【事件の表示】
　特許第３４６２９２７号「成膜装置及び成膜装置用治具並びに成膜方法」の請求項１ないし１７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４６２９２７号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯、本件発明
　特許３４６２９２７号の請求項１ないし１７に係る発明についての出願は、平成７年３月１６日に特許出願され、平成１５年８月１５日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１ないし１７に係る発明の特許について、特許異議申立人 斯波隆司より特許異議の申立てがなされた。そして、当審において取消理由通知がなされ、その指定期間内に訂正請求がなされるとともに特許異議意見書が提出され、それに対し、当審で特許異議申立人に審尋したところ、特許異議申立人からの回答がなかったものである。
　
２．訂正の適否
２−１．訂正の内容
　本件訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち訂正事項ア〜コのとおりに訂正しようとするものである。
　訂正事項ア．
　本件特許明細書における特許請求の範囲の請求項１に『外治具』、『成膜装置において』、『該露出した母材表面における特定の結晶軸方向を向いている結晶の割合が』、『前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである』とあるのを、「該治具」、「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において」、「該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が」、「前記母材の材料がチタンである」に訂正する。
　訂正事項イ．
　本件特許明細書における特許請求の範囲の請求項３を請求項２に訂正すると共に、訂正前の請求項３に『成膜装置において』、『該露出した母材表面における平均結晶粒径が』、『前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである』とあるのを、「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において」、「該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、平均結晶粒径が」、「前記母材の材料がチタンである」に訂正する。
　訂正事項ウ．
　本件特許明細書における特許請求の範囲の請求項４を請求項３に訂正すると共に、訂正前の請求項４に『成膜装置において』、『平板特定面の表面の結晶に対して』、『前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである』とあるのを、「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において」、「平板の表面における結晶面が（００１）面に配向され、」、「前記母材の材料がチタンである」に訂正する。
　訂正事項エ．
　本件特許明細書における特許請求の範囲の請求項９を請求項６に訂正すると共に、訂正前の請求項９に『成膜装置の成膜室』、『該露出した母材表面における特定の結晶軸方向を向いている結晶の割合が』、『前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである』とあるのを、「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室」、「該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が」、「前記母材の材料がチタンである」に訂正する。
　訂正事項オ．
　本件特許明細書における特許請求の範囲の請求項１１を請求項７に訂正すると共に、訂正前の請求項３に『成膜装置の成膜室』、『該露出した母材表面における平均結晶粒径が』、『前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである』とあるのを、「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室」、「該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、平均結晶粒径が」、「前記治具の母材の材料がチタンである」に訂正する。
　訂正事項カ．
　本件特許明細書における特許請求の範囲の請求項１２を請求項８に訂正すると共に、訂正前の請求項１２に『成膜装置の成膜室』、『平板特定面の表面の結晶に対して』、『前記治具の母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである』とあるのを、「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室」、「平板の表面における結晶面が（００１）面に配向され、」、「前記治具の母材の材料がチタンである」に訂正する。
　訂正事項キ．
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２、７、８、１０、１５〜１７を削除し、同請求項３〜６、９、１１〜１４を繰り上げ、それぞれ、請求項２〜５、６、７〜１０と訂正すると共に、訂正前の請求項５、６、１３、１４の引用する項番号『請求項１乃至４』、『請求項５』、『請求項９または１１』、『請求項１３』を、それぞれ、訂正後の項番号「請求項１乃至３」、「請求項４」、「請求項７または８」、「請求項９」に訂正する。
　訂正事項ク．
　本件特許明細書の発明の名称及び段落【０００１】に『成膜装置及び成膜装置用治具並びに成膜方法とあるのを、「成膜装置及び成膜装置用治具」に訂正する。
　訂正事項ケ．
　本件特許明細書の段落【０００７】に『と成膜方法』とあるのを削除する。
　訂正事項コ．
　本件特許明細書の段落【０００９】に『外治具』とあるのを「該治具」に、同段落【００３４】に『ず１２』とあるのを「図１２」に、同段落【００５３】に『下面３２』とあるのを、「下面３３」に、それぞれ訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張又は変更の存否
　訂正事項アの「外治具」を「該治具」とする訂正は、誤記の訂正乃至明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。また、訂正事項アのこの訂正以外の訂正は、訂正前の請求項１の「成膜装置において」、「該露出した母材表面における特定の結晶軸方向を向いている結晶の割合が」、「前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである」を「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において」、「該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が」、「前記母材の材料がチタンである」と限定するものであるから、これらの訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、これらの訂正については、特許明細書に「母材の材料がチタンであり、かつ配向させた母材表面における結晶面が（００１）面に配向されている。この場合においては、治具母材表面の配向させた前記結晶粒の割合が４０％以上であることが好ましい。」(段落【００１３】)、「チタン（以下Ｔｉと記すことがある。）の平板母材に、チタン・タングステン合金（以下ＴｉＷxと略すことがある。）膜をスパッタリング法にて成膜した場合を例に説明する。」(段落【００２６】)、「（００１）面に結晶面を配向させた結晶の割合の制御を行ったＴｉ母材表面にＴｉＷx膜を成膜した場合の、Ｔｉ母材結晶配向割合が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１１に示す。」(段落【００２７】)、「横軸はＴｉ母材の結晶面が（００１）面に配向している割合、縦軸はＴｉＷx膜の剥離荷重である。無配向のＴｉ母材は図中のグレーの領域に当たる。剥離荷重は、先端曲率５μｍのダイヤモンド圧子を荷重を増加させながらＴｉＷx膜に押し付け、膜が剥離した時点において圧子に加えられていた荷重である。」(段落【００２８】)、「配向割合を高くすると剥離荷重は単調に増加し、４０％以上配向させると無配向のものに比べて２倍以上になることが分かる。従って、膜の密着力は配向割合に強く依存していることが分かる。」(段落【００２９】)との記載があり、また、図１１に結晶を（００１）面に配向させた割合を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、ＴｉＷx膜はく離荷重のＴｉ母材結晶配向割合への依存性を示した説明図が示されていることから、これらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項イは、訂正前の請求項３の「成膜装置において」、「該露出した母材表面における平均結晶粒径が」、「前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである」を「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において」、「該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、平均結晶粒径が」、「前記母材の材料がチタンである」と限定するものであるから、これらの訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、上記訂正事項イについては、特許明細書に「母材の材料がチタンであり、かつ配向させた母材表面における結晶面が（００１）面に配向されている。