【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のゲートスペーサーと、
前記一対のゲートスペーサーの間に配置された凹状ゲート電極と、
前記凹状ゲート電極に隣接しかつ前記一対のゲートスペーサーの間に配置され、スパッタリグプロセスおよび堆積プロセスを用いて形成されたボイドのないキャップ誘電体構造と、
を備える、トランジスタゲート。
【請求項２】
前記ボイドのないキャップ誘電体構造は、窒化ケイ素を含む、請求項１に記載のトランジスタゲート。
【請求項３】
前記ボイドのないキャップ誘電体構造は、炭化ケイ素を含む、請求項１に記載のトランジスタゲート。
【請求項４】
非プレーナ型トランジスタフィンの上の非プレーナ型トランジスタゲートであって、一対のゲートスペーサーの間に凹状のゲート電極と、前記一対のゲートスペーサーの間の前記凹状のゲート電極の上に配置され、スパッタリグプロセスおよび堆積プロセスを用いて形成されたボイドのないキャップ誘電体構造とを有する、前記非プレーナ型トランジスタゲートと、
ソース／ドレイン領域と、
前記ソース／ドレイン領域、前記非プレーナ型トランジスタゲートの前記一対のゲートスペーサー及び前記ボイドのないキャップ誘電体構造の上に配置された少なくとも１つの誘電体材料層と、
前記少なくとも１つの誘電体材料層の一部を通って延在して前記ソース／ドレイン領域と接触するソース／ドレインコンタクトと、
を備える、超小型電子素子。
【請求項５】
前記ボイドのないキャップ誘電体構造は、窒化ケイ素を含む、請求項４に記載の超小型電子素子。
【請求項６】
前記ボイドのないキャップ誘電体構造は、炭化ケイ素を含む、請求項４に記載の超小型電子素子。
【請求項７】
前記ソース／ドレインコンタクトは、１つの非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーの少なくとも一部に当接する、請求項４から６の何れか一項に記載の超小型電子素子。
【請求項８】
前記ソース／ドレインコンタクトは、前記キャップ誘電体構造の少なくとも一部と当接する、請求項４から６の何れか一項に記載の超小型電子素子。
【請求項９】
トランジスタゲートを製造する方法であって、
一対のゲートスペーサーを形成することと、
前記一対のゲートスペーサーの間に配置されたゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極の上面にかつ前記一対のゲートスペーサーの間にキャップ誘電体構造を、スパッタリグプロセスおよび堆積プロセスを用いて高密度プラズマ堆積させることと、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記キャップ誘電体構造を高密度プラズマ堆積させることは、窒化ケイ素キャップ誘電体構造を高密度プラズマ堆積させることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記キャップ誘電体構造を高密度プラズマ堆積させることは、炭化ケイ素キャップ誘電体構造を高密度プラズマ堆積させることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ゲート電極を形成することは、非プレーナ型ゲート電極を形成することを含む、請求項９から１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記キャップ誘電体構造を高密度プラズマ堆積させることは、
前記スパッタリングプロセスを実行した後に前記堆積プロセスを実行することを含む、請求項９から１２の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記キャップ誘電体構造を高密度プラズマ堆積させることは、
同じ高密度チャンバ―内で前記スパッタリングプロセスおよび前記堆積プロセスを実行することを含む、請求項９から１３の何れか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記スパッタリングプロセスは、
前記高密度プラズマチャンバ―に反応性ガスを導入しながら前記高密度プラズマチャンバ―内のＲＦ電極に対して電力を供給することを含み、
前記堆積プロセスは、
前記高密度プラズマチャンバ―に堆積ガスを導入しながら前記高密度プラズマチャンバ―内のバイアスＲＦ電極に対して電力を供給することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記スパッタリングプロセスは、
前記ＲＦ電極に対して前記電力を供給する時間を制御することおよび前記トランジスタゲートが形成される基板の温度を制御すること、の少なくとも１つを更に含み、
前記堆積プロセスは、
導入する複数の堆積ガスの比および流量の少なくとも１つを制御することを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＲＦ電極に対して電力が、２ｋＶと８ｋＶとの間の範囲で、かつ、３０秒と６０秒との間の持続時間、供給され、
前記基板の前記温度が、３００℃未満と６００℃との間で変調される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記堆積プロセスでは、メタンガス体積対シランガス体積の比を０．５と９との間とし、かつ、前記シランガスを３０ｓｃｃｍと７０ｓｃｃｍとの間で維持し、
前記バイアスＲＦ電極に対して電力が、１ｋＶおよび３ｋＶの範囲で供給される、請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記高密度プラズマ堆積の堆積速度が、７〜３０オングストローム／秒の範囲である、請求項９から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
非プレーナ型トランジスタフィンの上に犠牲非プレーナ型トランジスタゲートを形成することと、
前記犠牲非プレーナ型トランジスタゲート及び前記非プレーナ型トランジスタフィンの上に誘電体材料層を堆積させることと、
前記犠牲非プレーナ型トランジスタゲートに隣接する前記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを形成することと、
ソース／ドレイン領域を形成することと、
前記犠牲非プレーナ型トランジスタゲートを除去して、前記非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーの間にゲートトレンチを形成し前記非プレーナ型トランジスタフィンの一部を露出させることと、
前記ゲートトレンチ内に前記非プレーナ型トランジスタフィンに隣接してゲート誘電体を形成することと、
前記ゲートトレンチ内に導電性ゲート材料を堆積させることと、
前記導電性ゲート材料の一部を除去して、前記非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーの間に凹部を形成することと、
誘電体材料を、スパッタリグプロセスおよび堆積プロセスを用いて高密度プラズマ堆積させることにより前記凹部内にキャップ誘電体構造を形成することと、
