【事件の表示】
　特許第３４４５３２９号「ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４４５３２９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　
　本件特許第３４４５３２９号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成５年１１月２日に特許出願され、平成１５年６月２７日にその特許の設定登録がなされたところ、異議申立人山本武から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年１０月２６日に特許異議意見書が提出され、更に平成１７年２月２２日付で、明細書及び図面の記載が特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件をみたしていないとする取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１７年４月６日に特許異議意見書及び訂正請求書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
　
（１）訂正の内容
（ａ）特許請求の範囲の請求項１における、
　「前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」
を
「前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に
またがって半透光部が形成され
と訂正する。
　
（ｂ）同請求項２における、
　「前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設け、」
を
「前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に
またがって半透光部が形成され
と訂正する。
　
（ｃ）明細書段落【００４１】に、
　「【００４１】また、本実施例では、位相シフトマスク上の転写領域と被転写領域の境界部も遮光層で覆っているため、被転写基板に不要な像が形成されることを防止することができる。」
とあるのを、
「【００４１】また、本実施例では、位相シフトマスク上の転写領域と
非転写領域
と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（ａ）訂正の内容（ａ）について
　訂正前の「前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、」では境界に隣接する非転写領域を半透光部とするとされているが境界に隣接する転写領域についての構成は限定されていなかった。
　訂正の内容（ａ）は、「前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に
またがって半透光部が形成され
　そして、本件明細書【００２７】、【００４１】および【００５７】段落の記載と図面【図１】、【図２】を参照すれば、転写流域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成されていることを読み取ることができるので、開示の範囲内における訂正であり、特許請求の範囲の拡張・変更ではない。
　
（ｂ）訂正の内容（ｂ）について
　訂正の内容（ｂ）は、請求項１に対する訂正の内容（ａ）と同一の内容の訂正を請求項２に対して行うものであり、上記（２）の（ａ）で示した結果と同じく、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、開示の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲の拡張・変更ではない。
　
（ｃ）訂正の内容（ｃ）について
　訂正前の記載が誤記であることは、「被転写領域」という記載が他に存在しないことおよび「転写領域と被転写領域の境界部」なる意味が不明であることから推定できる。
　そして、明細書の他の箇所において「転写領域と
非転写領域
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．申立て理由の概要
　
　異議申立人山本武は、「本件請求項１〜３に係る発明は、その出願の日の前の他人の特許出願であって出願公開がなされたものの願書に添付した明細書に記載された発明である甲第１号証に記載された発明と同一の発明であり、特許法第２９条の２の規定に該当する。また、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第２、３号証の記載から当業者が容易に発明し得たものであり、特許法第２９条第２項の規定に該当する。更に本件明細書には、本件請求項２、３に係る発明について、当業者がその実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されておらず、本件特許は、特許法第３６条第４、５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。」と主張し、証拠方法として甲第１号証〜甲第３号証を提出した。
　
４．本件発明
　
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１に係る発明ないし請求項３に係る発明（以下、それぞれを「本件第１発明」ないし「本件第３発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された以下の通りのものである。
【請求項１】  微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記半透光部の光透過率が１０％以上であり、前記マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備え、前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成され、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項２】  微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記半透光部の光透過率が１０％以上であり、前記マスクパターン転写領域内の半透光部の上又は下に遮光層を備え、前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成され、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設け、前記マスクパターンの転写領域内の遮光層は、前記半透光部の領域内であって、透光部と半透光部との境界近傍でかつ露光光の相殺作用に寄与する領域を通過した露光光の被転写体上の光強度を前記遮光層を設けない場合に比較して小さくする領域を含む領域に設けられたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項３】  請求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクを用いて被転写基板にパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。
　
５．刊行物等
  異議申立人山本武は証拠方法として提出した刊行物には以下の記載がある。
　
（ａ）甲第１号証（特開平６−８３０３４号公報（以下、「刊行物１」という。））
（記載ａ１）　
　「【請求項３】  透光性基板上に、前記透光性基板の透明部との位相差が、１８０±１０度の範囲で異なりかつ振幅透過率１０乃至４０％となるように調整された単層の半透明層または少なくとも１層の半透明層と透明層の多層の第１の半透明膜からなる半透明パターンと、前記半透明パターンの一部の領域にさらに積層され、該領域の振幅透過率が５％以下となるように調整された遮光層あるいは振幅透過率１０乃至４０％の第２の半透明膜とを具備したことを特徴とする露光用マスク。
【請求項４】  前記一部の領域が、少なくともウェハ上に転写されたとき半導体素子として寄与する領域の外側周辺領域を含むことを特徴とする請求項（3） 記載の露光用マスク。」
（記載ａ２）　
　「【０１９９】また本発明によれば、半透明膜を透過した光によるパターン領域外への光照射を防ぐためにパターン領域外で透過率が５％以下となるようにしているため、２重露光を防ぎ、パターン細りもなく信頼性の高いパターン形成を行うことができる。」
