【事件の表示】
　特許第３４０２９６９号「半導体装置の製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４０２９６９号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３４０２９６９号（以下「本件特許」という。）は、平成８年１１月１９日に特許出願され、平成１５年２月２８日に請求項１〜４に係る発明につき特許権の設定登録がなされ、その後、平成１５年１１月６日に特許異議申立人：森三代子より、その請求項１〜４に係る特許について特許異議の申立がなされ、平成１６年１１月５日付けで特許取消理由が通知され、これに対して、平成１７年１月１１日付けで特許権者より特許異議意見書及び訂正請求書が提出されたものである。
　　
ＩＩ．訂正の適否について
　上記平成１７年１月１１日付けの訂正請求書による訂正は、以下のとおりである。
(II-1)訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　特許請求の範囲の請求項１を、次のとおりに訂正する。
「【請求項１】グリーンシート状態のパッケージ基板シートの裏面に、このシートを複数の領域に分割する切り込みを形成し、その状態で焼成するパッケージ基板シート形成工程と、
　前記パッケージ基板シートの表面側に前記切り込みで分割される複数の領域部それぞれに対応して導体による回路網を形成すると共に、前記基板シートの裏面側に配列した多数の導体パッドを形成する導体パターン形成工程と、
前記パッケージ基板シートの表面の前記回路網で形成されるチップ搭載領域にそれぞれ半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
　前記搭載された半導体チップそれぞれの電極と、これら半導体チップそれぞれの搭載された前記分割領域に対応する前記回路網の所定端子部との間を電気的に接続する接続工程と、
　前記分割された複数の領域にそれぞれ半導体チップの搭載された前記パッケージ基板の表面の全面を、液状の樹脂材料で覆う樹脂被覆工程と、
　前記被覆された液状被覆材料を硬化する樹脂硬化工程と、
　前記パッケージ基板シートの表面の樹脂層が硬化された後、前記裏面の切り込みによりこの基板シートを半導体チップ単位で分割する切り離す切り離し工程と、
　前記硬化された樹脂層を下面とされるように前記基板シートを裏返した状態で、裏面の前記導体パッド部それぞれに対応してハンダボールを形成するハンダボール形成工程とを具備し、
　前記樹脂被覆工程では液状の樹脂材料の表面が全体的に平坦面とされるような粘度で構成され、前記パッケージ基板シートを分割して切り離された状態で、それぞれ半導体チップの搭載された複数のパッケージ基板が形成されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
(b-1)段落【0012】中の「この発明に係る半導体装置の製造方法は、パッケージ基板シートの裏面にこの基板シートを複数の領域に分割する切り込みを入れ、この切り込みで分割される複数の領域それぞれに対応してパッケージ基板表面に導体による回路網を形成すると共に」を、
「この発明に係る半導体装置の製造方法は、グリーンシート状態のパッケージ基板シートの裏面にこの基板シートを複数の領域に分割する切り込みを形成し、その状態で焼成する。この切り込みで分割される複数の領域それぞれに対応してパッケージ基板表面に導体による回路網を形成すると共に」と訂正する。
(b-2)段落【0026】中の「パッケージ基板シート11を構成する材料は、例えばセラミックス基板が使用されるものであるが、それ以外にセラミックス以外の無機材料、印刷基板、ポリイミドテープ、ＰＣＢ等の有機材料のような絶縁物材料が使用されるもので、この様な絶縁基板に」を、
「パッケージ基板シート11を構成する材料は、例えばセラミックス基板が使用され、この絶縁基板に」と訂正する。
　　
（II-2）訂正の適否について
　訂正事項ａはパッケージ基板シート形成工程について限定することにより特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、訂正事項ｂは上記訂正事項ａに伴う不明りょうな記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、願書に添付した明細書にはグリーンシートの状態で切り込み溝を形成しその状態で焼成することが記載されており（段落【0015】）、また訂正事項b-2は記載事項の削除であって、いずれの訂正事項も明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとはいえない。
　したがって、本訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、本訂正を認める。
　　
ＩＩＩ．本件発明
　上記訂正後の本件各発明は、訂正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりの次のものである。（以下、「訂正発明１」〜「訂正発明４」という。）
「【請求項１】グリーンシート状態のパッケージ基板シートの裏面に、このシートを複数の領域に分割する切り込みを形成し、その状態で焼成するパッケージ基板シート形成工程と、
　前記パッケージ基板シートの表面側に前記切り込みで分割される複数の領域部それぞれに対応して導体による回路網を形成すると共に、前記基板シートの裏面側に配列した多数の導体パッドを形成する導体パターン形成工程と、
前記パッケージ基板シートの表面の前記回路網で形成されるチップ搭載領域にそれぞれ半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
　前記搭載された半導体チップそれぞれの電極と、これら半導体チップそれぞれの搭載された前記分割領域に対応する前記回路網の所定端子部との間を電気的に接続する接続工程と、
