【事件の表示】
　特願２００６−３３２１６３「炭化珪素半導体装置、炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体及び炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１９日出願公開、特開２００７−１８４５７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１８年１２月８日（優先日：平成１７年１２月８日、出願番号：特願２００５−３５４２８１号）の出願であって、平成２４年１２月２８日付けの拒絶査定に対し、平成２５年４月５日に拒絶査定不服審判が請求がされるとともに手続補正書が提出されたものであり、その請求項１〜３５に係る発明は、平成２５年４月５日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１９に係る発明（以下「本願発明１９」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１９に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１９】
　炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体であって、
　前記遷移金属シリサイド中の炭素の含有濃度が珪素の含有濃度よりも低く、且つ前記遷移金属シリサイド中の炭素濃度が炭化珪素基板から離れる方向に沿って減少するか、または、前記遷移金属シリサイドの前記金属膜と接する部分における炭素原子濃度が３０ａｔ％以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体。」
　
２　特許法第４１条に基づく優先権主張について
　本願は、特願２００５−３５４２８１号（出願日：平成１７年１２月８日。以下「先の出願」という。）を基礎とする優先権を主張するものである。
　
　そして、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」といい、また、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面をまとめて「当初明細書等」という。）には、その当初明細書に、「炭素低含有シリサイド電極５２と上部導体膜３とが、炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体を構成する。」（段落【００７０】）、「この部分を除けば、シリサイド電極中の炭素濃度が基板から離れる方向へ沿って減少している。」（段落【００６０】）、「この表面における炭素原子濃度は３０％以下であるとよく」（段落【００６９】）と記載されており、本願発明１９について記載されているものと認められるものの、先の出願の当初明細書等に、本願の当初明細書のこれらの当該段落の上記記載に対応する記載を見出すことはできない。
　また、本願の当初明細書の段落【００６０】、【００６１】、【００６５】〜【００６９】には、本願の請求項２０〜３５に係る発明について記載されているものと認められるものの、先の出願の当初明細書等に、本願の当初明細書のこれらの当該段落の記載に対応する記載を見出すことはできない。
　
　したがって、本願の特許請求の範囲に記載された請求項１〜３５に係る発明のうち、請求項１９〜３５に係る発明については、先の出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載されていない。
　よって、本願は、特許法第４１条に基づく優先権を主張するものであるが、本願発明１９についての特許法第２９条の規定の適用について、本願が先の出願の時にされたものとみなすことはできない。
　
３　引用例の記載と引用発明
（１）引用例：特開２００６−２４８８０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−２４８８０号公報（以下「引用例」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜１５とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加した。） 
　
ア　「【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素層を有する半導体装置及びその製造方法に関する。」
　
