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　特願２００９−　５９６８３「密封されたコンデンサアセンブリ」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月２９日出願公開、特開２００９−２５３２７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成２１年３月１２日（パリ条約に基づく優先権主張　平成２０年４月１日　米国（ＵＳ））の出願であって、平成２４年７月３日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年１０月５日付けで手続補正がなされたが、同年１２月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２５年４月２５日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされた。
　その後、平成２５年７月３１日付けで前置報告書を利用した審尋がなされ、平成２６年２月５日付けで回答書が提出されたものである。 
 　 
２．平成２５年４月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２５年４月２５日付けの手続補正を却下する。 
［理　由］ 
（１）補正後の本願発明 
　平成２５年４月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、 
「【請求項１】
　タンタル酸化物又はニオブ酸化物を含有する多孔性焼結ペレットを含むアノードと、該アノードから延びるアノードリードと、該ペレットの上及び内部に陽極酸化により形成される誘電体層と、該誘電体層の上に重なり、導電性ポリマーを有するカソードとを含む電解コンデンサと、
　不活性ガスを含有する気体雰囲気を有する内部空洞を形成し、前記電解コンデンサが内部に封入され、蓋に密封されたセラミックハウジングであって、該セラミックハウジングの内面が、第１の導電トレース及び第２の導電トレースを含み、前記アノードリードが該第１の導電トレースと電気的に接触し、前記カソードが該第２の導電トレースと電気的に接触し、第１の導電接着剤が前記第１の導電トレースを前記アノードリードに電気的に接続し、第２の導電接着剤が前記第２の導電トレースを前記カソードに電気的に接続する、前記セラミックハウジングと、
　
第１の接続部を通じて
　
第２の接続部を通じて
　を
含み、
　
前記第１の接続部及び前記第２の接続部は、前記セラミックハウジングの下壁に形成される
と補正された。
　
　上記補正は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「第２の導電トレース」と「カソード端子」との電気的接続について、「第１の接続部を通じて」行われる旨の限定を付加し、同様に、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「第１の導電トレース」と「アノード端子」との電気的接続について、「第２の接続部を通じて」行われる旨の限定を付加し、さらに、「前記第１の接続部及び前記第２の接続部は、前記セラミックハウジングの下壁に形成される」との限定を付加するものである。 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下に検討する。 
 　 
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−３９１６８号公報（以下、「引用例」という。）には、「セラミック容器およびそれを用いたタンタル電解コンデンサ」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
　ア．「【請求項１】
上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、前記段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、該切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、前記凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、前記セラミック基体の外側面に上下方向に形成されるとともに内面に第一および第二の側面導体がそれぞれ形成された第一および第二の溝とを具備しており、前記第一のメタライズ層は第一の内部配線と前記第一の側面導体とを介して前記第一の導体層に電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層は第二の内部配線と前記第二の側面導体とを介して前記第二の導体層に電気的に接続されていることを特徴とするセラミック容器
　 
　イ．「【請求項５】
請求項１
