【事件の表示】
　特願２０１２−１００６４８「発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月３０日出願公開、特開２０１２−１６５０１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　本願発明
　本願は、平成９年３月１０日（優先権主張　平成８年４月２６日）に出願した特願平９−５５２２１号の一部を平成１３年９月４日に新たな特許出願とした特願２００１−２６７０３８号の一部を平成２０年１０月１６日に新たな特許出願とした特願２００８−２６７３０１号の一部をさらに平成２４年４月２６日に新たな特許出願としたものであって、その請求項に係る発明は、平成２４年１０月３０日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、
　前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなる下地層を気相成長法により形成する工程と、
　前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、
　前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、
　前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、
　前記活性層上にＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で気相成長法により形成する工程と、
　前記キャップ層上に前記活性層の成長温度より高い成長温度で第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。」
　
２　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である「Jpn.J.Appl.Phys. part2(1996)Vol.35 No.1B，pp.L74-L76」（以下「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある（かっこ書で訳文を付した。）。
ア　「III-V nitride films were grown by the two-flow metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method. Details of the two-flow MOCVD have been described elsewhere.17) The growth was conducted at atmospheric pressure. Sapphire with (0001) orientation (C face) was used as the substrate. Details of the growth conditions of each layer haye been described elsewhere.8-10)　The InGaN MQW LD device (Fig.1) consisted of a 300Å GaN buffer layer grown at a low temperature of 550℃, a 3-μm-thick layer of n-type GaN;Si, a 0.1-μm-thick layer of n-type In 0.1Ga0.9N:Si, a 0.4-μm-thick layer of n-type Al0.15Ga0.85N:Si,a 0.1-μm-thick layer of n-type GaN:Si, 26periods of a In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95N MQW structure consisting of 25-Å-thick In0.2Ga0.8N well layers and 50-Å-thick In0.05Ga0.95N barrier layers, a 200-Å-thick layer of p-type Al0.2Ga0.8N:Mg, a 0.1-μm-thick layer of p-type GaN:Mg, a 0.4-μm-thick layer of p-type Al0.15Ga0.85N:Mg, and a 0.5-μm-thick layer of p-type GaN:Mg. 1 The 0.1-μm-thick layer of n-type In0.1Ga0.9N served as a buffer layer of the thick AlGaN films growth to prevent cracking of the film. The 200-Å-thick 1ayer of p-type A10.2Ga0.8N was used to prevent dissociation of InGaN layers during the growth of the p-type layers. The 0.1-μm-thick n-type and p-type GaN layers were light-guiding layers. The 0.4-μm-thick n-type and p-type Al0.15Ga0.85N layers were cladding layers for confinement of light emitted from the active region of the InGaN MQW structure.」（Ｌ７４頁右欄２行〜Ｌ７５頁左欄２行）
（ＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜は２フロー有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により成長させた。２フローＭＯＣＶＤ法の詳細は他に説明されたものである。17)成長は、大気圧下で行った。（０００１）配向（Ｃ面）のサファイアを基板として用いた。それぞれの層の成長条件の詳細は他に説明されたものである。8-10)ＩｎＧａＮ系ＭＱＷ　ＬＤ素子（図１）は、５５０℃の低温で成長された３００ÅのＧａＮバッファ層、３μｍ厚のｎ型ＧａＮ：Ｓｉの層、０．１μｍ厚のｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ：Ｓｉの層、０．４μｍ厚のｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｓｉの層、０．１μｍ厚のｎ型ＧａＮ：Ｓｉの層、２５Å厚のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ井戸層と５０Å厚のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎバリア層からなるＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎの２６周期のＭＱＷ構造、２００Å厚のｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇの層、０．１μｍ厚のｐ型ＧａＮ：Ｍｇの層、０．４μｍ厚のｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｍｇの層、０．５μｍ厚のｐ型ＧａＮ：Ｍｇの層からなっていた。０．１μｍ厚のｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎの層は膜の割れを防止するために厚いＡｌＧａＮ膜成長のバッファ層として作用した。２００Å厚のｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの層はｐ型層の成長中にＩｎＧａＮ層の解離を防ぐために用いられた。０．１μｍ厚のｎ型及びｐ型ＧａＮの層は、光ガイド層であった。０．４μｍ厚のｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎの層は、ＩｎＧａＮのＭＱＷ構造の活性領域から放出される光の閉じ込めのためのクラッド層であった。）
　
イ　「A Ni/Au contact was evaporated onto the entire area of the p-type GaN layer, and a Ti/Al contact onto the n-type GaN layer.」（Ｌ７５頁左欄１３〜１６行）
（Ｎｉ／Ａｕのコンタクトがｐ型ＧａＮ層上の全領域に、Ｔｉ／Ａｌのコンタクトがｎ型ＧａＮ層上に蒸着された。）
　
ウ　Fig.1（図１）は、次のものである。
　
エ　そして、Fig.1（図１）には、上記の層構造を有するＩｎＧａｎ　ＭＱＷ　ＬＤの構造が示され、上記「Ｎｉ／Ａｕのコンタクト」及び「Ｔｉ／Ａｌのコンタクト」は、それぞれ、「p-electrode」及び「n-electrode」、すなわち、「ｐ電極」及び「ｎ電極」として示されている。
　
（２）刊行物２
　同じく、特開平８−７０１３９号公報（以下「刊行物２」という。）には、図とともに次の記載がある。
　なお、刊行物２の【００１９】〜【００２２】、【００３２】〜【００３６】等において、1、2等の数字を○で囲った表記があるが、表記の都合上、これらは、(1)、(2)等の表現にあらためた。
ア　「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード、レーザダイオード等の電子デバイスに使用されるｎ型窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１、以下窒化ガリウム系化合物半導体を窒化物半導体という。）の結晶成長方法に係り、特に、基板上に直接またはバッファ層を介してｎ型窒化物半導体の結晶を成長させる方法に関する。
【０００２】【従来の技術】青色、紫外に発光するレーザダイオード、発光ダイオードの材料として窒化物半導体（ＩｎX'ＡｌY'Ｇａ1-X'-Y'Ｎ、０≦X'、０≦Y'、X'＋Y'≦１）が注目されており、最近この材料で光度１ｃｄの青色発光ダイオードが実用化されたばかりである。この青色発光ダイオードは図１に示すように、サファイアよりなる基板１の表面に、ＧａＮよりなるバッファ層２と、ＧａＮよりなるｎ型層３と、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層４と、ＩｎＧａＮよりなる活性層５と、ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層６と、ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層７とが順に積層された構造を有している。
【０００３】窒化物半導体素子は、一般にＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシャル）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法、ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相エピタキシャル）法等の気相成長法を用い、基板表面に窒化物半導体層を積層させることにより得られる。基板にはサファイア、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＭｇＯ等の材料が使用される。基板の表面にはバッファ層を介してｎ型の窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１、その中でも特にｎ型ＧａＮ、ｎ型ＡｌＧａＮが多い。）が成長される。また、ＳｉＣ、ＺｎＯのように窒化物半導体と格子定数の近い基板を用いる場合には、バッファ層を形成せず、基板に直接ｎ型窒化物半導体が成長されることもある。基本的には、基板の表面にまずｎ型窒化物半導体層を成長させることにより、発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子が作製される。