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
　上述したように、従来方法によると、炭化珪素層と良好なオーミック接合を形成するオーミック電極が得られるが、そのオーミック電極に配線材料などからなる厚膜電極を接続させると、厚膜電極とオーミック電極との密着性が低く、厚膜電極がオーミック電極表面から剥離しやすいという問題がある。
【００１３】
　本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、炭化珪素層を有する半導体装置において、炭化珪素層に対する良好なコンタクトを確保しつつ、炭化珪素層に接続された電極の剥離を抑制することである。」
　
ウ　【発明の効果】
【００３５】
  本発明によると、炭化珪素層表面に反応層およびシリサイド層からなる合金層を形成した後、反応層表面を露出させ、その露出した反応層表面に電極層を形成する。そのため、電極層と炭化珪素層とを反応層を介して良好に接合できるだけでなく、
炭化珪素層の炭素が電極層まで拡散されることを抑制できる
　
エ　「【００３７】
　以下、図面を参照しながら、
本発明における電極の形成方法
【００３８】
　まず、図１（ａ）に示すように、炭化珪素層１１の表面に、例えばＮｉを用いて導電層２１を形成する。
【００３９】
　続いて、導電層２１が堆積された炭化珪素層１１に対して、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。熱処理は、例えば約１０００℃の温度で２分間行う。このような熱処理を行うと、図１（ｂ）に示すように、導電層２１に含まれる導電材料の構成元素（例えばＮｉ）の一部は炭化珪素層１１へ拡散し、同時に、
炭化珪素層１１に含まれる
炭素原子の一部は導電層２１へ拡散
【００４０】
　その結果、図１（ｃ）に示すように、導電層２１と炭化珪素層１１との界面に反応層１２が形成される。
反応層１２は、炭化珪素中に導電層２１の導電材料の構成元素が拡散して形成されたシリサイド層
被エッチング層２３は、導電材料の構成元素の他に、炭化珪素層１１から拡散した珪素や炭素を含んでいる
【００４１】
　この後、図１（ｄ）に示すように、
反応層１２の上にある被エッチング層２３を選択的に除去
【００４２】
　次いで、図１（ｅ）に示すように、反応層１２の上に、第１電極層１３および第２電極層１４を形成する。第１電極層１３は例えばＮｉ層であり、第２電極層１４は例えばＡｌ層である。ここでは、第１電極層１３の材料として、反応層１２を形成するために用いる金属と同じ金属（Ｎｉ）を用いているが、第１電極層１３の材料と反応層１２を形成するために用いる金属とは異なっていてもよい。
【００４３】
　第１電極層１３および第２電極層１４は、Ｎｉ膜およびＡｌ膜を堆積した後、これらの積層膜をパターニングすることによって形成してもよい。この場合、Ｎｉ膜およびＡｌ膜を、例えば薄膜堆積装置の反応室内で、大気雰囲気に曝すことなく、連続して堆積させることが好ましい。なお、配線材料として機能する材料（Ａｌ、Ａｕなど）を用いて第１電極層１３を形成する場合、第２電極層１４が形成されなくてもよい。
【００４４】
…（略）…
【００４５】
　上述した電極の形成方法によると、図１５を参照しながら説明した従来の電極形成方法と比べて、以下のようなメリットがある。
【００４６】
　図１５を参照しながら説明した従来の電極形成方法によると、第１電極層（図１５のオーミック電極１０３）の材料は、炭化珪素層１１に対してオーミック接合を形成できる材料（例えばＮｉ、Ａｌ）などに限定されてしまう。これに対し、上記方法によると、反応層１２を形成するために用いる導電材料と、第１電極層１３の材料とを別個に選択できるので、第１電極層１３の材料の選択の幅が拡がる。第１電極層１３の材料として、例えばＮｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、またはこれらの金属を含む合金などの種々の導電材料を用いることができる。
【００４７】
　第１電極層１３の材料として、配線としても機能できるＡｌ、Ａｕなどの材料や、ダイボンディングに適した材料を用いると、第１電極層１３を用いてワイヤボンディングやダイボンディングを実現できるので、第２電極層１４を省略できる。この場合、電極層の剥離を防止できるとともに、製造プロセスを簡略化できるので有利である。
【００４８】
　また、上記方法によると、反応層１２を形成するための熱処理は、第１電極層１３を形成する前に行われ、第１電極層１３を形成した後には、そのような高温（温度：例えば１０００度以上）の熱処理を行う必要がない。従って、
