【事件の表示】
　特許第３２６７３８０号「配線基板およびその製造方法」の請求項１、２、４、６ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２６７３８０号の請求項１、３、５ないし９に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３２６７３８０号の請求項１〜１０に係る発明についての出願は、平成５年４月３０日に特許出願されたものであって、平成１４年１月１１日にその特許の設定の登録がなされ、その後、斉藤忠により請求項１，２，４，６〜１０に係る特許について特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１５年１月２３日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　ａ．特許請求の範囲の請求項１に、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項２に記載された「前記上部配線は、前記コンタクトホールに侵入して、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から該底部に至る側壁部の両方で該配線と接触している」ことを追加する。
　ｂ．特許請求の範囲の請求項２を削除する。
　ｃ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項３を請求項２とし、独立の請求項に訂正する。
　ｄ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項４を請求項３とし、「請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「請求項１または２に記載の配線基板」と訂正する。
　ｅ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項５を請求項４とし、「請求項１乃至４のいずれかに記載の配線基板」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板」と訂正する。
　ｆ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項６を請求項５とする。
　ｇ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項７を請求項６とし、「請求項６に記載の配線基板の製造方法」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「請求項５に記載の配線基板の製造方法」と訂正する。
　ｈ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項８を請求項７とし、「請求項６または７に記載の配線基板の製造方法」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「請求項５または６に記載の配線基板の製造方法」と訂正する。
　ｉ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項９を請求項８とし、「請求項６に記載の配線基板の製造方法」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「請求項５に記載の配線基板の製造方法」と訂正する。
　ｊ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項１０を請求項９とし、「請求項９に記載の配線基板の製造方法」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「請求項８に記載の配線基板の製造方法」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａおよびｂは、特許請求の範囲の請求項２を削除し、この構成を請求項１に付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｃは、請求項２の削除に伴い、請求項３を新たな請求項２とすると共に独立形式に書き改めたものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　訂正事項ｄ．ｅは、請求項２の削除に伴い、請求項４，５の項番を請求項３．４に繰り上げるとともに、引用する請求項の番号を適切なものに訂正するものであり、しかも減縮した請求項１を引用するものであるから特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する。
　又、訂正事項ｆ〜ｊは、請求項２の削除に伴い、請求項６〜１０の項番を請求項５〜９に繰り上げるとともに、引用する請求項の番号を適切なものに訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項は、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
２−３．独立特許要件の検討
　特許異議申立がなされていない請求項２，４（訂正前の請求項３，５）のうち特許請求の範囲の減縮に該当する請求項４について、独立特許要件を検討する。
　請求項４は、請求項１を引用し、「配線は、陽極酸化可能な金属からなるとともに、前記第１の絶縁膜は該配線の表面に形成された陽極酸化膜からなる」構成を限定するものであるが、下記の取消理由に引用した刊行物１〜４及び異議申立人の提出した甲第１，２号証（刊行物３，４と同じ）並びに参考資料をみても、上記構成についてはなんら記載がない。
　よって、請求項４に係る発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。又、他に請求項４に係る発明を取り消すべき理由も発見しないから、請求項４に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないとはいえない。
　
２−４．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項の規定及び同条第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の同法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　　
　
３．本件発明
　本件の請求項１〜９に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明９」という。）は、訂正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、異議申立の対象とされた請求項１，３，５〜９は、次のものである。
