【手続補正書】
【提出日】平成26年11月26日(2014.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスでの窒化ケイ素含有基材の研磨に適した酸性の水性研磨組成物であって、
（ａ）０．０１〜１０質量％の粒子状焼成セリア研磨剤、
（ｂ）（ａ）ポリ（ビニルピリジン）ポリマーおよび（ｂ）ポリ（ビニルピリジン）ポリマーと四級アンモニウム置換ポリマーとの混合物からなる群から選ばれた、１０〜１０００００ｐｐｍの少なくとも１種のカチオン性ポリマー、
（ｃ）１０〜２０００００ｐｐｍのポリオキシアルキレンポリマー、ならびに、
（ｄ）それらの水性担体、
を含んでなり、該組成物が、３〜６の範囲のｐＨを有する、組成物。
【請求項２】
前記研磨剤が、前記組成物中に、０．０５〜５質量％の範囲の濃度で存在している、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記少なくとも１種のカチオン性ポリマーが、前記組成物中に、１５〜１００００ｐｐｍの範囲の濃度で存在している、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
前記ポリオキシアルキレンポリマーが、前記組成物中に、２００〜１０００００ｐｐｍの範囲の濃度で存在している、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
前記ポリオキシアルキレンポリマーが、ポリ（エチレングリコール）ポリマー、ポリ（エチレングリコール）−コ−ポリ（プロピレングリコール）ブロック共重合体、またはそれらの組合わせを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
前記ポリオキシアルキレンポリマーが、３００〜１５００の範囲の平均の数のエチレングリコールモノマー単位を含むポリ（エチレングリコール）ポリマーを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項７】
前記四級アンモニウム置換ポリマーが、四級アンモニウム置換アクリレートまたはメタクリレートポリマーを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項８】
前記ポリ（ビニリデン）ポリマーが、ポリ（４−ビニルピリジン）を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項９】
前記ポリ（ビニルピリジン）ポリマーが、ポリ（２−ビニルピリジン）を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
前記ポリ（ビニルピリジン）ポリマーが、少なくとも１種のビニルピリジンモノマー、ならびにノニオン性モノマーおよびカチオン性モノマーからなる群から選ばれた少なくとも１種のコモノマーを含む共重合体である、請求項１記載の組成物。
【請求項１１】
前記少なくとも１種のカチオン性ポリマーが、ポリ（ビニルピリジン）ポリマーおよび四級アンモニウム置換アクリレートもしくはメタクリレートポリマーの組合わせを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１２】
前記少なくとも１種のカチオン性ポリマーが、１０〜９０ｐｐｍのポリ（ビニルピリジン）ポリマーおよび１５〜１００ｐｐｍのポリ（メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムハライド）ポリマーの組合わせを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１３】
前記水性担体が、脱イオン水を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１４】
基材の表面を研摩するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、該方法は、請求項１記載の組成物で該基材の該表面を研摩することを含み、該組成物が、使用の際に、０．０１〜２質量％の前記セリア研磨剤、１０〜１０００ｐｐｍの前記少なくとも１種のカチオン性ポリマー、および１０〜２０００ｐｐｍの前記ポリオキシアルキレンポリマーを含んでいる、方法。
【請求項１５】
前記基材の前記表面が、窒化ケイ素、多結晶シリコン、および二酸化ケイ素を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスにおいて多結晶シリコンに対する窒化ケイ素の選択的な除去に適する酸性の水性研磨組成物であって、該組成物が、
