【事件の表示】
　特願２００１−５６７８３０「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板ボウル、並びにＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板ボウル製造法及び使用法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２０日国際公開、ＷＯ０１／６８９５５、平成１５年　９月１６日国内公表、特表２００３−５２７２９６、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１３年３月１２日（パリ条約による優先権主張：２０００年３月１３日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年３月１０日付けで手続補正がされ、平成２３年４月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月６日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、同年１０月２７日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２４年２月１日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、同年１０月３１日付けで、平成２４年２月１日付けの手続補正が却下され、同日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２５年３月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がされ、同年７月８日付けで前置報告書を利用した審尋がされ、同年１０月４日付けで回答書が提出され、同年１０月２５日付けで当審により拒絶理由が通知され、平成２６年２月２０日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　本願発明
　本願発明は、平成２６年２月２０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、これらの請求項に係る発明を項番号に対応して、「本願発明１」などといい、これらをまとめて「本願発明」という。）。
「【請求項１】
　（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎのみからなる独立したシード材料及びその上に４ｍｍ以上の長さまで成長したブール材料を含み、前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎシード材料と前記ブール材料との間にパターン化されたＳｉ3Ｎ4、ＷまたはＳｉＯ2で構成された中間層を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎブールであって、前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎシード材料より大きい横断面積の端を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎブール。
【請求項２】
　前記ブール材料がウエハー源材料を含んでおり、前記中間層の材料は、ウエハー源材料の歪の軽減もしくは適応、ウエハー源材料の電気特性の変換、ウエハー源材料の欠陥密度の軽減、ウエハー源材料の（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎシード材料からの分離促進及びウエハー源材料の核形成成長の促進のうちの少なくとも１つの機能性を有する請求項１に記載のブール。
【請求項３】
　前記中間層が、気相エピタクシー、化学的蒸着、物理的蒸着、分子線エピタクシー、有機金属化学気相エピタクシー及びハイドライド気相エピタクシーからなる群から選択された堆積プロセスにより堆積された請求項１又は２に記載のブール。
【請求項４】
　前記中間層のパターン化がエッチングによってなされた請求項１〜３のいずれか１項に記載のブール。
【請求項５】
　前記中間層が単層である請求項１〜４のいずれか１項に記載のブール。
【請求項６】
　表面欠陥密度が１ｃｍ2あたり１０6未満である請求項１〜５のいずれか１項に記載のブール。
【請求項７】
　表面欠陥密度が１ｃｍ2あたり１０4未満である請求項１〜５のいずれか１項に記載のブール。
【請求項８】
　１ｃｍを超える直径を有し、実質的に無亀裂である請求項１〜７のいずれか１項に記載のブール。
【請求項９】
　ｃ−軸、ａ−軸、ｍ−軸及びｒ−軸からなる群から選択された配向を有するシード結晶上で成長し、該選択された配向である第一結晶軸から１〜１０度の範囲内の角度で切断された結晶配向を有する請求項１〜８のいずれか１項に記載のブール。
