【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４３５６６９６号「多層膜反射鏡及びＸ線露光装置」の特許無効審判事件についてされた平成２４年　８月２９日付け審決に対し、東京高等裁判所において審決取消の決定（平成２４年（行ケ）第１０３４３号　平成２５年１月１６日決定言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件無効審判請求に係る特許第４３５６６９６号（以下「本件特許」という）は、平成１６年５月２４日を国際出願日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１５年６月２日、平成１６年２月２３日）として出願され、その請求項１乃至８に係る発明について、平成２１年８月１４日に特許権の設定登録がなされたものであり、これに対し、平成２３年９月９日に、本件無効審判の請求人であるカール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー（以下、単に「請求人」という）により本件無効審判の請求がなされたものである。 
　以下に、審判請求以後の主な経緯を示す。 
　平成２３年９月９日　　　本件無効審判の請求
　平成２４年１月１７日　　答弁書の提出
　同日　　　　　　　　　　訂正請求
　平成２４年４月２６日　　弁駁書の提出 
　平成２４年７月３日　　　口頭審理 
　平成２４年８月２９日　　審決
　平成２４年１０月３日　　知財高裁出訴
　平成２４年１１月１４日　訂正審判請求
　平成２５年１月１６日　　知財高裁差戻決定
　平成２５年２月１５日　　訂正請求（以下「差戻直後訂正請求」という。）
　平成２５年５月１０日　　無効理由通知
　平成２５年６月１３日　　意見書の提出
　同日　　　　　　　　　　訂正請求（以下「前回訂正請求」という）
　平成２５年９月６日　　　弁駁書の提出
　平成２５年１０月８日　　無効理由通知
　平成２５年１１月８日　　意見書の提出
　同日　　　　　　　　　　訂正請求 （以下「本件訂正請求」という。）
　平成２６年１月１５日　　弁駁書の提出
　
第２　本件訂正請求について 
１　本件訂正請求（平成２５年１１月８日付けの訂正請求）の内容 
 　本件訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書及び特許請求の範囲について、訂正請求書に添付した明細書及び特許請求の範囲（以下、それぞれ「訂正明細書」及び「訂正特許請求の範囲」という）のとおり訂正することを求めるものであって、その訂正事項は以下のとおりである。（被請求人の番号付けに従って、それぞれ、訂正事項１ないし１７とする。） 
 　 
（１）訂正事項１
　訂正事項１は、訂正前の請求項１を、下記のとおり訂正するものである（下線は訂正箇所を示す）。
「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質（以下、「第１物質」と呼称する）からなる層と小さい物質（以下、「第２物質」と呼称する）からなる層とを基板上に交互に積層してなる第１多層膜と、前記第１多層膜上に形成された、第１物質からなる層と第２物質からなる層とを交互に積層してなる第２多層膜とを有する多層膜反射鏡であって、
前記第１物質はモリブデンであり、
等しく
するとき
前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短く、且つ、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きく、前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する、
　
（２）訂正事項２〜訂正事項５
　訂正事項２ないし訂正事項５は、それぞれ、訂正前の請求項２ないし５を削除するものである。
　
（３）訂正事項６
　訂正事項６は、訂正前の請求項６を請求項２とするものである。
　
（４）訂正事項７
　訂正事項７は、訂正前の請求項７を請求項３とし、下記のとおり訂正するものである（下線は訂正箇所を示す）。
「モリブデン層（以下、Ｍｏ層と呼称する）とシリコン層（以下、Ｓｉ層と呼称する）とを基板上に交互に積層してなる第１多層膜と、前記第１多層膜上に形成された、Ｍｏ層とＳｉ層とを交互に積層してなる第２多層膜と、を有する多層膜反射鏡であって、前記第１多層膜のＭｏ層の厚さは、前記第２多層膜のＭｏ層の厚さと
等しく
前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短く、周期長に対するＭｏ層の厚さの比をΓとして、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きく、前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する、
　
（５）訂正事項８
　訂正事項８は、訂正前の請求項８を請求項４とし、下記のとおり訂正するものである（下線は訂正箇所を示す）。
「Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線をマスクに導く照明光学系と、前記マスクからのＸ線を感光性基板に導く投影光学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基板へ転写するＸ線露光装置であって、前記照明光学系、前記マスク及び前記投影光学系のうちの少なくとも一つに、請求の範囲第１項から
第３項
　
（６）訂正事項９ないし１７
　訂正事項９ないし１７は、いずれも、上記訂正事項１ないし８の請求項の訂正に合わせて、明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものである。
　
２　本件訂正請求の訂正の原因（新規事項の有無、並びに、請求項の訂正の目的、及び、拡張・変更の存否）についての判断
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、被請求人による区分けに従い、「前記第１物質はモリブデンであり」と訂正した訂正事項１−Ａ、「等しく」と訂正した訂正事項１−Ｂ、「するとき、前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短く、且つ、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きく」と訂正した訂正事項１−Ｃ、「前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する」と訂正した訂正事項１−Ｄからなる。
　訂正事項１−Ａは、「第１物質」を「モリブデン」に特定するものであり、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものである。
　訂正事項１−Ｂは、「ほぼ等しいか、それより薄く」とされていたものを「等し」いもののみに限定したものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものである。
