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【事件の表示】
　平成　６年特許願第　５２６４７号「固体撮像装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　９月１２日出願公開、特開平　７−２４０３８８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は平成６年２月２８日の出願であって、その発明の要旨は、平成９年１０月６日付け、平成１０年４月６日付け及び平成１０年９月１４日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に記載された発明は次のとおりである。
　「半導体基板にイオン注入して前記半導体基板に多数のＮ型拡散層と、その上の高濃度Ｐ型拡散層からなる光電変換部を形成する固体撮像装置のイオン注入方法において、前記Ｐ型拡散層を形成する際に、前記半導体基板を所要の回転角度にて離散的に回転位置を変化させながら、複数回に分けて前記半導体基板のイオン注入領域に対してイオンビームをラスタスキャン方式で走査することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。」（以下、本願発明１という。）
２．引用刊行物
　前審の拒絶の理由に引用された特開平４−３３６４３４号公報（以下、引用例１という。）には、「近年、固体撮像素子の画素部及び転送部の拡散層の形成には、イオン注入法を用いることが不可欠となっている。イオン注入法を用いて固体撮像素子の拡散層を形成する場合、各画素セルの均一な特性を得るために、イオン注入量のばらつきを少なくすることが必要となってきている。」（第１欄第１５−２０行）、「図１に示す固体撮像素子は、以下に示す製造方法によって作製される。まず、シリコン基板１上にＰ形拡散層２及び酸化膜４を順次形成し、更に酸化膜４上の全面にフォトレジスト５を形成する。次に、フォトレジスト５のパターニングを行い、後にＮ形拡散層３が形成されるＰ形拡散層２の部分の上方のフォトレジスト５を部分的に除去する。・・・上記のようにパターニングされたフォトレジスト５をマスクとして用い、イオンビーム６を照射することにより、リンイオンの選択的注入を行う。これにより、Ｎ形拡散層３が形成される。イオン注入には静電スキャン方式の中電流イオン注入装置を使用した。イオンビームスポットの形状は、均一な電流密度が得られるように円形とし、その直径を１０ｍｍ〜２０ｍｍの大きさに調整した。」（第２欄第４５行ー第３欄第９行）、「本実施例の固体撮像素子の製造方法によれば、走査線上を移動するイオンビームスポットの直径は１０ｍｍ〜２０ｍｍに設定され、走査線間距離の少なくとも５０倍以上に設定されている。従って、イオンビームの走査線の間隔が数百ミクロンになったとしても、イオンビームスポットの中心が一本の走査線上を走査している間に、他の複数の走査線の領域に亘ってイオン注入が行われるので、シリコン基板１上に均一なイオン注入を行うことができる。このため、イオンビーム走査線の間に位置する画素セルのＮ形拡散層３にも均一なイオン注入が行われる。」（第３欄第１３−２３行）、「静電スキャン方式のイオン注入装置においては、リンのイオン注入は、垂直及び水平静電偏向周波数の合成で決定されるイオンビーム走査線上をイオンビームが一定速度で移動することによって行われる。」（第１欄第３６−４０行）と記載されている。そして、画素セルは光電変換部に相当するから、引用例１には半導体基板にイオン注入して前記半導体基板に多数のＮ形拡散層から成る光電変換部を形成する固体撮像装置のイオン注入方法において、イオン注入を均一にするために、半導体基板のイオン注入領域に対して円形のイオンビームスポットの直径を１０ｍｍ〜２０ｍｍでラスタスキャン方式で走査することを特徴とする固体撮像装置の製造方法が開示されている。
　同じく特開平３−１８０５８号公報（以下、引用例２という。）には、第３図を参照すると、半導体基板にイオン注入して前記半導体基板に多数のｎ型拡散層と、その上の高濃度ｐ型拡散層からなる光電変換部を形成する固体撮像装置が記載されている。
　同じく特開昭６３−１００７１８号公報（以下、引用例３という。）には、「Ｘ−Ｙスキャン波形の乱れにより、イオンビームの軌跡４に歪みが生じて、半導体基板２の面内濃度分布のバラツキは、標準偏差で平均値の１％内外というのが普通であるが、半導体装置の性能向上に伴い、さらに均一性の向上が求められている。」（第２頁左上欄第１−６行）及び「本発明は、半導体基板の表面に垂直な軸を中心に０°、１２０°、２４０°回転した角度で、所定の注入量の３分の１の注入量で３回に分けてイオン注入することにより、チャンネリングやＸ−Ｙスキャン波形の乱れを面内で平均化し、均一性の向上をはかるものである。」（第２頁左下欄第８−１３行）と記載されている。
　したがって、引用例３には、半導体基板へのイオン注入において一層の濃度の均一性が求められており、イオン注入を均一にするため、半導体基板を所要回転角度にて離散的に回転位置を変化させながら、複数回に分けて半導体基板にイオン注入することが開示されている。
３．対比
　本願発明１と引用例１記載の発明を対比すると、両者は、半導体基板にイオン注入して前記半導体基板に多数の拡散層から成る光電変換部を形成する固体撮像装置のイオン注入方法において、半導体基板のイオン注入領域に対してイオンビームをラスタスキャン方式で走査することを特徴とする固体撮像装置の製造方法の点で一致し、下記の点で相違している。
　相違点
　本願発明１では、光電変換部がＮ型拡散層とその上の高濃度Ｐ型拡散層からなり、前記高濃度Ｐ型拡散層を形成する際に、半導体基板を所要の回転角度にて離散的に回転位置を変化させながら、複数回に分けてイオン注入しているのに対し、引用例１記載の発明では、光電変換部がＮ型拡散層からなり、Ｎ型拡散層を形成する際に円形で直径が１０ｍｍ〜２０ｍｍのイオンビームでイオン注入している点。
４．判断
　以下、上記相違点について検討する。
　引用例２示すように、光電変換部としてＮ型拡散層とその上の高濃度Ｐ型拡散層で構成することは周知であるから、光電変換部として、引用例１のＮ型拡散層の代わりに、引用例２記載のＮ型拡散層とその上の高濃度Ｐ型拡散層で構成することは、当業者が適宜選択する設計的事項にすぎない。また引用例３に示すように半導体基板へのイオン注入に際してその均一性の向上が求められているのであるから、半導体基板へのイオン注入により形成したＮ型拡散層とその上の高濃度Ｐ型拡散層とからなる光電変換部においても拡散層の濃度を均一にするという課題は当業者であれば容易に予測し得る課題である。そして上記の課題を解決するために高濃度Ｐ型拡散層をイオン注入で形成する際に、上記引用例３記載の半導体基板を所要の回転角度にて離散的に回転位置を変化させながら、複数回に分けてイオン注入する技術を採用することは当業者にとって容易なことであり、均一なイオン注入の結果として固体撮像装置の白欠陥を低減しうるという効果も予測しうる程度のものと認める。
５．まとめ
