【事件の表示】
　特許第３４５８１４５号「基板貼り合わせ方法及びその装置」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４５８１４５号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯 
　特許第３４５８１４５号の請求項１〜１０に係る発明は、平成１３年４月１７日に出願されたものであって、平成１５年８月８日に設定登録がなされ、その後、太田　恵三、高橋　徹より特許異議申立がなされ、取消理由通知に対して、応答期間内に特許異議意見書の提出と共に訂正請求がなされたものである。
　
【２】訂正の適否についての判断 
【２−１】訂正の要旨 
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項１を削除する。
ｂ．特許請求の範囲の請求項２の記載
「【請求項２】　前記各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、
　この加圧工程の後、前記真空状態の真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、
　この第一ガス導入工程にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程と
　を有することを特徴とした請求項１に記載の基板貼り合わせ方法。」
を
「【請求項１】　少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法であって、
　前記真空チャンバ内に前記各基板を搬入した後、前記真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気する第１排気工程と、
　この第１排気工程にて前記所定圧になると急速に排気して前記真空チャンバ内を真空状態にする第二排気工程と、
　前記各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、
　この加圧工程の後、前記真空状態の真空チャンバ内が導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、
　この第一ガス導入工程にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程と
　を有することを特徴とした基板貼り合わせ方法。」
に訂正する。
ｃ．特許請求の範囲の請求項３の記載
「【請求項３】　少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法であって、
　前記各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、
　この加圧工程の後、前記真空状態の真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、
　この第一ガス導入工程にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程と
　を有することを特徴とした基板貼り合わせ方法。」
を
「【請求項２】　少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法であって、
　前記各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、
　この加圧工程の後、前記真空状態の真空チャンバ内が導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、
　この第一ガス導入工程にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程と
　を有することを特徴とした基板貼り合わせ方法。」
に訂正する。
ｄ．特許請求の範囲の請求項４を削除する。
ｅ．特許請求の範囲の請求項５を削除する。
ｆ．特許請求の範囲の請求項６を削除する。
ｇ．特許請求の範囲の請求項７を削除する。
ｈ．特許請求の範囲の請求項８の記載
「【請求項８】　前記導入速度可変手段は、前記真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、前記所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有することを特徴とした請求項６又は７に記載の基板貼り合わせ装置。」
を、
「【請求項３】　貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、該真空チャンバ内に配設し且つ前記各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、前記真空チャンバ内に配設し且つ前記一方の基板に対向させて前記各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置であって、
　前記真空チャンバに、その内部を真空にする為のガス排気手段を備え、
　このガス排気手段に、前記真空チャンバ内のガスの排気速度を変更する排気速度可変手段を設け、
　前記排気速度可変手段は、前記真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気を行う第一排気機構と、前記所定圧になると急速に排気を行う第二排気機構とを有し、
　前記真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、
　このガス導入手段に、前記真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、
　前記導入速度可変手段は、前記真空チャンバ内が導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、前記所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有することを特徴とした基板貼り合わせ装置。」
に訂正する。
ｉ．特許請求の範囲の請求項８の記載
「【請求項８】　前記導入速度可変手段は、前記真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、前記所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有することを特徴とした請求項６又は７記載の基板貼り合わせ装置。」
を、
「【請求項４】　貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、該真空チャンバ内に配設し且つ前記各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、前記真空チャンバ内に配設し且つ前記一方の基板に対向させて前記各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置であって、
　前記真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、
　このガス導入手段に、前記真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、
　前記導入速度可変手段は、前記真空チャンバ内が導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、前記所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有することを特徴とした基板貼り合わせ装置。」
に訂正する。
ｊ．特許請求の範囲の請求項９の記載
「【請求項９】　前記第一ガス導入機構は、前記真空チャンバ内に連通する配管と、該配管内を閉塞自在な弁とを有し、
　前記第二ガス導入機構は、前記真空チャンバ内を大気開放する大気開放弁を有することを特徴とした請求項８に記載の基板貼り合わせ装置。」
を
「【請求項５】　前記第一ガス導入機構は、前記真空チャンバ内に連通する配管と、該配管内を閉塞自在な弁とを有し、
　前記第二ガス導入機構は、前記真空チャンバ内を大気開放する大気開放弁を有することを特徴とした請求項３又は４に記載の基板貼り合わせ装置。」
に訂正する。
ｋ．特許請求の範囲の請求項１０の記載
「【請求項１０】　前記真空チャンバ内の圧が所定の圧を超えると前記大気開放弁が開放するように、該大気開放弁に予め力を掛けておくことを特徴とした請求項９に記載の基板貼り合わせ装置。」
を
「【請求項６】　前記真空チャンバ内の圧が所定の圧を超えると前記大気開放弁が開放するように、該大気開放弁に予め力を掛けておくことを特徴とした請求項５に記載の基板貼り合わせ装置。」
に訂正する。
ｌ．本件特許公報の段落【０００９】の記載
「【０００９】
　　【課題を解決するための手段】
　上記第一の目的を達成する為、請求項１記載の発明では、少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法において、真空チャンバ内に各基板を搬入した後、その真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気する第１排気工程と、この第１排気工程にて所定圧になると急速に排気して真空チャンバ内を真空状態にする第二排気工程とを有している。」
を
「【０００９】
　　【課題を解決するための手段】
　上記第一及び第二の目的を達成する為、請求項１記載の発明では、少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法において、真空チャンバ内に各基板を搬入した後、その真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気する第１排気工程と、この第１排気工程にて所定圧になると急速に排気して真空チャンバ内を真空状態にする第二排気工程と、各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、この加圧工程の後、真空状態の真空チャンバ内が導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、接着剤を、破ることなく、徐々に潰して接着剤と二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、この第一ガス導入工程にてその所定圧になると急速にガスを導入して真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程とを有している。」
に訂正する。
ｍ．本件特許公報の段落【００１０】の記載を削除する。
ｎ．本件特許公報の段落【００１１】の記載
「【００１１】
　第二の目的を達成する為、請求項３記載の発明では、少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法において、各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、この加圧工程の後、真空状態の真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、この第一ガス導入工程にてその所定圧になると急速にガスを導入して真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程とを有している。」
を
「【００１０】
　上記第二の目的を達成する為、請求項２記載の発明では、少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法において、各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、この加圧工程の後、真空状態の真空チャンバ内が導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、接着剤を、破ることなく、徐々に潰して接着剤と二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、この第一ガス導入工程にてその所定圧になると急速にガスを導入して真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程とを有している。」
に訂正する。
ｏ．本件特許公報の段落【００１２】の記載を削除する。
ｐ．本件特許公報の段落【００１３】の記載を削除する。
ｑ．本件特許公報の段落【００１４】の記載
「【００１４】
　また、請求項６記載の発明では、上記第二の目的を達成する為、前述した請求項４又は５記載の基板貼り合わせ装置において、真空チャンバに真空状態の当該真空チャンバ内を大気状態にする為のガス導入手段を備え、このガス導入手段に真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設けている。」
を
「【００１１】
　請求項３記載の発明では、上記第一，第二の目的を達成する為、貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、真空チャンバ内に配設し且つ各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、真空チャンバ内に配設し且つ一方の基板に対向させて各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置において、真空チャンバに、その内部を真空にする為のガス排気手段を備え、このガス排気手段に、真空チャンバ内のガスの排気速度を変更する排気速度可変手段を設け、排気速度可変手段は、真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気を行う第一排気機構と、所定圧になると急速に排気を行う第二排気機構とを有し、真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、このガス導入手段に、真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、導入速度可変手段は、真空チャンバ内が導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、接着剤を、破ることなく、徐々に潰して接着剤と二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有する。」
に訂正する。
ｒ．本件特許公報の段落【００１５】の記載を削除する。
ｓ．本件特許公報の段落【００１６】の記載
「【００１６】
　ここで、請求項８記載の発明では、前述した請求項６又は７記載の基板貼り合わせ装置において、導入速度可変手段は、真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、その所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有する。」
を
「【００１２】
