【事件の表示】
　特許第３２７２７９０号「位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランク」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２７２７９０号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第３２７２７９０号は、平成４年１２月３日に特許出願され、平成１４年１月２５日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人荒井純子から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年２月１２日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年５月８日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人荒井純子は、甲第１号証（特開平４−６３３４８号公報）、甲第２号証（特開昭５８−５４６３３号公報）、甲第３号証（特開平４−１３７７１７号公報）及び甲第４号証（特開平４−１３６８５４号公報）を提出し、以下の主張をしている。
　本件請求項１及び７に係る発明は、異議申立人荒井純子が提出した異議申立書記載の理由により、甲第１号証記載の発明と同一である。
　よって、本件請求項１及び７に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものである。
　本件請求項１に係る発明は、異議申立人荒井純子が提出した異議申立書記載の理由により、甲第１号証及び甲第２号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
　よって、本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項２及び３に係る発明は、異議申立人荒井純子が提出した異議申立書記載の理由により、甲第１号証〜甲第３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
　よって、本件請求項２及び３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項４〜６に係る発明は、異議申立人荒井純子が提出した異議申立書記載の理由により、甲第１号証、甲第２号証及び甲第４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
　よって、本件請求項４〜６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項７に係る発明は、異議申立人荒井純子が提出した異議申立書記載の理由により、甲第１号証〜甲第４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
　よって、本件請求項７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項８及び９に係る発明は、異議申立人荒井純子が提出した異議申立書記載の理由により、甲第１号証、甲第２号証及び甲第４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
　よって、本件請求項８及び９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
１．２　異議申立人荒井純子提出した甲第１号証〜甲第４号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の特許請求の範囲第１、４〜５項には、「［１］透光性基板（１）上に、第１の開口（９）を有する遮光膜（２１）が形成され、
　該遮光膜（２１）上に、前記第１の開口（９）の内部に庇状に突出してなる平板状位相反転層（３１）が形成されてなる
　ことを特徴とする位相シフトマスク。
［４］透光性基板（１）上に遮光性膜（２）を形成し、
　該遮光性膜（２）上に、透光性膜（３）を
　式λ／２（ｎ−１）
　但し、
　λは縮小露光に使用される光の波長であり、
ｎは透光性膜の屈折率である。
　をもって示す厚さに形成し、
　該透光性膜（３）上に導電性膜（４）を形成して積層体を形成し、
　該積層体の前記導電性膜（４）と前記透光性膜（３）とに、リソグラフィー法を使用して第２の開口（７）を形成し、
　前記導電性膜（４）を除去し、前記遮光性膜（２）をサイドエッチングして、前記透光性膜（３）の前記第２の開口（７）の平面形状より大きな平面形状を有する空洞部（８）を形成する
　工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
［５］前記遮光性膜（２）は、クロム膜と酸化クロム膜との積層膜、または、クロム膜よりなり、前記透光性膜（３）は二酸化シリコン膜よりなる
　ことを特徴とする請求項［４］記載の位相シフトマスクの製造方法。」と記載れている。
　第５頁左下欄第１２行〜右下欄第７行には、「〔発明の効果〕以上説明せるとおり、本発明に係る位相シフトマスク及びその製造方法においては、位相反転層に二酸化シリコン等の透光性膜が使用されるので、位相反転層の屈折率は経年変化することがなく、また、位相反転層は所定の厚さに形成された透光性膜を異方性エッチングすることによって形成されるので、その膜厚は所望の厚さに均一に形成され、さらにまた、位相反転層とマスクの遮光膜とはセルフアライン技術をもって形成されるため、マスクの透光領域に対して高い寸法精度をもって位相反転層が形成されるので、解像度の高い位相シフトマスクを形成することができ、しかも、背面露光を必要とすることなく、１回のリソグラフィー工程をもって形成することができる。」と記載されている。
　また、第４頁右下欄第５行〜第５頁左下欄第１１行には、「第１図（ａ）参照
　石英ガラスよりなる透光性基板１上に、スパッタ法等を使用してクロム膜と酸化クロム膜との積層膜またはクロム膜よりなる遮光性膜２を６００〜８００Å厚に形成し、次いで、スパッタ法または低温ＣＶＤ法を使用して二酸化シリコン膜よりなる透光性膜３をλ／２（ｎ−１）の厚さに形成する。二酸化シリコン膜３の屈折率ｎは１．５であるから、露光光にｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）を使用する場合には、二酸化シリコン膜３の厚さｄは、ｄ＝λ／２（ｎ−１）＝３６５／２（１．５−１）＝３６５ｎｍ＝３，６５０Åとなるように形成する。次に、二酸化シリコン膜３の上にクローム膜よりなる導電性膜４を４００〜６００Å厚に形成する。こゝで、導電性の膜を形成するのは、次工程においてその上に形成されるレジスト層を電子ビーム露光法を使用して露光する時に、チャージアップが発生しないようにするためである。
第１図（ｂ）参照
　電子ビーム露光用のポジ型レジスト層５を０．５〜１．０μｍ厚に塗布してプリベークし、電子ビームの直接描画をなして露光した後現像して、マスクの透光領域に対応する領域に開口６を形成する。この開口６の平面寸法は、半導体ウエーハに転写されるパターンの平面寸法がｌμｍであり、露光装置の縮小倍率が１／Ｓである場合には、（ｌ＋０．２）×Ｓμｍとなるように形成する。
第１図（ｃ）参照
　高周波励起の平行平板型のＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）装置に装入し、反応容器内に四塩化炭素ガスと酸素とを導入して５０〜１００ｍＴｏｒｒの圧力に保持し、２００〜３００Ｗの励起電力を供給して３０〜４０秒間エッチングをなし、レジスト層５の開口６に露出する領域のクロム膜４を除去する。
　次いで、反応ガスを四フッ化炭素ガスに換えて１００ｍＴｏｒｒ程度の圧力に保持し、３００〜４００Ｗの励起電力を供給して１５０〜２５０秒間エッチングをなし、クロム膜４の除去された領域に対応する領域の二酸化シリコン膜３を除去してクロム膜４と二酸化シリコン膜３との積層体に第２の開口７を形成する。なお、この条件下におけるエッチングにおいては、二酸化シリコンとクロムとのエッチング速度比が３０〜４０：１であるので、クロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜との積層膜２がエッチングストッパとして十分機能する。
第１図（ｄ）参照
　レジスト層５を酸素アッシング装置を使用してアッシング除去した後、第２の開口７に露出するクロム膜と酸化クロム膜との積層膜またはクロム膜よりなる遮光性膜２を等方性エッチングする。エッチング方法は、硝酸塩セリウムアンモンと過塩素酸との混合水溶液をシャワー状に吹きつけて行う。遮光性膜２はサイドエッチングされて二酸化シリコン膜３の下に空洞部８が形成され、空洞部８の上に庇状に突出した二酸化シリコン膜３が位相反転層３１となる。また、エッチング後に残留する遮光性膜２はマスクの遮光膜２１となる。なお、エッチングは空洞部８の平面寸法が（ｌ＋０．４）×Ｓμｍになるまで実行するものとする。クロムのエッチングレートは約１００Å／秒であるので、０．５〜１．０μｍ幅の位相反転層３１を形成するのに５０〜１００秒を要し、この時二酸化シリコン膜３上に形成されているクロム膜４も同時に除去される。以上の工程終了後、洗浄して位相シフトマスクを完成する。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証の特許請求の範囲第１項には、「（１）　被加工物上に電子の侵入を抑制する高密度の導電膜を形成する工程と、上記導電膜上に感電子レジストを形成する工程と、７〜１５〔ＫｅＶ〕に加速された電子ビームを用いて上記レジストを所望パターンに露光したのち該レジストを現像する工程と、次いで上記レジストをマスクとして前記導電膜をドライエッチングする工程と、しかるのち上記導電膜をマスクとして前記被加工物をドライエッチングする工程とを具備したことを特徴とする微細加工方法。」と記載されれている。
　第２頁左下欄第１５行〜第２頁右下欄第１５行には、「したがって、本発明によれば、電子ビームの後方散乱を極めて小さくでき、かつレジストの十分な露光を行うことができる。…また、被加工物２として絶縁物を用いる場合、導電膜４が電子ビームによるチャージアップを防止し、パターンの歪を防止できる等の利点がある。なお、微細加工では通常イオンビームエッチング、反応性イオンビームエッチング、反応性スパッタエッチング等のドライエッチング用いられるが、導電膜はドライエッチングのマスク材として十分使用可能である。」と記載されている。
　第２頁右下欄第１８行〜第３頁右欄第３行には、「第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例に係わる微細パターン形成工程を示す断面模式図である。まず、第３図（ａ）に示す如くシリコン基板１１上に熱酸化技術を用い被加工物としての酸化シリコン膜１２を０．５〔μｍ〕の膜厚に形成し、この酸化シリコン膜１２上にアルゴンスパッタ蒸着法で白金膜（導電膜）１３を０．１〔μｍ〕の膜厚に形成し、続いて白金膜１３上にＰＭＭＡレジスト１４を１〔μｍ〕の厚さに回転塗布した。次いで、電子ビームを用い加速電圧１０〔ＫｅＶ〕、ドーズ量６０〔μｃ／ｃｍ２〕の条件下で、レジスト１４に１，２，４，１０〔μｍ〕のパターンを露光した。続いてイソプロパノールとメチルイソプチルケトンとの混合液でレジスト１４を現像したところ、第３図（ｂ）に示す如きレジストパターンが形成された。なお、第３図（ｂ）では前記１〔μｍ〕と２〔μｍ〕の露光部を現像した状態を示している。
