(57)【要約】【課題】表示装置全体の配線を単純化することが可能なタッチセンサ付表示装置を提供する。【解決手段】タッチセンサ付表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素と、各画素に映像電圧を供給する複数の映像信号線と、各画素に走査電圧を供給する複数の走査信号線と、を含む基板と、基板の裏面側に配置され、押圧の有無を検知するタッチセンサを構成する圧電層と第１センサ電極と、を有し、映像信号線または走査信号線は、前記タッチセンサの第２センサ電極として機能する。【選択図】図１
2018160201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
前記各画素に映像電圧を供給する複数の映像信号線と、
前記各画素に走査電圧を供給する複数の走査信号線と、
を含む基板と、
前記基板の裏面側に配置され、押圧の有無を検知するタッチセンサを構成する圧電層と第１センサ電極と、
を有し、
前記映像信号線または前記走査信号線は、前記タッチセンサの第２センサ電極として機能する、
ことを特徴とするタッチセンサ付表示装置。
【請求項２】
前記基板の裏面側に前記圧電層が配置され、
前記圧電層の裏面側に第１センサ電極が配置される、
ことを特徴とする請求項１に記載のタッチセンサ付表示装置。
【請求項３】
前記基板と前記圧電層との間には、導電層が配置されていない、
ことを特徴とする請求項２に記載のタッチセンサ付表示装置。
【請求項４】
前記画素に書き込みがされていない期間に、前記タッチセンサによる押圧検出を行う、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のタッチセンサ付表示装置。
【請求項５】
前記映像信号線が前記映像電圧を供給していない期間に、前記タッチセンサによる押圧検出を行う、
ことを特徴とする請求項４に記載のタッチセンサ付表示装置。
【請求項６】
前記走査信号線が選択されていない期間に、前記タッチセンサによる押圧検出を行う、
ことを特徴とする請求項４に記載のタッチセンサ付表示装置。
【請求項７】
タッチ位置を検出するタッチ位置検出センサをさらに含み、
前記画素に書き込みがされていない期間、かつ、前記タッチ位置検出センサによるタッチ位置検出がされていない期間に、前記タッチセンサによる押圧検出を行う、
ことを特徴とする請求項４に記載のタッチセンサ付表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチセンサ付表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、液晶表示素子の裏面側にタッチ位置を検出するタッチ位置検出用センサ基板を備える表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−８４２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示装置の裏面側に押圧の有無を検出するタッチセンサ基板を設けると、画素書き込み用の配線とは別に押圧検出用の配線が増えるため表示装置全体の配線構造が複雑化する。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置全体の配線を単純化することが可能なタッチセンサ付表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のタッチセンサ付表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素と、前記各画素に映像電圧を供給する複数の映像信号線と、前記各画素に走査電圧を供給する複数の走査信号線と、を含む基板と、前記基板の裏面側に配置され、押圧の有無を検知するタッチセンサを構成する圧電層と第１センサ電極と、を有し、前記映像信号線または前記走査信号線は、前記タッチセンサの第２センサ電極として機能する、ことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の概略断面図である。
【図３】本実施形態に係るタッチセンサの概略構成を示す図である。
【図４】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の押圧検出動作のタイミングを示す図である。
【図５】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の押圧検出動作のタイミングを示す図である。
【図６】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の全体構造を示す平面図である。
【図７Ａ】図６におけるＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
【図７Ｂ】図６におけるＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
