【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年12月26日(2014.12.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光学ポンプソースを有する第１の光学利得ファイバーを提供する工程、
シード信号の利得媒体を有するレーザー空洞中において、第１の側に第１ポートを含むＭのポート、および、第２の側に第２ポートと第３ポートを含むＮのポートを含み、Ｎは１以上の整数であり、Ｍは少なくとも１つの整数である第１のＭｘＮ方式の光スイッチを提供する工程、
ポンプ光を結合させる工程であって、レイジング出力が望まれない間にポンプ光が第２の側の第２のＮのポートに入り、第１の光スイッチを介して第１の側を出て利得媒体の第１の端部に入る工程、
レーザー空洞中の第１の光スイッチを開放することによって、第１の光学利得ファイバーを用いてＱスイッチパルスレーザーの一時的な形状を有するパルスシード信号を生成する工程であって、パルスシード信号は、誘導ブリユアン散乱（ＳＢＳ）を回避するのに充分なほどパルスシード信号をスペクトル的に広くする複数の縦のレイジングモードを有し、
前記光スイッチの開放はＱスイッチシード信号が発生する間にポンプ光をシード信号の前記利得媒体からの接続を切断し、第２の側のＭｘＮ方式の光スイッチの第３のポート内及びＱスイッチレイジング出力が望まれる時間帯に前記利得媒体の第１の終端内と第１の側端外のフィードバック光を接続するように光スイッチを切り替える工程、
第２の光学的ポンプソースを有する第２の光学的利得ファイバーを提供する工程、および、
少なくとも１ミリジュール（１ｍＪ）の電力を有する出力ビームパルスを得るために、前記第２の光学的利得ファイバー内でＱスイッチパルスレーザーシード信号を増幅する工程、
を含んでなる方法。
【請求項２】
前記第１のＭｘＮ方式の光スイッチは、少なくとも１つの電気的に制御されたＭｘＮのポート光スイッチを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レーザー空洞は、単一方向の光ファイバーリング空洞であり、前記Ｑスイッチパルスレーザーの一時的形状を有するパルスシード信号を生成する工程は、単一方向の光ファイバーリング空洞内で、シード信号を光学的に振幅変調する工程を含む、ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
レーザー空洞は、全ファイバー空洞であり、前記Ｑスイッチパルスレーザーの一時的形状を有するパルスシード信号を生成する工程は、全ファイバー空洞内で、光学スイッチでシード信号を光学的に振幅変調する工程を含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記Ｑスイッチパルスレーザーのシード信号を増幅させる工程は、少なくとも４ミリジュール（ｍＪ）の電力で出力ビームパルスを出力する工程を含む、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記シード信号は、ＳＢＳ問題を減らすために、少なくとも１テラヘルツの線幅を有する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
筐体を有する輸送手段を提供する工程、
電力を供給する工程、
前記電力を使用し、前記光学的ポンプソースを制御して、前記光学的ポンプソースに電力を供給する工程、および、
前記輸送手段に対する複数の異なる可能な方向の一つに前記出力ビームの出力方向を制御する工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
レイジング空洞、レイジング空洞中のＭｘＮ方式の光スイッチを有するＱスイッチシードレーザーと、光学的利得ファイバーとを備え、
前記光スイッチは第１の側に第１ポートを含むＭのポート、および、第２の側に第２ポートと第３ポートを含むＮのポートを含み、Ｎは１以上の整数であり、Ｍは少なくとも１つの整数であり、Ｑスイッチシードレーザーは更にレイジング空洞にポンプ光を供給するために結合された第１の光学的ポンプソースを含み、
シードレーザーは誘導ブリユアン散乱（ＳＢＳ）を防ぐのに十分なほどパルスシード信号をスペクトル的に広くする複数の縦のレーザーモードを有するＱスイッチパルスレーザーのシード信号を出力するために構成され、レイジング出力が望まれない間はポンプ光が第２の側の第２のＮのポートに入り、第１の光スイッチを介して第１の側の第１のポートを出てシード信号利得媒体の第１の端部に入ることでポンプ光と結合し、Ｑスイッチシード信号が発生している間にポンプ光をシード信号利得媒体からの接続を切断し、第２の側のＭｘＮ方式の光スイッチの第３のポート内及びＱスイッチレイジング出力が望まれない間にフィードバック光を接続し、
光学的利得ファイバーは第２の光学的ポンプソースを有し、前記Ｑスイッチシードレーザーからの光を受信するように動作可能に結合された光学的利得ファイバーであって、少なくとも１ミリジュール（１ｍＪ）の電力を有する出力ビームを得るために前記光学的利得ファイバーにおいてＱスイッチパルスレーザーのシード信号を増幅するように動作可能に構成されてなる、
ことを特徴とする装置。
【請求項９】
光スイッチは、一方向リング空洞内で信号を振幅変調するように動作可能に構成された光学的振幅変調素子を含む、ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記Ｑスイッチシードレーザーは、せいぜい６ｃｍ３の容積を有する単一のパッケージ内で実施される、ことを特徴とする請求項８または９に記載の装置。
【請求項１１】
出力ビームパルスは少なくとも４ミリジュールの電力を有する、ことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
ＳＢＳ問題を減らすために、シード信号は、少なくとも１テラヘルツ（ＴＨｚ）の線幅を有する請求項８乃至１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
筺体を有する輸送手段と、
前記輸送手段に取り付けられた電源と、
前記電源から電力を受け取るように動作可能に結合され、第１のポンプソースに動作可能に結合されたレーザー制御器と、
前記光学的利得ファイバーからの出力ビームを受け取るように動作可能に結合され、前記輸送手段に対する複数の異なる可能な方向のうちの１つに前記出力ビームを向けるように動作可能であるビーム方向制御器、とをさらに備えてなる、ことを特徴とする請求項８乃至１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
Ｑスイッチシードレーザーのシード信号利得媒体はレイジング空洞内に利得ファイバーを含み、第１のＭｘＮ方式の光スイッチは、レイジング空洞内のＱスイッチとして１ｘＮ方式の電気的に制御された光スイッチを含み、光スイッチは、第１の光学的ポンプソースから利得媒体への光を光学的に結合し、同時に空洞内での信号レイジングを阻止する第１の状態と、前記空洞内で信号レイジングを許す第２の状態を含む複数の状態を有する、ことを特徴とする請求項８乃至１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
Ｑシードパルスの前縁について、Ｑスイッチ・レーザーパルスの前縁の一時的な形状と実質的に一致する一時的な形状を有するＱシード信号パルスを出力するように構成された光源を有するパルスＱシードソース、および、
第２のポンプソースを有し、パルスＱシードソースに動作可能に結合された光学的利得ファイバーであって、少なくとも１ミリジュール（１ｍＪ）のエネルギーを有する出力ビームを得るために、光学的利得ファイバー内でＱシード信号パルスを増幅するように構成された光学的利得ファイバーを備え、
前記パルスＱシードソースがＱスイッチレーザーを含み、当該Ｑスイッチレーザーがレイジング空洞内の利得媒体と、光学的ポンプソースと、前記空洞内のＱスイッチとして１ｘＮの電気的に制御された光スイッチとを含み、前記光スイッチが光学的ポンプソースから前記利得媒体への光を光学的に結合し、同時に前記空洞内での信号レイジングを阻止する第１の状態と、前記空洞内で信号レイジングを許す第２の状態を含む、ことを特徴とする装置。
【請求項１６】
筐体を有する輸送手段、
前記輸送手段に取り付けられた電源、
前記電源から電力を受け取るように動作可能に結合され、前記第１のポンプソースに動力を供給し、かつ前記第１のポンプソースを制御するように動作可能に結合されたレーザー制御器、および
