【事件の表示】
　特許第３３７３４３６号「セラミック積層電子部品」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３７３４３６号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
本件特許第３３７３４３６号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平１０−２２５７２５号）　　　平成１０年　８月１０日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年１１月２２日
　特許異議申立（異議申立人：京セラ株式会社）　平成１５年　８月　１日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１６年　６月１１日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　　平成１６年　８月２３日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の【請求項１】を
「【請求項１】　誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相はＢａＯ−ｘＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３で表わされる成分（ｘが３．４７〜５．７１）からなり、該ガラス相にはＡｇが固溶していることを特徴とするセラミック積層電子部品。」と訂正する。
　
　（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の【請求項２】及び【請求項３】を削除する。
　
　（３）訂正事項３
　【請求項４】の項番号を二つ繰り上げ、「【請求項２】」と訂正するとともに、引用請求項「請求項１〜３のいずれか」を「請求項１」と訂正する。
　
　（４）訂正事項４
　【請求項５】の項番号を二つ繰り上げ、「【請求項３】」と訂正するとともに、引用請求項「請求項１〜４のいずれか」を「請求項１又は２」と訂正する。
　
　（５）訂正事項５
　【請求項６】の項番号を二つ繰り上げ、「【請求項４】」と訂正するとともに、引用請求項「請求項１〜５のいずれか」を「請求項１〜３のいずれか」と訂正する。
　
　（６）訂正事項６
　明細書の発明の詳細な説明の段落【００１２】を
「【００１２】
　　【課題を解決するための手段】
　この発明に係る誘電体磁器は、誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相はＢａＯ−ｘＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３で表わされる成分（ｘが３．４７〜５．７１）からなり、該ガラス相にはＡｇが固溶していることを特徴とするものである。」と訂正する。
　
　（７）訂正事項７
　明細書の発明の詳細な説明の段落【００１３】を
「【００１３】
　ここで、ｘが３．４７〜５．７１の範囲にある場合は所望の電気的特性のセラミック積層電子部品が得られるが、ｘが３．４７未満になったり、５．７１を越えるとマイクロ波用誘電体磁器としては好ましい電気特性が得られなくなるからである。」と訂正する。
　
　（８）訂正事項８
　明細書の発明の詳細な説明の段落【００１４】を削除する。
　
　（９）訂正事項９
　明細書の発明の詳細な説明の段落【００１５】以降の段落番号を一つずつ繰り上げる。
　
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）訂正事項１
　訂正事項１は、特許請求の範囲の請求項１における「誘電特性を発現する成分」を具体的に「ＢａＯ−ｘＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３で表わされる成分（ｘが３．４７〜５．７１）」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に当たり、この点は、訂正前の段落【００１３】の記載から明らかである。
　したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（２）訂正事項２
　訂正事項２は、特許請求の範囲の【請求項２】及び【請求項３】を削除するものであるから、それぞれ特許請求の範囲の減縮に当たる。
　
　（３）訂正事項３〜５
　訂正事項３〜５は、特許請求の範囲の【請求項２】及び【請求項３】の削除に伴い請求項の項番号を順次繰り上げるとともに、引用請求項を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に当たる。
　また、訂正事項３〜５は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（４）訂正事項６〜９
　訂正事項６〜９は、特許請求の範囲の訂正に伴い発明の詳細な説明の対応部分の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に当たる。
　また、訂正事項６〜９は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立及びこれについての判断
