【事件の表示】
　特願２００７−５３６２６６「エレクトロルミネッセンスデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月２０日国際公開、ＷＯ２００６／０４０５９３、平成２０年　５月２２日国内公表、特表２００８−５１７４５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００５年１０月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１０月１５日、英国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年４月９日付け及び平成２４年４月１９日付けで手続補正がなされ、平成２５年１月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月２２日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　なお、請求人は、当審における平成２５年１０月４日付け審尋に対して同年１２月２４日付けで回答書を提出している。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２５年５月２２日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、平成２５年５月２２日付けで補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
　なお、当該請求項１は、平成２４年４月１９日付け手続補正によって補正された請求項８において、請求項１の記載を引用したものにおいて、「前記エレクトロルミネッセンス材料は、以下の」との文言を誤記の訂正を目的として、「前記
有機
　
「(i) アノードである第1の電極、
(ii) p型半導体である無機正孔注入材料でできた層、
(iii) 有機正孔輸送材料でできた層、
(iv) 有機エレクトロルミネッセンス材料でできた層、及び
(v) カソードである第2の電極
を備え、
　前記有機エレクトロルミネッセンス材料は、以下の（a）〜（j）から選択されるものであって、
(a)以下の式の有機金属錯体と、
　　【化１】
ここでLα及びLpは有機配位子、Mは希土類、遷移金属、ランタニド、またはアクチニド、ｎは金属Mの原子価状態であり、配位子Lαは同一のものまたは異なるものであり、随意に、同一のものまたは異なるものである複数の配位子Lpを有し、
(b) 構造式(Ln)nM1M2、または(Ln)nM1M2(Lp)の有機金属錯体と、
ここでLnはLα、Lpは中性配位子、M1は希土類、遷移金属、ランタニド、またはアクチニド、M2は非希土類金属であり、nはM1及びM2の原子価状態の合計であり、
(c)以下の式の二核、三核、または多核の有機金属錯体と、
　　【化２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　または
　　【化３】
ここでLは架橋配位子、M1は希土類金属、M2はM1であるかまたは非希土類金属、Lm及びLnは前記Lαと同一のものまたは異なる有機配位子であり、xはM1の原子価状態、そしてyはM2の原子価状態であり、または、
　　【化４】
または
　　【化５】
ここでM1、M2、及びM3は同一または異なる希土類金属、Lm、Ln、及びLpは有機配位子Lαであり、xはM1の原子価状態、そしてyはM2の原子価状態、zはM3の原子価状態、LpはLm及びLnと同一または異なるものであり、または、
　　【化６】
または
　　【化７】
または
　　【化８】
または
　　【化９】
または
　　【化１０】
または
　　【化１１】
であって、ここで、M4はM1、Lは架橋配位子を表し、前記希土類金属および前記非希土類金属は金属−金属結合、及び/または中間架橋原子、配位子、または分子基を通して、結合されてもよく、または、金属−金属結合、及び/または中間配位子を通して3つ以上の金属が結合され、
(d)金属キノラートと、
(e)エレクトロルミネセント非希土類金属錯体と、
(f)以下の構造式の金属錯体と、
　　【化１２】
ここでMは希土類、遷移金属、ランタニド、又はアクチニド以外の金属、nはMの価数、R1、R2、及びR3は同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、ヒドロカルビル基、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造、フルオロカーボン基、ハロゲン類、あるいはチオフェニル基、またはニトリル基から選択されるものであり、また、R1及びR3は環式構造を形成することもでき、また、R1、R2、及びR3は例えばスチレンであるモノマーと共にコポリマーとすることもでき、好ましくは、Mはアルミニウム、R3はフェニルまたはフェニル基であり、
