【事件の表示】
　特許第３３８４８９９号「気相成長方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８４８９９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　特許３３８４８９９号の請求項１〜３に係る発明は、平成７年１月６日に特許出願され、平成１４年１２月２７日にその特許権の設定登録がなされ、その後、その特許の請求項１〜３に係る発明について、本田　弘子（以下、「異議申立人」という。）より特許異議の申立てがなされた。 
　そして、平成１７年４月７日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年６月１７日に訂正請求がなされたものである。 
　 
ＩＩ．訂正の適否についての判断 
１．訂正の内容 
（１）訂正事項ａ 
　請求項１中の「反応ガスが導びかれる反応炉」を、「反応ガスが導かれる反応炉」と訂正する。 
（２）訂正事項ｂ 
　請求項１中の「前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記基板の裏面の前記座グリ面に接触しない範囲のみに設けて」を、「前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設けて」と訂正する。 
（３）訂正事項ｃ 
　請求項２中の「反応ガスが導びかれる反応炉」を、「反応ガスが導かれる反応炉」と訂正する。 
（４）訂正事項ｄ 
　請求項２中の「前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記基板の裏面の前記座グリ面に接触しない範囲のみに設けると共に」を、「前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設けると共に、」と訂正する。 
　 
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 
　上記訂正事項ａ，ｃは、「導びかれる」という記載の送りがなを正しく、「導かれる」としたもので、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当する。 
　また、訂正事項ｂは、請求項１において、酸化膜あるいは窒化膜の設ける範囲を、「前記基板の裏面の前記座グリ面に接触しない範囲のみ」とあるのを、「前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設けて」と特定するものであり、その点は、願書に添付された明細書の【０００３】に、前提となる従来技術の記載として、「この裏面被膜ｂは、基板ａの裏面全面に施されている。」と記載され、【００２４】の図３に関する記載、及び図３で、段部５Ａに基板が接触しない裏面全面に裏面被膜が形成されていることから裏付けられており、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。 
　また、訂正事項ｄは、請求項２において、酸化膜あるいは窒化膜の設ける範囲を、「前記基板の裏面の前記座グリ面に接触しない範囲のみ」とあるのを、「前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設ける」と特定するものであり、その点は、願書に添付された明細書の【０００３】に、前提となる従来技術の記載として、「この裏面被膜ｂは、基板ａの裏面全面に施されている。」と記載され、【００２９】の図４に関する記載、及び図４で、シリコン被膜を形成した段部５Ａに基板が接触しない裏面全面に裏面被膜が形成されていることから裏付けられており、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。 
　そして、上記訂正事項ａ〜ｄは、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　 
３．まとめ 
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　 
ＩＩＩ．特許異議申立てについて 
１．本件の請求項１〜３に係る発明 
　上記ＩＩ．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、平成１７年６月１７日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載される次のとおりのものである。 
　 
「【請求項１】反応ガスが導かれる反応炉内に配設されたサセプタの表面に座グリ面を設け、該座グリ面で、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板の裏面外周部を保持して気相成長する気相成長方法において、 
　前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設けて気相成長を行なうことを特徴とする気相成長方法。 
