【事件の表示】
　特許第３３７５６０５号「プラズマ処理方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３７５６０５号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許３３７５６０５号の請求項１〜６に係る発明は、平成１２年８月１日（優先権主張日：平成１１年８月２日）に特許出願され、平成１４年１１月２９日にその特許権の設定登録がなされ、その後、その特許の請求項１〜３に係る発明について、大沢敏昭（以下、「特許異議申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、平成１６年１０月１２日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１２月２１日に訂正請求がなされたものである。
     　
ＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１中の「炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガス」を、「Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むフルオロカーボンガス」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　請求項２を削除する。
（３）訂正事項ｃ
　訂正事項ｂに伴い、訂正前の請求項３，４，５，６をそれぞれ、請求項２，３，４，５に繰り上げ、訂正後の請求項４，５の「請求項４記載の」を、「請求項３記載の」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、訂正前の請求項１記載の「炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガス」の具体例を、訂正前の請求項２の「Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含む」というフルオロカーボンガスの具体例のうちから、Ｃ４Ｆ８を除いた上で、特定したもので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　上記訂正事項ｂは、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　上記訂正事項ｃは、上記訂正事項ｂに伴い、項番の繰り上げ等、記載の整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、いずれの訂正も、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．まとめ
　以上のとおりであるから、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
ＩＩＩ．特許異議申立てについて
１．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として、甲第１号証：特開平８−２１３３７２号公報、参考資料１：特開平８−３０６６５９号公報を提出して、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、又は甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、同発明に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号、又は同条第２項の規定に違反してなされたものであり、訂正前の請求項１に係る発明は、参考資料１に記載された発明であり、又は参考資料１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、同発明に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号、又は同条第２項の規定に違反してなされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。
　
２．本件発明
　上記ＩＩ．で示したように上記訂正が認められるから、本件の特許第３３７５６０５号の請求項１〜５に係る発明は、平成１６年１２月２１日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、異議申立てがされている請求項１，２に係る発明（以下、「本件発明１，２」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、前記反応室の内部に、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むフルオロカーボンガスを導入する工程と、
　前記フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて前記シリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程とを備え、
　前記フルオロカーボンガスの前記反応室における滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、Ｐは前記フルオロカーボンガスの圧力（単位：Pa）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：L ）であり、Ｑは前記フルオロカーボンガスの流量（単位：Pa・L/sec ）である。）と、前記プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗ０ ／Ｖ（但し、Ｗ０は前記電力の大きさ（単位：W ）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：L ）である。）との積であるＰ×Ｗ０ ／Ｑの値を２×１０４（sec・W／m３）よりも大きく且つ８×１０４（sec・W／m３）以下に制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】前記滞在時間τは、前記プラズマ処理装置に設けられたマスフローコントローラと、前記プラズマ処理装置に設けられたバルブ及びポンプとのうちの少なくとも１つにより制御されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。」
　
３．引用刊行物及びその記載事項
　当審において通知した取消理由で引用した刊行物１，２及びその記載事項は次のとおりのものである。
刊行物１：特開平０８−２１３３７２号公報（特許異議申立の甲第１号証）
刊行物２：特開平０８−３０６６５９号公報（特許異議申立の参考資料１）
　
（１）特開平０８−２１３３７２号公報
（１−１）「【請求項１】処理室内にエッチングガスを導入しつつ被処理体に対してプラズマエッチング処理を施すエッチング方法において、前記エッチングガスは少なくともＣ４ Ｆ８ とＣＯとを含む混合ガスよりなり、被エッチング層とこの下地層との選択比が１０以上となるように前記処理室内のエッチングガス滞在時間を設定するように構成したことを特徴とするエッチング方法。・・・
【請求項３】前記被エッチング層は、ＳｉＯ２よりなり、前記下地層はＳｉ、ＳｉＮ、Ａｌ、ＴｉＮから選択される１の物質よりなることを特徴とする請求項１または２記載のエッチング方法。」（【請求項１】，【請求項３】）
（１−２）「【００１９】まず、本発明方法を実施するためのプラズマエッチング装置について説明する。図示するようにこのダイポール型のマグネトロンプラズマエッチング装置１４は、例えばアルミニウム等により構成された気密な処理容器よりなる処理室１６を有しており、この処理室１６はグランドに接地されると共にその底部には排気能力が制御可能になされた真空ポンプ１９が途中に介設された排気管１８が接続されて、底部周辺部より処理室内の雰囲気を均等に排出し得るようになっている。処理室内の容量は例えば３．５リットル程度に設定されている。」 （【００１９】）
（１−３）「【００２４】一方、処理室１６の天井部には、グランドに接地された上部電極４０が設けられている。この上部電極４０は、例えばアモルファスカーボンやＳｉＣよりなり、内部が中空構造になされてウエハＷに対向する対向面全面には、多数のガス拡散孔４２が形成され、上部に設けたガス導入口４４から導入されるエッチングガスを中空部に設けた図示しない拡散板により拡散して上記多数の拡散孔４２から処理室１６内へ噴出するようになっている。すなわち、上記上部電極４０はシャワーヘッド構造になされている。
【００２５】上記ガス導入口４４には、途中にバルブ４６を介設したガス供給管４８が接続されており、この供給管４８の先端は３つの分岐管５０、５２、５４に分岐され、これらの各分岐管５０、５２、５４には、それぞれバルブ５６、５８、６０及び流量を制御するマスフローコントローラ６２、６４、６６を介してそれぞれ異なったエッチングガスのガス源６８、７０、７２が接続されている。・・・
【００２７】各マスフローコントローラ６２、６４、６６の流量制御は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御部８４により行われ、この制御部８４は、同時に真空ポンプ１９の排気量も制御する。」（【００２４】，【００２５】【００２７】）
（１−４）「まず、エッチング処理されるべき被処理体としての半導体ウエハＷを、図示しないゲートバルブを介して設けられたロードロック室（図示せず）からエッチング装置１４内へ搬入し、これを静電チャック３６上に載置する。そして、静電チャック３６に高圧直流電圧を印加し、発生するクーロン力によってウエハＷをチャック表面に吸着保持する。
【００３３】そして、処理室１６内の雰囲気を真空引きしつつこの中にエッチングガス源６８、７０、７２から流量制御されたエッチングガス、すなわちＣ４Ｆ８ガスとＣＯガスとＡｒガスの混合ガスを導入し、この処理室１６内を所定の処理圧力、例えば２０ｍＴｏｒｒに維持する。