(g) 下記の構造式のジイリジウム化合物と、
　　【化１３】
ここでR1、R2、R3、及びR4は同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、置換および非置換ヒドロカルビル基から選択され、
(h) 下記の構造式の硼素化合物と、
　　【化１４】
ここで、Ar1は硼素と配位結合を形成する環窒素原子を有し、オプションとして窒素原子は隣同士にならないという条件の下で一つまたは複数の別の環窒素原子を有する置換および非置換単環または多環式へテロアリール基から選択される基を表し、X及びZは炭素原子および窒素原子から選択され、Yは炭素原子及び、X及びZが窒素でない場合には窒素原子から選択され、置換基がある場合には置換および非置換ヒドロカルビル基、置換及び非置換ヒドロカルビルオキシ基、フルオロカーボン基、ハロ基、ニトリル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、またはチオフェニル基から選択され、Ar2はオプションとして一つまたは複数が置換及び非置換ヒドロカルビル基、置換及び非置換ヒドロカルビルオキシ基、フルオロカーボン基、ハロ基、ニトリル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基またはチオフェニル基から選択された基で置換された、単環及び多環式アリール基、並びにヘテロアリール基、から選択されるものを表し、R1は水素原子
、または置換および非置換ヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基、及びハロ基から選択され、R2及びR3はそれぞれがアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基、ハロアルキル基、ハロ基、並びに、オプションとしてアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基、ハロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリロキシ基、ハロ基、硝酸基、アミノ基、アルキルアミノ基、またはジアルキルアミノ基から選択されたひとつもしくは複数の部分で置換された、単環、多環、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、及びヘテロアラルキル基、のうちから選択される部分を表し、
(i) 下記の構造式の化合物と、
　　【化１５】
ここで、R1、R2、R3、R4、R5、およびR6は、同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造、フルオロカーボン基、ハロゲン類、あるいはチオフェニル基、から選択されるものであり、；さらに、R1、R2、およびR3が、置換および非置換の縮合芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造を形成することもでき、例えばスチレンであるモノマーと共にコポリマーとすることもでき、そしてR4、およびR5は、同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造、フルオロカーボン基、ハロゲン類、あるいはチオフェニル基、から選択されるものであり, さらに、R1、R2、およびR3が、置換および非置換の縮合芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造を形成することもでき、モノマーと共にコポリマーとすることができ、Mはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、または白金のいずれかであり、n+2はMの価数であり、
(j) 下記の構造式のエレクトロルミネッセンス化合物と、
　　【化１６】
ここで、Mは金属、nはMの価数、RならびにR1は、同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造、フルオロカーボン基、ハロゲン類、チオフェニル基、シアノ基、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の脂肪族基、から選択される
　ことを特徴とする、エレクトロルミネッセンスデバイス。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１９６４９２号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が図とともに記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
（１）「２．特許請求の範囲