【図８Ａ】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の第１の製造方法について説明する図である。
【図８Ｂ】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の第１の製造方法について説明する図である。
【図８Ｃ】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の第１の製造方法について説明する図である。
【図９Ａ】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の第２の製造方法について説明する図である。
【図９Ｂ】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の第２の製造方法について説明する図である。
【図９Ｃ】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の第２の製造方法について説明する図である。
【図９Ｄ】本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の第２の製造方法について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、有機ＥＬ表示装置を例にして説明するが、本発明に係る表示装置は有機ＥＬ表示装置に限定されず、例えば液晶表示装置であってもよい。
【０００９】
なお、以下の説明において参照する図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であり、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明は適宜省略することがある。
【００１０】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物との位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の概略の構成を示す模式図である。タッチセンサ付表示装置１は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部と、圧電層５と、タッチ検出用電極９と、タッチ検出回路３５と、を備える。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１２】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ（点灯ＴＦＴ１０，駆動ＴＦＴ１２）やキャパシタ１４で構成される。
【００１３】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１４】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする走査電圧を出力する。
【００１５】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた映像電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１６】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１７】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１８】
なお、画素回路８については、図１に示す回路構成には限られない。ＯＬＥＤ６に供給される電流値を制御する駆動ＴＦＴ１２は、駆動電源線３２とＯＬＥＤ６との間に設けられるが、点灯ＴＦＴ１０やキャパシタ１４の接続に関してはこの限りでない。また、画素回路８にさらに他のＴＦＴが含まれていてもよい。
【００１９】
さらに、本実施形態のタッチセンサ付表示装置１は、画素アレイ部４を有するアレイ基板４０（図２参照）の裏面側にタッチセンサ層１１が形成されている。タッチセンサ層１１は、圧電層５とタッチ検出用電極９とを含んでいる。これにより、画素アレイ部４の走査信号線２８または映像信号線３０と、圧電層５と、タッチ検出用電極９とでタッチセンサが構成される。本実施形態のタッチセンサは、タッチ（押圧）の有無を検出する感圧センサとする。感圧センサは、弾性変形する可撓性の圧電材料を２つの電極で挟み込んだ構造を有しており、感圧センサに圧力を加えることで生じる２つの電極間の静電容量変化から押圧の有無を検出するものである。本実施形態では、タッチ検出用電極９がタッチセンサの一方の電極（第１センサ電極）として機能し、走査信号線２８または映像信号線３０がタッチセンサの他方の電極（第２センサ電極）として機能する。
【００２０】
タッチ検出回路３５は、タッチセンサ付表示装置１の表示面へのタッチ（押圧）の有無を検出する。タッチ検出回路３５は、第１センサ電極（タッチ検出用電極９）と第２センサ電極（走査信号線２８または映像信号線３０）とに電気的に接続され、第１センサ電極と第２センサ電極との間の静電容量を検出することで表示面への押圧を検出する。