【００３４】一方、このエッチングガスの供給を行うと同時に、上部電極４０と下部電極であるサセプタ２４との間に高周波電圧を印加すると、導入されたエッチングガスがプラズマ化し、このエネルギによりエッチングガスが次第に解離して各種の活性種が発生し、この活性種によってウエハ表面の被エッチング層がエッチングされて例えばコンタクトホール等が形成される。
【００３５】ここで被エッチング層（ＳｉＯ２ ）とその下地層（ＳｉＮ）との選択比、特に被エッチング層の肩部４Ｂ（図８参照）における選択比を大きくとるために、第１の発明方法においては、プラズマ発生用の高周波電圧を連続的に印加した状態において、エッチングガスの処理室１６内における滞在時間が２８ｍｓｅｃ（秒）以下となるように、エッチングガスの総流量（供給量）及び排気容量を制御部８４により制御しており、上記した肩部の選択比を１０以上となるようにしている。」（【００３２】第２行〜【００３５】）
（１−５）「【００４２】図４中において、直線Ａは肩部の選択比を示し、直線Ｂは平坦部におけるＳｉＮのエッチングレートを示し、また、各ポイントにおけるカッコ内の数字は、Ｃ４ Ｆ８ ／ＣＯ／Ａｒの流量（ＳＣＣＭ）を示す。尚、この時の処理圧力は４０ｍＴｏｒｒ、高周波電力は１７００Ｗ、天井部（Ｔ）及び側壁（Ｗ）の温度はそれぞれ６０℃、サセプタ（Ｂ）の温度は２０℃に設定されている。直線Ａから明らかなように、処理圧力を一定にして、エッチングガスの総供給量をその組成比を一定にしたまま増加すると同時に排気量も増加してエッチングガスの処理室内滞在時間を短くすると、総供給量が３６０ＳＣＣＭ時は選択比が８．６であったが総供給量を７２０ＳＣＣＭの時は選択比が１４．５まで飛躍的に向上させることができる。このことは参考として記載した直線Ｂが示すように、ガスの総供給量を増加するに従って下地層であるＳｉＮのエッチングレートが低下している点からも明らかである。
【００４３】図５中の直線Ｃはダイポール型の装置での実施結果の選択比（ＳｉＯ２ ／ＳｉＮ）を示しており、図４中の直線Ａに示す結果をそのまま記載したものであり、直線Ｄは双極型の装置での実施結果の選択比（ＳｉＯ２ ／ＳｉＮ）を示している。尚、各ポイントにおける一方のカッコ内の数字は図４に示す場合と同様に、Ｃ４ Ｆ８ ／ＣＯ／Ａｒの流量を示し、他のカッコ内の数字はガスの処理室内滞在時間（ｍ秒）を示す。直線Ｃに示すようにエッチングガスの処理室内滞在時間を３４ｍｓｅｃ（秒）から１７ｍｓｅｃまで減少させると前述のように選択比は８．６から１４．５まで大幅に増加している。一般的には肩部の選択比は１０以上であることが要求されることから、滞在時間は２８ｍｓｅｃ以下に設定すれば十分に高い選択比が得られることが判明した。
　また、直線Ｄに示す双極型の装置の場合には肩部において選択比１０を得るためには滞在時間は４６ｍｓｅｃ以下に設定すれば十分に高い選択比が得られることが判明した。
【００４４】実施例では処理圧力を４０ｍＴｏｒｒに設定したが、上記したエッチング法は通常のエッチング時の処理圧力と同等の範囲、例えば数ｍＴｏｒｒから数１００Ｔｏｒｒの範囲内で適用することができる。
　また、実施例では、ダイポール型の場合はＣ４ Ｆ８ ガスとＣＯガスとＡｒガスの混合比を１：１５：２０としたが、これに限定されず、例えば１：２：０から１：３０：４０程度の範囲内まで適用することができる。」
 （【００４２】〜【００４４】）
（１−６）図４には、４０ｍＴｏｒｒ，１７００Ｗ，Ｃ４Ｆ８／ＣＯ／Ａｒが５／７５／１００ＳＣＣＭで、図５には、５／５０／１００ＳＣＣＭ，７．５／７５／１５０ＳＣＣＭである場合が図示されている。
　
（２）特開平０８−３０６６５９号公報
（２−１）「【００２３】実施例２
本実施例は図１（ａ）〜（ｂ）および図２（ａ）〜（ｂ）に示した誘導結合プラズマ処理装置により、シリコンからなる半導体基板上の層間絶縁膜に接続孔を開口するプラズマエッチングにつき、図５（ａ）〜（ｃ）に示す概略断面図を参照して説明する。
【００２４】図５（ａ）は本実施例で採用した被処理基板であり、不純物拡散層（図示せず）を形成した８インチ径のシリコン等の半導体基板１１上にＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜１２を形成し、さらにフォトレジストをスピンコート、露光、現像して複数の接続孔開口用のレジストマスク１３を形成したものである。層間絶縁膜１２の厚さは、例えば０．５μｍであり減圧ＣＶＤにより形成した。レジストマスク１３の開口径は０．２μｍである。
【００２５】この被処理基板１を図１（ａ）に示す状態で誘導結合プラズマ処理装置の基板ステージ２上にセッティングし、一例として下記に示すプラズマエッチング条件で第１のプラズマ処理工程を施した。
　　　Ｃ４Ｆ８　 　　　　　　　　　　７０　ｓｃｃｍ
　　　ＣＯ　    　　　　　　　　１００　ｓｃｃｍ
　　　ガス圧力　　　　　　　　　４．０　Ｐａ
　　　誘導結合アンテナ電源パワー　　３　ＫＷ（１３．５６ＭＨｚ）
　　　基板バイアス電源パワー　　７００　Ｗ　（８００ＫＨｚ）
　　　被エッチング基板温度　　　−２０　℃
　このとき、マルチターンの誘導結合アンテナ４は、その軸方向すなわち幅方向の中央部が被処理基板１面とほぼ同じ位置となるように配置した。」（【００２３】〜【００２５】）
　
 ３．対比・判断
（１）本件発明１について
（１ａ）刊行物１との対比について
　刊行物１には、上記摘記事項（１−１）から、処理室内でプラズマエッチング処理を施すエッチング方法において、エッチングガスは、Ｃ４Ｆ８を含み、被エッチング層がＳｉＯ２であるものが記載されている。
　また、上記摘記事項（１−５）（１−６）から、処理圧力４０ｍＴｏｒｒ、高周波電力１７００Ｗの条件で、Ｃ４Ｆ８／ＣＯ／Ａｒの流量（ＳＣＣＭ）が、５／７５／１００，７．５／７５／１５０とした例が示されている。
　
　上記摘記事項（１−１）〜（１−６）を総合すると、刊行物１には、「プラズマエッチング装置の処理室内に、被エッチング層がＳｉＯ２である半導体ウエハを載置する工程と、前記処理室内にＣ４Ｆ８を含むエッチングガスを導入する工程と、被処理体に対してプラズマエッチング処理を施すエッチング工程とを備え、前記処理室内のエッチングガス滞在時間を設定するように構成し、エッチング条件を、処理圧力４０ｍＴｏｒｒ、高周波電力１７００Ｗの条件で、Ｃ４Ｆ８ ／ＣＯ／Ａｒの流量（ＳＣＣＭ）が、５／７５／１００，７．５／７５／１５０とするエッチング方法」（以下、刊行物１発明という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本件発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「プラズマエッチング装置」「処理室」「被エッチング層がＳｉＯ２である半導体ウエハ」「エッチングガス」「被処理体に対してプラズマエッチング処理を施すエッチング行程」「エッチング方法」は、それぞれ、本件発明１の「プラズマ処理装置」「反応室」「表面にシリコン酸化膜が形成された基板」
「フルオロカーボンガス」「フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて前記シリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程」「プラズマ処理方法」に相当しているので、両者は、「プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、前記反応室の内部に、フルオロカーボンガスを導入する工程と、　前記フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて前記シリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程とを備えたプラズマ処理方法」の点で一致するが、以下の点で相違する。
　
相違点イ
　フルオロカーボンガスの種類に関して、本件発明１では、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むものであるのに対して、刊行物１発明では、Ｃ４Ｆ８を含むものである点
　
相違点ロ
　本件発明１では、
前記フルオロカーボンガスの前記反応室における滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ
（但し、Ｐは前記フルオロカーボンガスの圧力（単位：Pa）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：L ）であり、Ｑは前記フルオロカーボンガスの流量（単位：Pa・L/sec ）である。）と、
前記プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗ０ ／Ｖ
（但し、Ｗ０は前記電力の大きさ（単位：W ）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：L ）である。）との積である
Ｐ×Ｗ０ ／Ｑの値を２×１０４（sec・W／m３）よりも大きく且つ８×１０４（sec・W／m３）以下に制御するものであるのに対して、
　刊行物１発明では、
前記処理室内のエッチングガス滞在時間を設定し、エッチング条件を、処理圧力４０ｍＴｏｒｒ、高周波電力１７００Ｗの条件で、Ｃ４Ｆ８／ＣＯ／Ａｒの流量（ＳＣＣＭ）が、５／７５／１００，７．５／７５／１５０とするように構成している点
　
　そこで、上記相違点について検討する。
  
  相違点イについて
　刊行物１発明は、本件発明１とフルオロカーボンガスの種類が相違しており、よって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明ではない。
　
　また、刊行物１の上記摘記事項（１−１）〜（１−６）を検討しても、フルオロカーボンガスについては、Ｃ４Ｆ８以外のガスを示唆する記載もない。
　また、刊行物２について参酌しても、同様に、フルオロカーボンガスについては、Ｃ４Ｆ８以外のガスを示唆する記載もない。
