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【手続補正書】
【提出日】平成27年4月30日(2015.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶太陽電池装置であって、
単結晶ドナー層と、
キャリア基板と
を備え、
はんだ接合層が、前記ドナー層を前記キャリア基板に接合している
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項２】
請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記はんだ接合層は、クロム及びチタンのうちの一方の複数の層の間に挟まれた錫及びインジウムのうちの一方の層を含む
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項３】
請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記はんだ接合層は、クロム及びチタンのうちの一方の複数の層の間に挟まれた低融点金属層を含むか、あるいは、１０〜５０ナノメートルの厚さを有する複数の接着層の間に挟まれた０．５〜５ミクロンの厚さを有する低融点金属層を含むこと
を特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項４】
請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記単結晶ドナー層は、さらに、
Ｎ＋エピタキシャル成長されて転写されたシリコンの太陽電池ベース接触領域と、
Ｎ型エピタキシャル成長されて転写されたシリコンの太陽電池ベース領域と、
Ｐ＋エピタキシャル成長されて転写されたシリコンの太陽電池エミッタ領域と
を備えることを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項５】
請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記単結晶ドナー層は、さらに、太陽電池ベース接触領域を備え、
前記はんだ接合層は、下部電気的接触を提供する埋め込み導電層を提供する
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項６】
請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記単結晶ドナー層は、さらに、ベース太陽電池領域を備え、
前記はんだ接合層は、前記ベース太陽電池領域における光吸収のための光反射をもたらす
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項７】
請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記はんだ接合層は、前記ドナー層を前記キャリア基板に接合する金属間層である
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項８】
請求項７に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記金属間層は、Ｎｉ及びＳｎを含む化合物、又はＴｉ及びＳｎを含む化合物、又はＣｕ及びＩｎを含む化合物を含む
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項９】
請求項７に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記単結晶ドナー層は、ゲルマニウム又はガリウムヒ素である
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記単結晶ドナー層は、化合物半導体である
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の単結晶太陽電池装置であって、
前記金属間層は、Ｔｉ及びＳｎを含む化合物を含み、
前記単結晶ドナー層は、シリコンであり、
前記キャリア基板は、合金鋼である
ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
【請求項１２】
単結晶太陽電池の構築方法であって、
前記方法は、
単結晶シリコンドナー基板を提供する工程と、
前記シリコンドナー基板上に多孔質層を形成する工程と、
前記シリコンドナー基板の前記多孔質層上にエピタキシャル成長によって太陽電池を構築する工程と、
前記構築された太陽電池及びキャリア基板のうちの少なくとも一方の上にはんだ接合層を堆積させる工程と、
前記はんだ接合層を介して前記キャリア基板に前記ドナー基板を接合する工程と、
前記多孔質層にて前記ドナー基板を切断する工程と
を備える、単結晶太陽電池の構築方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の、単結晶太陽電池の構築方法であって、
前記はんだ接合層は、過渡液相接合を生成する
ことを特徴とする単結晶太陽電池の構築方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の、単結晶太陽電池の構築方法であって、
前記はんだ接合層は、ＮｉとＳｎとを含む金属間領域を有する過渡液相接合を生成する
ことを特徴とする単結晶太陽電池の構築方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の、太陽電池の構築方法であって、
前記多孔質層を形成する工程は、さらに、前記太陽電池の第１の部分を構築するためのテンプレートとして機能する第１の低多孔性層と、前記シリコンドナー基板から前記キャリア基板及び前記太陽電池の前記第１の部分を分離する工程が発生する高多孔性層とを製造することを備える
ことを特徴とする太陽電池の構築方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料の複数の層、すなわち、
前記半導体材料の層のうちの特定層におけるメモリセルの部分と、
前記半導体材料の前記層のうちの前記特定層における周辺トランジスタの部分と、を備え、
前記半導体材料の層を通るスロットは、第１の構成における前記メモリセルの部分と、第２の構成における前記周辺トランジスタの部分を分離する、装置。
【請求項２】
前記メモリセルの前記部分はアクセスラインを備え、
前記周辺トランジスタの前記部分はデコーダトランジスタのソース、チャネルおよび／またはドレインを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記メモリセルの前記部分はメモリセルトランジスタの本体を備え、
前記周辺トランジスタの前記部分はデコーダトランジスタの本体を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
第１のピラーにおける前記メモリセルの別の部分を有する前記半導体材料の層のうちの前記特定層に隣接する半導体材料の当該第１のピラーと、
