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　平成　９年特許願第１５１４０７号「薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　３月　６日出願公開、特開平１０−　６５１８３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成９年６月９日（原出願の出願日：平成２年６月８日）の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１１年９月６日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「基板上に薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記基板上に第１シリコン薄膜からなる第１パターンと第２パターンとを形成し、前記第１パターンと前記第２パターンとの間及び上に第２シリコン薄膜を形成する工程と、前記第１及び第２シリコン薄膜上にゲート絶縁膜となる第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜上にゲート電極となる導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜上にレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクに選択的に前記第２絶縁膜をエッチングする工程と、前記第２絶縁膜をマスクに前記導電膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極及び前記第２絶縁膜上にシリコン酸化膜からなる第３絶縁膜を形成する工程と、前記第３絶縁膜が前記第２絶縁膜及び前記ゲート電極の側壁に残るように異方性エッチングする工程と、前記ゲート電極が前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜により覆われた状態で、前記第１シリコン薄膜と前記第２シリコン薄膜に不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記ソース・ドレイン領域は前記第２シリコン薄膜からなる薄い領域と、前記第１及び第２シリコン薄膜からなる厚い領域とからなり、前記ソース・ドレイン領域は、前記厚い領域上で電極と接続されてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６３−２９６３７９号公報（以下、「引用例２」という）には、
「［発明の実施例］以下この発明の一実施例を・・・説明する。第１図（ａ）〜（ｅ）は相補型薄膜シリコントランジスタの製造プロセスを断面で示した図である。第１図（ａ）に示すように、絶縁物質であるパイレックスガラス基板１上面に、真空蒸着法により多結晶シリコン薄膜を蒸着し、フォトリソグラフィ法を用いてｎチャンネル活性層２、ｐチャンネル活性層をパターニングする。・・・次いでゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜４を５００Å成膜した。・・・引き続き、ゲート電極となる多結晶シリコン５を前述と同一条件で５００Å堆積し、次いでシリコン酸化膜を前述と同一条件で３００Å堆積した。次いで１１Ｂ＋を・・注入する。このような一連の工程により、ゲート電極となる多結晶シリコンは、その表面においてボロン濃度が最大となり、したがってコンタクト抵抗が最小になるようにドーピングされる。次いで、第１図（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜７を前述と同一条件で４２００Å堆積した。次いで第１図（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いてシリコン酸化膜７上にゲートパターンを形成し、ＲＩＥ法を用いてシリコン酸化膜７を非等方エッチングし、引き続き多結晶シリコン５を非等方エッチングする。このような一連の工程により、ｎチャンネルＴＦＴゲート部８，ｐチャンネルＴＦＴゲート部９，多結晶シリコン配線部１０が独立して形成される。次いで、第１図（ｄ）に示すように、サイドウォール１１を形成し、ｐチャンネルＴＦＴのソース、ドレイン部を形成するための１１Ｂ＋注入、ｎチャンネルＴＦＴのソース、ドレイン部を形成するための３１Ｐ＋注入を行なう。サイドウォールはよく知られた方法で作成した。すなわち本実施例ではシリコン酸化膜５０００Åを前述と同一条件で堆積した後、ＲＩＥ法を用いてシリコン酸化膜５０００Åに相当する量を非等方エッチングすることによって作成した。・・・引き続き、層間絶縁膜となるシリコン酸化膜１２を前述と同一条件で３０００Å堆積した後、不純物活性化のために窒素雰囲気中５５０℃で７０時間アニールを行なう。次いでコンタクトホールを開孔し、・・・ｎチャンネルソース電極１３，ｎチャンネルドレイン電極１４、ｐチャンネルドレイン電極１５，ｐチャンネルソース電極１６を形成する。」（第２頁左下欄第１０行〜第３頁右上欄第１４行）が、第１図と共に記載されている。