【請求項１０】
　第一結晶軸から１〜１０度の範囲内の角度で切断された結晶配向を有するシード結晶上で成長した請求項１〜８のいずれか１項に記載のブール。
【請求項１１】
　前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）窒化物がＧａＮを含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載のブール。」
　
第３　拒絶理由の概要
１．原査定の拒絶理由の概要
（１）本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　刊行物１：国際公開第９９／２３６９３号
　刊行物２：特開平７−９４７８４号公報
　刊行物３：特開平１０−３１２９７１号公報
　
（２）本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 　 
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　請求項１に記載の「中間層」に関して、その材料は任意である。一方、発明の詳細な説明（特に【００３５】【００３６】）には、「かかる中間層は、限定しないが、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）−Ｎまたは，他のＩＩＩ−Ｖ族窒化物、ＳｉＣ、（ボウルの欠陥密度を減らすための１つの好ましい中間層材料である）ＳｉＮ及び酸化物をはじめとするいかなる適合材料で形成してもよい。」との記載が見受けられるが、上記適合材料を用いた実施例などの具体的な説明は見当たらず、任意の中間層とした場合に、本願の課題であるブールの低欠陥密度を達成できることを当業者が認識できるように記載されていると解することはできない。
　よって、請求項１、及びこれを引用する他の請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
 　 
 （３）本件出願は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 　 
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　請求項１に記載の「横断積」は、日本語としてその意味が不明である。
　よって、請求項１、９に係る発明は明確でない。
　なお、請求項９に記載の「第一結晶軸」についても、どの軸を指すのかが不明確である。
　
２．当審の拒絶理由の概要
（１）請求項４について 
　請求項４には、「前記中間層が、前記シード結晶の改質、エッチング又はパターン化によって形成された請求項１〜３のいずれか１項に記載のブール。」という記載において、中間層を形成する「シード結晶の改質」とは、どのような「シード結晶の改質」を意味するのか技術的に不明であり、請求項４の記載は明確ではない。
 　 
（２）請求項５について　 
　請求項５には、「前記中間層が単層又は多重層であるか、単一又は複数の材料を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載のブール。」と記載されているが、この記載では、中間層がどのようなものであるか明確ではない。 
 　 
（３）補正前の請求項１１、１２について 
　ブールをシード結晶の、「（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）面上に成長」させること（請求項１１）、「Ｎ−面上に成長」させること（請求項１２）が記載されているが、技術的にどのようなことを意味するのか不明であり、請求項１１、１２の記載は明確とはいえない。 
 　 
 （４）補正前の請求項１４について 
 　請求項１４は、「ブールにソーイング、スライシング又はその別の分割技法を行うことにより得られるウエハ」に関する発明であり、独立したシード材料、ブール材料及び中間層を有するものではなく、発明の構成が明確であるとはいえない。 
　
第４　当審の判断
１．原査定の拒絶理由（１）について
（１）刊行物１の記載事項
　刊行物１には、「ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある（当審注：下線は当審により付与。以下、同じ。）。
　ア　「技術分野
　本発明は、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の窒化物系化合物半導体を用いた、発光ダイオード、半導体レーザ等の発光デバイスや、電界効果トランジスタ等の電子デバイス用の基板及びその製造方法に関するものである。」（明細書１頁３〜６行）
　
　イ　「
本発明は、
ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法を提供する
　本発明に係るＧａＮ単結晶基板の製造方法は、
