【事件の表示】
　特願２０１１−１６４１０７「フェノール／脂環式コポリマーおよびフォトレジスト」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月２７日出願公開、特開２０１１−２１５６４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１２年１０月１０日（優先権主張１９９９年１０月８日、米国）に出願した特願２０００−３０９７５５号の一部を平成２３年７月２７日に新たな特許出願としたものであって、 平成２５年７月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月１１日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２５年１１月１１日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、平成２５年１１月１１日付けで補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
　なお、下記請求項１は、本願の出願当初の請求項４を独立形式に整理したものである。
　
「光活性な成分、ならびに１）少なくとも１２５立方オングストロームの分子容を有する第三エステル脂環式基を含み、該脂環式基が任意に置換されていてもよいアルキルアダマンチル、任意に置換されていてもよいフェンシル、任意に置換されていてもよいトリシクロデカニル、または任意に置換されていてもよいピナニルであるフォト酸レイビルエステル基；２）フェノール基；および３）シアノ基の繰り返し単位を含むポリマーを含む樹脂成分、を含むフォトレジスト組成物。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−７３１７３号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図とともに記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト材料に関し、さらに詳しく述べると、
高解像性、高感度、そして優れたドライエッチング耐性を有する化学増幅型レジスト材料
　
（２）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らが先に発明した化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法は、各種の光源からの光、特に遠紫外・真空紫外領域の波長をもつエキシマ光に対して高い透明性を有するばかりでなく、優れたドライエッチング耐性も有する。しかし、これらのレジストは、厚膜で使用した場合や、溶解能の高い現像液を用いて現像を行った場合など、適用される使用条件によってクラックやパターンの剥れを生じやすく、安定したパターニング特性を得ることができないという欠点を依然として有している。このような欠点がなぜ引き起こされるのかの正確な理由は不明であるけれども、レジストの骨格構造中に含まれる脂環式炭化水素部分が、疎水性が強いうえに剛直であるため、現像時にレジスト膜にかかる歪が大きくなることも１つの原因となっていると理解される。
【０００５】また、上記のような脂環式炭化水素部分が存在することの結果、かかる化学増幅型レジストの現像に、この技術分野で
常用のアルカリ現像液を使用できないという欠点もある
レジストの構造中に含まれる脂環式炭化水素部分が、疎水性が強いので、アルカリ現像液へのレジストの溶解を妨げ
保護されたアルカリ可溶性基を有しかつその保護基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を含む重合体又は共重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジストを、露光後、特定のアンモニウム化合物又はモルフォリン化合物の水溶液又はアルコール溶液を含む現像液で現像する
レジストパターンの形成方法を見い出し
【０００６】さらに、上記したような
レジストは、通常、被エッチング層を有する基板との密着性が悪く、基板上のレジスト膜が現像時に基板から剥離することがあったり、また、焼き付けようとする回路パターンが遮光されるようにできた露光マスクを介して露光を行った場合に、所望のマスクパターンより若干大きい形状のレジストパターンができあがることがあった
【０００７】上記の説明から理解されるように、化学増幅型レジストとそれを用いたパターン形成方法の改良に当たっては、通常、レジスト材料そのものを改良するアプローチと、レジストプロセスにおいて用いられる現像液を改良するアプローチの２つのアプローチがとられている。本発明は、諸般の条件等を考慮して、レジスト材料そのものを改良しようとするものである。