　前記分割された複数の領域にそれぞれ半導体チップの搭載された前記パッケージ基板の表面の全面を、液状の樹脂材料で覆う樹脂被覆工程と、
　前記被覆された液状被覆材料を硬化する樹脂硬化工程と、
　前記パッケージ基板シートの表面の樹脂層が硬化された後、前記裏面の切り込みによりこの基板シートを半導体チップ単位で分割する切り離す切り離し工程と、
　前記硬化された樹脂層を下面とされるように前記基板シートを裏返した状態で、裏面の前記導体パッド部それぞれに対応してハンダボールを形成するハンダボール形成工程とを具備し、
　前記樹脂被覆工程では液状の樹脂材料の表面が全体的に平坦面とされるような粘度で構成され、前記パッケージ基板シートを分割して切り離された状態で、それぞれ半導体チップの搭載された複数のパッケージ基板が形成されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記樹脂被覆工程では、搭載された半導体チップと電気的な接続手段部が液状樹脂材料で覆われて、その表面が平坦面とされるように前記樹脂材料の粘度が設定され、前記裏返した状態でこの平坦面でパッケージ基板シートが保たれるようにした請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記ハンダボール形成工程は、前記切り離し工程で半導体チップ単位のパッケージ基板に分割された後に、この分割されたパッケージ基板単位で行われるようにした請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記ハンダボール形成工程は、前記切り離し手段で半導体チップ単位のパッケージ基板に分割される以前のパッケージ基板シートの状態で、この基板シートの裏面全面に一括して行われるようにした請求項１記載の半導体装置の製造方法。」
　　
ＩＶ．特許取消理由の概要
　上記の特許取消理由通知の概要は、森三代子による特許異議申立てに基いて、以下のとおり通知したものである。
『１）本件特許の請求項１〜４に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記引用例１〜３に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１．特開平６−６１４１７号公報（特許異議申立書の甲第１号証）
引用例２．特開平８−１０７１２７号公報（同上、甲第２号証）
引用例３．特開平８−１０７１６４号公報（同上、甲第３号証）　　　』
　　
Ｖ．引用例の記載事実
（１）引用例１（甲第１号証）
 (1-1)「【請求項１０】所定の導電パターンを一方の主面に複数有し，かつ前記所定の導電パターンにかからないように少なくとも一方の主面に複数のスクライブラインの形成された大面積の電気絶縁性基板を備え，前記所定の導電パターンのそれぞれに１つ以上の半導体素子を固着した後，前記大面積の電気絶縁性基板の前記導電パターンの形成された部分の全面にわたって表面が平坦になるよう封止樹脂で封止し，その封止樹脂の硬化の途中で，外力を与えて前記電気絶縁性基板と封止樹脂とを前記スクライブラインに沿って分割して個別の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】請求項１０の記載において，前記封止樹脂の完全硬化時の熱変形温度の８０％以下の温度で半硬化させた状態で分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】請求項１０又は請求項１１の記載において，個別の半導体装置に分割した後に更に加熱して硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 
【請求項１３】所定の導電パターンを一方の主面に複数有し，かつ前記所定の導電パターンにかからないように少なくとも一方の主面に複数のスクライブラインの形成された大面積の電気絶縁性基板を備え，前記所定の導電パターンのそれぞれに１つ以上の半導体素子を固着した後，前記大面積の電気絶縁性基板の前記導電パターンの形成された部分の全面にわたって表面が平坦になるよう封止樹脂で封止すると共に，前記スクライブラインに対応する前記封止樹脂の箇所に沿って所定の深さの溝を形成し，しかる後に加熱硬化を行い，外力を与えて前記電気絶縁性基板と封止樹脂とを前記スクライブラインに沿って分割して個別の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【請求項１０】〜【請求項１３】）
(1-2)「本発明は，特に比較的容量の大きいショットキバリアダイオード，バイポーラトランジスタ，電界効果トランジスタなどの半導体素子，又は他の回路部品などを樹脂封止してなるフラットな小形，薄型，軽量で量産性が高く，熱衝撃性，耐湿性，ＰＣＴ試験など信頼性の良好な特性を有する製造方法を提供することを目的としている。」（段落【0006】）
(1-3)「【実施例】図１により本発明の一実施例について説明する。 
　図１は・・・大面積の電気絶縁性基板であり，一方の主面には所定の導電パターン１Ａがマトリクス状に規則正しく形成されている。その他方の主面には，各導電パターン１Ａのそれぞれに対応する別の電極パターン１Ｂが形成されており，導電パターン１Ａと電極パターン１Ｂは図示していない通常のバイアホールによって所望の接続がされている。・・・
　電極パターン１Ｂは図示していないプリント基板などの印刷回路パターンにハンダ付けされる外部電極としての機能をもつ。そして導電パターン１Ａと電極パターン１Ｂにかかることがないように，電極パターン１Ｂの形成された面又は他方の面，或いは双方の面に格子状にスクライブライン１Ｃが形成されている。このスクライブライン１Ｃは，後で大面積成形物を割り易くするためのものであり，機械的に形成されたＶ字状などの溝，又は超音波などの作用により所望ラインに沿って形成された微少クラック群，ライン状に材質を脆弱化させたものなどからなり，溝以外は外見上，見分けがつかない場合が多い。 