【０００４】例えばＭＯＶＰＥ法によると、窒化物半導体は、原料ガスにＧａ源、Ａｌ源、Ｉｎ源となる有機金属化合物ガスと、Ｎ源となるアンモニアガスとが用いられる。これらの原料ガスを加熱した基板表面に接触させることにより原料ガスを分解して、基板上に窒化物半導体がエピタキシャル成長される。バッファ層には通常ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等が選択され、３００℃〜９００℃の温度で１０オングストローム〜０．１μｍの厚さで成長される。バッファ層の上に成長するｎ型窒化物半導体層は９００℃以上の温度で、通常１μｍ以上、４μｍ以下の膜厚で成長される。
【０００５】【発明が解決しようとする課題】窒化物半導体は、完全に格子整合する基板がないため、非常にエピタキシャル成長させにくい結晶であることが知られている。従って、従来ではＳｉＣ基板のように、成長させようする窒化物半導体の格子定数に近い基板を利用するか、または格子不整合を緩和するバッファ層を介して無理矢理エピタキシャル成長されてきた。
【０００６】格子整合しない基板の表面に成長したｎ型窒化物半導体の結晶の模式断面図を一例として図２に示す。これはジャーナル　オブ　クリスタル　グロウス｛Jounal of Crystal Growth, 115, (1991) P628−633｝より引用したものであり、サファイア基板の表面にＡｌＮよりなるバッファ層を介してｎ型ＧａＮをエピタキシャル成長させ、その断面をＴＥＭ（transmission electron microscopy）で測定して、そのＴＥＭ像から結晶の構造を模式的に示したものである。この図によると、基板上に配向性が整っていないバッファ層が柱状に成長されており、そのバッファ層の上にＧａＮをエピタキシャル成長させると、そのバッファ層の一部が種結晶のような役割を果たして、徐々にＧａＮの配向性が整うことにより、結晶性がよくなったＧａＮ層が成長されることを示している。
【０００７】しかしながら、完全に結晶欠陥の無いＧａＮを成長させることは難しく、図２の破線に示すような多数の結晶欠陥が、バッファ層とＧａＮ層との界面から、ＧａＮ層表面に達するまで伸びている。この欠陥は結晶の内部で止まるものもあるが、ＧａＮ層表面にまで達するものは、表面で例えば１０7〜１０9個／cm2ある。同様に図１の発光ダイオード素子においても、ｎ型層３の結晶中では同様の現象が発生している。
【０００８】基板の表面に成長したｎ型窒化物半導体層の表面に多数の結晶欠陥があると、その欠陥がｎ型層の表面に成長するクラッド層、活性層等、全ての半導体層に受け継がれ、素子構造全体に悪影響を及ぼすという問題がある。結晶欠陥の多い素子は、例えば上記のような発光ダイオードとした場合に、発光出力、寿命等の素子性能に悪影響を及ぼすという欠点がある。
【０００９】基板の表面にまずｎ型窒化物半導体層を成長させるにあたり、結晶欠陥の少ないｎ型結晶を成長させることが非常に重要であり、それを実現できれば、そのｎ型結晶の上に成長させるクラッド層、活性層等の結晶欠陥が少なくなるので、窒化物半導体より成るあらゆる素子の性能を向上させることができる。従って、本発明はこのような事情を鑑みなされたものであり、ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、完全に格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体層を成長させる際に、そのｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することを目的とする。
【００１０】【課題を解決するための手段】本発明の方法の第一の態様は、気相成長法により基板表面に直接、またはバッファ層を介してｎ型窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）の結晶を成長させる方法において、前記ｎ型窒化物半導体層成長中に、そのｎ型窒化物半導体層と組成の異なる第二の窒化物半導体層（ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、０≦a、０≦b、a＋b≦１）を少なくとも一層以上成長させることを特徴とする。
【００１１】また本発明の方法の第二の態様は、気相成長法により基板表面に直接、またはバッファ層を介してｎ型窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）の結晶を成長させる方法において、前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を少なくとも５μｍ以上の膜厚で成長させることを特徴とする。
【００１２】【作用】第一の態様において、ｎ型窒化物半導体層の中に、組成の異なる第二の窒化物半導体層を形成すると、第二の窒化物半導体が緩衝層、即ちバッファ層として作用するので、バッファ層で結晶欠陥を緩和できると考えられる（以下本明細書において、第二の窒化物半導体層を第二のバッファ層という）。詳しく述べると、ｎ型窒化物半導体層が基板上に成長される場合、基板と窒化物半導体とのミスマッチが大きいため、成長中に図２の破線に示すような結晶欠陥が結晶中に発生する。ところが、成長させようとするｎ型窒化物半導体層と組成の異なる第二のバッファ層を中間層として介在させることにより、ｎ型窒化物半導体層の連続した結晶欠陥が、組成が異なる第二のバッファ層で一時的に止まる。次に、第二のバッファ層の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際は、その第二のバッファ層がミスマッチの少ない基板のような作用をするため、第二のバッファ層の上に成長させるｎ型窒化物半導体の結晶性がよくなると推察される。」
　
