Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＩＣを含む基板をダイシングする方法であって、
ＩＣを被覆し保護するパターニングされていないマスクを有する基板を受け取る工程と、
マスク内に、及びマスクの下に配置された薄膜ＩＣスタック内に、所定のパターンのトレンチをレーザによってアブレーション加工し、これによって基板の一部を露出させる工程であって、アブレーション加工は第１照度を有する電磁照射で先に行い、第１照度とは異なる第２照度を有する電磁照射で後に行う工程と、
パターニングされたマスクトレンチによって露出した基板を貫通してプラズマエッチングし、これによってＩＣを個片化する工程を含む方法。
【請求項２】
第１照度及び第２照度のうちの一方は、基板をアブレーション加工するのに不十分であり、第１照度及び第２照度のうちの他方は、基板をアブレーション加工するのに十分である請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１照度及び第２照度のうちの一方は、薄膜ＩＣスタックの層間接続金属をアブレーション加工するのに不十分であり、第１照度及び第２照度のうちの一方は、層間接続金属をアブレーション加工するのに十分である請求項２記載の方法。
【請求項４】
第１照度は、０．０１ＧＷ／ｃｍ２よりも小さく、第２照度は、０．１ＧＷ／ｃｍ２よりも大きい請求項３記載の方法。
【請求項５】
第１照度は、第１カーフ幅を有するマスク内にトレンチを形成し、第２照度は、第１カーフ幅とは異なる第２カーフ幅を有する薄膜ＩＣスタック内にトレンチを形成する請求項１記載の方法。
【請求項６】
第１カーフ幅は、第２カーフ幅よりも大きい請求項５記載の方法。
【請求項７】
アブレーション加工する工程は、移動方向に沿って非対称に変化した照度プロファイルを有するようにレーザビームを整形する工程と、第１照度を有する先行するレーザビーム部分によってマスク内にトレンチをパターニングし、第２照度を有する後続のレーザビーム部分によって薄膜ＩＣスタックをアブレーション加工して基板を露出させる工程を含む請求項２記載の方法。
【請求項８】
アブレーション加工する工程は、波長が５４０ナノメートル以下であり、パルス幅が４００フェムト秒以下であるレーザを含む請求項２記載の方法。
【請求項９】
アブレーション加工する工程は、第１照度での第１レーザパスと、第２照度での第２レーザパスを含む請求項２記載の方法。
【請求項１０】
第１及び第２レーザパスは第１レーザにより、第２レーザパスは第２レーザによる請求項７記載の方法。
【請求項１１】
第１レーザは、第１パルス幅及び第１波長を有する第１パルストレインを生成し、第２レーザは、第２パルス幅及び第２波長を有する第２パルストレインを生成し、第２パルス幅及び第２波長のうちの少なくとも１つは、第１パルス幅及び第１波長と異なる請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
マスクを形成する工程は、ＩＣ間のストリートの上に２０μｍ未満の厚さにポリマー材料層を形成する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項１３】
複数のＩＣを含むシリコン基板をダイシングする方法であって、
ＩＣを覆い保護するマスクを有する基板を受け取る工程と、
基板の一部を露出するために、フェムト秒レーザによって、所定のパターンのトレンチを、マスク内に及びマスクの下方に配置された薄膜ＩＣスタック内に、アブレーション加工する工程であって、アブレーション加工は、第１照度によって先行し、第１照度とは異なる第２照度によって後続する工程と、
パターニングされたマスクトレンチによって露出されたシリコン基板を貫通してプラズマエッチングし、これによってＩＣを個片化する工程を含む方法。
【請求項１４】
マスク内のトレンチは、第１カーフ幅でアブレーション加工され、薄膜ＩＣスタックは、第１カーフ幅と異なる第２カーフ幅でアブレーション加工される請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像値ブロックの行に動作し、行変換ベクトルを有する行変換と、前記画像値ブロックの列に動作し、列変換ベクトルを有する列変換とを利用してビデオを符号化する方法であって、
前記行変換および前記列変換の一方または両方がスキップされるスキップモードを含む変換モードのセットを確立するステップと、
前記モードの一方を選択するステップと、
変換がスキップされる任意のブロックに対して、無変換画像値を変換係数と同じレベルにもたらすために前記スキップされた変換の変換ベクトルのノルム−２に依存するスケーリング因子を、前記ブロックの対応する画像値に適用するステップと、
前記選択されたモードの指示をデコーダに与えるステップと
を含む方法。
【請求項２】
画像値ブロックの行に動作し、行変換ベクトルを有する行変換と、前記画像値ブロックの列に動作し、列変換ベクトルを有する列変換とを利用して符号化されたビデオを復号する方法であって、
前記行変換および前記列変換の一方または両方がスキップされる変換スキップモードの指示を受けるステップと、
前記モードに従って逆変換を適用し、前記スキップされた変換の前記変換ベクトルのノルム−２に依存するスケーリング因子である逆スケーリングを任意の変換されていない画像値に適用するステップと
を含む方法。
【請求項３】
同じスケーリング因子が、スケーリングされた行または列のすべての係数に対して使用される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
変換係数のブロックが係数のサブブロックで表され、各サブブロックがサブブロックレベルのスキャンに入り、各サブブロック内でスキャンが使用される二重スキャンが実行される、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
変換スキップモードのセットが、
行および列の変換と、
無変換と
を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
変換スキップモードのセットが、
行および列の変換と、
行のみの変換と、
列のみの変換と、
無変換と
を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
モード選択が、各モードに符号語を割り当ててデコーダに信号伝送される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ブロック内の係数がエントロピー符号化段階でスキャンされる順番が、前記変換スキップモードに従って適応される、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記行変換がスキップされ、前記列変換が維持される、行ごとのスキャンが用いられ、前記列変換がスキップされ、前記行の変換が維持される、列ごとのスキャンが用いられる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
変換スキップモードが、１つのブロック群の全成分ＹＵＶに対して信号伝送され、他のブロック群の各成分に対して別に信号伝送される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
同じ変換スキップモードが、ＹＵＶブロックのすべての成分（輝度−Ｙ、色差−ＵおよびＹ）に使用される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
変換スキップモードが、ゼロ値係数のみを有するブロックに対して信号伝送されない、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
