【事件の表示】
　特許第３２０７１１４号「誘電体共振器」の請求項１、２、４、５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２０７１１４号の請求項１、２、４、５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１．手続の経緯
  特許第３２０７１１４号の請求項１，２，４，５に係る発明についての出願は、平成８年４月２０日に特許出願され、その後、その特許について、特許異議申立人　大和田　百合子より特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年８月１０日に訂正請求がなされたものである。
　
第２．訂正の適否の検討
１．訂正内容
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項４の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載を削除する。
（２）訂正事項ｂ
  明細書の段落番号【００１１】の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載を削除する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書の段落番号【００４２】の「更に、例えば２００以上のＱ値が得られる範囲に着目すると、内外電極膜厚ｒａ、ｒｂの間に、ｒｂ≧ｒａ−２μｍの関係があるような範囲がほぼ相当していることが分かる。」の記載を削除する。
（４）訂正事項ｄ
　明細書の段落番号【００４３】の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載を削除する。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正事項ａについて
　特許請求の範囲の請求項４の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の削除を求める訂正は、「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」で規定される内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂの範囲が、請求項４が引用する請求項２に記載された「ｒａ＜ｒｂ」の条件と矛盾するところがあることから、誤記の訂正を目的とする訂正であるといえ、また、特許請求の範囲の請求項４に係る発明には、請求項４が引用する請求項２に記載された「ｒａ＜ｒｂ」の条件があることから特許請求の範囲の請求項４において、「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載を削除したとしても、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更しないと認められることから、特許請求の範囲の請求項４の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載を削除する訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
（２）訂正事項ｂ、ｃ、ｄについて
　訂正事項ｂ、ｃ、ｄは、訂正事項ａの特許請求の範囲の請求項４の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載の削除に合わせたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）まとめ
　したがって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法１２６条３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
 第３．特許異議申立について
 １．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人　大和田　百合子は、特許第３２０７１１４号の請求項１，２，４，５に係る発明の特許は、以下の理由により取消されるべきものである旨主張する。
（１）特許法第２９条第２項違反に関して
　請求項１，２に係る発明、および請求項２に従属する請求項５に係る発明は、甲第１号証（特開平４−２６４８０１号公報）、甲第２号証（表面技術 、４２〔７〕 （１９９１）ｐ．７６−７９）に記載されている発明から当業者であれば容易に発明をすることできたものであるから、請求項１，２に係る発明の特許、および請求項２に従属する請求項５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　
（２） 特許法第３６条違反に関して
