【手続補正書】
【提出日】平成27年7月23日(2015.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）無機粒子、有機粒子、またはこれらの混合物もしくは複合体、
（Ｂ）少なくとも１種の酸化剤、
（Ｃ）少なくとも｛ｋ｝個の部分（Ｚ）を含むが、陰イオンが無機物であり、かつ唯一の有機陽イオンが［ＮＲ１１Ｒ１２Ｒ１３Ｒ１４］＋である塩を除く、少なくとも１種の有機化合物であって、上記における｛ｋ｝は、１、２、または３であり、
（Ｚ）は、ヒドロキシル（−ＯＨ）、アルコキシ（−ＯＲ１）、複素環アルコキシ（複素環構造の一部としての−ＯＲ１）、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、カルボキシレート（−ＣＯＯＲ２）、アミノ（−ＮＲ３Ｒ４）、複素環アミノ（複素環構造の一部としての−ＮＲ３Ｒ４）、イミノ（＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）、複素環イミノ（複素環構造の一部としての＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）、ホスホネート（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ７）（ＯＲ８））、ホスフェート（−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ９）（ＯＲ１０））、ホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）、リン酸（−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）部分、またはこれらのプロトン化体もしくは脱プロトン化体であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ９は、互いに独立して、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ８、Ｒ１０は、互いに独立して、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、
Ｒ６は、アルキレン、またはアリールアルキレンであり、
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、互いに独立して、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、いずれの部分（Ｚ）も含まず、
Ｒ１４は、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、いずれの部分（Ｚ）も含まない
有機化合物、及び
（Ｄ）水媒体
を含む化学機械研磨（ＣＭＰ）用組成物の存在下での、元素ゲルマニウムおよび／またはＳｉ１−ｘＧｅｘ（式中、０．１≦ｘ＜１である）材料の化学機械研磨を含み、
ＣＭＰ用組成物のｐＨ値が、２．５〜５．５の範囲内である、半導体デバイスを製造するための方法。
【請求項２】
｛ｋ｝が２であり、
（Ｚ）が、ヒドロキシル（−ＯＨ）、アルコキシ（−ＯＲ１）、複素環アルコキシ（複素環構造の一部としての−ＯＲ１）、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、アミノ（−ＮＲ３Ｒ４）、複素環アミノ（複素環構造の一部としての−ＮＲ３Ｒ４）、イミノ（＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）、複素環イミノ（複素環構造の一部としての＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）部分、またはこれらのプロトン化体もしくは脱プロトン化体である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＣＭＰ用組成物が、２．５〜５．５のｐＨ値を有し、
（Ａ）ＣＭＰ用組成物の質量で０．０１〜５ｗｔ．％の量のシリカ粒子、
（Ｂ）ＣＭＰ用組成物の質量で０．２〜５ｗｔ．％の量の過酸化水素、
（Ｃ）ＣＭＰ用組成物の質量で０．００１〜５ｗｔ．％の量の少なくとも２個の部分（Ｚ）を含む少なくとも１種の有機化合物であって、
（Ｚ）は、ヒドロキシル（−ＯＨ）、アルコキシ（−ＯＲ１）、複素環アルコキシ（複素環構造の一部としての−ＯＲ１）、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、アミノ（−ＮＲ３Ｒ４）、複素環アミノ（複素環構造の一部としての−ＮＲ３Ｒ４）、イミノ（＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）、複素環イミノ（複素環構造の一部としての＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）部分、またはこれらのプロトン化体もしくは脱プロトン化体であり、
Ｒ１は、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、
Ｒ３は、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、
Ｒ４は、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、
Ｒ５は、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、
Ｒ６は、アルキレン、またはアリールアルキレンである、
有機化合物、及び
（Ｄ）水媒体
を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
（Ｃ）が、下記式：
【化１】
2014529183.tif 000001
［式中、ｎは、Ｘが酸素であるときゼロ（０）であり、Ｘが窒素であるとき１（１）であり、
Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３は、互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキル、２級もしくは３級Ｃ３〜Ｃ８アミノアルキル（アミノ窒素は、炭素環式もしくはヘテロ炭素環式不飽和または飽和５もしくは６員環を形成することができ、ヘテロ原子は、酸素もしくは窒素であり、互いに隣接していない）であり、１個もしくは複数の炭素原子上で、Ｃ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキル、Ｃ３〜Ｃ８アルコキシアルキル、Ｃ３〜Ｃ８カルボキシアルキル、１個もしくは複数のアミノ基によって場合により置換された１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ４ヒドロキシアルキルによって場合により置換されたＣ２〜Ｃ８アミノ、Ｃ３〜Ｃ８カルボキシアルキル、水素、１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキル、１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ４ヒドロキシアルキルによって場合により置換されたＣ２〜Ｃ８アミノで場合により置換されており、
Ｚ１およびＺ２は、炭素環式もしくはヘテロ炭素環式不飽和または飽和５もしくは６員環（ヘテロ原子は、酸素もしくは窒素であり、これらの数は１もしくは２であり、ヘテロ原子は、互いに隣接していない）を形成し、１個もしくは複数の炭素原子上で、Ｃ１〜Ｃ４アルキルによって場合により置換された、Ｃ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキル、Ｃ３〜Ｃ８アルコキシアルキル、Ｃ３〜Ｃ８カルボキシアルキル、Ｃ２〜Ｃ８アミノアルキル、１個もしくは複数のアミノ基によって場合により置換された１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ４ヒドロキシアルキルによって場合により置換されたＣ２〜Ｃ８アミノで場合により置換されており、
Ｚ３は、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル、もしくはＣ２〜Ｃ８アルキニルである］
で表される化合物、またはその塩であり、