　以上のとおりであるから、本願発明１は引用例１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。本願発明１が特許を受けることができないものである以上、本願請求項２ないし４の発明についても検討をするまでもなく特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　２年特許願第　１８８８７号「皮膚疾患の治療及び予防剤」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年１０月　８日出願公開、特開平　３−２２７９３７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（手続きの経緯・本願発明）
　本願は、平成２年１月３１日の出願であって、本願請求項１〜２に係る発明は、平成１１年７月１４日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲第１〜２項に記載された次のとおりのものである。
「（１）活性酸素種を除去する物質であって、豆類及びその加工品の発酵物由来水溶性物質（ＮＴＨＴ−１２３Ｅ）を有効成分とする各種皮膚疾患の治療及び予防剤。
（２）活性酸素種を除去する物質であって、豆類及びその加工品の発酵物由来非水溶性物質（ＮＴＨＴ−１２３Ｎ）を有効成分とする各種皮膚疾患の治療及び予防剤。」
（原査定の拒絶理由）
　これに対する原査定の拒絶の理由は、「この出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第３項、第４項及び第５項に規定する要件を満たしていない。」というものであって、下記の点を指摘している。
「本願明細書の記載は下記の点で不備である。
ａ）請求項には、「ＮＴＨＴ−１２３Ｅ」、「ＮＴＨＴ−１２３Ｎ」と記載されているが、かかる物質がいかなるものであるのか不明である。
ｂ）本願明細書には上記ａ）に記載の２つの物質の製造方法、物性が記載されておらず、本願請求項に記載された発明を当業者が容易に実施し得るものとは認められない。」
（当審の判断）
　本願発明は、活性酸素種を除去する物質であって、豆類及びその加工品の発酵物由来水溶性物質（ＮＴＨＴ−１２３Ｅ）や、同非水溶性物質（ＮＴＨＴ−１２３Ｎ）を有効成分とする各種皮膚疾患の治療及び予防剤の発明であるから、本願発明を当業者が容易に実施し得るためには、これらＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる物質を、当業者が本願明細書の記載に基づいて、又は、これに本願出願時の技術常識を加味して、容易に製造し、又は、入手できることが必要となる。
　ところが本願明細書には、ＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる物質がいかなる化学構造を有する物質であるか記載されておらず、化学構造を推測できるような物性データも何ら記載されていない。また、その製造方法、入手方法についても、活性酸素種を除去する物質であって、豆類及びその加工品の発酵物由来の水溶性物質又は非水溶性物質であるという漠然とした事項以外、何ら記載されていない。
　してみれば、本願明細書の記載によっては、当業者といえども、上記ＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる物質を容易に製造し、又は、入手できるものとはいえない。
　また、本願出願時、上記ＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる物質が当業者の間で周知・慣用の物質であって、それらを製造し、又は入手する方法が、本願出願時の技術常識に属する事柄であったというような事情もうかがえない。
　もっとも、審判請求人は、審判請求書の中で、上記ＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる物質に関し、以下の主張をしている。
「上記２物質は、添付資料１の講演要旨集第６６５頁にいう「豆腐製造副産物であるオカラの微生物処理物より得」た「フリーラジカルスカベンジャー活性を有する画分」に該当します。より詳細には、「水溶性物質(ＮＴＨＴ−１２３Ｅ)」が要旨集の「エーテル抽出し」た後のエーテル層以外の画分に該当し、「非水溶性物質(ＮＴＨＴ−１２３Ｎ)」がエーテル画分に該当します。このことは、講演の際に用いた資料により、さらに裏付けられます。
　また、上記２物質自体及びその製造方法は、本願出願より約１１ヶ月前に、本願発明の属する技術の分野では広く知られた日本農芸化学会の１９８９年度大会要旨集に記載され、及び、本願出願より約１０ヶ月前に、その大会での講演により、公然知られたものとなっています。・・・中略・・・
　したがって、本願出願時の技術常識からみて、当業者であれば、本願請求項の「活性酸素種を除去する物質であって、豆類及びその加工品の発酵物由来水溶性物質」及び「活性酸素種を除去する物質であって、豆類及びその加工品の発酵物由来非水溶性物質」を製造することができ、・・・中略・・・本願の明細書は、請求項に記載された発明を当業者が容易に実施することができる程度に記載されていると考えます。」
　そこで、この主張について検討するに、審判請求人が資料１として提出した日本農芸化学会誌１９８９年度大会講演要旨集の第６６５頁には、「・・・消去能を有する画分を豆腐製造副産物であるオカラの微生物処理物より得た。」及び「オカラに市販品の納豆より生理食塩水で分離した菌を添加し45℃、24hr発酵させた。この発酵物よりメタノール−酢酸エチル−アセトン（１：１：１）の混合溶媒で抽出を行い、さらに脱脂後酸性下にてエーテル抽出しフリーラジカルスカベンジャー活性を有する画分を得た。」ことが記載されている。
　しかし、そもそも、このような学会及び講演要旨集での発表については、本願明細書において全く記載がなく、当業者が上記発表内容を知る手がかりすらないものであり、しかも、上記発表のみでは、その発表内容が本願出願時において当業者の間の技術常識にまでなっていたとはいえないから、このような発表によって、本願明細書における、上記２つの物質を製造し、又は、入手する方法についての記載不備が解消されるとすることはできない。
　さらにいえば、上記要旨集第６６５頁には、ＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる文言は全く記載されておらず、上記エーテル画分がＮＴＨＴ−１２３Ｎに該当し、「エーテル抽出し」た後のエーテル層以外の画分がＮＴＨＴ−１２３Ｅに該当することが、同要旨集の記載から当業者にとって明らかな事柄であるとはいえない。
　また、審判請求人が「講演の際に用いた資料」と主張する資料１中の「図３枚」の１枚目には、ＥＴ２Ｏ layer（ＮＴＨＴ−１２３）と称される画分の分画スキームが記載されているが、当該図に記載されるＮＴＨＴ−１２３という文言は、本願発明にいうＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる文言とは異なるものであり、ＥＴ２Ｏ layer（ＮＴＨＴ−１２３）やＡq.layerが、本願発明のＮＴＨＴ−１２３ＮやＮＴＨＴ−１２３Ｅに該当することが、当該図の内容から当業者にとって明らかな事柄であるとはいえない。
