【事件の表示】
　特許第３１８０８０２号「トリフェニルアミン誘導体とそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１８０８０２号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１８０８０２号の請求項１〜６に係る発明は、平成１１年５月１９日（優先権主張　平成１０年７月１６日）に出願され、平成１３年４月２０日にその特許権の設定登録がなされ、その後、保土谷化学工業株式会社（以下、「申立人」という。）から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、訂正請求がなされ（その後取り下げ）、再度取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年８月１１日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（ア）訂正の内容
　訂正請求は、本件特許明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次の（ａ）〜（ｒ）のとおりである。
（ａ）特許請求の範囲請求項１に、
「一般式（１）：
【化１】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は同一または異なって水素原子、または炭素数１〜６のアルキル基を示し、φ１およびφ２はナフチル基、アントリル基およびフェナントリル基からなる群より選ばれた少なくとも１種の芳香族縮合環を示す。〕
で表されることを特徴とするトリフェニルアミン誘導体。」とあるのを、
「式（１ａ）：
【化１】
で表されるＮ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミンと、式（１ｂ）：
【化２】
で表される４，４′−ジヨードビフェニルとを反応させて、式（１ｃ）：
【化３】
で表される〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニルを合成し、この式（１ｃ）の化合物と、式（１ｅ）：
【化４】
で表される３，３′−ジメチルベンジジンとを反応させて、式（１ｆ）：
【化５】
で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンを合成したのち、この式（１ｆ）の化合物と、式（１ｇ）：
【化６】
で表されるヨードベンゼンとを反応させて合成してなり、式（１）：
【化７】
で表されることを特徴とするトリフェニルアミン誘導体。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲請求項２に、
「一般式（１）：
【化２】
　（式（１）の化合物及び式中の符号の説明省略）
で表されるトリフェニルアミン誘導体」とあるのを、
「前記請求項１記載のトリフェニルアミン誘導体」と訂正する。
（ｃ）特許請求の範囲請求項６を削除する。
（ｄ）明細書の段落番号【０００９】〜【００３１】における、【化５】〜【化９】を【化９】〜【化１３】と訂正する。
（ｅ）明細書段落【００３７】〜【００４１】の記載内容を、
「【００３７】
　その結果、前記ＴＰＴＥの両末端の窒素（Ｎ）にそれぞれ２個ずつ結合したフェニル基のうちの一方を、つまり両末端の１個ずつ、計２個のフェニル基をそれぞれ、下記式（１）：
【００３８】
【化１４】
　（式（１）の化合物省略）
【００３９】
に見るようにいずれもナフチル基に置換すると、
（１）ＴＰＴＥの持つ高いホール輸送能はそのままに、ガラス転移温度Ｔｇをおよそ１４０℃以上として、その耐熱性を飛躍的に向上できること、
（２）かかる化合物は、末端に大きなナフチル基が置換した立体構造ゆえか、あるいはπ電子共役系の分布ゆえか、電子輸送材料との間でエキサイプレックスを形成しにくいこと、
を見出した。そこで、かかる化合物の合成法と併せてさらに検討した結果、本発明を完成するに至った。
【００４０】
　すなわち本発明のトリフェニルアミン誘導体は、式（１ａ）：
【００４１】
【化１５】
　（式（１ａ）の化合物省略）
【００４２】
で表されるＮ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミンと、式（１ｂ）：
【００４３】
【化１６】
　（式（１ｂ）の化合物省略）
【００４４】
で表される４，４′−ジヨードビフェニルとを反応させて、式（１ｃ）：
【００４５】
【化１７】
　（式（１ｃ）の化合物省略）
【００４６】
で表される〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニルを合成し、この式（１ｃ）の化合物と、式（１ｅ）：
【００４７】
【化１８】
　（式（１ｅ）の化合物省略）
【００４８】
で表される３，３′−ジメチルベンジジンとを反応させて、式（１ｆ）：
【００４９】
【化１９】
　（式（１ｆ）の化合物省略）
【００５０】
で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンを合成したのち、この式（１ｆ）の化合物と、式（１ｇ）：
【００５１】
【化２０】
　（式（１ｇ）の化合物省略）
【００５２】
で表されるヨードベンゼンとを反応させて合成してなり、前記式（１）で表されることを特徴とするものである。
　また本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極および陽極と、この両極間に挟まれた、単層または複層の有機の層とを備え、上記有機の層のうちの少なくとも１層が、上記式（１）で表されるトリフェニルアミン誘導体をホール輸送材料として含有する層であることを特徴とするものである。」
と訂正する。
（ｆ）明細書の段落番号【００４２】〜【００４７】を【００５３】〜【００５８】と訂正する。
（ｇ）明細書段落【００４８】〜【００６３】の記載内容を、
「【００５９】
　本発明のトリフェニルアミン誘導体は、式（１）：
【００６０】
【化２１】
　（式（１）の化合物省略）
【００６１】
で表されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミン（ガラス転移温度Ｔｇ＝１４５℃）である。
【００６２】
　上記本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）は、下記の合成法にて合成する必要がある。
【００６３】
　まず出発原料として、下記式（１ａ）で表されるＮ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミンと、下記式（１ｂ）で表される４，４′−ジヨードビフェニルとを、モル比で１：１の割合で反応させて、式（１ｃ）で表される４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニルを合成する。
【００６４】
【化２２】
　（反応式省略）
【００６５】
　そして、上記式（１ｃ）で表される４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニルと、下記式（１ｅ）で表される３，３′−ジメチルベンジジンとを、モル比で２：１より前者が過剰となる割合で反応させて、式（１ｆ）で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンを合成する。
【００６６】
【化２３】
　（反応式省略）
【００６７】
　そしてさらに、上記式（１ｆ）で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンと、下記式（１ｇ）で表されるヨードベンゼンとを、モル比で１：２より後者が過剰となる割合で反応させると、本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）が合成される。
【００６８】
【化２４】
　（反応式省略）
【００６９】
　以上で説明した本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）は、たとえば複写機などの、電子写真プロセスを利用した装置の感光体や、あるいは太陽電池などの、種々の分野におけるホール輸送材料として使用可能である。
【００７０】
　ただし本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）は、先に説明した高い耐熱性に加えて、後述する実施例の結果より明らかなように、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させる効果にもすぐれており、当該素子のホール輸送材料として最も好適に使用することができる。」
と訂正する。
（ｈ）明細書の段落番号【００６４】〜【００７８】を【００７１】〜【００８５】と訂正し、段落番号【００７５】、【００７８】における【化１６】、【化１７】を【化２５】、【化２６】と訂正する
