【事件の表示】
　特願２００６−　４３２８１「貼り合わせ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月　６日出願公開、特開２００７−２２７４１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１８年２月２１日に特許出願され、平成２４年１１月２日付けの最後の拒絶理由通知に対して、同年１２月２７日に意見書が提出されたが、平成２５年２月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出された。
　その後当審において、同年７月２４日付けで審尋がなされ、同年９月５日に回答書が提出され、同年１０月２日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２　当審の拒絶理由
　当審において平成２５年１０月２日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願の請求項１〜５に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である、「国際公開２００４／０７５２８７号」（以下「引用例１」という。）、「特開２００４−５５７５２号公報」（以下「引用例２」という。）及び「特開２０００−３６４４５号公報」（以下「引用例３」という。）に記載された発明、並びに周知の技術事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというもの、さらに、本願は、発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないというもの、並びに、本願は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないというものである。 
　
３　本願発明
　本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２５年１２月２日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　貼り合わせ基板の製造方法であって、少なくとも、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第１の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化して前記酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする工程と、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第２の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程と、前記第２の基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程と、前記第１の基板および第２の基板の平坦化した酸化膜が形成されている表面同士を貼り合わせた後、前記第２の基板を前記イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得る工程と、該貼り合わせ基板を９００℃以上で熱処理して前記第１の基板表面に形成した酸化膜を外方拡散して前記貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする工程とを有し、
　前記第１の基板および第２の基板の貼り合わせにおいて、前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の貼り合わせ表面にプラズマ処理もしくはオゾン処理を施してから、貼り合せを行い、
　前記イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行うことを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。」
　
４　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１の記載
　引用例１には、「SEMICONDUCTOR STRUCTURE ON AN EXTREMELY ROUGH SUBSTRATE」（Title）に関して、FIG.1〜FIG.7とともに、以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。
　
（ａ）「Domaine technique et art anterieur
　
　L'invention concerne le domaine des substrats ou des structures pour la realisation des composants electroniques, 
ainsi que les procedes de realisation de tels substrats ou structures
　Elle concerne egalement les techniques d'assemblage de couches ou de substrats sur des couches rugueuses ou des substrats rugueux.
　Elle s'applique aux structures semi-conductrices, 
et en particulier a celles de type SOI
　
 （「技術分野
　
　本発明は電子コンポーネントを製造するための基板又は構造に関し、
その基板又は構造の製造方法に関する
　また、粗れた層又は基板上に、層又は基板を組み合わせるための技術に関する。
　本発明は、半導体構造、
特に、ＳＯＩ構造に適用できるものである
　
（ｂ）「Selon un autre aspect de l'invention, les techniques connues d'assemblage de materiaux ne permettent pas de faire adherer directement ensemble des substrats ou des couches presentant une rugosite superieure a une certaine valeur limite, de l'ordre de 0,5 nm RMS, ou difficilement polissable, ou presentant une chimie ne permettant pas un collage par adhesion moleculaire.
  Or le besoin se fait parfois sentir, de lier entre eux des materiaux ayant chacun une rugosite superieure a cette valeur limite, ou dont l'un au moins est difficilement polissable, ou presente une chimie ne permettant pas un collage par adhesion moleculaire, ou de lier un tel materiau avec une couche ou un substrat de materiau pouvant deja etre lui-meme compatible avec une liaison directe ou par adhesion moleculaire.」（明細書第２ページ第７〜１９行）
　
（「本発明の他の１つの側面において、材料を組み合わせるための既知の技術は、０．５ｎｍ　ＲＭＳのオーダーのある制限値よりも大きい粗さを有していたり、研磨困難であったり、分子結合による結合を導くことのない化学性質を持っていたりする基板又は層の結合を許容しない。
　したがって、上述の制限値を超える粗さを持っていたり、少なくとも一方が研磨困難であったり、分子結合による結合を招来しない化学的性質を持っていたりする材料同士を結合させる、又はそのような材料を直接的な結合又は分子結合にそれ自体が適合しうる層又は基板と結合させる要求が存在する場合がある。」）
　
（ｃ−１）「Description detaillee de modes de realisation de l'invention
　
　Un premier exemple d'une structure selon l'invention est donnee en figure 2.
　Sur cette figure, la reference 10 designe un substrat (de preference en un materiau isolant electrique), la reference 14 une couche ou un substrat en un materiau choisi parmi les materiaux semi-conducteurs, par exemple le silicium ou le Germanium (Ge) ou l'Arseniure de Gallium (AsGa) ou le silicium-germanium (SiGe), ou les composants semiconducteurs III - V ou encore II - VI, et la reference 12 une couche d'adherence, situee entre le substrat 10 et la couche ou le substrat 14. 
…（略）…
　
Le diamant, ou le nitrure d'aluminium (AlN) sont des exemples de materiaux pouvant etre utilises pour le substrat 10 : ils ont des rugosites bien au-dela de la valeur de 0,5 nm RMS : la rugosite du diamant est comprise entre 30 nm RMS et 100 nm RMS, celle du nitrure d'aluminium est de l'ordre de 1 nm RMS, ou comprise entre 0,5 nm RMS et 10 nm RMS.
…（略）…
　
La couche 12 est appelee couche d'adherence, et possede, apres traitement mecano-chimique, ou polissage, une rugosite inferieure a 5 nm RMS. Elle permet de faire adherer le materiau du substrat 10 avec la couche ou le substrat 14 en materiau semi-conducteur. Celui-ci est de preference relie a la couche d'adherence 12 par adhesion moleculaire.
　
Selon un exemple, la couche 12 est en dioxyde de silicium.
（「発明を実施するための最良の形態
　
　図２は、本発明に基づいた構造の第一実施例を示している。
　この図において、参照符号１０は基板（好ましくは電気的絶縁材料によって形成されている）を表しており、参照符号１４は例えばシリコン、ゲルマニウム（Ｇｅ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＩＩＩ−Ｖ属半導体、又はＩＩ−ＶＩ属半導体といった半導体から選択された材料によって形成されている層又は基板を表しており、参照符号１２は基板１０と層又は基板１４との間に位置する結合層を表している。
…（略）…
　
ダイヤモンド又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、基板１０に使用できる材料の例であり、それらの粗さは０．５ｎｍ　ＲＭＳの値を大幅に超える。ダイヤモンドの粗さは３０ｎｍ　ＲＭＳから１００ｎｍ　ＲＭＳの範囲であり、窒化アルミニウムの粗さは１ｎｍ　ＲＭＳのオーダーか、０．５ｎｍ　ＲＭＳから１０ｎｍ　ＲＭＳの範囲である。
…（略）…
　
層１２は、結合層と名付けることとし、機械的及び化学的処理ないし研磨の後に、５ｎｍ　ＲＭＳ未満の粗さを持つ。このことは、基板１０の材料が、半導体材料によって形成された層又は基板１４に結合することを可能にする。基板１４は分子結合によって結合層１２と良好に結合する。
　
一つの例において、層１２は二酸化シリコンによって形成されている。
　
（ｃ−２）「Un autre mode de realisation est illustre sur la figure 3, ou des references identiques a celles de la figure 2 y designent des elements identiques ou correspondants. Dans la structure illustree sur cette figure, est en outre incluse une couche 16, intermediaire entre la couche d'adherence et le substrat 10. Le coefficient de conductivite thermique de cette couche intermediaire est compris entre celui de la couche d'adherence et celui du substrat ou est superieur a celui du substrat.