【請求項２】反応ガスが導かれる反応炉内に配設されたサセプタの表面に座グリ面を設け、該座グリ面で、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板の裏面外周部を保持して気相成長する気相成長方法において、 
　前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設けると共に、サセプタの基板を載置する面にシリコン被膜を形成した状態で気相成長を行なうことを特徴とする気相成長方法。 
【請求項３】反応ガスにＳｉＨＣｌ３を用いることを特徴とする請求項２記載の気相成長方法。」 
　 
２．取消理由の概要 
　本件特許の訂正前の請求項１に係る発明は、刊行物１（特開昭６２−１２８５２０号公報，甲第２号証）、及び刊行物２（実願昭６０−４１６０５号（実開昭６１−１５８９４５号公報）のマイクロフィルム，甲第１号証）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件特許の訂正前の請求項２，３に係る発明は、刊行物１、刊行物２、及び刊行物３（特開平６−１８８１９８号公報，甲第３号証）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の請求項１〜３に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
　 
３．刊行物の記載事項 
（１）刊行物１：特開昭６２−１２８５２０号公報 
（１−１）「１．その周縁部を除く裏面にオートドープ防止用のブロッキング膜を備えることを特徴とする半導体ウエーハ。 
２．前記オートドープ防止用のブロッキング膜が、シリコンの酸化膜、窒化膜、又は酸化膜と窒化膜の複合二重構造よりなる膜である特許請求の範囲第１項記載の半導体ウエーハ。」（特許請求の範囲第１項、第２項） 
（１−２）「［発明が解決しようとする問題点］・・・ブロッキング膜２を有するウエーハ１を用いてその主面上にシリコンのエピタキシャル成長を行うと、たしかにウエーハ１の主面にエピタキシャル層３が形成されていく過程ではウエーハ１の周面及び裏面にはブロッキング膜２が形成されているため、ウエーハ１からエピタキシャル層３へのオートドープは著しく抑制され、エピタキシャル層３自体の品質の向上は図れる。・・・しかし反面においては第７図（ニ）からも明らかなようにウエーハ１の主面へのエピタキシャル成長過程で、反応ガス中のシリコンがポリシリコンとしてブロッキング膜２、特にウエーハ１の周面部上に多数塊粒状に生成され、この塊粒状シリコン３ａが半導体デバイス（製品）の製造過程でブロッキング膜の表面から脱落し、エピタキシャル層３表面等に付着して汚染の原因となり、歩留を低下させるという問題があった。・・・周面のブロッキング膜表面にはＳｉの塊粒状物が多数生成されている。［問題点を解決するための手段］・・・Ｓｉの塊粒状物が周面のブロッキング膜上に形成されることに着目して、ウエーハの周面、更にはオートドープの影響が許容できる範囲内で裏面のブロッキング膜を可及的に広範囲に除去することによってＳｉ塊粒状物の生成が殆どなく、これに起因する汚染を防止出来て、歩留の大幅な向上を図り得るようにした半導体ウエーハ及びその製造方法を提供するにある。」（２頁右上欄１８行〜右下欄２０行） 
（１−３）第１図には、半導体ウェーハ裏面の外周部のブロッキング膜を除去したものが示されている。 
　 
（２）刊行物２：実願昭６０−４１６０５号（実開昭６１−１５８９４５号公報）の 
マイクロフィルム 
（２−１）「シリコンなどの半導体を気相成長法によりエピタキシャル成長させるには、第２図に一例の断面図を示した縦型エピタキシャル成長装置が従来から使用されている。この図において１０はベルジャー、１１はウエハ（半導体基板）で、エピタキシャル成長を行なう基板である。ウエハ１１はサセプタ１２上に置かれる。」（２頁４〜１０行） 
（２−２）「第１図は本考案を実施したサセプタの構成例を示す断面図であるが、ガス吹出ノズル５を中心としてサセプタ２の半分のみ示してある。・・・ウエハ１はそれぞれの座ぐりの上にのせられる。５はノズルで原料ガスとキヤリアガスの混合ガスが矢印の方向に吹出されるが、サセプタ２以外の部分の配置は従来の装置と同一である。」（５頁１１行〜６頁２行） 
（２−３）第３−１図、第３−２図には、ウエハの裏面最外周部分で、座ぐり面に対して保持されていることが示されている。 
　 
（３）刊行物３：特開平６−１８８１９８号公報 
（３−１）「【請求項１】低比抵抗の半導体ウエハ表面に半導体結晶層を成長させるエピタキシャル成長法であって、（ａ）低比抵抗の半導体ウエハを載置するサセプタの該半導体ウエハの載置場所にポリシリコン膜を設け、（ｂ）該サセプタ上に前記半導体ウエハを載置して高温の水素ガス雰囲気下で前記半導体ウエハの少なくとも裏面に前記ポリシリコン膜の一部を付着させ、（ｃ）引き続き成長ガスを導入して前記半導体ウエハの表面に半導体結晶層をエピタキシャル成長せしめることを特徴とするエピタキシャル成長法。」（【特許請求の範囲】） 
