【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量または質量電荷比選択的イオントラップであって、
前記イオントラップ内に第１の（ｙ）方向および第２の（ｘ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する半径方向に非対称の疑似ポテンシャル障壁または井戸を生成するように配置および適合される第１の装置と、
前記イオントラップ内に第３の（ｚ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する実質的ＤＣ二次ポテンシャル井戸を生成するように配置および適合される第２の装置と、
イオンが前記第３の（ｚ）方向に質量または質量電荷比選択的に放出されるようにイオンを前記第３の（ｚ）方向に励起するように配置および適合される第３の装置と、
を含む質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項２】
前記イオントラップ内に第１の（ｙ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する疑似ポテンシャル障壁または井戸、および第２の（ｘ）方向にイオンを閉じ込めるように作用するＤＣポテンシャル障壁または井戸を生成するように配置および適合される第１の装置と、
前記イオントラップ内に第３の（ｚ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する実質的ＤＣ二次ポテンシャル井戸を生成するように配置および適合される第２の装置と、
イオンが前記第３の（ｚ）方向に質量または質量電荷比選択的に放出されるようにイオンを前記第３の（ｚ）方向に励起するように配置および適合される第３の装置と、
を含む質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項３】
前記第１の（ｙ）方向および／または前記第２の（ｘ）方向および／または前記第３の（ｚ）方向が、実質的に直交している、請求項１または２に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項４】
前記イオントラップが複数の電極を備える、請求項１、２または３に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項５】
前記複数の電極が、
（ｉ）複数または少なくとも４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１０〜２０個、２０〜３０個、３０〜４０個、４０〜５０個、５０〜６０個、６０〜７０個、７０〜８０個、８０〜９０個、９０〜１００個もしくは＞１００個のロッドセットまたは分割ロッドセットを含む多重極ロッドセットまたは分割多重極ロッドセット；および／または
（ｉｉ）使用時にイオンを通過させる１つ以上の開口を有する、複数または少なくとも４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１０〜２０個、２０〜３０個、３０〜４０個、４０〜５０個、５０〜６０個、６０〜７０個、７０〜８０個、８０〜９０個、９０〜１００個もしくは＞１００個環状電極、リング電極、または楕円電極を含むイオントンネルまたはイオンファンネル；および／または
（ｉｉｉ）複数または少なくとも４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１０〜２０個、２０〜３０個、３０〜４０個、４０〜５０個、５０〜６０個、６０〜７０個、７０〜８０個、８０〜９０個、９０〜１００個もしくは＞１００個の半環状電極、半リング電極、半楕円電極、またはＣ字形電極；および／または
（ｉｖ）使用時にイオンが移動する略平面内に配置された平面電極、平板電極、またはメッシュ電極のスタックもしくはアレイ、
を含む、請求項４に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項６】
前記第１の装置が、前記電極の少なくとも一部にＲＦ電圧を印加するように配置および適合されている、請求項４または５に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項７】
実質的にトロイダル型イオントラップ領域を有する質量または質量電荷比選択的イオントラップであって、前記イオントラップが、
前記イオントラップ内に第１の（ｙ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する疑似ポテンシャル障壁または井戸を生成するように配置および適合される第１の装置と、
前記イオントラップ内にイオンを半径方向に閉じ込めるように作用する実質的にＤＣ二次井戸を生成するように配置および適合される第２の装置と、
イオンが半径（ｒ）方向に質量または質量電荷比選択的に放出されるようにイオンを前記半径（ｒ）方向に励起するように配置および適合される第３の装置と、
を含む質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項８】
前記第１の（ｙ）方向が、前記半径（ｒ）方向に対し実質的に直交している、請求項７に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項９】
前記イオントラップが、複数の電極を備える、請求項７または８に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１０】
前記複数の電極が、
