【事件の表示】
　特願２００９−５１９３３０「緻密質炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月１８日国際公開、ＷＯ２００８／１５３１７７、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２０年６月１６日（優先権主張　平成１９年６月１５日　日本国、平成２０年２月２７日　日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１２月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年３月１９日付けで意見書及び手続補正がされ、同年５月７日付けで拒絶査定がされたので、同年８月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、同年９月２７日付けで審尋がされ、同年１２月２日に回答書が提出され、平成２６年２月１９日付けで当審の拒絶理由が通知され、同年３月７日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　　　　
第２　本願発明
　本願発明は、平成２６年３月７日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、請求項の項番にしたがい、「本願発明１」などといい、全体をまとめて「本願発明」という。）。
「　【請求項１】
　焼成助剤を原料中に添加することなく、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形してなる炭化ホウ素成形体を、加圧せずに常圧で焼成してなる相対密度が９５％以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスであって、炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上、アルミニウムの含有量が、０．０３質量％以上１．０質量％以下であることを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックス。
　　【請求項２】
　焼成助剤を原料中に添加することなく、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形してなる炭化ホウ素成形体を、加圧せずに常圧で焼成してなる相対密度が９５％以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスであって、炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上、アルミニウムの含有量が、０．０３質量％以上１．０質量％以下、かつ、シリコンの含有量が、０．１質量％以上０．３５質量％以下であることを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックス。
　　【請求項３】
　炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上で、その相対密度が８９％以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスを常圧下で得る緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法であって、　焼成助剤を原料中に添加することなく、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形して炭化ホウ素成形体を得た後、該炭化ホウ素成形体を加圧せずに常圧で焼成する際に、炉内に、少なくともアルミニウム及び／又はシリコンを含有してなる、粉末、成形体若しくは焼結体のいずれかを配置した状態で炭化ホウ素成形体を焼成することを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。
　　【請求項４】
　炉内温度を上げて、炉内に配置した少なくともアルミニウム及び／又はシリコンを含有してなる、粉末、成形体若しくは焼結体のいずれかから、アルミニウムを含有するガス、シリコンを含有する炭化物ガス、及び、その他のシリコンを含有するガスから選ばれる少なくとも１種のガスを発生させ、炉内の不活性ガス雰囲気中に上記ガスが存在する状態とさせた後に、炉内温度をさらに上げて成形体の焼成を行う請求項３に記載の緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。
　　【請求項５】
　炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上で、その相対密度が８９％以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスを常圧下で得る緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法であって、焼成助剤を原料中に添加することなく、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形して成形体を得た後、該炭化ホウ素成形体を加圧せずに常圧で焼成する際に、アルミニウムを含有するガス、シリコンを含有する炭化物ガス、及び、その他のシリコンを含有するガスのいずれか１種を存在させた不活性ガス雰囲気中で炭化ホウ素成形体を焼成することを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。
　　【請求項６】
　焼成時における炉内の不活性ガス雰囲気中におけるアルミニウムガス又はシリコンガス又はシリコンを含有する炭化物ガスの濃度が、金属換算で２×１０-6ｇ／ｃｍ3以上２×１０-2ｇ／ｃｍ3以下である請求項３〜５のいずれか１項に記載の緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。
　　【請求項７】
　炭化ホウ素成形体が、平均粒径０．２μｍ以上２．０μｍ以下の炭化ホウ素粉末を、成形圧２０ＭＰａ以上２，０００ＭＰａ以下で、加熱することなく加圧成形して得られたものである請求項３〜５のいずれか１項に記載の緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。」
　　　　　
第３　原査定及び当審の拒絶理由の概要
　原査定の拒絶の理由は次の１であり、また、当審の拒絶理由は次の２、３である。
１　本願発明は、その出願日前に日本国内において頒布された次の刊行物１又は２に記載された発明であるか、あるいは刊行物１又は２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号、あるいは同条第２項の規定により特許を受けることができない。
　刊行物１：特開昭６２−１２６６３号公報
　　同　２：特開昭６２−１２６６４号公報
　　　　
２　本願発明１および２は、その出願日前に日本国内において頒布された次の刊行物３に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。　
　刊行物３：特開昭５９−１８４７６７号公報
　　　　
３　特許請求の範囲の記載は、次の点で発明の詳細な説明に記載したものではないので、特許法第３６条第６項１号の規定に適合しない。
（１）補正前の請求項１、２について 
　発明の詳細な説明には、「常圧で焼成してなる」、「炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上」の緻密質炭化ホウ素セラミックスについて、「焼成助剤を原料中に添加することなく」加圧成形した成形体を焼成したことしか記載されていない。特定事項として「焼成助剤を原料中に添加することがない」点を明確にする必要がある。 
（２）補正前の請求項３について 
　発明の詳細な説明には、「常圧で焼成してなる」、「炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上」の緻密質炭化ホウ素セラミックスについて、「焼成助剤を原料中に添加することなく」加圧成形した成形体を焼成したことが記載されていることからすれば、原料粉末中に炭化珪素を添加した態様である請求項３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された発明ではない。請求項３の削除を検討されたい。 
（３）補正前の請求項６〜８について 
　「炭化ホウ素粉末を主成分とする原料」における「主成分」の意味するところが、炭化ホウ素以外に不純物を含むことであれば、請求項６〜８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された発明ではない。請求項４の記載にあわせて、「炭化ホウ素原料粉末」と補正することを検討されたい。 
　　　　　　
第４　当審の判断
４−１　拒絶の理由１について
１　刊行物１に記載された発明
（１）刊行物１には次の事項が記載されている。
（ア）「２．特許請求の範囲
(1)焼結助剤としてＡｌ元素含有物質の内少なくとも１種以上とＳｉ元素含有物質の内少なくとも１種以上を合計が各々金属重量換算で２０％以下を配合し、残部が実質的にＢ４Ｃからなる混合物を成形後非酸化性雰囲気で焼結することを特徴とするＢ４Ｃ質緻密体の焼結方法。
