【事件の表示】
　特許第３１３３２０６号「プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置」の請求項１ないし４、１１ないし１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１３３２０６号の請求項２ないし４、１１ないし１５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本件特許第３１３３２０６号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平５−３４７６４７号）　　　　平成　５年１２月２４日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１１月２４日
　特許異議申立（異議申立人：佐伯ヒロ子）　　　平成１３年　８月　３日
　特許異議申立（異議申立人：柴崎喜江）　　　　平成１３年　８月　１日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年１０月１０日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　　平成１４年１２月２０日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
　
　（２）　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２に
「【請求項２】請求項１において、前記細孔状のガス噴出口は直線状に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。」とあるのを、
「【請求項２】反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向するアノードと、
　前記カソードに電力を供給する電源と、
　を有したプラズマ処理装置において、
　前記アノードは、中空構造を有し、且つ前記カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられ、
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から前記カソードと前記アノードとの間にガスが供給されることを特徴とするプラズマ処理装置。」と訂正する。
　
　（３）　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３に
「請求項１または２において」とあるのを、
「請求項２において」と訂正する。
　
　（４）　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項１１に
「前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に細孔状またはスリット状のガス噴出口が設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、」とあるのを、
「前記カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、」と訂正する。
　
　（５）　訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項１４に
「前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に細孔状またはスリット状のガス噴出口が設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、」とあるのを、
「前記カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、」と訂正する。
　
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）　訂正事項ａ
　訂正事項ａについては、特許請求の範囲の請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　
　（２）　訂正事項ｂ
　訂正事項ｂについては、訂正事項ａにより請求項１を削除したのに伴い、請求項２において、請求項１を引用していたのを独立型式で記載するとともに、「細孔状またはスリット状のガス噴出口が設けられ」を「ライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられ」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　さらに、訂正事項ｂにおける「ライン状プラズマを発生させるための」は、特許明細書の【００１３】及び【００１４】に記載されており、「ガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられ」は、特許明細書の【００１３】及び【００３３】に記載されているので新規事項には当たらない。したがって、訂正事項ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（３）　訂正事項ｃ
　訂正事項ｃについては、訂正事項ａにより請求項１を削除したのに伴い、請求項３において、請求項１及び２を引用していたのを、請求項２のみを引用するように訂正するものであるから特許請求の範囲の減縮に相当する。
　
　（４）　訂正事項ｄ、ｅ
　訂正事項ｄ、ｅについては、「細孔状またはスリット状のガス噴出口が設けられ」を「ライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられ」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　さらに、訂正事項ｄ、ｅにおける「ライン状プラズマを発生させるための」は、特許明細書の【００１３】及び【００１４】に記載されており、「ガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられ」は、特許明細書の【００１３】及び【００３３】に記載されているので新規事項には当たらない。したがって、訂正事項ｄ、ｅは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立及びこれについての判断
　１　特許異議申立の理由及び取消理由の内容
　（１）　特許異議申立の理由
　　（ア）　特許異議申立人佐伯ヒロ子は、
　刊行物１（特許異議申立人佐伯ヒロ子が提出した甲第１号証）
　　　　　　　　　　　　　：特開昭６０−２２０９３５号公報
　刊行物２（同甲第２号証）：特開昭６３−１０３６号公報
　刊行物３（同甲第３号証）：特開平４−２３９１３０号公報
　刊行物４（同甲第４号証）：特開平４−３１６３２５号公報
　刊行物５（同甲第５号証）：特開平１−２０８８３４号公報
　刊行物６（同甲第６号証）：特開平２−２６０２５号公報
を提出し、本件請求項１、１１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であり、また、本件請求項１〜４、１１〜１４に係る発明は、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号及び同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　
　　（イ）　特許異議申立人柴崎喜江は、
　刊行物７（特許異議申立人柴崎喜江が提出した甲第１号証）
　　　　　　　　　　　　　：特開平４−３７１２６号公報
　刊行物８（同甲第２号証）：特開昭６２−２８１４２７号公報
　刊行物９（同甲第３号証）：特開平１−１８９１２６号公報
