【事件の表示】
　特願２００８−２９０４３９「リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法およびリソグラフィ投影装置を較正する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月　９日出願公開、特開２００９−１５２５６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２０年１１月１３日（パリ条約による優先権主張２００７年１１月２０日、米国）を出願日とする出願であって、平成２３年７月１９日付けで手続補正がなされ、その後、平成２４年７月４日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、同年１１月６日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２５年９月２５日付けで平成２４年１１月６日付けの手続補正の却下の決定がなされるとともに、拒絶の理由（最後）が通知され、平成２５年１２月４日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２５年１２月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１２月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、そのうち特許請求の範囲の請求項１の補正は、補正前（平成２３年７月１９日付けで補正、以下同様。）の
「【請求項１】
　リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法であって、
　テスト基板をフォトレジストで覆うこと、
　前記テスト基板を前記リソグラフィ装置の基板テーブルに置くこと、
　前記テスト基板上に複数の検証フィールドを露光することであって、前記検証フィールドのそれぞれが複数の検証マーカを備え、前記検証フィールドが所定の焦点カーブにおける所定の焦点オフセットＦＯを使用して露光される、該露光すること、
　前記テスト基板上に複数の較正フィールドを露光することであって、前記較正フィールドのそれぞれが複数の較正マーカを備え、前記較正フィールドが較正フィールド毎に予め定義された傾きオフセットをもって露光される、露光すること、
　前記フォトレジストを現像すること、
　前記検証マーカのそれぞれについてのアライメントオフセットを測定すること、
　前記複数の較正マーカのそれぞれについてのアライメントオフセットを、較正データを与えるために測定すること、
　較正カーブを前記較正データを使用して決定すること、
　前記較正カーブの一部を取り出して、基準焦点カーブを生成すること、
　前記検証マーカのそれぞれについての前記測定されたアライメントオフセットを、前記基準焦点カーブを使用してデフォーカスデータに変換することを含む方法。」を
「【請求項１】
　リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法であって、
　テスト基板をフォトレジストで覆うこと、
　前記テスト基板を前記リソグラフィ装置の基板テーブルに置くこと、
　焦点レチクルを用いて前記テスト基板上に複数の検証フィールドを露光することであって、前記焦点レチクルは複数の焦点マーカを備え、各焦点マーカは横方向および縦方向の刻んだバーを備え、前記検証フィールドのそれぞれが複数の焦点マーカに対応する複数の検証マーカを備え、前記検証フィールドが焦点オフセット対アライメントオフセットのカーブを含む所定の焦点カーブにおける所定の焦点オフセットＦＯを使用して露光される、該露光すること、
　前記焦点レチクルを用いて前記テスト基板上の中央位置に複数の較正フィールドを露光することであって、前記較正フィールドのそれぞれが複数の焦点マーカに対応する複数の較正マーカを備え、前記較正フィールドが較正フィールド毎に予め定義された傾きオフセットをもって露光される、露光すること、
　前記フォトレジストを現像すること、
　前記検証マーカのそれぞれについてのアライメントオフセットを測定すること、
　前記複数の較正マーカのそれぞれについてのアライメントオフセットを、較正データを与えるために測定すること、
　較正カーブを前記較正データを使用して決定すること、
　前記較正カーブの一部を取り出して、前記リソグラフィ投影装置の焦点感度を表す焦点較正カーブを生成すること、
　前記検証マーカのそれぞれについての前記測定されたアライメントオフセットを、前記焦点較正カーブを使用してデフォーカスデータに変換すること
を含む方法。」と補正するものである。
　
２　補正の目的についての検討
　上記本件補正は、明らかに特許請求の範囲を限定して減縮するものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
３　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。
　
４　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、当審における平成２５年９月２５日付けの拒絶の理由で通知され、本願の優先日前である平成１６年２月１９日に頒布された「特開２００４−５５５７５号公報 」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】 
