【手続補正書】
【提出日】平成27年3月10日(2015.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペースト組成物が、
（ｉ）無機固体部分であって、
（ａ）導電性金属の源と；
（ｂ）鉛−テルルベースの酸化物と；
（ｃ）ディスクリート添加剤であって、（ｃ）（ｉ）Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＡｌ、ならびにそれらの混合物からなる群から選択される金属元素の酸化物、（ｃ）（ｉｉ）加熱するとそのような酸化物を形成することができる化合物、または（ｃ）（ｉｉｉ）それらの（ｃ）（ｉ）と（ｃ）（ｉｉ）との混合物、であるディスクリート添加剤と、を含む無機固体部分と；
（ｉｉ）有機ビヒクルと、を混合状態で含み、
前記無機固体部分が、全ペースト組成物の８５〜９５重量％を構成し、
前記導電性金属の源が、前記無機固体部分の９５〜９９重量％を構成し、
鉛およびテルルの組み合わせが、前記鉛−テルルベースの酸化物中の前記カチオンの少なくとも６０％存在し、および
前記鉛−テルルベースの酸化物中の鉛のカチオン百分率対テルルのカチオン百分率の比が、３５：６５〜６５：３５の範囲である、ペースト組成物。
【請求項２】
全ペースト組成物を基準として、０．０１〜５重量％の前記ディスクリート添加剤を含む、請求項１に記載のペースト組成物。
【請求項３】
０．５〜５重量％の前記鉛−テルルベースの酸化物を含む、請求項１または２に記載のペースト組成物。
【請求項４】
前記鉛−テルルベースの酸化物が、７０〜９５カチオンパーセントの鉛およびテルルを含む、請求項１〜３のいずれかに記載のペースト組成物。
【請求項５】
前記導電性金属がＡｇを含む、請求項１〜４のいずれかに記載のペースト組成物
【請求項６】
導電性構造体を基材上に形成する方法であって、前記方法が、
（ａ）第１主面を有するとともに前記第１主面上に存在する絶縁層を含む基材を提供する工程であって、前記絶縁層が、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、ＳｉＮｘ：Ｈ、酸化ケイ素、または酸化ケイ素／酸化チタンを含む少なくとも１つの層である、工程と；
（ｂ）請求項１〜５のいずれかに記載のペースト組成物を、前記第１主面の前記絶縁層上へ適用する工程と；
（ｃ）前記基材およびその上のペースト組成物を焼成することによって、前記導電性構造体が前記基材上に形成される工程と
を含む方法。
【請求項７】
基材とその上の導電性構造体とを含む物品であって、前記物品が請求項６に記載の方法によって形成されたものである物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
１０  ｐ型基材
１２  基材１０の第１主面（前面）
１４  基材１０の第２主面（裏面）
２０  ｎ型拡散層
３０  絶縁層
４０  ｐ＋層
６０  裏面上に形成されたアルミニウムペースト
６１  アルミニウム裏面電極（裏面アルミニウムペーストを焼成することによって得られた）
７０  裏面上に形成された銀または銀／アルミニウムペースト
７１  銀または銀／アルミニウム裏面電極（裏面ペーストを焼成することによって得られた）
５００  本発明による前面上に形成された銀ペースト
５０１  本発明による銀前面電極（前面銀ペーストを焼成することによって形成された）
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
［１］（ａ）導電性金属の源と；
（ｂ）鉛−テルルベースの酸化物と；
（ｃ）（ｉ）Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＡｌ、ならびにそれらの混合物からなる群から選択される金属元素の酸化物、（ｉｉ）加熱するとそのような酸化物を形成することができる化合物、または（ｉｉｉ）それらの（ｉ）と（ｉｉ）との混合物、であるディスクリート添加剤と；
（ｄ）有機ビヒクルと
を混合状態で含むペースト組成物。
［２］全ペースト組成物を基準として、０．０１〜５重量％の前記ディスクリート添加剤を含む、前記１に記載のペースト組成物。
［３］全ペースト組成物を基準として、０．０１〜２．５重量％の前記ディスクリート添加剤を含む、前記２に記載のペースト組成物。
