【事件の表示】
　特願２００４−３６６７２５「転写方法，半導体装置の製造方法及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月１６日出願公開，特開２００６−　４９８００〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１６年１２月１７日の特許出願であって，平成２３年７月２２日付けで拒絶の理由が通知され，同年９月２６日に意見書と手続補正書が提出され，平成２４年２月２８日付けで最後の拒絶の理由が通知され，同年４月４日に意見書と補正書が提出され，同年７月３１日付けで，同年４月４日に提出された手続補正書でした補正が却下されるとともに，同日付けで拒絶査定がされ，同年１２月７日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２５年３月１９日付けで審尋がおこなわれたが，前記審尋に対する回答書が提出されなかったものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１２月７日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２４年１２月７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−５を補正して，補正後の請求項１−４とするものであり，補正前後の請求項の記載は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　基板上に分離層を形成する工程と，
　前記分離層上に被転写層を形成する工程と，
　前記被転写層上に接着層を介して可撓性を有する転写体を接合する工程と，
　前記転写体の前記被転写層とは反対側に，仮固定接着層を介して，前記転写体の強度を補強する支持基板を接合する工程と，
　前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程と，
　前記仮固定接着層において前記転写体と前記支持基板とを分離する工程と，
　を含むことを特徴とする被転写層の転写方法。
　【請求項２】
　基板上に第１分離層を形成する工程と，
　前記第１分離層上に被転写層を形成する工程と，
　前記被転写層上に第２分離層を介して第１転写体を接合する工程と，
　前記第１分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程と，
　前記被転写層の前記第１転写体とは反対側に，接着層を介して，可撓性を有する第２転写体を接合する工程と，
　前記第２転写体の前記被転写層とは反対側に，仮固定接着層を介して，前記第２転写体の強度を補強する支持基板を接合する工程と，
　前記第２分離層において前記被転写層と前記第１転写体とを分離する工程と，
　前記仮固定接着層において前記第２転写体と前記支持基板とを分離する工程と，
　を含むことを特徴とする被転写層の転写方法。
　【請求項３】
　前記被転写層が薄膜デバイスである，請求項１又は２に記載の転写方法。
　【請求項４】
　請求項１乃至３のいずれかに記載の転写方法を利用したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項５】
　請求項４に記載の製造方法により得られる半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　基板上に分離層を形成する工程と，
　前記分離層上に被転写層を形成する工程と，
　前記被転写層上に接着層を介して可撓性を有する転写体を接合する工程と，
　前記転写体の前記被転写層とは反対側に，仮固定接着層を介して，前記転写体の強度を補強する支持基板を接合する工程と，
　前記被転写層を複数の領域に分割する工程と，
　前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程と，
　前記仮固定接着層において前記転写体と前記支持基板とを分離する工程と，を含み，
　前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程は，前記基板の裏面側から前記分離層に光を照射し，照射された光により，前記分離層に層内剥離及び／または界面剥離が生じ，前記被転写層と前記基板とが分離されることを特徴とする被転写層の転写方法。
　【請求項２】
　前記光照射は，前記被転写層の分割される領域のうち選択される領域に対して実施されることを特徴とする請求項１に記載の被転写層の転写方法。
　【請求項３】
　請求項１又は２に記載の転写方法を利用したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項４】
　請求項３に記載の製造方法により得られる半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１に，「前記被転写層を複数の領域に分割する工程と，」を追加して，補正後の請求項１にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程と，前記仮固定接着層において前記転写体と前記支持基板とを分離する工程と，を含む」を，
