【事件の表示】
　特許第３１７８５１９号「半導体デバイス及びその製造方法」の請求項１〜６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７８５１９号の請求項１〜６に係る特許を取り消す。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３１７８５１９号（平成１０年７月２１日出願、平成１３年４月１３日設定登録）は、異議申立人大和田百合子により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年２月１０日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項１
　請求項１に記載の「前記封止樹脂は、」を「前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂は、」に訂正する。
（１−２）訂正事項２
　請求項２に記載の「前記封止樹脂は、」を「前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂は、」に訂正する。
（１−３）訂正事項３
　請求項４に記載の「前記封止樹脂形成工程では、」を「前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂形成工程では、」に訂正する。
（１−４）訂正事項４
　請求項５に記載の「前記封止樹脂形成工程では、」を「前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂形成工程では、」に訂正する。
（１−５）訂正事項５
　発明の詳細な説明の段落０００９に記載の「前記封止樹脂は、」を「前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂は、」に訂正し、段落００１０の「前記封止樹脂は、」を「前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂は、」に訂正し、段落００１２の「前記封止樹脂形成工程では、」を「前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂形成工程では、」に訂正し、段落００１３の「前記封止樹脂形成工程では、」を「前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂形成工程では、」に訂正する。
　
（２）訂正の適否
（２−１）訂正事項１、３は、凹部の深さを限定したものであって、図面の図１及び明細書の段落００１７、段落００２６の記載に基づくものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−２）訂正事項２、４は、第２の凹部の深さを限定したものであって、図面の図４及び明細書の段落００１７、段落００３１の記載に基づくものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−３）訂正事項５は、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合を図るためのものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項（２−１）〜（２−３）については、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であって、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）本件発明
　上記［２］に示したとおり訂正が認められるから、本件特許の訂正後の請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１〜６」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　一主面の所定箇所に配線パターンが形成された基板と、センシティブエリアを有し、且つ該センシティブエリア側の電極が前記配線パターンに接続されることで前記基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、前記基板及び前記半導体チップの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、前記基板における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺には凹部が設けられ、前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂は、前記基板及び前記半導体チップの間の前記センシティブエリア周囲を含む前記凹部に向かう局部に空間部を形成した上で該凹部の周辺に形成されたことを特徴とする半導体デバイス。
　　【請求項２】　中間層の所定箇所に配線パターンが形成され、且つチップ収納用に局部を取り除いて該配線パターンを露呈させて形成された第１の凹部を有する基板と、センシティブエリアを有し、且つ前記第１の凹部内に収納された状態で該センシティブエリア側の電極が前記配線パターンに接続されることで前記基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、前記基板の前記第１の凹部内における前記半導体チップとの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、前記基板の前記第１の凹部内における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺には第２の凹部が設けられ、前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂は、前記基板の前記第１の凹部内であって、且つ前記半導体チップとの間の前記センシティブエリア周囲を含む前記第２の凹部に向かう局部に空間部を形成した上で該第２の凹部の周辺に形成されたことを特徴とする半導体デバイス。
