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　平成　４年特許願第１４９７７３号「レーザーダイオードポンピング固体レーザー」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年１２月２４日出願公開、特開平　５−３４３７７０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は、平成4年6月10日の出願であって、その発明は、補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1及び2に記載されたとおりのものであるところ、その請求項1に記載された発明（以下、本願発明という。）は次のとおりのものである。
「【請求項1】　ネオジウム等の希土類が添加された固体レーザー媒質と、
　この固体レーザー媒質をポンピングするレーザービームを発する半導体レーザーと、
　このレーザービームを前記固体レーザー媒質中において収束させる集光レンズと、
　ファブリ・ペロー型共振器とを備えたレーザーダイオードポンピング固体レーザーにおいて、
　前記集光レンズが屈折率分布レンズからなり、該集光レンズが、その光軸を前記半導体レーザーの発光中心に対して半導体レーザー活性層の幅方向に0.1ｍｍ以上ずらして配置されていることを特徴とするレーザーダイオードポンピング固体レーザー。」
２．引用例について
　原査定の拒絶の理由に引用した米国特許第5084840号明細書（以下、引用例１という。）には以下の事項が記載されている。
「Fig.1は参照番号10で示されるこの発明のレーザシステムの全体図である。システム10は一般にはポンプレーザ12、レンズ14そして固体レーザ物質16からなっている。ポンプレーザ12は、例えばGaAlAs（ガリウムアルミニウムアーセナイド）の780-860nm範囲の光を出力するダイオードレーザである。ポンプレーザからの光は固体レーザ物質16上にレンズ14によってフォカスされる。
　レーザ物質16はNd:YAG結晶（ネオジウム添加のイットリウムアルミニウムガーネット）であるが、他のレーザ物質を用いてもよい。Nd:YAG結晶に対して、固体レーザ光はほぼ946nmの波長である。」（第2欄第6行〜第19行）
「Fig.2はこの発明のレーザシステムの第２の実施例を示し、そして、参照番号100で指定されている。システム100は、好ましくはダイオードレーザであるポンプレーザ112を構成している。レーザ12はGaAlAsダイオードレーザであるが、他のタイプのレーザも使用可能である。ポンプ光はレンズ114により固体レーザ物質116にフォーカスされている。物質116はNd:YAG結晶であるが、他のレーザ物質も使用可能である。Nd:YAG結晶に対して、固体レーザ光はほぼ946nmの波長である。物質116はリング共振器120で囲まれている。リング共振器120は３つのミラー122、124及び126から成っている。ミラー124は全反射するようにその表面は研磨されている。ミラー122、124及び126は物質116上に直接に形成された誘電体ミラー薄膜である。
　　　　　　　　・・・略・・・
　動作において、ポンプレーザ112からの光は共振器120へとレンズ114によって結合される。ポンプ光は時計回り方向に共振器120で反射される。
　　　　　　　　・・・略・・・
　共振器がポンプレーザ112にインピーダンス整合しているとしても、わずかのポンプ光はビーム140としてミラー122に戻り反射される。この場合、ビーム140はポンプレーザ112に直接に戻り反射されないので、ポンプレーザ112の干渉のポテンシャル問題が回避される。
　この発明はレーザ物質内へポンプ光を共振させるレーザシステムを提供する。これは、増大したポンプ光吸収を提供すると共に、レーザシステムの全体の効率を非常に増加させる。２つの実施例が示されたが、固体やダイオードレーザでポンプされない他の共振器での設計も可能である。」（第3欄第23行〜第4欄第15行）
　同じく特開平4-137775号公報（以下、引用例2という。）には以下の事項が記載されている。