【発明の属する技術分野】 
この発明は、
レジストが塗布された半導体ウェハを露光するときの、半導体ウェハに照射される光の焦点ずれ距離を測定する方法
「【０００８】 
【発明の実施の形態】 
（第１の実施例） 
本発明の第１の実施例は、レジストが塗布された半導体ウェハを露光するときにおける、半導体ウェハに照射される光の焦点ずれ距離を測定する方法である。以下、本発明の第１の実施例について、図１〜図４を用いて説明する。図１は、露光装置を用いて半導体ウェハを露光している様子を露光装置の側面から見た図である。図２は、露光に使用するフォトマスクの上面図である。図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、露光後の半導体ウェハを示す図であり、図３（Ａ）は、露光後の半導体ウェハの全面を示す上面図、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の一部を拡大した図、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）を、点線ＸＸ’に沿って切断した時の断面図である。図４は、現像後の計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを縦軸、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを横軸にとって描いたグラフである。 
【０００９】 
まず、図１に示すように、
露光装置１００のステージ１０１上に、レジストが塗布された半導体ウェハ１０２をセット
半導体ウェハ１０２の表面Ｂを、焦点位置Ｆ０から一定距離離れた点Ｆｍに移動させる
【００１０】 
次に、
ステージ１０１を水平移動させながら、フォトマスク１０３及び縮小投影レンズ１０４を通して半導体ウェハ１０２に光を当てることによって、レジストが塗布された半導体ウェハ１０２をその各領域（以下ショット）ごとに露光
【００１１】 
ここで、
フォトマスク１０３は、
大長方形の各４辺にそれぞれ露光装置１００の解像限界よりも細い幅を有する複数の小長方形を大長方形の各４辺に対して長さ方向に垂直かつ幅方向に平行に並べてなる計測用パターン１０５を有
【００１２】 
次に、計測用レジストパターンの潜像を形成した
レジストを現像
計測用レジストパターン１０６が形成される
各計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを測定
【００１３】 
先に行った露光は、ステージ１０１の上下方向の位置を固定して行う。しかし、先にも記載した通り、ステージ１０１の傾きや半導体ウェハ１０２の凹凸などによって、半導体ウェハ１０２の各ショットごとに微妙に焦点がずれる。そのため、
ショットごとに露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍは微妙に異なる
【００１４】 
現像後の
計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを縦軸、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを横軸にとってグラフを描
【００１５】 
しかしながら、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍが、焦点位置Ｆ０からある程度離れた領域に位置する場合、例えば半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍが図４における
Ｃの領域にある場合は、半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍの変化に対して、計測用レジストパターン１０６の長さＬｍは直線的に大きく変化
露光時には、半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍが領域Ｃ付近になるように露光装置１００のステージ１０１の位置を調節
【００１６】 
最後に、図４のグラフを利用して、
各ショットに形成された計測用レジストパターン１０６の長さＬｍから、各ショットにおける、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを求める
【００１７】 
以上のように、本発明の第１の実施例を用いると、焦点ずれが僅かなものであっても、半導体ウェハにおける各ショットごとの焦点ずれ距離を、上下どちらの方向にずれているのかも含めて、相対的な分布として求めることができる。
【００１８】 
ただし、本発明を用いて求められた焦点ずれ距離は、ウェハに起因する焦点ずれと、露光装置に起因する焦点ずれとが合算された値となるため、少なくとも１回の操作だけでは、本発明で測定した焦点ずれ距離が、露光装置に起因するものであるか、あるいは半導体ウェハに起因するものであるのかを調べることはできない。露光装置に起因する焦点ずれ距離を調べるためには、異なるウェハを用いて上記の操作を何度も繰り返し、焦点ずれ距離の平均を計算する必要がある。」
 　 
ｂ　図面の記載 
 「【図１】 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
 「【図２】 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
