【事件の表示】
　特許第３２２４０１２号「反射型画像表示装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２２４０１２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２２４０１２号の請求項１〜４に係る発明についての出願は、平成８年６月２８日（優先権主張：平成７年７月２８日）に特許出願され、平成１３年８月２４日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人大沢敏昭より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年９月９日に訂正請求がなされたものである。
　　　
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
ａ．特許請求の範囲の請求項１及び２の
　「【請求項１】　基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成されている透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を光変調層で変調して、反射させる反射型画像表示装置において、
　一層又は複数層からなる遮光層を前記絶縁層の内部に介装せしめ、その介装領域には読出し光の入射方向から見て前記スイッチング素子の形成領域外に前記第２接続部を貫通させるための開口部を設けると共に、
　前記第１接続部における前記スイッチング素子の出力端子との接続部分を、少なくとも前記スイッチング素子の出力部全体を覆うように、側方へ連続的に延在させて形成し、
　且つ、前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側表面の何れか一方又は双方に、また遮光層を複数層とした場合には遮光層同士の対向側表面の何れか一方又は双方に、光反射率の小さい材料からなる反射防止膜を形成した
　ことを特徴とする反射型画像表示装置。
　　【請求項２】　前記反射電極層を、アルミニウム、若しくは微量のシリコン又は／及び銅を含有したアルミニウムで構成した請求項１記載の反射型画像表示装置。」を、
　「【請求項１】　基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成されている透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を前記光変調層で変調して、反射させる反射型画像表示装置において、
　前記絶縁体層は、ＳＯＧからなり、前記反射電極層は、アルミニウム、若しくは微量のシリコン又は／及び銅を含有したアルミニウムからなり、
　一層からなる遮光層を前記絶縁体層の内部に介装せしめ、その介装領域には読出し光の入射方向から見て前記スイッチング素子の形成領域外に前記第２接続部を貫通させるための開口部を設けると共に、
　前記第１接続部における前記スイッチング素子の出力端子との接続部分を、少なくとも前記スイッチング素子の出力部全体を覆うように、側方へ連続的に延在させて形成し、
　且つ、前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側の双方に、光反射率の小さいＴｉ材料からなる反射防止膜を形成した
　ことを特徴とする反射型画像表示装置。」
と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の請求項３の
　「【請求項３】　前記能動素子基板における反射電極層側の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層を形成し、その増反射膜層がシリコン酸化物とチタン酸化物の膜を交互に積層させてその全体の層厚を５０００Å以下となるようにした請求項１又は請求項２記載の反射型画像表示装置。」を、
　「【請求項２】　前記能動素子基板における反射電極層側の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層を形成し、その増反射膜層がシリコン酸化物とチタン酸化物の膜を交互に積層させてその全体の層厚を５０００Å以下となるようにした請求項１記載の反射型画像表示装置。」
と訂正する。
ｃ．特許請求の範囲の請求項４の
　「【請求項４】　前記の各能動素子回路の反射電極層間に絶縁性材料を充填し、絶縁性材料の表面を光学的鏡面状態まで平坦化した請求項１、請求項２又は請求項３記載の反射型画像表示装置。」を、
　「【請求項３】　前記能動素子基板における反射電極層側の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層を形成し、その増反射膜層がシリコン酸化物とチタン酸化物の膜を交互積層させてその全体の層厚を５０００Å以下となるようにした請求項１又は請求項２記載の反射型画像表示装置。」
と訂正する。
ｄ．明細書の段落【００１５】の
　「【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成されている透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を光変調層で変調して、反射させる反射型画像表示装置において、一層又は複数層からなる遮光層を前記絶縁層の内部に介装せしめ、その介装領域には読出し光の入射方向から見て前記スイッチング素子の形成領域外に前記第２接続部を貫通させるための開口部を設けると共に、前記第１接続部における前記スイッチング素子の出力端子との接続部分を、少なくとも前記スイッチング素子の出力部全体を覆うように、側方へ連続的に延在させて形成し、且つ、前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側表面の何れか一方又は双方に、また遮光層を複数層とした場合には遮光層同士の対向側表面の何れか一方又は双方に、光反射率の小さい材料からなる反射防止膜を形成したことを特徴とする反射型画像表示装置に係る。」を、
　「【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成されている透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を光変調層で変調して、反射させる反射型画像表示装置において、前記絶縁体層は、ＳＯＧからなり、前記反射電極層は、アルミニウム、若しくは微量のシリコン又は／及び銅を含有したアルミニウムからなり、一層からなる遮光層を前記絶縁層の内部に介装せしめ、その介装領域には読出し光の入射方向から見て前記スイッチング素子の形成領域外に前記第２接続部を貫通させるための開口部を設けると共に、前記第１接続部における前記スイッチング素子の出力端子との接続部分を、少なくとも前記スイッチング素子の出力部全体を覆うように、側方へ連続的に延在させて形成し、且つ、前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側の双方に、光反射率の小さいＴｉ材料からなる反射防止膜を形成したことを特徴とする反射型画像表示装置に係る。」
と訂正する。
ｅ．明細書の段落【００４８】の
　「【発明の効果】
　本発明の反射型画像表示装置は、以上のような構成を有していることにより、次のような効果を奏する。
　請求項１の発明は、読出し光が能動素子基板のスイッチング素子へ侵入してフォトコンダクションを発生させるという課題に対して総合的な対策を施し、特に、第１接続部を有効に利用して前記の侵入経路を迂回させて長くすると共に、侵入経路中に反射防止膜を施すという構成を採用したことにより、フォトコンダクションの発生を極めて有効に防止して、高品質な投射画像の表示を可能にする。
　請求項２の発明は、反射電極層の平坦度を高め、反射率を更に向上させて高輝度な投射画像の表示を可能にする。
　請求項３の発明は、反射電極層と増反射膜が共働して反射率を向上させ、比較的少ない層数の増反射膜で反射率の大幅な改善を実現する。特に、層厚が５０００Å以下であるために電界の拡がりによる解像度の低下もなく、高輝度で高解像度の表示を可能にする。
　請求項４の発明は、反射電極層間の段差部分を光学的鏡面にすることで乱反射を防止し、コントラストの低下がなく、高い反射率を安定的に確保させる。」を、
　「【発明の効果】
　本発明の反射型画像表示装置は、以上のような構成を有していることにより、次のような効果を奏する。
　請求項１の発明は、読出し光が能動素子基板のスイッチング素子へ侵入してフォトコンダクションを発生させるという課題に対して総合的な対策を施し、特に、第１接続部を有効に利用して前記の侵入経路を迂回させて長くすると共に、侵入経路中に反射防止膜を施すという構成を採用したことにより、フォトコンダクションの発生を極めて有効に防止して、高品質な投射画像の表示を可能にする。
