【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するためのコンピュータ支援シミュレーション方法であって、以下の段階:
-  第1の計算段階（「T選択」）における、ナノ粒子の幾何学的分布と、加温治療により越えられることが意図されていない少なくとも一つの所定の温度限界値とに基づいて、印加装置に設定される必要がある場強度値を計算する段階であって、場強度値が、（基準）電力吸収率と場強度との間の関係を示す所定の特性曲線に基づいて第1の計算段階（「T選択」）において計算される、段階；
-  任意選択的な第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）における、
○  複数の所定の場強度値からの各場強度値、および/または、
○  ユーザ定義された場強度値
に関して、身体容積の少なくとも一部に対し期待される温度分布を計算する段階；ならびに
-  温熱療法を計画するユーザを支援する目的のため、計算された場強度値、および、任意選択的に、少なくとも一つの計算された温度分布を供給する段階
を含む、前記コンピュータ支援シミュレーション方法。
【請求項２】
温度限界値または複数の温度限界値のうちの一つが加熱される治療容積の内部に限られる最大温度に関連している、請求項1記載の方法。
【請求項３】
温度限界値が治療容積において60℃から100℃まで、好ましくは、70℃から90℃までの範囲内、特に80℃の所定の温度最大値に関連している、請求項2記載の方法。
【請求項４】
温度限界値または複数の温度限界値のうちの一つが加熱される治療容積の外側での最大温度に関連している、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
温度限界値が治療容積の外側での40℃から45℃までの範囲内、特に43℃の所定の温度最大値に関連している、請求項4記載の方法。
【請求項６】
第1の計算段階（「T選択」）において計算された場強度値が所定の最大場強度値、特に、印加装置に設定可能な最大場強度値より大きいとき、第1の計算段階（「T選択」）からの計算結果が、第3の計算段階（「H選択」）を自動的に実行するための基準として利用され、期待される温度分布が、該所定の最大場強度値に対して第3の計算段階（「H選択」）において計算される、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
温度限界値が第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）および/または第3の計算段階（「H選択」）における計算に使用されない、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
第2の計算段階（「Hコントローラ」）における計算が印加装置に設定され得る複数の所定の場強度値、好ましくは、3kA/mから20kA/m、特に好ましくは、5kA/mから10kA/mに対して実行される、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）が第1の計算段階（「T選択」）、および、おそらく第3の計算段階（H選択）の後に、ユーザ入力により開始される、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
探索される場強度値に反復的に到達するように、選択された場強度値から温度分布が計算される反復を、第1の計算段階（「T選択」）において設定される場強度値の計算が含まない、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１１】
第1の計算段階（「T選択」）が以下の段階:
-  相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）がナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて計算され、電力吸収なしで基底温度分布（「T0(x,y,z)」）を取得するために、モデルを記述する生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、かつ相対電力吸収密度に基づいて相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を取得するために、該生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）が、少なくとも一つの所定の温度限界値、基底温度分布、および相対温度増加分布に基づいて取得された、温度に基づく倍率（「K」）により拡大縮小される、堆積容積内の印加装置磁場における平均電力吸収密度（「SAR_aver」）を計算する段階；
-  ナノ粒子の計算された平均電力吸収密度および計算質量に基づいて、例えば、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率（「SAR_Fe」）を計算する段階；
-  計算された基準電力吸収率（「SAR_Fe」）、および、基準電力吸収率と印加された場強度（「H」）との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、場強度値（「H」）を計算する段階；ならびに
-  基底温度分布（「T0(x,y,z)」）、相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）、および温度に基づく倍率（「K」）に基づいて、それぞれの温度分布（「T(x,y,z)」）を計算する任意選択的な段階
を有している、請求項1記載の方法。
【請求項１２】
基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が、第1の計算段階を越えて少なくとも一つのさらなる使用（「高速Hコントローラ」）のために供給される、請求項11記載の方法。
【請求項１３】
第2の計算段階（「高速Hコントローラ」）において、所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、供給された（第1の計算段階で予め計算された）基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または供給された（第1の計算段階で予め計算された）相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が使用される、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１４】