変換スキップモードが、輝度成分がゼロ値のみを有するときは信号伝送されず、この場合、色度成分に２Ｄ変換が使用される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
変換スキップモードが、前記輝度成分の非ゼロ値係数のみがブロックの左上隅（ＤＣ成分）であるときは信号伝送されず、この場合、前記色度成分に２Ｄ変換が使用される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
変換スキップモードが、所定の他のモード（例えば、他のフレームからのみ予測される）を有するブロックに対してのみ信号伝送される、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
変換スキップモードが、ブロックセットに信号伝送される、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法をプログラム可能手段に実行させる命令を含むコンピュータプログラム製品。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法に従って動作するように適応および構成されたビデオエンコーダ。
【請求項１９】
請求項２に記載の方法に従って動作するように適応および構成されたビデオデコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオシーンの２次元または３次元の高次ＡｍｂｉｓｏｎｉｃｓＨＯＡ表現内に含まれる複数のサウンドオブジェクトの相対的位置を変更する方法であって、
次元Ｏｉｎを有する入力ベクトルＡｉｎが入力信号のフーリエ級数の係数を決定し、次元Ｏｏｕｔを有する出力ベクトルＡｏｕｔが、対応する変更後の出力信号のフーリエ級数の係数を決定し、前記方法は、
モード行列Ψ１の逆行列Ψ１−１を用いて、ｓｉｎ＝Ψ１−１Ａｉｎを計算することにより、入力ＨＯＡ係数の前記入力ベクトルＡｉｎを、規則的に配置されたラウドスピーカの位置に対して、空間領域の入力信号ｓｉｎにデコードするステップと、
Ａｏｕｔ＝Ψ２ｓｉｎを計算することにより、前記入力信号ｓｉｎを、適合させた出力ＨＯＡ係数を有する前記出力ベクトルＡｏｕｔに、空間領域でワープ及びエンコードするステップであって、規則的に配置されたラウドスピーカの位置の角度（φｉｎ，θｉｎ）が、前記出力ベクトルＡｏｕｔ中のターゲットラウドスピーカ位置のターゲット角度（φｏｕｔ，θｉｎ）に、１対１マッピングされるワーピング関数ｆ（φ）により、前記モード行列Ψ２のモードベクトルがモード行列Ψ１のモードベクトルに対して修正される、ステップとを有する方法。
【請求項２】
前記空間領域の入力信号ｓｉｎは、前記ワープ及びエンコードするステップの前に、ゲイン関数ｇ（φ）またはｇ（θ，φ）により重み付けされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
２次元Ａｍｂｉｓｏｎｉｃｓの場合、前記ゲイン関数は
＜外１＞
2014523172.tif 000001
３次元Ａｍｂｉｓｏｎｉｃｓの場合、前記ゲイン関数は、φ方向とθ方向において、
＜外２＞
2014523172.tif 000002
φは方位角であり、θは傾斜角であり、φεは小さい方位角である、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
仮想的ラウドスピーカの数または次元ＯｗａｒｐがＨＯＡ係数の数または次元Ｏｉｎ以上である場合、前記デコードするステップの前に、より高次のゼロ係数を追加することにより、前記入力ベクトルＡｉｎの次数または次元を拡張する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
ＨＯＡ係数の次数または次元が前記モード行列Ψ２の次数または次元より低い場合、前記出力ベクトルＡｏｕｔを提供するため、前記ワープされた係数の一部を取り除くために、前記ワープされエンコードされ場合によっては重み付けされた信号Ψ２ｓｉｎを、より高次にゼロ係数を有するウィンドウベクトルｗを用いて、さらに重み付けする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
前記デコード、重み付け、及びワープ／デコードするステップは、共にサイズＯｗａｒｐ×Ｏｗａｒｐの変換行列
＜外３＞
2014523172.tif 000003
を用いることにより実行され、ｄｉａｇ（ｗ）は前記ウィンドウベクトルｗの値を主対角線の成分として有する対角行列を示し、ｄｉａｇ（ｇ）は前記ゲイン関数ｇを主対角線の成分として有する対角行列を示す、請求項２に従属した請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記変換行列ＴをサイズＯｏｕｔ×Ｏｉｎとなるような形状にするため、前記変換行列Ｔの対応する列及び／またはラインをスペースワーピング演算Ａｏｕｔ＝ＴＡｉｎを実行するように除去する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
オーディオシーンの２次元または３次元の高次ＡｍｂｉｓｏｎｉｃｓＨＯＡ表現内に含まれる複数のサウンドオブジェクトの相対的位置を変更する装置であって、
次元Ｏｉｎを有する入力ベクトルＡｉｎが入力信号のフーリエ級数の係数を決定し、次元Ｏｏｕｔを有する出力ベクトルＡｏｕｔが、対応する変更後の出力信号のフーリエ級数の係数を決定し、前記装置は、
モード行列Ψ１の逆行列Ψ１−１を用いて、ｓｉｎ＝Ψ１−１Ａｉｎを計算することにより、入力ＨＯＡ係数の前記入力ベクトルＡｉｎを、規則的に配置されたラウドスピーカの位置に対して、空間領域の入力信号ｓｉｎにデコードするように構成された手段と、
Ａｏｕｔ＝Ψ２ｓｉｎを計算することにより、前記入力信号ｓｉｎを、適合させた出力ＨＯＡ係数を有する前記出力ベクトルＡｏｕｔに、空間領域でワープ及びエンコードするように構成された手段であって、規則的に配置されたラウドスピーカの位置の角度（φｉｎ，θｉｎ）が、前記出力ベクトルＡｏｕｔ中のターゲットラウドスピーカ位置のターゲット角度（φｏｕｔ，θｉｎ）に、１対１マッピングされるワーピング関数ｆ（φ）により、前記モード行列Ψ２のモードベクトルがモード行列Ψ１のモードベクトルに対して修正される、手段とを有する装置。
【請求項９】
前記ワープ及びエンコードする前に、ゲイン関数ｇ（φ）またはｇ（θ，φ）により前記空間領域の入力信号ｓｉｎを重み付けするように構成された手段を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
２次元Ａｍｂｉｓｏｎｉｃｓの場合、前記ゲイン関数は
＜外４＞
2014523172.tif 000004
であり、
３次元Ａｍｂｉｓｏｎｉｃｓの場合、前記ゲイン関数は、φ方向とθ方向において、
＜外５＞
2014523172.tif 000005
であり、
φは方位角であり、θは傾斜角であり、φεは小さい方位角である、
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記デコードをする前に、仮想ラウドスピーカの数または次元がＨＯＡ係数の数または次元Ｏｉｎ以上である場合に、より高い次数のゼロ係数を加えることにより、前記入力ベクトルＡｉｎの次数または次元を拡張するように構成された手段を含む、請求項８または９に記載の装置。
【請求項１２】
最高時にゼロ係数を有するウィンドウベクトルｗを用いて、前記ワープされ、エンコードされ、場合によっては重み付けされた信号Ψ２ｓｉｎをさらに重み付けし、前記出力ベクトルＡｏｕｔを提供するために、前記ワープされた係数の一部を除去するように構成された手段を含む、請求項８または９に記載の装置。