　請求項４記載の発明では、上記第二の目的を達成する為、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、真空チャンバ内に配設し且つ各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、真空チャンバ内に配設し且つ一方の基板に対向させて各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置において、真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、このガス導入手段に、真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、導入速度可変手段は、真空チャンバ内が導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、接着剤を、破ることなく、徐々に潰して接着剤と二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、その所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有する。」
に訂正する。
ｔ．本件特許公報の段落【００１７】の記載
「【００１７】
　また、請求項９記載の発明では、前述した請求項８記載の基板貼り合わせ装置において、第一ガス導入機構は、真空チャンバ内に連通する配管と、この配管内を閉塞自在な弁とを有している。そして、第二ガス導入機構は、真空チャンバ内を大気開放する大気開放弁を有している。」
を
「【００１３】
　また、請求項５記載の発明では、前述した請求項３又は４記載の基板貼り合わせ装置において、第一ガス導入機構は、真空チャンバ内に連通する配管と、この配管内を閉塞自在な弁とを有している。そして、第二ガス導入機構は、真空チャンバ内を大気開放する大気開放弁を有している。」
に訂正する。
ｕ．本件特許公報の段落【００１８】の記載
「【００１８】
　更に又、請求項１０記載の発明では、前述した請求項９記載の基板貼り合わせ装置において、真空チャンバ内の圧が所定の圧を超えると大気開放弁が開放するように、この大気開放弁に予め力を掛けている。」
を
「【００１４】
　更に又、請求項６記載の発明では、前述した請求項
５
に訂正する。            
  
【２−２】訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否 
（Ａ）上記訂正事項ａ：
　上記訂正事項ａは、本件請求項１を削除するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（Ｂ）上記訂正事項ｂ：
（イ）上記訂正事項ｂは、まず、上記訂正事項ａの本件請求項１の削除に伴い、請求項番号を繰り上げて「本件請求項１」とするものであって、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
（ロ）また、上記訂正事項ｂは、訂正前の本件請求項２において、「前記真空状態の真空チャンバ内が所定の圧になるまで」の「所定の圧」を、より下位概念である「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に訂正するものである。
　ここで、かかる訂正後の「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」は「所定の圧」に関して限定するものであって、これは、本件特許の出願当初の明細書（以下、本件明細書という）の段落【００５３】（本件特許公報の段落【００５３】）の「具体的には、真空貼り合わせ室１５に設けた圧力計が所定圧を超えたことを検出したときに弁２２を閉じ、且つシリンダ２４を作動させて大気開放弁２３を開放することによって、……。例えばその所定圧としては、導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力を予め実験等で検出しておき、その圧力を設定しておけばよい。」という記載に基づくものであり、かかる記載での「所定圧」が訂正後の本件請求項１での上記「所定の圧」に相当し、かかる記載での「導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力」が訂正後の本件請求項１での上記「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に相当するものである。
　なお、上記段落【００５３】（本件特許公報の段落【００５３】）の記載での「真空貼り合わせ室１５」は二枚の基板を貼り合わせる真空チャンバであって（本件明細書の段落【００２４】（本件特許公報の段落【００２４】））、本件請求項１での「真空チャンバ」に相当する。
（ハ）さらに、上記訂正事項ｂは、訂正前の本件請求項２において、「徐々にガスを導入する」を、より下位概念である「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」に訂正するものである。
　ここで、かかる訂正後の「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」は「徐々にガスを導入する」に関して限定するものであって、これは、本件明細書の段落【００５２】（本件特許公報の段落【００５２】）の「一時加圧終了後に細い配管の弁２２を開放し、……加圧されたガスを真空貼り合わせ室１５内に導入することで、徐々に大気に戻す。このように真空貼り合わせ室１５内を徐々に大気圧に戻していくと、各基板３３，３４には徐々に圧力が加わり、接着剤３７が徐々に潰れていく。そしてこれにより、接着剤３７と各基板３３，３４との接触面積が徐々に拡大する。このようにして真空空間部４０の内圧と真空貼り合わせ室１５内の内圧との差を徐々に大きくするので、導入されたガスが接着剤を破って真空空間部４０内に入り込むことがない。」という記載に基づくものであり、かかる記載での「所定圧」が訂正後の本件請求項１での上記「所定の圧」に相当し、かかる記載での「導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力」がかかる訂正後の本件請求項１での上記「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に相当するものである。
（ニ）以上のことからして、訂正事項ｂの「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」への訂正、及び「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」への訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（Ｃ）上記訂正事項ｃ：
（イ）上記訂正事項ｃは、上記訂正事項ａの本件請求項１の削除に伴い、請求項番号を繰り上げて「本件請求項２」とするものであって、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
（ロ）また、上記訂正事項ｃは、訂正前の本件請求項３において、「前記真空状態の真空チャンバ内が所定の圧になるまで」の「所定の圧」を、より下位概念である「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に訂正するものである。
　ここで、かかる訂正後の「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」は「所定の圧」に関して限定するものであって、これは、本件明細書の段落【００５３】（本件特許公報の段落【００５３】）の「具体的には、真空貼り合わせ室１５に設けた圧力計が所定圧を超えたことを検出したときに弁２２を閉じ、且つシリンダ２４を作動させて大気開放弁２３を開放することによって、……。例えばその所定圧としては、導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力を予め実験等で検出しておき、その圧力を設定しておけばよい。」という記載に基づくものであり、かかる記載での「所定圧」が訂正後の本件請求項２での上記「所定の圧」に相当し、かかる記載での「導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力」が訂正後の本件請求項２での上記「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に相当するものである。
　なお、上記段落【００５３】（本件特許公報の段落【００５３】）の記載での「真空貼り合わせ室１５」は二枚の基板を貼り合わせる真空チャンバであって（本件明細書の段落【００２４】（本件特許公報の段落【００２４】））、本件請求項２での「真空チャンバ」に相当する。
（ハ）さらに、上記訂正事項ｃは、訂正前の本件請求項３において、「徐々にガスを導入する」を、より下位概念である「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」に訂正するものである。
　ここで、かかる訂正後の「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」は「徐々にガスを導入する」に関して限定するものであって、これは、本件明細書の段落【００５２】（本件特許公報の段落【００５２】）の「一時加圧終了後に細い配管の弁２２を開放し、……加圧されたガスを真空貼り合わせ室１５内に導入することで、徐々に大気に戻す。このように真空貼り合わせ室１５内を徐々に大気圧に戻していくと、各基板３３，３４には徐々に圧力が加わり、接着剤３７が徐々に潰れていく。そしてこれにより、接着剤３７と各基板３３，３４との接触面積が徐々に拡大する。このようにして真空空間部４０の内圧と真空貼り合わせ室１５内の内圧との差を徐々に大きくするので、導入されたガスが接着剤を破って真空空間部４０内に入り込むことがない。」という記載に基づくものであり、かかる記載での「所定圧」が訂正後の本件請求項２での上記「所定の圧」に相当し、かかる記載での「導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力」がかかる訂正後の本件請求項２での上記「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に相当するものである。
（ニ）以上のことからして、訂正事項ｃの「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」への訂正、及び「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」への訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（Ｄ）上記訂正事項ｄ〜g：
　上記訂正事項ｄは本件請求項４を、上記訂正事項ｅは本件請求項５を、上記訂正事項ｆは本件請求項６を、上記訂正事項ｇは本件請求項７を削除するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（Ｅ）上記訂正事項ｈ：
（イ）上記訂正事項ｈは、上記訂正事項ａ，ｄ〜ｇの本件請求項１，４〜７の削除に伴い、請求項番号を繰り上げて「本件請求項３」とするものであって、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
（ロ）また、上記訂正事項ｈは、訂正前の本件請求項４において、「貼り合わせ対象物たる二枚の基板を内部で加圧して貼り合わせを行う」を、貼り合わせについてより限定した「貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う」に訂正するものである。
　これは、本件明細書の段落【００４５】（本件特許公報の段落【００４５】）での貼り合わせる二枚の基板の何れかに接着剤が設けられているという記載、同じく段落【００４２】〜【００４３】（本件特許公報の段落【００４２】〜【００４３】）でのこれら二枚の基板が真空貼り合わせ室（真空チャンバ）１５内に収納されるという記載、同じく段落【００４８】〜【００５３】（本件特許公報の段落【００４８】〜【００５３】）での加圧によってこの接着剤で二枚の基板が貼り合わされるという記載に基づくものである。
（ハ）さらに、上記訂正事項ｈは、訂正前の本件請求項４において、「前記真空状態の真空チャンバ内が所定の圧になるまで」の「所定の圧」を、より下位概念である「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に訂正するものである。
　ここで、かかる訂正後の「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」は「所定の圧」に関して限定するものであって、これは、本件明細書の段落【００５３】（本件特許公報の段落【００５３】）の「具体的には、真空貼り合わせ室１５に設けた圧力計が所定圧を超えたことを検出したときに弁２２を閉じ、且つシリンダ２４を作動させて大気開放弁２３を開放することによって、……。例えばその所定圧としては、導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力を予め実験等で検出しておき、その圧力を設定しておけばよい。」という記載に基づくものであり、かかる記載での「所定圧」が訂正後の本件請求項３での上記「所定の圧」に相当し、かかる記載での「導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力」が訂正後の本件請求項３での上記「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に相当するものである。
　なお、上記段落【００５３】（本件特許公報の段落【００５３】）の記載での「真空貼り合わせ室１５」は二枚の基板を貼り合わせる真空チャンバであって（本件明細書の段落【００２４】（本件特許公報の段落【００２４】））、本件請求項３での「真空チャンバ」に相当する。
（ニ）さらにまた、上記訂正事項ｈは、訂正前の本件請求項４において、「徐々にガスを導入する」を、より下位概念である「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」に訂正するものである。
　ここで、かかる訂正後の「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」は「徐々にガスを導入する」に関して限定するものであって、これは、本件明細書の段落【００５２】（本件特許公報の段落【００５２】）の「一時加圧終了後に細い配管の弁２２を開放し、……加圧されたガスを真空貼り合わせ室１５内に導入することで、徐々に大気に戻す。このように真空貼り合わせ室１５内を徐々に大気圧に戻していくと、各基板３３，３４には徐々に圧力が加わり、接着剤３７が徐々に潰れていく。そしてこれにより、接着剤３７と各基板３３，３４との接触面積が徐々に拡大する。このようにして真空空間部４０の内圧と真空貼り合わせ室１５内の内圧との差を徐々に大きくするので、導入されたガスが接着剤を破って真空空間部４０内に入り込むことがない。」という記載に基づくものであり、かかる記載での「所定圧」が訂正後の本件請求項３での上記「所定の圧」に相当し、かかる記載での「導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力」がかかる訂正後の本件請求項３での上記「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に相当するものである。
