【事件の表示】
　平成　５年特許願第１０５７４０号「ページストア装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年１１月１５日出願公開、特開平　６−３１８３９７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成５年５月６日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１２年９月２１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】アドレス線を有する不揮発性半導体記憶装置に設けられるページストア装置であって、
　外部から指定された、または内部で発生させたページストア開始アドレス信号を入力する第１入力と、第３の信号を入力する第２入力と、該ページストア開始アドレス信号に対応する第２の開始アドレス信号を出力する第１出力と、第４の信号を出力する第２出力とをそれぞれ有する複数のアドレス選択回路と、
　該第１出力と接続された第３入力と、該第２入力と該アドレス線を介して接続された第３出力とを有し、該第３入力より入力した該第２の開始アドレス信号に対応する第５の信号を発生させ、該アドレス線を介して該アドレス選択回路にそれぞれ戻す複数のカウンタ回路と、
　各アドレス選択回路の第２出力と接続され、該カウンタ回路よりアドレス選択回路に戻された第５の信号を入力して、ストアすべきページをアドレス指定するアドレスデコード回路と、
　該カウンタ回路からの所定信号に基づいて、ページストア動作を禁止させるストア動作禁止信号を発生させるストア動作禁止信号発生回路と、
を具備するページストア装置。」
２．引用例の記載
　これに対して、当審における平成１３年４月３日付けの拒絶理由通知に引用した特開平４−２２８１７８号公報（以下「引用例１」という。）特開昭６３−１３１９７号公報（以下「引用例２」という。）には、下記の事項が記載されている。
（引用例１）
「【請求項１】アドレス線を有するＮＶＤＲＡＭ記憶装置に於けるデータのページリコールのための装置であって、
　該アドレス線に接続され、複数の第１の開始アドレス信号を含む所定のページリコール開始アドレスを入力するため外部パッドであって、それぞれが該第１の開始アドレス信号の１を出力するための複数の第１の出力を有する外部パッド、それぞれが該第１の出力の１に接続され、該第１の開始アドレス信号の１に対応する第２の開始アドレス信号を出力するための第２の出力をそれぞれ有する複数のアドレス選択回路、該第２の開始アドレス信号の１を受け取るために該第２の出力の１にそれぞれが接続された複数の第１の入力、及び複数の第３の出力を有するカウンタ回路であって、該アドレス選択回路のそれぞれは第２の入力を有し、該第３の出力のそれぞれは該第２の入力の１に接続され、該アドレス選択回路のそれぞれは該第１の開始アドレス信号の１に対応する第４の出力を有しているカウンタ回路、並びに入力として該第４の出力を有し、該データのページをアドレス指定するアドレスデコード回路を備えている、データのページリコールのための装置。
【請求項２】前記アドレス選択回路のそれぞれが、入力として前記第１の出力の１とアドレスイネーブル信号とを有し、第５の出力を有する第１のＮＡＮＤゲート、入力として前記第５の出力を有し、第６の出力を有する第１の伝送ゲート、及び入力として前記第３の出力の１を有し、第７の出力を有する第２の伝送ゲートを備え、該第６の出力及び第７の出力が結合されて、該第６の出力及び第７の出力の一方を該第２の出力として一度に出力する請求項１に記載の装置。」
（引用例２）
「リフレッシュを行なうには、リフレッシュ入力とライト入力とを同時に活性化して外部アドレスに開始アドレスを供給すると、該開始アドレスはアドレスバッファ・デコーダ２４を介してリフレッシュアドレスカウンタ２６に保持される。続いて、リフレッシュ入力とリード入力とを活性化し外部アドレス終了アドレスを供給すると、該アドレスはアドレスバッファ・デコーダ２４を介してリフレッシュアドレスカウンタ２６に保持される。リフレッシュ期間に入り外部からリフレッシュ要求があると、リフレッシュ制御回路２７の制御のもとにリフレッシュアドレスがアドレスバッファ・デコーダに送出され、開始アドレスと終了アドレスとの間に指定されるメモリセルのリフレッシュがなされる。」（第３頁左上欄第２行〜第１６行）