第２のピラーにおける前記周辺トランジスタの別の部分を有する前記半導体材料の層のうちの前記特定層に隣接する半導体材料の当該第２のピラーと、を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のピラーおよび前記第２のピラーは同じ半導体材料から形成される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記メモリセルの他の部分は前記メモリセルのソース、チャネルおよび／またはドレインを備え、
前記デコーダトランジスタの他の部分は前記デコーダトランジスタのゲートを備える、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記メモリセルの前記部分は前記周辺トランジスタの前記部分に結合される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記メモリセルの前記部分は、前記層のうちの異なる層において形成された別の周辺トランジスタの部分に結合される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
半導体材料の各層は、前記半導体材料の層の前記第１の部分におけるそれぞれのメモリセルのそれぞれの部分と、前記半導体材料の層の前記第２の部分におけるそれぞれの周辺トランジスタのそれぞれの部分と、を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記半導体材料の層の前記第１の部分におけるメモリセルの各部分は、前記半導体材料の層の前記第２の部分におけるそれぞれの周辺トランジスタの前記部分のそれぞれ１つに結合される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記メモリセルの前記部分は、前記メモリセルのアクセスラインを備え、前記周辺トランジスタの前記部分はデコーダトランジスタのソース、チャネルおよび／またはドレインを備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記半導体材料の複数の層を通って延びる半導体材料の第１のピラーを更に備え、前記半導体材料の第１のピラーは前記メモリセルのうちの少なくとも１つのソース、チャネルおよび／またはドレインを備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記半導体材料の前記複数の層を通って延びる半導体材料の第２のピラーを更に備え、前記半導体材料の第２のピラーは前記周辺トランジスタのうちの少なくとも１つのゲートを備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記半導体材料はｎ型ポリシリコンを備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
半導体材料のＮ個の層のそれぞれにおけるそれぞれのメモリセルのそれぞれの部分であって、Ｎは１よりも大きな整数である、それぞれの部分と、
前記半導体材料の前記Ｎ個の層のうちのＭ個のそれぞれにおけるそれぞれの周辺トランジスタのそれぞれの部分であって、Ｍは、Ｎ以下の整数である、それぞれの部分と、を備え、
前記半導体材料のＮ個の層を通るスロットは、第１の構成のメモリセルの前記部分と第２の構成の周辺トランジスタの前記部分を分離する、メモリデバイス。
【請求項１６】
前記メモリセルの前記部分はアクセスラインを備え、
前記周辺トランジスタの前記部分はデコーダトランジスタの本体を備える、請求項１５に記載のメモリデバイス。
【請求項１７】
前記メモリセルの前記部分は前記メモリセルの本体を備え、
前記周辺トランジスタの前記部分はデコーダトランジスタの本体を備える、請求項１５に記載のメモリデバイス。
【請求項１８】
Ｍは、Ｎよりも小さな整数である、請求項１５に記載のメモリデバイス。
【請求項１９】
バスに結合されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するために前記バスに結合され、第１の半導体材料の複数の層を備えるメモリデバイスであって、
メモリセルの第１の部分が、前記第１の半導体材料の前記層のうちの特定の１つにあり、
周辺トランジスタの第１の部分が前記第１の半導体材料の前記層のうちの前記特定の１つにある、メモリデバイスと、
前記メモリセルの前記第1の部分を通る第1の穴と、
前記第１の穴より大きい、前記周辺トランジスタの前記第１の部分を通る第２の穴と、
前記メモリセルの第２の部分からそれぞれなる、前記第１の穴を通る第３の半導体材料の第１のピラーと、
前記周辺トランジスタの第２の部分からそれぞれなる、前記第２の穴を通る第4の半導体材料の第２のピラーと、を備える、システム。
【請求項２０】
前記メモリセルの前記第１の部分は、前記第１の半導体材料のバーにおける前記メモリセルのソース、チャネルおよび／またはドレインを備え、
前記第１の半導体材料の前記バーに実質的に直交する第２の半導体材料のピラーであって、前記メモリセルのためのアクセスラインを備える、第２の半導体材料のピラーを更に備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記メモリセルの前記第１の部分を通る第１の穴と、
前記周辺トランジスタの前記第１の部分を通る第２の穴と、を更に備え、前記第２の穴は前記第１の穴よりも大きい、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２２】
前記メモリセルの前記第１の部分は前記メモリセルのアクセスラインを備え、
前記メモリセルの前記第２の部分は前記メモリセルのソース、チャネルおよび／またはドレインを備え、
前記周辺トランジスタの前記第１の部分はデコーダトランジスタのソース、チャネルおよび／またはドレインを備え、
前記周辺トランジスタの前記第２の部分は前記デコーダトランジスタのゲートを備える、請求項１９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を支持テーブル上に保持する際に使用するための静電クランプであって、
複数の電気絶縁層間に位置付けられる導電層内に画成される電極を備えた多層膜と、
電位差の印加により前記多層膜を保持可能なコア部材と、を備え、
前記コア部材は複数の突起を有する表面を備え、前記多層膜は複数の貫通孔を備え、該貫通孔を貫通する前記突起を有する前記表面上に前記多層膜を位置付け可能にすることを特徴とする、
静電クランプ。
【請求項２】
前記絶縁層は、ポリマー材料またはプラスチック材料から作られる、請求項１に記載の静電クランプ。
【請求項３】
前記絶縁層は、ポリイミド、好ましくはポリ（４，４’−オキシジフェニレンピロメリットイミド）から作られる、請求項２に記載の静電クランプ。
【請求項４】
前記電気絶縁層は、ヤング率が１０ＧＰａ以下、好ましくは５ＧＰａ以下の材料から形成される、請求項１〜３のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項５】
前記膜は、１５０μｍ以下の厚さを有し、好ましくは２５〜１２５μｍの厚さを有し、好ましくは２０〜５０μｍの厚さを有する、請求項１〜４のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項６】