・・・・
(4)非酸化性雰囲気がＡｌ元素および／またはＳｉ元素含有の分圧雰囲気である特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載のＢ４Ｃ質緻密体の焼結方法。
(5)焼結を非加圧で行なう特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれかに記載のＢ４Ｃ質緻密体の焼結方法。」（第１頁左下欄４行〜同頁右下欄５行）
（イ）「〔産業上の利用分野〕
　本発明はＢ４Ｃ質緻密体の製造方法に関し、更に詳しくは焼結助剤としてＡｌ元素含有物質およびＳｉ元素含有物質を配合し、成形後無加圧で焼結するいわゆる通常焼結であっても、緻密かつ高強度のＢ４Ｃ質緻密体を得ることのできる製造法に関するものである。」（第２頁右上欄３〜９行）
（ウ）「つぎに、焼結をＡｌ元素および／またはＳｉ元素含有の分圧雰囲気中で行なうには、焼結温度１７００〜２２００℃の範囲で、Ａｌ元素および／またはＳｉ元素あるいはこれら元素含有物で蒸気を発生するものを、焼結物と共に共存させておくことにより達成される。」（第４頁左上欄１０〜１５行）
（エ）「分圧中のＡｌ元素および／またはＳｉ元素量が充分な時は、極端には、焼結助剤量は不純物程度の少量あるいは意識的に添加する必要のない程度で焼結可能であり、これも本発明に含まれるものである。但し、分圧中のＡｌ元素および／またはＳｉ元素量が充分であっても、本発明の元素を含む添加物がないがもしくは少なく、かつ、焼結助剤量が少ない成形体の場合は、内部に比べ成形体表面で液相が多く生成し速く緻密化してしまい、内部が緻密化するのに充分なＡｌ元素および／またはＳｉ元素の侵入が阻止され、全体としての緻密化が達成されない。」（第５頁右上欄３〜１４行）
（オ）「［実施例］
　このように本発明は工業的に極めて有利なものであるが、以下に本発明の実施例を詳細に説明してその効果を明らかにする。
・・・・
・・・それぞれの焼結体の密度、曲げ強度及び電気抵抗を測定し、結果を第１表に示す。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（第５頁左下欄１３行〜第６頁）
　　　　
（２）刊行物１に記載された発明
　刊行物１には、記載事項（ア）（イ）によれば、焼結助剤としてＡｌ元素含有物質およびＳｉ元素含有物質を配合し、残部が実質的にＢ４Ｃからなる混合物を成形後に焼結するＢ４Ｃ質緻密体の製造方法に関する発明、および、その製造方法より製造されたＢ４Ｃ質緻密体に関する発明が記載されている。
　まず、Ｂ４Ｃ質緻密体に関しては、この発明を具体化した実施例を示す同（オ）によれば、成形体には焼結助剤のほかに、場合によってはＳｉＣ等の添加物を含み、焼結後の相対密度は９３〜９８％となっている。
　また、その製造方法は、同（ア）によれば、Ａｌ元素含有物質等の焼結助剤とＢ４Ｃからなる混合物を成形後、非加圧で焼結することからなり、焼結雰囲気は、同（ウ）によれば、「Ａｌ元素、Ｓｉ元素あるいはこれら元素含有物で蒸気を発生するものを、焼結物と共に共存させておくことにより達成される」雰囲気である。このため、この雰囲気では、Ａｌおよび／またはＳｉを含有する蒸気が存在する雰囲気であるといえる。そして、該焼成雰囲気で焼成している実施例は、同（オ）によれば、試料Ｎｏ．１９〜２１、２７〜２９であり、これらの試料に限れば得られたＢ４Ｃ質緻密体の相対密度は９５％以上であり、いずれも添加物を含有している。　
　これらの事項によれば、刊行物１の実施例には、次のとおりのＢ４Ｃ質緻密体に関する発明、及びＢ４Ｃ質緻密体の製造方法に関する発明が記載されている。
・「Ａｌ及びＳｉからなる焼結助剤およびＢ４Ｃからなり、場合によってはさらに添加物を含む混合物を成形後非加圧で焼結してなり、相対密度が９３〜９８％であるＢ４Ｃ質緻密体」（以下、「引用発明１ａ」という。）
・「相対密度が９５％以上のＢ４Ｃ質緻密体を製造する方法であって、Ａｌ及びＳｉからなる焼結助剤、添加物およびＢ４Ｃからなる混合物を成形後、Ａｌおよび／またはＳｉを含有する蒸気を発生させるものと共存させ、Ａｌおよび／またはＳｉを含有する蒸気の存在下、非加圧で焼結することからなるＢ４Ｃ質緻密体の製造方法。」（以下、「引用発明１ｂ」という。）
　　　　
２　刊行物２に記載された発明
（１）刊行物２の記載事項
（カ）「２．特許請求の範囲
(1)焼結助剤としてＡｌ元素含有物質の内少なくとも１種以上を金属Ａｌ重量換算で２０％以下と、添加物としてＳｉ、Ｂ、Ａｌ、IIａ、IIIａ、IVａ、ＶａあるいはVIａ族元素の内少なくとも１種以上の含有物を金属重量換算で０．１％以上を配合し、残部が実質的にＢ４Ｃからなる混合物を成形後非酸化性雰囲気で焼結することを特徴とするＢ４Ｃ質複合体の焼結方法。
