【事件の表示】
　平成１０年特許願第１１１６２２号「能動式画素検出器」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　８月　６日出願公開、特開平１１−２１４６６７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成１０年４月２２（優先権主張　１９９８年１月１６日　台湾）に出願したものであって、その発明の要旨は、平成１１年７月２６日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１〜１７に記載されたとおりの「能動式画素検出器」、「映像アレイ」、「半導体素子の製造方法」、「映像の焦点ボケ防止方法」及び「能動式画素検出器の映像遅れを解消する方法」にあるものと認められるところ、請求項５記載の発明（以下、第５発明という。）は以下のとおりである。なお、平成１１年１２月２８付けの手続補正は同日付けで却下された。
　「映像アレイにおいて、
　(a)複数の行と複数の列の状態に配置される複数の能動式画素検出器の前記各能動式画素検出器（「前記各能動式画素検出器の各能動式画素検出器」は「前記各能動式画素検出器」の誤りと認められるので、訂正して要旨の認定を行った。）に、
　電源供給装置に接続されたカソードおよび光量子が衝撃して電荷を生成するアノードを具えるホトダイオードと、
　映像アレイに生成する映像ぼけを防止するための、前記ホトダイオードの前記アノードに接続するドレインと、ソースおよびゲートを具えたＭＯＳトランジスタ、及び
　電源供給装置に連結したコレクタ、前記ＭＯＳトランジスタに接続して、前記ＭＯＳトランジスタが能動化した時前記電荷を収集するベースと、エミッタとを具えるバイポーラトランジスタを備え、
　(b)各行の前記ＭＯＳトランジスタの前記各ゲートに接続して、各行に於ける各ＭＯＳトランジスタを能動又は非能動化することにより、前記電荷が前記ＭＯＳトランジスタに流動することを許容又は阻止する行能動化回路、及び
　(c)前記複数の列の各列毎に一つずつ設けられ、前記各列上の前記能動式画素検出器の前記バイポーラトランジスタの前記エミッタに接続して、前記電子信号の検出と増幅を行うとともに、前記電子信号を外部回路に転送する検出増幅器を備え、
外部の反射または放射された光子のエネルギーを収集し、前記光子エネルギーを電子信号に変換して前記光子エネルギーの強度を表示することを特徴とする映像アレイ。」
（引用例）
  原審における拒絶の理由において引用された特開平６−７７４５５号公報（以下、引用例という。）には、「【請求項１】一導電型の半導体からなる制御電極領域と、該一導電型と反対導電型の半導体からなる第一及び第二の主電極領域とを有し、該制御電極領域に転送されたキャリアに基づいて信号を該第一の主電極領域から出力する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタに隣接して設けられた、光エネルギーを受けることにより生成されるキャリアを蓄積する前記一導電型の半導体からなるキャリア蓄積領域と、
前記キャリア蓄積領域と前記トランジスタの制御電極領域とをソース・ドレイン領域とする第２のトランジスタであって、キャリア蓄積領域に蓄積されたキャリアを前記トランジスタの制御電極領域に転送する為の該第２のトランジスタと、
を有する光電変換セルを一つの画素として有している光電変換装置。
【請求項３】請求項１記載の光電変換装置において、前記光電変換セルをマトリクス状に配設し、前記第２のトランジスタの配列方向と異なる配列方向の画素間に、隣接するキャリア蓄積領域をソース・ドレイン領域とした、該キャリア蓄積領域間の導通を制御する第３のトランジスタを設けた光電変換装置。」（特許請求の範囲）、「【産業上の利用分野】本発明は光電変換装置、信号処理システム及び光電変換方法に係り、特に光電変換された信号をトランジスタ構成部で増幅して出力することが可能な増幅型の光電変換素子を用いた光電変換装置、信号処理システム及び光電変換方法に関するものである。」（第２欄第２３〜２７行）、「【００２８】以下、本発明の実施態様例について説明する。図２４は本発明の一実施態様を示す模式図であり、(a)は光電変換装置の上面を、(b)はＸＸ’線による断面を、(c)は等価回路をそれぞれ示している。受光部はｐ領域１２とｎ−領域３とからなるホトダイオードＰＤで構成され、第１のトランジスタはｎ＋領域２とｎ−領域３とをコレクタ、ｐ領域９をベース、ｎ領域１０をエミッタとするバイポーラトランジスタＱで構成されている。
