【事件の表示】
　平成１０年特許願第１１６４３６号「高導電率相互接続を形成する方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年１２月２２日出願公開、特開平１０−３４０９５５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成１０年４月２７日の出願（パリ条約による優先権主張：平成９年４月２９日．米国）であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１１年７月１５日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。（なお、平成１１年１２月２７日付けで提出された手続補正書は、補正却下の決定により却下された。）
「少なくとも一つの絶縁体層によって囲まれた少なくとも一つの露出された金属バイアプラグを有する基板の上に、マルチレベル高導電率相互接続を形成する方法において、
（ａ）前記露出された金属バイアプラグおよび前記基板の上に、少なくとも一つの第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層の上に少なくとも一つの第２の絶縁体層とを連続して付着する工程を含み、前記第１の絶縁体層の材料が前記第２の絶縁体層の材料と異なり、
（ｂ）前記第２の絶縁体層の上に第１のレベルの高導電率相互接続ラインのパターンを画成する工程を含み、
（ｃ）前記第２の絶縁体層の少なくとも一部と、前記第１の絶縁体層の少なくとも一部とを連続してエッチングして、少なくとも一つの開口を形成し、および前記金属バイアブラグの少なくとも一部を露出する工程を含み、
（ｄ）前記少なくとも一つの開□内に前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインを形成するように、少なくとも一つの高導電率材料を付着する工程を含み、前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインの少なくとも一部が、前記金属バイアプラグの少なくとも一部と直接接触し、
（ｅ）前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインと前記第２の絶縁体層との上に、少なくとも一つの第３の絶縁体層と、前記第３の絶縁体層の上に少なくとも一つの第４の絶縁体層とを連続して付着する工程を含み、前記第３の絶縁体層の材料が、前記第２および第４の絶縁体層の材料と異なり、
（ｆ）前記第４の絶縁体層の上に、少なくとも一つの第１のレベルの高導電率バイアプラグに相当するパターンを画成する工程を含み、
（ｇ）前記第４の絶縁体層の少なくとも一部をエッチングする工程を含み、
（ｈ）前記第４の絶縁体層の上に、少なくとも一つの第２のレベルの高導電率金属相互接続ラインに対応するパターンを画成する工程を含み、
（ｉ）前記第４の絶縁体層の少なくとも一部と、前記第３の絶縁体層の少なくとも一部とを連続してエッチングして、少なくとも一つの第１のレベルの高導電率バイアプラグと、少なくとも一つの第２のレベルの高導電率金属相互接続ラインとのために、少なくとも一つの結合開□を形成し、前記第１のレベルの高導電率金属相互接続ラインの少なくとも一部を露出する工程を含み、
（ｊ）前記第１のレベルの高導電率バイアプラグと前記第２のレベルの高導電率相互接続ラインとからなる集積された相互接続構造を、前記少なくとも一つの結合開□内に形成するように、少なくとも一つの高導電率金属相互接続を付着する工程を含み、前記第１のレベルの高導電率バイアプラグの少なくとも一部が、前記高導電率金属相互接続のラインの少なくとも一部と直接接触し、これにより、前記基板上に、前記マルチレベル高導電率バイアプラグと相互接続ラインとを形成する、
　ことを特徴とする高導電率相互接続を形成する方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平７−３０７３３８号公報（以下、「引用例２」という）には、