第2の計算段階（「Hコントローラ」）において、所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、2個以下の温度分布、すなわち、基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が計算される、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）において、期待される温度分布が、計算されたまたは供給された相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）の、電力吸収に基づく拡大縮小（「K」）を用いて計算される、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１６】
第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）が以下の段階:
-  ナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて相対電力吸収密度分布（「ΔSAR(x,y,z)」）および相対平均電力吸収密度（「ΔSAR_aver」）を計算する段階；
-  電力吸収なしでモデルを記述する生体伝熱方程式の数値的解法に基づく基底温度分布（「T0(x,y,z)」）を供給し、かつ計算された相対電力吸収密度分布（「ΔSAR(x,y,z)」）を用いる生体伝熱方程式の数値的解法に基づく相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を供給する段階；
-  複数の所定の場強度値からの各場強度値および/またはユーザ定義された場強度値に対して、以下の段階:
○  例えば、それぞれの場強度値（「H」）、および、基準電力吸収率（「SAR_Fe」）と印加された場強度（「H」）との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率（「SAR_Fe」）を計算する段階、
○  堆積容積内のナノ粒子の基準電力吸収率（「SAR_Fe」）および計算質量に基づいて、平均電力吸収密度（「SAR_aver」）を計算する段階、
○  それぞれの平均電力吸収密度（「SAR_aver」）および相対平均電力吸収密度（「ΔSAR_aver」）に基づいて、電力吸収に基づく倍率（「K」）を計算する段階、
○  基底温度分布（「T0(x,y,z)」）、相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）および電力吸収に基づく倍率（「K」）に基づいて、それぞれの温度分布（「T(x,y,z)」）を計算する段階
を実行する段階
を有している、請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するためのコンピュータ支援シミュレーション方法（「T選択」）であって、
ナノ粒子の幾何学的分布と、加温治療により越えられることが意図されていない少なくとも一つの所定の温度限界値とに基づく、印加装置に設定される必要がある場強度の計算（T選択）に関連し、
該場強度値が、（基準）電力吸収率と場強度との間の関係を示す所定の特性曲線に基づいて計算される、前記コンピュータ支援シミュレーション方法。
【請求項１８】
以下の段階（「T選択」）:
-  相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）がナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて計算され、電力吸収なしで基底温度分布（「T0(x,y,z)」）を取得するために、モデルを記述する生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、かつ相対電力吸収密度に基づいて相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を取得するために、該生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）が、少なくとも一つの所定の温度限界値、基底温度分布および相対温度増加分布に基づいて取得された、温度に基づく倍率（「K」）により拡大縮小される、堆積容積内の印加装置磁場において平均電力吸収密度（「SAR_aver」）を計算する段階；
-  ナノ粒子の計算された平均電力吸収密度および計算質量に基づいて、例えば、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率（「SAR_Fe」）を計算する段階；
-  計算された基準電力吸収率（「SAR_Fe」）、および、基準電力吸収率（「SAR_Fe」）と印加された場強度（「H」）との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて場強度値（「H」）を計算する段階；
-  基底温度分布（「T0(x,y,z)」）、相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）および温度に基づく倍率（「K」）に基づいて、それぞれの温度分布（「T(x,y,z)」）を計算する任意選択的な段階；
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された場強度値（「H」）を供給する段階；ならびに
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された温度分布（「T(x,y,z)」）を供給する任意選択的な段階
を有している、請求項17記載の方法。
【請求項１９】
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するためのコンピュータ支援シミュレーション方法（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）であって、
複数の所定の場強度値からの各場強度値、および/または、ユーザ定義された場強度値に関する、身体容積の少なくとも一部に対し期待される温度分布の計算に関連し、
期待される温度分布が、計算されたまたは供給された相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）の電力吸収に基づく拡大縮小（「K」）により計算される、
前記コンピュータ支援シミュレーション方法。
【請求項２０】