　請求項４、および請求項５に係る発明は、特許明細書中に記載されている内容と矛盾し、効果を発揮する特許請求の範囲が明確でないから、請求項４、および請求項５に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項、または６項の規定に適合していない出願になされたものである。
　
 ２．本件特許発明
　上記第２．２．で示したように上記訂正が認められるから、本件特許の請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」、「本件特許発明２」・・・「本件特許発明５」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】　誘電体素体の内外周に内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極と外部電極の膜厚の間に、所望のＱ値を考慮して差を設けるとともに、共振器端面のエッジ部の導体膜厚を、隣接する電極の膜厚と同等若しくはそれ以上に設定したことを特徴とする誘電体共振器。
　【請求項２】　誘電体素体の内外周に内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、
　　　　　　　　　　ｒａ＜ｒｂ
の関係を満たすことを特徴とする誘電体共振器。
　【請求項３】　誘電体素体の内外周に銀の厚膜によって内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、
　　　　　　　　　　ｒａ≧２μｍ
　　　　　　　　　　ｒｂ≧３μｍ
の関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の誘電体共振器。
　【請求項４】　誘電体素体の内外周に銀又は銅によるメッキ膜によって内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、
　　　　　　　　　　ｒａ≧１μｍ
　　　　　　　　　　ｒｂ≧２μｍ
の関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の誘電体共振器。
　【請求項５】　請求項２，３，又は４のいずれかに記載の誘電体共振器において、
　共振器端面のエッジ部の導体膜厚を、隣接する電極の膜厚と同等若しくはそれ以上に設定したことを特徴とする誘電体共振器。」
　
３．特許法第３６条違反に関して
　本件特許発明４，５については、上記訂正により、異議申立人が主張する明細書に関する記載の不備が解消されたので、特許法第３６条第４項、または６項に規定する要件を満たさない出願に対してなされたものとすることができない。
　
４．特許法第２９条第２項違反に関して
（１）引用刊行物
　ア．当審で通知した取消理由に引用した刊行物１（特開平４−２６４８０１号公報）には、「高周波用誘電体セラミック上に無電解メッキによる銅被膜電極を形成してなる同軸誘電体共振器において、外導体面と短絡端面とによって形成される稜線部および内導体面と短絡端面とによって形成される稜線部に導電体層を設けたことを特徴とする同軸誘電体共振器。」（２頁左欄２行ないし７行）、「電極層が形成されにくい外導体面と短絡端面とによって形成される稜線部、および内導体面と短絡端面とによって形成される稜線部に導電体層を設けることにより電極層の不形成を補い、これによってＱｕのばらつきを押さえるのである。」（２頁右欄４２行ないし４６行）、「表１は本発明による同軸誘電体共振器と従来技術とのＱｕを比較したものである。本実施例、従来技術とも、誘電体セラミックの材料としてＱｄが２０，０００のものを用い、焼結後の寸法として、一辺の長さ３ｍｍ、共振器長４．８ｍｍとし、無電解　メッキ工程により約１０μの銅をメッキした。なお、各試料数は１０とした。」（３頁左欄９行ないし１４行）の記載がある。
　これらの記載によれば刊行物１には、「高周波用誘電体セラミック（本件特許発明の「誘電体素体」に相当する。）の内導体面と外導体面（本件特許発明の「内外周」に相当する。）に内部電極及び外部電極が形成されており、共振器端面の稜線部（本件特許発明の「エッジ部」に相当する。）の導体膜厚を、隣接する電極の膜厚以上に設定した同軸誘電体共振器（本件特許発明の「誘電体共振器」に相当する。）。」の発明（以下、「刊行物１に記載された発明」という。）が記載されているものと認められる。
　イ．同じく当審が通知した取消理由に引用した刊行物２（表面技術 、４２〔７〕 （１９９１）ｐ．７６−７９）には、「無電解銅メッキの均一析出性」（文献のタイトル）、「プリント配線板は、スルーホールの小型化、回路の細線化、さらに多層による厚板化に進んでいる。このような基板に銅めっきする場合、均一析出性に有利な無電解法が注目されている。しかし無電解銅めっきを適用しても、・・・特に微少径ではめっき皮膜の均一析出性が大きく低下し、穴の入り口部分は表面層と同じ膜厚であるが、穴の内部ではメッキ荘が薄くなり、場合によっては全く析出が生じない時もある。」（７６頁左欄２行ないし１１行）の記載がある。
