【事件の表示】
　特許第３３６３９１９号「サブストレート上に反応性の膜を付着する装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３６３９１９号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３６３９１９号の請求項１乃至６に係る発明は、平成４年３月３日（パリ条約による優先権主張　平成３年３月４日ドイツ）に特許出願され、平成１４年１０月２５日に特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１乃至６に係る特許について特許異議申立人河井清悦（以下、「申立人Ａ」という。）及び特許異議申立人株式会社神戸製鋼所（以下、「申立人Ｂ」という。）より特許異議申立てがなされ、取消理由が通知され、訂正請求がなされ（この訂正請求は後日取り下げられた。）、再度取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年７月６日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　平成１７年７月６日付けの訂正請求は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付された明細書（以下、「訂正明細書」という。）のとおりに訂正することを求めるもので、その内容は下記のとおりである。
ａ．特許明細書の請求項１に記載された「サブストレート上に反応性の膜を付着する装置において、」を、「サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置において、」と訂正する。
ｂ．特許明細書の請求項１に記載された「２つのカソード（５，５ａ）はプラズマ空間（１５）の中の付着室（１５，１５ａ）中に互いに並べて設けられており」を、「２つのカソード（５，５ａ）は、付着室（１５，１５ａ）中のプラズマ空間（１５）の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられており」と訂正する。
ｃ．特許明細書の請求項１に記載された「かつそれぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有することを特徴とする」を、「該２つのカソード（５，５ａ）は、それぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有しており、前記１つの交流源（１０）の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることを特徴とする」と訂正する。
ｄ．特許明細書の請求項１に記載された「サブストレート上に反応性の膜を付着する装置。」を、「サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置。」と訂正する。
ｅ．特許明細書の請求項３、請求項４、請求項５、請求項６を削除する。
ｆ．特許明細書の【０００７】段落を「【課題を解決するための手段】この課題は、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは、付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられており、該２つのカソードは、それぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しており、前記１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることを特徴とする、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置により解決される。」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ及びｄは、請求項１において「反応性の膜」を「電気絶縁材から成る」ものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当すると云える。そして、かかる「反応性の膜」が「電気絶縁材から成る」ものであることは、特許明細書の【０００１】段落に記載されているところであるから、かかる訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂは、請求項１において、「２つのカソード（５，５ａ）は」の後に読点を打ち、「プラズマ空間（１５）の中の付着室（１５，１５ａ）中」という不明瞭な記載を「付着室（１５，１５ａ）中のプラズマ空間（１５）の中」とすることにより請求項１の記載を明瞭にするとともに、カソード（５，５ａ）について、「互いに並べて設けられており」を「互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられており」とする、即ちカソード（５，５ａ）が「電気的には互いに分離されて設けられて」いるという新たな限定を加えるものであるから、明瞭でない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当すると云える。そして、カソード（５，５ａ）が「電気的には互いに分離されて設けられて」いることは、特許明細書の【０００７】段落に記載されているところであるから、かかる訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｃは、請求項１の「かつそれぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有する」を「該２つのカソード（５，５ａ）は、それぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有しており、」とすることにより請求項１の記載を明瞭にするとともに、「前記１つの交流源（１０）の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定される」ことという新たな限定を加えるものであるから、明瞭でない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当すると云える。そして、１つの交流源（１０）の周波数がスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることは、特許明細書の【００１４】段落に記載されているところであるから、かかる訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｅは、請求項を削除するものであるから特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当すると云える。そして、かかる訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正事項ｆは、訂正事項ａ〜ｅによる特許請求の範囲の記載の訂正に整合させて発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当すると云える。そして、かかる訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
　上記のとおり、平成１７年７月６日付けの訂正請求が認められたから、特許第３３６３９１９号の請求項１及び２に係る発明（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、同日付けの訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】１つの交流源（１０）を備えており、前記交流源（１０）は排気可能な付着室（１５，１５ａ）内に設けられた磁石（１９，１９ａ，１９ｂまたは１９ｃ，１９ｄ，１９ｅ）を取囲むカソード（５，５ａ）と接続されており、前記カソードはターゲット（３，３ａ）と電気的に共働し、ターゲット（３，３ａ）がスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室（１５，１５ａ）内へプロセスガスと反応性ガス例えばアルゴンと酸素を供給可能になっている、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置において、
