(57)【要約】【課題】テンプレートの凹部への転写材の充填時間を短縮し、生産性を向上したインプリント方法及びインプリント装置を提供する。【解決手段】被処理基板の主面の上に転写材を滴下して前記転写材の液滴を形成する工程と、前記液滴にガスを吹き付けて前記液滴を変形させる工程と、変形した前記液滴である前記転写材を転写面に凹部が設けられたテンプレートの前記転写面に接触させて前記凹部に充填する工程と、充填した前記転写材を硬化させる工程と、を備えたことを特徴とするインプリント方法が提供される。【選択図】  図１
2018088486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の主面の上に転写材を滴下して、前記転写材の液滴を形成する工程と、
前記液滴にガスを吹き付けて前記液滴を変形させる工程と、
変形した前記液滴である前記転写材を、転写面に凹部が設けられたテンプレートの前記
転写面に接触させて、前記凹部に充填する工程と、
充填した前記転写材を硬化させる工程と、
を備えたことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記転写材の前記液滴を形成する工程と、
前記液滴を変形させる工程と、
変形した前記液滴である前記転写材を、前記凹部に充填する工程と、
充填した前記転写材を硬化させる工程と、
を順に繰り返し実施することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。  
【請求項３】
所定領域について、
前記転写材の前記液滴を形成する工程と、
前記液滴を変形させる工程と、
を繰り返し実施した後、
変形した前記液滴である前記転写材を、前記凹部に充填する工程と、
充填した前記転写材を硬化させる工程と、を実施すること、
を特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記被処理基板の第１の領域において前記液滴の形成が実施されているときに、前記被
処理基板の第２の領域において前記液滴の変形が実施されることを特徴とする請求項１乃
至請求項３に記載のインプリント方法。  
【請求項５】
前記液滴を変形させる工程は、
第１のガスと第２のガスを混合したガスを吹き付けて前記液滴を変形させること、
を特徴とする請求項１乃至請求項４に記載のインプリント方法。  
【請求項６】
被処理基板が載置される基板ステージと、
転写面に凹部が設けられたテンプレートを保持するテンプレート保持部と、
前記基板ステージに載置された前記被処理基板の主面の上に転写材を滴下する滴下部と
、
前記転写材にガスを吹き付ける吹付部と、
前記被処理基板の前記主面と前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートの
前記転写面との距離を制御することにより、前記転写材と前記転写面とを接触させて、前
記転写材を前記テンプレートの前記凹部に充填させる距離制御部と、
前記テンプレートの前記凹部に充填された前記転写材に光を照射する光照射部と、
前記滴下部、前記吹付部、前記距離制御部、及び前記光照射部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント方法およびインプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System：微小電気機械システム）
装置や磁気記録装置などの微細構造を有する電子デバイスまたは磁気記録媒体の製造にお
いて、微細パターンを高生産性で形成する技術として、基板に原版の型を転写するインプ
リント法が注目されている。
【０００３】
インプリント法においては、転写すべきパターンを有するテンプレートと、基板上の転
写材とを接触させて、テンプレートの凹部に転写材を充填し、転写材を硬化させることに
より、基板上の転写材にテンプレートのパターンが転写される。
【０００４】
インプリント法においては、テンプレートの凹部へ転写材を欠陥なく、短時間で充填す
ることが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１４９８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、テンプレートの凹部への転写材の充填時間を短縮し、生産性を向
上したインプリント方法及びインプリント装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、被処理基板の主面の上に転写材を滴下して転写材の液滴を形成する
。液滴にガスを吹き付けて液滴を変形させる。変形した液滴である転写材を転写面に凹部
