【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムであって、
磁気シールド材料を含む壁を有し、前記荷電粒子リソグラフィ装置を少なくとも部分的に囲んでいる第１のチャンバと、
真空チャンバの一部を形成し、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記第１のチャンバを囲んでいる第２のチャンバと、
基板支持構造体を支持するように配置され、前記第１のチャンバの外部かつ前記第２のチャンバの内部に配置された可動ステージ要素と、
前記第１のチャンバの外部で前記第２のチャンバに配置され、前記第１のチャンバ及び前記可動ステージ要素の側面に対向して配置された１組の２つのコイルと、
前記第１のチャンバの外部かつ前記第２のチャンバの内部に配置された、前記第２のチャンバ内で磁場を測定するための少なくとも１つの磁場センサとを具備し、
前記第１のチャンバには、前記荷電粒子リソグラフィ装置から生じる荷電粒子放射線が前記基板支持構造体に設けられた基板に晒されることを可能にするために、前記可動ステージ要素に面している側面に開口が設けられ、
前記少なくとも１つの磁場センサは、前記開口と前記可動ステージ要素との間に配置され、
システムは、動作中、前記開口と前記可動ステージ要素との間で測定された磁場を無効にするように、前記少なくとも１つの磁場センサによって与えられた情報に基づいて前記コイルを通る電流を制御するように構成された制御システムを具備し、
共通の軸にほぼ平行な方向に沿って測定された、コイルと前記第２のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第１のチャンバの最も近い壁との間の距離よりも小さいシステム。
【請求項２】
前記第２のチャンバは、
前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、第１の方向で共通軸を有する第１の組の２つのコイルと、
前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、前記第１の方向にほぼ垂直な第２の方向で共通軸を有する第２の組のコイルと、
前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向にほぼ垂直な第３の方向で共通軸を有する第３の組のコイルとを囲んでいる請求項１のシステム。
【請求項３】
前記コイルと前記第１のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第２のチャンバの前記最も近い壁との間の距離の少なくとも２倍である請求項１のシステム。
【請求項４】
前記コイルは、前記第２のチャンバの壁に近接して配置されている請求項１のシステム。
【請求項５】
前記第１のチャンバの全ての壁が、前記第２のチャンバの少なくとも１つの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている請求項１のシステム。
【請求項６】
前記第１のチャンバの全ての壁が、前記第２のチャンバの壁によりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている請求項５のシステム。
【請求項７】
前記磁気シールド材料は、３００，０００よりも大きな比透磁率を有する材料である請求項１のシステム。
【請求項８】
前記材料は、ミューメタルである請求項７のシステム。
【請求項９】
前記第１のチャンバには、消磁構成体が設けられている請求項１のシステム。
【請求項１０】
前記消磁構成体は、少なくとも１つの消磁コイルである請求項９のシステム。
【請求項１１】
前記第２のチャンバには、消磁構成体が設けられている請求項１のシステム。
【請求項１２】
前記消磁構成体は、少なくとも１つの消磁コイルである請求項１１のシステム。
【請求項１３】
前記第１のチャンバは、立方体、円筒体、又は箱状の形状である請求項１のシステム。
【請求項１４】
前記第１のチャンバ内で前記磁場を測定するための少なくとも１つの磁場センサをさらに具備する請求項１のシステム。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの磁場センサによって与えられる情報に基づいて前記コイルを通る電流を制御するための制御システムをさらに具備する請求項１４のシステム。
【請求項１６】
前記荷電粒子リソグラフィ装置は、
少なくとも１つの荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、
ターゲットを支持するための可動装置と、
パターンに従って前記ターゲットの表面に前記少なくとも１つのビームの転写を可能にするためのパターニング装置とを具備する請求項１のシステム。
【請求項１７】
前記第１のチャンバは、前記荷電粒子源及び前記パターニング装置を囲んでおり、前記可動装置は、前記第１のチャンバの外部に位置され、前記第１のチャンバには、前記可動装置に面している側面に前記開口が設けられている請求項１６のシステム。
【請求項１８】
前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの少なくとも一方には、取り外し可能で取り付け可能なドアが設けられ、前記ドアは、少なくとも１つの接続バーによって取り付け可能である請求項１のシステム。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの接続バーは、中空である請求項１８のシステム。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの接続バーは、それぞれのチャンバの内側で前記ドアに取着するための少なくとも１つの内側バーと、それぞれのチャンバの外側で前記ドアに取着するための少なくとも１つの外側バーとを有し、前記少なくとも１つの内側バー及び前記少なくとも１つの外側バーには、これの対向している両側面に、互いにアライメントされた複数の孔が設けられ、前記少なくとも１つの内側バーと前記少なくとも１つの外側バーとは、前記外側バーの互いにアライメントされた２つの孔を通って、及び前記内側バーの対応する互いにアライメントされた孔を通って延びた接続要素を使用して、前記少なくとも１つの外側バーへの前記少なくとも１つの外側バーの接続によって互いに接続されている請求項１８のシステム。
