【事件の表示】
　特許第３３４８７１２号「ホットプレートユニット」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３４８７１２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３３４８７１２号は、平成１２年２月１０日に特許出願され、平成１４年９月１３日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人京セラ株式会社から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年９月３０日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１７年１月２６日に補正書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否
（１）平成１７年１月２６日に補正（当該補正は、明らかな誤記の補正であるから、補正は認められる。）された平成１５年９月３０日付けの訂正の内容
　別紙「訂正の内容」参照。
　
（２）訂正の適否
　訂正事項ａについて
　請求項１についての訂正事項ａは、冷却用流体が、流体供給ポートから供給される前記冷却用流体は、ホットプレート下面側に接触しながら流れるようにしたものであることを限定するもので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　上記訂正事項ａは、特許明細書の【００３９】段落に記載されていたことである。
　また、上記訂正事項ａは、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するものである。
　また、その他の訂正事項ｂについても特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するものである。
　
３．特許異議申立てについての判断
（１）本件発明
　上記のとおり、訂正は認められるから、本件特許の発明（請求項１ないし４）は、上記訂正された特許明細書に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】　ケーシングの開口部に、窒化物または炭化物セラミックからなるセラミック焼結体の板状基材と、抵抗体からなるホットプレートを設置してなるホットプレートユニットであって、
　前記ケーシング内の前記ホットプレート下に、冷却用流体の流通が可能な空間が形成されてなり、その空間に臨んで、流体供給ポートとともに流体排出ポートもしくは排気用孔のいずれかが設けられ、かつ板状基材の下面側の前記空間に面し、導電ペーストを焼き付けることにより形成された抵抗体を有し、前記流体供給ポートから供給される前記冷却用流体は、ホットプレート下面側に接触しながら流れるようにしたことを特徴とするホットプレートユニット。
（以下、「本件発明１」という。）
【請求項２】　前記導電ペーストは、金属粒子および金属酸化物を含むものからなる請求項１に記載のホットプレートユニット。
（以下、「本件発明２」という。）
【請求項３】　前記金属粒子は、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケルから選ばれることを特徴とする請求項２に記載のホットプレートユニット。
（以下、「本件発明３」という。）
【請求項４】　前記金属酸化物は、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナ、イットリア、チタニアから選ばれる請求項２に記載のホットプレートユニット
（以下、「本件発明４」という。）
　
（２）異議申立人提出の証拠に記載された発明／取消理由で引用された刊行物１ないし３に記載された発明
　刊行物１（甲第１号証）：特開平８−３１５９６５号公報
　刊行物１は半導体製造工程で用いる加熱装置に関し、【０００３】段落には従来の加熱装置として、ＡｌＮなどのセラミック材を用いていたことが記載されている。
　また、刊行物１の図１２及び段落番号【００６５】ないし【００６７】には、加熱板７１の下面に発熱体７４を接合するとともに、凹部８１ａが形成された反射板８１を接合し、上記凹部８１ａによって空隙を形成すること、さらに反射板８１の下面に冷却部材９１を備え、冷却ガスの流路とその両端部９４ａ、９４ｂを関口させることが記載されている。
　さらに、刊行物１の【００２０】ないし【００２３】段落には、
「【００２０】そして請求項８に記載したように、以上のように構成される各加熱装置において、発熱材に対して導通する導通部が外部表面にまで導出され、当該導通部の外方端部と給電部材とが電気的に接続され、この給電部材外周を気密に覆う絶縁部材の端面が、少なくとも前記接続部分を含む区域で、例えばＯリングなどのシール部材を介して加熱装置表面と気密に固定され、さらに前記接続部分近傍を冷却する冷却手段を具備した構成としてもよい。
