【事件の表示】
　特許第３１９３１５７号「低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１９３１５７号の訂正後の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
  本件特許第３１９３１５７号の請求項１〜４に係る発明についての出願は、平成４年１０月２日に特許出願され、平成１３年５月２５日にその特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、菅野紀子より請求項１〜４に係る発明の特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１４年７月１５日付けで訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否
２−１．訂正の内容
  平成１４年７月１５日付け訂正請求の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち次の訂正事項ａ〜ｅのとおりに訂正しようとするものである。
（１）訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の請求項１及び請求項２を、
「【請求項１】９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。
【請求項２】９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項３及び請求項４を、
「【請求項３】誘電体磁器と、該誘電体磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成された導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器を、下記（Ａ）または（Ｂ）に記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パターンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルター。
（Ａ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
（Ｂ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦Ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
【請求項４】誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前記誘電体磁器を与える、下記（Ａ）または（Ｂ）に記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を設け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製造方法。
（Ａ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
（Ｂ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦Ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書の段落【００１０】（本件特許掲載公報第第３頁第５欄第３９行〜第６欄第５行）の記載を、以下のとおり訂正する。
「【００１０】【解決手段】すなわち、本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものであって、その特徴とするところは、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希上類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物にある。」
（４）訂正事項ｄ
　明細書の段落【００１１】（本件特許掲載公報第第３頁第６欄第６〜２２行）の記載を、以下のとおり訂正する。
「【００１１】また、本発明は、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕．ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３．ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物をも、その特徴とするものである。」
（５）訂正事項ｅ
　明細書の段落【００３７】（本件特許掲載公報第第７頁第１４欄第１８〜３５行）の記載を、以下のとおり訂正する。
「【００３７】【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化レアアース（ＲＥ２Ｏ３）、及び酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）の各成分が、主成分として、それぞれ、前記一般式にて示される特定量において含有せしめられていると共に、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末の所定量、またはＢ２Ｏ３粉末と共に、ＺｎＯ、ＳｉＯ２の各粉末の所定量が含有せしめられていることにより、９６２℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼成温度で焼結することが可能であり、これによって、導通抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導体として有するストリップライン型フィル夕等の誘電体フィル夕を有利に製造し得ることとなったのてあり、しかも得られる誘電体磁器は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さい特徴を備えているのである。」
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張変更の存否
　上記訂正事項ａは、具体的には、その内容は、ａ−１．請求項１の「構成された、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスからなる組成物」を「構成される組成物」と訂正する、ａ−２．請求項１の「主成分組成物の１００重量部」を「主成分組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物の１００重量部」と訂正する、ａ−３．請求項２の「構成された、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスからなる組成物」を「構成される組成物」と訂正する、ａ−４．請求項２の「主成分組成物の１００重量部」を「主成分組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物の１００重量部」と訂正するというものである。
  先ず、ａ−１．とａ−３．はそれぞれ、請求項１、２に記載された一般式において、ａ、ｂ、ｃが０となる場合と、訂正前に酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスからなる組成物を主成分としていたこととの整合性をとるために訂正されたものであって、一般式に表現を整合させたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　次に、ａ−２．、ａ−４．は主成分組成物を製造条件で限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
