【事件の表示】
　特願２００９−１０８８０６「シリコンデバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月１１日出願公開、特開２０１０−２５３６５０、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
理　由
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年４月２８日を出願日とする出願であって、平成２５年４月２４日付けで拒絶の理由が通知され、同２５年６月４日に意見書が提出され、同２５年９月２６日付けで再度拒絶の理由が通知され、同２５年１１月５日に意見書が提出されたが、同２５年１１月２２日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされた。
　これに対し、平成２６年１月３１日に該査定の取消を求めて本件審判の請求がなされたものである。
　
第２　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は概略以下のとおりである。
１．この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．この出願の請求項１〜３に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物１〜２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　記
１．特開２００８−１５５３３３号公報
２．実願昭６１−１９２０４３号（実開昭６３−０９７２５３号）の
　　マイクロフィルム
（以下、これらをそれぞれ「刊行物１」、「刊行物２」という。）
　
第３　本願発明
　本願の請求項１〜３に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認められる。（以下、「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）
「【請求項１】
　物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子を前記シリコンの一方の面に形成し、前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を保護膜で覆い、前記シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、
　前記保護膜に金属膜を用いて前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を覆う第１工程と、
　前記金属膜を侵食しないエッチング液を用いて前記シリコンをエッチングする第２工程と、
　前記素子に接続される電極を前記金属膜から形成する第３工程と
　を有することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項２】
　前記金属膜は、アルミ膜またはアルミ合金膜であることを特徴とする請求項１に記載のシリコンデバイスの製造方法。
【請求項３】
　前記第２工程または前記第３工程の後に、前記シリコンをシンタリングする第４工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載のシリコンデバイスの製造方法。」
　
第４　各刊行物の記載内容
１　刊行物１
　刊行物１には、「金属ガラスを用いたマイクロマシン及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法」について、図１〜１７とともに次の事項が記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付したものである。
（１−ア）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、金属ガラスを用いたマイクロマシン及びこのマイクロマシンを用いたセンサ並びにマイクロマシンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　Ｓｉ基板を加工し、Ｓｉ基板に設けたＳｉ薄膜から形成される梁や片持ち梁（カンチレバー）などを用いた圧力センサなどが知られている。これらのセンサはマイクロマシン（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）や電気機械構造物と呼ばれている（非特許文献１参照）。半導体のプロセス技術の伸展に伴い加工寸法はナノメートル（ｎｍ）の領域になり、このようなマイクロマシンはナノマシン（Ｎａｎｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）とも呼ばれている。」