　次に半導体素子２をそれぞれの導電パターン１Ａの所定部分にハンダ層３で固着し，しかる後金属線４をワイヤボンディングしてトランジスタのエミッタ電極，ベース電極を導電パターン１Ａの所定部分に接続する。次に・・・プリコート樹脂により通常のパッシベーションが行われ，その後特定の封止樹脂５で全ての導電パターン１Ａおよび半導体素子２を一様に封止し，しかる後に分割して個々の半導体装置を得る。この際，スクライブライン１Ｃが，封止樹脂５で覆われる面とは反対の大面積の電気絶縁性基板主面に形成されていると容易に分割できるが，スクライブライン１Ｃが封止樹脂５で覆われる面だけに形成されていると，非常に分割し難い。
　ここで，図１に示す導電パターン１Ａと電極パターン１Ｂは単体の半導体素子２用のものであるが，各導電パターン１Ａと電極パターン１Ｂを半導体素子を１個以上，また他の能動素子，受動素子少なくとも１個以上搭載した混成集積回路，電源回路など回路構成に適した回路パターンとすることも容易に可能であり，それら各素子を搭載・接着し，所定の接続を行った後に，同様にしてこれらを一様に封止し，しかる後に分割して個々の電子回路装置を得ることもできる。」（段落【0008】〜【0009】）
(1-4)「封止樹脂５としては・・・エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂，などの電気絶縁性樹脂が適しており，加熱により徐々に硬化する組成の熱硬化性樹脂が好ましい。・・・・電気絶縁性基板１との密着性，分割性，離型性，流れ性，低温硬化性，脱泡性，低チクソ性などの作業性を良くすること・・・なども要求される。」（段落【00010】）
(1-5)「このように大面積の電気絶縁性基板１の周辺部を上部鋳型部材６と下部鋳型部材７で挟んだ後，前述のような液状封止樹脂をほぼ１．５ミリの厚さになるまで枠内全面に流し込み，真空装置（図示せず）に入れ，真空脱泡する。・・・
　そして鋳型部材を水平に保ち，２ｍｍＨg/５分間真空脱泡し、これを１６０℃の雰囲気で２時間程度加熱し硬化させる。次に鋳型部材６，７を外して成形物を得た後，電気絶縁性基板１の裏面のスクライブライン１Ｃに沿って外力を加えることにより個別或いは複数個分に分割した半導体装置を得ることができる。（段落【00013】）
(1-6)「封止樹脂５の厚みがほぼ２ミリ以下のときには半導体素子などに悪影響を及ぼすことなくスクライブライン１Ｃに沿ってマニュアルにより容易に分割できる」（段落【00014】）
(1-7)「この大面積成形物は封止樹脂を電気絶縁性基板１のほぼ全面に流し込んで形成されたものなので，その上面は滑らかであり，当然に分割された半導体装置の上面も滑らかである」（段落【00015】）
(1-8)「トランスファーモールド用樹脂ＭＰ−３０００（日東電工製品）を加熱して溶かし鋳型部材内全面に注入する。鋳型部材温度を１８０℃にセットし、２分間加熱し硬化させる。硬化物を鋳型部材枠から取り外すと，図５に示すような封止樹脂５の表面全体がフラットな大面積成型物が得られた。電気絶縁製基板１の裏面につけたスクライブライン１Ｃに沿って分割すると，上面が滑らかで，４つ側壁面がザラザラした半導体装置が得られた。この半導体装置は従来の同様な電流容量の素子に比べて実装面積が１／３〜１／４，厚みも１／２以下と非常に小型化できた。」（段落【00016】）
(1-9)「図３に示すようにほぼ２ミリの深さのＶ字型溝を封止樹脂に与える図４に示すような鋳型部材を位置合わせし，封止樹脂の厚みが４ｍｍになるようにセットする。前記配合例の封止樹脂を鋳型部材内に圧入し，封止樹脂を４ｍｍの厚さに成型する。これを鋳型部材温度１５０℃で１０時間加熱し硬化させる。硬化後に硬化物を鋳型部材枠から取り外すと，図３に示すような封止樹脂５の表面に格子状の溝５Ａの形成された大面積成型物が得られた。その格子状の溝５Ａ沿って分割すると，上面が滑らかで，４つの分割側壁面は上面に比べてザラザラした樹脂封止型電子回路装置が得られた。このようにして得られた電子回路装置は初期の電気特性を維持し，樹脂封止と機械的な分割による悪影響は見られず，良好な電子回路装置が得られた。この電子回路装置も従来の同様な装置に比べて実装面積が１／３〜１／４，厚みもほぼ１／２と非常に小型・軽量になった。このようにして得られた樹脂封止型半導体装置，樹脂封止型電子回路装置はバリ取り工程が一切不要であった。」（段落【00017】）
(1-10)「第１図に示すような複数の導電パターン１Ａを印刷したアルミナ製の０．５ミリ厚の電気絶縁製基板１に複数の半導体素子２を搭載したものを高さ３ミリの上部鋳型部材および下部鋳型部材にセットし，液状エポキシ系封止樹脂を鋳型部材内全面に注入し，溢れさせ，その高さを３ミリとした。次に７５８ｍｍＨｇで１０分間真空脱泡し，これを８０℃の雰囲気で６０分間加熱し半硬化させる。・・・
　このようにして得られた封止樹脂の高さが３ミリのフラットな大面積成型物は，ほとんど撓みがなく，電気絶縁製基板１の裏面のスクライブライン１Ｃに沿って分割すると簡単に割ることができた。そして分割した個々の半導体装置を・・・完全硬化させた。このようにして分割された側壁面は，上面の滑らかさに比べて粗いがスクライブライン１Ｃに沿ってきれいに割れており，半導体製品として十分に供することのできるものであった。」（段落【00019】）
(1-11)「以上の実施例では熱硬化性樹脂を用いたが，次に紫外線硬化型樹脂，電子線硬化型樹脂のような活性エネルギ線で硬化する活性エネルギ線硬化型樹脂を用いた半導体装置又は電子回路装置の製造方法および製造装置について説明する。」（段落【00021】）
(1-12)「電気絶縁性基板１の裏面の各スクライブライン１Ｃは，必ずしも単一の導電パターン１Ａを囲むように形成する必要はなく，複数の導電パターン１Ａをまとめて１単位としてスクライブラインを作ってもよい。また，電気絶縁性基板は所望の回路パターン，導電パターンを予め形成してなる多層基板を用いることもでき」（段落【00026】）
