【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４０５５５０３号発明「半導体発光素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
　
第１　事案の概要
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第４０５５５０３号（以下「本件特許」という。平成１４年７月２３日出願（国内優先権主張：特願２００１−２２３１１４号（平成１３年７月２４日出願）、特願２００２−４１７３７号　（平成１４年２月１９日出願））、平成１９年１２月２１日登録（登録時の請求項の数は７であるが、後記第２のとおり、平成２４年５月１１日になされた手続補正書により補正された平成２４年１月４日付け訂正請求書及び訂正明細書による訂正後の請求項の数は４である。）の請求項１〜７に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
第２　手続の経緯
　本件審判の経緯は、以下のとおりである。
平成２３年１０月１２日　審判請求
平成２４年　１月　４日　訂正請求、訂正明細書及び審判事件答弁書提出
平成２４年　３月　５日　審判事件弁駁書提出
平成２４年　４月２６日　訂正拒絶理由通知
平成２４年　５月１１日　手続補正書（平成２４年１月４日付け訂正請求書及び訂正明細書の補正）及び意見書提出（被請求人）
平成２４年　５月３１日　意見書提出（請求人）
平成２４年　８月２２日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
平成２４年　８月２２日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
平成２４年　９月　５日　口頭審理
平成２４年１０月１０日　上申書提出（請求人）
　
第３　請求人の主張の概要及び証拠方法
１　無効理由
（１）無効理由１（特許法第２９条第１項第３号又は同第２項）
　本件特許の請求項１ないし請求項７に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された特開２００１−１６０５３９号公報（甲第１号証）に記載の発明と同一、又は特開２００１−１６０５３９号公報（甲第１号証）に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１ないし請求項７に係る特許は特許法第１２３条第１項第２号の規定に該当し無効とすべきである。
（２）無効理由２（特許法第２９条第２項）
　本件特許の請求項１ないし請求項７に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された特開２００２−１６４２９６号公報（甲第８号証）に記載の発明並びに特開２００１−１６０５３９号公報（甲第１号証）及び本件特許出願時の周知技術等に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１ないし請求項７に係る特許は特許法第１２３条第１項第２号の規定に該当し無効とすべきである。
　なお、本件特許については、優先権の利益を享受できず、新規性及び進歩性の判断の基準日は現実の出願日である平成１４年７月２３日である。
　
２　甲号証
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
（１）甲第１号証　　　特開２００１−１６０５３９号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年６月１２日）
（２）甲第２号証　　　特開２０００−２１６４９７号公報
（３）甲第３号証　　　特開平１１−４０８４９号公報
（４）甲第４号証　　　特開平１０−２７０８０１号公報
（５）甲第５号証　　　特開平１１−２７４５６８号公報
（６）甲第６号証　　　特開平１０−４２０９号公報
（７）甲第７号証　　　国際公開第０１／４７０３９号
（８）甲第８号証　　　特開２００２−１６４２９６号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１４年６月７日）
（９）甲第９号証　　　特開２００２−１６４５７１号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１４年６月７日）
（１０）甲第１０号証　特開２００１−２６７６９２号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年９月２８日）
（１１）甲第１１号証　特開２００１−１７６８０９号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年６月２９日）
（１２）甲第１２号証　特開２００１−９４２１６号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年４月６日）
（以上、審判請求書に添付して提出。）
（１３）甲第１３号証　特開２００１−７３９３号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年１月１２日）
（１４）甲第１４号証　「High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes　Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy」 Jpn. J. Appl. Phys. Vo1. 40(2001) pp. L583-L585（Part 2, No. 6B, 15 June 2001）
（１５）甲第１５号証　「High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy」 phys. stat. sol. (a) 188, No.1, 121-125(2001)
（なお、甲第１５号証は２００１年に頒布された刊行物であるが、(Received June 30, 2001; accepted August 4, 2001)とあるだけで、具体的な公開日は明らかではない。）
（以上、平成２４年３月５日付け審判事件弁駁書に添付して提出。）
（１６）甲第１６号証　特開２０００−１５６３４８号公報
（以上、平成２４年１０月１０日付け上申書に添付して提出。）
　
第４　被請求人の主張の概要
１　各無効理由に対して
（１）理由１
　本件発明は甲第１号証によって新規性を阻却されない。
　本件発明が甲第１号証に記載された発明に対して進歩性を有することは明らかである。
（２）理由２
　本件発明と甲第８号証に記載された発明との相違点が推考容易であるとは言えず、甲第８号証に記載された発明を主引例とする進歩性欠如の主張は成り立たない。
　
２　乙号証
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。
（１）乙第１号証　「ワイドギャップ半導体　光・電子デバイス」、長谷川文夫・吉川明彦編著、２００６年３月３１目発行、森北出版株式会社、ｐ．１８４〜１８７、及び、ｐ．１９４〜１９５
（２）乙第２号証の１　特開平５−３７０１１号公報
（３）乙第２号証の２　特開平７−２３１１１６号公報
（４）乙第２号証の３　特開平１０−１９００５０号公報
（５）乙第２号証の４　特開２０００−２６１０３８号公報
（６）乙第２号証の５　特開２０００−３３２２９１号公報
（７）乙第２号証の６　特開２００２−９３３９号公報
（８）乙第２号証の７　特開２００２−１５１７９５号公報
（９）乙第２号証の８　特開２００２−１６４５７４号公報
（１０）乙第２号証の９　特開２００７−４３１７８号公報
（１１）乙第２号証の１０　特開２００７−２２１１４１号公報
（１２）乙第３号証「明鏡国語辞典　第二版」、北原保雄編、２０１０年１２月１日発行、株式会社大修館書店、ｐ．１１９６〜１１９７
（以上、平成２４年１月４日付け審判事件答弁書に添付して提出。）
（１３）乙第４号証「結晶成長ハンドブック」、日本結晶成長学会、「結晶成長ハンドブック」編集委員会編、１９９５年９月１日発行、共立出版株式会社、ｐ．７３４〜７３７
（以上、平成２４年８月２２日付け口頭審理陳述要領書に添付して提出。）
　
第５　訂正請求についての当審の判断
１　訂正請求の内容
　被請求人が平成２４年１月４日に提出し、平成２４年５月１１日付けの補正書で補正された訂正請求（以下「本件訂正」という。）は、本件特許の願書に添付した明細書（以下「本件特許明細書」という。）について、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを請求するものであって、次の事項をその訂正内容とするものである。
（なお、平成２４年５月１１日付けの補正書での補正の内容は、平成２４年４月２６日付けの訂正拒絶理由通知に対応して、平成２４年１月４日に提出された訂正請求書の「（３−４）訂正事項ｄ」を削除し、さらに、上記「（３−４）訂正事項ｄ」を削除したことにあわせて、他の訂正事項の整合をとるものであって、請求書の要旨を変更しないものと認められる。）
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の全請求項において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「半導体発光素子」とあるのを、『半導体発光ダイオード』と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり」を追加する。
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が９０°より大きく、１５０゜以下であり、」とあるのを、『上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が
１２０°
１４０゜
（４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項４および５を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
（５）訂正事項ｅ
　訂正事項ｄに伴い、特許請求の範囲の請求項６において、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項の番号を４にするとともに、請求項が引用する請求項の番号を「１ないし５」から、『１ないし３』と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項７を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
（７）訂正事項ｇ
　訂正事項ａ、ｂおよびｃに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の整合性を図るために、明りょうでない記載の釈明を目的として、本件特許明細書の段落【００１０】に係る記載
「【課題を解決するための手段】
　本発明に係る半導体発光素子は、基板上に、基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成されたオーミック電極とを積層し、前記ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光素子において、上記基板の表面部分には上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部が、λ／４（λは上記半導体発光素子の発光波長）以上の間隔、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており、その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、上記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され、上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が９０°より大きく、１５０°以下であり、前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められたことを特徴とする。本件発明によれば、凹凸による光の散乱・回折効果を高め、半導体層中を横方向に伝播する光を減らし、伝播中の吸収ロスを低減して発光の総量を高めることができる。」を、
『【課題を解決するための手段】
　本発明に係る半導体発光
ダイオード
ダイオード
上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり、
