【事件の表示】
　特許第３１１７９６６号「半導体装置の製造方法」の請求項１〜１６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１７９６６号の請求項１〜１３に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯   
　本件特許第３１１７９６６号に係る出願は、１９９６年７月８日（優先権主張　１９９５年７月６日　日本）を国際出願日とする特願平９−５０５００８号の一部を平成１１年９月２日に新たな特許出願としたものであって、平成１２年１０月６日に設定登録されたところ、当該請求項１〜１６に係る発明の特許について、古郡孝枝（以下、異議申立人Ａという。）、はい島理恵（以下、異議申立人Ｂという。）、住友ベークライト株式会社（以下、異議申立人Ｃという。）から、特許異議の申立がなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年７月２３日に訂正請求がなされたたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
　本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲を次のように訂正する。
「【請求項１】半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、上記接着は、吸水率が１．５体積％以下であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下である、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材を用いて行われ、上記フィルム状ダイボンディング材が、単一の層からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】上記フィルム状ダイボンディング材の残存揮発分が３．０重量％以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、上記接着は、残存揮発分が３．０重量％以下であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下である、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材により行われ、上記フィルム状ダイボンディング材が、単一の層からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、上記接着は、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材により行われ、上記ダイボンディング材は、上記接着後の段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５ｍｍ×５ｍｍチップ以上であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であって単一の層からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】上記フィルム状ダイボンディング材が、自己支持性を有する樹脂組成物を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】上記フィルム状ダイボンディング材が、接着温度１００〜３５０℃、接着時間０．１〜２０秒、接着圧力０．１〜３０ｇｆ／ｍｍ２で半導体素子を支持部材に接着することのできるものである請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】上記接着することのできる温度は１５０〜２５０℃であり、上記接着することのできる時間は２秒未満であり、上記接着することのできる圧力は４ｇｆ／ｍｍ２以下である請求項６記載の、半導体装置の製造方法。
【請求項８】上記接着することのできる時間は１．５秒以下であり、上記接着することのできる圧力は０．３〜２ｇｆ／ｍｍ２である請求項７記載の、半導体装置の製造方法。
【請求項９】半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、上記接着は、有機物を含む、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下の、単一の層からなるフィルム状ダイボンディング材により行われ、上記フィルム状ダイボンディング材に、上記半導体素子を載せ、温度１５０℃〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２で、上記半導体素子を上記フィルム状ダイボンディング材に接着させる工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】上記フィルム状ダイボンディング材に、上記半導体素子を載せ、温度１５０℃〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２で、上記半導体素子を上記フィルム状ダイボンディング材に接着させる工程を備えることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】上記温度は１５０〜２５０℃であり、上記時間は２秒未満であり、上記圧力は４ｇｆ／ｍｍ２以下である請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】上記時間は１．５秒以下であり、上記接着は０．３〜２ｇｆ／ｍｍ２である請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】上記フィルム状ダイボンディング材の飽和吸湿率は、１．０体積％以下であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。」
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、３、４、１１に、フィルム状ダイボンディング材が「単一の層からなる」との限定と、接着対象に関する「支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、」との限定を加え、また、同請求項５、７、１６を削除し、それに伴い、同請求項６以降の項番号を繰り上げるとともに、引用する項番号を整合させたものであり、上記請求項を限定及び削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、上記請求項の削除に伴って項番号を繰り上げ、引用する項番号を整合させる訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、フィルム状ダイボンディング材が「単一の層からなる」ことは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１６に記載されていた事項であるとともに、特許明細書の段落【００２９】の「フィルム状有機ダイボンディング材は、単一層のものだけでなく」との記載に基づくものであり、また、「支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、」は、特許明細書の段落【００２８】の「支持部材としては、ダイパッド部を有するリードフレーム、、セラミック配線板、ガラス−ポリイミド配線板等の配線基板等が使用される。」との記載に基づくものであるから、上記訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項は、特許法第１２０条の４第２項ただし書、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　上記［２］で述べたとおり、上記訂正が認められるので、本件特許の訂正後の請求項１〜１３に係る発明（以下、「本件発明１〜１３」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりの次のものと認める。
「【請求項１】半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、上記接着は、吸水率が１．５体積％以下であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下である、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材を用いて行われ、上記フィルム状ダイボンディング材が、単一の層からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】上記フィルム状ダイボンディング材の残存揮発分が３．０重量％以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、上記接着は、残存揮発分が３．０重量％以下であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下である、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材により行われ、上記フィルム状ダイボンディング材が、単一の層からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、上記接着は、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材により行われ、上記ダイボンディング材は、上記接着後の段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５ｍｍ×５ｍｍチップ以上であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であって単一の層からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】上記フィルム状ダイボンディング材が、自己支持性を有する樹脂組成物を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】上記フィルム状ダイボンディング材が、接着温度１００〜３５０℃、接着時間０．１〜２０秒、接着圧力０．１〜３０ｇｆ／ｍｍ２で半導体素子を支持部材に接着することのできるものである請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】上記接着することのできる温度は１５０〜２５０℃であり、上記接着することのできる時間は２秒未満であり、上記接着することのできる圧力は４ｇｆ／ｍｍ２以下である請求項６記載の、半導体装置の製造方法。
