【事件の表示】
　特許第３４０２２９５号「薄膜トランジスタ及びその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４０２２９５号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本件特許第３４０２２９５号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平１１−３６０９７３号）　　　平成１１年１２月２０日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　２月２８日
　特許異議申立（特許異議申立人：中川徹、請求項１ないし４に対して）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１５年１１月　５日
　取消理由通知（１）　　　　　　　　　　　　　平成１６年　６月　４日
　特許異議意見書（１）・訂正請求書（１）　　　平成１６年　８月　４日
　取消理由通知（２）　　　　　　　　　　　　　平成１６年１１月２２日
　訂正請求書（１）の取下書　　　　　　　　　　平成１６年１１月２９日
　特許異議意見書（２）・訂正請求書（２）　　　平成１６年１１月２９日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の【請求項１】を
「【請求項１】　透明基板上に遮光膜をパターン成膜する工程と、
　前記透明基板及び前記遮光膜上に下地ＳｉＯ２膜を成膜する工程と、
　前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に活性層となる半導体部分を形成する工程と、
　前記半導体部分及び前記下地ＳｉＯ２膜の上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、
　前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし、ゲート電極形成部から離れたコンタクト開口部を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜の上面及びコンタクト開口部に遮光性を有する導電膜を成膜する工程と、
　前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部以外の前記導電膜を除去する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。」と訂正する。
　
　（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の【請求項２】を
「【請求項２】　前記導電膜を除去する工程は、フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部をマスクする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。」と訂正する。
　
　（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の【請求項３】を
「【請求項３】　前記導電膜を除去する工程は、フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部をマスクする工程と、異方性エッチングを行う工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。」と訂正する。
　
　（４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の【請求項４】を
「【請求項４】　透明基板上に形成された遮光膜と、
　前記遮光膜上に形成された下地ＳｉＯ２膜と、
　前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に形成された活性層と、
　前記活性層上及び下地ＳｉＯ２膜上に成膜されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記活性層の両側位置かつ前記遮光膜の上位置、および前記ゲート電極から離れた位置に形成され、かつ、前記ゲート絶縁膜及び前記下地ＳｉＯ２膜に設けられ前記遮光膜まで通ずるコンタクト開口部とを備え、
　下端を前記遮光膜に接触させ上端を前記ゲート絶縁膜上面とほぼ同一高さに位置させる遮光側壁であって、前記ゲート電極と同一化合物からなる遮光側壁が前記コンタクト開口部に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」と訂正する。
　
　（５）訂正事項ｅ
　明細書の発明の詳細な説明の段落【０００５】を
「【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本出願第一の発明は、透明基板上に遮光膜をパターン成膜する工程と、前記透明基板及び前記遮光膜上に下地ＳｉＯ２膜を成膜する工程と、前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に活性層となる半導体部分を形成する工程と、前記半導体部分及び前記下地ＳｉＯ２膜の上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし、ゲート電極形成部から離れたコンタクト開口部を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上面及びコンタクト開口部に遮光性を有する導電膜を成膜する工程と、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部以外の前記導電膜を除去する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法である。」と訂正する。
　
　（６）訂正事項ｆ
　明細書の発明の詳細な説明の段落【０００６】を
「【０００６】したがって、本出願第一の発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれにおいて前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし、ゲート電極形成部から離れたコンタクト開口部を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上面及びコンタクト開口部に遮光性を有する導電膜を成膜する工程と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部以外の前記導電膜を除去する工程とを含むので、かかるエッチングにより、ゲート電極が形成されると同時に、活性層となる半導体部分の両側に、下端を遮光膜に接し上端をゲート絶縁膜上面とほぼ同一高さに位置させる遮光性を有するサイドウォール（遮光側壁）が形成できる。したがって、本製造方法により形成された薄膜トランジスタは、透明基板の裏側から入射するあらゆる角度の入遮光及びその乱反射成分の光が活性層に到達する前に完全に遮断することができるサイドウォールを有し、このサイドウォールによって光リーク電流の発生を防止することができるという利点がある。また、製造工程上は、ゲート電極の形成工程を利用することによって極めて簡便に、光リーク電流の発生を阻止する有効な手段たるサイドウォールを形成することができるという利点がある。遮光性を有する導電膜は、ゲート電極を形成するものであり、タングステンシリサイド（ＷＳｉ２）や、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２）などの金属ケイ化物（シリサイド）を用いることができる。」と訂正する。
　
　（７）訂正事項ｇ
　明細書の発明の詳細な説明の段落【０００７】を
「【０００７】また本出願第２の発明は、本出願第１の発明の薄膜トランジスタの製造方法において、前記導電膜を除去する工程は、フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部をマスクする工程を含むことを特徴とする。」と訂正する。
　
　（８）訂正事項ｈ
　明細書の発明の詳細な説明の段落【０００９】を
「【０００９】また本出願第３の発明は、本出願第１の発明の薄膜トランジスタの製造方法において、前記導電膜を除去する工程は、フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部をマスクする工程と、異方性エッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。」と訂正する。
　
　（９）訂正事項ｉ
　明細書の発明の詳細な説明の段落【００１１】を
