【事件の表示】
　特許第３１６６４９０号「ＢＧＡ型半導体装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６６４９０号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３１６６４９０号（平成６年７月６日出願、平成１３年３月９日設定登録）は、異議申立人足立信幸により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１２月２７日に訂正請求がなされ、さらに取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年４月４日に新たな訂正請求がなされるとともに、平成１５年７月１７日に先の訂正請求を取り下げたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１の「スルーホールの直下に形成されたボールパッド」を「スルーホールの直下に形成された円状のボールパッド」と訂正するとともに、「このボールパッド上に形成されたボール状バンプとを備える」を「このボールパッド上にボール振り込み法により形成されたボール状バンプを備える」と訂正する。
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の発明の詳細な説明の段落【０００６】８行の「ボールパッド上に形成されたボール状バンプとを備える」を「ボールパッド上にボール振り込み法により形成されたボール状バンプを備える」と訂正する。
（１−３）訂正事項ｃ
　同発明の詳細な説明の段落【０００９】６〜７行の「スルーホール直下に形成されたボールパッド」を「スルーホールの直下に形成された円状のボールパッド」と訂正する。
（１−４）訂正事項ｄ
　同発明の詳細な説明の段落【００１６】１１〜１２行の「ボール状バンプ２４は、半田ペースト印刷法やボール振り込み法等により形成するのが好ましい。」を「ボール状バンプ２４は、ボール振り込み法等により形成するのが好ましい。」と訂正する。
（１−５）訂正事項ｅ
　同発明の詳細な説明の段落【００１７】９〜１０行の「ボールパッド１６がスルーホール１２の直下に形成されているので、」を「ボールパッド１６が基板１１の他面側のスルーホール１２の外周部に形成されているので、」と訂正する。
（１−６）訂正事項ｆ
　同発明の詳細な説明の段落【００２９】７行の「外部接続端子となるバンプとを」を「外部接続端子となるボール振り込み法により形成されたボール状バンプを」と訂正する。
（１−７）訂正事項ｇ
　同発明の詳細な説明の段落【００３０】３行の「外部接続端子となるバンプ」を「外部接続端子となるボール振り込み法により形成されたボール状バンプ」と訂正する。
　
（２）訂正の適否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の発明の詳細な説明の段落【００１６】、段落【００２４】に記載されており、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−２）訂正事項ｂ〜ｄ、ｆ、ｇについて
　訂正事項ｂ〜ｄ、ｆ、ｇは、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるための訂正であって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（２−３）訂正事項ｅについて
　「ボールパッド１６が基板１１の他面側のスルーホール１２の外周部に形成されている」ことは、特許明細書の段落【０００６】〜段落【０００８】、段落【００１７】〜段落【００１８】、段落【００２０】〜段落【００２２】のボールパッドに関する記載に基づくものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項ａ〜ｇについては、いずれも願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）本件発明
　上記のとおり、訂正は認められるから、本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「複数のスルーホールがアレイ状に開孔された絶縁性を有する基板と、この基板に開孔されたスルーホールの壁面に形成されためっきと、このめっきが形成されたスルーホールの内部に充填された導電性樹脂と、前記基板の片面側の導電性樹脂が充填されたスルーホールの直上に形成された配線パッドと、この配線パッドから延在する配線パターンと、前記基板の他面側の導電性樹脂が充填されたスルーホールの直下に形成された円状のボールパッドと、このボールパッド上にボール振り込み法により形成されたボール状バンプを備えることを特徴とするＢＧＡ型半導体装置。」
