(57)【要約】【課題】  熱による変形の影響が低減された電子モジュールを提供する。【解決手段】  配線部材５００に接続される外部端子を有する基体２０と枠体４０とを加熱しながら基体２０の周辺領域と枠体４０とが接着されてなる実装部材２４を用意する第１工程と、電子デバイスを基体に固定する第２工程と、蓋体と枠体とを接着する第３工程と、を有し、蓋体３０の熱膨張率をαＬ、枠体４０の熱膨張率をαＦ、基体２０の熱膨張率をαＢ、配線部材５００の熱膨張率をαＣとして、αＬ，αＦ，αＢ＜αＣを満たす。【選択図】  図８
2018088555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスと、前記電子デバイスに電気的に接続された複数の内部端子および前記複数の内部端子と電気的に連続し、リフローはんだ付けによって配線部材に固着される複数の外部端子を有する容器と、を備える電子部品の製造方法であって、
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体の前記周辺領域と、前記中央領域に対応した開口を有する枠体と、が接着されてなり、複数の内部端子および前記複数の内部端子に電気的に連続した複数の外部端子を有する実装部材を用意する第１工程と、電子デバイスを前記基体の前記中央領域に固定し、前記複数の内部端子と前記電子デバイスとを電気的に接続する第２工程と、
第１領域および前記第１領域を囲む第２領域を有する蓋体の前記第１領域を前記電子デバイスに対向させ、前記蓋体の前記第２領域と前記枠体とを、前記蓋体と前記枠体との間に配された樹脂からなる接着剤で接着する第３工程と、を有し、
前記枠体は、前記基体の外縁の外側に向かって延在し、貫通穴が設けられた延在部を有し、
前記蓋体の熱膨張率をαＬ、前記枠体の熱膨張率をαＦ、前記基体の熱膨張率をαＢ、前記配線部材の熱膨張率をαＣとして、αＢ＜αＦ＜αＣかつαＬ＜αＣを満たすことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
αＬ＜αＦを満たす、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
αＬ＜αＢを満たす、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
電子デバイスと、前記電子デバイスと電気的に接続された複数の内部端子および前記複数の内部端子と電気的に連続し、リフローはんだ付けによって配線部材に固着される複数の外部端子を有する容器と、空間を挟んで前記電子デバイスに対向する中央領域を囲む周辺領域を有する蓋体と、を備える電子部品の製造方法であって、
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体の前記周辺領域と、前記中央領域に対応した開口を有する枠体と、が接着されてなり、複数の内部端子および前記複数の内部端子に電気的に連続した複数の外部端子を有する実装部材を用意する第１工程と、前記第１工程の後、電子デバイスを前記基体の前記中央領域に固定し、前記複数の内部端子と前記電子デバイスとを電気的に接続する第２工程と、
前記第２工程の後、第１領域および前記第１領域を囲む第２領域を有する蓋体の前記第１領域を前記電子デバイスに対向させ、前記蓋体の前記第２領域と前記枠体とを、前記蓋体と前記枠体との間に配された樹脂からなる接着剤で接着する第３工程と、を有し、
前記枠体は、前記基体の外縁の外側に向かって延在し、貫通穴が設けられた延在部を有し、
前記蓋体の熱膨張率をαＬ、前記枠体の熱膨張率をαＦ、前記基体の熱膨張率をαＢ、前記配線部材の熱膨張率をαＣとして、
（ａ）  αＢ＜αＦ＜αＣかつαＬ＜αＦ＜αＣ
または
（ｂ）  αＦ＜αＢ＜αＣかつαＦ＜αＬ＜αＣ
を満たすことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
αＢとαＬの差が１０．２ｐｐｍ／Ｋ以下であり、αＣが２５ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記複数の外部端子の少なくとも一部は前記開口の正射影領域に配置されている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記電子デバイスの熱膨張率をαＤとして、αＤ＜αＢかつαＤ＜αＬかつαＤ＜αＦを満たす、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記枠体の材料は金属であり、前記基体の材料はセラミックである、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記実装部材の前記基体と前記枠体は、前記基体と前記枠体との間に配された樹脂からなる接合材で接着されている、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第１工程は、前記基体の前記周辺領域と前記枠体との間に熱硬化性樹脂が介在した状態で前記基体および前記枠体を加熱する段階と、前記熱硬化性樹脂が硬化した後に前記基体および前記枠体を冷却する段階と、前記状態において前記枠体は反りを有しており、前記冷却する段階において前記枠体の反りが小さくなる、請求項１乃至９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記接着剤は光硬化型樹脂である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記基体は基準段部と、前記基準段部に対して段差部を介して窪んだ下段部を有しており、前記複数の内部端子は前記基準段部に配置されており、前記電子デバイスを前記基体の前記下段部に熱硬化型樹脂を用いて接着する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記電子デバイスは撮像デバイスまたは表示デバイスであり、前記基体は基準段部と、前記基準段部に対して段差部を介して出張った上段部とを有しており、前記複数の内部端子は前記基準段部に配置されており、前記枠体は前記上段部に接着されている、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法により製造された電子部品をリフローはんだ付けにより配線部材に固着する、電子モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記配線部材はリジッド基板であり、前記複数の外部端子の一部は前記枠体の正射影領域に配置されている、請求項１４に記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項１６】
電子デバイスに電気的に接続される複数の内部端子および前記複数の内部端子と電気的に連続し、配線部材に固着される複数の外部端子を有する実装部材であって、
前記電子デバイスが配置される中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体と、
前記基体の前記中央領域に対応した開口を有し、前記基体の前記周辺領域に接着された枠体と、を備え、
前記枠体は、前記基体の外縁の外側に向かって延在し、貫通穴が設けられた拡張部を有し、
前記複数の外部端子の一部は前記開口の正射影領域に配置されており、
前記枠体の熱膨張率が前記基体の熱膨張率よりも高く、
前記基体の材料はセラミックであり、前記枠体の材料は金属であり、
前記基体と前記枠体は、前記基体と前記枠体との間に配された樹脂からなる接合材で接着されていることを特徴とする実装部材。
【請求項１７】
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体と、
前記基体の前記中央領域に対応した開口を有し、前記基体の前記周辺領域に接着された枠体と、
複数の内部端子と、
前記複数の内部端子と電気的に連続し、配線部材に固着される複数の外部端子と、
前記基体の前記中央領域に固定され、前記複数の内部端子と電気的に接続された電子デバイスと、
前記電子デバイスに対向し、樹脂からなる接合材によって前記枠体に接着された蓋体と、を備え、
前記複数の外部端子は前記蓋体の正射影領域に配置されており、
前記枠体は、前記基体の外縁の外側に向かって延在し、貫通穴が設けられた拡張部を有し、
前記枠体の熱膨張率が前記基体の熱膨張率よりも高く、前記電子デバイスの熱膨張率が、前記基体の前記熱膨張率、前記枠体の前記熱膨張率、および、前記蓋体の熱膨張率よりも低く、
前記基体の材料はセラミックであり、前記枠体の材料は金属であり、
前記基体と前記枠体は、前記基体と前記枠体との間に配された樹脂からなる接合材で接着されていることを特徴とする電子部品。
【請求項１８】
前記蓋体の熱膨張率が前記基体の前記熱膨張率および前記枠体の前記熱膨張率の少なくとも一方よりも低い、請求項１７に記載の電子部品。
【請求項１９】
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体と、
前記基体の前記中央領域に対応した開口を有し、前記基体の前記周辺領域に接着された枠体と、
複数の内部端子と、
前記内部端子と電気的に連続した複数の外部端子と、
前記基体の前記中央領域に固定され、前記複数の内部端子と電気的に接続された電子デバイスと、
前記電子デバイスに対向し、樹脂からなる接合材によって前記枠体に接着された蓋体と、
前記複数の外部端子が固着された配線部材と、を備え、
前記枠体は、前記基体の外縁の外側に向かって延在し、かつ、貫通穴が設けられた拡張部を有し、
前記枠体の熱膨張率が前記基体の熱膨張率よりも高く、
前記電子デバイスの熱膨張率が、前記基体の前記熱膨張率、前記枠体の前記熱膨張率、および、前記蓋体の熱膨張率よりも低く、
前記基体の前記熱膨張率、前記枠体の前記熱膨張率、および、前記蓋体の前記熱膨張率が前記配線部材の熱膨張率よりも低いことを特徴とする電子モジュール。
【請求項２０】
請求項１９に記載の電子モジュールと、前記電子モジュールを格納する筐体と、を備える電子機器。
【請求項２１】
前記複数の外部端子の一部は前記枠体の正射影領域に配置されている、請求項１７または１８に記載の電子部品。
【請求項２２】
前記複数の外部端子の一部は前記枠体の正射影領域に配置されている、請求項１６に記載の実装部材。
【請求項２３】
前記基体は、前記複数の内部端子が配置された基準段部と、前記基準段部に対して段差部を介して出張った上段部とを有しており、前記枠体は前記上段部に接着されている、請求項１６または２２に記載の実装部材。
【請求項２４】
