【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４９１１７２７号発明「半導体装置の製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　請求のとおり訂正を認める。
　特許第４９１１７２７号の請求項１ないし３に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯 
　
　本件特許第４９１１７２７号に係る出願は、平成１４年１２月２７日に出願した特願２００２−３７９２７０号の一部を平成２０年１０月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年１月２７日にその請求項１〜３に係る発明について特許権の設定登録がなされたものである。
　これに対して、住友金属鉱山株式会社（以下、「請求人」という。）から平成２４年８月７日付けで請求項１〜３に係る発明の特許について、無効審判の請求がなされたものであり、その後の手続の経緯は，以下のとおりである。
　
　審判請求書　　　　　　　　　　　　　　　　　平成２４年　８月　７日
　審判事件答弁書　　　　　　　　　　　　　　　平成２４年１０月１９日
　審理事項通知書　　　　　　　　　　　　　　　平成２５年　１月２２日
　口頭審理陳述要領書（請求人）　　　　　　　　平成２５年　２月２１日
　口頭審理陳述要領書（被請求人）　　　　　　　平成２５年　２月２１日
　口頭審理（特許庁審判廷）　　　　　　　　　　平成２５年　３月　７日
　審決の予告　　　　　　　　　　　　　　　　　平成２５年　３月１８日
　訂正請求書　　　　　　　　　　　　　　　　　平成２５年　５月１７日
　意見書　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成２５年　５月１７日
　弁駁書　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成２５年　６月２４日
　
２．審判請求人の主張 
　
　審判請求人が主張する無効理由の要旨は、次のとおりである。
　なお、請求人は、証拠方法として、甲第１号証〜甲第１８号証、参考資料として甲第１９号証〜甲第２４号証を提出している。
　
　甲第１号証　特許第４９１１７２７号公報
　甲第２号証　特開２００２−９１９６号公報　
　甲第３号証　特開２００２−１６１８１号公報
　甲第４号証　特開昭６３−１６４３２７号公報
　甲第５号証　特開昭６３−８６３２２号公報
　甲第６号証　特開平８−１６２３５２号公報
　甲第７号証　特開２００１−６８８１０号公報
　甲第８号証　特開２００２−１９８４６２号公報
　甲第９号証　特開昭６０−２３４３８０号公報
　甲第１０号証　特開昭６１−２４３１９３号公報
　甲第１１号証　特公昭６１−４２７９６号公報
　甲第１２号証　特開２００２−８３８９３号公報
　甲第１３号証　特開２００２−２８９７３９号公報
　甲第１４号証　特開２００２−３０５３７８号公報
　甲第１５号証　特開平６−９７３１８号公報
　甲第１６号証　特開２０００−９１７４３号公報
　甲第１７号証　平成１４年１１月１０日発行　「ＭＡＴＥＲＩＡＬ　ＳＴＡＧＥ」１１月号第５１頁
　甲第１８号証　特開平１０−１１６９３５号公報
　甲第１９号証　特開平１０−１７７００４号公報
　甲第２０号証　特開平１１−３２３５９８号公報
　甲第２１号証　特開２００１−８５５５９号公報
　甲第２２号証　特開平１０−３３５７７９号公報
　甲第２３号証　日本プレーティング協会編「現場技術者のための実用めっき（Ｉ）」（槇書店、昭和５８年７月２０日増補１刷）
　甲第２４号証　東京鍍金材料協同組合技術委員会編「めっき技術ガイドブック」（昭和６２年１２月１６日）
　
（１）無効理由１ 
　
　本件特許の請求項１〜３に係る発明は、甲第２号証に開示された発明及び甲各号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項（特許法第１２３条第１項２号）の規定により無効にされるべきである。
　
（２）無効理由２ 
　
　本件特許の請求項１〜３に係る発明は、甲第３号証に開示された発明及び甲各号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項（特許法第１２３条第１項２号）の規定により無効にされるべきである。
　
（３）無効理由３ 
　
　本件特許請求の範囲の請求項１に「略同一平面」との記載があり、本件特許の請求項１〜３に係る発明が不明確であるため、本件特許の請求項１〜３に係る発明は特許法第３６条第６項第２号（特許法第１２３条第１項４号）の規定により無効にされるべきである。
　
（４）口頭審理において、請求人は、「甲第４号証の剥離処理は、後で剥がせる程度の活性化処理であるという意味である。」と主張した。 
　
３．被請求人の主張 
　
　被請求人の主張の要旨は、次のとおりである。
　なお、被請求人は、証拠方法として、乙第１号証〜乙第３号証を提出している。
　
　乙第１号証　ＪＩＳ工業用語大辞典［第５版］の抜粋
　乙第２号証　図解めっき用語辞典［初版］の抜粋
　乙第３号証　プリント回路技術用語辞典［初版］の抜粋
　
（１）無効理由１について 
　
　本件発明１〜３は、甲第２号証に記載された発明及び甲各号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に想到することはできず、特許法第２９条第２項違反は認められない。
　
（２）無効理由２について 
　
　本件発明１〜３は、甲第３号証に記載された発明及び甲各号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に想到することはできず、特許法第２９条第２項違反は認められない。
　
（３）無効理由３について 
　
　本件発明１〜３は、何ら不明確とはいえないから、特許法第３６条第６項第２号違反は認められない。
　
（４）口頭審理において、合議体からの質問に対し、被請求人は、「本願発明の活性化処理については、通常のメッキについての周知の処理を含む。」と回答した。 
　
４．平成２４年５月１７日付け訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）について 
　
　以下、本件訂正請求について検討する。
　
（１）本件訂正請求の内容 