次に、アルゴンイオンビームエッチング技術を用い、第３図（ｃ）に示す如くレジスト１４をマスクとして白金膜１３をエッチングした。続いて、フレオンと水素との混合ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチング技術を用い、第３図（ｄ）に示す如く白金膜１３をマスクとしてシリコン酸化膜１２をエッチングした。かくして形成されたパターンは１，２，４，１０〔μｍ〕のいずれの寸法であっても精度良いものであった。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容  
　甲第３号証の特許請求の範囲第１項には、「（１）光透過部と遮光部とで形成された所定のパターンを有し、前記遮光部の両側に位置する光透過部の一方に位相シフト部材を設けた位相シフトマスクにおいて、前記光透過部のうち、位相シフト部材が設けられていない他方の光透過部に光吸収部材を設けて両側の光透過部を透過する光の透過率差を小さくしたことを特徴とする位相シフトマスク。」と記載されている。
　第４頁左上欄第９行〜左下欄第２行には、「次に、第２図（ａ）〜（ｉ）を参照して、本実施例の位相シフトマスクの製造方法について説明する。
第１工程
　透明基板１上に、透明導電膜３を酸化スズと酸化アンチモンからなるスパッタ・ターゲットを用いてＡｒガス雰囲気中にてスパッタリングにより成膜し、更に遮光膜をＣｒをスパッタ・ターゲットとしＡｒガス雰囲気中でスパッタリングにより成膜する。次に、この遮光膜を公知のフォトリソグラフィー法によりその一部が所定のパターンに沿って除去された遮光膜２を形成する。次いで、Ｓｉ３Ｎ４をスパッタ・ターゲットとしてスパッタリングにより位相シフト用の層４を形成する（第２図（ａ）参照）。
第２工程
　前記第１工程で得られたフォトマスクブランクス１００の位相シフト用の層４上に、レジスト膜１１（膜厚５０００Å）を形成する（第２図（ｂ）参照）。このレジスト膜は、ノボラック系レジスト液（ヘキスト社製：ＡＺ−１３５０）を滴下し、スピンコート法によってこの滴下したレジスト液を全面に広げたものである。
第３工程
　次に、位相シフト用の層４の上面部分に、最終的に得るべき位相シフト膜４ａのパターンに沿ってレジストパターン１１ａを形成する（第２図（ｃ）参照）。このレジストパターン１１ａの形成は、レジスト層１１における、位相シフト層４ａと反転対応する部分を電子線により露光し、その後、レジスト層１１の露光領域を現像、リンス処理し、レジスト層１１の未露光領域（レジストパターン１１ａ）のみを残したものである。尚、現像及びリンス処理は、ＭＩＢＫ系の現像液及びＩＰＡからなるリンス液を、所定時間、間隔を置いて逐次レジスト層１１上に滴下させ、双方の液をスピンコート法に広げて行なう。
第４工程
　次に、第３工程で得たレジストパターン１１ａをマスクとして、位相シフト層４の露出部分をエッチングして、パターン化された位相シフト膜４ａを形成する。このエッチングは下記の条件のプラズマ放電によるドライ・エッチングにより行なう（第２図（ｄ）参照）。
・雰囲気ガス…ＣＦ４と０２との混合ガス（ガス圧力：３Ｐａ）
・高周波出力…４００Ｗ
第５工程
　次に、前記第４工程のエッチングの際に使用したレジストパターン１１ａを剥離する（第２図（ｅ）参照）。
　このレジストパターン１１ａの剥離は、レジストパターン１１ａを高温に加熱した濃硫酸に接触させて行なった。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第４号証の特許請求の範囲第１、５項には、「１．透明基板上に、露光光に対して半透明な領域と、透明な領域とを少なくとも有し、該半透明な領域と、該透明な領域とをそれぞれ通過する光の位相差が実質的に１８０°となる構成とし、該透明な領域のパタンは、単一なホール、ドット、スペース又はラインのパタンであることを特徴とするホトマスク。」
「５．透明基板上に、露光光に対し半透明な膜を少なくとも１層含む半透明層を形成する工程及び該半透明層の所望の部分を除去し、該半透明層を所望のパタンとする工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載のホトマスクの製造方法。」と記載されている。
　第５頁左上欄には、「（実施例２）第２の実施例は、第３図に示すように半透明層の構成を多層膜とした。ガラス基板１上に薄いＣｒ膜６と塗布ガラス膜７を被着し、所望のパタン部を除去した。この場合は、薄いＣｒ膜６で透過率を１％に調整し、塗布ガラス膜７で透過部との位相差を調整した。薄いＣｒ膜の露光光に対する透過率は１から５０％の範囲であればよい。」と記載されている。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
特許明細書の請求項１〜４「【請求項１】　位相シフト膜に第１のエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に前記位相シフト膜を含む膜を形成する第１工程と、次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記第１のエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施す事によって、前記位相シフト膜パターンを形成する第５工程と、次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記第１工程は、前記透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。
【請求項３】　請求項１に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記第１工程は、前記透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する工程を含むものであることを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。
【請求項４】　請求項１に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記第１工程は、前記透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。」を、「【請求項１】　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　透明基板上に前記位相シフト膜のみを形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
　を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜にドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項３】　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
　を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項４】　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施て位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
　を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。」と訂正する。
訂正事項ｂ
特許明細書の【００１０】段落の「【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上述の課題を解決するために本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、（１）透明基板上に、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部が設けられた位相シフトマスクを製造する位相シフトマスクの製造方法において、
　前記透明基板上に前記位相シフト部を形成するための位相シフト膜を含む膜を形成する成膜工程と、
　少なくとも前記位相シフト膜にエッチング処理を含むパターン化処理を行なうパターン形成工程とを有し、
　前記成膜工程には、前記位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン形成工程における位相シフト膜のパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を備えたことを特徴とする構成とした。」を、
「【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　透明基板上に前記位相シフト膜のみを形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
　を含むことを特徴とする構成とした。」と訂正し、
【００１１】段落の「また、構成１の態様として、
　（２）構成１の位相シフトマスクの製造方法において、前記成膜工程は、透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に前記補助膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした構成、
　又は、　　　　　　
（３）構成１の位相シフトマスクの製造方法において、前記成膜工程は、透明基板上に位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記補助膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした構成、
　又は、
　（４）構成１の位相シフトマスクの製造方法において、前記成膜工程は、透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に位相シフト膜を形成し、この位相シフト膜の上に前記補助膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした構成とし、　また、この構成４の態様として、
　（５）構成４の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成し、かつ、前記パターン形成工程において、前記半透光膜にパターン化処理を行う際に同時に前記補助膜を除去するようにしたことを特徴とする構成とした。」を、
「【００１１】
また、本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
　（２）　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライ工ッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜にドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする構成、
　又は、