この場合においては、治具母材表面の配向させた前記結晶粒の割合が４０％以上であることが好ましい。」(段落【００１３】)、「母材の材料がチタンであり、かつ母材表面における平均結晶粒径が５０μｍ以下である。」(段落【００１４】)、「チタン（以下Ｔｉと記すことがある。）の平板母材に、チタン・タングステン合金（以下ＴｉＷxと略すことがある。）膜をスパッタリング法にて成膜した場合を例に説明する。」(段落【００２６】)、「（００１）面に結晶面を配向させた結晶の割合の制御を行ったＴｉ母材表面にＴｉＷx膜を成膜した場合の、Ｔｉ母材結晶配向割合が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１１に示す。」(段落【００２７】)、「横軸はＴｉ母材の結晶面が（００１）面に配向している割合、縦軸はＴｉＷx膜の剥離荷重である。無配向のＴｉ母材は図中のグレーの領域に当たる。剥離荷重は、先端曲率５μｍのダイヤモンド圧子を荷重を増加させながらＴｉＷx膜に押し付け、膜が剥離した時点において圧子に加えられていた荷重である。」(段落【００２８】)、「結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、母材平均結晶粒径が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１２に示す。横軸はＴｉ母材の平均結晶粒径、縦軸は剥離荷重である。平均結晶粒径を大きくすると剥離荷重は単調に減少することが分かる。従って、膜の密着力は平均結晶粒径にも強く依存していることが分かる。」(段落【００３０】)との記載があり、また、図１２に結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴiＷx膜を成膜した場合の、ＴｉＷx膜はく離荷重のＴｉ母材平均結晶粒径への依存性を示した説明図が示されていることから、上記訂正事項イは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ウは、訂正前の請求項４の「成膜装置において」、「平板特定面の表面の結晶に対して」、「前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである」を「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において」、「平板の表面における結晶面が（００１）面に配向され、」、「前記母材の材料がチタンである」と限定するものであるから、これらの訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、上記訂正事項ウについては、特許明細書に「母材の材料がチタンであり、かつ配向させた母材表面における結晶面が（００１）面に配向されている。この場合においては、治具母材表面の配向させた前記結晶粒の割合が４０％以上であることが好ましい。」(段落【００１３】)、「母材の材料がチタンであり、かつ母材表面における平均結晶粒径が５０μｍ以下である。」(段落【００１４】)、「チタン（以下Ｔｉと記すことがある。）の平板母材に、チタン・タングステン合金（以下ＴｉＷxと略すことがある。）膜をスパッタリング法にて成膜した場合を例に説明する。」(段落【００２６】)、「（００１）面に結晶面を配向させた結晶の割合の制御を行ったＴｉ母材表面にＴｉＷx膜を成膜した場合の、Ｔｉ母材結晶配向割合が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１１に示す。」(段落【００２７】)、「横軸はＴｉ母材の結晶面が（００１）面に配向している割合、縦軸はＴｉＷx膜の剥離荷重である。無配向のＴｉ母材は図中のグレーの領域に当たる。剥離荷重は、先端曲率５μｍのダイヤモンド圧子を荷重を増加させながらＴｉＷx膜に押し付け、膜が剥離した時点において圧子に加えられていた荷重である。」(段落【００２８】)、「結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、母材平均結晶粒径が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１２に示す。横軸はＴｉ母材の平均結晶粒径、縦軸は剥離荷重である。平均結晶粒径を大きくすると剥離荷重は単調に減少することが分かる。従って、膜の密着力は平均結晶粒径にも強く依存していることが分かる。」(段落【００３０】)との記載があり、また、図１２に結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴiＷx膜を成膜した場合の、ＴｉＷx膜はく離荷重のＴｉ母材平均結晶粒径への依存性を示した説明図が示されていることから、上記訂正事項ウは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項エは、訂正前の請求項９の「成膜装置の成膜室」、「該露出した母材表面における特定の結晶軸方向を向いている結晶の割合が」、「前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである」を「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室」、「該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が」、「前記母材の材料がチタンである」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、上記訂正事項エについては、特許明細書に「母材の材料がチタンであり、かつ配向させた母材表面における結晶面が（００１）面に配向されている。この場合においては、治具母材表面の配向させた前記結晶粒の割合が４０％以上であることが好ましい。」(段落【００１３】)、「母材の材料がチタンであり、かつ母材表面における平均結晶粒径が５０μｍ以下である。」(段落【００１４】)、「チタン（以下Ｔｉと記すことがある。）の平板母材に、チタン・タングステン合金（以下ＴｉＷxと略すことがある。）膜をスパッタリング法にて成膜した場合を例に説明する。」(段落【００２６】)、「（００１）面に結晶面を配向させた結晶の割合の制御を行ったＴｉ母材表面にＴｉＷx膜を成膜した場合の、Ｔｉ母材結晶配向割合が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１１に示す。」(段落【００２７】)、「横軸はＴｉ母材の結晶面が（００１）面に配向している割合、縦軸はＴｉＷx膜の剥離荷重である。無配向のＴｉ母材は図中のグレーの領域に当たる。剥離荷重は、先端曲率５μｍのダイヤモンド圧子を荷重を増加させながらＴｉＷx膜に押し付け、膜が剥離した時点において圧子に加えられていた荷重である。」(段落【００２８】)、「結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、母材平均結晶粒径が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１２に示す。横軸はＴｉ母材の平均結晶粒径、縦軸は剥離荷重である。平均結晶粒径を大きくすると剥離荷重は単調に減少することが分かる。従って、膜の密着力は平均結晶粒径にも強く依存していることが分かる。」(段落【００３０】)との記載があり、また、図１１に結晶を（００１）面に配向させた割合を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、ＴｉＷx膜はく離荷重のＴｉ母材結晶配向割合への依存性を示した説明図が示されていることから、上記訂正事項エは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項オは、訂正前の請求項１１の「成膜装置の成膜室」、「該露出した母材表面における平均結晶粒径が」、「前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである」を「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室」、「該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、平均結晶粒径が」、「前記母材の材料がチタンである」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、上記訂正事項オについては、特許明細書に「母材の材料がチタンであり、かつ配向させた母材表面における結晶面が（００１）面に配向されている。この場合においては、治具母材表面の配向させた前記結晶粒の割合が４０％以上であることが好ましい。」(段落【００１３】)、「母材の材料がチタンであり、かつ母材表面における平均結晶粒径が５０μｍ以下である。」(段落【００１４】)、「チタン（以下Ｔｉと記すことがある。）の平板母材に、チタン・タングステン合金（以下ＴｉＷxと略すことがある。）膜をスパッタリング法にて成膜した場合を例に説明する。」(段落【００２６】)、「（００１）面に結晶面を配向させた結晶の割合の制御を行ったＴｉ母材表面にＴｉＷx膜を成膜した場合の、Ｔｉ母材結晶配向割合が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１１に示す。」(段落【００２７】)、「横軸はＴｉ母材の結晶面が（００１）面に配向している割合、縦軸はＴｉＷx膜の剥離荷重である。無配向のＴｉ母材は図中のグレーの領域に当たる。剥離荷重は、先端曲率５μｍのダイヤモンド圧子を荷重を増加させながらＴｉＷx膜に押し付け、膜が剥離した時点において圧子に加えられていた荷重である。」(段落【００２８】)、「結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、母材平均結晶粒径が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１２に示す。