  そしてａ−１．、ａ−３．は、明細書にａ、ｂ、ｃがゼロとなりうることが一般式の解説として記載されており（本件特許掲載公報第３頁段落【００１０】、【００１１】）、実施例にもゼロの場合が記載されているところから（本件特許掲載公報第６頁表１、Ｎｏ．３〜８、１０〜１６、１８、２０〜２３）、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、ａ−２．、ａ−４は、主成分組成物の製造条件については明細書に記載されているから（本件特許掲載公報第３頁段落【００１２】、【００２６】、【００２７】）、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　次に、 上記訂正事項ｂは、具体的には、その内容は、ｂ−１．請求項３の「前記請求項１または前記請求項２に記載の」を、「下記（Ａ）または（Ｂ）に記載の」と訂正し、下記に「（Ａ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
（Ｂ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。」と付記し訂正する、ｂ−２．請求項４において上記ｂ−１．と同じに訂正するものである。
  上記（Ａ）と（Ｂ）はそれぞれ訂正前の請求項１と請求項２において、上記ａ−１．の訂正事項、すなわち「構成された、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスからなる組成物」を「構成される組成物」のとおり訂正したものと同じである。
  ところで、上記ａ−１．については上述したとおり明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するから、上記（Ａ）と（Ｂ）はそれぞれ訂正前の請求項１、請求項２を明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正したものに該当する。してみると、ｂ−１．ｂ−２．は、請求項１、２の上記訂正事項ａの訂正に伴って、訂正前の請求項１、２を引用型式ででなく独立型式に書き直したものにすぎないと云えるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、上記訂正事項ｃ、ｄは、訂正事項ａの訂正に伴って明細書の記載を整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、上記訂正事項ｅは、具体的には「を主成分とし、それら各成分が、それぞれ、特定量において含有せしめられていると共に、」を、「の各成分が、主成分として、それぞれ、前記一般式にて示される特定量において含有せしめられていると共に、」と訂正するものであるが、上記ａ−１．についてで述べたとおり、主成分の表現を一般式の表現に整合させたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−３．まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについて
３−１．特許異議の申立ての理由の概要
 申立人は、証拠方法として甲第１号証を提出して、（ｉ）請求項１、２に係る発明は甲第１号証に記載された発明と同一であるから、請求項１、２に係る発明の特許は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり取り消されるべきものである、（ｉｉ）本件明細書は記載不備であるから、請求項１〜４に係る発明は、特許法第３６条第４項及び第５項に違反してなされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
３−２．本件訂正発明
　特許権者が請求した上記訂正は、上述したとおり、これを認容することができるから、訂正後の本件請求項１〜４に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された上記２−１．（１）（２）に示すとおりのものである（以下、それぞれ「本件訂正発明１〜４」という）。
３−３．特許法第２９条の２違反の主張について（上記３−１．（ｉ））
３−３−１．甲第１号証の記載内容
（１）甲第１号証：特願平３−２６２２１２号（特開平５−９７５０８号）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、公開公報の頁、行で示す）：取消理由通知の先願明細書
（ａ）「主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２−ａＰｂＯ−ｂＢｉ２Ｏ３（但し、Ｌｎはランタニド系元素のうち少なくとも１種を示す。）を１００重量部に対して、添加剤３〜５０重量部を配合してなり、前記ｘ、ｙ及びｚが、０．０２≦ｘ≦０．２、０．４≦ｙ≦０．７及び０．１≦ｚ≦０．５８　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の関係を満たし、前記主成分中において、（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２）を１００重量％としたときに、前記ａ及びｂが、それぞれ、１７重量％以下の割合で、前記ＰｂＯ及びＢｉ２Ｏ３が含有されており、前記添加剤が、Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２のうち少なくとも１種を含むことを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成物。」（請求項１）
（ｂ）「主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２−ａＰｂＯ−ｂＢｉ２Ｏ３ （但し、Ｌｎはランタニド系元素のうち少なくとも１種を示す。）を１００重量部に対して、添加剤３〜５０重量部を配合してなり、前記ｘ、ｙ及びｚが、０．０２≦ｘ≦０．２、０．４≦ｙ≦０．７及び０．１≦ｚ≦０．５８　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の関係を満たし、前記主成分中において、（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２）を１００重量％としたときに、前記ａ及びｂが、それぞれ、１７重量％以下の割合で、前記ＰｂＯ及びＢｉ２Ｏ３が含有されており、前記添加剤が、ｇＢ２Ｏ３−ｈＳｉＯ２−ｉＺｎＯであり、前記ｇ、ｈ及びｉが、下記の関係を満たすものであることを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成物。０．０５≦ｇ≦０．７、０≦ｈ≦０．２５及び０．３≦ｉ≦０．７　　ｇ＋ｈ＋ｉ＝１  」（請求項３）
（ｃ）「また、上記主成分の組成式中、ＰｂＯ及びＢｉ２Ｏ３の含有割合を示すａ、ｂは、それぞれ、上記（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２）の含有量を１００重量％としたときに、ａ及びｂは、いずれも１７重量％以下となる割合とされる。これは、ＰｂＯの含有割合が増加すると比誘電率εr が高くなり、かつ誘電体共振器を構成した場合の共振周波数が低くなる傾向があるが、上記範囲を超えてＰｂＯを含有させると、１０００℃以下で焼成した場合には焼結状態が不安定となり、所望とする特性の誘電体磁器を得ることができないからである。他方、Ｂｉ２Ｏ３の含有割合が高くなると比誘電率εr が高くなる傾向があるが、Ｂｉ２Ｏ３が上記範囲より多く含有されると、焼成に際して溶融し、所望とする磁器を得ることができないからである。　添加剤　本発明では、上述した主成分１００重量部に対し、下記の添加剤３〜５０重量部が配合される。」（第３頁第３欄第４１行〜第４欄第７行）
