【事件の表示】
　上記当事者間の特許第１８１１１０６号発明「ＩＣ素子の修正方法」の特許無　効審判事件について、次のとおり審決する。
【結論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理由】
１．本件特許の経緯及び発明の要旨
　本件特許第１８１１１０６号（以下、「本件特許」という。）は、昭和５８年３月１６日に特許出願され、平成５年１２月２７日に登録されたものであって、本件発明の要旨は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載されたとおりの
　「ａ．配線上に配線に倣った段差状の保護膜を被覆したＩＣ素子における該保護膜の下層の配線を切断加工するＩＣ素子の修正方法であって、
ｂ１．液体金属イオン源から放射される高輝度イオンビームの内、エネルギー密度の高い中央部付近を取出し、この取出された高輝度イオンビームを荷電粒子光学系により集束させると共に寸法変更可能なアパーチアを通過させて絞って前記配線の幅より大幅に細い０．３μｍ以下のイオンビームスポット径にして
ｂ２．前記ＩＣ素子の配線切断しようとする箇所付近の保護膜表面の観察領域に投影して偏向電極を制御して走査させて照射し、
ｂ３．この走査して投影照射された保護膜表面の観察領域から発生する２次電子または２次イオンを２次荷電粒子検出器で検出して前記偏向電極を制御する変更信号を受けて走査イオン顕微鏡に前記観察領域の拡大ＳＩＭ画像を表示して拡大観察し、
ｃ１．この拡大観察された拡大ＳＩＭ画像に基づいて前記偏向電極による走査領域を制御して前記配線切断しようとする箇所における配線の幅に亘る領域のみに
ｃ２．エネルギーを１０ＫｅＶ以上にして前記荷電粒子光学系により配線の幅より大幅に細い０．３μｍ以下のイオンビームスポット径にして投影させたイオンビームを走査照射して
ｃ３．前記保護膜への少なくとも配線の幅に亘る一様な穴あけスパッタ加工とその下層における配線の幅に亘っての一様な切断スパッタ加工とを行いながら
ｃ４．配線層からその下層の絶縁層に変化する配線切断の終点を検出してイオンビームの照射を停止し、
ｄ．下部及び周辺に損傷を及ぼすことなく前記配線箇所を切断加工することを特徴とするＩＣ素子の修正方法。」にあるものと認める。なお、便宜上特許請求の範囲を分説し、各分説に符号を付した。
２．審判請求人の主張
　請求人は、本件特許を無効とする、との審決を求めて、甲第１号証として特開昭５５−５０６５２号公報を、甲第２号証として「電子通信学会技術研究報告ＳＳＤ８１−６８〜７８」１９８１年１２月２１日発行、第５９−６６頁を、甲第３号証として特開昭５５−１５０２２５号公報を、甲第４号証として第５回シンポジウム「イオン源とイオンを基礎とした応用技術」ＩＳＩＡＴ’８１予稿集　昭和５６年６月発行、ｐ．４５−５２を、第５号証として半導体ハンドブック編纂委員会編「半導体ハンドブック（第２版）」昭和５７年１２月１０日オーム社発行、第２１９−２２３頁、第１０９２頁を、甲第６号証として「１９７８　ＩＥＥＥ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩ０ＮＡＬ　ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ　ＣＩＲＣＵＩＴＳ　ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ　ＤＩＧＥＳＴ　ｏｆ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＰＡＰＥＲＳ」ＩＳＳＣＣ　７８／ＴＨＵＲＳＤＡＹ．ＦＥＢＲＵＲＹ　１６．１９７８　Ｐ．１４２−１４３を、甲第７号証として日本学術振興会第１３２委員会編「電子・イオンビームハンドブック」昭和４８年１２月２０日日刊工業新聞社発行第４４６頁を、及び甲第８号証として「Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ」Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ　１９７４　Ｐ．１４１６−１４２２を提示し、甲第１号証には、甲第５〜８号証を参照すれば、本件発明の構成ａ、ｂ２、ｂ３、ｃ１、ｃ３及びｄを備えた発明が、甲第２号証には、甲第４号証を参照すれば、本件発明の構成ｂ１、ｂ３、ｃ１、ｃ２、ｃ３及びｄを備えた発明が、甲第３号証には、本件発明の構成ｃ４を備えた発明が、それぞれ記載されており、これらの発明を組み合わせることは当業者が容易に推考でき、したがって、本件発明は、本件出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反し、特許法第１２３条第１項第２号に該当する旨主張している。
