【事件の表示】
　平成　５年特許願第　６７４８７号「磁気ヘッド」において、平成１２年０５月０８日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成５年３月３日の出願であって、平成１２年５月８日付けで手続補正書が提出されたところ、原審においてこの手続補正書による補正について平成１２年５月２５日に補正の却下の決定をしたものである。
　
２．原決定の理由
　上記補正却下の決定（以下、「原決定」という。）の理由は、次のとおりのものである。
　「補正後の請求項１、２に記載の「熱処理を行わないか、または３５０℃以下の温度であって、前記磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理されている」点は、当初明細書には、製造工程のすべての過程で熱処理を行わないことや３５０℃を越える熱処理を行わないことは記載されていないこと、【００２３】中の「３５０℃程度」とは、磁気抵抗効果膜のダメージを考慮した温度ではないこと、すべての熱処理の温度設定を磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度とすることは記載されていないことなどから、部分的な用語だけ見れば一見当初明細書に記載されているように見えても、全体から把握される技術的事項は当初明細書に記載された事項と異なるものである。
　したがって、この補正は、明細書の要旨を変更するものと認められ、特許法第５３条第１項の規定により、上記結論の通り決定する。」
　
３．当審の判断
（３−１）上記日付でした手続補正は、特許請求の範囲の請求項１および請求項２の記載を以下のように補正し、かつ、発明の詳細な説明の段落【０００７】の記載をその補正に対応させて補正する内容を含むものである。
　「【請求項１】　基体からトレーリング方向に向かって、リーディング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果膜、絶縁材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成された再生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド膜に下記式で表わされる膜厚方向に均一な原子比組成を有し、熱処理を行わないか、または３５０℃以下の温度であって、前記磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理されている軟磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
　　式  Ｔ100-x-y Ｍx Ｎy（上式において、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも１種、ＭはＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、ＴａおよびＷからなる群から選択される少なくとも１種、Ｎは窒素であり、
　　０．１≦ｘ≦２５、
　　０．１≦ｙ≦２５
である。）
　　【請求項２】　基体からトレーリング方向に向かって、リーディング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果膜、絶縁材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成された再生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド膜に
　　Ｆｅ：６０〜８０原子％、
　　Ａｌ：５〜１５原子％、
　　Ｓｉ：１０〜２５原子％および
　　Ｎ　：０．１〜２０原子％
を含有し、膜厚方向に均一な組成を有し、熱処理を行わないか、または３５０℃以下の温度であって、前記磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理されている軟磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。」
　
（３−２）そこで、上記手続補正で、リーディング側磁気シールド膜に用いる軟磁性薄膜に新たに追加された構成である（ｉ）「熱処理を行わない軟磁性薄膜」（請求項１，２）の点と、（ii）「３５０℃以下の温度であって、前記磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理されている軟磁性薄膜」（請求項１，２）の点と、（iii）「膜厚方向に均一な原子比組成を有し」（請求項１）、および「膜厚方向に均一な組成を有し」（請求項２）ている点について検討する。
　
（３−３）本願の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、「当初明細書」という。）には、当該構成に関連して、以下の（１）〜（１２）等が記載されている。
（１）【請求項１】　基体からトレーリング方向に向かって、リーディング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果膜、絶縁材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成された再生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド膜に下記式で表わされる原子比組成を有する軟磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
　　式  Ｔ100-x-y Ｍx Ｎy 
（上式において、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも１種、ＭはＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、ＴａおよびＷからなる群から選択される少なくとも１種、Ｎは窒素であり、
　　０．１≦ｘ≦２５、
　　０．１≦ｙ≦２５