（ｄ）「実施例１　実施例１は、請求項１に記載の発明の実施例に相当する。　まず、主成分を構成する原料として、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、ＰｂＯ、及びＢｉ２Ｏ３の各粉末を用意した。次に、これらの原料粉末を用い、下記の表１及び表２に、試料番号１〜２８で示す組み合わせとなるように各原料を秤量し、ボールミルで１６時間湿式混合した後、蒸発・乾燥し、空気中で１０００℃の温度で２時間仮焼・粉砕することにより、試料番号１〜２８の各主成分の仮焼粉末を得た。」（第４頁第５欄第１８〜２８行）
（ｅ）第５頁表２、第６頁表３の試料番号１〜２８において、試料番号２４のａ＝０を除いて他は全てａは１０〜２０の数値を持つことが記載されている。表３の試料番号２４は、ｘが２、ｙが４０、ｚが５８であり（モル％）、ｂが８重量％であり、添加剤は種類Ｂが２０重量％であることが記載されている。第６頁表４には添加剤の組成が記載されており、種類ＢはＢ２Ｏ３が１００モル％であることが記載されている。また、第８頁表には、試料番号２４の焼成温度が９３０℃であることが記載されている。
（ｆ）「実施例３　実施例３は、請求項３に記載の発明についての実施例である。まず、実施例１で用いたのと同一の主成分原料を用い、実施例１の場合と同様にして下記の表１３〜１５に示す試料番号１〜３６の各主成分の仮焼粉末を得た。他方、実施例１で用いたのと同一の添加剤原料を用い、実施例１と同様にして処理することにより、下記の表１６に示す添加剤Ｒ〜Ｚを調製した。表１３〜１５の試料番号１〜３６の主成分の仮焼粉末と、表１３〜１５に示した割合及び種類の添加剤Ｒ〜Ｚを用い、実施例１と同様にして試料番号１〜３６の焼結体を得た。」（第１４頁第２６欄第１８〜２８行）
（ｇ）第１５頁表１４、第１６頁表１５、第１７頁表１７において、試料番号１〜３６のうち、試料番号２４のａ＝０を除いて、それ以外の全ての試料にａは１０〜２０の数値が記載されている。第１６頁表１５において、試料番号２４は添加剤Ｙを使用することが記載されている。第１７頁表１６において添加剤ＹにはＰｂＯが４５モル％含まれていることが記載されている。
３−３−２．対比・判断
（１）本件訂正発明１について
 甲第１号証には、上記３−３−１．（１）（ａ）から「主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２−ａＰｂＯ−ｂＢｉ２Ｏ３（但し、Ｌｎはランタニド系元素のうち少なくとも１種を示す。）を１００重量部に対して、添加剤３〜５０重量部を配合してなり、前記ｘ、ｙ及びｚが、０．０２≦ｘ≦０．２、０．４≦ｙ≦０．７及び０．１≦ｚ≦０．５８　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の関係を満たし、前記主成分中において、（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２）を１００重量％としたときに、前記ａ及びｂが、それぞれ、１７重量％以下の割合で、前記ＰｂＯ及びＢｉ２Ｏ３が含有されており、前記添加剤が、Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２のうち少なくとも１種を含むことを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成物。」が記載されている。
  ここでＰｂＯについては、上記３−３−１．（１）（ｅ）から、実施例１の試料番号２４はＰｂ酸化物を含有しない組成となっているところから、上記３−３−１．（１）（ｃ）のＰｂＯが１７重量％以下という条件の中には、ゼロも含まれるものと解される。
また、上記３−３−１．（１）（ｅ）から試料番号２４の焼成温度が９３０℃であることがわかる。
　してみると、甲第１号証には、「９６２℃以下の焼成温度で焼結させられる、ＰｂＯを含有することのない誘電体磁器組成物であって、主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２−ｂＢｉ２Ｏ３（但し、Ｌｎはランタニド系元素のうち少なくとも１種を示す）を１００重量部に対して、添加剤３〜５０重量部を配合してなり、前記ｘ、ｙ及びｚが、０．０２≦ｘ≦０．２、０．４≦ｙ≦０．７及び０．１≦ｚ≦０．５８　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の関係を満たし、前記主成分中において、（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２）を１００重量％としたときに、前記ｂが、１７重量％以下の割合で、Ｂｉ２Ｏ３が含有されており、前記添加剤が、Ｂ２Ｏ３を含む高周波用誘電体磁器組成物。」という発明（以下、「甲１発明」という）が記載されていると云える。
　ここで、本件訂正発明１においてａ＝０、ｂ＝０とすると、本件訂正発明１は「９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。」という発明である。
  本件訂正発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明の「ランタニド系元素」は本件訂正発明１の「希土類金属」に相当するから、両者は「９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲＥ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされる組成物を主成分とし、かかる主成分組成物のに対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を配合せしめてなることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。」で一致し、また本件訂正発明１のＢａＯの比のｘと甲１発明のＢａＯの比のｘとは数値範囲が重複し、また本件訂正発明１のＴｉＯ２の比のｙと甲１発明のＴｉＯ２の比のｙとは数値範囲が重複し、本件訂正発明１のＲＥ２Ｏ３の比のｚ（１−ｃ）と甲１発明のＬｎＯ２／３の比のｚとは数値範囲が重複し、本件訂正発明１のＢｉ２Ｏ３の比のｚとｃとから導き出されるものと、甲１発明のＢｉ２Ｏ３の比のｂとは数値範囲が重複し、また上記（１）（ｃ）から両者のＢ２Ｏ３の添加量の数値範囲は重複し、次の点で相違している。
相違点：本件訂正発明１では、主成分組成物として１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用いるのに対して、甲１発明ではその点が特定されていない点
　そこで検討すると、甲第１号証には、上記３−３−１．（１）（ｄ）に「空気中で１０００℃の温度で２時間仮焼・粉砕することは記載されているが、「１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕」することは何も示唆されていない。
　そして、本件明細書には、１０５０℃以上の仮焼により「焼成温度の低下」に顕著な効果があることが（本件特許掲載公報第５頁段落【００２６】）、平均粒子径が細かくなるほど「焼成温度の低下」が促進されることが（本件特許掲載公報第５〜６頁段落【００２７】）、それぞれ記載されている。
　なお、ＢａＯ、ＴｉＯ２、ＲＥ２Ｏ３系の低温焼成用磁器組成物の製造法の発明の特許公報である特許掲載第２６１３７２２号公報で、「原料組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が０．８μｍ以下となるように微粉砕」することによる効果が説明されている。
