【事件の表示】
　特許第３４５６９３３号「半導体処理装置のクリーニング方法および半導体処理装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４５６９３３号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
一．手続の経緯
特許第３４５６９３３号「半導体処理装置のクリーニング方法及び半導体処理装置」の請求項１〜４に係る発明は、平成１１年１２月２８日に特許出願され、平成１５年８月１日にその特許権の設定登録がなされ、その後、多田志年司（以下、「特許異議申立人」という。）より、特許異議の申立てがなされたものである。
　
二．特許異議申立てについて
１．本件発明
特許第３４５６９３３号の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１〜４」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】半導体を処理する反応室内に付着した不要堆積物や不純物をクリーニングガスを導入して反応させガス化して反応室外に排除する半導体処理装置のクリーニング方法において、塩素を含む第１のガスおよびフッ素を含む第２のガスを供給し、これら第１のガスおよび第２のガスを反応させてクリーニングガスを生成し、この生成されたクリーニングガスを前記反応室に導入することを特徴とする半導体処理装置のクリーニング方法。
【請求項２】半導体を処理する反応室内に付着した不要堆積物や不純物をクリーニングガスを導入して反応させガス化して反応室外に排除し、原料ガスによって半導体に所望の成膜を行う半導体処理装置において、前記反応室に接続され、塩素ガスとフッ素ガスを供給してこれらのガスを反応性ガスに変換する予備反応室と、前記反応室に、前記半導体の成膜に必要な原料ガス、あるいは前記反応性ガスを供給する供給手段とを具備することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項３】前記予備反応室に、前記予備反応室中のフッ素ガスと塩素ガスとを熱あるいは光により励起する励起手段が設けられることを特徴とする請求項２に記載の半導体処理装置。
【請求項４】半導体を処理する反応室内に付着した不要堆積物や不純物をクリーニングガスを導入して反応させガス化して反応室外に排除する半導体処理装置のクリーニング方法において、塩素ガスとフッ素ガスとをクリーニングガスとして前記反応室に導入することを特徴とする半導体処理装置のクリーニング方法。」
　
２．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、下記の証拠を提出して、本件発明１〜４は、甲第１号証に記載された発明と同一、または甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明の特許は、特許法第２９条第１項、または第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平１０−５５９９１号公報（以下、「刊行物１」という。）
　
３．刊行物の記載
（１）刊行物１
（１ａ）第２頁左欄第２行〜第１１行には、
「【請求項１】半導体製造装置内の装置内壁に形成された付着物の除去および半導体ウエハの清浄化をドライ洗浄により同時あるいは逐次的に行なう工程と、当該半導体ウエハの処理を行なう工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】スパッタ，CVD等の成膜装置における装置内壁に形成された付着物の除去および半導体ウエハの清浄化をドライ洗浄により同時あるいは逐次的に行なった後、当該半導体ウエハにスパッタ，CVD等の成膜を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
が記載されている。
（１ｂ）第２頁右欄第３５行〜第４０行には、
「本発明は、半導体装置の製造工程において，半導体ウエハ等の半導体基板の表面および半導体製造装置の内壁や治具等をクリーニングし、また成膜、ドライエッチング等の工程時に前記クリーニングを行なう半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。」
が記載されている。
（１ｃ）第２頁右欄第４６行〜第３頁左欄第１０行には、
「製造工程において微量な汚染が製品の品質や歩留まりを著しく低下させている。汚染としては、微小異物、金属汚染、有機物汚染等が考えられるが、工程によっては自然酸化膜も除去すべきもの（汚染の一種）と考えておかねばならない。・・・（RCA洗浄）が一般に行なわれている。これらの手法は微小異物、金属汚染、有機物汚染を除去するものである。また、自然酸化膜の除去にはフッ酸水浴液が用いられている。」
が記載されている。
（１ｄ）第３頁左欄第１５行〜第２７行には、
「プラズマ、光、熱で励起した活性分子や活性原子によりウエハを気相中で洗浄するドライ洗浄法が提案されている。・・・特開昭６２−４２５３０号公報で述べられているように、塩素ガスに紫外光を照射することでSiウエハ上の金属汚染を除去する方法や、特開平４−７５３２４号公報で述べられているように、酸素ガスにプラズマを印加してSiウエハ上の有機物を除去する方法や、特開平１−７７１２０号公報で述べられているように、フッ素系ガスにプラズマを印加して自然酸化膜を除去する方法等が知られている。」
が記載されている。
（１ｅ）第３頁左欄第３５行〜第４４行には、
