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【手続補正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素のイオンを用いてドーピングされた半導体材料を収容する光活性化領域を含む光電子デバイスであって、動作中、ドーパントイオンの内部エネルギーに関連する特徴的遷移が、該内部エネルギー状態と、該半導体材料の伝導帯及び／又は価電子帯からのエネルギー状態と、の直接的な相互作用によって修正される、光電子デバイス。
【請求項２】
希土類元素のイオンを用いてドーピングされた半導体材料を収容する光活性化領域を含む光電子デバイスであって、前記イオンは、該半導体材料の伝導帯と価電子帯との間の禁制帯内にあるエネルギー状態を有し、動作中、該半導体材料のエネルギーバンドとドーパントイオンのエネルギー状態との間の放射線放出性遷移又は放射線吸収性遷移を受け得る、光電子デバイス。
【請求項３】
前記半導体材料は間接バンドギャップ半導体材料である、請求項１又は請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記半導体材料はシリコンである、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
ｐ型半導体領域及び／又はｎ型半導体領域に接した接合を含み、前記光活性化領域は前記ｐ型又はｎ型半導体領域に位置する、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
希土類元素の前記イオンは三価ユーロピウムイオン Eu3+ である、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
希土類元素の前記イオンは三価イッテルビウムイオン Yb3+ である、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記光活性化領域は三価ユーロピウムイオン Eu3+ を用いてドーピングされたシリコンを収容し、動作中、該シリコン伝導帯におけるエネルギー状態から該三価 Eu3+ イオンの 7Fj 状態（ｊ＝０，１，２，３，４）の一つ以上への放射遷移を受け得る、請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記光活性化領域は三価イッテルビウムイオン Yb3+ を用いてドーピングされたシリコンを収容し、動作中、該シリコン伝導帯におけるエネルギー状態から該三価 Yb3+ イオンの 2F7/2 状態の一つ以上への放射遷移を受け得る、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１０】
光エミッタである、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１１】
ｐ型半導体領域とｎ型半導体領域とによって規定された p-n 接合を含み、前記光活性化領域は前記ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域の一方又はもう一方に位置する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
発光ダイオードの形態をとる、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記光活性化領域は三価ユーロピウムイオン Eu3+ を用いてドーピングされたシリコンを収容し、1300nm 〜 1600nm の波長範囲での放射線の放出性を有する、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記光活性化領域は三価イッテルビウムイオン Yb3+ を用いてドーピングされたシリコンを収容し、1200nm 〜 1600nm の波長範囲での放射線の放出性を有する、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１５】
光増幅器の形態をとる、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１６】
該光増幅器はレーザであり、前記 p-n 接合は完全に反射する要素と部分的に反射する要素とが設けられて光キャビティを形成する、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
光検出器である、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１８】
該光検出器はｎ型半導体領域に接した接合を有するフォトダイオードであり、前記光活性化領域は前記ｎ型半導体領域に位置し、動作中、該ドーパントイオンのエネルギー状態と前記半導体材料の伝導帯におけるエネルギー状態との間の放射線吸収性遷移を受け得る、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記半導体材料はシリコンであり、前記ドーパントイオンは三価ユーロピウムイオンであって、1280nm 〜 2000nm の波長範囲での放射線の吸収性を有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記半導体材料はシリコンであり、前記ドーパントイオンは三価イッテルビウムイオンであって、1280nm 〜 1360nm の波長範囲での放射線の吸収性を有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２１】
該光検出器はｐ型半導体領域に接した接合を有するフォトダイオードであり、前記光活性化領域は前記ｐ型半導体領域に位置し、動作中、前記半導体材料の価電子帯におけるエネルギー状態と該ドーパントイオンのエネルギー状態との間の放射線吸収性遷移を受け得る、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記半導体はシリコンであり、前記ドーパントイオンは三価ユーロピウムイオンであって、2600nm 〜 約25000nm の波長範囲での放射線の吸収性を有する、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記半導体はシリコンであり、前記ドーパントイオンは三価イッテルビウムイオンであって、6000nm 〜 25000nm の波長範囲での放射線の吸収性を有する、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２４】
該接合は p-n 接合である、請求項１８から請求項２３までのいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２５】
フォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、p-i-n フォトダイオード、及びショットキーフォトダイオードから選択された、請求項１７から請求項２３までのいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記半導体材料は間接バンドギャップ材料であって空間的に制限するのに効果的な歪場を包含し、それによって、該半導体材料のエネルギー状態と該ドーパントイオンのエネルギー状態との間の遷移に匹敵し得る電荷キャリアの非放射再結合を抑制する、請求項１から請求項２５までのいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記歪場はディスロケーションループの配列によって作り出される、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２８】
