【事件の表示】
　特許第３２５５５５１号「レジスト用剥離液組成物」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２５５５５１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
I　手続きの経緯
　本件特許第３２５５５５１号の請求項１〜３に係る発明は、平成７年１月３１日に出願され、平成１３年１１月３０日に特許の設定登録がなされ、その後、氏原さちより特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年１月２１日に訂正請求がなされたものである。
　　　
II　訂正の適否についての判断
　訂正請求は本件特許明細書を訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、訂正の内容は次のとおりである。
１　訂正の内容
（ａ）特許請求の範囲の請求項１に記載の「フッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び・・・」を「フッ化水素酸０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び・・・」と訂正し、かつ「防食剤を含有する」を「防食剤を残部として含有する」と訂正する。
（ｂ）同請求項２、４を削除する。
（ｃ）同請求項３、５の項番号を繰り上げて、それぞれ請求項２、３とする。
（ｄ）同請求項３に記載の「フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、水溶性有機溶媒、及び・・・」  を「フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び・・・」と訂正し、かつ「防食剤を含有する」を「防食剤を残部として含有する」と訂正する。
（ｅ）同請求項５中で引用する請求項を「１又は３」から「１又は２」に訂正する。
（ｆ）明細書の段落【0006】に記載の「及び腐食剤で」を「及び防食剤で」と訂正し、段落【0017】に記載の「また、腐食剤成分が」を「また、防食剤成分が」と訂正する。
（ｇ）明細書の段落【0008】に記載の「フッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び・・・」を「フッ化水素酸０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び・・・」と訂正し、かつ「防食剤を含有する」を「防食剤を残部として含有する」と訂正する。
（ｈ）明細書の段落【0017】に記載の「本発明の剥離組成物の・・・０．５〜４０重量％、」を「本発明の剥離組成物の配合割合は、前述のように、（ａ）フッ化水素酸成分が０．５〜４０重量％、好ましくは０．５〜２０重量％、（ｂ）水溶性有機溶媒成分が６０〜９０重量％、及び（ｃ）防食剤成分が残部であり、具体的には、０．５〜４０重量％、」と訂正する。
　　　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否
　訂正ａは、訂正前の請求項１において、フッ化水素酸、水溶性有機溶媒の含有量を限定し、かつ防食剤の「含有」を「残部として含有」に限定するものであるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　訂正ｄは、訂正前の請求項３において、「フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム」と水溶性有機溶媒の含有量を限定し、かつ防食剤の「含有」を「残部として含有」に限定するものであるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、訂正ａは、願書に添付した明細書の「本発明の剥離組成物の配合割合は、（ａ）フッ化水素酸成分が０．５〜４０重量％、・・・（ｂ）水溶性有機溶媒成分が・・・好ましくは６０〜９０重量％・・・である。」（本件明細書の段落【0017】）、「剥離液組成物をフッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び腐食剤で構成させると、低温での剥離処理が短時間で良好に行える上に、・・・を見出し、」（段落【0006】）、実施例（段落【0020】〜【0024】）の記載に基づくものであり、又、訂正ｄは、願書に添付した明細書の請求項４（訂正前）、段落【0017】、段落【0006】、実施例（段落【0020】〜【0024】）の記載に基づくものであり、いずれも、願書に添付した明細書に記載の事項の範囲内のものであることは明らかである。
　訂正ｂは、請求項の削除であるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　訂正ｃは、請求項２、４の削除に伴い、請求項３、５（訂正前）の請求項番号を繰り上げるものであり、訂正ｅは、請求項５で引用している請求項番号の表示を訂正後の請求項番号に一致させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。そして、訂正ｃ、ｅは、願書に添付した明細書に記載の事項の範囲内ものである。
　訂正ｆは、明らかな誤記を正すものであるから誤記の訂正であり、訂正事項ｇ、ｈは、訂正事項ａ、ｂ、ｄによる特許請求の範囲の減縮に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との間に生じた不整合を正すものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。訂正ｆ〜ｈは、願書に添付した明細書に記載の事項の範囲内ものである。