　そして、本件発明１は、フルオロカーボンガスの種類をＣ／Ｆ比の大きい Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つに特定することで、図３にみられるように、レジスト膜に対する高い選択比を得るという顕著な効果を奏するものと認められる。
　
　してみれば、本件発明１は、相違点ロについて検討するまでもなく、刊行物２記載の発明を考慮しても、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
　
（１ｂ）刊行物２との対比について
　上記摘記事項（２−１）から、表面にＳｉＯ２で層を形成した半導体基板をセッティングし、プラズマ処理装置のプラズマ処理室内でプラズマエッチング処理を施すエッチング方法において、エッチングガスは、Ｃ４Ｆ８を含み、半導体基板上のＳｉＯ２層をエッチングするプラズマ処理方法が記載されている。
　また、上記摘記事項（２−１）から、ガス圧力４．０Ｐａ、電源パワーとして３ＫＷ＋７００Ｗの条件で、Ｃ４Ｆ８／ＣＯの流量（ＳＣＣＭ）が７０／１００である例が示されている。
　したがって、刊行物２には、「プラズマエッチング装置のプラズマ処理室内に、表面にＳｉＯ２で層を形成した半導体基板をセッティングする工程と、前記プラズマ処理室内にＣ４Ｆ８を含むガスを導入する工程と、被処理体に対してプラズマエッチング処理を施すエッチング工程とを備え、プラズマエッチング条件を、ガス圧力４．０Ｐａ、電源パワーとして３ＫＷ＋７００Ｗの条件で、Ｃ４Ｆ８／ＣＯの流量（ＳＣＣＭ）が７０／１００とするエッチング方法」（以下、刊行物２発明という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本件発明１と刊行物２発明とを対比すると、刊行物２発明の「プラズマエッチング装置」「プラズマ処理室」「表面にＳｉＯ２で層を形成した半導体基板」「ガス」「被処理体に対してプラズマエッチング処理を施すエッチング行程」「エッチング方法」は、それぞれ、本件発明１の「プラズマ処理装置」「反応室」「表面にシリコン酸化膜が形成された基板」「フルオロカーボンガス」「フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて前記シリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程」「プラズマ処理方法」に相当しているので、両者は、「プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、前記反応室の内部に、フルオロカーボンガスを導入する工程と、前記フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて前記シリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程とを備えたプラズマ処理方法」の点で一致するが、以下の点で相違する。
　
相違点イ
　フルオロカーボンガスの種類に関して、本件発明１では、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むものであるのに対して、刊行物２発明では、Ｃ４Ｆ８を含むものである点
　
相違点ロ
　本件発明１では、
前記フルオロカーボンガスの前記反応室における滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ
（但し、Ｐは前記フルオロカーボンガスの圧力（単位：Pa）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：L ）であり、Ｑは前記フルオロカーボンガスの流量（単位：Pa・L/sec ）である。）と、
前記プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗ０ ／Ｖ
（但し、Ｗ０は前記電力の大きさ（単位：W ）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：L ）である。）との積である
Ｐ×Ｗ０ ／Ｑの値を２×１０４（sec・W／m３）よりも大きく且つ８×１０４（sec・W／m３）以下に制御するものであるのに対して、
　刊行物２発明では、
プラズマエッチング条件を、ガス圧力４．０Ｐａ、電源パワーとして３ＫＷ＋７００Ｗの条件で、Ｃ４Ｆ８／ＣＯの流量（ＳＣＣＭ）が７０／１００としている点
　
　そこで、上記相違点について検討する。
  相違点イについて
　刊行物２発明は、本件発明１とフルオロカーボンガスの種類が相違しており、よって、本件発明１は、刊行物２に記載された発明ではない。
　
　また、刊行物２の他の記載を検討しても、フルオロカーボンガスについては、Ｃ４Ｆ８以外のガスを示唆する記載もない。
　また、刊行物１についても、（１ａ）で検討したように、フルオロカーボンガスについては、Ｃ４Ｆ８以外のガスを示唆する記載もない。
　そして、本件発明１は、フルオロカーボンガスの種類をＣ／Ｆ比の大きい Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つに特定することで、図３にみられるように、レジスト膜に対する高い選択比を得るという顕著な効果を奏するものと認められる。
　
　してみれば、本件発明１は、相違点ロについて検討するまでもなく、刊行物１記載の発明を考慮しても、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
　
（３）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の滞在時間の制御手段を「前記プラズマ処理装置に設けられたマスフローコントローラと、前記プラズマ処理装置に設けられたバルブ及びポンプとのうちの少なくとも１つにより」と特定したもので、本件発明１の特定をすべて引用する発明である。
　そうすると、刊行物１の上記摘記事項（１−３）（１−４）には、滞在時間をバルブ及びマスフローコントローラによって制御することが記載されているものの、本件発明１が、刊行物１又は２に記載された発明ではなく、刊行物１〜２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができない以上、同様に本件発明２は、刊行物１に記載された発明ではなく、刊行物１〜２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。
　
 ４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１，２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１，２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１月１４日（２００５．１．１４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、
　前記反応室の内部に、
Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むフルオロカーボンガス
　前記フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて前記シリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程とを備え、
　前記フルオロカーボンガスの前記反応室における滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、Ｐは前記フルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑは前記フルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）と、前記プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗｏ／Ｖ（但し、Ｗｏは前記電力の大きさ（単位：Ｗ）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：Ｌ）である。）との積であるＰ×Ｗｏ／Ｑの値を２×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項２】　前記滞在時間τは、前記プラズマ処理装置に設けられたマスフローコントローラと、前記プラズマ処理装置に設けられたバルブ及びポンプとのうちの少なくとも１つにより制御されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
　【請求項３】　プラズマ処理装置の反応室の内部に基板を設置する工程と、
　前記反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガスを導入する工程と、
　前記フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて前記基板上に有機膜を堆積する工程とを備え、
　前記フルオロカーボンガスの滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、Ｐは前記フルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑは前記フルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）と、前記プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗｏ／Ｖ（但し、Ｗｏは前記電力の大きさ（単位：Ｗ）であり、Ｖは前記反応室の容積（単位：Ｌ）である。）との積であるＰ×Ｗｏ／Ｑの値を０．６×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも小さく制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
　【請求項４】　前記フルオロカーボンガスは、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むガスであることを特徴とする