【００２１】
　この請求項８の加熱装置では、導通部と給電部との接続部分が、給電部材外周を気密に覆う絶縁部材の端面によって、シール部材を介して気密に閉塞されている。そしてこの接続部分近傍が、冷却手段によって冷却されるので、加熱板部分を減圧状態、絶縁部材内側を例えば大気状態とすることが可能であり、加熱板内の発熱材に支障なく給電させることができる。この場合加熱板は、既述の如く熱伝導率の小さい石英（ＳｉＯ2）からなっているので、容易に熱勾配をつけることができ、そのように接続部分を冷却しても、加熱部分となるヒータパターンの加熱を妨げるおそれはない。
【００２２】
　そしてそのように冷却することにより、シール部材自体の熱変形による機能低下を防止することができ、しかもそのように温度を下げることにより、放電開始電圧レベルが上昇し、異常放電の危険性も低下する。なお冷却手段の冷却能力は、例えば接続部分近傍の加熱板を２００゜Ｃ程度にまで冷却、維持する能力があれば、本発明の所期の作用効果を得ることができる。
【００２３】冷却手段としては、例えば循環する冷却水によって冷却される熱伝導率が良好な部材を直接加熱板や反射板に接触させる構成としてもよく、その場合の冷媒も冷却水などの液体だけではなく、各種の気体冷媒を用いることができる。また導通部は、発熱材そのもので構成してもよい。」
と記載されている。
　また、刊行物１の【００６９】段落には、上記発熱材として金属粉を含むペーストを焼付けることが記載されている。
　
　刊行物２（甲第２号証）：特開平７−２３０８７６号公報
　刊行物２は、半導体製造工程で用いる加熱装置に関し、請求項６には、室化アルミニウムからなる基体に抵抗発熱体を備えてなること、請求項７には、この抵抗発熱体としてＭｏ等の金属とその酸化物とを含む旨記載されている。
　また、刊行物２の【００７４】、【００７５】段落及び図７には、基体２の底面２ｂ側に冷却容器７を設置して空間８を形成し、この空間に冷却用流体を供給するための供給口８と排出口１２を備えることが記載されている。
　また、図７の符号２２を付された部材は抵抗発熱体であるから、図７においては、基体２に抵抗発熱体２２が埋め込まれていることが示されている。
　
　刊行物３（甲第３号証）特開平９−２６００３１号公報
　刊行物３には、ガラス又はセラミックスをマトリックスとして金属粒子を複合相とする複合材料の抵抗発熱体が示されている。
　　
（３）本件発明１に対する各刊行物１ないし３との対比・判断
　本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、
「ケーシングの開口部に、窒化物または炭化物セラミックからなるセラミック焼結体の板状基材と、抵抗体からなるホットプレートを設置してなるホットプレートユニットであって、
　前記ケーシング内の前記ホットプレート下に、冷却用流体の流通が可能な空間が形成されてなり、その空間に臨んで、流体供給ポートとともに流体排出ポートもしくは排気用孔のいずれかが設けられ、かつ板状基材の下面側の前記空間に面し、導電ペーストを焼き付けることにより形成された抵抗体を有するホットプレートユニット。」において一致するが、次の点で相違する。
　
　相違点；刊行物１に記載された発明は、本件発明１の「板状基材の下面側の前記空間に面し、導電ペーストを焼き付けることにより形成された抵抗体を有し、流体供給ポートから供給される前記冷却用流体は、ホットプレート下面側に接触しながら流れるようにした」構成（以下、「本発明の特徴的構成」という。）を有しない点。
　
　相違点について検討すると、刊行物１には、「冷却手段としては、例えば循環する冷却水によって冷却される熱伝導率が良好な部材を直接加熱板や反射板に接触させる構成としてもよく、その場合の冷媒も冷却水などの液体だけではなく、各種の気体冷媒を用いることができる。」（【００２３】段落）との記載があるが、当該記載における冷却手段は、発熱材に対して導通する導通部と給電部材との接続部分近傍を冷却する手段（【００２１】及び【００２２】段落）であって、加熱板内の発熱材を直接冷却するものではなく、発熱材を反射板を介して間接的に冷却するにとどまり、本件発明１のように、導電ペーストを焼き付けることにより形成された抵抗体を有するホットプレートに対して、流体供給ポートから供給される前記冷却用流体がホットプレート下面側に接触しながら流れるようにして、抵抗体を直接冷却するものではないから、本発明の特徴的構成を導き出すことができない。
　また、刊行物１の上記【００２３】段落の記載は、発熱体を直接空冷するという一般的な慣用手段までは示唆するものの、導電ペーストを焼き付けることにより形成された抵抗体を有するホットプレートに対して、流体供給ポートから供給される前記冷却用流体がホットプレート下面側に接触しながら流れるようにして、抵抗体を直接冷却することは何ら示唆されないから、本発明の特徴的構成を導き出すことができない。
　さらに、図１２を参照しても、発熱材と冷却部材の間には反射板が介在するから、本発明の特徴的構成を導き出すことができない。