　前記１つの交流源（１０）のアースに接続されていない２つの出力側（１２，１３）を、ターゲット（３，３ａ）を支持するそれぞれ１つのカソード（５，５ａ）に接続し、２つのカソード（５，５ａ）は、付着室（１５，１５ａ）中のプラズマ空間（１５）の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられており、
　該２つのカソード（５，５ａ）は、それぞれ対向するサブストレート（１，１′，１′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１またはＡ２）を有しており、　前記１つの交流源（１０）の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることを特徴とする、
　サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置。
【請求項２】各ターゲット（３，３ａ）はアルミニュウム，珪素，チタン，タンタル，亜鉛，錫，ジルコンあるいはこれらの物質の化合物から成り、スパッタ工程の間付着室をアルゴンを含有する雰囲気に調整し、膜（２，２′，２″）は酸素及び／又は窒素の添加の下に選択されたターゲットの物質に応じてＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯｘＮｙ，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＺｎＯまたはＺｒＯ２としてスパッタされることを特徴とする請求項１に記載のサブストレート上に反応性の膜を付着する装置。」
　
３−２．取消理由の概要　
　当審が取消理由で通知した理由は、概ね以下のとおりのものである。
理由１：特許明細書の請求項１乃至６に係る発明は、下記の刊行物１、２、１４又は１６に記載された発明であるか、下記の刊行物１乃至２３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許明細書の請求項１乃至６に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものである。
　刊行物１：特開昭６３−４６９号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第１号証）
　刊行物２：特開平２−１５６０８２号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第２号証）
　刊行物３：特開平２−１５６０８３号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第３号証）
　刊行物４：特開昭６２−２１１３７８号公報
　　　（申立人Ａが提出した甲第４号証、申立人Ｂが提出した甲第６号証）
　刊行物５：特開昭６２−３３７６４号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第５号証）
　刊行物６：特開平１−２４０６４９号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第６号証）
　刊行物７：特開平２−１５６０８０号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第７号証）
　刊行物８：特開平２−１５６０８１号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第８号証）
　刊行物９：特開平２−２２５６６７号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第９号証）
　刊行物１０：特公昭４２−１００４８号公報
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第１０号証）
　刊行物１１：特開昭５５−１６１０６７号公報
　　（申立人Ａが提出した甲第１１号証、申立人Ｂが提出した甲第７号証）
　刊行物１２：米国特許４９８１５６６号明細書
（申立人Ａが提出した甲第１２号証、申立人Ｂが提出した甲第４号証の２）
　刊行物１３：米国特許３６２９０９５号明細書
　　　　　　　（申立人Ａが提出した甲第１３号証）
　刊行物１４：ドイツ特許公開第３８０２８５２号公報
　　　　　　　（申立人Ｂが提出した甲第１号証）
　刊行物１５：東独特許公開第２５２２０５号公報
　　　　　　　（申立人Ｂが提出した甲第２号証）
　刊行物１６：特開昭６１−１７９８６４号公報
　　　　　　　（申立人Ｂが提出した甲第３号証）
　刊行物１７：ドイツ特許公開第３５４１６２１号公報
　　　　　　　（申立人Ｂが提出した甲第４号証の１）
　刊行物１８：実願昭５６−２３４４７号（実開昭５７−１３８９７６号）のマイクロフィルム（申立人Ｂが提出した甲第４号証の３）
　刊行物１９：特開昭６３−２９０２６１号公報
　　　　　　　（申立人Ｂが提出した甲第４号証の４）
　刊行物２０：特開平３−３９４７０号公報
　　　　　　　（申立人Ｂが提出した甲第４号証の５）
　刊行物２１：特開昭６３−４２０３３号公報
　　　　　　　（申立人Ｂが提出した甲第４号証の６）
　刊行物２２：「最新　機能成膜プロセス技術」株式会社広信社　１９８７年６月１０日発行　第６５６〜６５７頁（申立人Ｂが提出した甲第５号証）
　刊行物２３：特開平１−２８６９２６号公報
　　　　　　　（申立人Ｂが提出した甲第８号証）
理由２：本件の明細書及び図面の記載が不備であるため、請求項１乃至６に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項並びに第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものである。
　
３−３．刊行物１、２、１４及び１６に記載された事項
（１）刊行物１には、下記の記載がある。
１−ア．「水晶振動子を用いて薄膜組成のスパッタレートを測定する手段を有し、スパッタレートと予め設定した基準値との比較をし、その比較結果に基づいて、高周波発振出力、反応ガス流量、チャンバ内真空度等に対し、少くとも1つのフィードバック制御を行なう手段を備えたスパッタリング装置。」（特許請求の範囲　請求項１）
１−イ．「ＴｅＯｘ（０＜ｘ＜２）を主体とする薄膜形成用に、測定手段とフィードバック制御手段を備えた特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング装置。」（特許請求の範囲　請求項３）
１−ウ．「薄膜組成を形成する成分からなる複数個のターゲットを有し、各ターゲット組成のスパッタレートを測定する複数個の水晶振動子を備えてフィードバック制御を行なう特許請求の範囲第1項記載のスパッタリング装置。」（特許請求の範囲　請求項４）
１−エ．「第１図において、スパッタリング装置本体１がチャンバー２の内部に一対の電極３，４を備えており、それぞれに薄膜形成用の基板５、スパッタリング用のターゲット６が取り付けられている。ここに、ターゲット６は薄膜形成の各組成の１つからなる複数個のターゲット６ａ，６ｂ，６ｃに分割されている。このチヤンバー２内にガス流量調節器７を通して一定量のスパッタガス８が流入し、真空ポンプによりメインバルブ９の調節で一定の真空度に保たれている。一対の電極３，４の間には高周波発振器ｌ０ａ，１０ｂ，１０ｃが接続され、高周波が印加されると、各組成のターゲット６ａ，６ｂ，６ｃ上にプラズマ１１が発生し、ターゲット組成がスパッタされて基板上に薄膜が形成される。」（第２頁左下欄１３行〜同頁右下欄７行）として、第４頁には「第１図」が記載されている。そして、「第１図」から電極４にターゲット６ａ，６ｂ，６ｃが並べて配置されていることが窺える。
１−オ．「ターゲットとして例えばＴｅ、Ｐｄの各単体金属を用い、Ａｒ＋Ｏ２をスパッタガスとして用いた反応性スパッタリングの場合でも本発明の制御手段は同様な効果が得られる。」（第３頁左下欄４〜７行）
（２）刊行物２には、下記の記載がある。