　刊行物１０（同甲第４号証）：特開平４−１７１９１８号公報
　刊行物１１（同甲第５号証）：特開平１−１７９３２６号公報
を提出し、本件請求項１〜４、１１〜１５に係る発明は、刊行物７〜１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　
　（２）　取消理由の内容
　取消理由通知の内容は、以下のとおりである。
「１）本件特許の請求項１、１１に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１に記載された発明であるから、本件請求項１、１１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
２）本件特許の請求項１〜４、１１〜１５に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜４、１１〜１５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１（特許異議申立人佐伯ヒロ子が提出した甲第１号証）
　　　　　　　　　　　　　：特開昭６０−２２０９３５号公報
　刊行物２（同甲第２号証）：特開昭６３−１０３６号公報
　刊行物３（同甲第３号証）：特開平４−２３９１３０号公報
　刊行物４（同甲第４号証）：特開平４−３１６３２５号公報
　刊行物５（同甲第５号証）：特開平１−２０８８３４号公報
　刊行物６（同甲第６号証）：特開平２−２６０２５号公報
　刊行物７（特許異議申立人柴崎喜江が提出した甲第１号証）
　　　　　　　　　　　　　：特開平４−３７１２６号公報
　刊行物８（同甲第２号証）：特開昭６２−２８１４２７号公報
　刊行物９（同甲第３号証）：特開平１−１８９１２６号公報
　刊行物１０（同甲第４号証）：特開平４−１７１９１８号公報
　刊行物１１（同甲第５号証）：特開平１−１７９３２６号公報
　
　刊行物１〜１１には、各特許異議申立人が提出した特許異議申立書の「証拠の説明」記載の発明が記載されている。
　
　そして、本件請求項１、１１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であり、また本件請求項１〜４、１１〜１５に係る発明は、刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、各特許異議申立人が提出した特許異議申立書の本件特許発明と証拠の対比に関する記載も参照されたい。」
　
　２　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項２〜４、１１〜１５に係る発明（以下、「本件発明２〜４、１１〜１５」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２〜４、１１〜１５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項２】反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向するアノードと、
　前記カソードに電力を供給する電源と、
　を有したプラズマ処理装置において、
　前記アノードは、中空構造を有し、且つ前記カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられ、
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から前記カソードと前記アノードとの間にガスが供給されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】請求項２において、前記カソード及び前記アノードの前記プラズマに接する面は絶縁体で覆われていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】請求項３において、前記絶縁体はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２もしくはＰＺＴのいずれかを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口からハロゲン化合物を含むガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、被処理物をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１２】請求項１１において、前記ハロゲン化合物を含むガスは、ハロゲン化合物とヘリウム、アルゴン、ネオン等の希ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１３】請求項１１または１２において、前記ハロゲン化合物を含むガスは前記ハロゲン化合物として、３フッ化窒素、４フッ化炭素、６フッ化タングステン、６フッ化硫黄の少なくとも一つを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１４】反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から酸素を含有するガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、被処理物をアッシングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１５】請求項１４において、前記酸素を含有するガスは酸素とヘリウム、アルゴン、ネオン等の希ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
　３　取消理由通知で引用した刊行物に記載された発明
　（１）　刊行物１（特許異議申立人佐伯ヒロ子が提出した甲第１号証）：特開昭６０−２２０９３５号公報
　刊行物１には、「平行平板形ドライエッチング装置」に関して、以下の点が記載されている。
　第１頁右下欄第１７行〜第２頁左上欄第７行「第６図にこの平行平板形ドライエッチング装置の構成概念図を示す。第６図においてエッチングチャンバ１の中に二つの電極、陽極２と陰極３が対向して設けられ、反応ガスはチャンバ１の側面の導入孔４からチャンバ１内に供給され、排気孔５から排出される。矢印はガスの流通方向を表わすものである。この装置では高周波電源６により金属性の陽極２と陰極３の両電極間に高周波電圧を印加し、反応ガスプラズマ７を発生させ、陰極３の上に固定された被エッチングウエハ８のドライエッチングが行われる。」
　第２頁左上欄第１３行〜第１８行「第７図では陰極３の上に固定された半導体基板８ａに設けられたポリシリコン膜８ｂとさらにその上に一部被着されたマスク９とからなるウエハのポリシリコン膜８ｂの露出面をエッチングする場合を示し、被エッチング領域１０が除去される。反応ガスには例えばＣＦ４やＣ３Ｆ８などが用いられ」
　第３頁左上欄第８行〜第２０行「第１図は本発明が適用される平行平板形ドライエッチング装置の構成概念図であり、第６図と共通部分は同一符号をもって表わす。第１図が第６図と異る点は中空の陽極２ａを用い、反応ガスの導入孔４ａをチャンバ一１の側面ではなく中空陽極２ａの上部に設けてガス導入孔４ａから流入する反応ガスが中空陽極２ａの陰極３と対向する電極面を貫通して同心状にあけられた多数の小孔１１から流出するようにしたことである。両電極２ａと３の間に反応ガスプラズマ７を発生させ、陰極３に固定されたウエハ８がエッチングされることは第６図の場合と同様である。なおガスの流通方向を矢印で示してある。」
　
　（２）　刊行物２（同甲第２号証）：特開昭６３−１０３６号公報
　刊行物２には、「プラズマＣＶＤ装置」に関して、以下の点が記載されている。
　第１頁右下欄第６行〜第１５行「トレー２３が停止した後、・・・第２図（ｂ）に示すようにシャワ一電極板（アノ一ド）２１に一様に開孔されたプロセスガス噴出孔２２を介してそのプロセスガスがトレー２３上の全ウェハー２９に一様に供給される。」
　さらに、第２図（ｂ）には、縦横にほぼ等間隔で直線状に配置されている細孔状のガス噴出孔が記載されている。
　
　（３）　刊行物３（同甲第３号証）：特開平４−２３９１３０号公報
　刊行物３には、「プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」に関して、以下の点が記載されている。
　第１頁左下欄【構成】段落第８行〜第９行「放電電極２と３の対向表面にもＡｌ２Ｏ３皮膜７，８を形成する。」
　第３頁第３欄第４０行〜第４欄第３行「放電電極２及び３もアルミニウムで構成し、これら電極の互いに対向する表面に酸化アルミニウム皮膜７及び８をそれぞれ形成する。従って、反応容器及び放電電極のプラズマにさらされる大部分がプラズマに対して不活性なアルミニウム酸化膜で皮膜されることになる。
【００１０】図２は本発明によるプラズマ処理装置の変形例を示す。本例では、流量調整系１０により、酸素ガス、反応ガス及びＨｅ稀釈ガスの供給量を調整し、反応容器１１内に酸素を含む反応ガスを供給する。そして、対向電極１２には多数の孔を形成し、ＲＦ電極１３上にプラズマ処理される半導体基体１４を配置する。本例でも、反応容器の内壁表面及び電極の対向する表面にそれぞれアルミニウム酸化膜１５及び１６を形成する。」
　
　（４）　刊行物４（同甲第４号証）：特開平４−３１６３２５号公報
　刊行物４には、「プラズマ処理装置」に関して、以下の点が記載されている。
　第２頁第２欄第２９行〜第３１行「プラズマに直接露呈されているＡｌ，ＳＵＳ等の材質からなる上部電極板の表面はアルミナ膜で完全に被覆される」
　第２頁第２欄第４０行〜第４５行「図１は図３に対応する図で、上部電極板３にあけられたガス吹出孔７は・・・アルミナの絶縁膜１３が充分にガス吹出孔の内部まで被覆されるようにしている。」
　
　（５）　刊行物５（同甲第５号証）：特開平１−２０８８３４号公報
　刊行物５には、「エッチング方法」に関して、以下の点が記載されている。
　第３頁左上欄第７行〜第１１行「エッチング装置として、アノ一ドカップリング型平行平板電極を有するプラズマエッチング装置を用い、ガスとしてＳＦ６およびＣ２Ｂｒ２Ｆ４の混合ガスを用いて、レジストをマスクにＳｉのエッチングを行った。」
　第３頁右上欄第１５行〜第１７行「ＳＦ６とＣ２Ｂｒ２Ｆ４の混合ガスに更にＨ２やＨｅを混合した場合にも良好な断面形状が得られ、好ましい。」
　第３頁左下欄第１４行〜第１６行「ＳＦ６の代りにＮＦ３，ＣＦ４，ＸｅＦ２およびＦ２を用いた場合にも良好なエッチング形状が得られた」
　
　（６）　刊行物６（同甲第６号証）：特開平２−２６０２５号公報
　刊行物６には、「コンタクトホールの形成方法」に関して、以下の点が記載されている。
　第３頁右下欄第１４行〜第４頁左上欄第７行「被処理基板５１を従来通り第２図に示すリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置５２の夕ーゲット電極５３上に搭載し、ガス導入口５４から所定流量の例えば３弗化メタン（ＣＨＦ３）ガスを流入し、真空排気口５５から所定の排気を行ってエッチング装置５２内のガス圧を０．１〜１Ｔｏｒｒ程度に保った状態で、夕一ゲット電極５３と対向電極５６との間に１〜２Ｗ／ｃｍ２程度の出力密度を有する高周波出力を印加し、第１図（ｂ）に示すようにレジストマスク層１３の開孔１１及び１２を介し、層間絶縁膜１０及びその下部の不純物ブロック用酸化膜９のＲＩＥ処理を行って、該層間絶縁膜１０及び不純物ブロック用酸化膜９にソ一ス領域７及びドレイン領域８を表出するコンタクト窓１４及び１５を開孔する。」
　第４頁左上欄第１３行〜第１９行「次いで前記被処理基板５１を夕一ゲット電極５３上に搭載した儘、第２図のＲＩＥ装置５２内をＯ２で置換し、該Ｏ２雰囲気の圧力を１Ｔｏｒｒ程度に維持した状態で、電極５３、５６間に２〜２．５Ｗ／ｃｍ２程度の出力密度を有する高周波出力を印加し、第１図（ｃ）に示すように、該Ｏ２プラズマによってレジストマスク層１３をアッシング除去する。」
　
　（７）　刊行物７（特許異議申立人柴崎喜江が提出した甲第１号証）：特開平４−３７１２６号公報
　刊行物７には、「ドライエッチング装置」に関して、以下の点が記載されている。
　第２頁右上欄第８行〜第１２行「そのエッチング処理は例えば、下部電極３上に載置したウエハ一４に対して上部電極２のシャワ一板２Ｎから反応ガスを垂直に噴射して反応ガスをプラズマ化し、ウエハ一４にそのプラズマガスを衝突させてエッチングしている。」
　第３頁左上欄第１４行〜右上欄第６行「第２図は本発明にかかるドライエッチング装置の要部断面図（枚葉式）を示しており、図中の記号は第４図と同一部材に同一符号が付けてあり、１は真空チャンバ、２は上部電極、３は下部電極、４はウエハ一、５はガス導入管、６は排気口、７は絶縁部、８は高周波電源、５Ｔはガス導入管の端部、２Ｎは上部電極のシャワ一板であるが、その他の記号１０がガス拡散板である。このガス拡散板１０をガス導入管５の端部５Ｔ前面に配置すると、ガス導入管５から上部電極２に導入されたガスが電極内部でガス拡散板に当たって周囲に拡散し、シャワ一板２Ｎの全体のノズルから均一な分布でウエハ一４上に噴射することができる。」
　第３頁右上欄第１９行〜左下欄第２行「ウエハ一面上の被エッチング膜を多結晶シリコン膜，ガスを六弗化硫黄（ＳＦ６），ガス流量は４０ｓｃｃｍ，真空チャンバ内の減圧度は０．２Ｔｏｒｒ，高周波電源の出力は２００Ｗとしたデ一夕であるが、」
　
　（８）　刊行物８（同甲第２号証）：特開昭６２−２８１４２７号公報
　刊行物８には、「放電加工用電極」に関して、以下の点が記載されている。
　第１頁右下欄第１行〜第８行「第４図は、このような従来の放電加工用電極を配置された半導体ウエハのエッチング装置を示すもので、処理室１内には第５図にも示すように導入口２から導入される気体を流通するための複数の貫通孔３を有する円盤状の電極４、この電極４に対向して配置され半導体ウエハ５を載置される電極６とから構成される放電加工用電極が配置されている。」
　第２頁左下欄第１８行〜右下欄第１行「ＣＨＦ３９０ｃｃ／ｍｉｎ、ＣＦ４１２０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈｅ５００ｃｃ／ｍｉｎの条件で気体を流通させて、直径６インチの半導体ウエハ１５のエッチングを行なったところ、」
　さらに、第５図には、縦横にほぼ等間隔で直線状に配置されている細孔状のガス噴出孔が記載されている。
　
　（９）　刊行物９（同甲第３号証）：特開平１−１８９１２６号公報
　刊行物９には、「エッチング装置」に関して、以下の点が記載されている。
　第２頁右上欄第１６行〜第２０行「この上部電極（４）は、Ａｌ製で表面にアルマイト処理を施してある平板状で、図示しないガス供給源からの塩素系の反応ガス例えば四塩化炭素や三塩化ホウ素等を導入する反応ガス供給パイプ（５）に接続されている。」
　第３頁右下欄第２行〜第６行「ここで、上部電極（４）は、ミクロ的に見ると第２図に示す如く、母材のアルミニウム層（２７）の少なくともプラズマ化した塩素系ガスに接触する面は、絶縁抵抗９００ＭΩ以上の絶縁層であるアルミナ層（２８）がアルマイト処理により形成されている。」
　第５頁左上欄第１９行〜右上欄第１１行「上記実施例では上部電極の少なくともプラズマ化した塩素系ガスに接触する面を用いて説明したが、少なくとも一方の電極の少なくともプラズマ化した塩素系ガスに接触する面であればよく、下部電極でもよく、上下両電極でもよく、プラズマ化した塩素系ガスに接触しない電極面を含んでもよく、上記実施例に限定されるものではない。
