【事件の表示】
　特願２００７−５１８１０５「１００ミリメートル高純度半絶縁単結晶炭化珪素ウエハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月　２日国際公開、ＷＯ２００６／０１１９７６、平成２０年　２月１４日国内公表、特表２００８−５０４２０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００５年６月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年６月２５日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、平成２３年６月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２４年８月３０日付けで拒絶査定がされ、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出された後、平成２５年４月２２日付けで審尋がされ、同年７月１８日に回答書が提出され、さらに、同年８月２３日付けで平成２４年１２月２８日付けの手続補正が却下されるとともに拒絶理由が通知され、平成２５年１１月２５日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願に係る発明は、平成２５年１１月２５日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項２６に係る発明は、以下のとおりの、　
「シード結晶の成長面上におけるＳｉ及びＣを含有する蒸気種の堆積によって成長させた炭化珪素の単結晶であって、直径が３インチよりも大きく、抵抗率が１０，０００オーム−ｃｍよりも高いことを特徴とする単結晶。」
（以下、「本願発明」という。）であり、この発明は、上記補正前の、平成２３年１２月１日に補正された特許請求の範囲の請求項２８に係る発明と同じものである。
　
第３　平成２５年８月２３日付けで通知した拒絶理由の概要
　上記拒絶理由のうち理由４の概要は、
「本願発明２８は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
というものである。
　この理由における「本願発明２８」は、上記第２に示す「本願発明」であり、「下記の刊行物」は、「特表２００３−５００３２１号公報」である（以下、「刊行物１」ということとする。）。
　
第４　当審の判断
　当審は、上記理由４のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、と判断する。
　
１　刊行物１に記載された事項
　刊行物１は、本願優先日（２００４年６月２５日）前である平成１５年（２００３年）１月７日に頒布された刊行物であり、そこには以下の事項が記載されている。
1a　「【特許請求の範囲】 
　　【請求項１】 室温で少なくとも５０００Ω・ｃｍの抵抗率と、結晶の電子的特性に影響を及ぼす量に満たない深準位捕獲元素濃度とを有する炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶。 
 … 
　　【請求項１０】  室温において少なくとも５０，０００Ω・ｃｍの抵抗率を有する請求項１記載の炭化珪素単結晶。
 … 
　　【請求項１３】 以下の工程：すなわち、 
　ソース粉末における深準位捕獲元素の量が検出可能レベル未満である炭化珪素ソース粉末を加熱して昇華させる工程、一方 
　炭化珪素種結晶を加熱し、次に該ソース粉末の温度未満の温度に該炭化珪素種結晶を保ち、その温度で、ソース粉末から生じる昇華種を該炭化珪素種結晶上で凝縮させる工程；及び、 
　所望の量の単結晶バルク成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素ソース粉末を加熱し続ける工程；及び 
　昇華成長中にソース粉末及び種結晶を、該種結晶上におけるバルク成長へと含有される窒素の量を有意に減少させるのに充分に高く、且つ得られる炭化珪素バルク単結晶を半絶縁性にする量までバルク成長における点欠陥の数を増加させるのに充分に高い各温度に維持する工程 
　を含む、炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶を製造する方法。
…
【請求項１８】  該炭化珪素単結晶中に、浅いドナードーパント、浅いアクセプタードーパント、及び真性点欠陥を含み；
　第一導電型の浅いドーパントの数が、第二導電型の浅いドーパントの数に比べて多く；また
　優勢な該第一型ドーパントを補償するように働く該炭化珪素結晶中にある真性点欠陥の数が、該浅いドーパントの第一型が該浅いドーパントの第二型
よりも優勢である数的差に比べて多く；また
　遷移金属及び重金属から成る群より選択される元素の濃度が、炭化珪素単結晶の電子的特性に影響を及ぼすと考えられる濃度に比べて低く；
  該炭化珪素単結晶が、室温で少なくとも５０００Ω・ｃｍの抵抗率を有する
半絶縁性炭化珪素単結晶。」 
1b　「【０００１】 
　　発明の分野 
　本発明は、特定目的用の高品質炭化珪素結晶の成長に関するものであり、特に詳しくは、マイクロ波デバイスにおいて有用な高品質半絶縁性炭化珪素基板に関するものである。」