 「【図３】 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
 「【図４】 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
 　 
ｃ　発明の詳細な説明及び図面の記載の考察 
　引用例１の【００１４】〜【００１６】、図４の記載から、「最後に、図４のグラフを利用して、各ショットに形成された計測用レジストパターン１０６の長さＬｍから、各ショットにおける、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを求める」（【００１６】）記載中の「図４のグラフを利用して」とは、図４の
Ｃの領域を利用
 　 
ｄ　引用例１記載の発明 
　上記ａ及びｂの記載事項並びに上記ｃの考察によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「レジストが塗布された半導体ウェハを露光するときの、半導体ウェハに照射される光の焦点ずれ距離を測定する方法であって、 
露光装置１００のステージ１０１上に、レジストが塗布された半導体ウェハ１０２をセットし、 
フォトマスク１０３は、大長方形の各４辺にそれぞれ露光装置１００の解像限界よりも細い幅を有する複数の小長方形を大長方形の各４辺に対して長さ方向に垂直かつ幅方向に平行に並べてなる計測用パターン１０５を有するもので、
フォトマスク１０３を通して、レジストが塗布された半導体ウェハ１０２をショットごとに露光し、 
レジストを現像して、計測用レジストパタ−ン１０６を形成し、 
各計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを測定し、 
露光時には、半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍが領域Ｃ付近になるように露光装置１００のステージ１０１の位置を調節し、 
ショットごとに露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍは微妙に異なり、 
計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを縦軸、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを横軸にとった曲線のグラフを描き、 
前記グラフのうち、ほぼ直線の一部領域Ｃのグラフを描き、 
一部領域Ｃのグラフを利用して、各ショットに形成された計測用レジストパターン１０６の長さＬｍから、各ショットにおける、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを求める方法。」 
 　 
（２）引用刊行物２ 
　また、当審における平成２５年９月２５日付けの拒絶の理由で通知され、本願の優先日前である平成１６年２月５日に頒布された「特開２００４−４０１０２号公報 」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。 
ａ　発明の詳細な説明の記載 
「【００１７】 
〔１つのパターン化されたバンドを用いてフォーカスパラメータを測定することに基づいているフォーカス部分の較正〕 
図２Ａおよび２Ｂには本発明の実施例によるウェハ２００が示されている。ウェハ２００は、ウェハ２００のフィールドの、フォーカスが外れているエリア２０２がプリントされるフィーチャを有していないように意図的に傾けられている。ウェハ２００のフィールドの中央にだけプリントされるフィーチャが存在していることでバンド２０４が生じる。すなわち、エリア２０２はフィーチャを有していないまたは分解またはプリントしない。というのはこのエリアはフォーカスが外れているからである。図２Ａおよび２Ｂにおいて方位軸によって示されているように、Ｘ軸は、Ｘ軸を通って実施されるスキャンされる露光と同じように、図２Ａの頁内に入り込んでいる。Ｘ軸を中心に傾き（チルト）を導入することによりフィールドの中心部２０６はフォーカス状態が維持され、一方フィールドの上端部および下端部（例えばエリア２０２）はフォーから外れている。焦点深度は制限されているので、プリントされるフィールドの上端部および下端部（例えばエリア２０２）では細かなフィーチャは十分に分解しない。 
【００１８】 
図３には、本発明の実施例による傾斜格子監視法を説明するフローチャートが示されている。ステップ３０２で、露光部においてウェハ（例えばウェハ２００）が規定の像平面（例えば平面１０４）からＴｈｅｔａ−Ｘ（Θｘ）（図２Ａに示されている）だけ傾けられる。ステップ３０４で、格子レチクル（例えば細かなフィーチャが充填されているレチクル）がウェハを露光するように位置決めされる。ステップ３０６で、フィールド（例えばウェハ２００の表面）がＸ軸に沿ったウェハのスキャニングの期間に露光される。傾きの結果、各フィールドの上側領域および下側領域（例えばエリア２０２）はフォーカスが外れてプリントされることになる。この結果、格子の細線は、フィールドのこれらの領域におけるレジスト（例えば正のレジスト）が取り除かれるとき、フィールドの上側および下側の領域（例えば部分２０２）では分解されない。これらの領域を取り除いた後、バンド（例えばバンド２０４）は依然としてフィールドの中心部分（例えば部分２０６）に留まる。ステップ３０８で、ウェハに対して現像プロセスが実施されて、デフォーカスのために像がプリントされなかったところの領域（例えばエリア２０２）からレジストが除去される。 
