(57)【要約】【課題】    ＬＥＤ素子の順方向電圧の通電不良が生じる可能性や逆方向電圧の印加により破壊やショート等の不都合を生じる可能性を減少する。【解決手段】    発光装置の製造方法は、半導体積層と、半導体積層の両面に形成された上下電極とを有し、平面形状の寸法が５０μｍ以下であり、厚さが１０μｍ以下であり、上下電極の一方を絶縁膜で覆う複数の微小発光素子を形成し、透光性絶縁樹脂溶液を作成し、微小発光素子を混合し、微小発光素子を含む透光性絶縁樹脂溶液を下側基板上に印刷し、表面に露出した絶縁膜を除去し、下側基板上の印刷に上側基板を結合することにより、絶縁膜を除去した微小発光素子は給電可能とし、絶縁膜を除去しない微小発光素子は給電不能とする。【選択図】  図１−３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体積層と、前記半導体積層の両面に形成された上下電極とを有し、平面形状の寸法が５０μｍ以下であり、厚さが１０μｍ以下であり、前記上下電極の一方を絶縁膜で覆う複数の微小発光素子を形成し、
透光性絶縁樹脂溶液を作成し、前記微小発光素子を混合し、
前記微小発光素子を含む前記透光性絶縁樹脂溶液を下側基板上に印刷し、
表面に露出した前記絶縁膜を除去し、
前記下側基板上の印刷に上側基板を結合することにより、前記絶縁膜を除去した微小発光素子は給電可能とし、前記絶縁膜を除去しない微小発光素子は給電不能とした、
発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜が、エッチング特性のよい絶縁膜であり、前記絶縁膜を除去する工程がエッチングである請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチングがウエットエッチングである請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜が酸化シリコンを含み、前記エッチングがバッファード弗酸を用いたウエットエッチングである請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記印刷がスクリーン版を用いるスクリーン印刷であり、前記透光性絶縁樹脂溶液をスクリーン版上に配置し、スキージを用いてスクリーン版を通過させることを含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記下側基板及び前記上側基板が透光性フィルム状支持体の上に導電領域を有するものである請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記微小発光装置と前記上側基板の間に接続剤を用いる請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
対向配置され、それぞれ導電領域を有する、下側、上側の透光性基板と、
前記下側透光性基板の導電領域上に配置された多数の微小発光素子であって、各微小発光素子は半導体積層とその両面上に形成された第１、第２の電極とを有し、面内の寸法が５０μｍ以下であり、厚さが１０μｍ以下であり、前記下側透光性基板側に第１の電極が配置された第１の素子群と前記下側基板側に第２の電極が配置された第２の素子群を含む多数の微小発光素子と、
前記第１の素子群の第１の電極を覆い、前記下側透光性基板との導電性を遮断する絶縁膜を含み、
前記多数の発光素子を包囲し、前記一対の透光性基板の間に配置された透光性絶縁樹脂層と、
を有する発光装置。
【請求項９】
前記第２の素子群の表面側に配置された前記第１の電極は、前記絶縁膜に覆われていない請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記絶縁膜が酸化シリコンを含む膜である請求項８または９に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数の微小な発光素子を含む発光装置の製造方法、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