炭化珪素層１１に含まれる炭素が熱処理によって拡散し、第１電極層１３に導入することを抑制
第１電極層１３の表面
における炭素濃度も低減できる
これにより、第１電極層１３と第２電極層１４との密着性が確保
　
オ　「【００５１】
　本発明者らは、図１（ｃ）に示すような反応層１２および被エッチング層２３をさらに詳しく調べるために、被エッチング層２３の表面から深さ方向における珪素、炭素および導電材料を構成する元素（ここではＮｉ）の濃度プロファイルを測定したので、その方法および結果を説明する。
【００５２】
　まず、炭化珪素層１１の上に厚さが３００ｎｍの
Ｎｉ層を形成し
熱処理を行う
これにより
反応層１２および被エッチング層２３が形成
【００５３】
　次いで、オージェ電子分光法により、
反応層１２および被エッチング層２３が形成された炭化珪素層１１の深さ方向における珪素、炭素およびＮｉの濃度プロファイル
【００５４】
　測定結果を図９（ａ）に示す。
図９（ａ）の横軸は被エッチング層２３の表面からの深さ
被エッチング層２３と反応層１２との界面は、深さが４００〜６００ｎｍの範囲内にあり、反応層１２と炭化珪素層１１との界面は、深さが５００〜７００ｎｍの範囲内にある
【００５５】
　
図９（ａ）
反応層１２では
炭素濃度は炭化珪素層１１の側に向かって増加する傾斜分布を有している
被エッチング層２３では、表面近傍を除いて、炭素、珪素およびＮｉは略均一な濃度分布を有する
【００５６】
　
従来では、この被エッチング層２３の上に他の電極層を形成していたため、被エッチング層２３に含まれる炭素
に起因する電極剥離が生じていたと考えられる
【００５７】
　これに対し、
本発明では、被エッチング層２３を除去し、被エッチング層２３の代わりに、反応層１２の上に導電材料を堆積することによって第１電極層１３を形成する
そのため、被エッチング層２３に含まれる炭素に起因する電極剥離を防止できる
【００５８】
　本発明で用いられる炭化珪素層１１は、炭化珪素基板上にホモエピタキシャル成長させることによって、あるいは、Ｓｉ基板などの炭化珪素基板以外の基板上にヘテロエピタキシャル成長させることによって得られたエピタキシャル層であってもよい。また、
炭化珪素層１１は炭化珪素基板であってもよい
【００５９】
　ある好ましい実施形態において、図１（ｃ）に示す反応層１２の表面の高さは炭化珪素層１１の表面の高さと略同じ、または炭化珪素層１１の表面の高さよりも低い。反応層１２の表面の高さが炭化珪素層１１の表面の高さ以下であれば、
反応層１２に含まれる炭素原子のうち炭化珪素を構成しない炭素原子（すなわち第１電極層１３へ拡散しやすい炭素原子）の数を低減できるので、第１電極層１３の表面における炭素濃度をより確実に低減できる
反応層１２の厚さは
１０〜１５０ｎｍの範囲に設定
【００６０】
　
反応層１２の表面高さや厚さ、また、反応層１２の表面における炭素濃度などは、図１（ｂ）に示す熱処理工程の条件（温度、処理時間など）や導電層２１の材料を適宜選択することにより、調整することができる
【００６１】
　導電層２１の厚さは、特に限定されないが、例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００６２】
　
第１電極層１３は
反応層表面と接しており、反応層表面に堆積された金属から形成
【００６３】
　
図１（ｅ）では、炭化珪素層１１と接続される電極１５は、第１電極層１３および第２電極層１４の２層からなる積層構造を有しているが
電極１５は、単層であってもよい
　
カ　「【００６６】
　（第１の実施形態）
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。ここでは、炭化珪素層と接続するオーミック電極を形成する方法を説明する。本実施形態における電極形成方法は、例えば縦型ＭＯＳＦＥＴを製造する場合に、炭化珪素層の選択された表面にソース電極を形成するために用いられ得る。
【００６７】
　まず、図２（ａ）に示すように、例えばエピタキシャル成長を用いて、不図示の基板表面に炭化珪素層１１を形成する。本実施形態における炭化珪素層１１は、例えば４Ｈ−ＳｉＣであり、その表面は（０００１）Ｓｉ面である。また、炭化珪素層１１の導電型はｎ型であり、不純物濃度は約１×１０19ｃｍ-3である。
【００６８】
　次に、図２（ｂ）に示すように、炭化珪素層１１の表面のうち選択された領域上に導電層（厚さ：例えば約２００ｎｍ）２１を形成する。具体的には、スパッタ法などを用いて炭化珪素層１１の表面にＮｉを堆積させた後、必要に応じてパターニングする。
