Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月27日(2015.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークにおける安全なプロトコル実行のためのシステムであって、
ノードと、
前記ノードを制御するためのプロトコル情報を供給するサービスセンタと、
前記ノードを制御するために前記プロトコル情報に従うプロトコルを実行するセグメントコントローラと、
を有し、
前記セグメントコントローラにおいて、前記プロトコルの１以上のステップを実行するために前記ノードの少なくとも１つの応答メッセージが必要とされ、
前記セグメントコントローラが、前記ノードからの前記応答メッセージを、前記プロトコル情報の少なくとも一部の解読のために使用する、システム。
【請求項２】
前記応答メッセージが、ノードのアイデンティティ及び前記セグメントコントローラから受信されたメッセージのフィンガープリントのうちの少なくとも一方に基づくものである請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記セグメントコントローラが、前記解読されたプロトコル情報の少なくとも一部を前記ノードに送信する請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記セグメントコントローラが前記プロトコル情報を前記プロトコルの全てのステップに関して有するか、及び／又は前記プロトコル情報が少なくとも２つのステップに関して異なるキーに基づいて符号化されている請求項１ないし３の何れか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記セグメントコントローラが、前記ノードからの前記応答メッセージを、前記サービスセンタから更なるプロトコル情報を要求するために使用する請求項１ないし請求項４の何れか一項に記載のシステム。
【請求項６】
前記サービスセンタ及び／又は前記ノードが、セキュリティキー、ハッシュ関数、ハッシュ関数の繰り返し数及びハッシュ関数のアンカのうちの少なくとも１つに関して知っている請求項１ないし５の何れか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記プロトコルが前記ノードに情報を供給するステップを含み、該情報がマスタシークレット及び情報識別番号から導出された秘密キーに基づいて保護されている請求項１ないし６の何れか一項に記載のシステム。
【請求項８】
前記サービスセンタが、前記プロトコルに固有のナンス又はソルトを前記ノードに供給する請求項１ないし７の何れか一項に記載のシステム。
【請求項９】
前記プロトコルが、構成情報を前記ノードに供給するステップ、前記ノードを再構成するステップ及び前記ノードを再ブートするステップのうちの少なくとも１つを含む請求項１ないし８の何れか一項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記サービスセンタが、制御される前記ノードの少なくとも１つを再ブートするために前記セグメントコントローラに現在のハッシュチェーンリンクを供給する請求項１ないし９の何れか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記セグメントコントローラが、前記ノードからの応答メッセージに基づいて前記サービスセンタに確認メッセージを送信する請求項１ないし１０の何れか一項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ネットワークの前記ノードが照明システムの照明器具に関連するものである請求項１ないし１１の何れか一項に記載のシステム。
【請求項１３】
少なくとも１つのノードを備えたネットワークにおける安全なプロトコル実行のためのセグメントコントローラ用の制御ユニットであって、
前記ノードを制御するためにサービスセンタにより供給されるプロトコル情報に基づいてプロトコルを実行し、
前記セグメントコントローラにおいて、前記プロトコルの１以上のステップを実行するために前記ノードの少なくとも１つの応答メッセージが必要とされ、
前記セグメントコントローラが、前記ノードからの前記応答メッセージを、前記プロトコル情報の少なくとも一部の解読のために使用する、
制御ユニット。
【請求項１４】
少なくとも１つのノードを備えたネットワークにおける安全なプロトコル実行のための方法であって、
前記ノードを制御するためにセグメントコントローラにプロトコル情報を供給するステップと、
前記ノードを制御するために前記プロトコル情報に基づいてプロトコルを実行するステップと、
を有し、
前記セグメントコントローラにおいて、前記プロトコルの１以上のステップを実行するために前記ノードの少なくとも１つの応答メッセージが必要とされ、
前記セグメントコントローラが、前記ノードからの前記応答メッセージを、前記プロトコル情報の少なくとも一部の解読のために使用する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局は、移動局へ、制御シグナリングの送信位置の指示情報を送信し、
前記制御シグナリングの送信位置の指示情報により示された制御シグナリングの送信位置がデータ領域に位置し、且つ前記移動局が開ループのＭＩＭＯ方式に設定された場合、前記基地局は、開ループのＭＩＭＯ方式又は送信ダイバーシティ方式を用いて、前記データ領域において前記制御シグナリングを送信する制御シグナリングの伝送方法。
【請求項２】
前記基地局は開ループのＭＩＭＯ方式を用いて前記データ領域において前記制御シグナリングを送信する場合、前記基地局による前記制御シグナリングの送信は、開ループのＭＩＭＯ方式を支持可能な最低のランクを用いる、請求項１に記載の制御シグナリングの伝送方法。
【請求項３】
前記基地局は開ループのＭＩＭＯ方式を用いて前記データ領域において前記制御シグナリングを送信する場合、前記基地局による前記制御シグナリングの送信は、送信データに対して前記基地局により設定されたランクを用いる、請求項１に記載の制御シグナリングの伝送方法。
【請求項４】
前記基地局による前記制御シグナリングの送信に用いられたランクが２以上の場合、前記基地局は、一つの変調符号化リンクを用いて前記制御シグナリングを送信する、請求項２又は３に記載の制御シグナリングの伝送方法。
【請求項５】
前記基地局は一つの変調符号化リンクを用いて前記制御シグナリングを送信する場合の伝送方法は、
前記制御シグナリングに対してチャネル符号化を行い、
チャネル符号化されたシンボルに対して変調を行い、
前記ランクに基づいて、変調されたシンボルに対してレイヤマッピングを行い、
単一のプリコーディングのマトリックスを用いて、レイヤマッピングされたデータに対してプリコーディングを行う、請求項４に記載の制御シグナリングの伝送方法。
【請求項６】
前記データ領域において送信された前記制御シグナリングは、個別の基準信号を用いてチャネル推定を行う、請求項１に記載の制御シグナリングの伝送方法。
【請求項７】