２−ア．「高周波電源からの高周波電圧を、マッチングボックスを含む伝送路を介して、真空容器内に配されたターゲットに印加して、前記真空容器内の被処理物にスパッタ蒸着処理を施すものにおいて、複数のターゲットが前記真空容器内に配され、各ターゲットと他のターゲットとの相互間に一方のターゲットから出て他方のターゲットに入る磁力線を有する磁場を形成するための手段が設けられ、前記各ターゲットへの各印加電圧が互いに位相差をもつように前記高周波電源または前記伝送路が構成されていることを特徴とするスパッタ装置。」（特許請求の範囲　請求項１）
２−イ．「請求項１記載の装置において、前記複数のターゲットは所定個数のターゲットから成るグループに分けられ、同じグループに属する各ターゲット相互間に−方のターゲットから出て他方のターゲットに入る磁力線を有する磁場を形成するように前記磁場形成手段が設けられ、同じグループに属する各ターゲットへの各印加電圧が互いに位相差をもつように前記高周波電源または前記伝送路が構成されていることを特徴とするスパッタ装置。」（特許請求の範囲　請求項２）
２−ウ．「請求項１記載の装置において、前記各ターゲットに対応して磁石が配置されたマグネトロン型のスパッタ装置であって、前記一方のターゲットに対応した磁石と前記他方のターゲットに対応した磁石とは互いに逆の磁極配置構造を有していることを特徴とするスパッタ装置。」（特許請求の範囲　請求項４）
２−エ．「本発明の・・・第２の目的は、ターゲットのスパッタ蒸発に寄与しない無駄な電力を出来るだけ少なくしてスパッタレートの向上を図ることにある。」（第２頁右下欄１５〜１９行）
２−オ．「第１図は、本発明に係るスパッタ装置の一実施例の構成を示す。同図において、１０は真空容器であり、この容器１０にはガス注入口１１及び排気口１２が設けられており、容器１０の内部は所定のガスがほぼ真空に近い状態で収容されている。・・・。ターゲットペアＴ１，Ｔ２の裏面側に、Ｎ極がターゲットＴ１側に、Ｓ極がターゲットＴ２側に夫々位置した電磁石Ｍ１が配置されている。この磁石Ｍ１は、ターゲットＴ１の表面から出てターゲットＴ２の表面に入る磁力線φ１を有する磁場を形成する。・・・。各ターゲットペア毎に高周波電圧発生器ＯＳＣ１、ＯＳＣ２が設けられている。高周波電圧発生器ＯＳＣ１、ＯＳＣ２は独立に高周波電圧を発生し、これを各ターゲットペア毎に設けられた２つの伝送路に夫々出力する。各伝送路は夫々、電圧発生器ＯＳＣ１、ＯＳＣ２側から見て、電圧増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、マッチングボックスＭＢ１，ＭＢ２、及び高周波トランスＴｒ１，Ｔｒ２を要素として有する。・・・。トランスＴｒ１，Ｔｒ２は、高周波電圧発生器ＯＳＣ１、ＯＳＣ２から出力された各高周波電圧をペアのターゲットの各々へ分配される。トランスＴｒｌ，Ｔｒ２はバランとして機能するように構成されているため、ペアのターゲットには１８０度の位相差を持つ平衡２相の高周波電圧が印加される。また、真空容器１０、基板ホルダ２１及びマッチングボックスのシールド等からなるアース電極はゼロ電位にされる。」（第４頁左下欄５行〜第６頁右上欄第２行）として、第６頁には「第１図」が記載されている。
２−カ．「高周波電圧発生器ＯＳＣ１から出力された高周波電圧は高周波アンプＰＡ１で増幅されトランスＴｒ１により１８０度の位相差をもつ２つの高周波電圧に変換され、この高周波電圧は夫々ターゲットＴ１，Ｔ２に印加される。この２つの高周波電圧の位相差に起因するターゲットＴ１，Ｔ１間の電位差によって、ターゲットＴ１，Ｔ２間でグロー放電が発生しプラズマを形成する。・・・。この放電により、ターゲットＴ１，Ｔ２の各々の表面にて交互にスパッタ蒸発が行われ、・・・る。」（第４頁右上欄４行〜同頁左下欄８行）
２−キ．「第２図は本発明をマグネトロン形のスパッタ装置に適用した一実施例を示す。同図はこの実施例のターゲット周辺の部分のみを図示する。図示していない他の部分には第１図と同様の構成が採用できる。・・・。各ターゲットペア毎に、２つのターゲットに平衡２相の高周波電圧が印加される。・・・。各ターゲットＴ５〜Ｔ８の裏面側には、電磁石Ｍ５〜Ｍ８が配置されている。・・・。それらは、各ターゲットＴ５〜Ｔ８の表面上に、ターゲットの中心（又は周囲）から出て周囲（又は中心）に入る磁力線φ５〜φ８を有する磁界を形成する。・・・ペアのターゲット間に、一方のターゲットの表面から出て他方のターゲットの表面に入る磁力線φ９，φ１０をそれぞれ有する磁界が形成される。」（第４頁右下欄１０行〜第５頁左上欄１８行）として、第６頁には「第２図」が記載されている。
２−ク．「ペアのターゲットに逆相の高周波電圧が印加されることにより、ペアターゲット間にグロー放電が生じ各ターゲットＴ５〜Ｔ８の表面付近にプラズマを形成する。」（第５頁左上欄末行〜同頁右上欄３行）
（３）刊行物１４には、下記の旨の記載がある。
１４−ア．「図１において、コーティングされるサブストレート１は、ロータリーケージ２内の図示しないホルダーに設けられている。サブストレート１とケージ２は、アース４に接続された密閉容器３内に配置されている。各々の電極がケージ２の両側に配置され、そのうちの一方が外側カソード５，他方が内側カソード６とされている。これらの電極は５，６は、例えば、チタンその他の金属又は合金でできたターゲットを有するマグネトロンであり、ターゲットは消耗する。外側カソード５は磁気漏れトランス９の２次側の一方のターミナル８にスイッチ７を介して接続され、内側カソード６は磁気漏れトランス９の２次側の他方のターミナル１１にスイッチ１０を介して接続されている。このトランス９の１次側はイナートガス溶接機１２に接続されている。・・・このトランス９は、イナートガス溶接機の電圧をカソード動作電圧まで上げる変圧器として使用される。」（第１欄５５行〜第２欄１４行）として、「第１図」が記載されている。そして、「第１図」から、ターミナル８及び１１はアースに接続されていないこと、カソード５，６はサブストレート１を挟んで対向して配置され、電気的には互いに分離されて設けられていることが窺える。
１４−イ．「スパッタガス又は反応性ガスは、コントロールバルブ２３，２４を介して、独立したパイプラインによって容器へ導入され、パイプラインを介して各々関連するガス排出口２５，２６に接続される。」（第２欄５１〜５４行）
１４−ウ．「ガスその他の物質がコーティング工程のためにコントロールバルブ２３，２４を介して容器３へ導入され、ガスその他の物質はコーティングを行うプラズマを発生させるために用いられる。このタイプのガスとしては、例えば、アルゴン、窒素及び／その他の反応性ガスを用いることができる。直流電源１７，１８のスイッチ７，８が、トランス９の２次側８，１１に切り替えられ、それにより外側カソード５と内側カソード６の間の交流電圧が５０Ｈｚとなる。容器３内のプラズマ粒子は５０Ｈｚのリズムで前後に脈動し、電圧が０の交差部分を除いて、アルゴン及び窒素ガスの一定イオン化を確保する。ターゲット又はカソード５，６が、例えば、チタンからなる場合は、ＴｉＮ層がサブストレート１に蒸着される。」（第３欄１８〜３４行）
（４）刊行物１６には、下記の記載がある。
１６−ア．「本発明はスパッタ装置に係わり、・・・、基板上に一様な磁場を印加しながら薄膜を作成するスパッタ装置に関する。」（第１頁右欄３〜５行）
１６−イ．「第１図に示す実施例を用いて本発明を説明する。図において、真空容器１は気密に保持され、図示しない給気系２と排気系３にバルブ４を介して接続されている。・・・給気系２によりアルゴン等の所望のガスを充気する。・・・。容器１には、２つの電極５，６が対向して配置され、絶縁支持物７，８を介して気密を保持しながら固定されている。さらにその表面上にスパッタされるべき、ここではパーマロイ等のターゲット１０，１１が張り合わされている。両電極５，６には直流、又は交流の電圧が印加され本実施例では高周波電源９により、高周波（通常１３．５６ＭＨｚ）の交流電圧が印加される。・・・注入された電力により封入ガス中でグロー放電が維持される。グロー放電により生成したイオンが負の電極側へ加速され電極前面のターゲットに衝突しターゲット内の原子をはじき出す・・・。ここでスパッタの効率向上のため電極５，６の背後には磁場発生手段、ここでは永久磁石がはりつけられ、ターゲット７，８の前面に第２図（ａ）、（ｂ）に矢印で示すループ状の磁界を形成している。・・・。また、接地電位の部材に、通常ガラス等の絶縁部材の基板１４が支持体１５で支持されている。」（第２頁右上欄１０行〜同右左下欄４行）として、第３頁には「第１図」が記載されており、この「第１図」から、電極５，６が所定の角度で対向して配置されて、高周波電源のアースに接続されていない２つの出力側がそれぞれ電極５，６に接続されていることが窺える。