　　【請求項３】　請求項２記載の半導体デバイスにおいて、前記封止樹脂は、前記半導体チップの表面を埋設するように前記第１の凹部の周縁を含んで該第１の凹部の周縁よりも突出して形成されたことを特徴とする半導体デバイス。
　　【請求項４】　一主面の所定箇所に配線パターンが形成された基板における該配線パターンに対し、センシティブエリアを有する半導体チップの該センシティブエリア側の電極を接続することで該基板に対して該半導体チップを隙間を持たせて実装するチップ実装工程と、前記基板及び前記半導体チップの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程とを有する半導体デバイスの製造方法において、前記チップ実装工程は、予め前記基板における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺に凹部を形成する凹部形成工程を含み、前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂形成工程では、前記基板及び前記半導体チップの間の前記センシティブエリア周囲を含む前記凹部に向かう局部に空間部が形成されるように該凹部の周辺に前記封止樹脂を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
　　【請求項５】　中間層の所定箇所に配線パターンが形成され、且つチップ収納用に局部を切り欠いて該配線パターンを露呈させて形成した第１の凹部を有する基板における該配線パターンに対し、センシティブエリアを有する半導体チップの該センシティブエリア側の電極を該第１の凹部内に収納した状態で接続することで該基板に対して該半導体チップを隙間を持たせて実装するチップ実装工程と、前記基板の前記第１の凹部内における前記半導体チップとの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程とを含む半導体デバイスの製造方法において、前記チップ実装工程は、予め前記基板の前記第１の凹部内における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺に第２の凹部を形成する凹部形成工程を含み、前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、前記封止樹脂形成工程では、前記基板の前記第１の凹部内であって、且つ前記半導体チップとの間の前記センシティブエリア周囲を含む前記第２の凹部に向かう局部に空間部が形成されるように該第２の凹部の周辺に前記封止樹脂を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
　　【請求項６】　請求項５記載の半導体デバイスの製造方法において、前記封止樹脂形成工程では、前記封止樹脂を前記半導体チップの表面を埋設するように前記第１の凹部の周縁を含んで該第１の凹部の周縁よりも突出させて形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
　
（２）引用刊行物の記載事項
　当審が平成１４年１１月２７日付で通知した取消理由において引用した刊行物１、２の記載事項は以下のとおりである。
　
（２−１）刊行物１
　刊行物１の特開平９−２６０４２６号公報には、多層配線基板の１面にベアチップが実装された実装基板及びその実装方法に関する発明が図１、５とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　「図１において、２０は全体として第１実施例による実装基板を示し、一面２１Ａに凹部２１Ｂを有するマザーボード２１の当該一面２１Ａに、凹部２１Ｂを塞ぐようにベアチップ２２が当該ベアチップ２２の回路面２２Ａの最外周に沿って複数設けられたパッド２３とそれぞれマザーボード２１の一面２１Ａに対応させて設けられたランド２４とを高融点はんだでなるバンプ２５を介して接合されて実装されている。またベアチップ２２の回路面２２Ａとマザーボード２１の一面２１Ａとの間の隙間には、当該マザーボード２１の凹部２１Ｂと対向するベアチップ２２の回路面２２Ａの所定領域との間に中空部２６を有し、かつ各バンプ２５を埋め込むように絶縁性樹脂２７が充填されており、これによりベアチップ２２が封止されている。」（段落００２９）
　「ベアチップ２２の回路面２２Ａとマザーボード２１の一面２１Ａとの間の隙間に所定の粘性を有する絶縁性樹脂２７を充填する。この場合絶縁性樹脂２７は、毛細管現象によってマザーボード２１の凹部２１Ｂの開口２１Ｃから当該凹部２１Ｂ内には充填されず、各バンプ２５を埋め込むようにこれら各バンプ２５の周辺部のみ充填される。・・・ベアチップ２２の回路面２２Ａの所定領域が中空部２６に露出され、かつ絶縁性樹脂２７によってベアチップ２２が封止された状態で当該ベアチップ２２をマザーボード２１の１面２１Ａに実装することができる。」（段落００４０）
　「これらベアチップ２２の回路面２２Ａとマザーボード２１の一面２１Ａとの間の隙間に絶縁性樹脂２７を充填してマザーボード２１の凹部２１Ｂとベアチップ２２の回路面２２Ａの所定領域との間に中空部２６を形成するようにしたことにより、・・・当該ベアチップ２２の回路面２２Ａの所定領域に形成された配線パターン及び受動素子を空気中に露出させた状態において設計した場合と同様の状態にすることができ、かくして配線パターン及び受動素子の特性インピーダンス等の定数を設計値のまま維持することができる。」（段落００４３）
