【事件の表示】
　特願２００５−３０１８１７「発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月２５日出願公開、特開２００６−１３５３１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１７年１０月１７日（パリ条約による優先権主張２００４年１１月３日、台湾）の出願であって、平成２３年６月２０日付けで最初の拒絶の理由が通知され、同年９月２２日に手続補正がされ、平成２４年１月２７日付けで最後の拒絶の理由が通知され、同年４月２４日に手続補正がされたが、同年９月２６日付けで同年４月２４日の手続補正が却下されるとともに拒絶査定がされ、これに対して、平成２５年１月３０日に、拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がされたものである。 
　  
第２　平成２５年１月３０日の手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２５年１月３０日の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　 
［理由］ 
１　補正の内容
　本件補正による請求項１についての補正は次のとおりのものである。 
　本件補正前に 
「基板と、
　前記基板の上に設けられ、上部表面と下部表面を有し、当該上部表面と前記基板との間の距離が当該下部表面と前記基板との間の距離より大きく、当該上部表面は第一の表面領域、第二の表面領域及び第三の表面領域を有する導電層と、
　前記第一の表面領域に設けられる発光積層構造と、
　前記第二の表面領域に設けられ、半導体積層構造を含む電極バッファ層と、
　前記電極バッファ層に設けられ、下方に向って前記導電層に延伸し、前記第三の表面領域と接触する電極と、
　を有する、
　発光ダイオード。」（平成２３年９月２２日の手続補正書参照。） 
とあったものを、 
「基板と、
　前記基板の上に設けられ、上部表面と下部表面を有し、当該上部表面と前記基板との間の距離が当該下部表面と前記基板との間の距離より大きく、当該上部表面は第一の表面領域、第二の表面領域及び第三の表面領域を有する導電層
であって、前記導電層の材料は金属を含む導電層
　前記第一の表面領域に設けられる発光積層構造と、
　前記第二の表面領域に設けられ、半導体積層構造
又はポリマー材料
　前記電極バッファ層に設けられ、下方に向って前記導
電
　を有し、
　
前記電極バッファ層と前記電極との間に設けられる第二の導電層を更に含む
　発光ダイオード。」（下線は審決にて付した。以下同様。）
とする。  
　  
　該補正は、以下の（１）ないし（４）の補正事項からなる。
（１）　「導電層」を、「導電層の材料は金属を含む導電層」に限定する。
　
（２）　「電極バッファ層」が、「半導体積層構造を含む電極バッファ層」であったのを「半導体積層構造又はポリマー材料を含む電極バッファ層」とする。
　
（３）　前出する「導電層」を引用するに際して、「前記導伝層」と誤って表記していたのを「前記導電層」とする。
　
（４）　「電極バッファ層と電極との間に設けられる第二の導電層を更に含む」点を限定する。
　
２　補正の適否
（１）　上記「１　（２）」の補正事項は、「電極バッファ層」について、補正前に「半導体積層構造を含む電極バッファ層」であったものを、「半導体積層構造を含む電極バッファ層」及び「ポリマー材料を含む電極バッファ層」に変更するものであるから、特許請求の範囲を拡張するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的としたものとは認められない。
　また、同補正事項が、同項第１号に掲げる請求項の削除、同項第３号に掲げる誤記の訂正及び同項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明のいずれを目的としたものにも該当しないことは明らかである。
　　
（２）　請求人は、審判請求書２頁下から５ないし４行において、「補正後の本願請求項１は、補正前の請求項１を削除して補正前の請求項１３を独立請求項にすることにより得られたものです。」と主張する。
