(57)【要約】【課題】不揮発性半導体メモリデバイスで構成されたミラーリングシステムにおいて、ストレージ全体の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】複数の不揮発性半導体メモリデバイスを用いてミラーリングを行う制御装置であって、複数の不揮発性半導体メモリデバイスのデバイス情報を取得する取得手段と、取得手段により取得されたデバイス情報に基づいて複数の不揮発性半導体メモリデバイスの機種が一致している場合は、複数の不揮発性半導体メモリデバイスのうち新しい不揮発性半導体メモリデバイスをマスターディスクとして選択する選択手段と、を有することによって課題を解決する。【選択図】図３
2018049455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の不揮発性半導体メモリデバイスを用いてミラーリングを行う制御装置であって、
前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのデバイス情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記デバイス情報に基づいて前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの機種が一致している場合は、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのうちより新しい不揮発性半導体メモリデバイスをマスターディスクとして選択する選択手段と、
を有する制御装置。
【請求項２】
前記取得手段は、ミラーリングを行っている不揮発性半導体メモリデバイスが交換されたとき、又はミラーリングを行っている不揮発性半導体メモリデバイスに新規に不揮発性半導体メモリデバイスが追加されたときに、交換された不揮発性半導体メモリデバイス、又は新規に追加された不揮発性半導体メモリデバイスを含めて、ミラーリングを行っている複数の不揮発性半導体メモリデバイスのデバイス情報を取得する請求項１記載の制御装置。
【請求項３】
前記取得手段により取得された前記デバイス情報に基づいて前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの機種が一致しているか否かを判定する判定手段を更に有し、
前記選択手段は、前記判定手段により前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの機種が一致していると判定された場合、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのうち新しい不揮発性半導体メモリデバイスをマスターディスクとして選択する請求項１又は２記載の制御装置。
【請求項４】
前記選択手段は、使用開始時期がより遅い不揮発性半導体メモリデバイス、又はミラーリングを行っている不揮発性半導体メモリデバイスに新規に追加された不揮発性半導体メモリデバイス、又は最も残寿命が長い不揮発性半導体メモリデバイスを新しい不揮発性半導体メモリデバイスとする請求項１乃至３何れか１項記載の制御装置。
【請求項５】
複数の不揮発性半導体メモリデバイスを用いてミラーリングを行う制御装置であって、
前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの残寿命を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの残寿命に基づいて、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのうち最も残寿命が長い不揮発性半導体メモリデバイスをマスターディスクとして選択する選択手段と、
を有する制御装置。
【請求項６】
前記取得手段は、ミラーリングを行っている不揮発性半導体メモリデバイスが交換されたとき、又はミラーリングを行っている不揮発性半導体メモリデバイスに新規に不揮発性半導体メモリデバイスが追加されたときに、交換された不揮発性半導体メモリデバイス、又は新規に追加された不揮発性半導体メモリデバイスを含めて、ミラーリングを行っている複数の不揮発性半導体メモリデバイスのデバイス情報を取得する請求項５記載の制御装置。