（記載ａ３）　
　「【００１１】また、露光工程ではマスク上のパターン領域以外に存在するアライメント用あるいは検査用マークから露光光が漏れるのを防ぐため、ブラインドが投影露光装置に設けられ、パターン領域外の光をカットしている。なおブラインドの像はウェハ上で１００μm 程度の像のぼやけを生じるため、ウェハ上でパターン領域を区切る役割はない。このため従来は図２０（a） に示すようにマスク上でパターン領域外周辺を覆うように遮光パターン１０１を形成していた。しかしながら半透明膜のみで露光用マスクを形成した場合、従来、パターン領域を区切ることを目的としていた、パターン領域外周辺部に存在する遮光パターンの代わりに図２０（b） に示すように半透明パターン２０１を用いることになる。このときパターン領域境界に存在する半透明膜を通過した光は、ウェハ上で隣接するパターンに対し半透明膜の透過率×露光量だけ照射することになる。このため図２１に示すように照射領域では、実質的に露光量が過剰となりパターン領域の細りが生じたり、さらには焦点深度が不足するという問題が生じていた。」
（記載ａ４）　
　「【００２３】本発明の第３では、透光性基板上にマスクパタ―ンを形成した露光用マスクにおいて、マスクパタ―ンは、露光光に対する光路長が前記透光性基板の透明部分とは所定量だけ異なるように構成された半透明膜パタ―ンを含み、この半透明膜パターンの上に部分的あるいは全体にさらに半透明膜あるいは遮光膜を積層したことを特徴とする。」
（記載ａ５）
　「【００３４】本発明の第３によれば、半透明パターンを含むマスクにおいてパターン領域外の内少なくとも転写によるウェハ上に光が到達する領域で、露光光を遮光するようにしているため、パターンの細りや焦点深度不足を防ぐことができる。例えば、強度透過率２％を有するｉ線用半透明マスクを用いたポジレジストに対する露光結果では、０．５５μm ライン・アンド・スペースパターンで適性露光量で所望の寸法に改造したパターンがさらに露光量×マスクの強度透過率に相当する光を１度照射されることでパターン寸法が０．４９μm と所望の値に対して約１０％寸法が細るという結果となっていた。しかしながら上記構成によればパターン領域外のうち少なくとも転写によりウェハ上に光が到達する領域で露光光を遮光することができる。なお、この遮光のための半透明膜はパターン領域外を遮光する他に、パターン領域内に用いることも可能である。すなわち、複数回の露光により半透明マスクパターンにより形成されたウェハ上のレジストパターンパターンが膜厚の現象を著しく生じた場合、半透明パターンのエッジ部分を除く領域に半透明膜を積層させることが可能で、これによりレジストパターンの膜減の低減をはかることも可能である。」
　
（ｂ）甲第２号証（特開平４−２２３４６４号公報（以下、「刊行物２」という。））
（記載ｂ１）
　「【請求項1】　光透過性の基板上に、照射光に対して遮光性の層を部分的に被着させて回路パターンを形成したフォトマスクにおいて、前記遮光性の層のエッジ部と前記遮光性の層の中央部とで前記照明光に対する透過率を異ならせるように、前記遮光性の層の少なくとも一部を多層構造にしたことを特徴とするフォトマスク。
【請求項4】前記遮光性の層は、少なくとも前記照明光に対して所定の透過率を有する第1の層と、前記照明光に対する透過率がほぼ零である第2の層と、前記第1の層及び第2の層の間に、該第1及び第2の層とは化学的性質の異なる物質で形成された第3の層とを含み、前記第1、第2、及び第3の層を夫々所定の面積で重ね合わせることによって、前記遮光性の層の前記照明光に対する透過率を該遮光性の層のエッジ部と中央部とで異ならせたことを特徴とする請求項第1項に記載のフォトマスク。
【請求項5】前記第3の層は、光の位相をシフトさせる位相シフト部材であることを特徴とする請求項第4項に記載のフォトマスク」
（記載ｂ２）
　「【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、パターンの中央部とエッジ部とで光の透過率を変化させることにより、パターンの像の暗部に生じる光の強度を減少させることができる。またパターンの中央部とエッジ部とで光の透過率が異なるようなフォトマスクにおいて、パターンを化学的性質の異なる複数の層で形成することによりエッチングの際には上層の部材のみ除去され、透過率を有する下層の部材の膜厚は成膜時のまま残るのでエッチング時の膜厚変化（透過率変化）が生じることはない。
【００２９】 さらに、透光部の層を1層だけでなく、さらに多くの層を重ねることにより、透光部の光透過率を位置により変化させることも可能である。また、複数の層の一部を位相シフト材料の薄膜に変えることにより、位相シフト用マスク（エッジ強調型、若しくは遮光効果強調型）の効果を持たせることも可能である。特に、中間層を位相シフターとして用いるようにすると、位相シフタ一等の膜厚管理を成膜時に行なうことができ、好都合である。またこのとき、所定の光透過率を有する透光部との組み合わせにより位相シフターの部分の透過光の強度を減少させることができるため、パターンの像のコントラストを強めることが可能である。さらに、従来の技術による位相シフト用マスクと同様の効果を得るための位相シフタ一部分の面積、乃至は線幅を大きくすることができるので、マスクパターンの製造時における欠陥が発生する可能性が小さくなるという利点もある。」
（記載ｂ３）（【図３】）
　ガラス基板Ｇ上に透光層Ａ、位相シフト部材となる中間層Ｃ、及び遮光層Ｂが順に積層された位相シフト用マスクが開示されている。
（記載ｂ４）
　「【００１３】…ガラス基板Ｇ上には、透光層Ａとして例えば所定の透過率を有する程度に薄くした膜厚のクロム層が、また中間層Ｃとして例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2）の層が、さらに遮光層Ｂとして例えばクロムの層が形成されている。…」
（記載ｂ５）
　「【００１６】上記第２の実施例においては、中間層Ｃのうちパターンのエッジ部２に相当する部分をエッチングにより除去するようにしたが、この部分は特に除去する必要はなく、図３に示すように、残しておいて透光層Ａと共に所定の透過率を有する１つの透光層を構成しても良い。さらに、この残した中間層Ｃを光の位相をシフトさせる位相シフト部材で形成しておけば、位相シフト用マスク（特に、エッジ強調型、若しくは遮光効果強調型）としても用いることが可能である。」
（記載ｂ６）
　「【００２２】一般に回路パターンの描画されたフォトマスクには、図１４（ａ）に示すように、その回路パターン３の描画された領域の周辺に遮光帯４が設けられている。この回路パターン３が所定の透過率を有するものである場合、所定の透過率を有する部材の層（透光層）のみでパターンが形成されているとすると、この遮光帯４も透過率を有する層で構成されていることになる。その結果、ウェハ上の投影像の遮光帯に相当する部分にもその透過率に相当する光束が達してしまい、レジストが感光してしまうという不都合が生じる。これを防ぐためには、遮光帯４の透過率は零であることが望ましい。従って、図１４（ｂ）に示すように、フォトマスクの回路パターン、及び遮光帯を本発明によるフォトマスクと同様、照明光に対する透過率がほぼ零である遮光層と所定の透過率を有する透光層とで構成するようにする。即ち、ガラス基板Ｇ上にほぼ１%の透過率を有する透光層Ａで回路パターンを形成し、遮光帯に相当する部分にはさらに遮光層Ｂを形成する。このフォトマスクの製造方法は、前述の製造方法と同様である。つまり、透光層Ａと遮光層Ｂとを夫々所定の透過率が得られる膜厚に成膜した上で、遮光層Ｂのうち遮光帯４に相当する部分を残してエッチングにより除去し、透光層Ａのうち回路パターン３に相当する部分を残して同様に除去する。」
　
（ｃ）甲第３号証（特開平４−１３６８５４号公報（以下、「刊行物３」という。））
（記載ｃ１）（特許請求の範囲）
　「１．.透明基板上に、露光光に対して半透明な領域と、透明な領域とを少なくとも有し、該半透明な領域と、該透明な領域とをそれぞれ通過する光の位相差が実質的に１８０℃となる構成とし、該透明な領域のパタンは、単一なホール、ドット、スペース又はラインのパタンであることを特徴とするホトマスク。
２．請求項１記載のホトマスクおいて、上記半透明な領域の露光光の透過率が、透明な領域の露光光の透過率を１００％としたとき、１％から５０％の範囲にあることを特徴とするホトマスク。」
