【事件の表示】
　特願２００８−５１１３６３「少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月１６日国際公開、ＷＯ２００６／１２２２５２、平成２０年１１月２０日国内公表、特表２００８−５４１４５９、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００６年５月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年５月１１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１月１１日に特許協力条約第３４条(２)(ｂ)に基づく補正の翻訳文が提出され、平成２３年８月５日付けの拒絶理由通知に対して、平成２４年１月１０日に意見書及び手続補正書が提出され、同年７月５日付けの最後の拒絶理由通知に対して、平成２５年１月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２５年３月４日付けで前記最後の拒絶理由通知に記載した理由によって拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月８日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなされたものである。
　
　
第２．本願発明について
１．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項９に係る発明は、平成２５年１月１０日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項９に記載されている事項によって特定される、以下のとおりのものと認められる。
　
「　【請求項１】
　炭化シリコンショットキーダイオードであって、
　炭化シリコンドリフト領域と、
　前記炭化シリコンドリフト領域上のショットキーコンタクトと、
　前記ダイオードの前記炭化シリコンドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域と
を含み、前記接合障壁領域は、
　前記ダイオードの前記ドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、
　前記ドリフト領域内にあって、前記第１の炭化シリコン領域と前記ショットキーダイオードの前記ショットキーコンタクトとの間に配置され、前記第１の炭化シリコン領域および前記ショットキーコンタクトと電気的に接触し、前記第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、前記ショットキーコンタクトとの抵抗性接合を形成する第２の炭化シリコン領域と
を含むことを特徴とする炭化シリコンショットキーダイオード。
　　【請求項２】
　前記ドリフト領域はｎ型炭化シリコンを含み、前記第１および第２の領域はｐ型炭化シリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
　　【請求項３】
　前記第２の炭化シリコン領域は、前記ドリフト領域内に約０．０１から０．５μｍ延び、前記第１の炭化シリコン領域は、前記ドリフト領域内に０．１から１μｍ延びることを特徴とする請求項２に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
　　【請求項４】
　前記第２の炭化シリコン領域は、１×１０１５ｃｍ−３から５×１０１８ｃｍ−３の表面ドーピング濃度を有することを特徴とする請求項２に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
　　【請求項５】
　前記ドリフト領域は、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層を含むことを特徴とする請求項２に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
　　【請求項６】
　前記第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有するｎ型炭化シリコン基板をさらに含み、前記第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層は前記ｎ型炭化シリコン基板上に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
　　【請求項７】
