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【事件の表示】
　平成　３年特許願第１４６６４９号「光学機器」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年１２月　１日出願公開、特開平　４−３４５１１５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年５月２２日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１１年３月３１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　「１．光軸方向に移動させることにより変倍を行う第１のレンズと、前記第１のレンズより焦点面側に位置し、光軸方向に移動させることにより少なくとも変倍時での焦点面移動を補正する第２のレンズと、を有し、前記第１のレンズの移動による変倍動作時に合焦を維持するための前記第２のレンズの移動速度がズーム範囲の中央よりワイド側に比べてテレ端側で速くする必要があるレンズ光学系と、前記第１のレンズ及び第２のレンズの位置を検出する位置検出手段と、前記第１のレンズの移動による変倍動作時に、前記位置検出手段からの各レンズの位置情報に基づき前記第２のレンズの移動方向及び移動速度を制御する制御手段を有する光学系において、前記制御手段は、変倍時の前記第１のレンズの位置がズーム範囲の中央よりテレ側の特定の位置を境にして、前記第１のレンズの移動速度を前記特定の位置よりワイド方向側で一定速度とし、テレ側で前記一定速度より遅い速度に制御したことを特徴とする光学機器。」（以下、「本願発明」という。）
２．引用例
　これに対して、原査定における拒絶の理由に引用された、特開平２−１６３７１２号公報（以下、「引用例２」という。）には、
「本実施例のズームレンズは被写体側より正のパワーを持つ固定のレンズ群１、負のパワーを持ち変倍作用を持つバリエータとしての移動レンズ群２、正のパワーを持つ固定のレンズ群３、続いて正のパワーを持ち合焦作用をもつフォーカシングレンズ群としての移動レンズ群４から構成される。」（３頁右上欄９行〜１５行）、
「ズーミングを開始する前、被写体にマニュアルフォーカスあるいはオートフォーカスでピントを合わせたときのバリエータ６の位置をズームエンコーダ８で検知し、フォーカシング系７の位置をフォーカスエンコーダ９で検知し、それぞれの位置情報を被写体距離演算手段１０へ出力する。」（３頁右下欄３行〜８行）、
「ズーミングを開始するとバリエータ６の位置が変化しズームエンコーダ８の出力が変化する。この信号はフォーカス位置演算手段１１へ送られ、変化したズーム位置でピントの合うフォーカシング系７の位置が算出される。」（３頁右下欄１５〜１９行）、
「算出されたフォーカシング系の位置はフォーカス駆動部１２へ伝えられ、モータ１３によってフォーカシング系７が駆動する。
　また、ズーミングをする場合フォーカシング系の位置を算出する時間とモータでフォーカシング系を駆動させる時間が必要なため、電気的にバリエータを動かすいわゆるパワーズームの場合ズーム駆動速度を制御する必要がある。第２図に示されているように特に長焦点側では短焦点側に比べバリエータの移動量に対してフォーカシング系の移動量が大きくなるため、焦点距離に応じたズーム駆動速度の制御が必要である。このパワーズームの場合は第３図中オートＳＷ１４がＯＮになりズームエンコーダ８の出力に応じてズーミング制御部１５がズーム駆動速度を指示する信号をズーム駆動部１６へ供給し、モータ１７によりバリエータを駆動する。」（４頁左上欄１７行〜右上欄１４行）が記載されている。
　さらに、第２図のバリエータの移動量に対してフォーカシング系の移動量が長焦点側で大きくなるのが見て取れる。
　また、同特開平１−３０４４１３号公報（以下、「引用例４」という。）には、
「第１図は、本発明に係るズームレンズ系の断面図である。添番１，２，３，４で撮影光学系を構成する。特に２は光軸に沿って移動することにより変倍を行うバリエーターレンズ群（以後Ｖレンズ群と称す。）４はフォーカシング機能と、Ｖレンズ群の移動により生じる像面の位置ずれを補正する機能とを共有すると共に、最も像面側に位置するリアーリレーレンズ群（以後ＲＲレンズ群と称する。）である。」（２頁右下欄６行〜１４行）、
「第６図Ｂに示す特性図に従って複数のゾーンに分割すると共に、各ゾーンごとに代表となるＲＲレンズ群の代表となる速度を予め設定しマイクロコンピュータに記憶させている。尚ズーミングの際には、Ｖレンズ群２の移動速度が一定であることを前提としている。」（３頁左下欄１８行〜右下欄３行）が記載されている。
３．対比
　そこで、本願発明と引用例２記載の発明とを対比すると、引用例２記載の発明の「移動レンズ群２」又は「バリエータ」、「移動レンズ群４」又は「フォーカシング系」、及び「エンコーダ」は、それぞれ本願発明の「第１のレンズ」、「第２のレンズ」及び「位置検出手段」に相当する。
　してみると、両者は「光軸方向に移動させることにより変倍を行う第１のレンズと、前記第１のレンズより焦点面側に位置し、光軸方向に移動させることにより少なくとも変倍時での焦点面移動を補正する第２のレンズと、を有し、前記第１のレンズの移動による変倍動作時に合焦を維持するための前記第２のレンズの移動速度がズーム範囲の中央よりワイド側に比べてテレ端側で速くする必要があるレンズ光学系と、前記第１のレンズ及び第２のレンズの位置を検出する位置検出手段と、前記第１のレンズの移動による変倍動作時に、前記位置検出手段からの各レンズの位置情報に基づき前記第２のレンズの移動方向及び移動速度を制御する制御手段を有する光学系において、前記制御手段は、焦点距離に応じて変えるように前記第１のレンズの移動速度を制御したことを特徴とする光学機器。」である点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明では、第１のレンズの移動速度を特定の位置よりワイド方向側で一定速度とし、テレ側で前記一定速度より遅い速度に制御しているのに対し、引用例２記載の発明は、第１のレンズの移動速度は焦点距離に応じて変えるように制御している点。
４．判断
  次に、上記相違点について検討する。
　第１のレンズの移動速度の制御として、特定の位置よりワイド方向側で一定速度とすることは、引用例４に、「ズーミングの際には、Ｖレンズ群２の移動速度が一定であることを前提としている。」と記載されている。また、特定の位置よりテレ側で前記一定速度より遅い速度に制御することは、引用例２に「特に長焦点側では短焦点側に比べバリエータの移動量に対してフォーカシング系の移動量が大きくなるため、焦点距離に応じたズーム駆動速度の制御が必要である。」と記載されているから、第１のレンズの移動速度をワイド方向側での一定速度より遅い速度に制御して、テレ側での第２のレンズの移動速度が大きくならないようにすることは、当業者にとって容易に想到しうるものである。