が設けられたテンプレートの転写面に接触させて凹部に充填する。充填した転写材を硬化
させる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係るインプリント装置の構成を例示する図。
【図２】第１の実施形態に係るインプリント処理の手順を例示するフローチャート。
【図３】第１の実施形態に係るインプリント処理を説明するための図。
【図４】第１の実施形態に係る液滴の状態を例示する図。
【図５】第１の実施形態に係るインプリント装置の一部の構成を例示する図。
【図６】第２の実施形態に係るインプリント処理の手順を例示するフローチャート。
【図７】第３の実施形態に係るインプリント処理の手順を例示するフローチャート。
【図８】第４の実施形態に係るインプリント処理の手順を例示するフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置
を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るインプリント装置の構成を例示する図である。
【００１１】
図１に示すように、インプリント装置２１０は、被処理基板２０が載置される基板ステ
ージ１２０と、テンプレート１０を保持するテンプレート保持部１１０と、基板ステージ
１２０に載置された被処理基板２０の主面２０ａの上に転写材を滴下する滴下部１３０と
、転写材にガスを吹き付ける吹付部１３１と、被処理基板２０の主面２０ａとテンプレー
ト１０の転写面１０ａとの距離を制御することにより、転写材と転写面１０ａとを接触さ
せて、転写材をテンプレート１０の凹部１２ｂに充填させる距離制御部１４０と、距離制
御部１４０を制御する制御部１５０と、テンプレート１０の凹部１２ｂに充填した転写材
を硬化させる光照射部１６０と、を備える。
【００１２】
被処理基板２０には、例えば半導体基板（ウェーハ）や、半導体層や導電層が設けられ
た絶縁基板や、ハードマスク層が設けられた基板など任意の基板を用いることができる。
テンプレート１０には、例えば石英などが用いられる。転写材には、例えば光硬化性樹脂
などが用いられる。
【００１３】
ここで、基板ステージ１２０の被処理基板２０が載置される面から、テンプレート保持
部１１０に保持されたテンプレート１０に向かう方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸の正の方向
が上方向であり、負の方向が下方向である。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方
向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１４】
基板ステージ１２０は、ステージ定盤１２３の上に設けられ、例えば、Ｘ軸方向に沿っ
て移動できる。基板ステージ１２０には基板吸着部１２１が設けられ、基板吸着部１２１
の上に被処理基板２０が載置され、基板吸着部１２１により被処理基板２０が基板ステー
ジ１２０の上に固定される。なお、基板ステージ１２０には、基板ステージ１２０の位置
を制御するための基準マーク台１２２が設けられている。
【００１５】
例えば、基板ステージ１２０がＸ軸方向に沿って移動し、被処理基板２０が滴下部１３
０の下方に配置され、被処理基板２０の主面２０ａに転写材が滴下される。そして、基板
ステージ１２０がＸ軸方向に沿って移動し、滴下された転写材が吹付部１３１の下方に配
置され、転写材にガスが吹き付けられる。
【００１６】
なお、滴下部１３０には、例えば、ピエゾ素子などを用いたインクジェット方式などの
液滴滴下装置を用いることができる。また、吹付部１３１には、スリット、ホールなどを
用いた吹付装置を用いることができる。
【００１７】
基板ステージ１２０がＸ軸方向に沿って元の位置に戻り、被処理基板２０の主面２０ａ
は、テンプレート保持部１１０に保持されたテンプレート１０の転写面１０ａと対向する
状態になる。
【００１８】
テンプレート保持部１１０は、ベース１１１に連結され、ベース１１１は距離制御部１
４０に連結されている。距離制御部１４０は、例えば、テンプレート保持部１１０をＺ軸
方向に移動させ、被処理基板２０の主面２０ａと、テンプレート１０の転写面１０ａと、
の距離を変化させ、転写材と転写面１０ａとを接触させる。なお、被処理基板２０の主面
２０ａと、テンプレート１０の転写面１０ａと、の相対的な位置が変更できればよく、距
離制御部１４０は、テンプレート保持部１１０及び基板ステージ１２０の少なくともいず
れかをＺ軸方向に沿って移動させる。
【００１９】
なお、ベース１１１にはアライメントセンサ１１２が付設されており、基板ステージ１