「前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程と，前記仮固定接着層において前記転写体と前記支持基板とを分離する工程と，を含み，前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程は，前記基板の裏面側から前記分離層に光を照射し，照射された光により，前記分離層に層内剥離及び／または界面剥離が生じ，前記被転写層と前記基板とが分離される」と補正して，補正後の請求項１にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項２を削除すること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項３の「前記被転写層が薄膜デバイスである，請求項１又は２に記載の転写方法。」を，「前記光照射は，前記被転写層の分割される領域のうち選択される領域に対して実施されることを特徴とする請求項１に記載の被転写層の転写方法。」と補正して，補正後の請求項２にすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項４−５の請求項の項番を繰り上げて，補正後の請求項３−４とすること。
　
（６）補正事項６
　補正前の【０００８】−【０００９】を補正して，補正後の【０００８】−【０００９】とするとともに，【００１０】−【００３１】を削除すること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　ア　特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号は，拒絶査定不服審判を請求する場合において，特許請求の範囲についてする補正が，「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて，その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」という事項を目的とするものであるときに，補正をすることができると規定する。
　
イ　そこで，補正事項１について検討すると，「被転写層を複数の領域に分割する工程」は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項，すなわち，課題解決手段のいずれの事項の限定であるとも認められない。
　すなわち，補正事項１は，請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであるとは認められないから，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，補正事項１が，特許法第１７条の２第４項に掲げる他のいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって，補正事項１を含む本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に違反する。
　
（２）補正事項４について
　補正事項４は，補正前の請求項の記載から，「前記被転写層が薄膜デバイスである」という発明を特定するために必要な事項を削除することを含むところ，前記発明を特定するために必要な事項を削除することが，請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものにあたるとは認められないから，補正事項４は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，補正事項４が，特許法第１７条の２第４項に掲げる他のいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって，補正事項４を含む本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に違反する。
　なお，審判請求人は，審判請求書の「１）手続補正書の提出及び補正の内容」において，「請求項２，３を削除した上，新たに上記記載事項に基づき請求項２を設け」と，補正の内容を説明しているが，補正後の請求項２が，上記「２　補正事項の整理」の「（４）補正事項４」で検討したように，補正前の請求項３を補正したものではなく，審判請求人が説明するように「新たに上記記載事項に基づき請求項２を設け」たものであると解したとしても，審判請求時の補正において，新たに請求項を設ける補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるとは認められないから，当該補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当しない。また，当該補正が，特許法第１７条の２第４項に掲げる他のいずれの事項を目的とするものにも該当しないことも明らかである。したがって，審判請求人の前記主張に沿って補正事項を解釈したとしても，本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に違反するといえる。
　
４　むすび
　上記（１）及び（２）で検討したとおり，補正事項１及び補正事項４を含む本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。したがって，本件補正の他の補正の要件については検討するまでもなく，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年１２月７日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下され，同年４月４日に提出された手続補正書でした補正は，同年７月３１日付けで却下されているので，本願の請求項１−５に係る発明は，平成２３年９月２６日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−５に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，