　
　刊行物２記載の発明は、抵抗発熱体が基体に埋設されているから、本発明の特徴的構成を導き出すことができない。
　
　刊行物３記載の発明は、冷却手段自体記載がないから、本発明の特徴的構成を導き出すことができない。
　
　本発明１は、上記本発明の特徴的構成を有することにより、「構造の複雑化や大型化を伴うことなく、短時間で冷却しうるホットプレートユニット」（本件特許明細書【発明の効果】）という、上記刊行物１ないし３にはない顕著な効果を有する。
　そうすると、本発明１は、上記刊行物１ないし３に基づいて当業者が容易に発明できたものとすることはできない。
　
（４）他の請求項に対する刊行物との対比・判断
　本件特許の請求項２ないし４に係る発明は、本件発明１をさらに限定するものであるから、本件発明１と同様に各刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものとすることはできない。
　
（５）むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１ないし４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年２月２日（２００５．２．２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ホットプレートユニット
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ケーシングの開口部に、窒化物または炭化物セラミックからなるセラミック焼結体の板状基材と、抵抗体からなるホットプレートを設置してなるホットプレートユニットであって、
　前記ケーシング内の前記ホットプレート下に、冷却用流体の流通が可能な空間が形成されてなり、その空間に臨んで、流体供給ポートとともに流体排出ポートもしくは排気用孔のいずれかが設けられ、かつ板状基材の下面側の前記空間に面し、導電ペーストを焼き付けることにより形成された抵抗体を有し、
前記流体供給ポートから供給される前記冷却用流体は、ホットプレート下面側に接触しながら流れるようにしたこと
　【請求項２】　前記導電ペーストは、金属粒子および金属酸化物を含むものからなる請求項１に記載のホットプレ−トユニット。
　【請求項３】　前記金属粒子は、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケルから選ばれることを特徴とする請求項２に記載のホットプレートユニット。
　【請求項４】　前記金属酸化物は、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナ、イットリア、チタニアから選ばれる請求項２に記載のホットプレートユニット。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、ホットプレートユニットに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体製造プロセスにおいて、例えば感光性樹脂塗布工程を経たシリコンウェハを加熱乾燥させる場合、通常、ホットプレートと呼ばれる加熱装置が用いられる。
　【０００３】
　この種の装置の従来例としては、例えば特公平４−１３８３７号公報に開示されたもの等がある。同公報における装置は、電熱部材としての窒化アルミニウム焼結体製のホットプレートと、そのプレートに設けられる抵抗体とからなる。抵抗体はホットプレートを構成するセラミック基材間に挟持されている。プレートの側方に突出している抵抗体の両端部は、それぞれ配線を介して電源に接続される。
　【０００４】
　そして、ホットプレートの上面側に被加熱物であるシリコンウェハを載置し、この状態で抵抗体に通電することにより、シリコンウェハが数百℃に加熱されるようになっている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、抵抗体への通電により所定時間の加熱を行なって感光性樹脂を乾燥させた場合、まずホットプレートをある程度低い温度まで放冷し、その後でシリコンウェハを取り外す必要がある。しかしながら、放冷にはある程度の時間を要し、このことが生産性の向上を図るうえで障害となっている。
　【０００６】
　そこで、例えば前記プレートの下面側に冷却用配管を設けてその配管に冷却水を通じることにより、プレートを強制的に冷却して冷却時間を短縮せんとする対策が考えられる。しかし、このような対策では、ユニット全体の構造が複雑になるばかりでなく、嵩張って大型化してしまうおそれがある。
　【０００７】
　また、ホットプレートの下面側にエアを吹き付けることにより、プレートを強制的に冷却して冷却時間を短縮せんとする対策も考えられる。しかし、このような対策では、エアに含まれる水分や塵埃によって装置の周囲が汚染されてしまうおそれがあり、現時点では実現性に乏しい。