（ｉ）第１の電極群および第２の電極群であって、第１の電極群が異なる半径方向の変位位置に配置された第１の複数の同軸閉ループ電極、円形電極、または楕円電極を含み、前記第２の電極群が異なる半径方向の変位位置に配置された第２の複数の同軸閉ループ電極、円形電極、または楕円電極を含み、前記第１および第２の電極群が前記第１の（ｙ）方向に異なる変位で配置される第１の電極群および第２の電極群、または
（ｉｉ）第１の電極群および第２の電極群であって、第１の電極群が第１の複数の環状電極群を含み、前記第１の環状電極群のそれぞれが異なる半径方向の変位位置に配置され、前記第２の電極群が第２の複数の環状電極群を含み、前記第２の環状電極群のそれぞれが異なる半径方向の変位位置に配置され、前記第１および第２の電極群が前記第１の（ｙ）方向で異なる変位で配置される第１の電極群および第２の電極群、
を含む、請求項９に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１１】
前記第１の装置が、前記電極の少なくとも一部にＲＦ電圧を印加するように配置および適合される、請求項９または１０に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１２】
前記第３の装置が、前記イオントラップの中央部に向かって質量または質量電荷比選択的にイオンを放出するために半径（ｒ）方向にイオンを励起するように配置および適合される、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１３】
前記疑似ポテンシャル障壁または井戸が、非四重極疑似ポテンシャル障壁または井戸を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１４】
前記第２の装置が、前記イオントラップにわたってＤＣポテンシャルプロファイルを前記第３の（ｚ）方向または半径（ｒ）方向に維持するように配置および適合され、前記ＤＣポテンシャルプロファイルが第１の領域および１つ以上の第２の領域を含み、前記第１の領域のＤＣポテンシャルプロファイルが実質的に二次であり、さらに、前記１つ以上の第２の領域のＤＣポテンシャルプロファイルが実質的に線形、一定、または非二次である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１５】
前記第２の装置が、前記第３の（ｚ）方向または半径（ｒ）方向に、好ましくは前記イオントラップの中心軸の周りで非対称であるＤＣポテンシャルプロファイルを維持するように配置および適合され、前記中心軸が前記第２の（ｘ）方向にあるのが好ましい、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１６】
前記第２の装置が、前記実質的ＤＣ二次井戸から一方向のみに放出されるイオンを生ずるＤＣポテンシャルプロファイルを前記第３の（ｚ）方向または半径（ｒ）方向に維持するように配置および適合される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１７】
前記第３の装置が、前記第３の（ｚ）方向または半径（ｒ）方向に、イオンを共鳴により、および／または、パラメトリックに、励起するように配置および適合される、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の質量または質量電荷比選択的イオントラップ。
【請求項１８】
イオントラップから質量または質量電荷比選択的にイオンを放出する方法であって、
前記イオントラップ内に第１の（ｙ）方向および第２の（ｘ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する半径方向に非対称の疑似ポテンシャル障壁または井戸を生成すること；
前記イオントラップ内に第３の（ｚ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する実質的ＤＣ二次ポテンシャル井戸を生成すること；および
イオンが前記第３の（ｚ）方向に質量または質量電荷比選択的に放出されるようにイオンを前記第３の（ｚ）方向に励起することと、
を含む方法。
【請求項１９】
イオントラップから質量または質量電荷比選択的にイオンを放出する方法であって、
前記イオントラップ内に第１の（ｙ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する疑似ポテンシャル障壁または井戸および第２の（ｘ）方向にイオンを閉じ込めるように作用するＤＣポテンシャル障壁または井戸を生成することと、
前記イオントラップ内に第３の（ｚ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する実質的ＤＣ二次ポテンシャル井戸を生成することと、および
イオンが前記第３の（ｚ）方向に質量または質量電荷比選択的に放出されるようにイオンを前記第３の（ｚ）方向に励起することと、
を含む方法。
【請求項２０】
実質的にトロイダル型イオントラップ領域を有するイオントラップから質量または質量電荷比選択的にイオンを放出する方法であって、
前記イオントラップ内に第１の（ｙ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する疑似ポテンシャル障壁または井戸を生成することと、
前記イオントラップ内に半径（ｒ）方向にイオンを閉じ込めるように作用する実質的にＤＣ二次井戸を生成することと、および
イオンが半径（ｒ）方向に質量または質量電荷比選択的に放出されるように、前記半径（ｒ）方向にイオンを励起することと、
を含む方法。