【手続補正書】
【提出日】平成27年10月16日(2015.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
チャンバ本体１０２は、処理容積１０４及び排気容積１０６を含むことができる内部容積１０７を有する。処理容積１０４は、例えば、処理中に上で基板１１０を支持するための処理チャンバ１００内に配置された基板支持体１０８と、所望の位置に提供された１以上のガス入口（例えば、シャワーヘッド１１４）及び／又はノズルとの間に画定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
１以上のガス入口（例えば、シャワーヘッド１１４）は、処理チャンバ１００の処理容積１０４内に１以上の処理ガスを供給するためのガス供給源１１６に結合することができる。シャワーヘッド１１４が図１に示されているが、追加の又は代替のガス入口（例えば、天井１４２又は処理チャンバ１００の側壁、又は処理チャンバ１００に望み通りにガスを供給するのに適した他の位置（例えば、処理チャンバのベース、基板支持体の周辺部等）に配置されたノズル又は入口）を設けることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
１以上のプラズマ電源（１つのＲＦ電源１４８が図示される）が処理チャンバ１００に結合され、これによって１以上のそれぞれの整合ネットワーク（１つの整合ネットワーク１４６が図示される）を介して、上部電極（例えば、シャワーヘッド１１４）にＲＦ電力を供給することができる。いくつかの実施形態では、処理チャンバ１００は、処理のために、誘導結合ＲＦ電力を利用することができる。例えば、処理チャンバ１００は、誘電材料から作られた天井１４２及び誘電体シャワーヘッド１１４を有することができる。天井１４２は実質的に平坦であることができるが、他のタイプの天井（例えば、ドーム状の天井等）もまた使用することができる。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの誘導コイル要素（図示せず）を含むアンテナを、天井１４２の上方に配置することができる。誘導コイル要素は、１以上のそれぞれの整合ネットワーク（例えば、整合ネットワーク１４６）を介して、１以上のＲＦ電源（例えば、ＲＦ電源１４８）に結合される。１以上のプラズマ電源は、約２ＭＨｚ及び／又は約１３．５６ＭＨｚの周波数又はより高い周波数（例えば、２７ＭＨｚ及び／又は６０ＭＨｚ）で５０００Ｗまで生成することが可能であってもよい。いくつかの実施形態では、２つのＲＦ電源が、それぞれの整合ネットワークを介して誘導コイル要素に結合され、これによって例えば、約２ＭＨｚ及び約１３．５６ＭＨｚの周波数でＲＦ電力を供給することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
排気容積１０６は、例えば、基板支持体１０８と処理チャンバ１００の底部との間に画定することができる。排気容積１０６は、排気システム１２０に流体結合することができる、又は排気システム１２０の一部と考えることができる。排気システム１２０は、一般に、ポンピングプレナム１２４と、ポンピングプレナム１２４を処理チャンバ１００の内部容積１０７（一般的に、排気容積１０６）に結合する１以上の導管とを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
各導管は、内部容積１０７（又は、いくつかの実施形態では、排気容積１０６）に結合された入口１２２と、ポンピングプレナム１２４に流体結合された出口（図示せず）を有する。例えば、各導管は、処理チャンバ１００の側壁の下部領域又は床に配置された入口１２２を有することができる。いくつかの実施形態では、入口は、互いに実質的に等距離離間している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
真空ポンプ１２８は、処理チャンバ１００から排気ガスを送り出すためのポンピングポート１２６を介してポンピングプレナム１２４に結合することができる。真空ポンプ１２８は、適切な排気処理装置が要求するように排気をルーティングするための排気口１３２に流体結合することができる。バルブ１３０（例えば、ゲートバルブ等）がポンピングプレナム１２４内に配置され、これによって真空ポンプ１２８の動作と組み合わせて、排気ガスの流量の制御を促進することができる。ｚモーションゲートバルブが図示されているが、排気の流れを制御するための任意の適切なプロセス互換性のある弁を利用することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
いくつかの実施形態では、基板支持体１０８は、例えば、基板支持体１０８上に配置されたエッジリング１１１を含むプロセスキット１１３を含むことができる。エッジリング１１１は、存在する場合、基板１１０を処理に適した位置に固定する、及び／又は下地の基板支持体１０８を処理中に損傷から保護することができる。エッジリング１１１は、処理中に処理チャンバ１００内で生成される環境による劣化に抵抗しながら、基板１１０を固定する、及び／又は基板支持体１０８を保護するのに適した任意の材料を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、エッジリング１１１は、石英（ＳｉＯ２）を含むことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
したがって、いくつかの実施形態では、静電チャック１０９の電極１４０は、パック２０２の中心又は中心軸２１１から、基板１１０の縁部２０４を越えた領域２１３まで延ばすことができる。発明者らは、基板１１０の縁部２０４を越えて電極（導電性メッシュ）１４０を延ばすことによって、より均一な電磁場が基板１１０の上方に生成され、これによって（上述のような）プラズマシースの屈曲を低減又は排除し、こうして基板１１０の不均一なエッチングを制限又は防止することができる。電極１４０は、上述のようにより均一な電磁場を提供するのに適した任意の距離（例えば、約１ｍｍ未満から数十ｍｍまで）、基板１１０の縁部を越えて延ばすことができる。いくつかの実施形態では、電極１４０は、プロセスキット１１３の下に延びることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
代替的に、又はこれと組み合わせて、いくつかの実施形態では、エッジリング１１１上に層２１５を配置することができる。層２１５は、存在する場合、基板１１０と同様の熱伝導率を有し、これによって基板１１０の縁部近傍でより均一な温度勾配を提供し、こうして処理の不均一性（例えば、上述の不均一性など）を更に低減することができる。層２１５は、特定の処理環境（例えば、エッチング環境）と互換性のある前述の熱伝導率を有する任意の材料を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、層２１５は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）又はドープされたダイヤモンド（例えば、ホウ素ドープダイヤモンドなど）などを含むことができる。層２１５がドープされた材料（例えば、ドープされたダイヤモンドなど）を含む実施形態では、本発明者らは、層２１５の導電性を制御するために、ドーパントの量を変えることができることを観察してきた。層２１５の導電性を制御することによって、（上述のように）より均一な電磁場が基板１１０の上方に生成され、これによってプラズマシースの屈曲の低減又は排除し、こうして基板１１０の不均一なエッチングを制限又は防止することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
いくつかの実施形態では、第２電源３０２が第２電極３０４に結合され、これによって第２電極３０４に電力を供給することができる。第２電源３０２は、ＲＦ電源又はＤＣ電源であることができる。第２電源３０２がＲＦ電源である実施形態では、第２電源３０２は、例えば、上述の電力及び周波数など、所望の処理を実行するために適した任意の周波数で任意のＲＦ電力量を供給することができる。第２電源３０２を設けることにより、本発明者らは、（例えば、上述した）基板１１０の上方により均一な電磁場を生成し、これによって（上述したように）プラズマシースの屈曲を低減又は排除し、こうして基板１１０の不均一なエッチングを低減又は防止することができることを発見した。