　【０００８】
　さらに、従来のものにおいて、仮にプレートの下面側に端子を設けてそこから配線を引き出そうとした場合、装置下面側に突起物が存在した状態となり、支持ステージ上への取り付けが困難になる。
　【０００９】
　本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、構造の複雑化や大型化を伴うことなく、短時間で冷却しうるホットプレートユニットを提供することにある。
　【００１０】
　また、本発明のさらなる目的は、支持体に対して困難なく取付可能であって、しかもクリーンなホットプレートユニットを提供することにある。
　【００１１】
　上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、ケーシングの開口部に、窒化物または炭化物セラミックからなるセラミック焼結体の板状基材と、抵抗体からなるホットプレートを設置してなるホットプレートユニットであって、前記ケーシング内の前記ホットプレート下に、冷却用流体の流通が可能な空間が形成されてなり、その空間に臨んで、流体供給ポートとともに流体排出ポートもしくは排気用孔のいずれかが設けられ、かつ板状基材の下面側の前記空間に面し、導電ペーストを焼き付けることにより形成された抵抗体を有し、
前記流体供給ポートから供給される前記冷却用流体は、ホットプレート下面側に接触しながら流れるようにしたこと
　【００１２】
　【００１３】
　【００１４】
　本発明においては、前記ケーシングの開口部の上縁と前記ホットプレートの下面外周部との間には、シール構造が設けられることが好ましい。
　【００１５】
　本発明においては、前記ケーシングにおける配線引き出し部には、シール構造が設けられ、また、前記ケーシングの内側には、中底板が設けられることが好ましい。
　【００１６】
　本発明においては、前記ユニットの厚さは１．５ｍｍ〜１００ｍｍであることが好ましい。以下、本発明の「作用」について説明する。
　【００１７】
　本発明においては、ケーシングとホットプレートとにより構成された空間に流体を流通することによって、ホットプレートを強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて短時間で済むようになる。また、冷却用配管等の設置も不要なため、ユニット全体の構造が複雑化したり、嵩張って大型化してしまう心配もない。
　【００１８】
　本発明においては、ケーシングとホットプレートとの間に形成された略密閉空間に流体を流通することによって、ホットプレートを強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて短時間で済むようになる。ここで、前記空間は開放状態ではなく略密閉状態であることから、装置の外部に流体が漏れ出しにくく、それによって周囲を汚染する心配もない。従って、クリーンなユニットを実現することができる。
　【００１９】
　本発明においては、冷却用配管等の設置も不要なため、ユニット全体の構造が複雑化したり、嵩張って大型化してしまう心配もない。さらに、ホットプレートの下面側に端子等の突起物が仮にあったとしても、それらはケーシングとホットプレートと間に形成された空間内に配置される結果、装置外部に非露出の状態となる。従って、突起物の存在如何に関係なく、ケーシングの底部を支持体に対して困難なく取り付けることができる。
　【００２０】
　本発明においては、流体供給ポートを経て供給された流体は、前記空間内にてホットプレートの下面側に接触しながら流れる際に、ホットプレートの熱を奪う。熱を奪って温度が上昇した流体は、さらに流体排出ポートを経て再び空間の外に流出する。以上の結果、ホットプレートが強制的に冷却され、比較的短時間のうちに低い温度に戻る。
　【００２１】
　本発明においては、ケーシングの開口部の上縁とホットプレートの下面外周部との間がシールされることで、当該部分の隙間を介した装置外部への流体の漏れ出しが防止され、前記空間により高い密閉性が確保される。
　【００２２】
　本発明においては、ケーシングにおける配線引き出し部がシールされることで、当該部分を介した装置外部への流体の漏れ出しが防止され、前記空間により高い密閉性が確保される。
　【００２３】
　本発明においては、ユニットの厚さを上記好適範囲内に設定しているため、製造の困難化及び大型化を回避することができる。この場合、ユニットが厚くなりすぎると、全体が嵩張って大型化してしまう。逆に、ユニットを薄くしようとすると、プレートやケーシングを薄く形成しなければならず、製造が困難になるおそれがある。
　【００２４】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明を具体化した一実施形態のホットプレートユニット１を図１，図２に基づき詳細に説明する。
　【００２５】
