【事件の表示】
　平成　２年特許願第１０８００２号「半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　１月１０日出願公開、特開平　４−　　６８５２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成２年４月２４日に出願されたものであって、その発明の要旨は、平成９年４月２４日付、平成１１年１月２５日付、平成１１年１０月１２日付及び平成１２年８月１１日付各手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　「ＲＯＭを備えたマイクロコンピュータ部と、マスクによって設定された金属配線により機能の切り換えが可能な周辺回路とを備えた半導体装置において、
　前記ＲＯＭは、複数のトランジスタが直線状に直列接続されたトランジスタ列を備え、前記トランジスタ列の一端は接地電位に接続され、それぞれの前記トランジスタのゲート線が前記トランジスタ列に対しおよそ直角に交差し、記憶内容の書込みは前記それぞれのトランジスタのソースとドレインの間を金属配線によって開放又は短絡するよう設定されたマスクによって切り換えることによって行われるものであり、
　前記記憶内容の書き込みのためのマスクと、前記周辺回路の機能の切り換えのためのマスクとが共通する一のマスクであることを特徴とする半導体装置。」
（引用例）
  当審における拒絶の理由において引用された特開昭５７−１２４４６３号公報（以下「引用例１」という。）には、「本発明は、このような最近の集積密度の向上とＣＡＤ技術の進歩に支えられて、ランダム論理回路ユニット・セルを配列したマスター・スライス方式ＬＳＩのチップ上の一部にＣＰＵとＲＯＭ、ＲＡＭ、周辺入出力回路等のコンピュータ機能を１つの機能セルとしてまとめたコンピュータ・セルを単数または複数個配置し、ランダム論理回路ユニット・セル部分とＲＯＭ部分の金属配線を変更するだけで異なる機能を１チップ内に構成してしまうことにより上記欠点を解消した半導体装置を提供するものである。」（第２頁左上欄第９〜１９行）及び「以下に実施例の図面を参照しながら本発明について説明する。
　第１図は本発明のマスタースライスＬＳＩのチップ図を示したものである。図の”１”はチップを示しており、その中にランダム論理回路ユニット・セル配列”２”とコンピュータ機能セル”３”がある。コンピュータ機能セル”３”はシステム・コントローラ”４”、ＲＯＭ（Read Only Memory）”５”、周辺入出力回路”６”ＡＬＵ（Arlthmetic Logic Unit）”７”、ＲＡＭ（Random Access Memory）”８”、３種のバス・ライン”９，１０，１１”から構成されている。ここで、図中の斜線のランダム論理回路ユニット・セル配列”２”の論理回路セルの金属配線を変更することによりインタフェース回路を構成したり、コンピュータ機能セルの機能追加回路あるいは機能強化回路を構成し１チップに異なる機能を形成できる。なお、コンピュータ機能セル”３”は、ＲＯＭ”５”だけが金属配線の変更によるプログラマブルの機能を持つがそれ以外は金属配線による機能変更などはなく固定となっている。しかし、ランダム論理回路ユニット・セルとの相互接続を行うことはできる。また、ここで配置したＲＯＭ”５”は従来のマスク・プログラマブルＲＯＭで、メモリ情報は半導体装置の製造工程中で作るタイプであり、上述のランダム論理回路ユニット・セルの金属配線工程と同時に作るものである。」（第２頁右上欄第２０行〜左下欄第６行）が第１図と共に記載されている。
　してみると、上記引用例１には、ＲＯＭを備えたコンピュータ機能セルと、金属配線の変更によりインタフェース回路の構成及びコンピュータ機能セルの機能追加あるいは機能強化が可能なランダム論理回路ユニット・セル配列とを備えた半導体装置において、ＲＯＭはマスク・プログラマブルＲＯＭであり、メモリ情報はランダム論理回路ユニット・セルの金属配線工程と同時に作るものである半導体装置が記載されているものと認められる。
　同様に引用された特開昭６３−２４６６３号公報（以下「引用例２」という。）には、「（産業上の利用分野）
　本発明は半導体装置の製造方法、特にマスクＲＯＭの製造に適した半導体装置の製造方法に関する。」（第２頁左上欄第３〜６行）及び「（実施例）
　以下本発明を第１図に示す一実施例に基づいて説明する。第１図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコンから成る半導体基板１上に素子分離用のフィールド酸化膜２，ソース・ドレイン領域３，チャネル領域４，ゲート絶縁膜５，およびゲート電極６を形成する。・・・本発明に係る方法では、受注以前に更にいくつかの工程を進行させる。まず第１図（ａ）に示すように保護絶縁膜７を形成し、続いてこの保護絶縁膜７の全ソース・ドレイン領域３に対応する位置にコンタクトホール８を開口し、続いてこの上にＡｌ−Ｓｉから成る導電層１０を形成する。この状態を第１図（ｂ）に示す。すべてのソース・ドレイン領域３にコンタクトホール８が形成されているため、すべてのソース・ドレイン領域３は導電層１０に共通接続された状態となっている。受注前にはこの第１図（ｂ）の状態まで工程を進めておく。ＲＯＭパターンはまだ形成されていない。