ダイオード
１２０°
１４０°
と訂正する。
　
２　訂正の適否
（１）訂正事項ａについて
　本訂正事項は、請求項１ないし４に係る発明において、「半導体発光素子」を「半導体発光ダイオード」に限定するものであるから、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成２３年改正前特許法」という。）特許法第１３４条の２第１項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そして、本件特許明細書には、「半導体発光素子、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）では・・・」（段落【０００２】）との記載があるから、本件特許明細書には、「半導体発光素子」の一例が「半導体発光ダイオード」であることが記載されているものと認められる。
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
（２）訂正事項ｂについて
　本訂正事項は、請求項１に係る発明において「基板」を、「上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり」に限定する記載を追加するものであるから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第１項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そして、本件特許明細書には、「また、基板にはサファイア基板、ＳｉＣ基板又はスピネル基板を用いることができる。例えば、上記基板には、Ｃ面（０００１）を主面とするサファイア基板を用いることができる。」（段落【００２１】）との記載があるから、本件特許明細書には、「基板」の一例が、「上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であ」ることが記載されているものと認められる。
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
（３）訂正事項ｃについて
　本訂正事項は、請求項１に係る発明において「上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が９０°より大きく、１５０゜以下であり、」とあるのを、「上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０゜以下であり、」に数値範囲を限定するものであるから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第１項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そして、本件特許明細書には、「半導体層によって凹凸を埋めるためには、凹凸のテーパ角θが少なくとも９０°以上であることが必要である。また、散乱又は回折による出力向上の観点からは、凹凸のテーパ角θが９０°より大きいことが好ましく、望ましくは１０５°以上、より望ましくは１１５°以上とする。一方、凹凸のテーパ角θがあまり大き過ぎると、却って散乱又は回折の効率が低下し、また、半導体層にピットが発生し易くなる。そこで、テーパ角θは、好ましくは１６０°以下、より好ましくは１５０°以下、さらに好ましくは１４０°以下とする。」（段落【００５０】）、及び、「また、凸部側面の傾斜角は１２０°であった。」（段落【００８１】）との記載があるから、本件特許明細書には、「上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０゜以下であ」ることが記載されているものと認められる。
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
（４）訂正事項ｄ及びｆについて
　本訂正事項は、請求項を削除するものであるから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第１項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
（５）訂正事項ｅについて
　本訂正事項は、発明の詳細な説明の記載について、訂正事項ｄ（請求項の削除）との整合を図り記載を明りょうにするために行うものと認められるから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第１項第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、上記（４）における訂正事項ｄについての検討と同様の理由により、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
（６）訂正事項ｇについて
　本訂正事項は、発明の詳細な説明の記載について、訂正事項ａ、ｂ及びｃとの整合を図り記載を明りょうにするために行うものと認められるから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第１項第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、上記（１）〜（３）における訂正事項ａ、ｂ及びｃについての検討と同様の理由により、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
　
３　本件訂正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件訂正を認める。
　
第６　本件訂正発明
１　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許第４０５５５０３号の請求項１ないし４に係る発明（以下、請求項１ないし４に係る発明を「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明４」という。）は、次の各請求項に記載されたとおりのものと認められる。
「【請求項１】
　基板上に、基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成されたオーミック電極とを積層し、前記ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオードにおいて、
　上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり、
　上記基板の表面部分には上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部が、λ／４（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており、
　その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、上記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され、上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下であり、
　前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められたことを特徴とする半導体発光ダイオード。
【請求項２】
　上記オーミック電極が、上記半導体層の最上層のほぼ全面を覆うことを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
【請求項３】
　上記オーミック電極が、透光性であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項４】
　上記半導体中における発光波長をλ、上記半導体の屈折率をｎとしたとき、上記凸部の大きさが、少なくともλ／４ｎ以上、２０μｍ以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光ダイオード。」
　
２　本件訂正発明１を分説すると、次のとおりである。
Ａ　基板上に、基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成されたオーミック電極とを積層し、前記ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオードにおいて、
Ｂ　上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり、
　上記基板の表面部分には上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部が、λ／４（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており、
Ｃ　その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、上記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され、
Ｄ　上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下であり、
Ｅ　前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた
Ｆ　ことを特徴とする半導体発光ダイオード。
　
第７　優先権
１　本願は以下の出願ア及びイを優先権主張の基礎として出願したものである。
　ア　特願２００１−２２３１１４号（平成１３年７月２４日出願）
　イ　特願２００２−４１７３７号　（平成１４年２月１９日出願）
　
２　本件訂正発明１ないし４は、上記第６、２の分説に従うと
「Ｃ　その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、上記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され、
　Ｄ　上記凸部の側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下であり、
　Ｅ　前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた」ものを構成として含むものである。
　
３　しかしながら、上記出願ア及びイの願書に最初に添付した明細書又は図面には、「ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され」ること、凸部の側面が傾斜しており、その側面の「テーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下であ」ること、及び、基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が「連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた」ことについては記載されていない。
　
４　そして、出願ア及びイの願書に最初に添付した明細書又は図面に接した当業者にとって、上記構成要件Ｃ、Ｄ及びＥが自明な事項であると認めることもできない。
　よって、本件訂正発明１ないし４について、上記出願ア及びイを基礎出願とした特許法第４１条の規定による優先権主張の効果は認められない。
　
第８　無効理由についての当審の判断
１　無効理由１について
（１）甲号証の記載
ア　甲第１号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開２００１−１６０５３９号公報）には、以下の記載がある（下線は当審で付した。以下同じ。）。
（ア）「【０１１６】図４および図５は、第２の発明の一実施例における
窒化物系半導体の形成方法
【０１１７】まず、図４（ａ）に示すように、
Ｃ面を基板表面とするサファイア基板１１の所定領域
【０１１８】この場合、
凹部の幅ｗは、数μｍ〜数十μｍとするのが好ましく、凸部の幅ｂは数百ｎｍ〜数十μｍとするのが好まし
【０１１９】また、
サファイア基板１１のＣ面に対する凹部側面の角度は、特に限定されるものではな
例えば、本例においては凹部側面がサファイア基板１１のＣ面に対してほぼ垂直であ
【０１２０】さらに、ストライプ状の凹部を形成する方向は、特に限定されるものではない。例えば、本例においては［１-1００］方向にストライプ状の凹部を形成する。なお、これ以外に、例えば［１１-2０］方向にストライプ状の凹部を形成してもよい。
【０１２１】続いて、図４（ｂ）に示すように、基板温度を６００℃に保った状態でＭＯＶＰＥ法により、
