【事件の表示】
　特願２００８−５５３２４９号「エピタキシャル堆積プロセス及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年８月１６日国際公開、ＷＯ２００７／０９２１３０、平成２１年７月９日国内公表、特表２００９−５２５６１１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１９年１月１６日（パリ条約による優先権主張　２００６年２月３日　（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１２月１１日付けで手続補正書が提出され、平成２４年２月６日付けの拒絶理由に対して、同年５月１１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年６月１５日付けの拒絶理由＜最後＞に対して、同年８月３１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２５年４月２日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日に手続補正書が提出され、さらに平成２５年７月５日付けの当審審尋に対して、同年９月２０日付けで回答がなされたものである。 
 　 
２．本願発明
　平成２５年４月２日付けの手続補正は、明細書の【０００１】を補正するものであって、特許請求の範囲の記載を補正するものではないことから、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年８月３１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりものである。 
「【請求項１】
　エピタキシャル堆積法であって：
　酸化物層を有する基板を処理チャンバ内に導入するステップと；
　プラズマキャビティ内に、アンモニア（ＮＨ３）と三フッ化窒素（ＮＦ３）とを含むガス混合物を導入するステップと；
　該ガス混合物を励起して、該キャビティ内に、フッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）又はフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）を含む反応性ガスのプラズマを生成させるステップと；
　該処理チャンバ内に該反応性ガスを導入するステップと；
　該基板を該反応性ガスと反応させて、揮発性膜を形成するステップであって、該基板と該反応性ガスとを反応させつつ、該基板を６５℃以下に維持する、前記ステップと；
　該基板を少なくとも７５℃の第一温度まで加熱して該揮発性膜を蒸発させ、該酸化物層を除去することによりエピタキシー表面をさらすステップと；
　該エピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成するステップと；
を含む、前記方法。」
　
３．引用例に記載の事項 
　原査定の拒絶理由に引用文献１として引用された特開２００５−２４４２４４号公報（以下、「引用例」という。）には、次の記載がある。 
(a)「【０００１】
本発明の分野
　[0001]本発明の実施形態は、一般的には、半導体処理装置に関する。更に詳細には、本発明の実施形態は、半導体製造のための化学気相堆積（ＣＶＤ）システム及びそれを用いたインサイチュドライクリーニング法に関する。」
　
(b)「【００１２】
　[0025]本明細書に用いられる“基板表面”は、処理が行われるあらゆる基板表面を意味する。例えば、基板表面は、シリコン、酸化シリコン、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガラス、サファイア、他のあらゆる材料、例えば、金属、窒化金属、金属合金、又は他の導電材料を含むことができ、適用に左右される。基板表面は、また、誘電材料、例えば、二酸化シリコン、有機ケイ酸塩、又は炭素ドープされた酸化シリコンを含むことができる。基板自体は、いかなる具体的なサイズ又は形にも制限されない。一態様においては、“基板”という用語は、直径が２００ｍｍ又は直径が３００ｍｍの円形ウエハを意味する。他の態様においては、“基板”という用語は、任意の多角形、四角形、矩形、曲がった、さもなければ非円形加工物、例えば、平坦なパネルディスプレイの製造において用いられるガラス基板を意味する。」
　
(c)「【００２０】