（３−２）「【作用】本発明によれば、エピタキシャル成長装置のサセプタに、あらかじめポリシリコン膜を設け、その上に半導体ウエハを載置して、高温の水素ガス雰囲気下で前記半導体ウエハの裏面に前記ポリシリコン膜の一部を付着させることにより、エピタキシャル成長装置内部で簡単にアウトドープ防止用の膜を半導体ウエハの裏面などに選択的に形成することができる。」（【０００８】） 
（３−３）「つぎに、１１３０℃に保ちながら半導体ウエハ４の表面に半導体結晶層９をエピタキシャル成長させる・・・たとえばシリコン結晶層をエピタキシャル成長するには、成長ガスであるトリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）ガス・・・を・・・石英ベルジャ７の内部に導入し、化学反応させ堆積させることにより、半導体ウエハ４の表面上に、・・・半導体結晶層９がエピタキシャル成長される。」（【００１７】） 
　 
４．対比・判断 
４−１．本件発明１について 
　上記摘記事項（１−１）（１−２）（１−３）の記載を総合すると、刊行物１には、「その周縁部を除く裏面に酸化膜、窒化膜のオートドープ防止用のブロッキング膜を備える半導体ウェーハを用いてエピタキシャル成長を行う方法。」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。 
　そこで、本件発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「半導体ウェーハ」「周縁部」「酸化膜、窒化膜のオートドープ防止用のブロッキング膜」「エピタキシャル成長を行う方法」は、それぞれ、本件発明１の「基板」「外周部」「酸化膜あるいは窒化膜」「気相成長を行なうことを特徴とする気相成長方法」に相当しており、両者は、「その外周部を除く裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板に気相成長を行なう気相成長方法」という点で一致し、以下の点で相違する。 
　相違点：本件発明１は、反応ガスが導びかれる反応炉内に配設されたサセプタの表面に座グリ面を設け、該座グリ面で、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板の裏面外周部を保持して気相成長する気相成長方法において、前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設けて気相成長を行なうと特定しているのに対して、刊行物１発明では、酸化膜あるいは窒化膜の形成範囲を、基板の外周部を除いてと特定されている点で相違している。　 
　そこで、上記相違点について検討する。 
　 
相違点について 
　刊行物２には、シリコンなどを気相成長法によりエピタキシャル成長させる場合に、原料ガスとキャリアガスの混合ガスを吹き出すベルジャー内の座ぐり面を設けたサセプタ上に基板を裏面最外周部分で保持することは示されているものの、酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設ける点については、記載がなく、座ぐり面を設けたサセプタ上に、ウエハのスリップ抑制のために、ウエハの裏面最外周部分を保持したもので、酸化膜あるいは窒化膜の形成範囲と基板座グリ面に接触する範囲との関係については、何ら示唆されていない。 
　また、刊行物３には、半導体ウエハ表面に半導体結晶層を成長させるエピタキシャル成長法において、半導体ウエハを載置するサセプタの該半導体ウエハの載置場所にポリシリコン膜を設けることの記載はあるものの、座グリ面で、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板の裏面外周部を保持して気相成長する気相成長方法において、前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設ける点については、記載も示唆もされていない。 
　したがって、刊行物１発明において、刊行物２、３に記載された発明を考慮しても、サセプタの表面に座グリ面を設け、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板を保持して気相成長する方法において、前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設けて行なうとすることは、当業者といえども容易に想到し得ないものである。 
　そして、本件発明１は、上記構成を採用することにより、オートドープを抑制するとともに、裏面被膜のサセプタと接触する部分に特定して発生する針状の突起物であるノジュールの発生を特別の手段を用いることなく防止できるという刊行物１〜３の記載からは予測することのできない顕著な効果を奏するものである。 
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
　 
４−２．本件発明２について 
