【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタンナン又は重水素化スタンナンの合成方法であり、前記方法は：
ハロゲン化第二スズを冷却溶媒中に０℃から前記溶媒の融点までの温度で溶解して低温度溶液を形成するステップ；
還元剤及び溶媒との混合物を形成するステップ；
前記還元剤溶媒混合物を０℃から前記溶媒の融点までの温度に冷却するステップ；
前記ハロゲン化第二スズ溶液をゆっくりと添加し、かつ前記溶媒中の還元剤へ添加している間にも前記スズハロゲン化物溶液及び前記還元剤混合物の冷却を続けながら、それにより反応混合物を形成するステップ；
反応生成物を形成するステップ；
前記ハロゲン化第二スズ溶液の添加の間に前記反応混合物から反応生成物を取り出すステップ；
すべてのハロゲン化第二スズ溶液が添加され、反応生成物の形成が完了した後に反応生成物を取り出すステップ；及び
前記反応生成物を１以上の冷却トラップに収集するステップ；
を含み、前記還元剤が、水素化リチウムアルミニウム又は重水素化リチウムアルミニウムから選択され、
前記溶媒がポリエーテルであり、かつ
前記少なくとも１つの１以上の冷却トラップの温度が、前記反応生成物の沸点よりも低い、方法。
【請求項２】
前記還元剤が、水素化リチウムアルミニウムであり、反応生成物がスタンナンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記還元剤が重水素化リチウムアルミニウムであり、生成物が重水素化スタンナンである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ハロゲン化第二スズが、第二スズフッ化物、第二スズ塩化物、第二スズ臭化物、及び第二スズヨウ化物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記還元剤が、前記ハロゲン化第二スズを水素化するために必要な量の、化学量論量から５０％過剰の量で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ハロゲン化第二スズを前記還元剤混合物に添加して前記反応混合物を形成するステップが、真空下で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ハロゲン化第二スズが、０℃から−６４℃の温度で溶媒に溶解する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ハロゲン化第二スズ添加の際の前記反応混合物の温度が、０℃から−７０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記反応混合物温度が、前記ハロゲン化第二スズの前記還元剤への添加が完了した後、２０℃へ上げることができる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記反応混合物が、連続的に撹拌される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ハロゲン化第二スズ溶液が、溶媒中の前記還元剤に、全てのハロゲン化第二スズ溶液が、３０分から１時間で添加されるように一定の速度で添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ハロゲン化第二スズが、溶媒中の前記還元剤に、３０分から１時間で徐々に添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ハロゲン化第二スズ溶液が、０．１分から５分の間隔で、３０分から１時間のわたり、徐々に添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記溶媒が多座溶媒である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記溶媒は、モノグライム、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、クラウンエーテル及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記溶媒はジグライムである、