【手続補正書】
【提出日】平成27年9月7日(2015.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
８．１４、８．５２、９．６２、１１．０２、１１．９０、１２．１６、１４．０２、１４．６２、１７．００、１７．８８、１８．５６、１９．０２、１９．２４、２０．５１、２０．９３、２２．１９、２２．７３、２３．２２、２４．３１、２４．５３、２５．９１、２６．２２、２７．３６、２７．７３、２８．７０、３０．８４、３１．５２、３２．３０、３３．１９および３４．３９°の２θにピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有することを特徴とする形態ＩＩＩの結晶性（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
【請求項２】
前記（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドが、実質的に純粋な形態ＩＩＩである、請求項１に記載の形態ＩＩＩの（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
【請求項３】
前記（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドが、純粋な形態ＩＩＩである、請求項２に記載の形態ＩＩＩの（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
【請求項４】
約１０μｍ以下の平均粒径分布を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の形態ＩＩＩの（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
【請求項５】
約１μｍ以下の平均粒径分布を有する、請求項４に記載の形態ＩＩＩの（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の形態ＩＩＩの（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドおよび１つまたは複数の添加剤を含む組成物。
【請求項７】
前記１つまたは複数の添加剤が、アセトンまたはジメチルスルホキシドを含む、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記１つまたは複数の添加剤が、１つまたは複数の薬学的に許容される添加剤を含む、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記１つまたは複数の薬学的に許容される添加剤が、Ｍｉｇｌｙｏｌ  ８１２、ホスホリポン９０Ｇ、もしくはトコフェリルポリエチレングリコール１０００スクシネート、またはその混合物を含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の薬学的に許容される添加剤が、本質的に、Ｍｉｇｌｙｏｌ  ８１２、ホスホリポン９０Ｇ、およびトコフェリルポリエチレングリコール１０００スクシネートからなる、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
組成物の製造方法であって、請求項１から５のいずれか一項に記載の形態ＩＩＩの（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドおよび添加剤を混合するステップを含む、方法。
【請求項１２】
単離された宿主細胞における目的の遺伝子の遺伝子発現を調節する方法であって、前記宿主細胞を請求項６に記載の組成物と接触させるステップを含む、方法。
【請求項１３】
宿主細胞が、（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを結合するリガンド結合ドメインを含む遺伝子スイッチをコードするポリヌクレオチドを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記目的の遺伝子の発現のレベルが、前記（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドの非存在下における前記目的の遺伝子の発現のレベルに比べて増加する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
対象における疾患、障害、傷害または状態を治療するための、請求項８に記載の組成物。
【請求項１６】
前記対象内の宿主細胞が、（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを結合するリガンド結合ドメインを含む遺伝子スイッチをコードするポリヌクレオチドを含む、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記対象がヒトである、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記疾患、障害、傷害または状態が、癌、代謝関連障害、腎臓疾患、貧血、自己免疫障害、眼の障害、血液障害、神経障害、肺障害、リウマチ性障害、および感染性疾患からなる群から選ばれる、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記遺伝子スイッチが、エクジソン受容体リガンド結合ドメインを含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２０】
前記遺伝子スイッチがさらに、（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを結合する前記リガンド結合ドメインと二量体化するリガンド結合ドメインを含む、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを結合する前記リガンド結合ドメインと二量体化する前記リガンド結合ドメインが、レチノイドＸ受容体リガンド結合ドメインである、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
前記レチノイドＸ受容体リガンド結合ドメインが、キメラレチノイドＸ受容体リガンド結合ドメインである、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記宿主細胞がさらに、その発現が前記遺伝子スイッチによって調節されるペプチド、タンパク質またはポリペプチドをコードするポリヌクレオチドを含む、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２４】
前記ポリヌクレオチドが、ＩＬ−１２またはそのサブユニットをコードする、請求項２３に記載の組成物。
【請求項２５】
昆虫の防除方法であって、前記昆虫またはその生息場所を、殺昆虫有効量の請求項１〜５のいずれかに記載の形態ＩＩＩの（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドまたはその組成物と接触させるステップを含む、方法。
【請求項２６】
請求項３に記載の純粋な形態ＩＩＩの結晶性（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドの製造方法であって、（ａ）結晶性または非晶形の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドの懸濁液を、１つまたは複数の非溶媒和物形成溶媒中、約２６℃以下において少なくとも０．５時間、平衡化するステップ；および（ｂ）前記純粋な形態ＩＩＩの結晶性（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを単離するステップを含む、方法。
【請求項２７】
前記溶媒が、ヘプタンおよびトルエンからなる混合物である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
