【事件の表示】
　特許第３２８３７９７号「スパッタ装置及びスパッタ処理方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２８３７９７号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２８３７９７号の請求項１乃至７に係る発明は、平成９年７月３１日に特許出願され、平成１４年３月１日に特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１、２、４乃至７に係る特許について異議申立人　寺尾健吾より特許異議の申立てがなされ、請求項１乃至７に係る特許について異議申立人　株式会社アルバックより特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１０月６日に訂正請求がなされ、異議申立人両者に対して当審より審尋がなされたところ、異議申立人　寺尾健吾より回答書が提出されたものの、異議申立人　株式会社アルバックからは何等の回答もなされなかった。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　上記訂正請求は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付された明細書（以下、「訂正明細書」という。）のとおりに訂正することを求めるもので、その内容は以下のとおりである。
訂正事項ａ
　請求項１の「前記支持手段により支持される基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリと」を、「前記支持手段により支持される基板よりも上方にて当該基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアッセンブリと」と訂正する。
訂正事項ｂ
　請求項１の「前記ターゲットアセンブリに一出力端子が接続され」を、「前記バッキングプレートに一出力端子が接続され」と訂正する。
訂正事項ｃ
　請求項１の「前記ターゲットアセンブリに陰極が接続され」を、「前記バッキングプレートに陰極が接続され」と訂正する。
訂正事項ｄ
　請求項１の「を備えることを特徴とする」を、「を備え、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持されるようになっていることを特徴とする」と訂正する。
訂正事項ｅ
　請求項６の「前記支持手段により支持される基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリと」を、「前記支持手段により支持される基板よりも上方にて当該基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアッセンブリと」と訂正する。
訂正事項ｆ
　請求項６の「スパッタ処理方法であって、前記」を、「スパッタ処理方法であって、前記真空チャンバ内の圧力を７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持するステップと、前記」と訂正する。
訂正事項ｇ
　請求項６の「前記空間にプロセスガスを供給」を、「前記ターゲットアッセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給」と訂正する。
訂正事項ｈ
　請求項６の「前記ターゲットアセンブリに一出力端子が接続され」を、「前記バッキングプレートに一出力端子が接続され」と訂正する。
訂正事項ｉ
　請求項６の「前記ターゲットアセンブリに陰極が接続され」を、「前記バッキングプレートに陰極が接続され」と訂正する。
訂正事項ｊ
　【０００５】段落の「上記課題を解決するための・・・を特徴としている。」を、「上記課題を解決するための本発明によるスパッタ装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、支持手段により支持される基板よりも上方にて当該基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、絶縁体からなるターゲット及びこのターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアッセンブリと、ターゲットアセンブリと支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、バッキングプレートに一出力端子が接続され、前記空間に高周波電力を印加する高周波電源と、前記バッキングプレートに陰極が接続され、前記プラズマにおける正イオンをターゲットアセンブリに向わせるべくターゲットアセンブリの周囲に対してターゲットアセンブリを負電位にする負電位手段とを備え、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持されるようになっていることを特徴としている。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、請求項１に記載のターゲットアッセンブリと基板について、その位置関係をターゲットアッセンブリが基板より上方に設けられると特定すると共に、請求項１に記載のターゲットアッセンブリについて、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されていることを特定するものである。よって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、ターゲットアッセンブリが基板より上方に設けられることは、特許明細書の【００１２】、【００１３】段落の記載を勘案すると【図１】に記載されていると云え、ターゲットアッセンブリが、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されていることは、特許明細書の【００１７】、【００１９】段落及び【図１】に記載されていると云えるから、訂正事項ａは、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｂ及びｃは、訂正事項ａによるターゲットアッセンブリが絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されていることを特定する訂正に伴い、請求項１に記載の高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極が接続される対象を、ターゲットアッセンブリから該ターゲットアッセンブリを構成するバッキングプレートにするものであるから、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極がバッキングプレートに接続されることは、特許明細書の【００１９】段落及び【図１】に記載されていると云えるから、訂正事項ｂ及びｃは、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｄは、請求項１に記載の装置に、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持されるようになっていることという新たな限定を付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持されることは、特許明細書の【００２０】、【００２４】、【００２５】段落、【図３】及び【図４】に記載されているから、訂正事項ｄは、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｅは、請求項６に記載のターゲットアッセンブリと基板について、その位置関係をターゲットアッセンブリが基板より上方に設けられると特定すると共に、請求項６に記載のターゲットアッセンブリについて、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されていることを特定するものである。よって、訂正事項ｅは、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、ターゲットアッセンブリが基板より上方に設けられること、及び、ターゲットアッセンブリが、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されていることについては、訂正事項ａについて述べたと同様のことが云えるから、訂正事項ｅは、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｆは、請求項６に記載の方法において、真空チャンバ内の圧力を７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持するステップという新たなステップを付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、真空チャンバ内の圧力を７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持することは、特許明細書の【００２０】、【００２４】、【００２５】段落、【図３】及び【図４】に記載されているから、訂正事項ｆは、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｇは、請求項６に記載の「前記空間」が、ターゲットアッセンブリと支持手段との間の空間であることを明らかにするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。そして、かかる訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｈ及びｉは、訂正事項ｅによるターゲットアッセンブリが絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されていることを特定する訂正に伴い、請求項６に記載の高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極が接続される対象を、ターゲットアッセンブリから該ターゲットアッセンブリを構成するバッキングプレートにするものであるから、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極がバッキングプレートに接続されることは、特許明細書の【００１９】段落及び【図１】に記載されていると云えるから、訂正事項ｈ及びｉは、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｊは請求項１の記載の訂正に整合させて明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。そして、かかる訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内で明細書の記載を訂正するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　また、訂正事項ａ乃至ｊは、発明の課題に変更を及ぼすものではないので、いづれも実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
