(57)【要約】【課題】現像剤保持体の軸方向の両端が接触する電子写真感光体の軸方向の感光層両端部で生じる偏摩耗を抑制する電子写真感光体の提供。【解決手段】導電性基体と、導電性基体上に設けられ、電子写真感光体の最表面を構成する感光層と、を有し、ナノインデンテーション法により求められる５００ｎｍ押し込み時の感光層の表面のヤング率であって、感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の感光層の一端部Ａのヤング率をＹＡ（ＭＰａ）、感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の感光層の他端部Ｂのヤング率をＹＢ（ＭＰａ）、感光体の軸方向の中心から±２０ｍｍの範囲の感光層の中央部Ｃのヤング率をＹＣ（ＭＰａ）としたとき、式（１）〜式（３）を満たす電子写真感光体。・式（１）：ＹＣ−ＹＡ≧０．１ＭＰａ・式（２）：ＹＣ−ＹＢ≧０．１ＭＰａ・式（３）：ＹＣ≦４．５ＭＰａ【選択図】図４
2018049148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、電子写真感光体の最表面を構成する感光層と、を有し、
ナノインデンテーション法により求められる５００ｎｍ押し込み時の前記感光層の表面のヤング率であって、電子写真感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の一端部Ａのヤング率をＹＡ（ＭＰａ）、電子写真感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の他端部Ｂのヤング率をＹＢ（ＭＰａ）、電子写真感光体の軸方向の中心から±２０ｍｍの範囲の前記感光層の中央部Ｃのヤング率をＹＣ（ＭＰａ）としたとき、下記式（１）〜下記式（３）を満たす電子写真感光体。
・式（１）：ＹＣ−ＹＡ≧０．１ＭＰａ
・式（２）：ＹＣ−ＹＢ≧０．１ＭＰａ
・式（３）：ＹＣ≦４．５ＭＰａ
【請求項２】
前記感光層の表面のヤング率が、前記一端部Ａ及び前記他端部Ｂから各々前記中央部Ｃに向かって次第に高くなっている請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記感光層が、最表面層として電荷輸送層を有し、
前記電荷輸送層が、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂を含有する請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記感光層が、単層型の感光層であり、
前記単層型の感光層が、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂を含有する請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂が、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂である請求項３又は請求項４に記載の電子写真感光体。
【化１】
2018049148.tif 000011
（一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。ＸＰ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。）
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
トナーを含む現像剤を表面に保持する現像剤保持体であって、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の一端部Ａの表面に現像剤保持体の軸方向の一端が位置し、前記電子写真感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の他端部Ｂの表面に現像剤保持体の軸方向の他端が位置して配置された現像剤保持体を有し、前記現像剤保持体の表面に保持した前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項７】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤を表面に保持する現像剤保持体であって、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の一端部Ａの表面に現像剤保持体の軸方向の一端が位置し、前記電子写真感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の他端部Ｂの表面に現像剤保持体の軸方向の他端が位置して配置された現像剤保持体を有し、前記現像剤保持体の表面に保持した前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置は、複写機およびレーザービームプリンター等の画像形成装置において利用されている。そして、電子写真方式の画像形成装置には、電子写真感光体が利用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、「グアナミン化合物及びメラミン化合物から選択される少なくとも１種と、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、及び−ＣＯＯＨから選択される置換基の少なくとも１つを持つ電荷輸送材料の少なくとも１種と、を含む組成物の硬化膜で構成され、弾性変形率が４５％以上５５％以下で、且つヤング率が２．８ＧＰａ以上３．７ＧＰａ以下である保護層を有する電子写真感光体」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１７８３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、電子写真感光体の表面に接触して配置された現像剤保持体の表面に保持した現像剤により、電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する接触現像方式の画像形成装置が知られている。しかし、接触現像方式の画像形成装置では、現像剤保持体の軸方向の両端が接触する電子写真感光体の軸方向の感光層両端部において、偏摩耗が生じることがある。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、電子写真感光体の最表面を構成する感光層と、を有する電子写真感光体において、式：ＹＣ−ＹＡ＜０．１ＭＰａ、式：ＹＣ−ＹＢ＜０．１ＭＰａ、及び式：ＹＣ≦４．５ＭＰａを満たす場合に比べ、現像剤保持体の軸方向の両端が接触する電子写真感光体の軸方向の感光層両端部で生じる偏摩耗を抑制する電子写真感光体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００８】
