【事件の表示】
　平成　２年特許願第　４４４３９号「酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲット」拒絶査定に対する審判事件［平成　２年１２月１０日出願公開、特開平　２−２９７８１３、平成　６年　８月３１日出願公告、特公平　６−　６８９３５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成２年２月２７日（国内優先権主張：平成１年２月２８日、外２件）に出願した特許出願であって、平成６年８月３１日に出願公告されたのに対し、平成６年１０月１３日に日立金属株式会社より、平成６年１０月１７日に山浦智生より、平成６年１１月１６日に山田ミワより、平成６年１１月２１日に小矢崎杏二より、平成６年１１月２２日に三井金属鉱業株式会社より、さらに平成６年１１月３０日に菊野宏一より、それぞれ特許異議の申立てを受けたところ、原審では小矢崎杏二の特許異議の申立てを理由があるものと決定し、特許異議の決定に記載した理由によって本願を拒絶したものである。
　そして、本願は、平成９年３月６日付け及び平成７年１１月１３日付けで手続補正書が提出されていたが、上記各手続補正書による補正は当審において却下され、上記各補正はないものとなった。
　それゆえ、本願の請求項１〜４に係る発明は、出願公告された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１及び４に記載された発明は次のとおりである。
「１）焼結密度５．３ｇ／ｃｍ３以上、比抵抗が２×１０−３Ω・ｃｍ以下である酸化インジウム・酸化錫焼結体。」
「４）焼結密度５．３ｇ／ｃｍ３以上、比抵抗が２×１０−３Ω・ｃｍ以下である酸化インジウム・酸化錫焼結体からなるスパッタリングターゲット。」
（以下、「本願発明１」及び「本願発明４」という。）
　
II．引用例の記載内容
　原審における特許異議申立人小矢崎杏二が甲第１号証として、同山浦智生が甲第１号証として、同三井金属鉱業株式会社が甲第１号証として、それぞれ引用した、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願昭６３−２６５８１８号（出願日：昭和６３年１０月２１日、特開平２−１１５３２６号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書（以下、「先願明細書」という。なお、以下に示した摘記箇所は全て上記公開公報における箇所を示す。）には、「良導電性インジウム−スズ酸化物焼結体の製造法」の発明に関し、
(1-1)「この発明は、導電性にすぐれたインジウム−スズ酸化物（以下、ＩＴＯという）焼結体に関するものであり、上記ＩＴＯ焼結体は、液晶表示素子等の透明導電膜作製のための真空蒸着用タブレットまたはスパッタリング用ターゲットなどに用いられる。」（１頁右下欄１１〜１６行）、
(1-2)「この発明により得られたインジウム−スズ酸化物焼結体が良導電性を示すのは、次のような理由によるものと考えられる。一般に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体のような酸化物固溶体の導電率は、原子空孔量に比例することはよく知られているところである。この発明の製造法により、Ｉｎ２Ｏ３粉末と金属Ｓｎ粉末の混合粉末を非酸化性雰囲気（好ましくは、還元性雰囲気）において焼成すると、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体が形成され、ＳｎＯ２よりも反応性に富んだ金属Ｓｎを用いて非酸化性雰囲気中で焼成することにより、酸素が不足し上記Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体に含まれる酸素原子空孔量が大幅に増大し、したがって、優れた導電性を示すものと考えられる。」（２頁左下欄１３行〜同頁右下欄７行）、
(1-3)「〔実施例〕　つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明する。平均粒径：３μｍのＩｎ２Ｏ３粉末に平均粒径：１５μｍの金属Ｓｎ粉末を合量で３．９重量％加えて、ボールミルにより２時間混合し、混合粉末を作製した。」（２頁右下欄１４〜２０行）、
(1-4)「実施例１　上記混合粉末を、温度：５００℃、水素：１０容量％の水素と窒素の混合雰囲気中２時間保持の条件で焼成し、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体を作製した。この時の酸素含有量は１６．０重量％であった。この焼成粉末をボールミルにより６時間粉砕し、平均粒径：５μｍのＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体粉末を作製し、この粉末を用いて、温度：９５０℃、アルゴン雰囲気中、プレス圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件でホットプレスし、直径：１２５ｍｍ×厚さ：１０ｍｍ焼結体を作製した。このようにして得られた焼結体の密度および電気抵抗値を測定したところ、密度：６．６ｇ／ｃｍ３、電気抵抗値：０．７×１０−３Ω・ｃｍ、であった。」（３頁左上欄１〜１６行）、