３．これに対し、被請求人は、甲第１号証には、「保護膜を被覆したＩＣ素子における該保護膜の下層配線を切断加工するＩＣの修正方法」は記載されておらず、また、甲第１号証には、「修正しようとする領域のみにイオンビームを走査照射する」ことは記載されていないから、審判請求人の主張は誤りである旨主張している。
４．請求人の示した甲各号証に記載された発明
　請求人の提示した甲第１〜４号証については、いずれも成立に争いがない。
　（１）甲第１号証には、「一度完成した素子の配線パターンをスパッタリング作用によって除去するＩＣ素子の修正方法であって、アーク放電型イオン源から放射されるイオンビームを取り出し、これをコンデンサレンズ１１と投射レンズ１３とによって収束され、偏向系１２によって試料上を照射する位置を制御され、二次電子検出器１５によりイオンビームの照射による試料からの二次電子放出の変化を検出し、走査電子顕微鏡と同じ原理でイオンビームが試料のどの位置に当たっているかを知り、試料面上の所望の位置にのみイオンビームを照射して、配線の幅に亘っての切断スパッタ加工を行い、配線箇所を切断加工するＩＣ素子の修正方法」の発明が記載されていると認める。
　そして、「完成した素子」、及び「イオンビームの照射」に関しては、「例えばラダー回路の抵抗値に高精度が要求されるＤ−ＡあるいはＡ−Ｄコンバータに対しては、集束したレーザ光線を照射し抵抗体の一部を焼断して抵抗値を調整するレーザトリシング法や、あらかじめ短絡用電気配線を施した調整用抵抗を付加しておき、必要に応じ大電流を流す等の方法により短絡用配線を切断して抵抗値を調整する方法が採用されている。（第１頁右下欄１５行目一第２頁左上欄２行目）」、「イオンビームの試料面上におけるスポット径はレンズ１１，１３による二段縮小が行なわれるため極めて小さくでき、その位置も試料から放出される二次電子や反射電子により求められるので、マスクを用いることなしに試料面上の任意の位置に選択的にイオンビームを照射することができる。（第３頁左上欄１２−１８行目）」、「本発明の方法は原理的には複合的な素子の内部に組み込まれた微細素子に対するマスクレスのイオン注入である。・・・イオン注入によって変えることのできる全ての電気的な値や特性の調整に用いることができる。このような調整は原理的には従来のマスクを用い全面にイオンビームを照射するイオン注入によっても可能であるが、そのためには必要なマスクを何回も作る工程が増え、実際上不可能に近い。また最初から集束したイオンビームを用い、複合的な素子内部に個々の微細素子を作る方法は時間がかかりすぎて実用的ではない。本発明においては素子全体の製作は従来の方法で行ない、調整を要する素子についてのみ集束したイオンビームによるマスクレスのイオン注入を行なうので、工程や必要な時間を非実用的に増すことなしに、複合的な素子の中に組み込まれた個々の微細素子の電気的な値や特性の調整が可能である。（第３頁右上欄１５行目一左下欄１７行目）」、「イオンビームは波長による集束の限界はないものの、試料面上に得られるビーム電流を一定にすると、イオン源の輝度と集束レンズの収差によってビームのスポット径は制限される。現在報告されている例では、試料面上に得られるビーム電流を１０−１０アンペアとすると、ビームのスポット径は数マイクロメータである。試料面上に得られる電流が少ないと、本発明は時間がかかるという難点が生ずる。しかし、複合素子を構成する微細素子よりスポット径の大きなイオンビームを用いても、イオンビームが他の微細素子に有害な影響を与えない大きさであれば、多くの場合、本発明は有効である。（第３頁左下欄１８行目−右下欄１１行目）」、「次に、本発明によってＩＣ等の複合素子を構成する微細素子の欠陥除去が可能であることを説明する。・・・・また、拡散やイオン注入以外の工程で生じた欠陥であっても、例えば配線パターンのブリッジはアルゴンやクセノンのように電気的に不活性で質量数の大きな物質のイオンを照射し、スパッタリング作用によって除去できる。・・・このような一度完成した素子の不良部分を修理することは、従来の方法では不可能であった（第４頁左上欄１９行目一右上欄２０行目）」及び「設計の段階において、イオンビームの照射部分を他の部分から離したり、近接する部分をイオンビームがさえぎられる厚さの酸化シリコン等により被い、調整部分のみを露出または被いを薄くすることにより、比較的スポット径の大きいイオンビームによっても、本発明は可能である。（第４頁右下欄８−１４行目）」と記載されている。
