【事件の表示】
　特許第３２３５４５０号「単結晶引き上げ用シリコン種結晶及び該シリコン種結晶を用いた単結晶引き上げ方法」の請求項１及び２に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２３５４５０号の請求項１及び２に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯、本件発明
　本件特許第３２３５４５０号に係る出願は、平成８年３月１３日に出願され、平成１３年９月２８日に特許の設定登録がなされ、その後、信越半導体株式会社より、本件請求項１及び２に係る発明の特許につき、特許異議の申立がなされ、これに基づき取消理由通知がなされ、権利者より意見書及び上申書が提出されたものである。
　本件請求項１及び２に係る発明（以下、必要に応じて、それぞれ、「本件発明１」及び「本件発明２」という）は、特許査定時の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】酸素濃度が１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲にあることを特徴とする単結晶引き上げ用シリコン種結晶。
【請求項２】シリコン種結晶径が６ｍｍ以上あることを特徴とする請求項１記載の単結晶引き上げ用シリコン種結晶。
　
II．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、以下の証拠を提示して、
（１）本件発明１及び２は、甲第１〜５号証に記載された発明であり、ないしは、甲第１〜５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり《理由−１》、
（２）本件明細書に対する補正について、（２−１）平成１３年１月１５日の補正は、明細書の記載される「種結晶」を「シリコン種結晶」とする補正を含み、（２−２）平成１３年７月９日の補正は、酸素濃度の測定方法に関する記述を追加するするものであって、本件発明１及び２の特許は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してなされたものであり《理由−２》、
　したがって、それらの特許は取り消すべきものである旨主張する。
甲第１号証：特開平５−４３３８０号公報
甲第２号証：特開平６−２７１３８３号公報
甲第３号証：特開平５−１９４０８３号公報
甲第４号証：特開平６−１２２１１９号公報
甲第５号証：特開平７−３００３８８号公報
　
III．証拠の記載
　甲第１号証（特開平５−４３３８０号公報）には、「溶融層法用単結晶成長装置及び該装置を用いた単結晶中の酸素濃度制御方法」に関し、以下のことが記載されている。
（Ａ−１）「原料を収容したるつぼ及び該るつぼの周囲に配設されたヒータ等を備えた溶融層法用単結晶成長装置において、前記るつぼ内の溶融液面の上方近傍にその先端部が位置し、該先端部の内径が前記るつぼ内径の６０％以上である上方に向かって拡開した逆円錐台形状の熱遮へい治具が、前記るつぼの上方に配設されていることを特徴とする溶融層法用単結晶成長装置。」（特許請求の範囲第１項）
（Ａ−２）「【従来の技術】
　単結晶を成長させるには種々の方法があるが、半導体等の材料に使用されるシリコン単結晶は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）やフロートゾーン法と呼ばれる引き上げ方法によって形成される。」（段落０００２）
（Ａ−３）「【発明が解決しようとする課題】
　通常ＣＺ法においては、使用目的に応じて１２〜１７×１０１７／ｃｍ３の酸素濃度を有する単結晶３６が引き上げられている。」（段落００１０の抜粋）
　
　甲第２号証（特開平６−２７１３８３号公報）には、「シリコン単結晶の製造方法」に関し、以下のことが記載される。
（Ｂ−１）「坩堝内に結晶用原料を充填して溶融し、前記坩堝底部から上側へ向けて凝固させた固体層と、その上の溶融層とを共存させ、前記坩堝周囲に設置されたヒータの加熱により前記固体層を上側から溶融しつつ、溶融層中の酸素を取り込みながら成長させるシリコン単結晶の製造方法において、
　前記坩堝から前記溶融層へ溶出する酸素量を制御すべく、溶融層と坩堝との接触面積を調節しながら固体層を溶融し、シリコン単結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｂ−２）「【従来の技術】
