【事件の表示】
　平成　５年特許願第１１８５８５号「半導体装置における微細電極の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年１２月　２日出願公開、特開平　６−３３３９３１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 Ｉ．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成５年５月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１０年１１月２４日付けの手続補正書及び平成１１年３月１８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「半導体基板に形成された素子部に対応して、前記基板表面に配線層を形成する第１の工程と、
　前記配線層上に前記配線層に貫通する開口を形成した絶縁物保護層を形成する第２の工程と、
　前記保護層上に前記開口を介して前記配線層に接続される導電膜を形成する第３の工程と、
　前記導電膜上に形成しようとする微細電極の高さに相当する膜厚のレジスト膜を形成する第４の工程と、
　前記レジスト膜に前記絶縁物保護層の開口部に対応して、除去液にて前記導電膜に至るホト穴を形成し、前記導電膜を露出させる第５の工程と、
　リアクティブイオンエッチングによって、酸素ガスのラジカルをプラズマ中で生成し、前記ホト穴を電界で加速衝撃することで異方性エッチングする第６の工程と、
　前記異方性エッチングされた前記ホト穴にメッキ金属を埋め込み、前記レジスト膜を除去して柱状電極を形成する第７の工程とを具備し、
　前記第６の工程によって前記第５の工程で形成されたホト穴の底部に形成されたテーリング部が除去されるようにしたことを特徴とする半導体装置における微細電極の製造方法。」 
ＩＩ．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平５−１０２１６０号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開昭６３−２２９８２６号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の（ア）〜（ケ）の事項が記載されている。
引用例１：
（ア）「【請求項１】チップ上に突起電極を設ける半導体装置の製造方法において、電極上の保護膜表面に下地金属層を形成する工程と、この下地金属層上にフォトレジストを設けパターン形成する工程と、このパターン形成された上記レジストをプラズマアッシングする工程と、上記パターンに突起電極を形成する工程と、この突起電極をマスクとして上記下地金属層をエッチングする工程とを備えた半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置のＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）アセンブリ時にテープと接合される半導体装置の突起電極（バンプ）部・・・の製造方法に関するものである。
 【０００２】
【従来の技術】図８（Ａ）〜（Ｃ）は半導体装置のＴＡＢアセンブリプロセスを説明する図である。図８（Ａ）のウエハ上のチップに図８（Ｂ）にて突起電極（バンプ）を形成し、図８（Ｃ）に示すようにこの突起電極とリードがボンディングされる。図７は図８（Ｂ）のバンプ部を拡大した従来例を示す断面図であり、例えばアルミ合金等からなる電極１上に突起電極６を形成している。なお２は絶縁膜、３は下地金属層である。この種の突起電極６の形成方法を図９によって説明する。
【０００３】図９（Ａ）は電極１と図示しない半導体部分を保護する絶縁膜２を示す。図９（Ｂ）において、上記電極１と絶縁膜２の表面上に突起電極６と電極１との機械的密着力および電気的な導電性を上げるために全面に下地金属層３を例えばスパッタリングで形成する。この下地金属層３は例えば銅，クロム，金等の多層金属膜が用いられている。
【０００４】次に図９（Ｃ）において突起電極を形成するためのマスクとしてネガレジスト４をパターン形成する。このマスク厚さは例えば３０μｍ程度あり、これは突起電極６が後工程のＴＡＢ時にハンダ層の拡散防止や機械的耐性を確保するため厚いものが要求されているからであり、マスク４の厚さは当然のことながら突起電極６より厚い。
【０００５】次に図９（Ｄ）において例えば金等をメッキすることにより突起電極６を形成する。