（ａ）０．０５〜５質量％の粒子状焼成セリア研磨剤、
（ｂ）（ａ）ポリ（ビニルピリジン）ポリマーおよび（ｂ）ポリ（ビニルピリジン）ポリマーと四級アンモニウム置換ポリマーとの混合物からなる群から選ばれた、１５〜１００００ｐｐｍの少なくとも１種のカチオン性ポリマー、
（ｃ）ポリ（エチレングリコール）ポリマー、ポリ（エチレングリコール）−コ−ポリ（プロピレングリコール）ブロック共重合体、またはそれらの組合わせから選ばれた、２００〜１０００００ｐｐｍのポリオキシアルキレンポリマー、ならびに、
（ｄ）それらの水性担体、
を含み、該組成物が３〜６の範囲のｐＨを有する組成物。
【請求項１７】
前記少なくとも１種のカチオン性ポリマーが、１０〜９０ｐｐｍのポリ（ビニルピリジン）ポリマーおよび１５〜１００ｐｐｍのポリ（メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムハライド）ポリマーの組合わせを含む、請求項１６記載の組成物。
【請求項１８】
前記ポリ（エチレングリコール）ポリマーが、２００〜２０００の範囲の平均の数のエチレングリコールモノマー単位を含む、請求項１６記載の組成物。
【請求項１９】
基材の表面を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、該方法は、請求項１６記載の組成物で該基材の該表面を研摩することを含み、該組成物は、使用の際に、０．０５〜０．５質量％の前記セリア研磨剤、１０〜１００ｐｐｍの前記少なくとも１種のカチオン性ポリマー、および２００〜１０００ｐｐｍの前記ポリオキシアルキレンポリマーを含んでいる、方法。
【請求項２０】
前記基材の前記表面が、窒化ケイ素、多結晶シリコン、および二酸化ケイ素を含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
基材の表面からの、多結晶シリコンの除去に優先しての窒化ケイ素の選択的な除去のための化学機械研磨方法であって、該方法は以下の工程、
（ａ）窒化ケイ素および多結晶シリコン含有基材の表面を、研磨パッドおよび酸性の水性ＣＭＰ組成物に接触させる工程、および
（ｂ）該ＣＭＰ組成物の一部の、該パッドと該基材の間の該表面との接触を維持しながら、該基材から窒化ケイ素を研摩するのに十分な時間、該研磨パッドと該基材の間に相対的な動きを生じさせる工程
を含んでなり、該ＣＭＰ組成物が、
（ｉ）０．０１〜２質量％の粒子状焼成セリア研磨剤、
（ｉｉ）（ａ）ポリ（ビニルピリジン）ポリマーおよび（ｂ）ポリ（ビニルピリジン）ポリマーと四級アンモニウム置換ポリマーとの混合物からなる群から選ばれた、１０〜１０００ｐｐｍの少なくとも１種のカチオン性ポリマー、
（ｉｉｉ）１０〜２０００ｐｐｍのポリオキシアルキレンポリマー、ならびに、
（ｉｖ）それらの水性担体、
を含む、方法。
【請求項２２】
前記ＣＭＰ組成物の前記少なくとも１種のカチオン性ポリマーが、ポリ（ビニルピリジン）ポリマーおよび四級アンモニウム置換ポリマーの組合わせを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記四級アンモニウム置換ポリマーが、四級アンモニウム置換アクリレートまたはメタクリレートポリマーを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記四級アンモニウム置換ポリマーが、ポリ（メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムハライド）ポリマーを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
前記ＣＭＰ組成物の前記少なくとも１種のカチオン性ポリマーが、ポリ（２−ビニルピリジン）ポリマー、ポリ（４−ビニルピリジン）ポリマー、ならびに少なくとも１種のビニルピリジンモノマーおよびノニオン性モノマーとカチオン性モノマーからなる群から選ばれた少なくとも１種のコモノマーを含む共重合体からなる群から選ばれた少なくとも１種のポリマーを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２６】
前記ＣＭＰ組成物の前記ポリオキシアルキレンポリマーが、ポリ（エチレングリコール）ポリマー、ポリ（エチレングリコール）−コ−ポリ（プロピレングリコール）ブロック共重合体、またはそれらの組合わせを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２７】
前記ＣＭＰ組成物が、３〜６の範囲のｐＨを有する、請求項２１記載の方法。
【請求項２８】
前記基材の前記表面が、更に二酸化ケイ素を含む、請求項２１記載の方法。