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　特願２００５−２０５３１１「真空チャンバーにおけるサンプル形成及びマイクロ分析のための方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月１３日出願公開、特開２００６−１００７８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１７年　７月１４日（優先権主張　平成１６年　７月１４日、平成１７年　４月２８日、米国）の出願であって、平成２４年　３月２２日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として同年　７月３０日に拒絶査定不服審判を請求するとともに同日に手続補正が行なわれたが、平成２５年　６月１３日付けで当審による最初の拒絶理由が通知され、これに対して同年１１月１９日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　本願の請求項１〜２０に係る発明は、上記平成２５年１１月１９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「サンプルを形成してその像形成を行う方法において、
　ａ）真空チャンバーに物体を入れる段階と、
　ｂ）前記物体から、物体断面表面が２以上の平行なトレンチに平行に形成されるように前記物体内に当該２以上の平行なトレンチを形成することによって、サンプルを形成する段階と、
　ｃ）前記サンプルにニードルを取り付ける段階と、
　ｄ）前記サンプルを前記物体から除去し、前記ニードルで、前記サンプルをサンプル支持体上に並べる段階と、
　ｅ）前記サンプルを前記サンプル支持体に固定し、前記ニードルをサンプルから取り外し段階と、
　ｆ）電子ビームが前記サンプルの物体断面表面に実質的に直角に入射し、前記電子ビームの少なくとも一部分が前記サンプルの少なくとも一部分を横断するようにして前記サンプルの像形成を行う段階と、を備え、前記形成する段階、前記ニードルを取り付ける段階、及び、像形成を行う段階は前記真空チャンバー内で実行されることを特徴とする方法。」
　
　
２　引用刊行物及びその摘記事項
　当審による最初の拒絶理由通知で引用された本願の優先権主張日前に国内又は外国において頒布された刊行物１〜６のうち、刊行物１〜４、６には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１（特開２００２−１４８１５９号公報）の摘記事項
（刊１ア）「【０００３】通常、試料の微細構造観察には高分解能の走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと略記）が用いられるが、半導体の高集積化に伴い、対象物がＳＥＭの分解能では観察できなくなっており、ＳＥＭに代ってさらに観察分解能が高い透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭと略記）が用いられる。」
　
（刊１イ）「【００５７】＜実施形態例１＞本願による一実施の形態である試料作製装置の概略構成図を、図４を用いて説明する。
【００５８】
試料作製装置１７は、真空容器４１を有しており
真空容器内には
ＦＩＢ照射光学系３５
デポガス源３７、マニュピュレータ４２先端に取り付けたプローブ３、半導体ウェーハや半導体チップなどの試料基板３８を載置する試料ステージ３９、試料基板の一部を摘出した微小な摘出試料を固定する試料ホルダ４０等が配置されている
【００５９】次に、本試料作製装置の動作について説明する。まず、イオン源３２から放出したイオンをイオンビーム制限アパチャ３３、イオンビームレンズ３１、対物レンズ４４を通して試料基板３８に照射する。ＦＩＢ１は試料上で直径数ナノメートルから１マイクロメートル程度に細束化される。