  Par exemple, pour une couche d'adherence en dioxyde de silicium (SiO 2 ), de coefficient de conductivite thermique 0,01 W/cm/K, et pour un substrat en diamant de conductivite thermique 20 W/cm/K, une couche intermediaire en nitrure de silicium (Si3 N 4 ) conviendra, ce materiau ayant un coefficient de conductivite thermique de 0,3 W/cm/K.」（明細書第７ページ第２６行〜第８ページ第２行）
（「さらなる実施形態を図３に示す。図２のものと同一又は対応する要素を表す場合には参照符号を同一としている。この図に示す構造は、結合層と基板１０との間にさらなる層１６を含んでいる。この中間層の熱伝導率は、結合層の熱伝導率から基板の熱伝導率までの囲にあるか、基板の熱伝導率よりも高い。
　一例として、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）によって形成された結合層は０．０１Ｗ／ｃｍ／Ｋの熱伝導率を持ち、ダイヤモンド基板は２０Ｗ／ｃｍ／Ｋの熱伝導率を持つので、０．３Ｗ／ｃｍ／Ｋの熱伝導率を持っている材料である窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）からなる中間層は要件を満たす。」）
　
（ｃ−３）「La figure 4A represente une structure semblable a celle de la figure 3, les rugosites de la surface superieure du substrat 30 etant cependant amplifiees ou exagerees.
　
La couche 22 d'adherence a ete polie, jusqu'a affleurer les pics superieurs 32, 36 de la surface du substrat 30.
…（略）…
　Typiquement, 
la couche d'adherence 12,22 a, apres polissage, une epaisseur comprise entre par exemple 5 nm et 50 nm
（「図４Ａは図３と同様の構造であるが、基板３０の上面における粗さを誇張して示している。
　
結合層２２は、基板３０の表面の上部ピーク３２,３６を薄く覆うように研磨されている。
…（略）…
　一般に、
研磨の後、結合層１２，２２の厚さは、例えば、５ｎｍから５０ｎｍの範囲にあり
　
（ｃ−４）「Un procede de realisation d'un composant selon l'invention va etre decrit en liaison avec les figures 5A a 5D.
　La figure 5A represente un substrat 10 dont la rugosite est fortement exageree. Un tel substrat n'a pas subi de traitement de polissage, ou ne peut etre poli, et possede une rugosite ou une micro-rugosite de surface superieure a la valeur limite acceptee par le collage par adhesion moleculaire, par exemple une rugosite ou une micro-rugosite de surface comprise entre 5 nm RMS (ou 20 ou 30 nm RMS) et 100 nm RMS.
…（略）… 
　
Il est ensuite procede a la formation d'une couche d'adherence, par exemple une couche en dioxyde de silicium SiO
2
afin d'avoir une couche plate apres polissage
　Par exemple, cette couche aura initialement une valeur comprise entre 0,5 et 1 μm, ou encore entre 0,5 et 10 μm.
　Cette couche d'adherence subit ensuite un traitement de polissage, par exemple, par polissage mecano-chimique. Certains procedes, tels que le procede STI (decrit par exemple dans l'article de C.P. Chang et al.  A highly Manufacturable Corner Rounding Solution for 0, 18 μm Shallow Trench Isolation , IEDM 97 - p.661), presentent une selectivite importante entre le nitrure 26 et la couche d'oxyde 22. Une telle selectivite permet d'aplanir la couche 22 jusqu'a ce que la couche 26 soit atteinte, cette derniere servant alors de couche d'arret au procede d'aplanissement.
　Une couche ou un substrat en silicium 24 peut ensuite etre fixee ou collee sur la couche 22 par adhesion moleculaire, selon des techniques connues, par exemple decrites dans l'ouvrage de Tong et Gosele deja cite ci-dessus.  
　Il est possible de realiser l'adhesion d'un substrat en silicium puis de realiser une couche mince par amincissement et polissage de ce substrat, ou encore d'utiliser la technique dite  SMART CUT , par exemple decrite dans l'article de AJ. Auberton - Herve et al.  Why can Smart- Cut change the future of microelectronics? paru dans Journal of High- Speed Electronics and Systems, Vol.10, No1 (2002), p.131 - 146.
…（略）… 
　On obtient donc une structure telle que celle de la figure 5D, similaire a la figure 4A. 」（明細書第９ページ第６行〜第１０ページ第１４行）
（「図５Ａから５Ｄを参照しつつ、本発明のコンポーネントを製造する方法を以下に述べる。
　図５Ａは基板１０を示している。その粗さを相当誇張して示している。このような基板は研磨していなかったり、研磨不可能だったりするものであるとともに、分子結合によって結合するための許容限界よりも大きい表面粗さ又はマイクロラフネス、例えば５ｎｍ　ＲＭＳ（又は２０あるいは３０ｎｍ　ＲＭＳ）から１００ｎｍ　ＲＭＳの範囲の表面粗さ又はマイクロラフネスを有している。
…（略）…
　
続いて、例えば二酸化シリコンＳｉＯ
２
の層によって結合層を形成する
研磨後に平坦な層を得るために、
　一例としては、その層を最初に、０．５から１μｍ、あるいは０．５から１０μｍの範囲の厚さとしておく。
　
次に、例えば機械的及び化学的研磨によって結合層の研磨を行なう。
　続いて、例えば前述したTong及びGoseleが述べている既知の技術を用い、シリコン層又は基板２４を分子結合によって層２２に付着又は結合させる。
　また、基板の減厚及び研磨により薄い層を形成するために、シリコン基板を結合することが可能であり、例えば、the Journal of High-Speed Electronics and Systems, vol.10, No1 (2002), p.131-146）で、A.J. Auberton - Herveらによる論文（“Why can Smart Cut change the future of microelectronics?”に述べられている“スマートカット”技術を採用することができる。
…（略）…
　このようにして、図４Ａと同様の構造である、図５Ｄに示すような構造を得る。」）
　
（ｃ−５）「
Un autre exemple de mode de realisation
est illustre en figure 6
　
Il concerne la liaison entre un substrat 40 ou une couche 40 de forte rugosite (superieure a 0,4 nm RMS ou 0,5 nm RMS, par exemple comprise entre 1 nm RMS et 100 nm RMS), ou difficilement polissable ou ayant une chimie difficilement compatible avec un collage par adhesion moleculaire, et un substrat 50 ou une couche 50 ayant les memes proprietes. Par exemple, le substrat 40 est en diamant tandis que le substrat 50 est en diamant ou en AlN (nitrure d'aluminium).