（ｉ）明細書の段落番号【００７９】に、「Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（２−ナフチル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（「ＮＤＰ」とする）」とあるのを、「Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（１−ナフチル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（「ＮＤＰ」とする）」と訂正し、段落番号を【００８６】と訂正する。
（ｊ）明細書の段落番号【００８０】〜【０１１０】を【００８７】〜【０１１７】と訂正し、段落番号【００８１】〜【００９４】における【化１８】〜【化２３】を【化２７】〜【化３２】と訂正する
（ｋ）明細書の段落番号【０１１１】に、「Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）アミン」とあるのを、「Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン」と訂正し、段落番号を【０１１８】と訂正する。
（ｌ）明細書の段落番号【０１１２】〜【０１１４】を【０１１９】〜【０１２１】と訂正する。
（ｍ）明細書の段落番号【０１１５】に、「４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニル」とあるのを、「４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニル」と訂正し、段落番号を【０１２２】と訂正する。
（ｎ）明細書段落【０１１６】〜【０１６７】の記載内容を
「【０１２３】
　つぎに、上記で合成した、式（１ｃ）で表される４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニル７０．２ｇ（１４１．３２ｍｍｏｌ）と、前記式（１ｅ）で表される３，３′−ジメチルベンジジン１２．０ｇ（５６．５３ｍｍｏｌ）とを、炭酸カリウム２７．３ｇ（１９７．８４ｍｍｏｌ）および銅粉１．１ｇ（１６．９６ｍｍｏｌ）の存在下、デカリン中で、１４０℃で３日間、反応させたのち、シリカゲル１ｋｇを用いてカラム精製して、前記式（１ｆ）で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチルー４，４′−ジアミンを得た。収率は７２％であった。
【０１２４】
　つぎにこのＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミン２１．４ｇ（２２．５０ｍｍｏｌ）と、前記式（１ｇ）で表されるヨードベンゼン１０．１ｇ（４９．４９ｍｍｏｌ）とを、炭酸カリウム２７．３ｇ（１９７．８４ｍｍｏｌ）および銅粉１．１ｇ（１６．９６ｍｍｏｌ）の存在下、デカリン中で、２００℃で反応させたのち、カラム精製、再結晶精製、および昇華精製を行って結晶を得た。収率は３４％であった。
【０１２５】
　上記結晶を、液体クロマトグラフィ（ＨＬＰＣ）にて、下記の条件で分析したところ、目的物である、本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）に相当するピーク面積が９９％以上であることが確認された。
（条件）
　カラム材：シリカゲル
　移動相：アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝９／１（重量比）
　検出：ＵＶ　３５０ｎｍ
　またマススペクトル分析装置〔日本電子（株）製のＪＥＯＬ　ＳＸ−１０２〕を用いて、加速電圧８ｋＶで分析を行ったところ、上記トリフェニルアミン誘導体（１）の分子量に相当する１１０２のところにメインピークが観察された。
【０１２６】
　さらに図１に示した赤外線吸収スペクトル測定（Ｋ−Ｂｒ法）の結果を示すチャートからも、結晶は、目的物である、トリフェニルアミン誘導体（１）であることが確認された。
【０１２７】
　そこでつぎに、上記トリフェニルアミン誘導体（１）のガラス転移温度Ｔｇを、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて測定したところ、昇温１回目は１４３．８℃、２回目は１４５．３℃という結果が得られた。
《有機エレクトロルミネッセンス素子の製造》
　実施例１
　縦２５ｍｍ、横２５ｍｍ、厚み１ｍｍで、かつその片面に、陽極としてのＩＴＯ透明導電層がスパッタリング法にて製膜されたガラス基板を、界面活性剤、および有機溶媒を用いて順次、超音波洗浄したのち、紫外線オゾン処理を行って清浄化した。
【０１２８】
　つぎに、上記ガラス基板を真空蒸着装置内にセットし、真空度１０−６〜１０−７ｔｏｒｒの条件下、下記の各層を、それぞれ真空蒸着法によって連続的に積層、形成した。
（ｉ）前記銅フタロシアニンを、真空蒸着装置内に配置した別の石英るつぼから、抵抗加熱方式で真空蒸着して形成した、厚み４０ｎｍのホール注入層。
（ii）前記合成例１で合成した、ホール輸送材料としてのトリフェニルアミン誘導体（１）を、真空蒸着装置内に配置した石英るつぼから、抵抗加熱方式で真空蒸着して形成した、厚み２０ｎｍのホール輸送層。
（iii）電子輸送材料としてのＡｌｑを、真空蒸着装置内に配置した別の石英るつぼから、抵抗加熱方式で真空蒸着して形成した、厚み６０ｎｍの電子輸送層。
（iv）フッ化リチウムを、真空蒸着装置内に配置したアルミナるつぼから、抵抗加熱方式で真空蒸着して形成した、厚み１ｎｍの層と、アルミニウムを、真空蒸着装置内に配置したタングステンボートから、抵抗加熱方式で真空蒸着して形成した、厚み１００ｎｍの層の２層構造を有する陰極。
【０１２９】
　つぎに、真空蒸着工程が終了した基板を、窒素ガスを満たしたグローブボックスに移し、エポキシ樹脂系の紫外線硬化型封止材で、上記の各層が空気に触れないように封止して、発光領域の大きさが前記のように３ｍｍ角で、かつ有機の層がホール注入層とホール輸送層と電子輸送層の３層である有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した。
【０１３０】
　素子の構成は、基板／ＩＴＯ透明導電層／ホール注入層（銅フタロシアニン、４０ｎｍ）／ホール輸送層（トリフェニルアミン誘導体（１）、２０ｎｍ）／電子輸送層（Ａｌｑ、６０ｎｍ）／陰極〔フッ化リチウム層（１ｎｍ）／アルミニウム層（１００ｎｍ）〕であった。
【０１３１】
　比較例１
　トリフェニルアミン誘導体（１）に代えて従来のＴＰＴＥにて同じ厚みのホール輸送層を形成したこと以外は実施例１と同様にして、エポキシ樹脂系の紫外線硬化型封止材で封止された、発光領域の大きさが３ｍｍ角で、かつ有機の層がホール注入層とホール輸送層と電子輸送層の３層である有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した。
【０１３２】
　素子の構成は、基板／ＩＴＯ透明導電層／ホール注入層（銅フタロシアニン、４０ｎｍ）／ホール輸送層（ＴＰＴＥ、２０ｎｍ）／電子輸送層（Ａｌｑ、６０ｎｍ）／陰極〔フッ化リチウム層（１ｎｍ）／アルミニウム層（１００ｎｍ）〕であった。
【０１３３】
　比較例２
　トリフェニルアミン誘導体（１）に代えて式（１２）：
【０１３４】
【化３３】
　（式（１２）の化合物省略）
【０１３５】
で表されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（ガラス転移温度Ｔｇ＝１４８℃、「ＮＰＴＥ−１」とする）にて同じ厚みのホール輸送層を形成したこと以外は実施例１と同様にして、エポキシ樹脂系の紫外線硬化型封止材で封止された、発光領域の大きさが３ｍｍ角で、かつ有機の層がホール注入層とホール輸送層と電子輸送層の３層である有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した。
【０１３６】
　素子の構成は、基板／ＩＴＯ透明導電層／ホール注入層（銅フタロシアニン、４０ｎｍ）／ホール輸送層（ＮＰＴＥ−１、２０ｎｍ）／電子輸送層（Ａｌｑ、６０ｎｍ）／陰極〔フッ化リチウム層（１ｎｍ）／アルミニウム層（１００ｎｍ）〕であった。
【０１３７】
　上記実施例１、比較例１、２の素子について、それぞれ発光輝度１００ｃｄ／ｍ２での温度−外部量子効率特性を求めた。実施例１の結果を図２、比較例１の結果を図３、比較例２の結果を図４に示す。
　これらの図に見るように比較例１の素子は、外部量子効率が０．９５％と低い上、１４０℃で発光が停止した。また比較例２の素子は、１６０℃まで、およそ１．２％の外部量子効率を維持しつつ発光したが、１６５℃で発光が停止した。
　これに対し実施例１の素子は、１６０℃まで、およそ１．５％という高い外部量子効率を維持しつつ安定な発光が得られることがわかった。」
と訂正する。
（ｏ）明細書の段落番号【０１６８】を【０１３８】と訂正する。
（ｐ）明細書の図面の簡単な説明を、
「【図１】
　本発明の、合成例１で合成したトリフェニルアミン誘導体（１）の、ＩＲチャートを示すグラフである。
　【図２】
　実施例１で製造した有機エレクトロルミネッセンス素子の、温度−外部量子効率特性を示すグラフである。
　【図３】
　比較例１で製造した有機エレクトロルミネッセンス素子の、温度−外部量子効率特性を示すグラフである。
　【図４】
　比較例２で製造した有機エレクトロルミネッセンス素子の、温度−外部量子効率特性を示すグラフである。」
と訂正する。
（ｑ）添付図面の図１〜図３、図５〜図８、図１１を削除する。