である。）（当初明細書の請求項１）
（２）【請求項２】　基体からトレーリング方向に向かって、リーディング側磁気シールド膜、絶縁材、磁気抵抗効果膜、絶縁材およびトレーリング側磁気シールド膜が形成された再生ヘッドを有し、リーディング側磁気シールド膜に
　　Ｆｅ：６０〜８０原子％、
　　Ａｌ：５〜１５原子％、
　　Ｓｉ：１０〜２５原子％および
　　Ｎ　：０．１〜２０原子％
を含有する軟磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。（当初明細書の請求項２）
（３）特開平２−１１６００９号公報には、シールド型ＭＲヘッドを改良した遮蔽磁気抵抗センサが開示されている。このセンサは剛性磁気ディスク記憶システム、すなわちハードディスク装置に適用されるものである。ハードディスク装置の磁気ヘッドではスライダの空気ベアリング面にＭＲヘッドが露出しているため、ディスクとの接触によりＭＲヘッドが損傷しやすい。具体的には、磁気シールド膜として通常用いられているＮｉＦｅ合金（パーマロイ）を使った場合、ディスクとの接触によりリーディング側のシールド膜（先導シールド）が延伸されて磁気抵抗効果膜との間に短絡導電路が形成され、センサ機能の低下が生じてしまう。そこで特開平２−１１６００９号公報では、リーディング側のシールド膜に延伸されにくいＦｅＳｉＡｌ合金（センダスト）を用いることにより、短絡を防いでいる。（当初明細書の【０００３】）
（４）【作用および効果】　本発明の磁気ヘッドの磁気シールド膜は、センダスト膜や非晶質膜と同様に展延性が低く延伸されにくいので、磁気記録媒体との接触や衝突による短絡が生じにくく耐久性が良好である。センダスト膜や非晶質膜では高温での熱処理が必要であるが、本発明の磁気シールド膜は熱処理が不要で、しかも熱処理後のセンダスト膜や非晶質膜と同等以上の磁気シールド性能を示す。従って、熱膨張率のマッチング不良による膜剥離を防げ、また、熱処理をしないために生産性も向上する。そして、熱処理による磁気抵抗効果膜のダメージを考慮する必要がないので、トレーリング側の磁気シールド膜にも本発明を適用することができ、さらに良好な磁気シールド特性が得られる。（当初明細書の【０００８】）
（５）本発明の磁気シールド膜は非晶質の磁気シールド膜と異なり耐熱性が高く、磁気抵抗効果膜の発熱により長時間持続的に加熱された場合でも軟磁気特性は殆ど劣化しないので、信頼性が極めて高い。また、ヘッド製造の際のレジストのベーキングによる温度上昇、他の膜を形成する際の温度上昇、他の膜の熱処理の際の温度上昇などによる特性劣化も抑えられる。（当初明細書の【０００９】）
（６）なお、通常、磁気シールド膜形成時の温度と絶縁材形成時の温度とは異なり、このために積層体中においてストレスが発生することがある。このようなストレスを緩和するため、全てを成膜後に必要に応じて熱処理を施してもよい。この場合の熱処理条件は、
　　昇温速度：２〜８℃／分間程度、
　　保持温度：２００〜３５０℃程度、
　　温度保持時間：３０分間〜２時間程度、
　　冷却速度：２〜８℃／分間程度
とすることが好ましい。（当初明細書の【００２３】）
（７）なお、熱処理は真空中あるいはＡｒ等の不活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。（当初明細書の【００２４】）
（８）上記組成の軟磁性薄膜のマイクロビッカース硬度は、７００以上であり、熱処理により１１００以上、特に１１５０以上１５００以下に向上する。マイクロビッカース硬度は、ＪＩＳに従い測定すればよい。）（当初明細書の【００２７】）
（９）例えば、磁気抵抗効果膜には、パーマロイやＮｉ−Ｃｏ合金の他、磁気抵抗効果を有する各種材料を用いることができる。磁気抵抗効果膜に接続されるリードには、ＴａやＷ等、磁気抵抗効果膜に拡散しない材料を用いることが好ましい。絶縁材には、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の各種セラミックスなど、通常の絶縁材料を用いることができる。トレーリング側磁気シールド膜や記録ヘッドの各コアに前述した軟磁性薄膜を用いない場合には、パーマロイなどの各種軟磁性材料を用いればよい。また、セラミックスなどから構成される基体２は、通常、磁気ヘッドのスライダに固定されるが、基体２自体をスライダとして用いてもよい。（当初明細書の【００４０】）
（１０）まず、基板２（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）上に、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ１０μm ）、リーディング側磁気シールド膜４（表１の組成：厚さ３μm ）、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ０．５μm ）、磁気抵抗効果膜５（パーマロイ：厚さ３００A、高さ３．５μm ）、リード５１（Ｔａ：厚さ０．２μm ）、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ０．５μm ）、トレーリング側磁気シールド膜６（厚さ３μm ）および絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ３μm ）をそれぞれスパッタ法により形成した。なお、パターン形成にはイオンミリングを用いた。（当初明細書の【００４７】）
（１１）表１に示される磁気シールド膜のうち、磁気ヘッドNo. ２のＦｅＡｌＳｉ（センダスト）は、形成後に真空中において４５０℃で２時間熱処理した。また、磁気ヘッドNo. ３のＣｏＭｏＺｒ（非晶質）は、形成後に真空中において３００ Oe の回転磁界を印加しながら４００℃で２時間熱処理した。（当初明細書の【００４９】）
（１２）表１中に、磁気ヘッドNo. ２とNo.３が比較例として示されている。（当初明細書の表１）
　
