【事件の表示】
　特願２００５−２４１０３８「磁気メモリ素子，その動作方法及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月　２日出願公開，特開２００６−　６０２３６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年８月２３日（パリ条約による優先権主張２００４年８月２３日，大韓民国）の出願であって，平成２３年７月１日付けで拒絶の理由が通知され，同年１１月７日に意見書と手続補正書が提出され，平成２４年６月２０日付けで拒絶査定がなされた。
　その後，同年１０月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２５年３月１９日付けで審尋を行い，同年６月２６日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１０月２２日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２４年１０月２２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−１４を補正して，補正後の請求項１−１４とするものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　磁気トンネル接合層を備える磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合層は，構成要素が同心に備えられた円筒形であり，
　前記磁気トンネル接合層は，
　書き込み電流が印加される導電層と，
　前記導電層の周りに前記導電層と同心に備えられた絶縁膜と，
　前記絶縁膜の周りに前記導電層と同心に備えられた複数の磁性膜を備える物質層と，
を備え，
　前記複数の磁性膜は，前記導電層に沿って軸方向に順次に積層された少なくとも下部磁性膜，トンネリング膜及び上部磁性膜を備え，
　前記下部磁性膜は，ＳｍＣｏ膜またはＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し，また，前記上部磁性膜は，ＮｉＦｅ膜あるいは順次に積層されたＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜といったソフト磁性膜であることを特徴とする磁気メモリ素子。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　磁気トンネル接合層を備える磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合層は，構成要素が同心に備えられた円筒形であり，
　前記磁気トンネル接合層は，
　書き込み電流が印加される導電層と，
　前記導電層の周りに前記導電層と同心に備えられた絶縁膜と，
　前記絶縁膜の周りに前記導電層と同心に備えられた複数の磁性膜を備える物質層と，
を備え，
　前記複数の磁性膜は，前記導電層に沿って軸方向に順次に積層された少なくとも下部磁性膜，トンネリング膜及び上部磁性膜を備え，
　前記下部磁性膜は，ＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し，また，前記上部磁性膜は，ＮｉＦｅ膜あるいは順次に積層されたＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜といったソフト磁性膜であることを特徴とする磁気メモリ素子。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記下部磁性膜は，ＳｍＣｏ膜またはＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し」を補正して，補正後の請求項１の「前記下部磁性膜は，ＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項４の「前記第２導電層ライン」を補正して，補正後の請求項４の「前記第２導電性ライン」にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１０の「前記下部磁性膜は，ＳｍＣｏ膜またはＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し」を補正して，補正後の請求項１０の「前記下部磁性膜は，ＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し」にすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１３の「前記下部磁性膜は，ＳｍＣｏ膜またはＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し」を補正して，補正後の請求項１３の「記下部磁性膜は，ＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し」にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１，３，４について
