【事件の表示】
　上記当事者間の特許第５０４６０８３号発明「炭化珪素半導体装置の製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　被請求人は、平成１８年８月２４日に特願２００６−２２７６５０号として特許出願し、平成２４年７月２７日に特許権の設定登録がされた、発明の名称を「炭化珪素半導体装置の製造方法」とする特許第５０４６０８３号（請求項の数４。以下「本件特許」という。）の特許権者である。
　請求人は、平成２４年１２月１１日に本件無効審判の請求をした。
　その後の経緯概要は次のとおりである。
　
　平成２５年　２月２８日：請求人　手続補正書提出
　平成２５年　５月　２日：被請求人　審判事件答弁書提出
　平成２５年　６月２４日（同年同月２０日付け）：審理事項通知
　平成２５年　７月　８日：請求人　口頭審理陳述要領書提出
　平成２５年　７月　８日：被請求人　口頭審理陳述要領書提出
　平成２５年　７月２２日：請求人　上申書提出
　平成２５年　７月２２日：口頭審理
　
第２　本件発明
　本件特許第５０４６０８３号の請求項１ないし４に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりのものである（以下、それぞれ、「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明４」という。）。
　
　「【請求項１】
　ショットキー電極の終端領域の下の第１導電型の低濃度の炭化珪素膜に、イオン注入により第２導電型の領域を形成し高温活性化処理する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、
　上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されており、
　上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
　犠牲酸化によって形成された１４０ｎｍ未満の二酸化珪素層を除去することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】
　犠牲酸化によって形成した１４０ｎｍ以上の二酸化珪素層を除去することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
　　【請求項４】
　表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上の二酸化珪素層を除去する工程を、複数回繰り返して行うことを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。」
　
第３　請求人の主張
１　請求の趣旨及び無効理由
　請求人は、「特許第５０４６０８３号発明の特許請求の範囲の請求項１、２、３及び４に記載された発明の特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は次の理由により無効とすべきものであると主張した。
　
（１）無効理由１
　本件特許の請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証（以下「甲１」という。他の甲号証、乙号証についても同じ。）に記載された発明の開示からして、本件特許の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であり、また、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項３号及び同条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　本件特許の請求項３にかかる発明は、甲１に記載された発明の開示からして、本件特許の請求項４にかかる発明は、甲１、甲６及び甲７に記載された発明の開示からして、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
（２）無効理由２
　本件特許の請求項１及び２に係る発明は、甲６に記載された発明の開示からして、本件特許の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であり、また、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項３号及び同条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　本件特許の請求項３にかかる発明は、甲６に記載された発明の開示からして、本件特許の請求項４にかかる発明は、甲６及び甲７に記載された発明の開示からして、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
２　証拠方法
　請求人は上記主張に伴い、審判請求書において下記甲１〜８を提出し、口頭審理陳述要領書において下記甲９〜１１を提出した。これらの証拠の成立について争いはない。
　
　甲１：Kiyoshi Tone, Jian H Zhao, Maurice Weiner and Menghan Pan, 4H-SiC junction-barrier Schottky diodes with high forward current densities, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, （イギリス）, IOP Publishing, 2001年, Vol. 16, No. 7, p. 594-597
　甲２：特開２００１−５３２９３号公報
　甲３：H. Nakamura, H. Watanabe, J. Yamazaki, N. Tanaka and R. K. Malhan, Micro-Structural and Electrical Properties of Al-Implanted  Lamp-Annealed 4H-SiC, Materials Science Forum, （スイス）, Trans Tech Publications, 2002年, Volumes 389-393, p. 807-810
　甲４：特開平１１−７４２６３号公報
　甲５：特開２００４−２８９０４１号公報
　甲６：LIHUI CAO, 4H-SiC Gate Turn-Off Thyristor and Merged P-i-N and Schottky Barrier Diode, （アメリカ合衆国）, UMI Dissertation Services, 2000年, p. 64-91
　甲７：特開２００４−５５６２７号公報
　甲８：J. Campi, Y. Shi, Y. Luo, F. Yan, Y. K. Lee and J. H. Zhao, Effect of Post-Metal Annealing on the Quality of Thermally Grown Silicon Dioxide on 6H- and 4H-SiC, Materials Science Forum, （スイス）, Trans Tech Publications, 1998年, Volumes 264-268, p. 849-852
　甲９：最高裁平成３年３月８日第二小法廷判決（昭和６２年（行ツ）第３号）
　甲１０：最高裁判所判例解説　民事篇，財団法人法曹会，1994年2月，28-50ページ
　甲１１：篠原勝美，「知財高裁から見た特許審査・審判」，特技懇誌，特許庁技術懇話会，2005年11月，239号，3-14ページ
　
第４　被請求人の主張
１　答弁の趣旨
　被請求人は、「本件無効審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め、請求人の主張する無効理由はいずれも理由のないものであると主張した。
　
２　証拠方法
　被請求人は上記主張に伴い、審判事件答弁書において下記乙１〜４を提出した。これらの証拠の成立について争いはない。
　
　乙１：高橋清，新居和嘉監修，「半導体・金属材料用語辞典」，株式会社工業調査会，1999年9月20日，1127-1128ページ
　乙２：特開２００６−６６４５０号公報
　乙３：特開２０００−３１９０９９号公報
　乙４：特開２００２−２６１２９５号公報
　
第５　各甲号証の記載事項及び各乙号証の記載事項
１　甲１の記載事項
　本件特許の出願前に外国において頒布された刊行物である甲１（Kiyoshi Tone, Jian H Zhao, Maurice Weiner and Menghan Pan, 4H-SiC junction-barrier Schottky diodes with high forward current densities, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, （イギリス）, IOP Publishing, 2001年, Vol. 16, No. 7, p. 594-597）には、図１とともに次の記載がある（ここにおいて、下線は当審が付加したものである。また、英文の後の日本語訳は、請求人による甲１の翻訳文を参照した当審による翻訳文である。以下同じ。）。
　
（１）「1. Introduction
Recent development of high-power devices based on the wide-bandgap semiconductor silicon carbide (SiC) has paid special attention to the integrated diode structures, i.e., 
so-called junction-barrier Schottky (JBS) diodes and merged pin/Schottky-barrier (MPS) diodes, in which regions of pn and Schottky barrier (SB) junctions are alternated in short periods of a few to several μm [1]
　（１．はじめに
　炭化珪素（ＳｉＣ）からなるワイドバンドギャップ半導体に基づく高出力デバイスに関する最近の研究は、集積ダイオード構造に特に注目している。すなわち、
ｐｎ接合とショットキーバリア（ＳＢ）接合の領域が数μｍ間隔の短い間隔て交互に並ぶ、いわゆるジャンクションバリアショットキー（ＪＢＳ）及びｐｉｎ／ショットキーバリア融合（ＭＰＳ）ダイオードが特に注目されている[1]
　
（２）「2. Device fabrication
Figure 1 shows the cross-sectional view of a fabricated 4H-SiC JBS diode with multi-step junction termination extension (MJTE) [8]
The n-type 4H-SiC epitaxial wafer
The p
+
-implanted regions for both JBS and MJTE were simultaneously created by multiple-energy (30-600 keV) implantation of Al ions forming a box profile of 2×10
18
 cm
-3
 with a pn junction depth of approximately 1.0μm
The implanted Al atoms were then thermally activated for 30 min in a conventional furnace
the temperature was lowered to 1400℃ to maintain the integrity of the SiC surface as much as possible
　
Following the post-implantation annealing, the steps for the MJTE were formed by using inductively coupled plasma (ICP) etching
The wafer was then passivated with a 60 nm thick thermal oxide and a 1.0μm thick LPCVD oxide
Further, the SB contacts on the top side were made, after opening the windows in the passivation oxides by buffered HF etching, by sputter depositing a 150 nm thick Ni layer followed by a 300 nm thick Al layer
　（２．デバイスの製造
図１は、マルチステップ接合終端延長（ＭＪＴＥ）を有する４Ｈ−ＳｉＣ　ＪＢＳダイオードの断面図である[8]
ｎ型４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャルウエハ
ＪＢＳ及びＭＪＴＥの両者に対するｐ
＋
注入領域が、約１．０μｍのｐｎ接合深さを有する２×１０
１８
ｃｍ
−３
の箱状外形を形成するＡｌイオンの多重エネルギー注入（３０−６００ｋｅｖ）によって同時に作成された
続いて、一般的な炉において、注入されたＡｌ原子が、３０分間、熱的に活性化された
温度は、できる限りＳｉＣ表面の完全な状態を維持するために、１４００℃に下げられた
　
注入後のアニール工程に続き、ＭＪＴＥ用の段が、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングを用いて形成された
続いて、ウエハが６０ｎｍの厚みの熱酸化膜と、１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化物とで不動態化された
更に、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって不動態化された酸化膜内に開口が開けられた後で、１５０ｎｍの厚みのＮｉ層に続いて３００ｎｍの厚みのＡｌ層をスパッタ堆積することで、ＳＢ接触が表側で形成された
　
（３）図１は、次のものである。
　
　
２　甲２の記載事項
