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【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリップ上に互いに隔てて配置されると共に、照明セグメントの各々が電源端子に電気的に接続され、前記照明セグメントの各々が少なくとも１つのＬＥＤエレメントを有する複数の照明セグメント、
を有する照明ユニットであって、
前記照明セグメントの各々が、前記ＬＥＤエレメントを経る電流を制御するための制御可能な電流制限エレメントを含む少なくとも１つのドライバ回路を有する、
照明ユニット。
【請求項２】
前記照明セグメントの少なくとも１つが少なくとも１つのセグメント入力端子と少なくとも１つのセグメント出力端子とを有し、
前記照明セグメントの第１のものにおいて、前記セグメント入力端子は前記電源端子に電気的に接続され、
前記照明セグメントの他のものは、当該照明セグメントのセグメント入力端子が隣接する照明セグメントのセグメント出力端子に接続されるように配置される、
請求項１に記載の照明ユニット。
【請求項３】
前記ストリップは前記照明セグメントの間で切断可能であり、これにより、前記セグメント出力端子を隣接するセグメント入力端子から分断し、
前記切断の後に、残りの照明セグメントが前記電源端子に供給される電力により依然として動作可能である、
請求項２に記載の照明ユニット。
【請求項４】
前記残りの照明セグメントの１以上から分離された前記照明セグメントの１以上からなるグループが、前記セグメント入力端子の少なくとも１つに供給される電力により依然として動作可能である、
請求項３に記載の照明ユニット。
【請求項５】
前記制御可能な電流制限エレメントが、前記ＬＥＤエレメントを経る前記電流を制御するための制御信号回路からの制御信号により制御される、
請求項１ないし４の何れか一項に記載の照明ユニット。
【請求項６】
前記制御信号回路が定電圧信号を供給するための基準電圧エレメントを有している、
請求項５に記載の照明ユニット。
【請求項７】
前記ドライバ回路に集中制御信号を供給する中央制御ユニットを更に有する請求項５又は請求項６に記載の照明ユニット。
【請求項８】
前記照明セグメントの各々が、電源電圧を緩衝するコンデンサを有している請求項１ないし７の何れか一項に記載の照明ユニット。
【請求項９】
前記ドライバ回路が前記ＬＥＤエレメントと直列に配置された電流感知エレメントを有している請求項１ないし８の何れか一項に記載の照明ユニット。
【請求項１０】
前記照明セグメントが前記電源端子に電気的に並列に接続される請求項１ないし９の何れか一項に記載の照明ユニット。
【請求項１１】
前記照明セグメントの各々が、電気的に直列に接続された複数のＬＥＤエレメントを有する請求項１ないし１０の何れか一項に記載の照明ユニット。
【請求項１２】
前記電源端子にＤＣ電圧を供給するためのＡＣ／ＤＣ変換器を含む電源ユニットを更に有する請求項１ないし１１の何れか一項に記載の照明ユニット。
【請求項１３】
少なくとも一端に配置された電気接触子を有する長尺ハウジングエレメントを更に有し、
前記ストリップは前記長尺ハウジングエレメントに配置され、
前記電気接触子が前記電源端子に接続される、
請求項１ないし１２の何れか一項に記載の照明ユニット。
【請求項１４】
前記ハウジングエレメントは透明な又は半透明の外囲体であり、
前記ストリップが前記外囲体内に配置される、
請求項１３に記載の照明ユニット。
【請求項１５】
ソケットにＡＣ電力を供給するためのバラストを含む照明器具であって、
請求項１ないし１４の何れか一項に記載の照明ユニットが前記ソケット内に前記電源端子が前記バラストに電気的に接続されるように配置される、
照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月9日(2015.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリアダプタであって、
一つ以上のバッテリ用の受入領域を規定する、前記バッテリによって圧縮されるように構成される弾性材の一つ以上の弾性側壁を含む、弾性トレイと、
前記弾性側壁にわたって前記弾性トレイの外側の少なくとも一部のまわりに巻き付けられるフレキシブル回路とを有し、
前記フレキシブル回路が、付随装置に電力を供給する前記弾性トレイの外側に配置される一つ以上の接点の第１のセットと、前記接点の第１のセットと電気的に結合する一つ以上の接点の第２のセットとを含み、前記接点の第２のセットが前記バッテリ受入領域において前記弾性側壁の内側に配置される、バッテリアダプタ。
【請求項２】
前記弾性側壁が少なくとも一部が圧縮性ポリマーから形成される、請求項１に記載のバッテリアダプタ。
【請求項３】
前記弾性トレイが、前記付随装置への前記バッテリアダプタの位置合わせを容易にする、及び／又は前記バッテリアダプタが前記付随装置に固定されることを可能にする、一つ以上の位置合わせ機構を含む、請求項１及び２のいずれか一項に記載のバッテリアダプタ。
【請求項４】
前記機構が対向する凹部及び／又はくぼみを含み、前記付随装置が前記対向する凹部及び／又はくぼみと結合するように設定される対向する突起及び／又は戻り止めを含む、請求項３に記載のバッテリアダプタ。
【請求項５】
前記弾性トレイの前記バッテリ受入領域が一対の対向する弾性側壁を持つくぼみを含み、前記接点の第１のセットがその間に受けられるバッテリと接触するための前記対向する弾性側壁上の接点を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバッテリアダプタ。
【請求項６】
前記弾性材が、バッテリが挿入されると前記弾性材が圧縮され、前記圧縮された弾性材が前記接点を前記挿入されたバッテリと接触するように付勢するように、少なくとも前記接点の後ろの対向壁上に層を形成する、請求項５に記載のバッテリアダプタ。
【請求項７】
前記弾性トレイが前記弾性材でオーバーモールドされる剛性トレイをさらに含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のバッテリアダプタ。
【請求項８】
前記フレキシブル回路が複数のバッテリ接点を直列に電気的に結合する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のバッテリアダプタ。
【請求項９】
バッテリアダプタを製造する方法であって、
一つ以上の接点の第１のセットと、前記接点の第１のセットと電気的に結合する一つ以上の接点の第２のセットとを含むフレキシブル回路を形成するステップと、
一つ以上のバッテリ用の受入領域を規定する弾性材を含む弾性トレイを形成し、前記弾性材はバッテリが前記受入領域に挿入されるときに圧縮可能である、ステップと、
前記接点の第２のセットが前記バッテリ受入領域の中に配置され、前記接点の第１のセットが前記弾性トレイの外側に配置されるように、前記フレキシブル回路を前記バッテリ受入領域の一部の中へ前記弾性トレイの外側の少なくとも一部のまわりに巻き付けるステップとを有する、方法。