・・・
(3)非酸化性雰囲気がＡｌ元素含有の分圧雰囲気である特許請求の範囲第１項または第２項記載のＢ４Ｃ質複合体の焼結方法。
(4)焼結を非加圧で行う特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載のＢ４Ｃ質複合体の焼結方法。」（第１頁左下欄４行〜同頁右下欄３行）
（キ）「〔産業上の利用分野〕
　本発明はＢ４Ｃ質複合体の製造方法に関し、更に詳しくは焼結助剤としてＡｌ元素含有物質を、添加物としてＳｉ、Ｂ、Ａｌ等の元素の含有物を配合し、成形後無加圧で焼結するいわゆる通常焼結であっても、緻密かつ高強度のＢ４Ｃ質複合体を得ることのできる製造法に関するものである。」（第１頁右下欄１１〜１７行）
（ク）「つぎに、焼結をＡｌ元素含有の分圧雰囲気中で行なうには、焼結温度１７００〜２２００℃の範囲で、Ａｌ元素あるいはこれら元素含有物で蒸気を発生するものを、焼結物と共に共存させておくことにより達成される。」（第３頁左上欄９〜１３行）
（ケ）「［実施例］
　このように本発明は工業的に極めて有利なものであるが、以下に本発明の実施例を詳細に説明してその効果を明らかにする。
・・・・
・・・それぞれの焼結体の密度、曲げ強度及び電気抵抗を測定し、結果を第１表に示す。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（第４頁左下欄〜第５頁）
　　　　　
（２）刊行物２に記載された発明
　刊行物２には、記載事項（キ）によれば、焼結助剤としてＡｌ元素含有物質、および添加剤としてＳｉやＢ元素等の含有物質を配合し、成形後無加圧で焼結するＢ４Ｃ質緻密体の製造方法に関する発明、および、これにより製造されたＢ４Ｃ質緻密体に関する発明が記載されている。
　まず、得られたＢ４Ｃ質緻密体に関しては、同（ケ）によれば、焼結助剤としてＡｌ元素含有物質、およびＳｉやＢ元素等の含有物質添加物を含み、相対密度は９３〜９８％である。
　また、その製造方法に関しては、同（カ）によれば、Ａｌ元素含有物質等の焼結助剤、添加剤およびＢ４Ｃからなる混合物を成形後、非加圧で焼結することからなり、焼結雰囲気は、同（ク）によれば、「Ａｌ元素あるいはこれら元素含有物で蒸気を発生するものを、焼結物と共に共存させておくことにより達成される」雰囲気である。
　そして、該焼成雰囲気で焼成している実施例は、同（オ）によれば、試料Ｎｏ．９〜２９であり、これらの試料に限れば得られたＢ４Ｃ質緻密体の相対密度は９３〜９８％であり、いずれも添加物を含有している。　
　これらの事項によれば、刊行物２の実施例には、次のとおりのＢ４Ｃ質緻密体に関する発明、及びＢ４Ｃ質緻密体の製造方法に関する発明が記載されている。
・「焼結助剤としてＡｌ元素含有物質、添加剤およびＢ４Ｃからなる混合物を成形後非加圧で焼結してなり、相対密度が９３〜９８％であるＢ４Ｃ質緻密体」（以下、「引用発明２ａ」という。）
・「相対密度が９３〜９８％のＢ４Ｃ質緻密体を製造する方法であって、Ａｌ焼結助剤、添加剤およびＢ４Ｃからなる混合物を成形後、Ａｌ元素含有する蒸気を発生させるものと共存させ、Ａｌ元素を含有する蒸気の存在下、非加圧で焼結することからなるＢ４Ｃ質緻密体の製造方法。」（以下、「引用発明２ｂ」という。）
　　　　　
３　対比
（１）本願発明１、２について
ア　本願発明１について
a　対比
　まず、本願発明１と引用発明１ａとを対比する。
　引用発明１ａでは「Ｂ４Ｃ混合物を成形後非加圧で焼結」しているが、該混合物の成形は加圧によることは明らかであるので、これは、本願発明における「炭化ホウ素粉末原料を加圧成形してなる炭化ホウ素成形体を、加圧せずに常圧で焼成」することに相当する。
　また、引用発明１ａのＢ４Ｃ質緻密体の相対密度は９３〜９８％であるが、９５〜９８％の範囲で本願発明１の相対密度と同等である。
　そして、引用発明１ａの「Ｂ４Ｃ質緻密体」は、本願発明１の「緻密質炭化ホウ素セラミックス」に相当することは明らかであるので、本願発明１と引用発明１ａは、「炭化ホウ素粉末原料を加圧成形してなる炭化ホウ素成形体を、加圧せずに常圧で焼成してなる相対密度が９５％以上の緻密質炭化ホウ素セラミックス」に関する発明である点で一致し、次の点で相違する。
　相違点１：本願発明１では、焼成助剤を原料中に添加していないが、引用発明１ａでは添加している点。
　相違点２：本願発明１では、「炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上、アルミニウムの含有量が０．０３質量％以上１．０質量％以下である」のに対し、引用発明１ａは、それぞれの含有量が明らかではない点。
　　　　
b　判断
