【事件の表示】
　特許第３３８０８４６号「半導体装置の製造方法」の請求項１ないし１７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３８０８４６号の請求項１ないし１７に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】本件特許発明
　特許第３３８０８４６号(平成９年１１月５日出願)は、平成１４年１２月１３日に設定登録されたもので、その請求項１〜１７に係る発明は特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、前記請求項１に係る発明(以下、「本件発明」という。)は、
「シリコン領域を少なくとも表面に有する基板上に酸化膜とレジストパターンを順次形成する工程と、
プラズマエッチング装置の反応室内に設けられた電極上に前記基板を配置し、フルオロカーボンガスを含むガスから生成したプラズマを用いて前記酸化膜をエッチングしてコンタクトホールを形成し、前記基板にバイアス電圧を与えない状態で、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、酸素プラズマ中に存在しているフッ素を実質的に除去するフッ素除去処理工程と、
前記フッ素除去処理工程の後、前記基板にバイアス電圧を印加しながら、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、それによって前記基板上に残存するポリマー膜を除去する酸素プラズマ処理工程とを包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。」である。
　また、上記請求項２〜１７に係る発明は、本件発明を直接・間接に引用したものとなっている。
　　　
【２】特許異議の申立て理由
　特許異議申立人　渡辺一雄は、甲第１〜１２号証を提示し、本件の請求項１〜１７に係る発明は、前記甲第１〜１２号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それらの発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきであるとしている。
【２-1】証拠方法
甲第１号証；特開平８−１２４９０８号公報(以下、「刊行物１」という。)
甲第２号証；特開昭５６−５１５７８号公報(以下、「刊行物２」という。)
甲第３号証；特開平６−１７７０９２号公報(以下、「刊行物３」という。)
甲第４号証；特開平８−２７９４８６号公報(以下、「刊行物４」という。)
甲第５号証（特開昭６３−５５３２号公報），甲第６号証（特開昭６１−２４７０３１号公報），甲第７号証（特開平７−９４４８９号公報），甲第８号証（特開平４−９７５２２号公報），甲第９号証（特開昭６３−１２９６２９号公報），甲第１０号証（特開昭６３−１４４２２号公報），甲第１１号証（特開平６−２８３４７２号公報），甲第１２号証（特開昭６０−１２８６２０号公報）
　　　
【３】刊行物１〜４の記載内容
【３-1】刊行物１の記載内容
　段落【0012】に、
(刊1a)「以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説明する。図１は本発明のエッチング方法の実施に用いる装置の構造を示した模式的断面図であり、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴励起を利用するプラズマ処理装置である。図中31はプラズマ生成室であり、周囲を２重構造にして冷却のための通流室31aを備えた中空の円筒形に形成されている。プラズマ生成室31は上部壁中央に石英ガラスからなるマイクロ波導入窓31bを配したマイクロ波導入口31cを備え、また一端を図示しないマイクロ波発振器に接続し、他端にフランジ32aを設けてマイクロ波導入口31cに接続された導波管32を備えている。下部壁中央には前記マイクロ波導入口31cと対向する位置にプラズマ引出窓31dを備えている」と記載され、
　段落【0017】〜【0019】に、
