【事件の表示】
　特許第３３８９８５３号「電子部品および半田バンプの形成方法」の請求項１，２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、
　次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８９８５３号の請求項１，２に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３３８９８５３号の発明は、平成１０年１月２７日に特許出願され、平成１５年１月１７日にその特許権の設定登録がなされ、その後、雨山範子より特許異議の申立てがなされ、平成１６年１０月６日付けで第１回目の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１２月１３日に訂正請求がなされたものであるが、さらにその後、平成１７年１月６日付けで第２回目の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年１月３１日付けで前記平成１６年１２月１３日の訂正請求が取下げられ、新たに平成１７年１月３１日に訂正請求がなされたものである。
　　　
【２】平成１７年１月３１日付け訂正の適否判断
［１］訂正内容
訂正事項a；【特許請求の範囲】の【請求項１】を、
「基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により金膜を形成し、この下面の金膜上でスズを含む半田を溶融・固化させることにより前記下面の電極上に形成された半田バンプを備えるとともに、前記上面の電極上に金バンプ付電子部品がボンディングされており、前記上面と下面の金膜の厚さが、半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１０％となる値で定められる上限値と、０．０１μｍの下限値の間の範囲内に設定されていることを特徴とする電子部品。」と訂正する。
訂正事項b；【特許請求の範囲】の【請求項２】を、
「基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により金膜を形成し、この上面の電極の表面に生じた導通阻害物をプラズマ処理により除去してこの電極上にバンプ付電子部品をボンディングし、また下面の電極の金膜上にスズを含む半田を供給した後に半田を加熱して金膜上で溶融・固化させて前記下面の電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、前記上面と下面の金膜の厚さを、半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１０％となる値で定められる上限値と、０．０１μｍの下限値の間の範囲内に設定することにより、前記半田バンプでの金とスズの化合物の生成を抑制することを特徴とする半田バンプの形成方法。」と訂正する。
訂正事項c；段落【0005】の【課題を解決するための手段】を、
「請求項１記載の電子部品は、基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により金膜を形成し、この下面の金膜上でスズを含む半田を溶融・固化させることにより前記下面の電極上に形成された半田バンプを備えるとともに、前記上面の電極上に金バンプ付電子部品がボンディングされており、前記上面と下面の金膜の厚さが、半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１０％となる値で定められる上限値と、０．０１μｍの下限値の間の範囲内に設定されている。」と訂正する。
訂正事項d；段落【0006】を、
「請求項２記載の半田バンプ形成方法は、基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により金膜を形成し、この上面の電極の表面に生じた導通阻害物をプラズマ処理により除去してこの電極上にバンプ付電子部品をボンディングし、また下面の電極の金膜上にスズを含む半田を供給した後に半田を加熱して金膜上で溶融・固化させて前記下面の電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、前記上面と下面の金膜の厚さを、半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１０％となる値で定められる上限値と、０．０１μｍの下限値の間の範囲内に設定することにより、前記半田バンプでの金とスズの化合物の生成を抑制するようにした。」と訂正する。
