰極に最も近い前記圧力タンクの端面に、前記イオン源アセンブリの前記筐体の前記外皮面とで真空気密を形成するように装着されているとともに、他端で、前記高電圧電源の前記出力端に結合された陽極により封止されているイオン注入システム。
【請求項４】
請求項３に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極フィラメントはタングステンから形成されているイオン注入システム。
【請求項５】
請求項３に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極フィラメントはトリウム入りタングステンから形成されているイオン注入システム。
【請求項６】
請求項３に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極は間接的に加熱される陰極であるイオン注入システム。
【請求項７】
請求項３に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極フィラメントはイリジウムから形成されているイオン注入システム。
【請求項８】
請求項３に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極は冷陰極であるイオン注入システム。
【請求項９】
請求項３に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極は光電陰極であるイオン注入システム。
【請求項１０】
サージ保護システムを有するイオン注入システムであって、該イオン注入システムが、
（ｉ）イオン源アセンブリであって、
イオン源、
外皮面を有し、この外皮面には、陰極と陽極との間にグリッドが形成されるようにある領域内で穿孔処理されているイオン源アセンブリ筐体、
前記イオン源の真空区分をこのイオン源アセンブリ筐体の前記外皮面に結合する流体連結アセンブリ、
陰極フィラメント電源と、前記流体連結アセンブリ内に配置され且つ前記イオン源アセンブリ筐体の前記外皮面にほぼぴったり重なるように装着されている陰極フィラメントとより成る陰極を含む当該イオン源アセンブリ、及び
前記陰極フィラメントを前記イオン源アセンブリ筐体の前記外皮面に対しバイアスするバイアス電源
を含む当該イオン源アセンブリと、
（ii）このイオン源アセンブリを駆動するために圧力タンク内に収容された高電圧電源と、
（iii ）この高電圧電源の出力端と前記イオン源アセンブリ筐体との間に直列に結合された絶縁チューブを有する熱イオントリオードアセンブリと
を具えるイオン注入システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のイオン注入システムにおいて、前記絶縁チューブは、その一端で、前記陰極に最も近い前記圧力タンクの端面に、前記イオン源アセンブリ筐体の前記外皮面とで真空気密を形成するように装着されているとともに、他端で、前記高電圧電源の前記出力端に結合された陽極により封止されているイオン注入システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のイオン注入システムにおいて、該イオン注入システムが更に、前記陰極フィラメント用の集束素子を有しているサージ保護システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のイオン注入システムにおいて、前記集束素子はウェーネルト円筒であるイオン注入システム。
【請求項１４】
請求項１1に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極は間接的に加熱される陰極であるイオン注入システム。
【請求項１５】
請求項１１に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極フィラメントはタングステンから形成されているイオン注入システム。
【請求項１６】
請求項１１に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極フィラメントはトリウム入りタングステンから形成されているイオン注入システム。
【請求項１７】
請求項１１に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極フィラメントはイリジウムから形成されているイオン注入システム。
【請求項１８】
請求項１１に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極は冷陰極であるイオン注入システム。
【請求項１９】
