【事件の表示】
　特許第５３２３４２５号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５３２３４２５号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１　請求の要旨 
　本件審判の請求の要旨は、特許第５３２３４２５号発明（平成２０年９月３日（特許法第４１条に基づく優先権主張平成１９年９月３日）特許出願、平成２５年７月２６日設定登録）の明細書及び特許請求の範囲を審判請求書に添付した訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、すなわち、下記（１）ないし（７）のとおり訂正することを求めるものである。
　
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において「を備えたこと、【化２】
」とあるのを「を備
え、
　前記ルテニウム含有膜を形成する工程は、前記対象物の表面の単位面積あたりの前記有機ルテニウム錯体の供給量が２×１０
−８
〜１×１０
−５
mol/min・cm
２
であること
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項８を削除する。
（３）訂正事項３
　特許明細書の段落【０００９】中の「を備えた」とあるのを「を備え
、前記ルテニウム含有膜を形成する工程は、前記対象物の表面の単位面積あたりの前記有機ルテニウム錯体の供給量が２×１０
−８
〜１×１０
−５
mol/min・cm
２
である
（４）訂正事項４
　特許明細書の段落【００１０】中の「短縮することができる。」とあるのを「短縮することができる。
　また、請求項１に記載の発明によれば、より確実にルテニウム含有膜を対象物の凹部にカバレージ良く均一に成膜することができる。そして、銅配線の低抵抗化を図るとともに、銅含有膜に高い埋め込み特性を与えることができる。
（５）訂正事項５
　特許明細書の段落【００２１】中の「与えることができる。　請求項８に記載の発明においては、請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記有機ルテニウム錯体の供給量が２×１０−８〜１×１０−５mol/min・cm2 であることを要旨とする。」とあるのを「与えることができる。」と訂正する。
（６）訂正事項６
　特許明細書の段落【００２２】の記載を削除する。
（７）訂正事項７
　特許明細書の段落【００３１】中の「請求項９の発明によれば」とあるのを「請求項１４の発明によれば」と訂正する。
　
２　当審の判断
　上記訂正事項について検討する。
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、特許請求の範囲の請求項１において、有機ルテニウム錯体の供給量について限定されていなかった「有機ルテニウム錯体と第一還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によってルテニウム含有膜を形成する工程」について、「
前記ルテニウム含有膜を形成する工程は、前記対象物の表面の単位面積あたりの前記有機ルテニウム錯体の供給量が２×１０
−８
〜１×１０
−５
mol/min・cm
２
であること
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項８を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項３について
　訂正前の明細書の段落【０００９】における記載は、訂正前の請求項１に係る発明に対応するものであり、訂正後の明細書の段落【０００９】における記載は、訂正事項１により訂正された請求項１に係る発明に対応するものであって、訂正事項１により請求項１を訂正したことに伴い、段落【０００９】の記載と請求項１に係る発明との関係で生じた記載上の不備を訂正しようとするものであるから、訂正事項３は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、また、訂正前の特許請求の範囲の請求項８は、訂正前の請求項１を引用するものであって、「前記ルテニウム含有膜を形成する工程は、前記対象物の表面の単位面積あたりの前記有機ルテニウム錯体の供給量が２×１０−８〜１×１０−５mol/min・cm2 である」と記載されていたので、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項４について
　訂正前の明細書の段落【００１０】における記載は、訂正前の請求項１に係る発明に対応するものであり、訂正後の明細書の段落【００１０】における記載は、訂正事項１により訂正された請求項１に係る発明に対応するものであって、訂正事項１により請求項１を訂正したことに伴い、段落【００１０】の記載と請求項１に係る発明との関係で生じた記載上の不備を訂正しようとするものであるから、訂正事項４は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、また、訂正前の明細書の段落【００２２】には、「請求項８に記載の発明によれば、より確実にルテニウム含有膜を対象物の凹部にカバレージ良く均一に成膜することができる。また、銅配線の低抵抗化を図るとともに、銅含有膜に高い埋め込み特性を与えることができる。」と記載されているので、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（５）訂正事項５について
　訂正前の明細書の段落【００２１】における「…（略）…　請求項８に記載の発明においては、請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記有機ルテニウム錯体の供給量が２×１０−８〜１×１０−５mol/min・cm2 であることを要旨とする。」との記載は、訂正前の請求項８に係る発明に対応するものであり、訂正後の明細書の段落【００２１】における記載は、訂正事項２により請求項８を削除したことに伴い、段落【００２１】の記載と請求項８に係る発明との関係で生じた記載上の不備を訂正しようとするものであるから、訂正事項５は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、また、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（６）訂正事項６について
　訂正前の明細書の段落【００２２】における記載は、訂正前の請求項８に係る発明に対応するものであり、訂正後の明細書の段落【００２１】における記載は、訂正事項２により請求項８を削除したことに伴い、段落【００２２】の記載と請求項８に係る発明との関係で生じた記載上の不備を訂正しようとするものであるから、訂正事項６は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、また、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（７）訂正事項７について
　訂正前の明細書の段落【００３０】には、「請求項１３に記載の発明によれば、銅配線の低抵抗化を図るとともに、銅含有膜に高い埋め込み特性を与えることができる。　請求項１４に記載の発明においては、請求項１〜１３のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記ルテニウム含有膜が微粒子膜であることを要旨とする。」と記載されており、訂正前の明細書の段落【００３１】には、「…（略）…請求項９の発明によればルテニウム含有膜が表面積の大きい微粒子膜で構成されることから、ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図りつつ、こうしたインキュベーションタイムの短縮化を図ることもできる。」と記載されている。
　したがって、訂正前の明細書の段落【００３１】における記載は、「請求項１４」と記載すべきところ、「請求項９」と誤った記載がなされていることは明らかである。
　よって、訂正事項７は、誤記の訂正を目的とするものである。
（なお、本件審判請求書の「６．請求の理由（４）訂正の原因」の「（７）訂正事項７」には、「したがって、
訂正事項２
訂正事項７
　また、訂正前の明細書の段落【００３０】には、「…（略）…請求項１４に記載の発明においては、請求項１〜１３のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記ルテニウム含有膜が微粒子膜であることを要旨とする。」と記載されているので、訂正事項７は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（８）独立特許要件について
　上記訂正事項１による訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けられない理由を発見しないから、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。
　
３　むすび
　したがって、本件審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第５項ないし第７項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。