【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４３５６７２３号発明「窒化物半導体発光ダイオードの製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
　
第１　事案の概要
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第４３５６７２３号（以下「本件特許」という。平成１４年７月２３日出願（国内優先権主張：特願２００１−２２３１１４号（平成１３年７月２４日出願）、特願２００２−４１７３７号（平成１４年２月１９日出願））の特願２００２−２１３４９０号を平成１８年９月１９日に分割して出願、平成２１年８月１４日登録、登録時の請求項の数は４である。）の請求項１〜４に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
第２　手続の経緯
　本件審判の経緯は、以下のとおりである。
平成２３年１０月１２日　審判請求
平成２４年　１月　４日　訂正請求及び審判事件答弁書提出
平成２４年　１月１１日　手続補正書提出（訂正請求）
平成２４年　３月　８日　審判事件弁駁書提出
平成２４年　８月２２日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
平成２４年　８月２２日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
平成２４年　９月　５日　口頭審理
平成２４年１０月１０日　上申書提出（請求人）
　
　なお、請求人は、平成２４年９月５日の口頭審理の場で、第１回口頭審理調書の「請求人　３」のとおり、「口頭審理陳述要領書の第４頁第５行目の『甲５〜７』は『甲１０〜１２』の誤記及び第５頁第１１行目及び１３行目の『甲８』は『甲１』の誤記である。」と陳述した。
　
第３　請求人の主張の概要及び証拠方法
１　無効理由（特許法第２９条第２項）
　本件特許の請求項１ないし請求項４に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された特開２００２−１６４２９６号公報（甲第１号証）に記載の発明及び特開２００１−１６０５３９号公報（甲第２号証）に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１ないし請求項４に係る特許は特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。
　なお、本件特許については、優先権の利益を享受できず、進歩性の判断の基準日は分割の基礎となった出願である特願２００２−２１３４９０号の現実の出願日である平成１４年７月２３日である。
　
　なお、請求人は、平成２４年８月２２日提出の口頭審理陳述要領書において、「（２）審判請求書２頁９行の特許法２９条１項３号に基づく新規性欠如の記載は誤記であり、当該主張をするものではありません。」（平成２４年８月２２日提出の口頭審理陳述要領書　３頁１〜２行の原文のとおり）との陳述すべき要領を準備し、平成２４年９月５日の口頭審理の場で、第１回口頭審理調書の「請求人　２」のとおり、「無効理由は、甲第１号証及び甲第２号証に基づく特許法第２９条第２項違反である。」と陳述した。
　
２　甲号証
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
（１）甲第１号証　　　特開２００２−１６４２９６号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１４年６月７日）
（２）甲第２号証　　　特開２００１−１６０５３９号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年６月１２日）
（３）甲第３号証　　　特開２００２−１６４５７１号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１４年６月７日）
（４）甲第４号証　　　特開２００１−２６７６９２号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年９月２８日）
（５）甲第５号証　　　特開２００１−１７６８０９号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年６月２９日）
（６）甲第６号証　　　特開２００１−９４２１６号公報
　　　　　　　　　　　（公開日　平成１３年４月６日）
（７）甲第７号証　　　特開２０００−２１６４９７号公報
（８）甲第８号証　　　特開平１１−４０８４９号公報
（９）甲第９号証　　　特開平１０−２７０８０１号公報
（１０）甲第１０号証　特開平１１−２７４５６８号公報
（１１）甲第１１号証　特開平１０−４２０９号公報
（１２）甲第１２号証　国際公開第０１／４７０３９号
（１３）甲第１３号証　「High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes　Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy」 Jpn. J. Appl. Phys. Vo1. 40(2001) pp. L583-L585
（以上、審判請求書に添付して提出。）
　
第４　被請求人の主張の概要
１　無効理由
　本件発明は甲第１号証に記載された発明に甲第２号証に記載された発明を適用しても当業者が容易に発明し得たものではなく、その進歩性は阻却されない。
　
２　乙号証
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。
（１）乙第１号証　「ワイドギャップ半導体　光・電子デバイス」、長谷川文夫・吉川明彦編著、２００６年３月３１目発行、森北出版株式会社、ｐ．１８４〜１８７、及び、ｐ．１９４〜１９５
（２）乙第２号証「明鏡国語辞典　第二版」、北原保雄編、２０１０年１２月１日発行、株式会社大修館書店、ｐ．１１９６〜１１９７
（以上、平成２４年１月４日付け審判事件答弁書に添付して提出。）
　
第５　訂正請求についての当審の判断
１　訂正請求の内容
　被請求人が平成２４年１月４日に提出し、平成２４年１月１１日付けの補正書で補正された訂正請求（以下「本件訂正」という。）は、本件特許の願書に添付した明細書について、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを請求するものであって、次の事項をその訂正内容とするものである（下線は当審で付した。以下同じ。）。
（なお、平成２４年１月１１日付けの補正書での補正の内容は、平成２４年１月４日に提出された訂正明細書での訂正事項「【発明の名称】半導体発光素子」及び【００１０】の「窒化物半導体発光ダイオードの製造方法」（２ケ所）と、訂正請求書での訂正事項「【請求項１】・・・窒化物半導体発光ダイオードの製造方法。」及び【００１０】の訂正後についての記載「窒化物半導体発光発光素子の製造方法」（２ケ所）の齟齬の整合をとるものであって、請求書の要旨を変更しない。）
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の各請求項において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「半導体発光素子」とあるのを、『半導体発光ダイオード』と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１５０°以下のテーパ角を持つ側面を有し、」とあるのを、『前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有し、』と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　訂正事項ａおよびｂに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の整合性を図るために、明りょうでない記載の釈明を目的として、願書に添付した明細書の段落【００１０】に係る
「【課題を解決するための手段】
【００１０】
　本件発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、Ｃ面を主面とするサファイア基板上に凸部を繰り返しパターンに形成する工程と、
　前記基板上に前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とからＧａＮ系半導体を成長させて前記凸部を埋める工程と、
　前記ＧａＮ系半導体上にオーミック電極を形成する工程と、を有し、上方の前記ＧａＮ系半導体又は下方の前記サファイア基板から光を取り出す窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
　前記凸部が、基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり、かつ、前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１５０°以下のテーパ角を持つ側面を有し、前記多角形が大略正三角形又は正六角形であり、前記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であることにより、前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したＧａＮ系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋めることを特徴とする。」とあるのを、
