【事件の表示】
　特許第３２３１９８７号「多層セラミック回路基板の製造方法」の請求項１乃至２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２３１９８７号の請求項１乃至２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２３１９８７号の発明についての出願は、平成７年１２月２７日に特許出願され、平成１３年９月１４日にその発明についての特許の設定登録がされた。これに対して、表記の異議申立人より特許異議の申立てがあったので取消理由を通知したところ、その指定期間内である平成１４年１０月１５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　
訂正事項（ａ）
　特許請求の範囲の請求項１（本件特許公報第１頁左欄第２行〜第４行）に『複数の絶縁層成形体を積層してなるとともに、所定位置に内部配線パターンが形成された積層成形体』とあるのを、「複数の絶縁層成形体を積層してなるとともに、前記絶縁層成形体に、その厚みを貫くビアホール導体となる導体部材が形成され、かつ所定位置に内部配線パターンが形成された積層成形体」に訂正する。
　
訂正事項（ｂ）
　特許請求の範囲の請求項１（本件特許公報第１頁左欄第１０行〜第１２行）に『該貫通溝内に導電性ペーストが充填されたパターン用絶縁層成形体』とあるのを、「該貫通溝内に導電性ペーストを充填して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成したパターン用絶縁層成形体」に訂正する。
　
訂正事項（ｃ）
　特許請求の範囲の請求項２（本件特許公報第１頁右欄第３行〜第５行）に『該絶縁層成形体の表面を露光処理して硬化させる工程と、前記露光処理により硬化された絶縁層成形体の表面に』とあるのを、「該絶縁層成形体の表面を露光・現像して貫通穴を形成し、該貫通穴に導電性ペーストを充填してビアホール導体となる導体部材を形成する工程と、該導体部材が形成された絶縁層成形体の表面に」に訂正する。
　
訂正事項（ｄ）
　特許請求の範囲の請求項２（本件特許公報第１頁右欄第１１行〜第１２行）に『該貫通溝内に導電性ペーストを充填する工程と』とあるのを、「該貫通溝内に導電性ペーストを充填して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成する工程と」に訂正する。
　
訂正事項（ｅ）
　本件特許明細書の段落番号【００１０】（本件特許公報第２頁右欄第２７行〜第３９行）に、『本発明の・・・・・方法である』とあるのを、「本発明の多層セラミック回路基板の製造方法は、複数の絶縁層成形体を積層してなるとともに、前記絶縁層成形体に、その厚みを貫くビアホール導体となる導体部材が形成され、かつ所定位置に内部配線パターンが形成された積層成形体を作製した後、該積層成形体を焼成する多層セラミック回路基板の製造方法であって、前記積層成形体が、セラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能なモノマーと、有機バインダーとを含有するパターン用絶縁層成形体の表面を、内部配線パターンの形成部を除いて露光処理し硬化させた後、現像処理し未硬化の部分を除去することにより、内部配線パターン状の貫通溝を形成し、該貫通溝内に導電性ペーストを充填して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成したパターン用絶縁層成形体を、前記複数の絶縁層成形体の所定位置に介装して構成されている方法である」に訂正する。
　
訂正事項（ｆ）
　本件特許明細書の段落番号【００１１】（本件特許公報第２頁右欄第４０行〜第３頁左欄第６行）に、『また、本発明の・・・・・方法である』とあるのを、「また、本発明の多層セラミック回路基板の製造方法は、セラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能なモノマーと、有機バインダーとを含有するスリップ材を薄層化し乾燥して絶縁層成形体を形成する工程と、該絶縁層成形体の表面を露光・現像して貫通穴を形成し、該貫通穴に導電性ペーストを充填してビアホール導体となる導体部材を形成する工程と、該導体部材が形成された絶縁層成形体の表面に内部配線パターン厚みに相当する厚みのパターン用絶縁層成形体を積層する工程と、前記パターン用絶縁層成形体の表面を前記内部配線パターンの形成部を除いて露光処理して硬化させる工程と、露光処理後の前記パターン用絶縁層成形体を現像処理し、前記内部配線パターンの形成部を除去して内部配線パターン状の貫通溝を形成する工程と、該貫通溝内に導電性ペーストを充填して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成する工程と、少なくとも前記パターン用絶縁層成形体の表面に前記絶縁層成形体を積層する工程から露光処理工程を繰り返して形成された積層成形体を焼成する工程とを具備する方法である」に訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否
　
訂正事項（ａ）〜（ｄ）について
　訂正事項（ａ）、（ｃ）は、本件特許明細書の段落番号【００５０】５〜８行目の「異なる絶縁層１ａ〜１ｆ間の内部配線２は、絶縁層１ａ〜１ｆの厚みを貫くビアホール導体３によって接続されている」の記載、段落番号【００５９】の「次に、絶縁層成形体３１ｆに貫通穴の形成を行う。貫通穴の形成は、露光処理、現像処理、洗浄・乾燥処理により行う」の記載、段落番号【００６３】の「次に、貫通穴３５へ導体ペーストの充填・乾燥して導体部材を形成する。具体的には、図２（ｄ）に示すように、上述の工程で形成した貫通穴３５内に上述の導電性ペーストを充填し、乾燥する。貫通穴３５に相当する部位のみに印刷可能なスクリーンを用いた印刷によって、ビアホール導体３となる導体部材３６を形成」の記載、及び図３に、絶縁層成形体間に内部配線パターンが形成され、かつ該内部配線パターンと隣接する絶縁層成形体に、その厚みを貫くように内部配線パターンと接続するビアホール導体となる導体部材が形成された積層成形体が記載されていることに基づくものである。
　また、訂正事項（ｂ）、（ｄ）は、本件特許明細書の段落番号【００７９】の「さらに、内部配線パターン３９の厚みは絶縁層成形体の厚みにより制御できるため、任意の厚みの内部配線を形成することができる。また、内部配線厚みが厚くなったとしても、．従来のように導体膜厚が厚くなることによる段差の発生がなく、絶縁層間の密着性を向上することができる」の記載、及び図２（ｈ）に、パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成したパターン用絶縁層成形体が記載されていることに基づくものである。