　まず、本願発明１の新規性に関し、相違点１については、刊行物１には、焼成助剤を原料中に添加しないことについて、記載も示唆もされていない。
　また、相違点２について、引用例１の記載事項（オ）によれば、Ｂ４Ｃ質緻密体の炭化ホウ素とアルミニウムの含有量は明らかではない。しかし、添加物を含まない資料Ｎｏ．１〜５では焼結助剤を３％以上含有し、また、焼結助剤の含有量が０．５％の試料Ｎｏ．２７〜２９でも５％以上の添加物を含む。
　このため、刊行物１のＢ４Ｃ質緻密体では、焼結体中の「炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上」であることについて、記載も示唆もされてはいない。
　したがって、まず、本願発明１は、相違点１及び２で引用発明１ａと相違するので、刊行物１に記載された発明とすることはできない。
　次に、本願発明１の進歩性に関し、例えば、刊行物１に記載されたような従来技術では、成形体中に焼結助剤や添加物を添加していたために十分な炭化ホウ素の含有量を達成することができなかったが、本願発明１では、焼結助剤を添加せずに形成した炭化ホウ素成形体（相違点１の構成）を、アルミニウムやシリコンを含有する雰囲気で常圧焼結するという、請求項３〜７に記載された製造方法を採用することにより、炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上の緻密質炭化ホウ素セラミックス（相違点２の構成）とすることができたものである。これにより、本願の明細書段落【００１７】に記載されているとおり、炭化ホウ素が本来有している高硬度と軽量性を備えた焼結体とすることができたものであり、このことは、引用発明１ａからは予測できない顕著な効果である。
　このため、本願発明１は、引用発明１ａから当業者が容易に想到することができたものではない。
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　　　　　
イ　本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１に対して、さらに「シリコンの含有量が、０．１質量％以上０．３５質量％以下であること」を特定したものである。
　このため、本願発明２と引用発明１ａ一致点は本願発明１の場合と同じとなり、両者の相違点は、次のとおりとなる。
　相違点１：本願発明２では、焼成助剤を原料中に添加していないが、引用発明１ａでは添加している点。
　相違点２’：本願発明２では、「炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上、アルミニウムの含有量が０．０３質量％以上１．０質量％以下、かつ、シリコンの含有量が、０．１質量％以上０．３５質量％以下である」のに対し、引用発明１ａは、それぞれの含有量が明らかではない点。
　そうすると、本願発明２は、本願発明１におけると同等の理由により、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　　　　
（２）本願発明３、５について
ア　本願発明３について
a　対比
　本願発明３と引用発明１ｂを対比する。
　引用発明１ｂで製造されるＢ４Ｃ質緻密体は「相対密度が９５％以上」であるが、これは、本願発明３の「相対密度が８９％以上の緻密質炭化ホウ素セラミックス」に包含される。
　また、引用発明１ｂでは、「Ｂ４Ｃからなる混合物を成形後、Ａｌおよび／またはＳｉを含有する蒸気を発生させるものと共存させ」、「非加圧で焼結」しているが、これは、本願発明３における「炭化ホウ素粉末原料を加圧成形して炭化ホウ素成形体を得た後、該炭化ホウ素成形体を加圧せずに常圧で焼成する際に、炉内に、少なくともアルミニウム及び／又はシリコンを含有してなる、粉末、成形体若しくは焼結体のいずれかを配置した状態で炭化ホウ素成形体を焼成すること」に相当する。
　そうすると、本願発明３と引用発明１ｂとは、「相対密度が８９％以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスを常圧下で得る緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法であって、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形して炭化ホウ素成形体を得た後、該炭化ホウ素成形体を加圧せずに常圧で焼成する際に、炉内に、少なくともアルミニウム及び／又はシリコンを含有してなる、粉末、成形体若しくは焼結体のいずれかを配置した状態で炭化ホウ素成形体を焼成することを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。」に関する発明である点で一致し、次の点で相違する。