　　
（２）引用例２（甲第２号証）
(2-1)「絶縁性フィルムの表面にリードを形成したＴＡＢテープキャリアに、上記リードと電気的に接続される導電性ビアホールを形成し、上記ＴＡＢテープキャリアのリードに半導体チップをＴＡＢ接続し、ＴＡＢ接続された半導体チップと反対側のＴＡＢテープキャリアの導電性ビアホール端部にはんだボールを形成した半導体装置。」（特許請求の範囲：請求項１）
(2-2)「図５は従来構造のＢＧＡパッケージ型の半導体装置である。ＢＧＡとはBall Grid Arrayの意であり、ＢＧＡパッケージは多数のボール端子がパッケージの底面に並んだ構造となっている。すなわちＬＳＩチップ６がボンディングワイヤ３により多層配線基板４の配線パターン７に接続され、多層配線パターン８を経て、ボール５に至る構造である。ボール５はモールド樹脂２による封止の後に、ハンダペースト印刷法やボール振込法などにより取り付けられている。ここで、ハンダペースト法とは、はんだペーストを印刷後リフローしてボールを形成する方法であり、ボール振込法とは予め作った球形はんだボールを位置決めしてはんだ付けする方法である。」（段落【0002】）
(2-3)「ＴＡＢ接続されたＬＳＩチップ６と反対側のＴＡＢテープキャリア１１の各導電性ビアホール９の端部にはんだボール５が形成され、この各はんだボール５は導電性ビアホール９を介して、対応する各インナリード１０に電気的に導通するようになっている。はんだボール５は、印刷リフロー法、あるいはボール振込法によって形成する。」（段落【0018】）
　　
（３）引用例３（甲第３号証）
(3-1)「半導体チップと、凹形形状の窪みに前記半導体チップを収納するように前記接着剤で接着した熱伝導率の高い金属で形成された放熱キャップとを含むことを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲：請求項１）
(3-2)「本発明は半導体チップのパッドとマザーボードのパッドとをフリップチップ方式で接続する半導体装置に関し、特に放熱キャップを必要とする半導体装置に関する。」（段落【0001】）
(3-3)「図２（Ｂ）を参照すると、フリップチップ構造の半導体装置６が示されている。ハンダ６は、例えば錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）共晶ハンダからなる。ハンダのメッキ後、メッキ用レジスト膜が剥離され、続いてハンダが溶解整形（ウェットバック）されて球状のハンダ６が形成される。・・・
　図２（Ｆ）を参照すると、図２（Ｅ）に示される固定状態のままで、放熱キャップ３の裏面が真空吸着により固定される。配線基板７の基板電極８およびシールパッド９とハンダ６との位置合わせは、光学的に行われる。次に半導体チップ１を固定した放熱キャップ３が下降されて、チップ電極２のハンダ６およびシールパッド９のハンダ６が接触され、窒素雰囲気内で加熱される。
　この製造方法によりチップ電極２と基板電極８との間並びにシール部５とシールパッド９との間が同時に接続されるという効果がある。」（段落【0021】、【0030】〜【0031】）
　　
ＶＩ．対比・判断
（１）訂正発明１について
　訂正発明１と、引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１には、導電パターンを一方の主面に有し，かつ前記所定の導電パターンにかからないように少なくとも一方の主面に複数のスクライブラインの形成された大面積の電気絶縁性基板を備え，前記所定の導電パターンのそれぞれに１つ以上の半導体素子を固着した後，前記大面積の電気絶縁性基板の前記導電パターンの形成された部分の全面にわたって表面が平坦になるよう封止樹脂で封止し，その封止樹脂の硬化の途中で，外力を与えて前記電気絶縁性基板と封止樹脂とを前記スクライブラインに沿って分割して個別の半導体装置を得る半導体装置の製造方法（摘記1-1：請求項１０）が記載され、併せて、スクライブライン１Ｃは，後で大面積成形物を割り易くするためのものであり，機械的に形成されたＶ字状などの溝，又は超音波などの作用により所望ラインに沿って形成された微少クラック群，ライン状に材質を脆弱化させたものなどからなること（摘記1-3）、大面積の電気絶縁性基板１の周辺部を上部鋳型部材６と下部鋳型部材７で挟んだ後，前述のような液状封止樹脂を枠内全面に流し込み，真空脱泡、加熱・硬化させ、鋳型部材６，７を外して成形物を得た後，電気絶縁性基板１の裏面のスクライブライン１Ｃに沿って分割すること（摘記1-5）、得られた大面積成形物は封止樹脂を電気絶縁性基板１のほぼ全面に流し込んで形成されたものなので，その上面は滑らかであり，分割された半導体装置の上面も滑らかであること（摘記1-7）が記載されている。
　そして、訂正発明１のパッケージ基板シートは引用例１の基板に、訂正発明１の切り込みは引用例１のスクライブライン(1C)に、訂正発明１の回路網は引用例１の導電パターン(1A)に、訂正発明１の半導体チップは引用例１の半導体素子(2)に、訂正発明１の液状の樹脂材料は引用例１の封止樹脂(5)に相当する。また、引用例１には、封止樹脂５としては、エポキシ樹脂などの電気絶縁性樹脂が適しており，加熱により徐々に硬化する組成の熱硬化性樹脂が好ましく、流れ性，低チクソ性などの作業性が良い樹脂であること（摘記1-4）と共に、電気絶縁性基板の前記導電パターンの形成された部分の全面にわたって表面が平坦になるよう封止樹脂で封止すること（摘記1-1；請求項１）が記載されていることからすると、引用例１には、液状の樹脂材料の表面が全体的に平坦面とされるような粘度で構成されることが記載されているといえる。
　　
　以上のことからすると、訂正発明１の特定事項と対比して、引用例１には、
「パッケージ基板シートの裏面に、このシートを複数の領域に分割する切り込みを形成するパッケージ基板シート形成工程と、