前記多層膜は、前記電極を、前記クランプから遠位の電圧源に電気的に接続するための電気接続を備えた伸長部分を備え、前記電気接続は、前記導電層の一体部分であり、かつ前記絶縁層の一体部分である絶縁体によって電気的に絶縁されている、請求項１〜５のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項７】
前記導電層は、スパッタリングされた層であり、かつ／または前記電気絶縁層の少なくとも一層は、スピンコートされた層である、請求項１〜６のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項８】
前記コア部材は、導電性部材であり、前記電極と前記コア部材との間に電位差を印加することにより、前記コア部材と前記電極との間に静電吸引力が生じる、請求項１〜７のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項９】
前記コア部材内には、熱調整液体を通過させるためのチャネルが画成される、請求項１〜８のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項１０】
前記コア部材内には、前記物体と前記多層膜との間に向けてガスを通過させるための複数のチャネルが画成されている、請求項１〜９のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項１１】
複数の電気絶縁層間の導電層内に画成された電極を備えたさらなる多層膜をさらに備える、請求項１〜１０のいずれかに記載の静電クランプ。
【請求項１２】
物体を保持するための支持テーブルと、前記物体を前記支持テーブル上に保持するための請求項１〜１１のいずれかに記載の静電クランプと、を備える、リソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
前記物体が基板である、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記物体がマスクである、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
マスクを使用して投影ビームにパターンを付与するステップと、
前記パターン付与された投影ビームを基板上に投影するステップと、を備え、
前記マスクはマスクテーブルにより保持され、前記基板は基板テーブルにより保持され、
前記マスクおよび前記基板の少なくとも一方は、導電層内に画成された電極を備えた多層膜の電気絶縁層全体にわたって電位差を印加することにより、かつ、前記多層膜をコア部材上に保持するために電位差を印加することにより、各々のテーブルに保持され、前記導電層は、前記電気絶縁層の一面上に位置付けられ、前記導電層の他面上には別の電気絶縁層が位置付けられ、
前記コア部材は複数の突起を有する表面を備え、前記多層膜は複数の貫通孔を備え、該貫通孔を貫通する前記突起を有する前記表面上に前記多層膜を位置付け可能にすることを特徴とする、  デバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
[0011]  欧州特許出願公開第１，３５９，４６９Ａ１号は、所定の特性を有する誘電体を使用することを開示し、かつ、ガラスまたはガラスセラミックスを使用することを示唆している。
ＰＣＴ国際公開公報第２０１１／００１９７８号および欧州特許出願公開第１，９０９，３０８号には、請求項１の特徴部以前に記載されたような静電クランプを開示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
[0014]  本発明の一実施形態によると、物体を支持テーブル上に保持する際に使用するための静電クランプであって、複数の電気絶縁層間に位置付けられる導電層内に画成される電極を備えた多層膜と、電位差の印加により多層膜を保持可能なコア部材と、を備え、コア部材は複数の突起を有する表面を備え、前記多層膜は複数の貫通孔を備え、該貫通孔を貫通する前記突起を有する前記表面上に前記多層膜を位置付け可能にすることを特徴とする、静電クランプが提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
[0015]  本発明の一実施形態によると、マスクを使用して投影ビームにパターンを付与するステップと、パターン付与された投影ビームを基板上に投影するステップと、を備えたデバイス製造方法であって、マスクはマスクテーブルにより保持され、基板は基板テーブルにより保持され、マスクおよび基板の少なくとも一方は、導電層内に画成された電極を備えた多層膜の電気絶縁層全体にわたって電位差を印加することにより、かつ、前記多層膜をコア部材上に保持するために電位差を印加することにより、各々のテーブルに保持され、導電層は、電気絶縁層の一面上に位置付けられ、導電層の他面上には別の電気絶縁層が位置付けられ、コア部材は複数の突起を有する表面を備え、多層膜は複数の貫通孔を備え、該貫通孔を貫通する突起を有する表面上に多層膜を位置付け可能にすることを特徴とする、デバイス製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロールオーバー弁（ＲＯＶ）と過圧安全弁（ＯＰＲ）と圧力保持弁（ＰＲＶ）とを収容する弁ハウジングを備えている燃料弁において、
圧力保持ディスクが、前記弁ハウジングの頂部チャンバの内部において、前記圧力保持ディスクが流路の出口ポート全体に密閉状態で当接する通常時の閉位置と開位置との間で略軸線方向に変位可能とされ、
前記圧力保持ディスクが、前記燃料弁の圧力解放ポートの壁部分を少なくとも部分的に囲んでいる切欠部分を有していることを特徴とする燃料弁。
【請求項２】
前記弁ハウジングが、入口ポートを具備する底部チャンバと出口ポートを具備する前記頂部チャンバとの間に延在している流路を形成している隔壁を有しており、
前記底部チャンバが、バネが装填された浮遊部材を収容しており、
前記浮遊部材が、前記浮遊部材の密閉ヘッドが前記流路の前記入口ポートに密閉状態で係合される閉位置と、前記密閉ヘッドが前記入口ポートから係合解除される通常時の開位置との間において軸線方向に変位可能とされ、
圧力解放ポートが、前記底部チャンバと弁出口との間に延在しており、前記頂部チャンバの内部において密閉状態で係合されるように付勢された密閉プランジャによって、通常時に密閉されていることを特徴とする請求項１に記載の燃料弁。
【請求項３】
前記圧力保持ディスクの解放部分が、三日月状又はＵ字状又はエンドウマメ状の形態とされることを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項４】
前記流路の前記出口ポートは、前記隔壁の上面から張り出した環状リムを有しており、
前記環状リムが、前記閉位置にある場合に前記圧力保持ディスクに密閉状態で当接されることを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項５】
前記隔壁は、上面から上方に延在している少なくとも１つのディスク支持体を有しており、
前記少なくとも１つのディスク支持体が、前記流路の環状リムの僅かに下方に延在していることを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項６】