請求項１から請求項２７までのいずれか一項に記載の少なくとも一つの光電子デバイスを含む光電子集積回路。
【請求項２９】
前記少なくとも一つの光電子デバイスは光エミッタ及び／又は光増幅器及び／又は光検出器を含むものであって、該光エミッタを該光検出器に結合する平面導波路を含む、請求項２８に記載の光電子集積回路。
【請求項３０】
前記光エミッタ、前記光増幅器、前記光検出器、及び前記平面導波路はシリコン基材上に形成されている、請求項２９に記載の光電子集積回路。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年10月20日(2015.10.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細孔炭素を含む電気化学二重層キャパシタ電極であって、
該細孔炭素は：
１．２ナノメートル以下のメジアン細孔幅と、
２４００ｍ２／ｃｍ３以上のＢＥＴ表面積対合計細孔容積比と、
を有し、かつ
(i) ≧０．３ｃｍ３／ｇの合計細孔容積を与える、≦１ｎｍのサイズを有する細孔；
(ii) ≧０．０５ｃｍ３／ｇの合計細孔容積を与える、１ｎｍ＜〜≦２ｎｍのサイズを有する細孔；及び、
(iii) ＜０．１５ｃｍ３／ｇの合計細孔容積を与える、＞２ｎｍのサイズを有する細孔を有する、細孔径分布を有する、
電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項２】
前記ＢＥＴ表面積対合計細孔容積比が２４００ｍ２／ｃｍ３〜２０，０００ｍ２／ｃｍ３の範囲にある、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項３】
前記ＢＥＴ表面積対合計細孔容積比が２４００ｍ２／ｃｍ３〜３５００ｍ２／ｃｍ３の範囲にある、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項４】
前記細孔炭素の前記ＢＥＴ表面積が１０００ｍ２／ｇ超である、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項５】
前記細孔炭素の前記ＢＥＴ表面積が２１００ｍ２／ｇ超である、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項６】
前記合計細孔容積が０．２〜１．５ｃｍ３／ｇの範囲にある、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項７】
前記合計細孔容積が０．４〜１．０ｃｍ３／ｇの範囲にある、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項８】
前記メジアン細孔幅が１．０ナノメートル以下である、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項９】
前記メジアン細孔幅が０．８ナノメートル以下である、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【請求項１０】
９０Ｆ／ｃｃ超の体積比容量を有する、請求項１に記載の電気化学二重層キャパシタ電極。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
幾つかの実施形態では、少なくとも１つの電極は活性炭を含む。大量（重量で）の活性炭を含む電極は本明細書では、「ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｃａｒｂｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ（活性炭電極）」と表記される。幾つかの実施形態では、活性炭電極は、約５０重量％を超える活性炭（例えば、５０重量％超，６０重量％超，７０重量％超，８０重量％超，９０重量％超，または９５重量％超の活性炭）を含む。活性炭電極は、活性炭以外の材料を含むことができる。幾つかの実施形態では、一方の電極、または両方の電極は、活性炭電極を含むことができる。例えば、一方の電極は、大量の活性炭を含むことができ、そして他方の活性炭電極は、大量のグラファイトを含むことができる。幾つかの実施形態では、第１電極及び第２電極の両方が、活性炭電極である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
幾つかの実施形態では、電極内に利用される活性炭は、ＢＥＴ（比表面積の算出理論を提唱した３名の科学者Ｂｒｕｎａｕｅｒ，  Ｅｍｍｅｔｔ，  Ｔｅｌｌｅｒの頭文字）法により取得される少なくとも約１００ｍ２／ｇの炭素表面積を有することができる。幾つかの実施形態では、細孔炭素のＢＥＴ表面積は、１００ｍ２／ｇ超、２００ｍ２／ｇ超、３００ｍ２／ｇ超、４００ｍ２／ｇ超、５００ｍ２／ｇ超、６００ｍ２／ｇ超、７００ｍ２／ｇ超、８００ｍ２／ｇ超、９００ｍ２／ｇ超、１０００ｍ２／ｇ超、１１００ｍ２／ｇ超、１２００ｍ２／ｇ超、１３００ｍ２／ｇ超、１４００ｍ２／ｇ超、１５００ｍ２／ｇ超、１６００ｍ２／ｇ超、１７００ｍ２／ｇ超、１８００ｍ２／ｇ超、１９００ｍ２／ｇ超、２０００ｍ２／ｇ超、２１００ｍ２／ｇ超、２２００ｍ２／ｇ超、２３００ｍ２／ｇ超、２４００ｍ２／ｇ超、２５００ｍ２／ｇ超、２６００ｍ２／ｇ超、２７００ｍ２／ｇ超、２８００ｍ２／ｇ超、２９００ｍ２／ｇ超、３０００ｍ２／ｇ超である。幾つかの実施形態では、細孔炭素のＢＥＴ表面積は、３０００ｍ２／ｇ未満、２９００ｍ２／ｇ未満、２８００ｍ２／ｇ未満、２７００ｍ２／ｇ未満、２６００ｍ２／ｇ未満、２５００ｍ２／ｇ未満、２４００ｍ２／ｇ未満、２３００ｍ２／ｇ未満、２２００ｍ２／ｇ未満、２１００ｍ２／ｇ未満、２０００ｍ２／ｇ未満、１９００ｍ２／ｇ未満、１８００ｍ２／ｇ未満、１７００ｍ２／ｇ未満、１６００ｍ２／ｇ未満、１５００ｍ２／ｇ未満、１４００ｍ２／ｇ未満、１３００ｍ２／ｇ未満、１２００ｍ２／ｇ未満、１１００ｍ２／ｇ未満、１０００ｍ２／ｇ未満、９００ｍ２／ｇ未満、８００ｍ２／ｇ未満、７００ｍ２／ｇ未満、６００ｍ２／ｇ未満、５００ｍ２／ｇ未満、４００ｍ２／ｇ未満、３００ｍ２／ｇ未満、または２０ｍ２／ｇ未満である。幾つかの実施形態では、細孔炭素のＢＥＴ表面積は、上に列挙した値の中から選択される範囲に収まる。例えば、細孔炭素のＢＥＴ表面積は、１００ｍ２／ｇ超かつ３０００ｍ２／ｇ未満、４００ｍ２／ｇ超かつ２９００ｍ２／ｇ未満、２０００ｍ２／ｇ超かつ３０００ｍ２／ｇ未満、または２０００ｍ２／ｇ超かつ２８００ｍ２／ｇ未満である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
幾つかの実施形態では、≧０．３ｃｍ３／ｇの合計細孔容積を与える、≦１ｎｍのサイズを有する細孔；≧０．０５ｃｍ３／ｇの合計細孔容積を与える、１ｎｍ＜〜≦２ｎｍのサイズを有する細孔；及び、＜０．１５ｃｍ３／ｇの合計細孔容積を与える、＞２ｎｍのサイズを有する細孔を含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
データが示しているように、例１は、２３．４８Åの最大のメジアン細孔幅、及び４９．９Ｆ／ｃｃの最小の体積比容量を有する。例２〜５は、７〜８Åの範囲のメジアン細孔幅、及び９０Ｆ／ｃｃを超える体積比容量を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の側壁（４３）と試料容器（１８）を通過させる開口部（４２）とを具備する気候密封室（１２）に試料容器（１８）を自動的に供給する供給回収手段（２２）を含み、前記供給回収手段（２２）が１つ以上の駆動制御部を具備し、前記気候密封室（１２）の内部に試料容器（１８）を受け取る培養器貯蔵部（３０）を備えて試料を時間制御された態様で格納する空調室装置（１０）において、