「第1図は本発明の第1の実施例の斜視図である。a軸カットのNd:YVO4結晶4は、2面のa軸カット面うち半導体レーザ1のある側の面に、1064nmに対して100％反射となる様に、誘電体多層薄膜ミラー3をつけてある。出力ミラー5には1064nmに対して80〜98％程度の反射率になるように、誘電体多層薄膜をつけてある。誘電体多層薄膜ミラー3と出力ミラー5により、レーザ共振器を構成している。これらの誘電体多層薄膜の高反射になる波長を変えることにより、1064nm以外に、946nmや1340nmなどの波長で発振させることも可能である。」（第2頁右下欄第9行〜第20行）
　原査定の備考に提示された特表平3-505948号公報（以下、引用例3という。）には以下の事項が記載されている。
「レーザゲイン物質のダイオードポンピングされた体積部材の単横モードレーザ発振をうるための方法であって、レーザゲイン物質を通る光学軸を有する光学的共振器中で500ミクロン未満の光ポンピング放射のための吸収長さを有するレーザゲイン物質からなる部材を配置し、半導体ダイオードポンピング光源の出力面を前記レーザゲイン物質からなる部材の面に突き合わせ連結し、そしてレーザゲイン物質およびそれを含む光学的共振器の中で実質的にレーザ放射の単横モードだけを励起するために一般に共振器の光学軸上で、充分に小さいレーザゲイン物質の体積を光ポンピングするために、ダイオードから放射される光ポンピング放射の発散ローブをレーザゲイン物質の体積中へ向ける工程からなる方法。」（第1頁左下欄第2行〜第17行）
「つぎに図3において、レーザゲイン媒体12の入力面13からのダイオードポンプ放射の戻り反射が31で示されており、ゲイン媒体から出てダイオード出力面19から反射してくる固定レーザ放射の戻り反射が32で示されている。これらの2つの戻り反射の源は、33で示す固体レーザの出力における振幅と振動数の不安定の重大な原因である。」（第5頁右上欄第21行〜第26行）
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭58-30185号公報（以下、引用例4という。）には以下の事項が記載されている。
「ダブルヘテロ接合を有する半導体レーザよりの出射ビームを第1のレンズによってほぼ平行光束に変換し、それを第2のレンズによって再び集光し光ファイバへ入射させる結合レンズ系を有し、かつ上記第1のレンズと第2のレンズの間には光学部品が挿入される半導体レーザ結合器において、ダブルヘテロ接合面に垂直でかつ半導体レーザ結合器において、ダブルヘテロ接合面に垂直でかつ半導体レーザ出射ビームの光軸を含む面内で、第1のレンズの光軸を半導体レーザ出射ビームの光軸に対しオフセットさせたことを特徴とする半導体レーザ結合器」（第1頁左下欄第5行〜第16行）
「第1のレンズの光軸を半導体レーザビームの光軸に対し特定の方向にオフセットさせたもので、その目的は結合効率の劣化を最小に抑えながら半導体レーザへの反射光の影響を効果的に抑圧するにある。」（第2頁左上欄第5行〜第10行）
「第1のレンズ(2)のオフセットΔXによるレーザ後側出力の変化をXYレコーダ(8)で測定する。反射光によって半導体レーザ(1)の特性が変化すればレーザ後側出力も変化するので、この測定によって反射光の影響が確認できる。
　　　　　　　　　・・・略・・・
第4図の実線は第1のレンズのオフセットの方向を半導体レーザのダブルヘテロ接合面に平行な面内（以下平行面内と呼ぶ）にとった場合で第4図の破線はオフセットの方向を半導体レーザのダブルヘテロ接合面に垂直で半導体レーザ出射ビームの光軸を含む面内（以下垂直面内と呼ぶ）にとった場合を示す。いずれもオフセット量が0あるいは微小な範囲で、レーザ後側出力が反射面がない場合に比し異常に増加しており、このことからこの範囲で反射光の影響が顕著であることがわかる。
　さて、この測定結果より第1のレンズの平行面内でのオフセットによって反射の影響を抑制するには50μｍ以上のオフセットが必要とされるのに対し、垂直面内でのオフセットによって反射の影響を抑制するには10μｍ以上のオフセットがあれば良いことが判明する。
　　　　　　　　　　・・・略・・・
　したがってこの測定結果は、単なる一例としてではなくダブルヘテロ接合を有する半導体レーザを用いた場合の一般的特性をあらわしていると考えられる。このことからこの発明は、ダブルヘテロ半導体レーザを用いた半導体レーザ結合器一般に対して有効なものである。