　[0033]なお図１Ａと図１Ｂを参照すると、ライナ１３３の下の部分１３３Ｂは、その中に配置された流路又は真空チャネル１２９Ａを含んでいる。真空チャネル１２９Ａは、上記真空システムと流体で連通している。真空チャネル１２９Ａは、また、ライナ１３３の外径内に形成された溝又はポート１２９Ｂを経てポンプチャネル１２９と流体で連通している。一般的には、二つのガスポート１２９Ｂ（この図には１つだけ示されている）は、上の部分１３３Ａと下の部分１３３Ｂ間のライナ１３３の外径内に形成されている。ガスポート１２９Ｂは、ポンプチャネル１２９と真空チャネル１２９Ａ間の流路を与える。各ポート１２９Ｂのサイズと位置は、設計の問題であり、所望される膜の化学量論、形成されるデバイスの形、処理チャンバ１００の容積容量、それと結合した真空システムの能力によって求められる。典型的には、ポート１２９Ｂは相互に対向して又はライナ１３３の外径の周りに１８０度離して配置される。」
　
(d)「【００３０】
　[0043]なお図１Ａと図２Ａを参照すると、リッドアセンブリ２００は、リッドアセンブリ２００内で反応性化学種のプラズマを生成する電極２４０を更に含むことができる。一実施形態においては、電極２４０は、最上部プレート２５０上に支持され、電気的にそこから絶縁される。例えば、イソレータフィルターリング２４１は、図２Ａに示されるように最上部プレート２５０から電極２４０を分離した電極２４０の下の部分近くに配置することができる。環状イソレータ２４２は、イソレータフィルターリング２４１の外面近くに配置することもできる。その後、環状絶縁体２４３は、電極２４０の上の部分近くに配置することができ、電極２４０は最上部プレート２５０とリッドアセンブリ２００の他の全てのコンポーネントから電気的に絶縁される。これらリング２４１、２４２、２４３の各々は、酸化アルミニウム又は他のあらゆるプロセス互換性のある絶縁物質から作ることができる。
【００３１】
　[0044]一つ以上の実施形態においては、電極２４０は電源（図示せず）と結合され、ガス分配アセンブリ２２０は接地するために接続される（即ち、ガス分配アセンブリ２２０は電極として働く）。従って、１種以上のプロセスガスのプラズマは、電極２４０（“第一電極”）とガス分配アセンブリ２２０（“第二電極”）間に容積２６１、２６２及び/又は２６３で生成され得る。例えば、プラズマは、電極２４０とブロッカーアセンブリ２３０間で衝突し含有することができる。或いは、プラズマは、ブロッカーアセンブリ２３０が存在しないときに電極２４０と分配プレート２２５との間で衝突し含有することができる。いずれの実施形態においても、プラズマはリッドアセンブリ２００内にうまく閉じ込められ又は含有する。従って、活性プラズマがチャンバ本体１１２内に配置された基板と直接接触しないので、プラズマは“リモートプラズマ”である。結果として、プラズマは十分に基板表面から離れていることから、基板に対するプラズマ損傷が避けられる。」
　
(e)「【００７４】
　[0087]説明を簡単に且つ容易にするために、処理チャンバ１００内で行われるアンモニア（ＮＨ３）と三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス混合物を用いて酸化シリコンを除去するための例示的ドライエッチングプロセスをここに記載する。処理チャンバ１００は、アニールプロセスを含むすべて単一処理環境内で基板の加熱と冷却双方に加えてプラズマ処理から有益であるあらゆるドライエッチングプロセスに有利であると考えられる。
【００７５】
　[0088]図１を参照すると、ドライエッチングプロセスは、基板（図示せず）、例えば、半導体基板を処理チャンバ１００へ入れることにより開始する。基板は、典型的には、スリットバルブ開口部１６０を通ってチャンバ本体１１２へ入り、支持部材３１０の上面上に配置される。基板は支持部材３１０の上面にチャックされ、エッジパージがチャネル３３４を通過する。好ましくは、コンジット３１３を経て真空ポンプと流体が連通しているホール３１２とグルーブ３１６を通って真空を引くことにより基板が支持部材３１０の上面にチャックされる。その後、処理位置に既にない場合には、支持部材３１０はチャンバ本体１１２内の処理位置に持ち上げられる。チャンバ本体１１２は、好ましくは５０℃〜８０℃、更に好ましくは約６５℃の温度で維持される。チャンバ本体１１２のこの温度は、熱伝達媒体を流体チャネル１１３に通過させることにより維持される。
【００７６】
　[0089]基板は、熱伝達媒体又は冷却剤を支持アセンブリ３００内に形成された流体チャネル３６０に通過させることにより６５℃より低い１５℃〜５０℃に冷却される。一実施形態においては、基板は室温より低い温度に維持される。他の実施形態においては、基板は２２℃〜４０℃の温度に維持される。典型的には、支持部材は、上記で指定された所望される基板温度に達するように約２２℃より低い温度に維持される。支持部材３１０を冷却するために、冷却剤を流体チャネル３６０に通過させる。支持部材３１０の温度をより良く制御するために冷却剤の連続した流れが好ましい。冷却剤は、好ましくは５０容量％のエチレングリコールと５０容量％の水である。もちろん、水とエチレングリコールのあらゆる比率が所望される基板の温度が維持される限り使用し得ることは当然のことである。
