【事件の表示】
　特願２００９−１１０３８１「異なるドープ部分を備えた太陽電池およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月　２日出願公開、特開２０１０−　７４１３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成２１年　４月３０日　特許出願（パリ条約による優先権主張２００８　　　　　　　　　　　　　年９月１６日　台湾）
　平成２３年　６月２９日　拒絶理由通知（同年７月５日発送）
　平成２３年１０月　３日　意見書・手続補正書
　平成２４年　５月１８日　拒絶査定（同年５月２２日送達）
　平成２４年　９月２４日　本件審判請求・手続補正書
　平成２５年　１月１７日　審尋（同年１月２２日発送）
　平成２５年　４月１９日　回答書
　
第２　平成２４年９月２４日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年９月２４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　補正の概略
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１に、
　
「異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法であって、少なくとも、
　基板を準備する工程と、
　ヘビードープ部分と、前記ヘビードープ部分の下方に設けられているライトドープ部分とを有するドープ層を形成する工程と、
　前記ドープ層の前記ヘビードープ部分を除去する工程と、
　前記ドープ層の前記ヘビードープ部分を除去した後に、パターンニングされた拡散防止層を形成する工程と、
　前記パターンニングされた拡散防止層をマスクとして、露出している前記ドープ層の前記ライトドープ部分を更にドーピングして、ヘビードープ領域を形成する工程と、
　前記パターンニングされた拡散防止層を除去する工程と、
　反射防止層を形成する工程と、
　前記ヘビードープ領域の上方に形成されているパターンニングされた金属ペーストを前記反射防止層上に形成する工程と、
　前記金属ペーストを加熱して、太陽電池の金属電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法。」　
　
とあったものを、
　
「異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法であって、少なくとも、
　基板を準備する工程と、
　ヘビードープ部分と、前記ヘビードープ部分の下方に設けられているライトドープ部分とを有するドープ層を
前記基板の一面上に
　前記ドープ層の前記ヘビードープ部分を除去する工程と、
　前記ドープ層の前記ヘビードープ部分を除去した後に、パターンニングされた拡散防止層を形成する工程と、
　前記パターンニングされた拡散防止層をマスクとして、
前記基板の一面上において
及び該ライトドープ部分の下方の前記基板の部分だけ
　前記パターンニングされた拡散防止層を除去する工程と、
　反射防止層を形成する工程と、
　前記ヘビードープ領域の上方に形成されているパターンニングされた金属ペーストを前記反射防止層上に形成する工程と、
　前記金属ペーストを加熱して、太陽電池の金属電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法。」
（当審注：下線は、請求人が補正箇所に付した下線である。）　
　
と補正する補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、
補正事項１：ドープ層を形成する場所を「前記基板の一面上に」限定する補正事項、
補正事項２：「更にドーピングして、ヘビードープ領域を形成する」場所について、「前記パターンニングされた拡散防止層をマスクとして、露出している前記ドープ層の前記ライトドープ部分」であったものを、「前記パターンニングされた拡散防止層をマスクとして、前記基板の一面上において露出している前記ドープ層の前記ライトドープ部分及び該ライトドープ部分の下方の前記基板の部分だけ」に限定する補正事項、
からなる。
