【事件の表示】
　特願２００８−５２５４７１「半導体センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　２月１５日国際公開，ＷＯ２００７／０１７２５２，平成２１年　２月　５日国内公表，特表２００９−５０５０４５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成１８年８月８日（パリ条約による優先権主張２００５年８月８日，（ＤＥ）ドイツ）を国際出願日とする出願であって，平成２４年３月１５日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年７月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに，同日付けにて手続補正（以下，「本件補正」という。）がなされたものである。
　さらに，平成２５年４月９日付けで審尋がなされたが，請求人より回答書が提出されなかったものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定　 
［補正の却下の決定の結論］　 
　本件補正を却下する。　 
　　 
［理由］　 
１　補正後の本願発明　 
　本件補正により，補正前の特許請求の範囲の請求項１は，
「【請求項１】　媒体の物理的特性及び化学的特性の少なくともいずれか一つを決定し，感応面を有する
電子要素
電子要素
半導体センサ
　前記感応面は，少なくとも一領域において
機能層配列
機能層配列
イオン
あり，
前記機能層配列は，三つの層を備え，
　
前記機能層配列の前記三つの層のうち，最下層は前記ワイドギャップ半導体に接触し，中央層は前記決定対象のイオンに対して不透過性であり，最上層は前記決定対象のイオンに対して接触するものであって特定のイオンに対する選択性を有すること，
　を特徴とする半導体センサ。」
と補正された。（下線は補正箇所を示す。）　 
　
２　補正の適否（補正の目的，独立特許要件）
（１）補正の目的
　本件補正は，補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「電子要素（３）」，「半導体センサ（１）」，「機能層配列（４）」を，それぞれ「電子要素」，「半導体センサ」，「機能層配列」と図面上の番号を削除して，それぞれの用語を明りょうにし，「決定対象」について「
材料又は
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前（以下，「平成１８年法改正前」という。）の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮，及び第１７条の２第４項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）記載不備について 
　本件補正後の請求項１には，「前記機能層配列の前記三つの層のうち，」「中央層は前記決定対象のイオンに対して不透過性であり，」と記載されている。
　しかるに，補正の根拠になった発明の詳細な説明は，「【００３１】  好適には，この機能層配列は複数層構造からなり，各層は特定の役割を請け負っている。例えば三層構造を選択することができ，この構造では最下の層（直接半導体に接触する層）が（例えばチタン，Ａｌ，又はＴｉＷ，Ｓｉ，ポリマ等に対して）接着剤として作用する。
中央の層に関しては，少なくとも特定のイオン又はすべてのイオンが半導体の表面方向へ拡散することを防ぐよう選択する。
　
　してみると，本願は特許請求の範囲の請求項１の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。また，本願は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件も満たしていないから，本願補正発明は特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　 
３　まとめ　 
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年法改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により，却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について　 
１　本願発明　 
　本件補正は，上記のとおり却下されることとなるので，本願の請求項１〜３１に係る発明は，平成２３年８月１０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３１に記載された事項により特定されたものであって，その請求項１に係る発明は，次のとおりであると認める。　 
「【請求項１】
　媒体の物理的特性及び化学的特性の少なくともいずれか一つを決定し，感応面を有する電子要素（３）を備え，前記電子要素（３）の構成は，２ｅＶ以上のバンドギャップを有するワイドギャップ半導体をベースとする半導体センサ（１）において，