「CVD、スパッタ等の成膜装置やドライエッチング装置においては、装置内壁や治具等に付着物が形成されることが多く、・・・三フッ化塩素ガスを装置内に導入し加熱する手法等で装置内壁等の付着物を除去することが行なわれている。」
が記載されている。
（１ｆ）第４頁左欄第４行〜第９行には、
「具体的なクリーニング手段としては、フッ素系ガス、塩素系ガス、酸素、水素等をプラズマ、光、熱で励起して汚染と反応させるもので、これらを単独で用いても良いし、組み合わせても良い。一般に、組み合わせることで本発明の効果は大きくなることが多い。」
が記載されている。
（１ｇ）第４頁右欄第１８行〜第２９行には、
「（実施例１）図７に示す装置を用いて実験した。図７において、１は真空チャンバ、２は試料ウエハ、３は加熱試料台、４はガス導入系、５はキャビテイ、６はマイクロ波電源、７は壁面加熱用ヒータ、８は真空排気装置である。・・・ガス導入系４よりガスを導入でき、またキャビティ５によりプラズマ化できる機能を有する。加熱試料台３および壁面加熱用ヒータ７により、試料ウエハ２および装置内壁を加熱することができ、ウエハ面、装置内壁の温度分布を自由に変化させることができる。また、ガス導入系４より成膜ガスを導入し、ウエハおよび装置内壁へ所望の薄膜を形成することができる。」
が記載されている。
（１ｈ）第６頁左欄第１６行〜第７頁右欄第１８行には、
「（実施例４）図９に示す装置を用いて実験した。図９において、図７と同一符号は同一要素を示し、１４はウエハ処理装置、１５、１６はガス導入系、１７は邪魔板である。３系統のガス導入系４、１５、１６を持ち、そのうちの２系統４、１５はプラズマ化できる機能を有する。試料ウエハ２および装置内壁は図７の実施例同様加熱することができ、ガス導入系より導入するガスを変えることで、ウエハ２および装置内壁へ所望の薄膜を形成することができる。また、ウエハ面、装置内壁の温度分布や、導入ガスの種類や成分比等を自由に変化させることができる。ガス導入系１６よりシラン系ガスと酸素ガスを導入し、ウエハおよび装置内壁に酸化シリコン膜を形成した。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しくし、ガス導入系４および１５より異なった流量で三フッ化塩素をプラズマ化せずに導入した。・・・
（実施例５）図９に示した装置を用いて実験した。ガス導入系１６よりシラン系ガスと酸素ガスを流し、ウエハおよび装置内壁にシリコン酸化膜を形成した。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しくし、ガス導入系１５よりプラズマ化しない三フッ化塩素を装置内壁に、ガス導入系４よりプラズマ化した三フッ化窒素をウエハ面に導入した。・・・
（実施例６）図９に示した装置を用いて実験した。ガス導入系１５（実施例４及び５等からして、ガス導入系１６の誤り）よりシラン系ガスと酸素ガスを導入し、ウエハおよび装置内壁に酸化シリコン膜を形成した。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しくし、ガス導入系１５よりプラズマ化した１００％三フッ化窒素ガスを装置内壁に、ガス導入系４よりプラズマ化した５〜３０％三フッ化窒素ガス（他はArガス）をウエハ面に導入した。各ガスの流量を等しくし、ウエハ面と装置内壁に形成された酸化シリコン膜のエッチングレート比を測定した結果を表６に示す。」
が記載されている。
（１ｉ）第８頁左欄第５行〜第２４行には、
「（実施例８）図１０に示すようにウエハ１８上に酸化膜１９を形成し、レジスト２０を塗布しリソグラフィにより孔部２１を形成した後、酸化膜をドライエッチングしレジストを除去してコンタクトホール２２を形成した。
　図９に示した装置で装置内壁のみに酸化シリコン膜を形成した後、コンタクトホール２２を形成した上記ウエハ１８を装着し、実施例５Ｎｏ．２４に示した条件で三塩化フッ素ガスおよびプラズマ化した三フッ化窒素ガスを導入しクリーニングを行なった。この処理によりコンタクトホール２２底部の自然酸化膜が除去できたので、引き続き同一チャンバ（１４）でウエハ１８上にポリシリコン膜を形成した。ウエハ１８を取り出しポリシリコンのパターンニング等を行ないコンタクト抵抗を測定したところ、装置内壁クリーニングを行なわずに通常の三フッ化窒素ガスプラズマのみで処理した比較例と比べてほぼ同等の値が得られた。また、装置内壁の酸化シリコン膜はほぼ除去されていた。ウエハのドライ洗浄に引き続き成膜を行なうこと、装置クリーニングの両方が十分な効果をもって実現できることを実証した。」
が記載されている。
（１ｊ）第８頁右欄第１５行〜第２３行には、
「（実施例１１）本発明によるモニタ機能付き、洗浄、成膜一貫処理装置の一例を図１３に示す。図１３において、２８は成膜室、２９はモニタ室、３０はゲートバルブ、３１は試料台、３ ２は加熱用ランプ、３ ３はモニタである。試料ウエハ２は加熱用ランプ３２で加熱でき、装置内壁はヒータ７により加熱できる機能を有する。また、成膜用ガスはガス導入系１５より、クリーニングガスはガス導入系４より導入することができる。」
が記載されている。
　
４．対比・判断
（１）本件発明１について
　上記摘記事項（１ａ）〜（１ｊ）を総合すると、刊行物１には、
「半導体を処理する反応室内に付着した不要堆積物や不純物をクリーニングガスを導入して反応させガス化して反応室外に排除する半導体処理装置のクリーニング方法において、塩素を含む第１のガスとして三塩化フッ素ガスと、フッ素を含む第２のガスとしてプラズマ化した三フッ素化窒素ガスを前記反応室に導入することを特徴とする半導体処理装置のクリーニング方法。」
