【事件の表示】
　特許第３２３４０９１号「表面処理装置」の請求項１、２、４ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２３４０９１号の請求項１、２、４ないし６に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３２３４０９１号に係る発明は、平成６年３月１０日に特許出願され、平成１３年９月２１日にその特許権の設定登録がなされ、その後、高橋友之輔より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１０月２１日に訂正請求がされたものである。
　
第２　特許異議の申立ての理由の概要
　異議申立人高橋友之輔は、証拠として甲第１号証（特開平５−２０６０２２号公報）及び甲第２号証（特開平５−１５２２０２号公報）、甲第３号証（特開平６−１３３０７号公報）を提出し、本件の請求項１、２、４ないし６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
　
第３　取消しの理由の概要
　上記取消しの理由の概要は、次のとおり。
１　取消しの理由１
　異議申立ての理由のとおり、本件特許の請求項１、２、４ないし６に係る発明は、前記甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
２　取消しの理由２
（１）　請求項１、２、４に係る発明について
　本件特許の請求項１、２、４に係る発明は、甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（２）　請求項５、６に係る発明について
　本件特許の請求項５、６に係る発明は、甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
第４　訂正の適否についての判断
　平成１４年１０月２１日付けの訂正請求は、願書に添付した明細書を以下、（１）〜（２）のとおり訂正するものである。
１　訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載
「【請求項１】
　加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に空隙を設けて構成され、上記支持機構部が上記加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で構成されたことを特徴とする表面処理装置。」
を
「【請求項１】
　加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に有機物を有する被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に空隙を設けて構成され、上記支持機構部が上記加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で構成されたことを特徴とする表面処理装置。」
と訂正。
　
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項３の記載
「【請求項３】
　請求項１又は２記載の表面処理装置において、上記支持機構部が周辺より低い面をもち、上記突起体は上記面に形成され、上記突起体の高さが、上記被処理物を上記突起体に載置したとき、上記被処理物の表面の高さが上記支持機構部の周辺の表面の高さと実質的に同等としたことを特徴とする表面処理装置。」
を
「【請求項３】
　加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に有機物を有する被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に空隙を設けて構成され、上記支持機構部が上記加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で構成され、上記支持機構部が周辺より低い面をもち、上記突起体は上記面に形成され、上記突起体の高さが、上記被処理物を上記突起体に載置したとき、上記被処理物の表面の高さが上記支持機構部の周辺の表面の高さと実質的に同等としたことを特徴とする表面処理装置。」
と訂正。
　
２　訂正の目的の適否
　上記訂正事項ａは、「被処理物」を「有機物を有する被処理物」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、上記訂正事項ｂは、請求項１又は２を引用していた請求項３を、独立請求項としたものであり、その内容は、請求項１を引用していた請求項３に、上記訂正事項ａと同様の限定を付加し、請求項２を引用していた請求項３を削除するものである。
　したがって、上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３　新規事項の有無
　上記訂正事項ａにおける、「有機物を有する被処理物」は、願書に添付した明細書の段落【０００１】に記載されており、新規事項の追加には該当しない。
　また、上記訂正事項ｂは、実質的に請求項の削除であり、新規事項の追加には該当しない。
　
４　実質的な拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ及びｂは、特許請求の範囲の減縮であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