【請求項１０】
前記弾性トレイを形成するステップが、
剛性トレイを形成するステップと、
前記弾性材を前記剛性トレイにモールドして一体構造を形成するステップとを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記弾性材がシリコンを含む、請求項９及び１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記フレキシブル回路が複数の層から形成される、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記フレキシブル回路が化学的耐性のある材料から形成される、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記弾性トレイがオーバーモールド技術を用いて形成される、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記弾性トレイに前記フレキシブル回路を接着するステップをさらに有する、請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の双性イオンを含む第１の半導体ポリマーを含む電荷輸送層を含む、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
前記第１の半導体ポリマーが、少なくとも１つの双性イオン性置換基を有する第１の繰り返しユニットを含む、請求項１に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
前記双性イオン性置換基が少なくとも１つの四級アミン基を含む、請求項２に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
前記双性イオン性置換基がスルホネート基を含む、請求項２または請求項３に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記双性イオン性置換基が、少なくとも１つ、例えば２つ、３つ、４つ、５つまたはそれ以上の原子（例えば炭素）中心によって分離されたカチオン性中心およびアニオン性中心を含む、請求項２から４のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記第１の繰り返しユニットがフルオレン残基を含む、請求項２から５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記第１の繰り返しユニットが以下の構造：
【化１】
2014507782.tif 000001
式中、Ｒ１は、前記のまたはさらに別の双性イオン性置換基を含む、
を含む、請求項２から６のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
Ｒ２が、前記のまたはさらに別の異なる基、ＨまたはＣ１からＣ１０直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む、請求項７に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
Ｒ１およびＲ２が、同じ双性イオン性置換基を含む、請求項７に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
前記第１の半導体ポリマーが、第２の繰り返しユニットを含む、請求項２から９のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
前記第２の繰り返しユニットが、フルオレン残基、例えば９，９−ジオクチルフルオレンを含む、請求項１０に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１２】
前記第１の半導体ポリマーが、前記第１の繰り返しユニットおよび前記第２の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む、請求項１０または請求項１１に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１３】
前記電荷輸送層が、発光性層とカソードとの間に配置され、例えば前記電荷輸送層が、前記発光性層および／または前記カソードに直接隣接して配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
前記電荷輸送層が、光起電性層とカソードとの間に配置され、例えば前記電荷輸送層が、前記光起電性層および／または前記カソードに直接隣接して配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１５】
前記カソードが、アルミニウム、カルシウム、インジウムスズオキシド（ＩＴＯ）、金、銀から選択される１つ以上の材料を含む、請求項１３または１４に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１６】
前記電荷（例えば電子）輸送層が少なくとも１ｎｍの厚さである、請求項１から１５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１７】
前記電荷輸送層が１ｎｍから２０ｎｍの厚さである、請求項１６に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１８】
少なくとも１つの双性イオン性置換基を有する第１の繰り返しユニットを含む半導体ポリマーであって、前記双性イオン性置換基が、２つを超える原子（例えば炭素）中心により、第１のアニオン性電荷中心から分離した第１のカチオン性電荷中心を含む、該ポリマー。
【請求項１９】
前記双性イオン性置換基が、少なくとも１つの四級アミン基を含む、請求項１８に記載の半導体ポリマー。
【請求項２０】
前記双性イオン性置換基がスルホネート基を含む、請求項１８または１９に記載の半導体ポリマー。
【請求項２１】
前記第１の繰り返しユニットがフルオレン残基を含む、請求項１８から２０のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。
【請求項２２】
前記第１の繰り返しユニットが以下の構造：
【化２】
2014507782.tif 000002
式中、Ｒ１は、前記のまたはさらに別の双性イオン性置換基を含む、
を含む、請求項１８から２１のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。
【請求項２３】
Ｒ２が、第２の異なる双性イオン基、ＨまたはＣ１からＣ１０の直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む、請求項２２に記載の半導体ポリマー。
【請求項２４】
Ｒ１およびＲ２が同じ双性イオン性置換基を含む、請求項２２に記載の半導体ポリマー。