【００１９】 
再び図２Ａおよび２Ｂを参照するに、プリントされるバンド２０４の特性でフォーカス性能をある程度特徴付けることができる。例えば、バンド２０４をフィールドのＹ軸に沿っていかに精確にセンタリングするかは、露光の間にフォーカス系（図示されていない）がどの程度申し分なくＺを確立するかに依存している。また、バンド２０４の幅Ｗをいかに精確に生成するかは、フォーカス系がＴｈｅｔａ−Ｘをどの程度申し分なく制御するかに関連している。このように、アライメント系の計測系を用いてバンド２０４の特性を測定することによって、補償値が決定されかつ露光光学系を較正するために使用される。」 
 　 
ｂ　図面の記載 
「【図２Ａ】 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
「【図２Ｂ】 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
 　 
５　本件補正発明と引用発明の対比 
　ここで、本件補正発明と引用発明を対比する。 
（１）引用発明の「レジストが塗布された半導体ウェハを露光するときの、半導体ウェハに照射される光の焦点ずれ距離を測定する方法」は、本件補正発明の「リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法」に相当する。 
 　 
（２）引用発明の「露光装置１００」、「ステージ１０１」、「レジスト」及び「半導体ウェハ１０２」は、本件補正発明の「リソグラフィ装置」、「基板テーブル」、「フォトレジスト」及び「テスト基板」にそれぞれ相当する。 
　そうすると、引用発明の「露光装置１００のステージ１０１上に、レジストが塗布された半導体ウェハ１０２をセット」する構成は、本件補正発明の「テスト基板をフォトレジストで覆うこと、前記テスト基板を前記リソグラフィ装置の基板テーブルに置くこと、」「を含む」構成に相当する。
　
（３）引用発明の「細い幅を有する」「小長方形」及び「計測用パターン１０５」は、本件補正発明の「刻んだバー」及び「焦点マーカ」にそれぞれ相当する。
　そうすると、引用発明の「フォトマスク１０３は、大長方形の各４辺にそれぞれ露光装置１００の解像限界よりも細い幅を有する複数の小長方形を大長方形の各４辺に対して長さ方向に垂直かつ幅方向に平行に並べてなる計測用パターン１０５を有する」ものである構成と、本件補正発明の「焦点レチクルは複数の焦点マーカを備え、各焦点マーカは横方向および縦方向の刻んだバーを備え」た構成とは、「フォトマスクは焦点マーカを備え、焦点マーカは横方向および縦方向の刻んだバーを備え」た構成で共通する。
 　 
（４）引用発明の「計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを縦軸、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを横軸にとったグラフを描」く構成は、本件補正発明の「較正カーブを前記較正データを使用して決定すること」に相当する。 
 　 
（５）引用発明の「前記グラフのうち、ほぼ直線の一部領域Ｃのグラフを描」く構成は、本件補正発明の「較正カーブの一部を取り出して、前記リソグラフィ投影装置の焦点感度を表す焦点較正カーブを生成すること」に相当する。 
 　 
（６）引用発明の「一部領域Ｃのグラフを利用して、各ショットに形成された計測用レジストパターン１０６の長さＬｍから、各ショットにおける、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを求める」構成は、本件補正発明の「検証マーカのそれぞれについての前記測定されたアライメントオフセットを、前記焦点較正カーブを使用してデフォーカスデータに変換すること」に相当する。 
 　 
　上記（１）〜（６）の点から、本件補正発明と引用発明は、 
「リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法であって、 
　テスト基板をフォトレジストで覆うこと、 
　前記テスト基板を前記リソグラフィ装置の基板テーブルに置くこと、
　フォトマスクは焦点マーカを備え、焦点マーカは横方向および縦方向の刻んだバーを備え、
　較正カーブを前記較正データを使用して決定すること、 
　前記較正カーブの一部を取り出して、前記リソグラフィ投影装置の焦点感度を表す焦点較正カーブを生成すること、 
　前記検証マーカのそれぞれについての前記測定されたアライメントオフセットを、前記焦点較正カーブを使用してデフォーカスデータに変換すること
を含む方法。」 
で一致し、以下（Ａ）乃至（Ｃ）の点で相違する。 
 　 
（相違点） 
