【事件の表示】
　特願２００５−２２２８５２「スピン−電荷を利用した磁性膜構造体とその製造方法、並びに該構造体を備えた半導体装置とその動作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月１６日出願公開、特開２００６−　４９９０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１７年８月１日（パリ条約による優先権主張２００４年７月３１日、大韓民国）の出願であって、平成２３年６月１日付けで通知された拒絶理由通知に対して、同年１０月６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１１月４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２４年３月５日に審判請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　そして、平成２５年１月２５日付けで当審より通知した拒絶理由通知に対して、同年４月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１ないし２４に係る発明は、平成２５年４月３０日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２４に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうちの、請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「基板上に酸化膜を形成する第１ステップと、
　前記酸化膜上に下部磁性膜を形成する第２ステップと、
　前記下部磁性膜上にトンネリング膜を形成する第３ステップと、
　前記トンネリング膜上に、前記下部磁性膜のスピン分極率とは異なるスピン分極率を有する上部磁性膜を形成する第４ステップと、
　前記上部磁性膜上にキャッピング層を形成する第５ステップと、
　前記キャッピング層と、前記上部磁性膜と、前記トンネリング膜と、前記下部磁性膜とを所定のサイズで順次にパターニングする第６ステップと、を含み、
　前記上部磁性膜にのみ、前記トンネリング膜上に順次に積層された第１強磁性膜と、該第１強磁性膜の磁化方向を固定する第２強磁性膜とを備え、
　前記下部磁性膜はＣｏ２ＭｎＳｉ膜により形成され、磁化方向を固定されていない構成である、ことを特徴とする多用途磁性膜構造体の製造方法。」
　
２．当審よりの拒絶理由通知の概要
　平成２５年１月２５日付けで当審より通知した拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
　
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　……（中略）……
・理由１
・請求項８
・引用例３、１、２
・備考
　……（中略）……
＜引用例等一覧＞ 
１．特開２００２−１９８５８３号公報
２．特開平１１−１３５８５７号公報
３．特開２０００−１０６４６２号公報
４．特開２００３−１１５６２３号公報」
　
３．各引用刊行物の記載事項と引用発明
３−１．引用刊行物１の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２５年１月２５日付けの当審よりの拒絶理由通知で「引用例３」として引用された刊行物である、特開２０００−１０６４６２号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、「磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ」（発明の名称）に関して、図１〜図２１とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、強磁性トンネル接合を用いた磁気素子と、それを用いた磁気メモリ、磁気センサ、磁気ヘッドに関する
　
ｂ．「【０００２】
【従来の技術】薄い絶縁体層（誘電体層）で隔てられた 2つの強磁性層からなる強磁性トンネル接合においては、強磁性層を電極としてバイアス電圧を印加するとトンネル電流が流れる。このときのトンネル抵抗は、 2つの強磁性層の磁化の成す相対角度に依存して変化する。具体的には、 2つの強磁性層の磁化が反平行のときにトンネル抵抗は最大値をとり、平行のときに最小値をとる。このようなトンネル抵抗の変化によって、いわゆる磁気抵抗効果（ＭＲ）が得られる。従って、 2つの強磁性層に例えば保磁力の異なる強磁性体を用いれば、外部磁場の変化を抵抗変化として検出することができる。」
　
ｃ．「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、強磁性トンネル接合では大きな磁気抵抗比が得られるものの、この磁気抵抗比は接合に印加されるバイアス電圧に大きく依存する。すなわち、印加されるバイアス電圧が増加すると、接合を流れるトンネル電流が急激に増加すると共に、抵抗変化の大きさが小さくなり、その結果として接合の磁気抵抗比が減少する。この性質は強磁性トンネル接合をＭＲ素子に応用する際に、大きな制限を加えるものである。
　……（中略）……
【００１０】本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、大きな磁気抵抗比を得ることができ、かつ大きな抵抗をもつために相対的に大きな出力電圧が得られる強磁性トンネル接合のバイアス電圧に対する磁気抵抗比の依存性、また温度に対する磁気抵抗比の依存性を改善することによって、実用性を高めた磁気素子を提供することを目的としており、さらにはそのような磁気素子を用いることによって、特性および実用性の向上を図った磁気メモリおよび磁気センサを提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気素子は、請求項１に記載したように、少なくとも 2層の強磁性層と、前記 2層の強磁性層間に介在された少なくとも 1層のトンネル障壁層との積層膜からなる強磁性トンネル接合を有し、前記 2層の強磁性層間にトンネル電流を流す磁気素子において、バイアス電圧の増加に対して正の傾きをもって増加する磁気抵抗比を有することを特徴としている。」
　
ｄ．「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２０】図１は本発明の磁気素子の一実施形態の概略構造を示す断面図である。同図において、１は第１の強磁性層２／トンネル障壁層３／第２の強磁性層４の 3層積層構造を有する強磁性トンネル接合である。第１および第２の強磁性層２、４には、それぞれリード電極５、６が接続されている。図中符合７は基板、８は絶縁層である。
【００２１】強磁性トンネル接合１は、第１の強磁性層２と第２の強磁性層４との間に、絶縁体などからなるトンネル障壁層３を介してトンネル電流が流れるように構成されている。
そして、第１の強磁性層２と第２の強磁性層４との保磁力差などを利用して、例えば一方の強磁性層の磁化を外部磁場により反転させ、 2つの強磁性層２、４の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗（トンネル電流）によって、磁気抵抗効果（ＭＲ）を得る
【００２２】すなわち、
第１の強磁性層２と第２の強磁性層４の磁化が同じ方向を向いている状態において、強磁性トンネル接合１のトンネル抵抗は最小となる。この状態から例えば保磁力が小さい一方の強磁性層の磁化のみを外部磁場により反転させることによって、強磁性トンネル接合１のトンネル抵抗は最大となる。この際、他方の強磁性層の磁化は、一方の強磁性層の磁化を反転させる外部磁場に対して実質的に固定されているようにする。このようにして磁気抵抗効果が得られる
【００２３】
第１および第２の強磁性層２、４の構成材料は特に限定されるものではなく、パーマロイに代表されるＮｉ−Ｆｅ合金、強磁性を示すＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉおよびそれらを含む合金、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂのようなホイスラー合金などのハーフメタル、ＣｒＯ
２
 、マグネタイト、Ｍｎペロブスカイトなどの酸化物系のハーフメタル、アモルファス合金などの種々の軟磁性材料から、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金、遷移金属−希士類合金などの硬磁性材料まで、種々の強磁性材料を使用することができる
【００２４】さらに、一方の強磁性層を反強磁性膜と積層し、これらの交換結合により強磁性層の磁化を固定するようにしてもよい。図２は反強磁性膜を使用した強磁性トンネル接合１の一構成例を示す図である。
図２において、トンネル障壁層３を介して配置された第１および第２の強磁性層２、４
