【事件の表示】
　特願２００８−　４９７８３「表面実装型ＬＥＤパッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　９月１０日出願公開、特開２００９−２０６４２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成２０年２月２９日の出願であって、平成２４年９月１０日付けで拒絶の理由が通知され、同年１１月１２日に手続補正がなされたが、同年１２月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２５年３月４日に拒絶査定不服審判が請求され、同年１０月４日付けで当審による拒絶の理由が通知され、同年１１月２９日に手続補正がなされるとともに意見書が提出されたものである。 
 　  
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１１月２９日に補正された本願の請求項１に記載された事項によって特定される、次のとおりのものと認める。 
「ＬＥＤ素子と、
　前記ＬＥＤ素子を実装するカソード電極およびアノード電極を表面側に備えるとともに、
　前記カソード電極に接続されたカソード端子と、前記アノード電極に接続されたアノード端子とを裏面側に備えたセラミック製パッケージ基板と、
　前記ＬＥＤ素子、前記カソード電極および前記アノード電極を封止する透光性樹脂層と、
　前記カソード電極と前記カソード端子との間、または前記アノード電極と前記アノード端子との間に接続されるとともに、その感知温度が前記ＬＥＤ素子のジャンクション温度と等しくなる程度に前記ＬＥＤ素子に近接して配置された正特性サーミスタとを含み、
　前記パッケージ基板の裏面側には内方に向けて窪んだ凹部が前記カソード端子と前記アノード端子とに挟まれた領域内に形成され、
　前記正特性サーミスタは、前記凹部内に収容され、その抵抗値が最小となる最小抵抗値温度が前記ＬＥＤ素子のジャンクション温度の最大定格である最高使用温度以下で、かつ当該最高使用温度の近傍となるように抵抗温度特性が設定されていることを特徴とする表面実装型ＬＥＤパッケージ。」 　
　
第３　引用例１の記載事項 
　当審による拒絶の理由３において引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−３４７４３４号公報（以下「引用例１」という。）には、次の１ないし３の記載がある。 
１　「【請求項１】　発光素子と、該発光素子の駆動電流制限用抵抗とを備えた抵抗内蔵型発光装置において、パツケージの上面に発光側凹部が形成され、パツケージの下面に抵抗側凹部が形成され、前記発光側凹部に薄膜状の発光側配線部が立体的に形成され、該発光側配線部に前記発光素子が搭載され、前記抵抗側凹部に薄膜状の抵抗側配線部が立体的に形成され、該抵抗側配線部に前記抵抗が搭載され、前記発光側凹部と抵抗側凹部との間に、前記発光素子と抵抗とを直列に接続するための接続配線部が形成され、該接続配線部は、発光側凹部と抵抗側凹部との間に貫通された貫通孔に形成されたことを特徴とする抵抗内蔵型発光装置。」 
 　 
２　「【００１２】 
 【実施例】図１は本発明の一実施例を示す抵抗内蔵型発光装置であつて、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図、（Ｄ）は正面図、（Ｅ）は左側面図、（Ｆ）は右側面図である。・・・・ 
【００１６】すなわち、該パツケージ１１は、耐熱性のある液晶ポリマー、ポリフエニレンサルフアイド（ＰＰＳ）、あるいはポリエーテルスルフオン（ＰＥＳ）等の電気的絶縁性を有する遮光性樹脂が使用され、一枚の有機樹脂基板に数百個のデバイスが規則正しく配列されるよう金型成形され、後に図１（Ａ）〜（Ｆ）のような個別のデバイスにダイシング分割される。該パツケージ１１の上面には、前記ＬＥＤチップ１２を収納するための発光側凹部１５が形成され、パツケージ１１の下面には、前記抵抗１３を収納するための抵抗側凹部１６が形成されている。ここで、両凹部１５，１６を上下に離反させているのは、抵抗１３で発生した熱がＬＥＤチップ１２に伝導するのを防止するためである。 
【００１７】前記発光側凹部１５には、めつきにて発光側配線部１７が形成されている。該発光側配線部１７は、図１（Ａ）（Ｃ）の如く、発光側凹部１５の底部の一部からパツケージ１１のロ字型の上面１７ａ、さらに図１（Ｄ）（Ｅ）のようにパツケージ１１の一側面１７ｂを介して、下面の外部接続電極１７ｃにまで立体的に引きまわしされている。・・・ 
