【事件の表示】
　特許第３１６０３４４号「有機ストリッピング組成物」の請求項１、４、６ないし１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６０３４４号の請求項１、４、６ないし１３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　特許第３１６０３４４号の請求項１〜１５に係る発明についての出願は、平成４年１月２４日（パリ条約による優先権主張１９９１年１月２５日、米国）に特許出願され、平成１３年２月１６日に特許の設定登録がなされ、特許掲載公報が平成１３年４月２５日に発行された。その後、特許異議申立人 前田懐子により特許異議の申立がなされ、取消理由通知が通知され、平成１４年９月９日に訂正請求がされ、また、その後、平成１４年１０月１１日付けで上申書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
　
２．１　訂正の内容
　
・訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の
「【請求項１】　本質的に、有機極性溶媒及び塩基性アミンから成るフォトレジスト用ストリッピング組成物において、当該組成物が重量比約０．５から２０％の抑制剤を含有することを特徴とする改良ストリッピング組成物であり、当該抑制剤は以下記載の構造を有するグループから選択されており、当該構造とは、
【化１】
であり、ここにおいて、
ＸはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであり、
ＹはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであり、
Ｒは−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、−ＮＯ２、あるいは−ＣＯＲ′′′であり
ｚは０または１であり、
Ｒ′は−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、ＮＯ２、あるいは−ＣＯＲ′′′であり
Ａ及びＢは各々−ＯＨ；ＣＯＯＲ″；−ＳＯ２ＮＨ２あるいは＝ＮＨ２であり、
ＧはＨ、低級アルキル、あるいはハロゲン（ｈａｌｏ）であり、
Ｒ″はＨあるいは低級アルキルであり、
Ｒ′′′は低級アルキル及び低級アルコキシであることを特徴とする改良ストリッピング組成物。」
の記載を、
「【請求項１】　本質的に、有機極性溶媒及び塩基性アミンから成るフォトレジスト用ストリッピング組成物において、当該組成物が重量比約０．５から２０％の抑制剤を含有することを特徴とする改良ストリッピング組成物であり、当該抑制剤は以下記載の構造
【化１】
〔ここにおいて、
　Ａ及びＢは各々−ＯＨ；ＣＯＯＲ″；−ＳＯ２ＮＨ２あるいは−ＮＨ２であり、
　ＧはＨ、低級アルキル、あるいはハロゲン（ｈａｌｏ）であり、
　Ｒ″はＨあるいは低級アルキルである〕
であることを特徴とする改良ストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２の
「【請求項２】　前記抑制剤は以下記載の成分を有するグループから選択されており、当該成分とは、
８−アミノ−４Ｈ−クロメン、
８−ヒドロキシキノリン、
８−アミノ−４Ｈ−１−ベンゾフラン、
１−ヒドロキシ−８−ジアルキルアミノナフタレンアントラル酸、及び１−ヒドロキシ−８−ジメチルアミノナフタレン
であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
の記載を、
「【請求項２】　前記抑制剤がアンスラニル酸であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３の
「【請求項３】　前記抑制剤は以下記載の成分を有するグループから選択されており、当該成分とは、
８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオピラン、
８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオフラン、
８−メチルチオクロマン、
８−ｄｉｔｅｒｔブチルアミノクロメン
１−ｔｅｒｔブトキシ−８−ニトロナフタレン、
８−アルキルケトキノリン、
２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミド、
８−スルフヒドリルキノリン、及び８−ニトロソキノリン
であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
の記載を、
「【請求項３】　前記抑制剤が２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミドであることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項６の
「【請求項６】　重量比約５０から約９８％の前記極性溶剤を含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
の記載を、
「【請求項６】　重量比約５０から約９８％の前記極性溶媒を含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
　と訂正する。
・訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項１０の
「【請求項１０】　前記アミンは以下記載の化学式を有する化合物からなることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物であって、当該化学式とは、
であり、ここにおいて、
Ｒ３は、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ２Ｈ４ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ４は水素、低級アルキル、アルカノール、及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ５は水素、低級アルキル、及び−Ｃ２Ｈ４ＯＨからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ３とＲ４はそれらが結合している窒素グループと共に５員環ないしは６員環を形成していることを特徴とするストリッピング組成物。」
の記載を、
「【請求項１０】　前記アミンは以下記載の化学式を有する化合物からなることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物であって、当該化学式とは、
であり、ここにおいて、
Ｒ３は、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ２Ｈ４ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ４は水素、低級アルキル、アルカノール、及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ５は水素、低級アルキル、及び−Ｃ２Ｈ４ＯＨからなるグループより選択されたものであることを特徴とするストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項１１の
「【請求項１１】　前記アミンはモノエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、メチルエチルアミン、モルフォリン、１−アミノ−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシエタノール）、３−メトキシプロピルアミン、２−アミノ−ピコリン、及びビス（２−エチルヘキシル）アミンからなるグループより選択されたものであることを特徴とする請求項１０記載のストリッピンク組成物。」
の記載を、
「【請求項１１】　前記アミンはモノエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、メチルエチルアミン、１−アミノ−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシエタノール）、３−メトキシプロピルアミン、及びビス（２−エチルヘキシル）アミンからなるグループより選択されたものであることを特徴とする請求項１０記載のストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項１３の記載を削除する。
・訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の請求項１４の記載を削除する。
・訂正事項ｉ
　特許請求の範囲の「【請求項１５】」を「【請求項１３】」と訂正する。
・訂正事項ｊ
　明細書の段落【００４２】に記載された表３中の、
