(57)【要約】【課題】駆動故障及び非発光故障が生じ難い有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、フレキシブル基板と、第１電極と、有機エレクトロルミネッセンスを生じる発光層と、第２電極とを順に備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であり、前記フレキシブル基板の上に前記第１電極を成膜する工程、及び前記発光層の上に前記第２電極を成膜する工程のうちの少なくとも一方の工程が、成膜対象となる被成膜物をロールツーロール方式で搬送し、前記被成膜物において成膜される領域の平面度が当該領域における搬送方向の長さの５分の１以下であり、且つ、ダイナミックレートが３０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上であるスパッタリングを行う。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板と、第１電極と、有機エレクトロルミネッセンスを生じる発光層と、第２電極とを順に備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であり、
前記フレキシブル基板の上に前記第１電極を成膜する工程、及び前記発光層の上に前記第２電極を成膜する工程のうちの少なくとも一方の工程が、成膜対象となる被成膜物をロールツーロール方式で搬送し、前記被成膜物において成膜される領域の平面度が当該領域における搬送方向の長さの５分の１以下であり、且つ、ダイナミックレートが３０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上であるスパッタリングを行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記スパッタリングで用いるターゲットが円筒形であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記ターゲットが、インジウムと亜鉛を含んでいることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記スパッタリングのスキャンレートが１０ｍｍ／ｓ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記フレキシブル基板に帯電防止層が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記フレキシブル基板における前記第１電極、前記発光層及び前記第２電極が成膜されていない他方の面が、前記スパッタリングを行う装置に設けられたプレート部材と接していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記スパッタリングを行う際のスパッタ電源が、直流パルス電源であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記ダイナミックレートが８０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
前記スパッタリングのスキャンレートが１００ｍｍ／ｓ以上であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物質に電圧を印加して発光する現象を有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」ともいう））といい、この現象を用いた有機ＥＬパネルが次世代の平面ディスプレイや照明として期待されている。
【０００３】
有機ＥＬパネルは、有機ＥＬ素子を具備しており、当該有機ＥＬ素子を発光させることにより発光装置として機能する。有機ＥＬ素子は、例えば、バリア性基材上に陽極、有機発光物質が含有された単層又は多層の発光層（「有機ＥＬ層」、「有機薄膜層」、「有機発光物質含有層」、「有機発光層」などとも呼称されている）、陰極、任意に形成（成膜）される保護層、接着剤層、封止材層が順に成膜されてなる全固体素子である。この有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、発光層に陰極から電子が注入されると共に、陽極から正孔が注入され、これらが発光層で再結合して励起子が生じる。有機ＥＬ素子はこのようにして生じた励起子からの光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する。
【０００４】
前記した陽極や陰極は、光を透過する透明導電膜として成膜されることが多い。所定の基板上に透明導電膜を成膜する旨が、例えば、特許文献１に記載されている。
この特許文献１には、酸化インジウムと、酸化亜鉛、ランタノイド元素の酸化物、アルカリ金属元素の酸化物及びアルカリ土類金属元素の酸化物からなる群から選択される１種以上の酸化物と、を含む筒状形状を有する焼結体が記載されている。
【０００５】
また、この特許文献１には、この焼結体をスパッタリングターゲットとして用い、スパッタリング法で成膜した膜を陰極及び／又は陽極とすることや、これらの間に有機発光層を含む有機層を有する有機ＥＬ素子とすることなどが記載されている。さらに、特許文献１には、陰極及び／又は陽極を成膜する基板としてガラスを用いることが記載されている。特許文献１には、前記焼結体をスパッタリングターゲットとして使用すると、有機ＥＬ素子等の性能が低下しない旨記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、フレキシブル性を有する有機ＥＬ素子及びこれを用いた有機ＥＬパネル（それぞれ、「フレキシブル有機ＥＬ素子」、「フレキシブル有機ＥＬパネル」などと呼称されている）が開発され、その需要が高まっている。これらはバリア性基材として従来用いられてきたガラス基板に替えて樹脂製のフレキシブル基板を用いることで、前記したフレキシブル性を具現したものである。フレキシブル有機ＥＬ素子における前記した各層の成膜は、生産性を高めるなどの理由からロールツーロール方式で搬送されることがある。ここで、ロールツーロール方式による搬送とは、一方に配置されたロール状に巻かれたフレキシブル基板を巻き出しつつ所定の層を成膜したフレキシブル基板を再び他方でロール状に巻き取る搬送方法をいう。
【０００８】
このようなフレキシブル有機ＥＬ素子及びフレキシブル有機ＥＬパネルについて、駆動中に点灯しなくなったり、著しく輝度が低下したりする故障事例（駆動故障）が報告されている。また、これらを高温多湿環境下で保存、使用等した場合に、有機発光層に酸素や水分が侵入して画面の中ほどに発光しない部分（ダークスポット（ＤＳ））が生じたり、発光領域があたかも収縮するように端部から非発光領域が拡大する現象（シュリンク）が生じたりする故障事例（非発光故障）が報告されている。
【０００９】
本発明者は、前記した駆動故障及び非発光故障を解決するため種々研究開発を重ねる中で特許文献１に記載されている技術をフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法に適用することを試みたが、これらの故障を十分に解決することができなかった。
【００１０】
本発明は前記状況に鑑みてなされたものであり、駆動故障及び非発光故障が生じ難い有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、前記課題を解決するため鋭意研究した結果、ロールツーロール方式で搬送しつつスパッタリング法によりフレキシブル基板上に陽極や陰極などの膜を成膜する場合、特定の条件で成膜することにより、駆動故障及び非発光故障を生じ難くできることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
即ち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
１．フレキシブル基板と、第１電極と、有機エレクトロルミネッセンスを生じる発光層と、第２電極とを順に備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であり、前記フレキシブル基板の上に前記第１電極を成膜する工程、及び前記発光層の上に前記第２電極を成膜する工程のうちの少なくとも一方の工程が、成膜対象となる被成膜物をロールツーロール方式で搬送し、前記被成膜物において成膜される領域の平面度が当該領域における搬送方向の長さの５分の１以下であり、且つ、ダイナミックレートが３０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上であるスパッタリングを行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１３】
２．前記スパッタリングで用いるターゲットが円筒形であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１４】
３．前記ターゲットが、インジウムと亜鉛を含んでいることを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１５】
４．前記スパッタリングのスキャンレートが１０ｍｍ／ｓ以上であることを特徴とする前記１から前記３のいずれか１つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１６】