ＧａＡｓ基板上に、互いに離隔配置された複数の開口窓を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層上に、ＧａＮからなるエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程と、を備える
　本発明のＧａＮ単結晶基板の製造方法によれば、マスク層の各開口窓内でＧａＮ核が形成され、このＧａＮ核が次第にマスク層上の横方向、すなわちマスク層の開口窓が形成されていないマスク部の上方に向かって何の障害物もなく自由にラテラル成長する。そして、ＧａＮ核がラテラル成長するときに、ＧａＮ核内の欠陥は広がらないため、結晶欠陥が大幅に低減されたＧａＮ単結晶基板を形成することができる。」（明細書２頁１８行〜３頁３行）
　
　ウ　「［第１実施形態］
　第１実施形態に係るＧａＮ単結晶基板及びその製造方法を、図１Ａ〜図１Ｄの製造工程図を用いて説明する。
　まず、図１Ａに示す第１の工程で、ＧａＡｓ基板２を気相成長装置の反応容器内に設置する。・・・
　ＧａＡｓ基板２を気相成長装置の反応容器内に設置した後、当該
ＧａＡｓ基板２上にＧａＮからなるバッファ層４を形成する
以上がバッファ層４を形成する気相成長法である。バッファ層４を形成した後、
当該バッファ層４上にＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６を成長させる
　続いて、図１Ｂに示す第２の工程を説明する。図１Ｂに示す第２の工程では、製造途中のウエハを成長装置から取り出して、
エピタキシャル層６上にＳｉＮ又はＳｉＯ
２
から成るマスク層８を形成する
パターンニングすることにより形成
　図４は、図１Ｂに示す第２の工程におけるウエハの平面図である。図１Ｂ及び図４に示されているように、本実施形態の
マスク層８には、
ストライプ窓１０が形成されている
マスク層８と第１のエピタキシャル層６のストライプ窓１０から露出している部分との上に第２のエピタキシャル層１２を成長させる
第２のエピタキシャル層１２の厚さは、約１５０μｍ〜約１０００μｍにする
・・・ＧａＮからなる第２のエピタキシャル層１２の成長初期においては、第２のエピタキシャル層１２はマスク層８上には成長せず、ＧａＮ核としてストライプ窓１０内における第１のエピタキシャル層６上にのみ成長する。そして、成長が進むに従って、第２のエピタキシャル層１２の厚みが増し、この厚みの増加に伴って、図５Ｂのように、マスク層８上において、第２のエピタキシャル層１２のラテラル成長（ｌａｔｅｒａｌ　ｇｒｏｗｔｈ）が生じる。・・・
　以上のように第２のエピタキシャル層１２を形成した後、図１Ｄに示す第４の工程に進む。第４の工程では、・・・アンモニア系エッチング液で
ＧａＡｓ基板２を
除去する
研磨処理を施して
ＧａＮ単結晶基板１３が完成
　
　エ　図１Ａ〜図１Ｄ「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　オ　図４「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　カ　図５Ａ〜図５Ｄ「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（２）刊行物１に記載された発明の認定
　上記イによれば、刊行物１には、ＧａＮ単結晶基板について、その製造方法は、ＧａＡｓ基板上に、互いに離隔配置された複数の開口窓を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層上に、ＧａＮからなるエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程と、を備えることが記載されている。
　そして、上記ウによれば、その製造方法の具体例である実施形態では、ＧａＡｓ基板２上にＧａＮからなるバッファ層４を形成し、当該バッファ層４上にＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６を成長させ、エピタキシャル層６上に、パターンニングにより、ストライプ窓１０が形成されたＳｉＮ又はＳｉＯ２から成るマスク層８を形成し、マスク層８と第１のエピタキシャル層６のストライプ窓１０から露出している部分との上に、約１５０μｍ〜約１０００μｍのＧａＮの第２のエピタキシャル層１２を成長させたもの（図１Ｃ）から、ＧａＡｓ基板２を除去して、バッファ層４の下面に研磨処理を施して、ＧａＮ単結晶基板１３（図１Ｄ）を完成させることが記載されている。
　
　そうすると、刊行物１には、「ＧａＮからなるバッファ層４、ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６、パターンニングにより、ストライプ窓１０が形成されたＳｉＮ又はＳｉＯ２から成るマスク層８、マスク層８と第１のエピタキシャル層６のストライプ窓１０から露出している部分との上の、約１５０μｍ〜約１０００μｍのＧａＮの第２のエピタキシャル層１２を、順に備えたＧａＮ単結晶基板１３」に関する発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているということができる。