（ホ）以上のことからして、訂正事項ｈの「貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う」への訂正、「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」への訂正、及び「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」への訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（Ｆ）上記訂正事項ｉ：
（イ）上記訂正事項ｉは、上記訂正事項ａ，ｄ〜ｇの本件請求項１，４〜７の削除に伴い、請求項番号を繰り上げて「本件請求項４」とするものであって、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
（ロ）また、上記訂正事項ｉは、訂正前の本件請求項４において、「貼り合わせ対象物たる二枚の基板を内部で加圧して貼り合わせを行う」を、貼り合わせについてより限定した「貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う」に訂正するものである。
　これは、本件明細書の段落【００４５】（本件特許公報の段落【００４５】）での貼り合わせる二枚の基板の何れかに接着剤が設けられているという記載、同じく段落【００４２】〜【００４３】（本件特許公報の段落【００４２】〜【００４３】）でのこれら二枚の基板が真空貼り合わせ室（真空チャンバ）１５内に収納されるという記載、同じく段落【００４８】〜【００５３】（本件特許公報の段落【００４８】〜【００５３】）での加圧によってこの接着剤で二枚の基板が貼り合わされるという記載に基づくものである。
（ハ）さらに、上記訂正事項ｉは、訂正前の本件請求項４において、「前記真空状態の真空チャンバ内が所定の圧になるまで」の「所定の圧」を、より下位概念である「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に訂正するものである。
　ここで、かかる訂正後の「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」は「所定の圧」に関して限定するものであって、これは、本件明細書の段落【００５３】（本件特許公報の段落【００５３】）の「具体的には、真空貼り合わせ室１５に設けた圧力計が所定圧を超えたことを検出したときに弁２２を閉じ、且つシリンダ２４を作動させて大気開放弁２３を開放することによって、……。例えばその所定圧としては、導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力を予め実験等で検出しておき、その圧力を設定しておけばよい。」という記載に基づくものであり、かかる記載での「所定圧」が訂正後の本件請求項４での上記「所定の圧」に相当し、かかる記載での「導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力」が訂正後の本件請求項４での上記「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に相当するものである。
　なお、上記段落【００５３】（本件特許公報の段落【００５３】）の記載での「真空貼り合わせ室１５」は二枚の基板を貼り合わせる真空チャンバであって（本件明細書の段落【００２４】（本件特許公報の段落【００２４】））、本件請求項４での「真空チャンバ」に相当する。
（ニ）さらにまた、上記訂正事項ｉは、訂正前の本件請求項４において、「徐々にガスを導入する」を、より下位概念である「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」に訂正するものである。
　ここで、かかる訂正後の「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」は「徐々にガスを導入する」に関して限定するものであって、これは、本件明細書の段落【００５２】（本件特許公報の段落【００５２】）の「一時加圧終了後に細い配管の弁２２を開放し、……加圧されたガスを真空貼り合わせ室１５内に導入することで、徐々に大気に戻す。このように真空貼り合わせ室１５内を徐々に大気圧に戻していくと、各基板３３，３４には徐々に圧力が加わり、接着剤３７が徐々に潰れていく。そしてこれにより、接着剤３７と各基板３３，３４との接触面積が徐々に拡大する。このようにして真空空間部４０の内圧と真空貼り合わせ室１５内の内圧との差を徐々に大きくするので、導入されたガスが接着剤を破って真空空間部４０内に入り込むことがない。」という記載に基づくものであり、かかる記載での「所定圧」が訂正後の本件請求項４での上記「所定の圧」に相当し、かかる記載での「導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力」がかかる訂正後の本件請求項４での上記「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」に相当するものである。
（ホ）以上のことからして、訂正事項ｉの「貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う」への訂正、「導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧」への訂正、及び「前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する」への訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（Ｇ）上記訂正事項ｊ：
　上記訂正事項ｊは、本件請求項１，４〜７の削除、及びこの削除によって本件請求項８を本件請求項３，４に繰り上げる訂正に伴い、本件請求項９を本件請求項５に繰り上げるとともに、「請求項８に記載の」を「請求項３又は４に記載の」に訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｈ）上記訂正事項ｋ：
　上記訂正事項ｋは、本件請求項１，４〜７の削除、及びこの削除によって本件請求項９を本件請求項５に繰り上がる訂正に伴い、本件請求項１０を本件請求項６に繰り上げるとともに、「請求項９に記載の」を「請求項５に記載の」に訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｉ）上記訂正事項ｌ：
　上記訂正事項ｌは、訂正後の請求項１の記載と整合をとるために、本件明細書の段落【０００９】（本件特許公報の段落【０００９】）の記載を訂正したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｊ）上記訂正事項ｍ：
　上記訂正事項ｍは、訂正後の請求項１の記載と整合をとるために、本件明細書の段落【００１０】（本件特許公報の段落【００１０】）の記載を削除したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｋ）上記訂正事項ｎ：
　上記訂正事項ｎは、訂正後の請求項２の記載と整合をとるために、本件明細書の段落【００１１】（本件特許公報の段落【００１１】）の記載を訂正し、かつ上記訂正事項ｍの段落【００１０】の削除に伴って段落番号を【００１１】から【００１０】に繰り上げたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｌ）上記訂正事項ｏ，ｐ：
　上記訂正事項ｏは、本件請求項４の削除に伴って、本件明細書の段落【００１２】（本件特許公報の段落【００１２】）の記載を、また、上記訂正事項ｐは、本件請求項５の削除に伴って、本件明細書の段落【００１３】（本件特許公報の段落【００１３】）の記載を夫々削除したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｍ）上記訂正事項ｑ：
　上記訂正事項ｑは、訂正後の請求項３の記載と整合をとるために、本件明細書の段落【００１４】（本件特許公報の段落【００１４】）の記載を訂正し、かつ上記訂正事項ｍ，ｏ，ｐの段落【００１０】，【００１２】，【００１３】の削除に伴って段落番号を【００１４】から【００１１】に繰り上げたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｎ）上記訂正事項ｒ：
　上記訂正事項ｒは、本件請求項７の削除に伴って、本件明細書の段落【００１５】（本件特許公報の段落【００１５】）の記載を削除したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｏ）上記訂正事項ｓ：
　上記訂正事項ｓは、訂正後の請求項４の記載と整合をとるために、本件明細書の段落【００１６】（本件特許公報の段落【００１６】）の記載を訂正し、かつ上記訂正事項ｍ，ｏ，ｐ，ｒの段落【００１０】，【００１２】，【００１３】，【００１５】の削除に伴って段落番号を【００１６】から【００１２】に繰り上げたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｐ）上記訂正事項ｔ：
　上記訂正事項ｔは、訂正後の請求項５の記載と整合をとるために、本件明細書の段落【００１７】（本件特許公報の段落【００１７】）の記載を訂正し、かつ上記訂正事項ｍ，ｏ，ｐ，ｒの段落【００１０】，【００１２】，【００１３】，【００１５】の削除に伴って段落番号を【００１７】から【００１３】に繰り上げたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（Ｑ）上記訂正事項ｕ：
　上記訂正事項ｕは、訂正後の請求項６の記載と整合をとるために、本件明細書の段落【００１８】（本件特許公報の段落【００１８】）の記載を訂正し、かつ上記訂正事項ｍ，ｏ，ｐ，ｒの段落【００１０】，【００１２】，【００１３】，【００１５】の削除に伴って段落番号を【００１８】から【００１４】に繰り上げたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
【２−３】むすび 
　以上のとおりであるから、上記ａ〜ｕの訂正は、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
【３】特許異議の申立てについての判断 
【３−１】本件発明 
　訂正された本件の請求項１〜６に係る発明(以下、順に「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明４」、「本件発明５」、「本件発明６」という。)は、全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された以下のものである。
「【請求項１】　少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法であって、
　前記真空チャンバ内に前記各基板を搬入した後、前記真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気する第１排気工程と、
　この第１排気工程にて前記所定圧になると急速に排気して前記真空チャンバ内を真空状態にする第二排気工程と、
　前記各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、
　この加圧工程の後、前記真空状態の真空チャンバ内が導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、
　この第一ガス導入工程にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程と
　を有することを特徴とした基板貼り合わせ方法。
【請求項２】　少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法であって、
　前記各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、
　この加圧工程の後、前記真空状態の真空チャンバ内が導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入工程と、
　この第一ガス導入工程にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程と
　を有することを特徴とした基板貼り合わせ方法。
【請求項３】　貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、該真空チャンバ内に配設し且つ前記各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、前記真空チャンバ内に配設し且つ前記一方の基板に対向させて前記各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置であって、
　前記真空チャンバに、その内部を真空にする為のガス排気手段を備え、
　このガス排気手段に、前記真空チャンバ内のガスの排気速度を変更する排気速度可変手段を設け、
　前記排気速度可変手段は、前記真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気を行う第一排気機構と、前記所定圧になると急速に排気を行う第二排気機構とを有し、
　前記真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、
　このガス導入手段に、前記真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、
　前記導入速度可変手段は、前記真空チャンバ内が導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、前記所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有することを特徴とした基板貼り合わせ装置。
【請求項４】　貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、該真空チャンバ内に配設し且つ前記各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、前記真空チャンバ内に配設し且つ前記一方の基板に対向させて前記各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置であって、
　前記真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、
　このガス導入手段に、前記真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、
　前記導入速度可変手段は、前記真空チャンバ内が導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、前記所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有することを特徴とした基板貼り合わせ装置。
【請求項５】　前記第一ガス導入機構は、前記真空チャンバ内に連通する配管と、該配管内を閉塞自在な弁とを有し、
　前記第二ガス導入機構は、前記真空チャンバ内を大気開放する大気開放弁を有することを特徴とした請求項３又は４に記載の基板貼り合わせ装置。」
【請求項６】　前記真空チャンバ内の圧が所定の圧を超えると前記大気開放弁が開放するように、該大気開放弁に予め力を掛けておくことを特徴とした請求項５に記載の基板貼り合わせ装置。」
　
【３−２】申立ての理由の概要 