第２の強磁性層４上には反強磁性膜９が積層されている。第２の強磁性層４には反強磁性膜９から交換バイアスが付与されており、この交換バイアスにより第２の強磁性層４の磁化が固定されている
【００２５】
この際の反強磁性膜９には
ＩｒＭｎ
などの反強磁性材料
反強磁性交換結合膜を用いることができる
【００２６】本発明の磁気素子は、第１の強磁性層／トンネル障壁層／第２の強磁性層の積層構造を有する強磁性一重トンネル接合に限らず、第１の強磁性層／第１のトンネル障壁層／第２の強磁性層／第２のトンネル障壁層／第３の強磁性層の積層構造を有する強磁性二重トンネル接合、さらには三重以上の強磁性多重トンネル接合に対しても適用可能である。」
　
ｅ．「【００３７】まず、磁気抵抗比のポテンシャル障壁の高さ依存性について述べる。絶縁体層の厚さを 2.0nmとした接合に対する計算結果を示した図５から分かるように、磁気抵抗比は約 0.6eVにおいて最小値をもつ曲線を描く。このような曲線は、トンネル電流のスピン偏極率がポテンシャル障壁の高さにより変調をうけて変化することにより得られる。
【００３８】すなわち、トンネル電流のスピン偏極率は、ポテンシャル障壁が高いところでは
強磁性体のもつスピン偏極率
　
ｆ．「【００７０】実施例３
実施例３では、
Ｓｉ／ＳｉＯ
２
 基板
上に、スパッタ装置を用いて図２に示した構造
Ｔａ下地層／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ａｌ
２
Ｏ
３
 ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ保護層の積層構造を有する強磁性トンネル接合を作製した
【００７１】まず、
初期真空度 2×10
−７
Torrにおいて、通常のフォトリソグラフィ技術とイオンミリング技術を用いて、上記した積層膜を50μm 幅の下部配線形状に形成した。その際、設計膜厚はＴａ5nm ／ＮｉＦｅ15nm／ＣｏＦｅ5nm ／Ａｌ
２
 Ｏ
３
 1.8nm ／ＣｏＦｅ4nm ／Ｉｒ
２２
Ｍｎ
７８
14nm／Ｔａ5nm とした
【００７２】
Ａｌ
２
 Ｏ
３
 からなるトンネル障壁層は、まず純Ａｒガスを導入し、Ａｌ
２
 Ｏ
３
 ターゲットを用いて真空中で強磁性層（ＮｉＦｅ15nm／ＣｏＦｅ5nm)上にＡｌＯ
Ｘ
 膜を連続成膜し、その後真空を破ることなく酸素を導入し、誘電体層の酸素欠陥をプラズマ酸素に曝すことによって、酸素欠陥のない薄いトンネルバリア層をＡｌＯ
Ｘ
 表面上に作製した。酸化時間および出力を変えることによって、Ｓ／（Φ）
１／２
 が異なるいくつかのトンネルバリア層を作製した
【００７３】
次に、酸素を排気した後に上部のＣｏＦｅ4nm を作製し、さらにＩｒ
２２
Ｍｎ
７８
14nmおよびＴａ5nm を純Ａｒガス中でスパッタ成膜した。
【００７４】これら試料の磁気抵抗変化率の温度依存性を測定した。その結果を図１６に示した。図１６はＳ／（Φ）１／２ が34［オングストローム／(eV)１／２ ］の試料と 8［オングストローム／(eV)１／２ ］の試料の温度依存性を示している。Ｓ／（Φ）１／２ が34の試料は、Ｓ／（Φ）１／２ が 8の試料に比べて磁気抵抗変化率の温度依存性が小さく、室温以上においても磁気抵抗の減少が小さく、大きな磁気抵抗変化率が得られることが分かる。
　……（中略）……
【００７６】なお、
トンネルバリア層としての誘電体層にＳｉＯ
２
 、ＡｌＮ、ＭｇＯを用いた場合にも同様の傾向を示した
　
ｇ．「【００９４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気素子によれば、従来の強磁性トンネル接合で問題とされていたバイアス電圧もしくは温度に対する磁気抵抗比の大きな依存性を低減することができる。これにより、バイアス電圧の広い範囲で、また広範囲な温度下で、良好な磁気抵抗比を得ることが可能となる。従って、
磁気メモリや磁気センサなどに応用する際に、実用性に優れた磁気素子を提供することができる
　
ｈ．「本発明の磁気素子に使用される強磁性一重トンネル接合の一構成例を示す断面図」（【図面の簡単な説明】）である図２には、下から、第１の強磁性層２／トンネル障壁層３／第２の強磁性層４／反強磁性膜９の順番で積層した構造が示されている。
　
３−２．引用発明
　　ア　「３−１．引用刊行物１の記載事項」のｆの「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板もしくはＳｉＯ２ 基板上に、スパッタ装置を用いて図２に示した構造、すなわちＴａ下地層／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ａｌ２Ｏ３ ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ保護層の積層構造を有する強磁性トンネル接合を作製した」という記載から、引用刊行物１には、「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板」を用意するステップが記載されている。
　
　　イ　同ｆの前記「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板……上に、スパッタ装置を用いて図２に示した構造、すなわちＴａ下地層／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ａｌ２Ｏ３ ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ保護層の積層構造を……作製した」との記載から、前記「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板」上に、「Ｔａ下地層」を介して、「ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」の「層」を作製することが記載されている。
　ここで、前記「ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」の「層」は、同ｄの「第１および第２の強磁性層２、４の構成材料は特に限定されるものではなく、パーマロイに代表されるＮｉ−Ｆｅ合金、強磁性を示すＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉおよびそれらを含む合金、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂのようなホイスラー合金などのハーフメタル、ＣｒＯ２ 、マグネタイト、Ｍｎペロブスカイトなどの酸化物系のハーフメタル、アモルファス合金などの種々の軟磁性材料から、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金、遷移金属−希士類合金などの硬磁性材料まで、種々の強磁性材料を使用することができる。」という記載、及び、同ｈの図２に示される構造から、「第１の強磁性層２」を形成する強磁性を示す合金であることは明らかである。
　したがって、同ｆの前記記載、同ｄの前記記載及び同ｈの図２に示される構造から、引用刊行物１には、前記「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板」上に、「Ｔａ下地層」を介して、強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなどを使用して「第１の強磁性層２」を作製するステップが記載されている。
　
　　ウ　同ｆの「Ａｌ２ Ｏ３ からなるトンネル障壁層は、まず純Ａｒガスを導入し、Ａｌ２ Ｏ３ ターゲットを用いて真空中で強磁性層（ＮｉＦｅ15nm／ＣｏＦｅ5nm)上にＡｌＯＸ 膜を連続成膜し、その後真空を破ることなく酸素を導入し、誘電体層の酸素欠陥をプラズマ酸素に曝すことによって、酸素欠陥のない薄いトンネルバリア層をＡｌＯx 表面上に作製した。酸化時間および出力を変えることによって、Ｓ／（Φ）１／２ が異なるいくつかのトンネルバリア層を作製した」との記載、及び、同ｄの「図２において、トンネル障壁層３を介して配置された第１および第２の強磁性層２、４」との記載、同ｆの「トンネルバリア層としての誘電体層にＳｉＯ２ 、ＡｌＮ、ＭｇＯを用いた場合にも同様の傾向を示した。」から、引用刊行物１には、前記「第１の強磁性層２」上に、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ 、ＡｌＮ、ＭｇＯなどの誘電体からなる「トンネル障壁層３」を形成するステップが記載されている。
　
　　エ　同ｆの前記「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板……上に、スパッタ装置を用いて図２に示した構造、すなわちＴａ下地層／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ａｌ２Ｏ３ ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ保護層の積層構造を……作製した」という記載、同ｆの「次に、酸素を排気した後に上部のＣｏＦｅ4nm を作製し」という記載から、前記「トンネル障壁層３」上にＣｏＦｅを作製することが記載されている。