前記光学的利得ファイバーからの前記出力ビームを受け取るように動作可能に結合され、前記輸送手段に対する複数の異なる方向の１つに前記出力ビームを向けるように動作可能であるビーム方向制御器をさらに備える、ことを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
パルスＱシードソースは、電気的パルスによって駆動される半導体ダイオードレーザーを含み、当該電気的パルスが、半導体ダイオードレーザーに、Ｑスイッチ・レーザーパルスの前縁の一時的形状と実質的に一致するシードパルスの前縁を有するパルスを放射させる、ことを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項１８】
前記パルスＱシードソースは半導体ダイオードレーザーを含み、当該半導体レーザーダイオードが電気的パルスによって駆動される電気−光学変調素子（ＥＯＭ）を介して結合される連続波（ＣＷ）レーザー信号を出力し、前記電気的パルスが前記電気−光学変調素子に前記ＣＷレーザー信号から振幅変調されたパルスを放射させ、当該振幅変調されたパルスがＱスイッチ・レーザーパルスの前縁の一時的形状と実質的に一致するシードパルスの前縁を有する、ことを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項１９】
前記パルスＱシードソースは半導体ダイオードレーザーを含み、当該半導体レーザーが電気的パルスによって駆動される音響−光学変調器（ＡＯＭ）を介して結合されるＣＷレーザー信号を出力し、前記電気的パルスが前記音響−光学変調器に前記ＣＷレーザー信号から振幅変調されたパルスを放射させ、当該振幅変調されたパルスがＱスイッチ・レーザーパルスの前縁の一時的形状と実質的に一致するシードパルスの前縁を有する、ことを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項２０】
前記シード信号は、ＳＢＳ問題を減らすために、少なくとも１テラヘルツ（ＴＨｚ）の線幅を有する、ことを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項２１】
レイジング空洞内の利得媒体と、光学的ポンプソースと、前記空洞内のＱスイッチとして１ｘＮの電気的に制御された光スイッチとを含むＱスイッチレーザーを備える装置であって、光スイッチは空洞内の信号レイジングを阻止する間に光学的ポンプソースから利得媒体への光を光学的に結合する第１の状態と、ポンプ光が空洞内に入ることを阻止している間空洞内で信号レイジングを許す第２の状態を含む複数の状態を有することを特徴とする装置。
【請求項２２】
１ｘＮの光スイッチは、１ｘ２の電気的に制御された光スイッチである、ことを特徴とする請求項２１記載の装置。
【請求項２３】
１ｘＮの光スイッチは、１ｘ３の電気的に制御された光スイッチである、ことを特徴とする請求項２１記載の装置。
【請求項２４】
光学的ポンプソースを有する光学的利得ファイバーと、
Ｑスイッチパルスレーザーの一時的形状を有するシード信号を生成する手段と、
少なくとも１ミリジュール（１ｍＪ）の電力を有する出力ビームを得るために、前記光学的利得ファイバーにおける前記Ｑスイッチパルスレーザーシード信号を増幅する手段を備え、
シード信号を生成する手段は、該生成する手段が第１の光学結合状態であるとき光学利得ファイバー内の信号レイジングを阻止している間にポンプソースから利得媒体へのポンプ光を結合し、前記生成する手段が第２の光学結合状態であるときにポンプ光が光学利得ファイバーに入ることを阻止している間に光学利得ファイバーを介してレーザーフィードバック光を結合することによりＱスイッチパルスレーザーの一時的形状を有する
ことを特徴とする装置。
【請求項２５】
筐体を有する輸送手段と、
前記光学的ポンプソースを制御し、前記光学的ポンプソースに動力を供給する手段と、
前記輸送手段に対する複数の異なる可能な方向の１つに前記出力ビームの出力方向を制御する手段をさらに備える、ことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２６】
シード信号を生成する手段は、一方向リング空洞内で信号を光学的に振幅変調する手段を含む、ことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２７】
シード信号を生成する手段は、空洞内で信号を光学的に振幅変調する手段を含み、当該手段が、せいぜい６ｃｍ３の容積を有する単一のパッケージ内で実施される、ことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２８】
シード信号を生成する手段は、光学パルスを生成する手段を含み、当該手段が、せいぜい５０ナノ秒の全幅半値（ＦＷＨＭ）の持続時間を有する、ことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２９】
Ｑスイッチパルスレーザー信号を増幅する手段は、少なくとも４ｍＪの電力をもつ出力ビームパルスを出力する手段を有する、ことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項３０】
シード信号を生成する手段は、ＳＢＳ問題を減らすために、少なくとも１テラヘルツ（ＴＨｚ）の線幅をもつシード信号を生成する、ことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
現在の技術的水準にかかる況のファイバーレーザーおよびファイバー増幅器は、誘導ブリユアン散乱（ＳＢＳ）のような望まれない非線形効果を回避しながら、出力パルスが約１マイクロ秒以上の間続き、数ミリジュールのエネルギーを出力するくらいの非常に大きなパワーレベルにまでレーザーパルスを増幅させるのに困難を抱えている。ＳＢＳは、長いパルス持続時間（約５ナノ秒（ｎｓｅｃ）より長いパルス）、および非常に狭い線幅（比較的広い輝線幅を有するレーザー信号はＳＢＳの分解を引き起こしにくい）によって増幅する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
幾つかの実施形態では、本発明は、長持続レーザーパルスの高利得光ファイバー増幅における峻嶮なパルスを回避する、および／または補う、制御された高ダイナミックレンジ振幅を有するシードソースとしてＱスイッチレーザーを使用する装置、方法およびシステムを提供する。幾つかの実施形態では、出力は照明目的（例えば、画像取得のためにシーンを照射すること）のために使用される。幾つかの実施形態では、十分に制御されたパルス波形はダイナミックレンジ、長持続、および狭すぎない線幅を有して得られる。幾つかの実施形態では、利得媒体を有する光空洞においてＱスイッチを開放すると、増幅は比較的ゆっくりと高まり、そこでは利得媒体を通る各ラウンドトリップが光学パルスの振幅を増大させる。この構造は非常に幅の広いダイナミック（すなわち１つのラウンドトリップ後の非常に低い振幅、および光が再三に及んで利得媒体を通る時間に渡っての比較的ゆっくりで制御された増大）を有する光学パルスをもたらす。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
幾つかの実施形態では、本発明は、一方向性のリングの周りでの光の移動を強化するのを補助する光アイソレーター、シード信号の線幅を狭め制御するのを補助する帯域通過フィルター、シード信号を偏光するための偏光子および／または偏光保持ファイバー、一時的なパルス波形を制御するためのＱスイッチに連結されたＱスイッチドライバー、およびフィードバックとしてシード信号の一部をレーザーリングに連結させ、シード信号の別の一部を１つ以上の外部の光パワー増幅器に連結させる出力カプラ、などを含むＱスイッチリングシードレーザー構造において希土類元素をドープした（ＲＥ−ｄｏｐｅｄ）光学利得ファイバーを提供する。シード信号の高ダイナミックレンジおよび振幅制御は、さもなければ同一の１つ以上の外部の光パワー増幅器および主発器振電力増幅器（ＭＯＰＡ）構成における従来のシードパルスを使用して起こる峻嶮なパルスを回避するかまたは補う。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