（ｒ）添付図面の図４、図１２、図１０、図９を、それぞれ図１、図２、図３、図４と訂正する。
　
（イ）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項（ａ）は、訂正前の一般式（１）で表されるトリフェニルアミン誘導体を、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が水素原子、Ｒ５、Ｒ６が窒素原子の隣接位にあるメチル基、φ１、φ２が１−ナフチル基の化合物に限定し、さらに該化合物が特定の方法により合成されたものであるとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。訂正事項（ｂ）は、ホール輸送材料として用いられるトリフェニルアミン誘導体を、請求項１を引用することにより、訂正前の一般式（１）で表されるトリフェニルアミン誘導体に含まれる特定の化合物に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、訂正事項（ｃ）は、請求項の削除であるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、上記訂正事項（ａ）は、訂正前の明細書の段落【００５５】の記載及び【０１２６】〜【０１３３】の合成例２の記載に基づくものであり、訂正事項（ｂ）は、訂正前の請求項６の記載に基づくものであり、さらに、訂正事項（ｃ）は、請求項を削除するにすぎないものであるから、いずれも新規事項を追加するものではなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項（ｅ）、（ｇ）、（ｉ）、（ｋ）、（ｍ）、（ｎ）における、「２−ナフチル」を「１−ナフチル」とする訂正は、誤記の訂正を目的とするものである。訂正事項（ｅ）、（ｇ）、（ｋ）、（ｍ）、（ｎ）における「２−ナフチル」が「１−ナフチル」の誤記であることは、訂正前の式（１−３）、式（１ｆ）の構造式、及び訂正前の図４のＩＲチャート、特に９００ｃｍ−１より下の部分の吸収（芳香族化合物のＣ−Ｈ面外変角振動）において２−ナフチル体に特有の孤立した水素原子の吸収に対応するピ−クのないことから明らかである。また、訂正事項（ｉ）においては、式（３−２）の構造式、及びホール輸送材料として用いられる「ＮＰＤ」が通常１−ナフチル体であることから、「２−ナフチル」が誤記であることは明らかである。
　また、訂正事項（ｄ）〜（ｏ）の誤記の訂正以外の訂正は、発明の詳細な説明の記載を訂正後の特許請求の範囲の記載に整合させるための訂正、及び該訂正による段落番号、化学式番号の増減を整合させるための訂正であり、訂正事項（ｐ）〜（ｒ）は、図面及び図面の簡単な説明の記載を訂正後の特許請求の範囲の記載に整合させるための訂正であるから、いずれも明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、訂正事項（ｄ）〜（ｏ）、（ｐ）〜（ｒ）は、いずれも訂正前の明細書の記載に基づく訂正であるから、いずれも新規事項を追加するものではなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。　
　
（ウ）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（ア）本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件の請求項１〜５に係る発明は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲請求項１〜５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】「式（１ａ）：
【化１】
で表されるＮ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミンと、式（１ｂ）：
【化２】
で表される４，４′−ジヨードビフェニルとを反応させて、式（１ｃ）：
【化３】
で表される〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニルを合成し、この式（１ｃ）の化合物と、式（１ｅ）：
【化４】
で表される３，３′−ジメチルベンジジンとを反応させて、式（１ｆ）：
【化５】
で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンを合成したのち、この式（１ｆ）の化合物と、式（１ｇ）：
【化６】
で表されるヨードベンゼンとを反応させて合成してなり、式（１）：
【化７】
で表されることを特徴とするトリフェニルアミン誘導体。
【請求項２】
　陰極および陽極と、この両極間に挟まれた、単層または複層の有機の層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記有機の層のうちの少なくとも１層が、前記請求項１記載のトリフェニルアミン誘導体をホール輸送材料として含有する層であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
　陽極が、基材上に形成された、透明導電材料からなる透明導電層であるとともに、トリフェニルアミン誘導体を含む層が、上記透明導電層上に直接に、または１層のホール注入層を介して積層されたホール輸送層である請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
　トリフェニルアミン誘導体を含む層が、１種または２種以上の蛍光色素をも含有している請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
　一般式（２）：
【化８】
〔式中、Ｒ７およびＲ８は同一または異なってシアノ基またはジアリールアミノ基を示し、ｎは１または２である。〕で表される１，２，４−トリアゾール誘導体を電子輸送材料として含有する層をも備えている請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。」
（以下、「本件発明１」〜「本件発明５」という。）
　
（イ）申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証〜甲第４号証を提出し、訂正前の請求項１〜４、６に係る発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明であるか、甲第１号証〜甲第３号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、また、訂正前の請求項５に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項、同条第２項の規定に違反して特許されたものであり、当該請求項１〜６に係る発明の特許は取り消されるべき旨主張している。
　
（ウ）当審で通知した取消しの理由
　当審における１回目の取消理由通知の内容は、特許異議申立人の主張と同趣旨であり、２回目の取消理由通知の内容は、明細書において構造式が１−ナフチル体で表される化合物について、その名称が「２−ナフチル」とされているので、特許を受けようとする発明が明確でなく、また、発明の詳細な説明が当業者が実施をすることができる程度に明りょうに記載されているとすることができないというものである。
　
（エ）各甲号証及びその記載内容
　甲第１号証〜甲第４号証には、以下の事項が記載されている。
（ａ）甲第１号証（特開平８−４８６４６号公報）
　甲第１号証には、有機ＥＬ素子用化合物として、
「【化１３】
［化１３において、Ａｒ４およびＡｒ５は、それぞれアリール基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。Ｒ１５およびＲ１６は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ１５およびｒ１６は、それぞれ０または１〜４の整数である。Ｒ１７およびＲ１８は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ１７およびｒ１８は、それぞれ０または１〜５の整数である。Ｒ５およびＲ６は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ５およびｒ６は、それぞれ０または１〜４の整数である。］」（特許請求の範囲請求項２５）が記載されている。
　そして、「前記有機ＥＬ素子用化合物の少なくとも１種以上を含有する層が正孔注入輸送層であり、この正孔注入輸送層と発光層とを有する」（特許請求の範囲請求項３７）有機ＥＬ素子、および「前記有機ＥＬ素子用化合物の少なくとも１種以上を含有する層の少なくとも１層に蛍光性物質をドープする」（特許請求の範囲請求項３５）有機ＥＬ素子が記載されている。
　また、上記有機ＥＬ素子用化合物においてＡｒ４、Ａｒ５がともに４−（フェニル−２−ナフチル）アミノ−フェニルまたは４−（フェニル−１−ナフチル）アミノ−フェニルで他の基がすべてＨのものが化合物Ｎｏ．Ｘ−１１、Ｘ−１３として記載されている（段落【０１５３】の表）。