　特許請求の範囲に関するこれらの訂正事項（ａ）〜（ｄ）は、出願当初の明細書または図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。そして、これらの訂正によって実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　
訂正事項（ｅ）、（ｆ）について
　訂正事項（ｅ）、（ｆ）は、特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであり、出願当初の明細書または図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、明瞭でない記載の釈明を目的としたものである。そして、これらの訂正によって実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
　
（３）訂正の認容
　以上のとおり、訂正請求における前記訂正事項ａ〜ｆの各訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）異議申立ての理由の概要
　本件特許異議申立人は、本件請求項１、２に係る特許発明は、甲第１号証刊行物（特開昭５４−１２１９６７号公報）及び甲第２号証刊行物（特開平４−２８６１４９号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第２号に該当し取り消されるべきものである旨、主張している。
　
（２）本件発明
　前述のとおり本件訂正は認められたので、本件の請求項１，２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　【請求項１】　複数の絶縁層成形体を積層してなるとともに、前記絶縁層成形体に、その厚みを貫くビアホール導体となる導体部材が形成され、かつ所定位置に内部配線パターンが形成された積層成形体を作製した後、該積層成形体を焼成する多層セラミック回路基板の製造方法であって、前記積層成形体が、セラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能なモノマーと、有機バインダーとを含有するパターン用絶縁層成形体の表面を、内部配線パターンの形成部を除いて露光処理し硬化させた後、現像処理し未硬化の部分を除去することにより、内部配線パターン状の貫通溝を形成し、該貫通溝内に導電性ペーストを充填して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成したパターン用絶縁層成形体を、前記複数の絶縁層成形体の所定位置に介装して構成されていることを特徴とする多層セラミック回路基板の製造方法。
       　（以下、本件第１発明という）
　【請求項２】　セラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能なモノマーと、有機バインダーとを含有するスリップ材を薄層化し乾燥して絶縁層成形体を形成する工程と、該絶縁層成形体の表面を露光・現像して貫通穴を形成し、該貫通穴に導電性ペーストを充填してビアホール導体となる導体部材を形成する工程と、該導体部材が形成された絶縁層成形体の表面に内部配線パターン厚みに相当する厚みのパターン用絶縁層成形体を積層する工程と、前記パターン用絶縁層成形体の表面を前記内部配線パターンの形成部を除いて露光処理して硬化させる工程と、露光処理後の前記パターン用絶縁層成形体を現像処理し、前記内部配線パターンの形成部を除去して内部配線パターン状の貫通溝を形成する工程と、該貫通溝内に導電性ペーストを充填して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成する工程と、少なくとも前記パターン用絶縁層成形体の表面に前記絶縁層成形体を積層する工程から露光処理工程を繰り返して形成された積層成形体を焼成する工程とを具備することを特徴とする多層セラミック回路基板の製造方法。
        （以下、本件第２発明という）
　
（３）刊行物記載の発明及び当審の判断
　当審において通知した取消理由で引用した刊行物
　　　特開昭５４−１２１９６７号公報
　　　　（異議申立書に添付の甲第１号証：以下、第１刊行物という）
　　　特開平４−２８６１４９号公報
　　　　（異議申立書に添付の甲第２号証：以下、第２刊行物という）
　
［本件第１発明について］
　
本件第１発明と第１刊行物記載の発明との対比
　本件第１発明は、露光現像により『内部配線パターン用の貫通溝をパターン用絶縁層成形体に形成し、貫通溝内に導電性ペーストを充填して内部配線パターンを形成したパターン用絶縁層成形体が、絶縁層成形体間に介装されている』のに対して、第１刊行物には、ビアホール導体用の貫通穴を、「未露光の絶縁層焼成用光重合性ベースと組成物・・・・・の薄層を選択除去」して形成したものであり、パターン用絶縁層成形体を用いて内部配線パターンを形成することについては記載されていない点で、本件第１発明と第１刊行物に記載の発明とは相違する。
　即ち、第１刊行物の第９頁左下欄第３行〜第８行には、「この第１の絶縁層の上に、前記第１の導電層と同様にして第２の導電層を形成した。第１の導電層パターンの一部は、第１の絶縁層をパターン化したときに設けておいた接続孔の部位で第２の導電層パターンの一部と直接一体化されて導通し、立体回路を構成した」と記載され、内部配線パターン同士を接続するため、絶縁層成形体の厚み方向に形成されたビアホール導体用の貫通穴が形成されており、本件第１発明のように、パターン用絶縁層成形体を用いて内部配線パターンを形成する点については記載も示唆もされていない。
　このような第１刊行物では、内部配線パターンの形成について、第８頁右下欄第１７行〜第９頁右上欄第１９行に、導電性焼成用光重合性ペースト組成物をスクリーン印刷機を用いて絶縁性セラミックス基板の全面に薄層状に塗布し、露光現像により所望の薄層パターンを絶縁性セラミックス基板上に形成し、このようにして得た第１の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成したことが記載されており、第１刊行物には、「（導電層焼成用光重合性ペースト組成物）の薄層を選択除去する工程」が記載されているが、「こうして得た第１の導電層を覆うように・・・第１の絶縁層を形成した。この結果、第１の導電層がある部位とない部位との間にあった約９〜１０μｍの段差は、第１の絶縁層上では約５〜６μｍの凹凸に均らされた」（第９頁右上欄第１６行〜左下欄第２行）と記載されているように、内部配線パターンを覆うように絶縁層成形体を形成する限り段差が生じ、特に内部配線パターンを厚くすればするほど大きな段差が生じ、焼成後にデラミネーションを引き起こし易くなる。