　
３−４．当審の判断
（１）理由１について
（１−１）本件発明１について
（１−１−１）刊行物１に記載された発明との同一性について
　刊行物１の記載事項１−エ及びオには、「複数の高周波発振器を備えており、前記複数の高周波発振器は真空ポンプを備えたチャンバー内に設けられた一対の電極３，４と接続されており、電極３には基板が、電極４には並べて配置された薄膜組成を形成する成分からなる複数のターゲットが取り付けられ、高周波が印加されると、ターゲット上にプラズマが発生し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子が基板上に沈着し、チャンバー内にスパッタガスとしてＡｒ＋Ｏ２を供給可能になっている、基板上にＴｅＯから成る薄膜を形成するスパッタリング装置」が記載されていると云える。そして、かかる装置は、記載事項１−ア〜ウに記載された、各ターゲット組成のスパッタレートを測定する手段により測定されたスパッタレートと予め設定した基準値との比較結果に基づいて、複数の高周波発振器の出力に対しフィードバック制御を行なう装置の実施例として記載されていることからみて、この「電極４」は、複数のターゲットにそれぞれ制御された電圧を印加すべく、１つのターゲットが取り付けられるとともに１つの高周波発振器が接続され、電気的には互いに分離された複数の部分から構成されている、即ち、それぞれ１つの高周波発振器が接続され、電気的には互いに分離されている複数の部分から構成されていると云え、複数のターゲットが並べて配置されていることからみて、電極４を構成する複数の部分も並べて配置されていると云える。
　してみると、刊行物１には、下記の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると云える。
「複数の高周波発振器を備えており、前記複数の高周波発振器は真空ポンプを備えたチャンバー内に設けられた一対の電極３，４と接続されており、電極３には基板が、電極４には並べて配置された薄膜組成を形成する成分からなる複数のターゲットが取り付けられ、高周波が印加されると、ターゲット上にプラズマが発生し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子が基板上に沈着し、チャンバー内にスパッタガスとしてＡｒ＋Ｏ２を供給可能になっている、基板上にＴｅＯから成る薄膜を形成するスパッタリング装置において、前記複数の高周波発振器のアースに接続されていないそれぞれ１つの出力側を、電極４を構成する複数の部分のうち１つのターゲットを取り付けた１つの部分に接続し、該複数の部分は、チャンバー内のプラズマ空間中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されている、基板上にＴｅＯから成る薄膜を形成するスパッタリング装置。」
　本件発明１と刊行物１発明とを対比すると、後者における「高周波発振器」、「チャンバー」、「基板」は、各々、前者における「交流源」、「付着室」、「サブストレート」に相当する。また、後者における「チャンバー」は、真空ポンプを備えていることからみて、「排気可能」であると云え、さらに、後者における「ＴｅＯ」は電気絶縁材であり、後者における「スパッタガス」は、その組成からみてプロセスガスと反応性ガスであると云えるから、後者における「ＴｅＯから成る薄膜」は、電気絶縁材から成る反応性の膜であると云える。また、後者における「電極４」及び電極４を構成する「部分」は、ターゲットを取り付けられ、高周波が印加されるとターゲットがスパッタされることからみて、ターゲットと電気的に電気的に共働するカソードとして機能していると云える。そして、後者における「複数」は「２つ」を含むものであるから、両者は
「交流源を備えており、前記交流源は排気可能な付着室内に設けられたカソードと接続されており、前記カソードはターゲットと電気的に共働し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室内へプロセスガスと反応性ガス例えばアルゴンと酸素を供給可能になっている、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置において、
　ターゲットを支持する複数のカソードは、付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられている、
　サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置。」
で一致し、次の点で相違する。
（ｉ）本件発明１は、１つの交流源と２つのカソードを備えており、前記１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、それぞれ１つのカソードに接続しており、さらに、前記１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されるのに対し、刊行物１発明は、複数の高周波発振器と複数のカソードを備えており、複数の高周波発振器のアースに接続されていない出力側がそれぞれ複数のカソードに接続されている点。
（ii）本件発明１は、磁石を取囲むカソードを備えているのに対し、刊行物１発明におけるカソードには磁石に関する特定がない点。
（iii）本件発明１は、複数のカソードがそれぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しているのに対し、刊行物１発明は、かかる点が明確でない点。
　そして、本件訂正明細書の記載からみて、本件発明１は、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置される装置において、交流源の周波数をスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定したことにより、訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏するものであると云えるから、上記相違点（ｉ）で挙げた本件発明１の構成要件は本件発明１の本質的部分であり、上記相違点（ｉ）は実質的相違点であると云える。
　してみると、本件発明１は、相違点（ii）及び（iii）について検討するまでもなく、刊行物１に記載された発明であるとは云えない。
　
（１−１−２）刊行物２に記載された発明との同一性について
　刊行物２の記載事項２−アには、「高周波電源からの高周波電圧を、真空容器内に配されたターゲットに印加して、前記真空容器内の被処理物にスパッタ蒸着処理を施すものにおいて、複数のターゲットが前記真空容器内に配され、各ターゲットと他のターゲットとの相互間に一方のターゲットから出て他方のターゲットに入る磁力線を有する磁場を形成するための手段が設けられ、前記各ターゲットへの各印加電圧が互いに位相差をもつように前記高周波電源または前記伝送路が構成されていることを特徴とするスパッタ装置。」が記載されていると云え、記載事項２−イには、「複数のターゲットは所定個数のターゲットから成るグループに分けられ、同じグループに属する各ターゲット相互間に一方のターゲットから出て他方のターゲットに入る磁力線を有する磁場を形成するように前記磁場形成手段が設けられ、同じグループに属する各ターゲットへの各印加電圧が互いに位相差をもつように前記高周波電源または前記伝送路が構成されていること」が、記載事項２−オ及びカには、グループが２つのターゲットから成ること、この２つのターゲットが真空容器内のプラズマ空間中に並べて配置されていること、高周波電圧発生器に接続するトランスのアースに接続されていない２つの出力側をターゲットのそれぞれ１つに接続して、１８０度の位相差をもつ高周波電圧をこの２つのターゲットに印加すること、真空容器にはガス注入口及び排気口が設けられていることが記載されていると云える。また、記載事項２−ウ、キ及びケには、グループを形成する２つのターゲットのそれぞれに磁石が取り付けられていることが、記載事項２−クには、高周波電圧に印加により各ターゲットの表面付近にプラズマが形成されることが記載されている。こららの記載事項からみて、刊行物２には、下記の発明（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されていると云える。