　さらに、実施例４としてＡｒ４、Ａｒ５がともに４−（フェニル−３−メチルフェニル）アミノ−フェニル、実施例５としてＡｒ４、Ａｒ５がともに４−（ジ−３−ビフェニリル）アミノ−フェニルの製造方法が記載され、他の化合物も上記の方法に準じて合成したと記載されている（段落【０２７８】〜【０２８３】）。
（ｂ）甲第２号証（国際公開第９８／０８３６０号パンフレット）
　甲第２号証には、クマリン誘導体を含有する発光層と、テトラアリールジアミン誘導体とを含有する正孔輸送性の層とを有する有機ＥＬ素子であって、テトラアリールジアミン誘導体として、下記式（ＩＩ）で示される化合物からなるものが記載されている（請求の範囲第１項）。
　「
［式（ＩＩ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々アリール基を表し、Ａｒ１〜Ａｒ４のうち少なくとも１個は、２個以上のベンゼン環を有する縮合環または環集合から誘導される多環のアリール基である。Ｒ１１およびＲ１２は各々アルキル基を表し、ｐおよびｑは各々０または１〜４の整数である。Ｒ１３及びＲ１４は各々アリール基を表し、ｒおよびｓは各々０または１〜５の整数である。］」
　また、「前記正孔注入性および／または輸送性の層に、さらにルブレンがドーパントとしてドープされた」（請求の範囲第８項）有機ＥＬ素子が記載されている。
　式（ＩＩ）で示される化合物の具体例として、Ａｒ１、Ａｒ３がフェニル、Ａｒ２、Ａｒ４が２−ナフチルまたは１−ナフチルで、ｐ〜ｓがすべて０の化合物が、化合物ＩＩ−１０５、ＩＩ−１０７として記載されている（第２２頁表）。
　実施例１として、ＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板上に正孔注入層を設け、式（ＩＩ）の化合物を正孔輸送層として蒸着し、さらに発光層、陰極、保護層を設けたＥＬ素子の製造法が記載されている（第３３９頁第１４行〜第３４０頁第４行）。
（ｃ）甲第３号証（国際公開第９１／０３１４２号パンフレット）
　甲第３号証には、「有機半導体帯域と有機絶縁体帯域とを電極で挟持した有機電界発光素子であって、有機絶縁体帯域中に有機発光領域を有し、５０ｃｄ／ｍ２以上の高輝度で発光効率が０．０２ｌｍ／Ｗ以上である有機電界発光素子において、上記の有機半導体帯域が導電性高分子のオリゴマーからなることを特徴とする有機電界発光素子。」（請求の範囲第１項）が記載されている。
　半導体帯域として用いることのできる導電性高分子のオリゴマーとしてトリフェニルアミン４量体が挙げられている（第１４頁（６）の化合物）。
　発明の効果として、「本発明によれば、・・・発光効率の減少、素子安定性の欠如の原因となるエキサイプレックスの問題を回避することができる。」（第６１頁第２〜１０行）と記載されている。
　第１図として、基板／陽極／有機半導体帯域（正孔注入性・輸送性の層）／有機絶縁体帯域（電子輸送層）／陰極の層構成を有する有機ＥＬ素子が記載されている（第３１頁第５〜９行参照）。
（ｄ）甲第４号証（国際公開第９５／２５０９７号パンフレット）
　甲第４号証には、下記の一般式（２）で表されるトリアゾール誘導体を電子輸送材料として含有する電子輸送層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子が記載されている（請求の範囲第２項、第３項）。
　「一般式（２）：
〔式中Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、または置換基を有してもよいアリール基を示す。〕」
　
（オ）当審の判断
（ａ）特許法第３６条第４項及び第６項第２号違反について
　訂正請求書に添付した訂正明細書において、化合物の名称における「２−ナフチル」は「１−ナフチル」と訂正されたので、明細書の記載が不備であるとする取消しの理由は解消された。
　
（ｂ）特許法第２９条第１項及び第２項違反について
（本件発明１について）
　甲第１号証に記載される有機ＥＬ素子用化合物、および甲第２号証において式（ＩＩ）で表される化合物は、その置換基の定義からすればいずれも本件発明１の式（１）で表されるトリフェニルアミン誘導体（以下、「本件化合物」という。）を包含するものであるが、甲第１号証、甲第２号証には、具体的な化合物として本件化合物が記載されるものではない。本件化合物と類似の化合物として、甲第１号証には化合物Ｘ−１３が、甲第２号証には化合物ＩＩ−１０７が記載されているが、中央のビフェニル基におけるメチル基の有無の点で本件化合物とは相違するものである。
　そして、本件化合物は、甲第１号証、甲第２号証における化合物Ｘ−１３、化合物ＩＩ−１０７と比べると、本件明細書における実施例１、比較例２にみられるように、有機エレクトロルミネッセンス素子とした場合、化合物Ｘ−１３、化合物ＩＩ−１０７では外部量子効率が１．２％であるのに対し、本件化合物では１．５％というように予期し得ない格別の効果を奏するものである。
　そうしてみると、本件化合物は、甲第１号証、甲第２号証に実質的に記載されたものであるとすることも、甲第１号証、甲第２号証の記載から当業者が容易に想到し得るものとすることもできない。
　また、甲第３号証には、トリフェニルアミン４量体が記載されているが、本件化合物とは、１−ナフチルとフェニルの点、中央のビフェニル環のメチル基の有無の点で相違しており、さらに、本件明細書における実施例１、比較例１にみられるように、本件化合物は、トリフェニルアミン４量体とくらべて、耐熱性、外部量子効率の点で顕著な効果を奏するものであるから、本件化合物は、甲第３号証に記載されるものでも、甲第３号証の記載から当業者が容易に想到されるものでもない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明であるとも、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　
（本件発明２〜５について）
　本件発明２〜４は、本件化合物をホール輸送材料として含有する層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、その構造および本件化合物を含有する層にさらに蛍光色素を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものであるが、上記「（本件発明１について）」で述べたように、本件発明１は甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明であるとも、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができないのであるから、本件発明１の化合物をホール輸送材料として含有する層を有する本件発明２〜４の有機エレクトロルミネッセンス素子も、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明ではなく、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、本件発明５は、一般式（２）で表される１，２，４−トリアゾール誘導体を電子輸送材料として含有する層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、該トリアゾール誘導体は、甲第４号証に電子輸送材料として知られたものであるが、本件発明５の素子は本件発明１の化合物をホール輸送材料として含有する層を有するので、同様に甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、当審での取消しの理由、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年８月２０日（２００３．８．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
トリフェニルアミン誘導体とそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
式（１ａ）：
　【化１】
で表されるＮ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミンと、式（１ｂ）：
　【化２】
で表される４，４′−ジョードビフェニルとを反応させて、式（１ｃ）：
　【化３】
で表される〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニルを合成し、この式（１ｃ）の化合物と、式（１ｅ）：
　【化４】
で表される３，３′−ジメチルベンジジンとを反応させて、式（１ｆ）：
　【化５】
で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンを合成したのち、この式（１ｆ）の化合物と、式（１ｇ）：
　【化６】
で表されるヨードベンゼンとを反応させて合成してなり、式（１）
　【化７】
で表されることを特徴とするトリフェニルアミン誘導体。
　【請求項２】
　陰極および陽極と、この両極間に挟まれた、単層または複層の有機の層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記有機の層のうちの少なくとも１層が、
前記請求項１記載の
　【請求項３】