　したがって、本件訂正発明１は甲第１号証に記載された発明と同一とすることはできない。
（２）本件訂正発明２について
  上記（１）において、甲第１号証におけるＳｉＯ２を必須成分として認定すると、甲第１号証には「９６２℃以下の焼成温度で焼結させられる、ＰｂＯを含有することのない誘電体磁器組成物であって、主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２−ｂＢｉ２Ｏ３（但し、Ｌｎはランタニド系元素のうち少なくとも１種を示す）を１００重量部に対して、添加剤３〜５０重量部を配合してなり、前記ｘ、ｙ及びｚが、０．０２≦ｘ≦０．２、０．４≦ｙ≦０．７及び０．１≦ｚ≦０．５８　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の関係を満たし、前記主成分中において、（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＬｎＯ３／２）を１００重量％としたときに、前記ｂが、１７重量％以下の割合で、Ｂｉ２Ｏ３が含有されており、前記添加剤が、Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２を含む高周波用誘電体磁器組成物。」という発明（以下、「甲１’発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明２と甲１’発明とを、上記（１）と同じように対比すると、両者はＳｉＯ２の数値範囲が重複しており、次の点で相違している。
相違点：本件訂正発明２では、主成分組成物として１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用いるのに対して、甲１’発明ではその点が特定されていない点
　この相違点については上記（１）と同じことが云えるから、本件訂正発明２は甲第１号証に記載された発明と同一とすることはできない。
３−４．特許法第３６条第４項及び第５項違反の主張について（上記３−１．（ｉｉ））
　特許異議申立人は、具体的には（１）本件発明の磁器組成物はＳｒＯ、ＣａＯ、Ｂｉ２Ｏ３をも主成分としているが、請求項１、２の一般式でａ＝０、ｂ＝０、ｃ＝０も含んでおり、矛盾している、（２）明細書段落【００１６】（本件特許掲載公報第４頁）の前段と後段の記載は記載不備である、（３）明細書段落【００２０】（本件特許掲載公報第５頁）のＢｉ２Ｏ３置換量の記載は不当であるというものである。
　そこで検討すると、（１）については訂正の結果解消している。（２）について検討すると、後段の「従って、これらＳｒＯ、ＣａＯの添加により、共振周波数の温度係数の制御が有利に実現されるのである。」は、前段の「例えばＢａＯの一部をＳｒＯにて置換すると・・・」、「ＢａＯの一部をＣａＯにて置換した場合・・」を受けた記載であり、特許異議申立人の云うように、この後段の記載が、ＳｒＯ、ＣａＯ両者の同時の置換を意味するものとは云えない。
（３）について検討すると、段落【００２０】では最後に「実用的には、３０モル％以下（ｃ≦０．３０）が適切である。」としており、「実用的に」考えた場合の適切な上限に言及したものであるから、不当とも云えない。
　したがって、特許異議申立人の主張は採用することができない。
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、訂正後の本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
 また、他に訂正後の本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、訂正後の本件請求項１〜４に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年９月３日（２００２．９．３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３１９３１５７号発明の明細書を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１及び請求項２を、
「【請求項１】９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。
　【請求項２】９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項３及び請求項４を、
「【請求項３】誘電体磁器と、該誘電体磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成された導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器を、下記（Ａ）または（Ｂ）に記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パターンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルター。
（Ａ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
（Ｂ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦Ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
　【請求項４】誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前記誘電体磁器を与える、下記（Ａ）または（Ｂ）に記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を設け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製造方法。
（Ａ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
（Ｂ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦Ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書の段落【００１０】（本件特許掲載公報第第３頁第５欄第３９行〜第６欄第５行）の記載を、以下のとおり訂正する。
「【００１０】【解決手段】すなわち、本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものであって、その特徴とするところは、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希上類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物にある。」
（４）訂正事項ｄ
　明細書の段落【００１１】（本件特許掲載公報第第３頁第６欄第６〜２２行）の記載を、以下のとおり訂正する。
「【００１１】また、本発明は、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕．ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３．ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋１＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物をも、その特徴とするものである。」
（５）訂正事項ｅ
　明細書の段落【００３７】（本件特許掲載公報第第７頁第１４欄第１８〜３５行）の記載を、以下のとおり訂正する。
