【事件の表示】
　平成　４年特許願第３２９６７０号「磁気検出装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　６月２４日出願公開、特開平　６−１７４４９０号］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１，手続の経緯・本願発明
  本願は、平成４年１２月９日の出願であって、平成８年１０月４日付け、平成１０年３月６日付け及び平成１１年４月７日付けの各手続補正書により明細書が補正されたので、補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、その特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりの事項により特定されるものである。
「磁性材料を有する被検出対象に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、
　前記被検出対象の運動に応じた前記バイアス磁界により抵抗変化を生じる磁気抵抗素子とを備え、
　前記磁気抵抗素子の抵抗値変化により前記バイアス磁界の状態変化を検出するようにした磁気検出装置において、
　前記バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するように、前記磁気抵抗素子を保持する素子保持部材を配置し、
　かつ、前記バイアス磁石の表面と被検出対象との間において当該バイアス磁石の表面に対し、前記磁気抵抗素子を、近接位置に配置するとともに、前記被検出対象の運動方向と前記バイアス磁石から前記被検出対象に放射されるバイアス磁界の方向とから決定される平面に対して平行な面に形成配置し、前記バイアス磁石から前記被検出対象に放射されるバイアス磁界であって、前記被検出対象の運動方向に対するバイアス磁界の磁気ベクトルの向きを検出するようにしたことを特徴とする磁気検出装置。」
２，引用例の記載事項
  原査定の拒絶理由で引用された特開平３ー１９５９７０号公報（以下「引用例１」という）には、磁気抵抗効果素子の抵抗変化を利用して被検出対象の移動、回転等の運動を検出する磁気検出装置に関し、下記の記載がある。
「第２図に本発明第１実施例を適用した磁気検出装置の断面図を示す。第２図において、…略…。後述するようにＭＲＥを形成した絶縁基板２は、基板ホルダ１１０に接続され、ＭＲＥを形成した面が内プレート１０３に対して垂直になるように固定される。…略…。そして、ＭＲＥにバイアス磁界を印加するための磁石１３０は内プレート１０３に対して着磁方向が垂直（第１図においてＮ、Ｓと図示した様な着磁方向）になるように内プレート１０３に接着される。この時加わる磁界はＭＲＥを形成した面に平行になる。」（４頁右上欄１３行〜同左下欄１８行）
「第１図に本第１実施例における絶縁基板２の上に形成するＭＲＥ１ｅ、１ｆ，１ｇ、１ｈの配置パターンを示す。ＭＲＥ１ｅ、１ｆ，１ｇ、１ｈは、バイアス磁石の発生するバイアス磁界方向Ｂに対して、ＭＲＥ１ｅ、１ｆとＭＲＥ１ｇ，１ｈとが略４５度に互いにその長手方向を反対方向に傾ける配置パターンに形成されている。…略…。また、ＭＲＥを形成した絶縁基板２はバイアス磁石３からのバイアス磁界方向に平行でかつ被検出対象４の運動する方向に対して平行な面に配置されている。　次に、本実施例の作用について説明する。ここで、第３図(a)に示すようにＭＲＥ１を形成した絶縁基板２の面内で飽和磁界Ｂを図示の如く角度θで変化させた時、ＭＲＥ１の抵抗変化は同図(b)のようになる。
　すなわち、第１図において、被検出対象４の山部もしくは谷部がバイアス磁界の中心に位置した時、ＭＲＥ１ｅ、１ｆはその面内でバイアス角度４５度でバイアスされるのに対してＭＲＥ１ｇ，１ｈはバイアス角度１３５度でバイアスされる。この時、第３図(b)から明らかな様に磁界角度４５度の点の抵抗と磁界角度１３５度の点の抵抗は一致する。さらに、磁界角度４５度の点では磁界角度が増大すると抵抗が減少するが、磁界角度１３５度の点では磁界角度が増大すると反対に抵抗は増大する。
  従って第１図に示す様な座標系で磁界角度θをとると、θ＝９０度の時ＭＲＥ１ｅ、１ｆは４５度にバイアスされ、ＭＲＥ１ｇ，１ｈは１３５度にバイアスされることになる。この時、磁界角度θを横軸にとり、ＭＲＥ１ｅ、１ｆ，１ｇ，１ｈの抵抗変化を縦軸にとると第４図に示す様になる。
  ＭＲＥと被検出対象との間のエアギャップが大の時、第４図(a)に示すように、被検出対象の運動によって磁界角度が変化するとクロス点Ｅを中心にＭＲＥ１ｅ、１ｆとＭＲＥ１ｇ，１ｈの抵抗がそれぞれ増減する。…略…。
  一方、磁界角度θの変化が大きくなるエアギャップ小の時も全く同様にＭＲＥ１ｅ、１ｆ、１ｇ，１ｈは第４図(b)の様に抵抗変化する。第１０図(b)に示す如く従来のものではエアギャップ小の時に磁界角度の変化が大きくなり、ふたつのクロス点を使用してしまうことになって誤動作を生じていたのに対し、本実施例では第３図(b)あるいは第４図(a),(b)より明らかな様に、もうひとつのクロス点まで到達するには磁界角度の変化が±９０度以上ないと起こり得ない。通常ＭＲＥにバイアスするための磁石を有し被検出対象の運動を検出する磁気検出装置では前述した磁界角度の変化は、ギヤのピッチ、エアギャップ長にもよるが、大きくても大体±２０度程度であり、従って本実施例による磁気検出装置では従来のものにおいて問題となったエアギャップ小の時に生じる誤検出は防止される。」（４頁右下欄４行〜５頁左下欄８行） 