前記供給回収手段（２２）が、前記気候密封室（１２）の外部の受取位置にある試料容器（１８）を把持して培養器貯蔵部（３０）内の一意の格納位置に配置する供給把持アーム（２２）を具備し、
前記供給把持アーム（２２）が、前記気候密封室（１２）の外部に配置され、
前記試料容器（１８）が、前記供給把持アーム（２２）によって気候密封室（１２）から個別に取り出され、
前記開口部（４２）が、少なくとも垂直方向に移動可能な貫通路（４０）により形成されることを特徴とする空調室装置（１０）。
【請求項２】
前記供給把持アーム（２２）が、垂直方向に移動して前記培養器貯蔵部（３０）の異なるレベルにある格納位置にアクセスするように垂直移動可能位置決め手段（２８）に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の空調室装置（１０）。
【請求項３】
前記開口部（４２）が、前記貫通路（４０）を開閉する閉鎖部を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の空調室装置（１０）。
【請求項４】
前記試料容器（１８）が前記受取位置から収容位置に移動するときに回転するように前記供給把持アーム（２２）が取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の空調室装置（１０）。
【請求項５】
前記開口部（４２）が、前記側壁（４３）に垂直方向に延長して設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の空調室装置（１０）。
【請求項６】
前記培養器貯蔵部（３０）が、回転ラックであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の空調室装置（１０）。
【請求項７】
前記回転ラックを駆動手段を通じて駆動するモータが、前記気候密封室（１２）の外部に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の空調室装置（１０）。
【請求項８】
前記気候密封室（１２）が、冷房および／または暖房を行う培養室、気候室、または培養器であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１つに記載の空調室装置（１０）。
【請求項９】
前記受取位置が運搬システム（１６）での分離手段（２０）の位置にあることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１つに記載の空調室装置（１０）。
【請求項１０】
前記試料容器（１８）上のバーコードに格納された情報を評価し該情報をデータ処理システムに転送するバーコードリーダ（３６）が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１つに記載の空調室装置（１０）。
【請求項１１】
試料の状態を評価し分析結果をデータ処理システムに格納する検出手段（４８）が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１つに記載の空調室装置（１０）。
【請求項１２】
気候密封室（１２）に試料容器（１８）を導入する工程と、所定時間後に気候密封室（１２）から試料容器（１８）を取り出す工程とを含んで試料容器（１８）を空調室装置（１０）の気候密封室（１２）に時間制御された態様で自動的に格納する方法において、
各試料容器（１８）に該試料容器（１８）が、前記気候密封室（１２）から取り出されるまでの個別の時間間隔を少なくとも１つ割り当て、
各試料容器（１８）の導入時に該試料容器（１８）に前記気候密封室（１２）内の培養器貯蔵部（３０）内の空き格納スペースを割り当てることを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記試料容器（１８）を前記気候密封室（１２）に導入する前に前記試料容器（１８）を回転させることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
バーコードを備える試料容器（１８）を格納前に読み取り、前記バーコードに含まれる情報を追加処理のためにデータ処理システムに転送することを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記気候密封室（１２）に各試料容器（１８）を実際に導入する前に該試料容器（１８）に対して判断された格納位置を調べて該格納位置が別の試料によって既に占有されていないことを確認し、該確認の結果をデータ処理システムに送信することを特徴とする請求項１２乃至請求項１４のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月14日(2014.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
GSK3β阻害剤、ERK脱リン酸化阻害剤、Raf活性化剤、CaMK2 阻害剤およびp38阻害剤から
なる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を含有する心筋細胞および/または心筋前駆
細胞増殖剤。
【請求項２】
前記心筋細胞および心筋前駆細胞がそれぞれヒト心筋細胞およびヒト心筋前駆細胞である、請求項１に記載の心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖剤。
【請求項３】
前記心筋細胞が、多能性幹細胞を分化誘導して得られる心筋細胞および/または心筋前駆
細胞である、請求項１に記載の心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖剤。
【請求項４】
前記薬剤が、i) GSK3β阻害剤、CaMK2 阻害剤およびp38阻害剤、もしくは、ii) GSK3β阻害剤、ERK 活性化剤およびp38阻害剤から成る、請求項１に記載の心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖剤。
【請求項５】
前記薬剤が、CyclinA2、CyclinD2、CyclinD3、Cdk2およびcdk4の発現を増強させ、Ink4b
の発現を減少させる、請求項１に記載の心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖剤。
【請求項６】
前記GSK3β阻害剤がCHIR99021またはBIOであり、前記ERK脱リン酸化阻害剤がSU1498であ
り、前記Raf活性化剤がZM336372であり、前記CaMK2 阻害剤がKN62またはKN93であり、前
記p38阻害剤がSB203580である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖剤。
【請求項７】
前記薬剤が、i) BIO、SU1498およびSB203580、もしくは、ii) BIO、KN93およびSB203580
から成る、請求項１〜６のいずれか一項に記載の心筋細胞および/または心筋前駆細胞増
殖剤。
【請求項８】
心筋細胞および/または心筋前駆細胞を、請求項１〜７のいずれか一項に記載の心筋細胞
および/または心筋前駆細胞増殖剤を含有する培地で培養する工程を含む、心筋細胞およ
び/または心筋前駆細胞の増殖方法。
【請求項９】
前記心筋細胞および心筋前駆細胞がそれぞれヒト心筋細胞およびヒト心筋前駆細胞である
、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記心筋細胞および/または心筋前駆細胞が、多能性幹細胞を分化誘導して得られる心筋
細胞および/または心筋前駆細胞である、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