更に、絶縁体層上に反射電極層を形成する際、反射電極層のＡｌと絶縁体層に含まれるＳｉがマイグレーションを生じることによる反射電極層表面にＳｉが析出することを防止できる。このため、反射率の高い反射電極層を得ることができる。また、反射電極層間から侵入する光により反射電極層と遮光層の間で生じる多重反射光のスイッチング素子部分への到達量を大幅に減じることができる。
　また、反射電極層の平坦度を高め、反射率を更に向上させて高輝度な投射画像の表示を可能にする。　
　請求項２の発明は、反射電極層と増反射膜が共働して反射率を向上させ、比較的少ない層数の増反射膜で反射率の大幅な改善を実現する。特に膜厚が５０００Å以下であるために電界の拡がりによる解像度の低下もなく、高輝度で高解像度の表示を可能にする。
　請求項３の発明は、反射電極層間の段差部分を光学的鏡面にすることで乱反射を防止し、コントラストの低下がなく、高い反射率を安定的に確保させる。」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、段落【００２８】〜【００３０】の記載に基づいて請求項１に記載の絶縁体層について限定し、遮光層を一層からなるものに限定し、「反射防止膜を形成する材料及び形成される箇所について限定し、絶縁層」を「絶縁体層」とするのは誤記の訂正であり、さらに請求項２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、訂正事項ａにより請求項２が削除されたのに応じて、請求項３を新たな請求項２とし、引用する請求項を請求項１とするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｃは、上記訂正事項ａ及びｂによる訂正に応じて、請求項４をあらたな請求項３とし、引用する請求項を請求項１又は２とするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｄは、訂正事項ａ〜ｃによる請求項についての訂正との整合を図るために、段落【００２８】〜【００３０】の記載に基づいて段落【００１５】の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張、又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｅは、【００２９】及び【００３０】の記載に基づいて段落【００４８】の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張、又は変更するものではない。
ウ．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　
３．特許異議申立てについての判断
ア．本件発明
　本件の請求項１〜３に係る発明（以下、それぞれ本件発明１〜３という）は、平成１４年９月９日付けで提出された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に各々記載された事項によって特定されるとおりのものである。
イ．申立ての理由の概要
　特許異議申立人大沢敏昭は、甲第１〜４号証及び参考資料１〜３を提出して、本件の訂正前の請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜４号証刊行物に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は特許法第２９条大２項の規定に違反して特許されたものであり、取り消されるべきものである旨主張する。
ウ．各刊行物に記載の発明
刊行物１：特開昭５７−２０７７８号公報（甲第１号証刊行物）
　「本発明は画像表示装置に用いられる半導体集積回路に関するものであり、ＭＯＳトランジスタの光導電効果によるリーク電流を抑制することにより画像表示装置の性能向上を目的とする。また本発明の別の目的は金属反射電極の拡大を可能ならしめることにより画像の明るさを大きくすることにある。」（第１頁右下欄第７〜１３行）
　「つぎにソース拡散層５とシリコン基板１０との間で生じる光リーク電流であるが、これは少なければ少ないほど良いのであって、・・・・」（第２頁右下欄第１１〜１３行）
　「第５図は本発明による新規構造の断面図である。・・・・コンデンサ電極１８と金属反射電極１９が２つの絶縁層２０，２１を貫通する開口部２２を通して接続されている。特筆すべきは２つの絶縁層２０，２１の中間に金属反射鏡１９と短絡しないように開口部２２より大きな開口部２３を有する金属層２４が存在することである。」（第３頁左下欄第１４行〜右下欄第１行）
　「厳密に言えば金属反射電極１９の隙間から入り、金属層２４と金属反射電極１９と絶縁膜よりなるトンネル内を多重反射しながら開口部２３に到達し、そこからＭＯＳトランジスタに届く光がないわけではない。しかしながら金属反射電極１９の大きさが開口部２３に比べて圧倒的に大きいため、直射日光下のように１０万ｌｕｘを越明るさの下でも光導電効果によるリーク電流の発生は皆無であった。」（第３頁右下欄第１０〜１８行）
　「・・・・以上の点で絶縁膜２０，２１にポリイミド膜を採用することは点欠陥の減少という歩留向上とコントラスト比の改善に大きく寄与するものである。
　先述したように金属層２４の役割は光シールドであるが、金属反射電極１９の周囲の隙間から絶縁層２１を通して金属層２４に外光が入射し、金属層２４からの反射光が正反射として観測者に届くので視角が狭くなり画質の劣化をもたらす。したがって本発明においては金属層２４は反射率の低い材料が望ましく、・・・・例えばＭｏやＭｏＳｉ２はＡｌに比べると反射率が１／５〜１／１０と小さく、・・・・」（第４頁左下欄第３〜１５行）
　また、第５図には、絶縁層の中間に金属層を有する表示装置の構造の断面が示されている。
刊行物２：特開平６−１９４６９０号公報（甲第２号証刊行物）
　「図４は本発明の第１の実施例の断面図である。液晶ライトバルブは単結晶シリコン板の一方の表面に、エンハンスメント形のＮＭＯＳトランジスタで構成されたＭＯＳトランジスタ１ａ，ＭＯＳ容量で構成された保持容量１ｂ及び反射電極などから構成される画素回路１を形成した第１の基板１００と、ガラスなどの透明な材料からなる対向電極３０１の一方の表面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料からなる対向電極３０２を形成した第２の基板３００との間に液晶２００を充填したものである。・・・」（段落【００３６】）
　「第１の絶縁層１３０上に形成された第１の金属層１４０は、スリット１４４によって複数個に分割され、ＭＯＳトランジスタ１ａと保持容量１ｂとを接続する配線１４１，第２の信号線１４２，第３の信号線１４３を構成している。配線１４１は第１の絶縁層１３０に設けたコンタクトホール１３１を貫通して一対のｎ＋領域１１３の一方及びポリシリコン層１２４に、第２の信号線１４２は第１の絶縁層１３０に設けたコンタクトホール１３１を貫通して一対のｎ＋領域１１３の他方に、それぞれコンタクトしている。・・・」（段落【００４０】）
　「第２の金属層１６０は反射電極となるもので、各単位画素と略同形状を有し、各画素毎にスリット１６２によって分離された複数個の画素電極１６１を構成している。・・・」（段落【００４１】）
　「・・・・ＭＯＳトランジスタ１ａの拡散層１１３への光を第１の金属層１４０と第２の金属層１６０で遮光している。・・・」（段落【００４８】）
　「次に、図９，図１０を用いて本発明の液晶ライトバルブの他の実施例を説明する。・・・・異なるのは、金属層を３層構造にして、配線１４１と反射電極となる画素電極の間に別の遮光層を設けている点である。・・・」（段落【００５２】）
　「・・・・入射光がシリコン基板に達するのを防止するには、第１の金属層，第２の金属層及び第３の金属層のそれぞれに形成されるスリット部が互いにオーバーラップすることがないようずらせて配置すればよい。」（段落【００５６】）
刊行物３：特開平４−３３８７２１号公報（甲第３号証刊行物）
　「本発明による反射型光変調パネルの第１の実施例を、図４に示す。ガラス板２０上にスイッチングトランジスタ４０と画素電極４１等を有する構成のマトリックス基板と、透明電極２５を有する透明ガラス板２４と、それらによって挟持された液晶材料を含む光変調層２３により構成されており、画素電極４１上には表面を平坦化した誘電体膜４２と誘電体多層膜鏡４３が形成されている。」（段落【００１８】）
刊行物４：特開平１−２４４４２６号公報（甲第４号証刊行物）
　「・・・・第１図において、１１は絶縁基板としてガラス基板、１２は配線電極、１３はスイッチング素子として薄膜トランジスタおよび補助容量（ＴＦＴ）、１４は絶縁体層として非晶質窒化ケイ素膜、１５は反射画素電極、１６は液晶層、１７は対向共通電極として、スパッタにより成膜されたＩＴＯであり、１８は対向透明基板としてガラス基板、１９は黒色絶縁体として、スパッタにより形成されたＰｒＭｎＯ３膜である。・・・・
　以上のように本実施例によれば、反射画素電極間の絶縁層上に黒色絶縁体ＰｒＭｎＯ３で埋めることにより、光のＴＦＴ側内部への進入を抑えることができ、スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防ぐことができる。」（第２頁左下欄第３行〜右下欄第１行）