（Ａ）本件補正発明は、「前記テスト基板上に複数の検証フィールドを露光することであって、」「検証フィールドのそれぞれが」「焦点マーカに対応する」「検証マーカを備え、前記検証フィールドが焦点オフセット対アライメントオフセットのカーブを含む所定の焦点カーブにおける所定の焦点オフセットＦＯを使用して露光される、該露光すること、」「前記テスト基板上」「に複数の較正フィールドを露光することであって、前記較正フィールドのそれぞれが」「焦点マーカに対応する」「較正マーカを備え、前記較正フィールドが較正フィールド毎に予め定義された傾きオフセットをもって露光される、露光すること、前記フォトレジストを現像すること、前記検証マーカ」「のアライメントオフセットを測定すること、」「較正マーカの」「アライメントオフセットを、較正データを与えるために測定すること、」「を含む」のに対し、引用発明は、「レジストが塗布された半導体ウェハ１０２をショットごとに露光し、レジストを現像して、計測用レジストパタ−ン１０６を形成し、各計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを測定し、露光時には、半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍが領域Ｃ付近になるように露光装置１００のステージ１０１の位置を調節し、ショットごとに露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍは微妙に異な」る点。
　
（Ｂ）フォトマスクが、本件補正発明は、「複数の焦点マーカを備え」た「焦点レチクル」であるのに対し、引用発明は、単に「計測用パターン１０５を有する」ものである点。
　
（Ｃ）「複数の較正フィールドを露光する」際の「テスト基板上の」露光箇所が、本件補正発明は、「中央位置」であるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点。
 　 
６　当審の判断 
　以下、上記（Ａ）乃至（Ｃ）の相違点について検討する。
（Ａ）の相違点について
　引用発明の「レジストが塗布された半導体ウェハ１０２をショットごとに露光し、」「計測用レジストパタ−ン１０６を形成し、各計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを測定し、露光時には、半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍが領域Ｃ付近になるように露光装置１００のステージ１０１の位置を調節」する構成は、本件補正発明の「前記テスト基板上に複数の検証フィールドを露光することであって、」「前記検証フィールドのそれぞれが」「焦点マーカに対応する」「検証マーカを備え、前記検証フィールドが焦点オフセット対アライメントオフセットのカーブを含む所定の焦点カーブにおける所定の焦点オフセットＦＯを使用して露光される、該露光すること」、「前記検証マーカ」「のアライメントオフセットを測定すること」、及び、本件補正発明の「前記テスト基板上」「に複数の較正フィールドを露光することであって、前記較正フィールドのそれぞれが」「焦点マーカに対応する」「較正マーカを備え、」「露光すること」、「較正マーカの」「アライメントオフセットを、較正データを与えるために測定すること」を兼用するものといえる。
　一方、ウエハ２００をＸ軸を中心に傾きを導入することによりＺ位置が異なる複数のバンド２０４（本件補正発明の「較正マーカ」に相当。）を露光・現像して、プリントされたバンド２０４の特性を測定することによりフォーカスパラメータを測定することが、引用例２に記載（引用例２の【００１７】乃至【００１９】、図２参照。）されている。
　そして、一般に、プロセスを１つの工程で行うプロセスを２つの工程に分けて行うことは、様々な分野で広く行われている周知技術であることを考慮すれば、引用発明において、「計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを縦軸、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを横軸にとった曲線のグラフを描」くための露光、及び、「各ショットに形成された計測用レジストパターン１０６の長さＬｍから、各ショットにおける、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを求める」ための露光を、別々の露光工程により行うことは、当業者が容易になし得たことである。
　さらに、引用発明も引用例２記載の事項もいずれもフォーカスパラメータを測定するという点で共通するものであるから、「計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを縦軸、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを横軸にとった曲線のグラフを描」くための露光をする際に、引用発明の「ショットごとに露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍは微妙に異な」る構成により「グラフを描く」ことに代えて、引用例２に記載された、ウエハに傾きを与えることによりＺ位置が異なるデータを取得する構成を採用することは、当業者が容易になしえたことである。
　よって、上記（Ａ）の相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
（Ｂ）の相違点について
　リソグラフィ投影装置の焦点を測定する際に、複数のマーカを有するレチクル（本件補正発明の「焦点レチクル」に相当。）を用いることは、周知技術（特開平１０−５５９４６号公報の【００２５】、【００２９】、図２、３、特開２００１−３５８０５９号公報の【００３０】、【００３１】、図２、特開２００２−１６９２６６号公報の【００６１】乃至【００６５】、図２参照。）であり、引用発明の露光の際に、フォトマスクとして複数のマーカを有するレチクルを用いることは、上記周知技術を考慮すると格別の困難性はないから、上記（Ｂ）の相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