【請求項８】上記接着することのできる時間は１．５秒以下であり、上記接着することのできる圧力は０．３〜２ｇｆ／ｍｍ２である請求項７記載の、半導体装置の製造方法。
【請求項９】半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、上記接着は、有機物を含む、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下の、単一の層からなるフィルム状ダイボンディング材により行われ、上記フィルム状ダイボンディング材に、上記半導体素子を載せ、温度１５０℃〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２で、上記半導体素子を上記フィルム状ダイボンディング材に接着させる工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】上記フィルム状ダイボンディング材に、上記半導体素子を載せ、温度１５０℃〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２で、上記半導体素子を上記フィルム状ダイボンディング材に接着させる工程を備えることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】上記温度は１５０〜２５０℃であり、上記時間は２秒未満であり、上記圧力は４ｇｆ／ｍｍ2以下である請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】上記時間は１．５秒以下であり、上記接着は０．３〜２ｇｆ／ｍｍ２である請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】上記フィルム状ダイボンディング材の飽和吸湿率は、１．０体積％以下であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。」
　　
（２）特許異議申立ての理由
（２−１）異議申立人Ａは、下記証拠方法を提示し、次の主張をする。
（あ）本件訂正前の請求項１〜１０、１５、１６に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
（い）本件訂正前の請求項１〜１６に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
（う）本件訂正前の請求項１〜１６に係る発明は、開示された構成によって、本件発明の目的を達成することができず、当業者が容易に実施できる程度に発明を開示していないから、特許法第３６条第４項、及び第６項（４号除く）に規定する要件を満足せず、特許法第１１３条第１項第４号の規定により、取り消されるべき発明である。
証拠方法：
甲第１号証：特開平６−２１８８８０号公報（以下、「刊行物１」という。）
甲第２号証：特開平６−２６４０３５号公報（以下、「刊行物２」という。）
甲第３号証：特開平７−２２４４１号公報（以下、「刊行物３」という。）
参考資料１：平成１２年７月２８日付け意見書　　
参考資料２：図１（本件特許発明の明細書の表１及び表２における吸水率の値と飽和吸湿率の値とをそれぞれプロットしたもの）
参考資料３：特許弟３１１７９６６号公報（本件特許公報）
　　
（２−２）異議申立人Ｂは、下記証拠方法を提示し、次の主張をする。
（え）本件訂正前の請求項１〜１６に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
証拠方法：
甲第１号証：前記刊行物１
甲第２号証：特開平６−２５６７３３号公報（以下、「刊行物４」という。）
甲第３号証：特開平５−３３１４２５号公報（以下、「刊行物５」という。）
甲第４号証：前記刊行物２
甲第５号証：特開平５−１５２３５５号公報（以下、「刊行物６」という。）
　　
（２−３）異議申立人Ｃは、下記証拠方法を提示し、次の主張をする。
（お）本件訂正前の請求項１〜１６に係る発明について、優先権の主張は認められない。そして、同請求項１〜１６に係る発明は、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
証拠方法：
甲第１号証：日立化成テクニカルレポートＮｏ．２４（１９９５−１）第２５〜２８頁（以下、「刊行物７」という。）
甲第２号証：特開平２−１６８６３６号公報（以下、「刊行物８」という。）
甲第３号証：特開平６−１７２７１４号公報（以下、「刊行物９」という。）
甲第４号証：１９９２　ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ，４２ｎｄ　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ　ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ　＆　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ　ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ，「Ｎｅｗ　Ｔｙｐｅ　Ｆｉｌｍ−Ａｄｈｅｓｉｖｅｓ　ｆｏｒ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ」，Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ，１９９２年，第２１５〜２１８頁（以下、「刊行物１０」という。）
甲第５号証：特開平２−２４６１２５号公報（以下、「刊行物１１」という。）
甲第６号証：特開平６−１５１４７８号公報（以下、「刊行物１２」という。）
甲第７号証：国際公開パンフレットＷＯ９４／２１７４４号（以下、「刊行物１３」という。）
甲第８号証：特開平７−２４２８２０号公報（以下、「刊行物１４」という。）
甲第９号証：特願平７−１７１１５４号（本件特許発明の優先権主張の基礎出願）の出願書類証明書の写し
　　
（３）各刊行物の記載事項
（３−１）刊行物１
「【請求項１】絶縁性基体上の両面又は片面に熱可塑性ポリイミドを必須成分とする熱可塑性重合体の層を有し、該熱可塑性重合体のガラス転移温度が１８０℃〜２８０℃の温度範囲であり、弾性率が、２５℃に於いて１０１０〜１０１１dyne/cm２の範囲であり、２５０〜３００℃において１０２ 〜１０９dyne/cm２ の範囲であることを特徴とする接着性絶縁テープ
…………………………………………………………………………
【請求項１４】半導体リードフレームのインナーリードが請求項１〜５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の両面に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定されており、ＩＣチップあるいはヒートスプレッダと接着可能になったことを特徴とする半導体リードフレーム。
【請求項１５】リードオンチップあるいはチップオンリード構造の半導体装置に於てインナーリードとＩＣチップが請求項１〜５の何れかに記載のテープのなかの絶縁性基体上の両面に熱可塑性重合体を有する接着性絶縁テープで固定されていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲参照）、
「本願発明は、近年の半導体産業に求められている、リードフレーム、ヒートスプレッダ及びＩＣチップ等の金属導電体及び半導体等の電子部品との接着において優れた特性、信頼性と量産性を有する接着性絶縁テープを提供することおよびそのテープを用いた半導体装置を提供することにある。」（段落【０００９】参照）、
「ガラス転移温度が１８０℃未満であったり、２５０〜３００℃での弾性率が１０２dyne/cm２ 未満あると２５０℃以上でのワイヤボンデング工程においてインナーリードが動いてしまったり、超音波加熱においてインナーリードにエネルギーが適切に伝播できない等の問題が生じる。またガラス転移温度が２８０℃を越えたり、２５０〜３００℃での弾性率が１０９dyne/cm２ を越えるとリードフレームやＩＣチップと接着性テープとの短時間熱溶融接着が困難となる。また、該基体上に形成された熱可塑性重合体に含まれる溶剤量が１％以下であること、熱可塑性ポリイミドが実質的にイミド化反応が完結していることも本発明を実施する上でより好ましい事である。これにより高温（一般的に２７０℃以上）での短時間熱溶融接着での溶剤揮発やイミド化反応で生ずる水分の揮発によるリードフレームやＩＣチップ表面の有害な汚染、接着層等に生ずるボイドを防止できる。」（段落【００２５】−【００２６】）、
「また、本発明の熱可塑性重合体の吸水率は１．２％以下（２３℃の純水に２４時間浸漬）である。この値は一般的なポリエーテルアミドやポリエーテルアミドイミドの１／２〜１／５であり高温短時間で接着する際に発生し易い水の蒸気圧によるボイドの発生確率が大幅に減少する事ができる。」（段落【００２９】）と記載され、上述の記載に対応させて、図１、２、３が示されている。
　　
（３−２）刊行物２：
「【請求項１】（Ａ）………………………………ポリイミド系樹脂；（Ｂ）エポキシ樹脂；（Ｃ）フェノール樹脂；（Ｄ）硬化促進剤；及び（Ｅ）無機物質フィラーを含有してなる接着フイルム。」（特許請求の範囲参照）、
「本発明は、ＩＣやＬＳＩとリードフレームの接合材料、すなわちダイボンディング用材料として用いられる接着フイルム、その製造法及び接着法に関する。」（段落【０００１】）と記載されている。
　　
（３−３）刊行物３：
「【請求項１】（Ａ）全エポキシ樹脂量中に、式（１）で示されるエポキシ樹脂（ａ）とビスフェノール類（ｂ）との当量比［（ａ）のエポキシ当量／（ｂ）の水酸基当量］が１〜５で、かつエポキシ樹脂（ａ）の過剰下で反応してなる生成物を３０重量％以上含み、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機フィラーを必須成分とすることを特徴とするダイボンディング材。」（特許請求の範囲参照）、
「【実施例】……………………………三本ロールで混練しダイボンディング材を調整した。このダイボンディング材を用い銀めっき付銅フレームに２×２ｍｍ角のシリコンチップを２００℃、６０分で硬化接着させ、」（段落【００１９】参照）と記載され、
また、表１には、実施例５のダイボンディング材の弾性率が２Ｋｇｆ／ｍｍ２であることが示されている。
　　
（３−４）刊行物４：
「【請求項１】ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルムの少なくとも片面に耐熱性接着剤を有する積層体であって、耐熱性接着剤の少なくとも一方がポリイミド系樹脂であることを特徴とする耐熱性接着材料。
…………………………………………………………………………
【請求項６】少なくとも一方の耐熱性接着剤の２５０℃における粘弾性率が１０７ 〜１０９ dyn/cm２ であることを特徴とする請求項１記載の耐熱性接着材料。」（特許請求の範囲参照）、