ＦＩＢ１を試料基板３８に照射する
ＦＩＢ１を走査させることで、マイクロメートルからサブマイクロメートルレベルの加工ができる
デポ膜は、プローブ３の先端にある接触部と試料を接続したり、摘出試料を試料ホルダ４０に固定するために使用する
　
（刊１ウ）「【００６０】次に、本願による一実施の形態である試料作製方法について、図１を用いて説明する。・・（略）・・基板表面に対するＦＩＢの照射軸を試料表面に投影した方向を一辺とする矩形にＦＩＢ１を試料基板上で走査させ、
深さ方向に傾斜した深さ１５μｍの２つの角穴１０１（図ａ）と、同様の深さ方向に傾斜した傾斜した切り欠き溝１０２（図ｂ）を形成する
同様に深さ方向に傾斜した溝１０３を形成する
接触状態にある基板の分離部分とプローブ３とを接続する
マイクロサンプル６は摘出できる
マイクロサンプルをサンプルメッシュに移動する。マイクロサンプルは、デポ膜でサンプルメッシュに固定する。ＦＩＢでプローブを切断し、微小試料から分離する
【００６１】・・（略）・・この場合のマイクロサンプル形状は図５（ａ）に示すようになり、・・（略）・・」
　
（刊１エ）図５には、刊行物１に記載された試料作製方法によって作製された微小試料が示されており、当該微小試料の形状が、上面を平坦な長方形とし、当該長方形の各辺において、下方に伸びる４つの側面があり、その内、短辺側の対向する側面である２面が平行となっており、長辺側の２つの側面のうち、一面を垂直にし、他面を傾斜させて前記一面の下端で接続した形状となっていることが看取できる。
　 
　上記摘記事項（刊１ア）〜（刊１エ）を総合勘案すると、刊行物１には、次の事項が記載されている。
　「ＴＥＭ試料を作成し、ＴＥＭで試料の微細構造観察する方法であって、
　ＴＥＭ試料の作成は、
　ＦＩＢ照射光学系３５、イオンビーム照射領域にデポ膜を形成するための元材料ガスを供給するデポガス源３７、マニュピュレータ４２先端に取り付けたプローブ３、半導体ウェーハや半導体チップなどの試料基板３８を載置する試料ステージ３９、試料基板の一部を摘出した微小な摘出試料を固定する試料ホルダ４０等がその内部に配置されている真空容器４１を有する試料作成装置１７を用いて、
　前記試料基板３８表面に対するＦＩＢの照射軸を試料表面に投影した方向を一辺とする矩形にＦＩＢ１を試料基板上で走査させ、深さ方向に傾斜した深さ１５μｍの２つの角穴１０１（図ａ）と、同様の深さ方向に傾斜した切り欠き溝１０２（図ｂ）を形成する。同様に深さ方向に溝１０３を形成して、上面を平坦な長方形とし、当該長方形の各辺において、下方に伸びる４つの側面があり、その内、短辺側の対向する側面である２面が平行となっており、長辺側の２つの側面のうち、一面を垂直にし、他面傾斜させて前記一面の下端で接続した形状の微小試料を形成し、
　次に、プローブ制御装置を駆動して、プローブ３の先端を基板上のマイクロサンプル６に接触させる。次にガスノズルから堆積性ガスを供給し、ＦＩＢ１をプローブ３の先端部を含む領域に局所的に照射し、デポ膜１０５を形成して、接触状態にある基板の分離部分とプローブ３とを接続し、
　ＦＩＢ１で支持部１０４を切除することで、マイクロサンプル６は接続されたプローブ３で支持された状態とし、
　プローブ３を試料面上方で停止させている間に試料台（試料ステージ３９）を動作させて、マイクロサンプル６をサンプルメッシュに移動・固定し、
　ＦＩＢでプローブを切断し、微小試料から分離し、ＴＥＭ試料を完成させる方法。」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）刊行物２（特開２００４−１９１３５８号公報）の摘記事項
（刊２ア）「【００１８】
　また、ウエハのままエッチング加工して薄片化された試料を取り出す加工法を説明する。・・（略）・・続いて図３の（ｂ）に示すように
