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　特願２００７−２４６２６６「誘電薄膜組成物、これを用いた金属酸化物誘電薄膜およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月１７日出願公開、特開２００８−　９１９０４、請求項の数（１９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１９年９月２１日（パリ条約による優先権主張　２００６年９月３０日、２００７年５月１７日　韓国）の出願であって、平成２３年１０月６日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２４年２月９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年４月２７日付けで新たな拒絶理由通知がなされ、同年８月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１０月２６日付けで拒絶査定がなされ、平成２５年２月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、当審において、同年４月３日付けで審査官により作成された前置報告書について、同年５月１０日付けで審尋を行ったところ、審判請求人は、同年８月８日付けで回答書を提出した。
　
［２］平成２５年２月６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１．補正の内容
　本件補正は、請求項５において、「ＭａＸｂ」におけるＭをジルコニウムに限定し、請求項６を削除し、それに伴い請求項７−２０をそれぞれ１つづつ繰り上げるとともに、請求項１４、１５、１７−２０の引用請求項を整合させ、さらに、請求項５を引用する請求項６、１０における「Ｍａ（ＯＲ１）ｎ」、「ＭｘＯｙ」のＭを、それぞれ、ジルコニウムに限定するものである。
　
２．補正の適否
　上記補正事項は、特許請求の範囲の減縮、請求項の削除、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するものに該当するところはない。
　したがって、上記補正された本願請求項５に係る発明、及び請求項５を直接あるいは間接的に引用する請求項６−１９に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
　補正された本願請求項５に係る発明は、以下のとおりのものである。
「（ａ）下記式（１）
　ＭａＸｂ　（１）
（式中、Ｍは
ジルコニウム
で表される金属ハロゲン化物と、金属アルコキシドを有機溶媒に溶解し、金属酸化物前駆体溶液を調整する工程と、
（ｂ）前工程で調整された金属酸化物前駆体溶液を基板上にコートする工程と、
（ｃ）前記コートされた基板を熱処理して、金属ハロゲン化物と金属アルコキシドの反応による非加水分解ゾル−ゲル工程によって薄膜を得る工程とを含むことを特徴とする金属酸化物誘電薄膜の製造方法。」（以下、「本願補正発明」という。）
　
（２−１）刊行物の記載事項
　審尋及び原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に日本国内において頒布された特開平１−２５３１１３号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平５−１２４８１８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
（１）刊行物１
（１ａ）「（１）組成式（Ｐｂ１−ＸＭＸ）ＴｉＯ３（式中、０．１≦ｘ≦０．９，Ｍはアルカリ土類金属のうち一種以上を示す。）で表される平均膜厚み０．１μｍ〜１０μｍ、比誘電率３００以上、静電容量の温度係数−１０００ｐｐｍ/℃〜＋１０００ｐｐｍ/℃の物性を有する薄膜状誘電体。
（２）有機溶媒に可溶な鉛化合物、アルカリ土類金属化合物、チタニウム化合物を有機溶媒中で溶解もしくは反応させて誘電体形成溶液を合成し、次いで該溶液を平滑基板上に塗布して薄膜を形成し、該薄膜を加熱処理するか、あるいは基板上に該溶液の塗布、加熱処理を繰返し、平均膜厚み０．１μｍ〜１０μｍの
　組成式（Ｐｂ１−ＸＭＸ）ＴｉＯ３（式中、０．１≦ｘ≦０．９，Ｍはアルカリ土類金属のうち一種以上を示す。）で表される金属酸化物で薄膜を形成したことを特徴とする薄膜状誘電体の製造方法。」（２．特許請求の範囲 ）