　
Sur chaque substrat, une couche d'adherence 42, 52 est formee, comme deja explique ci-dessus, directement ou avec une couche intermediaire, egalement comme deja explique ci-dessus. Chacune de ces couches d'adherence est par exemple en dioxyde de silicium. Il est ensuite possible d'etablir une liaison par adherence moleculaire entre ces deux couches d'adherence
　Ce procede est notamment interessant dans le cas ou au moins l'un des deux materiaux est difficilement polissable et est chimiquement inerte, au sens deja indique ci-dessus.  
　
Tout ce qui a ete explique ci-dessus reste donc valable, en remplacant la couche de silicium ou de materiau semi-conducteur par un ensemble substrat rugueux - couche d'adherenc
（「本発明の
さらなる実施例を図６に示す
　
図６の実施例は、高い粗さ（０．４ｎｍ　ＲＭＳ又は０．５ｎｍ　ＲＭＳより大きく、例えば１ｎｍ　ＲＭＳから１００ｎｍ　ＲＭＳの範囲）を有していたり、研磨困難であったり、分子結合による結合に不適合な化学的性質を持っていたりする基板４０又は層４０、同様の性質を有している基板５０又は層５０に結合することに関連している。一例では、基板４０をダイヤモンドによって形成し、もう一方の基板５０をダイヤモンド又はＡｌＮ（窒化アルミニウム）によって形成する
　
結合層４２，５２は、先に説明した通り、直接又は中間層を介して各基板上に形成する。各結合層は、例えば二酸化シリコンによって形成する。そして２つの結合層間の分子結合による結合を確立させる
　先にある程度示唆しているように、この方法は、２つの材料のうち少なくとも一方が研磨困難及び化学的に不活性である場合に好都合である。
　
シリコン又は半導体材料の層が粗い基板−結合層アセンブリに置き換わるのであれば、前述の説明を適用できる余地がある
　
（ｄ）「REVENDICATIONS 
…（略）…
13. 
Structure comportant deux substrats ou couches (40, 50, 60)
14. Structure selon la revendication 13, le premier substrat ou la premiere couche etant en diamant ou en nitrure d'aluminium. 
15. Structure selon la revendication 13 ou 14, la couche d'adherence etant en dioxyde de silicium ou en nitrure de silicium ou en oxyde de hafnium, ou en oxyde de zirconium, ou en alumine, ou en oxyde d'ytrium.
16. Structure selon l'une des revendications 13 a 15, le deuxieme substrat (50) ou la deuxieme couche presentant une rugosite superieure a 0,5 nm RMS, ou ayant une chimie incompatible avec un collage par adhesion moleculaire.
…（略）…
24. 
Procede pour lier
entre eux deux substrats (40, 50) ou couches
ce procede comportant :
  
-  former une couche (42, 52), dite couche d'adherence, directement sur chaque substrat, ou sur chaque couche a assembler,
  
-  realiser un collage par adhesion moleculaire, entre ces couches d'adherence
25. Procede selon l'une des revendications 23 ou 24, le materiau de chacun des substrats, ou couches, a rugosite superieure a 0,5 nm RMS etant choisi parmi le diamant et le nitrure d'aluminium. 」
　
（「特許請求の範囲
…（略）…
【請求項１３】
　
２つの基板又は層（４０，５０，６０）を含む構造であって、
　第一基板（４０）又は第一層は、０．５ｎｍ　ｒｍｓより大きい粗さ又は分子結合に不適合な化学的性質、及び１Ｗ／ｃｍ／Ｋより大きい熱伝導率を有し、
　前記第一基板（４０）又は第一層と、第二基板（５０，６０）又は第二層との間に位置する、結合層と名付ける層（４２，５２）を含む構造。
【請求項１４】
　前記第一基板又は第一層がダイヤモンド又は窒化アルミニウムによって形成されている請求項１３記載の構造。
【請求項１５】
　前記結合層が二酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、アルミナ又は酸化イットリウムによって形成されている請求項１３又は請求項１４記載の構造。
【請求項１６】
　前記第二基板（５０）又は第二層が、０．５ｎｍ　ｒｍｓより大きい粗さ又は分子結合に不適合な化学的性質を有する請求項１３ないし請求項１５のいずれか１項に記載の構造。
…（略）…
【請求項２４】
　０．５ｎｍ　ＲＭＳより大きい粗さを有する、又は分子結合に不適合な化学的性質を有する
２つの基板（４０，５０）又は層を結合する
方法であって、
　
結合層と名付ける層（４２，５２）を、組み合わせるべき各基板上又は各層上に直接形成する工程と、
　
前記結合層同士を分子結合によって結合する工程と、
　
を含む方法
【請求項２５】
　０．５ｎｍ　ＲＭＳより大きい粗さを有する各基板又は各層の材料を、ダイヤモンド又は窒化アルミニウムから選択する請求項２３又は請求項２４記載の方法。」）
　
（２）引用発明
ア　引用例１の上記摘記事項（ｃ−５）には、「図６の実施例」において、「基板４０又は層４０」及び「基板５０又は層５０」は、「高い粗さ（０．４ｎｍ　ＲＭＳ又は０．５ｎｍ　ＲＭＳより大きく、例えば１ｎｍ　ＲＭＳから１００ｎｍ　ＲＭＳの範囲）を有していたり、研磨困難であったり、分子結合による結合に不適合な化学的性質を持っていたりする」旨、及び、「一例では、基板４０をダイヤモンドによって形成し、もう一方の基板５０をダイヤモンド又はＡｌＮ（窒化アルミニウム）によって形成する」の旨記載されている。
　
　また、当該摘記事項（ｃ−５）には、「図６の実施例」について、「結合層４２，５２は、
先に説明した通り
２つの結合層間の分子結合による結合を確立させる
前述の説明を適用できる
　