前記基地局は開ループのＭＩＭＯ方式を用いて前記データ領域において前記制御シグナリングを送信する場合、前記伝送方法は、
前記基地局が送信ダイバーシティ方式を用いるモードに戻してデータを送信するか否かを判定し、
前記基地局が送信ダイバーシティ方式を用いるモードに戻してデータを送信した場合、前記基地局は、送信ダイバーシティ方式を用いるモードに戻して前記制御シグナリングを送信する、請求項１に記載の制御シグナリングの伝送方法。
【請求項８】
移動局へ、制御シグナリングの送信位置の指示情報を送信する第１の送信手段と、
前記第１の送信手段により送信された前記制御シグナリングの送信位置の指示情報により示された制御シグナリングの送信位置がデータ領域に位置し、且つ前記移動局が開ループのＭＩＭＯ方式に設定された場合、開ループのＭＩＭＯ方式又は送信ダイバーシティ方式を用いて、前記データ領域において前記制御シグナリングを送信する第２の送信手段とを備える、基地局。
【請求項９】
前記第２の送信手段は開ループのＭＩＭＯ方式を用いて前記データ領域おいて前記制御シグナリングを送信する場合、前記第２の送信手段による前記制御シグナリングの送信は、開ループのＭＩＭＯ方式を支持可能な最低のランクを用いる、請求項８に記載の基地局。
【請求項１０】
前記第２の送信手段は開ループのＭＩＭＯ方式を用いて前記データ領域において前記制御シグナリングを送信する場合、前記第２の送信手段による前記制御シグナリングの送信は、送信データに対して前記基地局により設定されたランクを用いる、請求項８に記載の基地局。
【請求項１１】
前記第２の送信手段による前記制御シグナリングの送信に用いられたランクが２以上の場合、前記第２の送信手段は、一つの変調符号化リンクを用いて前記制御シグナリングを送信する、請求項９又は１０に記載の基地局。
【請求項１２】
前記第２の送信手段は、
前記制御シグナリングに対してチャネル符号化を行うチャネル符号化モジュールと、
チャネル符号化されたシンボルに対して変調を行う変調モジュールと、
前記ランクに基づいて、変調されたシンボルに対してレイヤマッピングを行うレイヤマッピングモジュールと、
単一のプリコーディングのマトリックスを用いて、レイヤマッピングされたデータに対してプリコーディングを行うプリコーディングモジュールと、を含む、請求項１１に記載の基地局。
【請求項１３】
前記データ領域において送信された前記制御シグナリングは、個別の基準信号を用いてチャネル推定を行う、請求項８に記載の基地局。
【請求項１４】
前記基地局は開ループのＭＩＭＯ方式を用いて前記データ領域において前記制御シグナリングを送信する場合、
前記基地局は、前記基地局が送信ダイバーシティ方式を用いるモードに戻してデータを送信するか否かを判定する判定手段、をさらに含み、
前記基地局が送信ダイバーシティ方式を用いるモードに戻してデータを送信すると判定された場合、前記第２の送信手段は、送信ダイバーシティ方式を用いるモードに戻して前記制御シグナリングを送信する、請求項８に記載の基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月24日(2015.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構成要素であって、
前面及び前記前面から隔った裏面を有する基板であって、１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する、基板と、
前記裏面から前記前面に向かって延在する開口部であって、前記前面及び裏面の間の内面を画定する、開口部と、
前記開口部内部に延在する導電ビアであって、前記内面の上方に重なる第１金属層、及び前記第１金属層の上方に重なり、前記第１金属層と電気的に結合された第２金属領域であって、前記第１金属層のＣＴＥよりも大きいＣＴＥを有する、第２金属領域を含む、導電ビアと、
を含み、
前記導電ビアは、前記導電ビアの直径にわたって、前記第２金属領域の前記ＣＴＥの８０％未満である実効ＣＴＥを有し、
前記基板が、前記開口部と前記前面又は裏面のうちの少なくとも一方との間の移行面を有し、前記移行面の半径は前記開口部の半径の５％よりも大きい、
構成要素。
【請求項２】
前記第２金属領域は、前記第１金属層と向かい合う外面と、前記第２金属領域内に構成された中央開口部を取り囲む内面と、を有する、請求項１に記載の構成要素。
【請求項３】
前記第２金属領域の内面をコーティングする絶縁誘電体層を更に含む、請求項２に記載の構成要素。
【請求項４】
前記導電ビアは、前軸方向端部及び裏軸方向端部を有し、前記開口部は、前記前軸方向端部及び裏軸方向端部の一方に形成された凹部である、請求項２に記載の構成要素。
【請求項５】
前記開口部は、前記導電ビアの前記裏軸方向端部に形成された凹部であり、前記凹部は、前記基板の裏面の下方で延びている、請求項４に記載の構成要素。
【請求項６】
前記凹部の露出面が、前記導電ビアの前記金属とは異なる材料である障壁層でコーティングされる、請求項５に記載の構成要素。
【請求項７】
前記凹部の露出面は、前記凹部を少なくとも部分的に充填するポリマーでコーティングされている、請求項５に記載の構成要素。
【請求項８】
前記凹部は、前記基板の前面と平行な横方向において、前記導電ビアの直径よりも小さい最大直径を有する、請求項５に記載の構成要素。
【請求項９】
前記第２金属領域は、前記第１金属層をコンフォーマルコーティングする、請求項１に記載の構成要素。
【請求項１０】
前記第２金属領域は、前記基板の前面と裏面との間で前記開口部内で延びている、請求項１に記載の構成要素。
【請求項１１】
外部要素との相互接続のために前記裏面において露出した接触面を有する導電コンタクトを更に含み、前記接触面は、前記第２金属領域の露出面である、請求項１に記載の構成要素。
【請求項１２】
前記基板は、実質的に半導体材料からなり、前記構成要素は、前記開口部の内面をコーティングする絶縁誘電体層であって、少なくとも前記開口部内部で前記基板から前記導電ビアを分離し、絶縁する絶縁誘電体層を更に含む、請求項１に記載の構成要素。
【請求項１３】
前記導電ビアの一部は、前記基板の材料と直接接触している、請求項１に記載の構成要素。
【請求項１４】
前記基板は、実質的に誘電体材料からなる、請求項１に記載の構成要素。
【請求項１５】
前記前面において複数の導電要素を更に含み、前記複数の導電要素のうちの少なくとも一部は前記導電ビアの各々と電気的に接続され、前記基板が、前記複数の導電要素のうちの少なくとも一部と電気的に接続された複数の能動半導体デバイスを統合する、請求項１に記載の構成要素。
【請求項１６】
前記導電要素は、前記基板の前面から離れる方に向いた頂面と、前記前面と向かい合わせの底面とを有し、前記第１金属材料は、前記導電要素の底面と接触して形成されている、請求項１５に記載の構成要素。
【請求項１７】
前記第２金属領域は、前記第１金属層によって前記導電要素から分離されている、請求項１６に記載の構成要素。
【請求項１８】
前記導電ビアは、前記第１金属層と前記内面の間に第３の金属層を含み、前記第３金属層は、前記第１金属層及び前記第２金属領域とは異なる金属である、請求項１に記載の構成要素。
