【事件の表示】
　特許第２７８９３０１号「半導体基板とその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７８９３０１号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７８９３０１号は、平成６年７月２１日に出願され、平成１０年６月１２日に請求項１〜３に係る発明について特許権の設定登録がなされ、その後、異議申立人　渡部賢一（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、平成１２年３月１４日付で当審より取消理由が通知がされ、その指定期間内である平成１２年５月２９日付で訂正請求がなされ、平成１５年３月３１日付で当審より訂正拒絶理由が通知がされたものである。
　なお、申立人に対し、平成１２年５月２９日付訂正請求書副本を送付し審尋したところ、平成１２年１２月１８日付で回答書が提出された。
　
II．訂正請求について
１．訂正事項
　平成１２年５月２９日付の訂正請求は、願書に添付した明細書及び図面（以下、「本件特許明細書」という。）を、訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを求めるものであるところ、特許請求の範囲に関する訂正は、本件特許明細書の特許請求の範囲の記載を、以下のとおり訂正することを求めるものである。
「【請求項１】（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が［１１１］軸に対して直行する〈１１０〉軸方向に角度θ、前記［１１１］軸及び〈１１０〉軸の両方に対して直行する〈１１２〉軸方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）を満足する半導体基板の表面に、気相成長によるシリコン単結晶薄膜を有することを特徴とする個別半導体デバイス用半導体基板。
　【請求項２】（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が［１１１］軸に対して直行する〈１１０〉軸方向に角度θ、前記［１１１］軸及び〈１１０〉軸の両方に対して直行する〈１１２〉軸方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）を満足する半導体基板の表面に、１１００℃以下の成膜温度でシリコン単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とする個別半導体デバイス用半導体基板の製造方法。」
　なお、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されるところを構成とする発明を、以下、それぞれ、訂正発明１、２という。
　
２．訂正の適否についての判断
　特許請求の範囲に関する上記訂正は、（訂正前の）請求項１を削除して、（訂正前の）請求項２、３の項番号を、それぞれ請求項１、２に繰り上げるとともに、（訂正前の）請求項２、３に「〈１１１〉軸に対して｛１１０｝方向に角度θ、｛１１２｝方向に角度φ」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、「［１１１］軸に対して直行する〈１１０〉軸方向に角度θ、前記［１１１］軸及び〈１１０〉軸の両方に対して直行する〈１１２〉軸方向に角度φ」と訂正するものであるから、該訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そこで、訂正発明１、２が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２−１．訂正拒絶理由通知で引用した引用例
　平成１５年３月３１日付訂正拒絶理由通知で引用した本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６２−９６２０号公報（以下、「引用例１」という。異議申立人の提出した甲第２号証。）及び同特公昭４２−１１０１７号公報（以下、「引用例２」という。異議申立人の提出した甲第３号証。）には、以下の事項が記載されている。
　なお、以下においては、引用例１、２の記載事項の摘示をも含め、オーバーライン付の数字をすべて、アンダーライン付の数字により、代替表示する。
（１）引用例１
記載事項１；
　「（１１１）面ないしこれと等価な面に対して少なくともほぼ８度以上傾斜した面を主平面とした半導体装置。」（特許請求の範囲１）、
記載事項２；
　「従来の技術