横軸はＴｉ母材の平均結晶粒径、縦軸は剥離荷重である。平均結晶粒径を大きくすると剥離荷重は単調に減少することが分かる。従って、膜の密着力は平均結晶粒径にも強く依存していることが分かる。」(段落【００３０】)との記載があり、また、図１１に結晶を（００１）面に配向させた割合を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、ＴｉＷx膜はく離荷重のＴｉ母材結晶配向割合への依存性を示した説明図が示されていることから、上記訂正事項オは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項カは、訂正前の請求項１２の「成膜装置の成膜室」、「平板特定面の表面の結晶に対して」、「前記母材の材料がアルミニウム、…(略)…酸化シリコンから選択される一つである」を「ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室」、「平板の表面における結晶面が（００１）面に配向され、」、「前記母材の材料がチタンである」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、上記訂正事項オについては、特許明細書に「母材の材料がチタンであり、かつ配向させた母材表面における結晶面が（００１）面に配向されている。この場合においては、治具母材表面の配向させた前記結晶粒の割合が４０％以上であることが好ましい。」(段落【００１３】)、「母材の材料がチタンであり、かつ母材表面における平均結晶粒径が５０μｍ以下である。」(段落【００１４】)、「チタン（以下Ｔｉと記すことがある。）の平板母材に、チタン・タングステン合金（以下ＴｉＷxと略すことがある。）膜をスパッタリング法にて成膜した場合を例に説明する。」(段落【００２６】)、「（００１）面に結晶面を配向させた結晶の割合の制御を行ったＴｉ母材表面にＴｉＷx膜を成膜した場合の、Ｔｉ母材結晶配向割合が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１１に示す。」(段落【００２７】)、「横軸はＴｉ母材の結晶面が（００１）面に配向している割合、縦軸はＴｉＷx膜の剥離荷重である。無配向のＴｉ母材は図中のグレーの領域に当たる。剥離荷重は、先端曲率５μｍのダイヤモンド圧子を荷重を増加させながらＴｉＷx膜に押し付け、膜が剥離した時点において圧子に加えられていた荷重である。」(段落【００２８】)、「結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、母材平均結晶粒径が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１２に示す。横軸はＴｉ母材の平均結晶粒径、縦軸は剥離荷重である。平均結晶粒径を大きくすると剥離荷重は単調に減少することが分かる。従って、膜の密着力は平均結晶粒径にも強く依存していることが分かる。」(段落【００３０】)との記載があり、また、図１１に結晶を（００１）面に配向させた割合を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷx膜を成膜した場合の、ＴｉＷx膜はく離荷重のＴｉ母材結晶配向割合への依存性を示した説明図が示されていることから、上記訂正事項カは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項キは、訂正前の請求項２、７、８、１０、１５〜１７を削除し、それに伴って訂正後の請求項の項番を繰り上げると共に訂正後の引用する請求項を特許明細書に記載の範囲内で整合させるためのものであるから、特許請求の範囲の減縮乃至は明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。また、上記訂正事項キに係る訂正は願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ク及びケは、訂正事項ア乃至キに基づく訂正後の特許請求の範囲の記載に合わせ、発明の名称及び発明の詳細な説明の記載を整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。また、上記訂正事項クに係る訂正は願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項コは、訂正事項アに基づく訂正後の特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、また、上記訂正事項アで見たとおり、それらはいずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
２−３．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号)附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立についての判断
３−１．本件発明
　上記のとおり、訂正は認められるから、本件特許の請求項１ないし１０に係る発明(以下、「本件発明１ないし１０」という)は、訂正された特許明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】成膜室内に治具を設置したＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において、前記治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンであることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】成膜室内に治具を設置したＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において、該治具母材の少なくとも一部の表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、平均結晶粒径が５０μｍ以下に制御された治具を有し、前記母材の材料がチタンであることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】成膜室内に治具を設置したＴｉＷx膜を成膜する成膜装置において、平板の表面における結晶面が（００１）面に配向され、平均結晶粒径が５０μｍ以下に制御された該平板を加工することによって得られる治具を有し、前記治具の母材の材料がチタンであることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記治具表面の少なくとも一部に対してコーティング処理が施されている治具を有することを特徴とする成膜装置
【請求項５】請求項４において、前記コーティング処理がアルミニウム溶射であることを特徴とする成膜装置。
【請求項６】ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室内に設置する治具において、該治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御され、前記母材の材料がチタンであることを特徴とする成膜装置用治具。
【請求項７】ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室内に設置する治具において、該治具母材の少なくとも一部の表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、平均結晶粒径が５０μｍ以下に制御され、前記治具の母材の材料がチタンであることを特徴とする成膜装置用治具。
【請求項８】ＴｉＷx膜を成膜する成膜装置の成膜室に設置する治具において、平板の表面における結晶が（００１）面に配向され、平均結晶粒径が５０μｍ以下に制御された該平板を加工することによって得られ、前記治具の母材の材料がチタンであることを特徴とする成膜装置用治具。
【請求項９】請求項７または８において、前記治具表面の少なくとも一部に対してコーティング処理が施されていることを特徴とする成膜装置用治具。
【請求項１０】請求項９において、前記コーティング処理がアルミニウム溶射であることを特徴とする成膜装置用治具。」
　
３−２．取消理由の概要
　本件特許第３４６２９２７号の請求項１〜１７に係る発明は、下記の刊行物１〜７に記載された発明乃至周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、また、本件発明１〜１７についての特許に係る特許出願は、特許法第３６条第４項又は第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない。
　よって、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１．ソフト技研出版部編　真空技術の基礎・応用及びトラブル対策　総合技術資料集　昭和６１年３月１５日　第１８７〜１９３、２１７頁(甲第１号証)
刊行物２．特開平６−１１２５０４号公報(甲第２号証)
刊行物３．特開昭６３−２１９５６６号公報(甲第３号証)
刊行物４．特開昭６４−６１９３５号公報(甲第４号証)
刊行物５．特開平４−３４１５４１号公報(甲第５号証)
刊行物６．特開平５−２４７６３４号公報(甲第６号証)
刊行物７．特開平６−１９６４３７号公報(甲第７号証)
　
３−３．特許法第２９条第２項について
(１)刊行物１の記載内容
ア．「４．２．３ 槽内に堆積した成膜材料の剥離によるもの　成膜装置内で、目的とする基板以外にもかなりの成膜材料が付着する。その量は装置の種類、成膜手段の種類および作業条件によっても著しく変わる。それぞれに応じて対策の軽重が異なる。表７にこれらのトラブルについて示す。剥離による発塵を防ぐには、付着膜のストレスを小さくすること、ストレスを生じにくい構造(角，突起，段差を無くす)、材質の選択，基板以外の余分な所に付けない防着板の使用など対策がある。」（第１９１頁第２６〜３２行）
