【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱成形法、好ましくは、真空成形法において基体を多層加飾フィルムでオーバーレイする方法であって、前記方法が、
（ｉ）ハードコート層（Ａ）、接着層（Ｄ）、ベースフィルム層、及び層（Ａ）と層（Ｄ）の間に必要に応じて意匠層を含む多層加飾フィルムを準備する工程であって、接着層（Ｄ）が、少なくとも１つの潜在的反応性接着剤を含む、工程と、
（ｉｉ）前記加飾フィルムの接着層（Ｄ）を基体表面に適用する工程と、
（ｉｉｉ）７０℃以上に加熱することによって前記基体を前記加飾フィルムでオーバーレイする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
基体が、３次元基材であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｉｉｉ）において７０℃以上に加熱することを、５秒〜５分間、好ましくは、５秒〜１２０秒間、より好ましくは１０秒〜９０秒間で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
多層フィルムが、ハードコート層（Ａ）、ベースフィルム層（Ｂ）、必要に応じて意匠層（Ｃ）、及び接着層（Ｄ）を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記方法が、真空成形における型の構造中で内部に空洞孔及び真空孔を必要としない真空成形法であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記方法が、圧縮空気による更なる処理によって成功する真空成形法であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
多層加飾フィルムの接着層（Ｄ）が、少なくとも４０℃よりも高い融点又はガラス転移温度を有し且つ２００μｍ以下の粒子寸法を有する固体の好ましくは表面不活性化された少なくとも１つのポリイソシアネート（Ｄ１）、及び少なくとも１つのイソシアネート反応性ポリマー（Ｄ２）を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｉ）で準備される多層加飾フィルムの接着層（Ｄ）を、
（ａ）少なくとも１つの好ましくは表面不活性化されたポリイソシアネート（Ｄ１）と、水中に懸濁または溶解した少なくとも１つのイソシアネート反応性ポリマー（Ｄ２）との水性分散物を混合する工程； 
（ｂ）工程（ａ）の分散物を基材上に堆積し、層を形成する工程；及び
（ｃ）ポリイソシアネート（Ｄ１）の反応温度よりも低い温度で、前記方法の工程（ｂ）で得られた層から水を除去し、潜在的反応性を有する固体の接着層を製造する工程、
により製造することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ハードコート層（Ａ）、接着層（Ｄ）、ベースフィルム層、及び層（Ａ）と層（Ｄ）との間に必要に応じて意匠層を含む多層フィルムである多層加飾フィルムであって、接着層（Ｄ）が、少なくとも４０℃よりも高い融点又はガラス転移温度を有し且つ２００μｍ以下の粒子寸法を有する固体の好ましくは表面不活性化された少なくとも１つのポリイソシアネート（Ｄ１）、及び少なくとも１つのイソシアネート反応性ポリマー（Ｄ２）を含むことを特徴とする多層加飾フィルム。
【請求項１０】
多層加飾フィルムが、ハードコート層（Ａ）、ベースフィルム層（Ｂ）、必要に応じて意匠層（Ｃ）、及び接着層（Ｄ）を含むことを特徴とする請求項９に記載の多層加飾フィルム。
【請求項１１】
少なくとも１つのイソシアネート反応性ポリマー（Ｄ２）が、結晶性又は部分的結晶性のポリウレタンポリマーであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の多層加飾フィルム。
【請求項１２】
表面不活性化されたポリイソシアネート（Ｄ１）の反応温度が、４０℃〜２２０℃の範囲内、好ましくは、４０℃〜１８０℃の範囲内、より好ましくは、５０℃〜１５０℃の範囲内であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の多層加飾フィルム。
【請求項１３】
固体の好ましくは表面不活性化されたポリイソシアネート（Ｄ１）の粒子寸法が、０．１μｍ〜５０μｍ、好ましくは、０．５μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の多層加飾フィルム。
【請求項１４】
真空成形及び必要に応じて追加的な圧空成形における型の構造中で内部に空洞孔および真空孔を必要としない３次元オーバーレイ法用加飾フィルムに要求される、１０％〜１０００％、好ましくは５０％〜１０００％の伸び率、５０ｋｇ／ｃｍ２〜１０００ｋｇ／ｃｍ２の引張強さ、７０℃〜２２０℃、好ましくは、７０℃〜２００℃の加工温度、５０Ｎ／２５ｍｍ以上の接着性、及び８０℃で９８％ＲＨの条件下で１週間以上の耐久性を有することを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の多層加飾フィルム。
【請求項１５】
基体をオーバーレイするために加熱成形法、好ましくは、真空成形法における請求項９〜１４のいずれか１項に記載の多層加飾フィルムの使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
１つの実施態様として、反応温度が４０℃〜２２０℃の範囲内において、好ましくは４０℃〜１８０℃の範囲内において、更に好ましくは５０℃〜１５０℃の範囲内において、最も好ましくは７０℃〜１５０℃の範囲内において、好ましくは表面不活性化されたポリイソシアネート（Ｄ１）を用いて接着層（Ｄ）を形成する方法において、