　訂正事項１−Ｃは、「周期長に対する第１物質層の厚さの比をΓとして、前記第１多層膜のΓと前記第２多層膜のΓとは異なる」とされていたものを「周期長に対する第１物質層の厚さの比をΓとするとき、前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短く、且つ、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きく」として、「前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短」ことを付加するとともに、「前記第１多層膜のΓと前記第２多層膜のΓとは異なる」態様を「前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大き」いもののみに限定したものであるから「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものである。
　訂正事項１−Ｄは、「前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する」ことを付加するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものである。
　したがって、上記訂正事項１−Ａないし１−Ｄは、いずれも、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものであるから、訂正事項１は、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものであるといえる。
　また、上記訂正事項１−Ａないし１−Ｄは、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもないから、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもないといえる。
　さらに、上記訂正事項１−Ａないし１−Ｄは、いずれも、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された範囲内においてなされたものであるから、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された範囲内においてなされたものであるといえる。
　
（２）訂正事項２ないし訂正事項６、及び、訂正事項８について
　訂正事項２ないし訂正事項６、及び、訂正事項８は、請求項を削除する訂正及び当該請求項の削除に伴って請求項の番号を整合させる訂正であるから、「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的としたものである。
　また、訂正事項２ないし訂正事項６、及び、訂正事項８が、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもないこと、及び、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　
（３）訂正事項７について
　訂正事項７は、実質的に訂正事項１における訂正事項１−Ｂないし訂正事項１−Ｄと同じ訂正であるから、訂正事項１と同様の理由により、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもなく、また、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された範囲内においてなされたものである。
　
（４）訂正事項９ないし訂正事項１７
　訂正事項９ないし訂正事項１７が、発明の詳細な説明の記載を請求項の訂正に整合させるものであるから、「明瞭でない記載の釈明」を目的としたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもなく、また、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された範囲内においてなされたものであることは明らかである。
 　 
３　本件訂正請求についてのむすび 
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書き各号に列挙された事項を目的としており、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１３４条の２第５項で準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合する。 
 　 
　よって、本件訂正請求による訂正を認め、以下では、訂正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４に係る発明（以下それぞれ「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明４」という）について、請求人の主張する無効理由及び当審で通知した無効理由について検討する。 
 　 
第３　本件訂正発明１ないし４
　本件訂正発明１ないし４は、本件訂正請求によって訂正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 
 　 
「【請求項１】
　軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質（以下、「第１物質」と呼称する）からなる層と小さい物質（以下、「第２物質」と呼称する）からなる層とを基板上に交互に積層してなる第１多層膜と、前記第１多層膜上に形成された、第１物質からなる層と第２物質からなる層とを交互に積層してなる第２多層膜とを有する多層膜反射鏡であって、
前記第１物質はモリブデンであり、
等しく
するとき
前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短く、且つ、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きく、前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する、
【請求項
２
　請求の範囲第１項に記載の多層膜反射鏡であって、前記第２物質がシリコンであることを特徴とする多層膜反射鏡。
【請求項３】
　モリブデン層（以下、Ｍｏ層と呼称する）とシリコン層（以下、Ｓｉ層と呼称する）とを基板上に交互に積層してなる第１多層膜と、前記第１多層膜上に形成された、Ｍｏ層とＳｉ層とを交互に積層してなる第２多層膜と、を有する多層膜反射鏡であって、前記第１多層膜のＭｏ層の厚さは、前記第２多層膜のＭｏ層の厚さと
等しく
前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短く、周期長に対するＭｏ層の厚さの比をΓとして、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きく、前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する、
【請求項４】
　Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線をマスクに導く照明光学系と、前記マスクからのＸ線を感光性基板に導く投影光学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基板へ転写するＸ線露光装置であって、前記照明光学系、前記マスク及び前記投影光学系のうちの少なくとも一つに、請求の範囲第１項から
