【事件の表示】
　平成　８年特許願第　３２４３９号「半導体レーザ及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　９月　５日出願公開、特開平　９−２３２６７８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１，本願発明
　本願は、平成８年２月２０日の出願であって、その請求項１ないし９に係る発明は、平成１０年１０月５日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「【請求項１】　横モード制御のためのメサ型クラッド層を有する半導体レーザであって、
　前記メサの、導波路方向と垂直な断面形状は、台形を２段もしくは３段以上に重ねた形をしており、
　前記多重台形形状において、活性層から遠い側の台形の下底辺の長さは、活性層に近い側の台形の上底辺の長さより長く、
　前記多重台形形状の活性層から遠い側の台形部分を構成する半導体の組成は、エッチャントに対して、活性層から近い側の台形部分を構成する半導体の組成よりエッチングレートが遅い組成となっており、
　さらに、前記メサを構成するクラッド層は、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０．５≦Ｘ≦０．８）からなる半導体層を含むことを特徴と半導体レーザ。」　
　（なお、本願明細書について、平成１１年２月１５日付けで手続補正がなされたが、これは本審決と同日付けで補正却下の決定がなされたので、本願発明は上記のとおりに認定した。）
２，刊行物記載の発明
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された、この出願前公知の
刊行物：特開平７−２９７４８３号公報には、
「【００１９】ｐ形クラッド層のＡｌ組成が活性層との界面から段階的に減少してもよく、・・・連続的に減少してもよい。・・・
【００２１】第２の発明に係る半導体レーザ装置は、クラッド層からなるリッジ部が活性層上に形成された半導体レーザ装置において、リッジ部の上部の幅がリッジ部の下部の幅に近くなるようにクラッド層の組成が設定されたものである。
【００２２】好ましくは、リッジ部の上部領域におけるｐ形クラッド層のＡｌ組成がリッジ部の下部領域におけるｐ形クラッド層のＡｌ組成よりも小さくなっている。」（４欄１１〜３１行）、
「【００２６】第２の発明に係る半導体レーザ装置においては、クラッド層の組成を調整することにより、リッジ部の上部の幅がリッジ部の下部の幅に近くなっている。したがって、光導波路の水平方向の幅を狭く保ちつつリッジ部における抵抗を小さくすることができる。その結果、レーザビームの形状を真円に近く保ちつつ、しきい値電流を低減させることができる。」（５欄３〜９行）、
「【００４５】図９の半導体レーザ装置においては、Ｓ−ＭＱＷ活性層４上に、ＭＱＢ層６を挟んでｐ−（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｐ−第１クラッド層５ｄ、５ｅが形成され、されにその上にｐ−（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｐ−第２クラッド層５ｆが形成されている。・・・
【００４７】ｐ−第２クラッド層５ｆのＡｌ組成ｘは、ｐ−第１クラッド層５ｄ、５ｅのＡｌ組成ｘよりも小さく設定されている。図１０に示すように、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＩｎＰ中のＡｌ組成ｘが小さいほどエッチングレートが遅いので、ｐ−第２クラッド層５ｆのエッチング速度はｐ−第１クラッド層５ｅのエッチング速度よりも遅くなる。」（７欄２２〜３９行）、
「【００５１】図１１に示すように、・・・ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３および・・・Ｓ−ＭＱＷ活性層４上に、・・・ｐ−第１クラッド層５ｄ、・・・ｐ−第１クラッド層５ｅおよび・・ｐ−第２クラッド層５ｆを結晶成長させる。
【００５２】ここで、ｐ−第１クラッド層５ｄ，５ｅにおけるＡｌ組成ｘは、Ｓ−ＭＱＷ活性層４との屈折率差を大きくして光の閉じ込めを強くするために、０．６≦ｘ≦１に設定し、好ましくは、０．６５≦ｘ≦０．８に設定する。また、ｐ−第２クラッド層５ｆにおけるＡｌ組成ｘは、リッジ部の上部の幅を従来よりも広くするために、０≦ｘ＜０．６に設定し、・・・さらに、・・・ｐ−第２クラッド層５ｆ上にｐ−コンタクト層７およびｐ−キャップ層８を結晶成長させた後、ｐ−キャップ層８上にストライプ状のＳｉＯ２マスク１３を作製する。