（ａ）少なくとも１つの好ましくは表面不活性化されたポリイソシアネート（Ｄ１）と、水中に懸濁または溶解した少なくとも１種のイソシアネート反応性ポリマー（Ｄ２）との水性分散物を混合する方法；
（ｂ）前記方法（ａ）の分散物を基材上に堆積し、所定の厚さを有する層を形成する方法；および
（ｃ）ポリイソシアネートの反応温度よりも低い温度で、前記方法（ｂ）で得られた層から水を除去し、貯蔵安定で且つ潜在的反応性を有する実質的に乾燥した固体の層（接着層）を製造する方法、
によって接着層（Ｄ）が形成され得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
好適なジアリールカーボネートは、例えば、ジフェニルカーボネート、メチルフェニルフェニルカーボネート及びジ−（メチルフェニル）カーボネート、４−エチルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−エチルフェニル）カーボネート、４−ｎ−プロピルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−ｎ−プロピルフェニル）カーボネート、４−イソ−プロピルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−イソ−プロピルフェニル）カーボネート、４−ｎ−ブチルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−ｎ−ブチルフェニル）カーボネート、４−イソ−ブチルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−イソ−ブチルフェニル）カーボネート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルフェニルカーボネート、ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）カーボネート、４−ｎ−ペンチルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−ｎ−フェニルフェニル）カーボネート、４−ｎ−ヘキシルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）カーボネート、４−イソ−オクチルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−イソ−オクチルフェニル）カーボネート、４−ｎ−ノニルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−ｎ−ノニルフェニル）カーボネート、４−シクロヘキシルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−シクロヘキシルフェニル）カーボネート、４−（１−メチル−１−フェニルエチル）−フェニルフェニルカーボネート、ジ−［４−（１−メチル−１−フェニルエチル）−フェニル］カーボネート、ビフェニル−４−イル  フェニルカーボネート、ジ（ビフェニル−４−イル）カーボネート、４−（１−ナフチル）−フェニルフェニルカーボネート、４−（２−ナフチル）−フェニルフェニルカーボネート、ジ−［４−（１−ナフチル）−フェニル］カーボネート、ジ−［４−（２−ナフチル）−フェニル］カーボネート、４−フェノキシフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−フェノキシフェニル）カーボネート、３−ペンタデシルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（３−ペンタデシルフェニル）カーボネート、４−トリチルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−トリチルフェニル）カーボネート、メチル−サリチラートフェニルカーボネート、ジ−（メチル−サリチラート）カーボネート、エチル−サリチラートフェニルカーボネート、ジ−（エチル−サリチラート）カーボネート、ｎ−プロピル−サリチラートフェニルカーボネート、ジ−（ｎ−プロピル−サリチラート）カーボネート、イソ−プロピル−サリチラートフェニルカーボネート、ジ−（イソ−プロピル−サリチラート）カーボネート、ｎ−ブチル−サリチラートフェニルカーボネート、ジ−（ｎ−ブチル−サリチラート）カーボネート、イソ−ブチル−サリチラートフェニルカーボネート、ジ−（イソ−ブチル−サリチラート）カーボネート、ｔｅｒｔ−ブチル−サリチラートフェニルカーボネート、ジ−（ｔｅｒｔ−ブチル−サリチラート）カーボネート、ジ−（フェニル−サリチラート）カーボネート及びジ−（ベンジル−サリチラート）カーボネートである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
特に好適なジアリール化合物は、ジフェニルカーボネート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルフェニルカーボネート、ジ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）カーボネート、ジフェニル−４−イル  フェニルカーボネート、ジ−（ビフェニル−４−イル）カーボネート、４−（１−メチル−１−フェニルエチル）−フェニルフェニルカーボネート、ジ−［４−（１−メチル−１−フェニルエチル）−フェニル］カーボネート及びジ−（メチル−サリチラート）カーボネートである。