「（第１４の実施例）図１７は、第１４の実施例に係る埋込み配線の形成方法を示す工程断面図であり、本実施例は、Ｐ−ＴＥＯＳ膜とＰ−Ｓｉ３Ｎ４膜を用いて、埋込み配線を２層以上形成する方法である。図１７（ａ）に示すように、シリコン基板１４１上に層間絶縁膜として厚さ０．３μｍのＰ−ＴＥＯＳ膜１４２をＣＶＤ法により形成した後、リソグラフィと反応性イオンエッチングを用いてコンタクトホールル１４３を形成する。この後、このコンタクトホールル１４３内に選択的にＷを埋め込み、Ｗ膜１４４を形成する。次に図１７（ｂ）に示すように、ストッパーとしての厚さ０．１μｍのＰ−Ｓｉ３Ｎ４膜１４５をＣＶＤ法により形成し後、配線の膜厚と同じ膜厚（０．３μｍ）のＰ‐ＴＥＯＳ膜１４６を形成する。次にリソグラフィと反応性イオンエッチングを用いて配線溝１４７を形成する。このエッチングには、例えば、フロロカーボンとＣＯの混合ガスを用い、Ｐ−ＴＥＯＳ膜１４２とＰ‐Ｓｉ３Ｎ４膜１４５との選択性が得られるようにする。この後、上記リソグラフィで形成されたレジストパタ−ンをダウンフローアッシング法で炭化する。次に直流マグネトロンスパッタリング法で配線となるＡｌ膜を全面に形成した後、スパッタリングと同一真空中で、基板裏面からハロゲンランプなどを用いＡｌ表面の自然酸化膜の形成を制御しながら熱処理を行ない、Ａｌ膜の埋め込みを行なう。次に図１７（ｃ）に示すように，配線領域外のＡｌ膜をＣＭＰ法により除去し、１層目の埋込み配線１４８を完成させる。次に図１７（ｄ）に示すように、プラズマＳｉ３Ｎ４膜１４９、層間絶縁膜としてのプラズマＴＥＯＳ膜１５０を順次形成した後、リソグラフィと反応性イオンエッチングを用いて、コンタクトホール１５１を形成する。次いでコンタクトホール１５１内にＷを選択的に埋め込み、Ｗ膜１５２を形成する。次に２層目の埋込み配線を形成するために、図１７（ｅ）に示すように、ストッパーとなるＰ−Ｓｉ３Ｎ４膜１５３、Ｐ−ＴＥＯＳ膜１５４を順次形成した後、リソグラフィと反応性イオンエッチングを用いて配線溝を形成する。この後、Ｐ−Ｓｉ３Ｎ４膜１５３を反応性イオンエッチングにより除去する。次に直流マグネトロンスパッタリング法によりバリアメタルとしてＮｂ膜１５５を無加熱で全面に形成し、続いて、配線としてのＣｕ膜１５６を全面に形成する。本実施例ではＣｕ膜１５６の成膜にスパッタリング法を用いたがコリメーション法を用いるとなお良い。この後、スパッタリングと同一真空中で、基板裏面からハロゲンランプなどを用い自然酸化膜の形成を制御しながら熱処理を行ない、溝内にＣｕ膜１５６の埋め込みを行なう。次にＣｕ膜１５６の表面に汚染物等が拡散しないように、バリアメタルとしてのＮｂ膜１５７を直流マグネトロンスバッタリング法により形成した後、ＣＭＰ法により、余分なＮｂ膜１５５，１５７を除去する。最後に、配線領域外のＣｕ膜１５６をＣＭＰ法により除去して、２層目の埋込み配線が完成する。３層、４層重ねる場合には、これらを繰り返せば順序は異なっても良い。」（第１４頁左欄第２８行〜右欄第３６行）が、図１７と共に記載されている。
　そして、図１７（ｂ）には、配線溝１４７の形成によりコンタクトホール１４３に埋め込まれたＷ膜１４４の少なくとも一部が露出することが示されている。
　また、図１７（ｃ）には、１層目の埋め込み配線１４８の少なくとも一部が、前記Ｗ膜１４４の一部と直接接触することが示されている。
　さらに、図１７（ｄ）には、１層目の埋め込み配線１４８が二つ記載されており、右側に記載された１層目の埋め込み配線１４８がＷ膜１４４に接触しているのに対して、コンタクトホール１５１は左側に記載された１層目の埋め込み配線１４８の一部を露出するように形成されている状態が示されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、
「埋込み配線を２層以上形成する方法において、