　
（２）対比・判断
　ａ．本件特許発明１について
　本件特許発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、本件特許発明１は「内部電極と外部電極の膜厚の間に、所望のＱ値を考慮して差を設ける」のに対して、刊行物１に記載された発明は、そのようになっていない点で相違する。
　そこで、この相違点について検討するに、刊行物２には、内部電極と外部電極の膜厚の間に、所望のＱ値を考慮して差を設ける構成について記載も示唆もなく、この構成が周知・慣用であるともいえないことから、刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載に記載された発明を技術を適用したとしても本件特許発明１を構成することはできない。
　ｂ．本件特許発明２について
　本件特許発明２と刊行物１に記載された発明とを対比すると、本件特許発明２の「内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、ｒａ＜ｒｂの関係を満たす」のに対して、刊行物１に記載された発明は、そのようになっていない点で相違する。
　そこで、この相違点について検討するに、刊行物２には、内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、ｒａ＜ｒｂの関係を満たす構成について記載も示唆もなく、この構成が周知・慣用であるともいえないことから、刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載に記載された発明を技術を適用したとしても本件特許発明２を構成することはできない。
　ｃ．本件特許発明５について
　本件特許発明５は、請求項２を引用する形式で記載された特許発明であって、本件特許発明２をさらに限定したものであるから、本件特許発明２と同様の理由により、刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載に記載された発明を技術を適用したとしても本件特許発明５を構成することはできない。
　
（３）まとめ
  したがって、本件特許発明１，２，５は、上記刊行物１，２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、特許第３２０７１１４号の請求項１，２，４，５に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由も発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月３日（２００２．９．３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａについて
　特許請求の範囲の請求項４の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載を、誤記の訂正を目的として、削除する。
（２）訂正事項ｂについて
　明細書の段落番号【００１１】の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
（３）訂正事項ｃについて
　明細書の段落番号【００４２】の「更に、例えば２００以上のＱ値が得られる範囲に着目すると、内外電極膜厚ｒａ、ｒｂの間に、ｒｂ≧ｒａ−２μｍの関係があるような範囲がほぼ相当していることが分かる。」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
（４）訂正事項ｄについて
　明細書の段落番号【００４３】の「ｒｂ≧ｒａ−２μｍ」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
（５４）【発明の名称】
誘電体共振器
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　誘電体素体の内外周に内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極と外部電極の膜厚の間に、所望のＱ値を考慮して差を設けるとともに、共振器端面のエッジ部の導体膜厚を、隣接する電極の膜厚と同等若しくはそれ以上に設定したことを特徴とする誘電体共振器。
　【請求項２】　誘電体素体の内外周に内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、
　　ｒａ＜ｒｂ
の関係を満たすことを特徴とする誘電体共振器。
　【請求項３】　誘電体素体の内外周に銀の厚膜によって内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、
　　ｒａ≧２μｍ
　　ｒｂ≧３μｍ
の関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の誘電体共振器。