（１）申立人太田　恵三は、甲第１号証〜甲第５号証の刊行物及び、参考資料１，参考資料２の刊行物を提出し、請求項１〜１０に係る発明は、これら下記の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである旨主張する。
刊行物１：特開２０００−２８４２９５号公報(甲第１号証)
刊行物２：特開平８ー７４７３７号公報(甲第２号証)
刊行物３：特開平２−３０３１１５号公報(甲第３号証)
刊行物４：特開平６−２９４４７２号公報(甲第４号証)
刊行物５：特開昭６１−２１７５７２号公報(甲第５号証)
刊行物６：特開平８−３２５７０４号公報(参考資料１)
刊行物７：実願昭６１−１００７６５号のマイクロフィルム（実開昭６３−　　　　　７１６３号公報参照)(参考資料２)
　
（２）申立人高橋　徹は、甲第１号証〜甲第６号証の刊行物を提出し、請求項１〜１０に係る発明は、これら下記の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである旨主張する。
刊行物１：特開２０００−２８４２９５号公報(甲第１号証)
刊行物８：特開昭５９−１３３３６５号公報(甲第２号証)
刊行物９：「真空技術ハンドブック」日刊工業新聞社、１９９０年３月３１　　　　　　日発行、第４８１頁〜４９０頁(甲第３号証)
刊行物１０：特開平２−６８３５号公報(甲第４号証)
刊行物１１：特開平６−１９６５４０号公報(甲第５号証)
刊行物１２：特開平１０−２６７６３号公報(甲第６号証)
　 
【３−３】刊行物の開示事項 
　
刊行物１には
「【００３０】
　次に、本基板組立装置で基板を貼り合わせる工程について説明する。
【００３１】
　先ず、テーブル９に上基板１ｂを保持した治具を搭載し、駆動モータ５でＸＹθステージＴ１を基板貼合部Ｓ２に移動させる。そこでモータ４０によりシャフト２９を介して加圧板２７や静電吸着板２８を降下させ、テーブル９上の上基板１ｂを吸引吸着させてから、モータ４０で上昇させて、上基板１ｂを待機状態とする。
【００３２】
　ＸＹθステージＴ１は液晶滴下部Ｓ１に戻って、空になった治具が外されテーブル９上に下基板１ａが搭載され、図２に示すように所望位置に固定保持される。
【００３３】
　図１には示していないが、フレーム３にシール剤を吐出するデイスペンサがあって、ＸＹθステージＴ１の各モータ５，６で下基板１ａをＸＹ軸方向に移動させつつシール剤を吐出させると、下基板１ａ上にクローズ（閉鎖）したパターンでシール剤を描画できる。その後、デイスペンサ１７から液晶剤を下基板１ａ上に滴下する。この場合、シール剤がダムとなって、滴下した液晶剤は流失することはない。
【００３４】
　次に、ＸＹθステージＴ１を基板貼合部Ｓ２に移動させ、シリンダ２２で上チャンバ２１を降下させ、そのフランジ部２１ａをＯリング４４に当接させて下チャンバ１０と真空チャンバを形成させる。そして、真空バルブ２３を開放して真空チャンバ内を減圧していく。この時、上基板１ｂは静電吸着板２８に吸引吸着された状態になっているので、減圧が進み真空化していくと上基板１ｂに作用していた吸引吸着力は消えて行き、上基板１ｂが自重で落下する。これを図２に示すように受止爪６０で受け止めて、図３に示すように静電吸着板２８の僅か下の位置に保持しておく。
【００３５】
　真空チャンバ内が充分真空になった時点で、静電吸着板２８に電圧を印加して受止爪６０上の上基板１ｂを、静電吸着板２８にクーロン力で吸引保持する。この場合、既に真空になっているので、静電吸着板２８と上基板１ｂの間に空気が残るようなことは無いし、その空気が逃げるときに上基板１ｂが踊ることもない。より重要なことは空気を介在させることなく、静電吸着板２８に上基板１ｂが密着していることである。そのため、誘起電荷で放電を発生することがない。
【００３６】
　空気を残したまま放電を生じると空気が膨張し、上基板１ｂを静電吸着板２８から剥離させたり薄ガラス製の上基板１ｂを破壊することがあるが、本実施形態によれば空気が存在しないので、そのような異常事故は発生しない。
【００３７】
　その後、昇降アクチェータ６２でシャフト５９を下降させ、次に、回転アクチェータ６１でシャフト５９を回転させ、受止爪６０が上下両基板の貼り合わせの邪魔にならぬようにしてから、モータ４０で加圧板２７を降下させ、荷重計３３で加圧力を計測しつつモータ４０を制御して上下両基板１ａ，１ｂを所望間隔に貼り合わせる。
【００３８】
　この場合、上基板１ｂは静電吸着板２８に密着していて中央部が垂れ下がっていることはないから、液晶剤中のスペーサに悪影響を与えたり、基板同士の位置合わせが不可能になることはない。因みに、位置合わせは図示を省略した上チャンバ２１に設けた覗き窓から画像認識カメラで上下各基板１ａ，１ｂに設けられている位置合わせマークを読み取って画像処理により位置を計測し、ＸＹθステージＴ１の各ステージ４ａ乃至４ｃを微動させて、高精度な位置合わせを行なう。
【００３９】
　貼り合わせが終了すると、真空バルブ２３を締めてガスパージバルブ２５を開き、真空チャンバ内にN2やクリーンドライエアーを供給し、大気圧に戻してからガスパージバルブ２５を閉じて、シリンダ２２で上チャンバ２１を上昇させ、ＸＹθステージＴ１を液晶滴下部Ｓ１に戻して、テーブル９からセルを外し次の貼り合わせに備える。ここで、貼合後のセルは帯電している場合があるので、接地した除電バーに接触させたりイオン風を吹き当てるなどの除電処理をしてから、テーブル９からセルを外すと良い。テーブル９から外したセルは下流のＵＶ光照射装置や加熱装置などでシール剤が硬化される。」        
　
刊行物２には
「【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、処理装置の真空排気システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
　半導体デバイスの製造工程では、被処理体である半導体ウエハに所定の温度、所定の処理ガス及び所定の減圧雰囲気下で成膜処理を行う減圧ＣＶＤ装置等の各種の処理装置が用いられている。このような処理装置においては、前記半導体ウエハを収容して所定の処理を施すための処理室を備え、この処理室には内部を所定の減圧雰囲気にするための真空排気システムが設けられている。」、
「【０００４】
　このように構成された真空排気システムにおいては、先ず全ての弁１９，４４，４５，４６，４９，５０を閉じた状態でドライポンプ４３を起動し、真空到達用配管５１の後弁５０、粗引き用配管４７の補助弁４６及び圧力制御弁４５を開いて処理室２内を急速な圧力変化で凝縮や塵埃の飛散が生じないように小排気流量で粗引きする。この粗引き排気により処理室２内の圧力が例えば１０Ｔｏｒｒに達したなら、メカニカルブースタポンプ４２を起動し、補助弁４６を閉じ、主弁４４を開いて処理室２内を更に減圧する。これにより、処理室２内の圧力が例えば１Ｔｏｒｒに達したなら、ターボ分子ポンプ４８を起動し、主弁４４を閉じ、真空到達用配管５１の前弁４９を開いて処理室２内を到達真空度例えば１０-6Ｔｏｒｒ位まで減圧し、処理室２の内壁等に吸着した水分等の吸着分子を脱離させる。その後、真空到達用配管５１の前後の弁４９，５０を閉じ、ターボ分子ポンプ４８を停止し、主弁４４及び処理ガス供給管１７の開閉弁１９を開いて、圧力制御弁４５により処理室２内の圧力を所定の処理圧力（０．１〜５０Ｔｏｒｒ）に調整しながら処理を実行する。
 　同じく、段落００１７，００２５，００３２には、次の記載がある。
「【００１７】
　前記真空排気システム１２は、減圧手段として、図１に示すように処理室２に近接して接続された広域真空排気能力及び大排気速度を有する主ポンプとしてのモレキュラードラッグポンプ２５と、このモレキュラードラッグポンプ２５の排気側に小径の補助配管２６を介して接続された小排気速度を有する補助ポンプとしてのドライポンプ２７とを備えている。前記モレキュラードラッグポンプ２５は、ネジ溝が切られた特殊ロータをハウジング内で回転させて真空引きを行う構造で、回転羽根で分子を叩き出すターボ分子ポンプと異なり、処理ガス成分物質の付着堆積が少なく、排気トラップを要せずに処理室２に直付けすることが可能であると共に、広域真空排気能力（例えば１００〜１０-5Ｔｏｒｒ程度）及び大排気速度（例えば６０００リットル／分程度）を有する。」、
「【００２５】
　前記処理室２内の圧力が圧力制御弁３１により所定の圧力に維持された状態で、所定の処理を所定時間実行する。処理が完了したなら、処理ガス供給管１７の開閉弁１９及び処理用配管３２の第２弁３０及び圧力制御弁３１を閉じ、主配管２９の第１弁２８を開いて処理室２内の到達排気を行い、処理後の半導体ウエハＷを処理室２からロードロック室２２を介してカセット収納室内のカセットに移載し、そのカセットから次の半導体ウエハＷをロードロック室２２を介して処理室２内の載置台８上に移載し、前述の手順で半導体ウエハを１枚ずつ順次処理して行く。」、
「【００３２】
　なお、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、前記実施例の加熱部９は、抵抗発熱材を同心円状等に配設することにより、半導体ウエハＷを面内均一な温度で加熱するだけでなく、例えば半導体ウエハＷの面に沿って適宜の温度勾配を生じさるなどの任意の温度制御が可能なように構成してもよい。また、本発明が適用される処理装置としては、枚葉式ＣＶＤ装置以外に、例えばバッチ式ＣＶＤ装置、酸化装置、拡散装置、エッチング装置、アッシング装置等が適用可能である。また、被処理体としては、半導体ウエハＷ以外に、例えばＬＣＤ基板等が適用可能である。 」
　
刊行物３には
　
刊行物４には
「【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体製造装置に於ける真空チャンバー内の圧力を大気圧に戻す場合や真空チャンバー内のガスをパージする場合に真空チャンバー内にガスを導入するのに適するスローベントバルブに関する。」 
【０００２】
　　【従来の技術】
　半導体製造装置に於ける真空チャンバー内の圧力を大気圧に戻す場合、急激にガスを導入すると、真空チャンバー内のウェハーが動いたり、ゴミをまき上げたりする。また、ガスの導入を絞り過ぎると、時間がかかり、パージも困難になる。」、 
「【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　そこで本発明は、弁体を二段階に開き、最初はごく僅かな弁開によりガスをスローリークさせ、次に弁全開によりガス流通を行い、真空チャンバー内へのガスの導入や真空チャンバー内のガスのパージも容易にできるようにしたスローベントバルブを提供しようとするものである。」、
「【０００７】
　　【作用】
　上記のように構成された本発明のスローベントバルブは、例えば半導体製造装置に於ける真空チャンバー内にＮ2 ガスを導入する配管の途中に設け、真空チャンバー内の圧力を大気圧に戻すのに使用するもので、先ずスローリーク用シリンダー内にエアーを送り込んでリーク用ピストンをスプリングに抗して僅かに押し上げ、止めリングを介して弁棒をごく僅かに（０〜０．７ｍｍ）押し上げてメタルダイヤフラムに対する押圧力を解放し、メタルダイヤフラムを自身の弾性力によりごく僅かに（０〜０．２ｍｍ）上昇させて弁開し、Ｎ2 ガスを真空チャンバー内にスローリークさせる。真空チャンバー内が２００〜４００Ｔｏｒｒまで圧力上昇したならば、弁全開用シリンダー内にエアーを送り込んでピストンをスプリングに抗して押し上げ、ピストンと一体の弁棒をカム受けベースに当接するまで上昇して弁を全開し、Ｎ2 ガスを真空チャンバー内に導入する。かくして真空
チャンバーの圧力は大気圧となる。」
　
刊行物５には
「本発明は真空装置の処理室である蒸着室内の異物巻き上がりを抑えながら処理室内の被処理物を処理する方法に関するものである。周知のように真空装置例えば真空蒸着装置を用いて、たとえば半導体ウエーハの表面に金属蒸着膜を形成する処理方法が行われている。そして、この蒸着を行なう際には、まず装置の蒸着室内を高真空にしておく必要があり、また蒸着終了後においては蒸着室内の圧力を大気圧にもどす必要がある。従来、真空蒸着装置２１は第３図に示すように蒸着室２２を中程において、この蒸着室２２の一方に粗引き用ロータリーポンプ２４をつなぎ、これらの間に粗引きバルブ２３を介在させ、これにより真空排気のうちの粗引きを行ない、次いで蒸着室２２の下部に拡散ポンプ３４および補助用ロータリポンプ３６をつないで本引きを行なつている。さらに、蒸着室２２の他方にベントバルブ３０をつないで、これにより蒸着室２２への大気導入を行なう構造のものであつた。ところが、このような構造のものにおいては、真空排気時および大気導入時に気体の流れが乱れ、蒸着室２２内の異物が巻き上がりウエーハ表面に付着し、ウエーハの蒸着による歩留り低下をきたしていた。とくに、前記巻き上がり現象が問題となるのは蒸着室２２内の気体の状態が粘性流領域、たとえば大気圧〜５×10-3Torrまでの範囲で問題が生ずる。
  本発明はこのような従来の真空装置による処理方法の欠点を解消するものであつて、その目的とするところは処理室内の異物巻き上がりを抑え清浄な処理室内で半導体ウエーハを処理することができる真空装置による被処理物の処理法を提供するにある。」、
　第２頁下右欄３〜第３頁上左欄１８行に、  　
「つぎに、このような真空蒸着装置１による被処理物の処理法について第１図と第２図（ａ），（ｂ）をつかって説明する。
  まず、（ａ）に示すように蒸着室２を大気圧から適当な真空度にもつていくためには、真空排気動作を行なわせなければならない。これをするには、最初に流量コントロールバルブ７で大まかに流量をしぼったあと、つぎのスロー排気バルブ８にて、気体の粘性流領域での流量を気体が乱れない程度にしぼって粗引き用のロータリポンプ４で引く。ついで、粗引きバルブ５を開いて前記スロー排気バルブ８での粗引きよりも大なる粗引きを同じくロータリポンプ４で引いて図る。ここまでは、気体の粘性流領域を対象として真空排気であるが、これに引き続いて粘性流領域以外たとえば分子流領域を対象とした本引き動作に入る。この本引きは、言うに及ばず拡散ポンプ１４と、これにつないだロータリポンプ１６とにより行ない、高真空状態を得る。この状態において、蒸着室２内で所定の蒸着、すなわちウエーハの表面に対する金属蒸着膜の形成を行なつたあと、前述した大気導入動作を行なわせる。この大気導入動作は、蒸着室２内の圧力（高真空）を大気圧にもどすためのもので、これは（ｂ）に示すように、まずスローベントバルブ１２で取り込む大気の粘性流領域での流量を気体が乱れない程度にしぼつて、これをさらに流量コントロール・バルブ７で調節して蒸着室２に導入している。このあと、ベントバルブ１０を開いてスローベント・バルブ１２による導入量よりも大なる流量で大気を蒸着室２内にとり込むことにより、蒸着室２の圧力を高真空状態から大気圧状態にまでもどすことができる。なお、前記実施例において、大気導入部側におけるスローベント・バルブ１２と流量コントロール・バルブ１３の配列順序は第１図に示す通りの配列が最も好ましく、これらを入れかえた配置にすると、スローベント・バルブ１２を開いた直後に、流量コントロール・バルブ１３とスローベント・バルブ１２との間に存在する気体が流入し、急激な圧力上昇を生ずるため避けなければならない。同様なことは、真空排気部側における流量コントロール・バルブ７とスロー換気バルブ８についても生ずることから第１図に示す配置が望ましい。ただし、この場合においてはスロー排気バルブ８前後の圧力差がスローベンド・バルブ１２の場合よりも小さいために逆の配置にしても、その影響は少ない。