　そして、本願発明の効果も引用例２，４の記載から予測される程度のものにすぎず、格別顕著な効果を奏するものとはいえない。
５．むすび
　したがって、本願発明は上記引用例２，４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　８年特許願第１３７８９５号「半導体製造装置及び薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１２月１２日出願公開、特開平　９−３２０９６１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成８年５月３１日の出願であって、その請求項５に係る発明（以下、「本願第５発明」という。）は、平成１１年５月２４日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項５に記載された次のとおりである。（なお、平成１１年１１月８日付けの手続補正は、却下の決定により却下された。）
「基板上に形成されたシリコン薄膜の表面の自然酸化膜をドライ洗浄により除去する工程と、前記シリコン薄膜にレーザを照射し再結晶化シリコン膜を得る工程とを有し、少なくとも前記各工程を大気にさらすことなく処理を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　原審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−３３３８２３号公報（以下、「引用例４」という）には、
「【実施例】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の一実施例について、図面を参照しながら説明する。図１及び図２は、本発明方法を適用した薄膜トランジスタの製造工程断面説明図である。ガラス基板上に二酸化シリコンをＥＣＲ−ＣＶＤ法により５０００オングストロームの膜厚に堆積して絶縁基板１を形成し、この絶縁基板１にＬＰＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法等により１０００オングストロームの膜厚に非晶質シリコン膜２１を堆積する（図１（ａ））。次にＢＨＦ処理を施し、前記非晶質シリコン膜２１上に形成された自然酸化膜の除去を行なう。次に、図３（ａ）及び（ｂ）に示すようなレーザアニール用のチャンバ５０内に絶縁基板１を挿入する。・・・上記したチャンバ５０の内部を真空に引いた後、チャンバ５０内部と連結されたリモートプラズマ装置６０のプラズマ発生部６３より水素プラズマを導入し、前記絶縁基板１を１０分間水素プラズマに曝すことにより表面処理を行ない、チャンバ内部に絶縁基板１を移動する際に生じた自然酸化膜を完全に還元する（図１（ｂ））。・・・続いて、リモートプラズマ装置６０から水素プラズマを導入したままで、絶縁基板１の非晶質シリコン膜２１の表面に、エキシマレーザ装置５３により発生させたＫｒＦエキシマレーザ光・・・を４５０ｍＪ／ｃｍ２の密度で照射し、レーザアニールを行う（図１（ｃ））。このレーザアニールにより非晶質シリコン膜２１は溶解し、また、水素プラズマ雰囲気中で行なわれるので、冷却される際に結晶化と同時に水素プラズマによるダングリングボンドの水素終端（水素化処理）が行なわれた多結晶シリコン膜２２が形成される（図１（ｄ））。」（第３頁左欄第３５行〜右欄第４４行）が、図１と共に記載されている。
　即ち、上記記載から、引用例４には、
「ガラス基板上に二酸化シリコンを堆積して絶縁基板１を形成し、この絶縁基板１に非晶質シリコン膜２１を堆積する工程。次に、レーザアニール用のチャンバ５０内に絶縁基板１を挿入する工程。次に上記したチャンバ５０の内部を真空に引いた後、水素プラズマを導入し、前記絶縁基板１を水素プラズマに曝すことにより表面処理を行ない、チャンバ内部に絶縁基板１を移動する際に生じた自然酸化膜を完全に還元する工程。続いて、水素プラズマを導入したままで、絶縁基板１の非晶質シリコン膜２１の表面にレーザ光を照射し、レーザアニールを行い、結晶化と同時に水素プラズマによるダングリングボンドの水素終端が行なわれた多結晶シリコン膜２２を形成する工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法。」
が記載されているものと認められる。
　
３．対比・判断
　本願第５発明と、引用例４に記載された発明とを対比すると、本願第５発明の「基板」、「シリコン薄膜」、「自然酸化膜をドライ洗浄により除去する工程」、「再結晶化シリコン」は、それぞれ引用例４に記載された発明の「絶縁基板１」、「非晶質シリコン膜２１」、「絶縁基板１を水素プラズマに曝すことにより表面処理を行い、チャンバ内部に絶縁基板１を移動する際に生じた自然酸化膜を完全に還元する工程」、「結晶化と同時に水素プラズマによるダングリングボンドの水素終端が行なわれた多結晶シリコン膜２２」に相当する。
　また、引用例４に記載された発明では、自然酸化膜を除去する工程、及びシリコン膜にレーザを照射して再結晶化シリコン膜を得る工程のいずれもが、水素プラズマを導入した状態で行われているから、引用例４に記載された発明は、「少なくとも前記各工程を大気にさらすことなく処理を行う」ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法であるといえる。
　
　してみれば、本願第５発明と引用例４に記載された発明は、
「基板上に形成されたシリコン薄膜の表面の自然酸化膜をドライ洗浄により除去する工程と、前記シリコン薄膜にレーザを照射し再結晶化シリコン膜を得る工程とを有し、少なくとも前記各工程を大気にさらすことなく処理を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
である点で一致すると認められる。
　従って、本願第５発明と、引用例４に記載された発明は同一である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項５に係る発明は、上記引用例４に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　３年特許願第２５０６５８号「交通情報提示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　４月　９日出願公開、特開平　５−　８８６１１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明の要旨