訂正事項e；段落【0007】を、
「各請求項記載の発明によれば、半田バンプの形成に先立って、基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により形成される金膜の厚さを、半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１％となる値で定められる上限値と、０．０１μｍの下限値の間の範囲内に設定することにより、半田バンプ中での金とスズの化合物の生成を抑制して接合強度に優れた半田バンプを形成することができる。」と訂正する。
訂正事項f；段落【0021】の【発明の効果】を、
「本発明によれば、半田バンプの形成に先立って、基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により形成される金膜の厚さを、半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１％以下となる値で定められる上限値と、０．０１μｍの下限値の間の範囲内に設定するようにしているので、半田付け後に半田バンプ中に溶融する金の量が過大になることがなく、従って半田バンプ中での金とスズの化合物の生成を抑制して接合強度に優れた半田バンプを形成することができる。」と訂正する。
　　　
［２］訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項a，bは、訂正前の特許明細書(以下、単に「訂正前明細書」という。)の段落【0008】，【0009】，【0016】の、
「基板１の上面にはバンプ付電子部品６がボンディングされている。バンプ付電子部品６は絶縁樹脂８によって基板１に固着されており、バンプ付電子部品６は金バンプ７によって基板１の上面に形成された電極２と導通している。・・・電極３には半田バンプ５が形成されている」，「基板１の上面の電極２と下面の電極３は同一メッキ工程にて形成される。従って、金膜１４Ｂの厚さは金膜１４Ａの厚さと同一となる。金膜１４Ａは基板１にボンディングされるバンプ付電子部品６の金バンプ７との導通を確保するために形成される」，「導通阻害物１５を除去するために、基板１の表面のプラズマ処理が行われる。図３に示すように、基板１を、電極２を上向きにして真空チャンバ３０内の電極３１上に載置する。・・・真空チャンバ３０内にはプラズマが発生し、その結果発生するアルゴンイオンや電子などのスパッタリング効果により電極２の金膜１４Ａ表面の導通阻害物１５が除去される」という記載に基づき、
　訂正前明細書の特許請求の範囲において、発明特定事項を付加するものである。
　また、上記訂正事項c〜fは、訂正後の特許明細書(以下、単に「本件明細書」という。)の発明の詳細な説明の記載を、本件明細書の特許請求の範囲の記載と整合させるためのものである。
　そして、上記訂正事項a〜fは、特許請求の範囲の減縮を目的としたもの(a，b)、および、明りょうでない記載の釈明を目的としたもの(c〜f)に該当し、かつ、新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものではない。
　　　
［３］まとめ
　上述のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　
【３】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　雨山範子は、次の甲第１，２号証を提示し、本件の請求項１，２に係る発明は、前記甲第１，２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきであると主張している。
　甲第１号証；特開平７−１９３１６６号公報
　甲第２号証；大澤直　著「電子材料のはんだ付技術」株式会社工業調査会
　　　　　　　１９９２年１０月１０日発行、p.88〜p.103。
　　　
【４】本件特許発明