　しかしながら、補正前の請求項は以下のアのとおりであるから、補正前の請求項１３を独立形式で記載したものは、以下のイのとおりである。
ア　「【請求項１】
　基板と、
　前記基板の上に設けられ、上部表面と下部表面を有し、当該上部表面と前記基板との間の距離が当該下部表面と前記基板との間の距離より大きく、当該上部表面は第一の表面領域、第二の表面領域及び第三の表面領域を有する導電層と、
　前記第一の表面領域に設けられる発光積層構造と、
　前記第二の表面領域に設けられ、半導体積層構造を含む電極バッファ層と、
　前記電極バッファ層に設けられ、下方に向って前記導伝層に延伸し、前記第三の表面領域と接触する電極と、
　を有する、
　発光ダイオード。
（【請求項２】ないし【請求項１０】は省略。）
【請求項１１】
　前記発光積層構造に設けられる第二の電極を更に含む、
　請求項１に記載の発光ダイオード。
（【請求項１２】は省略。）
　　【請求項１３】
　前記発光積層構造と前記第二の電極との間に設けられる第三の導電層を更に含む、
　請求項１１に記載の発光ダイオード。」
　
イ　「基板と、
　前記基板の上に設けられ、上部表面と下部表面を有し、当該上部表面と前記基板との間の距離が当該下部表面と前記基板との間の距離より大きく、当該上部表面は第一の表面領域、第二の表面領域及び第三の表面領域を有する導電層と、
　前記第一の表面領域に設けられる発光積層構造と、
　前記第二の表面領域に設けられ、半導体積層構造を含む電極バッファ層と、
　前記電極バッファ層に設けられ、下方に向って前記導伝層に延伸し、前記第三の表面領域と接触する電極と、
　を有し、
　　前記発光積層構造に設けられる第二の電極を更に含み、
　　
前記発光積層構造と前記第二の電極との間に設けられる第三の導電層を更に含む
　　発光ダイオード。」
　
　補正前の請求項１３に記載された発明は、「発光積層構造と前記第二の電極との間に設けられる第三の導電層を更に含む」ものであるが、本件補正後の請求項１に記載された発明は、「発光積層構造と前記第二の電極との間に設けられる第三の導電層を更に含む」ものではない。
　また、本件補正後の請求項１に記載された発明は、「導電層の材料は金属を含む導電層」及び「半導体積層構造又はポリマー材料を含む電極バッファ層」を有するものであるが、補正前の請求項１３に記載された発明は、「導電層の材料は金属を含む導電層」及び「半導体積層構造又はポリマー材料を含む電極バッファ層」を有するものではない。
　してみると、本件補正後の請求項１に記載された発明と、補正前の請求項１３に記載された発明とは、備える構成要素が相違する異なる発明であるから、本件補正後の請求項１は、補正前の請求項１を削除して補正前の請求項１３を独立請求項にすることにより得られたものとは認められない。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的としたものとは認められない。
　
（３）　上記（１）及び（２）の検討によれば、上記「１　（２）」の補正事項を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について  
１　本願発明の認定  
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年９月２２日に補正された本願の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。 「基板と、
　前記基板の上に設けられ、上部表面と下部表面を有し、当該上部表面と前記基板との間の距離が当該下部表面と前記基板との間の距離より大きく、当該上部表面は第一の表面領域、第二の表面領域及び第三の表面領域を有する導電層と、
　前記第一の表面領域に設けられる発光積層構造と、
　前記第二の表面領域に設けられ、半導体積層構造を含む電極バッファ層と、
　前記電極バッファ層に設けられ、下方に向って前記導電層に延伸し、前記第三の表面領域と接触する電極と、
　を有する、
　発光ダイオード。」
　
　ただし、誤記を正して「前記導伝層」を「前記導電層」とした。
　 
２　刊行物の記載事項 