【請求項２５】
第２の繰り返しユニットを含む、請求項１８から２４のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。
【請求項２６】
前記第２の繰り返しユニットが、フルオレン残基、例えば９，９−ジオクチルフルオレンを含む、請求項２５に記載の半導体ポリマー。
【請求項２７】
前記第１の繰り返しユニットおよび前記のまたはさらに別の第２の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む、請求項２５または２６に記載の半導体ポリマー。
【請求項２８】
請求項１８から２７のいずれか一項に記載の半導体ポリマーを含む電子注入材料。
【請求項２９】
請求項１８から２８のいずれか一項に記載の半導体ポリマーを含む電子輸送材料。
【請求項３０】
少なくとも第１の共役モノマーを重合して、伝導性ポリマーを形成する工程；および
前記ポリマーを少なくとも１つの双性イオン形成反応体と反応させて、伝導性双性イオン性ポリマーを形成する工程
を含む、電気半導体双性イオン性ポリマーを製造する方法。
【請求項３１】
前記第１の共役モノマーが、少なくとも１つの三級アミン置換を含み、例えば、それによって形成された半導体ポリマーが、三級アミン置換されたポリマーを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１の双性イオン形成反応体が、例えば前記のまたはさらに別の三級アミン基と反応するための、負電荷保持種またはそれらの前駆体を含む、請求項３０または３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記負電荷保持種またはそれらの前駆体が、スルホンを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１のモノマーを、少なくとも１つのさらなるモノマー、例えばアミンを含まないモノマーと共重合させる、請求項３０から３３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３５】
前記重合が、スズキ重合を含む、請求項３０から３４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
前記重合が、ヤマモトまたはＳｔｉｌｌｅ重合を含む、請求項３０から３４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソリッドステート照明負荷への電流を制御するためのデバイスであって、
前記ソリッドステート照明負荷と並列構成で接続されたキャパシタと、
整流器回路の正の出力と、前記キャパシタと前記ソリッドステート照明負荷との前記並列構成との間に直列に接続された電流源であって、前記整流器回路によって提供される入力電圧に基づいて前記キャパシタと前記ソリッドステート照明負荷との前記並列構成に提供される入力電流の振幅を動的に変調する、当該電流源と
を備える、デバイス。
【請求項２】
前記ソリッドステート照明負荷は、直列に接続された少なくとも１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記入力電流の変調振幅は、前記ソリッドステート照明負荷の動作効率を最大化し、少なくとも最低の力率（ＰＦ）要件まで前記ソリッドステート照明負荷のＰＦを増加させる、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記入力電流の前記変調振幅は、前記電流源におけるピーク電力散逸を低減する、請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記電流源と並列に接続された、前記電流源のサージ保護を提供するツェナーダイオード
をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記電流源は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記電流源は、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
発光ダイオード（ＬＥＤ）負荷への電流を制御するためのデバイスであって、
前記ＬＥＤ負荷と並列に接続されたキャパシタと、
前記キャパシタと整流入力電圧を提供するブリッジ整流器回路との間に直列に接続されたトランジスタと、
前記キャパシタ及び前記トランジスタと並列に接続され、前記ブリッジ整流器回路から前記整流入力電圧を受信する変調制御回路であって、前記トランジスタのゲートに接続されたカレントミラーを備え、前記カレントミラーは、前記ブリッジ整流器回路からの入力電圧に基づいて前記キャパシタを通る電流の振幅を下方及び上方変調するために選択的に活性化及び不活性化される、当該変調制御回路と
を備える、デバイス。
【請求項９】
前記カレントミラーは、複数のカレントミラートランジスタを備える、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記変調制御回路は、
前記ブリッジ整流器回路と第１のノードとの間に直列に接続された第１の抵抗器及びダイオードと、
前記第１のノードとグランドとの間に接続された第１の経路であって、第２の抵抗器及び前記カレントミラーを備える、第１の経路と、
前記第１のノードとグランドとの間に接続された第２の経路であって、第３の抵抗器及び前記カレントミラーの前記カレントミラートランジスタの１つを備える、第２の経路と
をさらに備え、
前記第１の経路の選択は、前記キャパシタを通る電流の下方変調をもたらし、前記第２の経路の選択は、前記キャパシタを通る電流の上方変調をもたらす、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記変調制御回路は、
前記第１の抵抗器と前記第１のノードとの間に直列に接続されたダイオードであって、前記キャパシタを通る前記電流は、前記ダイオードによって規定された電圧閾値を前記入力電圧が超えると、上方又は下方変調される、ダイオード
をさらに備える、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記トランジスタは、ＭＯＳＦＥＴを含む、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記カレントミラートランジスタのそれぞれは、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を含む、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記変調制御回路は、
前記トランジスタとグランドとの間に直列に接続された電流分路抵抗器であって、前記トランジスタ及び前記電流分路抵抗器のゲートソース電圧は、前記トランジスタを通る電流の上限を決定する、当該電流分路抵抗器