　「図５に示すように、実装基板７０においては、マザーボード７１が複数の段差面７１Ａ及び７１Ｂを有する凹部７１Ｃを有し、この凹部７１Ｃにおいては段差面７１Ａとマザーボード７１の一面７１Ｄとによって区切られる直方体形状でなる空間領域７２の形状及び大きさが実装対象のベアチップ７３の形状及び大きさに応じて選定されている。またこの凹部７１Ｃでは、底面となる段差面７１Ｂがベアチップ７３の回路面７３Ａよりも一周り小さい形状及び大きさに選定されている。さらに段差面７１Ａ上にはベアチップ７３の回路面７３Ａに複数設けられたパッド７４に対応させて複数のランド７５が設けられ、これら各ランド７５上には共晶はんだでなるはんだプリコート層７６が積層形成されている。ベアチップ７３の回路面７３Ａの各パッド７４上には、それぞれＢＬＭ膜層７７が積層形成され、当該ＢＬＭ膜層７７上には高融点はんだでなるバンプ７８が形成されている。
　これによりこの実装基板７０においては、マザーボード７１の凹部７１Ｃにベアチップ７３を落とし込むようにして当該ベアチップ７３の各パッド７４とそれぞれ段差面７１Ａ上の対応するランド７５とをバンプ７８を介して接合すると共に、マザーボード７１の凹部７１Ｃの段差面７１Ｂとベアチップ７３の回路面７３Ａとの間に中空部７９を有するように、当該凹部７１Ｃに絶縁性樹脂８０を充填することにより当該ベアチップを封止する。」（段落００６１、段落００６２）
　
　以上をまとめると、刊行物１には、マザーボードに配線パターンを形成し、回路面を有するベアチップの回路面側の電極を配線パターンに接続し、マザーボードとベアチップとの間の隙間に封止樹脂を充填して樹脂封止を行い、マザーボードの回路面に対向する位置の周辺に凹部を設け、これにより封止樹脂が毛細管現象により凹部内に充填されないようにして、マザーボードの凹部と対向するベアチップの回路面との間に中空部を形成し、かつ各バンプを埋め込むように封止樹脂を充填した実装基板（以下、「発明Ａ」という。）が記載され、また、マザーボードにベアチップを収納する第１の凹部を形成し、この凹部内にベアチップを収納して、ベアチップの回路面側の電極を配線パターンに接続し、マザーボードとベアチップの間の隙間を樹脂封止した実装基板において、第１の凹部内にあるベアチップの回路面に対向する位置の段差面に一周り小さい第２の凹部を設け、ベアチップの回路面と第２の凹部との間に空間部を形成するように、第２の凹部の周辺の第１の凹部内に封止樹脂を充填した実装基板（以下、「発明Ｂ」という。）が記載されている。
　
（２−２）刊行物２
　刊行物２の特開平８−４６０８５号公報の図６には、図１を参照すると、ＢＧＡタイプのパッケージ構造を有する半導体装置に関し、半導体素子の表面を埋設するように、多層プリント基板に設けた、半導体素子を収納する収納部の上部に形成した環状凹部の周縁を含んで、この環状凹部の周縁よりも突出して形成された封止樹脂が記載されている。
　
（３）対比・判断
（３−１）本件発明１
　本件発明１と刊行物１に記載の発明Ａとを対比すると、刊行物１に記載の「回路面」、「実装基板」は本件発明１の「センシティブエリア」、「半導体デバイス」に相当するから、両者は、「一主面の所定箇所に配線パターンが形成された基板と、センシティブエリアを有し、且つ該センシティブエリア側の電極が前記配線パターンに接続されることで前記基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、前記基板及び前記半導体チップの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、前記基板における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺には凹部が設けられ、前記封止樹脂は、前記基板及び前記半導体チップの間の前記センシティブエリア周囲を含む前記凹部に向かう局部に空間部を形成した上で該凹部の周辺に形成された半導体デバイス。」の点で一致するものの、本件発明１が「凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、樹脂が凹部に浸透し難くして」いるのに対し、刊行物１に記載の発明はそのようなものか否か分からない点で相違する。
　そこで上記相違点について検討すると、刊行物１に記載の発明Ａは、本件発明１と同様に、封止樹脂をベアチップの回路面とマザーボードの一面との間の隙間に封止樹脂を充填する際、封止樹脂が、毛細管現象によってマザーボードの凹部の開口から凹部内には充填しないようにしたものであるから、封止樹脂が凹部内に充填されないように凹部の高さを調節することは当然に行うべきことである。しかも、請求項１の記載では、「所定寸法」の深さとはどの程度の寸法を示すのか、また「所定寸法より深くする」とはどの程度の深さにするのか、いずれも明確でない。
　してみると、本件発明１の上記相違点については、刊行物１に記載の凹部の深さを、封止樹脂が凹部内に充填されないように所定寸法より深くするようなことは適宜に設計できる程度の事項にすぎないから、本件発明１は、刊行物１に記載された発明Ａに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−２）本件発明２