『【課題を解決するための手段】
【００１０】
　本件発明の窒化物半導体
ダイオード
　前記基板上に前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とからＧａＮ系半導体を成長させて前記凸部を埋める工程と、
　前記ＧａＮ系半導体上にオーミック電極を形成する工程と、を有し、上方の前記ＧａＮ系半導体又は下方の前記サファイア基板から光を取り出す窒化物半導体
ダイオード
　前記凸部が、基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり、かつ、前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、
１４０°
と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の整合性を図るために、明りょうでない記載の釈明を目的として、本件明細書の発明の名称に係る「窒化物半導体発光素子の製造方法」とあるのを、『窒化物半導体
ダイオード
　
２　訂正の適否
（１）訂正事項ａについて
　本訂正事項は、請求項１ないし４に係る発明において「半導体発光素子」を、「半導体発光ダイオード」に限定するものであるから、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成２３年改正前特許法」という。）特許法第１３４条の２第１項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そして、本件特許明細書には、「半導体発光素子、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）では・・・」（段落【０００２】）との記載があるから、本件特許明細書には、「半導体発光素子」の一例が「半導体発光ダイオード」であることが記載されているものと認められる。
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
（２）訂正事項ｂについて
　本訂正事項は、請求項１に係る発明において「前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１５０°以下のテーパ角を持つ側面を有し、」とあるのを、「前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有し、」に数値範囲を限定するものであるから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第１項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そして、本件特許明細書には、「半導体層によって凹凸を埋めるためには、凹凸のテーパ角θが少なくとも９０°以上であることが必要である。また、散乱又は回折による出力向上の観点からは、凹凸のテーパ角θが９０°より大きいことが好ましく、望ましくは１０５°以上、より望ましくは１１５°以上とする。一方、凹凸のテーパ角θがあまり大き過ぎると、却って散乱又は回折の効率が低下し、また、半導体層にピットが発生し易くなる。そこで、テーパ角θは、好ましくは１６０°以下、より好ましくは１５０°以下、さらに好ましくは１４０°以下とする。」（段落【００５０】）、及び、「また、凸部側面の傾斜角は１２０°であった。」（段落【００８１】）との記載があるから、本件特許明細書には、「前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有し」ていることが記載されているものと認められる。
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
（３）訂正事項ｃ及びｄについて
　本訂正事項は、発明の詳細な説明の記載について、訂正事項ａ及びｂとの整合を図り記載を明りょうにするために行うものと認められるから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第１項第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、上記（１）〜（２）における訂正事項ａ及びｂについての検討と同様の理由により、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成２３年改正前特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
　
３　本件訂正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件訂正を認める。
　
第６　本件訂正発明
１　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許第４３５６７２３号の請求項１ないし４に係る発明（以下、請求項１ないし４に係る発明を「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明４」という。）は、次の各請求項に記載されたとおりのものと認められる。
「【請求項１】
　Ｃ面を主面とするサファイア基板上に凸部を繰り返しパターンに形成する工程と、
　前記基板上に前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とからＧａＮ系半導体を成長させて前記凸部を埋める工程と、
　前記ＧａＮ系半導体上にオーミック電極を形成する工程と、を有し、上方の前記ＧａＮ系半導体又は下方の前記サファイア基板から光を取り出す窒化物半導体ダイオードの製造方法であって、
　前記凸部が、基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり、かつ、前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有し、前記多角形が大略正三角形又は正六角形であり、前記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であることにより、前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したＧａＮ系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋めることを特徴とする窒化物半導体ダイオードの製造方法。
【請求項２】
　上記オーミック電極により、上記ＧａＮ系半導体層の最上層のほぼ全面を覆うことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体ダイオードの製造方法。
【請求項３】
　上記凸部の繰り返しパターンは、λ／４（λは上記半導体ダイオードの発光波長）以上の間隔、１０μｍ以下のピッチで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体ダイオードの製造方法。
【請求項４】
　上記ＧａＮ系半導体中における発光波長をλ、上記ＧａＮ系半導体の屈折率をｎとしたとき、上記凸部の大きさが、少なくともλ／４ｎ以上、２０μｍ以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体ダイオードの製造方法。」
　
２　本件訂正発明１を分説すると、次のとおりである。
Ａ−１　Ｃ面を主面とするサファイア基板上に凸部を繰り返しパターンに形
　　　　成する工程と、
Ａ−２　前記基板上に前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面
　　　　とからＧａＮ系半導体を成長させて前記凸部を埋める工程と、
Ａ−３　前記ＧａＮ系半導体上にオーミック電極を形成する工程と、を有
　　　　し、
Ａ−４　上方の前記ＧａＮ系半導体又は下方の前記サファイア基板から光を
　　　　取り出す窒化物半導体ダイオードの製造方法であって、
Ｂ　　　前記凸部が、基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形
　　　　であり、かつ、前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜する
　　　　ことで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を
　　　　有し、
Ｃ　　　前記多角形が大略正三角形又は正六角形であり、
Ｄ−１　前記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したと
　　　　に前記多角形の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と
　　　　頂点を結ぶ線分に直交する形状であることにより、
Ｄ−２　前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長し
　　　　たＧａＮ系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に
　　　　埋める
Ｅ　　　ことを特徴とする窒化物半導体ダイオードの製造方法。
　
第７　優先権
１　本願は以下の出願ア及びイを優先権主張の基礎とし、出願ウを原出願として分割出願を行ったものである。
　ア　特願２００１−２２３１１４号（平成１３年７月２４日出願）