（記載ｃ２）（第４頁右上欄〜第５頁右上欄）
「（実施例１）
　本発明の第１の実施例のホトマスクとして第１図で示す構造のものを製造した。。第１図（ａ）はホトマスクの断面図を示す。１はガラス基板、４は半透明膜である。・・・（中略）・・・ここで半透明膜４には塗布ガラスに吸光剤を添加したものを用いた。このガラスの露光光に対する屈折率は約１．４５であったので、塗布ガラスの膜厚は約４２０ｎｍとした。また、この時露光光の透過率が１５%となるよう吸光剤の添加量を調整した。・・・（中略）・・・また、マスクの構造は上記実施例では半透明膜４を単一の膜で構成したが、これに眼らない。
　このホトマスクを用いることにより、透過光の光強度は、第１図（Ｃ）に示すように、光透過部３と半透明膜４の境界の直下で光強度はほぼ０となり、そのため光強度分布の広がりが押さえられ、コントラストの高い微細なパタンが形成できた。
（実施例２）
第２の実施例は、第３図に示すように半透明層の構成を多層膜とした。ガラス基板１上に薄いＣｒ膜６と塗布ガラス膜７を被着し、所望のパタン部を除去した。この場合は、薄いＣｒ膜６で透過率を１%に調整し、塗布ガラス膜７で透過部との位相差を調整した。薄いＣｒ膜の露光光に対する透過率は１から５０%の範囲であればよい。塗布ガラス膜７の膜厚は上記第１の実施例で示した半透明膜４の膜厚制限とほぼ同じでもよいが、さらに高精度に１８０℃の位相差を設定するため、薄いＣｒ膜６を透過する光の位相のずれも考慮した。即ち、この実施例では半透明層は薄いＣｒ膜６と塗布ガラス膜７とよりなり、薄いＣｒ膜６の厚みは透過率を１%となるように定め、塗布ガラス膜７の厚みを
　　n
　　Σ｛（ｎｉ−１）ｄｉ｝=φλ
　i =1
（ただし、ｄｉ及びｎｉは半透明層を構成する ｉ番目の膜の厚さ及び屈折率、ｎは半透明層を構成する膜の数でこの実施例では２、λは露光光の波長、φは１／４≦φ≦３／４の範囲の値である）の関係を満たすようにした。」
　
６．対比・判断
　
（ａ）請求項２または３に係る発明の記載が特許法第３６条第４、５項に規定する要件を満たしていないとの申立について
　
　異議申立人の主張は、「本件請求項２又は３に係る発明において、遮光層についての記載はあるが、そのどの部分がこの『小さくする領域』であるかが不明であるため、本件請求項２又は３に係る発明は、当業者であってもその実施が不可能である。」というものである。
　しかしながら、請求項２の記載の遮光層の領域については、
（ア）「マスクパターンの転写領域内の遮光層は、」とあることから「マスクパターンの転写領域内」に限定されている。
（イ）「前記半透光部の領域内であって、」は何が半透光部の領域内にあるかは請求項２の文章構造上、明確ではないが、明細書の【００４０】段落の記載「半透光部の領域内であって透光部と半透光部との境界近傍でかつ露光光の相殺作用に寄与する領域（Ｗ２）を通過した露光光に被転写基板上の光強度は実施例のほうが小さくなっている」との記載から、以下に続く「透光部と半透光部との境界近傍」のうちの半透光部の部分のみを限定していると解することができ、結局、「前記半透光部の領域内であって、透光部と半透光部との境界近傍でかつ露光光の相殺作用に寄与する領域」は、境界近傍のそこを通過した光が相殺作用を有する半透光部領域、ということになる。
（ウ）そして「・・・領域を通過した露光光の被転写体上の光強度」とは相殺作用を有する光による被転写体上の光強度を意味し、本件図面【図１２】においてＷ２’として示されている領域の光強度と解することができる。
（エ）また、先に挙げた段落【００４０】において遮光層を設けない場合を従来例とし、遮光層を設けた場合にはＷ２’領域での光強度が従来例より小さくなると記載されていることから、「光強度を前記遮光層を設けない場合に比較して小さくする領域」は、Ｗ２’領域での光強度を小さくするような遮光層の領域を意味しており、（その）「領域を含む領域」の意味は明確である。
　以上より、本件請求項２における「露光光の相殺作用に寄与する領域を通過した露光光の被転写体上の光強度を前記遮光層を設けない場合に比較して小さくする領域」の意味は明確であり、その結果、本件請求項２における遮光層の領域も明確であるので、請求項２および請求項３は特許法第３６条第４項または第５項に規定する要件を満たしていない、とすることはできない。
　
（ｂ）請求項１ないし３に係る発明（本件第１ないし第３発明）の特許は、刊行物１記載の発明と同一であるとの申立について
　
（ｂ１）本件第１発明について
　異議申立人は、特許異議申立書において、刊行物１の請求項３（５．（ａ）の（記載ａ１）参照）および請求項４（５．（ａ）の（記載ａ２）参照）には、本件第１発明の「微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記半透光部の光透過率が１０％以上であり、」に相当する記載があり、また、図２０およびそれに関する記載（５．（ａ）の（記載ａ３）参照）から、「前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設けたこと」（当審注：この部分は上記訂正により「前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成され、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設けたこと」と訂正されている。）に相当するものが記載されているが、「前記マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備える」については具体的記載がないとし、そして、上記具体的記載がないとした点について、異議申立人は、
「位相をシフトさせる機能を発揮させる層上に遮光層を設ける場合、透光部（透明部）と半透光部（半透明パターン）との境界に至るように遮光層を設ければ位相をシフトさせる機能が失われることは明らかであり、これは当業者であれば当然に認識されていることである。従って、甲第１号証記載の露光用マスクが位相シフトマスクである以上、その遮光層をパターン領域の半透明パターン上に積層する場合、位相をシフトさせる機能を損なわないように、透光部（透明部分）と半透光部（半透明パターン）との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない部分のみに（換言すれば、透明部分と半透明パターンとの境界近傍における光の相殺作用に寄与する部分を除いて）設けることは自明の構成であるから、甲第１号証には、『マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備える』との要件を実質的に記載していることになる。」
との主張を行った。
　しかしながら、刊行物１には、本件第１発明における「マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成」されるという構成が記載されていない。
　また、刊行物１の請求項３および請求項４の記載からは「遮光層をパターン領域の半透明パターン上に積層する」構成について明示的な記載はなく、また、明細書中の記載を参照してもパターン領域で遮光層を積層するとの記載はない。
　しかも、半透光部の光透過率の値によっては、光の相殺作用を発揮しつつ単独では露光に至らない強度の光も想定できるし、その場合には遮光層を設けないこともできるので、「光の相殺作用に実質的に寄与しない部分のみに（遮光層を）設けることが自明」であるとする理由はない。
　また、刊行物１において異議申立人が指摘した箇所以外においても「光の相殺作用に実質的に寄与しない部分のみに遮光層を設ける」ようにした記載を見いだせないので、本件第１発明が刊行物１に記載された発明であるとすることはできない。
　
（ｂ２）本件第２発明について
　異議申立人は、遮光層を「小さくする領域を含む領域」に設けることは、本件第１発明における「透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部」に備えられることと本質的に同一であるので、本件第２発明は本件第１発明とその構成上の差異はなく、刊行物１記載の露光用マスクと同一であるとの主張を行った。
　しかしながら、本件第２発明における「マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成」されるという構成は刊行物１には記載がない。
　更には、刊行物１にパターン領域で遮光層を積層するとの記載がない以上、本件第２発明も刊行物１記載の発明と同一ということはできない。
