【事件の表示】
　特願２００８−　３４９５２「液晶表示装置、及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　８月２７日出願公開、特開２００９−１９２９３２、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　手続の経緯  
　本件出願は、平成２０年２月１５日の出願であって、平成２４年７月９日付け及び同年１１月２２日付けで手続補正がなされたところ、平成２５年２月１２日付けで前記平成２４年１１月２２日付け手続補正が補正却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされ、同年７月８日付けで審尋がなされ、同年９月３日に回答書が提出され、その後、当審において同年１０月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月５日付けで手続補正がなされたものである。
   
    
２　本願の請求項に係る発明  
　本願の請求項に係る発明は、上記平成２５年１２月５日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された次の事項によって特定されるものと認められる。  
   
「【請求項１】
　ゲート配線、ソース配線、及び薄膜トランジスタを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
　前記第１の基板上において、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタのドレイン電極に直接重なるよう、前記ドレイン電極の上又は下に直接形成された画素電極と、
　前記画素電極を覆う層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜上に形成され、前記画素電極との間でフリンジ電界を発生させる複数のスリットを有する対向電極と、を備え、
　隣接する前記ゲート配線間で前記ソース配線が屈曲することで、前記ソース配線がゲート配線に対して所定角度の２方向を有し、
　前記複数のスリットが前記２方向と平行な２方向を含んでおり、
　前記対向電極は、前記ソース配線を跨ぐように形成されることで、前記ソース配線を挟んで隣接する画素の前記対向電極と接続され、
　前記対向電極は、前記ゲート配線の上を跨ぐように形成されることで、前記ゲート配線を挟んで隣接する画素の前記対向電極と接続され、
　前記対向電極が、前記ソース配線が前記ゲート配線と交差する交差部分を除いて形成され、
　前記対向電極が、前記ゲート配線と前記薄膜トランジスタが重複する領域を除いて形成され、
　前記交差部分を除く前記ソース配線の大部分において、前記対向電極が前記ソース配線を覆っており、
　前記対向電極の前記ソース配線を跨ぐ部分、前記ゲート配線を跨ぐ部分、及び画素内の部分が、透明導電膜によって一体に形成されている液晶表示装置。
【請求項２】
　前記ゲート配線が、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層に形成され、
　前記ゲート配線上にゲート絶縁膜が形成され、
　前記ソース配線が前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と同層に形成され、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート配線と交差している請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
　前記ソース配線と重なり合う領域の前記対向電極は、前記ソース配線の幅より片側２μｍ以上大きい請求項１、又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
　前記ソース配線と前記対向電極との間に形成され、前記ソース配線を覆う有機膜をさらに備える請求項１乃至３のいずれか一項に液晶表示装置。
【請求項５】
　前記複数のスリットの前記２方向が、前記ゲート配線と平行な方向を基準として、対称になっている請求項１乃至４のいずれか一項に液晶表示装置。
【請求項６】
　ゲート配線、ソース配線、及び薄膜トランジスタを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、
　第１の基板上において、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタのドレイン電極に直接重なる画素電極を前記ドレイン電極の上又は下に直接形成する工程と、
　前記画素電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜上に、前記画素電極との間でフリンジ電界を発生させる複数のスリットを有する対向電極を形成する工程と、を備え、
　隣接する前記ゲート配線間で前記ソース配線が屈曲することで、前記ソース配線がゲート配線に対して所定角度の２方向を有し、
　前記複数のスリットが前記２方向と平行な２方向を含んでおり、
　前記対向電極は、前記ソース配線を跨ぐように形成されることで、前記ソース配線を挟んで隣接する画素の前記対向電極と接続され、
　前記対向電極は、前記ゲート配線の上を跨ぐように形成されることで、前記ゲート配線を挟んで隣接する画素の前記対向電極と接続され、
　前記対向電極が、前記ソース配線が前記ゲート配線と交差する交差部分を除いて形成され、
　前記対向電極が、前記ゲート配線と前記薄膜トランジスタが重複する領域を除いて形成され、
　前記ソース配線の前記交差部分を除く大部分において、前記対向電極が前記ソース配線を覆っており、
　前記対向電極の前記ソース配線を跨ぐ部分、前記ゲート配線を跨ぐ部分、及び画素内の部分が、透明導電膜によって一体に形成されている液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
　前記対向電極の形成工程では、前記ソース配線と重なり合う領域の前記対向電極を、前記ソース配線の幅より片側２μｍ以上大きく形成する請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
　前記層間絶縁膜の形成前に、前記ソース配線を覆う有機膜を形成する工程、又は、前記層間絶縁膜の形成後に、前記層間絶縁膜を介して前記ソース配線を覆う有機膜を形成する工程をさらに備える請求項６、又は７に液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
　前記複数のスリットの前記２方向が、前記ゲート配線と平行な方向を基準として、対称になっている請求項６乃至８のいずれか一項に液晶表示装置の製造方法。」（以下、請求項１〜９に係る発明を、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明９」という。）  
    
   
３　引用例  
（１）引用例１  
　原査定の拒絶の理由及び審尋で引用された、本願の出願前に頒布された「特開２００１−１７４８１８号公報」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。  
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所謂横電界方式と称される液晶表示装置に係り、特に液晶の配向制御能の劣化に起因する残像を抑制して残像の発生を防止した液晶表示装置に関する。」 
　イ　「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
一方の電極を画素領域の略全域に面形成（すなわち、ベタ形成）し、その上に他方の電極を略櫛形に形成した横電界方式の液晶表示装置では、画素電極と対向電極が同一基板上に薄い絶縁膜を介して極めて接近して形成されることになる。そのため、画素駆動時に両電極の間に局部的な強電場が作用する。
【００１４】