「本発明にかかる耐熱性接着材料の使用例の一例としては、耐熱樹脂フィルム同志の積層、金属との積層が挙げられる。すなわち、銅箔と積層するフレキシブルプリント基板用途、リードフレーム固定用、ＬＯＣ用接着テープ、ＴＡＢ用キャリアテープなどの種々のリードフレーム周辺材料に用いられる。」（段落【００３２】）と記載されている。
　　
（３−５）刊行物５：
「【請求項１】4,4'-オキシジフタル酸二無水物ａモルと、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物からなる群より選ばれた１種類または２種類のテトラカルボン酸二無水物ｂモルとを酸成分とし、一般式（１）で表される１種類または２種類以上のジアミンｃモルと、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼンｄモルと、α,ω-ビス(3-アミノプロピル)ポリジメチルシロキサンｅモルとをアミン成分とし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅのモル比が ａ／（ａ＋ｂ）≧ 0.6、0.05 ≦ｅ／（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦ 0.5、かつ 0.1 ≦ｄ／（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦ 0.9 の割合で両成分を反応させてイミド閉環せしめたポリイミド樹脂からなるフィルム接着剤。」（特許請求の範囲参照）、
「本発明は、低吸水性と耐熱性に優れたエレクトロニクス用途、特に半導体実装材料として適したシリコン基板や金属に対する接着力が優れ、低温短時間で接着可能なフィルム接着剤に関するものである。」（段落【０００１】）と記載されている。
　　
（３−６）刊行物６：
「【請求項１】ダイパツドと半導体素子とが封止樹脂で樹脂封止された半導体装置であつて、上記ダイパツドと半導体素子とが下記の特性（ａ）を備えた接着層を介して接着され、かつ上記封止樹脂が下記の特性（ｂ）および（ｃ）を備えた樹脂組成物硬化体によつて構成されていることを特徴とする半導体装置。
（ａ）接着層の吸水率が１重量％以下。
（ｂ）樹脂組成物硬化体の吸水率が０．３５重量％以下。
（ｃ）樹脂組成物硬化体の拡散係数が２．１３×１０−６ｍｍ２ ／ｓｅｃ以下。」（特許請求の範囲参照）、
「ダイパツドの半導体素子搭載面に、上記液状の接着層形成材料を，ダイボンダー，スクリーン印刷等により塗布し、半導体素子を搭載して接着し接着材料を硬化させる。ついで、上記ダイパツドに接着した半導体素子を上記樹脂組成物を用いて樹脂封止する。」（段落【００２９】）と記載されている。
　　
（３−７）刊行物７：
「ダイボンディング材に起因するリフロークラックの発生メカニズムを図２に示す。半導体パッケージは、保管されている間にダイボンディング材が吸湿し、この水分が実装（リフローはんだ付け）時の熱によって水蒸気化し、この蒸気圧によってダイボンディング層の破壊やはく離が起こり、パッケージクラックが発生すると推定されている。……………………リフロークラックは、ダイボンディング層のはく離が原因となるため、ダイボンディング材のピール強度を向上させることによってはく離を抑え、耐リフロークラック性を向上させることができると考えられる。」（第２６頁「２．１耐リフロークラック性とピール強度」の欄）、
「接着フィルムの組成は、ベース樹脂（新規耐熱性樹脂），フィラー（銀），硬化剤（熱硬化性樹脂）からなっている。まず、この接着フィルムの組成とピール強度との関係について検討した。」（第２６頁「２．２接着フィルムの組成とピール強度の欄）と記載されるとともに、表２には、接着フィルムの種々の組成におけるピール強度及びリフロークラック発生数が示され、また、表３には、接着フィルムの弾性率が１２００ＭＰａ、吸湿率が０．１ｗｔ％であることが示されている。
　　
（３−８）刊行物８：
「（１）充填剤の含有率が２０重量％以下である弾性率の小さい絶縁性ダイボンド用樹脂系接着剤。」（特許請求の範囲）、
「本発明の樹脂系接着剤の硬化物の弾性率は２×１０１０〜３．０×１０１０dyn/cm２程度であり、主剤そのものの弾性率に近い値である。」（第２頁右下欄１〜３行）、
「絶縁性ダイボンド用樹脂系接着剤（３）を、硬化後の膜厚が１０μｍ程度になるように塗布し、シリコンの半導体素子（１）をマウントし、ホットプレート（２００℃〜２５０℃、３分間）で加熱して硬化させた。」（第２頁右下欄１４〜１８行）と記載されている。
　　
（３−９）刊行物９：
「【請求項１】4,4'-オキシジフタル酸二無水物ａモルと、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の群から選ばれた１種類または２種類のテトラカルボン酸二無水物ｂモルを酸成分とし、2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパンｃモルと、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼンとジメチルフェニレンジアミンの群から選ばれた１種類または２種類のジアミンｄモルと、α,ω-ビス(3-アミノプロピル)ポリジメチルシロキサンｅモルとをアミン成分とし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅのモル比が ａ／（ａ＋ｂ）≧ 0.6、ｂ／（ａ＋ｂ）≦ 0.4、かつ 0.05 ≦ ｅ／（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦ 0.5 の割合で両成分を反応させてイミド閉環せしめた両成分を反応させてイミド閉環せしめた有機溶剤に可溶なポリイミド樹脂を主たる構成成分とするフィルム接着剤。」（特許請求の範囲）、
「本発明は、低吸水性と耐熱性に優れたエレクトロニクス用途、特に半導体実装材料として適したシリコン基板や金属に対する接着力が優れ、低温短時間で接着可能なフィルム接着剤とその製造方法に関するものである。」（段落【０００１】）と記載されている。
　　
（３−１０）刊行物１０：
「本報は、低弾性率、優れた接着強度、低吸湿、低イオン性不純物等の利点を有するポリイミドシロキサン（ＳＩＭ）を基材とするフィルム状接着材に関するものである。ＳＩＭは、数種の支持部材に通常の条件より低い温度、低い荷重で接着できることが判った。」（第２１５頁左欄「要約」の欄）、
「マイクロエレクトロニクス用の接着剤には、高温下での優れた接着性、低応力、低イオン性不純物、高信頼性が要求されている。…………………それらの特性はペーストとフィルムとに分けられ、フィルム状接着材は、製作が容易で均一な厚みを有し、低ボイド、耐久性、作業信頼性及び低揮発分である点で有利である。」（第２１５頁左欄「序論」の欄）、
「４）キャリヤフィルムに塗布する。５）溶剤の除去（乾燥）。６）キャリヤからフィルムを剥がす。」（第２１５頁右欄「フィルム状接着材の作製」の欄）、
「ＳＩＭ−Ｘは低い吸水率を示す。」（第２１６頁右欄１行）、
「接着部分中のボイド含有率は軟Ｘ線装置を用いて測定した結果、５％以下である。」（第２１６頁右欄、テーブル３の下２〜４行）、
「４）ダイボンド用接着材として使用する場合には、短い接着時間、低い接着圧力で行える。」（第２１８頁右欄「結論」の欄）と記載され、
第２１６頁左欄テーブル２には、「吸水率（％）０．１〜１．５」のものが示されている。
　　
（３−１１）刊行物１１：
「１．半導体チップの回路形成面のＸ方向又はＹ方向の中心線の近傍に共用インナーリードが前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁体を介在して接着され、かつ前記半導体チップの回路形成面上に、複数の信号用インナーリードが、前記半導体チップと電気的に絶縁する絶縁体を介在して接着され、該インナーリード及び共用インナーリードと半導体チップとが夫々ボンディングワイヤで電気的に接続され、モールド樹脂で封止される半導体装置であって、前記インナーリードは、前記絶縁体と接合する部分よりアウターリード側の前記半導体チップとインナーリードとの間隔が、前記絶縁体と接合する部分の間隔より広くなっていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲参照）と記載されている。
　　
（３−１２）刊行物１２：
「【請求項１】半導体素子と、その半導体素子をリードフレームのダイパッド部に固着する接着剤層と、半導体素子表面の電極とインナーリード間を電気的に接続するワイヤボンディングとを有し、該半導体素子とリードフレームの一部を樹脂封止する樹脂封止型半導体装置において、上記半導体素子をダイパッド部に固着する接着剤層は、硬化剤として室温において液状である下記化１に示されるフェノール化合物を必須成分として含むエポキシ樹脂組成物からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲参照）、
「ペースト状の接着剤を得る。この接着剤を半導体素子、リードフレームのダイパッド部の間に吐出、素子の裏に十分行き渡らせた後１５０℃１時間、１８０℃２時間加熱硬化した。吐出する場合、この組成物は粘度が室温で２，０００ポイズ以下であるため室温にてディスペンサーより吐出することができる。その後ワイヤーボンディング工程を経て半導体装置を組み立てた。」（段落【００２３】）と記載されている。
　　
（３−１３）刊行物１３：
「１．２つの十分にイミド化した熱可塑性ポリイミドシロキサン接着剤層に挟まれたキャリヤフィルムを含む接着テープ。」（特許請求の範囲第１項）、
「該テープは多くの異なる用途に使用可能であるが、本発明のテープの主たる用途は、マイクロエレクトロニクス産業での部品の結合である。そのような用途には、集積回路チップに対する金属リードフレームの結合、リードフレームに対するチップの結合、リードフレーム相互の結合、チップキャリヤに対するチップの結合及びヒートスプレッダに対するチップの結合が含まれる。」（第１１頁３〜９行）と記載されている。
　　
（３−１４）刊行物１４：
「【請求項１】（Ａ）有機溶剤に可溶なガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂１００重量部と、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物５〜１００重量部と、（Ｃ）該エポキシ化合物と反応可能な活性水素基を有する化合物０．１〜２０重量部とを主たる成分として含有していることを特徴とする耐熱性樹脂組成物。」（特許請求の範囲）、
「本発明の樹脂組成物の使用方法は特に限定されるものではないが、樹脂構成成分の全てが有機溶剤に均一に溶解されている樹脂ワニスとして、コーティングやディッピングに、流延成形によってフィルムに、耐熱性と加工性の両立した絶縁材料、接着フィルム等として使用することができる。」（段落【００４０】）と記載され、
