【事件の表示】
　特願２００７−５１３１５５「トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月　１日国際公開、ＷＯ２００５／１１４７４３、平成１９年１２月２０日国内公表、特表２００７−５３７５９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００５年４月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年５月１１日、アメリカ合衆国、２００４年１０月２９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年９月８日付けの拒絶理由通知に対して、平成２４年３月１３日に手続補正がなされ、同年１１月７日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２５年３月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、同年６月１４日付けで審尋がなされ、同年１０月２５日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２５年３月１３日になされた手続補正について
　平成２５年３月１３日になされた手続補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１５を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号を修正するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　また、当該補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしていることは明らかである。
　したがって、当該手続補正は、適法になされたものである。
　
３．本願発明
　本願の請求項１７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年３月１３日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１７に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「チャネルを有する活性領域と、
　前記活性領域と接触したソース電極およびドレイン電極と、
　前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の、前記活性領域上のゲートと、
　前記活性領域上に配置された複数のフィールドプレートと
を備え、
　前記複数のフィールドプレートのそれぞれは、前記ドレイン電極に向かって延びており、
　前記複数のフィールドプレートのそれぞれは、前記活性領域から、かつ前記複数のフィールドプレートのうちの他のフィールドプレートから分離され、
　前記複数のフィールドプレートのうちの最上部のフィールドプレートは、前記ソース電極に電気的に接続され、
　前記複数のフィールドプレートのうちの他のフィールドプレートのそれぞれは、前記ゲートまたは前記ソース電極に電気的に接続されていることを特徴とするトランジスタ。」
　
４．引用刊行物に記載された事項及び発明
（４−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前である平成１４年９月２０日に日本国内において頒布された特開２００２−２７０８３０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１３、１４、１８及び１９とともに、以下の事項が記載されている（なお、下線は、当審において付与したものである。以下、同じ。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源用，ＡＣアダプタ用，モーター駆動用或いは蛍光灯インバータ駆動用などの高耐圧パワー半導体装置に関する。」
「【０１３４】〔実施例１〕図１３は本発明の実施例１に係る高耐圧横形ＭＩＳＦＥＴ素子を備えた半導体装置を示す部分断面図である
【０１３５】
この高耐圧横形ＭＩＳＦＥＴ素子は設計耐圧（降伏ドレイン電圧）３５０Ｖ素子で、６０Ωｃｍの高抵抗Ｐ型半導体基板１と、Ｐ型半導体基板１の主面側に形成された表面濃度５×１０
１６
／ｃｍ
３
で拡散深さ４μｍのＰ型のチャネル領域（Ｐウェル）２と、このチャネル領域２内の主面側に形成されたＮ
＋
のソース領域３及びＰ
＋
の基板コンタクト４と、Ｐ型半導体基板１の主面側に形成された表面濃度０．５×１０
１６
／ｃｍ
３
で拡散深さ４μｍのＮ型ドレイン・ドリフト領域５と、Ｐ型半導体基板１の主面側でチャネル領域２からＮ型ドレイン・ドリフト領域５を介して離隔したＮ
＋