請求項３
　【請求項５】　前記滞在時間τは、前記プラズマ処理装置に設けられたマスフローコントローラと、前記プラズマ処理装置に設けられたバルブ及びポンプとのうちの少なくとも１つにより制御されることを特徴とする
請求項３
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて用いられるプラズマ処理方法に関し、特にフルオロカーボンガスからなるプラズマを用いてエッチング又は成膜を行なうプラズマ処理方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、半導体デバイスの微細化は加速的に進歩しており、いよいよ０．１μｍレベルの加工を必要としてきている。
　【０００３】
　ところが、半導体デバイスの製造プロセスは、基本的には従来と変わることなく行なわれており、半導体基板上に薄膜を堆積した後、該薄膜の上にリソグラフィにより有機膜からなるレジスト膜を形成し、その後、該レジスト膜を用いて薄膜をエッチングするものである。
　【０００４】
　もっとも、半導体デバイスの微細化に対応するため、リソグラフィの露光光は、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ又はＡｒＦエキシマレーザと変化しており、露光光の変化に対応する有機レジスト膜も開発されている。
　【０００５】
　また、０．１μｍレベルの加工を行なうための露光光としてはＡｒＦエキシマレーザの導入が検討されているが、この場合には、有機レジスト膜のエッチング耐性が乏しいことが指摘されている。
　【０００６】
　そこで、レジスト膜に対する選択性を確保するために、さまざまな技術が提案されている。例えば反応室内の部材にシリコン材料を用いて、該シリコン材料がフッ素をスカベンジする機能を利用する技術、すなわち、エッチングガス中のフッ素の濃度を低くして、レジストに対する選択性を向上させる技術が提案されている。
　【０００７】
　以下、従来のプラズマ処理方法について、図１を参照しながら説明する。
　【０００８】
　図１は、誘導結合型プラズマ処理装置の概略構造を示しており、図１に示すように、反応室１０の内壁は石英板１１により覆われている。反応室１０の外側には誘導コイル１２が設けられており、誘導コイル１２の一端は第１の高周波電源１３に接続されていると共に、誘導コイル１２の他端は接地されている。
　【０００９】
　反応室１０のガス導入部１４は、マスフローコントローラ１５を介してガス供給源（ガスボンベ）１６に接続されていると共に、反応室１０のガス排出部１７は、圧力制御バルブ１８を介して排気ポンプ１９に接続されており、反応室１０のガス圧力は、マスフローコントローラ１５と、圧力制御バルブ１８及び排気ポンプ１９との少なくとも一方により制御される。
　【００１０】
　反応室１０の内部には、下部電極となる試料台２０が設けられており、該試料台２０は、マッチング回路２１を介して第２の高周波電源２２に接続されている。
　【００１１】
　制御装置２３は、第１の高周波電源１３、第２の高周波電源２２、マスフローコントローラ１５及び圧力制御バルブ１８に制御信号を送ることにより、第１の高周波電源１３から誘導コイル１２に供給される第１の高周波電力、第２の高周波電源２２から試料台２０に供給される第２の高周波電力、ガス供給源１６から反応室１０に供給されるガスの流量、反応室１０から排出されるガスの流量を制御する。
　【００１２】
　通常、反応室１０のガス圧力は、排気ポンプ１９の駆動を継続した状態で圧力制御バルブ１８を制御することにより、０．１３３Ｐａ〜１．３３Ｐａの範囲内の所定値に制御される。
　【００１３】
　プロセスガスをガス導入部１４から反応室１０に供給すると共に反応室１０のガス圧力を所定値に保った状態で、第１の高周波電源１３から誘導コイル１２に第１の高周波電力を供給して、プロセスガスからなるプラズマを発生させ、その後、第２の高周波電源２２から試料台２０に第２の高周波電力を供給して、発生したプラズマを試料台２０の上に設置されている半導体基板に引き込む。これによって、半導体基板の表面に形成されている薄膜がエッチングされたり又は半導体基板の表面に薄膜が堆積されたりする。
　【００１４】
　前述したように、シリコン材料はフッ素をスカベンジする機能を有しているため、反応室１０の内部にフッ素を含むエッチングガスを導入すると、シリコン材料からなる試料台２０及びシリコンリング（図示は省略している。）はフッ素と結合してＳｉＦｘ（ｘ＝３、４）を生成する。これによって、エッチングガス中のフッ素の濃度が調整され、エッチングレートが制御される。尚、フッ素の濃度がレジスト膜のエッチングレートに影響を与えることは一般に知られている。
　【００１５】
　そこで、特開平１０−９８０２４号公報においては、レジスト膜をマスクとしてシリコン酸化膜に対してドライエッチング（プラズマエッチング）を行なう際に、シリコン酸化膜のレジスト膜に対する選択比を向上させるため、フッ素に対する炭素の比率（以下、Ｃ／Ｆ比と称する。）が比較的大きいフルオロカーボンガス、例えばＣ５Ｆ８ガスを用いることが好ましいと提案されている。
　【００１６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、本件発明者らが、レジスト膜をマスクとしてシリコン酸化膜に対して、Ｃ／Ｆ比が大きいＣ５Ｆ８ガスを用いてドライエッチングを行なったところ、従来から用いられているＣ／Ｆ比が小さいＣ２Ｆ８ガスに比べて、選択性が向上しないことが分かった。
　【００１７】
　以下、本件発明者が行なった実験について説明する。
　【００１８】
　エッチング装置としてはＩＣＰプラズマドライエッチング装置を用い、プラズマを生成するために投入される電力の大きさは１６００Ｗに設定し、エッチングガスとしてはＣ５Ｆ８ガスとＡｒガスとの混合ガスを用い、ガス流量はＣ５Ｆ８ガス：Ａｒガス＝４．７：４．０（ｍｌ／ｍｉｎ）に設定し、ガス圧力は０．１３３Ｐａに設定した。このようなプロセス条件を用いて、レジスト膜をマスクにしてシリコン酸化膜に対してエッチングを行なった。
　【００１９】
　その結果、Ｃ／Ｆ比が大きいガス（Ｃ５Ｆ８ガス）を用いているにも拘わらず、レジスト膜に対する選択比は１．８１であった。この選択比は、従来から用いられているＣ／Ｆ比が小さいガス（Ｃ２Ｆ６ガス）と比較してそれほど変わらない。
　【００２０】
　前記に鑑み、本発明は、Ｃ／Ｆ比が０．５以上であるフルオロカーボンガスを用いてドライエッチングを行なう場合の選択性を向上させることを目的とする。
　【００２１】
　【課題を解決するための手段】
　本件発明者は、Ｃ／Ｆ比が大きいフルオロカーボンガスを用いてシリコン酸化膜に対してドライエッチングを行なった場合に、レジスト膜に対する選択比が向上するのは次の理由によるものと考える。すなわち、シリコン酸化膜及びレジスト膜の表面にポリマー膜が堆積され、該ポリマー膜がエッチングを抑制する。このため、シリコン酸化膜のエッチングレートの低下の程度が、レジスト膜のエッチングレートの低下の程度よりも少ない場合に、レジスト膜に対する選択比は向上する一方、シリコン酸化膜のエッチングレートの低下の程度が、レジスト膜のエッチングレートの低下の程度に比べて大きいか又は同じ場合には、レジスト膜に対する選択比は向上しない。
　【００２２】
　従って、Ｃ／Ｆ比が大きいフルオロカーボンガスを用いるとレジスト膜に対する選択比が必ず向上するのではなく、Ｃ／Ｆ比が大きいフルオロカーボンガスを用いると共に、シリコン酸化膜のエッチングレートの低下の程度をレジスト膜のエッチングレートの低下の程度よりも少なくすることにより、レジスト膜に対する選択比を向上させることができる。
　【００２３】
　さらに、本件発明者は、フルオロカーボンガスの滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、Ｐはフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑはフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）に着目し、種々の容積を持つ反応室において、フルオロカーボンガスの圧力及び流量を変化させて、レジスト膜に対する選択比が向上する滞在時間τを求めた。その結果、Ｃ／Ｆ比が０．５以上であるフルオロカーボンガスを用いる場合には、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下であると、レジスト膜に対する選択比が向上することを見い出した。また、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）以下である場合に、レジスト膜に対する選択比が向上しないということは、ポリマーの堆積が促進されること、すなわち有機膜の堆積レートが向上することを意味する。
　【００２４】
　ところで、滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑの関係式から分かるように、滞在時間τは反応室の容積Ｖによって変化する。
　【００２５】
　そこで、滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑと、プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗｏ／Ｖ（但し、Ｗｏは電力の大きさであり、Ｖは反応室の容積である。）との積であるＰ×Ｗｏ／Ｑという概念を導入すると、反応室の容積とは無関係に、レジスト膜に対する選択比を向上させたり、又は有機膜の堆積レートを向上させたりすることができることを見い出した。
　【００２６】
　本件発明は、前記の知見に基づいて成されたものであって、具体的には、以下の通りである。
　【００２７】