５　独立特許要件
　上記訂正事項ｂは、特許異議の申立てがされていない請求項３についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、訂正明細書の請求項３に係る発明の独立特許要件について検討する。
　訂正明細書の請求項３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項３に記載されたとおりのものであると認める。
　そして、請求項３に係る発明と、下記「第４　２」で認定した、申立人が提出した甲各号証記載の発明とを対比すると、当該刊行物のいずれにも、「支持機構部が周辺より低い面をもち、突起体は上記面に形成され、上記突起体の高さが、被処理物を上記突起体に載置したとき、上記被処理物の表面の高さが上記支持機構部の周辺の表面の高さと実質的に同等とした」点が記載されていない。
　したがって、本件の請求項３に係る発明は、上記甲各号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることができない。
　よって、訂正明細書の請求項３に係る発明は、出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
６　むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書並びに同条第３項で準用する第１２６条第２乃至４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第５　特許異議の申立てについての判断
１　本件発明
　上記第３で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１、２、４ないし６に係る発明は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２、４ないし６に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に有機物を有する被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に空隙を設けて構成され、上記支持機構部が上記加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で構成されたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
　請求項１記載の表面処理装置において、上記空隙が０.１〜０.５ｍｍの範囲であることを特徴とする表面処理装置。
【請求項４】
　請求項１、２又は３記載の表面処理装置において、支持台に上記支持機構部と上記被処理物との空隙にもオゾンを供給する機構をもうけたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項５】
　請求項１、２、３又は４記載の表面処理装置において、上記被処理物表面に紫外線を照射する手段を付加して構成されたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項６】
　請求項１、２、３、４又は５記載の表面処理装置において、上記被処理物が上記支持台と共に回転するように上記支持台の回転駆動機構を付加して構成されたことを特徴とする表面処理装置。」
　
２　証拠の認定
（１）　甲第３号証
　甲第３号証には、次の記載がある。
「半導体基板をヒータにより加熱された厚板上に置き、該半導体基板のベーク処理を行うベーク処理装置において、ピンにより形成された前記半導体基板と前記厚板との間の微小な隙間にオゾンガスを流す機構と、このオゾンガスが前記半導体基板の表面に回り込まないように排気させる機構とを有することを特徴とするベーク処理装置。」（【特許請求の範囲】【請求項１】）
「フォトレジストはオゾンガスによる熱酸化反応によりアッシングすることが可能である。フォトレジスト塗布処理において、ウェハ裏面がフォトレジストのミストによって汚染された場合、本発明のベーク処理装置で処理することにより、ウェハのベーク処理と同時にウェハ裏面に付着しているフォトレジストのオゾンガスによるアッシングを行うことができる。」（【０００７】）
「図１は本発明の第１の実施例を示す概略図である。ウェハ１はプロキシミティピン３の上に乗っており、ウェハの下面（裏面）側にはホットプレート２が配置されている。ホットプレート内にはヒータ４と熱電対６が組み込まれており、温度制御部５の動作によりホットプレートの温度を予め設定した温度に保つことができる。」（【０００９】）
「ホットプレートの中心部には吹出口９が設けられており、オゾンガス発生器７より濃度５ｗｔ％前後で流量１０Ｌ（リットル）／分程度のオゾンガスをウェハ裏面にき付けることができる。プロキシミティギャップは０．１〜０．２ｍｍであり、吹出口より流入したオゾンガスはこのすきまを通ってウェハの外周部付近に相当するホットプレート部分に設けられた排気孔１０より排出される。この時、排気集合ボックス８に設置されたダンパー１１を調節してオゾンガスの流入量よりも多い排気量を確保することによりオゾンガスのウェハ表面への回り込みを防ぐことができる。」（【００１０】）