幾つかの実施形態では、本発明は、以下に記載されている図１Ａ、図１Ｂ１、図１Ｂ２、図１Ｂ３、図１Ｃ１、図１Ｃ２、図１Ｄ１、図１Ｄ２、図１Ｅ１、図１Ｅ２、図１Ｅ３、図１Ｆ１、図１Ｆ２、図１Ｆ３、図１Ｇ１、１Ｇ２および図１Ｇ３に示されているような、Ｑスイッチレーザーからの「Ｑスイッチシード信号」を提供する。他の実施形態では、本発明は、以下に記載される図２Ａおよび図２Ｂに示されるような、シードパルス用のレイジングエネルギーを蓄積するためのラージコア利得ファイバーを使用する構成において、Ｑスイッチの代わりにパルスポンプされたスモールコア利得ファイバーを使用する準Ｑスイッチ（ｑｕａｓｉ−Ｑ−ｓｗｉｔｃｈ）レーザーからの「準Ｑスイッチシード信号」を提供する。また他の実施形態では、本発明は、Ｑスイッチ信号によく似た前縁を有するシードパルスを形成するために、後になって勾配を増大させる、非常にゆっくりと増加する前縁を有する高ダイナミックレンジのパルスを形成するための複数の光学振幅増幅変器を使用しながら、以下の図５Ａ、図５Ｂ、および図５Ｅに記載されるような装置を使用しながら、その出力を変調する従来のレーザーまたは制御された線幅の自然放射増幅光（ＡＳＥ）デバイスから「「Ｑ」状のシード信号（Ｑ−ｌｉｋｅ  ｓｅｅｄ  ｓｉｇｎａｌｓ）」を提供する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
幾つかの実施形態では、本発明の新規のシードソースは非常にコンパクトで、頑丈で、およびコスト効率が良い。幾つかの実施形態では、新規のシードソースには５ｎ秒以下の短いパルスを生成する能力がある。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチシードソースは、そのＱスイッチとして固体増幅器を使用する。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチシード信号は、パワー増幅段を含む、ファイバー増幅段において峻嶮なパルスを招かない。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチシード信号は誘導ブリユアン散乱（ＳＢＳ）または変調不安定性を招かない。幾つかの実施形態では、本発明は、最小のスペクトルの広幅化を伴う共伝搬（ｃｏ−ｐｒｏｐａｇａｔｉｎｇ）ポンピングスキームを使用する。幾つかの実施形態では、その線幅はスペックルを最小化するように調整される。幾つかの実施形態では、その線幅は照明器検出器システムの検出サブシステムにおいて使用される波長フィルターと一致するように調整される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
峻嶮なパルスが生じず、したがって、パルスの線幅が減少しないことにより、本発明は
狭帯域増幅にとって重要である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
幾つかの実施形態では、本発明は、Ｑスイッチレーザー空洞からシードパルスを提供する。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチレーザー空洞はリングレーザーとして構成され、その一方で、他の実施形態では、リニア・レーザー構造が使用される。Ｑスイッチレーザー空洞のＱスイッチが開かれる（例えば、完全閉鎖から、完全開放まで）場合、空洞における信号の強度は、空洞の長さに関連づけられる時間に依存する（利得媒体を介した各ラウンドトリップによって、空洞に格納されたエネルギーが消耗されるまで、パルス強度が増加し、したがって、空洞の長さ及び／又は少なくとも部分的な幾何学的特徴が、一時的なパルス波形を制御する）。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチレーザー空洞のＱスイッチは、シードパルスの一時的な波形に対する追加の制御を達成するために一時的に形成されたパルス（例えば傾斜したパルス）によって駆動される。幾つかの実施形態では、シード信号パルスのレーザービームを発する波長および線幅を、誘導ブリユアン散乱（ＳＢＳ）を防止するのに充分信号パルスがスペクトル的に広くなるように制御するために、バンドパス波長フィルターは、Ｑスイッチレーザー空洞の中で使用される。加えて、Ｑスイッチシードパルスは、複数の縦のレーザービームを発するモードを有する。当該モードはシードパルスを、ＳＢＳを防止するのに充分にスペクトル的に広くする。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
図１Ｂ１は、本発明のいくつかの実施形態によって、増幅されたパルス（９８）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅されるシードパルス（９１）を出力するＱスイッチ・リングレーザーシードソース（１２０）を含むサブシステム（１０２）のブロック図である。幾つかの実施形態では、サブシステム（１０２）は、パルス出力ビーム（９８）によって照射されるシーンから画像情報を得る撮像デバイス（本明細書に示されない）を含む画像収集システムなどのより大きなシステムの一部である。幾つかの実施形態では、サブシステム（１０２）は希土類ドープファイバー増幅器（ＲＥＤＦＡ）（１２１）を含む。これは、（半導体レーザーダイオードのような）ポンプ・レーザー（１２８）によって光学的にポンピングされる。幾つかの実施形態では、ＲＥＤＦＡ  （１２１）は偏光維持エルビウムドープファイバー増幅器（ＥＤＦＡ）（部品番号Ｅｒ−２５−０５−ＰＭ、カナダ、Ｇ２Ｃ  １Ｓ９  ケベック州  スイート１２１  ジャン−ぺリン  ２７００のＣｏｒａｃｔｉｖｅ社などより入手可能）と、ポンプ・アンド・信号・光マルチプレクサー（ＯＭＵＸ）１８９（部品番号ＰＭＷＤＭ−ＥＤＦＡ−１−１−２−１−０、アメリカ合衆国  ０７８４０ニュージャージー州  ハケットタウン  スイート１０１  ニューバーグ  ロード  ４３−ＡのＭｉｃｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ社から入手利用可能）を含む。幾つかの実施形態では、ポンプ・レーザー（１２８）は、出力がサブシステム（１０２）に供給される限り、実質的に連続的なベースで（すなわち、ポンプ光出力はＣＷである）、ポンプ光がＲＥＤＦＡに適用されるように、直流電流によって駆動された１つ以上の連続的な波（ＣＷ）のレーザーダイオード（アメリカ合衆国、９５０３５カリフォルニア州、ミルピータス、マッカーシー  ブールバード  ４３０ＮのＪＤＳ  Ｕｎｉｐｈａｓｅ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能な、カタログ番号３０−７６０２−５６０の５６０ｍＷ  ９７６ｎｍの波長のポンプ・ダイオードなど）を含み、他の実施形態において、ポンプ・レーザー（１２８）はパルス電流によって駆動され、その結果、シードパルスが必要とされる（例えばとして要求された方式で）直前にポンプ光がＲＥＤＦＡ（１２１）に適用される。幾つかの実施形態では、ＲＥＤＦＡ（１２１）から信号出力は、一方向の光アイソレーター（１２２）（光アイソレータ（１２２）は単一方向（この図では時計回り）でのみ信号光が移動することを保証するのを助ける）、波長帯域フィルター（１２３）（波長帯域フィルター（１２３）は信号光波長および線幅を設定するのを助ける）、および偏光子（１２４）（偏光子（１２４）はより良好な信号ビームの品質を得るために信号光を極性化するのを助ける）を通り抜ける。他の実施形態では、ＲＥＤＦＡ（１２１）およびポンプ・レーザー（１２８）は、エレクトロニクスおよびドライバ（いくつかの実施形態では、アメリカ合衆国、９５０３５カリフォルニア州、ミルピータス、グレート  モール  ドライブ  １３２３のＬｉｇｈｔｗａｖｅ２０２０社から入手可能な、部品番号ＭＯＡＰＧ２０ＮＱＡ１２４３９などのＭＳＡ  Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｌｏｗ  Ｃｏｓｔプレアンプリファイア  ＥＤＦＡ（利得ブロック）で実施される。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
図１Ｃ１は、小型及び／又はモジュール化されたＱスイッチレーザシードソース（１３０）を含むサブシステム（１０３）の概略図で、当該Ｑスイッチレーザシードソース（１３０）は本発明のいくつかの実施形態によって、増幅されたパルス（９８）を出力する光増幅器（１１２）によって増幅されるシード・パルス（９１）を出力する。幾つかの実施形態では、利得媒体および１つのミラーを有する光学利得手段（１３１）は共にパッケージされる（例えば、複数の電気的リード（１３３）（導電性のピンまたは表面実装のはんだ付け可能なコネクションであって、デバイス（１３１）に電力および制御信号を提供し、そして随意に、デバイス（１３１）から、レーザー光パワー、温度などの出力診断信号）および１以上の光学的出力（１３２）（例えば、光ファイバー・ピグテールまたは他のオプティカルカプラであって、右方に伝播する出力信号および左方に伝播するフィードバック信号の両方を運ぶ）。幾つかの実施形態では、光学的出力（１３２）は、Ｑスイッチとして作用し、光学的に出力カプラ（１３６）に接続される変調器（１３４）（すなわち、デバイス（１３１）の最も近いパッケージの外側にある光学変調素子）に光学的に接続される（変調器（１３４）の背後から信号の制御された所定の波長および線幅の部分を反射することにより、光学フィルター機能を提供するファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）など、この変調器がデバイス（１３１）の利得媒体に対して「オープン」（信号光に透過的）であれば、そのときＱスイッチシード・信号レイジングモードを制御する）に接続される。出力カプラ（１３６）は、またシード・信号（９１）として信号の一部を送信し、その後、増幅器チェーン（１１２）によって増幅され、出力信号（９８）として出力される。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