　【請求項４】　誘電体素体の内外周に銀又は銅によるメッキ膜によって内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、
　　ｒａ≧１μｍ
　　ｒｂ≧２μｍ
の関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の誘電体共振器。
　【請求項５】　請求項２，３，又は４のいずれかに記載の誘電体共振器において、
　共振器端面のエッジ部の導体膜厚を、隣接する電極の膜厚と同等若しくはそれ以上に設定したことを特徴とする誘電体共振器。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、高周波回路で使用される誘電体共振器にかかり、更に具体的には、そのＱ（クオリティファクタ，先鋭度）の改良に関するものである。
　【０００２】
　【背景技術】
　マイクロ波などの高周波帯域を利用した携帯電話などの電子機器が普及しているが、これらについても、他の機器と同様に小型化，軽量化の要求が高まっている。ところで、高周波帯で機器の小型化を更に進めるためには、誘電体共振器などの電子部品の小型化，高性能化を図る必要がある。
　【０００３】
　例えば、携帯電話では、一本のアンテナを送受信で共用するための誘電体共振器を含むデュプレクサがアンテナと送受信回路との間に通常設けられている。図６は誘電体共振器の一例であり、（Ａ）の斜視図の＃６−＃６線に沿って矢印方向に見た断面が（Ｂ）に示されている。
　【０００４】
　電極形成方法を説明すると、まず、中心孔を有する肉厚の円筒状のセラミックなどによって形成された誘電体ブロック１００の内外表面及び端面には、メッキなどによって導電体による内部電極１０２，外部電極１０４，短絡電極１０６（一方のみ図示）がそれぞれ形成される。そして、短絡電極１０６のうちの一方，図示の例では上側端面の短絡電極が削除される。これによって、内部電極１０２が外部電極１０４に短絡電極１０６で短絡された構造となり、ＴＥＭモード，１／４波長タイプの誘電体共振器が得られる。誘電体共振器の電極は、このような手法で形成されるため、内外面及び端面においてほぼ均一の膜厚となる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、誘電体共振器の小型化，高性能化を図るためには、共振器の形状に応じた良好なＱ特性を維持する必要がある。上述した背景技術の誘電体共振器の場合、電極導体の膜厚が全表面でぼぼ均一となっているが、この場合の導体膜厚とＱ値との関係は、例えば図７に示すようになる。同図の例は、周波数１ＧＨｚで、導体膜厚を増大させたときのＱ値の変化を示したもので、膜厚１５μｍ付近でＱは飽和してピーク値となっている。
　【０００６】
　誘電体共振器の電極導体内を電流が正常に伝搬するためには、よく知られているように、電極導体の膜厚が少なくとも表皮深さ以上でなければならない。しかし、膜厚を表皮深さ以上に大きくとると、今度は渦電流などの派生効果が生ずるとともに、これに基づく損失電力が増すため、却ってＱ値は減少する。この結果、Ｑ値は、図７に示すように、電極膜厚に対してピーク値をとるようになる。背景技術では、このピーク値よりも大きなＱ値を得ることはできない。
　【０００７】
　更に、電極導体の形成過程で、誘電体ブロック１００のエッジ部分で導体膜厚が薄くなると、共振器のＱ値が低下する傾向がある。フィルタやデュプレクサなどでは、Ｑ値が特性に大きく影響し、一般的にはＱ値が高いほど良好な周波数特性が得られる。
　【０００８】
　この発明は、以上の点に着目したもので、良好なＱ値を得ることができ、機器の小型化，軽量化に寄与できる誘電体共振器を提供することを、その目的とするものである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　【００１０】
　前記目的を達成するため、この発明は、誘電体素体の内部電極及び外部電極の膜厚の間に、所望のＱ値に相当する差を設けるとともに、共振器端面のエッジ部の導体膜厚を、隣接する電極の膜厚と同等若しくはそれ以上に設定したものである。主要な態様によれば、内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂは、ｒａ＜ｒｂの関係を満たすように設定される。
　【００１１】
　更に具体的には、銀の厚膜によって電極が形成される場合は、内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、ｒａ≧２μｍ，ｒｂ≧３μｍの関係を満たすように設定される。この範囲には、Ｑ＞２９０を得ることができる範囲が含まれる。また、銀又は銅によるメッキ膜によって電極が形成される場合は、内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、ｒａ≧１μｍ，ｒｂ≧２μｍ，の関係を満たすように設定される。この範囲には、Ｑ＞２３０を得ることができる範囲が含まれる。