に記載のセラミック容器と、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が前記第一のメタライズ層に電気的に接続されている陽極リード端子、および前記焼結体の下面に被着されるとともに前記第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層とを有するタンタル電解コンデンサ素子と、前記セラミック基体の上面に前記凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とするタンタル電解コンデンサ
　 
　ウ．「【０００１】
　
本発明は
特にセラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサに関する
　 
　エ．「【０００４】
　以下に、この種の従来のタンタル電解コンデンサについて図５を用いて説明する。図５は従来のタンタル電解コンデンサの構成を示す断面図であり、同図において11はタンタル電解コンデンサ、Ｂはタンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リードを示し、
タンタル電解コンデンサ素子Ｂはタンタルなどから成る陽極リードＣの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体12に誘電体の酸化皮膜層（図示せず）を形成し、固体電解質層（図示せず）を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層12ａを形成することにより得られる
　 
　オ．「【００１２】
　したがって、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、
タンタル電解コンデンサを半田付けをするときに高温に曝されても、タンタル電解コンデンサ素子の気密性を保持することができる
　
　カ．「【００２５】
　本発明のセラミック容器について以下に詳細に説明する。図１において、（ａ）は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は図（ａ）の断面図である。また、図２は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を下方から見た斜視図であり、図３は本発明のセラミック容器の実施の形態の他の例を下方から見た斜視図である。これらの図において、１はセラミック基体、１ａは凹部、１ｂは第二のメタライズ層、１ｃ−Ａは段差、２は切り欠き、２ａは第一のメタライズ層、３ａは第一の内部配線、３ｂは第二の内部配線、４ａは第一の導体層、４ｂは第二の導体層、４ｃは第一の側面導体、４ｄは第二の側面導体、５ａ，５ｂは第一および第二の突出部、６は蓋体、Ａはセラミック容器、Ｂはタンタル電解タンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リード端子、Ｄは陰極層、Ｅは導電性接合材である。
【００２６】
　本発明の
セラミック容器Ａは、セラミック基体１の上面中央部に直方体状の凹部１ａが形成され、この凹部１ａの１つの内側面と凹部１ａの底面との間に段差１ｃ−Ａが形成されており、例えば図１に示すように下面の段差１ｃ−Ａの直下の部位に第一の導体層４ａが、および段差１ｃ−Ａが形成された上記の１つの内側面に対向する内側面の直下の部位に第二の導体層４ｂがそれぞれ設けられている
【００２７】
　また、
段差１ｃ−Ａの上面からその側面にかけて切り欠き２が形成され、切り欠き２の内面の側面および底面に第一のメタライズ層２ａが形成されており、また凹部１ａの底面には第二のメタライズ層１ｂが形成されている。さらに、第一のメタライズ層２ａと電気的に接続され、セラミック基体１の内部を貫通する第一の内部配線３ａと、セラミック基体１の下面の第一の導体層４ａとを電気的に接続する第一の側面導体４ｃ（いわゆるキャスタレーション導体）がセラミック基体１の外側面に形成された第一の溝内に形成されている。また、第二のメタライズ層１ｂと電気的に接続され、セラミック基体１の内部を貫通する第二の内部配線３ｂと、セラミック基体１の下面の第二の導体層４ｂとを電気的に接続する第二の側面導体４ｄ（キャスタレーション導体）がセラミック基体１の外側面に形成された第二の溝内に形成されている
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００３４】
　
セラミック基体１の下面には、第一および第二の導体層４ａ，４ｂが第一および第二の側面導体４ｃ，４ｄと第一および第二の内部配線３ａ，３ｂとを介して第一および第二のメタライズ層２ａ，１ｂとそれぞれ電気的に接続されて形成されている。これらの第一および第二の導体層４ａ，４ｂが外部電気回路基板（図示せず）の表面の配線導体に半田を介して接合される
　
　キ．「【００４３】
　そして、枠状部材７にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＡｌ合金等の金属製の