第３項
　
第４　請求人が主張する無効理由及び当審で通知した無効理由の概要
１　請求人が主張する無効理由の概要 
　ここで、上記「第２　本件訂正請求について」に記載されているように、本件訂正請求（平成２５年１１月８日付けの訂正請求）が認められたことから、無効審判請求の対象となる現在の発明は本件訂正請求で訂正された本件訂正発明１ないし本件訂正発明４であるが、無効審判請求時（平成２３年９月９日の時点）において無効審判の対象とした発明は、特許権の設定登録がなされた平成２１年８月１４日の時点における請求項１ないし請求項８に係る発明（特許公報に掲載された請求項１ないし８に係る発明）であり、ここでは、この請求項１ないし請求項８に係る発明を、それぞれ、「当初発明１」ないし「当初発明８」として概要を示す。
（なお、この点に関して、下記の「２　当審において平成２５年５月１０日付けで通知した無効理由の概要」及び「３　当審において平成２５年１０月８日付けで通知した無効理由の概要」においても同様であり、それぞれで、対象とする発明に対する同様の呼称を付ける。）
　
　請求人は、「本件特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求める。」を請求の趣旨として、以下の証拠方法を提示して無効理由を主張している。 
 　 
（１）証拠方法 
　請求人は、以下の甲第１号証ないし甲第６号証を提示している。 
 　 
　甲第１号証：特開2003-59822号公報 
　甲第２号証：特表2003-515794号公報 
　甲第３号証：特表2002-504715号公報 
　甲第４号証：Journal of Applied Physics, Vol.89, No.2, pp.1101-1107 (2001) 
　甲第５号証：SPIE3331, pp.133-148 (1998) 
　（以上、甲第１号証ないし甲第５号証は、審判請求時に示されたものである。）
　甲第６号証：SPIE Proceeding, Vol.5037, pp.249-256 (2003) 
　（甲第６号証は、平成２５年９月６日付けの弁駁書の提出のときに示されたものである。）
 　 
（２）請求人が主張する無効理由の概要
ア　無効理由Ｉの概要 
　当初発明１〜８は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。 
 　 
イ　無効理由ＩＩの概要 
　当初発明１〜３，５，６及び８は、甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。 
 　 
ウ　無効理由ＩＩＩの概要 
　当初発明１〜８は、甲第３号証に記載された発明と、甲第４号証又は甲第５号証のいずれかに記載された発明とに基いて、出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。 
 　 
 エ　無効理由ＩＶの概要 
　本件特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。 
 　 
オ　無効理由Ｖの概要 
　本件特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。 
 　 
２　当審において平成２５年５月１０日付けで通知した無効理由の概要
　上記「１　請求人が主張する無効理由の概要 」に記載した理由と同様の理由から、ここでは、差戻直後訂正請求において訂正された請求項１ないし７に係る発明を、それぞれ、「差戻直後発明１」ないし「差戻直後発明７」として概要を示す。
　
（１）無効理由１
　本件特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。 
　
（２）無効理由２
　差戻直後発明１ないし７は、甲第３号証に記載された発明に基いて、出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。 
　
３　当審において平成２５年１０月８日付けで通知した無効理由の概要
　上記「１　請求人が主張する無効理由の概要 」に記載した理由と同様の理由から、ここでは、前回訂正請求において訂正された請求項１ないし５に係る発明を、それぞれ、「前回訂正発明１」ないし「前回訂正発明５」として概要を示す。
　
　前回訂正発明１ないし５の「第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは３ｎｍ以下」という特定事項は、本件優先権主張の最初の優先権基礎出願の明細書等には記載されておらず、２番目の優先権基礎出願の明細書等に記載されている事項であるから、前回訂正発明１ないし５の優先日は、２番目の優先権基礎出願の出願日である２００４年２月２３日となる。
　すると、甲第６号証は、前回訂正発明１ないし５の優先日の前に頒布された刊行物となる。
　そして、前回訂正発明１ないし５は、甲第６号証に記載された発明に基いて、出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
 第５　当審の判断
　上記「第４　請求人が主張する無効理由及び当審で通知した無効理由の概要」に示した無効理由は、当該無効理由が主張又は通知された時点で、それぞれの時点での請求項に係る発明（すなわち、それぞれにおいて、当初発明１ないし８、差戻直後発明１ないし７、又は、前回訂正発明１ないし５）に対する無効理由であったが、上記「第２　本件訂正請求について」に記載したように、本件訂正請求（平成２５年１１月８付けの訂正請求）が認められたのであるから、この後は、本件訂正請求により訂正された本件訂正発明１ないし４について、それぞれの無効理由を判断する。
　
１　請求人が主張する無効理由についての判断
（１）請求人が主張する無効理由Ｉについて
ア　甲第１号証に記載された発明
（ア）無効理由Ｉの根拠として挙げられた甲第１号証には、以下の技術事項が開示されている。 
 　 
 「【００１０】半導体デバイスの製造において更に小さいフィーチャを製造可能とするというとどまることのない要求を満たすために、リソグラフィ投影装置における露光放射として、例えば５ないし２０ｎｍの波長を用いた超紫外線（ＥＵＶ）放射の使用が提案されている。かかる装置を設計する際の問題のうち重大なものは、パターニング手段を均一に照射し、パターニング手段によって規定されたパターン像を正確に基板上に投影する「光学」システムを生成することである。必要な照射および光学システムを生成する際の難しさの一つは、ＥＵＶ波長において屈折光学素子を形成するのに適切だとわかっている物質が現在は何も無いという事実にある。このため、ＥＵＶ波長における独特の問題のあるミラー、具体的には比較的反射率が低く形状誤差に対して極めて敏感であるミラーによって、照射および投影システムを構築しなければならない。 
 【００１１】リソグラフィ投影装置において、ミラーが高い反射率を有することは不可欠である。なぜなら、照射および投影システムは合計８個のミラーを有する場合があり、マスクにおける追加の反射が加わるので、システムの全体的な透過率はミラーの反射率の９乗に比例するからである。十分に高い反射率のミラーを設けるために、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｃｌ、ＳｒおよびＢｅ等の物質の多重積層によって形成したミラーを用いることが提案されている。かかる多重積層ミラーのこれ以上の詳細は、欧州特許出願ＥＰ−Ａ−１ ０６５ ５３２号およびＥＰ−Ａ−１ ０６５ ５６８号に述べられている。詳細はこれらの文献を参照されたい。 