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、電子写真感光体の最表面を構成する感光層と、を有し、
ナノインデンテーション法により求められる５００ｎｍ押し込み時の前記感光層の表面のヤング率であって、電子写真感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の一端部Ａのヤング率をＹＡ（ＭＰａ）、電子写真感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の他端部Ｂのヤング率をＹＢ（ＭＰａ）、電子写真感光体の軸方向の中心から±２０ｍｍの範囲の前記感光層の中央部Ｃのヤング率をＹＣ（ＭＰａ）としたとき、下記式（１）〜下記式（３）を満たす電子写真感光体。
・式（１）：ＹＣ−ＹＡ≧０．１ＭＰａ
・式（２）：ＹＣ−ＹＢ≧０．１ＭＰａ
・式（３）：ＹＣ≦４．５ＭＰａ
【０００９】
請求項２に係る発明は、
前記感光層の表面のヤング率が、前記一端部Ａ及び前記他端部Ｂから各々前記中央部Ｃに向かって次第に高くなっている請求項１に記載の電子写真感光体。
【００１０】
請求項３に係る発明は、
前記感光層が、最表面層として電荷輸送層を有し、
前記電荷輸送層が、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂を含有する請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【００１１】
請求項４に係る発明は、
前記感光層が、単層型の感光層であり、
前記単層型の感光層が、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂を含有する請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【００１２】
請求項５に係る発明は、
前記ビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂が、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂である請求項３又は請求項４に記載の電子写真感光体。
【００１３】
【化１】
2018049148.tif 000003
（一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。ＸＰ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。）
【００１４】
請求項６に係る発明は、
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
トナーを含む現像剤を表面に保持する現像剤保持体であって、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の一端部Ａの表面に現像剤保持体の軸方向の一端が位置し、前記電子写真感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の他端部Ｂの表面に現像剤保持体の軸方向の他端が位置して配置された現像剤保持体を有し、前記現像剤保持体の表面に保持した前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【００１５】
請求項７に係る発明は、
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤を表面に保持する現像剤保持体であって、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の一端部Ａの表面に現像剤保持体の軸方向の一端が位置し、前記電子写真感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の前記感光層の他端部Ｂの表面に現像剤保持体の軸方向の他端が位置して配置された現像剤保持体を有し、前記現像剤保持体の表面に保持した前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１、又は２に係る発明によれば、導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、電子写真感光体の最表面を構成する感光層と、を有する電子写真感光体において、式：ＹＣ−ＹＡ＜０．１ＭＰａ、式：ＹＣ−ＹＢ＜０．１ＭＰａ、及び式：ＹＣ≦４．５ＭＰａを満たす場合に比べ、現像剤保持体の軸方向の両端が接触する電子写真感光体の軸方向の感光層両端部で生じる偏摩耗を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項３、４、又は５に係る発明によれば、電子写真感光体の最表面層を構成する層に、結着樹脂としてビスフェノールの単独重合型ポリカーボネート樹脂のみを含む場合に比べ、現像剤保持体の軸方向の両端が接触する電子写真感光体の軸方向の感光層両端部で生じる偏摩耗を抑制する電子写真感光体が提供される。
【００１７】
請求項６、又は７に係る発明によれば、導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、電子写真感光体の最表面を構成する感光層と、を有する電子写真感光体において、式：ＹＣ−ＹＡ＜０．１ＭＰａ、式：ＹＣ−ＹＢ＜０．１ＭＰａ、及び式：ＹＣ≦４．５ＭＰａを満たす電子写真感光体を適用した場合に比べ、現像剤保持体の軸方向の両端が接触する電子写真感光体の軸方向の感光層両端部で生じる偏摩耗を抑制するプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図２】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。
【図４】本実施形態に係る電子写真感光体の各部、および電子写真感光体と現像剤保持体との接触関係を説明するための模式図である。
【図５】本実施形態に係る電子写真感光体の感光層表面のヤング率における感光体軸方向の変化の一例を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一例である実施形態について説明する。
【００２０】
＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る電子写真感光体（以下「感光体」とも称する）は、導電性基体と、導電性基体上に設けられ、感光体の最表面を構成する感光層と、を有する。ナノインデンテーション法により求められる５００ｎｍ押し込み時の感光層の表面のヤング率であって、感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の感光層の一端部Ａのヤング率をＹＡ（ＭＰａ）、感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の感光層の他端部Ｂのヤング率をＹＢ（ＭＰａ）、感光体の軸方向の中心から±２０ｍｍの範囲の感光層の中央部Ｃのヤング率をＹＣ（ＭＰａ）としたとき（図４参照）、下記式（１）〜下記式（３）を満たす。
