【事件の表示】
　特願２００６−２７７３９６「磁気トンネル接合の封入方法、磁気デバイスの形成方法、および磁気トンネル接合構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月２６日出願公開、特開２００７−１１０１２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年１０月１１日（パリ条約による優先権主張２００５年１０月１２日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２３年９月１６日付けの拒絶理由通知に対して、平成２４年３月２２日に手続補正がなされるとともに、同日に意見書が提出され、同年６月５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、平成２５年１月２１日付けで審尋がなされ、同年６月２１日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２４年９月２８日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２４年９月２８日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし２２を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし２２に補正するとともに、明細書を補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　ピンド層と、フリー層と、これらの間に設けられた絶縁トンネル層とを含むと共に、側壁面を有する積層体を用意し、
　無酸素雰囲気中において、前記側壁面に第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成し、
　１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に第２の封入層を形成する
　ことを特徴とする磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項２】
　前記第１の封入層を、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつように形成する
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項３】
　前記第２の封入層を、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつように形成する
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項４】
　前記第１の封入層と同じ材料を用いて前記第２の封入層を形成する
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項５】
　前記第１の封入層の材料として、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いる
　ことを特徴とする請求項４に記載の磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項６】
　基板上にシード層を形成する工程と、
　前記シード層の上に反強磁性層を形成する工程と、
　前記反強磁性層の上にピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層の上に絶縁トンネル層を形成する工程と、
　前記絶縁トンネル層の上にフリー層を形成する工程と、
　前記フリー層の上にキャップ層を形成する工程と、
　前記の一連の工程により形成された積層膜を基板に達するまで選択的にイオンミリングすることにより、側壁面を有する積層体を形成する工程と、
　無酸素雰囲気中において、前記側壁面に第１の封入層を形成する工程と、
　１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に第２の封入層を形成する工程と
　を含み、その後に続く熱処理工程中の前記絶縁トンネル層の酸化を防止する
　ことを特徴とする磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項７】
　前記第１の封入層を、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつように形成する
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項８】
　前記第２の封入層を、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつように形成する
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項９】
　前記第１の封入層と同じ材料を用いて前記第２の封入層を形成する
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１０】
　前記第１の封入層の材料として、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いる
　ことを特徴とする請求項９に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１１】
　前記積層体は、傾斜した３つの側壁面と１つの平坦なエアベアリング面とを有する再生ヘッドである
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１２】
　前記積層体は、磁気メモリ素子である
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１３】
　前記絶縁トンネル層は０．４ｎｍ〜１．０ｎｍの膜厚を有し、その耐圧は２ボルト以下である
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１４】
　２５０°Ｃで３００分にわたる熱処理を行ったときの前記絶縁トンネル層の抵抗値増加が１％未満である
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１５】
　基板上に順に、シード層、反強磁性層、ピンド層、絶縁トンネル層、フリー層およびキャップ層を含むと共に、側壁面を有する積層体と、
　酸素を捕獲可能な材料を用いて前記側壁面に無酸素雰囲気中において形成された第１の封入層と、
　前記第１の封入層の上に１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において形成され、酸素を含有する第２の封入層と
　を含み、熱処理工程中の前記絶縁トンネル層の酸化が防止されている