　本願は、平成３年９月３０日の出願であって、その発明の要旨は、補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された通りのものと認められ、その請求項１には以下のとおり記載されている。
「地図情報の集合である地図情報群を記憶する地図情報記憶手段と、この地図情報記憶手段に記憶されている任意の２地点間に経路を設定する経路探索手段と、前記経路に関わり関係記述子と主格項と目的項と必要に応じて修飾項を備えた特徴命題の集合である特徴命題群を抽出する経路特徴命題抽出手段と、前記特徴命題群から少なくとも地点名と地点間の相対的位置関係を示す特徴命題を選択する特徴命題選択手段と、前記特徴命題選択手段によって選択された特徴命題にしたがい実際の距離に依存することなく地点間の相対的位置関係を示し前記修飾頃がある場合は前記修飾項を表示する略地図を描画する命題表現手段とを備えたことを特徴とする交通情報提示装置。」
　
２．引用刊行物
　これに対して、当審の拒絶理由通知で引用した特開昭５８−２６２１４号公報（以下「引用刊行物」と言う）には、
　（１）出発地から目的地までの経路情報をあらかじめ入力する入力装置と、この入力装置の記憶信号および走行距離情報を入力して記憶・演算する演算装置と、この演算装置により各地点での右折、左折、直進等の情報を走行体の進行に応じてドライバーに知らせる報知装置とを備えた走行情報装置。
　（２）前記入力装置は出発点から経由点Ｖ1までの距離、方向と経由点Ｖ1での右折、左折、直進情報が入力され、経由点Ｖ1から経由点Ｖ2までの距離、方向と経由点Ｖ2での右折、左折、直進情報が入力され、同様に経由点Ｖ3、Ｖ4、・・・、Ｖｎおよび目的までの距離、方向、右折、左折、直進等が入力され、前記報知装置はディスプレイであって出発地から目的までの概略地図が映出される特許請求の範囲第（１）記載の走行情報装置。（特許請求の範囲の記載）
が記載されている。そして、引用刊行物第２頁上右欄１２行〜下左欄６行に（１）出発点Ｓから経由地Ｖ1までにおいて、距離Ｌ1＝0.3Km（キロメートル）、包囲Ｄ1＝東、経由地Ｖ1で「左折」のデータを入力する。（２）経由地Ｖ1からつぎの経由地Ｖ2までにおいて距離Ｌ2＝1.0Km、方向Ｄ2＝北東、経由地Ｖ2で「直進」するデータを入力する。等が記載されている
　
　本願明細書の［００３７］及び［００３８］項で、図１４は図１３に対応する特徴命題の一例であるとし、「さらに項番２０は、「地点ｂは地点ｃと15Kmの距離を持つ。」という距離を表す命題である。」とし、第１４図の項番２０には「関係記述子」「主格項」「目的項」「修飾項」が各々、「距離を持つ」「地点ｂ」「地点ｃ」「15Km」であることが記載されている。該記載より、引用刊行物第２頁上右欄１２行〜下左欄６行の、例えば（２）の「経由地Ｖ1からつぎの経由地Ｖ2までにおいて距離Ｌ2＝1.0Km、方向Ｄ2＝北東、経由地Ｖ2で「直進」するデータ」の、「経由地Ｖ1」「経由地Ｖ2」「距離Ｌ2＝1.0Km」が各々本願で言うところの「主格項」「目的項」「修飾項」に相当する。また、入力される情報は距離が0.1Km単位、方向は「東」、あるいは「北東」という概略のみであり、これら情報から映出されるものは略地図（引用刊行物第４図）であるから、結局引用刊行物には以下のものが記載されていることとなる。
「地図情報の集合である地図情報群を記憶する地図情報記憶手段と、経路に関わり関係記述子と主格項と目的項と必要に応じて修飾項を備えた特徴命題の集合である特徴命題群を抽出する経路特徴命題抽出手段と、前記特徴命題群から少なくとも地点名と地点間の相対的位置関係を示す特徴命題を選択する特徴命題選択手段と、前記特徴命題選択手段によって選択された特徴命題にしたがい地点間の略地図を描画する命題表現手段とを備えたことを特徴とする交通情報提示装置。」
　
３．対比、判断
　本件請求項１記載の発明（以下「前者」と言う）と引用刊行物記載のもの（以下「後者」と言う）を比較すると、以下の２点で相違しその余に実質的な差異は認められない。
　相違点１　前者は、地図情報の集合である地図情報群を記憶する地図情報記憶手段と、この地図情報記憶手段に記憶されている任意の２地点間に経路を設定する経路探索手段を有しており、該経路探索手段の出力に基づいて略地図を描画しているのに対して、後者では任意の２地点間（出発地と目的地）の地図情報群を入力手段により直接入力し記憶している点。
　相違点２　表示する略地図は、前者では「実際の距離に依存することなく地点間の相対的位置関係を示」すものであるのに対して、後者の略地図は地図情報中の距離データと方向に基づいて描かれている点。
　相違点３　前者は、修飾頃がある場合は前記修飾項を略地図に表示しているのに対して、後者では、ルートを表示するのみで距離あるいは地名等、本願で言うところの修飾頃に相当するものは表示していない点。
　
　上記各相違点を検討する。
　相違点１に関して、当審の拒絶理由通知で提示した、特開昭６３−２７１１１０号公報あるいは特開昭６３−２７１１０９号公報に示されるように、交通情報提示装置において、予め地図情報記憶手段に地図情報の集合である地図情報群を記憶しておき、出発地と目的地として任意の２地点を指定することにより、地図情報記憶手段より該２地点間の経路を探索し、その結果に基づいて概略図当を表示することは周知の技術である。してみれば、同じ車両用の交通情報提示装置である引用刊行物記載のものにおいて、キーボードより出発地から目的地までの地図情報を入力する形態に変えて、地図情報の集合である地図情報群を記憶する地図情報記憶手段と、この地図情報記憶手段に記憶されている任意の２地点間に経路を設定する経路探索手段を備え、該経路探索手段により出発地から目的地までの地図情報を得る構成とすることに格別の技術力を要するとは認められない。
　相違点２に関して、道路標識等、道路案内用の地図の形態として、各地点間の距離の関係を無視し、それら地点の相対的位置関係のみを表示することは広く行われていることであり、本願発明において表示すべき略地図を「実際の距離に依存することなく地点間の相対的位置関係を示」すものとした点に格別のものは認められない。
　相違点３に関して、先に示した特開昭６３−２７１１１０号公報、あるいは原審において提示された特開昭６２−９５７００号公報に示されるように、車両用の交通情報提示装置において表示さている地図に距離、道路名等の情報を付加することは周知の技術である。してみれば、引用刊行物記載のものにおいて、修飾頃として有している情報を表示する概略地図に付加して表示する構成とした点に格別のものは見いだせない。