５．前記フレキシブル基板に帯電防止層が設けられていることを特徴とする前記１から前記４のいずれか１つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１７】
６．前記フレキシブル基板における前記第１電極、前記発光層及び前記第２電極が成膜されていない他方の面が、前記スパッタリングを行う装置に設けられたプレート部材と接していることを特徴とする前記１から前記５のいずれか１つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１８】
７．前記スパッタリングを行う際のスパッタ電源が、直流パルス電源であることを特徴とする前記１から前記６のいずれか１つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１９】
８．前記ダイナミックレートが８０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上であることを特徴とする前記１から７のいずれか１つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２０】
９．前記スパッタリングのスキャンレートが１００ｍｍ／ｓ以上であることを特徴とする前記１から前記８のいずれか１つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、駆動故障及び非発光故障が生じ難い有機ＥＬ素子を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】平面度を説明するための説明図である。
【図２】平面度の測定に関する説明図である。
【図３】成膜される領域における搬送方向の長さを説明する説明図である。
【図４】スパッタリング装置で成膜を行う様子の一例を説明する概略説明図である。
【図５】スパッタリング装置で成膜を行う様子の一例を説明する概略説明図である。
【図６】スパッタリング装置で成膜を行う様子の一例を説明する概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、適宜図面を参照して本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一実施形態について詳細に説明する。
【００２４】
（有機ＥＬ素子の製造方法）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法（以下、「本製造方法」と記載することがある）は、フレキシブル基板と、第１電極と、有機ＥＬを生じる発光層と、第２電極とをこの順に備えた有機ＥＬ素子を製造する方法である。本製造方法は、フレキシブル基板の上に第１電極を成膜する工程、及び発光層の上に第２電極を成膜する工程のうちの少なくとも一方の工程を後述する所定の条件で行うものである。
【００２５】
（有機ＥＬ素子の構成）
ここで、本製造方法の具体的な内容について説明する前に、製造する有機ＥＬ素子の基本的な構成要素であるフレキシブル基板、第１電極、発光層及び第２電極などについて簡単に説明する。
【００２６】
（フレキシブル基板）
フレキシブル基板は、従来のガラス基板とは異なり、ロール状に巻くことが可能なフレキシブル性を有しており、第１電極、発光層及び第２電極などが成膜される土台となるものである。
フレキシブル基板は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であるのが好ましい。フレキシブル基板は、さらには、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍｌ／ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ（１ａｔｍは、１．０１３２５×１０５Ｐａである）以下であって、温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であるのが好ましい。
【００２７】
フレキシブル基板は、樹脂フィルム、金属フィルム、薄膜ガラスなどを用いることができる。
【００２８】
フレキシブル基板に用いられる樹脂フィルムとしては、例えば、プラスチック製の透明材料が挙げられる。
樹脂フィルムは不透明であってもよいが、有機ＥＬ素子のフレキシブル基板側から光を取り出す場合には、前記したように透明であることが好ましい。
このような樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル、ポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）及びアペル（商品名三井化学社製）等のシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
不透明なフレキシブル基板でよい場合は、前記樹脂フィルムで例示した素材で形成した不透明樹脂基板を用いることができる。
【００２９】
フレキシブル基板に用いられる金属フィルムとしては、例えば、アルミニウム、ステンレス等が挙げられる。金属フィルムは、不透明なフレキシブル基板として好適に用いることができる。
フレキシブル基板に用いられる薄膜ガラスとしては、例えば、ケイ酸塩ガラスが用いられ、好ましくはシリカガラス、ホウ珪酸ガラスが用いられ、最も好ましくは無アルカリガラスが用いられる。また、薄膜ガラスは、フレキシブル性を具備するように、例えば、オーバーフローダウンドロー法により長尺形状で肉薄（例えば、厚さが２００μｍ程度）に成形されたものを用いることができる。薄膜ガラスは、透明なフレキシブル基板として好適に用いることができる。
【００３０】
フレキシブル基板の表面は、表面活性化処理により清浄化されていることが好ましい。このような表面活性化処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理が挙げられる。
【００３１】
（ガスバリア層）
樹脂フィルムを用いたフレキシブル基板の場合、前記したように、樹脂フィルム上にガスバリア層（図示せず）を形成するのが好ましい。ガスバリア層を形成すると、発光層への水分や酸素などの侵入を防止することや、有機ＥＬ素子の機械的強度を高めることができる。
【００３２】
すなわち、樹脂フィルム上にガスバリア層を形成することにより、フレキシブル基板は、前記した如く、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度や、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度及び水蒸気透過度をより確実に備えることができる。つまり、樹脂フィルムを用いたフレキシブル基板は、ガスバリア層を形成することによって有機ＥＬパネルに好適なバリア性をより確実に備えることができる。
【００３３】
ガスバリア層を形成する材料としては、水分や酸素などの有機ＥＬ素子の劣化をもたらすものの侵入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素などを用いることができる。さらにガスバリア層の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【００３４】
ガスバリア層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法やコーティング法などを用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものも好ましい。また、ポリシラザン含有液を湿式塗布方式により塗布及び乾燥して塗布膜を形成し、さらにこの塗布膜に波長２００ｎｍ以下の真空紫外光（ＶＵＶ光）を照射して改質処理を行ってガスバリア層を形成する方法も好ましい。
【００３５】
ガスバリア層の厚さは、１ｎｍ〜１０μｍであるのが好ましく、１０ｎｍ〜５μｍであるのがより好ましい。ガスバリア層の厚さが１ｎｍ以上あれば、所望のガスバリア性能を発揮することができ、１０μｍ以下であれば、緻密な酸窒化ケイ素膜でのクラックの発生等の膜質劣化を防止することができる。
【００３６】
（第１電極）
以下の説明では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極として説明するが、これに限定されない。つまり、後記する構成材料を相互に入れ替えて成膜することで第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とすることもできる。なお、構成材料を相互に入れ替えて第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした場合、これに合わせて後述する有機機能層の構成順序も入れ替わる。
【００３７】
第１電極（陽極）は、発光層に正孔を供給（注入）する電極膜である。陽極の材料の種類や物性は特に制限されず、任意に設定できる。陽極は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上、好ましくは４．５ｅＶ以上）材料、例えば、金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物等の電極材料で成膜可能である。このような電極材料の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、インジウムジンクオキシド（ＩＺＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。