　なお、以上は反射光の生じる原因としてレーザパッケージ窓(3)を想定したがこの発明は、これに限らずその他の光学部品が第1のレンズ(2)と第2のレンズ(4)の間に存在する場合にも運用できる。
　以上のようにこの発明に係る半導体レーザ結合器では、第1のレンズを半導体レーザのダブルヘテロ接合面に垂直なかつ半導体レーザビームの光軸を含む面内にオフセットすることにより、最小のオフセット量で、第1のレンズのあとに設置される半導体レーザパッケージ窓等の光学部品よりの反射光が半導体レーザの特性に及ぼす影響を除去でき従ってファイバとの結合効率の低下を最小限に抑えて反射光による影響のない安定した特性の半導体レーザ結合器が容易に実現できる利点がある。」（第2頁右下欄第2行〜第3頁右上欄第20行）
３．本願発明と引用例に記載の発明との対比
　上記引用例1及び2には、本願発明の「ネオジウム等の希土類が添加された固体レーザー媒質」、「ポンピングするレーザビームを発する半導体レーザー」、「集光レンズ」及び「共振器」を備えた「レーザーダイオードポンピング固体レーザー」が記載されており、当業者に周知又は自明のものである。
　そして、その引用例1及び2には、固体レーザからの戻り光が半導体レーザに帰還されて、半導体レーザの動作を不安定にすることが記載されている。
　そこで、本願発明と上記引用例1及び2に記載された周知又は自明の発明とを対比すると、両者は、「ネオジウム等の希土類が添加された固体レーザー媒質と、この固体レーザー媒質をポンピングするレーザービームを発する半導体レーザーと、このレーザービームを前記固体レーザー媒質中において収束させる集光レンズと、
　共振器とを備えたレーザーダイオードポンピング固体レーザー」であるという点で一致し、以下の3点（以下、相違点1〜3という。）で相違している。
　相違点1：本願発明の共振器はファブリ・ペロー型であるのに対して、引用例1及び2に記載の共振器はファブリ・ペロー型であるか否かが不明であるという点。
　相違点2：本願発明の集光レンズは屈折率分布レンズであるのに対して、引用例1及び2に記載の集光レンズは屈折率分布レンズではない点。
　相違点3：本願発明は、固体レーザからの戻り光が半導体レーザに帰還されて、半導体レーザの動作を不安定にすることを防止するために、「集光レンズが、その光軸を前記半導体レーザーの発光中心に対して半導体レーザー活性層の幅方向に0.1ｍｍ以上ずらして配置されている」のに対して、引用例1及び2に記載のものはそのようにはなっていないという点。
　上記相違点1〜3について以下に検討する。
　(1)相違点1について
　「レーザーダイオードポンピング固体レーザー」の「共振器」としてファブリ・ペロー型共振器を使用することは、例えば引用例3に記載されているように周知である。
　したがって、引用例1及び2に記載の「レーザーダイオードポンピング固体レーザー」の共振器としてファブリ・ペロー型の共振器を使用することは当業者が適宜になし得ることであるから、相違点1は格別の相違ではない。
　(2)相違点2について
　「レーザーダイオードポンピング固体レーザー」の集光レンズとして屈折率分布レンズ（セルフォックレンズ（登録商標））を使用することは当業者に周知（特開平3-3378号公報、特開平3-9584号公報等参照。）である。
　したがって、相違点2は格別の相違ではない。
　(3)相違点3について
　引用例4には、レーザーダイオードポンピング固体レーザーにおいて集光レンズの光軸を半導体レーザーの発光中心に対して半導体レーザー活性層の幅方向に0.05ｍｍ以上ずらして配置することが記載されている。
　してみると、引用例1及び2に記載の「レーザーダイオードポンピング固体レーザー」において、集光レンズの光軸を半導体レーザーの発光中心に対して半導体レーザー活性層の幅方向に0.1ｍｍ以上ずらして配置することは、当業者であれば適宜になし得ることである。
　したがって、相違点3は格別の相違ではない。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例1〜4に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。