（１）　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００４−２５３７６３号公報（以下「引用例１」という。）には、次のアの記載がある。
ア　「【００１４】
図７を参照すると、本発明のさらに別の好適実施例を参照した、接着層及び反射層を有する発光ダイオードが示され：反射性金属基材７１０；反射性金属基材７１０上に形成された第一反応層７２２、第一反応層７２２上に形成された透過性接着層７１２、透過性接着層７１２上に形成された第二反応層７２３、第二反応層７２３上に形成された透過性導電層７２１で構成され；透過性導電層７２１は、第一表面領域及び第二表面領域を構成し；この第一表面領域上に形成された第一接触層７１３；第一接触層７１３上に形成された第一被覆層７１４；第一被覆層７１４上に形成された活動層７１５；活動層７１２上に形成された第二被覆層７１６；第二被覆層７１６上に形成された第二接触層７１７；及び前記第二表面領域上に形成された第二電極７２０で構成される。
【００１５】
図７から１０を参照すると、
ＬＥＤ７
第一電極７１９
第二接触層７１７上
に形成する
　
イ　上記アの記載で言及されている図７は次のものである。
　
（２）　引用例２
　同じく特開平１０−２２３９３０号公報（以下「引用例２」という。）には、次のアないしウの記載がある。
ア　　「【０００２】
【
従来の技術
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述の青色系の半導体発光素子のように、絶縁性の基板上に半導体層が積層される半導体発光素子は、ｐ側電極もｎ側電極も同一面側に設けられることが多い。このように、同一面側に両電極が設けられる半導体発光素子では、その両電極とリードもしくはチップ型素子の端子電極などとの電気的接続がワイヤボンディングによりなされる。しかし、前述のように、同一面側に両電極が設けられる半導体発光素子では、一方の電極は積層された半導体層の上層の半導体層上に設けられ、他方の電極が積層された半導体層の一部がエッチングなどにより除去されて露出する下層の半導体層に設けられる。そのため、
両電極の高さが基板の面から同じ高さにならない。この両電極の高さが同じでないと、ワイヤボンディングのときにｐ側電極とｎ側電極とで同じ圧力でボンディングをすることができない
　
イ　「【００１７】本発明の半導体発光素子は、たとえば図１に示されるように、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）などからなる基板１の表面に発光層を形成する半導体層３〜５が積層されて半導体積層部１０が形成され、その表面側の第１導電形の半導体層（ｐ形層５）に電気的に接続してｐ側電極（第１の電極）８が形成されている。また、半導体積層部１０の一部が除去されて露出する第２導電形の半導体層（ｎ形層３）に電気的に接続してｎ側電極（第２の電極）９が形成されている。本発明では、
ｎ側電極９が、エッチングにより露出するｎ形層３だけに設けられるのではなくて
残存した半導体積層部の一部１０ａ上のｎ側電極の部分９ａがワイヤボンディングなどの接続部とされることにより、ｐ側電極８とほぼ同じ高さで形成される
　
ウ　「【００２３】本発明によれば、ＬＥＤチップのｐ側電極８とｎ側電極９とがほぼ同一面に形成されているため、たとえば図２（ａ）に示されるように、ＬＥＤチップ１３を第１のリード１１にダイボンディングをして、そのｐ側電極８およびｎ側電極９をそれぞれ第２のリード１２および第１のリード１１と金線１４などにより
ワイヤボンディングをする場合、両電極８、９がほぼ同一面にあるため、自動のワイヤボンディング機を用いて行っても均一なボンディングをすることができる
　
エ　上記イで言及されている図１の（ａ）は、次のものである。
　
カ　上記ウで言及されている図２（ａ）は、次のものである。
　
３　引用発明の認定 
　上記「２　（１）」によれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。） が記載されていると認めることができる。
「反射性金属基材と、
　前記反射性金属基材の上に順に形成された、第一反応層、透過性接着層、第二反応層及び透過性導電層と、