刊行物５：特開平７−１２０７４４号公報（参考資料１）
　光散乱型液晶を使用する反射型液晶表示装置において、画素電極を有する第１の電極基板側の層間絶縁膜の間に、能動素子側の遮光性の高い第１の層と液晶側の表面反射率の低い第２の層とからなる遮光層を形成して、能動素子の半導体部分を確実に遮蔽し、光リーク電流を生じることがなく、信号線や走査線の反射の影響もなく投射画像のコントラストの低下を防止することについて記載されている。
刊行物６：特開平５−２４１１９９号公報（参考資料２）
　液晶パネルの金属配線（ソース線あるいはゲート線）上に光吸収層を設けて、金属配線への光の入射を防止することについて記載されている。
刊行物７：特開平６−２６０６４２号公報（参考資料３）
　薄膜トランジスタのゲート電極・配線の材料としてＡｌにＣｕあるいはＮｉを添加したものを用いて、ヒロックによる凹凸が発生せず平坦で陽極参加されやすくすることが記載されている。
エ．対比・判断
　本件発明１と刊行物１に記載のものとを対比すると、両者は次の２点において相違する他は一致する。
 ａ．本件発明において、絶縁体層がＳＯＧからなり、反射電極層がアルミニウム、若しくは微量のシリコン又は銅を含有したアルミニウムからなるのに対し、刊行物１に記載のものにおいては、絶縁膜２１の材質としてポリイミドが例示され、金属反射電極１９の材質については明記されていない点。
ｂ．本件発明において、反射電極層と遮光層における両層の対向側の双方に、光反射率の小さいＴｉ材料からなる反射防止膜を形成しているのに対し、刊行物１に記載のものにおいては、金属層２４（本件発明の遮光層に相当する）を反射率の低い材質のＭｏ及びＭｏＳｉ２で形成することが示されているが、対向する金属反射電極の面は低反射率のものではなく、反射防止膜を形成されてはいない点。
　このうち、相違点ｂについて検討すると、反射電極層と絶縁体層の内部に介装された遮光層との両層の対向側の双方に光反射率の小さいＴｉ材料からなる反射防止膜を形成することは、刊行物２〜７のいずれにも記載されていず、また、示唆するところもない。
　刊行物５に記載のものにおいて、第２の層間絶縁膜５３と第３の層間絶縁膜５４との間に形成された表面反射率の低い窒化アルミニウムで遮光層５６が形成されることが記載されているが、対向する画素電極５７の面に反射防止膜を形成することについては何ら示唆するところはない。
　しかるに、本件発明１は、相違点ｂを含む事項により特定されるものであり、それによって反射電極層と遮光層との対向する面での反射によるスイッチング素子への光のリークを減少させられるとの効果を奏するものである。それゆえ、相違点ａについて検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１〜７に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　次に、本件発明２及び３は、いずれも本件発明１を特定する事項を備えるものであるから、刊行物１〜７に記載のものに対して、前記相違点ｂを有する。
　それゆえ、本件発明２及び３は、本件発明１と同様の理由で、いずれも刊行物１〜７に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　　　
 ４．むすび
 　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月１２日（２００２．１２．１２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　▲１▼訂正事項ａ
　平成１３年３月１６日付けの本件請求人提出に係る補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に係る記載
「　　【請求項１】
　基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成された透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を光変調層で変調して、反射させる反射型画像表示装置において、
　一層又は複数層からなる遮光層を前記絶縁層の内部に介装せしめ、その介装領域には読出し光の入射方向から見て前記スイッチング素子の形成領域外に前記第２接続部を貫通させるための開口部を設けると共に、
　前記第１接続部における前記スイッチング素子の出力端子との接続部分を、少なくとも前記スイッチング素子の出力部全体を覆うように、側方へ連続的に延在させて形成し、
　且つ、前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側表面の何れか一方又は双方に、また遮光層を複数層とした場合には遮光層同士の対向側表面の何れか一方又は双方に、光反射率の小さい材料からなる反射防止膜を形成した
　ことを特徴とする反射型画像表示装置。
　【請求項２】
　前記反射電極層をアルミニウム、若しくは微量のシリコン又は及び銅を含有したアルミニウムで構成した請求項１記載の反射型画像表示装置。」
を、
「　　【請求項１】
　基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成された透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を
前記
　
前記絶縁体層は、ＳＯＧからなり、前記反射電極層は、アルミニウム、若しくは微量のシリコン又は／及び銅を含有したアルミニウムからなり、
　
一層
体
　前記第１接続部における前記スイッチング素子の出力端子との接続部分を、少なくとも前記スイッチング素子の出力部全体を覆うように、側方へ連続的に延在させて形成し、
　且つ、
前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側の双方に
Ｔｉ
　ことを特徴とする反射型画像表示装置。」
と訂正します。
　▲２▼訂正事項ｂ
　平成１３年３月１６日付けの本件請求人提出に係る補正書により補正された特許請求の範囲の請求項３に係る記載
「　　【請求項３】
　前記能動素子基板における反射電極層側の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層を形成し、その増反射膜層がシリコン酸化物とチタン酸化物の膜を交互に積層させてその全体の層厚を５０００Å以下となるようにした請求項１又は２記載の反射型画像表示装置。」
を、
「　　【請求項２】
　前記能動素子基板における反射電極層側の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層を形成し、その増反射膜層がシリコン酸化物とチタン酸化物の膜を交互に積層させてその全体の層厚を５０００Å以下となるようにした
請求項１記載
と訂正します。
　▲３▼訂正事項ｃ
　平成１３年３月１６日付けの本件請求人提出に係る補正書により補正された特許請求の範囲の請求項４に係る記載
「　　【請求項４】
　前記の各能動素子回路の反射電極層間に絶縁性材料を充填し、絶縁性材料の表面を光学的鏡面状態まで平坦化した請求項１、請求項２又は請求項３記載の反射型画像表示装置。」
を、
「　　【請求項３】
　前記能動素子基板における反射電極層側の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層を形成し、その増反射膜層がシリコン酸化物とチタン酸化物の膜を交互に積層させてその全体の層厚を５０００Å以下となるようにした
請求項１又は請求項２記載
と訂正します。
　▲４▼訂正事項ｄ
　明細書の段落番号【００１５】に記載された
「　【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成された透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を光変調層で変調して、反射させる反射型画像表示装置において、一層又は複数層からなる遮光層を前記絶縁層の内部に介装せしめ、その介装領域には読出し光の入射方向から見て前記スイッチング素子の形成領域外に前記第２接続部を貫通させるための開口部を設けると共に、前記第１接続部における前記スイッチング素子の出力端子との接続部分を、少なくとも前記スイッチング素子の出力部全体を覆うように、側方へ連続的に延在させて形成し、且つ、前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側表面の何れか一方又は双方に、また遮光層を複数層とした場合には遮光層同士の対向側表面の何れか一方又は双方に、光反射率の小さい材料からなる反射防止膜を形成したことを特徴とする反射型画像表示装置に係る。」
を、
「　【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成された透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を
前記
前記絶縁体層は、ＳＯＧからなり、前記反射電極層は、アルミニウム、若しくは微量のシリコン又は／及び銅を含有したアルミニウムからなり、一層