イ　さらに、引用例１には、「結合層」の形成について、上記摘記事項（ｃ−１）には、図２に示される「第一実施例」について、「ダイヤモンド又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、基板１０に使用できる材料の例であり、それらの粗さは０．５ｎｍ　ＲＭＳの値を大幅に超える。ダイヤモンドの粗さは３０ｎｍ　ＲＭＳから１００ｎｍ　ＲＭＳの範囲であり、窒化アルミニウムの粗さは１ｎｍ　ＲＭＳのオーダーか、０．５ｎｍ　ＲＭＳから１０ｎｍ　ＲＭＳの範囲である。」、「層１２は、結合層と名付けることとし、機械的及び化学的処理ないし研磨の後に、５ｎｍ　ＲＭＳ未満の粗さを持つ。このことは、基板１０の材料が、半導体材料によって形成された層又は基板１４に結合することを可能にする。基板１４は分子結合によって結合層１２と良好に結合する。一つの例において、層１２は二酸化シリコンによって形成されている。」と記載されており、上記摘記事項（ｃ−３）には、図４Ａについて、「結合層２２は、基板３０の表面の上部ピーク３２,３６を薄く覆うように研磨されている。」と記載されており、上記摘記事項（ｃ−４）には、図５Ａ〜５Ｄについて、「続いて、例えば二酸化シリコンＳｉＯ２の層によって結合層を形成する。研磨後に平坦な層を得るために、…（略）…次に、例えば機械的及び化学的研磨によって結合層の研磨を行なう。」と記載されている。
　
ウ　上記のように、引用例１に記載の「図６の実施例」は、「２つの結合層間の分子結合による結合を確立させる」ものであり、上記摘記事項（ｂ）も参照すると、「分子結合による結合を確立させる」ためには、「大きい粗さを有する基板」上に形成した「結合層」は、研磨を行い粗さを小さくする必要があることは当業者であれば当然察知し得たことである。また、「基板４０」は、「高い粗さ（０．４ｎｍ　ＲＭＳ又は０．５ｎｍ　ＲＭＳより大きく、例えば１ｎｍ　ＲＭＳから１００ｎｍ　ＲＭＳの範囲）を有していたり、研磨困難であったり、分子結合による結合に不適合な化学的性質を持っていたりする基板４０であって、一例では、ダイヤモンドによって形成された基板４０」であり、かつ、上記摘記事項（ｃ−１）、（ｃ−３）及び（ｃ−４）に記載の基板１０、３０に対応する基板である。
　したがって、引用例１に記載の「図６の実施例」においても、上記摘記事項（ｃ−１）、（ｃ−３）及び（ｃ−４）に記載の基板１０、３０のように、「基板４０」上に「結合層４２」を形成後、研磨を行い粗さを小さくして平坦化することが実質的に開示されている。
　よって、引用例１には、「基板４０」に「結合層４２」を直接形成した後、研磨を行って平坦化すること、及び、「基板５０」に「結合層５２」を直接形成することが開示されているといえる。
　
エ　そうすると、図２〜図６を参酌してまとめると、引用例１には、「図６」に示される「さらなる実施例」として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「２つの基板４０と基板５０を含み、該２つの基板４０と基板５０が結合する構造の製造方法であって、
　高い粗さ（０．４ｎｍ　ＲＭＳ又は０．５ｎｍ　ＲＭＳより大きく、例えば１ｎｍ　ＲＭＳから１００ｎｍ　ＲＭＳの範囲）を有していたり、研磨困難であったり、分子結合による結合に不適合な化学的性質を持っていたりする基板４０であって、一例では、ダイヤモンドによって形成された基板４０上に二酸化シリコンによって結合層４２を直接形成した後、結合層４２の研磨を行って平坦化する工程と、基板４０と同様の性質を有している基板５０であって、一例では、ダイヤモンド又はＡｌＮによって形成された基板５０上に二酸化シリコンによって結合層５２を直接形成する工程と、２つの結合層４２と結合層５２同士を分子結合によって結合する工程と、
　を含む方法。」
　
５　対比
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「２つの基板４０と基板５０を含み、該２つの基板４０と基板５０が結合する構造」は、本願発明の「貼り合わせ基板」に相当する。
　
（イ）引用発明の「一例では、ダイヤモンドによって形成された基板４０」及び「一例では、ダイヤモンド又はＡｌＮによって形成された基板５０」は、それぞれ、「ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第１の基板」及び「ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第２の基板」に相当し、引用発明の「『二酸化シリコン』によって形成した『結合層４２』」と「『二酸化シリコン』によって形成した『結合層５２』」は、いずれも本願発明の「酸化膜」に相当する。
　
　また、引用発明において、「結合層４２」と「結合層５２」は、それぞれ「基板４０」と「基板５０」上に「直接形成」する層であるから、それぞれ「基板４０表面」と「基板５０表面」に形成する層であるといえ、かつ、引用発明は、「結合層４２の研磨を行って平坦化する工程」を含むから、引用発明の「一例では、ダイヤモンドによって形成された基板４０上に二酸化シリコンによって結合層４２を直接形成した後、結合層４２の研磨を行って平坦化する工程」は、本願発明の「ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第１の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程」に相当し、引用発明の「一例では、ダイヤモンド又はＡｌＮによって形成された基板５０上に二酸化シリコンによって結合層５２を直接形成する工程」は、本願発明の「ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第２の基板表面に酸化膜を形成する工程」に相当する。
　
（ウ）引用発明の「２つの結合層４２と結合層５２同士を分子結合によって結合する工程」は、「分子結合によって結合する」工程であるから、結合層４２の表面と結合層５２の表面同士を貼り合わせる工程である。さらに、引用発明は、「基板４０上」に「結合層４２を直接形成した後、結合層４２の研磨を行って平坦化する工程」と、「基板５０上」に「結合層５２を直接形成する工程」を含むから、したがって、引用発明の「２つの結合層４２と結合層５２同士を分子結合によって結合する工程」は、「『基板４０』の『平坦化した結合層４２が形成されている表面』と『基板５０』の『結合層５２が形成されている表面』『同士を貼り合わせる』工程」であるといえる。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「『前記第１の基板』の『平坦化した酸化膜が形成されている表面』および『第２の基板』の『酸化膜が形成されている表面』『同士を貼り合わせ』、『貼り合わせ基板を得る工程』」を有する点で一致する。
　
イ　したがって、上記（ア）〜（ウ）を整理すると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「貼り合わせ基板の製造方法であって、少なくとも、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第１の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程と、ヤング率で１５０ＧＰａ以上の硬度を有する第２の基板表面に酸化膜を形成する工程と、前記第１の基板の平坦化した酸化膜が形成されている表面および第２の基板の酸化膜が形成されている表面同士を貼り合わせ、貼り合わせ基板を得る工程と、を有する貼り合わせ基板の製造方法。」
　
＜相違点１＞
　第１の基板表面に形成した「該酸化膜を平坦化する工程」について、本願発明では、「該酸化膜を平坦化して前記酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする工程」であるのに対し、引用発明では、「結合層４２の研磨を行って平坦化する工程」で「結合層４２」（酸化膜）の厚さをどの程度の厚さとするかは特定されていない点。
　
＜相違点２＞
　本願発明では、「第２の基板表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を平坦化する工程」を有するのに対し、引用発明では、「基板５０上に二酸化シリコンによって結合層５２を直接形成し」た後、該結合層５２を平坦化する工程を有することは記載されていない点。
