【事件の表示】
　平成　８年特許願第２５０３９０号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　４月１４日出願公開、特開平１０−　９８１００］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成８年９月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１０年１０月２６日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「層間層上にＷ（タングステン）層を形成する工程と、
　そのＷ層上にレジストを形成し、そのレジストにコンタクトホール／スルーホールパターンを形成する工程と、
　前記コンタクトホール／スルーホールパターンをマスクにして、反応性イオンエッチングによりＷ層上にホールを形成する工程と、
　前記レジストを除去する工程と、
　前記ホールを形成したＷ層をハードマスクとして、反応性イオンエッチングにより前記層間層を介して底部導体層まで、コンタクトホール／スルーホールを形成する工程と、
　前記コンタクトホール／スルーホール内にＴｉＮ／Ｔｉ層からなるプラグを埋め込む工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平５−１３５９３号公報（以下、「引用例２」という）には、
「【実施例】図１（Ａ）〜（Ｇ）に本発明の半導体装置の製造におけるコンタクトホールの形成のプロセスの実施例を示す。第１の工程（図１Ａ）では、デバイス層８上のパターニングされたアルミニウム、あるいはその合金等からなる下層金属配線９上にパシベーション膜等の絶縁膜１０（例えば通常のスパッタ法による酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜）を形成する。第２の工程（図１Ｂ）では、この絶縁膜１０上に耐熱性金属層１１として窒化チタン（ＴｉＮ：融点２９５０℃）を反応性スパッタ法により約１０００Åの膜厚に積層する。第３の工程（図１Ｃ）では、この耐熱性金属層１１上に所定の形状のフォトレジストマスク１２を形成する。第４の工程（図１Ｄ）では、塩素ガス（Ｃｌ２）を用いた通常の平行平板型反応性イオン・エッチング装置（ＲＩＥ）においてＴｉＮの異方性エッチング処理を行い、耐熱性金属層１１を選択的に除去した後、フォトレジストマスク１２を除去する。この時、下層金属配線９は絶縁膜１０に覆われ、その金属表面を露出していないため、下層金属配線の材質を考慮した特殊な有機溶剤を使用する必要がなく、熱硫酸を用いてフォトレジストマスク１２の除去ができる。第５の工程（図１Ｅ）では、エッチング処理された耐熱性金属層１１をエッチングマスクとして絶縁膜１０の異方性エッチング処理を行いコンタクトホール１３を形成する。この耐熱性金属層１１はコンタクトホール１３形成時のエッチングマスクとして使用した後、除去せず次の工程に入る。この工程で異方性エッチング処理はフッ化物系ガスをベースとした混合ガス（例えばＣＨＦ３とＣＦ４とＡｒの混合）を用いて通常のＲＩＥにて行う。この場合、ＴｉＮに対する被エッチング膜である絶縁膜１０のＳｉＯ２のエッチング選択性は約５０であり、ＴｉＮはエッチングマスク材料として十分である。さらに、高融点のため長時間のエッチングにも十分耐え変成、及び型崩れ等の障害もなく、またエッチングガスと反応してコンタクト内に反応性生物を形成することもない。第６の工程（図１Ｆ）では、耐熱性金属層１１、及び絶縁膜１０に通して形成されたコンタクトホール１３を含め耐熱性金属層１１上にアルミニウム、あるいはその合金等の通常のスパッタ法により上層配線用金属層１４を形成し、下層金属配線９とのコンタクトを設ける。」（【０００７】〜【００１４】）、
「尚、本発明の耐熱性金属層１１に用いる金属はＴｉＮの代わりにその他の高融点を有する金属を用いてもよく、それらにはチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、及びそれらの合金（ＴｉＷ）等がある。」（【００１７】）、
「【発明の効果】本発明によれば、コンタクトホールの形成時に耐熱性金属膜をエッチングマスクとして用いるため長時間のエッチングにも十分耐え変成、及び型崩れ等の障害もなく、またエッチングガスと反応してコンタクト内に反応性生物を形成せず、コンタクト抵抗を増す要因を低減できる。」（【００１８】）が、図１と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、
「デバイス層８上の下層金属配線９上に絶縁膜１０を形成する工程と、
　絶縁膜１０上に耐熱性金属層１１としてタングステン（Ｗ）を積層する工程と、
　耐熱性金属層１１上に所定の形状のフォトレジストマスク１２を形成する工程と、
　平行平板型反応性イオン・エッチング装置（ＲＩＥ）においてＷの異方性エッチング処理を行い、耐熱性金属層１１を選択的に除去した後、フォトレジストマスク１２を除去する工程と、
