【事件の表示】
　特願２０１０−　４７８６０「有機電界発光表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月２０日出願公開、特開２０１１−　１４８７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年３月４日（パリ条約による優先権主張２００９年７月３日、韓国）の出願であって、平成２３年１０月４日に手続補正がなされたが、平成２４年９月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
第２　本願発明の特許性
１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１０月４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「発光領域と非発光領域を含む基板と、
　前記基板上に位置するバッファ層と、
　前記バッファ層上の非発光領域に位置する半導体層と、
　前記基板全面に位置するゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に位置し、前記発光領域上に位置する第１の電極と、
　前記ゲート絶縁膜上に位置し、前記非発光領域上に位置するゲート電極と、
　前記基板全面に位置し、前記第１の電極の一部を開口させる層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層及び前記第１の電極と電気的に接続するソース／ドレイン電極と、
　前記基板全面に位置し、前記第１の電極の一部を開口させる保護膜と、
　前記第１の電極上に位置する有機膜と、
　前記基板全面に位置する第２の電極と、を含み、
　前記ゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜が順次積層された多層膜であり、前記シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の厚さが、それぞれ３００〜５００Åであり、
　前記第１の電極は、透明電導膜であるＩＴＯ系列とＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯなどのＺｎＯ系列の材料で形成される、ことを特徴とする有機電界発光表示装置。」
　
２．引用刊行物及び該刊行物に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−２７２１９３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）「【０００１】
　本発明は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を具備したアクティブマトリックス（Active Matrix：ＡＭ）型フラットパネルディスプレイに係る。・・・
【０００２】
　液晶ディスプレイ素子や、有機ＥＬディスプレイ素子または無機ＥＬディスプレイ素子などのフラットパネルディスプレイに使われる薄膜トランジスタは、各画素の動作を制御するスイッチング素子及び画素を駆動させる駆動素子として使われる。」
（２）「【００８８】
　図６、図８及び図９に示すように、ガラス材の絶縁基板１に、バッファ層２が形成されており、このバッファ層２の上部に第１ＴＦＴ１０、第２ＴＦＴ２０、キャパシタ３０及びＥＬ素子４０が具備される。
【００８９】
　図示するように、前記第１ＴＦＴ１０はゲートライン５１に接続され、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲート電極１３と、ゲート電極１３の上部に形成されてかつデータライン５２と接続して第１活性層１１にデータ信号を供給するソース電極１４と、第１ＴＦＴ１０とキャパシタ３０とを連結してキャパシタ３０に電源を供給するドレイン電極１５とより構成される。第１活性層１１とゲート電極１３との間にはゲート絶縁膜３が備えられている。
【００９０】
　充電用キャパシタ３０は、第１ＴＦＴ１０と第２ＴＦＴ２０との間に位置して１フレームの期間、第２ＴＦＴ２０を駆動させるのに必要な駆動電圧を貯蔵する。図６及び図８に示すように、第１ＴＦＴ１０のドレイン電極１５と接続する第１電極３１；第１電極３１の上部に第１電極３１とオーバーラップされるように形成され、電力を印加する駆動ライン５３と電気的に連結される第２電極３２；及び第１電極３１と第２電極３２との間に形成されて誘電体として使われる層間絶縁膜４から構成される。もちろん、このような充電用キャパシタ３０の構造は必ずこれに限定されることではなく、ＴＦＴのシリコン薄膜とゲート電極１３の導電層とが第１及び第２電極として使われ、ゲート絶縁層が誘電層として使われることもあり、それ以外にも多様な方法により形成できる。
【００９１】
