【事件の表示】
平成　８年特許願第３５３９３５号「半導体装置の配線形成方法」拒絶査定に対する審判事件［　平成　９年１１月２８日出願公開、特開平　９−３０６９９３                        ］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成８年１２月１９日（パリ条約による優先権主張１９９６年５月１６日、大韓民国）の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１０年２月１３日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（なお、平成１０年８月４日付けの手続補正書は却下された。）
「下部導電層の形成された基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
　前記第１絶縁層を選択的に除去してコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを含む領域にシード層を形成する工程と、
　前記シード層を含んだ第１絶縁層上に第２絶縁層を形成した後第２絶縁層を選択的に除去して、前記コンタクトホールから延長される上部導電層パターンを形成する工程と、
　前記シード層をシードとしたＭＯＣＶＤ方法を用いて前記コンタクトホールと上部導電層のパターンにアルミニウムを形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の配線形成方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平２−１８９５０号公報（以下、「引用例１」という）には、
「半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、前記半導体基板の全面に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、前記拡散層に対応したコンタクトホールを前記第１の層間絶縁膜に開孔する工程と、配線材料の成長核種となる材料から成る下地膜を全面に形成する工程と、前記下地膜を配線パターンに従いパターニングする工程と、全面に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線パターンに従い前記第２の層間絶縁膜をパターニングして前記下地膜の表面を露出させる工程と、露出した前記下地膜上にのみ選択的に前記配線材料を成長させて配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項２）、
「前記下地膜が多結晶シリコンであり、前記配線材料がタングステン、アルミニウム、モリブデン、タングステンシリサイドのいずれかの材料から成ることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項４）、
「前記下地層が、タングステン、アルミニウム、チタンのいずれかの材料から成ることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項５）が、第１図、第２図と共に記載されている。
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である　Thin　Solid　Films２６２（１９９５）p.５２−p.５９（以下、「引用例２」という）の、第５８頁右欄第４〜３１行及びFig.４には、
　導電層（Ｍ１）の形成された基板上に絶縁層を形成する工程と、
　前記絶縁層を選択的に除去してヴィア（via）を形成する工程と、
　前記ヴィアに導電性物質を充填する工程と、
　前記ヴィアに充填された導電性物質上を含む前記基板の全面にＴｉＮ／Ｗという積層膜（bilayer）を堆積（deposit）して核生成層（nucleation　layer）を形成する工程と、
　前記核生成層を含んだ前記絶縁層上にＰＴＥＯＳを形成した後前記ＰＴＥＯＳを選択的に除去して、前記ヴィアから延長され、前記ヴィアよりも広い幅を有するトレンチを形成する工程と、
　ＭＯＣＶＤ方法を用いて前記トレンチ内の前記核生成層上にＣｕを形成する工程と、
　前記ＰＴＥＯＳを除去した後、前記Ｃｕをマスクとして用いて露出された核生成層を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の配線形成方法が、記載されているものと認められる。
3.対比
　本願第１発明と引用例２に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「下部導電層」、「第１絶縁層」、「コンタクトホール」、「シード層」、「第２絶縁層」、「上部導電層パターン」は、引用例２の「導電層（Ｍ１）」、「絶縁層」、「ヴィア（via）」、「核形成層（nucleation　layer）」、「ＰＴＥＯＳ」、「トレンチ」に相当し、また、本願第１発明の「アルミニウム」も引用例２に記載された発明の「Ｃｕ」も導電層であることで一致する。
　従って、本願第１発明と引用例２に記載された発明は、
「下部導電層の形成された基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
　前記第１絶縁層を選択的に除去してコンタクトホールを形成する工程と、
　シード層を形成する工程と、
　前記シード層を含んだ第１絶縁層上に第２絶縁層を形成した後第２絶縁層を選択的に除去して、前記コンタクトホールから延長される上部導電層パターンを形成する工程と、
　前記シード層をシードとしたＭＯＣＶＤ方法を用いて上部導電層のパターンに導電層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の配線形成方法。」である点で一致し、
　導電層が、本願第１発明では「アルミニウム」であるのに対して、引用例２に記載された発明では「Ｃｕ」である点（相違点１）、
　シード層の形成を、本願第１発明では「コンタクトホールを含む領域」におこなうのに対して、引用例２に記載された発明では「ヴィアに充填された導電性物質上を含む」基板の全面におこなう点（相違点２）
　シード層をシードとしたＭＯＣＶＤ方法を用いて導電層を形成するのが、本願第１発明では「コンタクトホールと上部導電層のパターン」であるのに対して、引用例２に記載された発明では「トレンチ」である点（相違点３）
において相違する。
4．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　半導体装置の配線形成において、「アルミニウム」は導電層形成材料として慣用されており、「Ｃｕ」に代えて「アルミニウム」を採用することは当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。
（相違点２及び相違点３について）
　引用例１の「半導体基板の表面に形成された拡散層」、「第１の層間絶縁膜」、「コンタクトホール」、「配線材料の成長核種となる材料からなる下地層」、「第２の層間絶縁膜」、「第２の層間絶縁膜のパターニング」は、それぞれ本願第１発明の「下部導電層」、「第１絶縁層」、「第１コンタクトホール」、「シード層」、「第２絶縁層」、「第２コンタクトホール」に相当する。また、引用例１の「配線材料」と本願第１発明の「アルミニウム」は、それぞれ「導電層」である点で共通する。そして、シード層上に配線材料を形成する手段として、ＭＯＣＶＤ法は慣用の手段である。
　すなわち、当業者であれば、引用例１から、下部導電層の形成された基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
　前記第１絶縁層を選択的に除去して第１コンタクトホールを形成し、前記第１コンタクトホールを含む前記基板の全面にシード層を形成する工程と、
　前記シード層を含んだ前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成した後前記第２絶縁層を選択的に除去して、前記第１コンタクトホールから延長され、前記第１コンタクトホールよりも広い幅を有する第２コンタクトホールを形成する工程と、
　前記シード層をシードとしたＭＯＣＶＤ方法を用いて前記第１コンタクトホール及び第２コンタクトホール内に配線材料を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の配線形成方法を読みとることができる。
　従って、引用例２に記載された発明と引用例１に記載された発明は、いずれも、
　下部導電層の形成された基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
　前記第１絶縁層を選択的に除去して第１コンタクトホールを形成する工程と、
　シード層を形成する工程と、
　前記シード層を含んだ前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成した後前記第２絶縁層を選択的に除去して、前記第１コンタクトホールから延長され、前記第１コンタクトホールよりも広い幅を有する第２コンタクトホールを形成する工程と、
　前記シード層をシードとしたＭＯＣＶＤ方法を用いて配線材料を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の配線形成方法である点で、技術分野を共通するものといえる。
　従って、引用例２に記載された発明において、ヴィアに導電性物質を充填した後に核形成層を形成し、トレンチのみに第２の導電層を形成することに代えて、ヴィアを含む基板の全面に核形成層を形成し、前記ヴィア及びトレンチに第２の導電層を形成するようにすること、すなわち、シード層の形成を、「コンタクトホールを含む領域」におこない、シード層をシードとしたＭＯＣＶＤ方法を用いて「コンタクトホールと上部導電層のパターン」に導電層を形成するようにすることは当業者が容易になし得たことであると認められる。
　したがって、上記各相違点は当業者が前記各引用例から容易に想到し得たことと認められる。
　また、本願第１発明は、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。