　陽極が、基材上に形成された、透明導電材料からなる透明導電層であるとともに、トリフェニルアミン誘導体を含む層が、上記透明導電層上に直接に、または１層のホール注入層を介して積層されたホール輸送層である請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　【請求項４】
　トリフェニルアミン誘導体を含む層が、１種または２種以上の蛍光色素をも含有している請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　【請求項５】
　一般式（２）：
　【化８】
〔式中、Ｒ７およびＲ８は同一または異なってシアノ基またはジアリールアミノ基を示し、ｎは１または２である。〕
で表される１，２，４−トリアゾール誘導体を電子輸送材料として含有する層をも備えている請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、たとえば有機エレクトロルミネッセンス素子のホール輸送材料などとして好適に使用される、新規なトリフェニルアミン誘導体と、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子とに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　陰陽一対の電極間に、有機化合物を主体とする有機の層を挟んだ有機エレクトロルミネッセンス素子としては従来、有機の層が１層だけの単層構造のものが一般的であったが近時、発光やキャリヤ（ホール、電子）の輸送などの各機能を２層以上の層に分担させた、複層構造の有機の層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子が種々、提案されている〔たとえばＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ　ａｎｄ　Ｓ．Ａ．　ＶａｎＳｌｙｋｅ；Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）、Ｃ．Ａｄａｃｈｉ，Ｔ．Ｔｓｕｔｓｕｉ　ａｎｄ　Ｓ．Ｓａｉｔｏ；Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５５，１４８９（１９８９）、Ｊ．Ｋｉｄｏ，Ｍ．Ｋｉｍｕｒａ，ａｎｄ　Ｋ．Ｎａｇａｉ；Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌ．２６７，１３３２（１９９５）など〕。
　【０００３】
　かかる有機エレクトロルミネッセンス素子は、
▲１▼　無機材料を主体とする従来の素子に比べて、低電圧で高輝度の発光が可能であること、
▲２▼　各層の形成方法として、蒸着法だけでなく溶液塗布法なども採用でき、それぞれの層を、その構成に適した形成方法を選択して形成できるので、素子の設計の自由度が向上し、また素子の大面積化が容易となること、
▲３▼　有機分子の分子設計により多色化が可能であること、
などの長所を有している。
　【０００４】
　複層構造の有機の層を構成する各層としては、たとえば発光層、ホール輸送性を有するホール輸送層、電子輸送性を有する電子輸送層などがあげられる。これらの層はそれぞれ、上記の各特性にすぐれた有機化合物によって、あるいは上記の有機化合物を適当な高分子のバインダー中に分散させることによって形成される。
　【０００５】
　しかし従来の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、
（１）素子に電流を流した際に生じるジュール熱による有機化合物自体の劣化や、
（２）上記ジュール熱などによって有機化合物が結晶化して層界面の平滑性が低下することによる、各層間でのキャリヤの注入効率の低下、
などが主な原因となって、素子の安定性、耐久性が不十分となり、使用を繰り返すうちに素子の発光輝度が大きく低下してしまうという問題がある。
　【０００６】
　この問題はとくに、前記各層を構成する有機化合物の中でも耐熱性が低い、ホール輸送層を構成するホール輸送材料において顕著であり、かかるホール輸送材料の耐熱性によって、有機エレクトロルミネッセンス素子の耐熱性が決まってしまうといっても過言ではないのが現状である。
　【０００７】
　そこで近時、ホール輸送材料の耐熱性を向上すべく、その分子構造について種々、検討がなされている。
　【０００８】
　たとえばアダチらは、ホール輸送材料として公知の、式（３−１）：
　【０００９】
　【化９】
　【００１０】
で表されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（トリフェニルアミンの二量体ということで「ＴＰＤ」と略称される）に代表されるトリフェニルアミン誘導体を多量化して、耐熱性を向上することを検討し、その結果として式（４）：
　【００１１】
　【化１０】
　【００１２】
で表されるトリフェニルアミンの三量体（「ＨＴＭ１」とする）が、高い耐熱性とすぐれたホール輸送能とを有することを示した〔Ｃ．Ａｄａｃｈｉ，Ｋ．Ｎａｇａｉ　ａｎｄ　Ｎ．Ｔａｍｏｔｏ；Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６６（２０），２６７９（１９９５）〕。
　【００１３】
　またトキトウらは、上記と同様にトリフェニルアミン誘導体を多量化して耐熱性を向上することを検討した。
　【００１４】
　そして、式（５−１）：
　【００１５】
　【化１１】
　【００１６】
で表されるトリフェニルアミンの四量体（「ＴＰＴＥ」とする）が、高い耐熱性とすぐれたホール輸送能とを有することを明らかとした〔Ｓ．Ｔｏｋｉｔｏ，Ｈ．Ｔａｎａｋａ，Ａ．Ｏｋａｄａ　ａｎｄ　Ｙ．Ｔａｇａ；Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９（７），８７８（１９９６）、Ｓ．Ｔｏｋｉｔｏ，Ｈ．Ｔａｎａｋａ，Ｋ．Ｎｏｄａ，Ａ．Ｏｋａｄａ　ａｎｄ　Ｙ．Ｔａｇａ；Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５，１８１−１８８（１９９７）、および特開平１０−２５４７３号公報〕。
　【００１７】
　さらに特開平７−１２６２２６号公報には、上記ＴＰＴＥの中心のビフェニル環を、当該ビフェニル環を含む種々の２価の基に一般化するとともに、各環に置換する置換基の種類と置換位置についても一般化したベンジジン化合物が、前述したＴＰＤなどの、低分子量のホール輸送材料に比べて発光時および保存時の安定性にすぐれていることが記載されている。
　【００１８】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが発明者らが検討したところによると、上記各多量化体やその周辺の化合物はいずれも、従来のＴＰＤなどに比べれば確かに耐熱性、安定性は向上しているものの、その効果は未だ十分ではなく、とくに自動車の車載用表示装置などに要求される高い耐熱性を満足するには至っていないことが明らかとなった。
　【００１９】
　すなわち車載用表示装置には、たとえば８５℃、８５％ＲＨの高温、高湿環境下で２４０時間、連続駆動しても異状を生じないことが要求される。つまり有機エレクトロルミネッセンス素子の場合は、上記の高温、高湿環境下で２４０時間、連続的に発光させても、その発光輝度が著しく低下したり、あるいは発光が停止してしまったりしないことが求められる。
　【００２０】
　しかし、前記式（４）で表されるＨＴＭ１（トリフェニルアミンの三量体）は、そのガラス転移温度Ｔｇがおよそ１１０℃程度であって、上記の環境温度と僅かに２５℃の差しかないために耐熱性が不十分で、かかる高温で、しかも高湿の環境下で連続的に発光させた場合には、前述したジュール熱の発生によって、素子自体の温度がごく短時間でＨＴＭ１のガラス転移温度Ｔｇを超えてしまって、前述した有機化合物自体の劣化、つまりここではＨＴＭ１自体の劣化や、あるいは層間での注入効率の低下などを生じるおそれがある。
　【００２１】
　また、素子を構成する有機の層の厚みは、複層構造のものでもトータルで０．１μｍ程度ときわめて薄いために、その厚みに少しでもばらつきがあると、厚みの小さいところに電流が集中して局所的に温度が上昇する結果、有機の層に亀裂、はく離などが生じて、陰陽両極間で短絡が発生するおそれもある。
　【００２２】
　そしてＨＴＭ１を用いた素子では、これらのことが原因となって、短時間で、その発光輝度が大幅に低下したり、あるいは発光が停止したりすることが予想される。
　【００２３】
　なおＨＴＭ１を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の耐熱性が十分でないことは、前記トキトウらの発表のうち、末端のメチル基の置換位置のみがＨＴＭ１と異なるＴＰＴＲを用いた素子の、後述する臨界温度がおよそ１１０℃程度であることからも明らかである。
　【００２４】
　また、前記式（５−１）で表されるＴＰＴＥについても同様である。すなわちこのＴＰＴＥのガラス転移温度は１３０℃であって、前記の環境温度８５℃との間に４５℃の差しかないために、やはりかかる高温、高湿環境下で連続的に発光させた場合には、ＴＰＴＥ自体の劣化や層間での注入効率の低下、あるいは陰陽両極間での短絡などが原因となって、短時間で、その発光輝度が大幅に低下したり、あるいは発光が停止したりすることが予想される。
　【００２５】