所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、供給された（T選択段階で予め計算された）基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または供給された（T選択段階で予め計算された）相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が使用される（「高速Hコントローラ」）、請求項19記載の方法。
【請求項２１】
所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、2個以下の温度分布、すなわち、基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が計算される（「Hコントローラ」）、請求項19記載の方法。
【請求項２２】
以下の段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）:
-  ナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて相対電力吸収密度分布（「ΔSAR(x,y,z)」）および相対平均電力吸収密度（「ΔSAR_aver」）を計算する段階；
-  電力吸収なしでモデルを記述する生体伝熱方程式の数値的解法に基づく基底温度分布（「T0(x,y,z)」）を供給し、かつ計算された相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）を用いる生体伝熱方程式の数値的解法に基づく相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を供給する段階；
-  複数の所定の場強度値からの各場強度値および/またはユーザ定義された場強度値に対して、以下の段階:
○  例えば、それぞれの場強度値（「H」）、および、基準電力吸収率（「SAR_Fe」）と印加された場強度（「H」）との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率（「SAR_Fe」）を計算する段階、
○  堆積容積内のナノ粒子の基準電力吸収率（「SAR_Fe」）および計算質量に基づいて、平均電力吸収密度（「SAR_aver」）を計算する段階、
○  それぞれの平均電力吸収密度（「SAR_aver」）および相対電力吸収密度（「ΔSAR_aver」）に基づいて、電力吸収に基づく倍率（「K」）を計算する段階、
○  基底温度分布（「T0(x,y,z)」）、相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）および電力吸収に基づく倍率（「K」）に基づいて、それぞれの温度分布（「T(x,y,z)」）を計算する段階
を実行する段階；
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された温度分布を供給する段階
を有している、請求項19から21のいずれか一項記載の方法。
【請求項２３】
プログラム可能なコンピュータ装置で実行されるとき、前記請求項のいずれか一項記載の方法を実施するためのコンピュータプログラム。
【請求項２４】
請求項23記載のコンピュータプログラムが記録されているデータ記憶媒体。
【請求項２５】
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するために設計されているコンピュータ装置であって、以下のコンポーネント:
-  ナノ粒子の幾何学的分布と、加温治療により越えられることが意図されていない少なくとも一つの所定の温度限界値とに基づいて、印加装置に設定される必要がある場強度値を計算（「T選択」）するために設計されている、第1の計算コンポーネント（「sim_t.exe」、「mainsubroutine_sim_t_voxel_win」）；
-  以下：
○  複数の所定の場強度値からの各場強度値、および/または、
○  ユーザ定義された場強度値
に関して、身体容積の少なくとも一部に対し期待される温度分布を任意選択的に計算（「Hコントローラ、高速Hコントローラ」）するために設計されている第2の計算コンポーネント（「sim_hr.exe」、「mainsubroutine_sim_hr_voxel_win」）；ならびに
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された場強度値、および、任意選択的に少なくとも一つの計算された温度分布を供給するためのコンポーネント
を備える、前記コンピュータ装置。
【請求項２６】
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するために設計されているコンピュータ装置（T選択）であって、
ナノ粒子の幾何学的分布と、加温治療により越えられることが意図されていない少なくとも一つの所定の温度限界値とに基づいて、印加装置に設定される必要がある場強度を計算するために設計されているコンポーネント（「sim_t.exe」、「mainsubroutine_sim_t_voxel_win」）を有し、
該コンポーネント（「sim_t.exe」、「mainsubroutine_sim_t_voxel_win」）が、電力吸収率と場強度との間の関係を示す所定の特性曲線に基づいて場強度値を計算するためのモジュールを有している、
前記コンピュータ装置。
【請求項２７】
以下のモジュール（「T選択」）:
-  相対電力吸収密度がナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて計算され、電力吸収なしで基底温度分布を取得するために、モデルを記述する生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、かつ相対電力吸収密度に基づいて相対温度増加分布を取得するために、該生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、相対電力吸収密度が、少なくとも一つの所定の温度限界値、基底温度分布、および相対温度増加分布に基づいて取得される倍率（「温度に基づく倍率」）により拡大縮小される、堆積容積内の印加装置磁場における平均電力吸収密度を計算するためのモジュール；
-  ナノ粒子の計算された平均電力吸収密度および計算質量に基づいて、例えば、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率を計算するためのモジュール；
-  計算された基準電力吸収率、および、基準電力吸収率と印加された場強度との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、場強度値を計算するためのモジュール；