1c　「【０００２】
　　発明の背景
…マイクロ波デバイスのための１つの適当な候補材料は、炭化珪素であり、非常に高い絶縁破壊フィールドにマイクロ波を施用する場合に主要な利点を提供する。…
…
　　【０００４】
　マイクロ波デバイスに精通している当業者に知られているように、マイクロ波の周波数において、導電性基板は、重大な問題を引き起こす傾向があるので、マイクロ波デバイスでは、結合目的のために高い抵抗率（「半絶縁性」）を有する基板がしばしば必要である。
…
　　【０００５】
…而して、次の特性：すなわち、高度に複雑な高性能回路素子に適する高い結晶性、良好な熱伝導率、デバイス間の及び基板に対する良好な電気的分離、低い抵抗性損失特性（low resistive loss characteristics）、低クロス・トーク特性、及び大きなウエハー直径は、マイクロ波デバイス基板にとって望ましい。」
1d　「【００２４】
　別の態様では、本発明は、炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶を製造する方法を含む。この態様では、本方法は、炭化珪素粉末を加熱して昇華させ、一方、炭化珪素種結晶を加熱し、次に該種結晶の温度を、ソース粉末の温度未満に維持し、その温度において、ソース粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程を含む。その後に、本方法は、所望の量の単結晶バルク成長が単結晶上で起こるまで、炭化珪素ソース粉末を加熱し続ける工程を含む。本方法は、（１）ソース粉末中に存在する深準位捕獲元素の量（上記した）が、適当な量未満であり、（２）該ソース粉末が５Ｅ１６未満の窒素を含み、及び（３）昇華成長中にソース粉末及び種結晶を、該種結晶上におけるバルク成長へと含有される窒素の量を有意に減少させるのに充分に高い、及び得られる炭化珪素バルク単結晶を半絶縁性にする量まで該種結晶上でのバルク成長における点欠陥（真性点欠陥と時に呼ばれる）の数を増加させるのに充分に高い各温度に維持することを特徴としている。好ましくは及び概念的には、窒素及び他のドーパントの量をできる限り低く保つことによって、該結晶を半絶縁性にするのに必要とされる点欠陥の数を最少にすることもできる。好ましくは、点欠陥の好ましい数はＥ１５ 〜 ５Ｅ１７であると考えられる。
　　【００２５】
　本発明者は任意の特定の理論に束縛されたくないが、炭化珪素を半絶縁性にする炭化珪素中で生じる深捕獲は、バナジウム、他の遷移金属、又は他の元素が存在しているからではなく、むしろ空孔、格子間又は他の真性点欠陥によって起こると考えられる。本発明にしたがう半絶縁性炭化珪素を製造するために、用いられるソース粉末は、バナジウムを含有していてはいけないか、又は存在しているとしても、検出可能レベル未満でなければならない。」
1e「【００４５】
　中性子、高エネルギー電子、又はガンマ線を炭化珪素に照射することにより、点欠陥の数をある程度まで制御して、上記式と一致する結果を達成するために、望ましい数の点欠陥を創出できることが期待される。」
 　 
２　刊行物１に記載された発明 
　刊行物１は、「マイクロ波デバイスにおいて有用な高品質半絶縁性炭化珪素基板に関する」（摘示1b）ものであって、具体的には、【特許請求の範囲】の【請求項１】に記載される
「室温で少なくとも５０００Ω・ｃｍの抵抗率と、結晶の電子的特性に影響を及ぼす量に満たない深準位捕獲元素濃度とを有する炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶。」（摘示1a）
などに関して記載するものである。 
　その「室温で少なくとも５０００Ω・ｃｍの抵抗率」としては、さらに高い、「室温において少なくとも５０，０００Ω・ｃｍ」（摘示1a【請求項１０】）のものも記載されている。 
　このような「炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶」は、その【請求項１３】（摘示1a）に記載される製造方法、
「以下の工程：すなわち、 
　ソース粉末における深準位捕獲元素の量が検出可能レベル未満である炭化珪素ソース粉末を加熱して昇華させる工程、一方 
　炭化珪素種結晶を加熱し、次に該ソース粉末の温度未満の温度に該炭化珪素種結晶を保ち、その温度で、ソース粉末から生じる昇華種を該炭化珪素種結晶上で凝縮させる工程；及び、 
　所望の量の単結晶バルク成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素ソース粉末を加熱し続ける工程；及び 
　昇華成長中にソース粉末及び種結晶を、該種結晶上におけるバルク成長へと含有される窒素の量を有意に減少させるのに充分に高く、且つ得られる炭化珪素バルク単結晶を半絶縁性にする量までバルク成長における点欠陥の数を増加させるのに充分に高い各温度に維持する工程 
を含む、炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶を製造する方法。」
などにより製造できるものであると認められる。 