「【請求項１】
　基板上に分離層を形成する工程と，
　前記分離層上に被転写層を形成する工程と，
　前記被転写層上に接着層を介して可撓性を有する転写体を接合する工程と，
　前記転写体の前記被転写層とは反対側に，仮固定接着層を介して，前記転写体の強度を補強する支持基板を接合する工程と，
　前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程と，
　前記仮固定接着層において前記転写体と前記支持基板とを分離する工程と，
　を含むことを特徴とする被転写層の転写方法。」
　にあるものと認める。
　
２　新規性・進歩性について
（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
・引用例１：特開昭５７−５００６７０号公報
（１ａ）「発明の実施の最良の形態
　本発明の種々の特定の実施態様を，図面を参照しながら説明する。これらの図面において，同様な要素は同様な数字で示されている。
　
第１図は，本発明の１つの実施態様の工程を表わす
この方法の第１工程において，結晶成長マスクを結晶化支持体上に形成
　この実施態様の次の工程において，結晶材料を支持体の露出区域に析出する。これは，たとえば，マスクした支持体を結晶成長反応器，たとえば蒸気相エピタキシー反応器に入れることによって実施できる。結晶材料は成長マスクにより露出された支持体のそれらの区域に析出し，そして成長がマスクの表面に到達したとき，適切な条件下に，それ以上の結晶の成長はマスクの表面上を横方向に起こる。
　次いで結晶の析出および成長を続けて，露出されたマスク区域からの材料の横方向の成長が，所望寸法の結晶材料のシートが形成するまで，続くようにする。それは常には必要ではないが，多くの場合において，横方向のオーバーグロースは，支持体の露出区域において形成した不連続の成長区域からの材料の連続なシートが形成してしまうまで，続ける。
　次いで，結晶材料のシートは使用する成長マスクに依存して種々の技術を用いて，支持体から分離できる。たとえば，低接着性成長マスクを使用する場合，シートは機械的衝撃前面を用いて劈開して，結晶成長マスクの露出区域を通して成長した支持リブにおいてシートを劈開することができる。別法として，種々の追加の材料を工程２において支持体の露出区域で初め結晶させ，次いで結晶シート材料を成長させ，その後初めの結晶した材料を優先的にエツチングし，溶融し，昇華し，劈開し，または他の方法で除去もしくは破壊して，結晶材料のシートを結晶化支持体から分離することができる。
　結晶化支持体は次いで必要に応じて再使用して，追加の結晶材料のシートを成長させることができる。通常，支持体の多少の清浄及び他の小規模の準備は必要であるが，これはすべての場合において要求されないであろう。このような支持体は多数回使用して多くの薄い結晶材料シートを成長させることができ，これによってこのような結晶材料の薄いシートのコストを有意に減少できる。」（第５頁右下欄第２行−第６頁左上欄第１９行）
　
（１ｂ）「
横方向にオーバーグローした材料のシート，たとえば第１図および第２図に図解する方法によって製造したものを劈開する特定の技術は，第６図に図解されている
　第６Ａ図において，
再使用可能な支持体１０はその上に横方向にオーバーグローした結晶シート１８を有し
結晶フィルム１８は初め新らしい支持体２２，例えばガラスシート，へ結合剤，たとえばエポキシにより結合される
セラミック，金属または他の材料のシートを，新しい支持体に，もちろん，使用でき，そして他の結合剤を同様に使用できる
　
次の工程において，結合剤，たとえば，ワックスを用いて
新しい支持体２２を厚い支持板２４へ結合する
支持板２４は新しい支持体２２よりも厚くかつ剛性である
それを使用して新しい支持体が分離の間過度に曲がるのを防ぐ
　第６Ｃ図において，
他の支持板２４を再使用可能な支持体１０に結合して，最初の支持板２４としての同様な目的として作用させる
　劈開手順を第６Ｄ図に図解する。この図において，たとえば，ドライバーの先端であることができる，
分割くさび２６を支持板２４の間にそう入し，次いでおだやかに内側方向に推進させる。これは，再使用可能な支持体１０と横方向にオーバーグローした結晶シート１８との間を明りょうに分離するために十分な，衝撃波をつくる。分離は結晶材料の劈開面に沿って起こる
　
ある分離において，再使用可能な支持体の表面は，成長マスクで部分的におおわれたままである
支持体は必要に応じて再使用して，他の成長マスクをその上に形成することにより，結晶材料の他のシートを製造できる
　他方において
成長マスクが結晶化支持体に対してすぐれた接着性をもち，そして結晶フィルムに対して比較的劣った接着性を有するとき，分離はほとんど完全なマスクをその上に有する支持体を生ずることができ，その場合それを引き続いて直接再使用することができる
　第７図は，