【００２１】
図２〜図５を用いて、本実施形態に係るタッチセンサによる押圧検出について説明する。図２は、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の概略断面図である。図２に示すように、タッチセンサ付表示装置１は、アレイ基板４０と、アレイ基板４０に対向配置される対向基板６０と、アレイ基板４０の裏面側（対向基板６０とは反対側）に配置されるタッチセンサ層１１とを備えている。アレイ基板４０は、基材７０上に回路層７４とＯＬＥＤ６と封止層１０６とが形成されている。タッチセンサ層１１は、圧電層５と層間絶縁膜７とタッチ検出用電極９とが形成されている。なお、層間絶縁膜７は形成されなくてもよい。回路層７４の走査信号線２８または映像信号線３０と、圧電層５と、タッチ検出用電極９とで本実施形態に係るタッチセンサが構成される。図２では、対向基板６０の表面側（図における上側）がタッチセンサ付表示装置１の表示面となる。図２に示すように、表示面を指等で押圧すると、圧電層５の表面が分極し、第１センサ電極（タッチ検出用電極９）と第２センサ電極（走査信号線２８または映像信号線３０）との間の静電容量が、押圧のない場合に比べて増加する。このようにして、第１センサ電極と第２センサ電極との間の静電容量の変化を検出することで、表示面への押圧を検出することができる。
【００２２】
図３は、本実施形態に係るタッチセンサの概略構成を示す図である。図３に示すように、走査信号線２８を第２センサ電極として用いる場合は、複数本の走査信号線２８を短絡させて１つの電極としている。具体的には、複数本の走査信号線２８が端部で共通に接続され、タッチ検出回路３５に接続されている。また、第２センサ電極として映像信号線３０を用いる場合は、複数の映像信号線３０を短絡させて１つの電極としている。具体的には、複数本の映像信号線３０が端部で共通に接続され、タッチ検出回路３５に接続されている。なお、第２センサ電極として用いる走査信号線２８（または映像信号線３０）は、アレイ基板４０に設けられている全ての走査信号線２８（または映像信号線３０）を用いてもよいし、一部の走査信号線２８（または映像信号線３０）を用いてもよい。なお、各走査信号線２８、又は各映像信号線３０を短絡する場合は、それぞれタッチ検出回路３５との間にスイッチ３６を介して行い、通常駆動の際はスイッチ３６にて断続されるようにする。
【００２３】
本実施形態では、画素書き込み用の走査信号線２８または映像信号線３０を、タッチセンサの第２センサ電極として用いるため、押圧検出動作と画素書き込み動作とを時分割で制御する。図４は、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の押圧検出動作のタイミングを示す図である。図４に示すように、１水平期間（１Ｈ）が押圧検出期間（Ｔ１）と画素書き込み期間（Ｔ２）とにわけられ、押圧検出動作と画素書き込み動作とが時分割で制御される。すなわち、タッチ検出回路３５による押圧検出は、１水平期間（１Ｈ）のうち、画素書き込みがされていない期間に行われる。さらに、走査信号線２８を第２センサ電極として用いる場合は、第２センサ電極となる走査信号線２８が選択されていない期間に押圧検出が行われてよい。また、映像信号線３０を第２センサ電極として用いる場合は、第２センサ電極となる映像信号線３０に映像電圧が印加されていない期間に押圧検出が行われてよい。
【００２４】
このように、本実施形態では、押圧検出動作と画素書き込み動作とを時分割で制御することで、画素書き込み用の走査信号線２８または映像信号線３０を、タッチセンサの第２センサ電極として機能させることができる。
【００２５】
さらに、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置１は、感圧センサとは別にタッチ位置検出センサを設けてもよい。タッチ位置検出センサは、タッチセンサ付表示装置１の表示面におけるタッチ位置を検出する。本実施形態で用いるタッチ位置検出センサは、タッチ位置の静電容量変化を検出する静電容量結合方式、タッチ位置の抵抗値変化を検出する抵抗膜方式、その他公知の方式を用いることができる。例えば、静電容量結合方式のタッチ位置検出センサは、水平方向に延在する複数の第１電極と、垂直方向に延在する複数の第２電極とを含んで構成される。タッチの有無により第１電極と第２電極との間の静電容量が変化することから、第１電極に順次駆動信号（Ｔｘ）を出力し、第２電極に生じる検出信号（Ｒｘ）を検知することでタッチ位置を検出することができる。また、タッチ位置検出センサは、対向基板６０の外側に設けられてもよいし、対向基板６０の内側に設けられてもよい。
【００２６】