　
１．特許請求の範囲の請求項１に「上記ステンレス基板（１）の露出面に対し、不活性膜を除去する工程と、
　上記ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜（１１）として金をメッキ成長させ、」とあるのを、
「上記ステンレス基板（１）の露出面に対し、化学エッチングにより不活性膜を除去する工程と、
　上記ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜（１１）として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長させ、」と訂正する。（請求項１の記載を引用する請求項２及び請求項２を引用する請求項３も同様に訂正する。）
　
２．願書に添付した明細書の段落【０００９】に「上記ステンレス基板１の露出面に対し、不活性膜を除去する工程と、上記ステンレス基板１の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜１１として金をメッキ成長させ、」とあるのを、
「上記ステンレス基板１の露出面に対し、化学エッチングにより不活性膜を除去する工程と、上記ステンレス基板１の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜１１として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長させ、」と訂正する。
　
３．願書に添付した明細書の段落【００１３】の「上記ステンレス基板１の露出面に対し、不活性膜を除去する工程と、上記ステンレス基板１の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜１１として金をメッキ成長させ、」とあるのを、
「上記ステンレス基板１の露出面に対し、化学エッチングにより不活性膜を除去する工程と、上記ステンレス基板１の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜１１として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長させ、」と訂正する。
　
（２）本件訂正請求に対する審判請求人の主張 
　
　本件訂正請求の適否について審判請求人は特に主張していない。
　
（３）本件訂正請求の適否 
　
（３−１）訂正事項１について 
　
　訂正事項１は、訂正前の「不活性膜を除去する工程」について、「化学エッチングにより不活性膜を除去する工程」と限定し、また、「実装用金属薄膜（１１）として金をメッキ成長させ」ることについて、「実装用金属薄膜（１１）として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長させ」と限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、願書に添付した明細書等には、【００１８】に「 次いで、基板１の一面側のレジストパターン層６で覆われていない露出面に対し、必要に応じて化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の化学処理等の表面活性化処理を行った後、図２（ｄ）に示すごとく基板１のレジストパターン層６６により規定された露出面に０．０５〜1μｍ厚で金を成長させて、実装用金属薄膜１１を形成する。」と記載されているから、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　
（３−２）訂正事項２、３について 
　
　訂正事項２、３は、訂正事項１に係る訂正に伴って、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、願書に添付した明細書の段落【０００９】、【００１３】を訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項１についてと同様の理由により、訂正事項２、３も、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　
（３−３）まとめ 
　
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１３４条の２ただし書きに適合し、特許法第１３４条の２第９項において準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、これを認める。
　
５．本件特許発明 
　
　上記のとおり訂正を認めるので、本件特許の請求項１〜３に係る発明は、平成２５年５月１７日付け訂正請求書に添付された訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである（以下、請求項１に記載された発明を「本件特許発明１」、請求項２に記載された発明を「本件特許発明２」、請求項３に記載された発明を「本件特許発明３」という。）。　
　
　「【請求項１】
　ステンレス基板（１）の一面側に、半導体素子（Ｓ）搭載用のアイランド部（２ａ）および上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）と接続される電極部（２ｂ）を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層（６）を形成する工程と、
　上記ステンレス基板（１）の露出面に対し、化学エッチングにより不活性膜を除去する工程と、
　上記ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜（１１）として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長させ、上記実装用金属薄膜（１１）上に電鋳工程によりリード層（１２）を積層して成長させ一体化して、上記実装用金属薄膜（１１）とこの上面に一体に積層される上記リード層（１２）の少なくとも二層構造から成る上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）を独立して形成する工程と、
　上記ステンレス基板（１）より上記レジストパターン層（６）を除去する工程と、
　上記アイランド部（２ａ）に上記半導体素子（Ｓ）を搭載した後、上記半導体素子（Ｓ）の上記電極（Ｌ）と上記電極部（２ｂ）とを電気的に接続する工程と、
