【事件の表示】
　特願２００６−５４９２３６「半絶縁ＩＩＩ族窒化物においてフェルミ準位を制御するための同時ドーピング」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月２８日国際公開、ＷＯ２００５／０６９３５７、平成１９年　７月　５日国内公表、特表２００７−５１８２６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００４年９月２８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１月７日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年９月７日に特許協力条約第３４条(２)(ｂ)に基づく補正の翻訳文が提出され、平成２３年６月８日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月１６日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年１月１８日付けの最後の拒絶理由通知に対して、同年７月１３日に意見書が提出されたが、平成２５年２月２２日付けで前記最後の拒絶理由通知に記載した理由によって拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２６日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなされたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項２３に係る発明は、平成２３年１１月１６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項２３に記載されている事項によって特定されるものであって、そのうちの、請求項１５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである（請求項１５に係る発明は、独立請求項である請求項１２を引用しているので、引用関係を整理して独立形式で表現している。）。
　
「半絶縁の半導体材料層であって、
　浅い準位のｐ型ドーパントおよび深い準位の遷移金属ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物層を備え、
　前記深い準位の遷移金属ドーパントの濃度は、前記浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きく、
　前記浅い準位のｐ型ドーパントは、Ｍｇおよび／またはＺｎを含み、
　前記深い準位の遷移金属ドーパントのドナー状エネルギー準位は、前記深い準位の遷移金属ドーパントの優位なエネルギー準位であることを特徴とする半導体材料層。」
　
２．引用例の記載事項と引用発明
２−１．引用例１の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶理由に引用された刊行物である、特開２００１−２４７３９９号公報（以下「引用例１」という。）には、「高抵抗ＧａＮ結晶層の製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図３とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高抵抗ＧａＮ結晶層
　
ｂ．「【０００５】そのため、ＧａＮ系のＦＥＴを製造する際には、基板としてサファイア，ＳｉＣ，ＧａＡｓなどの異種類の材料から成る基板を用い、その上に例えばＭＯＣＶＤ法で、一旦、アンドープのＧａＮ結晶層を成膜し、ついでその上にｎ型のＧａＮ結晶層を活性層として成膜し、全体のＦＥＴ層構造を形成している。上記したＦＥＴ層構造を有するＧａＮ系ＦＥＴが動作するためには、ｎ型活性層の下に位置するアンドープのＧａＮ結晶層は高抵抗になっていることが必要である。
【０００６】しかしながら、上記したＦＥＴ層構造を形成するとき、アンドープのＧａＮ結晶中には窒素空孔に基づく欠陥が多数存在し、この欠陥がｎ型のキャリアとして働くため、一般に、ｎ型で低抵抗化してしまうという問題が生ずる。このように、従来は、ＭＯＣＶＤ法でＧａＮ系ＦＥＴを製造する場合、活性層の下に位置するアンドープＧａＮ結晶層を高抵抗化する技術は確立されていないのが現状である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明はＧａＮ系材料でＦＥＴ層構造を形成するときの上記した問題を解決し、ＧａＮ系ＦＥＴの製造に適用して有効な高抵抗ＧａＮ結晶層の製造方法の提供を目的とする。」