［４］全ペースト組成物を基準として、０．０１〜１重量％の前記ディスクリート添加剤を含む、前記３に記載のペースト組成物。
［５］前記金属元素が、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、またはそれらの混合物からなる群から選択される、前記４に記載のペースト組成物。
［６］前記ディスクリート添加剤が、加熱すると分解して接着促進元素の酸化物を形成することができる有機もしくは無機化合物である、前記１に記載のペースト組成物。
［７］前記ディスクリート添加剤が前記金属元素の酸化物である、前記１に記載のペースト組成物。
［８］前記鉛−テルルベースの酸化物中の鉛のカチオン百分率対テルルのカチオン百分率の比が５：９５〜９５：５の範囲である、前記１に記載ペースト組成物。
［９］前記比が３５：６５〜６５：３５の範囲である、前記８に記載のペースト組成物。
［１０］０．５〜１０重量％の前記鉛−テルルベースの酸化物を含む、前記１に記載のペースト組成物。
［１１］前記鉛−テルルベースの酸化物が、７０〜９５カチオンパーセントの鉛およびテルルを含む、前記１に記載のペースト組成物。
［１２］前記鉛−テルルベースの酸化物が、Ｌｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｐ、Ｙ、Ｌａおよび他のランタニド元素、ならびにそれらの混合物の酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物をさらに含む、前記１に記載のペースト組成物。
［１３］酸素アニオンの１０アニオンパーセント以下が、ハロゲンアニオンによって置き換えられている、前記１に記載のペースト組成物。
［１４］前記酸素アニオンの一部がフッ素アニオンで置き換えられている、前記１３に記載のペースト組成物。
［１５］前記導電性金属の前記源が導電性金属粉末である、前記１に記載のペースト組成物。
［１６］前記導電性金属がＡｇを含む、前記１に記載のペースト組成物
［１７］前記Ａｇが、前記組成物中に７５〜９９．５重量％の固形分を占める、前記１６に記載のペースト組成物。
［１８］導電性構造体を基材上に形成する方法であって、前記方法が、
（ａ）第１主面を有する基材を提供する工程と；
（ｂ）ペースト組成物を、前記第１主面のあらかじめ選択された部分上へ適用する工程であって、前記ペースト組成物が、
ｉ）導電性金属の源と、
ｉｉ）鉛−テルルベースの酸化物と、
ｉｉｉ）（Ａ）Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＡｌ、ならびにそれらの混合物からなる群から選択される金属元素の酸化物、（Ｂ）加熱するとそのような酸化物を形成することができる化合物、または（Ｃ）それらの混合物（Ａ）および（Ｂ）であるディスクリート添加剤と、
ｉｖ）有機ビヒクルと
を混合状態で含む、工程と；
（ｃ）前記基材およびその上のペースト組成物を焼成することによって、前記導電性構造体が前記基材上に形成される工程と
を含む方法。
［１９］前記１に記載のペースト組成物が、全ペースト組成物を基準として、０．０１〜５重量％の前記ディスクリート添加剤を含む、前記１８に記載の方法。
［２０］導電性金属の前記源が銀粉末である、前記１８に記載の方法。
［２１］前記基材が、少なくとも前記第１主面上に存在する絶縁層を含み、前記ペースト組成物が、前記第１主面の前記絶縁層上へ適用され、かつ前記絶縁層が、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、ＳｉＮｘ：Ｈ、酸化ケイ素、または酸化ケイ素／酸化チタンを含む少なくとも１つの層である、前記１８に記載の方法。
［２２］前記絶縁層が窒化ケイ素またはＳｉＮｘ：Ｈを含む、前記２１に記載の方法。
［２３］前記絶縁層が貫通され、かつ、前記導電性金属が前記焼成中に焼結されることによって、電気接触が前記導電性金属と前記基材との間に形成される、前記２１に記載の方法。
［２４］基材とその上の導電性構造体とを含む物品であって、前記物品が前記１８に記載の方法によって形成されたものである物品。
［２５］前記基材がシリコンウエハーである、前記２４に記載の物品。
［２６］前記物品が半導体デバイスを含む、前記２４に記載の物品。
［２７］前記物品が光起電力セルを含む、前記２６に記載の物品。