タッチセンサ付表示装置１が、感圧センサとタッチ位置検出センサとを備える場合は、押圧検出動作と画素書き込み動作とタッチ位置検出動作とを時分割で制御する必要がある。図５は、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の押圧検出のタイミングを示す図である。図５に示すように、１水平期間（１Ｈ）が押圧検出期間（Ｔ１）と画素書き込み期間（Ｔ２）とタッチ位置検出期間（Ｔ３）とにわけられ、押圧検出動作と画素書き込み動作とタッチ位置検出動作とが時分割で制御される。すなわち、タッチ検出回路３５による押圧検出は、１水平期間（１Ｈ）のうち、画素書き込みがされていない期間、かつ、タッチ位置検出がされていない期間に行われる。
【００２７】
このように、本実施形態では、タッチ位置検出センサを含んでいる場合であっても、押圧検出動作とタッチ位置検出動作と画素書き込み動作とを時分割で制御することで、押圧検出の精度を向上させることができる。
【００２８】
次に、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置１の構造について説明する。図６は、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の全体構造を示す平面図である。タッチセンサ付表示装置１は、図１に示した画素アレイ部４が設けられる表示領域Ａと、表示領域Ａを囲む額縁領域Ｂと、各種部品を実装する部品実装領域Ｃとを有している。
【００２９】
図７Ａ及び図７Ｂは、図６におけるＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。なお、図７Ａ及び図７Ｂでは、対向基板６０の図示を省略している。図７Ａは、タッチセンサ付表示装置１の表示領域Ａ内における画素近傍を示す図である。また、図７Ｂは、額縁領域Ｂにおいて、カソード電極（上部電極１０４）に所定の電位を供給する部分（カソードコンタクト部１４０）と、部品実装領域Ｃにおいて、ドライバ集積回路ＩＣ等を実装する部分（端子部１５０）を示す図である。
【００３０】
図７Ａ及び図７Ｂで示されるように、本実施形態のタッチセンサ付表示装置１のアレイ基板４０は、基材７０上にＴＦＴ（点灯ＴＦＴ１０，駆動ＴＦＴ１２）や各種配線などからなる回路層７４、各画素に対応するＯＬＥＤ６、およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基材７０は、例えば、ガラス、又はポリイミド等の可撓性のある樹脂で構成される。
【００３１】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００と、有機材料層１０２と、上部電極１０４と、から構成されている。下部電極１００と、有機材料層１０２と、上部電極１０４とは基材７０側からこの順に積層されている。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
【００３２】
回路層７４は、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層として表示領域Ａに隣接する領域に形成することができる。
【００３３】
下部電極１００は、表示領域において画素毎に形成されている。下部電極１００は、導電性を有する材料からなり、例えばＩＴＯであることが好ましいが、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム等の透光性及び導電性を有する材料であってもよい。表示装置が下部電極側にＯＬＥＤ６の発光を取り出す場合は、下部電極１００を透明電極として形成し、表示装置が上部電極側にＯＬＥＤ６の発光を取り出す場合は、下部電極１００を反射電極として形成するのが好ましい。
【００３４】
有機材料層１０２は、少なくとも発光層を有する層であり、下部電極１００に接するように形成されている。有機材料層１０２は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含んで構成されている。発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機ＥＬ物質から構成されている。このような有機ＥＬ物質としては、例えば、一般的な有機発光材料が用いられてもよい。なお、有機材料層１０２は、アノードと発光層との間に配置される正孔注入層や電子ブロック層、カソードと発光層との間に配置される電子注入層や正孔ブロック層を含んで構成されてもよい。
【００３５】
上部電極１０４は、表示領域全体の有機材料層１０２を覆うように形成されている。上部電極１０４がこのような構成を有することにより、上部電極１０４は表示領域Ａにおいて、複数のＯＬＥＤ６の有機材料層１０２に共通に接触する。上部電極１０４は、透光性及び導電性を有する材料からなり、例えばＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。表示装置が下部電極側にＯＬＥＤ６の発光を取り出す場合は、上部電極１０４を反射電極として形成し、表示装置が上部電極側にＯＬＥＤ６の発光を取り出す場合は、上部電極１０４を透明電極として形成するのが好ましい。
【００３６】
