【事件の表示】
　特願２００９−５２５９２０号「発熱体」拒絶査定不服審判事件〔２００８年３月６日国際公開、ＷＯ２００８／０２５３４８号、平成２２年１月２１日国内公表、特表２０１０−５０１９８８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、２００７年８月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年９月１日、（ＤＥ）ドイツ国）を国際出願とする出願であって、平成２４年１２月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２５年４月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　その後、当審において、平成２５年１２月２６日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、平成２６年５月１３日に意見書が提出されるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜６に係る発明は、平成２６年５月１３日の手続補正により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「ＰＴＣ特性を有するセラミック本体（１）と、
　前記セラミック本体（１）に配置された電極（２，３）とを含んでなる発熱体であって、
　前記セラミック本体（１）と前記電極（２，３）は無鉛であり、
　前記セラミック本体（１）はＳｒＴｉＯ3を含み、さらにＢａＴｉＯ3を５０〜８５％、ＣａＴｉＯ3を３〜１５％およびＳｉＯ2を１〜２％の範囲で含み、
　前記電極（２，３）はそれぞれ、アルミニウム、クロムまたは亜鉛含有層からなる内側接点層（２ａ，３ａ）、ニッケル層からなる拡散封止層（２ｂ，３ｂ）および銀層または銀含有層からなる外側接点層（２ｃ，３ｃ）からなる多層体を有している、
発熱体。」
　
３．引用文献
　
　これに対して、当審で通知した拒絶理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である
特開平１０−１２４０４号公報（以下「引用文献１」という。）、
国際公開２００６／０６８０８２号（以下「引用文献２」という。）、
特開平１０−１５４６０４号公報（以下「引用文献３」という。）、
特開平１１−２９７５０４号公報（以下「引用文献４」という。）及び
特開平１１−３４５７０４号公報（以下「引用文献５」という。）には、
それぞれ以下の事項が記載されている。
　
［引用文献１について］
（１ａ）「【請求項１】ＰＴＣセラミック基板の上面又は下面の一部に形成された内部電極と、前記ＰＴＣセラミック基板の前記上面又は前記下面の他部分に前記ＰＴＣセラミック基板と同一組成でかつ一体に形成された絶縁層と、を備えた前記ＰＴＣセラミック基板が積層され、前記内部電極が、積層された前記ＰＴＣセラミック基板の両側面に形成された側部電極を介して、積層された前記ＰＴＣセラミック基板の最上面及び最下面に形成された対向電極と並列に接続されていることを特徴とする積層型ＰＴＣサーミスタ。」
（１ｂ）「【請求項２】前記内部電極と前記側部電極と前記対向電極のいずれか１つ以上が、銀、亜鉛、アルミニウムのいずれか１つからなることを特徴とする請求項１に記載の積層型ＰＴＣサーミスタ。」
（１ｃ）「【００１４】ＰＴＣセラミック基板としては、ＢａＴｉＯ3系の半導体セラミックが用いられる。」
（１ｄ）「【００３４】【実施例】純度９９％以上のＢａＣＯ3０．８３モルと、純度９９％以上のＴｉＯ2１．０１モルと、純度９９％以上のＳｒＣＯ3０．０１モルと、純度９９％以上のＣａＣＯ3０．１６モルと、純度９５％以上のＳｉＯ2０．０３モルと、純度９９％のＭｎＣＯ3０．０００７モルと、純度９９％以上のＹ2Ｏ3０．００２２モルを精密天秤にて秤量し、ポットミル内でジルコニアボールを用いて２４時間〜４８時間湿式混合した後、乾燥した一次組成物を得た。この一次組成物を１０００℃〜１２５０℃で３時間〜６時間仮焼した後、仮焼した一次組成物の粉体をポットミルにて再度湿式粉砕してから乾燥した。」
（１ｅ）「【００３５】このようにして得られた粉体１００ｇをイソプロピルアルコールとメチルエチルケトンを１：１で混合した溶媒５０ｇ〜７０ｇ中に分散させ、有機バインダー７ｇ〜１１ｇを加えて２４時間以上混合後、スリップキャスティング法にて０．５ｍｍ〜１．０ｍｍの厚みのグリーンシートを作製した。」
（１ｆ）「【００３６】このグリーンシートを金型にてプレス加工してから、１３００℃〜１３５０℃にて１時間焼成し、縦５ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．０２ｍｍの絶縁層が一体に形成された縦５ｍｍ、横１５ｍｍ、厚み０．２ｍｍの図２に示したようなＰＴＣセラミック基板を得た。」