　
（２）平成１４年１０月２５日付取消理由通知で引用された刊行物の記載事項
（２−１）刊行物１
　刊行物１の実願平１−９９３３（実開平２−１０２７３８号）のマイクロフィルムには、半田バンプを備えたＩＣ装置の実装構造に関する発明が第４、５図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　「両面に導電パターンを有する回路基板の上面側にＩＣチップを実装し、上面側の導電パターンと下面側の導電パターンとをスルーホールを介して接続するとともに、下面側の導電パターンに半田ボールを形成して外部接続電極とするＩＣ実装装置に於いて、前記回路基板のスルーホール内には回路基板の下面側に突出した金属ピンを植設し、該金属ピンを包み込む形状に前記半田ボールを形成したことを特徴とするＩＣ実装構造。」（実用新案登録請求の範囲）
　「第４図及び第５図に於いて、１はＰＰＧＡ、２は回路基板としての樹脂基板であり、該樹脂基板２の上面側の導電パターン２ａと下面側の導電パターン２ｂとはスルーホール２ｃによって接続されるとともに、前記下面側の導電パターン２ｂには外部接続電極としての半田ボール５が設けられている。」（４頁１３〜１９行）
　「半田ボール５の形成方法としては、多数のスルーホール２Ｃに金属ピン４を植設した状態に於いて樹脂基板２の下面側を半田槽に浸漬することによって第５図に示すごとく多数の半田ボール５を同時に形成することが出来る。」（５頁１０〜１４行）
　
（２−２）刊行物２
　刊行物２の特開平４−２３９１９４号公報には、回路部品を実装するための配線層を複数有する積層プリント基板の構造に関する発明が図１、２とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「図１には、本発明の実施例に係るプリント基板の製造工程が示されており、図示のプリント基板１０は・・・有機基材からなる基板１２に４層のプリント配線層Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが積層されている。図（ａ）に示されるように、プリント基板の所定位置にスルーホール１４が形成され、このスルーホール１４内からその周囲には第１の銅層２４が無電解メッキ法により付着される・・・。そして、図（ｂ）に示されるように上記スルーホール１４内にはカーボン系又は金属性の導電性粉末を混入した熱硬化性樹脂（導電性ペースト）２６を充填して硬化させる。
　・・・上記導電性粉末入りの熱硬化性樹脂２６が硬化した後には、図（ｃ）に示されるようにスルーホール１４を中心とした領域に第２の銅層２８ａ、２８ｂをプリント基板１０の表裏に約１０μの厚さで形成する。この場合の第２の銅層２８ａ、２８ｂは、スルーホール１４内に導電性の熱硬化性樹脂２６を充填したので、電解メッキ法により短時間に付着させることができる。そして、最後に図（ｄ）に示されるように、第１の銅層２４及び第２の銅層２８ａ、２８ｂの両者の不用な部分をエッチングにより除去し、プリント基板１０の表裏のスルーホール１４の位置に所定の大きさのスルーホールランド３０ａ、３０ｂを設ける。
　・・・図２は、上記図１のようにして製作したプリント基板１０に面実装部品を実装した状態が示されており、実施例のプリント基板１０の表面では、熱硬化性樹脂２６が充填されたスルーホール１４上に形成されたスルーホールランド３０ａと端子３２との間に面実装部品３４が半田２２により実装され、また裏面ではスルーホールランド３０ｂと端子３６との間に面実装部品３８が半田２２により実装される。この実施例によれば、ソルダーレジスト２０を用いずに半田付けすることができ、また従来では回路部品を取り付けることができずデッドスペースとなっていたスルーホール部（１４）を実装領域として有効に活用でき、部品の実装密度を高めることが可能となる。」（２頁２欄２８行〜３頁３欄１４行）
　
（３）対比・判断
　本件発明と刊行物１に記載の発明とを対比すると、本件発明における「導電性樹脂」と刊行物１に記載の「金属ピン」とは、導電体として共通しているから、両者は、「複数のスルーホールがアレイ状に開孔された絶縁性を有する基板と、この基板に開孔されたスルーホールの壁面に形成された導体と、この導体が形成されたスルーホールの内部に形成された導電体と、基板の片面側のスルーホールに形成された配線パッドと、配線パッドから延在する配線パターンと、スルーホールの直下に形成されたボールパッドを備える半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