　図１，図２に示されるホットプレートユニット１は、ケーシング２及びホットプレート３を主要な構成要素として備えている。ケーシング２は有底状の金属製部材（ここではアルミニウム製部材）であって、断面円形状の開口部４をその上部側に備えている。このケーシング２の底部２ａの中心部における３箇所には、図示しないリフトピンが挿通されるピン挿通スリーブ５が設けられている。これらのリフトピンは、シリコンウェハＷ１を３点で支持した状態で同シリコンウェハＷ１を昇降させる。底部２ａの外周部には、ホットプレート３に電流を供給するリード線６を挿通するための配線引出用孔７が形成されている。
　【００２６】
　本実施形態のホットプレート３は、感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハＷ１を２００〜３００℃にて乾燥させるための低温用ホットプレート３である。このホットプレート３は、セラミック焼結体からなる板状基材９に、抵抗体としての配線抵抗１０を設けることにより構成されている。この板状基材９は、後述するシールリング１４を介して、ケーシング２の開口部４に設置される。これを設置することにより、ケーシング２の内面側とホットプレート３の下面側との間には、略密閉された空間Ｓ１が形成される。
　【００２７】
　ここで、ユニット１の厚さは５ｍｍ〜１００ｍｍに設定されていることがよく、特には１０ｍｍ〜５０ｍｍに設定されていることがよい。その理由は、ユニット１が厚くなりすぎると、全体が嵩張って大型化してしまうからである。逆に、ユニット１を薄くしようとすると、ホットプレート３やケーシング２を薄く形成しなければならず、製造が困難になるおそれがあるからである。そして、本実施形態では、以上のことに鑑みて厚さを２０ｍｍに設定している。
　【００２８】
　図１に示されるように、ホットプレート３を構成する板状基材９は円形状であって、ケーシング２の外形寸法より若干小径となるように設計されている。配線抵抗１０は、板状基材９の下面側において同心円状ないし渦巻き状に形成されている。ホットプレート３の中心部には、各リフトピンに対応した３箇所にそれぞれピン挿通孔１１が透設されている。
　【００２９】
　板状基材９を構成するセラミック焼結体としては、耐熱性に優れかつ熱伝導率が高いという性質を有する窒化物セラミック焼結体を選択することがよい。窒化物セラミックとしては、例えば窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等のような金属窒化物セラミックの焼結体が好ましく、なかでも窒化アルミニウム焼結体が望ましい。その理由は、上記の焼結体中で熱伝導率が最も高いからである。なおこれらの他に、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等のような金属炭化物セラミックの焼結体を選択してもよい。
　【００３０】
　本実施形態の配線抵抗１０は、焼結体である板状基材９に対して導電ペーストを焼き付けることにより形成されたものである。導電ペーストとしては、金属粒子、金属酸化物、樹脂、溶剤などを含むものが一般的に使用される。導電ペーストに使用される好適な金属粒子としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、ニッケル等が挙げられる。これらの金属は高温に晒されても比較的酸化しにくく、通電により発熱させるにあたって充分大きな抵抗値を示すからである。導電ペーストに使用される好適な金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナ、イットリア、チタニア等が挙げられる。
　【００３１】
　図２に示されるように、配線抵抗１０の端部には、外部接続端子としてのパッド１０ａが形成されている。これらのパッド１０ａには、導電性材料からなる端子ピン１２の基端部がはんだ付けされている。その結果、各端子ピン１２と配線抵抗１０との電気的な導通が図られている。一方、各端子ピン１２の先端部には、リード線６の先端部にあるソケット６ａが嵌着されている。従って、リード線６及び端子ピン１２を介して配線抵抗１０に電流が供給される結果、配線抵抗１０の温度が上昇し、ホットプレート３全体が加熱される。
　【００３２】
　図２に示されるように、ケーシング２の開口部４の上縁には、複数のねじ孔１３が等間隔に透設されている。同じく前記開口部４の上縁には、シール構造としてのシールリング１４が配設されている。同シールリング１４は、環状をなしかつ開口部４の大きさとほぼ等しくなっている。シールリング１４の形成用材料としては、例えば樹脂や、ゴム等のような弾性体などが好ましい。シールリング１４において各ねじ孔１３に対応する箇所には、複数のねじ孔１５が透設されている。シールリング１４の内周面には、ホットプレート３の下面側外周部を水平に支持するための支持段部１６がその全周にわたって形成されている。なお、支持段部１６にホットプレート３を支持させたとき、シールリング１４の上端面の高さとホットプレート３の上面の高さとがほぼ同一になる。
　【００３３】
