【事件の表示】
　特許第３２２３８４８号「高周波部品」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２３８４８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２２３８４８号の請求項１に係る発明についての出願は、平成９年７月１８日に特許出願され、平成１３年８月２４日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、吉田保より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１４年９月１０日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
（１）請求項１の記載中「低域通過フィルタ及び高域通過フィルタとからなり、　該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、」とあるのを、
「低域通過フィルタ及び高域通過フィルタとからなり、２つの異なる周波数領域の高周波成分を分配、結合する高周波部品であって、
　該低域フィルタ及び高域通過フィルタがシールド電極を設けることなく、前記多層基板の横方向に並べて設けられ、かつ、該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、」と訂正する。
（２）請求項１の記載中「キャパシタス素子」とあるのを、「キャパシタンス素子」と訂正する。
（３）発明の詳細な説明の段落【０００７】の【課題を解決するための手段】の欄の記載を請求項１の訂正に整合させる。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正事項（１）は、発明を特定する事項である「高周波部品」を「２つの異なる周波数領域の高周波成分を分配、結合する高周波部品」と限定し、かつ「低域フィルタ及び高域通過フィルタ」を「シールド電極を設けることなく、前記多層基板の横方向に並べて設け」ると限定するものであり、しかも、「高周波部品」が「２つの異なる周波数領域の高周波成分を分配、結合する高周波部品」であること、及び「低域フィルタ及び高域通過フィルタ」を「シールド電極を設けることなく、前記多層基板の横方向に並べて設け」ることについては、願書に添付された明細書の段落【０００１】、【００２３】、【００２５】、【００３０】、【００３１】に記載されているから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項２は、明らかな誤記を訂正するもので、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当し、また、上記訂正事項（３）は、上記訂正事項（１）及び（２）と整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、かつ、上記訂正事項（１）ないし（３）は、いずれも新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについての判断
３−１．申立ての理由の概要
　申立人は、甲第１号証ないし甲第５号証を提出し、
ａ．本件特許は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してされたものである、
ｂ．請求項１に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである、
旨主張している。
　
３−２．申立人の主張ａ．について
３−２−１．申立人の主張
　申立人は、平成１３年５月１７日付手続補正書で請求項１に付加された「前記低域通過フィルタ及び高域通過フィルタの接地されたキャパシタンス素子を構成するコンデンサ電極が、前記低域通過フィルタ及び高域通過フィルタのインダクタンス素子を構成するストリップライン電極よりも多層基板の積層方向に対して下側に配置される」点は、願書に最初に添付された明細書又は図面から直接かつ一義的に記載されているものではない旨主張している。
　
３−２−２．願書に最初に添付された明細書の記載