　また、上記各訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　　　　
３　訂正の適否の結論
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　
III　特許異議申立てについて
１　本件発明
　本件の請求項１〜３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲、請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】フッ化水素酸０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を残部として含有することを特徴とするレジスト用剥離液組成物。
【請求項２】フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を残部として含有することを特徴とするレジスト用剥離液組成物。
【請求項３】水溶性有機溶媒がジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は２記載のレジスト用剥離液組成物。」
（なお、訂正後の請求項１、２、３に係る発明を、以下、「第１発明」、「第２発明」、「第３発明」という。）
　　　　
２　特許異議申立ての理由の概要
　異議申立人・氏原さちは、
甲第１号証　特開平３−２０５４６５号公報
甲第２号証　特開昭５３−４４４９１号公報（取消理由通知の刊行物１）
甲第３号証　特開昭６３−１１３４５６号公報
甲第４号証　特開平５−３１５３３１号公報
甲第５号証　特開平２−１３５３５２号公報
甲第６号証（特開平７−１２０９５８号公報参照）
甲第７号証　吉岡甲子郎著「物理化学大要」昭和３７年９月２０日、株式会社養賢堂、８９頁
を提出して、訂正前の本件請求項１〜５に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、又、訂正前の本件請求項１〜５に係る発明は、甲第６号証（特願平６−８２５１８号の願書に最初に添付した明細書を含む公開公報）（取消理由通知の先願１）に記載された発明に記載された発明と同一であるので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許は取り消されるべきである旨主張している。
　当審においては、
刊行物１　特開昭５３−４４４９１号公報
刊行物２　特開平６−２０２３４５号公報
刊行物３　特開平６−６１６１５号公報
刊行物４　特開平５−２５９０６６号公報
刊行物５　特開昭６４−８８５４８号公報
刊行物６　特開平５−２８１７５３号公報
刊行物７　特開昭５５−２２９７号公報
先願１：特願平６−８２５１８号（特開平７−２７１０５６号公報参照）
を示して、
　訂正前の本件請求項１に係る発明は、刊行物１又は７に記載された発明と同一であり、又訂正前の本件請求項１〜４に係る発明は、刊行物１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許された、又、訂正前の本件請求項１〜５に係る発明は、本件出願前に出願され本件出願後に出願公開された甲第６号証（特開平７−２７１０５６号公報）に係る特願平６−８２５１８号の願書に最初に添付した明細書（以下「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定に違反して特許された、という趣旨の取消理由通知を通知した。
　　　　
３　上記甲第１〜５、７号証及び上記刊行物の記載事項
 甲第１号証には、レジスト剥離液に関して記載され、レジスト剥離液が極性有機溶媒（例、ジメチルアセトアミド）、弗酸水溶液、界面活性剤を含有すること（１頁の特許請求の範囲２項等）、弗酸は極性有機溶媒と混合することにより基板を損傷しない濃度で酸化シリコンを除去できること（２頁右下欄１〜３行）、界面活性剤はレジスト表面に対するぬれ性を改善するために用いるものであること（３頁左上欄３〜５行）、レジスト剥離液の組成は加工基板を損傷しない所で決定する必要があり、弗酸の場合その濃度は５ｗｔ％であり、最低濃度は０．１ｗｔ％であること（３頁左上欄８〜１４行）が記載されている。　
　甲第２号証は、「刊行物１」として記載する。
　甲第３号証には、レジスト膜の剥離方法に関して記載され、剥離に際しレジスト膜をフッ化水素酸又はこれを含む酸性溶液で処理し、次いで有機溶剤系の剥離液で処理すること（特許請求の範囲、請求項１）、酸性溶液としてフッ化水素酸、フッ化水素酸及びフッ化アンモニウムの混合溶液等が用いられること（３頁右上欄１０〜１３行）、有機溶剤系の剥離液はフェノール等であること（３頁左下欄９〜１４行）、前記剥離方法によればＳｉを有するレジスト膜を高分子被膜上から完全に剥離除去できること（５頁右上欄１６〜１９行）が記載されている。
　甲第４号証には、銅配線パターンをベンゾトリアゾールを含有する水溶液で洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法が記載され（特許請求の範囲、請求項１）、銅配線にＢＴＡを含む洗浄液を接触させると銅配線の腐食が抑制できること（段落【0017】）が記載されている。