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された場強度値を供給するためのモジュール；
-  基底温度分布、相対温度増加分布、および温度に基づく倍率に基づいて、それぞれの温度分布を計算するための任意選択的なモジュール；ならびに
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された温度分布を供給するための任意選択的なモジュール
を有している、請求項26記載のコンピュータ装置。
【請求項２８】
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するために設計されているコンピュータ装置（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）であって、
複数の所定の場強度値からの各場強度値、および/または、ユーザ定義された場強度値に関して、身体容積の少なくとも一部に対し期待される温度分布を計算するために設計されているコンポーネント（「sim_hr.exe」、「mainsubroutine_sim_hr_voxel_win」）を有し、
該コンポーネント（「sim_hr.exe」、「mainsubroutine_sim_hr_voxel_win」）が、計算された、または、供給された温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）の電力吸収に基づく拡大縮小（「K」）を用いて期待される温度分布を計算するためのモジュールを有している、
前記コンピュータ装置。
【請求項２９】
所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、供給された（mainsubroutine_sim_t_voxel_winで予め計算された）基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または供給された（mainsubroutine_sim_t_voxel_winで予め計算された）相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を使用するために（「高速Hコントローラ」）、前記コンポーネント（「mainsubroutine_sim_hr_voxel_win」）が、期待される温度分布を計算するために設計されている、請求項28記載のコンピュータ装置。
【請求項３０】
所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、2個以下の温度分布、すなわち、基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を計算するために（「Hコントローラ」）、期待される温度分布を計算するための前記コンポーネント（「sim_hr.exe」）が設計されている、請求項28記載のコンピュータ装置。
【請求項３１】
以下のモジュール（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）:
-  ナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて相対電力吸収密度分布および相対平均電力吸収密度を計算するためのモジュール；
-  電力吸収なしでモデルを記述する生体伝熱方程式の数値的解法に基づく基底温度分布を供給し、かつ計算された相対電力吸収密度分布を用いる生体伝熱方程式の数値的解法に基づく相対温度増加分布を供給するためのモジュール；
-  複数の所定の場強度値からの各場強度値および/またはユーザ定義された場強度値に対して、以下の段階:
○  例えば、それぞれの場強度値、および、基準電力吸収率と印加された場強度との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率を計算する段階、
○  堆積容積内のナノ粒子の基準電力吸収率および計算質量に基づいて、平均電力吸収密度を計算する段階、
○  それぞれの平均電力吸収密度および相対電力吸収密度に基づいて、電力吸収に基づく倍率を計算する段階、
○  基底温度分布、相対温度増加分布および電力吸収に基づく倍率に基づいて、それぞれの温度分布を計算する段階
を実行するためのモジュール；
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された温度分布を供給するためのモジュール
を有している、請求項28から30のいずれか一項記載のコンピュータ装置。
【請求項３２】
請求項25から31のいずれか一項記載のコンピュータ装置と磁場印加装置とを含む、システム。
【請求項３３】
請求項23記載のコンピュータプログラムと、請求項24記載のデータ記憶媒体と、請求項25から31のいずれか一項記載のコンピュータ装置または請求項32記載のシステムとを含み、磁性ナノ粒子を含有する磁性流体をさらに含む、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
この場合、本発明によるシミュレーションツールは、所定の温度限界値を使用して温度分布を計算するため（第1の計算段階、以下の温度選択または「T選択」を参照されたい）、および、温度分布の倍率、または、ユーザ定義された場強度値を計算するため（第2の計算段階、以下のH場強度コントローラ、「Hコントローラ」または「高速Hコントローラ」）の両方のために、後に続く拡大縮小を伴うBHTEの正確に2回の数値的解法を必要とし、すなわち、第1の段階において、求められる場強度値に対する反復的なトライアル・アンド・エラー近似（反復的に再開されるBHTEの数値的解法を用いる）なしで済まし、第2の段階において、原則的に、任意の個数の場強度値に対する簡単な拡大縮小を用いて関連する温度分布を計算する。その結果として、シミュレーションツールは、計算結果が非常に正確に、かつ、それにもかかわらず直ちに利用できるので、ユーザにとって使い易い。本発明によるシミュレーションツールは、反復的なトライアル・アンド・エラー・アプローチと比較すれば、CPU計算時間の一部しか必要としないので、旧式である/リソースが限定されているコンピュータを使用する場合でも、臨床的に実現可能なアプリケーションが最初の段階で実行可能である。
[本発明1001]
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するためのコンピュータ支援シミュレーション方法であって、以下の段階:
-  第1の計算段階（「T選択」）における、ナノ粒子の幾何学的分布と、加温治療により越えられることが意図されていない少なくとも一つの所定の温度限界値とに基づいて、印加装置に設定される必要がある場強度値を計算する段階；