前記基体は、前記複数の内部端子が配置された基準段部と、前記基準段部に対して段差部を介して窪んだ下段部とを有しており、前記下段部は前記電子デバイスが配置される領域を有している、請求項１６、２２または２３に記載の実装部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱膨張率が異なる材料で構成された電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、絶縁基体と金属枠体と透光性蓋体とで構成された光半導体デバイス収納用容器が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１０１０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の容器を外部電気回路基板へ実装する際に、容器および回路基板の双方の温度上昇を伴う加熱工程を行うと、容器と回路基板の熱膨張率の関係によっては、容器や回路基板に変形（反り）が生じる場合がある。この加熱工程が例えばリフローはんだ付け工程であると、この反りによってはんだ付け不良が生じる可能性がある。また、この反りによって素子のコプラナリティの制御性が低下すると、素子の性能を十分に発揮することが難しくなる。
【０００５】
そこで本発明は、熱による変形の影響を低減できる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための手段は、電子デバイスと、前記電子デバイスに電気的に接続された内部端子および前記内部端子と電気的に連続し、リフローはんだ付けによって配線部材に固着される外部端子を有する容器と、を備える電子部品の製造方法であって、中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体の前記周辺領域と、前記中央領域に対応した開口を有する枠体と、が接着されてなり、内部端子および前記内部端子に電気的に連続した外部端子を有する実装部材を用意する第１工程と、電子デバイスを前記基体の前記中央領域に固定し、前記内部端子と前記電子デバイスとを電気的に接続する第２工程と、中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する蓋体の前記中央領域を前記電子デバイスに対向させ、前記蓋体の前記周辺領域と前記枠体とを接着する第３工程と、を有し、
前記蓋体の熱膨張率をαＬ、前記枠体の熱膨張率をαＦ、前記基体の熱膨張率をαＢ、前記配線部材の熱膨張率をαＣとするものである。これにおいて第１の観点では、αＢ＜αＦ＜αＣかつαＬ＜αＣを満たすことを特徴とする。また、第２の観点では、では、（ａ）  αＢ＜αＦ＜αＣかつαＬ＜αＦ＜αＣまたは（ｂ）  αＦ＜αＢ＜αＣかつαＦ＜αＬ＜αＣを満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、熱による変形の影響を低減できる電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】電子部品の一例の平面模式図。
【図２】電子部品の一例の断面模式図。
【図３】電子部品の一例の断面模式図。
【図４】電子部品の一例の分解斜視図。
【図５】電子部品（実装部材）の製造方法の一例の断面模式図。
【図６】電子部品の製造方法の一例の断面模式図。
【図７】電子機器の製造方法の一例の断面模式図。
【図８】反りを説明する断面模式図。
【図９】反りを説明する断面模式図。
【図１０】反りを説明する断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施形態として、電子部品１００の一例を説明する。図１（ａ）は第１例の電子部品１００を表から見たときの平面模式図であり、図１（ｂ）は第１例の電子部品１００を裏から見たときの平面模式図である。図２（ａ）、（ｂ）は第１例の電子部品１００の断面模式図である。図２（ａ）は図１（ａ）、（ｂ）のＡ−ａ線における第１例の電子部品１００の断面図であり、図２（ｂ）は図１（ａ）、（ｂ）のＢ−ｂ線における第１例の電子部品１００の断面図である。図３（ａ）、（ｂ）は第１例の電子部品１００の変形例である、第２例の電子部品１００の、図２（ａ）、（ｂ）と同様の箇所の断面図である。以下、主に第１例の電子部品１００について、同じもしくは類似の部分には共通の符号を付けて、各図面を相互に参照しながら説明を行う。各図にはＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を示している。
【００１０】
電子部品１００は電子デバイス１０と、電子デバイス１０を収容する容器５０を備える。容器５０は、主に基体２０と蓋体３０と枠体４０で構成される。詳しくは後述するが、容器５０の内で基体２０と枠体４０は実装部材として機能し得る。枠体４０は電子デバイス１０に対応する開口を有する。蓋体３０は光学部材として機能し得る。電子デバイス１０は基体２０に固定される。蓋体３０は枠体４０を介して基体２０に固定され、内部空間６０を介して電子デバイス１０に対向する。枠体４０は蓋体３０と電子デバイス１０との間の内部空間６０を囲む。枠体４０の開口内に上述した内部空間６０が形成される。
【００１１】
電子部品１００を構成する部材の位置関係は、電子デバイス１０の位置に関連する基準面をもとに説明することができる。基準面は電子デバイス１０の表面１０１と電子デバイス１０の裏面１０２との間に位置し、電子デバイス１０の側面１０５を貫く仮想的な平面である。表面１０１は基準面の一方の側（表面側）に位置し、裏面１０２は基準面の他方の側（裏面側）に位置する。基準面ＲＰはＸ−Ｙ方向に沿った平面であり、基準面ＲＰに垂直な方向がＺ方向である。面は電子デバイス１０が半導体デバイスである場合、便宜的に、基準面ＲＰを半導体層と絶縁体層との界面に設定してもよい。典型的には、Ｘ方向およびＹ方向は、電子デバイス１０の表面１０１、電子デバイス１０の裏面１０２、蓋体３０の外面３０１および蓋体３０の内面３０２に平行な方向である。表面１０１は内面３０２に対向し、裏面１０２は基体２０の配置領域２１０に対向して基体２０に接着されている。また、Ｚ方向はこれら表面１０１、裏面１０２、内面３０１、外面３０２に垂直な方向である。典型的な電子デバイス１０および電子部品１００はＸ方向およびＹ方向において矩形を呈する。また、Ｚ方向における寸法はＸ方向、Ｙ方向における寸法よりも小さく、おおむね平板形状である。以下、便宜的にＺ方向における寸法を厚みもしくは高さと呼ぶ。
【００１２】
Ｘ方向およびＹ方向において、電子部品１００の外縁は、基体２０の外縁２０５と枠体４０の外縁４０５と蓋体３０の外縁３０５で規定される。枠体４０は外縁４０５に加えて内縁４０３を有する。ここで正射影領域について説明する。或る部材の正射影領域とは、基準面に垂直なＺ方向においてその部材を投影可能な領域である。或る部材とは別の部材が、或る部材の正射影領域に位置することは、Ｚ方向において、或る部材と別の部材とが重なることを意味する。つまり、或る部材の正射影領域内に別の部材が位置する場合、別の部材は、Ｚ方向において或る部材と重なる領域に位置すると云うことができる。逆に、或る部材の正射影領域外に別の部材が位置する場合、別の部材の少なくとも一部は、或る部材と重らない領域に位置すると云うことができる。正射影領域の内外の境界は、対象の部材の輪郭である外縁および内縁（内縁は存在しない場合もある）に対応する。例えば、電子デバイス１０に対向する蓋体３０は、Ｚ方向において電子デバイス１０に重なる領域である、電子デバイス１０の正射影領域に位置する。
【００１３】
電子デバイス１０の種類は特に限定されないが、典型的には光デバイスである。本例の電子デバイス１０は主部１と副部２を有している。典型的には主部１は電子デバイス１０の中央に位置し、副部２はその周辺に位置する。電子デバイス１０がＣＣＤイメージセンサーやＣＭＯＳイメージセンサーなどの撮像デバイスであるなら主部１は撮像部である。電子デバイス１０が液晶ディスプレイやＥＬディスプレイなどの表示デバイスであるなら主部１は表示部である。撮像デバイスの場合、電子デバイス１０の蓋体３０との対向面である表面１０１が光入射面となる。この光入射面は、受光面を有する半導体基板の上に設けられた多層膜の最表層によって構成することができる。多層膜は、カラーフィルタ層やマイクロレンズ層、反射防止層、遮光層などの光学的な機能を有する層、平坦化層等の機械的な機能を有する層、パッシベーション層などの化学的な機能を有する層などを含む。副部２には主部１を駆動するための駆動回路や主部１からの信号（あるいは主部１への信号）を処理する信号処理回路が設けられる。電子デバイス１０が半導体デバイスであると、このような回路をモノリシックに形成することが容易である。副部２には電子デバイス１０と外部との信号の通信を行うための電極３（電極パッド）が設けられる。
【００１４】
基体２０の中央領域の少なくとも一部が配置領域２１０である。配置領域２１０の上には電子デバイス１０が配置され、電子デバイス１０は基体２０に固定される。典型的には、電子デバイス１０は、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に、基体２０の配置領域２１０と電子デバイス１０の裏面１０２との間に配された接合材５２を介して固定される。ただし、接合材５２が電子デバイス１０の側面である外縁１０５のみに接していて、基体２０の配置領域２１０と電子デバイス１０の裏面１０２との間に接合材５２が位置しない形態であってもよい。接合材５２は導電性であってもよいし絶縁性であってもよい。また、接合材５２は高い熱伝導性を有することが好ましく、金属粒子を含有するものを用いることもできる。
【００１５】
容器５０は、容器５０の内側（内部空間６０）に面する内部端子５と、容器５０の外側に面する外部端子７とを有する。複数の内部端子５が並んで内部端子群を構成している。これら内部端子５や外部端子７は基体２０と一体的に設けられている。本例では、図１（ａ）に示すように、Ｘ方向に沿って列状に並んだ１０個の内部端子５からなる内部端子群がＹ方向に２列分（２群）配されている。このような内部端子５の配置に限らず、Ｙ方向に沿って列状に並んだ内部端子群をＸ方向に２列分配することもできる。また、Ｙ方向に沿って列状に並んだ内部端子群とＸ方向に沿って列状に並んだ内部端子群とをそれぞれ２列分配して、電子デバイス１０を内部端子５が囲むようにすることもできる。また、複数の外部端子７が並んで外部端子群を構成している。本例では、図１（ｂ）に示すように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って行列状に並んだ外部端子群が電子部品１００の裏側を成す、基体２０の裏面２０６上に配されている。このような外部端子７の配置に限らず、外部端子群を、基体２０の側面である外縁２０５に沿って、Ｘ方向および／またはＹ方向において、列状に設けることもできる。
【００１６】