【００７７】
　[0090]次に、アンモニア及び三フッ化窒素ガスをチャンバ１００へ導入して洗浄ガス混合物を形成する。チャンバへ導入された各ガス量は、例えば、除去すべき酸化物層の厚さ、洗浄される基板の形、プラズマの容積容量、チャンバ本体１１２の容積容量、チャンバ本体１１２に結合された真空システムの能力を適合させるために調整することができる。一態様においては、アンモニアと三フッ化窒素のモル比が少なくとも１：１であるガス混合物を供給するようにガスが添加される。他の態様においては、ガス混合物のモル比は、少なくとも約３：１（アンモニア：三フッ化窒素）である。好ましくは、ガスは、モル比５：１（アンモニア：三フッ化窒素）〜３０：１でチャンバ１００に導入される。更に好ましくは、ガス混合物のモル比は約５：１（アンモニア：三フッ化窒素）〜約１０：１のモル比である。ガス混合物のモル比は、また、約１０：１（アンモニア：三フッ化窒素）〜約２０：１の間に包含することができる。
【００７８】
　[0091]パージガス又はキャリアガスも、ガス混合物に添加することができる。あらゆる適切なパージ/キャリアガス、例えば、アルゴン、ヘリウム、水素、窒素、又はその混合物を用いることができる。典型的には、全体のガス混合物は、約０.０５体積％〜約２０体積％のアンモニアと三フッ化窒素である。残りはキャリアガスである。一実施形態においては、チャンバ本体１１２内の圧力を安定させるために反応性ガスの前にパージ又はキャリアガスが最初にチャンバ本体１１２へ導入される。
【００７９】
　[0092]チャンバ本体１１２内の作動圧力は可変であり得る。典型的には、圧力は約５００ｍＴｏｒｒ〜約３０Ｔｏｒｒで維持される。好ましくは、圧力は約１Ｔｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒに維持される。更に好ましくは、チャンバ本体１１２内の作動圧力は約３Ｔｏｒｒ〜約６Ｔｏｒｒに維持される。
【００８０】
　[0093]約５〜約６００ワットのＲＦ電力を電極２４０に印加してガス分配アセンブリ３３０に含有した容積２６１、２６２，２６３内のガス混合物のプラズマを発火させる。好ましくは、ＲＦ電力は１００ワット未満である。電力が印加される周波数が非常に低い、例えば、１００ｋＨｚ未満であることが更に好ましい。好ましくは、周波数は約５０ｋＨｚ〜約９０ｋＨｚの範囲である。
【００８１】
　[0094]プラズマエネルギーは、アンモニアと三フッ化窒素ガスを混合している反応化学種へ解離させてガス相において高反応性フッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）化合物及び/又はフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）を形成する。その後、これらの分子が分配プレート２２５のホール２２５Ａを経てガス分配アセンブリ２２０に流れ込み洗浄すべき基板表面と反応する。一実施形態においては、キャリアガスが最初にチャンバ１００へ導入され、キャリアガスのプラズマが生成され、その後反応ガス、アンモニア、三フッ化窒素がプラズマに添加される。
【００８２】
　[0095]理論で縛られることを望まないが、ＮＨ４Ｆ及び/又はＮＨ４Ｆ・ＨＦのエッチングガスが酸化シリコン表面と反応してヘキサフルオロケイ酸アンモニウム(ＮＨ４)２ＳｉＦ６、ＮＨ３、Ｈ２Ｏ生成物を形成すると考えられる。ＮＨ３とＨ２Ｏは、処理条件で蒸発し、真空ポンプ１２５でチャンバ１００から除去される。特に、揮発性ガスは、ガスが真空ポンプ１２５へ真空ポート１３１を通ってチャンバ１００を出る前にポンプチャネル１２９へライナ１３３に形成されたアパーチャ１３５に流れ込む。(ＮＨ４)２ＳｉＦ６の薄膜は基板表面上に残留する。この反応機構は次のように纏めることができる。
【００８３】
　[0096]ＮＦ３＋ＮＨ３  →  ＮＨ４Ｆ＋ＮＨ４Ｆ・ＨＦ＋Ｎ２  
　[0097]６ＮＨ４Ｆ＋ＳｉＯ２  →  (ＮＨ４)２ＳｉＦ６＋Ｈ２Ｏ
　[0098](ＮＨ４)２ＳｉＦ６＋熱  →  ＮＨ３＋ＨＦ＋ＳｉＦ４  