　ことを特徴とする磁気トンネル接合構造。
　　【請求項１６】
　前記積層体は、傾斜した３つの側壁面と１つの平坦なエアベアリング面とを有する再生ヘッドである
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項１７】
　前記積層体は、磁気メモリ素子である
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項１８】
　前記第１の封入層は、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつ
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項１９】
　前記第２の封入層は、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつ
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項２０】
　前記第１の封入層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料で構成されている
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項２１】
　前記絶縁トンネル層は０．４ｎｍ〜１．０ｎｍの膜厚を有し、その耐圧は２ボルト以下である
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項２２】
　２５０°Ｃで３００分にわたる熱処理を行ったときの前記絶縁トンネル層の抵抗値増加が１％未満である
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　ピンド層と、フリー層と、これらの間に設けられた絶縁トンネル層とを含むと共に、側壁面を有する積層体を用意し、
　無酸素雰囲気中において、前記側壁面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成し、
　１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第２の封入層を形成する
　ことを特徴とする磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項２】
　前記第１の封入層を、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつように形成する
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項３】
　前記第２の封入層を、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつように形成する
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項４】
　前記第１の封入層と同じ材料を用いて前記第２の封入層を形成する
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項５】
　前記第２の封入層を、６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成する
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合の封入方法。
　　【請求項６】
　基板上にシード層を形成する工程と、
　前記シード層の上に反強磁性層を形成する工程と、
　前記反強磁性層の上にピンド層を形成する工程と、
　前記ピンド層の上に絶縁トンネル層を形成する工程と、
　前記絶縁トンネル層の上にフリー層を形成する工程と、
　前記フリー層の上にキャップ層を形成する工程と、
　前記の一連の工程により形成された積層膜を基板に達するまで選択的にイオンミリングすることにより、側壁面を有する積層体を形成する工程と、
　無酸素雰囲気中において、前記側壁面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第１の封入層を形成する工程と、
　１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第２の封入層を形成する工程と
　を含み、その後に続く熱処理工程中の前記絶縁トンネル層の酸化を防止する
　ことを特徴とする磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項７】
　前記第１の封入層を、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつように形成する
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項８】
　前記第２の封入層を、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつように形成する
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項９】
　前記第１の封入層と同じ材料を用いて前記第２の封入層を形成する
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１０】
　前記第２の封入層を、６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成する
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１１】
　前記積層体は、傾斜した３つの側壁面と１つの平坦なエアベアリング面とを有する再生ヘッドである
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１２】
　前記積層体は、磁気メモリ素子である
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１３】
　前記絶縁トンネル層は０．４ｎｍ〜１．０ｎｍの膜厚を有し、その耐圧は２ボルト以下である
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１４】
　２５０°Ｃで３００分にわたる熱処理を行ったときの前記絶縁トンネル層の抵抗値増加が１％未満である
　ことを特徴とする請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法。
　　【請求項１５】
　基板上に順に、シード層、反強磁性層、ピンド層、絶縁トンネル層、フリー層およびキャップ層を含むと共に、側壁面を有する積層体と、
　酸素を捕獲可能な材料を用いて前記側壁面に無酸素雰囲気中において酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて形成された第１の封入層と、