　本件については、上記【２】段落で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１，２に係る発明(以下、「本件発明１，２」という。)は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項１】基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により金膜を形成し、この下面の金膜上でスズを含む半田を溶融・固化させることにより前記下面の電極上に形成された半田バンプを備えるとともに、前記上面の電極上に金バンプ付電子部品がボンディングされており、前記上面と下面の金膜の厚さが、半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１０％となる値で定められる上限値と、０．０１μｍの下限値の間の範囲内に設定されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により金膜を形成し、この上面の電極の表面に生じた導通阻害物をプラズマ処理により除去してこの電極上にバンプ付電子部品をボンディングし、また下面の電極の金膜上にスズを含む半田を供給した後に半田を加熱して金膜上で溶融・固化させて前記下面の電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、前記上面と下面の金膜の厚さを、半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１０％となる値で定められる上限値と、０．０１μｍの下限値の間の範囲内に設定することにより、前記半田バンプでの金とスズの化合物の生成を抑制することを特徴とする半田バンプの形成方法。」である。
　　　
【５】甲第１，２号証の記載内容
【５-1】甲第１号証の記載内容
　段落【0001】に、
「本発明は半導体装置の電極形成に関するもので、更に詳しくは半田バンプ付き半導体装置及びその製造方法に関するものである」と記載され、
　段落【0010】に、
「・・・樹脂基板１の下面側に半田バンプ１２を形成、及び前記半田バンプ１２をマザーボードに接続する過程で熱履歴が加わるために、前記半田バンプ１２と樹脂基板１の金メッキ層１８との間に、金と錫のインターメタリック２０（金属間化合物）の形成がみられ、このインターメタリック２０によって樹脂基板１のパット電極７と半田バンプ１２との密着力が減少し、半田バンプ１２の剥離強度が弱くなり電気的接続が阻害されてマザーボードとの導通不良を生ずる致命的な問題があった」と記載され、
　段落【0048】に、
「・・・下地メッキ層として銅メッキ層３の上にニッケルメッキ層１５を形成し、更に該ニッケルメッキ層１５の表面にニッケルメッキ層１５に食いつき易い、コバルト等の不純物を含む厚さ０．０５μｍ程度のフラッシュ金メッキ層１６を形成した」と記載され、
　段落【0051】に、
「すなわち、このパッド電極７上の金属メッキ層は、半田と親和性の良いニッケルメッキ層１５の上に薄いフラッシュ金メッキ層１６が形成されている。上記構成を有するパッド電極７上に半田バンプ１２を形成する工程を考えると、パッド電極７上に半田ボールを供給し加熱処理を行なうと、溶解した半田の一部はフラッシュ金メッキ１６と溶解反応するが、前記フラッシュ金層１６は、極めて薄いメッキ層であるため、半田の大部分はフラッシュ金メッキ層を突き抜けて下層のニッケルメッキ層１５と強固に溶着される」と記載され、
　段落【0054】に、
「また、前記フラッシュ金メッキ層１６と半田との間にも金属間化合物が形成されるが、前述の如く、フラッシュ金メッキ層１６が極めて薄いため、金属間化合物の形成も微量となり、実質的にパッド電極７と半田バンプ１２との結合力を低下させることは無かった」と記載され、
　段落【0055】に、
「従って、前記フラッシュ金メッキ層１６は、酸化防止膜としての機能を有する範囲において、できるだけ薄いことが望ましく、前記プリント樹脂基板上面側の接続電極６の金メッキ層１８の厚みよりも薄くすることが条件であり、実質的に半田バンプ１２とパッド電極７との結合力が保てる範囲としては、０．１μｍ以下の薄さに形成することが望ましい」と記載されている。
　　　
【５-2】甲第２号証の記載内容
　第１００頁第７〜１４行に、
「Sn−Pb系はんだへのAuの溶解度は常温では無視できるほど小さいが、溶融はんだへの溶け込みは非常に大きい。
　溶融はんだに溶解したAuはPbおよびSnとの間にそれぞれAu２Pb，AuPb２およびAu６Sn，AuSn，AuSn２，AuSn４の金属間化合物を形成する。Sn−Pb系はんだへの許容量は０.０２〜０.２wt％とされ、それ以上になるとはんだ付表面の仕上り外観が白色になり、脆くなる。
　AuはPbやSnの地金から混入することはないが、Auメッキ部品をはんだ付する場合に最も混入されやすい」と記載されている。
　　　