（１ｇ）「【００３７】このＰＴＣセラミック基板の絶縁層が形成されている面及び両側面に、図３に示したように銀電極をスクリーン印刷してから８０℃で半乾燥した。さらに、電極が形成されたＰＴＣセラミック基板を図４に示したように積層した後、５００℃で１５分間焼成して一体化するとともに、銀電極が電気的に並列に接続された積層型ＰＴＣサーミスタを作製した。」
　
　よって、引用文献１には、
「電極が形成されたＰＴＣセラミック基板を積層して作製された積層型ＰＴＣサーミスタであって、ＰＴＣセラミック基板の一次組成物は、純度９９％以上のＢａＣＯ3０．８３モルと、純度９９％以上のＴｉＯ2１．０１モルと、純度９９％以上のＳｒＣＯ3０．０１モルと、純度９９％以上のＣａＣＯ3０．１６モルと、純度９５％以上のＳｉＯ2０．０３モルと、純度９９％のＭｎＣＯ3０．０００７モルと、純度９９％以上のＹ2Ｏ3０．００２２モルとが混合されたものであり、電極は銀電極である、積層型ＰＴＣサーミスタ」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
［引用文献２について］
（２ａ）「［００８８］＜実施の形態６＞本実施の形態６に係る半導体装置１００は、図１に示したＰＴＣ素子９のＰＴＣ素材１２として、ＢａＴｉＯ３を主材料にした無機系の材料を使用したものである。・・・キュリー点を超えると、結晶粒界のみが絶縁化し、抵抗率が高くなり、ＰＴＣが発現する。抵抗率が急上昇する温度を制御する方法として、Ｂａを＋２価のＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｐｂなどで置換するか、Ｔｉを＋４価のＨｆ，Ｓｎ，Ｚｒなどで置換するとキュリー点が移動し、それに応じたＰＴＣ特性が得られる。」
　
［引用文献３について］
（３ａ）「【０００２】【従来の技術】チタン酸バリウムを主成分にした、正特性サーミスタはキュリー点付近で抵抗値が急激に増加を示す正の抵抗値温度係数を示す特徴をもっており、かかる特徴を利用して、低温発熱体用素子、電流制限用素子、温度制御用素子等広く応用されている。」
（３ｂ）「【０００３】そして、このようなチタン酸バリウム系正特性サーミスタは、高純度の原材料を用い、主成分として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、スイッチング温度変更用シフターとして炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3）、或いは酸化鉛（ＰｂＯ）、半導体化成分として酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、或いは五酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、希土類、添加物として酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化珪素（ＳｉＯ2）、硝酸マンガン（Ｍｎ（ＮＯ3）2）等を秤量、配合し、湿式混合したのち、脱水乾燥し、１０５０℃〜１１００℃の温度で大気中で２時間程度仮焼し、次いでボールミルで湿式粉砕し、バインダーとしてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）溶液を加え、造粒して、顆粒粉を製造する。」
（３ｃ）「【００１２】この焼成パターンに供する試料として、組成的には（Ｂａ0.782Ｐｂ0.218）ＴｉＯ3＋０．０００７Ｎｂ2Ｏ5になるように、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化鉛（ＰｂＯ）、五酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）を秤量し、また同時に微量添加物として、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）０．００１ｍｏｌ％、酸化珪素（ＳｉＯ2）０．０２ｍｏｌ％、硝酸マンガン（Ｍｎ（ＮＯ3）2）０．０００３ｍｏｌ％を秤量し、主成分と添加物の両者を湿式混合、乾燥、脱水後、大気中１１００℃の温度で２時間仮焼し、粉砕後バインダーとしてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）溶液１０ｗｔ％を加え造粒粉を得る。この造粒粉を用いて、直径１７．５ｍｍ、厚さ２．３ｍｍの円板を８００ｋｇ／ｃｍ３の圧力で成形する。」
　
［引用文献４について］
（４ａ）「【０００５】そこで、本発明の目的は、鉛を含まないＰＴＣ素子を備え、かつ、十分に残留電流を低減することができる電子装置を提供をすることにある。」
（４ｂ）「【０００７】【作用】・・・この抵抗変化率が通常よりかなり低いＰＴＣ素子を加熱用とし、前記二つのＰＴＣ素子を熱結合させると、加熱用ＰＴＣ素子のＢａＴｉＯ3系半導体材料に鉛が含まれていなくても、他方のＰＴＣ素子は十分高温に加熱される。」