　
（ｂ３）本件第３発明について
　本件第１発明および本件第２発明が刊行物１記載の発明と同一ではないので、本件第１発明または第２発明を引用した本件第３発明も刊行物１記載の発明と同一ということはできない。
　
（ｃ）本件第１ないし第３発明の特許は刊行物２および刊行物３に記載の発明に基づき容易に発明されたものであるとの申立について
　
（ｃ１）本件第１発明について
　刊行物２には、光透光性の基板上に、「所定の透過率を有する第１の層」と、本件第１発明における「遮光層」に相当する「透過率がほぼ零である第２の層」、及び第１の層と第２の層の間に光の位相をシフトさせる第３の層を夫々所定の面積で重ね合わせたフォトマスクが記載（５．（ｂ）の（記載ｂ１）参照）されており、また、「複数の層の一部を位相シフト材料の薄膜に変えることにより、位相シフト用マスク（エッジ強調型、若しくは遮光効果強調型）の効果を持たせることも可能である。」との記載（５．（ｂ）の（記載ｂ２）参照）から、第１の層と第３の層で形成される層は本件第１発明における「半透光部」に相当する。
　また、【図３】で示されているようにガラス基板Ｇ上に所定の透過率を有するクロム層Ａ、層Ａを覆う位相シフト層としての中間層（例えば二酸化珪素の層）Ｃ、層Ｃの周辺を除いた部分を覆うクロム層Ｂを遮光層として形成し、位相シフトマスクとすることが記載（５．（ｂ）の（記載ｂ３）〜（記載ｂ５）参照）されていることから、刊行物２には所定の透過率を有する位相シフト層の周辺を除いた上部に透過率がほぼ零の遮光層を備えたハーフトーン型位相シフトマスクが記載されている。
　さらに、刊行物２には、本件第１発明における「非転写領域」に相当する「回路パターンが描画された領域の周辺」に所定の透過率を有する層Ａ、および透過率が零であることが好ましい遮光帯Ｂが形成された例が開示されている（刊行物２の【図１４】および５．（ｂ）の（記載ｂ６）参照）。
　したがって、刊行物２に記載の発明と本件第１発明とは、
「微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備えたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」で一致する。
　しかしながら、本件第１発明は「マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成され、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク」であり、転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成されること構成要件としているのに対して、刊行物２にはそのような構成は記載も示唆もされていないし、自明のものとも認められない。
　また、刊行物１、刊行物３にもそのような構成は記載されていないし、刊行物１ないし３記載の発明に基づき当業者が容易に想到し得た構成であるとも認められない。
　本件第１発明は、上記構成を有することにより、本件特許明細書記載の顕著な作用・効果を奏するものである。
　
（ｃ２）本件第２発明について
　本件第２発明は「マスクパターン転写領域と非転写領域との境界にまたがって半透光部が形成され、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設け」ることを構成要件とする「ハーフトーン型位相シフトマスク」であるが、上記（ｃ１）で示したように、かかる構成は刊行物１ないし３には記載も示唆もされていないし、刊行物１ないし３に記載の発明に基づき当業者が容易に想到し得た構成であるとも認められない。
　
（ｃ３）本件第３発明について
　本件第３発明は本件第１発明又は本件第２発明によるハーフトーン型位相シフトマスクを用いて被転写基板にパターン転写を行うパターン転写方法であるが、上記（ｃ１）、（ｃ２）で示したように、本件第１発明および本件第２発明は当業者が容易に想到することができた発明であるとは認められないので、本件第１発明又は本件第２発明を引用する本件第３発明も当業者が容易に想到することができた発明とは認められない。
　
７．むすび
　したがって、本件特許は、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、取り消すことができず、また、他に本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　以上のとおりであるから、本件請求項１ないし３に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年５月１８日（２００５．５．１８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
前記半透光部の光透過率が１０％以上であり、
前記マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備え、
前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に
またがって半透光部が形成され、
　【請求項２】
微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
前記半透光部の光透過率が１０％以上であり、前記マスクパターン転写領域内の半透光部の上又は下に遮光層を備え、
前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に
またがって半透光部が形成され、
前記マスクパターンの転写領域内の遮光層は、前記半透光部の領域内であって、透光部と半透光部との境界近傍でかつ露光光の相殺作用に寄与する領域を通過した露光光の被転写体上の光強度を前記遮光層を設けない場合に比較して小さくする領域を含む領域に設けられたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
　【請求項３】請求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクを用いて被転写基板にパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにした位相シフトマスクであって、遮光部を実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に透過光の位相をずらす半透光膜で構成し、この遮光部と透光部との境界近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたいわゆるハーフトーン型位相シフトマスク及びその素材たるハーフトーン型位相シフトマスクブランクに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造等においては、微細パターン転写マスクたるフォトマスクの一つとして位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにしたものである。この位相シフトマスクの一つに、特に、単一のホール、ドットまたはライン、スペース等の孤立したパターン転写に適したものとして、特開平４−１３６８５４号公報に記載の位相シフトマスクが知られている。
　【０００３】図２３は特開平４−１３６８５４号公報に記載の位相シフトマスクの断面図である。図２３に示されるように、この公報記載の位相シフトマスク３０は、透明基板３１上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に通過する光の位相をシフトさせる半透光膜３２を形成し、次いで、該透明基板３１の中央部の転写領域Ｉに、前記半透光膜３２の一部を選択的に除去することにより、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部３３と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部３４とで構成するマスクパターンを形成したものである。そして、この位相シフトマスク３０は、半透光部３４を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部３４を通過した光の位相が上記透光部３３を通過した光の位相に対して実質的に反転する関係になるようにすることにより、前記透光部３３と半透光部３４との境界近傍を通過して回折により回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたものである。図２４は透光部３３と半透光部３４との境界部近傍を通過した光の振幅分布や強度分布を示したものである。このタイプの位相シフトマスクは、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】上述のように、ハーフトーン型位相シフトマスクは、要するに、半透光部によって位相シフト機能と遮光機能とを兼ねさせたものである。すなわち、この半透光部を、パターンの境界部においては位相シフト層として機能させ、それ以外の部分では遮光層として機能させている。したがって、本来は完全に露光光を遮断するのが理想的である部分にもわずかな漏れ光が到達している。通常は、この漏れ光があっても実質的な露光とまで至らないように、全体の露光量を調整する。