・式（１）：ＹＣ−ＹＡ≧０．１ＭＰａ
・式（２）：ＹＣ−ＹＢ≧０．１ＭＰａ
・式（３）：ＹＣ≦４．５ＭＰａ
【００２１】
本実施形態に係る感光体は、上記構成により、現像剤保持体の軸方向の両端が接触する感光体の軸方向の感光層両端部で生じる偏摩耗を抑制する。その理由は、次の通り推測される。
【００２２】
まず、感光体の表面に接触して配置された現像剤保持体の表面に保持した現像剤により、感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する接触現像方式の画像形成装置が知られている。しかし、接触現像方式の画像形成装置では、現像剤保持体の軸方向の両端が接触する感光体の軸方向の感光層両端部において、偏摩耗が生じることがある。
【００２３】
この現象は、感光体の軸方向両端部に荷重をかけて、現像剤保持体（例えば現像ロール）を感光体（感光層）の表面に接触させて配置するためと考えられる（図４参照）。つまり、現像剤保持体の軸方向中央部よりも軸方向両端部の方が感光体（感光層）と接する圧力が強い状態で、現像剤保持体を感光体（感光層）の表面に接触させて配置するためと考えられる。
【００２４】
そして、感光体の軸方向の感光層両端部において、偏摩耗が発生すると、偏摩耗した個所で帯電不良が生じ、記録媒体の搬送方向と交差方向の両端部で筋状の画像欠陥（例えば、黒帯状の画像欠陥）が生じることがある。
【００２５】
そこで、本実施形態に係る感光体は、式（１）〜式（３）を満たすようにする。つまり、感光層の中央部Ｃのヤング率を４．５ＭＰａ以下とし、感光体の感光層自体の耐摩耗性を確保した上で、感光層の一端部Ａのヤング率ＹＡ及び感光層の他端部Ｂのヤング率ＹＢを感光層の中央部Ｃのヤング率ＹＣよりも低くする。これにより、感光体の軸方向の感光層両端部の耐摩耗性を向上させる。そのため、現像剤保持体の軸方向の両端が接触する感光体の軸方向の感光層両端部で生じる偏摩耗が抑制される。
【００２６】
また、本実施形態に係る感光体では、感光体の軸方向の感光層両端部で生じる偏摩耗が抑制されることから、この偏摩耗に起因する筋状の画像欠陥（例えば、黒帯状の画像欠陥）も抑制される。これに加え、感光層の中央部Ｃのヤング率を４．５ＭＰａ以下とし、感光体の感光層自体の耐摩耗性を確保しているため、感光体寿命も確保される。
【００２７】
なお、図４中、４は導電性基体を示し、５は感光層を示し、７は電子写真感光体を示し、１１１は現像ロール（現像剤保持体の一例）を示し、Ａは感光層の一端部Ａを示し、Ｂは感光層の他端部Ｂを示し、Ｃは感光層の中央部Ｃを示す。
【００２８】
ここで、本実施形態に係る感光体において、感光体の軸方向の感光層両端部の偏摩耗を抑制する観点から、感光層の中央部Ｃのヤング率ＹＣと感光層の一端部Ａのヤング率ＹＡとの差（以下「ＹＣ−ＹＡ差」と称する）、及び感光層の中央部Ｃのヤング率ＹＣと感光層の一端部Ｂのヤング率ＹＢとの差（以下「ＹＣ−ＹＢ差」）は、各々、０．１ＭＰａ以上であるが、０．２ＭＰａ以上が好ましい。
ただし、偏磨耗が抑制されすぎることによる白帯状画質欠陥抑制の観点から、ＹＣ−ＹＡ差、及びＹＣ−ＹＢ差は、各々、０．５ＭＰａ以下が好ましく、０．４ＭＰａ以下がより好ましい。
【００２９】
なお、ＹＣ−ＹＡ差、及びＹＣ−ＹＢ差を調整する方法は、例えば、感光層の最表面を構成する層（積層型感光体の場合、例えば、電荷輸送層、単層型の感光層の場合、単層型の感光層自体）を形成するとき、感光体の軸方向中央部よりも軸方向両端部での乾燥温度を高くする方法（例えば、乾燥温度を１１０℃以上１５０℃以下の範囲で高くする方法）等が好適に挙げられる。
【００３０】
このため、感光層の表面のヤング率は、製法上、感光層の一端部Ａ及び感光層の他端部Ｂから各々感光層の中央部Ｃに向かって次第に高くなっていることがよい（図５参照）。
【００３１】
また、感光体寿命の低下を抑制する観点から、感光層の中央部Ｃのヤング率ＹＣは、４．５ＭＰａ以下が好ましく、４．４ＭＰａ以下がより好ましい。
ただし、粘性が上昇することによるクリーニング不良抑制の観点から、感光層の中央部Ｃのヤング率ＹＣは、４．０ＭＰａ以上が好ましく、４．１ＭＰａ以上がより好ましい。
【００３２】
なお、感光層の中央部Ｃのヤング率ＹＣは、例えば、１）感光層の最表面を構成する層（積層型感光体の場合、例えば、電荷輸送層、単層型の感光層の場合、単層型の感光層自体）を形成するときの乾燥温度（例えば、感光体の中央部Ｃでの乾燥温度を少なくとも１１０℃以上１５０℃以下の範囲とする。）、２）感光層の最表面を構成する層の組成（例えば、結着樹脂の種類又は分子量、充填剤の種類又は含有量、残留溶剤の種類又は含有量等）等により調整される。
【００３３】
ここで、感光層の表面のヤング率は、ナノインデンテーション法により求められる５００ｎｍ押し込み時のヤング率である。このヤング率の具体的な測定方法は、次の通りである。
（株）フィッシャー・インストルメンツ社製、ＰＩＣＯＤＥＮＴＯＲ  ＨＭ５００、及び、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ型ダイヤモンド圧子を用い、押込み深さ−荷重曲線を測定し、負荷を最大押込み深さ５００ｎｍで与え、続いて除荷をした場合の除荷曲線の傾きをヤング率として求める。
【００３４】
そして、「感光層の一端部Ａのヤング率ＹＡ（ＭＰａ）」は、次の値とする。まず、感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ、４０ｍｍ、７０ｍｍの３か所の感光層表面のヤング率の平均値を求める。この操作を、感光体の回転方向（周方向）の９０°毎に４か所行い、その平均値を「感光層の一端部Ａのヤング率ＹＡ（ＭＰａ）」とする。
「感光層の他端部Ｂのヤング率ＹＢ（ＭＰａ）」は、次の値とする。まず、感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ、４０ｍｍ、７０ｍｍの３か所の感光層表面のヤング率の平均値を求める。この操作を、感光体の回転方向（周方向）の９０°毎に４か所行い、その平均値を「感光層の他端部Ｂのヤング率ＹＢ（ＭＰａ）」とする。
「感光層の中央部Ｃのヤング率ＹＣ（ＭＰａ）」は、次の値とする。まず、感光体の軸方向の中心、中心から＋２０ｍｍ、及び中心から−２０ｍｍの３か所の感光層表面のヤング率の平均値を求める。この操作を、感光体の回転方向（周方向）の９０°毎に４か所行い、その平均値を「感光層の中央部Ｃのヤング率ＹＣ（ＭＰａ）」とする。
【００３５】