　ビアホール導体は、一般に絶縁層成形体の厚み方向に形成された貫通穴に導電性ペーストを充填して形成させるものであり、内部配線パターンは絶縁層成形体上に導電性ペーストを塗布して形成されるものであるが、本件第１発明では、車載用基板等の大電流容量が要求される基板においても、内部配線パターンの厚みを３０μｍ以下にしなければ段差が生じ、焼成後にデラミネーションを引き起こす（段落番号【０００９】）という新たな課題に対して、『パターン用絶縁層成形体に貫通溝を形成し、この貫通溝内に導電性ペーストを充填してパターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成したパターン用絶縁層成形体を絶縁層成形体間に介装して』積層成形体を形成し、これを焼成するという手法を採用したものである。
　これにより、本件第１発明では、絶縁層成形体間に、内部配線パターンを有する平坦なパターン用絶縁層成形体が介装されており、絶縁層成形体とパターン用絶縁層成形体とを隙間なく十分に密着させることができ、パターン用絶縁層成形体の厚みを厚くすることにより、内部配線パターンの厚みを従来より厚くすることができ、このように厚くしても、絶縁層間の密着不充分に起因する基板焼成後のデラミネーションを引き起こすことがなくなり、内部配線の膜厚が厚い基板の品質向上を図ることができるという作用効果を発現するものと認められる。
　したがって、本件第１発明は、第１刊行物に記載の発明から当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
本件第１発明と第２刊行物記載の発明との対比
　本件第１発明では、『内部配線パターン用の貫通溝をパターン用絶縁層成形体に形成し、この貫通溝内に導電性ペーストを充填して内部配線パターンが形成されたパターン用絶縁層成形体を用いて、絶縁層成形体間に内部配線パターンを形成した』点で、第２刊行物に記載の発明とは相違する。
　即ち、第２刊行物では、「絶縁層形成工程は、上記と同一のセラミック組成物および感光性ビヒクルからなる光硬化性絶縁層ペーストを印刷・乾燥後、マスクを用いてビアホールパターンを露光現像し、さらにビアホール部分に導体ペーストを埋め込み焼成する」（第２頁左欄第９行〜第１３行）と記載され、絶縁層成形体にその厚み方向に貫通穴を形成し、この貫通穴に導電性ペーストが充填されることが記載されているものの、第２刊行物では、本件第１発明のように、パターン用絶縁層成形体を用いて内部配線パターンを形成する点については記載されていないし示唆されてもいない。
　このような第２刊行物では、内部配線パターンの形成について、「導体を形成する際は、図３（ａ）に示すように、まずＴｉとＰｄの２層膜１０、１１をスパッタで付け、図３（ｂ）に示すように、フォトレジスト１２をコーティングし露光・現像することで、マスクパターンを形成する。更に、選択的に金のメッキを施しＡｕ配線１３を形成する。・・・・・絶縁層を形成する際は、図４（ａ）に示すように、光硬化性絶縁層ペースト１４をＡｕ配線１３上にスクリーン印刷・乾燥し、マスク１５を用いてビアホールパターンを露光・現像する」（第４頁左欄第４１行〜右欄第３７行）と記載されており、第１刊行物と同様、内部配線パターンを覆うように絶縁層成形体を形成する限り段差が生じ、特に内部配線パターンを厚くすればするほど大きな段差が生じ、焼成後にデラミネーションを引き起こし易くなる。
　したがって、本件第１発明は、第２刊行物に記載の発明から当業者が容易に想到し得たものでもない。
　
本件第１発明と第１、第２の両刊行物記載発明の組み合わせについて
　第１、第２刊行物には、絶縁層成形体に貫通穴を形成し、この貫通穴に導電性ペーストを充填してビアホール導体を形成する点が記載されているとしても、内部配線パターンとビアホール導体は異なるものであり、パターン用絶縁層成形体を用いて内部配線パターンを形成する点については記載も示唆もないのは明らかであるから、第１、第２の両刊行物に記載の発明を組み合わせたとしても、本件第１発明を想到し得るものではない。
　また、ビアホール導体は、主として絶縁層間に形成された内部配線パターン間を接続するという機能を有するため、絶縁層成形体の厚み方向に貫通穴を形成し、導電性ペーストを充填して形成することは当然であるが、内部配線パターンは、大電流を絶縁層に沿って流したり、コンデンサを形成する等の機能を有するため、一般に絶縁層成形体上に導電性ペーストを塗布して形成されるものであり、仮に第１、第２刊行物に、絶縁層成形体に貫通穴を形成し、この貫通穴に導電性ペーストを充填してビアホール導体を形成する点が記載されているとしても、このようなビアホール導体形成技術のみが開示された第１、第２刊行物から、内部配線パターンの厚みを厚くしても焼成後にデラミネーションを引き起こさないために、『パターン用絶縁層成形体の貫通溝内に内部配線パターンを埋め込み形成する』という本件第１発明を想到することは、容易になし得るものではない。
　したがって、本件第１発明は、第１及び第２刊行物に記載の発明を組み合わせても、これらの刊行物に記載の発明から当業者が容易に想到し得るものではない。
　
［本件第２発明について］
　本件第２発明と第１、第２の両刊行物に記載の発明とを対比すると、前述したように、第１、第２刊行物には、『パターン用絶縁層成形体に貫通溝を形成し、この貫通溝内に導電性ペーストを充填してパターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成したパターン用絶縁層成形体』を用いる点については記載されていないし示唆されていないのは明らかである。そして、本件第２発明は、パターン用絶縁層成形体の厚みを変更することにより内部配線パターンの厚みを厚くでき、このように厚くしても焼成後にデラミネーションを引き起こさないという作用・効果を発現するものと認められる。
　したがって、本件第２発明は、第１及び第２刊行物に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件第１発明及び第２発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１発明及び第２発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件第１発明及び第２発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月２７日（２００２．１２．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
多層セラミック回路基板の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】複数の絶縁層成形体を積層してなるとともに、
前記絶縁層成形体に、その厚みを貫くビアホール導体となる導体部材が形成され、かつ
を充填して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成した
　【請求項２】セラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能なモノマーと、有機バインダーとを含有するスリップ材を薄層化し乾燥して絶縁層成形体を形成する工程と、該絶縁層成形体の表面を