「【００１１】また本出願第４の発明は、透明基板上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上に形成された下地ＳｉＯ２膜と、前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に形成された活性層と、前記活性層上及び下地ＳｉＯ２膜上に成膜されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記活性層の両側位置かつ前記遮光膜の上位置、および前記ゲート電極から離れた位置に形成され、かつ、前記ゲート絶縁膜及び前記下地ＳｉＯ２膜に設けられ前記遮光膜まで通ずるコンタクト開口部とを備え、下端を前記遮光膜に接触させ上端を前記ゲート絶縁膜上面とほぼ同一高さに位置させる遮光側壁であって、前記ゲート電極と同一化合物からなる遮光側壁が前記コンタクト開口部に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタである。」と訂正する。
　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）訂正事項ａ
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１に記載された「前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングしコンタクト開口部を形成する工程」を
「前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし、ゲート電極形成部から離れたコンタクト開口部を形成する工程」とより具体的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ａについては、特許明細書の段落【００１７】、【００２４】及び図面の【図１】、【図２】の記載から明らかであり、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（２）訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項２の「フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部をマスクする工程」が、特許請求の範囲の請求項１の「導電膜を除去する工程」の技術的限定をするものであるにもかかわらず、特許請求の範囲の請求項２では、「前記エッチング工程」となっていたので、それを訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｂについては、特許明細書の段落【００１６】、【００１７】の記載から明らかであり、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（３）訂正事項ｃ
　訂正事項ｃは、特許請求の範囲の請求項３の「フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部をマスクする工程と、異方性エッチングを行う工程」が、特許請求の範囲の請求項１の「導電膜を除去する工程」の技術的限定をするものであるにもかかわらず、特許請求の範囲の請求項３では、「前記エッチング工程」となっていたので、それを訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｃについては、特許明細書の段落【００２３】、【００２４】、【００２６】の記載から明らかであり、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（４）訂正事項ｄ
　訂正事項ｄは、特許請求の範囲の請求項４に記載された「前記活性層の両側位置かつ前記遮光膜の上位置に形成され、かつ、前記ゲート絶縁膜及び前記下地ＳｉＯ２膜に設けられ前記遮光膜まで通ずるコンタクト開口部」を、「前記活性層の両側位置かつ前記遮光膜の上位置、および前記ゲート電極から離れた位置に形成され、かつ、前記ゲート絶縁膜及び前記下地ＳｉＯ２膜に設けられ前記遮光膜まで通ずるコンタクト開口部」とより具体的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｄについては、特許明細書の【００１７】、【００２４】及び図面の【図１】、【図２】の記載から明らかであり、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項ｄは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（５）訂正事項ｅないしｉ
　訂正事項ｅないしｉは、特許請求の範囲の請求項１ないし４を訂正したことにより、発明の詳細な説明の対応部分を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに当たる。
　さらに、訂正事項ｅないしｉは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立についての判断
　１　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１ないし４に係る発明（以下、「本件発明１ないし４」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される次のとおりのものである
「【請求項１】　透明基板上に遮光膜をパターン成膜する工程と、
　前記透明基板及び前記遮光膜上に下地ＳｉＯ２膜を成膜する工程と、
　前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に活性層となる半導体部分を形成する工程と、
　前記半導体部分及び前記下地ＳｉＯ２膜の上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、
　前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし、ゲート電極形成部から離れたコンタクト開口部を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜の上面及びコンタクト開口部に遮光性を有する導電膜を成膜する工程と、
　前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部以外の前記導電膜を除去する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。
　　【請求項２】　前記導電膜を除去する工程は、フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部をマスクする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
　　【請求項３】　前記導電膜を除去する工程は、フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部をマスクする工程と、異方性エッチングを行う工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
　　【請求項４】　透明基板上に形成された遮光膜と、
　前記遮光膜上に形成された下地ＳｉＯ２膜と、
　前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に形成された活性層と、
　前記活性層上及び下地ＳｉＯ２膜上に成膜されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
　前記活性層の両側位置かつ前記遮光膜の上位置、および前記ゲート電極から離れた位置に形成され、かつ、前記ゲート絶縁膜及び前記下地ＳｉＯ２膜に設けられ前記遮光膜まで通ずるコンタクト開口部とを備え、
　下端を前記遮光膜に接触させ上端を前記ゲート絶縁膜上面とほぼ同一高さに位置させる遮光側壁であって、前記ゲート電極と同一化合物からなる遮光側壁が前記コンタクト開口部に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
　２　特許異議申立の理由及び取消理由の概要
　（１）特許異議申立の理由
　特許異議申立人中川徹は、証拠として、
刊行物１（甲第１号証）：特開平１０−１７３１９５号公報
刊行物２（甲第２号証）：特開平６−１１８４４６号公報
刊行物３（参考資料１）：特開昭５８−１２３５３号公報
刊行物４（参考資料２）：特開昭６０−２１６３７７号公報
刊行物５（参考資料３）：特開平１−２６６５１３号公報
先願１（甲第３号証）：特願平１０−１７６２４２号（特開２０００−１０１２０号）
