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　特願２０１０−２９１８０４「発光素子、発光素子パッケージおよび照明システム」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　７月１４日出願公開、特開２０１１−１３９０６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成２２年１２月２８日（パリ条約による優先権主張２００９年１２月２９日、大韓民国）の出願であって、平成２４年９月２６日に手続補正がなされたが、平成２５年１月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。　
　
第２　本件補正についての補正却下の決定　
　
１　結論
　
　本件補正を却下する。
　
２　理由
　
（１）補正の内容
　
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（平成２４年９月２６日付け手続補正後のもの）の
　
　「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に第１導電型半導体層、第２導電型半導体層および前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間の活性層を含み、前記第１導電型半導体層の一部は露出される発光構造物と、
　前記第２導電型半導体層の一部領域に第１濃度の第１領域と、前記第２導電型半導体層の他の領域に第２濃度の第２領域と、および前記第２導電型半導体層上に第２電極と、を含み、
　前記第１濃度の第１領域と前記第２濃度の第２領域は第２導電型イオン注入領域であり、
　前記第１濃度の第１領域は前記第２導電型半導体層のイオン濃度より低い濃度で形成され、
　前記第２濃度の第２領域は前記第２導電型半導体層のイオン濃度より高い濃度で形成される発光素子。」
　
を、
　
　「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に第１導電型半導体層、第２導電型半導体層および前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間の活性層を含み、前記第１導電型半導体層の一部は露出される発光構造物と、
　前記第２導電型半導体層の一部領域に第１濃度の第１導電型第１領域と、前記第２導電型半導体層の他の領域に第２濃度の第２導電型第２領域と、および前記第２導電型半導体層上に第２電極と、を含み、
　前記第１濃度の第１導電型第１領域と前記第２濃度の第２導電型第２領域はイオン注入領域であり、
　前記第１濃度の第１導電型第１領域は前記第２導電型半導体層の不純物濃度より低い濃度で形成され、
　前記第２濃度の第２導電型第２領域は前記第２導電型半導体層の不純物濃度より高い濃度で形成される発光素子。」
　
と補正することを含むものである。
　
（２）補正の目的の適否　　
　
ア　本件補正は、補正前の請求項１に記載された「第１濃度の第１領域」の導電型について、「第２導電型イオン注入領域」とあったものを、補正後の請求項１において、「第１導電型」と補正すること、及び補正前の請求項１に記載された「第２導電型半導体層のイオン濃度」を、補正後の請求項１において、「第２導電型半導体層の不純物濃度」と補正すること（以下「本件補正事項」という。）を含むものである。
　
イ　本件補正事項について、審判請求人は、審判請求書において、「出願人は、錯誤により出願当初の明細書、特許請求の範囲について、第１領域１２１と第２領域１２２にドーピングされる導電型を誤って記載したので、これを訂正する。なお、例えば、出願当初の明細書段落００１８には『第１導電型第１領域１２１の…』と正しく記載され、同段落００２１には『…第２導電型第２領域１２２を形成することができる。』と正しく記載されており、上記訂正は、錯誤によって誤って記載されたその他の内容を正しい内容に補正するものである。また、補正前の『イオン濃度』は『不純物濃度』の誤りであり、これを誤記訂正した。なお、例えば明細書段落００６０の『本発明は低濃度にドーピングされた…領域121はショットキーコンタクトとなり、高濃度にドーピングされた…領域122はオーミックコンタクトとなる。』等の記載、さらには、半導体中へのドーパント（不純物）の注入がイオン注入によって行われることは当業者の技術常識であることからして、『イオン濃度』が『不純物濃度』の誤記であることは当業者であれば明白な事項であると思量する。」と主張している。
　
ウ　そこで、本件補正事項について検討する。本願の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、図面も併せて「本願当初明細書」という。）には、次の記載がある（下線は、当審にて付した。）。
　
（ア）「【００１２】
　図1は本発明による発光素子の断面図である。
　【００１３】
　本発明による発光素子100は基板105と、前記基板105上に第1導電型半導体層112、活性層114、第2導電型半導体層116を含んで形成され、前記第1導電型半導体層112の一部を上部に露出する発光構造物110と、前記
第2導電型半導体層116上の一部領域に形成された第1濃度の第1領域121
