【事件の表示】
　平成　２年特許願第　７３９４４号「半導体メモリの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年１２月　４日出願公開、特開平　３−２７３６２１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成２年３月２３日の出願であって、その発明の要旨は、平成１１年４月２２日付手続補正書、平成１２年３月１７日付手続補正書及び平成１２年６月３０日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１に記載された下記のとおりのものと認められる。
　「メモリセルを構成する薄膜トランジスタがバルクトランジスタ上に積層されて成る半導体メモリの製造方法であって、
前記メモリセルを配列する複数の第１の領域とこれら複数の第１の領域同士の間にあって前記メモリセルを配列しない第２の領域とをメモリセルアレイ部に形成し、
レーザ光の強度分布をガウス分布から均一な分布へ変換するための光学的ホモジナイザを介して前記複数の第１の領域の各々の全体にレーザ光を照射してアニールを行い、前記第２の領域の各々に前記レーザ光の未照射領域を発生させることを特徴とする半導体メモリの製造方法。」
（引用例）
　原審における拒絶の理由において引用された特開平２−４２７１７号公報（平成２年２月１３日公開。以下、引用例という。）には、「〔発明が解決しようとする課題〕
　エネルギービームはビームのスポット内においてエネルギー密度分布を持ち、ビームスポットの周辺においてはエネルギー密度が低い。また、ビーム間領域をなくすために、現在ビームスポットとビームスポット間をある程度重ねて、基板全面を照射する方法が用いられている。しかし、一旦、エネルギービームによるアニール（例えば、レーザアニール）照射を行なうと、エネルギー密度の低いビーム周辺部に相当する薄膜が結晶化され、ビーム中心領域より結晶性の悪い領域が出来てしまう。この領域に再びビームを照射（以下、重なる照射と称す。）しても、結晶性が良くならない上に、さらに膜はがれと言う問題が起る。しかも、結晶性の不均一性の問題もあるため、良質な再結晶化膜が得られなかった。
　本発明の目的は、絶縁基板上に多数の半導体能動素子を形成するのに好適な再結晶化膜を得るためのエネルギービーム照射方法を提供する。」（第２頁右上欄第５行〜左下欄第３行）、「〔作用〕
　絶縁基板上の膜の同一部分に、繰返しエネルギービームを照射すると、１回目のエネルギービームの照射によって膜がそのビームに対し、透過率がよくなって、２回目の照射によって、膜と基板界面付近が熱される。そのため、その部分の膜がはがれやすくなる。
　本発明の上記手段を用いれば、半導体能動素子となる領域の膜に重ねてエネルギービームを照射しないため、適切な入射エネルギーの選定によって、高結晶化、しかも膜はがれのない好適な再結晶化膜が得られる。
　また、本発明によれば半導体能動素子を完全にエネルギー一定領域に入れることによって、半導体能動素子内がほぼ同じエネルギー照射を受けるので、上記素子内が同じ再結晶化効果が得られる。これによって、均一な再結晶化膜が得られる。」（第３頁右上欄第６行〜左下欄第２行）及び「〔実施例〕
　以下、図面を用いて、本発明の一実施例を説明する。第５図は本発明を用いた液晶デイスプレイの画素用薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略称）の断面構造を示す図である。絶縁基板たる歪温度５８０℃のガラス基板４１の上に、低圧気相成長法（以下ＬＰＣＶＤ法と称す）により、約１５００Åの厚さのアモルファスシリコン膜を堆積させる。画素部となる領域の膜を波長３０８nmのＸｅＣｌパルスエキシマレーザで約３５０ｍＪ／cm２のピークエネルギーで照射し、再結晶化させた。この際、第６図に示すレーザー照射装置を用いた。試料基板面上５７のビームスポットは有効ビーム領域２７、２．９mm（ＤＬ）×２．５mm（ＤＬＬ）の長方形であり、また、そのうちエネルギー一定領域２６は２．５mm（Ｄｅ）×２．１mm（Ｄｅｅ）である。照射された半導体能動素子２３は５０μ×２０μmの口径であり、素子と素子間の距離は左右１５０μm(11)、上下４５０μm(12)である。第１図に示すように、横方向に関して、上記素子を完全にビームのエネルギー一定領域２６に入れるために、１７列（「１８列」は、上述の数値の計算結果及び第１図から見て、「１７列」の誤りと認められる。）ごとに素子間距離を１５０μmから３００μmになるように配列を変更する（第１図の第ｎ列及び第ｎ＋１７列（「ｎ＋１８列」は、上述の数値の計算結果及び第１図から見て、「ｎ＋１７列」の誤りと認められる。））。この例では、横方向ではビームスポット２２とスポット２２の重なる領域２４の幅とビームの周辺エネルギー低下領域２５との幅と一致している。この値は２００μmである。