（４ｃ）「【００１０】図２は、図１に示した消磁用装置１０に使用されるＰＴＣ素子１，２の一つの具体例を示す図である。ＰＴＣ素子１，２は、直方体形状の素体１２を有し、その両端部には外部電極１３，１４が設けられている。素体１２はＢａＴｉＯ3系半導体材料からなる。つまり、消磁用ＰＴＣ素子１の原料（１）として、ＢａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｓｍ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｍｎを次の組成となるように調合した。
原料（１）：（Ｂａ0.698Ｓｒ0.30Ｓｍ0.002）ＴｉＯ3＋０．００１Ｍｎ＋０．０１ＳｉＯ2」
（４ｄ）「【００１１】同様に、加熱用ＰＴＣ素子２の原料（２）として、ＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｓｍ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｍｎを次の組成となるように調合した。
原料（２）：（Ｂａ0.998Ｓｍ0.002）ＴｉＯ3＋ＸＭｎ＋０．０１ＳｉＯ2　ここに、加熱用ＰＴＣ素子２は、Ｍｎ量Ｘを変えることで、抵抗変化率α10-100（％／℃）を変化させることができる。」
　
［引用文献５について］
（５ａ）「【従来の技術】セラミック電子部品、例えば、回路保護用の正特性サーミスタの電極構造として、特開平４−１８８８０１号公報には、最下層をＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ若しくはＡｌ又はこれらのうちの２種以上を主体とする材料によって構成し、中間層をＮｉ又はＣｕのいずれかを主体とする材料、但し、最下層をＮｉによって構成した場合にはＮｉ、Ｃｕ又はＣｕを主体とする材料によって構成し、最上層をＡｇによって構成した構造が開示されている。」
（５ｂ）「【０００５】【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平４−１８８８０１号公報に開示されているように電極の最上層をＡｇによって構成すると、最上層を構成するＡｇがマイグレーションを発生し、セラミック電子部品の使用中に電極間の短絡や放電を生じる問題があり、これを防止するためにＡｇ層の表面にさらに半田コーティング層を形成する等の処理が必要になる。」
（５ｃ）「【００２１】電極２としてＡｌを素材とする層厚０．５μｍの最下層である第１層、ＮｉＣｕを素材とする層厚０．９μｍの中間層である第２層、及び、Ａｇを素材とする層厚０．５μｍの最上層である第３層をこの順に形成した比較例１の正特性サーミスタでは、サーミスタ素体１の表面にＡｇのマイグレーションが発生した。」
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ＰＴＣセラミック基板」は、その機能と材料からみて、本願発明の「ＰＴＣ特性を有するセラミック本体」に相当している。また、引用発明の「積層型ＰＴＣサーミスタ」は、電気を流すことにより自己発熱するものであるから、本願発明の「発熱体」に相当している。
　そして、引用発明は、ＰＴＣセラミック基板の一次組成物とその製造工程からみて、ＰＴＣセラミック基板にはＳｒ、Ｂａ及びＣａの化合物並びにＳｉＯ2を含み、電極は銀電極である一方、引用文献１にはＰＴＣセラミック基板及び電極に特に鉛を含むとの記載はないことから、引用発明のＰＴＣセラミック基板及び電極が無鉛であることは明らかである。よって、引用発明と本願発明とは、セラミック本体がＳｒ、Ｂａ及びＣａの化合物並びにＳｉＯ2を含む点、電極に銀層を有する点及びセラミック本体と電極が無鉛である点で、共通する。
　
　よって、両者は、
「ＰＴＣ特性を有するセラミック本体と、
　前記セラミック本体に配置された電極とを含んでなる発熱体であって、
　前記セラミック本体と前記電極は無鉛であり、
　前記セラミック本体はＳｒ、Ｂａ及びＣａの化合物並びにＳｉＯ2を含み、
　前記電極は、銀層を有している、
　発熱体。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　セラミック本体に含まれる原料について、本願発明においては、ＳｒＴｉＯ3を含み、さらにＢａＴｉＯ3を５０〜８５％、ＣａＴｉＯ3を３〜１５％およびＳｉＯ2を１〜２％の範囲で含んでいるのに対して、引用発明の一次組成物は、純度９９％以上のＢａＣＯ3０．８３モルと、純度９９％以上のＴｉＯ2１．０１モルと、純度９９％以上のＳｒＣＯ3０．０１モルと、純度９９％以上のＣａＣＯ3０．１６モルと、純度９５％以上のＳｉＯ2０．０３モルと、純度９９％のＭｎＣＯ3０．０００７モルと、純度９９％以上のＹ2Ｏ3０．００２２モルとを混合したものである点。
　
（相違点２）
　電極について、本願発明においては、アルミニウム、クロムまたは亜鉛含有層からなる内側接点層、ニッケル層からなる拡散封止層および銀層または銀含有層からなる外側接点層からなる多層体を有しているのに対して、引用発明においては、銀電極である点。
　
５．判断
　
　上記相違点について検討する。