　イ　特願２００２−４１７３７号　（平成１４年２月１９日出願）
　ウ　特願２００２−２１３４９０号（平成１４年７月２３日出願）
　
２　本件訂正発明１ないし４は、上記２の分説に従うと
「Ｂ　前記凸部が、基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり、かつ、前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有し」、
「Ｄ−１　前記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であることにより」、
「Ｄ−２　前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したＧａＮ系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋める」ものである。
　
３　しかしながら、上記出願ア及びイの願書に最初に添付した明細書又は図面には、「凸部」が、「基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であ」ること、かつ、「ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有」することは記載されておらず、
　また、「ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であること」及び「凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したＧａＮ系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋める」ものであることについても記載されていない。
　
４　そして、出願ア及びイの願書に最初に添付した明細書又は図面に接した当業者にとって、上記構成要件Ｂ、Ｄ−１及びＤ−２が自明な事項であると認めることもできない。
　よって、本件訂正発明１ないし４について、上記出願ア及びイを基礎出願とした特許法第４１条の規定による優先権主張の効果は認められない。
　
第８　無効理由についての当審の判断
１　甲号証の記載
（１）甲第１号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開２００２−１６４２９６号公報）には、以下の記載がある（下線は当審で付した。以下同じ。）。
ア　「【請求項１】
基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであ
【請求項２】上記半導体結晶がＩｎＧａＡｌＮであることを特徴とする請求項１記載の半導体基材。・・・
【請求項７】
上記基板に凹凸加工した凸部の立上り斜面と基板平面とが成す角度が６０°以上である
半導体基材
イ　「【０００１】【発明が属する技術分野】本発明は、
半導体基材及びその作製方法
ウ　「【００１６】
【作用】本発明は、バッファ層等すら形成していない状態の基板に対して凹凸面を設けることで、結晶成長当初からファセット面を形成可能な素地面を予め提供しておく点に特徴を有する。即ち、基板に凹凸面を具備させることで、気相成長を行うに際し、相互の段差にて区画された凹面と凸面のそれぞれ又はいずれかを、ファセット構造成長が生成される単位基準面として準備するものである。ここで、凹面と凸面の双方がファセット構造成長可能な面として準備された場合は、成長初期には基板表面全体で結晶成長が起こり、凸部及び凹部それぞれでファセット面を具備した成長となる。一方、凹面と凸面のいずれかが極めて微小幅である等の理由で実質的に結晶成長不可能な面である場合、或は結晶成長自体は可能であるが（請求項９の構成のように）加工を施して実質的に結晶成長し得ない場合は、凸部又は凹部のいずれかからファセット構造成長が起こることになる。さらに、凸部又は凹部のいずれかからファセット構造成長が起こるが、他方の面からは非ファセット構造成長がおこるという場合もある。
【００１７】この結果基板からＣ軸方向に伸びる転位線がファセット面で横方向に曲げられ、上方に伝播しなくなる。その後成長を続ける事でやがて成長面は平坦化され、その表面近傍は基板からの転位の伝播がない為に低転位密度領域となる。すなわち低転位密度領域の形成が、従来のようにマスク層を用いることなしに、かつ、下地層が不要で達成されることになる。また特には空洞部を形成する必要が無い為、熱放散の問題が回避できるようになるものである。
【００１８】
【発明の実施の態様】以下図面に基いて、本発明の実施態様につき詳細に説明する。図１（ａ）乃至（ｃ）は本発明に係る半導体基材の結晶成長状態を説明するための断面図である。図において、１は基板であり、２は該基板１上に気相成長された半導体結晶をそれぞれ示している。基板１の結晶成長面には凸部１１及び凹部１２が形成されており、前記凸部１１及び／または凹部１２からファセット面を形成し得る素地面とされている。
【００１９】上記した基板１とは、各種の半導体結晶層を成長させるためのベースとなる基板であって、格子整合のためのバッファ層等も未だ形成されていない状態のものを言う。このような基板としては、サファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面）、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）、ＧａＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ、スピネル、ＺｎＯ，ＧａＡｓ，ＮＧＯなどを用いることができるが、発明の目的に対応するならばこのほかの材料を用いてもよい。なお、基板の面方位は特に限定されなく、更にジャスト基板でも良いしオフ角を付与した基板であっても良い。また、サファイア基板などに数μｍのＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長してある基板を用いても良い。
【００２０】
基板１上に成長される半導体層として
エ　「【００２３】本発明にあっては、上記効果が出る
凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することができ
島状の点在型の凸部、ストライプ型の凸条からなる凸部、格子状の凸部、これらを形成する線が曲線である凸部など
オ　「【００２６】上記基板に
凹凸加工したストライプの方向は
とする
カ　「【００３２】また基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面が成す角度は、６０°以上とすることが好ましく、可及的に直角に近いことが特に望ましい。角度が６０°よりも小さい場合、凸部斜面から成長が始まりファッセット成長進行後の平坦化が良好に行えない問題が発生した。本発明者らの検討の結果、６０°以上の角度を形成する事で、とりわけ直角に近い立上り斜面にすると、ファセット形成並びにその後の平坦化が実質的に阻害されないことを見出した。なお可能であれば、９０°を超える斜面角度とするのも好ましい。」
キ　「【００４１】
【実施例】［実施例1］
ｃ面サファイア基板上にフォトレジストのパターニング
サファイア基板の＜１−１００＞方向
を行い
ＧａＮ低温バッファー層を成長し
ｎ型ＧａＮ層を成長し
凸部、凹部両方で
成長
【００４２】同様の方法で通常の凹凸の施していない場合のＧａＮ成長における６μｍに相当する時間成長を行なった。結果、
凹凸部を覆い
ＧａＮ膜が得られた
【００４８】成長後の断面を観察すると、図２(c)に示すように、実施例１と同様に
凹凸部が埋め込まれ平坦化した
ク　「【００５０】［実施例４］実施例1で得られた膜に連続して
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し、
その後、電極形成
を行い、ＬＥＤ素子とし
ケ　図１は、次のものである。
（２）甲第２号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第２号証（特開２００１−１６０５３９号公報）には、以下の記載がある。
ア　「【０１１６】図４および図５は、第２の発明の一実施例における
窒化物系半導体の形成方法
【０１１７】まず、図４（ａ）に示すように、
Ｃ面を基板表面とするサファイア基板１１の所定領域
【０１１８】この場合、
凹部の幅ｗは、数μｍ〜数十μｍとするのが好ましく、凸部の幅ｂは数百ｎｍ〜数十μｍとするのが好まし
【０１１９】また、
サファイア基板１１のＣ面に対する凹部側面の角度は、特に限定されるものではな
例えば、本例においては凹部側面がサファイア基板１１のＣ面に対してほぼ垂直であ
【０１２０】さらに、ストライプ状の凹部を形成する方向は、特に限定されるものではない。例えば、本例においては［１-1００］方向にストライプ状の凹部を形成する。なお、これ以外に、例えば［１１-2０］方向にストライプ状の凹部を形成してもよい。
【０１２１】続いて、図４（ｂ）に示すように、基板温度を６００℃に保った状態でＭＯＶＰＥ法により、
サファイア基板１１の凸部上面、凹部底面および凹部側面に、アンドープのＡｌＧａＮからなる
ＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させ
凹凸パターンが形成され
【０１２２】
続いて、
ＡｌＧａＮバッファ層１２上に、アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３を成長させ