　１　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１〜４」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相はＢａＯ−ｘＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３で表わされる成分（ｘが３．４７〜５．７１）からなり、該ガラス相にはＡｇが固溶していることを特徴とするセラミック積層電子部品。
【請求項２】　前記ガラス相がＳｉＯ２，ＺｎＯ及びＢ２Ｏ３からなり、該ＳｉＯ２と該ＺｎＯと該Ｂ２Ｏ３の組成範囲が、これらの成分をモル％で示す三角図において、前記ＺｎＯが６４．０５モル％、前記ＳｉＯ２が３５．９５モル％、前記Ｂ２Ｏ３が０モル％の組成を示す第１の点Ａと、前記ＺｎＯが５４．４９モル％、前記ＳｉＯ２が３０．５９モル％、前記Ｂ２Ｏ３が１４．９２モル％の組成を示す第２の点Ｂと、前記ＺｎＯが３０．１６モル％、前記ＳｉＯ２が４７．７３モル％、前記Ｂ２Ｏ３が２２．１２モル％の組成を示す第３の点Ｃと、前記ＺｎＯが１０．３７モル％、前記ＳｉＯ２が８２．０３モル％、前記Ｂ２Ｏ３が７．６０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、前記ＺｎＯが１１．２２モル％、前記ＳｉＯ２が８８．７８モル％、前記Ｂ２Ｏ３が０モル％の組成を示す第５の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあることを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層電子部品。
【請求項３】　前記ガラス相が前記主相の２〜１０ｗｔ％量含有されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミック積層電子部品。
【請求項４】　前記ＡｇがＡｇ２Ｏ換算で前記主相の１〜３ｗｔ％量含有されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック積層電子部品。」
　
　２　特許異議申立の理由及び取消理由通知の内容
　（１）　特許異議申立の理由
　特許異議申立人は、証拠として、
 １．刊行物１（甲第１号証）：米国特許第４７０４６５７号明細書 
 ２．刊行物２（甲第２号証）：特公平４−１６８８４号公報 
 ３．刊行物３（甲第３号証）：特開平９−３１５８５４号公報 
 ４．刊行物４（甲第４号証）：特開平８−２３９２６３号公報 
を提出し、本件特許の請求項１、２、４、５に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、本件特許の請求項２に係る発明は、刊行物１、３に記載された発明に基づいて、本件特許の請求項３、４に係る発明は、刊行物１、４に記載された発明に基づいて、本件特許の請求項６に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、それぞれその出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、本件請求項１〜６に係る発明についての特許を取り消すべき旨主張している。
　
　（２）　取消理由通知の概要
　取消理由通知の概要は、以下のとおりである。
「１）本件特許の請求項１、２、４、５に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物１に記載された発明であるから、本件請求項１、２、４、５に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。 
 ２）本件特許の請求項１〜６に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
 　　　　　　　　　　　　　　　記 
 １．刊行物１（甲第１号証）：米国特許第４７０４６５７号明細書 
 ２．刊行物２（甲第２号証）：特公平４−１６８８４号公報 
 ３．刊行物３（甲第３号証）：特開平９−３１５８５４号公報 
 ４．刊行物４（甲第４号証）：特開平８−２３９２６３号公報 
 　　　　　　　 
 刊行物１〜４には、特許異議申立人が提出した特許異議申立書の「（５）証拠の説明」記載の発明が記載されている。 
 　そして、特許異議申立書の「（６）本件特許と甲第１号証乃至甲第４号証との対比」記載の理由により、本件請求項１、２、４、５に係る発明は、刊行物１に記載された発明であり、また本件請求項２、３、４、６に係る発明は、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 さらに、刊行物１を主引用例として、刊行物１記載の発明に刊行物２〜４記載の発明を組み合わせることにより、本件請求項１、５に係る発明は、当業者が容易に発明をすることができたものである。 」
　
　３　刊行物に記載された発明
　（１）刊行物１に記載された発明
　刊行物１は、「積層セラミックコンデンサ及びその製造方法」に関するものであり、その第３頁第４欄第３１行〜第６１行には、ＢａＴｉＯ３，Ｎｄ２Ｏ３，二酸化チタン，Ｂｉ２Ｏ３，Ｐｂ３Ｏ４とからなる混合物に、Ｂ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｎＯを添加して、基本組成物とし、さらにＡｇ２Ｏ粉末を添加したものが記載されている。
　
　（２）刊行物２に記載された発明