　前記第１の封入層の上に１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて形成され、酸素を含有する第２の封入層と
　を含み、熱処理工程中の前記絶縁トンネル層の酸化が防止されている
　ことを特徴とする磁気トンネル接合構造。
　　【請求項１６】
　前記積層体は、傾斜した３つの側壁面と１つの平坦なエアベアリング面とを有する再生ヘッドである
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項１７】
　前記積層体は、磁気メモリ素子である
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項１８】
　前記第１の封入層は、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつ
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項１９】
　前記第２の封入層は、５ｎｍないし４０ｎｍの厚さをもつ
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項２０】
　前記第２の封入層は、６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成されたものである
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項２１】
　前記絶縁トンネル層は０．４ｎｍ〜１．０ｎｍの膜厚を有し、その耐圧は２ボルト以下である
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。
　　【請求項２２】
　２５０°Ｃで３００分にわたる熱処理を行ったときの前記絶縁トンネル層の抵抗値増加が１％未満である
　ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気トンネル接合構造。」
　
（２）補正事項の整理
（補正事項ａ）
（補正事項ａ−１）補正前の請求項１の「無酸素雰囲気中において、前記側壁面に第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成し、」を、補正後の請求項１の「無酸素雰囲気中において、前記側壁面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成し、」と補正すること。
　
（補正事項ａ−２）補正前の請求項１の「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に第２の封入層を形成する」を、補正後の請求項１の「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第２の封入層を形成する」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
（補正事項ｂ−１）補正前の請求項５の「前記第１の封入層の材料として、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いる」を、補正後の請求項５の「前記第２の封入層を、６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成する」と補正すること。
　
（補正事項ｂ−２）補正前の請求項５の「請求項４に記載の磁気トンネル接合の封入方法」を、補正後の請求項５の「請求項１に記載の磁気トンネル接合の封入方法」と、引用関係を補正すること。
　
（補正事項ｃ）
（補正事項ｃ−１）補正前の請求項６の「無酸素雰囲気中において、前記側壁面に第１の封入層を形成する工程と、」を、補正後の請求項６の「無酸素雰囲気中において、前記側壁面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第１の封入層を形成する工程と、」と補正すること。
　
（補正事項ｃ−２）補正前の請求項６の「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に第２の封入層を形成する工程と」を、補正後の請求項６の「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第２の封入層を形成する工程と」と補正すること。
　
（補正事項ｄ）
（補正事項ｄ−１）補正前の請求項１０の「前記第１の封入層の材料として、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いる」を、補正後の請求項１０の「前記第２の封入層を、６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成する」と補正すること。
　
（補正事項ｄ−２）補正前の請求項１０の「請求項９に記載の磁気デバイスの形成方法」を、補正後の請求項1０の「請求項６に記載の磁気デバイスの形成方法」と、引用関係を補正すること。
　
（補正事項ｅ）
（補正事項ｅ−１）補正前の請求項１５の「酸素を捕獲可能な材料を用いて前記側壁面に無酸素雰囲気中において形成された第１の封入層と、」を、補正後の請求項１５の「酸素を捕獲可能な材料を用いて前記側壁面に無酸素雰囲気中において酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて形成された第１の封入層と、」と補正すること。
　
（補正事項ｅ−２）補正前の請求項１５の「前記第１の封入層の上に１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において形成され、酸素を含有する第２の封入層と」を、補正後の請求項１５の「前記第１の封入層の上に１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて形成され、酸素を含有する第２の封入層と」と補正すること。
　
（補正事項ｆ）補正前の請求項２０の「前記第１の封入層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料で構成されている」を、補正後の請求項２０の「前記第２の封入層は、６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成されたものである」と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
（３−１−１）補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成」することについて、「酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて」と限定的に減縮する補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
  