　（１）
基板上に第一電極層，正孔伝導層，発光層，第二電極層の順に形成せられた発光素子であって、該発光層は希土類金属の有機錯体の薄膜よりなる
発光素子
　
（２）「〔技術分野〕
　本発明は、電荷注入を行う電界発光素子（
エレクトロルミネッセンス
素子
　
（３）「〔発明の開示〕
　すなわち、本発明は、基板上に第一電極層，正孔伝導層，発光層，第二電極層の順に形成せられた発光素子であって、該発光層は希土類金属の有機錯体の薄膜よりなることを特徴とする発光素子である。
　第１図はその一つの実施の形態を示すものである。透明な基板１，透明導電性薄膜層２，金属電極薄膜層５を備えており、これら２つの電極２，５層間に、正孔伝導層３，発光層４，を設けた発光素子である。
　本発明における発光層は、ＥＬ性能つまり単色性および発光効率の顕著な改善により特徴ずけられるものである。該発光層は、希土類金属の有機錯体の薄膜よりなることが重要なことである。
　以下に希土類金属の有機錯体を説明する。
　本発明において使用する希土類金属としては、イットリウム（Ｙ），ランタン（Ｌａ），セリウム（Ｃｅ），プラセオジム　（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），プロメチウム（Ｐｍ），サマリウム（Ｓｍ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ），エルビウム（Ｅｒ），ツリウム（Ｔｍ），イッテルビウム（Ｙｂ），ルテチウム（Ｌｕ）があるが、なかでも　セリウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），プロメチウム（Ｐｍ），サマリウム（Ｓｍ），ユーロピウム（Ｅｕ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ），エルビウム（Ｅｒ），ツリウム（Ｔｍ），イッテルビウム（Ｙｂ）が好ましい。これら金属の２価、３価あるいは４価イオンが用いられる。
　本発明における有機物の配位子としては、アセチルアセトン，ジヘンゾイルメタン，２−テノイルトリフロロアセトンのようなβ−ジケトン基を有するもの、ｏ−ベンゾイル安息香酸，サリチル酸、ｏ−フタル酸のようなカルボン酸基を有するもの、サリチルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシアセトフェノン、ｏ−ヒドロキシベンゾフェノンのヒドロキシル基に隣接したケトン基あるいはアルデヒド基を有するもの、８−ヒドロキシキノリンや５，７−ジブロムオキシンのようなオキシン類，２．２’−ビピリジン、２，２’，２”−トリピリジン，１，１０−フェナントロリンのようなピリジン類，クラウンエーテル類などがあり、これらの配位子は単独あるいは混合して用いられる。
　上記有機錯体薄膜は非晶質、微結晶、微結晶を含む非晶質、多結晶、単結晶薄膜の形態で用いられる。なお、薄膜の厚みは特に限定するものではないが、通常５０〜５０００Å程度が採用される。勿論、この外の範囲も使用することは可能である。
　当該の薄膜は、真空莫着法などの各種の物理的または化学的な薄膜形成法などで形成されるほか、昇華法や、塗布法なども有効に用いられる。
　本発明における
正孔伝導層
は、無機半導体薄膜やアミン系の有機化合物薄膜や、ポリビニルカルバゾール、ポリピロールやポリチオフェンなどの導電性高分子薄膜やそれらの積層薄膜を用いることができ
薄膜形成に有用な無機半導体材料は、Ｃ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎなどの一元系の半導体、ＳｉＣなどの二元系ＩＶ−ＩＶ族半導体，ＡｌＳｂ，ＢＮ，ＢＰ，ＧａＮ，ＧａＳｂ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰなどのＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＺｎＯ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族半導体材料など、さらに多元系の化合物半導体材料などである
無機半導体薄膜は、その薄膜自体が正孔伝導性をもつように、ドーピングなどを行いｐ型にして用いられる
　本発明における二つの電極層としては、金属，合金，金属酸化物，金属シリサイドなど、またはそれらの１種類または２種類以上の積層薄膜が用いられる。より好ましくは、接触している薄膜への電子または正孔の注入効率のよい材料が選択される。
例えば、
ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ　無機半導体薄膜からなる正孔伝導層
　
第一電極層は、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ　半導体薄膜へ正孔注入効率のよい電極材料をもちいるとよい