　本件発明２と刊行物１に記載の発明Ｂとを対比すると、両者は「第１の凹部を有する基板と、センシティブエリアを有し、且つ前記第１の凹部内に収納された状態で該センシティブエリア側の電極が前記配線パターンに接続されることで前記基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、前記基板の前記第１の凹部内における前記半導体チップとの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、前記基板の前記第１の凹部内における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺には第２の凹部が設けられ、前記封止樹脂は、前記基板の前記第１の凹部内であって、且つ前記半導体チップとの間の前記センシティブエリア周囲を含む前記第２の凹部に向かう局部に空間部を形成した上で該第２の凹部の周辺に形成された半導体デバイス」の点で一致するものの、（ａ）本件発明２の基板が、中間層の所定箇所に配線パターンが形成され、且つチップ収納用に局部を取り除いて配線パターンを露呈させて形成されているのに対し、刊行物１に記載の発明Ｂのマザーボードはそのようなものではない点、（ｂ）本件発明２が「第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、樹脂が第２の凹部に浸透し難くして」いるのに対し、刊行物１に記載の発明Ｂはそのようなものか否か分からない点で相違する。
　そこで上記相違点について以下検討する。
　相違点（ａ）については、刊行物１には、マザーボードに多層配線基板を用いたものが第１、２実施例などに記載され、いずれも中間層の配線パターンを露呈させて凹部を形成しているから、刊行物１に記載の発明Ｂのマザーボードについてもこのような多層配線基板を用いて、中間層の所定箇所に配線パターンを形成し、且つチップ収納用に局部を取り除いて配線パターンを露呈するようなことは容易に想到することができたものである。
　相違点（ｂ）については、上記（３−１）に記載したとおり、刊行物１に記載の第２の凹部の深さを、封止樹脂が第２の凹部内に充填されないように所定寸法より深くするようなことは適宜に設計できる程度の事項にすぎない。
　したがって、本件発明２は、刊行物１に記載された発明Ｂに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−３）本件発明３
　本件発明３は本件発明２を引用する発明であって、刊行物２には、刊行物１に記載の発明Ｂと同様の実装基板であって、多層プリント基板の半導体素子を収納する収納部に充填した封止樹脂について、半導体素子の表面を埋設するように収納部の周縁を含んで収納部の周縁よりも突出して形成することが記載されている。
　してみると、刊行物１に記載の発明Ｂの封止樹脂を、刊行物２に記載のように、ベアチップの表面を埋設するように凹部の周縁を含んで凹部の周縁よりも突出して形成することは容易に想到することができたものである。
　したがって、本件発明３は、刊行物１に記載された発明Ｂ及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−４）本件発明４
　本件発明４は、本件発明１の半導体デバイスの発明を、チップ実装工程と封止樹脂形成工程とを有する半導体デバイスの製造方法の発明としたものであって、本件発明４と刊行物１に記載の発明Ａとの対比、判断は、上記（３−１）に記載したものと同様である。
　したがって、本件発明４は、刊行物１に記載された発明Ａに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−５）本件発明５
　本件発明５は、本件発明２の半導体デバイスの発明を、チップ実装工程と封止樹脂形成工程とを有する半導体デバイスの製造方法の発明としたものであって、本件発明５と刊行物１に記載の発明Ｂとの対比、判断は、上記（３−３）に記載したものと同様である。
　したがって、本件発明５は、刊行物１に記載された発明Ｂに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−６）本件発明６
　本件発明６は本件発明５を引用する発明であって、上記（３−３）に記載したものと同様に、刊行物１に記載の発明Ｂの封止樹脂を、刊行物２に記載のように、ベアチップの表面を埋設するように凹部の周縁を含んで凹部の周縁よりも突出して形成することは容易に想到することができたものである。
　したがって、本件発明６は、刊行物１に記載された発明Ｂ及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜６の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年７月７日（２００３．７．７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体デバイス及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　一主面の所定箇所に配線パターンが形成された基板と、センシティブエリアを有し、且つ該センシティブエリア側の電極が前記配線パターンに接続されることで前記基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、前記基板及び前記半導体チップの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、前記基板における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺には凹部が設けられ、
前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、