【００５４】次に、図１２に示すように、湿式エッチングによりＳｉＯ２マスク１３の領域を除いてｐ−キャップ層８、ｐ−コンタクト層７、ｐ−第２クラッド層５ｆおよびｐ−第１クラッド層５ｅの途中までを除去し、リッジ部を形成する。」（８欄１〜２９行）、
「【００５６】このようにして製造された図９の半導体レーザ装置においては、リッジ部の上部の幅ｄ３を広く保ちつつリッジ部の下部の幅ｄ２を狭くすることができる。それにより、リッジ部における直列抵抗を低く保ちつつレーザ光の水平広がり角を狭くすることができる。その結果、しきい値電流が少なくなり、かつレーザビームの形状が真円に近くなる。」（８欄４１〜４７行）と記載されている。又、図１２および図１３には、リッジ部の、導波路と垂直な断面形状は、台形を２段重ねた多重台形形状をしており、前記多重台形形状において、活性層から遠い側の第２クラッド層５ｆの台形（５４）の下底辺の長さは、活性層に近い側の第１クラッド層５ｅの台形（５３）の上底辺の長さより長くされたものが図示されている。
　以上によれば、上記刊行物には、
「レーザ光の水平広がり角を狭くすることができるリッジ部を有する半導体レーザ装置において、前記リッジ部の、導波路と垂直な断面形状は、台形を２段重ねた形をしており、前記多重台形形状において、活性層から遠い側の第２クラッド層５ｆの台形の下底辺の長さは、活性層に近い側の第１クラッド層５ｅの台形の上底辺の長さより長く、第２クラッド層５ｆのエッチングレートは第１クラッド層５ｅのエッチングレートよりも遅くなるように、前記多重台形形状を構成する半導体の組成（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐを、第１クラッド層５ｄ，５ｅにおけるＡｌ組成ｘを、０．６５≦ｘ≦０．８に設定し、第２クラッド層５ｆにおけるＡｌ組成を、０≦ｘ＜０．６に設定した半導体レーザ装置。」の発明が記載されている。
３，当審の判断
　そこで、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）と刊行物記載の発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、　引用発明の「レーザ光の水平広がり角を狭くする」、「リッジ部」、「活性層から遠い側の第２クラッド層」、「活性層に近い側の第１クラッド層５ｅの」及び「半導体レーザ装置」は、本願発明の「横モード制御」、「メサ」、「活性層から遠い側の台形部分を構成する半導体」、「活性層から近い側の台形部分を構成する半導体」及び「半導体レーザ」にそれぞれ相当する。
　したがって、両者は、
「横モード制御のためのメサ型クラッド層を有する半導体レーザであって、
　前記メサの、導波路方向と垂直な断面形状は、台形を２段もしくは３段以上に重ねた形をしており、
　前記多重台形形状において、活性層から遠い側の台形の下底辺の長さは、活性層に近い側の台形の上底辺の長さより長く、
　前記多重台形形状の活性層から遠い側の台形部分を構成する半導体の組成は、エッチャントに対して、活性層から近い側の台形部分を構成する半導体の組成よりエッチングレートが遅い組成となっており、
　さらに、前記多重台形形状を構成する半導体層の組成は、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（Ｘ≦０．８）である半導体レーザ。」の発明で一致し、下記の点で相違する。
  相違点：半導体層の組成（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５ＰのＡｌ組成Ｘを、本願発明では、０．５≦Ｘ≦０．８と規定しているのに対し、引用発明では、第１クラッド層５ｄ，５ｅにおけるＡｌ組成ｘを、０．６５≦ｘ≦０．８に設定し、第２クラッド層５ｆにおけるＡｌ組成を、０≦ｘ＜０．６に設定した。
　上記相違点につき検討する。
　引用発明のＡｌ組成ｘは、第１クラッド層５ｄ，５ｅ、第２クラッド層５ｆのいずれにおいても、本願発明の（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０．５≦Ｘ≦０．８）と重なる部分を有している。ところで、本願明細書の記載をみても、下限値を０．５に規定したことによる臨界的意義は何も明らかにされていない。むしろ、前審における平成１０年１０月５日付けの意見書によれば、当該数値範囲は、所望のエッチング形状を得るための最適値を実験的に求めることにより得られたものと認められる。
　してみれば、本願発明において、Ａｌ組成Ｘを前記数値範囲に規定したことも格別困難であると認めることはできない。
　そして、本願発明の効果は、引用発明から当業者が予想できる程度のものであり、格別ということはできない。
４，むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。