　特許第３２８３７９７号の請求項１乃至７に係る発明（以下、「本件発明１」乃至「本件発明７」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
【請求項１】真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板よりも上方にて当該基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアッセンブリと、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記バッキングプレートに一出力端子が接続され、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の前記空間に高周波電力を印加する高周波電源と、前記バッキングプレートに陰極が接続され、前記プラズマにおける正イオンを前記ターゲットアセンブリに向わせるべく前記ターゲットアセンブリの周囲に対して前記ターゲットアセンブリを負電位にする直流電源と、を備え、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持されるようになっていることを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】前記負電位が−２０Ｖ以下であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】前記ターゲットアセンブリが、直径が１３インチの円板形状を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】前記真空チャンバの内部に前記ターゲットアセンブリを囲むように設けられ、前記真空チャンバの内壁面を保護するための筒状のシールドを含んでおり、前記シールドが、前記真空チャンバに電気的に接続され、前記真空チャンバと同じ電位に保持されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【請求項５】前記空間に配置され、前記ターゲットアセンブリからの粒子を選択的に通過させるべく多数の孔を有するコリメータを有しており、前記コリメータが、前記真空チャンバに電気的に接続され、前記真空チャンバと同じ電位に保持されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【請求項６】真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板よりも上方にて当該基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアッセンブリとを有するスパッタ装置において、前記ターゲットアセンブリのスパッタを促進するスパッタ処理方法であって、前記真空チャンバ内の圧力を７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持するステップと、前記ターゲットアッセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するプロセスガス供給ステップと、前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記バッキングプレートに一出力端子が接続された高周波電源によって、前記空間に高周波電力を印加する高周波電力印加ステップと、前記バッキングプレートに陰極が接続された直流電源によって、前記プラズマにおける正イオン前記プラズマにおける正イオンを前記ターゲットアセンブリに向わせるべく前記ターゲットアセンブリの周囲に対して前記ターゲットアセンブリを負電位にする負電位ステップと、を備えることを特徴とするスパッタ処理方法。
【請求項７】前記負電位を−２０Ｖ以下とする請求項６に記載のスパッタ処理方法。
３−２．当審が通知した取消理由
　当審が取消理由通知書で通知した取消理由は、本件の請求項１、２、６、７に係る発明は、下記の刊行物１、５乃至７に記載された発明であり、本件の請求項１乃至７に係る発明は下記の刊行物１乃至７に記載された発明に基き当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１乃至７に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項に規定する要件に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである、というものである。
　刊行物１：特開平６−８８２０７号公報
　　　（異議申立人　寺尾健吾の提出した甲第１号証、
　　　　異議申立人　株式会社アルバックの提出した甲第４号証）
　刊行物２：特開平８−１８８８７０号公報
　　　（異議申立人　寺尾健吾の提出した甲第２号証）
　刊行物３：特開平５−２４３１５４号公報
　　　（異議申立人　株式会社アルバックの提出した甲第５号証）
　刊行物４：特開平５−１３６０５８号公報
　　　（異議申立人　株式会社アルバックの提出した甲第６号証）
　刊行物５：特開平７−３４２４２号公報
　　　（異議申立人　株式会社アルバックの提出した甲第１号証）
　刊行物６：特開平７−１２６８４５号公報
　　　（異議申立人　株式会社アルバックの提出した甲第２号証）
　刊行物７：特開平５−１８２９０８号公報
　　　（異議申立人　株式会社アルバックの提出した甲第３号証）
３−３．刊行物に記載された事項
（１）上記刊行物１には、図面と共に下記の事項が記載されている。
（１−ア）「平行平板型スパッタリング法を用いてある基板上にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下ＹＢＣＯという）超電導薄膜を形成する方法において、高周波電源とこれをカットするローパスフィルターを介して直流の電源をカソード電極に同時印加し、導電性を有するＹＢＣＯターゲットを該カソード上に配置して低真空度の下スパッタリングすることを特徴とする、結晶性に優れたＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏｘ超電導薄膜の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項１）
（１−イ）「高周波プラズマによって生成するカソード側のセルフバイアスに重畳付加する直流負電圧を、０Ｖを超えて２００Ｖ以下の範囲で制御することを特徴とする、請求項１記載の結晶性に優れたＹＢＣＯ超電導薄膜の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項２）
（１−ウ）「２００mTorr 以上、２Torr 以下のスパッタリング圧力範囲で成膜することを特徴とする、請求項１記載の結晶性に優れたＹＢａ2 Ｃｕ3 ＯｘＹＢＣＯ超電導薄膜の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項４）
（１−エ）「平行平板型のスパッタリングを用いて、一般に用いられる高周波数（１３．５６MHz ）より高い周波数帯、例えば４０MHz 以上の高周波によるスパッタリングは、カソード上に生成するセルフバイアスが小さいという最大の特徴を有する。これは、・・・膜の結晶性向上には有効と考えられる。しかしながら、また小さなセルフバイスは同時にスパッタリング効率を著しく損ねる結果をもたらす。・・・従って、膜の再スパッタの影響がでない程度に低真空度にした条件で十分な成膜速度を得るプロセスの開発が必要になった。」（第２頁第２欄５０〜第３頁第３欄２１行、【０００７】段落）
（１−オ）「発明者らは、鋭意検討した結果、ターゲットに電気電導性の１：２：３組成のＹＢＣＯを用い、４０MHz 以上の高周波、具体的には９４．９２MHz でプラズマを生成すると同時にカソードに負のバイアスを印加することにより、直流プラズマが重畳して来ることを見いだした。また、このハイブリッドプラズマを用いることにより、再スパッタを完全に抑えられる圧力までスパッタ圧力を上げても十分な成膜速度が得られることがわかり、本発明発明をなすに至った。」（第３頁第３欄２２〜３０行、【０００８】段落）
（１−カ）「図１は、本発明を実施するために用いられる装置の概略図を示したものである。・・・。図の装置において、・・・排気された成膜室１にアルゴンと酸素の混合ガスが導入され、排気速度を制御することにより所定の圧力とする。磁石２と冷却水路３を設けたカソード４上に、組成比が１：２：３に調合されたＹＢＣＯターゲット５が配置され、このほぼ３０mm直上に基板６がセットされる。基板６は背面のヒータ７により所定温度まで加熱される。カソード４には高周波（９４．９２MHz ）の電源８が整合器９を通して接続され、高周波電圧が印加される。同時に、ローパスフィルター１０を介して接続された直流電源１１により負のバイアスが高周波電圧に重畳印加される。」（第３頁第３欄３２〜４６行、【０００９】段落）として、第５頁には【図１】が記載されており、【図１】から、成膜室１内には基板６を支持する支持手段があること、及び、基板６より下方にターゲット及びターゲットを配置するカソードが設けられていることが窺える。
（１−キ）「電気抵抗の小さいターゲットを用いた場合には、印加するバイアス電圧のターゲット内での電圧降下は小さく、ターゲット表面に負の電圧ポテンシャルが発生し高周波プラズマで電気電導性の大きな気相中にＤＣプラズマが重畳されることになる。ＤＣプラズマで流れる電流は電気抵抗の小さなターゲットを通ってカソード電流となる。従って、同じ１：２：３のターゲットでもターゲット厚さの違いでこの電圧−電流特性に影響が及ぼされる。」（第３頁第４欄１２〜２０行、【００１１】段落）
