(57)【要約】【課題】シールド層による電子部品に対するシールド特性の向上を図ることができるモジュールを提供する。【解決手段】モジュール１は、一方主面２ａと他方主面２ｂを有する配線基板２と、一方主面２ａに実装された電子部品３と、一方主面２ａと電子部品３とを封止する封止樹脂層４と、外部端子電極８と、配線基板２および封止樹脂層の外部端子電極の配置面以外の面を被覆する第１のシールド層５と、外部端子電極８を隔離するよう外部端子電極８の配置面を被覆する第２のシールド層６とを備える。【選択図】図２
2018088460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面と他方主面を有する配線基板と、
前記配線基板の一方主面と他方主面のうち、少なくとも一方主面に実装された電子部品と、
前記少なくとも一方主面と前記電子部品とを封止する封止樹脂層と、
外部端子電極と、
前記配線基板および前記封止樹脂層の前記外部端子電極の配置面以外の面を被覆する第１のシールド層と、
前記外部端子電極を隔離するよう前記外部端子電極の配置面を被覆する第２のシールド層と
を備えることを特徴とするモジュール。
【請求項２】
前記他方主面には電子部品が実装されていないことを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記外部端子電極の配置面にはグランド電極がさらに配置されており、
前記第２のシールド層は、前記外部端子電極の配置面のうちの前記グランド電極の配置領域の一部を被覆する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記外部端子電極の配置面にはグランド電極およびダミー電極がさらに配置されており、
前記第２のシールド層は、前記外部端子電極の配置面のうちの前記ダミー電極の配置領域を被覆し、前記グランド電極の配置領域と当該配置領域の周辺領域とを被覆しておらず、
前記グランド電極と前記ダミー電極とを電気的に接続する接続導体をさらに備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のモジュール。
【請求項５】
前記電子部品が実装された前記少なくとも一方主面にはさらに別の電子部品が実装されており、
前記封止樹脂層における、前記配線基板の前記少なくとも一方主面と対向する面と反対側の面には、前記電子部品と前記別の電子部品とを仕切るトレンチが形成され、当該トレンチは前記配線基板にまで達していない
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のモジュール。
【請求項６】
前記配線基板の前記少なくとも一方主面を基準として前記電子部品の最も高い位置を第１の高さとして、前記別の電子部品の最も高い位置を第２の高さとした場合、前記第１の高さと前記第２の高さのうち低い方の高さに比べて、前記トレンチが、前記配線基板側に形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に実装された電子部品に対する不要電磁波を遮蔽するシールド層を有するモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の実装面に半導体素子等の電子部品が実装されたモジュールでは、電子部品に対する、外部機器が放射する不要電磁波等による悪影響を低減するために、不要電磁波を遮蔽するシールド層を設ける場合がある。この種のモジュールでは、配線基板の実装面に実装された電子部品を封止樹脂層で被覆し、封止樹脂層の上面及び側面と配線基板の側面を被覆するようにシールド層を設けるものがある。このようなモジュールとして、例えば、図１１に示すように特許文献１に記載の半導体装置１００がある。
【０００３】
半導体装置１００は、配線基板１０１と、配線基板１０１の一方主面上に搭載された半導体チップ１０２と、半導体チップ１０２を封止する封止する封止樹脂層１０３と、封止樹脂層１０３の上面及び側面並びに配線基板１０１の側面を覆う導電性シールド層１０４とを具備する。配線基板１０１の一方主面には半導体チップ１０２との電気的な接続部となる内部接続端子１０５を有する第１の配線層が設けられ、他方主面には外部機器等との電気的な接続部となる外部接続端子１０６およびグランド端子１０７を有する第２の配線層が設けられ、第１の配線層および第２の配線層上には、それぞれ絶縁層として第１のソルダレジスト層１０８および第２のソルダレジスト層１０９が形成されている。
【０００４】