内部端子５と外部端子７は基体２０に内部配線として埋設された埋設部６を介して電気的に連続している。電子部品１００を構成する電子デバイス１０の電極３と容器５０の内部端子５は、接続導体４を介して電気的に接続されている。本例では電極３と内部端子５の接続はワイヤーボンディング接続であって、接続導体４は金属ワイヤー（ボンディングワイヤー）であるが、電極３と内部端子５の接続をフリップチップ接続としてもよい。その場合、電極３は電子デバイス１０の裏面１０２に設けられ、内部端子５や接続導体４は配置領域２１０に位置する。外部端子７は本例ではＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）であるが、ＰＧＡ（Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＬＣＣ（Ｌｅａｄｌｅｓｓ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ）でもよい。このような形態では、複数の外部端子７は基体２０上において蓋体３０の正射影領域に位置し得る。そして、外部端子７は基体２０の外縁２０５の内側、つまり基体２０の正射影領域に位置することになる。さらに複数の外部端子７の一部は、基体２０上において電子デバイス１０の正射影領域に位置し得る。このように、外部端子７は、Ｚ方向において電子デバイス１０、基体２０および蓋体３０の少なくともいずれかに重なる領域に位置することができる。内部端子５と埋設部６と外部端子７とをリードフレームを用いて一体化してもよく、その場合、内部端子５がインナーリードとなり、外部端子７がアウターリードとなる。リードフレームを用いた形態では、複数の外部端子７は、基体２０の外縁２０５から突出して、基体２０や蓋体３０の正射影領域の外に位置することになる。電子部品１００は、その外部端子７がプリント配線板などの配線部材の接続端子と電気的に接続され、同時に、この配線部材に固着される。外部端子７は、はんだペーストを用いたリフローはんだ付けによって外部回路と電気的に接続することができる。このようにして電子部品１００は配線部材に２次実装されて電子モジュールを構成する。電子モジュールもまた、電子部品として扱うことができる。実装の形態としては表面実装が好ましい。電子モジュールを筐体に組み込むことで、電子機器を構成する。
【００１７】
基体２０は、中央領域が、中央領域を囲む周辺領域に対して窪んだ形状、すなわち凹形状を有している。具体的には、板状部の中央領域により凹形状の底部が、板状部の周辺領域の上に設けられた枠状部により凹形状の側部が構成される。基体２０は、板材と枠材を積層することにより形成することができるほか、金型成形や切削加工等により一体的に形成することもできる。基体２０は、内部端子５および外部端子７の絶縁を確保できれば金属板などの導電体でもよいが、典型的には絶縁体からなる。基体２０は、ポリイミド基板などのフレキシブル基板であってもよいが、ガラスエポキシ基板、コンポジット基板、ガラスコンポジット基板、ベークライト基板、セラミック基板などのリジッド基板であることが好ましい。特にセラミック基板であることが好ましく、基体２０にはセラミック積層体を用いることが好ましい。セラミック材料としては炭化珪素、窒化アルミニウム、サファイア、アルミナ、窒化珪素、サーメット、イットリア、ムライト、フォルステライト、コージライト、ジルコニア、ステアタイト等を用いることが可能である。
【００１８】
図２（ａ）、図２（ｂ）、図３（ａ）、図３（ｂ）にそれぞれ示す様に、凹形状の基体２０の周辺領域は、段部と段差部で構成されている。段部とはＸ方向、Ｙ方向に広がる部分であり、段差部とは、Ｚ方向における高さが互いに異なる二つの段部の間に位置し、Ｚ方向に広がる部分である。
【００１９】
ここで、内部端子５が設けられた段部を基準段部２０２と定める。本実施形態では、図２（ａ）、図３（ａ）に示す様に、Ｙ方向において内部端子群よりも容器５０の外縁側、つまり基体２０の外縁２０５側に上段部２０４が位置している。そして上段部２０４は基準段部２０２に対して出張っている。つまりＺ方向において上段部２０４は基準段部２０２よりも蓋体３０側に位置する。基準段部２０２と上段部２０４の間には段差部２０３が位置している。段差部２０３は接続導体４と内部空間６０の一部を介して対向している。
【００２０】
また、図２（ａ）、（ｂ）に示した例では、基体２０が、基準段部２０２と上段部２０４に加えて、下段部２００を有する。下段部２００は、内部端子群よりも基体２０の外縁２０５から離れて位置する。つまり、下段部２００は内部端子群よりも基体２０の内方に位置する。そして、下段部２００は、段差部２０１を介して基準段部２０２に対して窪んでいる。つまり、下段部２００はＺ方向において段差部２０１を介して、内部端子群よりも蓋体３０から離れて位置する。段差部２０１は電子デバイス１０の外縁１０５と内部空間６０の一部を介して対向している。基準段部２０２は上段部２０４と下段部２０２の間に位置している。したがって、基準段部２０２を中段部と呼ぶこともできる。図２（ｂ）に示す様に、内部端子５が設けられていないＸ方向においては、下段部２００と上段部２０４の間には基準段部２０２は設けられていない。そして段差部２０３が上段部２０４と下段部２００の間に位置している。Ｘ方向においても、Ｙ方向と同様に、上段部２０４と下段部２００の間に中段部を設けることもできるが、このように内部端子５が設けられないような中段部は、容器５０の不要な大型化を招くため、設けないことが好ましい。
【００２１】
図３（ａ）、（ｂ）に示した変形例では、基体２０が段部および段差部を有しない平面形状である。そのため本例では、図３（ａ）、（ｂ）で云うところの基準段部は基準面と言い換えることができる。内部端子５が配される基準面２０２に電子デバイス１０や枠体４０が固定されており、図２（ａ）、（ｂ）に示したような下段部２００や上段部２０４が無い。その結果、枠体４０は内部空間６０だけでなく、電子デバイス１０を囲んでいる。なお、電子デバイス１０と蓋体３０の距離を小さくしたり、蓋体３０に枠部を設けるなどしたりすることで、枠体４０が内部空間６０を囲まずに電子デバイス１０のみを囲むようにしてもよい。つまり、枠体４０は内部空間６０および電子デバイス１０の少なくとも一方を囲んでいればよい。ほかの点は、図２（ａ）、（ｂ）で示した電子部品１００と同様である。また、図示はしないが、上段部と下段部の２段構成として、上段部に枠体４０を固定し、下段部に電子デバイス１０を配置するとともに内部端子５を配置してもよい。
【００２２】
電子デバイス１０に対向する蓋体３０は、電子デバイス１０を保護する機能を有する。電子デバイス１０が光を扱うような撮像デバイスや表示デバイスであるならば、それらの光（典型的には可視光）に対して透明であることが求められる。そのような蓋体３０としての好ましい材料はプラスチックやガラス、水晶などが挙げられる。蓋体３０の表面には反射防止コーティングや赤外カットコーティングを設けることもできる。
【００２３】
図４は電子部品１００の分解図である。図４から理解されるように、電子部品１００は、あらかじめ用意された電子デバイス１０と基体２０と蓋体３０と枠体４０とＺ方向に重ね合わせて構成されている。図４では、基体２０と枠体４０との関係を長破線で、電子デバイス１０と基体２０との関係を一点鎖線で、枠体４０と蓋体３０との関係を二点鎖線で示している。また、蓋体３０の輪郭を枠体４０に、電子デバイス１０の輪郭を基体２０に、枠体４０の輪郭を基体２０にそれぞれ破線で示している。
【００２４】
蓋体３０は枠体４０を介して基体２０に固定されている。詳細には、枠体４０と基体２０とが、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に、基体２０の中央領域を囲む周辺領域で接合材５１を介して相互に接着されている。また、枠体４０と蓋体３０とが、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に蓋体３０の中央領域を囲む周辺領域で接合材５３を介して相互に接着されている。基体２０の中央領域と蓋体３０の中央領域との間に電子デバイス１０および内部空間６０が位置している。本実施形態では、蓋体３０は、Ｚ方向において枠体４０よりも電子デバイス１０や基体２０から離れて位置しており、蓋体３０の電子デバイス１０との対向面である内面３０２に接合材５３が設けられている。しかし、特開２００３−１０１０４２号公報の図３の形態の様に、枠体４０の一部をＺ方向において蓋体３０よりも電子デバイス１０や基体２０から離れて位置させて、蓋体３０の外面３０１に接合材５３を設けることもできる。接合材５１、５２、５３の厚みは１〜１０００μｍであり、典型的には１０〜１００μｍである。
【００２５】
具体的には、枠体４０と基体２０を接着剤を用いて相互に接着し、電子デバイス１０と基体２０を接着剤を用いて相互に接着し、蓋体３０と枠体４０を接着剤を用いて相互に接着する。これらの接着の順番は特に限定されないが、蓋体３０と枠体４０との接着に先立って枠体４０と基体２０との接着を行う場合に、本発明は好適である。また、電子デバイス１０と基体２０との接着に先立って枠体４０と基体２０との接着を行う場合に本発明は好適である。つまり、まず枠体４０と基体２０とを接着して実装部材を形成する。その実装部材に電子デバイス１０を固定したのち、蓋体３０を実装部材に接着するのである。
【００２６】
基体２０と枠体４０は、接合材５１によってそれらの接合面の全周で接合されることが好ましい。また、蓋体３０と枠体４０も接合材５３によってそれらの接合面の全周で接合されることが好ましい。このように、基体２０および蓋体３０のそれぞれの周辺領域の全周を接着領域として、電子デバイス１０の周囲の内部空間６０を外部の空気に対して気密な空間とすることにより、内部空間６０への異物の侵入が抑制され、信頼性が向上する。気密性を確保するためには、十分な量の接着剤を用いればよい。
【００２７】
上で説明した接合材５１、接合材５２、接合材５３は、それぞれ、塗布された接着剤が固化したものである。接着剤の種類としては、溶媒の蒸発による乾燥固化型、光や熱による分子の重合などによって硬化する化学反応型、融解した接着剤の凝固によって固化する熱溶融（ホットメルト）型などが挙げられる。典型的な接着剤としては、紫外線や可視光で硬化する光硬化型樹脂や、熱で硬化する熱硬化型樹脂が用いられる。接合材５１用および接合材５２用の接着剤としては熱硬化型樹脂を好適に用いることができ、接合材５３用の接着剤としては光硬化型樹脂を好適に用いることができる。接着剤および接合材の色見としては、熱硬化性樹脂の場合には、白、黒、透明等特に限定は無く用いることが可能である。光硬化型樹脂の場合には、可視光及び／又は紫外光に対して透明である。接着剤および接合材は適度に無機あるいは有機のフィラーを含んでいてもよい。フィラーを含むことで耐湿性を向上することが可能である。接着剤の硬化後の接合材の弾性率は特に限定は無いが、異種材料同士を接着する場合には、比較的柔らかい樹脂（低弾性率樹脂）が好ましく、例えば１ＭＰａ以上１００ＧＰａ以下の範囲が好適であるが、これに限るものではない。
