【手続補正書】
【提出日】平成26年11月11日(2014.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体検出器装置から検出された放射線データの処理方法であって、
検出器（２０）でイベントを検出するステップ；
パルスを生成するステップ；
該パルスについて：
パルス振幅を表すパルス高の測定値（Ｈ’）；
パルス持続時間を表すパルス幅の測定値（Ｗ’）を決定するステップ；
該パルスを、該決定したパルス高／パルス幅に基づき少なくとも２つのクラスのうちの１つに割り当てるステップ；
各パルスにその特定のクラスに特有なアルゴリズムを適用し、出力パルス高／パルス幅プロファイルを生成するステップ
を含み、
該アルゴリズムの少なくとも１つが、該パルスのパルス高／パルス幅プロファイルを修正する修正アルゴリズムである、方法。
【請求項２】
こうして生成された前記出力パルス高および／または幅をさらなる処理に用いるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも２つのクラスが、パルス高／パルス幅空間における領域を囲むようにして境界条件を画定することにより定義される、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、パルスが以下のように割り当てられ：
（ｉ）パルス高／パルス幅が、パルス高／パルス幅の値の第１の概念的な境界条件の閾値範囲内である場合、第１クラス；
（ｉｉ）以下の（ｉｉｉ）に応じて、パルス高／パルス幅が該閾値範囲外である場合、第２クラス；
（ｉｉｉ）任意で、パルス高／パルス幅が上記（ｉｉ）に準じるものの許容基準を満たさない場合、第３クラス；
その結果として：
（ａ）該パルスが該第１クラスに割り当てられる場合、第１アルゴリズムを適用して出力パルス高／パルス幅プロファイルを生成し、こうして生成された該パルス高および／または幅をさらなる処理に用いる；
（ｂ）該パルスが該第２クラスに割り当てられる場合、第２アルゴリズムを適用して出力パルス高／パルス幅プロファイルを生成し、こうして生成された該パルス高および／または幅をさらなる処理に用いる；
（ｃ）該パルスが該第３クラスに割り当てられる場合、該パルスを廃棄する、
ようにして該パルスを処理する、方法。
【請求項５】
パルスを異なる処理アルゴリズムが適用される複数のクラスのうちの１つに割り当てるステップを含み、またその少なくとも１つが修正を行わず、それ故、前記生成された出力パルス高／パルス幅プロファイルが修正されずに、前記パルス高および／または幅を修正なしでさらなる処理に用いるステップを含む、いずれかの前請求項に記載の方法。
【請求項６】
パルスを少なくとも１つの第１クラスおよび少なくとも１つの第２クラスを含む複数のクラスのうちの１つに割り当てるステップならびに：
（ａ）該パルスが該第１クラスに割り当てられる場合、パルス高および／または幅をさらなる補正なしでさらなる処理に用いる；
（ｂ）該パルスが該第２クラスに割り当てられる場合、補正を適用して該パルスのパルス高／パルス幅プロファイルを修正し、こうして修正されたパルス高および／または幅をさらなる処理に用いる
ように処理するステップを含む、いずれかの前請求項に記載の方法。
【請求項７】
多数のパルスからのデータを用いて、前記クラスの少なくともいくつかに割り当てられたパルスからのデータより累積スペクトルデータセットが生成され、
該累積スペクトルデータセットは、少なくとも前記第１クラスに割り当てられたパルスからの補正されていないパルス高（Ｈ’）および第２クラスに割り当てられたパルスからの修正されたパルス高（Ｈ）を有するものである、いずれかの前請求項に記載の方法。
【請求項８】
前記パルス高スペクトルが、複数のパルス高の値についての累積パルス高の格納されたヒストグラム型データセットからなり、前記処理ステップが：
（ａ）前記イベントが第１クラスに割り当てられる場合、カウント数を測定されたパルス高（Ｈ’）に基づき前記パルス高スペクトルに加えるステップ；