第２のソルダレジスト層１０９には、外部接続端子１０６を露出させる開口部１１０が設けられており、グランド端子１０７を配線基板１０１の下方に向けて露出させる開口部１１０と、この開口部１１０から連続して設けられ、配線基板１０１の側面に向けて露出させる開放部１１１とが設けられている。導電性シールド層１０４は、開放部１１１内に設けられた接続部１１２を介してグランド端子１０７に接続されている。
【０００５】
上記した半導体装置１００では、導電性シールド層１０４が封止樹脂層１０３の上面及び側面並びに配線基板１０１の側面を覆うように設けられることによって、外部機器から放射される電磁波の半導体チップ１０２等への到来を防止したり、半導体チップ１０２等から放射される不要電磁波の外部への漏洩を防止したりする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１５４０３２号公報（段落００１０〜００１２、図２参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した半導体装置１００では、配線基板１０１の他方主面側から内部に電磁波が侵入したり、当該他方主面側から外部へ電磁波が漏洩したりする虞がある。
【０００８】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、シールド層による電子部品に対するシールド特性の向上を図ることができるモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、一方主面と他方主面とを有する配線基板と、前記配線基板の一方主面と他方主面のうち、少なくとも一方主面に実装された電子部品と、前記少なくとも一方主面と前記電子部品とを封止する封止樹脂層と、外部端子電極と、前記配線基板および前記封止樹脂層の前記外部端子電極の配置面以外の面を被覆する第１のシールド層と、前記外部端子電極を隔離するよう前記外部端子電極の配置面を被覆する第２のシールド層とを備えることを特徴としている。
【００１０】
この構成によれば、外部端子電極の配置面を除いて第１のシールド層で被覆するとともに、外部端子電極を隔離するよう外部端子電極の配置面を第２のシールド層で被覆している。このため、外部端子電極を第２のシールド層に電気的に接続しないようにしつつ、第１のシールド層が被覆していない領域からの電磁波の侵入および漏洩を第２のシールド層で軽減することができ、シールド層による電子部品に対するシールド特性の向上を図ることができる。
【００１１】
また、前記他方主面には電子部品が実装されていないようにしてもよい。この構成によれば、シールド特性の向上が図られた配線基板の一方主面に電子部品が実装されるモジュールを提供することができる。
【００１２】
また、前記外部端子電極の配置面にはグランド電極がさらに配置されており、前記第２のシールド層は、前記外部端子電極の配置面のうちの前記グランド電極の配置領域の一部を被覆するようにしてもよい。この構成によれば、グランド電極と第２のシールド層の接触面積の増大を図ることができ、グランド電極と第２のシールド層との接触不良を低減することができる。
【００１３】
また、前記外部端子電極の配置面にはグランド電極およびダミー電極がさらに配置されており、前記第２のシールド層は、前記外部端子電極の配置面のうちの前記ダミー電極の配置領域を被覆し、前記グランド電極の配置領域と当該配置領域の周辺領域とを被覆しておらず、前記グランド電極と前記ダミー電極とを電気的に接続する接続導体をさらに備えるようにしてもよい。この構成によれば、ダミー電極の大きさを変えることにより、グランド電極と第２のシールド層との接触面積を調整することができる。
【００１４】
また、前記電子部品が実装された前記少なくとも一方主面にはさらに別の電子部品が実装されており、前記封止樹脂層における、前記配線基板の前記少なくとも一方主面と対向する面と反対側の面には、前記電子部品と前記別の電子部品とを仕切るトレンチが形成され、当該トレンチは前記配線基板にまで達していないようにしてもよい。この構成によれば、トレンチの形成時に配線基板への損傷を軽減することができる。
【００１５】