ただし、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３は、同一で水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、またはこれらの組合せではない請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
元素ゲルマニウムの化学機械研磨を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体デバイスを製造するための方法。
【請求項６】
Ｓｉ１−ｘＧｅｘの化学機械研磨を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体デバイスを製造するための方法。
【請求項７】
元素ゲルマニウムが、ＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）二酸化ケイ素の間のトレンチ内に充填または成長されている請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
元素ゲルマニウムが、層および／またはオーバーグロースの形状を有し、対応する層および／またはオーバーグロースの９８質量％超のゲルマニウムおよび／またはＳｉ１−ｘＧｅｘ含量を有する請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
化合物（Ｃ）の量が、ＣＭＰ用組成物の質量で０．００１ｗｔ．％〜５ｗｔ．％の範囲内である請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
化合物（Ｃ）がアミノカルボン酸またはその塩である請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
化合物（Ｃ）が、少なくとも２種のカルボン酸（−ＣＯＯＨ）基もしくはこれらの塩を含む有機化合物である請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
化合物（Ｃ）が、アミノアルコール、アミノエーテル、またはこれらの塩である請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
化合物（Ｃ）が、少なくとも２種のヒドロキシル（−ＯＨ）基またはこれらの塩を含む有機化合物である請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
化合物（Ｃ）が、窒素含有複素環化合物またはその塩である、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
（Ａ）無機粒子、有機粒子、またはこれらの混合物もしくは複合体、
（Ｂ）少なくとも１種の酸化剤、
（Ｃ）少なくとも｛ｋ｝個の部分（Ｚ）を含むが、陰イオンが無機物であり、かつ唯一の有機陽イオンが［ＮＲ１１Ｒ１２Ｒ１３Ｒ１４］＋である塩を除く、少なくとも１種の有機化合物であって、上記における｛ｋ｝は、１、２、または３であり、
（Ｚ）は、ヒドロキシル（−ＯＨ）、アルコキシ（−ＯＲ１）、複素環アルコキシ（複素環構造の一部としての−ＯＲ１）、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、カルボキシレート（−ＣＯＯＲ２）、アミノ（−ＮＲ３Ｒ４）、複素環アミノ（複素環構造の一部としての−ＮＲ３Ｒ４）、イミノ（＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）、複素環イミノ（複素環構造の一部としての＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）、ホスホネート（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ７）（ＯＲ８））、ホスフェート（−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ９）（ＯＲ１０））、ホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）、リン酸（−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）部分、またはこれらのプロトン化体もしくは脱プロトン化体であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ９は、互いに独立して、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ８、Ｒ１０は、互いに独立して、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、
Ｒ６は、アルキレン、またはアリールアルキレンであり、
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、互いに独立して、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、いずれの部分（Ｚ）も含まず、
Ｒ１４は、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、いずれの部分（Ｚ）も含まない
有機化合物、及び
（Ｄ）水媒体
を含むＣＭＰ用組成物であって、当該ＣＭＰ用組成物のｐＨ値が、２．５〜５．５の範囲内であるＣＭＰ用組成物の、元素ゲルマニウムおよび／またはＳｉ１−ｘＧｅｘ層および／またはオーバーグロースを含む基板を化学機械研磨するための使用方法。
【請求項１６】
（Ｃ）が、下記式：  
【化２】
2014529183.tif 000002
［式中、ｎは、Ｘが酸素であるときゼロ（０）であり、Ｘが窒素であるとき１（１）であり、
Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３は、互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキル、２級または３級Ｃ３〜Ｃ８アミノアルキル（アミノ窒素は、炭素環式もしくはヘテロ炭素環式不飽和もしくは飽和５もしくは６員環を形成することができ、ヘテロ原子は、酸素もしくは窒素であり、互いに隣接していない）であり、１個もしくは複数の炭素原子上で、Ｃ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキル、Ｃ３〜Ｃ８アルコキシアルキル、Ｃ３〜Ｃ８カルボキシアルキル、１個もしくは複数のアミノ基によって場合により置換された１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ４ヒドロキシアルキルによって場合により置換されたＣ２〜Ｃ８アミノ、Ｃ３〜Ｃ８カルボキシアルキル、水素、１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキル、１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ４ヒドロキシアルキルによって場合により置換されたＣ２〜Ｃ８アミノで場合により置換されており、
Ｚ１およびＺ２は、炭素環式もしくはヘテロ炭素環式不飽和もしくは飽和５もしくは６員環（ヘテロ原子は、酸素もしくは窒素であり、これらの数は１もしくは２であり、ヘテロ原子は、互いに隣接していない）を形成し、１個もしくは複数の炭素原子上で、Ｃ１〜Ｃ４アルキルによって場合により置換された、Ｃ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキル、Ｃ３〜Ｃ８アルコキシアルキル、Ｃ３〜Ｃ８カルボキシアルキル、Ｃ２〜Ｃ８アミノアルキル、１個または複数のアミノ基によって場合により置換された１級、２級、もしくは３級Ｃ２〜Ｃ４ヒドロキシアルキルによって場合により置換されたＣ２〜Ｃ８アミノで場合により置換されており、
Ｚ３は、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル、もしくはＣ２〜Ｃ８アルキニルである］
で表される化合物、またはその塩であり、
ただし、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３は、同一で水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、またはこれらの組合せでない、請求項１５に記載のＣＭＰ用組成物の使用方法。