　上記補正事項１、２は、何れも、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定する要件を満たすか）否かについて検討する。
　
２　引用する刊行物と引用発明
（１）　引用する刊行物
ア　記載事項
　本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２０００−１８３３７９号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている（当審注：下線は、引用発明の認定と特に関連する箇所に、当審が付加したものである。）。
　
（ア）　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶系半導体に不純物の熱拡散を施し、その表面側の電極部分に非電極部分より高濃度に不純物を拡散して光電変換効率が高いｐｎ接合型の太陽電池を形成する太陽電池の製造方法に関する。」
　
（イ）　「【０００２】
【従来の技術】従来、ｐｎ接合型の標準的な太陽電池は、例えばｐ型の結晶系半導体として、抵抗率０．３〜１Ωcmのｐ型の結晶シリコン（以下結晶シリコンをｃ−Ｓｉという）を使用し、このｐ型のｃ−Ｓｉ基板の表面側（受光面側）にｎ型不純物を熱拡散し、ｐｎ接合を形成して製造される。
【０００３】そして、この太陽電池は、一般に、拡散層深さ（接合深さ）が０．５μｍ，ｎ層の不純物密度が２〜４×１０−２０cm−３であり、この場合、ｎ層の最表面領域では不純物密度（表層濃度）が１０２１cm−３と非常に高くなるため、この領域における少数キャリアの寿命が再結合によって短くなり、光電変換効率が低い欠点がある。
【０００４】一方、電気を取出すという側面からは、不純物密度を高くして極力低抵抗にすることが望ましい。
【０００５】そこで、○１拡散表面に酸化・エッチングを施して拡散層深さを０．２〜０．３μｍに浅くし、ｎ層の不純物濃度を１桁小さくして短波長域での光応答性を改善したり、○２電極が形成される電極部分の直列抵抗を下げるために不純物を多量に添加してｎ＋層でなく、ｎ＋＋層を形成したりして光電変換効率を改善することが試みられ、その結果、図２に示すセル構造の光電変換効率が高いｐｎ接合型の太陽電池が考案されている。
【０００６】この図２の太陽電池はｐ型半導体基板１の表面側にｎ層２が形成され、このｎ層２の非電極部分の表面は反射防止膜３で覆われ、電極部分の表面にはいわゆるくし型電極としての格子状電極パターンの表面Ａｇ電極４が設けられている。
【０００７】また、半導体基板１の裏面側にはキャリアの再結合を防止するため、ｐ＋層(ハイドープ層）５を介して裏面電極としての背面Ａｌ電極６及び背面Ａｇ電極７が設けられている。
【０００８】そして、ｎ層２の電極が形成されない非電極部分（受光部分）は、キャリアの再結合を防止するため、低濃度ドープ層すなわちｎ＋層２ａであり、ほぼ表面Ａｇ電極４の直下の電極部分は低抵抗にするため、ｎ＋層２ａより多量に不純物を含んだ高濃度ドープ層すなわちｎ＋＋層２ｂである。
【０００９】つぎに、この図２の
太陽電池の
製造方法
製造工程
ｐ型半導体基板１を用意
【００１０】この半導体基板１は、一般に、（１００）の主面を有するｃ−Ｓｉ基板からなり、その表面（受光面）は、光の反射を低減するため、多くの微細なピラミッド状の凹凸を有するテクスチャ表面に形成される。
【００１１】このテクスチャ表面は、数パーセントのＮａＯＨを含む溶液中でイソプロピルアルコールを添加しながら、半導体基板１を８０℃〜９０℃に２０〜３０分間加熱処理して形成される。
【００１２】そして、
拡散ガスとして例えばＰＯＣｌ
３
 ガスを含む雰囲気中において、半導体基板１に８５０℃で３０分間熱拡散処理を施し、
半導体基板１の全面に例えば０．４μｍの厚さのｎ
＋
層２ａを形成する
【００１３】さらに、
酸素ガス雰囲気中において半導体基板１を１０００℃で６０分間酸化処理し、
ｎ
＋
層２ａを覆う拡散マスク用のＳｉＯ
２
の酸化膜８を形成
【００１４】そして、
フォトリソグラフィ工程により酸化膜８の表面に、半導体基板１の表面側の非電極部分のみを覆うパターンの
レジスト膜９を形成し、ドライエッチング工程により酸化膜８のマスクパターン加工を施し、基板１の表面の電極部分の酸化膜８を除去し、この加工後にレジスト膜９を除去する