（イ）シリコン基板１４１上に層間絶縁膜としてＰ−ＴＥＯＳ膜１４２を形成した後、コンタクトホール１４３を形成し、このコンタクトホール１４３内に選択的にＷを埋め込み、Ｗ膜１４４を形成し、次に、Ｐ−Ｓｉ３Ｎ４膜１４５を形成した後、Ｐ‐ＴＥＯＳ膜１４６を形成する工程を含み、
（ロ）次に、リソグラフィを用いてレジストパターンを形成する工程を含み、
（ハ）反応性イオンエッチングを用いて配線溝１４７を形成し、Ｗ膜１４４の少なくとも一部を露出する工程を含み、
（ニ）次に、直流マグネトロンスパッタリング法で１層目の埋込み配線１４８となるＡｌ膜を全面に形成する工程を含み、前記１層目の埋め込み配線１４８の少なくとも一部が、前記Ｗ膜１４４の一部と直接接触し、
（ホ）プラズマＳｉ３Ｎ４膜１４９、プラズマＴＥＯＳ膜１５０を順次形成した後、リソグラフィと反応性イオンエッチングを用いて、１層目の埋め込み配線１４８の少なくとも一部が露出するようにコンタクトホール１５１を形成し、次いでコンタクトホール１５１内にＷを選択的に埋め込み、Ｗ膜１５２を形成する工程を含み、
（ヘ）次に、Ｐ−Ｓｉ３Ｎ４膜１５３、Ｐ−ＴＥＯＳ膜１５４を順次形成した後、リソグラフィと反応性イオンエッチングを用いて配線溝を形成し、２層目の埋込み配線を形成する、
　ことを特徴とする埋込み配線を２層以上形成する方法。」が記載されているものと認められる。
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平６−８５０７０号公報（以下、「引用例１」という）の、【従来の技術】の欄には、
「この様な問題点を解決する多層配線の形成方法が提案された。図６は１９９１年ＶＭＩＣ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｐ１４４−ｐ１５２において提案された多層配線の形成方法を示す工程断面図である。図６（ａ）〜（ｆ）に従って第２の配線層１１の形成方法を順次説明する。まず、第１の配線層２、層間絶縁膜３を以下に説明する第２の配線層１１と同じ形成方法を利用して形成したので層間絶縁膜３の表面はすでに平坦化されたものとなっている。こののち、全面にレジスト６を塗布し写真製版技術によって接続孔８用のレジスト６パタ−ンを形成する。さらに全面にレジスト７を塗布し、写真製版技術によって第２の配線層１１用のレジスト７パターンを形成する（図６（ａ））。次に、接続孔８のレジスト６パターンをマスクとして層間絶縁膜３を規定時間エッチングし、層間絶縁膜３中に接続孔８を途中まで形成する。（図６（ｂ））。次に、第２の配線層１１用レジスト７パタ−ンをマスクとして接続孔８用レジスト６パタ−ンをエッチングし、層間絶縁膜３表面に第２の配線層１１用レジストパタ−ンを残す。接続孔８用レジスト６のエッチングの際には当然ながら第２の配線層１１用レジスト７も同時に除去されてしまい、接続孔８用レジスト６パターンに第２の配線層１１用レジストパターンが転写されて残ることになる（図６（ｃ））。次に、残存した第２の配線層１１用レジストパターンをマスクとして層間絶縁膜３をエッチングし、接続孔８および配線溝９を形成する。このとき層間絶縁膜３の膜厚によってはオーバーエッチングされることがある。その後、レジストを除去する（図６（ｄ））。次に、全面に、ＣＶＤ法等を用いて被覆性にすぐれた金属膜１０を形成する。このとき金属膜１０厚は接続孔８および配線溝９を埋めるのに充分な膜厚とする（図６（ｅ））。その後、化学機械研磨法により金属膜１０を研磨して接続用プラグと第２の配線層１１を形成する。このとき、接続用プラグ、第２の配線層１１、および層間絶縁膜３の表面は平坦となる（図６（ｆ））。以上、第２の配線層１１の形成方法について説明を行ったがこれは第２の配線層１１に限るものではなく第１の配線層２も同様にして層間絶縁膜３に第１配線層２用溝を形成したのち金属膜を埋め込むことによって形成できる。全ての配線層を同様の方法で形成してゆけば、常に平坦化された表面上に上層の配線が形成されることになる。」（【０００５】〜【０００７】）が、図６と共に記載されている。