　そのため、「貼り合わせ基板を得る工程」における「貼り合わせ」において、本願発明は、「前記第１の基板および第２の基板の平坦化した酸化膜が形成されている表面同士を貼り合わせ」るのに対し、引用発明では、「２つの結合層４２と結合層５２同士を分子結合によって結合する工程」において、「基板５０（第２の基板）」の「表面」に直接形成されている「結合層５２（酸化膜）」が「平坦化」した酸化膜であることは特定されていない点。
　
＜相違点３＞
　本願発明は、「前記第２の基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程」と、「『前記第１の基板および第２の基板』の『酸化膜が形成されている表面同士を貼り合わせた後、前記第２の基板を前記イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得る』工程」とを有し、「前記イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行う」のに対し、引用発明は、「基板５０（前記第２の基板）表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程」を有すること及び「２つの結合層４２と結合層５２同士を分子結合によって結合する工程（貼り合わせ）後、基板５０（前記第２の基板）を前記イオン注入層で剥離」することは特定されていない点（以下「相違点３−１」という。）、並びに「前記イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行う」ことは特定されていない点（以下「相違点３−２」という。）。
　
＜相違点４＞
　本願発明は、「該貼り合わせ基板を９００℃以上で熱処理して前記第１の基板表面に形成した酸化膜を外方拡散して前記貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする工程」を有するのに対し、引用発明は、そのような工程を有することは特定されていない点。
　
＜相違点５＞
　本願発明は、「前記第１の基板および第２の基板の貼り合わせ」において、本願発明は、「前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の貼り合わせ表面にプラズマ処理もしくはオゾン処理を施してから、貼り合せを行」うのに対し、引用発明では、「２つの結合層４２と結合層５２同士を分子結合によって結合する工程（貼り合わせ）」における基板表面の前処理について特定されていない点。
　
６　当審の判断
　以下、上記相違点１〜相違点５について検討する。
（１）相違点１について
　上記「４　引用例の記載と引用発明」の「（１）引用例１の記載」の摘記事項（ｃ−４）には、「図５Ａは基板１０を示している。その粗さを相当誇張して示している。このような基板は研磨していなかったり、研磨不可能だったりするものであるとともに、分子結合によって結合するための許容限界よりも大きい表面粗さ又はマイクロラフネス、例えば５ｎｍ　ＲＭＳ（又は２０あるいは３０ｎｍ　ＲＭＳ）から１００ｎｍ　ＲＭＳの範囲の表面粗さ又はマイクロラフネスを有している。
…（略）…　
続いて、例えば二酸化シリコンＳｉＯ
２
の層によって結合層を形成する。研磨後に平坦な層を得るために、
　
　そして、当該「上限値」である「所定の厚さ」をどのような数値とするかは、当業者が適宜選択しうる設計的事項であり、その「所定の厚さ」を「６０ｎｍ」とすることも、上記「（１）引用例１の記載」の摘記事項（ｃ−３）には、「
研磨の後、結合層１２，２２の厚さは、例えば、５ｎｍから５０ｎｍの範囲
　
　一方、本願の明細書及び図面を精査しても、「該酸化膜を平坦化して前記酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする工程」において「前記酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下」としたことにより格別の効果が生じているとは認められないから、「前記酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下」という数値範囲に臨界的意義は認められない。
　
　したがって、引用発明において、「結合層４２の研磨を行って平坦化する工程」で「結合層４２」の厚さを、本願発明のように、「該酸化膜を平坦化して前記酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする」ことは当業者が適宜なし得たことである。
　
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点２について
　上記「（１）引用例１の記載」の摘記事項（ｃ−５）には、「図６の実施例」について、上記のように、「シリコン又は半導体材料の層が粗い基板−結合層アセンブリに置き換わるのであれば、
前述の説明を適用できる
　一方、当該「前述の説明」の該当箇所として、上記「（１）引用例１の記載」の摘記事項（ｃ−１）に、図２に示され、「結合層１２」が基板１０上に直接形成され、「シリコン又は半導体材料の層又は基板１４」が「結合層１２」に結合された「第一実施例」、上記摘記事項（ｃ−２）に、図３に示され、「結合層１２」が基板１０上に中間層１６を介して形成され、「シリコン又は半導体材料の層又は基板１４」が「結合層１２」に結合された「さらなる実施形態」、上記摘記事項（ｃ−３）に、図４Ａに示され、「結合層２２」が基板３０上に中間層２６を介して形成され、「シリコン又は半導体材料の層又は基板２４」が「結合層２２」に結合された「図３と同様の構造」、上記摘記事項（ｃ−４）に、図５Ａ〜５Ｄに示され、「結合層２２」が基板１０上に中間層２６を介して形成され、「シリコン又は半導体材料の層又は基板２４」が「結合層２２」に結合された「本発明のコンポーネントを製造する方法」が記載されている。
　したがって、上記摘記事項（ｃ−５）の上記記載は、図２に示され、「結合層１２」が基板１０上に直接形成された第一実施例における説明を適用できる旨を示唆しているといえる。
　
　一方、上記摘記事項（ｃ−１）には、「結合層１２」が基板１０上に直接形成された第一実施例において、「結合層１２」を研磨し、「基板１４は分子結合によって結合層１２と良好に結合する」ことが説明されている。
　
　してみると、図２に示された第一実施例において、「粗い基板１０」上に直接形成された「結合層１２を研磨」し、「半導体材料によって形成された層又は基板１４は分子結合によって結合層１２と良好に結合する」ものとしたように、「『シリコン又は半導体材料の層又は基板１４』を『粗い基板５０−結合層５２アセンブリ』」に置き換え、第一実施例において施されていた、「結合層１２を研磨」する工程を、「図６の実施例」における「基板４０および基板５０の平坦化した結合層間を結合を確立させる」べく、「基板５０上に二酸化シリコンによって結合層５２を直接形成し」た後、該「結合層５２」に適用する、すなわち、「結合層５２を平坦化する工程」を採用することは当業者であれば適宜なし得たことである。
　
　したがって、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明の構成を採用することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３）相違点３及び相違点５について
　相違点３と相違点５は関連するので、まとめて検討する。
ア　先ず、相違点３−１について検討する。
　上記摘記事項（ｃ−４）には、図５Ａ〜５Ｄに示され、「結合層２２」が基板１０上に中間層２６を介して形成され、「シリコン又は半導体材料の層又は基板２４」が「結合層２２」に結合された「本発明のコンポーネントを製造する方法」が記載されている。
　さらに、上記摘記事項（ｃ−４）には、「また、基板の減厚及び研磨により薄い層を形成するために、シリコン基板を結合することが可能であり、例えばA.J.Auberton - Herveらによる論文…（略）…で述べられている
