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　特願２００９−５４７２１９「ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月２５日国際公開、ＷＯ２００８／１１５２１３、平成２２年　５月２０日国内公表、特表２０１０−５１７２９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１１月２０日を国際出願日とする出願（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００７年１月２２日　米国）であって、その後の手続の経緯は、以下のとおりである。
　平成２１年　９月２４日　手続補正書
　平成２３年　９月１６日　拒絶理由通知（同年９月２１日発送）
　平成２３年１２月２１日　意見書・手続補正書
　平成２４年　３月　８日　拒絶査定（同年３月１５日送達）
　平成２４年　７月１７日　本件審判請求・手続補正書
　平成２５年　４月１６日　審尋（同年４月１７日発送）
　平成２５年　７月１７日　回答書
　
第２　平成２４年７月１７日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成２４年７月１７日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　補正の概略
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲に、
　
「【請求項１】
　複数のＬＥＤを設けるステップと、
　前記ＬＥＤ上に脚柱を堆積させるステップであって、前記脚柱はそれぞれ前記ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触するステップと、
　前記ＬＥＤを覆って被覆を形成するステップであって、前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設するステップと、
　前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させながら前記ＬＥＤ上に前記被覆のうちの少なくとも一部を残して前記被覆を平坦化するステップと
　を含むことを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。
　　【請求項２】
　……。
　　【請求項３】
　前記ＬＥＤのそれぞれの上にコンタクトを堆積させるステップをさらに含み、前記脚柱は、前記コンタクト上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　……」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】
　複数のＬＥＤを設けるステップと、
　
それぞれ
コンタクトを
て、前記コンタクト上に脚柱を形成する
し、前記コンタクトのうちの１つに垂直延長部を提供する、
　前記ＬＥＤを覆って被覆を形成するステップであって、前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設するステップと、
　前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させながら前記ＬＥＤ上に前記被覆のうちの少なくとも一部を残して前記被覆を平坦化するステップと
　を含むことを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。
　【請求項２】
　……」（下線は、審判請求人が補正箇所に付したものである。以下、請求項１に記載された事項により特定される発明を「本願補正発明」という。）
　
にする補正事項を含むものである。
　
　上記補正事項は、
ア　補正前の請求項１を削除すると共に、補正前の請求項３を独立請求項として新たな請求項１にする補正事項、
イ　脚柱について「前記コンタクトのうちの１つに垂直延長部を提供する」との特定事項を追加する補正事項、
を含み、それぞれ、請求項の削除と、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そうすると、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定にする特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むから、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて検討する。
　
２　引用する刊行物と引用発明
（１）刊行物
ア　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−７９２９号公報（以下「刊行物」という。）には、図面とともに以下の記載がある（当審注：下線は、引用発明の認定と特に関連する箇所に当審が付したものである。）。
　
（ア）「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。
実施の形態１．
本発明に係る実施の形態１の半導体チップは、
窒化物半導体発光素子
