【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
［例１７］
［アネトールとの共結晶相を含む同時押出フィルム］
例１５で開示した手順によって調製した三層同時押出フィルムを、２０質量％の濃度のアセトン中のアネトール溶液で処理した。周囲温度で１時間脱着した後、ちょうど１６０８、１５１０、１２４７、８１９、７６８ｃｍ−１の位置においてアネトールに特有の典型的赤外吸収ピークによって強調されるように（図１１Ａの中でアスタリスクで示す）、試料は６質量％に等しい量のアネトールを含んだ。図１１Ｂにおいて、アネトール吸収後の三層フィルムのＸ線回折スペクトルは１０°にピークの存在を示し、これは、無秩序ナノ多孔質結晶相が、アネトールを有するｓ−ＰＳの共結晶相に変形したことを示す。
本発明に関連する発明の実施態様の一部を以下に示す。
［態様１］
自動粉体回折装置によって測定したＸ線回折スペクトルを特徴とする、無秩序ナノ多孔質結晶形のシンジオタクチックポリスチレン（ｓ−ＰＳ）であって、ここで、２θ（ＣｕＫα）＜１５°において、区間８．７°＜２θ（ＣｕＫα）＜９．８°、及び１３．０°＜２θ（ＣｕＫα）＜１３．８°内に極大値を有し、少なくとも２°の半値幅を有する、２つのピークのみが存在する、無秩序ナノ多孔質結晶形のシンジオタクチックポリスチレン（ｓ−ＰＳ）。
［態様２］
以下の工程を含むことを特徴とする、上記態様１に定義された無秩序ナノ多孔質結晶形のｓ−ＰＳの調製方法：
ａ）シンジオタクチックポリスチレンを市販のα−形から非晶形ｓ−ＰＳに変換する工程；
ｂ）共結晶化剤で前記非晶形ｓ−ＰＳを処理して、前記共結晶化剤とｓ−ＰＳとの共結晶形を得る工程；
ｃ）前記共結晶化剤を除去して、無秩序ナノ多孔質結晶形のｓ−ＰＳを得る工程。
［態様３］
非晶形ｓ−ＰＳを得る前記工程ａ）が、２５０℃より高い温度でポリマーを融解し、続いて５０℃／ｍｉｎを超える速度で融解した相を急冷することを含むという点を特徴とする、上記態様２に記載した方法。
［態様４］
非晶形ｓ−ＰＳを得る前記工程ａ）が、α−形ｓ−ＰＳ顆粒をミリングして、５００μｍ以下の顆粒サイズを有する粉体を得ることを含むという点を特徴とする、上記態様２に記載した方法。
［態様５］
非晶形ｓ−ＰＳを処理する前記工程ｂ）で使用される前記共結晶化剤が、下記の特徴を満たす化合物であることを特徴とする、上記態様２に記載した方法：Ａ）１００℃未満の温度において、シンジオタクチックポリスチレンの溶媒ではないこと；Ｂ）０．４ｎｍ３より小さい分子体積を有すること（ここで、分子体積は式Ｖｏｓｐ＝Ｍ／（ρＮａ）に基づいて定義され、Ｍ及びρは分子量及び密度であり、Ｎａはアボガドロ数である）；Ｃ）酸定数ｐＫａ＞１６を有すること；Ｄ）塩基定数ｐＫｂ＜１０を有すること。
［態様６］
前記共結晶化剤が酢酸エチル、酢酸メチル、及びメチルエチルケトンから選択されることを特徴とする、上記態様５に記載した方法。
［態様７］
非晶形ｓ−ＰＳが前記共結晶化剤を吸収するように、前記共結晶化剤を用いた前記処理の工程が、液体状態の共結晶化剤への非晶形ｓ−ＰＳの浸漬を通して、又は、共結晶化剤の蒸気への非晶形ｓ−ＰＳの露出を通して、共結晶化剤と非晶形ｓ−ＰＳとの接触を含むことを特徴とする、上記態様５に記載した方法。
［態様８］
浸漬又は露出による前記接触が、２秒〜６０分の間で、好ましくは３０秒〜１０分の間の時間で行われることを特徴とする、上記態様７に記載した方法。
［態様９］
共結晶化剤を除去して無秩序ナノ多孔質結晶形を形成する前記工程ｃ）が、共結晶化剤の脱着を通して行われることを特徴とする、上記態様２に記載した方法。
［態様１０］
前記脱着が、加熱して又は加熱せずに環境への露出を通して行われることを特徴とする、上記態様９に記載した方法。
［態様１１］
前記除去が、超臨界ＣＯ２処理による有機化合物の除去を通して行われることを特徴とする、上記態様９に記載した方法。