【００３８】
陽極はこれらの電極物質を後述する条件でスパッタリングを行うことにより薄膜として成膜できる。なお、本実施形態においては、陰極を後述する条件でスパッタリングを行って成膜する場合、陽極は任意の条件で蒸着等を行うことにより成膜してもよい。
陽極は、このようにして成膜した薄膜をフォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンに形成することができる。
また、陽極は、上記電極物質をスパッタリングや蒸着する際に所望の形状のパターンマスクを用いることで所望の形状のパターンに成膜・形成することができる。
【００３９】
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが好ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
陽極の厚さは材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００４０】
（第２電極）
第２電極（陰極）は、発光層に電子を供給（注入）する電極膜である。陰極は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。
また、これら仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と、他の物質を積層して陰極とすることもできる。
その場合は上述の仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属などを積層してもよいし、陽極の部分で述べた、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、インジウムジンクオキシド（ＩＺＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料を積層してもよい。
【００４１】
陰極はこれらの電極物質を後述する条件でスパッタリングを行うことにより薄膜として成膜できる。なお、本実施形態においては、陽極を後述する条件でスパッタリングを行って成膜する場合、陰極は任意の条件で蒸着等を行うことにより成膜してもよい。
陰極は、このようにして成膜した薄膜をフォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンに形成することができる。
また、陰極は、上記電極物質をスパッタリングや蒸着する際に所望の形状のパターンマスクを介することでパターンを成膜・形成することができる。
【００４２】
この陰極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが好ましく、また陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
陰極の厚さは材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００４３】
なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方又は両方が透明又は半透明であるのが好ましい。
【００４４】
（発光層及び有機機能層）
発光層は、陽極と陰極の間に成膜される。発光層は、発光に直接関与する有機物質を含有している。発光層は、陽極との間や陰極との間に、キャリア（正孔及び電子）の注入層、阻止層及び輸送層等の各種機能を有する有機機能層を任意に備えていてもよい。
【００４５】
発光層及び有機機能層の構成の一例を下記（１）〜（７）に示す。なお、（１）〜（７）において、通常は、先に記載された層が陽極側に設けられ、以下、記載されている順に陰極側に積層される。
（１）発光層
（２）発光層／電子輸送層
（３）正孔輸送層／発光層／電子輸送層
（４）正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層
（５）正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層（陰極バッファー層）
（６）正孔注入層（陽極バッファー層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層
（７）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層
【００４６】
以下、発光層及び有機機能層について説明するが、各層の具体的な材料などは公知の材料等を適用することが可能であるため、その説明を省略する。
【００４７】
（発光層）
発光層は、陽極から直接、又は陽極から正孔輸送層等を介して注入される正孔と、陰極から直接、又は陰極から電子輸送層などを介して注入される電子とが再結合することにより、発光する層である。なお、発光する部分は、発光層の内部であってもよいし、発光層とそれに隣接する層との間の界面であってもよい。
【００４８】
発光層は、ホスト化合物（ホスト材料）と、発光材料（発光ドーパント化合物）とを含む有機発光性材料で成膜することが好ましい。発光層をこのように構成すると、発光材料の発光波長や含有させる発光材料の種類などを適宜調整することにより、任意の発光色を得ることができる。また、発光層をこのように構成することにより、発光層中の発光材料において発光させることができる。
【００４９】
発光層の膜厚は、所望の発光特性等に応じて適宜設定することができる。例えば、発光層の均質性、発光時における不必要な高電圧の印加の防止、駆動電流に対する発光色の安定性向上等の観点から、発光層の膜厚は、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることが好ましい。特に、低駆動電圧の観点からは、発光層の膜厚は、３０ｎｍ以下とすることが好ましい。発光層が複数層で形成されている場合は、各層の膜厚の総和を１ｎｍ以上２００ｎｍ以下とするのが好ましい。
【００５０】
発光層に含まれるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率として、０．１以下である化合物が好ましく、０．０１以下の化合物がより好ましい。また、発光層中のホスト化合物の体積比は、発光層に含まれる各種化合物のうち、５０％以上とすることが好ましい。
【００５１】
発光層に含まれる発光材料としては、例えば、燐光発光材料（燐光性化合物、燐光発光性化合物）、蛍光発光材料などを用いることができる。なお、一つの発光層には、一種類の発光材料を含有させてもよいし、発光極大波長が互いに異なる複数種の発光材料を含有させてもよい。複数種の発光材料を用いることにより、発光波長の異なる複数の光を混合させて発光させることができ、これにより、任意の発光色の光を得ることができる。具体的には、例えば、青色発光材料、緑色発光材料及び赤色発光材料（３種類の発光材料）を発光層に含有させることにより、白色光を得ることができる。
【００５２】
（注入層（正孔注入層、電子注入層））
注入層は、駆動電圧の低下や発光輝度の向上を図るための層である。注入層は、通常は、電極及び発光層の間に設けられる。注入層は、通常、正孔（キャリア）を注入する正孔注入層と電子（キャリア）を注入する電子注入層の２つに大別される。
正孔注入層（陽極バッファー層）は、陽極と、発光層又は正孔輸送層との間に設けられる。
また、電子注入層（陰極バッファー層）は、陰極と、発光層又は電子輸送層との間に設けられる。
【００５３】
（阻止層（正孔阻止層、電子阻止層））
阻止層は、キャリア（正孔、電子）の輸送を阻止するための層である。阻止層は、通常、正孔（キャリア）の輸送を阻止する正孔阻止層と電子（キャリア）の輸送を阻止する電子阻止層の２つに大別される。
【００５４】
正孔阻止層は、広い意味で、後記する電子輸送層の機能（電子輸送機能）を有する層である。正孔阻止層は、電子輸送機能を有しつつ、正孔の輸送能力が小さい材料で形成される。このような正孔阻止層が設けられることにより、発光層に対する正孔及び電子間の注入バランスを好適なものにすることができる。また、これにより、電子と正孔との再結合確率を向上させることができる。
【００５５】
なお、正孔阻止層として、必要に応じて、後記する電子輸送層の構成が適用可能である。さらに、正孔阻止層が設けられる場合、正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられることが好ましい。
【００５６】
一方、電子阻止層は、広い意味で、後記する正孔輸送層の機能（正孔輸送機能）を有する層である。電子阻止層は、正孔輸送機能を有しつつ、電子の輸送能力が小さい材料で形成される。このような電子阻止層が設けられることにより、発光層に対する正孔及び電子間の注入バランスを好適なものにすることができる。また、これにより、電子と正孔との再結合確率を向上させることができる。
なお、電子阻止層として、必要に応じて、後記する正孔輸送層の構成が適用可能である。
【００５７】
正孔阻止層及び電子阻止層の膜厚は特に制限されないが、好ましくはそれぞれ３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上であり、また好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下である。