【請求項７】
前記取得手段は、電源が投入されたとき、又は省電力モードから復帰したときに、前記ミラーリングを行っている複数の不揮発性半導体メモリデバイスのデバイス情報を取得する請求項５記載の制御装置。
【請求項８】
前記取得手段は、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのそれぞれの基本寿命情報を取得し、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのそれぞれの寿命パラメータを取得し、前記それぞれの基本寿命情報と、前記それぞれの寿命パラメータと、に基づいて、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのそれぞれの残寿命を算出することで前記残寿命を取得する請求項５乃至７何れか１項記載の制御装置。
【請求項９】
前記制御装置は、画像形成装置である請求項１乃至８何れか１項記載の制御装置。
【請求項１０】
複数の不揮発性半導体メモリデバイスを用いてミラーリングを行う制御装置が実行する情報処理方法であって、
前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのデバイス情報を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された前記デバイス情報に基づいて前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの機種が一致している場合は、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのうち新しい不揮発性半導体メモリデバイスをマスターディスクとして選択する選択ステップと、
を含む情報処理方法。
【請求項１１】
複数の不揮発性半導体メモリデバイスを用いてミラーリングを行う制御装置が実行する情報処理方法であって、
前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの残寿命を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの残寿命に基づいて、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのうち最も残寿命が長い不揮発性半導体メモリデバイスをマスターディスクとして選択する選択ステップと、
を含む情報処理方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１乃至９何れか１項記載の制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御装置、情報処理方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、不揮発性半導体メモリデバイスが画像形成装置のストレージデバイスとして採用されてきている。不揮発性半導体メモリデバイスの一例としてはＳＳＤがある。
ＳＳＤはＨＤＤに代わるストレージデバイスという位置づけから、ＨＤＤと同様に信頼性向上のためＲＡＩＤ１のミラーリング構成による利用も検討されている。
特許文献１では、ディスクアレイシステムにおいてＨＤＤの通電時間の短いものをできるだけ使うようにしてシステムの信頼性を向上させることが提案されている。
しかしながら、ＳＳＤにおいては通電時間と寿命とに相関性が無いため、ＳＳＤで構成されるストレージシステムの信頼性向上にはＨＤＤとは別の手法が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２９３３１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＳＳＤはＨＤＤと異なりデータの書き換え回数に制限がある。この書き換え回数の制限はＳＳＤに搭載されるＮＡＮＤフラッシュメモリに依存する。より具体的には、図７に示されるように書き換え回数の制限はＮＡＮＤフラッシュメモリの記録方式でそれぞれ異なるほか、製造プロセス進行に伴い徐々に制限値は低下する。