【００１８】前記抵抗側凹部１６には、図１（Ｃ）の如く、めつきにて抵抗側配線部１８が前記発光側配線部１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃに対して非連続に形成されている。該抵抗側配線部１８は、抵抗側凹部１６の底部からパツケージ１１の下面の外部接続電極１８ａにまで立体的に引きまわしされ、さらに、放熱性を向上するよう、パツケージ１１の一側面１８ｂに延設されて大面積とされている。・・・ 
【００２０】前記ＬＥＤチップ１２は、可視光発光ダイオードが用いられ、図２の如く、カソード端子が金属細線３３および接続配線部３２を介して抵抗１３に直列接続され、裏面のアノード端子が発光側配線部１７にダイボンド接続される。該ＬＥＤチップ１２は、発光側凹部１５内に搭載後、透光性封止樹脂２８にて封止される。・・・ 
【００２８】また、表面実装時には、図１（Ｆ）および図２の如く、外部接続電極１７ｃ，１８ａに半田付け等を施して外部接続する。・・・」 
 　 
３　「【００３８】なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更を加え得ることは勿論である。・・・ 
【００４０】また、ＬＥＤチップ１２、抵抗１３とも、複数個使用してもよい。【００４１】さらに、通常、ＬＥＤチップ１２は、図３の如く、温度が上がると絶対最大電流値を下げて使用する必要があるが、高温での使用を前提とすると、電流値を下げて設定することとなり、この場合、常温で使用すると暗くなるが、抵抗１３として、温度が上がると抵抗値が上がるサーミスタを用いて、高温下でのＬＥＤ使用での電流制限を行うことも有効である。例えば、２５°Ｃ前後で３０ｍＡ、６０°Ｃで約１５ｍＡとなるサーミスタを用いれば、常温から高温まで最大効率の電流設定が可能となる。」 
 　 
４　上記２で言及されている図１（Ｃ）、（Ｄ）は次のものである。 
　
 　 
５　上記２で言及されている図２は、次のものである。
　
第４　引用発明の認定 
１　上記「第３　２」には、「【００１２】図１は本発明の一実施例を示す抵抗内蔵型発光装置であつて」とあるとおり、上記「第３　１」に記載された抵抗内蔵型発光装置（以下「引用装置」という。）の一実施例が示されている。 
 　 
２　引用装置における「発光側凹部に薄膜状の発光側配線部が立体的に形成され」が指す構成はかならずしも明確でないが、上記「第３　２」の【００１７】に、「該発光側配線部１７は、図１（Ａ）（Ｃ）の如く、発光側凹部１５の底部の一部からパツケージ１１のロ字型の上面１７ａ、さらにパツケージ１１の一側面１７ｂを介して、下面の外部接続電極１７ｃにまで立体的に引きまわしされている。」構成であってよいものと認められる。 
 　　 
３　引用装置の「抵抗側配線部１８」は、上記「第３　２」の【００１８】に記載された「抵抗側凹部１６の底部からパツケージ１１の下面の外部接続電極１８ａにまで立体的に引きまわしされ」たものであってよいものと認められる。 
 　 
４　引用装置は、「発光素子と抵抗とを直列に接続するための接続配線部が形成され」たものであるが、具体的にどの部材のどの部分が接続されて該直列接続がなされるか明らかでない。 
　しかしながら、該直列接続は、上記「第３　２」（特に【００２０】）及び上記図１（Ｃ）、（Ｄ）、図２によれば、 
「発光側配線部１７の外部接続電極１７ｃ、発光側配線部１７のパツケージ１１側面部分１７ｂ、発光側配線部１７の発光側凹部１５底部からパツケージ１１上面に至る部分１７ａ、ＬＥＤチップ１２、金属細線３３、接続配線部３２の発光側凹部１５側端部、接続配線部３２の貫通孔３１部分、接続配線部３２の抵抗側凹部１６側端部、抵抗１３、抵抗側配線部１８の抵抗側凹部１６底部側、抵抗側配線部１８の外部接続電極１８ａの順に接続されるもの」 
であってよいと認められる。 
 　 
５　上記「第３　２」の【００２０】には、ＬＥＤチップ１２のカソード（陰極）端子が金属細線で接続され、ＬＥＤチップ１２のアノード（陽極）端子がダイボンド接続されることが記載されているから、ダイボンド接続される側である発光側配線部１７の外部接続電極１７ｃは陽極であって正の電圧が印加され、金属細線に接続される側の接続配線部３２に抵抗１３を介して接続される外部接続電極１８ａは陰極であって負の電圧が印加される。 
　しかしながら、上記「第３　３」に「【００３８】なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更を加え得ることは勿論である。」とあることから、引用装置は、陰陽、正負を逆にした、ＬＥＤチップ１２のカソード（陰極）端子がダイボンド接続され、ＬＥＤチップ１２のアノード（陽極）端子が金属細線で接続される構成のものを、その実施形態として含み得るものと認められる。 