【０１２３】図５（ｄ）に示すように、矢印Ｙの方向におけるＧａＮ層１３の成長が進むにつれて、矢印Ｘの方向におけるＧａＮ層１３の成長が支配的となる。この場合、凹部底面のＧａＮ層１３上において、凸部上面および凹部側面のＧａＮ層１３がさらに横方向に成長する。それにより、
ＧａＮ層１３の凹部が徐々に埋められてい
【０１２４】ここで、上記のような
ＧａＮ層１３が横方向に成長
【０１２５】図５（ｅ）に示すように、
平坦化するまでＧａＮ層１３を成長させ
【０１２６】以上のような窒化物系半導体の形成方法によれば、ストライプ状の凹部が形成されたサファイア基板１１を用いることにより、選択成長マスクを用いることなくＧａＮ層１３を横方向成長させ、転位を低減することが可能となる。したがって、良好な結晶性を有するＧａＮ層１３を形成することができる。」
イ　「【０１３３】さらに、上記においては基板上にストライプ状の凹凸パターンを形成しているが、基板上に形成する凹凸パターンは、ストライプ状以外であってもよい。」
ウ　「【０１３７】さらに、凹凸の形状は上記の形状に限られるものではない。図６（ａ）は、図４および図５に示す窒化物系半導体の形成方法に用いる基板の他の例を示す模式的断面図である。」
エ　「【０１４０】また、円形、
六角形、三角形等の形状を有する複数の
凸部が分散配置された
【０１４１】図６（ｂ）は、図４および図５に示す窒化物系半導体の形成方法に用いる基板のさらに他の例を示す平面図である。
【０１４２】図６（ｂ）に示すように、基板３１においては、表面に六角形の凹部または凸部が形成されている。
【０１４３】このような基板３１を用いた場合においては、前述のストライプ状の凹凸パターンを有するサファイア基板１１を用いた場合と同様に、ＧａＮ層の転位が一様に低減されるという効果が得られる。
【０１４４】さらに、六角形の凹部が形成された基板３１を用いた場合においては、中央部を除く凹部上に転位密度の特に低減された領域が形成される。なお、この場合においては、基板３１の六角形の凹部上に形成されたＧａＮ層の中央部において、転位が集中する部分が発生し、比較的転位密度の高い領域が形成される。
【０１４５】一方、六角形の凸部が形成された基板３１を用いた場合においては、凸部間の凹部上の中央部を除いて、凹部上に転位密度の特に低減された領域が形成される。なお、この場合においては、基板３１の六角形の凸部の間の凹部上に形成されたＧａＮ層の中心部の領域において、転位が集中する部分が線状に発生し、比較的転位密度の高い領域が形成される。
【０１４６】なお、前述のように、ＧａＮ層の転位は一様に低減されるが、基板３１の六角形の凹部上に形成されたＧａＮ層の中央部の領域または基板３１の六角形の凸部間の凹部上に形成されたＧａＮ層の中心部の領域において、比較的転位密度の高い領域が形成される。このため、半導体素子の製造の際には、基板３１の六角形の凹部上の中央部を除く領域または基板３１の六角形の凸部間の凹部上の中心部を除く領域に素子領域を形成することが好ましい。さらに、中央部を除く六角形の凹部上または六角形の凸部間の中心部を除く凹部上に転位密度の特に低減された領域が形成されるため、基板３１の六角形の凹部上の中央部を除く凹部上の領域または基板３１の六角形の凸部間の凹部上の中心部を除く凹部上の領域に素子領域を形成することがさらに好ましい。
【０１４７】また、基板３１としては、サファイア基板を用いてもよいが、スピネル等の絶縁体の基板を用いてもよい。あるいはＳｉ、Ｇｅ等のIV族半導体、ＳｉＣ等のIV−IV族半導体あるいはＺｎＳｅ等のII−VI族半導体からなる半導体基板や、半導体基板の格子定数が窒化物系半導体層の格子定数と異なる、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ等のIII−Ｖ族半導体からなる半導体基板を用いてもよい。半導体基板としては、絶縁性、ｎ型、ｐ型のいずれの基板を用いてもよい。特に、Ｓｉ、ＧａＡｓまたはＳｉＣからなる基板は、ＧａＮに比べてエッチングが容易である。したがって、Ｓｉ、ＧａＡｓまたはＳｉＣからなる基板を用いた場合、エッチングにより基板に容易にストライプ状の凹部を形成することができる。それにより、転位が低減されたＧａＮ層１３を容易に形成することが可能となる。
【０１４８】なお、円形、三角形等の六角形以外の凹部または凸部が形成された基板を用いた場合においても、六角形の凹部または凸部を有する基板３１を用いた場合と同様に、転位の集中する部分がＧａＮ層において発生する。
【０１４９】なお、図６（ｂ）に示すような六角形の凹凸パターンを有する基板３１を作製する場合、あるいは三角形の凹凸パターンを有する基板を作製する場合において、六角形または三角形の各辺を形成する方向は、基板のいかなる結晶方位と一致してもよい。
【０１５０】なお、
（０００１）面を基板表面とするサファイア基板
に六角形または三角形の凹凸パターンを形成する場合、各辺が［１-1００］方向または［１１-2０］方向と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成することが好まし
オ　「【０１９１】続いて、第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素子について説明する。なお、この場合においては、半導体素子の例として
半導体レーザ素子
【０２０５】図１２に示すように、半導体レーザ素子５０１は、以下の点を除いて、図１１の半導体レーザ素子５００と同様の構造を有する。
【０２０６】この場合においては、サファイア基板１に代えて、ｎ−Ｓｉ基板１Ａ上に、図１および図２に示す窒化物系半導体の形成方法により、ｎ−ＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ｎ−ＧａＮからなるＧａＮ第２バッファ層３、ｎ−ＧａＮからなる第１ＧａＮ層４およびｎ−ＧａＮからなる第２ＧａＮ層５が順に形成されている。
【０２０７】また、この場合においては、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２がｎ−ＧａＮ電流狭窄層１１１およびｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１１０上に形成されている。ｎ−Ｓｉ基板１Ａの裏面にｎ電極１１３が形成され、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２のリッジ部の上面にｐ電極１１４が形成されている。・・・
【０２１３】第５の発明に係る半導体レーザ素子は、第２の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造された半導体レーザ素子である。この場合について以下に説明する。
【０２１４】第５の発明の一実施例における半導体レーザ素子は、以下の点を除いて、図１１の半導体レーザ素子５００と同様の構造を有する。
【０２１５】この場合、図４および図５に示す窒化物系半導体の形成方法により、図４および図５に示すように、サファイア基板１１上に、アンドープのＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮバッファ層１２およびアンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３が順に形成されている。このＧａＮ層１３上に、図１１の各層１０４〜１１２が形成されている。なお、サファイア基板１１の代わりに、サファイア以外の絶縁体からなる基板を用いてもよい。」
カ　「【０２３５】上記においては、第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子について説明したが、第１〜第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法は、半導体レーザ素子以外の半導体素子、例えば発光ダイオード等の半導体発素子（審決注　「半導体発光素子」の誤記と思われる。）、フォトダイオード等の受光素子、トランジスタ等の電子素子の製造に適用することも可能である。」
キ　「【符号の説明】
１，１１，２１，３１，５１，２０１　サファイア基板
２，１２，４２，５２，５２ａ　ＡｌＧａＮバッファ層
４，４ａ　第１ＧａＮ層
５，５ａ　第２ＧａＮ層
１３，４３，５３　ＧａＮ層
１０４　ｎ−ＧａＮコンタクト層
１０５　ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラック防止層
１０６　ｎ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層
１０７　ｎ−ＧａＮ第１クラッド層
１０８　ＭＱＷ発光層
１０９　ｐ−ＧａＮ第１クラッド層
１１０　ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層
１１１　ｎ−ＧａＮ電流狭窄層
１１２　ｐ−ＧａＮコンタクト層
５００，５０１　半導体レーザ素子」
ク　図４、５、６、１１及び１２は、次のものである。
ケ　上記オ及びキを踏まえて、上記クの図１１をみると、半導体レーザ素子５００は、サファイア基板１から順に、ＡｌＧａＮバッファ層２、第１ＧａＮ層４、第２ＧａＮ層５、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０７、ＭＱＷ発光層１０８、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０９、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２を順に形成し、最上層にｐ電極１１４を形成したものであることが認められる。