（１−ク）「あまり導電性が高くない場合には、カソード電流の増大が見られる電圧が著しく上昇してしまう。バイアス重畳電圧が２００Ｖを超えると、ＤＣプラズマの特性が強調され高周波プラズマの特性が利用できなくなるばかりか、再スパッタが再び問題となってくるため、膜の結晶性は著しく損なわれることになる。従って、本法は２００Ｖ以下に限定して用いられることになる。」（第３頁第４欄２７〜３４行、【００１３】段落）
（２）上記刊行物２には、図面と共に下記の事項が記載されている。
（２−ア）「Ｔｉスパッタタ−ゲットをＡｒと窒素の混合ガスによりスパッタを行い、基板上にＴｉＮ膜を形成するスパッタ法において、前記Ｔｉスパッタタ−ゲットとして、該Ｔｉスパッタタ−ゲットの面方位のうち(001)面が、タ−ゲット表面の法線から30°以内に90％以上有するＴｉスパッタタ−ゲットを用いることを特徴とするスパッタ方法。」（特許請求の範囲　請求項１）
（２−イ）「前記基板への成膜速度を低下させる手段として、Ｔｉスパッタタ−ゲットと基板の間に多数の開孔を有する板を設け、基板の法線方向の近傍に進行するスパッタ粒子のみを通過させるようにすることを特徴とする請求項２に記載のスパッタ方法。」（特許請求の範囲　請求項３）
（２−ウ）「図１は、本発明の一実施例(実施例１)で使用するスパッタ装置の概略図であって、このスパッタ装置は、真空室１、マグネトロンスパッタ電極２、該マグネトロンスパッタ電極２に裏板３を介して配設したＴｉスパッタタ−ゲット４、防着シ−ルド板５、コリメ−ト板６、基板ホルダ−７に取り付けられた基板８、ガス導入口９から主として構成されている。」（第３頁第４欄２６〜３２行、【００２２】段落）として、第６頁には【図１】が記載されている。
（２−エ）「真空室１内に基板８が基板ホルダ−７に取り付けられており、この基板８とＴｉスパッタタ−ゲット４との間に直径10ｍｍの多数の孔を有する厚さ10ｍｍのコリメ−ト板６が配置されている。また、真空室１の内側に防着シ−ルド板５を配設し、この防着シ−ルド板５により真空室１の壁に膜が付着するのを防止している。」（第３頁第４欄４３〜４９行、【００２４】段落）
（２−オ）「本実施例１では、Ｔｉスパッタタ−ゲット４として、・・・直径300ｍｍの円形のものを用いた。」（第４頁第５欄６〜９行、【００２６】段落）
（２−カ）「本実施例１では、まず、ガス導入口９からＡｒと窒素をそれぞれ20sccm程度導入し、真空室１内の圧力を２mmTorr程度に保持する。次に、直流電源(図示せず)によりＴｉタ−ゲット４に負の電圧を印加する。投入パワ−は、10kWとした。この10kWのパワ−を印加することにより放電が開始し、スパッタによる基板８上への成膜が開始する。」（第４頁第５欄１５〜２２行、【００２７】、【００２８】段落）
（３）上記刊行物３には、図面と共に下記の事項が記載されている。
（３−ア）「半導体ウェーハ上に薄膜を形成するスパッタチャンバー内において、半導体ウェーハを保持するウェーハホルダーと該半導体ウェーハ上にスパッタしたい物質からなるターゲットとの間に、内面からスパッタリングガスが吹き出すノズルを備えた円筒状シールドを設けた事を特徴とするスパッタリング装置。」（特許請求の範囲　請求項１）
（３−イ）「図１は本発明の一実施例・・・である。スパッタチャンバー１内で、半導体ウェーハ９を保持するウェーハホルダー３と電極７上のスパッタする物質からなるターゲット６との間に円筒状シールド８が設けられている。」（第２頁第２欄４〜１０行、【０００７】、【０００８】段落）として、第３頁には【図１】が記載されている。
（４）上記刊行物４には、図面と共に下記の事項が記載されている。
（４−ア）「 ターゲットにイオンを衝突させて、前記ターゲットから飛びだした粒子を、コンタクトホールを有する半導体基板上に堆積せしめて薄膜を形成するスパッタ成膜装置において、多数の貫通穴が穿設された粒子選択手段を前記半導体基板と前記ターゲットとの間に配置し、且つ前記貫通穴のアスペクト比が前記コンタクトホールのアスペクト比より大きくなるように前記貫通穴を形成したことを特徴とするスパッタ成膜装置。」（特許請求の範囲　請求項２）
（４−イ）「本発明に係るスパッタ成膜装置は上記の構成によって、複数の貫通穴が穿設された粒子選択手段を半導体基板とターゲットとの間に配置したことにより、スパッタ原子のうち粒子選択手段で所定の方向性を有するものだけが選択される。」（第２頁第２欄３７〜４１行、【０００９】段落）
（４−ウ）「図１に示すスパッタ成膜装置は、図示しないチャンバー（真空槽）と、薄膜を形成する基板１０を保持する基板ホルダー１４と、薄膜材料で形成したターゲット１６と、ターゲット１６を保持するターゲットホルダー１８と、スリットシャッター２２と、高周波電源２４とを備えるものである。基板ホルダー１４とターゲットホルダー１８は互いに平行に対向して配置され、これらは、高周波電源２４に接続されて電極としての役割を果たす。」（第３頁第３欄７〜１５行、【００１１】、【００１２】段落）として、第５頁には【図１】が記載されている。
（４−エ）「スリットシャッター２２は、基板１０とターゲット１６との間に配置され、貫通穴２２ａの中心軸方向が基板１０及びターゲット１６に垂直となるようにする。また、スリットシャッター２２は電気的にはアース電位とする。」（第３頁第３欄３８〜４２行、【００１５】段落）
（５）上記刊行物５には、図面と共に下記の事項が記載されている。
（５−ア）「真空状態の維持が可能な真空チャンバーと、前記真空チャンバー内を減圧雰囲気にする真空ポンプと、真空チャンバー内にスパッタリングガス流量を調整しながら供給するガス供給系と、磁石対を配置されかつターゲットを固定されたカソードと、カソードと対向して配置されスパッタリングにより成膜される基板とを備えたスパッタリング装置において、カソードに電圧を印加し基板との間でプラズマを発生させる直流電源と、高周波電源と、直流電源に高周波が干渉するのを防止するローバスフィルターを備えたことを特徴とするスパッタリング装置。」（特許請求の範囲　請求項１）
（５−イ）「本発明は、金属ターゲットを用いた反応性スパッタによる絶縁膜のスパッタリング装置に関するものである。」（第２頁第１欄１５〜１７行、【０００１】段落）
（５−ウ）「図３を参照しながら、従来のスパッタリング装置の一例について説明する。・・・真空チャンバー２８内部に、アルゴンガスと酸素ガスを導入し、・・・、直流電源３１によりカソード２１に直流電圧を印加し、真空チャンバー２８の内部にプラズマを発生させる。これによりアルゴンイオン及び酸素ラジカルが発生する。また、磁石対２３の磁界３２により、プラズマ密度高い部分３３が発生し、アルゴンイオンの金属ターゲット２５への衝突量が増加する。そして、主にその領域、即ち、イエロージョンから粒子が飛散し、酸素ラジカルと反応し対向して配置された基板２７の表面に金属酸化物が堆積し絶縁膜が形成される。・・・しかしながら上記のような構成では同心円状の磁石対２３により磁界強度の高い部分が環状に形成され、この金属ターゲット２５表面の磁界強度の高い部分、即ちプラズマ密度の高い部分でのアルゴンイオンの衝突量が多くなり、環状のエロージョン領域で粒子の飛散が多くなる。そのため、図４に示すようにエロージョン領域以外の部分へ酸素ラジカルと反応した粒子が、金属酸化物である絶縁膜３２となって堆積する。このときエロージョン領域以外の部分へ堆積した金属酸化物が絶縁体であるため、直流電源３１により印加された電圧がチャージアップし異常放電が発生するなどプラズマが不安定となる。またプラズマが停止することとなる。・・・本発明は上記従来の問題点に鑑み、エロージョン以外の部分の金属酸化物である絶縁膜の堆積を抑制し異常放電を防止しプラズマを安定化することにより、膜質均一性、性膜速度を向上し、パーティクルを減少できるスパッタリング装置を提供することを目的とする。」（第２頁第１欄２２行〜同頁第２欄２３行、【０００３】〜【０００７】段落）
（５−エ）「図１において、１はカソード、２はヨークである。３は同心円状の磁石対、４はターゲット５を固定するパッキングプレート、６は磁石対３及び、金属ターゲットスパッタにより膜が堆積される基板である。９は、真空チャンバー８内を減圧雰囲気にするための真空排気ポンプ、１０は真空チャンバー８内にスパッタリングガスを供給するためのガス供給系である。１１はカソード１に直流電圧を印加し、金属ターゲット５表面でプラズマを発生させるための直流電源、１４は直流電源１１と同時にカソード１に高周波電圧を印加し、金属ターゲット５表面でプラズマを発生させるための高周波電源、１５は直流電源に高周波が干渉するのを防止ずローパスフィルターである。」（第２頁第２欄４９〜第３頁第３欄１１行、【００１２】段落）として、第４頁には【図１】が記載されており、【図１】から、真空チャンバー内に基板７を支持する支持手段が設けられていること、基板７よりも下方にて基板７表面と対向するようにターゲット及びターゲットを裏面に固定するバッキングプレートが設けられていることが窺える。
（５−オ）「真空チャンバー８の内部を・・・真空排気する。その後、ガス供給系１０を通して、真空チャンバー８の内部に、アルゴンガスと酸素ガスを導入し、５×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度に設定する。・・・。次にカソード１へ、直流電源１１により直流電圧と高周波電源１４によりの高周波電圧を印加し、真空チャンバー８の内部にプラズマを発生させる。このプラズマによりアルゴンイオン及び酸素ラジカルが発生する。また、磁石対３の磁界１２によりプラズマ密度の高い部分１３が発生し、アルゴンイオンの金属ターゲット５への衝突量が増加する。そして、主にその領域、即ちエロージョンから粒子が飛散し、酸素ラジカルと反応し対向して配置された基板７の表面に金属酸化物が堆積し絶縁膜が形成される。このとき、金属ターゲット５の表面のエロージョン以外の部分に堆積する金属酸化物である絶縁膜は直流電圧に加え高周波電圧を同時に印加されるためチャージアップが防止され放電が安定する。」（第３頁第３欄１４〜３３行、【００１３】段落）