図１Ｄ１は、フラットパックでパッケージされた半導体レーザーベースのＱスイッチレーザシードソース（１４０）を含んでいるサブシステム（１０４）の概略図であり、本発明のいくつかの実施形態によって、Ｑスイッチレーザシードソース（１４０）は、増幅されたパルス（９８）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅されるシード・パルス（９１）を出力する。幾つかの実施形態において、サブシステム１０４は、Ｑスイッチレーザー・シード（１４０）の光学的要素が実質的にすべて、当該含まれた要素に電気的及び光学的接続性を提供する単一のパッケージ内若しくは単一のパッケージ上にパッケージされることを除いて、図１Ｃ１のサブシステム（１０３）に機能上実質的に類似している。幾つかの実施形態において、Ｑスイッチレーザー・シードソース（１４０）（例えば、幾つかの実施形態において、これは、複数の電気的なリード（１４３）（導電性のピンまたは表面実装のはんだ付可能なコネクションであって、光学利得デバイス（１４１）及び／又はＱスイッチドライバー（１４７）に電力及び／又は制御信号を供給し（図１Ｄ２を参照）、及び、随意に、前記デバイス（１４１）若しくはＱスイッチレーザーシードソース（１４０）の他の要素からのレーザー光パワー、温度などの出力診断信号を随意に出力する）を有する「バタフライ」パッケージである）は、利得媒体と一つのミラーを有するデバイス（１４１）を含む。幾つかの実施形態において、光学利得デバイス（１４１）から光出力は、Ｑスイッチとして作用し、出力カプラ（１４６）（デバイス（１４１）の利得媒体に対して後の信号の制御された所定の波長および線幅の部分の反射によって、光学フィルター機能を提供するファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）などであって、ついでＱスイッチシード・信号レイジングモードを制御する）に光学的に接続された内部変調器（１４５）（すなわち、Ｑスイッチレーザー・シードソース（１４０）のパッケージに対して内部の光学変調素子）に光学的に接続される。出力カプラ（１４６）は、またファイバー（７１）におけるシード信号（９１）としてレンズ（１４２）および随意の出力・フェルール（１４９）を通して信号の一部を送信し、その後、それは増幅器チェーン（１１２）によって増幅され、信号（９８）として出力される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
図１Ｅ１はサブシステム（１０５）の概略図であり、当該サブシステム（１０５）は、本発明のいくつかの実施形態によって、増幅されたパルス（９８）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅されるシード・パルス（９１）を出力する、フラットパックパッケージされた希土類元素ドープ・レーザーに基づいたＱスイッチレーザー・シードソース（１５０）を含む。幾つかの実施形態では、上記サブシステムのうちの電気的にポンピングされた半導体レーザーダイオード利得媒体（１４１）又は（１３１）は、光学的にポンピングされた希土類元素ドープ光導波路（ＲＥＤＯＷ）の面状利得媒体（１５１）によって置換され、当該面状利得媒体（１５１）が、いくつかの実施形態において、半導体ダイオード・ポンプ・レーザー（１５８）によって光学的にポンピングされ、当該半導体ダイオード・ポンプ・レーザー（１５８）が、ダイクロイックミラー（１５３）によってＲＥＤＯＷ利得媒体（１５１）に結合されることを除いて、サブシステム（１０５）は、図１Ｃ１のサブシステム（１０３）と図１Ｄ１のサブシステム（１０４）の機能と、幾分類似している。幾つかの実施形態では、本明細書に示されるように、光信号波長はダイクロイックミラー（１５３）によって送信され、ポンプ波長は、ダイクロイックミラー（１５３）によって反射される（他の実施形態では、Ｑスイッチ（１５５）およびその高い反射率（ＨＲ）のミラー並びにポンプ・レーザー（１５８）の位置は交換される。また、その場合、光信号波長はダイクロイックミラー（１５３）によって反射され、ポンプ波長はダイクロイックミラー（１５３）によって送信される。より高いパワー信号パルスが反射され、ダイクロイックミラー（１５３）によって移動しないので、そのような形態は、ダイクロイックミラー（１５３）への損傷の可能性を低減する。また、低パワーポンプ・レーザービームはダイクロイックミラー（１５３）を介して送信される。
幾つかの実施形態では、フィルター及び出力カプラ（１５６）は、レイジングフィードバックのために信号光の所定の波長と線幅の部分を反射し、レンズ（１５２）及びシード信号としてのファイバー結合フェルール（１５９）を介してシード信号ファイバー（７１）に送信する。従って、Ｑスイッチ（１５５）が充分に透過的になると、レイジング空洞が、左側のＨＲミラー（１５４）と右方への出力カプラ（１５６）の間で形成され、光学的にポンピングされた利得媒体（１５１）が光学的利得を提供している。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチレーザ・シード・ソース（１５０）の光学的要素は、単一のパッケージ内若しくはパッケージ上で、パッケージ化され、当該パッケージは、含まれる要素との電気的および光学的接続性を提供している。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
図１Ｅ２は、本発明のいくつかの実施形態によって、増幅されたパルス（９８）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅されるシード・パルス（９１）を出力するＱスイッチレーザ・シード・ソース（１５０）を含んでいるサブシステム（１０５）のブロック図である。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチレーザー・シードソース（１５０）（例えば、幾つかの実施形態では、これは、複数の電気的リード（導電性のピンまたは表面実装のハンダ付け可能なコネクションであって、ポンプ・ダイオードレーザー（１５８）及び／又はＱスイッチドライバー（１５７）への電力及び／又は制御信号を供給し、Ｑスイッチレーザー・シード（１５０）のポンプ・ダイオードレーザー（１５８）または他の要素から、随意に、レーザー光パワー、温度などの診断信号（本明細書では示されない）を出力する）を有する「バタフライ」パッケージに存在する）は、光学的にポンピングされる利得媒体を含んでおり（例えば、面状のガラス又はシリコン基板上（又は基板中）に形成された希土類元素ドープ）、当該光学的にポンピングされる利得媒体は、ポンプ・レーザー・ダイオード（１５８）からの光を使用して、光学的にポンピングされる。幾つかの実施形態では、光利得デバイス（１５１）は、その光導波路の各終端にレンズまたは他の集光要素（例えば、ＧＲＩＮ（屈折率勾配）集光要素）を含んでいる。幾つかの実施形態では、光利得媒体（１５１）からの光出力は、Ｑスイッチとして機能し、（光学利得媒体（１５１）への戻り信号の所定の制御された波長および線幅の部分を反射することにより、光学フィルター機能を提供し、その後、それはＱスイッチシード・信号レイジングモードを制御するファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）のような）出力カプラ（１５６）によって反対側の端部で結合されたレーザー光空洞の左端を形成する光学的にＨＲミラー（１５４）に結合される、内部電気的にポンピングされる半導体ダイオード光増幅器（１５５）（すなわち、Ｑスイッチレーザー・シードソース（１５０）のパッケージに対して内部の光増幅器）にダイクロイックミラー（１５３）を介して１つの終端で光学的に結合される。