Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月23日(2015.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発泡部材を形成する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、包括的には、射出成形の分野に関し、より詳細には、発泡部材を形成する方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発泡部材を形成する方法であって、
（ｉ）バレル内に取り付けられて該バレル内にポリマー処理空間を画成するスクリューと、
（ｉｉ）前記ポリマー処理空間と連通するポリマー材料送達システムと、
（ｉｉｉ）前記ポリマー処理空間と連通する発泡剤送達システムと、
（ｉｖ）前記ポリマー処理空間の遠位部分と流体連通する少なくとも１つのノズルと
を備えるポリマー処理システムを準備することと、
前記ノズルと流体連通する少なくとも１つの拡張可能な成形型キャビティを有する成形型を準備することと、
前記ポリマー処理空間内においてポリマー材料及び発泡剤を混合して未発泡混合物を作製することと、
前記ポリマー材料及び前記発泡剤のある容積の前記未発泡混合物を、前記ノズルを通して拡張可能な前記成形型キャビティ内に射出することと、
発泡部材を形成するように前記成形型キャビティを拡張することと
を含み、
前記成形型キャビティを拡張することは、前記成形型キャビティの第１の壁を前記成形型キャビティの第２の壁に関して回転させることによる前記第２の壁に対する前記第１の壁の非対称の側方変位を含む方法。
【請求項２】
前記発泡部材は、未処理の前記ポリマー材料の溶融温度から５℃の範囲内の推定溶融温度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリマー材料は、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）、ポリエチレン、又は熱可塑性ゴム（ＴＰＲ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記発泡剤送達システムは、前記発泡剤の流量又は射出される発泡剤の質量のうちの少なくとも一方を制御するように構成された計測システムを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマー処理空間内に射出される前記発泡剤の質量は、前記未発泡混合物の０．１質量％〜２質量％を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記バレルは、混合前に高バレル温度に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ノズルは、混合前に高ノズル温度に加熱され、該高ノズル温度は、前記高バレル温度よりも高い、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記成形型キャビティ内に射出される前記未発泡混合物の容積及び／又は前記未発泡混合物が前記成形型キャビティ内に射出される速度のうちの少なくとも一方を制御することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
拡張可能な前記成形型キャビティを、ポリマー材料の射出前に、第１の成形型温度に維持することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
拡張後の前記成形型キャビティの容積は、拡張前の前記成形型キャビティの容積の２倍〜１２倍である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
（ｉ）拡張前の第１の期間の間、前記成形型キャビティを拡張していない位置に保持することと、
（ｉｉ）拡張後の第２の期間の間、前記成形型キャビティを拡張した位置に保持することと、
（ｉｉｉ）拡張可能な前記成形型キャビティの拡張速度を制御することと
のうちの少なくとも１つを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記成形型キャビティを拡張することは、前記第２の壁に対する前記第１の壁の直線的な側方変位をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記発泡部材はスキン層を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記スキン層は、１００μｍ〜５００μｍの厚さを有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリマー材料はＴＰＵを含み、前記スキン層は３００μｍの厚さを有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記発泡部材は、０．０１μｍ〜２００μｍの平均セル直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ポリマー材料はＴＰＵを含み、前記発泡部材は、０．０１μｍ〜５０μｍの平均セル直径を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記発泡部材は、１０８セル／ｃｍ３〜１０１６セル／ｃｍ３の平均セル数を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
発泡部材を形成する方法であって、
（ｉ）バレル内に取り付けられて該バレル内にポリマー処理空間を画成するスクリューと、
（ｉｉ）前記ポリマー処理空間と連通するポリマー材料送達システムと、
（ｉｉｉ）前記ポリマー処理空間と連通する発泡剤送達システムと、
（ｉｖ）前記ポリマー処理空間の遠位部分と流体連通する少なくとも１つのノズルと
を備えるポリマー処理システムを準備することと、
前記ノズルと流体連通する少なくとも１つの拡張可能な成形型キャビティを有する成形型を準備することと、
前記ポリマー処理空間内においてポリマー材料及び発泡剤を混合して未発泡混合物を作製することと、
前記ポリマー材料及び前記発泡剤のある容積の前記未発泡混合物を、前記ノズルを通して拡張可能な前記成形型キャビティ内に射出することと、
発泡部材を形成するように前記成形型キャビティを拡張することと
を含み、
前記成形型キャビティを拡張することは、前記成形型キャビティの第１の壁の前記成形型キャビティの第２の壁に対する変位を含み、
前記発泡部材は、シューズソールのミッドソールの踵部分及び前足部分の少なくとも一方に挿入されるインサートを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月11日(2014.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療有効量の胎盤幹細胞、又は胎盤幹細胞により馴化された培養培地を含む、脊髄損傷又は外傷性脳損傷に関連した疾患、障害又は病態を有するか又はその発症のリスクがある個体を治療するための医薬組成物であって、ここで該治療有効量が、該疾患、障害又は病態の1以上の症状の検出可能な改善を引き起こすのに十分な量である、前記医薬組成物。
【請求項２】