露光・現像して貫通穴を形成し、該貫通穴に導電性ペーストを充填してビアホール導体となる導体部材を形成する
該導体部材が形成された
して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成する
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、多層セラミック回路基板の製造方法に関するものであり、例えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ），ミキサ部，フィルター素子，発振子，コイル，コンデンサ等の多層セラミック回路基板の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来技術】一般に多層セラミック回路基板は、ガラス−セラミックなどの絶縁層を複数積層してなり、その内部には、タングステン等の高融点金属材料、金，銀，銅などの低抵抗材料からなる内部配線やビアホール導体が形成されている。
　【０００３】多層セラミック回路基板の製造方法は、大きく分けて２つに大別できる。
　【０００４】その１つが、絶縁層となるガラス材料・セラミック材料を含有するスリップ材を形成し、ドクターブレード法などによってグリーンシートを作成し、次に、グリーンシートにビアホール導体となる位置にＮＣパンチや金型などで貫通穴を形成し、次に内部配線パターン及びビアホール導体に応じてグリーンシート上に導電性ペーストを印刷・充填し、次に、これらのグリーンシートを複数積層して、この積層成形体を一括して同時焼成するグリーンシート積層方式である。
　【０００５】いま１つが、絶縁層となる絶縁ペーストと内部配線となる導電性ペーストを交互に印刷し、印刷積層体を形成し、この積層成形体を一括して同時焼成する印刷積層方式である。尚、この印刷積層方式において、異なる絶縁層間の内部配線を接続するビアホール導体は、例えば、スリップ材を印刷する際に、下部に位置する内部配線となる導体膜が露出するように印刷パターンを制御することにより形成されていた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述のグリーンシート積層方式による製造方法は、絶縁層となるグリーンシートを作成するためのテープ成型工程が必要であること、さらに異なる絶縁層間の内部配線を接続するためのビアホール導体となる貫通穴を開ける工程が必要となる。孔開け工程は、金型やＮＣパンチを用いることが一般的であり、ＮＣパンチの場合、１つずつ穴を開けなくてはならないため、工数がかかり高価になってしまう。
　【０００７】また、１枚のグリーンシートに複数種類の穴径を作成する場合、例えば電源用、アース用の導体となるビアホール導体を大きく設定したい場合には、その都度金型やＮＣパンチを交換する必要があり極めて煩雑となってしまう。尚、ＮＣパンチで貫通穴を形成する場合に、その穴径は最小１００μｍ程度が限界であり、それ以上でなければ貫通穴は形成できなかった。
　【０００８】これに対して、印刷積層方式による製造方法は、上述のテープ成型工程及びビアホール導体となる貫通穴の形成工程が不要になるため、製造工程は簡略化されるものの、異なる絶縁層間に配置される内部配線間を接続する手段として、絶縁層となる絶縁ペースト材の印刷塗布のパターンを制御して、下部に位置する内部配線の導体膜の接続部分のみが露出するが、この露出部分の開口径は１５０μｍ以上にしなくては、絶縁ペースト材のダレなどによって導通不良が発生する可能性があり、高密度の内部配線を達成することが困難であった。また、導体膜の積層数が増加すると、絶縁ペースト材を印刷しても、この印刷面が平坦にならず、その上に導体膜を印刷するにあたり、安定な導体膜を形成することができないという問題点があった。
　【０００９】さらに、上記いずれの方法においても基板内部に導体配線パターンを形成するが、その導体膜厚は焼成前の状態で、せいぜい３０μｍ以下に抑えなければならない。その理由は、導体膜厚が厚くなるとそれにより発生する段差の影響で絶縁層間の密着が不充分となり、焼成後に層間密着不良（デラミネーション）を起こし品質が低下してしまう。最近では、この多層セラミック回路基板を車載用基板等の大電流容量が要求される分野にも適用する動きがあり、そのためには導体膜厚をできるだけ厚くする必要があるが、上記品質上の問題もあって、導体膜厚についての制約があった。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】本発明の
多層
の製造方法
前記絶縁層成形体に、その厚みを貫くビアホール導体となる導体部材が形成され、かつ
を充填して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成した
　【００１１】また、本発明の多層セラミック回路基板の製造方法は、セラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能なモノマーと、有機バインダーとを含有するスリップ材を薄層化し乾燥して絶縁層成形体を形成する工程と、該絶縁層成形体の表面を
露光・現像して貫通穴を形成し、該貫通穴に導電性ペーストを充填してビアホール導体となる導体部材を形成する
該導体部材が形成された
して、前記パターン用絶縁層成形体と段差のない内部配線パターンを形成
　【００１２】尚、絶縁層材料としてセラミックを挙げているが、本発明においては、絶縁層材料のセラミックとはガラスセラミックも含む意味である。
　【００１３】
　【作用】本発明によれば、絶縁層成形体の表面に内部配線パターンを形成することなく、絶縁層成形体に内部配線パターン形状の溝を形成し、この溝に導電性ペーストを充填することにより内部配線パターンを形成したので、多層セラミック回路基板の内部配線パターンの厚みを従来より厚くしても、絶縁層間の密着不充分に起因する基板焼成後のデラミネーションを引き起こすことがなくなり、内部配線の膜厚が厚い基板の品質向上を図ることができる。これにより、大電流容量が要求される車載用途等の基板に対しても、内部配線の膜厚が厚い基板を容易に製造することが可能となる。またその製造方法は容易である為、製造コストが安価であるというメリットもある。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】本発明の多層セラミック回路基板は、複数の絶縁層成形体を積層し、所定位置に内部配線パターンが形成された積層成形体を作製し、該積層成形体を焼成することにより得られるものであるが、絶縁層成形体となるスリップ材は、セラミック材料、ガラス材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダーと、有機溶剤を均質混練して得られた溶剤系のスリップ材である。