・「図５に、本発明に係る高周波部品の第２の実施例の回路図を示す。高周波部品２０は、第１の実施例の高周波部品１０と比較して、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２の間に、低域通過フィルタ（Low Pass Filter : LPF)２１が接続され、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３の間に、高域通過フィルタ(High Pass Filter : HPF)２２が接続される。この際、ＬＰＦ２１及びＨＰＦ２２は、インダクタンス素子である伝送線路ＬＬ１、ＬＬ２及びキャパシタンス素子であるコンデンサＣＣ１〜ＣＣ４のみで形成されている。」（願書に最初に添付された明細書の段落【００２７】）
・「図６（ａ）〜図６（ｈ）、図７（ａ）〜図７（ｂ）に、図５の高周波部品２０を構成する各誘電体層の上面図及び下面図を示す。高周波部品２０は、ＬＰＦ２１及びＨＰＦ２２を内蔵する多層基板（図示せず）を含む。この多層基板は、第１〜第９の誘電体層ａ´〜ｉ´を上から順次積層することによって形成される。
　そして、第２，第３，第４及び第８の誘電体層ｂ´，ｃ´，ｄ´，ｈ´の上面にはコンデンサ電極ＣＣ３１，ＣＣ４１，ＣＣ３２，ＣＣ４２，ＣＣ１１，ＣＣ３３，ＣＣ４３，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ５１がそれぞれ形成される。また、第５の誘電体層ｅ´の上面にはストリップライン電極ＬＬ１１，ＬＬ２１がそれぞれ形成される。
　さらに、第７及び第９の誘電体層ｇ´，ｉ´の上面にはグランド電極Ｇ１，Ｇ２がそれぞれ形成される。」（願書に最初に添付された明細書の段落【００３３】〜【００３５】）
・「コンデンサ電極ＣＣ１１，ＣＣ１２でＬＰＦ２１のコンデンサＣＣ１、コンデンサ電極ＣＣ２１，グランド電極Ｇ２でＬＰＦ２１のコンデンサＣＣ２、コンデンサ電極ＣＣ３１〜ＣＣ３３でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ３、コンデンサ電極ＣＣ４１〜ＣＣ４３でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ４、コンデンサ電極ＣＣ５１，グランド電極Ｇ２でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ５をそれぞれ構成する。
  また、ストリップライン電極ＬＬ１１でＬＰＦ２１の伝送線路ＬＬ１、ストリップライン電極ＬＬ２１でＨＰＦ２２の伝送線路ＬＬ２をそれぞれ構成する。」（願書に最初に添付された明細書の段落【００３７】〜【００３８】）
　
３−２−３．判断
　願書に最初に添付された明細書におけるこれらの記載とこれらの記載中で引用している願書に最初に添付された図面の図５〜図７の記載とからすれば、「前記低域通過フィルタ及び高域通過フィルタの接地されたキャパシタンス素子を構成するコンデンサ電極が、前記低域通過フィルタ及び高域通過フィルタのインダクタンス素子を構成するストリップライン電極よりも多層基板の積層方向に対して下側に配置される」点は、願書に最初に添付された明細書又は図面に記載した事項から当業者が直接かつ一義的に導き出せる事項であるといえる。
　
３−３．申立人の主張ｂ．について
３−３−１．本件発明
  ２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「複数の誘電体層を積層してなる多層基板と、互いの通過領域が重ならない低域通過フィルタ及び高域通過フィルタとからなり、２つの異なる周波数領域の高周波成分を分配、結合する高周波部品であって、
　該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタがシールド電極を設けることなく、前記多層基板の横方向に並べて設けられ、かつ、該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、前記誘電体層の表面に形成されたインダクタンス素子を構成するストリップライン電極と、前記誘電体層の表面に形成されたキャパシタンス素子を構成するコンデンサ電極と、前記誘電体層の表面に形成されたグランド電極と、前記ストリップライン電極、前記コンデンサ電極及び前記グランド電極を接続する前記複数の誘電体層を貫いて形成されたビアホール電極と、で構成されるとともに、
　前記低域通過フィルタ及び高域通過フィルタの接地されたキャパシタンス素子を構成するコンデンサ電極が、前記低域通過フィルタ及び高域通過フィルタのインダクタンス素子を構成するストリップライン電極よりも多層基板の積層方向に対して下側に配置されることを特徴とする高周波部品。」