【請求項１９】
請求項１に記載の構成要素と、この構成要素に電気的に接続される１つ以上の他の電子構成要素とを備える、システム。
【請求項２０】
ハウジングを更に備え、前記構成要素及び前記他の電子構成要素が、前記ハウジングに実装される、請求項１９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月30日(2015.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスと、
多層フィルムであって、
電子デバイスに隣接する基材と、
前記基材の電子デバイスと反対側に隣接するバリアスタックと、
前記基材と反対側にある前記バリアスタックに隣接するポリマーの耐候性シートと、を備える、多層フィルムと、
を備え、
多層フィルムが融着されている、
前記バリアスタックがポリマー層と無機バリアー層を備え、
前記無機バリアー層が酸化物層である、組立品。
【請求項２】
前記電子デバイスがエッジ封止材を備え、
前記電子デバイスがバックシートを備え、
前記電子デバイスが封入材層を備え、
前記エッジ封止材がブチルゴムを含む、請求項１に記載の組立品。
【請求項３】
前記耐候性シートがフルオロポリマーを含む、請求項１又は２に記載の組立品。
【請求項４】
前記耐候性シートと前記バリアスタックの間に感圧接着剤層を備え、
前記感圧接着剤がアクリレート、シリコーン、ポリイソブチレン、ユリア、あるいはそれらのブレンドであり、
前記感圧接着剤が、ＵＶ安定剤、ヒンダードアミン光安定剤、酸化防止剤、又は熱安定剤のうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組立品。
【請求項５】
前記バリアスタックが５０℃、相対湿度１００％においての水蒸気透過率が０．００５ｃｃ／ｍ２／日未満であり、
前記バリアスタックが２３℃、相対湿度９０％においての酸素透過率が０．００５ｃｃ／ｍ２／日未満である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組立品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の集積回路を上に有する前面を含み、前面とは反対の後面を有する半導体ウェハをダイシングする方法であって、
集積回路を覆い、保護する層を含むマスクを、半導体ウェハの前面上に形成する工程と、
分割ビームレーザスクライビングプロセスでマスク及び半導体ウェハの一部をパターニングし、これによってパターニングされたマスクを提供し、集積回路間で半導体ウェハ内に部分的に、しかしながら半導体ウェハを貫通しないでトレンチを形成する工程であって、各々のトレンチは、半導体ウェハ内に開口部を有し、半導体ウェハ内の開口部は幅を有する工程と、
パターニングされたマスクを露出させながら、トレンチを貫通して半導体ウェハをプラズマエッチングし、これによって対応するトレンチの延長を形成し、集積回路を個片化する工程であって、各々の対応するトレンチの延長は、前記幅を有する工程を含む方法。
【請求項２】
分割ビームレーザスクライビングプロセスでマスク及び半導体ウェハの一部をパターニングする工程が、レーザビームをＭ×Ｎの点列に分割する工程を含み、Ｍ又はＮのうちの１つは１より大きい請求項１記載の方法。
【請求項３】
ＭとＮの両方が１より大きい請求項２記載の方法。
【請求項４】
Ｍ×Ｎの点列の全ての点が同じ出力を有する請求項２記載の方法。
【請求項５】
第１の点が、第２の点とは異なる出力を有する請求項２記載の方法。
【請求項６】
Ｍ＝２かつＮ＝２であり、Ｍ×Ｎの点列は、正方形及び長方形から成る群から選択される形状を有する請求項３記載の方法。
【請求項７】
分割ビームレーザスクライビングプロセスでマスク及び半導体ウェハの一部をパターニングする工程は、フェムト秒ベースのレーザを使用する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
複数の集積回路を上に有する前面を含み、前面とは反対の後面を有する半導体ウェハをダイシングする方法であって、
集積回路を覆い、保護する層を含むマスクを、半導体ウェハの前面上に形成する工程と、
分割ビームレーザスクライビングプロセスでマスク及び半導体ウェハの一部をパターニングし、これによってパターニングされたマスクを提供し、集積回路間で半導体ウェハ内に部分的に、しかしながら半導体ウェハを貫通しないでトレンチを形成する工程であって、各々のトレンチは、半導体ウェハ内に開口部を有し、半導体ウェハ内の開口部は幅を有し、分割ビームレーザスクライビングプロセスは、レーザビームをＭ×Ｎの点列に分割する工程を含み、ＭとＮの両方が１より大きい工程と、
パターニングされたマスクを露出させながら、トレンチを貫通して集積回路を個片化し、これによって分割ビームレーザスクライビングプロセスとは異なるプロセスを用いて対応するトレンチの延長を形成する工程であって、各々の対応するトレンチの延長は、前記幅を有する工程を含む方法。
【請求項９】
Ｍ×Ｎの点列の全ての点が同じ出力を有する請求項８記載の方法。
【請求項１０】
第１の点が、第２の点とは異なる出力を有する請求項８記載の方法。
【請求項１１】
Ｍ＝２かつＮ＝２であり、Ｍ×Ｎの点列は、正方形及び長方形から成る群から選択される形状を有する請求項８記載の方法。
【請求項１２】
分割ビームレーザスクライビングプロセスでマスク及び半導体ウェハの一部をパターニングする工程は、フェムト秒ベースのレーザを使用する工程を含む請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月21日(2015.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリグリセリドおよびある量の小さいグリセリドを含む遺伝子操作された微生物油（ＧＥＭＯ）、および
酸化防止剤
を含む誘電性流体。
【請求項２】
前記小さいグリセリドの量は、ＧＥＭＯの重量に基づき、０．１重量％から３０重量％の範囲内にある、請求項１に記載の誘電性流体。
【請求項３】
前記ＧＥＭＯは、ＧＥＭＯの重量に基づき、０．０１ｐｐｍから５０，０００ｐｐｍの範囲内の量のオリゴ糖をさらに含む、請求項１に記載の誘電性流体。
【請求項４】
電気部品と、
前記電気部品と動作的に連通し、遺伝子操作された微生物油（ＧＥＭＯ）および酸化防止剤を含む誘電性流体と
を備えた装置。
【請求項５】
前記誘電性流体が、ＡＳＴＭ  Ｄ  １５３３に準拠して測定して、９０℃で３８００ｐｐｍから４２００ｐｐｍの水飽和点を有する、請求項４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月17日(2015.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素を含有するシリコンウェハにおいて少数キャリア寿命劣化欠陥に関連する少数キャリア寿命劣化を抑制する方法であって、
ホウ素は、少なくとも約１０１３原子／ｃｍ３の濃度で前記ウェハ内に存在し、
前記劣化欠陥は、高速拡散成分及び二量体酸素含有成分を含み、