【請求項１３】
サイズＯｗａｒｐ×Ｏｗａｒｐの変換行列
＜外６＞
2014523172.tif 000006
を用いることにより、共に前記デコード、重み付け、及びワープ／デコードを実行するように構成された手段を含み、ｄｉａｇ（ｗ）は前記ウィンドウベクトルｗの値を主対角線の成分として有する対角行列を示し、ｄｉａｇ（ｇ）は前記ゲイン関数ｇを主対角線の成分として有する対角行列を示す、請求項９に従属した請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記変換行列ＴをサイズＯｏｕｔ×Ｏｉｎとなるような形状にするため、共に前記デコード、重み付け、及びワープ／デコードを実行するように構成された手段において、前記変換行列Ｔの対応する列及び／またはラインをスペースワーピング演算Ａｏｕｔ＝ＴＡｉｎを実行するように除去する、請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティングデバイスにおける、要求ビュアーにビデオコンテンツを配信する方法であって、
複数のビデオコンテンツアイテムのうちの各ビデオコンテンツアイテムに対して、複数の感情的応答プロファイルを集計するステップであって、各感情的応答プロファイルは、前のビュアーに見られた時の一ビデオコンテンツアイテムに対する前記前のビュアーの感情的応答の時間的記録を含み、前記複数のビデオコンテンツアイテムのうちの各ビデオコンテンツアイテムの集計感情的応答プロファイルを形成するステップと、
要求デバイスからビデオストリームを求める要求を受信するステップであって、前記要求は前記要求ビュアーのアイデンティティを含むステップと、
要求ビュアーに対して表示する、選択されたビデオコンテンツアイテムのリストをアセンブルするステップであって、前記選択されたビデオアイテムは前記要求ビュアーのアイデンティティと、選択された各ビデオコンテンツアイテムの集計感情的応答プロファイルの少なくとも一部の閾値との比較とに基づいて複数のビデオアイテムから選択されるステップと、
前記選択されたビデオコンテンツアイテムのうちの一以上のビデオアイテムを含むビデオストリームを送信するステップとを有する、
方法。
【請求項２】
選択されたビデオコンテンツアイテムは、前記要求ビュアーの視聴上の興味を含むビューイングインタレストプロファイルに基づきさらに選択され、前記要求ビュアーのアイデンティティに基づき、要求ビュアーのユーザアカウントから前記要求ビュアーのビューイングインタレストプロファイルを取得するステップをさらに有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記要求ビュアーのアイデンティティは、前記ビデオストリームが表示のために送信されるビデオビューイング環境中の画像センサにより収集された前記要求ビュアーの画像に基づき取得される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
選択されたビデオコンテンツアイテムのリストをアセンブルするステップは、前記ビデオストリームを求める要求とともに受信した前記要求ビュアーの感情的状態に基づき、前記選択されたビデオコンテンツアイテムを選択するステップを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
選択されたビデオコンテンツアイテムのリストをアセンブルするステップは、前記要求ビュアーの感情的状態と、前記複数のビデオコンテンツアイテムの集計感情的応答プロファイル中の感情的応答との間の正の相関に基づき、前記選択されたビデオコンテンツアイテムのうちの一以上のビデオコンテンツアイテムを選択するステップを含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記要求ビュアーが属するソーシャルネットワークに基づき、集計感情的応答プロファイルをフィルタリングするステップをさらに有する、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
選択されたビデオコンテンツアイテムのリストをアセンブルするステップは、時刻に基づき、前記選択されたビデオコンテンツアイテムを選択するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記要求ビュアーに属するモバイルコンピューティングデバイスに、ビデオストリームに関する補足的コンテンツを送信する
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記選択されたビデオコンテンツアイテムのリストをアセンブルするステップは、少なくとも一部が前記閾値を超える集計感情的応答を有するショーのエピソードを選択するステップと、前記閾値を超えない集計感情的応答を有するショーのエピソードを選択しないステップとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
メディアプレゼンテーションシステムであって、
奥行きカメラから画像データを受信するように構成された周辺入力と、
ディスプレイデバイスにビデオコンテンツを出力するように構成されたディスプレイ出力と、
ロジックサブシステムと、
要求ビュアーをキャプチャする画像データを収集し、
前記画像データに基づき、前記要求ビュアーのアイデンティティを取得し、
前記要求ビュアーのアイデンティティに基づき、選択されたビデオアイテムからアセンブルされたビデオストリームを求める要求を送信し、
前記ビデオストリームを受信し、前記ビデオストリームは、各々が少なくとも一部が事前選択された閾値を超える大きさを有する集計感情的応答を有する一以上のビデオコンテンツアイテムを有し、
前記ビデオストリームを前記ディスプレイ出力に出力する、
前記ロジックサブシステムにより実行可能な命令を保持するデータ保持サブシステムとを有する、
メディアプレゼンテーションシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
スルホネート系界面活性剤、好ましくはアルキル−ジスルホン化−ジフェニルオキシド−二ナトリウム塩またはアルキルジフェニルオキシドジスルホネート、例えばＤｏｗｆａｘＴＭ２Ａ１またはＤｏｗｆａｘＴＭ８３９０は、非イオン性界面活性剤と一緒に使用した時に、生じるインキ調合物の性質に関して、特に液滴形成及び液滴形態、液滴吐出、及び液だまりの回避もしくは低減に関して、有利な相乗効果を示す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
完成したインキ調合物は、５〜１０℃で７日間安定に貯蔵できた。インキジェット印刷及びその後に１４０℃で焼結することで、ポリカーボネートフィルム（Ｍａｋｒｏｆｏｌ（登録商標）ＤＥ  １−１フィルム）及びガラス基材上に伝導性構造体を得ることができた。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジスキネジーを治療または軽減する必要のある患者に、前記ジスキネジーを軽減するのに十分な、治療上有効な量の、二重作用性のμ−オピオイドレセプターアンタゴニスト(dual-action mu-opioid receptor antagonist)／κ−オピオイドレセプターアゴニスト(kappa-opioid receptor agonist)を投与することを有する、ジスキネジーの治療または軽減方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