　本発明に係る第１のプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガスを導入する工程と、フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いてシリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程とを備え、フルオロカーボンガスの反応室における滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、Ｐはフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑはフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）を０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下に制御する。
　【００２８】
　第１のプラズマ処理方法によると、フルオロカーボンガスの反応室における滞在時間τを０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下に制御してシリコン酸化膜に対してエッチングを行なうため、プロセスを安定させた状態で、レジスト膜に対する選択比を２以上に向上させることができる。
　【００２９】
　本発明に係る第２のプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガスを導入する工程と、フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いてシリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程とを備え、フルオロカーボンガスの反応室における滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、Ｐはフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑはフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）と、プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗｏ／Ｖ（但し、Ｗｏは電力の大きさ（単位：Ｗ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）である。）との積であるＰ×Ｗｏ／Ｑの値を０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に制御する。
　【００３０】
　第２のプラズマ処理方法によると、フルオロカーボンガスの反応室における滞在時間τとプラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉとの積であるＰ×Ｗｏ／Ｑの値を０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に制御してシリコン酸化膜に対してエッチングを行なうため、プロセスを安定させた状態で、レジスト膜に対する選択比を２以上に向上させることができる。
　【００３１】
　本発明に係る第３のプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置の反応室の内部に基板を設置する工程と、反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガスを導入する工程と、
　フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて基板上に有機膜を堆積する工程とを備え、フルオロカーボンガスの滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、Ｐはフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑはフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）を０．１（ｓｅｃ）以下に制御する。
　【００３２】
　第３のプラズマ処理方法によると、フルオロカーボンガスの反応室における滞在時間τを０．１（ｓｅｃ）以下に制御して有機膜の堆積を行なうため、プロセスを安定させた状態で、有機膜の成膜レートを向上させることができる。
　【００３３】
　本発明に係る第４のプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置の反応室の内部に基板を設置する工程と、反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガスを導入する工程と、フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて基板上に有機膜を堆積する工程とを備え、フルオロカーボンガスの滞在時間τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、Ｐはフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑはフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）と、プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗｏ／Ｖ（但し、Ｗｏは電力の大きさ（単位：Ｗ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）である。）との積であるＰ×Ｗｏ／Ｑの値を０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に制御する。
　【００３４】
　第４のプラズマ処理方法によると、フルオロカーボンガスの反応室における滞在時間τとプラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉとの積であるＰ×Ｗｏ／Ｑの値を０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に制御して有機膜の堆積を行なうため、プロセスを安定させた状態で、有機膜の成膜レートを向上させることができる。
　【００３５】
　第１〜第４のプラズマ処理方法において、フルオロカーボンガスは、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むガスであることが好ましい。
　【００３６】
　第１〜第４のプラズマ処理方法において、滞在時間τは、プラズマ処理装置に設けられたマスフローコントローラと、プラズマ処理装置に設けられたバルブ及びポンプとのうちの少なくとも１つにより制御されることが好ましい。
　【００３７】
　本発明に係る第５のプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上である第１のフルオロカーボンガスを導入する工程と、第１のフルオロカーボンガスからなる第１のプラズマを生成し、該第１のプラズマを用いてシリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程と、反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上である第２のフルオロカーボンガスを導入する工程と、第２のフルオロカーボンガスからなる第２のプラズマを生成し、該第２のプラズマを用いて、エッチングが完了したシリコン酸化膜の上に有機膜を堆積する工程とを備え、第１のフルオロカーボンガスの反応室における第１の滞在時間τ１＝Ｐ１×Ｖ／Ｑ１（但し、Ｐ１は第１のフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑ１は第１のフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）を０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下に制御し、第２のフルオロカーボンガスの反応室における第２の滞在時間τ２＝Ｐ２×Ｖ／Ｑ２（但し、Ｐ２は第２のフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑ２は第２のフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）を０．１（ｓｅｃ）以下に制御する。
　【００３８】
　第５のプラズマ処理方法によると、プロセスを安定させた状態で、レジスト膜に対する選択比を２以上に向上させることができると共に有機膜の成膜レートを向上させることができる。
　【００３９】
　本発明に係る第６のプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上である第１のフルオロカーボンガスを導入する工程と、第１のフルオロカーボンガスからなる第１のプラズマを生成し、該第１のプラズマを用いてシリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程と、反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が０．５以上である第２のフルオロカーボンガスを導入する工程と、第２のフルオロカーボンガスからなる第２のプラズマを生成し、該第２のプラズマを用いて、エッチングが完了したシリコン酸化膜の上に有機膜を堆積する工程とを備え、第１のフルオロカーボンガスの反応室における第１の滞在時間τ１＝Ｐ１×Ｖ／Ｑ１（但し、Ｐ１は第１のフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑ１は第１のフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）と、第１のプラズマを生成するために投入される第１の電力の電力密度Ｐｉ１＝Ｗ１／Ｖ（但し、Ｗ１は第１の電力の大きさ（単位：Ｗ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）である。）である。）との第１の積であるＰ１×Ｗ１／Ｑ１の値を０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に制御し、第２のフルオロカーボンガスの反応室における第２の滞在時間τ２＝Ｐ２×Ｖ／Ｑ２（但し、Ｐ２は第２のフルオロカーボンガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑ２は第２のフルオロカーボンガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）と、第２のプラズマを生成するために投入される第２の電力の電力密度Ｐｉ２＝Ｗ２／Ｖ（但し、Ｗ２は第２の電力の大きさ（単位：Ｗ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）である。）との第２の積であるＰ２×Ｗ２／Ｑ２の値を０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に制御する。