　【請求項２】　中間層の所定箇所に配線パターンが形成され、且つチップ収納用に局部を取り除いて該配線パターンを露呈させて形成された第１の凹部を有する基板と、センシティブエリアを有し、且つ前記第１の凹部内に収納された状態で該センシティブエリア側の電極が前記配線パターンに接続されることで前記基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、前記基板の前記第１の凹部内における前記半導体チップとの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、前記基板の前記第１の凹部内における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺には第２の凹部が設けられ、
前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、
　【請求項３】　請求項２記載の半導体デバイスにおいて、前記封止樹脂は、前記半導体チップの表面を埋設するように前記第１の凹部の周縁を含んで該第１の凹部の周縁よりも突出して形成されたことを特徴とする半導体デバイス。
　【請求項４】　一主面の所定箇所に配線パターンが形成された基板における該配線パターンに対し、センシティブエリアを有する半導体チップの該センシティブエリア側の電極を接続することで該基板に対して該半導体チップを隙間を持たせて実装するチップ実装工程と、前記基板及び前記半導体チップの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程とを有する半導体デバイスの製造方法において、前記チップ実装工程は、予め前記基板における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺に凹部を形成する凹部形成工程を含み、
前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、
とする半導体デバイスの製造方法。
　【請求項５】　中間層の所定箇所に配線パターンが形成され、且つチップ収納用に局部を切り欠いて該配線パターンを露呈させて形成した第１の凹部を有する基板における該配線パターンに対し、センシティブエリアを有する半導体チップの該センシティブエリア側の電極を該第１の凹部内に収納した状態で接続することで該基板に対して該半導体チップを隙間を持たせて実装するチップ実装工程と、前記基板の前記第１の凹部内における前記半導体チップとの間の前記隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程とを含む半導体デバイスの製造方法において、前記チップ実装工程は、予め前記基板の前記第１の凹部内における前記センシティブエリアに対向する位置の周辺に第２の凹部を形成する凹部形成工程を含み、
前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、
　【請求項６】　請求項５記載の半導体デバイスの製造方法において、前記封止樹脂形成工程では、前記封止樹脂を前記半導体チップの表面を埋設するように前記第１の凹部の周縁を含んで該第１の凹部の周縁よりも突出させて形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、主として高周波デバイスである半導体チップの基板への実装に際して樹脂封止したフリップチップ封止構造を有すると共に、周波数特性の優れた半導体デバイス及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】従来、この種のフリップチップ封止構造を有する半導体デバイスとしては、例えば図５の側面断面図に示すような構成のものが挙げられる。この半導体デバイスは、基板１に設けられた所定の配線パターン２に対し、トランジスタ等が形成されたセンシティブエリア６を有するフリップチップとしての半導体チップ５の電極４をパンブ３を介在させた上で接続することで基板１に対して半導体チップ５を隙間を有するように実装を行った後、基板１及び半導体チップ５の間の隙間に配線パターン２，パンブ３，並びに電極４が埋設されるように樹脂を流し込んで樹脂封止を行うことで封止樹脂７を形成して構成されている。
　【０００３】ところが、こうした半導体デバイスでは、製造時の樹脂封止に際してしばしば半導体チップ５のセンシティブエリア６が封止樹脂７により満たされてしまうことがあり、こうした場合には封止樹脂７の材料特性である誘電率や誘電損失が半導体チップ５の電気的特性に大きく影響し、その結果として所望の周波数特性が得られなくなってしまう。こうした影響は、特に数ＧＨｚ〜百ＧＨｚ帯域において高周波に及ぶ程大きくなる傾向がある。
　【０００４】そこで、半導体チップ５のセンシティブエリア６に封止樹脂７が浸入しないように対策することで高周波特性の劣化防止を計ったフリップチップ封止構造も提案されている。
　【０００５】図６は、このようなフリップチップ封止構造を有する半導体デバイスの基本構成を示した側面断面図である。この半導体デバイスでは、基板１及び半導体チップ５の間に配線パターン２，パンブ３，並びに電極４による各部材の厚さと同じ厚さの筒状のゴムシート８を設けてセンシティブエリア６の周囲をシールし、樹脂封止に際してセンシティブエリア６の周囲を含むゴムシート８内に空間部９が形成される構造とすることにより、センシティブエリア６に対する封止樹脂７の浸入を防止している。
　【０００６】因みに、図６に示した半導体デバイスは、特開平９−２３２３６６号公報に開示された半導体チップの実装装置及びその実装方法において提案されたものであるが、その他の高周波特性の劣化防止を対策した半導体デバイスに関連する周知技術としては、例えば特開平４−３３４０４９号公報に開示された半導体装置用パッケージ及びそれを用いた半導体装置等が挙げられる。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】上述した図６に示すフリップチップ封止構造の半導体デバイスの場合、半導体チップのセンシティブエリアに対する封止樹脂の浸入を防止するためにゴムシートを用いているが、こうした構成では部品点数や製造工数が増大して部品管理や製造の手間がかってしまうため、結果として製品のコストアップを来してしまうという問題がある。