【００１５】つぎに、例えば
ＰＯＣｌ
３
ガスを含む雰囲気中において、半導体基板１に例えば９００℃で４０分間熱拡散処理を施し、
半導体基板１の表面側のほぼ電極直下の部分にｎ
＋＋
層２ｂを形成し、この形成後、半導体基板１を１０％のＨＦを含む溶液中に１分間浸漬し、不要になったレジスト膜９及びｎ
＋
層２ａ，ｎ
＋＋
層２ｂの表面に形成されたリンガラスを除去する
【００１６】さらに、図３の（ｆ）に示すように
半導体基板１の表面側のｎ
＋
層２ａ，ｎ
＋＋
層２ｂが形成するｎ層２の表面に、反射防止膜３を約７０〜８０nmの厚さに形成し、
反射防止膜３の表面に耐酸性のレジスト膜１０をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥して形成する
【００１７】そして、
ＨＦとＨＮＯ
３
とを１：３の割合いで含む混酸（ＨＦ：ＨＮＯ
３
＝１：３）で半導体基板１をエッチングし、基板１の前記の不要なｎ
＋＋
層２ｂを除去し、この除去後、トルエン，キシレン等の溶剤でレジスト膜１０も除去し
半導体基板１の表面にｎ層２，反射防止膜３を積層形成する
【００１８】つぎに、
半導体基板１の裏面にＡｇを含むペーストと，Ａｌを含むペーストとを用いてスクリーン印刷法等でそれぞれ所定のパターンに塗布して乾燥した後、半導体基板１を７００℃〜８００℃で熱処理し、半導体基板１の裏面に約２０μｍの厚さの背面Ａｌ電極６を焼成する
【００１９】このとき、背面Ａｇ電極７も形成される。その際、アルミとシリコンが合金化し、半導体基板１のＡｌ電極６に接した部分にｐ＋層５が形成され、このｐ＋層５は約５μｍのほぼ厚さであり、ＢＳＦ（Back Surface Field）効果を生じる。
【００２０】さらに、
反射防止膜３の表面にスクリーン印刷法等でＡｇを含むペーストを塗布して乾燥した後、半導体基板１を６００℃〜７００℃で熱処理し、約２０μｍの厚さの表面Ａｇ電極４を焼成
【００２１】このとき、Ａｇを含むペースト（銀ペースト）はガラスフリットを含み、
表面Ａｇ電極４は反射防止膜３を通してｎ
＋＋
層２ｂとオーミック接続される
（ウ）上記（イ）【００１４】〜【００１５】の記載を踏まえて図３（ｅ）を見ると、上記（イ）【００１５】に記載されたｎ＋＋層２ｂを形成する「半導体基板１の表面側のほぼ電極直下の部分」とは、酸化膜８を除去した下方のｎ＋層２ａの部分、及びその下方のｐ型半導体基板１の部分であることが理解できる。
　
イ　引用発明
　上記アの記載によれば、刊行物には以下の太陽電池の製造方法が記載されている。
「以下の（ａ）〜（ｉ）の工程を備える太陽電池の製造方法。
（ａ）ｐ型半導体基板１を用意する工程。
（ｂ）拡散ガスとして例えばＰＯＣｌ３ ガスを含む雰囲気中において、半導体基板１に８５０℃で３０分間熱拡散処理を施し、半導体基板１の全面に例えば０．４μｍの厚さのｎ＋層２ａを形成する工程。
（ｃ）酸素ガス雰囲気中において半導体基板１を１０００℃で６０分間酸化処理し、ｎ＋層２ａを覆う拡散マスク用のＳｉＯ２の酸化膜８を形成する工程。
（ｄ）フォトリソグラフィ工程により酸化膜８の表面に、半導体基板１の表面側の非電極部分のみを覆うパターンのレジスト膜９を形成し、ドライエッチング工程により酸化膜８のマスクパターン加工を施し、基板１の表面の電極部分の酸化膜８を除去し、この加工後にレジスト膜９を除去する工程。
（ｅ）ＰＯＣｌ３ガスを含む雰囲気中において、半導体基板１に例えば９００℃で４０分間熱拡散処理を施し、半導体基板１の表面側のほぼ電極直下の部分、すなわち酸化膜８を除去した下方のｎ＋層２ａの部分、及びその下方のｐ型半導体基板１の部分にｎ＋＋層２ｂを形成し、この形成後、半導体基板１を１０％のＨＦを含む溶液中に１分間浸漬し、不要になった酸化膜８及びｎ＋層２ａ，ｎ＋＋層２ｂの表面に形成されたリンガラスを除去する工程。
（ｆ）半導体基板１の表面側のｎ＋層２ａ，ｎ＋＋層２ｂが形成するｎ層２の表面に、反射防止膜３を約７０〜８０nmの厚さに形成し、反射防止膜３の表面に耐酸性のレジスト膜１０をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥して形成する工程。