　
ｃ．「【００１０】
【発明の実施の形態】ＧａＮ結晶には窒素空孔などが多数存在していて、それがｎ型不純物と同様の働きをするために、無添加のＧａＮ結晶は通常のｎ型導電性を示す。この導電性を打ち消すために、本発明方法では、エピタキシャル成長法でＧａＮ結晶層を成膜する際に、そこに、Ｃ，Ｍｇ，Ｚｎの１種または２種以上から成るｐ型不純物を予めドーピングしておき、そのｐ型不純物により、上記欠陥に基づくｎ型の残留キャリアを打ち消す。もって当該ＧａＮ結晶層のｎ型化を抑制してその高抵抗化が図られる。すなわち、形成されたＦＥＴ層構造において、ｎ型の活性層の下に位置するＧａＮ結晶層は高抵抗になっている。
　……（中略）……
【００１２】第２の態様はＣを用いた場合であって、この場合には、ＧａＮ結晶層の成膜時に
ＭｇまたはＺｎをドーピングして成膜されるＧａＮ結晶層におけるキャリア濃度を低減し
高濃度のＣをドーピングする
ドーピングされたＣはＧａＮ結晶層中に深い準位を形成する
Ｃのドーピング濃度は１×１０
１８
cm
−３
以上に設定され
　
ｄ．「【００１３】
【実施例】本発明の実施例を、ＧａＮ系ＦＥＴの製造に適用した事例として以下に説明する。まず、図１で示したように、例えばサファイアから成る半絶縁性基板１の上に、ＭＢＥ法で、ジメチルヒドラジン（３×１０−６Torr），金属Ｇａ（５×１０−７Torr），金属Ｍｇ（１×１０−８Torr）、およびＨ２（５×１０−８Torr）を用い、成長温度６４０℃で厚み２nmのＧａＮ結晶層をバッファ層２Ａとして成膜し、更にその上に、厚み１μｍのＭｇドープＧａＮ結晶層（Ｍｇのドーピング濃度：１×１０１７cm−３）２Ｂを成膜した。
　……（中略）……
【００１９】更に、上記実施例では、エピタキシャル成長法としてＭＢＥ法を採用したが、ＭＯＣＶＤ法でも同様の結果を得ることができた。なお、上記実施例のＭｇドープＧａＮ結晶層２Ｂのキャリア濃度は１×１０１５cm−３以下であった。そして、Ｍｇをドーピングしないときに成膜されるアンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度は１×１０１７cm−３であった。
【００２０】すなわち、
Ｍｇを１×１０
１７
cm
−３
の濃度でドーピングすることにより、上記アンドープＧａＮ結晶層のキャリアは打ち消され
Ｃを１×１０
１８
cm
−３
ドーピングして
　
ｅ．「【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、
本発明方法によれば、高抵抗のＧａＮ結晶層を製造することができる
　
２−２．引用発明
　前項のａ〜ｅの開示内容を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「高抵抗のＧａＮ結晶層であって、
　アンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度を低減するＭｇ、及び、ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成するＣが、それぞれドーピングされた前記ＧａＮ結晶層を備え、
　前記Ｍｇのドーピング濃度は１×１０１７cm−３であり、前記Ｃのドーピング濃度は１×１０１８cm−３である、
ことを特徴とするＧａＮ結晶層。」
　
２−３．引用例２の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶理由に引用された刊行物である、特開２００２−１７６００４号公報（以下「引用例２」という。）には、「ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体素子」（発明の名称）に関して、図１〜図４とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【００２６】〔第２実施例〕III族窒化物半導体に対しアクセプタ（ｐ型不純物）として働く元素としてMgを用い、耐圧を向上させる為のガードリングを形成したショットキーダイオード２００を次のように作製し、本願発明効果を調べた。尚、図３にショットキーダイオード２００の断面図を示す。