【００５８】
（輸送層（正孔輸送層、電子輸送層））
輸送層は、キャリア（正孔及び電子）を輸送する層である。輸送層は、通常、正孔（キャリア）を輸送する正孔輸送層と電子（キャリア）を輸送する電子輸送層の２つに大別される。
【００５９】
正孔輸送層は、陽極から供給された正孔を発光層に輸送（注入）する層である。正孔輸送層は、陽極又は正孔注入層と発光層との間に設けられる。また、正孔輸送層は、陰極側からの電子の流入を阻止する障壁としても作用する。それ故、正孔輸送層という用語は、広い意味で、正孔注入層及び／又は電子阻止層を含む意味で用いられることもある。なお、正孔輸送層は、一層だけ設けてもよいし、複数層設けてもよい。
【００６０】
電子輸送層は、陰極から供給された電子を発光層に輸送（注入）する層である。電子輸送層は、陰極又は電子注入層と発光層との間に設けられる。また、電子輸送層は、陽極側からの正孔の流入を阻止する障壁としても作用する。それ故、電子輸送層という用語は、広い意味で、電子注入層及び／又は正孔阻止層を含む意味で用いられることもある。なお、電子輸送層は、一層だけ設けてもよいし、複数層設けてもよい。
【００６１】
電子輸送層（電子輸送層を一層構造とする場合には当該電子輸送層、電子輸送層を複数設ける場合には最も発光層側に位置する電子輸送層）に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねることがある）は、特に制限されない。ただし、電子輸送層に用いられる電子材料は、通常は、陰極から注入された電子を発光層に伝達（輸送）する機能を有する材料を適用可能である。
【００６２】
以上、有機ＥＬ素子の基本的な構成要素について簡単に説明したが、これらの構成や材料については、公知のものを用いることができる。有機ＥＬ素子の構成や材料については、例えば、特開２０１４−１２０３３４号公報、特開２０１３−８９６０８号公報、国際公開第ＷＯ２０１０／１５０６４８号などに記載されており、これらを参考にすることができる。
なお、第１電極、発光層、第２電極は、フレキシブル基板の片面のみにこの順で成膜することができるが、フレキシブル基板の両面にこの順で成膜することもできる。
【００６３】
（本製造方法の具体的な内容）
次に、本製造方法の具体的な内容について説明する。
前述したように、本製造方法は、フレキシブル基板の上に第１電極を成膜する工程、及び発光層の上に第２電極を成膜する工程のうちの少なくとも一方の工程を以下の条件で行う。
【００６４】
つまり、前記した２つの工程のうちの少なくとも一方の工程が、成膜対象となる被成膜物をロールツーロール方式で搬送し、前記被成膜物において成膜される領域の平面度が当該領域における搬送方向の長さの５分の１以下であり、且つ、ダイナミックレートが３０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上であるスパッタリングを行う。
本実施形態においては、このようにすることで前者の工程で第１電極を成膜し、後者の工程で第２電極を成膜する。なお、本製造方法においては、両方の工程を前記した条件で行ってもよい。
【００６５】
なお、本製造方法は、第１電極を成膜する工程と第２電極を成膜する工程との間に、第１電極の上に前記した発光層や有機機能層を成膜する工程を有する。この工程は、任意の手法・条件で実施することができる。
【００６６】
また、有機ＥＬ素子は、外部から侵入してくる酸素や水分によって発光層が劣化するのを防ぐため、第１電極、発光層及び第２電極を封止する封止層が設けられていることが好ましい。そのため、第１電極を成膜する工程、発光層を成膜する工程、第２電極を成膜する工程を行った後に、第１電極、発光層及び第２電極を封止する封止層を形成する工程を行うのが好ましい。封止層としては、例えば、窒化ケイ素膜が挙げられるが、これに限定されず任意のものを用いることができる。
【００６７】
本製造方法における成膜対象となる被成膜物は、前記第１電極を成膜する場合、フレキシブル基板が該当する。
また、本製造方法における成膜対象となる被成膜物は、前記第２電極を成膜する場合、第１電極及び発光層を成膜したフレキシブル基板が該当する。
前記した２つの工程においてこのような被成膜物をロールツーロール方式で搬送すると、生産性を高めることができる。
【００６８】
（平面度）
本実施形態においては前記したように、スパッタリングの条件として、被成膜物において成膜される領域の平面度が当該領域における搬送方向の長さの５分の１以下としている。
ここで、被成膜物において成膜される領域とは、成膜にパターンマスクを使用する場合は、成膜装置のターゲットから飛翔するスパッタ粒子がパターンマスクの開口部を介して被成膜物に到達する領域をいい、パターンマスクを使用しない場合は、成膜装置のターゲットから飛翔するスパッタ粒子が被成膜物に到達する領域をいう。
また、平面度とは、平面形体（被成膜物）を幾何学的平行二平面で挟んだとき、平行二平面の間隔が最小となる場合の、二平面の間隔をいう（図１参照）。なお、図１は、平面度を説明するための説明図である。平面度は、例えば、基準平面から測定対象（被成膜物）にレーザー光を照射して得られる高さ情報Ｈ１、Ｈ２…Ｈｎ（ｎは任意の数である）の組合せなどにより測定することができる（図２参照）。なお、図２は、平面度の測定に関する説明図である。前記した高さ情報Ｈ１、Ｈ２…Ｈｎは、レーザー測長機などで測定することによって得ることができる。
また、当該領域（成膜される領域）における搬送方向の長さとは、被成膜物の成膜される領域において、最も上流側の点を点Ａ、最も下流側の点を点Ｂとし、点Ａ、点Ｂをとおり搬送方向に対して垂直に引いた直線を直線Ｌａ、直線Ｌｂとしたときにおける、直線Ｌａと直線Ｌｂの間の距離Ｌをいう（図３参照）。なお、図３は、成膜される領域における搬送方向の長さを説明する説明図である。
【００６９】
被成膜物において成膜される領域の平面度を前記したようにすると、スパッタリングが行われる被成膜物の成膜面がカールの発生を助長する曲面になっていないため、被成膜物がカールするのを抑制できる。そのため、発光層などを成膜しているときに、被成膜物が成膜装置のゲードバルブなどの狭い部分と接触し難くなる。その結果、膜の異常が減り、駆動故障率を低減することができる。この効果は、フレキシブル基板の上に第１電極を成膜した場合に顕著に得られるものであり、シートツーシート（枚葉）方式などで成膜を行う場合には前記した問題は顕在化しないため、前記方式からはロールツーロール方式で得られる前記効果を予測することはできない。
【００７０】
前記したように、本実施形態では、被成膜物において成膜される領域の平面度が当該領域における搬送方向の長さの５分の１以下としているが、２０分の１以下とするのが好ましく、５０分の１以下とするのがより好ましい。このようにすると、被成膜物がカールするのをより抑制できるため、膜の異常がさらに減り、駆動故障率をより低減できる。
【００７１】
ここで、図４から図６は、スパッタリング装置で成膜を行う様子の一例を説明する概略説明図である。
図４に示すスパッタリング装置１は、図示を省略した真空チャンバー内において、被成膜物２がロールツーロール方式で図中左から右に向けて矢印の方向に搬送されている。被成膜物２の一面側２ａには、所定の距離離間してスパッタリング用のターゲット３が設けられている。
また、図４に示すように、被成膜物２とターゲット３との間にはパターンマスク４が設けられていてもよい。このようにすると、所定の形状の膜を成膜することができる。
【００７２】
被成膜物２の他面側２ｂ、すなわち、第１電極及び第２電極が成膜される面（前記一面側２ａ）の裏面には平板状のプレート部材５が設けられている。このプレート部材５はタッチプレートとも呼ばれており、被成膜物２と接するか、接する程に近接させることによって被成膜物２を平面に保持しながら成膜する部材として機能する。また、プレート部材５は、被成膜物２を冷却する冷却部材としても機能する。そのため、スパッタリングによる熱で被成膜物２がカールするのを抑制することができる。被成膜物２の冷却能を高めるため、プレート部材５の内部を任意の冷媒が通流できるようにしてもよい。
【００７３】
また、プレート部材５の両端にはローラー６、６が設けられており、プレート部材５とローラー６、６で被成膜物２を挟み込むことで、搬送される被成膜物２を適度な圧力でプレート部材５に押し付けることができるようになっている。これにより、より確実に前記平面度を前記領域における搬送方向の長さの５分の１以下とすることができる。そのため、スパッタリングによる成膜を良好に行うことができる。また、搬送しながら成膜を行う場合は、被成膜物２のばたつきなどの変動を抑えて安定化することができるので、スパッタリングによる成膜を良好に行うことができる。さらに、このようにすると、被成膜物２とプレート部材５とをより確実に接するようにすることができるので、前述したように、より確実に被成膜物２を冷却することができる。
【００７４】
ローラー６、６による被成膜物２のプレート部材５への押し付け力は被成膜物２の材質や構成等に応じて任意に設定できるが、被成膜物２がプレート部材５と接して傷が付いたり、摩耗粉が生じたりしないようにするのが好ましい。