　本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲２（特開２００１−５３２９３号公報）には、図２、３及び９とともに次の記載がある。
　
（１）「【００２０】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
〔実施例１〕
図２は、本実施例１のショットキーダイオードの断面図である
【００２１】
ＳｉＣ基板１としては、高濃度のｎ型不純物を含む４Ｈ型のＳｉＣ単結晶のｎ
+
 サブストレート１１上にｎエピタキシャル層１２を成長したエピタキシャルウェハを用いた
なお本実施例のエピタキシャルウェハは、(0001)Ｓｉ面から
11-20
 方向に８度傾けた面にｎエピタキシャル層１２を成長してある
　
（２）「【００３５】〔実施例２〕
図３は、本発明第二の実施例のショットキーダイオードの断面図である
【００３６】このＳＢＤと実施例１のショットキーダイオードとの違いは、ショットキー電極４が、バリア金属４１、密着用金属４２、配線用金属４３からなっている点である。
【００３７】次にこのダイオードの作製方法を述べる。
用いたＳｉＣ基板
は実施例１と同じである
【００３８】その処理の後、ｎエピタキシャル層１２上にショットキー電極４を形成した。バリア金属４１にはＴｉを用い、その厚さを３００〜６００nmとした。続いて密着用金属４２としてＮｉを３００nm、配線用金属４３としてＡｕを２０００nm成膜した。成膜法はいずれもスパッタ法である。ショットキー電極４形成後、フォトリソグラフィ法でパターニングした。電極径は２００μm である。」
　
（３）「【００６１】［実施例］
図９は、本発明第三の実施例のＳｉＣショットキーダイオードの断面図である
【００６２】
ＳｉＣ基板１は、実施例１と同じ４Ｈ型ＳｉＣ単結晶エピウェハを用いた
【００６３】フッ酸処理およびＲＣＡ洗浄をおこなった後、基板の表面層を除去するため酸化をおこなった。ウェット雰囲気下で１１００℃×３０分間加熱し、酸化膜を形成した。この酸化で生じる酸化膜は、(000-1) Ｃ面で約５０nmであり、(0001)Ｓｉ面では、約１５nmである。
【００６４】酸化膜をフッ酸で除去し、
(0001)Ｓｉ面すなわちエピタキシャル層表面にショットキー電極４を形成した
【００６５】その後、燐イオンの注入により形成した注入層５の表面にＴｉ、Ｎｉ、Ａｕをそれぞれ厚さが５００、２００、１５０nmとなるようにスパッタ法で形成して三層のオーミック電極６とした。」
　
３　甲３の記載事項
　本件特許の出願前に外国において頒布された刊行物である甲３（H. Nakamura, H. Watanabe, J. Yamazaki, N. Tanaka and R. K. Malhan, Micro-Structural and Electrical Properties of Al-Implanted  Lamp-Annealed 4H-SiC, Materials Science Forum, （スイス）, Trans Tech Publications, 2002年, Volumes 389-393, p. 807-810）には、次の記載がある。
　
（１）「Exprimental
The (0001)-oriented
n-type 4H-SiC epitaxial wafers
　（実験
１×１０１６ｃｍ−３の正味ドナー濃度を有し、１０μｍの厚みで、
（０００１）面のｎ型の４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャルウエハ
　
４　甲４の記載事項
　本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲４（特開平１１−７４２６３号公報）には、図１及び３とともに次の記載がある。
　
（１）「【０００２】
【従来の技術】炭化けい素（以下ＳｉＣと記す）は、バンドギャップが広く、また最大絶縁電界がシリコンと比較して一桁も大きいことから、次世代の電力用半導体素子等への応用が期待されている材料である。そして、６Ｈ−ＳｉＣや４Ｈ−ＳｉＣなどアルファ相の高品質の単結晶が製造されるようになり、これまでに、ショットキーダイオード、ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、サイリスタなどの半導体素子が試作されて、その特性から従来のシリコンと比較して非常に特性が良好なことが確認されている。
【０００３】ＳｉＣはシリコンと同様に酸化性雰囲気（例えば、ドライ酸素、水蒸気など）中で、高温（１０００℃〜１２００℃）にさらすと表面に、酸化けい素膜（以下ＳｉＯ2 膜と記す）が成長する。しかも、良好な絶縁膜―半導体界面をもつＳｉＯ2 膜が得られることが知られている。このような物性は化合物半導体としては他に類を見ない特性であり、この特性を利用して比較的容易にＭＯＳＦＥＴの製造ができるので、将来の広い応用が期待されている。
【０００４】熱酸化によるＳｉＣ上のＳｉＯ2 膜の成長については、種々の性質があきらかにされている。例えば、
図３は、M.R.Melloch とJ.A.Cooperによる水蒸気雰囲気におけるＳｉＣのＳｉＯ
2
 膜成長速度の温度依存性を示した図である（MRS Bulletin, March 1997,p.42）
【０００５】
図３に見られるようにＳｉＣ上のＳｉＯ
2
 膜の成長速度には結晶方位依存性があり、（０００１）シリコン面（以下Ｓｉ面と記す）は（０００−１）炭素面（以下Ｃ面と記す）と比較して成長速度が非常に小さいという特徴がある
　
（２）「【００１７】［実験１］ドライ酸素からウェット酸素雰囲気の水蒸気分圧の高くなるほど、酸化膜厚が厚くなるというシリコンについての実験結果は、ＳｉＣにおいても同様であろうと、これまで考えられてきたが、それを立証する実験データは無かった。
発明者は
パイロジェニック酸化で水素と酸素との流量比を変えて、水蒸気の分圧を変化させた実験をおこなったところ、シリコンとはまったく異なる特性になることを見出した
【００１８】
試料としては、１×１０
16
ｃｍ
-3
のキャリア濃度のＡｌドープ、面方位（０００１）Ｓｉ面のｐ型ＳｉＣを用いた。熱酸化条件は、１１００℃、５時間である。図１は、水蒸気の分圧とＳｉＯ
2
 膜厚との関係を示す図である
【００１９】
この図からわかるように、水蒸気の分圧が０．２前後のところで、ＳｉＯ
2
 膜厚はピークを示している
水蒸気の分圧が０．２前後の条件では、実験した最大水蒸気分圧０．９５の場合と比較して１．５倍以上、水蒸気１００％の場合と比較すれば、ほぼ２倍にあたる厚い酸化膜が得られることになる。そして水蒸気分圧が０．１〜０．９の範囲では、水蒸気分圧０．９５の場合と比較して、２０％以上厚いＳｉＯ
2
 膜が得られ、特に、水蒸気分圧が０．１〜０．４の範囲では、５０％以上厚いＳｉＯ
2
 膜が得られることがわかる
　
（３）図３は、次のものである。
　
　
５　甲５の記載事項
　本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲５（特開２００４−２８９０４１号公報）には、図３とともに次の記載がある。
　
（１）「【００２３】
次に、図３（ｄ）に示すように、
ソース領域５／ドレイン領域６の形成が終了したら、ＲＣＡ洗浄で清浄化した基板表面に約２０〜４０ｎｍの一過性の酸化膜（１１００℃、ＤＲＹ酸化）を成長させ、成長した酸化膜を希釈フッ酸溶液（ＤＨＦ）で直ちに取り除く
この工程によって、イオン注入と活性化熱処理で基板表面に生じた結晶不整層、注入損傷層、各種汚染層、炭化層を効果的に除去することができる
【００２４】
一過性の熱酸化膜をＤＨＦで除去したら基板を充分洗浄し、基板表面に再び約２０ｎｍ厚さの熱酸化膜（１１００℃、ＷＥＴ酸化）９を成長し、更にその上に常温ＣＶＤで８００ｎｍの酸化膜からなる上部絶縁膜１０を堆積する。こうして熱酸化膜９と上部絶縁膜１０とで構成されるフィールド絶縁膜８が形成される。従来技術では上記一過性の熱酸化膜を形成することなく、熱酸化膜を形成しているので、酸化した膜中に結晶の汚染や欠陥が取り込まれる。このような結晶の汚染や結果の取り込みは、デバイス性能の低下や不安定の原因になる
　
６　甲６の記載事項
　本件特許の出願前に外国において頒布された刊行物である甲６（LIHUI CAO, 4H-SiC Gate Turn-Off Thyristor and Merged P-i-N and Schottky Barrier Diode, （アメリカ合衆国）, UMI Dissertation Services, 2000年, p. 64-91）には、図３．１及び３．８とともに次の記載がある。
　
（１）「In contrast to p-i-n diodes, Schottky diodes exhibit a reverse current characteristic, which is by far more dependent on the applied reverse voltage. This is equivalent to a dependence on the electrical field strength at the Schottky barrier. For instance, the well-known Schottky barrier lowering by image force results in an exponential increase of reverse current with the square root of the field strength (JR〜exp(E0.5)). An even critical term in the exponential function of the reverse current characteristic is the linear dependence of the barrier lowering on the electrical field (JR〜exp(E)). Such a strong field dependence is described to arise from a 'static lowering' [S.M.Sze, 1981 [1]] or is derived from an 'interfacial layer theory' [Wu, 1982 [7]]. In comparison with silicon based Schottky diodes, an electrical field dependence of the reverse current becomes more crucial using SiC due to its extreme high critical electrical field strength [See Table 1.1]. For practical applications of SiC Schottky rectifiers, it is essential to limit the reverse current at the maximum reverse voltage to acceptable level. One solution is to screen the metal-semiconductor interface from high fields during reverse biasing. 
This is realized by forming a geometrical structure of p regions at the surface of the n-drift region below the Schottky metal (See Fig. 3.1) as was proposed by Wtlamowski for silicon devices [Wilamowski, 1983 [8]]. This kind of device is called merged pn and Schottky barrier diode (MPS) and is the topic of this chapter. The MPS structure shown in Figure 3.1 has p regions beyond the Schottky metal. Those p regions are floating field rings [BJ. Baliga, 1992[9]] and are used to be the device's edge termination
　The MPS behaves like a SBD when it is forward biased but with lower current density at a specified bias voltage, depending on the area ratio of the p region. This is because the p regions do not conduct current at usual working forward bias. The MPS behaves like a p-i-n diode when it is reverse biased. When the MPS is reverse biased, the depletion layers formed at the P-N junctions spread into the channel. After depletion layer pinch-off, a potential barrier is formed in the channel and further increase in applied voltage is supported by it with the depletion layer extending toward the N+ substrate. The potential barrier shields the Schottky barrier from the applied voltage. This shielding eliminates the large increase in leakage current observed for conventional Schottky barrier diode. The shielding effectiveness depends on the geometry of the MPS structure and will be discussed in section 3.2.