「Ｂ−ナプトール」
の記載を、
「Ｂ−ナフトール」
と訂正し、
「８−ハイフォキシキノリン」
の記載を、
「８−ヒドロキシキノリン」
と訂正する。
　
２．２　訂正の目的の適否、新規事項追加の有無、及び拡張・変更の存否
　
　訂正事項ａは、訂正前の請求項１において抑制剤として選択されている３つの化学構造を有するグループのうち、２つを削除し、残りの１つの構造に限定するものであるし、また、訂正前の＝ＮＨ２はＡないしＢは一価の基であるから訂正後の−ＮＨ２の誤記であると認められるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号及び第２号に規定する特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　訂正事項ｂは、訂正前の請求項２において抑制剤として記載されていた具体的化合物のうち、８−アミノ−４Ｈ−クロメン、８−ヒドロキシキノリン、８−アミノ−４Ｈ−１−ベンゾフラン、１−ヒドロキシ−８−ジアルキルアミノナフタレン及び１−ヒドロキシ−８−ジメチルアミノナフタレンを削除し、残る「アントラル酸」の記載を「アンスラニル酸」に変更するものであるが、訂正前の「アントラル酸」は訂正前後の構造【化１】におけるＡが−ＣＯＯＨ、Ｂが−ＮＨ２、ＧがＨである「アントラニル酸」すなわち「アンスラニル酸」の誤記であると認められるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号及び第２号に規定する特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　訂正事項ｃは、訂正前の請求項３において、抑制剤として記載されていた具体的化合物のうち、８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオピラン、８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオフラン、８−メチルチオクロマン、８−ｄｉｔｅｒｔブチルアミノクロメン１−ｔｅｒｔブトキシ−８−ニトロナフタレン、８−アルキルケトキノリン、８−スルフヒドリルキノリン、及び８−ニトロソキノリンを削除し、「２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミド」に限定するものであるが、この化合物は訂正前後の構造【化１】におけるＡが−ＯＨ、Ｂが−ＳＯ２ＮＨ２、ＧがＨであるものに相当すると認められるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　訂正事項ｄは、訂正前の請求６において、「極性溶剤」と記載されていた用語を、請求項１の記載と一致させるために「極性溶媒」とするものであるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　訂正事項ｅは、訂正前の請求項１０におけるアミンに関する一般式中の置換基Ｒ３およびＲ４に関し、意味不明であるとされた「Ｒ３とＲ４はそれらが結合している窒素グループと共に５員環ないしは６員環を形成している」との記載すなわち環を形成する場合を削除するものであるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号及び第３号に規定する特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　訂正事項ｆは、訂正前の請求項１１において記載されていたアミンのうち、モルフォリン及び２−アミノピコリンを削除するものであり、残りのアミンは訂正事項ｅによる訂正後の請求項１０の具体的化合物に対応して、Ｒ４とＲ５が環状化合物を形成するモルフォリン及び２−アミノピコリンを削除することで、Ｒ４とＲ５が環状化合物を形成しないアミンに限定したものであるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　訂正事項ｇ及びｈは、請求項を削除するものであるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　訂正事項ｉは、訂正事項ｇ及びｈによる請求項の削除により生じる請求項番号の欠番をなくすために請求項番号を繰り上げたものであるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　さらに、訂正事項ｊは、表３中に記載された「Ｂ−ナプトール」及び「８−ハイフォキシキノリン」という明らかな誤記をそれぞれ、「Ｂ−ナフトール」及び「８−ヒドロキシキノリン」に訂正するものであるから、この訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　そして、訂正事項ａないしｊは、いずれも、特許明細書に記載された事項の範囲内のものであって新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　
２．３　独立特許要件
　
　上記訂正事項ｂ及びｃは、特許異議の申立がされていない請求項２及び３についてのものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、訂正後の請求項２及び３に係る発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかどうかを検討する。
　後記するとおり、甲第２号証には、ストリッピング組成物に対して、抑制剤としてジヒドロキシベンゼンを添加することが記載されているものの、抑制剤として訂正後の請求項２，３に係る発明におけるアンスラニル酸又は２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミドを使用することは記載されていないし、示唆されてもいない。また、他に、ストリッピング組成物に対して、抑制剤としてアンスラニル酸又は２−ヒドロキシベンゼンスルホンアミドを添加することを記載ないし示唆する証拠も示されていない。
　したがって、訂正後の請求項２及び３に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、訂正後の請求項２及び３に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
２．４　訂正の適否の結論
　
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ、ｄ〜ｊに関する訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．　特許異議申立について
　
３．１　特許異議の申立の概要
　
　特許異議申立人は、特許異議申立の根拠として、
　訂正前の請求項１、４、６〜１５に係る発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、
　甲第１号証　特開昭６４−８１９４９号公報、
　甲第２号証　米国特許第４３９５３４８号明細書、及び、
　甲第３号証　特開昭６３−２３１３４３号公報
に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである、
　また、本件特許明細書には、記載上の不備があるため、特許法第３６条第４項又は第６項の規定に違反する、
　そのため、その特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであると主張する。
　
３．２　甲第１〜３号証に記載された発明
　
　甲第１号証：特開昭６４−８１９４９号公報には、
ａ．「γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンより選ばれる少なくとも一種と、アミノアルコール類の中から選ばれる少なくとも一種と、水とを含有することを特徴とするフォトレジスト用剥離剤。」（特許請求の範囲）に関する発明が開示され、
ｂ．「本発明は、半導体回路パターン製造時に用いられるフォトレジスト、特にポジ型フォトレジストを用済み後除去するために用いるフォトレジスト用剥離剤に関する。」（１頁左下欄１３〜１６行）こと、
ｃ．「本発明者らは、上記の問題点を解決するため、高いレジスト剥離力を有し、金属に対する腐食性がなく、さらに、液安定性、安全性が高く、充分に実用性のあるレジスト剥離剤について鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。」（２頁右下欄１２〜１６行）こと、
ｄ．「本発明剥離剤中の各成分の量は特に制限されるものではないが、通常、剥離剤全量に対し、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンより選ばれる少なくとも一種以上の総量が３０ｗｔ％以上、アミノアルコール１〜５０ｗｔ％及び水５〜６０ｗｔ％の範囲にあるものが好ましい。」（３頁左上欄４〜１１行）こと、