前記少なくとも１つのディスク支持体が、環状の支持体若しくは分割された支持体として構成されており、又は複数の突出部として構成されていることを特徴とする請求項５に記載の燃料弁。
【請求項７】
前記圧力保持ディスクが、解放部分とは略反対側において取り除かれた円セグメントを有しており、これにより圧力を急速に解放することができることを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項８】
前記燃料弁の頂部キャップが、前記頂部チャンバの内部に延在している少なくとも１つの突出部を有しており、開位置において前記圧力保持ディスクの変位を制限することを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項９】
前記少なくとも１つの突出部が、前記頂部キャップの底面から延在していることを特徴とする請求項８に記載の燃料弁。
【請求項１０】
前記圧力保持ディスクの形状、厚さ、及び重量が、燃料タンクの充填中に前記圧力保持ディスクが通常時の閉位置から開位置に変位される保持圧力を決定することを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項１１】
前記密閉プランジャが、球状とされることを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項１２】
前記密閉プランジャに作用する付勢力が、過圧安全弁（ＯＰＲ）を開位置に変位させるための圧力の閾値を決定することを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項１３】
前記過圧安全弁（ＯＰＲ）の弁出口と前記頂部チャンバの出口とが、互いに対して独立していることを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項１４】
前記圧力保持ディスクの重心が、前記流路の略上方に同じ広さに延在していることを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【請求項１５】
前記浮遊部材が、前記弁ハウジングの内部において、前記弁ハウジングの長手軸線からオフセットされた長手軸線に沿って軸線方向に変位可能とされることを特徴とする請求項２に記載の燃料弁。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コードレスアイロン（１）と、アイロン掛け休止時に前記アイロン（１）を載置して、前記アイロン（１）との間でエネルギー交換を行えるようにする給電スタンド（１００）とを備えるアイロン装置であって、前記アイロン（１）は水タンク（１３）と蒸気発生用の蒸発室（３２）を含む発熱体（３）とを備え、前記タンク（１３）は給水回路によって前記蒸発室（３２）と連通する、アイロン装置において、前記給水回路は、前記給水回路による水の循環を妨げる閉位置と前記給水回路に水を通す開位置との間で可動する閉止手段（６）を備えること、および、前記閉止手段（６）は、前記アイロン（１）に設けられた蒸気操作ボタン（６０）を操作することによって開位置に至り、ユーザが前記蒸気操作ボタン（６０）を放すと復帰手段（６４）によって自動的に閉位置に戻ることを特徴とするアイロン装置。
【請求項２】
前記閉止手段（６）は、戻しばね（６４）によって前記蒸発室（３２）への給水を遮断する閉位置に戻される閉止弁（６）によって構成されており、前記閉止弁（６）は前記蒸気操作ボタン（６０）を操作することで開位置に移動し、それによって前記タンク（１３）からの水が前記蒸発室（３２）の方に流れることができることを特徴とする請求項１に記載のアイロン装置。
【請求項３】
前記アイロン（１）は把持ハンドル（１１）を備えていること、および、前記蒸気操作ボタン（６０）は、前記把持ハンドル（１１）の下に配置されたレバー（６０）からなることを特徴とする請求項２に記載のアイロン装置。
【請求項４】
前記レバー（６０）は前記アイロン（１）の前記ハンドル（１１）に回動自在に取り付けられ、かつ、前記アイロン（１）内に摺動自在に取り付けた操作ロッド（６２）に連結された端部を備えており、前記レバー（６０）が操作されたときに前記操作ロッド（６２）が前記弁（６）をその開位置に移動させることを特徴とする請求項３に記載のアイロン装置。
【請求項５】
前記給水回路は、前記蒸発室（３２）に送り込まれる水の流量を調節することができる滴下バルブ（５）を備えていること、および、前記閉止手段（６）は前記滴下バルブ（５）から独立して、前記滴下バルブ（５）の上流側に配置されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のアイロン装置。
【請求項６】
前記アイロン（１）は、前記発熱体（３）に熱的に接触するアイロン掛け面（２）を備えており、前記発熱体（３）は、前記掛け面（２）の設定温度の調節ボタン（４０）と連係したサーモスタット（４）によって調節される電気抵抗体（３１）を備えることを特徴とする請求項５に記載のアイロン装置。
【請求項７】
前記滴下バルブ（５）は様々な蒸気流量に対応する様々な位置の間で可動すること、および、前記アイロン（１）は、前記滴下バルブ（５）の位置を前記サーモスタットの前記調節ボタンの位置に対応させるように前記滴下バルブ（５）と前記サーモスタット（４）の前記調節ボタン（４０）とをつなぐ連結手段（４１）を備えることを特徴とする請求項６に記載のアイロン装置。
【請求項８】
前記発熱体（３）は５５０ｇ超、好ましくは約６００ｇの重量を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のアイロン装置。
【請求項９】
前記発熱体（３）は鋳造アルミニウム製であることを特徴とする請求項８に記載のアイロン装置。
【請求項１０】
前記アイロン（１）の前記給水回路は、前記発熱体（３）に取り付けられた熱変形性要素（７２）によって開放操作されるしずく防止弁（７）を備えることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のアイロン装置。
【請求項１１】
前記しずく防止弁（７）は、前記給水回路にあって前記閉止手段（６）の上流側に配置されることを特徴とする請求項１０に記載のアイロン装置。
【請求項１２】
前記給電スタンド（１００）は、支持体の上に載置するための下面と、アイロン掛け休止時に前記アイロン（１）の前記掛け面（２）を載置するベース（１０２）と、前記ベース（１０２）の一端にあって電気コネクタ（１０４）を含むストッパ（１０３）とを備えており、前記ベース（１０２）は、前記ストッパ（１０３）が占める部分以外の前記ベースの全周に広がって前記給電スタンド（１００）の前記下面方向に下がっていくアクセス勾配によって縁取られていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のアイロン装置。
【請求項１３】