のドレイン領域６と、チャネル領域２をゲート絶縁膜７を介してバックゲートとすると共に、ドレイン・ドリフト領域５の主面上に選択的に形成された熱酸化膜（フィールド酸化膜，膜厚Ｔｏｘ＝２．２μｍ）８上でドレイン側に向けて張り出してなるゲート電極層９と、ゲート電極層９の上に形成された層間絶縁膜（膜厚１μｍ）１０を介して基板コンタクト４及びソース領域５に導電接触するソース電極層１１と、ドレイン領域６に導電接触すると共に、層間絶縁膜１０の上でソース側に向けて張り出してなるドレイン電極層１２と、ソース電極層１１及びドレイン電極層１２の上に形成されたパシベーション膜（保護膜）１４と、このパシベーション膜１４を被覆する外囲器のモールド樹脂（エポキシ系樹脂など）１５とを有して成る。
【０１３６】
ゲート電極層９の熱酸化膜８上での張り出し部分は、チャネル領域２のウェル端の電界集中を緩和するためのフィールドプレートとして主に機能するが、熱酸化膜８上での張り出し長さＭｃは１４μｍである。
「【０１４０】〔実施例２〕図１４は本発明の実施例２に係る高耐圧横形ＭＩＳＦＥＴ素子を備えた半導体装置を示す部分断面図である。
【０１４１】
この高耐圧横形ＭＩＳＦＥＴ素子は設計耐圧（降伏ドレイン電圧）７００Ｖ素子で、１２０Ωｃｍの高抵抗Ｐ型半導体基板１と、Ｐ型半導体基板１の主面側に形成された表面濃度５×１０
１６
／ｃｍ
３
で拡散深さ４μｍのＰ型のチャネル領域（Ｐウェル）２と、このチャネル領域２内の主面側に形成されたＮ
＋
のソース領域３及びＰ
＋
の基板コンタクト４と、Ｐ型半導体基板１の主面側に形成された表面濃度０．５×１０
１６
／ｃｍ
３
で拡散深さ４μｍのＮ型ドレイン・ドリフト領域５と、Ｐ型半導体基板１の主面側でチャネル領域２からＮ型ドレイン・ドリフト領域５を介して離隔したＮ
＋
のドレイン領域６と、チャネル領域２をゲート絶縁膜７を介してバックゲートとすると共に、ドレイン・ドリフト領域５の主面上に選択的に形成された熱酸化膜（フィールド酸化膜，膜厚０．６μｍ）８上でドレイン側に向けて張り出してなるゲート電極層９と、ゲート電極層９の上に形成された層間絶縁膜（膜厚４．４μｍ）１０を介して基板コンタクト４及びソース領域５に導電接触するソース電極層１１と、層間絶縁膜１０の上でドレイン側に向けてゲート電極層９よりも張り出し、ビアホールｈを介してこのゲート電極層９に導電接触するフィールドプレートＦＰ１と、ドレイン領域６に導電接触すると共に、層間絶縁膜１０の上でソース側に向けて張り出してなるドレイン電極層１２と、ソース電極層１１及びドレイン電極層１２の上に形成されたパシベーション膜（保護膜）１４と、このパシベーション膜１４を被覆する外囲器のモールド樹脂１５とを有して成る。
「【０１５５】〔実施例６〕
図１８は本発明の実施例６に係る高耐圧横形ＭＩＳＦＥＴ素子を備えた半導体装置を示す部分断面図である。なお、図１８において図１４に示す部分と同一部分には同一参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１５６】
本例は、図１４に示す構造を基本とし、ドレイン電極層１２，ソース電極層１１及びに第１のフィールドプレートＦＰ１の上に第２の層間絶縁膜２５を介して第２のフィールドプレートＦＰ２と第３のフィールドプレートＦＰ３を形成したものである。
第２のフィールドプレートＦＰ２は第１のフィールドプレートＦＰ１よりもドレイン側に向けて張り出ており、ビアホールｈ
１
を介して第１のフィールドプレートＦＰ１に導電接続していると共に、第３のフィールドプレートＦＰ３はドレイン電極層１２よりもチャネルに向けて張り出ており、ビアホールｈ
２
を介してドレイン電極層１２に導電接続している。
「【０１５８】〔実施例７〕
図１９は本発明の実施例７に係る高耐圧横形ＭＩＳＦＥＴ素子を備えた半導体装置を示す部分断面図である。なお、図１９において図１８に示す部分と同一部分には同一参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１５９】図１８に示す素子では、第２のフィールドプレートＦＰ２がビアホールｈ１を介して第１のフィールドプレートＦＰ１に導電接触しているが、
本例では第２のフィールドプレートＦＰ２がビアホールｈ
１
を介してソース電極層１１に導電接続している。
　
（４−２）そうすると、引用刊行物には、実施例７として、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「Ｐ型半導体基板１と、
　前記Ｐ型半導体基板１の主面側に形成されたＰ型のチャネル領域２と、
　前記チャネル領域２内の主面側に形成されたＮ＋のソース領域３及びＰ＋の基板コンタクト４と、
　前記Ｐ型半導体基板１の主面側に形成されたＮ型ドレイン・ドリフト領域５と、
　前記Ｐ型半導体基板１の主面側で前記チャネル領域２から前記Ｎ型ドレイン・ドリフト領域５を介して離隔したＮ＋のドレイン領域６と、
　前記チャネル領域２をゲート絶縁膜７を介してバックゲートとすると共に、前記Ｎ型ドレイン・ドリフト領域５の主面上に選択的に形成された熱酸化膜８上で前記ドレイン領域６側に向けて張り出してなるゲート電極層９と、