（３）位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、　透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする構成、
　又は、
（４）位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライ工チッング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施て位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする構成、
（５）　構成４に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成したことを特徴とする構成とした。」に訂正し、
【００１２】段落の「【００１２】
　さらに、本発明にかかる位相シフトマスクブランクは、
　（６）構成１ないし５のいずれかの位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、　透明基板上に、位相シフト膜と、該位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに設けられており、前記位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する構成、　
　又は、
　（７）構成４ないし５の位相シフトマスクブランクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、　透明基板上に、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜と、位相シフト膜と、該位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する構成とし、　また、構成７の態様として、
　（８）構成７の位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング媒質によってエッチング可能な材料で構成したことを特徴とする構成としたものである。」を、
「【００１２】
さらに、本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
　（６）　構成４又は５記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光は、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうち１または２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／または酸素を含有させたものから成ることを特徴とする構成とし、また、本発明にかかる位相シフトマスクブランクは、（７）　構成１ないし６のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、透明基板上に、位相シフト膜と、該位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに設けられており、位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する構成とし、又は、
　（８）　構成４乃至６の何れかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、前記透明基板上に、前記半透光膜と、前記位相シフト膜と、前記補助膜とを有する構成とし、
　又は、
　（９）　構成８に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング煤質によってエッチング可能な材料で構成したことを特徴とする構成としたものである。」と訂正し、
【００１３】段落の「【００１３】
【作用】
　上述の構成１によれば、成膜工程に、位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、パターン形成工程で、この補助膜もパターン化し、その上にパターン形成用レジストパターンを設けてこれをマスクにしてエッチングを行うことにより、このエッチングが進行するにつれてある程度レジストもエッチングされるが、この補助膜のエッチング耐性作用によってその影響が位相シフト膜のパターンを仕切る境界面には及ばないようにすることができる。これにより、位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成することが可能になる。
また、構成２ないし３によれば、遮光性膜パターンを備えた位相シフトマスクを得る際に構成１の方法を適用することができる。さらに、構成４によれば、半透光膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクを得る場合に構成１の方法を適用することができ、構成５によれば、構成４の方法を実施する際にその工程を単純化できる。」を、
「【００１３】
【作用】
　上述の構成１によれば、成膜工程に、位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、パターン形成工程で、この補助膜もパターン化し、その上にパターン形成用レジストパターンを設けてこれをマスクにしてエッチングを行うことにより、このエッチングが進行するにつれてある程度レジストもエッチングされるが、この補助膜のエッチング耐性作用によってその影響が位相シフト膜のパターンを仕切る境界面には及ばないようにすることができる。これにより、位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成することが可能になる。
　また、構成２ないし３によれば、遮光性膜パターンを備えた位相シフトマスクを得る際に構成１の方法を適用することができる。さらに、構成４によれば、半透光膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクを得る場合に構成１の方法を適用することができ、構成５、６によれば、構成４の方法を実施する際にその工程を単純化できる。」と訂正し、
【００１４】段落の「【００１４】　さらに、構成６によれば、構成１ないし５の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ることができ、構成７及び８によれば構成４ないし５の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ることができる。」を、
「【００１４】
　さらに、構成７によれば、構成１なし、し６の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ることができ、構成８によれば、構成４〜６の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ることができ、構成９によれば、構成８の位相シフトマスクブランクを容易に得ることができる。」と訂正する。
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａにおける請求項１の訂正は、下位概念化した訂正であるから、特許請求の範囲の減縮に当たり、また、訂正後の請求項１の記載事項は、【００２８】〜【００３１】段落に記載されたものであり、特許明細書の記載から導き出せる事項であるから、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　上記訂正事項ａにおける請求項２の訂正は、下位概念化した訂正であるから、特許請求の範囲の減縮に当たり、また、訂正後の請求項２の記載事項は、【００３２】〜【００３５】段落に記載されたものであり、特許明細書の記載から導き出せる事項であるから、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　上記訂正事項ａにおける請求項３の訂正は、下位概念化した訂正であるから、特許請求の範囲の減縮に当たり、また、訂正後の請求項３の記載事項は、【００３８】〜【００４１】段落に記載されたものであり、特許明細書の記載から導き出せる事項であるから、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　上記訂正事項ａにおける請求項４の訂正は、下位概念化した訂正であるから、特許請求の範囲の減縮に当たり、また、訂正後の請求項４の記載事項は、【００１５】〜【００２３】段落に記載されたものであり、特許明細書の記載から導き出せる事項であるから、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂについては，前記訂正事項ａの訂正に伴い、明細書詳細な説明の記載を請求項の記載と整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、訂正事項ｂは、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ及びｂは、上記３．１のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜９に係る発明
【請求項１】
　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　透明基板上に前記位相シフト膜のみを形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】
　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、　透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜にドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項３】
　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、　透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する第１工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項４】
　位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する第１二工程と、
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施て位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項５】
　請求項４に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成したことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項６】
　請求項４又は５記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜は、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうち１または２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／または酸素を含有させたものから成ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項７】
