Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月6日(2015.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィードバックキャパシタンスを有する演算増幅器である電荷積分器に接続されたキャパシタンス検出器を備えた電荷を計測するためのシステムにおいて、
前記電荷積分器の入力段は、対称接続された一対のＪＦＥＴ型トランジスタを備え、
前記一対のＪＦＥＴ型トランジスタの両方のゲートは、前記電荷積分器の入力に接続され、
前記システムは、前記電荷積分器の出力電圧を評価し、前記出力電圧が上限電圧限界を超えた場合または下限電圧限界を下回った場合、前記フィードバックキャパシタンスをディスチャージするシステム（１２２）をさらに備える、システム。
【請求項２】
前記電荷積分器の入力段は、少なくとも２対の平行な対称接続されたＪＦＥＴタイプトランジスタを備えていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電荷積分器の入力段は、対称接続された共通のベース増幅器に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記電荷積分器の入力段において、電流源と並列なスイッチ（Ｋ１、Ｋ２）が前記対称接続されたトランジスタの各ソースに接続され、
前記システム（１２２）は、出力電圧が前記上限電圧限界を超えた後に前記スイッチ（Ｋ１）の一つを開放し、前記出力電圧が前記下限電圧限界を下回った時に他方のスイッチ（Ｋ２）を開放するように構成されていることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１つに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステーションおよびアクセスポイントを含むワイヤレス通信ネットワークをテストするための方法であって、
異なる変調速度を有するパケットをある周波数帯域内で前記ステーションから前記アクセスポイントに送信するステップと、
確認のために待機し、各パケットの往復時間を測定するステップと、
各パケットの前記測定された往復時間および前記パケットの基準往復時間を考慮することによって性能値を算出するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記ワイヤレス通信ネットワークは、ＩＥＥＥ８０２．１１規格の１つに従ったネットワークである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ピング管理ユーティリティを使用して前記パケットを送信するステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記周波数帯域は２．４ＧＨｚ  ＩＳＭ帯域または５ＧＨｚ  Ｕ−ＮＩＩ帯域である、請求項１、２、または３に記載の方法。
【請求項５】
前記変調速度は、最低変調速度と最高変調速度との間で変化する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記最低変調速度は１Ｍｂ／ｓであり、前記最高変調速度は５４Ｍｂ／ｓである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
パケットサイズは、一定であるかまたは最小パケットサイズと最大パケットサイズとの間で変化する、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記最小パケットサイズは１バイトであり、前記最大パケットサイズは、単一のＷｉ−Ｆｉフレームのペイロードの最大サイズである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ステーションから前記アクセスポイントにパケットを送信し、前記アクセスポイントから前記ステーションに肯定応答パケットを送り返し、それぞれの前記往復時間を測定するステップを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記性能値は、前記基準往復時間と前記測定された往復時間との比を算出することによって求められる、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法は、前記性能値の数値評価を使用することによってユーザのために自動化される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記性能値の多数の性能クラスを定義するためのしきい値を使用するステップを含み、家庭用ネットワークの特定の位置の得られた性能値を前記性能クラスの１つに分類するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法を使用する、テストアプリケーション。
【請求項１４】
請求項１３に記載のテストアプリケーションを含む、モバイルデバイス。
【請求項１５】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法を使用するように適合された、モバイルデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
さらに、当業者には、本発明の範囲から逸脱せずに本発明の他の実施形態を利用してもよい。ワイヤレス通信ネットワークは、特にＩＥＥＥ８０２．１１規格の１つに従ったネットワークであり、周波数帯域は２．４ＧＨｚ  ＩＳＭ帯域または５ＧＨｚ  Ｕ−ＮＩＩ帯域であるが、この方法では、任意の他の周波数帯域を使用する任意の他のワイヤレス通信ネットワークをテストしてもよい。したがって、本発明は、添付後の本明細書の特許請求の範囲に存在する。
本発明は以下の態様を含む。
（付記１）
ステーションおよびアクセスポイントを含むワイヤレス通信ネットワークをテストするための方法であって、
異なる変調速度（Ｒ）を有するパケットをある周波数帯域内で前記ステーションから前記アクセスポイントに送信するステップと、
確認のために待機し、各パケットの往復時間を測定するステップと、
各パケットの前記測定された往復時間および前記パケットの基準往復時間を考慮することによって性能値を算出するステップと、
を含む、前記方法。
（付記２）
前記ワイヤレス通信ネットワークは、ＩＥＥＥ８０２．１１規格の１つに従ったネットワークである、付記１に記載の方法。
（付記３）
ピング管理ユーティリティを使用して前記パケットを送信するステップを含む、付記１または２に記載の方法。
（付記４）
前記周波数帯域は２．４ＧＨｚ  ＩＳＭ帯域または５ＧＨｚ  Ｕ−ＮＩＩ帯域である、付記１、２、または３に記載の方法。
（付記５）
前記変調速度（Ｒ）は、最低変調速度と最高変調速度との間で変化する、付記１から４のいずれか一つに記載の方法。
（付記６）
前記最低変調速度（Ｒ）は１Ｍｂ／ｓであり、前記最高変調速度は５４Ｍｂ／ｓである、付記５に記載の方法。
（付記７）
パケットサイズ（Ｐ）は、一定であるかまたは最小パケットサイズと最大パケットサイズとの間で変化する、付記１から６のいずれか一つに記載の方法。
（付記８）
前記最小パケットサイズは１バイトであり、前記最大パケットサイズは、単一のＷｉ−Ｆｉフレームのペイロードの最大サイズである、付記７に記載の方法。