　前記第１の炭化シリコンエピタキシャル層と前記ｎ型炭化シリコン基板の間に配置された第２のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層をさらに含み、前記第２のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層は、前記第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層よりも高いキャリア濃度を有することを特徴とする請求項６に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
　　【請求項８】
　前記第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層とは反対側の前記炭化シリコン基板上にオーミックコンタクトをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
　　【請求項９】
　前記炭化シリコン接合障壁領域を取り囲む複数のフローティングフィールドリングをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。」
　
２．原査定の理由
　原審における拒絶の査定の要旨は、本願の請求項１ないし請求項９に係る発明は、前記最後の拒絶理由通知で引用された特開２００１−０８５７０４号公報（以下「引用例１」という。）、特開２０００−２５２４７８号公報（以下「引用例２」という。）、特開平１０−２３３５１５号公報（以下「引用例３」という。）、特開２００２−２６１２９５号公報（以下「引用例４」という。）、特開２００３−１０１０３９号公報（以下「引用例５」という。）、及び、特開２００１−０９４０９５号公報（以下「引用例６」という。）にそれぞれ記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
  
３．各引用例の記載事項
（１）引用例１について
　ア．引用例１には、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したもの。以降に記載する引用例２〜６についても同様。）。
　
ａ．「【０００９】図５は前記従来のショットキーダイオードの概略構成を示す断面図である。図において、９１は半導体基体、９２は高不純物濃度のｎ＋型層、９３は低不純物濃度のｎ−型層であり、前記半導体基体９１は高不純物濃度のｎ＋型層９２および低不純物濃度のｎ−型層９３からなる。９４はショットキー電極９５周縁部の電界集中を緩和するためのガードリングを形成するｐ＋型層、９５はｎ−型層９３表面にショットキー接触するショットキー電極、９６はｎ＋型層９２にオーム性接触するカソード電極、９８は電界強度緩和層であり、
電界緩和層９８はｎ−型層９３とショットキー電極の接合部分に所定間隔で分散配置したｐ＋型層からなる
このように電界緩和層９８を形成すると、ショットキー障壁９５１に印加される逆電圧の電界強度を緩和し、ショットキー障壁部分での漏れ電流を低減する
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、半導体基体を構成するｎ−型層９３とショットキー電極の接合部分に電界強度緩和層９８を複数個形成することにより、ショットキー障壁部分での漏れ電流を低減し、逆電圧阻止特性を向上することができる。しかしながら、この技術は、直ちにＳｉＣを基材としたショットキーダイオードに適用することはできない。
【００１１】すなわち、ショットキー電極９５にカソード電極９６に対して正電位となる電圧を印加して前記ショットキー接合を順方向バイアスすると、ショットキー障壁９５１の部分では、多数キャリアの電子がショットキー障壁を越えてｎ−層９３からショットキー電極９５へ流れて順方向電流が流れる。また、ショットキー電極９５とＰ＋型層９８が接触する部分には、通常トンネル電流が流れる。このトンネル電流はＰ＋型層９８とｎ−層９３からなるｐｎ接合を順方向にバイアスし、該ｐｎ接合を横切って流れるホール電流となる。このため、ｎ−層９３内に少数キャリアであるホールが蓄積され、結果としてリカバリー電流の著しい増大を引き起こすことになる。
【００１２】本発明は前記問題点に鑑みてなされたもので、電界強度緩和層からの少数キャリアの注入を防止してリカバリー電流を低減したＳｉＣショットキーダイオードを得る。」
　
ｂ．「【００１９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図１を用いて説明する。図１は本発明の実施形態にかかるＳｉＣショットキーダイオードを示す図である。図において、
１は平行平板状のＳｉＣ半導体基体であり、ｎ−型層３およびｎ＋型層２からなる。２は不純物濃度略３×１０
１９
／ｃｍ
３
、厚さ略２００μｍの低抵抗のｎ＋型層、３は不純物濃度略１×１０
１６
／ｃｍ
３
、厚さ略１２μｍの高抵抗のｎ−型層
【００２０】