を提出し、本件特許の訂正前の請求項１ないし４に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１ないし４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、本件特許の訂正前の請求項１ないし４に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた先願１の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記他の特許出願の出願人と同一でもないので、本件訂正前の請求項１ないし４に係る発明の特許は、特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものであり、さらに、本件特許の訂正前の請求項２、３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、本件訂正前の請求項２、３に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
　
　（２）取消理由の概要
　取消理由の概要は、以下のとおりである。
理由１．第３６条第６項第１号及び第２号違反について
　本件請求項２，３に係る発明については、特許異議申立書第９頁第１４行〜第２４行に記載のとおり、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　また、本件請求項２，３に記載の「前記エッチング工程」は、請求項１のどの工程に対応するのか不明瞭である。
　よって、本件請求項２，３に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　
理由２．第２９条第２項違反について
　刊行物１：特開平１０−１７３１９５号公報（特許異議申立人中川徹の提出した甲第１号証）
　刊行物２：特開平６−１１８４４６号公報（特許異議申立人中川徹の提出した甲第２号証）
　刊行物３：特開昭５８−１２３５３号公報（特許異議申立人中川徹の提出した参考資料１）
　刊行物４：特開昭６０−２１６３７７号公報（特許異議申立人中川徹の提出した参考資料２）
　刊行物５：特開平１−２６６５１３号公報（特許異議申立人中川徹の提出した参考資料３）
　本件請求項１〜４に係る発明は、特許異議申立書（但し、「甲第１号証」、 「甲第２号証」は、それぞれ「刊行物１」、「刊行物２」と読み替え、「参考資料１」乃至「参考資料３」は、それぞれ「刊行物３」乃至「刊行物５」と読み替える。）第９頁第２５行〜第１３頁第６行に記載の理由により、上記刊行物１〜５に記載の発明に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　よって、本件請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
理由３．第２９条の２違反について
　先願１：特願平１０−１７６２４２号（特開２０００−１０１２０号　特許異議申立人中川徹の提出した甲第３号証）
　本件請求項１〜４に係る発明は、特許異議申立書（但し、「甲第３号証」は、「先願１」と読み替える。）第１３頁第７行〜第１４頁第１９行に記載の理由により、上記先願１の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一である。
　よって、本件出願の請求項１〜４に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた上記先願１の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記他の特許出願の出願人と同一でもないので、本件請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものである。
　
　なお、本件請求項１〜４に係る発明は、ゲート電極形成部とコンタクト開口部が一体であるものを含んでいるから、上記理由２及び３のとおり判断せざるを得ない。
　
　３　対比・判断
　（１）特許法第３６条第６項第１号及び第２号についての判断
　特許異議申立人中川徹は、特許異議申立書第９頁第１４行〜第２４行において、
「（ｃ）記載不備
(1)請求項２及び請求項３は、いずれも請求項１を引用して発明を特定しているが、いずれも明細書の詳細な説明に記載のない発明であって、特許法第３６条第６項第１号に違反する。
(2)請求項２及び請求項３に記載される「前記エッチング工程」は請求項１に記載されるエッチング工程を意味するものであるところ、請求項１において特定される唯一のエッチング工程は構成Ｅに係るコンタクトホールを形成する選択的異方性エッチングである。
　しかし、明細書の詳細な説明には、コンタクトホールを形成するエッチング工程において請求項２、３に係るマスク工程の記載がない。従って、請求項２及び請求項３はいずれも不適法である。」と主張している。
　しかし、請求項２及び請求項３の「前記エッチング工程」は、上記のとおり「前記導電膜を除去する工程」に訂正されており、訂正後の請求項２及び請求項３の記載は、発明の詳細な説明に記載されていることは明らかであるから、上記主張は採用できない。
　また、訂正後の請求項２及び請求項３の記載は、請求項１との対応関係が明確である。
　したがって、本件訂正後の請求項２及び請求項３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されていないとはいえず、また、明確でないともいえない。
　
　（２）特許法第２９条第２項について
　　　ア　刊行物に記載された発明
　　　（ア）刊行物１に記載された発明
　刊行物１に記載された発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものであり、図４とともに以下の点が記載されている。
「【００１２】このようにソース電極、ドレイン電極の下地であり薄膜トランジスタのバックチャネル界面と接する絶縁膜が酸化シリコン膜であるためトランジスタのしきい値電圧が変動し、信頼性が劣る第１の問題点を有する。」（明細書段落番号【００１２】）
「【００１８】したがって本発明は、カラー液晶表示装置に用いる順スタガ型薄膜トランジスタアレイの信頼性向上と製造コストの低減を可能にする薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。」（明細書段落番号【００１８】）
「【００２１】本発明の別の特徴は、透明絶縁性基板上に遮光膜及び第１のゲート電極となる金属膜パターンを形成する第１の工程と、前記金属膜パターン全体を覆うシリコン窒化膜から成る層間絶縁膜を形成する第２の工程と、前記層間絶縁膜上に透明電極膜をパターニングして、ソース電極およびドレイン電極を形成する第３の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極の表面に不純物としてリンを導入する第４の工程と、薄膜トランジスタの活性層となる半導体層と第１のゲート絶縁膜となる絶縁層を順次成膜する第５の工程と、前記絶縁層および半導体層を少なくとも一部が前記ソース電極およびドレイン電極にかかるようにパターニングする第６の工程と、前記ソース電極、ドレイン電極、半導体層及び絶縁層パターン全体を覆う第２のゲート絶縁膜を形成する第７の工程と、前記第１のゲート絶縁膜、第２のゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成する第８の工程と、前記第２のゲート電極となりかつ、前記コンタクトホールを介して前記第１のゲート電極とのコンタクトを取る導電層を成膜する第９の工程と、前記導電層をパターニングする第１０の工程とを有するデュアルゲート型薄膜トランジスタの製造方法にある。
【００２２】このような本発明によれば、ソース・ドレイン電極の下地となる層間絶縁膜をシリコン窒化膜で構成することによって、
（１）従来のシリコン酸化膜と比べシリコン窒化膜は、膜中の可動イオンが少ないため、しきい値電圧変動が少なく、トランジスタ特性の信頼性がより向上する。
【００２３】
（２）層間絶縁膜にドライエッチング法でコンタクトホールを形成し、バックゲート電極とコンタクトを取る工程で、シリコン窒化膜は、シリコン酸化膜と比べエッチングレートが速いため処理時間が短くて済みスループットが上がり製造コストが低減される。
【００２４】
（３）層間絶縁膜をゲート絶縁膜と同じシリコン窒化膜で構成するので、シリコン酸化膜で形成するためのスパッタ装置が不要となり、同一の製造装置で両膜を形成することができるので製造コストが低減される。」（明細書段落番号【００２１】−【００２４】）
「【００４１】先ず図４（Ａ）に示すように、ガラス基板１上に、クロム（Ｃｒ）膜を約２００ｎｍ膜厚にスパッタ法により成膜し、通常のフォトリソグラフィー法、エッチング法によりパターニングして、遮光膜を兼ねたバックゲート電極２ａを形成し、層間絶縁膜３となるシリコン窒化膜をプラズマＣＶＤ法により２００から４００ｎｍの膜厚に成膜する。
