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　特願２００９−２１４６６３「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の光放射角度特性の制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月１７日出願公開、特開２００９−２９６００７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　
　本願は、平成１６年３月９日に出願した特願２００４−６６１８９号の一部を平成２１年９月１６日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年７月１２日に手続補正がなされたが、平成２４年１２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２５年３月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２５年９月１２日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１１月１３日に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年１１月１３日になされた手続き補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の光放射角度特性の制御方法であって、
前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子は、
　第１の積層体と第２の積層体を含み、
　前記第１積層体はｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層が順に積層された半導体積層体を含み、
　前記半導体積層体の一主面上には前記活性層から放射された光を反射するための多層反射構造が形成されており、
　前記多層反射構造上には第１の接合用金属層が形成されており、
　前記第２積層体は第２の接合用金属層を含み、
　前記第１積層体と前記第２積層体とは前記第１接合用金属層と前記第２接合用金属層とを互いに接合することによって接合されており、
　前記多層反射構造は前記半導体積層体側から順に透光性の導電性酸化物層とこれに隣接する反射金属層とを含み、
　前記透光性の導電性酸化物層は、不純物によって導電性が付加された酸化チタンであってその厚さは１ｎｍ〜３０μｍの範囲内にあり、
前記光放射角度特性の制御方法は、
　前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子を形成するステップと、
　前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の光放射角度特性を測定するステップと、
　前記半導体積層体の主面上方の所望の光放射角より正面から取出される光量がより小さい場合は前記酸化チタンの層の厚さを増大させ、所望の光放射角より正面から取出される光量がより大きい場合には前記酸化チタンの層の厚さを減少させるステップを含むことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の光放射角度特性の制御方法。」
　
３　当審において通知した拒絶の理由
　
　当審において、平成２５年９月１２日付けで通知した拒絶の理由は、以下のとおりのものである。
　
「この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　記
 　 
 （１）請求項１には、発明特定事項として、「前記透光性の導電性酸化物層は、不純物によって導電性が付加された酸化チタンであり、前記透光性の導電性酸化物層の厚さを１ｎｍ〜３０μｍの範囲内で選択することにより、前記発光素子における光放射角度特性を制御する」との記載がある。 
 　 
 （２）本願の発明の詳細な説明には、請求項１の上記発明特定事項に関し、「これらの図７から図９において、ＩＴＯ膜１０８の厚みを増大させることによって透光性電極１２０側から取出される光が増大するように制御され得ることが分かる。すなわち、チップ化後に、カップの形状やモールド樹脂の形状による制御を必要とすることなく、発光素子中のＩＴＯ膜１０８の厚みを制御することによって光放射特性の制御が可能であることが分かる。他方、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の光放射特性はＩＴＯ膜１０８の厚みを１００μｍまで厚くしても３０μｍの厚さの場合と変わらない。したがって、ＩＴＯ膜１０８の厚さは、１ｎｍ〜１００μｍの範囲内にあればよく、１ｎｍ〜３０μｍの範囲内にあることが好ましい。」（段落【００３４】）と記載されている。 
 　 
 （３）しかし、図８及び図９を参照するに、ＩＴＯ膜１０８の厚さを１μｍとした場合と、３０μｍとした場合の光放射特性、特に光放射角度に明確な差異は認め難い。また、図７及び図８を参照するに、ＩＴＯ膜１０８の厚さを１ｎｍとした場合と、１μｍとした場合の光放射角度には確かに差異は認められるが、ＩＴＯ膜１０８の厚さが１ｎｍの場合とは、発光波長との比較において実質的にＩＴＯ膜１０８が存在しない状態と考えられるところ、上記光放射角度の差異が、ＩＴＯ膜１０８の厚さの違いにより生じたものであるのか、または実質的なＩＴＯ膜１０８の有無の差によって生じたものであるのかは、当該事例からは判断が困難である。そして、厚さ１ｎｍ〜３０μｍの範囲内において、光放射角度特性がどのように変化するのか明らかでない。 
……
 　 
 （４）また、本願の発明の詳細な説明には、透光性の導電性酸化物層が不純物によって導電性が付加された酸化チタンからなる本願発明において、導電性酸化物層の厚さ（１ｎｍ〜３０μｍ）により光放射角度がどのように変化するかは記載されていない。 