　また、上記実施例ではアルマイト処理したＡｌ製電極のアルミナ層を用いて説明したが、・・・電極材質や絶縁層材質は上記実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。」
　
　（１０）　刊行物１０（同甲第４号証）：特開平４−１７１９１８号公報
　刊行物１０には、「半導体装置の製造方法」に関して、以下の点が記載されている。
　第２頁左下欄第１６行〜右下欄第２０行「第３図は平行平板型リアク夕の概略構造を示す図である。
　この平行平板型リアクタはプロセスガスの排出口１ａを上部に備えた処理室１内の下部には被処理物を載置する試料台２が設けられており、上部には反応ガスを導入する導入口３ａを備えた上部電極３が設けられており、この上部電極３の下面にはガス噴出口３ｂが設けられている。
　この試料台２と上部電極３との間には、高周波電源４により高周波電圧が印加できるようになっている。
　・・・酸素を上部電極３の導入口３ａから導入し、この上部電極３の下面に設けたガス噴出孔３ｂから酸素を噴出させながら、この試料台２と上部電極３との間に高周波電源４により高周波電圧を印加すると、この酸素の反応種がフォトレジスト膜６の変質層６ａの微細な間隙を通って侵入し、内部のフォトレジスト膜６は除去されるが、・・・」
　
　（１１）　刊行物１１（同甲第５号証）：特開平１−１７９３２６号公報
　刊行物１１には、「プラズマ処理方法」に関して、以下の点が記載されている。
　第１頁右下欄第６行〜第２頁左上欄第１行「半導体装置製造過程でのレジストアッシングなどの酸素ガスを用いたプラズマ処理方法に関し、・・・酸素を含む反応ガスを用いてプラズマ処理を行なうときに、前記反応ガスにキセノンガスを添加しておいてプラズマを発生させ、・・・」
　
　４　本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　（１）　本件発明２について
　本件発明２と刊行物１〜１１に記載された発明とを対比すると、刊行物１〜１１には、本件発明２の構成要件である「アノードは、中空構造を有し、且つ前記カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられ」た構成は、記載されていない。
　なお、刊行物２及び刊行物８には、直線状に配置されている細孔状のガス噴出口が記載されているが、これらはガス噴出口が縦横にほぼ等間隔に配置されて全体にガスを一様に供給するものであり、本件発明２のようにライン状プラズマを発生させるためのものではなく、さらに、プラズマ処理中に、基板は固定であり、本件発明２のように基板がライン状プラズマに対して垂直に移動するものではない。
　そして、本件発明２は、上記構成要件により被膜形成、エッチング、アッシング等あらゆる用途に応用する上で、処理速度の向上がはかれ、量産性を向上するという特許明細書記載の効果を奏する。
　したがって、本件発明２は、上記刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　（２）　本件発明３、４について
  本件発明３、４は、本件発明２を直接又は間接に引用し、さらに限定したものである。
　したがって、上記本件発明２と同様の理由により、本件発明３、４が、上記刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　（３）　本件発明１１について
　本件発明１１と刊行物１〜１１に記載された発明とを対比すると、刊行物１〜１１には、本件発明１１の構成要件である「カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられたプラズマ処理装置」は、記載されていない。
　なお、刊行物２及び刊行物８には、直線状に配置されている細孔状のガス噴出口が記載されているが、これらはガス噴出口が縦横にほぼ等間隔に配置されて全体にガスを一様に供給するものであり、本件発明１１のようにライン状プラズマを発生させるためのものではなく、さらに、プラズマ処理中に、基板は固定であり、本件発明１１のように基板がライン状プラズマに対して垂直に移動するものではない。
　そして、本件発明１１は、上記構成要件により被膜形成、エッチング、アッシング等あらゆる用途に応用する上で、処理速度の向上がはかれ、量産性を向上するという特許明細書記載の効果を奏する。
　したがって、本件発明１１は、上記刊行物１に記載された発明であるとも、また上記刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
　（４）　本件発明１２、１３について
  本件発明１２、１３は、本件発明１１を引用し、さらに限定したものである。
　したがって、上記本件発明１１と同様の理由により、本件発明１２、１３が、上記刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　（５）　本件発明１４について
　本件発明１４と刊行物１〜１１に記載された発明とを対比すると、刊行物１〜１１には、本件発明１４の構成要件である「カソードと対向している前記アノードの一方の面にライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている細孔状またはスリット状のガス噴出口が移動する基板に対して垂直に設けられたプラズマ処理装置」は、記載されていない。
　なお、刊行物２及び刊行物８には、直線状に配置されている細孔状のガス噴出口が記載されているが、これらはガス噴出口が縦横にほぼ等間隔に配置されて全体にガスを一様に供給するものであり、本件発明１４のようにライン状プラズマを発生させるためのものではなく、さらに、プラズマ処理中に、基板は固定であり、本件発明１４のように基板がライン状プラズマに対して垂直に移動するものではない。
　そして、本件発明１４は、上記構成要件により被膜形成、エッチング、アッシング等あらゆる用途に応用する上で、処理速度の向上がはかれ、量産性を向上するという特許明細書記載の効果を奏する。
　したがって、本件発明１４は、上記刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　（６）　本件発明１５について
  本件発明１５は、本件発明１４を引用し、さらに限定したものである。
　したがって、上記本件発明１４と同様の理由により、本件発明１５が、上記刊行物１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　５　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件発明２〜４、１１〜１５についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明２〜４、１１〜１５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明２〜４、１１〜１５についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年１月１７日（２００３．１．１７）
【訂正の要旨】
（ｉ）　訂正事項１
　訂正前の請求項１を削除。
　（ｉｉ）　訂正事項２
　「【請求項２】　請求項１において、前記細孔状のガス噴出口は直線状に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。」
を、
　「【請求項２】　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向するアノードと、
　前記カソードに電力を供給する電源と、
　を有したプラズマ処理装置において、