（５−カ）「本発明によれば、以上のように直流電圧と同時にカソードに高周波電圧を印加し、金属ターゲット表面でプラズマを発生させるための高周波電源と、直流電源に高周波が干渉するのを防止するローパスフィルターを構成したことにより、エロージョン以外の部分に堆積する金属酸化物である絶縁膜を直流電圧に加え高周波電圧を同時に印加することによりチャージアップを防止し放電させることができる。よって、絶縁膜の堆積を制御し異常放電を防止しプラズマを安定化することができるため、膜質均一性を向上し、パーティクルを減少できる。また、スパッタ率の低い金属酸化物の堆積が抑制されるため成膜速度の低下を防止できる等の効果を発揮する。」（第３頁第４欄７〜１９行、【００１６】段落）
（６）上記刊行物６には、下記の事項が記載されている。
（６−ア）「印加電圧１．５Ｖで板厚方向に測定した電気抵抗が１０Ω・ｃｍ以下のセラミックス材ターゲットを用いてスパッタリング法により誘電体膜を基板上に成膜する方法において、該ターゲット材に直流電力と高周波電力を重畳して印加してスパッタ成膜することを特徴とする誘電体膜の成膜方法。」（特許請求の範囲　請求項１）
（６−イ）「 セラミックス材ターゲットに印加する直流電力と高周波電力の全電力中の高周波電力の割合が１０％〜９０％であることを特徴とする請求項第１項または第２項に記載の誘電体膜の成膜方法。」（特許請求の範囲　請求項３）
（６−ウ）「セラミックス材ターゲットにスパツタリング法により直流電力と高周波電力を重畳して印加すると、ターゲットがスパッタリングされて基板上にセラミックス材の誘電体膜が成膜される。その際、セラミックス材ターゲットは印加電圧１．５Ｖで測定した板厚方向の電気抵抗が１０Ω・ｃｍ以下であるため、スパッタ中にターゲットが発熱することがなく、また、直流電力に高周波電力が重畳されているので、ターゲットに蓄積されたチャージによりターゲットが絶縁破壊されないので、高いパワーを印加してもターゲットが割れたりすることがなく、安定した高い成膜速度が得られる。」（第３頁第３欄１９〜３０行、【００１５】段落）
（６−エ）「全体としては印加電圧１．５Ｖで板厚方向に測定した電気抵抗が１０Ω・ｃｍ以下の低抵抗にはなってはいるが、直流電位が印加され続けられると酸素欠損が不十分で周りの部分よりもやや抵抗が高い部分にチャージが蓄積されその量が徐々に多くなって、ついには絶縁破壊に至る。本発明の誘電体膜の成膜方法では、このような低抵抗ターゲットを用いる場合、直流電力に高周波電力を重畳して印加するので、蓄積されたチャージが解放され、絶縁破壊を起こさず、従ってターゲットの割れやダストの発生を引き起こさない。」（第３頁第４欄１９〜２９行、【００２０】、【００２１】段落）
（６−オ）「セラミックス材ターゲットをスパッタリング装置内に設置し、スパッタリング装置内・・・真空排気した後、酸素（Ｏ2）ガスを２０％含むアルゴン（Ａｒ）ガスを分圧１Ｐａまで導入し、６００℃に加熱したＳｉウエハから成る基板上に膜厚８００Åの（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3から成るセラミックスの誘電体膜を成膜した。」（第４頁第５欄４〜１０行、【００２５】段落）
（７）上記刊行物７には、図面と共に図面と共に下記の事項が記載されている。
（７−ア）「ガラス基板を被処理基板とし、該被処理基板を真空装置内に設置し、シリコン基板をターゲットとし、該ターゲットに直流電圧をバイアスした高周波電力を加えて該バイアス電圧が成膜速度を支配する条件でスパッタを行い、被処理基板上にアモルファスのシリコン膜を形成した後、該シリコン膜にエネルギー線を照射し、引き続いて該被処理基板上にシリコンをスパッタして結晶化したシリコン膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。」（特許請求の範囲　請求項１）
（７−イ）「本発明においては、スパッタ法を改良して高周波電源による自己バイアスを低く抑え、直流バイアスを効き易くしている。図１は本発明を実施するスパッタ装置における反応室と電源との関係を示している。すなわち、Ｓｉ基板をターゲット１として直流電源２の負極に回路接続すると共に、直流電源２の正極側に接続してあり、ヒータ３を内蔵する対極４の上に被処理基板５を設置する。また、被処理基板５とターゲット１との空間を囲ってアルゴン(Ar)ガスの吹き出し口を備えたリング状のガス供給管６がある。次に、排気口７の先には図示を省略した二段のターボポンプがあり、反応室内を・・・排気可能に構成さている。」（第２頁第２欄４０行〜第３頁第３欄３行、【００１３】〜【００１５】段落）として、第４頁には【図１】が記載されており、【図１】から、反応室内には被処理基板５の支持手段があり、支持手段により支持される被処理基板５よりも下方にて当該基板の表面に対向するように、ターゲット１を備えた物が配置されていることが窺える。
（７−ウ）「ターゲット１は高周波電源８に接続されていてターゲット１に高周波電界が加わるように構成さている。かゝる構成をとるスパッタ装置において、従来は高周波電源８の周波数として13.56 ＭHzが使用されているが、この周波数では自己バイアス値が大きく、直流電源２を用いて行うスパッタ膜成長速度の制御が充分でない。そこで、本発明においては高周波電源８の周波数を100 ＭHzに上げて自己バイアス値を少なく押えている。」（第３頁第３欄４〜１３行、【００１６】、【００１７】段落）
（７−エ）「図４は高周波電力を200 Ｗに固定しバイアス電圧を変えた場合の成膜速度を、また図５はバイアス電圧を200 Ｖに固定して高周波電力を変えた場合の成膜速度の変化を示しており、バイアス電圧を変えることにより成膜速度を大幅に制御できることが判る。」（第３頁第４欄２５〜３０行、【００２８】段落）
３−４．対比、判断
（１）本件発明１について
（１−１）本件発明１と刊行物１に記載された発明との同一性について
　記載事項１−オ及びキからみて、カソードに接続される直流電源の端子は陰極端子であり、カソードに直流電源の陰極を接続することにより、カソードに負のバイアスが印加され、それによって直流プラズマが重畳されることとなると云える。また、成膜室内に供給されたアルゴンと酸素の混合ガスは基板とターゲットの間に供給され、そこでプラズマ化され、スパッタによりターゲットから粒子が放出されることは明らかであるから、記載事項１−ア〜クを本件発明１に則って整理すると、刊行物１には下記の物の発明（以下、「刊１物発明」と略す。）が記載されていると云える。
「成膜室と、前記成膜室内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板よりも下方にて当該基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができる物であって、導電性を有するＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置され磁石と冷却水路を設けたカソードから構成された物と、前記の物と前記支持手段との間の空間にアルゴンと酸素の混合ガスを供給するガス供給手段と、前記空間に供給されるアルゴンと酸素の混合ガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記カソードに一出力端子が接続され、前記の物と前記支持手段との間の前記空間に高周波電力を印加する高周波電源と、前記カソードに陰極が接続され、カソードに負のバイアスが印加され、それによって直流プラズマが重畳される直流電源と、を備え、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が２００ｍＴｏｏｒ〜２Ｔｏｏｒに維持されるようになっているスパッタ装置。」
　本件発明１と刊１物発明とを対比すると、後者における「成膜室」、「アルゴンと酸素の混合ガス」は、各々、前者における「真空チャンバ」、「プロセスガス」に相当する。また、後者における「ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置されたカソードから構成された物」は、ターゲットとそれに付随する物との複合物という点で、ターゲットアッセンブリと云え、後者における「カソード」と前者における「バッキングプレート」とは、ターゲットアッセンブリを構成する部材である点で一致する。そして、後者における「カソードに負のバイアスが印加され」ることは、プラズマにおける正イオンを前記ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置されたカソードから構成された物に向わせるべく、前記ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置されたカソードから構成された物の周囲に対して前記ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置されたカソードから構成された物を負電位にすることであると云え、後者における「直流プラズマが重畳される」ことは、ターゲットアセンブリと支持手段との間の空間に供給されるアルゴンと酸素の混合ガスをスパッタのためにプラズマとすることであると云える。よって両者は、
「真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記ターゲットアッセンブリを構成する部材に一出力端子が接続され、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の前記空間に高周波電力を印加する高周波電源と、前記ターゲットアッセンブリを構成する部材に陰極が接続される直流電源と、を備え、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が維持されるようになっているスパッタ装置。」
で一致し、下記の点で相違する。
１−ｉ：前者は、ターゲットアセンブリが基板より上方に設けられるのに対し、後者は、ターゲットアセンブリが基板より下方に設けられる点。
１−ii：前者は、ターゲットが絶縁体からなるのに対し、後者はターゲットが導電性を有するＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系ターゲットである点。
１−iii：前者は、ターゲットアッセンブリが、ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成され、高周波電源の一出力端子と直流電源の陰極がバッキングプレートに接続されるのに対し、後者は、ターゲットアッセンブリがターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置され磁石と冷却水路を設けたカソードから構成されており、高周波電源の一出力端子と直流電源の陰極がカソードに接続される点。