　なお前記の文献中では、ＴＰＴＥを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子が動作する限界の温度が１４０℃であることが記載されているが、それは素子を発光させつつ環境温度を漸次上昇させた際に発光が停止した温度（臨界温度）を示しており、長時間、連続駆動した際に安定的に発光を続けられる温度については確認されていない。
　【００２６】
　また発明者らの検討によると、上記ＴＰＴＥを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、その外部量子効率が小さいために、低電流で高輝度の発光が得られないという問題もある。
　【００２７】
　この原因としてはＴＰＴＥが、たとえば複層構造の素子において、隣接する電子輸送層中に含まれる、式（６）：
　【００２８】
　【化１２】
　【００２９】
で表されるトリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）錯体（「Ａｌｑ」とする）などの電子輸送材料と、層の界面での相互作用によってエキサイプレックス（励起錯体）を形成することが考えられている。
　【００３０】
　そこで野田らは、かかるエキサイプレックスの形成を防止して、素子の外部量子効率を向上させるべく、ＴＰＴＥの分子構造を検討した結果、式（５−２）：
　【００３１】
　【化１３】
　【００３２】
で表される、メタ位連結の構造とすればよいことを明らかとした〔野田浩司、藤川久喜、幸田勝典、竹内久人、時任静士、多賀康訓、第４５回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集（１９９８．３．東京工科大学）〕。
　【００３３】
　しかし、上記メタ位連結のＴＰＴＥ（「ｍ−ＴＰＴＥ」とする）は、そのガラス転移温度Ｔｇが約９０℃と低くなってしまうために、前述した車載用表示装置などの、高い耐熱性、信頼性が要求される用途には使用することができなかった。
　【００３４】
　本発明の目的は、従来に比べてさらに耐熱性にすぐれる上、電子輸送材料との間で簡単にエキサイプレックスを形成するおそれのない、新規なトリフェニルアミン誘導体を提供することにある。
　【００３５】
　また本発明の他の目的は、ホール輸送材料としてかかるトリフェニルアミン誘導体を用いているために、高い耐熱性と高い発光効率とを兼ね備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
　【００３６】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するために、発明者らは、トリフェニルアミン誘導体の構造についてさらに検討を行った。
　【００３７】
　その結果、前記ＴＰＴＥの両末端の窒素（Ｎ）にそれぞれ２個ずつ結合したフェニル基のうちの一方を、つまり両末端の１個ずつ、計２個のフェニル基をそれぞれ、下記
式
　【００３８】
　【化１４】
　【００３９】
に見るようにいずれもナフチル
基に
（１）ＴＰＴＥの持つ高いホール輸送能はそのままに、ガラス転移温度Ｔｇをおよそ１４０℃以上として、その耐熱性を飛躍的に向上できること、
（２）かかる化合物は、末端に大きな
ナフチル基
を見出し
た。そこで、かかる化合物の合成法と併せてさらに検討した結果、
　【００４０】
　すなわち本発明のトリフェニルアミン誘導体は、
式（１ａ）：
　【００４１】
　【化１５】
　【００４２】
で表されるＮ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミンと、式（１ｂ）：
　【００４３】
　【化１６】
　【００４４】
で表される４，４′−ジョードビフェニルとを反応させて、式（１ｃ）：
　【００４５】
　【化１７】
　【００４６】
で表される〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨードビフェニルを合成し、この式（１ｃ）の化合物と、式（１ｅ）：
　【００４７】
　【化１８】
　【００４８】
で表される３，３′−ジメチルベンジジンとを反応させて、式（１ｆ）：
　【００４９】
　【化１９】
　【００５０】
で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンを合成したのち、この式（１ｆ）の化合物と、式（１ｇ）：
　【００５１】
　【化２０】
　【００５２】
で表されるヨードベンゼンとを反応させて合成してなり、前記式（１）で表されることを特徴とするものである。
　また本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極および陽極と、この両極間に挟まれた、単層または複層の有機の層とを備え、上記有機の層のうちの少なくとも１層が、上記
式
　【００５３】
　なお、特許第２８５１１８５号公報には、少なくとも２つの第三アミン成分を含み、かつ第三アミン窒素原子に結合した少なくとも２つの縮合芳香族環を含む正孔輸送性芳香族第三アミンを使用した素子が記載されている。
　【００５４】
　しかし、かかる公報の第００３２欄に記載された正孔輸送性芳香族第三アミンの具体例を仔細に検討すると、当該第三アミンとは、前記ＴＰＤなどの、多量化する前の基本の構造を有する低分子量のホール輸送材料中のフェニル基などを少なくとも２つ、縮合芳香族環に置換しただけのものに過ぎない。
　【００５５】
　またその効果も、従来の、低分子量のホール輸送材料と比較した素子の安定性の向上のみであり、本発明のように、とくに高温環境下での素子の耐熱性を向上させるとともに、素子の発光効率を向上させることについては一切、開示も示唆もされていない。
　【００５６】
　これに対し本発明は、上記のようにトリフェニルアミン誘導体を多量化してガラス転移温度Ｔｇを上昇させることで、これまでにない高温環境下での、素子の耐熱性を向上させるとともに、当該多量化にともなって発生するエキサイプレクスの形成を、分子中に縮合芳香族環を導入することで防止して、素子の発光効率を向上させるという、新たな知見に基づいてなされたものであり、前述したトキトウらの研究による多量化の技術に、上記公報に記載の縮合芳香族環を単純に組み合わせただけのものではない。
　【００５７】
　【発明の実施の形態】
　以下に、本発明を説明する。
　【００５８】
　まず本発明のトリフェニルアミン誘導体について説明する。
　【００５９】
　
本
体は、式（１）
　【００６０】
　【化２１】
　【００６１】
で表されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（
１−ナフチル
℃）である。
　【００６２】
　上記本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）は
、下
必要がある。
　【００６３】
　まず出発原料として、下記式（１ａ）で表されるＮ−フェニル−Ｎ−（
１−ナフチル
１−ナフチル
　【００６４】
　【化２２】
　【００６５】
　そして、上記式（１ｃ）で表される４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（
１−ナフチル
下記式（１ｅ）で表される３，３′−ジメチルベンジジンとを、モル比で２：１より前者が過剰となる割合で反応させて、式（１ｆ）で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンを合成する。
　【００６６】
　【化２３】
　【００６７】
　
そしてさらに、上記式（１ｆ）で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンと、下記式（１ｇ）で表されるヨードベンゼンとを、モル比で１：２より後者が過剰となる割合で反応させると、本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）が合成される。
　【００６８】
　【化２４】
　【００６９】
　以上で説明した本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）は、たとえば複写機などの、電子写真プロセスを利用した装置の感光体や、あるいは太陽電池などの、種々の分野におけるホール輸送材料として使用可能であ
る。
　【００７０】
　
ただし本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）は、先に説明した
　【００７１】
　つぎに、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。
　【００７２】
　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、先に述べたように、陰陽両極間に挟まれた有機の層のうちの少なくとも１層が、上記本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）をホール輸送材料として含有する層であれば、その他の構成はとくに限定されない。
　【００７３】