　上記ステンレス基板（１）上の上記半導体素子（Ｓ）搭載部分を樹脂でモールドして樹脂層（４）を形成する工程と、
　上記ステンレス基板（１）を引き剥がし除去して、上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）の上記実装用金属薄膜（１１）の各裏面が、上記樹脂層（４）の底面と略同一平面で露出した状態で形成される工程
　とを順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　「【請求項２】
　上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）を形成後、少なくとも上記電極部（２ｂ）の上記リード層（１２）上に、メッキ工程によってボンディング用金属膜（１３）を一体に成長形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」
　
　「【請求項３】
　上記ボンディング用金属膜（１３）は、金、銀、スズで形成したことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。」
　
６．甲各号証、乙各号証の記載内容 
　
（１）甲第２号証（特開２００２−９１９６号公報） 
　
　甲第２号証には、以下の記載がある。
　
・「【請求項１】  少なくとも一面に導電性を有する基板１の該一面側に、所定のパターンニングを施したレジストパターン層６を形成する工程と、上記基板１のレジストパターン層６を除く露出面に導電性金属を電着することで、基板１上に半導体素子搭載用の金属層２ａと１以上の電極層２ｂとをそれぞれ独立して並設形成する工程と、基板１より上記レジストパターン層６を除去する工程と、上記金属層２ａ上に半導体素子Ｓを搭載した後、半導体素子上の電極と上記電極層２ｂとを電気的に接続する工程と、上記基板１上において半導体素子Ｓ搭載部分を樹脂層４で封止する工程と、上記基板１を除去して、金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が露出した樹脂封止体を得る工程とを有する半導体装置の製造方法。」
　
・「【請求項４】導電性金属を電着する前の工程で、基板１の表面を活性化処理した後電着工程を行うようにした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」
　
・「【００１６】図２及び図３は上記半導体装置の製造方法を工程ごとに示しており、図２（ａ）はステンレスやアルミ、銅等の導電性の金属板、例えば本実施例の場合ＳＵＳ４３０により形成された０．１ｍｍ厚の基板１の両面に約５０μｍ厚のアルカリタイプの感光性フィルムレジストをラミネートする等して、感光性レジスト層５，５を密着させる工程であり、次いで図２（ｂ）のごとく基板１の一面側の感光性レジスト層５上に所定パターンのフィルムＦを配した状態で紫外線照射による両面露光を行った後現像処理を行い図２（ｃ）に示すような、基板１の一面側に所定のパターンニングを施したレジストパターン層６とその裏面に硬化したレジスト層５を得る。
【００１７】次いで、基板１の一面側のレジストパターン層６で覆れていない露出面に対し、必要に応じて化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の化学処理等の表面活性化処理を行った後、基板１に電鋳を行い、図２（ｄ）に示すごとく基板１のレジストパターン層６により規定された露出面より導電性金属の電着物を成長させ、半導体搭載用の金属層２ａと１の金属層２ａに対して１以上の独立した電極層２ｂを各々対として、複数組を並列形成する。なお、電着物としてはニッケルやニッケル−コバルト合金銅その他種々の金属が考えられるが、本実施例においては、スルファミン酸ニッケルの無光沢浴を使用し、レジストパターン層６の厚さ範囲内の、４０〜５０μｍの厚さで電着させた。上記表面活性化処理の工程については、必須の工程ではない。
【００１８】次いで、必要に応じて各金属層２ａおよび電極層２ｂの表面に結着力向上用の金メッキ等を０．３〜０．４μｍ厚で行い、基板１の両面よりレジストパターン層６及びレジスト層５を除去することで、図２（ｅ）の状態となる。なお、レジストの除去法としてはアルカリ溶液による膨潤除去の方法等が考えられる。
【００１９】次いで図３（ａ）に示すごとく、半導体素子Ｓを公知の手法により金属層２ａ上に接着して搭載するとともに、上記半導体素子Ｓ上の電極Ｌにこれと対応する電極層２ｂとを、図３（ｂ）のごとく、金線等の導電性のワイヤ3を用いて超音波ボンディング装置等により結線する。ここで、ワイヤ3を結線するにあたり、各電極層２ｂにはボンディング装置からの引き離し力が作用し、基板１から浮き上がろうとするが、上記のごとく、電鋳工程に先立って、基板１の露出面に対し表面活性化処理を行うことにより、基板１と電着層との密着力を予め向上させているため、結線時における電極層２ｂの脱落や浮き上がりを効果的に予防でき、製造工程時の不良品形成率を低減できる。
【００２０】次いで基板１上の半導体素子Ｓ搭載部分を、図３（ｃ）のごとく熱硬化性エポキシ樹脂等の樹脂層４でモールドし、基板１上に樹脂封止体を形成する。具体的には基板１一面側をモールド金型（上型）に装着するともに、モールド金型内にエポキシ樹脂をキャビティにより圧入するもので、基板１上に並列して形成した、複数組の半導体素子搭載部が樹脂層４により連続して封止された形態となる。この場合基板１自体が樹脂モールド時における下型の機能を果たす。なお、モールド時に複数の基板１を並列に配置して、エポキシ樹脂をライナを通して各基板１と上金型との間に圧入するようにすれば、効率良く多数の樹脂封止を行うことが可能である。
【００２１】次いで、図３（ｄ）のごとく、樹脂封止体から基板１を除去することにより、樹脂封止体の底面には複数組の金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が露出するとともに、金属層２ａ，電極層２ｂの各裏面と樹脂層４の底面は略同一平面となっている。上記基板１を除去する方法としては、樹脂封止体から基板１を引き剥がす等強制的に剥離除去する方法の他、例えば基板１等を構成する材質に応じては、樹脂封止体側への影響のない溶剤等により基板１を溶解して除去する方法も含まれるものである。なお、本工程後必要に応じて、各電極層２ｂあるいは電極層２ｂと金属層２ａの裏面のみに実装用に金，銀等の導電性金層の薄膜をフラッシュメッキ等の周知の方法により、０．３〜０．５μｍ厚で形成するようにしても良い。」