１−iv：前者は、高周波電源が、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとするものであり、直流電源が、プラズマにおける正イオンをターゲットアセンブリに向わせるべく前記ターゲットアセンブリの周囲に対して前記ターゲットアセンブリを負電位にするものであるのに対し、後者は、高周波電源が、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとするものであり、直流電源が、プラズマにおける正イオンをターゲットアッセンブリに向わせるべく、前記ターゲットアッセンブリの周囲に対して前記ターゲットアッセンブリを負電位にすると共に、ターゲットアセンブリと支持手段との間の空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとするものである点。
１−ｖ：前者は、真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持されるようになっているのに対して、後者は、真空チャンバ内の圧力が２００ｍＴｏｏｒ〜２Ｔｏｏｒに維持されるようになっている点。
　相違点１−iiについて検討すると、刊行物１の記載事項１−キ及びクからみて、刊１物発明はターゲットとして導電性を有する物を用いた点に特徴を有するものであるから、相違点１−iiは実質的な相違点であると云える。
  そして、少なくとも相違点１−iiが実質的な相違点である以上、本件発明１は刊１物発明と同一であると云うことはできない。
（１−２）本件発明１と刊行物５に記載された発明との同一性について
　記載事項５−ア〜カを本件発明１に則って整理すると、刊行物５には下記の物の発明（以下、「刊５物発明」という。）が記載されていると云える。
「真空チャンバーと、前記真空チャンバー内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板よりも下方にて当該基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができる物であって、金属ターゲット及び該ターゲットの裏面にて該ターゲットを固定するバッキングプレートからなる物と、前記の物と前記支持手段との間の空間にスパッタリングガスを供給するガス供給系と、前記空間に供給されるスパッタリングガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記の物を備えたカソードに陰極が接続される直流電源と、前記空間に供給されるスパッタリングガスをスパッタのためにプラズマとすると共に金属ターゲット上に堆積した絶縁膜のチャジアップを防止すべく、前記の物を備えたカソードに一出力端子が接続される高周波電源と、を備え、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が５ｍＴｏｏｒ程度に維持されるようになっているスパッタ装置。」
　本件発明１と刊５物発明とを対比すると、後者における「真空チャンバー」、「スパッタリングガス」、「ガス供給系」は、各々、前者における「真空チャンバ」、「プロセスガス」、「ガス供給手段」に相当する。そして、後者における「金属ターゲット及び該ターゲットの裏面にて該ターゲットを固定するバッキングプレートからなる物」はターゲットアッセンブリと云えるものであるから、両者は、
「真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置されたバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアッセンブリと、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の前記空間に高周波電力を印加する高周波電源と、直流電源と、を備え、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が５ｍＴｏｏｒ程度に維持されるようになっていることを特徴とするスパッタ装置。」で一致し、下記の点で相違する。
５−ｉ：前者は、ターゲットアセンブリが基板より上方に設けられるのに対し、後者は、ターゲットアセンブリが基板より下方に設けられる点。
５−ii：前者は、ターゲットが絶縁体からなるのに対し、後者はターゲットが金属である点。
５−iii：前者は、導電性のバッキングプレートに高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極が接続されるのに対し、後者は、ターゲットアッセンブリを備えたカソードに高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極が接続される点。
５−iv：前者は、高周波電源が、スパッタリングガスをスパッタのためにプラズマとするものであり、直流電源が、プラズマにおける正イオンを前記ターゲットアセンブリに向わせるべく前記ターゲットアセンブリの周囲に対して前記ターゲットアセンブリを負電位にするものであるのに対し、後者は、直流電源が、スパッタリングガスをスパッタのためにプラズマとするものであり、高周波電源は、スパッタリングガスをスパッタのためにプラズマとするばかりでなく、金属ターゲット上に堆積した絶縁膜のチャジアップを防止するものである点。
　相違点５−iiについて検討すると、刊行物５の記載事項５−ウからみて、刊５物発明は金属ターゲットを用いたときのターゲット上への絶縁物の堆積に起因する問題を解決することを課題とするものであり、金属ターゲットを用いた点に特徴を有するものであるから、相違点５−iiは実質的な相違点であると云える。
  そして、少なくとも相違点５−iiが実質的な相違点である以上、本件発明１は刊５物発明と同一であると云うことはできない。
（１−３）本件発明１と刊行物６に記載された発明との同一性について
　刊行物６を如何に検討しても、スパッタリング装置の具体的構成に関する記載はないが、スパッタリング装置が、真空チャンバを備えていること、真空チャンバ内において基板を支持する支持手段を備えていること、ターゲットを配置したターゲットアッセンブリを備えていることは、通常のことであり、直流電力及び高周波電力を印加する以上、直流電源及び高周波電源を備えていることは明らかであるから、これらのことを加味して刊行物６の記載事項６−ア〜オを本件発明１に則って整理すると、刊行物６には下記の物の発明（以下、「刊６物発明」という。）が記載されていると云える。
「真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、印加電圧１．５Ｖで板厚方向に測定した電気抵抗が１０Ω・ｃｍ以下のセラミックス材ターゲットを備えた前記ターゲットアッセンブリと、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間に酸素ガスを２０％含むアルゴンガスを供給する手段と、前記空間に供給される酸素ガスを２０％含むアルゴンガスをスパッタのためにプラズマとすると共にターゲットに蓄積されたチャージを解放すべく、ターゲットに高周波電力を印加する高周波電源と、酸素ガスを２０％含むアルゴンガスをスパッタのためにプラズマとすべく、ターゲットに直流電力を印加する直流電源と、を備え、真空チャンバ内の圧力を分圧１Ｐａ（７．５×１０−３Ｔｏｏｒ）に維持するスパッタリング装置。」
　本件発明１と刊６物発明とを対比すると、後者における「酸素ガスを２０％含むアルゴンガス」は前者における「プロセスガス」に相当する。そして、ターゲットに高周波電力及び直流電力を印加することは、ターゲットアッセンブリと支持手段の間の空間に高周波電力及び直流電力を印加することに他ならない。また、後者における「分圧」は何の分圧か不明であるから、後者における真空チャンバ内の圧力は特定できない。よって、両者は、
「真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、ターゲットを備えた前記ターゲットアッセンブリと、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の前記空間に高周波電力を印加する高周波電源と、直流電源と、を備えたスパッタ装置。」
で一致し、下記の点で相違する。
６−ｉ：前者は、ターゲットアッセンブリが支持手段により支持される基板よりも上方にて基板の表面に対向するように設けられるのに対し、後者はかかる点が特定されていない点。
６−ii：前者は、ターゲットが絶縁体からなるのに対し、後者は、ターゲットが印加電圧１．５Ｖで板厚方向に測定した電気抵抗が１０Ω・ｃｍ以下のセラミックス材からなる点。
６−iii：前者は、ターゲットアッセンブリが、ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成され、高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極が前記バッキングプレートに接続されているのに対し、後者はかかる点が特定されていない点。
６−iv：前者は、高周波電源が、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとするものであり、直流電源が、プラズマにおける正イオンを前記ターゲットアセンブリに向わせるべく前記ターゲットアセンブリの周囲に対して前記ターゲットアセンブリを負電位にするものであるのに対し、後者は、直流電源が、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとするものであり、高周波電源が、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとすると共にターゲットに蓄積されたチャージを解放するものである点。
６−ｖ：前者は、真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持されるようになっているのに対して、後者は、真空チャンバ内の圧力が不明である点。
　相違点６−iiについて検討すると、刊行物６の記載事項６−ウ及びエからみて、刊６物発明はターゲットとして印加電圧１．５Ｖで板厚方向に測定した電気抵抗が１０Ω・ｃｍ以下のセラミックス材を用いた点に特徴を有するものであるから、相違点６−iiは実質的な相違点であると云える。
  そして、少なくとも相違点６−iiが実質的な相違点である以上、本件発明１は刊６物発明と同一であると云うことはできない。