当該方法は、
シリコンウェハを、前記劣化欠陥に含まれる高速拡散成分の既存のナノ集合体を溶解させるに充分な温度Ｔ１まで加熱する工程と、
前記シリコンウェハを、Ｔ１から温度Ｔ２まで少なくとも約１００℃／秒の冷却速度Ｒ１で冷却する工程と、
前記シリコンウェハを、Ｔ２から温度Ｔ３まで冷却速度Ｒ２で冷却する工程と、を有し、
Ｒ２に対するＲ１の比率が少なくとも約２：１である方法。
【請求項２】
前記加熱する工程の間に溶解される前記既存のナノ集合体には、ホウ素、銅、ニッケル、若しくはこれらの組み合わせが含まれる請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記加熱する工程の間に溶解される前記既存のナノ集合体には、ホウ素が含まれる請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記Ｒ２に対するＲ１の比率は、少なくとも約３：１、少なくとも約５：１、少なくとも約１０：１、少なくとも約２０：１、少なくとも約５０：１、若しくは、約２：１〜約２００：１、約２：１〜約１５０：１、約１０：１〜約１５０：１、若しくは、約２０：１〜約１５０：１である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記ウェハをＴ２からＴ３まで冷却しつつ、少数電荷キャリアを発生させる請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記ウェハをＴ２からＴ３まで冷却しつつ、前記ウェハに光照射することにより前記少数電荷キャリアを発生させる請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記ウェハをＴ２からＴ３まで冷却しつつ、前記ウェハに電流を与えることにより前記少数電荷キャリアを発生させる請求項５記載の方法。
【請求項８】
Ｒ１が、少なくとも約２００℃／秒、少なくとも約２５０℃／秒、少なくとも約５００℃／秒、少なくとも約７５０℃／秒、さらには、少なくとも約１０００℃／秒である請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
Ｔ１は、少なくとも約５００℃、少なくとも約６００℃、少なくとも約６５０℃、少なくとも約７００℃、若しくは、約５００℃〜約１３００℃、約５００℃〜約１１５０℃、約５００℃〜約１０００℃、約５００℃〜約８５０℃、約５００℃〜約７５０℃、若しくは、約６００℃〜約７５０℃である請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
Ｔ２は、約５００℃未満、約４５０℃未満、約４００℃未満、約３５０℃未満、約３００℃未満、約２５０℃未満、約１５０℃〜約４５０℃、若しくは、約２５０℃〜約４００℃である請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
Ｔ３は、約２５０℃未満、約２００℃未満、約１５０℃未満、約１００℃未満、約５０℃未満、若しくは、約２００℃〜およそ室温、約１５０℃〜約２５℃、約１００℃〜約２５℃、約１５０℃〜約５０℃である請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
Ｒ２は、約１０℃／秒未満、約５℃／秒未満、約１℃／秒未満、約０．５℃／秒未満、約０．１℃／秒未満、少なくとも約０．０１℃／秒、少なくとも約０．１℃／秒、少なくとも約０．５℃／秒、約０．０１℃／秒〜約１０℃／秒、約０．１℃／秒〜約１０℃／秒、約０．５℃／秒〜約１０℃／秒、約０．１℃／秒〜約５℃／秒である請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記ウェハは、アルミニウム、ガリウム、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された第２のｐ型ドーパントを含む請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコンウェハは、単結晶シリコンウェハである請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記シリコンウェハは、チョクラルスキー法により成長させたインゴットのスライスである請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月20日(2015.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
循環ループ内の流体を脱気する装置であって、
前記循環ループとインラインに結合された入口及び出口を有する脱気チャンバであって、前記脱気チャンバ内に生成される真空が、前記循環ループ内を循環する流体から溶解ガス及び水蒸気を引き、前記脱気チャンバが、前記脱気チャンバ内に開口を更に有し、前記脱気チャンバが、脱気中、前記流体から引かれる溶解ガス及び水蒸気並びに前記流体から引かれる水蒸気の一部から形成される凝縮物が、重力の結果として前記チャンバから前記開口を通じて流れ出ることを可能にする、脱気チャンバと、
前記脱気チャンバの開口に結合される水トラップと、
前記脱気チャンバの開口と前記水トラップとの間に結合される冷却器であって、前記流体から引かれる水蒸気の一部を液体に凝縮するように構成される熱交換器を有する、冷却器と、
を有し、前記脱気チャンバ、前記水トラップ及び前記冷却器がすべて真空下に維持され、前記脱気チャンバが、前記冷却器を通じて前記開口を通じて前記脱気チャンバの外から真空下に維持され、前記冷却器が、前記水トラップを通じて真空ポンプに間接的に結合され、前記水トラップが前記真空ポンプに直接的に結合され、凝縮物及び液体が前記水トラップ内に集まる、装置。
【請求項２】
流体の前記循環ループとインラインに結合されるヒータを更に有し、前記ヒータの動作が前記流体の温度制御を実施するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記循環ループ内の前記流体は、超音波トランスデューサ結合ボーラスを提供する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記超音波トランスデューサ結合ボーラスは、前記超音波トランスデューサ結合ボーラスを通じて、超音波曝露を受ける被検体を受け入れる支持プラットホームとして機能する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
ヒータと、
前記循環ループ内の流体を循環する循環ポンプと、
を更に有する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記循環ループとインラインに結合される、前記流体の温度制御のための加熱素子と、
前記加熱素子上に配されるセンサと,
を更に有し、前記加熱素子の制御は、前記センサからのフィードバックに基づく、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記水トラップは、液体を分離するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