　そして、本実施形態におけるシールリング１４は、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレート３の下面外周部とがなす隙間をシールすることで、当該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担っている。
　【００３４】
　図１，図２に示されるように、シールリング１４の上面には、係止リング２１がねじ２５により固定されている。この係止リング２１は、環状の本体２２と、複数のねじ孔２３と、複数の係止片２４とを有する。支持段部１６にセットされたホットプレート３は、各係止片２４によって板厚方向から押圧されることにより、シールリング１４に挟持固定される。
　【００３５】
　図１に示されるように、ケーシング２の底部２ａには、流体供給ポート１７及び流体排出ポート１８がそれぞれボルト等を用いて設置されている。本実施形態において前記両ポート１７，１８は、互いに離間した位置に配設されている。両ポート１７，１８は、内端面及び外端面の両方において開口する流路を備えている。このため、その流路を介してケーシング２の内外が連通されている。
　【００３６】
　流体供給ポート１７の外端面側の開口部の内周面には雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には図示しない流体供給用の配管の一端が着脱可能となっている。この配管の他端は気体圧送ポンプに接続されているため、同配管を介して冷却用流体としてのエアが供給されるようになっている。一方、流体排出ポート１８の外端面側の開口部の内周面にも雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には図示しない流体排出用の配管の一端が着脱可能となっている。ケーシング２内のエアは、この配管を介して外部に排出される。なお、前記配管の他端は装置からいくぶん離れた箇所にて開放されている。
　【００３７】
　図２に示されるように、上記の配線引出用孔７には、シール構造としてのシールパッキング８が装着されている。このシールパッキング８は環状をなしており、ゴム等のような好適な弾性体によって形成されている。各リード線６は、このシールパッキング８の貫通孔に挿通されたうえでケーシング２の外部に引き出されている。即ち、本実施形態におけるシールパッキング８は、各リード線６と配線引出用孔７とがなす隙間をシールすることで、当該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担っている。
　【００３８】
　さて、次にこのホットプレートユニット１の使用方法について説明する。感光性樹脂が塗布されたシリコンウェハＷ１をホットプレート３上に載置し、この状態で配線抵抗１０に通電する。すると、加熱されたホットプレート３との接触によって、シリコンウェハＷ１の温度が次第に上昇する。所定時間のあいだ加熱を行なうことにより感光性樹脂が充分に乾燥したら、配線抵抗１０への通電を止める。
　【００３９】
　ここで、気体圧送ポンプを駆動して流体供給ポート１７側に冷却用のエアを供給し、同ポート１７を介してエアを密閉空間Ｓ１内に導入する。流体供給ポート１７を経て吐出されたエアは、密閉空間Ｓ１内にてホットプレート３の下面側に接触しながら、流体排出ポート１８のほうに向かって流れる。その際、同エアによってホットプレート３の熱が奪われる。熱を奪って温度が上昇したエアは、さらに流体排出ポート１８を経て再び空間の外に流出し、汚染の心配のない別の空間にて放出される。なお、一連のエアの流れは、図１における太線矢印により概略的に示されている。そして、ホットプレート３がある程度低い温度まで冷やされたら、シリコンウェハＷ１をホットプレート３から取り外す。
　【００４０】
　従って、本実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）このホットプレートユニット１では、上記のごとく略密閉された空間Ｓ１がケーシング２とホットプレート３との間に形成されている。ホットプレート３の下面側には端子ピン１２等の突起物が存在するものの、それらはケーシング２とホットプレート３と間に形成された空間Ｓ１内に配置されている。即ち、前記突起物は装置の外部に非露出となり、いわば保護された状態となる。従って、突起物の存在如何に関係なく、ケーシング２の底面を図示しない支持ステージに対して、困難なく取り付けることができる。
　【００４１】
（２）また、ケーシング２とホットプレート３との間に形成された空間Ｓ１は、略密閉されていることから、エアを流通可能なものとなっている。このため、空間Ｓ１内へのエアの流通によってホットプレート３を強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて冷却に要する時間が短くて済むようになる。ゆえに、このホットプレートユニット１を用いれば、１回の乾燥処理に要する時間が確実に短縮され、もって生産性の向上を図ることができる。