蛍光増白剤としては、環状炭化水素、例えばジスチリルベンゼン類、ジスチリルビフェニル類、ジフェニルスチルベン類、トリアジニルアミノスチルベン類、スチルベニル−２Ｈ−トリアゾ−ル類、例えばスチルベニル−２Ｈ−ナフトール［１，２−ｄ］トリアゾ−ル類及びビス（１，２，３−トリアゾ−ル−２−イル）スチルベン類、ベンゾキサゾール類、例えばスチルベニルベンゾキサゾール及びビス（ベンゾキサゾール）、フラン類、ベンゾフラン類及びベンズイミダゾール類、例えばビス（ベンゾ［ｂ］フラン−２−イル）ビフェニル及びカチオン性ベンズイミダゾール類、１，３−ジフェニル−２−ピラゾリン、クマリン、ナフタルイミド類、１，３，５−２−イル−誘導体、メチンシアニン及びジベンゾチオフェン−５，５−オキシドを使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月18日(2015.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１種以上のアミノカルボキシレート、
（Ｂ）焼成シリカ、沈降シリカ及び脂肪酸塩から選ばれる添加剤、及び任意に、
（Ｃ）少なくとも１種の固体助剤、
を含む、粉、顆粒、又はペレットの状態で存在する混合物であって、
アミノカルボキシレート（Ａ）の、添加剤（Ｂ）に対する質量割合が全部で、９：１〜９９９９：１の範囲であり、及び
任意に、アミノカルボキシレート（Ａ）及び添加剤（Ｂ）の合計に対して、５０質量％以下の助剤（Ｃ）を含むことを特徴とする混合物。
【請求項２】
スルファートもシトラートも含まないことを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項３】
添加剤（Ｂ）が、１ｎｍ〜５００μｍの範囲の平均粒径を有することを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の混合物。
【請求項４】
アミノカルボキシレート（Ａ）が、ＮＴＡ、ＥＤＴＡ、ＤＴＰＡ、ＨＥＤＴＡ、ＭＧＤＡ、ＧＬＤＡ、ＰＤＴＡ、ＥＤＤＨＡ、ＨＥＩＤＡ、ＩＤＳ、ＥＤＤＳ、及びβ−ＡＤＡから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の混合物。
【請求項５】
添加剤（Ｂ）は、比表面積が２５〜８００ｍ２／ｇの範囲のシリカから選ばれることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の混合物。
【請求項６】
添加剤（Ｂ）が、５０〜３００ｇ／ｌの突き固め密度を有するシリカから選ばれることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の混合物。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の混合物を、洗浄剤、クリーナー、及びケア組成物を製造するために使用する方法。
【請求項８】
微量栄養素を製造するために、請求項１〜６の何れか１項に記載の混合物を使用する方法。
【請求項９】
液体を軟化するために、請求項１〜６の何れか１項に記載の混合物を使用する方法。
【請求項１０】
請求項１〜６の何れか１項に記載の混合物を含む、洗浄剤、クリーナー及びケア組成物、及び微量栄養素。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月9日(2015.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種類のＰＭＥ−１サイレンシング剤と、式（Ｉ）
【化１】
2014523426.tif 000001
（式中、
Ｒ’は、Ｈ又はアルキルであり；
Ｒ’’は、Ｈ又はアルコキシであり；
Ｒ１及びＲ２は、Ｈであるか一緒にオキソを形成し；
Ｒ３及びＲ４は、独立してＨ、ＯＨであるか一緒にオキソを形成し：
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ６’、Ｒ７及びＲ８は、Ｈ、アルキル、アルコキシ、ヒドロキシ、ヒドロキシルアルキル、アルコキシカルボニル又はモノ−及びジアルキルアミノからなる群から独立して選択され；
Ｘは、ＣＨ２又はＯであり；
ｎは、０又は１である）
の化合物とを組合せて含む医薬。
【請求項２】
ＰＭＥ−１サイレンシング剤が、ｓｉＲＮＡ分子、ＤｓｉＲＮＡ分子、人工ｍｉＲＮＡ前駆体、ｓｈＲＮＡ分子、アンチセンスオリゴヌクレオチド、リボザイム、及びＰＰ２Ａｃに対するＰＭＥ−１機能を阻止する作用剤からなる群から選択される、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
ＰＭＥ−１サイレンシング剤が、配列番号１〜３９からなる群から選択される核酸配列を含む、請求項１に記載の医薬。
【請求項４】
式（Ｉ）の化合物が、
【化２】
2014523426.tif 000002
からなる群から選択される、請求項１に記載の医薬。
【請求項５】
過剰増殖性疾患の処置に用いるための、請求項１に記載の医薬。
【請求項６】
前記過剰増殖性疾患が、乾癬、心筋肥大、良性腫瘍、固形がん及び血液がんからなる群から選択される、請求項５に記載の医薬。
【請求項７】
前記固形がんが、頭頸部扁平上皮癌、結腸がん、胃がん、乳がん、卵巣がん、前立腺がん、子宮頸がん、脳がん、神経膠腫、星状細胞腫及びグリア芽細胞腫からなる群から選択される、請求項６に記載の医薬。
【請求項８】
配列番号３〜５からなる群から選択される核酸配列を含む、二本鎖ＲＮＡ小分子。
【請求項９】
請求項１から７までのいずれか一項に記載の医薬又は請求項８に記載の二本鎖ＲＮＡ小分子、及び少なくとも１種の薬学的に許容される担体を含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＬＬ４の生物学的活性に拮抗する抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片を含有する、ヒトにおける癌を治療するための医薬製剤であって、治療上有効量の電離放射線と組み合わせて投与されるように用いられることを特徴とする、上記製剤。
【請求項２】
ＤＬＬ４の生物学的活性に拮抗する抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片を含有する、ヒトにおける腫瘍細胞増殖または腫瘍血管新生を低減または阻害するための医薬製剤であって、治療上有効量の電離放射線と組み合わせて投与されるように用いられることを特徴とする、上記製剤。
【請求項３】
ＤＬＬ４の生物学的活性に拮抗する抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片を含有する、ヒトにおける悪性腫瘍細胞浸潤または転移を低減するための医薬製剤であって、治療上有効量の電離放射線と組み合わせて投与されるように用いられることを特徴とする、上記製剤。
【請求項４】
ＤＬＬ４の生物学的活性に拮抗する抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片を含有する、ヒトにおける新生物を低減または阻害するための医薬製剤であって、治療上有効量の電離放射線と組み合わせて投与されるように用いられることを特徴とする、上記製剤。
【請求項５】
ＤＬＬ４の生物学的活性に拮抗する抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片を含有する、対象における腫瘍再成長を遅延させるための医薬製剤であって、電離放射線の少なくとも１回線量での治療後に投与されるように用いられることを特徴とする、上記製剤。
【請求項６】