　【００１５】また８５０〜１０５０℃で焼成される低温焼成多層セラミック回路基板においては、絶縁層には、セラミック材料とガラス材料（両者を合わせて固形成分という）とが互いに結合しあい強度を向上させている。
　【００１６】このようなセラミック材料としては、クリストバライト、石英、コランダム（αアルミナ）、ムライト、ジルコニア、コーディエライト等の粉末であり、その平均粒径は、好ましくは１．０〜６．０μｍ、更に好ましくは１．５〜４．０μｍである。これらのセラミック材料は２種以上混合して用いてもよい。ここで、１．０〜６．０μｍのセラミック材料を用いるのは、セラミック材料の平均粒径が１．０μｍ未満の場合はスリップ化することが困難であり、後述の露光時に露光光が乱反射して充分な露光ができなくなり、逆に平均粒径が６．０μｍを超えると緻密な絶縁層が得にくくなるからである。
　【００１７】ガラス材料は、複数の金属酸化物を含むガラスフリットであり、８５０〜１０５０℃で焼成した後に、コーディエライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウィレマイト、ドロマイト、ペタライト及びその置換誘導体の結晶を少なくとも１種析出するものであれば、強度の高い絶縁層が可能となる。特に、アノーサイトまたはセルジアンを析出する結晶化ガラスフリットを用いると、より強度の高い絶縁層が得られ、また、コージェライトまたはムライトを析出し得る結晶化ガラスフリットを用いると、焼成後の熱膨張率が低い為、回路基板上にＩＣ等のシリコンチップを配置するための回路基板としては最適となる。
　【００１８】絶縁層の強度、熱膨張率を考慮した最も好ましいガラス材料としては、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、アルカリ土類酸化物を含むガラスフリットである。この様なガラスフリットは、ガラス化範囲が広く、また屈伏点が６００〜８００℃付近にある為、８５０〜１０５０℃程度で焼成する場合、低温焼成多層セラミック回路基板に用いる内部配線、ビアホール導体となる銅系、銀系及び金系の導電材料の焼結挙動に適している。
　【００１９】夫々の成分の作用として、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２は、主にネットワークフォーマーとして、Ａｌ２Ｏ３は、主にインターミディエイトとして、ＺｎＯ、アルカリ土類酸化物は、主にネットワークモディファイヤーとして作用する。
　【００２０】このようなガラス材料は、上述の所定成分を所定の比率で混合して加熱溶解し、これを急冷後に粉砕することによって得られる。粉砕されたガラスフリットの平均粒径は、１．０〜５．０μｍ、好ましくは１．５〜３．５μｍである。
　【００２１】ここで、粉砕されたガラスフリットの平均粒径を１．０〜５．０μｍとしたのは、平均粒径が１．０μｍ未満の場合はスリップ化することが困難であり、後述の露光時に露光光が乱反射して充分な露光ができなくなり、逆に平均粒径が５．０μｍを超えると分散性が損なわれ、具体的には絶縁材料であるセラミック粉末間に均等に溶解分散できず、強度が非常に低下してしまうからである。
　【００２２】上述のセラミック材料とガラス材料との構成比率は、セラミック材料が１０重量％〜５０重量％、好ましくは２０重量％〜３５重量％であり、ガラス材料が９０重量％〜５０重量％、好ましくは８０重量％〜６５重量％である。
　【００２３】ここで、セラミック材料が１０重量％〜５０重量％、ガラス材料が９０重量％〜５０重量％としたのは、セラミック材料が１０重量％未満、且つガラス材料が９０重量％を越えると、絶縁層にガラス質が増加しすぎ、絶縁層の強度等からしても不適切であり、また、セラミック材料が５０重量％を越え、且つガラス材料が５０重量％未満となると、後述の露光時に露光光が乱反射して充分な露光ができなり、焼成後の絶縁層の緻密性も損なわれるからである。
　【００２４】上述のセラミック材料、ガラス材料の他に、スリップ材の構成材料としては、焼結によって消失される光硬化可能なモノマー、有機バインダーと、更に、有機溶剤を含んでいる。
　【００２５】尚、有機溶剤は主にスリップの粘度等を調整するものであり、焼成工程の脱バインダ過程で完全に消失してしまう。
　【００２６】スリップ材の光硬化可能なモノマーは、低温短時間の焼成工程に対応するために、熱分解性に優れたものでなくてはならない。光硬化可能なモノマーとしては、スリップ材の塗布・乾燥後の露光によって光重合される必要があり、遊離ラジカルの形成、連鎖生長付加重合が可能で、２級もしくは３級炭素を有したモノマーが好ましく、例えば少なくとも１つの重合可能なエチレン系基を有するブチルアクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに対応するアルキルメタクリレートが有効である。また、テトラエチレングリコールジアクリレート等のポリエチングリコールジアクリレートおよびそれらに対応するメタクリレートも有効である。光硬化可能なモノマーは、露光で硬化され、現像で露光以外部分が容易に除去できるような範囲で添加され、例えば、固形分に対して５〜１５重量％である。
　【００２７】スリップ材の有機バインダは、光硬化可能なモノマー同様に熱分解性の良好なものでなくてはならない。同時にスリップの粘性を決めるものである為、固形分との濡れ性も重視せねばならず、本発明者等の検討によればアクリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。添加量としては固形分に対して２５重量％以下が好ましい。
　【００２８】スリップ材における光硬化可能なモノマー及び有機バインダは上述したように熱分解性の良好なものでなくてはならないが、具体的には６００℃以下で熱分解が可能でなくてはならない。更に好ましくは５００℃以下である。熱分解温度が６００℃を越えると、絶縁層内に残存してしまい、カーボンとしてトラップし、基板を灰色に変色させたり、絶縁層の絶縁抵抗までも低下させてしまう。またボイドとなりデラミネーションを起こすことがある。
　【００２９】また、スリップ材として、増感剤、光開始系材料等を必要に応じて添加しても構わない。例えば、光開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロインエステル類化合物などが挙げられる。
　【００３０】上述のように、セラミック材料、ガラス材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダ、さらに、有機溶剤とともに混合、混練して、絶縁層となる溶剤系スリップ材が構成される。混合・混練方法は従来より用いられている方法、例えばボールミルによる方法を用いればよい。スリップ材の薄層化方法は、例えば、ドクターブレード法（ナイフコート法）、ロールコート法、印刷法などにより形成され、特に塗布後の絶縁膜の表面が平坦化することが容易なドクターブレード法などが好適である。尚、薄層化の方法に応じて所定粘度に調整される。