 【００１２】ミラーを用いた投影システムは、ＥＵＶ波長では、形状誤差に対して特に敏感である。なぜなら、わずか３ｎｍの形状誤差が、約πラジアンの波面の誤差を生じ、これが破壊的な干渉を招き、反射器が結像のために全く役に立たなくなってしまう恐れがあるからである。形状誤差には、様々な原因があり得る。例えば、多重層を堆積する基板の表面の誤差、多重層の欠陥、製造プロセスの結果として生じる多重層における応力等である。かかる位相誤差を補正するために、ＷＯ９７／３３２０３号では、Ｍｏ／Ｓｉの多重積層によって形成した反射器の表面に、結晶または非結晶Ｓｉの比較的厚い追加層を選択的に追加することが提案されている。しかしながら、追加層は、ミラーの反射率を局部的に低下させ、これによって、リソグラフィ装置において照射または露光が非均一となる恐れがある。ＥＰ−０ ７０８ ３６７−Ａでは、多重積層上に局部的に堆積した減衰および位相シフト機能を有する比較的厚い層を用いてマスク・パターンを形成することが開示されている。」
 　 
 「【００２４】 
 【発明の実施の形態】これより、本発明の実施形態について、添付の概略図面を参照して、一例としてのみ説明する。 
 【００２５】図面において、対応する参照符号は対応する部分を示す。 
 【００２６】実施形態１ 
 図１は、本発明の具体的な実施形態によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は以下を備える。 
 【００２７】放射（例えばＥＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給する放射システムＥｘ、Ｉｌ。この特定の場合、放射システムは放射源ＬＡも備える。 
 【００２８】マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマスク・ホルダが設けられ、要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された、第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴ。 
 【００２９】基板Ｗ（例えばレジストで被覆されたシリコン・ウエハ）を保持するための基板ホルダが設けられ、要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された、第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ。 
 【００３０】マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗの対象部分Ｃ（例えば１つ以上のダイから成る）上に結像するための、投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えばミラー系）。」
 　 
 「【００３６】図２は、本発明の第１の実施形態において用いる反射器１を示す。反射器１は、多重積層２を備え、これは、例えば、基板３上に成長させた、モリブデン２１およびシリコン２２が交互に配された層から成る。多重層反射器における、例えば基板３における形状誤差からまたは多重積層２の製造時の欠陥から生じた形状誤差を補正するために、必要に応じて追加の多重層４を局部的に追加して所望の補正を行う。追加の多重層４は、例えばモリブデンおよびシリコン等、多重積層２と同じ物質から成る交互の層４１、４２から成るものとすれば良いが、それらの厚さは、所望の位相変化のために最適化されている。欧州特許出願ＥＰ−Ａ−１ ０６５ ５３２号およびＥＰ−Ａ−１ ０６５ ５６８号に記載されているような、様々な層の厚さの最適化のための数学的技法を用いることができる。補正対象の形状誤差を求めるため、干渉による技法を用いることができる。」 
 　 
「【００４０】以下の表１は、本発明において追加層として使用可能な様々な多重層構造について算出した位相感度を示す。設計１および２を比較すると、Ｍｏの厚さを意図的に４．０ｎｍに設定すると、周期当たりの位相感度Δεは０．０４３πから０．０５４πまで増大することがわかるであろう。同様に、Ｒｕ／Ｓｉ設計３および４では、Ｒｕの厚さを１．９８ｎｍから３．５０ｎｍまで増大させる（区画の割り当て、すなわち、多重層周期における吸収層およびスペーサ層の厚さの比を変化させる）と、Δεが大きく変化する。これは、Ｍｏに比べてＲｕのｎが低いためであるが、Ｒｕの吸光係数が高いために、ピーク反射率が大きく低下することになる。３構成要素のＲｕ−Ｍｏ／Ｓｉ追加層では、ＲｕおよびＭｏの厚さが増大しても高いピーク反射率を維持し、設計６および７は特に高いΔεの値を示す。イットリウム系の積層は、真空に関して位相変化に対するＹの寄与が大きいため、大きな位相感度を示す。 
 【００４１】また、Ｒｈ／Ｓｉ、Ｐｄ／ＳｉおよびＰｔ／Ｓｉ設計では、位相感度はごく小さいことがわかる。これが意味するのは、かかる追加層は、堆積される物理的厚さが大きくても、生じる波面位相変化は（同じ厚さを有する仮定の真空層に関して）無視できる程度であり、かかる層は、反射器表面をほぼ均一にするための局部追加層の間の充填層として任意選択的に使用可能であるということである。設計１３および１４では、多層構造の合計（光学）厚さを調整から外して、ピーク反射率を１３．５ｎｍにシフトさせ（引用したピーク反射率は１３．４ｎｍであるが）、設計１２および７に対してスペーサの厚さ（ＹまたはＳｉ）をそれぞれ変化させて、位相変化の感度を増大させていることを注記しておく。 
 【００４２】あらゆる形状誤差は、「谷」のような形状誤差を示す位置に追加多重層を追加することによって補正することができる。別の手法は、反射面全体に追加多重層を追加し、必要に応じて、「丘」のような形状誤差を示す位置で追加多重層の一部または全部を除去することである。小さい、すなわち無視できる程度の位相変化を示す充填積層（実施形態２で述べる）を、大きな位相変化を示す追加多重層の間に追加して、ほぼ平坦な反射面に合わせることができる。 
 【００４３】表１：ピーク反射率０．７４８の垂直入射のλ＝１３．４ｎｍの動作に対して最適化した５０周期のＭｏ／Ｓｉ（Ｍｏは２．７７ｎｍ、Ｓｉは４．０８ｎｍ）基礎多重層上に成長させた様々な多重層周期構造の位相感度および有効ピーク反射率 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
 　 
（イ）甲第１号証に記載された発明の認定
　段落【００４３】に記載の表１の「１」として挙げられている実施形態（段落【００４０】の表記に倣い、以下「設計１」という）では、追加の多重層４のモリブデン層の厚みが２．６８ｎｍ、シリコン層の厚みが４．１７ｎｍであることが分かる。
　上記事項及び甲第１号証に記載された技術事項を総合すると、甲第１号証には、 
「基板３上に成長させた、モリブデン２１及びシリコン２２が交互に配された層からなる、多重積層２と、 
前記多重積層２上に成長させた、モリブデン及びシリコンから成る交互の層４１、４２から成る、追加の多重層４と、から成る反射器であって、 