サファイア基板１１の凸部上面、凹部底面および凹部側面に、アンドープのＡｌＧａＮからなる
ＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させ
凹凸パターンが形成され
【０１２２】
続いて、
ＡｌＧａＮバッファ層１２上に、アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３を成長させ
【０１２３】図５（ｄ）に示すように、矢印Ｙの方向におけるＧａＮ層１３の成長が進むにつれて、矢印Ｘの方向におけるＧａＮ層１３の成長が支配的となる。この場合、凹部底面のＧａＮ層１３上において、凸部上面および凹部側面のＧａＮ層１３がさらに横方向に成長する。それにより、
ＧａＮ層１３の凹部が徐々に埋められてい
【０１２４】ここで、上記のような
ＧａＮ層１３が横方向に成長
【０１２５】図５（ｅ）に示すように、
平坦化するまでＧａＮ層１３を成長させ
【０１２６】以上のような窒化物系半導体の形成方法によれば、ストライプ状の凹部が形成されたサファイア基板１１を用いることにより、選択成長マスクを用いることなくＧａＮ層１３を横方向成長させ、転位を低減することが可能となる。したがって、良好な結晶性を有するＧａＮ層１３を形成することができる。」
（イ）「【０１３３】さらに、上記においては基板上にストライプ状の凹凸パターンを形成しているが、基板上に形成する凹凸パターンは、ストライプ状以外であってもよい。」
（ウ）「【０１３７】さらに、凹凸の形状は上記の形状に限られるものではない。図６（ａ）は、図４および図５に示す窒化物系半導体の形成方法に用いる基板の他の例を示す模式的断面図である。」
（エ）「【０１４０】また、円形、
六角形、三角形等の形状を有する複数の
凸部が分散配置された
【０１４１】図６（ｂ）は、図４および図５に示す窒化物系半導体の形成方法に用いる基板のさらに他の例を示す平面図である。
【０１４２】図６（ｂ）に示すように、基板３１においては、表面に六角形の凹部または凸部が形成されている。
【０１４３】このような基板３１を用いた場合においては、前述のストライプ状の凹凸パターンを有するサファイア基板１１を用いた場合と同様に、ＧａＮ層の転位が一様に低減されるという効果が得られる。
【０１４４】さらに、六角形の凹部が形成された基板３１を用いた場合においては、中央部を除く凹部上に転位密度の特に低減された領域が形成される。なお、この場合においては、基板３１の六角形の凹部上に形成されたＧａＮ層の中央部において、転位が集中する部分が発生し、比較的転位密度の高い領域が形成される。
【０１４５】一方、六角形の凸部が形成された基板３１を用いた場合においては、凸部間の凹部上の中央部を除いて、凹部上に転位密度の特に低減された領域が形成される。なお、この場合においては、基板３１の六角形の凸部の間の凹部上に形成されたＧａＮ層の中心部の領域において、転位が集中する部分が線状に発生し、比較的転位密度の高い領域が形成される。
【０１４６】なお、前述のように、ＧａＮ層の転位は一様に低減されるが、基板３１の六角形の凹部上に形成されたＧａＮ層の中央部の領域または基板３１の六角形の凸部間の凹部上に形成されたＧａＮ層の中心部の領域において、比較的転位密度の高い領域が形成される。このため、半導体素子の製造の際には、基板３１の六角形の凹部上の中央部を除く領域または基板３１の六角形の凸部間の凹部上の中心部を除く領域に素子領域を形成することが好ましい。さらに、中央部を除く六角形の凹部上または六角形の凸部間の中心部を除く凹部上に転位密度の特に低減された領域が形成されるため、基板３１の六角形の凹部上の中央部を除く凹部上の領域または基板３１の六角形の凸部間の凹部上の中心部を除く凹部上の領域に素子領域を形成することがさらに好ましい。
【０１４７】また、基板３１としては、サファイア基板を用いてもよいが、スピネル等の絶縁体の基板を用いてもよい。あるいはＳｉ、Ｇｅ等のIV族半導体、ＳｉＣ等のIV−IV族半導体あるいはＺｎＳｅ等のII−VI族半導体からなる半導体基板や、半導体基板の格子定数が窒化物系半導体層の格子定数と異なる、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ等のIII−Ｖ族半導体からなる半導体基板を用いてもよい。半導体基板としては、絶縁性、ｎ型、ｐ型のいずれの基板を用いてもよい。特に、Ｓｉ、ＧａＡｓまたはＳｉＣからなる基板は、ＧａＮに比べてエッチングが容易である。したがって、Ｓｉ、ＧａＡｓまたはＳｉＣからなる基板を用いた場合、エッチングにより基板に容易にストライプ状の凹部を形成することができる。それにより、転位が低減されたＧａＮ層１３を容易に形成することが可能となる。
【０１４８】なお、円形、三角形等の六角形以外の凹部または凸部が形成された基板を用いた場合においても、六角形の凹部または凸部を有する基板３１を用いた場合と同様に、転位の集中する部分がＧａＮ層において発生する。
【０１４９】なお、図６（ｂ）に示すような六角形の凹凸パターンを有する基板３１を作製する場合、あるいは三角形の凹凸パターンを有する基板を作製する場合において、六角形または三角形の各辺を形成する方向は、基板のいかなる結晶方位と一致してもよい。
【０１５０】なお、
（０００１）面を基板表面とするサファイア基板
に六角形または三角形の凹凸パターンを形成する場合、各辺が［１-1００］方向または［１１-2０］方向と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成することが好まし
（オ）「【０１９１】続いて、第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素子について説明する。なお、この場合においては、半導体素子の例として
半導体レーザ素子
【０２０５】図１２に示すように、半導体レーザ素子５０１は、以下の点を除いて、図１１の半導体レーザ素子５００と同様の構造を有する。
【０２０６】この場合においては、サファイア基板１に代えて、ｎ−Ｓｉ基板１Ａ上に、図１および図２に示す窒化物系半導体の形成方法により、ｎ−ＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ｎ−ＧａＮからなるＧａＮ第２バッファ層３、ｎ−ＧａＮからなる第１ＧａＮ層４およびｎ−ＧａＮからなる第２ＧａＮ層５が順に形成されている。
【０２０７】また、この場合においては、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２がｎ−ＧａＮ電流狭窄層１１１およびｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１１０上に形成されている。ｎ−Ｓｉ基板１Ａの裏面にｎ電極１１３が形成され、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２のリッジ部の上面にｐ電極１１４が形成されている。・・・
【０２１３】第５の発明に係る半導体レーザ素子は、第２の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造された半導体レーザ素子である。この場合について以下に説明する。
【０２１４】第５の発明の一実施例における半導体レーザ素子は、以下の点を除いて、図１１の半導体レーザ素子５００と同様の構造を有する。
【０２１５】この場合、図４および図５に示す窒化物系半導体の形成方法により、図４および図５に示すように、サファイア基板１１上に、アンドープのＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮバッファ層１２およびアンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３が順に形成されている。このＧａＮ層１３上に、図１１の各層１０４〜１１２が形成されている。なお、サファイア基板１１の代わりに、サファイア以外の絶縁体からなる基板を用いてもよい。」
（カ）「【０２３５】上記においては、第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子について説明したが、第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法は、半導体レーザ素子以外の半導体素子、例えば発光ダイオード等の半導体発素子（審決注　「半導体発光素子」の誤記と思われる。）、フォトダイオード等の受光素子、トランジスタ等の電子素子の製造に適用することも可能である。」
（キ）「【符号の説明】
１，１１，２１，３１，５１，２０１　サファイア基板
２，１２，４２，５２，５２ａ　ＡｌＧａＮバッファ層
４，４ａ　第１ＧａＮ層
５，５ａ　第２ＧａＮ層
１３，４３，５３　ＧａＮ層
１０４　ｎ−ＧａＮコンタクト層
１０５　ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラック防止層
１０６　ｎ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層
１０７　ｎ−ＧａＮ第１クラッド層
１０８　ＭＱＷ発光層
１０９　ｐ−ＧａＮ第１クラッド層
１１０　ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層
１１１　ｎ−ＧａＮ電流狭窄層
１１２　ｐ−ＧａＮコンタクト層
５００，５０１　半導体レーザ素子」
（ク）図４、５、６、１１及び１２は、次のものである。
（ケ）上記（オ）及び（キ）を踏まえて、（ク）の図１１をみると、半導体レーザ素子５００は、サファイア基板１から順に、ＡｌＧａＮバッファ層２、第１ＧａＮ層４、第２ＧａＮ層５、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０７、ＭＱＷ発光層１０８、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０９、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２を順に形成し、最上層にｐ電極１１４を形成したものであることが認められる。
イ　甲第２号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２号証（特開２０００−２１６４９７号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「【０００８】図８に示すように、サファイア基板上に形成されたＧａＮ系半導体層のａ軸およびｂ軸はサファイア基板のａ軸およびｂ軸に対して３０度ずれている。」
（イ）「【００５９】図３はサファイア基板の面方位および酸素とＡｌとの位置関係を示す模式図である。また、図４はサファイア基板の面方位とＧａＮ系半導体層の面方位との位置関係を示す図である。
【００６０】図３において、サファイア基板の面方位は、一般的に白丸印の酸素を格子点として表される。ここで、サファイア基板において、黒丸印のＡｌは最密充填六方格子を構成する酸素の間に位置している。
【００６１】上記の点から、Ａｌによる結晶面は、次のような関係を有する。
（１）Ａｌによる結晶面はｃ軸に関してサファイア基板の結晶面に対して３０°回転方向にずれる。
【００６２】（２）ＡｌによるＭ面は、サファイア基板のＡ面に対応する。
（３）ＡｌによるＡ面は、サファイア基板のＭ面に対応する。
【００６３】サファイア基板上にＧａＮ系半導体層が成長する際の成長初期過程では、最初にサファイアのＡｌに窒素（Ｎ）が吸着する。すなわち、微視的には、サファイア中のＡｌの位置とＧａＮ系半導体層の窒素の位置とがほぼ一致する。そのため、ＧａＮ系半導体層の面方位は、窒素を格子点として表される。したがって、次の関係が得られる。
【００６４】（４）サファイア基板上に成長したＧａＮ系半導体層の面方位は、サファイア基板のＡｌによる結晶面と一致する。
【００６５】図４に示すように、サファイア基板の面方位とそのサファイア基板上に成長したＧａＮ系半導体層の面方位とは次の関係を有する。
【００６６】（５）サファイア基板のＡ面またはＡ面オフ面には、Ｍ面のＧａＮ系半導体層が成長する。ただし、サファイア基板およびＧａＮ系半導体層のｃ軸方向は一致する。
【００６７】（６）サファイア基板のＭ面またはＭ面オフ面には、Ａ面のＧａＮ系半導体層が成長する。ただし、サファイア基板およびＧａＮ系半導体層のｃ軸方向は一致する。」
（ウ）図３、４、及び８は、次のものである。
