【手続補正書】
【提出日】平成27年8月20日(2015.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＩａ）：
【化１】
2014531435.tif 000001
［式中、Ｒ１およびＲ２は独立に、直鎖Ｃ４〜４０アルキル基であり、ｍ１およびｍ２は１である］
を有する化合物。
【請求項２】
式（ＩＩｂ）または（ＩＩｃ）：
【化２】
2014531435.tif 000002
を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ１およびＲ２が独立に、ｎ−Ｃ４Ｈ９、ｎ−Ｃ５Ｈ１１、ｎ−Ｃ６Ｈ１３、ｎ−Ｃ７Ｈ１５、ｎ−Ｃ８Ｈ１７、ｎ−Ｃ９Ｈ１９、ｎ−Ｃ１０Ｈ２１、ｎ−Ｃ１１Ｈ２３、およびｎ−Ｃ１２Ｈ２５から選択される、請求項１または請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物を含む、薄膜半導体。
【請求項５】
基板と、前記基板上に堆積された請求項４に記載の薄膜半導体とを含む、複合材料。
【請求項６】
請求項４に記載の薄膜半導体を含む、電子デバイス、光学デバイス、または光電子デバ
イス。
【請求項７】
請求項５に記載の複合材料を含む、電子デバイス、光学デバイス、または光電子デバ
イス。
【請求項８】
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、誘電体材料に接触する請求項４に記載
の薄膜半導体とを含む、電界効果トランジスターデバイス。
【請求項９】
前記電界効果トランジスターが、トップゲートボトムコンタクト構造、ボトムゲートト
ップコンタクト構造、トップゲートトップコンタクト構造、およびボトムゲートボトムコ
ンタクト構造から選択される構造を有する、請求項８に記載の電界効果トランジスター
デバイス。
【請求項１０】
前記誘電体材料が有機誘電体材料を含む、請求項８または９に記載の電界効果トラ
ンジスターデバイス。
【請求項１１】
前記誘電体材料が、無機誘電体材料またはハイブリッド有機／無機誘電体材料を含む、
請求項８または９に記載の電界効果トランジスターデバイス。
【請求項１２】
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、誘電体材料と、請求項１〜３のいずれ
か一項に記載の化合物を含む光活性成分とを含み、前記光活性成分が前記誘電体材料に接
触している、発光トランジスターデバイス。
【請求項１３】
前記光活性成分が２層以上の積層体を含む、請求項１２に記載の発光トランジスターデ
バイス。
【請求項１４】
前記積層体が、発光層と１つまたは複数の有機電荷輸送層とを含む、請求項１３に記載
の発光トランジスターデバイス。
【請求項１５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物がブレンド材料中に存在する、請求項１４に記載の発光トランジスターデバイス。
【請求項１６】
電界効果トランジスターデバイスの製造方法であって、基板を、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物を含む流体媒体と、５０℃未満の温度で接触させて、前記基板上に薄膜半導体を形成するステップを含む、方法。
【請求項１７】
前記温度が４０℃未満である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記流体が非塩素化溶媒を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記流体媒体が非ハロゲン化溶媒を含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本教示は、半導体材料、ならびに、本明細書に開示されている化合物および半導体材料を組み込んだ種々の組成物、複合体およびデバイスを製造する方法も提供する。
本発明の実施形態において、例えば以下の項目が提供される。
（項目１）
式Ｉ：
【化２１】
2014531435.tif 000003
［式中：
Ｘは、Ｓ、Ｏ、およびＣＨ＝ＣＨから選択され；
Ｙは、Ｓ、Ｏ、およびＣＨ＝ＣＨから選択され；
Ｚは、ＨまたはＣＨＲ１Ｒ１’であり；
Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ２、およびＲ２’は独立に、直鎖Ｃ１〜４０アルキル基、直鎖Ｃ２〜４０アルケニル基、および直鎖Ｃ１〜４０ハロアルキル基から選択され；
ｍは、各存在において、独立に、０、１、２、３、および４から選択される］
を有する化合物。
（項目２）
式ＩＩ：
【化２２】
2014531435.tif 000004
［式中、Ｚ、Ｒ２、Ｒ２’、およびｍは項目１に記載の通りである］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目３）
式ＩＩＩ：
【化２３】
2014531435.tif 000005
［式中、Ｚ、Ｒ２、Ｒ２’、およびｍは項目１に記載の通りである］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目４）
式ＩＶ：
【化２４】
2014531435.tif 000006
［式中、Ｚ、Ｒ２、Ｒ２’、およびｍは項目１に記載の通りである］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目５）
ＺがＣＨＲ１Ｒ１’であり、それぞれのｍが独立に１、２、および３から選択される、項目２〜４のいずれか一項に記載の化合物。