（３−１−２）補正事項ａ−２について
　補正事項ａ−２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第２の封入層を形成する」ことについて、「酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−２）補正事項ｂについて
（３−２−１）補正事項ｂ−１について
　補正事項ｂ−１は、補正事項ａ−１にともない、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項である「前記第１の封入層の材料として、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いる」ことを削除するとともに、補正前の請求項５が引用する補正前の請求項４がさらに引用する補正前の請求項１に係る発明特定事項である「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、」「第２の封入層を形成する」ことについて、「前記第２の封入層を、６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成する」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−２−２）補正事項ｂ−２について
　補正事項ｂ−２は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項４を引用することを、補正後の請求項１を引用することに変更する補正、すなわち、補正前の請求項４の発明特定事項である「前記第１の封入層と同じ材料を用いて前記第２の封入層を形成する」ことを削除する補正であり、特許請求の範囲の拡張に該当するので、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げられたいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項ｂ−２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−３）補正事項ｃについて
（３−３−１）補正事項ｃ−１について
　補正事項ｃ−１は、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項である「第１の封入層を形成する工程」について、「酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−３−２）補正事項ｃ−２について
　補正事項ｃ−２は、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項である「第２の封入層を形成する工程」について、「酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−４）補正事項ｄについて
（３−４−１）補正事項ｄ−１について
　補正事項ｄ−１は、補正事項ｃ−１にともない、補正前の請求項１０に係る発明の発明特定事項である「前記第１の封入層の材料として、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いる」ことを削除するとともに、補正前の請求項１０が引用する補正前の請求項９がさらに引用する補正前の請求項６に係る発明特定事項である「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、」「第２の封入層を形成する工程」について、「前記第２の封入層を、６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成する」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−４−２）補正事項ｄ−２について
　補正事項ｄ−２は、補正前の請求項６を引用する補正前の請求項９を引用することを、補正後の請求項６を引用することに変更する補正、すなわち、補正前の請求項９の発明特定事項である「前記第１の封入層と同じ材料を用いて前記第２の封入層を形成する」ことを削除する補正であり、特許請求の範囲の拡張に該当するので、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げられたいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項ｄ−２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−５）補正事項ｅについて
（３−５−１）補正事項ｅ−１について
　補正事項ｅ−１は、補正前の請求項１５に係る発明の発明特定事項である「無酸素雰囲気中において形成された第１の封入層」について、「酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−５−２）補正事項ｅ−２について
　補正事項ｅ−２は、補正前の請求項１５に係る発明の発明特定事項である「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において形成され、酸素を含有する第２の封入層」について、「酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−６）補正事項ｆについて
  補正事項ｆは、補正事項ｅ−１にともない、補正前の請求項１５に係る発明の発明特定事項である「前記第１の封入層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料で構成されている」ことを削除するとともに、補正前の請求項２０が引用する補正前の請求項１５に係る発明特定事項である「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において形成され」「る第２の封入層」について、「６６．５ｍＰａ以上６６５ｍＰａ以下の酸素分圧下において形成されたものである」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３０】段落の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−７）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおり、本件補正のうちの補正事項ｂ−２及びｄ−２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないから、本件補正は、同法同条同項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）検討の前提