　【００４０】
　第６のプラズマ処理方法によると、プロセスを安定させた状態で、レジスト膜に対する選択比を２以上に向上させることができると共に有機膜の成膜レートを向上させることができる。
　【００４１】
　第５又は第６のプラズマ処理方法において、第１のフルオロカーボンガスは、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むガスであり、第２のフルオロカーボンガスは、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、Ｃ５Ｆ８ガス及びＣ６Ｆ６ガスのうちの少なくとも１つを含むガスであることが好ましい。
　【００４２】
　第５又は第６のプラズマ処理方法において、第１の滞在時間τ１及び第２の滞在時間τ２は、プラズマ処理装置に設けられたマスフローコントローラと、プラズマ処理装置に設けられたバルブ及びポンプとのうちの少なくとも１つによりそれぞれ制御されることが好ましい。
　【００４３】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の各実施形態に係るプラズマ処理方法について説明するが、その前提として、本発明の解決原理について説明する。
　【００４４】
　【表１】
　【００４５】
　【表２】
　【００４６】
　【表３】
　【００４７】
　［表１］、［表２］及び［表３］は、エッチングガスとしてＣ５Ｆ８ガスを用いるプラズマエッチング方法において、反応室の容積、Ｃ５Ｆ８ガスの流量及びＣ５Ｆ８ガスの圧力を変化させながらプラズマエッチングを行なって、反応室におけるガスの滞在時間τを求めた実験結果を示している。
　【００４８】
　尚、［表１］は反応室の容積が２５リットルの場合であり、［表２］は反応室の容積が１０リットルの場合であり、［表３］は反応室の容積が５０リットルの場合である。また、滞在時間τを求める実験においては、ガス流量として標準状態における１分間当たりの流量（ｍＬ）を用いたため、標準状態における１分間当たりのガス流量７９．０５（ｍＬ）＝１３３．３（Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）という換算式に基づき、Ｃ５Ｆ８ガスの流量は（×１３３．３／７９．０５（Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ））の単位で示している。また、ガス圧力としてｍＴｏｒｒを用いたため、１（ｍＴｏｒｒ）＝０．１３３（Ｐａ）という換算式に基づき、Ｃ５Ｆ８ガスの圧力は（×０．１３３（Ｐａ）の単位で示している。
　【００４９】
　［表１］、［表２］及び［表３］のデータは、反応室の容積（単位：Ｌ）、ガス流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）及びガス圧力（単位：Ｐａ）の値を、τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、τは反応室におけるガスの滞在時間（単位：ｓｅｃ）であり、Ｐはガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑはガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）の関係式に代入して、ガスの滞在時間τを求めた。また、［表１］、［表２］及び［表３］において、太線の枠で囲んだ領域は、レジスト膜に対するシリコン酸化膜の選択比が２以上となる滞在時間を示している。
　【００５０】
　従って、［表１］、［表２］及び［表３］から、エッチングガスとしてＣ５Ｆ８ガスを用いるプラズマエッチング方法においては、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下であると、レジスト膜に対するシリコン酸化膜の選択比として２以上の値を得られることが分かる。尚、太枠で囲んだ領域以外の領域においても、滞在時間τが０．１〜１（ｓｅｃ）の範囲に入っているものもあるが、太枠で囲んだ領域と対応するガス流量及びガス圧力を用いるとプロセスが安定することが経験上分かっている。［表１］、［表２］及び［表３］においては、滞在時間τは、０．０１（ｓｅｃ）〜３９５．３（ｓｅｃ）の範囲に分布しているが、本発明は、０．１〜１（ｓｅｃ）の範囲という極めて狭い領域を選択したものであり、滞在時間をこの極めて狭い領域を選択すると、プロセスが安定すると共にレジスト膜に対するシリコン酸化膜の選択比が２以上になることを見い出したものである。
　【００５１】
　また、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）以下である場合には、対レジスト膜に対する選択比が低くなるということは、ポリマーの堆積が促進されること、すなわち有機膜の堆積レートが向上することを意味する。従って、ガスの滞在時間τを０．１（ｓｅｃ）以下に設定すると、有機膜の堆積レートが向上する。
　【００５２】
　ところで、前述したτ＝Ｐ×Ｖ／Ｑの関係式から分かるように、滞在時間τは反応室の容積Ｖによって変化する。
　【００５３】
　そこで、プラズマを生成するために投入される電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗｏ／Ｖ（但し、Ｗｏは電力の大きさ（単位：Ｗ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）である。）と、滞在時間τとの積であるＥ＝Ｐ×Ｗｏ／Ｑという概念を導入する。このようにすると、反応室の容積とは無関係に、レジスト膜に対する選択比を向上させたり、又は有機膜の堆積レートを向上させたりすることができる。
　【００５４】
　滞在時間τが０．１よりも小さく且つ１（ｓｅｃ）以下の範囲であるということは、滞在時間τと電力密度Ｐｉとの積Ｅが０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下であるということに相当する。
　【００５５】
　従って、滞在時間τと電力密度Ｐｉとの積Ｅが０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下であると、プロセスが安定すると共にレジスト膜に対するシリコン酸化膜の選択比が２以上になる。
　【００５６】
　滞在時間τと電力密度Ｐｉとの積Ｅが０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下であると、有機膜の堆積レートが向上する。
　【００５７】
　図２は、エッチングガスを変えてプラズマエッチングを行なったときの、滞在時間τとＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）及びレジスト膜のエッチングレートとの関係を示している。尚、図２において、★はＣ２Ｆ６ガスを用いたときのＢＰＳＧ膜に対するエッチングレートを示し、◆はＣ４Ｆ８ガスを用いたときのＢＰＳＧ膜に対するエッチングレートを示し、●はＣ５Ｆ８ガスを用いたときのＢＰＳＧ膜に対するエッチングレートを示し、☆はＣ２Ｆ６ガスを用いたときのレジスト膜に対するエッチングレートを示し、◇はＣ４Ｆ８ガスを用いたときのレジスト膜に対するエッチングレートを示し、○はＣ５Ｆ８ガスを用いたときのレジスト膜に対するエッチングレートを示している。
　【００５８】
　図２から、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣ５Ｆ８ガスを用いる場合、滞在時間が短くなると、ＢＰＳＧ膜及びレジスト膜のエッチングレートが小さくなることが分かる。これは、ＢＰＳＧ膜及びレジスト膜の各表面にポリマー膜が堆積し、該ポリマー膜がエッチングを抑制する働きをするためであると考えられる。一方、Ｃ２Ｆ６ガスを用いる場合、滞在時間が短くなると、ＢＰＳＧ膜及びレジスト膜のエッチングレートが大きくなることが分かる。
　【００５９】
　図３は、レジスト膜のエッチングレートに対するＢＰＳＧ膜のエッチングレートの比つまりレジスト膜に対する選択比の滞在時間τに対する依存性を示している。尚、図３において、★はＣ２Ｆ６ガスを用いたときの選択比を示し、◆はＣ４Ｆ８ガスを用いたときの選択比を示し、●はＣ５Ｆ８ガスを用いたときの選択比を示している。
　【００６０】
　図３から、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣ５Ｆ８ガスを用いる場合、滞在時間を短くすると、レジスト膜に対する選択比が大きくなることが分かる。もっとも、Ｃ４Ｆ８ガスを用いる場合、滞在時間が０．２（ｓｅｃ）以下では、選択比は低下する。これは、レジスト膜のエッチングレートの低下よりもＢＰＳＧ膜のエッチングレートの低下の方が大きくなるためである。一方、Ｃ２Ｆ６ガスを用いる場合、選択比は滞在時間に殆ど依存しないことが分かる。
　【００６１】