　前記パッケージ基板シートの表面側に前記切り込みで分割される複数の領域部それぞれに対応して導体による回路網を形成すると共に、前記基板シートの裏面側に配列した多数の導体パッドを形成する導体パターン形成工程と、
前記パッケージ基板シートの表面の前記回路網で形成されるチップ搭載領域にそれぞれ半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
　前記搭載された半導体チップそれぞれの電極と、これら半導体チップそれぞれの搭載された前記分割領域に対応する前記回路網の所定端子部との間を電気的に接続する接続工程と、
　前記分割された複数の領域にそれぞれ半導体チップの搭載された前記パッケージ基板の表面の全面を、液状の樹脂材料で覆う樹脂被覆工程と、
　前記被覆された液状被覆材料を硬化する樹脂硬化工程と、
　前記パッケージ基板シートの表面の樹脂層が硬化された後、前記裏面の切り込みによりこの基板シートを半導体チップ単位で分割する切り離す切り離し工程と、
　前記樹脂被覆工程では液状の樹脂材料の表面が全体的に平坦面とされるような粘度で構成され、前記パッケージ基板シートを分割して切り離された状態で、それぞれ半導体チップの搭載された複数のパッケージ基板が形成されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法」が記載されているといえ、この点で訂正発明１は引用例１に記載された発明と一致し、そして、
（イ）訂正発明１では、パッケージ基板シートの裏面に、このシートを複数の領域に分割する切り込みを形成する上記のパッケージ基板シート形成工程において、グリーンシート状態のパッケージ基板シートの裏面に、このシートを複数の領域に分割する切り込みを形成し、その状態で焼成するものであるのに対して、引用例１には当該グリーンシート状態での切り込み形成及び焼成についての記載がない点、及び、
（ロ）訂正発明１では、前記硬化された樹脂層を下面とされるように前記基板シートを裏返した状態で、裏面の前記導体パッド部それぞれに対応してハンダボールを形成するハンダボール形成工程を具備するものであるのに対して、引用例１には当該ハンダボール形成工程の記載がない点、の各点で相違している。
　　
　そこで、これら相違点について以下検討する。
相違点（イ）について
　引用例２及び３には特定の半導体装置に係る発明が記載されている（摘記2-1〜2-3、3-1〜3-3）。しかし、これら引用例２及び３には、グリーンシート状態のパッケージ基板シートの裏面に、このシートを複数の領域に分割する切り込みを形成し、その状態で焼成するという上記相違点（イ）に係る工程を開示する記載は見あたらず、なおかつ、当該事項が本願出願当時周知ないし自明であると認めることもできない。
　　
相違点（ロ）について
　引用例２には、ＴＡＢ接続された半導体チップと反対側のＴＡＢテープキャリアの導電性ビアホール端部にはんだボールを形成した半導体装置（摘記2-1）に係る発明が、従来構造のＢＧＡパッケージ型半導体装置の場合と共に記載され、そして当該従来構造のＢＧＡパッケージ型半導体装置（図５参照。）について、ボール５はモールド樹脂２による封止の後に、ハンダペースト印刷法やボール振込法などにより取り付けられること、ハンダペースト法とははんだペーストを印刷後リフローしてボールを形成する方法であること、及び、ボール振込法とは予め作った球形はんだボールを位置決めしてはんだ付けする方法であること（摘記2-2）が記載されている。また、引用例３には、半導体チップと、凹形形状の窪みに前記半導体チップを収納するように前記接着剤で接着した熱伝導率の高い金属で形成された放熱キャップとを含むフリップチップ型半導体装置（摘記3-1〜3-3）と共に、その図２（Ｂ）には、半導体装置の球状ハンダ形成面を上にして球状のハンダ６を形成すること（摘記3-3）が記載されている。
　特許異議申立人はこれら引用例２（甲第２号証）及び引用例３（甲第３号証）の記載に基づいて、上記相違点（ロ）に係るハンダボール形成工程は、引用例１（甲第１号証）に記載された半導体装置を製造する際に、ハンダ工程として引用例２（甲第２号証）に記載されているハンダボール形成工程を単に用いただけであり、また、半導体チップの電極に上側からハンダボールを形成することは引用例３（甲第３号証）に記載されていると主張している。
　しかし、引用例２で具体的に引用・開示されている半導体装置はＢＧＡパッケージ型（摘記2-2）、引用例３に具体的に開示されている半導体装置はフリップチップ型（摘記3-2）のいずれもマトリックス配列の多接点半導体装置であるのに対して、引用例１に記載された半導体装置として具体的に説明されているものは、ショットキバリアダイオード，バイポーラトランジスタ，電界効果トランジスタ等の半導体装置（摘記1-2、図１、９参照。）であり、そして、引用例２、３に記載されたマトリックス配列の多接点半導体装置についてのハンダボール形成法を、当該引用例１に記載された上記半導体装置に対して適用して上記相違点（ロ）のとおりの構成とすることを、当業者が容易に想到できたとすることはできない。
　　
　そして訂正発明１は、これら相違点（イ）及び（ロ）を含む前記認定のとおりの特定事項を具備することにより、小型，薄型，軽量で，封止樹脂のバリ取りが不要な安価な樹脂封止型の半導体装置を簡単で安価な設備で容易に量産することができる（段落【0027】）という明細書記載の効果を奏したものと認めることができる。
　したがって、訂正発明１は、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
（２）訂正発明２〜４について
　訂正発明２は樹脂被覆工程の点について、訂正発明３及び４はハンダボール形成工程の点について、それぞれ訂正発明１を特定した発明であるので、上記「（１）訂正発明１について」の欄に記載したと同様、訂正発明２〜４は引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
ＶＩＩ．むすび
