【事件の表示】
　平成　８年特許願第３４１２２２号「半導体レーザ素子の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　７月２１日出願公開、特開平１０−１９０１３９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．出願の経緯と本願発明
　本願は平成8年12月20日の出願であって、特許法第17条の2第1項第3号に該当する平成11年4月23日付け手続補正は決定をもって却下されたので、その発明は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1〜5に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項1に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「【請求項1】　一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一つの共振器端面に、酸化物系、窒化物系、及び炭化物系誘電体材料の少なくとも二つを混合した誘電体薄膜を積層することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法」
２．刊行物について
　原査定の拒絶理由に引用された刊行物１（特開平7-312459号公報）の第2頁第2欄第11行〜第18行には、
「【０００６】また、上記ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子は、その端面の界面準位の存在により、レーザ光吸収による温度上昇が生じ、雰囲気の酸素によって端面の酸化が促進され、素子の破壊が生じる。そのため、素子端面には保護性能を有する膜を積層する必要があるが、一方、ＧａＡｓと保護膜材料との熱膨張係数が違いすぎると、熱応力により半導体素子の活性層内に転移が発生し、素子が劣化することもある。」と記載されている。
　更に、その第3頁第4欄第13行〜第4頁第5欄第19行には、
「【００１８】コーティングの層構成を示す図３において、２、３は、本実施例の傾斜組成膜２を含む２層の光学膜である。半導体レーザ端面側の傾斜組成膜２を構成するＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる少くとも１種の材料は、非酸化物であり、環境雰囲気からの酸素や水分から半導体端面を保護する性能が高い保護膜となる。また、同じく傾斜組成膜２を構成するＡｌ2Ｏ3は、熱膨張係数（５．６０×１０-6ｄｅｇ-1）がＧａＡｓの値（５．７３×１０-6ｄｅｇ-1）に近く、熱応力に起因する半導体素子の劣化の生じることがない材料である。
　【００１９】この両方の材料を混合、しかも傾斜組成とすることにより、傾斜組成膜の平均屈折率ｎを１．９０より大きくし、かつ、第２層膜３を低屈折率のＡｌ2Ｏ3とするこにとより、端面反射率を０．１％以下にできる。更に、Ａｌ2Ｏ3からの遊離酸素の端面への影響を、端面側の組成濃度について、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる少くとも１種の材料の組成濃度を大きくＡｌ2Ｏ3の組成濃度を小さくすることにより、防止でき、かつ、傾斜組成膜２の平均熱膨張係数をＧａＡｓに近い値（５〜７×１０-6ｄｅｇ-1）にすることができる。また、素子端面との密着性も、端面側のＡｌ2Ｏ3濃度が小さいので問題がない。
　【００２０】
　各材料の半導体レーザ素子端面への傾斜組成膜２の積層は、スパッタ法や電子ビーム蒸着法等の通常の真空製膜法が適用できる。ＡｌＮの場合は、ＡｌＮをターゲットとして、スパッタガスをＡｒあるいはＡｒ＋Ｎ２の混合ガス等を用いたスパッタ法や、ＡｌＮを蒸発源とした電子ビーム蒸着法で製膜できる。Ｓｉ3Ｎ4の場合も同様に、Ｓｉ3Ｎ4をターゲットとして、ＡｒあるいはＡｒ＋Ｎ２をスパッタガスに用いたスパッタ法、Ｓｉ3Ｎ4を蒸発源とした電子ビーム蒸着法て製膜できる。
　【００２１】