　補正事項１，３，４により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１，３，４は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１，３，４は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１，３，４は，補正前の各請求項における，「ＳｍＣｏ膜またはＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体」を「ＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体」に限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１，３，４は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項２は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２は，誤記を訂正しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる，誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項１】
　磁気トンネル接合層を備える磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合層は，構成要素が同心に備えられた円筒形であり，
　前記磁気トンネル接合層は，
　書き込み電流が印加される導電層と，
　前記導電層の周りに前記導電層と同心に備えられた絶縁膜と，
　前記絶縁膜の周りに前記導電層と同心に備えられた複数の磁性膜を備える物質層と，
を備え，
　前記複数の磁性膜は，前記導電層に沿って軸方向に順次に積層された少なくとも下部磁性膜，トンネリング膜及び上部磁性膜を備え，
　前記下部磁性膜は，ＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し，また，前記上部磁性膜は，ＮｉＦｅ膜あるいは順次に積層されたＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜といったソフト磁性膜であることを特徴とする磁気メモリ素子。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開平１１−３５３８６７号公報
（１ａ）「【請求項１】　
閉磁路構造の第１の磁性層
第１の磁性層よりも高い保磁力を有する閉磁路構造の第２の磁性層
非磁性層
磁性薄膜メモリ素子
【請求項２】　前記第１の磁性層の前記非磁性層と接する面とは反対側の面，もしくは前記第２の磁性層の前記非磁性層と接する面とは反対側の面の少なくとも一方に，前記第１，第２の磁性層よりも導電率の高い良導体層を形成し，前記第１，第２の磁性層，非磁性層及び前記良導体層を含んで前記電流路を構成することを特徴とする請求項１に記載の磁性薄膜メモリ素子。
【請求項３】　前記第１，第２の磁性層，前記非磁性層の膜面の略中心部に膜面に対し垂直方向に
絶縁層を介して
良導体を設けた
　
（１ｂ）「【
発明が解決しようとする課題
しかしながら，上記従来の薄膜磁気メモリにおいては，ビットセルの面積を小さくするほど磁性層内部で生じる反磁界（自己減磁界）が無視できなくなり，記録保持する磁性層の磁化方向が一定方向に定まらず不安定になるという問題があった。そのため，ビットセルを微細化するには限度があり，高集積化を十分に行うことができなかった
　
本発明は，上記従来の問題点に鑑み，磁性膜の反磁界の影響をなくし，より高集積化が可能な磁性薄膜メモリ素子及びそれを用いた情報記録方法，情報再生方法を提供することを目的とする
　
（１ｃ）「また，本実施形態では，第１，第２の磁性層１，２の磁化方向が同方向のときは第１，第２の磁性層１，２間の抵抗は低い抵抗値を示し，第１，第２の磁化方向が反対方向のときは高い抵抗値を示す。このように第１の磁性層１の磁化方向によってメモリ素子の抵抗値が異なるので，これを利用して磁化情報を読み出すことができる。また，“０”，“１”の磁化情報は第１，第２の磁性層１，２の磁化方向の左回りもしくは右回りに対応させて記録する。即ち，第１，第２の磁性層１，２の膜面に対して垂直方向（図１のｔ方向）に上向きまたは下向きに電流を供給し，これによって発生する磁界により第１の磁性層１もしくは第２の磁性層２の磁化を反転させて行う。情報の記録及び再生方法については詳しく後述する。
本実施形態では，第１，第２の磁性層１，２が閉磁路構造となっているので，反磁界の影響をなくすことができ，安定して磁化情報を記録することができる。従って，１ビットのセル幅を小さくでき，集積度の高いメモリ装置を実現でき，更に漏洩磁界が隣接セルに洩れることがなく，安定して記録再生を行うことができる