【００４２】次に図４（Ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜を成膜し通常のフォトリソグラフィー法、エッチング法によりパターニングすることにより、画素電極、信号線およびソース・ドレイン電極となるＩＴＯ膜４のパターンを形成する。その後、ＩＴＯ膜４とその上に積層するアモルファスシリコン膜６とのオーミックコンタクトを形成するため、画素電極、信号線、ソース・ドレイン電極４の表面にプラズマＣＶＤ装置でホスフィン（ＰＨ３）プラズマ処理し、ＩＴＯ膜表面にリン５を選択ドーピングする。このとき、画素電極、信号線およびソース・ドレイン電極の下地であるシリコン窒化膜３表面には、リンがドーピングされないからトランジスタ特性に影響を与えない。
【００４３】次に図４（Ｃ）に示すように、ホスフィン（ＰＨ３）プラズマ処理と連続して、膜厚が約５０ｎｍのアモルファスシリコン膜６およびゲート絶縁膜７となる膜厚が約４００ｎｍのシリコン窒化膜をＰ−ＣＶＤ法で連続成膜し、通常のフォトリソグラフィー法、エッチング法によりパターニングする。
【００４４】次に図４（Ｄ）に示すように、第２のゲート絶縁膜７ａとなる膜厚が約２００ｎｍのシリコン窒化膜をＰ−ＣＶＤ法で形成する。
【００４５】次に図４（Ｅ）に示すように、第２のゲート絶縁膜７ａおよび層間絶縁膜３に、遮光膜を兼ねたバックゲート電極２ａと配線とのコンタクトを取るため、ドライエッチング装置でＳＦ６＋Ｈｅ、ＣＦ４＋Ｏ２＋Ｈｅ等のガス系を用いてコンタクトホールを開ける。
【００４６】その後、ゲート電極、配線となるＣｒ膜をスパッタ法により１００ｎｍから２００ｎｍの膜厚に成膜し、通常のフォトリソグラフィー法、エッチング法により、ゲート電極８、配線を形成し、順スタガ型薄膜トランジスタを得ることができる。また、ドライエッチング装置でＳＦ６＋Ｈｅ、ＣＦ４＋Ｏ２＋Ｈｅ等のガス系を用いて層間絶縁膜にコンタクトホールを開け遮光膜を兼ねたバックゲート電極２とコンタクトを取る工程では、従来のスパッタ法で形成したシリコン酸化膜より、プラズマＣＶＤ法で形成したシリコン窒化膜は、エッチレートが速いためエッチング時間が短縮されスループットが向上し、製造コストの低減を図ることができる。すなわち、スパッタ法で形成したシリコン酸化膜のエッチングレートは、プラズマＣＶＤ法で得たシリコン酸化膜と比較し、約１０％遅い。」（明細書段落番号【００４１】−【００４６】）
　
　　　（イ）刊行物２に記載された発明
　刊行物２に記載された発明は、液晶表示装置に関するものであり、図８とともに以下の点が記載されている。
「【００１５】図８はＴＦＴの第４変形例を示す模式的な断面図である。基本的に図１に示したＴＦＴと同様の構造を有しており、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。異なる点は、第２コンタクトホール１５内においてＩＴＯ透明導電膜４の上面に遮光金属膜２０をパタニング形成した事である。この遮光金属膜２０は外光を遮断し、光リーク電流等を効果的に抑制できる。遮光金属膜２０の材料としては、図７のバリア金属膜１９と同様のものを用いる事ができる。」（明細書段落番号【００１５】）
　
　　　（ウ）刊行物３に記載された発明
　刊行物３に記載された発明は、半導体装置に関するものであり、第４図とともに以下の点が記載されている。
「第４図ａは本発明の基本となる半導体装置であり、透光性絶縁性基板、例えばガラス板１上に島状の第１の遮光性薄膜２が選択的に被着形成される。遮光性薄膜２が導電性を示す場合、例えばＡｌやＭｏなどの金属が使われたときにはひきつづき全面に第１の透光性絶縁膜、例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜３が被着される。遮光性薄膜２が導電性を示さない場合や、あるいはその表面を絶縁物化することができる場合には第１の透光性絶縁膜３は不要である。そして非単結晶、すなわち非晶質あるいは多結晶シリコン層４が第１の遮光性薄膜２上に第１の遮光性薄膜２よりも小さく島状に選択的に被着形成される。周知のごとく非晶質あるいは多結晶シリコンはその薄膜形成時に下地基板としての制約が緩く、堆積時の温度にさえ堪えればよいからである。非晶質シリコン層４は拡散、酸化、蒸着などの工程を経てダイオードやＭＯＳトランジスタとなるわけであるが、ここでは電極配線も含めてそのプロセスと構造は省略し、前記４をＭＯＳトランジスタあるいはダイオードとみなす。その後、第２の透光性絶縁膜５をＭＯＳトランジスタあるいはダイオード４上に被着し、さらに非晶質シリコン層４よりも大きな島状の第２の遮光性薄膜６が選択的に被着形成される。第２の遮光性薄膜６が導電性を示さない場合、例えばＡｌ２Ｏ３膜のときには第２の透光性絶縁膜５は不要であり、また第２の透光性絶縁膜５は図示しないが液晶セルを構成する透明電極や外部への接続端子上には当然被着されない。
　第４図ｂはさらに非晶質シリコン層４の周囲を第３の遮光性薄膜７で囲った第２の実施例である。
　以上の説明からも分るように本発明においては厚さ高々１μｍの非晶質シリコン層をそれよりも大きな２つの遮光性薄膜ではさんでいるために光の回り込みは極めて小さい。第２の実施例では上下に加えて周囲までも遮光性薄膜の壁で光遮へいしているために直射日光のように強力な光源下においても光遮へいは完全で半導体素子のリーク電流の増大は皆無であった。
　一主面上に透明電極を被着形成されたガラス板と本発明による半導体装置のと間に液晶を充填することによって構成される透過型の画像表示装置は光路に対して対称なので、第１または第２の遮光性薄膜は反射率の低い、換言すれば吸収率の高い黒色系の材料を用いると更に好都合である。観測者側からの各種迷光や散乱光が遮光性薄膜で反射されると画像のコントラスト比が下るので観測者側の遮光性薄膜はＭｏやＭｏＳｉ２あるいはカーボンなどが最適である。
　本発明の基本構成は透光性絶縁性基板上に非単結晶シリコンよりなる半導体素子と、第１および第２、場合によっては第３の遮光性薄膜を形成することにある。遮光性薄膜の被着形成は当然工程の増加をもたらすので、遮光性薄膜に導電性を与えることにより工程数の増加を抑制せしめたものが以下に述べる他の実施例である。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左下欄第１２行）
　
　　　（エ）刊行物４に記載された発明
　刊行物４に記載された発明は、液晶表示器に関するものであり、第５図とともに以下の点が記載されている。
「第５図Ａに示すように液晶セル11の一方の透明基板12となるべきものとして例えばガラス基板を用意し、これを十分洗浄する。この透明基板12上の薄膜トランジスタ17が形成されるべき部分上に不透明金属層25を形成すると共に、その不透明金属層25と同一材料でソース配線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３………（図示せず、第２図の列線）を透明基板12上に形成する。例えば透明基板12上にクロムを厚さ1000〜2000Åで全面にわたつて蒸着し、これをフオトエツチングして不透明金属層25及びソース配線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３………を得る。
　次に第５図Ｃに示すように、不透明金属層25及びソース配線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３………を含み透明基板12上に全面にわたつて絶縁膜26を形成し、薄膜トランジスタ17のソース電極19が形成される部分において絶縁膜26に孔27を形成する。絶縁膜26としては透明でかつ誘電率が小さいものが望ましく、例えばSiO２の膜厚が5000Å〜１μｍ程度のものを用いることができる。
　第５図Ｄに示すように各不透明金属層25の位置において、ドレイン電極及びソース電極19を形成すると共に画素電極18を絶縁膜26上に形成する。ドレイン電極は画素電極18の一部が利用される。これらは透明電極であり、例えばＩＴＯの膜厚が500Å以下のものが用いられる。この際にソース電極19は孔27を通じて不透明金属層25と接続する。必要に応じてソース電極19と接続された第２のソース配線をも形成する。これら電極18，19、第２のソース配線は従来と同様に透明金属膜の蒸着、その透明金属膜のフオトエツチングにより同時に作られる。
　第５図Ｅに示すようにドレイン電極（画素電極18の一部）とソース電極19とにわたり、絶縁膜26上に例えばアルモフアスシリコンの半導体層21が形成される。この半導体層21はその全面が、絶縁膜26を介して不透明金属層25と対向している。アルモフアスシリコン層21の厚さは0.5μｍ以下とされる。」（第２頁右下欄第８行〜第３頁右上欄第５行）
　
　　　（オ）刊行物５に記載された発明
　刊行物５に記載された発明は、アクティブマトリクス基板に関するものであり、第１図及び第２図とともに以下の点が記載されている。
