【事件の表示】
　平成　２年特許願第１１６８１７号「発光受光複合素子と光デイスク装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　１月２０日出願公開、特開平　４−　１４６３３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年５月８日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１０年１１月１８日付および平成１１年３月１５日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認める。　そして、請求項１に係る発明は、以下のとおりである。（以下、本願請求項１に係る発明という。）
　「複数の発光点を有する単一の半導体レーザと、前記発光点から異なる方向に出射され、光照射体から反射された第１のレーザ光と第２のレーザ光の戻り光を受光するために、半導体基板上の同一面側に形成されている第１，第２の受光素子と、前記半導体レーザと前記光照射体を結ぶ光路間に配置され、前記発光点から出射された第１のレーザ光と、第２のレーザ光とを前記光照射体に向けると共に、前記光照射体から反射されてきた第１，及び第２のレーザ光の戻り光を、それぞれ前記第１，第２の受光素子に向ける光分離素子とを備え、前記第１，第２の受光素子が形成されている前記半導体基板の同一面上に、前記半導体レーザ、及び前記光分離素子とを固定して構成されていることを特徴とする発光受光複合素子。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭６２−２０１５０号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、次の事項からなる発明が記載されている。
（１−１）「光ビームを前方及び後方に発する半導体レーザを備え、前記光ビームを１又は異なる２以上の情報記録媒体に照射して情報の記録・再生又は消去あるいは欠陥検出を行うことを特徴とする光学ヘッド。」（特許請求の範囲）
（１−２）「第２図は本発明の光学ヘッドの第１の実施例を示す概略構成図である。半導体レーザの前方光束３は、コリメートレンズ７３，ビームスプリッタ７４，及びシャッタ７５の開口部を通して反射ミラー７１で反射され、対物レンズ６１により微少スポットに集光されてディスク５１に照射される。……ディスク５１からのもどり光は再びレンズ６１等を介してビームスプリッタ７４で反射され、４分割フォトディテクタ７６に入射して再生信号を得る。一方、半導体レーザ２の後方光束４はハーフミラー７７によって１部がＡＰＣ回路８のフォトディテクタ８１に入射するとともに、他は……反射ミラー７２で反射され、対物レンズ６２によりディスク５２に照射する。……ディスク５２からの戻り光は再びレンズ６２等を介してビームスプリッタ７４´により反射され、４分割フォトディテクタ７６´に入射して再生信号を出力する。」（第２頁左下欄第８行目〜右下欄第１１行目）
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平１−２６０６４５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、次の事項からなる発明が記載されている。
（２−１）「半導体レーザー素子と、この半導体レーザー素子の正面側に配設される第１の光ディテクタと、この第１の光ディテクタ上に固着され、上記半導体レーザー素子側が半透過反射膜の被着された傾斜面とされる光学素子と、上記半導体レーザー素子の背面側に配設される第２の光ディテクタとを有してなり、上記半導体レーザー素子からのレーザー光のうち上記半透過反射膜で反射されるレーザー光は光ディスクに照射され、この光ディスクからの戻りレーザー光のうち上記半透過反射膜を透過したレーザー光は上記第１の光ディテクタに照射されて、この第１の光ディテクタの出力信号よりエラー信号が検出され、上記光ディスクからの戻りレーザー光のうち上記半透過反射膜で反射されるレーザー光は実質的に上記半導体レーザー素子を介して上記第２の光ディテクタに反射されて、この第２の光ディテクタの出力信号より上記光ディスクの再生信号が検出されることを特徴とする光ピックアップ装置。」（特許請求の範囲）
（２−２）「第３図及び第４図において、（１）はシリコン（Ｓｉ）等からなる半導体基板であり、この半導体基板（１）上には、ディスクからの戻りレーザー光を検出する３分割の分割ディテクタ（２）および（３）が半導体製造技術で形成される。この分割ディテクタ（２）および（３）は、トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号およびＲＦ信号を検出するために用いられる。また、（４）は半導体レーザー素子であり、半導体基板（１）上で分割ディテクタ（２）側に配設される。また、分割ディテクタ（２）および（３）を覆うように断面台形状のプリズム（５）が半導体基板（１）上に接着剤（６）をもって固着される。そして、このプリズム（５）の半導体レーザー素子（４）側の面には、半透過反射膜（７）が形成されると共に、その面上には、反射膜（８）が形成される。また、（１１）はモニタ用光ディテクタであり、このモニタ用光ディテクタ（１１）は、半導体レーザー素子（４）の背面側で半導体基板（１）上に半導体製造技術で形成される。このモニタ用光ディテクタ（１１）は、半導体レーザー素子（４）の発振状態をモニタするためのものである。すなわち、このモニタ用光ディテクタ（１１）には半導体レーザー素子（４）の背面側より出射されるレーザー光が照射され、半導体レーザー素子（４）の発振状態がモニタされる。」（第２頁左上欄第３行目〜右上欄第７行目）
　
３．対比
　本願請求項１に係る発明と引用刊行物１に記載された発明とを対比すると、引用刊行物１に記載された「情報記録媒体」、「ビームスプリッタ」および「４分割フォトディテクタ」は、本願請求項１に係る発明の「光照射体」、「光分離素子」および「受光素子」に相当するので、両者は「複数の発光点を有する単一の半導体レーザと、前記発光点から異なる方向に出射され、光照射体から反射された第１のレーザ光と第２のレーザ光の戻り光を受光するために形成されている第１，第２の受光素子と、前記半導体レーザと前記光照射体を結ぶ光路間に配置され、前記発光点から出射された第１のレーザ光と、第２のレーザ光とを前記光照射体に向けると共に、前記光照射体から反射されてきた第１，及び第２のレーザ光の戻り光を、それぞれ前記第１，第２の受光素子に向ける光分離素子とを備えて構成されていることを特徴とする発光受光複合素子。」である点で一致し、
　本願請求項１に係る発明が「半導体基板上の同一面側に形成されている第１，第２の受光素子を有し、前記第１，第２の受光素子が形成されている半導体基板の同一面上に、半導体レーザ、及び光分離素子を固定して構成されている」のに対し、引用刊行物１に記載された発明は、これらの素子が同一の半導体基板上に形成されていない点で相違している。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　半導体基板上の、受光素子が形成されている面に半導体レーザと光分離素子とを固定して構成することは引用刊行物２等に記載されているように周知の技術であり、かつ引用刊行物２には、複数の発光点を有する単一の半導体レーザと、半導体基板上の同一面側に形成されている複数の受光素子（２，３および１１）と、を有する発明が記載されており、これは、半導体レーザの出射光を有効利用する点および半導体基板上に形成することにより小型軽量で精度の高い素子を得られる点で本願発明と同様の効果を有するものである。そして各刊行物記載の発明はいずれも半導体レーザ発光受光複合素子である点で同一の技術分野に属するものであるから、引用刊行物１に記載されたような発明において、引用刊行物２に記載されたように、複数の発光点を有する単一の半導体レーザと、半導体基板上の同一面側に形成されている複数の受光素子を設けた構成を採用することで本願発明の構成とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
５．むすび
　したがって、本願請求項１に係る発明は、引用刊行物１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。