体
前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側の双方に
Ｔｉ
と訂正します。
　▲５▼訂正事項ｅ
　明細書の段落番号【００４８】に記載された
「　　【発明の効果】
　本発明の反射型画像表示装置は、以上のような構成を有していることにより、次のような効果を奏する。
　請求項１の発明は、読出し光が能動素子基板のスイッチング素子へ侵入してフォトコンダクションを発生させるという課題に対して総合的な対策を施し、特に、第１接続部を有効に利用して前記の侵入経路を迂回させて長くすると共に、侵入経路中に反射防止膜を施すという構成を採用したことにより、フォトコンダクションの発生を極めて有効に防止して、高品質な投射画像の表示を可能にする。
　請求項２の発明は、反射電極層の平坦度を高め、反射率を更に向上させて高輝度な投射画像の表示を可能にする。
　請求項３の発明は、反射電極層と増反射膜が共働して反射率を向上させ、比較的少ない層数の増反射膜で反射率の大幅な改善を実現する。特に、層厚が５０００Å以下であるために電界の拡がりによる解像度の低下もなく、高輝度で高解像度の表示を可能にする。
　請求項４の発明は、反射電極層間の段差部分を光学的鏡面にすることで乱反射を防止し、コントラストの低下がなく、高い反射率を安定的に確保させる。」
を
「　　【発明の効果】
　本発明の反射型画像表示装置は、以上のような構成を有していることにより、次のような効果を奏する。
　請求項１の発明は、読出し光が能動素子基板のスイッチング素子へ侵入してフォトコンダクションを発生させるという課題に対して総合的な対策を施し、特に、第１接続部を有効に利用して前記の侵入経路を迂回させて長くすると共に、侵入経路中に反射防止膜を施すという構成を採用したことにより、フォトコンダクションの発生を極めて有効に防止して、高品質な投射画像の表示を可能にする。
更に、絶縁体層上に反射電極層を形成する際、反射電極層のＡｌと絶縁体層に含まれるＳｉがマイグレーションを生じることによる反射電極層表面にＳｉが析出することを防止できる。このため、反射率の高い反射電極層を得ることができる。また、反射電極層間から侵入する光により反射電極層と遮光層の間で生じる多重反射光のスイッチング素子部分への到達量を大幅に減じることができる。
　
また、
　請求項
２
　請求項
３
と訂正します。
（５４）【発明の名称】
反射型画像表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成された透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を
前記
　
前記絶縁体層は、ＳＯＧからなり、前記反射電極層は、アルミニウム、若しくは微量のシリコン又は／及び銅を含有したアルミニウムからなり、
　
一層
体
　前記第１接続部における前記スイッチング素子の出力端子との接続部分を、少なくとも前記スイッチング素子の出力部全体を覆うように、側方へ連続的に延在させて形成し、
　且つ、
前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側の双方に
Ｔｉ
　ことを特徴とする反射型画像表示装置。
　【請求項２】
　前記能動素子基板における反射電極層側の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層を形成し、その増反射膜層がシリコン酸化物とチタン酸化物の膜を交互に積層させてその全体の層厚を５０００Å以下となるようにした
請求項１記載
　【請求項３】
　前記の各能動素子回路の反射電極層間に絶縁性材料を充填し、絶縁性材料の表面を光学的鏡面状態まで平坦化した
請求項１又は請求項２記載
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は画像を大画面に表示するための反射型画像表示装置に係り、高い反射率で光利用率を向上させると共に、入射光が基板内に侵入して画品質が低下することを防止するための構造的改良に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　最近、屋外公衆用や管制業務用のディスプレイ、またハイビジョン等の高精細映像の表示用ディスプレイ等のように、映像を大画面に表示するための投射型表示装置の要望が高まっている。
　投射型表示装置には大別すると透過型方式と反射型方式のものがあり、前者は薄膜トランジスタと透明電極からなる画素をマトリクス状に配設した液晶パネルを透過する光を投影させる方式であり、後者は前記の液晶パネルで反射した光を投影させる方式であるが、投射型表示装置では映像を高輝度に表示することが最も重要な課題になっている。
　【０００３】
　透過型方式は、光学系の構成が比較的簡単で安価に製造できるという利点があるが、表示パネルを小型化すると画素電極の電圧を制御するトランジスタや配線が占める面積の割合が大きくなり、開口率が小さくなって画像の輝度が低下するという欠点がある。
　一方、反射型方式では、反射電極層の下側にトランジスタや配線を配置できるため、開口率を低下させることなく画素数を増大させて、高輝度で高解像度の画像を表示させることができる。
　従って、拡大投影方式の画像表示装置では、小型で高密度化が可能な反射型方式の方が適している。
　【０００４】
　反射型画像表示装置に関する研究は、例えば電子通信学会技術研究報告ＣＭＰ７８−７１や特公昭５７−３９４２２号や特開平４−３３８７２１号等に開示されているが、現在実施されている一般的な装置には図１９に示すような構造が採用されている。
　同図において、１はＳｉ基板であり、その上に半導体プロセスによってＭＯＳ−ＦＥＴ２と電荷蓄積容量３が形成されている。
　ここに、４は絶縁体層、５はＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイン、６はゲート、７はソースである。
　また、８は絶縁体層４の上に形成されたＡｌの反射電極層であり、その下側の一部がＭＯＳ−ＦＥＴ２のソース７に接続されていると共に、その接続部分から板状の導体部９を側方へ延在せしめ、導体部９とＳｉ基板１の間にＳｉＯ２の絶縁膜１０を介在させることで電荷蓄積容量３を構成している。
　即ち、Ｓｉ基板１に対して一画素単位でスイッチング素子であるＭＯＳ−ＦＥＴ２と電荷蓄積容量部３からなる能動素子回路を形成することにより全体として能動素子基板１１を構成している。
　一方、２１は透明基板であり、ガラス基板２２の片面に透明な共通電極膜２３を形成した構造になっている。
　そして、能動素子基板１１側の反射電極層８と絶縁体層４が表れた表面と、透明基板２１側の共通電極膜２３の表面にはそれぞれ配向膜１２，２４が覆設され、各基板１１，２１の配向膜１２，２４の間に液晶層３０を挾装・封止して、全体として反射型画像表示装置のパネル部を構成している。
　【０００５】
　次に、この装置の動作を図２０の等価回路図も参照しながら説明する。
　先ず、ゲート６の電極には選択信号を通電するゲート線Ｘｊが、ドレイン５の電極には画像信号を通電する信号線Ｙｊが接続されている。
　ここで、ゲート線Ｘｊを通じて選択信号がゲート６に印加されるとＭＯＳ−ＦＥＴ２はオンとなり、信号線Ｙｊの画像信号がドレイン５からソース７を通じて反射電極層８に印加されると共に導体部９を介して電荷蓄積容量３が充電される。
　また、その電荷蓄積容量３に蓄積された電荷により、ゲート線Ｘｊの選択信号が０レベルになって非選択状態になっても電荷蓄積容量３と放電抵抗による時定数で定まる時間だけ反射電極層８の電位が保持される。
　【０００６】
　そして、その時間帯には液晶層３０に対して反射電極層８と共通電極膜２３の間の電位差が印加されて液晶の光透過率が変化するため、その電位差を信号線Ｙｊの画像信号で制御することによって、ガラス基板２２へ入射した後に反射電極層８で反射して再びガラス基板２２から出射する光を変調することが可能になる。
　具体的には、ゲート線Ｘｊに選択信号を通電してそのＸ方向の全てのＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態にし、オン状態になったＭＯＳ−ＦＥＴ２に接続された各電荷蓄積容量３に対して、信号線Ｙｊを通じて画像信号をＹ方向へ走査しながら書込むという方式で入射光（読出し光）を画素単位で変調した反射光を得る。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、従来の反射型画像表示装置においても、高輝度で高品質の画像を得る上では次のような問題点が指摘されている。
　第１の問題点；
　図１９に示したように、反射電極層８はＭＯＳ−ＦＥＴ２と電荷蓄積容量３の上側に絶縁体層４を介在させて配設されているが、Ｓｉ基板１上にＭＯＳ−ＦＥＴ２等を形成した場合には凹凸が不可避的に発生し、その上に形成する絶縁体層４にも凹凸が発生するために反射電極層８の表面を平坦に形成できない。
　従って、反射電極層８に段差部分があると読出し光が反射する際にその反射率が低下し、高輝度な画像が得られないという問題がある。