５はＴｉ／Ａｌ（ＴｉおよびＡｌからなる積層電極）あるいはＰｔ等からなるショットキー電極、５１はｎ−型層３とショットキー電極８の接合部に形成されるショットキー障壁であり、該ショットキー障壁５１により整流作用が得られる
７１はボロンを注入して形成した深さ略１μｍ、幅略１μｍの比較的高濃度のｐ型層であり
７２はｐ＋型層７１上にショットキー金属５と接触して形成したｐ−型層であり、ｐ−型層７２の不純物濃度は１×１０
１７
／ｃｍ
３
以下である
７３はｐ＋型層７１およびｐ−型層７２とｎ−型層３間に形成されるｐｎ接合である
　……（中略）……
【００２３】
ショットキー障壁に印加される逆方向電界は、はじめは逆電圧の増加とともに強くなるが、ｐ＋型層７１から拡がる空乏層が重なる電圧（５００Ｖ）以上の逆電圧ではこの部分のピンチオフ効果によってさらに高い電界が印加されることはない
　……（中略）……
【００２６】本実施形態においては、
ショットキー電極５とｐ＋型層７１間にｐ−型層７２を形成する。そしてｐ−型層７２のショットキー電極と接する面の不純物濃度は１×１０
１７
／ｃｍ
３
以下とする。不純物濃度をこのように設定することにより、ショットキー電極５およびｐ−型層７２間にショットキー障壁５２を形成する
【００２７】ショットキー電極５およびｎ−型層３間に印加した前記順方向電圧、すなわち
ショットキー障壁５１を順バイアスする順バイアス電圧は、前記ショットキー障壁５２を逆バイアスする電圧である。また、ショットキー障壁５２を形成するｐ−型層７２の不純物濃度は十分低いので、逆バイアス状態での漏れ電流は少ない。したがって、ショットキー障壁５２部分の通電に起因するｐ＋型層７１からｎ−型層３へのホールの注入は抑制されて、少数キャリアの蓄積が抑制できる
【００２８】前述したように逆方向電圧印加時に、逆方向印加電圧増加とともにｐｎ接合７３から空乏層が順次拡大する。このとき、ｐ＋型層７１の濃度は高いので、ｐ＋型層７１内に拡がる空乏層少なく、空乏層の多くはｎ−型層３内に拡がる。隣接するｐｎ接合７３から拡がる空乏層が重なる電圧以上の逆電圧においては、この部分のピンチオフ効果によってショットキー障壁５１にかかる電界強度を小さくして漏れ電流の増大を防止できることは前述の通りである。」
　
ｃ．「【００２９】図２は本発明の第２の実施形態にかかるＳｉＣショットキーダイオードを示す図である。図において、７４はｐ−型層であり、ｐ＋型層７１上にショットキー電極５と接触して形成する。ｐ−型層７４の不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下である。また、ｐ−型層７４は前記ｐ＋型層７１の表面を覆うように形成する。なお、図において図２に示される部分と同一部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００３０】図に示すように、ｐ−型層７４は前記ｐ＋型層７１の表面を覆うように形成するので、ショットキー電極５とｐ＋型層７３間には必ずｐ−型層７４が介在することになる。したがって、ショットキー電極５とｐ＋型層７１は直接接触しないため、ショットキー電極５からｐ＋型層７１に向かって直接流れるリーク電流を抑制することができ、リーク電流に基づくホールの注入を阻止することができる。
【００３１】また、前記ｐ−型層７４はｎ−型層３の表面に形成するので、ｐ−型層７４の製作工程にエピタキシャル成長法が適用できる。このためｐ−型層７４の不純物濃度を高精度に制御することができる。」
　
ｄ．「【００３４】図４は本発明の第３の実施形態にかかるＳｉＣショットキーダイオードを示す図である。図において７２ａはｐ＋型層７２のショットキー電極との接触部分であり、該接触部分の不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下である。このように接触部分７２ａの不純物濃度を設定することにより前記接触部分７２ａにショットキー接触を得ることができる。なお、図において図１に示される部分と同一部分については同一符号を付してその説明を省略する。前記ｐ＋型層７２のショットキー電極との接触部分７２ａの濃度分布は、ｐ＋型層７２をボロンなどのイオン打ち込み法で形成する際に、低エネルギー、すなわちボロンが前記接触部分に止まる程度のエネルギーでの打ち込み量を調整することにより容易に得ることができる。」
　
　イ．したがって、ａ〜ｄの記載によれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「不純物濃度略３×１０１９／ｃｍ３の低抵抗のｎ＋型層２、及び、前記ｎ＋型層２の上に形成された不純物濃度略１×１０１６／ｃｍ３の高抵抗のｎ−型層３からなる平行平板状のＳｉＣ半導体基体１と、
　Ｔｉ／ＡｌあるいはＰｔ等からなり、前記ｎ−型層３との接合部に、整流作用が得られるショットキー障壁５１を形成するショットキー電極５と、
　前記ｎ−型層３にボロンを注入して深さ略１μｍに形成される比較的高濃度のｐ＋型層７１と、