　以上の考察から、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣ５Ｆ８ガスのように、炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガスを用いる場合、滞在時間を０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下に制御すると、エッチング選択性が向上することが確認される。
　【００６２】
　図４は、誘導結合型プラズマ処理装置において、フルオロカーボンガスからなるプラズマを発生させた場合の、Ｆ−イオン、ＣＦ３−イオン、Ｃ２Ｆ５−イオン、Ｃ５Ｆ７−イオン、Ｃ７Ｆ１１−イオン及びＣ８Ｆ１１−イオンの各イオン量の滞在時間に対する依存性を示しており、この測定は電子付着質量分析法を用いて行なったものである。従って、Ｆ−イオンは全てのＣｘＦｙ分子からの解離性電子付着過程によって生成されたものであり、ＣＦ３−イオンはＣＦ４分子からの解離性電子付着過程によって生成され、Ｃ２Ｆ５−イオンはＣ２Ｆ６分子からの解離性電子付着過程によって生成されている。また、Ｃ５Ｆ７−イオン、Ｃ７Ｆ１１−イオン及びＣ８Ｆ１１−イオンについては、同様の解離性電子付着過程と、非解離性電子付着過程との両方の過程で生成されたものである。
　【００６３】
　図４から、滞在時間を短くすると、Ｆ−イオン、ＣＦ３−イオン及びＣ２Ｆ５−イオン等の低次イオンは減少する一方、Ｃ５Ｆ７−イオン、Ｃ７Ｆ１１−イオン及びＣ８Ｆ１１−イオン等の高次イオンは増加することが分かる。すなわち、滞在時間を短くすると、低次分子が減少する一方、高次分子が増加することが分かり、従って、滞在時間を短くすると、レジスト膜に対する選択性が向上することが分かる。
　【００６４】
　図５は、エッチングガスを変えてプラズマエッチングを行なったときの、滞在時間τと電力密度Ｐｉとの積Ｅと、ＢＰＳＧ及びレジスト膜のエッチングレートとの関係を示している。尚、図５においては、電力密度Ｐｉは１８００Ｗとして計算している。また、図５において、★はＣ２Ｆ６ガスを用いたときのＢＰＳＧ膜に対するエッチングレートを示し、◆はＣ４Ｆ８ガスを用いたときのＢＰＳＧ膜に対するエッチングレートを示し、●はＣ５Ｆ８ガスを用いたときのＢＰＳＧ膜に対するエッチングレートを示し、☆はＣ２Ｆ６ガスを用いたときのレジスト膜に対するエッチングレートを示し、◇はＣ４Ｆ８ガスを用いたときのレジスト膜に対するエッチングレートを示し、○はＣ５Ｆ８ガスを用いたときのレジスト膜に対するエッチングレートを示している。
　【００６５】
　図５から、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣ５Ｆ８ガスを用いる場合、滞在時間と電力密度との積Ｅが小さくなると、ＢＰＳＧ膜及びレジスト膜のエッチングレートが小さくなることが分かる。これは、前述した、滞在時間τと、ＢＰＳＧ膜及びレジスト膜のエッチングレートとの間の関係と同様の関係が成り立つためである。
　【００６６】
　図６は、レジスト膜に対する選択比の、滞在時間と電力密度との積Ｅに対する依存性を示している。尚、図６においては、電力密度Ｐｉは１８００Ｗとして計算している。また、図６において、★はＣ２Ｆ６ガスを用いたときの選択比を示し、◆はＣ４Ｆ８ガスを用いたときの選択比を示し、●はＣ５Ｆ８ガスを用いたときの選択比を示している。
　【００６７】
　図６から、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣ５Ｆ８ガスを用いる場合、滞在時間と電力密度との積Ｅを小さくすると、レジスト膜に対する選択比が大きくなることが分かる。これは、前述した滞在時間と選択比との間の関係と同様の関係が成り立つためである。
　【００６８】
　以上の考察から、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣ５Ｆ８ガスのように、炭素の比率が０．５以上であるフルオロカーボンガスを用いる場合、滞在時間と電力密度との積Ｅを０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に制御すると、エッチング選択性が向上することが確認される。
　【００６９】
　図７は、誘導結合型プラズマ処理装置において、フルオロカーボンガスからなるプラズマを発生させた場合の、Ｆ−イオン、ＣＦ３−イオン、Ｃ２Ｆ５−イオン、Ｃ５Ｆ７−イオン、Ｃ７Ｆ１１−イオン及びＣ８Ｆ１１−イオンの各イオン量の滞在時間と電力密度ｔの積に対する依存性を示している。
　【００７０】
　図７から、滞在時間と電力密度との積Ｅを小さくすると、Ｆ−イオン、ＣＦ３−イオン及びＣ２Ｆ５−イオン等の低次イオンは減少する一方、Ｃ５Ｆ７−イオン、Ｃ７Ｆ１１−イオン及びＣ８Ｆ１１−イオン等の高次イオンは増加することが分かる。すなわち、滞在時間と電力密度との積Ｅを小さくすると、レジスト膜に対する選択性が向上することが分かる。
　【００７１】
　図８（ａ）〜（ｃ）は、滞在時間をパラメーターとして、Ｆ−イオンの電子エネルギーの強度分布を測定した結果を示しており、図８（ａ）は滞在時間が４．５（ｓｅｃ）の場合であり、図８（ｂ）は滞在時間が５．２（ｓｅｃ）の場合であり、図８（ｃ）は滞在時間が１３．５（ｓｅｃ）の場合である。これらの強度分布は、各分子からの解離性のフラグメントを観察することができ且つ断面積が既知のものに関しては測定が可能である。
　【００７２】
　図８（ａ）〜（ｃ）から、Ｃ２Ｆ６ガス及びＣ３Ｆ８ガスについては、滞在時間が長くなると、Ｃ２Ｆ６ガス及びＣ３Ｆ８ガスが増加することが分かる。この現象は、図３に示す結果と整合性を有している。また、図８（ａ）〜（ｃ）から、滞在時間を短くすると、環境に悪影響を及ぼすＣ２Ｆ６ガス又はＣ３Ｆ８ガス等の規制対象フルオロカーボンガスを低減できることが分かる。
　【００７３】
　ところで、特開平５−２５９１１９号公報においては、高速排気ポンプを用いて滞在時間τを短くし、これによって、エッチング選択比の向上を図る技術が提案されている。特開平５−２５９１１９号公報における【００５１】、図７及びその説明の箇所に示されている技術は、一見すると本件発明と類似している。
　【００７４】
　ところが、特開平５−２５９１１９号公報の発明が解決しようとする課題は、化学式：ＳｉＯ２＋ＣＦｘ→ＳｉＦｘ＋ＣＯ２で表わされる右辺のＣＯ２を高速排気することにより、ウエハからの反応生成物（ＣＯ２等）の影響を少なくしようとするものであり、特開平５−２５９１１９号公報の発明はエッチングガスに関する特定がされていない。
　【００７５】
　これに対して、本件発明は、前記のような課題は一切なく、Ｃ／Ｆ比が大きいガスを用いてエッチングする場合に、レジスト膜に対する選択比を確実に高くするには、滞在時間τ又は滞在時間と電力密度との積Ｅを所定範囲に設定することが重要であるということを見い出したものである。従って、エッチングガスの特定が成されていない特開平５−２５９１１９号公報の発明と、プロセスガスをＣ／Ｆ比が０．５以上であるフルオロカーボンガスに特定している本件発明とは、技術的思想、構成及び効果の点で全く異なるものである。
　【００７６】
　（第１の実施形態）
　以下、第１の実施形態に係るプラズマ処理方法について、図１及び図９を参照しながら説明する。
　【００７７】
　まず、ステップＳＡ１において、プラズマ処理装置の反応室１０の内部に、半導体基板を搬入して、該半導体基板を試料台２０の上に設置する。この場合、半導体基板の上にはシリコン酸化膜が形成されていると共に、該シリコン酸化膜の上にはパターン化されたレジスト膜が形成されている。
　【００７８】
　次に、ステップＳＡ２において、反応室１０の内部に、Ｃ／Ｆ比が０．５以上であるフルオロカーボンガス、例えばＣ５Ｆ８ガスを導入する。この場合、ガス圧力としては、０．６６５Ｐａ〜３．９９Ｐａの範囲、例えば１．３３Ｐａになるように制御する。
　【００７９】
　次に、ステップＳＡ３において、τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑ（但し、τは反応室におけるガスの滞在時間（単位：ｓｅｃ）であり、Ｐはガスの圧力（単位：Ｐａ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）であり、Ｑはガスの流量（単位：Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ）である。）の関係式を用いて、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下になるように、マスフローコントローラ１５を調整してガス流量を制御する。
　【００８０】
　次に、ステップＳＡ４において、第１の高周波電源１３から誘導コイル１２に第１の高周波電力を印加して、フルオロカーボンガス例えばＣ５Ｆ８ガスからなるプラズマを生成する。この場合、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下になるようにガス流量を制御すると、プラズマを生成するために投入される第１の高周波電力の電力密度Ｐｉ＝Ｗｏ／Ｖ（但し、Ｗｏは電力の大きさ（単位：Ｗ）であり、Ｖは反応室の容積（単位：Ｌ）である。）と、滞在時間τとの積であるＥ＝Ｐ×Ｗｏ／Ｑは、必然的に０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に設定される。
　【００８１】
　次に、ステップＳＡ５において、第２の高周波電源２２から試料台２０に第２の高周波電力を印加して、生成されたプラズマを試料台２０の上の半導体基板上に導入して、ステップＳＡ６において、レジスト膜をマスクにしてシリコン酸化膜に対してプラズマエッチングを行なう。
　【００８２】
　第１の実施形態によると、パフルオロカボンガスの反応室内における滞在時間τを０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下に設定すると共に、第１の高周波電力の電力密度Ｐｉと滞在時間τとの積であるＥ＝Ｐ×Ｗｏ／Ｑを０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に設定したため、シリコン酸化膜のレジスト膜に対する選択比を２以上にすることができる。
　【００８３】
　（第２の実施形態）