　第２ＴＦＴ２０は図６及び図９に示したように、キャパシタ３０の第１電極３１と連結されてＴＦＴオン／オフ信号を供給するゲート電極２３；ゲート電極２３の上部に形成されて駆動ライン５３と接続して第２活性層２１に駆動のためのレファレンス共通電圧を供給するソース電極２４；及び第２ＴＦＴ２０とＥＬ素子４０とを連結してＥＬ素子４０に駆動電源を印加するドレイン電極２５から構成される。第２活性層２１とゲート電極２３との間にはゲート絶縁膜３が備えられている。ここで、第２活性層２１のチャンネル領域は副画素の色相によってその結晶粒界と平行、垂直、または傾いて配列されている。
【００９２】
　一方、ＥＬ素子４０は電流が流れることによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの光を発光して所定の画像情報を表示する。図６及び図９に示したように、第２ＴＦＴ２０のドレイン電極２５に連結されてこれよりプラス電源を供給されるアノード電極４１；画素全体を覆うように備えられてマイナス電源を供給するカソード電極４３；及びアノード電極４１及びカソード電極４３の間に配置されて発光する有機発光膜４２から構成される。図面の未説明符号である５はＳｉＯ２等よりなる絶縁性パッシベーション膜であり、６はアクリルなどよりなる絶縁性平坦化膜である。」
（３）「【図６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（４）「【図９】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　
「ガラス材の絶縁基板（１）に、バッファ層（２）が形成されており、このバッファ層の上部に第１ＴＦＴ（１０）、第２ＴＦＴ（２０）、キャパシタ（３０）及びＥＬ素子（４０）が具備され、
　キャパシタは、第１ＴＦＴのドレイン電極（１５）と接続する第１電極（３１）；第１電極の上部に第１電極とオーバーラップされるように形成され、電力を印加する駆動ライン（５３）と電気的に連結される第２電極（３２）；及び第１電極と第２電極との間に形成されて誘電体として使われる層間絶縁膜（４）から構成され
　第２ＴＦＴは、キャパシタの第１電極（３１）と連結されてＴＦＴオン／オフ信号を供給するゲート電極（２３）；ゲート電極の上部に形成されて駆動ライン（５３）と接続して第２活性層（２１）に駆動のためのレファレンス共通電圧を供給するソース電極（２４）；及び第２ＴＦＴとＥＬ素子（４０）とを連結してＥＬ素子に駆動電源を印加するドレイン電極（２５）から構成され、
　第２活性層とゲート電極との間にはゲート絶縁膜（３）が備えられており、
　ＥＬ素子は、第２ＴＦＴのドレイン電極に連結されてこれよりプラス電源を供給されるアノード電極（４１）；画素全体を覆うように備えられてマイナス電源を供給するカソード電極（４３）；及びアノード電極及びカソード電極の間に配置されて発光する有機発光膜（４２）から構成され、
　ＳｉＯ２等よりなる絶縁性パッシベーション膜（５）及びアクリルなどよりなる絶縁性平坦化膜（６）を備える、
有機ＥＬディスプレイ。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ガラス材の絶縁基板」は本願発明の「基板」に相当する。
　以下同様に「バッファ層」は「バッファ層」に、
　「ゲート絶縁膜」は「ゲート絶縁膜」に、
　「アノード電極」は「第１の電極」に、
　「ゲート電極」は「ゲート電極」に、
　「層間絶縁膜」は「層間絶縁膜」に、
　「ソース電極及びドレイン電極」は「ソース／ドレイン電極」に、
　「絶縁性平坦化膜」は「保護膜」に、
　「有機発光膜」は「有機膜」に、
　「カソード電極」は「第２の電極」に、
　「有機ＥＬディスプレイ」は「有機電界発光表示装置」に、
　それぞれ相当する。
（２）引用発明の「基板」の「ＥＬ素子」上の領域及び「第１ＴＦＴ、第２ＴＦＴ及びキャパシタ」上の領域は、それぞれ本願発明の「発光領域」及び「非発光領域」に相当する。
（３）引用発明は「バッファ層の上部に第１ＴＦＴ及び第２ＴＦＴを具備」するから、本願発明の「バッファ層上の非発光領域に位置する半導体層」に相当する構成を有する。
（４）引用発明の「ゲート絶縁膜」が「基板全面に位置する」ことは自明である。
（５）上記の各相当関係に基づき、引用発明の「アノード電極」（本願発明の「第１の電極」に相当）が「ゲート絶縁膜上に位置し、発光領域上に位置する」こと、
　同「ゲート電極」（同「ゲート電極」に相当）  が「ゲート絶縁膜上に位置し、非発光領域上に位置する」こと、
　同「層間絶縁膜」（同「層間絶縁膜」に相当） が「基板全面に位置し、第１の電極の一部を開口させる」こと、
　同「ソース電極及びドレイン電極」（同「ソース／ドレイン電極」に相当） が「層間絶縁膜上に位置し、半導体層及び第１の電極と電気的に接続する」こと、
　同「絶縁性平坦化膜」（同「保護膜」に相当） が「基板全面に位置し、第１の電極の一部を開口させる」こと、
　同「有機発光膜」（同「有機膜」に相当） が「第１の電極上に位置する」こと、