　甲第５号証には、ケイ素含有ポリマのネガ型レジストパターンの剥離を行う剥離液に関して記載され（１頁左下欄１１〜１３行）、アミド系溶剤に金属イオンを含まないフッ化塩を添加すること（特許請求の範囲、請求項１）、アミド系溶剤は例えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセタミドであること（３頁左上欄１７〜２０行）、実施例１では剥離処理において「フッ化テトラｎ−ブチルアンモニウム１０ｗｔ％を含むジメチルホルムアミド溶液」を使用したこと（２頁右上欄２〜２０行）が記載されている。                
　甲第７号証には、酢酸アンモニウムの塩は水溶液中でＣＨ３ＣＯＯ−とＮＨ４＋に電離するが、これらは水と反応して非解離の酸と塩基を生ずること（８９頁）が記載されている。
　刊行物１（特開昭５３−４４４９１号公報）には、フォトレジストを除去する時の剥離剤として有用である、有機スルホン酸及びふっ化物イオンを含有する改良された有機組成物に関する発明であることが記載され（２頁左下欄１３行〜右下欄２行）、特定の有機スルホン酸（Ｒ−ＳＯ３Ｈ）と有機溶剤からなる有機剥離用組成物には、組成物重量に対し約５〜２５０ｐｐｍ量のふっ化物イオンが配合されること（１頁の特許請求の範囲１項）、「モノヒドロキシアリールスルホン酸」である「フェノールスルホン酸」等は特定の有機スルホン酸（Ｒ−ＳＯ３Ｈ）の例であること（４頁右上欄７行〜５頁左上欄５行）、組成物で使用する溶剤はジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等から選ばれること（６頁左上欄１０行〜右上欄１２行）、溶剤は組成物の約２０〜９０重量％であること（６頁左下欄１３〜１５行）、ふっ化物イオンの源としては無水のＨＦ又はＨＦの４９重量％溶液のような水溶液が好ましいこと（７頁左上欄１〜３行）が記載されている。
　刊行物２（特開平６−２０２３４５号公報）には、ストリッピング溶媒、親核アミン、非窒素含有弱酸を含有するアルカリ含有フォトレジストストリッピング組成物に関して記載され（２頁の特許請求の範囲、請求項１）、ストリッピング溶媒は組成物の約５０〜約９８重量％の量で存在すること（同じく請求項２）、弱酸は酢酸、フタル酸、弗化水素酸等の中から選ばれること（同じく請求項３、段落【0010】）が記載されている。「実施例７」には、９０％ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリジノン）と２−（２−アミノエトキシ）エタノール（親核アミン）に４７％水性弗化水素酸を加えたものを使用しストリッピング時間等について試験したことが記載されている。
　刊行物３（特開平６−６１６１５号公報）には、電子デバイスの製造に関して記載され、その製造過程では、フォトレジストコーティングを０．２〜５０％のフッ素含有有機酸と１％以下の腐食防止剤と５０〜９９．８％のアミド溶剤とからなる混合物に浸漬することにより除去すること（２頁の特許請求の範囲、請求項１）、腐食防止剤はベンゾトリアゾール等であること（段落【0011】）が記載されている。
　刊行物４（特開平５−２５９０６６号公報）には、エッチング工程において使用し得るポジ型フォトレジスト用剥離液に関して記載され、該剥離液は芳香環式フェノール化合物（例、フェノール、クレゾール）と芳香環式カルボン酸化合物（例、安息香酸）より選ばれる化合物と有機アミン含有の水溶液とからなること（特許請求の範囲、請求項１）、該剥離液は、有機アミン水溶液の側壁保護堆積膜の剥離能と、芳香環式フェノール化合物、芳香環式カルボン酸化合物の配線材料に対する非腐食性の諸特性を備えるものであること（段落【0011】）が記載されている。
　刊行物５（特開昭６４−８８５４８号公報）には、フォトレジストを基体から剥離するための水性剥離剤組成物に関して記載され、該組成物はモノエタノールアミン、特定のグリコールモノアルキルエーテル、ブチンジオール（防錆剤）及び水残部とからなること（特許請求の範囲、請求項２）、剥離剤組成物においてモノエタノールアミンは１０〜３０％含まれること（３頁左上欄１〜３行）、水性剥離剤組成物は特にアルミニウムに対す腐食性が抑制されていること（３頁左下欄１７〜１９行）が記載されている。
　刊行物６（特開平５−２８１７５３号公報）には、基板上に形成したポジ型フォトレジスト膜等を容易に剥離することができる剥離剤組成物に関して記載され、該組成物は特定のアルカノールアミン化合物、スルホン化合物又はスルホキシド化合物、及び特定のヒドロキシ化合物からなること（特許請求の範囲、請求項１）、金属膜を有する基板に対しても腐食を起こさない剥離剤組成物の提供が目的であること（段落【0003】）、スルホキシド化合物の例はメチルスルホキシドであり、ヒドロキシ化合物の例はフェノール、ジヒドロキシベンゼン等であること（段落【0007】、【0008】）が記載されている。
　刊行物７（特開昭５５−２２９７号公報）には、重合体の有機物質を除去するための有機剥離剤組成物に関して記載され、該組成物は特定の有機スルホン酸（Ｒ−ＳＯ３Ｈ）、必要に応じ有機溶媒、組成物重量の約５〜約３００重量ｐｐｍのフッ化物を含む抑制剤系からなり、抑制剤系には更に特定のニトロ化合物を組成物重量に対し約０．０１〜約５重量％含有すること（特許請求の範囲、請求項１）、有用な有機スルホン酸は例えばヒドロキシアリール−スルホン酸であること（２頁右下欄１〜６行）、フッ化物はＨＦ及びアンモニウムビフルオライドのような無機塩の形で添加されること（４頁右下欄１７〜１９行）、実施例の「アルミニウムの腐食試験」では「ＨＦ（水との５０：５０混合物として）」とニトリル化合物の量を変えて試験したこと（７頁右上欄〜左下欄）が記載されている。
　　　