現在市場には搭載されるＮＡＮＤフラッシュメモリによって様々な書き換え寿命を持つＳＳＤが流通している。ここで、ＳＳＤ（１）とＳＳＤ（２）によるミラーリング構成においてＳＳＤ（２）が故障による交換で、ＳＳＤ（２）が新品になっても搭載されるＮＡＮＤフラッシュメモリによってはＳＳＤ（１）の書き換え寿命より劣る場合がある。
また、ミラーリング構成においてはホストから書き込まれるデータについてはマスターとスレーブディスクとで同一であるが、データの読み出しはマスターからのみ行われる。ＳＳＤの特徴としてデータの読み出しによって徐々に電荷が抜けて書き込まれたデータが消えていくリードディスターブという問題があり、この対策のためＳＳＤコントローラは適当な頻度でリードを行ったデータに対して書き直しを行う。したがって、マスターはスレーブディスクに比べて書き換え回数が多くなることから書き換え寿命に対してより厳しい環境であるため、可能な限り残り書き換え回数の多いディスクの使用が求められる。
更に、ＳＳＤの消耗状態はＳ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ情報から確認可能であるが、Ｓ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ情報から得られるＳＳＤの消耗状態を表すパラメータデータはＳＳＤに搭載されるコントローラチップによって異なる。したがって、各ＳＳＤの書き換え寿命を比較する際に、Ｓ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ情報から得た情報だけでは比較できない。
本発明は、不揮発性半導体メモリデバイスで構成されたミラーリングシステムにおいて、ストレージ全体の信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、複数の不揮発性半導体メモリデバイスを用いてミラーリングを行う制御装置であって、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのデバイス情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記デバイス情報に基づいて前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスの機種が一致している場合は、前記複数の不揮発性半導体メモリデバイスのうち新しい不揮発性半導体メモリデバイスをマスターディスクとして選択する選択手段と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、不揮発性半導体メモリデバイスで構成されたミラーリングシステムにおいて、ストレージ全体の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】ＳＳＤで構成されたミラーリングシステムの一例を示す図である。
【図２】ミラーリングシステムが組み込まれるコントローラ部の一例を示す図である。
【図３】実施形態１の情報処理の一例を示すフローチャートである。
【図４】基本寿命情報管理テーブルの一例を示す図である。
【図５】優先順位テーブルの一例を示す図である。
【図６】実施形態２の情報処理の一例を示すフローチャートである。
【図７】記録方式等とＰ／Ｅサイクルとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。
【０００９】
図１は、ＳＳＤで構成されたミラーリングシステムの一例を示す図である。ＳＳＤは、不揮発性半導体メモリデバイスの一例である。
ＳＳＤ（１）４１４がマスターディスクでＳＳＤ（２）４１５がスレーブディスクとして以降の説明を行う。
図２は、ミラーリングシステムが組み込まれる画像形成装置のコントローラ部４００の一例を示す図である。画像形成装置は、制御装置の一例である。
コントローラ部４００は、操作部や外部コンピュータからの指示に基づいて原稿搬送装置を制御する原稿搬送装置制御部、イメージリーダを制御するイメージリーダ制御部と通信し、入力される原稿の画像データを取得する。また、コントローラ部４００は、プリンタ部を制御するプリンタ制御部と通信を行い、画像データをシートに印刷する。また、コントローラ部４００は、折り装置を制御する折り装置制御部、フィニッシャを制御するフィニッシャ制御部と通信を行い、印刷されたシートにステイプルやパンチ穴といった所望の出力を実現する。