以下の工程を含む、心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖剤のスクリーニング方法。
（１）試験物質を、多能性幹細胞を分化誘導して得られた心筋細胞および/または心筋前
駆細胞に接触させる工程、
（２）工程（１）の後に心筋細胞および/または心筋前駆細胞の数を計測する工程、及び
（３）心筋細胞および/または心筋前駆細胞の数が、試験物質と接触させないときの心筋
細胞および/または心筋前駆細胞の数よりも大きい場合に、該試験物質を心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖剤として選択する工程。
【請求項１２】
以下の工程を含む、心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖剤のスクリーニング方法。
（１）試験物質を、多能性幹細胞を分化誘導して得られた心筋細胞および/または心筋前
駆細胞に接触させる工程、
（２）工程（１）の後に心筋細胞および/または心筋前駆細胞の数を計測する工程、及び
（３）心筋細胞および/または心筋前駆細胞の数が、心筋細胞および/または心筋前駆細胞増殖能を有する陽性コントロール物質と接触させたときの心筋細胞および/または心筋前
駆細胞の数と比べて同等または大きい場合に、該試験物質を心筋細胞および/または心筋
前駆細胞増殖剤として選択する工程。
【請求項１３】
前記陽性コントロール物質がGSK3β阻害剤、ERK脱リン酸化阻害剤、Raf活性化剤、CaMK2 阻害剤およびp38阻害剤からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物である、請求項
１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットの表面上にパターンを転写するために複数の小ビームを発生させる荷電粒子リソグラフィシステムで使用するように構成されたアパーチャアレイ要素であって、
アパーチャアレイ要素は、複数のグループで配置された複数のアパーチャを具備し、
前記アパーチャは、前記小ビームをアパーチャアレイ要素を通過させ、
前記アパーチャのグループは、複数のビーム領域を形成し、これらビーム領域は、これらビーム領域間に形成された複数の非ビーム領域とは異なりこれら非ビーム領域から分離され、前記非ビーム領域は、前記小ビームを通過させるアパーチャを含まず、
アパーチャアレイ要素には、アパーチャアレイ要素を冷却する冷却媒体を透過させるように構成された冷却チャネルが設けられ、前記冷却チャネルは、アパーチャアレイ要素の前記非ビーム領域に設けられているアパーチャアレイ要素。
【請求項２】
アパーチャアレイ要素は、厚さ及び幅を有するプレートを有し、
前記アパーチャは、前記プレートの前記ビーム領域に前記プレートの厚さにわたって形成され、
前記冷却チャネルは、前記プレートの前記非ビーム領域の内部に形成され、前記プレートの幅の方向に延びている請求項１のアパーチャアレイ要素。
【請求項３】
アパーチャアレイ要素は、厚さ及び幅を有するプレートを有し、
前記アパーチャは、前記プレートの前記ビーム領域に前記プレートの厚さにわたって形成され、
前記冷却チャネルは、前記非ビーム領域で前記プレートに取着された外部要素に形成され、前記プレートの幅の方向に延び、
前記冷却チャネルは、アパーチャアレイ要素に構造支持を与えるように構成されている請求項１のアパーチャアレイ要素。
【請求項４】
前記冷却チャネルを通して前記冷却媒体を流す冷媒システムをさらに具備し、
前記冷媒システムは、前記冷却チャネルを通る前記冷却媒体の乱流を生成するように構成されている請求項１ないし３のいずれか１のアパーチャアレイ要素。
【請求項５】
前記アパーチャアレイは、前記アパーチャ及び冷却チャネルが形成された材料でできたモノリシックプレートの材料でできている請求項１又は２のアパーチャアレイ要素。
【請求項６】
前記アパーチャアレイは、タングステンでできたプレートにより形成されている請求項１ないし５のいずれか１のアパーチャアレイ要素。
【請求項７】
前記アパーチャアレイは、銅又はモリブデンでできたプレートにより形成されている請求項１ないし５のいずれか１のアパーチャアレイ要素。
【請求項８】
アパーチャアレイ要素は、一体的な電流制限アパーチャアレイを有し、
アパーチャアレイ要素の前記アパーチャは、アパーチャアレイ要素の前記上面の下方に窪んだ最狭小部分を有する請求項１ないし７のいずれか１のアパーチャアレイ要素。
【請求項９】
アパーチャアレイ要素は、プレートを有し、
前記プレートには、ビームの方向に面している湾曲した上面が設けられている請求項１ないし８のいずれか１のアパーチャアレイ要素。
【請求項１０】
アパーチャアレイ要素は、アパーチャ無し領域及びアパーチャ領域に交互に細分され、
各アパーチャ領域は、複数のアパーチャを有し、
前記湾曲した上面は、複数の前記アパーチャ無し領域及び前記アパーチャ領域を囲んでいる請求項９のアパーチャアレイ要素。
【請求項１１】
前記アパーチャアレイの前記湾曲した上面は、前記荷電粒子源に向かって前記上面の上方に突出している高くなったドーム形状領域を形成している請求項９又は１０のアパーチャアレイ要素。
【請求項１２】
前記アパーチャアレイの前記湾曲した上面は、前記荷電粒子源に面している前記上面の領域にドーム形状の窪みを形成している請求項９又は１０のアパーチャアレイ要素。
【請求項１３】
このシステムは、光軸を有し、
前記湾曲した上面は、前記光軸を中心とした余弦関数に従う形状である請求項９ないし１２のいずれか１のアパーチャアレイ要素。
【請求項１４】
前記上面の周囲は、前記湾曲した上面の高さよりも実質的に高い請求項９ないし１３のいずれか１のアパーチャアレイ要素。
【請求項１５】
発散する荷電粒子ビームを発生させるように構成された荷電粒子源と、
第１の電極を有し、前記発散する荷電粒子ビームを屈折させるコリメートシステムと、
請求項１ないし１４のいずれか１のアパーチャアレイ要素とを具備し、
前記アパーチャアレイ要素は、第２の電極を形成し、
前記システムは、前記第１の電極と前記第２の電極との間に加速電場を生成するように構成されている荷電粒子ビームジェネレータ。
【請求項１６】
ターゲットの表面上にパターンを転写する荷電粒子リソグラフィシステムであって、
カラムを規定している複数の荷電粒子を発生させるビームジェネレータと、
第１のアパーチャアレイと、ブランカアレイと、ビーム停止アレイと、投影レンズアレイとを有する複数のアパーチャアレイ要素とを具備し、
各アパーチャアレイ要素は、複数のグループで配置された複数のアパーチャを有し、前記アパーチャは、前記小ビームを前記アパーチャアレイ要素を通過させ、
各アパーチャアレイ要素のアパーチャの前記グループは、複数のビーム領域を形成し、これらビーム領域は、これらビーム領域間に形成された複数の非ビーム領域とは異なりこれら非ビーム領域から分離され、前記非ビーム領域は、前記小ビームを通過させるアパーチャを含まず、
前記アパーチャアレイ要素の前記ビーム領域は、ビームのシャフトを形成するようにアライメントされ、各々が、複数の小ビームを有し、前記アパーチャアレイ要素の前記非ビーム領域は、その中に小ビームを有さない非ビームのシャフトを形成するようにアライメントされ、
第１のアパーチャアレイ要素は、請求項１ないし１４のいずれか１のアパーチャアレイ要素である荷電粒子リソグラフィシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月28日(2014.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
定義された範囲にわたる継続的変化を有するチャープ周波数信号を生成するように適合される波形生成器と、