４　先願明細書の記載事項
　上記「先願明細書」には、「（ａ）一般式［Ｒ１］ｍ［ＣＯＯＮＨｐ（Ｒ２）ｑ］ｎ（式中、Ｒ１は炭素数１〜１８のアルキル基又はアリール基；Ｒ２は炭素数１〜１８のアルキル基；ｍ、ｎは１〜４の整数、ｐは１〜４の整数、ｑは０〜３の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である）で表される有機カルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩を５〜５０重量％、及び（ｂ）フッ素化合物を０．１〜１５重量％、及び（ｃ）アミド類、・・・から選ばれた有機溶媒の１種以上を１〜５０重量％含有する水溶液からなることを特徴とするフォトレジスト用剥離液。」（特許請求の範囲、請求項２）が記載され、「本発明は・・・アルミニウム系配線体をまったく腐食することなく、エッチング時に形成される側壁保護膜を・・・除去できるレジスト剥離液・・・を提供する。」（段落【0005】）、「上記一般式で表わされる有機カルボン酸アンモニウム塩としては、具体的には、ぎ酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、・・・を含む。」（段落【0008】）、「フッ素化合物の例としては、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム・・・を含む。これらのフッ素化合物は、通常０．５〜１５重量％の濃度で使用されるが、・・・」（段落【0011】）、「有機溶媒の例としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセタミド・・・を含む。これらの有機溶媒は好ましくは、１〜５０重量％の含有量で使用される。」（段落【0012】）、「前記有機カルボン酸アンモニウム塩あるいは有機カルボン酸アミン塩の濃度が少ないと、アルミニウム系配線体材質の腐食が激しくなり、・・・好ましくない。」（段落【0013】）ことが記載されている。
　そして、弱酸と弱塩基の塩が、水溶液中において水と反応し非解離の酸と塩基を生成することは常識（甲第７号証参照。）であるので、「先願明細書」の請求項２に一般式で示される「カルボン酸アンモニウム塩」（弱酸と弱塩基の塩）は、水溶液中で対応する酸を生成していると解される。
　そうであるから、「先願明細書」には、「フッ化水素酸又はフッ化アンモニウム」０．５〜１５重量％、有機溶媒１〜５０重量％、カルボキシル基含有有機化合物（防食剤）を含有するフォトレジスト用剥離液が記載されていると認められる。
　　　　
５　対比・判断
（１）　特許法第２９条第１、２項違反について
（ａ）「第１発明」について
　甲第１〜５、７号証、刊行物２〜７（なお、刊行物１は甲第２号証である。）のいずれにも、「第１発明」の必須の構成である、レジスト用剥離液組成物が「フッ化水素酸０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる防食剤を残部として含有する」点について記載されておらず、示唆もない。
　すなわち、甲第１号証（以下、「刊行物８」という。）には、有機溶剤、弗酸水溶液、界面活性剤を含むレジスト剥離液が記載され、該液における弗酸濃度は０．１〜５ｗｔ％であるとしているが、「第１発明」の必須成分でない「界面活性剤」を含有するものであるので、該剥離液はフッ化水素酸が０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒が６０〜９０重量％であり、防食剤を残部として含有する剥離剤組成物ではない。又、刊行物８に記載のものが「界面活性剤」を必須とする以上、これを含有しない、フッ化水素酸、水溶性有機溶媒及び防食剤からなる組成物が容易に想到し得たとすることはできない。
　甲第２号証（刊行物１）には、「ヒドロキシアリール−スルホン酸」等の芳香族化合物（有機スルホン酸の例）、有機溶剤、ふっ化水素酸を含み、ふっ化物イオンが組成物重量に対し約５〜２５０ｐｐｍである有機剥離用組成物が記載されているが、水溶性有機溶媒の重量割合が６０〜９０重量％であり、かつフッ化水素酸の重量割合が０．５〜４０重量％であるという記載はないので、フッ化水素酸が０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒が６０〜９０重量％であり、防食剤を残部として含有する剥離剤組成物が記載されているとは認められない。
　甲第２号証には、剥離用組成物が、ふっ化物イオンを最大約２５０ｐｐｍ含むことは記載されているが、該組成物が０．５重量％以上のふっ化水素酸を含有しているとする根拠は見い出せない。又、甲第２号証は、剥離用組成物においてふっ化水素酸の重量割合を０．５〜４０重量％とし、水溶性有機溶媒の重量を６０〜９０重量％とすることを示唆する記載はない。
　甲第３号証（以下、「刊行物９」という。）には、レジスト膜の剥離液として、有機溶剤系のもの（例、メチルエチルケトン、フェノール等）があげられているだけであり、水溶性有機溶媒の重量割合が６０〜９０重量％であり、フッ化水素酸の重量割合が０．５〜４０重量％であるような剥離液は記載がなく、示唆もない。
　甲第４号証（以下、「刊行物１０」という。）の記載は、銅配線パターンの洗浄、腐食抑制に関するものであるが、溶媒とフッ化水素酸が前記した特定割合であるレジスト用剥離液について何ら記載がない。
　甲第５号証（以下、「刊行物１１」という。）には、アミド系溶剤にフッ化塩を添加した剥離液が記載されているが、該剥離液はフッ化水素酸、水溶性有機溶媒及び防食剤からなる剥離剤組成物ではなく、又、フッ化水素酸と水溶性有機溶媒を前記した特定割合で含有させることを示唆する記載はない。