封止層１０６は、上部電極１０４の上に基材７０上全体を覆うように形成されている。封止層１０６は、基材７０上全体を覆うように形成されていることで、回路層７４やＯＬＥＤ６をはじめとする各層への酸素や水分の浸透を防止する。封止層１０６は、有機層１６０と、有機層１６０を上下で挟む第１無機層１６１及び第２無機層１６２とを含んで構成されている。
【００３７】
また、下部電極１００の下側には、さらにＩＴＯ等の透明金属で構成された導電体膜１１１と、メタル層１１３とが配置され、下部電極１００とメタル層１１３との間には、容量を蓄積するために窒化シリコンで構成された容量絶縁層９８が形成されている。
【００３８】
また、各ＯＬＥＤ６の下側には、ＴＦＴ１２が形成されて、このＴＦＴ１２によって発生する段差を平坦化するための平坦化層９６が有機絶縁膜によって形成される。図２で示されるように、本実施形態のタッチセンサ付表示装置１のアレイ基板４０のＴＦＴ１２はトップゲート型となっており、活性層８２の上側にゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が形成されている。ゲート電極８６は走査信号線２８を構成している。さらに層間絶縁膜８８とゲート絶縁膜８４に形成されたホールを介して、活性層８２を形成する半導体膜に配線層９０（ソース電極９０ａ、ドレイン電極９０ｂ）が接続されている。配線層９０は映像信号線３０を構成している。ゲート絶縁膜８４および層間絶縁膜８８としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁材料が用いられる。
【００３９】
図７Ａに示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、活性層８２に接続するソース電極９０ａは、さらに、下部電極１００と電気的に接続される。平坦化層９６には、ソース電極９０ａと下部電極１００とを接続するためのコンタクトホール１１０が形成される。平坦化層９６に形成されたコンタクトホール１１０では、導電体膜１１１を介してソース電極９０ａと下部電極１００とが接続される。また、ＴＦＴ１２の形成された領域や、下部電極１００とソース電極９０ａが接続するためのコンタクトホール１１０の上側には、表示領域Ａ内の各画素を隔てるバンク１１２が有機絶縁膜によって形成されている。また図２Ａで示されるように、有機材料層１０２や上部電極１０４は、バンク１１２の形成後、その表面においても形成されるようになっている。
【００４０】
図７Ｂは、本実施形態のタッチセンサ付表示装置１の額縁領域Ｂに形成されるカソードコンタクト部（図７Ｂ左側）と、部品実装領域Ｃに形成される端子部（図７Ｂ右側）を示す図である。額縁領域Ｂに形成されるカソードコンタクト部１４０では、上述のメタル層１１３の一部が、導電体膜１１１を介して上部電極１０４に接続されるようになっている。これにより、メタル層１１３と導電体膜１１１を介してカソード電極（上部電極１０４）に所定の電位が供給される。また、部品実装領域Ｃの回路層７４には、表示領域Ａにつながる配線１１６が形成されている。配線１１６の上には導電体膜１１７が形成され、導電体膜１１７の上には絶縁膜１１８が形成されている。絶縁膜１１８の一部が除去され、導電体膜１１７が露出している部分（端子部１５０）には、上述した駆動部を構成するドライバ集積回路ＩＣが搭載されたり、ＦＰＣが接続されたりする。
【００４１】
本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置１は、表示領域Ａと額縁領域Ｂにおいて、アレイ基板４０の裏面側にタッチセンサ層１１が形成されている。タッチセンサ層１１は、圧電層５と、タッチセンサの第１センサ電極となるタッチ検出用電極９とを含んでいる。図７では、基材７０の裏面側に圧電層５が形成され、圧電層５の裏面側にタッチ検出用電極９が形成されている。圧電層５は、基材７０の裏面側に隙間なく形成されている。より詳しくは、圧電層５と基材７０との間には、導電層が配置されていない。圧電層５と基材７０との間に導電層が配置されると、この導電層がタッチセンサの第２センサ電極として機能してしまうため、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置１では圧電層５と基材７０との間に導電層を含まない構造としている。圧電層５は、セラミックス等の圧電材料が用いられる。又は、可撓性を有する基板上に表示装置が形成される場合は、そのフレキシブル性を阻害しないように、ポリ乳酸等を圧電層５として用いてもよい。タッチ検出用電極９は、金属等の導電性を有する材料が用いられる。さらに、本実施形態では、圧電層５とタッチ検出用電極９とは、アレイ基板４０の裏面側に形成されているため、透過性材料に限られず非透過性材料を用いることができる。そして、図７におけるゲート電極８６（走査信号線２８に対応）または配線層９０（映像信号線３０に対応）がタッチセンサの第２センサ電極として用いられる。このように、本実施形態では、タッチセンサを構成するタッチセンサ層１１がアレイ基板４０の裏面側に隙間なく形成され、ゲート電極８６または配線層９０がタッチセンサを構成する第２センサ電極として用いられることで、タッチセンサがアレイ基板４０と一体に形成される。