ウ　甲第３号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第３号証（特開平１１−４０８４９号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「【００３３】例えば、ベース基板のなかでもＣ面サファイア基板は、その上に成長するＧａＮ系結晶との間に、ａ軸に関する特殊な関係がある。図３は、Ｃ面サファイア基板上にＧａＮ結晶が成長したときの状態をＣ面方向から見た図であって、サファイア結晶とそのａ軸（ａ1〜ａ3）を一点鎖線で、ＧａＮ結晶とそのａ軸（ａ1〜ａ3）を太線で示しており、Ｃ軸を共通軸として、サファイア結晶とＧａＮ結晶とを重ね合わせて示している。同図に示すように、サファイア結晶上にＧａＮ系結晶をエピタキシャル成長させたとき、サファイア結晶のａ軸に対してＧａＮ系結晶のａ軸は、Ｃ軸を中心に３０°回転した関係となる。」
（イ）図３は、次のものである。
エ　甲第４号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第４号証（特開平１０−２７０８０１号公報）には、以下の記載がある。
「【００３６】一般に、化合物半導体の結晶成長方向は、基板１の結晶構造、面方位によって決定される。基板１として６Ｈ−ＳｉＣのようなウルツ鉱構造を有する材料の（００１）面（ｃ面）を用いた場合、基板のａ軸と窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＮのａ軸は完全に一致し、長方形の長辺をこれと直交するように窓を形成すればよい。基板としてサファイアを用いた場合には、サファイアのａ軸に対してＧａＮのａ軸が３０°回転した方向にＧａＮが成長するため、長方形の長辺をサファイア基板の３０°回転するように窓を形成すればよい。」
オ　甲第５号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第５号証（特開平１１−２７４５６８号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「【００１６】次に、ＧａＮベースのＬＥＤ１１０の断面図である図２を参照する。図１に示す構成要素と同じ機能を果たす図２に示す構成要素には、同じ表示が施されているので、これ以上の説明は行わない。粗面仕上げによって、界面に当たる光を散乱させ、その結果、ＧａＮ／電極／空気、または、エポキシ界面の臨界角より小さい角度で、光の一部が反射するようにする特徴１１８及び１１９が形成される。上部表面の臨界角内に含まれる円錐内に散乱する光は、１１１で示すように、上部表面を通ってＬＥＤから脱出する。浅い角度で散乱する光１１７は、ＧａＮ層の上部表面から反射されて、もう一度基板表面に当たる。この光の一部は、１１２で示すように、ＬＥＤの上部表面からの脱出を可能にする角度で散乱することになる。浅すぎる角度で散乱する光は、もう一度上部表面で跳ね返り、該プロセスが繰り返される。
【００１７】サファイア表面の散乱を生じる特徴は、陥凹部１１９または突出部１１８であり、ＬＥＤによって生じる光のＧａＮにおける波長より大きいか、あるいは、ほぼその程度であることが望ましい。特徴が光の波長よりあまりにも小さいと光は有効に散乱しない。特徴がＧａＮ層の厚さに対し相対的に大きくなると、粗面仕上げによって、ＧａＮの上部表面に欠陥を生じる可能性がある。これらの制限内において、ＬＥＤ表面の特徴を変更しなくても、粗面仕上げによって、光の結合効率が大幅に向上する。」
（イ）「【００２１】基板表面の粗面仕上げは、光が基板から出射する幾何学的構造としても有効であることが分かっている。こうした幾何学的構造において、上部電極は反射材料から形成され、上部電極に当たった光が反射して基板に戻される。」
（ウ）図２は、次のものである。
カ　甲第６号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第６号証（特開平１０−４２０９号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「【請求項１】発光素子、該発光素子は以下（ａ）および（ｂ）を含むことを特徴とする、
（ａ）素子、該素子は、以下（ａ−１）ないし（ａ−４）を含む、（ａ−１）基板、（ａ−２）ｐ−ｎ接合領域、該ｐ−ｎ接合領域は複数の層を備え、その部分組をなす複数層の極性が、ｐ−ｎ接合を形成するように逆極性になっており、層の１つが基板に隣接している、（ａ−３）透過性ウインドウ層、該透過性ウインドウ層は前記ｐ−ｎ接合領域に隣接して配置され、及び、（ａ−４）電気接点、該電気接点は前記ｐ−ｎ接合領域に接続し、前記ｐ−ｎ接合に順バイアスをかける働きをする、
（ｂ）主界面であって、該主界面は前記素子内に配置され、少なくとも1つの選択方向において繰り返される特徴によってテクスチャが形成されており、選択された方向のそれぞれにおいて関連する周期性を備えて、光の抽出を増すようになっており、１つの周期内において、少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷を有する断面プロフィールを備える主界面。」（特許請求の範囲）
（イ）「【００１２】
【課題を解決するため手段】ＬＥＤの任意のまたは全ての界面における少なくとも１つの次元において周期的な規則的界面テキスチャを備えるＬＥＤによって、第１のパス光の抽出が改善される。界面のパターン形成は、脱出のために素子による多重パスを必要とせずに、より多くの光を周囲に送り込めるように制御される。さらに、規則的なテキスチャ界面によって、光線が周囲に脱出する場合のフレネル損失を減少させることが可能になる。規則的にパターン化されたテキスチャ形成界面は、素子内における光の単一波長に相当する特徴間隔を備えることが可能である。テキスチャ特徴の形状及び寸法は、光の抽出が問題となる用途にとって最適になるように選択される。
【００１３】規則的な制御された界面テキスチャ形成の結果、素子／周囲界面における有効脱出円錐の変化または拡大によって光抽出の利得を向上させることが可能になる。マクロ整形技法に比べると、規則的テキスチャ形成が必要とする製作プロセスはより単純である。ほぼ反射防止コーティングによって反射を最小限に抑えるやり方で、フレネル損失を減少させることが可能である。最後に、第１のパス光に関して、光抽出の利得がすぐに得られ、光は素子内から放出する前に素子構造内において多重パスを繰り返さなくてよい。」
（ウ）「【００２６】最適性能に必要な規則的テキスチャ形成の特定の形状、寸法、及び、構成は、用途によって決まる。特徴形状は、円錐状の隆起及び窪みとすることが可能である。典型的な規則的構成は、方形、矩形、または、六角形（ＨＣＰ、Hexagonal Closed Packed ）アレイとすることが可能である。これらの構成が、それぞれ、規則的なテキスチャ形成界面の平面図を示す図５ａ〜５ｃに示されている。周期的間隔は、おそらく、素子内の光の波長と同じか、あるいは、それより短い。テキスチャ形成界面の断面プロフィールは、隆起または窪みによる山と谷を示し、高さまたは深さによって決まるＦＷＨＭ幅（Full-Width-at-Half-Maximum,　最大値の１／２における全幅）のように界面の平面に沿った個々の特徴の範囲も、素子内における光の波長の数倍以下と同等にすることが可能である。隆起または窪みの最大高さまたは深さは、素子内における光の１〜数波長分と同等にすることが可能である。規則的パターンの間隔は、波長によって決まる。従って、界面における電磁位相整合条件を最適に変更して、周囲に伝搬する全パワーを増大させるのは重要である。パターンの局部的特徴の範囲及び深さは、光を透過するための位相条件の変更効率に影響を及ぼす。また、全光学透過及び素子性能を最大にするため、その個々の局部的特徴のサイズ及び／または形状に関して、パターンの周期を少しづつ変化させてチャープを生じさせるか、あるいは、別の変化をつけることが可能である。」
（エ）図５ａないしｃは、次のものである。
キ　甲第７号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第７号証（国際公開第０１／４７０３９号）には、以下の記載がある。
（ア）「Light extraction of the LED can be increased by providing a textured surface at one of the interfaces of the III-nitride heterostructure. The texturing may be random or ordered. This is illustrated in Figures 13a-c. Figure 13a shows an inverted device employing a sapphire superstrate. The large refractive index mismatch (n〜0.6) between the sapphire superstrate and the III-nitride epitaxial layers results in a large portion of the light generated from the active region to be totally-internally-reflected at the sapphire/III- nitride interface. This light is trapped and guided laterally along the device towards the sides of the die. However, because of the many loss mechanisms present in the III-nitride epi layers and electrodes, most of the waveguided light is lost before escaping the device. In Figure 13b, the interface between the III-nitride heterostructure and the sapphire superstrate is textured in order to scatter light out of the III-nitride layers. This reduces the mean photon path-length within the heterostructure and reduces the effect of internal absorption, thus improving light extraction. A similar effect can be achieved by texturing the bottom surface of the III-nitride heterstructure, or at one of the interfaces within the heterostructure. Multiple interfaces may be textured in combination to further increase light extraction.」（１６頁３〜１８行）
（和訳　ＬＥＤの光抽出は、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造のインタフェースの１つにおいて質感表面を準備することにより増加できる。質感化は、不規則でも規則的でもよい。これは、図１３ａから図１３ｃに示されている。図１３ａは、サファイア上層基板を利用する逆転装置を示す。サファイア上層基板とＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層との間の屈折率の不釣合が大きい（ｎが約０．６）と、活性領域から発生する大部分の光がサファイア・ＩＩＩ族窒化物インタフェースで完全に内部に反射されることになる。この光は捕らえられ、装置に沿って横方向へ、ダイの側面に向かって誘導される。しかし、ＩＩＩ族窒化物エピ層と電極とに存在する多くの損失機構のために、導波光のほとんどは、装置から逃げる前に失われる。図１３ｂにおいて、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とサファイア上層基板との間のインタフェースが、光をＩＩＩ族窒化物層から散乱させるために質感化される。これにより、ヘテロ構造内の平均光子路程長が減少して内部吸収効果が減少し、すなわち、光抽出が改善される。同様な効果は、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造の底面、又は、ヘテロ構造内のインタフェースの１つにおいて質感化することにより達成できる。多くのインタフェースは、光抽出の更なる増大と関連して質感化され得る。）
（イ）Ｆｉｇ．１３ｂは、次のものである。