　【００１２】
　他の発明によれば、誘電体共振器端面のエッジ部の導体膜厚が、隣接する電極の膜厚と同等若しくはそれ以上となるように設定される。
　【００１３】
　【００１４】
　この発明の前記及び他の目的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
　【００１５】
　【発明の実施の形態】
　以下、発明の実施の形態について、実施例を参照しながら詳細に説明する。本発明にかかる誘電体共振器は、例えば、マイクロ波帯におけるフィルタやアンテナを共用するためのデュプレクサなどに好適である。
　【００１６】
　誘電体共振器の内外導体に着目すると、内部電極１０２と外部電極１０４ではその径が異なるが、このような相違は導体損に基づく損失電力の相違となって表われる。してみると、内部電極１０２の膜厚ｒａと、外部電極１０４膜厚ｒｂとで、Ｑ値が最大となる最適膜厚が異なる可能性がある。本実施例は、このような観点に基づくもので、良好なＱ値を得るため、内外導体の膜厚の最適設計を行うようにしたものである。
　【００１７】
　【実施例１】
　最初に、図１〜図２を参照しながら実施例１について説明する。この実施例１は、主として銀の厚膜電極の場合の例である。例えば、長さ８．３ｍｍ，外径２．９５ｍｍ，内径０．８３ｍｍの円筒状誘電体素体に銀電極を施した誘電体共振器の内外銀電極の膜厚を（ｒａ，ｒｂ）＝（１０，１０）μｍ，すなわち内外で同一とした場合はＱ＝２８１．２である。しかし、膜厚を（ｒａ，ｒｂ）＝（６，１０）μｍ，すなわち内外で異なる膜厚とした場合はＱ＝２９７．５と増大する。このように、内外の膜厚を調整することにより、一定の膜厚範囲においてＱ値を最大とする最適膜厚の設計が可能となる。
　【００１８】
　次に、具体的な測定例について説明する。まず、Ｑ値の測定に必要なサンプルの製造方法から説明する。なお、図１には、主要工程における誘電体ブロックの断面（図６の（Ｂ）に相当）が示されている。
　【００１９】
（１）比誘電率８１，外径２．９５ｍｍ，内径０．８３ｍｍ，長さ８．３ｍｍの誘電体素体１０を多数用意して洗浄し、表面の油脂等による汚れを取り除く（図１（Ａ）参照）。
　【００２０】
（２）誘電体素体の外周面にレジスト１２を塗布して乾燥し、マスキングする（図１（Ｂ）参照）。
　【００２１】
（３）マスキング後の誘電体素体１０を、適宜の溶液に銀ペーストを溶解した銀ディップ液に浸漬し、引き上げ後熱処理炉にて乾燥する。この操作をｎ回繰り返し、内部電極１４及び短絡電極１６，１８が形成されたサンプルｎを得る（図１（Ｃ）参照）。サンプルｎを、各ｎについてそれぞれ２０個づつ用意する。つまり、ｎ＝１のサンプルを２０個，ｎ＝２のサンプルを２０個，ｎ＝３のサンプルを２０個，……という具合に、ｎの各値毎に２０個づつサンプルを得る。
　【００２２】
（４）全てのサンプルの外周面のレジスト１２を溶剤などを利用して除去する（図１，（Ｄ）参照）。そして、誘電体素体１０の内周面側を栓２０で塞ぐ（図１（Ｅ）参照）。
　【００２３】
（５）以上のサンプルｎにつき、前記（３）の手法により外部電極２２を形成する（図１（Ｆ）参照）。ディップ工程はｍ回（ｍ＝１〜２０）順に繰り返し、サンプル（ｎ，ｍ）を得る。１回のディップが例えば１μｍに相当する場合、結局内外電極の膜厚がそれぞれ１〜２０μｍの間で変化した４００個のサンプルが得られる。
　【００２４】
（６）次に、すべてのサンプルについて内周面側の栓２０を外すとともに（図１（Ｇ）参照）、片側端面の電極，例えば短絡電極１６をを削除する（図１（Ｈ）参照）。これにより、内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）が（１，１）μｍから（２０，２０）μｍまで変化する合計４００個の誘電体共振器のサンプルが得られる。
　【００２５】
　以上のようにして得たサンプルにつき、Ｑ値を測定したところ、以下の表１に示すような結果が得られた。図２は、外部電極膜厚ｒｂをパラメータとし、内部電極膜厚ｒａを変化させたときのＱ値の変化の様子を示すグラフであり、表１中のｒｂ＝５，１０，１５μｍの場合が示されている。
　【００２６】
　【表１】
　【００２７】
　この表１ないし図２に示すように、内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）が一致するサンプルよりも、一致しないサンプル，具体的にはｒａ＜ｒｂのサンプルの方が大きなＱ値となっている。この結果からすれば、内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）の最適設計を行うことで、良好なＱ値の誘電体共振器を得ることができる。
　【００２８】