　
Al or Al+C implantation [J. Zhao, 1997 and K. Tone, 1997, [10]] can be used to create the top p
+
 layer and the floating field rings. Ion-implantation causes material damage and reduces the critical field value. The dose has to be carefully chosen to yield reasonably high hole concentration and at the same time not cause severe material damage. Appropriate annealing of the implanted wafer is necessary to cure the damaged crystal structure and activate the dopant. Annealing time and temperature is important
　Recently, R. Held et al [R. Held et al, 1998 [11]] and F. Dahiquist et al [F. Dahlquist et al, 1998 [12]] fabricated SiC MPS and encouraging results were obtained. However, their devices did not have advanced edge termination and only limited data is available. So, further study of this approach is needed. In this chapter, MPS with floating field rings edge termination will be designed, fabricated, and tested.」（６６ページ１７行〜６８ページ１４行）
　（ｐ−ｉ−ｎダイオードとは対照的に、ショットキーダイオードは、印加された逆電圧にはるかに強く依存する逆電流特性を有する。これはショットキー障壁における電界強度への依存と同等である。例えば、鏡像力による周知のショットキー障壁の低下は、電界強度の平方根による逆電流の指数関数的増加（ＪＲ〜ｅｘｐ（Ｅ０．５））をもたらす。逆電流特性の指数関数におけるはるかに影響の大きい項は、電界に対する障壁低下の一次従属（ＪＲ〜ｅｘｐ（Ｅ））である。このような強い電界依存は「静的障壁低下」に起因する[S.M.Sze, 1981 [1]]、或いは「インターフェース層理論」に由来すると述べられている[Wu, 1982 [7]]。珪素をベースとしたショットキーダイオードに比較すると、ＳｉＣを使用した（ショットキーダイオード）の逆電流の電界依存性は、その極めて高い臨界電界強度を理由として更に決定的である[表1.1参照]。ＳｉＣショットキー整流器の実用を目的として、最大逆電圧における逆電流を受容可能なレベルに制限することが必要不可欠である。ひとつの解決法は、逆方向バイアスの問に高い電界から金属半導体界面を遮蔽することである。
これは、Ｗｉ１ａｍｏｗｓｋｉが珪素デバイスに対して提唱したように、ショットキー金属の下のｎ−ドリフト領域の表面にｐ領域の幾何学的構造を形成することにより実現される（図３．１参照）[Wilamowski, 1983 [8]]。このような種類のデバイスはｐｎ・ショットキーバリア融合ダイオード（ＭＰＳ）と称され、本章の主題である。図３．１に示すＭＰＳ構造は、ショットキー金属（の下）以外にｐ領域を有している。これらのｐ領域はフローティングフィールドリングであって[BJ. Baliga, 1992[9]]、デバイスの終端となるようにして使用されている
　ｐ領域の面積比に依存するが、低い電流密度と特定のバイアス電圧において順方向にバイアスされたとき、ＭＰＳはＳＢＤのように振舞う。これは、ｐ領域が通常の作動順方向バイアスでは電流を伝導しないためである。逆方向にバイアスされたとき、ＭＰＳはｐ−ｉ−ｎダイオードのように振舞う。ＭＰＳが逆方向にバイアスされると、Ｐ−Ｎ接合に形成された空乏層がチャンネル内で伸張する。空乏層がピンチオフした後には、ポテンシャル障壁がチャネル内に形成される。そして、印加電圧の更なる上昇は、空乏層がＮ＋基板の方向に延出することで支えられる。ポテンシャル障壁は、印加電圧からショットキー障壁をシールド（遮蔽）する。このシールドにより、従来のショットキーバリアダイオードに見られた漏れ電流の大きな増加が解消される。このシールド効果はＭＰＳ構造の幾何学的形状に依存するが、これについては３．２で述べる。
　
Ａｌ又はＡｌ＋Ｃ注入[J. Zhao, 1997 and K. Tone, 1997, [10]]は、上部ｐ
＋
層及びフローティングフィールドリングを作成するために使用できる。イオン注入は材料にダメージを与えるとともに臨界電界値を減少させる。高いホール濃度を得ると同時に深刻な材料ダメージを引き起こさないように、ドーズ（イオン注入量）は入念に選択されるべきである。ダメージを受けた結晶構造を回復させ且つ不純物を活性化させるために、注入を受けたウエハの適切なアニールが必要である。アニール時間と温度が重要である
　近年、Ｒ．Ｈｅｌｄら[R. Held et al, 1998 [11]]及びＦ．Ｄａｈｉｑｕｉｓｔら[F. Dahlquist et al, 1998 [12]]がＳｉＣ　ＭＰＳを製造し、有望な結果が得られた。しかしながら、彼らのデバイスは有利な終端を有するものではなく、限られたデータしかない。したがって、このアプローチに対する更なる研究が必要である。本章ではフローティングフィールドリングを有するＭＰＳが設計され、製造され、テストされる。）
　
（２）「3.3 4H-SiC MPS Fabrication
　The fabrication processes have been successfully developed and integrated. 
The fabrication of 4H-SiC MPS followed the process flow shown in Figure 3.8
　(1) Wafer cutting using a dicing saw
　(2) Standard RCA cleaning
　(3) Lithography to pattern alignment mark
　(4) ICP etching mask deposition: ITO (Indium Tin Oxide) 2000A by sputtering
　(5) Lift-off in acetone, DI water rinse, nitrogen blow dry
　(6) ICP etching of SiC to create alignment marks (See Table 3.1 for conditions)
　(7) ITO removal by HCl acid
　(8) RCA cleaning
　(9) Implantation mask deposition: LPCVD oxide 1.4μm
　(10) Lithography to define Al implantation pattern (guard rings and pn diode portion)
　(11) ICP etching mask deposition: Al (thickness 2000A) by sputtering
　(12) Lift-off in acetone, DI water rinse, Nitrogen blow dry
　(13) ICP etching of LPCVD oxide (See Table 3.2)
　(14) Removal of Al etching mask using Aluminum etchant
　(15) 
Al ion implantation
　(16) Removal of LPCVD oxide implantation mask using 7:1 buffered HF, followed by RCA cleaning
　(17) 
Dopant activation annealing (1550℃, 30min. in Ar)
　(18) RCA cleaning
　(19) 
Wet thermal oxidation, 1100℃, 1 hour. Remove thermal oxide buffered HF
　(20) RCA cleaning
　(21) 
Wet thermal oxidation, 1100℃, 5 hours
　(22) Backside cleaning
　(23) Backside contact metal (Ni) sputtering deposition (3000A)
　(24) Backside contact metal annealing to form ohmic contact (1050℃, 10min. in Ar) The specific contact resistivity of the backside ohmic contact is expected in the 10-6-10-5 Ω・cm2 range according to our previous experience.
　(25) 
Lithography to pattern front side metal
　(26) 
Front surface thermal oxide window opening
　(27) 
Front side metal (Ni) sputtering deposition
　(28) 
Lift-off in acetone
　The top view of a fabricated MPS is shown in Figure 3.9.」（７５ページ２０行〜８３ページ１６行）
　（３．３　４Ｈ−ＳｉＣ　ＭＰＳの製造
　製造方法の開発や統合が順調に行われた。
４Ｈ−ＳｉＣ　ＭＰＳの製造は、図３．８に示す工程フローに沿うものであった
　（１）ダイシングソーによるウエハ切断
　（２）標準ＲＣＡクリーニング
　（３）位置合わせマークのパターンニングのためのリソグラフィ
　（４）ＩＣＰエッチングマーク堆積：スパッタリングによるＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）２０００Ａ
　（５）アセトン内でのリフトオフ、純水リンス、窒素ブロー乾燥
　（６）位置合わせマーク作成のためのＳｉＣのＩＣＰエッチング（条件については表３．１参照）
　（７）ＨＣｌ酸によるＩＴＯ除去
　（８）ＲＣＡクリーニング
　（９）注入マスク堆積：ＬＰＣＶＤ酸化物　１．４μｍ
　（１０）Ａｌ注入パターン形成のためのリソグラフィ（ガードリング及びｐｎダイオード部）
　（１１）ＩＣＰエッチングマスク堆積：スパッタリングによるＡｌ（厚さ２０００Ａ）
　（１２）アセトン内でのリフトオフ、純水クリーニング、窒素ブロー乾燥
　（１３）ＬＰＣＶＤ酸化物のＩＣＰエッチング（表３．２参照）
　（１４）Ａｌエッチング液によるＡｌエッチングマスクの除去
　（１５）
Ａｌイオン注入
　（１６）７：１に酸性度の調整されたＨＦによるＬＰＣＶＤ酸化物注入マスク除去、その後ＲＣＡクリーニング
　（１７）
不純物活性化アニール（１５５０℃、３０分、Ａｒ中）
　（１８）ＲＣＡクリーニング
　（１９）
ウェット熱酸化、１１００℃、１時間。緩衝フッ酸（ＢＨＦ）で熱酸化層を除去
　（２０）ＲＣＡクリーニング
　（２１）
ウェット熱酸化、１１００℃、５時間
　（２２）裏面側クリーニング
　（２３）裏面側接触金属（Ｎｉ）スパッタリング堆積（３０００Ａ）
　（２４）オーミック接触形成のための裏面側接触金属アニール（１０５０℃、１０分、Ａｒ中）。我々の経験によれば、裏面側オーミック接触の接触比抵抗率は１０−６乃至１０−５Ω・ｃｍ２と予想される。
　（２５）
表面側金属のパターニングのためのリソグラフィ
　（２６）
表面熱酸化層に開口を開ける
　（２７）
表面側金属（Ｎｉ）をスパッタ堆積
　（２８）
アセトン内でのリフトオフ
製造されたＭＰＳの上面図を図３．９に示す。）
　
（３）図３．１は、次のものである。
　
　
（４）図３．８は、次のものである。
　
　
　
　
　
　
　
７　甲７の記載事項
　本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲７（特開２００４−５５６２７号公報）には、図７〜１４とともに次の記載がある。
　
（１）「【００３７】
次に、上記本発明のデバイスを製作する場合のプロセスの概要を、図７〜図１４を参照して説明する。
まず、図７の第１の工程で、Ｎ↑−型シリコン基板（Ｎｄ＝１×１０↑１４　１／ｃｍ↑３）上に約１μｍ厚の埋め込み酸化膜２２（ＢＯＸ）があり、さらにその上に１２μｍ厚でかつρ＝０．４９Ω・ｃｍのｎ↑−層２３を有するＳＯＩ基板２１を使用する。
このＳＯＩ基板２１は、上下のｎ↑−・Ｎ↑−ウェーハが各々のＢＯＸ面同士を対向配置させ、高温熱処理炉中で貼り合わせられ、合体させた後に、ｎ↑−側（当初のＢＯＸ面の反対面）のみを研磨し、１２μｍの厚さに仕上げるものであるが、現在では比較的安価であるので市販のものを使用する。
【００３８】
次に、図８に示すように、第２の工程で上記ＳＯＩ基板２１が高温（１０００〜１１００℃）の酸化炉中に投入され、その表面に酸化膜２７が形成される。
続いて、図９の第３の工程において、例えば４μｍ幅のトレンチ部２４ａが開口され、シリコンバルク部となる８μｍ幅が残される。
次の第４の工程においては、図１０に示すように、トレンチ２４が、周知のドライ・エッチング技術を駆使してその深さ１２μｍのＢＯＸ２２に達するまで掘り込まれる。
【００３９】
上記トレンチ２４側面のシリコンがドライ・エッチされた面は、エッチングの際に傷んでいる結晶表面となっているので、凹凸が激しく、良好なＳＢＤ界面あるいはオーミック接触界面（カソード電極側）となり得ない
したがって、その凹凸に荒れたシリコンの表面に犠牲酸化が行なわれ、場合によっては複数回、付けては剥し、剥しては付ける酸化工程を繰り返して図１０に示した第４の工程を終える
　
８　甲８の記載事項
　本件特許の出願前に外国において頒布された刊行物である甲８（J. Campi, Y. Shi, Y. Luo, F. Yan, Y. K. Lee and J. H. Zhao, Effect of Post-Metal Annealing on the Quality of Thermally Grown Silicon Dioxide on 6H- and 4H-SiC, Materials Science Forum, （スイス）, Trans Tech Publications, 1998年, Volumes 264-268, p. 849-852）には、次の記載がある。