　【０００８】
　一方、その問題に対する対策として、ＭＯＳ−ＦＥＴ２を形成する際に配線を極力平坦化する技術が提案されている（特公平１−３５３５１号）。
　しかし、そのような対策手段は粗さやうねりのレベルで高々数千Å程度までの改善に留まり、輝度の向上を目的とした場合にそれほど大きな効果を望めない。
　例えば、反射型画像表示装置の用途として投射型テレビジョンを想定した場合、前記レベルでの凹凸が存在していても、反射光は多少散乱を生じながらも比較的小さい画面に投射されるために大きな影響が生じないが、投射型プロジェクタで大型のスクリーンに投影する場合には、入射光を非常に強くし、また反射光をレンズで拡大して画像表示を行わせるために極めて高い光の直線性が要求され、前記のような改善レベルでは高品質で高輝度な画像を得る上で殆ど実効性が得られない。
　即ち、投射型プロジェクタ等で優れた光の直線性を確保させるために反射電極層８に要求される平坦度は約数十〜数百Åのレベルであり、従来の対策で得られる平坦度はそのレベルには及ばない。その結果、残留した数百〜数千Åの段差やうねりによって光が正規の状態で反射せず、光利用率が低下して画像全体が暗くなる。
　【０００９】
　また、併せて液晶層３０の特性を一定にするためには配向膜１２も平坦な下地の上に均一に形成することが重要である。
　以上の点を考慮すると、何れにしても反射電極層８の反射面全体が数十Åの凹凸にしておく必要があるが、現在の反射型画像表示装置でそのレベルまで平坦度を確保させたものは存在しない。
　【００１０】
　第２の問題点；
　反射型画像表示装置でその投射画像の輝度を上げるために読出し光を強くすると、図２１に示すように、各画素毎の反射電極層８の隙間４１に入射する光４２がＳｉ基板１に侵入してフォトコンダクション（外部からの光によるキャリアの発生）が生じ、ＭＯＳ−ＦＥＴ２が正常に動作せずに反射電極層８の電位が低下して画像品質を劣化させるという問題がある。
　即ち、図２１において、Ｓｉ基板１の導電型をＰ型、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイン５とソース７をＮ型拡散層とし、Ｓｉ基板１をＧＮＤ電位に保つと、反射電極層８が信号線Ｙｊの画像信号に基づいて＋電位に保持されるが、前記の隙間４１からＳｉ基板１に読出し光が侵入した場合にＳｉ基板１内にキャリア（電子と正孔の対）が発生し、正孔はＧＮＤ側へ吸収されるが、電子が＋電位のドレイン５やソース７へ到達して反射電極層８の＋電位が低下してしまう。
　【００１１】
　この低下電圧；ｄＶ（Ｖ）は、電荷蓄積容量３を考慮せずに、光の強度をＰ（Ｗ／ｃｍ）、読出し光の内のＳｉ基板１へ侵入する光の割合をＲ（％）、光の波長をｒ（ｃｍ）、液晶層３０の厚みをＬ（ｃｍ）、液晶の比誘電率をｄとした場合に、
　　ｄＶ＝１．５１×１０１３×Ｐ×Ｒ×ｒ×（Ｌ／ｄ）
で与えられる。
　この数式で、Ｐ＝１０，Ｒ＝０．００１，ｒ＝５０００／１０１８，Ｌ＝５／１０４，ｄ＝１０とするとｄＶ＝３７．８（Ｖ）となるが、一般的に電荷蓄積容量３の容量値は液晶層３０の容量値の約１０倍程度になっており、電荷蓄積容量３を考慮するとｄＶ＝約３．８（Ｖ）となる。
　従って、読出し光の１０万分の１という僅かな光がＳｉ基板１へ侵入しても反射電極層８の電位が数ボルトも低下することになり、画像の劣化を防止する上で前記の侵入光に対する遮光対策とフォトコンダクション対策が極めて重要になる。
　【００１２】
　そのため、フォトコンダクションの問題については従来から次のような対策が提案されている。
▲１▼　半導体基板の遮光性を確保するために非晶質Ｓｉと絶縁膜を積層した多層誘電体反射膜を設け、多重反射を利用した理想的な反射膜を構成する（特公平４−５１０７０号）。
▲２▼　能動素子部の配線の表面にチタン等の低反射率の膜を積層して乱反射光を抑制する（特開平５−２４１１９９号）。
▲３▼　反射電極層の下側に金属膜の遮光層を設ける（特公昭６１−４３７１２号）。
▲４▼　能動素子部の形成領域以外の半導体領域が高濃度にドーピングされており、キャリアのライフタイムを短くして能動素子に再結合するまでに消滅させる（特公平４−３４３１３号）。
▲５▼　半導体基板の導電型と反対導電型のウェルを半導体基板全面に形成しておき、そのウェルに能動素子部を形成し、光キャリアの一方をウェルに、他方を半導体基板側へ吸収させる（特開平３−２８８４７４号）。
　【００１３】
　しかし、各対策の技術にも次のような問題点がある。
▲１▼について；
　多層誘電体反射膜のみで完全な反射を行わせようとすると、その反射膜の層厚が大きくなり、その反射膜のインピーダンス分だけ画素電極に印加する駆動電圧を大きくしなければならず、また画素電極と共通電極の対向間隔が大きくなるために電界が側方へ拡って投射画像の解像度が低下する。
▲２▼について；
　能動素子部における散乱光の抑制のみでは半導体基板への侵入光を防止できず、十分な光キャリア対策とはならない。
▲３▼について；
　遮光層の遮光機能は一応評価できるが、各反射電極層の間から入射した光が各反射電極層と遮光層との間で多重反射し、各反射電極層と電荷蓄積部の接続部と遮光層の間に構成される隙間から半導体基板側へ光が入射する。
　特に、反射電極層での反射率の低さを補うために、強い読出し光を照射するとその傾向が顕著になる。
　尚、特公昭６１−４３７１２号では多重反射の問題についても触れており、「ＭＯＳトランジスタに届く光がないわけではない。しかしながら、金属反射電極（前記の反射電極層に相当）の大きさが開口部（前記の隙間に相当）に比べて圧倒的に大きいため、直射日光下のように１０万ｌｕｘを越す明るさの下でも光導電効果による電流の発生は皆無であった。」としている。しかし、拡大投射するプロジェクタ等では１０万ｌｕｘ以上の光が読出し光として照射され、そのような機種においては多重反射に起因した光のリークは無視できない。
　従って、遮光層を設けるという手段だけでは未だ十分とはいえない。
　また、前記の隙間を小さくして侵入光を抑制することも考えられるが、実際に製造してみると、十分な効果を得ようとすれば反射電極層と遮光層が短絡してしまうことが多く、製品の歩留まりが非常に悪くなる。
▲４▼について；
　半導体基板の製造に際してエピタキシャル工程等の複雑なプロセスが必要となり、歩留まりの悪化とコストの問題が生じる。
▲５▼について；
　特開平３−２８８４７４号の構成を図２１に対応した図２２で説明する。
　例えば、Ｎ型のＳｉ基板１の片側全面にＰ型のウェル１ａを形成し、そのウェル１ａにＮチャンネル型のＭＯＳ−ＦＥＴ２を構成しておき、ウェル１ａをＧＮＤ電位に、Ｓｉ基板１を＋バイアス電位にして動作させることとする。
　その構成の場合、侵入光によってＳｉ基板１の下側のＮ型部分１ｂでキャリアが発生しても、正孔がウェル１ａ側に、電子がＮ型部分１で吸収されるため、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイン５やソース７にキャリアが到達しない。
　ところで、ＭＯＳ−ＦＥＴ２が正常に動作するにはウェル１ａが確実にＧＮＤ電位に固定されている必要がある。
　しかし、ウェル１ａは通常３μｍ程度の厚みしかなく、またＭＯＳ−ＦＥＴ２の動作特性を維持するためにはある程度高抵抗にしておかねばならないが、ウェル１ａのＧＮＤ接続点はパネル面の周縁部でとられるため、そのＧＮＤ接続点から大きく離隔した領域では電位が不安定化し、結果的にＭＯＳ−ＦＥＴ２の動作が不安定化して画像品質の低下を招く。
　以上のように、従来の遮光・フォトコンダクション対策については、単独では不十分であったり、原理的に課題が残されたりする。
　特に、反射率の低さを読出し光の強度で補って高い輝度を得ようとした場合に画像品質が低下するという問題があり、輝度と画像品質の相反関係は重要な課題である。
　【００１４】
　そこで、本発明は、上記の第１及び第２の問題点を合理的に解消し、高い反射率で高輝度な画像表示を可能にすると共に、強い読出し光を使用して大型のスクリーンに投影するような場合にも高い画像品質を確保できる反射型画像表示装置を提供することを目的として創作された。
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板面に、スイッチング素子及び電荷蓄積容量部からなる素子部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を接続する第１接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層上に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第１接続部を接続する第２接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成された透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挟装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子の制御端子に入力される信号に対応して前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、前記透明基板への入射光を光変調層で変調して、反射させる反射型画像表示装置において、