イ　「【００１５】さらに、第二のバッファ層の電子キャリア濃度は先に形成したｎ型窒化物半導体層とほぼ同一か、またはそれより大きく調整することが望ましい。図３および図４は本発明の方法により得られたｎ型窒化物半導体層３”の上に、ｎクラッド層４'、活性層５'、ｐクラッド層６'、ｐコンタクト層７'を積層して実際の発光素子として、その発光素子の構造を断面図でもって示した図である。図３は、第二のバッファ層３３が、負電極形成用のｎ型層のエッチング面よりも活性層５'側にあるのに対し、図４は第二のバッファ層３３がエッチング面よりも基板１'側に形成された点で異なっている。例えば、図３に示すような発光素子を実現した場合、つまり第二のバッファ層３３の位置が、負電極を形成すべきエッチング面よりも活性層側に近い位置にあるような素子を実現した場合、第二のバッファ層３３の電子キャリア濃度がｎ型層３'よりも小さいと、第二のバッファ層でｎからｐへ供給される電子が阻止されて、ｎ型層からｐ層に電流が流れにくくなり、素子の性能が悪くなる。逆に、第二のバッファ層３３の電子キャリア濃度がｎ型層３よりも大きいと、電子は第二のバッファ層３３に均一に広がりやすくなるので、均一な発光を得ることができる。一方、図４のような素子であると、第二のバッファ層３３の電子キャリア濃度は小さくても、電流は電子キャリア濃度の大きいｎ型層３”の方を流れるので、発光素子の特性にはほとんど影響がないが、逆に第二のバッファ層３３の電子キャリア濃度が大きい場合は、電流は第二のバッファ層３３の方に流れやすくなって、均一な発光が得られる。従って、第二のバッファ層３３の電子キャリア濃度は先に形成したｎ型窒化物半導体層とほぼ同一か、またはそれより大きく調整することが好ましい。」
　
ウ　「【００１６】次に、本発明の第二の態様では、ｎ型窒化物半導体層を５μｍよりも厚く成長させることにより、表面に到達する結晶欠陥を少なくできる。図２において、破線がｎ型層の中間で止まっているのは、結晶欠陥が途中で止まっていることを示している。この途中で止まっている結晶欠陥について、さらによく研究してみると、ｎ型窒化物半導体層が基板からおよそ４μｍぐらいで止まるものが多いことを新たに見いだした。そこで、同一材料を連続して成長中であれば、結晶欠陥を成長中に次第に止めることが可能であるので、５μｍ以上でｎ層を成長させることにより、ｎ層の表面にまで到達する結晶欠陥を少なくすることができる。第二の態様において、さらに好ましいｎ型窒化物半導体層の厚さは７μｍ以上である。」
　ここで、図４は次のものである。
　そして、【符号の説明】欄には次のとおり記載されている。
「１、１’・・・基板　　　　　　　　　２、２'・・・バッファ層
３、３'、３”・・・ｎ型窒化物半導体層　４、４'・・・ｎ型クラッド層
５、５'・・・活性層　　　　　　　　　　６、６'・・・ｐクラッド層
７、７'・・・ｐコンタクト層
３３・・・第二のバッファ層（第二の窒化物半導体層）」
　
エ　「【００１９】
【実施例】以下、ＭＯＶＰＥ法による本発明の方法を詳説する。
［実施例１］(1)まず、よく洗浄したサファイア基板を反応容器内のサセプターの上に設置する。容器内を真空排気した後、水素ガスを容器内に流しながら、基板を１０５０℃で約２０分間加熱し表面の酸化物を除去して、基板のクリーニングを行う。その後サセプターの温度を５００℃に調整し、５００℃においてＧａ源としてＴＭＧ（トリメチルガリウムガス）、Ｎ源としてアンモニアガスを基板の表面に流しながら、ＧａＮよりなるバッファ層を０．０２μｍの膜厚で成長させる。
【００２０】(2)次に、ＴＭＧガスを止め、温度を１０５０℃まで上昇させた後、ＴＭＧガス、ＳｉＨ4ガスを流し、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層を２μｍの膜厚で成長させる。
【００２１】(3)次に、ＴＭＧガス、ＳｉＨ4ガスを止め温度を８００℃にする。８００℃になったらキャリアガスを窒素に切り替え、ＴＭＧガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＳｉＨ4ガスを流し、第二のバッファ層としてＳｉドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を０．０１μｍの膜厚で成長させる。
【００２２】(4)Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層成長後、再度温度を１０５０℃まで上昇させ、キャリアガスを水素に戻してＴＭＧガスおよびＳｉＨ4ガスを流し、同様にしてＳｉドープｎ型ＧａＮ層を２μｍの膜厚で成長させる。なお第二のバッファ層のキャリア濃度とこのｎ型ＧａＮ層のキャリア濃度はほぼ同一とした。
【００２３】成長後、基板を反応容器から取り出し、最上層のｎ型ＧａＮ層の表面をＴＥＭで測定し、そのＴＥＭ像より、単位面積あたりの結晶欠陥の数を計測したところ、およそ１×１０4個／cm2であった。」
　
オ　「【００３２】［実施例７］実際の発光素子の構造とした実施例を示す。実施例１の(4)の工程の後に以下の工程を加えた。
(5)Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層成長後、新たにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガスを加え、同じく１０５０℃で、ｎクラッド層としてＳｉドープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００３３】(6)ｎクラッド層成長後、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4ガスを止め、再び温度を８００℃に設定して、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＳｉＨ4ガスに加えてＤＥＺ（ジエチルジンク）を流し、活性層としてＳｉおよびＺｎドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００３４】(7)活性層成長後、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＳｉＨ4、ＤＥＺガスを止め、温度を１０５０℃にした後、ＴＭＧ、ＴＭＡ、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）ガスを流し、ｐクラッド層としてＭｇドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００３５】(8)ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層成長後、ＴＭＡガスを止め、同じく１０５０℃でｐコンタクト層としてＭｇドープｐ型ＧａＮ層を０．３μｍの膜厚で成長させる。