【００４２】
本実施形態では、アレイ基板４０に形成されている画素書き込み用のゲート電極８６または配線層９０がタッチセンサの第２センサ電極として用いられることで、第２センサ電極を別途設ける必要がなくタッチセンサ付表示装置１の配線を単純化することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、タッチセンサ層１１をアレイ基板４０の裏面側に形成している。タッチセンサを封止層１０６と対向基板６０との間に形成するいわゆるオンセル型を用いる場合は、下層のＯＬＥＤ６が劣化しないプロセスでタッチセンサを形成する必要があり、例えば処理温度、成膜材料、処理溶剤等に制約が生じる。これに対して、本実施形態では、タッチセンサ層１１をアレイ基板４０の裏面側に形成するため、プロセスの制約を軽減することが可能となる。
【００４４】
図８及び図９を用いて本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置１の製造方法について説明する。図８Ａ〜図８Ｃは、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置の第１の製造方法について説明する図である。第１の製造方法は、アレイ基板形成工程と、支持基板剥離工程と、タッチセンサ層貼り合わせ工程と、を含む。タッチセンサ層貼り合わせ工程以外は、有機ＥＬ表示装置の製造方法として公知であるため、ここでは詳細な説明は省略する。まず、支持基板１７０上に基材７０、回路層７４、ＯＬＥＤ６、封止層１０６が積層されてアレイ基板４０が形成される（図８Ａ：アレイ基板形成工程）。支持基板１７０は、後から剥離しやすいように接着剤等を介して基材７０に貼り付けられている。次に支持基板１７０が基材７０から剥離される（図８Ｂ：支持基板剥離工程）。支持基板を剥離する方法としては、熱軟化、光分解等の方法が適用できる。そして、支持基板が剥離された基材７０に圧電層５とタッチ検出用電極９とを含むタッチセンサ層が貼り付けられる（図８Ｃ：タッチセンサ層貼り合わせ工程）。ここで、基材７０とタッチセンサ層（圧電層５）とは隙間なく貼り合わされ、基材７０とタッチセンサ層（圧電層５）との間には導電層が配置されない。
【００４５】
図９Ａ〜図９Ｄは、本実施形態に係るタッチセンサ付表示装置１の第２の製造方法について説明する図である。第２の製造方法は、回路層形成工程と、タッチセンサ層形成工程と、ＯＬＥＤ形成工程と、封止層形成工程とを含む。第１の製造方法ではタッチセンサ層を基材７０に貼り合わせたが、第２の製造方法では、タッチセンサ層を塗布形成する。例えばロールツーロール方式を適用してタッチセンサ層を塗布形成することができる。まず、基材７０上に回路層７４が形成される（図９Ａ：回路層形成工程）。次に、基材７０の裏面側に圧電層５とタッチ検出用電極９とを含むタッチセンサ層が形成される（図９Ｂ：タッチセンサ層形成工程）。ここでは、圧電層５とセンサ検出量電極７とがそれぞれ塗布形成される。そして、回路層の上にＯＬＥＤ６が形成され（図９Ｃ：ＯＬＥＤ形成工程）、ＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６が形成される（図９Ｄ：封止層形成工程）。
【００４６】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、または同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１  タッチセンサ付表示装置、４  画素アレイ部、５  圧電層、６  ＯＬＥＤ、７  層間絶縁膜、８  画素回路、９  タッチ検出用電極、１０  点灯ＴＦＴ、１１  タッチセンサ層、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、３５  タッチ検出回路、３６  スイッチ、４０  アレイ基板、６０  対向基板、７０  基材、７４  回路層、８２  活性層、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁膜、９０  配線層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９６  平坦化層、９８  容量絶縁層、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１１１，１１７  導電体膜、１１２  バンク、１１３  メタル層、１１６  配線、１１８  絶縁膜、１４０  カソードコンタクト部、１５０  端子部、１６０  有機層、１６１  第１無機層、１６２  第２無機層、１７０  支持基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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