　以上のとおりであるから、訂正後の請求項１〜４に係る特許は、特許異議申立人の主張及び証拠に基く上記取消理由によって取り消すべきものとすることはできない。
　また、他に訂正後の請求項１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月７日（２００５．７．７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
グリーンシート状態の
形成し、その状態で焼成する
　前記パッケージ基板シートの表面側に前記切り込みで分割される複数の領域部それぞれに対応して導体による回路網を形成すると共に、前記基板シートの裏面側に配列した多数の導体パッドを形成する導体パターン形成工程と、
　前記パッケージ基板シートの表面の前記回路網で形成されるチップ搭載領域にそれぞれ半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
　前記搭載された半導体チップそれぞれの電極と、これら半導体チップそれぞれの搭載された前記分割領域に対応する前記回路網の所定端子部との間を電気的に接続する接続工程と、
　前記分割された複数の領域にそれぞれ半導体チップの搭載された前記パッケージ基板の表面の全面を、液状の樹脂材料で覆う樹脂被覆工程と、
　前記被覆された液状被覆材料を硬化する樹脂硬化工程と、
　前記パッケージ基板シートの表面の樹脂層が硬化された後、前記裏面の切り込みによりこの基板シートを半導体チップ単位で分割する切り離す切り離し工程と、
　前記硬化された樹脂層を下面とされるように前記基板シートを裏返した状態で、裏面の前記導体パッド部それぞれに対応してハンダボールを形成するハンダボール形成工程とを具備し、
　前記樹脂被覆工程では液状の樹脂材料の表面が全体的に平坦面とされるような粘度で構成され、前記パッケージ基板シートを分割して切り離された状態で、それぞれ半導体チップの搭載された複数のパッケージ基板が形成されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項２】
　前記樹脂被覆工程では、搭載された半導体チップと電気的な接続手段部が液状樹脂材料で覆われて、その表面が平坦面とされるように前記樹脂材料の粘度が設定され、前記裏返した状態でこの平坦面でパッケージ基板シートが保たれるようにした請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項３】
　前記ハンダボール形成工程は、前記切り離し工程で半導体チップ単位のパッケージ基板に分割された後に、この分割されたパッケージ基板単位で行われるようにした請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項４】
　前記ハンダボール形成工程は、前記切り離し手段で半導体チップ単位のパッケージ基板に分割される以前のパッケージ基板シートの状態で、この基板シートの裏面全面に一括して行われるようにした請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】この発明は、パッケージ基板の表面の半導体チップが樹脂封止され、裏面に設定されるハンダ材料により実装する半導体装置の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　裏面に実装用のハンダ材料の設定された樹脂封止型の半導体装置は、例えば図２で示すように、例えばセラミックス等の無機材料、ポリイミドテープ、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｂｏａｒｄ）等の有機材料等の絶縁材料によって構成されたパッケージ基板３１を備える。このパッケージ基板３１の表面には、詳細は図示されていないがチップ搭載領域を含む導体による回路網が形成され、また裏面には多数の導体パッドが配列形成されている。
　【０００３】
　そして、このパッケージ基板３１の表面の回路網のチップ搭載領域に、半導体チップ３２が搭載されるもので、この半導体チップ３２の電極部と回路網の所定位置との間は、ワイヤ３３によってボンディグ接続される。その後、このパッケージ基板３１の表面部に樹脂材料を滴下することにより、ワイヤ３３を含む状態で樹脂層３４で覆い、封止される。
　【０００４】
　ここで、図３にパッケージ基板３１を裏返した状態でその一部を取り出して示すように、パッケージ基板３１の裏面には多数の導体パッド３５が、例えば格子の各交差位置に配列形成され、ハンダペーストを塗布することで、各導体パッド３５それぞれ表面にハンダペースト３６の層が形成されている。そして、これら多数の導体パッド３５の周囲を取り囲むように、絶縁物によるハンダマスク３７が形成されているもので、ハンダペースト３６それぞれの上に、ハンダ材料によるボール３８が仮止めされる。その後、ハンダペースト３６部をハンダ材料の溶融温度以上に加熱し、ハンダボール３８を導体パッド３５それぞれに対して接続する。
　【０００５】
　この様に構成される樹脂封止された半導体装置は、所定の実装基板上に載置された状態でハンダボール３８部と実装基板の間にハンダペーストを接着し、ハンダペーストを溶融することにより、半導体装置が実装基板の所定位置に取り付けられる。
　【０００６】
　なお、ハンダボールと実装基板との間のハンダペーストの融点は、パッケージ基板とハンダボールとの間のハンダペーストの融点よりも低い。この理由は、パッケージ基板とハンダボールとを接続する際に、パッケージ基板とハンダボールとが剥離されることを防止するためである。
　【０００７】
　ここで、ハンダボール３８およびハンダペーストの溶融温度は低いものであり、特にパッケージ基板３１の表面に半導体チップ３２を搭載し、ワイヤ３３をボンディング接続するに必要な温度等によって、先にハンダボール３８を形成した後に半導体チップ３２の搭載作業を行ったのでは、このハンダボール３８またはハンダペーストが溶解する。このため、パッケージ基板３１の表面に半導体チップ３２を搭載し、樹脂封止した後に、パッケージ基板３１の裏面にハンダボール３８の形成作業が行われる。
