【事件の表示】
　特許第３２９４９７６号「位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２９４９７６号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３２９４９７６号は、平成７年９月２９日に特許出願され、平成１４年４月５日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人凸版印刷株式会社から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年５月６日に意見書が提出され、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１７年１月１４日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　別紙「訂正の内容」参照。
　
（２）訂正の適否
　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、請求項１及び請求項４において２５原子％を２０原子％と訂正し、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。当該請求項１に係る訂正事項は、特許明細書段落【００３０】に記載されていたことである。
　また、上記訂正事項ａは、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するものである。
　また、その他の訂正事項ｂ、ｃ及びｄについても特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するものである。
　
３．特許異議申立てについての判断
（１）本件発明
　上記のとおり、訂正は認められるから、本件特許の発明（請求項１ないし５）は、上記訂正された特許明細書に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】　微細パターン露光を施すためのマスクであって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスクであって、前記光半透過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成し、該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属シリサイド含有量が２０原子％以下（０原子％を除く）であることを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項２】　請求項１に記載の位相シフトマスクにおいて、前記薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属がモリブデンであることを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項３】　請求項１又は２に記載の位相シフトマスクにおいて、前記薄膜を構成する物質は、その構成要素に窒素も含むものであることを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項４】　請求項１ないし３のいずれかに記載の位相シフトマスクの素材として用いられる位相シフトマスクブランクであって、透明基板上に、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜を形成し、該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属シリサイド含有量が２０原子％以下（０原子％を除く）であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【請求項５】　請求項４に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属がモリブデンであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。」
　
（２）異議申立人提出の証拠に記載された発明／取消理由で引用された刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平６−３３２１５２号公報
　刊行物１には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（珪素；Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）との混合ガス雰囲気（Ａｒ；９０〜８０％、Ｏ2；１０〜２０％、圧力；１．５×１０-3Torr）で、反応性スパッタにより、透明基板１上に膜厚１４００〜２０００オングストロームの薄膜を成膜することにより、酸化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ）を光半透過膜とする位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクを製造する旨記載されている。
　また、刊行物１には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（珪素；Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）との混合ガス雰囲気（Ａｒ；８４〜７２％、Ｎ2Ｏ；１６〜２８％、圧力；１．５×１０-3Torr）で、反応性スパッタにより、透明基板１上に膜厚１４００〜２０００オングストロームの薄膜を成膜することにより酸化窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ）を光半透過膜とする位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクを製造する旨記載されている。