　前記感応面は，少なくとも一領域において機能層配列（４）で被覆され，前記機能層配列は前記電子要素の前記感応面とは反対側にあるイオン感応面を有し，前記機能層配列（４）は少なくとも決定対象の材料又はイオンに対して不透過性であること，
　を特徴とする半導体センサ。」（以下，「本願発明」という。）
　
２　引用刊行物およびその記載事項（下線は当審で付与した。）
（１）本願優先日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開昭６３−１９３０５３号公報（以下「刊行物１」という。）には，「高温用ｐＨ測定装置」について，図面とともに次の事項が記載されている。 
（１−ア）「２．特許請求の範囲
（１）．半導体薄膜と，この
半導体薄膜に
絶縁膜を介して積層された被検知体との物理的又は化学的相互作用によって電気変化を生じる
（２）．半導体薄膜を形成するＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物は，Ｉｎ及びＳｎの重量％の和に対してＳｎが０．０１〜０．１重量％の範囲にした組成のものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高温用ｐＨ測定装置。
（３）．イオン感応膜は厚さが５０００Å以下で，かつ半導体薄膜は厚さが２００Å以下の部分が存在することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高温用ｐＨ測定装置。」（１頁左下欄４〜右下欄３行）
　
（１−イ）「［発明の目的］
　（産業上の利用分野）
　本発明は，高温用ｐＨ測定装置に関し，詳しくは液温が１００℃以上の被検知体の水素イオン濃度を定量してｐＨ値を測定する装置に係わる。」（１頁右下欄５〜９行）
　
（１−ウ）「（問題点を解決するための手段）
　本発明は，半導体薄膜と，この半導体薄膜に直接もしくは絶縁膜を介して積層された被検知体との物理的又は化学的相互作用によって電気変化を生じるイオン感応膜と，前記半導体薄膜の裏面に設けられた一対の金属電極とからなるセンサ部を備えた高温用ｐＨ測定装置において，前記半導体薄膜をＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物により形成し，かつ前記イオン感応膜をＴａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３のいずれかより形成したことを特徴とする高温用ｐＨ測定装置である。」（２頁右上欄１６行〜左下欄６行）
　
（１−エ）「　第１図は，本発明の一実施例を示すｐＨ測定装置の断面図，第２図は第１図の測定装置のセンサ部を示す斜視図であり，図中の１は上部が開口された容器形状の本体である。この本体１内には，夫々ポリテトロフルオロエチレンの絶縁材２で分離された第１の金属体３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂが収納され，かつ各金属体３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂは前記本体１内に配置された容器形状の絶縁部材５及び上部が内側に屈曲した枠状絶縁部材６により該本体１に対して絶縁されている。
　前記第２の金属体４ａ，４ｂ上には，センサ７が配置されたいる。この
センサ７は，縦横１．５ｃｍ，厚さ１ｍｍのＡｌ
２
Ｏ
３
製ファインセラミックス板８を備えている。
セラミックス板８上には，厚さ０．２μｍのＩｎ−Ｓｎ酸化物系半導体薄膜１０が被覆されている。
前記半導体薄膜１０上には，例えばＣＶＤ法により厚さ４０００ÅのＳｉＯ
２
膜１１が被覆されている。
このＳｉＯ
２
膜１１上には例えばイオンプレーティング法により厚さ５０００ÅのＴａ
２
Ｏ
５
からなるイオン感応膜１２が被覆されている
　
（１−オ）「　このような構成によれば，センサ７のイオン感応膜１２を液温１００℃前後の被検知体に接触させると，該
イオン感知膜１２の作用により水酸基を吸着して電位が変化する。イオン感応膜１２の電位変化は，該感応膜１２の下層に配置された半導体薄膜１０の空間電荷層の厚さを変え，結果として該半導体薄膜１０自身の抵抗値が変化する
　
　上記（１−ア）〜（１−オ）の記載と第１〜３図を参照すると，上記刊行物１には， 次の発明が記載されていると認められる。
「縦横１．５ｃｍ，厚さ１ｍｍのＡｌ２Ｏ３製ファインセラミックス板８を備え，
前記セラミックス板８上には，厚さ０．２μｍのＩｎ−Ｓｎ酸化物系半導体薄膜１０が被覆され，
前記半導体薄膜１０上には，例えばＣＶＤ法により厚さ４０００ÅのＳｉＯ２膜１１が，絶縁膜として被覆され，
このＳｉＯ２膜１１上には例えばイオンプレーティング法により厚さ５０００ÅのＴａ２Ｏ５からなる被検知体との物理的又は化学的相互作用によって電気変化を生じるイオン感応膜１２が被覆されているセンサ７。」（以下，「引用発明」という。）
　
３　対比・判断 
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア　 引用発明の「センサ７」，及び「イオン感応膜１２」は，それぞれ，本願発明の「半導体センサ」，及び「イオン感応面」に相当することは明らかである。
　