“スマートカット”技術を採用することができる
　
イ　ここで、「スマートカット法」とは、下記の周知例１の段落【０００３】〜【０００４】に記載のように、ＳＯＩウェハーを貼り合わせ法によって製造する際に、デバイス形成領域となるＳＯＩ層となる基板（活性層用ウェーハ、ボンドウェーハ）とをベースウェハ（支持基板用ウェーハ）に貼り合わせた後、ボンドウェーハを所望の膜厚まで減厚する方法のひとつである。
　
（ａ）周知例１：特開２００４−５５７５２号公報（当審において通知した拒絶の理由で引用した引用文献２）
・「【０００３】
ところで、ＳＯＩウェーハの代表的な製造方法として貼り合わせ法がある。この貼り合わせ法は、ベースウェーハとなる第一シリコン単結晶基板と、デバイス形成領域であるＳＯＩ層となる第二シリコン単結晶基板（以下、ボンドウェーハともいう）とをシリコン酸化膜を介して
貼り合わせた後、ボンドウェーハを所望の膜厚まで減厚し、薄膜化する
【０００４】
ボンドウェーハを減厚する方法
スマートカット法（商標名）
一定深さ位置に水素高濃度層が形成されるように水素をイオン注入し、貼り合わせ後に該水素高濃度層にてボンドウェーハを剥離する
・「【００２１】
上記のように剥離用イオン注入層４とエッチストップ用イオン注入層６とを形成したボンドウェーハ１とベースウェーハ７とは、洗浄液にて洗浄される。次に、工程(3)に示すように、
両ウェーハ１，７を
貼り合わせる
熱処理することにより、ボンドウェーハ１は前記した剥離用イオン注入層４の概ね濃度ピーク位置において剥離し
なお、
重ね合わせる面に対して予めプラズマ処理を行なって表面を活性化したりすることにより、剥離熱処理を省略できる場合もある
・「【００２７】
酸素拡散熱処理は単独で行なってもよいが、他の目的の熱処理に兼用させることも可能である。例えば、
最終的なＳＯＩウェーハを得るには、剥離工程が終了後、第一基板７と結合シリコン単結晶薄膜５とを強固に結合する結合熱処理
が必要
この結合熱処理は、通常１０００℃以上１３００℃以下の高温で行なわれる
・「【００３４】
なお、減厚工程の後（エッチストップ層６’を除去した後）、ＳＯＩ層１５の表面をさらに平坦化する平坦化熱処理を行なうことができる。この
平坦化熱処理は、アルゴンガス等の不活性ガスや水素ガスあるいはこれらの混合ガス中にて１１００〜１２００℃程度の温度で１〜２時間程度の短時間で行なうことができ、前述の結合熱処理と兼ねて行なうことができる
　
ウ　他方、スマートカット法による貼り合わせ基板の製造方法において、活性層用ウェーハとして、ＳｉＣウェーハを用いることは、例えば、下記の周知例２の段落【０００９】、周知例３の段落【００１２】及び周知例４の段落【００２０】〜【００２４】に記載されているように周知技術である。
　
（ｂ）周知例２：特開２００５−８５９６４号公報（当審において通知した拒絶の理由で引用した周知例１）
・「【０００９】
　
活性層用ウェーハ
の種類としては
ＳｉＣウェーハ
　絶縁膜としては、例えば酸化膜、窒化膜などを採用することができる。
　絶縁膜の厚さは限定されない。例えば、０．１〜１．０μｍである。
　活性層の厚さは限定されない。例えば、厚膜の活性層では１〜１０μｍである。また、薄膜の活性層では０．０１〜１μｍである。」
・「【実施例１】
【００１７】
　ボロンが所定量添加されたｐ型の単結晶シリコンインゴットをＣＺ法により引き上げる。その後、単結晶シリコンインゴットに、ブロック切断、スライス、面取り、鏡面研磨などを施す。これにより、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍ、比抵抗１０〜２０Ωｃｍ、ｐ型の鏡面仕上げされた活性層用ウェーハ１０と、支持基板用ウェーハ２０とが得られる（図１（ａ），（ｂ））。
　その後、活性層用ウェーハ１０を熱酸化装置に挿入し、酸素ガス雰囲気で熱酸化処理を施す。これにより、
活性層用ウェーハ１０の露出面の全域に
シリコン酸化膜１０ａを形成する
【００１８】
　次に、
活性層用ウェーハ１０の
表面から所定深さ位置に
ヘリウムをイオン注入する
これにより、活性層用ウェーハ１０に、ヘリウムイオン注入領域１０ｂが形成される
このときのドーズ量は、５×１０16〜４×１０17／ｃｍ2 である。
…（略）…
【００２２】
　また剥離後、必要により
貼り合わせウェーハ３０には１１００℃、２時間の熱処理を施してもよい
　そして、ＳＯＩ構造の貼り合わせウェーハ３０を、１重量％のＨＦ溶液（室温）に浸漬し、活性層１０Ａの外周部に残存するシリコン酸化膜１０ａをエッチングする。その後、活性層１０Ａの表面が、研磨装置により研磨される。こうして、
スマートカット法による貼り合わせ基板
　 
（ｃ）周知例３：再公表特許第２００５／０２４９１８号（当審において通知した拒絶の理由で引用した周知例２）
・「【背景技術】
【０００２】
　近年、デバイスの高集積化などに伴い、活性層の薄膜化（０．０５μｍ未満）が進んでいる。これを実現するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造を有した半導体基板を製造する方法として、特許文献１に記載された
スマートカット法
　これは、酸化膜が形成され、水素を所定深さ位置にイオン注入した活性層用ウェーハを用い、この活性層用ウェーハと支持用ウェーハとを室温で貼り合わせ、その後、得られた貼り合わせウェーハを熱処理炉に挿入して５００℃、３０分間熱処理し、そのイオン注入領域から活性層用ウェーハの一部を剥離し、続いて貼り合わせウェーハに貼り合わせ強度を増強する貼り合わせ熱処理を施す方法である。これにより、支持用ウェーハと活性層との間に埋め込みシリコン酸化膜を介在した貼り合わせＳＯＩ基板が得られる。貼り合わせ熱処理では、酸素を雰囲気ガスとする１１００℃、２時間の熱処理が施される。」
・「【００１２】
　
活性層用ウェーハ
の種類としては
ＳｉＣウェーハ
　絶縁膜としては、例えば酸化膜、窒化膜などを採用することができる。
　絶縁膜の厚さは、例えば１．０μｍ未満、好ましくは０．１〜０．２μｍである。
　活性層の厚さは限定されない。例えば、厚膜の活性層では１〜１０μｍである。また、薄膜の活性層では０．０１〜１μｍである。
  …（略）…」
・「【００３９】
　次いで、図１のＳ１０２工程に示すように、活性層用ウェーハ１０を熱酸化装置に挿入し、酸素ガス雰囲気で熱酸化処理を施す。これにより、
活性層用ウェーハ１０の露出面の全域に
シリコン酸化膜１２ａが形成される
　次に、図１のＳ１０３工程に示すように、
活性層用ウェーハ１０の
表面から所定深さ位置に
水素をイオン注入する
これにより、活性層用ウェーハ１０に、水素イオン注入領域１４が形成される
…（略）…
【００４１】
　それから、図１のＳ１０５工程に示すように、貼り合わせウェーハ３０を図示しない剥離熱処理装置に挿入し、５００℃の炉内温度、窒素ガスの雰囲気で熱処理する。熱処理時間は３０分間である。この熱処理により、支持用ウェーハ２０の貼り合わせ界面に活性層１３を残し、活性層用ウェーハ１０が水素イオン注入領域１４から剥離される。
　剥離後、図１のＳ１０６工程に示すように
、貼り合わせウェーハ３０に対して、窒素ガスの雰囲気で１１５０℃
貼り合わせ熱処理を施す
　次いで、図１のＳ１０７工程に示すように、活性層１３の表面に研磨装置による研磨、犠牲酸化によりＳＯＩ表面の平坦化、薄膜化を施す。こうして、スマートカット法を利用し、厚さが約０．１μｍの活性層１３を有した貼り合わせＳＯＩ基板（貼り合わせウェーハ）が作製される。」
　
（ｄ）周知例４：特開２００３−２８２８４５号公報（当審において通知した拒絶の理由で引用した周知例３）
・「【００２０】（実施の形態１：水素注入デラミネーション法で基板を再利用）本実施の形態１による炭化ケイ素基板の製造方法について、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）を参照して説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、支持基板と炭化ケイ素活性層用基板とを貼り合わせ、その後の剥離までの工程概要を示す断面図である。