　
（１−イ）
「【課題を解決するための手段】
【０００９】
　本発明者等は、Ｚｒ−Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ系のスパッタリング法で基板上に形成した金属ガラス合金薄膜が高硬度でしかも極めて平滑な表面を有しており、そして、マスクレス集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画法で極めて線幅の狭いパターンを鮮明な輪郭で描画できる特性を有していることを見出し、さらに、Ｓｉ基板をエッチングする際のマスク材として使用できることを見出して本発明に至った。
【００１０】
　上記第１の目的を達成するため、本発明のマイクロマシンは、基板と基板に配置される金属ガラス薄膜とを備えたことを特徴とする。
上記構成において、金属ガラス薄膜は、好ましくは基板の開口部上に配置されている。金属ガラス薄膜は、好ましくは、基板に配置されているカンチレバーである。好ましくは、基板はＳｉからなり、金属ガラス薄膜はＺｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系又はＰｔ−Ｐｔ−Ｂ−Ｚｒ系の材料からなる。
　上記構成によれば、例えば弾性率の高い金属ガラス薄膜を構成要素としたマイクロマシンを提供することができる。
【００１１】
　上記第２の目的を達成するため、本発明の金属ガラス薄膜を用いたダイアフラムは、空洞を備えた基板と、基板の空洞を覆うように配置された金属ガラス薄膜と、を備えたことを特徴とする。
　好ましくは、基板はＳｉからなり、金属ガラス薄膜がＺｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系材料からなる。
  上記構成によれば、感度が高いダイアフラムが得られ、例えば圧力測定に使用することができる。
【００１２】
　本発明の金属ガラス薄膜を用いた圧力センサは、空洞を備えた基板と、基板の空洞を覆うように配置された金属ガラス薄膜と、金属ガラス薄膜上に歪ゲージと、を備えたことを特徴とする。
　上記構成において、好ましくは、基板はＳｉからなり、金属ガラス薄膜がＺｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系材料からなる。
　上記構成によれば、感度が高い圧力センサが得られる。
【００１３】・・・（中略）・・・
【００１４】
　本発明の金属ガラス薄膜を用いたセンサは、空洞を備えた基板と、基板の空洞を覆うように配置された金属ガラス薄膜と、金属ガラス薄膜上に形成される圧電層と、圧電層の表面に形成される櫛状電極と、を備えたことを特徴とする。
　上記構成において、金属ガラス薄膜の下部に検知層を備えていてもよい。好ましくは、基板はＳｉからなり、金属ガラス薄膜がＺｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系材料からなる。
　上記構成によれば、所謂たわみ板波（ＦＰＷ：Ｆｌｅｘｕｒａｌ  Ｐｌａｔｅ  Ｗａｖｅ）を用いたセンサが得られ、圧電層の下部に金属ガラス薄膜が配置されことで、感度の高いセンサが得られる。
【００１５】
　上記第３の目的を達成するため、本発明の
マイクロマシンの製造方法
　上記構成において、好ましくは、基板はＳｉからなり、金属ガラス薄膜がＺｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系材料からなる。
　上記構成によれば、金属ガラス薄膜をマスクとして、Ｓｉ基板をエッチングすることができる。金属ガラス薄膜はＳｉなどのエッチング液に対する耐食が高く、アモルファスであるのでｎｍオーダーの微細なパターンを形成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
　本発明の
金属ガラス薄膜を用いたマイクロマシン
【００１７】
　本発明の金属ガラス薄膜を用いたマイクロマシンによるセンサによれば、感度などが改善された各種のセンサを提供することができる。
【００１８】