　刊行物２は、「誘電体磁器組成物」に関するものであり、その第２頁第３欄第３７行〜同頁第４欄第２行には、ＢａＴｉＯ３，Ｎｄ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，Ｐｂ３Ｏ４からなる主成分に、Ｂ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＳｉＯ２を添加したものが記載されている。
　
　（３）刊行物３に記載された発明
　刊行物３は、「誘電体磁器組成物および電子部品」に関するものであり、以下の点が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波，ミリ波等の高周波領域において使用され、種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料や積層型セラミックコンデンサ等に用いることができる誘電体磁器組成物、および共振器，フィルター，コンデンサ等の電子部品に関するものである。」
「【００１０】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属元素として少なくともＢａ，Ｔｉを含有する複合酸化物であって、これらのモル比による組成式をＢａＯ・ｘ（Ｔｉ１−ａＺｒａ）Ｏ２と表した時、前記ｘ、ａが、３．５≦ｘ≦４．５、０≦ａ≦０．２０を満足する主成分・・・」
　
　（４）刊行物４に記載された発明
　刊行物４は、「低温焼結誘電体磁器の製造方法」に関するものであり、以下の点が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主にマイクロ波帯において積層構造の共振器等に使用する高誘電率誘電体磁器の製造方法に関するものである。更に詳しく述べると、Ｂｉ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３を含有するＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３系の高誘電率材料に対して、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系のガラス材料を添加して微粉砕処理を施すことにより、誘電体磁器組成物の低温焼結化と誘電特性の安定化を図る技術に関するものである。」　
　さらに、第５頁の表１には、組成区分Ａの最上段に、Ｂａ−Ｔｉ−Ｎｄ系高誘電率材料として、ＢａＯ：１５モル％，ＴｉＯ２：６９モル％，Ｎｄ２Ｏ３：１６モル％，Ｂｉ２Ｏ３：８重量％，Ａｌ２Ｏ３：０．３重量％、ガラス材料として、ＺｎＯ：４５重量％，Ｂ２Ｏ３：７重量％，ＳｉＯ２：４０重量％，Ａｌ２Ｏ３：８重量％が、記載されている。
　
　４　本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　（１）　本件発明１について
　本件発明１と刊行物１〜４に記載された発明とを対比すると、刊行物１〜４には、本件発明１の構成要件である「主相はＢａＯ−ｘＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３で表わされる成分（ｘが３．４７〜５．７１）からなり」の点について、記載されていない。
　本件発明１の主相は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３で表わされる成分（ｘが３．４７〜５．７１）のみからなるものであるのに対して、刊行物１，２，４の主相には、Ｎｄ２Ｏ３等の別の物質も含んでおり、刊行物３の主相には、Ｂｉ２Ｏ３が含まれていない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明であるとも、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　
　（２）　本件発明２〜４について
　本件発明２〜４は、本件発明１を直接又は間接に引用して、更に限定したものであるから、本件発明１と同様の理由により、刊行物１に記載された発明であるとも、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　
　５　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件発明１〜４についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年５月２４日（２００５．５．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
セラミック積層電子部品
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相は
ＢａＯ−ｘＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３で表わされる成分（ｘが３．４７〜５．７１）
　【請求項２】　前記ガラス相がＳｉＯ２，ＺｎＯ及びＢ２Ｏ３からなり、該ＳｉＯ２と該ＺｎＯと該Ｂ２Ｏ３の組成範囲が、これらの成分をモル％で示す三角図において、前記ＺｎＯが６４．０５モル％、前記ＳｉＯ２が３５．９５モル％、前記Ｂ２Ｏ３が０モル％の組成を示す第１の点Ａと、前記ＺｎＯが５４．４９モル％、前記ＳｉＯ２が３０．５９モル％、前記Ｂ２Ｏ３が１４．９２モル％の組成を示す第２の点Ｂと、前記ＺｎＯが３０．１６モル％、前記ＳｉＯ２が４７．７３モル％、前記Ｂ２Ｏ３が２２．１２モル％の組成を示す第３の点Ｃと、前記ＺｎＯが１０．３７モル％、前記ＳｉＯ２が８２．０３モル％、前記Ｂ２Ｏ３が７．６０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、前記ＺｎＯが１１．２２モル％、前記ＳｉＯ２が８８．７８モル％、前記Ｂ２Ｏ３が０モル％の組成を示す第５の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあることを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層電子部品。