  以上の説明から明らかなように本発明によれば、真空装置の真空排気部と大気導入部の双方にそれぞれ、気体の粘性流領域での流量を制御するための手段を設けて、真空排気工程の初期および大気導入工程の初期において、気体の流量をしぼり極力、気体の流れに乱れを生じさせないようにしているから、従来のように処理室内の異物の巻き上げがなく、ウエーハなど対象物に対して清浄な状態で処理を行なうことができる。」の記載がある。
　
刊行物６には
「【０００６】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述した従来の装置では、ウェハ２を反応室１に導入した後、第２の排気経路２１を用いて大気圧から数Ｔｏｒｒまで真空排気する際に、反応室１の内壁に付着又は堆積している反応生成物が、初期排気の急激な圧力変化で生ずる気流によって剥離，浮遊し、ウェハ２上にパーティクルとして再付着するという問題があった。さらに、このパーティクルは、半導体の歩留りを著しく悪化させるという大きな問題点であった。
【０００７】
　反応室（容積Ｖ（ｌ））を排気速度Ｓ（ｌ／ｓｅｃ）で排気する場合の反応室１内の圧力Ｐ（Ｔｏｒｒ）は、一般的に次式で与えられる。
　−Ｖ（ｄＰ／ｄｔ）＝ＰＳ−Ｑ
ここでＱ（Ｔｏｒｒｌ／ｓｅｃ）は、反応室１内に発生する基体の総量であるが、大気圧からＴｏｒｒ台のいわゆる粘性流領域では、これを無視することができ次式となる。
　Ｖ（ｄＰ／ｄｔ）＋ＰＳ＝０
よって、ｔ1において圧力がＰ1であれば、ｔにおける圧力Ｐは次式で与えられる。
　Ｐ＝Ｐ1exp｛−Ｓ／Ｖ（ｔ−ｔ1）｝
すなわち、大気圧から１Ｔｏｒｒ台の初期排気は指数関数的な特性を持ち、パーテイクル発生は、この急激な圧力変化により誘発される。
【０００８】
　上述の問題点は、大気圧からの初期排気を緩やかな排気特性とすることで緩和できる。すなわち、前式の排気速度Ｓ（１／ｓｅｃ）を小さくすればよく、具体的ないくつかの方法について説明する。
【０００９】
　例えば、従来技術に示すバイパス配管１７の系を小さくし、第２の排気経路２１のコンダクタンスを小さくすることにより、排気速度の低下が可能となる。しかしながら、この場合、数Ｔｏｒｒまでの初期排気時間が延び、１サイクルの処理時間が長くなり、生産効率を悪化させるという問題がある。またバイパス配管１７の径を小さくすると、配管内に堆積する反応生成物で配管が閉塞しやすくなり、短いスパンでバイパス配管１７の洗浄が必要となり、装置の稼働率を低下させるという問題もある。」
　
刊行物７には
「しかし、上記に列挙した従来の排気システムには、いずれも次のような欠点乃至問題点がある。まず第４図のものについては、その主弁１０に全閉、全開の機能に加え細かい流量調整機能を持たせなければならず、このため主弁１０に大形で構造複雑なバルブを使用しなければならないことがある。一方、第５図のものでは、その調整弁１３等を小径ダクトのような流路面積の小さい回路に介設すればよいので調整弁１３等は小形化できるものの、反面バイパス経路１１の増設や使用弁数の増加による複雑化を免れないことがある。さらに、第６図に示すものでは、第４図のシステムと同様に、その排気経路９（全開時の排気速度を確保する必要から大口径のダクト等が用いられる）に調整弁１３を介設することになるため、やはり調整弁１３の大形複雑化を招きコンダクタンスのコントロールにも難がある。このように、現状の反応性真空蒸着装置等に付設される排気系は、バルブの構造、個数又は回路数等の点で大形複雑化を避け得ないものとなつている。
  本考案は、上述した問題点に勘案し、反応性真空蒸着装置のように真空チヤンバからの排気速度を可変する機構が必要な成膜装置について、その排気系を小形で構造簡易なものに改良しようとするものである。
［問題点を解決するための手段］
  本考案は、上記の目的を達成するための手段として、真空チヤンバの排気口に、該排気口の排気速度を可変する可動形の防着バツフルを設けたことを特徴としている。
  この種の成膜装置、例えば真空蒸着装置にあつては、第７図にその本体構造の概略が図示されるように、真空チヤンバ１内で蒸発源２と基板３とを対設するとともに、チヤンバ１の内周およびその排気口８には、チヤンバ内壁および排気系の配管等に蒸発物が付着するのを防止するため、前者に防着板４を、後者に防着バツフル５を設置しておくのが通例となつている。しかして、この考案では真空チヤンバ１の排気口８に設置されている既設の防着バツフル５の存在に着目し、これを可動形のものに工夫することにより排気口５のコンダクタンスを調整できるようにしている。
［作用］
  すなわち、本考案に係る可動形の防着バツフルを装備した成膜装置であると、排気口の防着バツフルを該排気口に対し傾き角を大きくするように動作させると、この防着バツフルがつくる流路の排気抵抗が増し真空チヤンバからの排気速度を小さくすることができる。また、防着バツフルを排気口に対し傾き角を小さくするように動作させると、その流路の排気抵抗が減じ真空チヤンバからの排気速度を大きくすることができる。そして、排気速度を小さく絞ることが必要な真空チヤンバの成膜中は、排気口に対する防着バツフルの傾きが大きく設定されることになるから、防着バツフル本来の成膜粒子の排気系への拡散防止作用も確保されるものとなる。」の記載がある。
　
刊行物８には
「第１図は本発明の一実施例に従つた真空蒸着装置の系統図である。同図において、この真空蒸着装置１は中程に蒸着室２を有しており、この蒸着室２の片側には、真空排気部の一部を構成するところの真空排気用配管３を取付け、この先端に粗引き用ポンプとしてのロータリポンプ４を設けると同時に、このロータリポンプ４と蒸着室２を結ぶ配管３の間には、粗引きバルブ５を介在させている。さらに、粗引きバルブ５をまたぐようにスロー排気用バイパス６をつないで、このバイパス６に流量制御手段としての流量コントロールバルブ７とスロー排気バルブ８を蒸着室２側から順次取り付けている。また、蒸着室２の反対側には、大気導入部の一部を構成する大気導入用配管９をつないで、この配管９の中途にベントバルブ１０を介在させている。そして、このベントバルブ１０をまたいで配管９にスローベント用バイパス１１をつないで、これに流量制御手段としてのスローベントバルブ１２と流量コントロールバルブ１３を蒸着室２から遠い位置から順次並べて設けている。また、蒸着室２の下部には本引き用ポンプとしての拡散ポンプ１４を設け、これを配管１５を介して補助ポンプとしてのロータリポンプ１６につないでいる。つぎに、このように構成した真空蒸着装置１における真空排気動作および大気導入動作について第１図と第２図（ａ），（ｂ）をつかって説明する。まず、（ａ）に示すように蒸着室２を大気圧から適当な真空度にもつていくためには、真空排気動作を行なわせなければならない。これをするには、最初に流量コントロールバルブ７で大まかに流量をしぼつたあと、つぎにスロー排気バルブ８にて、気体の粘性流領域での流量を気体が乱れない程度にしぼつて粗引き用のロータリポンプ４で引く。ついで、粗引きバルブ５を開いて前記スロー排気バルブ８での粗引きよりも大なる粗引きを同じくロータリポンプ４で引いて図る。ここまでは、気体の粘性流領域を対象として真空排気であるが、これに引き続いて粘性流領域以外たとえば分子流領域を対象とした本引き動作に入る。この本引きは、言うに及ばず拡散ポンプ１４と、これにつないだロータリポンプ１６とにより行ない、高真空状態を得る。この状態において、蒸着室２内で所定の蒸着、すなわちウエーハの表面に対する金属蒸着膜の形成を行なつたあと、前述した大気導入動作を行なわせる。この大気導入動作は、蒸着室２内の圧力（高真空）を大気圧にもどすためのもので、これは（ｂ）に示すように、まずスローベントバルブ１２で取り込む大気の粘性流領域での流量を気体が乱れない程度にしぼつて、これをさらに流量コントロール・バルブ７で調節して蒸着室２に導入している。このあと、ベントバルブ１０を開いてスローベント・バルブ１２による導入量よりも大なる流量で大気を蒸着室２内にとり込むことにより、蒸着室２の圧力を高真空状態から大気圧状態にまでもどすことができる。 」の記載がある。
　
刊行物９には
「（１）ダストの発生
成膜質は大きな発塵源となる可能性がある。系内に蓄積した堆積物の剥離、治具の摺動摩擦により、ダストが発生し沈着する。これらが次の原因により発塵源になる。
１．粗引所期
２．大気導入時
真空槽内の大型ポンプによる急速排気や、槽内の急速ベントによりダストが急激に舞上がることにより、ダストが発生する。」、
４８４頁下から７行〜４８５頁３行には、
「真空系内で発生したダストは、気体分子のようにブラウン運動により衝突散乱を繰り返しながら、なおかつ、重力の影響により沈降し、基板の表面に沈着する。真空中におけるダスト粒子の挙動について表５．４．２０仁摩止める。７）この中で重要なのは、系内の真空排気のとき、
１．大きなポンプで急速に排気すると、系内に直接蓄積したダストが急激に舞上がってクリーン度が１０２〜１０４倍に増加する(図５．４．１２）23)。
２．発塵量は槽内の繰り返し排気回数や大気に晒した時間に依存することが実験的に確かめられている。したがって、装置内の最初の粗引時は十分な注意が必要である。実際の装置は、これを避けるためにソフトラフ、ソフトベント機構を付けることが常識になっている。」(なお、上記、１．２．の表記は刊行物９の表記とは異なる。)
　
刊行物１０には
「本発明は、真空を利用する装置に係り、特に大気圧状態の減圧室の気体を排気して減圧状態にする機器及び減圧室の排気方法に関するものである。」、
第３頁上左欄１０〜右欄１３行に、
「減圧室10の室内圧が大気圧で未だ真空ポンプ11が作動していない場合には、第１図（ａ）に示すように弁体２はスプリング４により弁座１から離れている。真空ポンプ11が作動して排気が始まる排気初期の状態では、第１図（ｂ）に示すように圧力差がスプリング３の圧縮力よりも大なる間は、弁体２が弁座１と接触して弁座１と弁体２との間隔が零となり、小口径のポート1aを通る気体のみが徐々に排気される。減圧室10の室内圧が低下する排気中期の状態では、第１図（ｃ）に示すようにスプリング３の圧縮力が弁体２の両側の圧力差よりも大になると、弁体２が弁座１から徐々に離れ始め、その間隔が増加し始める。弁体２の両側の圧力差が殆どなくなる排気後期の状態では、第１図（ａ）の状態と同様になり弁体２はスプリング３により弁座１から離れ、弁体２と弁座１との間隔は最大となる。このように減圧室10の室内圧と弁座１の真空ポンプ11の側の圧力との差と、スプリング３の圧縮力との相対関係により自己制御が行われ、減圧室10の中の気体を排気初期における圧力の急激な変動が起こらぬように、連続的に排気することが可能となる。」の記載がある。
  
刊行物１１には
「【０００３】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、上記従来技術は、真空排気時の巻き上げ塵埃の付着防止に関するもので、真空排気時に起きる水蒸気の凝縮の影響については、考慮がなされておらず、水蒸気の凝縮の際に核となる微細なごみによる汚染、また、水分そのものの付着によるウエハ汚染が生じるという問題がある。」
　
刊行物１２には
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶パネルの製造において、対向する２枚の電極基板の間に液晶を封入し、前記２枚の電極基板を貼り合わせ、圧着する方法及びその装置に関するものである。」、
「【０００７】
　また、圧着に関しては、真空と大気圧の圧力差のみを用いて行っていることから、最大でも１ｋｇｆ／ｃｍ2  の圧力しか加えることができず、前記圧力以上の圧力では圧着が不可能である。１ｋｇｆ／ｃｍ2  以上の圧力で圧着するために別の圧着装置を用いれば上段で述べた圧着の課題と同様の課題が生じてしまう。
【０００８】
　そこで本発明は、一方に液晶がコーティングされた一対の電極基板を真空中で貼り合わせ、貼り合わせた時の真空圧とリークした後の圧力との圧力差で圧着する事により、任意の圧力で理論的に均一に圧着でき、液晶が広がり合い接触した界面での表示不良をなくし、しかも生産性良く液晶パネルを製造できる製造方法及びその装置を提供することを目的とする。」、
「【００２４】
　この様にして液晶をコーティングし、貼り合わせ用ステージ１５にセットされた電極基板１４に対向させて、上下機構を有するピン３１上に位置決めピン１６にてもう一方の電極基板１２を配置する。この時、位置決め精度はアライメント用ＣＣＤカメラ１倍率に応じ、前記ＣＣＤカメラの視野に電極基板上のアライメントマークが入る程度必要である。その後、真空引き用バルブ１７を開きロータリーポンプ１９及びメカニカルブスターポンプ１８で真空チャンバー内の圧力が０．１３Ｐａになるまで排気する。この時の圧力は、圧着を行う圧力と大気圧との差圧以下であれば理論的には問題ないが、液晶にとけ込んだ空気が気泡となることや、空気中の酸素が液晶を酸化させる等の品質上の問題を考えれば、低い方が良く、今回はメカニカルブースタポンプ１８の到達圧力近傍の０．１３Ｐａまで真空排気を行った。次に、真空引き用バルブ１７を開いたままガスバルブ５を開き、真空チャンバー内の圧力が０．６ｋｇｆ／ｃｍ2  になるように圧力計２０で計測しながらマスフローコントローラ６で窒素の流量を調節し、圧力が安定したところでピン３１を下降させ電極基板１２と１４を貼り合わせる。圧力を０．６ｋｇｆ／ｃｍ2  としたのは圧着圧力を０．４ｋｇｆ／ｃｍ2  としたかったからであり、大気圧と圧着圧力との差圧になるよう調節するためである。従って、窒素を導入した後の圧力を大気圧と圧着圧力の差圧となるよう調節すれば、任意の圧力で圧着を行うことが出きる。ここで用いた窒素１０は工場配管より供給されるもので、フィルタ２５を通した後レギュレータ３２で減圧して用いた。また、窒素を用いた理由は液晶への酸化等の影響をなくすためであるため、窒素のかわりにアルゴン等の不活性ガスを用いても良い。
【００２５】
　その後、この貼り合わせ時の圧力を保持したままガラス窓２を介してＣＣＤカメラ１で撮影されるアライメントマークをモニターで観察しながら、電極基板１４の３辺にそれぞれ２本ずつ設けられたマイクロメータヘッド４を用いて手動にてＸ−Ｙ−θ方向について２枚の電極基板の相対位置を合わせる。位置決めピン１６にはピン３１が下降した時に電極基板１２が動かせるよう段差を設けてあるためアライメントには影響がない。　
【００２６】
　アライメント終了後、真空引き用バルブ１７及びガスバルブ５を閉じ、続いてリークバルブ７を開き真空チャンバー内を大気圧に戻すことにより、貼り合わせたときの圧力との差圧０．４ｋｇｆ／ｃｍ2  を加え圧着を行う。この時の加圧力はパスカルの法則に従い、パネル全面に理論的に均一に加えることができる。ただし、この時重要なのはシールと電極１２が密着することであり、この密着が不十分であるとシールの内部も大気圧に戻ってしまい差圧で圧着する事ができない。気密を確保するためにはシールが電極基板の凹凸及びうねりを吸収し接触面積を十分確保することが重要である。この為に少なくとも電極基板の凹凸及びうねりよりも高いシールの高さが必要である。
【００２７】
　ここまで述べた実験により、従来の製造方法で製作した液晶パネルよりもギャップの均一性の良い、表示品質の良好な液晶パネルを製作することができた。
【００２８】
　また、小型の液晶パネルを製作する場合等に、圧着圧力として１ｋｇｆ／ｃｍ2 以上必要な場合があるが、この様な場合リーク後の圧力を大気圧に戻しただけでは必要な圧力を得ることができないため、例えば２ｋｇｆ／ｃｍ2  の圧着圧力が必要な場合には液晶に悪影響を与えない圧力まで真空排気をした後ガスを導入せずに貼り合わせ、アライメントを行い、窒素ガスもしくは不活性ガスをレギュレータ９にて絶対圧力２ｋｇｆ／ｃｍ2  の圧力に調節し、リークバルブ７を介して真空チャンバ内に導入すれば２ｋｇｆ／ｃｍ2  の圧力で圧着する事ができる。この様にチャンバ内に導入する窒素ガスまたは不活性ガスの圧力を調節することにより前記ガスの元圧まで圧着圧力として設定することが可能である。」