　一方、
第二の電極層は、希土類金属の有機錯体の薄膜に電子を注入する
　電極層の厚みは、特に限定するものではないが、通常、１０００Å〜１００００Å程度である。
　本発明の素子は、特定の希土類金属を選択することにより、それに応じた、青、緑、赤の発色をシャープに行わせることが出来る。したがって、かかる青、緑、赤の三原色の発光素子をセグメント状に平面的に並べてカラー表示用の部材として好適に用いることができ、その産業上の利用可能性は極めて大きいと言わねばならない。」（２頁右上欄１０行〜３頁右下欄１９行）
　
（４）上記（１）ないし（３）からみて、引用例１には、
「基板上に第一電極層，正孔伝導層，発光層，第二電極層の順に形成されたエレクトロルミネッセンス素子であって、
　前記発光層が希土類金属の有機錯体の薄膜よりなり、
　前記正孔伝導層は、無機半導体薄膜やアミン系の有機化合物薄膜や、ポリビニルカルバゾール、ポリピロールやポリチオフェンなどの導電性高分子薄膜やそれらの積層薄膜を用いることができ、前記無機半導体薄膜の形成に有用な無機半導体材料は、Ｃ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎなどの一元系の半導体、ＳｉＣなどの二元系ＩＶ−ＩＶ族半導体，ＡｌＳｂ，ＢＮ，ＢＰ，ＧａＮ，ＧａＳｂ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰなどのＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＺｎＯ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族半導体材料など、さらに多元系の化合物半導体材料などであり、前記無機半導体薄膜は、その薄膜自体が正孔伝導性をもつように、ドーピングなどを行いｐ型にして用いられ、例えば、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ　無機半導体薄膜からなり、
　前記第一電極層は、無機半導体薄膜へ正孔注入効率のよい電極材料がもちいられ、前記第二電極層は、希土類金属の有機錯体の薄膜に電子を注入する
　エレクトロルミネッセンス素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「『無機半導体薄膜へ正孔注入効率のよい電極材料』がもちいられる『第一電極層』」、「『希土類金属の有機錯体の薄膜』よりなる『発光層』」、「『希土類金属の有機錯体の薄膜に電子を注入する』『第二電極層』」及び「エレクトロルミネッセンス素子」は、それぞれ、本願発明の「アノードである第1の電極」、「有機エレクトロルミネッセンス材料でできた層」、「カソードである第2の電極」及び「エレクトロルミネッセンスデバイス」に相当する。
　
（２）引用発明の「正孔伝導層」と本願発明の「p型半導体である無機正孔注入材料でできた層」及び「有機正孔輸送材料でできた層」とからなる層は、両者とも、「アノードである第一電極層（『無機半導体薄膜へ正孔注入効率のよい電極材料』がもちいられる『第一電極層』）」から注入された正孔を「有機エレクトロルミネッセンス材料でできた層（『希土類金属の有機錯体の薄膜』よりなる『発光層』）」まで輸送するものであり、正孔を輸送する材料からなるものであるから、引用発明の「正孔伝導層」と本願発明の「p型半導体である無機正孔注入材料でできた層」と「有機正孔輸送材料でできた層」とからなる層とは、「正孔輸送材料でできた層」で一致する。
　
（３）上記（１）及び（２）から、本願発明と引用発明１とは、
「アノードである第1の電極、
正孔輸送材料でできた層、
有機エレクトロルミネッセンス材料でできた層、及び
カソードである第2の電極
を備えたエレクトロルミネッセンスデバイス。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：
　前記「正孔輸送材料でできた層」が、
　本願発明では、「p型半導体である無機正孔注入材料でできた層」と「有機正孔輸送材料でできた層」とからなるのに対して、
　引用発明では、無機半導体薄膜のみからなる点。
　
　相違点２：
　前記「有機エレクトロルミネッセンス材料」が、
　本願発明では、
「(a)以下の式の有機金属錯体と、
　　【化１】
ここでLα及びLpは有機配位子、Mは希土類、遷移金属、ランタニド、またはアクチニド、ｎは金属Mの原子価状態であり、配位子Lαは同一のものまたは異なるものであり、随意に、同一のものまたは異なるものである複数の配位子Lpを有し、
(b) 構造式(Ln)nM1M2、または(Ln)nM1M2(Lp)の有機金属錯体と、
ここでLnはLα、Lpは中性配位子、M1は希土類、遷移金属、ランタニド、またはアクチニド、M2は非希土類金属であり、nはM1及びM2の原子価状態の合計であり、