　ここで、同ｄの「第１および第２の強磁性層２、４の構成材料は特に限定されるものではなく、パーマロイに代表されるＮｉ−Ｆｅ合金、強磁性を示すＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉおよびそれらを含む合金、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂのようなホイスラー合金などのハーフメタル、ＣｒＯ２ 、マグネタイト、Ｍｎペロブスカイトなどの酸化物系のハーフメタル、アモルファス合金などの種々の軟磁性材料から、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金、遷移金属−希士類合金などの硬磁性材料まで、種々の強磁性材料を使用することができる。」という記載から、前記ＣｏＦｅは、図２の「第２の強磁性層４」を形成する構成材料として例示された、「強磁性を示す」「合金」であることは明らかである。
　そして、同ｄの「第１の強磁性層２と第２の強磁性層４との保磁力差などを利用して、例えば一方の強磁性層の磁化を外部磁場により反転させ、 2つの強磁性層２、４の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗（トンネル電流）によって、磁気抵抗効果（ＭＲ）を得るものである。」と「第１および第２の強磁性層２、４のうち、一方の磁化方向（スピン方向）のみを変化させるためには、上述したように強磁性体の保磁力の差を利用する」という記載から、「第２の強磁性層４」は、「第１の強磁性層２」の「保磁力」とは異なる「保磁力」を有することが記載されている。
　以上から、引用刊行物１には、前記「トンネル障壁層３」上に、強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなどを使用するとともに、「第１の強磁性層２」の「保磁力」とは異なる「保磁力」を有する「第２の強磁性層４」を作製するステップが記載されている。
　
　　オ　同ｆの前記「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板……上に、スパッタ装置を用いて図２に示した構造、すなわちＴａ下地層／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ａｌ２Ｏ３ ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ保護層の積層構造を……作製した」という記載、同ｆの「上部のＣｏＦｅ4nm を作製し、さらにＩｒ２２Ｍｎ７８14nmおよびＴａ5nm を純Ａｒガス中でスパッタ成膜した。」という記載、同ｄの「第２の強磁性層４上には反強磁性膜９が積層されている。第２の強磁性層４には反強磁性膜９から交換バイアスが付与されており、この交換バイアスにより第２の強磁性層４の磁化が固定されている」という記載、及び、同ｄの「この際の反強磁性膜９には、ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎなどの反強磁性合金やＮｉＯ、Ｆｅ２ Ｏ３ などの反強磁性材料……を用いることができる。」という記載から、引用刊行物１には、前記「第２の強磁性層４」上に、前記「第２の強磁性層４」の磁化を固定する「反強磁性膜９」を積層するステップが記載されている。
　
　　カ　同ｆの前記「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板……上に、スパッタ装置を用いて図２に示した構造、すなわちＴａ下地層／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ａｌ２Ｏ３ ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ保護層の積層構造を……作製した」という記載、同ｆの前記「上部のＣｏＦｅ4nm を作製し、さらにＩｒ２２Ｍｎ７８14nmおよびＴａ5nm を純Ａｒガス中でスパッタ成膜した。」という記載から、引用刊行物１には、前記「反強磁性膜９」上に「Ｔａ保護層」を成膜するステップが記載されている。
　
　　キ　同ｆの「初期真空度 2×10−７Torrにおいて、通常のフォトリソグラフィ技術とイオンミリング技術を用いて、上記した積層膜を50μm 幅の下部配線形状に形成した。その際、設計膜厚はＴａ5nm ／ＮｉＦｅ15nm／ＣｏＦｅ5nm ／Ａｌ２ Ｏ３ 1.8nm ／ＣｏＦｅ4nm ／Ｉｒ２２Ｍｎ７８14nm／Ｔａ5nm とした」という記載において、「上記した積層膜」とは、当該記載の直前に記載された「Ｔａ下地層／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ａｌ２Ｏ３ ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ保護層」を「積層」した膜を指すことは、明らかである。
　そして、同ｆには、「この後、通常のフォトリソグラフィ技術とイオンミリング技術を用いて、ＣｏＦｅ 4nm ／Ｉｒ２２Ｍｎ７８14nm／Ｔａ 5nm の上に接合寸法を規定するためのレジストパターンを形成し、上部のＣｏＦｅまでイオンミリングした。このレジストを残したまま 300nm厚のＳｉＯ２ 膜からなる層間絶縁膜をスパッタした後、レジストをリフトオフした。さらに、上部配線を形成するためのレジストパターンを形成し、試料表面を逆スパッタしてクリーニングした」と記載されている。
　したがって、引用刊行物１には、前記「Ｔａ保護層」と、前記「反強磁性膜９」と、前記「第２の強磁性層４」と、前記「トンネル障壁層３」と、前記「第１の強磁性層２」と、前記「Ｔａ下地層」とを、これらを積層した積層膜が50μm 幅の下部配線形状になるように、順次にパターニングするステップが記載されている。
　
　　ク　同ｄには、「第１の強磁性層２と第２の強磁性層４との保磁力差などを利用して、例えば一方の強磁性層の磁化を外部磁場により反転させ、 2つの強磁性層２、４の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗（トンネル電流）によって、磁気抵抗効果（ＭＲ）を得る」及び「第１の強磁性層２と第２の強磁性層４の磁化が同じ方向を向いている状態において、強磁性トンネル接合１のトンネル抵抗は最小となる。この状態から例えば保磁力が小さい一方の強磁性層の磁化のみを外部磁場により反転させることによって、強磁性トンネル接合１のトンネル抵抗は最大となる。この際、他方の強磁性層の磁化は、一方の強磁性層の磁化を反転させる外部磁場に対して実質的に固定されているようにする。このようにして磁気抵抗効果が得られる」と記載されている。
　すなわち、前記「第１の強磁性層２」と前記「第２の強磁性層４」のどちらか一方は、外部磁場により、磁化の方向を、他方と同じ方向に、あるいは、他方と反対の方向に、変化させることができることが記載されている。
　そして、前記オで指摘したように、前記「第２の強磁性層４」の磁化の方向は「反強磁性膜９」によって固定されている。
　したがって、引用刊行物１には、前記「第１の強磁性層２」の磁化の方向は、外部磁場により、前記「第２の強磁性層４」の磁化と同じ方向、あるいは、反対の方向に、変化させられることが記載されている。
　
　　ケ　同ａの「本発明は、強磁性トンネル接合を用いた磁気素子と、それを用いた磁気メモリ、磁気センサ、磁気ヘッドに関する。」という記載、同ｆの「Ｔａ下地層／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ａｌ２Ｏ３ ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ保護層の積層構造を有する強磁性トンネル接合を作製した」という記載、同ｇの「磁気メモリや磁気センサなどに応用する際に、実用性に優れた磁気素子を提供することができる。」という記載から、引用刊行物１には、磁気メモリ、磁気センサ、磁気ヘッドに応用することができる強磁性トンネル接合の積層構造の作製方法が記載されている。
　
　　コ　以上のア〜ケを総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板を用意するステップと、
　前記Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板上に、Ｔａ下地層を介して、強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなどを使用して第１の強磁性層２を作製するステップと、
　前記第１の強磁性層２上に、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ 、ＡｌＮ、ＭｇＯなどの誘電体からなるトンネル障壁層３を形成するステップと、