　したがって、上記記載から、引用例２には、
「パイレックスガラス基板１上面に、多結晶シリコン薄膜を蒸着し、フォトリソグラフィ法を用いてｎチャンネル活性層２をパターニングする工程と、次いでゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜４を成膜する工程と、引き続き、ゲート電極となる多結晶シリコン５を堆積する工程と、次いでシリコン酸化膜を３００Å堆積する工程と、次いで１１Ｂ＋を注入する工程と、次いでシリコン酸化膜７を４２００Å堆積する工程と、次いでフォトリソグラフィ法を用いてシリコン酸化膜７上にゲートパターンを形成する工程と、前記ゲートパターンをマスクにシリコン酸化膜７をエッチングする工程と、引き続き前記ゲートパターン及びシリコン酸化膜７をマスクに多結晶シリコン５をエッチングしてｎチャンネルＴＦＴゲート部８を形成する工程と、次いでシリコン酸化膜５０００Åを堆積する工程と、ＲＩＥ法を用いてシリコン酸化膜５０００Åに相当する量を非等方エッチングしてサイドウォール１１を形成する工程と、ｎチャンネルＴＦＴのソース、ドレイン部を形成するための３１Ｐ＋注入を行う工程と、引き続き、層間絶縁膜となるシリコン酸化膜１２を堆積する工程と、次いでコンタクトホールを開孔する工程と、ｎチャンネルソース電極１３，ｎチャンネルドレイン電極１４を形成する工程とを有する、薄膜トランジスタの製造プロセス。」が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用例２に記載されている発明とを対比すると、本願発明の「基板」、「ゲート絶縁膜となる第１絶縁膜」、「ゲート電極となる導電膜」、「第２絶縁膜」、「レジスト」、「シリコン酸化膜からなる第３絶縁膜」、「異方性エッチング」、「不純物」、「電極」は、それぞれ引用例２に記載された発明の「パイレックスガラス基板」、「ゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜４」、「１１Ｂ＋を注入した多結晶シリコン５」、「シリコン酸化膜７」、「ゲートパターン」、「シリコン酸化膜５０００Å」、「非等方エッチング」、「ｎチャンネルＴＦＴのソース、ドレイン部を形成するための３１Ｐ＋」、「ｎチャンネルソース電極１３，ｎチャンネルドレイン電極１４」に相当する。
　また、本願発明の第１シリコン薄膜を形成し、更に第２シリコン薄膜を形成する工程は、総称してシリコン薄膜形成工程といえ、一方、引用例２に記載された発明も、多結晶シリコン薄膜からなるｎチャンネル活性層２、すなわちシリコン薄膜を形成する工程を有している。
　従って、本願発明と引用例２に記載された発明は、「基板上に薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記基板上にシリコン薄膜を形成する工程と、前記シリコン薄膜上にゲート絶縁膜となる第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜上にゲート電極となる導電膜を形成する工程と、第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜上にレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクに選択的に前記第２絶縁膜をエッチングする工程と、前記導電膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極及び前記第２絶縁膜上にシリコン酸化膜からなる第３絶縁膜を形成する工程と、前記第３絶縁膜が前記第２絶縁膜及び前記ゲート電極の側壁に残るように異方性エッチングする工程と、前記ゲート電極が前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜により覆われた状態で、前記シリコン薄膜に不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記ソース・ドレイン領域は、電極と接続されてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」である点で一致する。
　一方、シリコン薄膜形成工程が、本願発明は「基板上に第１シリコン薄膜からなる第１パターンと第２パターンとを形成する工程」、及び「第１パターンと第２パターンとの間及び上に第２シリコン薄膜を形成する工程」からなるのに対して、引用例２に記載された発明は、シリコン薄膜からなるｎチャンネル活性層２を形成する工程を有する点（相違点１）、
　本願発明は「導電膜上に第２絶縁膜を形成する工程」を有するのに対して、引用例２に記載された発明は「ゲート電極となる多結晶シリコン５上に堆積された３００Åのシリコン酸化膜の上にシリコン酸化膜７を４２００Å堆積する工程」を有している点（相違点２）、