このような強電場が繰り返し作用することで、液晶と配向膜の繰り返し相互作用により高分子樹脂材料の配向膜が塑性変形を起こし、その液晶配向制御能が低下してしまう。すなわち、配向膜に塑性変形が起こると、ラビングで形成した当該配向膜表面に付与された液晶の分子を所定方向に制御する、所謂錨止力が弱くなる。
【００１５】
液晶配向制御能が低下することで、電界を印加しない状態での液晶層の配向方向が不安定になる。その結果、所謂ＡＣ残像と称する表示不良を引き起こすという問題があった。
【００１６】
本発明の目的は、上記した従来技術の問題を解消することにあり、液晶パネルを繰り返し駆動してもＡＣ残像が発生しない構造とした液晶パネルを具備した液晶表示装置を提供することにある。」 
　ウ　「【００５９】
図４は本発明による液晶表示装置の第１実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であり、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の要部拡大図を示す。また、図５は図４の２−２線に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図、図６は同４−４線に沿って切断した薄膜トランジスタ部分の断面図である。
【００６０】
図４乃至図６において、図４のｘ方向に延在しｙ方向に並設したゲート線ＧＬ対とｙ方向に延在しｘ方向に並設した隣接するドレイン線ＤＬ対とで囲まれた略矩形状の領域で一画素領域を構成する。また、ドレイン線ＤＬに平行してｙ方向に延在しｘ方向に並設した対向電圧信号線ＣＬが形成されている。
【００６１】
この画素領域には、対向電圧信号線ＣＬに接続して当該画素領域の略全域に面形成した対向電極ＣＴと、この対向電極ＣＴ上にゲート絶縁膜ＧＩを介して略櫛形に形成した画素電極ＰＸを有している。対向電極ＣＴと画素電極ＰＸは透明電極であり、ここではＩＴＯを用いている。対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬは、画素領域のゲート線ＧＬに沿った部分で接続され、隣接する対向電圧信号線ＣＬ間はドレイン線に沿った部分で接続される。
【００６２】
ゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬの交差部分には薄膜トランジスタＴＦＴが形成され、薄膜トランジスタＴＦＴはゲート線ＧＬ上のゲート絶縁膜ＧＩを介して形成したアモルファスシリコンを好適とする半導体膜ＡＳ上にドレイン電極ＳＤ２とソース電極ＳＤ１を有し、ゲート電極ＧＴはゲート線ＧＬに、ドレイン電極ＳＤ２はドレイン線ＤＬに、ソース電極ＳＤ１は画素電極ＰＸに接続されている。
【００６３】
画素電極ＰＸはこれらの電極を被覆する絶縁膜ＰＳＶの上に形成され、ソース電極ＳＤ１とは絶縁膜ＰＳＶに開けたスルーホールを通して接続される。この第１基板ＳＵＢ１の最上層すなわち液晶層との界面には前記した斜方蒸着で形成した窒化シリコン膜からなる第１配向膜ＯＲＩ１が成膜されている。
【００６４】
なお、第１基板ＳＵＢ１と液晶層ＬＣを介して貼り合わせた第２基板ＳＵＢ２の内面には、遮光層であるブラックマトリクスＢＭで区画された３色のカラーフィルタＦＩＬ（Ｒ），ＦＩＬ（Ｇ），ＦＩＬ（Ｂ）がフォトリソグラフィー技法などでパターニングされている（ＦＩＬ（Ｂ）は図示せず）。
【００６５】
このブラックマトリクスＢＭとカラーフィルタＦＩＬ（Ｒ），ＦＩＬ（Ｇ），ＦＩＬ（Ｂ）の上層は保護膜ＯＣで覆われ、最上層すなわち液晶層との界面には前記した斜方蒸着で形成した第１基板ＳＵＢ１の窒化シリコン膜と同様の配向膜、またはポリイミド膜をラビングした第２配向膜ＯＲＩ２が成膜されている。
【００６６】
なお、以降説明する他の実施例についても同様であるが、横電界方式の液晶表示装置の特性から、上記第２配向膜ＯＲＩ２の成膜は必ずしも要せず、液晶層ＬＣの厚み（セルギャップ）次第では（ある程度薄い場合）省略できる。この場合は、液晶パネルの上下各面に積層する偏光板の偏光軸を適宜の角度とすればよい。」 
　エ　「【００９９】
図１８は本発明による液晶表示装置の第５実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であり、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の要部拡大図を示す。また、図１９は図１８の２８−２８線に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図、図２０は同２９−２９線に沿って切断した薄膜トランジスタ部分の断面図である。前記各実施例と同一符号は同一機能部分に対応する。
【０１００】
本実施例では、ドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬで囲まれる画素領域のほぼ全域に画素電極ＰＸを面形成し、その上層に保護膜ＰＳＶ１を成膜し、この保護膜ＰＳＶの上に対向電極ＣＴを形成した。画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶ１に形成したスルーホールを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１に接続される。
【０１０１】
この画素電極を覆って第２の保護膜ＰＳＶ２を成膜し、この保護膜ＰＳＶ２上に対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは画素電極ＰＸが形成された領域にドレイン線ＤＬと平行な方向に並設した帯状電極として形成されるが、その両端部は各対向電極ＣＴの間の領域を除く全ての領域に当該各対向電極ＣＴと一体的に形成された導電層と接続されている。
【０１０２】
すなわち、対向電極ＣＴは、少なくとも表示領域を覆って形成したＩＴＯ等の透明導電膜のうち、画素電極ＰＸに重畳した領域内の導電層に、ドレイン線ＤＬに沿ってゲート線と平行な方向に並設される複数の帯状の開口を形成した形状を有する。
【０１０３】
これにより、対向電極ＣＴとして機能する導電層以外の他の導電層は、対向電圧信号線ＣＬとして利用でき、導電層全体の電気抵抗を大幅に低減することができるという効果を有する。
【０１０４】
また、対向電極ＣＴとして機能する導電層以外の他の導電層に遮光層としての機能を持たせることができる。これは、液晶の光透過を制御する電界（横電界）は対向電極ＣＴとして機能する導電層と画素電極ＰＸの間に発生し、それ以外の部分では発生しないからである。
【０１０５】
このため、図１９に示したように、第２基板ＳＵＢ２にはブラックマトリクスを形成する必要がなく、製造工程の削減を図ることができる。
【０１０６】
この場合、液晶として、電界が印加されない状態で黒表示となる、所謂ノーマリブラックのものを用いることで、前記の遮光層の機能を強化できる。
【０１０７】
ゲート線ＧＬあるいはドレイン線ＤＬは、上記導電層との間で容量を生成することは否めない。このことから、それらの間に介在する保護膜ＰＳＶ１および第２の保護膜ＰＳＶ２のうち、例えば保護膜ＰＳＶ２を樹脂の塗布膜とし、この膜厚を大きくすることで上記容量を低減できる。例えば、保護膜ＰＳＶ１として、比誘電率が７、膜厚が１００乃至９００のＳｉＮを用いた場合、保護膜ＰＳＶ２としては、比誘電率が３乃至４で、膜厚が１０００乃至３００の高分子有機材料の樹脂膜とするのが適当である。
【０１０８】
なお、保護膜ＰＳＶ２の比誘電率が保護膜ＰＳＶ１のそれの１／２以下であれば、膜厚に関係なく、また、膜厚が２倍以上であれば、その比誘電率に関係なく、実際の製品として支障がないことが確認されている。
【０１０９】
そして、第１基板の内面と前記液晶層との界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡＣ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ることができる。
【０１１０】