　一般にシリコン単結晶の製造方法としてチョクラルスキー法（ＣＺ法）が広く用いられており」（段落０００２の抜粋）
（Ｂ−３）「【発明が解決しようとする課題】
　ところで、前述したＣＺ法により引上げられた単結晶１６中には、上述の不純物元素の他に酸素を含有している。」（段落０００５の抜粋）
（Ｂ−４）「このように、ＣＺ法で製造されたシリコン単結晶１６中には１３×１０１７〜１７×１０１７ａｔｏｍｓ/ｃｃ程度の酸素が含まれており、これよりも低酸素濃度の単結晶を製造することが困難であるという問題があった。」（段落０００６の抜粋）
　
　甲第３号証（特開平５−１９４０８３号公報）には、「シリコン棒の製造方法」に関し、以下のことが記載されている。
（Ｃ−１）「るつぼ中のシリコン溶融体から引き上げることにより単結晶シリコン棒を成長させ、その際該棒及び該るつぼを互いに反対方向に回転させる、シリコン棒の製造方法において、
　Ａ．該棒を成長させながら、該棒をその軸の回りに、該るつぼの回転速度よりも速い速度で回転させること、
　Ｂ．該棒の長さが長くなるにつれて、該るつぼの回転速度を速くすることからなり、該棒の軸方向と半径方向の両方において酸素濃度分布を均一にすることを特徴とする、シリコン棒を製造するためのチョコラルスキー法。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｃ−２）「【産業上の利用分野】
　本発明は、チョコラルスキー法でシリコン単結晶棒を引き上げる際に」（段落０００１の抜粋）
（Ｃ−３）「シリカに含まれる溶融体から成長させたシリコン結晶は一般に、ＡＳＴＭ規格Ｆ−１２１によって測定して約１０〜５０原子ｐｐｍ（ｐｐｍａ）の酸素濃度を有する。シリカ製るつぼからの酸素は溶融シリコンと反応してＳｉＯを生じさせ、これが溶融体に溶ける。溶けたＳｉＯの一部分は成長する結晶中に取りこまれる。現在工業界で一般に用いられているチョコラルスキー条件（Czochralski conditions）のもとで成長させたシリコン結晶中の酸素濃度は均一ではなく結晶の長さに沿って変化し、例えば、種端部では結晶の中心部および／または底部または中子端部（tang end）におけるよりも高い。１つのシリコン結晶棒中の酸素濃度の最大と最小の差は一般に１０ｐｐｍまたはそれ以上であり、これは３０％またはそれ以上の酸素濃度差を構成する。」（段落０００４）
　
　甲第４号証（特開平６−１２２１１９号公報）には、「種棒切断方法」に関し、以下のことが記載される。
（Ｄ−１）「【従来の技術】
　チョクラルスキー法、フローティングゾーン法等を用いてある結晶方位を有する単結晶を成長させる場合、種子結晶を必要とする。種子結晶の製作に当たっては良質の単結晶インゴットを用意し、その結晶方位に合わせて切断加工を行い、更に、機械的なきず等のない清浄な表面とするため、化学エッチング処理等を施して仕上げる。前記単結晶インゴットの切断加工に際し、光像法により結晶方位を合わせている。」（段落０００２）
　
　甲第５号証（特開平７−３００３８８号公報）には、「シリコン単結晶の製造方法」に関し、以下のことが記載されている。
（Ｅ−１）「本発明の方法では、種結晶から種絞りを行うにあたって、特に、その絞り込み部と絞り部の形態を特定することが重要である。まず、本発明の方法に用いられる種結晶は、単結晶シリコンであり、通常用いられている角柱形状や円柱形状のものが主に採用されるが、例えば、断面四角形状、断面円形のものが挙げられる。この種結晶の太さ寸法は、断面四角形状の場合には、その一辺の長さで、断面円形の場合には、その直径の長さで表され、その長さが１０ｍｍ〜３０ｍｍの範囲のものが主に用いられ、引き上げる単結晶の重量が高重量である場合には、１５〜３０ｍｍの太さのものが採用される。この種結晶の太さ寸法が１０ｍｍより小さいと強度が弱く、直径８インチサイズ以上の大口径の単結晶を成長させるには危険であり、また、３０ｍｍより大きいと種結晶のコストが高くなるという問題があるので好ましくない。」（段落００１５）
　
IV．当審の判断
IV−１．理由−１について
IV−１−１．本件発明１
　本件明細書の記載（特に、段落００１０、００１２〜００１７、及び、実施例１〜５と比較例１〜４）によれば、本件発明１は、その発明の特定事項として、「酸素濃度が１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲にあるシリコン種結晶」を採択することにより、その余の特定事項と相俟って、種単結晶の着液時に導入される転移につき、その上方への伝播を抑制することが可能となり、このことにより、ネッキング工程を不要とし、また、安全に低コストで歩留まりよくシリコン単結晶を引き上げることができるというものである。