　本件発明２は、本件発明１の構成を全て含むとともに、さらに「サセプタの基板を載置する面にシリコン被膜を形成した状態で・・・行なう」点を追加したものであるから、４−１．で検討したように、本件発明１が、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件発明２は、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
　 
４−３．本件発明３について 
　本件発明３は、請求項２を引用する発明であって本件発明２の構成を全て含むとともに、さらに「反応ガスにＳｉＨＣｌ３を用いる」点を追加したものであるから、本件発明２が、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件発明３は、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
　また、異議申立人の提出した、その他の証拠である甲第４号証（特開昭５０−１２９７１号公報）、甲第５号証（特開昭５９−５００９５号公報）、甲第６号証（特開昭６２−４３１５号公報）、甲第７号証（特開昭６３−２４４６１３号公報）にも、サセプタの表面に座グリ面を設け、該座グリ面で、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板の裏面外周部を保持して気相成長する気相成長方法において、前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に設ける点は、何ら記載も示唆もされておらず、その他の異議申立の理由及び証拠は、本件発明１〜３を取り消すべき理由として採用することはできない。 
　 
Ｖ．むすび 
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。 
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
よって結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
平成１７年８月４日（２００５．８．４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
気相成長方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】反応ガスが
導か
て、
　前記酸化膜あるいは窒化膜を、
前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に
　【請求項２】反応ガスが
導か
て、
　前記酸化膜あるいは窒化膜を、
前記座グリ面に接触する範囲を除いて、前記基板の裏面全面に
に
　【請求項３】反応ガスにＳｉＨＣｌ３を用いることを特徴とする請求項２記載の気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体デバイスを製作するに必要なエピタキシャル用半導体基板への気相成長方法に係り、詳しくは針状に異常成長する突起物であるノジュールの発生を防止し得るようにした気相成長方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　通常、基板（ウエーハ）ａの表面に半導体被膜を気相成長させる場合、この気相成長（エピタキシャル成長）中に、基板ａの裏面から基板ａ中のドーパント剤による不純物が反応炉内に浮遊しないように、図６の如く基板ａの裏面に酸化膜あるいは窒化膜からなる裏面被膜ｂを約３０００オングストロームの厚さで被膜して気相成長するようにしている。
　【０００３】なお、この裏面被膜ｂは、基板ａの裏面全面に施されている。ベベル面（円弧又は面取りした面を含む外周面）Ｂ部は、表面研磨時、チッピィング（小さなヒビ割れ）を防止するため削り落とされている。
　【０００４】一方、厚膜層を必要とする場合には、生産性を考慮し、原料ガスとしては気相成長率の高いＳｉＨＣｌ３が好んで用いられる。しかし、そのような原料ガスは気相成長段階でＨＣｌあるいはＣｌ２を生長させ、基板ａをエッチングする作用があり基板ａ内のドーパント剤を反応炉内部に供給し、これが成長層に取り込まれ、成長層を汚す問題、いわゆるオートドープがあるため、前記裏面被膜ｂが大切となる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、裏面被膜ｂを形成してエピタキシャル成長すると、図７に示すように、裏面被膜ｂのサセプタｃにより保持される部分に針状のシリコンの突起物であるノジュールｄが成長する。
　【０００６】この現象は基板ａの周辺部、すなわちサセプタｃによって保持される部分が反応ガスと接触するために、図８に示す如く、裏面被膜ｂを形成する粒子ｅ…の不連続な例えば空孔個所に反応ガスが進入して、針状にシリコンが成長すると考えられている。
　【０００７】このようなシリコンの異常成長によるノジュールｄが発生すると、後工程であるリソグラフィーで非合焦、あるいはマスクとの接触によるマスクの損傷等の問題を提起する。特に裏面被膜ｂが、５０μｍ〜１００μｍと厚膜になると顕著で、ノジュールｄの長さは５０〜６０μｍとなる。