［態様１２］
粉体の形態の非晶形シンジオタクチックポリスチレンであって、５００μｍ以下の粒子サイズを有し、きれいなピークを含まないが、１０°及び１９．５°付近の回折角２θＣｕＫαに位置する極大の回折の２つの幅広のハローのみを含むＸ線回折スペクトルを有する（図１Ｂ）、非晶形シンジオタクチックポリスチレン。
［態様１３］
上記態様１に記載の無秩序ナノ多孔質結晶形のシンジオタクチックポリスチレンを含む成形品。
［態様１４］
融解したｓ―ＰＳから得たことを特徴とする、上記態様１３に記載した成形品。
［態様１５］
単層又は多層の柔軟なフィルムであることを特徴とする、上記態様１４に記載した成形品。
［態様１６］
無秩序ナノ多孔質結晶形のｓ−ＰＳの一部を含むことを特徴とする、上記態様１３に記載した成形品。
［態様１７］
無秩序ナノ多孔質結晶形のｓ−ＰＳの前記部分が、前記物品上へのｓ−ＰＳの分散体の堆積から得たものであることを特徴とする、上記態様１６に記載した成形品。
［態様１８］
３００μｍより小さい平均サイズを有する非晶形のシンジオタクチックポリスチレンの粒子を含むコーティング層の、物品の少なくとも一部の上への堆積を含むことを特徴とする、機能的に活性な物品を製造するための方法であって、前記堆積は、
ａ）続いて除去される共結晶化剤の存在下で行われるか、又は
ｂ）結晶化剤の非存在下で行われ、前記コーティング層は前記堆積の後に前記共結晶化剤と接触する非晶形のシンジオタクチックポリスチレンの粒子を含み、
続いて除去される前記共結晶化剤は、場合ａ）及びｂ）の両者において無秩序ナノ多孔質結晶形のシンジオタクチックポリスチレンのその場での形成を引き起こし、前記共結晶化剤は下記の特徴を満たす化合物である：Ａ）１００℃未満の温度において、シンジオタクチックポリスチレンの溶媒とならないこと；Ｂ）０．４ｎｍ３より小さい分子体積を有すること（ここで、分子体積は式Ｖｏｓｐ＝Ｍ／（ρＮａ）に基づいて定義され、Ｍ及びρは分子量及び密度であり、Ｎａはアボガドロ数である）；Ｃ）酸定数ｐＫａ＞１６を有すること；Ｄ）塩基定数ｐＫｂ＞１０を有すること。
［態様１９］
前記ｓ−ＰＳの粒子が、結晶形又は非晶形のどちらにおいても、２００μｍより小さい平均サイズを有することを特徴とする、上記態様１８に記載した方法。
［態様２０］
前記ｓ−ＰＳの粒子を、結晶形又は非晶形のどちらにおいても、分散媒に分散させることを特徴とする、上記態様１８又は１９に記載した方法。
［態様２１］
前記ｓ−ＰＳが１５０μｍより小さい、好ましくは５０μｍより小さい、より好ましくは１０μｍより小さい平均サイズを有する粒子を含むことを特徴とする、上記態様１８に記載した方法。
［態様２２］
前記分散媒が、酢酸エチル、酢酸メチル、又はメチルエチルケトンから選択されることを特徴とする、上記態様２０に記載した方法。
［態様２３］
分散性で非溶媒の液体の媒体中に分散した、上記態様１に記載した無秩序な結晶形のナノ多孔質シンジオタクチックポリスチレンの粒子、又は上記態様１２に記載した非晶形のシンジオタクチックポリスチレンの粒子を含むコーティング組成物であって、前記シンジオタクチックポリスチレンの粒子は、３００μｍより小さいサイズを有する、コーティング組成物。
［態様２４］
ｓ−ＰＳの前記粒子が、２００μｍ未満、好ましくは１５０μｍ未満、より好ましくは５０μｍ未満、及びより更に好ましくは１０μｍ未満のサイズを有することを特徴とする、上記態様２３に記載した組成物。
［態様２５］
バインダ及び分散剤を含むことを特徴とする、上記態様２３に記載した組成物。
［態様２６］
無秩序ナノ多孔質結晶形の前記ｓ−ＰＳが、機能的に活性な物品として形成されるという点、及び、融解を通して非晶形ｓ−ＰＳを得る前記工程ａ）が、２５０℃より高い温度でポリマーを射出成形し、続いて融解した相の迅速な急冷を通して行われるという点を特徴とする、上記態様２又は３に記載した方法。