　前記アノードは、中空構造を有し、且つ前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に
ライン状プラズマを発生させるための、
移動する基板に対して垂直に
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から前記カソードと前記アノードとの間にガスが供給されることを特徴とするプラズマ処理装置。」
と訂正する。
　（ｉｉｉ）　訂正事項３
　「【請求項１１】　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に細孔状またはスリット状のガス噴出口が設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口からハロゲン化合物を含むガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、被処理物をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。」
を、
　「【請求項１１】　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に
ライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている
移動する基板に対して垂直に
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口からハロゲン化合物を含むガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、被処理物をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。」
と訂正する。
　（ｉｖ）　訂正事項４
　「【請求項１４】　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に細孔状またはスリット状のガス噴出口が設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から酸素を含有するガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、被処理物をアッシングすることを特徴とするプラズマ処理方法。」
を、
　「【請求項１４】　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に
ライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている
移動する基板に対して垂直に
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から酸素を含有するガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、被処理物をアッシングすることを特徴とするプラズマ処理方法。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　削除
　【請求項２】
　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向するアノードと、
　前記カソードに電力を供給する電源と、
　を有したプラズマ処理装置において、
　前記アノードは、中空構造を有し、且つ前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に
ライン状プラズマを発生させるための、
移動する基板に対して垂直に
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から前記カソードと前記アノードとの間にガスが供給されることを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項３】
　請求項
２
　【請求項４】
　請求項３において、前記絶縁体はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２もしくはＰＺＴのいずれかを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項５】
　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に細孔状またはスリット状のガス噴出口が設けられたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から化学式Ｓｉ（ＣｘＨ２ｘ＋１）４−ｙＨｙ（但しｘは１以上の整数、ｙは０以上３以下の整数）で表されるガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、炭素を主成分とする膜を形成することを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項６】
　反応容器内にシートビーム型のプラズマ領域を発生させるプラズマ処理方法であって、前記プラズマ領域に化学式Ｓｉ（ＣｘＨ２ｘ＋１）４−ｙＨｙ（但しｘは１以上の整数、ｙは０以上３以下の整数）で表されるガスを供給し、炭素を主成分とする膜を形成することを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項７】
　請求項５または６において、前記化学式はＳｉ（ＣＨ３）２Ｈ２又はＳｉ（ＣＨ３）Ｈ３であることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項８】
　請求項５乃至７のいずれか一において、前記炭素を主成分とする膜を形成するときの前記反応容器内の圧力は０．１〜８００Ｔｏｒｒであることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項９】
　請求項５乃至８のいずれか一において、前記炭素を主成分とする膜は有機樹脂でなる基体表面に形成されることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項１０】
　請求項５乃至８のいずれか一において、前記炭素を主成分とする膜は磁性材料でなる基体表面に形成されることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項１１】
　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に
ライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている
移動する基板に対して垂直に
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口からハロゲン化合物を含むガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、被処理物をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項１２】
　請求項１１において、前記ハロゲン化合物を含むガスは、ハロゲン化合物とヘリウム、アルゴン、ネオン等の希ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項１３】
　請求項１１または１２において、前記ハロゲン化合物を含むガスは前記ハロゲン化合物として、３フッ化窒素、４フッ化炭素、６フッ化タングステン、６フッ化硫黄の少なくとも一つを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項１４】
　反応容器と、
　前記反応容器内を排気する手段と、