 　 
 （５）よって、本願の発明の詳細な説明の記載は、透光性の導電性酸化物層の厚さをどのようにすることにより発光素子における光放射角度特性がどのように制御できるのかが、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。 
 　 
　なお、技術常識を基に上記拒絶理由に対する意見を提出する際は、技術常識の根拠となる文献等を示した上で説明されたい。 」
　
４　本願明細書及び図面の記載
　
（１）本願明細書の発明の詳細な説明には、次の記載がある。
　
ア　「【００３３】
　図７は、図３の発光素子における光放射特性を示している。この図７の半円グラフにおいて、半径方向の軸は放射光の相対強度（％）を表し、円周方向は走査角度（度）を表している。すなわち、０度の走査角度は図３の発光素子における真下への光放射角を意味し、９０度と−９０度の走査角度は横方向への光放射角を意味している。そして、この半円グラフ中の曲線は、各半径方向への放射角における光の相対強度（％）を示している。また、さらなる検討の結果として、図７に類似の図８と図９は、図３中のＩＴＯ膜１０８の厚さが１μｍと３０μｍにそれぞれ変更された発光素子における光放射特性を示している。
　【００３４】
　これらの図７から図９において、ＩＴＯ膜１０８の厚みを増大させることによって透光性電極１２０側から取出される光が増大するように制御され得ることが分かる。すなわち、チップ化後に、カップの形状やモールド樹脂の形状による制御を必要とすることなく、発光素子中のＩＴＯ膜１０８の厚みを制御することによって光放射特性の制御が可能であることが分かる。他方、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の光放射特性はＩＴＯ膜１０８の厚みを１００μｍまで厚くしても３０μｍの厚さの場合と変わらない。したがって、ＩＴＯ膜１０８の厚さは、１ｎｍ〜１００μｍの範囲内にあればよく、１ｎｍ〜３０μｍの範囲内にあることが好ましい。」
　
イ　「【００５２】
　また、以上の実施形態においては透光性の導電性酸化膜としてＩＴＯ膜を用いたが、酸化錫、酸化インジュウム、酸化亜鉛、さらには不純物を添加して導電性を持たせた酸化チタンを用いることもできる。」
　
（２）図７ないし９は、次のものである。
　
　
５　当審の判断
　
（１）本願発明の「透光性の導電性酸化物層は、不純物によって導電性が付加された酸化チタンであってその厚さは１ｎｍ〜３０μｍの範囲内にあり、前記光放射角度特性の制御方法は、……前記半導体積層体の主面上方の所望の光放射角より正面から取出される光量がより小さい場合は前記酸化チタンの層の厚さを増大させ、所望の光放射角より正面から取出される光量がより大きい場合には前記酸化チタンの層の厚さを減少させるステップを含む」についての本願明細書及び図面における言及は、上記４のとおりであって、透光性の導電性酸化物層の厚さを変えることにより、光放射角度特性が制御できることについての原理的な説明はなされていない。そして、図８及び図９を参照するに、ＩＴＯ膜１０８の厚さを１μｍとした場合と、３０μｍとした場合の光放射特性、特に光放射角度に明確な差異は認め難い。また、図７及び図８を参照するに、ＩＴＯ膜１０８の厚さを１ｎｍとした場合と、１μｍとした場合の光放射角度には差異が認められるものの、ＩＴＯ膜１０８の厚さが１ｎｍの場合とは、発光波長との比較において実質的にＩＴＯ膜１０８が存在しない状態とも考えられるところであるから、上記光放射角度の差異が、ＩＴＯ膜１０８の厚さの違いにより生じたものであるのか、または実質的なＩＴＯ膜１０８の有無の差によって生じたものであるのかは、判断し難い。そして、厚さ１ｎｍ〜３０μｍの範囲内において、光放射角度特性がどのように変化するのか明らかでない。
　
（２）さらに、本願の発明の詳細な説明には、透光性の導電性酸化物層が不純物によって導電性が付加された酸化チタンからなる本願発明において、導電性酸化物層の厚さ（１ｎｍ〜３０μｍ）により光放射角度がどのように変化するかは説明されていない。 
　
（３）よって、本願の発明の詳細な説明の記載は、不純物によって導電性が付加された酸化チタンからなる透光性の導電性酸化物層の厚さをどのようにすることにより発光素子における光放射角度特性がどのように制御できるのかが、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。 
　
（４）請求人は、平成２５年１１月１３日提出の意見書において、
　
「本願の図８と図９とを比較すれば、ＩＴＯ膜１０８の厚さを１μｍから３０μｍにした場合に、半導体素子の横方向への光放出が増加していることが明瞭に判ります」、
　
「１ｎｍの厚さのＩＴＯ膜は僅かであっても光放射角に影響いたします。」、
　
「図７、図８および図９から、ＩＴＯ膜１０８の厚さが増加するにつれて、光放射角度として半導体素子の横方向角度への光放出が増加していることが明確に判ります。」
　
「段落［００５２］には『また、以上の実施形態においては透光性の導電性酸化膜としてＩＴＯ膜を用いたが、酸化錫、酸化インジュウム、酸化亜鉛、さらには不純物を添加して導電性を持たせた酸化チタンを用いることもできる。』と記載されていることから、当業者は酸化チタン膜がＩＴＯ膜と同様の作用・効果を有し得ることを容易に理解することができるでしょう。」
　
などと主張する。
　
　しかし、上記各主張は、本願明細書の記載に基づいて、当業者が、不純物によって導電性が付加された酸化チタンからなる透光性の導電性酸化物層の厚さをどのようにすることにより発光素子における光放射角度特性がどのように制御できるのかを明らかにするものとは認められないから、上記（１）ないし（３）の判断を左右するものではない。
　
６　むすび
　
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。