-  任意選択的な第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）における、
○  複数の所定の場強度値からの各場強度値、および/または、
○  ユーザ定義された場強度値
に関して、身体容積の少なくとも一部に対し期待される温度分布を計算する段階；ならびに
-  温熱療法を計画するユーザを支援する目的のため、計算された場強度値、および、任意選択的に、少なくとも一つの計算された温度分布を供給する段階
を含む、前記コンピュータ支援シミュレーション方法。
[本発明1002]
温度限界値または複数の温度限界値のうちの一つが加熱される治療容積の内部に限られる最大温度に関連している、本発明1001の方法。
[本発明1003]
温度限界値が治療容積において60℃から100℃まで、好ましくは、70℃から90℃までの範囲内、特に80℃の所定の温度最大値に関連している、本発明1002の方法。
[本発明1004]
温度限界値または複数の温度限界値のうちの一つが加熱される治療容積の外側での最大温度に関連している、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1005]
温度限界値が治療容積の外側での40℃から45℃までの範囲内、特に43℃の所定の温度最大値に関連している、本発明1004の方法。
[本発明1006]
それぞれが異なる容積に関連している2つの温度限界値が第1の計算段階（「T選択」）で使用される、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1007]
第1の計算段階（「T選択」）において計算された場強度値が所定の最大場強度値、特に、印加装置に設定可能な最大場強度値より大きいとき、第1の計算段階（「T選択」）からの計算結果が、第3の計算段階（「H選択」）を自動的に実行するための基準として利用され、期待される温度分布が、該所定の最大場強度値に対して第3の計算段階（「H選択」）において計算される、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1008]
温度限界値が第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）および/または第3の計算段階（「H選択」）における計算に使用されない、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1009]
第2の計算段階（「Hコントローラ」）における計算が印加装置に設定され得る複数の所定の場強度値、好ましくは、3kA/mから20kA/m、特に好ましくは、5kA/mから10kA/mに対して実行される、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1010]
第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）が第1の計算段階（「T選択」）、および、おそらく第3の計算段階（H選択）の後に、ユーザ入力により開始される、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1011]
探索される場強度値に反復的に到達するように、選択された場強度値から温度分布が計算される反復を、第1の計算段階（「T選択」）において設定される場強度値の計算が含まない、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1012]
場強度値が、（基準）電力吸収率と場強度との間の関係を示す所定の特性曲線に基づいて第1の計算段階（「T選択」）において計算される、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1013]
第1の計算段階（「T選択」）が以下の段階:
-  相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）がナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて計算され、電力吸収なしで基底温度分布（「T0(x,y,z)」）を取得するために、モデルを記述する生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、かつ相対電力吸収密度に基づいて相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を取得するために、該生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）が、少なくとも一つの所定の温度限界値、基底温度分布、および相対温度増加分布に基づいて取得された、温度に基づく倍率（「K」）により拡大縮小される、堆積容積内の印加装置磁場における平均電力吸収密度（「SAR_aver」）を計算する段階；
-  ナノ粒子の計算された平均電力吸収密度および計算質量に基づいて、例えば、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率（「SAR_Fe」）を計算する段階；
-  計算された基準電力吸収率（「SAR_Fe」）、および、基準電力吸収率と印加された場強度（「H」）との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、場強度値（「H」）を計算する段階；ならびに
-  基底温度分布（「T0(x,y,z)」）、相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）、および温度に基づく倍率（「K」）に基づいて、それぞれの温度分布（「T(x,y,z)」）を計算する任意選択的な段階
を有している、本発明1012の方法。
[本発明1014]
基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が、第1の計算段階を越えて少なくとも一つのさらなる使用（「高速Hコントローラ」）のために供給される、本発明1013の方法。
[本発明1015]
第2の計算段階（「高速Hコントローラ」）において、所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、供給された（第1の計算段階で予め計算された）基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または供給された（第1の計算段階で予め計算された）相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が使用される、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1016]