ｅ．「アミノアルコールとしては、Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−エチルアミノエタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジ−ｎ−ブチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール、２−メチルアミノエタノール、イソプロパノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン等が挙げられる。」（３頁左上欄１２行〜右上欄２行）こと、
ｆ．「本発明の剥離剤に界面活性剤を添加しても実用上さしつかえなく、これの添加により、微小な塵を表面から取り除き、剥離剤中に安定に分散することができる。界面活性剤としては、金属イオンを含まない非イオン系のものが最も好ましく、脂肪酸モノグリセリンエステル、脂肪酸ポリグリコールエーテル、脂肪酸ソルビタンエステル、脂肪酸庶糖エステル、脂肪酸アルカノールアミド、脂肪酸ポリエチレングリコール縮合物、脂肪酸アミド・ポリエチレングリコール縮合物、脂肪族アルコール・ポリエチレングリコール縮合物、脂肪族アミン・ポリエチレングリコール縮合物、脂肪族メルカプタン・ポリエチレングリコール縮合物、アルキルフエノール・ポリエチレングリコール縮合物、ポリプロピレングリコール・ポリエチレングリコール縮合物などで、ＨＬＢが７以上のものが例示される。」（３頁左下欄１〜１７行）こと、
ｇ．「さらに、熱安定性、安全性が高いのも本発明の特徴である。本発明の剥離剤の成分は、比較的毒性が低く、また引火点も高いので、取り扱い上の危険が少ない。特に本発明の剥離剤が水を含む為より引火しにくいので好ましい。」（３頁右下欄１３〜１７行）こと、
が記載されている。
　
　甲第２号証：米国特許第４３９５３４８号明細書には、
ｈ．「１．　基板からフォトレジストを除去するのに十分な量の有機スルホン酸及び１，２−ジヒドロキシベンゼンから実質的になる、基板から有機フォトレジストを除去するための組成物。
　２．　さらに非極性又は極性有機溶剤を含む請求項１記載の組成物。
　３．　非極性有機溶剤が６〜２０個の炭素原子を含む芳香族又はアルキル芳香族溶剤である請求項２記載の組成物。
　４．　有機スルホン酸が約２０〜９０重量％、１，２−ジヒドロキシベンゼンが約０．１〜２０重量％及び非極性有機溶剤が０〜約６０重量％の量で存在する請求項１記載の組成物。
　５．　有機スルホン酸を約３０〜６０重量％、１，２−ジヒドロキシベンゼンを約３〜１５重量％含む請求項４記載の組成物。
　６．　有機スルホン酸を約３５重量％、１，２−ジヒドロキシベンゼンを約５重量％及び非極性有機溶剤を約６０重量％含む請求項５記載の組成物。
　７．　非極性有機溶剤がキシレンである請求項６記載の組成物。
　８．　約２０〜１５０℃の温度においてフォトレジストに請求項１記載の組成物を接触させることを含む、基板からフォトレジストを剥離する方法。
　９．　基板が金属被覆無機基板である請求項８記載の方法。
　１０．　基板がアルミニウム被覆された二酸化ケイ素絶縁層を有するシリコンウエーハである請求項９記載の方法。」（特許請求の範囲：６欄４〜３８行）に関する発明が開示され、
ｉ．「この発明は、特に集積回路の構築に有用な、フェノールを含まない新規なフォトレジスト剥離組成物及び方法に関するものである。さらに詳しくは、ポジ型及びネガ型両方のフォトレジストに有用で、従来のフォトレジスト剥離組成物及び方法に存在していた安全性及び環境汚染に問題をもたらす化合物を含まない剥離組成物及び方法に関するものである。」（１欄７〜１５行）こと、
ｊ．「本発明のフォトレジスト剥離組成物は有機スルホン酸と１，２−ジヒドロキシベンゼンを含有する。有機スルホン酸は組成物中に約０．１〜２０重量％の量で存在すべきである。１，２−ジヒドロキシベンゼンは組成物中に約０．１〜２０重量％の量で存在すべきである。本発明組成物はさらに極性あるいは非極性の有機溶剤を、約１〜６０重量％の量で添加することができる。」（２欄１１〜２１行）こと、
ｋ．「本発明における基板からフォトレジストを剥離する方法は、約２０〜１５０℃の温度で上記組成物をフォトレジストに接触させる工程を含む。該組成物のフォトレジストへの接触時間は、用いるフォトレジストやフォトレジスト熱処理条件により異なるが、約１５秒から２時間若しくはそれ以上である。」（２欄２２〜２９行）こと、
ｌ．「特定の作用理論と結び付ける意図はないが、本発明組成物及び方法で用いた１，２−ジヒドロキシベンゼンは、アルミニウム、鉄、その他の金属の腐食抑制剤として、また、集積回路からフォトレジストを剥離するのに用いる高温処理の間に、金属上に重合体残渣の沈積が形成するのを防止する遅延剤として、両方の作用を果たしていると考えられる。」（２欄３０〜３７行）こと、
ｍ．「本発明組成物中の１，２−ジヒドロキシベンゼンの量の好適範囲は、約３〜１５重量％であり、特に約５重量％が好ましい。」（２欄６１〜６５行）こと、
ｎ．「好適な有機極性溶剤として、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の炭素原子数３〜１０個を含む脂肪族ケトン類；エトキシエタノール、ブトキシエタノール等の炭素原子数３〜１０個を含むエチレングリコールのモノアルキルエーテル類；酢酸、マレイン酸等の炭素原子数１〜４個を含むカルボン酸；ホルムアミド；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の炭素原子数３〜１０個を含むＮ，Ｎ−ジアルキルアルカノイルアミド類；Ｎ−メチルピロリドン等の炭素原子数６〜１２個を含むＮ−アルキルラクタム類；テトラメチレンスルホン等の炭素原子数４〜６個を含む環状脂肪族スルホン類などが挙げられる。」（３欄１１〜２４行）こと、
ｏ．「好適な極性溶剤は、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、スルホンである。」（３欄２５〜２７行）こと、
ｐ．「該溶剤は、存在する場合、組成物中に約１〜６０重量％配合されるのが望ましい。」（３欄２７〜２９行）こと、
が記載されている。
　
　甲第３号証：特開昭６３−２３１３４３号公報には、
ｑ．「１．アミン類と極性溶媒と界面活性剤の混合物からなることを特徴とするレジストパターンの剥離液。
２．上記アミン類として、１級、２級３級の鎖式あるいは脂環式、または芳香族アミンの１種又は２種以上を用いる特許請求の範囲第１項記載のレジストパターンの剥離液。
３．アミン類として、沸点１００℃以上、ｐＫａ値８〜１１、かつ、上記極性溶媒と相溶性がよいものを使用する特許請求の範囲第１項記載のレジストパターンの剥離液。
４．アミン類として、沸点１００℃以上，ｐＫａ値８〜１１、かつ、分子中の窒素原子１個に対し、炭素原子の数が８個以下のものを使用する特許請求の範囲第１項または第２項記載のレジストパターンの剥離液。
５．上記極性溶媒として、極性非プロトン溶媒を使用した特許請求の範囲第１項記載のレジストパターンの剥離液。
６．上記極性非プロトン溶媒として、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの１種又は２種以上を少なくとも一つの成分として含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載のレジストパターンの剥離液。
７．上記界面活性剤として、非イオン性または、カチオン性または、アニオン性の各種界面活性剤を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載のレジストパターンの剥離剤。」（特許請求の範囲）に関する発明が開示され、
ｒ．「用いるアミンとしては、沸点１００℃以上、ｐＫａ値８〜１１、分子中の窒素原子１個に対し、炭素原子の数が８個以下のものが最適である。たとえば、１級アミンとしては、モノエタノールアミン、エチレンジアミン、３−アミノプロパノール等が挙げられる。２級アミンとしては、ピペリジン、ジエタノールアミン、イミノビスプロピルアミン等が挙げられる。」（３頁左下欄５〜１２行）こと、
ｓ．「つぎに、極性溶媒について述べる。……具体的には、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられる。」（３頁右下欄２〜１３行）こと、
ｔ．「最後の成分である界面活性剤として用い得るものには、特に制限はなく、非イオン性、カチオン性、アニオン性の種々のものが使える。この時、界面活性剤の添加量としては、０．００１〜１％程度が適当である。」（３頁右下欄１９行〜４頁左上欄３行）こと、
が記載されている。
　
３．３　対比と判断
　
３．３．１　請求項１に係る発明について
　