また、前記配線基板の前記少なくとも一方主面を基準として前記電子部品の最も高い位置を第１の高さとして、前記別の電子部品の最も高い位置を第２の高さとした場合、前記第１の高さと前記第２の高さのうち低い方の高さに比べて、前記トレンチが前記配線基板側に形成されているようにしてもよい。この構成によれば、トレンチで仕切られた電子部品と別の電子部品との間の遮蔽を効果的に実現することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、外部端子電極の配置面を除いて第１のシールド層で被覆するとともに、外部端子電極を隔離するよう外部端子電極の配置面を第２のシールド層で被覆している。このため、外部端子電極を第２のシールド層に電気的に接続しないようにしつつ、第１のシールド層が被覆していない領域からの電磁波の侵入および漏洩を第２のシールド層で軽減することができ、シールド層による電子部品に対するシールド特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るモジュールの底面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ”断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係るモジュールのシールド前の底面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るモジュールのシールド後の底面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ”断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るモジュールのシールド前の底面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係るモジュールのシールド後の底面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ”断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係るモジュールの断面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態に係るモジュールの断面図である。
【図１１】従来のモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係るモジュール１について、図１および図２を参照して説明する。なお、図１はモジュール１の底面図、図２は図１のＡ−Ａ”断面図である。
【００１９】
第１実施形態に係るモジュール１は、図２に示すように、配線基板２と、配線基板２の一方主面（本発明の電子部品が搭載される「一方主面」に相当）２ａに実装された複数の電子部品３と、配線基板２の一方主面２ａおよびこの一方主面２ａに実装された各電子部品３を封止する封止樹脂層４と、封止樹脂層４の上面および側面並びに配線基板２の側面を被覆する第１のシールド層５と、配線基板２の一方主面２ａの反対側の面である他方主面（本発明の「外部端子電極の配置面」に相当）２ｂの一部領域および第１のシールド層５の側面を被覆して設けられた第２のシールド層６とを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載されるものである。
【００２０】
配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミックスやガラスエポキシ樹脂などで形成され、一方主面２ａには、各電子部品３が実装される複数のランド電極７が形成されるとともに、他方主面２ｂには、外部機器と信号を送受信するための複数の外部端子電極８が形成されている。外部端子電極８は、図１に示すように、５行５列のマトリックス状に配置されている。なお、配線基板２の内部には、複数のグランド電極（不図示）、複数種類の配線電極（不図示）、および複数のビア導体（不図示）が形成されている。ここで、各グランド電極は、例えば、配線基板２の側面から露出するように形成されており、第１のシールド層５と電気的に接続されている。
【００２１】
また、各ランド電極７、各外部端子電極８、各グランド電極、および各配線電極は、それぞれ、ＣｕやＡｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各ランド電極７および各外部端子電極８には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。
【００２２】
各電子部品３としては、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体で形成された半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品などが挙げられる。
【００２３】
封止樹脂層４は、配線基板２の一方主面２ａと各電子部品３とを被覆するように設けられている。また、封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の、封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。