　本発明の金属ガラス薄膜を用いたマイクロマシンの製造方法によれば、金属ガラス薄膜を、基板、特にＳｉのマスク材とし、パターンの転写やＳｉのエッチングのマスク材として使用することで、精度の高いマイクロマシンやナノマシンを製造することができる。」
　
（１−ウ）
「【００２７】
　図２は、本発明の第１の実施の形態に係る金属ガラス薄膜を用いたマイクロマシン１の製造方法を模式的に示す工程図である。用いる金属ガラス薄膜３，４は、Ｚｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉとし、基板２はＳｉとして説明する。
　図２（Ａ）に示すように、
洗浄したＳｉ基板２上に、ＲＦスパッタリング法によって
膜厚が１μｍのＺｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉからなる第１の金属ガラス薄膜３を堆積する。
　図２（Ｂ）に示すように、
Ｓｉ基板２の上部表面にＳｉ基板に形成する空洞となる領域にフォトリソグラフィ法を用いてレジストパターン６を形成し、第２の金属ガラス薄膜４をＲＦスパッタリング法を用いて堆積し、レジストパターン６をエッチングで除去する
空洞となる領域の金属ガラス薄膜４が除去されて金属ガラス薄膜４のパターンがＳｉ基板２上に形成される。
　最後に、図２（Ｄ）に示すように、
金属ガラス薄膜４をマスクとして、Ｓｉ基板２をＫＯＨ溶液などで異法性
エッチング
Ｓｉ基板２内に空洞、すなわち、開口部２Ａが形成される
【００２８】・・・（中略）・・・
【００２９】
　本発明の第１の実施の形態に係る金属ガラス薄膜を用いたマイクロマシン１は、特に、Ｓｉ基板２の開口部２Ａを覆う第１の金属ガラス薄膜３を、所謂メンブレンとして、後述するダイアフラムや各種のセンサに適用することができる。金属ガラス薄膜３，４は、Ｓｉ基板２などを用いたマイクロマシンやマイクロマシンによる各種のセンサにおいて、抵抗、金属配線、歪ゲージなどにも使用できる。また、Ｓｉ基板２などを用いたマイクロマシンやマイクロマシンによる各種センサにおいて、磁性のある金属ガラス薄膜は、磁性膜として使用することができる。」
　
（１−エ）
「【００３７】
　金属ガラス薄膜を用いた圧力センサ２０に用いる基板２や金属ガラス薄膜３は、第１の実施の形態に係る金属ガラス薄膜を用いたマイクロマシン１と同様な材料を用いることができる。これを製造する場合は、図２で説明した製造方法に、
さらに第１の金属ガラス薄膜３上に歪ゲージ２１を形成する工程
【００３８】
　本発明の金属ガラス薄膜を用いた圧力センサ２０によれば、第１の金属ガラス薄膜３からなるダイアフラムの弾性係数が従来のステンレス鋼よりも小さく、かつ、弾性限ひずみが大きいことから、従来の圧力センサに比較して、高感度でダイナミックレンジが広い圧力センサを提供することができる。さらに優れた耐食性を発揮することは、相対的な表面積の大きなマイクロマシン（ＭＥＭＳ）構造においては極めて有用であり、様々な環境での使用が可能である。
【００３９】
　本発明による第４の実施の形態に係る金属ガラス薄膜を用いたカンチレバーを有するセンサについて説明する。
　図７は、本発明の第４の実施形態に係る金属ガラス薄膜を用いたカンチレバーを有するセンサを模式的に示す断面図である。図７に示すように、金属ガラス薄膜を用いたカンチレバーを有するセンサ３０は、空洞２Ａを備えた基板２と、この基板２表面に形成された金属ガラス薄膜からなるカンチレバー（片持ち梁）３２と、カンチレバー３２の表面に形成されるセンサ部３４と、から構成されている。このセンサ部３４としては、金属ガラス薄膜からなるカンチレバー３２に生じる機械的振動、質量、温度、電磁波などの変化を感知できるものであれば何でもよい。このようなセンサ部３４としては、例えば、圧電材料（電気機械変換材料）などを用いることができる。センサ部３４としては、図示するように、圧電材料からなる圧電層３５の上下に電極３６，３７を設けた構造としてもよい。このような圧電材料としては、ＺｎＯ、ＡｌＮやＰＺＴなどを用いることができる。
【００４０】
　圧電層３５からなるセンサ部３４を用いた場合には、電極３６，３７を発振器の一構成要素として発振させることができる。この発振周波数は、金属ガラス薄膜を用いたカンチレバー３２へ印加される機械的振動、質量、温度などの変化により変わる。したがって、本発明のセンサ３０によれば、金属ガラス薄膜からなるカンチレバー３２に生じる変化を周波数変化として検出することができる。