ａ）スルーホールの導体が、本件発明ではスルーホールの壁面にめっきを形成するとともにスルーホールの内部に導電性樹脂を充填して、このスルーホールの直上に配線パッドを形成するとともにスルーホールの直下に円状のボールパッドを形成したのに対し、刊行物１に記載の発明ではスルーホール内に金属ピンを植設して、このスルーホールの壁面と基板の両面側に導電パターンを形成した点。
ｂ）ボール状バンプについて、本件発明ではボールパッド上にボール振り込み法によりボール状バンプを形成したのに対し、刊行物１に記載の半田ボールの形成方法はそのようなものではない点。
ｃ）発明の対象が、本件発明ではＢＧＡ型半導体であるのに対し、刊行物１に記載の発明はＰＰＧＡ型半導体である点。
　
　そこで上記相違点について検討する。
相違点ａ）について
　刊行物２には、プリント基板のスルーホールの周囲に銅メッキ層を付着してから熱硬化性樹脂を充填することが記載されているものの、刊行物１に記載の発明は、スルーホール内に金属ピンを植設することにより、金属ピンの突出量に応じて任意の高さに半田ボールを形成することができること、加熱溶融時に金属ピンの先端をマザーボード上の導電パターン面に突き当てて間隙を規制すること、さらに溶融した半田が金属ピンに吸収されてパターン外への流出防止ができることなどの作用効果をねらったものであり、この金属ピンに替えて、刊行物２に記載のようにスルーホールの周囲に銅メッキ層を付着してから熱硬化性樹脂を充填する手段を採用することは、刊行物１に記載の発明の課題、金属ピンの作用効果からみて、容易に想到することができないものである。
　
　そして、本件発明は、バンプのピッチを最小にすることができ、基板のサイズを最小にすることができ、また、配線パターン設計の自由度が高く，ＬＳＩチップの電極パッドからバンプまでの距離を最短にすることができるとの、明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明は、上記相違点ｂ）、ｃ）については検討するまでもなく、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許について拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　また、他に本件発明の特許について拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月３０日（２００３．７．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ＢＧＡ型半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　複数のスルーホールがアレイ状に開孔された絶縁性を有する基板と、この基板に開孔されたスルーホールの壁面に形成されためっきと、このめっきが形成されたスルーホールの内部に充填された導電性樹脂と、前記基板の片面側の導電性樹脂が充填されたスルーホールの直上に形成された配線パッドと、この配線パッドから延在する配線パターンと、前記基板の他面側の導電性樹脂が充填されたスルーホールの直下に形成された
円状の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）型半導体装置に関し、詳しくは、広く産業用または民生用に使用されるコンピュータや電子機器に組み込まれるＬＳＩチップ、ＶＬＳＩチップに適用されるＢＧＡ型半導体装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＬＳＩチップが高集積化されるに伴い、このＬＳＩチップを搭載するパッケージが多ピン化されるとともに、伝送される信号も高速化されている。従来より、このような多端子ＬＳＩチップに対応するパッケージとしては、ＱＦＰやＰＧＡ型パッケージが広く用いられている。
　【０００３】
　しかしながら、上述するＱＦＰに用いられるリードフレームのピン・ピッチは、最小でも０．３ｍｍまでに微細化するのが限界であり、このため実用的なＱＦＰの外形サイズを考慮すれば、３００〜４００ピン程度が上限であると考えられる。従って、近い将来には４００〜７００ピン程度のパッケージを対象として検討を開始しなければならないが、上述するようにＱＦＰではこれに対応することは困難な状況である。また、ＬＳＩチップは、その処理速度も年々高速化されているので、パッケージのリード部を伝送される信号波形にも歪みのないものが要求されているが、ＱＦＰは多ピン化されるに応じて、ＬＳＩチップの電極パッドからパッケージの外部接続端子までが長くなるので、どうしても高速化が進むと信号波形の伝送特性が劣化するという問題点があった。