【６】特許異議申立てに対する当審の判断
【６-1】本件発明１の容易性
　本件発明１は、その発明特定事項として、要点1)「基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により金膜を形成」する点及び要点2)「上面の電極上に金バンプ付電子部品がボンディング」されている点を有している。
　一方、甲第１，２号証には、前記要点1)については、何らの記載も示唆もない。そして、本件発明１では「基板の上下面の電極上に金メッキ処理を同一工程により簡単に行える」のに対して、甲第１号証では「フラッシュ金メッキ層１６は、できるだけ薄いことが望ましく、プリント樹脂基板上面側の接続電極６の金メッキ層１８の厚みよりも薄くすることが条件」であるとされている。このことは、甲第１号証においては、金メッキ処理が別々に施されることを意味している。
　さらに、前記要点2)に関しては、甲第１，２号証には、まったく開示がない。
　したがって、甲第１，２号証の記載内容を如何様に組み合わせても、本件発明１を当業者が容易に想到できたということはできない。
　　　
【６-2】本件発明２の容易性
　本件発明２は、その発明特定事項として、要点3)「基板の上面と下面の電極上に同一メッキ工程により金膜を形成」する点及び要点4)「上面の電極の表面に生じた導通阻害物をプラズマ処理により除去してこの電極上にバンプ付電子部品をボンディング」する点を有している。
　一方、甲第１，２号証には、前記要点3)については、何らの記載も示唆もない。そして、本件発明２では「基板の上下面の電極上に金メッキ処理を同一工程により簡単に行える」のに対して、甲第１号証では「フラッシュ金メッキ層１６は、できるだけ薄いことが望ましく、プリント樹脂基板上面側の接続電極６の金メッキ層１８の厚みよりも薄くすることが条件」であるとされている。このことは、甲第１号証においては、金メッキ処理が別々に施されることを意味している。
　さらに、前記要点4)に関しては、甲第１，２号証には、まったく開示がない。
　したがって、甲第１，２号証の記載内容を如何様に組み合わせても、本件発明２を当業者が容易に想到できたということはできない。
　　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明１，２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１，２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月８日（２００５．２．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
電子部品および半田バンプの形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
基板の上面と下面の
同一メッキ工程により
、
下面の
下面の
るとともに、前記上面の電極上に金バンプ付電子部品がボンディングされており
上面と下面の
　【請求項２】
基板の上面と下面の
同一メッキ工程により
上面の電極の表面に生じた導通阻害物をプラズマ処理により除去してこの電極上にバンプ付電子部品をボンディングし、また下面の電極の
下面の
上面と下面の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、電子部品および電子部品や基板の電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　電子部品を実装する方法として、電子部品の電極上に半田の突出電極である半田バンプを形成し、この半田バンプを他の電子部品や基板の電極に半田付けする方法が広く用いられている。半田バンプを形成する方法として電子部品の電極上に半田を供給し、半田を加熱して電極上で溶融・固化させることにより電極上に半田バンプを形成する方法が知られている。この半田バンプの形成に先立って、電極上に金メッキにより金膜を形成して半田ぬれ性を向上させることが行われる。一般に電子部品には半田バンプ形成用の電極以外にも多数の電極が形成され、これらの電極でも他の電子部品との接合性や導通性を向上させるために金メッキが必要となるからである。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、電極上に供給された半田が溶融する際にはメッキされた金膜から金が半田に溶け込み、時間の経過とともに半田中にスズと金の化合物を生成する。このスズと金の化合物は非常に脆い性質を有しており、この化合物が半田中に生成するにつれて半田バンプの接合強度が低下する。このため実装後の使用条件によっては半田バンプと電極の接合部が破断に至る場合があり、接合部の信頼性が確保されないという問題点があった。