前記絶縁体層は、ＳＯＧからなり、前記反射電極層は、アルミニウム、若しくは微量のシリコン又は／及び銅を含有したアルミニウムからなり、一層からなる
体
前記反射電極層と前記遮光層における両層の対向側の双方に
Ｔｉ
　【００１６】
　本発明によれば、先ず、第２接続部を貫通させるために遮光層に設けられる開口部の配設条件により、少なくとも読出し光がスイッチング素子に直接入射することを防止し、基本的な遮光・フォトコンダクション対策を図っている。
　しかし、その場合においても、反射電極層の隙間から侵入した読出し光が遮光層で反射し、その反射光が反射電極層と遮光層の
間で
　本発明では、その問題点について、開口部を読出し光の入射方向からみてスイッチング素子の形成領域以外の領域に形成しておくこと、即ち、第２接続部と開口部がなす隙間をできる限りスイッチング素子の形成領域から遠ざけておき、また、第１接続部におけるスイッチング素子との接続部分を側方へ延在させてスイッチング素子の出力部全体を二重に覆うと共に、前記の多重反射光がスイッチング素子の出力部へ到達する経路を迂回させることで経路全体を長くしている。
　更に、本発明では、前記の多重反射光の経路中にある各反射面に反射防止膜を施すようにしており、経路を長くすることと相俟って多重反射光を減衰させるようにしている。
　そして、これらの総合的な対策に基づく相乗的効果により、読出し光がスイッチング素子の出力部へ達することを防止し、極めて有効なフォトコンダクション対策を実現している。
　尚、光変調層としては、代表的な液晶層に限らず、照射光強度に応じてキャリアが発生し、その空間的分布による電場でポッケルス効果を通じて屈折率変化（光誘起屈折率変化）が生じるＰＲＯＭ（Ｐｏｃｋｅｌｓ　Ｒｅａｄｏｕｔ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）や、ＰＬＺＴ（Ｐｂ，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉの化合物）の歪バイアス効果を利用したものも用いることができる。
　【００１７】
　次に、前記の反射電極層は、一般的な電極材料であるアルミニウムに限らず、微量のシリコン又は／及び銅を含有したアルミニウムで構成することが望ましい。
　微量のシリコンや銅を含有させることにより、反射電極層を形成した際の表面の粗れやうねりを防止でき、更に反射率の向上を実現できるからである。
　【００１８】
　また、反射電極層での反射率を向上させる手段としては、反射電極層の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層を形成しておく手段が採用されているが、特に、増反射膜層をシリコン酸化物とチタン酸化物の膜を交互に積層させた構成とし、その全体の層厚を５０００Å以下としておくことが有効である。
　従来技術（特公平４−５１０７０号及び特開平４−３３８７２１号）では多層誘電体反射膜で完全な反射を行わせようとするため、必然的にその層厚が大きくなって駆動電圧の増加や解像度の劣化等の問題が生じたが、この増反射膜層によれば、反射電極層と共働して反射率を向上させることができ、比較的少ない層数で反射率の大幅な改善が可能になるために前記の問題は生じない。
　【００１９】
　一方、別の問題として、各反射電極層の間に凹部が存在するが、その部分は反射電極層の形成過程でバリ等が発生し易く、また表面が粗れたりする。従って、前記のように反射電極層側の表面に増反射膜層を構成する場合には、凹部での異常な増反射作用によって乱反射が発生し、投射画像のコントラストや解像度の低下を招く。
　その問題に対しては、各能動素子回路の反射電極層間に絶縁性材料を充填し、その絶縁性材料がなす表面を光学的鏡面状態まで平坦化することで前記の不具合を解消できる。
　【００２０】
　【００２１】
　【００２２】
　【００２３】
　【００２４】
　【００２５】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の反射型画像表示装置の実施形態について、図１から図１８を用いて詳細に説明する。
　《実施形態１》
　この実施形態に係る反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図は図１に示される。
　同図において、図１９と同一の符号で示されている要素は図１９で説明したものと同様であり、ここではそれらに関する詳細な説明は省略する。
　そして、この反射型画像表示装置の特徴は、次のような能動素子基板１１の構成にある。
（１）絶縁体層４ａ，４ｂにＡｌの遮光層５１が介装されている。
（２）遮光層５１は、反射電極層８ａと能動素子回路側の導体部９ａを接続している柱状接続部８ａ’を貫通させるための開口部が形成されているだけで、ＭＯＳ−ＦＥＴ２と電荷蓄積容量３の配設部分を覆うと共に、反射電極層８ａの隙間においても連続している。
（３）遮光層５１の上側面にＴｉの反射防止膜５２が形成されている。
（４）遮光層５１の上側にある絶縁体層４ｂはその上側表面が光学的鏡面状態にまで平坦化されており、その上に反射電極層８ａが形成されている。
（５）反射電極層８ａは、Ａｌ若しくは微量のＳｉ又は／及びＣｕを含有したＡｌで構成されている。
（６）反射電極層８ａにおける絶縁体層４ａとの接合面、及び柱状接続部８ａ’における絶縁層４ａと導体部９ａとの接合面にＴｉの反射防止膜５３が形成されている。
（７）その他、導体部９ａは図１９の導体部９のように反射電極層８ａと一体形成されておらず、反射電極層８ａと柱状接続部８ａ’が一体であり、（６）で説明したようにその柱状接続部８ａ’と導体部９ａが接続されている。
　【００２６】
　次に、この反射型画像表示装置の製造工程を層・膜厚や加工条件等も含めて順次説明する。
　先ず、Ｐ型の単結晶Ｓｉ基板１に対して、イオン注入やゲート酸化膜や電極の形成による通常のプロセスでＮチャンネル型のＭＯＳ−ＦＥＴ２を形成する（図２）。
　また、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のソース７に隣接した領域にＳｉＯ２の絶縁膜１０を挾装させてＭＯＳ−ＦＥＴ２のソース７と前記絶縁膜１０の表面を接続した導体部９ａを形成することにより電荷蓄積容量３を構成し、更にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって絶縁体層４ａを形成して能動素子２，３を覆う（図３）。
　【００２７】
　次に、絶縁体層４ａの上面全体にスパッタリング法によってＡｌを３０００Åの厚みで成膜し、更にＴｉを１０００Åの厚みで成膜した後、反射電極層８ａ側との接続面となる領域６１をスパッタリング法で選択的に除去する（図４）。その結果、Ａｌの遮光層５１とＴｉの反射防止膜５２が形成される。
　【００２８】
　前記の工程の完了後、反射防止膜５２とその開口領域６１の全体を覆う態様でＳＯＧ等の絶縁性塗布型材料（４ｂ）を２μｍ程度積層させる（図５）。
　そして、積層させた絶縁性塗布型材料（４ｂ）の表面を、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈ）法によって中心平均粗さで５Å以下の平坦度まで鏡面研磨する（図６）。尚、この研磨手段については、ＳｉＣ等の微粒子による機械研磨や、ＫＯＨやアンモニア等の化学的エッチングによるケミカル研磨や、最近発表されたＰＡＣＥ法（プラズマを用いた化学的エッチング；Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ，Ｂ１２（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ１９９４）等も適用できる。
　また、その研磨後に、ドライエッチング法等により、前記の開口領域６１に対応する部分にそれよりも僅かに小さいスルーホール６２を形成する（図７）。
　【００２９】
　次に、スパッタリング法で研磨された絶縁体層４ｂの表面と前記のスルーホール６２の内面にＴｉの反射防止膜５３を５００Å程度形成し（図８）、またスパッタリング法でＡｌ若しくは微量のＳｉ又は／及びＣｕを含有したＡｌを前記のスルーホール６２の部分を埋めながら反射防止膜５３の上側に堆積させ、パターンを用いたドライエッチングによって柱状接続部８ａ’と厚みが６０００Å程度の反射電極層８ａを形成する（図９）。
　その場合、予め絶縁体層４ｂの表面が前記の平坦度まで研磨されているため、Ａｌを用いた場合には反射電極層８ａの表面が中心平均粗さで２００Å程度の平坦度となり、また微量のＳｉ又は／及びＣｕを含有したＡｌを用いた場合には数十〜１００Åの平坦度が得られる。また、Ｔｉの反射防止膜５３を成膜していることにより、反射電極層８ａのＡｌと絶縁体層４ｂに含まれるＳｉがマイグレーションを起こして反射電極層８ａの表面にＳｉが析出することを防止できる。
