【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
いくつかの実施形態に関して、めっき中並びに十分に遅い速度及び低い濃度でセラミック相をゾルとして添加する場合、ゾルからのセラミック相の分子は、基板の表面上に又は基板の表面でナノ粒子をその場で形成し、非晶構造よりもむしろ主として結晶性を有する金属−セラミック複合コーティングが形成されると考えられている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
前記は、実施形態及びその実施例を含む本発明を説明する。当業者に明白な修正及び変更は、添付の特許請求の範囲に定義されるその範囲に組み込まれることを意図している。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕セラミック相のゾルをめっき液又は電解液に添加することを含む、基板上に金属−セラミック複合コーティングを製造する方法。
〔２〕めっき又はコーティングを行っている間に、セラミック相のナノ粒子が直接基板上に又は基板で形成するのに十分少量に調節されたゾルの添加率で、セラミック相をゾルとしてめっき液又は電解液に添加することを含む、基板上に金属−セラミック複合コーティングを製造するめっき又はコーティング方法。
〔３〕めっき又はコーティングを行っている間に、金属−セラミックコーティングが主として結晶構造で基板上に形成するように調節されたゾル添加率で、セラミック相をゾルとしてめっき液又は電解液に添加することを含む、基板上に金属−セラミック複合コーティングを製造するめっき又はコーティング方法。
〔４〕めっき又はコーティングを行っている間に、めっき液又は電解液中での、セラミック相のナノ粒子又は微小粒子の形成及び／又はセラミック相の粒子の凝集を実質的に避けるよう調節されたゾル添加率で、セラミック相をゾルとしてめっき液に添加することを含む、基板上に金属−セラミック複合コーティングを製造するめっき又はコーティング方法。
〔５〕前記ゾルを、前記めっき液又は電解液１Ｌ当たり約０．０２ｍｌ未満の率で添加するステップを含む、前記〔１〕から〔４〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔６〕前記ゾルを、約０．０１ｍｌ／Ｌ未満の率で添加することを含む、前記〔１〕から〔４〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔７〕前記ゾルを、約０．０７ｍｌ／Ｌ未満の率で添加することを含む、前記〔１〕から〔４〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔８〕前記ゾルを、約０．００１〜約０．００５ｍｌ／Ｌの範囲の率で添加することを含む、前記〔１〕から〔４〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔９〕前記ゾルを前記めっき液中に滴下することにより、前記ゾルを添加することを含む、前記〔１〕から〔８〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔１０〕前記ゾルを前記めっき液中に噴霧することにより、前記ゾルを添加することを含む、前記〔１〕から〔８〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔１１〕前記ゾルが透明である（前記セラミック相の粒子が前記ゾル中に見かけ上は存在しない）濃度を有する、前記〔１〕から〔１０〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔１２〕めっき又はコーティングを行っている間に、調節された率で前記ゾルを添加するステップを含む、前記ゾルが前記ゾル１Ｌ当たり前記セラミック相２０〜２５０ｇのゾル濃度を有する、前記〔１〕から〔１１〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔１３〕めっき又はコーティングを行っている間に、調節された率で前記ゾルを添加することを含み、前記ゾルが前記ゾル１Ｌ当たり前記セラミック相２５〜１５０ｇのゾル濃度を有する、前記〔１〕から〔１１〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔１４〕前記めっき液１Ｌ当たりゾル３０〜２５０ｍｌの率で前記ゾルを添加することを含む、前記〔１２〕又は前記〔１３〕のいずれかに記載のめっき又はコーティング方法。
〔１５〕前記めっき液１Ｌ当たりゾル１００〜１５０ｍｌの率で前記ゾルを添加することを含む、前記〔１２〕又は前記〔１３〕のいずれかに記載のめっき又はコーティング方法。
〔１６〕前記めっき液１Ｌ当たりゾル０．５〜１００ｍｌの率の前記ゾルを添加することを含む、前記〔１２〕から〔１５〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔１７〕前記めっき液１Ｌ当たりゾル１．