【事件の表示】
　特願２０１０−５０３４３８「電気メッキによるコンタクト用ロジウム構造の製造および電気メッキ用組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月３０日国際公開、ＷＯ２００８／１２８８２３、平成２２年　７月２２日国内公表、特表２０１０−５２５１５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、２００８年３月１１日（パリ条約による優先権主張　２００７年４月２０日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年８月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月１９日付けで拒絶査定がなされ、平成２５年３月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年６月７日付けで前置報告書に基づく審尋がなされ、同年８月２６日付けで回答書が提出されたものである。
　
［２］平成２５年３月２２日付け手続補正の補正却下の決定
＜結論＞
　平成２５年３月２２日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
＜理由＞
１．補正の内容
　本件補正は、請求項１を下記のとおりに補正する補正を含むものである。
（補正前）
「コンタクト用ロジウム構造を製造するプロセスであって、
　基板を得るステップであって、上に誘電体層、ただし内部に前記コンタクト用ロジウムが付着されるキャビティを有する誘電体層を有する基板を得るステップと、
　前記キャビティ内および前記誘電体層上に窒化タンタルの接着層を付着させるステップと、
　前記接着層上にルテニウムのシード層を付着させるステップと、
　ロジウム塩、酸および応力低減剤を含む浴液から電気メッキによって前記ロジウムを付着させるステップと、
を含むプロセス。」
　
（補正後）
「コンタクト用ロジウム構造を製造するプロセスであって、
　基板を得るステップであって、上に誘電体層、ただし内部に前記コンタクト用ロジウムが付着されるキャビティを有する誘電体層を有する基板を得るステップと、
　前記キャビティ内および前記誘電体層上に窒化タンタルの接着層を付着させるステップと、
　
前記キャビティ内および前記誘電体層上の
　ロジウム塩、酸および応力低減剤を含む浴液から電気メッキによって前記ロジウムを付着させるステップと、
を含むプロセス。」（下線部が補正箇所である。）
　
２．補正の適否
（１）補正の目的
　上記補正事項は、ルテニウムのシード層を付着させるのが、「前記キャビティ内および前記誘電体層上の前記接着層上」であることを限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　
　
（２）独立特許要件
　上記補正後の本願請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
（２−１）引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願の優先日前に頒布された特開２００４−４６６３号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、米国特許出願公開第２００６／０１６６４７４号明細書（以下、「引用刊行物２」という。）、特開昭５７−１３７４９２号公報（以下、「引用刊行物３」という。）、特開２００７−７０７２０号公報（以下、「引用刊行物４」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
・引用刊行物１
（１ａ）「【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため
本発明は、絶縁層を形成し、該絶縁層に埋め込み配線（Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、クロム、パラジウム、ロジウム、錫、鉛またはこれらの合金など）を形成し、
　
（１ｂ）「【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
ここでは、埋め込み配線とＴＦＴとを形成する例を図１に示す。
まず、絶縁表面を有する基板１００上にエッチングストッパー層１０２を形成する。エッチングストッパー層１０２としては、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＷＳｉＸ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を用いればよい。このエッチングストッパー層１０２は、後に行う電解メッキ処理のシード層（メッキ法での陰極）にもすることができる。次いで、エッチングストッパー層１０２を覆う珪素を主成分とする絶縁膜１０１を形成する。（図１（Ａ））
次いで、パターニングを行い、
絶縁膜１０１を選択的にエッチングして、
開口（溝）を形成する。次いで、第１のバリア層１０３を形成した後、電解メッキ処理を行って開口（溝）に十分な厚みの低抵抗金属膜を形成する。
第１のバリア層１０３は、
銅は、酸化珪素を主成分とする絶縁膜との密着性が悪いため、密着性の良好な第１のバリア層１０３を形成することは有用である。
　
・引用刊行物２
（２ａ）「[0075] In yet another aspect of the invention, substrate topography is exploited to produce patterned electrodeposits directly on an insulative layer, without the use of a mask. A thin dielectric layer (e.g., a gate dielectric) is conformally deposited over topography in the substrate.
 Typical substrate topography might include, for example, depressions in the shape of trenches, via holes, etc., extending below the plane of the substrate's top surface. Blanket electroplating through the dielectric is then performed to fill and overfill the depressions in the substrate topography. 
（当審による翻訳：以下、同様。
「 本発明の更に別の態様においては、基板のトポグラフィを利用して、マスクを用いることなく、絶縁層上に直接パターニングした電着物を生成する。基板のトポグラフィ上に、薄い誘電体層（例えばゲート誘電体）をコンフォーマルに付着する。
典型的な基板トポグラフィは、例えば、基板の上面のレベルより下に延出するトレンチ、バイア・ホール等の形状のくぼみを含むことができる。次いで、誘電体を介して表面全体に電気めっきを行って、基板トポグラフィのくぼみを充填および過剰充填する。
　 
（２ｂ）「Rhodium Electrodeposition: 
　
［0105] 
A plating solution comprising about 1 to about 30 g/l of Rh
2
SO
4
 and about 1 to about 100 ml/l of H
2
SO
4 
may be used.