　
　これらの記載によると、甲第２号証には、
　
 「ステンレス基板１の一面側に、所定のパターンニングを施したレジストパターン層６を形成する工程と、ステンレス基板１の露出面を化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の化学処理等の表面活性化処理する工程と、上記ステンレス基板１のレジストパターン層６を除く露出面に導電性金属を電着することで、ステンレス基板１上に半導体素子搭載用の金属層２ａと１以上の電極層２ｂとをそれぞれ独立して並設形成する工程と、ステンレス基板１より上記レジストパターン層６を除去する工程と、上記金属層２ａ上に半導体素子Ｓを搭載した後、半導体素子上の電極と上記電極層２ｂとを電気的に接続する工程と、上記ステンレス基板１上において半導体素子Ｓ搭載部分を樹脂層４で封止する工程と、上記ステンレス基板１を除去して、金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が、樹脂層４の底面と略同一平面で露出した樹脂封止体を得る工程と、電極層２ｂと金属層２ａの裏面のみに実装用に金の薄膜をフラッシュメッキ等のにより０．３〜０．５μｍ厚で形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」の発明（以下「引用例１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）甲第３号証（特開２００２−１６１８１号公報） 
　
　甲第３号証には、以下の記載がある。
　
・「【請求項５】  可撓性平板状の金属基板に、パターニングされた金属層を形成した電着フレームを形成する工程と、
前記電着フレームのパターニングされた前記金属層に複数の半導体素子を隣接して搭載する工程と、
前記パターニングされた金属層に搭載される各半導体素子間に形成された外部導出用の金属層に、前記隣接する各半導体素子の電極パッドをワイヤで所定間隔を設けて電気的に共通接続するワイヤボンディング工程と、
前記電着フレームに搭載されて配線がなされた半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、
前記金属基板を剥離して樹脂封止体を得る剥離工程と、
前記半導体素子が複数封止された樹脂封止体を、パターニングされた金属層の切断マークで個々の半導体装置に切断する切り出し工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
・「【００３４】先ず、リードレス表面実装型の半導体装置を製造するにあたり、図３（ａ）に示した可撓性平板状の金属基板９を用意する。金属基板９は、薄いステンレス鋼板であり、その厚さは、０．１ｍｍである。金属基板９には、金属基板９の自動搬送用の孔９ａ，９ｂ等が形成され、金属基板９を自動搬送させるための孔が形成され、かつ金属基板９を金型に固定するための孔が形成されている。
【００３５】図３（ｂ）は、金属基板９に金属層によるパターンが形成され、半導体素子が搭載されるパターンが形成される電着フレームを示している。電着フレームは、金属基板９の片面に搭載された半導体素子を樹脂封止することで、金属基板９の片面に樹脂封止体が形成される。」
　
・「【００５２】なお、電着フレームの形成は、上記の実施形態による製造方法に限定されることなく、金属基板の金または金と他の金属とを混合した薄膜層を形成した後、パターニングして、その後、ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を電着して形成してもよい。
【００５３】金属基板の金または金と他の金属を混合した薄膜層は、金属基板の一方の面にレジスト膜を全面に形成して、他方の面にレジスト膜をパターンニングして、半導体素子の搭載部と外部導出用の金属層とを形成する金属基板面を露呈させて、他はレジスト膜で覆って選択的に金薄膜層に電着して形成する。
【００５４】その後、パターンニングしたレジスト膜を除去して、金薄膜層が選択的に形成された面、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を形成し、続いて、ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏ薄膜金属層を選択的に除去する。
【００５５】このような製造工程を経て、先の実施形態で説明したように、金属基板９に金属層８ａと金属層８ｂとを形成する。その後の製造工程は、先に説明した製造工程と同様であるので説明を省略する。」
　
　これらの記載によると、甲第３号証には、
　
　「可撓性平板状のステンレス基板の一面に、レジスト膜をパターンニングして、半導体素子の搭載部と外部導出用の金属層とを形成する金属基板面を露呈させて、選択的に金薄膜層を形成した後、パターンニングしたレジスト膜を除去して、金薄膜層が選択的に形成された面、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を形成し、続いて、ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏ薄膜金属層を選択的に除去して電着フレームを形成する工程と、前記電着フレームのパターニングされた前記金属層に複数の半導体素子を隣接して搭載する工程と、前記パターニングされた金属層に搭載される各半導体素子間に形成された外部導出用の金属層に、前記隣接する各半導体素子の電極パッドをワイヤで所定間隔を設けて電気的に共通接続するワイヤボンディング工程と、前記電着フレームに搭載されて配線がなされた半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、前記金属基板を剥離して、金属層８ａ，８ｂの露呈面が、樹脂封止体１１の底面と面一である樹脂封止体を得る剥離工程と、前記半導体素子が複数封止された樹脂封止体を、パターニングされた金属層の切断マークで個々の半導体装置に切断する切り出し工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」の発明（以下「引用例２記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）甲第４号証（特開昭６３−１６４３２７号公報） 