「【請求項１】　絶縁性の基板と、該基板上に形成された配線と、該配線の表面に形成された第１の絶縁膜と、該第１絶縁膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜上に形成された上部配線と、該上部配線と前記配線とを接続するために第１および第２の絶縁膜を貫通するコンタクトホールとを有する配線基板において、
　前記コンタクトホールは、該コンタクトホール内に、前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造になるとともに、前記配線の表層から所定の距離だけ深く進んだ位置に底部を有し、前記上部配線は、前記コンタクトホールに侵入して、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から該底部に至る側壁部の両方で該配線と接触していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】　前記上部配線は、前記配線基板の接続用端子であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項５】　絶縁性の基板上に配線を形成する工程と、
　該配線の表面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　該第１の絶縁膜を覆って第２の絶縁膜を基板上に形成する工程と、
　該第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を、該第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との境界部にてパターンずれが生じないように、また、内部に前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造になるように、同時にエッチングして、前記配線の表層からさらに所定の距離だけ深く進んだ位置に底部を有するコンタクトホールを形成する工程と、
　前記第２の絶縁膜上に上部配線を形成して、該上部配線を、該コンタクトホールを介して前記配線と接続する工程と、
　を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】　前記第２の絶縁膜を形成する工程の後に、該第２の絶縁膜上にコンタクトホール形成用のレジストを形成する工程を有し、前記コンタクトホールを形成する工程の後に、該レジストを除去し、その後に、該第２の絶縁膜上に前記上部配線を形成する工程を行うことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】　前記上部配線を形成する工程は、前記上部配線を、前記配線の表層から所定距離だけ深く進んだ位置に底部を有するコンタクトホールに侵入させて、該上部配線を、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から底部に至る側壁部の両方で前記配線と接触させる工程を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】　前記コンタクトホールを形成する工程におけるエッチングは、ドライエッチングである請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】　前記ドライエッチングは、リアクティブイオンエッチングである請求項８に記載の配線基板の製造方法。」
　　
４．取消理由の概要
　取消理由は、本件の訂正前の請求項１、２、４、６〜９に係る発明の特許は、下記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである、というものである。
　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開平４−１７２３２５号公報
　刊行物２：特開昭５８−２１６４４１号公報
　刊行物３：特開昭５７−１７３９５９号公報
　刊行物４：特開平４−９２４２８号公報
　
５．当審の判断
５−１．刊行物記載の事項
　取消理由に引用したこの出願前公知の刊行物４：特開平４−９２４２８号公報（以下、「引用例１」という。）には、
　ａ）「半導体基体１の主面上に形成されたフィールド酸化膜２上に、下層の単一の配線層３、層間絶縁膜４、５、６が順次形成され、更に各層間絶縁膜に多数設けたコンタクトホール７を含む表面上に上層の配線層８が形成され、コンタクトホール７を介して下層の配線層３に接続されている。このように多数のコンタクトホールを設けることによって、コンタクト抵抗を減少させ得る等の利点がある。」（１頁右下欄１１行〜１９行）と記載され、第７図及び第８図には、上部にフィールド酸化膜２を設けた半導体基体１上に形成された下層の配線層３と、該下層の配線層３の上に形成された３層の層間絶縁膜４、５、６と、上層の絶縁膜６上に形成された上層の配線層８と、該上層の配線層８と下層の配線層３とを接続するために、前記３層の層間絶縁膜４、５、６を貫通する複数のコンタクトホール７が４列に４個ずつ並んで配置された半導体装置において、上層の配線層８がコンタクトホール７に侵入して、該コンタクトホールの底部で下層の配線層３と接触しているものが図示されている。
　
　ｂ）「こうした多層配線構造の形成方法を第９図で概略的に説明する。まず、第９Ａ図は下層のＡｌ、・・・配線材料３をスパッタリング法、真空蒸着法、・・・で被着した状態を示し、第９Ｂ図は同材料をパターニングして配線層３に加工した状態を示し、更にこの配線層３を含む表面上に層間絶縁膜４を第９Ｃ図のように形成した後、層間絶縁膜５を・・・第９Ｄ図のように形成する。・・・第９Ｅ図は層間絶縁膜５上に層間絶縁膜６を形成した状態、第９Ｆ図はフォトリソグラフィーによって各層間絶縁膜を通してコンタクトホール７を形成した状態を示し、更に表面上に上層のＡｌ、・・・配線層材料をスパッタリング法、・・・で被着し、パターニングして・・・配線層８に加工する。」（１頁右下欄１９行〜２頁左上欄１７行）と記載され、第９Ｆ図には、複数のコンタクトホール７が絶縁膜４、５、６を貫通して設けられ、コンタクトホールの底部が下層の配線層３の表面に達しているものが図示されている。また、第７図及び第８図には、上記ａ）で摘記した事項が示されている。
　
５−２．対比・判断
 ［請求項１について］
　本件発明１と引用例１の上記摘記事項ａ）に記載のもの（以下、「引用発明１ａ」という。）とを対比するに、引用発明１ａの「半導体基体１」、「下層の配線層３」及び「上層の配線層８」は、本件発明１の「絶縁性の基板」、「配線」及び「上部配線」にそれぞれ相当する。
　よって、両者は、
「絶縁性の基板と、該基板上に形成された配線と、該配線の表面に形成された絶縁膜と、該絶縁膜を覆うように形成された別の絶縁膜と、該別の絶縁膜上に形成された上部配線と、該上部配線と前記配線とを接続するために絶縁膜を貫通するコンタクトホールとを有する配線基板において、前記上部配線は、前記コンタクトホールに侵入して、該コンタクトホールの底部で該配線と接触している配線基板。」
で一致し、下記の点で相違する。
　
（相違点１）本件発明１の絶縁膜は、第１及び第２の絶縁膜の２層であるのに対し、引用発明１ａでは３層である点、