自動的に及びユーザ介入なしに、集められた液体及び水の入った前記水トラップを空にするように構成されるモータ駆動のアセンブリを更に有する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記流体は液体を含み、
前記チャンバは、超音波結合媒体として使用する前記液体を脱気処理するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
温度維持装置を更に有し、
前記温度維持装置が、循環ループ内に配置されるよう構成されたヒータを有し、
前記循環ループが、超音波トランスデューサ結合ボーラスを有し、前記ヒータの動作は、前記流体の温度制御を実施するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
固定の動作温度を設定するように構成されるユーザインタフェースを更に有し、前記温度制御の実施は、前記超音波トランスデューサ結合ボーラスにおいて前記液体を前記固定の動作温度に維持するように行われる、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記脱気チャンバが、前記超音波トランスデューサ結合ボーラスから始まって、流れに関して前記循環ループ内の前記ヒータに先行する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記水トラップが更に、前記流体を加熱するために温度制御を実施することによって引き起こされる増大される蒸発を補償するように構成される、請求項１０に装置の装置。
【請求項１４】
前記脱気チャンバの前記入口に交換可能なフィルタを有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の装置について複数の工程を実施するための、プロセッサによって実行される命令を具備するコンピュータ可読媒体であって、前記装置が、ヒータを有する温度維持装置を有し、前記装置が、超音波トランスデューサ結合ボーラスの循環ループ内に配置され、前記ループの循環液体を脱気処理し、前記液体の温度制御を実施するように構成され、前記工程が、ユーザ制御部を通じて、前記ループの前記液体の前記温度制御のための設定を入力することを含む、コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月21日(2015.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料をマイクロチャネルデバイス内に装填する方法であって、
微粒子を複数のマイクロチャネルの中に装填する段階と、
可搬式小型超音波緻密化ユニットを使用して前記微粒子を前記複数の反応剤マイクロチャネルの中に超音波的に充填する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記微粒子は、触媒を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のマイクロチャネル内に充填されていた使用済み微粒子を該複数のマイクロチャネルから取り除く段階を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
使用済み触媒を前記複数の反応剤マイクロチャネルから取り除く段階の前に、該複数の反応剤マイクロチャネル内に収容された触媒がそこを通過することを抑制する第１の障壁を該複数の反応剤マイクロチャネルから下流で除去する段階と、
前記活性触媒を前記複数の反応剤マイクロチャネルの中に装填する段階の前に、前記第１の障壁を該複数の反応剤マイクロチャネルから下流に再び設置する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の処理マイクロチャネルは、複数の層に配置され、該層のうちの少なくとも２つが、互いから離間しており、
前記微粒子を前記複数の処理マイクロチャネルの中に超音波的に充填する前記段階は、ある一定の層を他の層の前に充填する段階を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の処理マイクロチャネルの前記複数の層のうちの少なくとも２つが、介在チャネルの層によって互いから離間していることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記介在チャネルは、冷却剤チャネルを含み、該冷却剤チャネルは、冷却剤マイクロチャネルを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記可搬式小型超音波緻密化ユニットは、プログラマブル超音波充填器を含み、
前記微粒子を前記複数の処理マイクロチャネルの中に超音波的に充填する前記段階は、前記プログラマブル超音波充填器を使用する段階を含み、
前記プログラマブル超音波充填器は、前記複数の処理マイクロチャネルに対して自律的に再位置決め可能である、
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記超音波ホーンは、２００キロパスカルから２８０キロパスカルの間の接触圧力で前記第１の組の前記複数の冷却剤マイクロチャネルに押圧されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記微粒子を超音波的に充填する前記行為は、
前記超音波ホーンを前記第１の組の前記複数の冷却剤マイクロチャネルにそれ以上接触しないように垂直に再位置決めする段階と、
前記超音波ホーンを水平に再位置決めする段階と、
前記超音波ホーンを前記複数の反応剤マイクロチャネルに隣接する第２の組の前記複数の冷却剤マイクロチャネルに接触するように下げる段階と、
前記超音波ホーンを前記第２の組の前記複数の冷却剤マイクロチャネルに接触した後に作動する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記活性触媒を超音波的に充填する前記行為の前に、前記複数の反応剤マイクロチャネルを収容する圧力容器内に前記可搬式小型超音波緻密化ユニットを組み付ける段階と、
前記活性触媒を超音波的に充填する前記行為に続けて、前記可搬式小型超音波緻密化ユニットを分解し、前記複数の反応剤マイクロチャネルを収容する前記圧力容器から該可搬式小型超音波緻密化ユニットを除去する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
可搬式小型超音波充填器であって、
超音波ホーンを含む移動台車、
を含み、
前記移動台車は、該移動台車を水平に再位置決めするためにレールに沿って移動し、
前記超音波ホーンは、前記レールに対して垂直に再位置決め可能であり、
前記レールは、互いに作動的に結合された少なくとも２つの区画を含む、
ことを特徴とする充填器。
【請求項１３】
前記レールは、それに沿って配分された複数の均等に離間したオリフィスを含み、