　すなわち有機の層は、単層または複層のいずれの構造を有していてもよく、このうち単層構造の有機の層は、本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）が前記のように高い耐熱性を有することから、ホール輸送材料としての上記トリフェニルアミン誘導体（１）単独で形成してもよいし、かかるトリフェニルアミン誘導体（１）に、後述する他のホール輸送材料や電子輸送材料、蛍光色素などを必要に応じて適宜、含有させて形成してもよい。あるいはまた上記の各材料を、たとえばバインダーとしての、それ自体がキャリヤ輸送性を有するまたは有しない高分子中に分散させて、単層構造の有機の層を形成してもよい。
　【００７４】
　単層構造の有機の層の厚みは従来と同程度、すなわち５０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜２００ｎｍ程度であるのがとくに好ましい。
　【００７５】
　一方、複層構造の有機の層の層数や層構成などはとくに限定されず、たとえば陽極側から陰極側へ順に、下記の各層の中から２層以上を適宜、選択して組み合わせることによって構成され、このうちの少なくとも１層に、ホール輸送材料として、本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）が含有される。
（ａ）陽極からホール輸送層にホールが注入されるのを助ける〈ホール注入層〉。
（ｂ）陽極から注入されたホールを陰極側へ輸送する〈ホール輸送層〉。
（ｃ）陰極から注入された電子を陽極側へ輸送する〈電子輸送層〉。
（ｄ）陰極から電子輸送層に電子が注入されるのを助ける〈電子注入層〉。
　【００７６】
　かかる各層はそれぞれ、特定の機能を有する有機化合物のみで形成してもよいし、上記有機化合物を、たとえばバインダーとしての、それ自体がキャリヤ輸送性を有するまたは有しない高分子中に分散させて形成してもよい。
　【００７７】
　上記各層を備えた複層構造の有機の層の具体例としては、これに限定されないがたとえば
（Ａ）ホール輸送層と電子輸送層の２層を備え、このうちのいずれか一方または両方が発光するもの、
（Ｂ）ホール注入層とホール輸送層と電子輸送層の３層を備え、このうちホール輸送層および／または電子輸送層が発光するもの、
（Ｃ）ホール輸送層と電子輸送層と電子注入層の３層を備え、このうちホール輸送層および／または電子輸送層が発光するもの、
（Ｄ）ホール注入層とホール輸送層と電子輸送層と電子注入層の４層を備え、このうちホール輸送層および／または電子輸送層が発光するもの、
などがあげられる。
　【００７８】
　上記各層構成の素子において、ホール輸送層および／または電子輸送層のいずれが発光するかは、両層に含まれる有機化合物の機能（たとえばホール輸送材料であればホール輸送性、電子輸送材料であれば電子輸送性など）の強弱とその組み合わせ、およびそれぞれの層の厚みなどを調整することによって適宜、変更することができる。
　【００７９】
　また上記各層のうち発光する層には、その発光波長を調整するために、１種または２種以上の蛍光色素を含有させてもよい。
　【００８０】
　本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）は、前記いずれの層に含有させてもよいが、とくにホール注入層、ホール輸送層に好適に使用される。
　【００８１】
　前記各層のうちホール注入層を構成する、ホールの注入性にすぐれた有機化合物としては、たとえば式（７）：
　【００８２】
　【化２５】
　【００８３】
で表される銅フタロシアニンや、あるいはポリアニリン、ポリチオフェン、カーボンなどがあげられる。またホール注入層には、これらホール注入性材料に加えて、上記のように本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）を含有させてもよい。あるいはまた、トリフェニルアミン誘導体（１）以外の他のホール輸送材料を添加してもよい。
　【００８４】
　ホール輸送層を構成するホール輸送材料としては、主に本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）が使用される他、前述したＴＰＤ、ＴＰＴＥ、ＨＴＭ１、ｍ−ＴＰＴＥや、あるいは式（３−２）：
　【００８５】
　【化２６】
　【００８６】
で表されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（
１−ナフチル
　【００８７】
　電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、たとえば式（２−１）：
　【００８８】
　【化２７】
　【００８９】
で表される１，２，４−トリアゾール誘導体（「ＤＰＴＡＺ２」とする）や、あるいは前記Ａｌｑなどがあげられる。
　【００９０】
　また電子注入層は、電子輸送材料の中でも電子の注入性にすぐれた材料にて構成される。かかる電子注入性にすぐれた電子輸送材料としては、たとえば上記Ａｌｑの他、式（２−２）：
　【００９１】
　【化２８】
　【００９２】
で表されるシアノ基置換トリアゾール２量体（「ＣＮＴＡＺ２」とする）などの１，２，４−トリアゾール誘導体があげられる。
　【００９３】
　さらに、ホール輸送層および／または電子輸送層のうち発光する層に添加してもよい蛍光色素としては、たとえばレーザー用の色素などの、励起子によって励起されて蛍光を発することのできる種々の色素が、目的とする発光波長にあわせて１種単独で、あるいは２種以上、使用される。
　蛍光色素の具体例としては、たとえばシアニン染料、キサンテン系染料、オキサジン染料、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、ナフタセン誘導体、ペリレン誘導体、アクリジン染料、アクリドン染料、キノリン染料などがあげられる。
　【００９４】
　より具体的には、式（８）：
　【００９５】
　【化２９】
　【００９６】
で表されるクマリン６（緑色発光）、式（９）：
　【００９７】
　【化３０】
　【００９８】
で表されるクマリン７、式（１０−１）や（１０−２）：
　【００９９】
　【化３１】
　【０１００】
〔式中、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５は、同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。〕
などで表されるキナクリドン色素（緑色発光）、式（１１）：
　【０１０１】
　【化３２】
　【０１０２】
で表されるルブレン（５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン、黄色発光）などが、蛍光色素として好適に使用される。
　【０１０３】
　またその他にも、たとえばテトラフェニルブタジエン、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−ｐ−ジメチルアミノスチリル−４Ｈ−ピランなどのジシアノメチレンスチリルピラン系色素、ペリレン、ナイルレッドなども、蛍光色素として使用できる。
　【０１０４】
　複層構造の有機の層を構成する前記各層の厚みはとくに限定されないが、各層それぞれ５〜１００ｎｍ程度、とくに１０〜８０ｎｍ程度であるのが好ましい。
　【０１０５】
　また、上記各層を２層以上、積層した複層構造の有機の層のトータルの厚みは、積層した層数などによっても異なるが、８０〜２００ｎｍ程度、とくに１００〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましい。
　【０１０６】
　上記の、単層または複層構造の有機の層は、前述したように種々の形成方法にて形成することができる。すなわち層を構成する有機化合物を、真空中で、抵抗加熱などの方法で加熱、昇華させて下地上に堆積させるいわゆる真空蒸着法などの気相成長法や、あるいは層を構成する有機化合物を適当な溶剤中に溶解または分散した塗布液を、スピンコート法、ディップコート法などによって下地上に塗布したのち乾燥させて溶剤を除去する溶液塗布法などによって形成することができる。
　【０１０７】
　かかる有機の層を挟む陰陽両極は、発光層からの発光を素子外に取り出すために、少なくとも一方が透明である必要がある。
　【０１０８】
　電子およびホールの注入効率に係わる仕事関数などを考慮すると、陽極を、ＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）、ＩＸＯ〔Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ六方晶層状化合物〕などの透明導電材料にて形成し、つまり透明とし、陰極は、Ｍｇ／Ａｇ、Ａｌ／Ｌｉなどの、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含む合金にて形成するか、あるいはフッ化リチウム、酸化リチウムなどのリチウム化合物の層とＡｌ層などの金属層との積層構造とするとともに、製造工程上、陽極を基材の直上に、陰極を、当該陽極上に積層された有機の層の最上層に、それぞれ配置して、陽極と基材を通して光を素子外に取り出すのが一般的であり、本発明においても、かかる構成を採用するのが好ましい。
　【０１０９】