（相違点２）上部配線と配線とを接続する部分を、本件発明１では、コンタクトホール内に、前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造としているのに対し、引用発明１ａでは、４列に４個ずつ並んで配置された複数のコンタクトホールとしている点、
（相違点３）本件発明１のコンタクトホールは、前記配線の表層から所定の距離だけ深く進んだ位置に底部を有し、前記上部配線は、前記コンタクトホールに侵入して、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から該底部に至る側壁部の両方で該配線と接触しているのに対し、引用発明１ａでは、上部配線は、コンタクトホールに侵入して、該コンタクトホールの底部で下部配線と接触しているが、コンタクトホールの底部が下部配線の表層から深く進んだ位置にあるとの記載はなく、したがって、前記配線の表層から該底部に至る側壁部で下部配線と接触するものではない点。
　
　上記相違点につき検討する
（１）相違点１について
　層間絶縁膜を２層とすることは従来周知（例えば、特開昭６３−７０８３２号公報及び特開平３−１７４５１７号公報参照。）の事項であるから、この点は設計変更に過ぎない。
（２）相違点２について
　先ず、本件発明は、「上部配線端子と配線とのコンタクト抵抗の抑制も図る」（本件特許明細書【００２３】参照）ことを目的の一つとしている。また、本件発明１において、「壁」は、配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造と規定されるだけで、その形状については特段の限定がない。
　そこで、上記引用例１を検討するに、引用発明１ａにおいて、上層の配線層８と下層の配線層３との接続部に複数のコンタクトホールを形成したのは、前掲の通り、コンタクト抵抗を減少させるためであるから、この点で本件発明の目的と一致している。
　また、引用発明１ａの４列に４個ずつ並んだ複数のコンタクトホールで形成される接続部において、コンタクトホールでない部分は、配線層３上に間隔をあけて複数立ち並んだ壁を構成している、ということができる。してみると、相違点２の本件発明１の構成は、単なる表現上の差に過ぎないものである。
　なお、仮に、「壁」が直線状の壁を意味しているとしても、この種の接続部において、四角形状のコンタクトホールを複数設けることが従来周知（例えば、異議申立人が参考資料１及び３として提出した、特開昭６３−２０４６３１号公報第２図（ａ）（ｂ）、特開平３−９１２４３号公報第１図（ａ）（ｂ）参照。）であり、これらのコンタクトホールの間の部分を、配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ壁、ということができる。よって、相違点２は、上記周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
（３）相違点３について
　取消理由で引用した刊行物２：特開昭５８−２１６４４１号公報（以下、「引用例２」という。）には、「上層配線と下層配線の接続部である接続孔で、接続孔直下の下層配線層が凹型にエッチング除去され、上層配線と下層配線の接続がこの凹型部で為されている」（特許請求の範囲１）こと、「反応性イオンエッチングを行ない、二酸化珪素膜４にスルーホール５を形成する。」（３頁左上欄１２〜１３行）こと、及び「スルーホール径が小さくとも、・・・第２配線層が第１配線層と接続する面積が広く」（３頁右上欄４〜７行参照）なることが記載されている。また、第３図（ｄ）には、Ａｌ膜の第２配線層７がスルーホール５に侵入して、該スルーホールの底部および第１配線層３の表層から該底部に至る側壁部の両方で該第１配線層３と接触したものが図示されている。
　よって、引用例２には、本件発明１の相違点３の構成が実質的に示されており、これを引用発明１ａの下層の配線層に適用できない理由はない。
　そして、本件発明１によってもたらされる効果は、引用例１、２に記載された発明及び従来周知の技術から予想し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　したがって、本件発明１は、引用例１、２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［請求項３について］
　本件発明３は、本件発明１における上部配線が、配線基板の接続用端子であることを限定したものである。しかし、引用例１には、「例えば上層は配線層でなくボンディングパッド等の電極としてよい等、配線層に限らず、他の導電層としてもよい。」（４頁右下欄１７〜２０行）と記載されているから、上部配線を接続用端子とすることは当業者が適宜なし得ることである。
　よって、本件発明３は、本件発明１に対すると同様の理由により、引用例１、２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［請求項５について］
　本件発明５と引用例１の上記摘記事項ｂ）に記載のもの（以下、「引用発明１ｂ」という。）とを対比するに、引用発明１ｂの「下層の配線材料３を被着し、パターニングして配線層３に加工し」、「この配線層３を含む表面上に層間絶縁膜４を形成した」、「層間絶縁膜上に層間絶縁膜６を形成した」、「層間絶縁膜を通してコンタクトホール７を形成した」は、本件発明５の「絶縁性の基板上に配線を形成する工程」、「該配線の表面に絶縁膜を形成する工程」、「該絶縁膜を覆って絶縁膜を基板上に形成する工程」、「コンタクトホールを形成する工程」に各々相当し、引用発明１ｂの「上層の配線材料を被着し、パターニングして配線層に加工する」工程において、該上層の配線層８がコンタクトホール７に侵入し、下層の配線層３と接続することは当業者に明らかである。　
　したがって、両者は、
「絶縁性の基板上に配線を形成する工程と、
　該配線の表面に絶縁膜を形成する工程と、
　該絶縁膜を覆って別の絶縁膜を基板上に形成する工程と、
　該絶縁膜および別の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
　前記別の絶縁膜上に上部配線を形成して、該上部配線を、該コンタクトホールを介して前記配線と接続する工程と、
　を含む配線基板の製造方法。」
　で一致し、下記の点で相違する。
（相違点１）本件発明５の絶縁膜は第１及び第２の絶縁膜の２層であるのに対し、引用発明１ｂでは３層である点、
（相違点２）本件発明５のコンタクトホールは、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との境界部にてパターンずれが生じないように、また、内部に前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造になるように、同時にエッチングしているのに対して、引用発明１ｂでは、フォトリソグラフィーによって各層間絶縁膜を通して複数のコンタクトホール７を形成すると記載されている点、