　訂正後の本件請求項１に係る発明（以下、「本件第１発明」という）と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された発明におけるＮ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等は本件第１発明における「有機極性溶媒」に相当し、甲第１号証に記載された発明におけるアミノアルコール類は本件第１発明における「塩基性アミン」に相当し、また、甲第１号証に記載された発明におけるフォトレジスト用剥離剤は本件第１発明における「フォトレジスト用ストリッピング組成物」に相当しているから、両者は、「有機極性溶媒及び塩基性アミンから成るフォトレジスト用ストリッピング組成物」である点で一致し、本件第１発明における組成物が、【化１】の構造式で示される抑制剤を重量比約０．５から２０％含有することを規定するのに対し、甲第１号証の組成物は、抑制剤の添加について記載していない点で相違する。
　以下、相違点について検討する。
　
　甲第２号証には、１，２−ジヒドロキシベンゼン（ｈ）を金属腐蝕抑制剤として配合し（ｌ）、さらにジメチルアセトアミド等の有機極性溶媒を配合する（ｎ）、基板からフォトレジストを除去するための組成物（ｈ）が記載され、かつ、１，２−ジヒドロキシベンゼンの配合量は３〜１５重量％が好ましいこと（ｍ）が記載されている。
　この、１，２−ジヒドロキシベンゼンは、本件第１発明の【化１】に示される抑制剤化合物に該当し（式においてＡ、Ｂが各々−ＯＨであり、ＧがＨであるもの）、その配合量もほぼ同じであり（ｍ）、配合目的も金属の腐食抑制にある（ｌ）。
　しかも甲第１号証、甲第２号証に記載の発明はいずれも、フォトレジストを基板から除去するための組成物に係る点で（ｂ、ｌ）、本件第１発明と技術分野を同一にするものである。
　してみれば、金属の腐食の抑制を企図して、甲第１号証に記載のフォトレジスト用剥離剤に、甲第２号証のフォトレジスト除去用組成物に金属腐食抑制剤として配合されている１，２−ジヒドロキシベンゼンを用いてみる程度のことは、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者にとっては容易に想い到ることができることである。
　そして、本件第１発明の効果は、格別のものとも認められない。
（なお、本件特許権者は、上申書を提出して、比較例１：抑制剤を全く含まない例、比較例２：本件第１発明で使用されるもの以外の他の抑制剤（ベンゾトリアゾール）を使用する例、本件第１発明の実施例１：抑制剤２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミド（＝請求項３に相当）を使用する例、及び、本件第１発明の実施例２：抑制剤アンスラニル酸（＝請求項２に相当）を使用する例の、４種類のストリッピング組成物を調製し、その中に、シリコンウエハー上に１０００Å厚の銅層を設けたものを浸漬し、一定時間後における銅片の厚みを測定してエッチング速度を求めた比較実験の結果、比較例１：１７８（Å／分）、比較例２：３４（Å／分）、実施例１：２８（Å／分）、実施例２：８（Å／分）の値を得たとして、本件発明の効果の優越性を主張している。
　しかし、本件第１発明の実施例である抑制剤として２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミドを使用した場合の上記実施例１のエッチング速度「２８（Å／分）」は、抑制剤としてベンゾトリアゾールを使用した上記比較例２のエッチング速度「３４（Å／分）」に対して、１８％の減少にしかなっていない。一方、本件特許明細書の表３には、各種抑制剤による腐食試験結果が記載されており、抑制剤としてベンゾトリアゾールを使用したものの試験方法（１）〔銅基材に対し、腐食性溶剤中に抽出された銅の実際のＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ）測定〕の値は「８６ｐｐｍ」である。上申書記載の銅片のエッチング速度が大きいものは、本件特許明細書の表３の試験方法（１）の値も大きいと考えられるところ、表３においてベンゾトリアゾールよりも試験方法（１）の値が３３％も低い「５７ｐｐｍ」である抑制剤ジ−ｔ−ブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）についてさえも、表３の試験方法（２）〔試験用溶剤に対する露出前後の銅表面微細検査〕の結果は「中〜激　斑点及び基材腐食」と記載されており、抑制剤としての効果が芳しくないことを示している。したがって、ベンゾトリアゾールに比較してエッチング速度が１７％程度しか改善されない２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミドを使用したとしても、抑制剤としての効果はさほど芳しいものとは期待できない。
　したがって、上申書に示された比較実験の結果を参酌しても、本件第１発明の効果が格別のものであるとすることはできない。）
　したがって、本件第１発明は、甲第１号証、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．３．２　請求項４に係る発明について
　
　訂正後の本件請求項４に係る発明（以下、「訂正後の本件」請求項であることは、略す。）は、本件第１発明にさらに水を含有したものである。一方、甲第１号証には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドをはじめとする有機極性溶媒と、アミノアルコール類で示される塩基性アミンに加えて、水を含有するフォトレジスト用剥離剤が記載されており（ａ）、水を含む為より引火しにくいということが記載されている（ｇ）。そして、水を添加した場合においても、その効果は、甲第１号証及び甲第２号証記載のものから予測できる以上のものはない。
　したがって、請求項４に係る発明は、本件第１発明と同じ理由により特許を受けることができない。
　
３．３．３　請求項６に係る発明について
　
　請求項６に係る発明は、本件第１発明におけるストリッピング組成物の、有機極性溶媒の含有量を重量比約５０から約９８％と規定するものであるが、甲第１号証には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドをはじめとする本件第１発明における有機極性溶媒に相当する溶媒の配合量が剥離剤全量に対し３０ｗｔ％以上の範囲にあるものが好ましいことが記載されている（ｄ）。
　したがって、請求項６に係る発明は、本件第１発明と同じ理由により特許を受けることができない。
　
３．３．４　請求項７に係る発明について
　
　請求項７に係る発明は、本件第１発明におけるストリッピング組成物の、アミンの含有量を約１から約４９％と規定するものであるが、甲第１号証には、本件第１発明におけるアミンに相当するアミノアルコールの配合量が剥離剤全量に対し１〜５０ｗｔ％の範囲にあるものが好ましいことが記載されている（ｄ）。
　したがって、請求項７に係る発明は、本件第１発明と同じ理由により特許を受けることができない。
　
３．３．５　請求項８，９に係る発明について
　
　請求項８に係る発明は、本件第１発明におけるストリッピング組成物の有機極性溶媒が、化学式（ＩＩＩ）を有するアミド化合物及びその混合物からなることを規定するものであり、また、請求項９に係る発明は、化学式（ＩＩＩ）を有するアミド化合物をさらに具体的に化合物名をもって特定するものであるが、甲第１号証には、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドをはじめとする具体的アミド化合物が記載されている（ａ、ｄ）。
　したがって、請求項８，９に係る発明は、本件第１発明と同じ理由により特許を受けることができない。
　
３．３．６　請求項１０，１１に係る発明について
　
　請求項１０に係る発明は、本件第１発明におけるストリッピング組成物のアミンが、化学式（ＩＶ）を有する化合物からなることを規定するものであり、また、請求項１１に係る発明は、化学式（ＩＶ）を有する化合物をさらに具体的に化合物名をもって特定するものであるが、甲第１号証には、例えばイソプロパノールアミン（請求項１１に係る発明における１−アミノ−２−プロパノールに相当する。）をはじめとする具体的化合物が記載されている（ｅ）。
　したがって、請求項１０，１１に係る発明は、本件第１発明と同じ理由により特許を受けることができない。
　
３．３．７　請求項１２に係る発明について
　
　請求項１２に係る発明は、本件第１発明におけるストリッピング組成物に、さらに、重量比約２重量％までの非イオン系洗剤を含有させることを規定するものであり、この非イオン系洗剤として、非イオン系界面活性剤などが好適に用いられることが本件特許掲載公報第６〜７頁（【００３０】〜【００３３】）に具体的に示されている。
　甲第１号証には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドをはじめとする有機極性溶媒と、２−メチルアミノエタノール等のアルカノールアミン類で示される塩基性アミンに加えて、界面活性剤を添加してもよいこと、該界面活性剤としては金属イオンを含まない非イオン系のものが最も好ましいことが記載され、本件特許掲載公報に示されているものが挙げられている（ｆ）。配合量については、甲第１号証に特に明示がないが、２重量％までの範囲で配合することは設計事項の範囲内のものであって、当業者にとって特に困難性を伴わないで行うことができる範囲であると認められる。