　
（１ｂ）「（発明が解決しようとする課題）
　かかる事情下に鑑み、本発明者は約１０μｍ以下の薄膜で、かつ約３００以上の比誘電率と−１０００ｐｐｍ/℃〜＋１０００ｐｐｍ/℃の静電容量の温度係数を有する誘電特性に優れた薄膜状誘電体、並びにその製造方法を見出すべく鋭意検討した結果、遂に本発明を完成するに至った。」（第３頁左上欄第１５行−右上欄第１行）
　
（１ｃ）「本発明で用いられる誘電体形成溶液には膜厚を安定化するためにＣ６−Ｃ２０のカルボン酸、グリコール、アミン等を添加することが出来る。
　具体的にはカプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリル酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の１価カルボン酸、アジピン酸、ピメリン酸、フタル酸、セバシン酸等の２価カルボン酸、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール等のグルコール類、モノエタノールアミン、
ジエタノールアミン
」（第７頁左上欄第８行−第１８行）
　
（１ｄ）「実施例６
　鉛イソプロポキサイド１６．２５ｇとストロンチウムエトキシド８．８５ｇ、
四塩化チタン
　この液をＰｂ／Ｎｉ膜で被覆されたアルミナ基板上に４０００ｒｐｍ条件でスピンナーにより塗布後４５０℃×３０分、空気中での焼成を行い、同様の操作を５回繰り返して、最終的に８００℃×１Ｈｒ、空気中で焼成して膜厚が１．５μｍの緻密な薄膜状誘電体を得た。
　この薄膜の電気特性を実施例１と同様な方法で測定した所、比誘電率：６９０、誘電損失：０．０１５、温度係数：６５０ｐｐｍ/℃、耐電圧：１５Ｖの特性が得られた。」（第９頁右下欄第１３行−第１０頁左上欄第１０行）
　
  上記記載事項（１ａ）、（１ｃ）、（１ｄ）によれば、刊行物１には、
「鉛イソプロポキサイドとストロンチウムエトキシド、四塩化チタンをイソプロパノール溶媒に混合し、膜厚安定化のためにジエタノールアミンを添加した、組成式（Ｐｂ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３で表される金属酸化物薄膜状誘電体の形成液」の発明（以下、「引用発明１Ａ」という。）
　及び
「鉛イソプロポキサイドとストロンチウムエトキシド、四塩化チタンをイソプロパノール溶媒に混合し、膜厚安定化のためにジエタノールアミンを添加した、組成式（Ｐｂ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３で表される金属酸化物薄膜状誘電体の形成液を基板上に塗布後、加熱処理して、組成式（Ｐｂ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３で表される金属酸化物薄膜状誘電体を形成する方法。」の発明（以下、「引用発明１Ｂ」という。）が記載されている。
　
（２）刊行物２
（２ａ）「ＳｉＯ２被膜の耐薬品性を向上させるためには、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の酸化物を添加することが良く知られており、」（第２頁第２欄第２行−第４行）
　
（２ｂ）「一方、特開昭６３−１４５３７０号には、テトラアルコキシシランと塩基性ジルコニウム塩とからなる塗布液の例示があり、塩基性ジルコニウム塩としては、塩基性塩化ジルコニウム、塩基性硝酸ジルコニウムが挙げられている。一般にＳｉＯ２被膜の耐アルカリ性を向上させるには、ＺｒＯ２をＳｉＯ２に対して、２０モル％以上添加する必要がある。上記特開昭６３−１４５３７０号では、塩基性塩化ジルコニウムはアルコール等の有機溶媒に対する溶解性が高いため、十分に耐アルカリ性を発現する量のＺｒＯ２成分を添加することが可能である」（第２頁第２欄第１３行−第２３行）
　
　上記記載事項（２ａ）（２ｂ）によれば、刊行物２には、
「テトラアルコキシシランと塩基性ジルコニウムをアルコール等の有機溶媒に溶解させた塗布液により、ＺｒＯ２を添加したＳｉＯ２被膜を形成する方法において、塩基性ジルコニウムとして、有機溶媒に対する溶解性に優れた塩基性塩化ジルコニウムを使用する方法。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
（２−２）対比