　前記トンネル障壁層３上に、強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなどを使用するとともに、前記第１の強磁性層２の保磁力とは異なる保磁力を有する第２の強磁性層４を作製するステップと、
　前記第２の強磁性層４上に、前記第２の強磁性層４の磁化を固定する反強磁性膜９を積層するステップと、
　前記反強磁性膜９上にＴａ保護層を成膜するステップと、
　前記Ｔａ保護層と、前記反強磁性膜９と、前記第２の強磁性層４と、前記トンネル障壁層３と、前記第１の強磁性層２と、前記Ｔａ下地層とを、これらの積層膜が50μm 幅の下部配線形状になるように、順次にパターニングするステップと、を含み、
　前記第１の強磁性層２の磁化の方向は、外部磁場により、前記第２の強磁性層４の磁化と同じ方向、あるいは、反対の方向に、変化させられる、
ことを特徴とする、磁気メモリ、磁気センサ、磁気ヘッドに応用することができる強磁性トンネル接合の積層構造の作製方法。」
　
３−３．引用刊行物２の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２５年１月２５日付けの当審よりの拒絶理由通知で「引用例１」として引用された刊行物である、特開２００２−１９８５８３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、「強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド」（発明の名称）に関して、図１８とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子
　
ｂ．「【０００９】すなわち、本発明の目的は、以下の強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子によって達成される。
（１）第１の強磁性層と、第１の強磁性層の上に形成された第１の絶縁障壁層と、第１の絶縁障壁層の上に形成された第２の強磁性層と、第２の強磁性層の上に形成された第２の絶縁障壁層と、第２の絶縁障壁層の上に形成された第３の強磁性層とを含み、第１の強磁性層と第３の強磁性層の間に第１のバイアス電圧を印加するための端子と、第２の強磁性層と第１又は第３の強磁性層の間に第２のバイアス電圧を印加するための端子とを備えることを特徴とする強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子。
（２）（１）記載の強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子において、
第１の強磁性層の下に当該第１の強磁性層の磁化の方向を固定するための第１の反強磁性層を備え、第３の強磁性層の上に当該第３の強磁性層の磁化の方向を固定するための第２の反強磁性層を備える
　……（以下、省略）」
　
ｃ．「【００３９】図１８は、本発明による３端子型ＴＭＲ素子の他の実施例を示す断面模式図である。本実施例の３端子型ＴＭＲ素子は、基板側から順に
反強磁性層３２（３０ｎｍ））、強磁性金属層４２（５ｎｍ）、絶縁障壁層２２（２ｎｍ）、ハーフメタル強磁性層１１（３０ｎｍ）、絶縁障壁層２１（２ｎｍ）、強磁性金属層４１（５ｎｍ）、反強磁性層３１（３０ｎｍ）を積層してなり、強磁性金属層４１と強磁性金属層４２の間に電気的
　
ｄ．「【００４１】次に、上記３端子型ＴＭＲ素子の各層の構成材料について説明する。
ハーフメタル強磁性層１１は
非常にスピン分極率の高いハーフメタル強磁性体からなる
強磁性金属層４１，４２にはＣｏＦｅ合金を用いた
　
３−４．引用刊行物３の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２５年１月２５日付けの当審よりの拒絶理由通知で「引用例２」として引用された刊行物である、特開平１１−１３５８５７号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、「磁気抵抗効果素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【００１７】図１に示すように、
反強磁性層１１／強磁性層１２の積層膜からなる固定層と強磁性層１３からなるフリー層との間にトンネルバリア層１４を挟んだ構造を持つ磁気抵抗効果素子
フリー層を構成する強磁性層１３がトンネルバリア層１４に接する側に薄い高分極率膜１５を備えた軟磁性膜１６で構成されている
【００１８】
高分極率膜１５としては、Ｃｏ
Ｘ
 Ｆｅ
１−Ｘ
 （０≦ｘ＜１）、又はＮｉ
Ｘ
 Ｆｅ
１−Ｘ
 （０≦ｘ＜０．３５）が候補として挙げられる。完全スピン分極を持つ金属間化合物を用いる場合には薄膜としても１００％に近い分極率が得られる
　
ｂ．「【００２１】強磁性層にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉまたはそれらを含む合金を用いた場合には、導電層２３として強磁性層の表面自由エネルギーより小さな値を持つＡｌを選択することにより、下地となる強磁性層２２に対して良好な被覆性を呈する。その結果、完成された素子ではピンホールによる強磁性層間の電気的ショートのない良好な特性が得られる。また、Ａｌの酸素一原子当たりの生成自由エネルギーはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉよりも大きいため
トンネルバリア層となるＡｌ
２
 ０
３
本実施の形態ではフリー層２７よりも先に固定層を成膜したが、この逆の工程でも同様な効果が得られる
　
４．対比
　本願発明と、引用発明とを対比する。
　
　　ア　引用発明の「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板」は、「Ｓｉ」基板上に「ＳｉＯ２ 」層を形成した「基板」であることは、明らかである。
　したがって、引用発明の「Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板を用意するステップ」は、本願発明の「基板上に酸化膜を形成する第１ステップ」に相当する。
　
　　イ　本願明細書の発明の詳細な説明には、「基板３６（例えばシリコン基板）上に薄い絶縁膜３８を形成する。絶縁膜３８は、酸化膜または非酸化膜で形成してよい。基板３６がシリコン基板であるとき、絶縁膜３８はシリコン酸化膜で形成することが好ましいが、必要ならば、他の酸化膜で形成することもできる。前記シリコン酸化膜は、熱成長法で成長させて形成する。絶縁膜３８上にシード層４０を形成する。シード層４０は、下部磁性膜４２の成長を助け、均一な厚さのトンネリング膜４４を形成するために、ハーフメタル強磁性膜４２の表面をさらに滑らかに形成するためのものである。あるいは、下部磁性膜４２を絶縁膜３８の上に直接形成してもよい。（段落【００４４】）」と、「シード層４０を非磁性層で形成する場合、第１シード層４０ａおよび第２シード層４０ｂは、それぞれ例えばＴａ層およびＲｕ層から形成可能である。（段落【００４５】）」と記載されている。すなわち、本願発明の「前記酸化膜上に下部磁性膜を形成する」とは、「酸化膜」上に、Ｔａ層等のシード層４０を介して、「下部磁性膜」を「形成する」という態様を含むものである。
　したがって、引用発明の「前記Ｓｉ／ＳｉＯ２ 基板上に、Ｔａ下地層を介して、強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなどを使用して第１の強磁性層２を作製するステップ」は、本願発明の「前記酸化膜上に下部磁性膜を形成する第２ステップ」に相当する。
　
　　ウ　引用発明の「前記第１の強磁性層２上に、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ 、ＡｌＮ、ＭｇＯなどの誘電体からなるトンネル障壁層３を形成するステップ」は、本願発明の「前記下部磁性膜上にトンネリング膜を形成する第３ステップ」に相当する。
　
　　エ　引用発明の「前記トンネル障壁層３上」に「作製」される「強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなどを使用するとともに、前記第１の強磁性層２の保磁力とは異なる保磁力を有する第２の強磁性層４」は、本願発明の「前記トンネリング膜上に順次に積層された第１強磁性膜」に相当する。
　また、引用発明の「前記第２の強磁性層４」上に「積層」される「前記第２の強磁性層４の磁化を固定する反強磁性膜９」は、本願発明の「前記トンネリング膜上に順次に積層され」て、前記「第１強磁性膜」上に「積層」された「該第１強磁性膜の磁化方向を固定する第２強磁性膜」に相当する。
　したがって、引用発明が前記「第２の強磁性層４」と「反強磁性膜９」を併せた「膜」を備えることは、本願発明の「前記上部磁性膜にのみ、前記トンネリング膜上に順次に積層された第１強磁性膜と、該第１強磁性膜の磁化方向を固定する第２強磁性膜とを備え」ることに相当する。