【００２７】サファイア基板２１上に厚さ4μmのアンドープGaN２２を形成した。このGaN２２はｎ型を示し、キャリア濃度は2×1016cm-3であった。このn-GaN２２上に300nm厚のアルミニウム(Al)膜を真空蒸着により形成したのち、フォトリソグラフィにより内径250μm、外径350μmのドーナツ状の窓を開け、n-GaN膜２２面を露出させた。
このドーナツ状のn-GaN膜２２面に
イオン注入した
　
ｂ．「【００３１】本願発明の効果は、窒素をイオン注入しないものに比し、窒素のドーズ量がGeに対し1/10から1/100程度の場合でも一定の効果が見られた。このように、窒素のイオン注入は、単にｎ型又はｐ型の伝導度を向上させるのではなく、III族窒化物半導体結晶格子のIII族原子サイトへの注入原子の配置を促進させ、窒素空孔発生の抑制をもたらすものである。よって、ｎ型不純物（例えばSi、Ge）、ｐ型元素（例えばBe、Mg、Ca、Zn）の他、例えば発光中心として働く元素（例えばEr、Euなどの希土類元素、Mnなどのその他の遷移元素）、
絶縁性を高めるための元素（例えばCr、Fe、V、Niなどの深いアクセプタ準位を形成する元素）
あらゆる目的について、III族窒化物半導体へのイオン注入に適用できる
　
３．対比
３−１．本願発明と引用発明との対比
　本願発明と、引用発明とを対比する。
　
　　ア　ＧａＮはIII族窒化物半導体材料であるから、引用発明の「ＧａＮ結晶層」は、半導体材料「層」であるとともに、III族窒化物半導体の「層」である。
　したがって、引用発明の「ＧａＮ結晶層」の「ＧａＮ結晶層」は、本願発明の「半導体材料層」に相当するとともに「ＩＩＩ族窒化物層」に相当する。
　
　　イ　引用発明の「高抵抗のＧａＮ結晶層」に関し、引用例１には、「ＧａＮ結晶層」がどの程度「高抵抗」であるかについて、たとえば、前記「ＧａＮ結晶層」の抵抗値や抵抗率の記載はない。
　一方、「２−１．引用例１の記載事項」において摘記したように、引用例１には、「アンドープのＧａＮ結晶中には窒素空孔に基づく欠陥が多数存在し、この欠陥がｎ型のキャリアとして働くため、一般に、ｎ型で低抵抗化してしまう」こと（段落【０００６】）、また、「ＧａＮ結晶層の成膜時にＭｇまたはＺｎをドーピングして成膜されるＧａＮ結晶層におけるキャリア濃度を低減し、その状態で更に高濃度のＣをドーピングする。ドーピングされたＣはＧａＮ結晶層中に深い準位を形成するのでＧａＮ結晶層は高抵抗化する。」こと（段落【００１２】）が記載されている。
　してみれば、引用発明の「高抵抗のＧａＮ結晶層」は、欠陥がｎ型のキャリアとして働いて低抵抗化していた「アンドープＧａＮ結晶層」に、「Ｍｇ」を「ドーピング」して前記ｎ型のキャリアを低減し、さらに、「深い準位を形成するＣ」を「ドーピング」して「高抵抗」化した層であるから、絶縁物層ではないものの、相対的にかなり「高抵抗」な層であると認められる。
　
　これに対して、本願明細書には、段落【００１６】に、「用語「半絶縁」は、絶対的な意味というよりは相対的な意味で描写的に用いられる。」と記載されている。
　すなわち、本願発明の「半導体材料層」が「半絶縁」性であるということは、その「半絶縁」性の程度が数値範囲によって絶対的に定義されたものではなく、あくまで、相対的なものであることが、本願明細書には記載されている。
　さらには、本願明細書には、段落【００１９】に、「ＩＩＩ族窒化物層を半絶縁にするために、遷移金属等の深い準位のドーパントによってドープする（ブロック１１０）。深い準位の遷移金属ドーパントは例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖおよび／またはＮｉ、および／または他の遷移金属ドーパントとすることができる。他の深い準位のドーパントとして、例えばＣや炭素錯体を利用することもできる。」と、引用発明の「深い準位を形成するＣ」と同じＣをドープすると「ＩＩＩ族窒化物層を半絶縁にする」ことができると記載されている。
　
　以上から、引用発明の「高抵抗のＧａＮ結晶層」は、本願発明の「半絶縁の半導体材料層」に相当する。
　
　　ウ　引用例１には、前記イで指摘したように、「アンドープのＧａＮ結晶中には窒素空孔に基づく欠陥が多数存在し、この欠陥がｎ型のキャリアとして働くため、一般に、ｎ型で低抵抗化してしまう」ことが記載されているとともに、「２−１．引用例１の記載事項」において摘記したように、「Ｍｇを１×１０１７cm−３の濃度でドーピングすることにより、上記アンドープＧａＮ結晶層のキャリアは打ち消されている。」こと（段落【００２０】）が記載されている。