　
（３）対比
（本願発明１について）
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明では、「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」の上に「パターンニングにより、ストライプ窓１０が形成されたＳｉＮ又はＳｉＯ２から成るマスク層８」があり、その上に「ＧａＮの第２のエピタキシャル層」を成長させているから、「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」は、「ＧａＮの第２のエピタキシャル層」に対するシード材料ということができる。
　ここで、本願発明１の「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ」は、本願明細書【００２７】の記載を参酌すれば、「Ａｌ」、「Ｇａ」、「Ｉｎ」の１〜３成分の窒化物を表すことは明らかであるから、上記「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」は、本願発明１の「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）のみからなるシード材料」に相当するといえる。
　そして、引用発明の「パターンニングにより、ストライプ窓１０が形成されたＳｉＮ又はＳｉＯ２から成るマスク層８」及び「ＧａＮ単結晶基板１３」は、本願発明１の、「パターン化されたＳｉＯ２で構成された中間層」及び「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）ブール」にそれぞれ相当する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そうすると、本願発明１と引用発明とは、
「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎのみからなるシード材料及びその上に成長したブール材料を含み、前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎシード材料と前記ブール材料との間にパターン化されたＳｉ3Ｎ4、ＷまたはＳｉＯ2で構成された中間層を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎブールである（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎブール。」である点で一致し、次の相違点１、２で相違する。
　
（相違点１）
　シード材料について、本願発明１では、独立しているのに対し、引用発明では、図１Ｄにも示されるように、「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」は、「ＧａＮからなるバッファ層４」の上にあって、独立していない点。
　
（相違点２）
　ブール材料について、本願発明１では、４ｍｍ以上の長さまで成長していて、シード材料より大きい横断面積の端を有するのに対し、引用発明１では、「ＧａＮ単結晶基板１３」について、４ｍｍ以上の長さまで成長させるかどうか不明であり、「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」より大きい横断面積の端を有するかどうかも不明な点。
　
（相違点１についての判断）
　刊行物１には、図１Ｃに示されたものに対し、「アンモニア系エッチング液でＧａＡｓ基板２を完全に除去する。さらに、ＧａＡｓ基板２を除去した後、ＧａＡｓ基板２の除去面、すなわちバッファ層４の下面に研磨処理を施して本実施形態に係るＧａＮ単結晶基板１３が完成する。」（上記（２）ウ、１４頁１３〜１５行）と記載されているように、図１Ｃに示されたものにおいて、「ＧａＡｓ基板２」はエッチングされ、「ＧａＮ」はエッチングされないようなアンモニアエッチング液を用いて、「ＧａＡｓ基板２」を除去した後に、残った「ＧａＮからなるバッファ層４」の下面に研磨処理を施してＧａＮ単結晶基板１３を完成させていることから、引用発明では、「ＧａＮからなるバッファ層４」をあえて残した上で、「ＧａＮ単結晶基板１３」を完成させているものと解される。
　そして、刊行物１には、「ＧａＮ単結晶基板１３」から「ＧａＮからなるバッファ層４」を除去することは、記載も示唆も見いだすことができないことから、引用発明において、「ＧａＮからなるバッファ層４」と「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」とは不可分のものであり、「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」を、本願発明１のような独立したシード材料として用いることは、想定されていないというべきである。