以下、本実施形態に係る電子写感光体について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体７Ａの層構成の一例を示す概略部分断面図である。図１に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。電子写真感光体７Ａの場合、電荷輸送層３が最表面層を構成している。
【００３６】
なお、電子写真感光体７Ａは、下引層１が設けられていない層構成であってもよい。また、各電子写真感光体７Ａは、電荷発生層２と電荷輸送層３との機能が一体化した単層型感光層を有する感光体であってもよい。単層型感光層を有する感光体の場合、単層型感光層が最表面層を構成する。
【００３７】
以下、電子写真感光体の各要素について説明する。なお、電子写真感光体の各要素の符号は、符号は省略して説明する。
【００３８】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３９】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００４０】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００４１】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００４２】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００４３】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００４４】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００４５】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００４６】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００４７】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００４８】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００４９】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００５０】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００５１】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００５２】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５３】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５４】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００５５】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【００５６】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【００５７】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【００５８】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【００５９】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【００６０】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【００６１】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【００６２】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【００６３】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【００６４】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【００６５】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【００６６】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【００６７】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００６８】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００６９】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００７０】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００７１】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００７２】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【００７３】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【００７４】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【００７５】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【００７６】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００７７】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００７８】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００７９】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【００８０】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００８１】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【００８２】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【００８３】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【００８４】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【００８５】