　刊行物２：特開平７−１４０６３５号公報
　刊行物２には、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用したスパッタリング法により、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）の酸化膜からなる位相シフタ膜を石英基板上に形成する位相シフトマスクであり、混合ガス中のアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）の比率は、Ａｒ；９０〜８０％、Ｏ2；１０〜２０％の範囲内にある旨記載されている。
　
（３）本件発明１に対する各刊行物との対比・判断
（３）．１　本件発明１と刊行物１及び２に記載された発明とを対比すると、両者は、「微細パターン露光を施すためのマスクであって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスクであって、前記光半透過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成」した点において一致するが、次の点で相違する。
　
　相違点；刊行物１及び２に記載された発明は、本件発明１の「薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属シリサイド含有量が２０原子％以下（０原子％を除く）である」（以下、「本件発明１の特徴的構成」という。）構成を有しない点。
　
　相違点について検討する。
・刊行物１刊行物１の【００２６】段落に記載された実施例との相違について
　訂正前の本件特許明細書に記載された実施例１〜３は、刊行物１の【００２６】段落に記載された実施例とは、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（珪素；Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）との混合ガス雰囲気（Ａｒ；９０〜８０％、Ｏ2；１０〜２０％、圧力；１．５×１０-3Torr）で、反応性スパッタにより、透明基板１上に膜厚１４００〜２０００オングストロームの薄膜を成膜することにより、酸化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ）を光半透過膜とする位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクを製造する点で一致するが、上記刊行物１の【００２６】段落に記載された実施例には成膜後の膜の成分に影響を与える成膜温度が規定されておらず、また、金属シリサイド含有量自体についても記載されていないから、刊行物１の【００２６】段落に記載された実施例は、本件発明１の特徴的構成を有するとはいえない。
　また、刊行物１の【００２６】段落に記載された実施例において、成膜後の膜の成分を変えること自体は容易にできたとしても、本件発明１は、本件発明１の特徴的構成により、特許明細書に添付された【図４】の実施例４及び５においてエッチング加工性及びパターンのエッチ形状において顕著な効果を有するのに対し、刊行物１には、この点について何ら記載がなく、当業者が当然予測できたものでもないから、刊行物１の【００２６】段落に記載された実施例に基づいて、当業者が本件発明１の特徴的構成に想到できたとはいえない。
　なお、訂正により、訂正前の本件特許明細書に記載された実施例１〜３は、実施例から削除され、本件発明１の実施例は訂正前の本件特許明細書に記載された実施例４及び５に限定された。
　
・刊行物１の【００２７】段落に記載された実施例との相違について
　刊行物１の【００２７】段落に記載された実施例は、その記載内容において製造条件が本件発明１の実施例と相違しているから、刊行物１の【００２６】段落に記載された実施例に対する判断と同様に、本件発明１の特徴的構成を有するとはいえず、かつ、刊行物１の【００２７】段落に記載された実施例に基づいて、当業者が本件発明１の特徴的構成に想到できたとはいえない。
　
・刊行物２との相違について
　刊行物２の【００９４】段落【表１】に記載された実施例は、その記載内容において製造条件が本件発明１の実施例と相違しているから、刊行物１の【００２６】段落に記載された実施例に対する判断と同様に、本件発明１の特徴的構成を有するとはいえず、かつ、刊行物２の【００９４】段落【表１】に記載された実施例に基づいて、当業者が本件発明１の特徴的構成に想到できたとはいえない。
  　
（３）．２　他の請求項に対する刊行物との対比・判断
　本件特許の請求項２ないし５に係る発明は、本件発明１をさらに限定するものであるから、本件発明１と同様に刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものとすることはできない。
　
（４）第３６条違反について
　異議申立人が主張する第３６条違反については、訂正により解消した。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１月２７日（２００５．１．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
微細パターン露光を施すためのマスクであって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスクであって、前記光半透過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成し、該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属シリサイド含有量が
