【事件の表示】
　特願２００９−５０１５１１号「非平面太陽電池のモノリシック集積」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　５月　２日国際公開、ＷＯ２００８／０５１２７５、平成２１年　８月２７日国内公表、特表２００９−５３０８５８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００７年３月１９日（パリ条約による優先権主張　２００６年３月１８日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年７月１３日付けで手続補正がなされたが、同年１１月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２５年４月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、請求と同時に手続補正がなされ、その後、同年１０月９日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、平成２６年５月２日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２５年４月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年４月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「(A)第1の端部及び第2の端部を有し、少なくとも１つの非平面を有する基板であって、前記基板の少なくとも一部が硬質である、前記基板と、
　(B)前記少なくとも１つの非平面に直線的に配置され、第1の光電池及び第2の光電池を含む複数の光電池であって、前記複数の光電池における各光電池が、
　前記基板に円周方向に配置された背面電極、
　前記背面電極に円周方向に配置され、ヘテロ接合である、半導体接合層、及び
　前記半導体接合部に円周方向に配置された透明導電層を含む、前記複数の光電池と、を含む、太陽電池ユニットであって、
　前記複数の光電池における前記第1の光電池の透明導電層が、前記複数の光電池における前記第2の光電池の背面電極に電気的に直列につながれ、かつ
　前記複数の光電池における光電池の半導体接合部が吸収体層及び接合パートナー層を含み、前記接合パートナー層が前記吸収体層に円周方向に配置されている、前記太陽電池ユニット。」
と補正された。
　
　本件補正は、平成２４年７月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「半導体接合層」について「ヘテロ接合である」と限定するものであり、この補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開２００５／０２９６５７号（以下「引用例」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
記載事項ア
「［００５６］　図３は、本発明の太陽電池要素の別の１実施形態の側部断面図であり、図４は、図３のＢ−Ｂ線に沿って切断した縦断面図である。
　
図３および図４に示す太陽電池要素１０は、断面が円形をした長尺体２の外表面上に、その長手方向に沿って複数の光電変換素子６が形成されている
図３および図４に示す太陽電池要素１０では、Ｐ
＋
−ｐＳｉ層４、Ｐ−ｐＳｉ層３およびＮ
＋
−ｐＳｉ層５がこの順に積層してなるＰＩＮ型半導体素子として光電変換素子６が形成されている。
図３および図４に示す太陽電池要素１０においても、Ｐ
＋
−ｐＳｉ層４およびＮ
＋
−ｐＳｉ層５上に電極７が形成されており、互いに異なる光電変換素子６同士は、電極７間に配線８を設けることで電気的に接続されている。
［００５７］　図１ないし図４に示した本発明の太陽電池要素１、１０の各構成要素について、以下に具体的に説明する。
　本発明の太陽電池要素１、１０において、長尺体２は、径が１０００μｍ以下の細径の長尺体であればよく、その断面形状は図示した円形に限定されない。したがって、長尺体２は、断面形状が楕円形や、矩形を含む多角形、さらに円弧と矩形を合成した形状であってもよい。これら断面形状が円形以外の場合、断面形状の長径が１０００μｍ以下である。但し、断面形状が円形または楕円形であれば、後述するようにロールに巻き取りながら、ロール・ツウ・ロールで製造できるので好ましい。
また、長尺体２が断面形状が円形または楕円形であって、かつ光透過性に優れた石英ガラス製であれば、後で詳述するように、長尺体２内部における光の多重反射効果を利用することで太陽電池要素１、１０の光電変換効率を高めることができる。
　
記載事項イ
