【事件の表示】
　平成　２年特許願第１４４７７９号「薄膜回路素子」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　２月　７日出願公開、特開平　４−　３７１８６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
1.手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年６月１日の出願であって、特許請求の範囲に記載の発明（以下、「本願発明」という。）は、平成10年11月30日付け及び平成11年５月14日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲に記載された以下のとおりのものである。
　中心線平均あらさＲａが約０．５μｍのセラミックス基板の上に無機絶縁膜を設け、その上に薄膜回路を構成し、さらにその上に無機絶縁膜を設けた薄膜回路素子。
2.引用例
　(a)引用例１：特開昭62-103158号公報
　(b)引用例２：特開平1-290280号公報
　(c)引用例３：特開昭61-297159号公報
　(d)引用例４：特公昭58-6283号公報
　引用例１には、(a)従来のサーマルヘッドの問題点に関し、「従来のサーマルヘッドでは、基板(2)を被覆している保護膜(12)中のピンホールが下部の配線導体(10)まで達していることがあり、保護膜(12)を誤って手で触れてしまったり、あるいは、インクリボンのインクが保護膜(12)に接触付着してしまうなどした場合には、保護膜(12)中のピンホールに汗やインクが浸込み、この汗やインク等が配線導体(10)を腐食劣化させ・・・、駆動中に配線導体(10)の断線を生じさせ、印字品位を著しく劣化せしめてしまうことがあるという問題点があった。」（２頁５行ないし15行）との記載、(b)従来技術に関し、「・・・近年、第５図に示すような、基板(2)の一部に部分的にグレーズ層(14)を設けただけの構造のサーマルヘッドが主に用いられている。この場合、配線導体(10)の部分には基板(2)上にグレーズ層(14)がほとんど形成されていないので、上記の問題点が発生しているのである。」（２頁左下欄２行ないし８行）との記載、(c)実施例に関し、「この発明に係るサーマルヘッドの基本構造は従来技術において説明したものと略同一である。そして、この発明は基板(2)の表面荒さを中心線平均荒さで0.3μＲａ以下としたことを特徴とするものである。このサーマルヘッドは、例えば、部分グレーズ層(14)をもつ基板(2)の上に発熱体(41)〜(4n)、配線導体(10)、保護膜(12)を真空蒸着あるいはスパッタリング等の方法で順次形成することにより製造する。・・・このような構造では基板(2)の表面の荒さが保護膜(12)のピンホール発生に及ぼす影響が大きい。・・・基板(2)の表面粗さを中心線平均荒さで0.3μＲａ以下にしたことにより、腐食の著しい減少効果を呈し、人体や金属との接触、メタルコーテイングしたインクリボンや感熱紙の使用、多湿、塩素含有雰囲気中などにおいて駆動信頼性を高めることができる。」（２頁右下欄12行ないし３頁右上欄2行、第２図ないし第３図参照）との記載及び(d)実施例1に関し、「アルミナ、ＡｌＮ、ＳｉＣを基板材料とし、・・・表面荒さを数種類設定調整して、一部分にガラスグレーズ層を形成した後、・・・発熱体、・・・配線導体、ＳｉＯ２の酸化防止膜とＴａ２Ｏ５の耐摩耗膜とによる２層構造の保護膜、を真空蒸着又はスパッタリング方法で順次積層形成して作成した数種のサーマルヘッド」（３頁右上欄４行ないし11行、第３表参照）であって、基板の中心線平均あらさ（μＲａ）が、たとえば、0.05、0.1、0.15、0.2、0.3、0.4、0.5であるものが例示され、好適な基板として、「基板(2)の表面粗さを中心線平均荒さで0.3μＲａ以下にした。」（３頁左上欄14行ないし15行）ものが記載されている。
　そして、編集兼発行人　森　五郎「日本工業規格　表面粗さの定義と表示」（JIS　B　0601ー1982、財団法人　日本規格協会発行、１ないし７頁及び９ないし12頁）の「表面粗さの定義と表示」及び「表面粗さの定義と表示　解説」には、中心線平均粗さ（Ｒａ）の表示に関し、中心線平均粗さの呼び方は、中心線平均粗さ＿μｍ又は＿μｍＲａによること及びミクロンμ（＝0.001ｍｍ）は、国際単位系ではマイクロメートルμｍ（0.001ｍｍ）となることが記載されているので、Ｒａは中心線平均粗さであることは明かであり、引用例１に記載の「中心線平均荒さで0.3μＲａ」及び「中心線平均あらさ（μＲａ）」は、中心線平均粗さ0.3μｍＲａ又は中心線平均粗さ（Ｒａ）が0.3μｍであることを意味しているものと解される。