をさらに備える、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記入力電圧を変更する前記ブリッジ整流器回路に選択的に接続可能な少なくとも１つのキャパシタ
をさらに備える、請求項８に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のリミッタを含む電子デバイスであって、前記第１のリミッタが、
ゼロより大きい内部インピーダンスを有する第１の非理想電源の第１の出力ノードから電流を引き出すことにより前記第１の出力ノードにおける電圧を制限するためにチャネルの第１の側が前記第１の出力ノードに結合され、前記第１の出力ノードにおける電圧レベルが上限に達する又は上限を超える場合に前記第１の出力ノードからキャパシタに電流を供給するように前記チャネルの第２の側が前記キャパシタに結合される、第１のトランジスタと、
第２の非理想電源の第２の出力ノードにおける電圧を制限するためにチャネルの第１の側が前記第２の出力ノードに結合され、前記第２の出力ノードにおける電圧レベルが下限に達する又は下限を下回って下がる場合に前記キャパシタから前記第２の出力ノードに電流を供給するように前記チャネルの第２の側が前記キャパシタに結合される、第２のトランジスタと、
を含む、デバイス。
【請求項２】
第１のリミッタを含む電子デバイスであって、前記第１のリミッタが、
ゼロより大きい内部インピーダンスを有する第１の非理想電源の第１の出力ノードから電流を引き出すことにより前記第１の出力ノードにおける電圧を制限するためにチャネルの第１の側が前記第１の出力ノードに結合され、前記第１の出力ノードにおける電圧レベルが上限に達する又は上限を超える場合に前記第１の出力ノードからキャパシタに電流を供給するように前記チャネルの第２の側が前記キャパシタに結合される、第１のトランジスタと、
前記第１の出力ノードにおける前記電圧を制限するためにチャネルの第１の側が前記第１の出力ノードに結合され、前記第１の出力ノードにおける電圧レベルが下限に達する又は下限を下回って下がる場合に前記キャパシタから前記第１の出力ノードに電流を供給するように前記チャネルの第２の側が前記キャパシタに結合される、第２のトランジスタと、
を含む、デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記キャパシタの電圧を制限するために前記キャパシタに結合される第２のリミッタを更に含む、デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記第１のトランジスタがＰＭＯＳトランジスタであり、前記第２のトランジスタがＮＭＯＳトランジスタである、デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記第１のトランジスタがＰＮＰトランジスタであり、前記第２のトランジスタがＮＰＮトランジスタである、デバイス。
【請求項６】
請求項２に記載のデバイスであって、
バイアスされた電源に結合される入力と前記キャパシタに結合される出力とを有するバッファを更に含み、
前記第１の非理想電源がＡＣ電源であり、
前記バッファの出力インピーダンスが、数式Ｒ＜Ｔ｜ＶＬ１−ＶＢＵＦ｜／｜Ｑ１−Ｑ２｜及びＲ＜Ｔ｜ＶＬ２−ＶＢＵＦ｜／｜Ｑ１−Ｑ２｜によって選択される出力抵抗性インピーダンスであり、
Ｒ（＝Ｚ）が前記バッファの前記出力インピーダンスであり、Ｔが前記ＡＣ電源の交流電圧の周期であり（Ｔ＝１／ｆ）、ＶＬ１が交流電圧の前記上限であり、ＶＬ２が交流電圧の前記下限であり、ＶＢＵＦがバイアスされた電源の出力電圧であり、Ｑ１が交流電圧の第１のハーフサイクルの電荷であり、Ｑ２が交流電圧の第２のハーフサイクルの電荷である、デバイス。
【請求項７】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記キャパシタの電圧を制限するために前記キャパシタに結合される第２のリミッタを更に含む、デバイス。
【請求項８】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記第１のトランジスタがＰＭＯＳトランジスタであり、前記第２のトランジスタがＮＭＯＳトランジスタである、デバイス。
【請求項９】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記第１のトランジスタがＰＮＰトランジスタであり、前記第２のトランジスタがＮＰＮトランジスタである、デバイス。
【請求項１０】
非理想電源の電圧を制限する方法であって、
前記非理想電源の第１の出力ノードにおける電圧レベルを上限まで制限するために前記第１の出力ノードから第１のトランジスタを介して電流を引き出すことと、
電荷を蓄えるために前記電流をキャパシタに供給することと、
電圧レベルが下限に達する又は下限を超える場合に前記電圧レベルを制限するように第２のトランジスタを介して前記キャパシタに蓄えられた電荷を戻すことと、
を含み、
前記キャパシタに蓄えられた電荷が前記第１の出力ノードにフィードバックされる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【表３】
2014507512.tif 000001
本開示の様々な修正及び変更は、本開示の範囲及び原理から逸脱することなく当業者には明白であり、また、本開示は、本明細書に記載した例示的な実施形態に不当に制限されるものではないと理解すべきである。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［１９］に記載する。
[１]
ポリイソシアネート、ポリオール、及びモノヒドロキシ粘着付与剤の反応生成物である、変形可能で粘着性のポリウレタンポリマー。
[２]
前記モノヒドロキシ粘着付与剤が、樹脂から誘導され得る化合物である、項目１に記載のポリマー。
[３]
前記モノヒドロキシ粘着付与剤が、ロジンから誘導され得る化合物である、項目１又は２に記載のポリマー。
[４]
前記モノヒドロキシ粘着付与剤が、樹脂酸から誘導され得る化合物である、項目１〜３のいずれか一項に記載のポリマー。
[５]
前記モノヒドロキシ粘着付与剤が、多環系である化合物である、項目１〜４のいずれか一項に記載のポリマー。
[６]
前記モノヒドロキシ粘着付与剤が、三環系である化合物である、項目１〜５のいずれか一項に記載のポリマー。
[７]
前記モノヒドロキシ粘着付与剤が、２００を超える分子量を有する、項目１〜６のいずれか一項に記載のポリマー。
[８]
前記モノヒドロキシ粘着付与剤が、２５０を超える分子量を有する、項目１〜７のいずれか一項に記載のポリマー。
[９]
前記モノヒドロキシ粘着付与剤が、ヒドロアビエチルアルコールである、項目１〜８のいずれか一項に記載のポリマー。
[１０]
前記ポリイソシアネートが、２を超える官能基を有する多官能性ポリイソシアネートである、項目１〜９のいずれか一項に記載のポリマー。
[１１]
前記ポリオールが、５００を超える分子量を有する、項目１〜１０のいずれか一項に記載のポリマー。