　【０００５】ところで、例えば、被転写体に形成された露光対象たるレジストの膜厚が場所によって大巾に異なっている場合のように、被転写体の場所によって必要な露光量が大巾に異なるような場合には、どうしても全体の露光量を被転写体の各場所で必要とする露光量のうちの最大の露光量をカバーできる値に設定しなければならない。そうしないと、全体の露光ができないからである。
　【０００６】ところが、そうすると、例えば、大きい露光量を必要とした膜厚の厚い部分では、半透光部からの漏れ光による影響は小さいが、膜厚の薄い部分では、漏れ光による露光によって現像後のレジストの膜減りが許容範囲を越えてしまう場合も生ずることが判明した。図２５ないし図２７はこの事情の説明図である。
　【０００７】図２５は露光対象たるレジストの膜厚が場所によって異なる被転写体の例を示す図、図２６は図２５の被転写体に露光を施す様子を示す図、図２７は図２６で示された露光をして現像した後の被転写体を示す図である。
　【０００８】図２５に示される被転写体は、基板１００上に、０．５μｍ程度の段差を有する導電膜１０１が設けられ、この上にパターン形成のためのポジ型レジスト膜１０２がスピンコート法で形成されたものである。この被転写体は、レジスト１０２にパターン露光して現像し、レジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクにしてエッチングを施すことにより導電膜１０１に配線用パターンを形成するものである。
　【０００９】図２６に示されるように、上記レジスト膜１０２の露光を、ハーフトーン型位相シフトマスク３０によって行う場合を考える。この場合、導電膜１０１の膜厚が薄い部分である領域Ｂにおけるレジスト１０２の膜厚の方が、導電膜１０１の膜厚の厚い部分である領域Ａにおけるレジスト１０２の膜厚よりも厚い。このため、露光量の値は、この領域Ｂを露光できる大きい値に設定される。
　【００１０】そうすると、図２７に示されるように、レジスト１０１を現像すると、半透光部３４からの漏れ光に応じてレジストパターン１０２ａの膜減りが生ずる。この膜減量は、レジスト膜１０２の膜厚がもともと十分に厚い領域Ｂの場所ではエッチング時に問題となるような量ではない。しかしながら、レジスト膜１０２の膜厚がもともと薄い領域Ａの場所では膜厚がさらに薄くなってしまい、エッチング時にマスクとしての機能を十分に果たし得なくなる場合がある。このため、露光量の設定が困難となり、場合によっては、最適露光量が得られない場合も生じ得る。この事情は、半透光部の透過率が高い（例えば、１０〜１５％）場合には、露光光のエネルギーの洩れ量が大きくなるため、特に深刻な問題となる。
　【００１１】また、このハーフトーン型位相シフトマスクは、通常、半導体製造に用いられる露光装置である縮小投影露光装置（ステッパー）のマスク（レティクル）として用いられる。このステッパーは、レティクルを露光光で投影して得られる投影像を投影レンズで縮小し、被転写体である半導体ウエハ上に結像させて縮小投影露光を行うものである。この縮小投影露光は、通常、１枚の半導体ウエハ上の異なる位置に同一のレティクルのパターンを繰り返し転写して露光し、１枚のウエハから多数の半導体チップを得るものである。このため、このステッパーを用いてパターン転写を行うときは、図２３に示されるように、ステッパーに備えられた被覆部材（アパーチャー）３６によって位相シフトマスク３０（レティクル）の転写領域Ｉのみを露出させるように周縁領域を被覆して露光を行う。
　【００１２】しかしながら、このアパーチャー３６は、精度よく（例えば１μｍ以下の精度）転写領域のみを露出させるように設置することは機械精度的に難しく、多くの場合、露出部が転写領域の外周周辺の非転写領域にはみでてしまう。また、アパーチャーが仮に高精度であってはみだし部がない場合であっても、アパーチャーと被転写体との間に距離があることから露光光が回折して非転写領域に達する。
　【００１３】このように、アパーチャー３６が本来の転写領域よりも広い範囲に露光光を通過させた場合、次の問題のあることがわかった。すなわち、ハーフトーン型位相シフトマスク３０は、通常、非転写領域に実質的に露光に寄与しない強度の光を通過させる光半透光膜３２が形成されている。このため、上述のように、アパーチャー３６が本来の転写領域よりも広い範囲に露光光を通過させると、このはみだした部分で実質的に露光に寄与しない強度の光による露光がなされる。勿論、このはみだし部分があっても１回の露光では何等問題は生じない。しかし、このはみだして露光された部分（はみだし露光部）が転写領域に重なったり、あるいは次の露光の際に同様にはみだして露光された部分と重なる場合が生じ、この重複露光によって、１回の露光では実質的に露光に寄与しない露光量であっても、それらが加算されて露光に寄与する量に達する場合がある。したがって、これにより、本来は露光されるべきでない領域に結果的に露光が施されたと同様のことがおこり、欠陥が発生する。以下、この点を具体的に説明する。
　【００１４】図２８ははみだし露光部が重なる現象を示す説明図である。図９は説明を簡単にするために露光対象たるレジストを塗布したウエハ上に隣接して４個の転写を行った場合を想定したものであって、実線で囲まれる領域ＥＩ１、ＥＩ２、ＥＩ３、ＥＩ４が転写領域であり、それぞれの転写領域の外側の点線で囲まれる部分がはみだし部△ＥＩ１、△ＥＩ２、△ＥＩ３、△ＥＩ４である。上記各転写領域の寸法（縦及び横）はＩ、実際のアパーチャーの光通過孔の寸法（縦及び横）はＩ´、はみだし部の寸法（幅）は△Ｉである。尚、転写領域ＥＩ１、ＥＩ２、ＥＩ３、ＥＩ４の相互位置関係は、ステッパーのＸ−Ｙステージ等によって正確にとなり合わせになるように設定される。また、図２８では説明をわかり易くするために、はみだし部△ＥＩ１、△ＥＩ２、△ＥＩ３、△ＥＩ４を拡大して示してある。
　【００１５】図２８から明らかなように、はみだし部△ＥＩ１、△ＥＩ２、△ＥＩ３、△ＥＩ４は、相互に隣接するもの同志で重なり部分が生ずる。これら重なり部分をそれぞれδＥＩ１２、δＥＩ２４、δＥＩ３４、δＥＩ１３、δＥＩ２３４、δＥＩ１３４、δＥＩ１２３、δＥＩ１２４とすると、重なり部分δＥＩ１２、δＥＩ２４、δＥＩ３４、δＥＩ１３の重なり回数は共に２回であるが、重なり部分δＥＩ２３４、δＥＩ１３４、δＥＩ１２３、δＥＩ１２４は３回となり、さらに、点Ｏにおいては実質的に４回の重なりとなる。今、半透光膜３２の光透過率を１５％とすると、２回重なり部分には光透過率３０％の膜を通過した場合と同じ量の露光が、３回重なり部分には光透過率４５％の膜を通過した場合と同じ量の露光が、さらに、４回重なり部分には光透過率６０％の膜を通過した場合と同じ量の露光がそれぞれ行われることになる。このため、これら重なり部分では、実質的に露光に寄与する強度に達する露光が行われる場合が生ずる。その結果、この露光を行った後、レジストを現像し、所定のエッチング等をしてパターンを形成したウエハには、本来は形成すべきでない部分に不要なパターンが形成されることになり、パターン欠陥が発生してしまうことになる。
　【００１６】本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、比較的簡単な構成によって、ハーフトーン型位相シフトマスク本来の利点を生かしつつその欠点である露光光の洩れをほぼ完全に防止することができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその素材たるハーフトーン型位相シフトマスクブランクを提供することを目的とする。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するために本発明のハーフトーン型位相シフトマスクは、（構成１）