（相違点３）本件発明５は、前記配線の表層からさらに所定の距離だけ深く進んだ位置にコンタクトホールの底部を有するのに対して、引用発明１ｂは、コンタクトホールの底部が下層の配線層３の表面に達している点。
　
　上記相違点につき検討する
（１）相違点１について
　層間絶縁膜を２層とすることは、上記［請求項１について］（１）相違点１について、で述べたとおりであり、従来周知の事項であるから、この点は設計変更に過ぎない。
（２）相違点２について
　引用発明１ｂは、フォトリソグラフィーによって複数のコンタクトホールを形成するのであるから、エッチング工程を有するものであり、複数の絶縁膜を通してコンタクトホールを形成する際に、各絶縁膜間にパターンずれが生じないようにすることは当然のことであり、周知の課題である。
　ところで、本件発明５の「第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との境界部にてパターンずれが生じないように同時にエッチング」する方法については、本件特許明細書の【００５１】に「リアクティブイオンエッチング法の他にプラズマエッチング法を用いてもよい。」と記載されている。
　そして、リアクティブイオンエッチング法やプラズマエッチング法は、微細加工のドライエッチング法として従来周知のものであるところ、ガスプラズマエッチングにより、絶縁層８及び５による（２層の）絶縁層に窓（コンタクトホール）を穿設することが、取消理由で引用した刊行物３：特開昭５７−１７３９５９号公報（以下、「引用例３」という。）に記載されており、２層の絶縁膜を同時にエッチングすることが示されている。
　また、本件発明５における、「壁」については、上記［請求項１について］（２）相違点２について、で述べたとおりであり、引用例１記載のものとの単なる表現の相違にすぎないものである。
　よって、引用発明１ｂにおける、コンタクトホールの形成に、引用例３記載の方法を採用し、本件発明５の相違点２の構成を得ることは当業者が容易になし得たものである。
（３）相違点３について
　上記引用例２の特許請求の範囲１には、「上層配線と下層配線の接続部である接続孔で、接続孔直下の下層配線層が凹型にエッチング除去され、上層配線と下層配線の接続がこの凹型部で為されている」ことが記載され、本件発明５の相違点３の構成が実質的に示されている。また、これを引用発明１ｂの下層の配線層に適用することができない理由はない。
　そして、本件発明５によってもたらされる効果は、引用例１、２、３に記載された発明及び従来周知の技術から予想し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　したがって、本件発明５は、引用例１、２、３に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［請求項６について］
　本件発明６は、本件発明５に「第２の絶縁膜を形成する工程の後に、該第２の絶縁膜上にコンタクトホール形成用のレジストを形成する工程を有し、前記コンタクトホールを形成する工程の後に、該レジストを除去し、その後に、該第２の絶縁膜上に前記上部配線を形成する工程を行う」ことをさらに限定したものである。
　しかし、上記引用例３に、「絶縁層５上に導体層７を覆って・・・シリコン酸化物でなる絶縁層８が形成されてなる構成を有する半導体装置Ｕが、・・・第１図Ｂに示す如く、絶縁層７（絶縁層８の誤記と認める）上に半導体領域３及び４と対向する領域に絶縁層７（絶縁層８の誤記と認める）を外部にそれぞれ臨ませる窓１０及び１１を有するフォトレジスト材でなる窓穿設用マスク層１２をそれ自体は公知の方法によって形成する。次に絶縁層８及び５を絶縁層としてそれに対する窓穿設用マスク層１２をマスクとせる、・・・ガスプラズマエッチング処理をなす。」（２頁右上欄１８行〜右下欄１行）、
「次に窓穿設用マスク層１２をそれ自体は公知の方法によって絶縁層８上より除去し、・・・絶縁層８及び５による絶縁層に穿設せる窓１３及び１４を通じて連結せる電極乃至配線層２０及び２１を、第１図Ｆに示す如くそれ自体公知の方法によって形成し」（３頁右上欄２０行〜右下欄４行）と記載されている。
　よって、引用発明１ｂのフォトリソグラフィーによるコンタクトホールの形成に、上記引用例３記載のものを適用することは当業者が容易になし得るものである。
　したがって、本件発明６は、本件発明５に対すると同様の理由により、引用例１、２、３に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［請求項７について］
　本件発明７は、請求項５または６を引用し、さらに「前記上部配線を形成する工程は、前記上部配線を、前記配線の表層から所定距離だけ深く進んだ位置に底部を有するコンタクトホールに侵入させて、該上部配線を、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から底部に至る側壁部の両方で前記配線と接触させる工程を含むことを」限定するものである。
　しかし、この点は、［請求項１について］（３）相違点３について、で述べたとおり、引用例２に記載されている。
　したがって、本件発明７は、本件発明５及び６に対すると同様の理由により、引用例１、２、３に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［請求項８，９について］
　エッチング手段として、ドライエッチング及びリアクティブドライエッチングは従来周知であるから、本件発明８及び９は、本件発明５に対すると同様の理由により、引用例１、２、３に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件の請求項１、３、５〜９に係る各発明は、刊行物に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件の請求項１、３、５〜９に係る各発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月１８日（２００３．３．１８）
【訂正の要旨】
　ａ．特許請求の範囲の請求項１に、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項２に記載された「
前記上部配線は、前記コンタクトホールに侵入して、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から該底部に至る側壁部の両方で該配線と接触している
　ｂ．特許請求の範囲の請求項２を削除する。
　ｃ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項３を請求項２とし、独立の請求項に訂正する。
　ｄ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項４を請求項３とし、「請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「
請求項１または２