２０原子％以下（０原子％を除く）
　【請求項２】請求項１に記載の位相シフトマスクにおいて、前記薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属がモリブデンであることを特徴とする位相シフトマスク。
　【請求項３】請求項１又は２に記載の位相シフトマスクにおいて、前記薄膜を構成する物質は、その構成要素に窒素も含むものであることを特徴とする位相シフトマスク。
　【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の位相シフトマスクの素材として用いられる位相シフトマスクブランクであって、透明基板上に、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜を形成し、該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属シリサイド含有量が
２０原子％以下（０原子％を除く）
　【請求項５】
請求項４に記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属がモリブデンであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにした位相シフトマスク及びその素材としての位相シフトマスクブランクに関し、特に、いわゆるハーフトーン型の位相シフトマスク及びその素材としての位相シフトマスクブランクに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造の際等においては、微細パターン転写のマスクたるフォトマスクの１つとして位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにしたものである。この位相シフトマスクの１つに、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称されているものが知られている。これは、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機能と光の位相をシフトさせる位相シフト機能との２つの機能を兼ねるものである。
　【０００３】このハーフトーン形位相シフトマスクは、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相が上記光透過部を通過した光の位相に対して実質的に反転する関係になるようにすることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたものである。
　【０００４】ハーフトーン形位相シフトマスクは、光半透過部が、光透過率及び位相シフト性能の双方について、要求される最適な値を有している必要がある。従来、この最適な値を有している光半透過部を実現できる位相シフトマスクとして、特開平６−３３２１５２号公報に記載されたものが提案されている。これは、光半透過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成したものである。この物質は、例えば酸化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ）、あるいは窒素をも構成要素とする酸化窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ）である。これらをまとめて単にモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）という。これによれば、酸素含有率又は、酸素と窒素の含有率を選定することにより透過率が制御でき、また、薄膜の厚さで位相シフト量を制御できる。また、光半透過部を、このような物質の薄膜で構成することにより、光半透過部を１種類の材料からなる１層の膜で構成することができ、異なる種類の多層の膜で構成する場合に比して、単一のエッチング媒質を用いることができ、製造工程を単純にできる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭｏＳｉＯまたはＭｏＳｉＯＮからなる光半透過膜は、次のように形成する。ＭｏＳｉＯの場合は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（珪素；Ｓｉ）との混合ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタにより、透明基板上に所定膜厚の薄膜を成膜することにより行う。また、ＭｏＳｉＯＮの場合は、ＭｏとＳｉとの混合ターゲットを用い、Ａｒと亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタにより、透明基板上に所定膜厚の薄膜を成膜することにより行う。
　【０００６】このようにＭｏＳｉＯまたはＭｏＳｉＯＮを光半透過膜とする場合には、スパッタ室内の雰囲気を、不活性ガスに活性ガスを加えた混合ガスとしているが、活性ガスの混合量が少ないと、成膜温度が高くなる。成膜温度が高くなると、シリサイドが良好に形成されるため、薄膜中に結晶であるＭｏＳｉが形成されやすい。現に、半導体製造装置でＭｏＳｉ膜を製造する場合には、成膜温度が５００℃〜６００℃と高いので、薄膜の大半はＭｏＳｉになる。