　請求項１ないし６のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、透明基板上に、位相シフト膜と、該位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに設けられており、位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する位相シフトマスクブランク。
【請求項８】
　請求項４乃至６の何れかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、前記透明基板上に、前記半透光膜と、前記位相シフト膜と、前記補助膜とを有する位相シフトマスクブランク。
【請求項９】
　請求項８に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング媒質によってエッチング可能な材料で構成したことを特徴とする位相シフトマスクブランク。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１〜４に係る発明と甲第１号証〜甲第４号証との対比、判断
　本件請求項１〜４に係る発明は、「レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施て位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程」を有する。
　甲第１号証の記載には、「クロム膜４の除去された領域に対応する領域の二酸化シリコン膜３を除去してクロム膜４と二酸化シリコン膜３との積層体に第２の開口７を形成する。」（第５頁右上欄第３行〜第６行。以下、「甲第１号証の工程Ａ」という。）と記載され、本件各発明の第５工程に一見、相当するともみえる。
　しかしながら、上記甲第１号証の工程Ａは、「遮光膜（２１）上に、前記第１の開口（９）の内部に庇状に突出してなる平板状位相反転層」（甲第１号証の請求項１）を形成するための中間工程にすぎず、位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成するための工程ではない。
　上記甲第１号証の工程Ａは、「位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成する」ことを示唆するとも、上記甲第１号証の工程Ａに基づいて、「位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成する」ことが容易に想到できたともいえない。
　さらに、甲第２号証〜甲第４号証は、いずれも、「位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成する」ことを示唆するとはいえない。
　従って、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明ではなく、又、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものともいえない。
　また、本件請求項１〜４に係る発明を引用する本件請求項５〜９に係る発明も、本件請求項１〜４に係る発明と同様に、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明ではなく、又、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものともいえない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜９に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜９に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜９に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年６月３日（２００３．６．３）
【訂正の要旨】
ａ．【特許請求の範囲】に、
「　　【請求項１】　位相シフト膜に第１のエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
透明基板上に前記位相シフト膜を含む膜を形成する第１工程と、
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記第１のエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施す事によって、前記位相シフト膜パターンを形成する第５工程と、
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項２】請求項１に記載の位相シフトマスクの製造方法において、
前記第１工程は、前記透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項３】　請求項１に記載の位相シフトマスクの製造方法において、
前記第１工程は、前記透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する工程を含むものであることを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項４】　請求項１に記載の位相シフトマスクの製造方法において、
前記第１工程は、前記透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項５】　請求項４に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成したことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項６】　請求項４又は５記載の位相シフトマスクの製造方法において、
　前記半透光膜は、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうち１または２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／または酸素をを含有させたものから成ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項７】　請求項１ないし６のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、透明基板上に、位相シフト膜と、該位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに設けられており、位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する位相シフトマスクブランク。
　【請求項８】　請求項４乃至６の何れかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、前記透明基板上に、前記半透光膜と、前記位相シフト膜と、前記補助膜とを有する位相シフトマスクブランク。
　【請求項９】請求項８に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング媒質によってエッチング可能な材料で構成したことを特徴とする位相シフトマスクブランク。」
とあるのを、
「　　【請求項１】　位相シフト膜に
ドライエッチング
　透明基板上に
前記位相シフト膜のみを
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記
ドライエッチング
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に
エッチング処理
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記
ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
　を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項２】　
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　
透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜にドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項３】　
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　
透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項４】　
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施て位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項５】　請求項４に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成したことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項６】　請求項４又は５記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜は、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうち１または２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／または酸素を含有させたものから成ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項７】　請求項１ないし６のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、透明基板上に、位相シフト膜と、該位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに設けられており、位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する位相シフトマスクブランク。
　【請求項８】　請求項４乃至６の何れかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、前記透明基板上に、前記半透光膜と、前記位相シフト膜と、前記補助膜とを有する位相シフトマスクブランク。
　【請求項９】　請求項８に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング媒質によってエッチング可能な材料で構成したことを特徴とする位相シフトマスクブランク。」
に訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、【００１０】に、