【００２８】
枠体４０は、基体２０に対向し接合材５１に接着された接合面４０１と、蓋体３０に対向し接合材５３に接着された接合面４０２を有する。枠体４０は電子デバイス１０と蓋体３０の間の内部空間６０を囲むように設けられている。枠体４０の、内部空間６０に面して内部空間６０を囲む面が内縁４０３である。枠体４０の外縁４０５は外部空間に露出している本例の枠体４０は、Ｘ方向において、基体２０と蓋体３０との間から外部空間に向かって延在した拡張部４０４を有している。この拡張部４０４には、貫通穴４０６が設けられており、この貫通穴４０６を、電子機器の筐体等に固定するためのねじ止め用の穴として用いたり、位置決め用の穴として用いたりすることができる。電子デバイス１００が撮像デバイスである場合、電子機器としては、スチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮影機能を有する情報端末が含まれる。
【００２９】
内部空間６０の気密性を高める上では、枠体４０は切れ目なく内部空間６０を囲んでいることが好ましい。また、枠体４０の剛性、ひいては電子部品１００の剛性を確保する上でも、枠体４０は切れ目のない閉ループであることが好ましい。また、後述するように熱伝導性を確保する上でも、枠体４０は周方向において連続した閉ループであることが好ましい。しかしながら、製造上の制約により枠体４０を辺ごとに複数に分割して配置してもよい。また、内部空間６０と外部空間を連通させる目的で枠体４０にスリットを設けてもよい。このように枠体４０に切れ目が存在する場合、枠体４０に生じる不連続な部分（スリット）は極力少ないことが望ましく、具体的には、内部空間６０や電子デバイス１０を囲む周の長さの１０％未満にとどめておくことが望ましい。換言すれば、内部空間６０や電子デバイス１０を囲む周に沿って、その周の長さの９０％以上にわたって枠体４０が存在すれば、枠体４０はこれらを囲むとみなすことができる。例えば、内縁４０３が縦２０ｍｍ、横２０ｍｍの四辺形（内縁４０３の周長は８０ｍｍ）であるとすれば、枠体４０に設けるスリットの幅は総計で８ｍｍ未満であれば、枠体４０が内部空間６０を囲んでいるとみなすことができる。この場合でも、１つあたりのスリットの幅は小さいことが好ましく、例えば８ｍｍ幅のスリットを１つ設けるよりは、４ｍｍ幅のスリットを２つ設ける方がよい。
【００３０】
枠体４０の材料は、樹脂、セラミック、金属を適宜使用することが可能である。なおここでいう金属とは単体の金属のみならず合金を含むものである。本実施形態は、接着剤を用いて枠体４０と基体２０とを貼り合せるものであるから、枠体４０の材料が基体２０の材料と異なる場合に好適である。また、本実施形態は、枠体４０の材料は蓋体３０の材料と異なる場合にも好適である。そのような場合とは、例えば、基体２０の材料がセラミックであり、蓋体３０の材料がガラスであり、枠体４０の材料が金属または樹脂である場合である。
【００３１】
枠体４０が高い熱伝導性を有する場合、拡張部４０４を介して電子デバイス１０の熱を放熱することができる。放熱のためには、枠体４０の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。典型的な樹脂の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ未満である。
【００３２】
また、電子部品１００に生じる応力を緩和する上で、枠体４０の熱膨張率（線膨張率）は極力低いことが好ましい。具体的には枠体４０の熱膨張率は５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。一般的な樹脂の熱膨張率は５０ｐｐｍ／Ｋより大きい。
【００３３】
これら熱伝導や熱膨張の観点を考慮すると、枠体４０の材料としては金属あるいはセラミックであることが好ましい。セラミックは金属と同等の熱的特性を有し得るが脆性材料であることから、加工性や機械的強度の点でセラミックよりも金属が好ましい。典型的な金属材料としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、鉄合金などが挙げられる。これら材料は加工性に優れ、比較的安価でもある。また、電子デバイス１０が撮像デバイスである場合には、屋外での使用を考えると、耐食性に優れるアルミニウムやアルミニウム合金、鉄合金が好適である。さらに、枠体４０の材料としては、ステンレスを始めとして、クロムやニッケル、コバルトを含む鉄合金が好適である。例えば、このような材料として、フェライト系ステンレスであるＳＵＳ４３０やオーステナイト系ステンレスであるＳＵＳ３０４、４２アロイ、コバールなどを用いることができる。
【００３４】
枠体４０は、電子デバイス１０と蓋体３０との間隔を規定し、また、蓋体３０を支持する機能をする。また、枠体４０は上述したようなねじ止め用や位置決め用の穴を有していたり、高い熱伝導性を有することにより放熱部材としての機能を有していたりする。そのため、基体２０と枠体４０とを併せて実装部材と呼ぶことができる。
【００３５】
電子部品１００に関する製造方法の一例を説明する。図５〜７は図１（ａ）、（ｂ）のＡ−ａ線における断面模式図である。
【００３６】
図５（ａ）は、基体２０を用意する工程ａを示す。上述したように基体２０は、内部端子５と埋設部６と外部端子７を有している。また基体２０は、基準段部２０２と上段部２０４とを接続する段差部２０３を有し、さらには、基準段部２０２と下段部２００とを接続する段差部２０１を有している。内部端子５は基準段部２０２に設けられている。外部端子７は基体２０の裏面２０６に設けられている。
【００３７】
このような基体２０は、例えば以下のように形成されるセラミック積層体から構成される。まず、ドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形法を用いて形成されたグリーンシートに板型の打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層して生セラミックの板材を形成する。また、同様に形成されグリーンシートに枠型の打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層して生セラミックの枠材を形成する。これらの板材と枠材を重ねて焼成することで、凹形状を有するセラミック積層体を作製し、これを基体２０として用いすることができる。内部端子５、埋設部６および外部端子７は、グリーンシートを積層する過程でスクリーン印刷法等により形成された導電ペーストパターンを、焼成することで形成することができる。
【００３８】
ここでは焼成前に、生セラミック板材であった第１層２１と、小内径の生セラミック枠材であった第２層２２および大内径の生セラミック枠材であった第３層２３とを示している。第２層２２の枠型と第３層２３の枠型の内径を異ならせることにより、容易に基準段部２０２を形成可能である。なお、図３（ａ）、（ｂ）に示したように、下段部２００を有しないような場合には、図３（ａ）、（ｂ）のような例では基体２０を構成する枠材を２種類（２層）ではなく、１種類で構成することができる。そうすれば打ち抜き加工の枠型は１種類でよいので、コストダウンを図ることができる。基体２０の段差部２０３の内径ＤＢＩや外径ＤＢＯは実装される電子デバイスのサイズに応じて任意に決定される。
【００３９】
図５（ｂ）は、基体２０と枠体４０を接着する工程の第１段階ｂを示す。成形された枠体４０を用意する。枠体４０の内径をＤＦＩ、外径をＤＦＯとする。ここで、基体２０と枠体４０の大きさの関係を、ＤＢＩ＜ＤＦＩとしておく。また、ＤＢＯ＜ＤＦＯとしておく。枠体４０の表面には、サンドブラスト加工により凹凸をつけておくと良い。次に第２段階として、基体２０の上段部２０４と枠体４０の第１の接合面４０１の少なくとも一方に接着剤５１０を塗布する。図５（ｂ）に示す様に、枠体４０の接合面４０１のみに接着剤５１０を塗布すると良い。基体２０よりも枠体４０の方が平坦性が高く、接着剤５１０の塗布量を制御しやすいためである。上述したように、典型的な接着剤５１０は熱硬化性樹脂である。接着剤５１０の塗布には印刷法やディスペンス法等を用いることができる。
【００４０】
図５（ｂ）において、枠体４０は完全に平坦であるものを例示しているが、それに限らず、枠体４０の辺の少なくともいずれかが反りを有する形状であってもよい。詳しくは後述するが、接着する枠体４０が反りを有することで、平坦性の高い枠体４０を有する実装部材２４を得ることができる。
【００４１】
次に第３段階として、枠体４０を基体２０の上段部２０４に乗せる。ここで、基体２０の段差部２０３が、枠体４０の内縁４０３よりも内部端子５側に位置している。このときの段差部２０３と内縁４０３のオフセット量ＤＯＳは、内径ＤＦＩと内径ＤＢＩの差に依存する。典型的にはＤＯＳ＝（ＤＦＩ−ＤＢＩ）／２となる。これにより、枠体４０と基体２０との間に接着剤５１０が介在した状態で枠体４０と基体２０とが重ね合わせられる。一方、上段部２０４には、オフセット量ＤＯＳに対応した幅を有する、枠体４０に重ならない領域（オフセット領域）が形成される。
【００４２】
当然、この時点で、接着剤５１０は液体である。枠体４０の自重あるいは押圧により枠体４０が基体２０に押し付けられることにより、余分な接着剤５１０は枠体４０と基体２０の間からはみ出す場合がある。しかし、はみ出した接着剤５１０は上述したオフセット領域上に保持されることで、接着剤５１０が内部端子５などに付着することを抑制することができる。  図５（ｃ）は、基体２０と枠体４０を接着する工程の第４段階ｃを示す。塗布された接着剤５１０を適当な方法で固化させる。好適な接着剤５１０は熱硬化性樹脂であり、８０〜２００℃程度の加熱によって熱硬化させる。これにより、液体である接着剤５１０は固体である接合材５１となり、接合材５１を介して枠体４０と基体２０とが接着される。第５段階として、熱硬化後に枠体４０および基体２０は所定の温度（例えば常温）まで冷却される。冷却の方法は特に限定されず、自然冷却でもよいし空冷等を用いた強制冷却であってもよい。このようにして、枠体４０と基体２０を備える実装部材２４を製造することができる。
【００４３】
図６（ｄ）は、基体２０に電子デバイス１０を固定する工程ｄを示す。電子デバイス１０は電極３を有している。基体２０の下段部２００と電子デバイス１０の裏面１０２の少なくとも一方（典型的には基体２０の下段部２００のみ）にダイボンドペーストなどの接着剤５２０を塗布する。そして、電子デバイス１０を接着剤５２０の上に配置する。この後、図６（ｅ）で示す様に、接着剤５２０を固化して接合材５２を形成して、電子デバイス１０と基体２０を接着する。
【００４４】