　
　ここで、本願明細書の発明の詳細な説明には、「第１強磁性膜」と「第２強磁性膜」とを備える「上部磁性膜」に関して、「上部磁性膜４５は、下部磁性膜であるハーフメタル強磁性膜４２よりも小さいスピン分極率を有する強磁性膜で形成されることが好ましい。（段落【００４９】）」と記載されている。
　しかしながら、「上部磁性膜４５は、順次に形成された第１強磁性膜４６および第２強磁性膜４８から構成される。第１強磁性膜４６は、磁化方向または電子のスピン分極方向が所定の方向に固定されている第２電子スピン状態密度を有する固着層（pinned layer）である。第１強磁性膜４６もやはり下部磁性膜４２と同様に電子が所定の方向にスピン分極される。（段落【００１３】）」、「第１強磁性膜４６の電子のスピン分極は、下部磁性膜４２の電子のスピン分極とは異なり、全部が同じ方向ではない。すなわち、第１強磁性膜４６のほとんどの電子は、所定の方向にスピン分極されるが、一部の電子は、前記所定の方向と逆方向にスピン分極する。外部に現れる第１強磁性膜４６の磁化方向は、その内部のほとんどの電子におけるスピン分極方向になる。第１強磁性膜４６内に図示した矢印は、第１強磁性膜４６の磁化方向を表す。この矢印は、第１強磁性膜４６の大部分の電子が有するスピン分極を表す。したがって、外部には、第１強磁性膜４６が図示した矢印方向に磁化されているように現れるが、第１強磁性膜４６内の少数の電子の磁化方向は、この矢印の逆方向となる。第１強磁性膜４６は、例えばコバルト鉄（ＣｏＦｅ）膜で形成されてよい。第２強磁性膜４８は、第１強磁性膜４６の磁化方向を固定させるピンニング膜（pinning layer）であり、反強磁性膜である。（段落【００１４】）」との記載も存在する。
　すなわち、本願発明の「上部磁性膜」を構成する「第１強磁性膜」と「第２強磁性膜」のうち、前記「第２強磁性膜」は専ら「第１強磁性膜の磁化方向を固定する」ための「膜」であり、「下部磁性膜」との「スピン分極率」の違いが問題となるのは「第１強磁性膜」であると認められる。
　
　以上から、引用発明の「前記トンネル障壁層３上に、強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなどを使用するとともに、前記第１の強磁性層２の保磁力とは異なる保磁力を有する第２の強磁性層４を作製するステップ」と「前記第２の強磁性層４上に、前記第２の強磁性層４の磁化を固定する反強磁性膜９を積層するステップ」を併せたステップと、本願発明の「前記トンネリング膜上に、前記下部磁性膜のスピン分極率とは異なるスピン分極率を有する上部磁性膜を形成する第４ステップ」とは、「前記トンネリング膜上」に「上部磁性膜を形成する第４ステップ」である点で共通する。
　
　　オ．本願明細書の発明の詳細な説明には、「上部磁性膜４５の上に保護用キャッピング層４９が存在する。（段落【００１２】）」、「キャッピング層４９は、第２強磁性膜４８の酸化を防止するためのものであり（段落【００１４】）」と記載されている。すなわち、本願発明の「キャッピング層」は、「保護」層としての機能を有している。
　したがって、引用発明の「前記反強磁性膜９上にＴａ保護層を成膜するステップ」は、本願発明の「前記上部磁性膜上にキャッピング層を形成する第５ステップ」に相当する。
　
　　カ　引用発明の「前記Ｔａ保護層と、前記反強磁性膜９と、前記第２の強磁性層４と、前記トンネル障壁層３と、前記第１の強磁性層２と、前記Ｔａ下地層とを、これらを積層した積層膜が50μm 幅の下部配線形状になるように、順次にパターニングするステップ」は、本願発明の「前記キャッピング層と、前記上部磁性膜と、前記トンネリング膜と、前記下部磁性膜とを所定のサイズで順次にパターニングする第６ステップ」に相当する。
　
　　キ　引用発明において「前記第１の強磁性層２の磁化の方向は、外部磁場により、前記第２の強磁性層４の磁化と同じ方向、あるいは、反対の方向に、変化させられる」ことと、本願発明において「前記下部磁性膜はＣｏ２ＭｎＳｉ膜により形成され、磁化方向を固定されていない構成である」こととは、「前記下部磁性膜」は「磁化方向を固定されていない構成である」点で共通する。
　
　　ク　そして、引用発明の「磁気メモリ、磁気センサ、磁気ヘッドに応用することができる強磁性トンネル接合の積層構造の作製方法」は、本願発明の「多用途磁性膜構造体の製造方法」に相当する。
　
　　ケ　以上のア〜クから、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の各点で相違する。
（一致点）
「基板上に酸化膜を形成する第１ステップと、
　前記酸化膜上に下部磁性膜を形成する第２ステップと、
　前記下部磁性膜上にトンネリング膜を形成する第３ステップと、
　前記トンネリング膜上に、上部磁性膜を形成する第４ステップと、
　前記上部磁性膜上にキャッピング層を形成する第５ステップと、
　前記キャッピング層と、前記上部磁性膜と、前記トンネリング膜と、前記下部磁性膜とを所定のサイズで順次にパターニングする第６ステップと、を含み、
　前記上部磁性膜にのみ、前記トンネリング膜上に順次に積層された第１強磁性膜と、該第１強磁性膜の磁化方向を固定する第２強磁性膜とを備え、
　前記下部磁性膜は、磁化方向を固定されていない構成である、ことを特徴とする多用途磁性膜構造体の製造方法。」
　
（相違点１）
　本願発明の「上部磁性膜」は「前記下部磁性膜のスピン分極率とは異なるスピン分極率を有する」を行うのに対して、引用発明の「第２の強磁性層４」は「第１の強磁性層２の保磁力とは異なる保磁力を有する」点。
　
（相違点２）
　本願発明の「下部磁性膜」は「Ｃｏ２ＭｎＳｉ膜により形成され」るのに対して、引用発明の「第１の強磁性層２」は「強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなど」を「使用」して「作製」される点。
　
５．当審の判断
５−１．相違点１及び２について
　　ア　強磁性トンネル接合の積層構造体の発明について記載されている周知例１には、以下で摘記するように、遷移金属の合金である強磁性体材料の「スピン分極率」がより大きいと当該材料の「保磁力」もより大きいこと、「ＮｉＦｅ」の「スピン分極率」は約「０．４５」であり「ＣｏＦｅ」の「スピン分極率」は約「０．５５」であること、が記載されている。
　強磁性体の積層構造体の発明について記載されている周知例２には、以下で摘記するように、「分極率Ｐ（絶対値）が０．５以上である強磁性材料を「ハーフメタル的」な性質を有している」と定義すること、この「強磁性」かつ「ハーフメタル的」な材質の具体例として「Ｃｏ２ＭｎＺ（Ｚは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎのうちから選択された１種または２種以上の元素）」や「ＮｉＭｎＳｂ」という「ホイスラー合金」を挙げていること、前記「ＮｉＭｎＳｂ」の「分極率Ｐが０．５５である」こと、そして、「強磁性且つハーフメタル的な合金」や「ＣｏＦｅ合金」より「ＮｉＦｅ合金」のほうが「保磁力」が小さいことが、それぞれ、記載されている。
　ここで、「ＣｏＦｅ」合金が「ＮｉＦｅ」合金よりスピン分極率が高いことは、周知例１及び３に記載されるように技術常識である。また、周知例２に記載された「強磁性且つハーフメタル的な合金」は、「ＣｏＦｅ」合金と同程度の「スピン分極率」を有する材料である。
　以上から、強磁性体の積層構造体の技術分野において、一般に、スピン分極率がより大きい強磁性体材料の保磁力は、スピン分極率がより小さい材料の保磁力もより大きいことは、当業者には周知の事項であったと認められる。
　
　　イ　さて、引用発明において、「強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなどを使用」して、「前記第１の強磁性層２の保磁力とは異なる保磁力を有する第２の強磁性層４を作製する」ものである。すなわち、前記「第１の強磁性層２」と前記「第２の強磁性層４」とは、それぞれの、一方の「保磁力」が他方の「保磁力」より大きい。
　引用刊行物１には、前記「３−１．引用刊行物１の記載事項」の項において摘記したように、段落【００３８】に「トンネル電流のスピン偏極率は、ポテンシャル障壁が高いところでは強磁性体のもつスピン偏極率に等しく、障壁高さが低くなるに伴って小さくなり、さらに低くなると符号が逆転し、絶対値は大きくなっていく。」と記載され、引用発明の「強磁性トンネル接合の積層構造」における強磁性体材料は、それぞれ、スピン偏極率、すなわち、「スピン分極率」を有することも記載されている。
　ここで、上記アのように、スピン分極率がより大きい強磁性体材料の保磁力はスピン分極率がより小さい材料の保磁力もより大きいことが一般であるから、引用発明において、前記「第１の強磁性層２」と前記「第２の強磁性層４」のいずれか一方の「保磁力」を他方の「保磁力」より大きくするために、前記一方のスピン分極率を他方のスピン分極率より大きくするという相違点１に係る構成とすることは、当業者であれば当然に想起すると認められる。