「【００３７】【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化レアアース（ＲＥ２Ｏ３）、及び酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）の各成分が、主成分として、それぞれ、前記一般式にて示される特定量において含有せしめられていると共に、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末の所定量、またはＢ２Ｏ３粉末と共に、ＺｎＯ、ＳｉＯ２の各粉末の所定量が含有せしめられていることにより、９６２℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼成温度で焼結することが可能であり、これによって、導通抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導体として有するストリップライン型フィルタ等の誘電体フィルタを有利に製造し得ることとなったのてあり、しかも得られる誘電体磁器は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さい特徴を備えているのである。」
（５４）【発明の名称】
低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成さ
れる
を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物
　【請求項２】　９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成さ
れる
を１０５０℃以上の温度で仮焼して得られる仮焼物を平均粒子径が０．８μｍ以下となるように粉砕してなる仮焼粉砕物を用い、この仮焼粉砕物
　【請求項３】　誘電体磁器と、該誘電体磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成された導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器を、
下記（Ａ）
（Ｂ）
　
（Ａ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
　
（Ｂ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
　【請求項４】　誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前記誘電体磁器を与える、
下記（Ａ）
（Ｂ）
　
（Ａ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ，並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
　
（Ｂ）９６２℃以下の焼成温度で焼結せしめられる、Ｐｂ酸化物を含有することのない誘電体磁器組成物であって、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦；０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成される組成物を主成分とし、かかる主成分組成物の１００重量部に対して、副成分として、Ｂ２Ｏ３粉末を０．１〜７．５重量部の割合において加え、更に、８．０重量部までのＺｎＯ粉末及び３．０重量部までのＳｉＯ２粉末のうちの少なくとも一方を、配合せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成物。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【技術分野】
　本発明は、低温焼成用誘電体磁器組成物に係り、特にトリプレート構造のストリップライン型フィルタ−等の、内層導体を有する誘電体共振器の製造に好適に用いられる、低温焼成の可能な高周波用誘電体磁器組成物に関するものである。また、本発明は、そのような誘電体磁器組成物を用いて得られた誘電体共振器若しくは該共振器の複数から構成される誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フィルターの有利な製造手法に関するものである。
　【０００２】
　【背景技術】
　今日、携帯電話や自動車用電話等では、高誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞれ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共振器を複数個結合して、構成されてなるものであるところから、その小型化には限度があり、そのために誘電体内に導体を内層してなるトリプレート構造のストリップライン型のものが検討されている。このストリップライン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可能となるのである。
　【０００３】
　而して、かかるストリップライン型フィルタの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成温度が著しく高いものであるところから、内層導体として使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９００℃前後とする必要がある。このため、そのような低い焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体磁器組成物が必要とされているのである。
　【０００４】
　一方、従来から、誘電体磁器組成物に関しては、種々なる組成のものが提案されており、中でも、Ｂａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥ：希土類金属）にて構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、且つ無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さい材料として知られており、また特開昭６２−２１６１０７号公報や特開平１−２７５４６６号公報等においては、そのような組成系に、更にＳｒＯを導入することにより、比誘電率の向上、共振周波数の温度係数の増大を図っているが、それら誘電体磁器組成物においては、何れも、その焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いところに問題があり、そのために、Ｐｂ酸化物等を添加することにより、その焼成温度の低下を図る試みが為されてきている。
　【０００５】
　例えば、米国特許第３８１１９３７号明細書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レアアースの仮焼混合物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。また、特開昭５９−２１４１０５号公報においては、ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３系組成物に対して、ＰｂＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｉＯ２及びＺｎＯの各粉末を混合して、１０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らかにされている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報には、ＢａＴｉＯ３−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３系組成物に対して、Ｐｂ３Ｏ４，Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器組成物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更にまた、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ３，Ｎｄ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，及びＰｂ３Ｏ４からなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示され、それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結することが明らかにされている。