（付記９）
前記ステーションから前記アクセスポイントにパケットを送信し、前記アクセスポイントから前記ステーションに肯定応答パケットを送り返し、それぞれの前記往復時間を測定するステップを含む、付記１から８のいずれか一つに記載の方法。
（付記１０）
前記性能値は、前記基準往復時間と前記測定された往復時間との比を算出することによって求められる、付記１から９のいずれか一つに記載の方法。
（付記１１）
前記方法は、前記性能値の数値評価を使用することによってユーザのために自動化される、付記１から１０のいずれか一つに記載の方法。
（付記１２）
前記性能値の多数の性能クラスを定義するためのしきい値を使用するステップを含み、家庭用ネットワークの特定の位置の得られた性能値を前記性能クラスの１つに分類するステップを含む、付記１１に記載の方法。
（付記１３）
付記１から１２のいずれか一つに記載の方法を使用する、テストアプリケーション。
（付記１４）
付記１３に記載のテストアプリケーションを含む、モバイルデバイス。
（付記１５）
付記１から１２のいずれか一つに記載の方法を使用するように適合された、モバイルデバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2014506093.tif 000001
【図２】
2014506093.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月8日(2014.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサであって、
第１の面と、該第１の面から離れた第２の面と、該第１の面と該第２の面との間に延在する貫通開口部とを有する基板と、
前記第１の面に露出しかつ前記貫通開口部内に延在する第１の金属素子と、
前記第１の金属素子に接続されている第１の電極と、
前記第２の面に露出しかつ前記貫通開口部内に延在する第２の金属素子と、
前記第２の金属素子に接続されている第２の電極であって、前記第１の電極及び該第２の電極は、第１の電位及び第２の電位に接続可能である、第２の電極と、
前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子を少なくとも前記貫通開口部内において互いから分離して絶縁するコンデンサ誘電体層であって、波形の形状を有する、コンデンサ誘電体層であって、該波形の形状は、波形の方向に対して平行な仮想線が前記コンデンサ誘電体層と少なくとも３回交差している、コンデンサ誘電体層と
を備えてなる、コンデンサ。
【請求項２】
前記コンデンサ誘電体層は、少なくとも３の比誘電率ｋを有する、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記コンデンサ誘電体層の上側面及び下側面はそれぞれ、前記第１の面と前記第２の面との間の前記開口部の高さの少なくとも３倍の長さを有する、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子のそれぞれは、前記コンデンサ誘電体層の面の輪郭に沿う面を有する、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項５】
前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子並びに前記コンデンサ誘電体層によって占有されていない前記開口部の部分が、誘電体材料で満たされている、請求項４に記載のコンデンサ。
【請求項６】
前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子のそれぞれは、前記誘電体材料によって、隣接する第２の部分から分離されている第１の部分を有し、該第２の部分は、該第１の部分に対して実質的に平行である、請求項５に記載のコンデンサ。
【請求項７】
前記第１の金属素子及び前記第２の金属素子は、それぞれの複数の第１のプレート及び第２のプレートを備え、前記第１のプレート及び前記第２のプレートのそれぞれは、前記開口部内に延在する、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記第１のプレート及び前記第２のプレートのそれぞれは、前記第１の面に沿った方向に少なくとも５マイクロメートルの幅を有する、請求項７に記載のコンデンサ。
【請求項９】
回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントを製造する方法であって、
１０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する材料から本質的になる基板の第１の面から材料を除去するステップであって、前記第１の面から該第１の面の反対側の第２の面に向かって延在する複数の第１の開口部を形成し、該第１の開口部は、波形の内面を画定する、除去するステップと、
前記内面の上に重なる誘電体層を形成するステップであって、該誘電体層は、前記内面から離れる方を向いた波形の第１の面を有し、該波形の形状は、波形の方向に対して平行な仮想線が前記コンデンサ誘電体層と少なくとも３回交差している、誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層の前記第１の面の上に重なりかつ前記第１の開口部のそれぞれ内に延在する第１の導電性素子を形成するステップと、
前記誘電体層の波形の第２の面を露出させるように、前記複数の第１の開口部のうちの隣接する開口部の間にある前記基板の材料を除去して、前記第２の面から前記第１の面に向かって延在する複数の第２の開口部を形成するステップと、
前記誘電体層の前記第２の面の上に重なりかつ前記第２の開口部のそれぞれ内に延在する第２の導電性素子を形成するステップと
を含んでなる、回路コンポーネント又は超小型電子素子との電気的相互接続用の電極を有するコンポーネントを製造する方法。
【請求項１０】
前記第１の導電性素子及び前記第２の導電性素子にそれぞれ接続される第１の電極及び第２の電極を形成するステップを更に含み、前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれの前記第１の面及び前記第２の面において露出し、前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれの第１の電位及び第２の電位に接続可能である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記誘電体層を形成するステップは、各第１の開口部内において露出している前記内面上への流動性誘電体材料の水溶性めっきによって実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の第１の開口部のうちの隣接する開口部の間にある前記基板の材料を除去するステップの前に、材料を前記基板の前記第２の面から除去するステップを更に含み、これにより、前記第１の面と前記第２の面との間の前記基板の厚さを削減する、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の前記第２の面から前記材料を除去するステップは、前記第１の導電性素子の面が前記第２の面に露出するように実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の導電性素子を形成するステップは、複数の第１のプレートを形成することを含み、第１のプレートのそれぞれは、前記第１の開口部のそれぞれ１つの内部に延在し、前記第２の導電性素子を形成するステップは、複数の第２のプレートを形成することを含み、前記第２のプレートのそれぞれは、前記第２の開口部のそれぞれ１つの内部に延在する、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記誘電体層を形成するステップは、コンデンサ誘電体層を形成するものである、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月20日(2014.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの外側半導体層の間に挟み込まれた内側半導体層を有する歪みダブルへテロ構造を備えるメモリであって、