　さらに、【実施例】の欄には、「以下、この発明の実施例を図を用いて説明する。なお、従来の技術の説明と重複する部分については適宜、その説明を省略する。実施例１．図１はこの発明の一実施例の多層配線の形成方法を示す工程断面図である。図１（ａ）〜（ｅ）に従って第２の配線層１１の形成方法を順次説明する。まず、図６（ａ）と同様に、以下に説明する第２の配線層１１の形成方法を使用することによって第１の配線層２は既に形成されており，層間絶縁膜３ａの表面も既に平坦化されている。次に、第２の配線層１１用のエッチングストッパー層４を全面に形成する。ここで、このエッチングストッパー層４は層間絶縁膜３ｂをエッチングする際のストッパーとして機能し、有機樹脂やシリコン窒化膜などの絶縁膜からなっている。ここではエッチングストッパー層４として有機樹脂を使用した例について説明を行う。次に、エッチングストッパー層４上全面に層間絶縁膜３ｂを第２の配線層１１の設定膜厚と等しく形成する。次に接続孔８のレジスト６を全面に塗布し、写真製版技術を施してレジスト６パターンを形成する（図１（ａ））。次に接続孔８のレジスト６パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂのエッチングを行う。このときエッチングストッパ−層４は有機樹脂で形成されているため層間絶縁膜３ｂのエッチング工程ではほとんどエッチングされることがない。そのため、エッチング時間を少し長めに設定しておけば、接続孔８の底部はエッチングストッパ−層４上に再現性よく揃うことになる。その後、接続孔８底部のエッチングストッパ一層４を除去する（図１（ｂ））。次に接続孔８用のレジスト６パターンを除去する。その後、第２の配線層１１用のレジスト７を塗布し、写真製版技術によって、第２の配線層１１用のレジスト７パターンを形成する（図１（ｃ））。次に、第２の配線層１１用のレジスト７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ａ、３ｂをエッチングする。このとき層間絶縁膜３ｂの膜厚は第２の配線層１１の膜厚に形成されており、しかも層間絶縁膜３ｂ下にはエッチングストッパ−層４が形成されている。したがって配線溝９の底部はエッチングストッパー層４で制御される．また先に開口した接続孔８については、接続孔８底部のエッチングストッパー層４を除去しているので更にエッチングが進み、層間絶縁膜３ａをエッチングして接続孔８を完成する。これらのことからエッチング時間を接続孔８が第１の配線層に充分に到達するように設定しておけは、エッチングストッパー層４まで再現性よく掘られた配線溝９を形成することができる（図１（ｄ））。次に、第２の配線層１１のレジスト７パターンを除去し、ＣＶＤやリフロースパッタ等の被覆性に優れた膜形成方法を用いて全面に金属膜１０を堆積させ接続孔８や配線溝９を金属膜１０で埋め込む。その後化学機械研磨法やエッチバック法等を使用して表面が平坦になるように金属膜１０を研磨し、接続用のプラグと第２の配線層１１を形成する（図１（ｅ））。全ての配線層を同様の方法で形成してゆけは常に平坦化された表面上に上層の配線層が形成されることになるばかりでなく、層間絶縁膜３中にエッチングストッパー層４を形成し、エッチング制御が充分行えるので開□の再現性が飛躍的に増加するとともに、従来のようにレジストをマスクとしてレジストをエッチングするといった工程を含まないためパターンの精度も向上する。実施例２．なお、上記実施例１では配線溝９の底部にエッチングストッパー層４を設けた場合について示したが、図２で示すように配線層の上部にもエッチングストッパー層を設ける方法もある。第２の配線層１１のエッチングストッパ−層４に加えて第１の配線層２の上部にもエッチングストッパー層１２を設けた場合について図２（ａ）〜（ｅ）に従って順次説明する。まず第１の配線層２を実施例１の方法で形成する。その後全面にエッチングストッパー層１２を形成する。このエッチングストッバ−層１２は実施例１のエッチングストッパー層４と材質、形成方法ともに同じである。その後実施例１と同様にして全面に層間絶縁膜３ａ、エッチングストッパー層４、層間絶縁膜３ｂと順次形成する。