　[0099]基板表面上に薄膜が形成された後、その上に基板が支持された支持部材３１０を加熱された分配プレート２２５の密接に近接してアニール位置に上げられる。分配プレート２２５から放射された熱は、(ＮＨ４)２ＳｉＦ６の薄膜を揮発性ＳｉＦ４、ＮＨ３、ＨＦ生成物へ十分に解離又は昇華させるのに十分でなければならない。その後、これらの揮発性生成物は、上記のように真空ポンプ１２５によってチャンバ１００から除去される。典型的には、７５℃以上の温度を用いて効果的に昇華させるとともに基板から薄膜を除去する。好ましくは、１００℃以上の温度、例えば、約１１５℃〜約２００℃が用いられる。
【００８４】
　[00100](ＮＨ４)２ＳｉＦ６の薄膜をその揮発性コンポーネントへ解離させる熱エネルギーは、分配プレート２２５によって対流又は放射される。上記のように、加熱素子２７０は直接分配プレート２２５に結合され、分配プレート２２５とコンポーネントを約７５℃〜２５０℃の温度に熱接触させて加熱するように活性化する。一態様においては、分配プレート２２５は、１００℃〜１５０℃、例えば、１２０℃の温度に加熱される。
【００８５】
　[00101]この上昇変化は、様々な方法で行うことができる。例えば、リフトメカニズム３３０は、分配プレート２２５の下面に向かって支持部材３１０を上昇させることができる。このリフトステップの間、基板は上記真空チャック又は静電チャックのような支持部材３１０に固定される。或いは、基板は、支持部材３１０から持ち上げられ、リフトリング３２０を経てリフトピン３２５を上昇させることによって加熱された分配プレート２２５に密接に接近して配置され得る。
【００８６】
　[00102]薄膜を持つ基板の上面と分配プレート２２５の間の距離は重要ではなく、通常実験の問題である。当業者は、下にある基板に損傷を与えることなく薄膜を能率よく効果的に揮発させるのに必要とした間隔を容易に求めることができる。しかしながら、約０.２５４ｍｍ（１０ミル）〜５.０８（２００ミル）の間隔が効果的であると考えられる。
【００８７】
　[00103]基板から膜が除去されるとすぐに、チャンバがパージされ、排気される。その後、洗浄された基板は、搬送位置に基板を下げ、基板を脱チャックさせ、スリットバルブ開口部１６０を通って基板を搬送することによってチャンバ本体１１２から取り出される。」
　
(f)「【００９９】
　[00115]図６は、マルチチャンバ処理システム６００を示す概略平面図である。システム６００は、システム６００へ、また、システム６００から基板の搬送する１つ以上のロードロックチャンバ６０２、６０４を含むことができる。典型的には、システム６００は減圧下であるので、ロードロックチャンバ６０２、６０４はシステム６００へ導入される基板を“ポンプダウン”させることができる。第一ロボット６１０は、ロードロックチャンバ６０２、６０４と１つ以上の基板処理チャンバ６１２、６１４、６１６、６１８（四つは示されている）の第一セット間の基板を搬送させることができる。各処理チャンバ６１２、６１４、６１６、６１８は、周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、エッチング、予備洗浄、脱ガス、配向、多野基板処理に加えて本明細書に記載されるドライエッチングプロセスを含む多くの基板処理動作を行うために供給することができる。
【０１００】
　[00116]第一ロボット６１０は、また、１つ以上の搬送チャンバ６２２、６２４へ/から基板を搬送させることができる。搬送チャンバ６２２、６２４は、基板をシステム６００内に搬送させつつ超高真空条件を維持するために使用し得る。第二ロボット６３０は、搬送チャンバ６２２、６２４と１つ以上の処理チャンバ６３２、６３４、６３６、６３８の第二セット間に基板を搬送させることができる。処理チャンバ６１２、６１４、６１６、６１８と同様に、処理チャンバ６３２、６３４、６３６、６３８は、例えば、周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、エッチング、予備洗浄、脱ガス、配向、多野基板処理に加えて本明細書に記載されるドライエッチングプロセスを含む多くの基板処理動作を行うために供給することができる。基板処理チャンバ６１２、６１４、６１６、６１８、６３２、６３４、６３６、６３８のいずれも、システム６００によって行われるべき具体的なプロセスに必要がない場合には、システム６００から除去することができる。」
　
(g)「【０１０２】
　[00118]上記のプロセスシーケンスはＭＯＳＦＥＴデバイス製造に関して説明してきたが、本明細書に記載されるドライエッチングプロセスも、他の金属シリサイド層、例えば、タングステン、タンタル、モリブデンのシリサイドを持つ他の半導体構造及びデバイスを形成するため用いることができる。洗浄プロセスは、例えば、アルミニウム、銅、コバルト、ニッケル、シリコン、チタン、パラジウム、ハフニウム、ボロン、タングステン、タンタル、又はその混合物を含む異なる金属の層を堆積する前に用いることもできる。」