【００３６】(9)以上のようにして得た素子のエッチングを行い、第二のバッファ層の次に成長したｎ型ＧａＮ層を露出させ、ｐコンタクト層と、露出したＳｉドープｎ型ＧａＮ層とに電極を形成した。つまり図４に示すような構造の発光ダイオード素子とした。さらにこの素子をリードフレームに取り付け、樹脂でモールドした。この発光ダイオードは２０ｍＡにおいてＶｆ３．６Ｖ、発光波長４５０ｎｍであり、光度３．０ｃｄ、発光出力は３．５ｍＷであった。」
　
カ　「【００３９】［実施例８］以下本発明の第二の態様について具体的な実施例を示す。この実施例も第一の方法と同様にＭＯＶＰＥで成長させる手法を示すものであるので基本的操作に大差はない。
(1)実施例１の(1)の工程と同様にしてサファイア基板の表面にＧａＮよりなるバッファ層を０．０２μｍの膜厚で成長させる。
【００４０】  実施例１のの工程と同様にして、バッファ層の上に、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層を１０μｍの膜厚で成長させる。
【００４１】【００４１】成長後、基板を反応容器から取り出し、ｎ型ＧａＮ層表面をＴＥＭで測定し、そのＴＥＭ像より、単位面積あたりの結晶欠陥の数を計測したところ、およそ１×１０5個／cm2であった。」
　
３　引用発明
　上記２（１）によれば、刊行物１には、
「サファイア基板上に、ＧａＮからなるバッファ層、ｎ電極が接触するｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層、ｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ：Ｓｉからなるバッファ層、ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｓｉからなるｎ型クラッド層、ｎ型ＧａＮ：Ｓｉからなる光ガイド層、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層、ＩｎＧａＮ層の解離を防ぐｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層、ｐ型ＧａＮ：Ｍｇからなる光ガイド層、ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｍｇからなるｐ型クラッド層、ｐ電極が接触するｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層が順次積層されたＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造レーザダイオード」
が記載されているものと認められる。
　また、刊行物１には、これらの各層は、「two-flow metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method」、すなわち、２フロー有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法により成長された旨の記載がされているから、上記ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造レーザダイオードの各層は気相成長法により形成されたものといえる。
　
　したがって、刊行物１には、
「サファイア基板上に、ＧａＮからなるバッファ層、ｎ電極が接触するｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層、ｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ：Ｓｉからなるバッファ層、ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｓｉからなるｎ型クラッド層、ｎ型ＧａＮ：Ｓｉからなる光ガイド層、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層、ＩｎＧａＮ層の解離を防ぐｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層、ｐ型ＧａＮ：Ｍｇからなる光ガイド層、ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｍｇからなるｐ型クラッド層、ｐ電極が接触するｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層が順次積層されたＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造レーザダイオードの各層を気相成長法により形成するレーザダイオードの製造方法」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
４　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ＧａＮからなるバッファ層」、「ｎ電極が接触するｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層」、「ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｓｉからなるｎ型クラッド層」、「Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層」、「ＩｎＧａＮ層の解離を防ぐｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層」及び「ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｍｇからなるｐ型クラッド層」がそれぞれ、本願発明の「窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層」、「第１導電型のコンタクト層」、「第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層」、「インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層」、「Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層」及び「第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層」に相当するところであり、ここで、引用発明の前記各層は、本願発明と同様に「気相成長法」により形成されているものである。