所望観察断面部の後方部分に向けて上方から集束イオンビームを照射してスパッタエッチング又はガス導入装置８からアシストガスを噴射して行なうガスアシストエッチングによって、後方穴を穿設する。また、同様に観察断面部の前方部分に向けて上方から集束イオンビームを照射してスパッタエッチング又はガス導入装置８からアシストガスを噴射して行うガスアシストエッチングによって、前方穴を穿設する
マニピュレータ（ガラスプローブ）を操作してこの切片試料を試料本体から切り離し図６のＣに示すようにコロジオン膜張付けメッシュ（１５０メッシュ）等の上に移動させて載置する。図６のＤに示すようにメッシュ面上に切り出した切片試料が付着し、ＴＥＭ観察用の試料が完成する
　
（刊２イ）図３には、試料作製に際し、前方穴部分及び後方穴部分の形成時にＦＩＢを上方から垂直に照射していること、また、当該照射により前方穴部分及び後方穴部分の試料面側及び対向面側が共に平行面となっており、前記前方穴部分及び後方孔部分が２つの平行なトレンチを形成していることが看取できる。
　
（３）刊行物３（特開平５−５２７２１号公報）の摘記事項
（刊３ア）「【０００３】・・（略）・・
図７に示すように
薄膜試料７３を電子ビーム７４を用いてＴＥＭ観察している
　
（刊３イ）図７から、薄膜試料の断面表面に電子ビームを直角に入射していることが看取できる。
　
（４）刊行物４（特開２００４−２２３１８号公報）の摘記事項
（刊４ア）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＴＥＭやＳＴＥＭによる解析は、以上のように行われており、試料作成装置内に試料をセットして薄片試料に加工し、
該薄片試料をＴＥＭ／ＳＴＥＭ観察のための透過型顕微鏡内に移動し、電子線を薄片試料に対し垂直に照射してＴＥＭ／ＳＴＥＭ観察をしていた
加工された試料を試料作成装置内から取り出し、透過型電子顕微鏡内に導入する必要があり、ＴＥＭ／ＳＴＥＭによる解析全体に費やす時間が長くなり、時間の短縮が困難であると共に、試料のハンドリングなどの負荷もかかるものであった
【０００６】
この発明は、上記のような問題点を解消するために成されたものであって、
ＴＥＭ／ＳＴＥＭによる解析において，試料加工からＴＥＭ／ＳＴＥＭ観察までの一連の処理が、短時間で容易に行えることを目的とする
　
（５）刊行物６（特開２００４−５３５５０号公報）の摘記事項
（刊５ア）「【０００２】
【従来の技術】
・・（略）・・また、
ＦＩＢ装置と透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ・・（略）・・）とを組み合わせた半導体デバイス検査装置も知られている。この検査装置でも、半導体ウェハ等の半導体デバイスにＦＩＢを照射して薄膜の試料を作成し、これをＴＥＭにより観察することで、半導体デバイスの評価或いは不良箇所の解析等を行うことができる
　
（刊５イ）「【００１８】
本実施の形態では、ステージ３４１の近傍には、マニピュレータ３９が設けられており、マニピュレータ３９は、フェムト秒レーザビームＦＳＬＢにより
切り取った試料Ｓの一部（試料片Ｓ’）をプローブ３９１でピックアップして、ＴＥＭ３３による観察位置に移動することができる
試料Ｓを透過する電子レンズ系３３２からの電子ビームを検出
試料片Ｓ’の組織画像をディスプレイ３８３に表示する
　
（刊５ウ）図５から、試料を加工する装置３２と試料片を分析するためのＴＥＭ３３とが同一の真空チャンバー３１内に配置され、マニピュレータ３９により試料片Ｓ’が両者間を移動されていること、及び、ＴＥＭ３３の下方には、電子線を示す矢印と垂直に試料片が配置されていることが看取できる。
　
３　当審の判断
（１）対比・判断
　　ア　本願発明と引用発明との対比
　（ア）引用発明の「ＴＥＭ試料」、「微小な摘出試料」、「微小試料」及び「マイクロサンプル」は、いずれも本願発明の「サンプル」に相当する。
