【事件の表示】
　特許第３２７５９０１号「静電チャックの設計方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２７５９０１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本件特許第３２７５９０１号については、平成３年８月３０日に出願した特願平３−２４６９６５号の一部を平成１２年１月１３日に新たな特許出願としたものであって、平成１４年２月８日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、茂木治美より特許異議の申立てがなされ、取消理由を通知したところ、特許異議意見書が提出されたものである。
　そして、請求項１ないし４に係る発明（以下、「本件発明１ないし４」という。）は、願書に添付された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりのものと認める。
「　【請求項１】　絶縁層内に内部電極を設けた静電チャックの設計方法において、静電チャックの使用温度における前記絶縁層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度における前記絶縁層の比誘電率をεｒ　、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）とした場合、これらは以下の（数１）に示す関係にあることを特徴とする静電チャックの設計方法。
【数１】
　ｔｓ＜６０
　ｔｓ＝１．７３１×１０−１１ρ｛εｒ＋ｄ／δ｝
　ただし、
　ｔｓ　は残留吸着力が飽和静電吸着力に対して９８％減衰するのに要する時間（秒）
　ρは絶縁層の体積固有抵抗値（Ωｍ）
　εｒ　は静電チャックの使用温度における前記絶縁層における比誘電率
　ｄは内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）（ｍ）
　δは被吸着物と絶縁層表面とのギャップ（ｍ）
　　【請求項２】　絶縁層内に内部電極を設けた静電チャックの設計方法において、前記絶縁層の２５℃における体積固有抵抗をρ’（Ωｍ）、前記絶縁層の２５℃における比誘電率をεr'、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）とした場合、これらは以下の（数２）に示す関係にあることを特徴とする静電チャックの設計方法。
【数２】
　ｔｓ＜６０
　ｔｓ＝１．７３１×１０−１１ρ’｛εr’＋ｄ／δ｝×１０Ａ（１／Ｔ−１／２９８）　ただし、
　ｔｓは残留吸着力が飽和静電吸着力に対して９８％減衰するのに要する時間（秒）
　Ａは体積固有抵抗の常用対数（log）の絶対温度逆数（１/Ｔ）に対する傾き
　ρ’は絶縁層の２５℃における体積固有抵抗値（Ωｍ）
　εr’は静電チャックの２５℃における比誘電率
　　【請求項３】　絶縁層内に内部電極を設けるとともに被吸着物が接触する表面に保護膜を形成した静電チャックの設計方法において、静電チャックの使用温度における前記絶縁層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度における前記絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）、静電チャックの使用温度における前記保護膜の体積固有抵抗をρt（Ωｍ）、前記保護膜の比誘電率をεrt、保護膜の厚さをｄt（ｍ）とした場合、これらは以下の（数３）に示す関係にあることを特徴とする静電チャックの設計方法。
【数３】
　ｔｓ＜６０
　ｔｓ＝１．７３１×１０−１１ρ｛（ρ・ｄ＋ρt・ｄt　）／（ｄ＋ｄt　）｝
×｛εｒ・εrt　／（εｒ＋εrt）＋（ｄ＋ｄt　）／δ｝
　　【請求項４】　絶縁層内に内部電極を設けた静電チャックの設計方法において、静電チャックの使用温度における前記絶縁層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度における前記絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、絶縁層の表面粗さ（最大高さ）を（Ｒmax）esc（ｍ）、被吸着物の表面粗さ（最大高さ）を（Ｒmax）plate（ｍ）とした場合、これらは以下の（数４）に示す関係にあることを特徴とする静電チャックの設計方法。
【数４】
　ｔｓ＜６０
　ｔｓ＝１．７３１×１０−１１ρ｛εｒ＋２ｄ／（（Ｒｍａｘ）esc＋（Ｒｍａｘ）plate）｝
　ただし、
　（Ｒｍａｘ）escは絶縁層の表面粗さ（最大高さ）（ｍ）
　（Ｒｍａｘ）plateは被吸着物の表面粗さ（最大高さ）（ｍ）」
　なお、請求項４には、【数４】において、ρが脱落しているが、本件明細書の段落【００４１】の【数２２】から、【数４】を上記のように認定した。
２．特許異議申立ての理由の概要