「第１図は本発明の一実施例を示す平面図であり、第２図(a)〜(e)は第１図Ａ−Ａ′断面の製造工程を示す要部断面図、第２図(f)〜(j)は第１図Ｂ−Ｂ′断面の製造工程を示す要部断面図である。先ず、第２図(a)，第２図(f)の如く，ガラス等の透明絶縁基板７上全面にＴａ，Ｍｏ等の第１不透明金属を蒸着し、ホトリソグラフィ技術を用いてパターニングして第１ソース配線を兼ねる遮光用金属８を形成する。次に第２図(b)，第２図(g)の如く、基板７上に第１絶縁層９及びＩＴＯ等の透明導電体薄膜を順次形成し、該透明導電体薄膜をホトリソグラフィ技術にてパターニングして絵素電極２と第２ソース配線１２とを形成する。この時、第１絶縁層９は透明である必要があるため、ＳｉＯ２等の絶縁膜を用いるとよい。続いて第２図(c)，第２図(h)の如く、前記基板７上にアモルファスシリコン等からなる半導体層を形成し、一端が絵素電極２に接し、他端が第２ソース配線１２に接するようパターニングして、半導体層４を形成する。」（第３頁左上欄第２行〜第２０行）
　
　　　イ　本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　　　（ア）本件発明１ないし３について
　本件発明１ないし３と刊行物１ないし５に記載された発明とを対比すると、刊行物１ないし５には、本件発明１ないし３の発明を特定する事項である「活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに遮光膜上のゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし、ゲート電極形成部から離れたコンタクト開口部を形成する工程」を有する薄膜トランジスタの製造方法が、記載も示唆もされていない。
　そして、上記発明を特定する事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし５に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記発明を特定する事項を、当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　また、本件発明１ないし３は、上記発明を特定する事項により、少なくともガラス基板の裏面からＴＦＴ部分の活性層に斜め方向から入射する光、及びその乱反射成分の光をＴＦＴ部分に達する前に完全に遮断することが幾何学的に可能となっているため、遮光膜の厚み増加のみでは遮光しきれない斜めからの入射光及びその反射成分を遮断するという顕著な効果を奏する。
　したがって、本件発明１ないし３は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
　　　（イ）本件発明４について
　本件発明４と刊行物１ないし５に記載された発明とを対比すると、刊行物１ないし５には、本件発明４の発明を特定する事項である「活性層の両側位置かつ遮光膜の上位置、およびゲート電極から離れた位置に形成され、かつ、前記ゲート絶縁膜及び前記下地ＳｉＯ２膜に設けられ前記遮光膜まで通ずるコンタクト開口部」を有する薄膜トランジスタが、記載も示唆もされていない。
　そして、上記発明を特定する事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし５に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記発明を特定する事項を、当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　また、本件発明４は、上記発明を特定する事項により、少なくともガラス基板の裏面からＴＦＴ部分の活性層に斜め方向から入射する光、及びその乱反射成分の光をＴＦＴ部分に達する前に完全に遮断することが幾何学的に可能となっているため、遮光膜の厚み増加のみでは遮光しきれない斜めからの入射光及びその反射成分を遮断するという顕著な効果を奏する。
　したがって、本件発明４は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
　（３）特許法第２９条の２について
　　　ア　本件出願日前に出願され本件出願後に出願公開された先願１の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明（以下、「先願発明」という。）
　先願発明は、液晶装置及び電子機器に関するものであり、図５、図６、図１９、図２０とともに以下の点が記載されている。
「・・・遮光膜を用いた比較的簡易な構成により、高品質の画像表示が可能な液晶装置・・・」（段落番号【００２２】）
「【００８４】図５及び図６に示すように第２実施形態では特に、第１遮光膜１１ｃ'は、走査線方向に沿って縞状に配設されており、ポリシリコン膜からなるゲート電極３ａは、第１遮光膜１１ｃ'に重ねられている。即ち、第１遮光膜１１ｃ'は、ゲート電極３ａの冗長配線として配設されていて、第１遮光膜１１ｃ'は、画素スイッチング用ＴＦＴの下側にも設けられている。つまり走査線３００ｂは走査電極３ａと縞状の第１遮光膜１１ｃ'とにより構成されている。
【００８５】このため、縞状に形成された第１遮光膜１１ｃ'により画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対する戻り光を遮光しつつ、第１遮光膜１１ｃ'及びゲート電極３ａから構成される走査線３００ｂの抵抗を第１遮光膜１１ｃ'により低めることが可能である。従って、前述の縦クロストーク（図２８参照）を防止できる。しかも、第１遮光膜１１ｃ'は、ゲート電極３ａに対する冗長構造をなすので、ゲート電極３ａに断線や導通不良があったとしても、走査線３００ｂが不良化するのを未然に防ぐことも可能となる。これらの結果、第２実施形態により、高品位の画像表示を実現できる。」（段落番号【００８４】−【００８５】）
「【０１２７】図１５及び図１９の工程の（１）に夫々示すように、石英基板、ハードガラス等の液晶装置用基板１０をＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおける液晶装置用基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前に液晶装置用基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。
【０１２８】
　このように処理された液晶装置用基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタにより、１０００〜５０００オングストローム程度の層厚、好ましくは約２０００オングストロームの層厚の遮光膜１１を形成する。
【０１２９】続いて、図１５及び図１９の工程の（２）に夫々示すように、該形成された遮光膜１１上をパターニングすることにより、第１遮光膜１１ｃ及び第２遮光膜１１ａ'''を形成する。
【０１３０】次に図１５及び図１９の工程（３）に夫々示すように、第１遮光膜１１ｃ及び第２遮光膜１１ａ'''の上に、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜１２を形成する。この第１層間絶縁膜１２の層厚は、例えば、約５０００〜２００００オングストロームとする。
【０１３１】次に図１５及び図１９の工程（４）に夫々示すように、第１層間絶縁膜１２の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜１を約５００〜２０００オングストロームの厚さ、好ましくは約１０００オングストロームの厚さとなるまで固相成長させる。
【０１３２】この際、図１０に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０として、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜１を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜１を形成しても良い。
【０１３３】次に図１５及び図１９の工程（５）に夫々示すように、図７に示した如き所定パターンのチャネル領域１ａ’を含む半導体層１ａを形成する。即ち、特にデータ線６ａ下で容量線３ｂが形成される領域及びゲート電極３ａに沿って容量線３ｂが形成される領域には、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａから延設された第１蓄積容量電極（半導体層）１ｆを形成する。