　【０００８】本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、容易にして適確に半導体チップのセンシティブエリアに対する封止樹脂の浸入を防止し得るフリップチップ封止構造の半導体デバイス及びその製造方法を提供することにある。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】本発明によれば、一主面の所定箇所に配線パターンが形成された基板と、センシティブエリアを有し、且つ該センシティブエリア側の電極が配線パターンに接続されることで基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、基板及び半導体チップの間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、基板におけるセンシティブエリアに対向する位置の周辺には凹部が設けられ、
前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、
　【００１０】又、本発明によれば、中間層の所定箇所に配線パターンが形成され、且つチップ収納用に局部を取り除いて該配線パターンを露呈させて形成された第１の凹部を有する基板と、センシティブエリアを有し、且つ第１の凹部内に収納された状態で該センシティブエリア側の電極が配線パターンに接続されることで基板に対して隙間を有して実装される半導体チップと、基板の第１の凹部内における半導体チップとの間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂とを含む半導体デバイスにおいて、基板の第１の凹部内におけるセンシティブエリアに対向する位置の周辺には第２の凹部が設けられ、
前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、
　【００１１】この半導体デバイスにおいて、封止樹脂は、半導体チップの表面を埋設するように第１の凹部の周縁を含んで該第１の凹部の周縁よりも突出して形成されたことは好ましい。
　【００１２】一方、本発明によれば、一主面の所定箇所に配線パターンが形成された基板における該配線パターンに対し、センシティブエリアを有する半導体チップの該センシティブエリア側の電極を接続することで該基板に対して該半導体チップを隙間を持たせて実装するチップ実装工程と、基板及び半導体チップの間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程とを有する半導体デバイスの製造方法において、チップ実装工程は、予め基板におけるセンシティブエリアに対向する位置の周辺に凹部を形成する凹部形成工程を含み、
前記凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記凹部に浸透し難くして、
　【００１３】又、本発明によれば、中間層の所定箇所に配線パターンが形成され、且つチップ収納用に局部を取り除いて該配線パターンを露呈させて形成した第１の凹部を有する基板における該配線パターンに対し、センシティブエリアを有する半導体チップの該センシティブエリア側の電極を該第１の凹部内に収納した状態で接続することで該基板に対して該半導体チップを隙間を持たせて実装するチップ実装工程と、基板の第１の凹部内における半導体チップとの間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程とを含む半導体デバイスの製造方法において、チップ実装工程は、予め基板の第１の凹部内におけるセンシティブエリアに対向する位置の周辺に第２の凹部を形成する凹部形成工程を含み、
前記第２の凹部の深さを所定寸法より深くすることにより、前記樹脂が前記第２の凹部に浸透し難くして、
　【００１４】この半導体デバイスの製造方法において、封止樹脂形成工程では、封止樹脂を半導体チップの表面を埋設するように第１の凹部の周縁を含んで該第１の凹部の周縁よりも突出させて形成することは好ましい。
　【００１５】
　【発明の実施の形態】以下に幾つかの実施例を挙げ、本発明の半導体デバイス及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
　【００１６】［実施例１］図１は、本発明の実施例１の半導体デバイスの基本構成を示した側面断面図である。この半導体デバイスは、一主面の所定箇所に配線パターン２が形成された基板１と、センシティブエリア６を有し、且つセンシティブエリア６側の電極４がバンプ３を介在させた上で配線パターン２に接続されることで基板１に対して隙間を有して実装される半導体チップ５と、基板１及び半導体チップ５の間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂７とを含む基本構成において、基板１におけるセンシティブエリア６に対向する位置の周辺には凹部１０が設けられ、封止樹脂７は、基板１及び半導体チップ５の間のセンシティブエリア６周囲を含む凹部１０に向かう局部に空間部９を形成した上で凹部１０の周辺に形成されて構成されている。