　前記ｐ＋型層７１上に前記ショットキー金属５と接触して形成され、不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下とすることにより、前記ショットキー電極５との間にショットキー障壁５２を形成するｐ−型層７２とを含み、
　前記ｐ＋型層７１及び前記ｐ−型層７２とは、前記ｎ−型層３との間にｐｎ接合７３を形成して、前記ショットキー障壁５１に印加される逆方向電界を緩和するとともに、
　前記ショットキー障壁５１を順バイアスする順バイアス電圧は前記ショットキー障壁５２を逆バイアスする電圧なり、また、前記ｐ−型層７２の不純物濃度は十分低いので、逆バイアス状態での漏れ電流を少なくして少数キャリアの蓄積を抑制することを特徴とするＳｉＣショットキーダイオード。」
　
（２）引用例２について
　ア．引用例２には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００２４】これらの図において、１は
ＳｉＣを基材とした半導体基板
４は深さ約１μｍ、幅約１μｍ、ボロン注入量約１×１０
１５
／ｃｍ
２
の比較的高濃度の第１表面層を形成するｐ＋型層
４１は第１表面層４で囲まれた表面に設けた深さおよび幅が約０．１５μｍ、ボロン注入量約１×１０
１４
／ｃｍ
２
の比較的高濃度のストライプ状の第２表面層を形成するｐ＋型層
【００２５】３１は主表面の隣接する二つの第２表面層４１間に露出した幅約０．２μｍの前記ｎ−型層３の表面露出部分である。
【００２６】５は前記主表面には
アノード電極となるＴｉ／ＡｌまたはＰｔ等のショットキー金属であり、前記主表面において前記第１表面層４および第２表面層４１に低抵抗接触する
　
ｂ．「【００４２】図３はチップ周縁部にターミネーションを適用した例を示す図である。図２には表示していないが、チップ周縁部においては周縁部の電界を緩和するために図３に示すような特別の工夫が必要である。
【００４３】図において、４０はショットキー金属５が終端するチップの周縁部に形成したｐ＋型層である。ｐ＋型層４０はボロンを約１×１０１５／ｃｍ２の高濃度で注入して形成した幅約３０μｍ、深さ２ないし３μｍの注入層である。また、この層は前記第１表面層４である第１表面層４より著しく深く形成され、ｎ−型層３とで構成されるｐｎ接合は表面から著しく深い位置まで形成される。ｐ＋型層４０は、例えば特開昭６０−７４４８１号公報に示された、いわゆるガードリングとしての作用を奏するもので、接合周縁部の電界集中を緩和する必要のある高耐圧のダイオードに適用される手段である。なお、前記ターミネーションには、以上のほか
にフィールドリミッティングリング（ＦＬＲ）、フィールドフレート（ＦＰ）あるいはジャンクション・ターミネーション・エクステンション（ＪＴＥ）などの手法が適用できる
　
（３）引用例３について
　ア．引用例３には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００４２】次に、図５（ｂ）に示すように、同じレジストパターン５をマスクとして用い、
ドーズ量１×１０
１５
ｃｍ
−２
のＢ
＋
 不純物イオンを、加速エネルギー４０ＫｅＶ、注入角度θを０〜６°とする条件で打ち込む
【００４３】図５（ｃ）に示すように、不要となったレジストを除去し、その後Ｂ+ の活性化のために９００℃以上、好ましくは１０００℃で３０分以上アニール処理を行い、Ｐ+領域１５を形成する。こうして得られたＰ+領域１５は、最大深さ約１．２μｍを有し、表面から０．７１μｍの深さに最大幅Ｌpnmax約２．８μｍを有する壺状の断面形状となる。
【００４４】
このようにＮ
−
 領域１の表面内部に壺状のＰ
＋
 領域１５を複数配列形成した後
Ｐ
＋
 領域１５と低抵抗接触するショットキーバリアメタル層１７を表面に形成する
ショットキーバリアメタル層１７は、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｖ等を含む単層で構成されている
　
（４）引用例４について
　ア．引用例４には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００２７】［第１実施形態］図１は、本実施形態の
ショットキーダイオード１０を示す断面図である。n型の4H型SiC（以下、SiCと記す。）｛03-38｝面を用いた基板上、及び面方位が｛0001｝面から8度のオフ角をもつ4H型SiC基板上にn型の4H型SiCエピタキシャル成長層を形成してショットキーダイオード１０を作製した
【００２８】デバイス作製に用いた基板１１は、改良レーリー法によって成長したインゴットをスライスし、鏡面研磨することによって作製した。基板１１は全てn型で、ホール効果測定によって求めたキャリヤ濃度は8〜9×1018cm-3、厚さは160〜210μmである。このデバイスでは縦方向に電流を流すため、基板の抵抗を下げ、かつ薄い基板を用いるのが有効である。この上に、
