【事件の表示】
　特願２０１０−５１５３３２号「多層基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１月１５日国際公開、ＷＯ２００９／００６７６１、平成２２年１０月１４日国内公表、特表２０１０−５３２９２３号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は平成１９年７月１２日を国際出願日とする出願であって、平成２３年８月２４日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成２３年１１月２８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２４年７月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し平成２４年１１月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に特許請求の範囲についての手続補正がなされたものである。
　
II．平成２４年１１月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年１１月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「多層基板であって、
表面誘電層、少なくとも一つのパッド層、及びパッド層の下側に設けられ
、不平坦な表面誘電層の表面に沿ってパッド層側に突出する１つの層に形成された
前記パッド層の側面は前記表面誘電層と密接に接合し、
前記パッド層の表面は、前記表面誘電層の表面と一つの共通面を備えることを特徴とする多層基板。」
と補正された（下線は補正箇所を示すものである。）。
　
２．補正の目的及び新規事項の追加の有無
　上記補正は、平成２３年１１月２８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲（以下、「拒絶査定時の特許請求の範囲」という。）の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「金属ライン層」について、「不平坦な表面誘電層の表面に沿ってパッド層側に突出する１つの層に形成された」との限定を付加するものである。
　そして、限定が付加された補正後の請求項１に記載された発明は、補正前の請求項１に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、上記補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、本件補正は、新規事項を追加するものではない。
　
３．独立特許要件
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３−１．引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物である、特開２００６−４９８１９号公報（以下、「引用文献」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ア）「【請求項１】
絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された配線と、前記絶縁膜の表裏面にて表面を露出して設けられ、かつ、その側面の少なくとも一部が前記絶縁膜に埋設されている複数個の電極パッドと、前記配線と前記電極パッドとを接続するビアとを有することを特徴とする半導体搭載用配線基板。
【請求項２】
前記絶縁膜は、配線基板の表面に位置する第１の絶縁層と、配線基板の裏面に位置する第２の絶縁層と、配線基板の内部に位置する１又は複数個の第３の絶縁層とを有し、前記第３の絶縁層には、第３の絶縁層の両表面に埋設された複数個の配線と、これらの配線を相互に接続するビアとが設けられ、前記電極パッドは前記第１の絶縁層における配線基板表面側の表面及び前記第２の絶縁層における配線基板裏面側の表面に、夫々表面を露出して設けられ、かつ前記電極パッドの側面の少なくとも一部は前記第１の絶縁層又は第２の絶縁層に埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体搭載用配線基板。
・・・
【請求項１７】
前記第１の絶縁層に形成されたビアの表面側サイズが裏面側サイズよりも小さく、前記第２の絶縁層に形成されたビアの裏面側サイズが表面側サイズよりも小さいことを特徴とする請求項２乃至１５のいずれか１項に記載の半導体搭載用配線基板。
・・・」（【特許請求の範囲】）
　
（イ）「【課題を解決するための手段】
　本発明に係る半導体搭載用配線基板は、絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された配線と、前記絶縁膜の表裏面にて表面を露出して設けられ、かつ、その側面の少なくとも一部が前記絶縁膜に埋設されている複数個の電極パッドと、前記配線と前記電極パッドとを接続す
るビアとを有することを特徴とする。
　本発明においては、配線基板の表裏両面の電極パッドが絶縁膜内に埋め込まれた構造となっているので、表裏両面とも電極パッドの高さばらつきを抑えることができ、配線基板の両面に半導体デバイスを高密度かつ高精度に搭載することができるようになる。更に、電極パッドの側面が絶縁膜に埋設されているため、電極パッドと絶縁膜との密着性が向上し、半導体デバイスとの接続信頼性に優れた半導体搭載用配線基板を得ることができる。