（３）甲第３号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第３号証（特開２００２−１６４５７１号公報）には、以下の記載がある。
「【００１４】
【実施例１】アルミナ成分の濃度が２０％のアルミナゾルに、アルミナのシード成分を加え、攪拌機で混合し、粘度を１０センチポアズにした。アルミナのシード成分の作製方法は次のように行った。アルミナのポットミルに高純度のアルミナボールと純水を入れ、３日間回転させた後、液体を１．５万ｒｐｍの遠心分離器にかけた。そしてその上澄み液をアルミナのシード成分として用いた。シードを加えたアルミナゾルをｃ面の平滑なサファイア基板上に、スピンコーターで１５秒間、１５００ｒｐｍの条件で薄く塗布した。これを加熱炉に入れ７０℃で５時間、１２０℃で５時間、２５０℃で３時間、３５０℃で５時間、４５０℃で５時間、６５０℃で３時間、７５０℃で３時間順次加熱処理し、ついで焼結のために、この基板を１２００℃の温度の加熱炉に３分間保持するように、急速加熱し、２００℃／分で急速冷却した。炉から取りだし、１１０℃に加熱した混酸（硫酸：リン酸＝３：１）中で３０分処理し、ついで２３０℃のリン酸に１５分間侵せき後、純水で良く水洗し乾燥した。凸部の平均的大きさは約７５ｎｍ、高さは４０ｎｍであり、ほぼ六角形状で島状的であった。」
（４）甲第４号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第４号証（特開２００１−２６７６９２号公報）には、以下の記載がある。
「【０１７２】また、上記においては基板上にストライプ状の凹凸パターンを形成しているが、基板上に形成する凹凸パターンは、ストライプ状以外であってもよい。さらに、円形、六角形、三角形等の形状を有する複数の凹部または凸部が分散的に形成された基板であってもよい。」
（５）甲第５号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第５号証（特開２００１−１７６８０９号公報）には、以下の記載がある。
ア　「【０１０１】本実施形態にかかる半導体装置の表面を光学顕微鏡により観察したところ、窪み１０４のほぼ中央付近に欠陥が点状になって現れる以外は特に目立った欠陥が見られず、従来の半導体装置と比べて欠陥密度が減少したことが確認できた。
（実施形態４）図１１を参照しながら、本発明による実施形態４を説明する。図１１は、実施形態４にかかる半導体装置に含まれる半導体層２０３の上面構成を模式的に示している。本実施形態は、上記実施形態２の凸起２０４が複数設けられている点が上記実施形態２と異なる。以下では、説明の簡略化のため、上記実施形態２と異なる点を主に説明し、同様の説明は省略または簡略化する。
【０１０２】図１１に示すように、本実施形態にかかる半導体装置は、サファイア基板２０１の上に形成されたＧａＮからなる第１の半導体層２０２（厚さ２．０μｍ）が形成され、その上にＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎからなる第２の半導体層２０３（厚さ１．５μｍ）とを有している。第１の半導体層２０２には、高さ０．５μｍの凸起２０４が複数個形成されている。複数の凸起２０４は、＜１，−１，０，０＞方向（図中、矢印Ｄの方向）および＜１，１，−２，０＞方向（図中、矢印Ｅの方向）に、中心間の距離が１０μｍになるように等間隔に形成されている。上記実施形態２の凸起２０４と同様に、凸起２０４における第１の半導体層２０２の主面に含まれる辺の長さは１．０μｍであり、凸起２０４は、面方位が（１，−１，０，１）、（０，１，−１，１）および（−１，０，１，１）である３枚の側面２０５、２０６および２０７と面方位が（０，０，０，１）である上面２０８とから構成されている。凸起２０４近傍の積層構造については図７と同様である。なお、不図示であるが、サファイア基板２０１と第１の半導体層２０２との間にはバッファ層が形成されている。」
イ　「【０１０７】また、上記実施形態３における窪み１０４の形状を、図１２に示すように正六角形にした構成にしてもよい。さらに、上記実施形態４における凸起２０４の形状を、図１３に示すように正六角形にした構成にしてもよい。
【０１０８】なお、上記実施形態１〜４において、基板１０１または２０１としてはサファイア基板以外の六方晶よりなる基板を用いることができ、例えば、スピネル基板、ＳｉＣ基板またはＧａＮ基板を用いてもよい。
【０１０９】また、上記実施形態１〜４において、第１の半導体層に窪みまたは凸起を設ける代わりに基板１０１または２０１に窪みまたは凸起を設けてもよい。このようにすることによっても、第１の半導体層に窪みまたは凸起を形成することができる。」
ウ　図１１及び１２は、次のものである。
（６）甲第６号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第６号証（特開２００１−９４２１６号公報）には、以下の記載がある。
ア　「【請求項１】第１の窒化物系半導体層または基板からなる下地の表面に島状に点在する複数の凸部からなる凹凸パターンを形成し、前記凹凸パターン上に第２の窒化物系半導体層を形成することを特徴とする窒化物系半導体層の形成方法。・・・
【請求項５】前記複数の凸部が円形または多角形であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物系半導体層の形成方法。
【請求項６】前記多角形は六角形であることを特徴とする請求項５記載の窒化物系半導体層の形成方法。」（特許請求の範囲）
イ　「【００２３】複数の凸部が円形または多角形であってもよい。この場合、円形または多角形の凸部上に六方晶系の第２の窒化物系半導体層がほぼ自然成長するので、第２の窒化物系半導体層の欠陥密度が低減される。
【００２４】多角形は六角形であることが好ましい。この場合、六角形の凸部上に六方晶系の第２の窒化物系半導体層が自然成長するので、第２の窒化物系半導体層の欠陥密度がさらに低減される。」
ウ　「【００５３】図２および図３は六角形のパターン５の２次元配列の例を示す平面図である。図２の例では、複数の六角形のパターン５は直交するα方向およびβ方向に沿って２次元的に配列されている。すなわち、パターン５が最小のピッチＷ2で並ぶのは、α方向とβ方向の２方向である。図２においては、α方向と六角形のパターン５の対角線のうちの１つとが平行になる。」
エ　図２は、次のものである。
（７）甲第７号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第７号証（特開２０００−２１６４９７号公報）には、以下の記載がある。
ア　「【０００８】図８に示すように、サファイア基板上に形成されたＧａＮ系半導体層のａ軸およびｂ軸はサファイア基板のａ軸およびｂ軸に対して３０度ずれている。」
イ　「【００５９】図３はサファイア基板の面方位および酸素とＡｌとの位置関係を示す模式図である。また、図４はサファイア基板の面方位とＧａＮ系半導体層の面方位との位置関係を示す図である。
【００６０】図３において、サファイア基板の面方位は、一般的に白丸印の酸素を格子点として表される。ここで、サファイア基板において、黒丸印のＡｌは最密充填六方格子を構成する酸素の間に位置している。
【００６１】上記の点から、Ａｌによる結晶面は、次のような関係を有する。
（１）Ａｌによる結晶面はｃ軸に関してサファイア基板の結晶面に対して３０°回転方向にずれる。
【００６２】（２）ＡｌによるＭ面は、サファイア基板のＡ面に対応する。
（３）ＡｌによるＡ面は、サファイア基板のＭ面に対応する。
【００６３】サファイア基板上にＧａＮ系半導体層が成長する際の成長初期過程では、最初にサファイアのＡｌに窒素（Ｎ）が吸着する。すなわち、微視的には、サファイア中のＡｌの位置とＧａＮ系半導体層の窒素の位置とがほぼ一致する。そのため、ＧａＮ系半導体層の面方位は、窒素を格子点として表される。したがって、次の関係が得られる。
【００６４】（４）サファイア基板上に成長したＧａＮ系半導体層の面方位は、サファイア基板のＡｌによる結晶面と一致する。
【００６５】図４に示すように、サファイア基板の面方位とそのサファイア基板上に成長したＧａＮ系半導体層の面方位とは次の関係を有する。
【００６６】（５）サファイア基板のＡ面またはＡ面オフ面には、Ｍ面のＧａＮ系半導体層が成長する。ただし、サファイア基板およびＧａＮ系半導体層のｃ軸方向は一致する。
【００６７】（６）サファイア基板のＭ面またはＭ面オフ面には、Ａ面のＧａＮ系半導体層が成長する。ただし、サファイア基板およびＧａＮ系半導体層のｃ軸方向は一致する。」
ウ　図３、４、及び８は、次のものである。
（８）甲第８号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第８号証（特開平１１−４０８４９号公報）には、以下の記載がある。
ア　「【００３３】例えば、ベース基板のなかでもＣ面サファイア基板は、その上に成長するＧａＮ系結晶との間に、ａ軸に関する特殊な関係がある。図３は、Ｃ面サファイア基板上にＧａＮ結晶が成長したときの状態をＣ面方向から見た図であって、サファイア結晶とそのａ軸（ａ1〜ａ3）を一点鎖線で、ＧａＮ結晶とそのａ軸（ａ1〜ａ3）を太線で示しており、Ｃ軸を共通軸として、サファイア結晶とＧａＮ結晶とを重ね合わせて示している。同図に示すように、サファイア結晶上にＧａＮ系結晶をエピタキシャル成長させたとき、サファイア結晶のａ軸に対してＧａＮ系結晶のａ軸は、Ｃ軸を中心に３０°回転した関係となる。」