　なお、カソード（陰極）端子がダイボンド接続され、アノード（陽極）端子が金属細線で接続されるＬＥＤチップは、ありふれたものである。例えば、特開２００７−８８０９７号公報の次の記載参照。 
「【００１３】 
　また、ＬＥＤチップ１０は、上述の金属板２１に、ＬＥＤチップ１０のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されＬＥＤチップ１０と金属板２１との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップ１０に働く応力を緩和するサブマウント部材３０を介して実装されている。サブマウント部材３０は、上記応力を緩和する機能だけでなく、ＬＥＤチップ１０で発生した熱を金属板２１においてＬＥＤチップ１０のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。本実施形態では、サブマウント部材３０の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するＡｌＮを採用しており、ＬＥＤチップ１０は、上記カソード電極がサブマウント部材３０におけるＬＥＤチップ１０側の表面に設けられ上記カソード電極と接続される電極パターンおよび金属細線（例えば、金細線、アルミニウム細線など）からなるボンディングワイヤ１４を介して一方のリードパターン２３と電気的に接続され、上記アノード電極がボンディングワイヤ１４を介して他方のリードパターン２３と電気的に接続されている。」 
 　 
６　上記「第３　２」の【００１６】には、パツケージ１１に遮光性樹脂が使用されることが記載されているが、上記「第３　３」に「【００３８】なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更を加え得ることは勿論である。」とあることから、引用装置のパツケージの素材は、遮光性樹脂に限定されないものと認められる。 
 　 
７　上記「第３　２」の【００２０】に「ＬＥＤチップ１２は、発光側凹部１５内に搭載後、透光性封止樹脂２８にて封止される。」とあることから、引用装置の発光素子は、発光側凹部内に搭載後、透光性封止樹脂にて封止されてもよい。 
 　 
８　上記「第３　３」の【００４１】によれば、引用装置は、発光素子の駆動電流制限用抵抗（抵抗１３）を、温度が上がると抵抗値が上がるサーミスタ、すなわち正特性サーミスタにして、高温下での発光素子（ＬＥＤチップ１２）使用での電流制限を行い、常温から高温まで最大効率の電流設定が可能となるものとしてもよい。 
 　 
９　以上のことから、引用例１には、引用装置において、発光素子の駆動電流制限用抵抗を正特性サーミスタに置き換えた、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「ＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップの駆動電流制限用抵抗としての正特性サーミスタとを備えた発光装置において、パツケージの上面に発光側凹部が形成され、前記パツケージの下面に抵抗側凹部が形成され、前記発光側凹部に薄膜状の発光側配線部が立体的に形成され、前記発光側配線部に前記ＬＥＤチップが搭載され、前記抵抗側凹部に薄膜状の抵抗側配線部が立体的に形成され、前記抵抗側配線部に前記正特性サーミスタが搭載され、前記発光側凹部と前記抵抗側凹部との間に、前記ＬＥＤチップと前記正特性サーミスタとを直列接続するための接続配線部が形成され、前記接続配線部は、発光側凹部と抵抗側凹部との間に貫通された貫通孔に形成され、 
　前記ＬＥＤチップは、前記発光側凹部内に搭載後、透光性封止樹脂にて封止され、 
　前記発光側配線部は、前記発光側凹部底部の一部から前記パツケージ上面、さらに前記パツケージ側面を介して、下面の外部接続電極にまで立体的に引きまわしされ、 
　前記抵抗側配線部は、前記抵抗側凹部の底部から前記パツケージ下面の外部接続電極にまで立体的に引きまわしされ、 
　前記直列接続は、前記発光側配線部の外部接続電極、前記発光側配線部のパツケージ側面部分、前記発光側配線部の前記発光側凹部底部から前記パツケージ上面に至る部分、前記ＬＥＤチップ、金属細線、前記接続配線部の前記発光側凹部側端部、前記接続配線部の前記貫通孔部分、前記接続配線部の前記抵抗側凹部側端部、前記正特性サーミスタ、前記抵抗側配線部の前記抵抗側凹部底部側、前記抵抗側配線部の外部接続電極の順に接続されるものであり、 