　本願補正発明と引用発明１Ｂとを対比すると、引用発明１Ｂにおける「鉛イソプロポキサイドとストロンチウムエトキシド」、「イソプロパノール溶媒」は、それぞれ、本願補正発明における「金属アルコキシド」、「有機溶媒」に相当する。
　また、本願補正発明における「下記式（１）　ＭａＸｂ（１）（式中、Ｍはジルコニウム、Ｘはハロゲン元素、ａは１〜３の整数、ｂは１〜１０の整数である。）で表される金属ハロゲン化物」は、引用発明１Ｂにおける「四塩化チタン」と、「下記式（１）　ＭａＸｂ（１）（式中、Ｍは
金属
　
　そして、本願補正発明における「下記式（１）　ＭａＸｂ（１）（式中、Ｍはジルコニウム、Ｘはハロゲン元素、ａは１〜３の整数、ｂは１〜１０の整数である。）で表される金属ハロゲン化物と、金属アルコキシドを有機溶媒に溶解し」て調整する「金属酸化物前駆体溶液」、該「金属酸化物前駆体溶液」を「基板上にコート」し、「前記コートされた基板を熱処理して」得られる「金属酸化物誘電薄膜」は、引用発明１Ｂにおける「組成式（Ｐｂ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３で表される金属酸化物薄膜状誘電体の形成液」、「組成式（Ｐｂ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３で表される金属酸化物薄膜状誘電体」と、それぞれ、金属酸化物前駆体溶液、金属酸化物誘電薄膜である点において共通する。
　また、本願補正発明において、「金属ハロゲン化物」における「金属」は「ジルコニウム」であり、さらに、「金属ハロゲン化物」が「金属酸化物前駆体」の一部であるから（本願明細書の段落０００７等）、本願補正発明の「金属酸化物前駆体」及び「金属酸化物誘電薄膜」における金属として、少なくとも「ジルコニウム」が含まれていることは明らかである。
　
　よって、両者は、
「（ａ）下記式（１）　ＭａＸｂ（１）（式中、Ｍは
金属
（ｂ）前工程で調整された金属酸化物前駆体溶液を基板上にコートする工程と、
（ｃ）前記コートされた基板を熱処理して薄膜を得る工程とを含むことを特徴とする金属酸化物誘電薄膜の製造方法。」である点で一致する。
　そして、引用発明１Ｂが、「金属ハロゲン化物と金属アルコキシドの反応による非加水分解ゾル−ゲル工程によって薄膜を得」ているものかどうかは明らかではないものの、両者は、少なくとも以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明では、「金属ハロゲン化物」における金属は「ジルコニウム」であり、「金属酸化物前駆体溶液」及び「金属酸化物誘電薄膜」における金属として、少なくとも「ジルコニウム」が含まれているのに対して、引用発明１Ｂでは、「金属ハロゲン化物」における金属は「チタン」であり、「金属酸化物前駆体溶液」及び「金属酸化物誘電薄膜」における金属は「Ｐｂ」、「Ｓｒ」及び「Ｔｉ」である点。
　
（２−３）判断
　上記相違点１について検討する。
　刊行物１の上記記載事項（１ｂ）によれば、引用発明１Ａ及び１Ｂは、「約１０μｍ以下の薄膜で、かつ約３００以上の非誘電率と−１０００ｐｐｍ/℃〜＋１０００ｐｐｍ/℃の静電容量の温度係数を有する誘電特性に優れた薄膜状誘電体、並びにその製造方法を見いだすべく検討した結果、薄膜状誘電体の組成を「（Ｐｂ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３」としたものであり、金属成分としての「Ｐｂ」、「Ｓｒ」、「Ｔｉ」は必須のものと認められる。
　そして、前記組成を有する薄膜状誘電体の形成溶液においては、「チタニウム化合物」を含有することが必須なのであって（上記記載事項（１ａ））、「チタニウム化合物」の一実施例として、ハロゲン化物である「四塩化チタン」が示されている（上記記載事項（１ｄ））。
　したがって、引用発明１Ｂの「金属酸化物薄膜状誘電体」及び「金属酸化物薄膜状誘電体の形成液」の 「金属」として、「Ｔｉ」に替えて他の金属を採用する動機付けは認められず、刊行物２に記載されるように、テトラアルコキシシランを含有する有機溶媒に、有機溶媒に対する溶解性に優れた塩基性塩化ジルコニウムを加えてジルコニウム含有酸化物被膜を形成することが知られているとしても、引用発明１Ｂの「金属酸化物薄膜状誘電体」における「Ｔｉ」に替えて「ジルコニウム」とし、「金属酸化物薄膜状誘電体の形成液」における「四塩化チタン」に替えて「塩基性塩化ジルコニウム」を採用し、相違点１に係る構成とすることが容易であるとはいえない。