【０１３４】次に図１５及び図１９の工程（６）に夫々示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと共に第１蓄積容量電極１ｆを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３００オングストロームの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５００オングストロームの比較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つ画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２と共に容量形成用の絶縁膜２を形成する。この結果、第１蓄積容量電極１ｆの厚さは、約３００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３５０〜５００オングストロームの厚さとなり、ゲート絶縁膜２の厚さは、約２００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３００〜１０００オングストロームの厚さとなる。」（段落番号【０１２７】−【１３４】）
「【０１３６】次に、図１５及び図１９の工程（７）に夫々示すように、第１層間絶縁膜１２に第２遮光配線１１ａに至るコンタクトホール１３及び第１遮光膜１１ｃに至るコンタクトホール１８を形成する。この際、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチングのような異方性エッチングにより、コンタクトホール１３及び１８等を開孔した方が、開孔形状をマスク形状とほぼ同じにできるという利点がある。但し、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み合わせて開孔すれば、これらのコンタクトホール１３及び１８等をテーパ状にできるので、配線接続時の断線を防止できるという利点が得られる。
【０１３７】次に図１５及び図１９の工程（８）に夫々示すように、ポリシリコン層３を堆積した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。
【０１３８】次に、図１６及び図２０の工程（９）に夫々示すように、図９に示した如き所定パターンのゲート電極３ａと共に容量線３ｂを形成する。これらのゲート電極３ａ及び容量線３ｂの膜厚は夫々、例えば、約３５００オングストロームとされる。」（段落番号【０１３６】−【１３８】）
　
　　　イ　本件発明と先願発明との対比・判断
　　　（ア）本件発明１ないし３について
　本件発明１ないし３と先願発明とを対比すると、先願発明には、本件発明１ないし３の発明を特定する事項である「活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに遮光膜上のゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし、ゲート電極形成部から離れたコンタクト開口部を形成する工程」を有する薄膜トランジスタの製造方法が、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１ないし３の上記発明を特定する事項は、課題解決のための具体化手段における微差ではないから、両者は同一ではない。
　したがって、本件発明１ないし３に係る発明は、先願発明と同一であるとはいえない。
　
　　　（イ）本件発明４について
　本件発明４と先願発明とを対比すると、先願発明には、本件発明４の発明を特定する事項である「活性層の両側位置かつ遮光膜の上位置、およびゲート電極から離れた位置に形成され、かつ、前記ゲート絶縁膜及び前記下地ＳｉＯ２膜に設けられ前記遮光膜まで通ずるコンタクト開口部」を有する薄膜トランジスタが、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明４の上記発明を特定する事項は、課題解決のための具体化手段における微差ではないから、両者は同一ではない。
　したがって、本件発明４に係る発明は、先願発明と同一であるとはいえない。
　
　４　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件請求項１ないし４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし４に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１２月１３日（２００４．１２．１３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
薄膜トランジスタ及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　透明基板上に遮光膜をパターン成膜する工程と、
前記透明基板及び前記遮光膜上に下地ＳｉＯ２膜を成膜する工程と、
前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に活性層となる半導体部分を形成する工程と、
前記半導体部分及び前記下地ＳｉＯ２膜の上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、
前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし
、ゲート電極形成部から離れた
前記ゲート絶縁膜の上面及びコンタクト開口部に遮光性を有する導電膜を成膜する工程と、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極形成部及び前記コンタクト開口部以外の前記導電膜を除去する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。
　【請求項２】　
前記導電膜を除去する工程
　【請求項３】　
前記導電膜を除去する工程
　【請求項４】　透明基板上に形成された遮光膜と、
前記遮光膜上に形成された下地ＳｉＯ２膜と、
前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に形成された活性層と、
前記活性層上及び下地ＳｉＯ２膜上に成膜されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記活性層の両側位置かつ前記遮光膜の上位置、
および前記ゲート電極から離れた位置
下端を前記遮光膜に接触させ上端を前記ゲート絶縁膜上面とほぼ同一高さに位置させる遮光側壁であって、前記ゲート電極と同一化合物からなる遮光側壁が前記コンタクト開口部に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　ＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及びその製造方法に関するものである。薄膜トランジスタは、例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置及びイメージセンサーに利用される。
　【０００２】従来の薄膜トランジスタ装置の製造方法の一例においては、図３に示すように、ガラス基板３０１上に遮光膜としての遮光ＷＳｉ２膜３０２を成膜し、エッチング加工し、その後に下地ＳｉＯ２膜３０３を５０００Å程度ＣＶＤ成膜したのち、遮光ＷＳｉ２膜３０２直上に活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３０４をパターン形成し、さらにゲート絶縁膜としてのゲート絶縁ＳｉＯ２膜３０５を成膜した後、ゲートＷＳｉ２層をスパッタ成膜し、エッチング加工することによりゲートＷＳｉ２電極３０６を形成することが行われていた。光リーク対策としての遮光ＷＳｉ２膜３０２の遮光効果を高める為に、従来、上記の構成に対して、遮光ＷＳｉ２膜３０２の膜厚を１０００Åとしていたものを２０００Å程度までに厚くするというように、遮光膜を厚膜化する策を講じていた。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の薄膜トランジスタの製造方法においては、斜めより入射する入射光３０７の侵入を回避することは困難であり、斜めからの入射光３０７がＴＦＴの活性層部分たるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３０４に当たることにより光リーク電流が発生するという問題が生じていた。上述したような遮光ＷＳｉ２膜３０２の遮光効果を高める為に遮光膜膜厚を厚くする方策によっても、光リーク電流の発生の問題を解決することはできない。なぜなら、遮光ＷＳｉ２膜３０２の遮光効果を高める為に遮光膜膜厚を厚くする方策においては、遮光膜の増加によりＴＦＴ部分に直接的に入射する光であって、ガラス基板３０１にほぼ直角に入射する光については光の透過を防止する効果は増すが、一方、斜めからの入射光３０７、及び入射光３０７が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光については完全に侵入を回避することが困難だからである。