(刊1b)「試料Ｓは直径６インチのウエハであり、図３に示すように、シリコン基板11上にシリコン酸化膜12を形成し、その上にフォトレジスト膜13を塗布して露光、現像を行い、ホール14を開口してホール用のマスクパターンを形成したものである。このような試料Ｓを試料台35上に載置する。次に、Ｃ4Ｆ8ガスをガス供給系31gからプラズマ生成室31内に導入する（ステップＳ１１）。ガス圧力は１mTorrに設定する。ここで反応ガスとしてＣ4Ｆ8ガスを用いたのは、フルオロカーボン系ガスではＣ4Ｆ8ガスの半導体基板上への重合膜堆積速度が比較的大きいからである。
励磁コイル34にて磁界を形成しつつプラズマ生成室31内に周波数2.45GHz のマイクロ波を導入してプラズマを生成させる（ステップＳ１２）。そして、周波数400kHzのRF電源36から高周波電力を電極37に供給し、前記シリコン酸化膜12をエッチング処理してホール15を形成する（ステップＳ１３）。図４に示すように、ホール15底部のシリコン表面上には、フルオロカーボン系の重合膜16が堆積している。
Ｃ4Ｆ8ガスの導入を停止し（ステップＳ１４）、酸素ガスをガス供給系31gからプラズマ生成室31内に導入し（ステップＳ１５）、励磁コイル34にて磁界を形成しつつプラズマ生成室31内に周波数2.45GHzのマイクロ波を導入してプラズマを生成させる（ステップＳ１６）。酸素ガスのガス圧力は１×１０-3Torrに設定する。生成された酸素プラズマを照射して、図５に示すように、通常のプラズマアッシングでは除去が困難であった重合膜16が除去される（ステップＳ１７）」と記載され、
　段落【0020】に、
(刊1c)「次に、ホール底部の重合膜16が除去された試料Ｓを通常のプラズマアッシング装置に搬入し、図６に示すように、フォトレジスト膜13が除去される。このようにして例えばアスペクト比（ｈ／ｒ）が４である高アスペクト比のホール17が形成される」と記載され、
　段落【0021】に、
(刊1d)「図７は、アスペクト比（ｈ／ｒ）に対するホール底部に堆積するフルオロカーボン系重合膜の除去速度の依存性を示したグラフである。縦軸は除去速度（μｍ／min ）を示し、横軸はアスペクト比（ｈ／ｒ）を示している。グラフ中、本発明Ｉに示したものは上述した実施例において電極37に 0.3Ｗ／cm2の高周波電力を供給した場合のアスペクト比依存性であり、本発明ＩＩに示したものは上述の実施例の電極37に高周波電力を印加しない場合のアスペクト比依存性である。また破線で示したものは従来のアッシング処理についてのアスペクト比依存性であり、アスペクト比が1.5以上のホールに対しては重合膜除去がなされていない。これに対して上述の実施例のＩでは、従来と比較して低アスペクト比では除去速度が小さいが、1.5以上の高アスペクト比でも除去速度はほとんど低下していないことが判る。また、
ＩＩはＩよりも除去速度は小さいが、1.5以上の高アスペクト比でも除去速度の低下率が従来と比較して小さいことが判る」と記載され、
　段落【0024】に、
(刊1e)「さらに、本実施例では試料Ｓの載置台３５に高周波電流を供給するようにしてあるが、上述したグラフからも判るように、高周波電流を供給しなくてもホール底部のフルオロカーボン系重合膜を除去することができる」と記載されている。
　　　
【３-2】刊行物２の記載内容
　第１頁左下欄第４〜９行に、
(刊2a)「フロロカーボン系ガスを放電せしめてガスプラズマを形成し、このガスプラズマを用いて第１の容器内で試料をエッチングした後、酸素ガスのガスプラズマを用いて第２の容器内で前記エッチングされた試料表面を洗浄することを特徴とするプラズマエッチング方法」と記載され、
　第１頁左下欄第１３行〜第２頁左上欄第１行に、
(刊2b)「半導体集積回路の微細化に伴ない、製造プロセスのエッチング工程は反応性のイオンを用いた加工技術の採用が検討されている。例えばＣＦ４にＨ２を添加したガスを互いに対向する平行平板状の一対の電極を備えた真空容器内に５×１０−２〜１×１０−２Ｔｏｒｒ程度に導入し、前記電極に１３．５６ＭＨｚなどの高周波（ＲＦ）電力を印加して電極間にガスプラズマを形成し、陰極（ＲＦ電源が接続された電極）上で−４００〜−８００Ｖ程度の陰極降下電圧により加速された正のフロロカーボンイオンによりシリコン（Ｓｉ）ウエーハ上の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜をＳｉに対して充分早いエッチング速度でエッチングする。
一方、イオンミーリングとして知られているようにカウフマン型と呼ばれるイオン源にＣ２Ｆ６等のフロロカーボン系ガスを導入して得られたイオンの５００Ｖ程度の加速電圧によって加速されたイオンによってもＳｉ上のＳｉＯ２が選択エッチング出来る。