車載ランプ、ディスプレイ、照明などの製品分野において、発光面の輪郭形状を自由に設計でき、発光面を曲面上に配置できる発光装置への期待が高まっている。例えば、上述の要望を実現しようとする有機ＥＬ(electroluminescence)素子を使用した発光装置が実用化されつつある。
【０００３】
本発明者は、例えば多数の微小な半導体発光素子、一例として平面形状が一辺５０μｍ以下の正方形であり、高さ（厚さ）が１０μｍ以下である薄板形状、かつ上下電極型の発光ダイオード(light emitting diode; LED)を多数用いて、上述の発光装置を製造することを検討している。基板面上に薄板形状を沿わせると上下電極は一方が基板側に、他方が上方に配置され、両電極への電源接続が容易になる。但し向きは制御できない。希望の向きを決めると、その向きを有する素子は全体の約半分となる。
微小な発光素子を多数用いて、所望面積内に分布させることにより、任意の形状を持つ発光面が実現可能となる。発光面が全体として曲率を有する曲面であっても、微小発光素子の寸法内で実質的に平坦な平面であれば、微小発光素子の実装が可能であろう。
【０００４】
多数の微小発光素子の配置をどのように実行するか、問題となり得る。ピックアップ実装等の手段によって、多数の微小発光素子を基材上に配置することは困難であり、可能であっても時間がかかって非実用的になる。多数の微小発光素子を容易に配置できる方法が望まれる。
【０００５】
微小発光素子をピックアップせずに、所定領域に配置する方法として、印刷技術によって微小発光素子を基材上に配置する方法が考えられる（例えば特許文献1，２）。多数の微小発光素子をキャリア液の中に混合し、配線を有する支持シート上にキャリア液を印刷することにより、多数の微小発光素子を配置できる。キャリア液として、透光性絶縁樹脂を溶媒中に溶解したものを用いると、透光性絶縁樹脂が出射光を透過できる絶縁層を形成する。所定面積内に多数の発光素子を配置した発光装置を形成する場合、発光面積内の多数の発光素子の分布がほぼ均一であれば、個々の発光素子の位置はあまり問題とはならないと考えられる。
【０００６】
微小な発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いる場合、ｎ型半導体層、半導体発光層、ｐ型半導体層を含む半導体積層を形成し、積層の両面にｎ側電極、ｐ側電極を形成する。多数の微小ＬＥＤを透光性絶縁樹脂溶液中に混合し、表面に導電層を有する支持シートの上に、多数の微小ＬＥＤ素子を含む透光性絶縁樹脂溶液を印刷し、溶媒を乾燥させることによって、微小ＬＥＤ素子を導電層上に配置することが可能であろう。  
【０００７】
印刷技術としては、スクリーン印刷、凸版印刷、平板印刷、凹版印刷、オフセット印刷等が知られているが、本出願ではスクリーン印刷を用いることにする。スクリーン印刷では、繊維状のスクリーンを枠に張って固定し、その上に開口領域を有する版膜（レジスト）を作り、印刷領域以外の目を塞いだスクリーン版を作製する。スクリーン版の枠内に絶縁樹脂を載せ、スキージで絶縁樹脂を摺動することにより、レジストのない印刷領域のスクリーンを通して絶縁樹脂を被印刷物上に転写する。絶縁樹脂に一定密度の発光素子を含ませることにより、絶縁性樹脂に含まれた発光素子を被印刷物上に配置することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】ＵＳＰ  ９，０８２，９３６
【特許文献２】特開２０１６−４０８２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
薄板状の微小発光ダイオード（ＬＥＤ）を透光性絶縁樹脂中に混合して基板上に印刷すると、微小ＬＥＤは表向きか、裏向きで基板上に配置される。表向き配置のＬＥＤは、順方向電圧を印加されて所定の発光を生じることが期待される。しかし、ＬＥＤの上面上に透光性絶縁樹脂残渣が残ると、通電不良が生じる可能性がある。裏向き配置のＬＥＤは発光に寄与しない。しかし、逆方向電圧の印加により破壊やショート等の不都合を生じる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