（ｂ）前記イベントが第２クラスに割り当てられる場合、補正を適用し、前記パルスの前記パルス高／パルス幅プロファイルを修正した後、カウント数を修正されたパルス高（Ｈ）に基づき前記パルス高スペクトルに加えるステップ；
（ｃ）前記イベントが第３クラスに割り当てられる場合、前記パルスを廃棄するステップを含み、
前記パルスを前記決定されたパルス高／パルス幅に基づき３つのクラスのうちの１つに割り当てるステップは、
（ｉ）前記パルス高／パルス幅が、概念的なパルス高／パルス幅プロット上における第１境界曲線の閾値範囲内である場合、第１クラス；
（ｉｉ）前記パルス高／パルス幅が、該閾値範囲の上限より上だが、概念的なパルス高／パルス幅プロット上における第２境界曲線より下である場合、第２クラス；
（ｉｉｉ）前記パルス高／パルス幅が上記（ｉ）または（ｉｉ）に準じない場合、第３クラス；
に割り当てるものである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
パルスに修正を適用する前記ステップが、少なくとも、伝達関数を所定の測定されたパルス高／パルス幅プロファイルに適用し、そこから少なくとも修正されたパルス高の読み取り値を導出することにより、所定の測定されたパルス高／パルス幅プロファイルに、修正されたパルスエネルギーの読み取り値を割り当て、こうして修正されたパルスエネルギーの読み取り値を、該測定されたパルス高に対応する、またはこれから導出できる同等の読み取り値で置き換えるステップ、および該置き換えられた読み取り値を、前記パルス高スペクトルを更新するための基礎として用いるステップを含む、いずれかの前請求項に記載の方法。
【請求項１０】
前請求項のいずれかの方法を実施するように構成された放射線の検出のための装置。
【請求項１１】
半導体放射線検出器（２０）；
該検出器でイベントを検出し、パルス振幅を表すパルス高の測定値（Ｈ’）およびパルス持続時間を表すパルス幅の測定値（Ｗ’）を有するパルスを生成する、パルスイベント検出モジュール；
各パルスについて該パルス高／パルス幅を分析し；各パルスを該決定されたパルス高／パルス幅に基づき少なくとも２つのクラスのうちの１つに割り当て；各パルスにその特定のクラスに特有なアルゴリズムを適用して出力パルス高／パルス幅プロファイルを生成するように構成されたデータ処理モジュール
を備え、
前記データ処理モジュールは、少なくとも１つのアルゴリズムが前記パルスの前記パルス高／パルス幅プロファイルを修正し、こうして修正された前記パルス高（Ｈ）および／または幅（Ｗ）をさらなる処理のために出力することを提供する、放射線の検出のための装置。
【請求項１２】
前記データ処理モジュールは、少なくとも１つのアルゴリズムが修正を行わず、前記処理モジュールが前記パルス高および／または幅を修正なしでさらなる処理のために出力するように構成されることを提供する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
パルス高の読み取り値および／またはそこから導出したデータを格納するためのデータ格納モジュールをさらに備える、請求項１１または１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記データ格納モジュールが、前記クラスの少なくともいくつかに割り当てられたパルスから導出した累積スペクトルデータセットとして、多数のパルスから導出したデータを格納するように構成され、
該累積スペクトルデータセットは、少なくとも第１クラスに割り当てられたパルスからの補正されていないパルス高および第２クラスに割り当てられたパルスからの修正されたパルス高より生成されたパルス高スペクトルを有するものである、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記半導体検出器（２０）が、本質的に直接的な材料の特性として、用いられる放射線スペクトルの異なる部分に対して直接可変な光電応答を示す材料から製造され、
該材料は、本質的に、ａ＋ｂ＜１であり、ａおよび／またはｂがゼロであってもよい、結晶Ｃｄ１−（ａ＋ｂ）ＭｎａＺｎｂＴｅからなる、請求項１１〜１４の１項に記載の装置。