　従来より半導体装置は、主に（１００）、（５１１）、及び（１１１）面ないしそれらの面から３〜４゜傾斜した面を使用している。（１００）及び（５１１）面はＭＯＳ型に利用され、（１１１）面はバイポーラ型に応用されている。傾斜した面を使用する理由は、主に、イオン注入時のチャネリング防止、または良好な低欠陥のエピ成長膜を得るためである。特に（１１１）傾斜面においては、バイポーラ素子に応用するために、良質のエピ膜を得る必要がある。この場合、周知のように、丁度（１１１）面を利用すると、得られるエピ膜は欠陥が多く、また、成長そのものも難しい。ところが、３〜４゜の傾斜を使用することにより、これらの問題が解決され、現在、量産に使用されている。なお、傾斜は、（１１１）面から〈１１
２
記載事項３；
　「先ず、一般的な洗浄を行った後、真空室に充填したＳｉウエハー表面を８００℃にて０．６Å／Ｓ相当のＳｉ分子線にて照射し、界面清浄化を行う・・・次に５００〜６５０℃の低温に冷却し、６Å／Ｓの速さでエピ成長を行い、約１μｍ厚のエピ膜を得る。・・・下記表に、・・・結果を示す。」（第２頁右下欄１６行〜３頁左上欄９行）、
記載事項４；
　「下記表に、（１１１）面と、（１１１）面から３゜傾斜した面と、（４３３）面および（５３３）面と、（１１１）面から〈４３３〉と逆方向に８゜傾斜した面とについての結果を示す。」（第３頁左上欄６〜９行）と記載され、第３頁左上欄の〈表〉には、エピ成長温度５００〜６５０℃の範囲において、（１１１）面から３゜傾斜した面については欠陥密度（５枚１組での平均値個／ｃｍ２）は、６８０〜１８２０であり、一方、（４３３）面、（５３３）面あるいは（１１１）面から８゜傾斜した面については、欠陥密度は４０以下であることが記載されている。
記載事項５；
　「上記表より明らかなように、（１１１）面では非常に欠陥密度が高く、且つ明らかに積層欠陥に成長しているものが多数光学顕微鏡にて観察された。（１１１）面から３゜傾斜したものでは、（１１１）面に比し、大幅に欠陥密度が減少している。本発明による（４３３）面あるいは（５３３）面ないしそれと同等の角度を（１１１）面から傾斜したものでは、欠陥を観察し難い程度に減少しており、本発明が優れた効果のあることを示している。」（第３頁右上欄１〜１１行）
　
（２）引用例２
記載事項６；
　「本発明の好ましい形では、好ましい方法で配位された単結晶珪素半導体物質上に蒸気相からの熱分解によって改善された表面性質を有する単結晶半導体が造られる。本発明では、平らな欠陥のない表面を有する珪素半導体物は、単結晶珪素からなる基体の表面に気相から単結晶珪素の層を析出せしめる際、結晶の〔１１１〕平面から〈
２
　
２−２．対比・判断
２−２−１．訂正発明１について
（１）訂正発明１と引用例１記載の発明について
　引用例１の記載事項２、３、４によれば、引用例１には、従来技術として、「（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が（１１１）面から〈１１
２
２
　そこで、訂正発明１と引用発明１とを対比すると、両者は、「（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が特定の方向に特定の角度だけ傾斜した半導体基板の表面に、気相成長によるシリコン単結晶薄膜を有することを特徴とする半導体基板。」で一致するが、訂正発明１では、主表面の傾斜について、「主表面が［１１１］軸に対して直行する〈１１０〉軸方向に角度θ、前記［１１１］軸及び〈１１０〉軸の両方に対して直行する〈１１２〉軸方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）を満足する」と限定しているのに対して、引用発明１では、「主表面が（１１１）面から〈１１
２
　上記相違点１、２について検討する。
相違点１について；
　引用発明１における主表面の傾斜、即ち、「主表面が（１１１）面から〈１１
２
　ところで、相違点１に係る訂正発明１の構成は、θ＝０°で、かつ、φを４°〜７°とする場合を含むものであるところ、このうち、θ＝０°かつφ＝４°の場合には、訂正発明１における主表面の傾斜と、引用発明１における主表面の傾斜とには、何らの差異も認められないから、相違点１は、両者の実質的な相違とはなりえない。
　また、θ＝０°かつφが４°を超え７°以下の場合については、引用例１の記載から当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　即ち、引用例１の記載事項４、５によれば、θ＝０°かつφを３°とした際には、θ及びφがともに０°のものに比し、大幅に欠陥密度が減少することが明らかにされ、さらに、φの値を大きく（例えば、（５３３）面、（４３３）面）し、φが８°になると、欠陥を観察し難い程度に減少するとされているのであるから、φを４°を超え７°以下と定めることは、所望の欠陥密度に応じて当業者が適宜に定め得る事項にすぎず、格別の困難性を要するものとは認められない。
　相違点２について；
