【事件の表示】
　特許第３４１９７５８号「基板の処理法」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４１９７５８号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３４１９７５８号の請求項１〜１０に係る発明は、平成１０年８月２７日（優先権主張：１９９７年９月１日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成１５年４月１８日にその特許権の設定登録がなされ、その後、湯口　保浩（以下、「異議申立人」という。）より特許異議の申立てがなされたものである。
　
ＩＩ．特許異議申立てについて
１．本件発明
　特許第３４１９７５８号の請求項１〜１０に係る発明（以下、「本件発明１〜１０」という。）は、その特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】基板が、少なくとも１つの容器内壁に設けられた誘導装置によって誘導され、かつ保持されるが、この場合、処理液が下から導入され、かつ容器縁部を通って排出される、１つの容器中で少なくとも１種の第一処理液及び第二処理液で順次、基板、殊に半導体ウェーハを処理する方法において、以下の処理工程：
ａ）空の容器の中への基板の装填、
ｂ）液体容器の充填のための液体容器の中への下からの第一処理液の導入、
ｃ）液体容器の中への下からの第二の処理溶液の導入による液体容器からの第一の処理液の排出
この場合、処理工程ｂ）及びｃ）は、更に、少なくとも１回以上繰り返され、第二の処理液は、処理工程ｂ）及びｃ）の繰り返しの前に、容器底部の流出開口部を介して排出され、第一の処理液もしくは第二の処理液は、清浄化液であり、第二の処理液もしくは第一の処理液は、エッチング液であり、処理工程ｂ）及びｃ）の繰り返しを、異なる処理液を用いて行うことを特徴とする、基板の処理法。
【請求項２】第一の処理液の排出のために第二の処理液を導入するまで、第一の処理液を、予め定めた時間、液体容器中に放置する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】基板を、第二の処理液から取り出す、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】第二の処理液から基板を取り出す間に、マランゴニの原理により乾燥工程を改善する液体を、第二の処理液の表面に誘導する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】第二の処理液を、容器容量の数倍に相応する量で導入する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】第二の処理液が洗浄液である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】基板を、容器中への装填の前に、少なくとも１つの別の容器中で処理する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】別の容器が、基板の入ったカセットを収容できるように設計されている、請求項７に記載の方法。
【請求項９】別の容器が、攻撃的な化学薬品、殊に熱時の燐酸又はフッ化水素酸に耐性の材料からなる、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】　処理すべき基板が半導体ウェーハであり、第一の処理液が希フッ化水素酸又はアンモニア酸、過酸化水素及び水からなる混合物である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。」
　
２．特許異議申立の概要
　異議申立人は、下記の証拠を提出して、本件発明１〜１０は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。
記
甲第１号証：特公平６−２６２１０号公報（以下、刊行物１という。）
甲第２号証：特開平７−４５５８０号公報（以下、刊行物２という。）
甲第３号証：特開昭６２−１９８１２６号公報（以下、刊行物３という。）
甲第４号証：特開平２−２９１１２８号公報（以下、刊行物４という。）
　
３．各刊行物の記載
（１）刊行物１
（１ａ）「産業上の利用分野　本発明はワーク例えばシリコンウェハ等の半導体基板を加工・洗浄など種々の処理槽内に搬送して種々の処理を行うウェット処理マシンに関する。」（２頁３欄３９〜４２行）
（１ｂ）「上記マシンは、５個の処理槽、すなわち第１，第２，第３，第４，第５処理槽１，２，３，４，５を大略一直線上に配置し」（３頁６欄４０〜４２行）
（１ｃ）「各搬送装置６，７が複数の上記半導体基板を収納したキャリア１４を把持して各処理槽１，２，３，４，５に対して該キャリア１４を搬入または搬出」（３頁６欄４８〜５０行）
　
（２）刊行物２
