【事件の表示】
　　平成４年特許願第７２４９１号「半導体装置およびその作製方法」拒絶査定に対する審判事件（平成６年６月１０日出願公開、特開平６−１６３９５８）について、次のとおり審決する。
【結論】
　　本件審判の請求は、成り立たない。
【理由】
１．手続きの経緯、本願請求項に係る発明
　本願は、平成４年２月２１日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）は、平成１１年８月１６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「有機樹脂フィルム基板上に作製される半導体装置の作製方法であって、前記有機樹脂フィルム基板上にアクリル酸エステルを主成分とするアクリル樹脂層を７〜１０μｍの厚さに形成する工程と、前記アクリル樹脂層上に透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜上にＰ型半導体層を形成する工程と、前記Ｐ型半導体層上にＩ型半導体層を形成する工程と、前記Ｉ型半導体層上にＮ型半導体層を形成する工程と、前記Ｎ型半導体層上に裏面電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。」
２．引用例
　これに対して、当審における拒絶の理由で引用した特開昭６３−１１４２７３号公報（以下、引用例という。）には次の記載がある。
（ａ）「透光性絶縁基板上に、透明導電膜層、アモルファスシリコン層、裏面電極層を順次積層してなる薄膜型太陽電池において、透光性絶縁基板が下記一般式（Ｉ）で示されるメタクリルイミド構造単位を有するアクリル系樹脂からなり、かつ透光性絶縁基板と透明導電膜層との間に接着剤層を有する薄膜型太陽電池。（式（Ｉ）略）」（特許請求の範囲）
（ｂ）「透光性絶縁基板の厚みは目的に応じて任意厚みのものを選ぶことが可能であり、板、シート又はフィルムが用いられる。」（第２頁左下欄式（Ｉ）の下第１行〜第３行）
（ｃ）「透明導電膜層と・・・透光性絶縁基板との密着性を向上させるために、これらの間に接着剤層を介在させることが好ましい。用いられる接着剤としては、・・・アクリル系架橋硬化性樹脂材料の硬化被膜等が用いられる。この接着剤層の厚みは特に限定されるものではないが、通常０．５〜４０μ程度で通常公知の方法により基板上に塗布される。」（第３頁左下欄第３行〜第１３行）
（ｄ）「接着剤層の上に透明導電層を積層する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法等の通常の方法が挙げられる。」（第３頁左下欄第１４行〜第１６行）
（ｅ）「透明導電膜（３）上に・・・下記に示すようなアモルファスシリコン層を積層させる。まずＰ型アモルファスシリコン層（４）を形成する。・・・次いで、Ｉ型アモルファスシリコン（５）を形成する、・・・さらにＮ型アモルファスシリコン層（６）を形成する。・・・次いで裏面電極として・・・薄膜（７）を積層する。」（第３頁右下欄第２行〜第１９行）
（ｆ）「フィルムを、ペンタエリスリトールテトラアクリレート８重量部、トリメチロールプロパントリアクリレート２０重量部、１，４ブタンジオールジアクリレート１２重量部と、有機溶剤として、イソプロパノール３０重量部、光増感剤としてベンゾイソブチルエーテル２重量部を加えた溶液中に浸漬し、引き上げ法によって３〜２μｍの薄膜を形成させた。」（第４頁右上欄第１１行〜第１８行）
　すなわち、引用例１には次の発明（以下、引用発明という。）が記載されている。
「アクリル系樹脂フィルム基板上にペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート及び１，４ブタンジオールジアクリレート等のアクリル系架橋硬化性樹脂材料からなる接着剤層を０．５〜４０μｍ程度の厚さに形成する工程と、前記接着剤層上に透明導電膜層を形成する工程と、前記透明導電膜層上にＰ型アモルファスシリコン層を形成する工程と、前記Ｐ型アモルファスシリコン層上にＩ型アモルファスシリコン層を形成する工程と、該Ｉ型アモルファスシリコン層上にＮ型アモルファスシリコン層を形成する工程と、前記Ｎ型アモルファスシリコン層上に裏面電極を形成する工程を有する薄膜型太陽電池の作製方法。」
３．対比、判断
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明における「アクリル系樹脂フィルム」、「ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート及び１，４ブタンジオールジアクリレート等のアクリル系架橋硬化性樹脂材料からなる接着剤層」、「Ｐ型アモルファスシリコン層」、「Ｉ型アモルファスシリコン層」、「Ｎ型アモルファスシリコン層」及び「薄膜型太陽電池」は、それぞれ本願発明における「有機樹脂フィルム」、「アクリル酸エステルを主成分とするアクリル樹脂層」、「Ｐ型半導体層」、「Ｉ型半導体層」、「Ｎ型半導体層」及び「半導体装置」に相当し、両者は「有機樹脂フィルム基板上に作製される半導体装置の作製方法であって、前記有機樹脂フィルム基板上にアクリル酸エステルを主成分とするアクリル樹脂層を形成する工程と、前記アクリル樹脂層上に透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜上にＰ型半導体層を形成する工程と、前記Ｐ型半導体層上にＩ型半導体層を形成する工程と、前記Ｉ型半導体層上にＮ型半導体層を形成する工程と、前記Ｎ型半導体層上に裏面電極を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法。」である点で一致し、有機樹脂フィルム基板上に形成されたアクリル樹脂層の厚さが、本願発明は「７〜１０μｍ」であるのに対し、引用発明は「０．５〜４０μｍ」である点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　外部からの光を受光して利用する太陽電池等の半導体装置において、光入射側の基板等の部材の透光性を考慮する必要があることは知られている（前記引用例第２頁右上欄第４行〜第５行参照）。そして、一般に光入射側の基板及びその他の層の厚さを厚くすればするほどその下の半導体層へ届く光の量が減少することは明らかであるから、光の利用効率の観点から前記層の厚さに上限値を設定することは当業者が普通に想到し得ることである。また、基板と透明導電層の間にアクリル樹脂層を設けるのが、一定の作用効果を意図してのことである以上、所期の目的を達成するためには前記アクリル樹脂層はある程度の厚さが必要であることも明らかであり、当該層の厚さに下限値を設定することも当業者が適宜なし得ることである。
　また、ポリエステルフィルムのような有機樹脂フイルムに厚さ０．０１〜１０μｍの硬化型高分子層を積層することによって該有機樹脂フィルムからのオリゴマーの析出を防止することは、例えば特開昭５３−１２６０８４号公報に見られるように知られているから、本願発明において限定されているように厚さ７〜１０μｍのアクリル樹脂層を形成することによって、有機樹脂フイルム基板からのオリゴマーの析出が防止できることは、当業者が予測可能な作用効果であり、格別顕著な効果であるということはできない。
　そして、本願発明において限定された７〜１０μｍというアクリル樹脂層の厚さは、引用発明における接着剤層の厚さの０．５〜４０μｍという数値範囲内のものであるところ、アクリル樹脂層の厚さが７〜１０μｍという数値範囲の内外で、作用効果において顕著な差異があるとも認められない。
　以上のことから、本願発明においてアクリル樹脂層の厚さの範囲を限定した点は、単に数値範囲を最適化又は好適化したに過ぎないものというほかなく、かかる数値限定によって本願発明が進歩性を有するということはできない。
４．むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。