しかしこれらイオンの加速電圧は数百ボルト以上であり、エッチング終了時におけるＳｉウエーハ（基体）はイオン衝撃を受ける。又、エッチング表面にはＣとＦが残留し、特にＣ（炭素）は深さ数百Åに及びこれら不純物の蓄積とイオン衝撃とが相乗して例えば弾性歪場等の結晶欠陥を誘起し、シート抵抗の高抵抗化、さらには酸素雰囲気で熱処理して酸化することにより積層欠陥、ピット等を生じキャリアのライフタイム等を減少させることになる」と記載され、
　第２頁右下欄第６〜１４行に、
(刊2c)「△印は第１図の装置と同一の形式の装置を用い陰極に試料（エッチングされた）を再載置した場合の導入ガスとしてＣ２Ｆ６＋Ｈ２の代わりに酸素（Ｏ２）ガスを入れこのプラズマにより試料を処理した場合を示す。即ち夫々同一形式の２つの装置で、夫々Ｃ２Ｆ６＋Ｈ２によるエッチング、Ｏ２ガスプラズマ処理を行なった。Ｏ２プラズマの場合のＶdcも−５８０Ｖとした。即ち試料はＶdcで加速された酸素イオンにより照射される」と記載され、
　第３頁左上欄第６〜１７行に、
(刊2d)「ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のフロロカーボン系ガス或いはさらにＨ２、Ｃ２Ｈ４等の水素系（或いは炭化水素系）のガスを添加して陰極上の試料をエッチングする場合には、陽極（ＲＦ電源に接続されていない側の電極）における電極表面の降下電圧はＶdcに比べて小さく、従ってエッチング中にテフロン等の高分子膜が堆積するが、この堆積膜の存在はエッチング均一性や再現性にとって有効であることが認められた。従ってエッチング処理とＯ２プラズマ処理を同一容器内で行なう場合にはＯ２プラズマにより堆積膜は除去されることになり好ましくない」と記載され、
　第３頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第１行に、
(刊2e)「さらに試料や容器内にエッチング時に付着していたＦがＯ２プラズマにより自由となりエッチングを終了したはずのＳｉと反応して再びエッチングを行なうという問題が生じる」と記載されている。
　　　
【３-3】刊行物３の記載内容
　段落【0004】〜【0006】に、
(刊3a)「また、デバイスの高速化や微細化を図るために不純物拡散領域の接合深さが浅くなり、また各種の材料層も薄くなっている状況下では、従来以上に対下地選択性に優れダメージの少ないエッチング技術が要求される。たとえば、半導体基板内に形成された不純物拡散領域や、ＳＲＡＭの抵抗負荷素子として用いられるＰＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等にコンタクトを形成しようとする場合等に、シリコン基板や多結晶シリコン層を下地として行われるＳｉＯx 層間絶縁膜のエッチングがその例である。
さらに、対レジスト選択比の向上も重要な課題である。これは、サブミクロン・デバイスでは、レジストの後退によるわずかな寸法変換差の発生も許容されなくなってきているからである。
従来よりＳｉＯx系材料層のエッチングは、結合エネルギーの大きいＳｉ−Ｏ結合を切断するために、イオン性を強めたモードで行われている。典型的なエッチング・ガスは、ＣＨＦ3 ，ＣＦ4 等であり、これらから生成するＣＦx +の入射エネルギーを利用している。しかし、高速エッチングを行うためにはこの入射イオン・エネルギーを高めることが必要であり、エッチング反応が物理的なスパッタ反応に近くなるため、高速性への要求と高選択性・低ダメージ性への要求とが常に背反していた」と記載され、
　段落【0015】，【0016】に、
(刊3b)「単極式静電チャックを用いた場合、プラズマ処理終了後に直流電圧の印加を停止すると電荷が残留する。したがって、ウェハをウェハ・ステージから引き離すために、通常は上記プラズマ処理の結果に実質的に影響を与えないガスを供給して再度プラズマを生成させ、このプラズマを通じて残留電荷をリークさせている。本発明は、この残留電荷除去工程で用いられるガスに、照射損傷層やレジスト表面硬化層の除去に必要な機能を持たせようとするものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、かかるアイデアにもとづいて提案されるものであり、ドライエッチング装置のウェハ・ステージ上に単極式静電チャックを用いてウェハを吸着保持し、このウェハ上のシリコン化合物層をフルオロカーボン系化合物を含むエッチング・ガスを用いてエッチングする第１の工程と、エッチング終了後に前記単極式静電チャックの残留電荷を除去する第２の工程とを有する方法であって、前記第２の工程ではＯ2を含むプラズマ生成用ガスを用いることにより、前記第１の工程で前記シリコン化合物層の下地材料層の露出面に発生した照射損傷層を同時に除去するものである」と記載され、