第2の計算段階（「Hコントローラ」）において、所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、2個以下の温度分布、すなわち、基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が計算される、本発明1001から1014のいずれかの方法。
[本発明1017]
第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）において、期待される温度分布が、計算されたまたは供給された相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）の、電力吸収に基づく拡大縮小（「K」）を用いて計算される、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1018]
第2の計算段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）が以下の段階:
-  ナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて相対電力吸収密度分布（「ΔSAR(x,y,z)」）および相対平均電力吸収密度（「ΔSAR_aver」）を計算する段階；
-  電力吸収なしでモデルを記述する生体伝熱方程式の数値的解法に基づく基底温度分布（「T0(x,y,z)」）を供給し、かつ計算された相対電力吸収密度分布（「ΔSAR(x,y,z)」）を用いる生体伝熱方程式の数値的解法に基づく相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を供給する段階；
-  複数の所定の場強度値からの各場強度値および/またはユーザ定義された場強度値に対して、以下の段階:
○  例えば、それぞれの場強度値（「H」）、および、基準電力吸収率（「SAR_Fe」）と印加された場強度（「H」）との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率（「SAR_Fe」）を計算する段階、
○  堆積容積内のナノ粒子の基準電力吸収率（「SAR_Fe」）および計算質量に基づいて、平均電力吸収密度（「SAR_aver」）を計算する段階、
○  それぞれの平均電力吸収密度（「SAR_aver」）および相対平均電力吸収密度（「ΔSAR_aver」）に基づいて、電力吸収に基づく倍率（「K」）を計算する段階、
○  基底温度分布（「T0(x,y,z)」）、相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）および電力吸収に基づく倍率（「K」）に基づいて、それぞれの温度分布（「T(x,y,z)」）を計算する段階
を実行する段階
を有している、本発明1015から1017のいずれかの方法。
[本発明1019]
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するためのコンピュータ支援シミュレーション方法（「T選択」）であって、
ナノ粒子の幾何学的分布と、加温治療により越えられることが意図されていない少なくとも一つの所定の温度限界値とに基づく、印加装置に設定される必要がある場強度の計算（T選択）に関連し、
該場強度値が、（基準）電力吸収率と場強度との間の関係を示す所定の特性曲線に基づいて計算される、前記コンピュータ支援シミュレーション方法。
[本発明1020]
以下の段階（「T選択」）:
-  相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）がナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて計算され、電力吸収なしで基底温度分布（「T0(x,y,z)」）を取得するために、モデルを記述する生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、かつ相対電力吸収密度に基づいて相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を取得するために、該生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）が、少なくとも一つの所定の温度限界値、基底温度分布および相対温度増加分布に基づいて取得された、温度に基づく倍率（「K」）により拡大縮小される、堆積容積内の印加装置磁場において平均電力吸収密度（「SAR_aver」）を計算する段階；
-  ナノ粒子の計算された平均電力吸収密度および計算質量に基づいて、例えば、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率（「SAR_Fe」）を計算する段階；
-  計算された基準電力吸収率（「SAR_Fe」）、および、基準電力吸収率（「SAR_Fe」）と印加された場強度（「H」）との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて場強度値（「H」）を計算する段階；
-  基底温度分布（「T0(x,y,z)」）、相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）および温度に基づく倍率（「K」）に基づいて、それぞれの温度分布（「T(x,y,z)」）を計算する任意選択的な段階；
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された場強度値（「H」）を供給する段階；ならびに
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された温度分布（「T(x,y,z)」）を供給する任意選択的な段階
を有している、本発明1019の方法。
[本発明1021]
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するためのコンピュータ支援シミュレーション方法（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）であって、
複数の所定の場強度値からの各場強度値、および/または、ユーザ定義された場強度値に関する、身体容積の少なくとも一部に対し期待される温度分布の計算に関連し、