　また、甲第３号証には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドをはじめとする有機極性溶媒と、２−メチルアミノエタノール等のアルカノールアミン類で示される塩基性アミンに加えて、界面活性剤を添加してなるレジストパターンの剥離液が記載されており（ｑ、ｓ、ｒ、ｔ）、界面活性剤は、本件明細書に記載された「洗剤」と同義のものである。そして、界面活性剤の添加量についても、０．００１〜１％程度として、請求項１２で規定する２重量％以下であることが明記されている（ｔ）。
　さらに、この非イオン系洗剤を添加した場合においても、本件特許発明の効果は、甲第１〜３号証記載のものから予測できる効果以上のものはない。
　したがって、請求項１２に係る発明は、本件第１発明と同様の理由により、あるいは甲第１〜３号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許を受けることができない。
　
３．３．８　請求項１３に係る発明について
　
　請求項１３に係る発明は、コーティング物質によってコーティングされた基材に、ストリッピングに有効な量の本件第１発明の組成物を、ストリッピングに有効な時間作用させ、当該基材からコーティング物質を除去する方法である。しかしながら、該方法は、甲第１〜３号証に記載されたストリッピング組成物の当然採られるべき使用形態を記述しただけのものに過ぎないし、甲第１〜３号証にはその使用形態としての剥離方法が記載されている。したがって、請求項１３に係る発明は、甲第１〜３号証に基づいて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．　むすび
　
　以上のとおりであるから、訂正後の本件請求項１、４、６〜１３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、訂正後の本件請求項１、４、６〜１３に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１月１０日（２００３．１．１０）
【訂正の要旨】
・訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の
「【請求項１】　本質的に、有機極性溶媒及び塩基性アミンから成るフォトレジスト用ストリッピング組成物において、当該組成物が重量比約０．５から２０％の抑制剤を含有することを特徴とする改良ストリッピング組成物であり、当該抑制剤は以下記載の構造を有するグループから選択されており、当該構造とは、
　【化１】
であり、ここにおいて、
ＸはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであり、
ＹはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであり、
Ｒは−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、−ＮＯ２、あるいは
ｚは０または１であり、
Ｒ′は−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、ＮＯ２、あるいは
であり、
Ａ及びＢは各々−ＯＨ；ＣＯＯＲ″；−ＳＯ２ＮＨ２あるいは＝ＮＨ２であり、
ＧはＨ、低級アルキル、あるいはハロゲン（ｈａｌｏ）であり、
Ｒ″はＨあるいは低級アルキルであり、
Ｒ′′′は低級アルキル及び低級アルコキシであることを特徴とする改良ストリッピング組成物。」
の記載を、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的として、
「【請求項１】　本質的に、有機極性溶媒及び塩基性アミンから成るフォトレジスト用ストリッピング組成物において、当該組成物が重量比約０．５から２０％の抑制剤を含有することを特徴とする改良ストリッピング組成物であり、当該抑制剤は以下記載の構造
　【化１】
〔ここにおいて、
　Ａ及びＢは各々−ＯＨ；ＣＯＯＲ″；−ＳＯ２ＮＨ２あるいは−ＮＨ２であり、
　ＧはＨ、低級アルキル、あるいはハロゲン（ｈａｌｏ）であり、
　Ｒ″はＨあるいは低級アルキルである〕
であることを特徴とする改良ストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２の
「【請求項２】　前記抑制剤は以下記載の成分を有するグループから選択されており、当該成分とは、
８−アミノ−４Ｈ−クロメン、
８−ヒドロキシキノリン、
８−アミノ−４Ｈ−１−ベンゾフラン、
１−ヒドロキシ−８−ジアルキルアミノナフタレンアントラル酸、及び１−ヒドロキシ−８−ジメチルアミノナフタレン
であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
の記載を、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的として、
「【請求項２】　前記抑制剤がアンスラニル酸であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３の
「【請求項３】　前記抑制剤は以下記載の成分を有するグループから選択されており、当該成分とは、
８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオピラン、
８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオフラン、
８−メチルチオクロマン、
８−ｄｉｔｅｒｔブチルアミノクロメン
１−ｔｅｒｔブトキシ−８−ニトロナフタレン、
８−アルキルケトキノリン、
２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミド、
８−スルフヒドリルキノリン、及び８−ニトロソキノリン
であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
の記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項３】　前記抑制剤が２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミドであることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項６の
「【請求項６】　重量比約５０から約９８％の前記極性溶剤を含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
の記載を、誤記の訂正を目的として、
「【請求項６】　重量比約５０から約９８％の前記極性溶媒を含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。」
　と訂正する。
・訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項１０の
「【請求項１０】　前記アミンは以下記載の化学式を有する化合物からなることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物であって、当該化学式とは、
であり、ここにおいて、
Ｒ３は、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ２Ｈ４ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ４は水素、低級アルキル、アルカノール、及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ５は水素、低級アルキル、及び−Ｃ２Ｈ４ＯＨからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ３とＲ４はそれらが結合している窒素グループと共に５員環ないしは６員環を形成していることを特徴とするストリッピング組成物。」
の記載を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【請求項１０】　前記アミンは以下記載の化学式を有する化合物からなることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物であって、当該化学式とは、
であり、ここにおいて、
Ｒ３は、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ２Ｈ４ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ４は水素、低級アルキル、アルカノール、及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