　
　甲第４号証には、以下の記載がある。
　
・「第４図は、本出願人が先に提案した電鋳技術を用いたリードフレームの製造方法を説明するための断面図で、特開昭６１−２３４０６０号公報に記載されたものである。
　まず第４図（ａ）に示すように、ステンレス等の導電性金属からなる基板１の表面に所望のパターンを有するレジスト層２を形成する。基板１は同図の紙面に向かつて垂直方向に長尺になつたテープ状のもので、レジスト層２が形成されていない非レジスト部２ａは製造すべきリードフレームの形状と同じパターンを有しており、図示せぬが基板１の両端にはスプロケツト孔形成用の非レジスト部が紙面に向かって垂直方向に所定間隔を存して多数形成される。
　次にこの基板１を剥離処理して、基板１の非レジスト部２ａに相当する表面を活性化した後、同図（ｂ）に示すように、該非レジスト部２ａ上に金、すず、半田等の接触材３を塗布もしくはメッキにより形成し、その後に電鋳を施して、同図（ｃ）に示すように、接触材３上に電鋳金属層４を形成する。
　このようにして一枚の板状に形成された基板２及び金属層の積層体の一部にプレス加工を施し、同図（ｄ）に示すように、フインガ５相当部分を折り曲げる。この折り曲げ形状は、平坦なフインガ基部５ａと、フインガ基部５ａから斜めに延びる起立部５ｂ、及び起立部５ｂから平行に延びる先端部５ｃから構成されるものであるが、先端部５ｃの下面には同時にバンプ５ｄをプレスにより形成する。
　次いで第二次の電鋳を施し、同図（ｅ）に示すように前記電鋳金属層４上に新たな電鋳金属層６を形成する。この際、フインガ５の起立部５ｂは傾斜した位置にあるため電鋳金属層６の成長速度は遅く、また先端部５ｃは細い頚部によって起立部５ｂに連結されているため、この部分で電鋳金属層６はより成長し、よってフインガ５は先端部５ｃ、フインガ基部５ａ、起立部５ｂの順でその肉厚が大きく形成される。
　最後に同図（ｆ）に示すように、基板１を接触材３から剥がすと、レジスト層２は基板１に残り、接触材３及び両電鋳金属層４、６は基板１から離れ、図示の如き形状のバンプ付きフインガを有するリードフレームが得られる。これは、前述のように予め非レジスト部２ａの表面に剥離処理が施されているためである。」（第（２）頁左上欄第２行から同頁左下欄第６行）
　
（４）甲第９号証（特開昭６０−２３４３８０号公報） 
　
　甲第９号証には、以下の記載がある。
　
・「「実施例」
（１）　０．１ｍｍｔのＳＵＳ３０４機械研磨剤（Ｒｍａｘ０．０７μｍ）をアルカリ脱脂、電解脱脂、酸による活性化処理を施した後、以下に示すめつき浴及びめつき条件によりＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｎの各めつきを施した。」（第（３）頁右上欄第９行から第１４行）
　
（５）甲第１０号証（特開昭６１−２４３１９３号公報） 
　
　甲第１０号証には、以下の記載がある。
　
・「種々のステンレス鋼を次の（１）〜（３）の工程で前処理した後、（４）の工程で純金ストライクめっきを、また（５）の工程で純金めっきをそれぞれ施し、本発明法によりステンレス鋼に純金めっきを行った。」（第（３）頁右下欄第１４行から第１８行）
　
・「酸性電解浴中にステンレス鋼を浸漬した後、該ステンレス鋼を陰極として、電流密度１０Ａ／ｄｍ２で２０秒間陰極電解を行い、表面を活性化した。」（第（４）頁左上欄第１２行から第１５行）
　
（６）甲第１１号証（特公昭６１−４２７９６号公報） 
　
　甲第１１号証には、以下の記載がある。
　
・「 ステンレス鋼に金属メツキを施す場合ステンレス鋼の表面は通常特有の強固な不働態皮膜で覆われているため、メツキ前に次のような各種の方法により活性化処理を行うことが不可欠となつている。」（第１欄第１２行から第１６行）
　
・「　本発明においては単に被メツキステンレス鋼を塩酸に浸漬するのみでなく電気エネルギーを投入して陰極処理を行い塩酸溶液中の塩素イオンの活性化エネルギーを増大させるので、低濃度の塩酸溶液でもステンレス鋼表面を均一に活性化することができる。また溶液中に存在する錫イオン、インジウムイオン及びコバルトイオンの１種又は２種以上は陰極電解処理の際ステンレス鋼表面に極微量核状析出して、これがステンレス鋼表面との間に局部電池を形成してアノード部分となり、カソード部分となる活性化したステンレス鋼表面の活性状態を維持して不働態化を防止するものと考えられる。
  このような前処理を受けたステンレス鋼表面には密着性の優れた、強固かつ平滑美麗な金属メツキを施すことができる。」（第２欄第２６行から第３欄第１４行）
　
・「実施例  ２
  実施例１で記述した脱脂工程まで同様で、その後Coイオン（Co２＋）を0.005mol／l含んだ5.5mol／l塩酸でその素材を陰極電解処理（20A／ｄm２×30秒）を行い、水洗後Auストライク（青化金1.2ｇ／l、KCN20ｇ／l、Na3PO４4ｇ／l；Dc1A／ｄm２、浴温65℃）0.1μ、その後青化金8.5ｇ／l、KCN11ｇ／lの液組成を用い、メツキ条件、浴温60〜70℃、陰極電流密度0.5A／ｄm２で１μのAuメツキを行つた。」（第５欄第２２行から第３１行）
　
７．当審の判断 
　
（１）無効理由１について 
　
　本件特許発明１と引用例１記載の発明とを対比すると、後者における「ステンレス基板１の一面側に、所定のパターンニングを施したレジストパターン層６を形成する工程」は、前者における「ステンレス基板（１）の一面側に、半導体素子（Ｓ）搭載用のアイランド部（２ａ）および半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）と接続される電極部（２ｂ）を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層（６）を形成する工程」に相当する。
　また、後者における「ステンレス基板１の露出面を化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の化学処理等の表面活性化処理する工程」は、前者における「ステンレス基板（１）の露出面に対し、化学エッチングにより不活性膜を除去する工程」に相当する。