イ．「槽内に堆積した成膜材料の剥離によって発生する汚染の対策として、防着板により余分な所への付着を防ぐこと、付着したものが容易に剥離しない材質を選択する又は表面処理を行うこと」（第１９２頁表７）
ウ．「１．２．１ 膜付着力　コーティング膜にとって一つの重要な課題は強い付着力を持つことにある。もちろん付着力を問題にする前に基板表面は清浄でなければならない。…(略)…しかし、それでもなお通常の金属膜ではガラス基板への蒸着の場合、１μｍ以上の厚さになると膜は剥離し易くなる。Ａｕはその好例であるが、一方比較的酸化し易い物質(ＡｌあるいはＣｒなど)はガラス上にも比較的強く付着する。膜の付着力は未だ明確に定義された物理量ではなく、感覚的に膜のつき具合を論じている例が多い。しかし、つき具合の程度を測るには幾つかの方法がすでに提案されているので参考にして戴きたい。強い付着力をうるためには一般に基板温度を上げ、膜と基板界面に何らかの固溶体を形成することが望まれる。これが許されない場合には先に述べた付着力の強い物質をあらかじめ下地層として薄く蒸着しておく(例えば、約１８０℃の基板上にＣｒを薄く蒸着し、引き続き所望の膜を厚くコートする)のも有効である。ＳｉＯの様な酸化物膜を利用することも可能ではあるが経時変化に問題がある。膜付着力とも係わる問題として膜に働く応力について簡単に述べておかねばならない。一般的には蒸着膜は基板から張力を受けると言われている。しかし実際には膜厚，膜形成時の基板温度，蒸着速度あるいは雰囲気ガス圧力によってその大きさや方向性は複雑に変化する。特に薄膜の場合、基板からの熱膨張量の差によって受ける応力だけではなく、膜形成過程で生ずる膜内部の潜在的な応力が重要な意味を持つことが多い。…(略)…」（第２１７頁２４行〜第２１８頁第６行）
　
(２)刊行物２の記載内容
ア．「図５のＡに示すように、素子分離工程が施されたＰ形シリコン基板２９上面に、電子ビーム蒸着法によりチタンのＣ軸配向性＜００１＞の結晶性薄膜３１を形成する。この場合、電子ビーム蒸着法は以下の条件で行うとよい。温度は300〜500℃、電子銃パワーは180〜300ワットとする。なお、この工程において前記の条件でチタン結晶を成長させた場合には希望の膜厚（５０ｎｍ程度）のチタン薄膜３１を形成するのに十数分を要する。」(段落【０００６】)
イ．「図５Ｂに示すように、ＣＶＤ法によりチタン薄膜３１の上面に白金薄膜３３を形成する。次に、ゾル-ゲル法により白金薄膜３３の上面に強誘電体薄膜であるＰＺＴ薄膜３５を膜厚５０ｎｍ程度形成する。このゾル-ゲル法では、まず、ゾル溶液の調整を行う。次に、スピンコート法により調整済のゾル溶液を塗布し、乾燥する。次に、酸素雰囲気中７００℃、２０秒の条件で焼結させる。上記の様な塗布・乾燥・焼結工程を複数回繰り返すことにより希望膜厚を得るようにしている。」(段落【０００７】)
ウ．「なお、チタン薄膜３１は、基板２９と白金薄膜３３との剥離を防止する為に設けられている。また、白金結晶というのは優先配向性を有する。優先配向性というのは、下地の結晶性にかかわらず配向性を有した結晶が成長する性質をいう。従って、白金膜は下地の結晶性にかかわらず配向性に優れた結晶を有する。しかし、白金薄膜３３は、上述のように配向性に優れたチタン薄膜３１を基板２９上面に形成した後白金薄膜を形成するようにしているから、さらに配向性に優れた白金薄膜３３を形成することが出来る。従って、上述のようにこの配向性に優れた白金薄膜３３を下地として利用することにより、結晶性に優れた強誘電体薄膜３５を形成することが出来た。」（段落【０００８】）
エ．「図２Ａに示すように、チタン結晶性薄膜３の上面にＣＶＤ法により＜１１１＞配向の白金薄膜１１を形成する。なお、白金は元来下地にかかわらず優先配向することにより配向性に優れた結晶が成長する。しかしこの実施例においては、＜１１１＞配向を有する白金の格子間距離に近いＣ軸配向性＜００１＞のチタン結晶性薄膜３を下地として設けた後に白金を成長させているから、成長した白金の結晶はさらに良好な配向性を示す。」(段落【００３９】)
オ．「この時チタン薄膜３をシリコンウエーハ５と白金薄膜１１との間に設けたことにより、シリコンウエーハ５からの白金薄層１１の剥離を防ぐことができる。」(段落【００４０】)
カ．「白金は元来優先配向性を有しているが、前記チタン薄膜が配向性に優れた下地として働くことによりさらに配向性に優れた白金薄膜を形成することが出来る。また、前記チタン薄膜は前記基板および前記白金薄膜のどちらにも密着性があるから、前記基板と前記白金薄膜の剥離を防ぐことが出来る。」(段落【００５６】)
　
(３)刊行物３の記載内容
ア．「本発明者らは、上述したイオンプレーティングでＣｒ膜及びＴｉＮ膜をコーティングする際のＴｉＮ膜のＣｒ膜に対する付着性及び耐摩耗性の不安定化について検討したところ、Ｃｒのコーティング条件によってその硬度やミクロ組織等が大きく変化し、これがＴｉＮの付着性不安定化等に影響していることを究明した。そこで、Ｃｒのイオンプレーティング時における上記硬度やミクロ組織等の変化が起こる条件について更に検討した結果、基板へのバイアス電圧の印加が最も大きな影響要因であることを見出した。即ち、Ｃｒを基板上にイオンプレーティングによりコーティングする際、基板にバイアス電圧を印加すると、Ｃｒ膜の硬度は低下し、結晶粒が粗大化すると共に、その表面も凹凸が激しくなるのに対し、バイアス電圧を印加しないと、Ｃｒ膜の高度(硬度)は高く、結晶粒も微細化し、表面も平滑になった。また、結晶の配向性にも変化が見られ、バイアス電圧の印加の場合には、ミラー指数表示で(２００)面が基板面に対して平行に成長し易い(これを選択配向と称す)のに対し、バイアス電圧を印加しない場合には(１１０)面が選択配向し易い。一方、、ＴｉＮの場合にはバイアス電圧により(１１１)面が選択配向し易くなる。また、バイアス電圧の印加はイオンのエネルギーを増大させるため、基板のエッチング効果を生じ、付着力が向上する。」(第２頁左上欄第１７行〜同頁左下欄第４行)
イ．「前述した第１図のイオンプレーティング装置の真空容器１内に基板８として１３Ｃｒステンレス鋼を配置し、下記表に示す４つの条件で基板８上に厚さ８μｍのＣｒ膜、更に該Ｃｒ膜上に厚さ３μｍのＴｉＮ膜をコーティングして４種の多層膜を夫々形成した。…(表は略)…しかして、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．４の多層膜を構成するＣｒ及びＴｉＮについてＸ線回折法による結晶構造解析を行った結果、第２図に示すスペクトル特性図を得た。この第２図より、本発明方法であるサンプルＮｏ．２ではＣｒが(１１０)面、ＴｉＮが(１１１)面に選択配向していることが明らかになった。また、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．４の多層膜についてスクラッチ試験を行なったところ、第３図に示す結果を得た。なお、スクラッチ試験はダイヤモンド針に荷重を掛けて多層膜表面を引掻き、荷重を増大していって多層膜が剥離した時の荷重(臨界荷重)をＡＥ信号により測定して評価した。この場合、臨界荷重が大きい程、多層膜の付着力が大きいことを意味する。この第３図から本発明方法であるサンプルＮｏ．２が最も良好な付着性を有していることが明らかとなった。」(第２頁右下欄第６行〜第３頁左上欄第１７行)
　
(４)刊行物４の記載内容
ア．「このような装置において、セラミック基板等に実装した後、熱サイクルを印加し、機械的に引剥し試験を行なうと、Ａｌ配線５と第１のバンプ下地金属膜８の界面で剥離が生じる場合がある。この剥離の発生原因は、Ａｌ配線５とバンプ下地金属膜８との付着であるＡｌ−Ｃｒ間においてＡｌ配線５の結晶粒界１２部でＡｌ−Ｃｒの相互拡散が生じることに起因していることがわかっている。この様子を第６図において説明する。結晶粒界１２は結晶粒１３に比べ、気密でなくポーラスであＲため、比較的低温の領域でも、ＡｌとＣｒ間の相互拡散が起こりやすい。これはアルミ配線５中の形晶粒界(結晶粒界)１２とバンパ下地金属膜(バンプ下地金属膜)８であるＣｒ膜の界面１４は、結晶粒１３とＣｒ膜の界面１５に比べ付着力が大きく、結晶粒内と結晶粒界の拡散係数が大きく異なるためである。」(第２頁右上欄第１３行〜同頁左下欄第８行)
イ．「本発明は、Ａｌ配線の結晶粒径を小さくすることにより、結晶粒界と第１のバンプ下地金属の界面の面積を相対的に増し、Ａｌ配線と第１のバンプ下地金属との付着力が高まる。」(第３頁左上欄第３〜６行)
ウ．「第３図に、Ａｌ配線１５にＡｌを用いた場合におけるＡｌの平均結晶粒径とＡｌ−Ｃｒ間剥離発生率の関係を示す。図に示すように、Ａｌ−Ｃｒ間剥離発生率は低減でき、平均結晶粒径を２μｍ以下でその発生率が零となることがわかる。」(第３頁左下欄第９〜１３行)
エ．Ａｌ平均の結晶粒径とＡｌ−Ｃｒ間剥離発生率を示す図(第３図)
　
(５)刊行物５の記載内容
ア．「本発明の特徴は、電気メーカでの磁性焼鈍と黒化処理を省略するため、マスクフレーム素材で優れた磁性と強固な黒化皮膜を有する鋼板を開発したことであるが、この要点について、まず述べる。その第１の要点は結晶粒径を２０〜８０μm とすることである。第２に、プレス加工時の鋼板の肌荒れを解消するため、Ｂを添加して結晶粒径を整粒化させることにある。更に第３の要点は、このＢ効果を利用して、プレス加工でも剥がれない優れた密着性を持つ黒化膜を形成させることである。本発明者等は、結晶粒径と歪について検討した。即ち、表１の成分を含む鋼を熱間圧延し、次いで冷延して０．５mmの厚みとし焼鈍を７００〜１０００℃×３min 均熱した鋼板の特性を測定すると、透磁率は結晶粒径に依存し、透磁率の対数は結晶粒径の逆数とリニアーな関係となる。これを図１に示す。」(段落【０００６】)
イ．「この鋼板に数％の歪を加えると透磁率の劣化が生じるが、透磁率の対数と結晶粒径の逆数とのリニアーな関係は、そのまま保存される。このことは、マスクフレーム材が実際に使用される時のプレスや曲げ加工を受けても、結晶粒径の影響が残ることを意味するため重要である。この傾向は保磁力についても全く同様なことが言えた。従って例えば、０．３Ｏｅでの透磁率μ0.3 ≧１５００程度の鋼板を得るためには、鋼板の結晶粒径を２０μm 以上とし、その後歪（圧延）を入れなければよい。但し、一部でも結晶粒径が８０μm を超えるとプレス加工で、鋼板の肌あれが発生し、黒化膜が剥がれる問題が生じる。このため結晶粒径の上限は８０μm に制御されなければならない。