　前記駆動電流制限用抵抗を、温度が上がると抵抗値が上がる正特性サーミスタとしたことにより、高温下での前記ＬＥＤチップ使用での電流制限を行い、常温から高温まで最大効率の電流設定が可能となる、 
　発光装置。」 
 　 
第５　引用例２の記載事項
（１）　当審による拒絶の理由３において引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である実公昭６２−２５８３８号公報（以下「引用例２」という。）には、次の記載がある。 
「第１図において、１は発光ダイオード、２は正特性サーミスタであり、その両者は直列接続され、電源３が発光ダイオード１に順方向電流ＩFが流れる極性にて接続されている。 
　そして、正特性サーミスタ２には、第２図に示すように20℃から80℃にかけて内部抵抗が減少する負性抵抗特性を示すものを使用する。 
　以上により、周囲温度が20℃〜80℃の範囲において上昇すれば発光ダイオード１はその明るさが減少する方向に変化するが、正特性サーミスタ２の内部抵抗は減少するので、その内部抵抗減少に応じて発光ダイオード１の順方向電流ＩFが増大し、明るさの減少が防止されるようになる。 
　以上の動作は正特性サーミスタ２が負性抵抗特性を示す範囲内、つまり周囲温度が20℃〜80℃で行なわれるが、80℃を超える温度にまで上昇すると、その正特性サーミスタ２が本来の正特性を現わし、温度上昇に応じて内部抵抗を増大するので、発光ダイオード１に流れる順方向電流ＩFが逆に減少する。したがつて、周囲温度があまりにも上昇した場合には、順方向電流過大による発光ダイオード１の破壊が未然に防止される。よつて、所定の温度変化範囲内において発光ダイオードの明るさが一定に保持されるようになる。」 
 　 
（２）　上記記載によれば、引用例２には、「ＬＥＤにおいて、ある温度範囲で負性抵抗特性を示すサーミスタをＬＥＤに直列接続し、温度上昇に伴い該サーミスタの抵抗値が減少することでＬＥＤの順方向電流を増大させ、温度上昇に伴うＬＥＤの光出力低下を補償し、明るさの減少を防止する。」との技術が記載されているものと認められる。
　
第６　対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。 
１　引用発明の「ＬＥＤチップ」は、本願発明の「ＬＥＤ素子」に相当し、以下同様に、 
　「ＬＥＤチップの駆動電流制限用抵抗としての正特性サーミスタ」は、「正特性サーミスタ」に、 
　「パツケージ」は、「パッケージ基板」に、 
　「『ＬＥＤチップ』を『発光側凹部内に搭載後、封止する』『透光性封止樹脂』」は、「ＬＥＤ素子・・・を封止する透光性樹脂層」に、 
　「『パツケージの下面』の『抵抗側凹部』」は、「『パッケージ基板の裏面側』の『内方に向けて窪んだ凹部』」に、 
　「発光装置」は、「表面実装型ＬＥＤパッケージ」に、それぞれ相当する。 
 　 
２　引用発明において、「発光側配線部の外部接続電極」を陰極、「抵抗側配線部の外部接続電極」を陽極とする選択をした際には、 
　引用発明の「発光側配線部の発光側凹部底部からパツケージ上面に至る部分」は、本願発明の「カソード電極」に相当し、 
　以下同様に、 
　「接続配線部の発光側凹部側端部」は、「アノード電極」に、 
　「発光側配線部の外部接続電極」は、「カソード電極に接続されたカソード端子」に、 
　「抵抗側配線部の、抵抗側凹部底部側及び外部接続電極」は、「アノード電極に接続されたアノード端子」に、 
　それぞれ相当し、 
　かつ、引用発明が、本願発明の 
 　「『パッケージ基板』が、『ＬＥＤ素子を実装する、カソード電極及びアノード電極を表面側に備えるともに、前記カソード電極に接続されたカソード端子と、前記アノード電極に接続されたアノード端子とを裏面側に備え』」との構成、 
　「『透光性樹脂層』が『ＬＥＤ素子、カソード電極およびアノード電極を封止する』」との構成、 
　「『正特性サーミスタ』が『アノード電極とアノード端子との間に接続される』」との構成及び 
　「パッケージ基板の裏面側には内方に向けて窪んだ凹部がカソード端子とアノード端子とに挟まれた領域内に形成され、正特性サーミスタは、前記凹部内に収容され」との構成を備えるものとなることは明らかである。 
 　 
３　引用発明において、「ＬＥＤチップ」は、「発光側配線部の発光側凹部底部」にあり、「正特性サーミスタ」は、「抵抗側配線部の抵抗側凹部底部側」にあるから、「ＬＥＤチップ」と「正特性サーミスタ」とは、「パツケージの上面の発光側凹部」と「パツケージの下面の抵抗側凹部」との間隔、つまり貫通孔の長さ程度しか離れていないのであるから、「正特性サーミスタは、ＬＥＤチップに近接して配置された」といえる。 