　これらの記載を図１を参酌しながら整理すると、甲第３号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
　ヒータにより加熱された厚板上にフォトレジストが付着しているウェハを載置し、上記ウェハの表面をオゾンを用いて処理する装置において、厚板のウェハ側に複数のプロキシミティピンを形成し、上記プロキシミティピンの先端が上記ウェハの裏面を支持するようにし、上記ウェハの裏面と上記厚板のウェハ側で上記プロキシミティピンのない部分の面との間に０．１〜０．２ｍｍの空隙を設けて構成され、上記厚板に上記空隙にもオゾンを供給する機構を設けている表面処理装置。
　
（２）　甲第２号証
　甲第２号証には、次の記載がある。
「本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、マスクとして使用した後のレジストの剥離方法に関する。」（【０００１】）
「紫外線とオゾンを作用させて有機物を剥離する方法は、よく知られた方法である。」（【０００２】）
「紫外線は、有機物よりなるレジストの化学結合を切断する作用の他にオゾンに作用してこれを分解して活性励起酸素原子を生成する作用がある。活性励起酸素原子は、その強い酸化作用によって有機物よりなるレジストを炭酸ガスや水に変えて気化（灰化）する。」（【０００５】）
「被処理物であるウェハ１２の表面にはマスクとして使用したホトレジスト（図示せず）がある。ウェハ１２を石英製の真空吸着パットを装備した搬送アーム（図示せず）によって、処理室内の搬送位置の高さにあるステージ１３に載せる。ステージ１３の内部には加熱用のヒータが内蔵されており加熱温度を制御している。また、ステージ１３のウェハ１２の載る表面には、石英の薄い板（図示せず）を配置してウェハ１２が直接金属に接触しないように考慮してある。ステージ１３上のウェハ１２は、滑らないように、また、熱伝達を良くするようにするために真空によって吸着固定されている。ステージ１３は、処理の均一性を良くするために回転するようにしてある。」（【０００７】）
　
（３）　甲第１号証
　甲第１号証には、「オゾンを含む雰囲気中で半導体ウエハの表面に紫外光を照射して前記半導体ウエハの表面に塗布されたフォトレジストを酸化分解する半導体製造装置であって、前記半導体ウエハを保持するプレート板のウエハ保持面に段差部を設け、前記半導体ウエハの周辺部と前記プレート板とが非接触となるように構成したことを特徴とする半導体製造装置。」（【特許請求の範囲】【請求項１】）
　が記載されている。
　
３　当審の判断
（１）　請求項４に係る発明
ア　対比
　本件の請求項２を引用した請求項４に係る発明（以下「本件発明４」という。）と甲第３号証に記載された発明とを比較すると、甲第３号証に記載された発明における「ヒータ」「厚板」「ウェハ」「プロキシミティピン」は、それぞれ本件発明４における「加熱機構部」「支持台」「被処理物」「突起体」に相当する。
　また、技術常識を参酌すると、オゾンで酸化除去されるフォトレジストは一般的に有機物からなるものであるから（甲第２号証参照）、甲第３号証に記載された発明における、「フォトレジスト」は、本件発明４における「有機物」に相当する。
　そして、甲第３号証に記載された発明における「支持台（厚板）」も、「被処理物（ウェハ）」を「支持」する機能を有しているから、その限りにおいて、甲第３号証に記載された発明は、本件発明４における「支持機構部」に対応する構成を備えているものと認められる。
　してみると、両者は、
　加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの空隙を設けて構成され、上記支持台に上記支持機構部と上記被処理物との空隙にもオゾンを供給する機構を設けている表面処理装置、
　である点で一致しており、
　前者では、「支持機構部が加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で構成され」ているのに対して、後者では、支持機構部の材料については言及がない点（以下「相違点１」という。）で、両者は相違している。
　
イ　判断
　前記相違点１について検討する。
　甲第３号証に記載された発明においても、加熱機構部を有する支持台と被処理物の間には空隙が設けられているのであるから、被処理物の加熱に熱放射を利用していることは、当業者において自明の事項である。
　そして、熱放射による加熱を行う場合に、その加熱効率を向上させることを目的として、加熱部材の表面に熱放射率の高い部材を設けることは、従来周知（特開平６−２０９６５号公報及び特開平４−１８６８２２号公報参照。）の技術的事項であり、また、甲第３号証に記載された発明において、上記熱放射による加熱効率を向上させたいという課題が内在していることは自明である。
　したがって、甲第３号証記載の発明に、上記周知の技術的事項を付加することにより、本件発明４のように構成することは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　よって、本件発明４の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
（２）　請求項１及び２に係る発明
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明にさらに発明を特定する事項を付加したものであり、本件発明４は、本件の請求項１及び２に係る発明にさらに発明を特定する事項を付加したものである。