「１つの高周波電圧発生器を備えており、前記高周波電圧発生器は真空容器内に配された磁石を備えたターゲットと接続されており、真空容器にはガス注入口が設けられている、被処理物にスパッタ蒸着処理を施す装置において、前記１つの高周波電圧発生器に接続するトランスのアースに接続されていない２つの出力側をそれぞれ１つのターゲットに接続し、この２つのターゲットが真空容器内のプラズマ空間中に並べて配置されている、被処理物にスパッタ蒸着処理を施す装置。」
　本件発明１と刊行物２発明を対比すると、後者における「高周波電圧発生器」、「真空容器」、「被処理物」は、各々、前者における「交流源」、「排気可能な付着室」、「基板」に相当する。また、後者における「高周波電圧発生器に接続するトランスのアースに接続されていない２つの出力端」は、前者における「交流源のアースに接続されていない２つの出力側」に相当すると云え、後者においても、２つのターゲットは電気的には互いに分離されて設けられていることは明らかである。さらに、後者において真空容器に「ガス注入口が設けられている」ことは、真空容器内にガスを供給可能であることを意味するものであり、後者における「被処理物にスパッタ蒸着処理を施す」ことは、ターゲットがスパッタされスパッタされた粒子が被処理物上に沈着することにより被処理物上に膜を付着することに他ならない。そして、刊行物２発明には「カソード」について何らの特定もない。よって、本件発明１と刊行物２発明を対比すると、両者は、
「１つの交流源を備えており、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室内にガスを供給可能になっている、サブストレート上に膜を付着する装置において、
　サブストレート上に膜を付着する装置。」
で一致し、次の点で相違する。
（iv）本件発明１は、交流源は排気可能な付着室内に設けられた磁石を取囲むカソードと接続されており、前記カソードはターゲットと電気的に共働するものであり、前記１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは、付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられているのに対し、刊行物２発明は、交流源は排気可能な付着室内に設けられた磁石を備えたターゲットと接続されており、前記１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、それぞれ１つのターゲットに接続し、２つのターゲットが、付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられているものである点。
（ｖ）本件発明１は、付着室内へ供給可能なガスが、プロセスガスと反応性ガス例えばアルゴンと酸素であり、サブストレート上へ電気絶縁材から成る反応性の膜を付着するものであるのに対し、刊行物２発明はかかる特定がない点。
（vi）本件発明１は、２つのカソードがそれぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しているのに対し、刊行物２発明はかかる点が明確でない点。
（vii）本件発明１は、１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されるのに対し、刊行物２発明は、高周波を用いるものである点。
　そして、本件発明１は（１−１−１）で述べたとおりのものであるから、上記相違点（vii）で挙げた本件発明１の構成要件は本件発明１の本質的部分を成すものであり、上記相違点（vii）は実質的相違点であると云えるから、上記相違点（iv）乃至（vi）について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物２に記載された発明であるとは云えない。
　
（１−１−３）刊行物１４に記載された発明との同一性について
　刊行物１４の記載事項１４−アには、コーティングされるサブストレート１は、ロータリーケージ２内に設けられ、サブストレート１とケージ２は密閉容器３内に配置されていること、各々の電極がケージ２の両側に配置され、そのうちの一方が外側カソード５，他方が内側カソード６とされていること、これらの電極５，６はターゲットを有するマグネトロンであり、ターゲットは消耗すること、及び、外側カソード５はイナートガス溶接機に接続された磁気漏れトランス９の２次側の一方のターミナル８に接続され、内側カソード６は該磁気漏れトランス９の２次側の他方のターミナル１１に接続されていることが記載されている。そして、「第１図」から、ターミナル８及び１１はアースに接続されていないこと、カソード５，６はサブストレート１を挟んで対向して配置され、電気的には互いに分離されて設けられていることが窺えることは上述のとおりである。また、記載事項１４−イには、スパッタガス又は反応性ガスが容器へ導入されること、及び、容器はガス排出口を有することが記載されている。さらに、記載事項１４−ウには、アルゴン、窒素及び／その他の反応性ガスが容器３へ導入され、コーティングを行うプラズマを発生させるために用いられること、外側カソード５と内側カソード６の間の交流電圧が５０Ｈｚであり、プラズマ粒子は５０Ｈｚのリズムで前後に脈動すること、及び、ターゲット又はカソード５，６が、例えば、チタンからなる場合は、ＴｉＮ層がサブストレート１に蒸着されることが記載されている。
　これらの記載事項からみて、刊行物１４には、下記の発明（以下、「刊行物１４発明」という。）が記載されていると云える。
「１つのイナートガス溶接機を備えており、前記イナートガス溶接機はガス排出口を有する密閉容器内に設けられたカソードと接続され、該カソードはターゲットを有するマグネトロンであり、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレートに沈着し、密閉容器内へアルゴン、窒素及び／その他の反応性ガスを供給可能となっている、サブストレート上にＴｉＮ層を付着する装置において、前記１つのイナートガス溶接機に接続された磁気漏れトランスのアースに接続されていない２つのターミナルをそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは密閉容器内にサブストレートを挟んで対向して配置され、電気的には互いに分離されて設けられ、前記１つのイナートガス溶接機の周波数はスパッタ工程の間プラズマ粒子がそのリズムで脈動し得る５０Ｈｚである、サブストレート上にＴｉＮ層を付着する装置。」
　本件発明１と刊行物１４発明とを対比すると、後者における「イナートガス溶接機」、「密閉容器」、「アルゴン、窒素及び／その他の反応性ガス」は、各々、前者における「交流源」、「付着室」、「プロセスガスと反応性ガス」に相当し、後者における「１つのイナートガス溶接機に接続された磁気漏れトランスのアースに接続されていない２つのターミナル」は、前者における「１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側」に相当する。また、後者における「カソードはターゲットを有するマグネトロンであ」ることは、カソードが磁石を備えるとともにターゲットを支持するものであることを云うものである。また、後者における密閉容器が「ガス排出口を有する」ことは該容器が排気可能であることを意味するものである。そして、後者における「プラズマ粒子がそのリズムで脈動し得る」ことは、イオンが交番電磁界に追従できることを意味するが、後者における「ＴｉＮ層」は反応性の膜であるとは云えるが電気絶縁材から成るものか否か明確でない。よって、両者は、