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記１以上の冷却トラップが、静的トラップである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記１以上の冷却トラップが、フロースルートラップである、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記１以上の冷却トラップ少なくとも１つが、前記反応生成物の融点よりも低い温度である、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記１以上の冷却トラップ少なくとも１つが、−１９０℃の温度である、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
１以上の冷却トラップがあり、その最後のトラップの温度が、−１９０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記１以上の冷却トラップがあり、その第１の冷却トラップの温度が−６０℃から−８０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記反応生成物が、連続的に、又はある間隔で取り出される、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記反応生成物が、５分の間隔で取り出される、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記反応生成物が、前記最後の冷却トラップの出口から吸引される真空の補助により取り出される、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
実施例１  本発明によるバッチシステム：
塩化第二スズ  （８．２０ｇ、３１．５ｍｍｏｌ）を無水ジグライム３０ｍＬに０℃で溶解した。この溶液を、６０ｍＬの冷却ジャケット付きに滴下漏斗に加えた。５００ｍＬの口（２４／４０ジョイント）丸底フラスコに、３．６０ｇ（８５．９ｍｍｏｌ）の重水素化リチウムアルミニウム（ＬｉＡｌＤ４）及びＰＴＦＥ被覆磁気撹拌エッグ（egg）を入れた。前記ＬｉＡｌＤ４粉末を、約１００ｍＬの無塩ジグライムでスラリーとし、そのフラスコに前記滴下漏斗を取り付けた。滴下漏斗を−３０℃乃至−４０℃に冷却し、添加の間この温度範囲を維持した。反応の間、フラスコの底部を−６６℃乃至−７２℃へ冷却した。それぞれの成分は、イソプロピルアルコール中でスラリー化したドライアイスを用いて冷却した。反応装置を、ホウケイ酸塩ガラスシュレンクマニホールド系につなぎ、真空で周囲窒素を除去し、最終圧力を約５トールにした。反応装置は、液体窒素中−１９６℃に冷却された２つの連続Ｕトラップに接続し、これらはその下流の真空ポンプに開かれていた。第二スズ塩化物を、約４０分かけて滴下した。反応装置内部圧力は、常時監視し、揮発物はＵトラップ内に定期的に濃縮させて圧力が３０トールを超えないようにした。前記添加が完了して、底部冷却浴を取り外し、ガスを連続的に取り出しながら温度をゆっくりと約−１０℃へ上げた。ほとんどの生成物は第１のトラップに収集され、−７８℃及び−１９６℃に冷却した２つのトラップ内に分溜濃縮された。−７８℃トラップは数滴のジグライムを含み、一方−１９６℃トラップは３．５６ｇのＳｎＤ４（２８．１ｍｍｏｌ、８９％収率（制限試薬として塩化第二スズに基づく））を含んでいた。−１９６℃トラップの「つま先部分」を集めて、ＳｎＤ４に比べてより低い沸点により低沸点のＨＣｌ不純物をチェックした。前記サンプルの「つま先部分」のＦＴＩＲガス分析から、ＨＣＬもＳｎＤ４の予想スペクトルも観測できなかった。（前記「つま先」サンプルは、液体窒素を除去し、ＳｎＤ４を解凍し前記第１の１５トールのガスが収集された中に液化させることにより得られた）。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
実施例２  本発明のバッチ合成：