光増幅器（１５５）に充分な電力が供給される場合、光増幅器（１５５）は信号波長の光に対して透過的になるか、あるいは信号波長の光を増幅し、及びＱスイッチは「オン」であるが、不充分な電力が印加されるか、或いは電力が加えられない場合、光増幅器（１５５）は信号波長の光を吸収するようになり、及びＱスイッチは「オフ」である。出力カプラ（１５６）は、ファイバー（７１）におけるシード信号（９１）としてレンズ（１５２）および随意の出力フェルール（１５９）を介して信号の一部を送信する。当該シード信号（９１）は、その後、増幅器チェーン（１１２）によって増幅され、信号（９８）として出力する。他の実施形態では、マッハ−チェンダー（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）デバイスなどが、Ｑスイッチユニットとして半導体光増幅器（１５５）の代わりに使用される。いくつかの実施形態（図示せず）では、Ｑスイッチドライバー（１５７）は、チップ（Ｑスイッチレーザ・シード・ソース（１５０）の光学要素用の筐体にはないパッケージにおいて）によって実施される。幾つかの実施形態において（図示せず）、レンズ（１５２）およびフェルール（１５９）は省略され、フィードバック要素グレーティング（１５６）（例えば、幾つかの実施形態において、ファイバーブラッググレーティングを使用して実施される）の出力は、シードソース（１５０）のパッケージから延びるファイバー・ピグテール（７１）に直接接続される。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
図１Ｆ１は、サブシステム（１０６）の概略図であり、本発明のいくつかの実施形態によって、増幅されたパルス（９８）を出力する高電力増幅器（１１２）によって、増幅されたシードパルス（９１）を出力する希土類元素でドープされたレーザーに基づくＱスイッチリングレーザーシードソース（１６０）がパッケージされたフラットパックを含む。幾つかの実施形態では、リングレーザーシードソース（１６０）は、複数の信号・リフレクタを含み（信号波長の光の高反射性のミラー（１６１０）及び／又は（１６１１）、信号波長の光を反射し、及びポンプ波長の光を伝送するダイクロイックミラー（１６３）、及び信号波長の光を部分的に反射し、かつ部分的に伝送する出力カプラ・ビームスプリッター（１６４））、リング光信号経路を形成する。リング光信号経路では、信号波長は、光学的ポンプド利得媒体（１６１）（いくつかの実施形態においては、図１Ｅ１の利得媒体（１５１）に実質的に似ている）によって増幅され、ダイクロイックミラー（１６３）（当該ダイロイックミラーは光学的ポンプド利得媒体（１６１）中に反伝播方向でポンプ・レーザー（１６８）の光を伝送する）から反射する。いくつかの実施形態では、信号光は、またＱスイッチ（１６５）およびＦＩＰ（組み合わせられたフィルター・アイソレーター・偏光子）光学エレメント（１６６）（いくつかの実施形態では、ＦＩＰ光学エレメント（１６６）は、信号の波長の光のためのフィルター及び／又はアイソレーター及び／又は偏光子を含む）によって選択的に通過する。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチ（１６５）が開く場合、単一方向での、およびＦＩＰ光学要素（１６６）によって測定される波長および線幅（随意に偏光する）で、レイジングが開始する。幾つかの実施形態において、リング信号経路への様々な成分は、他の脚体（例えば、幾つかの実施形態では、ＦＩＰ光学エレメント（１６６）は、光増幅器（１６１）（ダイクロイックミラー（１６３）とミラー（１６１０）の間の左の脚体、またはミラー（１６１０）と、以下に述べられた図１Ｆ２で示されるような出力カプラ（１６４）の間の最下段脚体で）の後に位置し、増幅された信号がリングレーザーシードソース（１６０）を出る前記光増幅器（１６１１）からの増幅された信号をさらに除去するために、出力カプラ（１６４）に増幅された信号が到達する前に。位置づけられる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
図１Ｆ２は本発明の幾つかの実施形態によるサブシステム（１０６）のブロック図であり、当該サブシステム（１０６）は、増幅されたパルスを出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅されるシードパルス（９１）を出力するＱスイッチリングレーザーシードソース（１６０）を含む。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチリングレーザーシードソース（１６０）（例えば、幾つかの実施形態において、これは複数の電気的なリードを有する「バタフライ」パッケージ（導電性のピンまたは表面実装のはんだ付け可能なコネクションであって、ポンプ・ダイオードレーザー（１６８）および／またはＱスイッチドライバー（１６７）に電力および／または制御信号を提供し、そして随意にポンプ・ダイオード（１６８）またはＱスイッチレーザーシードソース（１６０）の他の要素から、レーザー光パワー、温度などの診断信号（図示されない）を出力する）でパッケージされる）は、光学的にポンピングされた光学利得媒体（例えば面状のガラスまたはシリコン基板上に（または基板中に）形成された希土類ドープ導波路）を有する光学利得デバイス（１６１）を含んでおり、当該光学的にポンピングされる利得媒体は、ポンプレーザーダイオード（１６８）からの光を使用して光学的にポンピングされる。幾つかの実施形態では、光学利得デバイス（１６１）はその光導波路の各終端にレンズまたは他の集光要素（例えばＧＲＩＮ集光要素）を含んでいる。幾つかの実施形態では、光学利得媒体（１６１）からの光出力は、Ｑスイッチとして機能し、光学要素（１６６）（幾つかの実施形態では、レイジング信号の、および／またはレイジングをリングの周りで一方向にするアイソレーターの、および／またはレイジング信号を偏光する偏光子の、波長および線幅を決定する帯フィルター）を介してＨＲミラー（１６１０）から反射するように、出力カプラミラー（１６４）（部分的に反射性であり、部分的に透過性なミラー）に光学的に結合される、内部の光学振幅変調器（１６５）（幾つかの実施形態では、Ｑスイッチレーザーシードソース（１６０）のパッケージに対する内部の半導体光増幅器）を介してダイクロイックミラー（１６３）に単一方向（この図内では反時計回り）へ反射するように、１つの終端で光学的に結合され、反射した部分はフィードバック信号を利得要素（１６１）へ向ける別のＨＲミラーに、図１Ｆ２の右上角で、結合される。この光学信号経路はリングレーザー光共振器を形成し、その後、それはＱスイッチシード信号レイジングモードを制御する。出力カプラ（１６４）はまた、ファイバー（７１）におけるシード信号（９１）としてレンズ（１６２）および随意の出力フェルール（１６９）を通して信号の一部を送信し、その後、それは増幅器チェーン（１１２）によって増幅され、信号（９８）として出力される。幾つかの実施形態（図示されない）では、Ｑスイッチドライバー（１６７）は、（Ｑスイッチレーザシードソース（１６０）の光学要素用の筐体にないパッケージ中の）チップから実施される。幾つかの実施形態（図示されない）では、レンズ（１６２）およびフェルール（１６９）は省略される。また、フィルター−アイソレーター−偏光子（１６６）の出力（例えば、幾つかの実施形態ではファイバーブラッググレーティングを使用して実施された）はファイバーピグテール（７１）に直接接続され、シードソース（１６０）のパッケージから伸びる。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