　また、後者における「ステンレス基板１のレジストパターン層６を除く露出面に導電性金属を電着することで、ステンレス基板１上に半導体素子搭載用の金属層２ａと１以上の電極層２ｂとをそれぞれ独立して並設形成する工程」と、前者における「ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜（１１）として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長させ、上記実装用金属薄膜（１１）上に電鋳工程によりリード層（１２）を積層して成長させ一体化して、上記実装用金属薄膜（１１）とこの上面に一体に積層される上記リード層（１２）の少なくとも二層構造から成るアイランド部（２ａ）および電極部（２ｂ）を独立して形成する工程」とは、「ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に電鋳工程によりリード層を積層して成長させ、アイランド部（２ａ）および電極部（２ｂ）を独立して形成する工程」である点で共通する。
　また、後者における「金属層２ａ上に半導体素子Ｓを搭載した後、半導体素子上の電極と電極層２ｂとを電気的に接続する工程」は、前者における「アイランド部（２ａ）に半導体素子（Ｓ）を搭載した後、上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）と電極部（２ｂ）とを電気的に接続する工程」に相当する。
　また、後者における「ステンレス基板１上において半導体素子Ｓ搭載部分を樹脂層４で封止する工程」は、前者における「ステンレス基板（１）上の半導体素子（Ｓ）搭載部分を樹脂でモールドして樹脂層（４）を形成する工程」に相当する。
　また、後者における「ステンレス基板１を除去して、金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が、樹脂層４の底面と略同一平面で露出した樹脂封止体を得る工程」と、前者における「ステンレス基板（１）を引き剥がし除去して、アイランド部（２ａ）および電極部（２ｂ）の実装用金属薄膜（１１）の各裏面が、樹脂層（４）の底面と略同一平面で露出した状態で形成される工程」とは、「ステンレス基板を引き剥がし除去して、アイランド部および電極部の各裏面が、樹脂層の底面と略同一平面で露出した状態で形成される工程」である点で共通する。
　
　したがって、両者は、「ステンレス基板の一面側に、半導体素子搭載用のアイランド部および上記半導体素子の電極と接続される電極部を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層を形成する工程と、上記ステンレス基板の露出面に対し、化学エッチングにより不活性膜を除去する工程と、上記ステンレス基板の不活性膜を除去した露出面に電鋳工程によりリード層を積層して成長させ、上記アイランド部および上記電極部を独立して形成する工程と、上記ステンレス基板より上記レジストパターン層を除去する工程と、上記アイランド部に上記半導体素子を搭載した後、上記半導体素子の上記電極と上記電極部とを電気的に接続する工程と、上記ステンレス基板上の上記半導体素子搭載部分を樹脂でモールドして樹脂層を形成する工程と、 上記ステンレス基板を引き剥がし除去して、上記アイランド部および上記電極部の各裏面が、上記樹脂層の底面と略同一平面で露出した状態で形成される工程とを順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　アイランド部および電極部の形成について、本件特許発明１では、「アイランド部および電極部を独立して形成する工程」において、ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜（１１）として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長させ、実装用金属薄膜（１１）上に電鋳工程によりリード層（１２）を積層して成長させ一体化して、実装用金属薄膜（１１）とこの上面に一体に積層されるリード層（１２）の少なくとも二層構造から成るアイランド部（２ａ）および電極部（２ｂ）を独立して形成し、「ステンレス基板（１）を引き剥がし除去して、アイランド部（２ａ）および電極部（２ｂ）の実装用金属薄膜（１１）の各裏面が、樹脂層（４）の底面と略同一平面で露出した状態で形成される」のに対し、引用例１記載の発明では、「アイランド部および電極部を独立して形成する工程」において、ステンレス基板１のレジストパターン層６を除く露出面に導電性金属を電着することで、ステンレス基板１上に半導体素子搭載用の金属層２ａと１以上の電極層２ｂとをそれぞれ独立して並設形成し、「ステンレス基板１を除去して、金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が、樹脂層４の底面と略同一平面で露出した樹脂封止体を得る工程」のあとに、電極層２ｂと金属層２ａの裏面のみに実装用に０．３〜０．５μｍ厚で金の薄膜をフラッシュメッキ等している点。
　
　相違点について検討すると、甲第４号証には、ステンレス等の基板１を剥離処理して、基板１の非レジスト部２ａに相当する表面を活性化した後、該非レジスト部２ａ上に金、すず、半田等の接触材３を塗布もしくはメッキにより形成し、その後に電鋳を施して、接触材３上に電鋳金属層４を形成するリードフレームの製造方法が記載されている。ここで剥離処理は、甲第４号証において引用される特開昭６１−２３４０６０号公報によれば、カセイソーダや塩化メチレン等の溶剤を用いておこなう処理であり、ステンレス基板に酸化被膜を形成するようなものとは認められず、また、甲第９〜１１号証に記載されているように、ステンレスに金メッキをする際に、不活性膜を除去することは周知の事項であり、さらに、甲第４号証に「基板１を接触材３から剥がすと、レジスト層２は基板１に残り、接触材３及び両電鋳金属層４、６は基板１から離れ、図示の如き形状のバンプ付きフインガを有するリードフレームが得られる。これは、前述のように予め非レジスト部２ａの表面に剥離処理が施されているためである。」と記載されていることから、「ステンレス等の基板１を剥離処理して、基板１の非レジスト部２ａに相当する表面を活性化」は、後で剥がせる程度に活性化処理を行うとの意味であると認められる。