　甲第７号証（以下、「刊行物１２」という。）は、酢酸アンモニウムが水溶液中で解離する反応を説明しているだけである。
　そして、「第１発明」は、甲第２号証（刊行物１）記載の発明に加え刊行物８〜１２の記載を考慮して容易に発明をすることができたものであるとも認められない。
　更に検討する。
　刊行物２には、ストリッピング溶媒、親核アミン、非窒素含有弱酸（例、水性弗化水素酸、酢酸等）を含有するストリッピング組成物が記載されているが、「第１発明」の必須成分でない「親核アミン」を含有するので、該トリッピング組成物はフッ化水素酸、水溶性有機溶媒を前記した特定量含有し、防食剤を残部とするものではない。「実施例７」に記載の水性弗化水素酸を含む組成物の例も親核アミンを含むので「第１発明」の剥離液とは異なる。又、刊行物２には、フッ化水素酸、水溶性有機溶媒及び残部が防食剤からなる、「親核アミン」を含有しない組成物を示唆する記載はない。
　刊行物３には、フォトレジスト被覆を除去するための組成物に腐食防止剤（トリアゾール等）を添加することが、刊行物４には、芳香環式フェノール化合物又は芳香環カルボン酸化合物（例、安息香酸）を添加したフォトレジスト用剥離液は非腐食性であることが、刊行物５には、剥離剤組成物に防錆剤としてブチンジオール（アセチレンアルコールの一種）を添加することが、刊行物６には、フェノール、カテコール等の芳香族ヒドロキシ化合物を添加した剥離剤組成物は非腐食性であることがそれぞれ記載されているが、いずれにもフッ化水素酸を０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒を６０〜９０重量％含有する剥離剤組成物は記載されておらず、示唆もない。
　刊行物７には、「ヒドロキシアリール−スルホン酸」等の芳香族化合物（式がＲ−ＳＯ３Ｈである有機スルホン酸の例）、有機溶剤、ＨＦ、ニトリル化合物を含む有機剥離剤組成物が記載されているが、「第１発明」の必須成分でない「ニトリル化合物」を含有するので、該組成物は、フッ化水素酸、水溶性有機溶媒を前記した特定量含み、残部が防食剤である剥離剤組成物ではない。又、「ニトリル化合物」を必須とする以上、剥離剤組成物においてこれを含有させずに、フッ化水素酸、水溶性有機溶媒の含有量を前記した特定割合にすることが容易に想到し得たとすることはできない。
　更に、甲第２号証（刊行物１）又は刊行物２の記載内容に、刊行物３〜７の記載内容をあわせ考慮しても、これらに記載の事項から「第１発明」が容易に発明し得たものであるとは認められない。
　そして、本件の「第１発明」においては、その構成により、過酷な処理条件で変質したレジスト膜であっても低温、短時間で良好に剥離でき、かつ基板を腐食させないという効果が奏されるものである。
　したがって、本件の「第１発明」は、刊行物１、７記載された発明と同一ではなく、また、刊行物１〜１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　　　
（ｂ）「第２発明」について
　「第２発明」は、「第１発明」において「フッ化水素酸０．５〜４０重量％」を「フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム０．５〜４０重量％」としたものである。
　上記（ａ）の検討事項から分かるように、刊行物１〜１２には、「フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム」０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、防食剤を残部とするレジスト用剥離液組成物が開示されているとはいえない。
　また、上記（ａ）で述べたように、レジスト用剥離液組成物において、フッ化水素酸０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、残部を防食剤とすることが容易になし得たとすることはできないので、これにフッ化水素酸に関して更に「フッ化アンモニウム」が用いられるという限定を付加したものとすること、すなわち「フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム」０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、残部を防食剤とすることも容易になし得たとすることはできない。
　したがって、本件の「第２発明」は、刊行物１、７に記載された発明と同一ではなく、また刊行物１〜１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　　　　
（ｃ）「第３発明」について
　「第３発明」は、「第１発明」又は「第２発明」の構成を全て引用するものであるから、上記（１）、（ａ）、（ｂ）で述べたのと同様な理由により、刊行物１、７に記載された発明と同一ではなく、また刊行物１〜１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　　
（２）　特許法第２９条の２違反について
（ａ）「第１発明」、「第２発明」について