ＬＥＤの一方の電極（第１電極）の表面を絶縁膜で覆う。表向き配置されたＬＥＤにおいて、第１電極が上側に配置され、絶縁膜で覆われるようにする。裏向き配置されるＬＥＤにおいては、第１電極が下側に配置され、絶縁膜で覆われることになる。透光性絶縁樹脂中にＬＥＤを混合して基板上に印刷した状態で、表向き配置のＬＥＤ上に透光性絶縁樹脂残渣が残る場合、第１電極上に絶縁膜が存在し、その上に透光性絶縁樹脂残渣が残ることになる。絶縁膜をエッチング除去すると、残差も除去される。印刷された裏向き配置のＬＥＤは、第１電極と基板上の配線との間に絶縁膜が存在し、電流を流さない。
【発明の効果】
【００１１】
表向き配置のＬＥＤは、絶縁膜をエッチング除去することにより、その上の透光性絶縁樹脂残渣もリフトオフされて第１電極が露出し、確実な通電が可能となる。裏向き配置のＬＥＤは、基板上の配線と第１電極との間に絶縁膜が存在し、電流は流れず、不都合な現象や短絡は防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１−１】、
【図１−２】、
【図１−３】、および
【図１−４】図１Ａ〜図１Ｎは、第１実施例による微小ＬＥＤの製造方法を示す概略断面図である。
【図２】図２Ａ−２Ｄは、第２実施例による微小ＬＥＤの構成を示す概略断面図である。
【図３】図３は、第３実施例による微小ＬＥＤの構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００１３】
ＧＳ    成長基板、  １１    下地層、  １２    ｎ型ＧａＮ層、  
１４    発光層、  １６    ｐ型ＧａＮ層、  ＲＰ    レジストパターン、  
２１    ｐ側電極、  ２２    第１（保護）絶縁膜、  ＳＳ    支持基板、  
２３    ウエハ接合剤、  ２７    ｎ側電極、  ２８    第２（犠牲）絶縁膜、    
３２    透光性絶縁樹脂溶液、  ３３    スキージ、  ３４    スクリーン版、    ３５    開口領域、  ３９    Ａｇペースト、  ＬＥ    下側基板、    
ＵＥ    上側基板。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、実施例による発光装置の製造方法を説明する。実施例においては、微小ＬＥＤ素子の一方の電極を、酸化シリコン等のエッチング可能な第２絶縁膜で覆う。絶縁保護のための第１絶縁膜と第２絶縁膜とはエッチング特性が異なる。
第１の実施例
印刷された微小ＬＥＤは、正規の電流を供給されて発光を行う表向きのものと、表向きのモノとは逆の向きに配置され、発光に寄与しない裏向きのモノを含む。表向きの素子の上側電極をアノード、下側電極をカソードとする。アノードをエッチング可能な絶縁膜で覆う。裏向きに配置された素子において、アノード電極は下側に配置され、絶縁膜で覆われて通電を防ぐ。表向きに配置された素子において、表面側に配置されたアノード電極表面上の絶縁膜はエッチングで除去する。絶縁膜上に付着する樹脂残渣等もリフトオフで除去され、清浄な電極面が露出する。表向きの素子に対する適正な通電を保証し、裏向きの素子に対する給電を阻止して不都合な現象の発生を抑制する。以下、図面を参照して、製造プロセスを説明する。
（工程１：図１Ａ参照）
両面研磨されたｃ面サファイア基板を成長基板として用いる。成長基板上に、ＭＯＣＶＤを用いて厚み１０μm以下のＬＥＤ構造用半導体積層を成長する。まず成長基板ＧＳ表面上に、低温でＧａＮバッファ層を成長し、基板温度を結晶化温度に昇温して結晶化を促進し、その後同じ温度でアンドープＧａＮ層を成長する。良好な結晶性を有するＩｎｘＧａ１−ｘＮ層（ＧａＮ系層と呼ぶことがある）の成長が可能となる。ＧａＮバッファ層とアンドープＧａＮ層をまとめて下地層１１と呼ぶことにする。下地層の図示は、以下適宜省略する。下地層１１の上に、ｎ型ＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１４、およびｐ型ＧａＮ層１６を形成する。ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層は、ＩｎＧａＮ層を井戸層、ＧａＮ層を障壁層とする多重量子井戸層である。