化学気相堆積(以下、CVDと記す。)法によって窒素をドーパントとしたn型SiC層をエピタキシャル成長させた。成長層はバッファ層１２とドリフト層１３からなり、バッファ層１２はドナー濃度1〜5×10
17
cm
-3
、膜厚は2μm、ドリフト層１３はドナー濃度6〜8×10
15
cm
-3
、膜厚は12μmである
　
（５）引用例５について
　ア．引用例５には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００２】
【従来の技術】従来から、ＰＮダイオード、ショットキーバリアダイオード、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等の高耐圧半導体素子の終端構造として、リサーフ構造やガードリング構造等が知られている。」
　
ｂ．「【００４５】エッジターミネーション層９上には、第１電極４が設けられている。第１電極４上には、これと電気的に接続されたフィールドプレート５が形成されている。フィールドプレート５は、半導体層１と絶縁膜６を介して形成されている。このフィールドプレート５は、第１ガードリング層１１上を覆うように形成され、端部がリサーフ層１０上に位置するように設けられている。こうすることでリサーフ層１０の不純物濃度が最適値よりも低い場合に、絶縁膜６に負荷をかけることなく、さらに不純物濃度のばらつきによる耐圧の劣化を防ぐことができる。」
　
（６）引用例６について
　ア．引用例６には、以下の事項が記載されている。
「【００３７】このように構成されたＭＯＳＦＥＴにおいては、ガードリングを構成するｐ+型ウェル領域２１のうちの最外周ｐ+ 型ウェル領域２１ａの外周側を接合深さが深くなるようにし、ｎ-型エピ層２の下方側に延設することにより、以下の効果が得られる。
【００３８】図２に、図１に示す縦型パワーＭＯＳＦＥＴの耐圧を調べた結果を示す。この図に示される等電位線からも分かるように、最外周ｐ+ 型ウェル領域２１ａの外周側を層厚にしているため、等電位線が一旦、ｎ-型エピ層２の下方側に下げられたのち、最外周ｐ+ 型ウェル領域２１よりも外周側において終端されている。このため、等電位線が終端する領域が局所的に偏らず広範囲に広がるため、電界集中が緩和され、高耐圧とすることができる。
【００３９】また、本実施形態では、最外周ｐ+ 型ウェル領域２１ａの外周側が内周側よりも不純物濃度が薄くなるようにしている。このため、最外周ｐ+ 型ウェル領域２１ａとｎ-型エピ層２とが傾斜型接合、つまり、不純物濃度がなだらかに変化する接合となっているため、不純物濃度が急激に変化する階段型接合と比べて、高耐圧とすることが可能となる。
【００４０】このように、ガードリングのリング数が少なくても所望の耐圧を得ることができるため、ガードリング構造の各リング間における間隔を狭めなくても済み、ガードリング構造形成用のマスクを安定して形成することができる。また、リング数を少なくできる分、装置の微細化を進めることができる。
【００４１】また、このような構造によって高耐圧を図ることができるため、通常、ガードリングの最外周位置からセル領域の外周に向かって延設されるフィールドプレートを無くしても、フィールドプレートと同様の効果を得ることができる。なお、フィールドプレートとは、最外周ｐ+ 型ウェル領域２１ａに接するように、かつ最外周ｐ+ 型ウェル領域２１ａからセル領域の外側に向かって延設されるものである。」
　
４．対比・判断
（４−１）請求項１について
（４−１−１）対比
　引用発明を、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と対比する。
　
　ア．引用発明の「前記ｎ＋型層２の上に形成された不純物濃度略１×１０１６／ｃｍ３の高抵抗のｎ−型層３」は、「Ｔｉ／ＡｌあるいはＰｔ等」からなる「ショットキー電極５」とともに、「前記ｎ−型層３との接合部に、整流作用が得られるショットキー障壁５１を形成する」。してみれば、前記「ｎ−型層３」は、引用発明が「ＳｉＣショットキーダイオード」が「整流作用」を呈するときに、キャリアが移動（すなわち、ドリフト）する層であると認められる。
　したがって、引用発明の「前記ｎ＋型層２の上に形成された不純物濃度略１×１０１６／ｃｍ３の高抵抗のｎ−型層３」は、本願発明１の「炭化シリコンドリフト領域」に相当する。
　
　イ．引用発明の「Ｔｉ／ＡｌあるいはＰｔ等からなり、前記ｎ−型層３との接合部に、整流作用が得られるショットキー障壁５１を形成するショットキー電極５」は、本願発明１の「前記炭化シリコンドリフト領域上のショットキーコンタクト」に相当する。
　