（Ｃ）の相違点について
　複数の較正フィールドの露光の際に、テスト基板上のどの位置に露光するかは、光の焦点ずれ距離の測定に関する諸条件を考慮して、適宜選択し得る設計的事項であり、また、本件補正発明で、複数の較正フィールドを露光をテスト基板上の中央位置とした点に格別の効果も認められないことを考慮すると、この点は適宜なし得たことである。
　よって、上記（Ｃ）の相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
　そして、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　 
７　請求人の主張
　請求人は平成２５年１２月４日付けの手続補正書において、「計測用レジストパターン１０６を形成するための露光では、表面の位置Ｆｍが領域Ｃ付近になるように調節しているのであることから、このような計測用レジストパターン１０６に基づいて、「計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを縦軸、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを横軸にとった曲線のグラフ」を描くことはできないのである。すなわち、横軸である表面の位置Ｆｍを変えた露光をしていないからである。「ショットごとに露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍは微妙に異な」っているが、この表面の位置は不明であり、グラフの横軸に利用することはできない。」と主張している。
　しかしながら、引用例１には「ステージ１０１の傾きや半導体ウェハ１０２の凹凸などによって、半導体ウェハ１０２の各ショットごとに微妙に焦点がずれる。そのため、ショットごとに露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍは微妙に異なる。したがって、露光時に照射される光の収束の度合いが各ショットごとに異なるので、計測用レジストパターン１０６の長さＬｍも、ショットごとに異なるものになる。現像後の計測用レジストパターン１０６の長さＬｍを縦軸、露光時の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍを横軸にとってグラフを描くと、図４のようなグラフが得られる。」（【００１３】〜【００１４】）と記載され、また、ショット毎の半導体ウェハ１０２の表面の位置Ｆｍは、ウエハの表面の位置を測定する周知の測定装置で測定可能であることは、当業者には自明であるから、請求人の主張には理由がない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
８　むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年１２月４日付けの手続補正は上記のとおり却下され、さらに、平成２４年１１月６日付けの手続補正は、すでに平成２５年９月２５日付けで手続補正の却下の決定がなされたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年７月１９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（上記「第２」［理由］「１」参照。）
　
２　引用刊行物
　本願の優先日前に頒布された引用例１及び２、その記載事項、ならびに引用発明は、上記「第２」［理由］「４」に記載したとおりである。
　
３　対比及び当審の判断
　本願発明は、その発明特定事項である「テスト基板上に複数の検証フィールドを露光すること」及び「テスト基板上」「に複数の較正フィールドを露光すること」に関し、「複数の焦点マーカを備え、各焦点マーカは横方向および縦方向の刻んだバーを備え」た「焦点レチクル」「を用い」る構成を本件補正発明から省き、その発明特定事項である「複数の検証マーカ」及び「複数の検証マーカ」に関し、「複数の焦点マーカに対応する」構成を本件補正発明から省き、その発明特定事項の「所定の焦点オフセットＦＯ」が含まれる「所定の焦点カーブ」に関し、「焦点オフセット対アライメントオフセットのカーブを含む」構成を本件補正発明から省き、その発明特定事項である「テスト基板上」「に複数の較正フィールドを露光すること」に関し、「テスト基板上の中央位置に」「露光する」構成を本件補正発明から省き、さらに、本件補正発明では「リソグラフィ投影装置の焦点感度を表す焦点較正カーブ」としていたものを、本願発明では単に「基準焦点カーブ」としたものである。
　ここで、本願発明の「基準焦点カーブ」に関し、明細書に当該語句及び定義が記載されておらず如何なるものを意味するのか必ずしも明確ではないが、本件補正前後の請求項１を考慮すると、「較正カーブの一部を取り出して」「生成する」点、及び、「検証マーカのそれぞれについての前記測定されたアライメントオフセットを」「デフォーカスデータに変換する」際に使用するものである点で、本件補正発明の「焦点較正カーブ」と共通するものであるから、「焦点較正カーブ」と同様のものであると認められる。
　したがって、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに、上記構成で限定した本件補正発明が、上記第２［理由］６に記載したとおり、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。