前記多重積層２のモリブデン層の厚みが２．７７ｎｍ、シリコン層の厚みが４．０８ｎｍであり、追加の多重層４のモリブデン層の厚みが２．６８ｎｍ、シリコン層の厚みが４．１７ｎｍである、反射器。」 
の発明（以下「甲第１号証発明」という）が記載されていると認められる。 
 　 
イ　対比 
（ア）本件訂正発明１と甲第１号証発明とを対比する。 
ａ　甲第１号証発明の「モリブデン」は、本件訂正発明１の「モリブデン」である「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質」（第１物質）に相当する。 
　甲第１号証発明の「シリコン」は、本件訂正発明１の「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が小さい物質」（第２物質）に相当する。 
　よって、甲第１号証発明の「基板３上に成長させた、モリブデン２１及びシリコン２２が交互に配された層からなる、多重積層２」は、本件訂正発明１の「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質（以下、「第１物質」と呼称する）からなる層と小さい物質（以下、「第２物質」と呼称する）からなる層とを基板上に交互に積層してなる第１多層膜」（及び「前記第１物質はモリブデン」であるの特定事項も含まれる。）に相当する。 
 　 
ｂ　甲第１号証発明の「多重積層２上に成長させた、モリブデン及びシリコンから成る交互の層４１、４２から成る、追加の多重層４」は、本件訂正発明１の「前記第１多層膜上に形成された、第１物質からなる層と第２物質からなる層とを交互に積層してなる第２多層膜」に相当する。 
 　 
ｃ　甲第１号証発明は、「多重積層２のモリブデン層の厚みが２．７７ｎｍ、シリコン層の厚みが４．０８ｎｍ」、及び、「追加の多重層４のモリブデン層の厚みが２．６８ｎｍ、シリコン層の厚みが４．１７ｎｍ」であるから、本件訂正発明１で定義されるところの周期長は、多重積層２及び追加の多重層４のいずれにおいても６．８５ｎｍであり、同じくΓは、それぞれ、多重積層２が０．４０、追加の多重層４が０．３９であるから、前者が後者よりも大きいことが分かる。 
 　よって、甲第１号証発明１の「前記多重積層２のモリブデン層の厚みが２．７７ｎｍ、シリコン層の厚みが４．０８ｎｍであり、追加の多重層４のモリブデン層の厚みが２．６８ｎｍ、シリコン層の厚みが４．１７ｎｍである」ことは、本件訂正発明１の「前記第１多層膜及び前記第２多層膜において、第１物質層の厚さと第２物質層の厚さとの合計を周期長とし、周期長に対する第１物質層の厚さの比をΓとするとき、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きい」ことに相当する。 
 　 
ｄ　甲第１号証発明の「反射器」は、モリブデンとシリコンが交互に配された層、即ち、多層膜から成るものであるから、本件訂正発明１の「多層膜反射鏡」に相当する。 
 　 
（イ）一致点
 　したがって、本件訂正発明１と甲第１号証発明とは、 
 「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質（以下、「第１物質」と呼称する）からなる層と小さい物質（以下、「第２物質」と呼称する）からなる層とを基板上に交互に積層してなる第１多層膜と、前記第１多層膜上に形成された、第１物質からなる層と第２物質からなる層とを交互に積層してなる第２多層膜とを有する多層膜反射鏡であって、前記第１物質はモリブデンであり、前記第１多層膜及び前記第２多層膜において、第１物質層の厚さと第２物質層の厚さとの合計を周期長とし、周期長に対する第１物質層の厚さの比をΓとするとき、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きい多層膜反射鏡。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
（ウ）相違点 
　本件訂正発明１では、「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さと等しく」、「前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短く」、且つ、「前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する」のに対し、甲第１号証発明でその点の特定がない点。 
 　 
（エ）判断
　相違点について検討する。
　上記相違点によって、本件訂正発明１は、反射率が低下することなく多層膜の内部応力を低減することができるものであるから、上記相違点は技術的に意味のある相違点であるといえる。よって、本件訂正発明１が甲第１号証に記載された発明であるということはできず、本件訂正発明１が甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものであるとする無効理由は理由がないものである。
　
　なお、本件訂正発明２ないし４も、上記の本件訂正発明１と甲第１号証発明との相違点である「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さと等しく」、「前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短く」、且つ、「前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する」という特定事項を含むものであるから、本件訂正発明１と同様に、甲第１号証に記載された発明であるということはできず、よって、「本件訂正発明２ないし４が甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである」とする無効理由は理由がないものである。
　以上のとおり、無効理由Ｉは、本件訂正請求による訂正によって、解消されたものであるということができ、請求人が主張する無効理由Ｉには理由がない。
　
（２）請求人が主張する無効理由ＩＩについて
　請求人が主張する無効理由ＩＩは、当初発明１〜３，５，６及び８に対する無効理由であり、当初発明４及び７に対してなされた無効理由ではない。すなわち、例えば、当初発明４に対しては無効理由は主張されていなかった。
　ここで、当初発明４は、
「請求の範囲第１項に記載の多層膜反射鏡であって、前記第１物質層の厚さと前記第２物質層の厚さとの合計を周期長とし、周期長に対する前記第１物質層の厚さの比をΓとするとき、第１多層膜のΓが第２多層膜のΓより大きいことを特徴とする多層膜反射鏡。」
とするものであり、当該当初発明４による特定事項は、現在の本件訂正発明１ないし４のいずれにおいても、特定されている（特定事項となっている）ものである。
　したがって、当該当初発明４による特定事項の全てを備えた現在の本件訂正発明１ないし４に対しては、そもそも、上記の無効理由ＩＩは主張されていなかったといえる。
　すなわち、無効理由ＩＩは、本件訂正請求による訂正によって、解消されたものであるということができ、請求人が主張する無効理由ＩＩには理由がない。
　
（３）請求人が主張する無効理由ＩＩＩについて
ア　甲第３号証に記載されている発明
（ア）　無効理由ＩＩＩの根拠として挙げられた甲第３号証には、以下の技術事項が開示されている。 （下線は当審において付した。）
　