その後、接続孔８用のレジスト６パターンを形成する（図２（ａ））。次に、接続孔８用レジスト６パタ−ンをマスクとして層間絶縁膜３ｂをエッチングしたのち、露出したエッチングストッパー層４を除去する（図２（ｂ））。次に接続孔８用レジスト６パターンを除去したのち、第２の配線層１１用レジスト７パタ−ンを形成する（図２（ｃ））。次に第２の配線層１１用レジスト７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂおよび層間絶縁膜３ａをエッチングして配線溝９および接続孔８を形成する。このとき配線溝９底部にはエッチングストッパー層４が形成されており、接続孔８底部にはエッチングストッパー層１２が形成されている。したがってエッチング時間を充分長く設定しても底部からの突き抜け等が生じない（図２（ｄ））。次に露出したエッチングストッバ−層４、１２を除去する。その後実施例１と同様にして金属膜１０を埋め込むことにより接続用プラグおよび第２の配線層１１を平坦に形成する（図２（ｅ））。以上のようにエッチングストッパー層を２層設けることによってエッチング制御をさらに良好なものとし、プロセスの再現性を更に向上させる事ができる。」（【００１７】〜【００２５】）が、図１，図２と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、
「多層配線の形成における、第２の配線層１１の形成方法において、
（あ）層間絶縁膜３の表面に接続孔８用のレジスト６パタ−ンを形成する工程を含み、
（い）第２の配線層１１用のレジスト７パターンを形成する工程を含み、
（う）層間絶縁膜３を規定時間エッチングし、層間絶縁膜３中に接続孔８を途中まで形成する工程を含み、
（え）層間絶縁膜３をエッチングし、接続孔８および配線溝９を形成する工程を含み、（このとき層間絶縁膜３の膜厚によってはオーバーエッチングされることがある。）
（お）接続孔８および配線溝９を埋めるのに充分な膜厚の金属膜１０を形成して接続用プラグと第２の配線層１１を形成するという従来の技術。」
及び、
「多層配線の形成における、第２の配線層１１の形成方法において、
（さ）第１の配線層２の上部を含む全面に有機樹脂やシリコン窒化膜などの絶縁膜からなるエッチングストッパー層１２を形成し、その後全面に層間絶縁膜３ａ、エッチングストッパー層４、層間絶縁膜３ｂと順次形成し、その後、接続孔８用のレジスト６パターンを形成し、接続孔８用レジスト６パタ−ンをマスクとして層間絶縁膜３ｂをエッチングしたのち、露出したエッチングストッパー層４を除去し、次に接続孔８用レジスト６パターンを除去したのち、第２の配線層１１用レジスト７パタ−ンを形成し、次に第２の配線層１１用レジスト７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂおよび層間絶縁膜３ａをエッチングして配線溝９および接続孔８を形成する。このとき配線溝９底部にはエッチングストッパー層４が形成されており、接続孔８底部にはエッチングストッパー層１２が形成されている。したがってエッチング時間を充分長く設定しても底部からの突き抜け等が生じない。次に露出したエッチングストッバ−層４、１２を除去する。その後金属膜１０を埋め込むことにより接続用プラグおよび第２の配線層１１を形成するという実施例。」が記載されているものと認められる。
３．対比
　本願第１発明と引用例２に記載された発明とを対比すると、本願第１発明の「基板」、「絶縁体層」、「金属バイアプラグ」、「第１の絶縁体層」、「第２の絶縁体層」、「第１のレベルの高導電率相互接続ラインのパターンを画成する工程」、「少なくとも一つの高導電率材料を付着する工程」、「高導電率相互接続ライン」、「第１のレベルの高導電率バイアプラグ」、「第２のレベルの高導電率金属相互接続ライン」は、それぞれ引用例２に記載された発明の「シリコン基板１４１」、「Ｐ−ＴＥＯＳ膜１４２」、「Ｗ膜１４４」、「Ｐ−Ｓｉ３Ｎ４膜１４５」、「Ｐ‐ＴＥＯＳ膜１４６」、「リソグラフィを用いてレジストパターンを形成する工程」、「Ａｌ膜を全面に形成する工程」、「１層目の埋め込み配線１４８」、「Ｗ膜１５２」、「２層目の埋込み配線」に相当する。