　【０００８】現状は、発生したノジュールｄを研削除去しており、コスト高を招くなどの問題があった。また、研削する前に、取り扱いが悪いと、基板ａの割れなどの破壊を誘発する問題が内在している。
　【０００９】本発明は上記実情に鑑みなされたもので、裏面被膜の特定個所に発生するシリコンの針状の突起物であるノジュール発生を、特別の手段を用いることなく防止することができ、生産性の向上を可能とした気相成長方法を提供することを目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、課題を解決するための第１の手段として、反応ガスが導びかれる反応炉内に配設されたサセプタの表面に座グリ面を設け、該座グリ面で、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板の裏面外周部を保持して気相成長する気相成長方法において、前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記基板の裏面の前記座グリ面に接触しない範囲のみに設けて気相成長を行なうようにしたものである。
　【００１１】また、第２の手段として、反応ガスが導びかれる反応炉内に配設されたサセプタの表面に座グリ面を設け、該座グリ面で、裏面に酸化膜あるいは窒化膜を施した基板の裏面外周部を保持して気相成長する気相成長方法において、前記酸化膜あるいは窒化膜を、前記基板の裏面の前記座グリ面に接触しない範囲のみに設けると共にサセプタの基板を載置する面にシリコン被膜を形成した状態で気相成長を行なうようにしたものである。
　【００１２】
　【作用】
　上記第１の手段の気相成長方法によれば、サセプタと接触する部分には、酸化膜あるいは窒化膜等の裏面被膜を設けない状態で気相成長するようにしたから、裏面被膜のサセプタと接触する部分に特定して発生する針状のシリコンの突起物であるノジュールの発生を、特別の手段を用いることなく防止することができ、生産性の向上が図れる。
　【００１３】また、第２の手段の気相成長方法によれば、サセプタと接触する部分には、酸化膜あるいは窒化膜等の裏面被膜を設けないと共にサセプタの基板を載置する面にシリコン被膜を形成した状態で気相成長するようにしたから、裏面被膜のサセプタと接触する部分に特定して発生する針状のシリコンの突起物であるノジュールの発生を、特別の手段を用いることなく防止することができ、生産性の向上が図れ、また、サセプタおよび基板が加熱され状態となるとシリコン被膜が基板側に移動して基板に被膜が形成され、ドーパント剤による不純物の反応炉への拡散を防止することができる。
　【００１４】
　【実施例】
　以下、本発明の一実施例を図１ないし図３を参照して説明する。まず、図１および図２を参照して、本発明の気相成長方法を実施する気相成長装置の反応部の構成を説明する。
　【００１５】基台であるベースプレート１の上部には密封容器としての石英ベルジャ２が載置され、気密な反応炉３が構成されているとともに、この反応炉３には、サセプタ４が設けられている。
　【００１６】このサセプタ４の上面には、図２に示すように、複数個の座グリ面５…が形成されていて、これら座グリ面５…に基板（ウエーハ）６…が載置されるようになっている。
　【００１７】このサセプタ４は、サセプタ支え７によって支持されており、サセプタ支え７はサセプタ回転駆動部（図示しない）によって回転駆動され、前記サセプタ４が一体に回転するようになっている。
　【００１８】サセプタ４の下方には、高周波加熱コイル８が配置され、サセプタ４を加熱するようになっている。さらに、サセプタ４の中央部を貫通する状態にノズル９が設けられ、反応炉３内にキャリヤガスに混合された反応ガス１０を噴出するようになっている。
　【００１９】ノズル９は、石英ガラスで構成され、反応ガス噴出孔１１…が複数個（複数段）設けられており、反応ガス１０は水平方向（矢印方向）に噴出されるようになっている。
　【００２０】また、サセプタ４と高周波加熱コイル８との間には、高周波加熱コイル８を覆う構造をした石英製品からなるコイルカバー１２が設けられており、高周波加熱コイル８を反応ガス１０より隔離している。
　【００２１】また、反応炉３内の反応ガス１０は、ベースプレート１に形成された排気口１３を介して排気経路１４に導出されるようになっている。また、座グリ面５…は、図３に示すように、基板６の周縁部の下面を支持する段部５Ａと、これよりも深く形成された平坦状の底部５Ｂを有する形状となっている。
　【００２２】しかして、気相成長に当たっては、サセプタ４を回転させると共に高周波加熱コイル８によりサセプタ４を加熱し、基板６…を所要温度に加熱する。一方、このとき、ノズル９を回転させながらＳｉＨＣｌ３等の反応ガス１０を噴出させる。これにより、基板６…の表面に半導体の膜が気相成長されることになる。