【００１３】（電極部の構成）ｐ型半導体層３の一部を除去して露出させたｎ型半導体層２の上にｎパッド電極２２が形成されかつｐ型半導体層のほぼ全面にｐ全面電極３１が形成されそのｎ全面電極３１上の一部にｐパッド電極３２が形成されている。ここで、基板１上において、ｎパッド電極２２とｐパッド電極３２の上面を除いて、ｎ型半導体層２、ｐ型半導体層３及びｐ全面電極３１を覆うようにＳｉＯ２からなる保護膜４が形成されその上に、例えばポリイミドからなる保護膜５が形成されている。そして、ｎパッド電極２２とｐパッド電極３２の上には、それぞれバンプ２３及びバンプ３３がその上端面がそれぞれ平坦でかつ互いにほぼ同一の高さになるように形成されている。
【００１４】（樹脂封止体）本実施の形態１の半導体チップにおいて、樹脂封止体７はバンプ２３の上端部分、バンプ３３の上端部分、基板１の下面とを除いて、素子全体を覆うように形成されている。ここで、本実施の形態１の半導体チップにおいて、樹脂封止体７は基板１に垂直な側面７ａを有するように形成され、これにより本実施の形態１の半導体チップの外形形状は直方体とされる。また、図２において、７ｂの符号を付して示す部分は基板１の下面を取り囲むように形成されている樹脂封止体７の底面であって、基板１の底面と実質的に同一平面上に位置するように形成されている。尚、本実施の形態１の半導体チップでは、図１に示すように、樹脂封止体７の上面において、露出された２つのバンプ２３を互いに接続するように電極層２４が形成され、樹脂封止体７の上面において、露出された２つのバンプ３３を互いに接続するように電極層３４が形成される。
【００１５】以上のように構成された実施の形態１の半導体チップは、基板１と樹脂封止体７とによって、素子を構成している部分が保護されているので、例えば実装時における素子の破壊を防止でき、また、電極面にダイボンド樹脂が付着するのを防止できる。」
　
（イ）「【００１６】以下、本実施の形態１の半導体チップの製造方法について説明する。尚、以下の図３〜図４においては、ｐ型及びｎ型半導体層及びｎ及びｐ電極等の各電極は省略して描いている。
【００１７】（各素子領域の形成工程）本製造方法ではまず、サファイアからなるウエハ１００上に、各半導体チップにそれぞれ対応する複数の素子を形成する。具体的には、
ウエハ１００の上にｎ型半導体層とｐ型半導体層とを形成して、素子間に位置するｎ型半導体層及びｐ型半導体層をエッチングにより除去して各素子毎に分離する
【００１８】次に、
各素子領域においてそれぞれｐ型半導体層３の一部を除去してｎ型半導体層２を露出させて露出させたｎ型半導体層２の上にｎパッド電極２２を形成する。さらに、ｐ型半導体層３のほぼ全面にｐ全面電極３１を形成して、そのｎ全面電極３１上の一部にｐパッド電極３２を形成する。次に、ｎパッド電極２２とｐパッド電極３２の上面を除いて、ｎ型半導体層２、ｐ型半導体層３及びｐ全面電極３１を覆うようにＳｉＯ２からなる保護膜４を形成し、その上にポリイミドからなる保護膜５を形成する。そして、ｎパッド電極２２とｐパッド電極３２の上に、それぞれバンプ２３及びバンプ３３を形成する
【００１９】（分離溝の形成工程）次に、図３（ｂ）及び図５に示すように、
各素子分離領域４１，４２に露出したウエハの表面に、例えばダイシングソーを用いて、所定の形状の分離溝５１を形成する
【００２０】（封止樹脂層の形成工程）
次に、
ウエハの上面全体を覆うように封止樹脂層７０を形成して、硬化させる。そして、
硬化させた封止樹脂層７０を上面から各バンプ２３，３３の各上端面が露出するまで研磨する。これにより、バンプ２３とバンプ３３の上端面はそれぞれ平坦でかつほぼ同一の高さにそろえられる
【００２１】次に、図４（ｂ）に示すように、
露出させたバンプ２３，３３にそれぞれ電極層２４，３４を形成する
【００２２】（基板研磨工程）
次に、基板１の下面から分離溝５１，５２の底部に達するまで基板１を研磨して、
基板の下面に分離溝５１，５２に充填された樹脂封止体７０を露出させる
（切断工程）次に、図４（ｄ）に示すように、
分離溝５１，５２に充填された樹脂封止体７０を、
各分離溝の中央部で分離溝に沿って切断する
【００２３】
以上のような工程により、
半導体チップが作製される
　
イ　引用発明
　上記「ア（ア）、（イ）」より、刊行物には、以下の発明が記載されている。
「窒化物半導体発光素子である半導体チップの作成方法であって、
ａ）　ウエハ１００の上にｎ型半導体層とｐ型半導体層とを形成して、素子間に位置するｎ型半導体層及びｐ型半導体層をエッチングにより除去して各素子毎に分離し、
ｂ）　各素子領域においてそれぞれｐ型半導体層３の一部を除去してｎ型半導体層２を露出させて露出させたｎ型半導体層２の上にｎパッド電極２２を形成し、
ｃ）　ｐ型半導体層３のほぼ全面にｐ全面電極３１を形成して、そのｐ全面電極３１上の一部にｐパッド電極３２を形成し、
ｄ）　ｎパッド電極２２とｐパッド電極３２の上面を除いて、ｎ型半導体層２、ｐ型半導体層３及びｐ全面電極３１を覆うようにＳｉＯ２からなる保護膜４を形成し、その上にポリイミドからなる保護膜５を形成し、
ｅ）　ｎパッド電極２２とｐパッド電極３２の上に、それぞれバンプ２３及びバンプ３３を形成し、
ｆ）　各素子分離領域４１，４２に露出したウエハの表面に、例えばダイシングソーを用いて、所定の形状の分離溝５１を形成し、
ｇ）　ウエハの上面全体を覆うように封止樹脂層７０を形成して、硬化させ、