前記アイロン（１）は、その後端を下にしてバランスよく、ほぼ垂直に立てることができないように適合された形状の後端を備えることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載のアイロン装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年10月23日(2015.10.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体入口ポート、流体出口ポート、および圧力リリーフバルブポートを有するネット成形されたプラスチックポンプハウジングであって、流体入口ポート、流体出口ポート、および圧力リリーフバルブポートのそれぞれがポンプキャビティと流体連通するネット成形されたプラスチックポンプハウジングを製造する方法であって、
ハウジングの第１部分の外部トポグラフィにネガティブに対応し、ハウジングの流体入口ポート、出口流体ポート、およびリリーフバルブポートに関連付けられたトポグラフィにネガティブに対応するように構成された内面トポグラフィを有する第１金型を提供するステップと、
ハウジングの第２部分の外部トポグラフィにネガティブに対応するように構成された内面トポグラフィを有する第２金型を提供するステップと、
ハウジングのキャビティ（空洞）の近位部分の内部トポグラフィにネガティブに対応するように構成された外形を有する第１コアを提供するステップと、
ハウジングのキャビティ（空洞）の遠位部分の内側トポグラフィにネガティブに対応するように構成された外形を有する第２コアを提供するステップとを含み、
前記第１および第２金型と前記第１および第２コアは、金型およびコアを用いて製造されたハウジングの流体入口ポート、流体出口ポート、または圧力リリーフバルブポートのどれもが交差する幾何学的配置をもたないように構成されており、
第１および第２金型は、プラスチックを導入した後、第１および第２金型内でエンド・ツー・エンドの関係で互いに隣接して配置された第１および第２コアと互いに対向するように組み立てられており、
ネットシェイプ成形されたハウジングを引き出すために、前記プラスチックが硬化した後、金型は互いに反対に引き離され、コアは、互いに反対に、かつ、金型の引き離しに対して実質的に垂直に引き離されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記プラスチックは、ガラス充填されたプラスチックを含む請求項１の方法。
【請求項３】
ハウジングのネット成形の性質により、ガラス繊維の総露出が１平方インチ以下に維持され、僅少の二次的機械加工を超える処理の必要性は排除される請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ハウジングは、容積式ベーンポンプで使用するためのハウジングである請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ハウジングのキャビティの遠位部分に近接する第２コアに隣接して配置された遠位ボアインサートをさらに含む請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
遠位ボアインサートはねじ山がつけられている請求項５に記載の方法。
【請求項７】
流体入口ポート、流体出口ポート、および圧力リリーフバルブポートを有するネット成形されたプラスチックポンプハウジングであって、流体入口ポート、流体出口ポート、および圧力リリーフバルブポートのそれぞれがポンプキャビティと流体連通するネット成形されたプラスチックポンプハウジングを製造するための金型およびコアのシステムであって、
ハウジングの第１部分の外部トポグラフィにネガティブに対応し、ハウジングの流体入口ポート、出口流体ポート、およびリリーフバルブポートに関連付けられたトポグラフィにネガティブに対応するように構成された内面トポグラフィを有する第１金型と、
ハウジングの第２部分の外部トポグラフィにネガティブに対応するように構成された内面トポグラフィを有する第２金型と、
ハウジングのキャビティ（空洞）の近位部分の内部トポグラフィにネガティブに対応するように構成された外形を有する第１コアと、
ハウジングのキャビティ（空洞）の遠位部分の内側トポグラフィにネガティブに対応するように構成された外形を有する第２コアとを含み、
前記第１および第２金型と前記第１および第２コアは、金型およびコアを用いて製造されたハウジングの流体入口ポート、流体出口ポート、または圧力リリーフバルブポートのどれもが交差する幾何学的配置をもたないように構成されており、
第１および第２金型は、プラスチックを導入した後、第１および第２金型内でエンド・ツー・エンドの関係で互いに隣接して配置された第１および第２コアと互いに対向するように組み立てられており、
ネットシェイプ成形されたハウジングを引き出すために、前記プラスチックが硬化した後、金型は互いに反対に引き離され、コアは、互いに反対に、かつ、金型の引き離しに対して実質的に垂直に引き離されることを特徴とするシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
したがって、成形されたハウジングは、さらなる機械加工、成形、研磨、またはすぐに使用可能にするための他の処理を必要としないから、ぬれ面を乱して、ぬれ面にガラス繊維を露出させ、ポンプを食品級の用途のためには容認できないものにしてしまうことはない。このように、ガラス充填されたプラスチック製のポンプハウジングは、ガラス繊維の総露出が１平方インチ以下に維持されるべく、ガラス繊維の制限を満たすように作成することができる。また、大幅なさらなる機械加工等の必要性を回避することによって、さらなる処理に関連する製造コストが節約される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に繊維強化プラスチック部材を製造する際の予備成形体である、繊維プリフォーム（２８，２８.１）を製造する装置であって、該装置は、複数の糸又は粗糸を準備するための複数の繰出しステーション（１，１.１，２，２.１，３，３′，４，４′）と、それぞれ１つ又は複数の糸又は粗糸の始端部（２０，２０′）を把持することができる複数のグリッパ（５，５.１）と、少なくとも１つの第１の成形型（１５，１５′，１５.１）とを有し、前記各グリッパ（５，５.１）は、最大ポジション（８，８.１）と引取りポジション（９，９.１）との間の移動路において往復動可能であり、前記引取りポジション（９，９.１）は糸引渡し箇所（１４，１４.１）に設けられていて、前記最大ポジション（８，８.１）よりも前記繰出しステーション（１，１.１，２，２.１）の近傍に位置している、装置において、
第１の成形型（１５，１５′，１５.１）は、前記最大ポジション（８，８.１）と前記糸引渡し箇所（１４，１４.１）との間の接続ラインの領域に立体賦形ポジションを有し、かつ前記接続ラインの外側に出発ポジションを有しており、第１の成形型（１５，１５′，１５.１）は少なくとも前記出発ポジションにおいて回転可能及び／又は旋回可能であり、かつ回転させられた位置及び／又は旋回させられた位置においても、各立体賦形ポジションに移動することができることを特徴とする、繊維プリフォームを製造する装置。
【請求項２】
第２の成形型（１６，１６′）が設けられていて、該第２の成形型（１６，１６′）は、立体賦形ポジションにおいて第１の成形型（１５，１５′，１５.１）とまとめられるようになっていて、固有の出発ポジションを有する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