　
（１）「Sample Preparation
　
Si-faced 6H-SiC and 4H-SiC wafers, purchased from CREE Research, were used in this study
Oxidation was performed at 1100℃ in wet oxygen for 2 hours to form a 300Å thick oxide layer
　（サンプルの準備
　
ＣＲＥＥリサーチから購入されたＳｉ面の６Ｈ−ＳｉＣ及び４Ｈ−ＳｉＣウエハが本研究において使用された
酸化は、１１００℃において湿潤酸素中で２時間に亘って実施され、これにより厚み３００Åの酸化皮膜が形成された
　
９　甲９の記載事項
　甲９（最高裁平成３年３月８日第二小法廷判決（昭和６２年（行ツ）第３号））には、次の記載がある。
　
（１）「特許法二九条一項及び二項所定の特許要件、すなわち、特許出願に係る発明の新規性及び進歩性について審理するに当たっては、この発明を同条一項各号所定の発明と対比する前提として、特許出願に係る
発明の
要旨認定は、特段の事情のない限り、
特許請求の範囲の記載に基づいてされるべきである。特許請求の範囲の記載の技術的意義が一義的に明確に理解することができないとか、あるいは、一見してその記載が誤記であることが明細書の発明の詳細な説明の記載に照らして明らかであるなどの特段の事情がある場合に限って、明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌することが許されるにすぎない
　
１０　甲１０の記載事項
　甲１０（最高裁判所判例解説　民事篇，財団法人法曹会，1994年2月，28-50ページ）には、次の記載がある。
　
（１）「８　「参酌する」の意味
　特許請求の範囲の記載は、発明の要旨や権利範囲にかかわる事項（構成要件）が凝縮して記載されているため、それを通読しただけでは、意味内容を把握できない場合が大部分である。しかしながら、本判決が、発明の要旨を認定するに際して、発明の詳細な説明の記載を参酌することができるとした例外的な場合の「特許請求の範囲の記載の技術的意義が一義的に明確に理解することができないとか、あるいは、一見してその記載が誤記であることが明細書の発明の詳細な説明の記載に照らして明らかであるなどの特段の事情がある場合」というのは、このような場合をいうのではない。すなわち、
本判決は、発明の要旨を認定する過程においては、発明にかかわる技術内容を明らかにするために、発明の詳細な説明や図面の記載に目を通すことは必要であるが、しかし、技術内容を理解した上で発明の要旨となる技術的事項を確定する段階においては、特許請求の範囲の記載を越えて、発明の詳細な説明や図面だけに記載されたところの構成要素を付加してはならないとの理論を示したもの
　
１１　甲１１の記載事項
　甲１１（篠原勝美，「知財高裁から見た特許審査・審判」，特技懇誌，特許庁技術懇話会，2005年11月，239号，3-14ページ）には、次の記載がある。
　
（１）「
特許発明の技術的範囲の確定は、特許侵害訴訟において問題となり、特許法70条1項の規定するところであるが、発明の要旨の認定は、特許出願手続、特許無効審判手続及び審決取消訴訟において問題となり、最高裁平成3年3月8日判決・民集45巻3号123頁（リパーゼ判決）の規律するところである
　
１２　乙１の記載事項
　本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である乙１（高橋清，新居和嘉監修，「半導体・金属材料用語辞典」，株式会社工業調査会，1999年9月20日，1127-1128ページ）には、次の記載がある。
　
（１）「不動態　〔passivity〕
金属が理論上予期される化学反応性を失った状態をいう。」（１１２７ページ３２行〜３３行）
　
（２）「不動態皮膜　〔passive film〕
金属を不動態化している薄膜をいう。」（１１２８ページ１６行〜１７行）
　
１３　乙２の記載事項
　本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である乙２（特開２００６−６６４５０号公報）には、次の記載がある。
　
（１）「【０００３】
  しかしながら、ディスプレィに用いられる有機ＥＬ素子において、その正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層等を形成する有機材料は、一般的に水分や酸素等に弱く、また、背面電極にはＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ等の金属が用いられるが、この背面電極も水分や酸素に非常に弱いという欠点を有しており、有機ＥＬ素子ディスプレィの普及の妨げになっている。また、ＭＯＳ等の
半導体装置においても水分や酸素を遮断する必要がある
【０００４】
  
このため、半導体装置や有機ＥＬ素子の最上層には、パッシベーション膜と呼ばれる表面保護層が設けられる。このパッシベーション膜には、通常、窒化シリコンや酸化シリコン、あるいは金属等の無機系の絶縁膜が利用されていることが多い
　
１４　乙３の記載事項
　本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である乙３（特開２０００−３１９０９９号公報）には、図７及び８とともに次の記載がある。
　
（１）「【請求項１】  
面方位がほぼ（１１−２０）であり、４Ｈ型ポリタイプまたは１５Ｒ型ポリタイプのＳｉＣ基板
前記ＳｉＣ基板上に形成されたＳｉＣからなるバッファ層と、
を備えることを特徴とするＳｉＣウエハ。」
　
（２）「【０００８】また、近年、
ＳｉＣ（１−１００）基板
　
（３）「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、
本発明のＳｉＣウエハは、面方位がほぼ（１１−２０）であり、４Ｈ型ポリタイプまたは１５Ｒ型ポリタイプのＳｉＣ基板
　
（４）「【００５１】［実施例４］本実施例では、
４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）基板
を使用したＳｉＣウエハを用いて、図７に示す高耐圧ダイオードを作製した
基板は
ｎ型
このＳｉＣ基板２上に、ＣＶＤ法によって窒素ドープn型４Ｈ-ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させた
【００５２】実施例３の試料（ｂ）と同様に、３×１０18ｃｍ-3から１×１０16ｃｍ-3までドナー密度を階段的に変化させながら各層につき約０．３μｍずつ、合計約1１．５μｍの
バッファ層４を形成した後、活性層６となる高純度n型４Ｈ-ＳｉＣ層を成長させた
【００５３】さらに、
このようにして作製した各ＳｉＣウエハに、ショットキー電極１２およびオーム性電極１４を形成した
ショットキー電極１２は活性層６の上面に形成
【００５４】・・（略）・・
【００５５】図８は、
作製したショットキーダイオード
４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）基板上にバッファ層を設けて成長したＳｉＣウエハで作製したダイオード
　
１５　乙４の記載事項
　本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である乙４（特開２００２−２６１２９５号公報）には、図１とともに次の記載がある。
　
（１）「【００１４】また、本発明においてリーク電流が低減される理由として、以下のことも考えられる。すなわち、4H型ＳｉＣ[03-38]面は[0001]面と異なり、4H型の周期構造が界面に現れている。それゆえ界面原子に乱れが生じる影響が働いても、表面に現れた周期構造のポテンシャルでその乱れが最小限に抑えられ、また、結晶欠陥の発生も抑制される。一方、[0001]面では、表面に現れているのは珪素原子、あるいは炭素原子のみであり、ＳｉＣがもつ周期構造のポテンシャル力が働かないため、界面が乱れやすい。最密面からずれた面のなかでも特に4H型ＳｉＣ[03-38]面を用いると高性能な界面が得られることは、本発明者らが様々な面方位を検討した結果である。
4H型ＳｉＣ[03-38]で特に良い結果が得られた
　
（２）「【００２７】［第１実施形態］
図１は、本実施形態のショットキーダイオード１０を示す断面図である
n型の4H型SiC（以下、SiCと記す。）｛03-38｝面を用いた基板上
にn型の4H型SiCエピタキシャル成長層を形成してショットキーダイオード１０を作製した
　
第６　無効理由に対する当審の判断
１　無効理由１についての判断
（１）甲１に記載された発明
　上記第５の１に摘記した事項を総合すると、甲１には次の発明（以下「甲１記載発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「マルチステップ接合終端延長（ＭＪＴＥ）を有する４Ｈ−ＳｉＣ　ジャンクションバリアショットキー（ＪＢＳ）ダイオードの製造方法であって、
　ｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層が、ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板上に設けられたｎ型４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャルウエハに、Ａｌイオンの注入によって、ＪＢＳ及びＭＪＴＥのｐ＋注入領域を同時に形成する工程と、
　続いて、注入されたＡｌ原子を、１４００℃で熱的に活性化する工程と、
　続いて、ＭＪＴＥ用の段をエッチングで形成する工程と、
　続いて、ウエハに、６０ｎｍの厚みの熱酸化膜と、１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜を形成して不動態化する工程と、
　続いて、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって、不動態化された酸化膜内に開口を形成する工程と、
　続いて、Ｎｉ層に続いてＡｌ層をスパッタ堆積することで、ショットキーバリア（ＳＢ）接触をｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層表面に形成する工程を備えたことを特徴とする４Ｈ−ＳｉＣ　ＪＢＳダイオードの製造方法。」
　
（２）本件発明１と甲１記載発明との対比
　ア　甲１記載発明の「ショットキーバリア（ＳＢ）接触」、「ｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層」、「ｐ＋注入領域」、「１４００℃で熱的に活性化する工程」、「４Ｈ−ＳｉＣ　ジャンクションバリアショットキー（ＪＢＳ）ダイオード」は、各々本件発明１の「ショットキー電極」、「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜」、「第２導電型の領域」、「高温活性化処理する工程」、「炭化珪素半導体装置」に相当する。
　また、甲１記載発明の「ｐ＋注入領域」からなる「マルチステップ接合終端延長（ＭＪＴＥ）」が「ショットキーバリア（ＳＢ）接触」の終端の領域の下に形成されることは、甲１の図１からも、電界緩和のためのＪＴＥはショットキー電極の終端領域の下に設けられるという技術常識からも明らかである。
　したがって、甲１記載発明の「ｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層」に、「Ａｌイオンの注入によって」「ＭＪＴＥのｐ＋注入領域」を「形成する工程」と、「続いて、注入されたＡｌ原子を、１４００℃で熱的に活性化する工程」とを含む「マルチステップ接合終端延長（ＭＪＴＥ）を有する４Ｈ−ＳｉＣ　ジャンクションバリアショットキー（ＪＢＳ）ダイオードの製造方法」は、本件発明１の「ショットキー電極の終端領域の下の第１導電型の低濃度の炭化珪素膜に、イオン注入により第２導電型の領域を形成し高温活性化処理する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法」に相当する。
　
　イ　甲１記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」は、本件発明１の「第１導電型の炭化珪素基板」に相当する。
　したがって、甲１記載発明の「ｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層が、ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板上に設けられ」ている点と、本件発明１の「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いる点とは、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いる点で一致する。
　
　ウ　甲１記載発明の「注入されたＡｌ原子を、１４００℃で熱的に活性化する工程」、「Ｎｉ層に続いてＡｌ層をスパッタ堆積することで、ショットキーバリア（ＳＢ）接触をｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層表面に形成する工程」は、各々本件発明１の「上記高温活性化処理する工程」、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成」工程に相当する。
　甲１記載発明の「ウエハに、６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」「を形成」「する工程」と、本件発明１の「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程」とは、「上記炭化珪素膜表面を酸化する工程」である点で共通する。
　甲１記載発明の「緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって、不動態化された酸化膜内に開口を形成する工程」と、本件発明１の「犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」とは、「酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層」に対する処理工程である点で共通する。