（工程２：図１Ｂ参照）
ｐ型ＧａＮ層１６の上に、ｐ側コンタクト電極２１Ａを形成する。ｐ側コンタクト電極２１は、たとえば厚さ約２０ｎｍのＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜をスパッタ法で成膜して形成する。ｐ側コンタクト電極２１Ａの整形は、例えば予めコンタクト電極形状の開口を有するレジストパターンＲＰ１を形成し、コンタクト電極２１Ａ堆積後、不要コンタクト電極層をエッチングして行う。その後、レジストパターンＲＰ１は除去する。また、電極層形成後に電極領域を覆うレジストパターンを形成し、電極層の不要部をエッチングしてもよい。
（工程３：図１Ｃ参照）
半導体積層の上に、各ｐ側電極２１を覆い、微小ＬＥＤ素子の形状を有するレジストパターンＲＰ２を形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等により、露出領域の半導体積層をエッチングする。例えば、エッチャントガスとしてＣｌ２とＡｒの混合ガスを用いる。半導体積層の各素子領域１０が画定される。その後、レジストパターンＲＰ２を除去する。
（工程４：図１Ｄ参照）
ｐ側コンタクト電極２１Ａ中心部等をレジストパターンＲＰ３で覆い、発光層の絶縁保護のため、例えばスパッタ法により、厚さ約２００ｎｍのＳｉＯＮ膜等の第１絶縁膜２２を形成する。露出している半導体積層表面は第１絶縁膜２２により覆われる。尚、第１絶縁膜は、保護絶縁膜として機能するもので、ＳｉＯＮ膜に限らない。窒化シリコン膜、酸化アルミニウム（アルミナ）膜等を組み合わせて用いてもよい。その後、レジストパターンＲＰ３は除去する。ｐ側コンタクト電極２１Ａの中心部が露出する。また、先に第１絶縁膜２２を形成し、その上にレジストマスクを形成し、不要部の第１絶縁膜をエッチングしてもよい。
（工程５：図１Ｅ参照）
絶縁膜２２の開口を介してｐ側コンタクト電極２１Ａに接続するｐ側上部電極２１Ｂを、例えば厚さ２００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリングで形成することにより、形成する。図１Ｂと同様の工程を用い、予めリフトオフ用のレジストパターンを形成し、堆積後不要部をリフトオフすることができる。
（工程６：図１Ｆ参照）
成長基板ＧＳを剥離するために、ＬＥＤ素子構造に支持部材を取り付ける。ウェハ接合剤２３を介して、素子の上部側（ｐ側電極側）をサファイア基板（支持基板）ＳＳに貼り付ける。支持基板ＳＳは、サファイア等の高耐久性材料で形成されることが望ましい。例として、支持基板ＳＳへの貼り付けは、素子上部にウェハ接合剤２３をスピンコートにより５０μｍの厚さに塗布し、１３０℃で１０分間、２５０Ｎ／ｍ２の圧力で支持基板ＳＳに押圧することで行った。微小ＬＥＤ素子構造１０が、ウェハ接合剤２３に囲まれ、一対のサファイア基板ＧＳ，ＳＳに挟まれる。なお、ウェハ接合剤としては、Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ 社の Ｂｒｅｗｅｒ ＢＯＮＤ ２２０ を用いることができる。
（工程７：図１Ｇ参照）
レーザリフトオフ法により、成長基板ＧＳを剥離する。一例として、波長２４８ｎｍのエキシマレーザの光を成長基板ＧＳ側から照射し、ＧａＮ下地層１１を加熱分解して、成長基板ＧＳを剥離させる。レーザリフトオフで発生したＧａを熱水等で除去し、表面処理を行うことにより、ｎ型ＧａＮ層１２が露出する。
（工程８：図１Ｈ参照）
露出したｎ型ＧａＮ層１２上に、ｎ側電極２７を形成する。ｎ側電極２７は、例えば、厚さ約３００ｎｍのＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕの金属積層を蒸着して形成する。電極領域を開口するレジストパターンを予め作成しておき、金属積層の形成後、レジストパターンごと不要部をリフトオフする。また、蒸着後、積層上にレジストパターンを形成し、不要部を除去してもよい。
（工程９：図１Ｉ参照）