　してみれば、本願明細書に加え、資料１の内容を知った当業者といえども、本願発明で使用するＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる物質を容易に製造し得たものとはいえない。（しかも、上記「図３枚」については、それが講演の際に用いられたものであることの証明は、何らなされていない。）
　したがって、本願発明で用いるＮＴＨＴ−１２３ＥやＮＴＨＴ−１２３Ｎなる物質を、当業者が本願明細書の記載に基づいて、又は、これに本願出願時の技術常識を加味して、容易に製造し、又は、入手できるものとはいえず、ひいては、本願発明を容易に実施し得るものともいえない。
（むすび）
　以上のとおりであるから、本願明細書には、当業者が容易に本願発明を実施することができる程度に、本願発明の目的、構成及び効果が記載されているとはいえず、本願は、明細書の記載が、特許法第３６条第３項に規定する要件を満たしていないので、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　１年特許願第３３１５９５号「電界効果トランジスタ」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年　８月２１日出願公開、特開平　３−１９１５３３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成１年１２月２１日の出願であって、その発明の要旨は、平成２年５月１６日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲に記載された下記のとおりのものと認められる。
　「断面形状が、チャネル長を規定する基部側の幅より上部側で幅広とされたゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、
　そのチャネル形状をチャネル幅方向に関して非直線的に屈曲ないしは湾曲したパターンとしたこと
　を特徴とする電界効果トランジスタ。」
（引用例）
  原審における拒絶の理由において引用された特開昭６０−１４９１７４号公報（以下、「引用例」という。）には、その第３図には、そのチャネル形状がチャネル幅方向に非直線的に屈曲したパターンのゲート電極を有する電界効果トランジスタが、同様に第５図には、そのチャネル形状がチャネル幅方向に非直線的に湾曲したパターンのゲート電極を有する電界効果トランジスタが記載されているものと認められる。  
（対比）
  次に、本願発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、本願発明と上記引用例記載の発明とは「そのチャネル形状をチャネル幅方向に関して非直線的に屈曲ないしは湾曲したパターンとしたことを特徴とする電界効果トランジスタ」の点で一致し、本願発明の電界効果トランジスタが断面形状がチャネル長を規定する基部側の幅より上部側で幅広とされたゲート電極を有するのに対して、上記引用例記載の発明の電界効果トランジスタがそのような構成を採っていない点で両者は相違するものと認められる。
（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
　上記引用例には相互コンダクタンスを大きくするためにゲート電極長を小さくすることが記載されており、その場合当然ゲート電極の抵抗が大きくなりトランジスタの特性が悪くなることは当業者が当然予測し得ることである。そして、ゲート電極の抵抗を小さくするためにゲート電極の断面形状をチャネル長を規定する基部側の幅より上部側で幅広とした電界効果トランジスタは周知であり、上記引用例記載の発明においてゲート電極の抵抗を小さくするために上記周知技術を採用することに格別の創意工夫を必要としない。なお、屈曲乃至湾曲した構造が横方向からの力に強いことは当業者ならずともよく知っていることであるから、そのチャネル形状をチャネル幅方向に関して非直線的に屈曲ないしは湾曲したパターンとすることによって、ゲート電極が横方向の力に強く倒れにくくなるという効果は当業者の予測の範囲を出るものではない。
　よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得るものである。
（むすび）
  本願発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　８年特許願第２８１２１４号「食材洗浄機」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　４月　７日出願公開、特開平１０−　８４９３０　］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
＜１＞　本願発明
　本願は、平成８年９月１７日の出願であって、その請求項１に係る発明は、出願当初の明細書および図面の記載からみて、その請求項１に記載された次のとおりのものである。
「生鮮食材の表面に付着した細菌、残留農薬、残留洗剤等を無洗剤、無薬品で鮮度を落さずに殺菌、洗浄する洗浄装置。」
　
＜２＞　引用例の記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平８−１７３９４９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、下記の事項が記載されている。
(a)「活性酸素発生手段により水中に発生させた活性酸素は、非常に高いエネルギーを持っているので、風呂水及び洗浄機能付トイレのロータンクに発生した細菌、有機物、悪臭成分や水槽の汚れの原因となる藻類などを素早く接触反応し、これらを破壊してしまうのでそれらの繁殖を防ぐことができると共に、浴槽壁面の汚れも防止でき、さらにおしりに付着している細菌を殺菌することができる。また農薬も分解することができる。つぎに、水中に発生した活性酸素の一部を分解する分解手段により発生させた純酸素は水中の溶存酸素量を限界点まで高めることができるので、水中の有機物を分解する好気性微生物の活性を大きくすることがでるきと共に魚や水草などの生育がよくなる。」（第３頁左欄第４１〜右欄第１４行）
(b)「（実施例５）　本実施例は食物、特に果物・野菜・米・生鮮食品などの残留農薬の洗浄水に用いた場合で図１２について説明する。図中３０は水洗装置全体を示し、３１は水洗タンクであって、超音波洗浄用の発振素子３２を底部に設け、該水洗タンク３１上部に給水装置３３を下部に排水装置３４を設けている。
　そして発生繁殖装置８を水洗タンク３１内に過酸化水素供給装置１を外に設け供給パイプ６にて接続している。水洗タンク３１内の水は過酸化水素供給装置１から供給された過酸化水素と発生繁殖装置８の触媒を添加したセラミックスの容器９とで活性酸素が発生して供給され、調理材料に付着している残留農薬を分解する。」（第５頁右欄第４４行〜第６頁左欄第５行、なお、図１２参照）