　そうすると、刊行物１には、上記製造方法で製造された「炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶」の発明、すなわち、 
 「以下の工程：すなわち、 
　ソース粉末における深準位捕獲元素の量が検出可能レベル未満である炭化珪素ソース粉末を加熱して昇華させる工程、一方 
　炭化珪素種結晶を加熱し、次に該ソース粉末の温度未満の温度に該炭化珪素種結晶を保ち、その温度で、ソース粉末から生じる昇華種を該炭化珪素種結晶上で凝縮させる工程；及び、 
　所望の量の単結晶バルク成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素ソース粉末を加熱し続ける工程；及び 
　昇華成長中にソース粉末及び種結晶を、該種結晶上におけるバルク成長へと含有される窒素の量を有意に減少させるのに充分に高く、且つ得られる炭化珪素バルク単結晶を半絶縁性にする量までバルク成長における点欠陥の数を増加させるのに充分に高い各温度に維持する工程 
　を含む、炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶を製造する方法で製造された、 
　室温で少なくとも５０，０００Ω・ｃｍの抵抗率と、結晶の電子的特性に影響を及ぼす量に満たない深準位捕獲元素濃度とを有する炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶。」 
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。 
 　 
３　本願発明と引用発明との対比 
　本願発明と引用発明とを対比すると、 
　引用発明における炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶を製造する方法は、炭化珪素ソース粉末から生じる昇華種を炭化珪素種結晶上、すなわちシード結晶上、で凝縮成長させるものであって、その昇華種は炭化珪素ソース粉末から生じるものであるから、本願発明の「Ｓｉ及びＣを含有する蒸気種」といえるから、本願発明における「シード結晶の成長面上におけるＳｉ及びＣを含有する蒸気種の堆積によって成長させ」る炭化珪素の単結晶の製造方法に相当する。 
　また、本願発明の「１０，０００オーム−ｃｍよりも高い」とは何℃における抵抗率をいうか特定されてはいないが、本願明細書【００４４】、さらに【請求項１５】に「常温における抵抗率」との記載があり、他にこの温度についての特段の記載がないことから、常温、すなわち、室温におけるものであると認められる。そうすると、引用発明の抵抗率「室温で少なくとも５０，０００Ω・ｃｍ」は本願発明の「１０，０００オーム−ｃｍよりも高い」に包含されるといえる。
　また、引用発明の「炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶」は、炭化珪素ソース粉末から生じる昇華種、すなわち炭素と珪素とを含有する蒸気種を、炭化珪素種結晶上、すなわちシード結晶上で凝集成長させる工程により製造されたものであるから、本願発明の「シード結晶の成長面におけるＳｉ及びＣを含有する蒸気種の堆積によって成長させた炭化珪素の単結晶」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、 
　「シード結晶の成長面上におけるＳｉ及びＣを含有する蒸気種の堆積によって成長させた炭化珪素の単結晶であって、抵抗率が１０，０００オーム−ｃｍよりも高い単結晶。」
　において点で一致し、以下の相違点Ａにおいて相違する。 
Ａ　炭化珪素の単結晶の直径が、本願発明は、「３インチよりも大」きいものであるのに対し、引用発明は、明らかではない点 
 　 
４　相違点Ａについての判断 
 　炭化珪素の単結晶の大型化は、例えば、刊行物１の摘示1c、さらに下記文献等にも記載されているとおり、従来から望まれている周知の課題であり、シード結晶の成長面上におけるＳｉ及びＣを含有する蒸気種の堆積によって成長させた炭化珪素の単結晶として、少なくとも直径３インチまでの大型化が達成されている（必要であれば、拒絶理由において示した文献（大谷　昇他「0001ｃ軸に平行並びに垂直な方向へのSiCバルク単結晶成長」ＦＥＤジャーナル　vol.11　No.2(2000)　p16-23　特にp17左欄図１の上8-2行）の他、本願明細書【００５５】において示されている「J. Crystal. Growth v.211 No. 1 (2000) pp325-332」等を参照のこと）。 
　また、引用発明において、直径を３インチよりも大きいものとしたことにより、仮に抵抗率が１０，０００オーム−ｃｍ以下となる場合があったとしても、抵抗率に関し、刊行物１には、「炭化珪素を半絶縁性にする炭化珪素中で生じる深捕獲は、…空孔、格子間又は他の真性点欠陥によって起こる」（摘示1d）と記載されるとおり、引用発明の製造方法において、真性点欠陥の「数を増加させるのに充分に高い各温度に維持」（摘示1d）したり、「中性子、高エネルギー電子、又はガンマ線を炭化珪素に照射することにより、点欠陥の数をある程度まで制御」（摘示1e）したり、さらに、点欠陥の数を制御する他の公知技術（例えば、審査において引用した引用文献５（国際公開第２００４／００１８３６号）に記載された結晶やウエハの加熱急冷処理）を採用して点欠陥の数を調整して、「抵抗率が１０，０００オーム−ｃｍよりも高いもの」に調整することは、当業者にとって容易になし得ることである。