被成膜物２とプレート部材５との隙間は約１００μｍとすることができるが、１０μｍ未満であるのが好ましい。このようにすると、これらが互いにほぼ接している状態となるため、さらに確実に被成膜物２を冷却することができる。当該隙間は、例えば、シックネスゲージ（すきまゲージとも呼ばれる）で測定することができる。具体的には、厚さ１０μｍのシックネスゲージが当該隙間に入らない程度とするのが好ましい。
【００７５】
被成膜物２とプレート部材５との隙間を１０μｍ未満とする方法としては、例えば、図５に示すように、プレート部材５の中に永久磁石や電磁石などの磁石５ａを設けると共に、パターンマスク４やパターンマスク４の周囲４ａを磁性材料とすることで具現できる。
【００７６】
ターゲット３は、一般的な平板状のものを用いることができるが、円筒形であるものを好適に用いることができる。円筒形のターゲット３を用いると、当該ターゲット３の内側に磁場発生手段（図示せず）を設置し、ターゲット３の内側から冷却しつつターゲット３を回転（自転）させてスパッタリングを行うことが可能となる。そのため、ターゲット３の利用効率を上げることができる。
【００７７】
また、ターゲット３は、第１電極及び第２電極で述べた材料で形成されたものであれば好ましく用いることができるが、例えば、インジウムと亜鉛を含んでいるのがより好ましい。インジウムと亜鉛を含んでいるターゲット３を用いると、第１電極及び／又は第２電極として好適なＩＺＯ膜を成膜することができる。
【００７８】
図６に示すスパッタリング装置１Ａは、スパッタリングで成膜を行う際に、被成膜物２を所定のバックロール７に当接させて行う点で図４や図５に示すスパッタリング装置１と相違している。従って、スパッタリング装置１Ａに関しては所定のバックロール７について説明し、スパッタリング装置１と同様の構成については同じ符号を付してその説明を省略する。
【００７９】
前述したように、本実施形態においては、被成膜物２において成膜される領域の平面度が当該領域における搬送方向の長さの５分の１以下であればよい。そのため、所定のバックロール７は、被成膜物において成膜される領域の平面度がそのようになるもの、例えば、成膜される領域の搬送方向の長さが１０ｃｍの場合、直径φ約１２ｃｍ以上のものであれば用いることができる。
【００８０】
（ダイナミックレート）
そして、本実施形態においては前記したように、スパッタリングの条件として、ダイナミックレートを３０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上としている。なお、ダイナミックレートとは、１分間に基板（被成膜物）１ｍあたりに成膜できるレートをいう。ダイナミックレートをこのように制御すると、短時間で成膜できることからスパッタリング装置の真空チャンバー中に存在する異物粒子（パーティクル）の巻き込みを低減できる。そのため、パーティクルによって膜中にショートパスが形成されたり、亀裂が発生したりするのを抑制でき、その結果として、駆動故障率が低減される。なお、パーティクルは、ロールツーロール方式で搬送される被成膜物とローラーとの接触や、スパッタリング装置のプラズマ放電等により生成する。
成膜装置の真空チャンバー中に存在するパーティクルの巻き込みをより低減して駆動故障率をより低減する観点から、ダイナミックレートを高くするのが好ましい。ダイナミックレートは、例えば、５０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上とするのが好ましく、８０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上とするのがより好ましく、１２０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ以上とするのがさらに好ましい。
【００８１】
（スキャンレート）
また、本実施形態においては、スパッタリングのスキャンレートが１０ｍｍ／ｓ以上であることが好ましい。なお、スキャンレートとは、被成膜物とターゲットの相対速度をいう。スキャンレートをこのように制御すると迅速に成膜できるため、被成膜物のカールを抑制することができる。その理由については、被成膜物の温度が上がりにくく、熱に起因する膜応力を低くおえられるためと推定している。そのため、このようなスキャンレートで第１電極を成膜すると、その後の発光層や有機機能層の成膜の際に、被成膜物が成膜装置のゲードバルブなどの狭い部分とより接触し難くなる。そのため、膜の異常が減り、駆動故障率を低減することができる。
被成膜物のカールをより抑制し、駆動故障率をより低減する観点から、スキャンレートは１００ｍｍ／ｓ以上とするのが好ましく、１１０ｍｍ／ｓ以上とするのがより好ましい。
【００８２】
スパッタリングを行う際のスパッタ電源は交流電源（ＡＣ電源）であってもよいが、直流パルス電源であるのが好ましい。直流パルス電源であると、緻密で欠陥の少ない膜が得られるため、駆動故障率をさらに低減させることができる。
なお、例えば、ＡＣ電源の周波数は１０〜３００ｋＨｚが好ましく、３０〜１００ｋＨｚがより好ましい。
また、例えば、直流パルス電源の周波数は１〜１００ｋＨｚが好ましく、５〜５０ｋＨｚがより好ましく、１０〜３０ｋＨｚがさらに好ましい。直流パルス電源のデューティ比は７０〜９９％が好ましく、７５〜９５％が好ましい。
【００８３】
（帯電防止層）
本実施形態で用いるフレキシブル基板は、少なくとも一方の面に帯電防止層が設けられていることが好ましい。このようにすると、フレキシブル基板が帯電するのを防止できるため、パーティクルの巻き込みをより低減できる。そのため、駆動故障率をより低減できる。帯電防止層は、帯電防止能を有する有機帯電防止剤を含有するのが好ましい。なお、帯電防止層は、フレキシブル基板の表面に直接形成してもよく、後述するようにフレキシブル基板の少なくとも一方の面にクリアハードコート層を形成し、その上に当該帯電防止層を形成してもよい。
【００８４】
（有機帯電防止剤）
有機帯電防止剤は、フレキシブル基板の製造時又は取扱時にフレキシブル基板が帯電するのを防ぐ機能を帯電防止層に付与する。
有機帯電防止剤は、基本的には帯電防止能を有する有機材料より構成されている帯電防止剤であり、帯電防止層を形成した際に、シート抵抗値を１×１０１１Ω／□以下、好ましくは１×１０１０Ω／□以下、さらに好ましくは１×１０９Ω／□以下とすることができる材料である。
【００８５】
有機帯電防止剤としては、従来公知の界面活性剤型帯電防止剤、シリコーン系帯電防止剤、有機ホウ酸系帯電防止剤、高分子系帯電防止剤、帯電防止ポリマー材料等を用いることができる。有機帯電防止剤としては、これらの中でもイオン導電性物質等を含有するものが好ましい。ここで、イオン導電性物質とは、電気伝導性を示し、電気を運ぶ担体であるイオンを含有する物質のことである。イオン導電性物質の例としては、共役系ポリマーやイオン性ポリマー、導電性ポリマーなどを挙げることができる。
【００８６】
（共役系ポリマー）
共役系ポリマーとしては、
１）脂肪族共役系：例えば、ポリアセチレン、ポリ（１，６−ヘプタジエン）など、
２）芳香族共役系：例えば、ポリパラフェニレン、ポリナフタレン、ポリアントラセンなど、
３）複素環式共役系：例えば、ポリピロールとその誘導体、ポリフランとその誘導体、ポリチオフェンとその誘導体（例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）など）、ポリイソチオナフテンとその誘導体など、
４）含ヘテロ原子共役系：例えば、ポリアニリンとその誘導体、ポリ（パラフェニレンスルフィド）とその誘導体、ポリ（パラフェニレンオキシド）とその誘導体など、
５）混合型共役系：例えば、ポリ（パラフェニレンビニレン）とその誘導体、ポリ（ピロールビニレン）とその誘導体、ポリ（チオフェンビニレン）とその誘導体など、
６）複鎖型共役系：例えば、ポリペリナフタレンなど、
７）金属フタロシアニン系：例えば、金属フタロシアニンなど、
８）導電性複合体：例えば、３）のポリチオフェン（誘導体を含む）、ポリピロール（誘導体を含む）、４）のポリアニリン（誘導体を含む）、５）のポリ（パラフェニレンビニレン）（その誘導体を含む）、ポリ（チオフェンビニレン）（その誘導体を含む）などを、接続基を介して側鎖に持つポリマーのπ電子導電性ポリマー複合体などを挙げることができる。
【００８７】
（イオン性ポリマー）
イオン性ポリマーとしては、特公昭４９−２３８２８号公報、特公昭４９−２３８２７号公報、特公昭４７−２８９３７号公報などに記載のアニオン性高分子化合物、特公昭５５−７３４号公報、特開昭５０−５４６７２号公報、特公昭５９−１４７３５号公報などに記載の主鎖中に解離基を持つアイオネン型ポリマー、特公昭５３−１３２２３号公報、特公昭５７−１５３７６号公報、特公昭５３−４５２３１号公報などに記載の側鎖中にカチオン性解離基を持つカチオン性ペンダント型ポリマーなどを挙げることができる。
【００８８】
（導電性ポリマー）
導電性ポリマーとしては、特開平９−２０３８１０号公報に記載のアイオネン導電性ポリマーや、分子間架橋を有する第４級アンモニウムカチオン導電性ポリマーなどを挙げることができる。
【００８９】
（その他の帯電防止剤）
本実施形態においては、例えば、特開２００６−２６５２７１号公報、特開２００７−７０４５６号公報、特開２００９−６２４０６号公報などに記載されている帯電防止ハードコート剤も用いることができる。また、市販品としても入手可能であり、例えば、アイカ工業社より市販されている帯電防止剤などを適宜選択して用いることができる。
【００９０】