　
４．結び
　以上のとおり、本願の特許範囲の請求項１に記載された発明は、引用刊行物に記載されたもの、および周知の技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成６年特許願第１１９５０９号「アンチトロンビン調製物およびその調製方法」拒絶査定に対する審判事件［平成６年１１月２２日出願公開、特開平６−３２１９９４、平成７年１２月１３日出願公告、特公平７−１１６２３６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．出願の経緯及び本願発明
　本願は、昭和62年7月10日（パリ条約による優先権主張、1986年7月11日、米国）を出願日とする特願昭62-171330号を原出願として、特許法第44条第１項の規定により平成6年5月9日に新たな特許出願としたものであって、原審において、平成7年8月8日に出願公告されたところ、特許異議申立があり、その特許異議決定の理由によって拒絶査定されたものであって、本願発明の要旨は、出願公告後の平成9年5月26日付け手続補正書によって補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1に記載された次の通りのものと認める。
　
【請求項１】活性ウイルスを実質的に含有せず、不活性化されたアンチトロンビンを実質的に含有せず、そして総アンチトロンビン蛋白質の1ｍｇにつき少なくとも約6国際単位の活性アンチトロンビンの活性を有する活性アンチトロンビンを含むことを特徴とする高度に精製されたアンチトロンビン調製物。
　
II．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由で引用された、Thrombosis and Haemostasis, Vol.54, No.1, p.90 (1985.7.14)のP531の項目（原審の異議決定における甲第1号証）（以下「引用例１」という）には、「低温殺菌されたAT-IIIの精製」という題目で、
「数件の報告において、0.5Ｍクエン酸ナトリウムの存在下60℃、10時間での低温殺菌の過程で生じたAT-IIIの変性が注目されている。これらの変性は、我々が明らかにするように、低温殺菌された生成物を固体支持体に結合されたヘパリンを用いるアフィニティー・クロマトグラフィーで精製すると除去することができるか、あるいは少なくとも減らすことができる。
　我々が開発したバッチ式精製法はヘパリン−アガロースの使用を基礎とするものである。低温殺菌されたAT-IIIがかけられると、得られた生成物は非低温殺菌AT-IIIと同一の純度、比活性および交差（ヘパリン）免疫電気泳動特性を示す。この方法は純粋なAT-III（比活性が5より大きい）に、あるいはまた親和性による最終精製を実施する前に例えばAl(OH)3による部分精製生成物に適用し得る。この後者の代替法によって、方法を長びかせることなく、低温殺菌法によって変性したAT-III分子を除去するという有利な点が提供される。」
と記載されている。
　ここで、「AT-III」とは、本件明細書にも記載されているように、本件の「アンチトロンビン」と同義語である（公告明細書の段落【0002】）。
　
　また、同じく原査定の拒絶理由で引用された、British Journal of haematology, Vol.55, p.37-46（原審の異議決定における甲第6号証）（以下「引用例2」という）には、4種類のアンチトロンビン(At III)調製物の活性を測定した結果、Ｑ社の調製物が比活性6.3iu／mgであったことが記載されている（第39頁 Table I）。
　
III．対比・判断
　そこで、本願発明（以下「前者」という。）と引用例1に記載された方法により得られた「生成物」（以下「後者」という。）を対比すると、両者はともに「60℃の溶液温度で10時間」という処理（以下「低温殺菌」という。）でウイルスを不活化しているものであるから、両者は「活性ウイルスを実質的に含有せず」という点で一致する。
　次に、前者の「不活性化されたアンチトロンビンを実質的に含有せず」という点は、「ヘパリン−セファロースのカラム」（公告明細書の段落【0012】）を用いた分離工程によって得られるものである。一方、後者においても、固体支持体に結合されたヘパリンを用いるアフィニティー・クロマトグラフィーで精製しているから、その精製法において両者に差異はなく、しかも、後者において得られる「生成物」は「非低温殺菌AT-IIIと同一の純度」であると、即ち、低温殺菌により生じた不純物は含まれない、低温殺菌前のものと同一の純度であると記載されているから、両者はともに「不活性化されたアンチトロンビンを実質的に含有しないもの」である点でも一致する。
　
　そして、前者の「総アンチトロンビン蛋白質の1mgにつき少なくとも約6国際単位の活性アンチトロンビンの活性を有する活性アンチトロンビンを含む」という点について検討すると、後者は、「この方法は純粋なAT-III（比活性が5より大きい）に、・・・適用し得る。」と記載するのみであって、総アンチトロンビン蛋白質の1mgにつき少なくとも約6国際単位の活性アンチトロンビンの活性を有するアンチトロンビンを含むことが明記されていない点で相違する。
　
　そこで、この相違点について検討する。
　上記した引用例2に記載されているように、比活性が6国際単位／mg以上のアンチトロンビン（AT-III）は、本件優先日前に既に広く知られているものである。
　そして、引用例1には低温殺菌したものにヘパリンーアガロース精製を行って得られた生成物は、低温殺菌を行わなかったAT-IIIと同一の純度、比活性を有すると明記されているから、引用例2に記載のAT-IIIを原料として選択し、ウイルス不活化及び精製処理を行うことにより得られた「生成物」の比活性は当然に6国際単位以上である。
　そして、引用例1の方法において、原料として使用できるアンチトロンビンは特に限定されているものではないから、引用例2に記載の高い比活性を有するものを原料として、引用例1に記載の精製処理を行う程度のことは当業者が必要に応じてなし得る事柄である。
　