［態様２７］
無秩序ナノ多孔質結晶形の前記ｓ−ＰＳが、機能的に活性な物品として形成されるという点、及び、融解を通して非晶形ｓ−ＰＳを得る前記工程ａ）が、２５０℃より高い温度でポリマーを同時押出し、続いて融解した相の迅速な急冷を通して行われるという点を特徴とする、上記態様２又は３に記載した方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動粉体回折装置によって測定したＸ線回折スペクトルを特徴とする、無秩序ナノ多孔質結晶形のシンジオタクチックポリスチレン（ｓ−ＰＳ）であって、ここで、２θ（ＣｕＫα）＜１５°において、区間８．７°＜２θ（ＣｕＫα）＜９．８°、及び１３．０°＜２θ（ＣｕＫα）＜１３．８°内に極大値を有し、少なくとも２°の半値幅を有する、２つのピークのみが存在する、無秩序ナノ多孔質結晶形のシンジオタクチックポリスチレン（ｓ−ＰＳ）。
【請求項２】
以下の工程を含むことを特徴とする、請求項１に定義された無秩序ナノ多孔質結晶形のｓ−ＰＳの調製方法：
ａ）シンジオタクチックポリスチレンを市販のα−形から非晶形ｓ−ＰＳに変換する工程；
ｂ）共結晶化剤で前記非晶形ｓ−ＰＳを処理して、前記共結晶化剤とｓ−ＰＳとの共結晶形を得る工程；
ｃ）前記共結晶化剤を除去して、無秩序ナノ多孔質結晶形のｓ−ＰＳを得る工程。
【請求項３】
非晶形ｓ−ＰＳを得る前記工程ａ）が、２５０℃より高い温度でポリマーを融解し、続いて５０℃／ｍｉｎを超える速度で融解した相を急冷することを含むという点を特徴とする、請求項２に記載した方法。
【請求項４】
非晶形ｓ−ＰＳを得る前記工程ａ）が、α−形ｓ−ＰＳ顆粒をミリングして、５００μｍ以下の顆粒サイズを有する粉体を得ることを含むという点を特徴とする、請求項２に記載した方法。
【請求項５】
非晶形ｓ−ＰＳを処理する前記工程ｂ）で使用される前記共結晶化剤が、下記の特徴を満たす化合物であることを特徴とする、請求項２に記載した方法：Ａ）１００℃未満の温度において、シンジオタクチックポリスチレンの溶媒ではないこと；Ｂ）０．４ｎｍ３より小さい分子体積を有すること（ここで、分子体積は式Ｖｏｓｐ＝Ｍ／（ρＮａ）に基づいて定義され、Ｍ及びρは分子量及び密度であり、Ｎａはアボガドロ数である）；Ｃ）酸定数ｐＫａ＞１６を有すること；Ｄ）塩基定数ｐＫｂ＜１０を有すること。
【請求項６】
前記共結晶化剤が酢酸エチル、酢酸メチル、及びメチルエチルケトンから選択されることを特徴とする、請求項５に記載した方法。
【請求項７】
非晶形ｓ−ＰＳが前記共結晶化剤を吸収するように、前記共結晶化剤を用いた前記処理の工程が、液体状態の共結晶化剤への非晶形ｓ−ＰＳの浸漬を通して、又は、共結晶化剤の蒸気への非晶形ｓ−ＰＳの露出を通して、共結晶化剤と非晶形ｓ−ＰＳとの接触を含むことを特徴とする、請求項５に記載した方法。
【請求項８】
浸漬又は露出による前記接触が、２秒〜６０分の間で、好ましくは３０秒〜１０分の間の時間で行われることを特徴とする、請求項７に記載した方法。
【請求項９】
共結晶化剤を除去して無秩序ナノ多孔質結晶形を形成する前記工程ｃ）が、共結晶化剤の脱着を通して行われることを特徴とする、請求項２に記載した方法。
【請求項１０】
前記脱着が、加熱して又は加熱せずに環境への露出を通して行われることを特徴とする、請求項９に記載した方法。
【請求項１１】
前記除去が、超臨界ＣＯ２処理による有機化合物の除去を通して行われることを特徴とする、請求項９に記載した方法。
【請求項１２】
粉体の形態の非晶形シンジオタクチックポリスチレンであって、５００μｍ以下の粒子サイズを有し、きれいなピークを含まないが、１０°及び１９．５°付近の回折角２θＣｕＫαに位置する極大の回折の２つの幅広のハローのみを含むＸ線回折スペクトルを有する（図１Ｂ）、非晶形シンジオタクチックポリスチレン。