　したがって、上記の(a)ないし(d)の記載及び第２図乃至第３図によれば、配線導体(10)の部分には基板(2)の上にグレーズ層(14)がほとんど形成されていないので、基板(2)を被覆している保護層(12)中のピンホールが下部の配線導体(10)まで達する問題点を解決すること及びこの問題点を解決するための手段として、絶縁性のセラミックス基板と、上記絶縁性のセラミックス基板の上に形成された薄膜回路と、上記薄膜回路を被覆する無機絶縁膜である保護膜とからなり、上記絶縁性のセラミックス基板は、中心線平均粗さ（Ｒａ）が0.3μｍ以下のものであって、絶縁性のセラミックス基板の一部分にガラスグレーズ層を形成したものであり、上記薄膜回路は、絶縁性のセラミックス基板の一部分に形成された上記ガラスグレーズ層の上に形成された発熱体と絶縁性のセラミックス基板の上に形成された配線導体を備えたサーマルヘッドが実質的に記載されているものと認められる。
3.対比
　そこで、引用例１に記載されたものと本願発明とを対比すると、本願発明の無機絶縁膜は、引用例１のガラスグレーズ層及び保護膜に相当し、本願発明の薄膜回路及び薄膜回路素子は、引用例１の発熱体及び配線導体並びにサーマルヘッドにそれぞれ相当する。
　したがって、両者は、セラミックス基板の上に無機絶縁膜を設け、その上に薄膜回路を構成し、さらにその上に無機絶縁膜を設けた薄膜回路素子である点で一致しており、引用例１のものでは、中心線平均あらさＲａが、0.3μｍ以下であるセラミックス基板の一部分に無機絶縁膜を設け、その上に薄膜回路の一部である発熱体を配設し、無機絶縁膜を設けていない部分のセラミックス基板の上に薄膜回路である配線導体を配設して薄膜回路を構成したものものであるのに対し、本願発明では、中心線平均あらさＲａが約0.5μｍであるセラミックス基板の上に無機絶縁膜を設け、その上に薄膜回路を構成したものである点で相違している。
4.判断
　上記相違点について検討すると、
　引用例１のものでは、上記したように、好適な基板として、基板(2)の表面荒さ（粗さ）を中心線平均荒さ（粗さ）で0.3μＲａ（μｍＲａ）以下にしたものにガラスグレーズ層を設けることなく配線導体(10)を配設することが記載されているが、上記引用例１には、従来技術に関し、(a)「第２図は・・・従来のサーマルヘッドを示す平面図・・・であり、・・・(2)は絶縁性の基板であり、この基板の上には薄膜回路が形成されている。この薄膜回路は、・・・発熱体(41)〜(4n)と、・・・共通端子(6)と、駆動信号入力端子(81)〜(8n)と、Ａｌ類等からなる配線導体(10)とからなる。この薄膜回路は第３図に示すように、保護膜(12)で被覆されている。」（１頁左下欄18行ないし右下欄９行）との記載及び従来のサーマルヘッドの問題点に関し、(b)「従来のサーマルヘッドでは、基板(2)を被覆している保護膜(12)中のピンホールが下部の配線導体(10)まで達していることがあり、保護膜(12)を誤って手で触れてしまったり、あるいは、インクリボンのインクが保護膜(12)に接触付着してしまうなどした場合には、保護膜(12)中のピンホールに汗やインクが浸込み、この汗やインク等が配線導体(10)を腐食劣化させ・・・、駆動中に配線導体(10)の断線を生じさせ、印字品位を著しく劣化せしめてしまうことがあるという問題点があった。」（２頁５行ないし15行）との記載があり、さらに、(d)「サーマルヘッドは、かっては第４図に示す構造のものが多く、配線導体(10)の部分において、基板(2)の上にガラス等からなるグレーズ層(14)が40〜50μｍ位設けられていた。このようなサーマルヘッドでは、表面荒さがいくら荒くてもグレーズ層(14)を形成すれば、グレーズ層(14)表面が極めて平滑であるため、ピンホールなどの問題は生じなかった。」（２頁右上欄15行ないし左下欄2行）との記載及び(e)「近年、第５図に示すような、基板(2)の一部に部分的にグレーズ層(14)を設けただけの構造のサーマルヘッドが主に用いられている。この場合、配線導体(10)の部分には基板(2)上にグレーズ層(14)がほとんど形成されていないので、上記の問題点が発生しているのである。」（２頁左下欄２行ないし８行）との記載がある。