また、表２には、実施例１〜４の耐熱性樹脂組成物の２５０℃でのヤング率が１．１８〜２．２３ＭＰａであることが示されている。
　　　
（４）特許異議申立理由の検討
　本件の訂正前の請求項５、７、１６は削除され、訂正前の請求項６、８〜１５はそれぞれ本件発明５〜１３に訂正されたから、上記理由（あ）〜（お）を、本件発明１〜１３という観点で整理すると、次のとおりである。
（あ）本件発明１〜８、１３は、刊行物１、２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
（い）本件発明１〜１３は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
（う）本件発明１〜１３は、開示された構成によって、本件発明の目的を達成することができず、当業者が容易に実施できる程度に発明を開示していないから、特許法第３６条第４項、及び第６項（４号除く）に規定に違反して特許されたものである。
（え）本件発明１〜１３は、刊行物１、２、４〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
（お）本件発明１〜１３について、優先権の主張は認められない。そして、本件発明１〜１３は、刊行物７〜１４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　　
（４−１）理由（あ）について：
　本件発明１〜８、１３はいずれも、上記［３］（１）で認定したとおり、半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であること（以下、「特定事項１」という。）、及び、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であって、単一の層からなるフィルム状ダイボンディング材を用いること（以下、「特定事項２」という。）を特定事項とするものであり、特定事項１、２を共に具備することにより、訂正明細書中に実施例を用いて説明されているとおりの、リフロークラックの発生を防止するという効果を奏するものである。
　これに対して、刊行物１には、ＩＣチップあるいはヒートスプレッダと半導体リードフレームのリードとの接着に用いられ、絶縁性基体上の両面又は片面に熱可塑性重合体の層を設けた接着性絶縁テープについて、該熱可塑性重合体の層の弾性率が２５０〜３００℃において１０２ 〜１０９dyne/cm２の範囲であることが記載されてはいるものの、該弾性率は、絶縁性基体上に設けられる熱可塑性重合体の層の弾性率であるから、該弾性率をもって絶縁性基体を含む接着性絶縁テープの弾性率ということはできず、しかも、該接着性絶縁テープを、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板へのダイボンディングに用いることは記載されていない。また、刊行物２には、ダイボンディング用接着フイルム、及び、該接着フイルムを用いる接着法が記載されてはいるものの、その２５０℃における弾性率については記載されていない。
　してみると、刊行物１には、本件発明１〜８、１３の特定事項１、２が、また、刊行物２には、本件発明１〜８、１３の特定事項２が記載されているとすることはできない。
　したがって、本件発明１〜８、１３は、刊行物１、２に記載された発明であるとすることはできず、理由（あ）は採用することができない。
　　
（４−２）理由（い）について：
　本件発明１〜１３はいずれも、上記［３］（１）で認定したとおり、特定事項１と特定事項２を具備するものであり、特定事項１、２を共に具備することにより、訂正明細書中に実施例を用いて説明されているとおりの、リフロークラックの発生を防止するという効果を奏するものである。
　これに対して、刊行物３には、エポキシ樹脂と硬化剤と無機フィラーを必須成分とするペースト状のダイボンディング材について、その硬化物の弾性率が示されてはいるが、フィルム状ダイボンディング材の２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であることは記載も示唆もされていない。また、（４−１）で述べたように、刊行物１、２には、単一の層からなるフィルム状ダイボンディング材の２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であることは記載されておらず、しかも、同刊行物１、２には、それを示唆する記載もない。
　してみると、刊行物１〜３のいずれにも、本件発明１〜１６の特定事項２は記載も示唆もされていない。また、かかる刊行物１〜３には、特定事項２を特定事項１と共に具備することによる本件発明１〜１３の上記効果が記載されているとすることもできない。
　したがって、本件発明１〜１３が、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとすることはできず、理由（い）は採用することができない。
　　
（４−３）理由（え）について：
　刊行物４には、耐熱樹脂フィルム同志の積層、金属との積層、すなわち、銅箔と積層するフレキシブルプリント基板用途、リードフレーム固定用、ＬＯＣ用接着テープ、ＴＡＢ用キャリアテープなどの種々のリードフレーム周辺材料に用いられ、樹脂フィルムの少なくとも片面に耐熱性接着剤を有する積層体であって、その少なくとも一方の耐熱性接着剤の２５０℃における粘弾性率が１０７ 〜１０９dyn/cm２ である耐熱性接着材料が記載されているが、該粘弾性率は、耐熱性接着剤の粘弾性率であるから、該粘弾性率をもって樹脂フイルムを含む耐熱性接着材料の粘弾性率ということはできず、しかも、該耐熱性接着材料を、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板へのダイボンディングに用いることは記載も示唆もされていない。また、刊行物５には、ポリイミド樹脂からなるフィルム接着剤について、低吸水性と耐熱性に優れたエレクトロニクス用途、特に半導体実装材料として用いることが記載されてはいるものの、その２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であること、及び、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板へのダイボンディングに用いることは記載も示唆もされていない。また、刊行物６には、樹脂封止されるダイパッドと半導体素子とを接着する接着材料について記載されてはいるが、該接着材料は、ダイボンダー、スクリーン印刷等により接着部に塗布されるものであって、フィルム状のものではない上に、その２５０℃における弾性率については記載も示唆もされていない。また、（４−２）で述べたように、刊行物１、２には、単一の層からなるフィルム状ダイボンディング材の２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であることは記載も示唆もされていない。
　してみると、刊行物１、２、４〜６のいずれにも、本件発明１〜１３の特定事項２は記載も示唆もされていない。また、かかる刊行物１、２、４〜６には、特定事項２を特定事項１と共に具備することによる本件発明１〜１３の上記効果が記載乃至示唆されているとすることもできない。
　したがって、本件発明１〜１３が、刊行物１、２、４〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとすることはできず、理由（え）は採用することができない。
　　
（４−４）理由（お）について：
　本件発明１〜１３はいずれも、「２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下」を特定事項とするものであるが、本件発明１〜１３の優先権主張の基礎出願である特願平７−１７１１５４号の出願当初の明細書及び図面（甲第９号証参照）には、弾性率についての記載はないので、この優先権の主張は認められない。
　これに対して、刊行物７には、ダイボンディング用接着フィルムについて、該接着フィルムのピール強度を向上させることによってはく離を抑え、耐リフロークラック性を向上できること、及び、該接着フイルムの弾性率が１２００ＭＰａ、吸湿率が０．１ｗｔ％であることが記載されてはいるものの、その２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であることは記載も示唆もされていない。また、刊行物８に記載されている絶縁性ダイボンド用樹脂系接着剤は、半導体素子のマウント部に塗布して硬化させるものであって、フィルム状の接着剤ではない上に、その硬化物の弾性率を２×１０１０〜３．０×１０１０dyn/cm２程度とする記載はあるものの、その２５０℃における弾性率を１０ＭＰａ以下にすることは示唆されない。また、刊行物９、１１、１３にはそれぞれ、フィルム接着剤、絶縁体、接着テープについて記載されてはいるが、それらの２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であること、及び、それらをダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板へのダイボンディングに用いることは記載も示唆もされていない。また、刊行物１０には、ダイボンド用のフィルム状接着材について記載されてはいるが、その２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であることは記載も示唆もされていない。また、刊行物１２に記載されている接着剤は、半導体素子をリードフレームのダイパッド部にペースト状で塗布されるものであって、フィルム状の接着剤ではない上に、その２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であることは記載も示唆もされていない。また、刊行物１４には、耐熱性樹脂組成物に関して、その２５０℃でのヤング率が１０ＭＰａ以下であることが示されるとともに、その用途について、「樹脂構成成分の全てが有機溶剤に均一に溶解されている樹脂ワニスとして、コーティングやディッピングに、流延成形によってフィルムに、耐熱性と加工性の両立した絶縁材料、接着フィルム等として使用することができる。」（段落【００４０】）との記載はあるものの、単一の層からなるフィルム状ダイボンディング材とすること、及び、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は配線基板へのダイボンディングに用いることは記載されておらず、示唆する記載もない。
  してみると、刊行物７〜１４のいずれにも、本件発明１〜１３の特定事項２は記載も示唆もされていない。また、かかる刊行物７〜１４には、特定事項２を特定事項１と共に具備することによる本件発明１〜１３の上記効果が記載乃至示唆されているとすることもできない。