　ウ．引用発明の「前記ｎ−型層３にボロンを注入して深さ略１μｍに形成される比較的高濃度のｐ＋型層７１」は、本願発明１の「前記ダイオードの前記ドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域」に相当する。
　
　エ．引用発明の「前記ｐ＋型層７１上に前記ショットキー金属５と接触して形成され、不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下とすることにより、前記ショットキー電極５との間にショットキー障壁５２を形成するｐ−型層７２」は、「前記ショットキー電極５との間にショットキー障壁５２を形成する」ことができる程度に低い「１×１０１７／ｃｍ３以下」という「不純物濃度」を有する「ｐ−」の「層」である。
　したがって、前記ｐ−型層７２」は、前記「ｐ＋型層７１」より低い「不純物濃度」を有することは、明らかである。
　そうすると、引用発明の「前記ｐ＋型層７１上に前記ショットキー金属５と接触して形成され、不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下とすることにより、前記ショットキー電極５との間にショットキー障壁５２を形成するｐ−型層７２」と、本願発明１の「前記ドリフト領域内にあって、前記第１の炭化シリコン領域と前記ショットキーダイオードの前記ショットキーコンタクトとの間に配置され、前記第１の炭化シリコン領域および前記ショットキーコンタクトと電気的に接触し、前記第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、前記ショットキーコンタクトとの抵抗性接合を形成する第２の炭化シリコン領域」とは、「前記ドリフト領域内にあって、前記第１の炭化シリコン領域と前記ショットキーダイオードの前記ショットキーコンタクトとの間に配置され、前記第１の炭化シリコン領域および前記ショットキーコンタクトと電気的に接触し、前記第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、前記ショットキーコンタクト」との「接合を形成する第２の炭化シリコン領域」である点で共通する。
　
　オ．前記ウ及びエの対比から、引用発明の「前記ｎ−型層３にボロンを注入して深さ略１μｍに形成される比較的高濃度のｐ＋型層７１」と「前記ｐ＋型層７１上に前記ショットキー金属５と接触して形成され、不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下とすることにより、前記ショットキー電極５との間にショットキー障壁５２を形成するｐ−型層７２」とを併せた「層」は、本願発明１の「前記ダイオードの前記炭化シリコンドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域」に一致する。
　
　カ．そして、引用発明の「ＳｉＣショットキーダイオード」は、本願発明１の「炭化シリコンショットキーダイオード」に相当する。
　
　キ．以上から、引用発明と本願発明１とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
（一致点）
「炭化シリコンショットキーダイオードであって、
　炭化シリコンドリフト領域と、
　前記炭化シリコンドリフト領域上のショットキーコンタクトと、
　前記ダイオードの前記炭化シリコンドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域と
を含み、前記接合障壁領域は、
　前記ダイオードの前記ドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、
　前記ドリフト領域内にあって、前記第１の炭化シリコン領域と前記ショットキーダイオードの前記ショットキーコンタクトとの間に配置され、前記第１の炭化シリコン領域および前記ショットキーコンタクトと電気的に接触し、前記第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、前記ショットキーコンタクトとの接合を形成する第２の炭化シリコン領域と
を含むことを特徴とする炭化シリコンショットキーダイオード。」
　
（相違点）
　本願発明の「第２の炭化シリコン領域」は「前記ショットキーコンタクト」との間に「抵抗性接合」を形成するのに対して、引用発明の「ｐ−型層７２」は「前記ショットキー電極５」との間に「ショットキー障壁５２」を形成する点。
　
（４−１−２）判断
　ア．引用発明は、「前記ｐ＋型層７１上に前記ショットキー金属５と接触して形成され、不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下とすることにより、前記ショットキー電極５との間にショットキー障壁５２を形成するｐ−型層７２」を含み、「前記ショットキー障壁５１を順バイアスする順バイアス電圧は前記ショットキー障壁５２を逆バイアスする電圧なり、また、前記ｐ−型層７２の不純物濃度は十分低いので、逆バイアス状態での漏れ電流を少なくして少数キャリアの蓄積を抑制することを特徴」としている。これらの「特徴」は、引用例１の段落【００２６】〜【００２７】の記載に基づいている。