　（イ）引用発明の「真空容器」、「試料基板」及び「プローブ」は、それぞれ本願発明の「真空チャンバー」、「物体」及び「ニードル」に相当する。
　（ウ）ＴＥＭで試料の微細構造観察することは、ＴＥＭ試料を透過する電子により微細構造を像として観察することであるから、引用発明の「ＴＥＭ試料を作成し、ＴＥＭで試料の微細構造観察する方法」は、本願発明の「サンプルを形成してその像形成を行う方法」に相当する。
　（エ）引用発明は、ＦＩＢを用いて試料基板を加工するものであり、当該加工時に試料基板を載置する試料ステージとＦＩＢとは共に真空容器内に配置されるものであるから、引用発明において、「半導体ウェーハや半導体チップなどの試料基板３８を載置する試料ステージ３９、試料基板の一部を摘出した微小な摘出試料を固定する試料ホルダ４０等がその内部に配置されている真空容器４１を有する試料作成装置１７を用いて、前記試料基板３８表面に対するＦＩＢの照射軸を試料表面に投影した方向を一辺とする矩形にＦＩＢ１を試料基板上で走査さ」せる際には、真空容器に試料基板を入れる段階があることは明らかである。
　（オ）引用発明の「切り欠き溝１０２」及び「切り欠き溝１０３」は、いずれもトレンチであることは明らかであるから、引用発明の「前記試料基板３８表面に対するＦＩＢの照射軸を試料表面に投影した方向を一辺とする矩形にＦＩＢ１を試料基板上で走査させ、深さ方向に傾斜した深さ１５μｍの２つの角穴１０１０（図ａ）と、同様の深さ方向に傾斜した切り欠き溝１０２（図ｂ）を形成する。同様に深さ方向に溝１０３を形成して、上面を平坦な長方形とし、当該長方形の各辺において、下方に伸びる４つの側面があり、その内、短辺側の対向する側面である２面が平行となっており、長辺側の２つの側面のうち、一面を垂直にし、他面傾斜させて前記一面の下端で接続した形状の微小試料を形成し、」と、本願発明の「ｂ）前記物体から、物体断面表面が２以上の平行なトレンチに平行に形成されるように前記物体内に当該２以上の平行なトレンチを形成することによって、サンプルを形成する段階と」は、「ｂ）前記物体から、物体断面表面が２以上のトレンチによって形成されるように前記物体内に当該２以上のトレンチを形成することによって、サンプルを形成する段階」の点で一致する。
　（カ）引用発明の「次に、プローブ制御装置を駆動して、プローブ３の先端を基板上のマイクロサンプル６に接触させる。次にガスノズルから堆積性ガスを供給し、ＦＩＢ１をプローブ３の先端部を含む領域に局所的に照射し、デポ膜１０５を形成して、接触状態にある基板の分離部分とプローブ３とを接続し」は、本願発明の「ｃ）前記サンプルにニードルを取り付ける段階」に相当する。
　（キ）引用発明の「ＦＩＢ１で支持部１０４を切除することで、マイクロサンプル６は接続されたプローブ３で支持された状態とし」は、本願発明の「ｄ）前記サンプルを前記物体から除去し」に相当する。
　（ク）引用発明の「サンプルメッシュ」と本願発明の「サンプル支持体」とは、「サンプルを支持する部材」である点で一致し、引用発明において、「プローブ３を試料面上方で停止させている間に試料台（試料ステージ３９）を動作させて、マイクロサンプル６をサンプルメッシュに移動・固定」する動作においては、マイクロサンプル６をサンプルメッシュの所定の場所に並べていることは明らかである。
　したがって、引用発明の「プローブ３を試料面上方で停止させている間に試料台（試料ステージ３９）を動作させて、マイクロサンプル６をサンプルメッシュに移動・固定し」と本願発明の「前記ニードルで、前記サンプルをサンプル支持体上に並べる段階と、」「ｅ）前記サンプルを前記サンプル支持体に固定し」とは、「前記ニードルで、前記サンプルをサンプルを支持する部材上に並べる段階と、」「ｅ）前記サンプルを前記サンプルを支持する部材に固定し」との点で一致する。
　（ケ）引用発明の「ＦＩＢでプローブを切断し、微小試料から分離し」は、本願発明の「前記ニードルをサンプルから取り外し段階」に相当する。