　したがって、引用発明の「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度を低減するＭｇ」は、前記「アンドープＧａＮ結晶層」内において、ｎ型のキャリアを打ち消すことができるｐ型のドーパントとして機能していると認められる。
　ここで、特開平１１−１８６６０１号公報の段落【００３２】に「
結晶層をＧａＮから形成する場合、ＧａＮについてのＭｇの準位は約２５０ミリエレクトロンボルト（ｍｅＶ）と推定されている
浅い準位を形成するアクセプタ不純物を複数としたＭｇとＢｅと、Ｚｎとの組合せ
III 族窒化物半導体内でも浅い準位を形成する、例えばＭｇなどをアクセプタ不純物
　さらに、本願明細書にも、段落【０００８】に「浅い準位のｐ型ドーパントは、Ｍｇ、および／またはＺｎ、および／または他のｐ型ドーパントであっても良い。」と、「Ｍｇ」が「浅い準位のｐ型ドーパント」であることが記載されている。
　以上から、引用発明の「ＧａＮ結晶層」に「ドーピング」する「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度を低減するＭｇ」は、本願発明の「浅い準位のｐ型ドーパント」に相当する。
　
　　エ　引用発明の「ＧａＮ結晶層」に「ドーピング」する「ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成するＣ」と、本願発明の「深い準位の遷移金属ドーパント」とは、「深い準位」の「ドーパント」である点で共通する。
　
　　オ　引用発明において、「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度を低減する」ドーパントが「Ｍｇ」であることは、前記ウから、本願発明において、「前記浅い準位のｐ型ドーパントは、Ｍｇおよび／またはＺｎを含」むことに相当する。
　
　　カ　引用発明において「前記Ｍｇのドーピング濃度は１×１０１７cm−３であり、前記Ｃのドーピング濃度は１×１０１８cm−３である」ことと、本願発明において「前記深い準位の遷移金属ドーパントの濃度は、前記浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大き」いこととは、「前記深い準位」の「ドーパントの濃度は、前記浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大き」い点で共通する。
　
３−２．一致点及び相違点
　前項の検討から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
（一致点）
「半絶縁の半導体材料層であって、
　浅い準位のｐ型ドーパントおよび深い準位のドーパントを含むＩＩＩ族窒化物層を備え、
　前記深い準位のドーパントの濃度は、前記浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きく、
　前記浅い準位のｐ型ドーパントは、Ｍｇおよび／またはＺｎを含むことを特徴とする半導体材料層」
　
（相違点１）
　本願発明においては、「深い準位」の「ドーパント」は「遷移金属ドーパント」であるに対して、引用発明においては「ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成する」ドーパントは「Ｃ」である点。
　
（相違点２）
　本願発明においては、「前記深い準位の遷移金属ドーパントのドナー状エネルギー準位は、前記深い準位の遷移金属ドーパントの優位なエネルギー準位である」のに対して、引用発明においては、この点が不明である点。
　
４．当審の判断
４−１．相違点１について
　　ア　引用例１には、段落【００１２】に「ＧａＮ結晶層の成膜時にＭｇまたはＺｎをドーピングして成膜されるＧａＮ結晶層におけるキャリア濃度を低減し、その状態で更に高濃度のＣをドーピングする。ドーピングされたＣはＧａＮ結晶層中に深い準位を形成するのでＧａＮ結晶層は高抵抗化する。」と、段落【００２０】に「Ｍｇを１×１０１７cm−３の濃度でドーピングすることにより、上記アンドープＧａＮ結晶層のキャリアは打ち消されている。そこで、このＭｇドープＧａＮ結晶層２Ｂ（キャリア濃度：１×１０１５cm−３以下）に更にＣを１×１０１８cm−３ドーピングしてＦＥＴ層構造を形成」すると記載されている。