[１２]
前記ポリオールが、７００を超える分子量を有する、項目１〜１１のいずれか一項に記載のポリマー。
[１３]
前記ポリオールがヒドロキシル末端ポリブタジエンである、項目１〜１２のいずれか一項に記載のポリマー。
[１４]
項目１〜１３のいずれか一項に記載のポリマーと表面改質シリカナノ粒子とを含む組成物。
[１５]
項目１〜１３のいずれか一項に記載のポリマーとガラス球とを含む組成物。
[１６]
項目１〜１３のいずれか一項に記載のポリマーと繊維充填粒子とを含む組成物。
[１７]
表面改質シリカナノ粒子を更に含む、項目１５又は１６に記載の組成物。
[１８]
０．５ｍｍを超えかつ５ｍｍ未満の厚さを有する、項目１〜１３のいずれか一項に記載のポリマーを含む可撓性ガスケットテープ。
[１９]
０．５ｍｍを超えかつ５ｍｍ未満の厚さを有する、項目１４〜１７のいずれか一項に記載の組成物を含む可撓性ガスケットテープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイソシアネート、ポリオール、及びモノヒドロキシ粘着付与剤の反応生成物である、変形可能で粘着性のポリウレタンポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月8日(2014.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの生産方法であって：
第１の基材の第１の表面上に第１のポリマー層を形成し；
第１のポリマー層上または第２の基材の第１の表面上に第２のポリマー層を形成し、第１のポリマー層および第２のポリマー層の一方は解重合性ポリマー主鎖を含み；
第１のポリマー層および第２のポリマー層を介して第１の基材を第２の基材に固定的に付着させ；
第１の基材または第２の基材の一方の第２の表面を処理し；
処理後、第１のポリマー層または第２のポリマー層の一方を２００℃以下の温度で解重合させ；そして
第１の基材を第２の基材から分離する；
ことを含み、
ここで、第１のポリマー層および第２のポリマー層の一方が光酸発生剤または光増感剤を含み、第１のポリマー層または第２のポリマー層の少なくとも一方がポリラクチドを含有する、前記方法。
【請求項２】
第１の基材が半導体ウエハであり、第１のポリマー層および第２のポリマー層が、半導体ウエハの第１の表面を被覆して形成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
半導体ウエハの第１の表面が、該第１の表面の上方に伸長している金属構造体を含み、該構造体が、第１のポリマー層または第２のポリマー層の一方の形成によりコーティングされている、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
固定的な付着が、被覆する第２のポリマー層を第２の基材の第１の表面に接触させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
第２の基材がガラス基材である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
処理後、第２のポリマー層を解重合させる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第１のポリマー層および第２のポリマー層が、第１の基材の第１の表面を被覆して形成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
処理後、第１のポリマー層を分解する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
光酸発生剤または光増感剤の一方が、（トリス（４−（４−アセチルフェニルチオ）フェニル）スルホニウムトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第１のポリマー層または第２のポリマー層の一方を解重合させることが、該層を光酸の発生に有効な化学線に暴露し、第１のポリマー層または第２のポリマー層を解重合させるのに有効な温度に加熱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
第１のポリマー層または第２のポリマー層の一方を解重合させることが、該層を、第１のポリマー層または第２のポリマー層を解重合させるのに有効な温度に暴露することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法により生産される半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム状シート、
前記シートの一表面上に配置される第１接着層、及び
前記シートの他方の表面上に配置される第２接着層を含み、
前記第２接着層の剪断強度は、温度が６０℃であり、アルミニウムストリップ及びＳＵＳパネルが使用され、クロスヘッド速度が１０ｍｍ／分であるという条件下において、約０．０５ｋｇ／ｉｎ２（０．７６ｋＰａ）〜約１６ｋｇ／ｉｎ２（２４３ｋＰａ）である、両面接着テープ。
【請求項２】
前記第１接着層の前記剪断強度が、前記第２接着層の前記剪断強度以上である、請求項１に記載の両面接着テープ。
【請求項３】
前記剪断強度は、温度が６０℃であり、アルミニウムストリップ及びＳＵＳパネルが使用され、クロスヘッド速度が１０ｍｍ／分であるという前記条件下で、約１ｋｇ／ｉｎ２（１５．２ｋＰａ）未満である、請求項１に記載の両面接着テープ。
【請求項４】
光透過率が９０％超である、請求項１に記載の両面接着テープ。
【請求項５】
ディスプレイパネル、
前記ディスプレイパネルのディスプレイ表面に配置される両面接着テープ、及び
前記両面接着テープ上に配置される透明プレートを含み、
前記両面接着テープが、請求項１に記載の両面接着テープである、ディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月26日(2015.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リサイクルの目的のための、多層系（１、５）を分離するための分離流体であって、分離流体が、有機構成成分、水の構成成分、及び少なくとも一つの界面活性剤を含むナノスケール分散体であることを特徴とする、分離流体。
【請求項２】
ナノスケール分散体中の水の構成成分が、少なくとも６０質量パーセントの濃度を有することを特徴とする、請求項１に記載した分離流体。
【請求項３】
界面活性剤が、陰イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、又はそれらの組合せからなる群から選択した界面活性剤であることを特徴とする、請求項１に記載した分離流体。
【請求項４】
分離流体が、少なくとも一つの非イオン性界面活性剤、並びに陰イオン性界面活性剤、及び両性界面活性剤からなる群からの１つもしくは複数の界面活性剤を含む分離流体であることを特徴とする、請求項３に記載した分離流体。