【００２４】
第１のシールド層５は、封止樹脂層４の上面および側面並びに配線基板２の側面を被覆して設けられており、外部機器から放射される不要電磁波がモジュール１の各電子部品３および各配線電極等へ到来することを低減したり、モジュール１の各電子部品３および各配線電極等から放射される不要電磁波が外部へ漏洩することを低減したりするためのものである。また、第１のシールド層５は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌなどの導電性の材料により形成することができる。なお、封止樹脂層４の上面および側面並びに配線基板２の側面が本発明の「外部端子電極の配置面以外の面」に相当する。
【００２５】
第２のシールド層６は、配線基板２の他方主面２ｂの一部領域および第１のシールド層５の側面を被覆して設けられており、外部機器から放射される不要電磁波がモジュール１の各電子部品３および各配線電極等へ到来することを低減したり、モジュール１の各電子部品３および各配線電極等から放射される不要電磁波が外部へ漏洩することを低減したりするためのものである。
【００２６】
ここで、第２のシールド層６が被覆する配線基板２の他方主面２ｂの一部領域について記載する。第２のシールド層６は、図１および図２に示すように、配線基板２の他方主面２ｂのうちの各外部端子電極８の配置領域と当該配置領域の周辺領域とを含まない被覆領域（他方主面２ｂの一部領域に相当）を被覆する。言い換えると、第２のシールド層６には、モジュール１の裏面を当該裏面に垂直な方向から見たときに、各外部端子電極８と重なり合う領域がなく、かつ、各外部端子電極８の周囲と重なる周囲がないように各開口９が形成され、図１および図２に示すように、第２のシールド層６と外部端子電極８との間には、配線基板２の他方主面２ｂが露出している。つまり、第２のシールド層６は外部端子電極８を隔離するよう配線基板２の他方主面２ｂを被覆する。このように、各外部端子電極８と第２のシールド層６とは電気的に絶縁されている。また、第２のシールド層６は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌなどの導電性の材料により形成することができる。
【００２７】
第２のシールド層６および後述する第２のシールド層６ａ，６ｂ，６ｄは、第１のシールド層５，５ｃ，５ｄの側面から第１のシールド層５，５ｃ，５ｄが被覆していない面にかけて連続して設けられている。
【００２８】
（モジュールの製造方法）
次に、モジュール１の製造方法について説明する。
【００２９】
まず、一方主面２ａに複数のランド電極７が形成され、他方主面２ｂに複数の外部端子電極８が形成されるとともに、内部に複数のグランド電極、複数種類の配線電極、複数のグランド電極および複数のビア導体等が形成された配線基板２を用意する。各ランド電極７、各外部端子電極８、各グランド電極、および各配線電極については、Ａｇ、Ｃｕ等の金属を含有する導電性ペーストをスクリーン印刷するなどしてそれぞれ形成することができる。また、各ビア導体については、レーザ等を用いてビアホールを形成した後、周知の方法により形成することができる。
【００３０】
次に、配線基板２の一方主面２ａに、周知の表面実装技術を用いて複数の電子部品３を実装する。次に、配線基板２の一方主面２ａおよびこの一方主面２ａに実装された各電子部品３を被覆するように、配線基板２の一方主面２ａに封止樹脂層４を形成する。封止樹脂層４の形成に、例えば、塗布方式、印刷方式、コンプレッションモールド方式、トランスファモールド方式等を用いることができる。さらに、封止樹脂層４の表面を平坦化するために、封止樹脂層４の表面を研磨または研削する。
【００３１】
次に、封止樹脂層４の上面および側面並びに配線基板２の側面を被覆するように、封止樹脂層４の上面および側面並びに配線基板２の側面に第１のシールド層５を形成する。第１のシールド層５の形成に、例えば、スパッタ方式、蒸着方式、ペースト塗布方式等を用いることができる。
【００３２】
次に、配線基板２の他方主面２ｂの被覆領域および第１のシールド層５の側面を被覆するように、配線基板２の他方主面２ｂの被覆領域および第１のシールド層５の側面に第２のシールド層６を形成する。第２のシールド層６の形成に、例えば、スパッタ方式、蒸着方式、ペースト塗布方式等を用いることができる。なお、配線基板２の他方主面２ｂの被覆領域を除く領域にマスクをかけることにより、第２のシールド層６に各開口９を形成することができる。
【００３３】