　
３−３−２．申立人が提出した甲各号証
　甲第１号証（特開平４−２０７８０６号公報）には、以下の事項が記載されている。
・「このデュプレクサは、共通出力端子Ｘ、低周波側入力端子Ｙ、高周波側入力端子Ｚ及び２つのアース端子Ｅ１、Ｅ２を備える。共通出力端子Ｘと低周波側入力端子Ｙとの間には、共通出力端子Ｘ側から第１コンデンサＣ１と第１コイルＬ１を並列接続してなる第１共振回路Ｑ１と、第２コンデンサＣ２とが直列に接続され、第２コンデンサＣ２の低周波側入力端子Ｙ側と一方のアース端子Ｅ１との間に第３コンデンサＣ３が接続されている。一方、共通出力端子Ｘと高周波側入力端子Ｚとの間には、第４コンデンサＣ４が接続され、その第４コンデンサＣ４の高周波側入力端子Ｚ側と他方のアース端子Ｅ２との間に、第５コンデンサＣ５と、直列接続した第２コイル、第６コンデンサＣ６とが並列接続されてなる第２共振回路Ｑ２が接続されている。」（第２頁左下欄第１１行〜同頁右下欄第７行）
・「上側から、電極膜の形成がない誘電体層Ｕ１１と、上表面にＬ１用電極膜が形成された誘電体層Ｕ１と、同様にＬ１用電極膜２が形成された誘電体層Ｕ２と、電極膜の形成がない誘電体層Ｕ１２と、Ｃ１用電極膜３が形成された誘電体層Ｕ３と、Ｃ２用電極膜４が形成された誘電体層Ｕ４と、Ｃ３用電極膜５が形成された誘電体層Ｕ５と、アース（シールド）用電極膜６が形成された誘電体層Ｕ６と、電極膜の形成がない誘電体層Ｕ１３と、Ｌ２用電極膜７が形成された誘電体層Ｕ７と、電極膜の形成がない誘電体層Ｕ１４と、Ｃ４用電極膜８が形成された誘電体Ｕ８と、Ｃ５用電極膜９ａとＣ６用電極膜９ｂが形成された誘電体Ｕ９と、アース（シールド）用電極膜１０が形成された誘電体Ｕ１０とが積層されている。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第１２行）
・「作成されたデュプレクサは、プリント基板などの上に実装すると、アース用電極膜１０によりシールドされ、また、中央部に位置するアース用電極膜６によりその上の回路と下の回路とがシールドされることになる。」（第３頁右上欄第１２〜１６行）
　甲第２号証（実公昭４８−４１８８５号公報）には、以下の事項が記載されている。
・「第２図Ａ、Ｂ、第３図Ａ、Ｂ、第４図Ａ、Ｂ、は第１図に示した本考案の分岐器の具体的回路例を示したもので、各図においてＡ側は不平衡線路用の分岐器であり、Ｂ側は平衡線路用の分岐器である。・・・この場合いずれも２端子の入力端子１ａ、１ａ’と２端子の出力端子１ｂ、１ｂ’をそれぞれ継ぐ２線路に直列にはキャパシタンス素子すなわちコンデンサのみが接続されて高域通過回路を形成しており、また前記２端子の入力端子１ａ、１ａ’と分岐出力端子１ｃ、１ｃ’とをそれぞれ継ぐ２線路に直列にはインダクタンス素子すなわちコイルのみが接続されて低域通過回路を形成している。」（第２欄第１８〜３０行）
　甲第３号証（特開平４−１０３２０９号公報）には、以下の事項が記載されている。
・「多層基板の任意の内部層（１−２）に、
　共通端子（ＡＮＴ）に接続された２つのコンデンサ電極パターン（７、８）を一体的に設け、
　該コンデンサ電極パターン（７、８）の両側に、それぞれ、コイルパターン（５、６）を一体的に設けると共に、
　上記内部層（１−２）を挟む両側の層（１−１、１−３）には、
　上記コンデンサ電極パターン（７、８）と積層方向に対向させて、それぞれＧＮＤ電極パターン（２、３）を設けることにより、共通端子（ＡＮＴ）側の２つの共振回路を構成し、
　それぞれ個別端子（Ｔｘ、Ｒｘ）に接続された、２つのコンデンサ電極パターン（１１、１２）を設け、
　該コンデンサ電極パターンの両側に、それぞれ、コイルパターン（９、１０）を一体的に設けると共に、さらに別の層（１−５）には、
　上記コンデンサ電極パターン（１１、１２）と積層方向に対向させて、ＧＮＤ電極パターン（４）を設けることにより、個別端子（Ｔｘ、Ｒｘ）側の２つの共振回路を構成し、
　上記共通端子側の共振回路を構成するコイルパターン（５、６）と、個別端子側の共振回路を構成するコイルパターン（９、１０）とを磁界結合させると共に、
　上記各コンデンサ電極パターンを、ＧＮＤ電極パターンで挟むように配置したことを特徴とする磁界結合型ディプレクサ。」（特許請求の範囲第１項）
　甲第４号証（実願平４−２３８７２号（実開平５−７６０２７号）のマイクロフィルム）には、以下の事項が記載されている。