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、仮に本件補正が当該要件を満たすものであるとした場合には、上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、一応検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし２２に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし２２に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された事項及び発明
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前である平成１５年８月２９日に日本国内で頒布された刊行物である特開２００３−２４３６３０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図３とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体において付加したものである（以下同様。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気メモリ装置およびその製造方法に関し、詳しくは、トンネル磁気抵抗素子を構成する強磁性体のスピン方向が平行もしくは反平行によって抵抗値が変化することを利用して情報を記録する不揮発性の磁気メモリ装置およびその製造方法に関する。」
「【００３５】
本発明の磁気メモリ装置１では、ＴＭＲ素子１３の側面、特にトンネル絶縁層３０３の側面とこのトンネル絶縁層３０３を挟む磁化固定層３０２および記憶層３０４との界面付近の側面は、水素（水素イオンも含む）、水酸基、酸素等に対してバリア性が高い窒化シリコンまたは酸化アルミニウムからなる側壁バリア層６１で覆われている構成が採用されていることから、第４絶縁膜４４の形成開始時における酸化性雰囲気や層間絶縁膜中に含まれる水素（水素イオンも含む）や水酸基イオンの侵入を防御することができる。このため、ＴＭＲ素子１３の特性の劣化やトンネル絶縁層３０３の膜厚バラツキを生じることが抑えられる。
「【００３７】
次に、本発明の磁気メモリ装置の製造方法に係る実施の形態を、図３の製造工程断面図によって説明する。
「【００４２】
その後、上記第３絶縁膜４３１上に上記書き込みワード線１１、第２ランディングパッド３５等を覆う上層部分の第３絶縁膜４３（４３２）を、例えばＰ−ＴＥＯＳ膜を例えば１００ｎｍの厚さに堆積して形成する。このように、書き込みワード線１１、第２ランディングパッド３５等を覆う第３絶縁膜４３がＰ−ＴＥＯＳ膜で形成される。
「【００４５】
続いて、ＰＶＤ(Physical Vapor Deposition)法によって、バリア層（図示せず）、反強磁性体層３０５、強磁性体からなる磁化固定層３０２、トンネル絶縁層３０３、強磁性体からなる記憶層３０４、キャップ層３１３を順次成膜する。
「【００５１】
次いで、図３の（２）に示すように、レジスト塗布工程、リソグラフィー工程により、上記キャップ層３１３上にマスクを形成した後、そのマスクを用いてエッチング（例えば反応性イオンエッチング）により上記キャップ層３１３をエッチングする。その後レジストのマスクを例えばアッシングにより除去した後、上記キャップ層３１３をマスクにしてＴＭＲ素子を形成するための上記積層膜（例えば記憶層３０４〜反強磁性体層３０５）を加工して、ＴＭＲ素子１３を形成する。
【００５２】
次に、側壁バリア層を形成するために、上記ＴＭＲ素子１３を被覆するように例えば窒化シリコン（例えばプラズマ−窒化シリコンシリコン）膜を例えば化学的気相成長法によって堆積する。次いで、窒化シリコン膜を全面エッチバックして、ＴＭＲ素子１３の側面にＰ−窒化シリコン膜をサイドウォール状に残すことで側壁バリア層６１を形成する。
また側壁バリア層６１は、水素（水素イオンも含む）や水酸基イオン、酸素等に対するバリア性が高い絶縁膜であればよく、窒化シリコン膜の他に例えば酸化アルミニウム膜で形成することができる。なお、成膜方法は、ＴＭＲ素子１３の側面に膜付けできる成膜方法であればいかなる成膜方法であってもよく、例えばスパッタリングによる成膜もできる。
「【００５４】
次に、図３の（３）に示すように、ＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって、ＴＭＲ素子１３を覆うように全面に酸化シリコンもしくは酸化アルミニウム等からなる第４絶縁膜４４を堆積する。このときＴＭＲ素子１３の側面は、窒化シリコンまたは酸化アルミニウムからなる側壁バリア層６１によって覆われているため、第４絶縁膜４４の堆積開始時に酸化性雰囲気にさらされることは無い。その後、化学的機械研磨によって、その堆積した第４の絶縁膜４４表面を平坦化するとともに、ＴＭＲ素子１３の最上層のキャップ層３１３を露出させる。
「【００５６】
上記磁気メモリ装置の製造方法では、ＴＭＲ素子１３の側面に不純物イオンを通さない側壁バリア層６１を形成することから、例えば還元性物質の水素イオンや酸化性物質の水酸基イオンがＴＭＲ素子１３の側面より侵入することが防止される。この結果、例えば第４絶縁膜４４の形成工程において第４絶縁膜４４中より発生する水素の拡散や、フォーミングガスによるシンタ工程での水素の拡散による還元作用によって、ＴＭＲ素子１３のトンネル絶縁層３０３の膜厚が変化して膜厚が薄くなり、還元反応が進みすぎた場合にトンネル絶縁層３０３を挟み磁化固定層３０２と記憶層３０４とが短絡するという問題が回避される。また、トンネル絶縁層３０３を挟んで形成される磁化固定層３０２や記憶層３０４が酸化され、それによってトンネル絶縁層３０３の膜厚が厚くなるという問題も回避される。
　
（４−３−２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「書き込みワード線１１、第２ランディングパッド３５等を覆う第３絶縁膜４３をＰ−ＴＥＯＳ膜で形成し、
　続いて、ＰＶＤ法によって、バリア層、反強磁性体層３０５、強磁性体からなる磁化固定層３０２、トンネル絶縁層３０３、強磁性体からなる記憶層３０４、キャップ層３１３を順次成膜し、次いで、レジスト塗布工程、リソグラフィー工程により、前記キャップ層３１３上にマスクを形成した後、前記マスクを用いてエッチングにより前記キャップ層３１３をエッチングし、その後前記レジストのマスクを除去した後、前記キャップ層３１３をマスクにして前記記憶層３０４〜前記反強磁性体層３０５を加工して、ＴＭＲ素子１３を形成し、
　次に、前記ＴＭＲ素子１３を被覆するように窒化シリコン膜もしくは酸化アルミニウム膜を、化学的気相成長法もしくはスパッタリングによって堆積し、次いで、前記窒化シリコン膜もしくは前記酸化アルミニウム膜を全面エッチバックして、前記ＴＭＲ素子１３の側面に前記窒化シリコン膜もしくは前記酸化アルミニウム膜をサイドウォール状に残すことで側壁バリア層６１を形成し、