ク　甲第１３号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１３号証（特開２００１−７３９３号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「【００２２】ＡｌＧａＩｎＮ／サファイア界面に粗さを持たせた、即ちテクスチャを付けた素子の場合であっても、多層エピタキシャル構造の厚さを大きくすると光抽出効率が改善される。図５は、図４にて利用したものと同様であるがＡｌＧａＩｎＮ／サファイア界面にテクスチャをつけた素子の相対的光抽出効率をモデリングしたものである。テクスチャをつけたＡｌＧａＩｎＮ／サファイア界面は、そこに入射する光を０次反射に対して±１１°の標準偏差でランダム化する。多層エピタキシャル構造の厚みを増大させたことによる光抽出率の改善はこれらのケースにおいては２２〜２７％である。」
（イ）「【００２４】本発明に基づくＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤの製造方法を、図７を参照しつつ説明する。ステップ６２においては基板が用意される。基板はサファイアで作られたものが望ましい。・・・次にステップ６５においては、基板の上面にテクスチャがつけられる。テクスチャづけは数ある技術のうちのいずれによって実施しても良い。・・・また、かわりに基板をウエット又はドライエッチング技術によりパターニングしても良い。」
（ウ）「【００２８】ＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤ３２は、半透明金属層５４を介して表面光を放射する素子として説明したが、ＬＥＤは半透明金属層のかわりに高い反射率を持つメタライズ層を有する反転素子とすることも出来る。この反転ＬＥＤにおいては、表面光は透明基板を通して放射される。」
（エ）図４及び５は、次のものである。
ケ　甲第１４号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１４号証「High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy」には、以下の記載がある。
（ア）「Ultraviolet(UV) light-emitting diodes(LEDs) with an InGaN multi-quantum-well(MQW) structure were fabricated on a patterned sapphire substrate(PSS) using a single growth process of metalorganic vapor phase epitaxy.」（Ｌ５８３頁９〜１０行）
（和訳　有機金属気相成長法という単一成長プロセスを用い、パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）上にＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する紫外線（ＵＶ）発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成した。）
（イ）「Epitaxial layers of UV-LED devices were grown on a patterned sapphire substrate(PSS) by the MOVPE technique under atmospheric pressure using a single growth process.」（Ｌ５８３頁右欄３〜５行）
（和訳　単一成長プロセスを用い、大気圧下においてＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）技術により、パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）上にＵＶ−ＬＥＤデバイスのエピタキシャル層を成長させた。）
（ウ）「The flip-chip LEDs were placed on lead frames, and then molded by epoxy resin.」（Ｌ５８４頁左欄１６〜１８行）
（和訳　フリップチップＬＥＤをリードフレーム上に載置した後、エポキシ樹脂により成形した。）
コ　甲第１５号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１５号証「High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy」には、以下の記載がある（なお、以下においてはアッパーライン付きの数字を「1￣」のように表した。）。
（ア）「Ultraviolet(UV) light-emitting diodes(LEDs) with an InGaN multi-quantum-well(MQW) structure were fabricated on a patterned sapphire substrate(PSS) using a single growth process of metalorganic vapor phase epitaxy.」（１２１頁要約１〜３行）
（和訳　有機金属気相成長法という単一成長プロセスを用い、パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）上にＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する紫外線（ＵＶ）発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成した。）
（イ）「Epitaxial layers of UV-LED devices were grown on a patterned sapphire substrate(PSS) by the MOVPE technique using a single growth process, without a mask or any interruption.」（１２２頁９〜１１行）
（和訳　単一成長プロセスを用い、マスクも一切の中断もない状態で、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）技術により、パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）上にＵＶ−ＬＥＤデバイスのエピタキシャル層を成長させた。）
（ウ）「The flip-chip LEDs were placed on lead frames, and then capsulated by epoxy resin. Four types of LEDs were fabricated and measured at RT. Sample A was fabricated on the PSS with parallel grooves along the 〈11￣00〉sapphire (〈112￣0〉GaN) direction, Sample B was fabricated on the PSS with parallel grooves along the 〈112￣0〉sapphire (〈11￣00〉GaN) direction, sample C was a standard mounted (p-side up) LED with a transparent p-type electrode fabricated on the same wafer as sample A,・・・」（１２２頁２７〜３３行）
（和訳　フリップチップＬＥＤをリードフレーム上に載置した後、エポキシ樹脂でカプセル化した。室温で、４種類のＬＥＤが形成され、計測された。サンプルＡは〈11￣00〉サファイア(〈112￣0〉GaN)）方向の平行な溝を有するＰＳＳ上に形成され、サンプルＢは〈112￣0〉サファイア(〈11￣00〉GaN)方向の平行な溝を有するＰＳＳ上に形成され、サンプルＣは、サンプルＡと同じウエハ上に形成された透明のｐ型電極を有する（ｐ面が上の）標準型ＬＥＤであり、・・・）
（２）甲第１号証に記載された発明
　上記（１）アによれば、甲第１号証には、上記（１）ア（ア）ないし（エ）に記載の「窒化物系半導体の形成方法」を用いて製造した上記（１）ア（オ）に記載の半導体レーザ素子が記載されているから、甲第１号証には以下の発明が記載されているものと認められる。
「サファイア基板から順に、ＡｌＧａＮバッファ層２、第１ＧａＮ層４、第２ＧａＮ層５、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０７、ＭＱＷ発光層１０８、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０９、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２を順に形成し、最上層にｐ電極１１４を形成した半導体レーザ素子であって、
　Ｃ面を基板表面とするサファイア基板の所定領域には、凹部の幅ｗは、数μｍ〜数十μｍとするのが好ましく、凸部の幅ｂは数百ｎｍ〜数十μｍとするのが好ましい、六角形、三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された凹凸パターンが形成されており、
　（０００１）面を基板表面とするサファイア基板に六角形または三角形の凹凸パターンを形成する場合、各辺が［１-1００］方向または［１１-2０］方向と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成することが好ましく、
　サファイア基板のＣ面に対する凹部側面の角度は、特に限定されるものではなく、例えば、凹部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直であり、
　サファイア基板の凸部上面、凹部底面および凹部側面に、アンドープのＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させ、続いて、ＡｌＧａＮバッファ層１２上に、アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３を成長させ、ＧａＮ層１３の凹部が徐々に埋められていき、ＧａＮ層１３が横方向に成長して、平坦化するまでＧａＮ層１３を成長させる窒化物系半導体の形成方法を用いた半導体レーザ素子。」（以下「甲１発明」という。）
（３）本件訂正発明１と甲１発明との対比・判断
ア　対比
（ア）甲１発明の「半導体レーザ素子」は、上記（１）ア（カ）の「半導体レーザ素子以外の半導体素子、例えば発光ダイオード等の半導体発（光）素子」との記載からみて、「半導体レーザ素子」及び「発光ダイオード」を含めた概念として「半導体発光素子」であるといえる。
　また、本件訂正発明１の「半導体発光ダイオード」は、本件特許明細書の「本発明に係る半導体発光素子」（段落【００１０】）との記載からみて、「半導体発光素子」といえる。
　したがって、甲１発明の「半導体レーザ素子」、及び、本件訂正発明１の「半導体発光ダイオード」は、上位概念である「半導体発光素子」である点で一致するといえる。
（イ）甲１発明の「半導体レーザ素子（半導体発光素子）」は、「サファイア基板から順に、ＡｌＧａＮバッファ層２、第１ＧａＮ層４、第２ＧａＮ層５、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０７、ＭＱＷ発光層１０８、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０９、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２を順に形成し、最上層にｐ電極１１４を形成したものである」ところ、「サファイア基板」と「ＡｌＧａＮバッファ層２、第１ＧａＮ層４、第２ＧａＮ層５、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０７、ＭＱＷ発光層１０８、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０９、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２」等の「複数のＧａＮ系半導体層」とは材質が異なるから、甲１発明は、本件訂正発明１の「半導体発光ダイオード（半導体発光素子）」は、「基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを積層した」との構成を備える。