ＰＴＦＥ被覆した磁気撹拌子を入れた５００ｍＬの３口丸底フラスコに、１．９３ｇの重水素化リチウムアルミニウム（３４．５ｍｍｏｌ；５０ｍｏｌ％過剰）及び２００ｍＬの無水ジグライムを入れた。コールドフィンガー型コンデンサーと６０ｍＬの滴下漏斗（これは６．０ｇの塩化第二スズ（２３．０ｍｍｏｌ）を２５ｍＬの無水ジグライムに溶解させた溶液を収容した）を前記反応フラスコに取り付けた。前記フラスコと冷却キャップ付き滴下漏斗を、−６０℃及び−４５℃にそれぞれ冷却した。コールドフィンガー型コンデンサを−７８℃におけるドライアイス／イソプロピルアルコールスラッシュ浴を用いて冷却し、反応フラスコ内の溶媒を保持した。ヘッドスペースの窒素を真空で除き、反応圧力を約１トールとした。塩化第二スズを連続的に、約１５０ｍｇＳｎＣｌ４／分の速度で、４０分にわたって、重水素化リチウムアルミニウム／ジグライム混合物に滴下した。反応フラスコを液体窒素で冷却したガラストラップに開放し、ＳｎＣｌ４添加の間に形成される揮発性気体（重水素及び重水素化スタンナンガス）を連続的に取り出した。フラスコ内の圧力を反応中モニターし、常に５トールを超えないようにした。第二スズ塩化物の添加が完了した後、残留重水素化スタンナン及び無視できる量の重水素を連続的に取り出しながら前記フラスコの温度を室温まで上げた。合計２．５１ｇのＳｎＤ４（１９．８ｍｍｏｌ；８６％収率（ＳｎＣｌ４を基準））が生成された。重水素化スタンナンガスの部分が、ＺｎＳｅプレート付き１０ｃｍガスセルを用いて気相ＦＴＩＲスペクトルで分析された。前記ＦＴＩＲスペクトルは、もっぱらＳｎＤ４の存在を明らかにした。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
実施例３  ジグライム中ＬｉＡｌＤ４による、塩化第二スズ（無溶媒（ニート，ｎｅａｔ））からの重水素化スタンナンの非本発明的製造：
ＰＴＦＥ被覆した磁気撹拌子を入れた、１０００ｍＬの３口丸底フラスコに、１２．９０ｇの重水素化リチウムアルミニウム（２８８ｍｍｏｌ；５０ｍｏｌ％過剰）及び５００ｍＬの無水ジグライムを入れた。コールドフィンガー型コンデンサーと６０ｍＬ滴下漏斗（５０．０ｇの塩化第二スズ（１９２ｍｍｏｌ）を収容した）を反応フラスコに取り付けた。前記フラスコを−５５℃に冷却し、ヘッドスペースの窒素を真空で除去し、反応圧力を約１トールとした。その後塩化第二スズを、前記重水素化リチウムアルミニウム／ジグライム混合物に、７５分間で添加する（添加速度は約７００ｍｇ／分）とともに、形成された揮発性ガス（重水素及び重水素化スタンナンガス）を定期的に取り出した。コールドフィンガー型コンデンサーは−７８℃におけるドライアイス／イソプロピルアルコールスラッシュ浴で冷却され、反応フラスコの溶媒を維持した。前記揮発生成物を、２つの連続した−１９６℃に冷却されたＵトラップで収集した。重水素ガスの相当な量が塩化第二スズの添加の際に生成され、これは真空ポンプに送られ、フラスコ内の圧力は反応を通じて監視された。反応装置の内部圧力は、常時５０トールを超えないように維持した。塩化第二スズは、約３分間隔の単位（インクリメント）で添加され、その後重水素化スタンナンを濃縮した。残りの塩化第二スズは、滴下漏斗への分離弁を閉じることで重水素化スタンナンの収集から分離した。フラスコは、塩化第二スズの添加を終了し、残る重水素化スタンナンと重水素ガスを連続的に除去しながら、室温に暖められた。合計３．５２ｇのＳｎＤ４が生成した（２７．８ｍｍｏｌ；１４％収率（ＳｎＣｌ４に基づく））。前記重水素化スタンナンガスの部分は、ＺｎＳｅプレート付き１０ｃｍガスセルを用いてＦＴＩＲスペクトルで分析した。ＦＴＩＲスペクトルは、ＳｎＤ４による吸収バンドと共に、塩化水素不純物の存在を示した。この方法を使用してバッチ合成を繰り返すと、生成物収率は、非常に変化し、めったに１５％に接近しないことが分かった。４から１０％収率が、この方法ではより普通である。ジグライムなどの多座溶媒中に塩化第二スズを最初に溶解させることなく、塩化第２スズを添加することは、収率を低下させることとなる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
実施例４  ジエチルエーテル中のＬｉＡｌＤ４による、第二スズ塩化物（ニート）からの重水素化スタンナンの非本発明的製造