【請求項５】
ナノスケール分散体中の非イオン性界面活性剤が、２質量パーセント〜１２質量パーセントの範囲の濃度を有することを特徴とする、請求項３又は４のいずれか一項に記載した分離流体。
【請求項６】
ナノスケール分散体中の陰イオン性界面活性剤、及び／又は両性界面活性剤が、１０質量パーセント以下の濃度を有することを特徴とする、請求項３〜５のいずれか一項に記載した分離流体。
【請求項７】
非イオン性界面活性剤が、１２〜１３の間のＨＬＢ値を有することを特徴とする、請求項３〜６のいずれか一項に記載した分離流体。
【請求項８】
ナノスケール分散体が分散を安定化するヒドロトロープを更に含むことを特徴とする、請求項１または２に記載した分離流体。
【請求項９】
ヒドロトロープが短鎖極性有機分子を含むことを特徴とする、請求項８に記載した分離流体。
【請求項１０】
ヒドロトロープが有機酸、又は有機酸の塩を含むことを特徴とする、請求項８又は９のいずれか一項に記載した分離流体。
【請求項１１】
ナノスケール分散体が共界面活性剤を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載した分離流体。
【請求項１２】
共界面活性剤が短鎖アルコールを含むことを特徴とする、請求項１１に記載した分離流体。
【請求項１３】
共界面活性剤が、エチルヘキサノール、及び／又はアルキルモノグリコールエーテルを含むことを特徴とする、請求項１１に記載した分離流体。
【請求項１４】
分離流体がｐＨ値を上昇させる塩基性の構成成分を更に含むことを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載した分離流体。
【請求項１５】
リサイクルの目的で、多層系（１、５）を分離するための、請求項１〜１４のいずれか一項に記載した分離流体の使用。
【請求項１６】
リサイクルの目的で、多層系（１、５）を分離するための、請求項１〜３のいずれか一項に記載した分離流体を用いた洗浄を含む方法であって、分離流体を使用して、層の材料が分離流体中に本質的に溶解しないように、多層系の個々の又はいくつかの層の少なくとも一部を除去することを特徴とする、方法。
【請求項１７】
分離する多層系を容器（１１、１２、１３）内に入れることによって、分離流体を含む容器内で、洗浄を行うことを特徴とする、請求項１６に記載した方法。
【請求項１８】
容器（１１、１２、１３）が回転して相対動作を生じることを特徴とする、請求項１７に記載した方法。
【請求項１９】
分離流体と多層系との間に相対動作が存在し、相対動作が、分離流体を撹拌することによって生じる、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載した方法。
【請求項２０】
容器（１１、１２、１３）内で、分離流体を撹拌、及び／又は運搬することによって相対動作を発生させることを特徴とする、請求項１７〜１９のいずれか一項に記載した方法。
【請求項２１】
容器（１１、１２、１３）が振動するよう作られていることを特徴とする、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載した方法。
【請求項２２】
洗浄を向流法で行うことを特徴とする、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載した方法。
【請求項２３】
洗浄の前に、多層系を機械的に細断、及び／又はサイズによって選別する（４）ことを特徴とする、請求項１６〜２２のいずれか一項に記載した方法。
【請求項２４】
多層系の１つあるいは複数の層に浸透性の欠陥を生じさせることを特徴とする、請求項１６〜２３のいずれか一項に記載した方法。
【請求項２５】
分離流体の効果の下、多層系の構成要素を含むチャージした分離流体から分離した多層系の構成要素の分離（１４）を、洗浄の後に行うことを特徴とする、請求項１６〜２４のいずれか一項に記載した方法。
【請求項２６】
分離（１４）が、非鉄構成要素（１７）への分離を伴って行うことを特徴とする、請求項２５に記載した方法。
【請求項２７】
分離（１４）が、ガラス（１８）及び／又はアルミニウム（１９）、並びに貴金属（１５）及び／又はプラスチック層（１６）への分離を伴って行うことを特徴とする、請求項２５に記載した方法。
【請求項２８】
分離した多層系の構成要素を保持する濾過法によって分離を行うことを特徴とする、請求項１６に記載した方法。
【請求項２９】
洗浄の後、分離流体を回収し、及び再利用することを特徴とする、請求項１６〜２５のいずれか一項に記載した方法。
【請求項３０】
請求項１６〜２９のいずれか一項に記載した方法を実施するための設備であって、分離される多層系（１、５）を保持するための少なくとも一つの容器（１０、１２、１３）および請求項１〜６のいずれか一項に記載した分離流体を含む、設備。
【請求項３１】
容器（１１、１２、１３）が回転ドラムを有することを特徴とする、請求項３０に記載した設備。
【請求項３２】
設備が運搬装置を有して、相対動作を生じ、並びに分離する多層系を挿入及び取出すことを特徴とする、請求項３０〜３１のいずれか一項に記載した設備。
【請求項３３】
容器（１１、１２、１３）が、振動を適用するための手段を備えた板状の平面を有することを特徴とする、請求項３０〜３２のいずれか一項に記載した設備。
【請求項３４】
請求項３０〜３３のいずれか一項に記載した設備であって、分離ユニット（１４）を更に含む設備。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラ−フェニレンジアミン、５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾイミダゾール、およびテレフタロイルジクロリドの共重合から得られるコポリマーを含んでなる未乾燥繊維中の水を低減する方法であって、前記方法が、
（ａ）前記繊維の含水量が前記繊維の２０質量パーセント以下になるまで、少なくとも２０℃から１００℃未満に前記未乾燥繊維を加熱する工程と
（ｂ）前記繊維を少なくとも３５０℃の温度にさらに加熱する工程とを備える方法。
【請求項２】
パラ−フェニレンジアミン、５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾイミダゾール、およびテレフタロイルジクロリドの共重合から得られるコポリマーを含んでなるフィラメントを生成する方法であって、前記方法は、連続プロセスにおいて以下の工程、
（ａ）前記コポリマーの硫酸溶液から凝固浴中でフィラメントを紡糸する工程と、
（ｂ）前記フィラメントを１種もしくは複数種の（ｉ）洗浄流体および（ｉｉ）中和液と接触させて未乾燥繊維を形成する工程と、
（ｃ）前記繊維の前記含水量が、前記繊維の２０質量パーセント以下になるまで、前記未乾燥繊維を少なくとも２０℃から１００℃未満に加熱する工程とを有し、