　【００３０】
　以上の工程で得られた能動素子基板１１は反射電極８ａ側の表面に配向膜１２が覆設され、図１及び図１０に示されるように、ガラス基板２２に配向膜２４が覆設された透明基板２１と組み合わされ、各配向膜１２，２４の間に液晶層３０を挾装させることによって反射型画像表示装置が完成する。
　本実施形態の装置を実際に製造してみると、図１９に示した構造の装置の反射率が高々５０％程度であったのに対し、８０％にまで向上させることができた。
　また、図１０に示すように、遮光層５１を設けているために反射電極層８ａの隙間から入射する読出し光４２がＳｉ基板１へ直接侵入してしまうことが防止でき、且つ絶縁体層４ｂへ入射した光が反射電極層８ａの下側面と遮光層５１の上側面で多重反射して遮光層５１の開口部と反射電極層８ａの隙間を通じて遮光層５１の下側へ侵入する可能性に関しても、反射電極層８ａと遮光層５１の対向面に反射防止膜５２，５３が施されていることで防止しており、フォトコンダクションの発生も抑制できた。
　【００３１】
　ところで、本実施形態では遮光層５１を単一層で全面的に構成しているが、複層構成としたり、部分的な領域への配設態様にしてもよい。
　但し、何れにしても、遮光層は、「読出し光の入射方向から見た平面図で、少なくとも各反射電極層間の隙間領域と能動素子回路の非金属構成領域の重複領域を含む」という介装・配設条件を有していなければならず、その条件下に読出し光がＳｉ基板１側へ直接入射することを防止できる。（本実施形態では、読出し光の入射方向から見て、反射電極層８ａの下側に全ての能動素子２，３があるために各反射電極層８ａ間の隙間領域のみが問題となり、遮光層５１はその領域を含む態様で構成されている。）
　尚、遮光層は、ＭＯＳ−ＦＥＴ２の各端子電極とそれに接続される配線パターンや電荷蓄積部３に接続される導体部９ａを平面的に大きくする方式によっても構成させることができる。
　【００３２】
　また、前記の多重反射光が遮光層５１の下側へ回り込んで侵入する問題に対する対策として、遮光層５１の下側面とＭＯＳ−ＦＥＴ２の各電極や導体部９ａにＴｉの反射防止膜（図示せず）を施しておくと有効である。
　更に、前記のように遮光層を複数層で構成する場合には、各遮光層の対向面側に反射防止膜を形成しておく。
　【００３３】
　《実施形態２》
　この実施形態に係る反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図は図１１に示される。
　同図において、図１９と同一の符号で示されている要素に関しては、実施形態１の場合と同様にその説明を省略する。
　この実施形態は、実施形態１の装置において、更にその反射率を向上させるための構造に関する。
　そして、その特徴は、図１１に示すように、図１の装置の能動素子基板１１の反射電極膜８ａ側の表面に複数の誘電体膜からなる増反射膜層５４を形成した点にある。
　【００３４】
　前記の増反射膜層５４は、実施形態１における図２から図９で説明した工程が完了した後、図１２に示すように、可視光の波長λに対してλ／４となる厚さのＳｉＯ２膜とＴｉＯ２膜を交互に合計８層分積層させて能動素子基板１１を得るが、その場合の増反射膜層５４の全層厚は５０００Å以下になっている。
　そして、図１１に示すように、ガラス基板２２に配向膜２４が覆設された透明基板２１と組み合わされ、各配向膜１２，２４の間に液晶層３０を挾装させることによって反射型画像表示装置が完成する。
　【００３５】
　ここで、増反射膜層５４を５０００Å以下とした理由を説明しておく。
　実験として、λ／４の光学膜厚のＳｉＯ２膜とＴｉＯ２膜を１組積層させた場合と、２組積層させた場合と、４組積層させた場合と、増反射膜層５４を設けなかった場合について、可視光波長域での反射率特性を求めてみた。
　その場合、組の積層数を増加させると反射率が向上し、４組積層の場合では９９％程度にまでなるが、組の積層数を増加させるにつれて高反射率を示す波長帯域が狭くなるという結果が得られた。
　高反射率特性が得られる範囲の狭帯域化に限ってみれば、帯域を分割した増反射膜を組合せることも考えられる。
　しかし、組の積層数が多くなって増反射膜層５４全体の層厚が大きくなると反射電極層８ａと共通電極膜２３の間の液晶にかかる電界が拡がりを生じ、逆に解像度の劣化を招くことになる。実験的には、２０ｌｉｎｅ／ｍｍ以上の高解像度を得るには５０００Åの層厚が限界であり、それを超えると解像度の低下率が大きくなり、層厚が１．０μｍでは１４ｌｉｎｅ／ｍｍ、層厚が１．５μｍ以上になると１０ｌｉｎｅ／ｍｍになることが確認された。
　そして、前記の条件で増反射膜５４を施した結果、装置の反射率を９５％まで改善できた。また、コントラストについても、従来では６０：１であったものが、１２０：１まで改善でき、解像度の劣化もない高輝度で高品質な投射画像が得られた。
　【００３６】
　《実施形態３》
　この実施形態に係る反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図は図１３に示される。
　この実施形態の装置は、隣接する反射電極層８ａの間に絶縁物５５を充填し、各反射電極層８ａと絶縁物５５がなす表面を光学的鏡面状態まで平坦化した点に特徴がある。
　【００３７】
　実施形態２の反射型画像表示装置（図１１）における能動素子基板１１の表面側を見れば明らかなように、反射電極層８ａの隙間には反射電極層８ａの厚みに相当する６０００Å程度の段差が存在する。
　この段差は、反射電極層８ａの形成する際に発生したバリ等で異常な反射を生じさせることがある。また、増反射膜５４が段差部に形成されるが、段差部は反射電極層８ａを形成する際のエッチングガスで表面が粗れているため、乱反射を発生させて投射画像のコントラストを低下させる原因になる。
　【００３８】
　そこで、この実施形態では、実施形態１における図２から図９で説明した工程が完了した後、図１４に示すように、ＳＯＧ等の絶縁物５５を反射電極層８ａの間を埋める態様で１μｍ程度の層厚に形成し、その後に実施形態１で用いた鏡面研磨手段によって反射電極層８ａの表面が露出するまで研磨して絶縁物５５の余分な部分を除去する。この場合、絶縁物５５が反射電極層８ａの表面に残留していても素子として動作するが、駆動電圧を増大させたり、後述の増反射膜層５４を形成した際に反射率の低下を招く等の問題があるため、絶縁物５５は反射電極層８ａの表面に残留させないことが必要である。尚、絶縁物５５の表面と反射電極膜８ａの表面は必ずしも同一平面とする必要はなく、絶縁物５５の表面が乱反射を生じさせない光学的鏡面になっていれば足りる。
　そして、図１５に示すように、研磨後の面に対して実施形態２の要領で増反射膜５４を形成し、更に配向膜１２を形成した後、図１３に示すように、ガラス基板２２に配向膜２４が覆設された透明基板２１と組み合わされ、各配向膜１２，２４の間に液晶層３０を挾装させることによって反射型画像表示装置が完成する。
　【００３９】
　この実施形態の装置によれば、反射電極層８ａの間で乱反射を起こす要因がなくなるため、その意味で更なる反射率の向上が実現できる。
　実際に製造した装置においても、高いコントラストで９６％の反射率を安定的に確保できた。
　【００４０】
　《実施形態４》
　この実施形態に係る反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図は図１６に示される。
　図１に示した構造によると、遮光層５１が柱状接続部８ａ’を貫通させる開口部以外の領域を覆う態様で介装されていると共にその柱状接続部８ａ’が開口部を通じて反射電極層８ａと導体部９ａを接続しており、反射電極層８ａの下側面と遮光層５１の上側面に反射防止膜５２，５３を設けている。
　そして、反射防止膜５２，５３は、光が反射電極層８ａと遮光層５１の間を多重反射しする段階で光量を減衰させて柱状接続部８ａ’と遮光層５１の孔の隙間から遮光層５１の下側への侵入する光によるフォトコンダクションの発生を防止する役割を果たしている。
　しかし、読出し光が強力になると反射防止膜５２，５３だけで侵入光を完全に減衰させることは不可能であり、また前記の隙間を小さくして効果を得ようとすると反射電極層８ａと遮光層５１が短絡して製品の歩留まりが極めて悪くなることは、従来技術で説明したとおりである。
　【００４１】
　ところで、図１の構造では、柱状接続部８ａ’がＭＯＳ−ＦＥＴ２の出力端子であるソース７の近傍において導体部９ａに接続されており、それに対応した位置に遮光層５１の開口部が形成されている。
　その場合、前記の多重反射光は反射防止膜５２，５３で減衰されながらも柱状接続部８ａ’と遮光層５１の孔の隙間へ到達し、その隙間から遮光層５１の下側へ侵入して近傍のソース７の領域へ直接入射してしまう。
　【００４２】
　そこで、この実施形態では、図１６に示すように２つの特徴的対策を施している。
　第１の特徴は、反射電極層８ａとＳｉ基板１側のＭＯＳ−ＦＥＴ２及び電荷蓄積容量３の相対的位置関係は変えないが、図１の場合と比較して反射電極層８ａの柱状接続部８ａ’を電荷蓄積容量３側へｗだけ寄った位置に形成し、それに基づいて遮光層５１の孔をＭＯＳ−ＦＥＴ２の形成領域外となる位置に構成させている点にある。