「［００６０］　本発明の太陽電池要素１、１０において、長尺体２の外表面上に形成される光電変換素子６は、ＰＩＮ接合の半導体ではなく、ＰＮ接合の半導体であってもよい。ＰＮ接合の半導体の場合、図１および図２に示す太陽電池要素１と同様の構造の太陽電池要素では、Ｐ−ｐＳｉ層がなく、長尺体の外表面上にＰ＋−ｐＳｉ層およびＮ＋−ｐＳｉ層が、該長尺体の長手方向にこの順番に、またはこれとは反対の順番に形成される。一方、図３および図４に示す太陽電池要素１０と同様の構造の太陽電池要素では、Ｐ＋−ｐＳｉ層およびＮ＋−ｐＳｉ層がＰ−ｐＳｉ層をはさまずに積層して形成される。
また、図３および図４に示す太陽電池要素１０において、光電変換素子６における各層の順番は図示した態様に限定されず、長尺体２の外表面側からＮ＋−ｐＳｉ層、Ｐ−ｐＳｉ層およびＰ＋−ｐＳｉ層がこの順に形成されたＮＩＰ接合の半導体素子であってもよい。」
　
記載事項ウ
「［００６３］　本発明の太陽電池要素は、径が１０００μｍ以下の長尺体の外表面上に、光電変換素子をなすＰＮ型またはＰＩＮ型の半導体素子が形成されているのであればよく、上記した構成以外の構成であってもよい。図５は、本発明の太陽電池要素の別の１構成例の縦断面図であり、図６は、図５に示す太陽電池要素の部分破断側面図であり、図５の第１象限または第４象限側から見た図である。図５および図６の太陽電池要素１１では、長尺体２の外表面上に全周にわたって金属電極膜７１が形成されている。ここで金属電極膜を構成する金属材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔｉおよびこれらの合金、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）が例示される。これらの中でも、耐熱性に優れることから、Ｗ、ＷＳｉが好ましい。金属電極膜７１の外表面上には、Ｐ＋−ｐＳｉ層４、Ｐ−ｐＳｉ層３およびＮ＋−ｐＳｉ層５がこの順に積層されてＰＩＮ型半導体素子である光電変換素子６が形成されている。Ｎ＋−ｐＳｉ層５上には、透明電極膜として錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）膜７２が形成されている。図５における第２象限および第３象限のＩＴＯ膜７２上にはＡｌ膜１３が形成されている。Ａｌ膜１３は、反射膜と、ＩＴＯ膜の低抵抗化の役割を担う。したがって、図５において、第１象限および第４象限側が光入射側である。
［００６４］　図５および図６に示す太陽電池要素１１は、例えば以下の手順で製造することができる。長尺体２の外表面上に金属電極膜７１を成膜した後、金属電極膜７１からの金属原子の拡散を防止するため、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を成膜し、比較的低温の高周波（ＲＦ）加熱により膜を結晶化させて、Ｐ＋−ｐＳｉ層４を形成する。なお、ａ−Ｓｉ膜を結晶化するためにＲＦ加熱の代わりにレーザを用いてもよい。また、後述する熱ＣＶＤ法を用いてＰ＋−ｐＳｉ層を直接形成してもよい。ここでＰ＋−ｐＳｉ層４の厚さは、例えば約１００ｎｍとすることができる。
　次に、Ｐ＋−ｐＳｉ層４上にＰ−Ｓｉ層３を形成する。Ｐ−Ｓｉ層３の形成には、後述する熱ＣＶＤ法を用いて実施してもよく、またはスラリー状のシリコン粒子を塗布し、加熱焼成させて形成してもよい。
　次に、Ｐ−Ｓｉ層３上にＮ＋−ｐＳｉ層５を形成し、ＩＴＯ膜７２を形成し、Ａｌ膜１３を形成することで図５および図６に示す太陽電池要素１１が得られる。
……（中略）……
［００６７］　また、本発明の太陽電池要素において、長尺体の外表面上に形成される光電変換素子は、ＰＮ型またはＰＩＮ型の半導体素子であればよく、上記した多結晶シリコン半導体素子に限定されない。したがって、アモルファスシリコン型の半導体素子であってもよく、またＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＣｄＳやＣｄＴｅ等の二元系化合物半導体素子や、ＣｕＩｎＳｅ２のような三元系の化合物半導体素子であってもよい。さらにまた、多孔質ＴｉＯ２に色素を含浸させた色素含浸型の半導体素子であってもよい。」
　
記載事項エ
「［００６８］　
図１ないし図４に示す本発明の太陽電池要素１、１０では、複数ある光電変換素子６が電極７および配線８によって直列接続されている
　
　上記記載事項ア、エの記載内容からして、引用例には、
「断面が円形をした石英ガラス製の長尺体２と、前記長尺体２の外表面上にその長手方向に沿って形成されている複数の光電変換素子６と、電極７とを含む太陽電池要素１０であって、前記光電変換素子６はＰ＋−ｐＳｉ層４、Ｐ−ｐＳｉ層３およびＮ＋−ｐＳｉ層５がこの順に積層してなるＰＩＮ型半導体素子として形成されており、Ｐ＋−ｐＳｉ層４およびＮ＋−ｐＳｉ層５上に電極７が形成されており、互いに異なる光電変換素子６同士は、電極７間に配線８を設けることで直列接続されている太陽電池要素１０。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「断面が円形をした」「長尺体２」は、長尺体２の長手方向の両側に端部を有することは明らかであり、断面が円形をしているから少なくとも１つの非平面を有することも明らかである。また、引用発明の「長尺体２」は、その外表面に複数の光電変換素子６が形成されるのであるから本願補正発明の「基板」に相当する。そうすると、引用発明の「断面が円形をした」「長尺体２」は、本願補正発明の「第1の端部及び第2の端部を有し、少なくとも１つの非平面を有する基板」に相当する。