　「個別半導体デバイス用」とは、半導体装置の一般的な用途の一つに過ぎないところ、訂正発明１において、その用途を「個別半導体デバイス用」に限定したことに格別の技術的意義があるとはいえないから、引用発明１に係る半導体基板の用途を、「個別半導体デバイス用」に限定する程度のことは、当業者が容易になし得ることと認められる。
　以上のとおり、相違点１は、実質的な相違でない（θ＝０°で、かつ、φ＝４°の場合）か、あるいは、当業者が容易に想到し得るものであり、さらに、相違点２も、当業者が容易になし得るものであるから、訂正発明１は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
（２）訂正発明１と引用例２記載の発明について
　引用例２の記載事項６によれば、引用例２には、「〔１１１〕平面から〈
２
２
　そして、訂正発明１と引用発明３とを対比すると、両者は、「（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が特定の方向に特定の角度だけ傾斜した半導体基板の表面に、気相成長によるシリコン単結晶薄膜を有することを特徴とする半導体基板。」で一致するが、訂正発明１では、主表面の傾斜について、「主表面が［１１１］軸に対して直行する〈１１０〉軸方向に角度θ、前記［１１１］軸及び〈１１０〉軸の両方に対して直行する〈１１２〉軸方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）を満足する」と限定しているのに対して、引用発明３では、「〔１１１〕平面から〈
２
　上記相違点３、４について検討する。
相違点３について；
　引用発明３において「〔１１１〕平面から〈
２
相違点４について；
　相違点２について既に述べたように、引用発明３に係る半導体基板の用途を、「個別半導体デバイス用」に限定する程度のことは、当業者が容易になし得ることと認められる。
　以上のとおり、相違点３は、実質的な相違ではなく、また、相違点４は、当業者が容易になし得るものであるから、訂正発明１は、引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
２−２−２．訂正発明２について
（１）訂正発明２と引用例１記載の発明について
　訂正発明２と（引用例１に記載される）引用発明２とを対比すると、前記相違点１、２に加え、訂正発明２では、成膜温度を１１００℃以下としているのに対して、引用発明２では、成膜温度が５００〜６５０℃とされている点で形式上相違するが、５００〜６５０℃という温度範囲が、１１００℃以下という温度範囲に含まれることは明白であるから、訂正発明２と引用発明２とには、成膜温度についての実質的な相違は認められない。
　そして、相違点１、２については既に述べたとおりであるから、訂正発明２は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
（２）訂正発明２と引用例２記載の発明について
　訂正発明２と（引用例２に記載される）引用発明４とを対比すると、前記相違点３、４に加え、訂正発明２では、成膜温度を１１００℃以下としているのに対して、引用発明４では、成膜温度が１１５０〜１２００℃とされている点で相違する。
　しかしながら、引用例１にも記載されるごとく、（１１００℃以下の温度範囲である）５００〜６５０℃の成膜温度で気相成長を行わせることも知られているのであるから、引用発明４において、成膜温度を１１００℃以下とすることは当業者が容易に想到し得ることと認められる。
　そして、相違点３、４については既に述べたとおりであるから、訂正発明２は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
３．まとめ
　上記のとおりであるから、訂正発明１、２は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
　
III．特許異議申立てについて
１．本件発明
　前記のとおり、平成１２年５月２９日付訂正請求による訂正が認められないことから、本件請求項１〜３に係る発明は、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
　なお、本件請求項１〜３に係る発明を、それぞれ、本件発明１〜３という。
「【請求項１】（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が〈１１１〉軸に対して｛１１０｝方向に角度θ、｛１１２｝方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）の範囲であることを特徴とする半導体基板。
【請求項２】（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が〈１１１〉軸に対して｛１１０｝方向に角度θ、｛１１２｝方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）を満足する半導体基板の表面に、気相成長によるシリコン単結晶薄膜を有することを特徴とする半導体基板。