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【００８６】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【００８７】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【００８８】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【００８９】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【００９０】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【００９１】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【００９２】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【００９３】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【００９４】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００９５】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００９６】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【００９７】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【００９８】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【００９９】
【化２】
2018049148.tif 000004
【０１００】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１０１】
【化３】
2018049148.tif 000005
【０１０２】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１０３】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【０１０４】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【０１０５】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
【０１０６】
電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、感光層の偏摩耗を抑制する観点、及び感光層自体の耐摩耗性を向上し（式（３）を満たし）、感光体寿命を向上させる観点から、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂（以下「ＢＰポリカーボネート樹脂」とも称する）が好ましい。
【０１０７】
ＢＰポリカーボネート樹脂としては、例えば、ビフェニル骨格を有する構造単位として、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、他の構造単位とを有するビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂が挙げられる。
他の構造単位としては、ビスフェノール骨格（例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＢＰ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＺ等）を有する構造単位等が挙げられる。
【０１０８】
ＢＰポリカーボネート樹脂として具体的には、例えば、ジヒドロキシビフェニル化合物と、ジヒドロキシビスフェノール化合物との共重合体が挙げられる。なお、この共重合体は、例えば、ジヒドロキシビフェニル化合物およびジヒドロキシビスフェノール化合物を原料として用い、ホスゲン等の炭酸エステル形成性化合物との重縮合又はビスアリールカーボネートとのエステル交換反応等の方法によって得られる。
【０１０９】
ジヒドロキシビフェニル化合物は、ビフェニル骨格を有し、ビフェニル骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビフェニル化合物である。ジヒドロキシビフェニル化合物としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジシクロヘキシルビフェニル、３，３’−ジフルオロ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジフェニルビフェニル等が挙げられる。
これらジヒドロキシビフェニル化合物は、１種単独で用いてもよいし、複数併用してもよい。
【０１１０】
ジヒドロキシビスフェノール化合物は、ビスフェノール骨格を有し、ビスフェノール骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビスフェノール化合物である。ジヒドロキシビスフェノール化合物としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等が挙げられる。
これらビスフェノール化合物は、１種単独で用いてもよいし、複数併用してもよい。
【０１１１】
これらの中でも、ＢＰポリカーボネート樹脂は、感光層の偏摩耗を抑制する観点、及び感光層自体の耐摩耗性を向上し、感光体寿命を向上させる観点から、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂であることが好ましい。
【０１１２】
【化４】
2018049148.tif 000006
【０１１３】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。ＸＰ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。    
【０１１４】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４が表すアルキル基としては、炭素数１以上６以下（好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１１５】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４が表すシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘブチルが挙げられる。