(c)以下の式の二核、三核、または多核の有機金属錯体と、
　　【化２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　または
　　【化３】
ここでLは架橋配位子、M1は希土類金属、M2はM1であるかまたは非希土類金属、Lm及びLnは前記Lαと同一のものまたは異なる有機配位子であり、xはM1の原子価状態、そしてyはM2の原子価状態であり、または、
　　【化４】
または
　　【化５】
ここでM1、M2、及びM3は同一または異なる希土類金属、Lm、Ln、及びLpは有機配位子Lαであり、xはM1の原子価状態、そしてyはM2の原子価状態、zはM3の原子価状態、LpはLm及びLnと同一または異なるものであり、または、
　　【化６】
または
　　【化７】
または
　　【化８】
または
　　【化９】
または
　　【化１０】
または
　　【化１１】
であって、ここで、M4はM1、Lは架橋配位子を表し、前記希土類金属および前記非希土類金属は金属−金属結合、及び/または中間架橋原子、配位子、または分子基を通して、結合されてもよく、または、金属−金属結合、及び/または中間配位子を通して3つ以上の金属が結合され、
(d)金属キノラートと、
(e)エレクトロルミネセント非希土類金属錯体と、
(f)以下の構造式の金属錯体と、
　　【化１２】
ここでMは希土類、遷移金属、ランタニド、又はアクチニド以外の金属、nはMの価数、R1、R2、及びR3は同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、ヒドロカルビル基、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造、フルオロカーボン基、ハロゲン類、あるいはチオフェニル基、またはニトリル基から選択されるものであり、また、R1及びR3は環式構造を形成することもでき、また、R1、R2、及びR3は例えばスチレンであるモノマーと共にコポリマーとすることもでき、好ましくは、Mはアルミニウム、R3はフェニルまたはフェニル基であり、
(g) 下記の構造式のジイリジウム化合物と、
　　【化１３】
ここでR1、R2、R3、及びR4は同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、置換および非置換ヒドロカルビル基から選択され、
(h) 下記の構造式の硼素化合物と、
　　【化１４】
ここで、Ar1は硼素と配位結合を形成する環窒素原子を有し、オプションとして窒素原子は隣同士にならないという条件の下で一つまたは複数の別の環窒素原子を有する置換および非置換単環または多環式へテロアリール基から選択される基を表し、X及びZは炭素原子および窒素原子から選択され、Yは炭素原子及び、X及びZが窒素でない場合には窒素原子から選択され、置換基がある場合には置換および非置換ヒドロカルビル基、置換及び非置換ヒドロカルビルオキシ基、フルオロカーボン基、ハロ基、ニトリル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、またはチオフェニル基から選択され、Ar2はオプションとして一つまたは複数が置換及び非置換ヒドロカルビル基、置換及び非置換ヒドロカルビルオキシ基、フルオロカーボン基、ハロ基、ニトリル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基またはチオフェニル基から選択された基で置換された、単環及び多環式アリール基、並びにヘテロアリール基、から選択されるものを表し、R1は水素原子
、または置換および非置換ヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基、及びハロ基から選択され、R2及びR3はそれぞれがアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基、ハロアルキル基、ハロ基、並びに、オプションとしてアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基、ハロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリロキシ基、ハロ基、硝酸基、アミノ基、アルキルアミノ基、またはジアルキルアミノ基から選択されたひとつもしくは複数の部分で置換された、単環、多環、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、及びヘテロアラルキル基、のうちから選択される部分を表し、
(i) 下記の構造式の化合物と、
　　【化１５】