【００６９】
　続いて、導電層（Ｎｉ層）２１が堆積された炭化珪素層１１に対して、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行い、導電層２１を合金化する。熱処理は、例えば約１０００℃の温度で２分間行う。
【００７０】
　熱処理後の炭化珪素層１１の断面をＳＥＭ等で観察すると、図１（ｃ）を参照しながら説明したように、炭化珪素層１１と導電層２１との界面および炭化珪素層１１の内部に反応層１２が形成されていることがわかる。反応層１２の上には被エッチング層２３が存在している。本実施形態では、反応層１２の表面の高さ（レベル）は炭化珪素層１１の表面の高さと略同じである。また、本実施形態における反応層１２の厚さは、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００７１】
　反応層１２を形成した後、図２（ｄ）に示すように、反応層１２の上の被エッチング層２３を除去する。具体的には、導電層２１に対し、
酸でエッチング処理を施すと、主に金属（Ｎｉ）から形成されている被エッチング層２３のみが選択的にエッチング
【００７２】
　次いで、図２（ｅ）に示すように、反応層１２の上に、第１電極層（厚さ：例えば２００ｎｍ）１３および第２電極層（厚さ：例えば１μｍ）１４を形成する。本実施形態では、第１電極層１３の材料としてＮｉ、第２電極層１４の材料としてＡｌを用いる。
【００７３】
…（略）…
【００７５】
　このようにして、炭化珪素層１１と電気的に接続された電極層１３、１４を形成できる。炭化珪素層１１とこれらの電極層１３、１４とは、反応層１２を介して良好なオーミック接合を形成している。
【００７６】
　上記の電極形成方法を用いると、
反応層１２と第１電極層１３との密着性が確保
炭素や珪素が炭化珪素層１１から第１電極層１３へ拡散することを抑制でき、その結果、第１電極層１３の表面には炭素原子がほとんど存在しない
【００７７】
　第１電極層１３の平均炭素濃度はオージェ電子分光法（ＡＥＳ）の検出限界以下であり、また、第１電極層１３の表面における炭素濃度も検出限界以下である。このように、
第１電極層１３の表面にはほとんど炭素原子が存在していないので、第１電極層１３と第２電極層１４との密着性を大幅に改善
【００７８】
　なお、第１電極層１３を形成後に熱処理を施した場合に、炭素が第１電極層１３に拡散する場合があるが、第１電極層１３における炭素の平均濃度が１×１０22個／ｃｍ3以下であれば、第１電極層１３と第２電極層１４との密着性を大幅に改善できる。
第１電極層１３における炭素の平均濃度は
より好ましくは１×１０
17
個／ｃｍ
3
以下
　
キ　「【０１３８】
　（第３の実施形態）
　以下、図面を参照しながら、本発明による第３の実施形態の半導体装置を説明する。本実施形態は、
炭化珪素層上に形成されたオーミック電極を有する半導体装置
図１０
【０１３９】
　図示するように、炭化珪素層１１１の上に、オーミック電極１１５および層間絶縁膜１１６が形成されている。
オーミック電極１１５は、反応層１１２を介して炭化珪素層１１１とオーミック接合を形成しており、反応層１１２の上に形成された電極層１１４
を有している
反応層１１２は、例えば図９を参照しながら説明したように、金属（例えばＮｉ）、炭素および珪素を含むシリサイド層
【０１４０】
　
オーミック電極１１５のうち電極層１１４は、例えばＡｌ層
【０１４１】
　本実施形態によると、反応層１１２と接する電極層１１４を用いて上部配線などを形成することが可能になるので有利である。また、反応層１１２の上に複数の電極層を形成する場合よりも抵抗を低く抑えることができる。さらに、以下に説明するようなプロセスでオーミック電極１１５を形成すると、反応層１１２の表面における汚染を防止できるので、
反応層１１２と電極層１１４との間に良好なコンタクト
【０１４２】
　
オーミック電極１１５は、例えば次のようなプロセスによって形成
【０１４３】
　まず、図１１（ａ）に示すように、炭化珪素層１１１の表面に、
導電材料（例えばＮｉ）を堆積し
導電層１２１を形成
【０１４４】
　続いて、
導電層１２１が形成された炭化珪素層１１１に対して
熱処理を行う
これにより
反応層１１２および被エッチング層１２３が形成
反応層１１２および被エッチング層１２３おける炭素、珪素およびＮｉの濃度プロファイルは、例えば図９を参照しながら説明した濃度プロファイルと同様
【０１４５】