前記胎盤幹細胞が、CD10+、CD34-、CD105+、CD200+胎盤幹細胞である、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記胎盤幹細胞が、CD200を発現し且つHLA-Gを発現しないか、又はCD73、CD105、及びCD200を発現するか、又はCD200及びOCT-4を発現するか、又はCD73及びCD105を発現し且つHLA-Gを発現しないか、又はCD73及びCD105を発現し且つ該幹細胞を含む胎盤細胞の集団が胚様体の形成を可能にする条件下で培養される場合、該集団中の1以上の胚様体の形成を促進するか、又はOCT-4を発現し且つ該幹細胞を含む胎盤細胞の集団が胚様体の形成を可能にする条件下で培養される場合、該集団中の1以上の胚様体の形成を促進する、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記個体が、脊髄損傷に関連した疾患、障害又は病態を有するか又はその発症のリスクがある、請求項2記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記脊髄損傷が、直接外傷により引き起こされる、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記脊髄損傷が、骨片、血腫、又は椎間板物質による圧迫により引き起こされる、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記脊髄損傷が、脊髄動脈への損傷又は衝突からの虚血により引き起こされる、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記疾患、障害又は病態が、脊髄損傷から生じる脊髄ショックである、請求項2記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記疾患、障害又は病態が、脊髄損傷から生じる神経原性ショックである、請求項2記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記疾患、障害又は病態が、脊髄損傷から生じる自律神経反射異常である、請求項2記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記疾患、障害又は病態が、脊髄損傷から生じる浮腫である、請求項2記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記疾患、障害又は病態が、脊髄中心症候群、ブラウン・セカール症候群、脊髄前部症候群、脊髄円錐症候群、及び馬尾症候群からなる群から選択される、請求項2記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記脊髄損傷が、頚椎、胸椎、腰椎、又は仙椎の1以上にある、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記脊髄損傷が、頚髄、胸髄、腰仙椎、円錐、後頭部の1以上、又は馬尾神経の1以上にある、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記1つ又は複数の症状が、脊髄の頚髄分節、胸髄分節、腰髄分節又は仙髄分節の運動機能、感覚機能、又は運動感覚機能の喪失又は障害を含む、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記1つ又は複数の症状が、腕、胴体、脚又は骨盤内器官の運動機能、感覚機能、又は運動感覚機能の喪失又は障害を含む、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記1つ又は複数の症状が、皮膚分節C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12、L1、L2、L3、L4又はL5の1以上の無感覚を含む、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記胎盤幹細胞又は胎盤幹細胞により馴化された培養培地の治療有効量が、脊髄損傷の14日以内に個体に投与される、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項１９】
第二の治療薬をさらに含む、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項２０】
前記第二の治療薬が、コルチコステロイド、神経保護薬、免疫調節薬若しくは免疫抑制薬、又は抗凝固薬である、請求項9記載の医薬組成物。
【請求項２１】
前記個体が、外傷性脳損傷に関連した疾患、障害又は病態を有するか又はその発症のリスクがある、請求項2記載の医薬組成物。
【請求項２２】
前記外傷性脳損傷が、前頭葉、頭頂葉、後頭葉、側頭葉、脳幹、又は小脳の損傷である、請求項21記載の医薬組成物。
【請求項２３】
前記外傷性脳損傷が、軽度の外傷性脳損傷である、請求項21記載の医薬組成物。
【請求項２４】
前記外傷性脳損傷が、中程度から重度の外傷性脳損傷である、請求項21記載の医薬組成物。
【請求項２５】
前記症状が、頭痛、思考の困難、記憶障害、注意欠陥、気分動揺及び欲求不満、疲労、視力障害、記憶喪失、注意不足／集中力不足、睡眠障害、眩暈／平衡感覚障害、短気、情緒障害、意気消沈、発作、悪心、嗅覚喪失、光及び音への過敏、気分変動、迷い又は混乱、又は思考緩徐の1以上である、請求項21記載の医薬組成物。
【請求項２６】
前記症状が、注意困難、集中困難、散漫性、記憶困難、処理速度の緩慢化、混乱、固執、衝動、言語処理の困難、発語及び言語の困難、話し言葉の理解不能(受容失語症)、会話及び理解の困難(表現性失語症)、不明瞭言語、非常に速い又は非常に遅い発語、難読症、難書症、触覚・温度・運動・四肢の位置・微細な識別の解釈の困難、心理学的に意味のあるデータへの知覚印象の統合又はパターン化の困難、部分的又は完全な視力喪失、眼筋虚弱及び二重視力(複視)、かすみ目、距離判断の問題、眼球固視微動(眼振)、光への不耐(羞明)、聴力低下又は喪失、耳鳴り(耳鳴)、音への敏感さの増大、嗅覚喪失又は減退(嗅覚消失)、味覚喪失又は減退、発作、てんかんに関連した痙攣、身体麻痺／痙直、慢性疼痛、腸及び／又は膀胱の制御喪失、睡眠障害、体力低下、食欲の変化、体温調節不能、月経困難、社会的感情の困難、依存行動、情動能喪失、意欲喪失、短気、攻撃性、抑鬱、脱抑制、又は認識欠如の1以上である、請求項21記載の医薬組成物。
【請求項２７】
第二の治療薬をさらに含む、請求項21記載の医薬組成物。
【請求項２８】
前記第二の治療薬が、抗痙攣薬、抗鬱薬、アマンタジン、メチルフェニデート、ブロモクリプチン、カルバマゼピン又はアミトリプチリンである、請求項9記載の医薬組成物。
【請求項２９】
前記胎盤幹細胞又は胎盤幹細胞により馴化された培養培地の治療有効量が、静脈内、動脈内、腹腔内、心室内、尿管内、胸骨内、頭蓋内、筋肉内、滑液嚢内、眼球内、硝子体内、大脳内、脳室内、髄腔内、骨内注入、膀胱内、経真皮、槽内、硬膜外、又は皮下投与からなる群から選択される経路により、個体へ投与される、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項３０】
前記胎盤幹細胞又は胎盤幹細胞により馴化された培養培地の治療有効量が、損傷部位へ直接個体に投与される、請求項1記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉによる組成、又はその前駆体である式ＩＩの組成を含むモノマーであって、
ＣＸ１Ｘ３＝ＣＸ２−（Ｒ１）ｐ−ＣＺ１  Ｚ２−ＳＯ２Ｍ  （Ｉ）
式中、Ｘ１、Ｘ２、及びＸ３は、独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ３、及びＣＨ３から選択され、Ｘ１、Ｘ２、又はＸ３のうちの少なくとも１つは、Ｈであり、Ｒ１は連結基であり、Ｚ１及びＺ２は、独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ３、及びペルフルオロアルキル基から選択され、ｐは０又は１であり、Ｍはカチオンであり、
ＣＸ４Ｘ１Ｘ３−ＣＸ５Ｘ２−（Ｒ１）ｐ−ＣＺ１Ｚ２−ＳＯ２Ｍ  （ＩＩ）