　したがって、本件発明１〜１３が、刊行物７〜１４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとすることはできず、理由（お）は採用することができない。
　　
（４−５）理由（う）について：
  理由（う）は、本件発明１〜１３においてそれぞれ特定される事項だけでは、本件発明１〜１３の目的を達成することができず、特定が不十分であるとともに、当業者が容易に実施できる程度に発明を開示していないとするものであるが、訂正明細書の表１〜７における「吸水率」、「飽和吸湿率」、「残存揮発分」、「ボイドの体積率」、「ピール強度」、「フィルムのサイズ、面積」、「弾性率」は、それぞれリフロークラックの発生を抑制する個々の条件として示されており、リフロークラックの発生をそれぞれ個別に抑制するように各条件の数値範囲が設定されているのであるから、多くの条件を同時に兼ね備えることが好ましいとしても、それらを必ず同時に兼ね備えなければ、本件発明１〜１３の目的を達成することができないというものではなく、特定が不十分であるとはいえない。また、前記各条件を満たすための重合、乾燥、フィルム形成、接着等の手段は、本件出願前に広く知られているとともに、本件訂正明細書の実施例にも記載されているので、当業者が容易に実施できる程度に発明が開示されていないということもできない。
　したがって、理由（う）は採用することができない。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜１３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件発明１〜１３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１２月２４日（２００２．１２．２４）
【訂正の要旨】
訂正の事項
　特許第３１１７９６６号発明の明細書を、請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち、特許第３１１７９６６号発明に係る明細書中の特許請求の範囲において、特許請求の範囲の減縮を目的として、もとの請求項１６の規定と接着対象に関する規定とを請求項１，３，４，１１に追加し、もとの請求項５，７及び１６を削除して、もとの請求項６以降の請求項番号を繰り上げるとともに、従属先の整合を図るよう訂正します（クレーム対応表参照）。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、
　
上記支持部材はダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、
　上記接着は、吸水率が１．５体積％以下であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下である、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材を用いて行われ
、
　
上記フィルム状ダイボンディング材が、単一の層からな
　【請求項２】
　上記フィルム状ダイボンディング材の残存揮発分が３．０重量％以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項３】
　半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、
　
上記支持者部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、
　上記接着は、残存揮発分が３．０重量％以下であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下である、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材により行われ
、
　
上記フィルム状ダイボンディング材が、単一の層からな
　【請求項４】
　半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、
　
上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、
　上記接着は、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材により行われ、
　上記ダイボンディング材は、上記接着後の段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５ｍｍ×５ｍｍチップ以上であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であ
って単一の層からな
　【請求項
５
　上記フィルム状ダイボンディング材が、自己支持性を有する樹脂組成物を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項
６
　上記フィルム状ダイボンディング材が、接着温度１００〜３５０℃、接着時間０．１〜２０秒、接着圧力０．１〜３０ｇｆ／ｍｍ２で半導体素子を支持部材に接着することのできるものである請求項１〜
５
　【請求項
７
　上記接着することのできる温度は１５０〜２５０℃であり、上記接着することのできる時間は２秒未満であり、上記接着することのできる圧力は４ｇｆ／ｍｍ２以下である請求項
６
　【請求項
８
　上記接着することのできる時間は１．５秒以下であり、上記接着することのできる圧力は０．３〜２ｇｆ／ｍｍ２である請求項
７
　【請求項
９
　半導体素子を支持部材に接着する半導体装置の製造方法において、
　
上記支持部材は、ダイパッド部を有するリードフレーム、又は、配線基板であり、
　上記接着は、有機物を含む、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下の
、単一の層からなる
　上記フィルム状ダイボンディング材に、上記半導体素子を載せ、温度１５０℃〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２で、上記半導体素子を上記フィルム状ダイボンディング材に接着させる工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１
０
　上記フィルム状ダイボンディング材に、上記半導体素子を載せ、温度１５０℃〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２で、上記半導体素子を上記フィルム状ダイボンディング材に接着させる工程を備えることを特徴とする請求項
７
９
　【請求項１
１
　上記温度は１５０〜２５０℃であり、上記時間は２秒未満であり、上記圧力は４ｇｆ／ｍｍ２以下である請求項１
０
　【請求項１
２
　上記時間は１．５秒以下であり、上記接着は０．３〜２ｇｆ／ｍｍ２である請求項１
１
　【請求項１
３
　上記フィルム状ダイボンディング材の飽和吸湿率は、１．０体積％以下であることを特徴とする請求項１〜１
２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体素子をダイボンディング材を用いてリードフレーム等の支持部材に接着し、樹脂封止した半導体装置及び半導体装置の製造法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、半導体素子をリードフレームに接着させる方法としては、リードフレーム上にダイボンディング材料を供給し半導体素子を接着する方法が用いられてきた。
　【０００３】
　これらの材料としては、例えばＡｕ−Ｓｉ共晶、半田、樹脂ペーストなどが知られている。この中で、Ａｕ−Ｓｉ共晶は高価かつ弾性率が高く又接着部分を加振する必要があるという問題がある。半田は融点温度以上の温度に耐えられずかつ弾性率が高いという問題がある。
　【０００４】
　樹脂ペーストでは銀ペーストが最も一般的であり、銀ペーストは、他材料と比較して最も安価で耐熱信頼性が高く弾性率も低いため、ＩＣ、ＬＳＩのリードフレームの接着材料として最も多く使用されている。
　【０００５】
　電子機器の小型・薄型化による高密度実装の要求が、近年、急激に増加してきており、半導体パッケージは、従来のピン挿入型に代わり、高密度実装に適した表面実装型が主流になってきた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　この表面実装型パッケージは、リードをプリント基板等に直接はんだ付けするために、赤外線リフローやべーパーフェーズリフロー、はんだディップなどにより、パッケージ全体を加熱して実装される。
　【０００７】
　この際、パッケージ全体が２１０〜２６０℃の高温にさらされるため、パッケージ内部に水分が存在すると、水分の爆発的な気化により、パッケージクラック（以下リフロークラックという）が発生する。
　【０００８】
　このリフロークラックは、半導体パッケージの信頼性を著しく低下させるため、深刻な問題・技術課題となっている。
　【０００９】
　ダイボンディング材に起因するリフロークラックの発生メカニズムは、次の通りである。半導体パッケージは、保管されている間に（１）ダイボンディング材が吸湿し、（２）この水分がリフローはんだ付けの実装時に、加熱によって水蒸気化し、（３）この蒸気圧によってダイボンディング層の破壊やはく離が起こり、（４）リフロークラックが発生する。
　【００１０】
　封止材の耐リフロークラック性が向上してきている中で、ダイボンディング材に起因するリフロークラックは、特に薄型パッケージにおいて、重大な問題となっており、耐リフロークラック性の改良が強く要求されている。
　【００１１】
　従来最も一般的に使用されている銀ペーストでは、チップの大型化により、銀ペーストを塗布部全面に均一に塗布することが困難になってきていること、ペースト状であるため接着層にボイドが発生し易いことなどによりリフロークラックが発生し易い。
　【００１２】
　本発明は、フィルム状有機ダイボンディング材を使用し、リフロークラックが発生せず、信頼性に優れる半導体装置及びその製造法を提供するものである。
　【００１３】
　【課題を解決するための手段】
　本発明では、フィルム状有機ダイボンディング材を用いる。これはたとえばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料を主体にした（有機材料に金属フィラー、無機質フィラーを添加したものも含む）フィルム状のもので、リードフレーム等の支持部材上にフィルム状有機ダイボンディング材を加熱した状態で圧着させ、更にフィルム状有機ダイボンディング材に半導体素子を重ねて加熱圧着させるものである。すなわち樹脂ペーストをフイルム化することによって接着部分に均一にダイボンディング材料を付けようとするものである。