（２ａ）「すなわち、処理槽９には半導体ウエハ８が入れられる。この後、第１及び第４のバルブ１ａ、４ａがバルブ制御装置６によって開かれることにより、薬液混合装置５にはＨＦ及び純水（ＤＩＷ）がＨＦ供給ライン１及び純水供給ライン４から供給される。次に、前記薬液混合装置５においてＨＦ及び純水は混合され、この混合液は薬液供給ライン７により処理槽９に供給される。これにより、この処理槽９において、ＨＦは所定の濃度に調整され、前記半導体ウエハ８の表面の図示せぬ酸化膜はＨＦにより除去される。前記処理槽９は、供給された薬液等がオ−バ−フロ−されるように構成されている。・・・この後、第１の時間１１経過後、第１のバルブ１ａがバルブ制御装置６によって閉じられることにより、薬液混合装置５にはＨＦの供給が停止される。この結果、純水の薬液混合装置５への供給は続けられているため、第２の時間１２経過後には処理槽５におけるＨＦは完全になくなる。次に、第２及び第３のバルブ２ａ、３ａがバルブ制御装置６によって開かれることにより、薬液混合装置５にはＨＣｌ及びＨ２Ｏ２がＨＣｌ供給ライン２及びＨ２Ｏ２供給ライン３から供給される。この後、ＨＣｌ及びＨ２Ｏ２が混合された混合液は処理槽９に供給される。これにより、この処理槽９において、ＨＣｌ及びＨ２Ｏ２それぞれは所定の濃度に調整され、前記半導体ウエハ８の表面の図示せぬＣｕが除去される。・・・次に、第３の時間１３経過後、第２のバルブ２ａが閉じられ、処理槽９にはＨＣｌの供給が停止される。この後、第４の時間１４経過後、第３のバルブ３ａが閉じられ、処理槽９にはＨ２Ｏ２の供給が停止される。」（【０００５】〜【０００７】）
（２ｂ）「具体的には、このＨＦ濃度が徐々に低くなる際、薬液濃度測定機構３１を用いて、処理槽２９内のＨＦ濃度はモニタ−される。そして、前記ＨＦ濃度が１００ｐｐｍに達した時に、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３ａは制御装置２６によって開かれる。これにより、ＨＣｌ供給ライン２２及びＨ２Ｏ２供給ライン２３からＨＣｌ及びＨ２Ｏ２が薬液混合装置２５に供給される。この薬液混合装置２５において、ＨＣｌ及びＨ２Ｏ２が混合された混合液は処理槽２９に供給される。尚、前記薬液濃度測定機構３１は、例えばＨＦ濃度を測定する液体の抵抗値を測定し、この抵抗値と純水の比抵抗を用いることにより、ＨＦ濃度を導出する方法を使用している。」（【００２４】）
（２ｃ）「また、供給された薬液及び純水がオ−バ−フロ−されるように処理槽２９を構成することによって、一槽の処理槽２９で半導体ウエハの表面処理装置を形成しているが、複数の処理槽で半導体ウエハの表面処理装置を形成することにより、各工程毎に半導体ウエハを他の処理槽に入れ替える方法を用いることも可能である。」（【００３４】）
（２ｄ）図１，３には、ＨＦ、ＨＣｌ、Ｈ２Ｏ２、純水が処理槽の下から供給されることが図示され、図４には、（ＨＦ＋純水）、純水、（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋純水）、純水を順次供給するバルブ開閉操作と、処理時間と処理槽の薬液濃度の関係が図示されている。
　
（３）刊行物３
（３ａ）「所望時間の水洗が終了した段階で純粋の供給を止め前記遮蔽板１０を開け、ヒータ９により加熱され、ＩＰＡ８から発生したＩＰＡ蒸気を筒状容器１へ導入する。それと同時に排水管６を開放し、水洗槽４の水抜きを行う。」（２頁右下欄５〜９行）
（３ｂ）「水面上に現れたウエハ部から順次ＩＰＡ蒸気の凝縮が起こり、該ウエハ部の乾燥が行われる。凝縮したＩＰＡはウエハ１１の表面を流下し水中に溶解していく。ウエハ１１の全体が水面に出た後暫時経過すると、ウエハ１１全体の乾燥が達成されるものである。」（２頁右下欄１５〜２０行）
（３ｃ）図１には、ウエハ処理装置として、ウエハカートリッジに収納した半導体ウエハが水洗槽にセットされ、底面に排水管が設けられているものが図示されている。
　
（４）刊行物４
（４ａ）「本発明は基板を処理する方法に関し、液体を含むバスの中に基板をある時間浸し、その後そのバスに液体の全体の量が実際上残留するようにしてそこからゆっくりと取り出すものである。本発明は又そのような方法を実行する装置にも関する。」（２頁右上欄３〜７行）
（４ｂ）「明らかに基板上にはより少量の液体しか存在しない又は液体が全く存在しないような本発明の方法を使用した更に満足のいく乾燥方法は、マランゴニ（Marangoni)効果によって得られるものと考えられる。」（３頁左上欄８〜１２行）
　
４．対比・判断
（１）本件発明１について
　上記摘記事項（２ａ）(２ｂ)（２ｃ）には、処理槽に半導体ウエハが入れられ、ＨＦ及び純水が処理槽に供給され、ＨＦは所定の濃度に調整され、前記半導体ウエハの表面の酸化膜はＨＦにより除去され、前記処理槽は、上記摘記事項（２ａ）（２ｃ）には、供給された薬液及び純水がオ−バ−フロ−されるように処理槽が構成されていることが記載され、上記摘記事項（２ｄ）には、薬液等を処理槽の下から供給し、純水、Ｈ２Ｏ２、ＨＦ、ＨＣｌ及びＨ２Ｏ２を順次供給することが示されているので、上記摘記事項を総合すると、刊行物２には、「半導体ウエハが、処理槽に入れられ、薬液又は純水が下から供給され、オ−バ−フロ−されるように処理槽が構成され、（ＨＦ＋純水）、純水、（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋純水）、純水を順次供給する半導体ウエハの処理方法」（以下、刊行物２発明という。）が記載されているといえる。