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ３、及びＣＨ３から選択され、Ｘ１、Ｘ２、又はＸ３のうちの少なくとも１つは、Ｈであり、Ｘ４及びＸ５は、独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選択され、Ｒ１は連結基であり、Ｚ１及びＺ２は、独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ３、及びペルフルオロアルキル基から選択され、ｐは０又は１であり、Ｍはカチオンである、モノマー。
【請求項２】
（ａ）末端アルケン化合物をハロフルオロスルホニルフッ化物と反応させてハロヒドロフルオロスルホニルフッ化物を製造することと、
（ｂ）前記ハロヒドロフルオロスルホニルフッ化物を脱ハロ水素化して、アルケンフルオロスルホニルフッ化物を製造することと、
（ｃ）前記アルケンフルオロスルホニルフッ化物を還元して、アルケンフルオロスルフィン酸、又は塩を製造することと、
を含む、方法。
【請求項３】
（ａ）末端アルケン化合物をジハロフルオロ炭素と反応させて、ハロアルケンフルオロ炭素ハロゲン化物を製造することと、
（ｂ）前記ハロアルケンフルオロ炭素ハロゲン化物をスルフィン化して、ハロアルケンフルオロスルフィン酸、又は塩を製造することと、
（ｃ）前記ハロアルケンフルオロスルフィン酸、又は塩を脱ハロ水素化して、アルケンフルオロスルフィン酸、又は塩を製造することと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月5日(2014.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)標的分子を含む試料をアパタイト固体表面に接触させる工程であって、それによってアパタイト固体表面を通して標的分子を流す、工程;
(b)アパタイト固体表面を十分な濃度及び体積の水酸化アルカリと接触させることにより、アパタイト固体表面を中和する工程;及び
(c)水酸化アルカリで中和する工程の後でアパタイト固体表面を洗浄する工程であって、それによって吸着された生物学的化合物を溶出する、工程
を含む、非吸着性フロースループロセスによる標的分子の精製に続いてアパタイト固体表面を洗浄するための方法。
【請求項２】
水酸化アルカリが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムからなる群より選択される、請求項1記載の方法。
【請求項３】
水酸化アルカリの濃度が0.01〜2Mである、請求項1または2記載の方法。
【請求項４】
水酸化アルカリの濃度が0.1〜1Mである、請求項1または2記載の方法。
【請求項５】
洗浄する工程が、アパタイト固体表面をリン酸溶液に接触させることを含む、請求項1記載の方法。
【請求項６】
リン酸溶液のpHが、6.5あるいは10.0であるかまたは6.5〜10.0である、請求項5記載の方法。
【請求項７】
リン酸溶液のリン酸濃度が、0.1Mあるいは1.0Mであるかまたは0.1〜1.0Mである、請求項5または6記載の方法。
【請求項８】
アパタイトが、ヒドロキシアパタイト及びフルオロアパタイトからなる群より選択される、請求項1記載の方法。
【請求項９】
アパタイトが、セラミックヒドロキシアパタイトまたはセラミックフルオロアパタイトである、請求項1記載の方法。
【請求項１０】
アパタイトが非セラミックアパタイトである、請求項1記載の方法。
【請求項１１】
標的分子がタンパク質である、請求項1記載の方法。
【請求項１２】
タンパク質が、抗体、抗体断片、及び組換えタンパク質から選択される、請求項11記載の方法。
【請求項１３】
接触させる工程が、固体表面をpH5.0〜7.5の溶液に接触させることを含む、請求項1記載の方法。
【請求項１４】
アパタイト固体支持体が、カラムの形態である、請求項1記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
「フロースルーモード」とは、適用に際して、精製されるべき（試料由来の）標的分子がクロマトグラフィー支持体を通って流れ、一方、試料中の少なくともいくつかの他の成分が選択的に保持され、それによって試料中の少なくともいくつかの非標的成分が取り除かれるようにクロマトグラフィーの条件が確立されているクロマトグラフィーの操作上のアプローチを指す。
[本発明1001]
(a)標的分子を含む試料をアパタイト固体表面に接触させる工程であって、それによってアパタイト固体表面を通して標的分子を流す、工程;
(b)アパタイト固体表面を十分な濃度及び体積の水酸化アルカリと接触させることにより、アパタイト固体表面を中和する工程;及び
(c)アパタイト固体表面を洗浄する工程
を含む、非吸着性フロースループロセスによる標的分子の精製に続いてアパタイト固体表面を洗浄するための方法。
[本発明1002]
水酸化アルカリが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムからなる群より選択される、本発明1001の方法。
[本発明1003]
水酸化アルカリの濃度が0.01〜2Mである、本発明1001または1002の方法。
[本発明1004]
水酸化アルカリの濃度が0.1〜1Mである、本発明1001または1002の方法。
[本発明1005]
洗浄する工程が、アパタイト固体表面をリン酸溶液に接触させることを含む、本発明1001の方法。
[本発明1006]
リン酸溶液のpHが、6.5あるいは10.0であるかまたは6.5〜10.0である、本発明1005の方法。
[本発明1007]
リン酸溶液のリン酸濃度が、0.1あるいは1.0であるかまたは0.1〜1.0である、本発明1005または1006の方法。
[本発明1008]
アパタイトが、ヒドロキシアパタイト及びフルオロアパタイトからなる群より選択される、本発明1001の方法。
[本発明1009]
アパタイトが、セラミックヒドロキシアパタイトまたはセラミックフルオロアパタイトである、本発明1001の方法。
[本発明1010]
アパタイトが非セラミックアパタイトである、本発明1001の方法。
[本発明1011]
標的分子がタンパク質である、本発明1001の方法。
[本発明1012]
タンパク質が、抗体、抗体断片、及び組換えタンパク質から選択される、本発明1011の方法。
[本発明1013]
接触させる工程が、固体表面をpH5.0〜7.5の溶液に接触させることを含む、本発明1001の方法。
[本発明1014]
アパタイト固体支持体が、カラムの形態である、本発明1001の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月2日(2015.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のボンディングエレメントを含むボンディングマトリックスであって、
それぞれのボンディングエレメントは
１つ又は複数の化学元素を含む第１の化学組成を有するコアと、
コアの辺縁部を少なくとも部分的に覆い、第１の化学組成と異なる化学組成であり、第１の化学組成の化学元素の１つに対応する陽イオンを含む第２の化学組成を有する第１の層と、
第１の層の辺縁部を少なくとも部分的に覆い、第１及び第２の化学組成と異なる化学組成であり、第１の化学組成の化学元素の１つに対応する陽イオンを含む第３の化学組成を有する第２の層と
を含み、
前記ボンディングマトリックスは多孔質固体から調製され、該多孔質固体は、複数の前駆体粒子を含み、さらに前駆体粒子はボンディングエレメントに変態される、ボンディングマトリックス。
【請求項２】
第１の化学組成が少なくとも２種の化学元素を含み、第２の化学組成に随伴する陽イオンが第１の化学組成の少なくとも２種の化学元素の第１の化学元素に対応し、第３の化学組成に随伴する陽イオンが第１の化学組成の少なくとも２種の化学元素の第２の化学元素に対応する、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項３】