　甲第２号証と甲第４号証は、いずれも、半導体装置の製造における、半導体素子搭載用の金属層と電極を、ステンレス基板の非レジスト部に、電鋳により金属層を形成した後、ステンレス基板を剥がすことにより形成するものである点で共通し、また、製造方法において、工程数をできるだけ少なくするという課題は、常に存在するものであるから、引用例１記載の発明において、金の層を有する電極層と金属層を形成するために、「アイランド部および電極部を独立して形成する工程」において、ステンレス基板１のレジストパターン層６を除く露出面に導電性金属を電着することで、ステンレス基板１上に半導体素子搭載用の金属層２ａと１以上の電極層２ｂとをそれぞれ独立して並設形成し、「ステンレス基板１を除去して、金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が、樹脂層４の底面と略同一平面で露出した樹脂封止体を得る工程」のあとに、電極層２ｂと金属層２ａの裏面のみに実装用に金の薄膜をフラッシュメッキする代わりに、「アイランド部および電極部を独立して形成する工程」において、非レジスト部上に接触材を金メッキにより形成し、その後に電鋳を施して、電鋳金属層を形成することは、甲第４号証の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得ることである。
　また、「不活性膜を除去する工程」について、「化学エッチングにより」と限定しているが、引用例１記載の発明も同様であること、甲第９〜１１号証に記載されているように、ステンレスに金メッキをする際に、化学エッチングにより不活性膜を除去することも周知であることから、「不活性膜を除去する工程」として「化学エッチング」を用いることが、当業者にとって想到困難なことであるとは認められない。
　また、引用例１記載の発明においては、「実装用に金の薄膜をフラッシュメッキ等のにより０．３〜０．５μｍ厚で形成」しているから、本件特許発明１において、「実装用金属薄膜（１１）として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長」させている点も、当業者にとって格別な差異であるとは認められない。
　
　したがって、本件特許発明１は、引用例１記載の発明、甲第４号証の記載事項および周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　本件特許発明２、３について、検討すると、甲第２号証段落【００１８】には、「次いで、必要に応じて各金属層２ａおよび電極層２ｂの表面に結着力向上用の金メッキ等を０．３〜０．４μｍ厚で行い」と、本件特許発明２、３において限定される事項が記載されているので、本件特許発明２、３も、引用例１記載の発明、甲第２号証、甲第４号証の記載事項および周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　よって、無効理由１については、理由がある。
　
（２）無効理由２について 
　
　本件特許発明１と引用例２記載の発明とを対比すると、後者における「可撓性平板状のステンレス基板の一面に、レジスト膜をパターンニング」は、前者における「ステンレス基板（１）の一面側に、半導体素子（Ｓ）搭載用のアイランド部（２ａ）および上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）と接続される電極部（２ｂ）を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層（６）を形成する工程」に相当する。
　また、後者における「半導体素子の搭載部と外部導出用の金属層とを形成する金属基板面を露呈させて、選択的に金薄膜層を形成した後、パターンニングしたレジスト膜を除去して、金薄膜層が選択的に形成された面、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を形成し、続いて、ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏ薄膜金属層を選択的に除去して電着フレームを形成する工程」と、前者における「ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜（１１）として金をメッキ成長させ、上記実装用金属薄膜（１１）上に電鋳工程によりリード層（１２）を積層して成長させ一体化して、上記実装用金属薄膜（１１）とこの上面に一体に積層される上記リード層（１２）の少なくとも二層構造から成る上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）を独立して形成する工程と、上記ステンレス基板（１）より上記レジストパターン層（６）を除去する工程」とは、「ステンレス基板の露出面に実装用金属薄膜として金をメッキ成長させ、実装用金属薄膜とこの上面に一体に積層されるリード層の少なくとも二層構造から成るアイランド部（２ａ）および電極部（２ｂ）を独立して形成する工程」である点で共通する。
　また、後者における「電着フレームのパターニングされた前記金属層に複数の半導体素子を隣接して搭載する工程と、前記パターニングされた金属層に搭載される各半導体素子間に形成された外部導出用の金属層に、前記隣接する各半導体素子の電極パッドをワイヤで所定間隔を設けて電気的に共通接続するワイヤボンディング工程」は、前者における「アイランド部（２ａ）に上記半導体素子（Ｓ）を搭載した後、上記半導体素子（Ｓ）の上記電極（Ｌ）と上記電極部（２ｂ）とを電気的に接続する工程」に相当する。
　また、後者における「電着フレームに搭載されて配線がなされた半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程」は、前者における「ステンレス基板（１）上の上記半導体素子（Ｓ）搭載部分を樹脂でモールドして樹脂層（４）を形成する工程」に相当する。
　また、後者における「金属基板を剥離して、金属層８ａ，８ｂの露呈面が、樹脂封止体１１の底面と面一である樹脂封止体を得る剥離工程」は、前者における「ステンレス基板（１）を引き剥がし除去して、上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）の上記実装用金属薄膜（１１）の各裏面が、上記樹脂層（４）の底面と略同一平面で露出した状態で形成される工程」に相当する。
　