　以下、本件発明１の上記特定事項につき、甲第１〜５号証の記載を順次みる。
　甲第１号証に記載の発明では、その前記（Ａ−２）及び（Ａ−３）により、引き上げられたシリコン単結晶の酸素濃度が１２〜１７×１０１７／ｃｍ３であることが示されるだけであって、その引き上げに用いられる種結晶につき、その酸素濃度を「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲」にするとの本件発明１の上記特定事項が示されず、また、そこでは、シリコン単結晶を引き上げる際に用いる種結晶の酸素濃度に関し説明されるところがなく、したがって、当然のこととして、前記した種結晶の酸素濃度と転移の伝播との関係につき示唆するところがない。
　次に、甲第２号証に記載の発明では、その前記（Ｂ−２）〜（Ｂ−４）により、引き上げられたシリコン単結晶中には１３×１０１７〜１７×１０１７ａｔｏｍｓ/ｃｃ程度の酸素が含まれていることが示されるだけで、その引き上げに用いられる種結晶の酸素濃度を「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲」にすることが示されず、また、そこでは、シリコン単結晶を引き上げる際に用いる種結晶の酸素濃度に関し説明されるところがないのであるから、当然のこととして、前記した種結晶の酸素濃度と転移の伝播との関係につき示唆するところがない。
　次に、甲第３号証に記載の発明では、その前記（Ｃ−２）及び（Ｃ−３）により、引き上げられたシリコン結晶はＡＳＴＭ規格Ｆ−１２１によって測定して約１０〜５０原子ｐｐｍ（ｐｐｍａ）の酸素濃度を有すること、すなわち、当該シリコン結晶は、換算によると、約５〜２５×１０１７／ｃｍ３の酸素濃度を有することが示されるだけで、その引き上げに用いられる種結晶の酸素濃度を「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲」にすることが示されず、また、そこでは、シリコン単結晶を引き上げる際に用いる種結晶の酸素濃度に関し説明されるところがないのであるから、当然のこととして、前記した種結晶の酸素濃度と転移の伝播との関係につき示唆するところがない。
　次いで、甲第４号証に記載される発明には、その前記（Ｄ−１）により、チョクラルスキー法を用いてある結晶方位を有する単結晶を成長させる場合、種子結晶は、良質の単結晶インゴットを用意し、その結晶方位に合わせて切断加工を行い、更に、機械的なきず等のない清浄な表面とするため、化学エッチング処理等を施して仕上げることが記載される。
　このように、甲第４号証に記載の発明では、単結晶を引き上げるチョクラルスキー法に用いる種結晶の製作方法につき、その結晶方向を合わせること、機械的なきず等のない清浄な表面とすることが示されるものの、その種結晶の酸素濃度を「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲」にすることまでは示されず、また、そこでは、シリコン単結晶を引き上げる際に用いる種結晶の酸素濃度に関し説明されるところがないのであるから、当然のこととして、前記した種結晶の酸素濃度と転移の伝播との関係につき示唆するところがない。
　最後に、甲第５号証に記載の発明では、その前記（Ｅ−１）により、大口径の単結晶を引き上げるための種結晶の径は、１０ｍｍ〜３０ｍｍの範囲のものが主に用いられることが示されるだけで、その種結晶の酸素濃度を「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲」にすることが示されず、また、そこでは、シリコン単結晶を引き上げる際に用いる種結晶の酸素濃度に関し説明されるところがないのであるから、当然のこととして、前記した種結晶の酸素濃度と転移の伝播との関係につき示唆するところがない。
　以上のとおり、甲第１〜５号証に記載の発明では、種結晶の酸素濃度を「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲」にすることについては示唆されず、本件発明１は、「酸素濃度が１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲にあるシリコン種結晶」を採択する点で、甲第１〜５号証に記載の発明に対して、別異の発明を構成する。