第１の化学組成が少なくとも２種の化学元素を含み、第２の化学組成に随伴する陽イオンが第１の化学組成の少なくとも２種の化学元素の第１の化学元素に対応し、第３の化学組成に随伴する陽イオンが第１の化学組成の少なくとも２種の化学元素の第１の化学元素に対応する、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項４】
第３の化学組成に随伴する陽イオンが反応物に対応する陰イオンと結合している、請求項３に記載のボンディンマトリックス。
【請求項５】
第２及び第３の化学組成に随伴する陽イオンがアルカリ土類金属である、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項６】
第２及び第３の化学組成に随伴する陽イオンがＣａ＋２及びＭｇ＋２から選択される、請求項５に記載のボンディングマトリックス。
【請求項７】
コアが等軸状、楕円状、繊維状、対称形状または薄片の形状である、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項８】
第１の層が非結晶質層または結晶層である、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項９】
コアがＣａＳｉＯ３またはＭｇＳｉＯ３を含む、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項１０】
コアが一般式ＭａＭｅｂＯｃ又はＭａＭｅｂ（ＯＨ）ｃを有する少なくとも１つの合成製剤を含み、Ｍが、反応して炭酸塩を形成し得る１つ又は複数の金属を含み、Ｍｅが、炭酸化反応中に酸化物を形成し得る１つ又は複数の金属である、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項１１】
Ｍがカルシウム又はマグネシウムから選択されるアルカリ土類金属であり、Ｍｅがケイ素、チタン、アルミニウム、リン、バナジウム、タングステン、モリブデン、ガリウム、マンガン、ジルコニウム、ゲルマニウム、銅、ニオブ、コバルト、鉛、鉄、インジウム、ヒ素及びタンタルの群から選択される、請求項１０に記載のボンディングマトリックス。
【請求項１２】
第１の層がアルミニウム、ケイ素又は鉄の酸化物又は水酸化物を含む、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項１３】
複数のボンディングエレメントを含むボンディングマトリックスであって、それぞれのボンディングエレメントが、
前駆体物質の化学組成と異なり、前駆体物質の化学組成に見いだされる化学元素に対応する陽イオンを含む化学組成を有する第１の層と、
第１の層の辺縁部を少なくとも部分的に覆い、第１の層及び前駆体物質の化学組成と異なり、前駆体物質の化学組成に見いだされる化学元素に対応する陽イオンを含む化学組成を有する第２の層と
を含むボンディングエレメントであって、
前記前駆体物質が複数の前駆体粒子を含み、前記前駆体粒子がボンディングエレメントに変態する、ボンディングマトリックス。
【請求項１４】
請求項１又は１３に記載のボンディングマトリックスと、
ボンディングマトリックスに組み込まれた充填材料と
を含む複合材料。
【請求項１５】
複数の前駆体粒子を含み、ある程度の多孔度を有する前駆体物質を準備するステップと、
液体溶媒を前駆体物質の細孔に導入するステップと、
ガス状反応物を前駆体物質の細孔に導入し、それにより、前駆体粒子を第１の層及び第２の層を有するボンディングエレメントに変態するステップと
を含む複合材料を製造する方法。
【請求項１６】
前駆体粒子の少なくとも一部が反応物と反応せず、残存してボンディングエレメントのコアを形成する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前駆体粒子のすべてが変態されて第１及び第２の層を形成し、それにより、ボンディングエレメントに前駆体粒子を残さない、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
液体溶媒を前駆体物質の細孔に導入するステップが、液体が前駆体物質の細孔を満たすように前駆体物質を飽和させるステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
液体溶媒を前駆体物質の細孔に導入するステップが、前駆体物質の細孔に液体を部分的に満たすステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
液体溶媒を前駆体物質の細孔に導入するステップが、
液体を蒸発させるステップと、
液体が前駆体物質の細孔全体に分布するように液体を凝縮させるステップと
をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前駆体物質を充填材料と混合するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
不活性材料が複数の等軸状粒子、異方性粒子またはこれらの組み合わせを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
複数の前駆体粒子を含む前駆体物質を準備するステップが前駆体粒子を所望の配向で整列させるステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
前駆体粒子を所望の配向で整列させるステップが前駆体粒子を１−Ｄ配向、２−Ｄ配向、または、３−Ｄ配向で整列させるステップを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
複数のボンディングエレメントを含むボンディングマトリックスを製作する方法であって、
（ｉ）複数の前駆体粒子を含む反応性前駆体を準備するステップと、
（ｉｉ）前駆体粒子の少なくとも一部を変態して、前駆体粒子の非変態部分の上に第１の層、及び第１の層の少なくとも一部の上に封入層を形成し、それにより、ボンディングエレメントを形成させるステップとを含み、
第１の層が少なくとも１つの第１の陽イオンを前駆体と共有し、
封入層が少なくとも１つの第２の陽イオンを前駆体と共有している、方法。
【請求項２６】
変態が不均化反応による、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
４０〜３００ＭＰａの圧縮強度を有する、請求項１に記載のボンディングマトリックス。
【請求項２８】
４０〜３００ＭＰａの圧縮強度を有する、請求項１３に記載のボンディングマトリックス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
化合物ｂまたはｄは、一般式Ｉの化合物に脱保護される前に、基Ｒが修飾されてよい。そのような修飾の例には、インゲノール−５，２０−アセトニド−３−（２−アミノ−ベンゾエート）の還元的アルキル化により、Ｎ−アルキル置換インゲノール−５，２０−アセトニド−３−（２−アミノ−ベンゾエート）を形成することが挙げられる。還元的アルキル化は、ジクロロメタンなどの適切な溶媒中、酢酸およびナトリウム−トリ（アセトキシ）−ホウ素化水素の存在下で行うことができる。中間体化合物ｂまたはｄは、精製を行わずに後の脱保護反応に用いて、一般式Ｉの化合物を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月16日(2014.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イソペリリルアルコールを有する医薬組成物。
【請求項２】