−  前記内側半導体層の格子定数は前記外側半導体層の格子定数とは異なっており、その結果として生じる前記ダブルへテロ構造における格子歪みが、前記内側半導体層の内部において少なくとも１つの量子ドットの形成を誘導し、前記少なくとも１つの量子ドットはその中に電荷キャリアを蓄えることが可能であり、
−  前記格子歪みにより、前記少なくとも１つの量子ドットは、１．１５ｅＶ以上の放出障壁を有し、かつ、１０００ｎｍ３毎の少なくとも３つのエネルギー状態のエネルギー状態密度をもたらし、前記少なくとも３つのエネルギー状態は全て、５０ｍｅＶ以下のエネルギーバンド内に位置づけられる、メモリ。
【請求項２】
前記少なくとも３つのエネルギー状態の各々が２つの電荷キャリアを蓄えることが可能な、請求項１に記載のメモリ。
【請求項３】
前記少なくとも３つのエネルギー状態の各々が正孔を蓄え、かつ、２つの正孔を蓄えることが可能な、請求項２に記載のメモリ。
【請求項４】
前記少なくとも３つのエネルギー状態は正孔を蓄えることが可能であり、かつ、前記歪みダブルへテロ構造にバイアスが与えられていない場合、エネルギー的にフェルミ準位よりも上に位置づけられる、請求項１に記載のメモリ。
【請求項５】
前記メモリが、前記少なくとも１つの量子ドットを充電又は放電するために正孔を輸送することが可能な二次元正孔ガス層を備える、請求項１に記載のメモリ。
【請求項６】
前記二次元正孔ガス層と前記少なくとも１つの量子ドットの間に、半導体超格子が配置される、請求項５に記載のメモリ。
【請求項７】
前記半導体超格子が少なくとも２つの量子井戸を備え、その各々が少なくとも１つのエネルギー状態をもたらす、請求項６に記載のメモリ。
【請求項８】
前記２つの量子井戸の前記正孔エネルギー状態が、前記歪みダブルへテロ構造にバイアスが与えられていない場合、フェルミ準位よりも上に位置づけられる、請求項７に記載のメモリ。
【請求項９】
前記少なくとも２つの量子井戸の前記エネルギー状態のエネルギー的な位置が、前記歪みダブルへテロ構造にバイアスが与えられていない場合、互いに異なっている、請求項７に記載のメモリ。
【請求項１０】
前記歪みダブルへテロ構造に外部バイアス電圧を印加することにより、前記少なくとも２つの量子井戸の前記エネルギー状態を、互いに対して、及び前記少なくとも１つの量子ドットの前記エネルギー状態に対してシフトすることが可能な、請求項９に記載のメモリ。
【請求項１１】
−  前記歪みダブルへテロ構造に消去電圧を印加することにより、前記少なくとも２つの量子井戸の前記エネルギー状態を整列させることが可能であるため、共鳴トンネル効果により、前記半導体超格子を通して、正孔が前記少なくとも１つの量子ドットからトンネルすることが可能であり、
−  バイアスを与えられていない状態においては、前記少なくとも２つの量子井戸の前記エネルギー準位は不整合であり、正孔の共鳴トンネル効果は不可能とされる、
請求項１０に記載のメモリ。
【請求項１２】
前記二次元正孔ガス層が前記メモリの電界効果トランジスタの一部であり、前記電界効果トランジスタのゲート電極が、前記歪みダブルへテロ構造に対して電圧を印加することを可能とする、請求項１１に記載のメモリ。
【請求項１３】
前記電界効果トランジスタの前記ゲート電極と前記歪みダブルへテロ構造との間に中間層が配置され、前記中間層は、隣接する前記歪みダブルへテロ構造の外側半導体層よりも小さなバンドギャップを有する、請求項１２に記載のメモリ。
【請求項１４】
前記中間層と前記隣接する外側半導体層との接合部分における伝導帯不連続を特徴とする、請求項１３に記載のメモリ。
【請求項１５】
−  前記電界効果トランジスタのゲート接触がオーム接触であり、
−  前記中間層がｎ型にドープされる、
請求項１２に記載のメモリ。
【請求項１６】
前記電界効果トランジスタの前記ゲート接触がショットキー接触である、請求項１３に記載のメモリ。
【請求項１７】
内側半導体層及び２つの外側半導体層が、それぞれＧａ（Ａｓ，Ｓｂ）及び（Ａｌ，Ｇａ）Ａｓ、又はそれぞれＧａ（Ａｓ，Ｓｂ）及びＧａＰで構成される、請求項１に記載のメモリ。
【請求項１８】
前記内側半導体層における前記量子ドットが規則的配列構造で配置される、請求項１に記載のメモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電性プレートと、第２の導電性プレートと、第３の導電性プレートとを有すアンテナ装置であって、
前記第１の導電性プレートと前記第２の導電性プレートとは共に第１平面に位置し、
前記第３の導電性プレートは前記第１平面に実質的に平行な第２平面に位置し、
前記第１、第２及び第３の導電性プレートは平行６面体のアンテナ形態を形成し、前記平行６面体のアンテナ形態は、前記第１平面にある第１端面と、前記第２平面にある第２端面と、前記第１及び第２端面と交差する４つのプレート間端面とを有し、
前記第１の導電性プレート及び前記第２の導電性プレートの各々は１つ以上の導電性接続部を有し、少なくとも１つの導電性接続部は、前記平行６面体のアンテナ形態における４つのうちの何れかのプレート間端面に沿って形成され、
前記４つのプレート間端面の各々は、各自のプレート間端面に沿って１つより多い数の導電性接続部を有しない、アンテナ装置。
【請求項２】
前記第１の導電性プレート、前記第２の導電性プレート及び前記第３の導電性プレートが、連続的な金属片により形成されている、請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記第１の導電性プレート、前記第２の導電性プレート及び前記第３の導電性プレートが、非導電性支持部の周囲のフレキシブル印刷回路により形成されている、請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記第１の導電性プレートが、アクティブアンテナアームと導電性給電接続部とを含む、請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記第１の導電性プレートが、前記第３の導電性プレートに接続される導電性接地接続部を含む、請求項４に記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記第１の導電性プレートの前記導電性給電接続部が、前記平行６面体のアンテナ形態の何れかのプレート間端面に沿って形成されている、請求項４に記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記第１の導電性プレートの前記導電性給電接続部が、前記平行６面体のアンテナ形態の内部を通り、前記平行６面体のアンテナ形態の何れのプレート間端面にも沿うことなく伸びている、請求項４に記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記第１の導電性プレートの前記導電性給電接続部が、前記第３の導電性プレートにおけるホールを貫通して前記第１の導電性プレートから実質的に垂直に伸びている、請求項７に記載のアンテナ装置。