「１つの交流源を備えており、前記交流源は排気可能な付着室内に設けられた磁石を備えるカソードと接続されており、前記カソードはターゲットと電気的に共働し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室内へプロセスガスと反応性ガスを供給可能になっている、サブストレート上に反応性の膜を付着する装置において、
　前記１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは、付着室中のプラズマ空間の中に配置され、電気的には互いに分離されて設けられており、
　前記１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できる周波数に設定される、
　サブストレート上に反応性の膜を付着する装置。」
で一致し、次の点で相違する。
（viii）本件発明１は、磁石を取囲むカソードを備えるものであるのに対し、刊行物１４発明は、カソードは磁石を備えるものの、カソードと磁石の関係が特定されていない点。
（ix）本件発明１は、２つのカソードは、それぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しているのに対し、刊行物１４発明は、かかる点が明確でない点。
（ｘ）本件発明１は、反応性の膜が電気絶縁材から成るものであるのに対し、刊行物１４発明は、かかる点が明確でない点。
（xi）本件発明１は、２つのカソードが、互いに並べて配置され、かつ、１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されるのに対して、刊行物１４発明は、２つのカソードは付着室内にサブストレートを挟んで対向して配置されるものであり、１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、５０Ｈｚに設定される点。
　そして、本件発明１は（１−１−１）で述べたとおりのものであるから、上記相違点（xi）で挙げた本件発明１の構成要件は本件発明１の本質的部分であり、上記相違点（xi）は実質的相違点であると云える。
　してみると、本件発明１は、相違点（viii）乃至（ｘ）について検討するまでもなく、刊行物１４に記載された発明であるとは云えない。
　
（１−１−４）刊行物１６に記載された発明との同一性について
　記載事項１６−ア及びイからみて、刊行物１６には下記の発明（以下、「刊行物１６発明」という。）が記載されていると云える。
「１つの高周波電源を備えており、前記高周波電源は排気可能な真空容器内に設けられた背後に磁石がはりつけれた電極と接続されており、前記電極はターゲットと電気的に協働し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子が基板上に沈着し給気系により所望のガスを給気する、基板上に薄膜を付着する装置において、
　前記１つの高周波電源のアースに接続されていない２つの出力側をターゲットが張り合わされたそれぞれ１つの電極に接続し、２つの電極は、真空容器の中のプラズマ空間中に互いに所定の角度で対向して配置され、、電気的には互いに分離されて設けられている、基板上に薄膜を付着する装置。」
　本件発明１と刊行物１６発明とを対比すると、後者における「高周波電源」、「真空容器」、「基板」、「薄膜」は、各々、前者における「交流源」、「付着室」、「サブストレート」、「膜」に相当する。また、後者における「電極」がターゲットを支持していることは明らかであり、そのターゲットがスパッタされることからみて、この「電極」がカソードとして機能していると云える。さらに、後者における「電極」も磁石を備えたものであるとは云える。さらに、後者において給気系により給気されるガスについて特定はなく、また、膜の材質についても特定がない。してみると、両者は、
「１つの交流源を備えており、前記交流源は排気可能な付着室内に設けられた磁石を備えたカソードと接続されており、前記カソードはターゲットと電気的に共働し、ターゲットがスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室内へガスを供給可能になっており、サブストレート上に膜を付着する装置において、前記１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは、付着室中のプラズマ空間の中に配置され、電気的には互いに分離されて設けられている、サブストレート上に膜を付着する装置。」
で一致し、次の点で相違する。
（xii）本件発明１は、付着室内へ供給可能なガスが、プロセスガスと反応性ガス例えばアルゴンと酸素であり、サブストレート上へ電気絶縁材から成る反応性の膜を付着するものであるのに対し、刊行物１６発明はかかる特定がない点。
（xiii）本件発明１は、カソードは磁石を取囲むものであるに対し、刊行物１６発明は、カソードは磁石を備えたものではあるが、磁石を取囲むものであるとの特定がない点。　
（xiv）本件発明１は、２つのカソードは互いに並べて配置され、かつ、交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されるのに対し、刊行物１６発明は、２つのカソードは互いに所定の角度で対向して配置され、交流源の周波数は高周波である点。
（xv）本件発明１は、２つのカソードは、それぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しているのに対し、刊行物１６発明は、かかる点が明確でない点。　
　そして、本件発明１は（１−１−１）で述べたとおりのものであるから、上記相違点（xiv）で挙げた本件発明１の構成要件は本件発明１の本質的部分であり、上記相違点（xiv）は実質的相違点であると云える。
　してみると、本件発明１は、相違点（xii）、（xiii）及び（xv）について検討するまでもなく、刊行物１６に記載された発明であるとは云えない。
　
（１−１−５）本件発明１の容易性について
　本件訂正明細書の記載からみて、本件発明１は、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置されること、及び、交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることという２つの構成要件をともに備えることにより、訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏するものであると云えるところ、上記（１−１−１）乃至（１−１−４）で述べたとおり、刊行物１，２，１４，１６にはかかる２つの構成要件をともに備えた発明は記載されていない。
　さらに、これらの構成要件について他の刊行物に記載された事項を検討すると、刊行物３、７、８、１３、１５及び１７には、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、それぞれ１つのターゲット又はターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのターゲット又はカソードは付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置されるスパッタリング装置が実質的に記載されていると云えるが、これらの刊行物には、交流源の周波数が、スパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることは記載も示唆もされていない。
　また、刊行物６、９、１２、１８乃至２０には、２つ又はそれ以上の数のターゲット又はカソードが付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置されるスパッタリング装置が実質的に記載されていると云えるが、これらの刊行物には、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、それぞれ１つのターゲット又はターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続すること自体記載されていないし、これらの刊行物には、交流源として、周波数が、スパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されたものを用いることについては記載も示唆もない。