外部Ｉ／Ｆ４５１は、外部のコンピュータと接続するインターフェースである。例えば、外部Ｉ／Ｆ４５１は、ネットワークやＵＳＢ等の外部バスで接続し外部コンピュータからのプリントデータを画像に展開して出力するほか、ＳＳＤ（１）４１４内の画像データを外部コンピュータに送信することを行う。
コントローラ部４００は、ＣＰＵ４０１を有し、オペレーティングシステム（以下、ＯＳという）のプログラム等を実行し、ＯＳの機能を実現する。ＣＰＵ４０１には、バスブリッジ４０４が接続され、バスブリッジ４０４を介して、ＣＰＵ４０１の初期起動プログラムを格納しているＲＯＭ４０２から、初期起動プログラムを読み出す。また、ＣＰＵ４０１は、制御に伴う演算の作業領域として用いられるＲＡＭ４０３及びストレージ機器を制御するストレージ制御部４１２ともバスブリッジ４０４を介して接続されている。
【００１０】
ストレージ制御部４１２は、ＨＤＤやＳＳＤ等のストレージ機器のリード・ライト制御を行うハードウェアモジュールで、ストレージ機器と接続はシリアルＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ  ＡＴ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ：以下、ＳＡＴＡという）インターフェースが用いられる。
ＳＳＤ（１）４１４は、ＣＰＵ４０１のＯＳのプログラムを含むメインプログラムの格納と、イメージリーダや外部Ｉ／Ｆ４５１より取得した画像データや操作部で画像を編集したときの保存用やアプリケーションプログラムの格納先として使用される。また、ＳＳＤ（１）４１４は、アプリケーションプログラムやユーザープリファレンスデータの格納先としても使用される。ＳＳＤ４１４には、ＣＰＵ４０１からアクセスができるように構成されている。
ミラーリング制御部４１３は、ストレージのミラーリング制御を行うハードウェアモジュールである。図１及び図２においては独立した構成となっているが、ミラーリング制御部４１３は、ストレージ制御部４１２に含まれていてもよい。図２の構成において、ミラーリング制御部４１３とストレージ制御部４１２との接続はシリアルＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ  ＡＴ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ：以下ＳＡＴＡという）インターフェースが用いられる。
ＳＳＤ（１）４１４は、ミラーリング制御部４１３を介してストレージ制御部４１２と接続される。また、ミラーリング制御部４１３にはＳＳＤ（２）４１５も接続される。ＳＳＤ（２）４１５は、ミラーリングシステムにおいてマスターディスクであるＳＳＤ（１）４１４に対するスレーブディスクとして機能している。ミラーリングで動作しているため、ＳＳＤ（１）４１４とＳＳＤ（２）４１５とに書き込まれているデータは一致している。ミラーリング制御部４１３とＳＳＤ（１）４１４及びＳＳＤ（２）４１５との接続はＳＡＴＡインターフェースが用いられる。
また、ネットワークやＵＳＢインターフェースを制御する外部Ｉ／Ｆ制御部４０５、操作部を制御する操作部制御部４０６がバスブリッジ４０４に接続されている。
デバイス制御部４１１は、原稿搬送装置制御部、イメージリーダ制御部、プリンタ制御部、折り装置制御部、フィニッシャ制御部と接続され、これらの制御を司る。
ＣＰＵ４０１がＲＯＭ４０２等に記憶されたプログラムに基づき処理を実行することにより後述する図３又は図６のフローチャートの処理の一部が実現される。
【００１１】
＜実施形態１＞
図３は、実施形態１の情報処理の一例を示すフローチャートである。
ここでは、図１のＳＳＤ（２）４１５が故障して新しいＳＳＤに交換した場合、又はＳＳＤ（１）４１４をシングルモードで使用していた環境に対してＳＳＤ（２）４１５を新規に追加してミラーリング環境に変更する場合を例にとって説明する。
新しいＳＳＤ（２）４１５を組み込んで最初の電源投入後、ＣＰＵ４０１は、ミラーリングシステム４２０の状態を確認する（Ｓ１０１）。