【０００６】次に図９（Ｅ）においてレジスト４を除去後、図９（Ｂ）で全面スパッタリング形成した下地金属層３を突起電極６をマスクとしてウエットエッチング除去し、突起電極６形成の部分工程は完了する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】（１）従来の突起電極６の形成方法では、厚膜レジスト４のパターンを形成したとき、現像時の残留液の影響によって形成されると考えられる裾引きが生じ、その後工程におけるメッキ時に裾引き個所にメッキ金属が充填されない。その形状を図７の５に示す。このため下地金属層３と突起電極６との接触面積が少なくなり機械的耐力が劣るとともに電気的接触性能が低下するという問題があった。さらにまた、半導体装置の微細化に伴って相隣り合う突起電極間ピッチが狭くなってきており、上記裾引きがあると微細化が困難であるという問題点もあった。（２）さらにまた図９（Ｅ）に示したように、下地金属層をウエットエッチングしたとき、図７に示すように下地金属層３がサイドエッチングされる。結局のところ所定より幅のせまい下地金属層３ｓ　となり、このようなものでは突起電極６との接続の機械的、電気的性能が劣るものであるという問題点もあった。
【０００８】この発明は上記の問題点を解決するためになされたもので、
（１）裾引きを除去する製造方法。
（２）裾引きを発生させない装置構造であってかつ、下地金属層のサイドエッチングを防止する構造の提供を目的とする。」（第２頁左欄１８行〜同頁右欄２６行）
（ウ）「【００１１】
【実施例】実施例１．以下この発明の一実施例を図について説明する。図１は第１の発明に係る突起電極の製造方法を示すもので、プロセス途中の断面図である。詳しくは従来例で説明した図９（Ｃ）の後に来るものであり、この本発明の図１の後に図９（Ｄ）の工程が来る。つまり図１におけるネガレジストの厚膜レジスト４ａ　をパターン形成するまでは従来例と同じ製造方法であり、この第１の発明ではレジスト４ａ　をパターニング後、図示しない半導体基板（図８のＡに相当する）の裏面から約１００℃程度加熱し、表面を酸素プラズマによるアッシング（灰化）によりレジスト４ａ　の表面層４ｂ　のみを除去する。このようにして表面層４ｂ　のみが除去されたレジスト４ａ　は裾引き５ａ　が小さなものとなり、その後の工程でメッキされる突起電極６と下地金属層３との接触面積は小さくならない。
【００１２】なお、この酸素プラズマによるアッシング条件を図２に示す。この一実施例による条件では基板の裏面から加熱されているのでレジスト４ａ　の底部ほどアッシングされやすい。このようにアッシング処理時の基板温度、処理時間等を制御することにより、レジスト４ａ　のパターン形状補正が可能となり、より垂直性のあるパターンが得られる。その実験の一例を図３、図４に示す。なお、図３に示したポジ型レジストはレジスト４の側壁傾きは小さいが後工程のメッキ性が悪いため採用され難い。」（第２頁右欄４３行〜第３頁左欄１８行）
（エ）「【００１５】
【発明の効果】以上のように第１の発明によれば、電極上の保護膜表面に下地金属層を形成する工程と、この下地金属層上にフォトレジストを設けパターン形成する工程と、このパターン形成された上記レジストをプラズマアッシングする工程と、上記パターンに突起電極を形成する工程と、この突起電極をマスクとして上記下地金属層をエッチングする工程とによって半導体装置を製造しているので
（１）突起電極と下地金属層との接触面積が従来のものに比べ増加し
（２）その結果、下地金属層と突起電極との機械的、電気的性能が向上する。
（３）また突起電極と下地金属層との接触が所望通りとなるので狭ピッチの突起電極が得られることになり
（４）半導体デバイスの微細化が可能となる。 」（第３頁右欄１２〜２７行）
（オ）第９図に従来の突起電極形成プロセス図として、（Ａ）チップの電極１の上に半導体部分を保護する絶縁膜2を電極１に貫通する開口を有する状態で形成し、次に、（Ｂ）上記電極１と絶縁膜２との全面に下地金属層３を形成し、次に、（Ｃ）上記絶縁膜の開口部に対応する部分に開口を有するレジスト４を形成し、次に、（Ｄ）上記レジストの開口部にメッキし、次に、（Ｅ）上記レジストとレジストに対応する部分の下地金属層3を除去して突起電極６を形成すること（第４頁の図９の説明と符号の説明、及び、図９参照）　が記載されている。
　以上の記載事項をまとめると、引用例１には、
　チップに電極を形成する第１の工程（上記（ア）参照）
　上記電極の上に電極に貫通する開口を有する絶縁膜を形成する第２の工程
　上記絶縁膜上にその開口を介して電極に接続される下地金属層を形成する第３の工程
　上記下地金属層の上に形成しようとする突起電極より膜厚のレジストを形成する第４の工程（上記（イ）参照）