【００２１】図１（Ａ）を参照して、最終的に炭化ケイ素ＳＯＩ構造１の支持基板となる炭化ケイ素からなる支持基板２と、
最終的に炭化ケイ素ＳＯＩ構造１の炭化ケイ素ＳＯＩ活性層４となる、炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５
支持基板２および炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５の表面のうち少なくとも一方に
表面酸化膜２ａ、表面酸化膜７を形成する
【００２２】
表面酸化膜７が形成された炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５の表面から
所定の深さに水素イオンを注入して、結晶格子切断領域部分からなるイオン注入層６を形成する
【００２３】次に、図１（Ｂ）を参照して、炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５のイオン注入側と支持基板２の表面酸化膜２ａ側と貼り合わせる。なお、
炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５に表面酸化膜７が形成されている
【００２４】次に、図１（Ｃ）のように、貼り合わされた炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５および支持基板２に対して熱処理を施して、結晶格子切断領域からなる
イオン注入層６の領域で、炭化ケイ素ＳＯＩ活性層用基板５を剥離
　
エ　上記「５　対比」の「ア（ア）」でも検討したように、引用発明の「２つの基板４０と基板５０を含み、該２つの基板４０と基板５０が結合する構造」は、本願発明の「貼り合わせ基板」に相当するから、引用発明と上記周知技術は、「貼り合わせ基板の製造方法」に係る技術である点で共通する。
　しかも、上記周知例２〜周知例４に記載の技術はいずれも、酸化膜を形成した基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程と、貼り合わせ後に該イオン注入層で剥離する工程を有する、スマートカット法に係るものである。
　したがって、上記「ア」における検討を勘案するとともに、上記周知技術に接した当業者であれば、引用発明において、「基板４０と同様の性質を有している基板５０であって、一例では、ダイヤモンド又はＡｌＮによって形成された基板５０」に換えて、スマートカット法で減厚する、ＳｉＣウェーハからなる活性層用ウェーハを採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、引用発明において、本願発明の、「前記第２の基板表面から水素イオンまたは希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンをイオン注入して基板内部にイオン注入層を形成する工程」と、「『前記第１の基板および第２の基板』の『酸化膜が形成されている表面同士を貼り合わせた後、前記第２の基板を前記イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得る』工程」とを有するものとすることは、当該周知技術に接した当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、引用発明において、上記相違点３−１に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
オ　次に、相違点３−２及び相違点５について検討する。
　スマートカット法を用いてボンドウェーハを減厚する貼り合わせ基板の製造方法においては、基板の少なくとも一方の貼り合わせ表面にプラズマ処理もしくはオゾン処理を施してから、貼り合わせを行い、イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行うことも、上記の周知例１の段落【００２１】、並びに下記の周知例５及び周知例６の段落[0049]に記載されているように周知技術である。
　
（ｅ）周知例５：国際公開０３／０１９１８９号
・「技術分野
本発明は、シリコン単結晶ウェーハを用いた貼り合わせウェーハおよびその製造方法に関し、特に、ＭＩＳ（ＭＯＳ）型デバイスに好適な貼り合わせウェーハおよびその製造方法に関する。」（明細書第１ページ第５〜８行）
・「次に工程（ｂ）では、ＳＯＩウェーハの絶縁膜（埋め込み酸化膜）となる
シリコン酸化膜３を
少なくとも一方のウェーハ（ここでは第１シリコン単結晶ウェーハ１）の表面に
形成する
工程（ｃ）では、表面に酸化膜を形成した第１シリコン単結晶ウェーハ１の片面に対して
水素イオンまたは希ガスイオン
を注入し
イオン注入層（微小気泡層）４を形成させる
工程（ｄ）は、水素イオンを注入した第１シリコン単結晶ウェーハ１の水素イオン注入面に、第２シリコン単結晶ウェーハ２を、
前記シリコン酸化膜を介して重ね合せて密着させる
…（略）…
次に、工程（ｅ）は、
イオン注入層４を境界として剥離する
密着する面の表面処理（プラズマ処理）により密着強度を高めたりすることによって、機械的な剥離が可能となり、工程（ｅ）における剥離熱処理は必ずしも必要とはされない場合もある
この剥離工程後、工程（ｆ）で、結合熱処理工程を行なう。この工程は、前記工程（ｄ）（ｅ）の密着工程および剥離熱処理工程で密着させたウェーハ同士の結合力では、そのままデバイス工程で使用するには弱いので、
結合熱処理として
不活性ガス雰囲気下、１０００〜１３００℃で３０分から２時間の範囲で行なう
　
（ｆ）周知例６：国際公開２００５／１２４８６５号
・「技術分野
[0001]　本発明は貼り合わせウェーハの製造方法に関し、特にイオン注入剥離法を用いた貼り合わせウェーハの製造方法に関する。」
・「[0048]（ｆ１）　剥離工程
貼り合わせ工程（ｅ１）で貼り合わせられた積層体を数１００℃、例えば４００〜６００℃の低温にて熱処理することにより、ボンドウェーハ１は、剥離用イオン注入層３’の概ね濃度ピーク位置において剥離し、ベースウェーハ５側に残留した部分がＳＯＩ層１’となる。剥離位置は、既に説明した通り、第１のイオン注入工程（ａ１）で剥離予定イオン注入層３として決定されるので、その後の付加機能層４の堆積や平坦化研磨による膜厚不均一には影響されない。図１（ｆ１）は、付加機能層４’は膜厚不均一であるが、ボンドウェーハ１が剥離用イオン注入層３’で剥離されたために、ＳＯＩ層１’は膜厚が均一となっている状態を例示している。なお、剥離用イオン注入層３’を形成する際のイオン注入のドーズ量を高めることにより、剥離熱処理を省略できる場合もある。また、剥離後のボンドウェーハ１の残余の部分は、剥離面を再研磨後、再びボンドウェーハまたはベースウェーハとして再利用することが可能である。
[0049]　なお、貼り合わせ工程（ｅ１）および剥離工程（ｆ１）は、参考技術に記載した手法でもよい。すなわち、
貼り合わせ前にプラズマで
ベースウェーハ５の絶縁膜６の表面を活性化した後に貼り合わせを行い、その後に温度をかけずに水レーザや気体をボンドウェーハ１に吹きかけることで剥離するようにしてもよい
[0050]　
最終的なＳＯＩウェーハを得るには、剥離工程（ｆ１）後
強固に結合する結合熱処理が必要
不活性ガス
中にて、通常１０００℃以上、１２５０℃以下の高温で行なわれる
[0051]　また、ＳＯＩ層１’の剥離面を、あるいはこれを研磨により平坦化した研磨面をさらに平坦化する平坦化熱処理を行なうことができる。この
平坦化熱処理は
不活性ガス
中にて１１００〜１３８０℃で行なう
　