　したがって、引用発明において、「ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成するＣ」は、「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度を低減するＭｇ」により、アンドープＧａＮ結晶層のキャリアが打ち消されたＭｇドープＧａＮ結晶層を、「高抵抗」にして、「高抵抗のＧａＮ結晶層」を製造するためのドーパントとして使用されていると認められる。
　
　　イ　そして、「２−３．引用例２の記載事項」で摘記したように、引用例２には、「III族窒化物半導体」の「絶縁性を高めるため」に、「深いアクセプタ準位を形成」する「例えばCr、Fe、V、Niなど」の「元素」をドーパントとして用いることが記載されている。
　ここで、前記「Cr、Fe、V、Ni」は、いずれも遷移金属元素である。
　
　　ウ　さらに、本願明細書には、「３−１．本願発明と引用発明との対比」の「イ」において指摘したように、その段落【００１９】に、「ＩＩＩ族窒化物層を半絶縁にするために、遷移金属等の深い準位のドーパントによってドープする（ブロック１１０）。深い準位の遷移金属ドーパントは例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖおよび／またはＮｉ、および／または他の遷移金属ドーパントとすることができる。他の深い準位のドーパントとして、例えばＣや炭素錯体を利用することもできる。」と記載されている。
　すなわち、本願明細書には、「ＩＩＩ族窒化物層を半絶縁にする」ための「深い準位のドーパント」として、「例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖおよび／またはＮｉ、および／または他の遷移金属ドーパント」という「遷移金属ドーパント」と、「Ｃや炭素錯体」という「他の深い準位のドーパント」とが、並記されている。
　この段落【００１９】の記載によれば、「ＩＩＩ族窒化物層を半絶縁にする」ための「深い準位のドーパント」として、「例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖおよび／またはＮｉ、および／または他の遷移金属ドーパント」という「遷移金属ドーパント」を利用する場合と、「Ｃや炭素錯体」という「他の深い準位のドーパント」を利用する場合とで、格別の差異があるとは認められない。
　
　　エ　したがって、引用発明において、「高抵抗のＧａＮ結晶層」を製造するために「ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成する」ドーパントとして、「Ｃ」を用いることに代えて、引用例２に記載されるように、「III族窒化物半導体」の「絶縁性を高めるため」に「深いアクセプタ準位を形成」する「例えばCr、Fe、V、Niなど」の遷移金属元素を用いることは、引用例１と引用例２に接した当業者であれば、適宜なし得たものと認められる。
　
４−２．相違点２について
　　ア　本願明細書の段落【００２５】には、「浅い準位のドーパントがｐ型か、またはｎ型かに依存して、深い準位のドーパントの特性やエネルギー準位が異なること」、「深い準位のドーパントが２つのエネルギー準位を有し、一方のエネルギー準位がドナー状であり、他方のエネルギー準位がアクセプタ状である」こと、「例えば、浅い準位のドーパントがｐ型である場合、深い準位のドーパントの優位なエネルギー準位は、ドナー状であるかもしれない」こと、「このように、浅い準位のドーパントを選択することによって、同時ドーピングした層のエネルギー準位の特性を制御して、アクセプタ状またはドナー状にすることができる」こと、「本明細書において、ドナー状とは、深い準位のドナーエネルギー準位でわずかな電子を有することを指し、そこでは、それらわずかな電子は同時ドーピング無しでは存在しない。」ことが、それぞれ記載されている。
　ここで、段落【００２５】には、その前の段落【００１９】に「ＩＩＩ族窒化物層を半絶縁にする」ための「深い準位のドーパント」には「深い準位の遷移金属ドーパント」と「他の深い準位のドーパント」があることが記載されているのとは異なり、単に「深い準位のドーパント」という記載があるだけである。すなわち、段落【００２５】に記載の「深い準位のドーパント」は、段落【００１９】に記載の「深い準位の遷移金属ドーパント」と「他の深い準位のドーパント」とを包含しているものと認められる。
