【事件の表示】
　平成　３年特許願第１３１００２号「薄膜磁気ヘッド」［平成　４年１２月１０日出願公開、特開平　４−３５６７０３］拒絶査定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１.手続の経緯及び請求項に係る発明
　本件審判の請求にかかる特許出願（以下、「本願」という）は、平成３年６月３日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１１年４月９日付け及び平成１１年１０月１４日付けの各手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１から請求項３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１の記載は以下のとおりである。
「１．基板上に第１の磁性層、第１の絶縁層、コイル層、第２の絶縁層、第２の磁性層及び保護膜を形成する薄膜磁気ヘッドであって、前記保護膜は前記磁性層に直接積層され、かつ前記磁性膜の全面を覆うカーボン膜を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
２.引用刊行物の記載
［刊行物１について］
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された刊行物である特開昭６３−１６８８１０号公報(以下、刊行物１という)には、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する発明について、以下の記載がある。
（１）「すなわち、まず非磁性基板１上にパーマロイ、センダスト、アモルファス金属等の磁性材の蒸着、スパッタリング等を行い、エッチング等によりパターン形成することにより、所定形状の下部コア２を形成する。次に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の蒸着、スパッタリング等を行うことにより、磁気ギャップｇを形成する絶縁層３を積層する。続いて、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３ 、ポリイミド等の蒸着、スパッタリング等を行うことにより、絶縁層４を積層する。さらに、Ｃｕ、Ａｌ等の非磁性導電材の蒸着、スパッタリング等を行い、エッチング等によりパターン形成することにより、導電コイル層５を平面螺旋状に形成する。次に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３ 、ポリイミド等の蒸着、スパッタリング等を行うことにより、導電コイル層５上に絶縁層６を形成する。続いて、パーマロイ、センダスト、アモルファス金属等の磁性材の蒸着、スパッタリングを行うことにより、上部コア７を一様に形成する。」（第３頁左上欄第６行〜同頁右上欄第６行）
（２）「このような従来と同様な工程を経て形成された上部コア層７を所定形状に加工するにあたって、　・・・　・・・
　　　　　　　　　　　　・・・途中略・・・
　次に、所定形状にパターニングされた炭素膜９をマスクとしてエッチングを行なうことにより、第２図に示すような所定形状に上部コア層７を加工する。」（第３頁右上欄第７行〜同頁左下欄第８行）
　上記記載を完成後のヘッドに着目して整理すると、結局、刊行物１には、
「非磁性基板１上に下部コア層２、絶縁層４、導電コイル層５、絶縁層６、及び上部コア層７を形成する薄膜磁気ヘッド。」　
なる発明が記載されているものと認められる。
［刊行物２について］
　また、同じ原査定の拒絶の理由で引用された刊行物である特開平２−２４７８０８号公報(以下、刊行物２という)には、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する発明について、以下の記載がある。
（１）「磁性膜の表面のうちで前記段差部分の上部及び前記段差部分の斜面部の一部にのみ存在する薄膜マスク材とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」（第１頁左下欄第７行〜第１０行）
（２）「薄膜マスク材が二酸化けい素、アルミナ、酸化チタン、炭素、ポリイミド樹脂のいずれかであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」（第１頁左下欄第１５行〜第１７行）
（３）「薄膜マスク材が、その表面に形成される保護膜と同じ物質であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」（第１頁左下欄第１９行〜同頁右下欄第１行）
（４）「第７図（ａ）では、絶縁膜７４の段差下部における上部磁性膜７６の上にはマスク用薄膜７７が残存していないため、この部分に加わる応力は保護膜７８によるものだけとなり、複雑な応力作用による磁気特性の悪化はない。」（第４頁右下欄第２０行〜第５頁左上欄第４行）
３.対比・判断
［対比］
　本願請求項１に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比する。
　刊行物１記載の発明の「非磁性基板１」、「下部コア層２」、「絶縁層４」、「導電コイル層５」、「絶縁層６」、「上部コア層７」は、それぞれ本願請求項１に係る発明の「基板」、「第１の磁性層」、「第１の絶縁層」、「コイル層」、「第２の絶縁層」、「第２の磁性層」に相当することは明らかであるので、両者は、「基板上に第１の磁性層、第１の絶縁層、コイル層、第２の絶縁層、及び第２の磁性層を形成する薄膜磁気ヘッド」である点で一致し、本願請求項１に係る発明が、保護膜を有し、その保護膜は磁性層に直接積層され、かつ磁性膜の全面を覆うカーボン膜を含むのに対し、刊行物１記載の発明は保護膜についての事項を有しない点で相違する。
［相違点に対する判断］
　 以下、相違点について検討する。
　刊行物２の記載は前記したとおりである。
　刊行物２の記載において、薄膜マスク材が、保護膜とは同じ物質であるとされ、かつ、薄膜マスク材として炭素が例示されていることから、刊行物２記載のものにおいて保護膜７８を炭素で形成することは明らかである。
　また、刊行物２における前記（４）の記載は、保護膜７８を上部磁性膜上に直接形成することが好ましい場合があることを示すものである。
　さらに、第７図（ａ）等の記載からみて、保護膜７８が薄膜磁気ヘッドの先端部上面を含め全面を覆うように形成されていると認められることから、結局、刊行物２には、薄膜磁気ヘッドの上部磁性膜（本願請求項１に係る発明の第２の磁性層及び刊行物１記載発明の上部コア層に相当することは明らかである）上の保護膜について、上部磁性膜の全面を覆う保護膜がカーボン膜を含むこと、保護膜が磁性層に直接積層することが好ましいことなどの技術事項が記載されているものとみることができる。
　そして、保護膜自体、刊行物１記載の発明においても、必要に応じて適宜形成し得るものであり、その際、刊行物２記載の保護膜についての技術事項を選択採用することは、格別困難なこととは認められない。
　結局、相違点において、本願請求項１に係る発明が採用した点は、刊行物１記載の発明においても必要に応じて適宜に採用しうる範囲内のものである。
　したがって、本願請求項１に係る発明は、刊行物１及び刊行物２記載の発明から容易に発明し得たものと認める。
［請求人の主張について］
　なお、請求人は、本願発明について、審判請求理由補充書で、
・「本願発明は、・・・加工マスクとして用いたカーボン膜をそのまま残すこと、保護膜の一部にカーボン膜をそのまま残すこと・・・」（（３）（ａ）後段）
・「・・・本願発明のように全面にカーボン膜を残すための積極的な動機付けがありません。」（第４頁中段）
・「・・・このために、本願発明はあえて、カーボン膜を全面残す構成としているのです。」（第４頁下段）
などと記載しているが、本願請求項１に係る発明は、前記したとおりの層構造を有する「薄膜磁気ヘッド」に関するものであって、層構造の一部をなすカーボン膜がどのように形成されたものなのかについては、何ら規定するところはない。
　したがって、前記記載に基づく請求人の主張は、請求の範囲の記載に基づいたものではなく、採用できない。
４.結び
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。