　【００４２】
　なお、空間Ｓ１は開放状態ではなく略密閉状態であることから、装置の外部にエアが漏れ出しにくく、それによって周囲を汚染する心配もない。即ち、本実施形態によれば、クリーンなユニット１を実現することができる。
　【００４３】
　また、この構成によれば、冷却用配管等の設置も不要なため、ユニット１全体の構造が複雑化したり、嵩張って大型化してしまう心配もない。
（３）本実施形態では、ケーシング２にその内外を連通させる流体供給ポート１７と流体排出ポート１８とがそれぞれ設けられている。従って、両ポート１７，１８を介して密閉空間Ｓ１内にエアを効率よく循環することにより、ホットプレート３を強制冷却し、比較的短時間のうちに低い温度に戻すことができる。
　【００４４】
（４）このホットプレートユニット１では、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレート３の下面外周部との間にシールリング１４を設け、当該部分における隙間のシールを図っている。よって、ケーシング２−ホットプレート３間の隙間を介した装置外部へのエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確保できる。このことはエア排出による周囲の汚染防止の確実化に貢献する。
　【００４５】
（５）また、このホットプレートユニット１では、さらに底部２ａの配線引出用孔７にシールパッキング８を設け、その配線引出用孔７にリード線６を挿通させている。従って、配線引出用孔７を介した装置外部へのエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確保できる。このこともエア排出による周囲の汚染防止の確実化に貢献する。
　【００４６】
（６）本実施形態では、ユニット１の厚さを１０ｍｍ〜５０ｍｍという好適範囲内に設定しているため、製造の困難化及び大型化を回避することができる。なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
　【００４７】
　密閉性がある程度確保されるのであれば、シールリング１４を省略するとともに、ケーシング２の開口部４の上面に直かに係止リング２１をねじ止めし、この状態で開口部４にホットプレート３を取り付けてもよい。即ち、ホットプレート３はケーシング２に対して直接取り付けられることができる。
　【００４８】
　配線引き出し部である配線引出用孔７を、ケーシング２の底部２ａ以外の場所、例えばケーシング２の側壁部に配設してもよい。同様に、ポート１７，１８をケーシング２の側壁部に配設してもよい。なお、配線引出用孔７やポート１７，１８の設置数は、必要に応じて増減することが勿論可能である。
　【００４９】
　ケーシング２に区画された密閉空間Ｓ１内には、エア（空気）以外の気体、例えば炭酸ガスや窒素等の不活性ガスを冷却用流体として流通することも可能である。また、電気的構成に悪影響を与えないものであれば、液体を冷却用流体として流通させることも許容されうる。なお、エアや不活性ガスは、低反応性であり抵抗体間ショートの心配がなく、かつ低コスト化にも有利である。
　【００５０】
　上記のホットプレート３を構成する板状基材９に、必要に応じて熱電対を埋め込んでおいてもよい。熱電対によりホットプレート３の温度を測定し、そのデータをもとに電圧値や電流値を変えることで、温度制御をすることができるからである。この場合、熱電対のリード線も同じくシールパッキング８を介して外部に引き出しておくことがよい。
　【００５１】
　図３に示す別例のホットプレートユニット１のように、ケーシング２から流体排出ポート１８を省略して、単なる排気用孔３１にしてもよい。即ち、ユニット１の内部は、必ずしも実施形態のような略密閉状態の空間になっていなくても（言い換えると開放状態の空間であっても）よい。この構成によれば、部品点数が減り、ユニット１の構造が簡略化される。
　【００５２】
　図４に示す別例のホットプレートユニット１のように構成してもよい。即ち、ここでは有底状でないケーシング２Ａを用いている。このような底なしのケーシング２Ａの内側には、開口としての排気用孔３１を有する金属製の中底板４１が設けられている。この別例の中底板４１は、略コ字状の支持金具４２によって支持された状態で、ねじ４３及びナット４４を用いてケーシング２Ａの被固定部４５の上面に固定されている。そして、この別例の構造においても、空間が密閉状態ではなくなっている。エアはケーシング２Ａと中底板４１との隙間からも外部に抜け出すことが可能となっている。前記中底板４１には開口が形成されていてもよい。
　【００５３】
　ここで、前記図４の別例のホットプレート３の製造工程の一例を説明する。
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５酸価０．５）１２重量部を混合し、成形型に入れて成形体とした。