　一方、そのようにして得られる「生成物」が本件発明の目的物と同様の効果を有することが当然に予測しうることであることであることは、先に述べたとおりである。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本願の特許請求の範囲の請求項1に記載された発明は、上記引用例１及び引用例2に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　２年特許願第２１４１４３号「半導体メモリ」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　３月２７日出願公開、特開平　４−　９６３６４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成２年８月１３日の出願であって、その発明の要旨は、平成１１年２月１２日付及び平成１１年７月１２日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１及び２に記載されたとおりの「半導体メモリ」にあるものと認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。
　「トランジスタと容量素子とでメモリセルが構成されている半導体メモリにおいて、
　WN膜が前記容量素子の記憶ノードの少なくとも一部になっており、
　前記容量素子の誘電体膜がSi３N４膜を有し且つ前記WN膜を覆っている半導体メモリ。」
（引用例）
  原審における拒絶の理由において引用された特開昭６３−１６０２６５号公報（以下、引用例という。）には、「第１図は、本実施例によるダイナミックＲＡＭの断面図である。第１図に示すように、本実施例によるダイナミックＲＡＭにおいては、例えばｐ型シリコン基板のような半導体基板１の表面に例えばSiO２膜のようなフィールド絶縁膜２が設けられ、これによって素子間分離が行われている。このフィールド絶縁膜２で囲まれた活性領域の表面には、例えばSiO２膜のようなゲート絶縁膜３が設けられ、このゲート絶縁膜３上に、例えば多結晶シリコン膜４，例えばモリブデンシリサイド膜のような高融点金属シリサイド膜５及び例えばSiO２膜のような絶縁膜６が順次設けられている。これらの多結晶シリコン膜４及び高融点金属シリサイド膜５により、ポリサイド構造のワード線Ｗ１，Ｗ２が構成されている。・・・これらの絶縁膜６，ワード線Ｗ１，Ｗ２及びゲート絶縁膜３の側面には、例えばSiO２膜のような絶縁物から成るスペーサ７が設けられている。また、前記半導体基板１中には、前記ワード線Ｗ１，Ｗ２に対して自己整合的に例えばｎ＋型の半導体領域８，９が設けられている。そして、これらの半導体領域８，９をそれぞれソース領域及びドレイン領域とし、前記ワード線Ｗ１をゲート電極とするＭＩＳＦＥＴにより、アクセストランジスタＴが構成されている。・・・符号１０は、例えばタングステンシリサイド（WSi２）膜、モリブデンシリサイド膜、タンタルシリサイド（TaSi２）膜、チタンシリサイド（TiSi２）膜等の高融点金属シリサイド膜であって、これは前記半導体領域９に接続されている。この高融点金属シリサイド膜１０により、後述のキャパシタＣの下層の電極（蓄積ノード）が構成されている。・・・また、前記高融点金属シリサイド膜１０の表面には、例えばSiO２/Si３N４/SiO２の三層構造の絶縁膜１１が設けられ、この絶縁膜１１上に例えば多結晶シリコン膜から成るプレート１２が設けられている。そして、このプレート１２と前記高融点金属シリサイド膜１０との間に絶縁膜１１を挟んだ構造により、スタックトキャパシタＣが構成されている。このスタックトキャパシタＣと前記アクセストランジスタＴとにより、スタックトキャパシタ型セルが構成されている。」（第２頁左下欄第１３行〜第３頁右上欄第１４行）が第１図と共に記載されている。第１図から、キャパシタＣを構成する絶縁膜１１が高融点金属シリサイドからなる蓄積ノード１０を覆っていることは明らかである。してみると、上記引用例には、アクセストランジスタＴとスタックトキャパシタＣとでスタックトキャパシタ型セルが構成されているダイナミックＲＡＭにおいて、高融点金属シリサイド膜が蓄積ノード１０となっており、スタックトキャパシタＣの絶縁膜１１が例えばSiO２/Si３N４/SiO２の３層構造を有し且つ前記高融点金属シリサイド膜からなる蓄積ノード１０を覆っているダイナミックＲＡＭが記載されているものと認められる。
（対比）
  次に、本願第１発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「アクセストランジスタＴ」、「スタックトキャパシタＣ」、「スタックトキャパシタ型セル」、「蓄積ノード１０」、「絶縁膜１１」及び「ダイナミックＲＡＭ」は本願第１発明の「トランジスタ」、「容量素子」、「メモリセル」、「記憶ノード」、「誘電体膜」及び「半導体メモリ」に相当するから、本願第１発明と上記引用例記載の発明とは「トランジスタと容量素子とでメモリセルが構成されている半導体メモリにおいて、容量素子の誘電体膜が記憶ノードを覆っている半導体メモリ」の点で一致するが、以下の点で相違するものと認められる。
（１）記憶ノードが、本願第１発明がWN膜からなっているのに対して、上記引用例記載の発明が高融点金属シリサイド膜からなっている点。
（２）容量素子の誘電体膜が、本願第１発明においてはSi３N４膜からなっているのに対して、上記引用例記載の発明においては例えばSiO２/Si３N４/SiO２の三層構造からなっている点。
（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
  相違点（１）について、強誘電体素子ではあるが、電極膜としてWN膜を用いることは特開平２−１８４０７９号公報に示すように周知であり、上記引用例記載の発明における記憶ノードすなわち容量素子の下部電極として高融点金属シリサイド膜に替えて上記周知のWN膜を用いることに格別の創意工夫を必要としない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　相違点（２）について、容量素子の誘電体膜としてSi３N４を用いることは特開平１−１４３３５０号公報に示すように周知であり、上記引用例記載の発明において容量素子の誘電体膜としてSiO２/Si３N４/SiO２の三層構造からなる膜に替えて上記周知のSi３N４膜を用いることに格別の創意工夫を必要としない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　なお、本願第１発明の効果とするところも当業者の予測の範囲を出るものではない。
（むすび）