　次に、ＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって、前記ＴＭＲ素子１３を覆うように全面に酸化シリコンもしくは酸化アルミニウムからなる第４絶縁膜４４を堆積し、
　その後、化学的機械研磨によって、前記第４絶縁膜４４の表面を平坦化するとともに、前記ＴＭＲ素子１３の最上層の前記キャップ層３１３を露出させる
　磁気メモリ装置の製造方法。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「強磁性体からなる磁化固定層３０２」、「強磁性体からなる記憶層３０４」、「トンネル絶縁層３０３」及び「ＴＭＲ素子１３」は、各々補正後の発明の「ピンド層」、「フリー層」、「これらの間に設けられた絶縁トンネル層」及び「積層体」に相当し、刊行物発明の「ＴＭＲ素子１３」が側壁を有していることは明らかであるから、刊行物発明の「ＰＶＤ法によって、バリア層、反強磁性体層３０５、強磁性体からなる磁化固定層３０２、トンネル絶縁層３０３、強磁性体からなる記憶層３０４、キャップ層３１３を順次成膜し、次いで、レジスト塗布工程、リソグラフィー工程により、前記キャップ層３１３上にマスクを形成した後、前記マスクを用いてエッチングにより前記キャップ層３１３をエッチングし、その後前記レジストのマスクを除去した後、前記キャップ層３１３をマスクにして前記記憶層３０４〜前記反強磁性体層３０５を加工して、ＴＭＲ素子１３を形成」することは、補正後の発明の「ピンド層と、フリー層と、これらの間に設けられた絶縁トンネル層とを含むと共に、側壁面を有する積層体を用意」することに相当する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「前記ＴＭＲ素子１３を被覆するように窒化シリコン膜を、化学的気相成長法もしくはスパッタリングによって堆積し、次いで、前記窒化シリコン膜を全面エッチバックして、前記ＴＭＲ素子１３の側面に前記窒化シリコン膜をサイドウォール状に残すことで側壁バリア層６１を形成」することと、補正後の発明の「無酸素雰囲気中において、前記側壁面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成」することとは、「前記側壁面に窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる材料を用いて第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成」するという点で共通する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「ＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって、前記ＴＭＲ素子１３を覆うように全面に酸化シリコンもしくは酸化アルミニウムからなる第４絶縁膜４４を堆積」することと、補正後の発明の「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、前記第１の封入層の上に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて第２の封入層を形成する」こととは、「前記第１の封入層の上に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）および二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる群から選ばれる材料を用いて第２の封入層を形成する」という点で共通する。
　
（４−４−４）刊行物発明の「磁気メモリ装置の製造方法」は、補正後の発明の「磁気トンネル接合の封入方法」に相当する。
　
（４−４−５）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「ピンド層と、フリー層と、これらの間に設けられた絶縁トンネル層とを含むと共に、側壁面を有する積層体を用意し、
　前記側壁面に窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる材料を用いて第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成し、
　前記第１の封入層の上に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）および二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる群から選ばれる材料を用いて第２の封入層を形成する
　ことを特徴とする磁気トンネル接合の封入方法。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「無酸素雰囲気中において、」「第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成」するのに対し、刊行物発明では、「窒化シリコン膜を、化学的気相成長法もしくはスパッタリングによって堆積」する際の雰囲気について、特定されていない点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、」「第２の封入層を形成する」のに対し、刊行物発明では、「ＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって、前記ＴＭＲ素子１３を覆うように全面に酸化シリコンもしくは酸化アルミニウムからなる第４絶縁膜４４を堆積」する際の酸素分圧について、特定がなされていない点。
　
（４−５）判断
（４−５−１）相違点１について
　引用刊行物の段落【００３５】に、「本発明の磁気メモリ装置１では、ＴＭＲ素子１３の側面、特にトンネル絶縁層３０３の側面とこのトンネル絶縁層３０３を挟む磁化固定層３０２および記憶層３０４との界面付近の側面は、水素（水素イオンも含む）、水酸基、酸素等に対してバリア性が高い窒化シリコンまたは酸化アルミニウムからなる側壁バリア層６１で覆われている構成が採用されていることから、第４絶縁膜４４の形成開始時における酸化性雰囲気や層間絶縁膜中に含まれる水素（水素イオンも含む）や水酸基イオンの侵入を防御することができる。このため、ＴＭＲ素子１３の特性の劣化やトンネル絶縁層３０３の膜厚バラツキを生じることが抑えられる。」と記載されているように、刊行物発明の「側壁バリア層６１」は、「第４絶縁膜４４の形成開始時における酸化性雰囲気」「の侵入を防御」し、「ＴＭＲ素子１３の特性の劣化やトンネル絶縁層３０３の膜厚バラツキを生じることが抑えられる」という効果を奏するものであるから、該「側壁バリア層６１」を形成する際の雰囲気中に敢えて酸素を含ませることはないものと認められる。そして、刊行物発明は、「窒化シリコン膜を、化学的気相成長法もしくはスパッタリングによって堆積」するものであり、これらの成膜法は、雰囲気中に酸素を含ませる必要がないものである。