期待される温度分布が、計算されたまたは供給された相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」の電力吸収に基づく拡大縮小（「K」）により計算される、
前記コンピュータ支援シミュレーション方法。
[本発明1022]
所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、供給された（T選択段階で予め計算された）基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または供給された（T選択段階で予め計算された）相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が使用される（「高速Hコントローラ」）、本発明1021の方法。
[本発明1023]
所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、2個以下の温度分布、すなわち、基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）が計算される（「Hコントローラ」）、本発明1021の方法。
[本発明1024]
以下の段階（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）:
-  ナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて相対電力吸収密度分布（「ΔSAR(x,y,z)」）および相対平均電力吸収密度（「ΔSAR_aver」）を計算する段階；
-  電力吸収なしでモデルを記述する生体伝熱方程式の数値的解法に基づく基底温度分布（「T0(x,y,z)」）を供給し、かつ計算された相対電力吸収密度（「ΔSAR(x,y,z)」）を用いる生体伝熱方程式の数値的解法に基づく相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を供給する段階；
-  複数の所定の場強度値からの各場強度値および/またはユーザ定義された場強度値に対して、以下の段階:
○  例えば、それぞれの場強度値（「H」）、および、基準電力吸収率（「SAR_Fe」）と印加された場強度（「H」）との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率（「SAR_Fe」）を計算する段階、
○  堆積容積内のナノ粒子の基準電力吸収率（「SAR_Fe」）および計算質量に基づいて、平均電力吸収密度（「SAR_aver」）を計算する段階、
○  それぞれの平均電力吸収密度（「SAR_aver」）および相対電力吸収密度（「ΔSAR_aver」）に基づいて、電力吸収に基づく倍率（「K」）を計算する段階、
○  基底温度分布（「T0(x,y,z)」）、相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）および電力吸収に基づく倍率（「K」）に基づいて、それぞれの温度分布（「T(x,y,z)」を計算する段階
を実行する段階；
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された温度分布を供給する段階
を有している、本発明1021から1023のいずれかの方法。
[本発明1025]
プログラム可能なコンピュータ装置で実行されるとき、前記本発明のいずれかの方法を実施するためのコンピュータプログラム。
[本発明1026]
本発明1025のコンピュータプログラムが記録されているデータ記憶媒体。
[本発明1027]
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するために設計されているコンピュータ装置であって、以下のコンポーネント:
-  ナノ粒子の幾何学的分布と、加温治療により越えられることが意図されていない少なくとも一つの所定の温度限界値とに基づいて、印加装置に設定される必要がある場強度値を計算（「T選択」）するために設計されている、第1の計算コンポーネント（「sim_t.exe」、「mainsubroutine_sim_t_voxel_win」）；
-  以下：
○  複数の所定の場強度値からの各場強度値、および/または、
○  ユーザ定義された場強度値
に関して、身体容積の少なくとも一部に対し期待される温度分布を任意選択的に計算（「Hコントローラ、高速Hコントローラ」）するために設計されている第2の計算コンポーネント（「sim_hr.exe」、「mainsubroutine_sim_hr_voxel_win」）；ならびに
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された場強度値、および、任意選択的に少なくとも一つの計算された温度分布を供給するためのコンポーネント
を備える、前記コンピュータ装置。
[本発明1028]
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するために設計されているコンピュータ装置（T選択）であって、
ナノ粒子の幾何学的分布と、加温治療により越えられることが意図されていない少なくとも一つの所定の温度限界値とに基づいて、印加装置に設定される必要がある場強度を計算するために設計されているコンポーネント（「sim_t.exe」、「mainsubroutine_sim_t_voxel_win」）を有し、
該コンポーネント（「sim_t.exe」、「mainsubroutine_sim_t_voxel_win」）が、電力吸収率と場強度との間の関係を示す所定の特性曲線に基づいて場強度値を計算するためのモジュールを有している、
前記コンピュータ装置。
[本発明1029]
以下のモジュール（「T選択」）:
-  相対電力吸収密度がナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて計算され、電力吸収なしで基底温度分布を取得するために、モデルを記述する生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、かつ相対電力吸収密度に基づいて相対温度増加分布を取得するために、該生体伝熱方程式が正確に1回だけ数値的に解かれ、相対電力吸収密度が、少なくとも一つの所定の温度限界値、基底温度分布、および相対温度増加分布に基づいて取得される倍率（「温度に基づく倍率」）により拡大縮小される、堆積容積内の印加装置磁場における平均電力吸収密度を計算するためのモジュール；
-  ナノ粒子の計算された平均電力吸収密度および計算質量に基づいて、例えば、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率を計算するためのモジュール；