　
【３−４】刊行物記載の発明との対比・判断 
　本件発明１〜６は、基板貼り合わせ方法、あるいは基板貼り合わせ装置において、「真空状態の真空チャンバ内が導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入工程、あるいは第一ガス導入機構と、この第一ガス導入工程、あるいは第一ガス導入機構にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程、あるいは第二ガス導入機構とを有する」ことを技術事項として含むものである。
　これに対して、刊行物１〜１２は、いずれも上記技術事項を開示または示唆していない。
　すなわち、刊行物１は、基板貼り合わせ方法、あるいは基板貼り合わせ装置において、真空状態の真空チャンバ内には、Ｎ２などのガスが大気圧になるまで導入される工程、あるいは機構が開示されているだけである。刊行物２は、半導体ウエハやＬＣＤ基板を処理体とした真空排気システムにおいて、真空チャンバ内を真空にする際、最初は低排気で行い、その後急速排気することが開示されているだけで、基板の貼り合わせにおいて真空状態から大気圧に戻す工程、あるいは機構については何らの開示、示唆もない。刊行物３は、半導体ウエハなどを真空処理後に大気中に取り出す際、塵芥の舞上がりを防止するために、バージガスを大気圧になるまで徐々に導入することが開示されているだけで、基板の貼り合わせにおいて、ガスを徐々に導入し、所定圧になった時点で急速導入する点については何らの記載、示唆もない。刊行物４、刊行物５及び刊行物８はともに、半導体ウエハなどを真空処理後に大気中に取り出す際、塵芥の舞上がりを防止するために、バージガスを最初は徐々に導入し、所定圧になった時点で急速にガスを導入し大気圧に戻すことは開示されているが、被処理物は、１枚のウエハであり、基板の貼り合わせを前提とした処理ではなく、当然、基板を貼り合わせるための接着剤との関連で所定圧を設定することなどについての開示、示唆はない。刊行物６及び刊行物７はともに、半導体製造装置等の真空排気において、真空チャンバ内を真空排気する際、最初は低速で、その後徐々に排気速度を高めていくことを開示するのみである。刊行物９は、一般的に、真空装置内のダストの舞上がり対策として、急速排気や急速なガスの導入を行わず、ソフトベントを行うことが技術常識となっていることの開示があるだけである。刊行物１０は、真空排気において、真空チャンバ内を真空にする際、排気初期は低排気で行い、その後排気中期、後期になるにしたがい高速排気することが開示されているだけで、基板の貼り合わせにおいて真空状態から大気圧に戻す工程、あるいは機構については何らの開示、示唆もない。刊行物１１は、単に、真空排気時に起こる水蒸気の凝縮の影響について開示するのみで、上記技術事項については何ら示唆すらされていない。刊行物１２は、基板貼り合わせ方法、あるいは基板貼り合わせ装置において、基板を貼り合わせた後、真空状態の真空チャンバ内にガスを導入し大気圧に戻すことで、大気圧と貼り合わせ時の圧力との差圧を加えた圧着を行う工程、あるいは機構が開示されているだけで、ガスを徐々に導入し、所定圧になった時点で急速導入する点については何らの記載、示唆もない。
　また、 上記刊行物１２の、基板貼り合わせ方法、あるいは基板貼り合わせ装置において、基板を貼り合わせた後、真空状態の真空チャンバ内にガスを導入し大気圧に戻す際、例えば上記刊行物４の、バージガスを最初は徐々に導入し、所定圧になった時点で急速にガスを導入し大気圧に戻す技術、を適用することについては、刊行物４には、基板の貼り合わせへの適用を意図したものではないので、該適用は当業者にとって容易とはいえない。
　以上のことから、上記技術事項は刊行物１〜１２の記載から当業者が容易に想到できたということはできない。
　そして、本件発明１〜６は、上記技術事項により、本件特許明細書段落【００７０】に記載された効果を奏するものと認められる。
　よって、上記刊行物１〜１２に記載された発明を根拠として、本件発明が特許法第２９条第２項に違反して特許されたものということはできない。
　
【３−５】むすび 
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件の請求項１〜６に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１〜６に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月２２日（２００４．９．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基板貼り合わせ方法及びその装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法であって、
　前記真空チャンバ内に前記各基板を搬入した後、前記真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気する第１排気工程と、
　この第１排気工程にて前記所定圧になると急速に排気して前記真空チャンバ内を真空状態にする第二排気工程と、
　前記各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、
　この加圧工程の後、前記真空状態の真空チャンバ内が
導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧
、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、
　この第一ガス導入工程にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程と
　を有することを特徴とした基板貼り合わせ方法。
　【請求項２】　少なくとも何れか一方に接着剤を設け且つ対向して配設した貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、真空状態の真空チャンバ内で位置合わせを行った後、加圧して貼り合わせを行う基板貼り合わせ方法であって、
　前記各基板を真空状態で機械的に加圧貼り合わせする加圧工程と、
　この加圧工程の後、前記真空状態の真空チャンバ内が
導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧
、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、
　この第一ガス導入工程にて前記所定圧になると急速にガスを導入して前記真空チャンバ内を大気圧にする第二ガス導入工程と
　を有することを特徴とした基板貼り合わせ方法。
　【請求項３】　
貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、該真空チャンバ内に配設し且つ前記各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、前記真空チャンバ内に配設し且つ前記一方の基板に対向させて前記各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置であって、
　前記真空チャンバに、その内部を真空にする為のガス排気手段を備え、
　このガス排気手段に、前記真空チャンバ内のガスの排気速度を変更する排気速度可変手段を設け、
　前記排気速度可変手段は、前記真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気を行う第一排気機構と、前記所定圧になると急速に排気を行う第二排気機構とを有し、
　前記真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、
　このガス導入手段に、前記真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、
　前記導入速度可変手段は、前記真空チャンバ内が
導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧
、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、
特徴とした基
　【請求項４】　
貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、該真空チャンバ内に配設し且つ前記各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、前記真空チャンバ内に配設し且つ前記一方の基板に対向させて前記各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置であって、
　前記真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、
　このガス導入手段に、前記真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、
　前記導入速度可変手段は、前記真空チャンバ内が
導入されたガスで前記接着剤が破れることがない所定の圧
、前記接着剤を、破ることなく、徐々に潰して前記接着剤と前記二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、
　【請求項５】　前記第一ガス導入機構は、前記真空チャンバ内に連通する配管と、該配管内を閉塞自在な弁とを有し、
　前記第二ガス導入機構は、前記真空チャンバ内を大気開放する大気開放弁を有することを特徴とした
請求項３又は４
　【請求項６】　前記真空チャンバ内の圧が所定の圧を超えると前記大気開放弁が開放するように、該大気開放弁に予め力を掛けておくことを特徴とした
請求項５
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、二つの基板を貼り合わせる際に加圧力を有効に掛けることができる基板貼り合わせ方法及びその装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶表示パネルの製造には、透明電極や薄膜トランジスタアレイが設けられた二枚のガラス基板を、基板の周縁部に口字状に設けたシール剤や基板の外周部の適宜な位置に塗布した接着剤で数μｍ（例えば２μｍ）程度の極めて接近した間隔をもって貼り合わせ（以下、その貼り合わせ後の基板を「セル」という。）、その各基板とシール材若しくは接着剤で形成される空間に液晶を封止するという工程がある。
　【０００３】
　従来、その液晶の封止を行う際の基板貼り合わせ方法としては、注入口を設けないようにシール剤をクローズしたパターン（口字形）に描画した一方の基板上に液晶を滴下しておく。そして、真空チャンバ内にて他方の基板を一方の基板の上方に配置し、真空状態でその他方の基板と一方の基板との間隔を狭めて加圧して上下の基板を貼り合わせる、という特開２０００−２８４２９５号公報に開示された方法がある。
　【０００４】
　具体的にこの特開２０００−２８４２９５号公報に開示された基板貼り合わせ方法は、真空チャンバ内に配設された加圧板の下面に上記一方の基板を保持し、且つ同じく真空チャンバ内にその加圧板と対向して配設されたテーブル上に上記他方の基板を保持する。そして、真空チャンバ内を減圧して真空状態にし、加圧板とテーブルとの間隔を狭めることによって、各基板を加圧して貼り合わせる、というものである。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記従来例に開示された基板貼り合わせ方法にあっては、真空チャンバ内を真空状態にする際に、その真空チャンバ内から排気されるガスの流れによって各基板に暴れが発生し、加圧板やテーブルに保持された各基板の位置ずれや割れ等の破損が生じる虞がある、という不都合があった。
　【０００６】
　また、急激に減圧される為、真空チャンバ内の大気中の水分が、更には真空チャンバ内の壁面，基板膜面や液晶等に付着した水分が凍結してしまい、そのままではセルに悪影響を与える虞がある、という不都合があった。ここで、そのセルへの悪影響を回避する為には、例えば凍結した水分が気化されるまで待つ等の停滞時間を要し、基板貼り合わせ工程に時間がかかってしまう、という不都合があった。
　【０００７】
　更に、その基板貼り合わせ方法にあっては加圧板で各基板に圧力を加えて貼り合わせを行っているが、その加圧板の押圧力だけでは上下の基板を所望の間隔に貼り合わせることができない場合がある、という不都合があった。例えば小さな基板の場合は機械的に加圧する加圧板のみで所望の加圧力を得ることができるが、基板が大きくなると加圧力が不足してしまい、シール剤が有効に押し潰されないので、所望の間隔で各基板を貼り合わせることができない。そして、このようにシール剤が有効に押し潰されないと、各基板とシール剤との接触面積が小さくなり接着状態が不完全なものとなってしまう，更には液晶がシール剤の枠内に広がらないのでその枠内に大きな真空空間部ができてしまう、という不都合があった。
　【０００８】
　本発明は、かかる従来例の有する不都合を改善し、第一に各基板の暴れや水分の凍結の発生を防止することができ、これにより確実且つ短時間で貼り合せを完了させることができる。第二に貼り合わせ後の各基板の間隔を正確に位置合わせすることができ、これにより確実且つ短時間で貼り合せを完了させることができる基板貼り合わせ方法及びその装置を提供することを、その目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　上記第一
及び第二
導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧
、接着剤を、破ることなく、徐々に潰して接着剤と二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、
に訂正する。
　【００１０】
　上記第二の目的を達成する為、請求項
２
導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧
、接着剤を、破ることなく、徐々に潰して接着剤と二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、
　【００１１】
　
請求項３
第一，
貼り合わせ対象物たる二枚の基板を、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、真空チャンバ内に配設し且つ各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、真空チャンバ内に配設し且つ一方の基板に対向させて各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置において、真空チャンバに、その内部を真空にする為のガス排気手段を備え、このガス排気手段に、真空チャンバ内のガスの排気速度を変更する排気速度可変手段を設け、排気速度可変手段は、真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気を行う第一排気機構と、所定圧になると急速に排気を行う第二排気機構とを有し、真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、このガス導入手段に、真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、導入速度可変手段は、真空チャンバ内が導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧になるまで、接着剤を、破ることなく、徐々に潰して接着剤と二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、徐々にガスを導入する第一ガス導入機構と、所定圧になると急速にガスを導入する第二ガス導入機構とを有する。