（１−４）本件発明１と刊行物７に記載された発明との同一性について
　刊行物７には明確な記載がないものの、ターゲットが半導体であるシリコン基板からなるものである以上、ターゲットに陰極が接続された直流電源により、ターゲットアセンブリと支持手段との間の空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、ターゲットアセンブリと支持手段との間の空間に直流電力が印加されていると解される。よって、刊行物７の記載事項７−ア〜エをスパッタ装置に着目して本件発明１に則って整理すると、刊行物７には下記の物の発明（以下、「刊７物発明」という。）が記載されていると云える。
「反応室と、前記反応室内で被処理基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される被処理基板よりも下方にて当該被処理基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットを備えた物であって、シリコン基板からなるターゲットを備えた前記の物と、前記の物と前記支持手段との間の空間にアルゴンガスを供給するガス供給管と、前記空間に供給されるアルゴンガスをスパッタのためにプラズマとすべく、ターゲットに一出力端子が接続され、前記の物と前記支持手段との間の前記空間に高周波電力を印加する高周波電源と、ターゲットに陰極が接続され、前記プラズマにおける正イオンを前記の物に向わせるべく前記の物の周囲に対して前記の物を負電位にすると共に、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の前記空間に直流電力を印加する、直流電源と、を備たスパッタ装置。」
　本件発明１と刊７物発明とを対比すると、後者における「反応室」、「被処理基板」、「アルゴンガス」、「ガス供給管」は、各々、前者における「真空チャンバ」、「基板」、「プロセスガス」、「ガス供給手段」に相当すると云える。そして、後者における「スパッタにより粒子を放出することができるターゲットを備えた物」はターゲットアッセンブリと云えるものである。してみると、両者は、
「真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板の表面に対向するように設けられ、スパッタにより粒子を放出することができるターゲットアセンブリであって、ターゲットを備えている前記ターゲットアッセンブリと、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の前記空間に高周波電力を印加する高周波電源と、前記プラズマにおける正イオンを前記ターゲットアセンブリに向わせるべく前記ターゲットアセンブリの周囲に対して前記ターゲットアセンブリを負電位にする、直流電源と、を備えたスパッタ装置。」
で一致し、下記の点で相違する。
７−ｉ：前者は、ターゲットアセンブリが基板より上方に設けられるのに対し、後者は、ターゲットアセンブリが基板より下方に設けられる点。
７−ii：前者は、ターゲットが絶縁体からなるのに対し、後者はターゲットが半導体であるシリコン基板からなる点。
７−iii：前者は、ターゲットアッセンブリが、ターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成され、高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極が前記バッキングプレートに接続されているのに対し、後者は、ターゲットアッセンブリの構成が明確でなく、高周波電源の一出力端子及び直流電源の陰極を接続する対象もターゲットである点。
７−iv：前者は、高周波電源が、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとするものであり、直流電源が、プラズマにおける正イオンをターゲットアセンブリに向わせるべく前記ターゲットアセンブリの周囲に対して前記ターゲットアセンブリを負電位にするものであるのに対し、後者は、高周波電源が、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとするものであり、直流電源が、プラズマにおける正イオンをターゲットアッセンブリに向わせるべく、前記ターゲットアッセンブリの周囲に対して前記ターゲットアッセンブリを負電位にするものであると共に、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとするものである点。
７−ｖ：前者は、真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｏｒ〜２０ｍＴｏｏｒに維持されるようになっているのに対して、後者は、真空チャンバ内の圧力について特定がない点。
　相違点７−iiについて検討すると、刊行物７の記載事項７−アからみて、刊７物発明はターゲットとしてシリコン基板を用いた点に特徴を有するものであるから、相違点７−iiは実質的な相違点であると云える。
　そして、少なくとも相違点７−iiが実質的な相違点である以上、本件発明１は刊７物発明と同一であると云うことはできない。
（１−５）本件発明１の容易性について
　上記相違点１−ii、５−ii、６−ii及び７−iiについて、上記相違点１−iv、５−iv、６−iv及び７−ivと共に検討する。
　まず、本件明細書の記載を検討すると、本件発明１は、「大型化されたターゲットのスパッタをＲＦスパッタ法により行うと、ターゲット表面には極めて小さい負の自己バイアスしか発生しないことが明らかとなった。その結果、スパッタが十分に行われずに、成膜速度が極めて低くなってしまう。また、・・・薄膜中へ不純物が混入するおそれがある。」（本件明細書【０００５】段落）という問題を解決するために、絶縁体からなるターゲットを用いるスパッタ装置において、プロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、ターゲットアセンブリと支持手段との間の空間に高周波電力を印加する高周波電源に加えて、プラズマにおける正イオンをターゲットアセンブリに向わせるべくターゲットアセンブリの周囲に対してターゲットアセンブリを負電位にするために直流電源を備えたものであると云える。
　これに対して、刊１物発明、刊５乃至７物発明は、高周波電源と直流電源を用いるものではあるが、上記相違点１−ii、５−ii、６−ii及び７−iiで挙げたとおり、絶縁体からなるターゲットを用いるものではなく、高周波電源と直流電源も上記相違点１−iv、５−iv、６−iv及び７−ivで挙げたとおり本件発明１と異なる目的で使用されるものである。そして、そもそも、刊行物１，５乃至７には、高周波スパッタリング装置におけるターゲットの大型化に伴う自己バイアスの低下を補償するという課題自体、記載も示唆もされていない。
　さらに刊行物２乃至４の記載を検討すると、 刊行物２には、記載事項２−ア〜カからみて、Ｔｉターゲットを用い真空室の圧力を２ｍｍＴｏｏｒに維持して直流電源によりターゲットに負の電圧を印加してスパッタを行う装置において、直径３００mmのＴｉターゲットを用ること、防着シールド板及びコリメート板を備えることが記載され、刊行物３には、記載事項３−ア、イからみて、半導体ウェーハ上に薄膜を形成するスパッタリング装置において、半導体ウェーハを保持するウェーハホルダーとターゲットとの間に円筒状シールドを備えることが記載され、刊行物４には、記載事項４−ア〜エからみて、高周波電源を用いターゲットにイオンを衝突させて半導体基板上に薄膜を形成する装置において、ターゲットと半導体基板の間にアース電位とされたスリットシャッターなる多数の貫通穴が穿設された粒子選択手段を備えることが記載されていると云える。しかし、刊行物２乃至４にも、高周波スパッタリング装置におけるターゲットの大型化に伴う自己バイアスの低下を補償するという課題自体、記載も示唆もされていない。
　してみると、刊１物発明、刊５乃至７物発明において、ターゲットを絶縁体からなるものとし、その絶縁体からなるターゲットを用いる高周波スパタリング装置におけるターゲットの大型化に伴う自己バイアスの低下を補償するために、上記相違点１−iv、５−iv、６−iv及び７−ivで挙げた本件発明１の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たことであるとは云えない。
　よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１乃至７に記載された発明に基いて当業者が容易に想到し得たものであるとは云えない。
（２）本件発明２乃至５について
　本件発明２は、本件発明１をさらに限定したものであるから、上記（１）で述べた理由と同じ理由により、刊行物１、５乃至７に記載された発明であるとは云えず、また、本件発明２乃至５は、本件発明１を直接的又は間接的にさらに限定したものであるから、上記（１）で述べた理由と同じ理由により、刊行物１乃至７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
（３）本件発明６、７について
　本件発明６は、物の発明である本件発明１を方法の発明として表現したものであるから、本件発明６と刊行物１，５乃至７に記載された方法の発明との一致点及び相違点並びに相違点についての判断は、上記（１）で述べたことと同じである。
　よって、本件発明６は、刊行物１，５乃至７に記載された発明であるとも、刊行物１乃至７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも云えない。
　また、本件発明７は、本件発明６をさらに限定したものであるから、本件発明６について述べた理由と同じ理由で、刊行物１，５乃至７に記載された発明であるとも、刊行物１乃至７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも云えない。
３−５．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由で通知した理由によっては本件発明１乃至７についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１乃至７についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月６日（２００４．９．６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