　【００１４】
　
前記第1濃度の第1領域121と前記第2濃度の第2領域122は第2導電型イオン注入領域120と称することができる
これによって前記第1濃度の第1領域121はショットキーコンタクト領域に形成される
　
（イ）「【００１９】
　図2および図3は本発明による発光素子でショットキーコンタクトおよびオーミックコンタクトに対する概念図である。
　【００２０】
　
図2はp型の低濃度ドーピングによってショットキーコンタクト(schottky contact)が形成される
　【００２１】
　本発明は電流拡散を向上させるための構造として、低濃度にドーピングされた第2導電型半導体層領域の一部に拡散、またはイオン注入により第2濃度(高濃度)の第2導電型領域122を形成することができる。
　【００２２】
　例えば、第2電極146の下の第2導電型半導体層116は低濃度にドーピングされており、第2電極146の下以外の第2導電型半導体層116領域は高濃度にドーピングされる。
　【００２３】
　本発明は、これによって低濃度にドーピングされた第1濃度の第2導電型領域121はショットキーコンタクトとなり、高濃度にドーピングされた第2濃度の第2導電型領域122はオーミックコンタクトとなる。
　【００２４】
　本発明によればショットキーコンタクトを有する領域は電流遮断層(current blocking layer :CBL)が形成され、第2電極、例えばp-metalでの光の吸収を減らすことができるだけでなく、電流拡散により光量を増加させることができる。」
　
（ウ）「【００３５】
　以下、図6〜図8を参照して本発明による発光素子の製造方法を説明する。本発明での発光素子はGaN、GaAs、GaAsP、GaPなどのIII-V族物質により形成されるが、これに限定されるものではない。また、以下説明される工程の順序はそれに限定されるものではなく、順序は変更することができる。
……
　【００４０】
　前記第1導電型半導体層112は第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族化合物半導体から実現することができるが、前記第1導電型半導体層112がN型半導体層である場合、前記第1導電型ドーパントはN型ドーパントとしてSi、Ge、Sn、Se、Teを含むことができるが、これに限定されない。
　【００４１】
　前記第1導電型半導体層112はInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体物質を含むことができる。
　【００４２】
　前記第1導電型半導体層112はGaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、InPのいずれか1つ以上から形成される。
　【００４３】
　前記第1導電型半導体層112は化学蒸着方法(CVD)、分子線成長法(MBE)、スパッタリング、ハイドライド気相成長法(HVPE)等によりN型GaN層を形成することができる。また、前記第1導電型半導体層112はチャンバーにトリメチルガリウムガス(TMGa)、アンモニアガス(NH3)、窒素ガス(N2)、およびシリコン(Si)のようなn型不純物を含むシランガス(SiH4)を注入して形成することができる。
……
　【００４８】
　前記第2導電型半導体層116は第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えばInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第2導電型半導体層116は、例えばGaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどを選択的に用いることができる。前記
第2導電型半導体層116がP型半導体層である場合、前記第2導電型ドーパントはP型ドーパントとしてMg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる
　【００４９】
　前記第2導電型半導体層116は、チャンバーにトリメチルガリウムガス(TMGa)、アンモニアガス(NH3)、窒素ガス(N2)、およびマグネシウム(Mg)のようなp型不純物を含むビスエチルシクロペンタジニエルマグネシウム(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}を注入してp型GaN層を形成することができるが、これに限定されるものではない。
　【００５０】
　
本発明で、前記第1導電型半導体層112はN型半導体層、前記第2導電型半導体層116はP型半導体層から実現することができる
……
　【００５２】
　次に、図7のように前記
第2導電型半導体層116上の一部領域に第1濃度の第1領域121
　【００５３】
　前記第1濃度の第1領域121と、前記第2濃度の第2領域122はそれぞれ別途の工程によって形成することができる。
　【００５４】
　前記
第1濃度の第1領域121は前記第2導電型半導体層116の濃度より低い濃度に形成することができる
　【００５５】
　前記
第1濃度の第1領域121はイオン注入、または拡散により形成することができる
これによって前記第1濃度の第1領域121をショットキーコンタクト領域にすることができる
