【事件の表示】
　特願２００６−１９７５３０号「フォトマスクブランクス」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月　７日出願公開、特開２００８−　２６５００号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年７月２０日の出願であって、平成２３年７月８日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１２日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２４年７月３日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年８月３１日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、平成２５年６月２８日付けで平成２４年８月３１日付けの手続補正の補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、請求と同時に同時に手続補正がなされ、その後、平成２６年１月８日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年３月１３日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２５年９月２４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年９月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「ハーフピッチ６５ｎｍ以降の半導体デバイスの高集積化、超微細化を実現するためのフォトマスクを製造するための、透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成された、フォトマスクブランクスであって、前記遮光膜は、ハーフトーン材料膜上に積層して形成され、且つ、前記遮光膜上に非感光性のシリコン系ポリマー層がスピン塗布形成されており、前記遮光膜は、クロムを主成分とし、前記シリコン系ポリマー層は、有機基を有し、塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きいもので、前記ハーフトーン材料膜は、フッ素系ガスによりドライエッチングできる化合物を主成分とするものであることを特徴とするフォトマスクブランクス。」
と補正された。
　
　本件補正は、平成２３年９月１２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項２に記載した発明を特定するために必要な事項である「透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成された、フォトマスクブランクス」について、「ハーフピッチ６５ｎｍ以降の半導体デバイスの高集積化、超微細化を実現するためのフォトマスクを製造するための」ものであることを限定し、また、「シリコン系ポリマー層」は「塗布形成」するものであったものを「スピン塗布形成」するものに限定し、また、「遮光膜」について「クロムを主成分と」するものに限定し、さらに、「ハーフトーン材料膜」について、「フッ素系ガスによりドライエッチングできる化合物を主成分とするもの」に限定する補正を含むものであるから、この補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（２）引用例
（ａ）引用例１
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である再公表特許第２００４／０９０６３５号（以下「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
記載事項ア
「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
本発明は、半導体集積回路や液晶表示装置等の製造において使用されるフォトマスクの製造方法、及びこれに用いられるフォトマスクブランクに関する。」（第５頁第２２〜２５行）
　
記載事項イ
「ところで、近年においては、半導体装置のさらなる高集積化が進んており、その線幅も、１３０ｎｍまでの線幅から、９０ｎｍ、６５ｎｍ、さらには４５ｎｍの線幅が検討され、パターンの高密度化も進んでいる。そのため、フォトマスクのパターンも、さらに微細化され、そのＣＤ精度についてもますます厳しい要求値が求められている傾向にある。」（第７頁第１２〜１５行）
　
記載事項ウ
「さらに、位相シフトマスクを製造する場合においては、エッチングマスクとなる遮光膜のパターン形状が、位相シフト材料層のパターン形状にそのまま反映されてしまうため、遮光膜パターンの寸法制御が非常に重要な役割を果たす。特に、位相シフトマスクは、バイナリマスクに比べ、半導体装置におけるパターンの微細化に効果的なマスクである。そして、近年において、さらにパターンの微細化が進んでいることから、位相シフト材料層のさらに厳しい寸法精度が要求されている。」（第７頁第２８〜３３行）
　
記載事項エ
「前記無機系材料からなるエッチングマスク用膜は、モリブデン、シリコン、タンタル、タングステンのうち何れか一つを少なくとも含む材料からなることが望ましい。」（第９頁第１７〜１９行）