　成分系としては、粒成長を抑制する析出物（ＭｎＳ，ＡｌＮなど）は少ないほうが良い。つまり、Ｓ，Ｎなどは少なくすべきである。また通板性と打抜き性の向上を目的として、鋼板としての強度または剛性をもたらすためＳｉ，Ｐなどを適当量添加する。以下、本発明の構成要素についての限定理由を述べる。製品素材のＣは、磁気時効の面から０．０１％以下にすることが必要である。Ｓｉは鋼板が薄くなっても、鋼板の剛性を確保するのに有効であるが、あまり多くなると添加コストの問題があるので、０．５％以下とする。Ｍｎは、０．１％未満でＭｎＳの微細析出を生じるので、結晶粒成長が悪くなる。従って、０．１％以上必要だが、あまり多くなるとコストの問題があるため上限を１．０％とする。Ｐは鋼板硬度を高めプレス加工時のかえりやダレを改善するが、あまり多くなると添加コストの問題があるので、０．３％以下とする。sol.Ａｌは、０．０１５％超になるとＡｌＮが析出が多くなるので０．０１５％以下の必要がある。なお、sol.Ａｌを０．２％以上添加して、ＡｌＮを粗大化し粒成長を良くする方法があるが、コスト面で不利となる。またＳ，Ｎは、少ないほうが製品の結晶粒径を２０μm 以上にできるので、それぞれ０．０２％、０．０１％以下とする。」(段落【０００７】)
ウ．「Ｂは本発明に必須の成分で、結晶粒の粒径を整える、即ち整粒化の効果がある。Ｂを添加しない場合、焼鈍後鋼板の一部に８０μm 以上の粗大粒が生成し、プレス加工で絞りの大きい部分に鋼板の肌あれ（鋼板の表面がザラザラに荒れること）が発生し易い。この肌あれの部分では、黒化膜が剥がれ易くなり、プレス前に黒化処理を実施した意味がなくなる。Ｂの整粒効果の下限は０．０００３％であるが、０．００５％を超えるとスラブで割れが発生する。このため、Ｂは０．０００３〜０．００５％に制御する。またこのＢは鋼中のＮ含有量との重量比Ｂ／Ｎの関係のもとに含有される。Ｂ／Ｎが０．５以下でも２．０以上でも結晶整粒化作用がなくなるので、Ｂ／Ｎは０．５〜２．０である必要がある。次いで、熱延については特に限定するものではない。次の熱延板焼鈍は、実施したほうが最終製品で粗粒を得やすいが省略することもできる。冷延は、強圧下になるほど次の再結晶焼鈍後の結晶粒径が小さくなるので、圧下率は低めが好ましく、熱延後の板厚は５mm以下が有利である。最終焼鈍温度の結晶粒成長に与える影響は強く、平均結晶粒径で２０μm 以上の粗粒を得るためには、７００℃以上の温度が好ましい。」(段落【０００８】)
　
(６)刊行物６の記載内容
ア．「17及び18はシールド板であり、それぞれターゲット15、基板１の周囲を包囲するように配設されており、ターゲット15から飛び出した成膜材の粒子が真空容器11の内壁等へ付着するのを防止する。これらはいずれも真空容器11に固定されているが容易に着脱出来、成膜材が厚く堆積すれば交換する。これらのシールド板17及び18の母材には機械的強度、耐熱性等の点からステンレス鋼が使用されているが、成膜材の粒子が付着する面には、アルミニウム又はアルミナからなる被膜17a 及び18ａが被着されている。この被膜17a 及び18ａの厚さは 300〜1000μm」程度である。」（段落【００１１】）
イ．「これらのシールド板17及び18には、アルミニウム又はアルミナのスパッタリングに使用したスパッタリング装置のシールド板を流用すると好都合である（表面にはアルミニウム又はアルミナが堆積している）が、溶射法等により被着してもよい。」(段落【００１２】)
　
(７)刊行物７の記載内容
ア．「上記した一般的なプラズマ処理装置を用いてＴｉまたはＴｉ化合物の薄膜を形成する場合、反応室の内壁に反応生成物が付着し、この反応生成物が剥離してウエハ上にパーティクルとして付着し易いため、配線のショートを引き起こしたり、電気的特性を劣化するという課題があった。また、前記反応室とプラズマ生成室とを含む前記反応容器がステンレス鋼板を用いて形成されているため、プラズマの発生に伴って前記反応容器がスパッタ作用を受け、放出されたＮｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ等の素材元素によりウエハが汚染されるという課題があった。また、塩化物等の反応ガスを導入すると前記反応容器が腐食し易いという課題があった。」(段落【００１２】)
イ．「本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、パーティクルの発生を抑制することができ、またウエハが重金属により汚染されるのを抑制することができ、さらには反応容器が反応ガスにより腐食されるのを抑制することができるＴｉまたはＴｉ化合物の薄膜形成装置を提供することを目的としている。」(段落【００１６】)
ウ．「上記目的を達成するために本発明に係るＴｉまたはＴｉ化合物の薄膜形成装置は、プラズマによって試料を処理する反応容器を備えたＴｉまたはＴｉ化合物の薄膜形成装置において、前記反応容器内の構成部品としてＴｉ、Ｔｉ合金で形成された部品あるいはＴｉ化合物が表面に溶射された部品を用いていることを特徴としている。」(段落【００１７】)
　
３−４．対比、判断
(１)本件発明１
　３−３(１)のア、イで摘示した事項を本件発明１の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には「防着板を設けた成膜装置において、防着板を付着物が容易に剥離しない材質を選択する又は表面処理を行う成膜装置」の発明(以下、「刊行物１発明」という)が記載されていると認められる。
　そこで、本件発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「防着板を設けた成膜装置」は本件発明１の「成膜室内に治具を設置した成膜装置」に相当する。
　すると両者は「成膜室内に治具を設置した成膜装置」の点で一致し、本件発明１では「ＴｉＷx膜」を成膜する成膜装置において「前記治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンである」のに対し、刊行物１発明ではこの点を構成要件として含まない点で相違する。
　以下、この相違点について、刊行物２〜７を順に検討する。
　刊行物２には、上記３−３(２)で摘示したア〜カにあるように、シリコン基板上に白金薄膜を形成するにあたり、基板と白金薄膜との剥離を防止するためにチタンの配向性結晶膜をシリコン基板上に設けること、Ｃ軸配向性＜００１＞のチタン結晶性薄膜を下地として設けることの記載はあるが、「ＴｉＷx膜」を成膜するにあたり「治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンである」ことは記載も示唆もない。
　刊行物３には、上記３−３(３)で摘示したア及びイにあるように、１３Ｃｒステンレス鋼の基板上にＣｒ膜、更に該Ｃｒ膜上にＴｉＮ膜をコーティングすること、Ｃｒが(１１０)面ＴｉＮが(１１１)面に選択配向しているサンプルＮｏ．２が最も良好な付着性を有していることの記載はあるが、「ＴｉＷx膜」を成膜するにあたり「治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンである」ことは記載も示唆もない。
　刊行物４には、上記３−３(４)で摘示したア〜エにあるように、Ａｌ配線とバンプ下地金属との付着力を高めるために、Ａｌ配線の結晶粒径を小さくすることによって結晶粒界とバンプ下地金属の界面の面積を相対的に増加させる旨の記載はあるが、「ＴｉＷx膜」を成膜するにあたり「治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンである」ことは記載も示唆もない。
　刊行物５には、上記３−３(５)で摘示したア〜ウにあるように、優れた磁性(０．３Ｏｅでの透磁率μ0.3 ≧１５００程度)と強固な黒化皮膜を有する鋼板とするために、鋼板の結晶粒径を２０〜８０μｍとする旨の記載はあるが、「ＴｉＷx膜」を成膜するにあたり「治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンである」ことは記載も示唆もない。
　刊行物６には、上記３−３(６)で摘示したア、イにあるように、成膜材の粒子が真空容器の内壁などへ付着するのを防止する、シールド板を用いるにあたり、シールド板の表面にアルミニウムからなる皮膜を形成する旨の記載はあるが、「ＴｉＷx膜」を成膜するにあたり「治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンである」ことは記載も示唆もない。
　刊行物７には、上記３−３(７)で摘示したア〜ウにあるように、ＴｉまたはＴｉ化合物の薄膜形成装置の反応容器内の構成部品としてＴｉ、Ｔｉ合金で形成された部品あるいはＴｉ化合物が表面に溶射された部品を用いる旨の記載はあるが、「ＴｉＷx膜」を成膜するにあたり「治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンである」ことは記載も示唆もない。
　してみれば、本件発明１は、刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるとすることはできない。
　そして、本件訂正明細書の記載によれば、本件発明１は、本件訂正明細書の請求項１記載の、発明を特定する事項を採用することにより、本件訂正明細書記載の特有の効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
(２)本件発明２〜１０