【請求項９】
前記第２の導電性プレートが、パッシブアンテナアームと、前記第３の導電性プレートに至る導電性接地接続部とを含む、請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
前記第１の導電性プレートが、アクティブアンテナアームと導電性給電接続部とを含み、前記第２の導電性プレートが、パッシブアンテナアームと、前記第３の導電性プレートに至る導電性接地接続部とを含む、請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項１１】
前記導電性給電接続部と前記導電性接地接続部とが、前記平行６面体のアンテナ形態の対向するプレート間端面に沿って形成されている、請求項１０に記載のアンテナ装置。
【請求項１２】
前記第１の導電性プレートが、前記第３の導電性プレートに至る導電性接地接続部を有し、該導電性接地接続部は、前記平行６面体のアンテナ形態の前記対向するプレート間端面に隣接するプレート間端面に沿って形成されている、請求項１１に記載のアンテナ装置。
【請求項１３】
前記第１の導電性プレートが、前記第３の導電性プレートに至る第１の導電性接地接続部を有し、前記第２の導電性プレートが、前記第３の導電性プレートに至る第２の導電性接地接続部を有する、請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項１４】
前記第１の導電性接地接続部と前記第２の導電性接地接続部とが、前記平行６面体のアンテナ形態の対向するプレート間端面に沿って形成されている、請求項１３に記載のアンテナ装置。
【請求項１５】
前記第１の導電性プレートが、前記平行６面体のアンテナ形態の前記対向するプレート間端面に隣接するプレート間端面に沿って形成される導電性給電接続部を有する、請求項１４に記載のアンテナ装置。
【請求項１６】
前記第１の導電性プレートと前記第２の導電性プレートとが、前記第１平面内のスロットにより隔てられている、請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項１７】
前記スロットにより放射される電磁場と、前記第１、第２及び第３の導電性プレートにより形成されるループ状経路に沿って流れる無線周波数電流によって形成される電磁場とが組み合わさり、当該アンテナ装置から発せられる円偏波放射を形成する請求項１６に記載のアンテナ装置。
【請求項１８】
前記第１の導電性プレートが給電される場合には右旋円偏波放射が生成され、前記第２の導電性プレートが給電される場合には左旋円偏波放射が生成されるように形成される請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項１９】
前記第１の導電性プレートは、アクティブアンテナアームと、導電性給電接続部と、前記第３の導電性プレートに至る導電性接地接続部とを有し、
前記第２の導電性プレートは、アクティブアンテナアームと、導電性給電接続部と、前記第３の導電性プレートに至る導電性接地接続部とを有し、
差動給電を行うために、前記第３の導電性プレートは、前記第２の導電性プレートに給電される信号とは位相がずれた信号により給電される、請求項１に記載のアンテナ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気通信ネットワーク環境においてボイスメールトロンボーニングを防止するための方法であって、前記方法は、
ホームパブリックランドモバイルネットワーク（ＨＰＬＭＮ）のスイッチからの着信メッセージを受信するステップと、
前記着信メッセージの受信者機器が、訪問先パブリックランドモバイルネットワーク（ＶＰＬＭＮ）においてローミング中であると判断するステップと、
前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに接続して、着信メッセージを前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに中継する前に遅い着信転送を無効にするよう、前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに命令するステップとを含む、方法。
【請求項２】
遅い着信転送が無効になったことが確認された後で、前記ＨＰＬＭＮからの着信メッセージを前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに転送するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
着信メッセージは、前記ＨＰＬＭＮのゲートウェイモバイルスイッチングセンター（Ｇ−ＭＳＣ）によって受信されてサービスブローカーに転送され、
前記サービスブローカーは、通話を確立するための承認を得るためにプリペイドサービス制御ポイント（ＰＰ  ＳＣＰ）に接続する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記サービスブローカーが前記ＰＰ  ＳＣＰから承認を得た後で、前記サービスブローカーは、前記受信者機器の位置を取得するためにホーム位置レジスタ（ＨＬＲ）に接続する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記サービスブローカーは、遅い着信転送を無効にするよう訪問先スイッチに命令して、前記遅い着信転送が無効になったという確認応答を受信し、
前記サービスブローカーは、前記着信メッセージを前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに転送するよう、ＨＰＬＭＮのＧ−ＭＳＣに命令する、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記着信メッセージを前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに転送するステップをさらに含み、
前記着信メッセージが前記受信者機器によって応答されない場合、前記訪問先スイッチは着信をボイスメールサーバに転送せず、代わりに、加入者機器が応答されなかったことを示すメッセージを用いてＨＰＬＭＮのスイッチに返答する、請求項３から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記ＨＰＬＭＮのスイッチが訪問先スイッチからのメッセージを一旦受信すると、前記ＨＰＬＭＮのスイッチは、着信メッセージが応答されなかったことをサービスブローカーに通知し、