　及び同「カソード電極」（同「第２の電極」に相当）が「基板全面に位置する」ことは、いずれも自明な事項である。
　
　そうすると、両者は、
「発光領域と非発光領域を含む基板と、
　前記基板上に位置するバッファ層と、
　前記バッファ層上の非発光領域に位置する半導体層と、
　前記基板全面に位置するゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に位置し、前記発光領域上に位置する第１の電極と、
　前記ゲート絶縁膜上に位置し、前記非発光領域上に位置するゲート電極と、
　前記基板全面に位置し、前記第１の電極の一部を開口させる層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層及び前記第１の電極と電気的に接続するソース／ドレイン電極と、
　前記基板全面に位置し、前記第１の電極の一部を開口させる保護膜と、
　前記第１の電極上に位置する有機膜と、
　前記基板全面に位置する第２の電極と、を含む有機電界発光表示装置。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
（相違点）
　本願発明では「ゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜が順次積層された多層膜であり、前記シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の厚さが、それぞれ３００〜５００Åであり、第１の電極は、透明電導膜であるＩＴＯ系列とＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯなどのＺｎＯ系列の材料で形成される」であるのに対して、引用発明ではそのような構成を有しているかどうか不明な点。
　
４．判断 
　上記相違点について検討する。
　基板上にＥＬ素子の発光領域とＴＦＴの非発光領域を有し、ゲート絶縁膜と該絶縁膜上の発光領域上に位置する電極を備える有機電界発光表示装置において、ゲート絶縁膜を、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜が順次積層された多層膜で構成することも、電極を透明電導膜であるＩＴＯ系列とＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯなどのＺｎＯ系列の材料で形成することも、ともにごく普通に用いられる周知技術（特開２００６−５４４２５号公報段落【０３３０】及び【０１２５】参照）である。
　引用発明のゲート絶縁膜及び第１の電極として当該周知の材料及び構成を用いることに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　また、上記のような材料で構成されたゲート絶縁膜の膜厚として５００Å〜２０００Å程度のものが周知である（上記文献段落【０１１２】参照）。
　そして、引用発明に上記周知技術を適用しゲート絶縁膜を多層膜で構成するに際して、その膜厚を周知のものとするべく各層の厚さをそれぞれ３００〜５００Å程度のものとすることにも格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　してみると、引用発明に周知技術を適用し上記相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
　また、本願発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　なお、請求人は審判請求書において「本願発明に示される『シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の厚さが、それぞれ３００〜５００Å』との構成、及びこれにより奏される「第２のシリコン酸化膜１３０ｃを３００〜５００Åで形成することで、赤発光、緑発光、青発光の効果を最大化できる」（段落００５５）、「シリコン窒化膜１３０ｂの厚さを３００〜５００Åに形成することで、赤発光、緑発光、青発光を最も好適に実現できる」（段落００５９）との効果は、引用文献からは奏されない本願発明に特有なものであると」と主張しているが、本願明細書及び図面の記載に基づく限り、請求人の主張する上記「赤発光、緑発光、青発光の効果を最大化できる」及び「赤発光、緑発光、青発光を最も好適に実現できる」という事項は、単に「実現したい色座標の範囲の色を実現できる」ということにすぎず、どのような色を実現すべきかは、その素子を用いる目的や他の構成との兼ね合い等に応じて、当業者が適宜決定しうるものであるから、そのような効果が従来のものに比べて格別のものであるとすることはできない。したがって、請求人の上記主張には理由がない。　
　
　よって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第３　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。