　そして、本件発明４は、上記（１）で示したように、甲第３号証に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１及び２に係る発明は、同様の理由により、甲第３号証に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　したがって、請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
（３）　請求項６に係る発明
ア　対比
　本件の請求項５を引用した請求項６に係る発明（以下「本件発明６」という。）と甲第３号証に記載された発明とを比較すると、甲第３号証に記載された発明における「ヒータ」「厚板」「ウェハ」「プロキシミティピン」は、それぞれ本件発明６における「加熱機構部」「支持台」「被処理物」「突起体」に相当する。
　また、技術常識を参酌すると、オゾンで酸化除去されるフォトレジストは一般的に有機物からなるものであるから（甲第２号証参照）、甲第３号証に記載された発明における、「フォトレジスト」は、本件発明６における「有機物」に相当する。
　そして、甲第３号証に記載された発明における「支持台（厚板）」も、「被処理物（ウェハ）」を「支持」する機能を有しているから、その限りにおいて、甲第３号証に記載された発明は、本件発明６における「支持機構部」に対応する構成を備えているものと認められる。
　してみると、両者は、
　加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの空隙を設けて構成され、上記支持台に上記支持機構部と上記被処理物との空隙にもオゾンを供給する機構をもうけている表面処理装置、
　である点で一致しており、
　本件発明４と甲第３号証に記載されている発明との相違点１と同様、前者では、「支持機構部が加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で構成され」ているのに対して、後者では、支持機構部の材料については言及がない点（以下「相違点２」という。）、
　前者は、「被処理物表面に紫外線を照射する手段を付加して構成され」ているのに対し、後者は、紫外線を照射する手段については言及がない点（以下「相違点３」という。）、
　前者は、「被処理物が支持台と共に回転するように上記支持台の回転駆動機構を付加して構成され」ているのに対して、後者では、支持台の回転については言及がない点（以下「相違点４」という。）で両者は相違している。
　
イ　判断
　前記相違点２については、上記「３（１）イ」で検討しているので、相違点３及び４についてする。
　甲第２号証には、オゾンを利用してホトレジストを酸化させて除去するに際して、紫外線を照射する構成及びステージ（被処理物を載せる台）を回転させる構成を付加することによって、処理の効率を向上させるという発明が記載されている。
　そして、甲第３号証に記載された発明も、オゾンを利用したフォトレジストの酸化除去を行うものであるから、その処理効率を向上させることを目的として、甲第３号証記載の発明に、甲第２号証に記載された上記発明を付加することにより、本件発明６のように構成することは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　よって、本件発明６の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
（４）　請求項５に係る発明
　本件発明６は、本件の請求項５に係る発明にさらに発明を特定する事項を付加したものであって、上記（３）で示したように、甲第３及び２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項５に係る発明は、同様の理由により、甲第３及び２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　したがって、請求項５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本件の請求項１、２、４ないし６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月１８日（２００２．１１．１８）
【訂正の要旨】
訂正事項
　（ｉ）平成１３年９月２１日登録の特許請求の範囲の請求項１の「被処理物」を「有機物を有する処理物」に補正し、新請求項１とする。
　（ｉｉ）平成１３年９月２１日登録の特許請求の範囲の請求項３を補正し、新請求項３とする。
（５４）【発明の名称】
表面処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に
有機物を有する
　【請求項２】
　請求項１記載の表面処理装置において、上記空隙が０．１〜０．５ｍｍの範囲であることを特徴とする表面処理装置。
　【請求項３】
　
加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に有機物を有する被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に空隙を設けて構成され、上記支持機構部が上記加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で構成され、