　【請求項３】（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が〈１１１〉軸に対して｛１１０｝方向に角度θ、｛１１２｝方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）を満足する半導体基板の表面に、１１００℃以下の成膜温度でシリコン単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法。」
　
２．取消理由通知の概要　
　平成１２年３月１４日付取消理由通知の概要は、次のとおりである。
取消理由１；本件発明１は、下記引用刊行物１、２又は３に記載された発明であるから、該発明の特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
取消理由２；本件発明２は、下記引用刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
取消理由３；本件発明３は、下記引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、或いは下記引用刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
取消理由４；本件特許明細書には、記載不備が存在するから、本件特許は明細書の記載が特許法第３６条第４項、第５項及び第６項の規定を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
　
                       　　　記
　
刊行物１；特開昭５３−　４４７３号公報（申立人の提出した甲第１号証）
刊行物２；特開昭６２−　９６２０号公報（申立人の提出した甲第２号証。訂正拒絶理由通知で引用した引用例１に同じ。）
刊行物３；特公昭４２−１１０１７号公報（申立人の提出した甲第３号証。訂正拒絶理由通知で引用した引用例２に同じ。）　　　　　
                       　
３．取消理由で引用した刊行物の記載事項
　平成１２年３月１４日付取消理由通知で引用した本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物１〜３には、以下の事項が記載されている。　
（１）刊行物１には、
「１．（１１１）面内で〔
１
１
１
１
１
１
「第１図（ａ）は球面状に形成したシリコン結晶体を特に（１１１）面に平行に切断した状態の平面図であって、中心のＡ点が（１１１）面と直交している〔１１１〕軸を示す。同図（ｂ）においては特に〔１
１
１
１
１
１
１
２
「この表から解るように〔
１
２
１
１
２
１
１
第４頁第１図（ａ）、（ｂ）には、シリコン単結晶体の結晶主表面の方位を決定するための直交する結晶軸について、（１１１）面内で、〔
１
２
（２）刊行物２
　刊行物２には、「II．２−１．（１）引用例１」で摘記した事項が記載されている。
（３）刊行物３
　刊行物３には、「II．２−１．（２）引用例２」で摘記した事項が記載されている。
　
４．取消理由１〜３についての判断
４−１．本件発明１について
（１）引用刊行物１に記載された発明との対比・判断
　引用刊行物１には、「１．（１１１）面内で〔
１
１
１
１
１
１
１
２
１
　そして、刊行物１発明における「シリコン単結晶」、「〈１１０〉軸から１５°までの範囲の角度」、「〔１１１〕結晶軸から３°〜１５°の範囲の角度」及び「半導体装置」は、それぞれ本件発明１における「シリコン単結晶ウエーハ」、「｛１１２｝方向に角度φ」、「｛１１０｝方向に角度θ」及び「半導体基板」に相当する。
　そこで、本件発明１と刊行物１発明とを対比すると、両者は、「（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が〈１１１〉軸に対して｛１１０｝方向に角度θ、｛１１２｝方向に角度φだけ傾斜した半導体基板。」で一致するばかりか、θ及びφの数値範囲についても両者は重複し、一致している。
　そうすると、本件発明１と刊行物１発明には相違はなく、両者は同一と認められる。
（２）引用刊行物２に記載された発明との対比・判断
　引用刊行物２には、「（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が（１１１）面から〈１１
２
　そこで、本件発明１と刊行物２発明とを対比すると、本件発明１では、主表面の傾斜について、「主表面が〈１１１〉軸に対して｛１１０｝方向に角度θ、｛１１２｝方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）の範囲である」と限定しているのに対して、　刊行物２発明では、「主表面が（１１１）面から〈１１