Ｒ５は水素、低級アルキル、及び−Ｃ２Ｈ４ＯＨからなるグループより選択されたものであることを特徴とするストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項１１の
「【請求項１１】　前記アミンはモノエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、メチルエチルアミン、モルフォリン、１−アミノ−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシエタノール）、３−メトキシプロピルアミン、２−アミノ−ピコリン、及びビス（２−エチルヘキシル）アミンからなるグループより選択されたものであることを特徴とする請求項１０記載のストリッピンク組成物。」
の記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１１】　前記アミンはモノエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、メチルエチルアミン、１−アミノ−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシエタノール）、３−メトキシプロピルアミン、及びビス（２−エチルヘキシル）アミンからなるグループより選択されたものであることを特徴とする請求項１０記載のストリッピング組成物。」
と訂正する。
・訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１３の記載を削除する。
・訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１４の記載を削除する。
・訂正事項ｉ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の「【請求項１５】」を「【請求項１３】」と訂正する。
・訂正事項ｊ
　明細書の段落【００４２】に記載された表３
「
」
の記載を、誤記の訂正を目的として、
「
」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
有機ストリッピング組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　本質的に、有機極性溶媒及び塩基性アミンから成るフォトレジスト用ストリッピング組成物において、当該組成物が重量比約０．５から２０％の抑制剤を含有することを特徴とする改良ストリッピング組成物であり、当該抑制剤は以下記載の構造
　【化１】
〔ここにおいて、
　Ａ及びＢは各々−ＯＨ；ＣＯＯＲ″；−ＳＯ２ＮＨ２あるいは−ＮＨ２であり、
　ＧはＨ、低級アルキル、あるいはハロゲン（ｈａｌｏ）であり、
　Ｒ″はＨあるいは低級アルキルである〕
であることを特徴とする改良ストリッピング組成物。
　【請求項２】前記抑制剤がアンスラニル酸であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。
　【請求項３】前記抑制剤が２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミドであることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。
　【請求項４】　水分を含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。
　【請求項５】　非水溶性であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。
　【請求項６】　重量比約５０から約９８％の前記極性溶媒を含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。
　【請求項７】　重量比約１から約４９％の前記アミンを含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。
　【請求項８】　前記有機極性溶媒は以下記載の化学式を有するアミド化合物、及びその混合物からなることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物であって、当該化学式とは、
　【化２】
であり、ここにおいて、
　Ｒは水素、低級アルキル及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ１及びＲ２は水素及び低級アルキルからなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ及びＲ１はそれらが結合しているケトと窒素のグループと共に５員環ないしは６員環を形成していることを特徴とするストリッピング組成物。
　【請求項９】　前記アミドは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロプロンアミド、Ｎ−メチルピロリジノン、及びＮ−エチル−２−ピロリジノンからなるグループより選択されたものであることを特徴とする請求項８記載のストリッピング組成物。
　【請求項１０】前記アミンは以下記載の化学式を有する化合物からなることを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物であって、当該化学式とは、
　【化３】
であり、ここにおいて、
　Ｒ３は、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ２Ｈ４ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ４は水素、低級アルキル、アルカノール、及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ５は水素、低級アルキル、及び−Ｃ２Ｈ４ＯＨからなるグループより選択されたものであることを特徴とするストリッピング組成物。
　【請求項１１】　前記アミンはモノエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、メチルエチルアミン、１−アミノ−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシエタノール）、３−メトキシプロピルアミン、及びビス（２−エチルヘキシル）アミンからなるグループより選択されたものであることを特徴とする請求項１０記載のストリッピンク組成物。
　【請求項１２】　重量比約２％までの非イオン系洗剤を含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピング組成物。
　【請求項１３】　コーティングされた基材からコーティング物質を除去する方法であって、当該コーティングされた基材に、ストリッピングに有効な量の請求項１記載のストリッピング組成物を、ストリッピングに有効な時間作用させ、当該基材から当該コーティング物質を除去することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、金属製基材からフォトレジスト等のポリマー系有機物質を除去する際に、ストリッピング剤（抜染剤　ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ａｇｅｎｔ）として有用な塩基性アミンと、有機極性溶媒とを含有する改良有機ストリッピング組成物（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）に関わるものである。更に詳細には、本発明は当該金属表面の腐食及び劣化を防止する新規な抑制機構（ｉｎｈｉｂｉｔｉｏｎ　ｓｙｓｔｅｍ）を提供するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体及び半導体マイクロ回路の製造中においては、通常、フォトレジスト、すなわち露光の際にエッチングレジストを形成するポリマー系有機物質を使用して、半導体及びマイクロ回路の製造材料をコーティングすることが必要となる。その結果、主に二酸化シリコンによってコーティングされているシリコンウエハーの表面に、アルミニウム等の金属製マイクロ回路構成部材を有することもある有機基材の表面から、ポリマー系有機物質を除去することが必要となる。よって、金属製回路部材の表面を腐食、溶解あるいは劣化させたり、無機基材を化学変化させたりすることがなく、コーティングされた無機基材からポリマー系有機物質を除去することができる改良ストリッピング組成物に対する需要が高まっている。
　【０００３】
　一方、芳香性溶剤及び塩基性アミンからなる有機ストリッピング剤が、金属製の無機基材から有機物質を除去することは、周知のことであるが、これらのストリッピング剤はポリマー系物質を除去するのには有効であるが、水分の存在下においては、金属、特に銅、アルミニウム、及びチタン等を腐食するという欠点を有している。また、金属腐食度を減じるために有機ストリッピング剤中にフッ化水素を使用することも提案されているが、フッ化水素は環境に有害であり、チタンを劣化させる廃棄物問題を起こすという欠点を有している。