　本件発明６は、「ＴｉＷx膜を成膜する」にあたり、成膜室内に設置する治具として、「治具自体の表面の少なくとも一部で該治具の母材表面が露出し、該露出した母材表面における結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の割合が４０％以上に制御されている治具を有し、前記母材の材料がチタンである」ものを用いる点で本件発明１と共通の技術的事項を有するものであり、上述のとおり上記刊行物１〜７にはこの点については記載も示唆もない。
　また、本件発明２、７(又は３、８)は、「ＴｉＷx膜」を成膜するにあたり、成膜室内に設置する治具として、「母材(又は平板)の表面における結晶面が（００１）面に配向され」、「前記母材の材料がチタンである」ものを用いる点で本件発明１と共通の技術的事項を有するとともに、更に、平均結晶粒径が５０μｍ以下に制御されたものを用いるものであるが、上記刊行物１〜７には、当該本件発明１との共通の技術的事項、及び、平均結晶粒径が５０μｍ以下に制御されることについては記載も示唆もない。
　そして、本件訂正明細書の記載によれば、本件発明２、３、６〜８は、本件訂正明細書の、請求項２、３、６〜８記載の発明を特定する事項を採用することにより、本件訂正明細書記載の特有の効果を奏するものである。
　したがって、本件発明２、３、６〜８は、刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、本件発明４、５、９、１０は、本件発明１〜３、６〜８のいずれか一つ以上を引用するものであるから上述の理由と同様に、刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３−５．特許法第３６条について
　上記２でみたとおり、上記訂正は認められ、その結果、取消理由通知で指摘した特許明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明に関する記載不備は解消された。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜１０についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１０についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜１０についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号)附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令(平成７年政令第２０５号)第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年８月２４日（２００５．８．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
成膜装置及び成膜装置用治具
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　成膜室内に治具を設置した
ＴｉＷＸ膜を成膜する
該
結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の
がチタンである
　【請求項
２
　成膜室内に治具を設置した
ＴｉＷＸ膜を成膜する
結晶面が（００１）面に配向され、
がチタンである
　【請求項
３
　成膜室内に治具を設置した
ＴｉＷＸ膜を成膜する
の表面における結晶面が（００１）面に配向され、
がチタンである
　【請求項
４
　請求項１乃至
３
　【請求項
５
　請求項
４
　【請求項
６
　
ＴｉＷＸ膜を成膜する
結晶面が（００１）面に配向され、該配向された結晶粒の
がチタンである
　【請求項
７
　
ＴｉＷＸ膜を成膜する
結晶面が（００１）面に配向され、
がチタンである
　【請求項
８
　
ＴｉＷＸ膜を成膜する
の表面における結晶が（００１）面に配向され、
がチタンである
　【請求項
９
　請求項
７または８
　【請求項
１０
　請求項
９
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は成膜装置及び成膜装置用治
具に
具に
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体デバイスの高集積化や高機能化が進み、その開発目標はクォータミクロンプロセスに移行しつつある。デバイス構造や製造プロセスは更に複雑化し、使用材料は多種多様化している。そのため、成膜あるいはエッチングプロセスにおけるウエハへの汚染や塵埃（以下異物と呼ぶ）付着が品質信頼性、製品歩留りに及ぼす影響はますます高くなっている。これらのプロセスにおける異物発生はデバイス不良原因の５０％以上を占めている。
　【０００３】
　スパッタリング法や化学的気相成長（以下ＣＶＤと呼ぶ）法を用いて形成される高融点金属やその合金のプロセスにおいても、異物発生が急増し始めている。これらの薄膜の内部残留応力は堆積条件に強く依存し、１０００ＭＰａ以上に達する場合もあるため、成膜された薄膜が一定以上の膜厚に達すると、割れ及びはがれが極めて生じ易くなる。
　【０００４】
　成膜室内部に設置した治具上においても、ウエハ処理枚数の増加に伴い、治具上の付着膜厚が厚くなると剥離し易くなる。そのため、成膜室内壁へのスパッタ原子の付着を防止する防着治具を成膜室内部に設置し、一定期間ごとに装置を大気開放してこの防着治具の交換を行うことで、成膜中の異物発生を抑えている場合が多い。
　【０００５】
　従来の異物はがれ防止技術としては、成膜室に設置する治具の母材調質を行わずに、サンドブラストあるいはアルミニウム（以下Ａｌと略す）溶射などの表面処理を治具に施すことによって膜の密着力向上を図るものが殆どであった。これらの技術は例えば特開昭６２−１４２７５８号公報記載等に開示されている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、サンドブラスト或いはＡｌ溶射などの表面処理は、これを施すと処理面の最大粗さが５０〜１００μｍ程度と大きくなるため、高い寸法精度が要求される部分に対して施すことができなかった。また半導体基板に接する部分に対しても半導体基板を傷つける可能性が高いため、これらの表面処理を施すことができなかった。そのため、これらの表面処理を施さずに治具への密着力を向上させる技術が待望されていた。
　【０００７】
　本発明の目的は、成膜装置内の防着治具や内壁に付着する薄膜の密着力を向上させ、異物発生の可能性が低い防着治具ならびにクリーン化された成膜装
置を
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　成膜室内に治具を設置する成膜装置において、治具に付着した薄膜の剥離が少なく、成膜室内を高クリーン度のままで保つことが可能である治具が備えられた成膜装置を提供するため、本発明は以下の特徴を備える。
　【０００９】
　（１）：治具自体の表面の少なくとも一部で
該
　（２）：平板特定面の表面の結晶に対して特定の結晶面が揃うように制御した該平板を加工することによって得られる治具を有する。
　【００１０】
　（３）：治具母材の少なくとも一部の表面が露出し、露出した母材表面における平均結晶粒径が特定の大きさ以下に制御されている。
　（４）：平板特定面の表面の結晶に対して平均結晶粒径が特定の大きさ以下に制御された平板を加工することによって得られる治具を有する。
　【００１１】
　（５）：（１）乃至（４）のいずれかにおいて、治具表面の少なくとも一部に対してコーティング処理が施されている治具を有する。この場合においては、コーティング処理がアルミニウム溶射であることが望ましい。
　【００１２】
　（６）：（１）乃至（５）のいずれかにおいて、母材の材料がアルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、ステンレス、炭化シリコン、酸化アルミニウム、酸化シリコンから選択される一つである。
　【００１３】
　（７）：（１）または（３）において、母材の材料がチタンであり、かつ配向させた母材表面における結晶面が（００１）面に配向されている。この場合においては、治具母材表面の配向させた前記結晶粒の割合が４０％以上であることが好ましい。
　【００１４】
　（８）：（１）または（３）において、母材の材料がチタンであり、かつ母材表面における平均結晶粒径が５０μｍ以下である。
　【００１５】
　本発明においては、成膜装置内治具の全ての表面にその特徴を有する必要はなく、膜が付着し易い部分のみに対して本発明を適用することも有効である。また、治具の表面のうち、ウエハと接触しない部分或いは高い寸法精度が要求されない部分に関しては、表面処理としてＡｌ溶射などのコーティングを施しても差し支えない。
　【００１６】
　次に、成膜装置の成膜室内に設置する治具の特徴について述べる。成膜装置の成膜室内に設置する治具においては、治具に付着した薄膜の剥離が少なく、成膜室内を高クリーン度のままで保つことが可能である治具を提供するため、本発明は以下の特徴を備える。
　【００１７】
　（１）：治具自体の表面の少なくとも一部で治具の母材表面が露出し、露出した母材表面における特定の結晶軸方向を向いている結晶の割合が特定の割合以上に制御されている。
　（２）：平板特定面の表面の結晶に対して特定の結晶面が揃うように制御した該平板を加工することによって得られる。
　【００１８】
　（３）：治具母材の少なくとも一部の表面が露出し、露出した母材表面における平均結晶粒径が特定の大きさ以下に制御されている。
　（４）：平板特定面の表面の結晶に対して平均結晶粒径が特定の大きさ以下に制御された平板を加工することによって得られる。
　【００１９】
　（５）：（１）または（３）において、治具表面の少なくとも一部に対してコーティング処理が施されている。尚、コーティング処理はアルミニウム溶射であることが好ましい。
　【００２０】
　（６）：（１）または（３）において、母材の材料がアルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、ステンレス、炭化シリコン、酸化アルミニウム、酸化シリコンから選択される一つである。