　【０００４】
　一方、ＰＧＡ型パッケージは、大型コンピュータに組み込まれるパッケージを主体として検討が加えられてきた。このＰＧＡ型パッケージは、構造的にはＢＧＡ型パッケージとの共通点も多いが、ＢＧＡ型パッケージと最も違う点は、ＢＧＡ型パッケージの外部接続端子がはんだボール等であるのに対し、ＰＧＡ型パッケージの外部接続端子はピンであることである。また、このＰＧＡ型パッケージをプリント基板等に実装するには、通常、プリント基板側に用意したソケットにＰＧＡ型パッケージのピンを差し込んで電気的接続を行っているが、このため、ＰＧＡ型パッケージを実装するソケットが非常に微細な構造となり、ソケットの製作限界からＰＧＡ型パッケージのピン・ピッチが決定され、ＱＦＰと同様にピン・ピッチに制限があるという問題点があった。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、前記従来技術に基づく種々の問題点をかえりみて、多ピン化、特に３００〜７００ピンの多ピン化に対応することができるとともに、ＬＳＩチップの高速動作にも対応することができるＢＧＡ型半導体装置を提供することにある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明の参考例としてのＢＧＡ型半導体装置は、複数のスルーホールがアレイ状に開孔された絶縁性を有する基板と、この基板に開孔されたスルーホールの内部に充填された導電性樹脂と、前記基板の片面側のスルーホールの外周部に形成された配線パッドと、この配線パッドから延在する配線パターンと、前記基板の他面側のスルーホールの外周部に形成されたボールパッドと、このボールパッド上に形成されたリング状バンプ、あるいは前記スルーホールを含むボールパッド上にボール振り込み法により形成されたボール状バンプを備えるものである。
　【０００７】
　また、本発明の他の参考例としてのＢＧＡ型半導体装置は、複数のスルーホールがアレイ状に開孔された絶縁性を有する基板と、この基板に開孔されたスルーホールの壁面に形成されためっきと、前記基板の片面側のスルーホールの外周部に形成された配線パッドと、この配線パッドから延在する配線パターンと、前記基板の他面側のスルーホールの外周部に形成されたボールパッドと、このボールパッド上に形成されたリング状バンプ、あるいは前記スルーホールを含むボールパッド上に形成されたボール状バンプとを備えるものである。
　【０００８】
　また、本発明のもう１つの参考例としてのＢＧＡ型半導体装置は、複数のスルーホールがアレイ状に開孔された絶縁性を有する基板と、この基板に開孔されたスルーホールの壁面に形成されためっきと、このめっきが形成されたスルーホールの内部に充填された導電性樹脂と、前記基板の片面側のスルーホールの外周部に形成された配線パッドと、この配線パッドから延在する配線パターンと、前記基板の他面側のスルーホールの外周部に形成されたボールパッドと、このボールパッド上に形成されたリング状バンプ、あるいは前記スルーホールを含むボールパッド上に形成されたボール状バンプとを備えるものである。
　【０００９】
　さらに、本発明の実施例としてのＢＧＡ型半導体装置は、複数のスルーホールがアレイ状に開孔された絶縁性を有する基板と、この基板に開孔されたスルーホールの壁面に形成されためっきと、このめっきが形成されたスルーホールの内部に充填された導電性樹脂と、前記基板の片面側の導電性樹脂が充填されたスルーホールの直上に形成された配線パッドと、この配線パッドから延在する配線パターンと、前記基板の他面側の導電性樹脂が充填されたスルーホール直下に形成された
円状の
　【００１０】
　【発明の作用】
　本発明のＢＧＡ型半導体装置は、ＬＳＩチップを搭載するパッケージの外部接続端子、即ち、プリント基板やＭＣＭ（マルチ・チップ・モジュール）基板等との接続端子として、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）を適用したもので、基板の片面には、基板に開孔されたスルーホールの直上に配線パッドと、この配線パッドとＬＳＩチップの電極パッド等とを接続する配線パターンだけを形成し、基板の他面には、基板に開孔されたスルーホールの直下にボールパッドと、このボールパッド上に外部接続端子となるバンプとを形成し、基板に開孔されたスルーホールを介して、基板の片面に形成された配線パッドと、基板の他面に形成されたボールパッドとを、互いに電気的に接続したものである。