【００２９】そして、ホトダイオードＰＤとバイポーラトランジスタＱとは、第２のトランジスタとしてのｐＭＯＳトランジスタＭＴを間に介して選択的に２つのｐ領域９，１２が導通する。ここで、ＣＰは蓄積容量、ＣＢＣはベース・コレクタ容量、ＶＣＣはコレクタ及びホトダイオードのカソードを逆バイアスする為の電位を与える基準電圧源である。
【００３０】次に基本動作について説明すると、トランジスタＭＴがオフ状態で光がホトダイオードに入射するとホールがｐ領域１２に蓄積される。次にトランジスタＭＴをオンして、光電荷をベースとしてのｐ領域９に転送する。再びトランジスタＭＴがオフした後は、ベースに蓄積されたキャリアに基づいて増幅された信号をエミッタより取り出す。
【００３１】本発明に用いられる第１のトランジスタとしてはバイポーラトランジスタやユニポーラトランジスタが用いられる。・・・本発明に用いられる第２のトランジスタとしては、絶縁ゲート型トランジスタが好ましく用いられ、特にＭＯＳトランジスタが望ましい。」（第８欄第１９〜４７行）、「【００４０】次に読み出し動作にはいると、φＴのパルスによってＭＯＳトランジスタＭＴ１・・・ＭＴ３がオンして、バイポーラトランジスタＱ１・・・Ｑ３のベースに同時にキャリアが転送される。次にφＴＴのパルスによりトランジスタＭ１・・・Ｍ３がオンするとエミッタは読み出し容量負荷ＣＴに接続され、該容量負荷ＣＴにベースに蓄積されたキャリアに基づく信号が読み出される。その後はシフトレジスタの動作により時系列化された３つの信号がアンプＡｍｐを通して出力される。
【００４１】もちろん、画素を２次元に配すればエリアセンサになることは言うまでもない。」（第９欄第３７〜４７行）が図２４〜図２６と共に記載されている。してみると、上記引用例には、キャリア蓄積領域であるアノードを具えたホトダイオードとエミッタ、ベース及びコレクタを有するバイポーラトランジスタと上記ホトダイオードのアノードをソース（またはドレイン）とし上記バイポーラトランジスタのベースをドレイン（またはソース）とするＭＯＳトランジスタからなる複数の光電変換セルをマトリクス状に配置し、上記光電変換セルのバイポーラトランジスタのエミッタより取り出された出力信号を光電変換装置に一つ設けられたアンプより取り出す光電変換装置において、上記ホトダイオードは光の入射によりキャリアを生成し、カソードは基準電圧源ＶＣＣに接続され、上記バイポーラトランジスタのコレクタは上記基準電圧源ＶＣＣに接続され、上記ＭＯＳトランジスタがオフ状態の間上記ホトダイオードが光入射により発生するキャリアをそのアノードに蓄積し、上記ＭＯＳトランジスタをオンすることにより上記キャリアを上記バイポーラトランジスタのベースに転送し、上記ＭＯＳトランジスタオフ後上記バイポーラトランジスタのベースに蓄積された上記キャリアに基づいて増幅された信号を上記バイポーラトランジスタのエミッタより取り出して上記一つのアンプに送り該アンプより外部に転送する光電変換装置が記載されているものと認められる。
（対比）
  次に、本願第５発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「光電変換装置」、「マトリクス状に配置された複数の光電変換セル」、「基準電圧源ＶＣＣ」及び「アンプ」は本願第５発明の「映像アレイ」、「複数の行と複数の列の状態に配置される複数の能動式画素検出器」、「電源供給装置」及び「検出増幅器」に相当するから、本願第５発明と上記引用例記載の発明とは「映像アレイにおいて、複数の行と複数の列の状態に配置される複数の能動式画素検出器の前記各能動式画素検出器に、電源供給装置に接続されたカソードおよび光量子が衝撃して電荷を生成するアノードを具えるホトダイオードと、前記ホトダイオードの前記アノードに接続するドレインと、ソースおよびゲートを具えたＭＯＳトランジスタ、及び電源供給装置に連結したコレクタ、前記ＭＯＳトランジスタに接続して、前記ＭＯＳトランジスタが能動化した時前記電荷を収集するベースと、エミッタとを具えるバイポーラトランジスタを備え、電子信号の検出と増幅を行うとともに、電子信号を外部回路に転送する検出増幅器を備え、外部の反射または放射された光子のエネルギーを収集し、前記光子エネルギーを電子信号に変換して前記光子エネルギーの強度を表示することを特徴とする映像アレイ」の点で一致するが、以下の点で両者は相違するものと認められる
(1)ＭＯＳトランジスタが、本願第５発明においては映像アレイに生成する映像ぼけを防止するのに対して、上記引用例記載の発明においてはそのような機能があるか否か不明である点。
(2)本願第５発明が、各能動式画素検出器行のＭＯＳトランジスタの各ゲートに接続して、各能動式画素検出器行に於ける各ＭＯＳトランジスタを能動又は非能動化することにより、電荷がＭＯＳトランジスタに流動することを許容又は阻止する行能動化回路を備え、検出増幅器が複数の列の各列毎に一つずつ設けられ、各列上の能動式画素検出器のバイポーラトランジスタのエミッタに接続しているのに対して、上記引用例記載の発明が上記構成の能動化回路を備えているか否か不明であり、検出増幅器が光電変換装置に対して一つ設けられている点。
（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
　相違点(1)については、上記引用例記載の発明におけるＭＯＳトランジスタも光入射時にはオフとされているのであるから、入射光が強いときにはキャリアはオーバーフローするがＭＯＳトランジスタのオフによってバイポーラトランジスタのベースへのキャリアの流入が阻止されるため光電変換装置に生成する映像ぼけが生じないことは明らかである。よって、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　相違点(2)については、行列状に配置された複数の画素出力に直接接続され、各行の画素より取り出された出力信号を並列に出力する各画素列毎に一つずつ配置されたアンプを備えた光電変換装置は特開平８−１６２６２４号公報に示すように周知であり、上記引用例記載の発明において検出増幅器を光電変換装置に対して一つ設けるのに替えて上記周知技術を採用して検出増幅器を行列状に配置された複数の画素出力に直接接続し、各行の画素より取り出された出力信号を並列に出力するように各画素列毎に一つずつ配置することに格別の創意工夫を必要としない。その場合画素出力に直接接続するということは光電変換セルのバイポーラトランジスタのエミッタに直接接続することとなる。そして、上記引用例の発明においてもＭＯＳトランジスタがオフ状態の間ホトダイオードが光入射により発生するキャリアをそのアノードに蓄積し、ＭＯＳトランジスタをオンすることによりキャリアをバイポーラトランジスタのベースに転送し、ＭＯＳトランジスタオフ後バイポーラトランジスタのベースに蓄積されたキャリアに基づいて増幅された信号をバイポーラトランジスタのエミッタより取り出すのであるから、キャリアがＭＯＳトランジスタに流入することを許容又は阻止する能動化回路を備えていることは明らかであり、上述のように上記引用例記載の発明において行列状に配置された複数の画素出力に直接接続し、各行の画素より取り出された出力信号を並列に出力するように各画素列毎に一つずつ配置した検出増幅器を採用した場合、上記引用例記載の発明においてはＭＯＳトランジスタのオン・オフによってバイポーラトランジスタのエミッタより出力信号が取り出されることを考慮すると、上記引用例記載の発明におけるＭＯＳトランジスタのオン・オフは各光電変換セル行毎に行われることは明らかである。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（むすび）
  本願第５発明は、上記引用例記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。