　刊行物１０には、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、それぞれ１つのターゲット電極に接続し、２つのターゲット電極は付着室中のプラズマ空間の中に配置されるスパッタリング装置が記載されていると云えるが、この２つのターゲット電極は、互いに所定の角度で対向して設けられたものであり、互いに並べて設けられたものではなく、刊行物１０には、交流源として、周波数が、スパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されたものを用いることについては記載も示唆もされていない。
　刊行物５及び２３には、２つ又はそれ以上の数のターゲット又はカソードが付着室中のプラズマ空間の中に配置されるスパッタリング装置が実質的に記載されていると云えるが、これらのターゲット又はカソードは、互いに所定の角度で対向して設けられたものであり、互いに並べて設けられたものではなく、また、刊行物５及び２３には、２つのターゲット又はカソードが、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側に接続されることについて何らの記載もない。
　刊行物２１には、２つのターゲットが付着室中のプラズマ空間の中に配置されるスパッタリング装置が実質的に記載されていると云えるが、これらのターゲットは、基板を挟んで対向して設けられたものであり、互いに並べて設けられたものではなく、また、刊行物２１には、２つのターゲットが、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側に接続されることについて何らの記載もない。
　刊行物４及び１１には、スパッタリング装置が記載されてはいるが、２つのカソードを用いること自体記載されていない。
　また、刊行物２２には、反応性スパッタリングについて記載されているが、スパッタリング装置について具体的記載はない。
　してみると、本件発明１は、上記のとおり２つの構成要件をともに備えることにより、訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏するものであるから、刊行物３〜１３、１５、１７〜２３に記載された事項を考慮しても、刊行物１乃至２３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると云うことはできない。
　なお、申立人Ａが提出した特許異議申立書に、甲第１４号証として文献名が記載され、その翻訳文の一部のみが添付されていた「増強された割合における誘電体成膜のための準直流スパタリング技術」Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ−Ａ６（３），Ｍａｙ／Ｊｕｎ　１９８８　１８４５〜１８４８頁、の記載を検討すると、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を２つのターゲットに接続し、８０ｋＨｚの交流を印加してスパッタリングを行う場合におけるＡｌＮの成膜率は１３．５６ＭＨｚの交流を印加する場合より高いことが記載されているとは云えるが、実験に使われたスパッタリング装置は、1つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側から電圧が印加される２つのターゲットが基板を挟んで対向して配置されたものであり、これらのターゲットは「互いに並べて配置され」たものではない。そして、この文献の記載を検討しても、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードが付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置された装置における交流源の周波数として、この文献に記載された８０ｋＨｚの周波数を設定する根拠を見出すことができない。
　してみると、この文献の記載を考慮しても、本件発明１は、当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
　
（１−２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１をさらに限定したものであるから、上記の本件発明１についての判断と同様の理由により、刊行物１，２，１４又は１６に記載された発明であるとも、刊行物１乃至２３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも云えない。
　
（２）理由２について
　当審が取消理由で通知した本件明細書の記載不備の内容は、（ア）特許明細書の請求項３乃至６には不明確な記載があること、及び、（イ）本件特許明細書には特許明細書の請求項１乃至６に係る発明のどの構成要件のどのような作用により課題が解決されたのか記載されていないため、本件特許明細書には当業者が容易に実施し得る程度に特許明細書の請求項１乃至６に係る発明が記載されていないというものである。
　そして、上記のとおり平成１７年７月６日付けの訂正請求が認められたことにより、特許明細書の請求項３乃至６が削除され、上記（ア）の理由は解消した。
　また、（イ）の理由も、訂正明細書には、訂正後の本件発明１及び２に対応する【発明が解決しようとする課題】、【課題を解決するための手段】及び実施例が記載されているのであるから、訂正明細書の記載は当業者が本件発明１及び２を容易に実施し得ないものであるとまで云うことはできない。
　
３−５．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由で通知した理由によっては本件発明１及び２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１及び２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月１３日（２００５．７．１３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
サブストレート上に反応性の膜を付着する装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】１つの交流源（１０）を備えており、前記交流源（１０）は排気可能な付着室（１５，１５ａ）内に設けられた磁石（１９，１９ａ，１９ｂまたは１９ｃ，１９ｄ，１９ｅ）を取囲むカソード（５，５ａ）と接続されており、前記カソードはターゲット（３，３ａ）と電気的に共働し、ターゲット（３，３ａ）がスパッタされそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し前記付着室（１５，１５ａ）内へプロセスガスと反応性ガス例えばアルゴンと酸素を供給可能になっている、
サブストレート上に電気絶縁材から成る
　前記１つの交流源（１０）のアースに接続されていない２つの出力側（１２，１３）を、ターゲット（３，３ａ）を支持するそれぞれ１つのカソード（５，５ａ）に接続し、２つのカソード（５，５ａ）は
、付
のプラズマ空間（１５）の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて
　
該２つのカソード（５，５ａ）は、
しており、
　
前記１つの交流源（１０）の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定される
　
サブストレート上に電気絶縁材から成る