　上記レジストの上記絶縁膜の開口に対応した部分を現像液により下地金属層に至るまで除去し未現像の裾引き部が残存する開口部を形成する第５の工程（上記（イ）参照）
　上記レジストの開口部を前記裾引き部が除去されたより垂直性のあるものとするべく酸素プラズマによるアッシングを行う第６の工程（上記（ウ）参照）
　上記アッシングされたレジストの開口部にメッキ金属を埋め込む第７の工程（上記（イ）、（ウ）、（オ）参照）
　その後に上記レジストを除去して突起電極を形成する第８の工程（上記（ウ）、（オ）参照））
　を有する半導体装置における突起電極の製造方法の発明（以下、「引用発明１」という。）
　が記載されていると認められる。
引用例２：
（カ）「現像後に発生するレジスト残りを防止する半導体装置の製造方法において、現像液でレジストを除去する現像工程を経た後、平行平板電極を備えたドライエッチング装置を用いて前記現像工程後になお残存したレジスト残りを取り除くことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（キ）「従来の現像法では、現像液がレジストと下地との界面に達するまでにレジストと下地とで何らかの反応が起こり、界面付近のレジストが現像液で取りきれず、その結果レジスト残りが生ずるという問題点がある。」（第１頁右下欄４〜８行）
（ク）「本実施例では、エッチング室１内に一対の平行平板電極２，３を配置し、高周波電圧印加電極３上に被エッチング物４を載置するように構成されており、ガス導入孔１ａから反応ガスをエッチング室１内に導入すると共に、排気孔１ｂから排気し、この状態で前記電極２，３間に高周波電源５を用いて高周波電圧を印加して放電を起させ、プラズマを発生させて半導体ウェハ４をエッチングするようにしている。
　第１図（ａ）乃至第１図（ｃ）は、露光後に現像液で８０％乃至９０％程度までレジストを除去した後、第３図のエッチング装置を用いて、残りのレジストを除去する場合のエッチング状況を工程別に順次示した断面図である。
まず、第１図（ａ）において、半導体基板１０上にポリシリコン膜１１を形成し、さらにフォトレジスト１２を形成し、露光後現像液を用いて、フォトレジスト１２の露光部を８０％乃至９０％程度取り除いたものが示されており、第４図（ａ）とほぼ同じである。この時点ではまだ現像されていない部分１２ａが存在する。
　この状態で、前記のエッチング装置を用いてＯ２　プラズマ１３を低圧力でしかも短時間放電させる。平行平板型エッチング装置を用いたエッチングでは、反応性イオンエッチングが主に進行する。即ち、Ｏ２　プラズマ１３中のイオンは陰極付近で半導体ウェハに垂直な方向に加速され、そのうちレジストに到達したものが、レジストと反応していくことによりエッチングが進行する。よって反応性イオンエッチングは異方性であり、この装置を用いてレジストをＯ２　プラズマ１３でエッチングする場合、レジストは垂直方向にエッチングされる。
　したがって、第１図（ｂ）に示すように、レジストは上の層が多少目減りするものの、レジストの狭い間隔に残っていたレジスト１２ａは垂直に除去され、第１図（ｃ）に示すような、レジスト残りがなく、しかも寸法幅精度の優れた形状が得られる。
　本実施例では、Ｏ２　プラズマ１３を用いることにより、残りのレジスト１２ａをエッチングしていくが、レジストの上の層もエッチングされて多少目減りしていくという欠点がある。よって、上層のレジストの目減りの度合を最小限に抑えるためにレジスト１２を厚く塗布すると共に、現像液によってレジストを界面近くまで除去し、Ｏ２　プラズマ１３によるエッチングをできるだけ短い時間で行うことが重要である。」（第２頁右上欄１０行〜同頁右下欄１５行）
（ケ）現像のみで形成される凹部の形状が底部にレジストが残存したものであること（第４図（ａ）、同（ｂ）、第１図（ａ）参照）
　が記載されている。
　以上の記載事項をまとめると、引用例２には、
　半導体装置の製造において、現像工程で形成された凹部の底部に残存するレジスト残りを取り除く手段として平行平板電極を備えたドライエッチング装置を用いること（上記（カ）及び（キ）参照）、
　及び、該平行平板型エッチング装置を用いたエッチングでは、反応性イオンエッチングが主に進行し、Ｏ２　プラズマ中のイオンは陰極付近で半導体ウェハに垂直な方向に加速され、そのうちレジストに到達したものが、レジストと反応していくことによりエッチングが進行するので、エッチングは異方性であり、レジストは垂直方向にエッチングされ、レジストの狭い間隔に残っていたレジストは垂直に除去され、レジスト残りがなく、しかも寸法幅精度の優れた形状が得られること（上記（ク）参照）
　が記載されていると認められる。