　【００３１】また、内部配線やビアーホール導体となる導体材料の導電性ペーストは、金、銀、銅もしくはその合金のうち少なくとも１つの金属材料の粉末と、低融点ガラス成分と、有機バインダーと及び有機溶剤とを均質混練したものが使用される。
　【００３２】特に、焼成温度が８５０〜１０５０℃であるため、金属材料としては、比較的低融点であり、且つ低抵抗材料が選択され、また、低融点ガラス成分も、絶縁層となる絶縁層成形体（スリップ材を塗布、乾燥したもの）との焼結挙動を考慮して、その屈伏点が７００℃前後となるものが使用される。
　【００３３】本発明の多層セラミック回路基板の製造方法は、まず、支持基板上にスリップ材料を薄層化（以下、単に塗布という）・乾燥して絶縁層となる絶縁層成形体を形成する。
　【００３４】塗布方法としては、ドクターブレード法やロールコート法、塗布面積を概略支持基板と同一面積とするスクリーンを用いた印刷法などによって形成される。乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、インライン式乾燥炉を用いて行われ、乾燥条件は１２０℃以下が望ましい。また、急激な乾燥は表面にクラックを発生する可能性があるため、急加熱は避けることが重要となる。
　【００３５】ここで、支持基板としては、ガラス基板、有機フィルム、アルミナセラミックなどが例示できる。この支持基板は、焼成工程前で取り外されるが、特にアルミナセラミックなどの場合には、同時に焼成を行い、完成品の多層セラミック基板の一部を構成するようにしても構わない。従って、このアルミナ支持基板に、内部配線や表面配線を形成しておいても構わない。
　【００３６】次に、支持基板上に形成した絶縁層成形体にビアホール導体となる貫通穴を形成する。尚、実際には、貫通穴の下部は、支持基板などによって閉塞されているが、便宜上貫通穴という。貫通穴の形成方法は、露光・現像を用いて行う。尚、ビアホール導体の形成の不要な絶縁層成形体については、この貫通穴の形成及びビアホール導体となる導電性ペーストの充填を省略する。
　【００３７】露光処理は、例えば、フォトターゲットを絶縁基板上に近接または載置して、貫通穴以外の領域に、低圧、高圧、超高圧の水銀灯系の露光光を照射する。これにより、貫通穴以外の領域では、光硬化可能なモノマーが光重合反応を起こす。
　【００３８】従って、貫通穴部分のみが現像処理によって除去可能な溶化部となる。尚、実際には、フォトターゲットを絶縁層成形体に接触させて露光した方が露光精度は向上する。また、最適露光時間は絶縁層成形体の厚み、貫通穴の直径などで決まる。尚、露光装置は所謂写真製版技術に用いられる一般的なものでよい。
　【００３９】現像処理は、クロロセン等の溶剤を例えばスプレー現像法やパドル現像法によって、貫通穴である露光溶化部に接触させ、現像を行う。その後必要に応じて洗浄及び乾燥を行う。
　【００４０】次に、ビアホール導体となる導体部材を、導電性ペーストの充填・乾燥によって形成する。充填方法は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。
　【００４１】次に、内部配線となるパターンを形成する。まず、ビアホール導体が充填された絶縁層成形体上に、上記スリップ材を塗布・乾燥して内部配線パターンの膜厚に相当する厚みのパターン用絶縁層成形体を形成する。このパターン用絶縁層成形体に内部配線パターン形状の貫通溝を形成する。この貫通溝は、上記と同様の露光処理及び現像処理を行って形成する。
　【００４２】次に、内部配線パターンとなる導体部材を、貫通溝への導電性ペーストの充填・乾燥によって形成する。充填方法は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。この貫通溝も、ビアホール導体用の貫通穴と同様、便宜上貫通溝といい、また、内部配線が不要な層については、この工程は省略される。
　【００４３】以上、スリップ材の塗布・乾燥による絶縁層成形体の形成、露光・現像による貫通穴の形成、導電性ペーストの貫通穴への充填によるビアホール導体となる導体部材の形成、更に露光・現像による内部配線パターン形成用の貫通溝の形成とその溝への導電性ペーストの充填による内部配線パターンの形成で、基本的に１層分の絶縁層成形体及び内部配線パターンの形成が終了し、これを所望の回数繰り返すことにより未焼成状態の多層セラミック回路基板が完成する。その後、必要に応じてプレス等を行ない形状を整えたり、分割用のスリットを形成する。
　【００４４】最後に焼成を行なう。焼成工程は脱バインダ過程と焼成過程からなり、脱バインダ過程（〜６００℃）で絶縁層成形体、内部配線パターン及びビアホール導体の導体部材の有機成分を消失し、その後、所定雰囲気、所定温度で絶縁層成形体及び内部配線パターン、ビアホール導体となる導体部材を一括的に焼成する。
　【００４５】このようにして得られた多層セラミック回路基板は、基板の表面に各種処理を行う。例えば、表層に厚膜導体パターンを印刷、焼きつけをおこなったり、厚膜抵抗体及び厚膜保護膜を印刷、焼きつけをおこなったり、また薄膜導体パターンを形成したり、メッキ被覆処理をおこなったり、さらにＩＣチップを含む各種電子部品の接合を行う。
　【００４６】尚、表面厚膜導体パターン、厚膜抵抗体及び厚膜保護膜の形成においては、上述の絶縁層成形体と内部配線パターンの多層化後に形成された積層成形体に印刷を行い、未焼成状態の多層セラミック回路基板の焼成工程で、同時に焼成しても構わない。また、表面厚膜導体パターンの一部、例えば最上層のビアホール導体となる導体部材と接続する表面ランド電極のみを未焼成状態の多層セラミック回路基板上に印刷し、同時に焼成しても構わない。
　【００４７】また、上記例では、露光現像により貫通溝を形成し、この溝に導体ペーストを充填して内部配線パターンを形成したが、露光現像以外の方法でパターン用絶縁層成形体に貫通溝を形成しても良い。
　【００４８】
　【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、本発明に係る多層セラミック回路基板の断面図である。尚、この実施例は、内部配線導体として金系、銀系、銅系導体を使用した低温焼成の多層セラミック回路基板で説明する。
　【００４９】本発明に係る多層セラミック回路基板１０は、絶縁層１ａ〜１ｆ、内部配線２、ビアホール導体３とからなり、回路基板１０の表面には表面配線４、厚膜抵抗体膜５、各種電子部品６が形成されている。
　【００５０】絶縁層１ａ〜１ｆは、ガラス−セラミック材料からなり、その厚みは４０〜１５０μｍである。このような複数の絶縁層１ａ〜１ｆ間には、内部配線２が配置されている。内部配線２は、金系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなっている。また、異なる絶縁層１ａ〜１ｆ間の内部配線２は、絶縁層１ａ〜１ｆの厚みを貫くビアホール導体３によって接続されている。このビアホール導体３も内部配線２と同様に金系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなっている。