　
（１ｄ）「
図７は本発明の第３の実施形態を示す図である
　
（１ｅ）「また，図７に示すメモリ素子の構成では，
磁化方向を定める電流は導電体５に流し
　図１２の構成は，第５の実施形態のメモリ素子の断面図を示しているが，この構成では，図１１の電極６２と６４を削除しており，抵抗値を測定する場合には電極６１と電極６３に電流を流す。この場合は，ＣＩＰ検出であり，後述するスピン散乱のタイプの素子を検出する場合に用いられる。スピン散乱の素子は磁性層の膜厚が薄く，ＣＰＰ検出では抵抗値が小さいため，望ましくはＣＩＰ検出を用いるのが良い。
　次に，磁性薄膜メモリ素子の第１，第２の磁性層，非磁性層の材料及びそれらの膜厚について説明する。ここで，
メモリ素子膜構成として，スピントンネル膜構成とスピン散乱膜構成を採ることができ，これは，前述の第１のタイプの「メモリ層／非磁性層／ピン層」，第２のタイプの「検出層／非磁性層／メモリ層」のいずれの構成にも適用できる。但し，スピントンネル膜構成とスピン散乱膜構成では，スピントンネル膜構成を用いることが望ましい
　
第１の磁性層，第２の磁性層は，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも一種を主成分として用いるか，ＣｏＦｅを主成分とするアモルファス合金として用いるのが望ましい。例えば，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，Ｆｅ，ＦｅＣｏ，Ｃｏ，ＣｏＦｅＢなどの磁性膜からなる
　（第１の磁性層の材料）
第１の磁性層は，第２の磁性層よりも低い保磁力を有する。このため，第１の磁性層には，Ｎｉを含む軟磁性膜が望ましく，具体的には，特にＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏを主成分として用いるのが望ましい
　ＮｉＦｅＣｏの原子組成比は，ＮｉｘＦｅｙＣｏｚとした場合，ｘは４０以上９５以下，ｙは０以上４０以下，ｚは０以上５０以下，好ましくはｘは５０以上９０以下，ｙは０以上３０以下，ｚは０以上４０以下，更に好ましくはｘは６０以上８５以下，ｙは１０以上２５以下，ｚは０以上３０以下が良い。
　また，ＦｅＣｏの原子組成は，ＦｅｘＣｏ100-x とした場合，ｘは５０以上１００以下，好ましくはｘは６０以上９０以下が良い。また，ＣｏＦｅＢの原子組成は，（Ｃｏx Ｆｅ100-x ）100-y Ｂy とした場合，ｘは８６以上９３以下，ｙは１０以上２５以下が良い。
　（第２の磁性層の材料）
第２の磁性層は，第１の磁性層よりも高い保磁力を有する。例として，第１の磁性層と比較してＣｏを多く含む磁性膜が望ましい
　
スピントンネル膜構成の場合，第１，第２の磁性層１，２間の非磁性層３として薄い絶縁層を用い，再生時に電流を膜面に対し垂直方向に供給する際に第１磁性層１から第２磁性層２へ電子のトンネル現象が起きるようにする
　
（１ｆ）図７は，引用例１に記載された発明の第３の実施形態を示す図であって，上記摘記（１ａ）−（１ｅ）の記載を参酌すれば，同図から，
　磁化方向を定める電流を流す導電体５と，
　前記導電体５の周りに前記導電体５と同心に備えられた絶縁体６と，
　前記導電体５に沿って軸方向に順次積層された第２の磁性層２，非磁性層３及び第１の磁性層からなる，前記絶縁体６の周りに同心に備えられた複数の磁性層を備えた物質層と，
　を備えた，構成要素が同心に備えられた円筒形を呈する磁性薄膜メモリ素子。
の構造を読み取ることができる。
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｆ）の記載から，引用例１には，以下に示す発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「スピントンネル膜構成の磁性薄膜メモリ素子であって，
　前記磁性薄膜メモリ素子は，閉磁路構造の第１の磁性層と，前記第１の磁性層よりも高い保磁力を有する閉磁路構造の第２の磁性層とを，非磁性層を介して積層して成るものであり，
　前記第１の磁性層，前記第２の磁性層，前記非磁性層の膜面の略中心部に膜面に対し垂直方向に絶縁層を介して前記第１の磁性層，前記第２の磁性層よりも導電率の高い電流供給用の導電体を有し，
　前記第１の磁性層，前記第２の磁性層は，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも一種を主成分として用いるか，ＣｏＦｅを主成分とするアモルファス合金として用いるのが望ましく，例えば，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，Ｆｅ，ＦｅＣｏ，Ｃｏ，ＣｏＦｅＢなどの磁性膜からなるものであり，
　前記第１の磁性層は，前記第２の磁性層よりも低い保磁力を有するものであり，Ｎｉを含む軟磁性膜が望ましく，具体的には，特にＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏを主成分として用いるのが望ましく，