３．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下「前者」という。）と上記引用例１に記載の発明（以下「後者」という。）を比較する。両者は、いずれも不揮発性半導体記憶装置であって、
後者の「アドレス選択回路」「カウンタ回路」「アドレスデコード回路」は、それぞれ前者の「アドレス選択回路」「カウンタ回路」「アドレスデコード回路」に対応しており、
　両者は、「アドレス線を有する不揮発性半導体記憶装置であって、
　外部から指定された、または内部で発生させた開始アドレス信号を入力する第１入力と、第３の信号を入力する第２入力と、該開始アドレス信号に対応する第２の開始アドレス信号を出力する第１出力と、第４の信号を出力する第２出力とをそれぞれ有する複数のアドレス選択回路と、
　該第１出力と接続された第３入力と、該第２入力と該アドレス線を介して接続された第３出力とを有し、該第３入力より入力した該第２の開始アドレス信号に対応する第５の信号を発生させ、該アドレス線を介して該アドレス選択回路にそれぞれ戻す複数のカウンタ回路と、
　各アドレス選択回路の第２出力と接続され、該カウンタ回路よりアドレス選択回路に戻された第５の信号を入力して、ページをアドレス指定するアドレスデコード回路と、
を具備する不揮発性半導体記憶装置。」
である点で一致し、
（１）前者は、「ページストア装置」であるのに対し、後者はページリコール装置である点、
（２）前者は、「該カウンタ回路からの所定信号に基づいて、ページストア動作を禁止させるストア動作禁止信号を発生させるストア動作禁止信号発生回路」を備えるのに対し、後者はそのような回路を備えていない点で相違している。
　次に、上記相違点について検討する。
　相違点（１）について
　半導体記憶装置において、ページ書き込みを行うことは周知であるから、後者の不揮発性半導体記憶装置において、ページストア装置とすることに格別発明力を要するとすることはできない。
　相違点（２）について
　前者には、「【００２４】また、上記ページストア装置において、ストア動作禁止信号発生回路を備えた構成とした場合には、該ストア動作禁止信号発生回路が発するストア動作禁止信号に基づいてページストア動作を禁止させる構成とすることができる。ストア動作禁止信号発生回路としては、前記カウンタ回路からの所定信号に基づいて前記ストア動作禁止信号を発生する構成とすることもできる。」ことと「【００３９】図２は、カウンタ回路７０とストア動作禁止信号発生回路７１を示すブロック図である。このカウンタ回路７０は、ロードカウンタ（ＣＮＴ1〜ＣＮＴn）１０がｎ個並設されており、カウンタ出力がＡ1からＡnであるnビットカウンタを構成している。各ロードカウンタ１０は、出力Ｑを出力する端子、並びにデータ入力ＤＡＴＡ、クロック入力（ＣＫバー）、ロード信号（ＬＤバー）、及びセット信号（ＳＥＴバー）を入力する端子を有する。最終のストア動作禁止信号発生回路７１用のロードカウンタＣＮＴn+1を除き、各ロードカウンタ（ＣＮＴ1〜ＣＮＴn-1）１０の出力Ｑを出力する端子は、それぞれ後続のロードカウンタ１０のクロック入力（ＣＫバー）を入力する端子に接続されている。」ことが記載されている。
　これらの記載によれば、前者の「該カウンタ回路からの所定信号に基づいて、ページストア動作を禁止させるストア動作禁止信号を発生させるストア動作禁止信号発生回路」における「ストア動作禁止信号」は、カウンタ回路のロードカウンタＣＮＴn+1の出力であることが認められ、すなわち、カウンタ回路の最終出力ということができる。
　一方、上記引用例２には、ダイナミック型半導体記憶装置において、リフレッシュアドレスカウンタ２６に開始アドレスと終了アドレスを保持し、リフレッシュ要求により、上記開始アドレスと終了アドレスの間に指定されるメモリセルのリフレッシュを行うことが記載されており、このように、リフレッシュアドレスカウンタ２６が終了アドレスに達すると、リフレッシュ動作を停止させるものである。この終了アドレスは前者の所定信号に対応する。
　そうすると、かかる技術思想を適用して、後者におけるページストア動作において、カウンタ回路からの所定信号に基づいて、ページストア動作を禁止するようにすることは当業者が容易に推考し得ることである。
　また、本願請求項１にかかる発明の効果についてみても、上記構成の採用に伴って当然に予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。