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　特願２０１０−　５４０００「プラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月１９日出願公開、特開２０１０−１８３０９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１７年９月１２日に出願した特願２００５−２６３４１０号（以下、「原出願」という。）の一部を平成２２年３月１１日に新たな出願としたものであって、平成２５年５月１０日付けで拒絶査定がなされ、同年
７月１９日に拒絶査定不服審判が請求され、当審において平成２６年２月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
［２］本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２６年４月２４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
「板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
　真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ前記ワークが載置される下部電極と、前記下部電極の上方に配設された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成される処理空間と、前記処理空間内においてプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備え、
　前記下部電極において前記ワークの下面に当接して周囲を誘電体で囲まれた電極部材は、複数の貫通孔が形成された板状部材と、前記板状部材の上面に誘電体を溶射して形成され、前記貫通孔が前記板状部材の上面に開口した孔部のエッジを覆う形状の誘電膜と、前記板状部材の下面にろう付けによって接合された冷却用部材を備え、さらに前記板状部材と前記冷却用部材の間に前記複数の貫通孔と連通する空間を有し、前記誘電膜は前記ろう付けによる前記板状部材と前記冷却用部材の接合部分を覆うことを特徴とするプラズマ処理装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
［３］刊行物の記載事項
　当審において通知した拒絶の理由に引用された、原出願の出願日前に頒布された特開２００１−２１０６２３号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平１１−３０７５２２号公報（以下、「刊行物２」という。）、特開平７−１７６５２４号公報（以下、「刊行物３」という。）、実開平５−３１２３９号公報（以下、「刊行物４」という。）、特開２０００−２６９１８９号公報（以下、「刊行物５」という。）、特開２００２−３５９２７９号公報（以下、「刊行物６」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：特開２００１−２１０６２３号公報
（１ａ）「【請求項１】プラズマ発生用ガスが供給される真空チャンバと、この真空チャンバを真空吸引する真空吸引手段と、真空チャンバに設けられた上部電極部と下部電極部を備え、この上部電極部と下部電極部の間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、下部電極部上に載置されたワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記下部電極部がワークを載置するブロックを備え、このブロックにワークを真空吸着するための吸着孔を複数開孔し、またこのブロックの下部に冷媒を流すための冷媒路を形成し、且つ前記吸着孔を真空吸引する真空吸引手段と、前記冷媒路に冷媒を流す冷却装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態におけるプラズマ処理装置の全体構成を示す断面図、図２は本発明の一実施の形態におけるプラズマ処理装置の部分拡大断面図、図３は本発明の一実施の形態におけるプラズマ処理装置の下部電極部の吸引孔を示す平面図、図４は本発明の一実施の形態におけるプラズマ処理装置の下部電極部の冷媒路を示す底面図である。
　図１において、真空チャンバ１の内部には上部電極部２と下部電極部３が間隔Ｔをおいて上下に配設されている。上部電極部２は上方にあり、アース部４に接地されている。下部電極部３は下方にあり、高周波電源５に接続されている。上部電極部２と下部電極部３の間に高周波電圧を印加すると、この間にプラズマが発生する。上部電極部２と下部電極部３の平面形状は円形である。」（【００１０】−【００１１】）