  また、引用例１に記載のＭＲＥ１ｅ，１ｆ、１ｇ、１ｈは、バイアス磁石からのバイアス磁界を検出するものであるから、バイアス磁石に近接して設けられていることは明らかであり、第１図に示す様な座標系で磁界角度θをθ＝９０度の時ＭＲＥ１ｅ、１ｆは４５度バイアスされ、ＭＲＥ１ｇ，１ｈは１３５度にバイアスされていることから、ＭＲＥ１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈは被検出対象の運動方向に対するバイアス磁界の磁気ベクトルの向きを検出していることもまた明らかなことである。
  同じく原査定の拒絶理由で引用された特開昭５４−１３８４５７号公報（以下「引用例２」という）には、下記の記載がある。
「第７図に本発明の一実施例における構成を示す。２は回転円板、２ａは回転円板２に設けた磁性体製の突起であり、３は位置検出部１０を装着する被取付部、５は前述した内側が中空の永久磁石、１１はソニー株式会社製品番ＤＭ１０１Ａよりなる磁気抵抗素子であり、１２は増幅回路としての増幅スイッチング回路である。１３は接着剤でアラルダイト（商品名）よりなる。そして、検出器１０のアルミニューム、銅等の非磁性体よりなる円筒状ハウジング１０ａの内部に増幅スイッチング回路１２が内蔵しており、ハウジング１０ａ内の開口端側に永久磁石５が内蔵され、この永久磁石５の外側端には非磁性体製のリング状保護部材１５が設けてある。また、磁気抵抗素子１１は永久磁石５の中心線上の磁束零の付近であるリング状保護部材１５の中心に配設され、これら磁気抵抗素子１１、永久磁石５およびリング状保護部材１５は、このリング状保護部材１５およびハウジング１０ａ内に充填した接着剤１３によりハウジング１０ａに固着保持される。検出器１０はそのハウジング１０ａの外周に形成したねじ１０ｃにより被取付部３に螺着され、ねじ１０ｃ螺合したロックナット１４によりロックする。」（３頁左上欄２０行〜同左下欄２行）
３，対比
   そこで、本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１に記載の「被検出対象４」、「バイアス磁石３」、「ＭＲＥ１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈ」、「基板ホルダ１１０」、「ＭＲＥを形成した絶縁基板２はバイアス磁石からのバイアス磁界方向に平行でかつ被検出対象４の運動する方向に対して平行な面に配置されている。」は、本願発明のそれぞれ「被検出対象」、「バイアス磁石」、「磁気抵抗素子」、「素子保持部材」、「磁気抵抗素子を、前記被検出対象の運動方向と前記バイアス磁石から前記被検出対象に放射されるバイアス磁界の方向とから決定される平面に対して平行な面に形成配置し、」に相当するので、
　本願発明は引用例１に記載された発明と下記の「一致点」で一致し、下記の「相違点」で相違する。
　一致点
磁性材料を有する被検出対象に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、
　前記被検出対象の連動に応じた前記バイアス磁界により抵抗変化を生じる磁気抵抗素子とを備え、
　前記磁気抵抗素子の抵抗値変化により前記バイアス磁界の状態変化を検出するようにした磁気検出装置において、
　前記バイアス磁石の表面と被検出対象との間において当該バイアス磁石の表面に対し、前記磁気抵抗素子を、近接位置に配置するとともに、前記被検出対象の運動方向と前記バイアス磁石から前記被検出対象に放射されるバイアス磁界の方向とから決定される平面に対して平行な面に形成配置し、前記バイアス磁石から前記被検出対象に放射されるバイアス磁界であって、前記被検出対象の運動方向に対するバイアス磁界の磁気ベクトルの向きを検出するようにした磁気検出装置である点。
　相違点
　本願発明では、前記バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するように、前記磁気抵抗素子を保持する素子保持部材を配置しているのに対し、引用例１に記載のものはそのようになっていない点。
４，相違点の判断
  上記相違点について検討すると、バイアス磁石を中空形状とすることは引用例２に「中空の永久磁石５」として記載されており、バイアス磁石を中空形状とすることは、引用例１に記載されたバイアス磁石として引用例２に記載された「中空のバイアス磁石」を適用することにより当業者が容易に想到しうる程度のことにすぎない。
　そして、引用例１に記載のものは素子保持部材として、永久磁石の外周端に設けたリング状保護部材を用い、永久磁石の中空部を貫通するようにしたものではないが、素子保持部材をバイアス磁石の中空部を貫通するように設けるか、バイアス磁石の外周端に設けるかは当業者が適宜選択しうる設計的事項にすぎない。
　さらに、本願発明の効果は、引用例１及び引用例２から当業者であれば予測できる程度のものである。
５，むすび
  したがって、本件出願の請求項１に係る発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。