請求項１記載の医薬組成物において、前記イソペリリルアルコールが（４−イソプロピリデンシクロヘキサ−１−エニル）メタノール、（４−イソプロピルシクロヘキサ−１，３ジエニル）メタノール、（４−イソプロピルシクロヘキサ−１，４−ジエニル）メタノール、（４−イソプロピルフェニル）メタノール、および（４−イソプロペニルフェニル）メタノールからなる群から選択されるものである医薬組成物。
【請求項３】
請求項１記載の医薬組成物であって、さらに、前記イソペリリルアルコールと混合され、または調合された治療剤を有する医薬組成物。
【請求項４】
イソペリリルアルコールカルバメートを有する医薬組成物。
【請求項５】
請求項４記載の医薬組成物において、前記イソペリリルアルコールが（４−イソプロピリデンシクロヘキサ−１−エニル）メタノール、（４−イソプロピルシクロヘキサ−１，３ジエニル）メタノール、（４−イソプロピルシクロヘキサ−１，４−ジエニル）メタノール、（４−イソプロピルフェニル）メタノール、および（４−イソプロペニルフェニル）メタノールからなる群から選択されるものである医薬組成物。
【請求項６】
請求項４記載の医薬組成物において、前記イソペリリルアルコールカルバメートが、治療剤に共役したイソペリリルアルコールである医薬組成物。
【請求項７】
請求項６記載の医薬組成物において、前記治療剤が化学療法剤である医薬組成物。
【請求項８】
請求項６記載の医薬組成物において、前記化学療法剤が、ＤＮＡアルキル化薬、トポイソメラーゼ阻害剤、小胞体ストレス誘発剤、白金化合物、代謝拮抗物質、酵素阻害剤、およびレセプター拮抗剤からなる群から選択されるものである医薬組成物。
【請求項９】
請求項６記載の医薬組成物において、前記治療剤が、ジメチルセロコキシブ（ＤＭＣ）、テモゾロマイド（ＴＭＺ）、およびロリプラムからなる群から選択されるものである医薬組成物。
【請求項１０】
癌の治療におけるイソペリリルアルコールまたはイソペリリルアルコールカルバメートの使用。
【請求項１１】
請求項１０記載の使用において、前記イソペリリルアルコールが（４−イソプロピリデンシクロヘキサ−１−エニル）メタノール、（４−イソプロピルシクロヘキサ−１，３ジエニル）メタノール、（４−イソプロピルシクロヘキサ−１，４−ジエニル）メタノール、（４−イソプロピルフェニル）メタノール、および（４−イソプロペニルフェニル）メタノールからなる群から選択されるものである使用。
【請求項１２】
請求項１０または１１記載の使用において、前記癌が神経系の腫瘍または神経膠芽腫である使用。
【請求項１３】
請求項１０記載の使用において、前記イソペリリルアルコールが、吸入、経鼻、経口、静注、皮下、または筋注で投与されるものである使用。
【請求項１４】
請求項１０記載の使用において、前記イソペリリルアルコールカルバメートが、治療剤に共役したイソペリリルアルコールである使用。
【請求項１５】
請求項１４記載の使用において、前記化学療法剤が、ＤＮＡアルキル化薬、トポイソメラーゼ阻害剤、小胞体ストレス誘発剤、白金化合物、代謝拮抗物質、酵素阻害剤、およびレセプター拮抗剤からなる群から選択されるものである使用。
【請求項１６】
請求項１４記載の使用において、前記治療剤がジメチルセロコキシブ（ＤＭＣ）、テモゾロマイド（ＴＭＺ）、およびロリプラムからなる群から選択されるものである使用。
【請求項１７】
イソペリリルアルコールカルバメートを製造する方法であって、イソペリリルクロロホルメートの第１の反応物を、ジメチルセロコキシブ（ＤＭＣ）、テモゾロマイド（ＴＭＺ）、およびロリプラムからなる群から選択される第２の反応物と反応させる工程を有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ペリリルアルコールおよびその誘導体に対するパフォーマンス増進の目的から、他の治療剤に共役したイソペリリルアルコールを含む異性体または類似体を調製し、さらにはこの材料を悪性膠腫などの癌ならびにパーキンソン病およびアルツハイマー病などの他の脳疾患の治療において利用するニーズが存在している。これらの化合物は、単独投与してもよいし、または放射線、標準化学療法および手術を包含する他の治療方法と併用投与してもよい。また、投与の経路は、鼻腔、経口、肺送達のための経口気管、および経皮を含めた、多様なものがあり得る。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第８，２３６，８６２号明細書
（特許文献２）  米国特許第７，０５６，４９１号明細書
（特許文献３）  国際公開第２０１２／０８３１７８号
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１０／０２２６９１３号明細書
（非特許文献）
（非特許文献１）  Ｅｌ  Ｈｏｕｓｓａｍｅａ  ｅｔ  ａｌ．，"Ｐａｌｌａｄｉｕｍ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ  ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ａｌｌｙｌｉｃ  ｎａｔｕｒａｌ  ｔｅｒｐｅｎｉｃ  ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ  ｏｌｅｆｉｎｓ"Ｌａｂｏｒａｔｏｉｒｅ  ｄｅ  Ｃａｔａｌｙｓｅ  ｄｅ  Ｌｉｌｌｅ，ＵＰＲＥＳＡ  ＣＮＲＳ  ８０１０，  ＥＮＳＣ  Ｌｉｌｌｅ  ＢＰ  １０８，５９６５２  Ｖｉｌｌｅｎｅｕｖｅ  ｄ？Ａｓｃｑ，Ｆｒａｎｃｅ，ａｃｃｅｐｔｅｄ  ４  Ａｕｇｕｓｔ  ２０００，ｅｎｔｉｒｅ  ｄｏｃｕｍｅｎｔ  ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ  ｐａｇｅｓ  ２０−２２．
（非特許文献２）  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔ  ａｎｄ  Ｗｒｉｔｔｅｎ  Ｏｐｉｎｉｏｎ  ｆｒｏｍ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｎｏ．ＰＣＴ／ＵＳ１１／６５５１３，ｉｓｓｕｅｄ  Ａｐｒｉｌ  １９，２０１２．
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月17日(2015.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
複数の単位のデータストレージ情報の各々を独立して処理し、当該複数の単位のデータストレージ情報の各々が利用可能となる順序に対応する第１の順序で１若しくはそれ以上のより高いレベルの冗長な情報の単位を計算する手段と、
訂正不可能なデータストレージ情報の単位の各々に関連付けられたより低いレベルの冗長な情報に少なくとも部分的に基づいて、前記複数の単位のデータストレージ情報のうち特定の１若しくはそれ以上を訂正不可能なデータストレージ情報の単位として決定する手段であって、前記訂正不可能なデータストレージ情報の単位以外の前記複数の単位のデータストレージ情報は訂正可能なデータストレージ情報の単位である、前記決定する手段と、
前記訂正可能なデータストレージ情報の単位の各々が利用可能となる順序に対応する第２の順序で前記訂正可能なデータストレージ情報の単位の各々を独立して処理する手段を少なくとも部分的に介して前記訂正不可能なデータストレージ情報の単位の訂正された単位を計算する手段と
を有し、
前記第１の順序は前記第２の順序とは異なるものである
システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムにおいて、さらに、