　また、甲第１〜５号証に記載の発明では、シリコン単結晶を引き上げる際に用いる種結晶の酸素濃度と転移の伝播との関係につき示唆するところがなく、したがって、上記意味合いを有する本件発明１の「酸素濃度が１３〜１８×１０１７／ｃｍ３の範囲にあるシリコン種結晶」との特定事項が、甲第１〜５に記載の発明に基づいて当業者の容易に想到できるものではない。
　そうすると、本件発明１は、甲第１〜５号証に記載された発明とはいえず、また、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　
IV−１−２．本件発明２
　本件発明２は、本件発明１の発明に対して、シリコン種結晶の径を更に限定するものであって、本件発明１における特定事項の全てを引用するものである。
　したがって、上記のIV−１−１．で説示した理由と同じ理由により、本件発明２は、甲第１〜５号証に記載された発明とはいえず、また、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　
IV−２．理由−２について
IV−２−１．《２−１》
　本件明細書に対する平成１３年１月１５日の手続補正では、特許請求の範囲、段落０００１、同０００４〜０００６、同０００８〜００３２、同００３５、同００３６、同００３８、同００４０、同００４２、同００４４、同００４６、同００４８、同００４９、同００５５〜００６０、及び図面の簡単な説明において、「種結晶」を「シリコン種結晶」と補正するものであるので、この点、以下に検討する。
　本件の願書に最初に添付した明細書の【発明の属する技術分野】の欄には、「本発明は、・・・に関し、より詳細には、半導体材料として使用されるシリコン単結晶を育成する際に用いられる、単結晶引き上げ用種結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法に関する」（段落０００１）と、本件発明１及び２はシリコン単結晶を育成する際に用いられる種結晶に関するものであることが記載され、また、本件の願書に最初に添付した明細書の【発明が解決しようとする課題】の欄の「シリコン強度（・・・）から算出して、ネック３６ａ径を６ｍｍ程度まで太くする必要がある」（段落０００９）との記載、【課題を解決するための手段及びその効果】の欄の「前記種結晶がシリコン強度（・・・）から算出して十分な強度を有しており」（段落００１４の抜粋）との記載、更には、【発明の実施の態様】の欄の「種結晶１５がシリコン強度（・・・）から算出して十分な強度を有しており」との記載からみて、単結晶の素材としては、シリコンが表示されるのみである。
　そして、シリコン単結晶を育成ないしは引き上げる場合には、その種結晶の素材としては、シリコンを用いる必要があることは、いうまでもない。
　してみれば、上記手続補正により、「種結晶」を「シリコン種結晶」と補正することは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載される事項の範囲内でなされたものであると認められる。
　そうすると、平成１３年１月１５日の手続補正は、「種結晶」を「シリコン種結晶」と補正する点で、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとまではいえない。
　
IV−２−２．《２−２》
　本件明細書に対する平成１３年７月９日の手続補正は、段落００１１中に、
「なお、本発明における酸素濃度は、酸素濃度測定法としてｏｌｄ−ＡＳＴＭを用いて算出された値に統一されており、具体的には次式によって算出された値である。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　［Ｏｉ］＝ｆＣ×α０３（×１０１７ａｔｏｍｓ/ｃｍ３）　　　　　　　　　　　ここでｆＣは変換係数（４．８１）、α０３は１１０６ｃｍ−１の格子間酸素による赤外吸収係数である。」とのことを補正により付加するものであるので、この点、以下に検討する。