　引用例１の上記(a)ないし(e)の記載によれば、配線導体（10）の部分には基板(2)上にグレーズ層(14)がほとんど形成されていないので、上記のような問題点が発生するが、引用例１の従来技術に関する上記(d)に記載の、周知技術である第４図に示す構造のものでは、配線導体(10)を設ける部分にも、基板(2)の上にガラス等からなるグレーズ層(14)を40〜50μｍ位設けることにより表面が粗い基板(2)であっても、グレーズ層(14)表面が極めて平滑であるため、保護膜(12)中のピンホールなどの問題は生じないことが開示されている。
　また、引用例２の従来の技術に関する(f)「半導体集積回路等の素子を実装するための基板として、アルミナ等から形成されるセラミック基板が知られている。セラミック基板上に回路を形成する方法としては、・・・回路パターンを基板上に形成する薄膜法が挙げられる。微細な回路パターンを形成する場合、通常、薄膜法を用いる。しかし、セラミック基板は表面粗度が0.4μｍ以上と粗いため、セラミック基盤上に直接微細なパターンを形成することは困難である。このため、薄膜法を用いる場合には、表面にグレーズ層を設けたグレーズ処理セラミック基板が用いられている。」（１頁右下欄12行ないし２頁左上欄10行）との記載、引用例３の従来の技術に関する(g)「従来のサーマルヘッドはその発熱部断面が第２図に示すごとく、アルミナ等のセラミック基板１表面上に、発熱抵抗体２を形成し、その上に一定の間隔をおいて複数個の電極３，３を配設し、次に・・・酸化防止膜４・・・を積層したもの・・・が知られている。そして、セラミック基板１は通常その表面がガラスグレーズ・・・層１’で被覆されて平滑化された・・・ものであり、発熱抵抗体層には0.01〜0.1μｍ厚のＮｉ−Ｃｒ・・・等が、・・・酸化防止膜にはＳｉＯ２等が、・・・用いられ」（１頁右欄7行ないし２頁３行、第２図参照）ているとの記載、さらに、引用例4の(h)「グレーズドセラミックス基板は、アルミナ・・・などの絶縁性セラミックス基板上に薄膜ガラス層を形成させることにより得られるもので、薄膜・・・抵抗素子用、・・・感熱記録装置のサーマルヘッド用などに利用され、粉末焼結セラミックスでは得られない平滑な表面を有」（１頁左欄33行ないし右欄２行）するとの記載がある。
　上記の（f)ないし(h)の記載によれば、引用例１の従来例に関する上記記載と同様に、セラミックス基板は表面粗度が0.4μｍ以上と粗いため、セラミックス基板上に直接微細なパターンを形成することは困難であるので、薄膜法を用いる場合には、表面にグレーズ層を設け、その上に薄膜回路を構成し、さらに、ＳｉＯ２等のような無機絶縁膜を積層した薄膜抵抗素子用、感熱記録装置のサーマルヘッド用などの薄膜回路素子は、従来周知であることが開示されている。
　してみれば、中心線平均あらさＲａが0.4μｍ以上、たとえば、約0.5μｍのような表面が粗いセラミックス基板にガラスグレーズ層のような無機絶縁膜を設け、その上に配線導体を含む薄膜回路を構成することは、引用例１の上記(a)ないし(d)の記載及び引用例１ないし引用例４に記載されている従来周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に想到しうることであるというべきである。
　そして、本願発明において、セラミック基板の中心平均あらさＲａを約0.5μｍとしているが、例えば、引用例２には、上記したように、従来例として、表面粗度が0.4μｍ以上の粗いセラミックス基板の上にグレーズ層を設けて薄膜法により回路パターンを形成することが記載され、さらに、一般に、基板の表面が粗いときには、被覆層等がアンカー効果によって基板表面に密着されることは周知の技術的事項であるので、本願発明が引用例１に記載のもの及び引用例１ないし引用例４に記載の従来周知のものに比して格別優れた作用効果を奏するものとは認められない。
5.むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１の上記記載のもの及び引用例１乃至４に記載の従来周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。