図２１は本発明による液晶表示装置の第６実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であり、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の要部拡大図を示す。また、図２２は図２１の３２−３２線に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図、図２３は同３３−３３線に沿って切断した薄膜トランジスタ部分の断面図である。本実施例は第５実施例をさらに改良したものであり、前記第５実施例と同一符号は同一機能部分に対応する。
【０１１１】
本実施例が第５実施例と異なる点は、画素電極ＰＸがゲート絶縁膜ＧＩ上に形成され、対向電極ＣＴが画素電極ＰＸの上に保護膜ＰＳＶ１を介して形成された点である。そして、画素領域を除く他の領域を第２の保護膜ＰＳＶ２で被覆している。
【０１１２】
この保護膜ＰＳＶ２は、例えば表示領域の全域に保護膜材料膜を形成した後、画素領域に相当する部分を選択的にエッチング除去して構成される。残された保護膜ＰＳＶ２の上に対向電極ＣＴと一体の導電層を形成し、画素電極ＰＸに重畳される領域の導電層に複数の帯状の開口を形成することで対向電極ＣＴが形成される。
【０１１３】
このように、ゲート線ＧＬあるいはドレイン線ＤＬと前記導電層との間に保護膜ＰＳＶ１と保護膜ＰＳＶ２を介在させることで、それらの間に生成する容量を小さくすることができると共に、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間には保護膜ＰＳＶ１のみを介在させることで、電界をエッチング側に強く形成できるという効果を有する。
【０１１４】
そして、第１基板の内面と前記液晶層との界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡＣ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ることができる。」
　
　また、上記エに照らして図２１、２２を見ると、以下の事項が看取できる。
　オ　「対向電極ＣＴは、ドレイン線ＤＬを跨ぐように形成されるとともに、前記ドレイン線ＤＬを挟んで隣接する各画素電極ＰＸ上に配置される。」
　
　さらに、上記エに照らして図２１、２３を見ると、以下の事項が看取できる。
　カ　「画素電極ＰＸは、第１基板ＳＵＢ１上において、一部が薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１に直接重なるように前記ソース電極ＳＤ１の上に直接形成される。」
　キ　「対向電極ＣＴは、ゲート線ＧＬを跨ぐように形成されるとともに、前記ゲート線ＧＬを挟んで隣接する各画素電極ＰＸ上に配置される。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。  
　
「ゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬの交差部分には薄膜トランジスタＴＦＴが形成され、薄膜トランジスタＴＦＴはゲート線ＧＬ上のゲート絶縁膜ＧＩを介して形成したアモルファスシリコンを好適とする半導体膜ＡＳ上にドレイン電極ＳＤ２とソース電極ＳＤ１を有し、ゲート電極ＧＴはゲート線ＧＬに、ドレイン電極ＳＤ２はドレイン線ＤＬに、ソース電極ＳＤ１は画素電極ＰＸに接続されており、
　第１基板ＳＵＢ１と液晶層ＬＣを介して貼り合わせた第２基板ＳＵＢ２の内面には、遮光層であるブラックマトリクスＢＭで区画された３色のカラーフィルタＦＩＬ（Ｒ），ＦＩＬ（Ｇ），ＦＩＬ（Ｂ）がフォトリソグラフィー技法などでパターニングされている液晶表示装置において、
　画素電極ＰＸは、第１基板ＳＵＢ１上において、一部が薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１に直接重なるように前記ソース電極ＳＤ１の上に直接形成され、
　ドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬで囲まれる画素領域のほぼ全域に画素電極ＰＸを面形成し、
　対向電極ＣＴが画素電極ＰＸの上に保護膜ＰＳＶ１を介して形成され、
　画素領域を除く他の領域を第２の保護膜ＰＳＶ２で被覆され、
　例えば、保護膜ＰＳＶ１として、比誘電率が７、膜厚が１００乃至９００のＳｉＮを用いた場合、保護膜ＰＳＶ２としては、比誘電率が３乃至４で、膜厚が１０００乃至３００の高分子有機材料の樹脂膜とするのが適当であり、
　前記画素電極ＰＸを覆って第２の保護膜ＰＳＶ２を成膜し、この保護膜ＰＳＶ２上に対向電極ＣＴが形成され、
　前記対向電極ＣＴは、ドレイン線ＤＬを跨ぐように形成されるとともに、前記ドレイン線ＤＬを挟んで隣接する各画素電極ＰＸ上に配置され、
　前記対向電極ＣＴは、ゲート線ＧＬを跨ぐように形成されるとともに、前記ゲート線ＧＬを挟んで隣接する各画素電極ＰＸ上に配置され、
　この対向電極ＣＴは画素電極ＰＸが形成された領域にドレイン線ＤＬと平行な方向に並設した帯状電極として形成されるが、その両端部は各対向電極ＣＴの間の領域を除く全ての領域に当該各対向電極ＣＴと一体的に形成された導電層と接続され、
　前記対向電極ＣＴは、少なくとも表示領域を覆って形成したＩＴＯ等の透明導電膜のうち、画素電極ＰＸに重畳した領域内の導電層に、ドレイン線ＤＬに沿ってゲート線と平行な方向に並設される複数の帯状の開口を形成した形状を有する液晶表示装置。」
　     
（２）引用例２  
　同様に引用された、本願の出願前に頒布された「特開２００７−２３３３１７号公報 」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。  
　ア　「【０００１】
　この発明は、液晶分子の配向方位を基板面と実質的に平行な面内において制御して表示する液晶表示素子に関する。」 
　イ　「【０００５】
　この発明は、画素の周辺部の光漏れを無くして、コントラストが高く、且つ開口率を高くして明るい画像を表示することができる液晶表示素子を提供することを目的としたものである。」 
　ウ　「【００２６】
    （第１の実施形態）
　図１〜図４はこの発明の第１の実施例を示しており、図１は液晶表示素子の一部分の平面図、図２は図１のII−II線に沿う断面図、図３は図１のIII−III線に沿う断面図、図４は図１のIV−IV線に沿う断面図である。
【００２７】
　この液晶表示素子は、アクティブマトリックス液晶表示素子であり、図１〜図４のように、間隙を設けて対向する一対の透明基板１，２間に、液晶分子がその分子長軸を一方向に揃えて前記基板１，２面と実質的に平行に配向した液晶層３が封入され、前記一対の基板１，２の互いに対向する内面のうち、一方の基板、例えば表示の観察側（図２及び図３において上側）とは反対側の基板２の内面に、行方向（図１において左右方向）及び列方向（図１において上下方向）に配列された複数の透明な画素電極４と、これらの画素電極４にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）５と、各画素電極行の一側にそれぞれ沿わせて形成され、各行のＴＦＴ５にゲート信号を供給する複数の走査線１２と、各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて形成され、各列のＴＦＴ５にデータ信号を供給する複数の信号線１３と、前記複数の画素電極４の前記液晶層３に対向する側に、絶縁膜１４を介して前記画素電極４を覆って積層され、且つ前記画素電極４に対応する領域ごとに少なくとも１つの縁部１５ｄが形成され、前記画素電極４と前記縁部１５ｄとの間に、前記液晶層３の液晶分子の配向方位を前記基板１，２面と実質的に平行な面内において制御する電界を生成する透明な共通電極１５とが設けられている。
【００２８】
　なお、前記一対の基板１，２は、それぞれの周縁部を図示しない枠状シール材を介して接合されており、前記液晶層３は、前記一対の基板１，２間の前記シール材で囲まれた領域に、正の誘電異方性を有するネマティック液晶を封入して形成されている。
【００２９】
　前記ＴＦＴ５は、前記一方の基板２の基板面上に形成されたゲート電極６と、前記ゲート電極６を覆って前記基板２の略全面に形成された透明なゲート絶縁膜７と、このゲート絶縁膜７の上に前記ゲート電極６と対向させて形成されたｉ型半導体膜８と、前記ｉ型半導体膜８のチャンネル領域を挟む両側部の上にｎ型半導体膜９を介して設けられたソース電極１０及びドレイン電極１１とからなっている。