前記癌、腫瘍、または新生物は、結腸直腸癌、転移性結腸癌、結腸癌、直腸癌、膠芽腫、乳癌、非小細胞肺癌、頭頚部癌、腎細胞癌、子宮頸癌、卵巣癌、または前立腺癌である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項７】
前記抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片は、ヒト抗体またはその断片である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項８】
前記抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片は、
配列番号１に記載されるＣＤＲ１、配列番号２に記載されるＣＤＲ２、および配列番号３に記載されるＣＤＲ３のアミノ酸配列を含む、重鎖可変ドメインと、
配列番号４に記載されるＣＤＲ１、配列番号５に記載されるＣＤＲ２、および配列番号６に記載されるＣＤＲ３のアミノ酸配列を含む、軽鎖可変ドメインと、
を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項９】
前記抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片は、
配列番号７に記載される重鎖可変ドメインと、
配列番号８に記載される軽鎖可変ドメインと、
を含む、請求項８に記載の製剤。
【請求項１０】
前記抗ＤＬＬ４抗体またはそのＤＬＬ４結合断片の用量は、約０．１〜約１０ｍｇ／ｋｇである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項１１】
週２回投与される、請求項１０に記載の製剤。
【請求項１２】
電離放射線の最初の線量の投与後に投与される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項１３】
電離放射線の最初の線量の投与前に投与される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項１４】
電離放射線の最初の線量の投与と同じ日に投与される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項１５】
電離放射線の総線量は、約４５Ｇｙ〜約８０Ｇｙである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項１６】
電離放射線は、約１．５〜約３．５Ｇｙ／日の分割線量で投与される、請求項１５に記載の製剤。
【請求項１７】
電離放射線は、一時緩和的であり、前記電離放射線の総線量は、約８Ｇｙ〜約６０Ｇｙである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項１８】
電離放射線は、約３〜約８Ｇｙ／日の分割線量で投与される、請求項１７に記載の製剤。
【請求項１９】
更に化学療法薬の投与と組み合わせて投与されるように用いられる、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを作製するための、インライン式の化学気相成長の方法であって、
堆積チャンバ内で、金属層と吸収層を持つ基板を一定速度で輸送するステップであって、
前記堆積チャンバは、真空環境を持ち、且つ第１の堆積モジュールと第２の堆積モジュールと第３の堆積モジュールとを備え、
前記堆積モジュールのそれぞれは、第１の前駆体ポートと一対の第２の前駆体ポートと一対のポンピングポートとを有するマニフォールドを備えた、少なくとも一つの堆積ステーションを備え、
前記第１の前駆体ポートは、前記第２の前駆体ポートの間に配され、前記第２の前駆体ポートの対は前記ポンピングポートの間に配され、
前記第１の前駆体ポートと前記第２の前駆体ポートの対は、それぞれ第１の前駆体ガスの供給源と第２の前駆体ガスの供給源に接続するよう構成され、
前記ポンピングポートは、前記第１及び第２の前駆体ガスの混合流を排気するための排出システムに接続するよう構成されている、
ステップと、
前記第１の堆積モジュールの、前記第１の前駆体ポートからの第１の前駆体ガスの上方向の流れと、第２の前駆体ポートの前記対からの第２の前駆体ガスの上方向の流れと、を供給するステップと、
前記第１の堆積モジュールの前記第１及び前記第２の前駆体ガスの上方向の流れを、前記基板の表面に沿って流れる前記第１及び第２の前駆体ガスの混合された層流ガスフローに変換して、前記第１の堆積モジュール内での前記基板の輸送の間に、前記基板上にバッファ層を形成するステップと、
前記第１の堆積モジュールでの輸送の後に、前記第２の堆積モジュールの、前記第１の前駆体ポートからの第１の前駆体ガスの上方向の流れと、第２の前駆体ポートの前記対からの第２の前駆体ガスの上方向の流れと、を供給するステップと、
前記第２の堆積モジュールの前記第１及び前記第２の前駆体ガスの上方向の流れを、前記基板の表面に沿って流れる前記第１及び第２の前駆体ガスの混合された層流ガスフローに変換して、前記第２の堆積モジュール内での前記基板の輸送の間に、前記バッファ層上にウィンドウ層を形成するステップと、
前記第２の堆積モジュールでの輸送の後に、前記第３の堆積モジュールの、前記第１の前駆体ポートからの第１の前駆体ガスの上方向の流れと、第２の前駆体ポートの前記対からの第２の前駆体ガスの上方向の流れと、を供給するステップと、
前記第３の堆積モジュールの前記第１及び前記第２の前駆体ガスの上方向の流れを、前記基板の表面に沿って流れる前記第１及び第２の前駆体ガスの混合された層流ガスフローに変換して、前記第３の堆積モジュール内での前記基板の輸送の間に、前記ウィンドウ層上に透明導電層を形成するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記吸収層は、二セレン化銅インジウムガリウムの層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は個別基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記個別基板はガラス基板である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記個別基板はウェハである、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積チャンバ内で前記個別基板を輸送するステップは、前記堆積チャンバ内で複数の個別基板を輸送するステップを含み、前記第１、第２、及び第３の堆積モジュールのそれぞれは、前記基板の別々の一つに前駆体ガスの流れを同時に供給する、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記基板はウェブ基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記バッファ層は、硫化カドミウム層、硫化亜鉛層、及び硫化インジウム層の一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ウィンドウ層は、真性の酸化亜鉛層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記透明導電層は、アルミニウム添加酸化亜鉛層、ガリウム添加酸化亜鉛層、ボロン添加酸化亜鉛層、及び酸化インジウムスズ層の一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
インライン式化学気相成長システムであって、
堆積チャンバと、
堆積チャンバ内を通る経路に沿って基板を輸送する連続輸送システムと、
前記堆積チャンバ内の経路上に配され、前記基板の上にバッファ層を堆積するための少なくとも一つの堆積ステーションを備える第１の堆積モジュールと、