　【０００４】
　β−ナフトール、グルコース、レソルシノール、ピロガロール、及びベンゾチアゾール等の周知の抑制剤（ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ）は、有機極性溶媒及び塩基アミンからなるストリッピング組成物と共に使用されるとき、銅のピッティング（ｐｉｔｔｉｎｇ）を防止するのに効果がないことが知られている。
　【０００５】
　参考として、本明細書に記載するところのシゼンスキーに付与された米国特許第４，６１７，２５１号には、本発明の抑制剤を利用することができるストリッピング組成物を開示している。
　【０００６】
　英国特許出願第８４２８５８７号は本発明の抑制剤と共に使用可能なアミド及びアミンからなるストリッピング組成物を開示している。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　よって、本発明の目的は、アルミ化無機基材、特にアルミ化二酸化ケイ素から、上昇温度下での繰り返し使用後であっても、無機基材に実質的なエッチングを起こすことなく、当該無機基材の表面上の金属回路部材の腐食及び劣化を生じることもなく、有機フォトレジスト物質をきれいに、しかも効果的に除去する改良有機ストリッピング組成物を提供することである。
　【０００８】
　本発明の他の目的は、無機基材のエッチングを起こすことも、当該無機基材の表面上の金属回路部材の腐食及び劣化を生じることもなく、アルミ化無機基材、特にアルミ化二酸化ケイ素の表面から、ポリマー系有機物質を除去する方法を提供することである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明によれば、水性（ａｑｕｅｏｕｓ）あるいは非水溶性（ｎｏｎ−ａｑｕｅｏｕｓ）ストリッピング組成物において効果を発する抑制機構（ｉｎｈｉｂｉｔｉｎｇ　ｓｙｓｔｅｍ）との組合せによる有機極性溶媒及び塩基性アミンを含むストリッピング組成物が提供される。本発明との関連において使用される抑制剤は以下記載の化学式を有し、当該化学式とは、
　【００１０】
　【化４】
　【００１１】
であり、ここにおいて、
ＸはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであり、
ＹはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであり、
Ｒは−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、ＮＯ２、あるいは
　【化５】
であり、
ｚは０または１であり、
Ｒ′は−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、ＮＯ２、あるいは
　【化６】
であり、更にここにおいて、
Ｒ″はＨ、あるいは低級アルキルであり、
Ｒ′′′は低級アルキルあるいは低級アルコキシであり、
ＡとＢは各々、−ＯＨ；−ＣＯＯＲ″；−ＳＯ２ＮＨ２あるいは−ＮＨ２；であり、
ＧはＨ、あるいは低級アルキル、あるいはハロゲンである。
　【００１２】
　本発明に利用可能な好適抑制剤は、８−アミノ−４Ｈ−クロメン、８−ヒドロキシキノリン、８−アミノ−４Ｈ−１−ベンゾフラン、１−ヒドロキシ−８−ジアルキルアミノナフタレン、１−ヒドロキシ−８−ジメチルアミノナフタレン、８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオピラン、８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオフラン、８−メチルチオクロマン、８−ｄｉｔｅｒｔブチルアミノ　クロメン、１−ｔｅｒｔブトキシ−８−ニトロナフタレン、８−アルキルケトキノリン、８−スルフヒドリルキノリン、アンスラニル酸、８−ニトロソキノリン、及び２−ヒドロキシ　ベンゼン　スルフォンアミドである。
　【００１３】
　本発明の抑制機構（ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ　ｓｙｓｔｅｍ）は、金属との配位複合体（ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ　ｃｏｍｐｌｅｘ）の形成により作用する。基材と金属との複合（ｃｏｍｐｌｅｘａｔｉｏｎ）は、一般的に、抑制剤のヘテロ原子上に存在する非結合電子対と、該金属との配位により発生し、前記抑制剤は、例えば以下の化学式に示す様な安定した５員環あるいは６員環の配位環を形成する化合物
　【００１４】
　【化７】
　【００１５】
　であり、ここにおいて、
Ｘ、Ｙ、Ｒ、Ｒ′、Ａ、Ｂ、及びＧは以下に記載されているごとくであり、
ＭはＣｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ａｓ、及びそれらの合金からなるグループより選択された金属である。
　【００１６】
　次に、本発明のストリッピング組成物を構成する成分について述べる。本発明のストリッピング組成物は以下の化合物（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の混合体からなり、当該化合物とは、すなわち、
（ａ）以下記載の化学式を有するアミド化合物、及びその混合体であり、当該化学式は、
　【化８】
　【００１７】
　であり、ここにおいて
　Ｒは水素、低級アルキル及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ１及びＲ２は水素及び低級アルキルからなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ及びＲ１はそれらが結合しているケトと窒素のグループと共に５員環あるいは６員環を形成し、
　【００１８】
（ｂ）以下記載の化学式を有するアミン化合物、及びその混合体であり、当該化学式は、
　【化９】
　【００１９】
であり、ここにおいて、
　Ｒ３は−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ２Ｈ４ＯＨ、フェニール、及び−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３からなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ４は水素、低級アルキル、アルカノール、及びフェニールからなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ５は水素、低級アルキル、及び−Ｃ２Ｈ４ＯＨからなるグループより選択されたものであり、
　Ｒ３とＲ４はそれらが結合している窒素グループと共に５員環ないしは６員環を形成し、
　【００２０】
（ｃ）重量比約０．５から約２０％の抑制剤である。
　【００２１】
　本発明のストリッピング組成物は、重量比５０％までの水分を含むのが好ましく、約２０％の水分を含有することが更に好ましい。
　【００２２】
　また、本発明によれば、セ氏約２０度から約１８０度の温度域において、本発明の有機ストリッピング組成物とポリマー系有機物質を接触させることにより、金属無機基材から当該ポリマー系有機物質をストリッピングする方法を提供することができる。
　【００２３】
　次に、本発明のストリッピング組成物について、詳細に説明する。まず第１に、本発明のストリッピング組成物を構成する成分としては、重量比約５０から約９８％、好ましくは約９２から約９８％のアミドあるいは化学式（ＩＩＩ）のアミドの混合体と、重量比約１から約４９％、好ましくは約１から約８％のアミン化合物あるいは化学式（ＩＶ）のアミンの混合体と、重量比約０．５から約２０％、好ましくは約１から約１３％の抑制剤とを含むことが可能である。
　【００２４】
　第２に、本発明の組成物内において有用な化学式（ＩＩＩ）の好適なアミド化合物の例として、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルブチルアミド、Ｎ−メチルピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン、及びＮ−メチル−Ｎ−エチルアセトアミド等が挙げられる。
　【００２５】
　第３に、本発明の組成物内において有用な化学式（ＩＶ）のアミン化合物の例として、例えば、モルフォリン、２−アミノ−ピコリン、ビス（２−エチルヘキシル）アミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、メチルアミノエタノール等が挙げられる。
　【００２６】