　したがって、両者は、「ステンレス基板の一面側に、半導体素子搭載用のアイランド部および上記半導体素子の電極と接続される電極部を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層を形成する工程と、ステンレス基板の露出面に実装用金属薄膜として金をメッキ成長させ、実装用金属薄膜とこの上面に一体に積層されるリード層の少なくとも二層構造から成るアイランド部および電極部を独立して形成する工程と、上記アイランド部に上記半導体素子を搭載した後、上記半導体素子の上記電極と上記電極部とを電気的に接続する工程と、 上記ステンレス基板上の上記半導体素子搭載部分を樹脂でモールドして樹脂層を形成する工程と、上記ステンレス基板を引き剥がし除去して、上記アイランド部および上記電極部の上記実装用金属薄膜）の各裏面が、上記樹脂層の底面と略同一平面で露出した状態で形成される工程とを順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、次の各点で相違する。
　
［相違点１］
　本件特許発明１においては、「ステンレス基板（１）の露出面に対し、化学エッチングにより不活性膜を除去する工程」があるのに対し、引用例２記載の発明においては該工程がない点。
　
［相違点２］
　「ステンレス基板の露出面に実装用金属薄膜として金をメッキ成長させ、実装用金属薄膜とこの上面に一体に積層されるリード層の少なくとも二層構造から成るアイランド部および電極部を独立して形成する工程」について、本件特許発明１においては、「ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に実装用金属薄膜（１１）として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長させ、上記実装用金属薄膜（１１）上に電鋳工程によりリード層（１２）を積層して成長させ一体化して、上記実装用金属薄膜（１１）とこの上面に一体に積層される上記リード層（１２）の少なくとも二層構造から成る上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）を独立して形成する工程と、上記ステンレス基板（１）より上記レジストパターン層（６）を除去する工程」であるのに対し、引用例２記載の発明においては「半導体素子の搭載部と外部導出用の金属層とを形成する金属基板面を露呈させて、選択的に金薄膜層を形成した後、パターンニングしたレジスト膜を除去して、金薄膜層が選択的に形成された面、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を形成し、続いて、ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏ薄膜金属層を選択的に除去して電着フレームを形成する工程」である点。
　
　相違点１について検討すると、甲第２号証に、ステンレス基板１の表面を化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の化学処理等の表面活性化処理してから露出面に導電性金属を電着することが記載されていることや、甲第４号証に「ステンレス基板を剥離処理して、活性化した後に、金等をメッキ、その後電鋳を施して、電鋳金属層を形成する」ことが記載されていること、甲第９〜１１号証に記載されているように、ステンレスに金メッキをする際に、化学エッチングにより不活性膜を除去することは周知の事項であることから、引用例２記載の発明において、金薄膜層を形成する前に、「ステンレス基板の露出面に対し、化学エッチングにより不活性膜を除去する工程」を加えることは、当業者にとって容易に想到し得ることである。
　
　相違点２について検討すると、甲第４号証には「ステンレス基板を剥離処理して、活性化した後に、金等をメッキ、その後電鋳を施して、電鋳金属層を形成する」ことが記載されており、引用例２記載の発明において「半導体素子の搭載部と外部導出用の金属層とを形成する金属基板面を露呈させて、選択的に金薄膜層を形成した後、パターンニングしたレジスト膜を除去して、金薄膜層が選択的に形成された面、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を形成し、続いて、ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏ薄膜金属層を選択的に除去して電着フレームを形成する工程」に代えて、金薄膜層を形成した後、パターンニングしたレジスト膜を除去せずに、続けて薄膜金属層を形成した後、レジスト膜を除去するようにすることは、当業者にとって容易に想到し得ることである。
　また、「実装用金属薄膜（１１）として０．０５〜１μｍ厚で金をメッキ成長」させている点も、甲第２号証に、「実装用に金，銀等の導電性金層の薄膜をフラッシュメッキ等の周知の方法により、０．３〜０．５μｍ厚で形成する」ことが記載されているので、当業者にとって、格別なことであるとは認められない。
　
　したがって、本件特許発明１は、引用例２記載の発明、甲第２号証、甲第４号証の記載事項および周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　本件特許発明２、３について、検討すると、甲第２号証段落【００１８】には、「次いで、必要に応じて各金属層２ａおよび電極層２ｂの表面に結着力向上用の金メッキ等を０．３〜０．４μｍ厚で行い」と、本件特許発明２、３において限定される事項が記載されているので、本件特許発明２、３も、引用例２記載の発明、甲第２号証、甲第４号証の記載事項および周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　よって、無効理由２については、理由がある。
　
（５）無効理由３について 
　
　本件請求項１における「略同一平面」との表現は、不可避的に生じる凹凸を含む程度の意味であると認められ、これを数値で表すことは無理であるし、構成が不明になるほどのものであるとは認められない。
　よって、無効理由３については、理由がない。
　
８．むすび 
　
　以上のとおりであるから、本件特許発明１〜３についての特許は、無効理由１、２により無効とすべきものである。
　
　本件審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定により準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。