支持体と横方向にオーバーグローさせたシートとの間の接着力を低くするための，結晶成長マスクの他の実施態様を示す。図示するように，結晶成長マスクは第７図において，粉末のフィルム３０に形成した，シリカ粉末のような微細な粉末から形成されている。粉末のフィルム３０は，たとえば，結晶ケイ素の成長に適当な成長マスクを提供する。特別に調製した，個々のシリカ粒子は，横方向のフィルムのオーバーグロースの内それらを所定位置に保持するのに十分な方法で，互いに付着することができる。しかしながら，粉末のフィルム３０の引張り強さは，結晶フィルム１８の強さに比べて低く，分離を促進する
　
分離力を加えると，個々の粉末粒子の間で分離が起こる。このような粒子は，横方向にオーバーグローしたフィルム１８および再使用可能な支持体１０の表面から，典型的にはエツチングにより，除去できる
　
（１ｃ）「実施例　１
　クロムをドープして絶縁体とした，厚さ１５ミル（０，３８ｍｍ）の単結晶のヒ化ガリウムの支持体を使用した。この支持体を，劈開平面である〔１１０〕方向に配向した。シプレイ（Ｓｈｉｐｌｅｙ）１３５０Ｊフォトレジストを表面上へ適用し，予備暴露焼付けにより乾燥した。各々が幅２．５μｍ，中心が５０μｍである線条を，〔１１０〕平面から時計まわりに６０゜で配向させてフォトレジスト上へ接触印刷した。次いで，被覆した支持体を４００℃に空気中で１分間加熱して，フォトレジストを炭化した。
　短時間化学的にエツチングし，被覆した支持体をＡｓＣｌ２−Ｇａ−Ｈ２エピタキシャル反応器に入れ，そして支持体を７４０℃の温度に加熱した。結晶の成長は線条の開口中に炭素層を通して，引き続いて炭素層の表面上に外に開始した。隣接する開口からの横方向の成長は，フィルムの厚さがほぼ１μｍとなったとき，接合した。成長は，この連続フィルムが５．８μｍの厚さを有するまで，続けた。
　
横方向に成長したフィルムをそのもとの支持体から移すために，この表面を厚さ１０ミル（０．２５ｍｍ）のガラス板にハイゾル（Ｈｙｓｏｌ）白色エポキシ−パッチキットＮｏ．０１５１を用いて結合した
このエポキシで結合したサンドイッチを，２枚の硬質ガラス板にワックスで結合した
　
この支持体をガラス板から除去し
　
　したがって，引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｂ）を総合勘案すれば，引用例１には，第１図に図解する方法によって製造したものを劈開する特定の技術として第６図及び図７に図解されている方法として，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「結晶成長マスクを結晶化支持体上に形成する工程と，
　再使用可能な支持体１０の，その上に横方向に結晶シート１８をオーバーグローする工程と，
　結晶フィルム１８を，新しい支持体２２，例えばガラスシート，セラミック，金属または他の材料のシート，へ結合剤，たとえばエポキシ又は他の結合材により結合する工程と，
　結合剤，たとえば，ワックスを用いて，新しい支持体２２を厚い支持板２４へ結合する工程と，
　他の支持板２４を再使用可能な支持体１０に結合して，最初の支持板２４としての同様な目的として作用させる工程と，
　分割くさび２６を支持板２４の間にそう入し，次いでおだやかに内側方向に推進させて，再使用可能な支持体１０と横方向にオーバーグローした結晶シート１８との間を明りょうに分離する工程と，
　を含む方法であって，
　厚い支持板２４は新しい支持体２２よりも厚くかつ剛性であり，それを使用して新しい支持体２２が分離の間過度に曲がるのを防ぐものであり，
　結晶成長マスクは，粉末のフィルム３０に形成した，シリカ粉末のような微細な粉末から形成されており，粉末のフィルム３０は，たとえば，結晶ケイ素の成長に適当な成長マスクを提供するものであり，特別に調製した，個々のシリカ粒子は，横方向のフィルムのオーバーグロースの内それらを所定位置に保持するのに十分な方法で，互いに付着することができるが，粉末のフィルム３０の引張り強さは，結晶フィルム１８の強さに比べて低く，分離を促進するものであるので，分離力を加えると，個々の粉末粒子の間で分離が起こる，
　ものである方法。」
　
（２）対比
ア　引用発明の，結晶成長マスクを形成する「結晶化支持体」と「再使用可能な支持体１０」が，同一の部材を指していることは当業者にとって明らかである。そして，この「結晶化支持体」，「再使用可能な支持体１０」は，本願発明１の「基板」に相当する。
　また，引用発明の「結晶成長マスク」すなわち「粉末のフィルム３０」は，「シリカ粉末のような微細な粉末から形成されており，粉末のフィルム３０は，たとえば，結晶ケイ素の成長に適当な成長マスクを提供するものであり，特別に調製した，個々のシリカ粒子は，横方向のフィルムのオーバーグロースの内それらを所定位置に保持するのに十分な方法で，互いに付着することができるが，粉末のフィルム３０の引張り強さは，結晶フィルム１８の強さに比べて低く，分離を促進するものであるので，分離力を加えると，個々の粉末粒子の間で分離が起こる」ものであり，分割くさび２６が支持板２４の間にそう入され，次いでおだやかに内側方向に推進されて，再使用可能な支持体１０と横方向にオーバーグローした結晶シート１８との間を明りょうに分離するのであるから，引用発明の前記「結晶成長マスク」すなわち「粉末のフィルム３０」は，本願発明１の「分離層」に相当する。
　
イ　引用発明の「結晶シート１８」と「結晶フィルム１８」が，同一の部材を指していることは当業者にとって明らかである。そして，この「結晶シート１８」，「結晶フィルム１８」は，本願発明１の「被転写層」に相当する。
　
ウ　引用発明の「新らしい支持体２２，例えばガラスシート，セラミック，金属または他の材料のシート」，「結合剤，たとえばエポキシ又は他の結合材」は，それぞれ，本願発明１の「支持基板」，「接着層」に相当する。