　【００１１】
　ここで、本発明の参考例としてのＢＧＡ型半導体装置は、基板の片面に形成された配線パッドと、基板の他面に形成されたボールパッドとを、互いに電気的に接続するために、スルーホールの内部に導電性樹脂、例えば、銅粉を混在した銅ペースト等を充填したものである。同様に、本発明の他の参考例としてのＢＧＡ型半導体装置では、スルーホールの壁面にめっきを施し、本発明のもう１つの参考例として、及び本発明の実施例としてのＢＧＡ型半導体装置では、スルーホールの壁面にめっきを施し、さらにこのめっきが施されたスルーホールに導電性樹脂を充填したものである。また、本発明の実施例としてのＢＧＡ型半導体装置においては、上述する配線パッドおよびボールパッドを形成する際に、スルーホールに充填された導電性樹脂にめっきを施し、配線パッドおよびボールパッドの平坦度を向上させたものである。
　【００１２】
　従って、基板に碁盤目状にスルーホールを開孔し、このスルーホールの直下にボールパッドを形成し、このボールパッド上に外部接続端子となるバンプを形成するので、バンプのピッチを最小にすることができ、基板のサイズを最小にすることができる。また、基板の片面には、ＬＳＩチップの電極とスルーホールの直上に形成された配線パッドとを接続する配線パターンだけを形成し、基板の他面には、スルーホールの直下にボールパッドが形成され、このボールパッド上にバンプが形成されているので、配線パターン設計の自由度が高く、ＬＳＩチップの電極パッドからバンプまでの距離を最短にすることができるので、ＬＳＩチップの高速動作に伴う信号の伝送特性を改善することができ、ノイズによる信号の伝送特性の劣化を防止することができる。
　【００１３】
　【実施例】
　以下に、添付の図面に示す好適実施例に基づいて、本発明のＢＧＡ型半導体装置を詳細に説明する。
　【００１４】
　図１（ａ）は、本発明のＢＧＡ型半導体装置の一参考例の部分断面図である。同図に示すＢＧＡ型半導体装置１０において、基板１１にはスルーホール１２が開孔され、この基板１１の片面側には配線パッド１４と、この配線パッド１４から延在する配線パターン（図示せず）とが形成され、同様に、この基板１１の他面側にはボールパッド１６が形成されている。また、このボールパッド１６上にはリング状バンプ２０が形成され、基板１１の片面側に形成された配線パッド１４と、基板１１の他面側に形成されたボールパッド１６とは、基板１１に開孔されたスルーホール１２に導電性樹脂１８を充填することにより、互いに電気的に接続されている。
　【００１５】
　また、図１（ｂ）は、本発明のＢＧＡ型半導体装置の別の参考例の部分断面図である。同図に示すＢＧＡ型半導体装置２２は、図１（ａ）に示すＢＧＡ型半導体装置１０と比較して、リング状バンプ２０の代わりにボール状バンプ２４を形成した点が異なるだけなので、同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。即ち、図１（ｂ）に示すＢＧＡ型半導体装置２２は、導電性樹脂１８が充填されたスルーホール１２を含むボールパッド１６上にボール状バンプ２４を形成したものである。
　【００１６】
　ここで、基板１１は、絶縁性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、テープ状に形成されたポリイミドフィルムやガラスエポキシフィルム等を用いて、上述する開孔、パターン形成およびバンプ形成を連続的に行うことができるのが好ましい。また、基板１１に開孔されたスルーホール１２は、図１（ａ）には図示していないが、必要最小限度の数量、例えば、搭載するＬＳＩチップの電極パッド数（端子数）に応じた数量を、基板１１上の所定位置、例えば、碁盤目状に、パンチングやヒドラジンアルカリによる溶解やエキシマレーザー等によるアブレーション等により開孔するのが好ましい。また、導電性樹脂１８は、導電性を有する樹脂であれば、どのようなものでも良いが、例えば、銅粉を混入した銅ペースト等であるのが好ましい。また、ボールパッド１６上に形成されるリング状バンプ２０またはボール状バンプ２４は、ボール振り込み法等により形成するのが好ましい。
　【００１７】
　また、配線パッド１４は、基板１１の片面側のスルーホール１２の外周部にリング状に形成され、この配線パッド１４から配線パターンを延在させてＬＳＩの電極パッド等と電気的に接続するものである。同様に、ボールパッド１６は、基板１１の他面側のスルーホール１２の外周部にリング状に形成されている。即ち、基板１１の片面側には、ＬＳＩチップとの電気的接続のための配線パターンだけを形成し、基板１１の他面側には、外部接続端子となるバンプをスルーホール１２の直下に形成しているので、基板１１の片面側では、ＬＳＩチップの電極から配線パッド１４までの距離を最短にするように、配線パターンの設計を行うことができ、基板１１の他面側では、ボールパッド１６が
基板１１の他面側のスルーホール１２の外周部
　【００１８】
　続いて、図５に示すフローチャートを用いて、上述する本発明のＢＧＡ型半導体装置の形成方法の参考例を説明するが、本発明のＢＧＡ型半導体装置はこれに限定されず、どのような形成方法を用いて形成しても良い。まず、図５（ａ）に示すように、絶縁性を有する基板１１の両面に銅箔１３を貼り付ける。次に、図５（ｂ）に示すように、この両面に銅箔１３が貼り付けられた基板１１にスルーホール１２を開孔する。続いて、図５（ｃ）に示すように、開孔したスルーホール１２の内部に導電性樹脂１８を充填する。続いて、図５（ｄ）に示すように、基板１１の両面に貼り付けられた銅箔１３をエッチングして、基板１１の片面側のスルーホール１２の外周部にリング状の配線パッド１４と、この配線パッド１４から延在する配線パターンを形成し、同時に、基板１１の他面側のスルーホール１２の外周部のリング状のボールパッド１６を形成する。そして、図５（ｅ）に示すように、このリング状のボールパッド１６上にリング状バンプ２０を形成する、あるいは図５（ｆ）に示すように、導電性樹脂１８が充填されたスルーホール１２を含むボールパッド１６上にボール状バンプ２４を形成する。
　【００１９】
　次に、図２（ａ）は、本発明のＢＧＡ型半導体装置の他の参考例の部分断面図である。同図に示すＢＧＡ型半導体装置２６は、図１（ａ）に示すＢＧＡ型半導体装置１０と比較して、基板１１の片面側に形成された配線パッド１４と、基板１１の他面側に形成されたボールパッド１６とを、基板１１に開孔されたスルーホール１２の壁面にめっき２８を施すことにより、互いに電気的に接続したものである。また、図２（ｂ）は、本発明のＢＧＡ型半導体装置の別の参考例の部分断面図である。同図に示すＢＧＡ型半導体装置３０は、図２（ａ）に示すＢＧＡ型半導体装置２６と比較して、壁面がめっきされたスルーホール１２を除くボールパッド１６上にリング状バンプ２０を形成する代わりに、壁面がめっきされたスルーホール１２を含むボールパッド１６上にボール状バンプ２４を形成したものである。
　【００２０】
　続いて、図６に示すフローチャートを用いて、上述する本発明のＢＧＡ型半導体装置の形成方法の他の参考例を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、絶縁性を有する基板１１の両面に銅箔１３を貼り付ける。次に、図６（ｂ）に示すように、この両面に銅箔１３が貼り付けられた基板１１にスルーホール１２を開孔する。続いて、図６（ｃ）に示すように、開孔したスルーホール１２の壁面にめっき２８を施す。続いて、図６（ｄ）に示すように、基板１１の両面に貼り付けられた銅箔１３をエッチングして、基板１１の片面側のスルーホール１２の外周部にリング状の配線パッド１４と、この配線パッド１４から延在する配線パターンを形成し、同時に、基板１１の他面側のスルーホール１２の外周部にリング状のボールパッド１６を形成する。そして、図６（ｅ）に示すように、このリング状のボールパッド１６上にリング状バンプ２０を形成する、あるいは図６（ｆ）に示すように、導電性樹脂１８が充填されたスルーホール１２を含むボールパッド１６上にボール状バンプ２４を形成する。
　【００２１】
　次に、図３（ａ）は、本発明のＢＧＡ型半導体装置のもう一つの参考例の部分断面図である。同図に示すＢＧＡ型半導体装置３２は、図２（ａ）に示すＢＧＡ型半導体装置２６と比較して、基板１１の片面側に形成された配線パッド１４と、基板１１の他面側に形成されたボールパッド１６とを、基板１１に開孔されたスルーホール１２の壁面にめっき２８を施して互いに電気的に接続する代わりに、これらの配線パッド１４とボールパッド１６とを、基板１１に開孔されたスルーホール１２の壁面にめっき２８を施し、さらにこのめっき２８が施されたスルーホール１２の内部に導電性樹脂１８を充填することにより、互いに電気的に接続したものである。また、図３（ｂ）は、本発明のＢＧＡ型半導体装置の別の参考例の部分断面図である。同図に示すＢＧＡ型半導体装置３４は、図３（ａ）に示すＢＧＡ型半導体装置３２と比較して、壁面がめっきされ、内部に導電性樹脂１８が充填されたスルーホール１２を除くボールパッド１６上にリング状バンプ２０を形成する代わりに、壁面がめっきされ、内部に導電性樹脂１８が充填されたスルーホール１２を含むボールパッド１６上にボール状バンプ２４を形成したものである。