　【０００８】
　しかし、パッケージ基板３１の表面に半導体チップ３２を搭載した状態で、このパッケージ基板３１の表面に液化した樹脂を滴下して半導体チップ３２を封止するようにしたのでは、樹脂の表面張力によってその表面が図２で示すように円弧面になり、この様に樹脂封止された半導体装置を裏返したのでは、安定して設定されない。したがって、この状態でハンダボール形成工程を行うことは困難である。
　【０００９】
　また、この様な樹脂封止工程を１回で行う場合には、樹脂の安定性や流動性等の制御が困難であり、周囲に「だれ」が生ずる問題を有する。この「だれ」の発生要因は、例えば供給する樹脂の量が過剰であることであり、この様な場合にはパッケージ基板３１の半導体チップ３２の周囲の期待しない範囲にまで樹脂層が広がり、付着する。そして、この様な「だれ」の発生により、応力が不均一となると共に外観が不良となり、特に小型化が困難となる。
　【００１０】
　さらにこの様な樹脂封止工程は、それぞれパッケージ基板３１に対して半導体チップ３２を搭載した状態で、そのパッケージ基板３１単位で行われるので、半導体製造工程を繁雑化しているものであり、また封止樹脂の広がりの範囲によってパッケージ基板３１の大きさに制限が生じ、半導体装置の小型化に制限が生ずる。
　【００１１】
　【発明が解決しようとする課題】
　この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、半導体チップの封止樹脂の表面が確実に平坦化された状態とされて、パッケージ基板の裏面にハンダボールを形成するための、パッケージ基板の裏返し設定状態が安定化されるようにするものであり、さらにその面積が制限して小型化される半導体装置が容易に得られるようにする半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　この発明に係る半導体装置の製造方法は、
グリーンシート状態の
形成し、その状態で焼成する。
　【００１３】
　すなわち、この様な半導体装置の製造方法によれば、パッケージ基板シートに複数の半導体チップが搭載された状態で、一括して樹脂封止される。この場合、パッケージ基板シートの表面が、複数の半導体チップの搭載領域を含むものであり、またこの充分な面積のパッケージ基板の表面が液状の樹脂材料で覆われるようにするものであるため、この樹脂材料の粘度を小さな値に設定することで、この樹脂で覆われた表面は全体的に大きな平面とされる。したがって、この樹脂封止されたパッケージ基板を裏返した状態で、樹脂層の表面を下にして安定して設定できるものであり、この状態で基板裏面に対するハンダボールの形成工程が容易に実行できる。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照してこの発明の一実施の形態を実施例に基づき説明する。
　図１は半導体装置の製造工程を順次示しているもので、まず（Ａ）図で示されるように、複数の半導体装置が一括して形成できるようにした大きな面積のパッケージ基板シート１１を用意する。例えば、この基板シート１１によって３列×３列で９個の半導体チップが搭載できる面積に設定される。
　【００１５】
　このパッケージ基板シート１１は、グリーンシートの状態でその裏面に切り込み溝１２が形成され、その状態で焼成することによりパッケージ基板シート１１とされる。ここで、切り込み溝１２は格子状に形成され、その格子枠はそれぞれ１つの半導体チップが搭載できる面積形状とされている。
　【００１６】
　すなわち、切り込み溝１２の形成されたパッケージ基板シート１１は、切り込み溝１２によって複数のパッケージ基板１１１、１１２、…の複数の領域に分割される。ここで詳細は図示していないが、パッケージ基板シート１１の表面に、各分割領域にそれぞれ対応して、タングステン、ニッケル、金等の導体によるパターンによる回路網が形成される。
　【００１７】
　なお、パッケージ基板の表面に導体を用いて回路網を形成する際の製造方法は特に限定されない。すなわち、タングステン、モリブデン等の金属を厚膜ペーストとしてスクリーン印刷することにより回路網を形成する、いわゆる厚膜法、あるいはニッケル、アルミニウム、金、銀等の金属を蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｖａｐｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等で形成した後に、フォトリソグラフィで回路網を形成する、いわゆる薄膜法のいずれをも適用できる。
　【００１８】
　また、パッケージ基板１１の裏面には、全面にわたり図３で示したような導体パットが多数配列形成され、この各導体パッドを取り囲むようにして、絶縁物によるハンダマスクが形成される。
　【００１９】
　なお、パッケージ基板の裏面に絶縁物によって構成されるハンダマスクの目的は、パッケージ基板の裏面の期待しない部分にハンダペースト、ハンタボール等が接着されることを防ぐためである。したがって、パッケージ基板の材料の中でハンダペースト、ハンダボール等が接着されることを防ぐ性質を持つ場合には、ハンダマスクが無くともよい。
　【００２０】
　次に、（Ｂ）図で示すように切り込み溝１２によって領域分割されたパッケージ基板シート１１の表面に、パッケージ基板１１１、１１２、…それぞれの領域の回路網の中の、特にチップ搭載領域に半導体チップ１３１、１３２、…を、例えば導電性の接着剤を用いて接着し、パッケージ基板シート１１の表面に搭載する。そして、この搭載された半導体チップ１３１、１３２、…それぞれの電極部と、対応する回路網の電極接続部との間を、それぞれワイヤ１４１、１４２、…によってボンディング接続する。すなわち、各半導体チップ１３１、１３２、…が、パッケージ基板シート１１に形成した所定の回路網に対して、電気的に接続される。