　【００１４】
　図１は、本発明の半導体装置の製造工程の一例を示すものである。
　フィルム状有機ダイボンディング材１はロールからカッター２で所定の大きさに切断される（図１（ａ））。
　フィルム状有機ダイボンディング材１は熱盤７上でリードフレーム５のダイパッド部６に圧着子４で圧着される（図１（ｂ））。圧着条件は、温度１００〜２５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力４〜２００ｇｆ／ｍｍ２が好ましい。
　【００１５】
　ダイパッド部６に貼付られたフィルム状有機ダイボンディング材１に半導体素子８を載せ加熱圧着（ダイボンド）する（図１（ｃ））。ダイボンドの条件は、温度１００〜３５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力０．１〜３０ｇｆ／ｍｍ２が好ましく、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２がより好ましく、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上１．５秒以下、圧力０．３〜２ｇｆ／ｍｍ２が最も好ましい。
　その後ワイヤボンド工程（図１（ｄ））を経て、半導体素子の樹脂封止工程（図１（ｅ））を経て、半導体装置を製造する。９は封止樹脂である。
　【００１６】
　例えば、本発明のフィルム状有機ダイボンディング材は、ポリイミド、エポキシ樹脂等の有機材料、必要に応じて金属フィラー等の添加物等の材料を有機溶媒に溶解・分散させ塗工用ワニスとし、この塗工用ワニスを二軸延伸ポリプロピレンフィルム等のキャリアフィルムに塗工し溶剤を揮発させキャリアフィルムから剥離して製造する。このようにすれば、自己支持性のあるフィルムが得られる。
　【００１７】
　本発明は、半導体装置のリフロークラックの発生とフィルム状有機ダイボンディング材の物性・特性との間に相関関係があることを見い出し、リフロークラックの発生とフィルム状有機ダイボンディング材の特性の関係を詳細に検討した結果なされたものである。
　【００１８】
　本願の第一の発明は、半導体素子を支持部材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に吸水率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその製造法である。
　【００１９】
　本願の第二の発明は、半導体素子を支持部材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその製造法である。
　【００２０】
　本願の第三の発明は、半導体素子を支持部材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその製造法である。
　【００２１】
　本願の第四の発明は、半導体素子を支持部材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルム状有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその製造法である。
　【００２２】
　本願の第五の発明は、半導体素子を支持部材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に、半導体素子を支持部材に接着した段階でダイボンディング材中及びダイボンディング材と支持部材の界面に存在するボイドがボイド体積率１０％以下であるフィルム状有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその製造法である。
　【００２３】
　本願の第六の発明は、半導体素子を支持部材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材として、半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその製造法である。
　【００２４】
　本願の第七の発明は、半導体素子を支持部材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に、半導体素子の面積と同等以下の面積を有し半導体素子を支持部材に接着した段階で半導体素子の領域からダイボンディング材がはみ出さない、すなわち、半導体素子と支持部材との間からはみ出さない、フィルム状の有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその製造法である。
　【００２５】
　これらの発明において、支持部材にフィルム状有機ダイボンディング材を貼り付ける段階で、吸水率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルム状有機ダイボンディング材がそれぞれ使用される。
　【００２６】
　第一の発明で使用される吸水率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、第二の発明で使用される飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、第四の発明で使用される２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルム状有機ダイボンディング材及び第六の発明で使用される半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材は、フィルム状有機ダイボンディングの組成、例えばポリイミド等のポリマーの構造や銀等のフィラー含量を調整することにより製造することができる。
　【００２７】
　また、第三の発明で使用される残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材及び第五の発明で使用される半導体素子を支持部材に接着した段階でダイボンディング材中及びダイボンディング材と支持部材の界面に存在するボイドがボイド体積率１０％以下であるフィルム状有機ダイボンディング材は、フィルム状有機ダイボンディングの製造条件、例えば乾燥温度、乾燥時間等を調整することにより製造することができる。
　【００２８】
　半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の一般の半導体素子が使用される。本発明は、半導体素子の大きさが、縦５ｍｍ横５ｍｍ以上のものに特に好適に使用される。支持部材としては、ダイパッド部を有するリードフレーム、セラミック配線板、ガラス−ポリイミド配線板等の配線基板等が使用される。図３にダイパッド部を有するリードフレームの一例の平面図を示す。図３に示すリードフレーム４０は、ダイパッド部４１を有する。
　【００２９】
　フィルム状有機ダイボンディング材は、単一層のものだけでなく多層構造のものも使用される。
　本発明では、フィルム状有機ダイボンディング材は上記の物性・特性の二以上を兼ね備えることができる。
　兼ね備えることが好ましい物性・特性としては、例えば
（１）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下かつ残存揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（２）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下かつ半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材、
（３）残存揮発分が３．０ｗｔ％以下、かつ、半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材、
（４）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下、残存揮発分が３．０ｗｔ％以下かつ半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンディング材
である。
　【００３０】
　本発明では、フィルム状有機ダイボンディング材の上記の物性・特性は使用目的に応じ、任意の組み合わせをとることができる。
　【００３１】
　また、（１）〜（４）のフィルム状有機ダイボンディング材又は上記の物性・特性を任意組み合わせたフィルム状有機ダイボンディング材を、半導体素子の面積と同等以下の面積を有し半導体素子を支持部材に接着した段階で半導体素子の大きさからはみ出さないようなフィルム状有機ダイボンディング材として使用することが好ましい。
　【００３２】
　本発明の半導体装置は、半導体装置実装のはんだリフロー時においてリフロークラックの発生を回避することができ、信頼性に優れる。
　【００３３】
　本発明のフィルム状有機ダイボンディング材の有機材料として、ポリイミド樹脂が好ましい。
　ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３´，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２´，３−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３´，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３´，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３´，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２´，３´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト−７−エンー２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４´−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物等があり、２種類以上を混合して用いてもよい。
　【００３４】