２０とテンプレート保持部１１０とのＸ−Ｙ平面内における位置が適切に制御され、その
結果、被処理基板２０とテンプレート１０とのＸ−Ｙ平面内における位置が適切に制御さ
れる。
【００２０】
被処理基板２０の上の転写材をテンプレート１０の凹部１２ｂに充填させ、テンプレー
ト１０の凹凸パターンに沿って転写材を変形させた状態で、光照射部１６０から光を出射
させて、テンプレート１０を介して転写材に光を照射し、転写材を硬化させる。その後、
テンプレート１０から転写材を離型する。これにより、テンプレート１０の凹凸の形状が
転写材に転写される。
【００２１】
図２は、第１の実施形態に係るインプリント処理の手順を例示するフローチャートであ
る。
【００２２】
図２に示すように、被処理基板２０の主面２０ａの上に転写材を滴下して、液滴を形成
する工程（ステップＳ１１０）と、液滴にガスを吹き付ける工程（ステップＳ１２０）と
、ガスを吹き付けた液滴である転写材を、転写面１０ａに凹部１２ｂが設けられたテンプ
レート１０の転写面１０ａに接触させて、凹部１２ｂに転写材を充填する工程（ステップ
Ｓ１３０）とを備える。
【００２３】
次に、インプリント処理の具体例について、図３及び図４を用いて説明する。
【００２４】
図３は、第１の実施形態に係るインプリント処理を説明するための図である。
【００２５】
図３（ａ）に示すように、テンプレート１０の転写面１０ａには、凹凸１２が設けられ
ている。凹凸１２は、凹部１２ｂと凸部１２ａとを含む。例えば、転写面１０ａに凹部１
２ｂが設けられるときは、凹部１２ｂ以外の部分が凸部１２ａと見なされ、転写面１０ａ
に凸部１２ａが設けられるときは、凸部１２ａ以外の部分が凹部１２ｂと見なされる。す
なわち、凹部１２ｂと凸部１２ａとは、互いに相対的なものである。このように、テンプ
レート１０の転写面１０ａには凹部１２ｂが設けられる。
【００２６】
例えば、テンプレート１０の転写面１０ａに対して垂直な方向がＺ軸方向に対応する。
テンプレート保持部１１０により、テンプレート１０の転写面１０ａが、Ｘ−Ｙ平面に平
行に配置される。
【００２７】
テンプレート１０において、凹部１２ｂは、転写面１０ａからＺ軸方向に沿って後退し
た部分である。
【００２８】
なお、テンプレート１０の凹凸１２は、転写材３０に転写されるべき形状を有している
。凹凸１２の形状（深さなども含む）は任意である。凹凸１２の凹部１２ｂ（及び凸部１
２ａ）の平面形状（Ｚ軸方向から見たときのパターン形状）は、例えば一方向に延在する
溝（トレンチ）状でもよく、長方形や正方形でもよく、扁平円状や円状でもよく、任意の
多角形状でもよく、任意である。
【００２９】
図３（ｂ）に示すように、被処理基板２０の主面２０ａの上に転写材３０が滴下（液滴
３０ｄ）され、その上方から、ガス３５が吹き付けられる。すると、図３（ｃ）に示すよ
うに、転写材３０が変形する（液滴３０ｅ）。例えば、液滴３０ｅは、液滴３０ｄよりも
、Ｚ方向で薄くなり、Ｘ−Ｙ方向に広がる。
【００３０】
ここで、転写材３０の状態について、図４を用いて説明する。
【００３１】
図４は、第１の実施形態に係る液滴の状態を例示する図である。
【００３２】
図４は、図３（ｂ）の転写材３０（液滴３０ｄ）、図３（ｃ）の転写材３０（液滴３０
ｅ）の状態を示す。また図４は、液滴３０ｄ、液滴３０ｅをＺ方向から見た図である。
【００３３】
図４（ａ）に示すように、転写材３０が滴下（液滴３０ｄ）される。
【００３４】
次に、液滴３０ｄの上方から、ガス３５が吹き付けられる。すると、図４（ｂ）に示す
ように、ガス３５の圧力で、Ｘ−Ｙ方向に広がる（液滴３０ｅ）。そして、図４（ｃ）に
示すように液滴３０ｅがさらに広がる。
【００３５】
次に、図３（ｄ）に示すように、被処理基板２０の主面２０ａの上に設けられた転写材
３０に対して、テンプレート１０の転写面１０ａ（凹部１２ｂが設けられている面）が対
向するように、テンプレート１０が配置される。なお、この状態においては、転写材３０
は液体である。
【００３６】
そして、図３（ｅ）に示すように、被処理基板２０とテンプレート１０との距離を縮め
、テンプレート１０の転写面１０ａと、転写材３０と、を互いに接触させる。転写材３０
は液体であるため、例えば毛細管現象により、転写材３０は凹部１２ｂの中に進入し、凹
部１２ｂが転写材３０によって充填される。これにより、転写材３０の形状は、凹部１２
ｂ（及び凸部１２ａ）の形状に沿った形状に変化する。この状態で、転写材３０を硬化さ
せることで、転写材３０に凹部１２ｂのパターン（テンプレート１０の凹凸１２のパター
ン形状）が転写される。転写材３０には光硬化性樹脂を用い、硬化が進行する光３６を照