　したがって、本願明細書の段落【００２５】には、「２つのエネルギー準位を有し、一方のエネルギー準位がドナー状であり、他方のエネルギー準位がアクセプタ状」である「深い準位のドーパント」と、「ｐ型」である「浅い準位のドーパント」とを、「同時ドーピング」すると、「深い準位のドーパントの優位なエネルギー準位は、ドナー状」となることが記載されている。
　
　　イ　これに対して、引用発明の「高抵抗のＧａＮ結晶層」は、「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度を低減するＭｇ、及び、ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成するＣ」が、「前記Ｍｇのドーピング濃度は１×１０１７cm−３であり、前記Ｃのドーピング濃度は１×１０１８cm−３」で「それぞれドーピングされた」ものである。すなわち、前記「高抵抗のＧａＮ結晶層」内には、前記「Ｍｇ」と前記「Ｃ」とが一緒に「ドーピングされ」ている。
　ここで、引用発明の前記「ＧａＮ」は、本願明細書の段落【００１７】に「用語「ＩＩＩ族窒化物」は、窒素と、通常、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、および／またはインジウム（Ｉｎ）といった周期表の第ＩＩＩ族の元素との間で形成された半導体化合物を指す。……第ＩＩＩ族元素は窒素と結合して二元化合物（例えば、ＧａＮ）、三元化合物（例えば、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ）、そして四元化合物（例えば、ＡｌＩｎＧａＮ）を生成することができる。」と記載されるように、本願明細書に実施例として記載された「ＩＩＩ族窒化物層」の材料に含まれる。
　また、引用発明の前記「Ｍｇ」は、本願明細書の段落【００１８】に「浅い準位のドーパントはｎ型ドーパントでも良いし、ｐ型ドーパントであっても良い。例えば、浅い準位のドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｍｇ、またはＺｎおよび／または他のｐ型、あるいはｎ型ドーパントとすることができる。」と記載されるように、本願明細書に実施例として記載された「浅い準位のｐ型ドーパント」の材料に含まれることは、明らかである。
　そして、引用発明の前記「Ｃ」は、「４−１．相違点１について」の「ウ」で指摘したように、本願明細書に実施例として記載された「ＩＩＩ族窒化物層を半絶縁にする」ための「深い準位のドーパント」の材料に含まれる。
　
　　ウ　また、本願明細書には、段落【０００９】に「浅い準位のｐ型ドーパントの濃度は、深い準位の遷移金属ドーパントのドナー状エネルギー準位を深い準位の遷移金属ドーパントの優位なエネルギー準位にさせるのに十分である。」と、段落【０００８】に「本発明のさらなる実施形態では、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度は、ＩＩＩ族窒化物層における欠陥や故意ではない不純物によって生じたバックグランド濃度よりも大きい。浅い準位のｐ型ドーパントの濃度をおよそ１×１０１７ｃｍ−３より小さくしても良い。」と、段落【００１０】に「本発明のさらに他の実施形態では、深い準位の遷移金属ドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも少なくともおよそ３倍よりも大きい。」と、それぞれ、記載されている。
　これらの記載によれば、「深い準位の遷移金属ドーパントのドナー状エネルギー準位を深い準位の遷移金属ドーパントの優位なエネルギー準位にさせる」には「浅い準位のｐ型ドーパントの濃度」を「十分」な大きさにする必要があること、この「浅い準位のｐ型ドーパントの濃度」の「十分」な大きさの条件は、前記「浅い準位のｐ型ドーパントの濃度」が「ＩＩＩ族窒化物層における欠陥や故意ではない不純物によって生じたバックグランド濃度よりも大きい」ことであり、前記「浅い準位のｐ型ドーパントの濃度」が「およそ１×１０１７ｃｍ−３より小さ」いのが望ましいことであり、「深い準位の遷移金属ドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも少なくともおよそ３倍よりも大きい」ことであることが、本願明細書には記載されていると認められる。
