【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インスリン疑似剤(insulin-mimetic agent)を含むコンポジット表面コーティングで被覆されてなる埋め込み型デバイス。
【請求項２】
前記インスリン疑似剤がインスリン疑似バナジウム化合物(insulin-mimetic vanadium compound)を含む、請求項１に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項３】
前記インスリン疑似剤が、式：ＶＯＬ２またはＶＯ（ＯＲ）Ｌ２（ただし、Ｌは、二座一塩基配位子(bidentate monoprotic ligand)であり、およびＲは、有機基である）の構造を有する有機バナジウム化合物を含む、請求項１または２に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項４】
Ｌは、ヒドロキサム酸塩(hydroxamates)、２，４−ジオン(2,4-dions)、α−ヒドロキシピロン(α-hydroxypyrones)、α−ヒドロキシピリジノン(α-hydroxypyridi-nones)、及びアミノ酸から選択される二座一塩基配位子であり；ならびにＲは、それぞれ、ヒドロキシル基、炭素原子数１〜４のアルキル基、及びハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される１〜３個の置換基で置換されてもよい、炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、ベンジル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基から選択される、請求項３に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項５】
前記インスリン疑似剤は、バナジルアセチルアセトネート（ＶＡＣ）、バナジルスルフェート（ＶＳ）、バナジル３−エチルアセチルアセトネート（ＶＥＴ）、ビス（マルトラト）オキソバナジウム(bis(maltolato)oxovanadium)（ＢＭＯＶ）、ビス（コジャト）オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(kojato)oxovanadium(IV))、ビス（３−オキシ−１，２−ジメチル−４−ピリジノナト）−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(3-oxy-1,2-dimethyl-4-pyridinonato)-oxovanadium(IV))、ビス（２−ヒドロキシメチル−５−オキシ−１−メチル−４−ピリジノナト）−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(2-hydroxymethyl-5-oxy-1-methyl-4-pyridinonato)-oxovanadium(IV))、ビス［２−（２’−オキシ−フェニル）−２−オキサゾリナト］−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis[2-(2'-oxy-phenyl)-2-oxazolinato]-oxovanadium(IV))、ビス［２−（２’−オキシフェニル）−２−チアゾリナト］−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis[2-(2'-oxyphenyl)-2-thiazolinato]-oxovanadium(IV))、ビス（ベンゾヒドロキサマト）−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(benzohydroxamato)-oxovanadium(IV))、ビス（ベンゾヒドロキサマト）−メトキソ−オキソバナジウム（Ｖ）(bis(benzohydroxamato)-methoxooxovanadium(V))、ビス（ベンゾヒドロキサマト）−エトキソオキソバナジウム（Ｖ）(bis(benzohydroxamato)-ethoxooxovanadium(V))、ビス（サリチルアルデヒド）−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(salicylaldehyde)-oxovanadium(IV))、アンモニウムビス（マルトラト）−ジオキソバナデート(ammonium bis(maltolato)-dioxovanadate)、ビス（エチルマルトラト）オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(ethylmaltolato)oxovanadium(IV))、オキソバナジウム（ＩＶ）ビグアニド(oxovanadium(IV) biguanide)、オキソバナジウム（ＩＶ）メトホルミン(oxovanadium(IV) metformin)、オキソバナジウム（ＩＶ）フェンホルミン(oxovanadium(IV) phenformin)、およびバナジルシステイン複合体(vanadyl cysteine complexes)からなる群より選択される、請求項１に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項６】
前記インスリン疑似剤は、バナジルアセチルアセトネート（ＶＡＣ）、バナジルスルフェート（ＶＳ）、バナジル３−エチルアセチルアセトネート（ＶＥＴ）、およびビス（マルトラト）オキソバナジウム(bis(maltolato)oxovanadium)（ＢＭＯＶ）からなる群より選択される、請求項１に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項７】
プレート、ロッド、スクリュー、インプラント、関節形成用インプラント(arthroplasty implants)、及び整形外科デバイスからなる群より選択される請求項１〜６のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項８】
前記デバイスが骨インプラントである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項９】
基材となるデバイス(underlying device)がステンレス鋼から作製される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項１０】
前記ステンレス鋼が３１６Ｌである、請求項９に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項１１】
基材となるデバイス(underlying device)がチタン合金またはコバルト−クロムから作製される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項１２】
前記チタン合金がＴｉ６ＡＬ４Ｖである、請求項１１に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項１３】
インスリン疑似有機バナジウム化合物(insulin-mimetic organovanadium compound)を含む、埋め込み型デバイス用のインスリン疑似剤コンポジット表面コーティング(insulin-mimetic agent composite surface coating)。
【請求項１４】
前記有機バナジウム化合物が、式：ＶＯＬ２またはＶＯ（ＯＲ）Ｌ２（ただし、Ｌは、二座一塩基配位子(bidentate monoprotic ligand)であり、およびＲは、有機基である）の構造を有する、請求項１３に記載のインスリン疑似剤コンポジット表面コーティング。
【請求項１５】
Ｌは、ヒドロキサム酸塩(hydroxamates)、２，４−ジオン(2,4-dions)、α−ヒドロキシピロン(α-hydroxypyrones)、α−ヒドロキシピリジノン(α-hydroxypyridi-nones)、及びアミノ酸から選択される二座一塩基配位子であり；ならびにＲは、それぞれ、ヒドロキシル基、炭素原子数１〜４のアルキル基、及びハロゲン原子からそれぞれ独立して選択される１〜３個の置換基で置換されてもよい、炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、ベンジル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基から選択される、請求項１４に記載のインスリン疑似剤コンポジット表面コーティング。
【請求項１６】
