【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を形成するプロセスであって、
基板の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層内に或るピッチ距離を有する複数の平行ルートトラックを画定するステップと、
前記複数の平行ルートトラックの第１のルートトラックに位置する第１のリードパターンを含む、第１の相互接続パターンを前記複数の平行ルートトラックに形成するステップと、
前記第１のルートトラックに直接隣接する前記複数の平行ルートトラックの第２のルートトラックに位置する第２のリードパターンを含む、第２の相互接続パターンを前記複数の平行ルートトラックに形成するステップと、
前記第１のルートトラックに位置する第３のリードパターンを含む、第３の相互接続パターンを前記複数の平行ルートトラックに形成するステップであって、前記第３のリードパターンが、前記第１のリードパターンと前記第２のリードパターンとの間のスペースの１と１／２倍未満の距離だけ第１のルートトラックの前記第１のリードパターンから離れている、前記ステップと、
前記第１の相互接続パターンと前記第２の相互接続パターンと前記第３の相互接続パターンとにより画定されるように前記誘電体層に金属相互接続ラインを形成するステップと、
を含み、
前記第１の相互接続パターンと前記第２の相互接続パターンと前記第３の相互接続パターンとが、前記複数の平行ルートトラックの交互の事例でパターンを分解することができ、前記複数の平行ルートトラックの直接隣接する事例でパターンを分解することができない、ダイポール照明源を有する３つの別個のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。
【請求項２】
請求項１に記載のプロセスであって、
前記ダイポール照明源が１９３ナノメートルの放射を提供し、前記複数の平行ルートトラックの前記ピッチ距離が４０〜４２ナノメートルである、プロセス。
【請求項３】
請求項１に記載のプロセスであって、
前記第１のリードパターンが、前記第３のリードパターンから前記距離である、前記第１のルートトラックのポイントで終端する、プロセス。
【請求項４】
請求項１に記載のプロセスであって、
前記第１のリードパターンが、前記第３のリードパターンから前記距離である、前記第１のルートトラックのポイントで分岐してクロスオーバーを形成する、プロセス。
【請求項５】
請求項４に記載のプロセスであって、
前記クロスオーバーが前記第１のルートトラックから前記第２のルートトラックの反対側の第３のルートトラックまで延びる、プロセス。
【請求項６】
請求項４に記載のプロセスであって、
前記クロスオーバーの前記第１のルートトラックに平行な最小幅が前記ピッチ距離をより大きい、プロセス。
【請求項７】
請求項４に記載のプロセスであって、
前記クロスオーバーの前記第１のルートトラックに平行な最小幅が前記ピッチ距離の２／３未満である、プロセス。
【請求項８】
集積回路を形成するプロセスであって、
基板の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層に第１のルートトラックと第２のルートトラックと第３のルートトラックとを含む複数の平行ルートトラックを画定するステップであって、前記第２のルートトラックが前記第１のルートトラックと前記第３のルートトラックとに直接隣接し、前記複数の平行ルートトラックが或るピッチ距離を有する、前記ステップと、
第１のリードパターンを含む複数の第１の露光エリアを生成する第１の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第１のリードパターンが前記第２のルートトラックの第１の部分に位置する、前記ステップと、
前記複数の第１の露光エリアに複数の第１の相互接続トレンチを形成するように第１のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
第２のリードパターンを含む複数の第２の露光エリアを生成する第２の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第２のリードパターンが、前記第１のルートトラックの前記第１の部分に隣接する前記第３のルートトラックの第１の部分に位置する、前記ステップと、
前記複数の第２の露光エリアに複数の第２の相互接続トレンチを形成するように第２のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記第２のルートトラックに位置する第３のリードパターンを含む複数の第３の露光エリアを生成する第３の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第３のリードパターンが、前記第１のリードパターンと前記第２のリードパターンとの間のスペースの１と１／２倍未満の距離だけ前記第１のリードパターンから離れている、前記ステップと、
前記複数の第３の露光エリアに複数の第３の相互接続トレンチを形成するように第３のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記第１の相互接続トレンチと前記第２の相互接続トレンチと前記第３の相互接続トレンチとに金属相互接続ラインを形成するステップと、
を含み、
前記第１の相互接続パターンと前記第２の相互接続パターンと前記第３の相互接続パターンとが、前記複数の平行ルートトラックの交互の事例でパターンを分解することができ、前記複数の平行ルートトラックの直接隣接する事例でパターンを分解することができない、ダイポール照明源を有する３つの別個のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。
【請求項９】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記第１のルートトラックの隣接する第１の部分に第１の露光領域が形成されない、プロセス。
【請求項１０】
請求項９に記載のプロセスであって、
前記複数の第２の露光エリアが、前記第１のルートトラックの前記隣接する第１の部分に位置する第４のリードパターンを含む、プロセス。
【請求項１１】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記第１のリードパターンが第１のポイントで終端する、プロセス。
【請求項１２】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記第１のリードパターンが第１のポイントで分岐する、プロセス。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプロセスであって、
前記第１のリードパターンが分岐してクロスオーバーを形成する、プロセス。
【請求項１４】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記ダイポール照明源が１９３ナノメートルの放射を提供し、前記ピッチ距離が４０〜４２ナノメートルである、プロセス。
【請求項１５】
集積回路を形成するプロセスであって、
基板の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層に或るピッチ距離を有する複数の平行ルートトラックを画定するステップと、
前記複数の平行ルートトラックに複数の第１の露光エリアを生成する第１の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第１の露光エリアの各々が、前記ピッチ距離より大きい距離だけ前記複数の第１の露光エリアの全ての他の事例から物理的に離れている、前記ステップと、
前記複数の第１の露光エリアに第１の複数のトレンチを形成するように第１のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記複数の平行ルートトラックに複数の第２の露光エリアを生成する第２の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第２の露光エリアの各々が前記ピッチ距離より大きい距離だけ前記複数の第２の露光エリアの全ての他の事例から物理的に離れている、前記ステップと、
前記複数の第２の露光エリアに第２の複数のトレンチを形成するように第２のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記複数の平行ルートトラックに複数の第３の露光エリアを生成する第３の相互接続パターンを形成するステップであって、前記複数の第３の露光エリアのサブセットの各々が、前記平行ルートトラックの相互接続パターンの隣接する事例間のスペースの１と１／２倍未満の横方向距離だけ対応する第１の露光エリアから離れ、前記第３の露光エリアの各々が、前記ピッチ距離より大きい距離だけ前記複数の第３の露光エリアの他の全ての事例から物理的に離れている、前記ステップと、
前記複数の第３の露光エリアに第３の複数のトレンチを形成するように第３のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記第１の複数の相互接続トレンチと前記第２の複数の相互接続トレンチと前記第３の複数の相互接続トレンチとに金属相互接続ラインを形成するステップと、
を含み、
前記第１の相互接続パターンと前記第２の相互接続パターンと前記第３の相互接続パターンとが、前記複数の平行ルートトラックの交互の事例でパターンを分解することができ、前記複数の平行ルートトラックの直接隣接する事例でパターンを分解することができない、ダイポール照明源を有する３つの別個のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプロセスであって、
前記複数の第２の露光エリアのサブセットが、対応する第１の露光領域に直接隣接する前記複数の平行ルートトラックの事例にそれぞれ位置する、プロセス。
【請求項１７】
請求項１５に記載のプロセスであって、
前記照明源が１９３ナノメートルの放射を提供し、前記平行ルートトラックの前記ピッチ距離が４０〜４２ナノメートルである、プロセス。