「　　　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上述の課題を解決するために本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
（１）　透明基板上に、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部が設けられた位相シフトマスクを製造する位相シフトマスクの製造方法において、
　前記透明基板上に前記位相シフト部を形成するための位相シフト膜を含む膜を形成する成膜工程と、
　少なくとも前記位相シフト膜にエッチング処理を含むパターン化処理を行なうパターン形成工程とを有し、
　前記成膜工程には、前記位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン形成工程における位相シフト膜のパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を備えたことを特徴とする構成とした。」
とあるのを、
「　　　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上述の課題を解決するために本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
　位相シフト膜に
ドライエッチング
　透明基板上に
前記位相シフト膜のみを
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記
ドライエッチング
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に
エッチング処理
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記
ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
　を含むことを特徴とする構成とした。」
と訂正し、
　また、【００１１】に、
「　また、構成１の態様として、
　（２）　構成１の位相シフトマスクの製造方法において、
　前記成膜工程は、透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に前記補助膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした構成、
又は、
（３）　構成１の位相シフトマスクの製造方法において、前記成膜工程は、透明基板上に位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記補助膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした構成、
　又は、
　（４）　構成１の位相シフトマスクの製造方法において、前記成膜工程は、透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に位相シフト膜を形成し、この位相シフト膜の上に前記補助膜を形成する工程を含むものであることを特徴とした構成とし、
　また、この構成４の態様として、
　（５）　構成４の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成し、かつ、前記パターン形成工程において、前記半透光膜にパターン化処理を行う際に同時に前記補助膜を除去するようにしたことを特徴とする構成とした。」
とあるのを、
「　　　【００１１】
　
また、本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
（２）　
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　
透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜にドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする構成、
　又は、
（３）
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　
透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする構成、
　又は、
（４）
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施て位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする構成、
　又は、
（５）　構成４に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成したことを特徴とする構成とした。
に訂正し、
　また、【００１２】に、
「　　　【００１２】
　さらに、本発明にかかる位相シフトマスクブランクは、
　（６）　構成１ないし５のいずれかの位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、
　透明基板上に、位相シフト膜と、該位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに設けられており、前記位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する構成、
　又は、
　（７）　構成４ないし５の位相シフトマスクブランクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、
　透明基板上に、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜と、位相シフト膜と、該位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する構成とし、
　また、構成７の態様として、
　（８）　構成７の位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング媒質によってエッチング可能な材料で構成したことを特徴とする構成としたものである。」
とあるのを、
「　　　【００１２】
　
さらに、本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
（６）　構成４又は５記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜は、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうち１または２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／または酸素を含有させたものから成ることを特徴とする構成とし、
　
また、本発明にかかる位相シフトマスクブランクは、
（７）
　又は、
（８）　構成４乃至６の何れかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、前記透明基板上に、前記半透光膜と、前記位相シフト膜と、前記補助膜とを有する構成とし、
　又は、
（９）　構成８に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング媒質によってエッチング可能な材料で構成した
に訂正し、
　さらに、【００１３】に、
「　　　【００１３】
　【作用】
　上述の構成１によれば、成膜工程に、位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、パターン形成工程で、この補助膜もパターン化し、その上にパターン形成用レジストパターンを設けてこれをマスクにしてエッチングを行うことにより、このエッチングが進行するにつれてある程度レジストもエッチングされるが、この補助膜のエッチング耐性作用によってその影響が位相シフト膜のパターンを仕切る境界面には及ばないようにすることができる。これにより、位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成することが可能になる。また、構成２ないし３によれば、遮光性膜パターンを備えた位相シフトマスクを得る際に構成１の方法を適用することができる。さらに、構成４によれば、半透光膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクを得る場合に構成１の方法を適用することができ、構成５によれば、構成４の方法を実施する際にその工程を単純化できる。」
とあるのを、
「　　　【００１３】
　【作用】
　上述の構成１によれば、成膜工程に、位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、パターン形成工程で、この補助膜もパターン化し、その上にパターン形成用レジストパターンを設けてこれをマスクにしてエッチングを行うことにより、このエッチングが進行するにつれてある程度レジストもエッチングされるが、この補助膜のエッチング耐性作用によってその影響が位相シフト膜のパターンを仕切る境界面には及ばないようにすることができる。これにより、位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成することが可能になる。また、構成２ないし３によれば、遮光性膜パターンを備えた位相シフトマスクを得る際に構成１の方法を適用することができる。さらに、構成４によれば、半透光膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクを得る場合に構成１の方法を適用することができ、
構成５、６
に訂正し、
　また、【００１４】に、
「　　　【００１４】
　さらに、構成６によれば、構成１ないし５の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ることができ、構成７及び８によれば構成４ないし５の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ることができる。」とあるのを、
「　　　【００１４】
　さらに、
構成７によれば、構成１ないし６
構成８によれば、構成４〜６の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ることができ、構成９によれば、構成８の位相シフトマスクブランクを
に訂正する。
（５４）【発明の名称】
位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランク
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　位相シフト膜に
ドライエッチング
　透明基板上に
前記位相シフト膜のみを
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記
ドライエッチング
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に
エッチング処理
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記
ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項２】　
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　
透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜にドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項３】　
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　
透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項４】　
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施て位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項５】　請求項４に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成したことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項６】　請求項４又は５記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜は、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうち１または２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／または酸素を含有させたものから成ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
　【請求項７】　請求項１ないし６のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、透明基板上に、位相シフト膜と、該位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに設けられており、位相シフト膜に施すパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜とを有する位相シフトマスクブランク。
　【請求項８】　請求項４乃至６の何れかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、前記透明基板上に、前記半透光膜と、前記位相シフト膜と、前記補助膜とを有する位相シフトマスクブランク。
　【請求項９】　請求項８に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング媒質によってエッチング可能な材料で構成したことを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにするした位相シフトマスクの製造方法及びその方法を実施する際に用いる位相シフトマスクブランクに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体ＬＳＩ等を製造する際には、微細パターン転写が行われるが、その転写を行うマスクの１つとして位相シフトマスクがある。この位相シフトマスクは、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより転写パターンの解像度を向上できるようにしたものである。この位相シフトマスクとしては、例えば、通称、エッジ強調型位相シフトマスク（特開平２ー１４０７４３号公報参照）、クロムレス型位相シフトマスク（特開平２ー７８２１６号公報参照）及びハーフトーン型位相シフトマスク（特開平２ー１３６８５４号公報参照）と呼ばれるものが知られている。
　【０００３】
　図１８はエッジ強調型位相シフトマスクの構成を示す断面図である。図１８に示されるように、この位相シフトマスク７０は、透明基板７１上に遮光性膜パターン７３及び位相シフト膜パターン７２を形成したものである。遮光性膜パターン７３は、遮光性膜が除去されていて露光光Ｌを通過できるようにした光通過部７３ａと、遮光性膜が設けられていて露光光Ｌを遮断するようにした遮光部７３ｂとで構成され、一方、位相シフト膜パターン７２は、位相シフト膜が除去されていて通過する露光光Ｌの位相を変化させない非シフト部７２ａと、位相シフト膜が設けられていて通過する露光光Ｌに所定の位相シフトを与える位相シフト部７２ｂとで構成されている。この場合、位相シフト部７２ｂは、位相シフト膜を遮光部７２ｂの全体を覆いかつその一部がその両側の光通過部７３ａにはみだすように設けることによって形成している。換言すると、光通過部７３ａの中央部を除く両側に位相シフト部７２ｂが形成されるようにしたものである。これにより、光通過部７３ａの中央部を通過する露光光とその両側を通過する露光光とに位相差が生ずるようにし、中央部を通過する露光光の振幅分布の必要以上の拡がりを防止して解像度の高いパターン転写を可能にしたものである。
　【０００４】
　また、図１９はクロムレス型位相シフトマスクの構成を示す断面図である。図１９に示されるように、この位相シフトマスク８０は、透明基板８１上に位相シフト膜パターン８２のみを形成したものである。すなわち、遮光性膜を用いることなく転写パターンを形成できるようにしたもので、位相シフト膜パターン８２の非シフト部８２ａと位相シフト部８２ｂとの境界部を通過した光が回折によって互いに回り込み、直進通過した光とその位相差によって相殺されて影を形成することを利用して微細転写パターンを形成させるようにしたものである。
　【０００５】
　さらに、図２０はハーフトーン型位相シフトマスクの構成を示す断面図である。図２０に示されるように、この位相シフトマスク９０は、透明基板９１上に、光通過部９３ａと半透光部９３ｂとで構成される半透光膜パターン９３が形成され、この半透光部９３ｂの上に位相シフト部９２ｂが重ねて形成され、非シフト部９２ａが上記光通過部９３ｂと同一の領域に形成されるようにした位相シフト膜パターン９２を設けたものである。半透光部９３ｂは実質的に露光に寄与しない程度の弱い光を透過させるものであるが、この半透光部９３ｂを透過する光に位相シフト部９２ａによって位相シフトを加えることにより、この半透光部９３ｂによる位相シフト量と位相シフト部９２ａによる位相シフト量との和が１８０°になるようにして、光通過部９３ａと半透光部９３ｂとを通過した光の位相が互いに反転するようにし、これによりこれらの境界部を通過した光が互いに打ち消しあって境界部のコントラストが向上されるようにしたものである。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、上述の位相シフトマスクは、いずれも位相シフト部と光通過部とを隣接させたときに両者を通過する光の位相差によってその境界部で光が互いに相殺されることを利用したものである。ここで、この境界部における相殺効果を良好に得るためには、位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になっている必要がある。これは、もし、この境界面が基板に対してある角度をなして断面がテーパ状になっていると、この境界部における位相シフト量がテーパ状面に沿って徐々に変化し、所定の相殺効果が得られなくなるからである。
　【０００７】
　ところが、従来の位相シフトマスクの製造方法では、位相シフト部の光通過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成することが困難であるという問題があった。これは、特に位相シフトマスクの高密度パターンを形成する際に一般的に用いられる高感度レジスト自体が、そのパターンの輪郭を仕切る境界面を基板表面に対して垂直に形成できず、その断面が基板表面に対してある角度をなしたテーパ状に形成されてしまうことに起因する。すなわち、このようにパターンの輪郭を仕切る境界面がテーパ状になっているレジストパターンをマスクにしてエッチングを行なうと、例え、ウエットエッチングに比較してアンダーカットやサイドエッチングが少ないドライエッチングを採用したとしても、このエッチングによって形成されるパターンの境界面はテーパ状に形成されてしまう。図２１はこの様子を示すものであり、図２１（ａ）はエッチング開始当初の様子であり、図２１（ｂ）はエッチング終了時の様子を示すものである。図２１（ａ）に示されるように、基板８１上に形成された位相シフト膜８２０の上にレジストパターン５を形成し、このレジストパターン５をマスクにしてエッチングガスＧによりエッチングを行なう。この場合、レジストパターン５のパターンの輪郭を仕切る境界面８５ｃがテーパ状になっていると、エッチング開始当初は問題ないが、図２１（ｂ）に示されるように、エッチングが進行するするにつれてある程度レジストもエッチングされるので、エッチング終了時においては、形成された位相シフト膜パターンにおける位相シフト部８２ｂと非シフト部８２ａとを仕切る境界面８２ｃがテーパ状に形成されてしまう。
　【０００８】
　なお、これを防止する方法として、高いコントラストを有しかつドライエッチングに対して耐性を有するレジストを用いる方法が考えられるが、このようなレジストは低感度のものしか存在しない。低感度のレジストでは、これにパターン描画する際に高いドーズ量及び長い描画時間を必要とするので、高精度かつ高密度が必須の位相シフトマスクに用いることは事実上極めて困難である。
　【０００９】
　本発明は、上述の背景のもとでなされたもので、位相シフト部の輪郭を仕切る境界面をほぼ基板表面に対して垂直に形成できるようにした位相シフトマスクの製造方法及びその製造方法に用いる位相シフトマスクブランクを提供することを目的としたものである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上述の課題を解決するために本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
　位相シフト膜に
ドライエッチング
　透明基板上に
前記位相シフト膜のみを
　次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記
ドライエッチング
　次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に
エッチング処理
　次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記
ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する
　次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
　を含むことを特徴とする構成とした。
　【００１１】
　
また、本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
（２）　
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　