イ　図３は、次のものである。
（９）甲第９号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第９号証（特開平１０−２７０８０１号公報）には、以下の記載がある。
「【００３６】一般に、化合物半導体の結晶成長方向は、基板１の結晶構造、面方位によって決定される。基板１として６Ｈ−ＳｉＣのようなウルツ鉱構造を有する材料の（００１）面（ｃ面）を用いた場合、基板のａ軸と窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＮのａ軸は完全に一致し、長方形の長辺をこれと直交するように窓を形成すればよい。基板としてサファイアを用いた場合には、サファイアのａ軸に対してＧａＮのａ軸が３０°回転した方向にＧａＮが成長するため、長方形の長辺をサファイア基板の３０°回転するように窓を形成すればよい。」
（１０）甲第１０号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第１０号証（特開平１１−２７４５６８号公報）には、以下の記載がある。
ア　「【００１６】次に、ＧａＮベースのＬＥＤ１１０の断面図である図２を参照する。図１に示す構成要素と同じ機能を果たす図２に示す構成要素には、同じ表示が施されているので、これ以上の説明は行わない。粗面仕上げによって、界面に当たる光を散乱させ、その結果、ＧａＮ／電極／空気、または、エポキシ界面の臨界角より小さい角度で、光の一部が反射するようにする特徴１１８及び１１９が形成される。上部表面の臨界角内に含まれる円錐内に散乱する光は、１１１で示すように、上部表面を通ってＬＥＤから脱出する。浅い角度で散乱する光１１７は、ＧａＮ層の上部表面から反射されて、もう一度基板表面に当たる。この光の一部は、１１２で示すように、ＬＥＤの上部表面からの脱出を可能にする角度で散乱することになる。浅すぎる角度で散乱する光は、もう一度上部表面で跳ね返り、該プロセスが繰り返される。
【００１７】サファイア表面の散乱を生じる特徴は、陥凹部１１９または突出部１１８であり、ＬＥＤによって生じる光のＧａＮにおける波長より大きいか、あるいは、ほぼその程度であることが望ましい。特徴が光の波長よりあまりにも小さいと光は有効に散乱しない。特徴がＧａＮ層の厚さに対し相対的に大きくなると、粗面仕上げによって、ＧａＮの上部表面に欠陥を生じる可能性がある。これらの制限内において、ＬＥＤ表面の特徴を変更しなくても、粗面仕上げによって、光の結合効率が大幅に向上する。」
イ　「【００２１】基板表面の粗面仕上げは、光が基板から出射する幾何学的構造としても有効であることが分かっている。こうした幾何学的構造において、上部電極は反射材料から形成され、上部電極に当たった光が反射して基板に戻される。」
ウ　図２は、次のものである。
（１１）甲第１１号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第１１号証（特開平１０−４２０９号公報）には、以下の記載がある。
ア　「【請求項１】発光素子、該発光素子は以下（ａ）および（ｂ）を含むことを特徴とする、
（ａ）素子、該素子は、以下（ａ−１）ないし（ａ−４）を含む、（ａ−１）基板、（ａ−２）ｐ−ｎ接合領域、該ｐ−ｎ接合領域は複数の層を備え、その部分組をなす複数層の極性が、ｐ−ｎ接合を形成するように逆極性になっており、層の１つが基板に隣接している、（ａ−３）透過性ウインドウ層、該透過性ウインドウ層は前記ｐ−ｎ接合領域に隣接して配置され、及び、（ａ−４）電気接点、該電気接点は前記ｐ−ｎ接合領域に接続し、前記ｐ−ｎ接合に順バイアスをかける働きをする、
（ｂ）主界面であって、該主界面は前記素子内に配置され、少なくとも1つの選択方向において繰り返される特徴によってテクスチャが形成されており、選択された方向のそれぞれにおいて関連する周期性を備えて、光の抽出を増すようになっており、１つの周期内において、少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷を有する断面プロフィールを備える主界面。」（特許請求の範囲）
イ　「【００１２】
【課題を解決するため手段】ＬＥＤの任意のまたは全ての界面における少なくとも１つの次元において周期的な規則的界面テキスチャを備えるＬＥＤによって、第１のパス光の抽出が改善される。界面のパターン形成は、脱出のために素子による多重パスを必要とせずに、より多くの光を周囲に送り込めるように制御される。さらに、規則的なテキスチャ界面によって、光線が周囲に脱出する場合のフレネル損失を減少させることが可能になる。規則的にパターン化されたテキスチャ形成界面は、素子内における光の単一波長に相当する特徴間隔を備えることが可能である。テキスチャ特徴の形状及び寸法は、光の抽出が問題となる用途にとって最適になるように選択される。
【００１３】規則的な制御された界面テキスチャ形成の結果、素子／周囲界面における有効脱出円錐の変化または拡大によって光抽出の利得を向上させることが可能になる。マクロ整形技法に比べると、規則的テキスチャ形成が必要とする製作プロセスはより単純である。ほぼ反射防止コーティングによって反射を最小限に抑えるやり方で、フレネル損失を減少させることが可能である。最後に、第１のパス光に関して、光抽出の利得がすぐに得られ、光は素子内から放出する前に素子構造内において多重パスを繰り返さなくてよい。」
ウ　「【００２６】最適性能に必要な規則的テキスチャ形成の特定の形状、寸法、及び、構成は、用途によって決まる。特徴形状は、円錐状の隆起及び窪みとすることが可能である。典型的な規則的構成は、方形、矩形、または、六角形（ＨＣＰ、Hexagonal Closed Packed ）アレイとすることが可能である。これらの構成が、それぞれ、規則的なテキスチャ形成界面の平面図を示す図５ａ〜５ｃに示されている。周期的間隔は、おそらく、素子内の光の波長と同じか、あるいは、それより短い。テキスチャ形成界面の断面プロフィールは、隆起または窪みによる山と谷を示し、高さまたは深さによって決まるＦＷＨＭ幅（Full-Width-at-Half-Maximum,　最大値の１／２における全幅）のように界面の平面に沿った個々の特徴の範囲も、素子内における光の波長の数倍以下と同等にすることが可能である。隆起または窪みの最大高さまたは深さは、素子内における光の１〜数波長分と同等にすることが可能である。規則的パターンの間隔は、波長によって決まる。従って、界面における電磁位相整合条件を最適に変更して、周囲に伝搬する全パワーを増大させるのは重要である。パターンの局部的特徴の範囲及び深さは、光を透過するための位相条件の変更効率に影響を及ぼす。また、全光学透過及び素子性能を最大にするため、その個々の局部的特徴のサイズ及び／または形状に関して、パターンの周期を少しづつ変化させてチャープを生じさせるか、あるいは、別の変化をつけることが可能である。」
エ　図５ａないしｃは、次のものである。
（１２）甲第１２号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第１２号証（国際公開第０１／４７０３９号）には、以下の記載がある。
ア　「Light extraction of the LED can be increased by providing a textured surface at one of the interfaces of the III-nitride heterostructure. The texturing may be random or ordered. This is illustrated in Figures 13a-c. Figure 13a shows an inverted device employing a sapphire superstrate. The large refractive index mismatch (n〜0.6) between the sapphire superstrate and the III-nitride epitaxial layers results in a large portion of the light generated from the active region to be totally-internally-reflected at the sapphire/III- nitride interface. This light is trapped and guided laterally along the device towards the sides of the die. However, because of the many loss mechanisms present in the III-nitride epi layers and electrodes, most of the waveguided light is lost before escaping the device. In Figure 13b, the interface between the III-nitride heterostructure and the sapphire superstrate is textured in order to scatter light out of the III-nitride layers. This reduces the mean photon path-length within the heterostructure and reduces the effect of internal absorption, thus improving light extraction. A similar effect can be achieved by texturing the bottom surface of the III-nitride heterstructure, or at one of the interfaces within the heterostructure. Multiple interfaces may be textured in combination to further increase light extraction.」（１６頁３〜１８行）