　前記反応容器内に設けられたカソードと、
　前記カソードに対向し、中空構造を有するアノードを有し、
　前記カソードと対向している前記アノードの一方の面に
ライン状プラズマを発生させるための、直線状に配置されている
移動する基板に対して垂直に
　前記中空構造を経由して前記ガス噴出口から酸素を含有するガスを前記カソードと前記アノードの間に供給し、前記カソードに電力を供給することによって、前記カソードと前記アノードの間に前記ガスのプラズマを形成し、被処理物をアッシングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項１５】
　請求項１４において、前記酸素を含有するガスは酸素とヘリウム、アルゴン、ネオン等の希ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、被膜堆積、エッチング、アッシング等のプラズマ処理を高速で行う方法とそれを実現した装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、プラズマ処理は半導体プロセスのみならずプラスチック、繊維、金属表面等工業的に広い範囲で利用されている。主なプラズマ処理は被膜形成、エッチング、アッシング等に分類することができる。
　【０００３】
　被膜形成は物理的気相成長法（ＰＶＤ）、化学的気相成長法（ＣＶＤ）が知られている。ＰＶＤ分野ではスパッタ法が、ＣＶＤ分野ではプラズマＣＶＤ法がその代表的な形成方法として用いられている。一方エッチング、アッシングはＣＶＤとは逆に基板表面からプラズマにより活性化された活性種の化学的、物理的な作用により物質を取り去るプロセスである。ＣＶＤは一般に加熱雰囲気で行われ、エッチング、アッシングは室温で行われる。
　【０００４】
　ＣＶＤでは各応用分野での基板選択性の拡大やコストの低減の要請から製膜温度の低温化が望まれているが、イオンの運動エネルギーを利用したＣＶＤが特に炭素膜で使用されている。該炭素膜はイオンによるボンバードメントを受けつつ製膜されるので結合エネルギーの大きな結合が選択的に形成されるため高硬度の膜が形成され、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）と総称されている。ＤＬＣ膜はその製膜素過程から明らかなように基板加熱を特に必要としない。よって、コスト面での有利さから各種保護膜への期待が大きい。
　【０００５】
　ＤＬＣ膜はスパッタほうでも作成することができ、その場合はターゲット材料にグラファイトあるいは、一部珪素を含んだＳｉＣを用い、アルゴンと水素の混合ガス中で反応性スパッタリングを行うことが一般的である。
　【０００６】
　このような従来に使用されていた装置の内部構造の概略図を図１に示す。また、ＤＬＣをＣＶＤで作成する場合の出発材料炭素源物質としては、特公昭６１−５３９５５または、特公昭６２−４１４７６に記載のようなメタン（ＣＨ４）または、さらに高次なメタン系炭化水素等の気体あるいは、エチレン（Ｃ２Ｈ４）または、さらに高次なエチレン系炭化水素等の気体が一般的に利用されている。さらに、一部に珪素を含んだ物質として、テトラメチルシランＴＭＳ（（ＣＨ３）４Ｓｉ）、テトラエチルシランＴＥＳ（（Ｃ２Ｈ５）４Ｓｉ）等も検討されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記の方法では、高い被膜形成速度を維持しつつ前述の保護膜として応用する上での諸物性を得ることは、現行市販の装置及び方法では本質的に実現困難である。つまり、被膜形成速度においては、膜質とトレードオフの関係にあり、膜質を考慮した上で、０．１〜０．３μｍ／ｍｉｎ程度を得るのが限界である。さらに、炭素の結合において、共有結合を促進される為の脱水素化に関しても、その効果は不十分であった。
　【０００８】
　また、アッシング、エッチングにおいても高い処理速度はコスト面から重要であり要望の高いものである。また、広い面積に被膜を形成する場合には、被膜形成基板が固定すなわち、静的な上記方式ではプラズマの安定した発生及び維持が困難であった。さらに、高速で形成する際、基板が熱的にダメージを受けやすいことが未解決であった。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記の課題即ち処理速度を向上させるため、本発明では反応空間内に意図的にプラズマ密度の大きな領域を形成させここに処理すべきプロセスに応じた原料ガスもしくは材料ガスを供給し、反応速度を高めたものである。
　【００１０】
　また、本発明での高密度プラズマ領域は狭い領域に限られるため、大面積処理のためには基板を移動させる必要がある。即ち、高密度プラズマ領域に被膜形成基板を通過させた。機械的な構造が複雑となるためコスト的には不利となるが、被膜形成等プラズマ処理中の熱的なダメージは緩和される。更に、高密度プラズマ領域を安定化させるためアノードもしくはカソードの一方もしくは両方の表面を電気的絶縁体で覆った。また、ダイヤモンド状炭素膜の出発材料として上記プラズマによる多量の原料消費に耐え、供給律速が生じないジメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｈ２）、モノメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）Ｈ３）等を用いたことを特徴とするダイヤモンド状炭素膜形成方法である。
　【００１１】
　【作用】
　本発明のプラズマ処理方法では、接地電極の一部に設けた細孔若しくはスリット状ガス供給口近傍に高密度プラズマ領域が生成され、効率良く原料物質の分解及び活性化が促進される。例えばＤＬＣの成膜の場合、高速で良質の皮膜が形成される。このプラズマ密度の大きい領域は接地電極であるアノード表面に形成したスリットもしくは細孔の近傍に形成されるものであり発光輝度が他の領域に比して格段に強いので目視にて容易に判別できるものである。
　【００１２】
　高密度プラズマ領域は細孔若しくはスリット状ガス供給口近傍に形成される。これはガス供給口では他の空間全体に比べてガス圧力が高く、よって、十分な電界が加えられるならばガス圧力の高い空間領域で高密度のプラズマが形成される。十分な電界を加えるためには、アノード表面に形成したガス噴出口のエッジを鋭く形成することが有効である。これは該エッジ近傍での電界強度が大きくなるためである。また、同様の理由によりアノード，カソード両電極間の間隔を狭くする事も有効である。電極間隔は３０ｍｍ以下がよく、特に１０ｍｍ以下で良好なプラズマが生成される。
　【００１３】
　高密度プラズマ領域は直線状のラインプラズマを形成すると都合がよい。これは該ラインプラズマに対して垂直な方向の１次元の動きで平面へのプラズマ処理が可能だからである。また、シート状もしくはテープ状の基体をドラムに巻き付けて該シート状もしくはテープ状基体表面にプラズマ処理を施す場合も前記ラインプラズマをドラムの軸に平行に配置し、ドラム表面と適当な距離を保って、ドラムを回転させれば、前記シート状もしくはテープ状基体の表面に容易にプラズマ処理が施せる。
　【００１４】
　ライン状プラズマはスリット状のガス噴出口（ガス供給口）を形成して発生させることが出来る。また、細孔を１次元に配置してライン状プラズマを生成することもできる。細孔を１次元に配置する場合は細孔間の距離は細孔の開口径（細孔が円形でない場合は最長径と最短径より計算される平均開口径）の１０倍以下、好ましくは２倍以下がよい。細孔の開口径は１０ｍｍ以下、好ましくは５ｍｍ以下がよい。スリットの場合のスリット幅は１０ｍｍ以下好ましくは５ｍｍ以下がよい。プラズマ密度の高さではスリットよりも細孔の方が電界強度が高くなるため有利であるが、プラズマの均一性はスリットのほうが優れている。また、プラズマ密度はスリット幅、細孔径を小さくするほうが高く出来るが、ガス流量に上限が発生する。スリット幅、細孔径を小さくしすぎた場合、ガス流速が大きくなり、局部的な圧力上昇がプラズマ密度を増加させるものの、逆にプラズマを不安定にしてしまう。なお、スリットの長さを長くすること及び、細孔の数を増加させることによりラインプラズマの長さを長くする事ができるが、理論的な上限は存在せず、大型装置を作製すれば容易に数メートルのプラズマが作製できる。