したがって、上述した第１実施形態によれば、封止樹脂層４の上面および側面並びに配線基板２の側面を被覆する第１のシールド層５に加えて、配線基板２の他方主面２ｂの被覆領域および第１のシールド層５の側面を被覆する第２のシールド層６を備えている。これにより、モジュール１の上面および側面からモジュール１内部に侵入する電磁波およびモジュール１の上面および側面からモジュール１外部へ漏洩する電磁波を低減することができるとともに、モジュール１の下面からモジュール１内部に侵入する電磁波およびモジュール１の下面からモジュール１外部へ漏洩する電磁波を低減することができる。このように、モジュール１では、第１のシールド層５および第２のシールド層６による電子部品に対するシールド特性の向上を図ることができる。
【００３４】
また、通常、第１のシールド層５のモジュール１の側面における厚みは上面における厚みより薄くなる傾向があり、第２のシールド層６のモジュール１の側面における厚みは下面における厚みより薄くなる傾向がある。しかしながら、モジュール１では、モジュール１の側面は、第１のシールド層５および第２のシールド層６の２層で被覆されるため、モジュール１の側面のシールド層の厚み（第１のシールド層５と第２のシールド層６とを合わせた厚み）を大きくすることができる。このため、モジュール１は、モジュール１の側面からモジュール１内部に侵入する電磁波およびモジュール１の側面からモジュール１外部へ漏洩する電磁波を効果的に低減することができる。モジュール１の下面側にシールド層（第２のシールド層６）が設けられない場合、モジュール１のシールド層の上面の厚みと側面の厚みの比はほぼ４：１となるが、モジュール１に２つシールド層（第１のシールド層５、第２のシールド層６）を設けることにより、モジュール１のシールド層の上面の厚みと側面の厚みの比はほぼ２：１となる。このように、モジュール１の側面にも十分な厚さのシールド膜を設けることができるため、側面のシールド効果も改善することができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係るモジュールについて、図３ないし図５を参照して説明する。なお、図３はシールド前のモジュール１ａの底面図、図４はシールド後のモジュール１ａの底面図、図５は図４のＢ−Ｂ”断面図である。
【００３６】
第２実施形態に係るモジュール１ａが、図１及び図２を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なるのは、図３ないし図５に示すように、基板２の他方主面２ｂに複数の外部端子電極８とともに複数のグランド電極２１が形成され、モジュール１ａの裏面に垂直な方向から見たときに、各外部端子電極８と重なり合わずかつ接しないように、また、各グランド電極２１の一部と重なり合うように第２のシールド層６ａが設けられている点において、異なる。なお、配線基板２内の各グランド電極（不図示）は、各グランド電極２１を介して第２のシールド層６ａに接続される。その他の構成は第１実施形態に係るモジュール１と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
【００３７】
図３および図５に示すように、基板２の他方主面２ｂには、複数の外部端子電極８と複数のグランド電極２１が形成されている。複数の外部端子電極８は、図３に示すように、矩形の辺上に配され、各辺には５個の外部端子電極８が設けられている。また、グランド電極２１は複数の外部端子電極８が配される矩形の内側に４個設けられている。各グランド電極２１は、ＣｕやＡｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されており、各グランド電極２１には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されていてもよい。
【００３８】
第２のシールド層６ａは、図４および図５に示すように、配線基板２の他方主面２ｂの一部領域および第１のシールド層５の側面を被覆して設けられている。
【００３９】
ここで、第２のシールド層６ａが被覆する配線基板２の他方主面２ｂの一部領域について記載する。第２のシールド層６ａは、図４および図５に示すように、配線基板２の他方主面２ｂのうちの、各外部端子電極８の配置領域と当該配置領域の周辺領域とを含まないともに、各グランド電極２１の配置領域の一部を含む被覆領域（他方主面２ｂの一部領域に相当）を被覆する。言い換えると、第２のシールド層６ａには、モジュール１ａの裏面を当該裏面に垂直な方向から見たときに、各外部端子電極８と重なり合う領域がなく、かつ、各外部端子電極８の周囲と重なる周囲がないように各開口９が形成され、各グランド電極２１とはグランド電極２１の中央領域を含まない領域でのみ重なり合うように各開口９ａが形成され、図４および図５に示すように、第２のシールド層６ａと外部端子電極８との間には、配線基板２の他方主面２ｂが露出している。このように、各外部端子電極８と第２のシールド層６ａとは電気的に絶縁され、各グランド電極２１と第２のシールド層６ａとは電気的に接続されている。