　したがって，引用発明の「結晶フィルム１８を，新らしい支持体２２，例えばガラスシート，セラミック，金属または他の材料のシート，へ結合剤，たとえばエポキシ又は他の結合材により結合する工程」は，本願発明１の「『被転写層上に接着層を介して』『転写体を接合する工程』」に相当する。
　
エ　引用発明の「厚い支持板２４」，「結合剤，たとえば，ワックス」は，それぞれ，本願発明１の「支持基板」，「仮固定接着層」に相当する。そして，引用発明の「支持板２４は新しい支持体２２よりも厚くかつ剛性であり，それを使用して新しい支持体が分離の間過度に曲がるのを防ぐものであり」は，本願発明１の「転写体の強度を補強する」ことに相当するものといえる。
　したがって，引用発明の「結合剤，たとえば，ワックスを用いて，新しい支持体２２を厚い支持板２４へ結合する工程」は，本願発明１の「前記転写体の前記被転写層とは反対側に，仮固定接着層を介して，前記転写体の強度を補強する支持基板を接合する工程」に相当する。
　
オ　引用発明の「分割くさび２６を支持板２４の間にそう入し，次いでおだやかに内側方向に推進させて，再使用可能な支持体１０と横方向にオーバーグローした結晶シート１８との間を明りょうに分離する工程」は，本願発明１の「前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程」に相当する。そして，前記分離によって，支持体１０に横方向にオーバーグローした結晶シート１８が，前記支持体１０から分離されて，新らしい支持体２２に結合したものとなるのであるから，引用発明は，結晶シート１８を支持体１０から新らしい支持体２２に「転写」する方法に係る発明であると理解できる。
　
　そうすると，本願発明１と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「基板上に分離層を形成する工程と，
　前記分離層上に被転写層を形成する工程と，
　前記被転写層上に接着層を介して転写体を接合する工程と，
　前記転写体の前記被転写層とは反対側に，仮固定接着層を介して，前記転写体の強度を補強する支持基板を接合する工程と，
　前記分離層において前記被転写層と前記基板とを分離する工程と，
　を含む被転写層の転写方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１の転写体が，「可撓性を有する」ものであるのに対して，引用発明の「新らしい支持体２２，例えばガラスシート，セラミック，金属または他の材料のシート」では，そのような性質が特定されていない点。
　
・相違点２：本願発明１が，「前記仮固定接着層において前記転写体と前記支持基板とを分離する工程」を含むのに対して，引用発明では特定されていない点。
　
（３）相違点についての判断
・相違点１について
　「可撓性を有する」とは，曲げたり，撓めたりすることが可能であるという性質を備えているという程度のことを意味しているものと解される。
　一方，引用発明において，支持板２４は，「新しい支持体２２よりも厚くかつ剛性であり，それを使用して
新しい支持体が
過度に曲がるのを防ぐ
　
　仮に，上記相違点１が実質的なものであったとしても，本願明細書の【００９８】の「本発明で用いられる，
最終転写体１３２は
可撓性を有するものである
最終転写体１３２を構成する材料としては
ガラス材料であってもよい
　
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ｃ）には，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施例が記載されているところ，前記実施例は「この支持体をガラス板から除去し」という工程を含むものである。
　してみれば，引用例１の実施例の前記記載を参酌すれば，引用発明において，「分割くさび２６を支持板２４の間にそう入し，次いでおだやかに内側方向に推進させて，再使用可能な支持体１０と横方向にオーバーグローした結晶シート１８との間を明りょうに分離する工程」の後に，「結合剤，たとえば，ワックス」において「新しい支持体２２」と「厚い支持板２４」とを分離する工程を有することは，当業者において自明であると認められる。したがって，上記相違点２は実質的なものではない。
　
　仮に，上記相違点２が実質的なものであったとしても，引用例１の上記摘記（１ｃ）の前記記載に基づいて，引用発明の「分割くさび２６を支持板２４の間にそう入し，次いでおだやかに内側方向に推進させて，再使用可能な支持体１０と横方向にオーバーグローした結晶シート１８との間を明りょうに分離する工程」の後に，「結合剤，たとえば，ワックス」において「新しい支持体２２」と「厚い支持板２４」とを分離する工程を設けることは当業者にとって容易である。また，このような構成としたことによる効果も，格別のものとは認められない。
　
（４）まとめ
　以上のとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明である。また，仮に引用例１に記載された発明であると認めることができないとしても，本願発明１は，上記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。仮に，本願の請求項１に係る発明が，引用例１に記載された発明であると認めることができないとしても，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。