ミラーリング制御部４１３は、新規デバイスがあるか否かを判定する（Ｓ１０２）。ミラーリング制御部４１３は、新しいＳＳＤ（２）４１５を認識した場合（Ｓ１０２においてＹｅｓ）、リビルドモードに移行してＳＳＤ（１）４１４からＳＳＤ（２）４１５に対して全領域コピーを行う（Ｓ１０３）。その間、ＣＰＵ４０１は、リビルドが完了するまで処理を待機する（Ｓ１０４）。
ＣＰＵ４０１は、ミラーリング制御部４１３がリビルドモードを完了しこと確認した場合、完了したと判定し（Ｓ１０４においてＹｅｓ）、各ＳＳＤ（４１４、４１５）のデバイス情報を確認する（Ｓ１０５）。
ＣＰＵ４０１は、Ｓ１０５から得たデバイス情報からＳＳＤ（１）４１４とＳＳＤ（２）４１５との機種が同一かどうかを確認する（Ｓ１０６）。機種が同一であると判定した場合（Ｓ１０６においてＮｏ）、ＣＰＵ４０１は、ミラーリング制御部４１３に対してＳＳＤ（２）４１５をマスターディスクとして設定する（Ｓ１１５）。Ｓ１１５の処理は、複数の不揮発性半導体メモリデバイスのうち新しい不揮発性半導体メモリデバイスをマスターディスクとして選択する処理の一例である。ＣＰＵ４０１は、ＳＳＤのうち、使用開始時期がより遅い方を「新しいＳＳＤ」としてもよい。ここで、使用開始時期は、はじめてＳＳＤが接続されたときに取得されてシステム内に記憶されうる。また、ＣＰＵ４０１は、ＳＳＤのうち、取得される情報と接続履歴とに基づき、これまで接続されたことのなかったものを検知して、「新しいＳＳＤ」としてもよい。また、ＣＰＵ４０１は、ＳＳＤのうち、残寿命が最も長いＳＳＤを「新しいＳＳＤ」としてもよい。
機種が同一でないと判定した場合（Ｓ１０６においてＹｅｓ）、ＣＰＵ４０１は、基本寿命情報管理テーブル５００を照合する（Ｓ１０７）。
基本寿命情報管理テーブル５００は図４に示すようなフォーマットで型名、メーカーのＳＳＤの基本寿命情報（容量、搭載ＮＡＮＤタイプ（ｔｙｐｅ）、Ｐ／Ｅサイクル（Ｐ／Ｅｃｙｃｌｅ））がデータベース化されたものである。ここで、Ｐ／ＥサイクルとはＰｒｏｇｒａｍ／Ｅｒａｓｅサイクルの略語で、ＮＡＮＤフラッシュメモリにおいては書き換え回数のことを示す。また、基本寿命情報管理テーブル５００はＳＳＤ上に格納されている。
【００１２】
ＣＰＵ４０１は、基本寿命情報管理テーブル５００に該当するＳＳＤの情報があったか否かを判定する（Ｓ１０８）。ＣＰＵ４０１は、基本寿命情報管理テーブル５００に該当するＳＳＤの情報があった場合には（Ｓ１０８においてＹｅｓ）、各ＳＳＤ（４１４、４１５）の該当する基本寿命情報をロードする（Ｓ１０９）。
ＣＰＵ４０１は、基本寿命情報管理テーブル５００に該当する情報が無かった場合には（Ｓ１０８においてＮｏ）、外部からＳＳＤの基本寿命情報を取得する（Ｓ１１３）。外部からの基本寿命情報の取得方法としてはインターネットを介してクラウドから取得する場合と、操作部経由でユーザーによってマニュアル入力されたものを取得する場合とがある。
ＣＰＵ４０１は、外部データから該当するＳＳＤの基本寿命情報が取得できたか否かを判定する（Ｓ１１４）。ＣＰＵ４０１は、外部データから該当するＳＳＤの基本寿命情報が取得できた場合（Ｓ１１４においてＹｅｓ）、Ｓ１０９に進み、外部データから該当するＳＳＤの基本寿命情報が取得できなかった場合（Ｓ１１４においてＮｏ）、Ｓ１１５に進む。Ｓ１０９では、上述したように、ＣＰＵ４０１は、各ＳＳＤ（４１４、４１５）の該当する基本寿命情報をロードする。Ｓ１１５では、上述したように、ＣＰＵ４０１は、ミラーリング制御部４１３に対してＳＳＤ（２）４１５をマスターディスクとして設定する。
【００１３】
ＣＰＵ４０１は、Ｓ１０９でロードした基本寿命情報から、各ＳＳＤ（４１４、４１５）の総書込み可能容量を算出する（Ｓ１１０）。
計算式は次の通りである。
総書込み可能容量＝ＳＳＤ容量×Ｐ／Ｅサイクル
ここで、ＳＳＤ（１）４１４が容量１２０ＧＢ、ＮＡＮＤタイプがＭＬＣ、Ｐ／Ｅサイクルが５０００回で、ＳＳＤ（２）４１５が容量１２０ＧＢ、ＮＡＮＤタイプがＴＬＣ、Ｐ／Ｅサイクルが５００回の場合、それぞれの総書込み可能容量は次の様になる。
ＳＳＤ（１）４１４の総書込み可能容量＝１２０ＧＢ×５０００＝６００ＴＢ
ＳＳＤ（２）４１５の総書込み可能容量＝１２０ＧＢ×５００  ＝６０ＴＢ
ＣＰＵ４０１は、各ＳＳＤ（４１４、４１５）のＳ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ情報を取得する（Ｓ１１１）。