図１Ｆ３は代替サブシステム（１０６’）のブロック図であり、それはＱスイッチレーザーシードソース（１６０’）を含んでおり、当該Ｑスイッチレーザーシードソース（１６０’）は、Ｑスイッチとして光学的にポンピングされた面状導波路光増幅器（１６５’）を使用し、シードパルス（９１）を出力する。当該シードパルス（９１）は本発明の幾つかの実施形態によって増幅されたパルス（９８）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅される。幾つかの実施形態では、サブシステム（１０６’）は、Ｑスイッチとして作用する電気的にポンピングされた半導体ダイオード光増幅器（１６５）が、光学的にポンピングされた面状導波路光増幅器（１６５’）およびその半導体レーザーダイオードＱスイッチポンプソース（１６８’）と置換されること、そしてリングにおける幾つかの光学要素の幾何学的特徴および位置が変わったことを除いて、前述の図１Ｆ２のサブシステム（１０６）と実質的に類似している。幾つかの実施形態では、信号ポンプダイオード（１６８）は、信号利得要素（１６５）（幾つかの実施形態では、信号利得要素（１６５）は、１つの表面中に、または表面上に形成される希土類元素ドープした信号増幅導波路を有する面状基板を含む）の中へ、ダイクロイックミラー（１６３’）によって反射されるレーザーポンプ光を提供する。その一方で信号光は、信号Ｑスイッチ要素（１６５’）の中へダイクロイックミラー（１６３’）を介して送達される。光増幅器（１６５’）に（充分な電気的信号がＱスイッチドライバー回路（１６７’）から供給される場合に限りポンプ光を出力する）Ｑスイッチポンプソース（１６８’）から充分な光学ポンプ光が供給される場合、光増幅器（１６５’）は信号の波長に対して透過的になる、及び／又は増幅し、Ｑスイッチは「オン」である。しかし、不充分な光学的ポンプ光またはポンプ光が適用されない場合、光増幅器（１６５’）は信号の波長の光を吸収し、Ｑスイッチは「オフ」である。Ｑスイッチが「オフ」である場合、信号ポンプダイオード（１６８）からのエネルギーは、信号増幅光学利得媒体（１６５）における希土類元素のドーパントのイオンに格納される。その後、Ｑスイッチが「オン」にされる場合、レイジングは、ＦＩＰ光学要素（１６６）によって決定されるような信号の波長、線幅、方向および偏光で始まり、光学利得媒体（１６５）に格納されたエネルギーの多くはシード信号パルス（９１）として出力される。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチ・面状導波路光増幅器（１６５’）は、充分なＱスイッチ・ポンプ光が供給されなければ、約１５５０ｎｍの信号光を吸収するＴｍ（ツリウム）のような希土類元素でドープされる（例えば半導体レーザーダイオード（１６８’）によって供給される約７８０ｎｍの光、および、信号増幅器面状導波路光増幅器（１６５）は、Ｅｒ（エルビウム）でドープされるか、またはＹｂＥｒ（イッテルビウムとエルビウム）で共ドープされ、そのポンプ光が半導体レーザーダイオードで供給される場合、それは約１５５０ｎｍの信号光を増幅する）。他の実施形態では、信号光利得チップ（１６５）用の希土類元素ドーパントは、Ｑスイッチシードパルスの特定の所望のレーザー光線を発する波長に選択される。幾つかの実施形態では、Ｙｂ３＋は、９８０〜１１００ｎｍ（１０６０ｎｍのような）の領域中の様々な信号の波長でレーザー光線を発するためのガラス利得媒体（例えば、面状導波路光増幅器（１６５）用の平面基板、または増幅器チェーン（１１２）用のガラスファイバーまたは、ロッド）においてドーパントとして使用される；Ｅｒ３＋、Ｎｄ３＋およびＰｒ３＋は他の波長領域のために使用され、一般に３０ｎｍまたは５０ｎｍもの同調領域を各々有し得る。幾つかの実施形態（図示せず）では、Ｑスイッチドライバー（１６７’）は、（Ｑスイッチレーザーシードソース（１６０’）の光学要素用の筐体中にないパッケージ中の）チップから実施される。幾つかの実施形態（図示せず）では、レンズ（１６２）およびフェルール（１６９）は省略される。また、フィルター−アイソレーター−偏光子（１６６）（例えば、幾つかの実施形態では、ファイバーブラッググレーティングを使用して実施される）の出力はファイバーピグテール（７１）に直接接続し、シードソース（１６０’）のパッケージから伸びる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
図１Ｇ１は本明細書の幾つかの実施形態によるサブシステム（１０７１）の概略図であり、当該サブシステム（１０７１）は増幅されたパルス（９８）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅されるシードパルス（９１）を出力する、フラットパックパケージされた希土類元素ドープしたレーザーベースのＱスイッチリングレーザーシードソース（１７０）を含んでいる。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチシードパルスリングレーザー（１７０）における信号光は、（図１Ｆ１のサブシステム（１０６）において使用される自由空間伝搬およびミラーよりもむしろ）様々な光学要素を相互に接続する光ファイバーを使用して運ばれる。他の実施形態では、Ｑスイッチリングレーザーシードソース（１７０）における信号光は、Ｑスイッチシードパルスリングレーザー（１７０）の様々な光学要素を相互に接続する（グラスまたはシリコン基板上に形成された）面状導波路を使用して運ばれる。幾つかの実施形態では、リングレーザーシードソース（１７０）は、複数の曲がった導波路（光ファイバー導波路または面状導波路）、光学利得導波路（１７１）からの信号の波長の光をＱスイッチ（１７５）へ向かって送達する波長分割マルチプレクサー（ＷＤＭ）（１７３）を含み、その後、当該Ｑスイッチは信号光を光学要素（１７６）（例えば、幾つかの実施形態では、光学要素（１７６）はフィルター、アイソレーターおよび偏光子を含んでいる）に選択的に通す。ＷＤＭ（１７３）はまた、光学利得導波路（１７１）中へポンプレーザー（１７８）からのポンプ波長の光を送達する。幾つかの実施形態では、光学要素（１７６）は、信号光を出力カプラ・ビームスプリッター（１７４）に通し、当該出力カプラ・ビームスプリッターは、フィードバックとして信号の波長の光の一部を光学利得導波路に送達し、出力シードパルスとして信号の波長の光の残部を送達する。これらの光学要素はリングレーザー光学信号経路を形成する。リング光学信号経路において、信号の波長は光学的にポンピングされた利得媒体（１７１）（幾つかの実施形態では、図１Ｅ２の利得媒体（１５１）と実質的に類似している）と遭遇し、当該利得媒体（１７１）によって増幅され、Ｑスイッチ（１７５）へ向かって（光学的にポンピングされた利得媒体（１７１）中へ反伝搬方向でポンプ・レーザー（１７８）の光を送達する）ＷＤＭ（１７３）によって送達される。幾つかの実施形態では、その後、信号光は、Ｑスイッチ（１７５）を介して、ＦＩＰ光学要素（１７６）（幾つかの実施形態では、ＦＩＰ光学要素（１７６）は、信号の波長の光用のフィルター及び／又はアイソレーター及び／又は偏光子を含んでいる）を選択的に通り、当該Ｑスイッチ（１７５）はＱスイッチドライバー（１７７）によって制御される。幾つかの実施形態では、Ｑスイッチが開放する場合、レイジングはＦＩＰ光学要素（１７６）によって決定される単一の方向で、そして波長および線幅（および随意に偏光子）で開始する。幾つかの実施形態では、リングレーザーシードソース（１７０）のリング信号経路における様々な要素は、異なる順序で配列されるか、またはリングの他の脚に移される。幾つかの実施形態では、リングレーザーシードソース（１７０）は、複数のはんだ付けできる、または、ソケットにはめられる（ｓｏｃｋｅｔａｂｌｅ）電気的コネクタを有する電子パッケージに取り付けられ、それはまた、増幅器チェーン（１１２）に直接接続される光ファイバーピグテール（７２）を含んでいる。出力カプラ（１７４）に直接接続される光ファイバーピグテール（７２）と、光学結合フェルール（１７９）（幾つかの実施形態では、より容易に再構成されるように接続を切ることができる）を介して接続され、そしてその中へシードソース（１７０）の自由空間レーザー出力信号がレンズ（１７２）を使用して集光されなければならない図１Ｆ１の光ファイバー（７１）と、の間の差異を留意されたい。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
その後、ＬＰＡ（２１５）からの低電力の増幅された信号は、ＦＩＰ光学要素（２１６）（それは幾つかの実施形態では信号光の波長及び線幅をフィルターにかけ、信号光を一方向分離し、及び／又は偏光する）を通り、およびＨＰＡ（２１１）に入る。幾つかの実施形態では、ＨＰＡ（２１１）は、ラージコア、少なくとも４０ミクロンのモードエリア直径を有するラージ・モード・エリア・ファイバー（例えば連続波（ＣＷ）のポンピングされた光ファイバーまたはロッド）として実施され、一方でＬＰＡ（２１５）はスモールコア、２５ミクロンに過ぎないモードエリア直径のスモールモードエリアファイバーとして実施される。幾つかの実施形態では、ＬＰＡ（２１５）のより小さなモードエリア直径はＨＰＡ（２１１）からのＡＳＥフィードバックを抑止するように作用する。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