　また、引用発明の「ＩｎＧａＮ層の解離を防ぐｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層」及び「Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層」は、それぞれ、本願発明と同様に「Ａｌを含むＡｌＧａＮ」ないし「インジウムを含む窒化物系の化合物半導体」からなるものであるから、引用発明は、「前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する」ものといえる。
　
（２）したがって、審判請求書の請求の理由「３．（３）」（審判請求書６頁）において、請求人が主張するとおり、本願発明と引用発明とは、
「窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、前記バッファ層上に第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上にＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する発光素子の製造方法」である点で一致し、以下のアないしエの点で相違するものと認められる。
　
ア　本願発明の「バッファ層」は、「非単結晶」であるのに対し、引用発明の「ＧａＮからなるバッファ層」が「非単結晶」であるか不明である点（以下「相違点１」という。）。
　
イ　本願発明は、「前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなる下地層を気相成長法により形成する工程」を含むのに対し、引用発明は、ＧａＮからなるバッファ層上に、コンタクト層として機能するｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層を直接形成しており、バッファ層上に下地層を形成する工程を含んでいない点（以下「相違点２」という。）。
　
ウ　本願発明は、第２導電型の第２のクラッド層を前記活性層の成長温度より高い成長温度で形成するのに対して、引用発明は、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｍｇからなるｐ型クラッド層の成長温度がこのようなものであるか不明である点（以下「相違点３」という。）。
　
エ　本願発明は、Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で形成するのに対して、引用発明は、ＩｎＧａＮ層の解離を防ぐｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層の成長温度がこのようなものであるか不明である点（以下「相違点４」という。）。
　
５　判断
（１）相違点１について
ア　本願明細書には、非単結晶及び単結晶に関して次の記載がある。
「【００５０】まず、有機金属化学気相成長装置内に基板１を設置した後、その基板１を非単結晶成長温度、例えば６００℃の成長温度（基板温度）に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ2およびＮ2、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いて、基板１上に非単結晶のアンドープのＡｌＧａＮバッファ層２を成長させる。
【００５１】その後、基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ2およびＮ2、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、バッファ層２上に単結晶のアンドープのＧａＮ下地層３を成長させる。」
　
イ　上記記載によれば、本願発明でいう「非単結晶」とは、「非単結晶成長温度」である「例えば６００℃の成長温度（基板温度）」という低い温度で窒化物系の化合物半導体の層を成長させたものであり、一方、「単結晶」とは、「単結晶成長温度」である「好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃」という高い温度で窒化物系の化合物半導体の層を成長させたものと認められるところ、引用発明の「ＧａＮからなるバッファ層」は、刊行物１に「a 300Å GaN buffer layer grown at a low temperature of 550℃」（５５０℃の低温で成長された３００ÅのＧａＮバッファ層）と記載されている（前記２（１）アを参照。）ように、５５０℃という低い温度、すなわち、本願明細書でいう「非単結晶成長温度」で成長されたものであるから、本願発明と同様に「非単結晶」の「窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層」であると認められる。したがって、相違点１は、実質的な相違とはいえない。
　
（２）相違点２について
ア　刊行物２（特に前記２（２）イを参照。）には、窒化物系の化合物半導体からなる各層を気相成長法により形成した発光素子において、基板上に形成されたバッファ層とｎ型クラッドの間の層構造を、図４に示されるように、バッファ層２’、ｎ型窒化物半導体層３’、第二のバッファ層３３、ｎ型窒化物半導体層３’’、ｎ型クラッド層４’の積層構造とすることが記載されている。
　
イ　ここで、バッファ層２’、ｎ型窒化物半導体層３’、第二のバッファ層３３及びｎ型窒化物半導体層３’’は、刊行物２の【００１９】〜【００２２】（前記２（２）エを参照。）に記載されているように、それぞれ、５００℃で成長させたＧａＮよりなるバッファ層、１０５０℃で成長させたｎ型ＧａＮ層、８００℃で成長させたｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層及び１０５０℃で成長させたｎ型ＧａＮ層であるから、上記（１）での検討に照らして、バッファ層２’は、本願発明のバッファ層と同様に非単結晶であり、ｎ型窒化物半導体層３’及び３’’は、単結晶であると認められる。