　
３．引用例に記載の発明
(A)上記(e)の記載からして、半導体基板のＳｉＯ２膜を除去するドライエッチングプロセスが洗浄プロセスとして捉えられていることから、引用例には、「半導体基板のＳｉＯ２膜を除去するドライエッチングプロセス（洗浄プロセス）」が記載されているということができる。
　
(B)上記(d)(e)の記載からして、引用例には、「ＳｉＯ２膜を有する半導体基板をチャンバ本体１１２内に入れるステップ、容積（空間）２６１、２６２、２６３内にアンモニア（ＮＨ３）と三フッ化窒素（ＮＦ３）とを含むガス混合物を導入するステップ、ガス混合物を励起して容積（空間）２６１、２６２、２６３内にフッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）又はフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）を含む反応性ガスのプラズマを生成させるステップ、チャンバ本体１１２内に反応性ガスを導入するステップ、半導体基板を反応性ガスと反応させて、揮発性薄膜を形成するステップであって、半導体基板と反応性ガスとを反応させつつ、半導体基板を６５℃以下に維持するステップ、半導体基板を７５℃以上の温度で揮発性薄膜を蒸発させ、ＳｉＯ２膜を除去するステップ」が記載されているということができる。
　
(C)上記(f)の記載からして、「周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、他の堆積の内の何れかの堆積でもって基板処理動作を行う」ことが記載されているということができる。　
　
(D)上記(g)の記載からして、引用例には、「洗浄プロセスの後にシリコン層を堆積するステップ」が記載されているということができる。   
　
(E)上記(A)、及び、半導体基板としてシリコン基板を用いることは極めて普通のことであることから、引用例には、「シリコン基板のＳｉＯ２膜を除去するドライエッチングプロセス（洗浄プロセス）」が開示されているということができる。
　
　上記(a)ないし(g)の記載事項、上記(A)ないし(E)の検討事項より、引用例には、「『周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、他の堆積の内の何れかの堆積でもってシリコン層を形成する堆積方法』であって：ＳｉＯ２膜を有するシリコン基板をチャンバ本体１１２内に入れるステップと；容積（空間）２６１、２６２、２６３内にアンモニア（ＮＨ３）と三フッ化窒素（ＮＦ３）とを含むガス混合物を導入するステップと；ガス混合物を励起して容積（空間）２６１、２６２、２６３内にフッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）又はフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）を含む反応性ガスのプラズマを生成させるステップと；チャンバ本体１１２内に反応性ガスを導入するステップと；シリコン基板を反応性ガスと反応させて、揮発性薄膜を形成するステップであって、シリコン基板と反応性ガスとを反応させつつ、シリコン基板を６５℃以下に維持するステップと；シリコン基板を７５℃以上の温度で揮発性薄膜を蒸発させ、ＳｉＯ２膜を除去するステップと；ＳｉＯ２膜が除去されたシリコン基板表面上にシリコン層を形成するステップと；を含む、前記方法。」（以下、「引用例記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　
４．対比・判断
　本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
○引用例記載の発明の「『周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、他の堆積の内の何れかの堆積でもってシリコン層を形成する堆積方法』、「ＳｉＯ２膜」、「シリコン基板」、「チャンバ本体１１２」、「入れる」、「容積（空間）２６１、２６２、２６３」、「揮発性薄膜」は、本願発明の「堆積法」、「酸化物層」、「基板」、「処理チャンバ」、「導入する」、「プラズマキャビティ」、「揮発性膜」にそれぞれ相当する。
　
○引用例記載の発明の「シリコン基板を７５℃以上の温度で揮発性薄膜を蒸発させ」ることは、本願発明の「基板を少なくとも７５℃の第一温度まで加熱して揮発性膜を蒸発させ」ることに相当する。
                      