　【００１７】具体的に言えば、この半導体デバイスの場合、基板１上に半導体チップ５がフリップチップ実装されている。基板１及び半導体チップ５は、高さ数十μｍ程度のバンプ３を介在させることによって、半導体チップ５の電極４と基板１の配線パターン２とが電気的に接続されている。この半導体デバイスでは、半導体チップ５のセンシティブエリア６の直下の基板１に凹部１０が形成されており、これによって封止樹脂が浸透し難い構造となっている。このため、樹脂封止により封止樹脂７を形成した後の半導体チップ５のセンシティブエリア６の直下には空間部９が形成される。凹部１０は数十μｍ〜数百μｍ程度の深さであるが、この深さが深い程、空間部９が形成され易い。センシティブエリア６には例えば電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）等の能動素子が形成されているが、この能動素子は空間部９の存在によって封止樹脂に満たされることがないようになっている。高周波デバイス用としての半導体チップ５の素材は、一般的に使用されるＧａＡｓ（ガリウムヒ素），Ｓｉ（シリコン）等で良く、特に限定されない。又、封止樹脂７の材料も一般的に使用されるシリコン系やエポキシ系等のもので良く、特に限定されない。
　【００１８】図２は、この半導体デバイスの凹部１０の形成に供される基板１を具体的に例示した側面断面図であり、同図（ａ）は一例に関するもの，同図（ｂ）は他例に関するもの，同図（ｃ）は別例に関するものである。
　【００１９】即ち、凹部１０の形成に適当な基板１としては、テフロン等の有機基板，ガラスセラミック等の無機基板，ポリミド等の有機絶縁材料及び無機基板，金属材料を用いた複合基板等が挙げられる。
　【００２０】図２（ａ）は、アルミ等の金属によるコア材１１上に絶縁層として有機材料によって有機基板１２を多層形成して構成される複合基板１ａを例示したものである。この複合基板１ａでは、凹部１０を形成したい部分にのみエッチングにより有機基板（絶縁層）１２を除去することで簡単に凹部１０を形成できる。例えば、有機基板（絶縁層）１２がポリミドであればその１層当たりの厚みを数十［μｍ］程度としてこれを２〜３層形成し、凹部１０を形成すれば有機基板（絶縁層）１２の厚みと等しい深さを持った凹部１０が得られる。
　【００２１】図２（ｂ）は、ガラスセラミック等のシートであるグリーンシートを多層に重ねて焼成することによって構成される多層セラミック基板１ｂを例示したものである。この多層セラミック基板１ｂでは、凹部１０を形成したい部分のグリーンシートに穴部を形成し、これを重ねて焼成することによって多層セラミック基板１ｂに凹部１０を形成する。図示するものでは、順次積層された４枚のグリーンシート１３〜１６のうち、上層を成すグリーンシート１３，１４に穴部を形成することよって凹部１０が形成された構成になっている。
　【００２２】図２（ｃ）は、アルミナ等で形成された単層セラミック基板１ｃを例示したものである。この単層セラミック基板１ｃでは、凹部１０を形成したい部分を機械加工によってざぐりを行い、単層セラミック基板１ｃに凹部１０を形成する。尚、このような方法は図２（ａ）で説明した有機基板１２に対しても適用できる。
　【００２３】このような半導体デバイスを製造する場合、一主面の所定箇所に配線パターン２が形成された基板１における配線パターン２に対し、センシティブエリア６を有する半導体チップ５のセンシティブエリア６側の電極４をバンプ３を介在させて接続することで基板１に対して半導体チップ５を隙間を持たせて実装するチップ実装工程と、基板１及び半導体チップ５の間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って封止樹脂７を形成する封止樹脂形成工程とを実行すれば良い。但し、チップ実装工程では、予め基板１におけるセンシティブエリア６に対向する位置の周辺に凹部１０を形成する凹部形成工程を行うようにし、封止樹脂形成工程では、基板１及び半導体チップ５の間のセンシティブエリア６周囲を含む凹部１０に向かう局部に空間部９が形成されるように凹部１０の周辺に封止樹脂７を形成するようにする。
　【００２４】図３は、この半導体デバイスを製造する場合の各工程を説明するために示した側面断面図であり、同図（ａ）は初期工程に関するもの，同図（ｂ）は中期工程に関するもの，同図（ｃ）は後期工程に関するものである。
　【００２５】先ず図３（ａ）に示される初期工程では、予め半導体チップ５がフリップチップ実装される部分に配線パターン２が形成された基板１に対し、凹部形成工程により実装時に半導体チップ５のセンシティブエリア６が対応する位置の周辺に凹部１０を形成しておく。こうした基板１に対し、電極４にバンプ３が形成された半導体チップ５を電極４がバンプ３を介して配線パターン２に接続されるように半導体チップ５をフリップチップ実装する（図示の場合には半導体チップ５が逆転実装される）チップ実装工程を行う。尚、パンプ３と基板１の配線パターン２との接続は、例えば半田等の種々の方法があり、ここでは限定されない。
　【００２６】次に、図３（ｂ）に示される中期工程では、矢印で示されるような基板１にフリップ実装された半導体チップ５の側面より基板１及び半導体チップ５の間の隙間に配線パターン２，パンブ３，並びに電極４が埋設されるように樹脂を流し込んで樹脂封止する樹脂封止工程を行う。このとき、基板１及び半導体チップ５の高さは数十μｍ程度であるため、樹脂は破線で示されるような樹脂浸透経路Ｌを通って毛細管現象により凹部１０の周辺に浸透するが、基板１の凹部１０がある部分には半導体チップ５との距離が遠くなっているために毛細管現象が起こらずに浸透しない。
　【００２７】更に、図３（ｃ）に示される後期工程では、浸透された樹脂の硬化が完了して封止樹脂７が形成される。このとき、半導体チップ５は封止樹脂７によって外観上周縁部が封止されるが、センシティブエリア６の直下から基板１の凹部１０に向かう局部には空間部９が形成される。
　【００２８】この半導体デバイスの場合、封止樹脂により半導体チップ５のセンシティブエリア６が満たされることがないため、高周波特性が保持されて所望の周波数特性が得られる。