１若しくはそれ以上の不揮発性メモリ（Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｍｅｍｏｒｉｅｓ：ＮＶＭｓ）と、前記ＮＶＭから前記訂正可能なデータストレージ情報の単位のうちの少なくとも一部を読み出す手段とを有し、前記第２の順序は、前記ＮＶＭが前記訂正可能なデータストレージ情報の単位のうちの少なくとも一部を戻す順序に基づくものであるシステム。
【請求項３】
請求項２に記載のシステムにおいて、さらに、
前記複数の単位のデータストレージ情報を前記ＮＶＭに格納する手段を有し、前記第１の順序は前記格納の順序に基づくものであるシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムにおいて、さらに、
前記ＮＶＭのうちの１若しくはそれ以上を管理してソリッドステートディスク（Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｄｉｓｋ：ＳＳＤ）を部分的に実装する手段を有するものであるシステム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムにおいて、さらに、
１若しくはそれ以上の不揮発性メモリ（Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｍｅｍｏｒｉｅｓ：ＮＶＭｓ）を有し、前記複数の単位のデータストレージ情報の各々は、前記ＮＶＭの１若しくはそれ以上の各ページに対応するものであるシステム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムにおいて、１若しくはそれ以上の前記ＮＶＭはソリッドステートディスク（Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｄｉｓｋ：ＳＳＤ）に含まれるフラッシュメモリであるシステム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記訂正不可能なデータストレージ情報の単位の数は２であるシステム。
【請求項８】
方法であって、
複数の単位のデータストレージ情報の各々を独立して処理し、当該複数の単位のデータストレージ情報の各々が利用可能となる順序に対応する第１の順序で１若しくはそれ以上のより高いレベルの冗長な情報の単位を計算する工程と、
訂正不可能なデータストレージ情報の単位の各々に関連付けられたより低いレベルの冗長な情報に少なくとも部分的に基づいて、前記複数の単位のデータストレージ情報のうちの特定の１若しくはそれ以上を訂正不可能なデータストレージ情報の単位として決定する工程であって、前記訂正不可能なデータストレージ情報の単位以外の前記複数の単位のデータストレージ情報は訂正可能なデータストレージ情報の単位である、前記決定する工程と、
前記訂正可能なデータストレージ情報の単位の各々が利用可能となる順序に対応する第２の順序で前記訂正可能なデータストレージ情報の単位の各々を独立して処理する工程を少なくとも部分的に介して前記訂正不可能なデータストレージ情報の単位の訂正された単位を計算する工程と
を有し、
前記第１の順序は前記第２の順序とは異なるものである
方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、さらに、
１若しくはそれ以上の不揮発性メモリ（Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｍｅｍｏｒｉｅｓ：ＮＶＭｓ）から前記訂正可能なデータストレージ情報の単位のうちの少なくとも一部を読み出す工程を有し、前記第２の順序は、前記ＮＶＭが前記訂正可能なデータストレージ情報の単位のうちの少なくとも一部を戻す順序に基づくものである方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、さらに、
前記複数の単位のデータストレージ情報を前記ＮＶＭに格納する工程を有し、前記第１の順序は前記格納の順序に基づくものである方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、さらに、
前記ＮＶＭのうちの１若しくはそれ以上を管理し、ソリッドステートディスク（Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｄｉｓｋ：ＳＳＤ）を部分的に実装する工程を有する方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法において、
前記複数の単位のデータストレージ情報の各々は、１若しくはそれ以上の不揮発性メモリ（Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｍｅｍｏｒｉｅｓ：ＮＶＭｓ）の１若しくはそれ以上の各ページに対応するものである方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、１若しくはそれ以上の前記ＮＶＭはソリッドステートディスク（Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｄｉｓｋ：ＳＳＤ）に含まれるフラッシュメモリである方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の方法において前記データストレージ情報の訂正不可能な単位は２である方法。
【請求項１５】
請求項８に記載の方法において、前記データストレージ情報の訂正不可能な単位の訂正された単位を計算する工程は、さらに少なくとも部分的に前記より高いレベルの冗長な情報の単位の少なくとも１つを処理するものである方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法において、前記訂正不可能なデータストレージ情報の単位の数は、前記より高いレベルの冗長な情報の単位の少なくとも１つと同一の数である方法。
【請求項１７】
請求項８に記載の方法において、前記より高いレベルの冗長な情報の単位は、前記複数のデータストレージ情報の単位のバイト数に対応する生成多項式による多項式除算の剰余として計算することができないものである方法。
【請求項１８】
請求項８に記載の方法において、さらに前記複数のデータストレージ情報の単位を１もしくはそれ以上のフラッシュメモリのダイの第１部分に格納する工程と、前記より高いレベルの冗長な情報の単位を前記フラッシュメモリの第２部分のダイに格納する工程とを有し、前記第１部分および第２部分は相互排他的なものである方法。
【請求項１９】
請求項８に記載の方法において、さらに前記複数のデータストレージ情報単位を１若しくはそれ以上のフラッシュメモリのダイの一部分に格納する工程を有し、前記一部分は前記フラッシュメモリのダイの全域には満たない部分である方法。
【請求項２０】
請求項８に記載の方法において、さらに前記より高いレベルの冗長な情報を１もしくはそれ以上のフラッシュメモリのダイの一部分に格納する工程を有し、前記一部分はフラッシュメモリのダイの全域には満たない部分である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月3日(2015.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エミッターと基準電極とを分離する空間内でイオンを発生させるための装置であって、
エミッターと、
基準電極と、
前記エミッターに少なくとも１つのパルス列対を提供するように配設された電源であって、前記パルス列対は、順次に交互に起こる正パルス列及び負パルス列を含み、前記正パルス列はイオン化正電圧波形を含み、前記負パルス列はイオン化負電圧波形を含む、電源と、
を備え、
前記イオン化正電圧波形及び前記イオン化負電圧波形は、前記エミッターと前記基準電極との間で電圧勾配を交互に生成し、コロナ放電によって、正イオン及び負イオンを含むイオン曇を生成する、装置。
【請求項２】