　「先願明細書」に記載のフォトレジスト用剥離液は有機溶媒の含有割合が１〜５０重量％に限定されており５０重量％を越えないので、「先願明細書」には、フッ化水素酸が０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒が６０〜９０重量％であり、防食剤を残部として含有する剥離剤組成物、及び「フッ化水素酸とフッ化アンモニウム」が０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒が６０〜９０重量％であり、防食剤を残部として含有する剥離剤組成物が開示されているとすることはできない。なお、刊行物１２（甲第７号証）は、酢酸アンモニウムの電離と水との反応に関して説明しただけにとどまるものである。
　したがって、本件の「第１発明」及び「第２発明」は、「先願明細書」に記載された発明と同一であるとは認められない。
　　　　
（ｂ）「第３発明」について
　「第３発明」は、「第１発明」又は「第２発明」の構成を全て引用するものであるから、上記（２）、（ａ）で述べたのと同様な理由により、本件の「第３発明」は、「先願明細書」に記載された発明と同一であるとは認められない。
  　　
　なお、訂正前の請求項２、４は、訂正の結果削除されたので、該請求項に対する異議申立人の主張は判断する対象が存在しない。
　　　
６　むすび
　以上のとおりであるので、異議申立の理由及び証拠、取消理由通知の理由によっては、本件の請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことができない
　また、他に本件の請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年２月２０日（２００３．２．２０）
【訂正の要旨】
訂正事項
　（ｉ）　特許請求の範囲の請求項１の記載を
　「【請求項１】　フッ化水素酸
０．５〜４０重量％
６０〜９０重量％
を残部として
と訂正する。
　（ｉｉ）　特許請求の範囲の請求項２の記載を
　「【請求項２】　
フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を残部として含有することを特徴とする
と訂正する。
　（ｉｉｉ）　特許請求の範囲の請求項３の記載を
　「【請求項３】　
水溶性有機溶媒がジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は２記載の
と訂正する。
　（ｉｖ）　特許請求の範囲の請求項４および５を削除する。
　（ｖ）　発明の詳細な説明について
　不明確な記載の釈明をするために段落【０００６】を下記のように訂正し、上記（ｉ）〜（ｖ）に示す特許請求の範囲の訂正に伴い、この特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、段落【０００８】と【００１７】を下記のように訂正する。
　（ａ）　段落【０００６】の記載を
　「　【０００６】
　そこで、本発明者等は、上記欠点を解決するため鋭意研究を重ねた結果、剥離液組成物をフッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び
防食
と訂正する。
　（ｂ）　段落【０００８】の記載を
　「　　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成する本発明は、フッ化水素酸
０．５〜４０重量％
６０〜９０重量％
を残部として
と訂正する。
　（ｃ）　段落【００１７】の記載を
　「　　【００１７】
　本発明の剥離組成物の配合割合は、
前述のように、
成分が６０
残部であり、具体的には、
防食
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
レジスト用剥離液組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　フッ化水素酸
０．５〜４０重量％
６０〜９０重量％
を残部として
　【請求項２】　
フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒６０〜９０重量％、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を残部として含有することを特徴とする
　【請求項３】　
水溶性有機溶媒がジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は２記載の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、レジスト用剥離液組成物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或は液晶パネル素子の製造に好適に使用される、低温（室温）での剥離性が高く、導電性金属膜を腐食することの少ないレジスト用剥離液組成物に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アルミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ２膜等の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターンをマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト層を剥離液で除去して製造されている。
　【０００３】