（バインダー樹脂）
帯電防止層の形成時に、前記した有機帯電防止剤などを保持するためにバインダー樹脂を用いることができる。バインダー樹脂としては、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレートなどのセルロース誘導体、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリカーボネートなどのポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタールなどのポリビニルアルコール誘導体、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレートなどのアクリル樹脂又はアクリル樹脂とその他樹脂との共重合体を用いることができるが、これらに限定されるものではない。この中では、セルロース誘導体又はアクリル樹脂が好ましく、アクリル樹脂がより好ましい。
【００９１】
帯電防止層の形成に用いるバインダー樹脂としては、重量平均分子量が４０万以上で、ガラス転移温度が８０〜１１０℃の範囲内にある上記熱可塑性樹脂が、光学特性及び形成する帯電防止層の面品質の点で好ましい。
ガラス転移温度は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１に記載の方法で求めることができる。ここで使用するバインダー樹脂は、帯電防止層を構成する全樹脂質量の６０質量％以上、より好ましくは８０質量％以上であり、必要に応じて活性線硬化性樹脂や熱硬化樹脂を適用することもできる。
【００９２】
（有機溶剤）
本実施形態に係る帯電防止層は、帯電防止剤及びバインダー樹脂を、適当な有機溶剤に溶解して、溶液状態の帯電防止層形成用塗布液を調製し、これを湿式塗布方式により、基材上に塗布及び乾燥することで形成できる。
【００９３】
帯電防止層形成用塗布液の調製に用いる有機溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、蟻酸メチル、蟻酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル（略称：ＰＧＭＥ）などのグリコールエーテル類を適宜混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。
【００９４】
（塗布方法）
帯電防止層形成用塗布液をフレキシブル基板上に塗布する方法として、ドクターコート法、エクストルージョンコート法、スライドコート法、ロールコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、リバースコート法、カーテンコート法、押し出しコート法、エクストルージョンコート法などが挙げられる。これら湿式塗布方法を適宜用いることにより、フレキシブル基板上に、乾燥膜厚が約０．１〜２０μｍ、好ましくは約０．２〜５μｍの帯電防止層を形成できる。
【００９５】
（クリアハードコート層）
本実施形態においては、フレキシブル基板とガスバリア層との間や、フレキシブル基板と帯電防止層との間に、フレキシブル基板を保護したり、ガスバリア層や帯電防止層との密着性を向上させたりするクリアハードコート層（下地層とも呼ばれている）を設けることが好ましい。
【００９６】
クリアハードコート層は、例えば、熱硬化型樹脂、活性エネルギー線硬化型樹脂などの硬化性樹脂を用いることができる。中でも、成形が容易なことから、活性エネルギー線硬化型樹脂が好ましい。
【００９７】
活性エネルギー線硬化型樹脂としては、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマーを含む成分が好ましく用いられ、紫外線や電子線のような活性線を照射することによって硬化するものを好適に用いることができる。活性エネルギー線硬化型樹脂としては、紫外線硬化型樹脂や電子線硬化型樹脂などが代表的なものとして挙げられるが、紫外線照射によって硬化する紫外線硬化型樹脂が好ましい。
【００９８】
熱硬化型樹脂としては、特に制限はなく、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等の種々の熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００９９】
クリアハードコート層も帯電防止層形成用塗布液と同様、湿式塗布方法でフレキシブル基板上に塗布し、硬化させることで形成できる。
【０１００】
帯電防止層及びクリアハードコート層については、例えば、特開２０１６−１６８８０３号公報などに記載されており、これらを参考にすることができる。
【０１０１】
（取出電極）
本実施形態における有機ＥＬ素子は、第１電極や第２電極に通電（給電）するため、取出電極を有しているのが好ましい。取出電極を構成する材料は、例えば、第１電極に通電するための第１電極用の取出電極であれば第１電極と同一又は同質の材料を用いるのが好ましく、第２電極に通電するための第２電極用の取出電極であれば第２電極と同一又は同質の材料で形成されるのが好ましいが、これに限定されるものではない。
なお、取出電極は、必須の構成ではなく、例えば、第１電極用の取出電極が第１電極と一体に形成されていてもよく、第２電極用の取出電極が、第２電極と一体に形成されていてもよい。
【０１０２】
（封止基材）
本実施形態における有機ＥＬ素子は、封止基材で封止されているのが好ましい。
封止基材は、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。
有機ＥＬ素子が第２電極から光を取り出す構造である場合、封止基材は光透過性を有することが好ましい。
本実施形態においては、フレキシブル性を有するポリマーフィルム、ポリマー板、金属フィルム、金属板などが好ましい。
ポリマーフィルムやポリマー板としては、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォンなどで形成されたものを用いることができる。なお、ポリマーフィルムやポリマー板は、酸素や水分の侵入を防止するため、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属を蒸着させたものを用いるのが好ましい。
また、金属フィルムや金属板としては、例えば、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム、タンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金から形成されたものを用いることができる。
なお、本実施形態においては、封止基材としてフレキシブル性を有さないガラス板も使用可能である。ガラス板としては、例えば、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで形成されたものを用いることができる。
【０１０３】
（粘着剤層）
前記した封止基材は、粘着剤層で有機ＥＬ素子と接着して封止するのが好ましい。
このような接着剤層としては、例えば、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤や、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型などの接着剤を塗布して形成したものを挙げることができる。また、エポキシ系などの熱及び化学硬化型（二液混合）の接着剤を塗布して形成したものを挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンなどを塗布して形成したものを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を塗布して形成したものを挙げることができる。接着剤層の厚さは任意に設定することができる。接着剤層中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
【０１０４】
以上、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について、有機ＥＬ素子の構成と共に詳細に説明した。本製造方法は、フレキシブル基板の上に第１電極を形成する工程、及び発光層の上に第２電極を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程を前述した所定の条件で行うため、駆動故障及び非発光故障が生じ難い有機ＥＬ素子を製造できる。
【実施例】
【０１０５】
次に、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、以下に示した実施例に限定されるものではない。
【０１０６】
＜素子Ｎｏ．１０１に係る有機ＥＬ素子の製作＞
以下の方法で表面にガスバリア層を形成したフレキシブル基板を作製した。
（フレキシブル基板の準備）
両面を表面活性化処理した、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ社製のルミラー（登録商標）Ｕ４８）を用意した。
【０１０７】
一方の面に厚さ２μｍの下地層を形成した。具体的には、ＵＶ硬化型樹脂オプスター（登録商標）Ｚ７５２７（ＪＳＲ社製）を、乾燥後の厚さが２μｍとなるように塗布した。塗膜を８０℃で乾燥した後、大気下で高圧水銀ランプを用いて照射エネルギー量が０．５Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射する硬化処理を施した。