図６（ｅ）は、電子デバイス１０と基体２０とを電気的に接続する工程ｅを示す。本例ではワイヤーボンディング接続を用いている。キャピラリ３４５の先端から供給される金属ワイヤーの一端を電極３に接続し、次いで、金属ワイヤーの他端を内部端子５に接続する。この金属ワイヤーにより接続導体４が形成される。なお、フリップチップ接続採用する場合には、バンプが接合材５２と接続導体４とを兼ねることもできる。ここで、基体２０は電子デバイス１０を下段部２００に設けて、内部端子５が設けられた基準段部２０２を下段部２００より上方に位置させている構成である。そのため、キャピラリ３４５が段差部２０３、上段部２０４さらには電子デバイス１０に干渉しうる範囲を小さくすることができる。そのため、電子部品１００の小型化が可能となる。
【００４５】
図６（ｆ）は、蓋体３０を枠体４０に接着する工程の前半の段階ｆを示す。なお、図６（ｆ）は、全ての内部端子５と全ての電極３とを接続導体４で接続した後の状態である。枠体４０の接合面４０２と蓋体３０の接合面（本例では内面３０２）の少なくとも一方に接着剤５３０を塗布する。上述したように、典型的な接着剤５３０は光硬化性樹脂である。接着剤５３０の塗布には印刷法やディスペンス法等を用いることができる。図６（ｆ）に示す様に、蓋体３０の内面３０２のみに接着剤５３０を塗布すると良い。ディスペンス法に依る場合、被塗物の塗布面にうねりがあると接着剤の塗布量がばらつくが、枠体４０よりも蓋体３０の方が平坦性が高く、接着剤５３０の塗布量を制御しやすいためである。
【００４６】
図６（ｇ）は、蓋体３０を枠体４０に接着する工程の後半の段階ｇを示す。蓋体３０を枠体４０の上に乗せる。当然、この時点で、接着剤５３０は液体である。そのため、蓋体３０の自重あるいは押圧により蓋体３０が枠体４０に押し付けられることにより、余分な接着剤５３０は枠体４０と蓋体３０の間からはみ出す場合がある。
【００４７】
その後、塗布された接着剤５３０を適当な方法で固化させる。これにより、液体である接着剤５３０は固体である接合材５３となり、接合材５３を介して枠体４０と蓋体３０とが接着される。接着剤５３０として光硬化性樹脂を用いるのは以下の理由が挙げられる。接着剤５３０を接合面の全周に形成される場合、接着剤５３０として熱硬化性接着剤を用いると、加熱時に内部空間６０が熱膨張して、内圧により液体状態の接着剤５３０を押し出してしまう可能性があるためである。光硬化性接着剤を用いるとこのような可能性はなくなる。なお、光硬化性接着剤を光硬化によって半硬化させた後であれば、後硬化として補助的に熱硬化を用いることができる。光硬化性の接着剤５１０を好適に用いるうえでは、蓋体３０は紫外線などの接着剤５１０が反応する波長に対して十分な光透過性を有することが好ましい。以上の様にして、電子部品１００を製造することができる。
【００４８】
図７（ｈ）は電子モジュール６００の製造方法の前半の段階ｈを示している。上記の様にして作製した電子部品１００を２次実装するための配線部材５００を用意する。配線部材は、リジッド配線板やフレキシブル配線板、リジッドフレキシブル配線板などであり、典型的にはプリント配線板である。配線部材５００の接続端子９にはんだペースト８０（はんだクリーム）をスクリーン印刷法などの公知の方法で塗布する。そして、電子部品１００を基体２０の裏面２０６を配線部材５００側に向けて配線部材５００の上に乗せて、接続端子９と外部端子７との間にはんだペースト８０を介在させる。
【００４９】
図７（ｉ）は、電子モジュール６００の製造方法の後半の段階ｉを示している。電子部品１００と配線部材５００とを加熱炉（リフロー炉）の中に入れて、１８０〜２５０℃程度ではんだペースト８０を熔融し、接続導体８としてのはんだを形成する。このようにして、電子部品１００はリフローはんだ付けを経て配線部材５００に固着される。このようにして、電子部品１００と配線部材５００とを備える電子モジュール６００を製造することができる。なお配線部材５００の上には電子部品１００以外の電子部品、例えば集積回路部品やディスクリート部品等を搭載することができる。
【００５０】
図７（ｊ）は電子機器１０００を示している。電子モジュール６００の配線部材５００を外部回路７００に接続する。外部回路は例えばプロセッサやメモリである。なお外部回路は、上述した修正機回路部品であってもよい。外部回路にはディスプレイ等の他の電子部品が接続される。これらを筐体９００に格納して、電子機器１０００を製造することが出来る。なお、電子部品１００に設けられた放熱用の拡張部４０４は、筐体９００や筐体９００内に設けられたヒートシンクへ熱的に接続される。これにより、電子デバイス１０で生じた熱が拡張部４０４を介して外部へ放熱される。
【００５１】
以上の様に、実装部材２４、電子部品１００、電子モジュール６００および電子機器１０００を製造することができる。
【００５２】
以下、本実施形態における、電子デバイス１０の熱膨張率αＤと、基体２０の熱膨張率αＢと、枠体４０の熱膨張率αＦと、蓋体３０の熱膨張率αＬと、配線部材５００の熱膨張率αＣについて説明する。
【００５３】
電子部品１００は使用時に電子デバイス１０が発熱する際の熱膨張による変形を抑制するために、容器５０の主たる構成部材は、配線部材５００の熱膨張率αＣよりも低く設定される。なぜなら、電子デバイス１０が発熱源であり、電子デバイス１０に距離的に近い材料である容器５０の構成部材の方が温度が高くなる為である。具体的には、基体２０の熱膨張率αＢ、枠体４０の熱膨張率αＦおよび蓋体３０の熱膨張率αＬが配線部材５００の熱膨張率αＣよりも低い（αＢ、αＦ、αＬ＜αＣ）。配線部材５００の熱膨張率αＣは、５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、２５ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。典型的な配線部材５００の熱膨張率αＣは、１５〜２０ｐｐｍ／Ｋである。また、典型な電子デバイス１０の線膨張率αＤは、容器５０の主たる構成部材より低い。具体的には、基体２０の熱膨張率αＢ、枠体４０の熱膨張率αＦおよび蓋体３０の熱膨張率αＬが電子デバイス１０の熱膨張率αＤよりも高い（αＢ、αＦ、αＬ＞αＤ）。そのため、典型的にはαＣ＞αＤとなる。
【００５４】
そして、本実施形態では、工程ｂ〜工程ｃにおいて、略平坦な基体２０と略平坦な枠体４０とが熱硬化型樹脂である接着剤５１０によって接着される。この時、接着前は、基体２０と枠体４０は相対的に自由な膨張／収縮が可能である。しかし、接着後は基体２０と枠体４０は相対的に自由な膨張／収縮が不可能となる。そのため、基体２０と枠体４０の間の応力の変化は、熱硬化前の低温（常温）状態と熱硬化後の低温（常温）状態で不可逆的となる。そのため、図８（ａ）および図９（ａ）に示す様に平坦な基体２０と平坦な枠体４０とは、熱硬化型樹脂である接着剤５１０によって相互に接着された後は、高温（硬化温度）状態から低温状態へ至る冷却過程において、基体２０と枠体４０の収縮量に差が生じる。この収縮量の差によって、図８（ｂ）、図９（ｂ）に示す様に基体２０に反りが生じる。この反りは、収縮量の大きい方の部材が、収縮量の小さい方の周辺領域を、収縮量の小さい方の中央領域側へ引っ張るように生じる。ここでは、熱硬化型接着剤を用いた例を挙げているが、基体２０と枠体４０とを加熱しながら接着する方法、つまり、常温よりも高温の状態で両者が固定されるような接着方法であれば、熱硬化型接着剤に限定されることはない。αＦ＞αＢであると、図８（ｂ）に示す様に、基体２０は枠体４０とは反対側（下側）へ凸となる。これを下凸形状と呼ぶ。αＦ＜αＢであると、図９（ｂ）に示す様に、基体２０は、枠体４０側（上側）へ凸となる。これを上凸形状と呼ぶ。このように、αＦとαＢの高低関係によって基体２０の反る向きが異なる。工程ｃ以降は、基体２０の反りが拡大しないように、また、最終的に基体２０が平坦に近づくように行われることが好ましい。αＦとαＢとの差（絶対値）は１０．２ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。基体２０の反りの大きさは、枠体４０が中央領域を有しない形状であるがゆえに、αＦ＞αＢである場合のほうが小さくなる。そのため、αＦ＞αＢであることが好ましい。  以下、まずはαＦ＞αＢである場合について説明する。図８（ｃ）に示す様に、実装部材２４の下凸形状の基体２０の中央領域（配置領域２１０）に固定される電子デバイス１０は、基体２０の配置領域２１０の下凸形状にならって、下凸形状に反りやすくなる。基体２０の形状にならうように電子デバイス１０に荷重をかけて反らせることができる。これは、後述するように、基体２０が平坦になった際に、電子デバイス１０も平坦にするためである。接着剤５２０が熱硬化型樹脂である場合、接着剤５２０の熱硬化時に基体２０および電子デバイス１０が熱膨張する。電子デバイス１０の熱膨張率αＤが基体２０の熱膨張率αＢより高い（αＢ＜αＤ）場合には、熱硬化後の冷却時の電子デバイス１０の収縮量が基体２０の収縮量より大きくなり、基体２０の下凸形状の反りが大きくなる場合がある。そのため、電子デバイス１０の熱膨張率αＤは基体２０の熱膨張率αＢよりも低い（αＢ＞αＤ）ことが好ましい。
【００５５】
図８（ｄ）に示す様に平坦な蓋体３０は、光硬化型樹脂である接着剤５３０で接着された後は、平坦なままであってもよい。しかし、蓋体３０と枠体４０を加熱しながら接着する場合には、熱硬化時に蓋体３０と基体２０が熱膨張した状態で双方が固定されることになる。これは、例えば接着剤  ５３０の固化に光硬化と熱硬化を併用する場合や専ら熱硬化を行う場合である。その場合において、蓋体３０の熱膨張率αＬが枠体４０の熱膨張率αＦよりも高い（αＬ＞αＦ）と、蓋体３０の収縮後には蓋体３０が枠体４０を内方に引っ張るために、基体２０の下凸形状の反りが拡大する。その結果、基体２０のコプラナリティが悪く、とりわけ周辺領域に位置する外部端子７のリフローはんだ付けの歩留まりが低くなる傾向にある。リフローはんだ付けの歩留まりを高くするためには、蓋体３０の熱膨張率αＬが枠体４０の熱膨張率αＦよりも低い（αＬ＜αＦ）ことが好ましい。αＬとαＦが等しくてもよい。さらに、蓋体３０の熱膨張率αＬが基体２０の熱膨張率αＦよりも低い（αＬ＜αＢ）ことが好ましい。αＬとαＢが等しくてもよい。
【００５６】
図８（ｅ）及び（ｆ）に示す様に、リフローはんだ付け前の電子部品１００の基体２０は下凸形状であるが、リフローはんだ付け前の配線部材５００は平坦である。リフロー炉で加熱された基体２０および配線部材５００は、はんだ接合が完了して常温に戻る過程においては、配線部材５００が基体２０よりも大きな収縮量を示す。配線部材５００の熱膨張αＣが基体２０の熱膨張率αＢよりも高い（αＣ＞αＢ）ためである。その結果、基体２０と配線部材５００との間には、配線部材５００が基体２０の反りを矯正するかのような応力が働き、常温では基体２０の反りは小さくなり電子モジュール６００は全体として平坦化する。配線部材５００はフレキシブル基板であるよりもリジッド基板であるほうが、十分な矯正力を得ることが出来る。