前記移動台車は、延長位置と後退位置の間を移動するように構成された再位置決め可能アクチュエータを含み、該再位置決め可能アクチュエータは、その少なくとも一部分を前記レールの前記複数のオリフィスのうちの少なくとも１つの中に受け入れることができるようなサイズにされる、
ことを特徴とする請求項１２に記載の可搬式小型超音波充填器。
【請求項１４】
マイクロチャネル装置の複数のマイクロチャネルの中に装填された微粒子の充填密度を増大させる方法であって、
微粒子が閉じ込められた複数のマイクロチャネルを含むマイクロチャネル装置を与える段階と、
可搬式小型超音波デバイスをマイクロチャネル装置に装着する段階であって、該可搬式小型超音波デバイスが、該可搬式小型超音波デバイスが前記複数のマイクロチャネルと音響連通している第１の位置と該可搬式小型超音波デバイスが該複数のマイクロチャネルと音響連通していない第２の位置との間で再位置決め可能であるように構成される前記装着する段階と、
前記可搬式小型超音波デバイスから前記複数のマイクロチャネルに超音波を印加して前記微粒子の緻密化し、該複数のマイクロチャネル内に微粒子の充填床を形成する段階と、  を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
音響伝導材料が、前記可搬式小型超音波デバイスと前記複数のマイクロチャネルの間に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記マイクロチャネル装置は、少なくとも１０００個のマイクロチャネルを含み、
前記可搬式小型超音波デバイスは、前記少なくとも１０００個のマイクロチャネルのうちの５００個よりも多くないものにわたって延びる、
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記マイクロチャネル装置は、前記複数のマイクロチャネルのうちの少なくとも１つの長さを下って延びるインサートを含み、
前記インサートは、前記複数のマイクロチャネルのうちの前記少なくとも１つの前記長さを下って音を伝達する、
ことを特徴とする請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記マイクロチャネル装置は、波形インサートの壁によって少なくとも部分的に形成されたチャネルを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記マイクロチャネル装置は、前記複数のマイクロチャネルを下って延びる複数のインサートを含み、
前記複数のインサートは、複数のマイクロチャネルの前記長さを下って音を伝達する、  ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
超音波エネルギを印加する前記段階は、前記複数のマイクロチャネルが乾燥している間に行われることを特徴とする請求項１４から請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
微粒子を前記複数の反応剤マイクロチャネルの中に追加する段階と、
ガスを前記チャネルに通過させて前記微粒子を流体化し、該微粒子が該マイクロチャネルを満たすことを可能にする段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月13日(2015.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放出弁を制御する放出コントローラと、
原料流量弁を制御する原料流量コントローラと、
前記放出コントローラと前記原料流量コントローラとに接続した放出レベルセンサであって、該放出レベルセンサは、放出レベルに関する信号を前記放出コントローラと放出レベルを表示する原料流量コントローラとに送ることを特徴とする放出レベルセンサと、
を具備することを特徴とする流体蒸気蒸留装置を制御するための制御システムを具備し、
前記原料流量コントローラは、少なくとも前記放出レベルセンサの信号に基づき前記原料流量弁を駆動し、
前記放出コントローラは、少なくとも前記放出レベルセンサの信号に基づき前記放出弁を駆動し、
前記放出レベル及び前記原料流量レベルは、前記放出レベルセンサの信号を入力として用いることで、保持される、
ことを特徴とする流体蒸気蒸留システム。
【請求項２】
前記制御システムは、
少なくとも１つのコントローラと、
前記少なくとも１つのコントローラが動作していないアイドル状態と、
前記原料弁が開き原料流体が前記流体蒸気蒸留装置の水溜に入る注入状態と、
前記水溜中の流体が所定の温度に到達するまで該水溜中の加熱器を最大出力にする加熱状態と、
前記原料弁を開いて所定の負荷サイクルにする熱交換器最盛状態と、
ベアリングフィードポンプを所定の速度で駆動し、放出モータを起動するスタートポンプ状態と、
前記流体蒸気蒸留装置が生産水を生産する運転状態と、
を具備することを特徴とする請求項１に記載の流体蒸気蒸留システム。
【請求項３】
原料流体入口と、
蒸発器・凝縮器装置であって、
実質的に円筒形の筺体と、
前記筺体中に複数の管と、
を具備することを特徴とする蒸発器・凝縮器装置と
を具備し、
前記原料流体入口は、前記蒸発器・凝縮器に流体的に接続され、前記蒸発器・凝縮器は原料流体を蒸気に変換し圧縮された蒸気を生産物流体に変換し、
前記原料流体入口及び生産物流体出口に流体的に接続された熱交換器であって、該熱交換器は、
外管と、
少なくとも１つの内管と、
を具備することを特徴とする熱交換器と、
前記蒸発器・凝縮器に流体的に接続された再生ブロワであって、該再生ブロワは蒸気を圧縮し、圧縮された蒸気は前記蒸発凝縮器へと流れ、圧縮された蒸気は生産物流体に変換されることを特徴とする再生ブロワと、
を具備することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の流体蒸気蒸留システム。
【請求項４】
前記熱交換器は、前記蒸発器・凝縮器の筺体の周囲に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項５】
前記熱交換器が具備する前記外管は原料流体流路であり、前記少なくとも１つの内管は生産物流体流路であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項６】
前記熱交換器は、少なくとも３本の内管をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
前記少なくとも３本の内管は、より合わされ実質的にらせん状の形状をなしていることを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記熱交換器は、２つの端部をさらに具備し、各端部にコネクタが取り付けられ、該コネクタは前記蒸発器・凝縮器との継ぎ手を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記蒸発器・凝縮器の管は、該管の内側に充填物をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記充填物が棒であることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記蒸発器・凝縮器は、前記複数の管に流体的に接続される蒸気室をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記再生ブロワは、磁気駆動連結部により駆動されるインペラアセンブリをさらに具備することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１３】