　
　よって、本願補正発明及び請求項５を直接あるいは間接的に引用する請求項６−１９に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　
３．まとめ
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　
［３］本願発明
　平成２５年２月６日付け手続補正は上記のように認容されたので、本願請求項１−１９に係る発明は、平成２５年２月６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−１９に記載されたとおりのものであり、その請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
「式（１）
　ＭａＸｂ　（１）
（式中、Ｍは
ジルコニウム
で表される金属酸化物前駆体としての金属ハロゲン化物と、
　金属アルコキシドと
　有機溶媒とを含む非加水分解ゾルゲル法に適用するための誘導薄膜組成物。」（以下、「本願発明」という。）
　
［４］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前に日本国内において頒布された特開平１−２５３１１３号公報、特開平５−１２４８１８号公報には、それぞれ、上記［２］２（２−１）のとおりの事項及び発明が記載されている。
　
［５］対比・判断
　本願発明と上記引用発明１Ａとを対比すると、引用発明１Ａにおける「鉛イソプロポキサイドとストロンチウムエトキシド」、「イソプロパノール溶媒」は、それぞれ、本願発明における「金属アルコキシド」、「有機溶媒」に相当する。
　また、引用発明１Ａにおける「四塩化チタン」は、組成式（Ｐｂ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３で表される金属酸化物の前駆体であることは明らかであるから、本願発明における「式（１）　ＭａＸｂ（１）（式中、Ｍは
ジルコニウム
金属
　そして、引用発明１Ａの「組成式（Ｐｂ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３で表される金属酸化物薄膜状誘電体の形成液」は、本願発明の「誘導薄膜組成物」と「誘電薄膜の形成液」である点で共通する。
　なお、本願発明において、「金属酸化物前駆体としての金属ハロゲン化物」における「金属」は「ジルコニウム」であることから、本願発明の「誘電薄膜組成物」における「誘電薄膜」の金属として、少なくとも「ジルコニウム」が含まれていることは明らかである。
　
　よって、両者は、
  「式（１）
　ＭａＸｂ（１）
（式中、Ｍは
金属
で表される金属酸化物前駆体としての金属ハロゲン化物と、
　金属アルコキシドと、
　有機溶媒とを含む誘導薄膜の形成液。」である点で一致する。
　そして、引用発明１Ａに係る「金属酸化物薄膜状誘電体の形成液」が、「非加水分解ゾルゲル法に適用するための」ものであるかどうか明らかではないものの、両者は少なくとも以下の点で相違する。
　
（相違点２）
　本願発明では、「金属ハロゲン化物」における金属は「ジルコニウム」であり、「誘電薄膜の形成液」における「誘電薄膜」の金属として、少なくとも「ジルコニウム」が含まれているのに対して、引用発明１Ａでは、「金属ハロゲン化物」における金属は「チタン」であり、「誘電薄膜の形成液」における「誘電薄膜」の金属は、「Ｐｂ」、「Ｓｒ」及び「Ｔｉ」である点。
　
　上記相違点２について検討すると、相違点２は、上記［２］（２−２）における相違点１と、実質的に相違せず（相違点１における「金属酸化物前駆体溶液」及び「金属酸化物誘電薄膜」は、相違点２における「誘電薄膜の形成液」及び「誘電薄膜」に相当する。）、相違点１についての判断は、上記［２］（２−３）で述べたとおりである。
　
　よって、本願発明及び請求項１を引用する請求項２−４に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、請求項５−１９に係る発明も［２］で検討したように、刊行物１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１−１９に係る発明は、原査定の拒絶の理由を検討してもその理由によって拒絶すべきとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。