　ｅ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項５を請求項４とし、「請求項１乃至４のいずれかに記載の配線基板」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「
請求項１乃至３
　ｆ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項６を請求項５とする。
　ｇ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項７を請求項６とし、「請求項６に記載の配線基板の製造方法」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「
請求項５
　ｈ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項８を請求項７とし、「請求項６または７に記載の配線基板の製造方法」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「
請求項５または６
　ｈ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項９を請求項８とし、「請求項６に記載の配線基板の製造方法」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「
請求項５
　ｉ．特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項１０を請求項９とし、「請求項９に記載の配線基板の製造方法」との記載を、引用する請求項の番号が適切になるように、「
請求項８
（５４）【発明の名称】
配線基板およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁性の基板と、該基板上に形成された配線と、該配線の表面に形成された第１の絶縁膜と、該第１絶縁膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜上に形成された上部配線と、該上部配線と前記配線とを接続するために第１および第２の絶縁膜を貫通するコンタクトホールとを有する配線基板において、
　前記コンタクトホールは、該コンタクトホール内に、前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造になるとともに、前記配線の表層から所定の距離だけ深く進んだ位置に底部を
有し、
　前記上部配線は、前記コンタクトホールに侵入して、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から該底部に至る側壁部の両方で該配線と接触している
　【
請求項２
絶縁性の基板と、該基板上に形成された配線と、該配線の表面に形成された第１の絶縁膜と、該第１絶縁膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜上に形成された上部配線と、該上部配線と前記配線とを接続するために第１および第２の絶縁膜を貫通するコンタクトホールとを有する配線基板において、
　前記コンタクトホールは、該コンタクトホール内に、前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造になるとともに、前記配線の表層から所定の距離だけ深く進んだ位置に底部を有し、
　前記コンタクトホール内の複数の壁は、前記配線と平行な一定の幅のストライプ状の溝が形成されるように、該配線と平行で等しい間隔をあけて形成されていることを
特徴とする
　【
請求項３
請求項１または２
　【
請求項４
請求項１乃至３
　【
請求項５
　該配線の表面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　該第１の絶縁膜を覆って第２の絶縁膜を基板上に形成する工程と、
　該第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を、該第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との境界部にてパターンずれが生じないように、また、内部に前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造になるように、同時にエッチングして、前記配線の表層からさらに所定の距離だけ深く進んだ位置に底部を有するコンタクトホールを形成する工程と、
　前記第２の絶縁膜上に上部配線を形成して、該上部配線を、該コンタクトホールを介して前記配線と接続する工程と、
　を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
　【
請求項６
請求項５
　【
請求項７
請求項５または６
　【
請求項８
請求項５
　【
請求項９
請求項８
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、配線基板、特に液晶等の表示媒体を一組の配線基板間に挟持して、両基板間に電圧を印加し、両基板間にある表示媒体に電気光学的変化を与えて表示を行う表示装置を構成する表示基板などに応用される配線基板とその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図５に一般的な液晶表示パネルの表示基板側の概略平面構成を示す。この基板は、図に示される斜線部が全表示絵素領域８であり、この表示絵素領域８に複数の走査線１１…と複数の信号線１２…とが互いに交差して配設されている。隣接する各走査線１１、１１と各信号線１２、１２とが囲むそれぞれの領域には絵素電極１３およびスイッチング素子１４が設けられ、表示絵素領域８全面にわたってこの絵素電極１３およびスイッチング素子１４がマトリクス状に形成された構成になっている。この表示絵素領域８の周辺は、この液晶表示パネルと接続される接続用配線基板の接続端子との接続領域９になっている。
　【０００３】
　図６に一般的な液晶表示基板のゲートバスライン３と上部ゲートバスライン端子６とのコンタクト部の平面図を示す。表示絵素領域８に形成されるゲートバスライン３はこの接続領域９にまでは延伸せず、この接続領域９の手前の表示絵素領域８で末端部を形成している。このゲートバスライン３の末端部の手前近傍の位置において、ゲートバスライン３を覆って形成されている絶縁膜にコンタクトホール７が形成されており、絶縁膜上に形成された上部ゲートバスライン端子６がこのコンタクトホール７に侵入形成される形で、絶縁膜の下層のゲートバスライン３と接続されている。上部ゲートバスライン端子６は表示絵素領域８のこのコンタクト部の位置から接続領域９に延伸し、ここで接続用配線基板の接続端子と接続される。
　【０００４】
　このコンタクト部の断面においては、図７（ｉ）に示すように、絶縁性の基板１上に保護絶縁膜２が形成されている。保護絶縁膜２の上には、ゲートバスライン３が形成されている。このゲートバスライン３の端部を除いて、ゲートバスライン３上には、陽極酸化膜から成る第１のゲート絶縁膜４が形成されている。