透明基板上に遮光性膜パターンを形成し、該遮光性膜パターンの上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜に第２のエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜にドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする構成、
　又は、
（３）
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
　
透明基板上に前記位相シフト膜を形成し、該位相シフト膜の上に遮光性パターンを形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記ドライエッチング処理を施して位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする構成、
　又は、
（４）
位相シフト膜にドライエッチング処理を施す事によって、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部を有する位相シフトマスクパターンを形成する工程、を含む位相シフトマスクの製造方法において、
透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光膜を形成し、この半透光膜の上に前記位相シフト膜を形成する第１工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜の上に、他の膜を介して又は介さずに前記ドライエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する第２工程と、
　
次いで、前記補助膜の上に、レジストパターンを形成する第３工程と、
　
次いで、前記レジストパターンをマスクにして、前記補助膜にエッチング処理を施す事によって、補助膜パターンを形成する第４工程と、
　
次いで、前記レジストパターン及び前記補助膜パターンをマスクにして、前記位相シフト膜に前記第１のエッチング処理を施て位相シフト膜パターンを形成し、この位相シフト膜パターンの位相シフト部の光透過部に対する境界面を透明基板表面に対して垂直に形成する第５工程と、
　
次いで、前記補助膜パターンの上に残存した前記レジストパターンを除去する第６工程と、
　
次いで、前記位相シフト膜パターンの上に残存した前記補助膜パターンを除去する第７工程と、
を含むことを特徴とする構成、
　又は、
（５）　構成４に記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜と前記補助膜とを同じ材料で構成したことを特徴とする構成とした。
　【００１２】
　
さらに、本発明にかかる位相シフトマスクの製造方法は、
（６）　構成４又は５記載の位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜は、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうち１または２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／または酸素を含有させたものから成ることを特徴とする構成とし、
　
また、本発明にかかる位相シフトマスクブランクは、
（７）
　又は、
（８）　構成４乃至６の何れかに記載の位相シフトマスクの製造方法に用いる位相シフトマスクブランクであって、前記透明基板上に、前記半透光膜と、前記位相シフト膜と、前記補助膜とを有する構成とし、
　又は、
（９）　構成８に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透光膜と前記補助膜とを同じエッチング媒質によってエッチング可能な材料で構成した
　【００１３】
　【作用】
　上述の構成１によれば、成膜工程に、位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、パターン形成工程で、この補助膜もパターン化し、その上にパターン形成用レジストパターンを設けてこれをマスクにしてエッチングを行うことにより、このエッチングが進行するにつれてある程度レジストもエッチングされるが、この補助膜のエッチング耐性作用によってその影響が位相シフト膜のパターンを仕切る境界面には及ばないようにすることができる。これにより、位相シフト膜パターンの位相シフト部の光通過部に対する境界面が透明基板表面に対して垂直になるように形成することが可能になる。また、構成２ないし３によれば、遮光性膜パターンを備えた位相シフトマスクを得る際に構成１の方法を適用することができる。さらに、構成４によれば、半透光膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクを得る場合に構成１の方法を適用することができ、
構成５、６
　【００１４】
　さらに、
構成７によれば、構成１ないし６
構成８によれば、構成４〜６の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ることができ、構成９によれば、構成８の位相シフトマスクブランクを
　【００１５】
　【実施例】
　（実施例１）図１ないし図６は本発明の実施例１にかかる位相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。以下、これらの図面を参照にしながら実施例１の位相シフトマスクの製造方法を説明する。なお、この実施例はハーフトーン型位相シフトマスクを製造する例である。また、位相シフトマスクブランクは位相シフトマスクを製造する途中の工程で得られるものであるので、この位相シフトマスクの製造方法の説明とあわせて説明する。製造工程の要旨は基板に位相シフト膜及び補助膜を含む膜を形成する成膜工程によって位相シフトマスクブランクを製造した後、これにパターン化処理を施すパターン形成工程によって位相シフトマスクを得るものである。以下、詳述する。
　【００１６】
　位相シフトマスクブランクの製造
　主表面を鏡面研磨した石英ガラス基板（寸法；縦５×横５×厚さ０．０９インチ）１上に、スパッタリング法によりＣｒ膜を膜厚１７ｎｍに成膜し、波長３６５ｎｍの露光光に対する光透過率が１５％である半透光膜３０を形成する。
　【００１７】
　次に、この半透光膜３０の上にＳｉＯ２系被覆膜形成用塗布液（例えば、アライドシグナル社製のアキュグラス＃３１１スピンオングラス（商品名）がある。）を滴下し、スピンコート法により全面に拡げ、その後焼成してバインダーの有機化合物を揮発させて、厚さ３７０ｎｍのＳＯＧ（スピン・オン・グラス）からなる位相シフト膜２０を形成する。この位相シフト膜２０は、上記露光光が上記半透光膜３０とこの位相シフト膜２０とを重ねた膜を通過したとき、その露光光の位相を１８０°シフトさせるものである。
　【００１８】
　次いで、この位相シフト膜２０上に、半透光膜３０と同じ材料であるＣｒをスパッタリング法で膜厚２０ｎｍに成膜して補助膜４０を形成して位相シフトマスクブランク１００を得る（図１参照）。
　【００１９】
　こうして得た位相シフトマスクブランク１００は、透明基板１の上に半透光膜３０、位相シフト膜２０及び補助膜４０が順次形成されたものである。
　【００２０】
　パターン形成工程
　次に、上記位相シフトマスクブランク１００の補助膜４０の上に、ポジ型電子線レジスト（例えば、東レ株式会社製のＥＢＲー９ＨＳー３１（商品名）がある。）を膜厚５５０ｎｍに塗布し、ベークした後、このレジストに所定のパターンの電子線露光を施し、現像してレジストパターン５を形成する（図２参照）。
　【００２１】
　次に、このレジストパターン５をマスクにして、所定のエッチング液により補助膜４０をエッチングして補助膜パターン４を形成する（図３参照）。
　【００２２】
　次に、このレジストパターン５及び補助膜パターン４をマスクにして、位相シフト膜２０をドライエッチングして位相シフト膜パターン２を得る（図４参照）。なお、このドライエッチングは、反応性ドライエッチング方式（ＲＩＥ）の平行平板型装置を用いる。その場合の条件は、エッチングガスとしてＣＦ４とＯ２との混合ガスを用い、ガス圧を０．１Ｔｏｒｒとし、高周波出力を２００Ｗとする。
　【００２３】
　次いで、残存レジストパターンを熱濃硫酸で除去し（図５参照）、しかる後、所定のエッチング液を用い、位相シフト部２ｂ上に残存する補助膜４をエッチングにより除去すると同時に、半透光膜３０のうち非シフト部２ａの下方の領域の部分をエッチングして除去して透光部３ａと半透光部３ｂとからなる半透光膜パターン３を形成し、位相シフトマスク１０を得る（図６参照）。
　【００２４】
　上述の実施例によって製造した位相シフトマスク１０においては、半透光部３ｂの透過率が１５％である。すなわち、半透光部３ｂでは実質的に露光に寄与しない強度の光を通過させる。また、この半透光部３ｂの上には位相シフト部２ｂが形成されている。この位相シフト部２ｂは、記露光光が上記半透光部３ｂとこの位相シフト部２ｂとを重ねた膜を通過したときその露光光の位相を１８０°シフトさせる位相シフト機能を担うものである。したがって、本実施例で得られた位相シフトマスク１０を用いてパターン転写を行うと、光通過部３ａ（非シフト部２ａ）と半透光部３ｂ（位相シフト部２ｂ）とを通過する光の位相が互いに１８０°ずれているので、これらの境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあい、境界部のコントラストが良好に保持される。
　【００２５】
　また、本実施例の位相シフトマスクの製造方法によれば、位相シフト膜２０のエッチングの時、エッチングと共にレジストパターンが後退しても補助膜パターン４によって位相シフト膜パターン２のパターン境界端部がエッチングされるのが防止され、位相シフト膜パターン２のパターン境界面の断面形状がテーパ状になるのを防止できる。その場合、位相シフト膜２０のエッチングの際に、後退したレジストパターンから露出した補助膜パターン４の端部がエッチングにより多少のダメージを受けるおそれがあるが、補助膜パターン４は最終的に除去してしまうので、得られる位相シフトマスク１０には何等影響を及ぼすことはない。
　【００２６】
　また、本実施例においては、補助膜パターン４は、半透光膜３０と同一材料で構成してあるので、半透光膜３０にパターンを形成するエッチング処理の際に同時に除去することができるので、工程が簡略化でき、さらに両者の膜厚をほぼ同じエッチング時間でエッチングされるような膜厚に設定していることから、補助膜パターン４の除去程度を目視することにより、半透光膜３０のエッチング時間をコントロールすることができる。
　【００２７】
　また、本実施例においては、半透光膜３０及び補助膜４０を導電性を供えたクロムで構成し、しかも、補助膜４０はレジスト膜のすぐ上に形成されることから、レジストパターンを電子線露光する際の帯電を極めて効果的に防止でき、帯電に起因するパターン欠陥の発生を抑えることもできる。
　【００２８】
　（実施例２）
　図７ないし図９は実施例２かかる位相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。以下、これらの図を参照にしながら実施例２を説明する。なお、この実施例はクロムレス型位相シフトマスクの製造に本発明の方法を適用した例である。
　【００２９】