　【請求項３】　前記ガラス相が前記主相の２〜１０ｗｔ％量含有されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミック積層電子部品。
　【請求項４】　前記ＡｇがＡｇ２Ｏ換算で前記主相の１〜３ｗｔ％量含有されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、マイクロ波用の積層セラミックコンデンサ、共振器、フィルター等のマイクロ波用積層電子デバイス、特にその誘電体層を形成している誘電体磁器の改良に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　積層セラミックコンデンサ、共振器、フィルター等の積層電子デバイスは、一般に、電極材料と誘電体磁器とを所定の積層構造に形成し、これらを一体的に焼結させて製造されている。積層構造をとることで、小型でありながら高性能の積層電子デバイスを実現することが可能になる。
　【０００３】
　積層電子デバイスの代表例としてはチタン酸バリウム系の誘電体磁器とＮｉ金属の電極材料とを積層構造に形成し、これらを高温で一体的に焼結させて形成した小型・大容量の積層セラミックコンデンサがある。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、近年、マイクロ波を利用した移動体通信機器が広く使用されてきており、そのため、マイクロ波用電子デバイスの高性能化が求められている。
　【０００５】
　マイクロ波用電子デバイスの特性は、まず、誘電体層の材料として使用される誘電体磁器の誘電特性に大きく影響される。マイクロ波用電子デバイスの誘電体層の材料として使用される誘電体磁器としては、ＢａＯ−ＴｉＯ２系誘電体磁器、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系誘電体磁器、ＭｇＴｉＯ２−ＣａＴｉＯ２系誘電体磁器などが知られている。
　【０００６】
　また、マイクロ波用電子デバイスの特性は、内部電極の材料して使用される金属の導電性にも影響される。すなわち、マイクロ波用電子デバイスの内部電極の材料としては導電性の良い金属が好ましい。そして、導電性の良い金属としてはＡｇ，Ｃｕ等が挙げられる。
　【０００７】
　しかし、Ａｇ，Ｃｕ等の金属は融点が低く、９００〜１０５０℃という低温で焼結させる必要があるのに対し、マイクロ波用電子デバイスの誘電体層の材料として使用されている前記誘電体磁器は焼結温度が１２００℃以上とかなり高い。このため、誘電体層と内部電極とを一体的に焼成して焼結させることができず、このままではＡｇ，Ｃｕ等の金属を内部電極の材料として使用することはできない。
　【０００８】
　Ａｇ，Ｃｕ等の金属をマイクロ波用電子デバイスの内部電極の材料として使用できるようにするためには、マイクロ波用電子デバイスの誘電体層の材料として使用されている前記誘電体磁器の焼結温度を９００〜１０５０℃程度にしなければならない。
　【０００９】
　一般に、誘電体磁器の焼結温度を下げる方法の一つとして、誘電体磁器中にガラス成分を添加する方法がある。従来の誘電体磁器の焼結温度は上述したように１２００℃以上と高いので、この誘電体磁器の焼結温度を９００〜１０５０℃程度まで下げるためにはガラス成分をかなり多量に添加しなければならない。
　【００１０】
　しかし、マイクロ波用電子デバイスの誘電体層の材料として使用されている誘電体磁器中にガラス成分を多量に添加すると誘電体磁器が本来有している誘電特性が低下し、所望の誘電特性が得られなくなってしまう。
　【００１１】
　この発明は、Ａｇ，Ｃｕ等と一体焼成できる程度の低い温度で焼結させることができ、しかも、誘電特性を発現している主相が本来有している誘電特性を充分に引き出すことができる誘電体磁器を提供することを目的とする。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　この発明に係る誘電体磁器は、誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相は
ＢａＯ−ｘＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３で表わされる成分（ｘが３．４７〜５．７１）
　【００１３】
　ここで、ｘが３．４７〜５．７１の範囲にある場合は所望の電気的特性のセラミック積層電子部品が得られるが、ｘが３．４７未満になったり、５．７１を越えるとマイクロ波用誘電体磁器としては好ましい電気特性が得られなくなるからである。
　【００１４】
　また、前記ガラス相としては、ＳｉＯ２，ＺｎＯ及びＢ２Ｏ３からなるものを使用することができる。ＳｉＯ２とＺｎＯとＢ２Ｏ３の組成範囲は、これらの成分をモル％で示す第１図において、ＺｎＯが６４．０５モル％、ＳｉＯ２が３５．９５モル％、Ｂ２Ｏ３が０モル％の組成を示す第１の点Ａと、ＺｎＯが５４．４９モル％、ＳｉＯ２が３０．５９モル％、Ｂ２Ｏ３が１４．９２モル％の組成を示す第２の点Ｂと、ＺｎＯが３０．１６モル％、ＳｉＯ２が４７．７３モル％、Ｂ２Ｏ３が２２．１２モル％の組成を示す第３の点Ｃと、ＺｎＯが１０．３７モル％、ＳｉＯ２が８２．０３モル％、Ｂ２Ｏ３が７．６０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、ＺｎＯが１１．２２モル％、ＳｉＯ２が８８．７８モル％、Ｂ２Ｏ３が０モル％の組成を示す第５の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあるのが好ましい。