　さて、ユーザから書き込むべきデータの提示がなされると、これに基づいてＲＯＭパターンが設計され、アレイ上の各ＭＯＳＦＥＴ素子についての要不要が決定される。ここで不要な素子については、ソース・ドレイン間を短絡しトランジスタの動作を不能にしなければならない。この短絡は導体層１０によってなされる。前述したように、すべてのソース・ドレイン領域３は導体層１０によって短絡された状態となっているので、不要な素子についてはこの短絡状態を維持すればよい。一方、必要な素子については導体層１０を除去し、ソース・ドレイン間を分離すればよい。この導体層１０の除去作業はユーザ所望のＲＯＭパターンに基づく写真蝕刻法によって行われる。本発明の特徴は、この写真蝕刻時に配線パターンに基づく蝕刻を同時に行ってしまう点である。従ってこの写真蝕刻時に用いるマスクパターンはＲＯＭパターンと配線パターンとを合成したパターンとなる。第１図（ｃ）にこの蝕刻後の状態を示す。不要な素子については短絡層１１がソース３１とドレイン３２とを短絡し、必要な素子については配線層１２によって所定の配線がなされることになる。」（第３頁左上欄第１８行〜右下欄第１行）が第１図と共に記載されている。そして、第１図の記載から見て、上記引用例２記載のマスクＲＯＭは複数のトランジスタが直線状に直列接続されたトランジスタ列を構成していることは明かである。してみると、上記引用例２には、複数のトランジスタが直線状に直列接続されたトランジスタ列を構成し、記憶内容の書き込みは前記それぞれのトランジスタのソース・ドレイン間を導電層１１によって開放するか短絡するように設定されたマスクパターンによって行われるマスクＲＯＭが記載されているものと認められる。
（対比）
  次に、本願発明と上記引用例１記載の発明とを比較する。
　上記引用例１記載の発明における「コンピュータ機能セル」、「ランダム論理回路ユニット・セル配列」及び「インタフェース回路の構成及びコンピュータ機能セルの機能追加あるいは機能強化」は本願発明における「マイクロコンピュータ部」、「周辺回路」及び「機能の切り換え」に相当し、上記引用例１記載の発明においてメモリ情報はランダム論理回路ユニット・セルの金属配線工程と同時に作るものであるから、マスクプログラマブルＲＯＭの書き込みとランダム論理ユニット・セル配列の機能の切り替えとは共通する同一のマスクで行われるものといえる。よって、本願発明と上記引用例１記載の発明とは「ＲＯＭを備えたマイクロコンピュータ部と、マスクによって設定された金属配線により機能の切り換えが可能な周辺回路とを備えた半導体装置において、
　前記記憶内容の書き込みのためのマスクと、前記周辺回路の機能の切り換えのためのマスクとが共通する一のマスクであることを特徴とする半導体装置」の点で一致するが、以下の点で相違するものと認められる。
  ＲＯＭが、本願発明においては複数のトランジスタが直線状に直列接続されたトランジスタ列を備え、前記トランジスタ列の一端は接地電位に接続され、それぞれの前記トランジスタのゲート線が前記トランジスタ列に対しおよそ直角に交差し、記憶内容の書込みは前記それぞれのトランジスタのソースとドレインの間を金属配線によって開放又は短絡するよう設定されたマスクによって切り換えることによって行われるものであるのに対して、上記引用例１記載の発明においてはどのような構成を有してるか不明である点。
（検討）
  そこで、前記相違点につき以下検討する。
上記引用例２に示すように複数のトランジスタが直線状に直列接続されたトランジスタ列を構成し、記憶内容の書き込みは前記それぞれのトランジスタのソース・ドレイン間を導電層１１によって開放するか短絡するように設定されたマスクパターンによって行われるマスクＲＯＭは公知であり、このような公知のマスクＲＯＭを上記引用例１記載の発明におけるマスクＲＯＭとして採用することに格別の創意工夫を必要としない。なお、上記引用例２におけるマスクＲＯＭのトランジスタ列の端部をどのような電源に接続するかは単なる設計的事項にすぎず、接地電位に接続することは当業者が必要に応じて任意になし得たことであり、一般にこのようなマスクＲＯＭにおいてはゲート電極とトランジスタ列とはほぼ直角に交差しているものであり、上記引用例２記載のマスクＲＯＭにおいてもゲート電極とトランジスタ列とをほぼ直角に交差させるようにすることは単なる設計的事項にすぎない。
  よって、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
（むすび）
  本願発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。