【００４０】
したがって、上述した第２実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、各グランド電極２１の中央領域を除く領域を第２のシールド層６ａで覆っているので、各グランド電極２１と第２のシールド層６ａとの接触面積の増大を図ることができ、各グランド電極２１と第２のシールド層６ａとの接触不良を低減することができる。また、配線基板２内のグランド電極の面積を減らすことができ、配線基板２内の配線電極等のレイアウトの設計の自由度が増大する。
【００４１】
なお、モジュール１ａの裏面を当該裏面に垂直な方向から見たときに、各グランド電極２１と第２のシールド層６ａとはグランド電極２１の一部で重なり合うようにしているが、少なくとも一つのグランド電極２１と第２のシールド層６ａとはグランド電極２１の一部で重なり合うようにし、残りのグランド電極２１と第２のシールド層６ａとはグランド電極２１の全部で重なり合うようにしてもよい。この構成によれば、開口９が減るので、よりシールド効果の向上を図ることができる。
【００４２】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態に係るモジュールについて、図６ないし図８を参照して説明する。なお、図６はシールド前のモジュール１ｂの底面図、図７はシールド後のモジュール１ｂの底面図、図８は図７のＣ−Ｃ”断面図である。
【００４３】
第３実施形態に係るモジュール１ｂが、図１および図２を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なるのは、図６ないし図８に示すように、基板２の他方主面２ｂに複数の外部端子電極８とともに複数のグランド電極２１および複数のダミー電極３１が形成され、モジュール１ｂの裏面に垂直な方向から見たときに、各外部端子電極８および各グランド電極２１と重なり合わずかつ接しないように、また、各ダミー電極３１全体と重なり合うように、第２のシールド層６ｂが設けられ、各グランド電極２１は各ダミー電極３１と接続導体３２により電気的に接続されている点において、異なる。その他の構成は第１実施形態に係るモジュール１と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
【００４４】
図６および図８に示すように、基板２の他方主面２ｂには、複数の外部端子電極８と複数のグランド電極２１と複数のダミー電極３１が形成されている。複数の外部端子電極８は、図６に示すように、５行５列のマトリックスのうち、第２行第１列、第２行第２列、第２行第４列、第２行第５列、第４行第１列、第４行第２列、第４行第４列、および第４行第５列を除く対応領域に設けられている。また、複数のグランド電極２１は、図６に示すように、５行５列のマトリックスのうち、第２行第２列、第２行第４列、第４行第２列、および第４行第４列の対応領域に設けられている。また、複数のダミー電極３１は、図６に示すように、５行５列のマトリックスのうち、第２行第１列、第２行第５列、第４行第１列、および第４行第５列の対応領域に設けられている。各ダミー電極３１は、ＣｕやＡｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されており、各ダミー電極３１には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されていてもよい。
【００４５】
第２のシールド層６ｂは、図７および図８に示すように、配線基板２の他方主面２ｂの一部領域および第１のシールド層５の側面を被覆して設けられている。
【００４６】
ここで、第２のシールド層６ｂが被覆する配線基板２の他方主面２ｂの一部領域について記載する。第２のシールド層６ｂは、図７および図８に示すように、配線基板２の他方主面２ｂのうちの、各外部端子電極８の配置領域と当該配置領域の周辺領域とを含まないともに、各グランド電極２１の配置領域の配置領域と当該配置領域の周辺領域とを含まない被覆領域（他方主面２ｂの一部領域に相当）を被覆している。言い換えると、第２のシールド層６ｂには、モジュール１ｂの裏面を当該裏面に垂直な方向から見たときに、各外部端子電極８と重なり合う領域がなく、かつ、各外部端子電極８の周囲と重なる周囲がないように各開口９が形成され、各グランド電極２１と重なり合う領域がなく、かつ、各グランド電極２１の周囲と重なる周囲がないように各開口９ｂが形成されている。なお、被覆領域は各ダミー電極３１の配置領域全てを含んでいる。
