【事件の表示】
　平成　３年特許願第１６９９０２号「薄膜磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　１月２９日出願公開、特開平　５−　２０６４０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明　
　本願は、平成３年７月１０日に出願されたものであって、その請求項１に係る発明は、平成１１年４月２６日付け及び平成１１年９月２日付け手続き補正書により補正された明細書及び図面の記載から見てその特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める（以下、本願発明という。）。　
　
「基板上に絶縁層を形成し、　
前記絶縁層に前記基板まで達しない第１の凹部を形成し、　
前記絶縁層上に下部磁性層を形成するとともに、　
前記下部磁性層に前記第１の凹部に沿った第２の凹部を形成し、　
前記下部磁性層上にギャップ層を形成し、　
前記第２の凹部の底部のみに第１の絶縁層を形成し、　
前記第２の凹部内であって、しかも前記第１の絶縁層上に第１のコイル層を形成し、　
前記第１のコイル層を覆うように第２の絶縁層を形成するとともに、　
前記第２の絶縁層の表面を前記基板上の平坦面と同一になるように平坦化し、　
前記第２の絶縁層上に第２のコイル層を形成し、　
前記第２のコイル層を覆うように第３の絶縁層を形成し、　
前記第３の絶縁層上に前記下部磁性層と磁気回路を構成するように上部磁性層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」　
　
　
　
２．引用例　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願平２−２１８１８６号（特開平４−１０２２１１号公報）の願書に最初に最初に添付した明細書及び図面（以下、先願明細書という。なお、記載箇所は便宜上、上記公開公報の頁，欄，行で特定することとする。）の、　
　
・第３頁右上欄第１０行〜第１９行に、　
「スライダとして用いられる基板1上には、厚い絶縁膜２が形成される。この絶縁膜２は、例えば、アルミナ膜を用いることができ、アルミナ膜は、通常、スパッタリング法で形成する。次に、この絶縁膜２上に、凹部を作成する.この凹部は、磁気ギャップ膜４を下部磁性膜３と上部磁性膜８で挟んで構成した磁気ギャップ部分及びバックギャップ部分１３を残して、その間を凹形に削り、第1コイルの巻線部分を埋め込むことのできる形状に作成したものである」と、　
　
・第３頁左下欄第６行〜１４行に、　
「次に、下部磁性膜３を作成する。下部磁性膜３の作成法としては、例えば、絶縁膜２の全面に、下部磁性膜３をスパッタリング法で積層した後、ホトレジストパターンをマスクにして、イオンビームエッチング法を用いて作成することができる。また、他の方法として、ホトレジストパターンをマスクとして、その間隙にめつきするパターンめつき法を採用することも可能である。　
　次に、磁気ギャップ膜４を作成する。」と、　
　
・同第３頁左下欄第１９行〜右下欄第９行に、　
「次に、層間絶縁膜５、第１コイル６、及び、第２コイル７を順次作成する。まず、第１コイル６と下部磁性膜３とを絶縁し、第２コイル７と上部磁性膜８とを絶縁するために、層間絶縁膜５を磁気ギャップ膜４の凹部に当たる部分に作成する。　
　この層間絶縁膜５については、例えば、ノボラック系ポジ型のホトレジスト膜を、概ね２４０℃以上で焼成した膜を用いることができる。もちろん、他種のホトレジスト膜やポリイミド系樹脂等の有機樹脂膜や、あるいは、無機絶縁膜を用いることも可能である。」と、　
　
・同第４頁左下欄第８行〜第９行に、　
「続いて、第１コイル６の上に層間絶縁膜５を形成する。」と、　
　
・同第４頁右下欄第２行〜第７行に、　
「したがって、第１コイル６の作成工程で示したようにホトレジスト膜１１と同様なホトレジスト膜（図示せず）を、ほぼ均一に塗布できることから、第２コイル用のホトレジストパターンは、第２コイル作成部全面において、均一な露光・現像条件により、精度よく作成することができる。」と、　
　
・同第４頁右下欄第１３行〜第１５行に、　
「以上のようにして、第２コイル７を作成した後、層間絶縁膜５を形成し、しかる後に、上部磁性膜８を作成する。」と、　
　
・同第５頁左上欄第５行〜第１４行に、　
