【手続補正書】
【提出日】平成27年7月13日(2015.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフィード端子と第２のフィード端子と接地端子とを有する基板であって、前記接地端子が第１の接地端子を含み、前記基板が第２の接地端子を有し、前記第１のフィード端子と前記第２のフィード端子と前記第１の接地端子と前記第２の接地端子とが実質的に整合される、前記基板と、
前記基板の上に配置される第１のメタライゼーション層であって、
実質的に矩形である第１のウィンドウ領域と、
前記第１のフィード端子の上に配置され、前記第１のフィード端子と電気的に接触している第１の導電性領域であって、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第１の導電性領域と、
前記第２のフィード端子の上に配置され、前記第２のフィード端子と電気的に接触している第２の導電性領域であって、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第２の導電性領域と、
前記接地端子の上に配置され、前記接地端子と電気的に接触している第３の導電性領域であって、前記第１のウィンドウ領域を実質的に囲む、前記第３の導電性領域と、
を含む、
前記第１のメタライゼーション層と、
前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域の上に配置され、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域と電気的に接触している第２のメタライゼーション層であって、前記第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む、前記第２のメタライゼーション層と、
前記第１の接地端子と前記第３の導電性領域との間に延びる第１のビアと、
前記第２の接地端子と前記第３の導電性領域との間に延びる第２のビアと、
前記第１のフィード端子と前記第１の導電性領域との間に延びる第３のビアと、
前記第２のフィード端子と前記第２の導電性領域との間に延びる第４のビアと、
を含む、装置であって、
前記第２のメタライゼーション層が、
第４の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、前記第３の導電性領域と電気的に接触している、前記第４の導電性領域と、
第５の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ領域を二分し、前記第４の導電性領域と電気的に接触する、前記第５の導電性領域と、
第６の導電性領域であって、前記第１の導電性領域の上に配置され、前記第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第１及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第６の導電性領域と、
第７の導電性領域であって、前記第２の導電性領域の上に配置され、前記第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第７の導電性領域と、
を更に含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
第３及び第４の導電性領域の間に延びる第５のビアのセットと、
前記第１及び第６の導電性領域の間に延びる第６のビアと、
前記第２及び第７の導電性領域の間に延びる第７のビアと、
を更に含む、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記第１のフィード端子と前記第２のフィード端子と前記第１の接地端子と前記第２の接地端子とがボンドパッドである、装置。
【請求項４】
集積回路（ＩＣ）と、
アンテナパッケージと、
を含む装置であって、
前記ＩＣが、
無線周波数（ＲＦ）回路要素と、
前記ＲＦ回路要素に結合される第１のボンドパッドと、
前記ＲＦ回路要素に結合される第２のボンドパッドと、
前記ＲＦ回路要素に結合され、接地に結合される第３のボンドパッドと、
を有し、
前記アンテナパッケージが、
基板と、
前記基板に位置し、前記第１のボンドパッドと電気的に接触している第４のボンドパッドと、
前記基板に位置し、前記第２のボンドパッドと電気的に接触している第５のボンドパッドと、
前記基板に位置し、前記第３のボンドパッドと電気的に接触している第６のボンドパッドと、
前記基板の上に配置される第１のメタライゼーション層と、
第２のメタライゼーション層と、
を有し、
前記第１のメタライゼーション層が、
第１のウィンドウ領域と、
前記第４のボンドパッドの上に配置され、前記第４のボンドパッドと電気的に接触している第１の導電性領域であって、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第１の導電性領域と、
前記第５のボンドパッドの上に配置され、前記第５のボンドパッドと電気的に接触している第２の導電性領域であって、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第２の導電性領域と、
前記第６のボンドパッドの上に配置され、前記第６のボンドパッドと電気的に接触している第３の導電性領域であって、前記第１のウィンドウ領域を実質的に囲む、前記第３の導電性領域と、
を含み、
前記第２のメタライゼーション層が、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域の上に配置され、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域と電気的に接触しており、前記第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
アンテナパッケージが第７のボンドパッドを更に含み、前記第４、第５、第６及び第７のボンドパッドが実質的に整合され、
前記ＩＣが、前記ＲＦ回路要素に結合され、接地に結合される第８のボンドパッドを更に含み、
前記第７のボンドパッドが前記第８のボンドパッドと電気的に接触している、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
前記第１のウィンドウ領域が実質的に矩形である、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記第６のボンドパッドと前記第３の導電性領域との間に延びる第１のビアと、
前記第７のボンドパッドと前記第３の導電性領域との間に延びる第２のビアと、
前記第４のボンドパッドと前記第１の導電性領域との間に延びる第３のビアと、