　
（１ｃ）「……下部電極部３は、アルミニウムなどの導電体から成るベース部２０と、ベース部２０の上面に装着されたブロック２１と、ブロック２１の外縁部に装着されたリング状の外縁体２２から成っている。ブロック２１はワークの載置部となるものであって、その上面には、
プラズマ処理対象物であるウエハなどのワーク１５が載置される。
　図１および図２において、
ブロック２１は円板体
孔路２５の交差部には孔路２５に連通する吸着孔２６が多数マトリクス状に開孔されている。
　
（１ｄ）「ブロック２１の下部には細い冷媒路２８が形成されている。図４に示すように、冷媒路２８はブロック２１の全面に極力均等に分布するように形成されており、取付部２３に形成された孔部２９を通して冷却装置３２に接続されている。冷却装置３２から送られた冷水などの冷媒は冷媒路２８を流れ、ベース部２０、ブロック２１、ブロック２１上のワーク１５を冷却する。」（【００２０】）
　
（１ｅ）「……図１において、ブロック２１上にワーク１５を載置し、真空ポンプ３１によりワーク１５を吸着してワーク１５ががたつかないように固定した後、真空ポンプ３３を駆動して真空チャンバ１の内部を真空吸引する。……またガス供給部３０からプラズマ発生用ガスを孔路１２を通して供給して貫通孔８から下方へ吹出させ、下部電極部３のベース部２０に高周波電圧を印加する。すると上部電極部２と下部電極部３の間にプラズマが発生し、ワーク１５の表面にプラズマ中のイオン等などが衝突してプラズマ処理（エッチングやクリーニングなど）が行われる。
ここで、プラズマ処理中には、冷媒路２８には冷水などの冷媒が流され、ブロック２１はその全体が冷却される。……」（【００２４】−【００２５】）
　
（１ｆ）図１、２には、プラズマ処理装置において、上部電極部２と下部電極部３の間に処理空間が形成され、下部電極部３には該処理空間にプラズマを発生させるための高周波電源が接続されること、また、下部電極部３のブロック２１には、上下方向に貫通する複数の吸着孔２６が形成されて、孔路２５に連通するとともに、ブロックの上面に開口した孔部を有する様子が示されている。
　さらに、下部電極部３では、ベース部２０の上にブロック２１が装着され、ブロック２１の下部に形成された冷媒路２８とベース部の上面の間には、冷媒が流れる空間が形成される様子が示されている。　
　
（２）刊行物２：特開平１１−３０７５２２号公報
（２ａ）「プラズマＣＶＤでは、材料を基板の表面上へ優先的に堆積させるように設計されているが、チャンバー壁面やサセプタ壁面にも材料を堆積させる。従って、該チャンバー内で増加した材料の堆積層を除去する為に、フッ素系等のガスを導入して
プラズマを発生させることで、クリーニングを行っている。
【発明が解決しようとする課題】フッ素系等のクリーニングガスでクリーニングした場合においては、反応性の高い化学種等を生成する為に、成膜時の電力より比較的高い電力を使うことが必要となる。しかしながら、この高い電力により生成された反応性の高い化学種等はチャンバー内部の上部電極１１、
下部電極（サセプタと記す）１０
に付着した堆積膜をエッチングするだけでなく、そのエッチング効果によりハードウェアを削り
　
（３）刊行物３：特開平７−１７６５２４号公報
（３ａ）「このように高周波電圧を印加することにより、サセプタ１２４と上部電極１３４との間の処理空間Ｓにはプラズマが立ち、発生した活性種によってウエハ表面がエッチング処理される。この時、特に処理空間Ｓに晒されている上部電極１３４の下面、側壁保護板１４４の全表面、シャッタ部材１５０の内側面、処理容器の側壁等は、本発明の特長とする爆発溶射によるセラミック被膜１５２Ａ、１５２Ｂ、１５２Ｃ、１５２Ｄが付着されているので、従来装置に用いられていた硬質アルマイト被膜よりも耐久性及び耐腐食性を向上させることができる。
　従って、
プラズマによって削られることを大幅に抑制することができ、
　……
上記実施例では処理容器内に収容される部品としては、側壁保護板１４４、シャッタ部材１５０、クランパ１２８を一例として挙げてこれらの表面に爆発溶射によるセラミック被膜を形成する場合について説明したが、これらに限定されず、
例えばサセプタ１２４の表面
にも爆発溶射によるセラミック被膜を形成するようにしてもよい。
　
（４）刊行物４：実開平５−３１２３９号公報　
　図３、４には、複数の貫通穴を有する導電体表面にセラミック溶射膜を形成した静電チャックにおいて、形成された溶射膜が、貫通穴の口部のエッジを覆う様子が示されている。
 
（５）刊行物５：特開２０００−２６９１８９号公報