請求項１１に記載のイオン注入システムにおいて、前記陰極は光電陰極であるイオン注入システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】サージ保護システムを有するイオン注入システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図１は、代表的なイオン注入システムを示すブロック線図である。高電圧電源１０は必要とするエネルギーを、特定の種のイオンを発生するように構成されたアニオン源のチャンバ１２に供給する。発生されたイオンはアニオン源から一連の電極１４を経て取出されてビーム１６に形成され、このビームは高電圧電源１０からの電圧により加速される。印加される電圧は数kVから数百kVまでの範囲としうる。ある適用分野では、幾つかの電源を重ねてより高い電圧を達成するようにしうる。取出されたビームは、ビームラインコンポーネントである質量分析器の磁石１８を通過する。質量分析器は、所望の質量対電荷比を有するイオンのみがこの質量分析器を通過しうるようにした特定の磁界を用いて設定されている。所望種のイオンは、分解スリット２０と、種々の追加のビームラインコンポーネント又はビーム成形素子２２、２４、２６とを通過させ、これら分解スリット及びビーム成形素子により、これらイオンの注入準備を行うとともにこれらイオンを支持体（例えば、プラテン）２８上に位置するワークピース又は基板に向けて指向させる。ビーム成形素子２２、２４、２６の内の１つである補正磁石２４は、イオンビームレットを印加磁界の強度及び方向に応じて偏向させて、支持体（例えば、プラテン）２８上に位置するワークピース又は基板に指向させるリボンビームを生ぜしめるように附勢されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の例では、イオン源アセンブリとともに使用する熱イオンダイオードアセンブリによるサージ保護システムを開示する。このサージ保護システムは、熱イオンダイオード及びイオン源アセンブリと直列に結合された高電圧電源を有している。イオン源アセンブリは、イオン源と、外皮面を有する筐体（エンクロージャ）と、イオン源の真空区分を熱イオンダイオードハウジングと結合させる流体連結アセンブリと、圧力タンクの第１の端部に位置する陰極とを有している。この陰極は、陰極フィラメント電源と、流体連結アセンブリ内に配置され且つ筐体の外皮面にほぼぴったり重なるように装着されている陰極フィラメントとより成っている。高電圧電源は、圧力タンク内に収容されてイオン源アセンブリを駆動する。熱イオンダイオードハウジングはこの高電圧電源の出力端とイオン源アセンブリの筐体との間に配置された絶縁チューブより成っている。この絶縁チューブはその一端で、陰極に最も近い圧力タンクの端面に、イオン源アセンブリの筐体の外皮面とで真空気密を形成するように装着されている。この絶縁チューブは他端で、高電圧電源の出力端に結合された陽極により封止されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
他の例では、イオン源アセンブリとともに使用する熱イオントリオードアセンブリサージ保護システムを開示する。このサージ保護システムは、熱イオントリオードと直列に結合された高電圧電源と、イオン源アセンブリとを有している。イオン源アセンブリは、イオン源と、外皮面を有する筐体とを有しており、この外皮面には、陰極と陽極との間にグリッドが形成されるようにある領域内で穿孔処理されている。イオン源アセンブリは更に、イオン源の真空区分を熱イオントリオードハウジングと結合させる流体連結アセンブリと、圧力タンクの第１の端部に位置する陰極とを有している。この陰極は、陰極フィラメント電源と、流体連結アセンブリ内に配置され且つイオン源アセンブリの筐体の外皮面にほぼぴったり重なるように装着されている陰極フィラメントとより成っている。高電圧電源は、圧力タンク内に収容されてイオン源アセンブリを駆動する。熱イオントリオードハウジングはイオン源アセンブリの筐体と高電圧電源の出力端との間に配置された絶縁チューブより成っている。この絶縁チューブはその一端で、陰極に最も近い圧力タンクの端面に、イオン源アセンブリの筐体の穿孔された外皮面とで真空気密を形成するように装着されている。この絶縁チューブは他端で、高電圧電源の出力端に結合された陽極により封止されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図３は、高電圧電源３０３に対する電流制限素子として非線形熱イオンダイオードアセンブリ３３１を用いている本発明の代表的な実施例によるイオン源アセンブリ３１０を示す回路線図である。接地帰路３０５を有する高電圧電源３０３はその出力端において熱イオンダイオードアセンブリ３３１の陽極３１５に結合されている。この熱イオンダイオードアセンブリ３３１の陰極３１７はイオン源アセンブリの筐体３０９に結合されている。この陰極３１７はイオン源アセンブリの筐体３０９の局部接地部（ローカルグランド）３２１に結合されている。陰極３１７を加熱するフィラメント３１３にはフィラメント電源３１１により電力が供給される。通常の動作中は、正イオン３２７の流れがイオン源３２３から抽出され、ビームラインコンポーネント３２５へ指向される。これらのイオンは例えば、標準の抽出電極構造を用いてイオン源３２３から抽出しうる。整合電子流３１９はイオン源アセンブリの筐体３０９を出て熱イオンダイオードアセンブリ３３１を通る。電子流３１９の方向が高電圧電源３０３からイオン源アセンブリの筐体３０９に向かっている間は、電子の実際の移動は反対方向にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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