　また陰極を、たとえば上記合金製の、厚み１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下の層（電子注入電極）と、その上に積層された透明導電材料の層の２層構造などとすると、当該陰極も透明となるため、基材や、上記の各層を保護する保護層、各層を封止する封止材などとして透明な材質のものを使用することにより、素子の非発光時にその全体が透明な有機エレクトロルミネッセンス素子がえられる。
　【０１１０】
　上記の各層を支持する基材としては、たとえばガラス板、プラスチック板、プラスチックフィルム、金属板、金属箔などの種々の材質のものがあげられる。
　【０１１１】
　前記のように陰陽両極のうち陽極が透明で、基材を通して光を取り出す構成の素子や、あるいは上記のように陰陽両極が透明で、その全体が透明な素子の場合には、上記のうちガラス板や、透明性の高いプラスチックからなる板やフィルムなどが基材として好適に使用される。
　【０１１２】
　また陰極や封止材が透明であり、当該陰極を通して光を取り出す構成の素子の場合には、基材は透明、不透明のいずれでもよく、上述したいずれの材質のものを基材として使用してもよい。
　【０１１３】
　また基材として、柔軟性のあるプラスチックフィルムや金属箔などを使用すると、可とう性のある素子がえられる。
　【０１１４】
　さらにまた基材として、感光性のプラスチックからなる板やフィルムなどを使用すれば、かかる基材を、素子が劣化しないレベルの光で露光してパターン形成することにより、所定の平面形状を有する素子を製造することもできる。
　【０１１５】
　素子は、たとえば発光時に大気に触れて、層を構成する有機化合物が酸化劣化するなどして、発光輝度が著しく低下したり、あるいは発光が停止してしまったりするのを防止すべく、前記のように各層を形成後に、その一部または全体を、封止材によって封止してもよい。
　【０１１６】
　かかる封止材としては、たとえばエポキシ樹脂系、ポリエステル樹脂系、シリコーン樹脂系などの種々の硬化性の樹脂があげられる。素子を封止材によって封止するには、たとえばポッティング、ディッピングなどの公知の方法が採用される。
　【０１１７】
　上記の各部からなる本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、たとえば液晶表示素子のバックライトや、あるいは照明装置などに使用される面状発光体の他、発光層や陰陽両極などを所定のパターンに形成することで、セグメント表示素子、ドットマトリクス表示素子などとして使用することもできる。
　【０１１８】
　【実施例】
　以下に本発明を、合成例、実施例、比較例に基づいて説明する。
《トリフェニルアミン誘導体の合成》
　合成例１
　前記式（１ａ）で表されるＮ−フェニル−Ｎ−（
１−ナフチル
　【０１１９】
　ついでこの反応液に、炭酸カリウム４．７ｇ（３４．２０ｍｍｏｌ）と、銅粉末０．９ｇ（１３．６８ｍｍｏｌ）とを追加して、前記と同条件でさらに４日間反応させた。
　【０１２０】
　つぎにこの反応液を、高温のままろ過して不溶物を取り除いたのち、ろ液をトルエンにて洗浄した。
　【０１２１】
　つぎに、このろ液を冷却後、再度ろ過して未反応の４，４′−ジヨ−ドビフェニルを除去したのち、酢酸エチルで洗浄し、さらに減圧下で溶剤を留去した。
　【０１２２】
　つぎに、残った留去残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル充てん量：２０００ｇ、充てんおよび溶出：トルエン／ｎ−ヘキサン＝１／３）にて分離精製して有効区分を採取する操作を２回、繰り返して行った後、ｎ−ヘキサンを添加して再沈により結晶を析出させ、ついで溶剤をろ過して除去し、乾燥させて、目的物である、前記式（１ｃ）で表される４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（
１−ナフチル
　【０１２３】
　
つぎに、上記で合成した、式（１ｃ）で表される４−〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕アミノ−４′−ヨ−ドビフェニル
前記
で表される３，３′−ジメチルベンジジン１２．０ｇ（５６．５３ｍｍｏｌ）とを、炭酸カリウム２７．３ｇ（１９７．８４ｍｍｏｌ）および銅粉１．１ｇ（１６．９６ｍｍｏｌ）の存在下、デカリン中で、１４０℃で３日間、反応させたのち、シリカゲル１ｋｇを用いてカラム精製して、前記式（１ｆ）で表されるＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミンを得た。収率は７２％であった。
　【０１２４】
　つぎにこのＮ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（
１−ナフチル
前記
で表されるヨードベンゼン１０．１ｇ（４９．４９ｍｍｏｌ）とを、炭酸カリウム２７．３ｇ（１９７．８４ｍｍｏｌ）および銅粉１．１ｇ（１６．９６ｍｍｏｌ）の存在下、デカリン中で、２００℃で反応させたのち、カラム精製、再結晶精製、および昇華精製を行って結晶を得た。収率は３４％であった。
　【０１２５】
　上記結晶を、液体クロマトグラフィ（ＨＬＰＣ）にて、下記の条件で分析したところ、目的物である、
本発明のトリフェニルアミン誘導体（１）
（条件）
　　カラム材：シリカゲル
　　移動相：アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝９／１（重量比）
　　検出：ＵＶ　３５０ｎｍ
　またマススペクトル分析装置〔日本電子（株）製のＪＥＯＬ　ＳＸ−１０２〕を用いて、加速電圧８ｋＶで分析を行ったところ、上記
トリフェニルアミン誘導体（１）
　【０１２６】
　さらに
図１
トリフェニルアミン誘導体（１）
　【０１２７】
　そこでつぎに、上記
トリフェニルアミン誘導体（１）
《有機エレクトロルミネッセンス素子の製造》
　実施例１
　縦２５ｍｍ、横２５ｍｍ、厚み１ｍｍで、かつその片面に、陽極としてのＩＴＯ透明導電層がスパッタリング法にて製膜されたガラス基板を、界面活性剤、および有機溶媒を用いて順次、超音波洗浄したのち、紫外線オゾン処理を行って清浄化した。
　【０１２８】
　つぎに、上記ガラス基板を真空蒸着装置内にセットし、真空度１０−６〜１０−７ｔｏｒｒの条件下、下記の各層を、それぞれ真空蒸着法によって連続的に積層、形成した。
（ｉ）　前記銅フタロシアニンを、真空蒸着装置内に配置した別の石英るつぼから、抵抗加熱方式で真空蒸着して形成した、厚み４０ｎｍのホール注入層。
（ｉｉ）
トリフェニルアミン誘導体（１）
２０ｎｍ
（ｉｉｉ）
（ｉｖ）
　【０１２９】
　つぎに、真空蒸着工程が終了した基板を、窒素ガスを満たしたグローブボックスに移し、エポキシ樹脂系の紫外線硬化型封止材で、上記の各層が空気に触れないように封止して、発光領域の大きさが前記のように３ｍｍ角で、かつ有機の層が
ホール注入層と
３層
　【０１３０】
　素子の構成は、基板／ＩＴＯ透明導電層／ホール注入層（銅フタロシアニン、４０ｎｍ）／ホール輸送層（
トリフェニルアミン誘導体（１）
　【０１３１】
　
比較例１
　
トリフェニルアミン誘導体（１）
実施例１
　【０１３２】
　素子の構成は、基板／ＩＴＯ透明導電層／ホール注入層（銅フタロシアニン、４０ｎｍ）／ホール輸送層（ＴＰＴＥ、２０ｎｍ）／電子輸送層（Ａｌｑ、６０ｎｍ）／陰極〔フッ化リチウム層（１ｎｍ）／アルミニウム層（１００ｎｍ）〕であった。
　【０１３３】
　
比較例２
　
トリフェニルアミン誘導体（１）に代えて式（１２）：
　【０１３４】
　【化３３】
　【０１３５】
で表されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）−４′−アミノビフェニル−４−イル〕−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（ガラス転移温度Ｔｇ＝１４８℃、「ＮＰＴＥ−１」とする）
実施例１
　【０１３６】
　素子の構成は、基板／ＩＴＯ透明導電層／ホール注入層（銅フタロシアニン、４０ｎｍ）／ホール輸送層（ＮＰＴＥ−１、２０ｎｍ）／電子輸送層（Ａｌｑ、６０ｎｍ）／陰極〔フッ化リチウム層（１ｎｍ）／アルミニウム層（１００ｎｍ）〕であった。
　【０１３７】
　上記
実施例１、比較例１、２
それぞれ
実施例１の結果を図２、比較例１の結果を図３、比較例２の結果を図４に示す。
　
これらの図に見るように比較例１の素子は、外部量子効率が０．９５％と低い上、１４０℃で発光が停止した。また比較例２の素子は、１６０℃まで、およそ１．２％の外部量子効率を維持しつつ発光したが、１６５℃で発光が停止した。
　
これに対し実施例１の素子は、
　【０１３８】
　【発明の効果】
　以上、詳述したように本発明によれば、従来に比べてさらに耐熱性にすぐれる上、電子輸送材料との間で簡単にエキサイプレックスを形成するおそれのない、新規なトリフェニルアミン誘導体と、かかるトリフェニルアミン誘導体を用いているために、高い耐熱性と高い発光効率とを兼ね備えた有機エレクトロルミネッセンス素子とを提供できるという特有の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の、合成例１で合成した
トリフェニルアミン誘導体（１）
　【図２】
　
実施例１で製造した有機エレクトロルミネッセンス素子
　【図３】
　
比較例１
　【図４】
　
比較例２
【図面】