  本願第１発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　　平成　３年特許願第　１６８９６号「管体の水圧試験装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　８月２５日出願公開、特開平　４−２３６３３７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願は、平成３年１月１８日の出願であって、その発明は、補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「適用すべき管体内に搬入し得る環状基体の両側に管体に対する支持手段を配設すると共に該環状基体内にベース部体を設けて配管設定域を形成し、前記環状基体の周側に配設した複数個の操作シリンダーに前記管体の内面にそって設けられ内腔の両側にリップ部を対設した一連のリング状シール材を管体内面に圧接する押え板をそれぞれ配設し、前記シール材に内腔を形成すると共に該内腔に開口した加圧水供給管とエアー抜き管を前記基体に設け、前記エアー抜き管には開閉手段を設けたことを特徴とする管体の水圧試験装置。」
　
２．一方、原査定の拒絶理由に引用された実願昭６２−１９５４６０号（実開平１−９９０３７号）のマイクロフィルム（以下「引用例１」という）には、第２図とその説明からみて、
「診断対象の管２１の中を管軸心方向に走行自在な台車２３と、この台車２３に支持され、管内面との間に環状の閉塞された充水空間２７を形成し管の半径方向に拡縮自在なテストバンドＣと、テストバンドＣを管半径方向に拡張させるとともに管内面に圧接させる押圧装置Ｄとを備えたテストバンド装置２２において、
　前記テストバンドＣは、周方向で複数に分割形成された円弧鋼板２５とその外側に設けられた一部が止水壁２８の環状のゴム板２６とから成り、充水空間２７には第２給配水管３８とエア抜管４０とを連通し、エア抜管４０には電磁バルブ３６を設け、
　前記押圧装置Ｄは、鋼製フレーム２４と環状の弾性体２９とから成り、弾性体２９には第１給配水管３４を連通するようにした、テストバンド装置。」が記載されている。
　同じく引用された特開昭６１−１７２０２９号公報（以下「引用例２」という）には、
「傾斜配管１の内部を走行可能な、フレーム７及び車輪８を有する台車６と、前記台車６に、管継手部２における受口挿口間の内面を密閉可能なテストバンド９と、このテストバンド９により形成された密閉空間１９内に水圧試験用の加圧水を供給可能な加圧水供給装置２３とを設けた管継手部２の水圧試験装置において、
　前記テストバンド９は、配管１の内面に沿った環状に形成されて、フレーム７に取付けられた複数のシリンダ１０の拡径付勢力により管継手部２の内面に押圧され、その外側には両端に環状突片１８が形成された環状のシール材１７が装着され、下端部には密閉空間１９内に連通する加圧水供給管２０が取付けられ、上端部にはやはり密閉空間１９内に連通する、空気抜きバルブ２２付きの空気抜き管２１が取付けられる、水圧試験装置。」が記載されている。
　
３．本願の発明は、いずれの引用例に記載された発明に対しても多くの共通点があるが、とりあえず、引用例１に記載された発明と比較する。
　まず、本願の発明における「ベース部体」について、請求人の平成１２年７月６日のファックスによる釈明によれば、特別な構成が別途存在するわけではない。
　引用例１のものにおいて、「鋼製フレーム２４」は第２図からみて環状であるから本願の発明の「環状基体」に相当し、「鋼製フレーム２４」の内部は空間であり、第１、第２の給配水管３４，３８等が配置されているので配管設定域が形成されている。また、台車２３にはその両側に支持手段があることも自明である。さらに、引用例１のものの「充水空間２７」、「止水壁２８」、「環状のゴム板２６」、「円弧鋼板２５」、「第２給配水管３８」、「エア抜管４０」、「電磁バルブ３６」は、それぞれ本願の発明の「内腔」、「リップ部」、「リング状シール材」、「押え板」、「加圧水供給管」、「エアー抜き管」、「開閉手段」に相当する。
　してみると、本願の発明も引用例１に記載された発明も、
「適用すべき管体内に搬入し得る環状基体の両側に管体に対する支持手段を配設すると共に該環状基体内にベース部体を設けて配管設定域を形成し、前記環状基体の周側に配設した操作部に前記管体の内面にそって設けられ内腔の両側にリップ部を対設した一連のリング状シール材を管体内面に圧接する押え板をそれぞれ配設し、前記シール材に内腔を形成すると共に該内腔に開口した加圧水供給管とエアー抜き管を前記基体に設け、前記エアー抜き管には開閉手段を設けたことを特徴とする管体の水圧試験装置。」の点で一致することは明らかである。
　しかし、本願の発明では、操作部が「複数個の操作シリンダー」であるのに対して、引用例１のものでは、それが「環状の弾性体２９」である点で相違している。
　
４．次に、前記相違点について検討する。
　操作部は、リング状シール材を管体内面に圧接するためのものであり、このような操作部を複数個の操作シリンダーとすることは引用例２に示されており、引用例１の環状の弾性体２９を複数個の操作シリンダーに代えることは容易に為し得るものと認める。
　そして、本願の発明における管体の変形条件下でも円滑に試験を行うことができるという効果は、引用例１，２の場合も同じでり、また、本願の発明の他の効果も、引用例１，２に記載された発明から予測し得る範囲内のものと認める。
　
５．以上のとおりであるから、本願の発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　１年特許願第２２７５７８号「カメラのファインダー及びそのファインダーに使用されるファインダー内表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年　４月１７日出願公開、特開平　３−　９１７３０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１年９月４日の出願であって、その請求項３に係る発明は、平成１１年５月２１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
「３．被写体側から観察者側へ順に、
　対物レンズと、
　ゲスト・ホスト型液晶表示素子と、
　接眼レンズと
　を有し、前記対物レンズ及び接眼レンズのうちの少なくとも一方が、紫外線吸収剤が添加された材料で構成されているレンズ素子を含むこと
　を特徴とするカメラのファインダー。」（以下、「本願請求項３に係る発明」という。）
２．引用例
　これに対して、原査定における拒絶の理由に引用された、実願昭５４−４４３２５号（実開昭５５−１４４３２９号）のマイクロフィルム（以下、「引用例１」という。）には、
　「本考案は、ビデオカメラ、８ミリカメラ、スチールカメラ等におけるフアインダ装置に関する。」（１頁１４行〜１５行）、