　またポリイミド樹脂の原料として用いられるジアミンとしては、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３´−ジアミノジフェニルエーテル、３，４´−ジアミノジフェニルエーテル、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、３，３´−ジアミノジフェニルメタン、３，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジアミノジフェニルメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３´−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４´−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４´−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、３，４´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェニルスルホン、３，３´−ジアミノジフェニルスルフイド、３，４´−ジアミノジフェニルスルフイド、４，４´−ジアミノジフェニルスルフイド、３，３´−ジアミノジフェニルケトン、３，４´−ジアミノジフェニルケトン、４，４´−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２´−（３，４´−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４´−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３´−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４´−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４´−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）フエニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン等の芳香族ジアミンや、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン等の脂肪族ジアミン等があり、２種類以上を混合して用いてもよい。
　【００３５】
　テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させてポリイミドを得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モル又はほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜５０℃で反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。
　【００３６】
　ポリイミドは、上記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用いて行うことができる。
　【００３７】
　本発明のフィルム状有機ダイボンディング材の有機材料として、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型、脂環型のエポキシ樹脂が使用される。
　【００３８】
　上記したように、本発明の半導体装置の製造法においては、ダイボンドの条件は、温度１００〜３５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力０．１〜３０ｇｆ／ｍｍ２が好ましく、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２がより好ましく、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上１．５秒以下、圧力０．３〜２ｇｆ／ｍｍ２が最も好ましい。
　【００３９】
　フィルム状有機ダイボンディング材の２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルムを使用すれば、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ２の条件でダイボンディングを行い、十分なピール強度（例えば、０．５Ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上の強度）を得ることができる。
　【００４０】
　【発明の実施の形態】
　以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものではない。以下の実施例において用いられるポリイミドは、いずれも等モルの酸無水物とジアミンとを溶媒中で混合し加熱することにより重合させて得られる。以下の各実施例において、ポリイミドＡは、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）とビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタンとから合成されるポリイミドであり、ポリイミドＢは、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとから合成されるポリイミドであり、ポリイミドＣは、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）とビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタンとから合成されるポリイミドであり、ポリイミドＤは、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンとから合成されるポリイミドであり、ポリイミドＥは、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）および１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）の等モル混合物と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンとから合成されるポリイミドであり、ポリイミドＦは、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンとから合成されるポリイミドである。
　【００４１】
＜実施例１＞
　表１に示すポリイミド１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　【００４２】
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表１に示す組成、吸水率のフィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　【００４３】
　リードフレームのタブ上に、表１のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱して貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ２、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した（ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）。
　【００４４】
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温垣湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　【００４５】
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
　【００４６】
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表１に示す。なお、銀ペーストは、日立化成工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
　【００４７】
　【表１】
　【００４８】
　吸水率測定方法は、つぎの通りである。
　５０×５０ｍｍの大きさのフィルムをサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥重量を測定しＭ１とする。サンプルを蒸留水に室温で２４時間浸せきしてから取り出し、サンプル表面をろ紙でふきとり、すばやく秤量してＭ２とする。
　【００４９】
　　［（Ｍ２−Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００＝吸水率（ｖｏｌ％）
として、吸水率を算出した。ｄはフィルム状有機ダイボンディング材の密度である。
　【００５０】
＜実施例２＞
　表２に示すポリイミド１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　【００５１】
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表２に示す組成、飽和吸湿率のフィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　【００５２】
　リードフレームのタブ上に、表２のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、Ｎｏ．１〜６および比較例では、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ２、時間５秒で、Ｎｏ．７〜１０では、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍｍ２、時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）。
　【００５３】
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　【００５４】
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
　【００５５】
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表２に示す。なお、銀ペーストは、日立化成工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
　【００５６】
　【表２】
　【００５７】
　飽和吸湿率測定方法は、つぎの通りである。
　直径１００ｍｍの円形フィルム状有機ダイボンディング材をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥重量を測定しＭ１とする。サンプルを８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽中で吸湿してから取り出し、すばやく秤量して秤量値が一定になったとき、その重量をＭ２とする。
　【００５８】
　　［（Ｍ２−Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００＝飽和吸湿率（ｖｏｌ％）
として、飽和吸湿率を算出した。ｄはフィルム状有機ダイボンディング材の密度である。