前記制御システムは、少なくとも２つのプロセッサ、すなわちモータ制御エンジンプロセッサ及びＡＲＭプロセッサを具備することを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１４】
前記流体蒸気蒸留装置は、前記生産物流体の導電率を測定するための導電率計及び導電率セルをさらに具備することを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
推薦ゴルフボールの選択を提供する方法において、
（ｉ）（ａ）様々なクラブロフトを有する複数のゴルフクラブの各々で第１のゴルフボールを打ったときの少なくとも１つのボールスピン測定値を含む第１の組の測定値、および（ｂ）前記複数のゴルフクラブの各々で第２のゴルフボールを打ったときの少なくとも１つのボールスピン測定値を含む第２の組の測定値、を得るステップと、
（ｉｉ）（ａ）第１の組の測定値に基づいて得られる第１のスピン勾配、および（ｂ）第２の組の測定値に基づいて得られる第２のスピン勾配、を決定するステップと、
（ｉｉｉ）第１のゴルフボールと第２のゴルフボールのうちから推薦ゴルフボールの選択を提供するステップであって、該推薦ゴルフボールは、第１のスピン勾配が第２のスピン勾配よりも大きい場合には第１のゴルフボールであり、第１のスピン勾配が第２のスピン勾配以下の場合には第２のゴルフボールである、推薦ゴルフボールの選択を提供するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
第１の組の測定値は、第１のゴルフボールを打ったときの測定によって得られ、第２の組の測定値は、第２のゴルフボールを打ったときの測定によって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記様々なクラブロフトのうちの第１のクラブロフトがドライバーと対応し、前記様々なクラブロフトのうちの第２のクラブロフトがウェッジと対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の組の測定値および第２の組の測定値の一方が複合測定を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第１のスピン勾配および第２のスピン勾配の一方の少なくとも一部が、測定値間の正規化された差に基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１のスピン勾配および第２のスピン勾配の一方の少なくとも一部が、正規化された測定値に基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第１のスピン勾配は、第１の組の測定値からの回帰直線に基づいて得られ、第２のスピン勾配は、第２の組の測定値からの回帰直線に基づいて得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１のゴルフボールは、ボール構造構成要素の第１の構成を有し、第２のゴルフボールは、前記ボール構造構成要素の第２の構成を有し、第１の構成と第２の構成とは互いに異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ボール構造構成要素は、ピースつまり層の数、ゴルフボールのカバー材料、ゴルフボールのカバー材料の硬度、ゴルフボールのカバーのディンプル数、およびゴルフボールのカバーの厚さのうちの１つである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
推薦ゴルフボールの選択を提供する方法において、
（ｉ）（ａ）ゴルフプレーヤーが様々なロフト角で第１の複数回対象物を打撃することによる第１の組のボールスピン測定値、および（ｂ）基準の打撃が様々なロフト角で第２の複数回対象物を打撃することによる第２の組のボールスピン測定値、を得るステップと、
（ｉｉ）（ａ）第１の組のボールスピン測定値間の第１の直線関係、および（ｂ）第２の組のボールスピン測定値間の第２の直線関係、を決定するステップと、
（ｉｉｉ）少なくとも第１の直線関係、第２の直線関係およびスピン勾配基準に基づいて、第１のゴルフボールと第２のゴルフボールのうちから推薦されるゴルフボールの選択を提供するステップであって、第１のゴルフボールのボール構造構成要素の構成と第２のゴルフボールのボール構造構成要素の構成とは互いに異なる、推薦されるゴルフボールの選択を提供するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
第１の組の測定値および第２の組の測定値の一方が複合測定を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第２の組の測定値は、機械が打撃を行ったときのゴルフボールスピンを測定することによって得られる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
第２の組の測定値は、予め測定されている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
第１の複数回対象物を打撃することおよび第２の複数回対象物を打撃することの一方が、複数のゴルフクラブを使うことを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
第１の複数回対象物を打撃することのうちの第１の対象物を打撃することがドライバーでの打撃であり、第１の複数回対象物を打撃することのうちの第２の対象物を打撃することがウェッジでの打撃である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記ボール構造構成要素は、ピースつまり層の数、ゴルフボールのカバー材料、ゴルフボールのカバー材料の硬度、ゴルフボールのカバーのディンプル数、およびゴルフボールのカバーの厚さのうちの１つである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
第１の直線関係および第２の直線関係の一方の少なくとも一部が、測定値間の正規化された差に基づいている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
第１の直線関係および第２の直線関係の一方の少なくとも一部が、正規化された測定値に基づいている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