　
　　ウ　そして、引用刊行物２及び引用刊行物３には、前記「３−３．引用刊行物２の記載事項」、及び、前記「３−４．引用刊行物３の記載事項」の項において摘記したように、引用発明と同様の強磁性トンネル接合の積層構造体について記載されている。
　引用刊行物２のフリー層である「ハーフメタル強磁性層１１」は、「非常にスピン分極率の高いハーフメタル強磁性体からなる」のであるから、「反強磁性層３２」ないし「反強磁性層３１」により磁化の方向が固定された「強磁性金属層４２」ないし「強磁性金属層４１」の「スピン分極率」より大きい「スピン分極率」を持つことは明らかである。
　また、引用刊行物３の「フリー層」を構成している「高分極率膜１５」は、「完全スピン分極を持つ金属間化合物」であるから、「反強磁性層１１／強磁性層１２」における「強磁性層１２」の「スピン分極率」より高い「スピン分極率」を持つことは明らかである。
　したがって、引用刊行物２及び引用刊行物３には、強磁性トンネル接合の積層構造体のフリー層を形成する「ハーフメタル強磁性体」材料または「完全スピン分極を持つ金属間化合物」材料のスピン分極率を、前記積層構造体の固定層を形成する強磁性材料のスピン分極率より大きくすること、が記載されていると認められる。
　
　　エ　以上のように、引用刊行物１に接した当業者であれば、前記「第１の強磁性層２」と前記「第２の強磁性層４」との一方のスピン分極率を他方のスピン分極率より大きくすることは、当然に想起すると認められる。また、引用刊行物２及び引用刊行物３には、強磁性トンネル接合の積層構造体において、フリー層を形成する「ハーフメタル強磁性体」材料または「完全スピン分極を持つ金属間化合物」材料からなる強磁性膜のスピン分極率を、固定層の強磁性膜のスピン分極率より高くすることが記載されていると認められる。
　してみれば、引用発明において、「第１の強磁性層２」のスピン分極率を、「磁化」が「固定」されている「第２の強磁性層４」のスピン分極率より高くすることで、前記「第２の強磁性層４」のスピン分極率を前記「第１の強磁性層２」のスピン分極率とは異ならせることは、引用刊行物１、２及び３に接した当業者であれば当然になし得たものと認められる。
　
　　オ　ここで、ホイスラー合金であるＣｏ２ＭｎＳｉがハーフメタルの性質を示すことは、技術常識である。
（周知例２にも記載されているが、要すれば、S.F.Cheng,B.Nadgorny,K.Bussmann,E.E.Carpenter,B.N.Das,G.Trotter,M.P.Raphael,and V.G.Harris,“Growth and Magnetic Properties of Single Crystal Co2MnX(X=Si,Ge)Heusler Alloys”,IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL.37, NO.4,JULY 2001,pp.2176-2178、及び、M.P.Raphael,B.Ravel,Q.Huang,M.A.Willard,S.F.Cheng,B.N.Das,R.M.Stroud,K.M.Bussmann,J.H.Claassen, and V.G.Harris,“Presence of antisite disorder and its characterization in the predicted half-metal Co2MnSi”,PHYSICAL REVIEW B 66,104429(2002),27 September 2002,pp.66 104429-1〜104429-6も参照されたい。）
　そして、強磁性トンネル接合の積層構造体の技術分野において、トンネル障壁層を挟んで対応する固定層ないしフリー層を形成する強磁性膜の、少なくともどちらかを、ホイスラー合金であるＣｏ２ＭｎＳｉによって作成することは、以下の周知例４〜５に記載されるように、周知技術であった。
　
　　カ　一方、本願明細書の段落【００１３】に、「下部磁性膜４２は、第１条件（２０ｍＴｏｒｒ、５００℃）下で形成され、第１電子スピン状態密度を有し、外部磁場が印加される場合にすべての電子が所定の方向にスピン分極されるホイスラー合金（Heusler alloy）やハーフメタル強磁性膜（例えばＣｏ２ＭｎＳｉ膜）から形成されることが好ましい。」と記載され、段落【００４６】には、「ハーフメタル強磁性膜４２は下部磁性膜である。ハーフメタル強磁性膜４２は、８０％〜１００％で、かつ上部磁性膜よりも大きいスピン分極率を有する強磁性膜で形成されることが好ましい。このようなハーフメタル強磁性膜４２は、例えばＣｏ２ＭｎＳｉ膜で形成可能である。Ｃｏ２ＭｎＳｉは、ホイスラー合金であるが、バンド構造から推定するとハーフメタル強磁性膜であることがわかる。」と記載されている。
　すなわち、本願発明において「下部磁性膜はＣｏ２ＭｎＳｉ膜により形成され」ているが、この「Ｃｏ２ＭｎＳｉ膜」は、「下部磁性膜」として好ましい「ホイスラー合金」や「ハーフメタル強磁性膜」の一例であることが、本願明細書の発明の詳細な説明には記載されている。
　
　　キ　してみれば、前記エのように、「第１の強磁性層２」のスピン分極率を「第２の強磁性層４」のスピン分極率より高くするに際して、スピン分極率をより高くする前記「第１の強磁性層２」を形成する材料として、「強磁性を示す合金、ホイスラー合金などのハーフメタル、酸化物系のハーフメタルなど」の中から、非常に高いスピン分極率を有するとともに、前記オで指摘したように、強磁性トンネル接合の積層構造体における強磁性膜として周知な「ホイスラー合金などのハーフメタル」を選択し、具体的には、前記「第１の強磁性層２」の材料として前記ホイスラー合金であるＣｏ２ＭｎＳｉを選択することで、相違点２に係る構成とすることは、当業者であれば適宜に選択し得たものと認められる。
　
　　ク　周知例１：特開２００１−２５０２０６号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、周知例１（特開２００１−２５０２０６号公報）には、図１３とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００４】ここで、図１３を参照して、従来の
強磁性トンネル接合型のＭＲＡＭ
図１３（ａ）参照
図１３（ａ）は、ＭＲＡＭの１メモリセルの概略的構成図であり、ＷＳｉ２ 等の下地層５１上に
ＮｉＦｅ等の強磁性体からなるフリー（ｆｒｅｅ）層５２
ＡｌＯ
Ｘ
 トンネル絶縁層５３
ＮｉＦｅ等の強磁性体からなるピンド（ｐｉｎｎｅｄ）層５４
ＭｎＦｅ等からなる反強磁性層５５
ｂ．「【００１３】また、ＭＲ比を高めるためには、フリー層及びピンド層のスピン分極率Ｐ1 ，Ｐ2 を大きくすれば良く、例えば、Ｐ1 ＝Ｐ2 ＝１とすると、ＴＭＲMax は理論上無限大となるが、
フリー層のスピン分極率Ｐ2 を大きくすると保磁力も大きくなり
ｃ．「【００６２】また、上記の各実施の形態においては、ＭＲＡＭを構成するフリー層として
スピン分極率Ｐ2 がＰ2 ≒０．４５のＮｉＦｅ
スピン分極率が０．４５のパーマロイより高い分極率を有する強磁性体材料、例えば、Ｐ2 ≒０．５５のＣｏＦｅ
　
　　ケ　周知例２：特開２００３−２１８４２８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、周知例２（特開２００３−２１８４２８号公報）には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１３】また「Andreev  reflection:A  new  means  to  determine  the  spin polarization  of  ferromagnetic  materials」(1999  American  Institute of  Physics)のグラフ４には、
ＮｉＦｅ
の分極率Ｐが概ね０．３３〜０．４５である
ｂ．「【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記固定磁性層及びフリー磁性層の少なくとも一方は、強磁性且つハーフメタル的な合金層を有して形成されている
【００１７】本発明はＣＰＰ型の磁気検出素子であり、センス電流は、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に流れる。
【００１８】本発明では、前記固定磁性層及びフリー磁性層の少なくとも一方は、強磁性且つハーフメタル的な合金層を有して形成されていることに特徴がある。
「ハーフメタル（Half-metal）的」とは、強磁性体や反強磁性体において、片方のスピンの伝導電子が金属的な振る舞いをし、他方のスピンの伝導電子が絶縁体的な振る舞いをすることをいう
ｃ．「【００６５】従って前記分極率Ｐが大きい強磁性且つハーフメタル的な合金を磁性層１７として使用することが好ましい。具体的には前記分極率Ｐ（絶対値）は０．５以上であることが好ましい。
本発明では、前記分極率Ｐ（絶対値）が０．５以上である強磁性材料を「ハーフメタル的」な性質を有しているものとする