　申立人茂木治美は、甲第１号証として特開昭５９−１８８１３５号公報を、甲第２号証として特開平２−２８５９８０号公報を、甲第３号証として特開平２０００−３２３５５８号公報を、甲第４号証として特開平２０００−３０６９８６号公報を、甲第５号証として特開平３−１８８６４５号公報を提出し、本件発明１ないし４は、本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲第１号証、甲第２号証及び甲第５号証の何れかに記載された発明であり、又は、甲第１号証、甲第２号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１ないし４に係る特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反してなされたものであり、また、甲第３号証及び甲第４号証に記載の内容から、本件発明１ないし４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号の規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるから取り消されるべきものであると主張している。
３．特許法第２９条違反についての判断
（１）刊行物記載の発明
　当審が通知した取消理由に引用された刊行物１（特開昭５９−１８８１３５号公報：甲第１号証）及び刊行物２（特開平２−２８５９８０号公報：甲第２号証）、また、刊行物３（特開平３−１８８６４５号公報：甲第５号証）には、次の事項が記載されている。
ア．刊行物１：
ａ．「１．半導体基板を少なくとも１個の平面電極上に直接載置し、該平面電極と該半導体基板の間に電圧を印加して、ジョンセン・ラーベク効果により該半導体基板を該平面電極に吸着することを特徴とする半導体基板の吸着方法。」（特許請求の範囲）
ｂ．「本発明で利用するジョンセン・ラーベク（Johnsen-Rahbek）効果とは、半導体と金属または半導体と半導体を面で接触させ、２００Ｖ程度の電圧を印加するとそれらの間に吸着力が働く現象をいう。半導体を金属または半導体に面で接触させると、微視的には両者は僅少な点で接触し、１０−５〜１０−７ｃｍ程度の小間隙をもつ平行平板コンデンサの両電極と等価な状態になり、吸着力を生ずるのである。この吸着力Ｆを式で表すと
　　　Ｆ＝１／２ε（Ｖ／ｄ)２Ｓ
　　　ε＝εｒε０　 式中、ε：小間隙の誘電率
　　　　Ｖ：印加電圧
　　　　ｄ：小間隙の大きさ
　　　　Ｓ：接触面積
　　　εｒ　：１〜１０
　　　ε０　：８．９×１０−１２ 〔Ｃ２Ｎー１ｍ−２〕である。」（第２頁左上欄第９行〜同頁右上欄第７行）
イ．刊行物２：
ａ「静電チャック１はアルミナ−酸化チタン系の誘電体からなるシート２内に、一対の櫛状の電極３，４を互いに櫛歯の部分が相手の櫛歯の間に入り込むよう構成されている。この静電チャック１の上面には、被吸着体として例えばシリコンウェハ５が載置され、電極３，４間に電圧が印加されると、ジョンソン・ラーベック効果によりシリコンウェハ５が吸着される。誘導体層の厚さは３００μｍ、体積固有抵抗は１０１３Ωｃｍである。」（第２頁左下欄第３〜１１行）
ｂ「第２図は、0.005Torr　の真空雰囲気中で、吸着電圧５００Ｖを１分間印加した場合の残留吸着力を示しており、図において線ａは、電極３，４間を短絡状態としたときの残留吸着力の経時変化を、線ｂ〜ｅはそれぞれ吸着電圧とは逆極性の残留吸着力消滅電圧（以下消滅電圧と記す）を５００Ｖ，７００Ｖ，１ＫＶ，１．５ＫＶ印加したときの残留吸着力の経時変化特性を示す。
　グラフからわかるように、吸着電圧をＶＮとすると、これより高電位の消滅電圧ＶＲを印加することで残留吸着力を短時間で消滅または低減させることができる。」（第３頁右上欄第１３行〜同頁左下欄第４行）
ウ．刊行物３：
ａ．「１．アルミナ板の上に設けた少なくとも１対の電極の上に別のアルミナ板を載せ、これらを高温で焼結して、全厚みを３〜４ｍｍ、上記別のアルミナ板の厚みを１００〜３００μｍにするとともに、誘電体や導体の基板を吸着する上記別のアルミナ板の面の平面度を１０μｍ以下にしたことを特徴とする静電チャック電極。」（特許請求の範囲）
（２）対比・判断
ア．本件発明１について
　本件発明１と、刊行物１、刊行物２及び刊行物３に記載された各発明とを対比すると、刊行物１には、ジョンセンラーベク効果により半導体基板を平面電極に吸着する半導体基板の吸着方法が記載されていて、半導体基板と平面電極との接触による、１０−５〜１０−７ｃｍ程度の小間隙をもつ平行平板コンデンサーの両電極と等価な状態になり、吸着力を生ずること、また、該吸着力Ｆが
　　　Ｆ＝１／２ε（Ｖ／ｄ)２Ｓ
　　　ε＝εｒε０　 式中、
　　　　ε：小間隙の誘電率
　　　　Ｖ：印加電圧
　　　　ｄ：小間隙の大きさ
　　　　Ｓ：接触面積
　　　εｒ　：１〜１０
　　　ε０　：８．９×１０−１２ 〔Ｃ２Ｎー１ｍ−２〕