　次に、表１から良好なＱ値が得られる範囲を求めてみる。まず、内部電極膜厚ｒａが１μｍ以下では大きなＱ値は得られず、ｒａ≧２μｍ，好ましくは４≦ｒａ≦１５μｍの範囲で良好な結果を得ることができる。次に、外部電極膜厚ｒｂについては、２μｍ以下ではかなり低いＱ値しか得られないが、ｒｂ≧３μｍとすることで相当高いＱ値を得ることができる。特に、ｒｂ≧１０μｍとすることで非常に高いＱ値が得られる。
　【００２９】
　以上の結果をまとめると、
　　（１）ｒａ≧２μｍ，ｒｂ≧３μｍ
　　（２）４≦ｒａ≦１５μｍ，ｒｂ≧１０μｍ
の順で良好なＱ値が得られている。具体的には、ｒａ＝ｒｂとした場合と比較して２９０以上のＱ値を得ることができる。
　【００３０】
　【実施例２】
　次に、図３を参照しながら実施例２について説明する。上述した実施例１は主として銀の厚膜内外電極を形成した場合であるが、この実施例２は銀又は銅のメッキによって内外電極を形成した場合である。本実施例でも、同様にして多数のサンプルを作成し、前記実施例と同様の測定を行った。
　【００３１】
（１）比誘電率８１，外径２．９５ｍｍ，内径０．８３ｍｍ，長さ８．３ｍｍ（実施例１と同一寸法である）の誘電体素体を多数用意して洗浄し、表面の油脂等による汚れを取り除く。
　【００３２】
（２）誘電体素体の外周面をマスキングする。
　【００３３】
（３）マスキング後の誘電体素体に、銅メッキを施す。メッキ条件は、メッキ膜厚が１μｍから１５μｍまでの１５通りとなるように調整する。そして、１〜１５μｍの膜厚毎に、サンプルを１５個づつ用意する。つまり、膜厚１μｍのサンプルを１５個，膜厚２μｍのサンプルを１５個，……という具合に、膜厚毎に１５個づつサンプルを得る。
　【００３４】
（４）全てのサンプルの外周面のマスキングを除去する。そして、誘電体素体１０の内周面側を栓で塞ぐ。
　【００３５】
（５）以上の各サンプルにつき、前記（３）の手法により外部電極をメッキ形成する。メッキ工程は、１〜１５μｍの各膜厚毎に順に繰り返し、内外電極の膜厚がそれぞれ１〜１５μｍの間で変化した２２５個のサンプルを得る。
　【００３６】
（６）次に、すべてのサンプルについて内周面側の栓を外すとともに、片側の端面を研削し電極を削除する。これにより、内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）が（１，１）μｍから（１５，１５）μｍまで変化する合計２２５個の誘電体共振器のサンプルが得られる。
　【００３７】
　以上のようにして得たサンプルにつき、Ｑ値を測定したところ、以下の表２に示すような結果が得られた。この表に示すように、内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）が一致するサンプルよりも、一致しないサンプルの方が大きなＱ値となっている。従って、前記実施例と同様に、銅メッキ膜の場合にも内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）の最適設計を行うことで、良好なＱ値の誘電体共振器を得ることができる。
　【００３８】
　【表２】
　【００３９】
　同様の条件で、銅メッキの代わりに銀メッキで内外電極を形成し、各サンプルのＱ値を測定したところ、以下の表３に示すような結果が得られた。この表に示すように、内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）が一致するサンプルよりも、一致しないサンプルの方が大きなＱ値となっている。従って、前記実施例と同様に、銀メッキ膜の場合にも内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）の最適設計を行うことで、良好なＱ値の誘電体共振器を得ることができる。
　【００４０】
　【表３】
　【００４１】
　図３には、外部電極膜厚ｒｂをパラメータとし、内部電極膜厚ｒａを変化させたときのＱ値の変化の様子が示されており、上述した図２に対応するものである。図３（Ａ）は銅メッキ膜の場合、（Ｂ）は銀メッキ膜の場合である。これらのグラフに示すように、内部電極膜厚ｒａが２μｍ前後でＱ値はピークとなっている。
　【００４２】
　これらのグラフから、良好なＱ値が得られる範囲を求めてみる。まず、内部電極膜厚ｒａが１μｍ以下では、急速にＱ値が低下する。従って、ｒａ≧１μｍ，好ましくは１≦ｒａ≦８μｍ，更には１≦ｒａ≦５μｍの範囲で良好な結果を得ることができる。次に、外部電極膜厚ｒｂについては、前記表２，表３も考慮すると、１μｍ以下ではかなり低いＱ値しか得られないが、ｒｂ≧２μｍとすることで相当高いＱ値を得ることができる。特に、ｒｂ≧９μｍとすることで非常に高いＱ値が得られる。
　【００４３】
　以上の結果をまとめると、
　　（１）ｒａ≧１μｍ，ｒｂ≧２μｍ，
　　（２）１≦ｒａ≦８μｍ，ｒｂ≧２μｍ，
　　（３）１≦ｒａ≦５μｍ，ｒｂ≧９μｍ
の順で良好なＱ値が得られている。具体的には、ｒａ＝ｒｂとした場合と比較して２３０以上のＱ値を得ることができる。
　【００４４】
　【実施例３】