【００４１】
　本発明による第４の実施の形態に係る金属ガラス薄膜を用いたカンチレバーを有するセンサの変形例について説明する。
　図８は、本発明の第４の実施形態に係る金属ガラス薄膜を用いたカンチレバーの変形例を模式的に示す断面図である。図８に示すように、金属ガラス薄膜を用いたカンチレバーを有するセンサの別の変形例は、図６（７）に示したセンサにおいて、さらに、カンチレバー３２の裏面に検知層３８を設けた構造としている。検知層３８としては、各種物質を感知できる層とすればよい。検知層３８を選ぶことにより、化学物質、たんぱく質や酵素（エンザイム）などの生体材料を検知することができる。
【００４２】
　次に、本発明による第５の実施の形態に係る金属ガラス薄膜を用いたセンサについて説明する。
　図９は本発明の第４の実施形態に係る金属ガラス薄膜を用いたセンサを示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘに沿う模式的な断面図である。図１０（Ｂ）に示すように、金属ガラス薄膜を用いたセンサ４０は、空洞２Ａを備えた基板２と、この基板２の表面に形成された金属ガラス薄膜４１と、金属ガラス薄膜４１の表面に形成されるセンサ部４２と、センサ部４２の表面に形成される２組の櫛状電極４４，４５と、金属ガラス薄膜４１の裏面に検知層４６を設けた構造を備えている。」
　
　そして、上記摘記事項（１−ア）ないし（１−エ）及び図２に示された工程を総合すると、刊行物１には、以下の発明が記載されていると認められる。
「洗浄したＳｉ基板２上に、ＲＦスパッタリング法によって膜厚が１μｍのＺｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉからなる第１の金属ガラス薄膜３を堆積する工程と、
　前記Ｓｉ基板２の上部表面にＳｉ基板に形成する空洞となる領域にフォトリソグラフィ法を用いてレジストパターン６を形成し、第２の金属ガラス薄膜４をＲＦスパッタリング法を用いて堆積し、レジストパターン６をエッチングで除去することにより空洞となる領域の第２の金属ガラス薄膜４が除去されて第２の金属ガラス薄膜４のパターンがＳｉ基板２上に形成される工程と、
　前記第２の金属ガラス薄膜４をマスクとして、Ｓｉ基板２をＫＯＨ溶液で異方性エッチングすることで、Ｓｉ基板２内に空洞、すなわち、開口部２Ａが形成される工程と、第１の金属ガラス薄膜３上に歪ゲージ２１を形成する工程と、
　を備えている金属ガラス薄膜を用いたマイクロマシンの製造方法。」
（以下、「引用発明１」という。）
　
２　刊行物２
　刊行物２には、「ダイヤフラム型半導体圧力センサ」について、図１〜２とともに次の事項が記載されている。
（２−ア）
「２．実用新案登録請求の範囲
（１）半導体基板の表面に形成された拡散抵抗と、該拡散抵抗を覆うべく上記表面に形成された保護膜と、該保護膜を形成した状態で上記半導体基板の裏面にアルカリ溶液にてエッチング形成されたダイヤフラムと、上記拡散抵抗に連なるように上記保護膜上に形成されたリード電極とを備え、上記リード電極は上記保護膜に接して形成された耐アルカリ金属層と該層上に積層して形成されたアルミニウム層とから成ることを特徴とするダイヤフラム型半導体圧力センサ。」（明細書１ページ４〜１４行）
　
（２−イ）
「（ヘ）実施例
　第１図は本考案の一実施例の要部を示す断面図である。なお、第２図と同一部分には同一番号を付して説明を省略する。
　Ｓｉ基板（１）の表面に形成されたＳｉＯ２膜（２）上には、拡散抵抗（５）と対向して設けられたＳｉＯ２膜（２）の開口を通して拡散抵抗（５）に連なる耐アルカリ金属層（１１）（例えば、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等からなる）が蒸着により約１０００Åの厚みで所定のパターンに形成され、更に耐アルカリ金属層（１１）上にＡｌ層（１２）が蒸着により約１μｍの厚みで積層形成される。その後、５００℃にて熱処理が行なわれ、ＳｉＯ２膜（２）と耐アルカリ金属層（１１）及び耐アルカリ金属層（１１）とＡｌ層（１２）の合金化が図られ、それらの密着度が高められる。こうして、耐アルカリ金属層（１１）及びＡｌ層（１２）から成るリード電極（１０）が形成される。」（明細書４ページ１１行〜５ページ７行）
　
第５　当審の判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１を比較する。