　以下、第２の実施形態に係るプラズマ処理方法について、図１及び図１０を参照しながら説明する。
　【００８４】
　まず、ステップＳＢ１において、プラズマ処理装置の反応室１０の内部に、半導体基板を搬入して、該半導体基板を試料台２０の上に設置する。
　【００８５】
　次に、ステップＳＢ２において、反応室１０の内部に、Ｃ／Ｆ比が０．５以上であるフルオロカーボンガス、例えばＣ５Ｆ８ガスを導入する。この場合、ガス圧力としては、０．６６５Ｐａ〜３．９９Ｐａの範囲、例えば１．３３Ｐａになるように制御する。
　【００８６】
　次に、ステップＳＢ３において、前述の関係式τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑを用いて、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）以下になるように、マスフローコントローラ１５を調整してガス流量を制御する。
　【００８７】
　次に、ステップＳＢ４において、第１の高周波電源１３から誘導コイル１２に第１の高周波電力を印加して、フルオロカーボンガス例えばＣ５Ｆ８ガスからなるプラズマを生成する。この場合、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）以下になるようにガス流量を制御すると、プラズマを生成するために投入される第１の高周波電力の電力密度Ｐｉと滞在時間τとの積であるＥ＝Ｐ×Ｗｏ／Ｑは、必然的に０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に設定される。
　【００８８】
　次に、ステップＳＢ５において、第２の高周波電源２２から試料台２０に第２の高周波電力を印加して、生成されたプラズマを試料台２０の上の半導体基板上に導入して、ステップＳＢ６において、半導体基板の上に有機膜を堆積する。
　【００８９】
　第２の実施形態によると、パフルオロカボンガスの反応室内における滞在時間τを０．１（ｓｅｃ）以下に設定すると共に、第１の高周波電力の電力密度Ｐｉと滞在時間τとの積であるＥ＝Ｐ×Ｗｏ／Ｑを０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に設定したため、有機膜を優れた堆積レートで形成することができる。
　【００９０】
　（第３の実施形態）
　以下、第３の実施形態に係るプラズマ処理方法について、図１及び図１１を参照しながら説明する。
　【００９１】
　まず、ステップＳＣ１において、プラズマ処理装置の反応室１０の内部に、半導体基板を搬入して、該半導体基板を試料台２０の上に設置する。
　【００９２】
　次に、ステップＳＣ２において、反応室１０の内部に、Ｃ／Ｆ比が０．５以上である第１のフルオロカーボンガス、例えばＣ５Ｆ８ガスを導入する。この場合、ガス圧力としては、０．６６５Ｐａ〜３．９９Ｐａの範囲、例えば１．３３Ｐａになるように制御する。
　【００９３】
　次に、ステップＳＣ３において、前述の関係式τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑを用いて、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下になるように、マスフローコントローラ１５を調整して第１のガスの流量を制御する。
　【００９４】
　次に、ステップＳＣ４において、第１の高周波電源１３から誘導コイル１２に第１の高周波電力を印加して、第１のフルオロカーボンガス例えばＣ５Ｆ８ガスからなる第１のプラズマを生成する。この場合、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）よりも大きく且つ１（ｓｅｃ）以下になるように第１のガスの流量を制御すると、第１のプラズマを生成するために投入される第１の高周波電力の電力密度Ｐｉと滞在時間τとの積であるＥ＝Ｐ×Ｗｏ／Ｑは、必然的に０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）よりも大きく且つ８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に設定される。
　【００９５】
　次に、ステップＳＣ５において、第２の高周波電源２２から試料台２０に第２の高周波電力を印加して、第１のプラズマを試料台２０の上の半導体基板上に導入して、ステップＳＣ６において、レジスト膜をマスクにしてシリコン酸化膜に対してプラズマエッチングを行なう。
　【００９６】
　次に、プラズマエッチングが完了すると、ステップＳＣ７において、第１のパフルオロカボンガスの導入を停止した後、反応室１０の内部に酸素ガスを導入すると共に、該酸素ガスからなる酸素プラズマを生成して、シリコン酸化膜上のレジスト膜をアッシングにより除去する。
　【００９７】
　次に、ステップＳＣ８において、反応室１０の内部に、Ｃ／Ｆ比が０．５以上である第２のフルオロカーボンガス、例えばＣ５Ｆ８ガスを導入する。この場合、ガス圧力としては、０．６６５Ｐａ〜３．９９Ｐａの範囲、例えば１．３３Ｐａになるように制御する。
　【００９８】
　次に、ステップＳＣ９において、前述の関係式τ＝Ｐ×Ｖ／Ｑを用いて、滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）以下になるように、マスフローコントローラ１５を調整して第２のガスの流量を制御する。
　【００９９】
　次に、ステップＳＣ１０において、第１の高周波電源１３から誘導コイル１２に第１の高周波電力を印加して、第２のフルオロカーボンガス例えばＣ５Ｆ８ガスからなるプラズマを生成する。この場合、第２のガスの滞在時間τが０．１（ｓｅｃ）以下になるようにガス流量を制御すると、第２のプラズマを生成するために投入される第１の高周波電力の電力密度Ｐｉと滞在時間τとの積であるＥ＝Ｐ×Ｗｏ／Ｑは、必然的に０．８×１０４（ｓｅｃ・Ｗ／ｍ３）以下に設定される。
　【０１００】
　次に、ステップＳＣ１１において、第２の高周波電源２２から試料台２０に第２の高周波電力を印加して、生成されたプラズマを試料台２０の上の半導体基板上に導入して、ステップＳＣ１２において、シリコン酸化膜の上に有機膜を堆積する。
　【０１０１】
　尚、第１〜第３の実施形態においては、フルオロカーボンガスとして、Ｃ５Ｆ８ガスを単独で用いたが、これに代えて、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス又はＣ６Ｆ６ガスを単独で用いてもよしし、これらのガスの混合ガスを用いてもよい。
　【０１０２】
　また、第３の実施形態においては、第１のフルオロカーボンガスと第２のフルオロカーボンガスとは同じガスであったが、第１のフルオロカーボンガスと第２のフルオロカーボンガスとは同じガスであってもよいし、異なるガスであってもよい。
　【０１０３】
　また、第１〜第３の実施形態においては、プラズマ処理装置としては、誘導結合型プラズマ処理装置を用いたが、これに代えて、ＥＣＲプラズマ処理装置又は面波励起型プラズマ処理装置等を用いることができる。
　【０１０４】
　さらに、第１〜第３の実施形態においては、ガス流量の制御は、マスフローコントローラ１５の調整により行なったが、これに代えて、マスフローコントローラ１５の調整と、圧力制御バルブ１８及び排気ポンプ１９の調整とのうちの少なくとも一方の調整により行なってもよい。また、フルオロカーボンガスの流量の調整は、プロセスガスに、不活性ガス、窒素ガス、一酸化炭素ガス又は二酸化炭素ガスを混合すると共に、これらのガスの流量を調整することにより行なってもよい。
　【０１０５】
　【発明の効果】
　本発明に係るプラズマ処理方法によると、プロセスを安定させた状態で、レジスト膜に対する選択比を２以上に向上させることができると共に有機膜の成膜レートを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　従来例及び本発明の各実施形態に係るプラズマ処理方法に用いる誘導結合型プラズマ処理装置の概略断面図である。
　【図２】
　エッチングガスを変えてプラズマエッチングを行なったときの、滞在時間とＢＰＳＧ及びレジスト膜のエッチングレートとの関係を示す図である。
　【図３】
　エッチングガスを変えてプラズマエッチングを行なったときの、滞在時間とレジスト膜に対する選択比との関係を示す図である。
　【図４】
　誘導結合型プラズマ処理装置において、フルオロカーボンガスからなるプラズマを発生させた場合の各種イオンの滞在時間に対する依存性を示す図である。
　【図５】
　エッチングガスを変えてプラズマエッチングを行なったときの、滞在時間と電力密度との積と、ＢＰＳＧ及びレジスト膜のエッチングレートとの関係を示す図である。
　【図６】
　エッチングガスを変えてプラズマエッチングを行なったときの、滞在時間と電力密度との積と、レジスト膜に対する選択比との関係を示す図である。
　【図７】
　誘導結合型プラズマ処理装置において、フルオロカーボンガスからなるプラズマを発生させた場合の各種イオンの、滞在時間と電力密度との積に対する依存性を示す図である。
　【図８】
　（ａ）は滞在時間が４．５（ｓｅｃ）である場合において、Ｆ−イオンの電子エネルギーの強度分布を測定した結果を示す図であり、（ｂ）は滞在時間が５．２（ｓｅｃ）である場合において、Ｆ−イオンの電子エネルギーの強度分布を測定した結果を示す図であり、（ｃ）は滞在時間が１３．５（ｓｅｃ）である場合において、Ｆ−イオンの電子エネルギーの強度分布を測定した結果を示す図である。
　【図９】
　第１の実施形態に係るプラズマ処理方法を示すフロー図である。
　【図１０】
　第２の実施形態に係るプラズマ処理方法を示すフロー図である。
　【図１１】
　第３の実施形態に係るプラズマ処理方法を示すフロー図である。
　【符号の説明】
　１０　反応室
　１１　石英板
　１２　誘導コイル
　１３　第１の高周波電源
　１４　ガス導入部
　１５　マスフローコントローラ
　１６　ガス供給源
　１７　ガス排出部
　１８　圧力制御バルブ
　１９　排気ポンプ
　２０　試料台
　２１　マッチング回路
　２２　第２の高周波電源
　２３　制御装置