【請求項２１】
前記内側バーの前記互いにアライメントされた孔の数は、前記外側バーの前記互いにアライメントされた孔の数よりも多い請求項２０のシステム。
【請求項２２】
前記接続要素は、ボルトであり、前記接続は、ナットを使用して固定される請求項２０のシステム。
【請求項２３】
少なくとも１つのばね要素が、前記接続バーと前記ドアとの間に設けられている請求項１８のシステム。
【請求項２４】
荷電粒子リソグラフィ装置で磁気シールドするための方法であって、
請求項１の荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためにシステムの第１のチャンバで囲まれた荷電粒子リソグラフィ装置を与えることと、
前記システムの第２のチャンバに配置された可動ステージ要素上の基板支持構造体上に基板を与えることと、
前記第１のチャンバの開口を介して前記荷電粒子リソグラフィ装置から生じる荷電粒子放射線で前記基板を露光することと、
前記開口と前記可動ステージ要素との間で、前記第１のチャンバの外部かつ前記第２のチャンバの内部に配置された少なくとも１つの磁場センサで前記第２のチャンバ内の磁場を測定することとを具備する方法。
【請求項２５】
前記基板支持構造体上に与えられた前記基板を露光することは、前記第１のチャンバの前記開口の下の位置に前記基板支持構造体を置くことを含む請求項２４の方法。
【請求項２６】
前記第２のチャンバ内の磁場を測定することは、
前記少なくとも１つの磁場センサで測定された磁場がほぼゼロに等しくなるまで前記コイルの補正電流を調節することと、
前記荷電粒子リソグラフィ装置によるターゲットの露光中、前記コイルの前記補正電流を維持することとを含む請求項２４の方法。
【請求項２７】
前記ターゲットの露光中、前記コイルの前記補正電流を維持することは、前記ターゲットを支持する前記可動ステージ要素の連続する移動中、前記磁場を測定して補正することを含む請求項２６の方法。
【請求項２８】
荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムであって、
磁気シールド材料を含む壁を有し、前記荷電粒子リソグラフィ装置を少なくとも部分的に囲んでいる第１のチャンバと、
真空チャンバの一部を形成し、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記第１のチャンバを囲んでいる第２のチャンバと、
基板支持構造体を支持するように配置され、前記第１のチャンバの外部かつ前記第２のチャンバの内部に配置された可動ステージ要素とを具備し、
前記第１のチャンバには、前記荷電粒子リソグラフィ装置から生じる荷電粒子放射線が前記基板支持構造体に設けられた基板に晒されることを可能にするために、前記可動ステージ要素に面している側面に開口が設けられ、
前記第１のチャンバは、立方体、円筒体、又は箱状の形状であり、前記第１のチャンバには、消磁構成体が設けられ、前記消磁構成体は、前記第１のチャンバの壁の内側にある３つの連続するエッジに沿って、かつ前記第１のチャンバの壁の外側にある３つの連続するエッジに沿って戻る経路を形成している少なくとも１つの消磁コイルを有し、
前記経路にほぼ垂直な方向に沿って測定された、消磁コイルと前記第１のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記消磁コイルと前記第２のチャンバの最も近い壁との間の距離よりも小さいシステム。
【請求項２９】
前記第２のチャンバは、立方体又は箱状の形状を有し、前記第２のチャンバには、前記第２のチャンバの壁の内側にある３つの連続するエッジに沿って、かつ前記第２のチャンバの壁の外側にある３つの連続するエッジに沿って戻るさらなる経路をたどる少なくとも１つのさらなる消磁コイルを有し、
前記さらなる経路にほぼ垂直な方向に沿って測定された、さらなる消磁コイルと前記第２のチャンバの最も近い壁との間の距離は、前記さらなる消磁コイルと前記第１のチャンバの最も近い壁との間の距離よりも小さい請求項２８のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図２ｂに概略的に示されるように、システム１００は、さらに、第２のチャンバ１０２に配置され、第１のチャンバの側面に対向している１組のコイル１２０ａ、１２０ｂを有する。２つのコイル１２０ａ、１２０ｂは、共通軸を有する。２つのコイル１２０ａ、１２０ｂは、磁場を生成するために使用されることができる。３次元での補正を可能にするために、システム１００は、好ましくは３組の２つのコイルを有する。第１の方向、例えば、ｘ方向で共通軸を有する第１の組の２つのコイル１２０ａ、１２０ｂに加えて、システム１００は、さらに、第２の組の２つのコイル部１２１ａ、１２１ｂと、第３の組の２つのコイル部１２２ａ、１２２ｂを有する。第２の組及び第３の組の２つのコイルは、各々、共通軸を有し、第２のチャンバ１０２内の第１のチャンバ１０１の側面に対向して配置されている。２つのコイル１２１ａ、１２１ｂの第２の組の共通軸は、第１の方向にほぼ垂直な第２の方向、例えば、ｙ方向に配置されている。コイル１２２ａ、１２２ｂの第３の組の共通軸が、第１及び第２の方向にほぼ垂直な第３の方向、例えば、ｚ方向に向けられている。