・相違点３：本願発明３では、「焼成助剤を原料中に添加することなく」炭化ホウ素粉末原料を加圧成形するのに対し、引用発明１ｂでは、「Ａｌ及びＳｉからなる焼結助剤」を添加している点。
・相違点４：本願発明３は、「炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上」の緻密質炭化ホウ素セラミックスを製造するのに対し、引用発明１ｂは、炭化ホウ素の含有量が不明である点。
　　
b　判断
　本願発明３と引用発明１ｂの相違点３は、本願発明１、２における引用発明１ａとの相違点１と同じであり、また、相違点４は、「炭化ホウ素の含有量が９８．５％以上」である点で相違点２に含まれる。
　したがって、相違点１、２に対してと同様の理由から、本願発明３は、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易になしえたものでもない。
　　　　
イ　本願発明５について
　本願発明５は、本願発明３においては「炉内に、少なくともアルミニウム及び／又はシリコンを含有してなる、粉末、成形体若しくは焼結体のいずれかを配置した状態で炭化ホウ素成形体を焼成する」のに対し、「アルミニウムを含有するガス、シリコンを含有する炭化物ガス、及び、その他のシリコンを含有するガスのいずれか１種を存在させた不活性ガス雰囲気中」で炭化ホウ素成形体を焼成すると特定したものであるから、両発明は実質的に同じ雰囲気中で焼成することを手段と結果の面から別々に表現したものであるといえる。また、本願発明３と５は、その他の特定事項において相違はない。
　一方、引用発明１ｂにおいては、焼成雰囲気を「Ａｌおよび／またはＳｉを含有する蒸気を発生させるものと共存させ、Ａｌおよび／またはＳｉを含有する蒸気の存在下」としている。このため、本願発明３と５で採用する焼成雰囲気については、いずれも刊行物１に記載されているといえる。
　したがって、本願発明５と引用発明１ｂとの相違は、本願発明３と引用発明１ｂとの相違と同じとなるので、上記したと同じ理由から、本願発明５は、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易になしえたものでもない。
　　
（３）本願発明４、６、７について
　本願発明４は、本願発明３の特定事項を全て有し、本願発明６、７は、本願発明５の特定事項を全て有するものである。
　したがって、上記したと同じ理由から、これらの発明は、刊行物１に記載された発明ではないし、該記載された発明に基づいて当業者が容易になしえたものでもない。
　　　　
（４）刊行物２に記載された発明との対比・判断
　引用例２ａ発明および引用例２ｂ発明は、同１ａ発明および同１ｂ発明に対し、焼結助剤を後者（同１ａ、１ｂ発明）が「ＡｌおよびＳｉからなる焼結助剤」とし、添加物の添加を任意とするのに対し、前者（同２ａ、２ｂ発明）は、それぞれ「焼結助剤としてＡｌ元素含有物質」、添加物の添加を必須とするものである。
　そうすると、本願発明１〜７に対する引用発明２ａ、引用発明２ｂの相違点は、上記した相違点１〜４と同等のものとなる。
　このため、本願発明は、刊行物２に記載された発明ではないし、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易になしえたものでもない。
　　　
（５）小括
　以上のとおりであるので、本願発明は、刊行物１および２に記載された発明ではないし、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易になしえたものでもない。
　　　　　
４−２　拒絶の理由２について
１　刊行物３に記載された発明
（１）刊行物３には次の事項が記載されている。
（サ）「２　特許請求の範囲
(1)基材としてのＢ４Ｃおよび焼結助剤からなるＢ４Ｃの高強度高密度焼結体において、
　前記焼結助剤は、Ａｌ、Ａｌ合金およびＡｌ化合物の一種又は二種以上が選択され、しかも焼結時の蒸発により、その残存量が０．２％以下になっていることを特徴とするＢ４Ｃの高強度高密度焼結体。
(2)前記焼結体中のＡｌ元素は、１００〜２０００ＰＰＭの範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＢ４Ｃの高強度高密度焼結体。
(3)基材としてのＢ４Ｃおよび焼結助剤からなるＢ４Ｃの高強度高密度焼結体の製造方法において、前記焼結体の出発原料は、Ｂ４Ｃ粉末に対し、Ａｌ粉末、Ａｌ合金粉末およびＡｌ化合物粉末の一種又は二種以上からなる焼結助剤を１〜１０重量％添加、混合したものからなり、