ｄ．「【００６９】前記
強磁性且つハーフメタル的な合金層の材質として
（１）組成式がＸ２ＹＺ（ただしＸは、周期表のＩＩＩＡ族からＩＩＢ族までのうちから選択された一元素、ＹはＭｎ、Ｚは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｓｂのうちから選択された１種または２種以上の元素）で表される
ホイスラー合金
【００７０】
このホイスラー合金の
具体的な材質としては、Ｃｏ
２
ＭｎＺ（Ｚは
Ｓｉ
を挙げることができる
　……（中略）……
【００７２】（２）組成式がＸＹＺ（ただしＸは、周期表のＩＩＩＡ族からＩＩＢ族までのうちから選択された一元素、ＹはＭｎ、Ｚは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｓｂのうちから選択された１種または２種以上の元素）で表されるホイスラー合金。
【００７３】
このホイスラー合金
は、ＮｉＭｎＳｂ
を挙げることができる
【００７４】これら材質の具体的な分極率Ｐについて説明する。上記した「Andreev  reflection:A  new  means  to  determine  the  spin polarization  of  ferromagnetic  materials」(1999  American  Institute of  Physics)のグラフ４には、
ＮｉＭｎＳｂの分極率Ｐが０．５５である
ｅ．「【００８３】次に図１に示す実施形態では、フリー磁性層２６が磁性層の３層構造であり、この３層の磁性層のうち
真ん中の磁性層２２は、強磁性且つハーフメタル的な合金層
ｆ．「【００８６】また
強磁性且つハーフメタル的な合金よりも保磁力Ｈｃの小さい材質で前記磁性層２３を形成する
前記磁性層２３はＮｉＦｅ合金で形成されることがより好ましい
【００８７】前記フリー磁性層２６は、外部磁界に対して感度良く磁化反転しなければならない。そうでないと再生特性に優れた磁気検出素子を製造できないからである。上記した（１）〜（３）の
ホイスラー合金等の強磁性且つハーフメタル的な合金は保磁力Ｈｃが大きい
ＮｉＦｅ合金で形成された前記磁性層２３は、強磁性且つハーフメタル的な合金やＣｏＦｅ合金などで形成された磁性層に比べて保磁力Ｈｃが小さく
　
　　コ　周知例３：国際公開第２０００／０７４１５４号
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である、周知例３（国際公開第２０００／０７４１５４号）には、以下の事項が記載されている。
ａ．「ＦｅＳｉＡｌおよび
ＮｉＦｅは
スピン分極率が
ＦｅＣｏに比べて低い
　
　　サ　周知例４：特開２００３−２７３４２０号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、周知例４（特開２００３−２７３４２０号公報）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００２２】
本発明のトンネル磁気抵抗効果素子（以下、ＴＭＲ素子と称する。）１の基本構造は、例えば図１に示すように、基板２上に、下地層３と、反強磁性層４と、強磁性体からなる磁化固定層５と、トンネルバリア層６と、強磁性体からなる自由層７と、トップコート層８とがこの順に積層されて構成される
【００２３】そして本発明では、
強磁性トンネル接合９のうち、強磁性層である磁化固定層５、自由層７の少なくとも一方が、強磁性を示す金属間化合物を含有する
　……（中略）……
【００２５】金属間化合物は、ＴＭＲ効果を発現させる観点から、３ｄ軌道のスピンアップ状態とスピンダウン状態とで電子の状態密度が異なる元素であるＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を含むことが好ましい。
【００２６】また、加熱状態での原子の拡散を抑制する観点から、金属間化合物は、先に述べたＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の元素と共有結合的に結合して金属間化合物を生成することが可能な、半金属元素又は周期律表上で３Ｂ族から６Ｂ族の元素をさらに含むことが好ましい。このような半金属元素又は周期律表上で３Ｂ族から６Ｂ族の元素としては、具体的にはＢ、Ｃ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等が挙げられる。
【００２７】ところで、
強磁性を示す金属間化合物としては
金属元素単体の場合は強磁性を示さないが化合物で強磁性を示すものとに分けられる
　……（中略）……
【００３２】
後者、すなわち単体では強磁性を示さない金属元素を含む金属間化合物の例としては
ホイスラー合金として知られる
Ｃｏ
２
ＭｎＳｉ
が挙げられる
　
　　シ　周知例５：特開２００３−３３８６４４号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、周知例５（特開２００３−３３８６４４号公報）には、図１、図８とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００８６】図1では、スライダのトレーリング端面上にアルミナ層（図示せず）を介して、下部電極層を兼用する下部シールド層２０が形成され、下部シールド層２０上に、下地層２１、シード層２２、
第２反強磁性層２３、第１強磁性層２４ａ及び第２強磁性層２４ｂからなる強磁性層２４
非磁性層２５
第１磁性層２６ａ及び第２磁性層２６ｂからなるフリー磁性層２６
が下から順に積層された多層膜Ａ
ｂ．「【０１３０】また非磁性材料層２７は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁材料で形成されていてもよいが、本実施の形態のようにＣＰＰ型の磁気検出素子の場合には、非磁性材料層２７内部にも、膜面と垂直方向にセンス電流が流れるようにしなければならないので、
非磁性材料層２７が絶縁物であるときは、非磁性材料層２７の膜厚を５０Å以下に薄くして形成してトンネル電流が流れるようにする必要がある
ｃ．「【０２４２】
図８に示される磁気検出素子
非磁性材料層２７とフリー磁性層２６の間に半金属強磁性ホイスラー合金層４１が、固定磁性層２８と非磁性材料層２７との間に半金属強磁性ホイスラー合金層４２が形成されている
【０２４３】図８において、図１と同じ符号がつけられた層は、同じ材料同じ膜厚で形成されている。
【０２４４】
半金属強磁性ホイスラー合金層４１、４２は
Ｃｏ
２
ＭｎＳｉ
半金属強磁性ホイスラー合金から形成される
【０２４５】これらの半金属強磁性ホイスラー合金は、半金属であり、キュリー温度が２００℃以上であって室温（２５℃）で強磁性を示し、比抵抗が５０μΩ・ｃｍである。
【０２４６】ＣＰＰ型の磁気検出素子において、図８に示されるような半金属強磁性ホイスラー合金層４１及び４２を有すると、多層膜Ｇ内を流れるアップスピン電子とダウンスピン電子の比率を制御でき、磁気抵抗変化量ΔＲを向上させることができるので好ましい。
【０２４７】また、
半金属強磁性ホイスラー合金層４１はフリー磁性層２６といっしょに磁化方向が変化する
　
５−２．意見書の主張について
　　ア　平成２５年４月３０日に提出された意見書において、審判請求人は、
ａ．『補正後の本願発明（新請求項１・８・１６・１９）では、「下部磁性膜および上部磁性膜は、磁化方向が互いに逆の場合に、相互間に電気化学的な電位差を生じる強磁性膜である」、及び「上部磁性膜は、トンネリング膜上に順次に積層された第１強磁性膜と、該第１強磁性膜の磁化方向を固定する第２強磁性膜とを備え、前記下部磁性膜はＣｏ２ＭｎＳｉ膜により形成され、磁化方向を固定されていない構成である」との構成に特徴を有』する。
ｂ．「すなわち、引用例１〜４に開示されている強磁性層は、本願発明の下部磁性膜の物質（Ｃｏ２ＭｎＳｉ）を具体的に示唆しておらず、これら引用例から、本願発明の“下部及び上部磁性膜は、磁化方向が互いに逆の場合、相互間に電気化学的な電位差が生じる強磁性膜”を想到することはできないと思量致します。
　従いまして、本願発明は、引用例１〜４から導出し得ない構成及び発明思想を有し、それに基づいて格別の作用効果を奏するものであり、その進歩性が明らかでありますから、ご指摘の特許法第２９条第２項の規定に触れるものではないと思量致します。」
と主張している。
　
　　イ　しかしながら、本願発明は、「多用途磁性膜構造体の製造方法」の発明であり、したがって、前記「製造方法」により「製造」された「多用途磁性膜構造体」の構造・特性を特定する物の発明ではない。
　そして、本願の請求項１、１６及び１９に係る発明とは異なり、本願の請求項８には、前記「製造方法」により「製造」された「多用途磁性膜構造体」において「前記下部磁性膜および前記上部磁性膜は、磁化方向が互いに逆の場合に、相互間に電気化学的な電位差を生じる」ことは、何ら特定されていない。
　したがって、前記主張は、本願発明に関しては、特許請求の範囲の記載に基づくものではない。