　
　そうすると、相違点１に係る本願発明１の発明特定事項は、引用発明に基いて、当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　
（相違点２についての判断）
　刊行物１には、「ＧａＮ単結晶基板１３」を「マスク層」を備えた「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」より大きい横断面積の端を有するようにすることについての明確な記載は見当たらない。
　そして、本願発明の相違点２に係る発明特定事項である「シード材料より大きい横断面積の端を有する」ことについての技術的意義を検討すると、「成長温度を高温にしたり、ＮＨ３／ＧａＮの比率を大にしたり、低圧にしたり、所望の温度勾配にしたり、流量を不均一にしたりして」「横方向への複製を促進」させて、「シードに垂直な方向とシードに平行な方向との両方向に成長」させることで、「ＧａＮブールの単結晶面積は大きくな」り、「大きな単結晶面積のＧａＮウエハーは、さらに大きなブールを作製するために、再びシードとして使用可能」（【００４９】）としたものであることがわかる。
　
　これに対し、原審の平成２３年１０月２７日付けの拒絶理由通知において、「引用文献１には、外径５０ｍｍ及び２０〜３０ｍｍのＧａＮ単結晶基板を用いて、それぞれ外径５５ｍｍ及び３５ｍｍのエピタキシャル層を成長させたもの、インゴットから基板にする方法は、内周歯のスライサーや劈開による切断であること、について記載されている（特に、実施例６、７、９、１０、２８頁２４行〜２９頁２行）。ここで、上記エピタキシャル層は基板よりも大きい表面積を有するといえる。」（１頁下から４行〜２頁２行）と記載されているので、「実施例６、７、９、１０、２８頁２４行〜２９頁２行」の記載について検討する。
　
　まず、該拒絶理由通知で引用された刊行物１の明細書２８頁２４行〜２９頁２行には、次の記載がある。
「図１６Ｆに示す第６の工程では、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を複数枚のＧａＮ単結晶基板６６にする。インゴット６４を複数枚のＧａＮ単結晶基板にする方法としては、インゴット６４を内周歯のスライサー等により切断する方法とＧａＮ単結晶の実開面に沿ってインゴット６４を劈開する方法とがある。尚、切断処理と劈開処理の両方を用いてもよい。」
　この記載からは、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を、切断や劈開によって、複数枚のＧａＮ単結晶基板６６を得ることが記載されていると認められる。
　
　次に、実施例６について、次の記載がある。
「
実施例６
　本実施例では、ＧａＡｓ基板２としてＧａＡｓ（１１１）Ａ基板を使用した。また、バッファ層２４、エピタキシャル層２６、及びエピタキシャル層６２は、全て図２に示す気相成長装置を用いてＨＶＰＥ法によって形成した。
　まず、図１６Ａに示す第１の工程で、ＧａＡｓ基板２上にマスク層８を形成した。この際、ストライプ窓１０の長手方向をＧａＡｓ基板２の［１１−２］に向け、マスク層８の厚さを約３００ｎｍ、マスク部の幅Ｐを約５μｍ、窓幅Ｑを約３μｍとした。
　次に、図１６Ｂに示す第２の工程で、ＧａＡｓ基板２の温度を約５００℃にした状態で、ストライプ窓１０内のＧａＡｓ基板２上にバッファ層２４をＨＶＰＥ法によって形成した。尚、バッファ層２４の厚さは、約８００オングストロームにした。
　次に、図１６Ｃに示す第３の工程で、ＧａＡｓ基板２の温度を約９５０℃にした状態で、バッファ層２４上にＨＶＰＥ法によってエピタキシャル層２６を約２００μｍ成長させた。
　次に、図１６Ｄに示す第４の工程で、ＧａＡｓ基板２を王水でエッチング除去した。
　図１６Ｅに示す第５の工程では、反応チャンバ５９内の温度を１０２０℃にした状態で、エピタキシャル層２６上にＨＶＰＥ法によってエピタキシャル層６２をさらに厚付けし、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成した。
インゴット６４は、
外径は約５５ｍｍ
　続いて、図１６Ｆに示す第６の工程で、
内周歯のスライサーによってインゴット６４を切断し、外径約５０ｍｍ、厚さ約３５０μｍのＧａＮ単結晶基板６６を２０枚得た
　
　この記載からは、インゴット６４の外径は約５５ｍｍであることが記載され、該インゴット６４を切断することで、外径約５０ｍｍ、厚さ約３５０μｍのＧａＮ単結晶基板６６を２０枚得たことから、該インゴットの厚さは、少なくとも、２０枚×３５０μｍ、すなわち、７０００μｍ（＝７ｍｍ）であることがわかる。