　【００５９】
＜実施例３＞
　ポリイミドＦ１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、溶媒としてジメチルアセトアミド１４０ｇ、シクロヘキサノン１４０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　【００６０】
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で８０℃から１２０℃の温度に加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表３に示す残存揮発分のダイボンディングフィルムを製造した。ただし、１２０℃より乾燥温度が高い場合には、ＯＰＰフィルム上で８０℃、３０分乾燥させた後、フィルム状有機ダイボンディング材をＯＰＰフィルムからはく離し、これを鉄枠にはさんで固定してから、乾燥機中であらためて加熱し、乾燥させた。
　【００６１】
　リードフレームのタブ上に、表３のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍｍ２、時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）。
　【００６２】
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温垣湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　【００６３】
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
　【００６４】
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表３に示す。なお、銀ペーストは、日立化成工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
　【００６５】
　【表３】
　【００６６】
　残存揮発分測定方法は、つぎの通りである。
　５０×５０ｍｍの大きさのフィルム状有機ダイボンディング材をサンプルとし、サンプルの重量を測定しＭ１とし、サンプルを熱風循環恒温槽中で２００℃２時間加熱後、秤量してＭ２とし、
　　［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００＝残存揮発分（ｗｔ％）
として、残存揮発分を算出した。
　【００６７】
＜実施例４＞
　ポリイミドＤ１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、溶媒としてジメチルアセトアミド１４０ｇ、シクロヘキサノン１４０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　【００６８】
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で８０℃から１２０℃の温度に加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、表５に示すボイド体積率のダイボンディングフィルムを製造した。
　【００６９】
　ただし、１２０℃より乾燥温度が高い場合には、ＯＰＰフィルム上で８０℃３０分乾燥させた後、フィルム状有機ダイボンディング材をＯＰＰフィルムからはく離し、これを鉄枠にはさんで固定してから、乾燥機中であらためて加熱し、乾燥させた。
　【００７０】
　ここで、ボイド体積率とは、半導体素子を支持部材に接着した段階でダイボンディング材中及びダイボンディング材と支持部材の界面に存在するボイドのボイド体積率である。
　【００７１】
　リードフレームのタブ上に、表４のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ２、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）。
　【００７２】
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　【００７３】
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
　【００７４】
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表４に示す。なお、銀ペーストは、日立化成工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
　【００７５】
　【表４】
　【００７６】
　ボイド体積率測定方法は、つぎの通りである。
　リードフレームとシリコンチップとをフィルム状有機ダイボンディング材で接着し、サンプルを作成し、軟Ｘ線装置を用いて、サンプル上面から観察した画像を写真撮影した。写真のボイドの面積率を画像解析装置によって測定し、上面から透視したボイドの面積率＝ボイドの体積率（％）とした。
　【００７７】
＜実施例５＞
　表５に示すポリイミド１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　【００７８】
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して溶媒を揮発乾燥させ、表５に示す組成、ピール強度のフィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　【００７９】
　ここでピール強度は、半導体素子を支持部材にフィルム状有機ダイボンディング材を介して接着した段階でのフィルム状有機ダイボンディング材のピール強度である。
　【００８０】
　リードフレームのタブ上に、表５のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、Ｎｏ．１〜５については、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ２、時間５秒で、Ｎｏ．６〜１０については、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍｍ２、時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）。
　【００８１】
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　【００８２】
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表５に示す。
　【００８３】
　【表５】
　【００８４】
　なお、ピール強度はつぎのようにして測定した。
　リードフレームのタブ表面等の半導体素子を支持する支持部材に、５×５ｍｍの大きさのシリコンチップ（試験片）をフィルム状有機ダイボンディング材をはさんで接着したものを、２４０℃の熱盤上に、２０秒間保持し、図２に示すように、プッシュプルゲージを用いて、試験速度０．５ｍｍ／分でピール強度を測定した。図２において、２１は半導体素子、２２はフィルム状有機ダイボンディング材、２３はリードフレーム、２４はプッシュプルゲージ、２５は熱盤である。尚、この場合は２４０℃、２０秒間に保持して測定したが、半導体装置の使用目的によって半導体装置を実装する温度が異なる場合は、その半導体装置実装温度で保持して測定する。
　【００８５】
＜実施例６＞
　ポリイミドＥ１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　【００８６】
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、フィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　【００８７】
　リードフレームのタブ上に、表６の大きさのフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ２、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）。
　【００８８】
　封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー炉で２４０℃、１０秒加熱する。
　【００８９】
　その後、半導体装置をポリエステル樹脂で注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
　　（リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフロークラック発生率（％）
　評価結果を表６に示す。
　【００９０】
　【表６】
　【００９１】
＜実施例７＞
　ポリイミドＦ１００ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
　【００９２】
　この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰＰフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、フィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
　【００９３】
　リードフレームのタブ上に、表７の２５０℃での弾性率のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリードフレームへ、表７のダイボンディング条件で、半導体素子をマウントしたところ、表７のピール強度であった。
　【００９４】
　【表７】
　【００９５】
　フィルム弾性率（ＭＰａ）測定法：
　（株）東洋精機製作所社製レオログラフソリッドＳ型を用いて、昇温速度５℃／ｍｉｎ，周波数１０Ｈｚで、動的粘弾性を測定し、２５０℃における貯蔵弾性率Ｅ’を弾性率とした。
　ピール強度測定法：
　実施例５と同じである。
　【００９６】
　【発明の効果】
　本発明は、フィルム状有機ダイボンディング材を使用し、リフロークラックが発生せず、信頼性に優れる半導体装置及びその製造法を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。
　【図２】　プッシュプルゲージを用いてピール強度を測定する方法を説明する正面図である。
　【図３】　ダイパッド部を有するリードフレームの一例の平面図である。
　【符号の説明】
　１…フィルム状有機ダイボンディング材、２…カッター、４…圧着子、５…リードフレーム、６…ダイパッド部、７…熱盤、８…半導体素子、９…封止樹脂、２１…半導体素子、２２…フィルム状有機ダイボンディング材、２３…リードフレーム、２４…プッシュプルゲージ、２５…熱盤、４０…リードフレーム、４１…ダイパッド部。