【０１１６】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４が表すアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
【０１１７】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＸＰ１が表すアルキレン基としては、炭素数１以上１２以下（好ましくは炭素数１以上６以下、より好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が挙げられる。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基、ｎ−ウンデシレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基、イソウンデシレン基、ｓｅｃ−ウンデシレン基、ｔｅｒｔ−ウンデシレン基、ネオウンデシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ−ドデシレン基、ｔｅｒｔ−ドデシレン基、ネオドデシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１１８】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＸＰ１が表すシクロアルキレン基としては、炭素数３以上１２以下（好ましくは炭素数３以上１０以下、より好ましくは炭素数５以上８以下）のシクロアルキレン基が挙げられる。
シクロアルキレン基として具体的には、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロドデカニレン基等が挙げられる。
これらの中でも、シクロアルキレン基としては、シクロヘキシレン基が好ましい。
【０１１９】
なお、一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、及びＸＰ１が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルキル基（例えば炭素数１以上６以下のアルキル基）、シクロアルキル基（例えば炭素数５以上７以下のシクロアルキル基）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等）等が挙げられる。
【０１２０】
一般式（ＰＣＡ）において、ＲＰ１、及びＲＰ２は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、ＲＰ１、及びＲＰ２は、水素原子を表すことがより好ましい。
一般式（ＰＣＢ）において、ＲＰ３、及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、ＸＰ１がアルキレン基、又はシクロアルキレン基を表すことが好ましい。
【０１２１】
ＢＰポリカーボネート樹脂の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、例示化合物中、ｐｍ、ｐｎは共重合比を示す。
【０１２２】
【化５】
2018049148.tif 000007
【０１２３】
ここで、ＢＰポリカーボネート樹脂において、一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位の含有率（共重合比）は、ＢＰポリカーボネート樹脂を構成する全構造単位に対して５モル％以上９５モル％以下の範囲がよく、感光層（電荷輸送層）の耐磨耗性を高める観点から、好ましくは５モル％以上５０モル％以下の範囲、さらに好ましくは１５モル％以上３０モル％以下の範囲である。
具体的には、ＢＰポリカーボネート樹脂の上記例示化合物中、ｐｍ、ｐｎは共重合比（モル比）を示すが、ｐｍ：ｐｎ＝９５：５から５：９５の範囲、５０：５０から５：９５の範囲、更に好ましくは、１５：８５から３０：７０の範囲が挙げられる。
【０１２４】
ＢＰポリカーボネート樹脂を他の結着樹脂と併用する場合、他の結着樹脂の含有量は全結着樹脂に対して１０質量％（好ましくは５質量％以下）であることがよい。
【０１２５】
ここで、結着樹脂（特に、ＢＰポリカーボネート樹脂）の粘度平均分子量は、感光層の偏摩耗を抑制する観点、及び感光層自体の耐摩耗性を向上し（式（３）を満たし）、感光体寿命を向上させる観点から、４０，０００以上８０，０００以下が好ましく、塗布液の安定化の観点から、４０，０００以上６０，０００以下が好ましい。
なお、ＢＰポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量の測定方法としては、次の方法により測定される値である。樹脂１ｇをメチレンクロライド１００ｃｍ３に均一溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計により、その比粘度ηｓｐを測定し、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕２ｃの関係式（ただしｃは濃度（ｇ／ｃｍ３）より極限粘度〔η〕（ｃｍ３／ｇ）をもとめ、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている式、〔η〕＝１．２３×１０−４Ｍｖ０．８３の関係式より粘度平均分子量Ｍｖを求める。
【０１２６】
また、全結着樹脂の含有量は、例えば、感光層（電荷輸送層）の全固形分に対して、１０質量％以上９０質量％以下が好ましく、３０質量％以上９０質量％以下がより好ましく、５０質量％以上９０質量％以下が更に好ましい。
【０１２７】
なお、全結着樹脂と電荷輸送材料との配合比（質量比＝結着樹脂：電荷輸送材料）は１０：１から１：５までが望ましい。
【０１２８】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１２９】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１３０】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１３１】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１３２】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１３３】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１３４】