前記堆積チャンバ内の経路上に配され、前記バッファ層の上にウィンドウ層を堆積するための少なくとも一つの堆積ステーションを備える第２の堆積モジュールと、
前記堆積チャンバ内の経路上に配され、前記ウィンドウ層の上に透明導電層を堆積するための少なくとも一つの堆積ステーションを備える第３の堆積モジュールと、
を備え、
前記堆積モジュールのそれぞれは、第１の前駆体ポートと一対の第２の前駆体ポートと一対のポンピングポートとを有するマニフォールドを備えた、少なくとも一つの堆積ステーションを備え、
前記第１の前駆体ポートは、前記第２の前駆体ポートの間に配され、前記第２の前駆体ポートの対は前記ポンピングポートの間に配され、
前記第１の前駆体ポートと前記第２の前駆体ポートの対は、それぞれ第１の前駆体ガスの供給源と第２の前駆体ガスの供給源に接続されるよう構成され、
前記ポンピングポートは、前記第１及び第２の前駆体ガスを排気するための排出システムに接続するよう構成されている、
システム。
【請求項１２】
前記基板は個別基板である、請求項１１に記載のインライン式化学気相成長システム。
【請求項１３】
前記個別基板はガラス基板である、請求項１２に記載のインライン式化学気相成長システム。
【請求項１４】
前記個別基板はウェハである、請求項１２に記載のインライン式化学気相成長システム。
【請求項１５】
前記連続輸送システムは、前記堆積チャンバ内を通る経路に沿って複数の個別基板を輸送するよう構成されており、
前記個別基板の少なくとも一つが、前記堆積モジュールのそれぞれの中で同時に輸送される、
請求項１２に記載のインライン式化学気相成長システム。
【請求項１６】
前記基板はウェブ基板である、請求項１１に記載のインライン式化学気相成長システム。
【請求項１７】
前記第１の堆積モジュールの前記少なくとも一つの堆積ステーションは、硫化カドミウム層、硫化亜鉛層、及び硫化インジウム層の一つを前記基板上に堆積するよう構成されている、請求項１１に記載のインライン式化学気相成長システム。
【請求項１８】
前記第２の堆積モジュールの前記少なくとも一つの堆積ステーションは、真性の酸化亜鉛層を堆積するよう構成されている、請求項１１に記載のインライン式化学気相成長システム。
【請求項１９】
前記第３の堆積モジュールの前記少なくとも一つの堆積ステーションは、アルミニウム添加酸化亜鉛層、ガリウム添加酸化亜鉛層、ボロン添加酸化亜鉛層、及び酸化インジウムスズ層の一つを堆積するよう構成されている、請求項１１に記載のインライン式化学気相成長システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月21日(2015.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
単一の触媒が使用され、この触媒がイミダゾールである請求項５に記載のポリエーテルアルコールの連続製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月22日(2015.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル粒子形態が少なくとも１ｍ2／ｇｍのＢＥＴ比表面積を有し、ニッケル結晶子の少なくとも１０％が２０ｎｍ未満であるサイズ（Ｃ１０）を有し、ニッケル結晶子が１００ｎｍ以下の平均結晶子径を有し、ニッケル結晶子径分布範囲が１．０より大きい、ニッケル結晶子を含むニッケル粒子形態。
【請求項２】
４〜５重量％のニッケル粒子形態を５．２５重量％の配位子（Ｖ）及び６３００ｐｐｍのＺｎＣｌ2を含む３−ペンテンニトリルと混合する場合、配位子（Ｖ）とニッケル粒子形態のニッケル原子との間の錯体形成の平衡に２時間以内に到達し、配位子（Ｖ）が以下の式を有する、
【化１】
2014523480.tif 000001
請求項１に記載のニッケル粒子形態。
【請求項３】
１つ又は複数の二座リン含有配位子及び請求項１に記載のニッケル粒子形態を含む有機溶液を混合するステップを含む、触媒活性を有するゼロ価ニッケル−配位子錯体を調製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月9日(2015.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
自動車ドアロック、及び、ロック用弓形状部と回転式ラッチとを有するロックにおいて、前記ロック用弓形状部は、多くの場合、ベースプレートに固定される成形後のワイヤーから構成されることが一般に知られている。自動車のドアロックには、一般に、回転式ラッチと爪部とを有するロック機構が使用され、これにより前記本体部に取り付けられた前記ロック用弓形状部を、或いはそれに対して固定されるドアを固定する。この自動車ドアロックは、通常、自動車ドアまたはテールゲートに固定される。このようなロックの施錠状態では、多くの場合、前記回転式ラッチの荷重用腕部が前記ロック用弓形状部のロック
ボルト周囲を把持する。この工程の間、前記回転式ラッチは、ドアシールドの力に対抗する場合であっても、前記ロックボルトを自動車ドア内に引込み、その後、前記爪部が当該回転式ラッチ自体を回転阻止することで、意図せず開錠することが防止される。しかしながら、自動車の運転中、前記回転式ラッチと前記ロックボルトとの間では複数の運動が生じる。より具体的には、前記回転式ラッチとロックボルト間の相対的な運動により、圧縮、応力、および／または摩擦力が発生し、これにより、特に塵微粒子が入った場合に軋みや各ノイズが発生しうる。ロックを安全に動作させ、また、前記ノイズを低減するために
、独国特許出願公開第２０  ２００６  ０１８  ７７４Ｕ１には、緩衝要素またはダンパーが開示されており、この緩衝要素またはダンパーは、前記ドアまたは開閉部が施錠される時に回転式ラッチの隣に直接的に配置され、また、柔軟性がありロック挿入領域に挿入される前記ロックボルトを保護する。この緩衝要素はガイド部を含み、前記ロック挿入領域の開口領域の方向に、少なくともその搭載用の一区画を形成する。国際特許出願公開第２００７／０７３７２３Ａ１には、ロック機構を含む自動車ドアロックであって、当該ロック機構が回転式ラッチと、爪部と、緩衝要素とを有するものであることが開示されてい
る。この場合、付随のロック機構停止部と共に、湾曲した緩衝要素が前記回転式ラッチの開錠運動および施錠運動を制限する。この緩衝要素は、弾性のプラスチックから作られる。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  欧州特許出願公開第０９７８６０６号明細書
（特許文献２）  仏国特許出願公開第２４９８２３８号明細書
（特許文献３）  特開平１―２３９２７９号公報
（特許文献４）  英国特許出願公開第２２８２８４３号明細書
（特許文献５）  欧州特許出願公開第２２５１５０９号明細書
（特許文献６）  実開昭６２―０５６６６８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月17日(2015.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸組成物において含まれるアルミニウムイオンから鉄イオンを分けるための方法であって、
析出組成物が得られるように前記酸組成物と少なくとも10.5のpHを有する水性塩基組成物とを反応させること、前記鉄イオンの析出が引き起こされ、前記アルミニウムイオンの析出が少なくとも実質上防止され、および液状部分と固形部分とを含む混合物が得られるように前記析出組成物を10.5よりも高いpHに維持すること、および
前記液状部分を前記固形部分から分けること
を含み、