射する。
【００３７】
ここで、転写材３０として、アクリルモノマーを主成分とする紫外線硬化樹脂（粘度１
０程度）を用いたが、これに限らない。また、光３６としては、例えば、３００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度の波長の紫外光を用いることができる。
【００３８】
これにより、液体（液滴）である転写材３０が硬化した転写硬化層３１が形成され、転
写硬化層３１の表面には、テンプレート１０の凹部１２ｂの形状が転写される。
【００３９】
そして、図３（ｆ）に示すように、被処理基板２０とテンプレート１０との間の距離を
拡大し、転写硬化層３１とテンプレート１０とを互いに離間させる。これにより、テンプ
レート１０の凹凸１２の形状が転写材３０（転写硬化層３１）に転写される。
【００４０】
なお、図３（ｅ）に例示した工程において、テンプレート１０の凸部１２ａと、被処理
基板２０とは完全には接触せず、テンプレート１０と被処理基板２０との間に転写材３０
が存在し、テンプレート１０と被処理基板２０との間の部分にも転写硬化層３１が形成さ
れ、残膜が形成されることがある。
【００４１】
この場合には、図３（ｇ）に示すように、転写硬化層３１の全体を、例えば異方性のＲ
ＩＥ（Reactive Ion Etching）などよってエッチバックし、上記の残膜を除去することが
できる。このようにして、凹部１２ｂのパターンを転写材３０に転写するインプリント工
程が終了する。
【００４２】
次に、図５を用いて、滴下部１３０と吹付部１３１について説明する。
【００４３】
図５は、第１の実施形態に係るインプリント装置の一部の構成を例示する図である。こ
こでは、分かりやすくするため、簡易的に示している。また、図１とは、滴下部１３０と
吹付部１３１と位置関係が逆であるが、どちらでもよい。
【００４４】
図５に示すように、滴下部１３０は、滴下口１３０ａを有する箱状に形成されている。
滴下部１３０は、ピエゾ素子などを用いたインクジェット方式が用いられ、滴下口１３
０ａから転写材３０（液滴３０ｄ）が滴下される。このとき、滴下部１３０は、図示しな
い滴下情報（ドロップレシピ）に基づいて、転写材３０（液滴３０ｄ）を滴下することが
できる。
【００４５】
また、滴下部１３０は、制御部１５０に制御される。
【００４６】
次に、転写材３０（液滴３０ｄ）が滴下された後、基板ステージ１２０が移動し、被処
理基板２０が吹付部１３１の下方に配置される。そして、吹付部１３１から転写材３０（
液滴３０ｄ）にガス３５が吹き付けられる。すると、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すよう
に、転写材３０（液滴３０ｄ）がガスの圧力によりＸ−Ｙ方向に広がる（液滴３０ｅ）。
【００４７】
吹付部１３１は、吹付口１３１ａを有する箱状に形成されている。また、吹付部１３１
は、図示しないガス供給部を保持している。ガス３５は、ポンプ等によりガス供給管３７
を介して吹付部１３１に供給される。供給されたガス３５は、吹付口１３１ａから吹き出
す。
【００４８】
ここで、吹付口１３１ａは、スリット、ホールなどを用いることができる。スリットを
用いた場合には、ガス３５は、エアーカーテン状に吹き出す。
【００４９】
また、吹付口１３１ａは、図５に示すように、先端が細くなる形状でもよい。
【００５０】
また、吹付口１３１ａと被処理基板２０の主面２０ａとの離間距離Ｈ１は、例えば数百
μｍ程度である。また、被処理基板２０に対してガス３５を吹き付ける方向ベクトルと被
処理基板２０がなすＸ−Ｙ平面方向のベクトルとのなす角である吹付角度θ１は、例えば
９０度程度である。吹付角度θ１は、図示しない支持部に角度調整機構を設けることで調
整可能である。
【００５１】
なお、滴下部１３０及び吹付部１３１は、図示しない支持部により固定されてもよいし
、分離されていてもよい。
【００５２】
さらに、吹付部１３１は、図示しない滴下情報（ドロップレシピ）を参照し、滴下部１
３０が滴下した液滴３０ｄの位置近くにガス３５を吹き付けることもできる。
【００５３】
また、吹付部１３１は、制御部１５０に制御される。
【００５４】
なお、制御部１５０は、離間距離Ｈ１、吹き付け位置、ガス３５の風量、ガス３５の吹
き付けタイミング、吹付部１３１と被処理基板２０の相対速度等を制御する。
【００５５】
また、制御部１５０は、ある領域（第１の領域）において液滴３０ｄの形成が実施され
ているときに、他の領域（第２の領域）において液滴３０ｄの変形（ガス３５の吹き付け
）が実施されてもよい。
【００５６】