　
　　エ　これに対して、引用発明においては、「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度を低減するＭｇ」の「ドーピング濃度は１×１０１７cm−３であり」、「前記Ｃのドーピング濃度は１×１０１８cm−３である」。
　そして、引用例１には、段落【０００６】に「アンドープのＧａＮ結晶中には窒素空孔に基づく欠陥が多数存在し、この欠陥がｎ型のキャリアとして働く」こと、段落【００２０】に「Ｍｇを１×１０１７cm−３の濃度でドーピングすることにより、上記アンドープＧａＮ結晶層のキャリアは打ち消されている。」ことが記載されているから、引用発明の前記「Ｍｇ」の「ドーピング濃度」である「１×１０１７cm−３」は、「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア」を打ち消すために十分な「ドーピング濃度」であるから、前記「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア」の濃度よりも大きいと認められる。
　ここで、本願明細書の段落【０００８】に記載された「浅い準位のｐ型ドーパントの濃度」条件である「およそ１×１０１７ｃｍ−３より小さくしても良い。」ことは、引用発明の「Ｍｇ」の「ドーピング濃度」である「１×１０１７cm−３」を含まない。しかしながら、本願明細書には、前記「浅い準位のｐ型ドーパントの濃度」変化の影響を示す具体的な実験結果は何ら開示されていないことから、段落【００１８】の記載のように、「浅い準位のドーパント」のドーピング濃度が上限の「１×１０１７ｃｍ−３」を含まないことが、何らかの意味で格別の意義があるとは認められない。むしろ、引用例１の段落【００２０】の「Ｍｇを１×１０１７cm−３の濃度でドーピングする」における「１×１０１７」の記載は有効数字で丸めた結果であると考えられることから、引用発明の前記「Ｍｇ」の「ドーピング濃度は１×１０１７cm−３」であるという条件は、本願明細書に記載の前記「浅い準位のｐ型ドーパントの濃度」が「およそ１×１０１７ｃｍ−３より小さ」いのが望ましいとの条件に包含される部分を有すると認められる。
　そして、引用発明においては、「アンドープＧａＮ結晶層のキャリア濃度を低減するＭｇ」の「ドーピング濃度は１×１０１７cm−３であり」、「前記Ｃのドーピング濃度は１×１０１８cm−３であ」り、「前記Ｃのドーピング濃度」は前記「Ｍｇ」の「ドーピング濃度」の３倍より大きい。
　
　　オ　以上のア〜エから、引用発明の「高抵抗のＧａＮ結晶層」は、本願明細書に記載された、「深い準位」の「ドーパントのドナー状エネルギー準位」が「前記深い準位」の「ドーパントの優位なエネルギー準位」になるために必要かつ十分な条件を満たしている。
　そうすると、引用発明の「高抵抗のＧａＮ結晶層」内においては、「ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成するＣ」のドナー状エネルギー準位が、前記「深い準位を形成するＣ」の優位なエネルギー準位になっていると認められる。
　
　　カ　引用発明において、「ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成する」ドーパントとして、「Ｃ」に代えて遷移金属元素を用いることは、「４−１．相違点１について」で検討したように、引用例１と引用例２に接した当業者であれば、適宜なし得たものと認められる。
　そして、前記ア〜オの検討から、引用発明の「ＧａＮ結晶層中に深い準位を形成する」ドーパントとして遷移金属元素を用いるとき、必然的に、「深い準位」の遷移金属元素ドーパントのドナー状エネルギー準位が、前記「深い準位」の遷移金属元素ドーパントの優位なエネルギー準位になると認められる。
　
４−３．小括
　以上のとおりであるから、相違点１及び相違点２は、引用発明及び引用例２の記載事項から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　そして、本願発明の効果も、引用発明及び引用例２の記載事項から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。