　前記透過性導電層が構成する第一表面領域及び第二表面領域のうち、前記第一表面領域上に順に形成された、第一接触層、第一被覆層、活動層、第二被覆層、第二接触層及び第一電極と、
　前記第二表面領域上に形成された第二電極と、
　で構成される発光ダイオード。」
　 
４　対比  
　引用発明と本願発明とを対比する。 
（１）　引用発明の「反射性金属基材」は、本願発明の「基板」に相当する。
　
（２）　引用発明の「透過性導電層」は、本願発明の「導電層」に相当する。
　
（３）　引用発明の「『透過性導電層』が構成する『第一表面領域』」は、本願発明の「『導電層』が有する『第一の表面領域』」に相当する。
　
（４）　引用発明の「第一表面領域上に順に形成された、第一接触層、第一被覆層、活動層、第二被覆層及び第二接触層」は、本願発明の「第一の表面領域に設けられる発光積層構造」に相当する。
　
（５）　引用発明の「第二電極」は、本願発明の「電極」に相当する。
　
（６）　引用発明の「第二電極」は、「第二表面領域」上に形成される。
　一方、本願発明の「電極」は、「第二の表面領域」に設けられる電極バッファ層に設けられ、下方に向って導電層に延伸し、「第三の表面領域」と接触するのであるから、「『第二の表面領域』及び『第三の表面領域』」の上に設けられる。
　よって、引用発明の「第二表面領域」は、その上に「電極」（第二電極）が設けられる「電極形成領域」である点で、本願発明の「『第二の表面領域』及び『第三の表面領域』」と共通している。
　
（７）　引用発明は、反射性金属基材の上に透過性導電層が形成され、その後、前記透過性導電層が構成する第一表面領域及び第二表面領域のうち、前記第一表面領域上に、第一接触層、第一被覆層、活動層、第二被覆層、第二接触層及び第一電極が形成され、前記第二表面領域上に第二電極が形成されるものである。
　よって、「透過性導電層」の「第一表面領域及び第二表面領域」が構成されている面は、「反射性金属基材」とは反対の側にあり、該面と「反射性金属基材」との間の距離は、「反射性金属基材」の厚みの分だけ、「透過性導電層」の「第一表面領域及び第二表面領域」が構成されていない方の面と「反射性金属基材」との間の距離より大きい。
　してみると、引用発明の「透過性導電層」は、本願発明の「導電層」が備える「上部表面と下部表面を有し、当該上部表面と前記基板との間の距離が当該下部表面と前記基板との間の距離より大きく」との構成を備えているものと認められる。
　　
（８）　引用発明の「発光ダイオード」は、本願発明の「発光ダイオード」に相当する。
　
（９）　上記（１）ないし（８）によれば、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。 
＜一致点＞
「基板と、
　前記基板の上に設けられ、上部表面と下部表面を有し、当該上部表面と前記基板との間の距離が当該下部表面と前記基板との間の距離より大きく、当該上部表面は第一の表面領域及び電極形成領域を有する導電層と、
　前記第一の表面領域に設けられる発光積層構造と、
　前記電極形成領域上に設けられる電極と、
　を有する、
　発光ダイオード。」
　
＜相違点＞
　本願発明は、「第二の表面領域に設けられ、半導体積層構造を含む電極バッファ層」を有し、「電極」が、「電極バッファ層に設けられ、下方に向って導電層に延伸し、第三の表面領域と接触する」のに対して、引用発明は、「電極バッファ層」を有しない点。
　
５　判断  
　上記＜相違点＞について検討する。 
（１）　本願明細書には、次のア及びイの記載がある。
ア　「【００２６】
　LEDは、ワイヤーをボンディングする電極と透明導電層との間に設けられる電極バッファ層を使用する。電極と電極バッファ層との間の接着状態が良いので、電極が透明導電層から剥離しやすい問題を解決することができる。更に、次のワイヤー・ボンディング・プロセスにおいて、
電極バッファ層は、応力バッファ層として使用され、ワイヤー・ボンディング・プロセスに生成される応力による接着層損傷の問題を解決する
　
イ　「【図面の簡単な説明】
【００２８】（途中省略。）
【図４】本発明の好適な実施形態におけるLEDを示す断面図である。」
　
ウ　上記イで言及されている図４は、次のものである。