Such solutions may optionally comprise 
stress reducers.
（「　ロジウム電着
　
［０１０５］
約１から約３０ｇ／ｌのＲｈ
２
ＳＯ
４
および約１から約１００ｍ／ｌのＨ
２
ＳＯ
４
を含むめっき溶液を用いることができる。かかる溶液は、
応力緩和剤
を含むことができる。
　
・引用刊行物３
（３ａ）「電気メッキ的ロジウム層の析出のためには、主として、燐酸ロジウム又は
硫酸ロジウム及び硫酸
を含有する浴を使用する。
　また
前記浴から得られる被覆は、強い内部応力を有するので
層に多数の亀裂が生ずる。
　
（３ｂ）「この課題は、本発明により、
ロジウム浴が付加的にスルホン酸を含有する
　
・引用刊行物４
（４ａ）「図２４は、この種の銅配線基板Ｗの製造例を工程順に示す。先ず、図２４（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２やＬｏｗ−Ｋ材からなる絶縁膜（層間絶縁膜）２を堆積し、絶縁膜２の内部に、リソグラフィ・エッチング技術により、配線用凹部としてのコンタクトホール３とトレンチ４を形成する。そして、その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としてシード層７を形成する。
  そして、図２４（ｂ）に示すように、
基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、コンタクトホール３及びトレンチ４内に銅を充填するとともに、絶縁膜２上に銅膜６を堆積する。その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅膜６、シード層７及びバリア層５を除去
  基板の表面に電解めっきを施すには、図２５に示すように、基板Ｗの表面に形成したシード層７等の導電層の外周部にカソード２００を接触させ、基板Ｗと該基板Ｗに対向する位置に配置したアノード２０２との間にめっき液２０４を満たす。そして、カソード２００とアノード２０２との間に電源２０６によりめっき電流を流すことで、基板Ｗの導電層上にめっき膜を成膜する。」（【０００３】−【０００５】）と記載され、図２４（ａ）（ｂ）には、バリア層５、シード層７が、コンタクトホール３及びトレンチ４内及び絶縁膜２の表面上に形成され、その上にめっき層が形成される様子が示されている。　
　
（４ｂ）「【００６４】
  図１９は、シミュレーションにより、直径３００ｍｍのシリコン基板の表面に形成した
ルテニウムからなるシード層（導電層）
　
（２−２）引用刊行物１記載の発明
　上記記載事項（１ａ）によれば、絶縁層にロジウム等の埋め込み配線が形成するものであり、同（１ｂ）によれば、埋め込み配線は、電解メッキ処理により十分な厚みの低抵抗金属膜が形成された後、平坦化処理によって開口（溝）内に埋め込み配線が形成されること、そして、ロジウムが電気メッキ可能な金属であることは技術常識であることから、配線用のロジウムは、電解メッキにより開口（溝）内部に形成されるといえる。
　また、同（１ｂ）によれば、第１のバリア層は、低抵抗金属膜としての銅と絶縁膜との密着性を良好にすることから、「接着層」として機能するものである。
　よって、上記記載事項（１ａ）、（１ｂ）によれば、引用刊行物１には、
「配線用ロジウム構造を製造する方法であって、
　基板を得るステップであって、上に、エッチングストッパー層１０２、次いでエッチングストッパー層１０２を覆う絶縁膜１０１、ただし内部に前記配線用ロジウムが電解メッキされる開口（溝）を有する絶縁膜層を有する基板を得るステップと、
　前記開口（溝）内および前記絶縁膜層上に第１のバリア層（ＴａＮＸ）、すなわち接着層を付着させるステップと、
　前記第１のバリアー層、すなわち接着層上にシード層を形成するステップと、
  電解メッキにより前記ロジウムを付着させるステップと、
を含む方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　なお、審判請求人は、「引用文献１の第１のバリア層は拡散防止層であって、本願発明の接着層ではありません。
　例え、引用文献１の第１のバリア層が、本願発明の接着層に対応するものであるとしても、引用文献１では、メッキされる金属が銅（Ｃｕ）である場合を示しているに過ぎません。……よって、埋め込み配線の材料の例としてロジウムが挙げられていても、いわゆる当業者がロジウムと窒化タンタル（ＴａＮｘ）との組合せが記載又は示唆されていると理解することにはならないと考えます。」と主張する（平成２５年８月２６日付け回答書第３頁第１１−２０行）。
　しかしながら、銅（Ｃｕ）のみならず、ロジウム（Ｒｈ）を埋め込み配線等に適用する場合においても、バリアー層として、Ｔａの窒化物、すなわち窒化タンタル（ＴａＮｘ）が用いられるとともに、該バリアー層が接着層としても機能することは周知であり（例えば、下記周知例参照）、上記主張は採用し得ない。
　
・周知例：特開２００６−５３５１号公報