【０１０８】
（ガスバリア層の形成）
（ケイ素含有ポリマー改質層）
下地層を形成したフレキシブル基板を２０ｍ×１００ｍｍの大きさで切り出し、ロール状に巻いた。そして、ロールツーロール方式で搬送しつつ、以下の方法で下地層の上にケイ素含有ポリマー改質層を形成した。
【０１０９】
無触媒のパーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）の２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＮ１２０−２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）と、アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン）を固形分の５質量％含有するパーヒドロポリシラザン２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＡＸ１２０−２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）とを４：１の割合で混合し、さらに厚さの調整のためにジブチルエーテルで適宜希釈して、塗布液を調製した。
【０１１０】
下地層上に調整した塗布液をダイコーターで乾燥後の厚さが１００ｎｍとなるように塗布し、８０℃で２分間乾燥した。次に、真空紫外線照射装置（エム・ディ・コム社製、エキシマ照射装置ＭＯＤＥＬ  ＭＥＣＬ−Ｍ−１−２００）に波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用いて、乾燥後の塗膜に２．５ｍＪ／ｃｍ２の真空紫外線を照射する改質処理を施して、ケイ素含有ポリマー改質層を形成した。なお、真空紫外線の照射時、酸素濃度が０．１体積％の雰囲気となるように、窒素による置換を行った。ケイ素含有ポリマー改質層を形成するステージの温度は８０℃とし、ロールツーロール方式で搬送する搬送速度は０．５ｍ／ｍｉｎとした。
【０１１１】
（ケイ素化合物層）
次に、形成したケイ素含有ポリマー改質層上に、以下の条件のプラズマＣＶＤ法で厚さ３００ｎｍのケイ素化合物（ＳｉＯＸ）層を形成した。
【０１１２】
（プラズマＣＶＤ法の条件）
酸素ガス（Ｏ２）の供給量：５００ｓｃｃｍ(standard cubic centimeter per minute)
原料ガス（ヘキサメチルジシロキサン：ＨＭＤＳＯ）の供給量：５０ｓｃｃｍ
真空チャンバー内の真空度：３Ｐａ
プラズマ発生用電源からの印加電力：１．２ｋＷ
プラズマ発生用電源の周波数：８０ｋＨｚ
フィルムの搬送速度：０．５ｍ／ｍｉｎ
【０１１３】
（ケイ素含有ポリマー改質層）
さらに、ケイ素化合物層上に、上記と同様の方法で乾燥後の膜厚が３００ｎｍとなるように塗布液を塗布し、紫外線硬化してケイ素含有ポリマー改質層を形成することで、ガスバリア層を形成した。
【０１１４】
次いで、ガスバリア層を形成したフレキシブル基板をロールツーロール方式で搬送できるスパッタリング装置にセットした。
そして、当該スパッタリング装置の真空チャンバーに、平板のＩＺＯ用ターゲット、すなわち、酸化インジウム（９０質量％）−酸化亜鉛（１０質量％）ターゲットを１対（２つ）設置した。このターゲットの密度は理論密度の９８．０％であった。
【０１１５】
次いで、真空チャンバー内が、酸素濃度１％、真空度０．４Ｐａとなるように酸素流量と、アルゴンガス流量と、真空度とを調整した。
この状態で、ＡＣ電源を用いて２つ設置したターゲットに対して交互に放電が起きるようにした。ここで、ＡＣ電源の周波数は４０ｋＨｚとし、表１に記載のダイナミックレートとなるように投入電力を調整した。
【０１１６】
なお、ソース（ターゲット）側から、パターンマスク、フレキシブル基板、平板状の裏面プレート（以下、平面プレートという。図４〜６のプレート部材５に相当する。）となるように配置し、パターンマスクを平面プレートに押し付けるようにした。なお、ガスバリア層が成膜面となるようにした。パターンマスクの平面プレートへの押し付けは、平面プレートとフレキシブル基板との隙間が表１に記載している間隔となるように、平面プレートの両端に設けたローラー（図４〜６のローラー６、６参照）による張力で行った（表１では「張力張り」と記載）。ここで、隙間は、大気圧下で事前にシックネスゲージを用いて測定した。また、平面度も事前に同条件で測定を行った。具体的には真空チャンバー内に平面精度０．１ｍｍ以下の定盤を設置し、レーザー測長機（ボッシュ製レーザー測長機ＧＬＭ７０００）を用いて定盤からの長さを測り、平面度を計算した。この実施例ではレーザー測長機の測定精度の１ｍｍ以下であった。
【０１１７】
パターンマスクは、有機ＥＬの発光サイズが５０×５０ｍｍになるような形状とした。
また、被成膜物であるガスバリア層を形成したフレキシブル基板において成膜される領域の搬送方向の長さは５０ｍｍとした。
このときの前記領域の平面度は１ｍｍ以下であり、前記領域における搬送方向の長さの５０分の１以下であった。
スパッタリング装置のソース（ターゲット）を表１に記載のスキャンレートで動かしながら表１に記載の膜厚になるように陽極を成膜した。
【０１１８】
（発光層を含む有機機能層及び陰極）
そして、ロールツーロール方式でフレキシブル基板を搬送し、発光層を含む有機機能層と、陰極とをそれぞれ以下のようにして真空チャンバー内で成膜し、有機ＥＬ素子を作製した。
真空度１×１０−４Ｐａより高真空まで減圧された状態とし、化合物Ｍ−２の入った蒸着用るつぼを加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で電極（陽極）上に蒸着し、膜厚１５０ｎｍの正孔注入輸送層を成膜した。
次に、化合物ＢＤ−１及び化合物Ｈ−１を用いて、化合物ＢＤ−１が５％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、膜厚３０ｎｍの青色発光を呈する蛍光発光層を成膜した。
次に、化合物ＧＤ−１、化合物ＲＤ−１及び化合物Ｈ−２を用いて、化合物ＧＤ−１が１７％、化合物ＲＤ−１が０．８％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、膜厚３０ｎｍの黄色を呈するリン光発光層を成膜した。
その後、化合物Ｅ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、膜厚４０ｎｍの電子輸送層を成膜した。
さらに、ＬｉＦを用いて膜厚１．５ｎｍの電子注入層を成膜した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着し、陰極とした。
なお、発光層、有機機能層及び陰極は、陽極に対応し、２０×２０ｍｍの発光となるようなパターンマスクでマスキングして蒸着した。
【０１１９】
【化１】
2018160366.tif 000002
【０１２０】
（封止層）
以下の条件で有機ＥＬ素子の全面（すなわち、有機ＥＬ素子の上面と側面）に封止層を形成した。封止層は窒化ケイ素膜とした。窒化ケイ素膜の形成は、フレキシブル基板に対面するように設けられた電極と、この電極にプラズマ励起電力を供給する高周波電源と、フレキシブル基板を保持する保持部材にバイアス電力を供給するバイアス電源と、電極に向けてキャリアガスや原料ガスを供給するガス供給手段と、を備えたデポアップ方式のプラズマＣＶＤ成膜装置を用いた。窒化ケイ素膜の膜厚は２５０ｎｍとした。
【０１２１】
成膜ガスは、シランガス（ＳｉＨ４）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）及び水素ガス（Ｈ２）を用いた。これらのガスの供給量は、シランガスが１００ｓｃｃｍ、アンモニアガスが２００ｓｃｃｍ、窒素ガスが５００ｓｃｃｍ、水素ガスが５００ｓｃｃｍとした。また、成膜圧力は５０Ｐａとした。電極には、高周波電源から周波数１３．５ＭＨｚで３０００Ｗのプラズマ励起電力を供給した。保持部材には、バイアス電源から５００Ｗのバイアス電力を供給した。
【０１２２】
（封止基材・粘着剤層）
（粘着剤組成物の調製）
ポリイソブチレン系樹脂として「オパノールＢ５０（ＢＡＳＦジャパン社製、Ｍｗ：３４万）」１００質量部、ポリブテン樹脂として「日石ポリブテン  グレードＨＶ−１９００（新日本石油社製、Ｍｗ：１９００）」３０質量部、ヒンダードアミン系光安定剤として「ＴＩＮＵＶＩＮ７６５（ＢＡＳＦジャパン社製、３級のヒンダードアミン基を有する）」０．５質量部、ヒンダードフェノール系酸化防止剤として「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦジャパン社製、ヒンダードフェノール基のβ位が二つともターシャリーブチル基を有する）」０．５質量部、及び環状オレフィン系重合体として「Ｅａｓｔｏｔａｃ  Ｈ−１００Ｌ  Ｒｅｓｉｎ（イーストマンケミカル．Ｃｏ．製）」５０質量部をトルエンに溶解し、固形分濃度約２５質量％の粘着剤組成物を調製した。
【０１２３】
（封止部材の作製）
封止基材として、パナック社製アルペット３０−１２（アルミ３０μｍ−ＰＥＴ１２μｍ）を用意した。
そして、調製した上記粘着剤組成物の溶液を乾燥後に形成される粘着剤層の厚さが２０μｍとなるように封止基材のアルミ面に塗工し、１２０℃で２分間乾燥させて粘着剤層を形成した。
