【事件の表示】
　平成９年特許願第８７３９９号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年１０月９日出願公開、特開平１０−２７０３８０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．　 本願出願日及び本願発明　
　
　本願は、平成９年３月２１日の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、当該請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める（以下、当該請求項１に係る発明を「本願第１発明」という。）。　
　「第１のシリコン層の上層に高融点金属の窒化物または炭化物の層を有し、その直上の層に金属シリサイド薄膜を有し、さらにその上層に第２のシリコン層を有する積層構造を配線として具備する、ことを特徴とする半導体装置。」　
　
II．　引用例　
　
１．　引用例１　
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−２０５４６８号公報（以下「引用例１」という。）には、　
　「…ゲート電極を形成後、ソース・ドレイン領域形成を行なったＭＯＳ型トランジスタは、ゲート酸化膜上に順次第１多結晶シリコン膜，高融点金属シリサイド膜，多結晶シリコン膜が積層されてなり、側壁に絶縁膜を有する。」
と記載されており（第２頁右上欄第１９行〜左下欄第４行）、
　また、「高い集積度をもつＭＯＳ型半導体集積回路では、トランジスタはポリサイド構造のゲート電極と……する技術が一般的になっている。」
とも記載されている（第１頁右下欄第１０〜１６行）。
（２）すなわち、引用例１には、
　「第１多結晶シリコン膜の上層に高融点金属シリサイド膜を有し、さらにその上層に多結晶シリコン膜を有するゲート電極を有するＭＯＳ型トランジスタから構成されるＭＯＳ型半導体集積回路」
が記載されているものと認められる。
２．　引用例２
　
（１）同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−１６４０７４号公報（以下「引用例２」という。）には、　
　「ポリシリコン膜と窒化金属膜と金属シリサイド膜とを順次積層した構造の電極膜を有することを特徴とする半導体装置」　
と記載されており（第１頁左下欄第５〜８行）、　
　また、「従来、半導体装置の電極としてポリサイド電極を用いると、金属シリサイド膜の構成元素である高融点金属がポリシリコン膜を通り抜けゲート絶縁膜表面に到達し絶縁膜と反応し、ＭＩＳ型半導体装置の信頼性を低下させるという問題に対し、本発明では、金属シリサイド膜からその構成元素である高融点金属がポリシリコン膜を通り抜けてゲート絶縁膜に到達するのを防ぐため、金属シリサイド膜とポリシリコン膜の間に導電性のある窒化金属膜を設ける……ものである。」　
と記載されており（第２頁左上欄第１０行〜右上欄第１行）、　
　更に、「窒化金属膜６としては、ＴｉＮなど……が良い」　
とも記載されている（第２頁右上欄第１８行〜左下欄第２行）。　
　
（２）すなわち、引用例２には、　
　「ポリシリコン膜の上層にＴｉＮ膜を有し、さらにその直上に高融点金属シリサイド膜を有するポリサイド電極を有する半導体装置」が記載されているものと認められ、　
　そして、この半導体装置におけるポリサイド電極の技術上の意義は、ポリシリコン膜上に形成された金属シリサイド膜からその構成元素である高融点金属が上記ポリシリコン膜を通り抜けてゲート絶縁膜に到達することを防ぐために、上記金属シリサイド膜と上記ポリシリコン膜の間に導電性のある窒化金属膜（代表的には「ＴｉＮ」膜、すなわち「高融点金属の窒化物」の膜）を介在させたことにある、ということが記載されているものと認められる。　
　
III．　対比　
　
　本願第１発明と引用例１に記載された発明を対比すると、後者における「第１多結晶シリコン膜」、「多結晶シリコン膜」、「高融点金属シリサイド膜」、「ＭＯＳ型トランジスタから構成されるＭＯＳ型半導体集積回路」は、それぞれ前者における「第１のシリコン層」、「第２のシリコン層」、「金属シリサイド薄膜」、「半導体装置」に該当するから、両者は、　