「【０００１】
【発明の背景】
  本発明は、多層反射フィルムに関するものであり、詳しくは、多層フィルムを含む基板にかかる応力の低減に関するものであり、より詳しくは、そのような応力を調節するか、もしくは正味応力をゼロに近くして、基板が殆どまたは全く変形しないように、基板と多層フィルムの間に緩衝層を設けることに関するものである。
【０００２】
  モリブデン（Ｍｏ）やシリコン（Ｓｉ）のような光学特性が大きく異なる物質の薄層を交互に重ねて作った多層構造体は、反射率が高く垂直入射に近いコーティングとして、様々な用途に有効なことが分かっている。或る波長（１１〜１４ｎｍ）に対して高い反射率（〜６０％）を示すことが分かっているＭｏ／Ｓｉ系は、投影リソグラフィー用に現在開発中の高分解能・多重反射画像形成装置に応用できるので、技術的に特に重要である。」
　
「【０００７】
  光学素子（基板）は、応力のかかっている多層フィルムをその上に設けると変形する。実行可能なＥＵＶリソグラフィープロセスは、Ｍｏ／ＳｉもしくはＭｏ／Ｂｅ多層フィルムを頼りに、１１〜１４ｎｍの領域の光を効率的に反射するものである。高い反射率（＞６０％）をもつＭｏ／Ｓｉフィルム、及びＭｏ／Ｂｅフィルムは、フィルムの応力が大きく（それぞれ、＞４００ＭＰａ及び＞３３０ＭＰａ）、それにより光学素子が変形し、ＥＵＶリソグラフィーツールの性能が低下する可能性がある。その為、多層フィルムの応力を、これらのフィルムの反射率に悪影響を及ぼすことなく低下させる必要がある。ＥＵＶリソグラフィー装置のスループットは反射率が尺度になると思われるので、反射率は重要である。
【０００８】
  本発明は、例えば
ＥＵＶリソグラフィー装置に用いるのに特に適した
【０００９】
  緩衝層は、エピタキシャル半導体装置における層間の格子の食い違いを調整するのに用いられてきた。このような食い違いは、その上にある薄いフィルムの応力／歪に影響を及ぼすものである。また個々の緩衝層は、一つには、熱膨張係数値が適切であるという理由で選ばれてきた。このような緩衝層によって、マイクロ電子工学的な用途用に高温で蒸着させた或る種の（非周期的な）層状フィルム構造体の応力を低下させることができる。米国特許第４，９３５，３８５号、第５，０１０，３７５号、第５，０２１，３６０号、第５，１２８，７４９号、第５，３９３，９９３号、第５，４５７，０６７号、及び第５，５２３，５８７号の各明細書には、緩衝層が、そのエピタキシャル性、及び／又は熱膨張性ゆえに、これまで利用されてきた例が示されている。応力を相殺する為に、緩衝層の上に設けられる層の符号と反対の符号をもつ緩衝層を用いて応力を低下させる試みは、これまでなされていない。
【００１０】
  本発明には、基板と多層フィルムの間に緩衝層を用いることが含まれる。この緩衝層は滑らかであり（粗さの実効値０．３ｎｍ未満）、しかも多層フィルムの応力による変形を相殺するのに十分な大きさであって、符号が反対の応力を有するものである。それにより、調整可能な、調節可能な、もしくはゼロに近い正味フィルム応力が得られ、その為に、光学素子、もしくは基板は殆ど、もしくは全く変形しない。例えば、多層フィルムの＋３５０ＭＰａという応力の大きさは、約−３５０ＭＰａの応力をもつ緩衝層フィルムにより打ち消され、ゼロに近い応力が得られる。本発明は、反射率を大きく低下させずに応力を減少させる為の、無熱的な、もしくは非熱的な方法を提供するものである。
【００１１】
【発明の概要】
  本発明の目的は、ゼロに近い応力をもつ反射多層フィルムを有する基板を提供することである。
【００１２】
  本発明の更なる目的は、基板上に多層フィルムを設けることにより生じる応力を低下させることである。
【００１３】
  本発明の更なる目的は、高反射率・低応力の多層反射コーティングを基板上に設けることである。
【００１４】
  本発明の更なる目的は、多層フィルムの反射率に及ぼす影響を最小限に抑えつつ応力を低下させる為に、基板と多層フィルムの間に緩衝層を設けることである。
【００１５】
  本発明の他の目的は、例えば、反射率が６０％より高く、応力が１００ＭＰａ未満のＭｏ／ＳｉもしくはＭｏ／Ｂｅ反射多層コーティングを有する基板を提供することである。
【００１６】
  本発明の他の目的は、多層フィルムの応力によって生じる光学素子の変形を少なくするか、もしくは打ち消すことである。
【００１７】
  本発明の他の目的は、反射多層コーティングの応力を調節することができる方法を提供することである。
【００１８】
  本発明の他の目的は、緩衝層の応力によって反射多層フィルムの応力が低下するか、もしくは打ち消されるよう、緩衝層フィルムを基板と反射多層フィルムの間に設けることにより、応力の小さい反射多層コーティングを有する基板を提供することである。
【００１９】
  本発明の他の目的は、多層フィルムの応力による基板の変形を相殺する為に、多層フィルムの符号と反対の符号の応力をもつ緩衝層を多層フィルムと基板（光学素子）の間に設けることにより、高反射率・低応力のＭｏ／ＳｉもしくはＭｏ／Ｂｅ多層フィルムを提供することである。
【００２０】
  本発明の他の目的は、近垂直入射反射率が６０％より高く、応力が１００ＭＰａ以下であって、ＥＵＶリソグラフィーツールに用いるのに適したＭｏ／Ｓｉ多層フィルム、及びＭｏ／Ｂｅ多層フィルムを提供することである。
【００２１】
  本発明の他の目的は、近垂直入射反射率が６５％より高く、応力が３０ＭＰａ以下の多層フィルムを提供することである。
【００２２】
  本発明のその他の目的や利点は、以下の説明、及び添付した図面から明らかになるであろう。本発明には基本的には、基板と多層フィルムの間に緩衝層を設けることが含まれる。この緩衝層は滑らかであり（粗さの実効値０．３ｎｍ未満）、しかも多層フィルムの応力による変形を相殺するのに十分な大きさであって、符号が反対の応力を有するものである。この結果、調整可能なゼロに近い正味フィルム応力が得られ、その為に、基板は殆ど、もしくは全く変形しない。本発明により、最高の状態の高ＥＵＶ反射率多層フィルムを作る為の加工条件を変更する必要なしに、正味応力／曲率をゼロに調整するか、もしくは他の所望の値に調節するのが可能になることが注目される。
【００２３】
  本発明は、Ｍｏ／Ｓｉ高反射率・低応力多層フィルムとＭｏ／Ｂｅ高反射率・低応力多層フィルムの両方の製造を可能にするものである。例えば、Ｍｏ／Ｓｉで作られた反射多層フィルムと、Ｍｏ／Ｂｅで作られた緩衝層もしくはフィルムを、Ｓｉ（１００）基板上に設けた。この組み合わせフィルムの正味応力は−２８ＭＰａに過ぎず、また波長１３．３３ｎｍでの反射率は６６．５％であった（垂直入射から５°で測定）。もう一つの例では、反射率を最適にしたＭｏ／Ｓｉフィルムの上にＭｏ分率の高いＭｏ／Ｓｉ緩衝層を設け、それについて試験を行い、Ｍｏ／Ｓｉフィルムを組み合わせたものの正味応力／曲率は、緩衝層の厚みとＭｏ分率を変えることによってゼロに調整できることを確認した。周期６．９ｎｍ、Ｍｏ分率０．４、厚さ２７０ｎｍのＭｏ／Ｓｉフィルムを、Ｍｏ分率０．８の同様のフィルム上に設けたところ、正味応力が−７０ＭＰａ（３５０ＭＰａの低下）のフィルムが得られた。反射率を測定すると、垂直から５°での最高反射率約６３％が１３．４ｎｍで得られ、その半値全幅は０．５５ｎｍであった。
【００２４】