　ところで、引用例２の図１７（ｄ）には、１層目の埋め込み配線１４８が二つ図示されており、右側に図示された１層目の埋め込み配線１４８がＷ膜１４４に接触していることは図面上明らかであるのに対して、コンタクトホール１５１がその上に形成されている左側に図示された１層目の埋め込み配線１４８の下にはＷ膜１４４が図示されておらず、図面上は、左側に図示された１層目の埋め込み配線１４８の少なくとも一部が、Ｗ膜１４４の一部と直接接触しているかは明らかではない。
　一方、本願第１発明も請求項１に記載のとおり、金属バイアプラグ、第１のレベルの高導電率相互接続ライン、第１のレベルの高導電率バイアプラグ、第２のレベルの高導電率金属相互接続ラインの全てが互いに接続されているかについては不明であるが、明細書のその他の記載をみると、上記全てが互いに接続されているものと認められる。
　従って、以上の点で一応両者は相違するが、しかしながら、１層目の埋め込み配線１４８とコンタクトホール１４３に埋め込まれたＷ膜１４４との位置関係は、配線の必要に応じて決定される設計事項であり、コンタクトホール１５１がその上に形成されている該左側に記載された１層目の埋め込み配線１４８の下に、Ｗ膜１４４が図示されていない点に格別の意義は認められない。
　よって、両者はこの点において実質的に相違しない。
　
　従って、本願第１発明と、引用例２に記載された発明は、
「少なくとも一つの絶縁体層によって囲まれた少なくとも一つの露出された金属バイアプラグを有する基板の上に、マルチレベル高導電率相互接続を形成する方法において、
（ａ）前記露出された金属バイアプラグおよび前記基板の上に、少なくとも一つの第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層の上に少なくとも一つの第２の絶縁体層とを連続して付着する工程を含み、前記第１の絶縁体層の材料が前記第２の絶縁体層の材料と異なり、
（ｂ）前記第２の絶縁体層の上に第１のレベルの高導電率相互接続ラインのパターンを画成する工程を含み、
（ｃ）前記第２の絶縁体層の少なくとも一部と、前記第１の絶縁体層の少なくとも一部とを連続してエッチングして、少なくとも一つの開口を形成し、および前記金属バイアブラグの少なくとも一部を露出する工程を含み、
（ｄ）前記少なくとも一つの開□内に前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインを形成するように、少なくとも一つの高導電率材料を付着する工程を含み、前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインの少なくとも一部が、前記金属バイアプラグの少なくとも一部と直接接触し、
（Ｓ）前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインと前記第２の絶縁体層との上に、第１のレベルの高導電率バイアプラグと第２のレベルの高導電率相互接続ラインとからなる集積された相互接続構造を形成し、前記第１のレベルの高導電率バイアプラグの少なくとも一部が、前記高導電率金属相互接続のラインの少なくとも一部と直接接触し、これにより、前記基板上に、前記マルチレベル高導電率バイアプラグと相互接続ラインとを形成する、
　ことを特徴とする高導電率相互接続を形成する方法。」である点で一致する。
　一方、本願第１発明では、「前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインと前記第２の絶縁体層との上に、第１のレベルの高導電率バイアプラグと第２のレベルの高導電率相互接続ラインとからなる集積された相互接続構造を形成」するために、