・「積層構造よりなる１個以上のインダクタと１個以上のコンデンサとを内蔵し、側面に端子電極を有し、前記コンデンサの少なくとも一部を前記端子電極を介して基板上の接地用ランドに接続する積層集積部品の実装構造において、コンデンサ部を基板側に配置したことを特徴とする積層集積部品の実装構造。」（実用新案登録請求の範囲）
・「本考案は、インダクタンスが伝送線路長に比例することに鑑み、コンデンサ部を基板側に配置することにより、コンデンサから基板上の接地用ランドに至る線路長を短縮し、これによりインダクタンスを低減したものである。」（段落【０００７】【作用】）
　甲第５号証（特開平５−２６７９０９号公報）には、以下の事項が記載されている。
・「従来、１つのアンテナを送信機及び受信機で共用できるように分波する役割をアンテナ共用器が担っている。図２は従来のアンテナ共用器の一例を示す構成図で、送信フィルタＴＸＦと受信フィルタＲＸＦを一体として１つのケース内に納める場合のものである。図において、１は例えばアルミナからなる単層回路基板（以下、基板と称する）で、基板１上に送信フィルタＴＸＦ及び受信フィルタＲＸＦが形成され、これらは金属ケースＡ内に収納されている。送信フィルタＴＸＦ及び受信フィルタＲＸＦのそれぞれは、複数の同軸共振器２及びこれらを結合するコンデンサ３から構成されている。さらに、送信フィルタＴＸＦ及び受信フィルタＲＸＦの一端は、基板１に形成された結合部１０を介して図示せぬアンテナに接続され、それぞれの他端は接続部４，５を介して送信機或いは受信機に接続されるようになっている。」（段落【０００２】〜【０００３】）
・「実施例におけるアンテナ共用器の全体の構成は図２に示す従来例とほぼ同一であり、相違点は基板１を多層回路基板によって構成すると共に、結合部１０を多層回路基板中に構成された結合部としたことにある。」（段落【００１６】）
・「図７は第４の実施例を示す図で、図７の（ａ）は分解斜視図、図７の（ｂ）は等価回路図である。」（段落【００４０】）
・「前述の構成よりなる第５（第４の誤記である）の実施例によれば、電極４４１と電極４５１によりキャパシタＣ９，Ｃ１０が、電極４４２と電極４５２によりキャパシタＣ１１が、また電極４４３と電極４５３によりキャパシタＣ１２がそれぞれ構成される。さらに、インダクタライン４１４，４２４，４３２によりインダクタＬ５が、またインダクタライン４１５，４２５，４３３によりインダクタＬ６がそれぞれ構成される。これにより、アンテナＡＮＴと送信フィルタＴＸＦとの間はキャパシタＣ９、Ｃ１１及びインダクタＬ５によって構成されるπ型インバータ回路によって、またアンテナＡＮＴと受信フィルタＲＸＦとの間はキャパシタＣ１０，Ｃ１２及びインダクタＬ６によって構成されるπ型インバータ回路によってそれぞれ接続され、位相調整される。」（段落【００４５】）
　
３−３−３．対比・判断
　本件発明と、甲第１号証に記載された事項とを対比すると、甲第１号証には、本件発明の「複数の誘電体層を積層してなる多層基板と、互いの通過領域が重ならない低域通過フィルタ及び高域通過フィルタとからなり、２つの異なる周波数領域の高周波成分を分配、結合する高周波部品」において、「該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタがシールド電極を設けることなく、前記多層基板の横方向に並べて設けられ」ている点について記載がなく、また、これを示唆する記載もない。甲第１号証においては、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタがシールド電極を介して縦方向に積層されている。
　本件発明の前記摘記した点は、甲第２号証ないし甲第５号証にも記載ないし示唆するところがない。甲第２号証の分岐器は多層基板構造を開示しておらず、甲第３号証のディプレクサは、共通端子側の多層基板と個別端子側の多層基板をＧＮＤ電極パターを介して縦方向に積層したものであり、甲第４号証で具体的に多層基板の構造を開示しているのはＬＣフィルタのみであり、甲第５号証の多層基板構造部分は、位相調整用のπ型インバータ回路に係るものである。
　したがって、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された事項を組合わせても本件発明を構成することはできないから、本件発明が甲第１号証ないし甲第５号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めことはできない。
　