  本発明は、現在開発中のＥＵＶリソグラフィー装置の性能に強い影響を与える可能性を持っており、それはまた電子装置の更なる微細化に重大な影響を及ぼし得るものである。本発明はまた、国立燃焼機関でだけでなく、軟ｘ線波長域、及びＥＵＶ波長域を必要とする用途におけるような、光学コーティングの応力が問題となるあらゆる技術に強い影響を与えるであろう。」
　
「【００２８】
  ここで図面を参照すると、図１は本発明を図式的に示すものである。１０で示される
反射性の装置
【００２９】
  図１に示すような応力低減に対する緩衝層によるアプローチにより、正味フィルム応力（曲率）を任意の所望のレベルに調整できるという可能性がもたらされる。幾つか境界条件が存在する。１）緩衝層は滑らかでなければならず、また２）多層フィルム／緩衝層／基板を組み合わせたものは、経時的に安定でなければならない。また、或る種の用途においては、応力／曲率の非球形構成成分も減少しなければならない。多層フィルムの組成、及び緩衝層の組成にもよるが、緩衝層は、多層であっても、複合体であっても、単一層であってもよい。
【００３０】
  図２は、多層フィルムの応力がＭｏ／Ｓｉ多層フィルムのＭｏ分率（Ｓｉに対するＭｏの比）の関数であることを示すものである。ここで、
定数（Λ）は６．９〜７．０ｎｍである。
【００３１】
  図３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層フィルムの応力を低下させるか、調整するか、もしくは調節する為にＭｏ／Ｓｉ緩衝層を使用することを含む、本発明による簡単な方法を図式的に示すものである。図に示されているように、
装置２０は、シリコンであってよい基板（光学素子）２１、Ｍｏ／Ｓｉの緩衝層２２、及びＭｏ／Ｓｉの多層フィルム２３からなっている。多層フィルム２３は、Ｍｏ分率（Г）が０．４、応力が−４２０ＭＰａの４０枚の複層からなるものである。緩衝層２２は、Ｍｏ分率（Г）が０．８、応力が＋３４０ＭＰａの「Ｎ枚」（この例ではＮ＝４０）の複層からなるものである。
　
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（イ）甲第３号証に記載された発明の認定
　上記記載（図面の記載も含む）から、甲第３号証には、
「シリコン基板２１、シリコン基板２１上のＭｏ／Ｓｉの緩衝層２２、及び、Ｍｏ／Ｓｉの緩衝層２２上のＭｏ／Ｓｉの多層フィルム２３からなり、多層フィルム２３は、Ｍｏ分率（Г）が０．４、応力が−４２０ＭＰａの４０枚の複層からなり、緩衝層２２は、Ｍｏ分率（Г）が０．８、応力が＋３４０ＭＰａの４０枚の複層からなるＥＵＶリソグラフィー装置用の反射性の装置２０。」の発明（以下「甲第３号証発明」という。）が記載されている。
　
イ　本件訂正発明１についての対比・判断
（ア）対比
　本件訂正発明１と甲第３号証発明とを対比すると、
ａ　甲第３号証発明の「Ｍｏ」、「Ｓｉ」及び「シリコン基板２１」が、それぞれ、本件訂正発明１の「モリブデンである」「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質（以下、「第１物質」と呼称する）」、「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差」が「小さい物質（以下、「第２物質」と呼称する）」及び「基板」に相当するから、甲第３号証発明の「シリコン基板２１上のＭｏ／Ｓｉの緩衝層２２」及び「Ｍｏ／Ｓｉの緩衝層２２上のＭｏ／Ｓｉの多層フィルム２３」が、それぞれ、本件訂正発明１の「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質（以下、「第１物質」と呼称する）からなる層と小さい物質（以下、「第２物質」と呼称する）からなる層とを基板上に交互に積層してなる第１多層膜」（なお「前記第１物質はモリブデン」である点も含まれる。）及び「前記第１多層膜上に形成された、第１物質からなる層と第２物質からなる層とを交互に積層してなる第２多層膜」に相当する。
　
ｂ　甲第３号証発明の「Ｍｏ分率（Г）」が、本件訂正発明１の「第１物質層の厚さと第２物質層の厚さとの合計を周期長とし、周期長に対する第１物質層の厚さの比をΓ」に相当し、甲第３号証発明の「多層フィルム２３は、Ｍｏ分率（Г）が０．４」、「緩衝層２２は、Ｍｏ分率（Г）が０．８」であることが、本件訂正発明１の「第１物質層の厚さと第２物質層の厚さとの合計を周期長とし、周期長に対する第１物質層の厚さの比をΓとするとき、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大き」いことに相当する。
　
ｃ　甲第３号証発明の「多層フィルム２３」は「応力が−４２０ＭＰａ」であり「緩衝層２２」は「応力が＋３４０ＭＰａ」であることが、本件訂正発明１の「前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する」 ことに相当する。
　
ｄ　甲第３号証発明の「多層フィルム２３」は「４０枚の複層」からなり「緩衝層２２」は「４０枚の複層」からなる「ＥＵＶリソグラフィー装置用の反射性の装置２０」が、本件訂正発明１の「多層膜反射鏡」に相当する。
　
（イ）一致点
　すると、本件訂正発明１と甲第３号証発明とは、
「軟Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質（以下、「第１物質」と呼称する）からなる層と小さい物質（以下、「第２物質」と呼称する）からなる層とを基板上に交互に積層してなる第１多層膜と、前記第１多層膜上に形成された、第１物質からなる層と第２物質からなる層とを交互に積層してなる第２多層膜とを有する多層膜反射鏡であって、前記第１物質はモリブデンであり、前記第１多層膜及び前記第２多層膜において、第１物質層の厚さと第２物質層の厚さとの合計を周期長とし、周期長に対する第１物質層の厚さの比をΓとするとき、前記第１多層膜のΓが前記第２多層膜のΓより大きく、前記第１多層膜は、前記第２多層膜が有する内部応力と相反する内部応力を有する多層膜反射鏡。」の発明である点で一致し，次の点で相違する。
　
（ウ）相違点
　本件訂正発明１においては「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さと等しく」且つ「前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短」いものであるのに対し、甲第３号証発明においては、そのような特定がない点。
　
（エ）判断
　上記の相違点について検討する
　内部応力を低減するために、第１多層膜と第２多層膜で内部応力が相反するようにする構成を、本件訂正発明１においては、「第１多層膜の第１物質からなる層の厚さ」と「第２多層膜の第１物質からなる層の厚さ」を「等しく」して、「第１多層膜の周期長」が「第２多層膜の周期長」より「短かく」することによってなしているものであるが、当該構成により、本件訂正発明１においては、内部応力を低減しつつも、反射率特性を悪化させないという本件明細書に記載の作用効果を奏するものである。
　
　まず、上記相違点に係るそのような構成は甲第４号証にも甲第５号証にも記載されているものではない。
　また、甲第３号証には【００３０】において「定数（Λ）は６．９〜７．０ｎｍである。」と記載されており、周期長を一定することが示唆されているといえるから、甲第３号証発明においては「第１多層膜の周期長」を「第２多層膜の周期長」より「短かく」することの動機付けがない（阻害要因がある）といえる。