　したがって、甲１記載発明の「注入されたＡｌ原子を、１４００℃で熱的に活性化する工程」と、「続いて、ウエハに、６０ｎｍの厚みの熱酸化膜と、１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜を形成して不動態化する工程」と、「続いて、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって、不動態化された酸化膜内に開口を形成する工程」と、「続いて、Ｎｉ層に続いてＡｌ層をスパッタ堆積することで、ショットキーバリア（ＳＢ）接触をｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層表面に形成する工程を備えたこと」と、本件発明１の「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程を備えたこと」とは、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後」に、「上記炭化珪素膜表面を酸化する工程」、及び「酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層」に対する処理工程を備えている点で一致する。
　
　エ　したがって、本件発明１と甲１記載発明とは、
　「ショットキー電極の終端領域の下の第１導電型の低濃度の炭化珪素膜に、イオン注入により第２導電型の領域を形成し高温活性化処理する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、
　上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されており、
　上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を酸化する工程、及び酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層に対する処理工程を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。」
　である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）
　本件発明１は、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いるのに対し、甲１記載発明は、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いるものの、本件発明１の「第１導電型の炭化珪素基板」に対応する「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数が特定されていない点。
　
（相違点２）
　「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後」に備えている「上記炭化珪素膜表面を酸化する工程、及び酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層に対する処理工程」が、本件発明１は、「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」であるのに対し、甲１記載発明は、「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜と、１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜を形成して不動態化する工程」と、「続いて、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって、不動態化された酸化膜内に開口を形成する工程」である点。
　
（３）相違点についての判断
　ア　相違点１について
　（ア）新規性について
　例えば、乙３に、「ＳｉＣ（１−１００）基板」、「面方位がほぼ（１１−２０）であり、４Ｈ型ポリタイプまたは１５Ｒ型ポリタイプのＳｉＣ基板」と記載され、また、乙４に、「n型の4H型SiC（以下、SiCと記す。）｛03-38｝面を用いた基板」と記載されているように、炭化珪素基板の結晶学的面指数は、（０００１）面又は（０００−１）面以外のものが知られている。さらに、乙３に、「ｎ型の４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）基板２上にバッファ層４及び活性層６をエピタキシャル成長させ、活性層６の上面にショットキー電極１２を形成したショットキーダイオード」が開示され、乙４には、「n型の4H型SiC｛03-38｝面を用いた基板上にn型の4H型SiCエピタキシャル成長層を形成したショットキーダイオード１０」が開示されているように、ショットキーダイオードに用いられる炭化珪素基板の結晶学的面指数として、（０００１）面又は（０００−１）面以外のものが知られている。
　以上のとおり、炭化珪素基板の結晶学的面指数として、（０００１）面又は（０００−１）面以外のものが知られており、さらに、ショットキーダイオードに用いられる炭化珪素基板の結晶学的面指数として、（０００１）面又は（０００−１）面以外のものが知られている以上、甲１に記載された、「４Ｈ−ＳｉＣ　ジャンクションバリアショットキー（ＪＢＳ）ダイオードの製造方法」に用いる、結晶学的面指数の記載がない「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数が、必ず（０００１）面又は（０００−１）面であるとは言えないことは明らかである。すなわち、甲１記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」が、（０００１）面又は（０００−１）面の結晶学的面指数を有するものであるということは、甲１に記載されているに等しい事項と言うことはできず、「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数について、甲１には何ら特定がないとみるのが相当である。
　したがって、甲１記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」は、いかなる結晶学的面指数を有するものか特定されていないから、相違点１は実質的な相違点である。
　
　（イ）新規性に関する請求人の主張の検討
　この点に関連して、請求人は、甲２〜４の記載から、「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されていること」は周知技術であると言え、このため、「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いることは、甲１に「記載されているに等しい事項」と言える旨主張している（請求人審判請求書１２ページ１５行〜１３ページ２０行）。
　しかしながら、（ア）で検討したとおり、炭化珪素基板の結晶学的面指数として、（０００１）面又は（０００−１）面以外のものが知られており、さらに、ショットキーダイオードに用いられる炭化珪素基板の結晶学的面指数として、（０００１）面又は（０００−１）面以外のものが知られている以上、たとえ「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されていること」が周知技術であるとしても、甲１に記載された、結晶学的面指数の記載がない「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数が、必ず（０００１）面又は（０００−１）面であるとは言えないから、「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いることは、甲１に「記載されいるに等しい事項」ではない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
　（ウ）進歩性について
　請求人は、相違点１に関して、甲１に「記載されているに等しい事項」と主張するにとどまり、実質的に新規性欠如についての主張しかしておらず、進歩性欠如についての具体的主張をしていない（甲１に記載された発明に基づいて、なぜ本件発明１を容易に発明をすることができたと言えるのかについての「論理構成」を何ら示していない）。
　しかしながら、請求人は、無効理由１として、本件発明１は、甲１に記載された発明の開示からして、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨も主張し、また、相違点１に係る「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されていること」は、甲２〜４に記載されているように、周知技術である旨の主張はしているので、進歩性の有無についても検討する。
　本件特許の明細書の記載によれば、本件発明１の技術分野、背景技術、解決しようとする課題、課題を解決する手段、及び効果について、次のとおり認められる。
　本件発明１は、炭化珪素半導体装置の製造方法に関し、特に炭化珪素基板上に形成したショットキーバリアダイオード（以下ＳＢＤと略称する）の製造方法に関するものである（段落【０００１】）。ＳＢＤ製造工程において、高温活性化の後ショットキー電極を形成する前に、犠牲酸化を行う製造工程は知られているが、活性化後に行う犠牲酸化で表面から取り除く量が少なければ漏洩電流の劇的な減少が見られないことが発明者らの実験によって明らかになった（段落【０００７】、【０００８】）。そこで、本件発明１は、炭化珪素半導体装置において、活性化後に生じる汚染又は損傷等により劣化した炭化珪素表面上のショットキー電極形成による漏洩電流の問題を解決し、高耐圧ＳＢＤを効率良く製造するプロセスを提供することを目的として（段落【０００９】）、本件発明１の各構成を採用すること、すなわち、「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積され」たものという前提において、「炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程を備え」るという解決手段を採ることにより、漏洩電流の少ないＳＢＤ（逆方向電圧を１００Ｖ印加した時に流れる電流値が１０−６Ａ／ｃｍ２以下のＳＢＤ）の割合が０％より大きくなる（当該割合が１００％に近づく）という効果を奏するものである（段落【００１８】）。
　一方、甲１記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数は、前述のとおり、いかなる結晶学的面指数を有するものか特定されていないから、本件発明１の有する上記効果を当然に備えているということはできない。また、甲１には、活性化後に生じる汚染又は損傷等に起因する漏洩電流に関して、記載も示唆もなく、活性化後に行う犠牲酸化で表面から取り除く量を一定値以上とすることで漏洩電流が劇的に減少する点について、記載も示唆もない。
　ここで、甲５には、「基板表面に約２０〜４０ｎｍの一過性の酸化膜（１１００℃、ＤＲＹ酸化）を成長させ、成長した酸化膜を希釈フッ酸溶液（ＤＨＦ）で直ちに取り除く。この工程によって、イオン注入と活性化熱処理で基板表面に生じた結晶不整層、注入損傷層、各種汚染層、炭化層を効果的に除去することができる。」（段落【００２３】）との記載がある。しかしながら、本件発明１の「犠牲酸化により形成された」「二酸化珪素層」の除去厚さを下回るものであるし、また、甲５には、「一過性の熱酸化膜をＤＨＦで除去したら基板を充分洗浄し、基板表面に再び約２０ｎｍ厚さの熱酸化膜（１１００℃、ＷＥＴ酸化）９を成長し、更にその上に常温ＣＶＤで８００ｎｍの酸化膜からなる上部絶縁膜１０を堆積する。こうして熱酸化膜９と上部絶縁膜１０とで構成されるフィールド絶縁膜８が形成される。従来技術では上記一過性の熱酸化膜を形成することなく、熱酸化膜を形成しているので、酸化した膜中に結晶の汚染や欠陥が取り込まれる。このような結晶の汚染や結果の取り込みは、デバイス性能の低下や不安定の原因になる。」（段落【００２４】）と記載されているように、甲５に記載された「一過性の酸化膜」の形成及び除去は、残存させる「熱酸化膜９」に結晶の汚染や欠陥が取り込まれることによるデバイス性能の低下や不安定の原因を解消するためのものであって、活性化後に生じる汚染又は損傷等により劣化した炭化珪素表面上のショットキー電極形成による漏洩電流の問題を解決するためのものではない。甲５には、活性化後に生じる汚染又は損傷等に起因する漏洩電流に関して、記載も示唆もなく、活性化後に行う犠牲酸化で表面から取り除く量を一定値以上とすることで漏洩電流が劇的に減少する点について、記載も示唆もない。
　したがって、たとえ相違点１に係る「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されていること」が周知技術であるとしても、甲１の記載、及び甲２〜５に記載されている周知乃至公知の技術に基づいて、当業者が本件発明１の上記効果を予測することができたものではなく、本件発明１は甲１記載発明と比較した有利な上記効果を有するものであるから、甲１記載発明において、「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数を（０００１）面又は（０００−１）面とし、上記相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものではない。
　
　（エ）進歩性に関する請求人の主張の検討
　請求人は、甲１記載発明における「不動態化」は、甲５に記載されているように、「結晶の汚染や欠陥を酸化した膜中に取り込むためのものであり、従来から知られていた周知事項である」旨主張している（審判請求書１４ページ４行〜１０行）。
　また、請求人は、「甲第１号証の熱酸化膜は二つの機能を有しており、その一つが、活性化後に生じた汚染又は損傷等により劣化した炭化珪素表面を取り除くことである（別の一つが保護膜としての機能である。）。　仮に保護膜としてのみ機能させることを考えるのであれば、塗布する等して保護膜を形成すればよいが、そのような態様を取っておらず、あえて酸化膜を形成した後、当該酸化膜を除去していることからも、本件発明１（審決注：「甲第１号証」の誤記）では、活性化後に生じた汚染又は損傷等により劣化した炭化珪素表面を取り除くことも目的として熱酸化膜を形成していることが理解される。」と主張している（口頭審理陳述要領書８ページ１５行〜２２行）。
　しかしながら、口頭審理陳述要領書における請求人の主張は、証拠に基づいたものでなく、根拠がない。甲１記載発明の「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」は、「１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜」を「ｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層」表面に直接形成するのを避けることで、密着性を向上させたり、応力を緩和させたりすること等、様々な目的が考えられるから、甲１記載発明の「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」は、活性化後に生じた汚染又は損傷等により劣化した炭化珪素表面を取り除くことを目的としたものとは言えない。