（５ａ）「【００６０】複合部材によって構成される基体載置ステージ１０の模式的な断面図を、図１の（Ａ）に示す。この基体載置ステージ１０は複合部材１１から構成されている。複合部材１１は、セラミックス部材の組織中にアルミニウム系材料が充填された母材１２（温度調節ジャケットに相当する）と、この母材１２の表面に設けられたセラミックス層１３とから成る。母材１２の形状は円盤である。この基体載置ステージ１０は、静電チャック機能を有し、且つ、温度制御手段を備えている。具体的には、誘電体層であるセラミックス層１３は静電チャック機能を有する。また、母材１２の内部には温度制御手段が配設され（埋め込まれ）、この温度制御手段は、ヒータ１４及び熱媒体を流す配管１５から構成されている。
　……　
　尚、図１の（Ｂ）の模式的な断面図に示すように、セラミックス層を溶射法でなくロウ付け法によって母材１２の表面に設けてもよい。この場合には、焼結法にて作製されたＡｌ２Ｏ３製セラミックス板から成るセラミックス層１６を、例えば、約６００゜Ｃの温度にてＡｌ−Ｍｇ−Ｇｅ系のロウ材１７を用いたロウ付け法にて母材１２の表面に取り付ければよい。尚、ロウ材１７としては、その他、チタン、錫、アンチモン、マグネシウムから成る合金を挙げることができる。」（【００６０】−【００６３】）
　
（５ｂ）「尚、図１の（Ａ）に示した基体載置ステージ１０においては、基体であるシリコン半導体基板５０の設定温度に応じて、ヒータ１４への通電又は配管１５に高温の熱媒体を流すことによる加熱、若しくは、配管１５に低温の熱媒体（冷媒）を流すことによる冷却を通じて、主たる温度制御がなされる。」（【００７５】）
　
（６）刊行物６：特開２００２−３５９２７９号公報
（６ａ）「【請求項１】セラミック板状体の一方の主面を、ウエハを載せる載置面とするとともに、上記セラミック板状体の他方の主面にロウ材層を介して筒状体を接合したウエハ支持部材において、少なくとも上記ロウ材層の外側露出部を覆うように微小な空孔を有するセラミック多孔質膜を被着したことを特徴とするウエハ支持部材。」（【特許請求の範囲】）
　
（６ｂ）「なお、セラミック多孔質膜１３を被着する方法としては、ＣＶＤ法やＰＶＤ法を用いることもできるが、好ましくは溶射法により成膜することが良い。
　溶射法は気孔率を調整した多孔質のセラミック膜を三次元的に複雑な形状を有する部分にも容易に成膜でき、比較的短時間で厚みの厚い膜を形成することができる。」（【００３４】−【００３５】）
　
　
　上記記載事項（１ａ）−（１ｆ）によれば、刊行物１には、
「ウエハなどのワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
　真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられた前記ワークが載置される下部電極部と、前記下部電極部の上方に配設された上部電極部と、前記下部電極部と上部電極部との間に形成されるプラズマ処理空間と、前記プラズマ処理空間においてプラズマを発生させる高周波電源とを備え、
　前記下部電極部において前記ワークの下面に当接する電極部材は、複数の吸着孔が形成された円板体のブロックと、前記円板体のブロックの下面に装着されるベース部を備え、さらに前記円板体のブロックと前記ベース部の間に前記複数の吸着孔と連通する孔路を有するプラズマ処理装置。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
［４］対比・判断
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明における「ウエハなどのワーク」、「下部電極部」、「上部電極部」、「高周波電源」、「円板体のブロック」、「孔路」は、それぞれ、本願発明における「板状のワーク」、「下部電極」、「上部電極」、「プラズマ発生手段」、「板状部材」、「空間」に相当する。
　また、引用発明における「吸着孔」は、円板体のブロックの上下方向を貫通し、その上面に開口した孔部を有するものであるから（上記記載事項（１ｆ）、本願発明の「貫通孔」に相当する。
　そして、引用発明における「ベース部」は、その上面が、前記円板体のブロック下部との間で冷媒路を形成し、そこを流れる冷媒によってブロックやその上のワークを冷却するものであるから（上記記載事項（１ｄ）−（１ｆ））、それ自体、冷却のための部材ともいえるものであり、本願発明の「冷却用部材」に相当する。
　
　よって、両者は、
「板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
　真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ前記ワークが載置される下部電極と、前記下部電極の上方に配設された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成される処理空間と、前記処理空間内においてプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備え、