「（ｅ）前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインと前記第２の絶縁体層との上に、少なくとも一つの第３の絶縁体層と、前記第３の絶縁体層の上に少なくとも一つの第４の絶縁体層とを連続して付着する工程を含み、前記第３の絶縁体層の材料が、前記第２および第４の絶縁体層の材料と異なり、
（ｆ）前記第４の絶縁体層の上に、少なくとも一つの第１のレベルの高導電率バイアプラグに相当するパターンを画成する工程を含み、
（ｇ）前記第４の絶縁体層の少なくとも一部をエッチングする工程を含み、
（ｈ）前記第４の絶縁体層の上に、少なくとも一つの第２のレベルの高導電率金属相互接続ラインに対応するパターンを画成する工程を含み、
（ｉ）前記第４の絶縁体層の少なくとも一部と、前記第３の絶縁体層の少なくとも一部とを連続してエッチングして、少なくとも一つの第１のレベルの高導電率バイアプラグと、少なくとも一つの第２のレベルの高導電率金属相互接続ラインとのために、少なくとも一つの結合開□を形成し、前記第１のレベルの高導電率金属相互接続ラインの少なくとも一部を露出する工程を含み、
（ｊ）前記第１のレベルの高導電率バイアプラグと前記第２のレベルの高導電率相互接続ラインとからなる集積された相互接続構造を、前記少なくとも一つの結合開□内に形成するように、少なくとも一つの高導電率金属相互接続を付着する工程を含み、前記第１のレベルの高導電率バイアプラグの少なくとも一部が、前記高導電率金属相互接続のラインの少なくとも一部と直接接触し、これにより、前記基板上に、前記マルチレベル高導電率バイアプラグと相互接続ラインとを形成する」のに対して、引用例２に記載された発明では、
「（ホ）プラズマＳｉ３Ｎ４膜１４９、プラズマＴＥＯＳ膜１５０を順次形成した後、リソグラフィと反応性イオンエッチングを用いて、１層目の埋め込み配線１４８の少なくとも一部が露出するようにコンタクトホール１５１を形成し、次いでコンタクトホール１５１内にＷを選択的に埋め込み、Ｗ膜１５２を形成する工程を含み、
（ヘ）次に、Ｐ−Ｓｉ３Ｎ４膜１５３、Ｐ−ＴＥＯＳ膜１５４を順次形成した後、リソグラフィと反応性イオンエッチングを用いて配線溝を形成し、２層目の埋込み配線を形成」しており、この点で相違する。
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１の実施例には、「第１のレベルの高導電率相互接続ラインと絶縁体層との上に、第１のレベルの高導電率バイアプラグと第２のレベルの高導電率相互接続ラインとからなる集積された相互接続構造を形成」する方法として、
「多層配線の形成における、第２の配線層１１の形成方法において、
（さ）第１の配線層２の上部を含む全面に有機樹脂やシリコン窒化膜などの絶縁膜からなるエッチングストッパー層１２を形成し、その後全面に層間絶縁膜３ａ、エッチングストッパー層４、層間絶縁膜３ｂと順次形成し、その後、接続孔８用のレジスト６パターンを形成し、接続孔８用レジスト６パタ−ンをマスクとして層間絶縁膜３ｂをエッチングしたのち、露出したエッチングストッパー層４を除去し、次に接続孔８用レジスト６パターンを除去したのち、第２の配線層１１用レジスト７パタ−ンを形成し、次に第２の配線層１１用レジスト７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂおよび層間絶縁膜３ａをエッチングして配線溝９および接続孔８を形成する。このとき配線溝９底部にはエッチングストッパー層４が形成されており、接続孔８底部にはエッチングストッパー層１２が形成されている。したがってエッチング時間を充分長く設定しても底部からの突き抜け等が生じない。次に露出したエッチングストッバ−層４、１２を除去する。その後金属膜１０を埋め込むことにより接続用プラグおよび第２の配線層１１を形成する」方法が記載されている。