ｎ側電極２７を覆って、第１絶縁膜２２とはエッチング特性の異なる第２絶縁膜２８を形成する。第２絶縁膜２８は、第１絶縁膜をエッチングせずに、エッチング除去可能なものである。エッチングされる場合は、第２絶縁膜は犠牲絶縁膜として機能する。例えば、リフトオフ用のレジストパターンを形成した後、スパッタリングで厚さ２００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜を形成する。その後、レジストパターンは除去し、不要部の絶縁膜も除去する。酸化シリコンの第２絶縁膜は、バッファード弗酸で容易にエッチングでき、この時ＳｉＯＮの第１絶縁膜はエッチングせず、残せる。第１、第２の絶縁膜として他の組み合わせも可能であるし、同一の材料を用いることもできる。
（工程１０:図１Ｊ参照）
支持基板ＳＳから発光素子１０の分離を行う。例えば、ウェハ接合剤２３を剥離液でエッチングすると、微小ＬＥＤ素子が剥離液中にバラバラに分散した状態となる。支持基板ＳＳを除去し、目の細かい紙で剥離液を濾過すること等で、微細ＬＥＤ素子のみを取り出すことができる。
（工程１１：図１Ｋ参照）
透光性絶縁樹脂溶液３２を準備し、ｎ側電極２７を第２絶縁膜２８で覆った発光素子１０を混合して発光素子入り透光性絶縁樹脂溶液を作製する。例えばアクリルや塩酢ビニルを含むような疎水性かつ透光性絶縁樹脂を溶剤に溶解したものを使用する。透光性絶縁樹脂溶液３２は、透光性絶縁樹脂、溶剤（溶媒）と、必要な顔料を混ぜて作られる。透光性絶縁樹脂は塩酢ビニル、塩化ゴム、塩素化ポリプロピレン、アクリル、ポリアミド、ポリウレタン等を用いる。いずれも疎水性の材料である。溶剤（溶媒）は、主に酢酸エチルやイソプロピルアルコール等が用いられ、粘度調整及び乾燥速度調整も行う。顔料は、用途に応じて用いられる任意性部材である。例えば、素子の発光と組み合わせて、異なる波長の光を取り出すような蛍光顔料を用いる。例えば、青色発光素子と組み合わせて黄色蛍光顔料を用い、白色光を取り出す。また発光素子の発光波長の一部を吸収する顔料を用いることもできる。赤外発光素子は、可視赤色光も発光する場合があり、赤見えを防ぎたい場合は、赤色の発光を吸収する顔料を組み合わせ、赤見えを防止する。
（工程１２：図１Ｌ参照）
発光素子１０入り透光性絶縁樹脂溶液３２をスクリーン印刷によって導電領域を有する下側基板ＬＥ上に塗布する。下側基板ＬＥは、例えば表面に導電領域を備えたフィルム状支持材で形成する。スクリーン印刷装置のスクリーン版３４の枠内に透光性絶縁樹脂溶液３２を載せ、スキージ３３で透光性絶縁樹脂溶液３２を摺動することにより、レジストのない開口領域３５のスクリーンを通して透光性絶縁樹脂溶液３２を被印刷物である下側基板ＬＥ上に転写する。スキージ３３で押し込まれる際に、薄板状の発光素子１０はスクリーン版３４に平行な向きに姿勢制御されると考えられる。透光性絶縁樹脂溶液３２に一定密度の発光素子１０を含ませておくことにより、所望密度の発光素子１０を下側基板ＬＥ上に配置することができる。
（工程１３：図１Ｍ参照）
下側基板ＬＥ上に塗布された発光素子１０を含む透光性絶縁樹脂溶液３２を概略的に示す。発光素子１０入り透光性絶縁樹脂溶液３２をスクリーン印刷によって下側導電基板ＬＥ上に塗布した後、印刷物を常温環境に３０分おき、透光性絶縁樹脂溶液３２を乾燥させる。発光素子の向きは制御されないので、第２絶縁膜２８に覆われたｎ側電極２７が表面側に配置された表向き素子と、ＩＴＯのｐ側上部電極２１Ｂが表面側に配置された裏向き素子とが混在する。裏向き素子においては、下側基板ＬＥの導電層と裏向き素子との間に、第２絶縁膜２８が存在するので、電流経路は第２絶縁膜２８により断絶され、素子には電流が給電されない。
（工程１４：図１Ｎ参照）
表面に露出した第２絶縁膜２８をエッチングで除去する。例えば、酸化シリコン第２絶縁膜２８は、バッファード弗酸（ＢＦＡ）で除去できる。第２絶縁膜２８の上に透光性絶縁樹脂残渣が残っている場合、残差は第２絶縁膜２８ごと除去される。これにより、第２絶縁膜２８の下に覆われていたｎ側電極２７が清浄な表面を伴って露出される。
（工程１５：図１Ｏ参照）