第１の直線関係は、第１の組の測定値の回帰直線に基づいている、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
前記スピン勾配基準は、第１の直線関係の相関係数と第２の直線関係の相関係数のいずれがより高い直線関係を示すかの基準であり、第１の直線関係の相関係数の方が高い直線関係を示す場合に前記推薦ゴルフボールは第１のゴルフボールである、請求項１０に記載の方法。
【請求項２１】
推薦ゴルフボールの選択を提供する方法において、
（ｉ）（ａ）様々なクラブロフトを有する複数のゴルフクラブの各々で第１のゴルフボールを打ったときの少なくとも１つのボールスピン測定値を含む第１の組の測定値、および（ｂ）前記複数のゴルフクラブの各々で第２のゴルフボールを打ったときの少なくとも１つのボールスピン測定値を含む第２の組の測定値、を得るステップと、
（ｉｉ）（ａ）第１の組の測定値に基づいて得られる第１のスピン勾配、および（ｂ）第２の組の測定値に基づいて得られる第２のスピン勾配、を決定するステップと、
（ｉｉｉ）第１のゴルフボールと第２のゴルフボールのうちから推薦ゴルフボールの選択を提供するステップであって、該推薦ゴルフボールは、第１のスピン勾配と第２のスピン勾配との差に基づいて選択される、推薦ゴルフボールの選択を提供するステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月12日(2015.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブラシ軸を軸として回転可能な単一の回転ブラシであって、前記回転ブラシは柔軟なブラシ要素を有し、前記回転ブラシの回転の間、清掃されるべき表面と前記ブラシ要素が接触している拾い上げ期間中に前記表面と接して前記表面からごみ粒子及び液体を拾い上げる先端部を、前記ブラシ要素は有し、複数の前記ブラシ要素の線密度は、少なくとも前記先端部において１５０ｇ／１０ｋｍ未満である、前記回転ブラシと、
清掃装置の移動中に前記表面上でごみ粒子及び液体を押す又はワイプする単一のスクイージー要素であって、前記スクイージー要素は前記回転ブラシから間隔を空けて配置され、前記ブラシ軸に実質的に平行な長さ方向に実質的に沿って延在し、
前記スクイージー要素と前記回転ブラシとの間でノズル装置内に吸引エリアが規定される、前記スクイージー要素と、
前記回転ブラシを回転駆動する駆動手段であって、前記駆動手段は、前記回転ブラシの回転の間、前記ブラシ要素が前記表面と接触していないごみ放出期間中、前記先端部において少なくとも３，０００ｍ／ｓ２の遠心加速度を実現する、前記駆動手段とを有する、硬い床清掃装置のためのノズル装置。
【請求項２】
前記ブラシ軸及び／又は前記スクイージー要素の前記長さ方向は、前記清掃装置の意図された移動方向を横断し、好ましくは前記移動方向に対して直交する、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項３】
前記スクイージー要素は、前記スクイージー要素を閉ポジションと開ポジションとの間で切り替える切り替え手段を有し、前記閉ポジションにおいて、前記清掃装置の移動方向で見て前記スクイージー要素が前記回転ブラシの背後に位置するように前記清掃装置が前記表面上を前方向に動くとき、前記スクイージー要素はごみ粒子及び液体を前記表面上で押す又はワイプし、前記開ポジションにおいて、前記清掃装置の移動方向で見て前記スクイージー要素が前記回転ブラシの前方に位置するように前記表面上を後方向に動くとき、前記表面からのごみ粒子及び液体が前記スクイージーと前記表面との間の開口部を通って前記吸引エリアに入ることができる、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項４】
前記ノズル装置は、少なくとも部分的に前記回転ブラシを包囲するノズルハウジングを有し、前記スクイージー要素は、前記ハウジングに取り付けられる、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項５】
前記ブラシ軸を、前記表面から、前記ブラシ要素が完全に伸長した状態にある前記回転ブラシの半径より小さい距離に位置決めし、動作中に前記表面と接する前記回転ブラシの部分の押し込みを実現する位置決め手段をさらに有し、前記押し込みは、前記回転ブラシの直径の２〜１２％である、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項６】
前記ブラシ要素の充填密度は、少なくとも３０ブラシ要素タフト／ｃｍ２であり、１タフトあたりの前記ブラシ要素の数は、少なくとも５００である、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項７】
前記ブラシ要素の総数の過半数の線密度は、少なくとも前記先端部において２０ｇ／１０ｋｍ未満である、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項８】
前記駆動手段は、前記装置の動作中、前記回転ブラシを角速度３，０００〜１５，０００回／分、より好ましくは５，０００〜８，０００回／分で駆動する、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項９】
前記ブラシ要素が完全に伸長した状態にあるとき、前記回転ブラシの直径は１０〜１００ｍｍ、より好ましくは２０〜８０ｍｍ、最も好ましくは３５〜５０ｍｍであり、前記ブラシ要素の長さは１〜２０ｍｍ、好ましくは８〜１２ｍｍである、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項１０】
液体を、前記ブラシ軸が延在する前記回転ブラシの幅１ｃｍあたり６ｍｌ／分未満の速度で前記回転ブラシに供給する手段を有する、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項１１】
前記装置の動作中、前記回転ブラシが前記表面に接触する領域において、前記回転ブラシの前記スクイージー要素の反対側に気流を生成する手段を有する、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項１２】
回転中の前記回転ブラシが前記表面に接触する位置より、回転方向で見て前の位置で前記回転ブラシに接触するディフレクタを有する、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項１３】
前記回転ブラシは、前記回転ブラシの外周にタフトをらせん状のパターンで有するらせん状ブラシである、請求項１に記載のノズル装置。
【請求項１４】
請求項１に記載のノズル装置と、
ごみ粒子及び液体を吸引する前記吸引エリア内に負圧を生成するための真空アグリゲートとを有する、
表面を清掃するための硬い床清掃装置。
【請求項１５】
前記真空アグリゲートによって生成される前記負圧は、３〜７０ｍｂａｒ、好ましくは４〜５０ｍｂａｒ、最も好ましくは５〜３０ｍｂａｒである、請求項１４に記載の硬い床清掃装置。