３−４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月２５日（２００２．９．２５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
・特許第３２２３８４８号の明細書の特許請求の範囲の請求項１に
「低域通過フィルタ及び高域通過フィルタとからなり、
　該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、」
とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「低域通過フィルタ及び高域通過フィルタとからなり、２つの異なる周波数領域の高周波成分を分配、結合する高周波部品であって、
　該低域フィルタ及び高域通過フィルタがシールド電極を設けることなく、前記多層基板の横方向に並べて設けられ、かつ、該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、」
と訂正する。
・同じく、請求項１に「キャパシタス素子」とあるのを、誤記の訂正を目的として「キャパシタンス素子」と訂正する。
・発明の詳細な説明の段落【０００７】の【課題を解決するための手段】の欄の記載を請求項１の訂正に整合させる。
（５４）【発明の名称】
高周波部品
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　複数の誘電体層を積層してなる多層基板と、互いの通過領域が重ならない低域通過フィルタ及び高域通過フィルタとからなり、
２つの異なる周波数領域の高周波信号を分配、結合する高周波部品であって、
該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、シールド電極を設けることなく、前記多層基板の横方向に並べて設けられ、かつ、
ン
前記低域通過フィルタ及び高域通過フィルタの接地されたキャパシタンス素子を構成するコンデンサ電極が、前記低域通過フィルタ及び高域通過フィルタのインダクタンス素子を構成するストリップライン電極よりも多層基板の積層方向に対して下側に配置されることを特徴とする高周波部品。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、移動体通信機、例えば携帯電話機等の高周波回路において、２つの異なる周波数領域の高周波信号を分配、結合する高周波部品に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図５に、高周波信号を分配、結合する従来の高周波部品の一例であるデュプレクサ５０の図解図を示す。デュプレクサ５０は、低域通過フィルタ（Ｌｏｗ　ＰａｓｓＦｉｌｔｅｒ：ＬＰＦ）５１と並列共振器であるトラップ５２、５３とで構成される。そして、ＬＰＦ５１とトラップ５２とで低周波側フィルタが形成される。すなわち、第１のポート５４に入力された信号は、トラップ５２を介して第２のポート５５から出力される。また、トラップ５３によって高周波側フィルタが形成される。すなわち、第３のポート５６に入力された信号は、第２のポート５５から出力される。
　【０００３】
　しかしながら、このような構成のデュプレクサ５０では、ＬＰＦ５１、トラップ５２、５３などの個別の部品を使用しているために大型となり、今後さらに小形化が予想される移動体通信機などの分野の要求に応えることは困難であるという問題があった。
　【０００４】
　この問題点を解決するために、図６に示すようなデュプレクサ６０が、特開平６−８５５０６号公報に開示されている。このデュプレクサ６０は、インダクタンス形成用電極とキャパシタンス形成用電極とが形成された複数の誘電体層（図示せず）を積層した高周波側フィルタ６１及び低周波側フィルタ６２をシールド電極６３を介して、同一の多層基板６４に内蔵することにより構成される。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、図６に示す高周波部品（デュプレクサ）においては、高周波側フィルタと低周波側フィルタとの間を遮断し、互いの干渉を小さくするため、高周波側フィルタと低周波側フィルタとの間にシールド電極を設ける必要がある。同時に、近年の小型化にともない高周波部品は高さ方向に制限があり、この要求を満足するように、高周波側フィルタ及び低周波側フィルタを横方向に並べて設ける際に、複数の誘電体層を高さ方向に積層して形成する方法を用いると、シールド電極の形成が困難となる。すなわち、高周波側及び低周波側の２つのフィルタを設ける箇所に制限が生じるという問題があった。