(c)「表３から活性酸素を５．０ＰＰｍで農薬の分解効果があることが明らかになった、したがって活性酸素を５．０ＰＰｍ以上含む水で食物を洗浄すると残留農薬が除去できる。また図１４から輸入いちごに付着している残留農薬（マラチオン１００ＰＰｂ）は従来の水流水浄では５０〜６０％程度しか除去できないが、活性酸素水で洗浄すると１００％除去できることがわかった。さらに、活性酸素水と超音波洗浄装置で洗浄すると短時間に除去できることが明らかになった。」（第６頁左欄第２１〜２９行）
＜３＞　対比・判断
　ここで、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と、上記引用文献１に記載された発明（以下「引用発明」という。）を対比する。
　引用発明１の上記(b)に記載の「水洗装置」は、「食物、特に果物・野菜・米・生鮮食品などの残留農薬」を洗浄する装置であるから、本願発明の「洗浄装置」に相当する。そして、該水洗装置に用いられる活性酸素を含んだ水は、上記(b)(c)の記載より、生鮮食品の表面に付着した残留農薬を分解、除去するもの、すなわち洗浄するものであることが認められ、また、上記(a)より、殺菌作用を有し、かつ、生鮮食品等に悪影響を与えるものではないものと認められるから、結局、本願発明と引用発明とは、
 「生鮮食材の表面に付着した細菌、残留農薬等を無洗剤、無薬品で鮮度を落さずに殺菌、洗浄する洗浄装置。」
である点で一致している。
　ただ、本願発明は、「残留洗剤」をも洗浄するものとして例示する特定をしているのに対し、引用発明では、「残留洗剤」をも洗浄しうるものとは例示していない点で相違している。
　しかしながら、引用発明は、残留農薬を洗浄するものであるから、残留洗剤をも洗浄しうるものであることは容易に予測しうるところであり、上記の相違点に関する特定によって、格別の効果を生ずるものとも認められない。
　なお、請求人は審判請求書において、本願発明は、「活性化酸素」を用いるものであるから、「活性酸素」を用いる引用発明とは異なる旨を主張するが、請求項の記載に基づかない主張であり、採用することができない。
　
＜４＞　むすび
　以上のように、この出願の請求項１に係る発明は、引用文献に記載の発明により当業者が容易になし得たものである。したがって、この出願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論の通り審決する。
【事件の表示】
　理　　由
　平成　３年特許願第２９９８８８号「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　４月３０日出願公開、特開平　５−１０９７０１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明の要旨
　本願は、平成３年１０月１８日の出願であって、その特許請求の範囲の各請求項に係る発明の要旨は、平成１０年５月１８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、当該明細書の特許請求の範囲の各請求項に記載されたとおりの「半導体装置」及び「半導体装置の製造方法」にあるものと認められるところ、その請求項１には次のとおり記載されている（以下、請求項１に係る発明を「本願第１発明」という。）。
　「半導体装置において、
　所要の素子を形成した基板上にＣＶＤ法で形成された、エッチレートの速いシリケートガラス層と、
　前記シリケートガラス層の表面の凹部にＣＶＤ法で形成され、前記シリケートガラス層の隣接する表面と略同一面に形成された、エッチレートの遅いシリケートガラス層とを備えたことを特徴とする半導体装置。」　　
　　　　
２．引用刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−３０２５３７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、
　「第１図（Ａ）において１はサブストレート、２はゲート酸化膜、３はポリシリコンのゲート電極を表し、ゲート電極３はＣＶＤ法により形成する。ゲート電極３を形成した後、第１の絶縁膜であるＰＳＧ膜４をＣＶＤ法により成長させる。続いて第２の絶縁膜であるＳＯＧ膜をスピンオン法により塗布する。このＳＯＧ膜は従来のＳＯＧ膜より膜厚を大きくし後述するウェットエッチングにおける処理時間の制御を容易にする。なお、スピンオンの特性により、ＳＯＧ膜５は凹部に厚く、凸部に薄く塗布される。但しＳＯＧ膜５は第１の絶縁膜４の凹部にて第１の絶縁膜４の凸部より低い位置まで被覆されるように、ＳＯＧの粘度や回転数等を調整する。　次にフッ酸またはフッ化アンモニウム液を用いてウェットエッチングを行う。フッ酸を用いた場合、ＰＳＧ膜のエッチング速度は約２００Å／ｍｉｎ〜３００Å／ｍｉｎであるのに対し、ＳＯＧ膜のエッチング速度は約３０Å／ｍｉｎ〜６０Å／ｍｉｎである。第１図（Ａ）に示した絶縁膜の形状でウェットエッチングを行うことによりＳＯＧ膜５全体が徐々にエッチングされ、ＰＳＧ膜４の凸部上のＳＯＧ膜が全てエッチングされたとき、凹部にはまだＳＯＧ膜が残っている。エッチングを更に続けることによって凹部のＳＯＧ膜は同じ速さでエッチングが進行するが、エッチング速度の速いＰＳＧ膜４は早くエッチングされる。従って凸部は深く、凹部は浅くエッチングされ、一定時間後に絶縁膜表面が平坦化される。以上のようにして平坦化を行った後、……例えばソース、ドレインを確保する。」と記載されており（第２頁右下欄第３行〜第３頁第１７行）、
　また、ＰＳＧ膜４表面の凹部にＳＯＧ膜５が形成され、かつＰＳＧ膜４の上面とＳＯＧ膜５の上面とが略同一の高さの面となっている様子が示されている（第１図（Ｂ））。
　以上を要するに、引用刊行物には、「サブストレート１上にＣＶＤ法で形成された、エッチング速度の大きいＰＳＧ膜４と、前記ＰＳＧ膜４の表面の凹部に塗布法で形成され、前記ＰＳＧ膜４の隣接する表面と略同一面に形成された、エッチング速度の小さいＳＯＧ膜５とを備えた半導体装置」が記載されているものと認められる。
３．対比
　　
　引用刊行物にいう「サブストレート１」、「ＰＳＧ膜４」、「ＳＯＧ膜５」は、それぞれ本願第１発明における「基板」、「エッチレートの速いシリケートガラス層」、「エッチレートの遅いシリケートガラス層」に相当する。
　また、引用刊行物記載の「ゲート酸化膜２」及び「ゲート電極３」並びに「ソース」及び「ドレイン」はＭＯＳトランジスタを構成するものであること、及びＭＯＳトランジスタが「素子」に該当することは明らかであるから、引用刊行物に記載された発明は、「ＰＳＧ膜４」、すなわち「エッチレートの速いシリケートガラス層」が、「所要の素子を形成したサブストレートすなわち基板上に」形成されたものであると解される。
　以上のとおりであるから、本願第１発明と引用刊行物に記載されている発明は、
　「半導体装置において、
　所要の素子を形成した基板上にＣＶＤ法で形成された、エッチレートの速いシリケートガラス層と、
　前記シリケートガラス層の表面の凹部に形成され、前記シリケートガラス層の隣接する表面と略同一面に形成された、エッチレートの遅いシリケートガラス層とを備えたことを特徴とする半導体装置。」　　
である点で一致しており、