また、吹き付けるガス３５は、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ２）、アルゴン（
Ａｒ）等の酸素を含まない不活性ガスを使用することができる。また、例えば、凝縮性を
持つペンタフルオロプロパン等を使用してもよい。
【００５７】
また、ガス３５を吹き付ける方向は、上方からでも、斜めからでも、横からでもよい。
【００５８】
さらに、ガス３５（第１のガス）に、転写材３０との濡れ性がよい（馴染み易い）ガス
（第２のガス）を混入させてもよい。具体的には、転写材３０を溶解できる有機溶媒（シ
ンナー）の蒸気を数％から数十％混入させる。
【００５９】
これによって、液滴３０ｄは、さらにＸ−Ｙ方向に広がり（液滴３０ｅ）やすくなる。
【００６０】
このように、第１の実施形態では、被処理基板２０の主面２０ａの上に転写材３０を滴
下（液滴３０ｄ）して、液滴３０ｄにガス３５を吹き付け、液滴３０ｄを広げる。広げた
液滴３０ｅを、テンプレート１０の転写面１０ａに接触させて、転写材３０を凹部１２ｂ
に充填する。
【００６１】
広げた液滴３０ｅは、凹部１２ｂに対し、毛細管現象による充填がしやすいため、充填
時間を短縮し、生産性の向上ができる。
【００６２】
また、充填時間の短縮の他に、残膜の厚さを高精度に制御でき、転写材３０（転写硬化
層３１）のパターン精度を向上できる。
【００６３】
さらに、ガス３５に、第２のガスを加えることで、液滴３０ｄが広がりやすくなり、充
填時間を短縮し、生産性の向上ができる。
【００６４】
（第２の実施形態）
次に、図６を用いて第２の実施形態について説明する。
【００６５】
図６は、第２の実施形態に係るインプリント処理の手順を例示するフローチャートであ
る。
【００６６】
まず、テンプレート１０をロードし、テンプレート保持部１１０にセットする（ステッ
プＳ１０１）。そして、被処理基板２０（例えばウェーハ）をロードし、基板ステージ１
２０にセットする（ステップＳ１０２）。そして、テンプレート１０をアライメントする
（ステップＳ１０３）。そして、基板ステージ１２０を移動して（ステップＳ１０４）、
被処理基板２０を滴下部１３０の下方に配置させる。そして、転写材３０を滴下して被処
理基板２０の主面２０ａの上に液滴３０ｄを形成する（ステップＳ１１０）。そして、基
板ステージ１２０を移動して（ステップＳ１１１）、被処理基板２０を吹付部１３１の下
方に配置させる。そして、液滴３０ｄにガス３５を吹き付ける（ステップＳ１２０）。こ
こで、ガス３５を吹き付けるときには、被処理基板２０は、動いていても、停止していて
もよい。（つまり、吹付部１３１と被処理基板２０は、相対的に動きながらガス３５を吹
き付けてもよい。また、吹付部１３１が、液滴３０ｄの位置で停止した状態で吹き付けて
もよい。）
【００６７】
そして、基板ステージ１２０を移動し（ステップＳ１２１）、被処理基板２０とテンプ
レート１０のアライメントを実施する（ステップＳ１２２）。そして、ガス３５を吹き付
けられＸ−Ｙ方向に広がった液滴３０ｅである転写材３０を、テンプレート１０の転写面
１０ａに接触させて、テンプレート１０の凹部１２ｂに充填する（ステップＳ１３０）。
そして、その状態で、転写材３０を硬化させる（ステップＳ１５０）。そして、テンプレ
ート１０を離型する（ステップＳ１６０）。そして、被処理基板２０の全領域に上記の工
程が実施されたか（全ショットが終了したか）否かが判定され（ステップＳ１７１）、未
終了の場合は、ステップＳ１０４に戻り上記の工程を繰り返す。そして、終了したときは
、被処理基板２０をアンロードし（ステップＳ１７２）、終了する。ここでは、１つのテ
ンプレートの範囲を１ショットとする。
【００６８】
このように、第２の実施形態によれば、ステップＳ１１０において液滴３０ｄを形成し
、ステップＳ１２０において液滴３０ｄにガス３５を吹き付け、液滴３０ｄを広げる。そ
して、ステップＳ１３０で、広がった液滴３０ｅである転写材を、テンプレート１０の転
写面１０ａに接触させて、テンプレート１０の凹部１２ｂに充填する。そして、ステップ
Ｓ１５０において転写材３０を硬化させる。そして、これらを繰り返し行う。
【００６９】
つまり、１ショット分の液滴３０ｅを繰り返し硬化させる。
【００７０】
よって、広がった液滴３０ｅは、凹部１２ｂに対し、毛細管現象による充填がしやすい
ため、充填時間を短縮し、生産性の向上ができる。
【００７１】
また、充填時間の短縮の他に、残膜の厚さを高精度に制御でき、転写材３０（転写硬化
層３１）のパターン精度を向上できる。
【００７２】
（第３の実施形態）
次に、図７を用いて第３の実施形態について説明する。
【００７３】
第２の実施形態に係る図６に示すインプリント処理では、液滴３０ｄを形成し、ガス３