蓋体６をシーム溶接等により接合し、セラミック基体１の上面に凹部１ａを塞ぐように強固に取着することによって、セラミック基体１の凹部１ａを確実に気密封止できるようになる。従って、外部から水分や酸素等がセラミック基体１と蓋体６との間から凹部１ａに侵入するのをより有効に抑止することができるので、内部に封入されるタンタル電解コンデンサ素子Ｂに漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりするのを有効に防止できる
【００４４】
　また、
タンタル電解コンデンサ素子Ｂが水分による腐食等で劣化するのを有効に防止できるので、タンタル電解コンデンサ素子Ｂの電気特性を長期間にわたって良好に維持できる
　
　ク．「【００４５】
　次に、本発明のタンタル電解コンデンサＦについて以下に詳細に説明する。図４は本発明のタンタル電解コンデンサＦの実施の形態の一例を示す断面図であり、Ｂはタンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リード端子、Ｄは陰極層、Ｅは導電性接合材である。
【００４６】
　本発明の
タンタル電解コンデンサＦは、タンタル粉末の焼結体の側面からこの焼結体内に一端部が埋め込まれて形成された陽極リード端子Ｃと焼結体の外周に形成された陰極層Ｄとを有するタンタル電解コンデンサ素子Ｂを内蔵している。そして、陽極リード端子Ｃがその他端部を切り欠き２に導電性接合材Ｅを介して接合されてなるとともに、段差１ｃ−Ａ上の切り欠き２が導電性接合材Ｅによって覆われることにより、陽極リード端子Ｃと第一のメタライズ層２ａとの接続部の電気抵抗を小さくすることができ、かつ陽極リード端子Ｃを強固に切り欠き２の第一のメタライズ層２ａに接合することができるとともに、さらに、陰極層Ｄが導電性接合材Ｅによって広い面積で第二のメタライズ層１ｂに電気的に接合される
　
　ケ．「【００５０】
　さらに好ましくは、
セラミック容器Ａの内部に窒素またはアルゴン等の不活性気体を封入すると良く、タンタル電解コンデンサ素子Ｂがセラミック容器Ａの内部気体と反応して腐食等するのを確実に防止し、タンタル電解コンデンサ素子Ｂを長期にわたって極めて良好に作動させることができる
　 
　・上記引用例に記載の「セラミック容器およびそれを用いたタンタル電解コンデンサ」は、上記「イ．」、「ウ．」の記載事項によれば、セラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサに関するものである。
　・タンタル電解コンデンサＦは、上記「ク．」の記載事項によれば、陽極リード端子Ｃとタンタル電解コンデンサ素子Ｂとからなり、当該タンタル電解コンデンサ素子Ｂとしては、上記「エ．」に記載された従来例に係るタンタル電解コンデンサＢと同じものが用いられることは明らかであり、すなわち、上記「エ．」の記載事項によれば、タンタル電解コンデンサ素子Ｂは、陽極リードＣの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体に誘電体の酸化皮膜層を形成し、固体電解質層を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層Ｄを形成することにより得られるものである。
　・上記「ア．」、「カ．」の記載事項、及び図１、図４によれば、セラミック容器Ａは、上面の中央部に直方体状の凹部１ａが形成され、該凹部１ａの一内側面と底面との間に段差１ｃ−Ａが形成されており、下面に第一の導体層４ａおよび第二の導体層４ｂが互いに独立して設けられたセラミック基体１と、前記段差１ｃ−Ａの上面から側面にかけて形成された切り欠き２と、該切り欠き２の側面および底面に形成された第一のメタライズ層２ａと、前記凹部１ａの底面に形成された第二のメタライズ層１ｂと、前記セラミック基体１の側壁内部を貫通する第一の内部配線３ａおよび第二の内部配線３ｂと、前記セラミック基体１の外側面に設けられた第一の溝および第二の溝内にそれぞれ形成された第一の側面導体４ｃおよび第二の側面導体４ｄとを具備しており、前記第一のメタライズ層２ａは前記第一の内部配線３ａと前記第一の側面導体４ｃとを介して前記第一の導体層４ａに電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層１ｂは前記第二の内部配線３ｂと前記第二の側面導体４ｄとを介して前記第二の導体層４ｂに電気的に接続されてなるものである。
　そして、上記「イ．」、「キ．」の記載事項、及び図４によれば、セラミック容器Ａの内部にタンタル電解コンデンサＦが封入され、凹部１ａを塞ぎ気密封止するように蓋体６が取着されるものである。
　・上記「イ．」、「ク．」の記載事項、及び図４によれば、タンタル電解コンデンサＦにおける陽極リード端子Ｃの他端部が導電性接合材Ｅによって第一のメタライズ層２ａに電気的に接続され、タンタル電解コンデンサＦにおける陰極層Ｄが導電性接合材Ｅによって第二のメタライズ層１ｂに電気的に接続されるものである。