　次に、図１１（ｃ）に示すように、
酸またはＣＦ
4
などを用いたドライエッチングにより、反応層１１２の上の被エッチング層１２３を除去して反応層１１２の表面の少なくとも一部を露出
【０１４６】
　被エッチング層１２３を除去した後、図１１（ｄ）に示すように、反応層１１２の表面に導電材料からなる保護層１１３’を形成する。保護層１１３’は、例えば厚さが約５０ｎｍのＴｉ層である。保護層１１３’の形成は、被エッチング層１２３を除去した後、反応層１１２の露出表面を大気雰囲気に曝すことなく行われることが望ましい。
【０１４７】
　この後、図１１（ｅ）に示すように、反応層１１２および保護層１１３’を覆う層間絶縁膜１１６を形成した後、層間絶縁膜１１６に、保護膜１１３’の表面に達するコンタクトホールを設ける。
【０１４８】
　続いて、図１１（ｆ）に示すように、保護層１１３’のうち層間絶縁膜１１６で覆われていない部分を除去して導電材料層１１３を形成する。これにより、反応層１１２の清浄な表面が露出する。導電材料層１１３は、例えばコンタクトホールの側壁に沿ったリング状の断面を有する。
【０１４９】
　次に、図１１（ｇ）に示すように、
反応層１１２の露出表面と接するように
導電材料（例えばＡｌ）を堆積することにより、半導体装置の上部電極となる電極層１１４を形成
【０１５０】
　上記方法によれば、反応層１１２の上にある被エッチング層１２３を除去した後、反応層１１２の表面を保護層１１３’で覆うため、その後の工程、例えば層間絶縁膜１１６の形成やゲート電極の形成工程において、
反応層１１２の表面が
炭素
で汚染されることを防止
清浄な反応層１１２の表面に電極層１１４を形成することが可能となり、電極層１１４との密着性
を確保
【０１５１】
　保護層１１３’の材料としては、金属を用いることが望ましい。図１１（ｆ）に示す工程において、保護層１１３’のうち層間絶縁膜１１６で覆われていない部分を完全に除去できなくても、保護層１１３’の最表面に形成された表面酸化膜や炭素または金属による汚染領域さえ除去できれば、低抵抗で密着性に優れた電極を形成できるからである。保護層１１３’に用いられる金属は、反応層１１２の表面を保護できればよく、特に限定されない。上記方法ではＴｉを用いたが、Ａｌやその他の金属であってもよい。
【０１５２】
　また、電極層１１４の材料として、従来のように炭化珪素に対してオーミック接合を形成できる材料に限定されることなく、種々の材料を選択できる。例えば、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｒ、Ｍｏや、これらの合金などが挙げられる。」
　
ク　図９は、「反応層およびシリサイド層における各元素の濃度分布の測定結果を示すグラフ」であり、上記摘記事項「エ」の段落【００５４】を勘案すると、図９（ａ）及び（ｂ）から、被エッチング層２３の表面からの深さがおよそ５７０ｎｍ以下の範囲では、被エッチング層２３の最表面（スパッタ深さ（ＳｉＯ2換算値）：１０ｎｍ以下）を除くと、Ｃの元素の濃度はＳｉの元素の濃度よりも低いことが見てとれる。
　
ケ　図１０は、「本発明の実施の形態３における半導体装置の構成を示す断面模式図」であり、図１０から、反応層１１２とその上に形成された電極層１１４との積層体が見てとれる。
　
（２）引用発明
　上記（１）の摘記事項「オ」の段落【００５８】の記載から、摘記事項「キ」に記載された第３の実施の形態においても、炭化珪素層１１１が「炭化珪素基板であってもよい」ことは当業者には明らかである。
　また、当該摘記事項「キ」の段落【０１４９】の記載及び引用例の図１１（ｆ）、（ｇ）を参照すると、第３の実施の形態において、電極層１１４は、図１１（ｇ）に示される工程で、反応層１１２の露出表面と接するように堆積されたものであるから、図１０に示される半導体装置において、反応層１１２とその上に形成された電極層１１４との積層体が「接合体」であることは、当業者には明らかである。
　
　さらに、当該摘記事項「オ」の段落【００５５】、摘記事項「キ」の【０１４４】の記載及び引用例の図９（ａ）を参照すると、第３の実施の形態において、図１１（ｂ）に示される、被エッチング層１２３形成後・除去前の「反応層１１２」は、導電層１２１が形成された炭化珪素層１１１に対して熱処理を行って形成され、当該熱処理後の炭素濃度のプロファイルは、「反応層１１２」では、炭化珪素層１１１の側に向かって増加する傾斜分布を有していること、及び「反応層１１２」において、被エッチング層２３の表面からの深さがおよそ５７０ｎｍ以下の範囲では、被エッチング層２３の最表面（スパッタ深さ（ＳｉＯ2換算値）：１０ｎｍ以下）を除くと、Ｃの元素の濃度はＳｉの元素の濃度よりも低いことは、当業者には明らかである。