前記チャープ周波数生成器の出力に結合されるマルチプレクサであって、前記チャープ周波数信号を被試験システムに又はキャリブレーション経路に選択的に配路する、前記マルチプレクサと、
前記被試験システムからの出力又は前記キャリブレーション経路からの出力を受け取るデジタイザーであって、前記被試験システムから又は前記キャリブレーション経路からデータポイントをつくるように構成される、前記デジタイザーと、
前記デジタイザーからの前記データポイントを受け取るように及び前記データポイントに対する離散フーリエ変換を計算するように適合される高速フーリエ変換回路と、
を含む、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記波形生成器が、前記チャープ周波数信号をテーパするように適合されるウィンドウ回路を含む、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
前記高速フーリエ変換回路が、更に、前記キャリブレーション経路を介して配路された信号から、指定された周波数範囲にわたって捕捉されたキャリブレーションデータポイントをストアするように動作する、システム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、
前記高速フーリエ変換回路が、更に、前記被試験システムを介して配路された信号からの前記指定された周波数範囲にわたって捕捉されたデータポイントを、前記キャリブレーションデータポイントで割ることによって正規化されたテスト測定データをつくるように動作する、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、
前記被試験システムと前記キャリブレーション経路とを前記デジタイザーに結合する第２のマルチプレクサを更に含む、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、
前記高速フーリエ変換回路の出力に結合されるメモリを更に含み、前記メモリが、キャリブレーションデータポイントと正規化されたテスト測定データとをストアする、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、
前記高速フーリエ変換回路の出力に結合されるディスプレイを更に含み、前記ディスプレイが、キャリブレーションデータポイント又は正規化されたテスト測定データ又は両方をユーザに提供する、システム。
【請求項８】
方法であって、
波形生成器を用いて、低い周波数から高い周波数までの定義された範囲にわたる継続的変化を経るチャープ周波数信号を生成することと、
前記チャープ周波数信号をキャリブレーション経路に又は被試験システムに選択的に配路することと、
キャリブレーションデータをつくるために前記キャリブレーション経路からの出力信号をデジタル化することと、
周波数ドメインキャリブレーションデータをつくるために前記キャリブレーションデータのフーリエ変換を生成することと、
測定データをつくるために前記被試験システムからの出力信号をデジタル化すること、
周波数ドメイン測定データをつくるために前記測定データのフーリエ変換を生成することと、
前記周波数ドメイン測定データを前記周波数ドメインキャリブレーションデータで割ることによって正規化された測定データをつくることと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記キャリブレーション経路又は前記被試験システムの前に窓関数を用いて前記チャープ周波数信号をテーパすることを更に含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記チャープ周波数信号が、立ち上がり縁で又は立ち下がり縁で又はその両方でテーパされる、方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法であって、
前記キャリブレーションデータと前記測定データとをメモリにストアすることを更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、
前記正規化された測定データをメモリにストアすることを更に含む、方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の方法であって、
前記正規化された測定データをユーザに表示することを更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の方法であって、
前記キャリブレーションデータと前記測定データとをユーザに表示することを更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項８に記載の方法であって、
前記チャープ周波数信号が、マルチプレクサを用いてキャリブレーション経路に又は被試験システムに選択的に配路される、方法。
【請求項１６】
請求項８に記載の方法であって、
マルチプレクサを用いて前記キャリブレーション経路の出力と被試験システムの出力とを結合することを更に含む、方法。
【請求項１７】
方法であって、
第１の周波数と第２の周波数とにより定義される帯域幅を有するテーパされるチャープ周波数テスト信号をつくることであって、前記信号が前記第１の周波数から前記第２の周波数までの定義される範囲にわたる継続的変化を経る、前記信号をつくることと、
第１のマルチプレクサを介して前記テスト信号をキャリブレーション経路に配路することと、
第２のマルチプレクサを介して前記キャリブレーション経路の出力をデジタイザーに結合することと、
前記キャリブレーション経路の前記出力をデジタル化することと、
前記キャリブレーション経路出力のフーリエ変換を生成することと、
前記第１のマルチプレクサを介して前記テスト信号をテストシステムに配路することと、
前記第２のマルチプレクサを介して前記テストシステムの出力を前記デジタイザーに結合することと、
前記テストシステムの前記出力をデジタル化することと、
前記テストシステム出力のフーリエ変換を生成することと、
前記テストシステム出力の前記フーリエ変換を前記キャリブレーション経路出力の前記フーリエ変換で割ることにより、前記帯域幅に対する前記テストシステムの周波数ドメイン表現をつくることと、
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
Ｔｕｋｅｙ窓関数を用いて前記テーパされるチャープ周波数テスト信号をテーパすることを更に含む、方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、
前記テストシステムの前記周波数ドメイン表現をメモリにストアすることを更に含む、方法。
【請求項２０】
請求項１に記載のシステムであって、
前記キャリブレーション経路出力のフーリエ変換で前記テストシステムのフーリエ変換を割ることにより前記被試験システムの周波数ドメイン表現がテスト帯域幅に対してつくられる、システム。
【請求項２１】
請求項８に記載の方法であって、
前記キャリブレーション経路出力のフーリエ変換で前記テストシステムのフーリエ変換を割ることにより前記被試験システムの周波数ドメイン表現がテスト帯域幅に対してつくられる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月24日(2014.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１組の熱量測定データにおける１以上の熱量測定ピークの位置を自動的に決定する方法であって、
ａ）前記熱量測定データに対する非線形フィットを用意する段階、
ｂ）前記熱量測定データから前記非線形フィットを減じて残差を計算する段階、