ＣＰＵ４０１は、寿命に関連するパラメータをピックアップする（Ｓ１１２）。
ＳＳＤの寿命に関連するパラメータは主に以下のものが挙げられる。
・メディア消耗指標（Ｍｅｄｉａ  Ｗｅａｒｏｕｔ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）
消耗度をパーセンテージで示したものであり、初期値１００から残寿命が消耗するのにしたがってカウントダウンされる。
・平均消去回数
ＳＳＤ内の全ブロックの消去回数の平均値である。
・総書込み量（ＮＡＮＤ）
ＳＳＤ内のＮＡＮＤフラッシュメモリに書き込まれた総容量である。
・総書込み量（ホスト）
ホストからＳＳＤに書き込まれた総容量である。
ＳＳＤによって、上述したパラメータの内の１つだけをサポートするもの、複数をサポートするものがある。
【００１４】
ＣＰＵ４０１は、各ＳＳＤ（４１４、４１５）から得られる寿命に関連するパラメータがそれぞれ１種類か否かを判定する（Ｓ１１６）。ＣＰＵ４０１は、各ＳＳＤ（４１４、４１５）から得られる寿命に関連するパラメータがそれぞれ１種類だった場合は（Ｓ１１６においてＹｅｓ）、取得したパラメータからそれぞれの残寿命（残り書き換え可能容量）を算出する（Ｓ１１７）。
残寿命の計算式は使用するパラメータ毎に異なり以下の様になる。
・メディア消耗指標（Ｍｅｄｉａ  Ｗｅａｒｏｕｔ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）
残寿命＝総書込み可能容量×（メディア消耗指標／１００）
・平均消去回数
残寿命＝総書込み可能容量×（（Ｐ／Ｅ  ｃｙｃｌｅ−平均消去回数）／Ｐ／Ｅ  ｃｙｃｌｅ）
・総書込み量（ＮＡＮＤ  ｏｒ  ホスト）
残寿命＝総書込み可能容量−総書込み量
【００１５】
ＣＰＵ４０１は、何れか又はそれぞれに複数の寿命に関連するパラメータがある場合（Ｓ１１６においてＮｏ）、取得したパラメータに共通のパラメータがあるか否かを判定する（Ｓ１１８）。ＣＰＵ４０１は、取得したパラメータに共通のパラメータがある場合（Ｓ１１８においてＹｅｓ）、共通のパラメータが１つか否かを判定する（Ｓ１１９）。
ＣＰＵ４０１は、共通のパラメータが１つであった場合は（Ｓ１１９においてＹｅｓ）、共通のパラメータを選択する（Ｓ１２０）。
また、ＣＰＵ４０１は、共通のパラメータが複数ある場合は（Ｓ１１９においてＮｏ）、図５に示す優先順位テーブル５０１を参照する（Ｓ１２３）。優先順位テーブル５０１はＳＳＤ上に格納されている。そして、ＣＰＵ４０１は、共通するパラメータの内で最も優先順位の高いものを選択する（Ｓ１２４）。
また、ＣＰＵ４０１は、共通するパラメータが無かった場合は（Ｓ１１８においてＮｏ）、優先順位テーブル５０１を参照する（Ｓ１２１）。そして、ＣＰＵ４０１は、それぞれ最も優先順位の高いパラメータを選択する（Ｓ１２２）。
ＣＰＵ４０１は、Ｓ１２０、又はＳ１２２、又はＳ１２４で選択したパラメータに基づいて、それぞれのＳＳＤについて残寿命を算出する（Ｓ１２５）。
【００１６】
ここで、ＳＳＤ（１）４１４の取得した寿命パラメータがメディア消耗指標＝６０で、ＳＳＤ（２）４１５の所得した寿命パラメータが平均消去回数＝０だった場合には、それぞれの残寿命値は以下の様になる。
ＳＳＤ（１）４１４の残寿命  ＝  ６００ＴＢ×（６０／１００）＝  ３６０ＴＢ
ＳＳＤ（２）４１５の残寿命  ＝  ６０ＴＢ×（（５００−０）／５００）＝  ６０ＴＢ
ＣＰＵ４０１は、Ｓ１１７又はＳ１２５でそれぞれ算出した残寿命の値を比較する（Ｓ１２６）。
そして、ＣＰＵ４０１は、比較の結果、より残寿命値が高いＳＳＤをマスターディスクとして選択し、ミラーリング制御部４１３に対して設定を行う（Ｓ１２７）。
マスターディスクの設定が終了すると、ミラーリング制御部４１３は、ミラーステートに移行してミラーリングシステムを稼働する（Ｓ１２８）。
上述の例では、ＳＳＤ（１）４１４＞ＳＳＤ（２）４１５となるため、ＳＳＤ（１）４１４がマスターディスクとなる。
【００１７】