　
　したがって、引用例の上記摘記事項「ア」〜「オ」、「キ」〜「ケ」及び図９〜１１を参酌してまとめると、引用例には、第３の実施の形態として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「炭化珪素層１１１上に形成されたオーミック電極１１５を有する半導体装置中の反応層１１２とその上に形成された電極層１１４との接合体であって、
　炭化珪素層１１１は、炭化珪素基板であり、
　オーミック電極１１５は、反応層１１２を介して炭化珪素層１１１とオーミック接合を形成しており、反応層１１２の上に形成された電極層１１４と導電材料層１１３とを有しており、
　反応層１１２は、金属（例えばＮｉ）、炭素および珪素を含むシリサイド層であり、
　オーミック電極１１５のうち電極層１１４は、Ａｌ層であり、
　オーミック電極１１５の形成プロセスにおいて、
　反応層１１２および被エッチング層１２３が、導電層１２１が形成された炭化珪素層１１１に対して熱処理を行うことにより形成され、
　当該熱処理後における、反応層１１２の厚さは、１０〜１５０ｎｍの範囲に設定されるとともに、反応層１１２および被エッチング層１２３が形成された炭化珪素層１１１の深さ方向における珪素、炭素およびＮｉの濃度プロファイルにおいて、被エッチング層１２３と反応層１１２との界面は、深さが４００〜６００ｎｍの範囲内にあり、反応層１１２と炭化珪素層１１１との界面は、被エッチング層１２３の表面からの深さが５００〜７００ｎｍの範囲内にあり、反応層１１２では、炭素濃度は炭化珪素層１１１の側に向かって増加する傾斜分布を有しており、被エッチング層１２３では、表面近傍を除いて、炭素、珪素およびＮｉは略均一な濃度分布を有しており、かつ、被エッチング層１２３の表面からの深さがおよそ５７０ｎｍ以下の範囲では、被エッチング層１２３の最表面（スパッタ深さ（ＳｉＯ2換算値）：１０ｎｍ以下）を除くと、Ｃの元素の濃度はＳｉの元素の濃度よりも低く、
　反応層１１２の上の被エッチング層１２３を除去して反応層１１２の表面の少なくとも一部が露出され、
　反応層１１２の露出表面と接するように、電極層１１４が形成されることを特徴とする炭化珪素層１１１上に形成されたオーミック電極１１５を有する半導体装置中の反応層１１２とその上に形成された電極層１１４との接合体。」
　
４　対比・判断
（１）対比
　本願発明１９と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「炭化珪素層１１１上に形成されたオーミック電極１１５を有する半導体装置」は、本願発明１９の「炭化珪素半導体装置」に相当する。
　
イ　引用発明の「反応層１１２」は「金属（例えばＮｉ）、炭素および珪素を含むシリサイド層」であり、「Ｎｉ」は遷移金属であるから、引用発明の「反応層１１２」は本願発明１９の「遷移金属シリサイド」に相当する。
　
ウ　引用発明は、「電極層１１４は、Ａｌ層であ」るから、引用発明の「電極層１１４」は本願発明１９の「金属膜」に相当する。
　
エ　引用発明は、「反応層１１２は、金属（例えばＮｉ）、炭素および珪素を含むシリサイド層であ」るから、本願発明１９と引用発明とは、遷移金属シリサイド中に炭素及び珪素を含有する点で一致する。
　
　以上をまとめると、本願発明１９と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体であって、
　前記遷移金属シリサイド中に炭素及び珪素を含有することを特徴とする炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体。」
　
＜相違点１＞
　本願発明１９では、「前記遷移金属シリサイド中の炭素の含有濃度が珪素の含有濃度よりも低」いのに対し、引用発明では、「『当該熱処理後における、反応層１１２の厚さは、１０〜１５０ｎｍの範囲に設定されるとともに』、『反応層１１２および被エッチング層１２３が形成された炭化珪素層１１１の深さ方向における珪素、炭素およびＮｉの濃度プロファイルにおいて』、『被エッチング層１２３と反応層１１２との界面は、深さが４００〜６００ｎｍの範囲内にあり、反応層１１２と炭化珪素層１１１との界面は、被エッチング層１２３の表面からの深さが５００〜７００ｎｍの範囲内にあり』、『かつ、被エッチング層１２３の表面からの深さがおよそ５７０ｎｍ以下の範囲では、被エッチング層１２３の最表面（スパッタ深さ（ＳｉＯ2換算値）：１０ｎｍ以下）を除くと、Ｃの元素の濃度はＳｉの元素の濃度よりも低』」いものの、「オーミック電極１１５の形成プロセス」終了後の「接合体」における「前記遷移金属シリサイド（反応層１１２）中」の「炭素の含有濃度」と「珪素の含有濃度」の大小関係は不明である点。