　【００５６】
　前記第2濃度の第2領域122は前記第2導電型半導体層116の濃度より高い濃度に形成することができる。例えば、前記第2濃度の第2領域122は1018〜1019atom/cm2以上の濃度にドーピングできるが、これに限定されるものではない。これによって前記第2濃度の第2領域122をオーミックコンタクト領域にすることができる。
……
　【００６０】
　本発明は
低濃度にドーピングされた第1濃度の第2導電型領域121はショットキーコンタクトとなり
　
（エ）図１、図２、図３、図６、図７及び図８は、次のものである。
　
　
エ　上記（ア）ないし（エ）によると、本願当初明細書には、「第１濃度の第１領域」の導電型について、これが「第１導電型」であることは、段落【００１８】に「前記第1導電型第1領域121の少なくとも一部分は前記第2電極146と垂直にオーバーラップされる。」と記載されているものの、その余の記載においては、「ｐ型である第２導電型半導体層の一部領域に、ｐ型である第２導電型イオンの注入、または拡散により、第２導電型半導体層よりも低濃度にドーピングされた第１濃度のｐ型である第２導電型第１領域を形成することにより、ショットキーコンタクトとすること」が説明されていると認められ、本願当初明細書の記載からは、ｐ型である第２導電型半導体層の一部領域にｎ型である第１導電型第１領域を形成することの技術的意義は読み取れない。
　
オ　そして、「第１濃度の第１領域」の導電型が「第１導電型」であると、第１領域には、第１導電型と第２導電型の双方の不純物が含まれることになり、「第１濃度の第１領域」の「第１濃度」とは何の濃度を意味するのか理解できないことも踏まえると、補正前の「第１濃度の第１領域は……第２導電型イオン注入領域であり」が、「第１濃度の第１導電型第１領域は……イオン注入領域であり」の誤記であるとは認められない。
　
カ　したがって、本件補正事項は、特許法第１７条の２第５項第３号の誤記の訂正を目的とするものとは認められず、また、同項第１号の請求項の削除、同項第２号の特許請求の範囲の減縮、及び同項第４号の明りょうでない記載の釈明のいずれを目的としたものとも認められない。
　
（３）補正却下の決定のむすび
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について　　
　
１　本願発明　
　
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年９月２６日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２、２（１）において、本件補正前の請求項１として示したとおりのものである。　
　
２　原査定の拒絶の理由
　
（１）平成２４年６月２１日付け拒絶の理由
 
　平成２４年６月２１日付けで通知した拒絶の理由は、次に抜粋して示すとおりのものである。
　
　「この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
 
　請求項１−２０に係る発明は、『第１濃度の第１領域』『低い濃度』『ショットキーコンタクト領域』等の事項を有している。
　当該事項について、発明の詳細な説明には【００５４】【００５５】に『前記第1濃度の第1領域121は前記第2導電型半導体層116の濃度より低い濃度に形成することができる。例えば、前記第1濃度の第1領域121は約1017atom/cm2以下の濃度にドーピングできるが、これに限定されるものではない。』『前記第1濃度の第1領域121はイオン注入、または拡散により形成することができる。これによって前記第1濃度の第1領域121をショットキーコンタクト領域にすることができる。前記第1濃度の第1領域121は後で形成される第2電極146の下に形成することができる。』と記載されている。
　しかし、半導体層中のドーパント濃度を下げるためのイオン注入や拡散について、具体的なイオンの種類や注入方法は開示されていない。また、本願の出願時点において、半導体層中に含まれている不純物濃度を選択的に低下させる技術がよく知られているとも認められない。
　したがって、発明の詳細な説明は、請求項に係る発明を当業者が実施可能な程度に記載したものではない。」
 
（２）平成２５年１月１１日付け拒絶査定
 
　平成２５年１月１１日付け拒絶査定は、本願は上記拒絶の理由によって拒絶すべきものであるというものであって、その備考欄には、次のとおり記載されている。
 
　「発明の詳細な説明および図面を参照すると、イオン注入した領域が第１領域１２１と第２領域１２２であり、その他の第２導電型半導体層１１６に対してはイオン注入をすることは開示されていない。また、具体的なイオンの種類についても全く開示されていない。
　半導体の技術分野において、半導体層中に添加されるｐ型またはｎ型の不純物をイオンと呼ばないことは技術常識であり、本願においてもｐ型不純物とイオンが同じ物質であるとは記載も示唆もされていない。
　
　第１領域１２１にイオン注入することで、イオンが全く注入されてない第２導電型半導体層１１６よりもさらに低いイオン導度とする方法は開示されておらず、発明の詳細な説明は、請求項に係る発明を当業者が実施可能な程度に記載したものではない。