　【請求項４】
　請求項１、２又は３記載の表面処理装置において、支持台に上記支持機構部と上記被処理物との空隙にもオゾンを供給する機構をもうけたことを特徴とする表面処理装置。
　【請求項５】
　請求項１、２、３又は４記載の表面処理装置において、上記被処理物表面に紫外線を照射する手段を付加して構成されたことを特徴とする表面処理装置。
　【請求項６】
　請求項１、２、３、４又は５記載の表面処理装置において、上記被処理物が上記支持台と共に回転するように上記支持台の回転駆動機構を付加して構成されたことを特徴とする表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は表面処理装置、更に詳しくいえば、オゾンあるいはオゾンと紫外線を用いて被処理物表面を処理する装置に関する。特に半導体基板表面の有機物を効果的に除去する装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の表面処理装置は、図２に示すように被処理物１は、加熱機構部３上の支持機構部２上に載置され、吸気口４により真空吸引することにより支持機構部２に固定されていた。その目的は被処理物１の温度を制御することと、ノズル板５と被処理物１との間隙を０．２〜１．０ｍｍにした時にノズル板５と被処理物１とが接触しない様に被処理物１を支持機構部２に固定することであった。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、近年、被処理物の表面に形成されるパターンサイズの微細化に伴い、被処理物の裏面の異物が無視できなくなり問題になってきた。即ち、被処理物裏面に付着した異物はその後の工程において被処理物表面に回り込み、正常なパターン形成を妨げる。また、その異物が金属であった場合にはパターンサイズの形成を妨げない様な微細なものであっても半導体素子に特性変動等重大な影響を及ぼす。
　【０００４】
　本発明の目的は被処理物の裏面に付着する異物を減少させる表面処理装置を提供することにある。
　また、本発明の他の目的は、被処理物の裏面の異物を減少し、同時に、オゾンあるいはオゾンと紫外線により半導体基板表面の有機物を効果的に除去する表面処理装置を提供することにある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため、本発明の表面処理装置は、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に空隙を設けた。上記空隙は０．１〜０．５ｍｍの範囲に設定することが好ましい。また、上記突起体に被処理物の裏面を吸着するための吸気口を設ける。
　上記被処理物の裏面に直接支持台側からオゾンを供給するガス供給手段を設けることが望ましい。
　更に、支持台は被処理物を加熱する加熱機構部と被処理物を支持する支持機構部で構成し、支持機構部を加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で形成する。
　【０００６】
　【作用】
　調査の結果、半導体ウエハである被処理物の裏面に付着する異物には、被処理物１が真空吸引された時に支持機構部２との滑り摩擦によって発生する異物や傷と、被処理物１と支持機構部２の単なる接触によって付着する異物が有ることが分かった。本発明の表面処理装置に於いては、被処理物は複数の突起体で支持され、被処理物と支持台との接触面積は被処理物の裏側の面積に比べきわめて小されるため。被処理物と支持機構部との滑り摩擦による異物と傷の発生を抑えることができる。また、接触面積を減少させることにより接触による異物転写を減少させることができる。被処理物の裏面と上記支持台との間に空隙を設ることにより、被処理物の裏面の清浄処理が効率よくおこなわれる。被処理物の裏面と上記支持台との間に空隙を設ることにより加熱効率の低下は、支持機構部を加熱機構部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で形成することにより防止できる。
　【０００７】
　【実施例】
　　　＜実施例１＞
　図１は本発明による表面処理装置の一実施例の断面模式図を示す。
　図に示すように、表面処理装置は容器０内の下側から順に、加熱機構部３、加熱機構部３に密着して装着された支持機構部２が設けられ、支持機構部２の上側面には被処理物１を載置するための複数の突起体１１が形成されている。突起体１１の高さ、すなわち、被処理物１の裏面と支持機構部２の空隙は０．１〜０．５ｍｍの範囲に設定される。支持機構部２と加熱機構部３は円盤状で、回転かつ上下移動できるように上下駆動機構（図示せず）が設けられている。容器０内の上部は、容器０内の下部にオゾンを供給するためのノズル６と、ノズル６下側は被処理物１の表面に面している。また、ノズル６下側には仕切りを兼ねたノズル板５が設けられている。ノズル板５の下側面と被処理物１の上面の空隙は加熱機構部３の上下駆動機構により、０．２〜１．０ｍｍの所望の値に調節されるようになっている。また、容器０内の上部は、必要に応じて紫外線を被処理物１に照射する複数個の紫外線ランプ７が配設されている。そのため、ノズル板５は紫外線を透過し易い合成石英等の材料で構成されている。なお、公知例調査を行った結果、試料台にピンを有するレジスト灰化装置は特開平１−２５８４２６号公報、特開平２−４６７２５号公報、特開平３−４０４１８号公報及び特開平６−１３３０７号公報がある。しかしながら、ステージ材料の熱放射率については記載されていない。