　【００１５】
　また、前記ガラス相は前記主相の２〜１０ｗｔ％含有されているのが好ましい。ガラス相が主相の２ｗｔ％未満になると焼成温度９００℃で緻密化せず、ガラス相が主相の１０ｗｔ％を越えると電気特性Ｑが１００以下になってしまうからである。
　【００１６】
　また、ＡｇはＡｇ２Ｏ換算で主相の１〜３ｗｔ％含有されているのが好ましい。Ａｇが主相の１ｗｔ％未満になると９００℃の焼成で緻密化せず、Ａｇが主相の３ｗｔ％を越えると電気特性Ｑが１００以下になると共に、Ａｇが析出して絶縁抵抗が劣化してしまうからである。
　【００１７】
　【実施例】
　まず、主相形成成分として、ＢａＯを７０．２６ｇ、ＴｉＯ２を７．３０ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２．４０ｇ、各々秤量した。また、ガラス形成成分として、ＺｎＯ：Ｂ２Ｏ３：ＳｉＯ２＝４：１：５のホウケイ酸亜鉛ガラスとＡｇ２Ｏを表１の試料番号１〜１１に示す配合割合で各々秤量した。ここで、各化合物は純度９９．０％以上のものを使用した。
　【００１８】
　【表１】
　【００１９】
　次に、これらの化合物を水とともにボールミルに入れ、湿式で１５時間攪拌混合し、得られた泥漿をバットに空け、乾燥機に入れて１５０℃で２４時間乾燥した。そして、得られた乾燥物を粉砕機で粉砕して３２５メッシュの粉体とし、この粉体を大気中において８００℃で２時間仮焼して誘電特性を発現する主相の成分粉末を得た。
　【００２０】
　次に、この主相の成分粉末と、ＳｉＯ２，ＺｎＯ，Ｂ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏを、表１の試料番号１〜１１に示す配合割合で各試料毎に秤量し、これらを水とともにボールミルに入れ、湿式で１５時間混合し、得られた泥漿をバットに空け、乾燥機に入れて１５０℃で２４時間乾燥した。そして、得られた乾燥物を粉砕機で粉砕して３２５のセラミック粉体とし、このセラミック粉体を有機バインダとともにボールミルに入れて混合し、磁器原料のスラリーを作成した。
　【００２１】
　次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて脱泡し、このスラリーをリバースロールコータに入れ、ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で加熱して乾燥させ、打ち抜いて所定の大きさのグリーンシートを得た。
　【００２２】
　一方、銀粉末を主成分とする内部電極用の導電性ペーストを形成し、上記グリーンシートにこの導電性ペーストからなる５０個の導電パターンを印刷し、乾燥させた。
　【００２３】
　次に、上記導電パターンの印刷面を上にして複数枚のグリーンシートを積層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリーンシートを積層した。そして、この積層物を厚さ方向に圧力を加えて圧着させ、その後、この積層物を導電パターン毎に裁断し、チップ状の積層体５０個を得た。
　【００２４】
　次に、この積層チップを電気炉に入れ、大気雰囲気中において９００℃で３時間焼成し、チップ状の素体を得た。そして、このチップ状の素体の誘電体層の焼結状態を調べたところ、表１に示す通りであった。
　【００２５】
　次に、このチップ状の素体の端部に一対の外部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンサを得た。そして、この積層セラミックコンデンサのＱを測定したところ、表１に示す通りであった。
　【００２６】
　表１に示す結果から、主相に対するガラス相の割合が、２〜１０ｗｔ％の範囲では所望の積層セラミックコンデンサが得られるが、２ｗｔ％未満になると９００℃の焼成で緻密化せず、１０ｗｔ％を越えると電気特性Ｑが１００以下になるという不都合を生じることがわかる。
　【００２７】
　また、表１に示す結果から、主相に対するＡｇ２Ｏの割合が１〜３ｗｔ％の範囲では所望の積層セラミックコンデンサが得られるが、１ｗｔ％未満になると９００℃の焼成で緻密化せず、３ｗｔ％を越えると電気特性Ｑが１００以下になると共に、Ａｇが析出して絶縁抵抗が劣化するという不都合を生じることがわかる。
　【００２８】
　【発明の効果】
　この発明によれば、ガラス相にＡｇが固溶させたので、焼成時におけるガラスの粘度が低下し、より低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温度の高い誘電体材料（主相）をその誘電特性を低下させることなく低い温度で焼結させることができ、従って、導電性の良いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用することができ、その結果、高周波特性の良いセラミック積層電子部品を提供することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係るセラミック積層電子部品の誘電体磁器のガラス相を形成している各成分の組成範囲を示す三角図である。