　【０００６】
　しかしながら、これら低温焼成が可能とされている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成温度は未だ１０００℃前後或いはそれ以上と高く、導通抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主体とする合金材料を内部導体として用いることが出来ないのである。そのために、導通抵抗の大きなＰｄの含有量を高めた、Ａｇ−Ｐｄ系合金しか用いられ得ないのが、実情である。しかも、それら従来の低温焼成用誘電体磁器組成物においては、Ｐｂ酸化物を多量に添加せしめたものであるところから、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑み、その取り扱い上においても、問題のあるものであった。
　【０００７】
　このように誘電体磁器組成物の焼成温度を１０００℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知られているが、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９５０℃以下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能とする技術については、未だ、知られていない。
　【０００８】
　【解決課題】
　ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為されたものであって、その課題とするところは、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、９６２℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、また多量のＰｂ酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成用誘電体磁器組成物を提供することにある。また、本発明の他の課題とするところは、そのような誘電体磁器組成物を用いて得られた誘電体共振器若しくは該共振器の複数から構成される誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フィルターの有利な製造手法を提供することにある。
　【０００９】
　そして、かかる課題を解決するために、本発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＳｒＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ２−ＲＥ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系の誘電体磁器組成物に対して、Ｂ２Ｏ３粉末の所定量、またはＢ２Ｏ３粉末と共に、ＺｎＯ、ＳｉＯ２の各粉末の所定量を含有せしめることにより、その優れた特性を確保しつつ、その焼成温度を有利に低下せしめ得る事実を見い出したのである。
　【００１０】
　【解決手段】
　すなわち、本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものであって、その特徴とするところは、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成さ
れる
　【００１１】
　また、本発明は、一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ２・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，及び０≦ｃ≦０．３０を満足するように構成さ
れる
　【００１２】
　なお、本発明にあっては、かくの如き低温焼成用誘電体磁器組成物を製造するに際して、前記主成分組成物を与える原料組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が０．８μｍ以下となるように微粉砕した後、前記副成分たるＢ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２の各粉末を配合することにより、かかる低温焼成用誘電体磁器組成物を製造する手法が、有利に採用されるものであり、このような製造工程を採用することによって、かかる誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が著しく促進され、しかも比誘電率の向上や無負荷Ｑの増大も有利に達成され得ることとなる。
　【００１３】
　また、本発明は、誘電体磁器と、該誘電体磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成された導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器を、上述の如き誘電体磁器組成物、即ち前記請求項１または前記請求項２に記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パターンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨とするものである。
　【００１４】
　さらに、本発明は、誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１または前記請求項２に記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を設け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製造方法をも、その要旨とするものである。
　【００１５】
　【具体的構成】
　ところで、かかる誘電体磁器組成物において、ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａＯ〕は、主成分の一つたるＢａＯの一部がＳｒＯ及び／又はＣａＯにて置換されることを示しており、それらＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの合計の含有量が１０モル％よりも少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁器の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２０モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振周波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題を惹起する。
　【００１６】