　また横方向にビームスポットのエネルギー一定領域２６に計１７個（「１８個」は、上述の数値の計算結果及び第１図から見て、「１７個」の誤りと認められる。）の半導体能動素子２３が入っている。
　縦方向に関しては、素子間距離が大きいので、上記素子の配列を変更する必要はない。この方向にビームスポット２２ごとのエネルギー一定領域２６に計５個の上記素子２３が入っている。
　縦方向ではスポット２２とスポット２２の重なる領域２４ａの幅は２５０μmであり、ビームスポット２２の周辺エネルギー低下領域２５ａの幅は２００μmである。
　エネルギー低下領域２５、２５ａ及びスポット２２とスポット２２の重なる領域２４、２４ａには上記素子２３が配列されていないことが第１図で明かになっている。
　但し第１図では実際の上記素子の一部しか描いていない。以外は省略して点線で記してある。レーザ照射スポットは３スポット分に相当するように一部省略して記してある。
　ビームスキャン幅（スキャンピッチ）は横方向２．７mmで、縦方向２．２５mmである。
　上述の条件で試料ステージを縦、横方向に二次元的に、繰返し基板全面を照射したことによって、１つのＴＦＴ素子部に対して複数回のレーザーを照射しないことができた。これによって、素子部の膜はがれを防ぐことが出来た。また、すべての素子領域に照射されるエネルギーのバラツキが±６．８％以内であるため、均一な結晶化シリコン膜が得られた。」（第３頁左下欄第３行〜第４頁左上欄第１９行）が第１図、第２図、第５図及び第６図と共に記載されている。ＸｅＣｌパルスエキシマレーザより照射されるレーザビームはガウス分布をしており、そのレーザビームが第６図に示すオプティカルインテグレータ５３等によって第２図及び詳細な説明に示すようにエネルギー一定領域Ｄｅ２６を有するように変換されていることは明かである。してみると、上記引用例には、薄膜トランジスタの薄膜の高結晶化及び膜はがれ防止のために、薄膜トランジスタからなる液晶ディスプレイにおけるレーザビーム照射方法において、薄膜トランジスタ２３を行列状に配置する複数の領域とその間の薄膜トランジスタ２３を配置していない領域を薄膜トランジスタアレイ部に形成し、ＸｅＣｌパルスエキシマレーザより照射されるガウス分布を有するレーザビームをオプティカルインテグレータ５３等によってエネルギー一定領域Ｄｅ２６を有するように変換し、レーザビームの互いに隣り合うビームスポットの周辺エネルギー低下領域２５同士が、薄膜トランジスタ２３が配置されていない領域において互いに重なり合うようにレーザビームを発生させるようにすることが記載されているものと認められる。
（対比）
　次に、本願発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「薄膜トランジスタ２３を行列状に配置する複数の領域」と本願発明の「メモリセルを配列する複数の第１領域」とは共に半導体セルを配列する複数の第１の領域であり、上記引用例記載の発明の「薄膜トランジスタ２３を配置していない領域」と本願発明の「メモリセルを配列しない第２の領域」とは共に半導体セルを配列しない第２の領域であり、上記引用例記載の発明の「エネルギー一定領域Ｄｅ２６を有する」は本願発明の「均一な分布」に相当し、本願発明も上記引用例記載の発明も共に薄膜トランジスタのアニールのための半導体装置へのレーザビーム照射方法を主とする半導体装置の製造方法に関する発明であるから、本願発明と上記引用例記載の発明とは「薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体セルを配列する複数の第１の領域とこれら複数の第１の領域同士の間にあって前記半導体セルを配列しない第２の領域とを半導体セルアレイ部に形成し、レーザ光の強度分布をガウス分布から均一な分布へ変換するための光学的手段を介して前記複数の第１の領域の各々の全体にレーザ光を照射してアニールを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法」の点で一致するが、以下の点で相違するものと認められる。