　【００２１】
　（７）：（１）または（３）において、母材の材料がチタンであり、かつ配向させた母材表面における結晶面が（００１）面に配向されている。この場合、治具母材表面の配向させた前記結晶粒の割合が４０％以上であることが好ましい。
　【００２２】
　（８）：（１）または（３）において、母材の材料がチタンであり、かつ母材表面における平均結晶粒径が５０μｍ以下である。
　【００２３】
　尚、成膜装置内治具のすべての表面にその特徴を有する必要はなく、膜がよく付着する部分のみに対して本発明を適用することも有効である。また、治具の表面のうち、ウエハと接触しない部分或いは高い寸法精度が要求されない部分に関しては、表面処理としてＡｌ溶射などのコーティングを施しても構わない。
　【００２４】
　次に本発明の成膜方法は、半導体装置基板等を処理対象物として、その上にスパッタ等を行う方法であって、成膜室内に治具を設置して処理対象物をセットし、成膜を行うに際して、処理対象物上に成膜処理を行い、その際同時に治具表面上に堆積物が付着し、堆積物の前記治具表面上からの剥離荷重を２ｍＮ以上として堆積物の剥離を抑制することを特徴とする。
　【００２５】
　この方法において、治具表面上からの堆積物の剥離抑制は、▲１▼治具自体の表面の少なくとも一部で治具の母材表面が露出し、露出した母材表面における特定の結晶軸方向を向いている結晶の割合が特定の割合以上に制御するか、▲２▼平板特定面の表面の結晶に対して特定の結晶面が揃うように制御した平板を加工することによって得られるか、▲３▼治具母材の少なくとも一部の表面が露出し、露出した母材表面における平均結晶粒径が特定の大きさ以下に制御するか、または▲４▼平板特定面の表面の結晶に対して平均結晶粒径が特定の大きさ以下に制御された平板を加工することによって得られるものであることが望ましい。
　【００２６】
　【作用】
　チタン（以下Ｔｉと記すことがある。）の平板母材に、チタン・タングステン合金（以下ＴｉＷＸと略すことがある。）膜をスパッタリング法にて成膜した場合を例に説明する。
　【００２７】
（００１）面に結晶面を配向させた結晶の割合の制御を行ったＴｉ母材表面にＴｉＷＸ膜を成膜した場合の、Ｔｉ母材結晶配向割合が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１１に示す。
　【００２８】
　横軸はＴｉ母材の結晶面が（００１）面に配向している割合、縦軸はＴｉＷＸ膜の剥離荷重である。無配向のＴｉ母材は図中のグレーの領域に当たる。剥離荷重は、先端曲率５μｍのダイヤモンド圧子を荷重を増加させながらＴｉＷＸ膜に押し付け、膜が剥離した時点において圧子に加えられていた荷重である。
　【００２９】
　配向割合を高くすると剥離荷重は単調に増加し、４０％以上配向させると無配向のものに比べて２倍以上になることが分かる。従って、膜の密着力は配向割合に強く依存していることが分かる。
　【００３０】
　また、結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷＸ膜を成膜した場合の、母材平均結晶粒径が及ぼす膜剥離荷重への影響について図１２に示す。横軸はＴｉ母材の平均結晶粒径、縦軸は剥離荷重である。平均結晶粒径を大きくすると剥離荷重は単調に減少することが分かる。従って、膜の密着力は平均結晶粒径にも強く依存していることが分かる。
　【００３１】
　このように、結晶の配向割合或いは結晶粒の大きさの制御など母材を調質する（母材の結晶性を制御する）ことによって、サンドブラストやＡｌ溶射などの表面処理を施すことが困難な場所においても付着する膜の密着力を向上させることが可能となる。この技術はスパッタリング装置に特有のものではなく、成膜装置全般に適用可能であり、例えばＣＶＤ装置での異物発生防止にも利用可能なものである。
　【００３２】
　本発明によれば、成膜室内に設置する成膜装置用治具への薄膜の密着力を向上させることによって、異物発生の可能性を低減させた成膜装置を得ることができる。このことによって、成膜装置内がクリーン化され、装置の安定稼動が可能になると共に、デバイス製造歩留り及びデバイス品質を向上させることが可能となる。
　【００３３】
　また、別の本発明によれば、成膜室内に設置する成膜装置用治具への薄膜の密着力を向上させ、異物発生の可能性を低減させた成膜装置用治具を得ることができる。このことによって、成膜装置内がクリーン化されて装置の安定稼動が可能となると共に、デバイス製造歩留り及びデバイス品質を向上させることが可能となる。
　【００３４】
　尚、図１１や図１２の剥離荷重の測定は、図１３及び
図
　【００３５】
　【実施例】
　以下本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
（実施例１）本発明に基づく成膜装置に関する一実施例を、Ｔｉ製治具を設置したスパッタリング装置の場合を例に図１〜図３を用いて説明する。
　【００３６】
　本発明の実施例に基づくスパッタリング装置１００の断面図を図１に示す。ターゲット３と半導体基板５が水平に対向したスパッタリング装置１００の成膜室用真空容器２内に防着治具１を設置した例が図１である。防着治具１は真空容器２内壁にスパッタ原子が付着することを防止するために設置している。
　【００３７】
　ターゲット３はターゲット支持治具４で固定され、ターゲット３に対向する半導体基板５は半導体基板支持治具６によって固定される。ターゲット３及び半導体基板５は各支持治具４、６及び配線８を介して電源７により電荷が負荷される。スパッタリングのためのイオン源となるガスは給気孔９から供給され、排気孔１０から真空ポンプ（図中には描かない）によって排出される。防着治具１は、スパッタ原子が成膜室２内壁に付着しないように、ターゲット３及び半導体基板５の間に設置される。防着治具１は、グランドと同電位になっている成膜室用真空容器２に固定することが望ましい。
　【００３８】
　次に防着治具１において結晶性を制御する面について図２を用いて説明する。上図が平面図であり、下図は中心線から右側が断面図である。防着治具１の表面は、外周面２０、内周面２１、半導体基板５側の面２２、ターゲット側の面２３の四つの面で構成されている。スパッタ原子が主に付着する場所はターゲット３に面している内周面２１と半導体基板５側の面２２であり、この面に対して結晶性の制御を施す必要がある。外周面２０及び面２３については微量の成膜生成物が飛来して付着するため結晶性の制御を施す方が良いが、必ずしも制御しなくても良い。
　【００３９】
　結晶の粒径または（００１）面への配向割合、或いはその両方を制御した平板母材をカップ状に深絞りし、底部を切断することによって防着治具１を製作すると、内周面２１及び外周面２０では結晶の配向割合または粒径、或いは両方を制御することができる。（００１）面を制御した場合の（００１）面の結晶軸方向［００１］を、例として図示する。配向割合は４０％以上とすることが望ましい。また面２２及び面２３については結晶粒径を制御することができる。
　【００４０】
　平板母材中の結晶の再結晶化が完了しておらず、結晶粒径に大きなバラツキが生じている場合がある。この場合は約７００℃以上の熱処理を施し、再結晶化を完了させることが望ましい。
　【００４１】
　外周面２０については成膜生成物が回り込むことで付着する量は極わずかであり、必ずしも結晶性を制御する必要はないが、結晶性を制御した方が異物の発生を押さえることができるため装置内のクリーン度を更に良好なまま保つことができる。
　【００４２】
　面２２に関しては、図３に示すように治具底部の一部２４を外周側へ曲げることによって面２２を半導体基板５から遠ざけることができるため、基板５へ異物が付着する可能性を低くすることが可能となる。
　【００４３】
　半導体基板支持治具６は、半導体基板５を反らさず支持しなければならないために半導体基板５に接する面は平面性が要求される。その面にはＡｌ溶射などの表面処理を施すことは難しいため、本発明のように結晶性の制御を施すことが非常に有効になる。
　【００４４】
　また、ターゲット３及びターゲット支持治具４上にもスパッタ原子が付着し、その付着物がはがれて半導体基板５上に再付着する場合がある。そのため、これらの治具上への付着膜の密着力を高めておくことが望ましい。ターゲット３及びターゲット支持治具４への表面に対して結晶性の制御を施すことは非常に有効である。
　【００４５】
（実施例２）本発明に基づく成膜装置に関する別の実施例を、実施例１と同様、スパッタリング装置にＴｉ製防着治具を設置した場合を例にとって、図４〜図８を用いて説明する。
　【００４６】
　本発明の別の実施例に基づくスパッタリング装置２００を図４に示す。図４は本実施例２のスパッタリング装置用防着治具が設置されているスパッタリング装置成膜室内の概略図である。ターゲット３と半導体基板５を上下に対向させたスパッタリング装置２００において成膜室用真空容器２内に防着治具１及び１１を設置した例である。
　【００４７】
　ターゲット３はターゲット支持治具４で固定される。半導体基板５が設置されるステージ１２はステージ昇降装置１３によって上下する。ステージ１２が下がっている場合に防着治具１１は防着治具１の底部に設置され、ステージ１２が上昇する場合には半導体基板５に防着治具１１が乗り、治具１１の自重によって基板５を固定する（クランプする）。防着治具１１をクランプリングと呼ぶ。
　【００４８】
　クランプリング１１（スパッタリング装置用防着治具）の平面図及び断面図を図５に示す。上図の右側が断面であり、下図が平面図である。また、半導体基板５がクランプされた状態の拡大図を図６に示す。基板５の周囲のみを描き、防着治具１などは略す。クランプリング１１のみを断面で示す。ステージ１２上昇時には、図６のように半導体基板５外周側にクランプリング１１内周側が乗り、基板５をクランプする。
　【００４９】
　成膜プロセスでは、ターゲット３及び半導体基板５に、夫々ターゲット支持治具４及びステージ１２を介して電源７に接続された配線８から電荷が負荷される。スパッタリングのためのイオン源となるガスは給気孔９から供給され、排気孔１０から排出される。