　【０００４】
　そこで本発明は、電極上に接合強度に優れた半田バンプが形成された電子部品、および接合強度に優れた半田バンプを形成することができる半田バンプの形成方法を提供することを目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１記載の電子部品は、
基板の上面と下面の
同一メッキ工程により
、
下面の
下面の
るとともに、前記上面の電極上に金バンプ付電子部品がボンディングされており
上面と下面の
　【０００６】
　請求項２記載の半田バンプ形成方法は、
基板の上面と下面の
同一メッキ工程により
上面の電極の表面に生じた導通阻害物をプラズマ処理により除去してこの電極上にバンプ付電子部品をボンディングし、また下面の電極の
下面の
上面と下面の
　【０００７】
　各請求項記載の発明によれば、半田バンプの形成に先立って
、基板の上面と下面の
同一メッキ工程により
　【０００８】
　【発明の実施の形態】
　次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の１実施の形態の電子部品の側断面図、図２、図３、図４、図５、図６、図７は同電子部品製造方法の工程説明図、図８は半田バンプに溶け込む金の割合と接合強度との関係を示すグラフである。まず図１を参照して電子部品の構造について説明する。図１において、基板１の表面にはレジスト１ａが形成されており、基板１の上面にはバンプ付電子部品６がボンディングされている。バンプ付電子部品６は絶縁樹脂８によって基板１に固着されており、バンプ付電子部品６は金バンプ７によって基板１の上面に形成された電極２と導通している。電極２は基板１の下面に形成された電極３と内部回路４によって接続されており、電極３には半田バンプ５が形成されている。
　【０００９】
　次に図２〜図８を参照して電子部品製造方法を説明する。図２〜図７は電子部品製造方法を工程順に示すものである。図２において基板１の表面にはレジスト１ａが形成されている。基板１の上面の電極２は、銅電極１２Ａ（第１の電極）上にバリア層としてニッケル膜１３Ａを形成し、更にニッケル膜１３Ａ上に金膜１４Ａを極く薄くコーティングして形成されている。また基板１の下面の電極３も同様に銅電極１２Ｂ（第２の電極）上にニッケル膜１３Ｂを形成し、更に金膜１４Ｂをコーティングして形成されている。基板１の上面の電極２と下面の電極３は同一メッキ工程にて形成される。従って、金膜１４Ｂの厚さは金膜１４Ａの厚さと同一となる。金膜１４Ａは基板１にボンディングされるバンプ付電子部品６の金バンプ７との導通を確保するために形成されるものである。
　【００１０】
　次に、これらの金膜１４Ａ，１４Ｂの厚さの設定方法について説明する。図８は、最も一般的な鉛錫共晶半田を用いた場合の、半田バンプ５に溶け込む金の割合（重量％）と半田バンプ５と電極３の接合強度（半田バンプ形成後１７５℃、５０時間放置後の接合強度）との関係を示したグラフである。図８に示すように、電極３の金膜１４Ｂ上に形成された半田バンプ５に対して水平方向の荷重を加え、接合部が破断したときの荷重値を以て接合強度としたものである。
　【００１１】
　なお実用上の判断基準として、接合強度（Ｆ）は半田バンプ形成直後の接合強度（Ｆ０）を１００とし、６０以上を実用上問題ない強度とした。実験によれば金が０．１０％を超えると半田バンプの接合強度が６０を下回ることがわかった。前述のように、半田バンプ中に溶け込む金の割合が増加するに従って、半田中のスズと金が化合して生じる金とスズの化合物の量が増えるからである。
　【００１２】
　従って金膜１４Ｂの厚さの上限値は半田バンプに溶け込む金の重量％が０．１０％を超えない値にする必要がある。この要件を満たすための金膜１４Ｂの厚さの上限値は（数１）の式により求めることができる。
　【００１３】
　【数１】
　【００１４】
　因みに、φ２１０μｍの円形の電極３に直径３００μｍの半田ボールを用いて半田バンプを形成する場合、金膜１４Ｂの厚さの上限値は０．２０μｍとなる。なお金膜１４Ｂの厚さの下限値は、ニッケル膜１３Ｂの酸化を防止するために最低必要な０．０１μｍである。金膜１４Ｂの厚さはこのようにして定められた上限値、下限値の間の範囲で設定される。なお金膜１４Ａ、１４Ｂのメッキ方法は、コスト面で有利な置換型無電解メッキ法がよい。