　
＜相違点２＞
　本願発明１９では、「前記遷移金属シリサイド中の炭素濃度が炭化珪素基板から離れる方向に沿って減少するか、または、前記遷移金属シリサイドの前記金属膜と接する部分における炭素原子濃度が３０ａｔ％以下である」のに対し、引用発明では、「『当該熱処理後における』、『反応層１１２および被エッチング層１２３が形成された炭化珪素層１１１の深さ方向における珪素、炭素およびＮｉの濃度プロファイルにおいて』、『反応層１１２では、炭素濃度は炭化珪素層１１１の側に向かって増加する傾斜分布を有してお』るものの、「オーミック電極１１５の形成プロセス」終了後の「接合体」における「前記遷移金属シリサイド（反応層１１２）中の炭素濃度」のプロファイルは不明である点。
　
（２）判断
ア　相違点１について
（ア）被エッチング層１２３について
　引用発明では、「オーミック電極１１５の形成プロセス」において、「当該熱処理後における」、「『反応層１１２および被エッチング層１２３が形成された炭化珪素層１１１の深さ方向における珪素、炭素およびＮｉの濃度プロファイルにおいて、被エッチング層１２３と反応層１１２との界面は、深さが４００〜６００ｎｍの範囲内にあり』、『被エッチング層１２３では、表面近傍を除いて、炭素、珪素およびＮｉは略均一な濃度分布を有してお』」ることから、引用例の図９（ａ）を勘案すると、引用例には、「被エッチング層１２３の深さ（被エッチング層１２３と反応層１１２との界面の深さ）」が、上記「４００〜６００ｎｍ」のうち、４８０ｎｍ程度〜５００ｎｍ程度のものが開示されていると認定することができることは当業者には明らかである。
　
（イ）被エッチング層１２３除去前及び除去後の反応層について
　上記「３（１）引用例」の摘記事項「ウ」の段落【００３５】、摘記事項「エ」の段落【００４０】、【００４８】、摘記事項「カ」の段落【００７６】〜【００７８】の記載を参照すると、引用例には、被エッチング層１２３除去前の炭化珪素半導体装置、及び被エッチング層１２３除去後の炭化珪素半導体装置において、炭化珪素層１１に含まれる炭素が「拡散」して、被エッチング層２３またば第１電極層１３に導入されることが開示されているといえる。
　また、摘記事項「オ」の段落【００５９】には、「…（略）…反応層１２に含まれる炭素原子のうち炭化珪素を構成しない炭素原子（すなわち第１電極層１３へ拡散しやすい炭素原子）の数を低減できるので、第１電極層１３の表面における炭素濃度をより確実に低減できる。」と記載されているように、「反応層１２」に含まれる「炭素原子の数」が、「第１電極層１３の表面における炭素濃度」に影響を与えており、「炭素原子の数」を「低減」することで、「第１電極層１３の表面における炭素濃度」を低減できると認識されていることも明らかである。
　さらに、摘記事項「オ」の段落【００６０】には、「反応層１２の表面高さや厚さ、また、反応層１２の表面における炭素濃度などは、図１（ｂ）に示す熱処理工程の条件（温度、処理時間など）や導電層２１の材料を適宜選択することにより、調整することができる。」と記載されているように、引用例には、「反応層１２」に含まれる炭素濃度を調整するという思想自体も開示されているといえる。
　したがって、引用例のこれらの記載を参酌すれば、引用例には、「反応層」に含まれる炭素濃度が低ければ低いほど望ましいという基本思想が開示されているといえる。
　
　さらに、上記（ア）で検討したように、引用発明の「当該熱処理後における」、被エッチング層１２３除去前の「反応層１１２」として、引用例には、被エッチング層１２３の表面から４８０ｎｍ程度〜５００ｎｍ程度の深さに被エッチング層１２３と反応層１１２との界面が存在するものが開示されていると認定することができる。
　また、引用発明は、「当該熱処理後における」、「被エッチング層１２３の表面からの深さがおよそ５７０ｎｍ以下の範囲では、被エッチング層１２３の最表面（スパッタ深さ（ＳｉＯ2換算値）：１０ｎｍ以下）を除くと、Ｃの元素の濃度はＳｉの元素の濃度よりも低」いものである。