前記サービスブローカーは、着信メッセージを前記ＨＰＬＭＮのボイスメールサーバに転送する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ボイスメールサーバは着信メッセージに応答する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ボイスメールサーバが着信メッセージに応答した後で、前記ＨＰＬＭＮのスイッチは前記サービスブローカーに応答を知らせ、
前記サービスブローカーは、着信メッセージが応答されたことを前記ＰＰ  ＳＣＰに通知する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＰＰ−ＳＣＰが承認を用いてサービスブローカーに返答した場合、前記ＨＰＬＭＮ
のスイッチは、ボイスメールが応答されたことを受信者機器に通知するよう命令される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
物理的記憶メモリと、ステップを行なうために一連の命令を実行する１つ以上のハードウェアプロセッサとを含むシステムであって、前記ステップは、
ホームパブリックランドモバイルネットワーク（ＨＰＬＭＮ）のスイッチからの着信メッセージを受信するステップと、
前記着信メッセージの受信者機器が、訪問先パブリックランドモバイルネットワーク（ＶＰＬＭＮ）においてローミング中であると判断するステップと、
前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに接続して、前記着信メッセージを前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに中継する前に遅い着信転送を無効にするよう、前記ＶＰＬＭＮの訪問先スイッチに命令するステップとを含む、システム。
【請求項１２】
電気通信ネットワーク環境においてボイスメールトロンボーニングを防止するためのシステムであって、
加入者からの着信を受信する、ホームパブリックランドモバイルネットワーク（ＶＰＬＭＮ）の第１のスイッチと、
着信が受信されたことを示す第１のスイッチからのメッセージを受信するサービスブローカーとを含み、前記サービスブローカーは、加入者が訪問先パブリックランドモバイルネットワーク（ＶＰＬＭＮ）においてローミング中であると判断でき、前記システムはさらに、
遅い着信転送を無効にするよう、サービスブローカーによって命令される、前記ＶＰＬＭＮの第２のスイッチを含む、システム。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれかに記載の方法を１つ以上のプロセッサに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2014506050.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ−ビデオ・コンテンツをリモート・プレイバック・デバイスへ提供するためにワイヤレス・オーディオ−ビデオ・ソース・デバイスを動作させる方法であって、
前記ワイヤレス・・オーディオ−ビデオ・ソース・デバイスが、前記リモート・プレイバック・デバイスにおけるオーディオ−ビデオ・コンテンツの提示に関する制御を可能にするグラフィカル・ユーザー・インターフェースを提供することと、
前記ワイヤレス・・オーディオ−ビデオ・ソース・デバイスが、前記グラフィカル・ユーザー・インターフェースの第１の提示制御の選択の指示を受けることであって、前記第１の提示制御の前記選択が、前記リモート・プレイバック・デバイスにより前記オーディオ−ビデオ・コンテンツが提示されるべきであることを示し、
前記第１の提示制御の前記選択に少なくとも部分的に基づいて前記リモート・プレイバック・デバイスによる前記オーディオ−ビデオ・コンテンツの提示のための第１チャンネルを介して、前記ワイヤレス・オーディオ−ビデオ・ソース・デバイスが、前記リモート・プレイバック・デバイスへ前記オーディオ−ビデオ・コンテンツを表すデーターをストリーミングすることと、
前記ワイヤレス・・オーディオ−ビデオ・ソース・デバイスが、前記リモート・プレイバック・デバイスとサイド・チャンネルをネゴシエートすることであって、前記サイド・チャンネルが、前記デジタル・テレビジョン・スペクトルの一部内にあり、かつ前記サイド・チャンネルのための１つ以上の周波数が前記デジタル・テレビジョン・スペクトルの不使用部分内にあるかどうかに無関係にネゴシエートされ、
前記リモート・プレイバック・デバイスにおける前記オーディオ−ビデオ・コンテンツの提示を制御するため、前記ワイヤレス・・オーディオ−ビデオ・ソース・デバイスが、サイド・チャンネルを介して、前記リモート・プレイバック・デバイスへコマンドを送ることと
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
コマンドを送ることは、前記デジタル・テレビジョン・スペクトルのための規定されたパワーしきい値より下のパワーで前記コマンドを送ることを含む、
方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
コマンドを送ることは、スペクトル拡散変調を用いて前記コマンドをエンコードすることを含む、
方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
オーディオ−ビデオ・コンテンツを表すデーターをストリーミングすることは、Ｗｉ−Ｆｉ  Ｄｉｒｅｃｔプロトコルにしたがって前記データーを送ることを含む、
方法。
【請求項５】
コンピューター実行可能命令がエンコードされた少なくとも１つのコンピューター読取可能記憶媒体であって、前記コンピューター実行可能命令は、実行されたときに、リモート・オーディオ−ビデオ提示デバイスで提示するためにコンテンツを提供するワイヤレス・オーディオ−ビデオ・ソース・デバイスを動作させる方法を行わせ、該方法は、
前記リモート・プレイバック・デバイスとサイド・チャンネルをネゴシエートすることであって、前記サイド・チャンネルが、前記デジタル・テレビジョン・スペクトルの一部内にあり、かつ前記サイド・チャンネルのための１つ以上の周波数が前記デジタル・テレビジョン・スペクトルの不使用部分内にあるかどうかに無関係にネゴシエートされ、
前記リモート・オーディオ−ビデオ提示デバイスにおけるオーディオ−ビデオ・コンテンツの再生を制御するための制御を有するするグラフィカル・ユーザー・インターフェースを表示することと、
前記グラフィカル・ユーザー・インターフェースの第１の提示制御の選択の指示を受けることであって、前記第１の提示制御の前記選択が、前記リモート・オーディオ−ビデオ提示デバイスにより前記オーディオ−ビデオ・コンテンツが提示されるべきであることを示し、
前記第１の提示制御の前記選択に少なくとも部分的に基づいて前記リモート・オーディオ−ビデオ提示デバイスにおける前記オーディオ−ビデオ・コンテンツの提示のため、前記サイド・チャンネルとは異なる第１チャンネルを介して前記リモート・オーディオ−ビデオ提示デバイスへ前記オーディオ−ビデオ・コンテンツを表すデーターをストリーミングすることと、
前記リモート・オーディオ−ビデオ提示デバイスが前記オーディオ−ビデオ・コンテンツの提示特性を変更するためのコマンドを前記リモート・オーディオ−ビデオ提示デバイスに、サイド・チャンネルを介して送ることであって、該送ることが前記デジタル・テレビジョン・スペクトルの前記一部において送ることを含むこと、