　なお、このＢａＯの一部置換は、ＳｒＯ及びＣａＯの少なくとも一方にて実施され、例えばＢａＯの一部をＳｒＯにて置換すると、その置換に伴い、高い誘電率を維持したまま、無負荷Ｑを向上し、共振周波数の温度係数を小さくすることが出来る。しかし、その置換割合が０．４０より多くなると（ａ＞０．４０）、誘電率や無負荷Ｑが共に劣化してしまう問題を生じる。また、ＢａＯの一部をＣａＯにて置換した場合には、高い誘電率及び無負荷Ｑを維持したまま、共振周波数の温度係数を大きくすることが出来るが、その置換割合が０．２０より多くなると（ｂ＞０．２０）、無負荷Ｑが急速に劣化してしまう問題を惹起する。従って、これらＳｒＯ，ＣａＯの添加により、共振周波数の温度係数の制御が有利に実現されるのである。
　【００１７】
　また、ＴｉＯ２については、その含有量が６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過ぎてしまうという問題を惹起する。
　【００１８】
　さらに、ＲＥ２Ｏ３とＢｉ２Ｏ３の合計量に関して、換言すれば〔（１−ｃ）ＲＥ２Ｏ３・ｃＢｉ２Ｏ３〕の値については、その合計の含有量が１０モル％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共振周波数の温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一方、２５モル％を越えるようになると（ｚ＞０．２５）、焼結性が悪く、比誘電率が小さくなってしまう問題を惹起する。
　【００１９】
　なお、本発明において、ＲＥ２Ｏ３におけるＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合にあっては、高い誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、温度係数を制御することが出来る。しかしながら、そのようなＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる場合にあっては、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合を２０モル％以下にすることが望ましく、それを越えると、共振周波数の温度係数が負または正に大きく変化する問題を生じる。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用いる場合にあっては、三価の原子に換算して、導入されることとなる。
　【００２０】
　また、Ｂｉ２Ｏ３にてＲＥ２Ｏ３を置換すると、比誘電率が増加せしめられ、共振周波数の温度係数を小さくすることが出来る。特に、このＢｉ２Ｏ３による充分な置換効果を得るには、５モル％以上（ｃ≧０．０５）の置換が望ましい。しかしながら、ＢｉＯ２の置換量が１５〜２０モル％以上に至ると、温度係数が増加し始めるのであり、またＢｉ２Ｏ３の置換量が増えるにつれ、無負荷Ｑが減少していくことから、Ｂｉ２Ｏ３の置換量は、実用的には３０モル％以下（ｃ≦０．３０）が適切である。
　【００２１】
　本発明は、上記の如き割合において、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成される磁器組成物を主成分とするものであって、このような主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配合含有せしめるようにしたものであるが、また、そのような主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振周波数の温度係数を補正する等の目的で、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加したりすることも、何等差支えない。
　【００２２】
　また、かくの如き本発明に従う主成分磁器組成物に対して、副成分として添加せしめられるＢ２Ｏ３粉末、またはＢ２Ｏ３粉末並びにＺｎＯ及び／又はＳｉＯ２の各粉末は、かかる主成分磁器組成物の１００重量部当り、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）が０．１〜７．５重量部、更にはかかる酸化ホウ素と共に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が０〜８．０重量部及び／又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が０〜３．０重量部となる割合において、用いられる必要がある。
　【００２３】
　けだし、Ｂ２Ｏ３の添加量が０．１重量部未満の場合には、誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる問題があり、一方７．５重量部を越えるようになると、無負荷Ｑが小さくなる問題を惹起するからである。また、ＺｎＯは、その添加により、比誘電率を向上させることが出来るが、その添加量が８．０重量部を越えるようになると、目的とする誘電体磁器組成物の無負荷Ｑが小さくなってしまう問題を惹起するからである。更に、ＳｉＯ２は、その添加により、無負荷Ｑを向上させることが出来るが、その添加量が３．０重量部を越えるようになると、ガラス化が困難となることに加えて、目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる問題を惹起するからである。なお、かかるＢ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２の各粉末の好ましい配合範囲としては、Ｂ２Ｏ３粉末が０．５〜３．０重量部、ＺｎＯ粉末が０．５〜５．０重量部、ＳｉＯ２が０．５〜１．０重量部である。
　【００２４】
　特に、本発明において、Ｂ２Ｏ３成分を、他の添加成分と合成して化合物とせずに、単独成分（粉末）として添加するのは、Ｂ２Ｏ３単独では、その融点が４５０℃前後と低く、焼成温度を低下させる効果が大きいからである。なお、このＢ２Ｏ３粉末としては、Ｂ２Ｏ３そのものの粉末の他に、Ｂ２Ｏ３を与えるＨ３ＢＯ３（ほう酸）粉末を使用することも可能である。何故なら、Ｈ３ＢＯ３は、３００℃前後でＢ２Ｏ３粉末に変化するからである。これに対し、例えばＺｎＯとＢ２Ｏ３の化合物を用いた場合、その融点は９６１℃（ＺｎＯ・Ｂ２Ｏ３）以上と高く、そのため焼成温度を充分に低下せしめることが困難となるのである。
　【００２５】
　また、かかるＢ２Ｏ３粉末に対して、更に、ＺｎＯ成分やＳｉＯ２成分も各々単独粉末として添加されるが、特にＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系等の酸化ホウ素を含む化合物、例えばＺｎＯ・Ｂ２Ｏ３、５ＺｎＯ・２Ｂ２Ｏ３等の形態での添加は避けなければならない。けだし、化合物の形態で添加した場合には、前述のＢ２Ｏ３粉末の単独添加の効果が得られないばかりでなく、前述のＺｎＯ、ＳｉＯ２成分の添加効果も、小さなものになってしまうからである。また、ＺｎＯ成分は、焼成後、Ｂ２Ｏ３成分やＳｉＯ２成分と化合物を成すわけではなく、ＴｉＯ２と共存していることから解るように、単独成分としての働きが重要と考えられるからである。
　【００２６】