図２Ｂは本発明の幾つかの実施形態によるサブシステム（２０２）のブロック図であり、当該サブシステム（２０２）は、増幅された準Ｑスイッチパルス（９４）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅されるシードパルス（９０）を出力する準Ｑスイッチリニアレーザーシードソース（２２０）を含んでいる。幾つかの実施形態では、シードソース（２２０）のレーザー共振器は、１つの端部の高反射率ファイバーブラッググレーティング（ＨＲＦＢＧ）（２２３）と、反対側の端部の低反射率ファイバーブラッググレーティング（ＬＲＦＢＧ）出力カプラ（２２４）（それは部分的に信号の一部を反射し、向けられた信号の一部を通す）の間で形成される。幾つかの実施形態では、シードソース（２２０）は比較的高電力の光学的にポンピングされた光増幅器（ＨＰＡ）（２２１）を含んでおり、それはポンプ波長レーザーダイオード（１１８）の複数からのポンプ・レーザー光を使用してポンピングされ（幾つかの実施形態では、サブシステム（２０２）が動作中のときポンプ・レーザーが実質的に常にオンである場合、ＣＷポンピングされる）、当該ポンプレーザーダイオード（１１８）は光ファイバー（１１４）を使用して光学的にポンピングされた光増幅器（２２１）に光学的に接続される。光学的にポンピングされた光増幅器（２２１）の１つの端部からの増幅された出力は、光ファイバーによって出力カプラ（２２４）に接続され、空洞がレーザー光線を発する場合、準Ｑスイッチ光学シードパルス（９０）は光ファイバーピグテール（７２）を介して光増幅器チェーン（１１２）に運ばれ、当該光増幅器チェーン（１１２）は増幅された出力パルス（９４）を形成するためにシードパルス（９０）を増幅する。幾つかの実施形態では、（図の右に向かって出力カプラ（２２４）に入る）光の一部は、ＨＰＡ（２２１）を介してフィードバック信号として後ろに反射され、当該ＨＰＡ（２２１）はそれを増幅し、フィルター（２２６）を介して信号光を比較的低電力の光学的にポンピングされた光増幅器（ＬＰＡ）（２２５）に通す。光増幅器（ＬＰＡ）（２２５）は、ＬＰＡ（２２５）が供給されるポンプ光でない場合には（すなわち、準Ｑスイッチが「オフ」の場合には）リングにおけるレイジングを防ぐために充分な量の信号光を吸収し、一方で、その後、準Ｑスイッチドライバー（２２７）が準Ｑスイッチポンプダイオード（２２８）に電力を供給する場合には空洞における信号光を増幅することで準Ｑスイッチとして作動し、今度は当該準Ｑスイッチポンプダイオード（２２８）が、光ポンピングを、光ファイバーを介して、ＬＰＡ（２２５）に供給する。その後、当該ＬＰＡ（２２５）は信号光を両方向に、吸収するのではなくむしろ、増幅する−最初は、ファイバーブラッググレーティングが合わせられる波長および線幅を有する信号光を反射する、ＨＲＦＢＧに向かって、そしてその後フィルター（２２６）の後方に向かって。幾つかの実施形態では、フィルター（２２６）はまた、さもなければＨＰＡ（２２１）（図の左側に移動する信号光）からＬＰＡ（２２５）へ、およびＬＰＡ（２２５）（図への右側に移動する信号光）からＨＰＡ（２２１）へ、通る増幅された自然放出光（ＡＳＥ）を取り除くのを補助するためにフィルタリングする波長および線幅バンドパスを提供する。幾つかの実施形態では、フィルター（２２６）によって提供されるＡＳＥフィルタリングは、それが、ＬＰＡ（２２５）における利得ファイバーをブリーチ（ｂｌｅａｃｈ）し得る、ＨＰＡ（２２１）からＬＰＡ（２２５）に入る特定のＡＳＥ波長を減らすので、準Ｑスイッチスモールコア増幅器（ＬＰＡ２２５）の性能を上げる。幾つかの実施形態では、光学要素（２２３）、（２２５）、（２２６）、（２２１）、（２２４）の１つ以上及び／又は、それらを互いに接続する光ファイバーは、準Ｑスイッチ出力シード信号（９０）が偏光されるように、偏光要素又は偏光維持（ＰＭ）要素である。その後、ＬＰＡ（２２５）からの低出力で、２度増幅された（左側の方向に１度増幅され、右側の方向に２度目に増幅された）信号は、フィルター（２２６）（幾つかの実施形態では、それは信号光の波長と線幅を偏光する、及び／又はフィルターする）を通って、ＨＰＡ（２２１）へ入る。幾つかの実施形態では、ＨＰＡ（２２１）は、ラージコア、少なくとも４０ミクロンのモードエリア直径を有するラージモードエリアファイバー（例えば連続波（ＣＷ）のポンピングされた光ファイバーまたはロッド）として実施され、一方で、ＬＰＡ（２２５）はスモールコアモードエリア直径が２５ミクロンに過ぎないスモールモードエリアファイバーとして実施される。幾つかの実施形態では、ＬＰＡ（２２５）のより小さなモードエリア直径はさらにＨＰＡ（２２１）からのＡＳＥフィードバックを抑止するために作用する。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
図３Ａは、サブシステム（３０１）のブロック図であり、当該サブシステム（３０１）は、グラフ化されたプロット（８３）に示される増幅したパルス（９３）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅される（グラフ化されたプロット（８２）に示される）傾斜シードパルス（９２）を出力する、従来通りに変調した傾斜パルスレーザーシードソース（５０）を含んでいる。幾つかの実施形態では、シードソース（５０）は、従来通りに形成された（例えば、レーザーへのパワー入力の変調によって、あるいは、約０の振幅で開始し経時的にシードパルス（９２）を形成するために増加する強度を有するシードパルスを得るためにレーザーからのレーザービーム出力の変調によって（グラフ化されたプロット（８２）はパルス（９２）についての強度対時間を示している））傾斜シードパルスを出力する分布帰還型レーザー（ＤＦＢＬ）を含む。シードパルス（９２）は増幅器チェーン（１１２）に接続される（幾つかの実施形態では、増幅器チェーン（１１２）は、３つの連続的に接続している光ファイバー利得段を含む（すなわち、第１段の増幅された出力信号は第２段に入力信号として接続され、第２段の増幅された出力信号は第３段に入力信号として接続され、第３段の増幅された出力信号は、出力信号（９３）である（グラフ化されたプロット（８３）はパルス（９３）についての強度対時間を示している））。好適なダイナミックレンジ（すなわち、最初の立ち上がりエッジを充分ゆっくり立ち上がらせる）を得る際の困難さにより、シードパルスは峻険なパルスを経験し、そこではパルスの最初の部分が非常に増幅され、パルスの非常に小さな最初の部分にとって過度のピークパワー（それは利得ファイバー及び／又は信号パルスの非線形な広がりに損害を与える）をもたらすが、最終的に増幅器チェーン（１１２）からの理想よりも低い総エネルギー抽出をもたらす（スペクトルの広がりは（あまり増幅されない波長を有する）利得媒体の利得帯域を超えて伸びるパルスの線幅の大部分をもたらし、これは利得媒体がパルスのそれらの波長を増幅できないことを意味する−その後、エネルギー抽出は「クランプされる」と言われる）。さらに、従来のＤＦＢＬソースは、狭い線幅を有するレーザー信号を出力し、それは、本発明にとって所望の高パワーまで増幅される場合に、誘導ブリユアン散乱（ＳＢＳ）問題をもたらし、しばしばファイバー増幅器及び／又はシードソースへの破滅的な損害に帰結する。またさらに、非常に高ピークパワーレベルで、ビームは自己集束作用（ｓｅｌｆ−ｆｏｃｕｓｉｎｇ  ｂｅｈａｖｉｏｒ）をまたしばしば経験し、これもまたファイバー増幅器への破滅的な損害に帰結する。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
図３Ｄは本発明の幾つかの実施形態による２つの信号（図３Ｃの増幅器チェーン（１１２）についての入力Ｑスイッチシードパルスおよび出力増幅パルス）の詳細なグラフ（３０４）であり、当該グラフは、図３ＣのＱスイッチシードパルス（９１）の強度対時間を示すプロット（８１）、および図３Ｃの増幅されたパルス（９８）の強度対時間を示すプロット（８８）を含む。見ることができるように、増幅出力パルスは、峻険なパルスを回避し、高エネルギー抽出を獲得しながら、シードパルスの基本的な一時的な形状を保存する。（最初のパルスの線幅が過度に狭くないので、ＳＢＳ問題は回避され、（エネルギー抽出に関連した）高ピークパワーが回避されるため、非線形のスペクトルの幅の広がりが回避される。このため増幅器チェーンの利得帯域幅の内にパルスの線幅を維持し、また、エネルギー抽出はこのように増加される。）
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