ｃ）前記残差に基づいて誤差を計算する段階、
ｄ）前記誤差を所定の誤差と比較する段階、及び
ｅ）前記誤差が所定の誤差よりも大きいときは、別の非線形フィットを用意する段階
を含む方法。
【請求項２】
モルエントロピー変化又は前記熱量測定データが占める面積を計算する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
計算された前記誤差に基づいて前記熱量測定データに別のピークが存在するか否かを判定する段階をさらに含む、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記誤差を計算する段階は、二乗平均平方根誤差を計算する段階を含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記熱量測定データ上の最大残差の位置を判定する段階をさらに含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記最大残差の位置を前記熱量測定データのライブラリと自動的に比較する段階をさらに含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記熱量測定データの前記ライブラリとの比較に基づいてデータを受け入れる又は拒否する段階を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
最大残差の位置を登録する段階をさらに含む、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
関連物理現象を表示する段階をさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ピークの所定の数を入力する段階を含む、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記非線形フィットは、多項式フィット、又はレーベンバーグ−マルカート法を含む、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
予め定義した段階において前記非線形フィットを表示する段階をさらに含む、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
段階ｂ）、ｃ）、ｄ）及びｅ）を繰り返す段階をさらに含む、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記熱量測定データにおけるピークの数を判定する段階をさらに含む、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
１組の熱量測定データにおける１以上の熱量測定ピークの位置を自動的に決定する方法であって、
ａ）前記熱量測定データに対する第１の非線形フィットを用意する段階、
ｂ）前記熱量測定データから前記第１の非線形フィットを減じて第１の残差を判定する段階、
ｃ）前記第１の残差に基づいて第１の誤差を計算する段階、
ｄ）前記熱量測定データに対する第２の非線形フィットを用意する段階、
ｅ）前記熱量測定データから前記第２の非線形フィットを減じて第２の残差を判定する段階、
ｆ）前記第２の残差に基づいて第２の誤差を計算する段階、
ｇ）前記第１の誤差と前記第２の誤差を比較する段階、及び
ｈ）前記誤差が小さい方の非線形フィットを選択する段階
を含む方法。
【請求項１６】
選択された非線形フィットが最小誤差を準備するか否かを確認するために１以上の追加の非線形フィットを有する段階ｄ）からｈ）までを繰り返す段階をさらに含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の誤差又は前記第２の誤差が所定の値より小さいか否かをユーザーに通知する段階をさらに含む、請求項１５又は請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
所定の値より小さい誤差を有する非線形フィットを自動的に選択する段階をさらに含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか１項記載の方法を実施することを含むタンパク質の熱分析であって、請求項１記載の非線形フィット、又は請求項１５記載の第１の非線形フィット若しくは第２の非線形フィットは、下記の式１、２又は３のいずれか１以上によって判定される、熱分析。
【数１】
2013544365.tif 000001
式中、Ｂ０、Ｂ１は定数であり、添字Ａはタンパク質がアンフォールディングし得るドメインを示し、Ｔは温度であり、ＴｍＡはタンパク質の５０％がドメインＡにおいてアンフォールディングした温度であり、Ｃｐはモル熱容量であり、ΔＣｐはモル熱容量の変化であり、ＫＡはドメインＡの平衡定数であり、ΔＨＡはドメインＡのモル熱エンタルピーの変化であり、ΔＣｐＡはドメインＡのモル熱容量の変化であり、ΔＨｍＡは温度ＴｍＡでのドメインＡのモル熱エンタルピーの変化である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月12日(2014.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプルアームを少なくとも１つのフレーム部に脱離可能に連結するための眼鏡ヒンジアセンブリであって、前記テンプルアームが、開放ポジションと閉鎖ポジションとの間における通常の利用の範囲で枢動可能に移動可能である、前記眼鏡ヒンジアセンブリにおいて、
前記眼鏡ヒンジアセンブリが、
旋回軸シャフトを備えている第１のヒンジメンバーと、
前記第１のヒンジメンバーの前記旋回軸シャフトを中心とする第２のヒンジメンバーの回転を許容するように構成されている、少なくとも１つの係止部材を備えている前記第２のヒンジメンバーと、
を備えており、
前記旋回軸シャフトが、前記少なくとも１つの係止部材が前記旋回軸シャフトに対して所定の向きに方向づけられている場合に前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとの係合及び／又は係合解除を容易にするように位置決めされている、トランケーション又はノッチを備えており、
前記所定の向きが、前記通常の利用の範囲に対して、前記閉鎖ポジションにおける前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとの相対的な向きを超えるように、前記トランケ―ション又は前記ノッチが位置決めされていると共に前記少なくとも１つの係止部材が構成されており、
前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとの前記所定の向きを達成することによって、前記テンプルアームと前記少なくとも1つのフレーム部との係合及び/又は係合解除をするために、前記テンプルアームの中間区画が、前記閉鎖ポジションに位置する場合に、前記テンプルアームの向きに対して相対的に前記少なくとも１つのフレーム部に向かって曲げられる必要がある、眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項２】
前記少なくとも１つのフレーム部が、脱離可能に連結した上部フレーム部及び下部フレーム部を含む、請求項１に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとが前記所定の向きに方向づけられている場合に、前記少なくとも１つの係止部材が、前記旋回軸シャフトに対して係合及び/又は係合解除するように延伸する、請求項１又は２に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項４】