　・さらに、上記「ケ．」の記載事項によれば、セラミック容器Ａの内部には窒素またはアルゴン等の不活性気体が封入されるものである。
　・そしてこれらにより、上記「オ．」、「キ．」、「ケ．」に記載のように、高温に曝されてもセラミック容器Ａ内部に水分や酸素等が侵入することがなく気密性を保持でき、タンタル電解コンデンサ素子Ｂがセラミック容器Ａの内部気体と反応して腐食等で劣化し、漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりすることなく電気特性を長期間にわたって良好に維持できるものである。
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「タンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体に誘電体の酸化皮膜層を形成し、固体電解質層を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層Ｄを形成したタンタル電解コンデンサ素子と、前記焼結体内に一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出する陽極リードとを含むタンタル電解コンデンサと、
　上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、前記段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、当該切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、前記凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、前記セラミック基体の側壁内部を貫通する第一の内部配線および第二の内部配線と、前記セラミック基体の外側面に設けられた第一の溝および第二の溝内にそれぞれ形成された第一の側面導体および第二の側面導体とを具備し、前記凹部を塞ぎ気密封止するように蓋体が取着され、その内部には前記タンタル電解コンデンサとともに窒素またはアルゴン等の不活性気体が封入されたセラミック容器であって、前記陽極リード端子の他端部が導電性接合材によって前記第一のメタライズ層に電気的に接続され、前記陰極層が導電性接合材によって前記第二のメタライズ層に電気的に接続されたセラミック容器と、
　を含み、前記第一のメタライズ層は前記第一の内部配線と前記第一の側面導体とを介して前記第一の導体層に電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層は前記第二の内部配線と前記第二の側面導体とを介して前記第二の導体層に電気的に接続されており、
　高温に曝されても前記セラミック容器内部に水分や酸素等が侵入することがなく気密性を保持でき、前記タンタル電解コンデンサ素子が前記セラミック容器の内部気体と反応して腐食等で劣化し、漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりすることなく電気特性を長期間にわたって良好に維持できる、セラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサ。」
　
（３）対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、 
　ア．引用発明における、タンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた「焼結体」は、多孔性であることは自明であるから、本願補正発明における「多孔性焼結ペレット」に相当し、
　また、引用発明における「誘電体の酸化皮膜層」、「陽極リード」、「タンタル電解コンデンサ」は、それぞれ本願補正発明における「誘電体層」、「アノードリード」、「電解コンデンサ」に相当し、
　引用発明における「タンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体に誘電体の酸化皮膜層を形成し、固体電解質層を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層Ｄを形成したタンタル電解コンデンサ素子と、前記焼結体内に一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出する陽極リードとを含むタンタル電解コンデンサと」によれば、
 (a)焼結体の材料であるタルタル粉末は、本願補正発明における「タンタル酸化物」又は「ニオブ酸化物」と同様、いわゆるバルブ金属組成物である点で共通し、
 (b)焼結体に形成される誘電体の酸化皮膜層は、焼結体が多孔性であることから、その焼結体表面上のみならず焼結体内部の細孔表面にも形成されることは技術常識であり、そして、この誘電体の酸化皮膜層が形成された焼結体が、本願補正発明でいう「アノード」に相当するものであり、
 (c)さらに、酸化被膜層外側に形成され、その外周に陰極層が形成された固体電解質が、本願補正発明でいう「カソード」に相当するものであり、