(1-5)「実施例２　上記混合粉末を、温度：１０００℃、真空度：１×１０−３Ｔｏｒｒの真空中、２時間保持の条件で焼成し、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体を作製した。この時の酸素含有量は１６．６重量％であった。この焼成して得られたＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体をボールミルにより６時間粉砕し、平均粒径：５μｍのＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体粉末とし、この酸化物固溶体粉末を温度：９５０℃、真空度：１×１０−３Ｔｏｒｒの真空中、プレス圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件下でホットプレスし、直径：１２５ｍｍ×厚さ：１０ｍｍの焼結体を作製した。このようにして得られた焼結体は、黒味がかった青色を呈しており、密度：６．５ｇ／ｃｍ３、電気抵抗値：１．０×１０−３Ω・ｃｍ、であった。」（３頁左上欄１７行〜同頁右上欄１３行）、
(1-6)「実施例３　上記混合粉末を、温度：９００℃、Ａｒガス雰囲気中、１．０時間保持の条件で焼成し、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体を作製した。この時の酸素含有量は１６．８重量％であった。この条件で焼成して得られたＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体をボールミルにより６時間粉砕し、平均粒径：５μｍのＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物固溶体粉末を作製した。この酸化物固溶体粉末をプレス成形して直径：３０ｍｍ×厚さ：５ｍｍの圧粉体とし、この圧粉体を温度：１０００℃、Ａｒガス雰囲気中、５時間保持の条件で焼結して直径：２５ｍｍ×厚さ：４．１ｍｍの焼結体を作製した。ついでこの焼結体の密度および電気抵抗値を測定したところ、密度：６．３ｇ／ｃｍ３、電気抵抗値：１．５×１０−３Ω・ｃｍ、であった。」（３頁右上欄１４行〜同頁左下欄１０行）、
(1-7)「上記実施例１〜３で作製した焼結体を、直流スパッタリング装置のターゲットとしてセットし、スパッタ出力：１．０Ａ／５００Ｖの高パワー負荷で２４時間の連続運転を行なったが、ターゲットにクラックは認められず、異常放電も発生しなかった。」（３頁左下欄１１〜１５行）、
との記載がある。
　
III．対比・判断
　上記先願明細書に記載されている「インジウム・スズ酸化物焼結体」は、上記「(1-2)」に摘記したように酸素原子空孔を含んでいるが、インジウムの酸化物及びスズの酸化物からなる焼結体であるので、本願発明１及び４における「酸化インジウム・酸化錫焼結体」に相当する。
　また、上記「(1-1)」及び「(1-7)」には、先願明細書に記載されている「インジウム・スズ酸化物焼結体」を「スパッタリングターゲット」として使用し得ることが示されている。
　してみれば、先願明細書に記載されている発明を「焼結体」の発明及び「スパッタリングターゲット」の発明の観点でまとめると、上記先願明細書には、
『焼結密度６．３〜６．６ｇ／ｃｍ３、比抵抗が０．７〜１．５×−３Ω・ｃｍである酸化インジウム・酸化錫焼結体』の発明、及び、
『焼結密度６．３〜６．６ｇ／ｃｍ３、比抵抗が０．７〜１．５×−３Ω・ｃｍである酸化インジウム・酸化錫焼結体からなるスパッタリングターゲット』の発明、
がそれぞれ記載されているといえる。
　そこで、本願発明１と上記先願明細書に記載されている「焼結体」の発明とを対比すると、両者は、共に、「酸化インジウム・酸化錫焼結体」であって、その焼結密度及び比抵抗に関する数値範囲が重複・一致しており、相違するところがない。
　また、本願発明４と上記先願明細書に記載されている「スパッタリングターゲット」の発明とを対比すると、両者は、共に、「酸化インジウム・酸化錫焼結体からなるスパッタリングターゲット」であって、酸化インジウム・酸化錫焼結体の焼結密度及び比抵抗に関する数値範囲が重複・一致しており、相違するところがない。
　
IV．むすび
　したがって、本願発明１及び４は、上記先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願の時に、本願の出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。