　【０００８】
　上記表面処理装置による被処理物１の清浄のための表面処理は次のように行われる。まず、加熱機構部３（加熱ヒータは図示していない）の上下機構（図示せず）により支持機構部２が下がり、被処理物１が搬送アーム（図示せず）により支持機構部２上に０．１〜０．５ｍｍの空隙を設けて載置される。次に加熱機構部３の上下駆動機構により被処理物１とノズル板５とのギャップが０．２〜１．０ｍｍの所望の値に調節され、ノズル６からオゾンを供給すると共に加熱機構部３を回転し、処理を行う。被処理物の表面不要な有機物はオゾンと反応し、炭酸ガス、水蒸気となり、これを排気口８より排気する。必要に応じて紫外線ランプ７により紫外線を被処理物に照射することにより、オゾンと有機物の反応を促進する。
　【０００９】
　被処理物１を突起体１１で空隙を設けて支持機構部２に載置したことにより、被処理物１の裏面の付着異物は接触面積の減少比に見合って減少した。また、上記被処理物１の上下面部の空隙がともに０．２ｍｍにおいて被処理物表面の有機物除去速度は、真空吸引により支持機構部２に固定されていた従来装置とほぼ同等であった。これは加熱機構部３の材料（アルミニウム）の熱放射率より大きい熱放射率の材料（石英）を支持機構部２に用いたため、被処理物１が効率良く加熱されたためと考えられる。また、支持機構部２と被処理物１の空隙としては０．１〜０．５ｍｍが最適であった。空隙を０．１ｍｍより小さくすると支持機構部２から被処理物１の裏面に異物が転写し易くなり、反対に０．５ｍｍを越えると支持機構部２から被処理物１への熱伝達が著しく低下した。
　【００１０】
　　　＜実施例２＞
　図３は本発明による表面処理装置の第２の実施例の断面模式図を示す。本実施例は、支持機構部２周辺の表面の高さを被処理物１の高さと同等としたもので、他の部分は、実施例１のものと実質的に同じで、同一構成部分には同一の番号をつけ、説明を省く。以下の実施例について同様である。本実施例は実施例１に比較して、有機物除去速度の均一性を５〜１０％改善できた。これは被処理物周辺のオゾンガスの流れが均一化されたためと考えられる。被処理物１の厚みが規格化され、一定のものを処理する場合に、支持機構部２周辺の表面の高さを上述のように固定することができ有効である。
　【００１１】
　　　＜実施例３＞
　図４は本発明による表面処理装置の第３の実施例の断面模式図を示す。本実施例は突起体１１を吸引管で構成したものである。吸気口４により被処理物１を真空吸着することにより被処理物１の反りが有る場合においても従来装置と同様に表面処理ができる。
　【００１２】
　　　＜実施例４＞
　図５は本発明による表面処理装置の第４の実施例の断面模式図を示す。本実施ではガス供給手段として、第１の実施例に更に被処理物裏面側にもガス供給口９を配置した。本実施例はガス供給口９につながるパイプを支持機構部２、加熱機構部３内に設け、オゾンガスを供給する。紫外線ランプ７からの紫外線によるオゾンの分解は期待できないが、支持機構部３からの熱放射によりオゾンが分解され被処理物裏面の有機物が効率よく除去された。特にシリコンウェーハの様な被処理物の側面に付着した有機物の除去に効果がある。
　【００１３】
　　　＜実施例５＞
　図５は本発明による表面処理装置の第５の実施例の断面模式図を示す。本実施例は第１の実施例に赤外線ランプ１０を付加し、被処理物１を表面からも加熱する構成とした。赤外線ランプ１０は被処理物１を裏面から加熱するのを補う効果の他に、被処理物１表面のレジスト等の有機物を直接加熱できること、被処理物１周辺の赤外線ランプ１０の電力を中心のそれより増加することにより被処理物１の温度むら補正できること、ランプ１０の電力を処理時間に対してプログラマブルに変えることができ、かつ、その結果が被処理物の温度に速やかに反映される等の利点がある。赤外線ランプ１０の代わりに加熱ヒータを用いてもほぼ同様の効果が得られる。
　【００１４】
　【発明の効果】
　本発明によれば、接触による異物転写は接触面積の減少比に見合って減少させることができる。上記実施例では支持機構部２に石英を用いたが加熱機構部３のアルミニウムより放射率の大きい材料を用いた場合同様の効果のあることが確認された。即ち、支持機構部２に加熱機構部３の材料の放射率より大きい放射率をもつ材料を用いることにより被処理物を効果的に加熱でき、被処理物表面の有機物を効率良く除去できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による表面処理装置の第１の実施例の断面模式図。
　【図２】
　従来装置を説明するための断面模式図。
　【図３】
　本発明による表面処理装置の第２の実施例の断面模式図。
　【図４】
　本発明による表面処理装置の第３の実施例の断面模式図。
　【図５】
　本発明による表面処理装置の第４の実施例の断面模式図。
　【図６】
　本発明による表面処理装置の第５の実施例の断面模式図。
　【符号の説明】
　　１………被処理物、
　　２………支持機構部、
　　３………加熱機構部、
　　４………吸気口、
　　５………ノズル板、
　　６………ノズル、
　　７………紫外線ランプ、
　　８………排気口、
　　９………ガス供給口、
　１０………赤外線ランプ又はヒータ、
　１１………突起体。