ここで、R1、R2、R3、R4、R5、およびR6は、同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造、フルオロカーボン基、ハロゲン類、あるいはチオフェニル基、から選択されるものであり、；さらに、R1、R2、およびR3が、置換および非置換の縮合芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造を形成することもでき、例えばスチレンであるモノマーと共にコポリマーとすることもでき、そしてR4、およびR5は、同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造、フルオロカーボン基、ハロゲン類、あるいはチオフェニル基、から選択されるものであり, さらに、R1、R2、およびR3が、置換および非置換の縮合芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造を形成することもでき、モノマーと共にコポリマーとすることができ、Mはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、または白金のいずれかであり、n+2はMの価数であり、
(j) 下記の構造式のエレクトロルミネッセンス化合物と、
　　【化１６】
ここで、Mは金属、nはMの価数、RならびにR1は、同一のものであっても異なるものであってもよく、水素原子、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の芳香環、複素環、ならびに多環の環式構造、フルオロカーボン基、ハロゲン類、チオフェニル基、シアノ基、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の脂肪族基、から選択される
　以上の（a）〜（j）から選択される」ものであるのに対し、
　引用発明では、希土類金属の有機錯体からなる点。
　
５　判断
（１）上記相違点１について検討する。
　ア　陽極と発光層との間に、Ｐ型無機半導体薄膜層からなる正孔注入層と有機薄膜層からなる正孔輸送層とを順次積層した有機エレクトロルミネッセンス素子は本願の優先日前に周知である（以下「周知技術」という。例えば、原査定で引用した特開２００２−３５２９６４号公報（【０００８】、【００１０】、【００１５】には、陰極から陽極に向かって、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、芳香族アミン系化合物などからなる正孔輸送層、正孔注入の効果があるｐ型半導体性の金属酸化物を含む厚さ１０〜０．１ｎｍの層を有する有機ＥＬ素子が記載されている。）、特開平２−１３９８９２号公報（特許請求の範囲、２頁左下欄９行〜同頁右下欄１３行、３頁左上欄１８行〜同頁右上欄９行、第１図には、無機の低抵抗Ｐ型半導体を使用した場合、有機薄膜ＥＬ素子の発光効率を十分高めることができなかったことから、有機の正孔注入層を挿入することで発光効率を向上させること、即ち、透明電極（陽極）と有機蛍光体薄膜層との間に、順次、Ｐ型無機半導体薄膜層からなる正孔注入層、正孔伝導性の有機薄膜層を有する有機薄膜ＥＬ素子が記載されている。））。
　
　イ　引用発明は、正孔伝導層が無機半導体薄膜やアミン系の有機化合物薄膜や、ポリビニルカルバゾール、ポリピロールやポリチオフェンなどの導電性高分子薄膜やそれらの積層薄膜を用いることができるものであり、正孔伝導層が無機半導体薄膜と有機化合物薄膜の積層薄膜からなることについての示唆があるところ、上記アからみて、引用発明において、正孔伝導層をp型半導体である無機正孔注入材料でできた層と有機正孔輸送材料でできた層とから構成すること、すなわち、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは、当業者が周知技術に基づいて適宜なし得た程度のことである。
　
（２）上記相違点２について検討する。
　ア　原査定で引用した国際公開第０２／０９１４９３号（以下「引用例２」という。）には、当審和訳によれば、概ね有機エレクトロルミネッセンス材料として、下記(a)〜(e)のいずれかが用いられることが記載されている。
　(a)以下の式の有機金属錯体（４頁１２行〜２１行）
ここでLα及びLpは有機配位子、Mは希土類、遷移金属、ランタニド、またはアクチニド、ｎは金属Mの原子価状態であり、配位子Lαは同一のものまたは異なるものであり、随意に、同一のものまたは異なるものである複数の配位子Lpを有する。
　(b) 構造式(Lα)nM1M2、または(Lα)nM1M2(Lp)の有機金属錯体（５頁９行〜１４行）
ここでLαとLpは上記LαとLpと同じ、M1は上記Mと同じであり、M2は非希土類金属であり、nはM1及びM2の原子価状態の合計である。
　(c)以下の式の二核、三核、または多核の有機金属錯体（５頁２８行〜８頁１０行）
　