前記正パルス列は、前記イオン化正電圧波形の前に生じる第１の非イオン化負電圧波形を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電源は、１次コイル及び２次コイルを有する変圧器を含み、前記電源は、前記１次コイル上にエネルギーを貯蔵することによって、前記２次コイル上に前記第１の非イオン化負電圧波形を生成するとともに、前記エネルギーが放出されると、前記１次コイルの両端に電圧を生成して、前記２次コイルの両端に前記イオン化正電圧波形の生成をもたらすように配設される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記正パルス列は、第２の非イオン化負電圧波形を更に含み、前記第２の非イオン化負電圧波形は、前記電圧によってもたらされる回路共振によって生成される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記変圧器に結合されるとともに、前記第２の非イオン化負電圧波形が前記回路共振によって生成された後に前記回路共振によって生成される前記第２の非イオン化負電圧波形を低減するように配設されたダンピング回路を更に備える、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記変圧器に結合されるとともに、前記イオン化正電圧波形が生成された後に回路共振によって生成される第２の非イオン化負電圧波形を低減するように配設されたダンピング回路を更に備える、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記電源は、１次コイル及び２次コイルを含み、前記電源は、第１の継続時間の間、前記１次コイルの或る部分を通して或る電流が流れるようにさせることによって、また、前記第１の継続時間が終了した後、第２の継続時間の間、前記１次コイルの別の部分を通して別の電流が流れるようにさせることによって、前記２次コイル上に前記正パルス列及び前記負パルス列を交互に生成するように配設される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の継続時間及び前記第２の継続時間は等しい、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記電源は、第１の１次コイル端部、第２の１次コイル端部、及び中心タップを有する１次コイルと、前記エミッター及び前記基準電極に電気結合される第２のコイルとを含み、
前記電源は、前記第１の１次コイル端部及び前記中心タップを通して第１の電流が、また、前記第２の１次コイル端部及び前記中心タップを通して第２の電流が、交互に流れるようにさせることによって、前記２次コイル上に前記正パルス列及び前記負パルス列を交互に生成するように配設される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、前記１次コイル及び前記２次コイルは、高電圧増幅変圧器の一部であり、前記２次コイルは、前記エミッターに電気結合される第１の２次コイル端部及び前記基準電極に電気結合される第２の２次コイル端部を含み、
前記正パルス列は、第１の非イオン化負電圧波形を更に含み、
前記装置は、或る継続時間の間、前記第１の電流及び前記第２の電流を生成するように配設されたパルスドライブ回路を更に備え、
前記第１の非イオン化負電圧波形は、前記継続時間の間、前記２次コイル上で生成され、前記イオン化正電圧波形は、前記継続時間が終了したときに、前記２次コイル上で生成される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の非イオン化負電圧波形は、前記イオン化正電圧波形のスルーレート及び立下りスルーレートよりそれぞれ小さい、立上りスルーレート及び立下りスルーレートを有するように配設される、請求項２に記載の装置。
【請求項１２】
前記電源は、１回／秒〜４０００回／秒の範囲の繰返しレートで前記パルス列対を生成し、前記パルス列対について０．１％〜１％のデューティファクターを使用する、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
ガス源であって、前記電源は、前記ガス源によって移動されるガスの速度の関数である前記繰返しレートを有するように配設される、ガス源と、
イオンバランス回路であって、前記電源は、前記イオン化負電圧波形の振幅を変えることによることを含んで、前記イオンバランス回路に応答する、イオンバランス回路と、
前記基準電極と共通基準バスとの間に電気結合されたスパークサージ抑制器及びイオン活動回路と、
の任意の組合せを更に備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
エミッターと基準電極とを分離する空間内でイオンを発生させるための方法であって、
前記エミッターに少なくとも１つのパルス列対を提供することを含み、前記パルス列対は、順次に交互に起こる正パルス列及び負パルス列を含み、前記正パルス列対はイオン化正電圧波形を含み、前記負パルス列はイオン化負電圧波形を含み、
前記イオン化正電圧波形及び前記イオン化負電圧波形は、前記エミッター及び前記基準電極にわたって電圧勾配を交互に生成し、コロナ放電によって、正イオン及び負イオンを含むイオン曇を生成する、方法。
【請求項１５】
前記イオン化正電圧波形が生成される前に第１の非イオン化負電圧波形を生成することを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
高電圧変圧器の１次コイル上にエネルギーを貯蔵することによって、前記高電圧変圧器の２次コイル上に前記第１の非イオン化負電圧波形を生成することと、前記エネルギーが放出されると、前記１次コイルの両端に電圧を生成することとを更に含み、前記電圧を前記生成することは、前記２次コイルの両端に前記イオン化正電圧波形の生成をもたらす、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記１次コイルの両端に前記電圧を前記生成することは、前記１次コイル及び前記２次コイルを含む電源内で回路共振を更にもたらし、前記回路共振は、第２の非イオン化負電圧波形の生成をもたらし、前記正パルス列は、前記第２の非イオン化負電圧波形を更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の非イオン化負電圧波形が生成された後に前記回路共振によって生成される前記第２の非イオン化負電圧波形を低減することを更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記イオン化正電圧波形が生成された後に前記回路共振によって生成される前記第２の非イオン化負電圧波形を低減することを更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
第１の継続時間の間、変圧器の１次コイルの或る部分を通して或る電流が流れるようにさせることによって、また、前記第１の継続時間が終了した後、第２の継続時間の間、前記１次コイルの別の部分を通して別の電流が流れるようにさせることによって、前記高電圧変圧器の２次コイル上に前記正パルス列及び前記負パルス列を交互に生成することを更に含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅及び／又は銀を含む基材の研磨に適する化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、該組成物は：
（ａ）０．０１〜１０質量パーセントの微粒子研磨剤と；
（ｂ） ０．００１〜１質量パーセントの、ｏ―ヒドロキシアリールヒドロキサム酸、その塩、又はその部分的に中和した形態を含む第一の膜形成性金属錯化剤と；