　本発明においては、前記絶縁膜は、配線基板の表面に位置する第１の絶縁層と、配線基板の裏面に位置する第２の絶縁層と、配線基板の内部に位置する１又は複数個の第３の絶縁層とを有し、前記第３の絶縁層には、第３の絶縁層の両表面に埋設された複数個の配線と、これらの配線を相互に接続するビアとが設けられ、前記電極パッドは前記第１の絶縁層における配線基板表面側の表面及び前記第２の絶縁層における配線基板裏面側の表面に、夫々表面を露出して設けられ、かつ前記電極パッドの側面の少なくとも一部は前記第１の絶縁層又は第２の絶縁層に埋設されているように構成することができる。」（段落【００１１】〜【００１３】）
　
（ウ）「【発明を実施するための最良の形態】
　以下、本発明の実施の形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第１の実施の形態について図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。本実施形態に係る半導体搭載用配線基板５においては、絶縁膜１内に配線２及び上下の配線２を電気的に接続するためのビア３が設けられており、基板５の表裏両面、即ち絶縁膜１の表裏両面には電極パッド４が設けられている。この電極パッド４は、その側面の少なくとも一部が絶縁膜１に埋設されている。
・・・
　本発明の半導体搭載用配線基板５においては、基板５の表裏両面の電極パッド４が絶縁膜１内に埋め込まれた構造となっているので、基板５の表裏両面とも電極パッド４の高さばらつきを抑えることができ、半導体搭載用配線基板５の両面に半導体デバイスを高密度かつ高精度に搭載することができる。更に、電極パッド４の側面が同一の材料から構成される絶縁膜１に埋設されているため、電極パッド４と絶縁膜１との密着性が向上し、半導体デバイスとの接続信頼性にも優れた半導体搭載用配線基板５を得ることができる。」（段落【００４６】〜【００４９】）
　
（エ）「次に、本発明の他の実施形態に係る半導体搭載用配線基板について、図１４及び図１５を参照して説明する。この半導体搭載基板においては第１の絶縁層に形成されたビア９４，９５の表面側サイズが裏面側サイズよりも小さく、第２の絶縁層に形成されたビア９４，９５の裏面側サイズが表面側サイズよりも小さい。このようなビア形状を有する構造は、例えばレーザーによるビア形成又は感光性樹脂を用いたフォトビアにより実現できる。通常、レーザー照射工程又は露光工程において、レーザー又は光の入射側と反対側ではビアサイズが異なるものとなる。これにより、第１の絶縁層に形成されたビア９４，９５の表面側サイズが裏面側サイズよりも小さく、第２の絶縁層に形成されたビア９４，９５の裏面側サイズが表面側サイズよりも小さいビアを有する基板が得られ、半導体素子との接続密度を高くした基板を形成することができる。
　なお、ここでいうビア９４，９５のサイズはビア形状が円錐台状であればその上部又は下部における直径を示すが、ビア形状は必ずしも円形であることは要せず、その場合においても周囲長等、適当な量をサイズとして定義することができる。
　本発明の半導体搭載用配線基板を構成するビアは図１４のようにフィルドビア９４であってもよいし、図１５のようにコンフォーマルビア９５であってもよい。フィルドビア９４の場合、ビア上にも配線を描くことができ、フィルドビア９４がスタックされるような配線又はパッドの設計ができるため、配線密度を高くできるという利点がある。一方、コンフォーマルビア９５の場合は、ビアに応力を緩和する効果があるため、温度サイクル等の信頼性特性が改善されるという利点がある。」（段落【００６８】〜【００７０】）
　
（オ）上記（ア）、（イ）、（エ）の記載事項、及び、【図１５】から、本発明の他の実施形態に係る半導体搭載用配線基板は、配線基板の上面の電極パッドと、その下に形成されたビア９５とを有する第１の絶縁層と、配線基板の下面の電極パッドと、その上に形成されたビア９５とを有する第２の絶縁層と、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に挟持され、両表面に埋設された複数個の配線とこれらの配線を相互に接続するビアとが設けられた第３の絶縁層とから構成された多層構造であることが記載されているに等しい。
　
（カ）また、上記（ア）、（イ）、（エ）の記載事項、及び、【図１５】から、本発明の他の実施形態における第１の絶縁層は、上面に電極パッドが埋め込まれており、該電極パッドは表面及び表面と隣接する側面を備えている点、及び、その電極パッドと第一の絶縁層の表面とは共通の表面を備える点が記載されているに等しい。
　
（キ）さらに、上記（ア）、（イ）、（エ）の記載事項、及び、【図１５】から、本発明の他の実施形態における第１の絶縁層の下面には、表面側（電極パッド側）サイズが小さく、裏面側（下面側）サイズが大きい、電極パッド側に突出するコンフォーマルビア９５が形成される構成が記載されているに等しい。
　
　したがって、上記記載事項、及び、図示内容から、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が、記載されていると認められる。
　
「多層の半導体搭載用配線基板であって、