　【０００５】
　さらに、このゲートバスライン３および第１のゲート絶縁膜４をおおって第２のゲート絶縁膜５が形成され、さらに絶縁性を高める構造になっている。
　【０００６】
　第２のゲート絶縁膜５のゲートバスライン３先端近くの所定の位置には、第２のゲート絶縁膜５上に形成される上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３とを接続させるためのコンタクトホール７が形成されている。
　【０００７】
　そして、この上部ゲートバスライン端子６がこのコンタクトホール７に侵入形成されて、ゲートバスライン３と接続されている。
　【０００８】
　このような、ゲートバスライン３と上部ゲートバスライン端子６との接続部は以下のようにして作製される。図７（ａ）〜（ｆ）は図６のＢ−Ｂ断面に基づいて、ゲートバスライン３と上部ゲートバスライン端子６とのコンタクト部の作製工程を示したものである。
　【０００９】
　図７（ａ）に示すように、先ず、ガラス等の絶縁性の基板１上に、スパッタリング法等により、保護絶縁膜２を基板１表面全面に堆積する。
　【００１０】
　次に、この保護絶縁膜２上、基板１表面全面にスパッタリング法等により導電性の薄膜を形成する。
　【００１１】
　この導電性薄膜の上に、ゲートバスライン３用の所定形状のパターンを有するレジストマスク３’をフォトリソグラフィーにて形成する。
　【００１２】
　続いて、図７（ｂ）に示すように、このレジストマスク３’に基づいてエッチング処理を施し、ゲートバスライン３を形成する。
　【００１３】
　次に、図７（ｃ）に示すように、このゲートバスライン３が、後に形成される上部ゲートバスライン端子６との接続部近辺の所定の領域に、フォトリソグラフィーによりレジスト４’を形成する。
　【００１４】
　次に、図７（ｄ）に示すように、このレジスト４’に基づいて、ゲートバスライン３を陽極酸化し、その表面に第１のゲート絶縁膜４として陽極酸化膜を形成する。陽極酸化膜の形成後、レジスト４’を除去する。ここまでが図７（ｅ）の状態である。
　【００１５】
　続いて、図７（ｆ）に示すように、この第１のゲート絶縁膜４および第１のゲート絶縁膜４からむき出しになった部分のゲートバスライン３を覆って、第２のゲート絶縁膜５を形成する。
　【００１６】
　次に、図７（ｇ）に示すように、この第２のゲート絶縁膜５上に、上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３との接続のためのコンタクトホール７形成用のレジスト５’を形成する。
　【００１７】
　このレジスト５’の形成後、引き続いて、エッチングにより第２のゲート絶縁膜５上にコンタクトホール７を形成する。コンタクトホール７の形成後、洗浄によりレジスト５’を除去する。ここまでが、図７（ｈ）の状態である。
　【００１８】
　コンタクトホール７の形成後、上部ゲートバスライン端子６をコンタクトホール７に侵入させる形で形成し、上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３との接続を図る。
　【００１９】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、上記従来技術には以下に示すような問題がある。
　【００２０】
　（１）コンタクトホール７形成の際、上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３とのコンタクト抵抗を抑制するためには、コンタクトホール７の深さ方向に直交する断面を大きく取り、上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３との接触面積が大きくなるようにすればよいが、このコンタクトホール７の断面積を大きく取りすぎると、エッチング時に侵食作用が強く働くので、ゲートバスライン３そのものまでも侵食して下層の基板１に達し、製作工程中に断線不良を招来していた。
　【００２１】
　（２）第１のゲート絶縁膜４として酸化膜を形成するための陽極酸化処理工程のため、専用のマスクを事前に形成するので、マスク形成時にダストが発生し、このダストが基板に付着したりする。従って、後工程の薄膜形成時にピンホールが発生する確立が高くなり、ピンホールの発生は電気的にはリーク現象につながる。このマスク形成自体がフォトリソ工程やレジストの除去工程を必要とし、製造の歩留りに大きく影響する。
　【００２２】
　（３）第１のゲート絶縁膜４および第２のゲート絶縁膜５を分割してパターン形成しているので、第２のゲート絶縁膜５と第１のゲート絶縁膜４との境界部でパターンずれが生じ易く、第２のゲート絶縁膜５上に形成される上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３との接続用コンタクトホール７のこの境界部に段を生じ、上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３とが有効に接触せず、従って、コンタクト抵抗が抑制できないという問題がある。
　【００２３】
　本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、配線基板の上部配線端子と配線との接続用コンタクトホールが、それを形成する際、強いエッチング作用を抑制できるとともに、上部配線端子と配線とのコンタクト抵抗の抑制も図ることのできる構造を有する配線基板を提供することにある。
　【００２４】
　本発明の他の目的は、上部配線端子と配線の間に形成される絶縁層が２種類の絶縁膜を積層形成してなる配線基板において、第１の絶縁膜の形成が簡略に行えること、および第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とのパターンずれの防止が図れ、配線基板の上部配線端子と配線とが、その接続用コンタクトホールにおいて有効に接触できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
　【００２５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の配線基板は、絶縁性の基板と、該基板上に形成された配線と、該配線の表面に形成された第１の絶縁膜と、該第１絶縁膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜上に形成された上部配線と、該上部配線と前記配線とを接続するために第１および第２の絶縁膜を貫通するコンタクトホールとを有する配線基板において、前記コンタクトホールは、該コンタクトホール内に、前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造になるとともに、前記配線の表層から所定の距離だけ深く進んだ位置に底部を有することを特徴としており、そのことにより上記目的が達成される。