【００３０】
　また、前記複数の走査線１２は、前記一方の基板２の基板面上に、前記ＴＦＴ５のゲート電極６と接続して形成されており、前記複数の信号線１３は、前記ゲート絶縁膜７の上に前記ＴＦＴ５のドレイン電極１１と接続して形成されている。
【００３１】
　そして、前記複数の画素電極４はそれぞれ、前記ゲート絶縁膜７の上に、ＩＴＯ膜等の透明導電膜により、予め定めた実質的に矩形形状の画素領域の全域に対応する形状に形成されている。
【００３２】
　すなわち、前記画素電極４は、前記画素に対応する面積をもった実質的に矩形形状の１つの透明導電膜からなっており、これらの画素電極４の１つの角部に、その画素電極４に対応するＴＦＴ５のソース電極１０が接続されている。
【００３３】
　そして、前記複数の画素電極４は、前記ゲート絶縁膜７の上に、ＩＴＯ膜等の透明導電膜により、予め定めた画素領域の全域に対応する形状であって、１つの実質的な矩形形状に形成されており、これらの画素電極４の１つの角部に、その画素電極４に対応するＴＦＴ５のソース電極１０が接続されている。
【００３４】
　さらに、前記一方の基板２の内面には、その略全面にわたって、前記複数の画素電極４とＴＦＴ５と走査線１２及び信号線１３を覆う透明な層間絶縁膜１４が形成されており、前記共通電極１５は、前記ゲート絶縁膜７と層間絶縁膜１４とからなる絶縁層の上に画素電極４を覆って形成されている。
【００３５】
　前記共通電極１５は、前記複数の画素電極４及び前記走査線１２を挟んで隣合う画素電極４，４間の領域である周辺部分１５ｂと前記信号線１３を挟んで隣合う画素電極４，４間の領域である周辺部分１５ｃの両方に対応する部分にわたって形成され、前記複数の画素電極４に対応する領域にそれぞれ、間隔をおいて平行に並ぶ複数の部分電極１５ａを形成する複数のスリット１６が設けられ、これらの部分電極１５ａによって、前記画素電極４との間に前記液晶分子の配向方位を制御する電界を生成するための、間隔をおいて互いに平行に並ぶ複数の縁部１５ｄが形成されたＩＴＯ膜等の透明導電膜からなっている。
【００３６】
　この実施例では、前記透明導電膜の複数の画素電極４に対応する部分にそれぞれ、前記列方向に沿う４本のスリット１６を互に平行に設け、これらのスリット間に３本の部分電極１５ａを形成している。
【００３７】
　この共通電極１５の前記画素電極４に対応する部分に形成された複数の部分電極１５ａの幅は、隣合う部分電極１５ａの間隔（スリット１６の幅）と同程度に設定されている。
【００３８】
　また、前記共通電極１５の前記走査線１２を挟んで隣合う画素電極４，４間に対応する領域であって、前記画素電極の周辺部分１５ｃは、その両側縁部が前記隣合う画素電極４の両方の周辺部にそれぞれ対向する幅に形成されている。
【００３９】
　さらに、前記複数のスリット１６は、前記画素電極４の前記列方向の幅と略同じ長さに形成されており、したがって、画素電極４に対応するスリット１６，１６の端部間の幅は、その両側縁部が前記隣合う画素電極４の両方の周辺部と重なる幅に形成されている。
【００４０】
　なお、前記一方の基板（観察側とは反対側の基板）２には、行方向と列方向の一方または両方の一端の縁部に、他方の基板１の外方に張出す端子配列部が形成されており、前記複数の走査線１２と信号線１３は、前記端子配列部に配列形成された複数の走査線端子と信号線端子に接続され、前記共通電極１５は、その外周縁の一部または複数箇所から導出されたリード配線を介して前記端子配列部に形成された共通電極端子に接続されている。
【００４１】
　一方、前記他方の基板１の内面には、前記複数のＴＦＴ５にそれぞれ対向させて、前記ＴＦＴ５の光による誤動作を防ぐための遮光膜１７が設けられるとともに、前記複数の画素電極４と前記共通電極１５とにより形成された複数の画素（画素電極４と共通電極１５の各部分電極１５ａの側縁との間に生成された電界により液晶分子の配向状態が制御される領域）にそれぞれ対応させて、赤、緑、青の３色のカラーフィルタ１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが設けられている。
【００４２】
　また、前記一対の基板１，２の前記枠状シール材で囲まれた領域の内面にはそれぞれ、前記共通電極１５及びカラーフィルタ１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを覆って水平配向膜１９，２０が設けられている。
【００４３】
　これらの配向膜１９，２０はそれぞれ、前記共通電極１５の各部分電極１５ａの長さ方向に対して５°〜１５°の範囲の予め定めた角度で斜めに交差する方向に沿って互いに逆方向にラビングすることにより配向処理されており、前記液晶層３の液晶分子は、前記配向膜１９，２０の配向処理方向に分子長軸を揃えて、前記基板１，２面と実質的に平行に配向している。
【００４４】
　また、図では省略しているが、この液晶表示素子は、前記一対の基板１，２の外面にそれぞれ配置された一対の偏光板を備えており、これらの偏光板のうち、一方の偏光板は、その透過軸を前記配向膜１９，２０の配向処理と実質的に平行にして配置され、他方の偏光板は、その透過軸を前記一方の偏光板の透過軸と実質的に直交または平行にして配置されている。
【００４５】
　この液晶表示素子は、前記複数の画素電極４に前記ＴＦＴ５を介して表示信号を印加することにより、前記共通電極１５の各部分電極１５ａの縁部と前記画素電極４の前記部分電極１５ａ，１５ａ間に対応する部分との間に電界を生成させ、その電界により前記液晶分子の配向方位を前記基板１，２面と実質的に平行な面内において制御して表示する。
【００４６】
　この液晶表示素子は、前記共通電極１５を、前記画素電極４より前記液晶層３側に、絶縁膜（層間絶縁膜）１４を介して前記画素電極４を覆って積層し、且つ前記画素電極４に対応する領域ごとに少なくとも１つの縁部１５ｄを形成し、前記画素電極４と前記縁部１５ｄとの間に、前記液晶分子の配向方位を前記基板１，２面と実質的に平行な面内において制御する電界を生成するようにしたので、前記画素電極４の周辺部に発生する前記画素電極４と共通電極１５との間以外の電界を液晶層３に対して遮断するから、前記画素周辺部の配向の乱れを無くして、光漏れを防止することができる。
【００４７】
　また、この液晶表示素子においては、前記共通電極１５に、前記複数の画素電極４に対応する領域ごとに、間隔をおいて互いに平行に並ぶ複数の縁部１５ｄを形成するための複数のスリット１６を設けているため、前記共通電極１５の各縁部１５ｄと前記画素電極４の間に、実質的に均一な強さの電界を生成させ、高品質の画像を表示することができる。
【００４８】
　この実施例の液晶表示素子は、前記一方の基板２の内面に、各画素電極行にそれぞれ沿わせて形成され、各行のＴＦＴ５にゲート信号を供給する複数の走査線１２と、各画素電極列にそれぞれ沿わせて形成され、各列のＴＦＴ５にデータ信号を供給する複数の信号線１３とが設けられ、前記共通電極１５は、複数の画素電極４とＴＦＴ５と走査線１２及び信号線１３を覆う絶縁層（ＴＦＴ５のゲート電極６及び走査線１２を覆うゲート絶縁膜７と、画素電極４とＴＦＴ５と信号線１３を覆う層間絶縁膜１４との積層膜）の上に、前記走査線１２を挟んで隣合う画素電極４，４間の領域と前記信号線１３を挟んで隣合う画素電極４，４間の領域の両方を覆う領域によって、前記画素電極行方向及び画素電極列方向に延出した形状に形成され、前記画素電極４に対応する部分が、間隔をおいて互いに平行に並ぶ複数の部分電極１５ａからなり、その各部分電極１５ａの縁部と前記画素電極４との間に、前記液晶分子の配向方位を制御する電界を生成するため、前記走査線１２及び信号線１３と前記画素電極４の縁部との間に生じる電界を前記共通電極１５により遮蔽し、その電界による画素周辺の液晶分子の配向の乱れを無くすことができ、したがって、隣合う画素間の光漏れを無くし、良好な品質の画像を表示することができる。
【００４９】