　また、焼結体の焼結は、真空中または不活性ガス中、１８００℃以上で行なって、前記焼結助剤の一部を蒸発させることにより、焼結助剤を０．２重量%以下残存させることを特徴とするＢ４Ｃの高強度高密度焼結体の製造方法。」（第１頁左下欄４行〜同頁右下欄８行）
（シ）「本発明は、Ｂ４Ｃの高強度高密度焼結体およびその製造方法に関し、特に有効な焼結助剤を選択したことにより、高強度高密度のＢ４Ｃ焼結体が容易に多量生産できるようにしたものである。」（第２頁左上欄２〜５行）
（ス）「実施例１
　市販の１００メッシュＢ４Ｃに平均粒径２０μｍのＡｌ粉末３重量％を添加し、アルミナ製ポットおよびアルミナ製ボールを用いて５Ｈｒボールミル混合し、その後成形助剤としてパラフィンワックスを５重量％添加した。この粉末を１ｔ／ｃｍ２の圧力で成形し１０−３ｔｏｒｒの真空炉で２０００℃−１Ｈｒ焼結した。
　この焼結体の見掛密度は２．３６ｇ／ｃｍ３でＢ４Ｃの理論密度２．５２ｇ／ｃｍ３に対し、９３．５％であった。表１には焼結体中の不純物元素を分析した結果を示した。」（第３頁右上欄下から３行〜同頁左下欄９行）
（セ）「
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）刊行物３に記載された発明
　刊行物３には、記載事項（シ）によれば、Ｂ４Ｃの高強度高密度焼結体に関する発明が記載されており、同（サ）の請求項(3)によれば、その製造方法は、Ｂ４Ｃ粉末とＡｌ化合物等の焼結助剤の混合物を真空中または不活性ガス中、１８００℃以上で焼成することとしており、この記載から、該製造方法は、原料粉末を加圧成形してなる成形体を、加圧せずに常圧で焼結したものであるいえる。
　そして、これにより得られた焼結体は、実施例に関する同（ウ）（エ）によれば、相対密度９３．５％であり、焼結体中のＡｌおよびＳｉの含有量は、それぞれ７５０ＰＰＭ（０．０７５重量％）、４００ＰＰＭ（０．０４重量％）であり、また、Ｂ４Ｃ焼結体中の不純物量の総和は、同（エ）に示されたデータから２０００ＰＰＭ程度であるので、Ｂ４Ｃ含有量は少なくとも９９．０％である。
　そうすると、刊行物３には、「Ｂ４Ｃ粉末と焼結助剤の混合物を加圧成形してなる成形体を加圧せずに常圧で焼結したＢ４Ｃ焼結体であって、相対密度が９３．５％であり、Ｂ４Ｃ含有量９９．０％以上、Ａｌ含有量０．０７５重量％、Ｓｉ含有量０．０４重量％のＢ４Ｃの高強度高密度焼結体。」に関する発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。
　本願発明１、２と引用発明３とを比較すると、緻密質炭化ホウ素セラミックスとしての物の特定事項に関しては、「緻密質炭化ホウ素セラミックス」である点で一致し、つぎの点で相違する。
・相違点５　緻密質炭化ホウ素セラミックスの相対密度に関し、本願発明１、２では、９５％以上であるのに対し、引用発明３では９３．５％にとどまる点、
・相違点６　緻密質炭化ホウ素セラミックスの組成に関し、本願発明１では「炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上、アルミニウムの含有量が、０．０３質量％以上１．０質量％以下である」、本願発明２では、「炭化ホウ素の含有量が９８．５質量％以上、アルミニウムの含有量が、０．０３質量％以上１．０質量％以下、かつ、シリコンの含有量が、０．１質量％以上０．３５質量％以下である」であるのに対し、引用発明３では、「Ｂ４Ｃ含有量９９．０％以上、Ａｌ含有量０．０７５重量％、Ｓｉ含有量０．０４重量％のＢ４Ｃ」である点。
　これらの相違点について検討すると、引用発明３では相対密度は９３．５％にとどまり、この点で本願発明１および２とは相違する。このため、相違点６について検討するまでもなく、本願発明１、２は、刊行物３に記載された発明とすることができない。
　　　
４−３　拒絶の理由３について
　平成２６年３月７日付け補正により、(1)請求項１、２については、「焼結助剤を原料中に添加することがない」点が明確になり、(2)補正前の請求項３は、補正により削除され、(3)補正前の請求項６〜８における「炭化ホウ素を主成分とする原料」は、補正により「炭化ホウ素原料」となった。
　これにより、サポート要件違反として当審の拒絶理由で通知した理由はいずれも解消された。
　　　　　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１〜３に記載された発明ではなく、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができず、特許請求の範囲の記載はサポート要件を充足するから、原査定の理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。