(1)本願発明においては、半導体装置が、メモリセルを構成する薄膜トランジスタがバルクトランジスタ上に積層されて成る半導体メモリであり、半導体セルがメモリセルであるのに対し、上記引用例記載の発明においては、半導体装置が、薄膜トランジスタからなる液晶ディスプレイであり、半導体セルが薄膜トランジスタである点。
(2)レーザ光の強度分布をガウス分布から均一な分布に変換する装置が、本願発明においては光学的ホモジナイザであるのに対して、上記引用例記載の発明においてはオプティカルインテグレータ等である点。
(3)本願発明においては第２領域の各々にレーザ光の未照射領域を発生させているのに対して、上記引用例の発明においては第２領域の各々にレーザ光の周辺エネルギー低下領域を発生させている点。
（検討）
　そこで、上記相違点について以下検討する。
  相違点(1)については、メモリセルを構成する薄膜トランジスタがバルクトランジスタ上に積層されて成る半導体メモリは特開昭６２−１４７７５９号公報に示すように周知であり、このような半導体メモリにおいて薄膜トランジスタの特性を良くする等のために上記引用例記載のレーザ光照射によるアニール方法を採用することに格別の創意工夫を必要としない。この場合において半導体セルをメモリセルとすることは当然考え得ることである。よって、上記相違点(1)は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　相違点(2)については、レーザ光の強度分布をガウス分布から均一な分布に変換する装置として光学的ホモジナイザは周知であり、上記引用例記載の発明においてレーザ光の強度分布をガウス分布から均一な分布に変換する装置としてオプティカルインテグレータ等に替えて光学的ホモジナイザを採用することは単なる設計的事項に過ぎない。よって、上記相違点(2)は当業者が必要に応じて任意になし得たことと認められる。
　相違点(3)については、本願発明のように第２領域の各々にレーザ光の未照射領域を発生させることは、光学系の位置合わせ制御が簡単であるという利点がある反面、不必要な領域（第２領域）を大きく取ってしまい集積度が上がらないという欠点が存在する。それに対して、上記引用例記載の発明のように第２領域の各々にレーザ光の周辺エネルギー低下領域を発生させることは、光学系の位置合わせ制御が困難であるという欠点が存在する反面、不必要な領域（第２領域）を大きく取らずに済み集積度が上がるという利点がある。以上のように両者に相反する利点と欠点がある場合、いずれの方法を採用するかは、そのときの設計条件により任意に採用しうることである。よって、上記相違点(3)は当業者が必要に応じて任意になし得たことと認められる。
　ところで、審判請求人は審判請求の理由並びに平成１２年６月３０日付の手続補正書において、上記引用例の技術を、メモリセルを構成する薄膜トランジスタがバルクトランジスタ上に積層されて成る半導体メモリに適用した場合、ビームスポットの重なり部において膜（薄膜トランジスタの薄膜のことを指しているものと認められる。）の剥がれや下層のバルクトランジスタの破壊等を起こす欠点があると主張しているが、上記引用例記載の技術を、メモリセルを構成する薄膜トランジスタがバルクトランジスタ上に積層されて成る半導体メモリに適用した場合、ビームスポットが重なるのはメモリセルが存在しない第２領域においてであり、第２領域には上述のとおりメモリセル即ち薄膜トランジスタもバルクトランジスタも存在しないのであるから、ビームスポットの重なり部において膜の剥がれや下層のバルクトランジスタの破壊等を起こす欠点はなく、本願発明と同様ビームスポットの重なり部において膜の剥がれや下層のバルクトランジスタの破壊等を起こさないという効果を有することは明かである。よって、上記審判請求人の主張は採用しない。
　なお、本願発明の他の効果については当業者の予測の範囲を出るものではない。　　
（むすび）
　本願発明は、上記引用例記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。