　【００１２】
　
請求項４記載の発明では、上記第二の目的を達成する為、少なくとも何れか一方に接着剤を設けて、内部で加圧して貼り合わせを行う真空チャンバと、真空チャンバ内に配設し且つ各基板の内の一方の基板を保持する当該基板の面に対して水平方向に移動自在なテーブルと、真空チャンバ内に配設し且つ一方の基板に対向させて各基板の内の他方の基板を保持する当該基板の面に対して垂直方向に移動自在な加圧板とを有する基板貼り合わせ装置において、真空チャンバに、真空状態の当該真空チャンバ内を大気圧にする為のガス導入手段を備え、このガス導入手段に、真空チャンバ内へのガスの導入速度を変更する導入速度可変手段を設け、
導入されたガスで接着剤が破れることがない所定の圧
、接着剤を、破ることなく、徐々に潰して接着剤と二枚の基板との接触面積が徐々に拡大するように、
　【００１３】
　また、請求項
５
３又は４
　【００１４】
　更に又、請求項
６
５
　【００１５】
　【発明の実施の形態】
　［第一実施形態］本発明に係る基板貼り合わせ装置の第一実施形態について図１からに図３基づいて説明する。
　【００１６】
　［基板貼り合わせ装置の構成］この基板貼り合わせ装置は、図１に示すように大きく分類すれば、貼り合わせ対象物たる二つの基板３３，３４（以下、後述するテーブル９に載置保持する基板３３を「下基板３３」と、後述する加圧板１６に保持する基板３４を「上基板３４」という。）の位置決めを行うＸＹθステージ部Ｓ１と、各基板３３，３４の貼り合わせ動作を行う基板貼り合わせ部Ｓ２と、後述する各基板３３，３４の一次加圧を行うＺ軸移動ステージ部Ｓ３とから構成されており、その各部Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が架台１上に順次配置されている。ここで、ＸＹθステージ部Ｓ１は架台１上に載置保持され、基板貼り合わせ部Ｓ２は架台１上に立設された例えば四つの支柱を備えた第一フレーム２に支持され、Ｚ軸移動ステージ部Ｓ３は架台１上に立設された例えば四つの支柱を備えた第二フレーム３に支持される。以下、これら各部Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３について詳述する。
　【００１７】
　［ＸＹθステージ部］ＸＹθステージ部Ｓ１は、架台１上に配設されたＸステージ４ａと、このＸステージ４ａ上に配設されたＹステージ４ｂと、このＹステージ４ｂ上に配設されたθステージ４ｃとを有する。本実施形態のＸステージ４ａは、駆動モータ５によってＹステージ４ｂとθステージ４ｃを左右方向（図１中のＸ軸方向）に移動できるよう構成される。また、Ｙステージ４ｂは、駆動モータ６によってθステージ４ｃを前後方向（図１中のＹ軸方向）に移動できるよう構成される。更に又、θステージ４ｃは、回転ベアリング７を介し駆動モータ８によってＹステージ４ｂに対して図１に示すθ方向に回転するよう構成される。
　【００１８】
　ここで、θステージ４ｃ上には、下基板３３を載置保持するテーブル９が支持柱１０を介して固定されている。また、Ｙステージ４ｂには、回転ベアリング１３と真空シール１４を介して支持柱１０の下部側を被包するアーム１１が配設されており、これにより支持柱１０の回転に伴ってアーム１１がつられて回転しないようになっている。更に又、そのアーム１１と基板貼り合わせ部Ｓ２の後述する真空貼り合わせ室１５との間には、アーム１１上に一端を固定し且つ真空貼り合わせ室１５の下部に他端を固定すると共に支持柱１０に覆設する蛇腹状の弾性体から成る真空ベローズ１２が配設されており、これにより貼り合わせ時における真空貼り合わせ室１５内の真空状態を保持している。
　【００１９】
　尚、本実施形態にあっては支持柱１０をテーブル９の略中央に一本配設しているが、必ずしもこれに限定するものではなく、例えばθステージ４ｃによるテーブル９の所定量（後述する位置合わせマークの位置ずれ量）を補正するだけの回転が可能であればその支持柱１０を複数本設けてもよい。
　【００２０】
　［基板貼り合わせ部］基板貼り合わせ部Ｓ２は、図１に示すように、真空下にて二枚の基板３３，３４の貼り合わせを行う真空貼り合わせ室（真空チャンバ）１５と、この真空貼り合わせ室１５内に配設されたテーブル９と、同じく真空貼り合わせ室１５内でテーブル９の上方に対向して配設された加圧板１６とを有する。この場合、テーブル９には後述する接着剤３７や液晶３９が設けられた下基板３３が載置保持され、加圧板１６にはその下基板３３に貼り合わせる上基板３４が保持される。
　【００２１】
　上記真空貼り合わせ室１５の側部には、各基板３３，３４を出入する為の第一開口部１５ａが設けられており、更にこの第一開口部１５ａを閉塞するゲートバルブ１７が備えられている。ここで、このゲートバルブ１７は、シリンダ１７Ａによって上下方向（図１中のＺ軸方向）に移動自在に構成される。
　【００２２】
　更に、真空貼り合わせ室１５の下部には真空貼り合わせ室１５内を真空排気する為の第一及び第二の排気管２０ａ，２０ｂが配設されており、これら各排気管２０ａ，２０ｂは、図示しない切換バルブを介して真空ポンプに接続される。ここで、第一排気管２０ａは、第二排気管２０ｂに比べて細いものが用いられ、例えば各々断面略円形の排気管の場合、第一排気管２０ａの径を１とすると、太い方の第二排気管２０ｂは約１０〜１００倍程度の径のものが用いられる。この場合、第一排気管２０ａの径は、この第一排気管２０ａから後述するが如く真空貼り合わせ室１５内を真空排気する際に、ガスの流れによって基板３３，３４の暴れ、下基板３３上の液晶の飛散や減圧による水分の凍結が発生しない速度となるように設定する。例えばその径の設定の際には、種々の径の配管にて予め実験し、その実験結果に基づいて定めた径の第一排気管２０ａを配設する。
　【００２３】
　また、真空貼り合わせ室１５内のテーブル９側には、下基板３３を図示しない移載機から受け取る，若しくはセルを取り出す為に使用される複数の昇降ピン３５が立設される。この昇降ピン３５は、その一端（図１中の下端）にシリンダ３６が配設されており、このシリンダ３６によってテーブル９に形成した貫通孔の中を上下方向に移動できるよう構成されている。
　【００２４】
　更に又、真空貼り合わせ室１５の上部にはその真空貼り合わせ室１５内の真空状態を大気圧に戻す為の配管２１と、真空貼り合わせ室１５内にガス（空気）を導入する若しくは遮断する為に配管２１の途中に備えた弁２２とが配設される。ここで、配管２１には図示しない圧力源（例えばポンプ）が接続されており、これにより真空貼り合わせ室１５内へのガスの導入速度を制御することができる。尚、その圧力源は、必ずしも配設されてなくてもよい。
　【００２５】
　また、真空貼り合わせ室１５の側面（前述したゲートバルブ１７が備えられた側とは反対側）にはその真空貼り合わせ室１５に形成された略円形の第二開口部１５ｂを閉塞する板状体から成る大気開放弁２３と、この大気開放弁２３を第二開口部１５ｂから離間させるシリンダ２４とが配設される。このように、大気開放弁２３を設け、この大気開放弁２３を第二開口部１５ｂから離間させることによって、真空貼り合わせ室１５内を急速に大気圧に戻すことができる。ここで、前述した配管２１に断面略円形のものを用いた場合は、その配管２１の径を１とすると、第二開口部１５ｂの口径は５以上にすることが望ましい。
　【００２６】
　更に、真空貼り合わせ室１５の上部には加圧板１６に形成された図示しないマーク認識用孔を通して上下の各基板３３，３４の位置合わせマークを観測する為の窓２５が複数設けられる。ここで、その位置合わせマークの観測には図１に示す認識用カメラ２６が用いられ、この認識用カメラ２６によって各基板３３，３４の位置合わせマークのずれを測定する。
　【００２７】
　続いて、テーブル９には、静電気又は真空吸着によって下基板３３を吸着する為の図示しない静電吸着用電極と複数の真空吸着孔９ａとが設けられている。
　【００２８】
　その静電吸着用電極は、本実施形態にあっては略矩形の平板電極であり、テーブル９の上面の両端側に形成された二つの略矩形の凹部に各々嵌着される。また、その静電吸着用電極は、その表面（テーブル９の上面側）が誘電体で覆われており、この誘電体の主面がテーブル９の上面と面一になるよう設けられる。このようにテーブル９に配設された静電吸着用電極は、夫々正負の直流電源に適宜なスイッチを介して接続されている。これが為、各静電吸着用電極に正或いは負の電圧が印加されると、上記誘電体の主面に負或いは正の電荷が誘起される。そして、その電荷によって下基板３４に形成されている透明電極膜との間に発生するクーロン力で下基板３４がテーブル９に静電吸着される。ここで、各静電吸着用電極に印加する電圧は、同極でもよいし、夫々異なる双極でもよい。
　【００２９】
　尚、基板貼り合わせ室１５内が大気の場合は、前述した真空吸着孔９ａによる吸引吸着を行った方がよい。その理由は、静電吸着を行う場合、下基板３４とテーブル９の間に空気層があると、静電気による放電現象が発生して下基板３４やテーブル９を損傷してしまう。これが為、例えば下基板３４をテーブル９に最初に密着保持するときは周囲が大気下にあるので、先ず吸引吸着を行い、減圧室内を減圧していって放電現象が発生しない程度まで減圧されてから静電吸着を行うことが望ましい。
　【００３０】
　次に、各真空吸着孔９ａは、配管１８を介して基板貼り合わせ室１５の外部に配設した図示しない吸着バルブに接続され、この吸着バルブを経由して図示しない真空ポンプに接続されている。この場合、その配管１８の途中には真空吸着解除用のバルブを介して大気開放する為のバイパス配管が設けられており、その真空吸着解除用バルブを大気開放することによって吸着状態を強制的に解除している。このように構成されたテーブル９は、前述したが如く支持柱１０を介してθステージ４ｃ上に固定される。
　【００３１】
　また、加圧板１６には、テーブル９と同様に上基板３４を吸着する為の静電吸着用電極と複数の真空吸着孔１６ａとが設けられている。ここで、後述するが如く加圧板１６にて上基板３４を吸引吸着している状態で基板貼り合わせ室１５内を減圧していくと、その吸着力が小さくなり上基板３４が落下する虞がある。これが為、基板貼り合わせ室１５内には、加圧板１６の僅か下の位置で上基板３４を受け止める図示しない基板保持爪が設けられている。この基板保持爪は、例えば上基板３４の対角位置たる二つの角部に対応して配設されており、基板貼り合わせ室１５の上部から下方に向けて延設したシャフトで釣り下げ保持される。
　【００３２】
　具体的には、図示しないが、基板貼り合わせ室１５の上部に形成された貫通孔にシャフトが挿通されており、このシャフトがその軸中心で回転し且つ上下移動できるように構成されている。この場合、基板貼り合わせ室１５内が真空漏れを起こさないようにシャフトに真空シールが覆設されている。上記回転はシャフトの端部に接続された図示しない回転アクチェータによって、上下移動は同様にシャフトの端部に接続された図示しない昇降アクチェータによって行われる。このようにシャフトを回転又は上下移動させることによって、各基板３３，３４の貼り合わせを行ない、下基板３３上に滴下された液晶剤を各基板３３，３４の主面の広がり方向に拡張させる際に邪魔にならぬように基板保持爪を退避させることができる。
　【００３３】
　上記各真空吸着孔１６ａは、配管１９を介して基板貼り合わせ室１５の外部に配設した図示しない吸着バルブに接続され、この吸着バルブを経由して図示しない真空ポンプに接続されている。この場合、その配管１８の途中にはテーブル９と同様に真空吸着解除用のバルブを介して大気開放する為のバイパス配管が設けられており、その真空吸着解除用バルブを大気開放することによって吸着状態を強制的に解除している。このように構成された加圧板１６は、複数の支持柱２７を介してＺ軸移動ステージ部Ｓ３の後述する移動ベース２９に吊り下げ固定されている。
　【００３４】
　ここで、真空貼り合わせ室１５と移動ベース２９との間には、真空貼り合わせ室１５上に一端を固定し且つ移動ベース２９の下部に他端を固定すると共に支持柱２７に覆設する蛇腹状の弾性体から成る真空ベローズ２８が配設されており、これにより貼り合わせ時における真空貼り合わせ室１５内の真空状態を保持している。
　【００３５】
　［Ｚ軸移動ステージ部］Ｚ軸移動ステージ部Ｓ３は、加圧板１６を吊り下げ保持する移動ベース２９と、その両端に配設されたリニアガイド３０と、このリニアガイド３０と係合し且つフレーム３に設けられた上下方向（図１に示すＺ軸方向）のレール３ａと、そのＺ軸方向の出力軸を備えた電動モータ３２と、一端が移動ベース２９側に係合し且つ他端が電動モータ３２の出力軸側に係合するボールネジ３１とを有する。このようにＺ軸移動ステージ部Ｓ３を構成することによって、駆動させた電動モータ３２で移動ベース２９をレールに沿って上下方向に移動させ、加圧板１６を上下移動させることができる。
　【００３６】
　［基板貼り合わせ装置の動作］次に、本実施形態の基板貼り合わせ装置の動作を説明する。ここでは貼り合わせ対象物たる基板として液晶パネル用の基板を用いた場合について例示する。
　【００３７】
　予め、貼り合わせる二枚の基板の何れか一方には、その各基板を貼り合わせた際に液晶を決められた枠内に閉じ込め封入する為、枠状に接着剤を一筆書きで塗布しておき、その枠内に液晶を所定量滴下しておく。この液晶が滴下された基板を下基板３３とする。
　【００３８】
　先ず、真空貼り合わせ室１５の外部に配設された図示しない移載機のハンドを用いて、膜面を下方に向けた上基板３４の周縁部を下側から吸引吸着する。そして、真空貼り合わせ室１５の第一開口部１５ａに備えたゲートバルブ１７を開け、その第一開口部１５ａから移載機のハンドを真空貼り合わせ室１５内に挿入し、電動モータ３２を駆動して下降させた加圧板１６を上基板３４に押し付ける。しかる後、ハンドの吸引吸着を解除し、真空ポンプを作動させて吸引吸着孔１６ａで上基板３４を加圧板１６に真空吸着する。この上基板３４の吸着が終了すると、ハンドを真空貼り合わせ室１５外に退避させる。
　【００３９】
　続いて、各昇降ピン３５の先端がテーブル９の上面から突出するようにシリンダ３６を作動させ各昇降ピン３５を上昇させておく。そして、液晶を滴下した面を上にした下基板３３の周縁部を移載機のハンドで下側から吸引吸着し、そのハンドを真空貼り合わせ室１５内に挿入して下基板３３を各昇降ピン３５上に移載する。この下基板３３の移載が終了すると、ハンドを真空貼り合わせ室１５外に退避させてゲートバルブ１７を閉じる。しかる後、各昇降ピン３５を下降させて下基板３３をテーブル９上に載置し、真空ポンプを作動させて吸引吸着孔９ａで下基板３３をテーブル９に真空吸着する。
　【００４０】