　本願第１発明では、「エッチレートの速いシリケートガラス層」とこの「エッチレートの速いシリケートガラス層」の表面の凹部に形成された「エッチレートの遅いシリケートガラス層」双方とも、ＣＶＤ法で形成されたものであるのに対し、引用刊行物に記載された発明では、「エッチレートの速いシリケートガラス層」はＣＶＤ法で、この「エッチレートの速いシリケートガラス層」の表面の凹部の「エッチレートの遅いシリケートガラス層」は塗布法で、それぞれ形成されたものである点、
で相違している。
４．判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　半導体装置において、互いの面が接する「エッチレート」の異なる２種類の「シリケートガラス層」双方をＣＶＤ法で形成することは、本願出願前周知の技術である（例えば、拒絶査定時に提示された特開平３−１５７９３０号公報参照）。そうすると、引用刊行物に記載された発明において「エッチレートの速いシリケートガラス層」及びその表面の凹部の「エッチレートの遅いシリケートガラス層」双方をＣＶＤ法で形成されたものとすることは、上記周知技術に倣って当業者が容易になし得たことである。
　なお、本願明細書記載の、本願第１発明の「ＣＶＤ法で形成されたシリケートガラス層によって基板上に段差があってもウエハ全面の絶対段差を平坦化したものを得る」という効果は、膜堆積手段として周知のＣＶＤ法を用いたことによる自明の効果であって、格別なものとは言えない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、本願の出願前国内で頒布された引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、本願出願人は、本願第１発明について特許を受けることができない。
　そうである以上、本願の他の発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶さるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　１年特許願第２１０３２２号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年　３月２８日出願公開、特開平　３−　７３５５５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成１年８月１４日の出願であって、その発明の要旨は、平成１０年１２月３日付及び平成１１年４月１日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１及び２に記載されたとおりの「半導体装置」にあるものと認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。
　「各々が第１の方向に延在する複数の第１の配線が形成された第１の領域と、
　各々がほぼ前記第１の方向に延在する複数の第２の配線が形成された前記第１の領域と異なる第２の領域と、
　各々が前記第１の方向と異なる第２の方向に延在するように形成され、且つ一端が少なくとも前記第１の配線及び第２の配線の少なくとも一方と接続された複数のゲート配線と、
　前記複数のゲート配線の他端と接続された複数の論理ゲート素子が形成された前記第１の領域及び前記第２の領域と異なる第３の領域とを備え、
　前記第３の領域を除く前記第１の領域及び/又は前記第２の領域に、前記複数の論理ゲート素子を構成するゲート、それらのゲートを接続するネット、及び論理ゲートに対応するゲート名、ネット名、及び論理ゲート記号のいずれか一つが設けられていることを特徴とする半導体装置。」
（引用例）
  原審における拒絶の理由において引用された特開昭６２−１１３４６２号公報参照（以下、「引用例」という。）には、「本発明は半導体装置に関し、特に”スタンダード・セル・アレイ”と称する、複数個の半導体素子間を配線する事により少くとも基本的な論理回路を構成したブロックを組み合わせる事により所望の電気回路を作成する半導体装置に関する。」（第１頁左欄第１２〜１６行）、「〔発明が解決しようとする問題点〕
　上述した従来の半導体装置においては、レイアウトパターンにブロックパターンのよく似たパターンが使用された時や、ブロックの組合せが大規模になった時、レイアウトパターンのチェックや故障解析において故障個所をチェックする時大変な困難が発生する。
　すなわち、チェックすべき個所を捜し出す時、よく似たパターンのブロックが多数使用された時はブロックパターン間の相異を確実にチェックしながら目標とすべき個所を見出していたが、大変な集中力と注意力を有して確実にチェックしなければならないため捜索に時間がかかりさらに大規模なレイアウトパターンに関しては指標となるブロックパターンと対比しながら目標とすべき個所を見出していたが、しばしば見誤りにより別のブロックパターンをチェックする事により誤ったチェックや解析を行う欠点があった。」（第１頁右欄第７行〜第２頁左上欄第４行）、「〔問題点を解決するための手段〕
　本発明の半導体装置は、複数個の半導体素子間を配線して基本的な論理回路を構成したブロックを組み合せて所望の電気回路を作成する半導体装置において、該ブロックのパターン各々に識別記号をつけた事を特徴とする。」（第２頁左上欄第５〜１０行）及び「〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明は各ブロックのパターンに識別記号をつける事により目標とするブロックを短時間で容易に捜索する事ができるために故障解析やレイアウトパターンチェックにおいて短時間で確実にチェックできる効果がある。」（第２頁右上欄第２行〜７行）が記載されている。してみると、上記引用例には、基本的な論理回路を構成したブロックを短時間で容易に捜索してレイアウトパターンのチェック等を短時間で確実に行うために、複数個の半導体素子間を配線して基本的な論理回路を構成したブロックを組み合わせて所望の電気回路を作成する半導体装置において、該ブロックのパターン各々に識別記号をつけた事を特徴とする半導体装置が記載されているものと認められる。
（対比）
  次に、本願第１発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「基本的な論理回路を構成したブロック」及び「識別記号」はそれぞれ本願第１発明の「論理ゲート素子」及び「論理ゲート記号」に相当するから、本願第１発明と上記引用例記載の発明とは「論理ゲートに対応する論理ゲート記号が設けられていることを特徴とする半導体装置」の点で一致するが、本願第１発明は各々が第１の方向に延在する複数の第１の配線が形成された第１の領域と、各々がほぼ前記第１の方向に延在する複数の第２の配線が形成された前記第１の領域と異なる第２の領域と、各々が前記第１の方向と異なる第２の方向に延在するように形成され、且つ一端が少なくとも前記第１の配線及び第２の配線の少なくとも一方と接続された複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線の他端と接続された複数の論理ゲート素子が形成された前記第１の領域及び前記第２の領域と異なる第３の領域とを備え、論理ゲートに対応する論理ゲート記号が前記第３の領域を除く前記第１の領域及び/又は前記第２の領域に設けられているのに対して、上記引用例記載の発明はそのような構成を採用していない点で相違するものと認められる。