【００５７】
基体２０へは枠体４０からは基体２０が下凸形状に反るような応力が働く。しかし、配線部材５００の熱膨張αＣが、基体２０の熱膨張率αＢ、枠体４０の熱膨張率αＦおよび蓋体３０の熱膨張率αＬよりも高い（αＢ、αＦ、αＬ＜αＣ）。そのため、配線部材５００の熱収縮が枠体４０および蓋体３０の熱収縮に勝るものと考えられる。
【００５８】
以上をまとめると、下記の関係（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）
（ｉ）  αＬ≦αＢ＜αＦ＜αＣ
（ｉｉ）  αＢ＜αＬ≦αＦ＜αＣ
（ｉｉｉ）  αＢ＜αＦ＜αＬ＜αＣ
のいずれかを満たすことにより、最終的に基体２０が平坦化することにより、電子デバイス１０の平坦性が向上し、電子部品１００の良好な性能が得られる。これらの関係の中でも、リフローはんだ付けの歩留まりを高くする上では、αＬ≦αＦを満たす関係（ｉ）、（ｉｉ）が好ましく、αＬ＜αＢを満たす関係（ｉ）がより好ましい。
【００５９】
次に、αＦ＜αＢである場合について説明する。
【００６０】
図９（ｃ）に示す様に、下凸形状の実装部材２４の基体２０の中央領域（配置領域２１０）に固定される電子デバイス１０は、基体２０の配置領域２１０の上凸形状にならって、上凸形状に反りやすくなる。基体２０の形状にならうように電子デバイス１０に荷重をかけることが好ましい。接着剤５２０が熱硬化型樹脂である場合、接着剤５２０の熱硬化時に基体２０および電子デバイス１０が熱膨張する。電子デバイス１０の熱膨張率αＤが基体２０の熱膨張率αＢより低い（αＢ＞αＤ）場合には、熱硬化後の冷却時の基体２０の収縮量が電子デバイス１０の収縮量より大きくなり、基体２０の上凸形状の反りが大きくなる。そのため、αＦ＞αＢである場合よりも良好に電子部品を製造するための条件が厳しくなる。
【００６１】
図９（ｅ）に示す様に、蓋体３０と枠体４０を加熱しながら接着する場合には、熱硬化時に蓋体３０と基体２０が熱膨張した状態で双方が固定されることになる。これは、例えば、接着剤５２０の固化に光硬化と熱硬化を併用する場合や専ら熱硬化を行う場合である。その場合において、蓋体３０の熱膨張率αＬを枠体４０の熱膨張率αＦよりも高く（αＬ＞αＦ）する。これにより、図９（ｄ）に示す様に、上凸形状に沿った実装部材２４の基体２０は蓋体３０の収縮によって、上凸形状の反りが緩和される。図９（ｅ）には全体的に平坦化された電子部品１００を示しているが、緩い上凸形状となる場合もある。さらに、蓋体３０の熱膨張率αＬが基体２０の熱膨張率αＦよりも高い（αＬ＞αＢ）ことが好ましい。αＬとαＢは等しくてもよい。蓋体３０の熱膨張率αＬが基体２０の熱膨張率αＦよりも低いと、蓋体３０によって上凸形状の反りを緩和する効果が低下する。場合によっては上凸形状の反りが拡大することもある。
【００６２】
図９（ｆ）に示す様に、リフローはんだ付け前の電子部品１００は平坦か緩い上凸形状であり、リフローはんだ付け前の配線部材５００は平坦である。そのため、電子部品１００の複数の外部端子７のコプラナリティが良好で、リフローはんだ付けの歩留まりが高くなる。しかし、配線部材５００の熱膨張αＣは基体２０の熱膨張率αＢよりも高い（αＣ＞αＢ）。そのため、リフロー炉で加熱された基体２０および配線部材５００は、はんだ接合が完了して常温に戻る過程においては、配線部材５００が基体２０よりも大きな収縮量を示す。その結果、基体２０と配線部材５００との間には、配線部材５００が基体２０の反りを大きくさせるかのような応力が働き、常温では基体２０の上凸形状の反りは大きくなるか、平坦であったものが上凸形状に反る。そのため、αＦ＜αＢである場合には、電子デバイス１０の平坦性はαＦ＞αＢである場合に比べて低下する。そのため、撮像デバイスのように、電子デバイス１０の平坦性が性能に大きく関わるような場合には、電子部品１００以外での要因で電子デバイス１０の平坦性の欠如を補償することが好ましい。このような補償としては例えば、光学系の焦点の調整やソフトウェアによる画像補正が挙げられる。
【００６３】
このように、下記の関係（ｉｖ）および（ｖ）
（ｉｖ）  αＦ＜αＢ＜αＬ＜αＣ
（ｖ）  αＦ＜αＬ≦αＢ＜αＣ
のいずれかを満たすことにより、リフローはんだ付け時に基体２０が平坦化することにより、リフローはんだ付けの歩留まりを高くすることができる。
【００６４】
上記した関係（ｉ）および（ｉｉ）は、枠体４０の両側に位置する基体２０および蓋体３０の双方の熱膨張率αＢおよびαＬが、枠体４０の熱膨張率αＦよりも低い。一方、関係（ｉｖ）および（ｖ）は枠体４０の両側に位置する基体２０および蓋体３０の双方の熱膨張率αＢおよびαＬが、枠体４０の熱膨張率αＦよりも高い。このように、枠体４０の熱膨張率αＦが基体２０の熱膨張率αＢと蓋体３０の熱膨張率αＬの間ではないことにより、電子部品１００に生じる反りの非対称性を緩和することができる。その結果、リフローはんだ付けの歩留まりが向上する。  図１０（ａ）〜（ｄ）は、実装部材２４を作製する際の枠体４０の反りについて説明する断面図である。図１０（ａ）〜（ｄ）の各々の矢印の前後は、図５（ｂ）、（ｃ）で示した基体２０と枠体４０を接着する工程において、接着剤５１０の硬化前の低温（常温）状態と、接着剤５１０の硬化後（接合材５１の形成後）の低温状態の変化を示している。図１０（ａ）、（ｂ）はαＦ＞αＢの場合であり、図１０（ｃ）、（ｄ）はαＢ＞αＦの場合である。図１０（ａ）、（ｃ）は接着前に枠体４０が平坦な形態であり、図１０（ｂ）、（ｄ）は、接着前に枠体４０が反りを有している形態である。
【００６５】
接着前に基体２０に対して枠体４０が有する反りの向きは、枠体４０と基体２０との熱膨張率の高低関係に基づいて決定される。枠体４０の熱膨張率が基体２０の熱膨張率よりも高い場合には、図１０（ｂ）のように、枠体４０が基体２０とは反対側へ凸になるように枠体４０と基体２０とを重ねる。一方、枠体４０の熱膨張率が基体２０の熱膨張率よりも低い場合には、図１０（ｄ）のように、枠体４０が基体２０側へ凸になるように枠体４０と基体２０とを重ねる。このようにすることで、冷却時には、枠体４０が有する反りが、重ねた時に有していた反りに比べて、小さくなる。これにより、平面度の高い枠体４０を備えた実装部材２４を得ることができる。ここで、反りが小さくなることは、反り量が小さくなってより平坦に近づく過程を含むことを意味する。冷却時に枠体４０に生じる変形の方向とは反対側の方向に予め枠体４０を変形させておく（反らせておく）ことで、冷却時の変形分を吸収できるのである。
【００６６】
なお、この冷却が終了した状態において、枠体４０が接着前の反りの向きとは逆向きの反りを有していてもよい。つまり、図１０（ｂ）のように加熱前に基体２０とは反対側へ凸に反っていた枠体４０が、冷却後において、基体２０側へ凸に反っていてもよい。あるいは、図１０（ｄ）のように加熱前に基体２０側へ凸に反っていた枠体４０が、冷却後において、基体２０側へ凸に反っていてもよい。この過程では、少なくとも常温より高いある温度で枠体４０は、反り量が小さくなって一旦平坦になり、そこからさらに冷却されることで逆向きの反りが枠体４０に生じることになる。なお、このように接着後に枠体４０に逆向きの反りが生じる場合、接着後の逆向きの反り量が接着前の枠体４０の反り量より小さいことが好ましい。しかし、接着後の逆向きの反り量が、接着前の反り量よりも大きくなってもよい。なぜなら、このように逆向きの反りが生じるような場合には、枠体４０が接着前に反っていることで、枠体４０が接着前に反っていない場合に比べて、接着後の反り量を低減できるからである。
【００６７】
枠体４０の反りの変化について説明する。冷却工程において、冷却の過程では加熱時の高温の状態から基体２０および枠体４０の熱膨張率に応じた収縮が生じる。上述したように、本例では枠体４０は基体２０よりも高い熱膨張率を有するため、枠体４０の収縮量が基体２０の収縮量よりも大きくなる。枠体４０と基体２０は高温の状態で相互に固定されているため、基体４０と枠体２０の収縮量の違いを緩和するように、枠体４０は平坦に近づく方向に変形する。基体４０と枠体２０の収縮量の違いが大きければ、枠体４０が逆向きの反りを生じる可能性は高くなる。基体２０は枠体４０の反りの低減に追従して、反りを生じうる。具体的には、加熱前の枠体４０の反りとは逆向きの反りが、冷却後の基体２０に生じる。例えば加熱前に枠体４０が基体２０とは反対側に凸に反っている場合には、冷却後には基体２０が枠体４０とは反対側に凸に反る可能性がある。冷却後に基体２０に生じうる反りは、接着前に枠体４０が反っていない場合（図１０（ａ）、（ｃ））に比べて、接着前に枠体４０が反っている場合の方が小さくなりうる。そのため、電子部品１００や電子モジュール６００の平坦性をより向上することができる。
【００６８】
枠体４０の反りについて詳細に説明する。本例の枠体４０は四辺形を呈する。枠体４０の各辺は、枠体４０の外縁４０５と、四辺形である枠体４０の内縁４０３の各辺とで挟まれた帯状の部分（帯部）を含む。さらに枠体４０の各辺は、帯部の両側に隣接する辺同士が共有する２つの角部を含む。従って、四辺形を呈する枠体４０は４つの角部と４つの帯部を含む。１つの辺において、帯部の中で２つの角部の中間に位置する部分が中間部である。枠体４０の辺が凸状の反りを有することは、定盤などの平らな面（基準面）に乗せた際に、基準面から中間部までの距離が、基準面から二つの角部の各々までの距離よりも大きいことを意味する。基体２０に枠体４０を載せた際には、基体２０の枠体４０との接合面をこの基準面と考えてよい。反り量は、基準面から二つの角部の各々までの距離の平均と、基準面から中間部までの距離の差で表される。
【００６９】
枠体４０の各辺の少なくとも１辺が反りを有していれば、枠体４０は反りを有すると言える。互いに対向する少なくとも１組の２辺がそれぞれ同様の方向の反りを有することが好ましい。枠体４０が短辺と長辺を有する場合、少なくとも長辺が反りを有することが好ましい。少なくとも対向する長辺がそれぞれ同様の方向の反りを有することが好ましい。対向する２つの長辺の反り量が、対向する２つの短辺の反り量よりも小さいことも好ましい。長辺は、短辺に比べて冷却時の収縮量が大きくなるためである。
【００７０】
枠体４０が有する反り量は枠体４０の厚みより小さいことが好ましい。枠体４０が、枠体４０の厚みを超えるような極端に大きな反りがある場合、枠体４０への接着剤５１０の塗布が難しくなったり、基体２０と枠体４０との接着が難しくなったりする可能性がある。各枠体４０の厚みは基体２０への接合面である下面４０１とその反対側の面であり蓋体３０への接合面である上面４０２との距離である。本例の枠体４０は角部と中間部とでほとんど厚みは異ならないが、枠体４０の各辺の厚みは、各辺の二つの角部と中間部のそれらの厚みの平均で表される。実用的な効果を得る上では反り量は各辺の厚みの１／１００以上とすることが好ましい。反り量は厚みの１／１０以下であっても十分な効果が得られる。