請求項１から５のいずれか一項に記載の形態ＩＩＩの（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを含むキット。
【請求項２９】
請求項６に記載の組成物を含むキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８４】
本明細書で引用されたすべての特許および文献は、その全体が参照することによって本
明細書に組み込まれる。
本願発明は以下の態様を含み得る。［１］
形態ＩＩＩは、８．１４、８．５２、１７．００、１８．５６および２２．１９°の２
θにピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有することを特徴とし；
形態ＩＶは、６．８３、１０．３１、１１．３０、１２．１８、１２．９８、１３．６
９、１５．１１、１６．２３、１７．６０、１７．９９、２０．７０、２１．１５、２１
．６８、２２．７１、２３．７９および２４．８６°の２θにピークを有する粉末Ｘ線回
折パターンを有することを特徴とし；
形態Ｖは、９．３８、１２．２２、１３．１８、１４．９８、１７．３２、１８．４０
、２２．４１、２３．４０、２３．５５、２４．６３、２４．７９、２５．６１、２８．
０２および３１．７７°の２θにピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有することを特
徴とし；
形態ＶＩは、９．３８、１２．２３、１３．２５、１７．４８、１８．４１および２２
．４１°の２θにピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有することを特徴とし；
形態ＶＩＩは、８．１８、９．７１、１３．３０、１６．２２、１７．７３、２０．９
８、２１．２０、２２．７６、２４．６８、２６．７２および２９．３９°の２θにピー
クを有する粉末Ｘ線回折パターンを有することを特徴とし；
形態ＶＩＩＩは、１０．０５、１０．７７、１４．０６、１６．７６、１８．１１、１
８．３２、１８．４３、２０．８９、２１．７１、２１．８７、２４．０７、２４．９０
および２８．７１°の２θにピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有することを特徴と
し；
形態ＩＸは、７．０６、１５．７４および１８．７１°の２θにピークを有する粉末Ｘ
線回折パターンを有することを特徴とする、
形態ＩＩＩ、形態ＩＶ、形態Ｖ、形態ＶＩ、形態ＶＩＩ、形態ＶＩＩＩ、もしくは形態Ｉ
Ｘ、またはその混合物を含む、結晶性（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジ
ドまたは結晶性（Ｓ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル
）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
［２］
形態ＩＩＩもしくは形態ＩＶ、またはその混合物を含む、請求項１に記載の（Ｒ）−３
，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−
３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドまたは（Ｓ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−
（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）
−ヒドラジド。
［３］
実質的に純粋な形態ＩＩＩである、請求項１に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香
酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾ
イル）−ヒドラジド。
［４］
純粋な形態ＩＩＩである、請求項３に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（
１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−
ヒドラジド。
［５］
前記純粋な形態ＩＩＩが、８．１４、８．５２、９．６２、１１．０２、１１．９０、
１２．１６、１４．０２、１４．６２、１７．００、１７．８８、１８．５６、１９．０
２、１９．２４、２０．５１、２０．９３、２２．１９、２２．７３、２３．２２、２４
．３１、２４．５３、２５．９１、２６．２２、２７．３６、２７．７３、２８．７０、
３０．８４、３１．５２、３２．３０、３３．１９および３４．３９°の２θにピークを
有する粉末Ｘ線回折パターンを有することを特徴とする、請求項４に記載の（Ｒ）−３，
５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３
−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
［６］
実質的に純粋な形態ＩＶである、請求項１に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸
Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイ
ル）−ヒドラジド。
［７］
純粋な形態ＩＶである、請求項６に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１
−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒ
ドラジド。
［８］
前記純粋な形態ＩＶが、６．８３、８．３８、８．９１、１０．１１、１０．３１、１
１．３０、１１．８９、１２．１８、１２．９８、１３．６９、１４．１４、１５．１１
、１５．８１、１６．２３、１７．６０、１７．９９、１８．６０、１９．１５、１９．
６６、２０．２８、２０．７０、２１．１５、２１．６８、２２．４４、２２．７１、２
３．５０、２３．７９、２４．０６、２４．８６、２５．５５、２６．５３、２６．９４
、２７．２１、２７．６０、２８．６７、２９．７９、３０．５０、３０．７５、３１．
５５、３１．８９、３２．７８、３３．２５、３３．４８、３３．８１および３４．６８
°の２θにピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有することを特徴とする、請求項７に
記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’
−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
［９］
非晶形の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−
Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドまたは（Ｓ）−３，５−
ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メ
トキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
［１０］
実質的に純粋である、請求項９に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−
ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒド
ラジド。
［１１］
前記（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’
−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドの形態が純粋である、請求項
１０に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）