　上記レジストを除去する剥離液として、従来、アルキルベンゼンスルホン酸を必須成分とした有機スルホン酸系剥離液やエタノールアミン等の有機アミンを必須成分とした有機アミン系剥離液が使用されてきた。前記有機スルホン酸系剥離液は、毒性の高いフェノール化合物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用されるところから作業性が悪く、また環境問題が発生する上に、基板の導電性金属膜等が腐食され易いという欠点を有している。これに対し、有機アミン系剥離液は有機スルホン酸系剥離液に比べ毒性が低く、廃液処理に煩雑な処理が必要でなく、またドライエチング、アッシング、イオン注入などの処理で形成される変質膜の剥離性が良い上に、ＡｌやＣｕなどを含む基板の腐食防止効果が優れているところから今日広く使用されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、近年、半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において採られるドライエッチング、アッシング、イオン注入等の処理条件が厳しくなり、処理後のレジスト膜等は有機膜から無機的性質を有する膜に変質するようになった。そのため有機アミン系剥離液で処理しても、変質膜を十分に剥離できない上に、有機アミン系剥離液処理は、処理温度が６０〜１３０℃と比較的高温のため、剥離液中の可燃性有機化合物が揮発し、それに引火するという危険性がある。そのため前記剥離処理は引火防止設備の中で行われるのが一般的であり、そのための設備に多額の費用を要するばかりでなく、処理時間が長く高スループット（単位時間当りのウェーハ処理枚数）の要求される半導体素子や液晶パネル素子の剥離液としては満足のいくものではなくなってきている。一方、多層レジスト法において、酸素プラズマ処理によりシリコーン系レジストの表面に形成された酸化シリコン層を剥離する目的でフッ酸を用いた剥離液が、例えば特開平３−２０５４６５号公報で提案された。しかしながら、前記剥離液は極性有機溶媒、弗酸水溶液、界面活性剤からなるため、腐食性が強く、基板上の金属薄膜を腐食し易いという欠点を有していた。
　【０００５】
　また、低温（室温）での剥離処理が可能な剥離液が特開昭６４−８８５４８号公報、特開平５−２５９０６６号公報に提案されているが、これら公報記載の剥離液はいずれも有機アミンと水を含むため、剥離性が十分でない上、基板に対する腐食も大きいという欠点を有していた。
　【０００６】
　そこで、本発明者等は、上記欠点を解決するため鋭意研究を重ねた結果、剥離液組成物をフッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び
防食
　【０００７】
　本発明は、ドライエッチング、アッシング、イオン注入等の処理で変質した膜の剥離性が低温（室温）でも優れ、剥離処理時間も短縮できるとともに、ＡｌやＣｕを含む基板の腐食を防止できるレジスト用剥離液組成物を提供することを目的とする。
　【０００８】
　【
課題を
　上記目的を達成する本発明は、フッ化水素酸
０．５〜４０重量％
６０〜９０重量％
を残部として
　【０００９】
　上記本発明の剥離液組成物は、フッ化水素酸を含有し、該フッ化水素酸は、フッ化水素５０〜６０重量％の水溶液であり、市販品を用いることができる。また、必要に応じフッ化アンモニウムをフッ化水素酸に対し重量比で１：１〜１：５０の割合で含有させたものも好ましく使用することができる。前記フッ化水素酸及びフッ化アンモニウムの混合物は、市販の「バッファードフッ酸」（橋本化成社製）等の混合液を使用することができる。このように剥離液組成物中にはフッ化水素酸とともにフッ化アンモニウムが含有されることで、剥離液組成物中の水素イオン濃度が安定化し、剥離工程での濃度変化が少なく、良好な剥離作用を持続することができる。
　【００１０】
　本発明の剥離液組成物に使用する水溶性有機溶媒は前記フッ化水素酸と混和性のある有機溶媒であればよく、従来の有機アミン系剥離液に使用された水溶性有機溶媒が使用できる。前記水溶性有機溶媒としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン類、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体が挙げられる。これらの中で、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテルがレジストの剥離性に優れ好ましい。
　【００１１】
　本発明の剥離液に使用する防食剤としては、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の防食剤を配合することが必要である。前記防食剤を配合することにより腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板が腐食されず、剥離性が一段と向上する。
　【００１２】
　上記防食剤のうち、芳香族ヒドロキシ化合物としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げることができ、中でもピロカテコールが好適である。これらの化合物の単独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。
　【００１３】
　アセチレンアルコールとしては、２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオール等を挙げることができる。中でも２−ブチン−１，４−ジオールが好適である。これらのアセチレンアルコールは単独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。
　【００１４】