　【０００７】薄膜中のＭｏＳｉが多いと、結晶グレインが成長して柱状の結晶構造になり、かつグレインのサイズも１μｍ程度と大きくなる。このためマスクパターンを形成するために前記光半透過膜のエッチングを行う際、エッチング加工性が悪くなり、それに伴ってパターンのエッジ形状も悪くなる。さらに、結晶質であることに起因して膜の内部応力も大きくなるので、マスクの歪みが多くなると共に、石英基板等の透明基板に対する密着性がよくない。したがって、光半透過部をＭｏＳｉＯまたはＭｏＳｉＯＮ膜で構成した位相シフトマスクにおいては、薄膜中のＭｏＳｉ含有量は重要である。しかし、光半透過膜のエッチング性等が向上する薄膜中の金属シリサイドの含有量についての検討は未解決の状態である。
　【０００８】本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、その目的は、パターンのエッチングの際、エッチング加工性が良好で、かつパターンのエッジ形状も良好な位相シフトマスク及びその素材たる位相シフトマスクブランクを提供することにある。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するために本発明にかかる位相シフトマスクは、次のように構成したものである。
　【００１０】構成１の位相シフトマスクは、微細パターン露光を施すためのマスクであって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスクであって、前記光半透過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成し、該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属シリサイド含有量が
２０原子％以下（０原子％を除く）
　【００１１】薄膜中の金属シリサイドの含有量が
２０原子％以下（０原子％を除く）
　【００１２】
　【００１３】
構成２
構成１
構成１
　【００１４】
構成３
構成１又は２
　【００１５】
構成４
構成１ないし３
２０原子％以下（０原子％を除く）
　【００１６】
　【００１７】
構成５
構成４
　【００１８】
構成４〜５
構成１ないし３
　【００１９】
　【発明の実施の形態】図５は本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスクを示す部分断面図、図６は本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスクブランクを示す部分断面図である。以下、これらの図を参照にしながら本実施の形態にかかる位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクを説明する。
　【００２０】図５において、符号１は透明基板、符号２はこの透明基板１の上に形成された光半透過部、符号４は光透過部である。
　【００２１】透明基板１は、主表面（表裏の面）を鏡面研磨した石英ガラス基板（寸法；縦５インチ、横５インチ、厚さ０．０９インチ）である。
　【００２２】光半透過部２は、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質、例えば、ＭｏＳｉＯ、あるいは、酸素、金属及びシリコンの他に窒素をも構成要素とするＭｏＳｉＯＮの薄膜で構成されている。この実施の形態では、露光光として水銀ランプのｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）を用いることとし、この露光光に対して光半透過部２が所定の位相シフト量と所定の遮光性能とを同時に得られるようにするため、酸素含有率（原子％）、窒素含有率（原子％）、膜厚ｄ（オングストローム）、光透過率を選定する。
　【００２３】図４は、光半透過部を構成する薄膜中のＭｏＳｉ含有量を変えたものを比較例および
参考例１〜３並びに実施例１〜２
　【００２４】上述の構成の位相シフトマスクの製造手順を図６を参照にしながら説明する。
　【００２５】図６に示されるように、まず、透明基板１の表面にＭｏＳｉＯの薄膜
（参考例１〜３）
（実施例１〜２）
　【００２６】光半透過膜２ａの形成は、該光半透過膜２ａをＭｏＳｉＯの薄膜で構成する
参考例１〜３
　【００２７】ＭｏとＳｉとの混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用い、ＡｒとＯ２との混合ガス雰囲気（Ａｒ；９０〜８０％、Ｏ２；１０〜２０％、圧力；１．５×１０−３Ｔｏｒｒ）で、反応性スパッタにより、透明基板１上に膜厚１４００〜２０００オングストロームの薄膜を成膜することにより行う。この場合、膜厚は、位相差が１８０°になるように選定される。
　【００２８】また、光半透過膜２ａをＭｏＳｉＯＮの薄膜で構成する
実施例１〜２
　【００２９】なお、比較例の場合は、ＭｏとＳｉとの混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用い、ＡｒとＯ２との混合ガス雰囲気（Ａｒ；９８〜９１％、Ｏ２；２〜９％、圧力；１．５×１０−３Ｔｏｒｒ）で、反応性スパッタにより、透明基板１上に膜厚１４００〜２０００オングストロームの薄膜を成膜することにより行う。
　【００３０】前記実施例では、所定量以上のＯ２あるいはＮ２ＯガスをＡｒガスに加えた混合ガス雰囲気でスパッタリングするので、成膜温度が２００℃程度と低く、その結果、ＭｏＳｉが膜中に形成されにくい。これに対して比較例では、所定量より少ないＯ２ガスをＡｒガスに加えた混合ガス雰囲気でスパッタリングするので、成膜温度が５００℃〜６００℃と高く、その結果、ＭｏＳｉが膜中に形成されやすくなる。図４から、エッチング加工性等を向上させるためには、光半透過部を構成する薄膜中のＭｏＳｉ含有量が５０原子％以下、より好ましくは２０％以下であることがわかる。
　【００３１】図２は、
実施例１