　「第１のシリコン層の上層に金属シリサイド薄膜を有し、さらにその上層に第２のシリコン層を有する積層構造を具備する、ことを特徴とする半導体装置」　
である点で一致しており、　
　(a)本願第１発明は、「第１のシリコン層の上層に高融点金属の窒化物または炭化物の層を有し、その直上の層に金属シリサイド薄膜を有し」ているのに対し、引用例１に記載された発明は、「第１のシリコン層の上層に高融点金属の窒化物または炭化物の層を有し、その直上の層に金属シリサイド薄膜を有し」ているものではない点（以下「相違点１」という。）、　
　(b)本願第１発明は、「積層構造を配線として具備する」のに対し、引用例１に記載された発明は、３つの「膜」すなわち「層」からなる「積層構造」が、ＭＯＳ型半導体集積回路を構成するトランジスタの「ゲート電極」である点（以下「相違点２」という。）、　
の２点で相違している。　
　
IV． 　判断　
　
１．相違点１について　
　
　前記引用例２に記載された発明は、半導体装置のポリサイド電極において、ポリシリコン層上に形成された金属シリサイド薄膜からその構成元素である高融点金属が上記ポリシリコン層を通り抜けてゲート絶縁膜の表面に到達することを防ぐために、上記金属シリサイド薄膜と上記ポリシリコン層との間に高融点金属の窒化物の膜を介在させるという解決手段を講じ、もって、この高融点金属の窒化物の層が上記高融点金属シリサイド薄膜の構成元素である高融点金属が上記ポリシリコン層中を通り抜けてゲート絶縁膜の表面に到達することを防ぐようにする、という技術上の意義を有するものである。
　ところで、前記引用例１に記載された発明もまた、「多結晶シリコン層の上層に金属シリサイド薄膜」を有しているのであるから、上記引用例２に記載された発明の技術上の意義に照らせば、引用例１に記載された発明もまた、引用例２に記載された発明におけると同様に、「ポリシリコン層上に形成された金属シリサイド薄膜からその構成元素である高融点金属が上記ポリシリコン層を通り抜けてゲート絶縁膜の表面に到達する」という問題を生じ得るはずのものである。　
　そうすると、上記引用例１に記載された発明においても、その高融点金属シリサイド薄膜と第１多結晶シリコン膜すなわち第１のシリコン層との間に高融点金属の窒化物の層を介在させれば、引用例２に記載された発明におけると同様に、この高融点金属の窒化物の層により、上記金属シリサイド薄膜の構成元素である高融点金属が上記第１のシリコン層中を通り抜けてゲート絶縁膜に到達することを防ぐことができる、ということは、当業者であれば、上記引用例２に記載された発明の技術上の意義からして、当然に予見できるところである。　
　以上からすると、引用例１に記載された発明のポリサイド電極に対して引用例２に記載された発明を適用し、もって、第１のシリコン層（引用例１にいう第１多結晶シリコン膜ないし引用例２にいうポリシリコン層）の上層に高融点金属の窒化物の層を介在させ、相違点１に係る本願第１発明の構成を構築することは、当業者がその知見により、格別の創意工夫を要することなくなし得たことである。　
　
２．相違点２について　
　
　ＭＯＳ型半導体集積回路におけるＭＯＳ型トランジスタのゲート電極を伸長させてゲート電極配線とすることは、本願明細書の「従来の技術」の項においても言及されているとおり、従来から周知の事項である（なお、更に必要であれば、特開昭６２−９２４７０号公報、特開昭６３−３７６６５号公報をも参照）。　
　そうしてみると、引用例１に記載された発明における「ゲート電極」を構成する前記「積層構造」を伸長させて上記周知の積層構造からなるゲート電極配線とすること、すなわち、「積層構造を配線」とすることも、当業者であれば、格別の創意工夫を要することなくなし得たことである。　
　
V．　 結び　
　
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、本願出願人は、当該発明について特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。