　ところで、本発明に従う誘電体磁器組成物は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＢ２Ｏ３粉末、またはＢ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２の各粉末を副成分として配合せしめて製造されるものであるが、かかる副成分たるＢ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２粉末の配合に先立って、前記した主成分磁器組成物は、その組成を与える原料組成物を仮焼せしめ、そして粉砕することによって準備されることとなる。そして、その仮焼に際して、９００℃以上の仮焼温度を採用すると、仮焼温度の高温化に伴なう誘電体磁器組成物の焼成温度の低下、比誘電率及び無負荷Ｑの増加が認められるのである。特に、１０５０℃以上の仮焼温度で、その効果が顕著であるところから、本発明にあっては、好適には、１０５０℃以上の温度で仮焼が行なわれる。しかしながら、仮焼温度が１３５０℃を越えるようになると、仮焼後に仮焼物の硬化が著しく、取り扱い上において問題を生じるので、好ましくは１１００℃〜１３００℃の仮焼温度が有利に採用されることとなる。
　【００２７】
　また、このようにして仮焼して得られた仮焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕されることとなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組成物の成形性が低下し、例えば、通常のドクターブレード法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼粉砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御することが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒子径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定されることとなる。
　【００２８】
　【実施例】
　以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受けるものでないことは言うまでもないところである。また、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであることが理解されるべきである。
　【００２９】
　実施例　１
　高純度の炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ランタン及び酸化ビスマスを用い、それら成分を、下記表１において示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，ａ，ｂ，ｃ値を与えるようにそれぞれ秤量して、ポリエチレン製ポットの中に、ジルコニア玉石と共に投入して、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得られた混合物を、ポットから取り出して乾燥した後、アルミナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で、４時間、空気雰囲気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石と共に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定される平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行ない、各種の仮焼粉砕物を得た。
　【００３０】
　次いで、かくして得られた各種の仮焼粉砕物１００重量部と、副成分としてのＢ２Ｏ３粉末、ＺｎＯ粉末及びＳｉＯ２粉末の所定量（表１に示される量）とを、ジルコニア玉石と共に、ポリエチレン製ポットの中に投入し、純水を加えて、湿式混合せしめた。その際、バインダーとして、ＰＶＡを１重量％加えた。得られた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩を通して、造粒した。
　【００３１】
　かくして得られた各種の造粒粉体を、プレス成形機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ２にて成形して、それぞれ２０ｍｍφ×１５ｍｍｔの大きさの円板状の試験片を得た。そして、この得られた試験片を、空気中において、９００℃の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電体磁器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られたサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍｔの大きさの円板状に研磨し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共振器法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τｆ）は、−２５℃〜＋７５℃の範囲で測定した。測定周波数は、２〜４ＧＨｚであった。得られた結果を、表２に示した。
　【００３２】
　【表１】
　【００３３】
　【表２】
　【００３４】
　実施例　２
　実施例１においてＮｏ１４として得られた仮焼粉砕物を用い、それの１００重量部と、Ｂ２Ｏ３粉末（外配１．０重量部）、ポリビニルブチラ−ル（外配８重量部）、可塑剤及び解膠剤を、ジルコニア玉石と共に、アルミナ製ポットの中に投入し、更にトルエンとイソプロピルアルコ−ルの混合溶液を加えて、湿式混合せしめた。
　【００３５】
　次いで、かかる混合物を、脱泡した後、ドクタ−ブレ−ド法により厚さ：２５０μｍのグリ−ンテ−プに形成した。そして、この得られたグリ−ンテ−プに、印刷用Ａｇペ−ストを用いて、９００ＭＨｚ帯２段バンドパスフィルタの導体パタ−ンを印刷した。次いで、この導体パタ−ンを印刷したグリ−ンテ−プを挟み込むように、２０枚のグリ−ンテ−プを、温度：１００℃、圧力：１００ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で積層した。そして、その積層物を切断した後、空気中において９００℃の温度で２時間焼成することにより、図１に示される如き構造のストリップライン型フィルタを作製した。なお、この図１に示されるストリップライン型フィルタにおいて、誘電体基板１６は３層構造を有し、導体との同時焼成によって一体化せしめられるものである。そして、この誘電体基板１６の一つの層に複数の共振用電極１２，１２が内蔵され、また、それとは異なる層に一対の結合用電極２０，２０が内蔵されている。一方、該誘電体基板１６の外表面には、略全面にア−ス電極１４が設けられると共に、対向する一対の側面において、該ア−ス電極１４と非接続な状態で、一対の入出力端子１８，１８が、設けられている。そして、前記結合用電極２０，２０が延長されて、その延長部分２０ａの端部が、誘電体基板１６の外表面にまで引き出されていることにより、外表面の入出力端子１８と内部の結合用電極２０とが、接続せしめられているのである。
　【００３６】
　かくして得られたストリップライン型フィルタについて、ネットワ−クアナライザ−を用い、そのフィルタ特性を測定した結果、中心周波数：９００ＭＨｚ、挿入損失：１．５ｄＢであった。
　【００３７】
　【発明の効果】
　以上の説明から明らかなように、本発明に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化レアアース（ＲＥ２Ｏ３）、及び酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）
の
主成分として、
前記一般式にて示される
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　実施例２にて製造される誘電体フィルタ−の積層構造の形態を示す説明図である。
　【符号の説明】
　１２　共振用電極
　１４　アース電極
　１６　誘電体基板
　１８　入出力端子
　２０　結合用電極