　【０００６】
　本発明の目的は、このような問題点を解消するためになされたものであり、シールド電極が必要なく、かつ低域通過フィルタ及び高域通過フィルタを設ける箇所に制限が生じない高周波部品を提供することにある。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　上述する問題点を解決するため本発明は、複数の誘電体層を積層してなる多層基板と、互いの通過領域が重ならない低域通過フィルタ及び高域通過フィルタとからなり、
２つの異なる周波数領域の高周波信号を分配、結合する高周波部品であって、該低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、シールド電極を設けることなく、前記多層基板の横方向に並べて設けられ、かつ、
ン
　【０００８】
　本発明の高周波部品によれば、インダクタンス素子及びキャパシタンス素子で構成された低域通過フィルタ及び高域通過フィルタを、互いの通過領域が重ならないようにしているため、シールド電極を設ける必要がない。
　【０００９】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波部品の一実施例の回路図を示す。高周波部品２０は、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２の間に、低域通過フィルタ（Ｌｏｗ　ＰａｓｓＦｉｌｔｅｒ：ＬＰＦ）２１が接続され、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３の間に、高域通過フィルタ（Ｈｉｇｈ　ＰａｓｓＦｉｌｔｅｒ：ＨＰＦ）２２が接続される。この際、ＬＰＦ２１及びＨＰＦ２２は、インダクタンス素子である伝送線路ＬＬ１、ＬＬ２及びキャパシタンス素子であるコンデンサＣＣ１〜ＣＣ４で形成されている。
　【００１０】
　具体的には、ＬＰＦ２１は、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間に伝送線路ＬＬ１とコンデンサＣＣ１とからなる並列回路が接続され、伝送線路ＬＬ１とコンデンサＣＣ１との接続点は、コンデンサＣＣ２を介して接地される。
　【００１１】
　また、ＨＰＦ２２は、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間にコンデンサＣＣ３とコンデンサＣＣ４とからなる直列回路が接続され、コンデンサＣＣ３とコンデンサＣＣ４との接続点は、伝送線路ＬＬ２とコンデンサＣＣ５とからなる直列回路を介して接地される。
　【００１２】
　この構成により、低い周波数領域の高周波信号が、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間を通過し、高い周波数領域の高周波信号が、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間を通過することができる。この際、ＬＰＦ２１の通過領域とＨＰＦ２２の通過領域とは、互いの通過領域が重ならないように選択される。
　【００１３】
　例えば、第１のポートＰ１にアンテナ、第２のポートＰ２に受信回路、第３のポートＰ３に送信回路を接続して、ＰＤＣ８００（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕｌａｒ８００）に使用した場合には、アンテナが受信した８２０ＭＨｚの受信信号は、ＬＰＦを通過して、受信回路に出力される。一方、送信回路から出力された９５０ＭＨｚの送信信号は、ＨＰＦを通過して、アンテナから送信される。
　【００１４】
　また、別の例として、第１のポートＰ１にアンテナ、第２のポートＰ２に８００ＭＨｚに対応した送・受信回路、第３のポートＰ３に１．９ＧＨｚに対応した送・受信回路を接続して、複数の異なる周波数領域、例えば８００ＭＨｚのＡＭＰＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｐｈｏｎｅ　Ｓｅｒｖｉｃｅ）と１．９ＧＨｚのＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｅｒｖｉｃｅ）の高周波信号を分配あるいは結合する場合には、アンテナが受信した８００ＭＨｚの受信信号は、ＬＰＦを通過して、８００ＭＨｚの受信回路に出力され、アンテナが受信した１．９ＧＨｚの受信信号は、ＨＰＦを通過して、１．９ＧＨｚの受信回路に出力される。逆に、８００ＭＨｚの送信回路から出力された送信信号は、ＬＰＦを通過して、アンテナから送信され、１．９ＧＨｚの送信回路から出力された送信信号は、ＨＰＦを通過して、アンテナから送信される。この場合には、デュアルバンド用の高周波分配器あるいは高周波結合器として用いることができる。従って、デュアルバンド用の移動体通信機の小形化を図ることができる。