（２）甲第２号証には、「集束イオンビームによるサブミクロン加工装置について、液体金属イオン源から放射される高輝度イオンビームの内、中央部付近を取り出し、この取り出された高輝度イオンビームをアインツェルンレンズ一段を用いて集束させると共に４つの開孔の異なる絞りを任意に選択できるようにした絞りホルダーで絞り、光軸合わせや焦点の微調整のために二次電流を検出し、走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）像のモードとして行い、エネルギーを最大５０ＫｅＶにして、前記アインツェルンレンズと絞りホルダーによって０．１μｍオーダーの微小プローブにして、微細加工するもの」の発明が記載されていると認める。
　そして、「イオンビームの照射」に関して、Ｆｉｇ１０に「１３００ÅＡｕ／Ｓｉへの５０ＫＶＧａイオンによるマスクレスエッチング」のＳＥＭ像が掲載され、「装置全体の安定性あるいはまた偏向精度を調べるには、長時間のパターン描画を行うことがてっとり早い方法である。パターニングに際しては、まずＳＩＭ象を観察し、ｊｕｓｔ　ｆｏｃｕｓの条件に焦点調整してから行った。Ｆｉｇ１０ａ）では、開き角を３．８ｍｒａｄとし、プローブ電流３ｍＡの条件で、最大走査領域４０μｍ角に約１０μｍ間隔で、最大走査領域４４０μｍ角に約１０μｍの間隔で１μｍの線を引いている。１本の線の走査時間は２５秒で、全体を描くのに、使用したランプ発生器の最大走査時間である１８分間を要した。（第６３頁左欄３０行目一右欄１１行目）」と記載されている。
（３）甲第３号証には、「イオンビームでフォトマスクの欠陥を修正するに際し、イオンビームから照射された部分から飛び出す二次荷電粒子を捕捉する二次荷電粒子検出器１７の信号をＣＲＴ１９に送り、ＣＲＴ１９のスクリーン上にフォトマスク７の表面上体を表示し、イオンビームを走査して残留Ｃｒ膜を表面から順に除去し、ＣＲＴ１９で見ながら除去が完了するまでイオンビーム２５を照射するもの」の発明が記載されていると認める。
（４）甲第４号証には、液体金属源を用いたイオンビーム露光装置に関し、図２に「ガリウム、金及び鉛の電界放出型液体金属イオン源の放射角度に対する角電流密度の関係が図示されており、いずれも、放射角度が０の時に角電流密度が最大となり、放射角度の絶対値が大きくなるほど角電流密度が小さくなるグラフ」が示されている。
（５）甲第５号証には、「狭義には、ＩＣの製作工程フローチャートは、大略、図５・１（ａ）のウエハプロセス以降（図中☆印を付した範囲）と考えることができる。本節では、その中でも最も変化に富むウエハプロセスについて、フローチャートの幾つかの例を示し、また、その中の一つについて、やや詳細な説明を加えたい。（第２２０頁右欄２４−３０行目）」と記載され、図５（ａ）に示されたフローチャートには、「ウエハプロセス」、「ウエハ評価」、「ウエハ分割及び組立」及び「製品評価」のブロックにわたって☆印が付され、「☆狭義のＩＣ製作工程フローチャート」の記載があり、また、図５・２、図５・３及び図５・４には、それぞれ、ｐチャネルＡｌゲートプロセスフローチャート、ｎチャネルＳｉゲートプロセスフローチャート及びＣＭＯＳ　Ｓｉゲート選択酸化法プロセスフローチャートの図が示されており、いずれのフローチャートも、最終工程でＣＶＤ　ＳｉＯ２膜被膜の工程が記載されている。さらに、「次に、Ａｌ蒸着膜を第五ホトエッチングしてゲートおよび配線を残し、表面を保護するため、全面にＳｉＯ２膜またはＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）膜をＣＶＤ法で被覆する。（第２２３頁左欄１４−１８行目）」、「図５・２のプロセス完了後は、ウエハプローブでウエハ上の各チップの良・不良を選別後、ウエハ分割、組立工程にはいる。（第２２３頁左欄３３−３５行目）」及び「配線パターンの表面を絶縁膜で被覆することは、腐食、エレクトロマイグレーション、異物混入のいずれに対しても有効な方法であり、ＬＳＩでは広く行われている。」と記載されている。
（６）甲第６号証には、「レーザトリミングは低ビームパワーで抵抗の上の保護膜に邪魔されることなく０．２ミリインチ幅の切れ目を形成する。（第１４２頁右欄２−５行目）」と記載されている。