　【００５４】
（２）成形体を窒素雰囲気中で３５０℃、４時間加熱してアクリル系樹脂バインダを熱分解させた。
（３）成形体を、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で３時間ホットプレスして窒化アルミニウム焼結体を得た。
　【００５５】
（４）上記（３）で得た焼結体の底面に、スクリーン印刷にて導電ペーストを印刷した。印刷パターンは、同心円状のパターンとした。導電ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。この導体ペーストは、銀・鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）、およびアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであった。
　【００５６】
（５）次に、導電ペーストを印刷した焼結体を７８０℃で加熱、焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともに、焼結体に焼き付け、発熱体を形成した。銀・鉛の発熱体は、厚さが５μｍ、幅が２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
　【００５７】
（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（４）で作成した焼結体を浸漬し、錫・鉛の（９／１）発熱体の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析出させて、配線抵抗１０とした。
　【００５８】
（７）電源との接続を確保するための端子を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀・鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。次いで、半田層の上にコバール製の端子ピン１２を載置して、３００℃で加熱リフローし、端子ピン１２を発熱体接続パッド１０ａの表面に取り付けた。
　【００５９】
（８）温度制御のための熱電対を有底穴に挿入し、ポリイミド樹脂を充填し、１９０℃で２時間硬化させ、ホットプレート３を得た。このホットプレート３を図３のユニットに組み込んだ。シールリング１４はフッ素樹脂を使用した。このユニット１について１４０℃まで上昇した後、供給ポートから空気を流し込んで９０℃までの冷却時間を測定したところ、３分であった。更に、比較例として、内部に空気の流路を設けたアルミニウム板に（１）〜（８）で製造したホットプレート３を接触させて、９０℃までの冷却を実施したところ、８分かかった。
　【００６０】
　次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。
（１）　本発明において、ケーシング−ホットプレート間に設けられるシール構造は、内周縁にプレート支持段部を有するシールリングであり、前記シールリングは前記ケーシングの開口部上面に対してねじ止めされていること。
　【００６１】
（２）　本発明または技術的思想１において、前記配線引き出し部に設けられたシール構造は、弾性体からなる環状のシールパッキングであること。従って、この技術的思想２に記載の発明によれば、シールパッキングに挿通された配線と配線引き出し部との間に隙間ができにくくなり、装置外部への流体の漏れ出しがより確実に防止され、密閉性が向上する。
　【００６２】
（３）　本発明または技術的思想１，２のいずれか１つにおいて、前記流体はエア（空気）であること。従って、この技術的思想３に記載の発明によれば、低反応性であり抵抗体間ショートの心配がなく、かつ低コスト化にも有利である。
　【００６３】
　【発明の効果】
　以上詳述したように、本発明によれば、構造の複雑化や大型化を伴うことなく、短時間で冷却しうるホットプレートユニットを提供することができる。
　【００６４】
　本発明によれば、支持体に対して困難なく取付可能であって、しかもクリーンなホットプレートユニットを提供することができる。本発明によれば、装置外部への流体の漏れ出しが防止され、前記空間により高い密閉性を確保することができるため、よりいっそうクリーンなものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】実施形態のホットプレートユニットを示す概略断面図。
　【図２】同じくその部分拡大断面図。
　【図３】別例のホットプレートユニットを示す概略断面図。
　【図４】別例のホットプレートユニットを示す概略断面図。
　【符号の説明】
　１…ホットプレートユニット、２，２Ａ…ケーシング、３…ホットプレート、４…開口部、７…配線引き出し部としての配線引出用孔、９…板状基材、１０…抵抗体としての配線抵抗、１７…流体供給ポート、１８…流体排出ポート、３１…排出孔としての排気用孔、Ｓ１…空間。