微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、少なくとも前記マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備えたことを特徴とする構成とし、この構成１の態様として、（構成２）
微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、少なくとも前記マスクパターン転写領域内の前記半透光部の上又は下に遮光層を有し、前記遮光層は、前記半透光部の領域内であって透光部と半透光部との境界近傍でかつ露光光の相殺作用に寄与する領域を通過した露光光の被転写体上の光強度を前記遮光層を設けない場合に比較して小さくする領域を含む領域に設けたことを特徴とする構成とし、構成１又は構成２の態様として、
（構成３）構成１又は構成２のハートーン型位相シフトマスクにおいて、前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設けたことを特徴とする構成とした。
　【００１８】また、本発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、
（構成４）構成１ないし３のいずれかのハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際にその素材として用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、透明基板の上に半透光部を構成する半透光膜を有し、この半透光膜の上又は下に遮光層を構成する遮光膜を有することを特徴とした構成とした。さらに、本発明にかかるマスクパターン転写方法は、
（構成５）構成１〜３のいずれかにかかるハーフトーン型位相シフトマスクを用いて被転写基板にパターン転写を行うことを特徴とする構成とした。
　【００１９】
　【作用】上述の構成１によれば、少なくともマスクパターン転写領域内であって、透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部に遮光層を設けることにより、その部分における露光光の洩れを抑えることができる。したがって、レジストの膜減りを小さくすることができる。この場合、マスクパターンのパターン精度は、半透光部のパターン精度によって決まり、遮光層のパターン精度、並びに、その厚さ精度はそれ程要求されないから、その設計及び形成は比較的容易である。それゆえ、ハーフトーン型位相シフトマスク本来の利点を生かしつつその欠点である露光光の洩れをほぼ完全に防止することができる。しかも、上記構成によれば、透光部を通過した露光光の非転写基板上の光強度が従来よりも大きくなり、さらに、半透光部の領域内であって透光部と半透光部との境界近傍でかつ露光光の相殺作用に寄与しない領域を通過した露光光の非転写基板上の光強度は従来より小さくなることが確認されており、実際上の転写パターンのコントラスト向上効果は著しいものがあることが確認されている。
　【００２０】また、構成２によれば、前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光部を設けたことにより、このハーフトーン型位相シフトマスクをステッパーのレティクルとして用いた場合に、ステッパーのアパーチャーの光通過領域と、レティクルたるハーフトーン型位相シフトマスクの転写領域との間に多少のずれがあって、露光光が位相シフトマスクの非転写領域における半透光部にはみだして照射されても、このはみだして照射された露光光は上記遮光部によって遮断されて透過することができない。これにより、被転写体上における非転写領域に不要な露光光が達することを完全に防止でき、上記アパーチャーの光通過領域とハーフトーン型位相シフトマスクの転写領域との間に多少のずれがあった場合にも、このずれに基づく露光の欠陥が生ずることを防止できる。
　【００２１】さらに、構成３によれば、構成１又は２のハーフトーン型位相シフトマスクを容易に製造することができるハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得られる。
　【００２２】
　【実施例】（実施例１）図１は本発明の実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの構成を示す図であって図２のＩーＩ線断面の端面図、図２は実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの平面図、図３ないし図１１は実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。以下、これらの図面を参照にしながら実施例１を説明する。なお、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際の素材であり、少なくとも透明基板の上に半透光部を構成する半透光膜を有し、この半透光膜の上又は下に遮遮光層を構成する遮光膜を有するものを広くさすので、その構成は、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の説明の項で明らかになるので、その説明は省略する。
　【００２３】図１及び図２において、符号１はハーフトーン型位相シフトマスク、符号２は透明基板、符号３は低透過率層、符号４は高透過率層、符号５は半透光層、符号６は透光部、符号７は遮光層である。
　【００２４】ハーフトーン型位相シフトマスク１は、透明基板２の全面に形成された膜の一部を除去して透光部６を形成することによってパターン化された半透光層５を形成し、この半透光層５の上における透光部６との境界部近傍を除く主要部分に遮光層７を形成したものである。
　【００２５】半透光層５は、主として光透過特性を左右する低透過率層３の上に、主として位相シフト特性を左右する高透過率層４を重ねることによって構成したものである。
　【００２６】透光部６は、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる部分である。また、半透光層５は、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる部分であると同時に、この半透光層５を通過する光の位相をシフトさせて該半透光層５を通過した光の位相と透光部６を通過した光の位相とを異ならしめることにより、透光部６と半透光層５との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたものである。
　【００２７】また、領域Ｉが転写領域であり、それ以外は非転写領域である。さらに、領域Ｉ´は、このハーフトーン型位相シフトマスク１をステッパーのレティクルとして用いた場合におけるステッパーのアパーチャーの光通過領域である。この実施例は、転写領域Ｉ以外の非転写領域にも遮光層７を形成したものである。
　【００２８】これにより、このハーフトーン型位相シフトマスク１をステッパーのレティクルとして用いた場合に、ステッパーのアパーチャーの光通過領域Ｉ´と、レティクルたるハーフトーン型位相シフトマスク１の転写領域Ｉとの間に多少のずれがあって、露光光がハーフトーン型位相シフトマスク１の非転写領域にまではみだして照射されても、このはみだして照射された露光光は上記遮光層７によって遮断されて透過することができない。これにより、被転写体上における非転写領域に不要な露光光が達することを完全に防止でき、上記アパーチャーの光通過領域とハーフトーン型位相シフトマスクの転写領域との間に多少のずれがあった場合にも、このずれに基づく露光の欠陥が生ずることを防止できる。
　【００２９】透明基板２は、主表面を鏡面研磨した石英ガラス基板（寸法；縦６インチ×横６インチ×厚さ０．２５インチ）である。
　【００３０】半透光層５を構成する低透過率層３は、膜厚２１ｎｍのＣｒ膜であり、波長３６５ｎｍの露光光に対する透過率が１５％である。また、高透過率層４は、膜厚３８０ｎｍのＳＯＧ（塗布ガラス；スピン・オン・グラス）膜であり、波長３６５ｎｍの露光光の位相を１８０°シフトさせる。
　【００３１】また、遮光層７は、Ｃｒからなる膜厚８０ｎｍの膜である。
　【００３２】次に、図３ないし図１１を参照にしながら、上述の構成のハーフトーン型位相シフトマスク１の製造工程を説明する。