　そもそも、請求人の両主張は、活性化後に生じる汚染又は損傷等に起因する漏洩電流に関する主張でなく、活性化後に行う犠牲酸化で表面から取り除く量と漏洩電流の関係についての主張でもないから、本件発明１の効果を予測できたとの主張になっておらず、当を得ていない。
　なお、請求人は、審査段階の拒絶理由通知書の記載を引用している（審判請求書１４ページ２０行〜２４行）が、本件発明１の効果を予測できたことを立証するための根拠にならない。また、当該記載事項が自明であるとする根拠はない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
　イ　相違点２について
　（ア）新規性について
　本件発明１の「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」における「除去する工程」の「除去」対象物は、「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程」により「形成された」「二酸化珪素層」である。したがって、本件発明１の当該「除去する工程」は、当該対象物を「除去」する工程、すなわち、取り除く工程であるから、「犠牲酸化により形成された」「二酸化珪素層」をすべて取り除くものと認められる。
　この認定は、本件特許の明細書（段落【０００６】及び【００１５】）及び図面（図２）の記載とも整合するものである。
　一方、甲１記載発明の「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜と、１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜を形成して不動態化する工程」と、「続いて、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって、不動態化された酸化膜内に開口を形成する工程」によって、「開口」以外の部分に「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」と「１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜」からなる「不動態化された酸化膜」が残存することになる。
　したがって、甲１記載発明は、本件発明１の「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」を有しないから、相違点２は実質的な相違点である。
　
　（イ）新規性に関する請求人の主張の検討
　請求人は、甲９の「発明の・・・要旨認定は、特段の事情のない限り、・・・特許請求の範囲の記載に基づいてされるべきである。特許請求の範囲の記載の技術的意義が一義的に明確に理解することができないとか、あるいは、一見してその記載が誤記であることが明細書の発明の詳細な説明の記載に照らして明らかであるなどの特段の事情がある場合に限って、明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌することが許されるにすぎない。」との判例（いわゆる「リパーゼ判決」）、及び甲１０の「本判決は、発明の要旨を認定する過程においては、発明にかかわる技術内容を明らかにするために、発明の詳細な説明や図面の記載に目を通すことは必要であるが、しかし、技術内容を理解した上で発明の要旨となる技術的事項を確定する段階においては、特許請求の範囲の記載を越えて、発明の詳細な説明や図面だけに記載されたところの構成要素を付加してはならないとの理論を示したもの」との判例解説、並びに甲１１の「特許発明の技術的範囲の確定は、特許侵害訴訟において問題となり、特許法70条1項の規定するところであるが、発明の要旨の認定は、特許出願手続、特許無効審判手続及び審決取消訴訟において問題となり、最高裁平成3年3月8日判決・民集45巻3号123頁（リパーゼ判決）の規律するところである。」との寄稿を示し、本件発明１の「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」（以下「構成１Ｃ」という。）についての審理事項通知書における合議体の認定は、リパーゼ判決に反するものである旨主張している（口頭審理陳述要領書２ページ４行〜４ページ１７行）。
　しかしながら、上記（ア）で述べたとおり、本件発明１の当該構成１Ｃは、特許請求の範囲の記載に基づいて認定したものであって、当該認定が明細書の発明の詳細な説明の記載や図面の記載と整合していることを確認したものであるから、何らリパーゼ判決に反するものではない。
　また、請求人は、上記構成１Ｃは、「犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層」を部分的に除去する工程とすべて除去する工程の両方を含む記載となっている旨主張している（口頭審理陳述要領書４ページ１８行〜５ページ１７行）。
　しかしながら、請求人が主張するような部分的に除去する工程では、構成１Ｃにおける「除去」対象物である、「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程」により「形成された」「二酸化珪素層」を、取り除ききれていないことになる。また、本件発明１に「部分的に除去する工程」のような明示的な記載があるわけでもなく、本件発明１は、例えば、コンタクトホール形成のための層間絶縁膜のエッチング工程のように、一部のみを取り除く工程であることが明らかな場合でもない。したがって、上記構成１Ｃは、上記「除去」対象物をすべて取り除く工程と解釈するのが自然である。
　さらに、請求人は、「すべて」という文言を組み入れたとしても、上記構成１Ｃは、「ショットキー電極が形成される予定の場所に位置する二酸化珪素層のすべてを除去する」と解釈すべきである旨主張している（口頭審理陳述要領書６ページ５行〜８ページ１４行）。
　しかしながら、前述したとおり、上記構成１Ｃには、上記「除去」対象物が「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程」により「形成された」「二酸化珪素層」と明確に特定されているから、「ショットキー電極が形成される予定の場所に位置する二酸化珪素層のすべてを除去する」と解釈する余地はない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
　（ウ）進歩性について
　請求人は、相違点２は存在しない旨主張し、実質的に新規性欠如についての主張しかしておらず、進歩性欠如についての具体的主張をしていない。
　しかしながら、請求人は、無効理由１として、本件発明１は、甲１に記載された発明の開示からして、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨も主張しているので、進歩性の有無についても検討する。
　甲１記載発明の「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜と、１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜を形成して不動態化する工程」と、「続いて、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって、不動態化された酸化膜内に開口を形成する工程」によって、「開口」以外の部分に「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」と「１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜」からなる「不動態化された酸化膜」が残存することになるのは、前述したとおりである。ここで、当該「不動態化された酸化膜」(passivation oxides)とは、「ｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層表面」を覆う、いわゆるパッシベーション膜（表面保護膜）として機能させるために形成したものである。このことは、例えば、乙２に、半導体装置において、水分や酸素を遮断する必要があるため、半導体装置の最上層には、酸化シリコン等の無機系の絶縁膜からなるパッシベーション膜と呼ばれる表面保護層が設けられる（段落【０００３】〜【０００４】）旨記載されているように、当業者にとって明らかである。なお、請求人も、当該「熱酸化膜」が保護膜としての機能を有するものであることを認めている（口頭審理陳述要領書８ページ１５行〜１７行）。
　したがって、甲１記載発明は、「開口」を有する「不動態化された酸化膜」を形成するために、言い換えれば、「ｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層表面」の「ショットキーバリア（ＳＢ）接触」が形成されない部分を覆うパッシベーション膜（表面保護膜）を形成するために、「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜と、１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜を形成して不動態化する工程」と、「続いて、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって、不動態化された酸化膜内に開口を形成する工程」を備えるものである。
　そうすると、甲１記載発明において、「開口」以外の「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」と「１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜」は、パッシベーション膜（表面保護膜）として機能させるために形成したもの、すなわち、最終的に残存させるものであるから、「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」に「開口を形成する工程」に代えて、「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」をすべて除去する工程に置き換えることを、明らかに阻害するものである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものではない。
　
　ウ　相違点についての判断のまとめ
　以上検討したとおり、本件発明１と甲１記載発明には、相違点１及び２が存在するから、本件発明１は甲１記載発明ではなく、また、当該相違点１及び２は、甲２〜５に記載された周知の事項等を考慮しても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものではないから、本件発明１は甲１記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（４）本件発明２及び３について
　本件発明２及び３は、本件発明１に対して、各々請求項２及び３に記載された技術的限定を付加したものである。
　そして、本件発明１は、上において検討したとおり、甲１記載発明ではなく、また、甲２〜５に記載された周知の事項等を考慮しても、甲１記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１に対して、技術的限定を付加した本件発明２についても、甲１記載発明ではなく、また、甲１記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもないことは明らかである。
　同様に、本件発明１に対して、技術的限定を付加した本件発明３についても、甲１記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもないことは明らかである。
　
（５）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１に対して、請求項４に記載された技術的限定を付加したものである。
　そして、本件発明１は、上において検討したとおり、甲１記載発明ではなく、また、甲２〜５に記載された周知の事項等を考慮しても、甲１記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１に対して、技術的限定を付加した本件発明４についても、さらに甲６〜７に記載された技術等を勘案したとしても、甲１記載発明及び甲６〜７に記載された発明乃至技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないことは明らかである。
　なお、「２　無効理由２についての判断」の（５）において後述するように、甲６には、本件発明４の「表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上の二酸化珪素層を除去する工程を、複数回繰り返して行うこと」は記載されていない。
　また、甲７に記載されているのは、「ドライ・エッチ」によって「傷んでいる結晶表面」を、「良好なＳＢＤ界面あるいはオーミック接触界面」とする技術である。一方、甲１記載発明は、「ショットキーバリア（ＳＢ）接触」を形成する部分の「ｎ−４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層表面」に「ドライ・エッチ」をしていないので、甲７に記載されているような課題は生じない。したがって、甲１記載発明に甲７に記載された技術を適用する動機付けは存在しない。
　
（６）無効理由１についてのまとめ
　以上検討したとおり、本件特許の請求項１及び２に係る発明は、甲１に記載された発明ではなく、また、甲１に記載された発明に基づいて、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件特許の請求項３に係る発明は、甲１に記載された発明に基づいて、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件特許の請求項４に係る発明は、甲１、甲６及び甲７に記載された発明に基づいて、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
２　無効理由２についての判断
（１）甲６に記載された発明
　上記第５の６に摘記した事項を総合すると、甲６には次の発明（以下「甲６記載発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「デバイスの終端にフローティングフィールドリングを有する４Ｈ−ＳｉＣ　ｐｎ・ショットキーバリア融合ダイオード（ＭＰＳ）の製造方法であって、
　ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板上に設けられたｎ型ドリフト層の表面に、ＭＰＳ及びフローティングフィールドリングのためのｐ領域を形成するために、Ａｌをイオン注入する工程（１５）と、