２５〜２５ｍｌの率の前記ゾルを添加することを含む、前記〔１２〕から〔１５〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔１８〕前記めっき又はコーティング工程の間ずっと、前記ゾルを前記溶液又は電解液に添加することを含む、前記〔１〕から〔１７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔１９〕前記めっき工程の期間全体未満であるが前記めっき工程の期間の少なくとも８０％の間、前記ゾルを前記溶液又は電解液に添加することを含む、前記〔１〕から〔１７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２０〕前記めっき工程の期間全体未満であるが前記めっき工程の期間の少なくとも７０％の間、前記ゾルを前記溶液又は電解液に添加することを含む、前記〔１〕から〔１７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２１〕前記めっき工程の期間全体未満であるが前記めっき工程の期間の少なくとも６０％の間、前記ゾルを前記溶液又は電解液に添加することを含む、前記〔１〕から〔１７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２２〕前記めっき工程の期間全体未満であるが前記めっき工程の期間の少なくとも５０％の間、前記ゾルを前記溶液又は電解液に添加することを含む、前記〔１〕から〔１７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２３〕めっき又はコーティングの開始前に一定量の前記ゾルを前記溶液又は電解液に添加することを含む、前記〔１〕から〔２２〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２４〕前記セラミック相が、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ若しくは希土類元素の単一又は混合酸化物、炭化物、窒化物、ケイ酸塩、ホウ化物である、前記〔１〕から〔２３〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２５〕前記セラミック相が、ＴｉＯ2、ＡｌＯ2、ＺｒＯ2、又はＳｉＣを含む、前記〔１〕から〔２３〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２６〕前記セラミック相以外の前記コーティングが、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄを含む、前記〔１〕から〔２５〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２７〕前記セラミック相以外の前記コーティングが、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、又はＮｉ−Ｂを含む、前記〔１〕から〔２５〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２８〕前記基板が、金属基板である、前記〔１〕から〔２７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔２９〕前記基板が、鋼、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｂ、又はこれらの合金を含む、前記〔１〕から〔２７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３０〕前記基板が、軟鋼、合金鋼、又は炭素鋼を含む、前記〔１〕から〔２７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３１〕前記基板が、Ｍｇ、若しくはＡｌ、又はこれらの合金を含む、前記〔１〕から〔２７〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３２〕前記基板が、非金属基板である、前記〔１〕から〔３１〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３３〕前記基板が、プラスチック基板である、前記〔１〕から〔３１〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３４〕前記基板が、セラミック基板である、前記〔１〕から〔３１〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３５〕前記セラミック相の分子が、前記ゾル中に網目構造で存在する、前記〔１〕から〔３４〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３６〕無電解めっき又はコーティング工程である、前記〔１〕から〔３５〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３７〕前記溶液が、還元剤として、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、ホルムアルデヒド、デキストロース、ロッシェル塩、グリオキサール、又は硫酸ヒドラジンを含む、前記〔３６〕に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３８〕ガルバニックめっき工程である、前記〔１〕から〔３５〕のいずれか１項に記載のめっき又はコーティング方法。
〔３９〕前記めっき電流が、１０ｍＡ／ｃｍ2〜３００ｍＡ／ｃｍ2の範囲にある、前記〔３８〕に記載のめっき又はコーティング方法。
〔４０〕前記めっき電流が、２０ｍＡ／ｃｍ2〜１００ｍＡ／ｃｍ2の範囲にある、前記〔３８〕に記載のめっき又はコーティング方法。
〔４１〕前記〔１〕から〔４０〕のいずれか１項に記載の工程によりめっき又はコーティングした物品又は表面。
〔４２〕前記基板が炭素鋼であり、前記めっき又はコーティングした基板が非常に低い光反射率を有する、前記〔４１〕に記載の物品。
〔４３〕前記めっき又はコーティングした基板が導電性である、前記〔４１〕に記載の物品。