　段落【0022】に、
(刊3c)「残留電荷の除去と同時に下地材料層表面の照射損傷層の除去を目的とするプロセスでは、Ｏ2はＦ＊の生成の促進物質として利用される。この場合、Ｏ2はフルオロカーボン系化合物の残留分と反応し、プラズマ中
のＦ＊ の生成量を増大させ・・・生成したＦ＊が、照射損傷層の除去に寄与する。しかも、残留電荷除去は一般に無バイアス条件下で行われるため、いわゆるライトエッチが可能となるわけである」と記載され、
　段落【0030】〜【0032】に、
(刊3d)「エッチング中は上記スイッチ１１はＯＮとし、ＲＦバイアスを印加して所定の入射イオン・エネルギーが得られるようにする。
エッチング終了後には、図１(ｃ)に示されるように、スイッチ１１をＯＦＦとしてＲＦバイアスを無印加とし、処理チャンバにＯ2を含むプラズマ生成用ガスを導入し、ＥＣＲプラズマを生成させる。このとき、フルオロカーボン系化合物の残留分とＯ2とが反応することにより、プラズマはＦ＊に富む状態となる。ここでは、切り替えスイッチ８を一時的に直流電源９側へ接続し、内部電極３に印加される直流電圧を逆極性とすることにより、内部電極３、絶縁部材２、ウェハ４の各表面の残留電荷を効果的に低減させている。
さらに、図１（ｄ）に示されるように、切り替えスイッチ８をＯＦＦとし、Ｏ2を含むプラズマ生成用ガスのＥＣＲ放電を継続する。このときのＥＣＲプラズマにより、残留電荷が消滅すると共に、Ｆ＊による照射損傷層の除去が行われるわけである」と記載され、
　段落【0039】に、
(刊3e)「このエッチング工程におけるＣＦx+の生成量とＲＦバイアス・パワーは実施例１よりも少なく、したがって、不純物拡散領域２２の露出面の表層部において形成された照射損傷層２５もやや少なかったが、その深さは約８ｎｍあった。そこで、実施例１と同じ条件でＯ2プラズマ処理を行ったところ、静電チャック１やウェハ４の残留電荷が除去されると同時に、不純物拡散領域２２の表面が約１０ｎｍエッチングされ、照射損傷層２５を完全に除去することができた」と記載されている。
　　　
【３-4】刊行物４の記載内容
　段落【0008】に、
(刊4a)「エッチング用ガスが流量制御器１５を介してエッチングチャンバー１１内に導入される。真空室１２内が一定のガス圧力に保持されると、マグネトロン１６によって発振したマイクロ波が導波管１７を介してエッチングチャンバー１１内に導入され、磁場コイル１８によって形成された磁場との相乗作用によりエッチングチャンバー１１内の放電部にプラズマが発生する。ここで、ウエハ２０を配置した電極２１に接続された高周波電源１９によって、プラズマ中のイオンをウエハ２０に引き込み、引き込まれた活性イオンとウエハ２０の被処理面とを反応させ、エッチング処理を行う。また、電極２１に接続された静電吸着用電源２２によって、ウエハ２０と電極２１との間に静電吸着を与え、ウエハ２０と電極２１との間の密着性を向上させて、冷却効率を高められるようにしてある。エッチング処理が終了しウエハ２０を搬出する際に、ウエハ２０の残留吸着力を除去するために、エッチングチャンバー１１内にプラズマを発生させてウエハに帯電した電荷をプラズマ中に放出させる」と記載され、
　段落【0009】，【0010】に、
(刊4b)「上記のように構成された装置において、図１に示すようにエッチングチャンバー１１内にエッチングガスとしてＨＢｒをガス流量制御器１５を介して供給し、所定圧力に保持した後、マグネトロン１６からマイクロ波を発振しエッチングチャンバー１１内にプラズマを発生させる。このとき、既に磁場コイル１８により磁場が形成されている。プラズマが発生すると、ウエハ２０のエッチング処理が開始されるとともに、静電吸着用電源２２によって電極２１上のウエハ２０が静電吸着されて、エッチング処理が進行する。このエッチング処理によって、被エッチング材のマスク材料であるフォトレジストの主成分である炭素（Ｃ）とＨＢｒガス中の水素（Ｈ）の重合物がエッチングチャンバー１１内に付着する。