（ｇ）ＨＦとＨＮＯ３とを１：３の割合いで含む混酸（ＨＦ：ＨＮＯ３＝１：３）で半導体基板１をエッチングし、基板１の前記の不要なｎ＋＋層２ｂを除去し、この除去後、トルエン，キシレン等の溶剤でレジスト膜１０も除去し、半導体基板１の表面にｎ層２，反射防止膜３を積層形成する工程。
（ｈ）半導体基板１の裏面にＡｇを含むペーストと，Ａｌを含むペーストとを用いてスクリーン印刷法等でそれぞれ所定のパターンに塗布して乾燥した後、半導体基板１を７００℃〜８００℃で熱処理し、半導体基板１の裏面に約２０μｍの厚さの背面Ａｌ電極６を焼成する工程。
（ｉ）反射防止膜３の表面にスクリーン印刷法等でＡｇを含むペーストを塗布して乾燥した後、半導体基板１を６００℃〜７００℃で熱処理し、約２０μｍの厚さの表面Ａｇ電極４を焼成することにより、表面Ａｇ電極４は反射防止膜３を通してｎ＋＋層２ｂとオーミック接続される工程。」（以下「引用発明」という。）
　
３　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「太陽電池の製造方法」は、「（ｂ）…ｎ＋層２ａを形成する工程」と「（ｅ）…ｎ＋＋層２ｂを形成…する工程」を備えており、引用発明の製造方法で製造された太陽電池は、「ｎ＋層２ａ」と「ｎ＋＋層２ｂ」の異なるドープ部分を備えている。
　してみると、引用発明の「（ｂ）…ｎ＋層２ａを形成する工程」と「（ｅ）…ｎ＋＋層２ｂを形成…する工程」を備える「太陽電池の製造方法」は、本願補正発明の「異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法」に相当する。
（２）引用発明の「（ａ）ｐ型半導体基板１を用意する工程」は、本願補正発明の「基板を準備する工程」に相当する。
（３）本願補正発明の「ヘビードープ部分と、前記ヘビードープ部分の下方に設けられているライトドープ部分とを有するドープ層を前記基板の一面上に形成する工程」と、引用発明の「（ｂ）拡散ガスとして例えばＰＯＣｌ３ ガスを含む雰囲気中において、半導体基板１に８５０℃で３０分間熱拡散処理を施し、半導体基板１の全面に例えば０．４μｍの厚さのｎ＋層２ａを形成する工程」を対比する。
　引用発明の「ｎ＋層２ａ」は、本願補正発明の「ドープ層」の「ライトドープ部分」に相当する。そうすると、両者は、「ライトドープ部分を有するドープ層を前記基板の面上に形成する工程」の点で共通する。
（４）本願補正発明の「前記ドープ層の前記ヘビードープ部分を除去した後に、パターンニングされた拡散防止層を形成する工程」と、引用発明の「（ｃ）酸素ガス雰囲気中において半導体基板１を１０００℃で６０分間酸化処理し、ｎ＋層２ａを覆う拡散マスク用のＳｉＯ２の酸化膜８を形成する工程」及び「（ｄ）フォトリソグラフィ工程により酸化膜８の表面に、半導体基板１の表面側の非電極部分のみを覆うパターンのレジスト膜９を形成し、ドライエッチング工程により酸化膜８のマスクパターン加工を施し、基板１の表面の電極部分の酸化膜８を除去し、この加工後にレジスト膜９を除去する工程」を対比する。
　引用発明の「拡散マスク用のＳｉＯ２の酸化膜８」は、本願補正発明の「拡散防止層」に相当する。そして、引用発明において、「酸化膜８」に「マスクパターン加工」が施されることは、本願補正発明の「拡散防止層」が「パターンニング」されることに相当する。そうすると、両者は、「パターンニングされた拡散防止層を形成する工程」の点で一致する。
（５）本願補正発明の「前記パターンニングされた拡散防止層をマスクとして、前記基板の面上において露出している前記ドープ層の前記ライトドープ部分及び該ライトドープ部分の下方の前記基板の部分を更にドーピングして、ヘビードープ領域を形成する工程」と、引用発明の「（ｅ）ＰＯＣｌ３ガスを含む雰囲気中において、半導体基板１に例えば９００℃で４０分間熱拡散処理を施し、半導体基板１の表面側のほぼ電極直下の部分、すなわち酸化膜８を除去した下方のｎ＋層２ａの部分、及びその下方のｐ型半導体基板１の部分にｎ＋＋層２ｂを形成」することを対比する。
　引用発明の「酸化膜８」が本願補正発明の「拡散防止膜」に相当し、以下同様に、「ｎ＋層２ａ」が「ライトドーピング部分」に、「ｎ＋＋層２ｂ」が「ヘビードーピング部分」にそれぞれ相当する。