を含み、
前記少なくとも１つのコンピューター読み取り可能記憶媒体が、ランダム・アクセス・メモリー、リード・オンリー・メモリー、フラッシュメモリー、ＥＥＰＲＯＭ、光ディスク、磁気ディスク、磁気テープ、および磁気カセットの少なくとも１つを含む、
コンピューター読取可能記憶媒体。
【請求項６】
請求項５に記載のコンピューター読取可能記憶媒体であって、
サイド・チャンネルを介してコマンドを送るための前記コンピューター実行可能命令は、前記コマンドを送るための無線装置に関する送信パワーを、前記デジタル・テレビジョン・スペクトルのための規定されたパワーしきい値より下に設定するためのコンピューター実行可能命令を含む、
コンピューター読取可能記憶媒体。
【請求項７】
請求項５に記載のコンピューター読取可能記憶媒体であって、
サイド・チャンネルを介してコマンドを送るための前記コンピューター実行可能命令は、スペクトル拡散変調を用いて、前記コマンドを表す信号を変調するためのコンピューター実行可能命令を含む、
コンピューター読取可能記憶媒体。
【請求項８】
請求項５に記載のコンピューター読取可能記憶媒体であって、
サイド・チャンネルを介してコマンドを送るためのコンピューター実行可能命令は、処理利得を提供する変調技術を用いて、前記コマンドを表す信号を変調するためのコンピューター実行可能命令を含む、
コンピューター読取可能記憶媒体。
【請求項９】
請求項５に記載のコンピューター読取可能記憶媒体であって、
前記コマンドは、前記リモート・オーディオ−ビデオ提示デバイスがオーディオ音量を増加させるためのコマンドを含む、
コンピューター読取可能記憶媒体。
【請求項１０】
請求項５に記載のコンピューター読取可能記憶媒体であって、
前記サイド・チャンネルを介しての前記リモート・オーディオ−ビデオ・提示デバイスとの通信のパラメーターを特定する情報を記憶するためのコンピューター実行可能命令
を更に含むコンピューター読取可能記憶媒体。
【請求項１１】
請求項１から４のいずれかに記載の方法をコンピューターに実行させるためのコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
米国特許第７，６６６，５１１  Ｂ２号および米国特許出願公開第２０１０／００８７３０７  Ａ１では、いずれもむしろ高濃度のＡｌ２Ｏ３が開示されたガラス組成物の化学強化への適合性を改善すると主張している。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２００９／１９７０８８号明細書
（特許文献２）  英国特許出願公開第２３３５４２３号明細書
（特許文献３）  米国特許第４，０５５，７０３号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１２／０５２２７５号明細書
（特許文献５）  国際公開第２０１２／０２７１３３号
（特許文献６）  国際公開第２０１２／０１９０６７号
（特許文献７）  国際公開第２０１１／０６６２４６号
（特許文献８）  米国特許出願公開第２０１１／０７１０１２号明細書
（特許文献９）  国際公開第２０１１／０３４８９８号
（特許文献１０）  特開２０００／３１９０３６号公報
（特許文献１１）  特許第６２２７０４３９号公報
（特許文献１２）  特許第５３０１８２０４号公報
（特許文献１３）  中国特許出願公開第１０１５７５１６７号明細書
（特許文献１４）  国際公開第２０１１／０４９１００号
（特許文献１５）  米国特許出願公開第２０１２／０５２２７５号明細書
（特許文献１６）  国際公開第２０１２／０２７１３３号
（特許文献１７）  国際公開第２０１２／００８５８６号
（特許文献１８）  米国特許出願公開第２０１１／１３３８００号明細書
（特許文献１９）  国際公開第２０１１／０６６２４６号
（特許文献２０）  米国特許出願公開第２０１１／０７１０１２号明細書
（特許文献２１）  国際公開第２０１１／０３４８９８号
（非特許文献）
（非特許文献１）  ＤＡＴＡＢＡＳＥ  ＷＰＩ  Ｗｅｅｋ  ２００１４１  Ｔｈｏｍｓｏｎ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；ＡＮ  ２００１−３８４１８２  ＸＰ００２６７２０７９，−&  ＪＰ  ２０００  ３１９０３６  Ａ（ＣＥＮＴＲＡＬ  ＧＬＡＳＳ  ＣＯ  ＬＴＤ）２１  Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  ２０００（２０００−１１−２１）ａｂｓｔｒａｃｔ；ｅｘａｍｐｌｅ  ５
（非特許文献２）  ＤＡＴＡＢＡＳＥ  ＷＰＩ  Ｗｅｅｋ  １９８８０１  Ｔｈｏｍｓｏｎ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；ＡＮ  １９８８−００４７８９  ＸＰ００２６７２０８０，−&  ＪＰ  ６２  ２７０４３９  Ａ（ＩＳＨＩＺＵＫＡ  ＧＬＡＳＳ  ＫＫ）２４  Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １９８７（１９８７−１１−２４）ａｂｓｔｒａｃｔ；ｅｘａｍｐｌｅ  ６
（非特許文献３）  ＤＡＴＡＢＡＳＥ  ＷＰＩ  Ｗｅｅｋ  １９７８２７  Ｔｈｏｍｓｏｎ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；ＡＮ  １９７８−４９０５７Ａ  ＸＰ００２６７２０８１，−&  ＪＰ  ５３  ０１８２０４  Ｂ（ＩＳＨＩＺＵＫＡ  ＧＬＡＳＳ  ＫＫ）１４  Ｊｕｎｅ  １９７８（１９７８−０６−１４）ａｂｓｔｒａｃｔ
（非特許文献４）  ＤＡＴＡＢＡＳＥ  ＷＰＩ  Ｗｅｅｋ  ２００９８０  Ｔｈｏｍｓｏｎ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；ＡＮ  ２００９−Ｒ４５７３３  ＸＰ００２６７２０８２，−&  ＣＮ  １０１  ５７５  １６７  Ａ（ＵＮＩＶ  ＢＥＩＪＩＮＧ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ）１１  Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  ２００９（２００９−１１−１１）ａｂｓｔｒａｃｔ；ｅｘａｍｐｌｅ  １
（非特許文献５）  ＤＡＴＡＢＡＳＥ  ＷＰＩ  Ｗｅｅｋ  ２０１１３０  Ｔｈｏｍｓｏｎ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；ＡＮ  ２０１１−Ｅ４３１６４  ＸＰ００２６７１９７３，−&  ＷＯ  ２０１１／０４９１００  Ａｌ（ＡＳＡＨＩ  ＧＬＡＳＳ  ＣＯ  ＬＴＤ）２８  Ａｐｒｉｌ  ２０１１（２０１１−０４−２８）ａｂｓｔｒａｃｔ；ｅｘａｍｐｌｅ  ３
（非特許文献６）  ＤＡＴＡＢＡＳＥ  ＷＰＩ  Ｗｅｅｋ  ２０１２０８  Ｔｈｏｍｓｏｎ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；ＡＮ  ２０１２−Ｂ０６６９２  ＸＰ００２６７２０７６，−&  ＷＯ  ２０１２／００８５８６  Ａｌ（ＡＳＡＨＩ  ＧＬＡＳＳ  ＣＯ  ＬＴＤ）１９  Ｊａｎｕａｒｙ  ２０１２（２０１２−０１−１９）ａｂｓｔｒａｃｔ；ｃｌａｉｍｓ；ｅｘａｍｐｌｅｓ