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤を表面に保持する現像剤保持体であって、電子写真感光体の表面に接触し、電子写真感光体の軸方向の一端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の感光層の一端部Ａの表面に現像剤保持体の軸方向の一端が位置し、電子写真感光体の軸方向の他端から中央部に向かって１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の範囲の感光層の他端部Ｂの表面に現像剤保持体の軸方向の他端が位置して配置された現像剤保持体を有し、現像剤保持体の表面に保持した現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【０１３５】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【０１３６】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０１３７】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１３８】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体と現像手段を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１３９】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０１４０】
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【０１４１】
図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０１４２】
なお、図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０１４３】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０１４４】
−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１４５】
−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１４６】
−現像装置−
現像装置１１は、接触現像方式の現像装置が適用される。具体的には、例えば、現像装置１１は、現像ロール１１１（現像剤保持体の一例）を有する装置である。現像ロール１１１は、電子写真感光体７（その感光層）の表面に接触して配置されている。現像ロール１１１は、例えば、軸方向の両端部から荷重が掛けられた状態で、電子写真感光体の感光層の表面に接触して配置されている。そして、現像ロール１１１は、感光層の一端部Ａの表面に現像ロール１１１の軸方向の一端が位置して、感光層の他端部Ｂの表面に現像ロール１１１の軸方向の他端が位置して配置されている（図４参照）。
現像ロール１１１は、現像剤を表面に保持し、回転により保持した現像剤を電子写真感光体７の表面と対向する位置まで搬送する。そして、搬送した現像剤によって、電子写真感光体７の表面に形成された静電潜像を現像して、トナー像を形成する。
【０１４７】
なお、現像装置１１は、接触現像方式の現像装置であれば、特に制限はなく、周知の現像装置が適用される。
【０１４８】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０１４９】
−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１５０】
−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１５１】
−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１５２】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【実施例】
【０１５３】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、「部」、及び「％」は、特に断りがない限り、「質量部」、及び「質量％」を意味する。
【０１５４】
［実施例１］
酸化亜鉛（平均粒子径：７０ｎｍ、テイカ社製、比表面積値：１５ｍ２／ｇ）１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ６０３（信越化学工業社製）０．７５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛粒子６０質量部と、反応性アクセプター物質としてアリザリンを１．２質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部と混合し混合液を得た。この混合液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ製）４．０質量部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。下引層形成用塗布液の塗布温度２４℃における粘度は２３５ｍＰａ・ｓであった。
この塗布液を、浸漬塗布法にて塗布速度２２０ｍｍ／ｍｉｎで直径４０ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ１９μｍの下引層を得た。
【０１５５】
次に、電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１５質量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製）１０質量部及びｎ−ブチルアルコール３００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散して電荷発生層形成用塗布液を得た。電荷発生層形成用塗布液の塗布温度２４℃における粘度は１．８ｍＰａ・ｓであった。この塗布液を前記下引層上に浸漬塗布法にて塗布速度６５ｍｍ／ｍｉｎで浸漬塗布し、１５０℃で１０分間乾燥して電荷発生層を得た。
【０１５６】
次に、４フッ化エチレン樹脂粒子８質量部（平均粒径：０．２μｍ）と、フッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー（東亞合成株式会社製、ＧＦ４００（製品名））０．０１質量部とを、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４質量部、トルエン１質量部とともに２０℃の液温に保ち、４８時間攪拌混合し、４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを得た。
【０１５７】
次に、電荷輸送物質として化合物（ＣＴ１Ａ）１．６質量部、Ｎ，Ｎ‘−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（化合物（ＣＴ２Ａ））３質量部、結着樹脂として、ポリカーボネート共重合体（化合物（ＰＣ−Ａ）：詳細は後述）６質量部、酸化防止剤として２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．１質量部を、溶剤としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３２質量部及びトルエン３質量部に混合溶解して、混合溶解液Ｂを得た。