　
（ｂ）本願補正発明の「基板の少なくとも一部が硬質である」点についてどの程度の硬さであれば硬質であるといえるのかが必ずしも明確ではないが、本願の発明の詳細な説明には、硬質に関して【００３４】に「本出願のいくつかの実施態様において、材料(例えば基板102)は、それが20GPa以上、30GPa以上、40GPa以上、50GPa以上、60GPa以上又は70GPa以上のヤング率を有する材料で構成される場合に硬質であると考えられる。」と記載されており、この記載を参酌すると、「硬質」とは基板の材料のヤング率が20GPa以上であるものを意味するものと考えられる。そして、本願の発明の詳細な説明の【００３３】の【表１】には、ガラス（全種類）のヤング率が72GPaであることが記載されていることも参酌すると、引用発明の「石英ガラス製の長尺体２」のヤング率は少なくとも20GPa以上であるものと認められる。そうすると引用発明の「長尺体２」が「石英ガラス製」であることは、本願補正発明の「基板の少なくとも一部が硬質である」ことに相当するものと認められる。
　
（ｃ）引用発明の「前記長尺体２の外表面上にその長手方向に沿って形成されている複数の光電変換素子６と、電極７」は、本願補正発明の「前記少なくとも１つの非平面に直線的に配置され、第1の光電池及び第2の光電池を含む複数の光電池」に相当する。
　また、引用発明の「太陽電池要素１０」は、本願補正発明の「太陽電池ユニット」に相当する。
　
（ｄ）引用発明の「長尺体２の外表面上に」「形成されている」「光電変換素子６はＰ＋−ｐＳｉ層４、Ｐ−ｐＳｉ層３およびＮ＋−ｐＳｉ層５がこの順に積層してなる」のであるから、「Ｐ＋−ｐＳｉ層４」は長尺体２側に形成されており、「Ｎ＋−ｐＳｉ層５」は表面側に形成されているといえる。そうすると、「Ｐ＋−ｐＳｉ層４」上に形成された「電極７」も長尺体２側に形成されており、「Ｎ＋−ｐＳｉ層５」上に形成された「電極７」は表面側に形成されているとといえるから、引用発明の「Ｐ＋−ｐＳｉ層４」上に形成された「電極７」と、本願補正発明の「前記基板に円周方向に配置された背面電極」は、「基板側に形成された電極」である点で共通している。同様に、引用発明の「Ｎ＋−ｐＳｉ層５」上に形成された「電極７」と、本願補正発明の「前記半導体接合部に円周方向に配置された透明導電層」は、「表面側に形成された電極」である点で共通している。
　また、引用発明の「Ｐ＋−ｐＳｉ層４、Ｐ−ｐＳｉ層３およびＮ＋−ｐＳｉ層５がこの順に積層してなるＰＩＮ型半導体素子」と、本願補正発明の「前記背面電極に円周方向に配置され、ヘテロ接合である、半導体接合層」は、「半導体接合層」である点で共通している。
　また、引用発明の「互いに異なる光電変換素子６同士は、電極７間に配線８を設けることで直列接続されている」ことと、本願補正発明の「前記複数の光電池における前記第1の光電池の透明導電層が、前記複数の光電池における前記第2の光電池の背面電極に電気的に直列につながれ」ることは、「前記複数の光電池における前記第1の光電池の表面側に形成された電極が、前記複数の光電池における前記第2の光電池の基板側に形成された電極に電気的に直列につながれ」ている点で共通している。
　
　上記（ａ）ないし（ｄ）に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、
「(A)第1の端部及び第2の端部を有し、少なくとも１つの非平面を有する基板であって、前記基板の少なくとも一部が硬質である、前記基板と、
　(B)前記少なくとも１つの非平面に直線的に配置され、第1の光電池及び第2の光電池を含む複数の光電池であって、前記複数の光電池における各光電池が、
　基板側に形成された電極、半導体接合層、及び表面側に形成された電極を含む、前記複数の光電池と、を含む、太陽電池ユニットであって、
　前記複数の光電池における前記第1の光電池の表面側に形成された電極が、前記複数の光電池における前記第2の光電池の基板側に形成された電極に電気的に直列につながれている、前記太陽電池ユニット。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点