（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
  各々が第１の方向に延在する複数の第１の配線が形成された第１の領域と、各々がほぼ前記第１の方向に延在する複数の第２の配線が形成された前記第１の領域と異なる第２の領域と、各々が前記第１の方向と異なる第２の方向に延在するように形成され、且つ一端が少なくとも前記第１の配線及び第２の配線の少なくとも一方と接続された複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線の他端と接続された複数の論理ゲート素子が形成された前記第１の領域及び前記第２の領域と異なる第３の領域とを備えた半導体装置は特開昭５７−２１１２４７号公報に示すように周知である。そして、このような周知の半導体装置において上記引用例記載の技術を採用することに格別の創意工夫を必要としない。また、論理ゲート識別記号をどこに設けるかは単なる設計的事項にすぎず、本願第１発明が論理ゲート記号を第３の領域を除く第１の領域及び/又は第２の領域に設けることに格別の意義もない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たものと認められる。
（むすび）
  本願第１発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
平成　３年特許願第１７４１６９号「固体撮像素子」拒絶査定に対する審判事件［　平成　５年　１月２９日出願公開、特開平　５−　２１７８０                        ］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成３年７月１５日の出願であって、その発明の要旨は、平成９年１０月２７日付及び平成１１年４月２日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１及び２に記載されたとおりの「固体撮像素子」にあるものと認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。
　「基板上に複数の受光部、該受光部により光電変換された信号を順次転送する転送部、及び転送された信号を順次読み出す出力部が形成されてなる固体撮像素子であって、
　上記基板上を覆うシリコン酸化膜からなる第１の誘電体層と、
　上記第１の誘電体層上に形成されるシリコン窒化膜からなる第２の誘電体層と、
　上記第２の誘電体層上に形成される第３の誘電体層とを有し、
　上記出力部の形成領域においては上記第２の誘電体層及び上記第３の誘電体層が除去され、上記第１の誘電体層表面が露出してなることを特徴とする固体撮像素子。」
（引用例）
  原審における拒絶の理由において引用された特開平２−２６７５号公報（以下、「引用例」という。）には、「〔産業上の利用分野〕本発明は固体撮像素子に関し、特にカラー用固体撮像素子の検出感度に関するものである。」（第１頁左欄第１５〜１６行）、「〔発明が解決しようとする課題〕上述した従来のカラー固体撮像素子は検出アンプ部もカラーフィルター保護膜が覆われている。通常、この検出アンプ５には第２図（ｂ）に示したようにフローティングアンプが使用されている。従ってこのアンプ５のフローティング拡散層１２の上部にカラーフィルター保護膜７が配置されており、この膜７には通常有機系の膜が使用されている。従来はポリグリシジルメタクリル酸（ＰＧＭＡ）等が使用されているが、この膜７の相対誘電率は４．２と大きな値を持ち、第２図（ｂ）に示したようにフローティング拡散層１２が隣接する電極間との容量Ｃ１及びＣ２が増大し、アンプ５の感度が低下する欠点が生じることになる。」（第２頁左上欄第２０行〜右上欄第１３行）及び「〔実施例〕次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図（ａ）と第１図（ｂ）は本発明の一実施例のカラー用固体撮像素子のチップ平面図及びこの図に於ける検出アンプ部を含む素子断面図を示す。それぞれ図は従来例の第２図（ａ）と第２図（ｂ）に対応したものであって図中の記号は従来例と同一である。第１図の実施例ではカラーフィルター用保護膜７の窓部２７を有しており、ボンディングパッド部６等の上でカラーフィルター用保護膜７を除去する際に同時にマスク材パターンを使用して開口除去する。このようにして第１図（ｂ）に示すようにフローティング拡散層１２上に配置されるカラーフィルター用保護膜７に開口部２７を持たせることによりフローティング拡散層１２（１１は１２の誤り）の容量の増大を防止し、検出感度の低下を防ぐことができる。」（第２頁左下欄欄第２〜１８行）が第１図と共に記載されている。また、明細書には説明されていないが、第１図（ｂ）にはゲート電極を覆う絶縁膜が示されている。してみると、上記引用例には、フローティング拡散層１２が隣接する電極間との容量Ｃ１及びＣ２が増大し、アンプ５の感度が低下するのを防止するために、シリコン基板上の複数のフォトダイオード、該フォトダイオードで光電変換された信号を順次転送する垂直ＣＣＤ及び水平ＣＣＤ、転送された信号を順次読み出すフローティング拡散層からなる検出アンプを有する固体撮像素子において、シリコン基板上を覆う絶縁膜、及びシリコン基板上を覆い、フローティング拡散層上からは除去されているカラーフィルター用保護膜を有する固体撮像素子が記載されているものと認められる。
（対比）
  次に、本願第１発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「シリコン基板」、「フォトダイオード」、「絶縁層」及び「フローティング拡散層からなる検出アンプ」は本願第１発明の「基板」、「受光部」、「第１の誘電体層」及び「出力部」に相当し、上記引用例における「カラーフィルター用保護膜」も本願第１発明における「第２の誘電体層及び第３の誘電体層」も共に誘電体膜であるから、本願第１発明と上記引用例記載の発明とは「基板上に複数の受光部、該受光部により光電変換された信号を順次転送する転送部、及び転送された信号を順次読み出す出力部が形成されてなる固体撮像素子であって、上記基板上を覆う第１の誘電体層及びその上に形成された誘電体膜を有し、上記出力部の形成領域においては上誘電体膜が除去され、上記第１の誘電体層表面が露出してなることを特徴とする固体撮像素子」の点で一致するが、両者は、第１の誘電体層、またその上の誘電体膜が、第１発明においてはシリコン酸化膜、またシリコン窒化膜からなる第２の誘電体層及びその上に形成された第３の誘電体層からなるのに対して、上記引用例記載の発明においてはその材質が不明であり、またカラーフィルター用保護膜からなる点で相違するものと認められる。
（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