（項目６）
Ｒ１およびＲ２が独立に、直鎖Ｃ３−４０アルキル基、直鎖Ｃ３−４０アルケニル基、および直鎖Ｃ３−４０ハロアルキル基から選択され；Ｒ１’およびＲ２’が独立に、ＣＨ３、ＣＦ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＦ２ＣＨ３、およびＣ２Ｆ５から選択される、項目５に記載の化合物。
（項目７）
式ＩＩａ、ＩＩＩａ、またはＩＶａ：
【化２５】
2014531435.tif 000007
［式中、Ｒ１およびＲ２は独立に、Ｃ２Ｈ５、ｎ−Ｃ３Ｈ７、ｎ−Ｃ４Ｈ９、ｎ−Ｃ５Ｈ１１、ｎ−Ｃ６Ｈ１３、ｎ−Ｃ７Ｈ１５、ｎ−Ｃ８Ｈ１７、ｎ−Ｃ９Ｈ１９、ｎ−Ｃ１０Ｈ２１、ｎ−Ｃ１１Ｈ２３、およびｎ−Ｃ１２Ｈ２５から選択され；ｍ１およびｍ２は独立に、０、１、および２から選択される］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目８）
式ＩＩｂ、ＩＩＩｂ、ＩＶｂ、ＩＩｃ、ＩＩＩｃ、またはＩＶｃ：
【化２６】
2014531435.tif 000008
［式中、Ｒ１およびＲ２は独立に、Ｃ２Ｈ５、ｎ−Ｃ３Ｈ７、ｎ−Ｃ４Ｈ９、ｎ−Ｃ５Ｈ１１、ｎ−Ｃ６Ｈ１３、ｎ−Ｃ７Ｈ１５、ｎ−Ｃ８Ｈ１７、ｎ−Ｃ９Ｈ１９、ｎ−Ｃ１０Ｈ２１、ｎ−Ｃ１１Ｈ２３、およびｎ−Ｃ１２Ｈ２５から選択され；ｍ１およびｍ２は独立に、０、１、および２から選択される］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目７）
式Ｖ、ＶＩ、またはＶＩＩ：
【化２７】
2014531435.tif 000009
［式中、Ｒ２は、直鎖Ｃ３〜４０アルキル基、直鎖Ｃ３〜４０アルケニル基、および直鎖Ｃ３−４０ハロアルキル基から選択され；Ｒ２’は、ＣＨ３、ＣＦ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＦ２ＣＨ３、およびＣ２Ｆ５から選択され；ｍ１およびｍ２は独立に、０、１、および２から選択される］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目８）
式Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、Ｖｂ、ＶＩｂ、またはＶＩＩｂ：
【化２８】
2014531435.tif 000010
［式中、Ｒ２は、直鎖Ｃ３〜４０アルキル基、直鎖Ｃ３〜４０アルケニル基、および直鎖Ｃ３〜４０ハロアルキル基から選択され；Ｒ２’は、ＣＨ３、ＣＦ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＦ２ＣＨ３、およびＣ２Ｆ５から選択され；ｍ１およびｍ２は独立に、０、１、および２から選択される］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目９）
項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む、薄膜半導体。
（項目１０）
基板と、前記基板上に堆積された項目９に記載の薄膜半導体とを含む、複合材料。
（項目１１）
項目９に記載の薄膜半導体を含む、電子デバイス、光学デバイス、または光電子デバ
イス。
（項目１２）
項目１０に記載の複合材料を含む、電子デバイス、光学デバイス、または光電子デバ
イス。
（項目１３）
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、誘電体材料に接触する項目９に記載の薄膜半導体とを含む、電界効果トランジスターデバイス。
（項目１４）
前記電界効果トランジスターが、トップゲートボトムコンタクト構造、ボトムゲートトップコンタクト構造、トップゲートトップコンタクト構造、およびボトムゲートボトムコンタクト構造から選択される構造を有する、項目１３に記載の電界効果トランジスター
デバイス。
（項目１５）
前記誘電体材料が有機誘電体材料を含む、項目１３または１４に記載の電界効果トランジスターデバイス。
（項目１６）
前記誘電体材料が、無機誘電体材料またはハイブリッド有機／無機誘電体材料を含む、項目１３または１４に記載の電界効果トランジスターデバイス。
（項目１７）
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、誘電体材料と、項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む光活性成分とを含み、前記光活性成分が前記誘電体材料に接触している、発光トランジスターデバイス。
（項目１８）
前記光活性成分が２層以上の積層体を含む、項目１７に記載の発光トランジスターデバイス。
（項目１９）
前記積層体が、発光層と１つまたは複数の有機電荷輸送層とを含む、項目１９に記載の発光トランジスターデバイス。
（項目２０）
項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物がブレンド材料中に存在する、項目１９に記載の発光トランジスターデバイス。
（項目２１）
電界効果トランジスターデバイスの製造方法であって、基板を、項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む流体媒体と、約５０℃未満の温度で接触させて、前記基板上に薄膜半導体を形成するステップを含む、方法。
（項目２２）
前記温度が約４０℃未満である、項目１７に記載の方法。
（項目２３）
前記流体が非塩素化溶媒を含む、項目１７に記載の方法。
（項目２４）
前記流体媒体が非ハロゲン化溶媒を含む、項目１７に記載の方法。