（ウ）甲１発明の「サファイア基板」は、「Ｃ面を基板表面とするサファイア基板の所定領域には、凹部の幅ｗは、数μｍ〜数十μｍとするのが好ましく、凸部の幅ｂは数百ｎｍ〜数十μｍとするのが好ましい、六角形、三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された凹凸パターンが形成されており、（０００１）面を基板表面とするサファイア基板に六角形または三角形の凹凸パターンを形成する」ものであるから、本件訂正発明１の「基板はＣ面（０００１）サファイア基板であ」るとの構成を備える。
　また、甲１発明の凸部のピッチである凹部の幅ｗは、数μｍ〜数十μｍであるから、１０μｍ以下のピッチ（凹部の幅ｗ）を含む。
　さらに、甲１発明の「六角形、三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された凹凸パターン」は「繰り返しパターン」であるといえる。
　したがって、甲１発明は、本件訂正発明１の、「サファイア基板」は、「Ｃ面（０００１）サファイア基板であり」、「上記基板の表面部分には凸部が、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されて」いるとの構成を備える。
（エ）甲１発明の「Ｃ面を基板表面とするサファイア基板の所定領域には」、「六角形、三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された凹凸パターンが形成されて」いるから、甲１発明は、本件訂正発明１の「凸部」は、「その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であ」るとの構成を備える。
（オ）甲１発明の「サファイア基板」に形成する「凹凸パターン」は、「サファイア基板の凸部上面、凹部底面および凹部側面に、アンドープのＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させ、続いて、ＡｌＧａＮバッファ層１２上に、アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３を成長させ、ＧａＮ層１３の凹部が徐々に埋められていき、ＧａＮ層１３が横方向に成長して、平坦化するまでＧａＮ層１３を成長させる」ものであるから、「サファイア基板」の「凹部底面および凹部側面」は「凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面」であるといえる。
　また、「凹部が徐々に埋められていき、ＧａＮ層１３が横方向に成長して、平坦化するまでＧａＮ層１３を成長させる」と「連続したＧａＮ系半導体層によって埋められ」るものである。
　したがって、甲１発明は、本件訂正発明１の「基板表面の凸部」は、「凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた」との構成を備える。
（カ）そうすると、本件訂正発明１と甲１発明は、
「基板上に、基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを積層した半導体発光素子において、
　上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり、
　上記基板の表面部分には凸部が、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており、
　その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、
　前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた半導体発光素子。」である点で一致し、
ａ　本件訂正発明１は、「半導体発光ダイオード」であるのに対して、甲１発明は、「半導体レーザ素子」である点（以下「相違点１」という。）、
ｂ　本件訂正発明１の「電極」は「オーミック電極」であって、「ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにした」ものであるのに対して、甲１発明の「ｐ電極１１４」は「オーミック電極」であるのか明らかではなく、また、「ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すようにした」ものであるのか明らかではない点（以下「相違点２」という。）、
ｃ　本件訂正発明１の「凸部」は、「基板の表面部分には上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部」であって、「λ／４（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されて」いるのに対して、甲１発明の「凹凸パターン」は、「ＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又は回折させる」ものであるのか明らかではなく、また、「λ／４（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されて」いるのか明らかではない点（以下「相違点３」という。）、
ｄ　本件訂正発明１の「（平面形状が大略三角形又は六角形である）凸部」は、「ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され」ているのに対して、甲１発明の「（六角形、三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された）凹凸パターン」は「（０００１）面を基板表面とするサファイア基板に六角形または三角形の凹凸パターンを形成する場合、各辺が［１-1００］方向または［１１-2０］方向と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成することが好まし」いものであるが、「ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され」ているか明らかではない点（以下「相違点４」という。）、及び、
ｅ　本件訂正発明１の「凸部」は、「側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下であ」るのに対して、甲１発明の「凹凸パターン」は、「サファイア基板のＣ面に対する凹（凸）部側面の角度は、特に限定されるものではなく、例えば、凹（凸）部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直であ」って、「側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下であ」るか明らかではない点（以下「相違点５」という。）で相違するものと認められる。
イ　判断
（ア）相違点１について検討する。
ａ　甲１発明は、上記（２）のとおり、「サファイア基板から順に、ＡｌＧａＮバッファ層２、第１ＧａＮ層４、第２ＧａＮ層５、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０７、ＭＱＷ発光層１０８、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０９、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２を順に形成し、最上層にｐ電極１１４を形成した半導体レーザ素子」であって、上記ア（カ）に示した、本件訂正発明１と甲１発明の一致点である、「基板上に、基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを積層した半導体発光素子において、上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり、上記基板の表面部分には凸部が、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており、その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた半導体発光素子」の構成を前提として、甲１発明の「半導体レーザ素子」を「半導体発光ダイオード」に変更することについて、当業者が容易に想到できたものであるとする根拠を見出すことはできず、甲１発明において、相違点１に係る本件訂正発明１の構成とすることが当業者にとって容易に想到できたとすることはできない。
ｂ　請求人は、平成２４年３月５日付けの審判事件弁駁書において「しかしながら甲１には、段落【０２３５】に・・・と明確に記載されている。そして『ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオード』は周知慣用技術である。・・・基板に加工をした半導体発光素子において、『ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオード』が周知慣用技術であることは明らかである。したがって、甲１の『第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法は、半導体レーザ素子以外の半導体素子、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子・・・の製造に適用することも可能である。』という記載に接した当業者であれば、『ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオード』であると理解することは明らかである。」（５頁４〜２８行）、及び、平成２４年１０月１０日付け上申書において「甲１に記載されている具体例は全て半導体レーザ素子であり・・・構造的に類似しているのは端面発光型発光ダイオードである・・・そもそも、甲１は、発明の名称を『窒化物系半導体素子および窒化物系半導体素子の形成方法』とするものであり・・・発光面が端面でなければならないものでもない。」（２頁４行〜３頁１４行）と主張する。
　しかし、甲第１号証（上記（１）ア（カ）を参照。）の「上記においては、第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子について説明したが、第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法は、半導体レーザ素子以外の半導体素子、例えば発光ダイオード等の半導体発（光）素子、フォトダイオード等の受光素子、トランジスタ等の電子素子の製造に適用することも可能である。」との記載は、甲第１号証における「第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法」、すなわち「基板のＣ面上に第１の窒化物系半導体層を成長させ、前記第１の窒化物系半導体層においてＣ面から所定の方向に所定の角度傾斜した面を露出させ、前記第１の窒化物系半導体層の前記傾斜した面上に前記第１の窒化物系半導体層よりも単結晶に近い第２の窒化物系半導体層を成長させることを特徴とする窒化物系半導体の形成方法。」（請求項１）などを「半導体レーザ素子」以外の半導体素子、例えば「発光ダイオード」等の半導体発光素子の製造に適用できることを示すにとどまるものであって、当該記載を根拠として、「基板上に、基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを積層した半導体発光素子において、上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり、上記基板の表面部分には凸部が、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており、その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた半導体発光素子」である発光ダイオードが甲第１号証に記載されているとか、「基板上に、基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを積層した半導体発光素子において、上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり、上記基板の表面部分には凸部が、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており、その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた半導体発光素子」との構成を前提として、甲１発明の「半導体レーザ素子」を「半導体発光ダイオード」に変更することについて、当業者が容易に想到できたものであるとは認められない。