　【００１５】
　図２（ａ）〜図２（ｈ）、図３（ａ）〜図３（ｂ）に、図１の高周波部品２０を構成する各誘電体層の上面図及び下面図を示す。高周波部品２０は、ＬＰＦ２１及びＨＰＦ２２を内蔵する多層基板（図示せず）を含む。この多層基板は、第１〜第９の誘電体層ａ´〜ｉ´を上から順次積層することによって形成される。
　【００１６】
　そして、第２，第３，第４及び第８の誘電体層ｂ´，ｃ´，ｄ´，ｈ´の上面にはコンデンサ電極ＣＣ３１，ＣＣ４１，ＣＣ３２，ＣＣ４２，ＣＣ１１，ＣＣ３３，ＣＣ４３，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ５１がそれぞれ形成される。また、第５の誘電体層ｅ´の上面にはストリップライン電極ＬＬ１１，ＬＬ２１がそれぞれ形成される。
　【００１７】
　さらに、第７及び第９の誘電体層ｇ´，ｉ´の上面にはグランド電極Ｇ１，Ｇ２がそれぞれ形成される。また、第９の誘電体層ｉ´の下面（図３（ｂ））には第１〜第３のポートＰ１〜Ｐ３に接続される外部端子Ｔｂ，Ｔｄ，Ｔｇ及び接地端子Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｆが形成される。
　【００１８】
　さらに、第１〜第９の誘電体層ａ´〜ｉ´にはそれらの誘電体層ａ´〜ｉ´を貫くビアホール電極ＶＨａ´〜ＶＨｈ´がそれぞれ形成される。なお、これらのビアホール電極ＶＨａ´〜ＶＨｈ´により、コンデンサ電極ＣＣ１１，ＣＣ１２，ＣＣ２１，ＣＣ３１，ＣＣ３２，ＣＣ３３，ＣＣ４１，ＣＣ４２，ＣＣ４３，ＣＣ５１、ストリップライン電極ＬＬ１１，ＬＬ２１、及びグランド電極Ｇ１，Ｇ２が適宜接続される。
　【００１９】
　この際、コンデンサ電極ＣＣ１１，ＣＣ１２でＬＰＦ２１のコンデンサＣＣ１、コンデンサ電極ＣＣ２１，グランド電極Ｇ２でＬＰＦ２１のコンデンサＣＣ２、コンデンサ電極ＣＣ３１〜ＣＣ３３でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ３、コンデンサ電極ＣＣ４１〜ＣＣ４３でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ４、コンデンサ電極ＣＣ５１，グランド電極Ｇ２でＨＰＦ２２のコンデンサＣＣ５をそれぞれ構成する。
　【００２０】
　また、ストリップライン電極ＬＬ１１でＬＰＦ２１の伝送線路ＬＬ１、ストリップライン電極ＬＬ２１でＨＰＦ２２の伝送線路ＬＬ２をそれぞれ構成する。
　【００２１】
　以上のような構成で、図１に示す回路を有する高周波部品２０が１つの多層基板に構成される。
　【００２２】
　ここで、上記の８００ＭＨｚのＡＭＰＳと１．９ＧＨｚのＰＳＣに用いるデュアルバンド用高周波部品における第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間、及び第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間の通過特性の周波数依存性を図４に示す。図４において、実線が第１のポートＰ１−第２のポートＰ２間、破線が第１のポートＰ１−第３のポートＰ３間である。
　【００２３】
　この図から、第１のポートＰ１−第２のポートＰ２間では１．９ＧＨｚ付近でほぼゼロ（ｄＢ）を示し、第１のポートＰ１−第３のポートＰ３間では８００ＭＨｚ付近でほぼゼロ（ｄＢ）を示していることが理解される。これは、シールド電極を設けなくとも、互いの干渉が十分に抑えられていることを示している。
　【００２４】
　上記のように、実施例の高周波部品によれば、第１のポートと第２のポートとの間に接続される低域通過フィルタと、第１のポートと第３のポートとの間に接続される高域通過フィルタとで構成されているため、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタを形成する伝送線路及びコンデンサの個数を少なくすることができる。従って、高周波部品をさらに小形化することができる。具体的には、外形の寸法が、４．５ｍｍ（Ｌ）×３．２ｍｍ（Ｗ）×１．０ｍｍ（Ｈ）の多層基板に内蔵することが可能となる。