ＰＴＦＥ被覆磁気撹拌子を収容する２５０ｍＬの３つ口丸底フラスコに、３．８ｇのＬｉＡｌＤ４（９０．６ｍｍｏｌ）及び１２５ｍＬの無水ジエチルエーテルを入れた。フラスコに、コールドフィンガー型コンデンサーと滴下漏斗（１９．６ｇのＳｎＣｌ４（７５．２ｍｍｏｌ）を収容した）を取り付けた。フラスコとコールドフィンガー型コンデンサーとを、粉末ドライアイス／イソプロピルアルコールスラッシュ浴を用いて−７８℃に冷却し、ヘッドスペースの窒素を真空で除去し、最終的に圧力１トールとした。塩化第二スズを、４０分かけて添加するとともに、直列して設けた液体窒素で冷却された３つのＵ冷却トラップに反応容器に触れさせることにより、生成した揮発性ガスを定期的に捕捉した。反応装置内部圧力は、ＳｎＤ４収集及び非凝縮重水素化ガスの除去前に約１００トールへ増加させた。この圧力は、ＳｎＣｌ４添加の再開に先立ちそれぞれの場合に約１０トールに低減させた。一度ＳｎＣｌ４の添加を終了したら前記冷却浴を取り除き、フラスコを、生成した揮発性ガスを継続的に除去しつつ約−１０℃まで温めた。凝集されたＳｎＤ４は、−１００℃（ジエチルエーテル溶媒トラップ）及び−１９６℃で冷却された（ＳｎＤ４トラップ）された２つのＵトラップを用いて分溜凝縮すること（ポンピングせず）で少量の溶媒を除去して精製した。−１００℃のトラップは少量のジエチルエーテル（１ｍＬ未満）を含み、かつ−１９６℃のトラップは、ＳｎＤ４（１．４３ｇ；１１．３ｍｍｏｌ、１５％収率）を含んでいた。ＳｎＤ４の典型的バッチ合成は、約１０から１２％の低収率である。この実施例は、Ｎｏｒｍａｎらにより報告された低収率を実証する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
実施例５  溶媒不在下のＬｉＡｌＤ４による、塩化第二スズ（ニート）からの重水素化スタンナンの非本発明的製造：
グローブボックス内で窒素下、ＰＴＦＥ被覆磁気撹拌子を収容する５００ｍＬの２口丸底フラスコに、２．３６ｇのＬｉＡｌＤ４（５６．３ｍｍｏｌ）を入れた。窒素を真空でフラスコから除去して、液体窒素（−１９６℃）中で反応フラスコを冷却することにより凝縮を介して１０．７７ｇのＳｎＣｌ４（４１．３ｍｍｏｌ）を添加した。液体窒素浴を除き、内容物をゆっくり周囲温度に暖めた。数分間は、反応が行われる兆候は見えなかった。他のガラスシュレンク管への凝縮を介して塩化第二スズを反応フラスコから除去した。（これは、グローブボックス内でフラスコにより多くのＬｉＡｌＤ４を添加するためである）。残りのＬｉＡｌＤ４固体は、残留ＳｎＣｌ４で湿っていた。前記フラスコを真空源に対して閉じ、さらに真空下での物質のさらなる乾燥を行なおうことを意図して、撹拌子に付着した固体を払い落とすよう振り動かした。前記湿っていた固体は、その後激しく爆燃した。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
実施例６    ヘッドスペースカバーガスを用いるジグライム中のＬｉＡｌＤ４による、塩化第二スズ（ニート）からの重水素化スタンナンの非本発明的製造：
ＰＴＦＥ被覆磁気撹拌子を有する５００ｍＬの２口丸底フラスコに、３．５ｇのＬｉＡｌＤ４（８３．５ｍｍｏｌ）及び１００ｍＬの無水ジグライムを入れた。その後フラスコに、−７８℃に冷却されたコールドフィンガー型コンデンサーを取り付けた。前記反応フラスコはその後、反応スラリーを凍結及び解凍することで脱ガスされた。塩化第二スズ（１０．５ｇ、４０．３ｍｍｏｌ）を液体窒素で冷却した前記反応フラスコ内に凝縮させ、ついで前記システムを、１０００ｐｐｍＯ２を含む窒素からなるヘッドスペースカバーガスで１気圧に加圧した。前記液体窒素浴を外し、前記フラスコを−７８℃のドライアイス／イソプロピルアルコールスラッシュ浴に漬けた。その後フラスコをゆっくりと約−１０℃まで温めると、フラスコの内部圧は急激に増加した。圧力増加の徴候は、約−６０℃で生じ、揮発物を−１９６℃に冷却した直列の２つのＵトラップ内に収集した。非凝集性のかなりの量のガスが前記Ｕトラップを通って全ガス混合物をゆっくりと通過して真空ポンプへ送られた。フラスコを温まったとき、反応の間の圧力の増加は、下流の真空ポンプに対して開かれた、凝縮の連続を有する隣接するＵトラップの入り口弁を少し開ける（cracking）ことにより、約１気圧に維持した。前記フラスコ温度が−１０℃に近づいたとき、揮発物が完全に除去された。この実験では、ＳｎＤ４は回収されず、相当の量の元素状スズが反応容器内に残された。