　以上の如きテーブル９と加圧板１６への各基板３３，３４の吸着が終了すると、第一排気管２０ａ側のバルブを開放して真空貼り合わせ室１５内のガスを徐々に排気する。具体的には、本実施形態にあっては装置の初期状態にて第一及び第二の排気管２０ａ，２０ｂが切換バルブによって双方共閉じられた状態に設定されており、各基板３３，３４の吸着が終了すると、第一排気管２０ａ側を開放し且つ第二排気管２０ｂ側を閉じた状態になるよう切換バルブを切り換えて真空貼り合わせ室１５内のガスを徐々に排気する。この場合、前述したが如き径に設定した第一排気管２０ａを用いて低速排気しているので、ガスの流れによる基板３３，３４の暴れ、下基板３３上の液晶の飛散や減圧による水分の凍結が発生を防止することができる。
　【００４１】
　続いて、第一排気管２０ａによる排気によって真空貼り合わせ室１５内が所定の圧になったときに、具体的には図示しない圧力計にて測定した真空貼り合わせ室１５内の気圧が排気速度を上げても基板暴れ，液晶飛散や水分凍結が発生しない圧力になったとき（例えば、真空吸着力で吸着している上基板３４が加圧板１６から離れない程度の圧まで減圧したとき）に、第一排気管２０ａのバルブを閉じる。
　【００４２】
　そして、第二排気管２０ｂのバルブを開放し、各基板３３，３４を貼り合わせる為の圧力（本実施形態にあっては約５×１０−３Ｔｏｒｒ）まで真空貼り合わせ室１５内を急速に減圧する。ここで、その圧力下では上基板３３の真空吸着力よりも真空貼り合わせ室１５内の気圧の方が低くなっているので、その上基板３３が加圧板１６から離れてしまう。しかしながら、加圧板１６の下面側には前述した基板保持爪が具備されており、前述した回転アクチェータや昇降アクチェータによって基板保持爪を動かして上基板３３が保持されているので、その上基板３３は加圧板１６から離間しない。
　【００４３】
　上述したが如く真空貼り合わせ室１５内の減圧が終了すると、真空中でも各基板３３，３４をテーブル９と加圧板１６に各々吸着できるように、そのテーブル９及び加圧板１６の静電吸着電極に電圧を印加して各基板３３，３４を静電吸着する。しかる後、電動モータ３２を駆動して移動ベース２９を下降させ、上基板３４を下基板３３に接近させる。そして、認識用カメラ２６を用いて各基板３３，３４に設けた位置合わせマークを観測して基板３３，３４間の位置ずれを測定し、この測定値に基づきＸステージ４ａ，Ｙステージ４ｂ並びにθステージ４ｃの動作制御を行ってテーブル９を水平移動させ、下基板３３と上基板３４との高精度な位置合わせを行う。
　【００４４】
　その位置合わせが終了すると、移動ベース２９を更に下降させ、上基板３４が接着剤を押し潰して一次加圧を行う。この一次加圧の後、加圧板１６の静電吸着電極の印加電圧を切断し、電動モータ３２を駆動して加圧板１６を上昇させる。
　【００４５】
　ここで、この一次加圧後の各基板３３，３４の状態を図２に示す。この場合の基板３３，３４間の間隔は約１５μｍ程度であり、まだ所望の間隔になっていない。これが為、接着剤３７の潰れ量が少なく、その接着剤３７における各基板３３，３４との接触面積が小さい（接触部長さ３８が短い）ので接着状態が不完全である。更には、接着剤３７の枠内の液晶３９が広がらず、その液晶３９間に大きな真空空間部４０ができている。
　【００４６】
　このような各基板３３，３４の状態は、前述した従来例に示す加圧板１６の加圧力が不足する場合に相当する。かかる場合に所望の加圧力を印加する為には、装置自体を大きくして大きな加圧力を印加できるようにしてもよい。しかしながら、装置が大型化してしまうので、装置全体を再構築しなければならず費用がかかってしまう。
　【００４７】
　ここで、真空貼り合わせ室１５内の圧力を真空状態から大気圧へと変化させると、基板３３，３４間の空間部分（前述した真空空間部４０）は真空状態である為、各基板３３，３４には略均一にその外部から大きな圧力が加わる。例えば各基板３３，３４の大きさが１２００ｍｍ×１０００ｍｍの場合は、その基板３３，３４間の空間部分が真空状態のときに大気圧を加えると１２１．６ｋＮの力を掛けることができる。これが為、本実施形態にあっては以下の如く二次加圧を行い、既存の装置の大きさのままで適正な基板間隔である５μｍ以下好ましくは４μｍ以下の間隔にする。
　【００４８】
　前述したが如く一次加圧終了後に真空貼り合わせ室１５内を真空状態から大気圧へと圧力を変化させると、各基板３３，３４には略均一に圧力を加えることができる。しかしながら、急激に大気圧に戻した場合は、前述したが如く接着剤３７がまだ十分に潰れていない為、ガスがその接着剤３７を破って真空空間部４０に入り込み、不良品の液晶基板ができてしまう。これが為、本実施形態にあっては、一次加圧終了後に細い配管２１の弁２２を開放し、その配管２１に接続した圧力源から加圧されたガスを真空貼り合わせ室１５内に導入することで、徐々に大気圧に戻す。このように真空貼り合わせ室１５内を徐々に大気圧に戻していくと、各基板３３，３４には徐々に圧力が加わり、接着剤３７が徐々に潰れていく。そしてこれにより、接着剤３７と各基板３３，３４との接触面積も徐々に拡大する。このようにして真空空間部４０の内圧と真空貼り合わせ室１５内の圧力との差を徐々に大きくするので、導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことはない。
　【００４９】
　この状態の各基板３３，３４を図３に示す。この図３に示す基板３３，３４間の間隔は約１０μｍ程度になっている。ここで、接着剤３７は、前述したが如く真空貼り合わせ室１５内にガスを導入すると、図２から図３に近い形状に潰れることで流動が起こり、チクソトロピー性によって粘度が低下する。本実施形態にあってはこの接着剤３７の粘度が低下した状態で、急速に真空貼り合わせ室１５内を大気圧に戻す為の大気開放弁２３を開放して更に各基板３３，３４に加圧力を加える。具体的には、真空貼り合わせ室１５内に設けた圧力計が所定圧を超えたことを検出したときに弁２２を閉じ、且つシリンダ２４を作動させて大気開放弁２３を開放することによって、各基板３３，３４に加圧力が加わり貼り合わせが終了する。例えばその所定圧としては、導入されたガスが接着剤３７を破って真空空間部４０内に入り込むことがなくなったときの圧力を予め実験等で検出しておき、その圧力を設定しておけばよい。
　【００５０】
　このように急速に真空貼り合わせ室１５内を大気圧に戻すことによって、接着剤３７の接触面積が各基板３３，３４に対して広がりシール性が向上するので、基板３３，３４間にガスが接着剤３７を破って入り込むことがなくなる。また、接着剤３７はその粘度が低下している為に速やかに潰れ、且つ液晶３９も加圧されて潰れて広がるので、各基板３３，３４の貼り合わせ時間が短くなる。
　【００５１】
　以上示したが如く貼り合わせが終了し、更には真空貼り合わせ室１５内の圧力が大気圧になると、ゲートバルブ１７を開ける。そして、テーブル９の静電吸着電極の印加電圧を遮断し、且つ真空吸着孔９ａにおける吸引を解除した後、各昇降ピン３５を上昇させてセルをテーブル９上から押し上げる。しかる後、移載機のハンドを第一開口部１５ａからセルの下部（セルとテーブル９の間）に挿入し、そのハンド上にセルを移載して真空貼り合わせ室１５外に搬出する。
　【００５２】
　ここで、前述した大気開放弁２３を動かすシリンダ２４は、真空貼り合わせ室１５内の圧力が大気圧になったときにも大気開放弁２３を開放するように設定しておく。これにより、前述した所定圧時に弁２２を閉じ忘れても、真空貼り合わせ室１５内の圧力が大気圧になると自動的に大気開放弁２３が開放されるので、真空貼り合わせ室１５内の圧力が大気圧以上に上昇しないように制御できる。そしてこれが為、セルの精度低下を招かず且つ作業の安全性を確保することができる。
　【００５３】
　尚、本実施形態にあっては太さの異なる第一及び第二の排気管２０ａ，２０ｂを切換バルブによって切り換えて排気経路を変更し、これにより排気速度を制御しているが、必ずしもその方法に限定するものではなく、例えば本実施形態の如く二つの排気管２０ａ，２０ｂを設けずに一つの排気管のみで構成してこの排気管に真空ポンプを接続し、この真空ポンプを制御して排気速度を制御してもよい。この場合、排気管は、太い方の管径（即ち本実施形態の第二排気管２０ｂの管径）にすることが望ましい。
　【００５４】
　続いて、前述した二次加圧の変形例を説明する。この場合は、前述した二次加圧と異なり、予めシリンダ２４に大気開放弁２３を開く方向の力を掛けておく。その力とは、真空貼り合わせ室１５内が真空状態になっているときに大気開放弁２３が第二開口部１５ｂを閉塞し続ける（真空貼り合わせ室１５内の真空状態を保ち続ける）程度の小さな力である。具体的には、シリンダ２４に予め掛けた大気開放弁２３を開く方向の力を、真空状態の真空貼り合わせ室１５内から大気開放弁２３に掛かる引張力よりも小さくする。
　【００５５】
　以上の如き状態で弁２２を開放し、配管２１に接続された圧力源を駆動して真空貼り合わせ室１５内にガスを徐々に導入する。ガスが導入され続けて真空貼り合わせ室１５内の真空度が小さくなり、大気開放弁２３を開放しようする前述したシリンダ２４に予め掛けた力に比べて引張力の方が小さくなると、大気開放弁２３が自動的に開放されて真空貼り合わせ室１５内の圧力が急速に大気圧に戻る。このように、予め大気開放弁２３に開放方向の力を加えておくことによって、真空貼り合わせ室１５内が大気圧を超える圧力になることはなく、これによりセルの精度低下を招かずに作業の安全性を確保できる。即ち、その大気開放弁２３を安全弁として作用させることもできる。尚、本実施形態にあっても、必ずしも圧力源を設けずともよい。
　【００５６】
　続いて、二次加圧の他の変形例を説明する。本変形例は、上記変形例と異なり、予めシリンダ２４に大気開放弁２３を閉じる方向の力を掛けておく。その力とは、真空貼り合わせ室１５内の圧力が大気圧よりも大きくなったときに、その圧力が掛かるまで大気開放弁２３が閉じた状態を保つ力である。この場合のシリンダ２４に掛ける力は、各基板３３，３４の大きさによって決定され、この各基板３３，３４の貼り合わせに要する加圧力が大きい程、大きな力が掛けられる。
　【００５７】
　以上の如く予めシリンダ２４に力を掛けた状態で弁２２を開放し、配管２１に接続された圧力源を駆動して真空貼り合わせ室１５内に徐々にガスを導入する。このガスは、真空貼り合わせ室１５内の圧力が大気圧を超えるまで，具体的にはシリンダ２４に予め設定した力を超えるまで導入され、その力を超えると大気開放弁２３が開放されて真空貼り合わせ室１５内が大気圧に戻される。このように、予めシリンダ２４に大気開放弁２３を閉じる方向の力を掛けておくことによって、各基板３３，３４が大きい為その貼り合わせに大きな加圧力を必要とする場合でも、シリンダ２４に設定する力を調整することで、各基板３３，３４の貼り合わせに必要な力を均等に加えることができる。
　【００５８】
　上記各変形例にあっては、以上示したが如く加圧力を掛けて貼り合わせが終了し、更には真空貼り合わせ室１５内の圧力が大気圧になると、弁２２を閉じ、ゲートバルブ１７を開ける。そして、テーブル９の静電吸着電極の印加電圧を遮断し、真空吸着孔９ａにおける吸引を解除した後、各昇降ピン３５を上昇させてセルをテーブル９上から押し上げる。しかる後、移載機のハンドを第一開口部１５ａからセルの下部（セルとテーブル９の間）に挿入し、そのハンド上にセルを移載して真空貼り合わせ室１５外に搬出する。
　【００５９】
　［第二実施形態］次に、本発明に係る基板貼り合わせ装置の第二実施形態について図４に基づいて説明する。
　【００６０】
　この基板貼り合わせ装置は、前述した第一実施形態の装置とは以下の点で異なり、他はその第一実施形態と同様に構成される。具体的には、第一実施形態ではゲートバルブ１７と大気開放弁２３とを別個独立して設けたが、本実施形態にあってはその大気開放弁２３をゲートバルブ１７と兼用して設けている。以下にその構成について詳述する。
　【００６１】
　第一実施形態のゲートバルブ１７と大気開放弁２３とを兼用した本実施形態の構成は、真空貼り合わせ室１５の第一開口部１５ａを閉塞する例えば上下方向に移動自在なゲートバルブ４１と、このゲートバルブ４１の閉塞面と反対側の面から立設した複数のシャフト４２と、これら各シャフト４２を立設した面に配設され且つゲートバルブ４１を第一開口部１５ａから離間方向（図４に示すＸ方向）に移動自在なシリンダ４４と、各シャフト４２毎に覆設されたそのシャフト４２を軸方向に摺動するリニアガイド４３を備えた例えば断面略Ｌ字状のアーム４５と、このアーム４５に固定されたゲートバルブ４１の上下方向の移動動作を行うシリンダ４６とを有する。ここで、本実施形態の真空貼り合わせ室１５には第一実施形態の真空貼り合わせ室１５に示した第二開口部１５ｂは形成されない。
　【００６２】
　このように構成された本実施形態の装置の各基板３３，３４の貼り合わせ動作は、前述した第一実施形態におけるゲートバルブ１７と大気開放弁２３に係る動作が異なるのみで、他の動作はその第一実施形態と同様である。ここで、本実施形態における動作の相異点のみを以下に説明する。
　【００６３】
　先ず、各基板３３，３４を真空貼り合わせ室１５内に搬入する場合やセルを真空貼り合わせ室１５内から搬出する場合は、シリンダ４６を作動させてゲートバルブ４１をシリンダ４４やアーム４５と共に上下移動させる。続いて、二次加圧時に真空貼り合わせ室１５内の圧力を急速に大気圧に戻す場合は、シリンダ４４を作動させてゲートバルブ４１を真空貼り合わせ室１５から離間させ、第一開口部１５ａを開放することによって真空貼り合わせ室１５内に大気を導入して行われる。ここで、前述した第一実施形態の各変形例の如くシリンダ４４に予め力を掛けておき、その変形例と同様にゲートバルブ４１を動作させてもよい。
　【００６４】
　このように、前述した第一実施形態の大気開放弁２３の機能をゲートバルブ４１に持たせることによって、部品点数を削減することができ、更には装置の小型化をも図ることができる。また、装置の組み立ても容易に行うことができる。
　【００６５】
　【発明の効果】
　本発明に係る基板貼り合わせ方法及びその装置は、真空チャンバ内に二枚の基板を搬入した後、その真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々に排気する。そして、所定圧になった際に急速に排気して真空チャンバ内を真空状態にすることによって、各基板の暴れや水分の凍結の発生を防止することができ、これにより確実且つ短時間で貼り合せを完了させることができる。
　【００６６】
　また、各基板を機械的に加圧貼り合わせし、その後、真空状態の真空チャンバ内が所定の圧になるまで徐々にガスを導入する。そして、所定圧になった際に急速にガスを導入して真空チャンバ内を大気圧にすることによって、貼り合わせた各基板の間隔を正確に位置合わせすることができ、これにより確実且つ短時間で貼り合せを完了させることができる、という従来にない優れた基板貼り合わせ方法及びその装置を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る基板貼り合わせ装置の第一実施形態の構成を示す部分断面図である。
　【図２】
　本実施形態における一次加圧後の各基板を示す説明図である。
　【図３】
　本実施形態における二次加圧時の大気解放前の各基板を示す説明図である。
　【図４】
　本発明に係る基板貼り合わせ装置の第二実施形態の構成を示す部分断面図である。
　【符号の説明】
　９　テーブル
　１５　真空貼り合わせ室（真空チャンバ）
　１６　加圧板
　２０ａ　第一排気管（排気速度可変手段の第二排気機構）
　２０ｂ　第二排気管（排気速度可変手段の第一排気機構）
　２１　配管（導入速度可変手段の第一ガス導入機構）
　２２　弁（導入速度可変手段の第一ガス導入機構）
　２３　大気開放弁（導入速度可変手段の第二ガス導入機構）
　３３，３４　基板
　３７　接着剤