【事件の表示】
　平成　８年特許願第１６７３８２号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　１月１６日出願公開、特開平１０−　１２７２９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１．本願発明
　本願は平成８年６月２７日の出願であって、その発明の要旨は、平成１０年２月４日付け及び平成１０年８月２８日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に記載された発明は次のとおりである。
　「拡散層を含んでなる半導体素子が設けられたシリコン基板表面を覆う絶縁膜を形成し、該半導体素子に達する接続孔を該絶縁膜に形成し、該接続孔の底部に露出した該拡散層表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記シリコン基板を３５０℃より高く４５０℃より低い範囲の温度に加熱して、前記絶縁膜上面の膜厚が第１の所望膜厚（＝ｔ１）になるように、コリメータスパッタ法により全面にチタン膜を形成する工程と、前記シリコン基板を３００℃より高く４５０℃より低い範囲の温度に加熱して、前記絶縁膜上面の膜厚が第２の所望膜厚（＝ｔ２）になるように、コリメータスパッタ法により全面に窒化チタン膜を形成する工程と、熱処理により、前記拡散層に達する前記接続部の底部の前記チタン膜をチタンシリサイド膜に変換する工程と、前記窒化チタン膜を覆う導電体膜を形成し、該導電体膜、該窒化チタン膜および前記チタン膜をパターニングして配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、本願発明１という。）
２．引用刊行物
　前審の拒絶の理由に引用された特開平７−１０６２８１号公報（以下、引用例１という。）には、「本発明の第２の実施例について図２（ａ）〜（ｃ）の工程図を参照して説明する。シリコンからなる半導体基板２１上に素子分離領域２２，および導電体領域２３を形成した後、気相成長法により厚さ１μｍの絶縁層２４を形成し、リソグラフィーおよびエッチング技術により所望の位置に直径０．３５μｍの接続孔２５を形成する（図２（ａ））。【００１２】その後、半導体基板を３５０℃〜４５０℃に保った状態で、絶縁層２４上に厚さが０．１μｍのチタン層２６を形成する。高温でチタン層２６を形成したので接続孔２５でのチタン層の表面がスムーズであり開口部での空隙が広くなるように形成される。・・・そしてスパッタリング技術を用いてチタン層２６上に５０ｎｍの窒化チタン膜２７を形成する。次に窒素雰囲気中における７００℃、３０秒のランプアニールにより、接続孔２５の底部にチタンシリサイド層２８を形成する（図２（ｂ））。【００１３】さらに、均一タングステン気相成長法により接続孔２５中にタングステン層２９を形成する。接続孔２５の上部での空隙が広いために、完全にタングステン層で埋め込むことができる（図２（ｃ））。」（第３欄第３８行ー第４欄第１６行）及び「以上説明したように本発明は、半導体基板を高温（３５０℃〜４５０℃）に保って、スパッタリング法によりチタン層を形成したので、直径０．３５μｍの接続孔に対して、接続孔底部でのチタン層の厚みを確保するために絶縁層上で５０ｎｍ以上のチタン層を形成しても、接続孔の上部での空隙を広くとれ、接続孔の開孔部においてもチタン層の薄い部分が生じない。このため、均一タングステン気相成長法を用いてタングステン層を隙間なく、接続孔に埋め込むことができ、また４５０℃でタングステン層形成を行っても、チタン膜の剥離が生じないという効果がある。また、窒化チタン膜をスパッタリング法により形成した場合も、同様の効果が得られる。」（第４欄第１８−３０行）と記載されている。
　同じく特開平７−２０１９９３号公報（以下、引用例２という。）には、「一般にスパッタ法では、・・・図６（ｂ）で示すように、コンタクト孔５開口部においてＴｉ膜６，ＴｉＮ膜７は「ひさし」６ａ，７ａ状に成長してしまう。」（第３欄第１５−２３行）と記載されている。
　したがって、引用例１の「窒化チタン膜をスパッタリング法により形成した場合も、同様の効果が得られる。」との記載及び同様の効果として「接続孔の上部での空隙を広くとれる、」との記載から、引用例１の窒化チタン膜のスパッタリングは、引用例２に記載の一般のスパッタ法ではなく、引用例１のチタンのスパッタリング法と同様に、半導体基板を３５０℃〜４５０℃に保ってなされたものと認める。