「【００３９】
  図１は、本発明の電気鋳造された金属構造の部分的な断面図である。……
中間絶縁体１０６は、基板１０２の上にあり、開口部１０８を備えて基板の表面１０４を露出させる。
ベース層１１０は
Ｔａ
の窒化物
【００４０】
  ストライク層１１２は、ベース層１１０の上にある。
ストライク層１１２は、
Ｒｕ
金属構造１１４は、Ｃｕ
Ｒｈ
金属構造１１４は、ライン、ビア
中間配線であり得る。
　……
【００４２】
  ……
ベース層は、相互拡散に対する防壁ならびにメタライゼーションと基板との間の強力な接着を提供する。
ストライク層は、後に続く電着のための表面を提供する。
　……
【００４５】
  図６は、電気鋳造された金属の堆積を示す。銅または他の適切な導電性金属（例えば、ＡｕまたはＡｇといったもの）が電気メッキされる。堆積は、開口内にのみ生じ、……」　
　
（２−３）対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、その機能及び作用からみて、引用発明における「配線用ロジウム」、「絶縁膜」、「開口（溝）」、「第１のバリアー層（ＴａＮＸ）、すなわち接着層」、「電解メッキ」は、それぞれ、本願補正発明の「コンタクト用ロジウム」、「誘電体層」、「キャビティ」、「窒化タンタルの接着層」、「電気メッキ」に相当する。
　
　よって、両者は、
「コンタクト用ロジウム構造を製造するプロセスであって、
　基板を得るステップであって、上に誘電体層、ただし内部に前記コンタクト用ロジウムが付着されるキャビティを有する誘電体層を有する基板を得るステップと、
　前記キャビティ内および前記誘電体層上に窒化タンタルの接着層を付着させるステップと、
　前記接着層上にシード層を付着させるステップと、
　電気メッキによって前記ロジウムを付着させるステップと、
を含むプロセス。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
・（相違点１）
　前記シード層が、本願補正発明では、「前記キャビティ内および前記誘電体層上の」前記接着層上に形成され、「ルテニウム」からなるのに対し、引用発明では、「前記キャビティ内および前記誘電体層上の」、「ルテニウム」との限定がない点。
　
・（相違点２）
　電気メッキによって前記ロジウムを付着させるステップが、本願補正発明では、「ロジウム塩、酸および応力低減剤を含む浴液から」行われるのに対し、引用発明では、その限定がない点。
　
　上記各相違点について検討する。
・（相違点１）について
　絶縁膜のキャビティ（開口、凹部、溝、ホール等）内に金属の充填めっきを行う際、キャビティ内および
前記絶縁膜上に、ＴａＮ等からなるバリア層（接着層）、シード層を順次形成すること
　
・（相違点２）について
　引用刊行物２、３にも記載されるように、ロジウム電気めっき液として、ロジウム塩、酸および応力低減剤を含むものは一般的なものであり（同２には、凹部の充填めっき、同３には、応力低減剤により、めっきに欠陥が生じないことなどについても示されている。）、引用発明において、電気ロジウムメッキを、「ロジウム塩、酸および応力低減剤を含む溶液から」行うことは、所望に応じ適宜なしえることである。
　
  そして、本願補正発明が、引用刊行物１−４の記載事項からは予想し得ない格別の効果を奏するものとは認められない。
　よって、本願補正発明は、引用発明１及び引用刊行物２−４の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けられることができないものである。
　　
（３）まとめ
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　上記［２］のとおり、平成２５年３月２２日付け手続補正は却下されたので、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年１０月２９日付け手続補正書により補正された、上記［２］１．に記載のとおりのものである。
　
［４］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された特開２００４−４６６３号公報、米国特許出願公開第２００６／０１６６４７４号明細書、特開昭５７−１３７４９２号公報、特開２００７−７０７２０号公報には、それぞれ、上記［２］２．（２）（２−１）に記載のとおりの事項が記載されている。
　
［５］対比・判断
　本願発明は、「前記キャビティ内および前記誘電体層上の」なる特定事項を含まない以外は、本願補正発明と同じ発明特定事項を含むものであり、上記［２］２．（２）（２−３）に記載のとおり、本願補正発明が、引用発明及び引用刊行物２−４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明についても、引用発明及び引用刊行物２−４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。