　すなわち、この液晶表示素子は、前記共通電極１５を、前記走査線１２を挟んで隣合う画素電極４，４間の領域と前記信号線１３を挟んで隣合う画素電極４，４間の領域の両方に対応させて形成され、前記複数の画素電極４に対応する部分にそれぞれ、間隔をおいて平行に並ぶ複数の部分電極１５ａを形成する複数のスリット１６が設けられた導電膜により形成しているため、前記走査線１２と前記画素電極４の縁部との間に生じる電界及び前記信号線１３と前記画素電極４の縁部との間に生じる電界の両方を、前記共通電極１５の前記隣合う画素電極４，４間の領域に対応する部分１５ｂ，１５ｃにより遮蔽することができる。
【００５０】
　そのため、前記走査線１２と前記画素電極４の縁部との間に生じた電界及び前記信号線１３と前記画素電極４の縁部との間に生じた電界が液晶層３に作用し、その電界により前記隣合う画素間の領域の液晶分子の配向が乱れることは無く、したがって、画素周辺部の全周に亙って光漏れを無くすことができる。
【００５１】
　しかも、この液晶表示素子は、前記共通電極１５を、前記複数の画素電極４に対応する部分にそれぞれ複数の部分電極１５ａを形成する複数のスリット１６が設けられた導電膜により形成しているため、前記共通電極１５の前記画素電極４に対応する部分の複数の部分電極１５ａ及び前記隣合う画素電極４，４間の領域に対応する部分１５ｂ，１５ｃの電位を実質的に等しくし、前記共通電極１５の各部分電極１５ａの縁部と前記画素電極４の前記部分電極１５ａ間に対応する部分との間に、実質的に均一な強さの電界を生成させて、前記画素の全域にわたって液晶分子の配向方位を一様に制御することができる。
【００５２】
　そのため、この液晶表示素子は、前記走査線１２を挟んで隣合う画素間及び前記信号線１３を挟んで隣合う画素間の両方の光漏れが無い。したがって、画素周辺の漏れ光を遮光するブラックマスクを設ける必要がなくなって、開口率が高くなり、明るく且つコントラストの高い画像を表示させることができる。また、共通電極１５よりも基板側に画素電極４を配置しているため、ＴＦＴ５のソース電極と接続するためにスルーホール等を設ける必要がないので、製造工程が単純になり、また前記スルーホールによる開口率の低下を生じることがない。しかも、前記共通電極１５が実質的に基板の略全面に渡って電気的に接続された状態で形成されているため、各画素の光の透過率が画素の全域にわたって均一な高品質の画像を表示することができる。
【００５３】
　さらに、この液晶表示素子は、前記複数の画素電極４は、予め定めた画素領域の全域に対応する形状に形成しているため、前記画素電極４の電位をその全体にわたって実質的に等しくし、前記共通電極１５の各部分電極１５ａの縁部と前記画素電極４の前記部分電極１５ａ間に対応する部分との間に、より均一な強さの電界を生成させ、前記画素の全域にわたって液晶分子の配向方位をさらに一様に制御することができ、したがって、より高品質の画像を表示することができる。」 
　
　また、上記ウに照らして図３を見ると、以下の事項が看取できる。
　エ　「画素電極４は、透明基板２上において、一部が薄膜トランジスタ５のソース電極１０に直接重なるように前記ソース電極１０の上に直接形成される。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。  
　
「アクティブマトリックス液晶表示素子において、
　間隙を設けて対向する一対の透明基板１，２間に、液晶分子がその分子長軸を一方向に揃えて前記基板１，２面と実質的に平行に配向した液晶層３が封入され、前記一対の基板１，２の互いに対向する内面のうち、一方の基板、例えば表示の観察側とは反対側の基板２の内面に、行方向及び列方向に配列された複数の透明な画素電極４と、これらの画素電極４にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）５と、各画素電極行の一側にそれぞれ沿わせて形成され、各行のＴＦＴ５にゲート信号を供給する複数の走査線１２と、各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて形成され、各列のＴＦＴ５にデータ信号を供給する複数の信号線１３と、前記複数の画素電極４の前記液晶層３に対向する側に、絶縁膜１４を介して前記画素電極４を覆って積層され、且つ前記画素電極４に対応する領域ごとに少なくとも１つの縁部１５ｄが形成され、前記画素電極４と前記縁部１５ｄとの間に、前記液晶層３の液晶分子の配向方位を前記基板１，２面と実質的に平行な面内において制御する電界を生成する透明な共通電極１５とが設けられ、
　前記画素電極４は、前記画素に対応する面積をもった実質的に矩形形状の１つの透明導電膜からなっており、これらの画素電極４の１つの角部に、その画素電極４に対応するＴＦＴ５のソース電極１０が接続され、
　前記複数の画素電極４は、前記ゲート絶縁膜７の上に、ＩＴＯ膜等の透明導電膜により、予め定めた画素領域の全域に対応する形状であって、１つの実質的な矩形形状に形成されており、これらの画素電極４の１つの角部に、その画素電極４に対応するＴＦＴ５のソース電極１０が接続され、
　前記画素電極４は、透明基板２上において、一部が薄膜トランジスタ５のソース電極１０に直接重なるように前記ソース電極１０の上に直接形成され、
　前記一方の基板２の内面には、その略全面にわたって、前記複数の画素電極４とＴＦＴ５と走査線１２及び信号線１３を覆う透明な層間絶縁膜１４が形成されており、前記共通電極１５は、前記ゲート絶縁膜７と層間絶縁膜１４とからなる絶縁層の上に画素電極４を覆って形成され、
　前記共通電極１５は、前記複数の画素電極４及び前記走査線１２を挟んで隣合う画素電極４，４間の領域である周辺部分１５ｂと前記信号線１３を挟んで隣合う画素電極４，４間の領域である周辺部分１５ｃの両方に対応する部分にわたって形成され、前記複数の画素電極４に対応する領域にそれぞれ、間隔をおいて平行に並ぶ複数の部分電極１５ａを形成する複数のスリット１６が設けられ、これらの部分電極１５ａによって、前記画素電極４との間に前記液晶分子の配向方位を制御する電界を生成するための、間隔をおいて互いに平行に並ぶ複数の縁部１５ｄが形成されたＩＴＯ膜等の透明導電膜からなっているアクティブマトリックス液晶表示素子。」
　
（３）引用例３  
　同様に引用された、本願の出願前に頒布された「特開２００７−３３４３１７号公報 」（以下「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。  
　ア　「【０００１】
　本発明は、半導体装置及び液晶表示装置に関する。特に、基板に概略平行な電界を生じさせて、液晶分子を制御する半導体装置及び液晶表示装置に関する。」 
　イ　「【０００７】
　本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、表示素子の２つの電極の間隔の自由度を向上させることができ、最適な電界を電極間に加えることが出来る表示装置及びその製造方法を提供することにある。」 
　ウ　「【００６５】
（第２の実施形態）
　図１（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。１画素分の画素を示している。この液晶表示装置は、ＦＦＳ方式で液晶の配向方向を制御する装置である。図１（Ａ）において、複数のソース配線１０８が互いに平行（図中縦方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線１０５は、ソース配線１０８に略直交する方向（図中横方向）に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。補助配線１０６は、複数のゲート配線１０５それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配線１０５に概略平行な方向、つまり、ソース配線１０８に概略直交する方向（図中左右方向）に延伸している。ソース配線１０８と、補助配線１０６及びゲート配線１０５とによって、略長方形の空間が囲まれ、この空間に液晶表示装置の画素電極が配置されている。画素電極を駆動する薄膜トランジスタ１２１は、図中左上の角に配置されている。画素電極及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置されている。