　【００２３】なお、このとき、気相成長（エピタキシャル成長）中に、基板６の裏面から基板６中のドーパント剤による不純物が反応炉３内に浮遊しないように、基板６の裏面に酸化膜あるいは窒化膜からなる裏面被膜１５を約３０００オングストロームの厚さで被膜して気相成長するようにしている。
　【００２４】本発明の気相成長方法は、図３に示す如く、サセプタ４の保持部、すなわち、段部５Ａと接触する部分には存在しない状態で裏面被膜１５を形成したもの、すなわち、ベベル面（円弧又は面取りした面を含む外周面）Ｂ部からさらに内側へ約２ｍｍ削り落としたものをサセプタ４の座グリ面５…部にセットし気相成長するようにしている。
　【００２５】この様にして、１００μｍのエピタキシャル成長を行なったところ、従来発生していた針状のシリコンの突起物であるノジュールｄ（図７および図８参照）の発生をなくすことができた。
　【００２６】なお、裏面被膜１５の形成領域は、従来よりもＬ２−Ｌ１分だけ少なくなるため、基板６の下面周縁部分はその分余計に反応炉３内に晒されることになり、この部分よりドーパント剤による不純物が反応炉３内へ拡散される心配があったが、この個所に反応ガス１０が介在することによって基板６の表面程の成長率でないが成膜がなされて完全に当該面が覆われた状態となり問題とならなかった。
　【００２７】以上の如く、本発明の気相成長方法によれば、現状の裏面被膜１５の周縁部を削り落して該裏面被膜１５がサセプタ４に接触しないようにすることによって、基板６の裏面の針状のシリコンの突起物であるノジュールｄ（図７、図８参照）の生成を防止することができる。
　【００２８】したがって、ノジュールｄ（図７、図８参照）を研削除去する工程が不要となり、生産性が上がり経済的である。また、原料ガスとして気相成長率の高いＳｉＨＣ１３を用いてもオートドープの問題がなく、生産性の向上が図れる。
　【００２９】また、基板６が、特にＡｓ高濃度ドープ基板の場合には次のようにすることが好ましい。すなわち、図４の第１の変形例で示すように、サセプタ４の上面および座グリ面５…の段部５Ａにシリコン被膜１６を形成したものである。
　【００３０】この様にすると、サセプタ４および基板６が加熱された状態となると前記シリコン被膜１６が基板６側に移動して基板６に被膜（図示しない）が形成され、ドーパント剤による不純物の反応炉３への拡散を防止することができる。
　【００３１】特に、反応ガスにＳｉＨＣｌ３を用いる場合には所定温度で反応ガスの分解によりＨＣｌの濃度が上がり基板６をエッチングし、ドーパント剤による不純物の発生が顕著となるため、シリコン被膜１６の効果は大きい。
　【００３２】なお、図５に示す第２の変形例で示すように、中央部が傾斜下端となる斜面を有する円錐状底部５Ｃを有する座グリ面５′の場合についても同様に、裏面被膜１５の寸法Ｌ３で示す領域を削り落とすことによって、前記裏面被膜１５がサセプタ４と接触するのを防止することができ、同様の効果が得られる。なお、本発明は上記一実施例に限るものでなく、本発明の要旨を変えない範囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
　【００３３】
　【発明の効果】
　以上の如く、本発明の気相成長方法によれば、次のような効果を奏する。請求項１記載の気相成長方法によれば、サセプタと接触する部分には、酸化膜あるいは窒化膜等の裏面被膜を設けない状態で気相成長するようにしたから、裏面被膜のサセプタと接触する部分に特定して発生する針状のシリコンの突起物であるノジュールの発生を、特別の手段を用いることなく防止することができ、生産性の向上が図れる。
　【００３４】また、請求項２記載の気相成長方法によれば、サセプタと接触する部分には、酸化膜あるいは窒化膜等の裏面被膜を設けないと共にサセプタの基板を載置する面にシリコン被膜を形成した状態で気相成長するようにしたから、裏面被膜のサセプタと接触する部分に特定して発生する針状のシリコンの突起物であるノジュールの発生を、特別の手段を用いることなく防止することができ、生産性の向上が図れ、また、サセプタおよび基板が加熱され状態となるとシリコン被膜が基板側に移動して基板に被膜が形成され、ドーパント剤による不純物の反応炉への拡散を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の気相成長方法を実施する気相成長装置の反応部の構成を概略的に示す断面図。
　【図２】図１に示す装置の要部の一部を示す平面図。
　【図３】本発明の要部である基板保持部の状態を示す断面図。
　【図４】本発明の異なる実施例を示す基板保持部の状態を示す断面図。
　【図５】本発明のさらに異なる実施例を示す基板保持部の状態を示す断面図。
　【図６】従来の基板保持部の状態を示す断面図。
　【図７】従来の方法により針状シリコンが異常成長したノジュールの発生状態を示す図。
　【図８】図７のノジュールを拡大して示す図。
　【符号の説明】
　３…反応炉、４…サセプタ、５，５′…座グリ面、６…基板（ウエーハ）、９…ノズル、１０…反応ガス、１１…反応ガス噴出孔、１５…裏面被膜（酸化膜あるいは窒化膜）、１６…シリコン被膜、ｄ…ノジュール、Ｂ…ベベル面。