（イ）してみると、その余の相違点について検討するまでもなく、本件訂正発明１が、甲１発明と同一であるということはできず、また、本件訂正発明１が、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　
２　無効理由２について
（１）甲号証の記載
ア　甲第８号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第８号証（特開２００２−１６４２９６号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「【請求項１】
基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであ
半導体基材
【請求項３】
上記基板の結晶成長面の凸部が、平行なストライプ形状からなる凸部であ
【請求項４】
上記半導体結晶がＩｎＧａＡｌＮであって、かつ
【請求項５】
上記基板に凹凸加工したストライプの長手方向が上記ＩｎＧａＡｌＮ結晶の（１−１００）面もしくは（１１−２０）面と平行であり、その精度が１°以内であ
【請求項６】
上記基板に凹凸加工した凸部の幅Ａと、これに隣接する凹部の幅Ｂとの合計Ａ＋Ｂが２０μm以内とされ、前記凹部の深さｈをＡ，Ｂのいずれか長い方の幅の２０％以上とした
（イ）「【００１６】
【作用】本発明は、バッファ層等すら形成していない状態の基板に対して凹凸面を設けることで、結晶成長当初からファセット面を形成可能な素地面を予め提供しておく点に特徴を有する。即ち、基板に凹凸面を具備させることで、気相成長を行うに際し、相互の段差にて区画された凹面と凸面のそれぞれ又はいずれかを、ファセット構造成長が生成される単位基準面として準備するものである。ここで、凹面と凸面の双方がファセット構造成長可能な面として準備された場合は、成長初期には基板表面全体で結晶成長が起こり、凸部及び凹部それぞれでファセット面を具備した成長となる。一方、凹面と凸面のいずれかが極めて微小幅である等の理由で実質的に結晶成長不可能な面である場合、或は結晶成長自体は可能であるが（請求項９の構成のように）加工を施して実質的に結晶成長し得ない場合は、凸部又は凹部のいずれかからファセット構造成長が起こることになる。さらに、凸部又は凹部のいずれかからファセット構造成長が起こるが、他方の面からは非ファセット構造成長がおこるという場合もある。
【００１７】この結果基板からＣ軸方向に伸びる転位線がファセット面で横方向に曲げられ、上方に伝播しなくなる。その後成長を続ける事でやがて成長面は平坦化され、その表面近傍は基板からの転位の伝播がない為に低転位密度領域となる。すなわち低転位密度領域の形成が、従来のようにマスク層を用いることなしに、かつ、下地層が不要で達成されることになる。また特には空洞部を形成する必要が無い為、熱放散の問題が回避できるようになるものである。
【００１８】
【発明の実施の態様】以下図面に基いて、本発明の実施態様につき詳細に説明する。図１（ａ）乃至（ｃ）は本発明に係る半導体基材の結晶成長状態を説明するための断面図である。図において、１は基板であり、２は該基板１上に気相成長された半導体結晶をそれぞれ示している。基板１の結晶成長面には凸部１１及び凹部１２が形成されており、前記凸部１１及び／または凹部１２からファセット面を形成し得る素地面とされている。
【００１９】上記した基板１とは、各種の半導体結晶層を成長させるためのベースとなる基板であって、格子整合のためのバッファ層等も未だ形成されていない状態のものを言う。このような
基板としては、サファイア（Ｃ面
）
を用い
【００２０】
基板１上に成長される半導体層として
Ａｌ
Ｘ
Ｇａ
1-Ｘ-Ｙ
Ｉｎ
Ｙ
Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ+ｙ≦１）で
（ウ）「【００２３】本発明にあっては、上記
効果が出る凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することができ
凹凸面の形成の態様としては、島状の点在型の凸部
などが例示でき
（エ）「【００３２】また
基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面が成す角度は、６０°以上とすることが好ましく、可及的に直角に近いことが特に望まし
（オ）「【００４１】【実施例】［実施例1］ｃ面サファイア
基板上に
幅：２μｍ、周期：４μｍ、ストライプ方位：ストライプ延伸方向がサファイア基板の＜１−１００＞方向
で２μｍの深さまで断面方形型にエッチングし
ＧａＮ低温バッファー層を成長し
ｎ型ＧａＮ層を成長し
凹凸の施し
凸部、凹部両方での成長が観察され
【００４２】同様の方法で通常の凹凸の施していない場合のＧａＮ成長における６μｍに相当する時間成長を行なった。結果、
凹凸部を覆い、平坦になったＧａＮ膜が得られ
（カ）「【００５０】［実施例４］実施例1で得られた膜に連続して
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し、
その後、電極形成
を行
ＬＥＤ素子
（キ）図１は、次のものである。
イ　甲第１号証の記載については上記１（１）アのとおりである。
ウ　甲第９号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第９号証（特開２００２−１６４５７１号公報）には、以下の記載がある。
「【００１４】【実施例１】アルミナ成分の濃度が２０％のアルミナゾルに、アルミナのシード成分を加え、攪拌機で混合し、粘度を１０センチポアズにした。アルミナのシード成分の作製方法は次のように行った。アルミナのポットミルに高純度のアルミナボールと純水を入れ、３日間回転させた後、液体を１．５万ｒｐｍの遠心分離器にかけた。そしてその上澄み液をアルミナのシード成分として用いた。シードを加えたアルミナゾルをｃ面の平滑なサファイア基板上に、スピンコーターで１５秒間、１５００ｒｐｍの条件で薄く塗布した。これを加熱炉に入れ７０℃で５時間、１２０℃で５時間、２５０℃で３時間、３５０℃で５時間、４５０℃で５時間、６５０℃で３時間、７５０℃で３時間順次加熱処理し、ついで焼結のために、この基板を１２００℃の温度の加熱炉に３分間保持するように、急速加熱し、２００℃／分で急速冷却した。炉から取りだし、１１０℃に加熱した混酸（硫酸：リン酸＝３：１）中で３０分処理し、ついで２３０℃のリン酸に１５分間侵せき後、純水で良く水洗し乾燥した。凸部の平均的大きさは約７５ｎｍ、高さは４０ｎｍであり、ほぼ六角形状で島状的であった。」
エ　甲第１０号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１０号証（特開２００１−２６７６９２号公報）には、以下の記載がある。
「【０１７２】また、上記においては基板上にストライプ状の凹凸パターンを形成しているが、基板上に形成する凹凸パターンは、ストライプ状以外であってもよい。さらに、円形、六角形、三角形等の形状を有する複数の凹部または凸部が分散的に形成された基板であってもよい。」
オ　甲第１１号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１１号証（特開２００１−１７６８０９号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「【０１０１】本実施形態にかかる半導体装置の表面を光学顕微鏡により観察したところ、窪み１０４のほぼ中央付近に欠陥が点状になって現れる以外は特に目立った欠陥が見られず、従来の半導体装置と比べて欠陥密度が減少したことが確認できた。
（実施形態４）図１１を参照しながら、本発明による実施形態４を説明する。図１１は、実施形態４にかかる半導体装置に含まれる半導体層２０３の上面構成を模式的に示している。本実施形態は、上記実施形態２の凸起２０４が複数設けられている点が上記実施形態２と異なる。以下では、説明の簡略化のため、上記実施形態２と異なる点を主に説明し、同様の説明は省略または簡略化する。
【０１０２】図１１に示すように、本実施形態にかかる半導体装置は、サファイア基板２０１の上に形成されたＧａＮからなる第１の半導体層２０２（厚さ２．０μｍ）が形成され、その上にＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎからなる第２の半導体層２０３（厚さ１．５μｍ）とを有している。第１の半導体層２０２には、高さ０．５μｍの凸起２０４が複数個形成されている。複数の凸起２０４は、＜１，−１，０，０＞方向（図中、矢印Ｄの方向）および＜１，１，−２，０＞方向（図中、矢印Ｅの方向）に、中心間の距離が１０μｍになるように等間隔に形成されている。上記実施形態２の凸起２０４と同様に、凸起２０４における第１の半導体層２０２の主面に含まれる辺の長さは１．０μｍであり、凸起２０４は、面方位が（１，−１，０，１）、（０，１，−１，１）および（−１，０，１，１）である３枚の側面２０５、２０６および２０７と面方位が（０，０，０，１）である上面２０８とから構成されている。凸起２０４近傍の積層構造については図７と同様である。なお、不図示であるが、サファイア基板２０１と第１の半導体層２０２との間にはバッファ層が形成されている。」
（イ）「【０１０７】また、上記実施形態３における窪み１０４の形状を、図１２に示すように正六角形にした構成にしてもよい。さらに、上記実施形態４における凸起２０４の形状を、図１３に示すように正六角形にした構成にしてもよい。
【０１０８】なお、上記実施形態１〜４において、基板１０１または２０１としてはサファイア基板以外の六方晶よりなる基板を用いることができ、例えば、スピネル基板、ＳｉＣ基板またはＧａＮ基板を用いてもよい。
【０１０９】また、上記実施形態１〜４において、第１の半導体層に窪みまたは凸起を設ける代わりに基板１０１または２０１に窪みまたは凸起を設けてもよい。このようにすることによっても、第１の半導体層に窪みまたは凸起を形成することができる。」
（ウ）図１１及び１２は、次のものである。
カ　甲第１２号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１２号証（特開２００１−９４２１６号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「【請求項１】第１の窒化物系半導体層または基板からなる下地の表面に島状に点在する複数の凸部からなる凹凸パターンを形成し、前記凹凸パターン上に第２の窒化物系半導体層を形成することを特徴とする窒化物系半導体層の形成方法。・・・
【請求項５】前記複数の凸部が円形または多角形であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物系半導体層の形成方法。
【請求項６】前記多角形は六角形であることを特徴とする請求項５記載の窒化物系半導体層の形成方法。」（特許請求の範囲）
（イ）「【００２３】複数の凸部が円形または多角形であってもよい。この場合、円形または多角形の凸部上に六方晶系の第２の窒化物系半導体層がほぼ自然成長するので、第２の窒化物系半導体層の欠陥密度が低減される。
【００２４】多角形は六角形であることが好ましい。この場合、六角形の凸部上に六方晶系の第２の窒化物系半導体層が自然成長するので、第２の窒化物系半導体層の欠陥密度がさらに低減される。」
（ウ）「【００５３】図２および図３は六角形のパターン５の２次元配列の例を示す平面図である。図２の例では、複数の六角形のパターン５は直交するα方向およびβ方向に沿って２次元的に配列されている。すなわち、パターン５が最小のピッチＷ2で並ぶのは、α方向とβ方向の２方向である。図２においては、α方向と六角形のパターン５の対角線のうちの１つとが平行になる。」
（エ）図２は、次のものである。
（２）甲第８号証及び甲第１号証に記載された発明
ア　上記（１）アによれば、甲第８号証には以下の発明が記載されているものと認められる。
「基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであり、
　上記基板の結晶成長面の凸部が、平行なストライプ形状からなる凸部であり、
　上記半導体結晶がＩｎＧａＡｌＮであって、かつ上記基板に凹凸加工したストライプの長手方向が上記ＩｎＧａＡｌＮ結晶の（１−１００）面もしくは（１１−２０）面と平行であり、その精度が１°以内であり、
　上記基板に凹凸加工した凸部の幅Ａと、これに隣接する凹部の幅Ｂとの合計Ａ＋Ｂが２０μm以内とされ、前記凹部の深さｈをＡ，Ｂのいずれか長い方の幅の２０％以上とした半導体基材を用い、