ア　上記記載事項（１−ア）の「【０００２】Ｓｉ基板を加工し、Ｓｉ基板に設けたＳｉ薄膜から形成される梁や片持ち梁（カンチレバー）などを用いた圧力センサなどが知られている。これらのセンサはマイクロマシン・・・・・と呼ばれている」なる記載からみて、技術常識を踏まえれば、引用発明１の「Ｓｉ基板２」及び「マイクロマシン」は、それぞれ、本願発明１の「シリコン」及び「シリコンデバイス」に相当するといえる。
　
イ　引用発明１の「金属ガラス」、すなわち、「ガラス転移が明確に観察されるアモルファス金属」が「金属」の一種であることは、技術常識（例えば、特開２００５−１２１７３０号公報の段落【０００８】には「金属ガラスは、すでによく知られているように、Ａｌ基、Ｚｒ基、Ｐｄ基、Ｎｉ基などからなるアモルファス金属であって、金属でありながら酸化物ガラスのようにガラス転移点以上の温度で粘性流動状態となる性質を有する」と記載されている。）であるから、引用発明１の「洗浄したＳｉ基板２上に、ＲＦスパッタリング法によって膜厚が１μｍのＺｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉからなる第１の金属ガラス薄膜３を堆積する工程」及び「前記Ｓｉ基板２の上部表面にＳｉ基板に形成する空洞となる領域にフォトリソグラフィ法を用いてレジストパターン６を形成し、第２の金属ガラス薄膜４をＲＦスパッタリング法を用いて堆積し、レジストパターン６をエッチングで除去することにより空洞となる領域の第２の金属ガラス薄膜４が除去されて第２の金属ガラス薄膜４のパターンがＳｉ基板２上に形成される工程」と、本願発明１の「前記保護膜に金属膜を用いて前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を覆う第１工程」とは、「金属膜を用いて前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を覆う第１工程」の点で共通するといえる。
　
ウ　引用発明１においては「Ｓｉ基板２をＫＯＨ溶液で異方性エッチングする」のであるから、引用発明１の「ＫＯＨ溶液」が本願発明１の「エッチング液」に相当することは明らかであり、引用発明１の「前記第２の金属ガラス薄膜４をマスクとして、Ｓｉ基板２をＫＯＨ溶液で異方性エッチングすることで、Ｓｉ基板２内に空洞、すなわち、開口部２Ａが形成される工程」は、本願発明１の「前記金属膜を侵食しないエッチング液を用いて前記シリコンをエッチングする第２工程」に相当するといえる。
　
エ　また、以上を踏まえ、引用発明１と本願発明１とは、「シリコンの他方の面の一部および一方の面を金属膜で覆い、前記シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法」の点で共通するといえる。
　
　そうすると、両者は、
（一致点）
「シリコンの他方の面の一部および一方の面を金属膜で覆い、前記シリコンをエッチングするシリコンデバイスの製造方法において、
　前記金属膜を用いて前記シリコンの他方の面の一部および前記一方の面を覆う第１工程と、
　前記金属膜を侵食しないエッチング液を用いて前記シリコンをエッチングする第２工程と
　を有するシリコンデバイスの製造方法。」　
である点で一致し、以下の２点にて相違する。
　
（相違点１）
「シリコンの一方の面」について、本願発明１では「物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子を形成」し「保護膜で覆」うのに対して、引用発明１では「第１の金属ガラス薄膜３を堆積」し「第１の金属ガラス薄膜３上に歪ゲージ２１を形成」する点。
　
（相違点２）
本願発明１では「前記素子に接続される電極を前記金属膜から形成する第３工程」を有するのに対して、引用発明１ではそのような工程を有していない点。
　
（２）相違点１について