ウエハ２０のエッチング終了後、静電吸着により保持されていたウエハ２０を電極２１上に残したまま、エッチングのプロセスガスに替えて除電ガスのＯ2ガスをエッチングチャンバー１１内に供給し、Ｏ2ガスのプラズマを発生させる。このプラズマを通してウエハ２０に残留した電荷がアースに逃げ、ウエハ２０内の電荷が無くなり、除電が行われる。また、Ｏ2プラズマを発生させることにより、チャンバー内に堆積した反応生成物の主成分であるＣやＨがＯと反応し、ＣＯｘ，Ｈ2Ｏとなって除去され、チャンバー内がクリーニングされる。これによって、従来のように製品に悪影響を与えることなく、スループットの高いクリーニングを実施することができる」と記載されている。
　　　
【４】特許異議の申立てについての判断
［１］本件発明の特定事項への付記
　本件発明について、その発明特定事項に記号を付して以下の検討に用いることで、論理的理解の便宜とする。
　本件発明；(A)シリコン領域を少なくとも表面に有する基板上に酸化膜とレジストパターンを順次形成する工程と、
(B)プラズマエッチング装置の反応室内に設けられた電極上に前記基板を配置し、フルオロカーボンガスを含むガスから生成したプラズマを用いて前記酸化膜をエッチングしてコンタクトホールを形成し、
(C)前記基板にバイアス電圧を与えない状態で、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、酸素プラズマ中に存在しているフッ素を実質的に除去するフッ素除去処理工程と、
(D)前記フッ素除去処理工程の後、前記基板にバイアス電圧を印加しながら、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、それによって前記基板上に残存するポリマー膜を除去する酸素プラズマ処理工程と
を包含することを特徴とする半導体装置の製造方法
　　　
［２］当審の判断
　上記【３-1】段落の、(刊1b),(刊1d),(刊1e)の記載から刊行物１には、
「シリコン領域を少なくとも表面に有する基板上に酸化膜とレジストパターンを順次形成する工程と、プラズマエッチング装置の反応室内に設けられた電極上に前記基板を配置し、フルオロカーボンガスを含むガスから生成したプラズマを用いて前記酸化膜をエッチングしてコンタクトホールを形成し、前記基板にバイアス電圧を与えない状態で、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、酸素プラズマ中に存在しているフッ素を実質的に除去するフッ素除去処理工程とを包含する半導体装置の製造方法」が開示されている。
　しかし、当該刊行物１には、本件発明の発明特定事項である(D)「フッ素除去処理工程の後、前記基板にバイアス電圧を印加しながら、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、それによって前記基板上に残存するポリマー膜を除去する酸素プラズマ処理工程」は記載ないし示唆されていない。
　すなわち、刊行物１では上記(刊1c)で明記されるように、「次に、ホール底部の重合膜16が除去された試料Ｓを通常のプラズマアッシング装置に搬入し、図６に示すように、フォトレジスト膜13が除去される」のであって、本件発明のごとく、「基板にバイアス電圧を(再度)印加しながら、前記(同じ)反応室内に酸素プラズマを生成し、それによって前記基板上に残存するポリマー膜(やレジスト)を除去する酸素プラズマ処理」を行うのではなく、別のプラズマアッシング装置にて最終処理を行っている。
　そして、本件発明の発明特定事項(D)については、刊行物２〜４及び甲第５〜１２号証にも記載も示唆もない。
　さらに、本件発明は前記発明特定事項(D)により、特許明細書記載の「フッ素を反応室から除去するためのフッ素除去処理工程から、基板上に残存するポリマーを除去するための酸素プラズマ処理工程への切り替えを、酸素プラズマを生成しながら、基板を支持する電極にバイアス電圧を印加することによって実行するようにすれば、酸素プラズマを安定に維持しながら両工程を連続して速やかに実行することができる」という作用効果を奏する。
　したがって、本件発明は、刊行物１〜４及び甲第５〜１２号証の内容から、当業者が容易に想到できたものとは認められない。