第１及び／又は第２の成形型（１５，１５′，１５.１，１６，１６′）の出発ポジションと立体賦形ポジションとの間における運動方向が、前記移動路に対してほぼ垂直に配置されている、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
第２の成形型（１６，１６′）は、少なくとも前記出発ポジションにおいて回転可能及び／又は旋回可能であり、かつ回転させられた位置及び／又は旋回させられた位置において、立体賦形ポジションに移動することができる、請求項２記載の装置。
【請求項５】
第２の成形型（１６，１６′）はフードとして形成されていて、第１の成形型（１５，１５′，１５.１）の上に適合し、前記糸又は粗糸のための間隙が、第１の成形型と第２の成形型との間に残っている、請求項２記載の装置。
【請求項６】
第１及び／又は第２の成形型（１５，１５′，１５.１，１６，１６′）の回転軸線は、前記移動路に対してほぼ垂直に位置し、かつ前記出発ポジションと前記立体賦形ポジションとの間における運動方向に対してほぼ平行に位置している、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
第１及び／又は第２の成形型（１５，１５′，１５.１，１６，１６′）は、加熱装置を備えている、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
第１及び第２の成形型（１５，１５′，１５.１，１６，１６′）は、圧着装置を備えている、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
第１及び／又は第２の成形型（１５，１５′，１５.１，１６，１６′）は、容易に切離し可能に、移動装置に、特にリフティングテーブル又は降下装置に取り付けられている、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の装置を使用して、例えば繊維強化プラスチック部材を製造する際の予備成形体である、繊維プリフォーム（２８，２８.１）を製造する方法であって、下記の方法ステップ、すなわち：
複数のグリッパ（５，５.１）を用いた第１の層のための糸又は粗糸の張設、
第１の成形型（１５，１５′，１５.１）を用いた第１の層の立体賦形、
第１の層の糸又は粗糸の切断、
複数のグリッパ（５，５.１）を用いた第２の層のための糸又は粗糸の張設、
第１の成形型（１５，１５′，１５.１）を用いた別の層の立体賦形、
第２の層の糸又は粗糸の切断、
という方法ステップを相前後して有する、方法において、
立体賦形を、張設された糸又は粗糸の領域への第１の成形型（１５，１５′，１５.１）の進入移動によって行い、第１の成形型（１５，１５′，１５.１）を、第１の層の糸又は粗糸の切断後でかつ前記別の層の立体賦形前に、回転及び／又は旋回させることを特徴とする、方法。
【請求項１１】
前記回転を、張設された糸又は粗糸（２１）に対してほぼ垂直にかつ前記進入移動時における運動方向に対してほぼ平行に位置する軸線を中心にして行う、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
第１の成形型（１５，１５′，１５.１）を、１０°〜１７０°の角度、好ましくは３０°〜１５０°の角度、特に好ましくは４５°〜１３５°の角度で回転させる、請求項１０又は１１記載の方法。
【請求項１３】
第１の層の立体賦形過程と別の層の張設過程との間において、第１の層の固定を、特に加熱及び／又はプレスによって行う、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
立体賦形時に、第２の成形型（１６，１６′）、特にフードを、それぞれの層が成形されるように、移動させて第１の成形型（１５，１５′，１５.１）とまとめる、請求項１０から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
第１及び別の層（２５，２５.１，２６.１，２７.１）の立体賦形を、同じ装置において行う、請求項１０から１４までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
さらに本発明は、前記装置を使用して、例えば繊維強化プラスチック部材を製造する際の予備成形体である、繊維プリフォームを製造する方法であって、下記の方法ステップ、すなわち：
複数のグリッパ（５，５.１）を用いた第１の層のための糸又は粗糸の張設、
第１の成形型を用いた第１の層の立体賦形、
第１の層の糸又は粗糸の切断、
複数のグリッパを用いた第２の層のための糸又は粗糸の張設、
第１の成形型を用いた別の層の立体賦形、
第２の層の糸又は粗糸の切断、
という方法ステップを相前後して有する、方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記課題は、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置に関連した、請求項１０記載の特徴を備えた方法によって解決される。方法に対する別の好適な態様は、従属請求項に記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月30日(2015.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバおよび該チャンバに収容された複数の細長中空の濾過要素を備え、前記濾過要素のそれぞれが、半透過性の濾過壁および内部に配置された逆洗機構を備え、
前記逆洗機構のそれぞれが、少なくとも１つのデブリ受入部を備え、該少なくとも１つのデブリ受入部の断面が、中空の前記濾過要素の断面に対応していて、前記デブリ受入部の外周が、中空の前記濾過要素の前記濾過壁の内周に直接隣接するよう配置されている、濾過装置。
【請求項２】
前記濾過要素および前記デブリ受入部の双方が、円形の断面を有し、前記デブリ受入部の外周が、前記濾過要素の内面に直接隣接するよう配置されている、請求項１に記載の濾過装置。
【請求項３】
前記デブリ受入部が、円盤の形態をしており、前記濾過要素が、中空円筒の形態をしている、請求項２に記載の濾過装置。
【請求項４】
前記濾過要素のそれぞれが、入口から当該濾過装置へ流体を受け入れるために配置された第１の開放端と、第２の閉鎖端とを備え、前記濾過要素に進入する前記流体が、半透過性の前記濾過壁を通じて誘導されるようになっている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項５】
前記逆洗機構が、前記濾過要素のそれぞれの長さの少なくとも一部に沿う前記デブリ受入部の移動を可能にするよう構成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項６】
前記デブリ受入部が、前記濾過要素と同軸に配置されたシャフトに配置され、該シャフトの伸長軸線に沿って移動可能である、請求項５に記載の濾過装置。
【請求項７】