　本願明細書の段落【００３７】に「このとき、エッチング液によって、アルミ膜１１０、１１１は侵食されないので、アルミ膜１１０、１１１に覆われたシリコン１１の部分、素子１４および絶縁層１５は同様に侵食されない。」との記載からみて、本願発明１の「シリコンの一方の面を覆う」「金属膜」は、「保護膜」として、エッチング液によってシリコンの一方の面を侵食されないようにするとともに、シリコンの一方の面に形成された「物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子」が侵食されないようにするものであるといえる。また、本願発明１においては、「物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子」が「シリコンの一方の面に形成され」ているのであるから、本願明細書の段落【００３６】に「図１の工程Ｓ１３０（第２工程）において、アルミ膜１１０、１１１を侵食しないエッチング液を用いて、シリコン１１をエッチングする。これによって、エッチング面１３のうち、アルミ膜１１０によって覆われていない部分がエッチングされて、ダイアフラム１２０が形成される（図２（ｂ）参照）。」と記載されているように、エッチング後には、シリコンからなる「ダイアフラム」が形成されているといえる。
　一方、引用発明１の「第１の金属ガラス薄膜３」は、「ＫＯＨ溶液」による「Ｓｉ基板２」の侵食を防止する機能を有するものの、上記記載事項（１−イ）の「【００１１】・・・・・上記構成によれば、感度が高いダイアフラムが得られ、例えば圧力測定に使用することができる。」からみて、「Ｓｉ基板２」の「空洞、すなわち、開口部２Ａ」に形成される「ダイアフラム」であり、その上に「歪ゲージ２１」が形成されるものであって、本願発明１の「シリコンの一方の面を覆う」「金属膜」とはその技術的意義が異なるものであり、「シリコンをエッチング」した後の第３工程において大部分が取り除かれる単なる「保護膜」とはいえないものである。
　また、引用発明１の「歪ゲージ２１」が本願発明１の「物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子」に相当するとしても、前者がダイアフラムである「第１の金属ガラス薄膜３」上に形成されるのに対し、後者が「保護膜（金属膜）」で覆われる前、すなわち、「シリコンをエッチング」する前に「シリコンの一方の面」上に形成されているのであるから、この点において、引用発明１と本願発明１とは相違するものであるといえる。
　ところで、上記記載事項（２−ア）及び（２−イ）からみて、刊行物２の「Ｓｉ基板（１）」、「耐アルカリ金属層（１１）」及び「拡散抵抗（５）」が、本願発明１の「シリコン」、「保護膜（金属膜）」及び「物理量を検出する素子」に相当するといえる。また、原審の平成２５年４月２４日付け拒絶理由通知にて引用された特開平４−２６２５２９号公報（以下、「周知例」という）の特許請求の範囲の請求項１には「半導体基板の一面に少なくともアルミニウム配線を形成する工程と、前記配線を形成した後に、前記半導体基板の両面にそれぞれモリブデン、銅、ニッケルおよび銀のうちのいずれか１つにより耐エッチング膜を形成する工程と、前記半導体基板のエッチング予定領域に対向させて前記耐エッチング膜に開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された耐エッチング膜をマスクとして強アルカリ性水溶液を用いて前記半導体基板を所定の深さまでエッチングする工程と、前記エッチングの後に耐エッチング膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」と記載され、同段落【００１９】には「・・・・・この異方性エッチングは配線以外の素子部たとえばピエゾ抵抗やコンタクトパッド等も形成した後に可能な限り後に行うことが望ましい。」と記載されている。そして、周知例に記載の「半導体基板」、「モリブデン、銅、ニッケルおよび銀のうちのいずれか１つにより耐エッチング膜」及び「ピエゾ抵抗またはシリコンを変形させる素子」が、それぞれ、本願発明１の「シリコン」、「保護膜（金属膜）」及び「物理量を検出する素子」に相当するといえる。そうすると、シリコンデバイスの製造方法の分野において、「シリコンの一方の面に物理量を検出する素子またはシリコンを変形させる素子を形成し、その後、金属の保護膜で覆い該シリコンをエッチングし、シリコンからなるダイアフラムを形成する」ことは、本願出願前周知の技術であるとまではいえる。
　しかしながら、前述したように、引用発明１の「第１の金属ガラス薄膜３」は、ダイアフラムとなるものであり、上記周知の技術の「金属の保護膜」とは、その技術的意義を異にすることからみて、引用発明１には前記周知の技術を適用する動機付けが存在しないし、上記記載事項（１−イ）の「【００１１】・・・・・上記構成によれば、感度が高いダイアフラムが得られ、例えば圧力測定に使用することができる。」からみて、ダイアフラムを「金属ガラス」から「シリコン」に変更する点において、阻害要因が存在するというべきである。