　【０００４】本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、斜めからの入射光３０７、及び入射光３０７が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその製造方法を提供し、薄膜トランジスタの光リーク電流の発生を防止することを課題とする。また、製造方法に関しては、既存の工程を有効に利用して、工程数を増やすことなく簡易なプロセスで遮光効果を格段に高める薄膜トランジスタの構造を形成できる製造方法を提供することを課題とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本出願第一の発明は、透明基板上に遮光膜をパターン成膜する工程と、前記透明基板及び前記遮光膜上に下地ＳｉＯ２膜を成膜する工程と、前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に活性層となる半導体部分を形成する工程と、前記半導体部分及び前記下地ＳｉＯ２膜の上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれに前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし
、ゲート電極形成部から離れた
　【０００６】したがって、本出願第一の発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、前記活性層となる半導体部分の両側のそれぞれにおいて前記遮光膜上の前記ゲート絶縁膜及び下地ＳｉＯ２膜を前記遮光膜が露出するまで選択的異方性エッチングし
、ゲート電極形成部から離れた
　【０００７】また本出願第２の発明は、本出願第１の発明の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記導電膜を除去する工程
　【０００８】したがって本出願第２の発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、本出願第１の発明の利点があるとともに、フォトレジストでゲート絶縁膜上のゲート電極形成部のみならず、コンタクト開口部をマスクするので、確実にコンタクト開口部に遮光性のある導電膜を残すことができ、上述のサイドウォールを形成することができるという利点がある。
　【０００９】また本出願第３の発明は、本出願第１の発明の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記導電膜を除去する工程
　【００１０】したがって本出願第３の発明の薄膜トランジスタの製造方法によれば、本出願第１の発明の利点があるとともに、フォトレジストで前記ゲート絶縁膜上のゲート電極形成部をマスクし、コンタクト開口部についてはマスクしないので、ゲート電極形成するためのマスクパターンをそのまま使用することができ、マスクパターンの変更を要さないという利点がある。また、異方性エッチングを行うので、横方向へはエッチングが進みにくいという異方性エッチングの性質により、マスクされないコンタクト開口部に遮光性のある導電膜を残すことができ、上述のサイドウォールを形成することができるという利点がある。異方性エッチングは、反応性イオンエッチング、スパッタエッチング、イオンビームエッチング等のドライエッチングにより行うことができる。
　【００１１】また本出願第４の発明は、透明基板上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上に形成された下地ＳｉＯ２膜と、前記遮光膜直上の下地ＳｉＯ２膜上に形成された活性層と、前記活性層上及び下地ＳｉＯ２膜上に成膜されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記活性層の両側位置かつ前記遮光膜の上位置、
および前記ゲート電極から離れた位置
　【００１２】したがって本出願第４の発明の薄膜トランジスタによれば、活性層の両側位置において、遮光性を有するサイドウォール（遮光側壁）が、その下端を遮光膜に接触させ、その上端をゲート絶縁膜上面とほぼ同一高さに位置させるので、透明基板の裏側から入射するあらゆる角度の入遮光及びその乱反射成分の光が活性層に到達する前に完全に遮断することができるという利点がある。また、このサイドウォール（遮光側壁）は、ゲート電極と同一化合物からなり、遮光膜の上位置に形成され、かつ、前記遮光膜まで通ずるコンタクト開口部に形成されるので、本出願第４の発明の薄膜トランジスタは、本出願第１、第２又は第３の発明の薄膜トランジスタの製造方法により、ゲート電極の形成工程を利用することによって工程の増加や変更をもたらすことなく極めて簡便に製造することができるという利点がある。
　【００１３】
　【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態の薄膜トランジスタ及びその製造方法につき図面を参照して説明する。
　【００１４】実施の形態１まず、本発明の実施の形態１の薄膜トランジスタの製造方法につき、図１を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態１の薄膜トランジスタの構造及び製造方法を説明するための薄膜トランジスタの断面図である。
　【００１５】まず、ガラス基板１０１上に遮光膜としての遮光ＷＳｉ２膜１０２を１０００Å程度成膜し、エッチング加工する。その後に下地ＳｉＯ２膜１０３を５０００Å程度ＣＶＤ成膜したのち、遮光ＷＳｉ２膜１０２直上に活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４をパターン形成する。さらにゲート絶縁膜としてのゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５を成膜する（図１（ａ））。
　【００１６】次に、活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側位置となる遮光パターン両端において、サブミクロン程度の細いコンタクト開口部１０６を選択的異方性エッチングにより遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで形成する。その後、遮光性を有する導電膜としてのゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜する。すると、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５の上面、コンタクト開口部１０６の内側面及びコンタクト開口部１０６によって露出した遮光ＷＳｉ２膜１０２の上面に、ゲートＷＳｉ２層１０７が形成される。この状態で、フォトレジスト１０８でゲートＷＳｉ２電極の形成部分及び前記コンタクト開口部１０６をマスクする（図１（ｂ））。
　【００１７】次に、ドライエッチングを実施した後フォトレジスト１０８を剥離する。これにより、ゲートＷＳｉ２層１０７のうち、フォトレジスト１０８でマスクされない部分が除去され、ゲートＷＳｉ２電極１１１が形成されるとともに、コンタクト開口部１０６の内側面及び遮光ＷＳｉ２膜１０２の上面に形成されたゲートＷＳｉ２層１０７が残される。このコンタクト開口部１０６の内側面及び遮光ＷＳｉ２膜１０２の上面に残されたゲートＷＳｉ２層１０７がＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９となる（図１（ｃ））。以上の工程により、実施の形態１における薄膜トランジスタが形成される。
　【００１８】次に、実施の形態１における薄膜トランジスタの構造を図４を参照して説明する。後に説明する実施の形態２の薄膜トランジスタの構造も図４に示す構造と同様である。図４は実施の形態１又は実施の形態２の薄膜トランジスタの上面図であって、内部構成物の輪郭を破線で示すものである。図４に示すように、コンタクト開口部１０６は、ｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層１０４の両側に設けられる。従ってアルミ配線４０５はｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層１０４を被覆しつつ両側の遮光コンタクト側に張り出す形状となる。なお、図４のＡ−Ａ対角線断面図が図１（ｃ）となる。