  固体撮像素子において第１の誘電体層、またその上の誘電体膜を、シリコン酸化膜、またシリコン窒化膜からなる第２の誘電体層及びその上に形成された第３の誘電体層からなるようにすることは、特開昭６０−３５５６８号公報に示すように（上記公報の「二酸化シリコン膜からなる絶縁膜８」、「絶縁膜８上のナイトライドからなる絶縁膜９」及び「絶縁膜９上のＰＳＧからなる絶縁膜１８」参照）周知であり、上記引用例記載の発明において第１の誘電体層、また誘電体膜として上記周知のシリコン酸化膜、またシリコン窒化膜からなる第２の誘電体層及びその上の誘電体層（ＰＳＧ）を採用することに格別の創意工夫を必要としない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　審判請求人は、審判請求書において、「本願発明のように誘電率の異なる、２種類の層が積層された場合、界面において電荷が蓄積され、この界面に蓄積された電荷が信号電荷に上乗せさせられ、ノイズとなるのを、第３の誘電体層と同時に第２の誘電体層のみを除去することにより界面に電荷が蓄積されることがなく、ノイズが発生することがない。」と主張するが、上記の効果は本願明細書に記載されておらず、自明とも認められないので、上記効果の主張は採用できない。
（むすび）
  本願第１発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第　８７５７８号「空気調和システム」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　７月２３日出願公開、特開平　５−１８０４６９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本件出願は、平成４年３月１２日（優先権主張平成３年１０月２９日）付の特許出願であって、その請求項２に係る発明は、平成７年８月３０日付提出、平成９年７月４日付提出、及び平成９年１２月２２日付提出の手続補正書により補正された明細書及び図面からみて、特許請求の範囲の請求項２に記載されたとおりの次のものにあると認められる。
　「冷媒を圧縮する圧縮機、該圧縮機で圧縮した高温高圧の冷媒を凝縮液化する第１の熱交換器および該第１の熱交換器で凝縮した液冷媒を減圧する流量制御弁を有する室外ユニットと、上記流量制御弁から送られた液冷媒を蒸発させて、上記圧縮機に送り返す第３の熱交換器、および蓄熱材を収納する蓄熱槽を備えた室内ユニットを備えた空気調和システムであって、　上記第三の熱交換器は、室内ユニット内に設置された蓄熱槽内の蓄熱材中に浸漬されていることを特徴とする空気調和システム。」
２．引用例
  これに対して、当審における、平成１１年１０月２６日付けで通知した拒絶の理由に引用し、本件出願の優先権主張の日前の昭和６２年５月１２日に頒布された特開昭６２−１０２０４０号公報（以下、「引用例１」という。）には、
「熱源との間に熱交換用の循環回路が形成された蓄熱槽と、この蓄熱槽内に設けられた通気パイプと、この通気パイプを通して室内に空気を流通させる送風機とを備えていることを特徴とする蓄熱槽一体型空気調和装置。」（その公報の特許請求の範囲に記載）が記載されており、
　さらに具体的には、「第１図は本発明の一実施例の空調装置の概略を示すもので、１…は各部屋毎に設けられた蓄熱槽、２はこの蓄熱槽内に設けられた通気パイプ、３はこの通気パイプを通して室内に空気を流通させる送風機、４は、熱源５と各蓄熱槽１との間に形成された熱交換用の循環回路である。この循環回路４は、ポンプ６、往復の配管７，８、各蓄熱槽内に設けられた熱交換パイプ９…等からなっている。・・・中略・・・例えば、この空調装置により冷房を行う場合には、蓄熱槽１の蓄熱媒体として氷を使用し、循環回路４の熱媒体としてはフロンなどを使用すると効率よく行える。そして、電気料金の安い夜間に熱源（エバポレイティブコンデンサ等）５を作動させ、ポンプ６を作動させて蓄熱槽１と熱交換を行わせ、蓄熱槽１に熱エネルギーを蓄え、必要なときに送風機３を作動させて冷風を室内に送り込む。」（その公報の第２頁左上欄第７行から同右上欄第２０行に記載）と記載されている。
　そして、上記記載及び図面の記載からみて、上記蓄熱槽１内には熱交換パイプ９が蓄熱媒体内に浸漬された状態に配置されており、また、通気パイプ２、送風機３が設けられた蓄熱槽１は、室内ユニットを構成していると解することができる。
３．対比・判断
　引用例１に記載のものと本件出願の特許請求の範囲の請求項２に記載された発明とを比較判断するにあたって、まず、従来の空調システムの技術を検討すると、
　蓄熱槽は室内側にはないものの、冷媒を圧縮する圧縮機、該圧縮機で圧縮した高温高圧の冷媒を凝縮液化する熱交換器、該熱交換器で凝縮した液冷媒を減圧する手段を有する室外ユニットと、上記減圧された液冷媒を蒸発させる熱交換器と、室外側にある蓄熱槽と、室内ユニットとを有し、液冷媒を蒸発させる前記熱交換器を室外側にある前記蓄熱槽内の蓄熱材に浸漬した状態に配置し、蓄熱槽内に蓄熱された冷熱を室内ユニットに導いて室内に放熱するような空調システム自体は、例えば、実願昭４６−１２０４９２号（実開昭４８−７４６３７号）のマイクロフィルム等にも示されているように従来周知の技術事項である。そして、室外ユニットにおいて、液冷媒を減圧するための手段として流量制御弁を用いるようなことも引用例を示すまでもなく従来周知の技術事項である。
　そこで、上記の従来周知の技術事項をふまえて引用例１に記載のものと本件出願の特許請求の範囲の請求項２に記載された発明とを比較判断すると、上記の従来周知の技術における、圧縮機で圧縮した高温高圧の冷媒を凝縮液化する熱交換器は、本件発明の「第1の熱交換器」に対応し、液冷媒を蒸発させる熱交換器は、本件発明の「第３の熱交換器」に対応しているから、請求項２に記載された発明は、前記従来周知の空調システムと比較して、蓄熱材を収納する蓄熱槽を備えた室内ユニットを備えていると共に、上記第三の熱交換器は、室内ユニット内に設置された蓄熱槽内の蓄熱材中に浸漬されている点で相違しているものと認められる。
　しかしながら、上記引用例１に記載のものには、通気パイプ２、送風機３が設けられた蓄熱槽１が空調すべき室内に設置されており、この通気パイプ２、送風機３が請求項２に記載された発明の室内ユニットに対応していることから、室内ユニットに蓄熱槽を設けるようなことは格別なことではなく、また、引用例１に記載の上記蓄熱槽１内には熱交換パイプ９が蓄熱媒体内に浸漬された状態に配置されており、この熱交換パイプ９は請求項２に記載された発明の「第３の熱交換器」に対応しており、結局、前記従来周知の空調システムを備えた空調システムに上記引用例１に記載されたものを応用して、室外側に設けられていた蓄熱槽を室内ユニットに備えるようにして請求項２に記載された発明のように構成するようなことは当業者が必要に応じて容易に想到をすることができたものである。
４．むすび