　してみると、引用発明１において、相違点１に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得る事項であるということはできない。
　
（３）相違点２について
　上記「（２）相違点１について」にて述べたように、引用発明１の「第１の金属ガラス薄膜３」は、ダイアフラムとして堆積されるのであるから、「第１の金属ガラス薄膜３」をさらに加工して、導体としての「電極」あるいは「金属配線」として使用することは、技術的に考え難い。そして、上記記載事項（１−ウ）の「【００２９】・・・・・金属ガラス薄膜３，４は、Ｓｉ基板２などを用いたマイクロマシンやマイクロマシンによる各種のセンサにおいて、抵抗、金属配線、歪ゲージなどにも使用できる。・・・・・」における、「金属ガラス薄膜３」は、引用発明１の「第１の金属ガラス薄膜３」を意味するのではなく、ダイアフラムとは異なるもの（当然「保護膜」ではない。）として形成されると解するのが自然である。
　また、上記記載事項（１−イ）の「【００１４】本発明の金属ガラス薄膜を用いたセンサは、空洞を備えた基板と、基板の空洞を覆うように配置された金属ガラス薄膜と、金属ガラス薄膜上に形成される圧電層と、圧電層の表面に形成される櫛状電極と、を備えたことを特徴とする。・・・・・」及び上記記載事項（１−エ）の「【００３９】・・・・・センサ部３４としては、図示するように、圧電材料からなる圧電層３５の上下に電極３６，３７を設けた構造としてもよい。・・・・・【００４２】・・・・・金属ガラス薄膜４１の表面に形成されるセンサ部４２と、センサ部４２の表面に形成される２組の櫛状電極４４，４５と、金属ガラス薄膜４１の裏面に検知層４６を設けた構造を備えている。」からみて、引用発明１において、「電極」は「第１の金属ガラス薄膜３」上に別途形成されるのであって、「第１の金属ガラス薄膜３」を加工・形成されるものではないことは明らかである。
　さらに、上記記載事項（２−イ）の「耐アルカリ金属層（１１）上にＡｌ層（１２）が蒸着により約１μｍの厚みで積層形成される。・・・・・こうして、耐アルカリ金属層（１１）及びＡｌ層（１２）から成るリード電極（１０）が形成される。」からみて、刊行物２の「リード電極（１０）」も「耐アルカリ金属層（１１）」を加工・形成されるものではないことも明らかである。
　そうすると、本来、取り除いてしまう「保護膜」を、一部残して「電極」として使用することは、刊行物１及び２には記載・示唆されておらず、周知あるいは自明な事項ともいえない。
　してみると、引用発明１において相違点２に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得る事項であるとはいえない。
　
（４）まとめ
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明ではないし、また、引用発明１、刊行物２の記載及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
２　本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１をさらに「前記金属膜は、アルミ膜またはアルミ合金膜である」と具体的に限定したものである。
　そして、上記「１　本願発明１について」において検討したように、本願発明１が引用発明１、刊行物２の記載及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、同様に、さらに限定した本願発明２も引用発明１、刊行物２の記載及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３　本願発明３について
　本願発明３は、本願発明１あるいは２をさらに「前記第２工程または前記第３工程の後に、前記シリコンをシンタリングする第４工程を有する」と具体的に限定したものである。
　そして、上記「１　本願発明１について」において検討したように、本願発明１が引用発明１、刊行物２の記載及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、同様に、さらに限定した本願発明３も引用発明１、刊行物２の記載及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願については、原査定の拒絶理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。