　
記載事項オ
「〔第１実施例〕
　図１を参照して、本発明の第１実施例によるフォトマスクの製造方法について説明する。
まず、石英からなる基板を鏡面研磨し所定の洗浄を施すことにより、６インチ×６インチ×０．２５インチの透光性基板１を得た。
　次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタ装置を用いて、透光性基板１の上に遮光性クロム膜２を成膜した（図１（ａ）参照）。
　具体的には、まず、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ２＝７２：２８［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、膜厚２０［ｎｍ］のＣｒＮ膜を成膜した。
　続けて、アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ４）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：ＣＨ４＝９６．５：３．５［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、ＣｒＮ膜の上に、膜厚３７［ｎｍ］のＣｒＣ膜を成膜した。
　続けて、アルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素（ＮＯ）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：ＮＯ＝８７．５：１２．５［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、ＣｒＮ膜の上に、膜厚が１５［ｎｍ］のＣｒＯＮ膜を成膜した。
　以上のＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜は、インラインスパッタ装置を用いて連続的に成膜されたものであり、これらＣｒＮ、ＣｒＣ、及びＣｒＯＮを含んでなる遮光性クロム膜２は、その厚み方向に向かって当該成分が連続的に変化して構成されている。
　
次いで、遮光性クロム膜２の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０［ｍｏｌ％］）を用いて、
反応性スパッタリングを行うことにより、
ＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３を成膜した
　次いで、無機系エッチングマスク用膜３の上に、ポジ型電子線レジスト４（ＺＥＰ７０００：日本ゼオン社製）をスピンコート法により膜厚が４００［ｎｍ］となるように塗布した（図１（ｃ）参照）。
　以上により、透光性基板１上に、遮光性クロム膜２と、ＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３と、レジスト４が順次形成されたフォトマスクブランク１１を準備した。
　次いで、レジスト４に対し、日本電子社製のＪＢＸ９０００によって電子線描画し、現像して、図２に示すようなレジストパターン４１（０．４μｍのライン＆スペース）を形成した（図１（ｄ）参照）。
　作成したレジストパターン４１は、面内に同一パターンからなるＡ部とＢ部を有し、Ａ部を含む所定面積の領域は周囲のレジストが除去されずに表面に残っており、Ｂ部を含む同じ所定面積の領域（図上白色の部分）は周囲のレジストが除去されて表面に無機系エッチングマスク用膜３が現れている。つまり、Ａ部とＢ部のパターンを比較することで、マスク面内において大域的な開口率差を有するパターン領域が混在する場合のＣＤ特性を評価することができる。
　そして、得られたレジストパターン４１の寸法を、ホロン社製ＣＤ−ＳＥＭ（ＥＭＵ−２２０）を用いてＡ部およびＢ部においてそれぞれ測定した。
　次いで、レジストパターン４１をマスクにして、無機系エッチングマスク用膜３を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、圧力：５［ｍｍＴｏｒｒ］の条件にてイオン性主体のドライエッチングを行い、無機系エッチングマスクパターン３１を形成した（図１（ｅ）参照）。
　
次いで、レジストパターン４１及び無機系エッチングマスクパターン３１をマスクにして、遮光性クロム膜２を、Ｃｌ
２
とＯ
２
の混合ガスを用い、
ドライエッチングを行い、遮光性クロムパターン２１を形成した
　次いで、レジストパターン４１及び無機系エッチングマスクパターン３１を剥離し、しかる後、所定の洗浄を施してフォトマスク１０を得た（図１（ｇ）参照）。
　そして、得られた遮光性クロムパターン２１の寸法を、レジストパターン４１と同様にＣＤ−ＳＥＭを用いてＡ部およびＢ部においてそれぞれ測定した。その結果、Ａ部とＢ部における寸法変換差（レジストパターン４１と遮光性クロムパターン２１の寸法差）の差は、驚くべきことに５ｎｍであり、極めて良好なＣＤ特性でフォトマスク１０を製造することができた。」（第１４頁第１４行〜第１５頁第２０行）
　
記載事項カ
「〔第３実施例〕
　図３を参照して、
本発明の第３実施例によるフォトマスクの製造方法について説明する。
　まず、石英からなる基板を鏡面研磨し所定の洗浄を施すことにより、６インチ×６インチ×０．２５インチの透光性基板１を得た。