　他方、上記「３（１）引用例」の摘記事項「エ」の段落【００４１】、摘記事項「カ」の段落【００７１】、及び摘記事項「キ」の段落【０１４５】の「被エッチング層」の除去又はエッチングについての記載を参照するとともに、技術常識を勘案すると、引用発明では、「オーミック電極１１５の形成プロセス」の「反応層１１２の上の被エッチング層１２３を除去して反応層１１２の表面の少なくとも一部が露出され」るプロセスにおいて、「被エッチング層１２３」が、選択的にエッチングして除去されるものであることは当業者には明らかである。
　
　以上のことから、引用例の「実施の形態３」における、被エッチング層１２３除去後の「反応層１１２」として、上記のように「反応層」に含まれる炭素濃度が低ければ低いほど望ましいという基本思想に基づき、「反応層１１２」に含まれる炭素濃度が低減されたものとすべく、「反応層１１２中の炭素の含有濃度が珪素の含有濃度よりも低く」なるように設定することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　
（ウ）「オーミック電極１１５の形成プロセス」終了後の「接合体」の反応層１１２中の炭素の含有濃度について
　上記「３（１）引用例」の摘記事項「ウ」の段落【００３５】、摘記事項「エ」の段落【００４８】、摘記事項「カ」の段落【００７６】〜【００７８】の記載を参照すると、引用例には、炭素は「炭化珪素層１１」から拡散し得ることが開示されているといえるとともに、上記摘記事項「エ」の「本発明の電極の形成方法」及び上記摘記事項「カ」の「第１の実施の形態」についての記載を参照すると、炭素の「第１電極層１３」への導入を抑制することで、「第１電極層１３」の表面における炭素濃度を低減できるので、「第１電極層１３」とその上に形成される第２電極層１４との密着性を改善できる旨が開示されているといえる。
　また、摘記事項「オ」の段落【００６３】には、図１（ｅ）に示される「電極層１５は、単層であってもよい」旨が記載されている。
　さらに、摘記事項「キ」の段落【０１５０】の記載を参照すると、引用例には、「第３の実施形態」において、「反応層１１２」の表面が、炭素で汚染されることは望ましくない旨、及び清浄な「反応層１１２」の表面に電極層１１４を形成することが可能となり、「反応層１１２」と電極層１１４との密着性を確保できる旨が開示されているといえる。
　
　したがって、引用発明の「オーミック電極１１５の形成プロセス」終了後の「接合体」における「反応層１１２」においても、「反応層１１２」に含まれる炭素濃度が低減されたものとすべく、「反応層１１２中の炭素の含有濃度が珪素の含有濃度よりも低く」なるように設定することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　
（エ）相違点１についてのまとめ
　以上のとおり、引用発明において、「反応層１１２」として、本願発明１９のように、「前記金属シリサイド中の炭素の含有濃度が珪素の含有濃度よりも低」いものを採用することは当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
イ　相違点２について
　「オーミック電極１１５の形成プロセス」後に熱処理を施すなどして、珪素、炭素およびＮｉの濃度プロファイルが変化する場合には、上記「３（１）引用例」の摘記事項「ウ」の段落【００３５】、摘記事項「エ」の段落【００３９】、摘記事項「エ」の段落【００４８】、摘記事項「カ」の段落【００７６】、摘記事項「キ」の記載を参照するとともに、技術常識を勘案すると、引用例の「第３の実施の形態」において、炭素は、炭化珪素層１１１から拡散するか、炭素濃度がより高い部分からより低い部分へ拡散することは明らかであるから、「オーミック電極１１５の形成プロセス」終了後の「接合体」における「前記遷移金属シリサイド（反応層１１２）中の炭素濃度」のプロファイルにおいても、「反応層１１２では、炭素濃度は炭化珪素層１１１の側に向かって増加する傾斜分布を有して」いるものと認められる。
　したがって、相違点２は実質的なものではない。
　また、仮に相違点２が実質的なものであったとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
ウ　判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１及び相違点２は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明１９は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明１９は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。