　前記第２の磁性層は，前記第１の磁性層よりも高い保磁力を有するものであり，例として，前記第１の磁性層と比較してＣｏを多く含む磁性膜が望ましく，
　スピントンネル膜構成の場合，前記第１の磁性層，前記第２の磁性層の間の前記非磁性層として薄い絶縁層を用い，再生時に電流を膜面に対し垂直方向に供給する際に前記第１の磁性層から前記第２の磁性層へ電子のトンネル現象が起きるようにされるものであり，
　前記電流供給用の導電体は，磁化方向を定める電流を流すものであり，
　前記電流供給用の導電体と，前記電流供給用の導電体の周りに前記導電体と同心に備えられた絶縁体と，前記電流供給用の導電体に沿って軸方向に順次積層された前記第２の磁性層，前記非磁性層及び前記第１の磁性層からなる，前記絶縁体の周りに同心に備えられた複数の磁性層からなる構成要素が同心に備えられた円筒形を呈する，
　スピントンネル膜構成の磁性薄膜メモリ素子。」
　
（３）本願補正発明１と引用発明との対比
ア　引用発明の「『前記第１の磁性層，前記第２の磁性層の間の前記非磁性層として薄い絶縁層を用い，再生時に電流を膜面に対し垂直方向に供給する際に前記第１の磁性層から前記第２の磁性層へ電子のトンネル現象が起きるようにされる』『磁性薄膜メモリ素子』」は，本願補正発明１の「磁気トンネル接合層を備える磁気メモリ素子」に相当する。
　
イ　引用発明の「『磁化方向を定める電流を流す』『電流供給用の導電体』」，「絶縁体」，「第２の磁性層」，「薄い絶縁層」及び「第１の磁性層」は，それぞれ本願補正発明１の「書き込み電流が印加される導電層」，「絶縁膜」，「下部磁性膜」，「トンネリング膜」及び「上部磁性膜」に相当する。
　
ウ　引用発明の「前記第２の磁性層は，前記第１の磁性層よりも高い保磁力を有するものであり」及び「前記第１の磁性層は，前記第２の磁性層よりも低い保磁力を有するものであり，Ｎｉを含む軟磁性膜が望ましく，具体的には，特にＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏを主成分として用いるのが望ましく」は，それぞれ，本願補正発明１の「ハード磁性体からなるピンド膜」及び「ＮｉＦｅ膜あるいは順次に積層されたＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜といったソフト磁性膜」に相当する。
　
エ　したがって，上記ア−ウの対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　磁気トンネル接合層を備える磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合層は，構成要素が同心に備えられた円筒形であり，
　前記磁気トンネル接合層は，
　書き込み電流が印加される導電層と，
　前記導電層の周りに前記導電層と同心に備えられた絶縁膜と，
　前記絶縁膜の周りに前記導電層と同心に備えられた複数の磁性膜を備える物質層と，
を備え，
　前記複数の磁性膜は，前記導電層に沿って軸方向に順次に積層された少なくとも下部磁性膜，トンネリング膜及び上部磁性膜を備え，
　前記下部磁性膜は，ハード磁性体からなるピンド膜を有し，また，前記上部磁性膜は，ＮｉＦｅ膜あるいは順次に積層されたＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜といったソフト磁性膜である磁気メモリ素子。
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１の下部磁性膜は，「ＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体」であるのに対して，引用発明では，第２の磁性層は，「Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも一種を主成分として用いるか，ＣｏＦｅを主成分とするアモルファス合金として用いるのが望ましく，例えば，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，Ｆｅ，ＦｅＣｏ，Ｃｏ，ＣｏＦｅＢなどの磁性膜からなるものであり」，「例として，第１の磁性層と比較してＣｏを多く含む磁性膜が望まし」いとされている点。
　
（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
ア　引用例１の特許請求の範囲の記載である，上記摘記（１ａ）には，「閉磁路構造の第１の磁性層と，前記第１の磁性層よりも高い保磁力を有する閉磁路構造の第２の磁性層とを非磁性層を介して積層して成り」と記載されている。