○引用例記載の発明の「ＳｉＯ２膜を除去するステップ」と、本願発明の「酸化物層を除去することによりエピタキシー表面をさらすステップ」とは、「酸化物層を除去することにより基板表面をさらすステップ」という点で共通する。
　
○引用例記載の発明の「ＳｉＯ２膜が除去されたシリコン基板表面上にシリコン層を形成するステップ」と、本願発明の「エピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成するステップ」とは、「基板表面上に層を形成するステップ」という点で共通する。
　
　上記より、本願発明と引用例記載の発明とは、
「堆積法であって：酸化物層を有する基板を処理チャンバ内に導入するステップと；プラズマキャビティ内に、アンモニア（ＮＨ３）と三フッ化窒素（ＮＦ３）とを含むガス混合物を導入するステップと；該ガス混合物を励起して、該キャビティ内に、フッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）又はフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）を含む反応性ガスのプラズマを生成させるステップと；該処理チャンバ内に該反応性ガスを導入するステップと；該基板を該反応性ガスと反応させて、揮発性膜を形成するステップであって、該基板と該反応性ガスとを反応させつつ、該基板を６５℃以下に維持する、前記ステップと；該基板を少なくとも７５℃の第一温度まで加熱して該揮発性膜を蒸発させ、該酸化物層を除去することにより基板表面をさらすステップと；該基板表面上に層を形成するステップと；を含む、前記方法。」という点で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点＞
　本願発明では、「さらされたエピタキシー表面上にエピタキシャル層をエピタキシャル堆積でもって形成する」のに対して、引用例記載の発明では、「ＳｉＯ２膜が除去されたシリコン基板表面上にシリコン層を『周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、他の堆積の内の何れかの堆積』でもって形成する」点。
　
＜相違点＞について検討する。
　一般に、半導体デバイス用のシリコン層を製造するために、シリコン基板の露出表面（エピタキシー表面）上にシリコンのエピタキシャル層をエピタキシャル（ＣＶＤ）堆積でもって形成することは、本願優先権主張日前の常套手段（例えば、特開平１１−２１４５３３号公報の特に【０００１】【００３４】、特開平７−５８１１６号公報の特に【００１６】ないし【００１９】参照）であり、一方、引用例記載の発明は、ＳｉＯ２膜が除去されたシリコン基板表面上にシリコン層を例えばＣＶＤ堆積でもって形成するものであると共に、上記３．(a)ないし(g)、特に(a)(c)の記載からして、半導体デバイス用のシリコン層を製造するためのものであることは明らかであって、両者は、半導体デバイス用のシリコン層を製造するために、シリコン基板の露出表面上にシリコン層をＣＶＤ堆積でもって形成するという点で一致しており、また、引用例には、エピタキシャル（ＣＶＤ）堆積を排除する記載がないことから、引用例記載の発明は、上記常套手段（周知技術）に該当する「ＳｉＯ２膜が除去されたシリコン基板表面（エピタキシー表面）上にシリコンのエピタキシャル層をエピタキシャル（ＣＶＤ）堆積でもって形成する」ことを示唆するものであるというべきである。
　そうすると、引用例記載の発明について、上記示唆がある以上、「さらされたエピタキシー表面上にエピタキシャル層をエピタキシャル堆積でもって形成する」ようにすることは、当業者であれば容易に想起し得ることである。
　したがって、上記相違点に係る本願発明の技術的事項を採用することは、引用例記載の発明及び周知技術に基いて当業者であれば容易になし得ることである。 
　そして、本願発明の「エピタキシー表面上にエピタキシャル層を効率的に形成する」等の作用効果は、引用例記載の発明及び周知技術から当業者であれば十分に予測し得るものである。 
　よって、本願発明は、引用例記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
５．むすび 
　したがって、本願発明は、引用例記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　それゆえ、本願は、特許請求の範囲の請求項２ないし１３に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。 　 
　よって、結論のとおり審決する。