が記載されている。
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、　
「半導体を処理する反応室内に付着した不要堆積物や不純物をクリーニングガスを導入して反応させガス化して反応室外に排除する半導体処理装置のクリーニング方法において、塩素を含む第１のガスおよびフッ素を含む第２のガスをプラズマ化して前記反応室に導入することを特徴とする半導体処理装置のクリーニング方法。」
点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点
　本件発明１では、塩素を含む第１のガスおよびフッ素を含む第２のガスを供給し、これら第１のガスおよび第２のガスを反応させてクリーニングガスを生成し、この生成されたクリーニングガスを前記反応室に導入するのに対して、刊行物１に記載された発明では、塩素を含む第１のガスとして三塩化フッ素ガスと、フッ素を含む第２のガスとしてプラズマ化した三フッ素化窒素ガスを前記反応室に導入する点
　以下、上記相違点について検討する。
　この点について、特許異議申立人は、上記摘記事項（１ｆ）には、クリーニング条件の一つとして、塩素を含むガスとフッ素を含むガスを各々要素として考慮し得ることが記載されおり、また、上記摘記事項（１ｉ）から、塩素を含むガスとして三塩化フッ素ガス、フッ素を含むガスとしてプラズマ化した三フッ化窒素ガスを組み合わせた例が開示されていることから、クリーニングガスの材料としてフッ素と塩素を組み合わせとして選択し、塩素を含む第１のガスおよびフッ素を含む第２のガスを反応させてクリーニングガスを生成することが開示されている、または仮に開示されていないとしても、当業者であれば容易に想到する事項である旨を主張する。
　しかしながら、刊行物１には、塩素を含む第１のガスおよびフッ素を含む第２のガスを反応させてクリーニングガスを生成し、この生成されたクリーニングガスを前記反応室に導入する点については、記載されていない。
　また、上記摘記事項（１ｆ）の、クリーニング効果を改善するため、材料ガス等の考慮しうる要素を組み合わせことで所望の効果を達成しうるとの示唆、及び上記摘記事項（１ｉ）の当該組み合わせの一例として、クリニーニングガスとして塩素を含むガスとフッ素を含むガスを選択し得る記載からは、クリニーニングガスとして塩素を含むガスとフッ素を含むガスを選択し得る点については、開示されているものの、塩素を含むガスとフッ素を含むガスを反応させてクリーニングガスを生成することについては記載されておらず、これを示唆する記載もない。
　さらに、塩素を含む第１のガスおよびフッ素を含む第２のガスを反応させてクリーニングガスを生成し、この生成されたクリーニングガスを前記反応室に導入するという特定事項によって、従来のクリーニングガスに比べて、使用条件や保存状態などの制約が少なく、保守が容易であり、また安全性が高く安価なクリーニングガスを利用できるという効果を得ている。
　クリーニング効果を改善するために考慮しうる要素が、材料ガスの組み合わせの他にも、ガス励起手段、ガス導入量、温度等、様々な要素が存在し、これらの組み合わせが相当数考えられる中で、クリニーニングガスとして塩素を含むガスとフッ素を含むガスを選択し、それらを反応させてクリーニングガスを生成することは、当業者が容易に想到し得るものとは認められない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明ではなく、また、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の半導体処理装置のクリーニング方法を実現するための半導体処理装置に関する発明であり、クリーニングガスについて、「塩素を含む第１のガス」を「塩素ガス」、「フッ素を含む第２のガス」を「フッ素ガス」と限定した発明である。
　したがって、上記４．（１）で説示した点と同様の理由により、刊行物１に記載された発明ではなく、また刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
（３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明２の「予備反応室」を「予備反応室中のフッ素ガスと塩素ガスとを熱あるいは光により励起する励起手段が設けられることを特徴とする」もので、そのすべての発明特定事項を含むものであるから、上記４．（１）で説示した点と同様の理由により、刊行物１に記載された発明ではなく、また刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
（４）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１において、クリーニングガスについて、「塩素を含む第１のガス」を「塩素ガス」、「フッ素を含む第２のガス」を「フッ素ガス」と限定した発明であるから、上記４．（１）で説示した点と同様の理由により、刊行物１に記載された発明ではなく、また刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
三．むすび
　以上のとおりであるから、請求項１〜４に係る発明の特許は、特許異議申立の理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
また、他に請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年５月１９日（２００５．５．１９）