　
エ　上記アには、「電極バッファ層は、応力バッファ層として使用され、ワイヤー・ボンディング・プロセスに生成される応力による接着層損傷の問題を解決する。」とある。
　本願発明は、基板と導電層の間に接着層があることを必須としていないが、本願の図４に示された実施形態では、第一の電極１５と基板１０との間に、導電層１２と接着層１１がある。
　してみると、本願発明の電極バッファ層は、電極と基板との間にあり、電極へのワイヤーボンディングによって、電極と基板との間の部分に加わる応力を緩和する働きをする、応力バッファ層として機能するものと認められる。
　
（２）　ア　上記「２　（２）　イ」及び引用例２の図１（ａ）によれば、引用例２には、
「基板１上に、
　発光層を形成する、その上にｐ側電極８が形成された半導体積層部１０と、
　残存した半導体積層部の一部１０ａと、
　ｎ側電極９とを有し、
　該ｎ側電極９が、該残存した半導体積層部の一部１０ａと、該残存した半導体積層部の一部１０ａの周囲に露出する、基板１上に形成されたｎ形層３に、連続して形成され、
　該ｎ側電極９と該ｐ側電極８とが、該基板１上にほぼ同じ高さで形成される、
　半導体発光素子。」
　が記載されていると認められる。
　
イ　上記「２　（２）　ア」ないし「２　（２）　ウ」の下線部分の記載によれば、上記アの半導体発光素子は、従来は、ｎ側電極とｐ側電極とが、基板の面から同じ高さではなかったところ、ｎ側電極と基板との間に、発光層を形成するための半導体積層部の一部を残存させることにより、ｎ側電極とｐ側電極とが、基板の面からほぼ同じ高さとなり、ｐ側電極とｎ側電極にワイヤーボンディングする際に、同じ圧力でボンディングできて、自動のワイヤボンディング機を用いて行っても均一なボンディングをすることができるものと認められる。
　してみると、上記「残存した半導体積層部の一部１０ａ」は、電極へのワイヤーボンディングによる応力を緩和する、応力バッファ層として機能するものといえるから、上記「（１）　エ」で検討した、本願発明の「電極バッファ層」と同様の機能を奏するものと認められる。
　
（３）　引用例１には、第七スタック（反射性金属基材７１０、第一反応層７２２、透過性接着層７１２、第二反応層７２３、透過性導電層７２１、第一接触層７１３、第一被覆層７１４、活動層７１５、第二被覆層７１６及び第二接触層７１７が積層したもの）を適切にエッチングすることにより透過性導電層７２１に曝露表面領域を形成し、第二電極７２０を該曝露表面領域上に形成し、第一電極７１９を第七スタックの最上層である第二接触層７１７上に形成するすることが記載されている（上記「２　（１）　ア」の【００１５】参照。）。
　よって、第二電極７２０は、第一接触層７１３、第一被覆層７１４、活動層７１５、第二被覆層７１６及び第二接触層７１７が積層した半導体積層部をエッチングして露出した透過性導電層７２１上に形成される。
　引用発明において、第二電極の形成に上記の方法を採用すること、及び第二電極の外部電源への接続にワイヤーボンディングを採用することは、当業者が適宜なし得ることである。
　そして、該ワイヤーボンディングによる応力を緩和することが望ましいことは自明であるから、上記半導体積層部のエッチングの際に、上記半導体積層部の一部を、第一電極７１９と第二電極７２０とが、反射性金属基材７１０の面からほぼ同じ高さとなるように残存させ、この残存した半導体積層部の上に第二電極を設け、下方に向かって延伸させ、透過性導電層表面の該残存した半導体積層部を囲む領域に接するようにすること、すなわち、本願発明の＜相違点＞に係る構成を備えることは、当業者が、引用例２の記載に基づいて容易に想到し得たことと認められる。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。 
　したがって、本願発明は、当業者が、引用発明及び引用例２の記載に基づいて容易に発明をすることができたものと認められる。
　
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が、引用発明及び引用例２の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。