　次に、以上のような誘電体共振器の製造方法の実施例について説明する。内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）が異なる誘電体共振器の製造方法としては、上述したサンプルの製造方法のように、内周側及び外周側の一方にマスキングを行って他方の電極を形成するという作業を内周側，外周側でそれぞれ行えばよい。
　【００４５】
　ところで、上述した実施例によれば、外部電極膜厚ｒｂを一定として内部電極膜厚ｒａを増大すると、Ｑにピーク値が存在することがわかる。このような性質を利用した製造方法を以下に説明する。例えば、外部電極膜厚ｒｂ＝１５μｍの場合、表１に示した内部電極膜厚ｒａに対するＱ値の変化は、図２に示すようになる。同図に示すように、内部電極膜厚ｒａが６〜７μｍでＱ値はピークとなっている。
　【００４６】
　そこで、本実施例では、最初に所定膜厚の外部電極が形成され、次に内部電極が所望のＱ値となるように形成される。図４（Ａ）には主要工程が示されており、まず適当な誘電体素体を用意し、上述したようにその洗浄を行う（図４（Ａ），ステップＳ１０）。次に、栓を用いるなどの手法で誘電体素体の内側をマスキングし、素体の外側に所望の膜厚の外部電極を形成する（ステップＳ１２）。そして、その後、誘電体素体の外側をマスキングし、素体の内側に内部電極を形成する（ステップＳ１４）。
　【００４７】
　上述したように、外部電極膜厚ｒｂが決まるとＱ値がピークとなる内部電極膜厚ｒａが決まる。この関係から、最初に外部電極を形成し、次に相当する膜厚の内部電極を形成するようにすれば、ピークもしくはそれに匹敵するＱ値を得ることができる。また、Ｑ値を測定しながら内部電極膜厚ｒａを形成することも可能である。
　【００４８】
　以上の各工程では、誘電体素体の端面にも短絡電極が形成される。そして、開放端側で電極導体の一部が除去され、誘電体共振器が得られる。なお、図６に示したように、一方の短絡電極を除去してもよいし、外部電極を開放端側で帯状に除去するようにしてもよい。
　【００４９】
　【実施例４】
　次に、図４（Ｂ）を参照しながら実施例４を説明する。前記実施例１において外部電極膜厚をｒｂ＝５μｍとしたときの内部電極膜厚ｒａに対するＱ値の変化は、図２に示した通りである。この場合、Ｑ値は５〜６μｍ付近でピークとなる。すなわち、内部電極膜厚ｒａが外部電極膜厚ｒｂよりも多少厚い状態でＱ値がピークとなる。このような場合は、図４（Ｂ）に示すように、洗浄した誘電体素体の全面に、まず一定膜厚の内部電極及び外部電極を形成する（図４（Ｂ），ステップＳ２０，Ｓ２２）。ｒｂ＝５μｍの場合であれば、外部電極膜厚ｒｂに相当する５μｍの導体膜を誘電体素体の全面に形成する。次に、誘電体素体の外側をマスキングして、所望のＱ値になるように素体の内側に内部電極を追加形成する（ステップＳ２４）。その後、開放端側で電極導体の一部を除去する（ステップＳ２６）。
　【００５０】
　このような手法によれば、最初、一定膜厚の内部電極と外部電極が同時に形成されるので、製造の効率化を図ることができる。所望のＱ値が得られる内外電極間の膜厚差が比較的小さいときに、特に有効な手法である。なお、以上の説明は実施例１を例としたが、実施例２についても同様に適用される。
　【００５１】
　【実施例５】
　次に、図５を参照しながら実施例５について説明する。上述した実施例は、内外電極の膜厚とＱ値に関するものであるが、この実施例５は、端面のエッジ部導体膜厚とＱ値に関するものである。
　【００５２】
　電極膜厚が誘電体素体の全面に亘って最適値なら格別の不都合はないが、内部電極や外部電極と短絡電極とが接続する端面エッジ部で膜厚が薄くなると、その部分で電流の流れが妨げられて導電率が低下し、誘電体共振器のＱ値も低下する。特に、ディップ法で電極を形成する場合、素体エッジ部の膜厚が薄くなることがあり、これが原因でＱ値の低下をもたらすが、エッジ部の膜厚を隣接部分と同等ないし均一にすることによって、その共振器特有の本来のＱ値特性を得ることが可能となる。以下、具体的な測定例を説明する。
　【００５３】
（１）例えば、長さ８，３ｍｍ，内径０．８３ｍｍ，外径２．９５ｍｍ，比誘電率ε／ε０＝８１，エッジ部長さｅ＝０．１ｍｍ，０．２ｍｍ，０．３ｍｍのそれぞれについて素体を用意する。なお、図５（Ａ）に示す誘電体共振器の内側エッジ部が同図（Ｂ）に拡大されており、外側エッジ部が同図（Ｃ）に拡大されている。エッジ部長さｅは、内外エッジ部の曲率半径をＲ，角度をθとすると、ｅ＝Ｒθで表わされる。これら誘電体素体を洗浄し、表面の油脂等による汚れを取り除く。
　【００５４】
（２）次に、洗浄した誘電体素体を、銀ペーストに溶剤を加えた銀ディップ液に浸漬し、引き上げ後熱処理炉にて乾燥する。この工程を、内部電極１４と外部電極２２の膜厚が１５μｍとなるまで繰り返す。その後、全てのサンプルの一方の端面を研削し、電極導体を削除する。
　【００５５】