【００７１】
また、反り量としては、３０μｍ〜８０μｍであることが実用的である。接着前の反り量が２０μｍより小さい場合には、基体２０と貼り合わせた後に、実装部材２４の枠体４０に生じる逆向きの反り量が大きくなる可能性が高くなる。また、反り量が８０μｍより大きい場合には、基体２０と枠体４０の各辺の中間部を接合する為の接着剤５２０の塗布高さが必要となり、接着不良を起こしやすくなる。また、反り量が大きすぎると、枠体４０の吸着によるハンドリングが難しくなるなど、生産性が低下しやすくなる。さらに、反り量が大きすぎると、反りが小さくなった後でも、実装部材２４の枠体４０の上の反り量が十分に小さくならず、平坦性が低下するからである。
【００７２】
反りの形状は、特に限定されない。辺の長さ方向全体的に円弧状となっている形状であってもよく、これは、レベラー等を用いた矯正や、曲げ加工等の手法で形成可能である。円弧状ではなく、辺の角部から中央部までが直線状で、中央部が屈曲しているような形状であってもよく、これは例えば、辺の中央付近に支点を置いて、辺の両端から曲げ加工をすることで形成可能である。また、辺の中央部付近のみ凸形状に膨らんだ形状であってもよく、これは、辺の両端付近を抑えておいて、辺の中央付近を押し上げることで形成可能である。
【実施例】
【００７３】
以下、本発明の実施例を説明する。図２で示した電子部品１００を作製した。Ｘ方向が長手方向でＹ方向が短手方向となる矩形板状の電子部品１００である。
【００７４】
電子部品１００においては、３層積層した矩形凹状の基体２０を準備した。基体２０においては、板状である第１層２１の厚みが０．８ｍｍ、枠状である第２層２２の厚み（段差部２０１の高さ）が０．４ｍｍ、枠状である第３層２３の厚み（段差部２０３の高さ）が０．２ｍｍである。第１層２１のＸ方向における外径は３２．０ｍｍである。第１層２１のＹ方向における外径は２６．４ｍｍである。第２層２２のＸ方向における外径は３２．０ｍｍで内径は２６．２ｍｍ（枠幅が２．９ｍｍ）である。第２層２２のＹ方向における外径は２６．４ｍｍで内径は１９．６ｍｍ（枠幅は３．４ｍｍ）である。第３層２３のＸ方向における外径は３２．０ｍｍで内径は２６．２ｍｍ（枠幅が２．９ｍｍ）である。第３層２３のＹ方向における外径（ＤＢＯに相当）は２６．４ｍｍで内径（ＤＢＩに相当）は２１．４ｍｍ（枠幅が２．５ｍｍ）である。内部端子５が設けられた基準段部２０２のＹ方向における幅はそれぞれ０．９ｍｍとしている。
【００７５】
それぞれ、内部端子５、外部端子７として、ニッケルの下地に金めっきした積層膜を用いている。外部端子７はＬＧＡ型であり、１２５個の外部端子７が設けられている。
【００７６】
次に、枠体４０を用意し、枠体４０の一方の面に接着剤５１０として熱硬化型樹脂をスクリーン印刷で塗布した。そして、基体２０の上段部２０４に載置した後加重した。熱硬化性樹脂の厚みが１０〜５０μｍとなるように荷重を調整した。そして、１２０〜１５０℃程度の加熱を行って接着剤５１０としての熱硬化性樹脂を硬化させた。尚、枠体４０の表面は、熱硬化性樹脂との接着力を向上させる為に、表面粗さＲａ値０．１〜０．２μｍ程度のサンドブラスト処理を実施して、表面に凹凸形状を形成しておいた。枠体４０の厚みは０．８ｍｍ、Ｘ方向における外径は４２．０ｍｍ（うち、左右に設けた拡張部４０４の幅は各４．５ｍｍ）で内径は２７．４ｍｍである。枠体４０のＹ方向における外径は２７．４ｍｍで内径は２２．６ｍｍである。この時、枠体４０の内縁４０３と基体２０の段差部２０３とのオフセット距離を、Ｘ方向の左右において各０．６０ｍｍ、Ｙ方向の上下において各０．６０ｍｍとした。内縁４０３を段差部２０３よりも大きくすることにより、内縁４０３の全周が段差部２０３の外方（外縁２０５側）に位置するようになっている。また、枠体４０は基体２０の外縁２０５に対して、Ｘ方向の左右において最小で０．５０ｍｍ最大で５．０ｍｍ（拡張部４０４分）だけ突出しており、Ｙ方向の上下において０．５０ｍｍだけ突出している。外縁４０５を外縁２０５よりも大きくすることにより、外縁４０５の全周が外縁２０５の外方（外縁２０５側）に位置するようになっている。このようにして実装部材２４を得る。
【００７７】
次に、電子デバイス１０として、いわゆるＡＰＳ−ＣサイズのＣＭＯＳイメージセンサーを準備した。電子デバイス１０のＹ方向における外径は１８．０ｍｍ、厚みは０．７５ｍｍである。シリコンを主たる材料とする電子デバイス１０の熱膨張率は２．５ｐｐｍ／Ｋとみなしてよい。この電子デバイス１０を、黒色のダイボンディング接着剤である接着剤５２０を用いて、基体２０のほぼ中央に熱硬化により固定した。その後、チップの周辺領域に設けられ電極３と内部端子５とを、ワイヤーボンディング装置を用いて、金ワイヤーにて電気的接続を行った。Ｙ方向における電子デバイス１０の外縁１０５と枠体４０の内縁４０３との距離は、Ｘ方向においては１．５ｍｍ、Ｙ方向においては２．３ｍｍ（ＤＣＦに相当）である。そして、電子デバイス１０と段差部２０３との距離はＸ方向においては０．９ｍｍ、Ｙ方向においては１．７ｍｍである。内部端子５と電子デバイス１０の外縁１０５との距離ＤＣＴは０．８ｍｍとした。
【００７８】
次に、蓋体３０として、α線対策された厚み０．５ｍｍの板材を用意した。蓋体３０のＸ方向における寸法は３１．８ｍｍ、Ｙ方向における寸法は２６．３ｍｍとし、基体２０の外径寸法と略一致させた。蓋体３０の一方の面に接着剤５３０として紫外線硬化型樹脂をディスペンサで枠状に塗布し、接着剤５３０を塗布した面を枠体４０の接合面４０２側にして、蓋体３０を枠体４０戴置し、適当に加重した。この時、接着剤５３０には直径３０μｍの球状粒子がスペーサ５３０として混入されており、接着剤５３０の厚みは概ね３０μｍとなった。この時、接着剤５３０が蓋体３０と枠体４０の間からはみ出したことを確認した。そして、蓋体３０を介して紫外線を照射して光硬化処理を行った。さらに後硬化として、熱硬化処理を行って接着剤５３０を硬化させて、接合材５３を形成した。電子デバイス１０の表面１０１と蓋体３０の内面３０２との距離は０．７５ｍｍとなった。このようにして、厚みが２．８ｍｍの電子部品１００を得る。
【００７９】
次に、適当な大きさの配線部材５００を用意し、配線部材５００の接続端子９上にはんだペースト８０を印刷塗布し、リフロー炉にてはんだペースト８０を溶融して、電子部品１００を配線部材５００に固着した。このようにして電子モジュール６００（撮像モジュール）を得る。
【００８０】
以上の様にして作製した電子モジュール６００を、基体２０、蓋体３０、枠体４０および配線部材５００の材料を異ならせたものをそれぞれ１０個ずつ３２通り作製した。そして、それらの製造過程における基体２０の反りの状態、電子デバイス１０の反りの状態およびそれに起因する事項を評価した。
【００８１】
表１には、蓋体３０の熱膨張率αＬ、枠体４０の熱膨張率αＦ、基体２０の熱膨張率αＢおよび配線部材５００の熱膨張率αＣおよびそれらの組み合わせを異ならせた、サンプルＮｏ．１〜３２までの３２通りの組み合わせについての検討結果である。
【００８２】
蓋体３０の熱膨張率αＬ、枠体４０の熱膨張率αＦ、基体２０の熱膨張率αＢおよび配線部材５００の熱膨張率αＣを記載している。蓋体３０の熱膨張率αＬに関して、水晶が１３、種類の異なるガラスが８．５、６．６、３．３である。枠体４０の熱膨張率αＦに関して、ＳＵＳ４３０が１０．３、ＳＵＳ３０４が１７．３、アルミニウムが２３．１、４２アロイが４．３、コバールが５．２である。基体２０の熱膨張率αＢに関して、酸化アルミニウム（アルミナ）のセラミックが７．１、窒化アルミニウムのセラミックが４．６である。配線部材５００にはリジッドプリント配線板であるガラスエポキシ基板を用いており、熱膨張率αＣに関しては２０であるものと１５であるものを用意した。これらの熱膨張率（線膨張率）の単位はｐｐｍ／Ｋ（＝１０−６／℃）である。
【００８３】
条件１の列には、蓋体３０の熱膨張率αＬが枠体４０の熱膨張率αＦよりも低いという条件１（αＬ＜αＦ）を満たす場合に○を、満たさない場合に×を記している。条件２の列には、枠体４０の熱膨張率αＦが基体２０の熱膨張率αＢよりも高いという条件２（αＦ＞αＢ）を満たす場合に○を、満たさない場合に×を記している。また、枠体４０の熱膨張率αＦと基体２０の熱膨張率αＢとの差（絶対値）を記している。条件３の列には、蓋体３０の熱膨張率αＬが基体２０の熱膨張率αＢより低いという条件３（αＬ＜αＢ）を満たす場合に○を、満たさない場合に×を記している。条件４の列には、枠体４０の熱膨張率αＦが配線部材５００の熱膨張率αＣより低いという条件４（αＦ＜αＣ）を満たす場合に○を、満たさない場合に×を記している。
【００８４】
段階１の列には、図５（ｃ）で示した実装部材２４を作製した段階での実装部材２４の基体２０の反りの状態を３次元測定器で測定し、上凸形状か下凸形状かを記している。段階２の列には、図６（ｇ）で示した電子部品１００を作製した段階での電子部品１００の電子デバイス１０の反りの状態を記している。段階３の列には、図７（ｉ）で示した電子モジュール６００を作製した段階での電子デバイス１０の反りの状態を記している。電子デバイス１０の反りの評価、電子デバイス１０自体の反り量を、蓋体３０の上方からレーザー変位計により測定し、電子デバイス１０の平坦度を測定した。電子デバイス１０の平坦度は、電子デバイス１０の４コーナーと、電子デバイス１０の中央部までの距離を測長し、最も大きい値から最も小さい値の差を平坦度とした。そして、平坦度が１０μｍ以下であるものを平坦、それ以外のものを上凸形状、もしくは、下凸形状と判定した。
【００８５】
蓋体３０が水晶（熱膨張率：１３）、枠体４０がＳＵＳ４３０（熱膨張率：１０．３）、基体２０が酸化アルミニウムセラミック（熱膨張率：７．１）、配線部材５００がガラスエポキシ（熱膨張率：２０）である、サンプルＮｏ．１１の例では、次の通りである。段階１と段階２での基体２０の反りの大きさは、それぞれ４０μｍ、５０μｍである。段階２と段階３での電子デバイス１０の反りの大きさは、それぞれ３０μｍ、９μｍである。
【００８６】
評価１の列には、配線部材５００と電子部品１００との接続導体８（はんだ）の電気的接続のオープン／ショート電気検査の結果を示している。各組み合せについて、１０サンプルずつ作製したうちの良品の数を示している。そして、良品の数が１０（全数）であったものには○を、良品の数が５〜９であったものには△を、良品の数が１〜４であったものには×を付している。
【００８７】