前記逆洗機構が、前記濾過要素の長手方向に沿ってそれぞれの相反する方向に、互いに隣接するデブリ受入部の軸線方向の間隔の半分と等しい距離だけ往復移動するように構成されている、請求項５または６に記載の濾過装置。
【請求項８】
前記逆洗機構のそれぞれが、前記濾過要素のそれぞれの長手方向に沿って均等に離間された複数のデブリ受入部を備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項９】
前記逆洗機構が、複数のデブリ受入部を備え、
前記デブリ受入部のそれぞれが、前記濾過壁からデブリを受け入れるために配置された周囲に延びる周囲流路と、前記周囲流路のそれぞれから当該濾過装置のデブリ出口までデブリを通すために配置された少なくとも１つの導管とを備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの導管が、前記デブリ受入部のそれぞれの前記周囲流路から、前記逆洗機構の長手方向に沿って延びる中心に配置された導管まで延びている、請求項９に記載の濾過装置。
【請求項１１】
前記デブリ出口を選択的に開閉するために配置された制御弁をさらに備える、請求項９または１０に記載の濾過装置。
【請求項１２】
前記デブリ出口と結合された吸引機器をさらに備える、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項１３】
前記濾過要素の軸線に沿った前記逆洗機構の直線移動および往復移動を行うように構成された駆動機構をさらに備える、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項１４】
前記チャンバが、略円筒形であり、複数の中空の前記濾過要素が、円筒形の前記チャンバの伸長軸線と平行に配置されている、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項１５】
複数の中空の前記濾過要素が、前記チャンバの周囲の内部に周囲に沿って均等に離間されている、請求項１４に記載の濾過装置。
【請求項１６】
当該濾過装置の入口と中空の前記濾過要素との間に配置され、かつ使用の際に当該濾過装置の入口から中空の前記濾過要素のそれぞれの開放端へ流体を誘導するために配置された流れガイドをさらに備える、請求項１４または１５に記載の濾過装置。
【請求項１７】
前記流れガイドが、円錐形である、請求項１６に記載の濾過装置。
【請求項１８】
前記流れガイドが、前記入口に対して対向しかつ位置合わせされた凹部を備える、請求項１６に記載の濾過装置。
【請求項１９】
前記流れガイドの形状が、凹半球である、請求項１８に記載の濾過装置。
【請求項２０】
前記流れガイドが、導流板を備える、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項２１】
前記チャンバの直径が、当該濾過装置の入口の直径よりも大きく、当該濾過装置が、前記入口の直径から前記チャンバの直径まで拡径し、かつ前記入口と前記チャンバの間で流体を通すように配置された拡径部をさらに備える、請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項２２】
周囲に配置された複数の濾過要素が、中心に位置する空間を形成しており、該中心に位置する空間が、当該濾過装置の中心軸線から前記周囲に配置された複数の濾過要素のうちの１つの近接面まで半径方向に測定された半径を有し、
前記中心に位置する空間の前記半径が、当該濾過装置の出口の半径以下である、請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項２３】
前記中心に位置する空間と前記出口との間に配置され、かつ前記空間と前記出口の間で流体を通すために配置された拡径部をさらに備える、請求項２２に記載の濾過装置。
【請求項２４】
アセンブリの入口および出口を備え、前記入口および前記出口が同軸である、請求項１〜２３のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項２５】
前記デブリ受入部に、シーリング手段が設けられ、該シーリング手段が、前記デブリ受入部の外周と前記濾過要素の内壁との間のシールを形成するために配置されている、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項２６】
前記シーリング手段が、１対のＯリングシールである、請求項２５に記載の濾過装置。
【請求項２７】
前記シーリング手段が、前記濾過要素の前記内壁に対して付勢されるように配置されたシーリング部材である、請求項２５に記載の濾過装置。
【請求項２８】
複数の前記デブリ受入部が、第１の方向に向かって直線的にのみ移動し、第２の戻り方向に向かって直線的であると同時に回転しながら移動するように配置されている、請求項１〜２７のいずれか一項に記載の濾過装置。
【請求項２９】
濾過装置を逆洗する方法であって、前記濾過装置が、
チャンバおよび該チャンバに収容された複数の細長中空の濾過要素を備え、該濾過要素のそれぞれが、半透過性の濾過壁および内部に配置された逆洗機構を備え、
前記逆洗機構のそれぞれが、少なくとも１つのデブリ受入部を備え、該少なくとも１つのデブリ受入部の断面が、中空の前記濾過要素の断面に対応しており、前記デブリ受入部の外周が、前記濾過要素の前記濾過壁の内周に直接隣接するよう配置されている方法であって、
（Ａ）流体が前記濾過壁を通じて反対方向に流れるように、前記チャンバと前記デブリ受入部との間に圧力の差を生み出すステップと、
（Ｂ）前記濾過壁からデブリを除去するために前記濾過壁に対して前記デブリ受入部を移動させるステップとを含む方法。
【請求項３０】
請求項１〜２８のいずれか一項に記載の濾過装置を備える流体処理システム。
【請求項３１】
請求項１〜２９のいずれか一項に記載の濾過装置または方法を含むバラスト水処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともアルミナ支持体上に担持された銀とレニウムを含むエチレンオキシドの製造用の触媒成形体であって、該アルミナ支持体が中空円筒の形状を持ち、該触媒成形体のレニウム含量ＣＲ（質量ｐｐｍ）と中空円筒の壁厚ｄＷ（ｍｍ）の比が、１２０≦ＣＲ／ｄＷ≦２００の範囲である触媒成形体。  
【請求項２】
上記中空円筒の長さＬが５〜１０ｍｍの範囲であり、外径ｄＡが５〜１０ｍｍの範囲で、壁厚ｄＷ（ｍｍ）に対する外径ｄＡ（ｍｍ）の比が２．５〜４．５である請求項１に記載の触媒成形体。
【請求項３】
上記中空円筒の長さＬが６〜９．５ｍｍの範囲である請求項２に記載の触媒成形体。
【請求項４】
上記触媒成形体が、銀を成型触媒体の総質量に対して元素として計算して５〜３０質量％の量で含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の触媒成形体。
【請求項５】
上記アルミナ支持体が二峰性気孔分布をとる請求項１〜４のいずれか一項に記載の触媒成形体。
【請求項６】
上記アルミナ支持体のＢＥＴ表面積が０．７〜１．２ｍ２／ｇの範囲である請求項１〜５のいずれか一項に記載の触媒成形体。
【請求項７】
上記触媒が、ＩＡ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩＢ族、及びＶＩＡ族の元素からなる群から選ばれる少なくとも一種の促進剤を含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の触媒成形体。