イ　引用発明の「Ｉｎ−Ｓｎ酸化物系半導体薄膜１０」は，最上層にイオン感応膜１２を有するのであり，上記（１−オ）に「イオン感応膜１２の電位変化は，該感応膜１２の下層に配置された半導体薄膜１０の空間電荷層の厚さを変え，結果として該半導体薄膜１０自身の抵抗値が変化する」と記載されていることから，Ｉｎ−Ｓｎ酸化物系半導体薄膜１０自体も，感応面を有するといえるから，引用発明の「Ｉｎ−Ｓｎ酸化物系半導体薄膜１０」と補正発明の「感応面を有する電子要素（３）」，「前記電子要素（３）の構成は，２ｅＶ以上のバンドギャップを有するワイドギャップ半導体をベースとする」とは「感応面を有する電子要素」「前記電子要素の構成は，半導体をベースとする」の点で共通する。
　
ウ　 引用発明の「ＳｉＯ２膜１１」は，「絶縁膜として」「半導体薄膜１０」を「被覆」しているのであるから，引用発明の「前記半導体薄膜１０上には，例えばＣＶＤ法により厚さ４０００ÅのＳｉＯ２膜１１が，絶縁膜として被覆され，」と，本願発明の「前記感応面は，少なくとも一領域において機能層配列（４）で被覆され，前記機能層配列は前記電子要素の前記感応面とは反対側にあるイオン感応面を有し，前記機能層配列（４）は少なくとも決定対象の材料又はイオンに対して不透過性である」とは，機能層配列は絶縁の性質を有することは明らかであるから「前記感応面は，少なくとも一領域において絶縁部で被覆され，前記絶縁部は前記電子要素の前記感応面とは反対側にあるイオン感応面を有し，」の点で共通する。
　
　そうすると，両者は，　 
（一致点）  
　「媒体の物理的特性及び化学的特性の少なくともいずれか一つを決定し，感応面を有する電子要素を備え，前記電子要素の構成は，半導体をベースとする半導体センサにおいて，
　前記感応面は，少なくとも一領域において絶縁部で被覆され，前記絶縁部は前記電子要素の前記感応面とは反対側にあるイオン感応面を有する半導体センサ。」
である点で一致し，以下の点で相違するといえる。　
　
（相違点１）　
　電子要素について，本願発明が，「２ｅＶ以上のバンドギャップを有するワイドギャップ半導体」であるのに対して，引用発明では，Ｉｎ−Ｓｎ−酸化物系半導体薄膜である点。
　
（相違点２）　
　絶縁部について，本願発明では，「少なくとも決定対象の材料又はイオンに対して不透過性である」のに対して，引用発明では，絶縁膜である点。
　
（１）相違点１についての検討
　引用発明の半導体であるＩｎ−Ｓｎ−酸化物系半導体は，例えば，特開平５−２５１７０５号公報に「【００１３】・・・実施例１の薄膜トランジスタは，・・・ゲ−ト絶縁層３上に酸素濃度を調製して形成された酸化インジィウム・スズ（ＩＴＯ）等の半導体活性層８とが積層され，・・・【００２１】また，光が当っても導電性が変化しないエネルギバンドギャップの大きい半導体を半導体活性層８として用いる必要があるので，半導体活性層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上であることが望ましい。・・・本実施例で製造されるＩＴＯ膜の半導体層ではエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上とすることができる。」と記載され，特開平５−２７２４８号公報に「【００２２】すなわちＩＴＯは，そのバンドギャップが３．０ｅＶ程度の酸化物半導体であり，」と記載されているように，バンドギャップが３．０ｅＶ程度のバンドギャップを有する半導体であるから，本願発明の２ｅＶ以上のバンドギャップを有するワイドギャップ半導体となり，相違点１は実質的な相違点ではない。
　
（２）相違点２についての検討
　引用発明の絶縁膜は，絶縁性の膜であるので，電荷が通過できないものであることは明らかである。
　引用発明がイオン感応層の電位変化を電気的に絶縁した半導体で測定するものであるから，半導体に決定対象が直接接触しては正確な測定ができないことは技術常識であり，イオン感応層の絶縁性をより確実にしようとすることは当然に求められる技術的課題であるから，電荷が通過できない絶縁膜について，決定対象の材料，または電荷を失った決定対象の原子や原子団であるイオンについても通過できないものとしようとすることは，十分に動機付けがあり，阻害要因もないので，引用発明について，相違点２に記載の本願発明の構成を採用して構成することは，当業者が容易に想到するものといえる。
　
（３）そして，本願発明の作用効果は，引用発明，周知技術，及び技術常識から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎない。
　
（４）したがって，本願発明は，引用発明，周知技術，及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきである。
 　 
第４　むすび  
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，周知技術，及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　  
　したがって，その他の請求項について言及するまでもなく，本願出願は拒絶されるべきものである。　  
　よって，結論のとおり審決する。