スパッタ装置及びスパッタ処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　真空チャンバと、
　前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、
　前記支持手段により支持される基板
よりも上方にて当該基板の
であって、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアセンブリと、
　前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、
　前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記
バッキングプレート
　前記
バッキングプレート
を備え
、
　スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒに維持されるようになっている
　【請求項２】　前記負電位が−２０Ｖ以下であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
　【請求項３】　前記ターゲットアセンブリが、直径が１３インチの円板形状を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタ装置。
　【請求項４】　前記真空チャンバの内部に前記ターゲットアセンブリを囲むように設けられ、前記真空チャンバの内壁面を保護するための筒状のシールドを含んでおり、
　前記シールドが、前記真空チャンバに電気的に接続され、前記真空チャンバと同じ電位に保持されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
　【請求項５】　前記空間に配置され、前記ターゲットアセンブリからの粒子を選択的に通過させるべく多数の孔を有するコリメータを有しており、
　前記コリメータが、前記真空チャンバに電気的に接続され、前記真空チャンバと同じ電位に保持されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
　【請求項６】　真空チャンバと、前記真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、前記支持手段により支持される基板
よりも上方にて当該基板
であって、絶縁体からなるターゲット及び前記ターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアセンブリと
、
　前記真空チャンバ内の圧力を７ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒに維持するステップと、
　前記ターゲットアセンブリと前記支持手段との間の空間
　前記空間に供給されるプロセスガスをスパッタのためにプラズマとすべく、前記
バッキングプレート
　前記
バッキングプレート
を備えることを特徴とするスパッタ処理方法。
　【請求項７】　前記負電位を−２０Ｖ以下とする請求項６に記載のスパッタ処理方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、プラズマによるスパッタ装置及びスパッタ処理方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　素子が高集積化された半導体デバイスでは、絶縁体からなる薄膜が備えられ、素子間をつなぐ多層配線を電気的に分離する層間絶縁膜として重要な役割を果たしている。一般に、このような薄膜は、電極間に高周波（ＲＦ）電圧を印加するＲＦスパッタ法を用いて成膜されている。ＲＦスパッタ法では、直流スパッタ法と異なり、電極間にＲＦ電圧が印加されると、陰極となる電極上のターゲット表面に自己バイアスが形成されるので、長時間にわたりスパッタ現象が生じるようになるからである。また、ターゲット上でのプラズマ密度を高めるために、上記ＲＦスパッタ法における電極間の電界と、それと直交する磁界とを組み合わせたＲＦマグネトロンスパッタ法も、絶縁膜の成膜に多用されている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　最近になって、生産性向上の観点から、基板の大型化が図られている。このとき、基板上に成膜される絶縁体の薄膜の均一性が問題となるが、それを改善するために、ターゲットの大型化も図られている。しかし、大型化されたターゲットのスパッタをＲＦスパッタ法により行うと、ターゲット表面には極めて小さい負の自己バイアスしか発生しないことが明らかとなった。その結果、スパッタが十分に行われずに、成膜速度が極めて低くなってしまう。また、ターゲット表面の自己バイアスが正になったりすることもあり、その結果、ターゲット以外のところがイオン衝撃を受け、薄膜中へ不純物が混入するおそれがある。
　【０００４】
　そこで、本発明は、大型化されたターゲットに対しても所望のスパッタをすることができるスパッタ装置及びスパッタ処理方法を提供することを目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するための本発明によるスパッタ装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内で基板を支持するための支持手段と、支持手段により支持される基板
よりも上方にて当該基板
であって、絶縁体からなるターゲット及びこのターゲットの裏面に配置された導電性のバッキングプレートから構成されている前記ターゲットアセンブリと
、バッキングプレートに一出力端子が接続され、前記
高周波電源
前記バッキングプレートに陰極が接続され、
、スパッタ処理プロセス中において前記真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒに維持されるようになっている
　【０００６】
　負電位手段としては、ターゲットアセンブリに陰極が接続された直流電源が考えられる。このような直流電源は、高周波電力印加手段によりターゲットアセンブリに印加されるときの高周波の電圧を、負にバイアスさせることができるからである。
　【０００７】
　また、負電位は−２０Ｖ以下であることが好ましい。ターゲットアセンブリ以外のスパッタを防止するためである。
　【０００８】
　また、本発明のスパッタ装置が、真空チャンバの内部にターゲットアセンブリを囲むように設けられ、真空チャンバの内壁面を保護するための筒状のシールドを含んでいる場合、シールドが、上述の正イオンによってスパッタされないよう、プラズマ化されたプロセスガスの真空チャンバに電気的に接続され、真空チャンバと同じ電位に保持されているのが好ましい。
　【０００９】
　また、本発明のスパッタ装置が、上記空間に配置され、ターゲットアセンブリからの粒子を選択的に通過させるべく多数の孔を有するコリメータを有している場合は、上記シールドと同様に、コリメータが真空チャンバに電気的に接続され、真空チャンバと同じ電位に保持されることが好ましい。
　【００１０】
　このように、本発明によるスパッタ装置は、負電位手段を用いてターゲットアセンブリのスパッタを促進するように構成されている。したがって、ターゲットアセンブリの周囲に対してターゲットアセンブリを負電位にして自己バイアスを補償することにより、ターゲットアセンブリのスパッタを促進するスパッタ処理方法も本発明にしたがっている。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図中、同一又は相当部分には同一符号を付すこととする。
　【００１２】
　図１は、本発明が適用される高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ装置（以下、「ＲＦマグネトロン装置」という）を概略的に示した構成図である。このＲＦマグネトロン装置１０は、真空チャンバ１２、その上部開口部に配置されたターゲットアセンブリ１４、及び、ターゲットアセンブリ１４とその上部に設けられた上部プレート１６との間に設置されたマグネトロンアセンブリ１８を備えている。
　【００１３】
　真空チャンバ１２の内部には、基板Ｓを支持するための支持手段たるサセプタ２０が、真空チャンバ１２から電気的に絶縁されて設けられている。より詳細に述べると、このサセプタ２０には、垂直方向に延び、垂直方向に滑動可能なピン２２を含む穴（図示せず）が複数備えられている。また、サセプタ２０は、ベローズ２４で保護された状態で、真空チャンバ１２底部を通って垂直に延びたシャフト２６の頂部に取り付けられている。また、サセプタ２０下面と真空チャンバ１２底部との間には、リフトオフプレート２８が設けられている。このリフトオフプレート２８も、ベローズ２４で保護された状態で、真空チャンバ１２底部を通って垂直に延びたシャフト２６の頂部に取り付けられている。シャフト２６はいずれも上下に移動可能で、その底部には電動機駆動のリフト機構（図示せず）が取り付けられている。リフトオフプレート２８とサセプタ２０との間の距離が短くなって、ピン２２の下端部がリフトオフプレート２８に接触し、ピン２２がサセプタ２０の穴を通って垂直上方に移動するとき、ピン２２の上端部が基板Ｓ下面と接触して基板Ｓを持ち上げることができる。なお、サセプタには、アルゴン（Ａｒ）のような不活性ガスによる加熱の機能が備えられて基板を適当な温度に加熱してもよい。
　【００１４】
　真空チャンバ１２は、基本的には、真空チャンバ本体３０と、その上部から配置されるプロセスキット３２とから構成されている。真空チャンバ本体３０は、導電性材料から構成されて大地に接続されている。真空チャンバ本体３０の側壁部には真空排気口３４が設けられ、図１の矢印のように真空チャンバ１２内部から外部に向かって真空排気を行う真空ポンプ（図示せず）と接続している。また、サセプタ２０とターゲットアセンブリ１４との間の空間にＡｒのようなプロセスガスが供給されうるよう、真空チャンバ１２にはプロセスガス供給手段たるＡｒガス供給源３５が接続されている。
　【００１５】
　また、上記のプロセスキット３２には、導電性材料からなる環状の下部アダプタ３６が備えられ、真空チャンバ本体３０の上端部に取り付けられている。そして、この下部アダプタ３６の内周面には、真空チャンバ本体３０の内壁面を保護するシールド３８が取り付けられ、成膜処理が行われる処理位置のサセプタ２０外周面の近傍まで延びている。シールド３８は導電性材料からなり、好ましくはステンレス鋼からなる。