前記酸組成物と前記水性塩基組成物との反応は前記酸組成物を前記塩基組成物中に加えることによって行い、その一方、前記水性塩基組成物のpHは前記酸組成物を前記水性塩基組成物中に加えるものの塩基のさらなる量を添加することによって10.5よりも高く維持される、方法。
【請求項２】
酸組成物において含まれるアルミニウムイオンから鉄イオンを分けるための方法であって、
析出組成物が得られるように前記酸組成物と少なくとも10.5のpHを有する水性塩基組成物とを反応させること、前記鉄イオンの析出が引き起こされ、前記アルミニウムイオンの析出が少なくとも実質上防止され、および液状部分と固形部分とを含む混合物が得られるように前記析出組成物を10.5よりも高いpHに維持すること、および
前記液状部分を前記固形部分から分けること
を含み、
前記方法にはさらに、前記液状部分を前記固形部分から分けた後、pHを7乃至11の値に調整することによって前記アルミニウムイオンを前記液状部分から析出させることが含まれ、
前記析出したアルミニウムイオンはAl(OH)3という形である、方法。
【請求項３】
前記方法は、
前記アルミニウムイオンと前記鉄イオンとが含まれる前記酸組成物を得ること、
前記析出組成物が得られるように少なくとも10.5のpHを有する前記水性塩基組成物中に前記酸組成物を加え、その一方、前記鉄イオンの析出が引き起こされ、前記アルミニウムイオンの析出が少なくとも実質上防止され、および液状部分と固形部分とを含む混合物が得られるように前記析出組成物のpHを10.5よりも高く維持すること、および
前記液状部分を前記固形部分から分けること
を含む、請求項1または2に記載の方法。
【請求項４】
前記析出組成物は少なくとも11.5のpHで維持される、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記析出組成物は11.0乃至14.0のpHで維持される、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記塩基組成物には、KOH、NaOH、Ca(OH)2、CaO、MgO、Mg(OH)2、CaCO3、Na2CO3、NaHCO3、またはそれらの混合物が含まれる、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記酸組成物および前記水性塩基組成物は、一緒に反応をし、および前記析出組成物が得られるように反応装置中に同時に加えられ、その一方、前記鉄イオンの析出が引き起こされ、前記アルミニウムイオンの析出が少なくとも実質上防止され、および液状部分と固形部分とを含む混合物が得られるように前記析出組成物のpHは10.5よりも高く維持される、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記酸組成物および前記水性塩基組成物は、一緒に反応をし、および前記析出組成物が得られるように反応装置中に同時に加えられ、前記反応装置は大量の前記析出組成物が予め提供されている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記酸組成物および前記水性塩基組成物は、一緒に反応をし、および前記析出組成物が得られるように反応装置中に同時に加えられ、前記反応装置は大量の前記塩基組成物が予め提供されている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記水性塩基組成物のpHを10.5よりも高く維持することは、前記酸組成物を前記反応装置中に加えるものの塩基のさらなる量を添加することによって行われる、請求項7乃至9のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記水性塩基組成物および前記酸組成物は1：2乃至1：6の容量：容量の割合で加えられる、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸組成物は酸浸出組成物である、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸浸出組成物は、浸出物と固形残さとを得るために鉄が含まれるアルミニウム含有物質を少なくとも一種の酸で浸出することによって、および前記浸出物を実質上分離することによって得られる、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも一種の酸はHCl、H2SO4、HNO3およびそれらの混合物から選ばれる、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記析出組成物は60℃乃至90℃の温度に維持される、請求項1乃至14のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月17日(2015.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ａの化合物：
【化１】
2014523432.tif 000001
［式中、
Ｑは、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシ、ＳＲ３、またはＮＲ１Ｒ２を表し、
Ｘは、Ｈまたはハロゲンを表し、
Ｙは、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル、Ｃ２〜Ｃ６ハロアルケニル、Ｃ３〜Ｃ７シクロアルキル、Ｃ３〜Ｃ７ハロシクロアルキル、またはＡｒを表し、
Ａｒは、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ホルミル、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ３〜Ｃ７シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル、Ｃ２〜Ｃ６アルキニル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ２〜Ｃ４アルコキシアルキル、Ｃ２〜Ｃ６アルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ６アルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ６アルキルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ４アルケニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ４アルキニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ４アルケニルチオ、Ｃ２〜Ｃ４アルキニルチオ、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ３〜Ｃ７ハロシクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６ハロアルケニル、Ｃ２〜Ｃ６ハロアルキニル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルコキシ、Ｃ２〜Ｃ４ハロアルコキシアルキル、Ｃ２〜Ｃ６ハロアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキルスルホニル、Ｃ３〜Ｃ６トリアルキルシリル、Ｃ２〜Ｃ４ハロアルケニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ４ハロアルキニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ４ハロアルケニルチオ、Ｃ２〜Ｃ４ハロアルキニルチオ、−ＯＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ３、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ３Ｒ４、−ＣＲ４ＮＯＲ３、−ＮＨ２、−ＮＲ３Ｒ４、−ＮＲ４ＯＲ３、−ＮＲ４ＳＯ２Ｒ３、−ＮＲ４Ｃ（Ｏ）Ｒ３、−ＮＲ４Ｃ（Ｏ）ＯＲ３、−ＮＲ４Ｃ（Ｏ）ＮＲ３Ｒ４または−ＮＣＲ４ＮＲ３Ｒ４から独立に選択される１〜４つの置換基で置換されたフェニル基またはピリジンを表し、