（７）甲第７号証には、「厚い酸化膜に１μ以下の寸法の拡散窓や、高速動作集積回路の結線コンタクト窓、あるいは、幅よりも深さの方が大きいアイソレーションのためのチャネルエッチを行なったり、結晶粒界や、スクラッチ、クラックがあっても、エッチングが全面にわたって均一に行なわれる点から、薄膜抵抗のトリミングをするのに向いているといわれている。（第４４６頁７−１１行目）」と記載されている。
（８）甲第８号証には、「集束イオンビームの背後にある基本的な思想は、マスクを用いる工程の削除である。それゆえ、ビームは、ビーム偏向およびブランキングをプログラムすることによって注入するパターンが“描かれる”に足りるだけの十分な集束がなされている必要がある。ここで検討しているプロセスは、半導体へのドーピング、結晶性への損傷、分子結合の破壊などのような効果を実現するターゲットヘの注入（すなわち、ある深さまでの進入）のために十分なエネルギーをもっていることを要求している。特別に、集束イオンビームによるスパッタリング（加工）は考慮していない（第１４１６頁左欄１４−２４行目）」及び「２５Ｖ程度のこれら最高ビームエネルギーは、スパッタリングには適しているが、大部分のイオン注入への応用には一般に低すぎる。（第１４１６頁左欄３４−３６行目）」と記載されている。
５．当審の判断
（１）甲第１号証に記載された発明に関する争点
　（ａ）ＩＣ素子について、「完成した」とは、一般には、製品として完成したものを意味すると認められるが、そのような製品として完成した素子は、パッケージ化されているので、イオンビームを照射して、調整を施すことは不可能である。そうすると、甲第１号証に記載された発明における「完成した素子」が、製品として完成した素子を意味するものではないことは明らかである。そして、甲第１号証には、調整の対象となるＩＣ素子が、素子の加工工程のどの工程を終了した素子であるかは、明文で記載されておらず、保護膜を被覆した素子を調整の対象とするとの直接的な記載もない。
　ところで、甲第１号証の第４頁左上欄１９行目−右上欄２０行目に記載された実施の形態は、ＩＣ等の複合素子を構成する微細素子の欠陥を除去するものであって、「一度完成した素子の不良部分を修理する」ものである。そして、該「修理」には、配線パターンのブリッジにイオンを照射してスパッタリング作用によって除去するものが含まれる。
　（ｉ）ここで、不良部分を修理される「完成した素子」がどのようにして得られるかについての記載はないが、特段の記載がない以上、通常の製造方法で製造され、不良部分を検出された素子と解するのが相当である。
　（ｉｉ）審判請求人の引用した甲第５号証には、「狭義には、ＩＣの製作工程フローチャートは、大略図５・１（ａ）のウエハプロセス以降（図中☆印を付した範囲）と考えることができる。」と記載され、図５・１の☆印を付した範囲には、「ウエハプロセス」、「ウエハ評価」、「ウエハ分割及び組立」及び「製品評価」の工程が含まれている。甲第５号証には、「完成した素子」の語も記載されておらず、また、「ウエハプロセス」を終了したものが完成した素子であると示唆する記載もないが、「ウエハプロセス」の終了が「素子の完成」の一応の完成と解することができる。
　（ｉｉｉ）同じく甲第５号証には、ウエハプロセスに次いで「ウエハ上の各チップの良・不良の選別」が行われると記載されており、この工程によって、初めて素子の不良部分が検出されると認められる。
　以上（ｉ）〜（ｉｉｉ）からすると、甲第１号証の第４頁左上欄１９行目一右上欄２０行目に記載された実施の形態における「完成した素子」は、ウエハプロセスが終了した素子と解することができ、これを覆すに足る証拠はない。
　そして、甲第５号証の図５・２、図５・３、図５・４及び第２２３頁左欄１４−１８行目の記載から、ウエハプロセスの最後の工程で、表面を保護するため、全面にＳｉＯ２膜又はＰＳＧ膜が被覆されるものであるから、甲第１号証には、「保護膜を被覆したＩＣ素子の配線をイオンビームでスパッタ加工するもの」が記載されていると解するのが相当である。
　なお、審判請求人は、第３頁左下欄１１−１７行目の記載から、「完成した素子」が従来の方法で製造されたものであると主張しているが、この記載は、その前段の記載からすれば、素子全体の内、従来の方法で製作される部分と、調整を行う部分とをどのように決めるかを示したものであって、「完成した素子」を定義づけるものではない。甲第１号証において、「完成した素子」の用語は、第４頁左上欄１９行目−右上欄２０行目に記載された実施の形態に限って用いられる用語である。