　【００１６】
　シールド３８の自由縁部は上方に折り返されており、その部分は、サセプタ２０が下降されて成膜処理をしない非処理位置にあるときに、クランプリング４０を支持することができる。クランプリング４０は、処理位置にあるサセプタ２０上の基板Ｓがガスによって加熱されるとき、基板Ｓをサセプタ２０に押さえ付け、基板Ｓの裏面に圧力が均等に加え、熱伝達を均一にするためのものである。また、図示のプロセスキット３２では、ターゲットアセンブリ１４とサセプタ２０との間に、従来から知られたコリメータ４２が配置され、真空チャンバ本体３０等と同じ接地電位になっている。
　【００１７】
　上述したターゲットアセンブリ１４には、下部アダプタ３６の上に絶縁リング４６を介して設けられた環状の上部アダプタ４４が備えられている。詳細には、上部アダプタ４４は、内向きに突出した突出部４８を有しており、その下面が、バッキングプレート５０をサセプタ２０と同軸に且つ対向するように支持している。また、サセプタ２０と同軸に且つ対向しているバッキングプレート５０の下面では、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）のような絶縁体からなるターゲット５２が保持されている。
　【００１８】
　つぎに、マグネトロンアセンブリ１８を説明する。バッキングプレート５０の上部には、マグネットアセンブリ５２が設けられている。マグネットアセンブリ５２は、円形のベースプレート５４を有しており、その上には、下方に環状の磁界を形成する複数のＵ字状の磁石５６が所定の配列で固定されている。Ｕ字状の各磁石５６では、端部が下方に向いている。また、磁石５６の背面は、ベースプレート５４と接触した状態で適当な固定手段、例えばねじ（図示せず）等によりベースプレート５４に固定されている。また、マグネットアセンブリ５２には回転駆動ユニット５８が接続されている。この回転駆動ユニット５８はＵ字状の磁石５６を回転させ、バッキングプレート５０上での磁界の偏りを是正することができる。
　【００１９】
　さらに、このようなＲＦマグネトロン装置１０では、絶縁体でできたターゲット５２のスパッタを実現すべく、ターゲット５２の背面に設けられた導電性のバッキングプレート５０には整合回路を介して高周波電源（ＲＦ）電源６２の一出力端子が接続されている。しかしながら、上記のような構成では、ターゲットが大型化された場合に、接地面積とターゲット面積との比が従来に比べて大きく変化するため、ターゲット表面には極めて小さい負の自己バイアスしか発生しないことが見出だされた。その結果、スパッタが十分に行われずに、成膜速度が極めて低くなるおそれがある。そこで、本実施形態では、ＲＦ電源６２の他に、直流（ＤＣ）電源６４の陰極がバッキングプレート５０に接続され、且つ、その陽極は大地に接続されている。その結果、自己バイアスの低下したターゲット５２の電位はバイアスされて、接地電位となったターゲット５２の周囲に対して負となる。
　【００２０】
　このように、ＤＣ電源により自己バイアスの低下が補償されたターゲットの電位は、ＤＣ電源の出力に依存する。図２は、真空チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｒｒの場合、基板の直径が８インチであるときに、ＤＣ電源の出力とターゲットの電位の関係を示したグラフ図である。図２によれば、ＤＣ電源の出力の増大と共に、ターゲットの電位が減少することが分かる。したがって、ＤＣ電源の出力が適当に調整されることにより、ターゲットの電位を所望の値にすることができる。
　【００２１】
　以上のように構成されたＲＦマグネトロン装置１０を用いて、ターゲット５２が備える材料を基板Ｓ上に成膜する。まず、基板Ｓをサセプタ２０の上面に支持して、クランプリング４０で押さえ付ける。つぎに、図示されない真空ポンプにより真空チャンバ１２の内部を真空排気し、所望の真空度まで減圧する。この状態で、回転駆動ユニット５８によってマグネットアセンブリ５２を回転させ、環状の磁界を均一にターゲット５２の下面上に形成する。
　【００２２】
　その後、Ａｒガス供給源３５から、Ａｒガスを真空チャンバ内に供給する。この状態で、ＲＦ電源６２を用いて所定のＲＦ出力をターゲット５２に印加し、サセプタ２０とターゲット５２との間で、Ａｒガスによるグロー放電を行う。また、ＤＣ電源６０を用いて所望の出力をターゲットに印加する。
　【００２３】
　この場合、上述したように、ターゲットの周囲に対してターゲットの電位を所望の負の電位とすることができる。このため、グロー放電により生成されたＡｒイオンはターゲットにのみ向かい、シールドや基板等に向かうことはない。また、グロー放電では電子も生成されるが、その大部分がマグネットアセンブリの磁界によって、螺旋運動して閉じ込められるので、ターゲット下面上にはＡｒの密度が高くなる。したがって、ターゲットのスパッタを効率よく行い、基板上へのターゲットの材料を成膜することができる。また、ターゲット以外のスパッタが抑制又は解消されるので、基板上に形成された絶縁膜に不純物が混入して膜の品質を低下させることが防止される。
　【００２４】
　図３は、チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｒｒ，１０ｍＴｏｒｒ及び２０ｍＴｏｒｒの場合、直径が１３インチで、Ｂａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３（ＢＳＴ）からなるターゲットの種々の電位に対してスパッタを行ったときに、蛍光Ｘ線分析法を用いて、直径が８インチの市販のシリコン基板上の絶縁膜に含まれる鉄のピーク強度を測定した結果を示すグラフ図である。蛍光Ｘ線分析法とは、強いＸ線により試料が照射されて励起された後に、放出される蛍光Ｘ線のスペクトル線の波長から試料中の元素を同定し、各線の強度から濃度を定量する物理的な非破壊分析法である。図３によれば、いずれの場合も、ターゲットの電位を約−２０Ｖまで低下させると、鉄のピーク強度はそれに応じて低下していることが分かる。また、ターゲットの電位が−２０Ｖ以下のときは、そのピーク強度は、市販のシリコン中の鉄のピーク強度である点線上にほぼ一致している。このことは、ステンレス鋼からなるシールドやコリメータに起因する鉄が、不純物として混入していないことを示している。したがって、大型化された基板の成膜をするときでも、ターゲットのみのスパッタを行い、基板上に成膜された絶縁膜の品質を向上させることが可能となる。
　【００２５】
　また、図４には、チャンバ内の圧力が７ｍＴｏｒｒ及び１０ｍＴｏｒｒの場合、直径が１３インチで、ＢＳＴからなるターゲットの種々の電位に対してスパッタを行ったときに、８インチのシリコン基板上に成膜される絶縁膜の成膜速度を測定した結果のグラフ図が示されている。このグラフ図によれば、いずれの場合も、ＤＣ電源の出力の増大に伴うターゲットの電位の低下と共に、成膜速度が増大していることが分かる。これは、ターゲットの電位の低下の結果、ターゲット上で行われるスパッタの頻度が増大しているためである。成膜速度の増大は処理時間の低減につながり、スループットの向上をもたらす。したがって、ＤＣ電源の出力の増大に伴いターゲットの電位が低下すると、スループットが向上するようになる。また、図４から、ＤＣ電源の出力に応じて成膜速度が変化していることが分かる。したがって、ＤＣ電源の出力を適当に制御することにより、成膜速度を適当に制御することができる。
　【００２６】
　以上のように、本発明を実施形態に従って説明したが、本発明はこれに限定されない。ターゲットの直径は上記実施形態の場合に１３インチとなっている。しかし、本発明では、ターゲットの直径が８〜１３インチになっていれば、接地面積とターゲット面積との比が、８インチの場合と同一と見なすことができるので、図２と同様のターゲット電位を得ることができる。
　【００２７】
　また、ターゲットを構成する材料は、上述のＢＳＴのような絶縁体に限定されず、他の絶縁体、例えば、ＢａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛），ＳｉＯ２からなってもよく、さらに、絶縁体に限らず導体であっても、上記のようなスパッタを実現することができる。
　【００２８】
　また、本発明は、本実施形態のようなＲＦマグネトロン装置に限定されず、マグネトロンを有しないＲＦスパッタ装置でもよいことは、当業者ならば想到されよう。
　【００２９】
　【発明の効果】
　本発明では、大型化されたターゲットに、ＲＦ電力だけでなくＤＣ電力をターゲットに印加して、それの大型化に伴う自己バイアスの低下を補償している。その結果、スパッタがターゲットに対してのみ効率よく行われるので、そのスパッタにより基板上に成膜された薄膜には、ターゲット以外のスパッタに起因する不純物が混入して薄膜の品質を低下させることが防止される。
　【００３０】
　また、ＤＣ電源の出力の増大に伴うターゲット電位の低下により、成膜速度を増大させスループットを向上させることができる。さらに、ＤＣ電源の出力の増減により成膜速度を変えることができる。これにより、成膜速度の制御が可能となり、安定した成膜を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明によるＲＦマグネトロン装置を概略的に示した構成図である。
　【図２】
　ＤＣ電源の出力とターゲット電位との関係を示すグラフ図である。
　【図３】
　真空チャンバの種々の圧力に対して、ターゲット電位と基板上に成膜される薄膜中の鉄の濃度との関係を示すグラフ図である。
　【図４】真空チャンバの種々の圧力に対して、ターゲット電位と基板上に成膜される薄膜の成膜速度との関係を示すグラフ図である。
　【符号の説明】
　１０…ＲＦマグネトロン装置、１２…真空チャンバ、１４…ターゲットアセンブリ、１６…上部プレート、１８…マグネトロンアセンブリ、２０…サセプタ、２２…ピン、２４ａ，２４ｂ…ベローズ、２６ａ，２６ｂ…シャフト、２８…リフトオフプレート、３０…真空チャンバ本体、３２…プロセスキット、３４…真空排気口、３５…Ａｒガス供給源、３６…下部アダプタ、３８…シールド、４０…クランプリング、４２…コリメータ、４４…上部アダプタ、４６…絶縁リング、４８…突出部、５０…バッキングプレート、５２…ターゲット、５４…ベースプレート、５６…磁石、５８…回転駆動ユニット、６０…整合回路、６２…ＲＦ電源、６４…ＤＣ電源、Ｓ…基板。