カ　したがって、上記「エ」で検討したように、「引用発明において、『基板４０と同様の性質を有している基板５０であって、一例では、ダイヤモンド又はＡｌＮによって形成された基板５０』に換えて、スマートカット法で減厚する、ＳｉＣウェーハからなる活性層用ウェーハを採用する」ならば、本願発明のように「前記第１の基板および第２の基板の貼り合わせにおいて、前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の貼り合わせ表面にプラズマ処理もしくはオゾン処理を施してから、貼り合わせを行い、　前記イオン注入層での剥離を、機械的衝撃を与えることにより行う」ものとすることも、当該周知技術に接した当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、引用発明において、上記相違点３−２及び相違点５に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
キ　以上のとおり、引用発明において、上記相違点３−１並びに相違点３−２及び相違点５に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点３−１並びに相違点３−２及び相違点５は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４）相違点４について
ア　「『貼り合わせ基板を９００℃以上で熱処理して』『第１の基板表面に形成した酸化膜を外方拡散して貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする』」ことについて、本願の明細書には、次のように記載されている。
「【００４５】
　次に、このようにして得た貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜３を外方拡散する(図１(h))。
　この際の熱処理条件は特に限定されないが、９００℃以上、非酸化性雰囲気で行い、熱処理後の酸化膜７の厚さを６０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下とするのが好ましい。」
「【００５４】
　次に、このようにして得た貼り合わせ基板を熱処理して前記酸化膜３を外方拡散した(図１(h))。
　熱処理条件は、１０００℃以上、アルゴンガス雰囲気で行い、熱処理後の酸化膜７の厚さを２０ｎｍとした。」
　
イ　他方、一般に、貼り合わせ基板の製造方法において、活性層用ウェーハを（本願発明の「第２の基板」に相当。）イオン注入層で剥離して貼り合わせ基板を得た後に、不活性ガス等の雰囲気で、「該貼り合わせ基板を９００℃以上で熱処理」することは、上記周知例１の段落【００２７】及び【００３４】、周知例２の段落【００２２】、周知例３の段落【００４１】、周知例５、周知例６の段落[0050]、[0051]、並びに下記の周知例７に記載されているように、慣用手段である。
　
（ａ）周知例７：特開２０００−３６４４５号公報（当審において通知した拒絶の理由で引用した引用文献３）　
・「【００１７】このように、２枚の半導体基板を接着して形成する貼り合わせ半導体基板において、例えば、接合面に自然酸化膜を形成して親水性を持たせる表面処理を行った後、２枚の半導体基板を貼り合わせ、その後、例えば、室温中で貼り合わせられた半導体基板に１１００℃〜１２００℃の高温熱処理を行う。このときに
貼り合わせられた半導体基板の接着界面には、自然酸化膜による酸化膜層が存在
酸化性以外の雰囲気中で
１１００℃〜１３００℃の高温熱処理を施すことにより、研削・研磨で所定厚さに薄膜化された基板のシリコン層中の酸素濃度は、外方拡散により低濃度化される。このため、接着界面に存在する酸化膜は、低濃度化されたシリコン層中に拡散しやすくなる
・「【００１９】このように、貼り合わせ半導体基板を形成する２枚の半導体基板のうち、少なくとも一方の半導体基板の表層の酸素濃度が、３×１０17ｃｍ-3以下である半導体基板を用いて、前記方法により、貼り合わせ半導体基板を形成すると、貼り合わせられた後、酸化性以外の雰囲気中、例えば、還元性又は
不活性雰囲気中において
１１００℃〜１３００℃の温度で熱処理されると、基板中の酸素は、外方拡散により、表面にいくほど酸素濃度が低下していく。酸素濃度が低下した基板表面の酸素濃度低下領域に酸化膜が存在すると、酸化膜は、シリコン層中に拡散されていく
・「【００３６】図３に、ＴＥＭで観察したサンプルＣの断面図を示す。
【００３７】図３に示すように、接着界面には、酸化膜が介在していないことが確認できる。
【００３８】この結果から、
自然酸化膜層が形成された半導体基板を２枚貼り合わせ
アルゴン雰囲気中、１３００℃で２時間の高温熱処理を施すことにより、前記薄膜化された半導体基板から１０μｍの深さに存在していた４０オングストローム程度の酸化膜が消滅する
　
ウ　本願の明細書に開示の「熱処理後の酸化膜７の厚さを６０ｎｍ以下とする」ための熱処理における「９００℃以上、非酸化性雰囲気で行う」との熱処理、あるいは、「１０００℃以上、アルゴンガス雰囲気で行う」との熱処理と、上記「イ」で検討した慣用手段における熱処理とは、温度条件と雰囲気ガスが同様であることを勘案すると、当該慣用手段においても、本願明細書に開示の技術と同様な、温度条件と雰囲気ガスで貼り合わせ基板の熱処理を行っているから、当該慣用手段における熱処理は、本願発明の「酸化膜を外方拡散する」という構成を実質的に備えているといえる。
　
エ　一方、「前記貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする」点について検討すると、本願の明細書及び図面を精査しても、「該貼り合わせ基板を９００℃以上で熱処理して前記第１の基板表面に形成した酸化膜を外方拡散して前記貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする工程」において「前記貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下」としたことにより格別の効果が生じているとは認められないから、「前記貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下」という数値範囲に臨界的意義は認められない。
　
オ　すると、上記「（１）相違点１について」で検討したように、引用発明において、「該酸化膜を平坦化して前記酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする」とともに、上記「（３）相違点３及び相違点５について」の「エ」で検討したように、「引用発明において、『基板４０と同様の性質を有している基板５０であって、一例では、ダイヤモンド又はＡｌＮによって形成された基板５０』に換えて、スマートカット法で減厚する、ＳｉＣウェーハからなる活性層用ウェーハを採用する」ならば、貼り合わせ基板を得た後に、上記慣用手段の「該貼り合わせ基板を９００℃以上で熱処理」する工程であって、「前記貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下」とする工程を採用することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、前記慣用手段に基づき、本願発明のように、「該貼り合わせ基板を９００℃以上で熱処理して前記第１の基板表面に形成した酸化膜を外方拡散して前記貼り合わせた基板の酸化膜の厚さを６０ｎｍ以下とする工程」を採用することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　
カ　よって、相違点４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１〜相違点５は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項並びに慣用手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明並びに周知の技術事項及び慣用手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、当審で通知した上記拒絶の理由によって拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。