　してみると、両者は「前記パターンニングされた拡散防止層をマスクとして、前記基板の面上において露出している前記ドープ層の前記ライトドープ部分及び該ライトドープ部分の下方の前記基板の部分を更にドーピングして、ヘビードープ領域を形成する工程」の点で一致する。
（６）引用発明の「（ｅ）…、半導体基板１を１０％のＨＦを含む溶液中に１分間浸漬し、不要になった酸化膜８…を除去する工程」は、本願補正発明の「前記パターンニングされた拡散防止層を除去する工程」に相当する。
（７）引用発明の「（ｆ）…反射防止膜３を約７０〜８０nmの厚さに形成し、…乾燥して形成する工程」は、本願補正発明の「反射防止層を形成する工程」に相当する。
（８）本願補正発明の「前記ヘビードープ領域の上方に形成されているパターンニングされた金属ペーストを前記反射防止層上に形成する工程」及び「前記金属ペーストを加熱して、太陽電池の金属電極を形成する工程」と、引用発明の「（ｉ）反射防止膜３の表面にスクリーン印刷法等でＡｇを含むペーストを塗布して乾燥した後、半導体基板１を６００℃〜７００℃で熱処理し、約２０μｍの厚さの表面Ａｇ電極４を焼成することにより、表面Ａｇ電極４は反射防止膜３を通してｎ＋＋層２ｂとオーミック接続される工程」を対比する。
　引用発明の「Ａｇを含むペースト」は本願補正発明の「金属ペースト」に相当し、以下同様に、「熱処理」することは「加熱」することに、「表面Ａｇ電極４を焼成すること」は「金属電極を形成する」ことに、それぞれ相当する。してみると、両者は相当関係にある。
（９）以上のことから、本願補正発明と引用発明は、
「異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法であって、少なくとも、　　基板を準備する工程と、
　ライトドープ部分を有するドープ層を前記基板の面上に形成する工程と、　パターンニングされた拡散防止層を形成する工程と、
　前記パターンニングされた拡散防止層をマスクとして、前記基板の面上において露出している前記ドープ層の前記ライトドープ部分及び該ライトドープ部分の下方の前記基板の部分を更にドーピングして、ヘビードープ領域を形成する工程と、
　前記パターンニングされた拡散防止層を除去する工程と、
　反射防止層を形成する工程と、
　前記ヘビードープ領域の上方に形成されているパターンニングされた金属ペーストを前記反射防止層上に形成する工程と、
　前記金属ペーストを加熱して、太陽電池の金属電極を形成する工程と、を含む異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法。」
　の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：基板の面上にライトドープ部分を有するドープ層を形成する工程が、本願補正発明では、「ヘビードープ部分と、前記ヘビードープ部分の下方に設けられているライトドープ部分とを有するドープ層を前記基板の」「面上に形成する工程」及び「前記ドープ層の前記ヘビードープ部分を除去する工程」であるのに対し、引用発明では、「半導体基板１の全面に例えば０．４μｍの厚さのｎ＋層２ａを形成する工程」である点。
　
相違点２：本願補正発明では、「ヘビードープ部分と、前記ヘビードープ部分の下方に設けられているライトドープ部分とを有するドープ層」を形成する領域が「基板の一面上」であり、ヘビードープ領域を形成する領域が、「前記基板の一面上において露出している前記ドープ層の前記ライトドープ部分及び該ライトドープ部分の下方の前記基板の部分だけ」であるのに対し、引用発明では、基板の一面とともに基板の側面、及び裏面もドーピングしている点。
　
４　判断
（１）相違点１について