【００４７】
モジュール１ｂの配線基板２の内部には、図８に示すように、各グランド電極２１を各ダミー電極３１に電気的に接続する複数の接続導体３２が設けられている。各接続導体３２は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。
【００４８】
図８に示すように、各外部端子電極８は第２のシールド層６ｂと電気的に絶縁され、各グランド電極２１は、第２のシールド層６ｂに電気的に接続された各ダミー電極３１に各接続導体３２を介して電気的に接続されることによって、第２のシールド層６ｂに電気的に接続されている。
【００４９】
したがって、上述した第３実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、各ダミー電極３１の大きさを変えることにより、各グランド電極２１と第２のシールド層６ｂとの接触面積を調整することができる。
【００５０】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態に係るモジュールについて、図９を参照して説明する。なお、図９はモジュール１ｃの断面図である。
【００５１】
第４実施形態に係るモジュール１ｃが、図６ないし図８を用いて説明した第３実施形態に係るモジュール１ｂと異なるのは、図９に示すように、封止樹脂層４ａに一の電子部品と他の電子部品との間を仕切るトレンチ４１が形成され、配線基板２の側面と封止樹脂層４ｃを被覆するように第１のシールド層５ｃが設けられている点において、異なる。その他の構成は第３実施形態に係るモジュール１ｂと同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
【００５２】
封止樹脂層４ｃは、配線基板２の一方主面２ａと一方主面２ａに実装された各電子部品３−１，３−２，３−３とを被覆するように設けられている。封止樹脂層４ｃには、封止樹脂層４ｃ内を電子部品３−１が存在する部分と、電子部品３−２，３−３が存在する部分とを仕切るトレンチ４１が、封止樹脂層４ｃの上面（本発明の「封止樹脂層における、配線基板の少なくとも一方主面と対向する面と反対側の面」に相当）から配線基板２の方向に向かって、配線基板２にまで達しないように形成されている。
【００５３】
第１のシールド層５ｃは、封止樹脂層４ｃの上面、側面およびトレンチ４１並びに配線基板２の側面を被覆して設けられている。
【００５４】
したがって、第４実施形態によれば、第３実施形態の効果に加えて、トレンチ４１部分の第１のシールド層５ｃより、トレンチ４１で仕切られた電子部品３−１と電子部品３−２，３−３との間の遮蔽を実現することができる。また、トレンチ４１を配線基板２にまで達しない構造にすることで、トレンチ４１を形成する際のレーザによる配線基板２の損傷を軽減することができる。
【００５５】
なお、トレンチで電子部品と別の電子部品とを仕切る場合、配線基板の電子部品および別の電子部品を搭載する一方主面を基準とし、電子部品の最も高い位置を第１の高さとし、別の電子部品の最も高い位置を第２の高さとしたときに、第１の高さと第２の高さのうち低い方の高さと比べて、トレンチが配線基板側に形成され、かつ、配線基板の一方主面にまで達しないように、封止樹脂層の配線基板の一方主面と対向する面と反対側の面から形成されるようにしてもよい。このようにすれば、トレンチで仕切られた一方の部分にある電子部品と他方の部分にある電子部品との間の遮蔽を効果的に実現することができる。
【００５６】
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態に係るモジュールについて、図１０を参照して説明する。なお、図１０はモジュール１ｄの断面図である。
【００５７】
第５実施形態に係るモジュール１ｄが、図１および図２を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なるのは、図１０に示すように、配線基板２ｄの一方主面（本発明の電子部品が搭載される「一方主面」に相当）２ｄａに電子部品３が実装されるとともに、他方主面２ｄｂ（本発明の電子部品が搭載される「他方主面」に相当）にも電子部品３ｄが実装され、他方主面２ｄｂと電子部品３ｄを被覆するように封止樹脂層５１が設けられ、金属ピラー（本発明の「外部端子電極」に相当）８ｄの一方面が封止樹脂層５１の下面（本発明の「外部端子電極の配置面」に相当）とほぼ同一面上になるように形成され、封止樹脂層４の上面および側面、配線基板２ｄの側面並びに封止樹脂層５１の側面を被覆するように第１のシールド層５ｄが形成され、第１のシールド層５ｄの側面および封止樹脂層５１の下面の一部を被覆するように第２のシールド層６ｄが形成されている点において、異なる。その他の構成は第１実施形態に係るモジュール１と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