【０００８】本発明の１つの目的は、したがって、
エキシマ光を含めた各種の放射線に対して高い透明性を有し、優れたドライエッチング耐性を有し、現像時のクラックの発生やパターンの剥離を低減した、すなわち、安定したパターニング特性を奏する、改良された化学増幅型レジストを提供する
基板との密着性が良好で、マスクパターンに対応するパターンを忠実に再現可能な改良された化学増幅型レジストを提供する
【０００９】また、本発明のもう１つの目的は、そのような化学増幅型レジストを使用した、
標準アルカリ現像液で現像を行い得る
　
（３）「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、
１つの面において、次式（Ｉ）〜（VI）のいずれかにより表される脂環式炭化水素基含有部分
　
　・・・略・・・
　
【００２２】（上式において、ＲI 及びＺは前記定義に同じである）
で保護されたアルカリ可溶性基を有しかつ前記アルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなる
レジスト材料
　
（４）「【００５０】本発明の実施に当たって、脂環式炭化水素としては、上記したように複数個の環構造を有するかもしくは縮合環を有しているものが好ましく、単環であるシクロヘキシル基等では十分なドライエッチング耐性を得ることができない。また、これらの化合物のうちで、従来のノボラック系レジストと同等かもしくはそれ以上のドライエッチング耐性を得るには、アダマンタン等の縮合環が、特に好ましい。
【００５１】本発明による化学増幅型レジストおいて、それに含まれる
酸感応性化合物は、好ましくは、重合体又は共重合体の形をとる
酸感応性重合体
酸感応性重合体
は
好ましくは、アクリル酸エステル及びその誘導体、イタコン酸エステル及びその誘導体、フマル酸エステル及びその誘導体ならびにスチレン置換体及びその誘導体からなる群から選ばれる繰り返し単位
を単独もしくは組み合わせて有するもの
【００５２】また、酸感応性共重合体は、
必要に応じて、
繰り返し単位に組み合わせて
その他の繰り返し単位、例えば、アクリロニトリル
を用いて調製してもよい
【００５３】本発明によれば、したがって、レジスト材料の１成分としての酸感応性化合物が、共重合体の形をとっており、そしてその繰り返し単位が、上記した構造単位に加えて、アルカリ可溶性基を側鎖に有する繰り返し単位及び（又は）前記酸発生剤から生じる酸により脱離可能な追加の保護されたアルカリ可溶性基を側鎖に有する繰り返し単位を含むことを特徴とするレジスト材料が提供される。」
　
（５）「【００６３】上式において、
Ｒは、プロトン（水素）、ハロゲン、置換もしくは非置換のアルキル基、例えばメチル基あるいはエチル基、メチロール基などを表し、Ａは、前式（Ｉ）〜（VI）の部分に相当し、例えば、保護基、好ましくは４級炭素基あるいはβ−オキシケトン基、例えばｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、３−オキシシクロヘキシル基などで保護された脂環式炭化水素基、好ましくはアダマンチル、ノルボルニル、シクロヘキシル、トリシクロ〔５．２．１．０〕デカンなどを表し、そしてｎは任意の正の整数を表す
【００６４】また、
酸感応性共重合体は、好ましくは、次式（XVII）及び（XVIII ）により表されるメタ（アクリレート）共重合体である。なお、メタ（アクリレート）三成分共重合体もこれに準じて構成することができる
【００６５】
　
　・・・略・・・
　
【００６６】
【化４２】
　
【００６７】上式において、Ｒ、Ａ及びｎは、それぞれ、前記定義に同じであり、Ｙは、任意の置換基、好ましくは、例えば、アルキル基、例えばｔ−ブチル基など、エーテル基、例えばフェノキシ基など、脂環式基、例えばアダマンチル、ノルボルニル、シクロヘキシル、トリシクロ〔５．２．１．０〕デカンなど、あるいは次式の基：
【００６８】
　
　・・・略・・・
　
【００６９】などを表し、式中、R1、R2及びR3は、それぞれ、水素、置換もしくは非置換のアルキル基又はアルキレン基、例えばメチル基、エチル基、メチレン基など、その他を表し、
そしてＢは、任意の置換基、好ましくは、例えば、カルボキシル基、あるいは次式の基：
【化４４】
【００７１】などを表し、式中、置換基Ｄ中のR4は、水素又は置換もしくは非置換のアルキル基、例えばメチル基あるいはエチル基であり、そしてｌ及び
ｍは
任意の正の整数を表す
酸感応性共重合体は
さらに具体的には
次のようなものを包含する
なお、式中のｍ及びｎは、それぞれ、前記定義に同じである
　
　・・・略・・・