次に、形成した粘着剤層面に対して、剥離シートとして、厚さ３８μｍの剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルムの剥離処理面を貼付して、封止部材を作製した。
そして、作製した封止部材を、窒素雰囲気下２４時間以上放置した。
封止部材の剥離シートを除去して粘着剤層面を露出させ、有機ＥＬ素子の発光層などが形成されている面に被せ、ラミネーターで封止層を覆うようにして封止した。
そして、１２０℃で３０分加熱して封止した後に裁断し、Ｎｏ．１０１に係る有機ＥＬ素子を製造した。
【０１２４】
〈評価〉
＜駆動故障率＞
Ｎｏ．１０１に係る有機ＥＬ素子を１００枚用意し、電圧／電流発生器６２４３（エーディーシー社製）及び分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ社製）を用いて輝度の測定を行った。有機ＥＬ素子に２ｍＡ／ｃｍ２の電流を流したときの輝度（ｃｄ／ｍ２）を求め、電流密度（Ａ／ｍ２）で除算し、初期電流効率（ｃｄ／Ａ）を求めた。
測定した１００枚のパネルを温度２５℃、湿度５０％の環境で２ｍＡ／ｃｍ２の電流を流し、１００時間駆動させた。１００時間駆動させた後に再度電流効率を求め、電流効率が初期電流効率の５０％以下となったパネルを不良パネルとした。不良パネル数と全パネル数とから、駆動故障率（％）を以下のようにして求めた。駆動故障率が３０％未満であるものを合格、３０％以上であるものを不合格とした。
駆動故障率＝（不良パネル数／全パネル数）×１００
【０１２５】
＜高温高湿保存による非発光面積率＞
有機ＥＬ素子に２ｍＡ／ｃｍ２の電流を流し、市販のデジタルマイクロスコープを用いて発光面積を測定して初期面積とした。
測定した１０枚のパネルを、温度６０℃、湿度９０％の環境で３００時間保管した。
保管後、再度有機ＥＬ素子に２ｍＡ／ｃｍ２の電流を流し、市販のデジタルマイクロスコープを用いて発光面積を測定して保管後面積とした。
そして、非発光面積率（％）を以下のようにして求めた。高温高湿保存による非発光面積率が８０％未満であるものを合格、８０％以上であるものを不合格とした。
非発光面積率＝｛（初期面積−保管後面積）／初期面積｝×１００
【０１２６】
以下、表１の条件に従って電極を成膜し、Ｎｏ．１０１と同様にしてＮｏ．１０２〜１２９に係る有機ＥＬ素子を製造した。
【０１２７】
Ｎｏ．１０２に係る有機ＥＬ素子は、ダイナミックレートをＮｏ．１０１よりも高く設定してスパッタリングを行った。
Ｎｏ．１０３、１０４に係る有機ＥＬ素子は、酸化インジウム（９０質量％）−酸化スズ（１０質量％）である平板状のターゲットを用いた。ターゲットの密度は理論密度の９９．５％であった。
Ｎｏ．１０８〜１１０に係る有機ＥＬ素子は、酸化インジウム（９０質量％）−酸化スズ（１０質量％）である円筒形のターゲットを用いた。ターゲットの密度は理論密度の９９．５％であった。
なお、Ｎｏ．１０５〜１２５に係る有機ＥＬ素子は、円筒形のターゲットを用いた。
【０１２８】
また、Ｎｏ．１１７〜１２５に係る有機ＥＬ素子は、以下のようにしてフレキシブル基板の裏面（有機ＥＬ素子を形成する面の裏側の面）に帯電防止層を成膜した。なお、帯電防止層はガスバリア層の成膜前に行った。
【０１２９】
（帯電防止層（有機帯電防止剤））
下記の方法に従って、コロイダルシリカ含有単量体を調整し、このコロイダルシリカ含有単量体を用いて、有機帯電防止剤の帯電防止ハードコート剤を調整した。そして、有機帯電防止剤を用いて帯電防止層を形成した。
【０１３０】
（コロイダルシリカ含有単量体の調整）
溶媒として酢酸エチルを用いて分散したコロイダルシリカ（ＳｉＯ２成分３０質量％、平均粒子径２０ｎｍ、日産化学社製）を１３０質量部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（略称：ＭＯＩ、分子量１５５、昭和電工社製）を３０質量部と、触媒としてジラウリン酸ジ−ｎ−ブチル錫（略称：ＤＢＴＤＬ）を０．１質量部加えて、室温で２４時間撹拌した。赤外分光法（ＩＲ）によりイソシアネート基の反応の確認を行い、エバボレーターで溶媒である酢酸エチルを除去して、コロイダルシリカ含有単量体を得た。
【０１３１】
（帯電防止ハードコート剤の調整）
上記で製造したコロイダルシリカ含有単量体（不揮発分：３６質量％）１００質量部に、Ｌｉ／ＣＦ３ＳＯ３−メチルエチルケトン溶液（不揮発分：５０質量％、三光化学工業（株）製）を５質量部混合して撹拌した。開始剤としては、Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７（ＢＡＳＦジャパン社製）を１質量部加え、有機帯電防止剤である帯電防止ハードコート剤を調製した。
【０１３２】
（帯電防止層の形成）
次に、フレキシブル基板の裏面上に、調製した有機帯電防止剤である帯電防止ハードコート剤を、硬化後の厚さが１０μｍとなる条件で塗布し、乾燥した。この後、８０Ｗ／ｃｍの水銀灯を用い、３００ｍＪの条件で紫外線照射処理を行い、有機帯電防止剤からなる帯電防止層を作製した。
【０１３３】
また、Ｎｏ．１２２〜１２５に係る有機ＥＬ素子は、スパッタリング時にターゲット側から、パターンマスク、フレキシブル基板、平面プレートとなるように配置し、パターンマスクを平面プレートに押し付けるようにするのに加え、平面プレート中に表面の磁力が１８０ガウスとなるようにマグネットを設置し、パターンマスク全体をマグネットで押し付けるようにした。
なお、マグネットで押し付けた場合のフレキシブル基板と平面プレートとの隙間をシックネスゲージで大気環境下において事前に測定したところ１０μｍ未満であった。
【０１３４】
また、Ｎｏ．１２３〜１２５に係る有機ＥＬ素子は、スパッタ電源を直流パルス電源とした。直流パルス電源の周波数は２０ｋＨｚ、Ｄｕｔｙは８０％とした。ターゲットは２本のままとした。
【０１３５】
Ｎｏ．１２６、１２７に係る有機ＥＬ素子は、平面プレートの替わりにφ３０ｃｍのバックロールを用い、これにフレキシブル基板を当接させて成膜した。なお、スパッタ電源はＡＣ電源を用いた。なお、このバックロールを用いてロールツーロール方式で搬送し、成膜した場合のフレキシブル基板の平面度は約２ｍｍであり、成膜される領域における搬送方向の長さの５０分の２となった（５分の１以下となった）。
【０１３６】
Ｎｏ．１２８、１２９に係る有機ＥＬ素子は、平面プレートの替わりにφ５ｃｍのバックロールを用い、これにフレキシブル基板を当接させて成膜した。なお、スパッタ電源はＡＣ電源を用いた。なお、このバックロールを用いてロールツーロール方式で搬送し、成膜した場合のフレキシブル基板の平面度は、約１２ｍｍであり成膜される領域における搬送方向の長さの５０分の１２となった（５分の１を超えていた）。
【０１３７】
表１にＮｏ．１０１〜１２９に係る有機ＥＬ素子の製造条件及び評価を示す。
【０１３８】
【表１】
2018160366.tif 000003
【０１３９】
表１に示すように、Ｎｏ．１０２、１０４、１０６、１０７、１０９〜１２７に係る有機ＥＬ素子は、本発明の要件を満たしていたので、駆動故障率及び高温高湿保存による非発光面積率が優れていた（実施例）。つまり、駆動故障及び非発光故障が生じ難いことが確認できた。
また、これらの結果から、ダイナミックレートが高い程良い評価が得られることが分かった。同様に、スキャンレートが高い程良い評価が得られることが分かった。さらに、平面プレートとフレキシブル基板との隙間が小さい程良い評価が得られることが分かった。また、直流パルス電源を用いると良い評価が得られることが分かった。さらに、フレキシブル基板の平面度が、成膜される領域における搬送方向の長さの５分の１以下であれば駆動故障率及び高温高湿保存による非発光面積率を優れたものにできることが確認された。
陽極（第１電極）について駆動故障率及び高温高湿保存による非発光面積率が優れていたことから、陰極（第２電極）における駆動故障率及び高温高湿保存による非発光面積率についても同様に良好な結果が得られると考えられる。
【０１４０】
これに対し、Ｎｏ．１０１、１０３、１０５、１０８に係る有機ＥＬ素子は、ダイナミックレートが低過ぎたので、高温高湿保存による非発光面積率が劣っていた（比較例）。これらのうち、Ｎｏ．１０１、１０３に係る有機ＥＬ素子は、駆動故障率も劣っていた。
また、Ｎｏ．１２８、１２９に係る有機ＥＬ素子は、フレキシブル基板の平面度が、成膜される領域における搬送方向の長さの５分の１を超えていたので、高温高湿保存による非発光面積率が劣っていた（比較例）。また、Ｎｏ．１２８、１２９に係る有機ＥＬ素子は、駆動故障率も劣っていた。
以上のことから、本発明の要件を満たさないと駆動故障及び／又は非発光故障が生じ易くなることが確認できた。
【符号の説明】
【０１４１】
１、１Ａ  スパッタリング装置
２      被成膜物
３      ターゲット
４      パターンマスク
５      プレート部材
６      ローラー
７      バックロール
【図１】
2018160366.tif 000004
【図２】
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【図３】
2018160366.tif 000006
【図４】
2018160366.tif 000007
【図５】
2018160366.tif 000008
【図６】
2018160366.tif 000009