　基板としては、サファイア（Ｃ面）を用い、
　上記半導体結晶が、上記基板上に成長される半導体層としてＡｌＸＧａ1-Ｘ-ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ+ｙ≦１）であり、
　ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し、その後、電極形成を行い、
　上記基板に凹凸加工したストライプは、上記基板上に幅：２μｍ、周期：４μｍ、ストライプ方位：ストライプ延伸方向が上記基板の＜１−１００＞方向で２μｍの深さまで断面方形型にエッチングして凹凸を施し、効果が出る凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することができ、凹凸面の形成の態様としては、島状の点在型の凸部などが例示でき、上記基板に凹凸加工した凸部の立上り斜面と基板平面が成す角度は、６０°以上とすることが好ましく、可及的に直角に近いことが特に望ましく、
　上記基板上を断面方形型にエッチングした後、ＧａＮ低温バッファー層を成長し、ｎ型ＧａＮ層を成長し、凸部、凹部両方での成長が観察され、凹凸部を覆い、平坦になったＧａＮ膜が得られたＬＥＤ素子。」（以下「甲８発明」という。）
イ　甲第１号証に記載された発明（甲１発明）は上記１（２）のとおりである。
（３）本件訂正発明１と甲８発明との対比、判断
ア　対比
（ア）甲８発明の「ＬＥＤ素子」は、「基板としては、サファイア（Ｃ面）を用いることができ、上記基板上に成長される半導体層としてＡｌＸＧａ1-Ｘ-ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ+ｙ≦１）などが例示でき、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し、その後、電極形成を行った」ものであるから、「サファイア（Ｃ面）基板」と「上記基板上に成長される半導体層」である「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層」等の「複数のＧａＮ系半導体層」とは材質が異なる。
　したがって、甲８発明は、本件訂正発明１の、「半導体発光ダイオード」において「基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを積層した」との構成、及び、「基板はＣ面（０００１）サファイア基板であ」るとの構成を備える。
（イ）甲８発明の「基板」は、「基板上に幅：２μｍ、周期：４μｍ、ストライプ方位：ストライプ延伸方向が基板の＜１−１００＞方向で２μｍの深さまで断面方形型にエッチングして凹凸を施」すものであるところ、幅：２μｍ、周期：４μｍの断面方形型の凹凸は、凸部が１０μｍ以下のピッチであり、また、繰り返しパターンに形成されているといえるから、甲８発明は、本件訂正発明１の、「基板の表面部分には凸部が、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されて」いるとの構成を備える。
（ウ）甲８発明の「凹凸部」は、「基板上を断面方形型にエッチングした後、ＧａＮ低温バッファー層を成長し、ｎ型ＧａＮ層を成長し、凸部、凹部両方での成長が観察され、凹凸部を覆い、平坦になったＧａＮ膜が得られ」るものであるから、「凹部」は「凸部の形成されていない平坦面」であり、当該「凸部」には「側面」があることは明らかであるから、本件訂正発明１の「基板表面の凸部」は、「凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた」との構成を備える。
　
　そうすると、本件訂正発明１と甲８発明は、
「基板上に、基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを積層した半導体発光ダイオードにおいて、
　上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり、
　上記基板の表面部分には凸部が、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており、
　前記基板表面の凸部は、凸部上面、凸部の形成されていない平坦面、及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた半導体発光ダイオード。」である点で一致し、
　
ａ　本件訂正発明１の「電極」は「オーミック電極」であって、「ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにした」ものであるのに対して、甲８発明の「電極」は「オーミック電極」であるのか明らかではなく、また、「ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を電極側又は基板側から取り出すようにした」ものであるのか明らかではない点（以下「相違点６」という。）、
ｂ　本件訂正発明１の「凸部」は、「基板の表面部分には上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部」であって、「λ／４（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔、１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されて」いるのに対して、甲８発明の「凹凸部」は、「ＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又は回折させる」ものであるのか明らかではなく、また、「λ／４（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔」で繰り返しパターンに形成されて」いるのか明らかではない点（以下「相違点７」という。）、
ｃ　本件訂正発明１の「凸部」は、「その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり、上記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され」ているのに対して、甲８発明の「凹凸部」は、「基板上に幅：２μｍ、周期：４μｍ、ストライプ方位：ストライプ延伸方向が上記基板の＜１−１００＞方向で２μｍの深さまで断面方形型にエッチングして凹凸を施し」、「効果が出る凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することができ、凹凸面の形成の態様としては、島状の点在型の凸部、ストライプ型の凸条からなる凸部、格子状の凸部、これらを形成する線が曲線である凸部などが例示でき」るものであるが、「その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であ」るか明らかではなく、また、「ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され」ているか明らかではない点（以下「相違点８」という。）、及び、
ｄ　本件訂正発明１の「凸部」は、「側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下であ」るのに対して、甲８発明の「凹凸部」は、「基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面が成す角度は、６０°以上とすることが好ましく、可及的に直角に近いことが特に望まし」いものであって、「側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下であ」るか明らかではない点（以下「相違点９」という。）で相違するものと認められる。
イ　判断
（ア）相違点７および９について検討する。
ａ　請求人は「基板に凹凸を設けることで光の散乱・回折効果を高めるということが周知であった以上（甲５〜７）、甲８発明において基板に凹凸を設けていることから、光の散乱・回折効果が得られることは明らかである。」(口頭審理陳述要領書７頁１ないし３行）と主張する。
　しかし、上記（１）ア（イ）の甲第８号証の記載によれば、甲８発明における「凸部」は、基板に凹凸面を具備させることで結晶成長当初からファセット面を形成可能な素地面を予め提供し、この結果基板からＣ軸方向に伸びる転位線がファセット面で横方向に曲げられ、上方に伝播しなくなることで、表面近傍に基板からの転位の伝播がない低転位密度領域を形成することを目的とするものと認められ、かかる「凸部」が、「光を散乱又は回折させる」ものであるとは想定し難いところである。
　そして、甲第５〜７号証（上記１（１）オないしキ）を見ても、甲８発明における「凸部」が、「表面近傍に基板からの転位の伝播がない低転位密度領域を形成する」と同時に、「光を散乱又は回折させる」ものと解する根拠は見出せないし、かかる構成とすることが、当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても見いだすことができない。
　したがって、甲８発明における「凸部」を、「ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部」とすることが、当業者にとって容易に想到できたとすることはできないから、相違点７のその余の構成について検討するまでもなく、甲８発明において、相違点７に係る本件訂正発明１の構成とすることについて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
ｂ　請求人は、「しかしながら、甲８の段落【００３２】には、凸部の立上がり斜面と基板平面が成す角度は６０°以上（テーパ角１２０°以下）とすることが好ましいと記載されていることから、テーパ角が１２０°より大きい場合も含まれていることは明らかである。」（審判事件弁駁書１４頁１ないし４行）と主張する。
　しかし、上記（１）ア（エ）の甲第８号証の記載によれば、甲８発明の「凸部」は、「ファセット形成並びにその後の平坦化が実質的に阻害されない」ように、「基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面が成す角度は、６０°以上（本件訂正発明１の表現に即していえば１２０°以下である。）とすることが好ましく、可及的に直角に近いことが特に望まし」いとしたものと認められ、かかる角度について、「側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下」とする理由は見当たらないし、かかる構成とすることが、当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても見いだすことができない。
　したがって、甲８発明において、相違点９に係る本件訂正発明１の構成とすることについて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
（イ）請求人は、相違点８に関して甲第１号証を挙げて主張する（審判請求書４０ないし４１頁）が、以上の検討によれば、上記相違点６及び８について検討するまでもなく、本件訂正発明１が、甲８発明、甲１発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
第９　むすび
　以上のとおり、本件訂正発明１は、甲１発明と同一であるということはできず、また、甲１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできず、さらに、甲８発明、甲１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、本件訂正発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しない。
　また、本件訂正発明２ないし４は、本件訂正発明１の特定事項をすべて備え、更に他の特定事項を付加したものであるから、本件訂正発明１と同様の理由により、甲１発明と同一であるということはできず、また、甲１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできず、さらに、甲８発明、甲１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、本件訂正発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しない。
　したがって、請求人が主張する理由によって、本件訂正発明についての特許を無効とすることはできない。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。