　（コ）上記「（ウ）」で摘記したように、ＴＥＭで試料の微細構造観察することは、ＴＥＭ試料を透過する電子により微細構造を像として観察することであるから、刊行物１の「ＴＥＭ試料を作成し、ＴＥＭで試料の微細構造観察する方法」には、「電子ビームが前記サンプルの物体断面表面に入射し、前記電子ビームの少なくとも一部分が前記サンプルの少なくとも一部分を横断するようにして前記サンプルの像形成を行う段階」を有していることは明らかである。
　（サ）引用発明において、「微小試料」の形成及び「プローブ」の取り付けは、いずれも、真空容器内で行われているから、引用発明における当該事項と本願発明の「前記形成する段階、前記ニードルを取り付ける段階、及び、像形成を行う段階は前記真空チャンバー内で実行される」とは、「前記形成する段階、前記ニードルを取り付ける段階は前記真空チャンバー内で実行される」点で一致する。
　
　
　そうすると、両者は、
「サンプルを形成してその像形成を行う方法において、
　ａ）真空チャンバーに物体を入れる段階と、
　ｂ）前記物体から、物体断面表面が２以上のトレンチによって形成されるように前記物体内に当該２以上のトレンチを形成することによって、サンプルを形成する段階と、
　ｃ）前記サンプルにニードルを取り付ける段階と、
　ｄ）前記サンプルを前記物体から除去し、前記ニードルで、前記サンプルをサンプルを支持する部材上に並べる段階と、
　ｅ）前記サンプルを前記サンプルを支持する部材に固定し、前記ニードルをサンプルから取り外し段階と、
　ｆ）電子ビームが前記サンプルの物体断面表面に入射し、前記電子ビームの少なくとも一部分が前記サンプルの少なくとも一部分を横断するようにして前記サンプルの像形成を行う段階と、を備え、前記形成する段階、前記ニードルを取り付ける段階は前記真空チャンバー内で実行される方法」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願発明は、「ｂ）前記物体から、物体断面表面が２以上の平行なトレンチに平行に形成されるように前記物体内に当該２以上の平行なトレンチを形成する」のに対して、引用発明では、トレンチが平行ではない点。
　
相違点２：
　本願発明は、「サンプル支持体」にサンプルを固定して、「電子ビームが前記サンプルの物体断面表面に実質的に直角に入射し、前記電子ビームの少なくとも一部分が前記サンプルの少なくとも一部分を横断するようにして前記サンプルの像形成を行う段階と、を備え、前記形成する段階、前記ニードルを取り付ける段階、及び、像形成を行う段階は前記真空チャンバー内で実行され」ているのに対して、引用発明は、サンプルを支持した部材をＴＥＭの観察に直接用いるのか不明であり、ＴＥＭ観察において、「電子ビーム」を「物体断面表面に実質的に直角に入射」させているのか否か不明であり、また、「像形成を行う段階」が、微小試料を形成し、プローブを取り付けるのと同じ真空容器内では行われていない点。
　
　　イ　相違点についての判断
　（ア）相違点１について
　「物体から、物体断面表面が２以上の平行なトレンチに平行に形成されるように前記物体内に当該２以上の平行なトレンチを形成する」ことは、刊行物２の摘記事項（刊２ア）、（刊２イ）、刊行物１の図３、図６及び特開２００４−９５３３９号公報（周知例１）の下記事項にも記載されているように周知の事項であり、引用発明においても両方の切り溝１０２，１０３を両面とも平行なトレンチとすることは、微小試料の材料，形成する微小試料の大きさ等に応じて適宜設定し得る事項にすぎない。
　
　＜周知例＞
　周知例１：特開２００４−９５３３９号公報
　「【０００８】
続いて、図６（ａ）に示すように、ウェーハの表面の欠損部位近傍をイオンビーム１００ａで照射して大まかに加工し、さらに、その加工部分にイオンビーム１００ａを照射して仕上げ加工を行う。この加工では、イオンビーム１００ａは、ウェーハの表面に対して法線方向から照射されるので、イオンビームが照射された領域は表面が徐々に削れ、図６（ｂ）に示すような断面１０７ａを得る。・・（略）・・