【請求項８】
上記触媒成形体が、タングステンを成型触媒体の総質量に対して元素として計算して５質量ｐｐｍ〜５００質量ｐｐｍの範囲の量で含み、セシウムを１００質量ｐｐｍ〜８００質量ｐｐｍの範囲の量で、リチウムを１０質量ｐｐｍ〜５００質量ｐｐｍの範囲の量で、硫黄を０〜５０質量ｐｐｍの範囲の量で含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の触媒成形体。
【請求項９】
アルミナ支持体上に担持された銀とレニウムを含む触媒成形体の製造方法であり、
（ａ）中空円筒の形状を持つ、アルミナ支持体を提供し、
（ｂ）銀とレニウムを該アルミナ支持体に塗布することからなり、レニウムが、元素として計算したＣＲ（質量ｐｐｍ）と中空円筒の壁厚ｄＷ（ｍｍ）の比が１２０≦ＣＲ／ｄＷ≦２００の範囲の量でアルミナ支持体に塗布される方法。
【請求項１０】
さらに、（ｃ）（ｂ）で得られるアルミナ支持体を焼成することからなる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
（ｂ）で銀が、成型触媒体の総質量に対して元素として計算して５〜３０質量％の量で塗布される請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか一項により得られるまたは得られた触媒成形体。
【請求項１３】
請求項１〜８または１２のいずれか一項の触媒成形体の存在下で酸素により酸素存在下でのエチレンの気相酸化によりエチレンオキシドを製造する方法。
【請求項１４】
請求項１〜８または１２のいずれか一項の触媒成形体の、酸素でのエチレンの気相酸化によりエチレンオキシドを製造するための触媒としての利用。
【請求項１５】
上記触媒が、タングステン、セシウム、リチウム、及び硫黄からなる群から選ばれる少なくとも一種の促進剤請求項１〜６のいずれか一項に記載の触媒成形体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月3日(2015.2.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも1つの回転弁、複数の床ライン、及び前記回転弁と前記複数の床ラインとの間に設けられた少なくとも１つの移行ラインを含む疑似移動床吸着装置で疑似向流吸着分離によってパラキシレンを含有するＣ８芳香族炭化水素ストリームである少なくとも1つの多成分供給原料から生成物を分離する方法において、(a)少なくとも1つの所望生成物を含む第1多成分供給原料を、少なくとも1つの移行ラインを通して前記装置の中へ導入する工程；(b)少なくとも1つの所望生成物を含む第1多成分抽出物を少なくとも1つの移行ラインを通して前記装置の外へ引き抜く工程；(c)工程(a)の前記少なくとも1つの移行ラインを少なくとも1つの初期フラッシング媒体でフラッシュし、それによって前記少なくとも1つの初期フラッシング媒体により前記第1多成分供給原料の残渣が工程(a)の前記少なくとも1つの移行ラインから前記装置の中へフラッシュされる工程；(d)工程(b)の少なくとも1つの移行ラインを通して、前記少なくとも1つの初期フラッシング媒体と前記第1多成分抽出物の前記残渣とを含む第1フラッシュ出力を抜き出す工程；(e)工程(c)後に前記少なくとも1つの移行ラインを第2フラッシング媒体でフラッシュする工程、但し、前記第2フラッシング媒体は工程(d)からの前記第1フラッシュ出力を含み、
さらに、前記第１フラッシュ出力を前記第2フラッシング媒体として使用する前に前記第１フラッシュ出力の蒸留工程がないことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第1多成分抽出物が、前記第1多成分抽出物中のC8芳香族炭化水素の総量に基づいて、少なくとも99.7wt%のパラキシレンを含む、請求項1の方法。
【請求項３】
前記第1多成分供給原料が、C8芳香族炭化水素の混合物中のパラキシレンの熱力学的平衡濃度以上のパラキシレンの濃度を有する、請求項1の方法。
【請求項４】
前記初期フラッシング媒体が、前記第1多成分供給原料中のパラキシレンの濃度より高いパラキシレンの濃度を有する、請求項1の方法。
【請求項５】
前記第2フラッシング媒体の体積が、フラッシュされる床ラインの体積の110〜150vol%である、請求項1の方法。
【請求項６】
疑似向流吸着分離によってパラキシレンを含有するＣ８芳香族炭化水素ストリームである少なくとも1つの多成分供給原料から生成物を分離する方法に適応しており、少なくとも１つの回転弁、複数の床ライン、及び前記回転弁と前記複数の床ラインとの間に設けられた少なくとも１つの移行ラインを有する装置であって、
工程(a)において、少なくとも1つの移行ラインを通して、少なくとも1つの所望生成物を含む第1多成分供給原料が前記装置に導入され、
工程(b)において、少なくとも1つの所望生成物を含む第1多成分抽出物が、少なくとも1つの移行ラインを通して前記装置の外へ引き抜かれ、
工程(c)において、工程(a)の前記少なくとも1つの移行ラインが、少なくとも1つの初期フラッシング媒体でフラッシュされ、それによって前記少なくとも1つの初期フラッシング媒体により前記第1多成分供給原料の残渣が工程(a)の前記少なくとも1つの移行ラインから前記装置の中へフラッシュされ、
工程(d)において、工程(b)の少なくとも1つの移行ラインを通して、前記少なくとも1つの初期フラッシング媒体と前記第1多成分抽出物の前記残渣とを含む第1フラッシュ出力が抜き出され
工程(e)において、前記工程(c)の前記少なくとも1つの移行ラインが第2フラッシング媒体でフラッシュされ、但し、前記第2フラッシング媒体は工程(d)からの前記第1フラッシュ出力を含み、
前記第１フラッシュ出力は、1つ以上の蒸留カラムへのいずれの介在流体接続もなく、前記第2フラッシング媒体として使用されることを特徴とする、装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明によれば、より高い純度のパラキシレン供給原料(その一部は回転弁と篩チャンバーとの間の床ラインに残る)は、より低い純度の供給原料より少ないフラッシングしか必要でない。
理論によって拘束されることを望むものではないが、本発明者らは、驚くべきことに、供給原料（複数）を分けることによって、図4に示す改善が熱力学的効率をもたらすのみならず、より高い純度の物質が床ラインに残るので、より少ないフラッシングしか必要ないことを発見した。より少ないフラッシングとは、プロセスを通じてより少ない脱着剤が再循環されるので、より低いエネルギー消費を意味する。
最終生成物の純度は、生成物中のC8異性体の総質量%に対して、所望成分、一般的にパラキシレンの量に基づいて、99.90wt%程度又はそれ以上でさえあり得る。
ある観点からは、基本実施形態としての図1から始まる図の進化があり、すなわち図2は追加の供給原料109の添加という改善を可能にし、図3は抽出物からさらに離れた二次フラッシュの動きをもたらし、そして今や図4では、抽出物ブラッシュアウトが二次フラッシュ入力へ送られるという改善点がある。