　
　本件発明１と刊行物２発明とを対比すると、刊行物２発明の「半導体ウエハ」「処理槽」「半導体ウエハが・・・入れられ」「薬液又は純水が下から供給され」「オ−バ−フロ−されるように処理槽が構成され」「（ＨＦ＋純水）、純水、（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋純水）、純水を順次供給する」「純水」「半導体ウエハの処理方法」は、それぞれ、本件発明１の「基板」「容器」「基板が・・・誘導され」「処理液が下から導入され」「容器縁部を通って排出される」「第一処理液及び第二処理液で順次・・・処理する」「清浄化液」「基板の処理法」に相当し、刊行物２発明の（ＨＦ＋純水）及び（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋純水）が、本件発明１のエッチング液の相当するといえるので、両者は、「基板が、容器に誘導され、処理液が下から導入され、かつ容器縁部を通って排出される容器中で、第一処理液及び第二処理液で順次基板を処理する基板の処理法において、異なるエッチング液で、エッチング処理と清浄化処理を繰り返すもの」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
イ．第一処理液及び第二処理液で順次基板を処理する工程について、本件発明１では、第一の処理液を導入する工程と、第二の処理溶液の導入による液体容器からの第一の処理液の排出する工程を設け、該２つの工程が、少なくとも１回以上繰り返されるに際し、繰り返しの前に、第二の処理溶液を容器底部の流出開口部を介して排出するとされ、繰り返しを異なる処理液を用いて行うとされているのに対して、刊行物２発明においては、処理液の容器底部の流出開口部を介して排出は行わず連続して繰り返されている点。
ロ．本件発明１においては、基板が、少なくとも１つの容器内壁に設けられた誘導装置によって誘導され、かつ保持されるとされているのに対して、刊行物２発明ではその点明確でない点
　
　上記相違点について検討する。
　
相違点イについて
　刊行物１には、上記摘記事項（１ａ）に、ワーク例えばシリコンウェハ等の半導体基板を加工・洗浄など種々の処理槽内に搬送して種々の処理を行うことの記載はあるものの、半導体基板を収納したキャリアを把持して処理槽に対して該キャリアを搬入または搬出するものであり、処理液の容器底部の流出開口部を介して排出する点については記載も示唆もない。
　刊行物３には、上記摘記事項（３ａ）〜（３ｃ）に、半導体ウエハが水洗槽にセットされ、底面に排水管が設けられものにおいて、排水管を開放して水洗槽の水抜きを行うことについての記載はあるが、乾燥工程を行うためのものであり、刊行物２発明のように、連続的に純水が供給されているものに対して、繰り返し処理の間に適用することは、当業者が容易に想到しうるものとはいえない。
　刊行物４には、上記摘記事項（４ａ）（４ｂ）にマランゴニ効果を利用した乾燥方法についての記載はあるが、処理液の容器底部の流出開口部を介して排出する点については記載も示唆もない。
　
　よって、刊行物１〜４には、本件発明１での、第一の処理液を導入する工程と、第二の処理溶液の導入による液体容器からの第一の処理液の排出する工程を設け、該２つの工程は、少なくとも１回以上繰り返され、繰り返しの前に、第二の処理溶液を容器底部の流出開口部を介して排出する点については、何ら示唆されておらず、上記相違点イを当業者が容易に想到し得るものではない。
　そして、本件発明１は、上記した構成により明細書に記載された第一の処理液と第二の処理液との完全な交換を簡単迅速に行い、基板の均一処理を行うという刊行物１〜４の記載からは予測することのできない顕著な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明１は、上記相違点ロについて検討するまでもなく、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）本件発明２〜１０について
 　本件発明２〜１０は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに限定した発明であるから、上記４．（１）で述べたものと同じ理由により刊行物１〜４の記載から本件発明２を当業者が容易に想到し得るものではない。
　そして、本件発明２〜１０は、上記したものと同様な、刊行物１〜４の記載からは予測することのできない顕著な効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明２〜１０は、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
ＩＩＩ．むすび
 　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜１０についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１０についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年４月２７日（２００５．４．２７）