　次いで、
透光性基板１の上に、
ＭｏＳｉＮ系の半透光性の位相シフト膜５を成膜した
　
次いで、
位相シフト膜５の上にＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる遮光性クロム膜２を成膜した
　
次いで、遮光性クロム膜２の上に、第１実施例と同様の方法で、
ＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３を成膜した
　
次いで、無機系エッチングマスク用膜３の上に、
レジスト４を
塗布した
　以上により、透光性基板１上に、ＭｏＳｉＮ系材料からなる半透光性の位相シフト膜５と、Ｃｒ系材料からなる遮光性クロム膜２と、ＭｏＳｉＮ系材料からなる無機系エッチングマスク用膜３と、レジスト４が順次形成された
ハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１
　次いで、
レジスト４に対し、
電子線描画し、現像して、
レジストパターン４１
を形成し、
　
次いで、
レジストパターン４１をマスクにして、無機系エッチングマスク用膜３のドライエッチングを行い、無機系エッチングマスクパターン３１を形成した
　
次いで、第１実施例と同様の方法で、レジストパターン４１及び無機系エッチングマスクパターン３１をマスクにして、遮光性クロム膜２のドライエッチングを行い、遮光性クロムパターン２１を形成した
　
次いで、レジストパターン４１、無機系エッチングマスクパターン３１、及び遮光性クロムパターン２１をマスクにして、位相シフト膜５を、ＳＦ
６
とＨｅの混合ガスを用い、
ドライエッチングを行い、位相シフトパターン５１を形成した
　次いで、レジストパターン４１及び無機系エッチングマスクパターン３１を剥離し、続いて転写パターン領域付近の遮光性クロムパターン２１を剥離し（転写パターン領域上であってフォトマスクを使用した露光工程を考慮した際、残した方が良い部分の遮光性クロムパターンは残しても良い）、しかる後、所定の洗浄を施して、
ハーフトーン位相シフト型のフォトマスク１０（ハーフトーン位相シフトマスク）を得た
　そして、得られた位相シフトパターン５１の寸法を、レジストパターン４１と同様にＣＤ−ＳＥＭを用いてＡ部およびＢ部においてそれぞれ測定した。その結果、Ａ部とＢ部における寸法変換差（レジストパターン４１と位相シフトパターン５１の寸法差）の差は、驚くべきことに４ｎｍであり、極めて良好なＣＤ特性のハーフトーン位相シフトマスクを製造することができた。」（第１７頁第７行〜第１８頁第６行）
　
　上記記載事項アないしカの記載内容及び図示内容からして、引用例１には、
「透光性基板１の上に、ＭｏＳｉＮ系の半透光性の位相シフト膜５を成膜し、次いで、位相シフト膜５の上にＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる遮光性クロム膜２を成膜し、次いで、遮光性クロム膜２の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲットを用いて、反応性スパッタリングを行うことにより、ＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３を成膜し、次いで、無機系エッチングマスク用膜３の上に、レジスト４を塗布した、フォトマスクを製造するためのハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１であって、ハーフトーン位相シフト型のフォトマスク１０を得る際に、レジスト４に対し電子線描画し、現像してレジストパターン４１を形成し、次いで、レジストパターン４１をマスクにして、無機系エッチングマスク用膜３のドライエッチングを行い、無機系エッチングマスクパターン３１を形成し、次いで、レジストパターン４１及び無機系エッチングマスクパターン３１をマスクにして、遮光性クロム膜２を、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスを用いてドライエッチングを行い、遮光性クロムパターン２１を形成し、次いで、レジストパターン４１、無機系エッチングマスクパターン３１、及び遮光性クロムパターン２１をマスクにして、位相シフト膜５を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、ドライエッチングを行い、位相シフトパターン５１を形成する、ハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（ｂ）引用例２
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−１３８２５６号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項キ
「［発明の概要］
　上記目的を達成するため、本発明によれば、マスク基板としてマスク母材上に形成された遮光層上に、更に、該遮光層のパターニング工程におけるエッチング条件に対して耐性を有する薄膜層を積層せしめたものを使用し、該薄膜層上にレジストパターンを形成し、次いでこのレジストパターンをマスクとして該薄膜層をエッチングし、更に、該薄膜層のパターンをマスクとして前記遮光層をエッチングし、遮光層パターンを形成するようにしている。