　
ウ　また、刊行物２の【００３２】〜【００３６】（前記２（２）オを参照。）、特に【００３６】に「以上のようにして得た素子のエッチングを行い、第二のバッファ層の次に成長したｎ型ＧａＮ層を露出させ、ｐコンタクト層と、露出したＳｉドープｎ型ＧａＮ層とに電極を形成した。つまり図４に示すような構造の発光ダイオード素子とした。」と記載されるとおり、上記ｎ型窒化物半導体層３’’には電極が形成されており、このｎ型窒化物半導体層３’’は、ｎ電極が接触するコンタクト層といえる。
　
エ　してみると、刊行物２の図４に示される上記層構造の「バッファ層２’」、「ｎ型窒化物半導体層３’」、「ｎ型窒化物半導体層３’’」及び「ｎ型クラッド層４’」は、それぞれ、本願発明の「非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層」、「単結晶の窒化物系の化合物半導体からなる下地層」、「第１導電型のコンタクト層」及び「第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層」に相当するところであり、引用発明における「ＧａＮからなるバッファ層」から「ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｓｉからなるｎ型クラッド層」までの層構造として、刊行物２の図４に示される層構造を採用して、相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たものと認められる。
　
オ　なお、本願明細書には、下地層に接してコンタクト層が形成される実施例が記載される（図３）ところ、このような層構造についても検討するに、刊行物２には、【００１１】、【００１６】及び【００３９】〜【００４１】に「第二の態様」について記載されるところ、【００１６】に記載されるとおり、バッファ層上に例えば１０５０℃で成長されるｎ型窒化物半導体層の結晶欠陥は、基板から４μｍぐらいで止まるものが多いとされることに照らせば、バッファ層上に１０５０℃で成長されるｎ型窒化物半導体層において、基板から４μｍ厚の層を下地層とし、その上に成長されるｎ型窒化物半導体層をコンタクト層として、相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることも、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（３）相違点３について
　刊行物２には、窒化物系の化合物半導体からなる各層を気相成長法により形成した発光素子について、
「【００３３】(6)ｎクラッド層成長後、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＳｉＨ4ガスを止め、再び温度を８００℃に設定して、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＳｉＨ4ガスに加えてＤＥＺ（ジエチルジンク）を流し、活性層としてＳｉおよびＺｎドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００３４】(7)活性層成長後、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＳｉＨ4、ＤＥＺガスを止め、温度を１０５０℃にした後、ＴＭＧ、ＴＭＡ、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）ガスを流し、ｐクラッド層としてＭｇドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を０．１μｍの膜厚で成長させる。」との記載があり（前記２（２）オを参照。）、クラッド層の成長温度をインジウムを含有する活性層の成長温度より高くすることが記載されているから、引用発明において、ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ：Ｍｇからなるｐ型クラッド層の成長温度をＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層の成長温度より高いものとして、相違点３に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に採用し得たものと認められる。
　
（４）相違点４について
　「ＩｎＧａＮ層の解離を防ぐｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層」は、引用発明を実施するに際して、適宜の成長温度で成長させるべきものであるところ、当該「ＩｎＧａＮ層の解離を防ぐｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層」は、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層を成長させた後、ｐ型層の成長中にＩｎＧａＮ層の解離（dissociation）を防ぐために用いられたものである（上記２（１）ア）ことを考慮すれば、あえて、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層を成長させる成長温度より高い成長温度を選ぶ格別の技術的理由はない。
　そうすると、「ＩｎＧａＮ層の解離を防ぐｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層」の成長温度を、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５ＮのＭＱＷ構造からなる活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低いものとなし、相違点４に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に採用し得たものと認められる。
　
６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。