　本願補正発明の「ライトドープ部分」と引用発明の「ｎ＋層２ａ」は、何れも短波長域での応答性を改善するものであり、同様の技術上の意義を有するものである（本願の発明の詳細な説明における「【発明の効果】【００１３】…、太陽電池のエミッタ領域に低濃度のドープ層を形成して、太陽電池における短い波長の周波数応答性を効果的に改善することができる。」との記載、刊行物における「【０００５】そこで、○１拡散表面に酸化・エッチングを施して拡散層深さを０．２〜０．３μｍに浅くし、ｎ層の不純物濃度を１桁小さくして短波長域での光応答性を改善したり、…して光電変換効率を改善することが試みられ、その結果、図２に示すセル構造の光電変換効率が高いｐｎ接合型の太陽電池が考案されている」との記載を参照。）ところ、「ライトドープ部分」を形成する方法として、表面に形成された高濃度不純物領域を除去することにより形成する方法は、例えば、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００３−１０１０５５号公報（【００３３】〜【００３５】）に記載されるように、周知技術であるから、引用発明において前記周知技術を採用し、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（２）相違点２について
　半導体基板に不純物領域を形成する方法として、熱拡散による方法とイオンインプランテーションによる方法は、何れも周知の方法であるところ、熱拡散で形成した場合には、基板の裏面や側面にも不純物領域が形成され、エッチングで除去する必要があること、この手間を省くには、イオンインプランテーションで不純物領域を形成すれば良いことは、例えば、特開平８−２３１１１号公報（「【００２４】…熱拡散で形成した場合は、ｎ領域がウエーハの裏面２ｂや側面（図示せず）にも形成されるので、これはエッチングで除去する。この手間を省くため、ｎ領域２ａの形成をイオンインプランテーションで行ってもよい。」との記載を参照。）に記載されるよう周知技術である。
　そうすると、引用発明において、ｎ＋層２ａ、ｎ＋＋層２ｂを形成する方法として、熱拡散による方法に代えてイオンインプランテーションによる方法を採用し、基板の裏面や側面をエッチングする手間を省き、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
（３）本願補正発明の効果について
　そして、本願補正発明が奏する作用効果は、引用発明と上記周知技術に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものである。
　
（４）小括
　したがって、本願補正発明は、引用発明と上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２３年１０月３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法であって、少なくとも、
　基板を準備する工程と、
　ヘビードープ部分と、前記ヘビードープ部分の下方に設けられているライトドープ部分とを有するドープ層を形成する工程と、
　前記ドープ層の前記ヘビードープ部分を除去する工程と、
　前記ドープ層の前記ヘビードープ部分を除去した後に、パターンニングされた拡散防止層を形成する工程と、
　前記パターンニングされた拡散防止層をマスクとして、露出している前記ドープ層の前記ライトドープ部分を更にドーピングして、ヘビードープ領域を形成する工程と、
　前記パターンニングされた拡散防止層を除去する工程と、
　反射防止層を形成する工程と、
　前記ヘビードープ領域の上方に形成されているパターンニングされた金属ペーストを前記反射防止層上に形成する工程と、
　前記金属ペーストを加熱して、太陽電池の金属電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする異なるドープ部分を備えた太陽電池の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
２　引用する刊行物と引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、その記載事項、及び引用発明は、前記「第２　２」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した本願補正発明から、上記「第２　１」に記載した補正事項１、２の限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　４」に記載したとおり引用発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。