　前記下部電極において前記ワークの下面に当接する電極部材は、複数の貫通孔が形成された板状部材と、前記貫通孔が前記板状部材の上面に開口した孔部と、前記板状部材の下面に搭載された冷却用部材を備え、さらに前記板状部材と前記冷却用部材の間に前記複数の貫通孔と連通する空間を有するプラズマ処理装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
・（相違点１）
　本願発明では、電極部材は、「周囲を誘電体で囲まれ」ており、「前記板状部材の上面に誘電体を溶射して形成され、前記貫通孔が前記板状部材の上面に開口した孔部には、「エッジを覆う形状の誘電膜」を備えるのに対し、引用発明では、それが記載されていない点。
　
・（相違点２）
　前記板状部材の下面に搭載される冷却用部材が「ろう付けによって接合され」、「前記誘電膜は前記ろう付けによる前記板状部材と前記冷却部材の接合部分を覆う」のに対し、引用発明では、それが記載されていない点。
　
　上記相違点について検討する。
・（相違点１）について
　プラズマ処理装置において、プラズマクリーニングの際に付着堆積物の除去とともに、下部電極（「サセプタ」）等が削られる（スパッタされる）という課題は周知（例えば、上記刊行物２参照）であり、また、上記刊行物３には、プラズマ処理装置においてサセプタがプラズマにより削られるのを防止すべく、その表面に溶射によりセラミック被膜（「誘電膜」）を形成することが記載されている。
　そして、引用発明に係るプラズマ処理装置においても、上記課題を当然に有するものと認められ、該課題を解決すべく、下部電極部の電極部材の上面を含む周囲にセラミック被膜（「誘電膜」）を溶射により形成することは当業者が容易に想到しうることであり、その際、前記貫通孔が前記ブロック（「板状部材」）の上面に開口した孔部のエッジを覆う形状になっているともいえるし、あるいは、そのように形成することは設計的事項であるともいえる（例えば、上記刊行物４の図３、４には、複数の貫通穴を有する静電チャックの上面に溶射された誘電膜が、貫通穴が上面に開口した孔部のエッジを覆う形状となっていることが示されている。）。
　
・（相違点２）について
　例えば、上記刊行物５、６にも記載されるとおり、プラズマ処理装置のウエハ支持部において、 ウエハがその上面に載置される部材と、該部材の下部に位置する部材とをろう付けにより接合することも周知であり（刊行物６には、さらに、ろう付け部を覆うようにセラミック膜（「誘電膜」）を溶射により設けることも記載されている。）、引用発明において、ベース部とブロックをろう付けによって接合し、その接合部分を溶射によるセラミック膜（「誘電膜」）で覆い、当該相違点に係る構成とすることも設計的事項にすぎない。
　
　なお、審判請求人は、平成２６年４月２４日付け意見書において、「本願発明では、吸着部材４５（「板状部材」に相当）の上面を覆う溶射膜６５（「誘電膜」に相当）を電極部材４６の側面まで延長し、少なくともろう付けによる接合部分までを覆うことで、……異常放電を防止するという作用効果が得られるものであり」、「「異常放電を防止する」という課題はいずれの引用刊行物にも記載がなく、構成も異なるので、設計的事項にすぎない」とはいえない旨の主張をしている（第２頁下第１５−１１行、第３頁第９−１０行）。
　しかしながら、プラズマ処理装置のウエハ支持部材において、ろう付け部を覆うようにセラミック被覆をすることにより、プラズマ放電の回り込みを防止できることは周知の事項（例えば、下記刊行物参照）であり、引用発明において、上記のように、ろう付けによる接合部分を覆うようにセラミック膜を溶射により設けた場合に、回り込んだプラズマによる接合部からの異常放電が防止されることは予想しうる範囲内のことである。
　よって、上記主張は採用できない。
　
 ・特開平８−２７９５５０号公報（【００１０】）
「【００１０】誘電体セラミックと台座、あるいは誘電体セラミックと絶縁セラミック板、絶縁セラミック板と台座の間に挟まれたロー付部には少なくともロー材の厚さに相当する隙間が存在し、この部分は外にむきだしになっており、プラズマ放電がここに回り込むことがある。回り込み防止には、ロー材の露出部に無機接着剤、……を充填するのが、有効である。無機接着剤には、電気絶縁性で半導体に為害性のないセラミック骨材と無機バインダーを混合したものが好ましい。骨材としては高純度シリカ、高純度アルミナ、窒化アルミニウム等が、バインダーにはアルミナゾル、シリカゾル、加熱によりアルミナ、シリカ、窒化ケイ素、窒化アルミ等を生成するアルコキシド、無機ポリマー類等が使用できる。」
　
［５］むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。