　また，上記摘記（１ｂ）には，発明が解決しようとする課題として，「しかしながら，上記従来の薄膜磁気メモリにおいては，ビットセルの面積を小さくするほど磁性層内部で生じる反磁界（自己減磁界）が無視できなくなり，記録保持する磁性層の磁化方向が一定方向に定まらず不安定になるという問題があった。そのため，ビットセルを微細化するには限度があり，高集積化を十分に行うことができなかった。本発明は，上記従来の問題点に鑑み，磁性膜の反磁界の影響をなくし，より高集積化が可能な磁性薄膜メモリ素子及びそれを用いた情報記録方法，情報再生方法を提供することを目的とする。」と記載され，上記摘記（１ｃ）には，「本実施形態では，第１，第２の磁性層１，２が閉磁路構造となっているので，反磁界の影響をなくすことができ，安定して磁化情報を記録することができる。従って，１ビットのセル幅を小さくでき，集積度の高いメモリ装置を実現でき，更に漏洩磁界が隣接セルに洩れることがなく，安定して記録再生を行うことができる。」と記載されている。
　
イ　そして，特許請求の範囲には，発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載しなければならないとされているのであるから，引用例１に記載された発明は，「閉磁路構造の第１の磁性層」と，「前記第１の磁性層よりも高い保磁力を有する閉磁路構造の第２の磁性層」とを非磁性層を介して積層した構造を備えたことを特徴の一つとして有するものといえる。
　すなわち，引用例１に記載された発明は，第１の磁性層及び第２の磁性層を「閉磁路構造」とすることによって，「従来の薄膜磁気メモリにおいては，ビットセルの面積を小さくするほど磁性層内部で生じる反磁界（自己減磁界）が無視できなくなり，記録保持する磁性層の磁化方向が一定方向に定まらず不安定になるという問題があった。」という課題を解決して，「反磁界の影響をなくすことができ，安定して磁化情報を記録することができる。従って，１ビットのセル幅を小さくでき，集積度の高いメモリ装置を実現でき，更に漏洩磁界が隣接セルに洩れることがなく，安定して記録再生を行うことができる。」という効果を得た発明であると当業者であれば理解することができるといえる。
　
ウ　してみれば，引用例１に記載された発明において，「第１の磁性層」及び「第２の磁性層」に求められるのは，それぞれが「閉磁路構造」であることと，「第２の磁性層」が「第１の磁性層」よりも高い保磁力を有することにあると認められる。
　
エ　一方，「高い保磁力を有する」等の特性をもって特定される部材を備えた製造物において，前記特性を改善するために当該部材の材質等を変更して最適化又は好適化することは，当業者が普通に行っていることといえる。
　
オ　他方，いずれも本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の周知例１，２の記載からも明らかなように，「高い保磁力を有する」材料として「ＮｄＦｅＢ」は，周知である。
　してみれば，引用発明において，「第１の磁性層よりも高い保磁力を有するものであ」る「第２の磁性層」として，「高い保磁力を有する」材料として周知である「ＮｄＦｅＢ」を用いること，すなわち上記相違点１について本願補正発明１の構成となすことは，当業者にとって容易である。
　また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　すなわち，本願明細書の【００５７】の「このように，フリー磁性膜６４ｅに加えられる磁場Ｈがフリー磁性膜６４ｅを貫通せずに，フリー磁性膜６４ｅ内で同心円の閉鎖ループを形成するため，フリー磁性膜６４ｅに含まれたあらゆる磁気モーメントは，円形の閉じられた磁場Ｈに沿って配列する。これにより，フリー磁性膜６４ｅには，ドメインウォールピンニング及びボルテックスピンニングのような従来の異常ピンニング現象が表れない。」等の記載に照らして，本願明細書の【００４８】に記載された「前記フリー磁性膜に従来の異常ピンニング現象が発生せずに，フリー磁性膜の全体を均一にスイッチングできる。これは，与えられた強度の磁場でＭＴＪ層を均一にスイッチングできるということを意味するが，与えられた強度の磁場でスイッチングされないＭＴＪ層の数を最小化できるということを意味する。また，前記したように，ＭＴＪ層の導電層の周りに形成される磁場は，円形の閉じられた形態であるため，低電流でも高磁場を得ることができる。」という本願補正発明１の効果は，「フリー磁性膜６４ｅに加えられる磁場Ｈがフリー磁性膜６４ｅを貫通せずに，フリー磁性膜６４ｅ内で同心円の閉鎖ループを形成する」等の構成によって奏されるものと理解でき，本願明細書及び図面の記載からは，下部磁性膜のハード磁性体として，特に「ＮｄＦｅＢ膜」を選択して採用したことによって奏される顕著な効果は認めることはできない。
　
・周知例１：特開平１１−８７８０１号公報
（周１ａ）「【請求項１】　第１の強磁性膜（２）と前記第１の強磁性膜（２）に隣接する非磁性膜（３）と前記非磁性膜（３）に隣接する第２の強磁性膜（４）とを順次積層された積層単位膜（５）を有する磁気抵抗効果素子（１）であって，前記非磁性膜（３）がＡｕ又はＡｕを主成分とする合金により形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】　前記第１の強磁性膜（２）が保磁力の小さい材料で形成されているとともに