（１）願書に最初に添付した明細書には、「上記目的を達成するために、本発明に係る単結晶引き上げ用種結晶（１）は、酸素濃度が１３〜１８×１０１７/ｃｍ３の範囲にあることを特徴としている。」（段落００１１）及び「本発明は、・・・に関し、より詳細には、半導体材料として使用されるシリコン単結晶を育成する際に用いられる、単結晶引き上げ用種結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法に関する」（段落０００１）と記載され、これらの記載からみると、願書に最初に添付した明細書には、シリコン種結晶（１）のシリコンの酸素濃度を１３〜１８×１０１７/ｃｍ３の範囲とすることが記載されているといえる。
（２）次に、そのシリコンの酸素濃度の測定方法につき、特許権者が上申書により提出した参考文献１〜５をみる。
（３）まず、参考文献１〔廣田住友、外１名、「シリコンの科学」、株式会社リアライズ社、１９９６年６月２８日、ｐ．１０２７−１０３０〕の「シリコン業界で使われる測定法規格としては、ＡＳＴＭ（・・・），ＤＩＮ（・・・），ＪＩＳ規格がある。・・・。ＡＳＴＭ規格は，アメリカ規格であるが業界の測定法標準として世界的に使用されている。」（第１０２７頁下から第４〜末行）との記載、及び、参考文献２〔渡辺正晴、外１名著、「シリコン中の酸素、炭素による赤外吸収の最近の話題」、応用物理、１９８７年、第５６間、第７号、ｐ８８８−８９３〕における「赤外吸収による酸素濃度測定法はＡＳＴＭ（American　Society　Testing　and　Materials）Ｆ−１２１が世界的標準である．」（第８８９頁左欄下から第１７行〜下から第１５行）との記載からみると、
　シリコンの酸素濃度の測定方法は、ＡＳＴＭ規格が世界的に使用されており、世界的標準であることが解る。
（４）そして、参考文献１の上記記載に続いて記載される「また，３年ごとに各標準の改訂，存続，廃棄の見直しを行って，最新の技術水準にあわせている。」（第１０２７頁末行〜第１０２８頁第１行）との記載、
参考文献４〔志村史夫著、「半導体シリコン結晶工学」、丸善株式会社、平成５年９月３０日、ｐ．５７−６０、３０８−３１３〕における「ｂ．赤外吸収特性と濃度特性　シリコン単結晶中の酸素，炭素を分析する手段は種々あるが，赤外吸収分光法（ＩＲ　absorption　spectroscopy；以下ＩＲ法と略す）は最も簡便でかつ情報量に富む方法である．・・・。格子間酸素（Ｏｉ）による吸収が５１５ｃｍ−１（ν０２）と１１０６ｃｍ−１（ν０３）に明瞭に観察される．・・・．
格子間酸素濃度（［Ｏｉ］）は，１１０６ｃｍ−１（λ＝９．０４μｍ）のν０３の吸収係数（α０３）を用いて次式で得られる．
　［Ｏｉ］＝ｆＣα０３　　（×１０１７原子/ｃｍ３）　　（６．１７）
　　・・・・・
　ここで，ｆＣは変換係数（calibration　factor）で，α０３は次式で得られる。・・・・・
ｆＣとして，現在，一般に“ＤＩＮ”あるいは“ｎｅｗＡＳＴＭ”とよばれているｆＣ＝２．４５，“ｏｌｄＡＳＴＭ”とよばれるｆＣ＝４．８１，・・・・用いられている．したがって，ＩＲ法で求めたシリコン単結晶中の酸素濃度を議論するとき，用いられたｆＣを明記することが肝要である．」との記載、及び、
参考文献３〔「ＳＥＭＩ規格３４３１号」、Semiconductor　Equipment　and　Materials　International、２００１年８月１７日付会員報〕における、酸素含有量をａｔｍｓ/ｃｍ３で表示する場合の構成係数として、ＡＳＴＭ１２１−７９（ｏｌｄ）：４．８１５×１０１７、ＡＳＴＭ　Ｆ１２１−８３（ｎｅｗ）：２．４５×１０１７、ＡＳＴＭ　Ｆ１１８３−９３：　３．１４×１０１７が用いられるとの記載（表２）からみると、
　シリコンの酸素濃度を測定するＡＳＴＭ規格は、
「［Ｏｉ］＝ｆＣα０３　　（×１０１７原子/ｃｍ３）　
　ここで，ｆＣは変換係数、α０３は１１０６ｃｍ−１の格子間酸素による赤外吸収係数である」との式（以下、必要に応じて、「酸素濃度測定式」という）から基本的に構成され、この場合、ＡＳＴＭには変換係数ｆＣを異にする複数の式があり、ＡＳＴＭ（ｏｌｄ）では変換係数ｆＣが約４．８１であり、ＡＳＴＭ　Ｆ１２１−８３（ｎｅｗ）では変換係数ｆＣが２．４５であり、ＡＳＴＭ　Ｆ１１８３−９３では変換係数ｆＣが３．１４であることが解る。
（５）　次に、上記酸素濃度測定式における変換係数ｆＣについて、検討する。