　「１はビデオカメラであり、レンズ２，３，４，５、ハーフミラー６及びミラー７と、撮像管８とを有する。これらは周知のものであり、入射光はレンズ２を介してハーフミラー６に至り、該ハーフミラーで分けられた一方の光はレンズ３を経て撮像管８に至り、撮像面に結像される。他方の光はミラー７、レンズ４，５を経てフアインダののぞき窓９に至り、目１０に入る。１１は上記のミラー７を経た光の結像位置に配設された液晶体である。」（２頁１５行〜３頁４行）、第１図、第２図が記載されている。
　次に、同実願昭５５−１３０９６号（実開昭５６−１１５１２３号）のマイクロフィルム（以下、「引用例３」という。）には、
　「本考案の目的はゲストホスト液晶表示体に紫外線吸収効果を持つ透明膜を塗布する事により、ゲストホスト液晶表示体の直射日光下での劣化を防ぐ事にある。本考案の他の目的は薄型のゲストホスト液晶表示装置を構成する事にある。」（３頁１６行〜４頁１行）が記載されている。
　また、同特開昭６０−２３４０８号公報（以下、「引用例６」という。）には、
　「また本発明の樹脂組成物はＡ構造単位およびＢ構造単位の他に、その耐候性および耐光性を向上させるために紫外線吸収剤を０．０３〜３．０重量部％含有することが好ましい。」（３頁左下欄６行〜９行）、
　「従って本発明の樹脂組成物は無機ガラスとほぼ同様な用途に使用でき、特に顕微鏡、カメラ、メガネのレンズ或いはプリズム、防塵ガラス、風防ガラス等のガラスに好適に使用できる。」（２頁左下欄１４行〜１７行）が記載されている。
３．対比
　そこで、本願請求項３に係る発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明の「レンズ２」、「液晶体」及び「レンズ５」は、それぞれ本願請求項３に係る発明の「対物レンズ」、「液晶表示素子」及び「接眼レンズ」に相当する。
　してみると、両者は「被写体側から観察者側へ順に、対物レンズと、液晶表示素子と、接眼レンズとを有したカメラのファインダー。」である点で一致し、次の点で相違する。
　本願請求項３に係る発明では、液晶表示素子がゲスト・ホスト型であり、対物レンズ及び接眼レンズのうちの少なくとも一方が、紫外線吸収剤が添加された材料で構成されているレンズ素子を含んでいるのに対し、引用例１記載の発明は、液晶の型が明示されておらず、対物及び接眼レンズを紫外線吸収剤が添加された材料で構成することも明示されていない点。
４．判断
  次に、上記相違点について検討する。
　液晶表示素子としてゲスト・ホスト型液晶表示素子を用いる点は引用例３に記載されており、さらに、液晶表示素子の劣化を防ぐために紫外線吸収効果を有する膜（部材）を光路中に配置することも記載されている。そして、同引用例に液晶表示素子に対する入射光の紫外線を遮断するという課題及び解決手段が記載されていることから、紫外線吸収効果を有する部材とともにゲスト・ホスト型液晶表示素子を引用例１のカメラのファインダーの液晶体として使用することは当業者が容易に想到し得る程度のことである。また、引用例６のような紫外線吸収剤を含有したレンズをカメラに用いることは周知であるから、紫外線吸収効果を有する部材として、対物レンズ及び接眼レンズのうちの少なくとも一方のレンズ素子を紫外線吸収剤を含有するレンズ素子とすることは当業者が適宜採用しうる単なる設計事項にすぎない。
　そして、本願請求項３に係る発明の効果も引用例１，３及び６の記載から予測される程度のものにすぎず、格別顕著な効果を奏するものとはいえない。
５．むすび
　したがって、本願請求項３に係る発明は上記引用例１，３及び６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第１４７０４５号「光半導体素子の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年１２月２４日出願公開、特開平　５−３４３８０８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１，本願発明
　本願は、平成４年６月８日の出願であって、その請求項１ないし２に係る発明は、平成１１年５月２８日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「半導体基板上に、リッジ側面が（１１１）Ｂ面となるように活性層を含む半導体層をエピタキシャル成長する工程と、該リッジの上面をストライプ状マスクで覆い、有機金属気相成長法により前記リッジ側面の両脇に選択的に電流ブロック層を形成する工程と、を少なくとも有する光半導体素子の製造方法。」　
２，引用例記載の発明
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された、この出願前頒布された刊行物１：特開平３−２２５８２号公報には、半導体レーザの製造方法に関し、
「第１図（ｂ）に示すように、開口３内に表出する化合物半導体基板１表面に、ｎ型ＩｎＰから成るバッファ層６，ノンドープのＩｎＧａＡｓＰから成る活性層７およびｐ型ＩｎＰから成るクラッド層８を選択的にエピタキシャル成長させる。」（３頁右上欄１２〜１７行）、
「大きな禁制帯幅（Ｅｇ）を有するバッファ層６およびクラッド層８と、これらにより挟まれた小さな禁制帯幅（Ｅｇ）を有する活性層７から成るストライプ状のメサが形成される。・・・上記エピタキシャル成長は、（１００）面における速度に比べて（１１１）Ｂ面における速度が極めて遅いため、上記メサは、（１１１）Ｂ面が表出した側壁に囲まれた構造となる。」（３頁左下欄６〜１５行）、
「次いで、周知のスライドボート法等の液相成長法を用いて、化合物半導体基板１表面に・・・ｐ型不純物を含有するＩｎＰから成る電流狭窄層１０をエピタキシャル成長させる。・・・（１１１）Ｂ面が表出しているメサの側壁部に垂直方向にもＩｎＰ層の成長が行われるため、電流狭窄層１０はメサの頂上から前記平坦部までなだらかに傾斜した断面構造となる。次いで、同様の液相成長法を用いて、電流狭窄層１０上に、・・・ｎ型不純物を含有するＩｎＰから成る電流ブロック層１１をエピタキシャル成長させる。」（４頁左上欄２〜１４行）と記載されている。　
　上記によれば、刊行物１には、
「化合物半導体基板１表面に、活性層を含む半導体層をエピタキシャル成長させて、メサを（１１１）Ｂ面が表出した側壁に囲まれた構造となるように形成する工程と、液相成長法により前記メサの頂上から平坦部に電流狭窄層と電流ブロック層をエピタキシャル成長させる工程と、を少なくとも有する半導体レーザの製造方法」の発明が記載されている。
　
３，当審の判断
　そこで、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）と刊行物１記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比すると、