評価２の列には、電子デバイス１０（ＣＭＯＳセンサー）のカメラへの組込み時の焦点調整の結果を示している。具体的には、作製した電子モジュール６００としての撮像ユニットを、予め準備しておいてカメラに組み込んでカメラへの取付けを実施した。取付けを行う際に、ＣＭＯＳセンサーに焦点が合うように、カメラのマウント面からのフランジバック距離がある値の範囲に入るように、電子デバイス１０のＸＹθ軸を適宜調整しながら取付けを行った。電子デバイス１０の撮像面の全面において焦点調整できたものを合格とし、チップの反りが大きいことに起因して焦点調整ができなかったものを不合格とする判定を行った。各組み合せについて、１０サンプルずつ作製したうちの合格の数を示している。そして、合格の数が１０（全数）であったものには○を、合格の数が５〜９であったものには△を、合格の数が１〜４であったものには×を付している。
【００８８】
【表１】
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【００８９】
表１の結果を説明する。まず、条件２を満たすサンプルＮｏ．１〜１６、２９〜３２については、条件１，３に関わらず段階１および段階２で下凸形状を有している。このうち、条件４を満たすサンプルＮｏ．１〜１６は段階３で平坦化されていることが明らかとなった。そして、一方、条件４を満たさないサンプルＮｏ．２９〜３２は段階３で下凸形状のままであった。その結果、評価１および評価２で好ましくない評価となった。
【００９０】
評価２で良好な結果が得られたＮｏ．１〜１６のうち、評価１で良好な結果が得られたＮｏ．１〜１０は条件２における枠体４０の熱膨張率αＦと基体２０の熱膨張率αＢとの差（絶対値）が１０．２以下である。これに対して、熱膨張率αＦと基体２０の熱膨張率αＢとの差が１０．２を上回るＮｏ．１３〜１６では、Ｎｏ．１〜１０にくらべて評価１の結果が悪化していることが理解できる。したがって、熱膨張率αＦと基体２０の熱膨張率αＢとの差が１０．２以下であることが好ましいと云える。また、条件１を満たさないＮｏ．１１，１２は関係（ｉｉｉ）  αＢ＜αＦ＜αＬ＜αＣに該当するものであり、関係（ｉ）や（ｉｉ）に該当するＮｏ．１〜１０にくらべて評価１の結果がやや悪化していることが理解できる。Ｎｏ．１１，１２について、反りの状態を詳細に調べると、Ｎｏ．１〜１０は段階１から段階２にかけて反りが縮小しているのに対し、Ｎｏ．１１，１２は段階１から段階２にかけて反りが拡大していることが分かった。このことから、条件１を満たすことが好ましいと云える。
【００９１】
条件２を満たさないサンプルＮｏ．１７〜２８については段階１で上凸形状を有している。このうち、条件１を満たさないＮｏ．１７〜２５は、いずれも評価１で良好な結果が得られた。これに対して、条件１を満たすＮｏ．２６〜２８は、評価１の結果がやや低下した。これは基体２０から蓋体３０へ向かって熱膨張率が低下する構成であるため、上凸形状の反りの度合いが、Ｎｏ．１７〜２５に比べて大きいためであると考えてよい。また、条件３を満たないＮｏ．１７〜２２は段階２で平坦であり、条件３を満たすＮｏ．２３〜２５に比べて評価２の結果が良好になる傾向を示している。Ｎｏ．１７〜２８の電子モジュール６００はいずれも段階３で上凸形状に反っているが、段階２で平坦であるものの方が、段階３での上凸形状の反りを小さくできるためと考えられる。
【００９２】
次に、条件２を満たすサンプルＮｏ．１〜１６、２９〜３２について、枠体４０の対向する２つの長辺を１０〜８０μｍ程度の反り量を有するように予め反らせたものを用意した。そして、枠体４０が基体２０とは反対側へ凸形状になるように枠体４０と基体２０とを重ねて、接着した。その結果、いずれも段階１においては基体２０が下凸形状に反っていた。しかし、枠体４０の反り量は平坦な枠体４０を用いた場合に比べて、小さくなっていた。同様に、条件２を満たさないサンプルＮｏ．１７〜２８については、枠体４０が基体２０側へ凸形状になるように枠体４０と基体２０とを重ねて、接着した。その結果、いずれも段階１においては基体２０が下凸形状に反っていた。しかし、枠体４０の反り量は平坦な枠体４０を用いた場合に比べて、小さくなっていた。
【符号の説明】
【００９３】
３  電極
４  内部端子
５  接続導体
７  外部端子
８  接続導体
９  接続端子
１０  電子デバイス
２０  基体
３０  蓋体
４０  枠体
５０  容器
５１  接合材
５２  接合材
５３  接合材
５００  配線部材
１００  電子部品
６００  電子モジュール
１０００  電子機器
【図１】
2018088555.tif 000004
【図２】
2018088555.tif 000005
【図３】
2018088555.tif 000006
【図４】
2018088555.tif 000007
【図５】
2018088555.tif 000008
【図６】
2018088555.tif 000009
【図７】
2018088555.tif 000010
【図８】
2018088555.tif 000011
【図９】
2018088555.tif 000012
【図１０】
2018088555.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月19日(2018.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスと、前記電子デバイスに電気的に接続された複数の内部端子および前記複数の内部端子と電気的に連続し、リフローはんだ付けによって配線部材に固着される複数の外部端子を有する容器と、を備える電子部品の製造方法であって、
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体の前記周辺領域と、前記中央領域に対応した開口を有する枠体と、が接着されてなり、複数の内部端子および前記複数の内部端子に電気的に連続した複数の外部端子を有する実装部材を用意する第１工程と、電子デバイスを前記基体の前記中央領域に固定し、前記複数の内部端子と前記電子デバイスとを電気的に接続する第２工程と、
第１領域および前記第１領域を囲む第２領域を有する蓋体の前記第１領域を前記電子デバイスに対向させ、前記蓋体の前記第２領域と前記枠体とを、前記蓋体と前記枠体との間に配された樹脂からなる接着剤で接着する第３工程と、を有し、
前記枠体は、前記基体の外縁の外側に向かって延在し、貫通穴が設けられた延在部を有し、
前記蓋体の熱膨張率をαＬ、前記枠体の熱膨張率をαＦ、前記基体の熱膨張率をαＢ、前記配線部材の熱膨張率をαＣとして、αＢ＜αＦ＜αＣかつαＬ＜αＣを満たすことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
αＬ＜αＦを満たす、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
αＬ＜αＢを満たす、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
電子デバイスと、前記電子デバイスと電気的に接続された複数の内部端子および前記複数の内部端子と電気的に連続し、リフローはんだ付けによって配線部材に固着される複数の外部端子を有する容器と、空間を挟んで前記電子デバイスに対向する中央領域を囲む周辺領域を有する蓋体と、を備える電子部品の製造方法であって、
中央領域および前記中央領域を囲む周辺領域を有する基体の前記周辺領域と、前記中央領域に対応した開口を有する枠体と、が接着されてなり、複数の内部端子および前記複数の内部端子に電気的に連続した複数の外部端子を有する実装部材を用意する第１工程と、前記第１工程の後、電子デバイスを前記基体の前記中央領域に固定し、前記複数の内部端子と前記電子デバイスとを電気的に接続する第２工程と、
前記第２工程の後、第１領域および前記第１領域を囲む第２領域を有する蓋体の前記第１領域を前記電子デバイスに対向させ、前記蓋体の前記第２領域と前記枠体とを、前記蓋体と前記枠体との間に配された樹脂からなる接着剤で接着する第３工程と、を有し、
前記枠体は、前記基体の外縁の外側に向かって延在し、貫通穴が設けられた延在部を有し、
前記蓋体の熱膨張率をαＬ、前記枠体の熱膨張率をαＦ、前記基体の熱膨張率をαＢ、前記配線部材の熱膨張率をαＣとして、
（ａ）  αＢ＜αＦ＜αＣかつαＬ＜αＦ＜αＣ
または
（ｂ）  αＦ＜αＢ＜αＣかつαＦ＜αＬ＜αＣ
を満たすことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
αＢとαＬの差が１０．２ｐｐｍ／Ｋ以下であり、αＣが２５ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記複数の外部端子の少なくとも一部は前記開口の正射影領域に配置されている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記電子デバイスの熱膨張率をαＤとして、αＤ＜αＢかつαＤ＜αＬかつαＤ＜αＦを満たす、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記枠体の材料は金属であり、前記基体の材料はセラミックである、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記実装部材の前記基体と前記枠体は、前記基体と前記枠体との間に配された樹脂からなる接合材で接着されている、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第１工程は、前記基体の前記周辺領域と前記枠体との間に熱硬化性樹脂が介在した状態で前記基体および前記枠体を加熱する段階と、前記熱硬化性樹脂が硬化した後に前記基体および前記枠体を冷却する段階と、前記状態において前記枠体は反りを有しており、前記冷却する段階において前記枠体の反りが小さくなる、請求項１乃至９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記接着剤は光硬化型樹脂である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記基体は基準段部と、前記基準段部に対して段差部を介して窪んだ下段部を有しており、前記複数の内部端子は前記基準段部に配置されており、前記電子デバイスを前記基体の前記下段部に熱硬化型樹脂を用いて接着する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記電子デバイスは撮像デバイスまたは表示デバイスであり、前記基体は基準段部と、前記基準段部に対して段差部を介して出張った上段部とを有しており、前記複数の内部端子は前記基準段部に配置されており、前記枠体は前記上段部に接着されている、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法により製造された電子部品をリフローはんだ付けにより配線部材に固着する、電子モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記配線部材はリジッド基板であり、前記複数の外部端子の一部は前記枠体の正射影領域に配置されている、請求項１４に記載の電子モジュールの製造方法。