第１の絶縁層、電極パッド、及び電極パッドの下側に設けられ、第１の絶縁層に形成された、表面側（電極パッド側）サイズが小さく、裏面側（下面側）サイズが大きい、電極パッド側に突出するコンフォーマルビア９５を含み、第１の絶縁層は前記多層の半導体搭載用配線基板の表層に設けられ、前記電極パッドは表面及び前記表面と隣接する側面を備え、且つ前記電極パッドは前記第１の絶縁層に埋め込まれ、前記第１の絶縁層及び前記電極パッドは共に前記多層の半導体搭載用配線基板を形成し、
前記電極パッドの側面は前記第１の絶縁層と密接に接合し、
前記電極パッドの表面は、前記第１の絶縁層の表面と一つの共通面を備える多層の半導体搭載用配線基板。」
　
３−２．対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、後者の「多層の半導体搭載用配線基板」は、その機能ないし構成からみて前者の「多層基板」に相当する。
　以下、同様に、後者の「第１の絶縁層」は前者の「表面誘電層」に、「電極パッド」は「パッド層」に相当する。
　また、引用発明の第１の絶縁層には、表面側（電極パッド側）サイズが小さく、裏面側（下面側）サイズが大きい、電極パッド側に突出するコンフォーマルビア９５が形成されているから、第一の絶縁層の下面は不平坦な表面である。
　そして、該コンフォーマルビア９５は、その不平坦な第一の絶縁層の表面（下面）に沿って電極パッド側に突出する１つの層に形成された不平坦な金属ライン層として構成されていることは明らかであるから、引用発明の「第１の絶縁層に形成された、表面側（電極パッド側）サイズが小さく、裏面側（下面側）サイズが大きい、電極パッド側に突出するコンフォーマルビア９５」は、本願補正発明の「不平坦な表面誘電層の表面に沿ってパッド層側に突出する１つの層に形成された不平坦な金属ライン層」に相当するものである。
　
　以上の点を考慮し、本願補正発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「多層基板であって、
表面誘電層、少なくとも一つのパッド層、及びパッド層の下側に設けられ、不平坦な表面誘電層の表面に沿ってパッド層側に突出する１つの層に形成された不平坦な金属ライン層を含み、表面誘電層は前記多層基板の一つの表層に設けられ、前記パッド層は少なくとも一つの表面及び前記表面と隣接する少なくとも一つの側面を備え、且つ前記パッド層は前記表面誘電層に埋め込まれ、前記表面誘電層及び前記パッド層は共に前記多層基板を形成し、
前記パッド層の側面は前記表面誘電層と密接に接合し、
前記パッド層の表面は、前記表面誘電層の表面と一つの共通面を備えることを特徴とする多層基板。」という点で一致し、両者の間に相違点はない。
　
３−３．当審の判断 
　上記の対比から明らかなように、引用発明は、本願補正発明の構成要件の全てを実質的に有する発明であるといえるから、本願補正発明は引用文献に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号前段に規定する発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３−４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、拒絶査定時の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのもの（以下、「本願発明」という。）である。
「多層基板であって、
表面誘電層、少なくとも一つのパッド層、及びパッド層の下側に設けられている不平坦な金属ライン層を含み、表面誘電層は前記多層基板の一つの表層に設けられ、前記パッド層は少なくとも一つの表面及び前記表面と隣接する少なくとも一つの側面を備え、且つ前記パッド層は前記表面誘電層に埋め込まれ、前記表面誘電層及び前記パッド層は共に前記多層基板を形成し、
前記パッド層の側面は前記表面誘電層と密接に接合し、
前記パッド層の表面は、前記表面誘電層の表面と一つの共通面を備えることを特徴とする多層基板。」
　
IV．引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した引用文献及びその記載事項は、上記II．３−１に記載したとおりである。
　
V．対比・判断
　本願発明は、前記II．１．の本願補正発明から、「金属ライン層」について、「不平坦な表面誘電層の表面に沿ってパッド層側に突出する１つの層に形成された」との限定を除くものである。 
　そして、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記II．３−３に記載したとおり、引用文献に記載された発明といえるのであるから、本願発明も、同様に、引用文献に記載された発明といえる。
　
VI．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号前段に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。 
　そして、本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができないものである以上、本願の請求項２以下に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。