第２の強磁性膜（４）が前記第１の強磁性膜（２）より保磁力の大きい材料で形成されている
　
（周１ｂ）「このガラス基板６には，上面に
８０％Ｎｉ−Ｆｅ合金の第１の強磁性膜
　次に，第１の強磁性膜２の上面にＡｕの非磁性膜３が積層に成膜されている。この非磁性膜３はＡｕを主成分とする合金，化合物でも良い。そして，この膜厚は０．５〜１０ｎｍの範囲の寸法に形成されている。特に膜厚を１〜５ｎｍのときが良好である。
　非磁性膜３の上面には，第２の強磁性膜４が積層に成膜されている。この
第２の強磁性膜４はＣｏにより成膜されている
この他の材料としては
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ
などを用いることが好ましい
この第２の強磁性膜４は第１の強磁性膜２よりも保磁力が大きい
　
・周知例２：特開平８−５６０２５号公報
（周２ａ）「図５の改変形では，高保磁力の中心強磁性体層は，例えば
パーマロイなどの軟質磁性体層
ＮｄＦｅＢ
硬質材料
　
（５）本願補正発明１についての判断
　相違点１については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年１０月２２日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２３年１１月７日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものであると認める。
　
「【請求項１】
　磁気トンネル接合層を備える磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合層は，構成要素が同心に備えられた円筒形であり，
　前記磁気トンネル接合層は，
　書き込み電流が印加される導電層と，
　前記導電層の周りに前記導電層と同心に備えられた絶縁膜と，
　前記絶縁膜の周りに前記導電層と同心に備えられた複数の磁性膜を備える物質層と，
を備え，
　前記複数の磁性膜は，前記導電層に沿って軸方向に順次に積層された少なくとも下部磁性膜，トンネリング膜及び上部磁性膜を備え，
　前記下部磁性膜は，ＳｍＣｏ膜またはＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体からなるピンド膜を有し，また，前記上部磁性膜は，ＮｉＦｅ膜あるいは順次に積層されたＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜といったソフト磁性膜であることを特徴とする磁気メモリ素子。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　したがって，引用例１には，以下に示す発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「スピントンネル膜構成の磁性薄膜メモリ素子であって，
　前記磁性薄膜メモリ素子は，閉磁路構造の第１の磁性層と，前記第１の磁性層よりも高い保磁力を有する閉磁路構造の第２の磁性層とを，非磁性層を介して積層して成るものであり，
　前記第１の磁性層，前記第２の磁性層，前記非磁性層の膜面の略中心部に膜面に対し垂直方向に絶縁層を介して前記第１の磁性層，前記第２の磁性層よりも導電率の高い電流供給用の導電体を有し，
　前記第１の磁性層，前記第２の磁性層は，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも一種を主成分として用いるか，ＣｏＦｅを主成分とするアモルファス合金として用いるのが望ましく，例えば，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，Ｆｅ，ＦｅＣｏ，Ｃｏ，ＣｏＦｅＢなどの磁性膜からなるものであり，
　前記第１の磁性層は，前記第２の磁性層よりも低い保磁力を有するものであり，Ｎｉを含む軟磁性膜が望ましく，具体的には，特にＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏを主成分として用いるのが望ましく，
　前記第２の磁性層は，前記第１の磁性層よりも高い保磁力を有するものであり，例として，前記第１の磁性層と比較してＣｏを多く含む磁性膜が望ましく，
　スピントンネル膜構成の場合，前記第１の磁性層，前記第２の磁性層の間の前記非磁性層として薄い絶縁層を用い，再生時に電流を膜面に対し垂直方向に供給する際に前記第１の磁性層から前記第２の磁性層へ電子のトンネル現象が起きるようにされるものであり，
　前記電流供給用の導電体は，磁化方向を定める電流を流すものであり，
　前記電流供給用の導電体と，前記電流供給用の導電体の周りに前記導電体と同心に備えられた絶縁体と，前記電流供給用の導電体に沿って軸方向に順次積層された前記第２の磁性層，前記非磁性層及び前記第１の磁性層からなる，前記絶縁体の周りに同心に備えられた複数の磁性層からなる構成要素が同心に備えられた円筒形を呈する，