前記第５のボンドパッドと前記第２の導電性領域との間に延びる第４のビアと、
を更に含む、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記第２のメタライゼーション層が、
第４の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、前記第３の導電性領域と電気的に接触している、前記第４の導電性領域と、
第５の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ導電性領域を二分し、前記第４の導電性領域と電気的に接触する、前記第５の導電性領域と、
第６の導電性領域であって、前記第１の導電性領域の上に配置され、前記第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第１及び第５の導電性領域と電気的に接触する、前記第６の導電性領域と、
第７の導電性領域であって、前記第２の導電性領域の上に配置され、前記第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第７の導電性領域と、
を更に含む、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
第３及び第４の導電性領域の間に延びる第５のビアのセットと、
前記第１及び第６の導電性領域の間に延びる第６のビアと、
前記第２及び第７の導電性領域の間に延びる第７のビアと、
を更に含む、装置。
【請求項１０】
集積回路（ＩＣ）と、
アンテナパッケージと、
を含む装置であって、
前記ＩＣが、
複数のＲＦトランシーバと、
ボンドパッドの複数のセットと、
を有し、
ボンドパッドの各セットが前記ＲＦトランシーバの少なくとも１つに関連付けられ、
ボンドパッドの各セットが、
その関連するＲＦトランシーバに結合される第１のボンドパッドと、
その関連するＲＦトランシーバに結合される第２のボンドパッドと、
その関連するＲＦトランシーバに結合され、接地に結合される第３のボンドパッドと、
その関連するＲＦトランシーバに結合され、接地に結合される第４のボンドパッドと、
を含み、
前記アンテナパッケージが、
基板と、
アンテナのアレイと、
前記基板上に配置され、前記アンテナのアレイを実質的に囲む、高インピーダンス表面（ＨＩＳ）と、
を有し、
各アンテナが前記ＲＦトランシーバの少なくとも１つに関連付けられ、
各アンテナが、
第５のボンドパッドであって、前記基板に位置し、その関連する第１のボンドパッドと電気的に接触している、前記第５のボンドパッドと、
第６のボンドパッドであって、前記基板に位置し、その関連する第２のボンドパッドと電気的に接触している、前記第６のボンドパッドと、
第７のボンドパッドであって、前記基板に位置し、その関連する第３のボンドパッドと電気的に接触している、前記第７のボンドパッドと、
第８のボンドパッドであって、前記基板に位置し、その関連する第３のボンドパッドと電気的に接触している前記第８のボンドパッドであって、前記第５、第６、第７及び前記第８のボンドパッドが実質的に整合される、前記第８のボンドパッドと、
前記基板の上に配置される第１のメタライゼーション層と、
第２のメタライゼーション層と、
を含み、
前記第１のメタライゼーション層が、
第１のウィンドウ領域と、
第１の導電性領域であって、前記第５のボンドパッドの上に配置され、前記第５のボンドパッドと電気的に接触しており、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第１の導電性領域と、
第２の導電性領域であって、前記第６のボンドパッドの上に配置され、前記第６のボンドパッドと電気的に接触しており、実質的に円形であり、前記第２の導電性領域が前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第２の導電性領域と、
第３の導電性領域であって、前記第７及び第８のボンドパッドの上に配置され、前記第７及び第８のボンドパッドと電気的に接触しており、前記第１のウィンドウ領域を実質的に囲む、前記第３の導電性領域と、
を含み、
前記第２のメタライゼーション層が、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域の上に配置され、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域と電気的に接触しており、
前記第２のメタライゼーション層が前記第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む、装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置であって、
前記第１のウィンドウ領域が実質的に矩形である、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記第１の接地端子と前記第３の導電性領域との間に延びる第１のビアと、
前記第２の接地端子と前記第３の導電性領域との間に延びる第２のビアと、
前記第１のフィード端子と前記第１の導電性領域との間に延びる第３のビアと、
前記第２のフィード端子と前記第２の導電性領域との間に延びる第４のビアと、
を更に含む、装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記第２のメタライゼーション層が、
第４の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、前記第３の導電性領域と電気的に接触している、前記第４の導電性領域と、
第５の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ領域を二分し、前記第４の導電性領域と電気的に接触する、前記第５の導電性領域と、
第６の導電性領域であって、前記第１の導電性領域の上に配置され、前記第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第１及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第６の導電性領域と、
第７の導電性領域であって、前記第２の導電性領域の上に配置され、前記第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第７の導電性領域と、
を更に含む、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
第３及び第４の導電性領域の間に延びる第５のビアのセットと、
前記第１及び第６の導電性領域の間に延びる第６のビアと、
前記第２及び第７の導電性領域の間に延びる第７のビアと、
を更に含む、装置。