前記ノッチが、前記第２のヒンジメンバーが、前記第１のヒンジメンバーとの係合接触に至る時に、前記少なくとも１つの係止部材の末端を受領するように、前記旋回軸シャフトの側に位置する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項５】
前記第２のヒンジメンバーが、回転を制限する部分を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項６】
前記第２のヒンジメンバーの回転を制限する部分が、前記テンプルアームの回転を制限し、完全な開放ポジションを定義するために、前記第１のヒンジメンバーの表面に当接するために適合される、請求項５に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項７】
前記眼鏡ヒンジアセンブリが、完全な前記開放ポジションにて、前記テンプルアームを偏向するために、第１の偏向手段を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項８】
前記眼鏡ヒンジアセンブリが、完全な前記閉鎖ポジションにて、前記テンプルアームを偏向するために、第２の偏向手段を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項９】
前記旋回軸シャフトが、上方突起部分と下方突起部分を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項１０】
前記上部フレーム部が、前記旋回軸シャフトを含む、請求項２に従属した時に、請求項９に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項１１】
前記下部フレーム部が、前記上部フレーム部及び前記下部フレーム部が連結した時に、前記旋回軸シャフトが、旋回軸シャフト受領部分から下方に伸長するように、前記旋回軸シャフトの下方突起部分を受領するように適合した旋回軸シャフト受領部分を含む、請求項１０に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項１２】
前記第２のヒンジメンバーが、それぞれ前記旋回軸シャフトの上方突起部分と下方突起部分と協働するように適合した、上部及び下部の係止部材を含む、請求項１１に記載の眼鏡ヒンジアセンブリ。
【請求項１３】
２つのテンプルアームと少なくとも１つのフレーム部とを有している眼鏡において、
前記テンプルアームそれぞれが、前記少なくとも１つのフレーム部に回動可能に連結されており、完全な開放ポジションと閉鎖ポジションとの間において回動可能に移動可能とされ、
前記テンプルアームそれぞれが、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の眼鏡ヒンジアセンブリを介して、前記少なくとも１つのフレーム部に脱離可能に連結されている、眼鏡。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の眼鏡ヒンジアセンブリで使用されるように構成されている眼鏡テンプルアームであって、
前記眼鏡テンプルアームが、伸長した主要部及び前記主要部の一端に位置する少なくとも１つの係止部材を備えており、
前記少なくとも１つの係止部材が、少なくとも１つのフレーム部の旋回軸シャフトを中心とする前記テンプルアームの回転を許容するように構成されており、
前記少なくとも１つの係止部材が、前記少なくとも１つの係止部材が前記旋回軸シャフトに対して所定の向きに方向づけられている場合に、前記旋回軸シャフトに対して係合及び／又は係合解除されるように構成されており、
前記所定の向きが、通常の利用の範囲に対して、閉鎖ポジションにおける前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとの相対的な向きを超えるように、前記少なくとも１つの係止部材が構成されており、
前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとの前記所定の向きを達成することによって、前記テンプルアームと前記少なくとも1つのフレーム部との係合及び/又は係合解除をするために、前記テンプルアームの中間区画が、前記閉鎖ポジションに位置する場合に、前記テンプルアームの向きに対して相対的に前記少なくとも１つのフレーム部に向かって曲げられる必要がある、眼鏡テンプルアーム。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の眼鏡ヒンジアセンブリで使用されるように構成されている１つ以上の眼鏡フレーム部において、
前記眼鏡フレーム部が、旋回軸シャフトを備えており、前記旋回軸シャフトが、前記旋回軸シャフトに対する前記少なくとも１つの係止部材の所定の向きに沿って、前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとの係合及び／又は係合解除を簡単にするように位置決めされているトランケーション又はノッチを備えており、
前記所定の向きが、通常の利用の範囲に対して、閉鎖ポジションにおける前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとの相対的な向きを超えるように、前記トランケ―ション又は前記ノッチが位置決めされており、
前記少なくとも１つの係止部材と前記旋回軸シャフトとの前記所定の向きを達成することによって、前記テンプルアームと少なくとも1つのフレーム部との係合及び/又は係合解除をするために、前記テンプルアームの中間区画が、前記閉鎖ポジションに位置する場合に、前記テンプルアームの向きに対して相対的に前記少なくとも１つのフレーム部に向かって曲げられる必要がある、１つ以上の眼鏡フレーム部。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５７】
（実施例５〜８）
上記３％ＫＯＨ溶液にカルシウムイオンを加えず、上記キレート剤ＢａｙｈｉｂｉｔＲ ＡＭ配合量を変化させたことを除いて、実施例３および４を繰り返した。錯体生成定数を、Ｔｒｅｎｄ  ｉｎ  Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌ．２２（１０），２００３から得た。その結果を、以下にまとめた。
【表５】
2013544378.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６０】
（比較例５〜１６）
現像剤におけるＢａｙｈｉｂｉｔＲ ＡＭを本発明の範囲外の種々のキレート剤に変えたことを除いて、実施例５〜８を繰り返した。上記カルシウムおよびアルミニウムに対する錯体生成定数を、Ｔｒｅｎｄ  ｉｎ  Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌ．２２（１０），２００３から得た。その結果を、以下にまとめた。
【表６】
2013544378.tif 000002
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）基材および画像形成可能な層を有し、赤外線吸収化合物を含有するポジ型平版印刷版前駆体を赤外線に画像的に露光して、該画像形成可能な層内に露光領域および非露光領域を提供する工程、および
（Ｂ）該露光した平版印刷版前駆体を、現像剤組成物で現像して、該画像形成可能な層内の露光領域を除去する工程
を含み、
現像剤組成物が、ｐＨ少なくとも１２を有し、かつ
バリウムカチオン、カルシウムカチオン、ストロンチウムカチオンおよび亜鉛カチオンから成る群から選択される金属カチオンＭ２＋、および
カルシウムイオンに対する錯形成定数（ｌｏｇＫ）３．５〜４．５およびアルミニウムイオンに対する錯形成定数（ｌｏｇＫ）７以下を有するキレート剤を含む、ケイ酸塩を含有しない水性アルカリ現像剤組成物であり、