（和訳　ＬＥＤの光抽出は、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造のインタフェースの１つにおいて質感表面を準備することにより増加できる。質感化は、不規則でも規則的でもよい。これは、図１３ａから図１３ｃに示されている。図１３ａは、サファイア上層基板を利用する逆転装置を示す。サファイア上層基板とＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層との間の屈折率の不釣合が大きい（ｎが約０．６）と、活性領域から発生する大部分の光がサファイア・ＩＩＩ族窒化物インタフェースで完全に内部に反射されることになる。この光は捕らえられ、装置に沿って横方向へ、ダイの側面に向かって誘導される。しかし、ＩＩＩ族窒化物エピ層と電極とに存在する多くの損失機構のために、導波光のほとんどは、装置から逃げる前に失われる。図１３ｂにおいて、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とサファイア上層基板との間のインタフェースが、光をＩＩＩ族窒化物層から散乱させるために質感化される。これにより、ヘテロ構造内の平均光子路程長が減少して内部吸収効果が減少し、すなわち、光抽出が改善される。同様な効果は、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造の底面、又は、ヘテロ構造内のインタフェースの１つにおいて質感化することにより達成できる。多くのインタフェースは、光抽出の更なる増大と関連して質感化され得る。）
イ　Ｆｉｇ．１３（ｂ）は、次のものである。
（１３）甲第１３号証の記載
　本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第１３号証「High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy」には、以下の記載がある。
ア　「Ultraviolet(UV) light-emitting diodes(LEDs) with an InGaN multi-quantum-well(MQW) structure were fabricated on a patterned sapphire substrate(PSS) using a single growth process of metalorganic vapor phase epitaxy.」（Ｌ５８３頁９〜１０行）
（和訳　有機金属気相成長法という単一成長プロセスを用い、パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）上にＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する紫外線（ＵＶ）発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成した。）
イ　「Epitaxial layers of UV-LED devices were grown on a patterned sapphire substrate(PSS) by the MOVPE technique under atmospheric pressure using a single growth process.」（Ｌ５８３頁右欄３〜５行）
（和訳　単一成長プロセスを用い、大気圧下においてＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）技術により、パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）上にＵＶ−ＬＥＤデバイスのエピタキシャル層を成長させた。）
ウ　「The flip-chip LEDs were placed on lead frames, and then molded by epoxy resin.」（Ｌ５８４頁左欄１６〜１８行）
（和訳　フリップチップＬＥＤをリードフレーム上に載置した後、エポキシ樹脂により成形した。）
　
２　甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明
（１）上記１（１）によれば、甲第１号証には、上記１（１）アに記載の「半導体基材」及び上記１（１）イないしクに記載の半導体基材及びその作成方法が記載されているから、甲第１号証には以下の発明が記載されているものと認められる。
「基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであり、
　上記基板に凹凸加工した凸部の立上り斜面と基板平面とが成す角度が６０°以上である半導体基材及びその作製方法であって、
　Ｃ面サファイア基板上にフォトレジストのパターニングを行って凹凸加工し、ＧａＮ低温バッファー層を成長し、ｎ型ＧａＮ層を成長し、凸部、凹部両方で成長し、凹凸部を覆い、凹凸部が埋め込まれ平坦化したＧａＮ膜が得られ、
　基板上に成長される半導体層として、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し、その後、電極形成を行い、ＬＥＤ素子とし、
　島状の点在型の凸部、ストライプ型の凸条からなる凸部、格子状の凸部、これらを形成する線が曲線である凸部など凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することができ、
　凹凸加工したストライプの方向はサファイア基板の＜１−１００＞方向とする半導体基材及びその作製方法。」（以下「甲１発明」という。）
（２）上記１（２）によれば、甲第２号証には、上記１（２）アないしエに記載の「窒化物系半導体の形成方法」を用いて製造した上記１（２）オに記載の半導体レーザ素子が記載されているから、甲第２号証には以下の発明が記載されているものと認められる。
「サファイア基板から順に、ＡｌＧａＮバッファ層２、第１ＧａＮ層４、第２ＧａＮ層５、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０７、ＭＱＷ発光層１０８、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０９、ｐ−ＧａＮコンタクト層１１２を順に形成し、最上層にｐ電極１１４を形成した半導体レーザ素子であって、
　Ｃ面を基板表面とするサファイア基板の所定領域には、凹部の幅ｗは、数μｍ〜数十μｍとするのが好ましく、凸部の幅ｂは数百ｎｍ〜数十μｍとするのが好ましい、六角形、三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された凹凸パターンが形成されており、
　（０００１）面を基板表面とするサファイア基板に六角形または三角形の凹凸パターンを形成する場合、各辺が［１-1００］方向または［１１-2０］方向と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成することが好ましく、
　サファイア基板のＣ面に対する凹部側面の角度は、特に限定されるものではなく、例えば、凹部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直であり、
　サファイア基板の凸部上面、凹部底面および凹部側面に、アンドープのＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させ、続いて、ＡｌＧａＮバッファ層１２上に、アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３を成長させ、ＧａＮ層１３の凹部が徐々に埋められていき、ＧａＮ層１３が横方向に成長して、平坦化するまでＧａＮ層１３を成長させる窒化物系半導体の形成方法を用いた半導体レーザ素子。」（以下「甲２発明」という。）
　
３　本件訂正発明１と甲１発明との対比、判断
（１）対比
ア　甲１発明の「半導体基材及びその作製方法」は、「基板上に成長される半導体層として、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し、その後、電極形成を行い、ＬＥＤ素子と」するものであって、窒化物半導体である「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層」からなる発光ダイオードである「ＬＥＤ素子」の「半導体基材及びその作製方法」であるから、「窒化物半導体ダイオードの製造方法」であるといえる。
イ　甲１発明の、「Ｃ面サファイア基板上にフォトレジストのパターニングを行って凹凸加工」する工程は、「島状の点在型の凸部、ストライプ型の凸条からなる凸部、格子状の凸部、これらを形成する線が曲線である凸部など」を施すから、「Ｃ面サファイア基板上に」繰り返し「凹凸部を施」すパターンに形成する工程であるといえる。