　【請求項２】各ターゲット（３，３ａ）はアルミニュウム，珪素，チタン，タンタル，亜鉛，錫，ジルコンあるいはこれらの物質の化合物から成り、スパッタ工程の間付着室をアルゴンを含有する雰囲気に調整し、膜（２，２′，２″）は酸素及び／又は窒素の添加の下に選択されたターゲットの物質に応じてＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯｘＮｙ，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＺｎＯまたはＺｒＯ２としてスパッタされることを特徴とする請求項１に記載のサブストレート上に反応性の膜を付着する装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、電気絶縁材例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２），交流源を備えており、前記交流源は排気可能な付着室内に配置された電極と接続され、前記電極はターゲットと電気的に接続され、ターゲットがスパッタされてそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し、付着室内へプロセスガスと反応性ガスとを供給することが可能である、サブストレート上に電気絶縁材、例えば二酸化珪素から成る反応性の膜を付着する装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　カソードスパッタリング及び反応性ガスに対して親和性の高い物質を用いた従来のサブストレート上に膜を付着する方法では、サブストレートの他にプロセス室の内壁あるいはシャッタの部分あるいはターゲットの表面といった装置の部品自体にも非導電性あるいは導電性の低い物質の膜が付着し、屡々プロセスパラメータが変化されかつ特にフラッシュオーバをも発生するため、しばしばプロセスの中断やまたクリーニングあるいは装置の部品の交換が必要となるという問題があった。
　【０００３】
　高周波、例えば１３，５６ＭＨｚで作動するスパッタ装置は公知であり（米国特許第３，８６０，５０７号明細書）、このスパッタ装置ではプロセス室内に互いに直径方向に対向している２つのターゲットを設け、これらターゲットはそれぞれ電極を介して交流トランスの２次巻線の２つの出力側と接続され、２次巻線は中央のタップを有し、この中央タップは２つのターゲットの間でグロー放電が生じるように、プロセス室の内壁に電気的に接続されている。
　【０００４】
　さらにプラズマから形成された物質でサブストレート上に膜を付着する装置は公知であり（ドイツ特許公開第３８０２８５２号公報）、この装置では、第１の電極と第２の電極との間にサブストレートを設け、第１の電極は交流源の第１の端子にそして第２の電極は交流源の第２の端子に接続されている。この場合交流源は磁気漏れトランスとして形成されており、この磁気漏れトランスはイナートガス溶接機あるいは同じような制御された交流源に使用されている。さらに２つの電極は場合によって直流の給電源と接続することも可能である。
　【０００５】
　最後に、磁石系とその上に配置された少なくとも２つの電極から成るスパッタリング装置が公知であり（東独特許公開第２５２２０５号公報）、この電極は、スパッタされるべき物質から成っており、これらの電極が交互にガス放電のカソードとアノードとなるように接続されており、その際電極は有利には５０Ｈｚの正弦波交流電圧に接続されている。この場合、各電極には独自の磁石系が対応して設けられており、一方の磁石系の１つの磁極が同時に隣接する磁石系の磁極であって、かつこれらの電極はひとつの平面内に配置されている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の課題は、反応性ガスに対して比較的親和性の高い物質のスパッタのための、均一で安定したプロセスが可能でかつ作動時間が長い場合であっても障害が生じたりとりわけフラッシュオーバが生じたりすることなく作動し、例えばＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＮｉＳｉ２酸化物、ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，ＺｎＯ，ＳｎＯ２，Ｓｉ３Ｎ４というような絶縁膜を形成する場合、この膜をサブストレート上に確実に付着する装置を提供することにある。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　この課題は、１つの交流源のアースに接続されていない２つの出力側を、ターゲットを支持するそれぞれ１つのカソードに接続し、２つのカソードは、付着室中のプラズマ空間の中に互いに並べて配置され、電気的には互いに分離されて設けられており、該２つのカソードは、それぞれ対向するサブストレートに対してほぼ等しい空間的距離を有しており、前記１つの交流源の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるよう、１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数に設定されることを特徴とする、サブストレート上に電気絶縁材から成る反応性の膜を付着する装置により解決される。
　【０００８】
　本発明により種々の実施例が可能であり、その１つを図を用いてより詳細に説明する。
　【０００９】
　【実施例】
　図１には、例えば二酸化珪素あるいは酸化アルミニウムである酸化物から成る薄膜２，２′，２″をそれぞれ有するサブストレート１，１′，１″が支持体２７上に設けられている。スパッタされるべきターゲット３，３ａはこれらのサブストレート１，１′，１″に対向して設けられている。ターゲット３，３ａはそれぞれカソード体１１，１１ａと接合されており、カソード体１１，１１ａは、それぞれ３つの磁石１９，１９ａ，１９ｂあるいは１９ｃ，１９ｄ，１９ｅを有する磁石ヨーク１１ｂ，１１ｃを収容している。
　【００１０】
　６個の磁石の磁極のターゲット３，３ａへ向いた極性は交番するので、それぞれ２つの外側の磁石１９，１９ｂまたは１９ｃ，１９ｅのＳ極はそれぞれ内側にある磁石１９ａまたは１９ｄのＮ極と共に、ターゲット３，３ａ上にほぼ円弧状の磁場を発生する。これらの磁場はターゲットの前でプラズマを密にし、その結果プラズマは磁場が円弧の最大値をとるところで、最大の密度を有する。プラズマの中のイオンは電源１０から供給される交流電圧によって生ずる電界によって加速される。
　【００１１】
　この交流源１０は、トランス２次巻線２５の端部から形成されかつ２つのカソード５，５ａに接続される２つ端子１２，１３を有している。トランス２次巻線の２つの導体８，９は、２つのターゲット３，３ａに接続されている。
　【００１２】
　さらにターゲット３は導線１４を介してアースに接続された電圧実効値検出器２０に接続されており、電圧実効値検出器２０はさらに別の導線２１を介して調整器１６に接続されており、調整器１６は導線１７を介して制御弁１８に接続され、制御弁１８は貯蔵容器２２内の反応性ガスの真空室１５，１５ａの分配管２４への流入を制御する。
　【００１３】
　付着室１５，１５ａはリング状またはフレーム状の遮断板ないしシャッタ（アノード）４を備え、シャッタ４はスリット６を有し、このスリット６を通って分配管２４からのプロセスガスが矢印方向に付着室１５内へ流入可能である。さらにシャッタ４の下側の縁部は冷却管７により囲繞されており、冷却管７を通って冷却剤が流れシャッタの加熱を防止する。
　【００１４】
　交流源１０の周波数はスパッタ工程の間、イオンが交番電磁界に追従できるように選ばれており、それは約１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数である。
　【００１５】
　導線１４を介して取り出される放電電圧は電圧実効値検出器２０を用いて導線２１を介して直流電圧として調整器１６に供給され、調整器１６は、測定された電圧により必要な反応性ガスの量を決定できるように、導線１７を介して反応性ガスの供給のための電磁弁１８を制御する。
　【００１６】
　なおプロセスガスは貯蔵容器２３の中に貯蔵されており、制御弁２８を介して分配管に供給される。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による２つのマグネトロンスパッタカソードを有するスパッタ装置の断面図である。
　【符号の説明】
　１，１′，１″　サブストレート
　３，３ａ　ターゲット
　４　シャッタ
　５，５ａ　カソード
　１０　交流源
　１１，１１ａ　カソード体
　１１ｂ，１１ｃ　磁石ヨーク
　１６　調整器
　１９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ，１９ｅ　磁石
　２０　電圧実効値検出器
　２２　反応性ガスの貯蔵容器
　２３　プロセスガスの貯蔵容器
　２４　分配管
　２５　トランス２次巻線