前記ソース／ドレイン領域、前記非プレーナ型トランジスタゲートスペーサー及び前記キャップ誘電体構造の上に少なくとも１つの誘電体材料を形成することと、
前記少なくとも１つの誘電体材料を通してコンタクト開口を形成して、前記ソース／ドレイン領域の少なくとも一部と接触させることと、
を含む、方法。
【請求項２１】
キャップ誘電体構造を形成することは、
前記凹部内にキャップ誘電体材料を高密度プラズマ堆積させることと、
過剰なキャップ誘電体材料を除去することと、
を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記誘電体材料を通してコンタクト開口を形成して、前記ソース／ドレイン領域の少なくとも一部を露出させることは、前記ソース／ドレイン領域の少なくとも一部及び１つの非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーの少なくとも一部を露出させるコンタクト開口を、前記誘電体材料を通して形成することを更に含む、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ソース／ドレイン領域の露出部分及び前記非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーの露出部分に当接するようにソース／ドレインコンタクトを形成することを更に含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記誘電体材料を通してコンタクト開口を形成して、前記ソース／ドレイン領域の少なくとも一部を露出させることは、前記ソース／ドレイン領域の少なくとも一部及び前記キャップ誘電体構造の少なくとも一部を露出させるコンタクト開口を、前記誘電体材料を通して形成することを更に含む、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記ソース／ドレイン領域の露出部分及び前記キャップ誘電体構造の露出部分と当接するようにソース／ドレインコンタクトを形成することを更に含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記誘電体材料を通してコンタクト開口を形成して、前記ソース／ドレイン領域の少なくとも一部を露出させることは、前記ソース／ドレイン領域の少なくとも一部、前記非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーの少なくとも一部及び前記キャップ誘電体構造の少なくとも一部を露出させるコンタクト開口を、前記誘電体材料を通して形成することを更に含む、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記ソース／ドレイン領域の露出部分、前記非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーの露出部分及び前記キャップ誘電体構造の露出部分に当接するようにソース／ドレインコンタクトを形成することを更に含む、請求項２６に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】トランジスタゲート、超小型電子素子、トランジスタゲートを製造する方法、およびトランジスタを製造する方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図１８は、高アスペクト比凹部１５８（図１７を参照）内に実質的にボイドのないキャップ誘電体材料１６４（図１７を参照）を形成する高密度プラズマ（ＨＤＰ）誘電体堆積プロセス２００の流れ図である。ブロック２１０に定義するように、所望の誘電体膜、すなわち堆積させるべき誘電体によって、高密度プラズマチャンバーの壁をコーティングすることができる。ブロック２２０に定義するように、シリコンウェハ等の超小型電子基板を、高密度プラズマチャンバー内のチャックの上に配置することができる。１つの実施形態において、チャックを、室温、例えば７５℃で水冷式セラミック静電チャックとすることができる。ブロック２３０に定義するように、高密度プラズマチャンバーを、アルゴン等の不活性ガスで加圧することができる。１つの実施形態において、高密度プラズマチャンバーを、約４０ｍトルを超える圧力まで加圧することにより、持続性のある低出力高周波（ＲＦ）プラズマを生じることができる。ブロック２４０に定義するように、高密度プラズマチャンバー内に少なくとも一種類の反応性ガスを導入しながら、高密度プラズマチャンバー内のＲＦ電極に対して電力を供給することができる。１つの実施形態において、上部電極及び側部電極等、ＲＦ電極のそれぞれに対して、約３０秒と約６０秒との間の持続時間、約２ｋＶと約８ｋＶとの間の範囲まで電力を供給することができる。反応性ガスとしては、限定されないが、酸素、窒素等を挙げることができる。超小型電子基板温度を、チャックの温度を調整することによって約３００℃未満と約６００℃との間で変調することができる。持続時間、超小型電子基板温度、ＲＦ出力及び反応性混合ガスを、所望の堆積結果に対して調整することができることが理解される。ブロック２５０に定義するように、バイアスＲＦ電極に電力を供給しながら、高密度プラズマチャンバーに堆積ガスを導入することができる。１つの実施形態において、シラン（ＳｉＨ４）、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）及びヘリウム（Ｈｅ）を含む堆積ガスを使用して、窒化ケイ素誘電体を堆積させることができる。別の実施形態において、シラン（ＳｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）、アルゴン（Ａｒ）及びヘリウム（Ｈｅ）を含む堆積ガスを使用して、炭化ケイ素誘電体を堆積させることができる。ＲＦ電極に対して、約３ｋＶと約５ｋＶとの間の範囲まで電力を供給することができ、バイアスＲＦ電極は約１ｋＶ及び３ｋＶからの範囲である。窒化ケイ素堆積の場合の窒素ガス体積対シランガス体積の比、及びメタンガス体積対シランガス体積の比を、誘電体層の所望の特性に応じて約０．５と９との間とすることができ、一方で、シランガス流は約３０ｓｃｃｍと７０ｓｃｃｍとの間で維持される。これらの条件下で、堆積速度を、約７オングストローム／秒〜約３０オングストローム／秒の範囲とすることができる。堆積時間を、所望の誘電体層厚さ及び堆積速度に基づいて計算することができることが理解される。ブロック２６０に定義するように、高密度プラズマ堆積チャンバー内への堆積ガスの導入を中断しバイアスＲＦへの電力供給を中断することにより、堆積プロセスは中断される。ＲＦ電極への供給電力を減少させることができ、静電荷は、超小型電子基板から放散され、それにより、静電チャックから超小型電子基板を取り除くことができる。取り除いた後、遠隔プラズマユニット等により、高密度プラズマチャンバーを洗浄することができ、高密度プラズマチャンバーの壁を、所望の誘電体膜で再コーティングすることができる。