　本願第１発明の（ｅ）〜（ｊ）工程と、上記引用例１の実施例に記載された発明の（さ）工程を対比すると、本願第１発明の（ｅ）〜（ｊ）工程の「第１のレベルの高導電率相互接続ライン」、「第３の絶縁体層」、「第４の絶縁体層」、「第１のレベルの高導電率バイアプラグに相当するパターン」、「第２のレベルの高導電率金属相互接続ライン」、「前記第１のレベルの高導電率バイアプラグと前記第２のレベルの高導電率相互接続ラインとからなる集積された相互接続構造を、前記少なくとも一つの結合開□内に形成するように、少なくとも一つの高導電率金属相互接続を付着する工程」は、それぞれ引用例１の実施例に記載された発明の「第１の配線層２」、「有機樹脂やシリコン窒化膜などの絶縁膜からなるエッチングストッパー層１２」、「層間絶縁膜３ａ」および「層間絶縁膜３ｂ」、「接続孔８用のレジスト６パターン」、「第２の配線層１１用レジスト７パタ−ン」、「金属膜１０を埋め込むことにより接続用プラグおよび第２の配線層１１を形成する」に相当する。
　従って、上記引用例１の実施例に記載された発明の（さ）工程は、
「第１のレベルの高導電率相互接続ラインと絶縁体層との上に、第３の絶縁体層と、前記第３の絶縁体層の上にエッチングストッパー層４を中間に挟む第４の絶縁体層とを連続して付着する工程を含み、前記第３の絶縁体層の材料が、前記絶縁体および第４の絶縁体層の材料と異なり、
　前記第４の絶縁体層の上に、少なくとも一つの第１のレベルの高導電率バイアプラグに相当するパターンを画成する工程を含み、
　前記第４の絶縁体層の少なくとも一部をエッチングする工程を含み、
　前記第４の絶縁体層の上に、少なくとも一つの第２のレベルの高導電率金属相互接続ラインに対応するパターンを画成する工程を含み、
　前記第４の絶縁体層の少なくとも一部と、前記第３の絶縁体層の少なくとも一部とを連続してエッチングして、少なくとも一つの第１のレベルの高導電率バイアプラグと、少なくとも一つの第２のレベルの高導電率金属相互接続ラインとのために、少なくとも一つの結合開□を形成し、前記第１のレベルの高導電率金属相互接続ラインの少なくとも一部を露出する工程を含み、
　前記第１のレベルの高導電率バイアプラグと前記第２のレベルの高導電率相互接続ラインとからなる集積された相互接続構造を、前記少なくとも一つの結合開□内に形成するように、少なくとも一つの高導電率金属相互接続を付着する工程を含み、前記第１のレベルの高導電率バイアプラグの少なくとも一部が、前記高導電率金属相互接続のラインの少なくとも一部と直接接触し、これにより、前記基板上に、前記マルチレベル高導電率バイアプラグと相互接続ラインとを形成する」工程であるといえる。
　
　そして、前記引用例２に記載された発明において、「前記第１のレベルの高導電率相互接続ラインと前記第２の絶縁体層との上に、第１のレベルの高導電率バイアプラグと第２のレベルの高導電率相互接続ラインとからなる集積された相互接続構造を形成」するために、前記引用例２に記載された発明の（ホ）工程、及び（ヘ）工程に代えて、前記引用例１の実施例に開示された前記工程を採用することは当業者が容易に想到し得たことであると認められる。
　ところで、上記組み合わせたものと、本願第１発明とを対比すれば、上記組み合わせたものにおいては、第４の絶縁体層がエッチングストッパー層４を中間に挟んでいる点において、本願第１発明と相違するが、層間絶縁膜に所定の深さの凹部を形成する手法として、エッチングストッパー層を用いない方法は、上記引用例１に従来の技術として記載された「（う）層間絶縁膜３を規定時間エッチングし、層間絶縁膜３中に接続孔８を途中まで形成する工程」との記載、及び特開平９−６９５６１号公報（公開日：平成９年３月１１日）の記載からも明らかなように、周知であるから、第４の絶縁体層にエッチングストッパー層４を設けないようにすることは当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。
　また、本願第１発明が、当業者の予測を越えるような顕著な効果を有するとも認められない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例２及び引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。