【０００９】
・・（略）・・イオンビーム１００ａによる加工で、断面１０７ａが形成された部分の周りに図６（ｂ）に示すような切り込み１０７ｂ（図６（ｂ）中の破線で示している部分）を形成する。・・・」
　
　（イ）相違点２について
　　ａ　試料加工用のＦＩＢ装置と加工された試料の透過像を観察するための透過型電子顕微鏡とを組み合わせたいとの要望は、刊行物４の摘記事項（刊４ア）、刊行物６の摘記事項（刊５ア）に記載されているように周知の事項であり、刊行物６の摘記事項（刊５イ）、（刊５ウ）には、ＴＥＭ試料を加工する装置とＴＥＭとを同一の真空チャンバー内に配置して、作成した試料片をマニピュレーターで適宜両装置間を移動することも開示されている。
　引用発明も、ＴＥＭ用の試料をＦＩＢ装置において作成し、ＴＥＭ装置に供給するものであり、刊行物４の摘記事項（刊４ア）に摘記された「加工された試料を試料作成装置内から取り出し、透過型電子顕微鏡内に導入する必要があり、ＴＥＭ／ＳＴＥＭによる解析全体に費やす時間が長くなり、時間の短縮が困難であると共に、試料のハンドリングなどの負荷もかかるものであった。」と同様の課題を内在することは、当業者にとって明らかであるから、上記周知の課題のもと、引用発明の試料作成装置１７の真空容器内にＴＥＭ装置を設け、ＦＩＢで作成したマイクロサンプルをサンプルメッシュに固定したＴＥＭ試料を、そのまま当該ＴＥＭ装置に移動させＴＥＭ観察するる程度のことは、当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　
　　ｂ　そして、ＴＥＭ装置においての試料観察は、刊行物３の摘記事項（刊３イ）で摘記した図７、刊行物４の摘記事項（刊４ア）に記載されている「該薄片試料をＴＥＭ／ＳＴＥＭ観察のための透過型顕微鏡内に移動し、
電子線を薄片試料に対し垂直に照射してＴＥＭ／ＳＴＥＭ観察をしていた
　
　　ｃ　したがって、引用発明において上記ａで検討したように、サンプルを支持した部材をＴＥＭの観察に直接用いる点、「像形成を行う段階」を、微小試料を形成し、プローブを取り付けるのと同じ真空容器内で行う点、及び、ｂで検討したように、ＴＥＭ観察において、「電子ビーム」を「物体断面表面に実質的に直角に入射」させることは、刊行物３、４及び６に記載された周知事項から当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　なお、本願発明は、当審の拒絶理由に対する応答としての平成２５年１１月１９日の手続補正書において、「物体断面表面が」「サンプル支持体の表面に実質的に平行となるように」「位置される」との構成を削除し、また、電子ビームの入射による像形成についても、透過電子によるものであるのか、また、透過電子であっても、ＴＥＭ像として観察するものであるのかについては、何らの限定もなされていないことから、試料ホルダーに関して、引用発明で、図９（ｇ）〜（ｊ）のような、縦置きとした場合には、同一装置内での、仕上げ加工を行う際に、原査定において周知文献として挙げられた特開平６−２３１７２０号公報の図１のように仕上げ加工の際に電子線を横から直角に入射させ、図５（ｂ）のような透過電子像等を得るようにすることも当業者ならば容易に想到し得た事項にすぎない。
　
　（ウ）相違点１及び２に係る本願発明の発明特定事項により奏される効果について
　相違点１及び相違点２に係る本願発明の各発明特定事項により奏される相乗的な効果についても格別顕著な点は見いだせない。
　
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２〜４、６、周知例１に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。