第２絶縁膜２８エッチング後、微小ＬＥＤ素子１０と透光性絶縁樹脂層３２Ｓを含む塗布物の上部に、たとえばＡｇペースト層等の接続剤３９を塗布し、表向き素子のｎ型電極２７に接続された導電層を形成する。尚、発光パターン以外の領域にはＡｇペースト層３９を形成する必要はない。Ａｇペースト層３９の上に、上側基板ＵＥの導電領域を載せ、押圧する。１５０℃で３０分間乾燥させて固定する。上側基板ＵＥは、例えば表面に導電領域を備えたフィルム状支持材で形成する。上側基板ＵＥ、下側基板ＬＥのフィルム部分をアクリル等の透光性絶縁樹脂で形成すると、可撓性を有する透光性発光装置を形成することが可能である。
【００１５】

第２実施例
第１実施例では、図１Ｃの工程でｎ型半導体層１２を分断し、図１Ｅの工程で成長基板ＧＳに到達するｐ側上部電極２１Ｂを形成した。ｎ型半導体層の厚さの一部を残すエッチングを行い、ｐ側上部電極の形状を変更することもできる。
【００１６】
図２Ａに示すように、図１Ｃに対応するエッチングでｎ型半導体層１２の厚さの一部を残し、半導体層の側面を覆う第１絶縁膜２２を形成する。ｎ型半導体層１２は、隣接する素子間に延在する形状であり、第１絶縁膜２２がその上に延在する。ｐ型半導体層１６上に形成したｐ側コンタクト電極２１Ａが第１絶縁膜２２の開口内に露出する。
【００１７】
図２Ｂに示すように、第１絶縁膜２２上にｐ側上部電極２１Ｂを形成し、第１絶縁膜２２の開口内でｐ側コンタクト電極と接続する。延在するｎ型半導体層１２とｐ側上部電極２１Ｂの間には、第１絶縁膜２２が存在する。その後、成長基板を剥離し、ｎ型半導体層上にｎ側電極２７を形成し、絶縁膜２８で覆い、各素子に分離する。図１Ｆ−１Ｉ同様の工程である。
【００１８】
図２Ｃは、ｎ側電極２７を絶縁膜２８で覆った個別素子の構造を示す。ｎ型半導体層１２とｐ側上部電極２１Ｂとは離されており、絶縁膜２２が介在する。
【００１９】
図２Ｄは、透光性絶縁樹脂３２に複数の素子を混合し、下側基板ＬＥ上に透光性絶縁樹脂溶液３２を印刷することで半導体素子を配置した状態を示す。図１Ｍに相当する状態である。
【００２０】

第３実施例
第１実施例においてはエッチング除去される第２絶縁膜をｎ側電極を覆うように形成した。ｐ側電極を覆って、エッチング除去できる第２絶縁膜を形成することもできる。
【００２１】
図３は、ｐ側電極を覆って絶縁膜を形成した微小ＬＥＤ素子を概略的に示す。図１Ａ同様の工程で、ｎ型ＧａＮ層１２、発光層１４、ｐ型ＧａＮ層１６を含む半導体積層を成長し、図１Ｂ同様の工程で、ｐ型電極２１を形成する。第３の実施例においては、十分な厚さを有する単一のＩＴＯ層でｐ型電極２１を形成する。その後半導体積層を素子単位にパターニングし、側面を保護絶縁膜で覆う。さらに、酸化シリコン等のスパッタリングにより、ｐ型電極２１を覆う犠牲絶縁膜２８を形成する。図１Ｆ，１Ｇ同様の工程により、成長基板を剥離して、ｎ型ＧａＮ層１２の表面を露出する。図１Ｈ同様の工程により、ｎ側電極２７を形成する。必要な保護絶縁膜を形成する。半導体積層の上下両側に電極が形成され、一方の電極を犠牲絶縁膜が覆うことは第１の実施例同様である。
【００２２】
下側基板上への印刷、印刷後の犠牲絶縁膜のエッチング除去は、図１Ｋ〜１Ｎの工程同様に行い、表向き素子の上側に配置された犠牲絶縁膜２８を除去し、ｐ側電極２１を露出する。裏向きの素子においては、下側に配置されたｐ側電極２１を絶縁膜２８が覆う。図１Ｏ同様の工程により、表向き素子のｐ側電極２１に、Ａｇペースト層、上側基板を結合する。
【００２３】
以上実施例に沿って発明を説明したが、実施例で用いた構成、材料、数値などは制限的なものではない。例えば、半導体積層の一方の面に金属電極、他方の面に透明電極を形成する場合を説明したが、逆の構成でも、微小ＬＥＤ素子のｐ側電極とｎ側電極が共に金属積層で形成されるものであってもよい。金属電極の面積、形状は種々変更してもよい。
【００２４】
その他、種々の追加、置換、改良、組み合わせ等が可能である。
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図１−４】
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【図２】
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【図３】
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