　不純物を活性化するために１５５０℃でアニールする工程（１７）と、
　１１００℃で１時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第１熱酸化層を形成し、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）で第１熱酸化層を除去する工程（１９）と、
　１１００℃で５時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第２熱酸化層を形成する工程（２１）と、
　表面側ショットキー金属パターン形成のためのリソグラフィを行う工程（２５）と、
　第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）と、
　表面側ショットキー金属（Ｎｉ）をスパッタ堆積する工程（２７）と、
　リフトオフにより、開口内に表面側ショットキー金属（Ｎｉ）のパターンを形成する工程（２８）とを備えたことを特徴とする４Ｈ−ＳｉＣ　ＭＰＳの製造方法。」
　
（２）本件発明１と甲６記載発明との対比
　ア　甲６記載発明の「表面側ショットキー金属（Ｎｉ）のパターン」、「ｎ型ドリフト層」、「フローティングフィールドリングのためのｐ領域」、「不純物を活性化するために１５５０℃でアニールする工程（１７）」、「４Ｈ−ＳｉＣ　ｐｎ・ショットキーバリア融合ダイオード（ＭＰＳ）」は、各々本件発明１の「ショットキー電極」、「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜」、「第２導電型の領域」、「高温活性化処理する工程」、「炭化珪素半導体装置」に相当する。
　また、甲６記載発明の「デバイスの終端」の「フローティングフィールドリングのためのｐ領域」が、「表面側ショットキー金属（Ｎｉ）のパターン」の終端の領域の下に形成されることは、甲６の図３．１からも、電界緩和のためのｐ領域はショットキー電極の終端領域の下に設けられるという技術常識からも明らかである。
　したがって、甲６記載発明の「ｎ型ドリフト層の表面」に「フローティングフィールドリングのためのｐ領域を形成するために、Ａｌをイオン注入する工程（１５）」と、「不純物を活性化するために１５５０℃でアニールする工程（１７）」とを含む「フローティングフィールドリングを有する４Ｈ−ＳｉＣ　ｐｎ・ショットキーバリア融合ダイオード（ＭＰＳ）の製造方法」は、本件発明１の「ショットキー電極の終端領域の下の第１導電型の低濃度の炭化珪素膜に、イオン注入により第２導電型の領域を形成し高温活性化処理する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法」に相当する。
　
　イ　甲６記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」は、本件発明１の「第１導電型の炭化珪素基板」に相当する。
　したがって、甲６記載発明の「ｎ型ドリフト層」が「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板上に設けられ」ている点と、本件発明１の「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いる点とは、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いる点で一致する。
　
　ウ　甲６記載発明の「不純物を活性化するために１５５０℃でアニールする工程（１７）」、「表面側ショットキー金属（Ｎｉ）をスパッタ堆積する工程（２７）と、　リフトオフにより、開口内に表面側ショットキー金属（Ｎｉ）のパターンを形成する工程（２８）」は、各々本件発明１の「上記高温活性化処理する工程」、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成」工程に相当する。
　また、甲６記載発明の「１１００℃で１時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第１熱酸化層を形成し、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）で第１熱酸化層を除去する工程（１９）」と、本件発明１の「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」とは、「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された二酸化珪素層を除去する工程」である点で一致する。
　したがって、甲６記載発明の「不純物を活性化するために１５５０℃でアニールする工程（１７）と、　１１００℃で１時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第１熱酸化層を形成し、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）で第１熱酸化層を除去する工程（１９）と、　１１００℃で５時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第２熱酸化層を形成する工程（２１）と、　表面側ショットキー金属パターン形成のためのリソグラフィを行う工程（２５）と、　第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）と、　表面側ショットキー金属（Ｎｉ）をスパッタ堆積する工程（２７）と、　リフトオフにより、開口に表面側ショットキー金属（Ｎｉ）のパターンを形成する工程（２８）とを備えたこと」と、本件発明１の「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程を備えたこと」とは、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された二酸化珪素層を除去する工程を備えたこと」である点で一致する。
　
　エ　したがって、本件発明１と甲６記載発明とは、
　「ショットキー電極の終端領域の下の第１導電型の低濃度の炭化珪素膜に、イオン注入により第２導電型の領域を形成し高温活性化処理する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、
　上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されており、
　上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された二酸化珪素層を除去する工程を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。」
　である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点３）
　本件発明１は、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いるのに対し、甲６記載発明は、「上記第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されて」いるものの、本件発明１の「第１導電型の炭化珪素基板」に対応する「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数が特定されていない点。
　
（相違点４）
　本件発明１は、「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」を備えているのに対し、甲６記載発明は、「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された二酸化珪素層を除去する工程」を備えているものの、本件発明１の「二酸化珪素層」に対応する「第１熱酸化層」の厚さが不明である点。
　
（３）相違点についての判断
　ア　相違点３について
　（ア）新規性について
　上記「１　無効理由１についての判断」における（３）ア（ア）で検討したのと同様に、炭化珪素基板の結晶学的面指数として、（０００１）面又は（０００−１）面以外のものが知られており、さらに、ショットキーダイオードに用いられる炭化珪素基板の結晶学的面指数として、（０００１）面又は（０００−１）面以外のものが知られている以上、甲６に記載された、「４Ｈ−ＳｉＣ　ｐｎ・ショットキーバリア融合ダイオード（ＭＰＳ）の製造方法」に用いる、結晶学的面指数の記載がない「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数が、必ず（０００１）面又は（０００−１）面とは言えないことは明らかである。すなわち、甲６記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」が、（０００１）面又は（０００−１）面の結晶学的面指数を有するものであるということは、甲６に記載されているに等しい事項と言うことはできず、「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数について、甲６には何ら特定がないとみるのが相当である。
　したがって、甲６記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」は、いかなる結晶学的面指数を有するものか特定されていないから、相違点３は実質的な相違点である。
　
　（イ）進歩性について
　甲６記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数は、前述のとおり、いかなる結晶学的面指数を有するものか特定されていないから、本件発明１の有する効果を当然に備えているということはできない。また、甲６には、活性化後に生じる汚染又は損傷等に起因する漏洩電流に関して、記載も示唆もなく、活性化後に行う犠牲酸化で表面から取り除く量を一定値以上とすることで漏洩電流が劇的に減少する点について、記載も示唆もない。
　したがって、上記「１　無効理由１についての判断」における（３）ア（ウ）で検討したのと同様に、たとえ相違点１に係る「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積されていること」が周知技術であるとしても、本件発明１は、甲６の記載、及び甲２〜５に記載されている周知乃至公知の技術から見いだせない有利な効果を有するものであるから、甲６記載発明において、「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」の結晶学的面指数を（０００１）面又は（０００−１）面とし、上記相違点３に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものではない。
　
　イ　相違点４について
　（ア）新規性について
　甲６記載発明の「第１熱酸化層」は、「１１００℃で１時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に」形成したものであるが、当該「第１熱酸化層」の厚さについて検討する。
　甲４には、「図３に見られるようにＳｉＣ上のＳｉＯ2 膜の成長速度には結晶方位依存性があり、（０００１）シリコン面（以下Ｓｉ面と記す）は（０００−１）炭素面（以下Ｃ面と記す）と比較して成長速度が非常に小さいという特徴がある。」（段落【０００５】）、「発明者は・・・パイロジェニック酸化で水素と酸素との流量比を変えて、水蒸気の分圧を変化させた実験をおこなったところ、シリコンとはまったく異なる特性になることを見出した。・・・試料としては、１×１０16ｃｍ-3のキャリア濃度のＡｌドープ、面方位（０００１）Ｓｉ面のｐ型ＳｉＣを用いた。熱酸化条件は、１１００℃、５時間である。図１は、水蒸気の分圧とＳｉＯ2 膜厚との関係を示す図である。・・・この図からわかるように、水蒸気の分圧が０．２前後のところで、ＳｉＯ2 膜厚はピークを示している。・・・水蒸気の分圧が０．２前後の条件では、実験した最大水蒸気分圧０．９５の場合と比較して１．５倍以上、水蒸気１００％の場合と比較すれば、ほぼ２倍にあたる厚い酸化膜が得られることになる。そして水蒸気分圧が０．１〜０．９の範囲では、水蒸気分圧０．９５の場合と比較して、２０％以上厚いＳｉＯ2 膜が得られ、特に、水蒸気分圧が０．１〜０．４の範囲では、５０％以上厚いＳｉＯ2 膜が得られることがわかる。」（段落【００１７】〜【００１９】）と記載されている。すなわち、甲４には、ＳｉＣの熱酸化速度は、結晶方位依存性があること、及び熱酸化雰囲気中の水蒸気の分圧にも依存することが記載されている。
　ここで、甲６記載発明の「ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ基板」は、いかなる結晶学的面指数を有するものか特定されていないから、「ｎ型ドリフト層」の結晶学的面指数も不明である。また、甲６には、「ウェット熱酸化」の条件は、「１１００℃で１時間」であることしか記載されておらず、熱酸化雰囲気中の水蒸気の分圧が特定されていない。よって、甲４に記載された事項を踏まえると、甲６記載発明の「第１熱酸化層」の具体的な厚さを特定することはできない。
　したがって、本件発明１の「二酸化珪素層」に対応する甲６記載発明の「第１熱酸化層」の厚さは不明であるから、甲６記載発明は、本件発明１のように、「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」を備えているとは言えず、相違点４は実質的な相違点である。
　なお、請求人は、甲４及び甲８の記載から、１１００℃で１時間ウェット熱酸化した場合、約２２ｎｍの熱酸化膜が形成されると推認できる旨、すなわち、甲６記載発明における「第１熱酸化膜」の厚さは約２２ｎｍである旨主張している（審判請求書３０ページ１０行〜３２ページ７行）。甲６記載発明の「第１熱酸化層」の具体的な厚さを特定できないことは、前述したとおりであるが、仮に、請求人の主張のように、当該厚さを約２２ｎｍと認定できたとしても、甲６記載発明の「第１熱酸化層」は、本件発明１のように、「４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層」ではないことになるから、やはり、相違点４は実質的な相違点である。
　
　（イ）新規性に関する請求人の主張の検討
　請求人は、甲４及び甲８の記載から、「１１００℃で１時間熱酸化し、形成された熱酸化膜を除去した後、１１００℃で５時間熱酸化した場合には、約７１ｎｍ（約２２ｎｍ＋約４９ｎｍ）の熱酸化膜が形成されたものと強く推認することができる。」と主張し、したがって、甲６には、「第１導電型（ｎ型）の低濃度の炭化珪素膜（Ｎエピタキシャル層）上へのショットキー電極形成に先立って、高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された約７１ｎｍの二酸化珪素層を除去することが、実質的に開示されていると認定することができる。」と主張している（審判請求書３０ページ１０行〜３２ページ１２行）。