　本願発明は「第２絶縁膜をマスクに前記導電膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程」を有しているのに対して、引用例２に記載された発明は「前記ゲートパターン及びシリコン酸化膜７をマスクに多結晶シリコン５をエッチングしてｎチャンネルＴＦＴゲート部８を形成する工程」を有している点（相違点３）、
　本願発明は「前記第１シリコン薄膜と前記第２シリコン薄膜」に不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成するのに対して、引用例２に記載された発明は「シリコン薄膜からなるｎチャンネル活性層２」に不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成している点（相違点４）、
　本願発明は「前記ソース・ドレイン領域は前記第２シリコン薄膜からなる薄い領域と、前記第１及び第２シリコン薄膜からなる厚い領域とからなり、前記ソース・ドレイン領域は、前記厚い領域上で電極と接続されてなる」のに対して、引用例２に記載された発明では、ソース・ドレイン領域をシリコン薄膜からなるｎチャンネル活性層２に形成して、この領域において電極と接続している点（相違点５）において相違する。
　
４．当審の判断
　上記各相違点について検討する。
（相違点１、相違点４及び相違点５について）
　薄膜トランジスタが、良好なコンタクト特性を有し、かつ、高性能の特性を有する為には、電極が接続する箇所のソース・ドレイン領域のシリコン薄膜の膜厚が厚く、かつ、チャンネル領域のシリコン薄膜の膜厚が薄いことが望ましいことは、本願出願前に周知の事項であり、このような構造を有する薄膜トランジスタを製造する方法として、
　「基板上に第１シリコン薄膜からなる第１パターンと第２パターンとを形成し、前記第１パターンと前記第２パターンとの間及び上に第２シリコン薄膜を形成する工程と、前記第１及び第２シリコン薄膜上にゲート絶縁膜となる第１絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程と、前記第１シリコン薄膜と前記第２シリコン薄膜に不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記ソース・ドレイン領域は前記第２シリコン薄膜からなる薄い領域と、前記第１及び第２シリコン薄膜からなる厚い領域とからなり、前記ソース・ドレイン領域は、前記厚い領域上で電極と接続されてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」も本願出願前に、周知であったと認められる。（要すれば、特開昭６１−２５２６６７号公報を参照。）
　してみれば、引用例２に記載された発明において、良好なコンタクト特性と、高性能の特性を実現するために、電極と接続するソース・ドレイン領域のシリコン薄膜の膜厚を厚くする為に、前記周知の薄膜トランジスタの製造方法を採用して、シリコン薄膜の形成工程として、基板上に第１シリコン薄膜からなる第１パターンと第２パターンとを形成し、前記第１パターンと前記第２パターンとの間及び上に第２シリコン薄膜を形成する工程を採用すること、及び、このように形成されたシリコン薄膜にソース・ドレイン領域を形成して電極を接続する工程として、前記第１シリコン薄膜と前記第２シリコン薄膜に不純物を注入して、ソース・ドレイン領域を形成する工程であって、前記ソース・ドレイン領域が、前記第２シリコンからなる薄い領域と、前記第１及び第２シリコン薄膜からなる厚い領域とからなり、電極を前記厚い領域上でソース・ドレイン領域と接続する工程を採用することに格別の創意工夫を必要としない。
　従って、前記相違点１，相違点４及び相違点５は、当業者が容易に想到し得たことであると認められる。
　
（相違点２について）
　引用例２に記載された発明では、ゲート電極となる多結晶シリコン５に１１Ｂ＋をイオン注入して導電性を付与しており、３００Åのシリコン酸化膜は、イオン注入に際して用いられている。
　しかしながら、イオン注入に際して、該３００Åのシリコン酸化膜の形成を省略しても、多結晶シリコンに導電性は付与できるから、該３００Åの酸化膜の形成工程の有無は単なる設計事項にすぎない。
　従って、引用例２に記載された発明において、３００Åのシリコン酸化膜の形成を省略して、導電膜上にシリコン酸化膜７を形成することは当業者が容易になし得たことであると認められる。
　
（相違点３について）
　ゲートを形成するにあたり、絶縁膜をマスクとしてエッチングするか、該絶縁膜をエッチングする際に用いたレジストを除去することなく該絶縁膜と共にマスクとして使用してエッチングするかは、当業者が適宜選択し得た事項である。
　従って、引用例２に記載された発明において、ｎチャンネルＴＦＴゲート部８を形成するにあたり、シリコン酸化膜７をマスクに多結晶シリコン５をエッチングすることは当業者が容易になし得たことであると認められる。
　
　従って、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願発明は、前記引用例２に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。