前記有機バナジウム化合物は、バナジルアセチルアセトネート（ＶＡＣ）、バナジルスルフェート（ＶＳ）、バナジル３−エチルアセチルアセトネート（ＶＥＴ）、およびビス（マルトラト）オキソバナジウム(bis(maltolato)oxovanadium)（ＢＭＯＶ）、ビス（コジャト）オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(kojato)oxovanadium(IV))、ビス（３−オキシ−１，２−ジメチル−４−ピリジノナト）−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(3-oxy-1,2-dimethyl-4-pyridinonato)-oxovanadium(IV))、ビス（２−ヒドロキシメチル−５−オキシ−１−メチル−４−ピリジノナト）−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(2-hydroxymethyl-5-oxy-1-methyl-4-pyridinonato)-oxovanadium(IV))、ビス［２−（２’−オキシ−フェニル）−２−オキサゾリナト］−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis[2-(2'-oxy-phenyl)-2-oxazolinato]-oxovanadium(IV))、ビス［２−（２’−オキシフェニル）−２−チアゾリナト］−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis[2-(2'-oxyphenyl)-2-thiazolinato]-oxovana-dium(IV))、ビス（ベンゾヒドロキサマト）−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(benzohydroxamato)-oxovanadium(IV))、ビス（ベンゾヒドロキサマト）−メトキソ−オキソバナジウム（Ｖ）(bis(benzohydroxamato)-methoxo-oxovanadium(V))、ビス（ベンゾヒドロキサマト）−エトキソオキソバナジウム（Ｖ）(bis(benzohydroxamato)-ethoxooxovanadium(V))、ビス（サリチルアルデヒド）−オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(salicylaldehyde)-oxovanadium(IV))、アンモニウムビス（マルトラト）−ジオキソバナデート(ammonium bis(maltolato)-dioxovanadate)、ビス（エチルマルトラト）オキソバナジウム（ＩＶ）(bis(ethylmaltolato)oxovanadium(IV))、オキソバナジウム（ＩＶ）ビグアニド(oxovanadium(IV) biguanide)、オキソバナジウム（ＩＶ）メトホルミン(oxovanadium(IV) metformin)、オキソバナジウム（ＩＶ）フェンホルミン(oxovanadium(IV) phenformin)、およびバナジルシステイン複合体(vanadyl cysteine complexes)からなる群より選択される、請求項１３に記載のインスリン疑似剤コンポジット表面コーティング。
【請求項１７】
前記インスリン疑似剤は、バナジルアセチルアセトネート（ＶＡＣ）、バナジルスルフェート（ＶＳ）、バナジル３−エチルアセチルアセトネート（ＶＥＴ）、およびビス（マルトラト）オキソバナジウム(bis(maltolato)oxovanadium)（ＢＭＯＶ）からなる群より選択される、請求項１３に記載のインスリン疑似剤コンポジット表面コーティング。
【請求項１８】
骨の治癒を促進する必要のある患者の骨の治癒の促進のために使用される、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のコンポジット表面コーティングで被覆されてなる埋め込み型デバイス。
【請求項１９】
前記コンポジット表面コーティングがバナジルアセチルアセトネート（ＶＡＣ）を含む、請求項１８に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２０】
前記埋め込み型デバイスが、プレート、ロッド、スクリュー、インプラント、関節形成用インプラント(arthroplasty implants)、及び整形外科デバイスからなる群より選択される、請求項１８または１９に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２１】
前記埋め込み型デバイスが骨インプラントである、請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２２】
前記患者が、骨折、骨の外傷、関節固定、および外傷後の骨の手術(post-traumatic bone surgery)、補綴後の関節の手術(post-prosthetic joint surgery)、整形後の骨の手術(post-plastic bone surgery)、ポストデンタル手術(post-dental surgery)、骨の化学療法処置(bone chemotherapy treatment)、先天性骨欠損、外傷後の骨欠損(post traumatic bone loss)、手術後の骨欠損(post surgical bone loss)、感染後の骨欠損(post infectious bone loss)、同種移植片の埋め込み(allograft incorporation)または骨の放射線療法処置(bone radiotherapy treatment)に関連する骨欠損疾患(bone deficit condition)からなる群より選択される骨状態に苦しめられる、請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２３】
細胞毒性薬、サイトカインまたは成長阻害剤の投与と組み合わせて使用される、請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２４】
生物活性骨剤(bioactive bone agent)の投与と組み合わせて使用される、請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２５】
骨折、骨欠損(osseous defects)、癒合遷延(delayed unions)若しくは癒合不全(non-unions)、同種移植片／自家移植片埋め込み(allograft/autograft incorporation)または腱／靭帯骨接合(tendon/ligament osseous junction)の処置で使用される、請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２６】
同種移植片／自家移植片または整形外科用バイオ複合材料(orthopedic biocomposite)と組み合わせて使用される、請求項２５に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２７】
前記患者は哺乳動物である、請求項１８〜２６のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２８】
前記患者はヒトである、請求項１８〜２７のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項２９】
前記患者は非糖尿病の(non-diabetic)ヒトである、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項３０】
骨の治癒を促進する必要のある患者の骨の治癒の促進のために使用される、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の埋め込み型デバイス。
【請求項３１】
埋め込み型デバイスの製造のための、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のインスリン疑似剤コンポジット表面コーティングの使用。
【請求項３２】
埋め込み型デバイスを請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のインスリン疑似剤コンポジットコーティングで被覆することを有する、埋め込み型デバイスの作製方法。
【請求項３３】
前記インスリン疑似剤コンポジットコーティングがバナジルアセチルアセトネート（ＶＡＣ）を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
金属ホウ素化物層を有する、インスリン疑似剤コンポジット表面コーティングで被覆されてなる埋め込み型デバイス。