　【００１５】
　高密度プラズマ領域を安定化させるにはアノードもしくはカソードの片方もしくは両方の表面（正確にはプラズマに接する面）を電気的な絶縁体で覆うのが有効である。これはプラズマ密度が高くなるとプラズマの電気的な抵抗（インピーダンス）が低下し、アーク放電に移行し易くなり、これを防止するためである。アーク放電はプラズマ密度が高いが負性抵抗を持っているため不安定であり、電極の損傷が激しく、安定なプロセスには不向きである。絶縁体の材料としてはＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＰＺＴ等が好適である。電源周波数にもよるが、比較的低周波（ｋＨｚオーダー以下）で放電させたい場合には絶縁材料の比誘電率は重要であり、比誘電率は２以上好ましくは５以上が望ましい。また、絶縁体の厚さは耐電圧が保証される限り薄いほうが望ましく、３ｍｍ以下好ましくは１ｍｍ以下がよい。
　【００１６】
　勿論、両電極とも絶縁されていなくても高密度プラズマの形成は可能である。ただ、プラズマの安定化には絶縁する事が好ましいが、一方、絶縁するとその分電気回路的には容量が挿入されたこととなり、電極間のインピーダンス増加する。よって、有効に電力が投入されずプラズマ密度が低下する。安定性に問題がなければ、絶縁体を設置しないほうが有利である。
　【００１７】
　高密度プラズマ領域はガス噴出口近傍の局部的な圧力と密接な関係がある。よって、ガス流量の調整によるガス流速の変化により高密度プラズマ領域の長さを調節することができる。これにより、基板とプラズマ発生装置との距離を変えなくても基板表面を高密度プラズマ領域に接するようにしたり、接しないようにしたりすることができる。勿論、基板とプラズマ発生装置との距離を変えても可能である。基板が高密度プラズマ領域に接した場合、より高速にプラズマ処理が可能となるが、一方基板へのダメージが発生する。基板が高密度プラズマ領域に接しない場合は基板へのイオンの衝撃はなくなり、中性の活性種のみが反応に寄与するためダメージは受けない。しかし、室温での処理を前提とした場合中性の活性種のみでは反応速度、反応後の生成物の質は余りよくない。この場合にはある程度の加熱（室温から摂氏３００度程度）が必要である。
　【００１８】
　反応空間の圧力は８００〜０．１Ｔｏｒｒ、好ましくは５〜０．５Ｔｏｒｒがよい。ここでの圧力はガス噴出口近傍での局所的な圧力ではなくその他の領域の計測可能な圧力である。この値の物理的な意味合いは平均自由工程にある。圧力が低すぎるとガス噴出口近傍での局所的な圧力が上昇する前にガスが拡散してしまい、圧力が高すぎると電子が放電を開始するに必要なエネルギーを得る前に衝突してしまい放電開始が出来なくなる。
　【００１９】
　電極に印加する電界は電極を絶縁体で覆わない場合は直流でも交流でもよい。電極を絶縁体で覆う場合は電界は交流である必要がある。周波数は平行平板電極に給電できる上限まで上げることは可能であり、周波数の下限は電極を絶縁体で覆わない場合には無く、絶縁体で覆う場合は絶縁体の比誘電率と厚さで決まる。実使用においては１０Ｈｚ〜２ＧＨｚで可能であり、好ましくは５０Ｈｚ〜９００ＭＨｚがよい。給電電力密度は０．１〜１０Ｗ／ｃｍ２好ましくは０．５〜３Ｗ／ｃｍ２がよい。
　【００２０】
　以上に述べたプラズマ処理装置を用いて各種の処理が可能である。代表的には皮膜形成、エッチング、アッシングがある。
　【００２１】
　皮膜形成はアモルファスシリコン等の半導体薄膜、酸化珪素、窒化珪素、酸化チタン等の誘電体薄膜、タングステン等の金属薄膜など、従来気相成長で可能なものはすべて可能である。特に耐磨耗性、潤滑性の保護膜に利用される炭素を主成分とする薄膜の場合には本発明のプラズマ処理装置は利点が多い。カソードを容量結合で給電すればカソード側にはセルフバイアスによりイオンのボンバードメントが発生する。そこで、基板をカソード側に設置すれば基板表面にはイオンの衝撃を受けつつ皮膜が形成される。これは先に述べたように、高硬度な炭素皮膜を形成する素過程に必要なものである。また、耐磨耗性、潤滑性の保護膜に利用される炭素を主成分とする薄膜は有機樹脂、磁性材料（磁気テープ、光磁気ディスク等）高い温度に保持できない基板への成膜の要求が強いため、本発明の装置は室温で処理できる利点が大きい。さらに、本発明の装置は高密度のプラズマを生成できるため成膜速度が高く、量産性に優れた装置を実現することが出来る。
　【００２２】
　また、高密度なプラズマを維持する上で、前記の出発材料を用いたことで、ダイヤモンド状炭素膜の形成過程で重要な活性種の一つであるメチル基（ＣＨ３）のプラズマ空間内での存在確率が増えることはもとより、膜質を決定する上で重要な脱水素化の効果がきわめて高い。
　【００２３】
　さらに、上記物質は取扱い上の簡便さはもとより、保守、管理上も従来の高圧ガスと称されるものに比べて規制上緩和されており、排出ガスの環境への影響も軽減できる。
　【００２４】
　エッチングは皮膜作製の場合で材料ガスをエッチングガスに置き換えるだけで可能である。エッチングガスとしてはフッ素系、塩素系、臭素系のガスを単体もしくは希ガスと混合して使用することが出来る。エッチングできる基板はシリコン、シリコン化合物、炭素、有機物等である。アッシングはエッチングの特殊な場合と考えられ、材料ガスとして酸素を用いるものである。ガスに希ガスを混合してもよい。アッシングは特にレジストの剥離を目的としたものであり、本発明の装置は該目的に好適である。即ち、皮膜形成同様処理時間の短縮によるコスト低減が上げられる。またアッシングの場合は基板を高密度プラズマ領域に積極的に曝して処理することが有効である。これは高密度プラズマ領域からの衝撃により基板加熱され、反応速度の上昇に寄与するからである。
　【００２５】
　【実施例】
　『実施例１』
　本発明の実施例を図２に基づいて説明する。本実施例ではジメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｈ２）によるダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ）の皮膜形成について述べる。　本発明によるダイヤモンド状炭素膜の形成は、高周波給電電極２側に基板４を配置する為、搬送方法及び高周波の給電方法等は特殊な工夫を施している。真空容器（図示せず）内に高周波給電電極２と接地電極３が１ｃｍの間隔を保ち、配置されている。図２ではその間隔が大きく示されているが、高周波給電電極２と接地電極３との間隔は１ｃｍと狭く設定されている。高周波給電電極２は基板ホルダーを兼ねており、本実施例においては、基板４として磁性体が形成された３．５インチの磁気ディスクが設置されている。搬送系のレール、ラック、ピニオン等構成部品は全て絶縁性の材料で組まれており、直流的には絶縁し、フローティング構造をとっている。
　【００２６】
　高周波の給電に関しては、真空ギャップによる間接容量カップリング１０を介して、高周波電源系７より給電している。ここで、ジメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｈ２）を用いて、高輝度発光を有する１次元高密度プラズマ領域を生成する具体的な条件の一例を示す。
　【００２７】