　仮に技術常識を無視して第２導電型半導体層１１６に含まれるｐ型不純物を『イオン』と呼び、不純物と同じ材料をイオン注入するとしても、所定の不純物濃度で形成された第２導電型半導体層１１６に、さらにイオン注入して不純物を追加しているのに、周囲よりもイオン濃度を低くする技術が開示されていない。
　出願人が意見書で主張する【００５３】には、単に第１領域１２１と第２領域１２２のイオン濃度を異ならせることが記載されているのみであり、『第２導電型半導体層のイオン濃度より低い濃度で形成』とは関係ない。
　したがって、意見書及び手続補正書の内容を検討しても、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせない。」
　
３　本願明細書及び図面の記載
　
　本願明細書の発明の詳細な説明には、次の記載がある。
　
（１）「【００１４】
　前記第1濃度の第1領域121と前記第2濃度の第2領域122は第2導電型イオン注入領域120と称することができる。前記第1濃度の第1領域121は前記第2導電型半導体層116のイオン濃度より低い濃度に形成することができる。例えば、前記第1濃度の第1領域121は約1017atom/cm2以下のイオン濃度にドーピングできるが、これに限定されるものではない。これによって前記第1濃度の第1領域121はショットキーコンタクト領域に形成される。」
　
（２）「【００２２】
　例えば、第2電極146の下の第2導電型半導体層116は低濃度にドーピングされており、第2電極146の下以外の第2導電型半導体層116領域は高濃度にドーピングされる。」
　
（３）「【００４８】
　前記第2導電型半導体層116は第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えばInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第2導電型半導体層116は、例えばGaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどを選択的に用いることができる。前記第2導電型半導体層116がP型半導体層である場合、前記第2導電型ドーパントはP型ドーパントとしてMg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる。前記第2導電型半導体層116は単一層または多重層にすることができるが、これに限定されない。
　【００４９】
　前記第2導電型半導体層116は、チャンバーにトリメチルガリウムガス(TMGa)、アンモニアガス(NH3)、窒素ガス(N2)、およびマグネシウム(Mg)のようなp型不純物を含むビスエチルシクロペンタジニエルマグネシウム(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}を注入してp型GaN層を形成することができるが、これに限定されるものではない。」
　
（４）「【００５４】
　前記第1濃度の第1領域121は前記第2導電型半導体層116の濃度より低い濃度に形成することができる。例えば、前記第1濃度の第1領域121は約1017atom/cm2以下の濃度にドーピングできるが、これに限定されるものではない。
　【００５５】
　前記第1濃度の第1領域121はイオン注入、または拡散により形成することができる。これによって前記第1濃度の第1領域121をショットキーコンタクト領域にすることができる。前記第1濃度の第1領域121は後で形成される第2電極146の下に形成することができる。」
　
４　当審の判断
　
（１）本願発明の「第２導電型半導体層の一部領域に第１濃度の第１領域と、……を含み、前記第１濃度の第１領域……は第２導電型イオン注入領域であり、前記第１濃度の第１領域は前記第２導電型半導体層のイオン濃度より低い濃度で形成され」との特定事項に関し、本願の発明の詳細な説明における言及は、上記３のとおりであって、第２導電型半導体層の一部領域に第２導電型イオンを注入することにより、第２導電型半導体層のイオン濃度より低い濃度の第１濃度の第１領域を形成することが具体的にどのようにして実施されるのか不明であるから、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
　
（２）請求人は、審判請求書において、
　
　「本発明では、第２導電型半導体層に対して、異なる導電型である第１導電型の不純物を第１領域に、第２導電型半導体層の濃度よりも低濃度でもってドーピングするものであって、第２導電型半導体層と同じ導電型の不純物をドーピングするものではない。」
　
と主張し、回答書において、
　
　「第１導電型第１領域１２１では、既に存在していたｐ型不純物がイオン注入によって注入されたｎ型不純物と結合しあうことで、既に存在していたｐ型不純物が相対的に減少します。つまり、これによって、第１導電型第１領域１２１のｐ型不純物の濃度は、第２導電型半導体層１１６のｐ型不純物の濃度より低く形成されます。そして、このような事項は、本願優先日における技術常識であります。」
　
と主張するが、これらの主張は本件補正を前提としたものであって、上記第２のとおり本件補正は却下すべきものであるから、採用できない。
　
５　むすび
　
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。