５を吹き付け、凹部１２ｂに広がった液滴３０ｅである転写材３０を充填し、硬化させる
。この工程を１ショット毎に繰り返し行う。
【００７４】
一方、第３の実施形態に係る図７に示すインプリント処理では、液滴３０ｄを形成し、
ガス３５を吹き付ける。そして、この工程を所定領域が終了するまで繰り返し行う。その
後、広がった液滴３０ｅである転写材３０を凹部１２ｂに充填し、硬化させる。そして、
全領域が終了するまで繰り返し行う。
【００７５】
つまり、所定領域毎、または複数ショット毎に液滴３０ｅを広げた後、硬化させる。
【００７６】
図７は、第３の実施形態に係るインプリント処理の手順を例示するフローチャートであ
る。図６と同じ工程については、説明を省略する。
【００７７】
ステップＳ１０１からステップＳ１１１までを行い、被処理基板２０を吹付部１３１の
下方に配置させる。そして、液滴３０ｄにガス３５を吹き付ける（ステップＳ１２０）。
そして、被処理基板２０の所定の領域にステップＳ１２０までの工程が実施されたか（所
定領域の全ショットが終了したか）否かが判定される（ステップＳ１４１）。未終了の場
合（ステップＳ１４１のＮＯ）は、ステップＳ１０４に戻り再度ステップＳ１２０までの
工程を繰り返す。そして、所定領域の全ショットが終了したとき（ステップＳ１４１のＹ
ＥＳ）は、基板ステージ１２０を移動し（ステップＳ１２１）、被処理基板２０とテンプ
レート１０のアライメントを実施する（ステップＳ１２２）。そして、ガス３５を吹き付
けられＸ−Ｙ方向に広がった液滴３０ｅである転写材３０を、テンプレート１０の転写面
１０ａに接触させて、テンプレート１０の凹部１２ｂに充填する（ステップＳ１３０）。
そして、その状態で、転写材３０を硬化させる（ステップＳ１５０）。そして、テンプレ
ート１０を離型する（ステップＳ１６０）。そして、被処理基板２０の全領域に上記の工
程が実施されたか（全ショットが終了したか）否かが判定され（ステップＳ１７１）、未
終了の場合（ステップＳ１７１のＮＯ）は、ステップＳ１０４に戻り上記の工程を繰り返
す。そして、終了したとき（ステップＳ１７１のＹＥＳ）は、被処理基板２０をアンロー
ドし（ステップＳ１７２）、終了する。
【００７８】
このように、第３の実施形態によれば、ステップＳ１１０において液滴３０ｄを形成し
、ステップＳ１２０において液滴３０ｄにガス３５を吹き付け、液滴３０ｄを広げる。こ
のことを繰り返すことによって、所定領域に液滴３０ｅが広がる。
【００７９】
これらの工程が終了した後、ステップＳ１３０で、広がった液滴３０ｅである転写材を
、テンプレート１０の転写面１０ａに接触させて、テンプレート１０の凹部１２ｂに充填
する。そして、ステップＳ１５０において転写材３０を硬化させる。
【００８０】
つまり、所定領域に液滴３０ｅが広がった後、テンプレート１０の転写面１０ａに接触
させて、凹部１２ｂに転写材３０を充填し、硬化させる。
【００８１】
広がった液滴３０ｅは、凹部１２ｂに対し、毛細管現象による充填がしやすいため、充
填時間を短縮し、生産性の向上ができる。
【００８２】
また、充填時間の短縮の他に、残膜の厚さを高精度に制御でき、転写材３０（転写硬化
層３１）のパターン精度を向上できる。
【００８３】
さらに、液滴３０ｄの形成（ステップＳ１１０）とガス３５の吹き付け（ステップＳ１
２０）を実施し、その後に転写（ステップＳ１２１、ステップＳ１２２、ステップＳ１３
０、ステップＳ１５０及びステップＳ１６０）を実施することで、基板ステージの移動（
ステップＳ１０４、ステップＳ１１１、ステップＳ１２１）の距離を削減することができ
、生産性を向上させることができる。
【００８４】
具体的には、基板ステージの移動（ステップＳ１０４）は、次のようになる。
【００８５】
実施形態１及び実施形態２において、３００ｍｍウェーハの場合、テンプレート１０の
中心から滴下部１３０まで２００ｍｍ程度の移動をショット数分だけ繰り返す。
【００８６】
これに対し、実施形態３では、最初の１回は、テンプレート１０の中心から滴下部１３
０まで２００ｍｍ程度の移動をするが、その後は滴下工程を繰り返す。つまり、続けて隣
のショットに滴下する場合には、移動距離はショットサイズ分だけになる。よって、移動
距離が短縮され、更なる生産性の向上ができる。
【００８７】
なお、液滴３０ｄにガス３５を吹き付ける回数は、１回がよい。このためには、制御部
１５０は、基板ステージ１２０の動作に合わせて、吹付部１３１の動作のタイミングを制
御すればよい。
【００８８】
例えば、縦一列または横一列に配置された所定領域に液滴３０ｄの形成（ステップＳ１
１０）をする場合、まず、基板ステージ１２０を滴下部１３０に移動させながら（ステッ