　上記の構成において、出発材料すなわち炭素源ソース物質としてジメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｈ２）を２００ＳＣＣＭの流量で原料供給系６より導入し、動作圧力を１Ｔｏｒｒに制御し、排気系８を排気した。
　【００２８】
　さらに、接地電極３は中空構造とし、炭素源ソース物質は幅０．５ｃｍ、長さ３０ｃｍに高精度加工されたスリット状ガス供給口１１から電極間に輸送され、高周波電源系７より２Ｗ／ｃｍ２の電力密度の高周波の印加により、局部的に線状の高輝度発光を有する１次元高密度プラズマ領域９が生成され、基板４の通過速度は毎分９０ｍとし、磁気ディスクの磁性層の上に２００Åのダイヤモンド状炭素膜を形成した。スリットの本数は１本／ｃｍである。
　【００２９】
　本実施例は、電極間隔が狭いため、プラズマ放電空間の容積を減らすことはもとより、真空容器自体も薄型化できる点も長所の一つである。また、被膜形成領域が従来の電極間全域に広がったプラズマ領域でなく、接地電極３のスリット状ガス供給口１１のごく近傍のみに限られていることからも動的な被膜形成を無理なく実現している。図３は、本実施例において、基板を固定すなわち動的な状態で得られたダイヤモンド状炭素膜の被膜形成速度の動作・圧力及び、高周波電極密度依存性を示した。
　【００３０】
　従来の装置及び方法では、膜質を考慮した上で０．１〜０．３μｍ／ｍｉｎ程度の被膜形成速度を得るのが限界であったが、本実施例では、原料物質の効果も含め、容易に１桁以上高い値が得られ、同時に残留内部応力についても約半桁ないし、１桁低減できることが確認できた。
　【００３１】
　『実施例２』
　ジメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｈ２）をモノメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）Ｈ３）に変えた以外は実施例１と同一にしてダイヤモンド状炭素膜の形成を行った。当初の予想通り被膜形成速度は、実施例１に比べ約３５％低下したが、被膜形成条件としての動作圧力、高周波電力密度依存性等の傾向は類似したものとなった。
　【００３２】
　また、真空容器内壁及び電極等への不要な炭素系被膜（例えば、アモルファスカーボン、グラファイト）の堆積に関しては、実施例１よりも極端に少なく、保守、管理上は、モノメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）Ｈ３）の方が優位であった。図４は、モノメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）Ｈ３）を用いた時の図３同様の特性を示す。
　【００３３】
　『実施例３』
　本実施例では実施例１の装置を用い、エッチングガスとしてＮＦ３を用いた場合を述べる。基板としてはシリコンウエファーを用いた。原料供給系６よりＮＦ３を２００ｓｃｃｍ供給し、反応容器内の圧力を３Ｔｏｒｒに保った。高周波電源系７より３Ｗ／ｃｍ２の電力密度の高周波の印加を行い、プラズマを生成した。基板フォルダーを１次元高密度プラズマにたいし垂直方向に毎秒１ｃｍ移動させた。この時高密度プラズマ領域は基板表面に接している状態でエッチングした。１回のスキャンののちシリコンウエファー表面は０．４μｍのエッチングが観測された。
　【００３４】
　『実施例４』
　本実施例では実施例１の装置を用い、アッシングガスとしてＯ２を用いた場合を述べる。
　【００３５】
　〔基板の準備〕
　基板は１００ｍｍ角のガラス基板を用いた。該基板はＬＣＤ用ＴＦＴの生産工程で用いられるもので、チャネル形成のためのイオンドーピング後のレジスト剥離でのアッシング性能を検討した。レジストはポジ型レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００）粘度３０ｃｐｓのものを用いた。スピンコートしたのち摂氏８０度で２０分間プリベークをおこなった。
　【００３６】
　マスクをかけ、３６５ｎｍに中心波長をもつ紫外線（２ｍＷ）で２０秒露光したのち、現像液ＮＭＤ３（東京応化製）で１分間現像した。水洗ののち、ポストベークを摂氏１３０度で３０分間行った。ポストベーク後のレジスト膜厚は２μｍであった。この後、イオンインプタンテーションによりボロンを１×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ２イオンドーピングした。前記工程を経たレジスト膜はイオンインプタンテーションにより加熱されたため、剥離液ストリッパー１０（東京応化製）ではほとんど剥離出来ないものであった。
　【００３７】
　〔アッシング〕
　前記装置を用いて前記基板上のレジスト膜のアッシングを行った。放電条件を以下に記す。
　　電極間隔　　　　　１０ｍｍ
　　スリット幅　　　　５ｍｍ
　　スリット長さ　　　３０ｃｍ
　　印加電界周波数　　１３．５６ＭＨｚ
　　印加電力　　　　　５Ｗ／ｃｍ２
　　反応ガス　　　　　酸素
　　酸素流量　　　　　５００ｓｃｃｍ
　　基板スキャン速度　５０ｍｍ／分
　前記の条件でプラズマを生成し、前記の基板上のレジストのアッシングを行ったところ１スキャンでレジストが灰化して除去されていることが確認された。これは移動しないときの処理幅を５ｍｍと仮定するとアッシングレートが８０００Å／ｍｉｎに相当する。バレルタイプでのレートである１０００Å／ｍｉｎより格段に上昇していることがわかる。また、本実施例により作成したＴＦＴの特性は十分良好なものであり、本発明の基板処理によりダメージを受けたという結果は全く見られなかった。
　【００３８】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によるプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を用いれば、被膜形成、エッチング、アッシング等あらゆる用途に応用する上で、処理速度の向上がはかれ、量産性に対してメリットが大きい。特に高硬度の炭素を主成分とする被膜はその優れた諸物性である耐摩耗性、高平滑性、高絶縁性及び高硬度等の特徴を維持した上で高い被膜形成速度が達成でき、量産性についてもその律速要因が解決できた。また、アッシングについてもスループットの格段の向上がはかれた。また、従来の静的な方法を用いない為、高速で形成しても被膜形成基板にダメージを誘発しない等の作用も確認された。さらに、炭素を主成分とする被膜においては下地基板材料との整合性の点からも珪素が含有された前述のジメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｈ２）、モノメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）Ｈ３）は界面特性、密着性に優れた材料であることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　従来より用いられているダイヤモンド状炭素膜を形成する為の装置の内部構造を示す断面図
　【図２】
　本発明の実施例で用いたダイヤモンド状炭素膜を形成する為の装置の内部構造の概要を示す断面図
　【図３】
　本発明の実施例１で得られたダイヤモンド状炭素膜の被膜形成速度の動作圧力及び高周波電力密度依存性を示すグラフである。
　【図４】
　本発明の実施例２で得られたダイヤモンド状炭素膜の被膜形成速度の動作圧力及び高周波電力密度依存性を示すガラフである。
　【符号の説明】
　１・・・真空容器
　２・・・高周波供給電極
　３・・・接地電極
　４・・・基板
　５・・・ターゲット
　６・・・原料供給系
　７・・・高周波電源系
　８・・・排気系
　９・・・シートビーム型のプラズマ領域
　１０・・間接容量カップリング
　１１・・スリット状ガス供給口
　１２・・プラズマ領域