　参考文献５〔阿部孝夫著、「シリコン　結晶成長とウェーハ加工」、培風館、１９９６年７月１５日、ｐ．１９４−１９７〕における図８．２（Ｓｉ−Ｏ系の部分的な相図）において、シリコンの融点である１４２０℃からシリコン固体中に固溶可能な酸素量を読むと、その固溶可能な酸素量は「約５４ｐｐｍａ（計算によると、２７×１０１７ａｔｏｍｓ/ｃｍ３）」であることが解る。また、当該図８．２は、参考文献５の「図８．２はＳｉ−Ｏ系の相図の一部である。固溶度を実線で示す。１４２０℃で固化し，結晶中に３２ｐｐｍａ（ｏｌｄ　ＡＳＴＭ）の格子間酸素が含まれるとき，１２１０℃まで冷却されると」（第１９５頁第９〜１１行）との記載からみて明らかなとおり、ｏｌｄ　ＡＳＴＭの酸素濃度測定式に基づくものであることが解り、参考文献５の記載から導き出されるこれらのことを併せみると、シリコン固体中に固溶可能な酸素量は、ｏｌｄ　ＡＳＴＭの酸素濃度測定式に基づき、「約５４ｐｐｍａ（計算によると、２７×１０１７ａｔｏｍｓ/ｃｍ３）」であるといえる。
　そして、願書に最初に添付した明細書にはシリコンの酸素濃度が「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３」であると記載されるが、この数値が、仮にｎｅｗ−ＡＳＴＭの式により求められたものであるとすると、参考文献３の上記変換係数をもってｎｅｗ−ＡＳＴＭのものからｏｌｄ　ＡＳＴＭのものに変換でき、その結果、シリコンの酸素濃度が（４．８１/２．４５）×（１３〜１８×１０１７／ｃｍ３）＝２５．５２〜３５．３４×１０１７／ｃｍ３となる。しかし、シリコンの酸素濃度を表わす当該数値は、上記のシリコン固体中に固溶可能な酸素量「約５４ｐｐｍａ（計算によると、２７×１０１７ａｔｏｍｓ/ｃｍ３）を超えることになり、技術常識からみてあり得ないことになる。また、仮に、ＡＳＴＭＦ１１８８−９３の式により求められたものであるとすると、変換係数により、（４．８１/３．１４）×（１３〜１８）×１０１７／ｃｍ３＝１９．９１〜２７．５７×１０１７／ｃｍ３となり、同様に、固溶可能な酸素量を超えることになり、これまた、技術常識からみてあり得ないことになる。
　これに対して、シリコンの酸素濃度である「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３」がｏｌｄ　ＡＳＴＭの式をもって求められたものであるとすると、この場合、当該数値は、唯一、固溶可能な酸素量の範囲内となり、技術常識に適うものである。
　この場合、ｏｌｄ　ＡＳＴＭの式における変換係数ｆＣは４．８１であることは、上記（４）で説示したとおりである。
（６）そうすると、上記（３）で説示したとおり、シリコンの酸素濃度の測定方法は、ＡＳＴＭ規格が世界的に使用され、世界的標準であって、他の測定方法をことさら選択する理由がないものであり、そして、上記（４）で説示したとおり、そのシリコンの酸素濃度を測定するＡＳＴＭ規格は、
「［Ｏｉ］＝ｆＣα０３　　（×１０１７原子/ｃｍ３）　
　ここで，ｆＣは変換係数、α０３は１１０６ｃｍ−１の格子間酸素による赤外吸収係数である」という式で表され、更に、上記（５）で説示したとおり、その変換係数ｆＣとしては、本件明細書に記載のシリコンの酸素濃度が「１３〜１８×１０１７／ｃｍ３」であることから、当該規格の変換係数は、ｏｌｄ　ＡＳＴＭで用いられる４．８１以外を想定することはできないものである。
　してみれば、本件の願書に最初に添付された明細書には、酸素濃度の測定方法が具体的に記載されないものの、その酸素濃度の数値とこの分野の技術常識からみれば、上記した補正事項は、願書に最初に添付された明細書に実質上記載されていたに等しいといえる。
　したがって、平成１３年７月９日の手続補正により、
「なお、本発明における酸素濃度は、酸素濃度測定法としてｏｌｄ−ＡＳＴＭを用いて算出された値に統一されており、具体的には次式によって算出された値である。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　［Ｏｉ］＝ｆＣ×α０３（×１０１７ａｔｏｍｓ/ｃｍ３）　　　　　　　　　　　ここでｆＣは変換係数（４．８１）、α０３は１１０６ｃｍ−１の格子間酸素による赤外吸収係数である。」とのことを補正により付加することは、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであって、当該補正は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとまではいえない。
　
V.　まとめ
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月２５日（２００３．２．２５）