　まず相違点１について検討すると、引用発明の一次組成物が、純度９９％以上のＢａＣＯ3０．８３モルと、純度９９％以上のＴｉＯ2１．０１モルと、純度９９％以上のＳｒＣＯ3０．０１モルと、純度９９％以上のＣａＣＯ3０．１６モルと、純度９５％以上のＳｉＯ2０．０３モルと、純度９９％のＭｎＣＯ3０．０００７モルと、純度９９％以上のＹ2Ｏ3０．００２２モルを秤量して、ＢａＣＯ3、ＳｒＣＯ3及びＣａＣＯ3の合計モル数をＴｉＯ2のモル数とほぼ等モルに配合して、上記記載事項（１ｄ）〜（１ｆ）に記載された製造工程を行うこと、及び製造工程中で、
　・ＢａＣＯ3＋ＴｉＯ2→ＢａＴｉＯ3＋ＣＯ2　
　・ＳｒＣＯ3＋ＴｉＯ2→ＳｒＴｉＯ3＋ＣＯ2　
　・ＣａＣＯ3＋ＴｉＯ2→ＣａＴｉＯ3＋ＣＯ2　
　なる生成反応が生じることを考慮すれば、引用発明のＰＣＴセラミック基板は、ＢａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＣａＣＯ3の配合比率と略同じ比率でＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3を含むように製造したものであると把握できる（必要であれば、上記記載事項（３ｃ）及び特開平９−２５５３３７号公報【０００６】〜【０００７】参照）。
　したがって、引用発明のＰＴＣセラミック基板は、ＢａＴｉＯ3を約８３モル％、ＳｒＴｉＯ3を約１モル％、ＣａＴｉＯ3を約１６モル%を含み、ＳｉＯ2を約３モル％含んでいるということができ、本願発明のセラミック本体の構成成分の「％」表記について、審判請求人が平成２６年５月１３日付けの意見書において主張するとおり、このようなセラミック本体の構成成分は通常は「モル％」で示されるものであり、単に「％」表示されたものであっても通常は「モル％」を意味するものと当業者は理解し、本願発明も「モル％」を意味するものであるとの主張に基づけば、結局、本願発明と引用発明とはセラミック本体の構成成分において差異はない。
　よって、上記相違点１は、実質上、セラミック本体に含まれるＣａＴｉＯ3とＳｉＯ2のモル比率について、本願発明においては、ＣａＴｉＯ3が３〜１５モル％、ＳｉＯ2が１〜２モル％の範囲で含まれているのに対して、引用発明においては、ＣａＴｉＯ3が約１６モル％、ＳｉＯ2が約３モル％含まれている点でのみ相違するものといえる。
　しかしながら、上記記載事項（２ａ）に記載されるように、一般に、ＰＴＣ素子の組成において、ＣａＴｉＯ3は、ＳｒＴｉＯ3と同様、ＰＴＣ素子のキュリー点を調整するために、ＢａＴｉＯ3のＢａを、二価の「Ｃａ、Ｓｒ」と置き換えたものであり、その置換量は所望のＰＴＣ特性が得られるように、必要量に調整されるべきものである。
　また、一般に、セラミック本体の製造の際に添加されるＳｉＯ2は、機械的強度向上や焼成促進のために添加されるものであり、その分量は、セラミック母材の性質等を考慮して、必要量に調整されるべきものであり、本願発明のセラミック本体も例外とはいえない。そして、例えば上記記載事項（３ｃ）に記載されるようにＳｉＯ2が０．０２ｍｏｌ％添加された例（約２モル％の構成成分）、上記記載事項（４ｃ）及び（４ｄ）に記載されるようにＳｉＯ2が０．０１モル添加された例（約１モル％の構成成分）もみられる。
　したがって、引用発明において、ＰＴＣセラミック基板におけるＣａＴｉＯ3及びＳｉＯ2のそれぞれのモル比率について、所望のＰＴＣ特性となるキュリー点の調整、製造されるセラミック基板の機械的強度等に応じて、引用発明の数値の近傍である「３〜１５％」および「１〜２％」とすることは、当業者が容易になし得ることである。 
　
　次に相違点２について検討すると、引用文献５には、引用文献５における従来技術として、正特性サーミスタの電極構造を、最下層をＣｒ、Ｚｎ若しくはＡｌ、中間層をＮｉを主体とする材料、最上層をＡｇによって構成することが記載されており（上記記載事項（５ａ）〜（５ｃ））、正特性サーミスタに用いる電極を、アルミニウム、クロムまたは亜鉛含有層からなる内側接点層、ニッケル層からなる拡散封止層および銀層または銀含有層からなる外側接点層からなる多層体で構成することが本願出願前周知の技術であることが示されている（その他必要であれば、特開平４−１８８８０１号公報の特許請求の範囲（１）及び（３）、特開平１−２８７９０２号公報第２頁右下欄第１２〜１９行参照）。
　したがって、引用発明の銀電極について、Ｃｒ、Ｚｎ若しくはＡｌからなる最下層、Ｎｉからなる中間層、Ａｇからなる最上層とする、上記本願出願前周知の電極構造を採用し、上記相違点２についての本願発明のようにすることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
　そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用文献１〜５に記載された発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用文献１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。