【０１５８】
【化６】
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【０１５９】
【化７】
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【０１６０】
次に、混合溶解液Ｂに４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを加えて攪拌混合した後、微細な流路を持つ貫通式チャンバーを装着した高圧ホモジナイザー（吉田機械興行株式会社製）を用いて、５００ｋｇｆ／ｃｍ２まで昇圧しての分散処理を６回繰り返した液に、エーテル変性シリコーンオイル（商品名：ＫＰ３４０：信越化学工業社製）を５ｐｐｍ添加し、撹拌して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に４０μｍの厚さで塗布した。
【０１６１】
そして、電荷輸送層形成用塗布液の塗膜が形成されたアルミニウム基材を回転させながら、基材の軸方向両端部側に、ハロゲンランプを配置した状態で、塗膜全体に温風を吹き付けて、塗膜を乾燥した。このとき、電荷輸送層（感光層）の一端部Ａに相当する位置の塗膜の乾燥温度を１４３℃、電荷輸送層（感光層）の他端部Ｂに相当する位置の塗膜の乾燥温度を１４３℃、電荷輸送層（感光層）の中央部Ｃに相当する位置の塗膜の乾燥温度を１１５℃となるように乾燥条件を設定した。このようにして、電荷輸送層を形成した。
【０１６２】
以上の工程により実施例１の感光体を作製した。
【０１６３】
［実施例２〜４、比較例１〜４］
表１に従って、電荷輸送層の形成における、１）結着樹脂の種類、２）電荷輸送層形成用塗布液の溶剤の量、３）電荷輸送層形成時の乾燥条件「電荷輸送層（感光層）の一端部Ａに相当する位置の塗膜の乾燥温度（表中「一端部Ａ乾燥温度」と表記）、電荷輸送層（感光層）の他端部Ｂに相当する位置の塗膜の乾燥温度（表中「他端部Ｂ乾燥温度」と表記）、電荷輸送層（感光層）の中央部Ｃに相当する位置の塗膜の乾燥温度（表中「中央部Ｃ乾燥温度」と表記）」を変更した以外は、実施例１の感光体と同様にして、各例の感光体を作製した。
【０１６４】
［測定］
各例で得られた感光体の感光層の表面のヤング率「電荷輸送層（感光層）の一端部Ａのヤング率ＹＡ（ＭＰａ）、電荷輸送層（感光層）の他端部Ｂのヤング率ＹＢ（ＭＰａ）、電荷輸送層（感光層）の中央部Ｃのヤング率ＹＣ（ＭＰａ）」を、既述の方法に従って測定した。
【０１６５】
［評価］
各例の感光体を、画像形成装置「商品名：ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ−ＩＶ  Ｃ５５７０改造機（富士ゼロックス社製）、接触現像方式の現像装置を備える装置）に装着した。なお、感光体を装着した画像形成装置では、現像装置の現像ロールは、軸方向の一端が感光体の電荷輸送層（感光層）の一端部Ａに接触し、軸方向の他端が感光体の電荷輸送層（感光層）の他端部Ｂに接触していた。
そして、この画像形成装置を用いて、次の評価を実施した。
【０１６６】
（黒帯状の画像欠陥）
温度１０℃、湿度１５％ＲＨの環境下で、Ａ３サイズの用紙に格子模様チャートを１０００００枚出力した。その後、Ａ３サイズの用紙に画像濃度５０％の全面ハーフトーン画像を１枚出力し目視にて観察した。そして、用紙の搬送方向と交差方向の両端部に生じる「黒帯状の画像欠陥」について、次の評価基準に従って評価した。
−評価基準−
Ａ（◎）：端部に黒帯未発生。
Ｂ（○）：微小な黒帯発生。
Ｃ（△）：黒帯発生。
Ｄ（×）：顕著な黒帯発生。
【０１６７】
（温度１０℃、湿度１５％ＲＨの環境下で、Ａ３サイズの用紙に格子模様チャートを１０００００枚出力した。その後、Ａ３サイズの用紙に画像濃度５０％の全面ハーフトーン画像を１枚出力した。その後、画像形成装置から、感光体を取り出した。次に、現像ロールの軸方向の両端部と接触していた感光体の電荷輸送層（感光層）の両端部の部分、及び感光体の軸方向の電荷輸送層（感光層）の中心の膜厚を各々測定した。膜厚の測定は、渦電流式膜厚測定装置（フィッシャー・インストルメンツ社製）で実施した。そして、電荷輸送層（感光層）の偏摩耗、感光体寿命について、次の評価基準に従って評価した。
【０１６８】
−電荷輸送層（感光層）の偏摩耗の評価基準−
Ａ（◎）：電荷輸送層（感光層）の両端部の部分と中心との膜厚差が１．０μｍ以下
Ｂ（○）：電荷輸送層（感光層）の両端部の部分と中心との膜厚差が１．０μｍ超え３．０μｍ以下
Ｃ（△）：電荷輸送層（感光層）の両端部の部分と中心との膜厚差が３．０μｍ超え５．０μｍ以下
Ｄ（×）：電荷輸送層（感光層）の両端部の部分と中心との膜厚差が５．０μｍ超え
【０１６９】
−感光体寿命の評価基準−
Ａ（◎）：電荷輸送層（感光層）の中心の膜厚が２０μｍ以上
Ｂ（○）：電荷輸送層（感光層）の中心の膜厚が１８μｍ以上２０μｍ未満
Ｃ（△）：電荷輸送層（感光層）の中心の膜厚が１５μｍ以上１８μｍ未満
Ｄ（×）：電荷輸送層（感光層）の中心の膜厚が１５μｍ未満
【０１７０】
【表１】
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【０１７１】
上記結果から、本実施例は、比較例に比べ、現像ロールの軸方向の両端が接触する感光体の軸方向の電荷輸送層（感光層）両端部で生じる偏摩耗が抑制されていることがわかる。そして、この偏摩耗に起因する黒帯状の画像欠陥も抑制されていることがわかる。
また、本実施例では、電荷輸送層（感光層）自体の摩耗も抑制されており、感光体寿命も長いことがわかる。
【０１７２】
以下、表１中の略称等の詳細について示す。
【０１７３】
−結着樹脂−
・ＰＣ−Ａ：化合物（ＰＣ−１）、ｐｍ／ｐｎ比＝２５／７５、粘度平均分子量Ｍｚ＝４５０００
・ＰＣ−Ｂ：化合物（ＰＣ−１）、ｐｍ／ｐｎ比＝２５／７５、粘度平均分子量Ｍｚ＝４００００
・ＰＣ−Ｃ：化合物（ＰＣ−１）、ｐｍ／ｐｎ比＝２５／７５、粘度平均分子量Ｍｚ＝３５０００
【符号の説明】
【０１７４】
１  下引層、２  電荷発生層、３  電荷輸送層、４  導電性基体、７Ａ，７  電子写真感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑剤、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材（ロール状）、１３３  繊維状部材（平ブラシ状）、３００  プロセスカートリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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