であることが示されているにすぎず、また刊行物２には、ジョンソンラーベック効果によりシリコンウエハが静電チャックに吸着され静電チャックの電圧印加方法が記載されていて、吸着時の電圧とは逆極性の電圧を印加することにより残留吸着力を短時間で消滅または低減させることができることが示されているにすぎず、また刊行物３には、基盤を吸着する別のアルミナ板の厚みを（本件発明１の「内部電極と絶縁層表面との間隔」に対応する。）１００〜３００μｍ、また、別のアルミナ板の面の平面度（同じく「ギャップδ」に対応する。）を１０μｍとした静電チャックが記載されているにすぎない。
　このように各刊行物に記載のものは、いずれも本件発明１のように静電チャックの使用温度における前記絶縁層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度における前記絶縁層の比誘電率をεｒ　、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）とした場合、これらを（数１）に示す関係にあるように静電チャックを設計するものではなく、かつ、該設計方法を示唆する記載もない。そして、本件発明１は、「静電チャックの等価回路から静電力残留時間と絶縁層の体積固有抵抗、静電チャックの使用温度における前記絶縁層の比誘電率　、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）、被吸着物と絶縁層表面とのギャップ等を結びつけることにより、低温域でも静電力が短時間で減衰する静電チャックが得られる」という明細書に記載の格別の効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、上記各刊行物に記載された発明であるとすることも、又これらの発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　なお、特許異議申立人は、刊行物３には、アルミナ板上に設けた一対の電極上に厚さ１００〜３００μｍ、平面度１０μｍ以下のアルミナ板を設置して静電チャックを構成することが開示されており、前記厚さは内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）ｄ（ｍ）に相当し、前記平面度が被吸着物と絶縁層表面とのギャップδ（ｍ）に相当するので、アルミナの比誘電率が約１０であって、体積固有抵抗率が５×１０１０Ωｃｍであることを考慮すると、本件発明１の（数１）からｔｓは約１７秒〜５０秒程度となり、刊行物３に記載された静電チャックは、本件発明１に開示された関係式（数１）を満足するように作成されことが分かる。そして、特許権の効力が方法に基づいて作成された物にまで及ぶことを考慮すると、本件発明１に特許権を付与するのは極めて不当である旨主張しているが、アルミナの体積固有抵抗率の数値を適宜選択し、偶々計算値が本件発明１のものに含まれているとしても、刊行物３に記載されたものは、本件本件発明１と同一の設計方法によって製造されたことは一切記載されてない以上、本件発明１と同一の設計方法によって製造されたものとは認められず、刊行物３に記載のものに本件発明１に係る特許の効力は及ばない。
（２）本件発明２ないし４に係る発明について
　本件発明２ないし４に係る発明は、本件発明１を、それぞれ、温度２５℃を基準にかき改めた【数２】に基づいて、保護層が設けられている場合を考慮してかき改めた【数３】に基づいて、及び静電チャックを構成する誘電層のギャップδを表面粗さで置き換えてかき改めた【数４】に基づいてなされたものであるから、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、上記各刊行物に記載された発明であるとすることも、又これらの発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
４．特許法第３６条第６項第２号違反についての判断
　特許異議申立人は、甲第３号証及び甲第４号証の記載内容を参照して、静電チャックと被吸着物との間には、ジョンソンラーベック効果に基づく静電吸着力に加えてクーロン力に基づく吸着力が作用するにもかかわらず、本件発明１ないし４は、前者のジョンセンラーベック効果に基づく静電吸着力のみを考慮して静電チャックの設計を試みており、本件特許明細書の表中に示されているように、クーロン力の作用が比較的大きくなる場合は設計値と実測値が大きく異なるのは当然であり、静電チャックの設計上必須となる要素を開示していない旨主張している。
　しかしながら、本件発明１ないし４は、明細書の段落【００１９】〜【００３５】に記載されているように、図１ないし図３に示された静電チャックの等価回路に基づいて導き出したものであって、この等価回路から導き出された式がクーロン力も考慮していることは明らかである。前記等価回路に基づいて導き出した数式による計算値と、実測値とが一致しないからといって設計上必須となる要素を開示していないとすることはできず、異議申立人の前記主張は採用することができない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年５月２０日（２００３．５．２０）