　【００３３】まず、透明基板２上に、スパッタリング法によりＣｒからなる低透過率膜３ａを形成する。次に、低透過率膜３ａ上にＳｉＯ２系被覆膜形成用塗布液（アライドシグナル社製のアキュグラス＃３１１スピンオングラス（商品名））を滴下し、スピンコート法により全面に拡げ、その後、焼成してバインダーの有機化合物を揮発させて、ＳＯＧ（スピン・オン・グラス）膜からなる高透過率膜４ａを形成し、低透過率膜３ａと高透過率膜４ａとからなる半透光膜５ａを形成する。次に、高透過率膜４ａ上に、スパッタリング法によりＣｒを膜厚８０ｎｍに成膜して遮光膜７ａを形成する。次いで、ポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ−８１０Ｓ：日本ゼオン社製）を、遮光膜７ａの上に膜厚５００ｎｍに塗布し、ベークしてレジスト膜８ａを形成する（図３参照）。
　【００３４】次に、透明基板２上の転写領域内におけるレジスト膜８ａに所望のパターンの電子線露光を施す（図４参照）。
　【００３５】次に、上記露光したレジスト膜８ａを現像液で現像することにより、レジストパターン８を形成し、このレジストパターン８をマスクにして、遮光膜７ａを所定のエッチング液によりエッチングして遮光膜パターン７ｂを形成し（図５参照）、引き続き高透過率膜４ａをドライエッチングする（図６参照）。尚、この高透過率膜４ａのドライエッチングは、反応性ドライエッチング方式（ＲＩＥ）の平行平板型ドライエッチング装置を用いて、以下の条件で行う。
　【００３６】エッチングガス…ＣＦ４とＯ２との混合ガスガス圧…０．１Ｔｏｒｒ高周波出力…２００Ｗ次に、レジストパターン８を剥離した後（図７参照）、透明基板２の表面にポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ−８１０Ｓ：日本ゼオン社製）を膜厚５００ｎｍに塗布してベーク処理を施して電子線レジスト膜９ａを形成し（図８参照）、次いで、この電子線レジスト膜９ａに遮光層７を形成するための電子線露光を施す（図９参照）。
　【００３７】次に、電子線レジスト膜９ａを現像し、位相シフト効果に寄与しない領域のレジストパターン９を形成する（図１０参照）。
　【００３８】しかる後、そのレジストパターン９をマスクにして遮光膜パターン７ｂ及び低透過率膜３ａの露出部分を所定のエッチング液を用いてエッチングしてこれらの膜の露出部分を除去し（図１１参照）、次いで残存するレジストパターン９を除去することにより、ハーフトーン型位相シフトマスク１を得る（図１参照）。
　【００３９】図１２は実施例１のハーフトーン型位相シフトマスク１の転写特性と従来のハーフトーン型位相シフトマスクの転写特性とを比較して示した図である。なお、図１２のグラフにおいて、縦軸が被転写基板上の光強度であり、横軸が転写基板上のパターン寸法（単位；μｍ）を示すものである。また、図の実線の曲線が実施例であり、一点鎖線の曲線が比較例である。これらの曲線は、それぞれのハーフトーン型位相シフトマスクを用い、１／５縮小投影型ステッパーにて被転写基板表面にパターン転写したときの光強度のシュミレーションを示したものであるなお、ここで、ハーフトーン型位相シフトマスクのパターン（透光部）の寸法Ｗ１は２．５μｍ、位相シフト機能を果たす部分の寸法Ｗ２が２．０μｍである。また、被転写基板上の寸法Ｗ１´は０．５μｍ、Ｗ２´が０．４μｍである。
　【００４０】この図１２からわかるように、本実施例のハーフトーン型位相シフトマスクを用いた場合は、透光部６と半透光層５との境界近傍において光強度がゼロとなりコントラストが高くなっており、また、露光光の相殺作用に寄与しない領域において、光強度がゼロとなり露光光の洩れを完全に防いでいる。したがって、被転写基板に膜減りの小さいレジストパターンを得ることができる。しかも、図１２から明らかなように、透光部６（Ｗ１）を通過した露光光の被転写基板上の光強度が比較例よりも本実施例のほうが大きくなっており、さらに、半透光部の領域内であって透光部と半透光部との境界近傍でかつ露光光の相殺作用に寄与する領域（Ｗ２）を通過した露光光の被転写基板上の光強度は実施例のほうが小さくなっているので、この点においても本実施例のほうがコントラスト向上の観点で有利である。
　【００４１】また、本実施例では、位相シフトマスク上の転写領域と
非転写領域
　【００４２】また、本実施例における低透過率層３は２１ｎｍの非常に薄い膜で形成しているためピンホールが発生しやすいが、その上方に膜厚が８０ｎｍの遮光層７によって半透光層５の大部分を覆っているので、仮に、低透過率層３にピンホールが発生したとしても、パターン転写の際に不要な像をつくることを防止することができる。
　【００４３】また、本実施例では、低透過率層３と遮光層７として、同じ材料（Ｃｒ）を用いたので、遮光層７の２度目のエッチングと低透過率層３のエッチングとを同時に行うことができ、工程を簡略化することができる。
　【００４４】尚、本実施例では、低透過率層３としては、クロムの他に、クロムに酸化クロムもしくは窒化クロムもしくは炭化クロム等のクロム化合物が含まれるものでもよく、あるいは、モリブデン、タンタル又はタングステンにシリコンを含む材料、あるいは、これらに窒素及び／又は酸素を含ませたものであってもよい。
　【００４５】また、遮光層７としては、クロムの他に例えば、モリブデンにシリコンを含む材料、チタン、アルミニウム、タングステン等の膜であってもよい。また、低透過率層３と遮光層７とは必ずしも同じ材料である必要はない。
　【００４６】また、半透光層５の光透過率は、通常、１〜５０％の範囲であればよく、実用的には５〜１５％のものが多く使用される。
　【００４７】（実施例２）図１３は、本発明の実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの切断面の端面図、図１４ないし図２０は実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。以下、これらの図面を参照にしながら実施例２を説明する。なお、この実施例は、上述の実施例１における半透光層５を一層の膜で構成した外の点の構成はほぼ同一であるので、以下の説明では、実施例１と共通する機能を果たす部分には同一の符号付してその説明の一部を省略する。
　【００４８】この実施例においては、半透光層５は、膜厚１８０ｎｍの酸化窒化ＭｏＳｉ膜であり、波長３６５ｎｍの露光光に対する透過率が８％であり、また、露光光の位相を１８０°シフトさせる。
　【００４９】また、遮光層７はＣｒからなる膜厚８０ｎｍの膜であり、位相シフト効果に寄与しない領域に形成されている。
　【００５０】この構成のハーフトーン型位相シフトマスク１は以下のようにして製造することができる。
　【００５１】まず、透明基板１上にモリブデンシリサイドのターゲットを用い、Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２ガスを用いた反応性スパッタリング法による酸化窒化ＭｏＳｉからなる透過率及び位相差を同時に制御する単層の半透光膜５ａを形成する。次に、半透光膜５ａ上に、スパッタリング法によりＣｒを膜厚８０ｎｍに成膜して遮光膜７ａを形成する。次に、この遮光膜７ａの上にポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ−８１０Ｓ：日本ゼオン社製）を膜厚５００ｎｍ塗布し、ベークして電子線レジスト膜８ａを形成する（図１４参照）。
　【００５２】次に、透明基板１上の電子線レジスト膜８ａに所望のパターンの電子線露光を施す（図１５参照）。
　【００５３】次に、上記露光した電子線レジスト膜８ａを現像した後ベークしてレジストパターン８を形成し、次いで、このレジストパターン８をマスクにして、遮光膜７ａを所定のエッチング液によりエッチングして遮光膜パターン７ｂを形成する（図１６参照）。
　【００５４】次に、半透光膜５ａをエッチングした後、レジストパターン８を除去する（図１７参照）。尚、この半透光膜５ａのエッチングは、反応性イオンエッチング方式の平行平板型ドライエッチング装置を用いて、以下の条件で行う。
　【００５５】エッチングガス…ＣＦ４とＯ２との混合ガスガス圧…０．１Ｔｏｒｒ高周波出力…２００Ｗ次に、基板全面にポジ型フォトレジスト（ＡＺ−１３５０：シブレイ社製）を膜厚６００ｎｍ塗布し、ベーク処理を施してフォトレジスト膜９ａを形成する（図１８参照）。