　【００５１】多層セラミック回路基板１０の表面には、絶縁層１ａのビアホール導体３と接続する表面配線４が形成されており、この表面配線４上には、必要に応じて、厚膜抵抗体膜５や図示していないが厚膜保護膜が形成されたり、メッキ処理されたり、またＩＣを含む各種電子部品６が半田やボンディング細線によって接合されている。
　【００５２】このような多層セラミック回路基板１０は、図２に示す製造工程によって製造される。
　【００５３】＜使用する材料の説明＞まず、絶縁層１ａ〜１ｆとなるスリップ材を作成する。
　【００５４】溶剤系スリップ材は、例えば、ガラス材料であるＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｂ２Ｏ３を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重量％とセラミック材料であるアルミナ粉末３０重量％とからなるガラス−セラミック粉末と、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バインダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤とを、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに混合し、ボールミルで約４８時間混練して作成される。
　【００５５】尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を作成しているが、上述のように親水性の官能基を付加した光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレートモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性アルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練した水系スリップ材を作成しても構わない。
　【００５６】また、内部配線２、ビアホール導体３となる導電性ペーストを作成する。導電性ペーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料である例えば銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えばＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯガラス、ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２ガラス、ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２ガラスと、有機バインダ、例えばエチルセルロースとを、有機溶剤、例えば２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオ−ルモノイソブチレ−トに混合しボールミルで均質に混練して作成される。
　【００５７】＜製造工程の説明＞上述のスリップ材を、用意された支持基板上に、塗布・乾燥を行い、最下層となる絶縁層成形体を形成する。
　【００５８】具体的には、図２（ａ）に示すように、まず、支持基板１５上に、上述のスリップ材をドクターブレード法によって塗布・乾燥して、図１における絶縁層１ａ〜１ｆの最下層である絶縁層１ｆを構成する絶縁層成形体３１ｆを形成する。ここで、支持基板１５としては、マイラーフイルムを用い、焼成工程前に取り外される。塗布後の乾燥条件は、６０〜８０℃で２０分乾燥であり、薄層化・乾燥された絶縁層成形体３１ｆの厚みは、絶縁層１ｆの厚みより導体膜厚分である５０μｍだけ小さい厚みである５０μｍとされている。
　【００５９】次に、絶縁層成形体３１ｆに貫通穴の形成を行う。貫通穴の形成は、露光処理、現像処理、洗浄・乾燥処理により行う。
　【００６０】具体的には、露光処理は、図２（ｂ）に示すように、絶縁層成形体３１ｆ上に、貫通穴が形成される領域が遮光されるようなフォトターゲット３３を載置して、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ２）を光源として用いて露光を行なう。
　【００６１】これにより、貫通穴が形成される領域の絶縁層成形体３１ｆにおいては、光硬化可能なモノマの光重合反応がおこらず、貫通穴が形成される領域以外の絶縁層成形体３１ｆにおいては、光重合反応が起こる。ここで光重合反応が起こった部位を不溶化部といい、光重合反応が起こらない部位を溶化部という。尚、５０μｍ程度の絶縁層成形体３１ｆは、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ２）を５〜１０秒程度照射すれば露光を行うことができる。
　【００６２】現像処理は、絶縁層成形体３１ｆの溶化部を現像液で除去するもので、具体的にはトリエタノールアミン水溶液を現像液として用いてスプレー現像を行う。この現像処理により、図２（ｃ）に示すように、絶縁層成形体３１ｆに直径８０〜１００μｍの貫通穴３５を形成することができる。その後、絶縁層成形体３１ｆを現像により生じる不要なカスなどを洗浄、乾燥工程により完全に除去する。
　【００６３】次に、貫通穴３５へ導体ペーストの充填・乾燥して導体部材を形成する。具体的には、図２（ｄ）に示すように、上述の工程で形成した貫通穴３５内に上述の導電性ペーストを充填し、乾燥する。貫通穴３５に相当する部位のみに印刷可能なスクリーンを用いた印刷によって、ビアホール導体３となる導体部材３６を形成し、その後、８０℃で１０分乾燥する。
　【００６４】次に、内部配線２となる内部配線パターンの形成を行う。まず、図２（ｅ）に示すように、ビアホール導体となる導体部材３６が形成された絶縁層成形体３１ｆ上に、上述のスリップ材をドクターブレード法により塗布・乾燥して、図１における絶縁層１ｆ上の配線膜厚に相当する厚みである５０μｍのパターン用絶縁層成形体３８ｆを形成する。このパターン用絶縁層成形体３８ｆに、上述の貫通穴３５を形成したのと同様の方法で、図２（ｆ）に示すように、露光処理、現像処理、洗浄・乾燥処理を行って、図２（ｇ）に示すように、内部配線パターンを形成する為の貫通溝３７を形成する。更に、図２（ｈ）に示すように、この貫通溝３７内に上述の導電性ペーストをスクリーン印刷して充填し、内部配線２となる内部配線パターン３９を形成して、８０℃で１０分乾燥する。
　【００６５】こうして、内部配線パターン３９を含むパターン用絶縁層成形体３８ｆ及びビアホール導体３を含む絶縁層成形体３１ｆが形成される。