　
【００８２】
【化５５】
　
【００８３】
【化５６】
　
」
　
（６）「【０２６４】
【発明の効果】本発明によれば、上記したような化学増幅型レジストを使用することにより、また、特に、かかるレジストと組み合わせて特定のアンモニウム化合物又はモルフォリン化合物の水溶液又はアルコール溶液を現像液として使用することにより、レジスト樹脂とのなじみやすさ、溶解度をコントロールして、現像時に発生するストレスを緩和することにより、
レジストパターンの剥離やクラックの発生を低減し、安定したパターニング特性を得る
下地に対する
密着性も非常に良好
　
（７）上記（１）ないし（６）からみて、引用例１には、
「高解像性、高感度、そして優れたドライエッチング耐性を有する化学増幅型レジスト材料において、
　レジストの構造中に含まれる脂環式炭化水素部分は疎水性が強くアルカリ現像液へのレジストの溶解を妨げ、常用のアルカリ現像液を使用できないという欠点もあったので、保護されたアルカリ可溶性基を有しかつその保護基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を含む重合体又は共重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジストを、露光後、特定のアンモニウム化合物又はモルフォリン化合物の水溶液又はアルコール溶液を含む現像液で現像するレジストパターンの形成方法を見い出しところ、前記レジストは、通常、被エッチング層を有する基板との密着性が悪く、基板上のレジスト膜が現像時に基板から剥離することがあったり、また、焼き付けようとする回路パターンが遮光されるようにできた露光マスクを介して露光を行った場合に、所望のマスクパターンより若干大きい形状のレジストパターンができあがることがあったため、
　エキシマ光を含めた各種の放射線に対して高い透明性を有し、優れたドライエッチング耐性を有し、現像時のクラックの発生やパターンの剥離を低減した、すなわち、安定したパターニング特性を奏し、基板との密着性が良好で、マスクパターンに対応するパターンを忠実に再現可能な改良され、標準アルカリ現像液で現像を行い得る化学増幅型レジストを提供することを目的として、
　１つの面において、脂環式炭化水素基含有部分で保護されたアルカリ可溶性基を有しかつ前記アルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むことによって、レジストパターンの剥離やクラックの発生を低減し、安定したパターニング特性を得て、下地に対する密着性も非常に良好としたレジスト材料であって、
　酸感応性化合物は、好ましくは、重合体又は共重合体の形をとった酸感応性重合体であり、該酸感応性重合体は、好ましくは、アクリル酸エステル及びその誘導体、イタコン酸エステル及びその誘導体、フマル酸エステル及びその誘導体ならびにスチレン置換体及びその誘導体からなる群から選ばれる繰り返し単位を単独もしくは組み合わせて有するものであり、必要に応じて、前記繰り返し単位に組み合わせて、その他の繰り返し単位、例えば、アクリロニトリルを用いて調製してもよく、酸感応性共重合体は、好ましくは、下記式（XVIII ）により表されるメタ（アクリレート）共重合体であり、メタ（アクリレート）三成分共重合体もこれに準じて構成することができ、
　【化４２】
　
　さらに具体的には、酸感応性共重合体は次のものを包含するレジスト材料。
　
　【化５５】
　又は【化５６】　
　なお、上式中のＲは、プロトン（水素）、ハロゲン、置換もしくは非置換のアルキル基、例えばメチル基あるいはエチル基、メチロール基などを表し、Ａは、例えば、保護基、好ましくは４級炭素基あるいはβ−オキシケトン基、例えばｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、３−オキシシクロヘキシル基などで保護された脂環式炭化水素基、好ましくはアダマンチル、ノルボルニル、シクロヘキシル、トリシクロ〔５．２．１．０〕デカンなどを表し、そしてＢは、任意の置換基、好ましくは、例えば、カルボキシル基、あるいは次式の基：【化４４】
　そしてｍ及びｎはそれぞれ、任意の正の整数を表す。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「放射線露光により酸を発生する酸発生剤」、「『【化５５】又は【化５６】』の『アルキルアダマンチル』を含む基」、「『【化５５】又は【化５６】』の『フェノール基』」、「繰り返し単位」及び「レジスト材料」は、それぞれ、本願発明の「光活性な成分」、「『アルキルアダマンチル』である『第三エステル脂環式基』を含む『フォト酸レイビルエステル基』」、「フェノール基」、「繰り返し単位」及び「フォトレジスト組成物」に相当する。