　また、本願補正発明における「導電性ポリマー」は、固体電解質層として用いられるものであることは自明なことであるから、
　本願補正発明と引用発明とは、後述の相違点を除いて「バルブ金属組成物を含有する多孔性焼結ペレットを含むアノードと、該アノードから延びるアノードリードと、該ペレットの上及び内部に形成される誘電体層と、該誘電体層の上に重なり、固体電解質層を有するカソードとを含む電解コンデンサと」を含むものである点で共通するといえる。
　
　イ．引用発明における「不活性気体」、「蓋体」、「セラミック容器」は、それぞれ本願補正発明における「不活性ガス」、「蓋」、「セラミックハウジング」に相当し、
　引用発明における「上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、・・・前記凹部を塞ぎ気密封止するように蓋体が取着され、その内部には前記タンタル電解コンデンサとともに窒素またはアルゴン等の不活性気体が封入されたセラミック容器であって」によれば、蓋体によって気密封止されたセラミック容器の凹部によって形成される内部空洞は、不活性ガスの気体雰囲気であるとともに、タンタル電解コンデンサが封入されていることから、
　本願補正発明と引用発明とは、「不活性ガスを含有する気体雰囲気を有する内部空洞を形成し、前記電解コンデンサが内部に封入され、蓋に密封されたセラミックハウジングであって」の点で一致する。
　
　ウ．引用発明における「第一のメタライズ層」、「第二のメタライズ層」は、それぞれ本願補正発明における「第１の導電トレース」、「第２の導電トレース」に相当し、
　引用発明における「上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、・・・前記段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、当該切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、前記凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、・・・前記陽極リード端子の他端部が導電性接合材によって前記第一のメタライズ層に電気的に接続され、前記陰極層が導電性接合材によって前記第二のメタライズ層に電気的に接続されたセラミック容器と」によれば、
 (a)第一のメタライズ層と第二のメタライズ層とは、セラミック容器の凹部内面に形成されていることは明らかであり、
 (b)また、陽極リード端子の他端部と第一のメタライズ層とを電気的に接合する「導電性接合材」が、本願補正発明でいう「第１の導電接着剤」に相当し、カソードが有する陰極層と第二のメタライズ層とを電気的に接合する「導電性接合材」が、本願補正発明でいう「第２の導電接着剤」に相当するといえるから、
　本願補正発明と引用発明とは、「該セラミックハウジングの内面が、第１の導電トレース及び第２の導電トレースを含み、前記アノードリードが該第１の導電トレースと電気的に接触し、前記カソードが該第２の導電トレースと電気的に接触し、第１の導電接着剤が前記第１の導電トレースを前記アノードリードに電気的に接続し、第２の導電接着剤が前記第２の導電トレースを前記カソードに電気的に接続する、前記セラミックハウジングと」を含むものである点で一致する。
　
　エ．引用発明における「第一の導体層」、「第二の導体層」は、それぞれ本願補正発明における「アノード端子」、「カソード端子」に相当し、
　引用発明における「上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、・・・前記セラミック基体の側壁内部を貫通する第一の内部配線および第二の内部配線と、前記セラミック基体の外側面に設けられた第一の溝および第二の溝内にそれぞれ形成された第一の側面導体および第二の側面導体とを具備し、・・」、「・・前記第一のメタライズ層は前記第一の内部配線と前記第一の側面導体とを介して前記第一の導体層に電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層は前記第二の内部配線と前記第二の側面導体とを介して前記第二の導体層に電気的に接続されており」によれば、
 (a)第一の導体層と第二の導体層とは、セラミック基体の下面に設けられるものであり、セラミック容器の外部に位置することは明らかである。
 (b)そして、第一のメタライズ層と第一の導電層との接続は、第一の内部配線と第一の側面導体とを介して行われることから、この「第一の内部配線と第一の側面導体」が、本願補正発明でいう「第２の接続部」に相当し、同様に、第二のメタライズ層と第二の導電層との接続は、第二の内部配線と第二の側面導体とを介して行われることから、この「第二の内部配線と第二の側面導体」が、本願補正発明でいう「第１の接続部」に相当するといえる。