「本実施例によれば、第１コイル６及び第２コイル７を、おのおのほぼ平面上に作成できるので、各コイルを作成するときに用いるホトレジスト膜の厚みを一様にすることができるため、ホトレジスト膜の塗布・露光条件の適正範囲の基板面内でのばらつきが小さくなり、したがって、相対的に、ホトレジストパターンを作成する露光・現像条件の適正範囲が広がって、二層コイルを作成することができ、高記録密度に最適な薄膜磁気ヘッドを提供できるという効果がある。」と記載されている。　
　
　
　以上の記載及び図面から、先願明細書には２層のコイル有する薄膜ヘッドの製造方法に関して、　
「基板上１に厚い絶縁膜２を形成し、　
　絶縁膜２に前記基板１まで達しない凹部を形成し、　
　絶縁膜２上に下部磁性膜３を形成するとともに、　
　下部磁性層膜３上に磁気ギャップ膜４を形成し、　
　磁気ギャップ膜４の凹部に当たる部分に層間絶縁膜５を形成し、　
　凹部内であって、磁ギャップ膜４上の層間絶縁膜５上に第１のコイル６を形成し、　
　続いて第１のコイル６の上に層間絶縁膜５を作成する。　
　第１のコイル６上の層間絶縁膜５上に第２のコイル７を形成し、　
　第２のコイル７を作成した後、層間絶縁膜５を形成し、　
　この第２のコイル７上の層間絶縁膜５上に前記下部磁性膜３と磁気回路を構成するように上部磁性膜８を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法」の発明が記載されていると認められる。　
　
　
　
３．対比　
　本願発明と先願明細書の発明を対比すると、　
　先願明細書に記載された「基板上１の厚い絶縁膜２」「下部磁性膜３」「磁気ギャップ膜４上の層間絶縁膜５」「第１のコイル６」「第１コイル６上の層間絶縁膜５」「第２のコイル」「第２コイル上７の層間絶縁膜５」「上部磁性膜８」はそれぞれ、　
　本願発明の「絶縁層」「下部磁性層」「第１の絶縁層」「第１のコイル層」「第２の絶縁層」「第２のコイル層」「第３の絶縁層」「上部磁性層」に相当するものであるから、　
　両者は、二層のコイル層を有する薄膜ヘッドの製造方法に関して、　
「基板上に絶縁層を形成し、　
前記絶縁層に前記基板まで達しない第１の凹部を形成し、　
前記絶縁層上に下部磁性層を形成するとともに、前記下部磁性層に前記第１の凹部に沿った第２の凹部を形成し、　
前記下部磁性層上にギャップ層を形成し、　
前記第２の凹部の底部のみに第１の絶縁層を形成し、　
前記第２の凹部内であって、しかも前記第１の絶縁層上に第１のコイル層を形成し、　
前記第１のコイル層を覆うように第２の絶縁層を形成するとともに、　
前記第２の絶縁層上に第２のコイル層を形成し、　
前記第２のコイル層を覆うように第３の絶縁層を形成し、　
前記第３の絶縁層上に前記下部磁性層と磁気回路を構成するように上部磁性層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」で一致し、　
　先願明細書には、「第２の絶縁層の表面を基板上の平坦面と同一になるように平坦化し」の点が記載されていない点で一応相違する。　
　
　
　
４．判断　
　先願明細書の記載を詳細に検討すると、「第１コイル６及び第２コイル７を、おのおのほぼ平面上に作成できるので、各コイルを作成するときに用いるホトレジスト膜の厚みを一様にすることができるため、」（明細書第５頁左上欄第５行〜第８行）の、第２のコイルがほぼ平面上に作成できるとの記載から、第２のコイルが重ねられる下側の層の層間絶縁膜５はほぼ平面であることが理解でき、そして、膜の重なる積層構造で形成していく過程では、各層は均一に形成されるはずであり、先願明細書に記載された基板が平坦面で無いとする根拠もないことから、基板上の平坦面に各膜は表面がほぼ平面に積層されていると推察でき、各膜の表面は本願発明と同程度に平坦化されていると認められる。　
　したがって、本願発明における「第２の絶縁層の表面を基板上の平坦面と同一となるように平坦化し」と、先願明細書の第２のコイルをほぼ平面上に作成できるとした記載による、第１のコイル上６の層間絶縁膜５がほぼ平面であるとする点とは、実質的に同じものと認められるから、前記一応の相違点は、実質的な相違とは認められない。
　
　
　
５．むすび　
　したがって、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。