　第４に、本発明の好ましいストリッピング組成物を構成する成分としては、重量比約９４から約９８％のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドあるいはＮ−メチル−Ｎ−エチルアセトアミドと、重量比約１から約８％のモノエタノールアミンあるいはモノプロパノールアミンと、重量比約１から約１３％の抑制剤とを含む。
　【００２７】
　本発明の更に好ましいストリッピング組成物は、重量比約９３％のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドあるいはＮ−メチル−Ｎ−エチルアセトアミドからなる混合体と、重量比約５％のモノエタノールアミンと、重量比約２％の８−ヒドロキシキノリンとからなる混合体を含む。次に本発明のストリッピング組成物を構成する各成分の重量比を表１に示す。
　【００２８】
　【表１】
　【００２９】
　本発明のストリッピング組成物は、好ましくは、当該組成物のストリッピング作用に悪影響を及ぼさない限り、水と混合可能ないかなる非イオン系洗剤をも含有可能であり、一般的にその含有量は全組成物に対する重量比で約０．１から約２％の範囲である。
　【００３０】
　また、使用可能な非イオン系洗剤は、以下記載の３基本タイプでよい。すなわち、アルキレンオキシド凝縮物、アミド、及び半極性非イオン系洗剤の３タイプである。好ましくは、当該非イオン系洗剤はエトオキシレートされたアルキルフェノールあるいはアルキルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、エトキシレートされた鎖式アルコール、ポリオキシエチレン、グリセロールエステル（モノ−あるいはジ−）カルボキシリックエステル、及び他の同様な非イオン系界面活性剤である。典型的な好ましいエトオキシレートされたアルキルフェノールはＣ８からＣ１２までのアルキルフェノールである。それらは、水溶性で、少なくとも重量比６０％のポリオキシエチレンのグループを有しているものが最適である。そのようなエトオキシレートされたアルキルフェノールは数例を挙げれば、ＧＡＦコーポレーションの商品名イゲパル（Ｉｇｅｐａｌ）、及びロームアンドハース社（Ｒｏｈｍ　ａｎｄ　Ｈａｓｓ　Ｃｏ．）のそれぞれ商品名レベレン（Ｌｅｖｅｌｅｎ）、ニュートロニクス（Ｎｅｕｔｒｏｎｙｘ）、ソーラー（Ｓｏｌａｒ）ＮＰ、スルフォニックシリーズ（Ｓｕｒｆｏｎｉｃ　ｓｅｒｉｅｓ）、及びトリトンＮとＸシリーズ（ｔｈｅ　Ｔｒｉｔｏｎ　Ｎ　ａｎｄ　Ｘ　ｓｅｒｉｅｓ）のごときものである。
　【００３１】
　本発明の使用に適するポリオキシエチレンの中には、エチレングリコールのモノ−及びジアルキルエーテル、及びそれらの誘導体がある。典型的な他の非イオン系剤には、モノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニールエーテル、及び他の同様なエチレングリコールのエーテルがある。別な非イオン系剤のグループには、ポリエチレングリコール及びアルコキシの誘導体、特にメトキシポリエチレングリコールのごとき低級アルコキシ、並びにジエチレングリコール、プロピレングリコール及び他の同様なグリコールがある。
　【００３２】
　好ましい非イオン系剤には、例えば、ＧＡＦコーポレーションのイゲパルＤＭ７１０及びＣＯ−６１０、ＢＡＳＦワイアンドット社（Ｗｙａｎｄｏｔｔｅ　ＣＯ．）のプルラドット（Ｐｌｕｒａｄｏｔ）ＨＡ４３０、プルラファック（Ｐｌｕｒａｆａｃ）ＲＡ−３０及び−４３、プルロニック（Ｐｌｕｒｏｎｉｃ）Ｌ−６２及びＬ−１０、オリン社（Ｏｌｉｎ　Ｃｏ．）のポリ−タージェント（Ｐｏｌｙ−Ｔｅｒｇｅｎｔ）ＬＦ−４０５及びＳＬＦ−１８及びＳＬＦ−４５、サンドス社（Ｓａｎｄｏｚ　Ｃｏ．）のサンドキシレートＳＸシリーズ（Ｓａｎｄｏｘｙｌａｔｅ　ＳＸ　ｓｅｒｉｅｓ）、ＧＡＦコーポレーションのエマルフォジーンＢＣシリーズ（Ｅｍｕｌｐｈｏｇｅｎｅ　ＢＣ　ｓｅｒｉｅｓ）がある。
　【００３３】
　本発明に使用する他の適した非イオン系界面活性剤は、本願に参考として記載する、カークとオスマー（Ｋｉｒｋ＆Ｏｔｈｍｅｒ）による「化学技術百科辞典」（Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）第１９巻の５３１頁から５５４頁の表題『非イオン系界面活性剤』中にて開示されている。
　【００３４】
　【作用】
　本発明の非水性ストリッピング組成物に含まれる抑制剤は、塩素あるいはフッ素プラズマにさらされて腐食しやすく、増感処理された基材を保護する様に作用する。また、水性ストリッピング組成物においては、水酸化イオンにより生じる腐食を防止するように、前記金属基材の保護が行われる。
　【００３５】
　【実施例】
　まず、以下記載の２枚の異なる金属基材を対象にして、腐食防止用の種々な抑制剤を試験するために標準的腐食溶剤システムを使用した。
１）１００％純銅ホイル。
２）シリコン基材の表面にスパッター積層（ｄｅｐｏｓｉｔ）された、Ａｌ／Ｃｕ（２％）の金属合金。
使用された標準腐食溶剤は以下の構成であった。
　　ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）−９４％（ｗ／ｗ）
　　モノエタノールアミン（ＭＥＡ）−６％（ｗ／ｗ）
　　界面活性剤−０．２％（ｗ／ｗ）添加
　【００３６】
　純銅基材上における腐食度を評価するために、以下記載の溶剤を使用した試験を事前に実施した。浸食度は、酸化（すなわち腐食）銅の安定化合物（ｓｔａｂｌｅ　ｃｏｍｐｌｅｘ）の生成を示す青あるいは青緑への溶剤の色変化により評価された。前記溶剤とは、
１）ＤＭＡ
２）ＤＭＦ
３）テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）
４）プロピレンカーボネイト
５）Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
を含んだものである。これらの溶剤は、何れも、前記銅には全く化学変化を及ぼさなかった。
　【００３７】
　数種類のアミン（すなわち、銅と安定化合物を形成すると知られており、強力な腐食剤であり得るもの）について、上記と同様な色変化指示剤を使用して、腐食試験を行った。２２時間接触後の試験結果は以下の通りであった。
　【００３８】
　【表２】
　【００３９】
　これらの試験により、各組織中の（ｉｎ　ａ　ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ）アミンは銅ばかりではなく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｕ、Ｗ等を含む多くの異なる金属の腐食にも係わりを有することが知られる。この事実は、これら金属の標準電気化学電位下においても証明されており、ＮＨ３あるいはＲ−ＮＨ２環境下における金属酸化（すなわち腐食）に対して、より大きな影響を及ぼすものであることを示す。
　【００４０】
　よって、「抑制剤」の効果を適正に試験するために腐食性アミン及び不活性溶剤双方を含有する参照用溶液の組成（ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ）が使用された。前記組成は、ＤＭＡ−９４％ＭＥＡ−６％界面活性剤−０．２％（付与）であり、以下記載の３つの異なる測定方法を使用して試験された幅広い抑制剤の選択がなされた。
　【００４１】
１）銅基材に対し、腐食性溶剤中に抽出された銅の実際のＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ）測定。
２）試験用溶剤（すなわち、参照組成＋抑制剤）に対する露出前後の銅表面微細検査。
３）試験用溶剤に対する露出前後のＡｌ／Ｃｕ合金基材上の「ピッティング」腐食のＤＦ／ＢＦ微細検査。
　【００４２】
　【表３】
　【００４３】
　【発明の効果】
　本発明のストリッピング組成物は、その一部が以下において紹介してあるように多くの理由にもとづき、特に有用で利点に富んだものである。まず、第１に本発明のストリッピング組成物は水混合性、非浸食性、不燃性であり、しかも、当該組成物の低発散圧により、通常の組成物に比して実質的に蒸発が少なく非化学反応性であり環境的に受け入れられるものであるので、人及び環境に対して低毒性である。
　【００４４】
　第２に、本発明のストリッピング組成物は多目的に再使用するか、あるいは多額な費用をかけた安全対策を必要とせず、環境的に安全な方法で容易に廃棄が可能である。同様に、ストリップされたコーティング部分は固体として容易に剥ぎ取り可能であり、回収廃棄が楽である。
　【００４５】
　第３に、本発明のストリッピング組成物は幅広いタイプのコーティング及び基材に対して、低温で他よりも一層効果的な特性を示す。更に、当該ストリッピング組成物は室温でその成分を混合するだけで容易に製造可能であり、人及び環境に対する特別な安全措置を要しない。
　【００４６】
　第４に、本発明のストリッピング組成物の成分は協力増幅的なストリッピング作用を提供し、基材からそのコーティングを容易に、しかもほぼ完壁に除去することができるという優れた効果を奏する。