以上、実施形態１の情報処理によれば、ＳＳＤで構成されたミラーリングシステムにおいて、残り寿命が多いデバイスをマスターディスクとして選択することでストレージシステム全体の信頼性を向上させることができる。また、使用するＳＳＤの基本寿命情報とＳ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ情報から得たＳＳＤの寿命パラメータからＳＳＤの残り書き換え可能容量を算出して比較することで、異なる寿命パラメータを持つＳＳＤ間でも残り寿命を比較することができる。
【００１８】
＜実施形態２＞
図６は、実施形態２の情報処理の一例を示すフローチャートである。
画像形成装置に対してユーザーによるスイッチ操作からの電源投入、又は復帰信号による省電力モードからの復帰によりコントローラ部４００が通電されると、ＣＰＵ４０１は、電源ＯＮ、又はＳｌｅｅｐ復帰を検知する（Ｓ２０１）。
そして、ＣＰＵ４０１は、各ＳＳＤ（４１４、４１５）のデバイス情報を取得し、確認する（Ｓ２０２）。
ＣＰＵ４０１は、Ｓ２０２で得たデバイス情報から基本寿命情報管理テーブル５００を検索して各ＳＳＤ（４１４、４１５）の該当する基本寿命情報をロードする（Ｓ２０３）。
ここで、Ｓ２０４からＳ２０６までの処理は実施形態１のＳ１１０からＳ１１２までと同じ処理のため説明は割愛する。
また、Ｓ２０７からＳ２１７までの処理についても実施形態１のＳ１１６からＳ１２６までと同じ処理のため説明は割愛する。
ＣＰＵ４０１は、Ｓ２１７の比較結果から、現状のマスターディスクの残寿命値（Ｍ）がスレーブディスクの残寿命値（Ｓ）より下回っているか否かを判定する（Ｓ２１８）。
ＣＰＵ４０１は、現状のマスターディスクの残寿命値（Ｍ）がスレーブディスクの残寿命値（Ｓ）より下回っていた場合（Ｓ２１８においてＹｅｓ）、ミラーリング制御部４１３に対してマスターディスクとスレーブディスクとの切り替えを設定する（Ｓ２１９）。ミラーリング制御部４１３は、ＣＰＵ４０１からの設定に基づき、マスターディスクとスレーブディスクとの切り替えを行う。
【００１９】
実施形態２の情報処理によれば、電源投入又は省電力モードからの復帰時に接続されるＳＳＤの残寿命を確認して残寿命の多い方をマスターディスクに切り替えることで、リードディスターブによるマスターディスクの書き換え寿命の片減りを防止することができる。
より具体的に説明すると、マスターディスクはリードされると電荷が抜けていくリードディスターブという現象が起きるため、リードされたデータの書き直しが行われる。このため、マスターディスクの寿命がスレーブディスクの寿命より短くなる。よって、実施形態２の情報処理によれば、マスターディスクとスレーブディスクとを入れ替えることで、リードディスターブによるマスターディスクの書き換え寿命の片減りを防止することができる。
【００２０】
＜その他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給する。そして、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読み出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【００２１】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではない。上述した実施形態では、複数のＳＳＤの一例として２つのＳＳＤを例に説明を行ったが、これに限定されるものではなく、２以上のＳＳＤであってもよい。また、不揮発性半導体メモリデバイスの一例としてＳＳＤを用いて説明を行ったが、磁気ディスクの代りに半導体で構成されたフラッシュメモリ素子を使用した記憶デバイスであればＳＳＤに限定されるものではない。
【００２２】
以上、上述した各実施形態の処理によれば、ＳＳＤで構成されたミラーリングシステムにおいて、ストレージ全体の信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００２３】
４００  コントローラ部
４０１  ＣＰＵ
４２０  ミラーリングシステム
【図１】
2018049455.tif 000003
【図２】
2018049455.tif 000004
【図３】
2018049455.tif 000005
【図４】
2018049455.tif 000006
【図５】
2018049455.tif 000007
【図６】
2018049455.tif 000008
【図７】
2018049455.tif 000009