　【００３２】図中、ＳｉＯ（Ｎ）と示されたピークは、ＳｉにＯ、Ｎが直接結合しているＳｉ原子の相対的な個数を表す。Ｓｉメタルと示されたピークは、ＳｉにＭｏが直接結合しているＳｉ原子の相対的な個数を表す。その他は、ＳｉにＯ、Ｎが結合し、そのＯ、ＮにＭｏが結合している場合等を表す。これらの面積強度比より、層毎に結合状態に対するＳｉ存在比を算出する。
　【００３３】図１は、このようにして算出したＳｉ存在比を示す図である。図の横軸はスパッタリング時間（分）、すなわち、厚さ方向の位置を表し、縦軸はＳｉ存在比（原子％）としての分布を示す。これより、膜内の全Ｓｉのうち、ＳｉにＯ、Ｎが直接結合したもの（酸化物、窒化物）が約８割、シリサイド等の金属的な結合が約１割あることが分かる。すなわち、ＭｏＳｉのターゲットをＯ２あるいはＮ２Ｏガス雰囲気下でスパッタすると、ＭｏＳｉが膜中に形成されにくいことが裏付けられる。
　【００３４】なお、図３は
実施例１
　【００３５】次に、こうして得た位相シフトマスクブランクの光半透過膜２ａの上にレジスト膜を形成し、パターン露光、現像、エッチング、洗浄等の一連の周知のパターン形成処理を施して、光半透過膜２ａの一部を除去し、光透過部４と光半透過部２とでホールあるいはドット等のパターンを形成した位相シフトマスクを得る。この場合、ＭｏＳｉＯ膜、又は、ＭｏＳｉＯＮ膜のエッチングは、ドライエッチングによる場合はエッチングガスとして、ＣＦ４＋Ｏ２混合ガスを用いればよい。
　【００３６】このＣＦ４＋Ｏ２混合ガスによるエッチングにおいて、ＭｏＳｉ含有量が高い（５０原子％を超える）比較例のものはエッチング加工性が劣っていた。また
、ＭｏＳｉ含有量が５０原子％以下で２０％を超える参考例１〜３のものになると、エッチング加工性がかなり良好といえるものとはなったが、ＭｏＳｉ含有量が２０原子％以下の実施例１〜２のものになると、エッチング加工性がより良好になった。
参考例１〜３及び実施例１〜２
　【００３７】この位相シフトマスクは、図５に示されるように、露光光Ｌ０が照射された場合、この露光光Ｌ０は、光半透過部２を通過して図示しない非転写体に達する光Ｌ１と光透過部４を通過して非転写体に達する光Ｌ２とに分かれる。この場合、光半透過部２を通過した光Ｌ１の強度は、実質的に露光に寄与しない程度の弱い光である。一方、光透過部４を通過した光Ｌ２は実質的に露光に寄与する強い光である。したがって、これにより、パターン露光が行われる。その際、回折現象によって光半透過部２と光透過部４との境界部を通過する光が互いに相手の領域に回り込むが、両者の光の位相がほぼ反転した関係にあるので、互いに相殺される。これによって境界領域での非転写体上における光強度はほぼ０になる。したがって、境界が極めて明確になり、解像度が向上する。本実施例ではパターンのエッジ形状が良好になっていることにより、前記解像度はさらに向上する。
　【００３８】上述したように、光半透過部２を、酸素、窒素、モリブデン及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成する場合、その形成は反応性スパッタによるが、そのスパッタに際して雰囲気中に酸素または酸素及び窒素が混入することになる。酸素または酸素及び窒素が混入する場合には、混入する度合いに応じてシリサイド形成量が変る。したがって、酸素または酸素及び窒素の量を調整すると、薄膜を構成する物質のモリブデンシリサイド含有量を制御できる。本実施例による検討結果では、酸素または酸素及び窒素の量が少なすぎないようにして、モリブデンシリサイド含有量を
２０原子％以下
　【００３９】また、非晶質が多くなると、薄膜の膜応力も小さくなるので、マスクの歪みを少なくできると共に、石英基板等の透明基板に対する優れた密着性を確保することができる。
　【００４０】なお、上記実施例では、光半透過部を構成する物質の構成要素としての金属としてモリブデンを用いる例を掲げたが、これは、タンタルもしくはタングステンを用いてもよい。
　【００４１】また、前記実施例では、露光光として水銀ランプのｉ線（３６５ｎｍ）を用い例を掲げたが、本発明は、露光光として、他の波長のもの、例えば、ｇ線（４３６ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）等を用いた場合にも適用できることは勿論である。この時は、それぞれの露光波長に対する薄膜の屈折率や吸収率を検討して、ＭｏＳｉ含有量の規定値の範囲内で酸素や窒素の含有率、膜厚を調整すればよい。
　【００４２】
　【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、光半透過部または光半透過膜中の金属シリサイドの含有量を
２０原子％以下（０原子％を除く）
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例のＥＳＣＡによって分析した各面積強度比から層毎に結合状態に対するＳｉ存在比を算出した図である。
　【図２】
実施例１
　【図３】
実施例１
　【図４】比較例及び
参考例１〜３並びに実施例１〜２
　【図５】本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスクの構成を示す部分断面図である。
　【図６】本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスクブランクの構成を示す部分断面図である。
　【符号の説明】１…透明基板、２…光半透過部、２ａ…光半透過膜、４…光透過部。
　【図５】本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスクの構成を示す部分断面図である。
　【図６】本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスクブランクの構成を示す部分断面図である。
　【符号の説明】
　１…透明基板、２…光半透過部、２ａ…光半透過膜、４…光透過部。
【図面】