基材が、陽極酸化膜を含む硫酸またはリン酸を用いて陽極酸化したアルミニウム含有支持体である、
平版印刷版を提供する方法。
【請求項２】
前記画像形成可能な層が、以下の構造（Ｉａ）および（Ｉｂ）：
【化１】
2013544378.tif 000003
（式中、
構造（Ｉａ）および（Ｉｂ）の繰り返し単位の両方が存在する場合、ポリマーバインダ中の合計繰り返し単位をベースとして、構造（Ｉａ）の繰り返し単位が１０〜３５モル％、構造（Ｉｂ）の繰り返し単位が２５〜６０モル％存在し、
Ｒは、置換または非置換ヒドロキシアリール基であり、
Ｒ２は、ヒドロキシル基がエステル結合に対してオルト位である置換または非置換ヒドロキシアリール基である。）
のいずれかまたは両方によって表される繰り返し単位をランダムに含有するポリマーバインダを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ポジ型平版印刷版前駆体が、ヒドロキシマンデル酸；アリール基に直接結合する少なくとも１つのアミノ基および少なくとも１つのカルボン酸基を有する有機化合物；またはヒドロキシマンデル酸および該有機化合物の少なくとも１つの両方；を含有する画像形成可能な層を有する請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記アルミニウム含有支持体が、ＮａＨ２ＰＯ４およびフッ化ナトリウムの溶液で処理された、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記現像剤組成物中の金属カチオンＭ２＋がカルシウム、ストロンチウムまたは亜鉛カチオンである、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記現像剤組成物が、さらにクエン酸塩、酢酸塩、酒石酸塩、硝酸塩、およびシュウ酸塩の内の少なくとも一つであるアルカリ金属塩を更に含む、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クランク円形スライダ機構であって、
分列式往復運動部及び単列式往復運動部を備え、
前記分列式往復運動部はガイド部を有し、該ガイド部は、縦向溝によって相互に平行な二列に分割され、それぞれガイド部第一列及びガイド部第二列と称され、
前記ガイド部第一列には、第一円形スライダ容置孔が設けられ、前記ガイド部第二列には、第二円形スライダ容置孔が設けられ、前記第一円形スライダ容置孔及び前記第二円形スライダ容置孔は、それぞれ第一円形スライダ及び第二円形スライダを配置するのに用いられ、
前記単列式往復運動部は、前記分列式往復運動部の前記縦向溝に厚さ方向で挿入することができるガイド部を有することで、前記分列式往復運動部と垂直に交差することができ、該ガイド部には、中間円形スライダが配置される中間円形スライダ容置孔が設けられ、
前記第一円形スライダ及び前記第二円形スライダは、同じ位相で取り付けられ、前記中間円形スライダは、前記第一円形スライダと前記第二円形スライダとの間に挟まれると共にこれら二つの円形スライダに対して１８０°の位相差で配置され、隣接した前記円形スライダは、互いに固定されることを特徴とする、クランク円形スライダ機構。
【請求項２】
前記分列式往復運動部は動釣合スライダであり、前記単列式往復運動部は双作用ピストンであることを特徴とする、請求項１に記載のクランク円形スライダ機構。
【請求項３】
前記分列式往復運動部及び前記単列式往復運動部はピストンであり、それぞれ分列式往復ピストン及び単列式ピストンと称され、両者は共に単作用ピストンであることを特徴とする、請求項１に記載のクランク円形スライダ機構。
【請求項４】
前記分列式往復運動部は動釣合スライダであり、前記単列式往復運動部は単作用ピストンであることを特徴とする、請求項１に記載のクランク円形スライダ機構。
【請求項５】
前記分列式往復運動部は単作用ピストンであり、前記単列式往復運動部は双作用ピストンであることを特徴とする、請求項１に記載のクランク円形スライダ機構。
【請求項６】
前記分列式往復運動部は双作用ピストンであり、前記単列式往復運動部は単作用ピストンであることを特徴とする、請求項１に記載のクランク円形スライダ機構。
【請求項７】
前記分列式往復運動部の往復運動軌道の中心線及び前記単列式往復運動部の往復運動軌道の中心線が相互に垂直で共通面上にあり、且つこれら二つの中心線の交点が、前記クランク円形スライダ機構のクランクシャフトの回転軸上にあることを特徴とする、請求項１に記載のクランク円形スライダ機構。
【請求項８】
前記分列式往復運動部の前記縦向溝の溝長さは、前記単列式往復運動部の前記ガイド部の幅と前記分列式往復運動部の往復運動の行程との和以上であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載のクランク円形スライダ機構。
【請求項９】
前記分列式往復運動部及び前記単列式往復運動部それぞれの重心が各自の軸線上にあることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載のクランク円形スライダ機構。
【請求項１０】
クランク円形スライダ機構の往復運動部であって、
冠部とガイド部とを備え、
前記ガイド部が縦向溝によって相互に平行な二列に分割され、それぞれガイド部第一列及びガイド部第二列と称され、
前記ガイド部第１列及び前記ガイド部第二列には、厚さ方向に沿って前記ガイド部を貫通する貫通孔がそれぞれ設けられ、該貫通孔はそれぞれ第一円形スライダ容置孔及び第二円形スライダ容置孔と称され、
前記ガイド部第一列及び前記ガイド部第二列それぞれの両側にはガイド面が設けられ、
該ガイド面の側縁は前記往復運動部の往復運動軌道の内周面と適合し、
前記往復運動部は、ピストン又は動釣合スライダであることを特徴とする、クランク円形スライダ機構の往復運動部。
【請求項１１】
前記往復運動部は、両端に冠部を備えた双作用ピストン又は両端に冠部を備えた動釣合スライダであることを特徴とする、請求項１０に記載のクランク円形スライダ機構の往復運動部。
【請求項１２】
前記往復運動部は、一側のみに冠部を備えた単作用往復運動部であり、前記縦向溝が、
前記冠部に相対する前記ガイド部の底面に対して開口していることを特徴とする、請求項１０に記載のクランク円形スライダ機構の往復運動部。
【請求項１３】
クランク円形スライダ機構のエンジンブロックであって、
前記エンジンブロックの本体は、それぞれの中心軸が相互に垂直で一点で交差する、クランクシャフト貫通孔、分列式往復運動部通路、及び単列式往復運動部通路を備え、
前記クランクシャフト貫通孔は、前記エンジンブロックの本体を前後方向に貫通し、クランクシャフトを貫通させるのに用いられ、
前記分列式往復運動部通路及び単列式往復運動部通路は、前記往復運動部に往復運動のための軌道空間を提供するために用いられ、
前記分列式往復運動部通路上に分列式走路が設けられ、該分列式走路は、分割溝によって分離された二列の走路を備え、該走路は一列毎に一対の相対するガイド軌条を備え、該走路は一列毎に往復運動軌道とされ、前記ガイド軌条の内周面は、それぞれ請求項１０から１２のいずれか一項に記載された往復運動部のガイド部第一列及びガイド部第二列の両側のガイド面と適合し、
前記単列式通路内に、相対する一対のガイド軌条から構成された単列式走路が設けられ、該ガイド軌条は前記分割溝を貫通し、
前記分列式走路及び前記単列式走路が互いに垂直であることを特徴とする、クランク円形スライダ機構のエンジンブロック。
【請求項１４】
請求項１から９のいずれか一項に記載のクランク円形スライダ機構を用いることを特徴とする、内燃機関。
【請求項１５】
請求項１から９のいずれか一項に記載のクランク円形スライダ機構を用いることを特徴とする、圧縮機。