　【００２５】
　また、シールド電極を設けなくとも、互いの干渉を十分に抑えることができる。
　【００２６】
　さらに、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、複数の誘電体層の表面に設けられたストリップライン電極、コンデンサ電極及びグランド電極と、複数の誘電体層を貫くとともに、ストリップライン電極、コンデンサ電極及びグランド電極を接続するビアホール電極とで構成されるため、製造工程の簡略化が実現できる。
　【００２７】
　なお、上述の実施例において、図１〜図３に示したそれぞれの高周波部品の等価回路図、並びに高周波部品を構成する各誘電体層の上面図及び下面図は、一例であり、多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからなるものであれば、本発明の範囲内にあるといえる。
　【００２８】
　また、伝送線路ＬＬ１，ＬＬ２が、ストリップラインで構成される場合について説明したが、マイクロストリップライン、コプレーナガイドライン等で構成されてもよい。
　【００２９】
　【発明の効果】
　本発明の高周波部品によれば、第１のポートと第２のポートとの間、及び第１のポートと第３のポートとの間に接続される低域通過フィルタ及び高域通過フィルタを、インダクタンス素子路及びキャパシタンス素子で形成し、それら全素子を多層基板に内蔵しているため、高周波部品の小形化及び低コスト化が可能となる。
　【００３０】
　また、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタの通過領域を、互いの通過領域が重ならないように選択しているため、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタの間に、シールド電極を設ける必要がない。従って、シールド電極を設けなくても、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタの間の干渉を小さくすることができ、所望の特性を容易に得ることができる。
　【００３１】
　さらに、シールド電極を設ける必要がないため、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタを制限なく自由に多層基板のどのような箇所にも設けることができる。例えば、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタを多層基板の横方向に並べて構成することができる。
　【００３２】
　また、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタが、複数の誘電体層の表面に設けられたストリップライン電極、コンデンサ電極及びグランド電極と、複数の誘電体層を貫くとともに、ストリップライン電極、コンデンサ電極及びグランド電極を接続するビアホール電極とで構成されるため、製造工程の簡略化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明に係る高周波部品の一実施例の回路図である。
　【図２】　図１の高周波部品を構成する（ａ）第１の誘電体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
　【図３】　図１の高周波部品を構成する（ａ）第９の誘電体層の上面図及び（ｂ）第９の誘電体層の下面図である。
　【図４】　８００ＭＨｚと１．９ＧＨｚのデュアルバンド用高周波部品における周波数特性を示す図である。
　【図５】　従来の高周波部品の一例を示す図解図である。
　【図６】　従来の別の高周波部品の高周波側フィルタと低周波側フィルタとの関係を示す図解図である。
　【符号の説明】
　２０　　　高周波部品
　２１　　　低域通過フィルタ
　２２　　　高域通過フィルタ
　ａ´〜ｊ´　　　誘電体層
　ＣＣ１〜ＣＣ５　　　キャパシタンス素子（コンデンサ）
　ＬＬ１、ＬＬ２　　　インダクタンス素子（伝送線路）
　ＣＣ１１、ＣＣ１２、ＣＣ２１、ＣＣ３１〜ＣＣ３３、ＣＣ４１〜ＣＣ４３、ＣＣ５１　　　コンデンサ電極
　ＬＬ１１、ＬＬ２１　　　ストリップライン電極
　Ｇ１〜Ｇ６　　　グランド電極
　ＶＨａ´〜ＶＨｈ´　　　ビアホール電極