　エッチング処理された耐熱性金属層１１をエッチングマスクとして絶縁膜１０の異方性エッチング処理をＲＩＥにて行いコンタクトホール１３を形成する工程と、
　耐熱性金属層１１、及び絶縁膜１０に通して形成されたコンタクトホール１３を含め耐熱性金属層１１上にアルミニウム、あるいはその合金等の通常のスパッタ法により上層配線用金属層１４を形成し、下層金属配線９とのコンタクトを設ける工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例１記載の発明とを対比すると、本願第１発明の「層間層」、「レジスト」、「底部導体層」は、それぞれ引用例１に記載された発明の「絶縁膜１０」、「フォトレジスト」、「下層金属配線９」に相当する。
　そうすると、本願第１発明と、引用例２に記載された発明は、
「層間層上にＷ（タングステン）層を形成する工程と、
　そのＷ層上にレジストを形成し、そのレジストにコンタクトホール／スルーホールパターンを形成する工程と、
　前記コンタクトホール／スルーホールパターンをマスクにして、反応性イオンエッチングによりＷ層上にホールを形成する工程と、
　前記レジストを除去する工程と、
　前記ホールを形成したＷ層をハードマスクとして、反応性イオンエッチングにより前記層間層を介して底部導体層まで、コンタクトホール／スルーホールを形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、
　本願第１発明が「前記コンタクトホール／スルーホール内にＴｉＮ／Ｔｉ層からなるプラグを埋め込む工程」を有しているのに対して、引用例２に記載された発明は「耐熱性金属層１１、及び絶縁膜１０に通して形成されたコンタクトホール１３を含め耐熱性金属層１１上にアルミニウム、あるいはその合金等の通常のスパッタ法により上層配線用金属層１４を形成し、下層金属配線９とのコンタクトを設ける工程」を有している点において相違する。
　
４．当審の判断
　半導体装置において、下層の半導体領域あるいは配線ないしは電極（以下これらを被コンタクト部という）に対して上層配線をオーミックコンタクトする方法として、下層の被コンタクト部上に形成した絶縁膜に穿設したコンタクトホールにＴｉＮ／Ｔｉ埋め込みプラグを埋め込んで、この埋め込みプラグを介してそのコンタクトを行うという方法は、周知（例えば、特開平６−３４９７７４号公報を参照）である。
　従って、引用例２に記載された発明において、「耐熱性金属層１１、及び絶縁膜１０に通して形成されたコンタクトホール１３を含め耐熱性金属層１１上にアルミニウム、あるいはその合金等の通常のスパッタ法により上層配線用金属層１４を形成し、下層金属配線９とのコンタクトを設ける工程」に代えて、周知の「前記コンタクトホール／スルーホール内にＴｉＮ／Ｔｉ層からなるプラグを埋め込む工程」を採用することは、当業者が容易になし得たことであると認められる。
　また、本願第１発明が、前記引用例２に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
　なお、請求人は、審判請求理由補充書において、引用例２に記載された発明では、コンタクトホールを埋め込むのはスパッタ法により形成されたＡｌあるいはその合金であるから、アスペクト比の高いコンタクトホールの場合には、埋め込むのに困難を伴うのに対して、本願第１発明は、タングステンをＳｉＯ２のエッチングマスクとして用い、その結果生じたアスペクト比の高いスルーホールに抵抗の低い金属プラグを形成することを特徴としており、引用例２から本願第１発明を類推することはできないと主張する。
　しかしながら、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、層間層の材料も、スルーホールのアスペクト比も規定していないから、層間層の材料がＳｉＯ２であり、スルーホールのアスペクト比が高いということを前提とした請求人の前記主張は失当である。また、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、「コンタクトホール／スルーホール内にＴｉＮ／Ｔｉ層からなるプラグを埋め込む工程」をどのような方法で行うかを規定していないから、本願第１発明は、ＴｉＮ／Ｔｉ層の形成をスパッタ法で行う場合をも含むものと解される。しかしながら、ＴｉＮ／Ｔｉ層の形成をスパッタ法で行う場合には、アスペクト比の高いスルーホールを埋め込むに際して、引用例２に記載されたＡｌあるいはその合金をスパッタ法で埋め込む場合と同様の困難を伴うことは明らかである。してみると、本願第１発明が引用例２に記載された発明に比べて、アスペクト比の高いスルーホールの埋め込みにおいて顕著な効果を備えているとも必ずしもいうことはできない。
　従って、請求人の前記主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。