　
（２）引用発明において、酸感応性化合物は、好ましくは、重合体又は共重合体の形をとった酸感応性重合体であり、該酸感応性重合体は、好ましくは、アクリル酸エステル及びその誘導体、イタコン酸エステル及びその誘導体、フマル酸エステル及びその誘導体ならびにスチレン置換体及びその誘導体からなる群から選ばれる繰り返し単位を単独もしくは組み合わせて有するものであり、具体的には、「『アルキルアダマンチル』である『第三エステル脂環式基』を含む『フォト酸レイビルエステル基』（『【化５５】又は【化５６】』の『アルキルアダマンチル』を含む基）」の「繰り返し単位（繰り返し単位）」と「フェノール基（『【化５５】又は【化５６】』の『フェノール基』）」の「繰り返し単位（繰り返し単位）」とを有した、【化５５】又は【化５６】であり、そのアダマンチル基は置換可能である。
　ところで、本願明細書には「【００４７】　より詳細には、好ましいフォト酸レイビルエステル基の脂環式基は少なくとも約１２５または約１３０立方オングストロームの分子容、・・・を有する。・・・本発明において分子容とは、最適化された化学結合長さおよび角度を提供する標準的コンピューターモデリングにより決定される体積の大きさをさす。本発明において分子容を決定するための好ましいコンピュータープログラムはＴｒｉｐｏｓから入手可能なＡｌｃｈｅｍｙ２０００である。コンピューターによる分子サイズの決定についてのさらなる議論については、Ｔ Ｏｍｏｔｅら、 Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｆｏｒ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ、第４巻、２７７〜２８７ページ参照。」と記載され、脂環式基が特定されれば一義的に分子容も少なくとも１２５立方オングストロームであることが特定される。
　してみると、引用発明の「フォトレジスト組成物（レジスト材料）」と本願発明の「フォトレジスト組成物」とは、「少なくとも１２５立方オングストロームの分子容を有する第三エステル脂環式基を含み、該脂環式基が任意に置換されていてもよいアルキルアダマンチルであるフォト酸レイビルエステル基」及び「フェノール基」の「繰り返し単位」を含む点で一致する。
　
（３）引用発明の「フォトレジスト組成物（レジスト材料）」は、アクリル酸エステル及びその誘導体、イタコン酸エステル及びその誘導体、フマル酸エステル及びその誘導体ならびにスチレン置換体及びその誘導体からなる群から選ばれる繰り返し単位を単独もしくは組み合わせて有する酸感応性重合体を含み、レジストパターンを生成するものであるから、本願発明の「フォトレジスト組成物」と、「繰り返し単位を含むポリマーを含む樹脂成分」を含む点で一致する。
　
（４）上記（１）ないし（３）から、本願発明と引用発明１とは、
「光活性な成分、ならびに１）少なくとも１２５立方オングストロームの分子容を有する第三エステル脂環式基を含み、該脂環式基が任意に置換されていてもよいアルキルアダマンチルであるフォト酸レイビルエステル基および２）フェノール基の繰り返し単位を含むポリマーを含む樹脂成分、を含むフォトレジスト組成物。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
　相違点：
　前記「繰り返し単位」が、
　本願発明では、シアノ基を含むのに対して、
　引用発明では、そのような特定がなされていない点。
　
５　判断
　上記相違点について検討する。
（１）引用発明は、必要に応じて、前記「繰り返し単位」に組み合わせて、その他の繰り返し単位、例えば、アクリロニトリルを用いて調製してもよいものであり、アクリルニトリルはシアノ基を有しているものであるから、前記「繰り返し単位」が、シアノ基を有するアクリロニトリルを含み得ることが引用発明に示唆されているといえる。
　してみると、引用発明において、前記「繰り返し単位」に、シアノ基を含むようになすこと、すなわち、前記相違点に係る本願発明の構成となすことは、引用発明を認定した引用例に記載されているに等しい事項であり、当業者が引用発明に基づいて容易になし得たことである。
　
（２）本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果から当業者が予測することができた程度のことである。
　
（３）したがって、本願発明は、当業者が引用例１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　本願発明は、以上のとおり、当業者が引用例１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。