ＩＩＩ．対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、
　後者における「電極」はチップの表面に素子部と対応して突起電極を形成すべき電極形成部を提供するものであることは明らかであり、前者における「配線層」は素子部と対応して基板表面に微細電極を形成すべき電極形成部を提供するものであるから、後者の「電極」と前者の「配線層」とはともに素子部に対応して形成された電極形成部であるという意味において同一であり、
　後者における「突起電極」は「突起電極（バンプ）」との表現（上記（イ）参照）からみてバンプを示すものであり、前者における「微細電極」は「バンプ等の突出する微細電極」との表現（段落番号【００２９】参照）からみてバンプをも示すものであるから、後者の「突起電極」と前者の「微細電極」とはバンプを示すという点で同一であり、
　後者の「チップ」、「絶縁膜」、「下地金属層」、「レジスト」、「現像液」、「開口部」、「裾引き部」及び「第７の工程及び第８の工程」は、それぞれ、前者の「半導体基板」、「絶縁物保護層」、「導電膜」、「レジスト膜」、「除去液」、「ホト穴」、「テーリング部」及び「第７の工程」に相当するから、
　両者は、「半導体基板に形成された素子部に対応して、前記基板表面に電極形成部を形成する第１の工程と、
　前記電極形成部上に前記電極形成部に貫通する開口を形成した絶縁物保護層を形成する第２の工程と、
　前記保護層上に前記開口を介して前記電極形成部に接続される導電膜を形成する第３の工程と、
　前記導電膜上にレジスト膜を形成する第４の工程と、
　前記レジスト膜に前記絶縁物保護層の開口部に対応して、除去液にて前記導電膜に至るホト穴を形成し、前記導電膜を露出させる第５の工程と、
　前記第５の工程で形成されたホト穴の底部に形成されたテーリング部を除去する第６の工程と、
　前記第６の工程で形成されたホト穴にメッキ金属を埋め込み、前記レジスト膜を除去して電極を形成する第７の工程
とを具備することを特徴とする半導体装置における微細電極の製造方法。」
である点で一致し、
　以下の（１）〜（４）の点で相違する。
（１）電極形成部が、前者においては「配線層」であるのに対し、後者においては単に「電極」とされ配線層であるかどうかについて明示がない点、
（２）第４の工程におけるレジスト膜の膜厚について、前者は「形成しようとする微細電極の高さに相当する膜厚」としているのに対し、後者は「形成しようとする微細電極より膜厚」としている点、
（３）第６の工程として、前者は「リアクティブイオンエッチングによって、酸素ガスのラジカルをプラズマ中で生成し、前記ホト穴を電界で加速衝撃することで異方性エッチングする」としているのに対し、後者は「酸素プラズマによるアッシングを行う」としている点、
（４）第７の工程で形成される「電極」を、前者は「柱状電極」としているのに対し、後者は「突起電極」としている点。
ＩＶ．当審の判断
Ａ．上記（１）の相違点について検討すると、
　半導体基板表面に電極形成部を形成するのに配線層を用いることは本出願前に周知であるから、引用発明１における電極形成部としての電極を配線層とすることは当業者にとって適宜なし得ることである。
Ｂ．上記（２）の相違点について検討すると、
　本願明細書には、本願発明の第４の工程におけるレジスト膜の膜厚の規定中の「 相当する」との表現の意味について特に記載したところはなく、第４工程におけるレジスト膜の膜厚が形成しようとする微細電極の高さより厚くてはいけないとする旨の記載もないから、本願発明の第４の工程におけるレジスト膜の膜厚に関する「 形成しようとする微細電極の高さに相当する膜厚」との表現は、通常の解釈に従って、レジスト膜の膜厚が正確に微細電極の高さに等しいことを表現したものでなく、レジスト膜の膜厚が微細電極の高さよりわずかに厚い場合、すなわち、引用発明１と同様に「形成しようとする微細電極より膜厚」とする場合をも含むものと解される。
　してみると、上記（２）の相違点は実質的なものでない。
　なお、本願明細書には、本願発明の実施例に関する図面として、図２には、アッシング後のレジスト膜の膜厚がＣｕメッキとはんだメッキにより形成した電極より低いものが記載されている（段落番号【００１２】参照）が、該図２は、アッシングによりレジストがエッチングされる（段落番号【００２０】〜【００２８】参照）前の前記第４の工程におけるレジスト膜の厚さを示すものでないから、上記図２に関する記載をもって、本願発明の第４の工程におけるレジスト膜の膜厚が微細電極の高さより低いとすることはできない。
Ｃ．上記（３）の相違点について検討するに、