　【００５０】
　防着治具１は、成膜生成物が成膜室２内壁に付着しないようにターゲット３及び半導体基板５の間に設置され、クランプリング１１は防着治具１とステージ１２との間に成膜生成物が入り込まないように設置される。防着治具１は、グランドと同電位になっている成膜室用真空容器２に固定することが望ましい。クランプリング１１は半導体基板５と接しているため、基板５と同電位になる。
　【００５１】
　次にクランプリング１１において結晶性を制御する面について図５及び図６を用いて説明する。クランプリングの表面は、外周面３０、ターゲットに対向する上面３１、内周面３２、ターゲットと逆側の下面３３、ターゲットと逆側の面で内周側を向いた面３４、最もターゲットから遠い面３５から構成されている。
　【００５２】
　成膜生成物が主に付着する場所はターゲット３に対向したクランプリング１１の上面３１及び内周面３２であり、外周面３０にも量的に少なくなるが付着する。下面３３では、内周側のみ成膜生成物が付着する。面３４では殆ど成膜生成物は付着しない。面３５では多少成膜生成物が回り込み、付着するが、基板５から離れているため大きな影響は無い。
　【００５３】
　従って、外周面３０、上面３１、内周面３２、及び下面３３の内周側の結晶性を制御することが望ましい。平板Ｔｉ母材から研削加工してクランプリング１１を作製し、上面３１及び下面
３３
　【００５４】
　結晶の配向は、Ｔｉが母材である場合、（００１）面への配向が望ましい。また、配向割合は４０％以上とすることが望ましい。面３１、３３、３５の結晶を（００１）面に制御した場合の結晶軸方向［００１］を、例として図示する。
　【００５５】
　内周面３２及び外周面３０における異物発生を更に低減するにはこの部分や上面３１にＡｌ溶射を施すことも有効である。但し、下面３３については半導体基板５をクランプするために平面性が良好でなければならず、この面３３にＡｌ溶射が回り込まないように留意しなければならない。また、防着治具１の内周面にＡｌ溶射を施すことも有効である。
　【００５６】
　次にクランプリング１１の製造方法について、図７を用いて説明する。図７はクランプリング１１の製造工程断面図である。Ｔｉ円板１１ａは、その平均結晶粒径が５０μｍ以下に制御され、かつ結晶の結晶軸は図中に示すように［００１］に配向制御したＴｉ材である（工程１０００）。外周面３５では結晶を配向していないが、平均結晶粒径の制御は為されている。
　【００５７】
　次に、この円板１１ａの中心部を円形に研削することによって、リング状平板１１ｂを得る（工程１００１）。新たに形成された面３２の結晶は、結晶軸［００１］へ配向してはいないが、平均結晶粒径は５０μｍ以下に制御されている。最後にリング状平板１１ｂの面３５側内周部を円形に研削することによってクランプリング１１を得る（工程１００２）。円板１１ａの結晶は図中に示すように［００１］に配向を制御しているため、研削して新たに形成された面３３の結晶軸も［００１］に配向されている。
　【００５８】
　以上のような工程を経て、クランプリング１１は製造される。結晶軸の制御を行わない場合は、結晶粒径無制御かつ無配向のＴｉ材を研削した後で、平均結晶粒径の制御を行うための熱処理や局所的なレーザーアニールを施すことも可能である
　【００５９】
　図８及び図９に示すように、内周面３２の上面３１側に基板５に接触しないように張り出したひさし部３８を設けた形状においても、クランプリング１１表面の結晶性の制御を行うことは有効である。図８上図は右側が断面図であり、下図は平面図である。図９は半導体基板５をクランプした状態の拡大図である。クランプリング１１の表面は、図５で示したクランプリングに比べ、ひさし部３８を設けたことによってひさし部下面３７とひさし部下の外周側の面３６が新たに増える。
　【００６０】
　この形状における長所は、基板５と接触する下面３３への成膜生成物の付着量がひさし部３８を設けたことによって低減することである。しかし、依然として成膜生成物は下面３３に付着するためこの面の結晶性を制御し、成膜生成物の密着力を向上させることが有効である。この場合は上面３１及び下面３３及びひさし部下面３７の結晶の配向割合及び粒径を制御することが望ましい。内周面３２及び面３６及び面３４及び面３０では結晶粒径が制御される。
　【００６１】
　また、内周面３２或いは上面３１或いは外周面３０などにＡｌ溶射を施すことも有効である。クランプリング１１表面の一部にＡｌ溶射膜３９ａをコーティングした例を図１０に示す。クランプリング１１断面及びＡｌ溶射膜３９ａ断面を斜線で表す。夫々の面に対応するＡｌ溶射膜の表面を３０ａ、３１ａ、３２ａとして表す。面３３は半導体基板と接触する面であるためＡｌ溶射を施していない。面３６及び面３７は半導体基板に近接した面であるため、Ａｌ溶射を施していないが、半導体基板に接触しない膜厚程度にＡｌ溶射を施すことは差し支えない。
　【００６２】
　以上のことを実施し、母材の結晶性制御や表面処理を施すことによって、異物発生が抑えられ、成膜室内のクリーン度を良好に保つことが可能となる。
　【００６３】
　図１３及び図１４に図１１及び図１２に示した特性図を得るための装置について解説する。これはスクラッチ試験法といい、試験機としては株式会社レスカ製超薄膜スクラッチ試験機ＣＳＲ−０２を用いた。測定条件は圧子ｃの先端曲率が５μｍのＲダイヤモンド圧子とし、スクラッチ振幅は８０μｍ、スクラッチ周波数は３０．０Ｈｚとし、傾斜ステージ角度は３度とし、ステージ送りスピードは１０μｍ／ｓｅｃとし、ＴｉＷＸ膜厚は５０μｍとした。圧子ｃのバネ定数は５０ｇｆ／ｍｍである。ａはスクラッチ方向、ｂは薄膜と圧子ｃの動摩擦係数をλとすると、薄膜表面にはスクラッチ方向ａにＦ＝λｆの力が生じることになる。そのため、薄膜ｄ−基板ｅ界面に剪断力が働き、一定荷重以上になると薄膜が剥離する。基板ｅはＴｉ母材ｋ、薄膜ｄはＴｉＷＸ膜ｊに相当し、図１４のような荷重方向ｉと荷重ｈの関係があるとき、スクラッチ方向をａとして、加圧開始位置ｇから剥離位置ｌまでの距離をＬ（μｍ）とすると、Ｌ（μｍ）×加圧割合（ｍＮ／μｍ）＝剥離荷重として求められる。
　【００６４】
　本発明の成膜方法において、処理対象物上に成膜処理を行い、その際同時に治具表面上に堆積物が付着し、堆積物の治具表面上からの剥離荷重を２ｍＮ以上として堆積物の剥離を抑制するようにしたのは、図１１や図１２から明らかなように、（００１）面経は行こうした結晶の割合がほぼ５０％以上となり、かつ母材の平均結晶粒径が５０μｍ以下となって堆積物の剥離抑制に非常に効果を奏するからである。
　【００６５】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に基づく成膜装置の成膜室用防着治具を用いることによって該防着治具への薄膜の密着力を向上させ、異物発生の可能性を低減することができる。このことによって、スパッタリング装置がクリーン化されて装置の安定稼動が可能となると共に、デバイス製造歩留りを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に基づく実施例１に係るスパッタリング装置成膜室内の断面概略図である。
　【図２】
　本発明に基づく実施例１に係るスパッタリング装置用防着治具の平面図及び断面図である。
　【図３】
　本発明に基づく実施例１に係る別のスパッタリング装置用防着治具の平面図及び断面図である。
　【図４】本発明に基づく実施例２に係るスパッタリング装置成膜室内の断面概略図である。
　【図５】
　本発明に基づく実施例２に係るスパッタリング装置用クランプリングの平面図及び断面図である。
　【図６】
　本発明に基づく実施例２に係るスパッタリング装置用クランプリングが半導体基板をクランプした状態を拡大した図である。
　【図７】
　本発明に基づく実施例２に係る別のスパッタリング装置用クランプリングの製造断面工程図である。
　【図８】
　本発明に基づく実施例２に係る更に別のスパッタリング装置用クランプリングの平面図及び断面図である。
　【図９】
　本発明に基づく実施例２に係る更に別のスパッタリング装置用クランプリングが半導体基板をクランプした状態を拡大した図である。
　【図１０】
　本発明に基づく実施例２に係る更に別のスパッタリング装置用クランプリングの一部表面に対してＡｌ溶射を施した場合の断面図である。
　【図１１】
　結晶を（００１）面に配向させた割合を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷＸ膜を成膜した場合の、ＴｉＷＸ膜はく離荷重のＴｉ母材結晶配向割合への依存性を示した説明図である。
　【図１２】結晶粒径を制御したＴｉ母材の表面にスパッタリング法にてＴｉＷＸ膜を成膜した場合の、ＴｉＷＸ膜はく離荷重のＴｉ母材平均結晶粒径への依存性を示した説明図である。
　【図１３】
　膜剥離試験方法の説明図である
　【図１４】
　膜剥離試験方法の説明図である。
　【符号の説明】
　１…スパッタリング装置用防着治具、２…成膜室用真空容器、３…ターゲット、４…ターゲット支持治具、５…半導体基板、６…半導体基板支持治具、７…電源、８…配線、９…給気孔、１０…排気孔、１１…スパッタリング装置用クランプリング、１１ａ…表面の結晶を（００１）面に制御したＴｉ円板、１１ｂ…Ｔｉ円板１１ａを研削して得られたリング状平板、１２…ステージ、１３…ステージ昇降装置、２０、２１、２２、２３…スパッタリング装置用防着治具の表面を形成する面、２４…スパッタリング装置用防着治具の折り曲げ部、３０、３２、３４、３６…スパッタリング装置用クランプリングの表面を形成する面、３１、３３、３５、３７…スパッタリング装置用クランプリング表面において（００１）面への配向を制御した面、３０、３１、３２…スパッタリング装置用クランプリング上Ａｌ溶射膜の表面、３８…スパッタリング装置用クランプリングのひさし部、３９ａ…スパッタリング装置用クランプリング上に施したＡｌ溶射膜、１００、２００…スパッタリング装置、１０００、１００１、１００２…実施例２に係るスパッタリング装置用クランプリングの製造工程。