【００５８】
配線基板２ｄの一方主面２ｄａには複数の電子部品３が搭載され、他方主面２ｄｂには電子部品３ｄが搭載されている。配線基板２ｄの一方主面２ｄａには、各電子部品３が実装される複数のランド電極７が形成されるとともに、他方主面２ｄｂには、電子部品３ｄが実装される複数のランド電極７ｄ、複数の金属ピラー８ｄの他方面が接続される複数の電極５２が形成されている。複数の金属ピラー８ｄは、導電性材料からなり、モジュール１の裏面を当該裏面に垂直な方向から見たときに、配線基板２ｄの他方主面２ｄｂの内縁に沿って２重に形成されている。各電極５２および各金属ピラー８ｄは外部機器と信号を送受信するためのものである。封止樹脂層５１は、配線基板２の他方主面２ｄｂと電子部品３ｄとを被覆するように設けられ、各金属ピラー８ｄの一方面は、封止樹脂層５の下面とほぼ同一面上にあり、封止樹脂層５１から露出している。
【００５９】
第１のシールド層５ｄは、封止樹脂層４の上面および側面、配線基板２の側面、並びに封止樹脂層５１の側面を被覆して設けられている。
【００６０】
第２のシールド層６ｄは、封止樹脂層５１の下面の一部領域および第１のシールド層５ｄの側面を被覆して設けられている。
【００６１】
ここで、第２のシールド層６ｄが被覆する封止樹脂層５１の下面の一部領域について記載する。第２のシールド層６ｄは、図１０に示すように、封止樹脂層５１の下面のうちの各金属ピラー８ｄの一方面の領域と当該一方面の領域の周辺領域とを含まない被覆領域（封止樹脂層５１の下面の一部領域に相当）を被覆する。言い換えると、第２のシールド層６ｄには、モジュール１ｄの裏面を当該裏面に垂直な方向から見たときに、各金属ピラー８ｄの一方面と重なり合う領域がなく、かつ、各金属ピラー８ｄの一方面の周囲と重なる周囲がないように各開口９ｄが形成され、図１０に示すように、第２のシールド層６ｄと金属ピラー８ｄの一方面との間には、封止樹脂層５１が露出している。つまり、第２のシールド層６ｄは金属ピラー８ｄの一方面を隔離するよう封止樹脂層５１の下面を被覆する。このように、各金属ピラー８ｄと第２のシールド層６ｄとは電気的に絶縁されている。
【００６２】
したがって、上記した第５実施形態によれば、第１実施形態と同様に、モジュール１ｄでは、第１のシールド層５ｄおよび第２のシールド層６ｄにより、電磁波のモジュール１ｄ内への進入およびモジュール１ｄ外への漏洩を抑えることができる。
【００６３】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行うことができる。例えば、上記した各実施形態の内容を組み合わせてもよい。第５実施形態では、複数の金属ピラー８ｄは、モジュール１の裏面を当該裏面に垂直な方向から見たときに、配線基板２ｄの他方主面２ｄｂの内縁に沿って２重に形成されているとしたが、これに限定されるものではなく、複数の金属ピラーは、モジュールの裏面を当該裏面に垂直な方向から見たときに、１重や３重などであってもよく、また、環状でなくてもよい。
【００６４】
また、本発明は、配線基板に実装された部品と、不要電磁波を遮蔽するシールド層を有するモジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ  モジュール、  ２，２ｄ  配線基板、  ３，３ｄ  電子部品、  ４，４ｃ，５１  封止樹脂層、  ５，５ｄ  第１のシールド層、  ６，６ａ，６ｂ，６ｄ  第２のシールド層、  ８，８ｄ  外部端子電極、  ２１  グランド電極、  ３１  ダミー電極、  ３２  接続導体、  ４１  トレンチ
【図１】
2018088460.tif 000003
【図２】
2018088460.tif 000004
【図３】
2018088460.tif 000005
【図４】
2018088460.tif 000006
【図５】
2018088460.tif 000007
【図６】
2018088460.tif 000008
【図７】
2018088460.tif 000009
【図８】
2018088460.tif 000010
【図９】
2018088460.tif 000011
【図１０】
2018088460.tif 000012
【図１１】
2018088460.tif 000013