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、「第１の接続部を通じて前記第２の導電トレースと電気的に接続し、前記セラミックハウジングの外部に位置するカソード端子と、第２の接続部を通じて前記第１の導電トレースと電気的に接続し、前記セラミックハウジングの外部に位置するアノード端子と」を含むものである点で一致する。
　
　オ．そして、引用発明における「セラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサ」は、本願補正発明における「コンデンサアセンブリ」に相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「バルブ金属組成物を含有する多孔性焼結ペレットを含むアノードと、該アノードから延びるアノードリードと、該ペレットの上及び内部に形成される誘電体層と、該誘電体層の上に重なり、固体電解質層を有するカソードとを含む電解コンデンサと、
　不活性ガスを含有する気体雰囲気を有する内部空洞を形成し、前記電解コンデンサが内部に封入され、蓋に密封されたセラミックハウジングであって、該セラミックハウジングの内面が、第１の導電トレース及び第２の導電トレースを含み、前記アノードリードが該第１の導電トレースと電気的に接触し、前記カソードが該第２の導電トレースと電気的に接触し、第１の導電接着剤が前記第１の導電トレースを前記アノードリードに電気的に接続し、第２の導電接着剤が前記第２の導電トレースを前記カソードに電気的に接続する、前記セラミックハウジングと、
　第１の接続部を通じて前記第２の導電トレースと電気的に接続し、前記セラミックハウジングの外部に位置するカソード端子と、
　第２の接続部を通じて前記第１の導電トレースと電気的に接続し、前記セラミックハウジングの外部に位置するアノード端子と、
　を含むことを特徴とするコンデンサアセンブリ。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。 
［相違点１］　 
　アノードの多孔性焼結ペレットが含有するバルブ金属組成物が、本願補正発明では、「タンタル酸化物」又は「ニオブ酸化物」であり、該ペレットの上及び内部に形成される誘電体層が、本願補正発明では、「陽極酸化により」形成されるものである旨特定するのに対し、引用発明では、そのような明確な特定がない点。
　
［相違点２］ 
　カソードが有する、誘電体層の上に重なる固体電解質層が、本願補正発明では、「導電性ポリマー」と特定するのに対し、引用発明では、そのような明確な特定がない点。
　
［相違点３］
　第１の接続部及び第２の接続部が、本願補正発明では、「前記セラミックハウジングの下壁に形成される」と特定するのに対し、引用発明では、そのような特定がない点。
　
（４）判断 
　上記相違点について検討する。 
［相違点１］について 
　タンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体に対する誘電体の酸化皮膜層の形成を、陽極酸化により行い、誘電体の酸化皮膜層がタンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）からなるものとすることは、例えば原査定の拒絶の理由に引用された下記文献１（段落【００１８】〜【００２０】を参照）、さらには下記文献３（段落【００１８】を参照）、下記文献４（特に段落【０００７】、【００１２】を参照）に記載のように技術的常套手段であるといえ、引用発明においても、かかる常套手段に従い、誘電体の酸化皮膜層を陽極酸化により形成し、当該誘電体の酸化皮膜層が形成された焼結体であるアノードがタンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）を含有するものとすることは当業者がごく普通になし得ることである。
　
［相違点２］について 
　固体電解コンデンサにおける固体電解質層として誘電体ポリマー（導電性高分子）を用いることは、例えば原査定において提示した下記文献２（段落【００１９】〜【００２７】を参照）、さらには下記文献３（【請求項４】、段落【００１８】を参照）、下記文献４（段落【００１４】を参照）、下記文献５（【請求項１５】、段落【００１８】を参照）、下記文献６（特に、段落【０００４】、【００２６】を参照）、下記文献７（段落【０００２】〜【０００３】を参照）に記載のようにごく一般的な周知の技術事項であり、引用発明においても、固体電解質層を誘電体ポリマーとすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　
［相違点３］について
　上記「（３）エ．(b)」で指摘したとおり、引用発明において、本願補正発明でいう「第１の接続部」、「第２の接続部」に相当するものは、それぞれ「第二の内部配線と第二の側面導体」、「第一の内部配線と第一の側面導体」であり、これら内部配線や側面導体は、セラミック容器の「側壁」側に形成されているといえ、「下壁」に形成されるとする本願補正発明とは相違するとみることができる。