　なお、前記上部配線は、前記コンタクトホールに侵入して、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から該底部に至る側壁部の両方で該配線と接触していることが好ましい。
　また、前記コンタクトホール内の複数の壁は、前記配線と平行な一定の幅のストライプ状の溝が形成されるように、該配線と平行で等しい間隔をあけて形成されていることが好ましい。
　また、前記上部配線は、前記配線基板の接続用端子であることが好ましい。
　また、前記配線は、陽極酸化可能な金属からなるとともに、前記第１の絶縁膜は該配線の表面に形成された陽極酸化膜からなることが好ましい。
　【００２６】
　本発明の配線基板の製造方法は、絶縁性の基板上に配線を形成する工程と、該配線の表面に第１の絶縁膜を形成する工程と、該第１の絶縁膜を覆って第２の絶縁膜を基板上に形成する工程と、該第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を、該第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との境界部にてパターンずれが生じないように、また、内部に前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜からなる壁が前記配線上に間隔をあけて複数立ち並んだ構造になるように、同時にエッチングして、前記配線の表層からさらに所定の距離だけ深く進んだ位置に底部を有するコンタクトホールを形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に上部配線を形成して、該上部配線を、該コンタクトホールを介して前記配線と接続する工程と、を含むことを特徴としており、そのことにより上記目的が達成される。
　なお、前記第２の絶縁膜を形成する工程の後に、該第２の絶縁膜上にコンタクトホール形成用のレジストを形成する工程を有し、前記コンタクトホールを形成する工程の後に、該レジストを除去し、その後に、該第２の絶縁膜上に前記上部配線を形成する工程を行うことが好ましい。
　また、前記上部配線を形成する工程は、前記上部配線を、前記配線の表層から所定距離だけ深く進んだ位置に底部を有するコンタクトホールに侵入させて、該上部配線を、該コンタクトホールの底部および前記配線の表層から底部に至る側壁部の両方で前記配線と接触させる工程を含むことが好ましい。
　さらに、前記コンタクトホールを形成する工程におけるエッチングは、ドライエッチングであることが好ましく、前記ドライエッチングは、リアクティブイオンエッチングであることが好ましい。
　【００２７】
　【作用】
　本発明によれば、配線基板の上部配線端子と配線との接続用コンタクトホールとして、所定の幅で、配線に平行に走る溝を、第２の絶縁膜の表面に沿って、所定の距離をおいて複数本形成するストライプ構造にする。
　【００２８】
　この溝は、その深さが、第２の絶縁膜の表面から第１の絶縁膜を貫き、配線の表面に達したところから、さらに所定の距離だけ深い深さを有するので、溝の配線部に至った部分の側壁部の面積の分だけ、ここに侵入して形成される上部配線端子との接触面積が大きくなる。
　【００２９】
　また、本発明によれば、配線基板や表示基板の作製において、配線の絶縁のための第１の絶縁膜を形成するのに、マスクを用いず、配線全面を陽極酸化し、その表面に酸化絶縁膜を形成して第１の絶縁膜とする。
　【００３０】
　さらに、上記コンタクトホールの形成は、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成した後、第２の絶縁膜のコンタクト部設置位置に、この第２の絶縁膜の表面から、第２の絶縁膜と第１の絶縁膜を同時に貫通して形成される。
　【００３１】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を説明する。図１に本発明に係る表示基板のゲートバスラインコンタクト部の概略平面構成を示す。また、図２に図１の線Ａ−Ａによる断面に基づいたコンタクト部の作製工程を示す。以下、説明にあたり、従来例と同様の要素については同じ番号を付して説明する。なお、本実施例においては、ゲートバスラインコンタクト部を取り挙げたが、これに限られるものではなく、表示基板においては、例えば、ソースバスラインコンタクト部についても同様の内容の実施が可能である。
　【００３２】
　本実施例に係る表示基板のゲートバスラインコンタクト部は、図２（ｇ）に示すように、絶縁性の基板１の表面上全面にわたって保護絶縁膜２が形成されている。保護絶縁膜２の上には、ゲートバスライン３が形成されている。
　【００３３】
　このゲートバスライン３の端部近辺の所定の領域を除いて、ゲートバスライン３を覆って、陽極酸化膜から成る第１のゲート絶縁膜４が基板表面全面に形成されている。さらに、このゲートバスライン３および第１のゲート絶縁膜４を覆って、基板表面全面に第２のゲート絶縁膜５が形成されている。
　【００３４】
　この第２のゲート絶縁膜５のゲートバスライン３先端の位置には上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３とを接続させるためのコンタクトホール７が形成されている。
　【００３５】
　そして、第２のゲート絶縁膜５上に形成された上部ゲートバスライン端子６がこのコンタクトホール７に侵入形成されて、ゲートバスライン３と接続している。
　【００３６】
　このような、ゲートバスライン３と上部ゲートバスライン端子６との接続部は以下のようにして作製される。図２（ａ）〜（ｆ）に概略の作製工程を示す。
　【００３７】
　先ず、図２（ａ）に示すように、絶縁性の基板１としてガラス基板を用い、この基板１上に、スパッタリング法により、保護絶縁膜２として五酸化タンタルを厚さ５００ｎｍで基板１表面全面に堆積する。
　【００３８】
　次に、この保護絶縁膜２上、基板１表面全面にスパッタリング法によりタンタルを厚さ４００ｎｍで堆積する。
　【００３９】
　このタンタルの薄膜の上に、ゲートバスライン３用の所定形状のパターンを有するレジストマスク３’をフォトリソグラフィーにて形成する。
　【００４０】
　このレジストマスク３’に基づいて、図２（ｂ）に示すように、タンタルの薄膜にエッチング処理を施し、ゲートバスライン３を形成する。
　【００４１】
　次に、図２（ｃ）に示すように、このゲートバスライン３を陽極酸化してその表面に五酸化タンタルの膜を厚さ３００ｎｍで形成し、第１のゲート絶縁膜４とする。
　【００４２】
　続いて、図２（ｄ）に示すように、この第１のゲート絶縁膜４を覆って基板１表面全面に、ＣＶＤ法により窒化膜（ＳｉＮＸ）を厚さ３００ｎｍで堆積し、第２のゲート絶縁膜５とする。
　【００４３】
　次に、図２（ｅ）に示すように、この第２のゲート絶縁膜５の上であって、上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３との接続のためのコンタクトホール７形成用のレジスト５’をフォトリソグラフィーによって形成する。
　【００４４】