　第２の特徴は、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のソース７と電荷蓄積容量３を接続している導体部９ａのソース７側をゲート６側へ延在せしめ、導体部９ａでソース７の形成領域の上側を完全に覆っている点に特徴がある。従って、ＭＯＳ−ＦＥＴ２におけるソース７の形成領域の上側については、遮光層５１と導体部９ａの延在部分９ａで二重に覆われた構成となる。
　【００４３】
　それらの対策により、前記のように遮光層５１の下側へ侵入した光はソース７の領域へ直接入射することがなくなり、ｗだけ遠ざけられた侵入位置から遮光層５１と導体部９ａの間を多重反射し、更に導体部９ａの延在部分９ａを迂回しなければソース７へ到達することができず、それだけソース７へ光が入射してしまう確率を減じることができる。
　また、この実施形態の構造は、実施形態１の製造工程における導体部９ａの形成段階及びスルーホール６２の形成段階でそれぞれパターンを変更するだけで容易に得ることができ、当然に実施形態２及び３に係る構造の適用も可能である。
　尚、実施形態１でも説明したように、遮光層５１の下側面と導体部９ａの上側面にも反射防止膜を設けておけば更に有効である。
　【００４４】
　《実施形態５》
　この実施形態は、実施形態１や実施形態４で各種の遮光対策を施してＳｉ基板１への侵入光の防止を図っているが、それでもなおかつ侵入光が発生することを考慮したものであり、図１７はその反射型画像表示装置の２画素分の断面構造図を示す。
　図１０と図１７の装置を対比すれば明らかなように、この実施形態は、Ｐ型のＳｉ基板１上で隣り合う能動素子回路の間に、Ｎ型であるＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイン５やソース７と同一導電型の分離領域５６が形成されている点に特徴がある。
　【００４５】
　この構造においては、Ｓｉ基板１がＧＮＤ電位になっているのに対して、各分離領域５６が逆バイアスの（＋）電位に保たれており、多重反射光が反射電極層８ａの柱状接続部８ａ’と遮光層５１の開口部との隙間を通じて遮光層５１の下側へ回り込んでＳｉ基板１に到達したとしても、その際に発生したキャリアの正孔はＳｉ基板１のＧＮＤ側へ吸収され、電子は直ちに分離領域５６で吸収されるため、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイン５やソース７に電子が到達してしまうことを防止できる。
　従って、侵入光によるフォトコンダクションが能動素子２，３の動作に与える悪影響を最終段階で防止でき、特に読出し光が強い場合等に画像の劣化現象を阻止できる。
　Ｓｉ基板１の導電型がＮ型である場合には、ドレイン５とソース７と分離領域５６がＰ型になり、印加される電位が逆になるだけで、同様の効果が得られることは当然である。
　【００４６】
　《実施形態６》
　この実施形態の目的とするところは実施形態５と同様であり、図１８はその反射型画像表示装置の２画素分の断面構造図を示す。
　この装置は従来技術に係る図２２の装置の問題点を解消するものであり、同図と図１８の装置を対比すれば明らかなように、図２２ではＮ型のＳｉ基板１の片側全面にＰ型のウェル１ａを形成し、その共通ウェル１ａにＮチャンネル型のＭＯＳ−ＦＥＴ２と電荷蓄積容量３を構成しているのに対し、本実施形態の図１８ではウェルを共通にせずに、分離したＰ型のウェル５７に各画素毎のＮチャンネル型のＭＯＳ−ＦＥＴ２を構成している。
　【００４７】
　そして、この実施形態の装置でも、Ｎ型のＳｉ基板１を＋電位に、各ウェル５７をＧＮＤ電位に設定するが、侵入光がＳｉ基板１に到達してキャリアが発生しても、電子はＧＮＤ側へ吸収され、正孔が近傍のウェル５７へ吸収されることになる。
　従って、フォトコンダクションに基づく電子がドレイン７に到達することを防止でき、画像の劣化を招かないようにできる。
　この実施形態の装置はキャリアの移動に関しては図２２の装置と同様であるが、図２２の装置のように共通ウェル１ａの構造にした場合にＧＮＤ接続点から大きく離隔した領域でＧＮＤ電位が不安定化するのに対し、この実施形態の装置では各ウェル５７毎にＧＮＤ電位が直接与えられるため、全てのＭＯＳ−ＦＥＴ２が安定して動作し、画像の劣化を防止できる。
　Ｓｉ基板１の導電型をＰ型にした場合にも、同一の効果が得られることは実施形態５の場合と同様である。
　【００４８】
　【発明の効果】
　本発明の反射型画像表示装置は、以上のような構成を有していることにより、次のような効果を奏する。
　請求項１の発明は、読出し光が能動素子基板のスイッチング素子へ侵入してフォトコンダクションを発生させるという課題に対して総合的な対策を施し、特に、第１接続部を有効に利用して前記の侵入経路を迂回させて長くすると共に、侵入経路中に反射防止膜を施すという構成を採用したことにより、フォトコンダクションの発生を極めて有効に防止して、高品質な投射画像の表示を可能にする。
　
更に、絶縁体層上に反射電極層を形成する際、反射電極層のＡｌと絶縁体層に含まれるＳｉがマイグレーションを生じることによる反射電極層表面にＳｉが析出することを防止できる。このため、反射率の高い反射電極層を得ることができる。また、反射電極層間から侵入する光により反射電極層と遮光層の間で生じる多重反射光のスイッチング素子部分への到達量を大幅に減じることができる。
　
また、
　請求項
２
　請求項
３
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施形態１に係る反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図である。
　【図２】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図３】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図４】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図５】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図６】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図７】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図８】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図９】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図１０】
　実施形態１に係る反射型画像表示装置の遮光機能を説明するための２画素分の断面構造図である。
　【図１１】
　実施形態２に係る反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図である。
　【図１２】
　実施形態２に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図１３】
　実施形態３に係る反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図である。
　【図１４】
　実施形態３に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図１５】
　実施形態３に係る反射型画像表示装置の製造段階を示す断面構造図である。
　【図１６】
　実施形態４に係る反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図である。
　【図１７】
　実施形態５に係る反射型画像表示装置の２画素分の断面構造図である。
　【図１８】
　実施形態６に係る反射型画像表示装置の２画素分の断面構造図である。
　【図１９】
　従来の一般的な反射型画像表示装置の１画素分の断面構造図である。
　【図２０】
　反射型画像表示装置の等価回路図である。
　【図２１】
　従来の反射型画像表示装置でフォトコンダクションが発生した場合のキャリアの移動態様を示すための２画素分の断面構造図である。
　【図２２】
　フォトコンダクション対策を施した従来の反射型画像表示装置の２画素分の断面構造図である。
　【符号の説明】
　１…Ｓｉ基板、１ａ…共通ウェル、１ｂ…Ｎ型部分、２…ＭＯＳ−ＦＥＴ、３…電荷蓄積容量、４，４ａ，４ｂ…絶縁体層、５…ドレイン、６…ゲート、７…ソース、８，８ａ…反射電極層、８ａ’…柱状接続部（第２接続部）、９，９ａ…導体部（９：第１接続部）、９ａ’…導体部の延在部分、１０…絶縁膜、１１…能動素子基板、１２，２４…配向膜、２１…透明基板、２２…ガラス基板、２３…共通電極膜、３０…液晶層、４１…反射電極層の隙間、４２…反射電極層の隙間に入射する光、５１…遮光層、５２，５３…反射防止膜、５４…増反射膜層、５５…絶縁物、５６…分離領域、５７…ウェル、６１…反射電極層側との接続面となる領域、６２…スルーホール。