前記繊維が、追加の連続工程もしくは別個の工程で少なくとも３５０℃の温度に、さらに加熱される方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
実施例３
少なくとも０．１ｇｐｄの張力を用いて糸条を乾燥した後、１ｇｐｄ未満の張力を用いて同一糸条を熱処理して、同様な結果を伴い、実施例１と実施例２を繰り返すことが可能である。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕パラ−フェニレンジアミン、５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾイミダゾール、およびテレフタロイルジクロリドの共重合から得られるコポリマーを含んでなる未乾燥繊維中の水を低減する方法であって、前記方法が、
（ａ）前記繊維の含水量が前記繊維の２０質量パーセント以下になるまで、少なくとも２０℃から１００℃未満に前記未乾燥繊維を加熱する工程と
（ｂ）前記繊維を少なくとも３５０℃の温度にさらに加熱する工程とを備える方法。
〔２〕前記工程（ａ）および（ｂ）が、連続プロセスの一部である前記〔１〕に記載の方法。
〔３〕前記繊維の硫黄含有量が、０．１質量パーセントより多い前記〔１〕または〔２〕に記載の方法。
〔４〕工程（ａ）において、前記繊維を少なくとも３０℃に加熱する前記〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の方法。
〔５〕工程（ａ）において、前記繊維を少なくとも４０℃に加熱する前記〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の方法。
〔６〕工程（ａ）において、前記含水量が１４質量パーセント以下になるまで、前記繊維を加熱する前記〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の方法。
〔７〕工程（ａ）が、１８０秒未満で実施される前記〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の方法。
〔８〕工程（ｂ）において、前記フィラメントを４００℃より高い温度で加熱する前記〔１〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の方法。
〔９〕５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾイミダゾールのモル数とパラ−フェニレンジアミンのモル数との比が、３０／７０〜８５／１５である前記〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１０〕５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾイミダゾールのモル数とパラ−フェニレンジアミンのモル数との前記比が、４５／５５〜８５／１５である前記〔９〕に記載の方法。
〔１１〕前記加熱が、前記フィラメントを加熱ガスに接触させることにより、達成される前記〔１〕〜〔１０〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１２〕工程（ａ）において、前記フィラメントを炉内で加熱する前記〔１〕〜〔１１〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１３〕（ｉ）前記フィラメントを高温面および（ｉｉ）加熱ガスに接触させることにより、前記フィラメントを加熱する前記〔１〕〜〔１１〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１４〕前記繊維を、炉内で前記加熱ガスに接触させる前記〔１３〕に記載の方法。
〔１５〕前記フィラメントを高温面に接触させることにより、前記フィラメントを加熱する前記〔１〕〜〔１０〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１６〕（ａ）パラ−フェニレンジアミンおよび５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾイミダゾールのモル数と（ｂ）テレフタロイルジクロリドのモル数との比が、０．９〜１．１である前記〔１〕〜〔１５〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１７〕工程（ａ）において、前記フィラメントを少なくとも０．１ｇｐｄの張力下で加熱する前記〔１〕〜〔１６〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１８〕工程（ｂ）において、前記フィラメントを１ｇｐｄ以下の張力下で加熱する前記〔１〕〜〔１７〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１９〕パラ−フェニレンジアミン、５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾイミダゾール、およびテレフタロイルジクロリドの共重合から得られるコポリマーを含んでなるフィラメントを生成する方法であって、前記方法は、連続プロセスにおいて以下の工程、
（ａ）前記コポリマーの硫酸溶液から凝固浴中でフィラメントを紡糸する工程と、
（ｂ）前記フィラメントを１種もしくは複数種の（ｉ）洗浄流体および（ｉｉ）中和液と接触させて未乾燥繊維を形成する工程と、
（ｃ）前記繊維の前記含水量が、前記繊維の２０質量パーセント以下になるまで、前記未乾燥繊維を少なくとも２０℃から１００℃未満に加熱する工程とを有し、
前記繊維が、追加の連続工程もしくは別個の工程で少なくとも３５０℃の温度に、さらに
加熱される方法。
〔２０〕工程（ｃ）において、前記繊維を少なくとも３０℃に加熱する前記〔１９〕に記載の方法。
〔２１〕工程（ｃ）において、前記繊維を少なくとも４０℃に加熱する前記〔１９〕に記載の方法。
〔２２〕工程（ｃ）において、前記含水量が１４質量パーセント以下になるまで、前記繊維を加熱する前記〔１９〕〜〔２１〕のいずれか一項に記載の方法。
〔２３〕工程（ｃ）が、１８０秒未満で実施される前記〔１９〕〜〔２２〕のいずれか一項に記載の方法。
〔２４〕工程（ｃ）において、前記フィラメントを少なくとも０．１ｇｐｄの張力下で加熱する前記〔１９〕〜〔２４〕のいずれか一項に記載の方法。
〔２５〕最終工程において、前記フィラメントを１ｇｐｄ以下の張力下で加熱する前記〔１９〕〜〔２４〕のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月20日(2015.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に垂直方向に配向された基板を処理するための基板処理システム（１００，２００，５００）であって、
第１の処理領域を有し、第１の材料を含む第１の層を堆積するように適合された、第１の処理チャンバ（１０１）と、