　【００２１】
　この様にパッケージ基板シート１１の所定位置に、半導体チップ１３１、１３２、…がそれぞれ搭載され、ワイヤ１４１、１４２、…によって電気的な接続回路が形成されたならば、（Ｃ）図で示すようにパッケージ基板シート１１の表面の全面を、半導体チップ１３１、１３２、…およびワイヤ１４１、１４２、…がすべて埋設されるように、液状の樹脂材料によって覆う。そして、この樹脂材料を硬化することによって、封止樹脂層１５を形成する。
　【００２２】
　ここで、パッケージ基板シート１１の表面を覆う液状の樹脂材料の粘度が充分に低いものであれば、樹脂層１５の表面は極く限られた周縁部を除いて、その表面が平坦化された面とされる。また、一体化されるパッケージ基板１１１、１１２、…の数を多くして全体の表面積が大きくされれば、封止樹脂層１５の面が容易に平坦化された面とされ、その平坦部分の面積が増大する。例えば４個のパッケージ基板が一体化される程度の大きさであれば、容易に表面を平坦化できる。
　【００２３】
　この様に平坦な面の形成された封止樹脂層１５が形成されたならば、パッケージ基板シート１１を、樹脂層１５を含んで切り込み溝１２に沿って切断して分離する。ここで、パッケージ基板シート１１に対して切り込み溝１２が形成され、しかもパッケージ基板シート１１の表面の樹脂材料が高分子材料であるため、パッケージ基板シート１１を切り込み溝１２の方向から折り曲げることにより、簡単に切断できる。
　【００２４】
　この様に切断することで、（Ｄ）図で示すようにパッケージ基板シート１１が、半導体チップ１３１、１３２、…それぞれが搭載されたパッケージ基板１１１、１１２、…単位に分割され、その各パッケージ基板１１１、１１２、…それぞれに半導体チップ１３１、１３２、が搭載され、その各半導体チップ１３１、１３２、…それぞれが樹脂封止された状態とされる。
　【００２５】
　この様にパッケージ基板１１１、１１２、…単位でそれぞれ半導体装置が構成されたならば、（Ｅ）図で示すように各パッケージ基板１１１、１１２、…のそれぞれ裏面の導体パッド部に、図３で説明したと同様な手段によって、多数のハンダボール１６を取り付け、樹脂封止された半導体装置が完成される。
　【００２６】
　ここで使用されるパッケージ基板シート１１の種類、並びに半導体チップ１３１、１３２、…とパッケージ基板シート１１との接続方法は、知られている方法のいずれでも可能である。また、パッケージ基板シート１１を構成する材料は、例えばセラミックス基板が使用され
、この
　【００２７】
　また、半導体チップ１３１、１３２、…それぞれと、パッケージ基板シート１１の回路網な接続手段は、ワイヤボンディング方法以外にも、ＴＡＢ（ｔａｐｅ　ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）やＦＣ（ｆｌｉｐ　ｃｈｉｐ）等にも適用できる。
　【００２８】
　さらに封止用樹脂としては、エポキシ系樹脂が使用されるようにしたが、他にビフェニル系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリエステル系樹脂等の使用が可能である。
　【００２９】
　各パッケージ基板１１１、１１２、…の裏面には、いわゆるＢＧＡタイプのハンダボール１６によるリードが形成されているものであるが、ハンダによって接続する場合にはそのリード形状も特に制限されない。例えば、柱状の長いリードを持つＰＧＡ（ｐｉｎ　ｇｒｉｄ　ａｒｒａｙ）、柱状の短いリードを持つＢｕｔ−ＰＧＡ、接続するためのパッドのみを持つＬＧＡ（ｌａｎｄ　ｇｒｉｄ　ａｒｒａｙ）、ガルウイングの形状のリードを持つＱＦＰ（ｑｕａｄ　ｆｌａｔ　ｐａｃｋａｇｅ）等であってもよい。
　【００３０】
　実施例の説明においては、パッケージ基板シート１１を切り込み溝１２によって切断し、半導体チップ１３１、１３２、…がそれぞれ搭載された独立したパッケージ基板１１１、１１２、…とされた状態で、このそれぞれのパッケージ基板１１１、１１２、…それぞれに対して、ハンダボール１６によるリードを形成するようにした。しかし、単体のパッケージ基板１１１、１１２、…それぞれにハンダボール１６を形成するようにしたのでは、繁雑な手数がかかる。
　【００３１】
　この様な問題点に対処するため、（Ｃ）図のようにパッケージ基板シート１１の表面に半導体チップ１３１、１３２、…が搭載され、さらに封止用の樹脂層１５が形成されたならば、このパッケージ基板１１１、１１２、…が一体化されている状態で、このパッケージ基板シート１１の裏面の全体に、ハンダボールを形成する。この様にしてハンダボール１６がパッケージ基板シート１１の裏面に形成された後に、この基板シート１１を切り込み溝１２を用いて切断するようにすれば、簡単に半導体チップ１３１、１３２、…それぞれを搭載した半導体装置が完成される。
　【００３２】
　【発明の効果】
　以上のようにこの発明に係る半導体装置の製造方法によれば、封止樹脂材料の粘度を適宜小さなものとすれば、半導体チップの搭載されたパッケージ基板シートの封止樹脂された表面が確実に平坦化され、この平坦化された面を下にしてパッケージ基板シートを裏返して安定して設定でき、この基板シートの裏面にリードとされるハンダボールの形成工程が、容易且つ確実に実行できるようになる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】（Ａ）〜（Ｅ）は、この発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法を順次説明するための図。
　【図２】従来の半導体装置を説明するための断面構成図。
　【図３】従来から知られている半導体装置の裏面にハンダボールを形成する手段を説明する図。
　【符号の説明】
　１１…パッケージ基板シート、１１１、１１２、…パッケージ基板、１２…（封止用）樹脂層、１３１、１３２、…半導体チップ、１４１、１４２、…ワイヤ、１５…ハンダボール。