　スピントンネル膜構成の磁性薄膜メモリ素子。」
　
　また，原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例２，３には，次の事項が記載されている。
　
ア　引用例２：特開平５−６３２５４号公報
（２ａ）「【請求項１】　第１強磁性薄膜(11)と第２強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し，これにより生じる
強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子において
　前記第１及び第２強磁性薄膜(11,12)はそれぞれの磁化容易軸(M1,M2)が互いに直交するように配置して設けられ，
　前記第２強磁性薄膜(12)はその磁化容易軸方向の保磁力が前記第１強磁性薄膜(11)の磁化容易軸方向の保磁力より小さくかつ強磁性磁気抵抗効果を有することを特徴とする磁気抵抗複合素子。」（【特許請求の範囲】）
　
（２ｂ）「本発明の保磁力の小さい第２強磁性薄膜１２は従来の強磁性の磁気抵抗効果を有する材料，即ち電子と磁気モーメントとの相互作用の大きな材料により構成される。例示すればＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ元素のうち少なくとも２種以上含み，同時にＣｏ元素の含有量が４０ａｔ％以下の強磁性材料が挙げられる。また
保磁力が大きい第１強磁性薄膜１１は
Ｃｏ−Ｓｍ
　
イ　引用例３：特表２００２−５４０５９４号公報
（３ａ）「非磁性層は絶縁層（
ＴＭＲ−素子
ＣｏＳｍ
　
（２）当審の判断
ア　本願発明１と引用発明との対比
　本願発明１と引用発明との対応関係は，上記「（３）本願補正発明１と引用発明との対比」で検討したものと同様であり，本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　磁気トンネル接合層を備える磁気メモリ素子において，
　前記磁気トンネル接合層は，構成要素が同心に備えられた円筒形であり，
　前記磁気トンネル接合層は，
　書き込み電流が印加される導電層と，
　前記導電層の周りに前記導電層と同心に備えられた絶縁膜と，
　前記絶縁膜の周りに前記導電層と同心に備えられた複数の磁性膜を備える物質層と，
を備え，
　前記複数の磁性膜は，前記導電層に沿って軸方向に順次に積層された少なくとも下部磁性膜，トンネリング膜及び上部磁性膜を備え，
　前記下部磁性膜は，ハード磁性体からなるピンド膜を有し，また，前記上部磁性膜は，ＮｉＦｅ膜あるいは順次に積層されたＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜といったソフト磁性膜である磁気メモリ素子。
　
＜相違点＞
・相違点２：本願発明１の下部磁性膜は，「ＳｍＣｏ膜またはＮｄＦｅＢ膜といったハード磁性体」であるのに対して，引用発明では，第２の磁性層は，「Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも一種を主成分として用いるか，ＣｏＦｅを主成分とするアモルファス合金として用いるのが望ましく，例えば，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，Ｆｅ，ＦｅＣｏ，Ｃｏ，ＣｏＦｅＢなどの磁性膜からなるものであり」，「例として，第１の磁性層と比較してＣｏを多く含む磁性膜が望まし」いとされている点。
　
（３）本願発明１と引用発明との相違点についての判断
　上記「（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断　・相違点１について」で検討したように，引用例１に記載された発明において，「第１の磁性層」及び「第２の磁性層」に求められるのは，それぞれが「閉磁路構造」であることと，「第２の磁性層」が「第１の磁性層」よりも高い保磁力を有することであると認められるところ，「高い保磁力を有する」等の特性をもって特定される部材を備えた製造物において，前記特性を改善するために当該部材の材質等を変更して最適化又は好適化することは，当業者が普通に行っていることといえる。
　他方，上記引用例２−３にも記載されているように，保磁力が大きい強磁性薄膜として「Ｃｏ−Ｓｍ」すなわち「ＳｍＣｏ膜」を用いることは周知といえる。
　してみれば，引用発明の「第２の磁性層」として，周知の「ＳｍＣｏ膜」を用いること，すなわち，引用発明において，上記相違点２について本願発明１の構成となすことは，当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　したがって，本願発明１は，引用例１及び引用例２−３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１及び引用例２−３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。