（３−４）上記補正の内容のうち（ｉ）の点について検討すると、当初明細書には、熱処理が不要であることが作用・効果として記載され（摘示（４））、かつ、比較例で熱処理が行われているのに対して実施例では熱処理が行われていない（摘示（１０〜（１２））から、「熱処理を行わない軟磁性薄膜」を用いることは当初明細書に実質的な記載があると認められる。
　
（３−５）上記（ii）の点について検討する。
　この点に関して、請求人は、審判請求の理由（（４）反駁の項）において、当初明細書の段落【０００３】、【０００８】、【０００９】、【００２３】、【００４０】、【００４７】、【００４９】の記載を引用しつつ、（イ）「段落番号０００８には、熱処理による磁気抵抗効果膜のダメージを考慮する必要がないと明記されています。これは、磁気抵抗効果膜のダメージを受けない温度での熱処理を許容していることは自明です。」と主張し、（ロ）「実際、段落番号０００３、００４０、００４７に記載されているパーマロイでは３５０℃でも、１０、２０分間程度の熱処理時間なら全くダメージを受けません。３００℃以下であれば、全くダメージを受けません。」と主張し、（ハ）かつ「段落００２３の「３５０℃程度」とは、磁気抵抗効果膜のダメージを考慮した温度ではありませんが、本件の軟磁性薄膜の許容熱処理温度を規定したものです。　一方、段落０００８には、磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理してもよい旨が明らかにされています。」と主張し、（ニ）段落０００９には、軟磁性膜の熱処理を行っても良いことが記載されている旨主張している。
　しかながら、段落【０００８】の記載からは、「磁気抵抗効果膜のダメージを受けない温度での熱処理を許容している」とまで拡張解釈する理由はなく、単に熱処理が不要であること、即ち熱処理しないことが記載されているだけであり、かつ、生産性の向上とダメージの考慮する必要がないことは、熱処理しないため生じる作用・効果であると認められることからに前記（イ）の主張は失当であり、採用できない。
　また、段落【０００３】、【００４０】、段落【００４７】の記載を検討しても、段落【０００３】は従来技術の説明であり、段落【００４０】は磁気抵抗効果膜や絶縁材料の説明であり、段落【００４７】は磁気ヘッドの作製の説明であって、いずれにも３５０℃や３００℃以下での熱処理を受けたことよりパーマロイがダメージを受けるのか受けないのか何ら説明されておらず、自明でもないから、前記（ロ）の点の主張は採用できない。
　そして、段落【００２３】の記載が、軟磁性膜の許容熱処理温度を規定したものと理解することはできず、むしろ、段落【００２３】の記載は、単に積層体中のストレスを緩和するために「全てを成膜後に必要に応じて熱処理を施す」ことを記載するものであり、軟磁性膜それ自体の熱処理についてのものでないこと、及び、軟磁性膜それ自体の熱処理について３５０℃以下の温度で行うことを示唆するものでなく、更に３５０℃以下と磁気抵抗膜がダメージ受けない温度とを組合わせた二重の限定条件下で行うことを示唆するものでないことは明らかといえるから、前記（ハ）の主張も失当であり、採用できない。
　更に、段落【０００９】の記載は、磁気抵抗効果膜の発熱に基づく長時間持続的加熱によって劣化しないことを示し、また、他の膜を形成するなどの処理による温度上昇や熱処理による特性劣化が抑えられることが記載されているだけであって、軟磁性膜自体の熱処理を行って良いことまで記載されておらず、ましてその軟磁性膜自体の熱処理が３５０℃以下であることは、記載も示唆もされていないものといえるから、（ニ）の主張も失当であり、採用できない。
　なお、段落【００２７】に熱処理による軟磁性薄膜の硬度の向上が記載されているが、この記載では、どのような温度でかつ製造時のどの時点でどのような熱処理が行われるのか不明であって、硬度以外の物性にどの程度の影響があるのか全く不明であるから、この記載をもって「３５０℃以下の温度であって、前記磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理されている軟磁性薄膜」を用いることが当初明細書からみて自明であるということはできない。
　そして、当初明細書の他の記載を精査しても、「３５０℃以下の温度であって、前記磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理されている軟磁性薄膜」を用いることは、その記載は見いだせず、また、当初明細書からみて自明でもない。
　従って、（ii）の「３５０℃以下の温度であって、前記磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理されている軟磁性薄膜」という内容を含む補正が明細書の要旨を変更するものであるとした判断は、妥当である。
　
（３−６）また、（iii）の点については、当初明細書の記載を精査しても、膜方向の（原子比）組成について言及する記載を見いだすことができず、また、かかる均一な（原子比）組成とする構成が自明であると判断できる理由も見いだせない。
　
　なお、原決定において、（ｉ）の点についての補正が、明細書の要旨を変更するものであると判断しているが、上記のとおり当初明細書に記載されていたことは明らかである。また、原決定では言及されていないけれども、上記手続補正で追加された（iii）の「膜方向に均一な（原子）組成を有し」との構成は、上記のとおり当初明細書に記載はなく、自明でもない。  しかし、これらの点で原決定に誤った判断があったとしても、上記検討事項の（ii）の「３５０℃以下の温度であって、前記磁気抵抗効果膜がダメージを受けない温度で熱処理されている軟磁性薄膜」との構成、及び、（iii）の「膜厚方向に均一な（原子比）組成を有し」との構成が明細書の要旨を変更するものである以上、前記誤った判断は、原決定の結論に影響を及ぼさない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、上記日付でした手続補正は特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものとした原決定は妥当である。
　よって、結論のとおり審決する。