ｈ）　硬化させた封止樹脂層７０を上面から各バンプ２３，３３の各上端面が露出するまで研磨し、これにより、バンプ２３とバンプ３３の上端面はそれぞれ平坦でかつほぼ同一の高さにそろえ、
ｉ）　露出させたバンプ２３，３３にそれぞれ電極層２４，３４を形成し、
ｊ）　基板１の下面から分離溝５１，５２の底部に達するまで基板１を研磨して、基板の下面に分離溝５１，５２に充填された樹脂封止体７０を露出させ、
ｋ）　分離溝５１，５２に充填された樹脂封止体７０を、各分離溝の中央部で分離溝に沿って切断する、
　半導体チップの作成方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）本願補正発明の「複数のＬＥＤを設けるステップ」と、引用発明の「窒化物半導体発光素子である半導体チップの作成方法であって、ａ）ウエハ１００の上にｎ型半導体層とｐ型半導体層とを形成して、素子間に位置するｎ型半導体層及びｐ型半導体層をエッチングにより除去して各素子毎に分離」することを対比する。
　引用発明は、「ウエハ１００の上にｎ型半導体層とｐ型半導体層とを形成し」、「素子間に位置するｎ型半導体層及びｐ型半導体層をエッチングにより除去して各素子毎に分離」して各素子を形成しているところ、引用発明の「各素子」は「窒化物半導体発光素子」であるから、本願補正発明の「ＬＥＤ」に相当する。そして、引用発明は、分離して各素子を形成しているから、複数の素子を形成するものである。
　してみると、両者は相当関係にある。
　
（２）　本願補正発明の「それぞれ前記ＬＥＤ上にコンタクトを堆積させて、前記コンタクト上に脚柱を形成するステップであって、前記脚柱はそれぞれ前記ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触し、前記コンタクトのうちの１つに垂直延長部を提供する、ステップ」と、引用発明の「ｂ）…ｎ型半導体層２の上にｎパッド電極２２を形成し、ｃ）ｐ型半導体層３のほぼ全面にｐ全面電極３１を形成して、そのｐ全面電極３１上の一部にｐパッド電極３２を形成し」、「ｅ）ｎパッド電極２２とｐパッド電極３２の上に、それぞれバンプ２３及びバンプ３３を形成」することを対比する。
ア　はじめに、本願補正発明の「コンタクト」の技術上の意義について、本願の発明の詳細な説明を参酌する。本願の発明の詳細な説明には、「【００２８】…第１のコンタクト２２に印加される電気信号は、ｎ型層１６内に広がり、第２のコンタクト２４に印加される信号は、ｐ型層１８内に広がる。」との記載がある。そうすると、本願補正発明の「コンタクト」は、ＬＥＤの半導体層（ｎ型層１６又はｐ型層１８）に信号を広げるものと解される。
イ　一方、引用発明の「ｎパッド電極２２」は「ｎ型半導体層２」に形成される電極であり、また、「ｐ全面電極３１」は「ｐ型半導体層３」に形成される電極である。そうすると、「ｎパッド電極２２」、「ｐ全面電極３１」に、それぞれ印加された信号は、「ｎ型半導体層２」、「ｐ型半導体層３」に広がるから、本願補正発明の「コンタクト」に相当する。
ウ　次に、本願補正発明の「コンタクト上に脚柱を形成する」ことの意味について、本願の発明の詳細な説明を参酌する。本願の発明の詳細な説明には、「【００２０】層、領域、または基板などのある要素が別の要素『上』にあるというときには、この要素が他方の要素に直接接していても、介在要素が存在してもよいことも理解される。」との記載がある。そうすると、本願補正発明の「コンタクト上に脚柱を形成する」とは、脚柱がコンタクトに直接接していても、介在要素が存在してもよいものである。
エ　一方、引用発明では、「ｎパッド電極２２」上に「バンプ２３」が形成され、「ｐ全面電極３１」上に「ｐパッド電極３２」を介在して「バンプ３３」が形成されている。ここで、上記イの相当関係を併せると、引用発明の「ｎパッド電極２２…の上に、…バンプ２３…を形成」すること、あるいは、「ｐパッド電極３２の上に、…バンプ３３を形成」することは、何れも、本願補正発明の「コンタクト上に脚柱を形成する」ことに相当する。
オ　そして、引用発明の「バンプ２３」は「ｎパッド電極２２」を介して「ｎ型半導体層２」に電気的に接触し、「バンプ３３」は「ｐパッド電極３２」と「ｐ全面電極３１」を介して「ｐ型半導体層３」に電気的に接触しているから、「バンプ２３」、「バンプ３３」は、何れも素子に電気的に接触している。
カ　さらに、引用発明の「バンプ２３」は、「ｎパッド電極２２」上に形成され、「バンプ３３」は、ｐ全面電極３１上に「ｐパッド電極３２」を介して形成されるから、「ｎパッド電極２２」、「ｐ全面電極３１」の厚み方向（垂直方向）に延長するものと言える。
キ　上記ア〜カによれば、両者は相当関係にある。
　
（３）本願補正発明の「前記ＬＥＤを覆って被覆を形成するステップであって、前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設するステップ」と、引用発明の「ｇ）ウエハの上面全体を覆うように封止樹脂層７０を形成して、硬化させ」ることを対比する。