-  計算された基準電力吸収率、および、基準電力吸収率と印加された場強度との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、場強度値を計算するためのモジュール；
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された場強度値を供給するためのモジュール；
-  基底温度分布、相対温度増加分布、および温度に基づく倍率に基づいて、それぞれの温度分布を計算するための任意選択的なモジュール；ならびに
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された温度分布を供給するための任意選択的なモジュール
を有している、本発明1028のコンピュータ装置。
[本発明1030]
温熱療法がヒトの体の身体容積内の腫瘍容積の加温治療を含み、
該加温治療が磁場印加装置による治療容積における磁場の印加を含み、
身体内に堆積した磁性、常磁性および/または超常磁性ナノ粒子を用いて、熱エネルギーが、印加された磁場内の電力吸収により少なくとも一つの堆積容積の中に導入され得る、
温熱療法の計画を支援するために設計されているコンピュータ装置（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）であって、
複数の所定の場強度値からの各場強度値、および/または、ユーザ定義された場強度値に関して、身体容積の少なくとも一部に対し期待される温度分布を計算するために設計されているコンポーネント（「sim_hr.exe」、「mainsubroutine_sim_hr_voxel_win」）を有し、
該コンポーネント（「sim_hr.exe」、「mainsubroutine_sim_hr_voxel_win」）が、計算された、または、供給された温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）の電力吸収に基づく拡大縮小（「K」）を用いて期待される温度分布を計算するためのモジュールを有している、
前記コンピュータ装置。
[本発明1031]
所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、供給された（mainsubroutine_sim_t_voxel_winで予め計算された）基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または供給された（mainsubroutine_sim_t_voxel_winで予め計算された）相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を使用するために（「高速Hコントローラ」）、前記コンポーネント（「mainsubroutine_sim_hr_voxel_win」）が、期待される温度分布を計算するために設計されている、本発明1030のコンピュータ装置。
[本発明1032]
所定のおよび/またはユーザ定義された場強度値の個数とは無関係に、2個以下の温度分布、すなわち、基底温度分布（「T0(x,y,z)」）および/または相対温度増加分布（「ΔT(x,y,z)」）を計算するために（「Hコントローラ」）、期待される温度分布を計算するための前記コンポーネント（「sim_hr.exe」）が設計されている、本発明1030のコンピュータ装置。
[本発明1033]
以下のモジュール（「Hコントローラ」、「高速Hコントローラ」）:
-  ナノ粒子の測定された幾何学的分布に基づいて相対電力吸収密度分布および相対平均電力吸収密度を計算するためのモジュール；
-  電力吸収なしでモデルを記述する生体伝熱方程式の数値的解法に基づく基底温度分布を供給し、かつ計算された相対電力吸収密度分布を用いる生体伝熱方程式の数値的解法に基づく相対温度増加分布を供給するためのモジュール；
-  複数の所定の場強度値からの各場強度値および/またはユーザ定義された場強度値に対して、以下の段階:
○  例えば、それぞれの場強度値、および、基準電力吸収率と印加された場強度との間の関係に関連している所定の特性曲線に基づいて、ナノ粒子を含有する無希釈の磁性流体の特異電力吸収率を示す基準電力吸収率を計算する段階、
○  堆積容積内のナノ粒子の基準電力吸収率および計算質量に基づいて、平均電力吸収密度を計算する段階、
○  それぞれの平均電力吸収密度および相対電力吸収密度に基づいて、電力吸収に基づく倍率を計算する段階、
○  基底温度分布、相対温度増加分布および電力吸収に基づく倍率に基づいて、それぞれの温度分布を計算する段階
を実行するためのモジュール；
-  温熱療法を計画するユーザを支援するために、計算された温度分布を供給するためのモジュール
を有している、本発明1030から1032のいずれかのコンピュータ装置。
[本発明1034]
本発明1027から1033のいずれかのコンピュータ装置と磁場印加装置とを含む、システム。
[本発明1035]
本発明1025のコンピュータプログラムと、本発明1026のデータ記憶媒体と、本発明1027から1033のいずれかのコンピュータ装置または本発明1034のシステムとを含み、磁性ナノ粒子を含有する磁性流体をさらに含む、システム。
[本発明1036]
以下の段階:
A)磁性、常磁性および/または超常磁性粒子を器官容積または組織容積に導入する段階、
B)器官容積または組織容積内の粒子量および/または分布を確認する段階、
C)本発明1001から1019のいずれかの方法に基づいて設定される必要がある場強度を計算する、または本発明1021の方法に基づいて温度分布を計算する段階、
D)計算された場強度または計算された温度分布から導出された場強度に対応し、いずれの場合も+/-10%、好ましくは、+/-5%、特に、+/-1%の偏差を伴う、印加場強度が設定された、磁場の印加を用いて熱エネルギーを蓄積する段階
を含む、器官または組織の制御された加熱のための方法。
[本発明1037]
以下の段階:
A)磁性、常磁性および/または超常磁性粒子を腫瘍容積の中に導入する段階、
B)腫瘍容積内の粒子量および/または分布を確認する段階、
C)本発明1001から1019のいずれかの方法に基づいて設定される必要がある場強度を計算する、または本発明1021の方法に基づいて温度分布を計算する段階、
D)計算された場強度または計算された温度分布から導出された場強度に対応し、いずれの場合も+/-10%、好ましくは、+/-5%、特に、+/-1%の偏差を伴う、印加場強度が設定された、磁場の印加を用いて熱エネルギーを蓄積する段階
を含む、患者の腫瘍を治療するための方法。