　そうすると、刊行物発明においても、「窒化シリコン膜を、化学的気相成長法もしくはスパッタリングによって堆積」する際に、無酸素雰囲気中において行っているものと認められ、仮にそうでないとしても、「窒化シリコン膜を、化学的気相成長法もしくはスパッタリングによって堆積」する際に、無酸素雰囲気中において行うことにより、補正後の発明のように、「無酸素雰囲気中において、前記側壁面に」「窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる」「材料を用いて第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成」する構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点１は、実質的なものでないか、仮に実質的なものであったとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点２について
　刊行物発明において、「ＣＶＤ法」「によって」「酸化シリコンもしくは酸化アルミニウムからなる第４絶縁膜４４を堆積」した場合、雰囲気中に、成膜原料ガスの一部である酸素を１３．３ｍＰａ以上の分圧で含有させることは、成膜後の酸化シリコンもしくは酸化アルミニウムにおいて要求される物理的性質を決定する一つの要素である酸素組成比に応じて、当業者が適宜設定し得る設計的事項である。
　また、刊行物発明において、「ＰＶＤ法によって、」「酸化シリコンもしくは酸化アルミニウムからなる第４絶縁膜４４を堆積」した場合において、当該ＰＶＤ法が、例えば反応性スパッタリング法であれば、成膜原料ガスの一部である酸素を１３．３ｍＰａ以上の分圧で含有させることも、上記「ＣＶＤ法」「によって」「酸化シリコンもしくは酸化アルミニウムからなる第４絶縁膜４４を堆積」した場合と同様、当業者が適宜設定し得る設計的事項であり、当該「ＰＶＤ法」がターゲットＳｉＯ２を用いたスパッタリング法により行われるものであるとしても、ターゲットＳｉＯ２を用いたスパッタリング法において、スパッタリングガスに通常のアルゴンに加えて酸素を混合することによって、成膜される酸化シリコンの膜質を向上させることは、以下の周知例に記載されているように、周知の技術的事項であり、その際、酸素の分圧をどの程度にするかということも、要求される膜質の程度に応じて、当業者が適宜設定し得る設計的事項である。
　
（周知例）
　本願の優先権主張の日前である平成１年６月９日に日本国内で頒布された刊行物である特開平１−１４７８３４号公報には、以下の事項が記載されている。
「［産業上の利用分野］
　本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にバイアススパッタ法を用いてデバイス表面を平坦化する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
［従来技術］
　今日の高集積化の進行に伴い、半導体装置における配線部の段差は、デバイスの横寸法に比べて益々激しいものになって来ている。このようにデバイス表面の凹凸が激しくなってくると、デバイスの上層での段差被覆性、特に多層配線での第２層目の配線の被覆形状が悪化し、チップ歩留り、デバイスの信頼性が低下する。
　この問題を解決する方法の１つに、バイアススパッタによる層間絶縁膜の平坦化法がある。
　
この方法は、例えば高周波電力を印加することによりターゲットＳｉＯ
２
を基板側に被着させると同時に、基板側にも高周波電力を印加して自己バイアスにより基板側もスパッタリングする方法である。
　第３図は、バイアススパッタ法を一般的に説明するための模式図である。
　同図において、ＳｉＯ２の下地材料１上にＡｌ又はＡｌ合金の配線２が形成され、自己バイアスによってＡｒイオン３が飛来して、基板表面をスパッタリングする。こうして基板表面にＳｉＯ２の平坦化膜が形成される。
　
なお、スパッタガスとしては、通常、Ａｒを用いた高速成長が行われているが、Ａｒに微量のＯ
２
を混合させることによって、成長速度は低下するものの、ＳｉＯ
２
の絶縁膜の膜質が向上する。
　
　そうすると、刊行物発明において、「ＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって、前記ＴＭＲ素子１３を覆うように全面に酸化シリコンもしくは酸化アルミニウムからなる第４絶縁膜４４を堆積」する際に、、１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において行うことにより、補正後の発明のように、「１３.３ｍＰａ以上の酸素分圧下において、」「第２の封入層を形成する」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、実質的なものでないか、周知技術を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものであり、また、仮に、そのような違反がなく、本件補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合においても、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２４年９月２８日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２２に係る発明は、平成２４年３月２２日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし２２に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上記２．（４−３−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　補正後の請求項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第１の封入層(a first encapsulating layer)を形成」すること及び「第２の封入層を形成する」ことについて、各々「酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮX ）および窒化シリコン（ＳｉＮX ）からなる群から選ばれる材料を用いて」と限定したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記限定事項をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。