 　 
４　上記１ないし３によれば、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。 
 ＜一致点＞ 
「ＬＥＤ素子と、 
　前記ＬＥＤ素子を実装する、カソード電極及びアノード電極を表面側に備えるとともに、前記カソード電極に接続されたカソード端子と、前記アノード電極に接続されたアノード端子とを裏面側に備えたパッケージ基板と、 
　前記ＬＥＤ素子、前記カソード電極および前記アノード電極を封止する透光性樹脂層と、 
　前記アノード電極と前記アノード端子との間に接続される正特性サーミスタとを含み、 
　前記パッケージ基板の裏面側には内方に向けて窪んだ凹部が前記カソード端子と前記アノード端子とに挟まれた領域内に形成され、 
　前記正特性サーミスタは、前記凹部内に収容され、前記ＬＥＤ素子に近接して配置された、 
　表面実装型ＬＥＤパッケージ。」 
 　 
＜相違点１＞ 
　「パッケージ基板」が、本願発明はセラミック製であるのに対して、引用発明はそのように特定されるものではない点。 
 　 
＜相違点２＞ 
 　「正特性サーミスタ」が、本願発明は「その抵抗値が最小となる最小抵抗値温度がＬＥＤ素子のジャンクション温度の最大定格である最高使用温度以下で、かつ当該最高使用温度の近傍となるように抵抗温度特性が設定されている」ものであるのに対して、引用発明はそのように特定されるものではない点。 
 　 
第７　判断 
　上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞について検討する。 
１　＜相違点１＞について 
（１）　当審による拒絶の理由３において引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００７−８８０９７号公報の【００１３】には、次の記載がある。
「サブマウント部材３０の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するＡｌＮを採用しており、ＬＥＤチップ１０は、上記カソード電極がサブマウント部材３０におけるＬＥＤチップ１０側の表面に設けられ」
　
　上記記載におけるＡｌＮはセラミックである。 
　
（２）　同じく特開２００２−２２２９９８号公報には、次の記載がある。「【００１２】基材５は、正負一対の導電パターン３及び４を各々上面１ａから側面１ｂ及び１ｂ’を経て下面１ｃに連続して形成した絶縁基板１からなり、基材５の上に、ＬＥＤチップ７が、導電パターン３及び４を介して接続されている。絶縁性基板には、例えば、ガラスエポキシ積層基板、液晶ポリマ基板、ポリイミド樹脂基板、セラミックス基板等を用いることができる。」
　
（３）　以上のことから、ＬＥＤチップを用いる発光装置のパッケージとして、セラミック製のものは一般的であると認められる。
　よって、引用発明において、「パッケージ」としてセラミック製のものを採用し、本願発明の＜相違点１＞に係る構成を備えることは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。 
 　 　
（４）　請求人は、平成２５年１１月２９日に提出した意見書において、次の主張をしている。
「引用発明では、熱伝導性が良好なセラミックではなく、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）またはポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）といった熱伝導率が低い樹脂材料でパッケージを構成することで、離反させたことによる熱伝導防止効果が損なわれるのを防いでおり、正特性サーミスタからＬＥＤチップへの熱伝導の抑制を意図した引用発明において、この意図に反することとなるセラミック製のパッケージを採用することは、たとえ当業者といえども容易ではない。」
　
　しかし、引用例には、セラミックではなく熱伝導率が低い樹脂材料でパッケージを構成することで、熱伝導防止効果が損なわれるのを防ぐことは記載されていないし、引用発明が、そのような樹脂材料を用いるものに特定されるものでもない。
　請求人の主張は、引用例１の記載に基づかないものであり、採用できない。
　
２　＜相違点２＞について　 
（１）　「ＬＥＤ素子のジャンクション温度の最大定格である最高使用温度」について 