　また、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げることができる。好ましいカルボキシル基含有有機化合物としては、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサリチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリチル酸が好適である。これらの化合物の単独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。
　【００１５】
　さらに、トリアゾール化合物としては、ベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾトリアゾールが好適である。これらの化合物の単独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。
　【００１６】
　上記防食剤は、用いるレジスト組成物、剥離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処理等によるレジスト変質膜の生成条件、又はのちのリンス処理条件等に応じて適宜組み合わせて用いることができる。
　【００１７】
　本発明の剥離組成物の配合割合は、
前述のように、
成分が６０
残部であり、具体的には、
防食
　【００１８】
　本発明のレジスト剥離液組成物は、ネガ型及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用いて現像できるレジストに有利に使用できる。前記レジストとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸を発生する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
　【００１９】
　次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
　【００２０】
　【実施例】
　実施例１〜６
　約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコンウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂からなるポジ型レジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、９０℃にて、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパターンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジストパターンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポストベークを行った。
　【００２１】
　次に、上記の条件で形成したレジストパターンを有する約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコンウエーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東京応化工業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガスをエッチャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸素とトリフルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間、塩素原子を除く処理のアフターコロージョン処理を行った。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧力０．３ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１５０秒間のアッシング処理を行った。
　【００２２】
　上記処理済シリコンウエーハを、表１に示す組成の剥離液に２３℃で６０秒間浸漬し剥離処理を行った。処理した基板を純水でリンス処理し、シリコンウェーハのアッシング残渣の剥離状態（変質膜の剥離性）、及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）の写真観察により評価した。その結果を表１に示す。
　【００２３】
　表１において、（ａ）成分はフッ化水素酸又はこれとフッ化アンモニウム成分、（ｂ）成分は水溶性有機溶媒、及び（ｃ）成分は防食剤である。変質膜の剥離性及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食性の評価は、以下のとおりである。
　　Ａ：剥離性良好、　　　　　　　　Ｘ：腐食なし
　　Ｂ：不完全な剥離、　　　　　　　Ｙ：腐食あり
　【００２４】
　【表　１】
　【００２５】
　比較例１〜４
　実施例１において、表２の剥離液組成を用いた以外は、実施例１と同様にして変質膜の剥離性及び腐食性の評価を行った。その結果を表２に示す。
　【００２６】
　【表　２】
　【００２７】
　上記表１、２から明らかなように本発明のレジスト用剥離液組成物は基板を腐食することなく、低温（室温）、短時間で変質膜を良好に剥離する。
　【００２８】
　【発明の効果】
　本発明のレジスト剥離液組成物は、過酷な処理条件で変質したレジスト膜であっても低温（室温）、短時間で良好に剥離することができるとともに、腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板を腐食することがない。