　引用発明の「化合物半導体基板」、「メサを（１１１）Ｂ面が表出した側壁に囲まれた構造となるように」、「メサの頂上から平坦部」、「電流狭窄層と電流ブロック層」及び「半導体レーザ」は、本願発明の「半導体基板」、「リッジ側面が（１１１）Ｂ面となるように」、「リッジ側面の両脇」、「電流ブロック層」及び「光半導体素子」にそれぞれ相当する。
　したがって、両者は、
「半導体基板上に、リッジ側面が（１１１）Ｂ面となるように活性層を含む半導体層をエピタキシャル成長する工程と、前記リッジ側面の両脇に電流ブロック層を形成する工程と、を少なくとも有する光半導体素子の製造方法。」の発明で一致し、下記の点で相違する。
  相違点：電流ブロック層を、本願発明は、リッジの上面をストライプ状マスクで覆い、有機金属気相成長法により選択的に形成するのに対し、引用発明は、液相成長法により形成する点。
　上記相違点につき検討する。
　半導体素子の分野において、メサの上面をストライプ状のマスクで覆い、メサの両脇に電流狭窄のためのブロック層を有機金属気相成長法により選択的に形成することは、従来周知（特開平４−１０６９９１号公報、特開平４−１００２９１号公報及び特開平１−１８９１８５号公報参照）の技術である。
　そして、薄膜結晶成長法として、液相成長法及び有機金属気相成長法は共に周知であるから、引用発明において、電流ブロック層を形成するのに、液相成長法に代え、上記従来周知の有機金属気相成長法を採用することは当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、本願発明の「活性領域外への電流漏れが防止できる優れた電流狭窄構成の光半導体素子が実現できる」という効果は、引用発明及び従来周知の技術から当業者が予想できる程度のものであり、格別ということはできない。
４，むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　４年特許願第２３４２６２号「光ケーブル式観測システム」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　３月　４日出願公開、特開平　６−　６０２８８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成４年８月１０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１０年８月２４日付け手続補正書で補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　
【請求項１】　複数の箇所で環境や状態をモニタする光ケーブルを用いた光ケーブル式観測システムにおいて、
観測点ごとに異なる固有の波長の光データ信号を出力する複数の観測回路と、これら複数の観測回路から出力された光データ信号を合成する複数の光合波器と、これら複数の光合波器により合成された光データ信号を伝送する１本の光ファイバと
を有することを特徴とする光ケーブル式観測システム。
　
２．引用刊行物の記載
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開昭６４−７４８３３号公報（以下、引用刊行物という）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
(ａ)
「本発明は光ファイバを伝送路とする光ファイバセンサ装置に関する。」（第２頁左上欄第７〜８行）
(ｂ)
「光センサ端末３は、光センサｌ１〜ｌｎに加えて光合分波器９を備える。光合分波器９は、光ファイバ２から到来する光信号を波長λ1〜λｎを有する光信号成分Ｌ２１〜Ｌ２ｎに分波し、各光信号成分Ｌ２１〜Ｌ２ｎを対応する光センサｌ１〜ｌｎに与える。また、光合分波器９は、波長λ1〜λｎを有する光センサｌ１〜ｌｎからの後方散乱光Ｌ２１ｒ〜Ｌ２ｎｒを合波して光ファイバ２に送出する。」（第３頁右上欄第１１〜１９行）
(ｃ)
「各光センサｌ１〜ｌｎは、それぞれ反射形の光センサで形成され、計測信号Ｓ１〜Ｓｎが論理「１」のとき所定の反射率を有し、計測信号Ｓ１〜Ｓｎが論理「０」のとき無反射となるものである。」（第３頁右上欄第２０行〜同頁左下欄第４行）
(ｄ)
「従って、各光センサｌ１〜ｌｎからの後方散乱光Ｌｒ（Ｌ２１ｒ〜Ｌ２ｎｒ）に対応した光・電気変換器８からの電気信号Ｓｒの電力ＰＳｒの分布は、計測信号Ｓ１〜Ｓｎが論理「１」のとき第２図（Ａ）に示すようにそのセンサ位置に対応した電力ＰＳｒが急激に大きくなり、計測信号Ｓ１〜Ｓｎが論理「０」のとき第２図（Ｂ）に示すようにそのセンサ位置に対応した電力ＰＳｒがその直前の電力ＰＳｒとほぼ同様となる。
　制御監視部４は、この電力ＰＳｒの分布に基づき計測信号Ｓ１〜Ｓｎの内容を検出する。」（第３頁左下欄第５〜１５行）
　
３．対比・判断
　引用刊行物の「光センサ」、「光合分波器」、「光ファイバ」は、それぞれ請求項１に係る発明の「観測回路」、「光合波器」、「光ファイバ」に相当するから、請求項１に係る発明と引用刊行物記載の発明とを対比すると、以下の一致点で一致し、相違点で相違する。
（一致点）
　複数の箇所で環境や状態をモニタする光ケーブルを用いた光ケーブル式観測システムにおいて、
観測点ごとに異なる固有の波長の光データ信号を出力する複数の観測回路と、これら複数の観測回路から出力された光データ信号を合成する光合波器と、この光合波器により合成された光データ信号を伝送する１本の光ファイバと
を有することを特徴とする光ケーブル式観測システム。
（相違点）
　請求項１に係る発明は、光合波器を複数有しているのに対し、引用刊行物記載の発明は、光合分波器を１つしか有していない点
　
　上記相違点について検討する。
　引用刊行物記載の発明において、複数の光センサの互いの配置関係に基づいて合分波器の数を増やすことは適宜なし得る設計的事項であるから、上記相違点の技術的事項は当業者が任意になし得る事項にすぎないものである。
　なお請求人日本電気海洋エンジニアリング株式会社は、請求項１に係る発明は各観測回路にそれぞれ光源を有しているから、引用刊行物記載のものとは構成及び動作において全く相違する旨を主張しているが、該主張は特許請求の範囲の記載に基づかないものであるから採用するに足らないものである。
　そして、請求項１に係る発明が奏する作用効果も引用刊行物に基づき当業者が予測し得る程度のものにすぎない。
　
４．むすび
  以上のとおりであるから、請求項１に係る発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。