　レジスト５’を形成後、図２（ｆ）に示すように、エッチングにより第２のゲート絶縁膜５上から第１のゲート絶縁膜４を同時に貫通する形でコンタクトホール７を形成する。
　【００４５】
　図３に本実施例に係るコンタクトホール７の平面構成を示す。また、図４にこのコンタクトホールの模式斜視図を示す。
　【００４６】
　このコンタクトホール７は図３に示すように、その深さ方向に直交する断面の全体形状は矩形をなすが、この矩形の中に以下に示すようなストライプの構造を有する。このストライプ構造について、今少し詳しく説明する。
　【００４７】
　このストライプ構造は、二種類の帯が交互に並ぶ形をとる。一方の帯は第２のゲート絶縁膜５が所定の幅の細長の面形状でエッチング作用を受け、溝が形成されたものである。もう一方の帯は、この溝と溝の間に、第２のゲート絶縁膜５の表層がエッチング作用を受けずに、所定の幅の細長の形状で残ったものである。この溝は、第２のゲート絶縁膜５の表層から第２のゲート絶縁膜５および第１のゲート絶縁膜４を貫通し、下層のゲートバスライン３の表層に達し、さらにこのゲートバスライン３の表層から所定の距離だけ深く進んだところに底面を有するものである。
　【００４８】
　すなわち、本実施例のコンタクトホール７の構造は、図４に示すように、深さ方向に直交する断面の形状が矩形をした穴の中に、一定の幅を有し、第２のゲート絶縁膜５と第１のゲート絶縁膜４の二層から成る壁がゲートバスライン３の表層の上に一定の間隔をあけて複数立ち並んでいる構造をなす。そして、この壁と壁との間の溝は、ゲートバスライン３の表層から所定の距離だけ深く進んだところに底面を有している。
　【００４９】
　コンタクトホール７をこのような構造にするので、コンタクトホール７形成のためのエッチングの際、ストライプ構造ではない従来のコンタクトホールに比べ、第２のゲート絶縁膜５表面のエッチング対象となる部分において、エッチング作用が強くはたらいてゲートバスライン３の全てを侵食し、断線を起こすというおそれが大きく抑制される。
　【００５０】
　この時のエッチングはドライエッチ法の内のリアクティブイオンエッチング法を用いた。すなわち、励起反応ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）を用い、この四フッ化炭素を活性化ガスとしてのＯ２と組み合わせてプラズマ中で励起させ、第１のゲート絶縁膜４と第２のゲート絶縁膜５とを同時にエッチングし、同一形状のコンタクトホール７が形成されるようにした。こうすると、第１のゲート絶縁膜４と第２のゲート絶縁膜５の境界部でパターンずれが生じないので、コンタクトホール７の深さ方向に直交する断面の面積が有効に確保できる。従って、後に、このコンタクトホール７を介して接続される上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３との接触面積も有効に確保できるので、上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３とのコンタクト抵抗の抑制に寄与できる。
　【００５１】
　本実施例においては、励起反応ガスとして四フッ化炭素を用いたが、他のハロゲン系ガス、例えば、ＳＦ６、ＣＣｌ４、Ｃｌ２、ＢＣｌ３等を用いることも可能である。これらハロゲン系ガスと組み合わせる活性化ガスとしてはＯ２の他に、Ｈ２、Ｈｅを用いてもよい。ドライエッチ法としては、リアクティブイオンエッチング法の他にプラズマエッチング法を用いてもよい。
　【００５２】
　本実施例で用いたリアクティブイオンエッチング法によれば、エッチングが化学反応とスパッタ作用の両方を用いるので、微細パターンのエッチングが可能である。
　【００５３】
　コンタクトホール７の形成後、レジスト５’を除去する。
　【００５４】
　最後に、上部ゲートバスライン端子６をコンタクトホール７に侵入させる形で形成し、上部ゲートバスライン端子６とゲートバスライン３との接続を図る。
　【００５５】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の配線基板は、配線基板と接続用配線基板を接続する上部配線端子と配線との接続のために、上部配線端子と配線の間に積層形成される絶縁膜に、複数の溝がスリット状に形成された構造を有するコンタクトホールを形成する。この溝は絶縁膜の表層からこの絶縁膜を貫通して配線表面に達し、配線表面からさらに所定の距離だけ進んだ位置に底面を有する。
　【００５６】
　コンタクトホールがこのような構造を有することは、スリット構造を有しない従来のコンタクトホールでは、そのホールの深さ方向に直交する断面が大きく、接触面積は大きくとれるものの、エッチング時に侵食作用が強く働いて、侵食が最下層の配線をも侵食し、製造工程中の断線を招来していたのを防止し、上部配線端子と配線との接触面積は、下層配線の表層から所定の深さだけ侵食を受けてできた配線内の溝部分の側壁部の面積で補う。従って、コンタクト部の接触面積を有効に確保して、コンタクト抵抗の抑制が図れる。
　【００５７】
　上部配線端子とコンタクト部の接続自体が、コンタクトホール内の複数の配線の壁と接触して行われ、その接続面積が非常に大きいので、強度的にもカバレージの面でも良好な接続が実現できる。
　【００５８】
　本発明の他の効果は、配線間の絶縁性を高めるために、この配線を覆う絶縁膜が第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の二層構造になっている配線基板の作製において、第１の絶縁膜をマスクを用いずに形成するので、マスク形成のための装置や作業を必要とせず、作業工程の簡便化が図れ、歩留りの向上にもつながる。
　【００５９】
　マスクを用いないことは、マスクを用いた場合に発生していたダストが、後工程の成膜工程で、膜に混入して製品の信頼性を著しく低下させていたことを防止できる。
　【００６０】
　配線基板と接続用配線基板とを接続する上部配線端子と配線とのコンタクト部にパターンずれの無いコンタクトホールを形成できる。上部配線端子と配線とは、このパターンずれの無いコンタクトホールを介して接続されるので、接続面積が有効に確保でき、パターンずれが生じる従来の製造法によって作製されたコンタクトホールを有する配線基板に比べ、コンタクト抵抗が抑制される。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る配線基板の上部配線端子と下層配線との接続部平面図。
　【図２】
　図１の線Ａ−Ａによる断面に基づく、コンタクト部の作製概略工程図。
　【図３】
　本発明に係るコンタクトホールの拡大平面図。
　【図４】
　本発明に係るコンタクトホールの模式斜視図。
　【図５】
　一般的なマトリクス型表示基板の概略平面図。
　【図６】
　従来例の配線基板の上部配線端子と下層配線との接続部平面図。
　【図７】
　図６の線Ｂ−Ｂによる断面に基づく、コンタクト部の作製概略工程図。
　【符号の説明】
　１　基板
　２　保護絶縁膜
　３　ゲートバスライン
　３’、５’　レジスト
　４　第１のゲート絶縁膜
　５　第２のゲート絶縁膜
　６　上部ゲートバスライン端子
　７　コンタクトホール