　【００１５】
　このようにしてめっき法で形成された金膜１４Ａ、金膜１４Ｂの表面にはめっき工程中で混入したニッケルなどの不純物が空気に触れて表面で酸化されることにより生成する化合物層が生じている。このうち、金膜１４Ａの表面に生じた化合物層は電極２と金バンプ７との良好な導通を阻害する導通阻害物１５である。
　【００１６】
　そこで、この導通阻害物１５を除去するために、基板１の表面のプラズマ処理が行われる。図３に示すように、基板１を、電極２を上向きにして真空チャンバ３０内の電極３１上に載置する。次いで真空吸引手段３２により真空チャンバ３０内を真空吸引した後、真空チャンバ３０内にはプラズマガス供給部３３によりアルゴンガスなどのプラズマ発生用ガスが供給される。この状態で高周波電源部３４を駆動して電極３１に高周波電圧を印加することにより、真空チャンバ３０内にはプラズマが発生し、その結果発生するアルゴンイオンや電子などのスパッタリング効果により電極２の金膜１４Ａ表面の導通阻害物１５が除去される。なお、プラズマ処理に先立って基板１を加熱処理すれば、金膜１４Ａ表面の導通阻害物１５の生成を促進し、その結果金膜１４Ａ中からより多くの金属不純物を除去して金膜１４Ａの純度を高めることができる。
　【００１７】
　次にこの基板１上にバンプ付電子部品６がボンディングされる。図４に示すように、バンプ付電子部品６の金バンプ７の下端部には予め導電樹脂４０が塗布されている。このバンプ付電子部品６の金バンプ７を基板１の電極２に位置合せし、次いで基板１に対して下降させる。その後金バンプ７を電極２に加圧した状態で加熱して導電樹脂４０を硬化させる。これにより金バンプ７は導電樹脂４０を介して電極２と導通する。このとき、電極２の金膜１４Ａ上の導通阻害物は前工程で除去されているため良好な導通（低電気抵抗）と十分な接着強度が確保される。
　【００１８】
　次に図５に示すように、バンプ付電子部品６と基板１との間の隙間には絶縁樹脂４１が充填され、加熱処理によって絶縁樹脂４１が硬化することにより、バンプ付電子部品６は基板１に固着される。このとき、基板１のレジスト１ａの表面はプラズマ処理のスパッタリング効果により面粗度が大きくなっているため、絶縁樹脂４１との密着性が向上し、良好な樹脂封止を行うことができる。
　【００１９】
　この後、基板１の電極３上に半田バンプ５が形成される。図６に示すように電極３上にはフラックス４２が塗布され、次いで半田を供給するために半田ボール４３が吸着ツール（図示せず）により電極３上に搭載される。この後、基板１を加熱することにより半田ボール４３は電極３上で溶融し、その後固化することにより、図７に示すように電極３上に半田バンプ５が形成される。なお、半田を供給する方法としては、半田ボール以外の方法、たとえばクリーム半田を電極３に印刷する方法などを用いることができる。
　【００２０】
　このとき、電極３の金膜１４Ｂ上にも同様にニッケル酸化物などの金属化合物が生成されているが、これらはフラックス４２によって還元されるので溶融半田と電極３との接合性には影響を及ぼさない。また金膜１４Ｂの厚さ前述のように接合強度を阻害しない範囲で設定されているため、半田バンプ５中に溶融する金の量が過大になることはなく、したがってスズと金が化合することによって生ずる脆い化合物層の生成を抑制して接合強度に優れた半田バンプ５を形成することができる。
　【００２１】
　【発明の効果】
　本発明によれば、半田バンプの形成に先立って
、基板の上面と下面の
同一メッキ工程により
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の１実施の形態の電子部品の側断面図
　【図２】
　本発明の１実施の形態の電子部品製造方法の工程説明図
　【図３】
　本発明の１実施の形態の電子部品製造方法の工程説明図
　【図４】
　本発明の１実施の形態の電子部品製造方法の工程説明図
　【図５】
　本発明の１実施の形態の電子部品製造方法の工程説明図
　【図６】
　本発明の１実施の形態の電子部品製造方法の工程説明図
　【図７】
　本発明の１実施の形態の電子部品製造方法の工程説明図
　【図８】
　半田バンプに溶け込む金の割合と半田バンプの接合強度との関係を示すグラフ
　【符号の説明】
　１　基板
　２、３　電極
　５　半田バンプ
　６　バンプ付電子部品
　７　金バンプ
　１２Ａ、１２Ｂ　銅電極
　１３Ａ、１３Ｂ　ニッケル膜
　１４Ａ、１４Ｂ　金膜
　１５　導通阻害物
　４３　半田ボール