・・・
【００９２】
　図２及び図１（Ａ）に示すように、第２の電極１１２は略長方形であり、第１の電極１０１の上方に位置し、複数の開口パターン１１２ａ，１１２ｂを有している。開口パターン１１２ａ，１１２ｂの例としては、スリット状で互いに平行であるものを多く含む。本図に示す例では、開口パターン１１２ａ，１１２ｂの向きは、ソース配線１０８に対して斜めであるが、画素の図中上半分に位置する開口パターン１１２ａと、下半分に位置する開口パターン１１２ｂの向きは互いに異なる。開口パターン１１２ａ，１１２ｂが形成されることにより、第１の電極１０１と第２の電極１１２の間で基板に平行な成分を有する電界が、第２の電極１１２の上方で生じる。このため、第２の電極１１２の電位を制御することにより、後述する液晶の配向方向を制御することができる。
【００９３】
　また、開口パターン１１２ａ，１１２ｂのように、開口パターンの向きが異なるものを配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結果、視野角を向上させることが出来る。
【００９４】
　なお、開口パターンの形状は本実施形態の形状に限定されない。第３の実施形態以降で記載する開口パターンの形状も適用することができる。すなわち開口パターンには、例えば櫛歯形状の電極における櫛歯部分の相互間のスペース等、導電体パターンが形成されていないスペースを含まれるものとする。」
　エ　「【０１２１】
（第３の実施形態）
　図３（Ａ）は、第３の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図である。本実施形態は、第１の電極１０１が薄膜トランジスタ１２１の不純物領域１０３ｂに電気的に接続されていて画素電極として機能している点、第２の電極１１２が補助配線１０６に電気的に接続されていて共通電極として機能している点、基板１００に対して垂直な方向から見た場合に第２の電極１１２が第１の電極１０１の外側に食み出している点、並びに、第１の電極１０１及び第２の電極１１２と各配線の接続構造を除いて、第２の実施形態と概ね同様の構成である。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第２の実施形態と略同様である。従って、第２の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することが可能である。以下、第２の実施形態と同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。」
　オ　「【０１５９】
（第７の実施形態）
　図７（Ａ）は、本発明の第７の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図である。本実施形態は、ソース配線１０８が屈曲している点、ソース配線１０８に合わせて第１の電極１０１及び第２の電極１１２も屈曲している点、及び第２の電極１１２が有する開口パターン１１２ｈがソース配線１０８に沿って延伸し、かつ屈曲している点を除いて、第３の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置と同様の構成である。このため、第３の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用することができる。以下、第３の実施形態と同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０１６０】
　従って、第２の実施形態乃至第６の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても適用することが可能である。
【０１６１】
　図７の開口パターン１１２ｈのように、開口パターンの向きが異なるものを配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結果、視野角を向上させることが出来る。
【０１６２】
　さらに、開口パターン１１２ｈにそって、ソース配線１０８も屈曲しているため、効率的にレイアウトをすることができ、開口率を向上させることが出来る。
【０１６３】
　本実施形態によっても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態において第２の電極１１２が有する開口パターンの形状を、第２又は第４の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０１６４】
　なお、本実施形態は、第２から第６の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した場合の一例を示している。したがって、第２から第６の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。
【０１６５】
　また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。」
　
　また、上記オに照らして図７を見ると、以下の事項が看取できる。
　カ　「隣接するゲート配線１０５間で、開口パターン１１２ｈ及びソース配線１０８が屈曲する。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用例３には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。  
　
「第２の電極１１２は略長方形であり、第１の電極１０１の上方に位置し、複数の開口パターン１１２ａ，１１２ｂを有し、
　開口パターン１１２ａ，１１２ｂが形成されることにより、第１の電極１０１と第２の電極１１２の間で基板に平行な成分を有する電界が、第２の電極１１２の上方で生じ、
　第２の電極１１２の電位を制御することにより、液晶の配向方向を制御することができる液晶表示装置において、
　隣接するゲート配線１０５間で、前記第２の電極１１２が有する開口パターン１１２ｈがソース配線１０８に沿って延伸し、かつ屈曲し、
　前記開口パターン１１２ｈにそって、前記ソース配線１０８も屈曲させた液晶表示装置。」
　
（４）引用例４  
　平成２４年１１月２２日付け手続補正の補正却下の理由及び審尋で引用された、本願の出願前に頒布された「特開平１０−３１９４３６号公報」（以下「引用例４」という。）には、次の事項が記載されている。  
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板面に沿った方向に横電界を印加して液晶の配向制御を行うアクティブマトリックス型液晶表示装置に関するもので、開口率を高くすることができる構造に関する。」 
　イ　「【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、横電界によって液晶を駆動する構成における高視野角特性を有したままで開口率を高くすることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。」 
　ウ　「【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の第１の形態について説明する。図１〜図３は、本発明に係る液晶表示装置の第１の形態を示すもので、図２の断面構造に示すように上の基板４０と下の基板４１が互いの間に所定の間隔（セルギャップ）をあけて平行に対向配置され、基板４０、４１の間に液晶４２が設けられるとともに、基板４０、４１の外面側に偏光板４３、４４が配置されている。これらの基板４０、４１はガラス等の透明基板からなるが、実際の構成においては基板４０、４１の周縁部をシール材で取り囲み基板４０、４１とシール材により囲まれた空間に液晶４２が封入されていて、基板４０、４１と液晶４２と偏光板４３、４４とを組み合わせることによって液晶セル４５が構成されている。
【００１６】