　よって、意見書の前記主張は採用することはできない。
　
　　ウ　前記「５−１．相違点１及び２について」で検討したように、「多用途磁性膜構造体の製造方法」の発明である本願発明の構成は、引用発明、引用刊行物２及び３に記載された発明及び周知技術から、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　しかしながら、前記アのように、審判請求人は、本願発明に関して「下部磁性膜および上部磁性膜は、磁化方向が互いに逆の場合に、相互間に電気化学的な電位差を生じる強磁性膜である」としか主張していない。
　そこで、補足として、引用発明により「作製」された「強磁性トンネル接合の積層構造」という物において、その「第１の強磁性層２の磁化の方向」を「第２の強磁性層４の磁化」と「反対の方向に、変化させ」た場合に、２つの「強磁性層」の相互間に電気化学的な電位差を生じることを、当業者が予期し得たかどうかについて検討する。
　
　　エ　磁性層構造体の技術分野において、少なくとも一方は、ほとんど完全にスピン分極している２つの強磁性層を、その間に高抵抗層や絶縁材料などを挟んで対向させた構造を有し、一方の強磁性層から他方の強磁性層にキャリアが移動することができる磁性層構造体にあっては、前記２つの強磁性層の磁化方向が互いに逆の場合は、一方の強磁性層から注入されるキャリアの数が、他方の強磁性層へ排出されるキャリアの数を上回るため、前記２つの強磁性層の相互間にケミカルポテンシャル差が発生すること、前記２つの強磁性層の磁化方向が同方向である場合は、そのようなケミカルポテンシャル差は発生しないことは、以下の周知例６〜７に記載されるように、周知の事項であった。
　なお、上記のように、前記２つの強磁性層の磁化方向を互いに逆に設定して、一方の強磁性層から注入されるキャリアの数が、他方の強磁性層へ排出されるキャリアの数を上回るようにすると、前記２つの強磁性層の相互間にケミカルポテンシャル差が発生するのは、前記注入されるキャリアの電荷が前記高抵抗層や絶縁材料などに面する前記一方の強磁性層に蓄積され、その結果、前記注入されるキャリアの電荷と反対の極性の電荷が前記高抵抗層や絶縁材料などに面する前記他方の強磁性層に蓄積されるからである、と解される。
　
　　オ　ここで、前記「５−１．相違点１〜２について」のア〜イで検討したように、引用発明の「第２の強磁性層４」は「第１の強磁性層２の保磁力とは異なる保磁力を有する」から、前記「第２の強磁性層４」の「スピン分極率」は「前記第１の強磁性層２」の「スピン分極率」とは異なると認められる。
　この「スピン分極率」とは、強磁性体のスピンがどの程度偏っているかを示す指標である。したがって「スピン分極率」が異なる引用発明の「第１の強磁性層２」と「第２の強磁性層４」とでは、スピンの偏りの程度が異なるから、前記「第１の強磁性層２」と「第２の強磁性層４」との間でキャリアの移動が起こると認められる。
　
　　カ　したがって、引用発明により「作製」された「強磁性トンネル接合の積層構造」において、引用刊行物１の段落【００２２】に記載されるように「一方の強磁性層の磁化のみを外部磁場により反転させる」場合は、結果として、「第１の強磁性層２」と「第２の強磁性層４」の相互間に電気化学的な電位差が生じることは、当業者であれば予期し得たものと認められる。
　
　　キ　周知例６：特開２０００−０２２２３７号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、周知例６（特開２０００−０２２２３７号公報）には、図１〜図４とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１８】更に、本発明にかかる磁気検出素子では、前述したように、
二枚のほとんど完全にスピン偏極した強磁性金属酸化物材料からなるスピン注入層（図１の符号２）とスピン検出層（図１の符号４）の間に、該強磁性金属酸化物材料と反応しにくくかつ格子整合性の良い導電性の非磁性酸化物材料からなる遷移層（図１の符号３）を挟んだ構造を有する
ｂ．「【００２０】更に、本発明の磁気検出素子では、
遷移層として単体金属や合金よりも抵抗率の比較的大きな非磁性導電性酸化物を用いている
このため、スピン注入層からのスピン偏極したキャリアの注入により生じる常磁性金属層内でのアップスピンバンドとダウンスピンバンドのごくわずかな電子数の差によっても大きなケミカルポテンシャル差が発生し
ｃ．「【００２４】
【発明の実施の形態（１）】図１にこれを示す。この図１に示す第１の実施形態において、符号１は基板を示す。この基板１は素子部分を保持する機能を備えている。
基板１の上に形成されたほとんど完全に（高度に）スピン偏極した強磁性金属材料からなるスピン注入層２は、スピン偏極したキャリアを遷移層３に注入する機能を備えている
【００２５】遷移層３はスピン注入層２とスピン検出層４との間に挟まれており、外部磁場により変化するスピン注入層２とスピン検出層４の磁化の方向の相対関係により電圧を発生し外部出力する役目を果たす。
【００２６】即ち、
スピン注入層２とスピン検出層４の磁化の方向が平行の場合、スピン注入層２から遷移層３へ注入されたキャリアとほぼ同数のキャリアが遷移層３からスピン検出層４へ排出されるので、スピン注入層２とスピン検出層４との間にはほとんど電位差を生じない
スピン注入層２とスピン検出層４の磁化の方向が反平行の場合、スピン注入層２から遷移層３へ注入されたキャリアの数が遷移層３からスピン検出層４へ排出されるキャリア数を上回るため、スピン注入層２とスピン検出層４との間に電位差を生じる
【００２７】ほとんど完全にスピン偏極した強磁性金属からなるスピン検出層４は、遷移層３からスピン偏極したキャリアを受け取る役目を果たす。符号５は電極を示す。この電極５は、スピン注入層２とスピン検出層４との間の電位差を取り出す役目を果たす。層間絶縁膜６はスピン注入層２とスピン検出層４が短絡することを防止する役目を果たす。
【００２８】又、必要に応じて、
スピン注入層２又はスピン検出層４のどちらか一方のスピンを固定した状態で当該素子を動作させる
　
　　ク　周知例７：特開平０９−２１４０１８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、周知例７（特開平０９−２１４０１８号公報）には、図１〜図７とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００２７】図１（ａ）に、本発明の磁気センサの第１の実施の形態の１例を示す（基板および電極は省略）。基板上に、
第１の領域（Ｐ部（１））及び第２の領域（Ｄ部（２））が形成され、これらの間に、２つの領域の自発磁化の向きを独立に変化させることを可能にする遷移領域（Ｎ部（３））が設けられている
ｂ．「【００３２】Ｎ部（３）は、Ｐ部（１）とＤ部（２）との間に磁壁が形成され固定されるように、狭小に形成する。
このＮ部の材料は、Ｐ部およびＤ部と
異なる材料であってもよい。異なる材料としては、
絶縁材料であってもよい
【００３３】Ｎ部の材料がＰ部およびＤ部と同じ場合は、図１（ａ）のように一体にパターン加工することができる。一方、Ｎ部の材料がＰ部およびＤ部と異なる場合は、図１（ｂ）のようにＰ部とＤ部との間にギャップ（４）を設け、このギャップに強磁性体ではない材料でＮ部を形成することができる。
【００３４】
第１の領域および第２の領域は
一方の領域をほとんど完全にスピン偏極した材料で形成し、他方の領域を鉄やパーマロイ等の通常の強磁性体材料で形成してもよい
ｃ．「【００３９】図４に、本発明の磁気センサにおいて、Ｐ部からＤ部へ電子を注入したときの電子のエネルギー状態を示す。図４（ａ）はセンサのＰ部とＤ部の自発磁化によるスピンの向きが同じ場合を示し、図４（ｂ）は逆向きの場合を示す。なお、図中の矢印はスピンの方向を示し、斜線部は電子に占有されている領域を示す。
【００４０】
磁気センサのＰ部から注入されＰ−Ｎの境界を越えてＮ部に流れ込む電子は、スピン偏極している
Ｄ部の自発磁化がＰ部と同方向である場合は、Ｐ部からＮ部に注入された電子がそのままＤ部に流れ込めるため電位差はほとんど発生しない
Ｄ部がＰ部とは逆向きに磁化している場合は、図４（ｂ）中のＶsに相当する電位差が発生する
【００４１】本発明の
磁気センサとしての動作は
Ｐ部またはＤ部の一方のみの磁化の向きを反転させ、磁場があるときと無いときとの電位差の違い（Ｖs）を測定することによって行う
　
５−３．小括
　以上のとおりであるから、相違点１及び２は、引用刊行物２及び３に記載された発明と周知技術を勘案すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　そして、本願発明の効果も、引用発明、引用刊行物２及び３に記載された発明及び周知技術から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用刊行物１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。