　【００２２】
　続いて、図７に示すフローチャートを用いて、上述する本発明のＢＧＡ型半導体装置の形成方法のもう一つの参考例を説明する。まず、図７（ａ）に示すように、絶縁性を有する基板１１の両面に銅箔１３を貼り付ける。次に、図７（ｂ）に示すように、この両面に銅箔１３が貼り付けられた基板１１にスルーホール１２を開孔する。続いて、図７（ｃ）に示すように、開孔したスルーホール１２の壁面にめっき２８を施す。続いて、図７（ｄ）に示すように、壁面にめっき２８が施されたスルーホール１２の内部に導電性樹脂１８を充填する。続いて、図７（ｅ）に示すように、基板１１の両面に貼り付けられた銅箔１３をエッチングして、基板１１の片面側のスルーホール１２の外周部にリング状の配線パッド１４と、この配線パッド１４から延在する配線パターンを形成し、同時に、基板１１の他面側のスルーホール１２の外周部にリング状のボールパッド１６を形成する。そして、図７（ｆ）に示すように、このリング状のボールパッド１６上にリング状バンプ２０を形成する、あるいは図７（ｇ）に示すように、壁面がめっきされ、内部に導電性樹脂１８が充填されたスルーホール１２を含むボールパッド１６上にボール状バンプ２４を形成する。
　【００２３】
　次に、図４は、本発明のＢＧＡ型半導体装置の一実施例の部分断面図である。同図に示すＢＧＡ型半導体装置３６は、図３（ａ）に示すＢＧＡ型半導体装置３２と比較して、スルーホール１２に充填された導電性樹脂１８において、基板１１の両面のスルーホール１２の開孔部から露出する導電性樹脂１８の表面に予めめっき３８を施しておき、基板１１の片面に形成された銅箔から配線パッド１４および配線パターンを形成し、基板１１の他面に形成された銅箔からボールパッド１６を形成したものである。従って、本態様のＢＧＡ型半導体装置３６においては、基板１１の片面のスルーホール１２の直上に配線パッド１４と、基板１１の他面のスルーホール１２の直下にボールパッド１６とを平坦に形成することができ、ボールパッド１６上に形成されるボール状バンプ２４の形状およびサイズを正確にすることができる。なお、本態様では、ボールパッド１６が平坦に円状に形成されるため、ボールパッド１６上にはリング状バンプ２０ではなく、必然的にボール状バンプ２４が形成される。
　【００２４】
　続いて、図８に示すフローチャートを用いて、上述する本発明のＢＧＡ型半導体装置の形成方法の一実施例を説明する。まず、図８（ａ）に示すように、絶縁性を有する基板１１の両面に銅箔１３を貼り付ける。次に、図８（ｂ）に示すように、この両面に銅箔１３が貼り付けられた基板１１にスルーホール１２を開孔する。続いて、図８（ｃ）に示すように、開孔したスルーホール１２の壁面にめっき２８を施す。続いて、図８（ｄ）に示すように、壁面にめっき２８が施されたスルーホール１２の内部に導電性樹脂１８を充填する。続いて、図８（ｅ）に示すように、基板１１の両面のスルーホール１２の開孔部から露出する導電性樹脂１８の表面にめっき３８を施す。続いて、図８（ｆ）に示すように、基板１１の両面に貼り付けられた銅箔１３をエッチングして、基板１１の片面側のスルーホール１２の直上に円状の配線パッド１４と、この配線パッド１４から延在する配線パターンを形成し、同時に、基板１１の他面側のスルーホール１２の直下に円状のボールパッド１６を形成する。そして、図８（ｇ）に示すように、平坦に形成された円状のボールパッド１６上にボール状バンプ２４を形成する。
　【００２５】
　次に、さらに具体的な例を示して、本発明のＢＧＡ型半導体装置をさらに具体的に説明する。
　【００２６】
　図９（ａ）および（ｂ）は、本発明のＢＧＡ型半導体装置の一参考例の部分平面図、およびその断面図である。同図（ａ）および（ｂ）に示すＢＧＡ型半導体装置４０は、ＬＳＩチップの電極パッドから、スルーホール１２の直上に形成された配線パッド１４までの距離を最短に設計された配線パターン４２を有する半導体パッケージの具体例である。図９（ａ）に示すように、ＬＳＩチップの電極パッドから、スルーホール１２の直上に形成された配線パッド１４までの距離を最短に設計するためには、基板１１に開孔されたスルーホール１２は、必要最小限の数量、好ましくはＬＳＩチップの電極パッドの個数に制限する。また、基板１１に開孔されるスルーホール１２の位置は、所定位置、例えば、碁盤目状に配置するのが好ましい。
　【００２７】