この形態の構造にあっては、透明の基板４１上に図１（ａ）に示すようにマトリックス状に複数のゲート配線５０とソース配線５１が形成され、ゲート配線５０・・・とソース配線５１・・・とによって囲まれた画素領域５２に線状のコモン電極５３、５３と、線状の画素電極５４とが互いに平行に配置されている。より詳細には、下の基板４１上にコモン電極の一部を構成するための複数のコモン電極配線５５が互いに平行に所定間隔で複数形成され、基板４１とコモン電極配線５５・・・を覆ってＳｉＯ2、ＳｉＮxなどからなる絶縁層などの第１の隔離層５６が形成され、この隔離層５６上にコモン電極配線５５と隣接させてコモン電極配線５５より幅広のゲート配線５０がコモン電極配線５５と平行に０.５〜２.０μｍ程度の微小間隔をあけて設けられるとともに、第１の隔離層５６上に各ゲート配線５０を覆って第２の絶縁層などの隔離層５７が形成され、この隔離層５７上に画素電極５４とソース配線５１が形成されている。
【００１７】
また、各画素領域５２のコモン電極配線５５においてその両側に位置するソース配線５１、５１に平行にコモン電極配線５５から延出させたコモン電極５３、５３が形成され、コモン電極５３、５３はその先方側（図１（ａ）の下側）のゲート配線５０に近接した位置にこのゲート配線５０と隣接させて設けられたコモン電極接続部５９により接続されている。一方、各画素領域５２においてゲート配線５０とソース配線５１とが交差する部分には、ゲート配線５０の一部を流用してゲート電極６０が形成され、このゲート電極６０上の隔離層５７上に半導体層６１が形成され、この半導体層６１の一側にソース配線５１の一部を流用してソース電極６２が接続され、他側にドレイン電極６３が接続されて薄膜トランジスタＴが構成されている。」
　エ　「【００２８】
図４は本発明に係る第２の実施形態の液晶表示装置の要部を示すもので、図４において図１〜３に示す第１の実施形態の液晶表示装置と同一の部分には同一の符号を付してそれらの部分の説明を省略する。この形態の液晶表示装置において先の第１の形態の液晶表示装置と異なっているのは、下の基板４１上にゲート配線８０・・・が形成され、基板４１とこれらゲート配線８０・・・を覆って第１の絶縁層などの隔離層８２が設けられ、隔離層８２上に画素電極８３とソース配線８４が形成され、隔離層８２と画素電極８３とソース配線８４を覆って第２の絶縁層などの隔離層８５が設けられ、隔離層８５上にコモン電極８６が設けられている点である。
【００２９】
更にこの形態において、図４（ａ）に示すようにゲート配線８０、８０とソース配線８４、８４により囲まれた画素領域８７にソース配線８４と平行に２本の画素電極８３、８３が離間して設けられ、画素電極８３、８３の一端側がその先方側のゲート配線８０と隣接して平行に設けられた一側の容量生成電極８８に接続され、他側端がその先方のゲート配線８０と隣接して平行に設けられた他側の容量生成電極８９に接続され、この容量生成電極８９が薄膜トランジスタＴのドレイン電極６３に接続されている。また、コモン電極８６は、画素電極８３、８３の間にこれらと平行に設けられた電極部８６ａと、画素領域８７以外の部分を覆い隠すことができるように形成された遮蔽部８６ｂとからなっている。具体的には、遮蔽部８６は、ソース配線８４、８４およびその近傍と、ゲート配線８０およびその近傍と薄膜トランジスタＴおよびその近傍と、容量生成電極８８、８９およびその近傍を覆い、画素領域８７の中央部を開けるように設けられている。」
　オ　「【００３２】
図５は本発明に係る第３の実施形態の液晶表示装置の要部を示すもので、図５において図４に示す第２の実施形態の液晶表示装置と同一の部分には同一の符号を付してそれらの部分の説明を省略する。この形態において特徴的な構成は、ゲート配線８０上に位置するコモン電極８６の部分にゲート配線８０に沿う矩形状の孔部９０を設けた構成である。このようにゲート配線８０上のコモン電極８６に孔部９０を設けることで、コモン電極８６とゲート配線８０で挟む隔離層８２、８５の面積が少なくなり、生成する容量が少なくなるので、液晶表示装置としての寄生容量を小さくすることができ、ゲート遅延を防止することができる。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用例４には、次の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。  
　
「基板４１とゲート配線８０を覆って第１の絶縁層などの隔離層８２が設けられ、隔離層８２上に画素電極８３とソース配線８４が形成され、隔離層８２と画素電極８３とソース配線８４を覆って第２の絶縁層などの隔離層８５が設けられ、隔離層８５上にコモン電極８６が設けられた液晶表示装置において、
　コモン電極８６は、画素電極８３、８３の間にこれらと平行に設けられた電極部８６ａと、画素領域８７以外の部分を覆い隠すことができるように形成された遮蔽部８６ｂとからなっており、
　具体的には、遮蔽部８６は、ソース配線８４、８４およびその近傍と、ゲート配線８０およびその近傍と薄膜トランジスタＴおよびその近傍と、容量生成電極８８、８９およびその近傍を覆い、画素領域８７の中央部を開けるように設けられ、
　ゲート配線８０上に位置するコモン電極８６の部分にゲート配線８０に沿う矩形状の孔部９０を設けた液晶表示装置。」
　
　
４　対比・判断
（１）本願発明１について　
　ア　引用発明１について  
　本願発明１と引用発明１とを対比すると、  
　後者における「ゲート線ＧＬ」は、その機能、作用等からみて、前者における「ゲート配線」に相当し、以下同様に、「ドレイン線ＤＬ」は「ソース配線」に、「薄膜トランジスタＴＦＴ」は「薄膜トランジスタ」に、「ソース電極ＳＤ１」は「ドレイン電極」に、「画素電極ＰＸ」は「画素電極」に、「第１基板ＳＵＢ１」は「第１の基板」に、「第２基板ＳＵＢ２」は「第２の基板」に、「液晶層ＬＣ」は「液晶」に、「対向電極ＣＴ」は「対向電極」に、それぞれ相当する。
　また、後者における「保護膜ＰＳＶ１」及び「保護膜ＰＳＶ２」は、例えば、保護膜ＰＳＶ１として、比誘電率が７、膜厚が１００乃至９００のＳｉＮを用いた場合、保護膜ＰＳＶ２としては、比誘電率が３乃至４で、膜厚が１０００乃至３００の高分子有機材料の樹脂膜とするのが適当であるとのことから、前者における「層間絶縁膜」に相当するといえる。
　さらに、後者は横電界方式の液晶表示装置であり、画素電極が形成された領域に対向電極が帯状電極として形成されるから、前者のように画素電極と複数のスリットを有する対向電極との間でフリンジ電界を発生させるものであるといえる。
　したがって、両者は、  
「ゲート配線、ソース配線、及び薄膜トランジスタを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
　前記第１の基板上において、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタのドレイン電極に直接重なるよう、前記ドレイン電極の上又は下に直接形成された画素電極と、
　前記画素電極を覆う層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜上に形成され、前記画素電極との間でフリンジ電界を発生させる複数のスリットを有する対向電極と、を備え、
　前記対向電極は、前記ソース配線を跨ぐように形成されることで、前記ソース配線を挟んで隣接する画素の前記対向電極と接続され、
　前記対向電極は、前記ゲート配線の上を跨ぐように形成されることで、前記ゲート配線を挟んで隣接する画素の前記対向電極と接続された液晶表示装置。」
　の点で一致し、以下の点で相違している。  
［相違点１］  
　本願発明１は、隣接するゲート配線間でソース配線が屈曲することで、ソース配線がゲート配線に対して所定角度の２方向を有し、対向電極が有する複数のスリットが前記２方向と平行な２方向を含んでいるのに対して、引用発明１は、そのようなものではない点。  
［相違点２］  
　本願発明１は、対向電極に関して、ソース配線がゲート配線と交差する交差部分を除いて形成され、前記ゲート配線と薄膜トランジスタが重複する領域を除いて形成され、前記交差部分を除く前記ソース配線の大部分において前記ソース配線を覆っており、前記対向電極の前記ソース配線を跨ぐ部分、前記ゲート配線を跨ぐ部分、及び画素内の部分が、透明導電膜によって一体に形成されているのに対して、引用発明１は、そのようなものではない点。