［発明の効果］
　本発明のマスクパターンの形成方法によれば、従来法では限界とみられていたレジストパターンと遮光パターンとのパターン変換差を飛躍的に低減することが可能となった。
　また、比較的ドライエッチング耐性の小さいレジストを用いても薄膜層（被覆層）が耐性を有しているため、レジストパターンに忠実で、寸法精度および断面プロファイルの良好な遮光層のパターン形成が可能となる。」（第３頁右下欄第６行〜第４頁左上欄第６行）
　
記載事項ク
「［発明の実施例］
　以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に説明する。
　第１図は、本発明実施例のマスク基板の断面図を示すもので、このマスク基板は、低膨張ガラスからなるマスク母材11上に、遮光層としての膜厚８００Åのクロム膜12および微細パターン形成用薄膜としての膜厚約１００Åのタンタル薄膜13を順次積層せしめたものである。なお、該タンタル薄膜13は、クロム膜12のパターニングのためのドライエッチング工程で用いられる四塩化炭素等の塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスに対して著しい耐性を有する。
　また、このマスク基板の形成は、マスク母材11上に、スパッタ蒸着法を用いてクロム膜、タンタル薄膜を順次積層せしめることによってなされる。
　次にこのマスク基板を用いた高精度マスクの形成方法について説明する。
　まず、該マスク基板上に、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）膜14を形成した後、加速電圧５０ＫＶ、照射量５０μＣ／ｃｍ２の電子ビーム照射を行ない所望のパターンを描画し、酢酸イソアミル（ＩＡＡ）を用いて現像処理を行ない、レジストパターン14を形成する。（第２図(a)）
　次いで、該レジストパターン14をマスクとし、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、第２図(b)に示す如くタンタル薄膜13を選択的に除去する。このときのエッチング条件は、反応ガスとして六弗化イオウ（ＳＦ６）を用い、２００Ｗ、0.06Torr、３０秒間とする。このようにして形成された開口Ｗ１はレジストパターンの開口Ｗ２に忠実に形成されており、レジストパターンの膜減りによる寸法変化は0.03μｍ以内に抑えることができた。
　続いて、四塩化炭素（ＣＣｌ４）と酸素の混合ガスを用い、７００Ｗ、0.07Torr、１５分間の反応性イオンエッチングにより、クロム膜12を選択的に除去する。この工程で、レジストパターン14は、徐々に除去されていくが、タンタル薄膜は著しい耐性を有するため、ほとんど膜減りもなく、下層のクロム膜12に対するマスクとして有効に作用する。従って、第２図(c)に示す如く、形成されるクロム膜のパターンは元のレジストパターン14の寸法に対して、0.05μｍ以内の寸法変化に抑えることができた。また、このとき、レジストパターン14は、エッチングによる膜減りによって徐々に除去されていき、特別なレジスト剥離工程は不要であった。」（第４頁左上欄第１８行〜右下欄第５行）
　
記載事項ケ
「更にまた、微細パターン形成用薄膜13としては、タンタル薄膜に限定されるものではなく、クロム膜等の遮光層が容易にエッチングされる条件で、比較的強い耐エッチ性を示し、逆に遮光層が比較的強い耐エッチ性を示すエッチング条件で容易にエッチングされる物質であればよい。ドライエッチングを用いる場合には例えば、遮光層として、クロム膜を用いる場合には、シリコン（Ｓｉ）、窒化シリコン（Ｓｉ２Ｎ４）、多結晶シリコン、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、酸化シリコン、ポリシロサキン（当審注：ポリシロキサンの誤記と認める）等、塩素系ガスに対しては比較的耐エッチ性があり、弗素系ガスに対しては比較的容易にドライエッチングされる物質が有効である。」（第５頁左上欄第１６行〜右上欄第９行）
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「透光性基板１」、「遮光性クロム膜２」、「ハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１」は、それぞれ本願補正発明の「透明基板」、「遮光膜」、「フォトマスクブランクス」に相当する。そうすると、引用発明の「透光性基板１の上に、」「遮光性クロム膜２を成膜し」た「フォトマスクを製造するためのハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１」と、本願補正発明の「ハーフピッチ６５ｎｍ以降の半導体デバイスの高集積化、超微細化を実現するためのフォトマスクを製造するための、透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成された、フォトマスクブランクス」は、「フォトマスクを製造するための、透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成された、フォトマスクブランクス」である点で共通している。
　