　また、本件発明を直接・間接に引用する本件請求項２〜１７に係る発明も、結果として必然的に、刊行物１〜４及び甲第５〜１２号証の内容から、当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　　　
［３］特許異議申立人の主張する内容
　本件発明と上記刊行物１の記載内容とを比べると、
　刊行物１には、本件発明の発明特定事項である、(C)「基板にバイアス電圧を与えない状態で、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、酸素プラズマ中に存在しているフッ素を実質的に除去するフッ素除去処理工程」がないとしており、この工程を付加することは、上記刊行物２〜４の記載内容から、当業者が適宜容易に想到できたものであるとしている。
　そこで、上記刊行物２〜４の記載内容を検討するに、
　刊行物２は、上記【３-2】段落の(刊2d),(刊2e)の問題を解決するため、(刊2a)に記載したように「フロロカーボン系ガスを放電せしめてガスプラズマを形成し、このガスプラズマを用いて第１の容器内で試料をエッチングした後、酸素ガスのガスプラズマを用いて第２の容器内で前記エッチングされた試料表面を洗浄する」ものであり、本件発明の(C)を教示ないし示唆するものでない。
　また、刊行物３は、上記【３-3】段落の(刊3b)を目的として(刊3d),(刊3e)の実施にり、(刊3c)に記載したように「残留電荷の除去と同時に下地材料層表面の照射損傷層の除去を目的とするプロセスでは、Ｏ2はＦ＊の生成の促進物質として利用される。この場合、Ｏ2はフルオロカーボン系化合物の残留分と反応し、プラズマ中のＦ＊ の生成量を増大させ・・・生成した
Ｆ＊が、照射損傷層の除去に寄与する。しかも、残留電荷除去は一般に無バイアス条件下で行われるため、いわゆるライトエッチが可能となる」ものであり、「フッ素除去処理」とは無関係であって、本件発明の(C)を教示ないし示唆するものでない。
　さらに、刊行物４は、上記【３-4】段落の(刊4a)を目的として、(刊4b)に記載したように「ウエハ２０のエッチング終了後、静電吸着により保持されていたウエハ２０を電極２１上に残したまま、エッチングのプロセスガスに替えて除電ガスのＯ2ガスをエッチングチャンバー１１内に供給し、Ｏ2ガスのプラズマを発生させる。このプラズマを通してウエハ２０に残留した電荷がアースに逃げ、ウエハ２０内の電荷が無くなり、除電が行われる。また、Ｏ2プラズマを発生させることにより、チャンバー内に堆積した反応生成物の主成分であるＣやＨがＯと反応し、ＣＯｘ，Ｈ2Ｏとなって除去され、チャンバー内がクリーニングされる。これによって、従来のように製品に悪影響を与えることなく、スループットの高いクリーニングを実施することができる」というものであり、「フッ素除去処理」とは無関係であって、本件発明の(C)を教示ないし示唆するものでない。
　したがって、刊行物２〜４の記載内容から、上記(C)の発明特定事項を当業者が容易に想起することはできない。（加えて、発明特定事項(C)は、甲第５〜１２号証にもなんら教示ないし示唆されていない。）
　そして、本件発明は、上記(C)，(D)の発明特定事項の有機的関連により、特許明細書記載の、「本件発明の酸化膜エッチングによってコンタクトホールを形成すれば、低抵抗の微細コンタクトを再現性良く形成することができる。
フッ素を反応室から除去するためのフッ素除去処理工程から、基板上に残存するポリマーを除去するための酸素プラズマ処理工程への切り替えを、酸素プラズマを生成しながら、基板を支持する電極にバイアス電圧を印加することによって実行するようにすれば、酸素プラズマを安定に維持しながら両工程を連続して速やかに実行することができる」という作用効果を奏する。
　よって、本件発明が、刊行物１〜４に記載された内容から容易に想到できたとすることはできない。おなじく、本件発明を直接・間接に引用する本件請求項２〜１７に係る発明も刊行物１〜４及び甲第５〜１２号証から容易に想到できたということもできない。
　　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件の請求項１〜１７に記載された発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に前記発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１２月２１日（２００４．１２．２１）