　すなわち、甲６記載発明の「１１００℃で１時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第１熱酸化層を形成し、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）で第１熱酸化層を除去する工程（１９）」と、「１１００℃で５時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第２熱酸化層を形成する工程（２１）と、・・・第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）」とを合わせたものが、本件発明１の「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」に相当する旨主張している。
　しかしながら、甲６記載発明の「第１熱酸化層」の具体的な厚さを特定できないことは上記（ア）で検討したとおりであり、同様に、「第２熱酸化層」の具体的な厚さも特定することはできない。
　また、上記「１　無効理由１についての判断」の（３）イ（ア）及び（イ）において検討したのと同様に、甲６記載発明の「１１００℃で５時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第２熱酸化層を形成する工程（２１）と、・・・第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）」は、「開口」以外の部分に「第２熱酸化層」が残存することになるから、本件発明１の「上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された・・・二酸化珪素層を除去する工程」に相当するものでもない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
　（ウ）進歩性について
　請求人は、相違点４に関して、当初は進歩性欠如についての具体的主張をしていなかった。
　しかしながら、請求人は、無効理由２として、本件発明１は、甲６に記載された発明の開示からして、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨主張しているし、また、口頭審理陳述要領書、及び口頭審理において、甲１に記載された周知技術を考慮すれば、本件発明１は、甲６に記載された発明の開示からして、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張しているので、進歩性の有無についても検討する。
　
　最初に、甲６記載発明における「第１熱酸化層」の厚さを、本件発明１のような厚さにすることが容易であるか否かについて検討する。
　甲６記載発明における「１１００℃で１時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第１熱酸化層を形成し、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）で第１熱酸化層を除去する工程（１９）」について、甲６には、「工程（１９）」を行う技術上の意義に関する記載はない。
　ここで、例えば甲５を参照すれば、当該「工程（１９）」が、イオン注入と活性化熱処理で基板表面に生じた結晶不整層、注入損傷層、各種汚染層、炭化層等を除去するための工程であることは、理解し得る。
　しかしながら、上記「１　無効理由１についての判断」の（３）ア（ウ）において検討したとおり、甲５に記載された「一過性の酸化膜」の形成及び除去は、本件発明１の「犠牲酸化により形成された」「二酸化珪素層」の除去厚さを下回るものであるし、残存させる「熱酸化膜９」に結晶の汚染や欠陥が取り込まれることによるデバイス性能の低下や不安定の原因を解消するためのものであって、活性化後に生じる汚染又は損傷等により劣化した炭化珪素表面上のショットキー電極形成による漏洩電流の問題を解決するためのものではない。特定の結晶学的面指数において、活性化後に行う犠牲酸化で表面から取り除く量を一定値以上とすることで漏洩電流が劇的に減少する点は、周知の事項ではない。
　よって、たとえ甲５に記載されている事項が周知の事項であるとしても、甲６記載発明において、「第１熱酸化層」の厚さを、本件発明１のように「４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）」とすることの動機付けはない。
　一方、上記「１　無効理由１についての判断」の（３）ア（ウ）において検討したとおり、本件発明１は、「第１導電型の低濃度の炭化珪素膜は、結晶学的面指数が（０００１）面又は（０００−１）面を有する第１導電型の炭化珪素基板上に堆積され」たものという前提において、「炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程を備え」ることにより、甲６の記載、及び甲２〜５に記載されている周知乃至公知の技術から見いだせない有利な効果を有するものである。
　したがって、甲６記載発明において、「第１熱酸化層」の厚さを、本件発明１のように「４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）」とし、上記相違点４に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。
　
　次に、甲６記載発明における「第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）」を、本件発明１のように、「犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」とすることが容易であるか否かについて検討する。
　上記「１　無効理由１についての判断」の（３）イ（ウ）において検討したのと同様に、甲６記載発明は、「開口」を有する「第２熱酸化層」を形成するために、言い換えれば、「ｎ型ドリフト層の表面」の「表面側ショットキー金属（Ｎｉ）のパターン」が形成されない部分を覆う「第２熱酸化層」からなるパッシベーション膜（表面保護膜）を形成するために、「１１００℃で５時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第２熱酸化層を形成する工程（２１）」と、「第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）」を備えるものである。
　そうすると、甲６記載発明において、「開口」以外の「第２熱酸化層」は、最終的に残存させるために形成したものであるから、「第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）」に代えて、「第２熱酸化層」をすべて除去する工程に置き換えることを、明らかに阻害するものである。
　よって、甲６記載発明における「第２熱酸化層」の厚さの検討をするまでもなく、甲６記載発明における「第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）」を、本件発明１のように、「犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」とし、上記相違点４に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。
　
　以上のとおり、相違点４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものではない。
　
　（エ）進歩性に関する請求人の主張の検討
　請求人は、「甲第１号証では現に『６０ｎｍの厚みの熱酸化膜』が開示されているのであるから、甲第６号証において『６０ｎｍの厚みの熱酸化膜』を採用することは、当業者であれば容易に思いつく。（このように甲第６号証に甲第１号証を組み合わせることについては、今回の口頭審理陳述要領書において主張しておく。）」と主張し（口頭審理陳述要領書１２ページ１６行〜１９行）、口頭審理において、当該主張は、「『６０ｎｍの厚みの熱酸化膜』という周知技術が存在する事実を追加的に主張し、その事実を立証する証拠（周知例）として甲第１号証を例示したものである。」と釈明するとともに、「甲第６号証を主引用発明とし、甲第１号証を副引用発明とした本件発明１の進歩性に関する職権審理を希望する。」とも主張している（口頭審理調書）。
　しかしながら、上記「１　無効理由１についての判断」の（３）ア（ウ）において検討したとおり、甲１には、「開口」を有するパッシベーション膜（表面保護膜）を形成する工程として、「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜と、１．０μｍの厚みのＬＰＣＶＤ酸化膜を形成して不動態化する工程」と、「続いて、緩衝フッ酸（ＢＨＦ）エッチングによって、不動態化された酸化膜内に開口を形成する工程」が記載されているのであるから、パッシベーション膜を形成するにあたり、その一部となる「熱酸化膜」の厚さとして、「６０ｎｍ」という値が記載されているにすぎない。
　一方、上記（ウ）で検討したとおり、甲６記載発明の「第１熱酸化層」は、イオン注入と活性化熱処理で基板表面に生じた結晶不整層、注入損傷層、各種汚染層、炭化層等を除去するために設けられたものと理解できる。
　したがって、甲１の「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」と、甲６記載発明の「第１熱酸化層」とは、その技術上の意義が異なるから、甲１に記載された事項が公知乃至周知であるとしても、甲６記載発明の「第１熱酸化層」の厚さを変更する動機付けにならない。
　一方、甲１の「６０ｎｍの厚みの熱酸化膜」と、甲６記載発明の「第２熱酸化層」とは、パッシベーション膜を構成する「熱酸化膜」という点で、機能が共通している。したがって、甲１に記載された公知乃至周知の事項を甲６記載発明に適用し、「第２熱酸化層」の厚さを「６０ｎｍ」とすることは、当業者が容易になし得たことと言えるものの、上記（ウ）で検討したとおり、甲６記載発明の「第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）」は、「第２熱酸化層」をすべて除去するものではないから、本件発明１の「犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上（ただし、５０ｎｍ未満を除く）の二酸化珪素層を除去する工程」が導き出せたことにはならない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
　ウ　相違点についての判断のまとめ
　以上検討したとおり、本件発明１と甲６記載発明には、相違点３及び４が存在するから、本件発明１は甲６記載発明ではなく、また、当該相違点３及び４は、甲１〜５に記載された周知の事項等を考慮しても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものではないから、本件発明１は甲６記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（４）本件発明２及び３について
　本件発明２及び３は、本件発明１に対して、各々請求項２及び３に記載された技術的限定を付加したものである。
　そして、本件発明１は、上において検討したとおり、甲６記載発明ではなく、また、甲１〜５に記載された周知の事項等を考慮しても、甲６記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１に対して、技術的限定を付加した本件発明２についても、甲６記載発明ではなく、また、甲６記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもないことは明らかである。
　同様に、本件発明１に対して、技術的限定を付加した本件発明３についても、甲６記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもないことは明らかである。
　
（５）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１に対して、請求項４に記載された技術的限定を付加したものである。
　そして、本件発明１は、上において検討したとおり、甲６記載発明ではなく、また、甲１〜５に記載された周知の事項等を考慮しても、甲６記載発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１に対して、技術的限定を付加した本件発明４についても、甲７に記載された技術等を勘案したとしても、甲６記載発明及び甲７に記載された発明乃至技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないことは明らかである。
　なお、上記（３）イ（イ）で検討したのと同様に、甲６記載発明の「１１００℃で５時間ウェット熱酸化してｎ型ドリフト層の表面に第２熱酸化層を形成する工程（２１）と、・・・第２熱酸化層に開口を開ける工程（２６）」は、本件発明４の「表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された・・・二酸化珪素層を除去する工程」に相当するものではないから、甲６には、本件発明４のような、「表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された４０ｎｍ以上の二酸化珪素層を除去する工程を、複数回繰り返して行うこと」は記載されていない。
　
（６）無効理由２についてのまとめ
　以上検討したとおり、本件特許の請求項１及び２に係る発明は、甲６に記載された発明ではなく、また、甲６に記載された発明に基づいて、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件特許の請求項３に係る発明は、甲６に記載された発明に基づいて、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件特許の請求項４に係る発明は、甲６及び甲７に記載された発明に基づいて、本件特許の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
第７　むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び提出した証拠方法によっては、本件特許の請求項１ないし４に係る発明の特許を無効とすることができない。また、その他本件特許を無効とすべき理由も見いだせない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。