　加えて必要であれば、「含有される窒素の量を有意に減少させ」（摘示1d）たり、【請求項１８】（摘示1a）に記載されるような窒素等のドーパントの補償技術等の抵抗率を調整する方法も知られており、これらをも採用して、「抵抗率が１０，０００オーム−ｃｍよりも高いもの」に調整することは、当業者にとって容易になし得ることである。
　そうすると、上記課題を通常の知識として有する当業者にとって、引用発明の炭化珪素の単結晶を直径を３インチよりも大きいものとすることは、容易になし得ることに過ぎないことといえる。 
　そして、直径を３インチよりも大きいものとしたことによる効果が、本願発明において格別顕著なものである、というに足るものはない。
　
５　審判請求人の主張について
（１）平成２５年１１月２５日付けの意見書における、上記判断に対する審判請求人の主張は、
主張ア　「本発明は、このような構成（審決注：請求項２６の特定事項）を備えていることにより、炭化珪素ウエハの欠陥密度を低下させることができるという作用効果を奏することができるものである。
　しかしながら、引用文献のいずれにも、上記した本発明の特徴を有するウエハ及び結晶が開示も示唆もされていない。
　特に、刊行物１は、本願発明に記載のウエハを製造するための方法を開示も示唆もしていない。また刊行物１は、本願の請求項２６に特定されたウエハや結晶特性を有することを開示も示唆もしていない。」
主張イ　「単結晶の直径が大きくなるにつれて、材料の品質を維持することは困難になり、よってウエハが増大する。このことは欠陥の密度により測定される品質と、適切な半絶縁特性を維持している結晶により測定される品質の両方についていえる。そして本願の請求項に係る発明においてはこれらの両方に対する記載がある。」
を根拠に、「本発明は、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。」
というものである。
　
（２）検討
ア　主張アについて
　まず主張アにおける、「本発明は、このような構成を備えていることにより、炭化珪素ウエハの欠陥密度を低下させることができるという作用効果を奏することができる」との主張は、本願明細書の記載に基づかないものである。
　本願明細書には、本願発明の「このような構成」、すなわち、請求項２６の特定事項のうち、製造方法に関する事項（シード結晶の成長面上におけるＳｉ及びＣを含有する蒸気種の堆積）によって成長させた、直径が３インチよりも大きく、抵抗率が１０，０００オーム−ｃｍよりも高い、炭化珪素の単結晶の構成、によって「炭化珪素ウエハの欠陥密度を低下させる」ことができることについては、記載されてはいない。
　審判請求人の効果についての主張は、採用することはできない。
　
　また、「刊行物１は、本願発明に記載のウエハを製造するための方法を開示も示唆もしていない。」及び「刊行物１は、本願の請求項２６に特定されたウエハや結晶特性を有することを開示も示唆もしていない。」との主張については、そもそも本願発明は「単結晶」の発明であり、「本願発明に記載のウエハを製造するための方法」が、「シード結晶の成長面上におけるＳｉ及びＣを含有する蒸気種の堆積によって成長させた炭化珪素の単結晶」という改良レーリー法に基づく一般的な製造方法以上の、どのような方法を意味しているのか不明である。
　また、「本願の請求項２６に特定されたウエハ」がどのようなウエハを意味し、「本願の請求項２６に特定された…結晶特性」とは、本願発明に、「結晶特性」を直接特定する構成がないため、どの構成を意味するのか不明である。
　刊行物１の記載についての審判請求人の主張は上記のとおり明らかではなく、刊行物１の記載の炭化珪素単結晶の製造方法や直径と抵抗率についての上記した認定・判断を左右するものではない。
　
イ　主張イについて
　審判請求人の単結晶の直径に関する主張も、例えば、「よってウエハが増大する」、「欠陥の密度により測定される品質」、「適切な半絶縁特性を維持している結晶により測定される品質」の意味が不明であり、さらに「本願の請求項に係る発明においてはこれらの両方に対する記載がある」も本願発明の構成との関係が不明であるため、明らかではない。
　ここでは、「単結晶の直径が大きくなるにつれて、材料の品質を維持することは困難」であり、「適切な半絶縁特性を維持している結晶により測定される品質」の意味が「抵抗率が１０，０００オーム−ｃｍよりも高い」であると解することとする。
　これに関しては、上記「４　相違点Ａについての判断」において述べたとおりである。
　
（３）審判請求人の主張についてのまとめ
　以上によれば、審判請求人の主張は、いずれも採用することはできない。
　
６　まとめ
　したがって、本願発明は、その出願前（優先日前）に頒布された刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許を受けることができないものであるから、その余について検討するまでもなく、この出願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。