　さらに、バンプを形成する側の基板１１面には、配線パターン４２を形成しないのが好ましく、図９（ｂ）に示すように、ボールパッド１６を形成する位置は、即ち、バンプを形成する位置は、スルーホール１２の直下にするのが好ましい。なぜなら、スルーホール１２とボールパッド１６との中心位置がずれると、バンプの配置が難しくなり、バンプのピッチの拡大につながってしまうからである。言い換えれば、スルーホール１２とボールパッド１６との中心位置がずれるということは、バンプを形成する側の基板１１面に配線パターン４２を形成することであり、配線パターン４２を形成するための面積が必要となって、バンプを形成するためのボールパッド１６の形成領域が制限されて、結局ピン数を確保するための制限が生まれてしまうからである。
　【００２８】
　次に、図１０は、本発明のＢＧＡ型半導体装置をＭＣＭ基板４４に適用した一参考例の断面図である。同図に示すように、ＬＳＩチップを搭載する半導体パッケージ４３およびこの半導体パッケージ４３を搭載するＭＣＭ基板４４に本発明のＢＧＡ型半導体装置を適用すれば、システム全体のサイズを小型化することができ、さらにＬＳＩチップの電極パッドから外部接続端子までの距離を最短にすることができ、信号の伝送特性も最善な状態にすることができる。
　【００２９】
　【発明の効果】
　以上詳細に説明した様に、本発明のＢＧＡ型半導体装置は、ＬＳＩチップを搭載するパッケージの外部接続端子として、ＢＧＡを適用したもので、基板の片面には、基板に開孔されたスルーホールの直上に配線パッドと、この配線パッドとＬＳＩチップの電極パッドとを接続する配線パターンだけを形成し、基板の他面には、基板に開孔したスルーホールの直下にボールパッドと、このボールパッド上に外部接続端子となるボール振り込み法により形成されたボール状バンプを形成し、基板に開孔されたスルーホールを介して、基板の片面に形成された配線パッドと、基板の他面に形成されたボールパッドとを、互いに電気的に接続したものである。
　【００３０】
　従って、本発明のＢＧＡ型半導体装置によれば、基板に碁盤目状にスルーホールを開孔し、このスルーホールの直下にボールパッドを形成し、このボールパッド上に外部接続端子となるボール振り込み法により形成されたボール状バンプを形成するので、バンプのピッチを最小にすることができ、基板のサイズを最小にすることができる。また、本発明のＢＧＡ型半導体装置によれば、基板の片面には、ＬＳＩチップの電極とスルーホールの直上に形成された配線パッドとを接続する配線パターンだけを形成し、基板の他面には、スルーホールの直下にボールパッドが形成され、このボールパッド上にバンプが形成されているので、配線パターン設計の自由度が高く、ＬＳＩチップの電極パッドからバンプまでの距離を最短にすることができるので、ＬＳＩチップの高速動作に伴う信号の伝送特性を改善することができ、ノイズによる信号の伝送特性の劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明のＢＧＡ型半導体装置の一参考例の部分断面図、および別の実施例の部分断面図である。
　【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明のＢＧＡ型半導体装置の他の参考例の部分断面図、および別の実施例の部分断面図である。
　【図３】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明のＢＧＡ型半導体装置のもう一つの参考例の部分断面図、および別の実施例の部分断面図である。
　【図４】本発明のＢＧＡ型半導体装置の一実施例の部分断面図である。
　【図５】本発明の第１態様のＢＧＡ型半導体装置の形成方法の一参考例のフローチャートである。
　【図６】本発明の第１態様のＢＧＡ型半導体装置の形成方法の他の参考例のフローチャートである。
　【図７】本発明の第１態様のＢＧＡ型半導体装置の形成方法のもう一つの参考例のフローチャートである。
　【図８】本発明の第１態様のＢＧＡ型半導体装置の形成方法の一実施例のフローチャートである。
　【図９】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明のＢＧＡ型半導体装置を半導体パッケージに適用した一参考例の部分平面図、およびその断面図である。
　【図１０】本発明のＢＧＡ型半導体装置をＭＣＭ基板に適用した一参考例の断面図である。
　【符号の説明】
　１０、２２、２６、３０、３２、３４、３６、４０　ＢＧＡ型半導体装置
　１１　基板
　１２　スルーホール
　１４　配線パッド
　１６　ボールパッド
　１８　導電性樹脂
　２０　リング状バンプ
　２４　ボール状バンプ
　２８、３８　めっき
　４２　配線パターン
　４３　半導体パッケージ
　４４　ＭＣＭ基板