　また、被請求人は、甲第１号証の第３頁右下欄１５−１７行目、第３頁右下欄１１行目−第４頁左上欄８行目及び第４頁右下欄８−１４行目の記載、並びに第１図を挙げ、甲第１号証に記載されたものは、保護膜を被覆しない素子を調整の対象とするものである旨主張するが、これらの記載は、第４頁左上欄１９行目−右上欄２０行目に記載された実施の形態とは異なる実施の形態についてされた記載であって、また、それらの実施の形態が「一度完成した素子」を調整対象とするものと解する理由もないから、被請求人の前記主張を根拠として、「完成した素子」が保護膜を有しないものであるとすることはできない。
　（ｂ）審判請求人は、甲第１号証に記載されたものが「マスクレス」によりイオンビームを照射するものであることをもって、イオンビームを走査することを前提としたものである旨主張している。しかしながら、
　（ｉ）甲第１号証には、イオンビームを走査照射して複合素子を調整するものは、実施の形態として記載されておらず、かつ、イオンビームを走査照射して調整することを示唆する実施の形態も記載されていない。
　（ｉｉ）第３頁左下欄１８行目−右下欄１１行目の記載からすれば、甲第１号証に記載された発明において使用されるイオンビームのスポット径は、数マイクロメータ以上であって、素子の線幅以下に絞ることができない場合が指摘されている。そして、この記載は、単にイオンビームのスポット径が素子の調整に適する寸法より大きい場合について言及しているだけであって、素子の線幅に対して、イオンビームのスポット径が走査照射しなければ調整できないほど小さい場合について示唆するものではない。
　（ｉｉｉ）第３頁左下欄８−１１行目の「最初から集束したイオンビームを用い、複合的な素子内部に個々の微細素子を作る方法は時間がかかりすぎて実用的ではない。」の記載における、「イオンビームによる制作方法が時間がかかるとする難点」は、審判請求人の主張するように、イオンビームを走査することにより生ずるものと認められるが、その後段の記載によれば、そのような難点が生ずることを理由として、調整を要する素子についてのみ集束したイオンビームによる加工を行うとされているのであるから、甲第１号証に記載された発明は、集束したイオンビームによって調整を行う素子として、積極的に走査照射を行うものを選択するものとは認められない。
　以上（ｉ）〜（ｉｉｉ）からすると、甲第１号証には、複合素子調整方法の発明を実施する装置が、イオンビームを走査照射することが可能な装置として記載されているとしても、また、甲第２号証及び甲第８号証に記載されているように、イオンビームを走査照射することが普通の加工方法であるとしても、甲第１号証に、複合素子をイオンビームの走査照射によって調整するものが記載されているということはできない。
（２）本件発明と、甲各号証に記載された発明との対比
　そうすると、甲第１号証に配線上に保護膜を被覆したＩＣ素子の配線をイオンビームでスパッタ加工するものが記載されていると解することができるとしても、本件発明の必須の構成である「配線の幅より大幅に細いイオンビームスポット径にして投影させたイオンビームを走査照射して前記保護膜（配線上に配線に倣った段差状の保護膜を被覆したＩＣ素子における該保護膜）へのスパッタ加工を行う」ことは、前記甲各号証のいずれにも、記載されていない。
　そして、本件発明の必須の構成である「配線上に配線に倣った段差状の保護膜を被覆したＩＣ素子における該保護膜の下層の配線を切断加工するＩＣ素子の修正方法であって、前記ＩＣ素子の配線切断しようとする配線の幅に亘る領域のみに配線の幅より大幅に細い０．３μｍ以下のイオンビームスポット径にして投影させたイオンビームを走査照射して前記保護膜への少なくとも配線の幅に亘る一様な穴あけスパッタ加工とその下層における配線の幅に亘っての一様な切断スパッタ加工とを行」う構成が、前記甲各号証に記載されたものから示唆されるとする根拠もない。
　そして、本件発明は、当該構成によって、１μｍ以下の配線幅の配線上に保護膜を被覆したＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等の完成されたＩＣ素子に対して、配線幅に亘って配線断面の通りの、即ち一様な深さのスパッタ加工が可能となり、下層及び周辺への損傷を防止して１μｍ以下の配線幅を有する配線の切断加工を実用に供せる短時間で実現することができる」という、前記甲各号証に記載されたものにはない格別の効果を奏するものである。
６．結論
　したがって、本件特許発明は、審判請求人が提示した甲各号証に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　よって結論の通り審決する。