（ｂ）引用発明の「半透光性の位相シフト膜５」は、本願補正発明の「ハーフトーン材料膜」に相当する。そうすると、引用発明の「位相シフト膜５の上にＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる遮光性クロム膜２を成膜」することは、本願補正発明の「前記遮光膜は、ハーフトーン材料膜上に積層して形成され、」「前記遮光膜は、クロムを主成分とし」ていることに相当する。
　
（ｃ）引用発明の「次いで、遮光性クロム膜２の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲットを用いて、反応性スパッタリングを行うことにより、ＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３を成膜」することと、本願補正発明の「前記遮光膜上に非感光性のシリコン系ポリマー層がスピン塗布形成されて」いることは、「前記遮光膜上に非感光性の層が形成されて」いる点で共通している。
　
（ｄ）引用発明は「ハーフトーン位相シフト型のフォトマスク１０を得る際に、」「レジストパターン４１及び無機系エッチングマスクパターン３１をマスクにして、遮光性クロム膜２を、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスを用いてドライエッチングを行」うのであるから、引用発明の「無機系エッチングマスクパターン３１」が形成される「無機系エッチングマスク用膜３」は、「Ｃｌ２とＯ２の混合ガス」を用いたドライエッチングに対する耐性が大きいものであることは明らかである。このことと本願補正発明の「前記シリコン系ポリマー層は、有機基を有し、塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きいもので」あることは、「前記非感光性の層は、塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きいもので」ある点で共通している。
　
（ｅ）引用発明は「ハーフトーン位相シフト型のフォトマスク１０を得る際に、」「レジストパターン４１、無機系エッチングマスクパターン３１、及び遮光性クロムパターン２１をマスクにして、位相シフト膜５を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、ドライエッチングを行い、位相シフトパターン５１を形成する」のであるから、引用発明の「位相シフト膜５」は、フッ素系ガスによりドライエッチングできる化合物を主成分とするものといえる。そうすると、引用発明は、本願補正発明の「前記ハーフトーン材料膜は、フッ素系ガスによりドライエッチングできる化合物を主成分とするものである」ことに相当する構成を備えているといえる。
　
　上記（ａ）ないし（ｅ）に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、
「フォトマスクを製造するための、透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成された、フォトマスクブランクスであって、前記遮光膜は、ハーフトーン材料膜上に積層して形成され、且つ、前記遮光膜上に非感光性の層が形成されており、前記遮光膜は、クロムを主成分とし、前記非感光性の層は、塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きいもので、前記ハーフトーン材料膜は、フッ素系ガスによりドライエッチングできる化合物を主成分とするものであるフォトマスクブランクス。」
である点で一致し、次の各点で相違する。
　
相違点１
　フォトマスクブランクスが、本願補正発明では、ハーフピッチ６５ｎｍ以降の半導体デバイスの高集積化、超微細化を実現するためのフォトマスクを製造するためのものであるのに対し、引用発明では、そのようなフォトマスクを製造するためのものであるか否かが不明である点。
　
相違点２
　非感光性の層が、本願補正発明では、スピン塗布形成された有機基を有するシリコン系ポリマー層であるのに対し、引用発明では、反応性スパッタリングにより成膜したＭｏＳｉＮ系の膜である点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　相違点１について
　引用例１には、「近年においては、半導体装置のさらなる高集積化が進んており、その線幅も、１３０ｎｍまでの線幅から、９０ｎｍ、６５ｎｍ、さらには４５ｎｍの線幅が検討され、パターンの高密度化も進んでいる。そのため、フォトマスクのパターンも、さらに微細化され、そのＣＤ精度についてもますます厳しい要求値が求められている傾向にある。」（上記記載事項イ参照）と、半導体装置の高集積化が進んで、６５ｎｍ以下の４５ｎｍの線幅が検討されていることが記載されており、また、引用例１の第３実施例では、「得られた位相シフトパターン５１の寸法を、レジストパターン４１と同様にＣＤ−ＳＥＭを用いてＡ部およびＢ部においてそれぞれ測定した。その結果、Ａ部とＢ部における寸法変換差（レジストパターン４１と位相シフトパターン５１の寸法差）の差は、驚くべきことに４ｎｍであり、極めて良好なＣＤ特性のハーフトーン位相シフトマスクを製造することができた。」（上記記載事項カ参照）と、レジストパターン４１と位相シフトパターン５１の寸法差（本願の発明の詳細な説明の【００７７】に記載された「レジストパターンのＣＤからマスクパターンのＣＤまでのＣＤ誤差（シフト量）」に相当するものと認められる）が４ｎｍと、極めて良好なＣＤ特性が得られているのであるから、引用発明のハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１は、ハーフピッチ６５ｎｍ以降の半導体デバイスの高集積化、超微細化を実現するためのフォトマスクを製造するために用いられている蓋然性が高く、上記相違点１は実質的な相違点とはいえない。また、仮に上記相違点１が実質的な相違点であったとしても、引用発明のハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１をハーフピッチ６５ｎｍ以降の半導体デバイスの高集積化、超微細化を実現するためのフォトマスクを製造するために用いるようにする程度は当業者であれば適宜なし得ることである。