ここでLは架橋配位子、M1は希土類金属、M2はM1であるかまたは非希土類金属、Lm及びLnは前記Lαと同一のものまたは異なる有機配位子であり、xはM1の原子価状態、そしてyはM2の原子価状態である。
　
これらの錯体において、金属−金属結合が存在するか、または、M1、M2、及び、同一または異なるLm・Lnの基の間に１つまたは複数の架橋配位子が存在する。
　
以下の式のように、三核によって、金属−金属結合によって結合される３つの希土類金属があることを意味する。
または
ここでM1、M2、及びM3は同一または異なる希土類金属、Lm、Ln、及びLpは有機配位子Lαであり、xはM1の原子価状態、そしてyはM2の原子価状態、zはM3の原子価状態、LpはLm及びLnと同一または異なるものである。
　
希土類金属及び非土類金属は、金属結合及び／又は中間の架橋原子、配位子もしくは分子基を介して金属によって結合することができる。例えば、金属は架橋配位子で結合させることができる。
または
　
または
または
または
または
であって、ここで、M1、M2、M3及びM4は希土類金属1、Lは架橋配位子を表す。
　(d)リチウムキノラートなどの金属キノラート（１４頁２３行〜１５頁４行）
　(e)アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、スカンジウム錯体のような非希土類金属錯体（１４頁２３行〜１５頁４行）
　
　イ　原査定で引用した国際公開第２００４／０５０７９３号（以下「引用例３」という。）には、当審和訳によれば、概ね有機エレクトロルミネッセンス材料が、下記構造式を持つエレクトロルミネッセンス化合物（claim 1）であることが記載されている。
式中のMはアルミニウム以外の金属、nはMの原子価、R1およびR2 およびR3 は、水素、ヒドロカルビル基、置換あるいは非置換脂肪族置換基に置換されたまたは非置換の芳香族基、複素環および多環構造、トリフルオロメチル基のようなフルオロカーボン、フッ素のようなハロゲン、チオフェニル基またはニトリル、のうちから選ばれる、同一または異なる基であって、R1およびR3 は、環構造をとることができ、また、R1 , R2およびR3 は、スチレンのようなモノマーと共重合することができる。
　
　ウ　原査定で引用した国際公開第２００４／０５８７８３号（以下「引用例４」という。）には、当審和訳によれば、概ね有機エレクトロルミネッセンス材料が、以下の構造式のエレクトロルミネッセンスジイリジウム化合物（claim 1）であることが記載されている。
（ここで式中の R1 、R2 、R3およびR4 は、同一もしくは異なった基であって、水素原子、ならびに置換および非置換ヒドロカルビル基から選択される）
　
　エ　原査定で引用した国際公開第２００４／０８４３２５号（以下「引用例５」という。）には、当審和訳によれば、概ね有機エレクトロルミネッセンス材料が、以下の構造式のホウ素化合物（claim 1）であることが記載されている。
　式中の、
　Ar1が、非置換もしくは置換の単環または多環のヘテロアリール基であって、式中の矢印で指されているホウ素原子と配位結合を形成するひとつの環員窒素原子と、オプションとして前記のひとつの環員窒素原子に隣接しないことを条件とするひとつもしくは複数の付加環員窒素原子とを、有するヘテロアリール基であり、且つ、 X および Z は、炭素原子もしくは窒素原子であり、且つ、 Y は、炭素原子、または、 X および Z のいずれも窒素原子ではないときには任意に窒素原子とすることができるものであり、且つ、前記置換基が存在する場合には、前記置換基は置換および非置換ヒドロカルビル基、置換および非置換ヒドロカルビルオキシ基、フルオロカーボン基、ハロ基、ニトリル基、アミノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、もしくはチオフェニル基、から選択される、ヘテロアリール基であって、且つ、
　Ar2が、単環もしくは多環のアリール基またはヘテロアリール基であって、置換および非置換ヒドロカルビル基、置換および非置換ヒドロカルビルオキシ基、フルオロカーボン基、ハロ基、ニトリル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、もしくはチオフェニル基、から選択される、ひとつもしくは複数の置換基を任意に持つ、アリール基またはヘテロアリール基であって、且つ、
　R1 が、水素原子、置換もしくは非置換ヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基、またはハロ基であって、且つ、