　前記ゲート電極層９の上に形成された層間絶縁膜１０を介して前記基板コンタクト４及び前記ソース領域５に導電接触するソース電極層１１と、
　前記ドレイン領域６に導電接触すると共に、前記層間絶縁膜１０の上で前記ソース領域３側に向けて張り出してなるドレイン電極層１２と、
　前記層間絶縁膜１０の上で前記ドレイン領域６側に向けて前記ゲート電極層９よりも張り出し、ビアホールｈを介して前記ゲート電極層９に導電接触する第１のフィールドプレートＦＰ１と、
　前記ドレイン電極層１２，前記ソース電極層１１及びに前記第１のフィールドプレートＦＰ１の上に第２の層間絶縁膜２５を介して形成された第２のフィールドプレートＦＰ２及び第３のフィールドプレートＦＰ３とを有して成り、
　前記第２のフィールドプレートＦＰ２は、前記第１のフィールドプレートＦＰ１よりも前記ドレイン領域６側に向けて張り出ており、ビアホールｈ１を介して前記ソース電極層１１に導電接続していると共に、前記第３のフィールドプレートＦＰ３は前記ドレイン電極層１２よりも前記チャネル領域２側に向けて張り出ており、ビアホールｈ２を介して前記ドレイン電極層１２に導電接続している、
　高耐圧横形ＭＩＳＦＥＴ素子を備えた半導体装置。」
　
５．対比・判断
（５−１）刊行物発明の「チャネル領域２」は、本願発明の「チャネル」に相当する。そして、刊行物発明の「前記Ｐ型半導体基板１の主面側に形成されたＰ型のチャネル領域２」、「前記チャネル領域２内の主面側に形成されたＮ＋のソース領域３及びＰ＋の基板コンタクト４」、「前記Ｐ型半導体基板１の主面側に形成されたＮ型ドレイン・ドリフト領域５」及び「前記Ｐ型半導体基板１の主面側で前記チャネル領域２から前記Ｎ型ドレイン・ドリフト領域５を介して離隔したＮ＋のドレイン領域６」は、併せて本願発明の「チャネルを有する活性領域」に相当する。
　
（５−２）刊行物発明の「前記活性領域と接触したソース電極およびドレイン電極」は、各々本願発明の「前記基板コンタクト４及び前記ソース領域５に導電接触するソース電極層１１」及び「前記ドレイン領域６に導電接触する」「ドレイン電極層１２」に相当する。
　
（５−３）刊行物発明の「ゲート電極層９」の内、「前記チャネル領域２をゲート絶縁膜７を介してバックゲートとする」部分は、本願発明の「前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の、前記活性領域上のゲート」に相当する。
　
（５−４）引用刊行物における段落【０１３６】の「ゲート電極層９の熱酸化膜８上での張り出し部分は、チャネル領域２のウェル端の電界集中を緩和するためのフィールドプレートとして主に機能するが、・・・」という記載から、刊行物発明の「ゲート電極層９」の内、「前記Ｎ型ドレイン・ドリフト領域５の主面上に選択的に形成された熱酸化膜８上で前記ドレイン領域６側に向けて張り出してなる」部分は、本願発明の「前記活性領域上に配置された複数のフィールドプレート」の一つに相当するとともに、「前記ゲート」「に電気的に接続されている」「他のフィールドプレート」に相当し、また、引用刊行物の図１９から、「ドレイン電極層１２」に向かって延びていることは明らかである。
　
（５−５）刊行物発明の「前記層間絶縁膜１０の上で前記ドレイン領域６側に向けて前記ゲート電極層９よりも張り出し、ビアホールｈを介して前記ゲート電極層９に導電接触する第１のフィールドプレートＦＰ１」は、本願発明の「前記活性領域上に配置された複数のフィールドプレート」の一つに相当するとともに、「前記ゲート」「に電気的に接続されている」「他のフィールドプレート」に相当し、引用刊行物の図１９から、「ドレイン電極層１２」に向かって延びていることは明らかである。
　
（５−６）刊行物発明の「前記第１のフィールドプレートＦＰ１の上に第２の層間絶縁膜２５を介して形成され」、「前記第１のフィールドプレートＦＰ１よりも前記ドレイン領域６側に向けて張り出ており、ビアホールｈ１を介して前記ソース電極層１１に導電接続している」「第２のフィールドプレートＦＰ２」は、本願発明の「前記活性領域上に配置された複数のフィールドプレート」の一つに相当するとともに、「前記ソース電極に電気的に接続され」た「最上部のフィールドプレート」に相当し、引用刊行物の図１９から、「ドレイン電極層１２」に向かって延びていることは明らかである。
　
（５−７）刊行物発明の「高耐圧横形ＭＩＳＦＥＴ素子を備えた半導体装置」は、本願発明の「トランジスタ」に相当する。
　
（５−８）すると、本願発明と刊行物発明とは、構成上の差異を見出すことはできず、本願発明と刊行物発明との間に相違点は存在しない。
　
（５−９）まとめ
　以上、検討したとおり、本願発明と刊行物発明との間に相違点は存在せず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であると認められるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。