　引用発明は、「ａ）ウエハ１００の上にｎ型半導体層とｐ型半導体層とを形成して、素子間に位置するｎ型半導体層及びｐ型半導体層をエッチングにより除去して各素子毎に分離し」ているところ、「ウエハの上面全体を覆うように封止樹脂層７０を形成して、硬化させ」ることは、本願補正発明の「ＬＥＤを覆って被覆を形成する」ことに相当する。そして、引用発明は、「ｂ）…ｎ型半導体層２の上にｎパッド電極２２を形成し、ｃ）ｐ型半導体層３のほぼ全面にｐ全面電極３１を形成して、そのｐ全面電極３１上の一部にｐパッド電極３２を形成し、…、ｅ）ｎパッド電極２２とｐパッド電極３２の上に、それぞれバンプ２３及びバンプ３３を形成し」ているから、引用発明の「ウエハの上面全体を覆うように封止樹脂層７０を形成して、硬化させ」ることは、封止樹脂層７０は、「バンプ２３及びバンプ３３」の少なくとも一部を埋設していると言え、本願補正発明の「前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設する」ことに相当する。
　してみると、両者は相当関係にある。
　
（４）本願補正発明の「前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させながら前記ＬＥＤ上に前記被覆のうちの少なくとも一部を残して前記被覆を平坦化するステップ」と、引用発明の「ｈ）硬化させた封止樹脂層７０を上面から各バンプ２３，３３の各上端面が露出するまで研磨し、これにより、バンプ２３とバンプ３３の上端面はそれぞれ平坦でかつほぼ同一の高さにそろえ」ることを対比する。
　引用発明の「各バンプ２３，３３の各上端面が露出するまで研磨」することは、本願補正発明の「前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させ」ることに相当する。そして、引用発明において、封止樹脂層７０は、「各バンプ２３，３３の各上端面」の高さまで研磨されることは明らかであるから、封止樹脂層７０は、少なくとも一部を残して平坦化されていると言える。
　よって、両者は相当関係にある。
　
（５）引用発明の「窒化物半導体発光素子である半導体チップの作成方法」は、本願補正発明の「発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法」に相当する。
　
（６）以上のとおり、本願補正発明と引用発明は、格別相違するものではなく、両者は実質的に同一である。
　
４　審判請求人の主張について
　審判請求人は、回答書において、「つまり、引用例１は、パッド電極２２，３２の堆積後ではなく、バンプ２３，３３の堆積前に、実質的にＬＥＤの表面全体に（保護膜４のような）保護被覆を適用するものであるから、引用例１の方法では、後で電極と接触するように形成される電極２２，３２の全体が覆われないように、より精密な保護被膜の堆積技術が要求されます。」と主張する。
　しかしながら、上記３に記載したとおり、引用発明の「封止樹脂層７０」が本願補正発明の「被覆」に相当するので、引用発明の「保護膜」が本願補正発明の「被覆」に相当することを前提とする審判請求人の主張は、採用できない。
　
５　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定に違反するものであり、特許法１５９条１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１を引用する請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１２月２１日付け手続補正により補正された請求項１、３に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　複数のＬＥＤを設けるステップと、
　前記ＬＥＤ上に脚柱を堆積させるステップであって、前記脚柱はそれぞれ前記ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触するステップと、
　前記ＬＥＤを覆って被覆を形成するステップであって、前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設するステップと、
　前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させながら前記ＬＥＤ上に前記被覆のうちの少なくとも一部を残して前記被覆を平坦化するステップと
　を含むことを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。
　　【請求項３】
　前記ＬＥＤのそれぞれの上にコンタクトを堆積させるステップをさらに含み、前記脚柱
は、前記コンタクト上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。」
　
２　引用する刊行物と引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、その記載事項、及び引用発明は、前記「第２　２」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した本願補正発明のから、脚柱について「前記コンタクトのうちの１つに垂直延長部を提供する」との限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２」に記載したとおり、引用発明と実質的に同一であるから、本願発明も同様の理由により、引用発明と実質的に同一である。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。