　したがって、甲第３号証発明に甲第４号証又は甲第５号証に記載の技術的事項を適用して、本件訂正発明１を発明することが容易であるということはできない。
　
　なお、本件訂正発明２ないし４についても、上記の本件訂正発明１と甲第３号証発明との相違点である「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さと等しく」且つ「前記第１多層膜の周期長が前記第２多層膜の周期長より短」いという特定事項を含むものであるから、本件訂正発明１と同様に、甲第３号証発明に甲第４号証又は甲第５号証に記載の技術的事項を適用して、本件訂正発明２ないし４を導出することが容易であるということはできない。よって、本件訂正発明２ないし４が、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるとする無効理由ＩＩＩには理由がない。
　以上のとおりであるから、請求人が主張する無効理由ＩＩＩは、本件訂正請求による訂正によって、解消されたものであるということができ、無効理由ＩＩＩには理由がない。
　
（４）請求人が主張する無効理由ＩＶについて
　請求人が主張する無効理由ＩＶは、当初発明１の「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さと
ほぼ等しいか、それより薄く
　しかしながら、上記の「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さとほぼ等しいか、それより薄く」の特定事項は、本件訂正発明１ないし４において特定されている事項ではなく、この無効理由ＩＶは、本件訂正発明１ないし４に対する無効理由でないから、理由がない。
　すなわち、この無効理由ＩＶは、本件訂正請求による訂正によって、解消されたものであるといえるから、理由がない。
　
　なお、「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さとほぼ等しいか、それより薄く」を、本件訂正請求によって訂正した、本件訂正発明１ないし４の「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さと
等しく
　
（５）請求人が主張する無効理由Ｖについて
　請求人が主張する無効理由Ｖは、当初発明１の「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さとほぼ等しいか、それより薄く」の特定事項における「ほぼ等しい」は、その程度が不明確な表現であり、当初発明１は明確でないから、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反するという無効理由である。
　しかしながら、上記の「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さとほぼ等しいか、それより薄く」の特定事項は、本件訂正発明１ないし４において特定されている事項ではなく、この無効理由ＩＶは、本件訂正発明１ないし４に対する無効理由でないから、理由がない。
　すなわち、この無効理由Ｖは、本件訂正請求による訂正によって、解消されたものであるといえるから、理由がない。
　
　なお、「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さとほぼ等しいか、それより薄く」を、本件訂正請求によって訂正した、本件訂正発明１ないし４の「前記第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは、前記第２多層膜の第１物質からなる層の厚さと等しく」の「等しく」については、その程度は明確であることは明らかである。
　
２　当審において平成２５年５月１０日付けで通知した無効理由について
（１）無効理由１について
　無効理由１は、差戻直後発明１の「１２０％以下」の特定事項について、本件明細書の発明の詳細な説明に記載されていないから、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するという無効理由である。
　しかしながら、上記の「１２０％以下」の特定事項は、本件訂正発明１ないし４において特定されている事項ではなく、この無効理由ＩＶは、本件訂正発明１ないし４に対する無効理由でないから、理由がない。
　すなわち、この無効理由１は、本件訂正請求による訂正によって、解消されたものであるといえるから、理由がない。
　
（２）無効理由２について
　無効理由２は、差戻直後発明１ないし７が、甲第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができるものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとするものであったが、本件訂正請求によって訂正された後の本件訂正発明１ないし４が、甲第３号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものということができないことは、上記「１　請求人が主張する無効理由についての判断」の「（３）請求人が主張する無効理由ＩＩＩについて」で述べたとおりである。
　すなわち、この無効理由２は、本件訂正請求による訂正によって、解消されたものであるといえるから、理由がない。
　
３　当審において平成２５年１０月８日付けで通知した無効理由について
　
　当審において平成２５年１０月８日付けで通知した無効理由は、前回訂正発明１ないし５の「第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは３ｎｍ以下」という特定事項は、本件優先権主張の最初の優先権基礎出願の明細書等には記載されておらず、２番目の優先権基礎出願の明細書等に記載されている事項であるから、前回訂正発明１ないし５の優先日は、２番目の優先権基礎出願の出願日である２００４年２月２３日となることを前提として、甲第６号証は、前回訂正発明１ないし５の優先日の前に頒布された刊行物となることから生じた無効理由である。
　しかしながら、本件訂正請求によって訂正された後の本件訂正発明１ないし４には、上記の「第１多層膜の第１物質からなる層の厚さは３ｎｍ以下」という事項は特定されておらず、本件訂正発明１ないし４の優先日は、最初の優先権基礎出願の出願日である２００３年６月２日となり、甲第６号証刊行物は、優先日の後に頒布されたものとなる。すなわち、甲第６号証刊行物は、本件訂正発明１ないし４との関係では公知文献とはならない。
　したがって、甲第６号証刊行物に記載され発明については、本件訂正発明１ないし４に対しての特許法第２９条の規定を適用できない。
　すなわち、この無効理由は、本件訂正請求による訂正によって、解消されたものであるといえるから、理由がない。
 　 
 第７　むすび 
 　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし４は、いずれの無効理由によっても無効とすべきものではなく、本件無効審判の請求は成り立たない。 
 　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人の負担とする。 
 　 
 　よって、結論のとおり審決する。