　よって、請求項２に係る発明は、引用例１に記載されたものに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　２年特許願第２９６５０１号「セラミックヒーター」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　６月１７日出願公開、特開平　４−１６９０９０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年１０月３１日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、平成９年１２月１７日付け、平成１０年７月２４日付け及び平成１１年４月５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「スクリーン印刷法により形成した発熱抵抗体パターンを窒化珪素質焼結体中に埋設してなるセラミックヒーターであって、前記セラミックヒーターに通電して９００℃以上に発熱する実効発熱部の発熱抵抗体パターンは、該発熱抵抗体パターンの最大断面積と最少断面積の差と、これら２つの断面積の中間値との比率を２０％以下としたことを特徴とするセラミックヒーター。」
　２．引用例の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された実願昭６３−９８６０３号（実開平２−２０２９３号）のマイクロフィルム（以下、「引用例」という）には、窒化珪素質セラミック焼結体内に導電性セラミック焼結体製の発熱体を埋設してなるセラミックヒータに関して、下記の事項が表１及び図面（第１図乃至第５図）とともに記載されている。
　記載事項１
　「本考案のセラミックヒータＧは、棒状の窒化珪素質焼結体１内に、導電性セラミック焼結体よりなる発熱体２を長手方向に埋設し、前記窒化珪素質焼結体１の中間に金属外筒３を外嵌し、後端に金属キャップ４をかぶせて各々ろう付けされてなる。」（第７頁２行乃至７行）
　記載事項２
　「発熱体２は、第２図および第３図に示す如く、厚さが一定で断面は長方形であり、全体が略Ｕ字状を呈する。先端側部２１（図示左側部）は幅が狭く、且つ一定となって主発熱部分を構成する。・・・中略・・・ここで発熱体２の先端側部２１の幅Ｗ１および厚さｔは表１に示す値をとる。」（第７頁２０行乃至第８頁１１行）
　記載事項３
　「本考案のセラミックヒータＧの製造方法は次のとおりである。
　（ア）平均粒径０．５μｍの炭化タングステン（ＷＣ）７０重量％と平均粒径１．５μｍの窒化珪素（・・・）３０重量％とに、周知のグリーンシート製造用有機質の結合剤を加え、混合し、ドクターブレード法により厚さの異なる生シートを製造する。
　（イ）第３図に示す形状の未焼成発熱体を打ち抜く。
　・・・中略・・・
　（エ）この混合粉末中に打ち抜いた未焼成発熱体を埋設し、プレス成形した後、１７５０℃で３０分、圧力３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレス焼成を行い焼結体を得る。
　・・・中略・・・
　（カ）金属外筒３を外嵌し、金属キャップ４をかぶせ、それぞれろう付け面２４、２５をろう付けする。」（第９頁７行乃至第１０頁１１行）
　記載事項４
　「つぎに本考案を第４図に示す第２実施例に基づき説明する。
　本実施例のセラミックヒータＨの発熱体２は、第４図に示す如く、先端側部２１は幅が一定となって主発熱部を構成し後端側の一端（図示右側上方部）は、段部２６を介して内側に向かって幅が広くなり、ろう付け面２４付近で段部２３を介して外側に向かって幅が広くなっている。ここで発熱体２の主発熱部分の幅W１および厚さｔは表１に示す値をとる。」（第１０頁１２行乃至第１１頁１行）
　記載事項５
　「つぎに表１に結果を示した、本考案の第１実施例および第２実施例のセラミックヒータＧ、Ｈおよび比較品の試験方法について述べる。
　（い）セラミックヒータＧにおいては、発熱体２の厚さｔおよび幅Ｗ１を表１に示すように１１種類を、セラミックヒータＨにおいては６種類を、各３個ずつ試験用のセラミックヒータを製造する。ここで発熱体２の主発熱部分の１本あたりの断面積をセラミックヒータの断面積の１／３８以下とは、窒化珪素質焼結体１の直径が３．５ｍｍであるため、発熱体２の主発熱部分の片方側の断面積は約０．２５ｍｍ２以下を意味する。表１中＊印のものは本考案の請求の範囲から外した比較品である。
　（ろ）これら試験用のセラミックヒータを電源に接続し、飽和温度１２００℃で一分間通電、一分間エアー吹き付けによる強制冷却の繰返し通電加熱試験を実施する。」（第１１頁１２行乃至第１３頁９行）
　記載事項６
　「ｅ．発熱体の製造方法として、生シートの打ち抜きによるもののほか、射出成形法、未焼成セラミック成形体上へのスクリーン印刷法等の既知の手段を用いても良い。」（第１５頁３行乃至６行）
　３．対比・判断
　引用例に記載された上記各記載事項について検討するに、記載事項６には、発熱体の製造方法として、生シートの打ち抜きによるもののほか、未焼成セラミック成形体上へのスクリーン印刷法等の既知の手段を用いても良いことが記載されているから、引用例に記載された発明は、記載事項１の導電性セラミック焼結体よりなる発熱体２としては、記載事項３に記載されている生シートからプレス成形したもののほか、記載事項６に記載されたセラミック成形体上へのスクリーン印刷法により形成した発熱体も含まれることは、明らかであるから、引用例に記載された発明のセラミックヒーターは、本件発明の「スクリーン印刷法により形成した発熱抵抗体パターンを窒化珪素質焼結体中に埋設してなるセラミックヒーター」と実質的に同じものである。
　また、記載事項５には、「（ろ）これら試験用のセラミックヒータを電源に接続し、飽和温度１２００℃で一分間通電、一分間エアー吹き付けによる強制冷却の繰返し通電加熱試験を実施する。」との記載があることから、引用例に記載された発明の発熱体２の主発熱部分（本願発明の実効発熱部に相当）が通電時には９００℃以上に発熱することも明らかである。
　さらに、引用例には、発熱体２の主発熱部分の断面積について、本願発明のように最大断面積と最少断面積の差を、これら２つの断面積の中間値との比率を２０％以下としたことについての直接的な記載はないが、記載事項２には、「発熱体２は、第２図および第３図に示す如く、厚さが一定で断面は長方形であり、全体が略Ｕ字状を呈する。先端側部２１（図示左側部）は幅が狭く、且つ一定となって主発熱部分を構成する。・・・中略・・・ここで発熱体２の先端側部２１の幅Ｗ１および厚さｔは表１に示す値をとる。」と記載されており、記載事項４及び５にも、同様の記載があることから、引用例に記載された発明の発熱体２の主発熱部分は、幅Ｗ１、厚さｔ及び断面積（Ｗ１×ｔ）については不可避的な製造上のばらつきはあるとしても略一定の値と見なすことができるように形成されるものであることは明らかであるから、引用例に記載された発明の発熱体２の主発熱部分は、その断面積が、実質的に本願発明と同様に最大断面積と最少断面積の差を、これら２つの断面積の中間値との比率を２０％以下とするように形成されているものと認められる。
　そうすると、本願発明と引用例に記載された発明とを対比しても、実質的な構成上の相違点を認めることができないものであるから、本願発明と引用例に記載された発明とは、実質的に同一であると認める。
　４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。