−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジド。
［１２］
約１０μｍ以下の平均粒径分布を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の（
Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−
エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドの形態（複数可）。
［１３］
約１μｍ以下の平均粒径分布を有する、請求項１２に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル
安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−
ベンゾイル）−ヒドラジドの形態（複数可）。
［１４］
請求項１から１３のいずれか一項に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１
−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒ
ドラジドの形態（複数可）および１つまたは複数の添加剤を含む組成物。
［１５］
前記１つまたは複数の添加剤が、アセトンまたはジメチルスルホキシドを含む、請求項
１４に記載の組成物。
［１６］
前記１つまたは複数の添加剤が、１つまたは複数の薬学的に許容される添加剤を含む、
請求項１４に記載の組成物。
［１７］
前記１つまたは複数の薬学的に許容される添加剤が、Ｍｉｇｌｙｏｌ  ８１２、ホスホ
リポン９０Ｇ、もしくはトコフェリルポリエチレングリコール１０００スクシネート、ま
たはその混合物を含む、請求項１６に記載の組成物。
［１８］
前記１つまたは複数の薬学的に許容される添加剤が、本質的に、Ｍｉｇｌｙｏｌ  ８１
２、ホスホリポン９０Ｇ、もしくはトコフェリルポリエチレングリコール１０００スクシ
ネートからなる、請求項１７に記載の組成物。
［１９］
組成物の製造方法であって、請求項１から１３のいずれか一項に記載の形態（複数可）
の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（
２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドおよび添加剤を混合するステップ
を含む、方法。
［２０］
単離された宿主細胞における目的の遺伝子の遺伝子発現を調節するインビトロの方法で
あって、前記宿主細胞を請求項１４に記載の組成物と接触させるステップを含む、方法。
［２１］
宿主細胞が、（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル
）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを結合するリガンド
結合ドメインを含む遺伝子スイッチをコードするポリヌクレオチドを含む、請求項２０に
記載の方法。
［２２］
前記目的の遺伝子の発現のレベルが、前記（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１
−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒ
ドラジドの非存在下における前記目的の遺伝子の発現のレベルに比べて増加する、請求項
２０に記載の方法。
［２３］
対象における疾患、障害、傷害または状態を治療するための、請求項１６に記載の組成
物。
［２４］
前記対象内の宿主細胞が、（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブ
チル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを結合
するリガンド結合ドメインを含む遺伝子スイッチをコードするポリヌクレオチドを含む、
請求項２３に記載の組成物。
［２５］
前記疾患、障害、傷害または状態が、癌、代謝関連障害、腎臓疾患、貧血、自己免疫障
害、眼の障害、血液障害、神経障害、肺障害、リウマチ性障害、および感染性疾患からな
る群から選ばれる、請求項２４に記載の組成物。
［２６］
前記遺伝子スイッチが、エクジソン受容体リガンド結合ドメインを含む、請求項２１に
記載の方法。
［２７］
前記遺伝子スイッチが、エクジソン受容体リガンド結合ドメインを含む、請求項２４に
記載の組成物。
［２８］
前記遺伝子スイッチがさらに、（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ
−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを
結合する前記リガンド結合ドメインと二量体化するリガンド結合ドメインを含む、請求項
２７に記載の組成物。
［２９］
（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（
２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを結合する前記リガンド結合ドメ
インと二量体化する前記リガンド結合ドメインが、レチノイドＸ受容体リガンド結合ドメ
インである、請求項２８に記載の組成物。
［３０］
前記レチノイドＸ受容体リガンド結合ドメインが、キメラレチノイドＸ受容体リガンド
結合ドメインである、請求項２９に記載の組成物。
［３１］
前記宿主細胞がさらに、その発現が前記遺伝子スイッチによって調節されるペプチド、
タンパク質またはポリペプチドをコードするポリヌクレオチドを含む、請求項２４に記載
の組成物。
［３２］
前記ポリヌクレオチドが、ＩＬ−１２またはそのサブユニットをコードする、請求項３
１に記載の組成物。
［３３］
昆虫の防除方法であって、前記昆虫またはその生息場所を、殺昆虫有効量の（Ｒ）−３
，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−
３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドもしくは（Ｓ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ
−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル
）−ヒドラジドの１つもしくは複数の結晶多形もしくは非晶形、またはその組成物と接触
させるステップを含む、方法。
［３４］
純粋な形態ＩＩＩの結晶性（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブ
チル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドの製造
方法であって、（ａ）結晶性または非晶形の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１
−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒ
ドラジドの懸濁液を、１つまたは複数の非溶媒和物形成溶媒中、約２６℃以下において少
なくとも０．５時間、平衡化するステップ；および（ｂ）前記純粋な形態ＩＩＩの結晶性
（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２
−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒドラジドを単離するステップを含む、方法。
［３５］
前記溶媒が、ヘプタンおよびトルエンからなる混合物である、請求項３４に記載の方法
。
［３６］
請求項１から１３のいずれか一項に記載の（Ｒ）−３，５−ジメチル安息香酸Ｎ−（１
−ｔｅｒｔ−ブチル−ブチル）−Ｎ’−（２−エチル−３−メトキシ−ベンゾイル）−ヒ
ドラジドの形態（複数可）を含むキット。
［３７］
請求項１４に記載の組成物を含むキット。