　ＡｌＮとＳｉ3Ｎ4の混合物は、上記のそれぞれのターゲットを用いた同時スパッタ法や、あらかじめ、ＡｌＮとＳｉ3Ｎ4を焼結して形成したターゲットを用いる方法、ＡｌＮとＳｉ3Ｎ4の混合物を蒸発源とした電子ビーム蒸着法で製膜できる。
　【００２２】
　Ａｌ2Ｏ3は、Ａｌ2Ｏ3をターゲットとして、ＡｒあるいはＡｒ＋Ｏ２をスパッタガスに用いたり、Ａｌをターゲットとして、Ａｒ＋Ｏ２をスパッタガスとして用いたスパッタ法や、Ａｌ2Ｏ3を用いた電子ビーム蒸着法が簡便である。
　【００２３】
　図４は、本発明の実施例の傾斜組成膜２のスパッタ法による製膜法及び製膜装置を簡略的に示す図である。61は、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる少なくとも１種の材料から成るターゲット、62はＡｌ2Ｏ3から成るターゲット、63は端面に傾斜組成膜２を含む反射防止膜を積層する半導体素子、64は半導体素子63のホルダー基板、65は半導体素子63の移動方向、66は隔壁板である
　【００２４】
　２つのターゲットを同時にスパッタできる２元同時スパッタ装置を用いて、半導体素子63を移動或は回転可能な状態で、ターゲット61に近い方から、矢印65に示す方向に移動して製膜する。製膜は、移動に従って、ターゲット61の材料組成が徐々に減少し、ターゲット62の材料（Ａｌ2Ｏ3）組成が徐々に増加する。」ということが図面と共に記載されている。
　上記によれば刊行物1には「一対の端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一つの端面に、Ａｌ２Ｏ３及びＳｉ3Ｎ4の誘電体材料の二つを傾斜組成で混合した傾斜組成膜を、２つのターゲットを同時にスパッタできる２元同時スパッタ装置を用いて、積層した半導体レーザ素子の製膜法」が記載されている。
　同じく刊行物2（特開平4-177783号公報）の第1頁左下欄第5行〜第8行には、
「半導体素子の少なくとも1つの面が誘電体薄膜で被覆されており、その誘電体薄膜が2種類以上の組成の混合物であることを特徴とする半導体素子」ということが記載されている。
　更に、その第1頁右下欄第3行〜第5行（特許請求の範囲の請求項8）には、
「前記誘電体薄膜がＡｌＮ＋Ａｌ２Ｏ３からなり、ＡｌＮの組成比が1wt％〜35wt％である請求項1又は2記載の半導体素子」ということが記載されている。
　更に、その第3頁右上欄第20行〜同頁左下欄第13行には、
「この半導体基板の光入出力面にＡｌＮ＋Ａｌ２Ｏ３薄膜層をλ/4の膜厚となるようにモニターを行い、ＥＢ蒸着等の真空蒸着法によりＡＲコーティングを形成した。
　第4図はＡｌＮ＋Ａｌ２Ｏ３の混合比（wt％）と屈折率との関係を示している。このグラフより、ＡｌＮ＋Ａｌ２Ｏ３の屈折率ｎが１．７８〜１９．０である範囲はＡｌＮ1wt％からＡｌＮ35wt％が最適であり、またＡｌN7wt％〜ＡｌN25wt％であれば作製条件を変えることによって屈折率の制御が可能であることが分かる。」ということが図面と共に記載されている。
　上記によれば刊行物2には「一対の面を有する半導体素子において、少なくとも一つの面に、Ａｌ２Ｏ３及びＡｌＮの一定の組成比の混合物の誘電体薄膜で被覆した半導体素子」が記載されている。
３．本願発明と刊行物1に記載の発明との対比・判断
　刊行物1に記載の「半導体レーザ素子」、「端面」、「Ａｌ2Ｏ3」、「Ｓｉ3Ｎ4」、「傾斜組成膜」及び「製膜法」はそれぞれ、本願発明の「半導体レーザ素子」、「共振器端面」、「酸化物系誘電体材料」、「窒化物系誘電体材料」、「誘電体薄膜」及び「製造方法」に対応し、それぞれの対応に格別の差異がない。
　そこで、本願発明と刊行物1に記載の発明とを対比すると、両者は「一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一つの共振器端面に、酸化物系及び窒化物系誘電体材料の二つを混合した誘電体薄膜を積層した半導体レーザ素子の製造方法」であるという点で一致し、格別の相違がない。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物1に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。