プＳ１０４）、所定領域に液滴３０ｄの形成（ステップＳ１１０）をする。このとき、吹
付部１３１のガス３５の吹き付け（ステップＳ１２０）は実施しない。その後、基板ステ
ージ１２０をテンプレート１０の下に移動させる（ステップＳ１２１）際に、吹付部１３
１からガス３５の吹き付け（ステップＳ１２０）を実施すれば、液滴３０ｄには、ガス３
５が１回だけ吹き付けられることになる。特段の問題が無い場合は、液滴３０ｄにガス３
５を２回以上吹き付けてもよい。
【００８９】
（第４の実施形態）
次に、図８を用いて第４の実施形態について説明する。
【００９０】
第４の実施形態に係るインプリント処理では、液滴３０ｄの形成とガス３５の吹き付け
を所定領域が終了するまで繰り返し行う。その後、広がった液滴３０ｅである転写材３０
を凹部１２ｂに充填し、硬化させる。そして、全領域が終了するまで繰り返し行う。
【００９１】
つまり、第４の実施形態においては、所定領域毎、または複数ショット毎に行う。
【００９２】
図８は、第４の実施形態に係るインプリント処理の手順を例示するフローチャートであ
る。
【００９３】
図６及び図７と同じ工程については、説明を省略する。
【００９４】
まず、ステップＳ１０１からステップＳ１０３までの工程を行い、基板ステージ１２０
を移動して（ステップＳ１０４）、被処理基板２０を滴下部１３０の下方に配置させる。
そして、基板ステージ１２０を移動させながら、転写材３０を滴下して被処理基板２０の
主面２０ａの上に液滴３０ｄを形成する（ステップＳ１１０）。さらに、基板ステージ１
２０を移動させながら、被処理基板２０を吹付部１３１の下方に配置させ、液滴３０ｄに
ガス３５を吹き付ける（ステップＳ１２０）。これらの工程は、基板ステージ１２０を移
動させながら、所定領域（複数の領域）に対して実施する。すなわち、ある領域（第１の
領域）で液滴の形成ステップＳ１１０が行われている時に、それ以前に液滴の形成ステッ
プＳ１１０がなされた他の領域（第２の領域）でガスの吹き付けステップＳ１２０が同時
または連続して実施されることがある。そして、被処理基板２０の所定の領域にステップ
Ｓ１１０及びステップＳ１２０の工程が実施されたか（所定領域の全ショットが終了した
か）否かが判定される（ステップＳ１４１）。未終了の場合（ステップＳ１４１のＮＯ）
は、ステップＳ１０４に戻り再度ステップＳ１２０までの工程を繰り返す。そして、所定
領域の全ショットが終了したとき（ステップＳ１４１のＹＥＳ）は、基板ステージ１２０
を移動し（ステップＳ１２１）、被処理基板２０とテンプレート１０のアライメントを実
施する（ステップＳ１２２）。そして、ガス３５を吹き付けられＸ−Ｙ方向に広がった液
滴３０ｅである転写材３０を、テンプレート１０の転写面１０ａに接触させて、テンプレ
ート１０の凹部１２ｂに充填する（ステップＳ１３０）。そして、その状態で、転写材３
０を硬化させる（ステップＳ１５０）。そして、テンプレート１０を離型する（ステップ
Ｓ１６０）。そして、被処理基板２０の全領域に上記の工程が実施されたか（全ショット
が終了したか）否かが判定され（ステップＳ１７１）、未終了の場合（ステップＳ１７１
のＮＯ）は、ステップＳ１０４に戻り上記の工程を繰り返す。そして、終了したとき（ス
テップＳ１７１のＹＥＳ）は、被処理基板２０をアンロードし（ステップＳ１７２）、終
了する。
【００９５】
このように、第４の実施形態に係るインプリント処理では、液滴３０ｄの形成とガス３
５の吹き付けを所定領域が終了するまで繰り返し行う。
【００９６】
その後、ステップＳ１３０で広がった液滴３０ｅである転写材３０をテンプレート１０
の転写面１０ａに接触させて、テンプレート１０の凹部１２ｂに充填し、硬化させる。そ
して、全領域が終了するまで繰り返し行う。
【００９７】
よって、広がった液滴３０ｅは、凹部１２ｂに対し、毛細管現象による充填がしやすい
ため、充填時間を短縮し、生産性の向上ができる。
【００９８】
また、充填時間の短縮の他に、残膜の厚さを高精度に制御でき、転写材３０（転写硬化
層３１）のパターン精度を向上できる。
【００９９】
さらに、液滴３０ｄの形成（ステップＳ１１０）とガス３５の吹き付け（ステップＳ１
２０）を同時または連続して実施し、その後に転写（ステップＳ１２１、ステップＳ１２
２、ステップＳ１３０、ステップＳ１５０及びステップＳ１６０）を実施することで、基
板ステージの移動（ステップＳ１０４）の回数を削減することができ、生産性を向上させ
ることができる。
【０１００】
なお、液滴３０ｄにガス３５を吹き付ける回数は、１回がよい。このためには、制御部
１５０は、基板ステージ１２０の動作に合わせて、吹付部１３１の動作のタイミングを制