Ｒ１およびＲ２は、独立に、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、またはＣ１〜Ｃ６アシルを表し、
Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはＣ１〜Ｃ４ハロアルキルを表し、かつ
Ｒ４は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはＣ１〜Ｃ４ハロアルキルを表す］、または式Ａのカルボン酸基に関するその農学的に許容される誘導体。
【請求項２】
Ｑが、メトキシである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｘが、ＨまたはＦである、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
ＹがＡｒであり、Ａｒが、他の置換基を有するまたは有さないパラ−置換フェニルであり、他の置換基が、それぞれ独立に、ハロゲンまたはＣ１〜６アルコキシであり、パラ−置換フェニルが、他の置換基を有さないか、１つ、２つ、３つまたは４つの他の置換基を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
ａ．Ｑが、メトキシであり、
ｂ．Ｘが、ＨまたはＦであり、
ｃ．Ｙが、他の置換基を有するまたは有さないパラ−置換フェニルであり、かつ
ｄ．Ｒ１およびＲ２が、独立にＨを表す、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
【化２】
2014523432.tif 000002
【化３】
2014523432.tif 000003
【化４】
2014523432.tif 000004
【化５】
2014523432.tif 000005
【化６】
2014523432.tif 000006
【化７】
2014523432.tif 000007
【化８】
2014523432.tif 000008
【化９】
2014523432.tif 000009
【化１０】
2014523432.tif 000010
【化１１】
2014523432.tif 000011
【化１２】
2014523432.tif 000012
である、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
除草有効量の請求項１に記載の化合物、および農学的に許容される補助剤または担体を含む除草組成物。
【請求項８】
除草有効量の請求項１に記載の化合物を、植生またはその所在地に接触させる、または土壌または水に施用して植生の発生を予防することを含む、望ましくない植生の防除方法。
【請求項９】
式ＩＩの化合物：
【化１３】
2014523432.tif 000013
［式中、
Ｑは、ＨまたはＩを表し、
Ｙは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキルから独立に選択される１〜４つの置換基で置換されたフェニル基を表す］、およびピコリン酸のカルボン酸基のＣ１〜Ｃ１２エステル。
【請求項１０】
【化１４】
2014523432.tif 000014
である、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
式Ａまたは式ＩＩの化合物、あるいは式Ａまたは式ＩＩのカルボン酸部分がＣ１〜Ｃ６アルキルエステルまたはベンジルエステルである、請求項１または９に記載の化合物。
【請求項１２】
式ＩＩＩの化合物：
【化１５】
2014523432.tif 000015
［式中、
ｎは、１または２であり、かつ
Ｒ９およびＲ１０は、独立にＣ１〜Ｃ４アルキルを表すか、あるいはＲ９およびＲ１０は、一緒になって、１〜４つのメチル基で置換されていてもよいエチレン（−ＣＨ２ＣＨ２−）またはプロピレン（−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−）橋を表す］。
【請求項１３】
【化１６】
2014523432.tif 000016
である、請求項１２に記載の化合物。
【請求項１４】
式ＩＶの化合物：
【化１７】
2014523432.tif 000017
［式中、
Ｗは、ＢｒまたはＮＨ２を表し、
Ｚは、Ｂｒ、あるいはハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキルから独立に選択される１〜４つの置換基で置換されたフェニル基を表し、かつ
Ｒ１１は、Ｈまたは−ＣＨＦ２を表す］。
【請求項１５】
【化１８】
2014523432.tif 000018
である、請求項１４に記載の化合物。
【請求項１６】
式Ｖの化合物：
【化１９】
2014523432.tif 000019
［式中、
Ａｒは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキルから独立に選択される１〜４つの置換基で置換されたフェニル基を表す］、およびピコリン酸のカルボン酸基のＣ１〜Ｃ１２エステル。
【請求項１７】
【化２０】
2014523432.tif 000020
である、請求項１６に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月1日(2015.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき浴中で銅めっきする方法であって、
基板を、銅めっき前及び／又は銅めっき中にレベラー添加剤と接触させ、かつ該レベラー添加剤が、式（Ｉ）
【化１】
2014523485.tif 000001
［式中、Ｙは、−（ＣＨ2）−であり；
ｎは、１〜３にわたり；
Ｒ1及びＲ2は、水素及び線状及び分枝鎖状のＣ1〜Ｃ4アルキルから独立して選択され、
Ｒ3は、水素、線状及び分枝鎖状のＣ1〜Ｃ4アルキル、リチウム、ナトリウム、カリウム及びアンモニウムから選択され；
Ａは、非置換トリアゾール及び非置換テトラゾールから選択されるヘテロ環部分である］による分子から選択される、銅めっきする方法。
【請求項２】
（Ａ）該基板を、
（ｉ）少なくとも１種の銅イオン源、
（ｉｉ）少なくとも１種の酸及び
（ｉｉｉ）式（Ｉ）による少なくとも１種のレベラー添加剤
を含んでなる水性の酸性銅めっき浴と接触させる工程
及び
（Ｂ）電流を該基板に適用する工程
を含んでなる、請求項１記載の銅めっきする方法。
【請求項３】
（Ａ１）該基板を、
（ｉ）少なくとも１種の酸及び
（ｉｉ）式（Ｉ）による少なくとも１種のレベラー添加剤
を含んでなる水性前処理組成物と接触させる工程、
（Ａ２）該基板を、水性の酸性銅めっき浴と接触させる工程及び
（Ｂ）電流を該基板に適用する工程
を含んでなる、請求項１記載の銅めっきする方法。
【請求項４】
式（Ｉ）によるレベラー添加剤の濃度が、０．００１〜１００ｍｇ／ｌにわたる、請求項１から３までのいずれか１項記載の銅めっきする方法。
【請求項５】
少なくとも１種の該酸が、硫酸、フルオロホウ酸、リン酸及びメタンスルホン酸を含んでなる群から選択される、請求項２から４までのいずれか１項記載の銅めっきする方法。