　したがって、引用発明は、「前記ｐ＋型層７１上に前記ショットキー金属５と接触して形成され」る「ｐ−型層７２」の「不純物濃度」を「１×１０１７／ｃｍ３以下とする」ことによって、「整流作用が得られるショットキー障壁５１」を「順バイアスする」電圧で「逆バイアス」されて、前記「ｐ−型層７２」を介して流れようとする電流を「逆バイアス状態での漏れ電流」に抑制させる「ショットキー障壁５２」を形成するとともに、前記「ｐ−型層７２」を高抵抗化して前記「ｐ−型層７２」を介して流れようとする電流をより少なくすることで、「少数キャリアの蓄積を抑制する」ものである。
　
　イ．そして、引用例１には、段落【００２９】に「図２は本発明の第２の実施形態にかかるＳｉＣショットキーダイオードを示す図である。図において、７４はｐ−型層であり、ｐ＋型層７１上にショットキー電極５と接触して形成する。ｐ−型層７４の不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下である。また、ｐ−型層７４は前記ｐ＋型層７１の表面を覆うように形成する。」という、段落【００３４】に「図４は本発明の第３の実施形態にかかるＳｉＣショットキーダイオードを示す図である。図において７２ａはｐ＋型層７２のショットキー電極との接触部分であり、該接触部分の不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下である。このように接触部分７２ａの不純物濃度を設定することにより前記接触部分７２ａにショットキー接触を得ることができる。」という記載もある。
　したがって、引用例１には、「少数キャリアの蓄積を抑制する」ために、「ショットキー金属」と「接触」して形成されるｐ−型層の「不純物濃度」を「１×１０１７／ｃｍ３以下」とすることによって、前記ｐ−型層により「ショットキー」接合を形成させるとともに、前記ｐ−型層を高抵抗化させる、ことしか記載されていない。そうすると、ｐ−型層とショットキー電極とにより「ショットキー」接合を形成することと、前記ｐ−型層を高抵抗化することとは、ｐ−型層の「不純物濃度」を「１×１０１７／ｃｍ３以下」にすることが記載された引用例１においては、一体不可分な事項であると認められる。
　また、前記ｐ−型層とショットキー電極とによりオーミック接合を形成することは、引用例１には、記載も示唆もされていない。
　
　ウ．してみれば、引用発明において、「ｐ−型層７２」を高抵抗化させたままで、「ショットキー障壁５２」のみをオーミック接合に変更することを、当業者が引用発明に基づいて想到できたとは、認められない。
　
　エ．なお、引用例２の段落【００２４】〜【００２６】に記載されるように、ＳｉＣを基材とした半導体基板にｐ型不純物を高濃度にドープしたｐ＋型層は、Ｔｉ／ＡｌまたはＰｔ等のショットキー金属で形成された電極と、低抵抗接触することは、周知技術である。そうすると、引用発明において、「ｐ−型層７２」の「不純物濃度」を高濃度にすると、「ショットキー電極５」との間にオーミック接合が生ずることは、当業者には自明であると認められる。
　しかしながら、この場合、前記「ｐ−型層７２」と前記「ショットキー電極５」とがオーミック接合を形成することで、前記アで指摘した、前記「ｐ−型層７２」を介して流れようとする電流を「逆バイアス状態での漏れ電流」に抑制させるという作用が失われるだけでなく、前記「ｐ−型層７２」は「不純物濃度」を高濃度にすることで低抵抗化されるから、前記「ｐ−型層７２」を介して流れようとする電流をより少なくするという作用も損なわれることとなる。
　したがって、引用例１に接した当業者が、「ｐ−型層７２」の抵抗がある程度小さくなっても、前記「ｐ−型層７２」の「不純物濃度」を「ショットキー電極５」とオーミック接合を形成できる程度の高濃度にしようとすることを、想起したとは認められない。
　
　オ．これに対して、本願明細書には以下の記載がある。
ａ．「【００２３】
  本発明の他の実施形態では、炭化シリコンＪＢＳダイオードがさらに、炭化シリコンドリフト領域上にショットキーコンタクトを含み、接合障壁領域のビルトインｐｎ接合の電流伝導を阻止するダイオードと一体の前記手段が、接合障壁領域のビルトインｐｎ接合とＪＢＳダイオードのショットキーコンタクトとの間に直列抵抗を含む。この直列抵抗は、ダイオードのｎ型ドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１のｐ型炭化シリコン領域と、ｐ型ドリフト領域内にあって、第１のｐ型炭化シリコン領域とＪＢＳダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置され、第１のｐ型炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと電気的に接触した第２のｐ型炭化シリコン領域とによって提供される。第２のｐ型炭化シリコンの領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、ショットキーコンタクトと抵抗性コンタクトを形成する。」