御すればよい。
【０１０１】
例えば、縦一列または横一列に配置された所定領域に液滴３０ｄの形成（ステップＳ１
１０）をする場合、まず、基板ステージ１２０を滴下部１３０に移動させながら（ステッ
プＳ１０４）、所定領域に液滴３０ｄの形成（ステップＳ１１０）をする。このとき、吹
付部１３１のガス３５の吹き付け（ステップＳ１２０）は実施しない。その後、基板ステ
ージ１２０をテンプレート１０の下に移動させる（ステップＳ１２１）際に、吹付部１３
１からガス３５の吹き付け（ステップＳ１２０）を実施すれば、液滴３０ｄには、ガス３
５が１回だけ吹き付けられることになる。特段の問題が無い場合は、液滴３０ｄにガス３
５を２回以上吹き付けてもよい。
【０１０２】
なお、本発明の各実施形態において、半導体装置（半導体集積回路）が製造される際、
基板の表面に転写硬化層３１（レジストパターン）を形成するリソグラフィ工程（インプ
リント工程）、レジストパターンをエッチングマスクとして機能膜をエッチング加工する
ことにより基板上にパターン（薄膜パターン）を形成するエッチング工程と、を繰り返し
て、複数の異なるパターン（薄膜パターン）を基板上に積み重ねて形成することにより製
造される。
【０１０３】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけ
ではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実
質的に平行であれば良い。
【０１０４】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は
、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、インプリント方法に用いられるテ
ンプレート、被処理基板及び転写材等、並びに、インプリント装置に含まれる基板ステー
ジ、テンプレート保持部、滴下部、吹付部、距離制御部、制御部及び光照射部等、各要素
の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同
様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１０５】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも
、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１０６】
その他、本発明の実施の形態として上述したインプリント方法及びインプリント装置を
基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのインプリント方法及びインプリン
ト装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１０７】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想
到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了
解される。
【０１０８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したも
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
【符号の説明】
【０１０９】
１０…テンプレート、  １０ａ…転写面、  １２…凹凸、  １２ａ…凸部、  １２ｂ…
凹部、  ２０…被処理基板、  ２０ａ…主面、  ３０…転写材、  ３０ｄ…液滴、  ３０
ｅ…液滴、  ３１…転写硬化層、  ３５…ガス、  ３６…光、  １１０…テンプレート保
持部、  １１１…ベース、  １１２…アライメントセンサ、  １２０…基板ステージ、  
１２１…基板吸着部、  １２２…基準マーク台、  １２３…ステージ定盤、  １３０…滴
下部、  １３１…吹付部、  １３１ａ…吹付口、  １４０…距離制御部、  １５０…制御
部、  １６０…光照射部
【図１】
2018088486.tif 000003
【図２】
2018088486.tif 000004
【図３】
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【図４】
2018088486.tif 000006
【図５】
2018088486.tif 000007
【図６】
2018088486.tif 000008
【図７】
2018088486.tif 000009
【図８】
2018088486.tif 000010