　しかしながら、例えば原査定の拒絶の理由に引用された下記文献１（段落【０００４】、【００２３】、図４、図６を参照）、さらには下記文献８（段落【０００４】〜【０００５】、【００３７】、図４、図５を参照）、下記文献９（２頁右下欄７〜１９行、第８図を参照）に見られるように、固体電解コンデンサの陽極リード、カソードとそれぞれ電気的に接続され、基体の一方の面に形成された２つの導電層と、基体の他方の面（下面）に形成された外部端子であるアノード端子、カソード端子それぞれとの電気的接続を、一方の導電層とアノード端子との間の基体部分と、他方の導電層とカソード端子との間の基体部分とに対してそれぞれスルーホールを設け、当該スルーホール内の導電部材を介して行うようにすることも周知の技術事項であり、引用発明において、かかる周知の技術事項を採用し、第一のメタライズ層と第一の導電層との接続、及び第二のメタライズ層と第二の導電層との接続を、それぞれセラミック容器の下壁に形成された各スルーホール内の導電部材を介して行われるようにすることも当業者であれば容易になし得ることである。
　
　文献１：特開２００２−２５８５８号公報
　文献２：特開２００５−１６７２３０号公報
　文献３：特開２００４−１１１４６０号公報
　文献４：特開２００７−３００１２３号公報
　文献５：特開２００４−５５６９９号公報
　文献６：特開平１１−８７１９２号公報
　文献７：特開平５−１５９９８７号公報
　文献８：特開２００１−３５８０３７号公報
　文献９：特開平３−８９５０９号公報
　
　そして、引用発明は「高温に曝されても前記セラミック容器内部に水分や酸素等が侵入することがなく気密性を保持でき、前記タンタル電解コンデンサ素子が前記セラミック容器の内部気体と反応して腐食等で劣化し、漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりすることなく電気特性を長期間にわたって良好に維持できる」ものであることに加えて、例えば上記文献３（段落【０００９】〜【００１０】を参照）、上記文献５（段落【００１２】を参照）、上記文献６（段落【０００５】、【００３１】を参照）、上記文献７（段落【０００５】を参照）に記載のように、固体電解質層を形成する導電性ポリマー（導電性高分子）は、水分や酸素が存在すると劣化し易いという問題がある（したがって極力、固体電解質層に導電性ポリマー（導電性高分子）を用いた固体電解コンデンサは、水分や酸素に触れないようにする必要がある）ことは周知といえる技術事項であることを考慮すると、上記各相違点を総合的に判断しても本願補正発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　 
（５）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明について 
　平成２５年４月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年１０月５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　タンタル酸化物又はニオブ酸化物を含有する多孔性焼結ペレットを含むアノードと、該アノードから延びるアノードリードと、該ペレットの上及び内部に陽極酸化により形成される誘電体層と、該誘電体層の上に重なり、導電性ポリマーを有するカソードとを含む電解コンデンサと、
　不活性ガスを含有する気体雰囲気を有する内部空洞を形成し、前記電解コンデンサが内部に封入され、蓋に密封されたセラミックハウジングであって、該セラミックハウジングの内面が、第１の導電トレース及び第２の導電トレースを含み、前記アノードリードが該第１の導電トレースと電気的に接触し、前記カソードが該第２の導電トレースと電気的に接触し、第１の導電接着剤が前記第１の導電トレースを前記アノードリードに電気的に接続し、第２の導電接着剤が前記第２の導電トレースを前記カソードに電気的に接続する、前記セラミックハウジングと、
　前記第２の導電トレースと電気的に接続し、前記セラミックハウジングの外部に位置するカソード端子と、
　前記第１の導電トレースと電気的に接続し、前記セラミックハウジングの外部に位置するアノード端子と、
　を含むことを特徴とするコンデンサアセンブリ。」
 　 
（１）引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
 　 
（２）対比・判断 
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「第２の導電トレース」と「カソード端子」との電気的接続について、「第１の接続部を通じて」行われる旨の限定を省き、同じく発明特定事項である「第１の導電トレース」と「アノード端子」との電気的接続について、「第２の接続部を通じて」行われる旨の限定を省き、さらに、「前記第１の接続部及び前記第２の接続部は、前記セラミックハウジングの下壁に形成される」との限定を省いたものに相当する。 
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。