図５Ａは本発明の幾つかの実施形態によるサブシステム（５０１）の概略図であり、当該サブシステム（５０１）は、増幅されたパルス（５９８）を出力する高電力増幅器（１１２）によって増幅される「Ｑ」状のシードパルス（５９１）（すなわち、Ｑスイッチレーザーからのパルスの一時的な形状に類似する一時的な形状を有するパルスであり、幾つかの実施形態では、当該パルスは、Ｑスイッチレーザーによって得られる線幅と類似した、広いスペクトルの線幅を有する）を出力する、レーザーおよび直列／並列変調器結合（直列／並列「Ｑ」状のシードパルス発生器と呼ばれる）（５１０）を含んでいる。幾つかの実施形態では、直列／並列「Ｑ」状のシードパルス発生器（５１０）は、広帯域レーザーデバイス（５１１）を含んでおり、その動作（例えば、パワーレベル、温度など）はシステム制御装置（５２７９）によって制御され、シード−入力スプリッター（５２４）に接続されＣＷレーザー信号（５１２）を出力する（幾つかの実施形態では、ノイズアベレージャー（５４０）を通った後で）。図５Ａの文脈では、ＣＷレーザー信号は、ある期間に渡って（例えば、幾つかの実施形態では、安定したレーザー動作を得るために、１秒以上、さらに恐らく１５分以上）略一定の強度（すなわち、所与の振幅ノイズの量を除いて略一定である）を有するレーザー信号であり、それは最後の「Ｑ」状のシード信号（幾つかの実施形態では、それは１０００マイクロ秒に過ぎない、および恐らく１０マイクロ秒に過ぎないＦＷＨＭの持続時間を有する）の長さと比較して非常に長い。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
図５Ａのサブシステム（５０１）の他の実施形態中では（図５Ｂのサブシステム（５０２）、および図５Ｆのサブシステム（５０６）の他の幾つかの実施形態についても同様に）、デバイス（５１１）は広帯域レーザーを使用するのではなく、代わりに、「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＮＧ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＤ−ＬＩＮＥＷＩＤＴＨ  ＬＡＳＥＲ−ＳＥＥＤ−ＳＩＧＮＡＬＳ  ＦＯＲ  ＨＩＧＨ−ＰＯＷＥＲＥＤ  ＦＩＢＥＲ−ＬＡＳＥＲ  ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ  ＳＹＳＴＥＭＳ」と題する２００９年５月２６日にエリック  シー．ホネアらに発行された米国特許第７，５３９，２３１号（参照によって本明細書に組み入れられている）に記載されているような、制御された線幅の増幅した自然放出光（ＡＳＥ）デバイスを使用する。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
幾つかの実施形態では、デバイス（５１１）からの信号（幾つかの実施形態では、図５Ａで示されるような広帯域の半導体レーザーまたは光導波路ベースのレーザー、あるいは、他の実施形態では、その代わりに使用される、制御された線幅ＡＳＥソースまたはスライス−チャープレーザーから（上述の米国特許第７，５３９，２３１号または米国特許第７，７０１，９８７号においてより完全に記載されているように））は好ましくない量の振幅ノイズ（すなわち強度またはパワーにおける短期間の変化）を有するだろう。幾つかの実施形態では、前記ノイズは、ノイズアベレージャー（５４０）によって減少され、当該ノイズアベレージャー（５４０）は、信号を複数の部分に分けて、その後、各々の部分を異なる量の時間遅らせ（例えば、各々の部分を面状の光学デバイスの異なる長さの表面波線路、または異なる長さの光ファイバーに通すことによって）、そしてその後、互いに遅れた部分を再結合する（混合する）。例えば、入力信号（５１２）が３２の部分に分けられるとすれば、その各々は異なるインクリメントな量で遅らされ、その後、他の部分と再結合させられ、結果として生じる平均化された信号（５１２’）は入力信号（５１２）の３２ポイントの移動平均であると見られるかもしれない。幾つかの実施形態では、ノイズアベレージャー（５４０）はシード−ミキシングスプリッターを含んでおり、それは、デバイス（５１１）からの信号（５１２）を複数の部分（例えば、様々な実施形態では、２，４，８，１６，３２、６４、または１２８、あるいは他の適切な数の部分）に分割し、そこで各々の部分はその各々の光ファイバー（または面状導波路）経路（５４２）〜経路（５４４）を通り、複数の経路の１つずつが異なる長さ（図５Ａに示される複数の経路（５４２）〜経路（５４４）の描写によって表わされ、そこでは直線経路（５４２）が最も短く、深く曲った経路（５４４）が最も長く、および様々な中間の長さを有する複数の他の異なる長さの経路もまた提供される）を有する。複数の経路（５４２）〜（５４４）からの光は、その後、減少したノイズの平均化した信号（５１２’）を形成するために、シード−ミキシングコンバイナー（５４９）によって互いに再結合される。これらの信号の描写は、さらに以下に記述されている図５Ｃに示される。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０５】
さらに、図５Ａの「Ｑ」状のシードパルス（５９１）、図５Ｂの「Ｑ」状のシードパルス（５９２）、又は図５Ｆの「Ｑ」状のシードパルス（５９６）のスペクトル成分（波長および線幅、並びに、いくつかの実施形態において、チャープ（時間の経過に伴う波長の変化−以下のパラグラフ参照））は、パルスの一時的な形状に対する調節（制御器（５２７０）およびドライバ（５２７１）、（５２７２）、．．．（５２７３）の制御下で）とは無関係に、（デバイス（５１１）（システム制御器（５２７９）に制御されるとおりによって制御される）及び／又は広帯域のレーザー（図５Ａで示されるとおり）、制御された線幅ＡＳＥソース、またはデバイス（５１１）のための光源としてのスライスド・チャープド（ｓｌｉｃｅｄ−ｃｈｉｒｐｅｄ）レーザーパルスの間の選択によって）調節され得る。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１７】
前記方法のいくつかの実施形態において、シード信号はＳＢＳの課題を低減するために１ＴＨｚ以上の線幅を有する。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２５】
幾つかの実施形態では、パルスＱシードソースは、電子的に制御される振幅変調器を介して結合される制御された線幅のＡＳＥ信号を出力する制御された線幅のＡＳＥ信号ソースを含み、当該制御された線幅のＡＳＥ信号は、Ｑスイッチ状に振幅変調されたエンベロープを当該制御された線幅のＡＳＥ信号に課し、当該エンベロープはＱスイッチ・レーザーパルスの前縁の一時的な形状と実質的に一致するＱシードパルスの前縁を形成する。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２６】
いくつかの実施形態において、ＳＢＳの課題を低減するためにシード信号は少なくとも１テラヘルツ（ＴＨｚ）の線幅を有する。いくつかの実施形態において、ＳＢＳの課題を低減するためにシード信号は少なくとも１００ギガヘルツ（ＧＨｚ）の線幅を有する。いくつかの実施形態において、ＳＢＳの課題を低減するためにシード信号は少なくとも１０ＴＨｚの線幅を有する。いくつかの実施形態において、ＳＢＳの課題をほぼ低減するためにシード信号は少なくとも１００ＴＨｚの線幅を有する。いくつかの実施形態において、ＳＢＳの課題を低減するためにシード信号は少なくとも０．１ナノメータ（ｎｍ）の線幅を有する。いくつかの実施形態において、ＳＢＳの課題を低減するためにシード信号は少なくとも０．２ｎｍの線幅を有する。いくつかの実施形態において、ＳＢＳの課題を低減するためにシード信号は少なくとも０．４ｎｍの線幅を有する。いくつかの実施形態では、ＳＢＳの問題を低減するためにシード信号は少なくとも０．６ｎｍの線幅を有する。いくつかの実施形態では、ＳＢＳの問題を低減するためにシード信号は少なくとも０．８ｎｍの線幅を有する。いくかの実施形態では、ＳＢＳの問題を低減するためにシード信号は少なくとも１ｎｍの線幅を有する。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３０】
前記装置のいくつかの実施形態では、ＳＢＳの問題を低減するためにシード信号は少なくとも１テラヘルツ（ＴＨｚ）の線幅を有する。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３６】
装置のいくつかの実施形態では、ＳＢＳの問題を低減するためにシード信号には少なくとも１テラヘルツ（ＴＨｚ）のビーム強度の全幅半値（ＦＷＨＭ）線幅を有する。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４２】
前記装置のいくつかの実施形態において、ＳＢＳの問題を低減するために、シード信号は少なくとも１テラヘルツ（ＴＨｚ）のビーム強度全幅半値（ＦＷＨＭ）線幅を有する。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５０】
前記装置のいくつかの実施形態では、シード信号を生成するための手段は、ＳＢＳの問題を低減するために少なくとも１テラヘルツ（ＴＨｚ）の線幅を備えたシード信号を生成する。