　【００５６】次に、透明基板１の裏面より、全面露光を行い遮光膜パターン７ｂをマスクとした露光を施す（図１９参照）。この際、パターニングする部分の線幅が太くなるように照射量を、遮光膜パターン７ｂと同一寸法のパターンを得る場合の照射量よりも多くする。次いで、フォトレジスト９ａを現像し、そのレジストパターンをマスクとして遮光膜パターン７ｂを所定のエッチング液によりエッチングする。このときも上述の露光量を多くすると同様にエッチング時間を通常のパターニングより長くすることが重要である。しかる後に、レジストを剥離してすることにより実施例２のハーフトーン型位相シフトマスク１を得ることができる（図１３参照）。
　【００５７】本実施例によれば、実施例１と同様に、コントラストが高く、膜減りの小さいレジストパターンを得ることができ、また、位相シフトマスク上の転写領域と非転写領域の境界部も遮光層で覆っているため、被転写基板に不要な像が形成されることを防止することができる。
　【００５８】また、半透光層５を酸化窒化ＭｏＳｉ、遮光層７をクロムとしていることにより、エッチング際に双方がエッチングされてしまうことがない。
　【００５９】尚、本実施例では、半透光層として酸化窒化ＭｏＳｉ、遮光層としてクロムを用いたが、半透光層としてはこれに限らず、１層で所定の透過率及び位相差を有する膜材料であればよく、例えば、クロムの酸化物、窒化物、弗化物、炭化物又はこれらの混合物、酸化シリコンに吸光材を混合させた材料など、半透光膜として使用できるあらゆる材料を用いることができる。ただし、本実施例のような方法を用いる場合、半透光層と遮光層とは互いのエッチング環境に耐性を有する材料を選定する必要がある。
　【００６０】また、上記実施例では、背面露光工程において、所定の位置に遮光膜を形成するために、背面露光の照射量を多くしたが、図２０に示したように、透明基板１の表面に対向して、基板１２上にクロム膜等の高反射膜１３が形成された反射用基板１１を配置することにより反射作用を利用して半透光層５上の透光部との境界近傍にも露光されるようにしてもよい。
　【００６１】以下に、本発明の代表的な変形例を挙げる。
　【００６２】図２１に示した位相シフトマスク１は、透明基板２に直接エッチングを施して透明基板の一部を高透過率層４とし、この高透過率層４の上に低透過率層３を積層し、低透過率層３の上の位相シフト機能に寄与しない部分に遮光層７を形成したものである。
　【００６３】図２２に示した位相シフトマスク１は、透明基板２の上の所定の位置に遮光層７を設け、その上の所定の位置に単層の半透光層５を形成したものである。尚、この半透光層５を高透過率層と低透過率層の２層構造のものにしてもよい。
　【００６４】本発明において、遮光層を設ける位置については、被転写基板上のＷ２´が０．２μｍ以上の範囲でなるべく小さくなるように設定することが好ましい。つまり、１／５縮小投影型ステッパーを用いる場合は、マスク上でのＷ２が１μｍ以上の範囲でなるべく小さいほうが好ましい。Ｗ２をなるべく小さくすることにより半透光部における光の洩れを最小限に押さえることができるが、Ｗ２が１μｍ以下になると、半透光部と透光部の境界近傍における相殺作用に悪影響を及ぼす可能性があるからである。ただし、パターンの寸法（Ｗ１）精度は半透光部の寸法精度によって決定されるので、遮光層の寸法（Ｗ１）精度はさほど要求されない。
　【００６５】
　【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクは、少なくともマスクパターン転写領域内であって、透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部に遮光層を設けたことにより、その部分における露光光のもれを抑えることができる。したがって、レジストの膜減りを小さくすることができる。この場合、マスクパターンのパターン精度は、半透光部のパターン精度によって決まり、遮光層のパターン精度、並びに、その厚さ精度はそれ程要求されないから、その設計及び形成は比較的容易である。それゆえ、ハーフトーン型位相シフトマスク本来の利点を生かしつつその欠点である露光光の洩れをほぼ完全に防止することができる。
　【００６６】また、マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光部を設けたことにより、このハーフトーン型位相シフトマスクをステッパーのレティクルとして用いた場合に、ステッパーのアパーチャーの光通過領域と、レティクルたるハーフトーン型位相シフトマスクの転写領域との間に多少のずれがあって、露光光が位相シフトマスクの非転写領域における半透光部にはみだして照射されても、このはみだして照射された露光光は上記遮光部によって遮断されて透過することができない。これにより、被転写体上における非転写領域に不要な露光光が達することを完全に防止でき、上記アパーチャーの光通過領域とハーフトーン型位相シフトマスクの転写領域との間に多少のずれがあった場合にも、このずれに基づく露光の欠陥が生ずることを防止できる。
　【００６７】さらに、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクによれば、本発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクを容易に製造することができるハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの構成を示す図であって図２のＩーＩ線断面の端面図である。
　【図２】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの平面図である。
　【図３】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図４】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図５】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図６】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図７】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図８】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図９】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１０】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１１】実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１２】実施例１のハーフトーン型位相シフトマスク１の転写特性と従来のハーフトーン型位相シフトマスクの転写特性とを比較して示した図である。
　【図１３】実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１４】実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１５】実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１６】実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１７】実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１８】実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１９】実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図２０】実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図２１】本発明の変形例を示す図である。
　【図２２】本発明の変形例を示す図である。
　【図２３】本発明の従来例の説明図である。
　【図２４】本発明の従来例の説明図である。
　【図２５】本発明の従来例の説明図である。
　【図２６】本発明の従来例の説明図である。
　【図２７】本発明の従来例の説明図である。
　【図２８】本発明の従来例の説明図である。
　【符号の説明】１…ハーフトーン型位相シフトマスク、２…透明基板、３…低透過率層、４…高透過率層、５…半透光層、６…透光部、７…遮光層。