　しかしながら、「ＧａＡｓ基板２」や「バッファ層２４」の外径や断面積は不明であり、インゴット６４の断面積が、「ＧａＡｓ基板２」や「バッファ層２４」の断面積より大きいかどうかは判然としない。
　
　そして、実施例７（明細書４３頁４行〜４４頁１６行）について、「本実施例では、ＧａＡｓ基板２としてＧａＡｓ（１１１）Ａ基板を使用した。また、バッファ層２４、エピタキシャル層２６、及びエピタキシャル層６２は、全て図３に示す気相成長装置を用いて有機金属塩化物気相成長法によって形成した。・・・エピタキシャル層２６上にＨＶＰＥ法によってエピタキシャル層６２をさらに厚付けし、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成した。
インゴット６４は、
外径は約３０ｍｍ
　続いて、図１６Ｆに示す第６の工程で、内周歯のスライサーによってインゴット６４を切断し、
外径約２０〜約３０ｍｍ、厚さ約４００μｍのＧａＮ単結晶基板６６を２５枚得た
　この記載からは、実施例６と同様に、「ＧａＡｓ基板２」や「バッファ層２４」の外径や断面積は不明であり、インゴット６４の断面積が、「ＧａＡｓ基板２」や「バッファ層２４」の断面積より大きいかどうかは判然としない。
　
　そして、実施例９（明細書４５頁下から４行〜４６頁１６行）について、「
実施例６で製造されたＧａＮ単結晶基板上にエピタキシャル層７４を成長
外径は約５５ｍｍであった
　次に、図１８Ｂに示す第２の工程では、内周歯のスライサーによってインゴット７６を切断し、
外径約５０ｍｍ、厚さ約６００μｍのＧａＮ単結晶基板７８を１５枚得た
　
　また、実施例１０（明細書４６頁１８行〜４７頁４行）について、「
実施例７で製造されたＧａＮ単結晶基板上にエピタキシャル層７４を成長
インゴット７６は、
外径は約３５ｍｍ
　次に、図１８Ｂに示す第２の工程では、内周歯のスライサーによってインゴット７６を切断し、
外径約３５ｍｍ、厚さ約５００μｍのＧａＮ単結晶基板７８を５枚得た
　
　しかしながら、引用発明の「ＧａＮ単結晶基板１３」は、「窒化ガリウム（ＧａＮ）等の窒化物系化合物半導体を用いた、発光ダイオード、半導体レーザ等の発光デバイスや、電界効果トランジスタ等の電子デバイス用の基板」（上記１．（１）ア）として用いることを前提としたものであって、得られた「ＧａＮ単結晶基板」をシードとして使用し、より面積の大きい「ＧａＮ単結晶基板」を成長させることを意図するものではないことから、引用発明において、成長条件によっては「ＧａＮ単結晶基板１３」が「ＧａＮからなる第１のエピタキシャル層（下層エピタキシャル層）６」より大きい横断面積の端を有することがあるとしても、そのことは、本願発明１の相違点２に係る発明特定事項を容易に想到し得ることを意味するものではない。
　
　また、刊行物２には、「青色発光素子」（発明の名称）について記載され、刊行物３には、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜とその成長方法、ＧａＮ系半導体膜とその形成方法、ＧａＮ系半導体積層構造とその形成方法、ＧａＮ系半導体素子とその製造方法」（発明の名称）について記載されているものの、マスク層を備えたＧａＮ層の上に、当該ＧａＮ層より大きい横断面積の端を有するＧａＮ層を成長させることについては、記載も示唆もない。
　
　したがって、引用発明及び刊行物１〜３の記載に基いて、上記相違点２に係る発明特定事項を当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（相違点１、２についての判断のまとめ）
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用発明及び刊行物１〜３の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（本願発明２〜１１について）
　本願発明２〜１１は、本願発明１を引用し、本願発明１の発明特定事項を全て含むものであるから、本願発明１同様な理由から、引用発明及び刊行物１〜３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
２．原査定の拒絶理由（２）について
　中間層がＳｉ3Ｎ4、ＷまたはＳｉＯ2で構成された点が限定されたので、拒絶理由（２）は解消した。
　
３．原査定の拒絶理由（２）について
　「横断積」及び「第一結晶軸」という用語は、削除されたので、拒絶理由（３）は解消した。
　
４．当審拒絶理由について
（１）「シード結晶の改質」という記載は削除されたので、拒絶理由（１）は解消した。
 　 
（２）「前記中間層が単層」であると補正されたので、拒絶理由（２）は解消した。 
 　 
（３）補正前の請求項１１、１２は削除されたので、拒絶理由（３）は解消した。 
　
（４）補正前の請求項１４は削除されたので、拒絶理由（４）は解消した。
　 
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。