　よって、引用例１には導電体領域を含んでなる半導体素子が設けられたシリコン基板表面を覆う絶縁膜を形成し、該半導体素子に達する接続孔を該絶縁膜に形成し、前記シリコン基板を３５０℃〜４５０℃の範囲の温度に加熱して、前記絶縁膜上面の膜厚が０．１μｍになるようにスパッタ法により全面にチタン膜を形成する工程と、前記シリコン基板を３５０℃〜４５０℃の範囲の温度に加熱して、前記絶縁膜上面の膜厚が５０ｎｍになるようにスパッタ法により全面に窒化チタン膜を形成する工程と、７００℃の熱処理により、前記導電体領域に達する前記接続部の底部の前記チタン膜をチタンシリサイド膜に変換する工程と、前記窒化チタン膜を覆うタングステン膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が開示されている。
　同じく特開平６−１４０３５９号公報（以下、引用例３という。）には、アスペクト比の高い開口の底部にチタン及び窒化チタンを厚く堆積させるためにコリメータスパッタ法を採用することが記載されている。
３．対比
　本願発明１と引用例１記載の発明を対比すると、引用例１記載の「導電体領域」、「膜厚が０．１μｍ」、「膜厚が５０ｎｍ」及び「タングステン膜」は、それぞれ本願発明１の「拡散層」、「膜厚が第１の所望膜厚（＝ｔ１）」、「膜厚が第２の所望膜厚（＝ｔ２）」及び「導電体膜」に相当するから、両者は、拡散層を含んでなる半導体素子が設けられたシリコン基板表面を覆う絶縁膜を形成し、該半導体素子に達する接続孔を該絶縁膜に形成し、前記シリコン基板を所定の範囲の温度に加熱して、前記絶縁膜上面の膜厚が第１の所望膜厚（＝ｔ１）になるように、スパッタ法により全面にチタン膜を形成する工程と、前記シリコン基板を３５０℃以上でこれより高い所定の上限の範囲の温度に加熱して、前記絶縁膜上面の膜厚が第２の所望膜厚（＝ｔ２）になるように、スパッタ法により全面に窒化チタン膜を形成する工程と、熱処理により、前記拡散層に達する前記接続部の底部のチタン膜をチタンシリサイド膜に変換する工程と、前記窒化チタン膜を覆う導電体膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法の点で一致し、下記の点で相違する。
（１）本願発明１では接続孔の底部に露出した拡散層表面の自然酸化膜を除去する工程があるのに対し、引用例１記載の発明ではそのような工程がない点。
（２）スパッタ法が、本願発明１ではコリメータスパッタ法であるのに対し、引用例１記載の発明ではコリメータスパッタ法でない点。
（３）本願発明１では導電体膜、窒化チタン膜およびチタン膜をパターニングして配線を形成するのに対して、引用例１記載の発明ではそのようになっていない点。
（４）所定の範囲の温度が、本願発明１では３５０℃より高く４５０℃より低い範囲の温度であるのに対し、引用例１記載の発明では３５０℃〜４５０℃の範囲の温度である点。
（５）所定の上限が、本願発明１では４５０℃より低い温度であるのに対し、引用例１記載の発明では４５０℃である点。
４．判断
　上記相違点について、以下で検討する。
　相違点（１）について
　接続孔の底部に露出した拡散層表面の自然酸化膜を除去することは周知であるので（例えば、特開平５−６２９２９号公報参照）、引用例１記載の発明において、上記周知技術を採用することは当業者が適宜おこなう設計的事項にすぎない。
　相違点（２）について
　引用例３には開口の底部にチタン及び窒化チタンを厚く堆積させるために、コリメータスパッタ法を採用することが記載されているから、接続孔の底部にチタン及び窒化チタンを厚く堆積するために、引用例１記載のスパッタ法として引用例３記載のコリメータスパッタ法を採用することは、当業者にとって格別困難なことではない。
　相違点（３）について
　半導体装置の製法において、絶縁膜上及び絶縁膜に設けられた接続孔に導電膜を形成し、パターニングして配線を形成することは周知であるので、引用例１記載のように導電膜が導電体膜、窒化チタン膜およびチタン膜で構成されていれば、導電体膜、窒化チタン膜およびチタン膜をパターニングして配線を形成することは当業者にとって容易なことである。
　相違点（４）について
　引用例１記載の発明の所定の温度範囲３５０℃〜４５０℃を、本願発明１のように３５０℃より高く４５０℃より低い温度範囲とすることにより、効果上格別な差違は生じないものと認められるから、上記のように変更することは設計上の微差にすぎず、当業者にとって容易なことである。
　相違点（５）について
　引用例１記載の発明の所定の上限４５０℃を、本願発明１のように４５０℃より低い温度とすることにより、効果上格別な差違が生じないものと認められるから、上記のように変更することは設計上の微差にすぎず、当業者にとって容易なことである。
５．まとめ
　以上のとおりであるから、本願発明１は引用例１ないし引用例３及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。本願発明１が特許を受けることができないものである以上、本願請求項２の発明についても検討をするまでもなく特許を受けることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。