　【００２９】［実施例２］図４は、本発明の実施例２の半導体デバイスの基本構成を示した側面断面図である。この半導体デバイスは、中間層の所定箇所に配線パターン２が形成され、且つチップ収納用に局部を取り除いて配線パターン２を露呈させて形成された第１の凹部１０ａを有する基板１´と、センシティブエリア６を有し、且つ第１の凹部１０ａ内に収納された状態でセンシティブエリア６側の電極４がバンプ３を介在させた上で配線パターン２に接続されることで基板１´に対して隙間を有して実装される半導体チップ５と、基板１´の第１の凹部１０ａ内における半導体チップ５との間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って形成された封止樹脂７とを含む基本構成において、基板１´の第１の凹部１０ａ内におけるセンシティブエリア６に対向する位置の周辺には第２の凹部１０ｂが設けられ、封止樹脂７は、基板１´の第１の凹部１０ａ内であって、且つ半導体チップ５との間のセンシティブエリア６周囲を含む第２の凹部１０ｂに向かう局部に空間部９を形成した上で第２の凹部１０ｂの周辺に形成されて構成されている。但し、ここでの封止樹脂７は、半導体チップ５の表面を埋設するように第１の凹部１０ｂの周縁を含んで第１の凹部１０ｂの周縁よりも突出して形成されている。
　【００３０】即ち、この半導体デバイスの場合、基板１´の内層に設けられた配線パターン２を露呈させた第１の凹部１０ａ内に半導体チップ５を収納してフリップチップ実装して成る。基板１´においては、配線パターン２を露呈させ、且つ半導体チップ５を収納するための第１の凹部１０ａが形成されると共に、導体チップ５のセンシティブエリア６が樹脂で満たされることがないように第１の凹部１０ａ内のセンシティブエリア６に対応する直下の位置の周辺に第２の凹部１０ｂが形成されている。
　【００３１】この半導体デバイスの場合も、基板１´の第１の凹部１０ａに半導体チップ５をフリップチップ実装し、半導体チップ５の上面から樹脂封止を行うと、第１の凹部１０ａ内の第２の凹部１０ｂの周辺における基板１´及び半導体チップ５の隙間に樹脂が浸透し、毛細管現象により樹脂封止が行われるが、第２の凹部１０ｂは半導体チップ５のセンシティブエリア６と離れており、ここでは毛細管現象が起こらずに樹脂が浸透せず、封止樹脂７の形成時に空間部９が形成され、封止樹脂により半導体チップ５のセンシティブエリア６が満たされることがないため、高周波特性が保持されて所望の周波数特性が得られる。
　【００３２】このような半導体デバイスを製造する場合、中間層の所定箇所に配線パターン２が形成され、且つチップ収納用に局部を取り除いて配線パターン２を露呈させて形成した第１の凹部１０ａを有する基板１´における配線パターン２に対し、センシティブエリア６を有する半導体チップ５のセンシティブエリア６側の電極４をバンプ３を介在させた上で第１の凹部１０ａ内に収納した状態で接続することで基板１´に対して半導体チップ５を隙間を持たせて実装するチップ実装工程と、基板１´の第１の凹部１０ａ内における半導体チップ５との間の隙間に樹脂を流し込む樹脂封止を行って封止樹脂７を形成する封止樹脂形成工程とを実行すれば良い。但し、チップ実装工程では、予め基板１´の第１の凹部１０ａ内におけるセンシティブエリア６に対向する位置の周辺に第２の凹部１０ｂを形成する凹部形成工程を行うようにし、封止樹脂形成工程では、基板１´の第１の凹部１０ａ内であって、且つ半導体チップ５との間のセンシティブエリア６周囲を含む第２の凹部１０ｂに向かう局部に空間部９が形成されるように第２の凹部１０ｂの周辺に封止樹脂７を形成するようにする。
　【００３３】
　【発明の効果】以上に述べた通り、本発明の半導体デバイス及びその製造方法によれば、基板における半導体チップのセンシティブエリアに対応する直下の位置の周辺に凹部を形成した上、フリップチップ実装後の樹脂封止に際して樹脂が凹部で毛細管現象による浸透を起こさずにセンシティブエリアから凹部へ向かう局部に空間部が形成されるようにしているため、封止樹脂により半導体
チップのセンシティブエリアが満たされることがなく、しかもセンシティブエリアと基板との電磁気的な結合が少なくなり、高周波特性の劣化が防止されて所望の周波数特性が得られると共に、電気特性が改善されるようになる。結果として、既存の技術のように筒状のゴムシートを用いてセンシティブエリアの周囲に空間部を形成する場合に比べ、容易にして適確に半導体チップのセンシティブエリアに対する封止樹脂の浸入を防止し得るようになる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施例１の半導体デバイスの基本構成を示した側面断面図である。
　【図２】図１に示す半導体デバイスの凹部の形成に供される基板を具体的に例示した側面断面図であり、（ａ）は一例に関するもの，（ｂ）は他例に関するもの，（ｃ）は別例に関するものである。
　【図３】図１に示す半導体デバイスを製造する場合の各工程を説明するために示した斜視図であり、（ａ）は初期工程に関するもの，（ｂ）は中期工程に関するもの，（ｃ）は後期工程に関するものである。
　【図４】本発明の実施例２の半導体デバイスの基本構成を示した側面断面図である。
　【図５】従来のフリップチップ封止構造を有する半導体デバイスの一例に係る基本構成を示した側面断面図である。
　【図６】従来のフリップチップ封止構造を有する半導体デバイスの他例に係る基本構成を示した側面断面図である。
　【符号の説明】
　１，１´　基板
　１ａ　複合基板
　１ｂ　多層セラミック基板
　１ｃ　単層セラミック基板
　２　配線パターン
　３　バンプ
　４　電極
　５　半導体チップ
　６　センシティブエリア
　７　封止樹脂
　８　ゴムシート
　９　空間部
　１０，１０ａ，１０ｂ　凹部
　１１　コア材
　１２　有機基板
　１３〜１６　グリーンシート
　Ｌ　樹脂浸透経路