（ｃ）０．００５〜０．５質量パーセントの第二の膜形成性金属不動態化剤であって、下記式（ＩＩ）：Ｚ―Ｘ２（Ｙ２Ｒ５）（Ｙ３Ｒ６）、これらの塩、及びこれらの部分的に中和した形態の化合物を含み；ここでＺはＮＨ２、又はＯＨであり；Ｘ２はＰ＝Ｏ、又はＣであり；Ｙ２及びＹ３はそれぞれ独立にＮ、ＮＨ、又はＯであり；Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立に、Ｒ７―（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎ―であることができ、又はＹ２及びＹ３がそれぞれ独立にＮ、若しくはＮＨである場合、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＮ、ＮＨ若しくはＣＨであることができ、かつＹ２及びＹ３は共にＸ２、Ｙ２、及びＹ３を有する五員環の複素環を形成し；それぞれのＲ７は独立にＨ、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル、フェニル、又はＣ１〜Ｃ２０のアルキルで置換したフェニルであり；並びに「ｎ」は２〜１０００の平均値を有する、第二の膜形成性金属不動態化剤と；
（ｄ）これらのための水性のキャリアとを含む、化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物。
【請求項２】
第二の膜形成性金属不動態化剤がアミン置換した窒素複素環式芳香族化合物を含む、請求項１に記載した組成物。
【請求項３】
アミン置換した窒素複素環式芳香族化合物が５―アミノテトラゾールを含む、請求項２に記載した組成物。
【請求項４】
少なくとも一つの第二の膜形成性金属不動態化剤が５―アミノテトラゾールを含む、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
少なくとも一つの第二の膜形成性金属不動態化剤がビス―（ノニルフェニルポリ（オキシエチレン））リン酸エステルを含む、請求項３に記載した組成物。
【請求項６】
第二の膜形成性金属不動態化剤がビス―（ポリ（オキシエチレン））リン酸エステルを含む、請求項１に記載した組成物。
【請求項７】
ビス―（ポリ（オキシエチレン））リン酸エステルがビス―（ノニルフェニルポリ（オキシエチレン））リン酸エステルを含む、請求項６に記載した組成物。
【請求項８】
シュウ酸、アミノ置換したカルボン酸、ヒドロキシル置換したカルボン酸、これらの塩、これらの部分的に中和した形態、及び前述の二つ以上の組合せからなる群から選択される、０．０１〜２０質量パーセントの金属キレート助剤を更に含む、請求項１に記載した組成物。
【請求項９】
金属キレート助剤がグリシンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
微粒子研磨剤がシリカを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
銅及び／又は銀を含む基材の研磨に適する化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、該組成物は：
（ａ）０．０１〜１０質量パーセントの微粒子研磨剤と；
（ｂ） ０．００１〜１質量パーセントのサリチルヒドロキサム酸、その塩、又はその部分的に中和した形態と；
（ｃ）アミン置換した窒素複素環式芳香族化合物、及びビス―（ポリ（オキシエチレン））リン酸エステルからなる群から選択した、０．００５〜０．５質量パーセントの少なくとも一つの第二の膜形成性金属不動態化剤と；
（ｄ）これらのための水性のキャリアとを含む、化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
触媒を導入する別の方法は、上述したガス透過層の形成のように、押出成形し、この押出成形層をガス透過層の上にプレス加工するか、またはガス透過層に触媒層を同時押出成形することによって、薄い触媒層を形成することである。別の技術としてスクリーン印刷もある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解液室を構成する手段を有し、２つの電極を含み、１つの電極は、前記電解液室のいずれかの側に設けられている液体電解質形燃料電池であって、
各電極は、
- 多数の貫通孔が貫通するように構成された金属シートと、
- 前記金属シートに接着され、この金属シートに電気的に接触する、炭素及び疎水性の結合剤を含む、繊維状および/または粒状導電性材料の流体透過層と、
- 前記流体透過層の露出面上の、触媒材料を含むコーティングであって、少なくとも部分的に親水性であるコーティングを含む、液体電解質形燃料電池。
【請求項２】
前記貫通孔は、エッチングされた孔またはドリル孔によって構成されている、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記孔は、幅が５μｍ〜３ｍｍの間であり、５０μｍ〜１０ｍｍの距離に離間されている請求項１または請求項２に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記孔は、前記金属シートの面積の５０％未満を占める請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の燃料電池
【請求項５】
前記流体透過層の厚さは、前記金属シートを貫通する孔の間の平均離間距離の少なくとも半分に等しい請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項６】
前記金属シートは、貫通孔のない周辺マージンを有し、前記流体透過層は、前記周辺マージンの上に延びている、請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項７】
前記流体透過層は、カーボンナノチューブ、バッキーボールまたはカーボンナノホーンを含む請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項８】
前記流体透過層は、その炭素成分および/またはそれらの疎水性の性質が異なる重なった層を含む、請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項９】
前記孔内の表面には疎水性コーティングが設けられている請求項１〜８のうちのいずれかに記載の燃料電池。
【請求項１０】
前記流体透過層は、ポリマーによって前記金属シートに接着されている請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項１１】
前記流体透過層は、非晶質セラミックにより前記金属シートに接着されている請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項１２】
前記金属シート上に前記流体透過層のエッジ領域を保持するための手段をさらに含む、請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項１３】
- 多数の貫通孔が貫通するように構成された金属シートと、
- 前記金属シートに接着され、前記金属シートに電気的に接触する、炭素及び疎水性の結合剤を含む、繊維状および/または粒状導電性材料の流体透過層と、
- 前記流体透過層の露出面上の、触媒材料を含むコーティングであって、少なくとも部分的に親水性であるコーティングを含む、電極。
【請求項１４】
非晶質セラミックの前駆体により金属シートの表面と、炭素及び疎水性の結合剤を含む繊維状および/または粒状導電性材料の流体透過層の表面をコーティングし、前記金属シートと前記流体透過層とを組み立て、非晶質セラミックを生成するように前記前駆体を処理することにより、前記金属シートと前記流体透過層が電気的に接触するようにする、金属シートを流体透過層に接着する方法。