　したがって、上記相違点１は実質的な相違点ではないか、仮に実質的な相違点であったとしても上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　相違点２について
　引用例１には、無機材料からなるエッチングマスク用膜の材料として、モリブデン、シリコン、タンタル、タングステンのうち何れか一つを少なくとも含む材料からなることが望ましいことが記載（上記記載事項エ参照）されている。一方、引用例２には、クロム膜からなる遮光層上に積層される薄膜層のパターンをマスクとして遮光層をエッチングし、遮光層パターンを形成すること、薄膜層の材料として、シリコン、窒化シリコン、多結晶シリコン、モリブデン、タングステン、酸化シリコン、ポリシロキサン等、塩素ガスに対しては比較的耐エッチ性があり、弗素系ガスに対しては比較的容易にドライエッチングされる物質が有効であることが記載（上記記載事項ケ参照）されている。また、引用発明の無機系エッチングマスク用膜３の材料であるＭｏＳｉＮ系材料は、上記「（３）」「（ｄ）」で検討したように塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きい材料であるといえ、引用例１の上記記載事項オに記載されているように、弗素系ガスに対しては比較的容易にドライエッチングされる物質であるといえる。
　そうすると、引用例２には、引用発明の無機系エッチングマスク用膜３と同様の機能を有する層の材料として、引用例１に例示されたモリブデン、シリコン、タングステンとともに、ポリシロキサンが記載されており、しかもポリシロキサンは、塩素系ガスに対して比較的耐エッチング性があり、弗素系ガスに対して比較的容易にドライエッチングされる物質であることが記載されているのであるから、引用発明の無機系エッチングマスク用膜３の材料であるＭｏＳｉＮ系材料に代えて、ポリシロキサンを採用することは当業者であれば容易に想到し得ることである。そして、フォトマスクと同様の半導体デバイスの製造に用いられるフォトリソグラフィの技術分野において、エッチングされる層とレジスト層の間に設けられ、エッチングされる層のマスクとして機能するハードマスクの材料として、有機基を有するポリシロキサンを用いることや、ハードマスクの層をスピン塗布により形成することは、周知技術（例えば特開２００１−５３０６８号公報の【００１５】〜【００１７】や特表２００５−５０９９１３号公報の特許請求の範囲、【０１０８】〜【０１１０】等参照）であるから、引用発明のＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３に代えて引用例２に記載されたポリシロキサンを採用する際に、有機基を有するポリシロキサンを採用するとともに、層の形成にスピン塗布を用いるようにすることは当業者であれば適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　したがって、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明の効果は、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年９月１２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　透明基板と、この透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスであって、
　前記遮光膜上に非感光性の有機基を有するシリコン系ポリマー層が塗布形成されており、前記シリコン系ポリマー層は塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きいことを特徴とするフォトマスクブランクス。
【請求項２】
　前記遮光膜が、ハーフトーン材料膜上に積層して形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクス。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「２．」「（２）」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明の限定事項を全て省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．」「（４）」に記載したとおり、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。