　まず、透明基板２１上に、例えば酸化スズ−アンチモン（Ｓｎｘ　Ｓｂｙ　Ｏｚ）からなる膜厚１５０オングストロームのエッチング停止膜６、ＳＯＧ（スピン・オン・グラス）からなる膜厚４０７０オングストロームの位相シフト膜２２０、例えばクロムからなる補助膜２４０を成膜して位相シフトマスクブランク２００を製造する（図７参照）。
　【００３０】
　次に、補助膜２４０上にレジストパターン２５を形成し、そのレジストパターン２５に沿って、補助膜２４０、位相シフト膜２２０を順次エッチングして補助膜パターン２４及び位相シフト膜パターン２２形成する（図８参照）。
　【００３１】
　次いで、残存レジストパターンを剥離し、さらに残存補助膜を剥離してハーフトーン型位相シフトマスク２０を得る（図９参照）。この実施例も上述の実施例１と同様の利点がある。
　【００３２】
　（実施例３）
　図１０ないし図１２は実施例３かかる位相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。以下、これらの図を参照にしながら実施例３を説明する。なお、この実施例はエッジ強調型位相シフトマスクの製造に本発明の方法を適用した例である。
　【００３３】
　図１０に示されるように、透明基板３１上にエッチング停止膜６、遮光性膜パターン３３、位相シフト膜３２０、補助膜３４０を順次形成して位相シフトマスクブランク３００を得る。
　【００３４】
　次に、補助膜３４０上にレジストパターン３５を形成し、そのレジストパターン３５に沿って、補助膜３４０、位相シフト膜３２０を順次エッチングして補助膜パターン３４及び位相シフト膜パターン３２を形成する（図１１参照）。
　【００３５】
　次いで、残存レジストパターン及び残存補助膜を剥離して、位相シフト部３２ｂと非シフト部３２ａとの境界面が透明基板３１に対して垂直なエッジ強調型位相シフトマスク３０を得る（図１２参照）。
　【００３６】
　（実施例４）
　図１３は実施例４かかる位相シフトマスクの製造方法によって製造したエッジ強調型位相シフトマスクの構成を示す断面図である。
　【００３７】
この実施例のエッジ強調型位相シフトマスク４０は実施例３の例に対して、いわば、位相差の関係を逆にしたタイプのものであるが、実施例３とほぼと同様の方法で製造することができ、同様の効果を得ることができる。但し、本実施例の場合は、例えば遮光性膜パターン４２をクロムで構成した場合には、補助膜（図示せず）をＡ１で構成するというように、補助膜を除去するときに、遮光性膜パターンが除去されないような材料の組み合わせを選択する必要がある。
　【００３８】
　（実施例５）
　図１４ないし図１６は実施例５かかる位相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。この実施例もエッジ強調型位相シフトマスクにかかるものである。
　【００３９】
　図１４に示されるように、透明基板５１上にエッチング停止膜６、位相シフト膜５２０、遮光性膜パターン５３、補助膜５４０を順次形成して位相シフトマスクブランク５００を得る。
　【００４０】
　次に、補助膜５４０上にレジストパターン５５を形成し、そのレジストパターン５５に沿って、補助膜５４０、位相シフト膜５３０を順次エッチングして補助膜パターン５４及び位相シフト膜パターン５２を形成する（図１５参照）。
　【００４１】
　次いで、残存レジストパターン及び残存補助膜を剥離して、位相シフト部５２ｂと非シフト部５２ａとの境界面が透明基板５１に対して垂直なエッジ強調型位相シフトマスク５０を得る（図１６参照）。この実施例においても、実施例４と同様に補助膜を除去するときに、遮光性膜パターンが除去されないような材料の組み合わせを選択する必要がある。
　【００４２】
　（実施例６）
　図１７は実施例６かかる位相シフトマスクの製造方法によって製造した位相シフトマスクの構成を示す断面図である。
　【００４３】
　この実施例の位相シフトマスク６０は、高密度のラインアンドスペースパターンたる遮光性膜パターン６３の隣り合う光通過部６３ａ（スペース）に交互に位相シフト部６２ｂを配置することにより、遮光部６３ｂの影の部分まで回り込んだ露光光が相殺されるようにしたタイプのものである。このタイプのものは、位相シフト部６２ｂと非シフト部６２ａとの境界部が遮光部６３ｂの上に位置しているので、境界面がテーパ状であっても直接の影響はないが、境界面のテーパ状部が位相シフト部６２ａの部分まで延長されるおそれがあり、これによって、この部分の厚さが場所によって異なるおそれがでてくる。それゆえ、結果的に、境界面を透明基板６１に対して垂直に形成する必要があることは先の各実施例の場合と同様である。この実施例の位相シフトマスクは、実施例２とほぼと同様の方法で製造することができる。但し、本実施例も補助膜を除去するときに、遮光性膜パターンが除去されないような材料の組み合わせを選択する必要がある。
　【００４４】
　なお、本発明は、特に位相シフト部の少なくともエッジ部分が露出しており、その断面形状の善し悪しが直接転写パターンのコントラストに影響を及ぼすような位相シフトマスクの製造に特に適していることは勿論である。
　【００４５】
　なお、本発明においては、半透光膜はクロムのみからなるものに限らず、クロムに酸化クロム、窒化クロム、炭化クロム等を含むものでもよい。さらに、上記実施例では半透光膜と補助膜とが共にクロムからなる場合についてのべたが、半透光膜と補助膜とは必ずしも同材料でなくてもよい。例えば、半透光膜としてはモリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうち１または２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／または酸素を含有させたものを用いることができ、前記半透光膜または上記クロムを主成分とする半透光膜とＣｒ，Ａｌ，Ｔｉ等の金属などの位相シフト膜のエッチングの選択比が高い材料からなる補助膜とを組み合わせたものであってもよい。その場合は、まず半透光膜のエッチングを行い、次に残存補助膜の除去を行うとよい。
　【００４６】
　また、上記実施例では、半透光膜のエッチングと残存補助膜の除去を所望のエッチング液を用いたウェットエッチングで行ったが、ドライエッチングを用いてもよい。
　【００４７】
　また、位相シフト膜形成の際のドライエッチングの用いるエッチングガスとしては、上記実施例の他にＣＨＦ３，Ｃ２Ｆ６，ＳＦ６のいずれか一種またはこれらの混合ガス、あるいはこれらにＯ２ガスを加えた混合ガスを用いてもよい。
　【００４８】
　さらに、上記実施例ではレジストパターンを形成する際に、電子線描画によりパターンを形成する場合をあげたが、これは例えばフォトマスクを用いた露光方法であってもよい。その場合には、その露光方法に応じたレジストを用いることは勿論である。
　【００４９】
　また、上記実施例では、位相シフト層はＳＯＧによって形成したが、ＳｉＯ２をスパッタリング法等の薄膜形成法によって形成するようにしてもよい。
　【００５０】
　さらに、半透光膜の透過率は、被転写体の露光感度によるが、通常１〜５０％の範囲に設定される。このような透過率は、半透光膜を上記実施例の場合のように、Ｃｒで構成した場合には、その膜厚を１０〜２００ｎｍにすればよい。
　【００５１】
　また、透明基板としては、石英ガラス以外に、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス等の他のガラスを用いてもよい。
　【００５２】
　【発明の効果】
　以上詳述したように、本発明の位相シフトマスクの製造方法は、透明基板上に位相シフト部を形成するための位相シフト膜を含む膜を形成する成膜工程に、位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、位相シフト部の輪郭を仕切る境界面をほぼ透明基板表面に対して垂直に形成できるようにしたものであり、本発明の位相シフトマスクブランクは、本発明の方法に用いることができる位相シフトマスクブランクを得ているものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　実施例１の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図２】
　実施例１の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図３】
　実施例１の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図４】
　実施例１の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図５】
　実施例１の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図６】
　実施例１の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図７】
　実施例２の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図８】
　実施例２の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図９】
　実施例２の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１０】
　実施例３の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１１】
　実施例３の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１２】
　実施例３の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１３】
　実施例４の位相シフトマスクの製造方法で製造した位相シフトマスクの構成を示す断面図である。
　【図１４】
　実施例５の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１５】
　実施例５の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１６】
　実施例５の位相シフトマスクの製造工程説明図である。
　【図１７】
　実施例６の位相シフトマスクの製造方法で製造した位相シフトマスクの構成を示す断面図である。
　【図１８】
　エッジ強調型位相フトマスクの構成を示す断面図である。
　【図１９】
　クロムレス型位相シフトマスクの構成を示す断面図である。
　【図２０】
　ハーフトーン型位相シフトマスクの構成を示す断面図である。
　【図２１】
　従来の位相シフトマスクの製造方法の説明図である。
　【符号の説明】
　１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９１…透明基板、２，２２，５２，６２，７２，８２，９２…位相シフト膜パターン、３，９３…半透光膜パターン、２３０……遮光性膜、４，２４，３４，５４…補助膜パターン、５，２５，３５，５５…レジストパターン、６…エッチング停止膜、１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０…位相シフトマスク、２０，２２０，３２０，５２０…位相シフト膜、３０…半透光膜、４０，２４０，３４０，５４０…補助膜、３３，４３，５３，６３，７３……遮光性膜パターン、１００，２００，３００，５００…位相シフトマスクブランク。