　
ｂ．「【００５０】
  前記第２の炭化シリコン領域３１７を提供することによって、注入された接合障壁格子の表面濃度を、第２の炭化シリコンに対するショットキー接合が提供されるように低減させることができる。…（中略）…対照的に、図１を参照して先に説明したものなどのＳｉＣの従来のＪＢＳダイオードでは、接合障壁格子に実質的に均一なドーピングが実施されたときに、接合障壁格子とショットキーコンタクトの間に低品質オーミックコンタクトが形成される。…（中略）…ショットキーコンタクトが接合障壁格子と接触する表面のドーピング濃度を低減させることによって、ビルトインＰｉＮダイオードを流れる電流を阻止する所望の阻止特性を提供する接合障壁格子に対するショットキーコンタクトの形成を、図４Ｃを参照して後述するように提供することができる。」
　
ｃ．「【００６２】
  図４Ｄの等価回路に示されているように、本発明のいくつかの実施形態は、ＰｉＮダイオードＤ４と直列に接続された電流阻止構造４００として直列抵抗Ｒ１を提供することができ、この直列結合は、ｎ型ドリフト領域に対するショットキーコンタクトによって提供されたショットキーダイオードＤ３と並列である。ダイオードＤ３に順方向バイアスがかけられると、直列抵抗ＲＩは、ダイオードＤ４を通る電流伝導経路の抵抗を増大させ、ＰｉＮダイオードＤ４を流れる電流を阻止する。」
　
　上記ｂには、第２の炭化シリコン領域３１７の表面不純物濃度を制御することで、ショットキーコンタクトとの間に、ショットキー接合あるいはオーミック接合を形成することが開示されていると認められる。
　
　カ．上記開示を参酌すれば、上記ａ及びｃから、本願発明１は、「前記ドリフト領域内にあって、前記第１の炭化シリコン領域と前記ショットキーダイオードの前記ショットキーコンタクトとの間に配置され、前記第１の炭化シリコン領域および前記ショットキーコンタクトと電気的に接触し、前記第１のドーピング濃度よりも低い」ものの、「前記ショットキーコンタクトとの抵抗性接合を形成する」ことができる程度に高濃度な「第２のドーピング濃度を有」する「第２の炭化シリコン領域」を備えることで、「第１の炭化シリコン領域」及び前記「第２の炭化シリコン領域」とによって提供される直列抵抗により「ダイオードＤ４を通る電流伝導経路の抵抗を増大させ、ＰｉＮダイオードＤ４を流れる電流を阻止する」という、本願明細書に記載の効果を奏するものである。
　
　キ．以上から、引用発明において、「ｐ−型層７２」と「前記ショットキー電極５」との間に「抵抗性接合」を形成することを、当業者が容易になし得たとは、認められない。
　また、「前記ドリフト領域内にあって、前記第１の炭化シリコン領域と前記ショットキーダイオードの前記ショットキーコンタクトとの間に配置され、前記第１の炭化シリコン領域および前記ショットキーコンタクトと電気的に接触し、前記第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、前記ショットキーコンタクトとの抵抗性接合を形成する第２の炭化シリコン領域」を備えることは、引用例２ないし引用例６にも、記載されていない。
　
　ク．よって、本願発明１が引用発明、引用例２〜６に記載された発明及び周知技術から、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（４−２）請求項２ないし請求項９について
　本願の請求項２ないし請求項９はいずれも本願の請求項１を、直接または間接に引用している。
　したがって、本願発明１が引用発明、引用例２〜６に記載された発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない以上、本願発明１の発明特定事項を有する本願の請求項２ないし請求項９に係る発明も、引用発明、引用例２〜６に記載された発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
　
第３．まとめ  
　以上のとおりであるから、本願の請求項１ないし請求項９に係る発明が、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原査定の判断は妥当でない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。