　本願補正発明では、複数の光電池における各光電池が、基板に円周方向に配置された背面電極、前記背面電極に円周方向に配置され、ヘテロ接合である、半導体接合層、及び前記半導体接合部に円周方向に配置された透明導電層を含み、前記複数の光電池における第1の光電池の透明導電層が、前記複数の光電池における第2の光電池の背面電極に電気的に直列につながれ、かつ前記複数の光電池における光電池の半導体接合部が吸収体層及び接合パートナー層を含み、前記接合パートナー層が前記吸収体層に円周方向に配置されているのに対し、引用発明では、そのような構成となっていない点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例には、太陽電池要素の別の構成例として、長尺体２の外表面上に全周にわたって金属電極膜７１（本願補正発明の「基板に円周方向に配置された背面電極」に相当）が形成され、金属電極膜７１の外表面上には、Ｐ＋−ｐＳｉ層４、Ｐ−ｐＳｉ層３およびＮ＋−ｐＳｉ層５がこの順に積層されてＰＩＮ型半導体素子である光電変換素子６が形成され、Ｎ＋−ｐＳｉ層５上には、透明電極膜として錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）膜７２（本願補正発明の「半導体接合部に円周方向に配置された透明導電層」に相当）が形成されることが記載（上記記載事項ウの「［００６３］参照）されているから、このような電極の構成を引用発明の電極の構成として採用する程度のことは当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　また、引用例には、長尺体２の外表面上に形成される光電変換素子６は、ＰＩＮ接合の半導体ではなく、ＰＮ接合の半導体であってもよいこと（上記記載事項イの［００６０］参照）や、長尺体の外表面上に形成される光電変換素子は、ＰＮ型またはＰＩＮ型の半導体素子であればよく、多結晶シリコン半導体素子に限定されず、半導体素子の材料としては、アモルファスシリコン型の半導体素子や、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＣｄＳやＣｄＴｅ等の二元系化合物半導体素子や、ＣｕＩｎＳｅ２のような三元系の化合物半導体素子等の種々の材料を用いることができること（上記記載事項ウの［００６７］参照）等が記載されており、太陽電池の半導体接合層をヘテロ接合とすることも周知技術（必要であれば特開２００４−１０４１３８号公報の【００１４】、特開２００５−１７５４４９号公報の【００１１】等参照）であるから、引用発明のＰＩＮ型半導体素子に代えてＰＮ型半導体素子を採用するとともに、ＰＮ接合がヘテロ接合となるように、Ｐ型、Ｎ型の材料を引用例に例示されているような種々の半導体素子の材料の中から適宜選択することは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　したがって、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得るようにすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明の効果は、引用発明、引用例に記載された事項及び周知技術から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用例に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年７月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　
「(A)第1の端部及び第2の端部を有し、少なくとも１つの非平面を有する基板であって、前記基板の少なくとも一部が硬質である、前記基板と、
　(B)前記少なくとも１つの非平面に直線的に配置され、第1の光電池及び第2の光電池を含む複数の光電池であって、前記複数の光電池における各光電池が、
　前記基板に円周方向に配置された背面電極、
　前記背面電極に円周方向に配置された半導体接合層、及び
　前記半導体接合部に円周方向に配置された透明導電層を含む、前記複数の光電池と、を含む、太陽電池ユニットであって、
　前記複数の光電池における前記第1の光電池の透明導電層が、前記複数の光電池における前記第2の光電池の背面電極に電気的に直列につながれ、かつ
　前記複数の光電池における光電池の半導体接合部が吸収体層及び接合パートナー層を含み、前記接合パートナー層が前記吸収体層に円周方向に配置されている、前記太陽電池ユニット。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「２．」「（２）」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明の「半導体接合層」の限定事項である「ヘテロ接合である」を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．」「（４）」に記載したとおり、引用発明、引用例に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用例に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。