第２の処理領域を有し、前記第１の層の上に第２の材料を含む第２の層を堆積するように適合された、第２の処理チャンバ（１０２）と、
第３の処理領域を有し、前記第２の材料を含む層を堆積するように適合された、第３の処理チャンバ（１０３）と、
それぞれ前記第１のチャンバ（１０１）、前記第２のチャンバ（１０２）、および前記第３のチャンバ（１０３）との間に実質的に線形の搬送経路（１５１，１５２，１５３）を提供する移送チャンバ（１１１）と、
第１および第２の搬送トラック（１６３，１６４，５６３，５６４）を備えるさらなるチャンバ（１２１，１２２，５２１）であって、前記第１および前記第２の搬送トラック（１６３，１６４，５６３，５６４）の少なくとも一方が、前記第１の処理チャンバ（１０１）との間に実質的に線形の搬送経路を形成する、さらなるチャンバ（１２１，１２２，５２１）と、
前記第１の搬送トラック（１６３，５６３）から前記第２の搬送トラック（１６４，５６４）へおよびその逆方向へ前記基板を横方向に変位するように構成された少なくとも１つの横方向変位機構（３１０，３２０）と
を備え、
前記第１のチャンバ（１０１）は、前記移送チャンバ（１１１）から前記基板を受けるように、および前記第１の材料を含むさらなる層を堆積するように適合された、基板処理システム（１００，２００，５００）。
【請求項２】
前記移送チャンバ（１１１）は、回転モジュールである、請求項１に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項３】
直列処理システム部分を備える、請求項１または２に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項４】
前記少なくとも１つの横方向変位機構（３１０，３２０）は、以下のチャンバ、すなわち前記さらなるチャンバ（１２１，１２２，５２１）、前記第１のチャンバ（１０１）、前記第２のチャンバ（１０２）、前記第３のチャンバ（１０３）、および前記移送チャンバ（１１１）の中の少なくとも１つの中に配設される、請求項１から３のいずれか一項に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項５】
前記第１および前記第２の搬送トラック（１６３，１６４，５６３，５６４）のそれぞれのさらなる部分を備える少なくとも１つのロードロックチャンバ（１２２，５２２）をさらに備え、前記さらなる部分は、前記さらなるチャンバ（１２１，５２１）内の前記第１および前記第２の搬送トラック（１６３，１６４，５６３，５６４）の延長部に提供される、請求項１から４のいずれか一項に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項６】
さらなる処理領域を有し、第３の材料を含むさらなる層を堆積するように適合された、少なくとも１つのさらなるチャンバ（２０４，２０５）をさらに備え、前記少なくとも１つのさらなるチャンバ（２０４，２０５）は、前記移送チャンバ（１１１）に連結される、請求項１から５のいずれか一項に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項７】
前記少なくとも１つのさらなるチャンバ（２０４，２０５）は、少なくとも２つのさらなるチャンバ（２０４，２０５）であり、これらのチャンバはそれぞれ、前記第３の材料を含む前記層を堆積するように適合される、請求項６に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項８】
前記第１の材料は、モリブデン、モリブデン合金、白金、白金合金、金、金合金、チタン、チタン合金、銀、および銀合金からなる群より選択される、請求項１から７のいずれか一項に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項９】
前記さらなるチャンバ（１２１，１２２）は、第３の搬送トラック（２６５）を備える、請求項１から８のいずれか一項に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項１０】
前記第１の搬送トラック（１６３，５６３）は、搬送方向に案内するための複数の案内要素を備え、前記第２の搬送トラック（１６４，５６４）は、前記搬送方向に案内するための複数の案内要素を備え、前記第１の搬送トラック（１６３，５６３）の前記案内要素および前記第２の搬送トラック（１６４，５６４）の前記案内要素は、第１の案内位置および第２の案内位置が前記搬送方向に対して垂直である方向に変位されるように、前記案内位置のそれぞれに対して適合される、請求項１から９のいずれか一項に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項１１】
前記第１の搬送トラック（１６３，５６３）の前記案内要素および前記第２の搬送トラック（１６４，５６４）の前記案内要素は、前記搬送方向に沿って交互に設けられる、請求項１０に記載のシステム（１００，２００，５００）。
【請求項１２】
第１の処理チャンバ（１０１）、第２の処理チャンバ（１０２）、および第３の処理チャンバ（１０３）を有する基板処理システム（１００）において層スタックを堆積する方法であって、
実質的に垂直方向に配向された基板の上で前記第１の処理チャンバ（１０１）内において第１の材料を含む第１の層を堆積すること（４０２）と、
前記第２の処理チャンバ（１０２）および前記第３の処理チャンバ（１０３）から選択される一方のチャンバ内において第２の材料を含む第２の層を堆積すること（４０４，４０５）であって、前記第２の処理チャンバ（１０２）および前記第３の処理チャンバ（１０３）は、実質的に交互に使用される、第２の層を堆積すること（４０４，４０５）と、
前記第１の処理チャンバ（１０１）内において前記第１の材料を含む第３の層を堆積すること（４０６）であって、前記第１の処理チャンバ（１０１）、前記第２の処理チャンバ（１０２）、および前記第３の処理チャンバ（１０３）は、実質的に線形の搬送経路（１５１，１５２，１５３）で移送チャンバ（１１１）に連結される、第３の層を堆積すること（４０６）と、
第１の搬送トラック（１６３，５６３）と第２の搬送トラック（１６４，５６４）との間において基板を横方向に変位させることと
を含む、方法。
【請求項１３】
別の基板上の前記第２の層が堆積される間に、第１の基板上の前記第１の層は堆積される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の搬送トラック（１６３，５６３）および前記第２の搬送トラック（１６４，５６４）の上にまたは上から２つの基板を同時に移送することをさらに含む、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の材料は、モリブデン、モリブデン合金、白金、白金合金、金、金合金、チタン、チタン合金、銀、および銀合金からなる群より選択される、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。