　
　上記相違点につき検討する。
（ア）相違点１について  
　上記３（３）によれば、引用例３には上記引用発明３が記載されているところ、引用発明３における「第２の電極１１２」は、その機能、作用等からみて、本願発明１における「対向電極」に相当し、以下同様に、「第１の電極１０１」は「画素電極」に、「第１基板ＳＵＢ１」は「第１の基板」に、「第２基板ＳＵＢ２」は「第２の基板」に、「ゲート配線１０５」は「ゲート配線」に、「開口パターン１１２ｈ」は「スリット」に、「ソース配線１０８」は「ソース配線」に、それぞれ相当する。
　してみると、引用発明３は、上記相違点１に係る本願発明１の発明特定事項を備える。そして、引用発明１と引用発明３とは、液晶表示装置という共通の技術分野に属し、視野角を向上させる及び開口率を向上させるという液晶表示装置に共通の一般的な課題を有するから、引用発明１において、引用発明３のスリット及びソース配線を屈曲させる構成を採用し、上記相違点１に係る本願発明１の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　  
（イ）相違点２について  
　上記３（４）によれば、引用例４には上記引用発明４が記載されているところ、引用発明４における「コモン電極８６」は、その機能、作用等からみて、本願発明１における「対向電極」に相当し、以下同様に、「ソース配線８４」は「ソース配線」に、「ゲート配線８０」は「ゲート配線」に、「薄膜トランジスタＴ」は「薄膜トランジスタ」に、それぞれ相当する。
　しかしながら、引用発明４は、本願発明１の対向電極に関する以下の構成、すなわち、ソース配線がゲート配線と交差する交差部分を除いて形成し、前記ゲート配線と薄膜トランジスタが重複する領域を除いて形成し、前記交差部分を除く前記ソース配線の大部分において前記ソース配線を覆うようにするとの発明特定事項を備えていない。また、引用例４の他の記載をみても、上記の点につき、当業者が容易に想到し得たといえる記載や示唆は見当たらない。
　なお、引用発明４において、ゲート配線８０上に位置するコモン電極８６の部分に（ゲート配線８０に沿うように）設けられた矩形状の孔部９０を、ソース配線がゲート配線と交差する交差部分やゲート配線と薄膜トランジスタが重複する領域に設けることを、当業者が容易になし得たということもできない。
　してみると、引用発明４は、上記相違点２に係る本願発明１の発明特定事項を備えるとはいえないから、引用発明１と引用発明４とが、液晶表示装置という共通の技術分野に属し、引用発明１において、引用発明４の対向電極の構成を採用し得たとしても、上記相違点２に係る本願発明１の発明特定事項とすることを、当業者が容易に想到し得たといえるものではない。
　したがって、引用発明１において、上記相違点２に係る本願発明１の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得るものではない。 
　
　よって、本願発明１は、引用発明１及び３、４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。  
     
　イ　引用発明２について  
　本願発明１と引用発明２とを対比すると、
　後者における「アクティブマトリックス液晶表示素子」は、その機能、作用等からみて、前者における「液晶表示装置」に相当し、以下同様に、「透明基板１」は「第２の基板」に、「透明基板２」は「第１の基板」に、「液晶層３」は「液晶」に、「画素電極４」は「画素電極」に、「『薄膜トランジスタ５』及び『ＴＦＴ５』」は「薄膜トランジスタ」に、「走査線１２」は「ゲート配線」に、「信号線１３」は「ソース配線」に、「絶縁膜１４」は「層間絶縁膜」に、「ソース電極１０」は「ドレイン電極」に、「共通電極１５」は「対向電極」に、それぞれ相当する。
　また、後者はアクティブマトリックス方式の液晶表示素子であり、「画素電極４」が形成された領域に複数の「スリット１６」が設けられた「共通電極１５」が形成されるから、前者のように画素電極と複数のスリットを有する対向電極との間でフリンジ電界を発生させるものであるといえる。
　したがって、両者は、
「ゲート配線、ソース配線、及び薄膜トランジスタを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
　前記第１の基板上において、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタのドレイン電極に直接重なるよう、前記ドレイン電極の上又は下に直接形成された画素電極と、
　前記画素電極を覆う層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜上に形成され、前記画素電極との間でフリンジ電界を発生させる複数のスリットを有する対向電極と、を備え、
　前記対向電極は、前記ソース配線を跨ぐように形成されることで、前記ソース配線を挟んで隣接する画素の前記対向電極と接続され、
　前記対向電極は、前記ゲート配線の上を跨ぐように形成されることで、前記ゲート配線を挟んで隣接する画素の前記対向電極と接続された液晶表示装置。」
　の点で一致し、以下の点で相違している。  
［相違点１’］  
　本願発明１は、隣接するゲート配線間でソース配線が屈曲することで、ソース配線がゲート配線に対して所定角度の２方向を有し、対向電極が有する複数のスリットが前記２方向と平行な２方向を含んでいるのに対して、引用発明２は、そのようなものではない点。  
［相違点２’］  
　本願発明１は、対向電極に関して、ソース配線がゲート配線と交差する交差部分を除いて形成され、前記ゲート配線と薄膜トランジスタが重複する領域を除いて形成され、前記交差部分を除く前記ソース配線の大部分において前記ソース配線を覆っており、前記対向電極の前記ソース配線を跨ぐ部分、前記ゲート配線を跨ぐ部分、及び画素内の部分が、透明導電膜によって一体に形成されているのに対して、引用発明２は、そのようなものではない点。
　
　上記相違点につき検討する。
　上記相違点２’は上記（１）アの相違点２と同じものであって、上記（１）ア（イ）で述べたとおり、引用発明４は、上記（１）アの相違点２に係る本願発明１の発明特定事項を備えるとはいえないから、上記（１）ア（イ）で検討したのと同じ理由により、上記相違点２’に係る本願発明１の発明特定事項とすることを、当業者が容易に想到し得るということはできない。 
　
　よって、本願発明１は、引用発明２及び３、４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。  
　
　ウ　まとめ 
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明１、３、４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、本願発明１は、引用発明２、３、４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　　　
（２）本願発明２〜９について
　本願発明２〜９について検討する。
　本願発明６は、物の発明である本願発明１を、物を生産する方法の発明にしたものであり、本願発明２〜５及び本願発明７〜９は、それぞれ本願発明１及び本願発明６の発明特定事項に加えて、さらなる発明特定事項を追加して限定を付したものである。
　したがって、本願発明２〜９は、上記（１）で検討したのと同じ理由により、引用発明１、３、４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、引用発明２、３、４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　　　
５　むすび  
　以上のとおりであるから、本願は、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。  
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。  
    
　よって、結論のとおり審決する。