　本願明細書の発明の詳細な説明には、次の記載がある。 
「【０００５】 
（２）ＬＥＤパッケージは一般に、温度上昇と共に順電圧Ｖｆが低下する（図９参照）。それゆえ、高輝度ＬＥＤパッケージを定電圧駆動すると、ジャンクション温度が上昇するにつれて駆動電流が増大し、電流値およびジャンクション温度が最大定格を超えてしまう問題があった。 
　電流値およびジャンクション温度が最大定格を超えてしまうと、ＬＥＤパッケージは劣化する。・・・」 
 　 
「【０００９】・・・また、上記の回路によれば、所定温度を超えて温度上昇した際、正特性サーミスタの正特性により抵抗値が増大して順方向電流が減少するため、ＬＥＤ素子の破壊が未然に防止される。」 
 　 
　上記記載によれば、本願発明の＜相違点２＞に係る構成における「ＬＥＤ素子のジャンクション温度の最大定格である最高使用温度」とは、「それ以上の温度になるとＬＥＤ素子が劣化する温度であって、ＬＥＤ素子の破壊を防止するために、順方向電流を減少させるべきジャンクション温度」といえる。
  　 
（２）　引用例２に記載された技術の、引用発明への適用について 
　上記第５で検討したとおり、引用例２には
「ＬＥＤにおいて、ある温度範囲で負性抵抗特性を示すサーミスタをＬＥＤに直列接続し、温度上昇に伴い該サーミスタの抵抗値が減少することでＬＥＤの順方向電流を増大させ、温度上昇に伴うＬＥＤの光出力低下を補償し、明るさの減少を防止する。」
　との技術が記載されているものと認められる。
　
　引用発明と上記技術は、ともに、サーミスタをＬＥＤに直列接続し、サーミスタが温度変化に伴いその抵抗値を変えることを利用してＬＥＤの電流を調整するものであるから、引用発明に上記技術を適用すること、すなわち、引用発明の正特性サーミスタを、温度上昇に伴い抵抗が減少する負性抵抗特性を示し、所定温度以上になると本来の正特性（温度が上昇すると抵抗が増加する特性）を示すサーミスタとすることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。 
 　 
　その際に、上記「所定温度」を、どの程度の値に設定するかは設計事項と認められるところ、 
　必要以上に大きい値に設定すると、サーミスタが正特性を発揮することが遅れて、ＬＥＤチップのジャンクション温度が、「それ以上の温度になるとＬＥＤチップが劣化する温度であって、ＬＥＤチップの破壊を防止するために、順方向電流を減少させるべきジャンクション温度」（本願発明の「ＬＥＤ素子のジャンクション温度の最大定格である最高使用温度」に相当。）を越える可能性があって望ましくなく、 
　必要以上に小さい値に設定すると、サーミスタが負性抵抗特性を示す温度の上限が下がるから、該負性抵抗特性を利用して温度上昇に伴うＬＥＤの光出力低下を補償し、明るさの減少を防止する機能を奏する温度範囲が狭まることになり、望ましくないことは明らかである。 
 　 
　そして、引用発明においては、パツケージ下面にサーミスタが搭載されており、サーミスタ搭載部分の温度はＬＥＤチップ搭載部分の温度に近いものと理解できることに照らすならば、上記「所定温度」（本願発明の「正特性サーミスタの最小抵抗値温度」に相当。）を、「ＬＥＤ素子のジャンクション温度の最大定格である最高使用温度以下で、かつ当該最高使用温度の近傍」に設定することは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。 
 　 
（３）　上記（１）及び（２）によれば、引用発明において、本願発明の＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が引用例２の記載に基づいて容易に想到し得たことと認められる。 
 　 
３　まとめ 
　上記１及び２によれば、引用発明において、本願発明の＜相違点１＞及び＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が引用例２の記載に基づいて容易に想到し得たことと認められる。 
　また、かかる構成を備えることによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。 
　よって、本願発明は、当業者が引用発明及び引用例２の記載に基づいて容易に発明をすることができたものと認められる。    
　
第８　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び引用例２の記載に基づいて容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。