　引用発明１において第６の工程を採用しているのは、第６の工程の内容からみて、第５の工程における現像工程においてレジストの開口部に形成される未現像による裾引き部を除去するためでありレジストの開口部をより垂直性のあるものとするためであると解されるところ、
　引用例２には、上記したとおり、半導体装置の製造における現像後に発生するレジスト開口部のレジスト残りを除去し開口部を垂直にする方法が記載されており、その内容は引用発明１で第６の工程を採用している前記理由と同じであるから、引用発明１の第６の工程に代えて引用例２に記載された工程を採用してみること、及び、その結果として、レジスト残りが除去されレジストの開口部がより垂直性のあるものになるであろうことを予想することは当業者にとって容易なことである。
　そして、引用例２には、レジストの開口部を垂直にする工程として、平行平板型エッチング装置を用いて、Ｏ２　プラズマを発生させ、プラズマ中のイオンを加速しレジストの開口部に残っているレジストを異方性にエッチングする工程を採用し、その工程は反応性イオンエッチングが主に進行するものであるとされており、前記「レジストの開口部」及び「反応性イオンエッチング」は、本願発明の「ホト穴」及び「リアクティブイオンエッチング」に相当するものであるから、引用例２には、前記工程として、「リアクティブイオンエッチングによって、酸素ガスのラジカルをプラズマ中で生成し、ホト穴を電界で加速衝撃することで異方性エッチングする」工程が記載されていると解される。
　してみると、上記（３）の相違点は、当業者が容易に想到することができたものである。
　なお、特許出願人は、引用発明１の第６の工程と引用例２に記載の異方性エッチングの工程とは、前者が柱状電極形成のための側壁をなすマスクを形成するための工程であり後者が被エッチング物上に形成したエッチングマスクを形成するための工程であるから、両工程はそれぞれ目的を異にし、引用例１と引用例２の記載を参照しても、引用発明１の第６の工程を引用例２に記載の異方性エッチングの工程に代えることは当業者に容易なことでないと主張するが、上記したように、引用発明１の第６の工程と引用例２に記載の異方性エッチングの工程とは、ともに、半導体装置の製造方法における、フォトレジストおよび現像液を用いたパターン形成工程において発生する、現像後のレジスト開口部のレジスト残りを除去しようとする工程であるという点、および、前記レジスト残りを除去してレジスト開口部を垂直にする工程であるという点で共通するのであるから、これら共通点に着眼して引用発明１の第６の工程を引用例２に記載の異方性エッチングの工程に代えてみることは当業者にとって容易なことであり、特許出願人の上記主張は採用できない。
Ｄ．上記（４）の相違点について検討すると、
　前者における「柱状電極」は第７の工程でレジスト膜を除去して形成される上部径と下部径が一致した状態の電極であるところ、該電極は「柱状突起電極」及び「柱状の突起電極」とも表現される突起電極でもあることは、明細書中の段落番号【０００６】、段落番号【０００８】、および段落番号【００２９】の記載内容からみて、明らかである。
　したがって、上記（４）の相違点は実質的なものでない。
　なお、上記段落番号には以下のとおりの記載がある。
「この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、柱状突起電極を形成するに際して、この電極の上部の径と下部の径が常に等しく設定されるように、レジストに形成されたホト穴の径が上部と下部で一致させられるようにするもので、確実に形状が適正化されたホト穴によって、特に下部にくびれ等が存在しない微細化に適する突起電極が確実に形成されるようにする半導体装置における微細電極の製造方法を提供しようとするものである。」（段落番号【０００６】）、
「ホト穴下部のテーリング部が除去され、したがってこのホト穴内にＣｕメッキによってＣｕを埋め込みレジストを除去すれば、上部径と下部径が一致した状態の柱状電極が形成されるようになる。すなわち、形状の適正化された突起電極が確実に形成されるようになるもので、特に微細化したはんだバンプ電極が高密度化可能にして容易に形成されるようになる。」（段落番号【０００８】）、
「この発明に係る半導体装置におけるバンプ等の突出する微細電極の製造方法によれば、柱状の突起電極を形成するに際して、この電極の上部の径と下部の径が常に等しく設定されるように、レジストに形成されたホト穴の径が上部と下部で一致させられるもので、形状が適正化されたホト穴によって、特に下部にくびれ等が存在しない微細化に適する突起電極が確実に形成されるものである。」（段落番号【００２９】）。
Ｖ．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。