２
　しかしながら、上記相違は、前記「II．２−２−１．（１）」において、「相違点１」について検討したと同様な理由により、本件発明１と刊行物２発明との実質的な相違であるとはいえない。
　よって、本件発明１は刊行物２発明と同一と認められる。
（３）引用刊行物３に記載された発明との対比・判断
　引用刊行物３には、「〔１１１〕平面から〈
２
　そこで、本件発明１と刊行物３発明とを対比すると、本件発明１では、主表面の傾斜について、「主表面が〈１１１〉軸に対して｛１１０｝方向に角度θ、｛１１２｝方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）の範囲である」と限定しているのに対して、刊行物３発明では、「〔１１１〕平面から〈
２
　しかしながら、上記相違点は、前記「II．２−２−１．（２）」において、「相違点３」について検討したと同様な理由により、本件発明１と刊行物３発明との実質的な相違であるとはいえない。
　よって、本件発明１は刊行物３発明と同一と認められる。
　
４−２．本件発明２について
（１）刊行物２発明との対比・判断
　本件発明２と刊行物２発明とを対比すると、両者は、「（１１１）面に近い主表面を持つシリコン単結晶ウエーハであり、該主表面が特定の方向に特定の角度だけ傾斜した半導体基板の表面に、気相成長によるシリコン単結晶薄膜を有することを特徴とする半導体基板。」で一致し、本件発明２では、主表面の傾斜について、「主表面が〈１１１〉軸に対して｛１１０｝方向に角度θ、｛１１２｝方向に角度φだけ傾斜し、角度θ、φが（４°≦θ≦７°、０°≦φ≦７°）、または（４°≦φ≦７°、０°≦θ≦７°）を満足する」と限定しているのに対して、刊行物２発明では、「主表面が（１１１）面から〈１１
２
　しかしながら、上記相違は、前記「II．２−２−１．（１）」において、「相違点１」（但し、θ＝０°かつφが４°を超え７°以下の場合）について検討したと同様な理由により、当業者にとって格別の困難性を要するものとは認められない。
　したがって、本件発明２は、刊行物２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
４−３．本件発明３について
（１）刊行物２発明との対比・判断　
　本件発明３と刊行物２発明とを対比すると、前記「III．４−１．（２）」（あるいは「III．４−２．（１）」）で挙げた相違点に加え、本件発明３では、成膜温度を１１００℃以下としているのに対して、刊行物２発明では、成膜温度が５００〜６５０℃とされている点で形式上相違するが、５００〜６５０℃という温度範囲が、１１００℃以下という温度範囲に含まれることは明白であるから、本件発明３と刊行物２発明とには、成膜温度についての実質的な相違は認められない。
　そして、前記「III．４−１．（２）」（あるいは「III．４−２．（１）」）で挙げた相違点については既に述べたとおりであるから、本件発明３は、刊行物２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。　
（２）刊行物３発明との対比・判断
　本件発明３と刊行物３発明とを対比すると、前記「III．４−１．（３）」で挙げた相違点に加え、本件発明３では、成膜温度を１１００℃以下としているのに対して、刊行物３発明では、成膜温度が１１５０〜１２００℃とされている点で相違する。
　しかしながら、刊行物２にも記載されるごとく、（１１００℃以下の温度範囲である）５００〜６５０℃の成膜温度で気相成長を行わせることも知られているのであるから、刊行物３発明において、成膜温度を１１００℃以下とすることは当業者が容易に想到し得ることと認められる。
　そして、前記「III．４−１．（３）」で挙げた相違点については既に述べたとおりであるから、本件発明３は、刊行物２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
４−４．まとめ
　上記「４−１．」〜「４−３．」のとおり、本件発明１は、引用刊行物１〜３に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当する。
　また、本件発明２は、引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、さらに、本件発明３は、引用刊行物２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２、３は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由４について判断するまでもなく、本件発明１〜３についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。  
【異議決定日】
平成１５年７月１１日（２００３．７．１１）