【請求項１３】
請求項１に記載の無秩序ナノ多孔質結晶形のシンジオタクチックポリスチレンを含む成形品。
【請求項１４】
融解したｓ―ＰＳから得たことを特徴とする、請求項１３に記載した成形品。
【請求項１５】
単層又は多層の柔軟なフィルムであることを特徴とする、請求項１４に記載した成形品。
【請求項１６】
無秩序ナノ多孔質結晶形のｓ−ＰＳの一部を含むことを特徴とする、請求項１３に記載した成形品。
【請求項１７】
無秩序ナノ多孔質結晶形のｓ−ＰＳの前記部分が、前記物品上へのｓ−ＰＳの分散体の堆積から得たものであることを特徴とする、請求項１６に記載した成形品。
【請求項１８】
３００μｍより小さい平均サイズを有する非晶形のシンジオタクチックポリスチレンの粒子を含むコーティング層の、物品の少なくとも一部の上への堆積を含むことを特徴とする、機能的に活性な物品を製造するための方法であって、前記堆積は、
ａ）続いて除去される共結晶化剤の存在下で行われるか、又は
ｂ）結晶化剤の非存在下で行われ、前記コーティング層は前記堆積の後に前記共結晶化剤と接触する非晶形のシンジオタクチックポリスチレンの粒子を含み、
続いて除去される前記共結晶化剤は、場合ａ）及びｂ）の両者において無秩序ナノ多孔質結晶形のシンジオタクチックポリスチレンのその場での形成を引き起こし、前記共結晶化剤は下記の特徴を満たす化合物である：Ａ）１００℃未満の温度において、シンジオタクチックポリスチレンの溶媒とならないこと；Ｂ）０．４ｎｍ３より小さい分子体積を有すること（ここで、分子体積は式Ｖｏｓｐ＝Ｍ／（ρＮａ）に基づいて定義され、Ｍ及びρは分子量及び密度であり、Ｎａはアボガドロ数である）；Ｃ）酸定数ｐＫａ＞１６を有すること；Ｄ）塩基定数ｐＫｂ＞１０を有すること。
【請求項１９】
前記ｓ−ＰＳの粒子が、結晶形又は非晶形のどちらにおいても、２００μｍより小さい平均サイズを有することを特徴とする、請求項１８に記載した方法。
【請求項２０】
前記ｓ−ＰＳの粒子を、結晶形又は非晶形のどちらにおいても、分散媒に分散させることを特徴とする、請求項１８又は１９に記載した方法。
【請求項２１】
前記ｓ−ＰＳが１５０μｍより小さい、好ましくは５０μｍより小さい、より好ましくは１０μｍより小さい平均サイズを有する粒子を含むことを特徴とする、請求項１８に記載した方法。
【請求項２２】
前記分散媒が、酢酸エチル、酢酸メチル、又はメチルエチルケトンから選択されることを特徴とする、請求項２０に記載した方法。
【請求項２３】
分散性で非溶媒の液体の媒体中に分散した、請求項１に記載した無秩序な結晶形のナノ多孔質シンジオタクチックポリスチレンの粒子、又は請求項１２に記載した非晶形のシンジオタクチックポリスチレンの粒子を含むコーティング組成物であって、前記シンジオタクチックポリスチレンの粒子は、３００μｍより小さいサイズを有する、コーティング組成物。
【請求項２４】
ｓ−ＰＳの前記粒子が、２００μｍ未満、好ましくは１５０μｍ未満、より好ましくは５０μｍ未満、及びより更に好ましくは１０μｍ未満のサイズを有することを特徴とする、請求項２３に記載した組成物。
【請求項２５】
バインダ及び分散剤を含むことを特徴とする、請求項２３に記載した組成物。
【請求項２６】
無秩序ナノ多孔質結晶形の前記ｓ−ＰＳが、機能的に活性な物品として形成されるという点、及び、融解を通して非晶形ｓ−ＰＳを得る前記工程ａ）が、２５０℃より高い温度でポリマーを射出成形し、続いて融解した相の迅速な急冷を通して行われるという点を特徴とする、請求項２又は３に記載した方法。
【請求項２７】
無秩序ナノ多孔質結晶形の前記ｓ−ＰＳが、機能的に活性な物品として形成されるという点、及び、融解を通して非晶形ｓ−ＰＳを得る前記工程ａ）が、２５０℃より高い温度でポリマーを同時押出し、続いて融解した相の迅速な急冷を通して行われるという点を特徴とする、請求項２又は３に記載した方法。