　【００１９】図１（ｃ）に示されるように、実施の形態１における薄膜トランジスタは、透明基板たるガラス基板１０１上に形成された遮光ＷＳｉ２膜１０２と、遮光ＷＳｉ２膜１０２上に形成された下地ＳｉＯ２膜１０３と、遮光ＷＳｉ２膜１０２直上に形成されたｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層１０４と、ｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層１０４上に形成されたゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５と、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上に形成されたゲートＷＳｉ２電極１１１と、ｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層１０４の両側位置かつ遮光ＷＳｉ２膜１０２の上位置に形成され、かつ、遮光ＷＳｉ２膜１０２まで通ずるコンタクト開口部１０６とを備え、下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる遮光側壁であって、ゲートＷＳｉ２電極１１１と同一化合物たるＷＳｉ２からなる遮光側壁たるサイドウォール１０９がコンタクト開口部１０６に形成されてなる構造を有する。
　【００２０】薄膜トランジスタにおいては、実際に投射した際に裏面からのさまざまな角度から光が入射しその光が直接ないし乱反射等間接的にＴＦＴ部分のｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層１０４に照射されることにより、光リーク電流が発生する現象が発生していた。本発明の製造方法で形成した薄膜トランジスタにおいては、かかる光リーク電流を完全に遮断する為にＴＦＴ部分のｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層１０４のみならずゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上迄ＷＳｉ２のサイドウォール１０９を縦方向に形成することで、少なくとも裏面から入射する斜め方向からの入射光１１０、及び乱反射成分の光をＴＦＴ部分に達する前に完全に遮断することができる。かかるサイドウォールは、以下に説明する実施の形態２の薄膜トランジスタの製造方法によっても形成可能であり、実施の形態１と同様に、サイドウォールによる遮断効果が得られる。
　【００２１】実施の形態２次ぎに本発明の実施の形態２の薄膜トランジスタ及びその製造方法につき図２を参照して説明する。図２は本発明の実施の形態２の薄膜トランジスタの構造及び製造方法を説明するための薄膜トランジスタの断面図である。
　【００２２】まず、ガラス基板２０１上に遮光膜としての遮光ＷＳｉ２膜２０２を１０００Å程度成膜し、エッチング加工する。その後に下地ＳｉＯ２膜２０３を５０００Å程度ＣＶＤ成膜したのち、遮光膜パターン直上に活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２０４をパターン形成する。さらにゲート絶縁膜としてのゲート絶縁ＳｉＯ２膜２０５を成膜する（図２（ａ））。
　【００２３】次に、活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２０４の両側位置となる遮光パターン両端において、サブミクロン程度の細いコンタクト開口部２０６を選択的異方性エッチングにより遮光ＷＳｉ２膜２０２が露出するまで形成する。その後、遮光性を有する導電膜としてのゲートＷＳｉ２層２０７をスパッタ成膜する。すると、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜２０５の上面、コンタクト開口部２０６の内側面及びコンタクト開口部２０６によって露出した遮光ＷＳｉ２膜２０２の上面に、ゲートＷＳｉ２層２０７が形成される。この状態で、フォトレジスト２０８でゲートＷＳｉ２電極の形成部分をマスクする（図２（ｂ））。
　【００２４】次に、ドライエッチングを実施した後フォトレジスト２０８を剥離する。これにより、ゲートＷＳｉ２層２０７のうち、フォトレジスト２０８でマスクされない部分が除去され、ゲートＷＳｉ２電極２１１が形成されるとともに、コンタクト開口部２０６の内側面に形成されたゲートＷＳｉ２層２０７が残される。このコンタクト開口部２０６の内側面に残されたゲートＷＳｉ２層２０７がＷＳｉ２からなるサイドウォール２０９となる（図２（ｃ））。以上の工程により、実施の形態２における薄膜トランジスタが形成される。
　【００２５】次に、実施の形態２における薄膜トランジスタの構造を図４を参照して説明する。なお上述のように実施の形態１の薄膜トランジスタの構造も図４に示す構造と同様である。図４は実施の形態１又は実施の形態２の薄膜トランジスタの上面図であって、内部構成物の輪郭を破線で示すものである。図４に示すように、コンタクト開口部２０６は、ｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層２０４の両側に設けられる。従ってアルミ配線４０５はｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層２０４を被覆しつつ両側の遮光コンタクト側に張り出す形状となる。なお、図４のＡ−Ａ対角線断面図が図２（ｃ）となる。
　【００２６】実施の形態１においては、ゲート電極形成部分のみならず遮光コンタクト部分にもレジストパターンを形成する為に、従来のゲート電極形成のマスクを変更する必要があった。それに対して実施の形態２においては、従来のゲート電極形成用のマスクパターンのままでもコンタクト開口部にサイドウォール層が実施の形態１とほぼ同じ精度で形成できる。具体的には、遮光コンタクト部分については、コンタクト開口部２０６内側面はドライエッチングが横方向へはエッチングが進みにくいという反応性イオンエッチングの性質からＷＳｉ２サイドウォール層が充分に残される。また、コンタクト開口部２０６によって露出した遮光ＷＳｉ２膜２０２の上面に形成されたゲートＷＳｉ２層２０７がエッチング除去されても、その下の遮光ＷＳｉ２膜が残るため、コンタクト開口部２０６の底面からＷＳｉ２層がエッチング消失してしまうことはない。しかし実質的には、コンタクト開口径がサブミクロン程度であるために、マイクロローディング効果によりコンタクト底面ではエッチングが殆ど進まない。従って、このマイクロローディング効果が有効に働く場合には、従来のゲート電極形成マスクをそのまま使用する実施の形態２においても、コンタクト開口部２０６によって露出した遮光ＷＳｉ２膜２０２の上面に形成されたゲートＷＳｉ２層２０７がエッチング除去されずに残り、実施の形態１と同等のコンタクト開口部及びＷＳｉ２層からなるサイドウォールを形成することができる。
　【００２７】
　【発明の効果】上述のように本発明は、ＷＳｉ２等の遮光性を有する材料からなるサイドウォールを活性層のみならずゲート絶縁膜上の高さにまで形成し、このサイドウォールにより、少なくともガラス基板の裏面からＴＦＴ部分の活性層に斜め方向から入射する光、及びその乱反射成分の光をＴＦＴ部分に達する前に完全に遮断することが幾何学的に可能となっているため、遮光膜の厚み増加のみでは遮光しきれない斜めからの入射光及びその反射成分を、上記サイドウォールにより遮断することができるという効果がある。また、上記サイドウォールをゲートＷＳｉ２膜形成と同時に形成することで、プロセスの負荷を軽減し工程の簡略化が図れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の実施の形態１の薄膜トランジスタの構造及び製造方法を説明するための薄膜トランジスタの断面図である。
　【図２】　本発明の実施の形態２の薄膜トランジスタの構造及び製造方法を説明するための薄膜トランジスタの断面図である。
　【図３】　従来の薄膜トランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
　【図４】　実施の形態１又は実施の形態２の薄膜トランジスタの上面図であって、内部構成物の輪郭を破線で示すものである。
　【符号の説明】
　１０１　ガラス基板
　１０２　遮光ＷＳｉ２膜
　１０３　下地ＳｉＯ２膜
　１０４　ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
　１０５　ゲート絶縁ＳｉＯ２膜
　１０６　コンタクト開口部
　１０７　ゲートＷＳｉ２層
　１０８　フォトレジスト
　１０９　サイドウォール
　１１０　入射光
　１１１　ゲートＷＳｉ２電極
　２０１　ガラス基板
　２０２　遮光ＷＳｉ２膜
　２０３　下地ＳｉＯ２膜
　２０４　ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
　２０５　ゲート絶縁ＳｉＯ２膜
　２０６　コンタクト開口部
　２０７　ゲートＷＳｉ２層
　２０８　フォトレジスト
　２０９　サイドウォール
　２１０　入射光
　２１１　ゲートＷＳｉ２電極
　３０１　ガラス基板
　３０２　遮光ＷＳｉ２膜
　３０３　下地ＳｉＯ２膜
　３０４　ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
　３０５　ゲート絶縁ＳｉＯ２膜
　３０６　ゲートＷＳｉ２電極
　３０７　入射光
　４０５　アルミ配線