　R2 および R3 が、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基 、ハロアルキル基、ハロ基、あるいは、単環もしくは多環のアリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、もしくはヘテロアラルキル基であって、ひとつもしくは複数のアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基、ハロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロ基、ニトリル基、アミノ基、アルキルアミノ基、またはジアルキルアミノ基で任意に置換されている基、である。
　
　オ　引用発明は、「有機エレクトロルミネッセンス材料でできた層（発光層）」が、希土類金属の有機錯体の薄膜よりなるものであり、希土類金属の有機錯体であれば、具体的な希土類金属の有機錯体が何であるかは問わないものであると解されるところ、引用発明において、「有機エレクトロルミネッセンス材料でできた層（発光層）」として、上記ア〜エで示した刊行物に記載された材料のいずれかを用いること、すなわち、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が上記ア〜エで示した刊行物の記載事項に基づいて適宜なし得た程度のことである。
　
　カ　なお、審判請求人は、平成２５年１２月２４日付けで回答書において、「本発明は、平成２５年５月２２日付の審判請求書と共に提出した手続補正書にて補正したように構成することにより、有機層、特に、正孔輸送層の熱による変形の問題を軽減することができる。
特に、ZnS - mTADATA（トリ［4‐（N‐フェニル‐N‐m‐トリル）アミノ］フェニルアミン）の組み合わせについては、予期できない高い効果が示されており（図１２−図１７）、また、表１のCIE　Chromacityについては、この組み合わせがLiq層に対して最も良い青色発光を示している。また、図１８−図２３における２つのデバイスの相違点は、α−NPB（厚さ５０ｎｍ）と、ZnS（厚さ２０ｎｍ）／α−NPB（厚さ３０ｎｍ）である。この２つのデバイスの例を比べてみても、α−NPB（厚さ５０ｎｍ）を、ZnS（厚さ２０ｎｍ）／α−NPB（厚さ３０ｎｍ）で置き換えた方が、よりパフォーマンスが向上していることが理解できる。
　しかしながら、引用文献１−６には、「無機正孔注入材料でできた層」と「有機正孔輸送材料でできた層」の組み合わせに関して記載も示唆もされていない。したがって、これらの引用文献を用いても、上述したような本願発明の効果を得ることができない。 
 　また、拒絶査定の理由において、『有機ＥＬデバイスにおいて、「ｐ型半導体である無機正孔注入材料でできた層」と「有機正孔輸送材料でできた層」を積層させることは、例えば、特開２００３−２７２８５７号公報の段落［００６０］、［００６２］、特開２００２−３５２９６４号公報に記載されているように周知であり、格別のものではない。』と指摘されているが、
ｐ型半導体である無機正孔注入材料でできた層、及び有機正孔輸送材料でできた層に、本願の請求項１に記載の（a）〜（j）から選択される有機エレクトロルミネッセンス材料でできた層を追加した構成については、特開２００３−２７２８５７号公報及び特開２００２−３５２９６４号公報の周知文献にも記載も示唆もされていない。したがって、これらの周知文献を用いても、上述したような本願発明の効果を得ることができない。
　しかしながら、本願明細書の【００８６】【表１】や図１２〜図１７に記載されているように、本願発明の効果が裏付けられているのは、正孔注入層、ＨＴＬ、及び、エレクトロルミネッセンス材料層の組み合わせが、ZnS、mTADATA（トリ［4‐（N‐フェニル‐N‐m‐トリル）アミノ］フェニルアミン）、Liq層の組み合わせについてのみであり、本願発明の（a）〜（j）から選択される有機エレクトロルミネッセンス材料全てと、ｐ型半導体である無機正孔注入材料でできた層及び有機正孔輸送材料でできた層とのあらゆる組み合わせについて、上位概念化された本願発明において、請求人の主張する本願発明の効果を奏することを裏付ける具体的な根拠は見出せない。
　してみると、上記オで記載したとおり、有機エレクトロルミネッセンス材料として、引用例２〜５に記載の材料を適宜採用することは当業者にとって格別困難なことではない。
　
（３）本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果、引用例２〜５の奏する効果、周知技術の奏する効果から当業者が予測することができた程度のことである。
　
（４）したがって、本願発明は、当業者が引用例１に記載された発明、引用例２〜５に記載された発明、及び、周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　本願発明は、以上のとおり、当業者が引用例１に記載された発明、引用例２〜５に記載された発明、及び、周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。