　したがって、甲１発明は、本件訂正発明１の、「Ｃ面を主面とするサファイア基板上に凸部を繰り返しパターンに形成する工程」を備える。
ウ　甲１発明は、「Ｃ面サファイア基板上にフォトレジストのパターニングを行って凹凸加工し、ＧａＮ低温バッファー層を成長し、ｎ型ＧａＮ層を成長し、凸部、凹部両方で成長し、凹凸部を覆い、凹凸部が埋め込まれ平坦化したＧａＮ膜が得られ」るものであるから、本件訂正発明１の、「前記基板上に前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とからＧａＮ系半導体を成長させて前記凸部を埋める工程」を備える。
　
　そうすると、本件訂正発明１と甲１発明は、
「Ｃ面を主面とするサファイア基板上に凸部を繰り返しパターンに形成する工程と、
　前記基板上に前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とからＧａＮ系半導体を成長させて前記凸部を埋める工程とを有する窒化物半導体ダイオードの製造方法。」である点で一致し、
　
（ア）本件訂正発明１の「電極」は、「オーミック電極」であって、「上方の前記ＧａＮ系半導体又は下方の前記サファイア基板から光を取り出す」ものであるのに対して、甲１発明の「電極」は、「オーミック電極」であるのか明らかではなく、また、「上方のＧａＮ系半導体又は下方のサファイア基板から光を取り出す」ものであるのか明らかではない点（以下「相違点１」という。）、
（イ）本件訂正発明１の「凸部」は、「基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり」、かつ、「ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有し」、「前記多角形が大略正三角形又は正六角形であ」るのに対して、甲１発明の「凹凸部」は、「島状の点在型の凸部、ストライプ型の凸条からなる凸部、格子状の凸部、これらを形成する線が曲線である凸部など凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することができ」るものであって、「基板に凹凸加工した凸部の立上り斜面と基板平面とが成す角度が６０°以上である」点（以下「相違点２」という。）、及び、
（ウ）本件訂正発明１の「凸部」は、「前記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であることにより、前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したＧａＮ系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋める」ものであるのに対して、甲１発明の「凹凸部」は、「凹凸加工したストライプの方向はサファイア基板の＜１−１００＞方向とする」ものであって、「前記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状」ではなく、また、「Ｃ面サファイア基板上にフォトレジストのパターニングを行って凹凸加工し、ＧａＮ低温バッファー層を成長し、ｎ型ＧａＮ層を成長し、凸部、凹部両方で成長し、凹凸部を覆い、凹凸部が埋め込まれ平坦化したＧａＮ膜が得られ」ることとの関係も明らかではない点（以下「相違点３」という。）、
で相違するものと認められる。
（２）判断
ア　相違点２について検討する。
（ア）本件特許の願書に添付した明細書（本件訂正後のもの。以下「本件特許明細書」という。）の「次に、凹凸の断面形状については、図９に示すように、凸部であれば台形、凹部であれば逆台形であることが好ましい。このような断面形状とすることにより、光の散乱及び回折効率を高めることができる。尚、凹凸の断面形状は、幾何学的に完全な台形又は逆台形である必要はなく、加工上等の理由から角が丸みを帯びていても良い。凹凸側面のテーパ角θは、図９に示すように、凸部であれば上面と側面のなす角をいい、凹部であれば底面と側面のなす角をいう。例えば、テーパ角θが９０°の時に、凹凸の断面が方形となり、１８０°の時に、凹凸が全くない平らな状態となる。半導体層によって凹凸を埋めるためには、凹凸のテーパ角θが少なくとも９０°以上であることが必要である。また、散乱又は回折による出力向上の観点からは、凹凸のテーパ角θが９０°より大きいことが好ましく、望ましくは１０５°以上、より望ましくは１１５°以上とする。一方、凹凸のテーパ角θがあまり大き過ぎると、却って散乱又は回折の効率が低下し、また、半導体層のピットが発生し易くなる。そこで、テーパ角θは、好ましくは１６０°以下、より好ましくは１５０°以下、さらに好ましくは１４０°以下とする。尚、凹凸側面が傾斜している場合、凹凸の大きさと相互の間隔は、基板最表面（＝凸部であれば凸部の底面、凹部であれば基板の平坦面）における長さで定義されるものとする。」（段落【００２５】）の記載によれば、本件訂正発明１の「Ｃ面を主面とするサファイア基板上に凸部を繰り返しパターンに形成する工程」に係る、「前記凸部が、基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり、かつ、前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大きく、１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有し」との構成は、光の散乱・回折による出力向上の観点から定められたものと解される。
（イ）しかるに、甲１発明における「凸部」は、上記１（１）ウの甲第１号証の記載によれば、甲１発明における「凸部」は、基板に凹凸面を具備させることで結晶成長当初からファセット面を形成可能な素地面を予め提供し、この結果基板からＣ軸方向に伸びる転位線がファセット面で横方向に曲げられ、上方に伝播しなくなることで、表面近傍に基板からの転位の伝播がない低転位密度領域を形成することを目的とするものと認められ、かかる「凸部」が、「光を散乱又は回折させる」ものであるとは想定し難いところである。
　そして、甲第１０〜１２号証（上記１（１０）ないし（１２））を見ても、甲１発明における「凸部」が、「表面近傍に基板からの転位の伝播がない低転位密度領域を形成する」と同時に、「光を散乱又は回折させる」ものと解する根拠は見出せないし、かかる構成とすることが、当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても見いだすことができない。
　したがって、甲１発明における「凸部」を、「ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部」とすることが、当業者にとって容易に想到できたとすることはできない。
（ウ）請求人は、「しかしながら、甲１の段落【００３２】には、凸部の立上がり斜面と基板平面が成す角度は６０°以上（テーパ角１２０°以下）とすることが好ましいと記載されていることから、テーパ角が１２０°より大きい場合も含まれていることは明らかである。」（審判事件弁駁書４頁１４ないし１７行）と主張する。
　しかし、上記１（１）カの甲第１号証の記載によれば、「ファセット形成並びにその後の平坦化が実質的に阻害されない」ように、甲１発明の「凸部」は、「基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面が成す角度は、６０°以上（本件訂正発明１の表現に即していえば１２０°以下である。）とすることが好ましく、可及的に直角に近いことが特に望まし」いとしたものと認められ、かかる角度について、「側面が傾斜しており、その側面のテーパ角が１２０°より大きく、１４０°以下」とする理由は見当たらないし、かかる構成とすることが、当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても見いだすことができない。
　したがって、相違点２のその余の構成について検討するまでもなく、甲１発明において、相違点２に係る本件訂正発明１の構成とすることについて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
イ　請求人は、相違点３に関して甲第２号証を挙げて主張する（審判請求書２１ないし２８頁）が、以上の検討によれば、上記相違点１及び３について検討するまでもなく、本件訂正発明１が、甲１発明、甲２発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
第９　むすび
　以上のとおり、本件訂正発明１は、甲１発明及び甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、本件訂正発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しない。
　また、本件訂正発明２ないし４は、本件訂正発明１の特定事項をすべて備え、更に他の特定事項を付加したものであるから、本件訂正発明１と同様の理由により、甲１発明及び甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、本件訂正発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しない。
　したがって、請求人が主張する理由によって、本件訂正発明についての特許を無効とすることはできない。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。