（非特許文献７）  ＤＡＴＡＢＡＳＥ  ＷＰＩ  Ｗｅｅｋ  ２０１１４５  Ｔｈｏｍｓｏｎ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；ＡＮ  ２０１１−Ｈ６６１２１  ＸＰ００２６７２０７７，−&  ＪＰ  ２０１１  １３３８００  Ａ（ＡＳＡＨＩ  ＧＬＡＳＳ  ＣＯ  ＬＴＤ）７  Ｊｕｌｙ  ２０１１（２０１１−０７−０７）ａｂｓｔｒａｃｔ
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月20日(2015.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度ＳｎＯの製造法であって、
（ａ）Ｓｎ塩を水性相のＣ２−１２ジカルボン酸と反応させて、Ｓｎ−ジカルボキシレート錯体を含む懸濁液を形成させ；
（ｂ）Ｓｎ−ジカルボキシレート錯体を水で洗浄して、Ｓｎ塩のアニオンを本質的に含まない洗浄Ｓｎ−ジカルボキシレート錯体を含む洗浄溶液を得；そして
（ｃ）洗浄Ｓｎ−ジカルボキシレート錯体を塩基と反応させて、高純度ＳｎＯを形成させることを含み、
その高純度ＳｎＯは約０．００２ｃｐｈ／ｃｍ２未満のアルファ線カウントを有する
方法。
【請求項２】
高純度ＳｎＯの製造法であって、
（ａ）ＳｎＣｌ２、Ｓｎ（ＢＦ４）２、Ｓｎ（ＣＨ３ＳＯ３）２、及びそれらの混合物からなる群から選ばれるＳｎ塩を、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、及びそれらの混合物からなる群から選ばれる水性相のＣ２−１２ジカルボン酸と反応させて、Ｓｎ−ジカルボキシレート錯体を含む懸濁液を形成させ；
（ｂ）Ｓｎ−ジカルボキシレート錯体を水で洗浄して、中性のｐＨを有し、Ｓｎ塩のアニオンを本質的に含まない洗浄Ｓｎ−ジカルボキシレート錯体を含む洗浄溶液を得；そして
（ｃ）洗浄Ｓｎ−ジカルボキシレート錯体を、アンモニア水、炭酸アンモニウム、及び尿素からなる群から選ばれる塩基と反応させて、高純度ＳｎＯを形成させることを含み、
その高純度ＳｎＯは約０．００２ｃｐｈ／ｃｍ２未満のアルファ線カウントを有する
方法。
【請求項３】
高純度ＳｎＯが、ＳｎＯ２を除いて約９９．８５重量％の量のＳｎＯを含み、高純度ＳｎＯは、約１重量％未満の量のＳｎＯ２しか含まない、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月5日(2014.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
神経膠腫の治療のための、アルブミンを含む医薬組成物。
【請求項２】
細胞または組織、特に白質、星状細胞または神経膠腫細胞を遺伝子治療ベクターの受け取りに備える(prime)ための、アルブミンを含む組成物。
【請求項３】
細胞または組織、特に白質、星状細胞または神経膠腫細胞を通しての遺伝子ベクターの形質導入の改善のための、アルブミンを含む組成物。
【請求項４】
アルブミンが等張溶液および/または人工CSF中にある、請求項１〜３いずれか記載の組成物。
【請求項５】
アルブミンの投与後に遺伝子治療ベクターが投与される、請求項１〜４いずれか記載の組成物。
【請求項６】
アルブミンおよび/または遺伝子治療ベクターが、注入により、特に、細いカテーテルを介して投与される、請求項５記載の組成物。
【請求項７】
アルブミンおよび/または遺伝子治療ベクターが、対流強化送達により投与される、請求項６記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）による化合物又は薬学的に許容可能なそれらの塩：
【化１】
2014506577.tif 000001
（式中、
Ｒ１及びＲ２は、それらが結合している窒素と一緒になって、フェニル部分と縮合してもよい５〜６員飽和又は不飽和環を表し；並びに
Ｒ３は、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル又は（Ｃ３−Ｃ６）シクロアルキル（Ｃ１−Ｃ２）アルキルである）。
【請求項２】
４−アミノ−Ｎ−［（１Ｓ，２Ｅ）−４−（２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−１−イル）−１−エチル−４−オキソ−２−ブテン−１−イル］テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−４−カルボキサミド又は薬学的に許容可能なその塩である、請求項１に記載の化合物又は塩。
【請求項３】
４−アミノ−Ｎ−［（１Ｓ，２Ｅ）−４−（２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−１−イル）−１−エチル−４−オキソ−２−ブテン−１−イル］テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−４−カルボキサミド塩酸塩である、請求項１に記載の化合物又は塩。
【請求項４】
４−アミノ−Ｎ−［（１Ｓ，２Ｅ）−４−（２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−１−イル）−１−（２−メチルプロピル）−４−オキソ−２−ブテン−１−イル］テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−４−カルボキサミド又は薬学的に許容可能なその塩である、請求項１に記載の化合物又は塩。
【請求項５】
４−アミノ−Ｎ−［（１Ｓ，２Ｅ）−４−（２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−１−イル）−１−（２−メチルプロピル）−４−オキソ−２−ブテン−１−イル］テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−４−カルボキサミド塩酸塩である、請求項１に記載の化合物又は塩。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物又は薬学的に許容可能なその塩と薬学的に許容可能な賦形剤とを含んでなる、慢性閉塞性肺疾患を治療するための医薬組成物。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物又は薬学的に許容可能なその塩と薬学的に許容可能な賦形剤とを混合することを含んでなる、請求項６で定義された組成物を調製する方法。
【請求項８】
慢性閉塞性肺疾患の治療に使用するための、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項９】
慢性閉塞性肺疾患の治療に使用するための医薬の製造における、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物又は薬学的に許容可能なその塩の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物の機械的特性を測定する装置であって、