（３）以上のような誘電体共振器を、エッジ部長さｅ＝０．１，０．２及び０．３ｍｍのそれぞれについて２２５個づつ用意する。そして、各エッジ部長さ毎に、内外のエッジ部膜厚（ｒＡ，ｒＢ）（図５参照）をそれぞれ（１，１）μｍから（１５，１５）μｍまで変化させる。
　【００５６】
　以上のようにして得た各サンプルにつき、Ｑ値を測定したところ、以下の表４〜表６に示すような結果が得られた。なお、表４はエッジ部長さｅ＝０．１ｍｍ，表５はエッジ部長さｅ＝０．２ｍｍ，表６はエッジ部長さｅ＝０．３ｍｍの場合である。
　【００５７】
　【表４】
　【００５８】
　【表５】
　【００５９】
　【表６】
　【００６０】
　これらの表から明らかなように、いずれのエッジ部長さにおいても、内外エッジ部膜厚（ｒＡ，ｒＢ）が内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）＝１５μｍに近づくほどＱ値が高くなっている。
　【００６１】
　次に、同様の条件であるが、内部電極膜厚ｒａを前記測定例の１５μｍから１０μｍとした各サンプルにつき、Ｑ値を測定したところ、以下の表７〜表９に示すような結果が得られた。なお、表７はエッジ部長さｅ＝０．１ｍｍ，表８はエッジ部長さｅ＝０．２ｍｍ，表９はエッジ部長さｅ＝０．３ｍｍの場合である。なお、内外の電極膜厚が異なるが、その製造手法は上述した実施例を適用すればよい。
　【００６２】
　【表７】
　【００６３】
　【表８】
　【００６４】
　【表９】
　【００６５】
　これらの表から明らかなように、この場合も、内外エッジ部膜厚（ｒＡ，ｒＢ）が内外電極膜厚（ｒａ，ｒｂ）＝（１０，１５）（μｍ）に近づくほどＱ値が高くなっている。
　【００６６】
　なお、内外エッジ部膜厚（ｒＡ，ｒＢ）を隣接する電極の膜厚と同等化もしくは均一化する手法としては、例えば、エッジ部以外の部分をマスキングしてディップ法などを適用する方法が有り得る。しかし、上述した実施例で示した内部電極と外部電極を形成する過程で特にエッジ部をマスキングしなければ、内部電極の膜厚に外部電極の膜厚を加算したエッジ部が形成されることになり、結果的に十分な膜厚を得ることができ、Ｑ値の低下が防止される。なお、エッジ部膜厚が内外電極膜厚より厚くなっても、特性上の影響はほとんどない。
　【００６７】
　【他の実施例】
　この発明には数多くの実施の形態があり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。例えば、次のようなものも含まれる。
（１）前記実施例に示した形状，寸法は一例であり、必要に応じて適宜設定してよい。例えば、誘電体素体としては中心孔を有する円柱状のものの他、角柱状のものにも適用可能である。測定値も一例であり、必要に応じて測定を行ってその結果を利用してよい。
（２）誘電体共振器のＱ値は、通常ピーク値が好ましいが、製造コストなどの観点から一定値以上とすることを妨げるものではない。共振器エッジ部における導体膜厚も、隣接する電極膜厚と略同等ないしは略均一であればよく、完全に一致していなくてもよい。
（３）誘電体素体，電極，マスキングの形成方法としては、種々のものが公知であり、いずれの手法を用いてもよい。
　【発明の効果】
　本発明によれば、次のような効果がある。
（１）誘電体素体の内外周に内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極と外部電極の膜厚の間に、所望のＱ値を考慮して差を設けるとともに、共振器端面のエッジ部の導体膜厚を、隣接する電極の膜厚と同等若しくはそれ以上に設定することとしたので、電極膜厚均一の場合よりもＱ値を向上させることができる。
（２）誘電体素体の内外周に内部電極及び外部電極が形成されており、これら内部電極の膜厚ｒａと外部電極の膜厚ｒｂとが、ｒａ＜ｒｂの関係を満たすようにしたので、良好なＱ値を得ることができる。
（３）共振器端面のエッジ部の導体膜厚を、隣接する電極の膜厚と同等若しくはそれ以上に設定したので、Ｑ値の低下が防止される。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例１の主要工程を示す図である。
　【図２】
　実施例１において内部電極膜厚を変化させたときのＱ値の変動を示すグラフである。
　【図３】
　実施例２において内部電極膜厚を変化させたときのＱ値の変動を示すグラフである。（Ａ）は銅の場合、（Ｂ）は銀の場合である。
　【図４】
　実施例３及び４の製造方法を示すフローチャートである。
　【図５】
　素体端面の内外エッジ部を拡大して示す図である。
　【図６】
　誘電体共振器の一例を示す図である。（Ａ）は斜視図，（Ｂ）は（Ａ）の＃６−＃６線に沿って矢印方向に見た断面である。
　【図７】
　内外電極膜厚を同一としたときの電極膜厚とＱ値との関係を示すグラフである。
　【符号の説明】
　１０…誘電体素体
　１２…マスキング
　１４…内部電極
　１６，１８…短絡電極
　２０…栓（マスキング）
　２２…外部電極
　ｒａ…内部電極膜厚
　ｒｂ…外部電極膜厚
　ｒＡ…内側エッジ部膜厚
　ｒＢ…外側エッジ部膜厚