　【００６６】次に、再度、絶縁膜の塗布・乾燥工程を繰り返し、下から２層目の絶縁層成形体を形成する。即ち、図３に示すように、絶縁層１ｅとなる絶縁層成形体３１ｅを塗布・乾燥した後、露光・現像処理により貫通穴３５を形成し、ビアホール導体３となる導体部材３６を印刷充填し、更に、パターン用絶縁層成形体３８ｅを塗布・乾燥した後、露光・現像処理により貫通溝３７を形成し、内部配線２となる内部配線パターン３９の形成を繰り返す。このようにして、上から２層目の絶縁層成形体３１ｂ、パターン用絶縁層成形体３８ｂを形成し、露光・現像処理により貫通穴３５を形成し、ビアホール導体３となる導体部材３６、及び内部配線２となる配線パターン３９を印刷充填する。最上層だけは、絶縁層１ａの膜厚に相当する厚みの絶縁層成形体３１ａのみを形成し、貫通穴３５を形成した後、ビアホール導体３となる導体部材３６を印刷充填して、所定積層数の積層成形体を形成する。
　【００６７】最後に、表面配線４となる導体膜を印刷・乾燥により形成する。これは、各絶縁層成形体３１ａ〜３１ｆ、パターン用絶縁層成形体３８ｂ〜３８ｆ、内部配線２となる配線パターン３９、ビアホール導体３となる導体部材３６の一括焼成時に、表面配線４となる導体膜をも一括的に焼成しようとするものである。
　【００６８】次に、必要に応じて、積層成形体をプレスで形状を整えたり、また、支持基板１５を取り外す。尚、一般に大量生産のために、図３に示すような積層成形体が多数集合した一枚のセラミック基板を作製することが行われているが、この場合には分割溝を形成することも必要となる。
　【００６９】次に、焼成を行う。焼成は、脱バインダー工程と、本焼成工程からなる。脱バインダー工程は、概ね６００℃以下の温度領域であり、絶縁層成形体３１ａ〜３１ｆ、パターン用絶縁層成形体３８ｂ〜３８ｆ及び内部配線パターン３９、導体部材３６に含まれている有機バインダー、光硬化可能なモノマーを消失する過程であり、本焼成工程は、ピーク温度８５０〜１０５０℃、例えば、９００℃３０分ピークの焼成過程である。
　【００７０】これにより６層の絶縁層１ａ〜１ｆ間に内部配線２、ビアホール導体３が形成され、さらに表面配線４が形成された多層セラミック回路基板が達成される。
　【００７１】その後、表面処理として、さらに、厚膜抵抗膜５や厚膜保護膜の印刷・焼きつけ、メッキ処理、さらにＩＣチップを含む電子部品６の接合を行う。
　【００７２】尚、回路基板１０の上面側または下面側のみに表面配線４、厚膜抵抗膜５、電子部品６を形成してもよい。
　【００７３】また、表面配線４は、絶縁層成形体３１ａ〜３１ｆ、３８ｂ〜３８ｆを焼成した焼結体の表面に、印刷・乾燥し、所定雰囲気で焼きつけを行っても構わない。
　【００７４】例えば、内部配線２にＡｇ系導体を用い、表面配線４としてＣｕ系導体を用いる場合、絶縁層成形体３１ａ〜３１ｆ、３８ｂ〜３８ｆと内部配線パターン３９の導体膜からなる積層成形体を、酸化性雰囲気又は中性雰囲気で焼成し、焼成された焼結体の表面に、Ｃｕ系導体の印刷・乾燥を行い、中性雰囲気又は還元性雰囲気・７８０℃（ＡｇとＣｕの共晶点）以下の温度で焼成する。
　【００７５】また、支持基板１５がアルミナセラミック基板を用いた場合には、焼成前に取り外すことなく、多層セラミック回路基板の下部層としてそのまま残存させても構わない。この場合、支持基板１５であるアルミナセラミック基板にビアホール導体や内部配線パターンを予め形成してもよい。
　【００７６】このような製造方法によれば、ビアホール導体３用の貫通穴３５及び内部配線を形成する為の貫通溝３７が、フォトターゲット３３を用いて、露光・現像処理によって作成されるために、フォトターゲット３３のパターンによっては、複数種類の径の貫通穴３５や種々の形状の貫通溝３７を任意に形成することができる。これは、多層セラミック回路基板中にアース導体の内部配線や電源で電圧の内部配線を用いる場合、導電率を考慮して、孔径や形状，厚みを任意に設定できるため極めて有益である。
　【００７７】また、従来の製造方法、即ち、金型やＮＣパンチの打ち抜きや、スリップ材の印刷パターンによる接続では得ることができない径、例えば８０μｍで、さらに相対位置精度の高い貫通穴３５の形成が可能であるため、高密度の内部配線２を有する多層セラミック回路基板が簡単に製造できる。
　【００７８】また、従来のグリーンシート積層方式による製造方法による場合と異なり、絶縁層となるグリーンシートを作成するためのテープ成型工程が不要となり、さらに異なる絶縁層間の内部配線を接続するためのビアホール導体となる貫通穴を金型やＮＣパンチを用いて開ける工程が不要となるため、工数を大幅に削減して安価に多層セラミック回路基板の製造方法を製造することができる。
　【００７９】さらに、内部配線パターン３９の厚みは絶縁層成形体の厚みにより制御できるため、任意の厚みの内部配線を形成することができる。また、内部配線厚みが厚くなったとしても、従来のように導体膜厚が厚くなることによる段差の発生がなく、絶縁層間の密着性を向上することができる。
　【００８０】また、絶縁層となるスリップ材の塗布により絶縁層成形体が形成されるため、絶縁層成形体の表面が、内部配線の導体層成形体の積層状態に係わらず、常に平面状態を維持できるため、絶縁層成形体上に導体膜を非常に精度良く形成することができる。
　【００８１】尚、上述の実施例では、内部配線２として、Ａｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系の低融点金属材料を用いた低温焼成多層セラミック回路基板で説明したが、内部配線２として、タングステン、モリブデンなどの高融点金属材料が用いた、１３００℃前後で焼成される多層セラミック回路基板であっても構わない。この場合、スリップ材のガラス材料の組成を所定成分とし、さらにセラミック材料との混合比率を所定に設定する必要がある。
　【００８２】
　【発明の効果】以上のように、本発明によれば、多層セラミック回路基板の内部配線パターンの厚みを従来より厚くしても、絶縁層間の密着不充分に起因する基板焼成後のデラミネーションを引き起こすことがなくなり、内部配線の膜厚が厚い基板の品質向上を図ることができる。これにより、大電流容量が要求される車載用途等の基板に対しても、内部配線の膜厚が厚い基板を容易に製造することができ、さらに製造方法自体が容易である為、製造コストを安価にできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の製造方法により得られた多層セラミック回路基板の断面図である。
　【図２】本発明の多層セラミック回路基板の製造方法を説明する工程図である。
　【図３】本発明の積層成形体を示す断面図である。
　【符号の説明】
　１ａ〜１ｆ・・・絶縁層
　２・・・内部配線
　３・・・ビアホール導体
　４・・・表面配線
　５・・・厚膜抵抗体膜
　６・・・電子部品
　１０・・・多層セラミック回路基板
　１５・・・支持基板
　３１ａ〜３１ｆ・・・絶縁層成形体
　３３・・・フォトターゲット
　３５・・・貫通穴
　３６・・・導体部材
　３７・・・貫通溝
　３８ｂ〜３８ｆ・・・パターン用絶縁層成形体
　３９・・・内部配線パターン