前記対象物に非合焦超音波エネルギを印加して前記対象物の中に伝搬可能なせん断波を生成するように構成された伝送機と、
前記伝送機で生成された前記せん断波が存在している前記対象物の中の少なくとも１箇所で測定する測定情報を取得するように構成された検出器と、
前記検出器で取得した前記測定情報を用いて前記対象物の機械的特性を算出するように構成されたコントローラと、
を備えたことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記検出器が超音波装置とされ、
前記対象物の中の少なくとも１箇所に超音波エネルギが印加されることによって、前記測定情報が取得されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記印加される超音波エネルギが、合焦超音波エネルギおよび非合焦超音波エネルギの少なくとも１つであることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記検出器が、光学検出器、磁気共鳴画像装置、および電磁波検出器の少なくとも１つとされ、電磁エネルギが前記対象物の少なくとも１箇所に印加されることによって、前記測定情報が取得されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記伝送機が、超音波トランスデューサを備え、かつ該超音波トランスデューサからくし型状に外側へ延びる複数の非合焦超音波ビームを生成して前記対象物に印加するように構成されたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記伝送機が、前記超音波トランスデューサの表面に亘って均等に離れる前記複数の非合焦超音波ビームを生成するように構成されたことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
異なる方向に伝搬するせん断波間の干渉が実質的に軽減するように、前記コントローラが、前記取得した測定情報に配向フィルタを適用するように構成されたことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項８】
請求項５に記載の装置であって、
前記コントローラが、
前記測定情報から、第１の方向に伝搬するせん断波の測定に対応した第１測定情報サブセットを形成し、
前記測定情報から、第２の方向に伝搬するせん断波の測定に対応した第２測定情報サブセットを形成し、
前記第１測定情報サブセットおよび前記第２測定情報サブセットを選択的に結合する
ように構成されたことを特徴とする装置。
【請求項９】
前記第１の方向が左から右への方向とされ、前記第２の方向が右から左への方向とされる請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
複数の超音波トランスデューサ構成要素を超音波トランスデューサの第１の方向に活性化させることによって、非合焦超音波エネルギを前記対象物の平坦領域に印加し、前記せん断波が前記平坦領域から外側に延びる方向に沿って伝搬するように、前記伝送機が構成されたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記検出器が、超音波装置とされ、かつ、複数の超音波トランスデューサ構成要素を超音波トランスデューサの前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って活性させることによって、前記対象物の少なくとも１箇所に超音波エネルギを印加し前記測定情報を取得するように構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記検出器には、前記伝送機の前記超音波トランスデューサと異なる超音波トランスデューサが設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記伝送機が、少なくとも２つの非合焦超音波ビームを前記対象物に印加するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記検出器が、超音波装置とされ、かつ超音波エネルギを前記対象物に印加することで前記測定情報を取得するように構成され、
前記伝送機が、複数の非合焦超音波トーンバーストを前記対象物に印加するように構成され、
前記検出器が、前記伝送機によって印加される前記複数の非合焦超音波トーンバーストと時間的にインタレースされた複数の超音波トーンバーストを印加するように構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記伝送機が、超音波トランスデューサによって生成された非合焦超音波エネルギを前記トランスデューサの表面に対する所定の角度で印加するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
対象物の機械的特性を超音波で測定する方法であって、
イ）軸方向の複数の深度において複数の細胞変形を生成するために、非合焦超音波エネルギを対象物に印加する工程と、
ロ）前記対象物の中の、前記複数の細胞変形のうちの少なくとも１つが配置されている少なくとも１箇所に、超音波エネルギを印加することによって、前記対象物から測定情報を取得する工程と、
ハ）前記ロ）の工程で取得した測定情報を用いて前記対象物の機械的特性を算出する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記ロ）の工程で印加する超音波エネルギが、合焦超音波エネルギおよび非合焦超音波エネルギの少なくとも１つとされることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の細胞変形に、複数のせん断波が含まれていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
超音波トランスデューサを有する超音波装置で対象物の機械的特性を測定する方法であって、
イ）前記超音波エネルギが前記超音波トランスデューサの表面に実質的に直交する方向に力を発生するように、前記対象物に超音波エネルギを印加することによって、前記超音波トランスデューサから外側に延びる少なくとも１つの方向に前記対象物に伝搬するせん断波を前記超音波トランスデューサで生成する工程と、
ロ）前記イ）の工程で生成されたせん断波の存在する対象物の少なくとも１箇所に超音波エネルギを印加することによって測定情報を取得する工程と、
ハ）前記ロ）の工程で取得した測定情報を用いて前記対象物の機械的特性を算出する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記イ）の工程で印加する前記超音波エネルギが、合焦超音波エネルギおよび非合焦超音波エネルギのうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記イ）の工程で生成される前記せん断波が前記超音波トランスデューサの表面に実質的に直交する方向に伝搬することを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記イ）の工程で生成される前記せん断波の少なくとも１つが前記超音波トランスデューサの表面の１箇所から径方向に伝搬するせん断波とされることを特徴とする請求項１９に記載の方法。