【事件の表示】
　特許第３１６５８０１号「洗浄液」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６５８０１号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
（Ｉ）手続きの経緯
　本件特許第３１６５８０１号の請求項１〜７に係る発明は、平成１０年８月１２日（優先権主張平成９年８月１２日）に特許出願がなされ、平成１３年３月２日に特許権の設定登録がなされたものであるところ、当該請求項１〜７に係る発明の特許について、佐伯　憲生（以下、申立人という。）から、特許異議の申立てがなされ、取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１４年５月２１日に訂正請求がなされたものである。
　
（ＩＩ）訂正請求について
（ＩＩ−１）訂正事項
（あ）請求項２を削除する。
（い）請求項３〜７の「【請求項３】室温で用いられることを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄液。【請求項４】化学的機械研磨の後に用いられることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の洗浄液。【請求項５】化学的機械研磨の後、表面に金属が露出した基板に用いられることを特徴とする、請求項４に記載の洗浄液。【請求項６】化学的機械研磨の後、表面に金属が露出していない基板に用いられることを特徴とする、請求項４に記載の洗浄液。【請求項７】金属プラグの化学的機械研磨の後に用いられることを特徴とする、請求項４に記載の洗浄液。」を、「【請求項２】室温で用いられることを特徴とする、請求項１に記載の洗浄液。【請求項３】化学的機械研磨の後に用いられることを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄液。【請求項４】化学的機械研磨の後、表面に金属が露出した基板に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。【請求項５】化学的機械研磨の後、表面に金属が露出していない基板に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。【請求項６】金属プラグの化学的機械研磨の後に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。」と訂正する。
　
（ＩＩ−２）訂正の適否
　訂正事項（あ）は請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、訂正事項（い）は、訂正事項（あ）の訂正に伴い発生した請求項の項番号に係る明りょうでない記載を明りょうな記載に訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、ともに、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正に係るものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（ＩＩＩ）特許異議の申立てについて
（ＩＩＩ−１）本件発明
　本件の請求項１〜６に係る発明（以下、本件発明１〜６という。）は　、前記訂正後の願書に添付した明細書の請求項１〜６に記載された次の事項により特定されるものである。
【請求項１】金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液であって、シュウ酸と、エチレンジアミン四酢酸、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸及びそれらのアンモニウム塩のうちの少なくとも１つとから本質的になり、かつフッ化水素及びクエン酸を含まないことを特徴とする、前記洗浄液。
【請求項２】室温で用いられることを特徴とする、請求項１に記載の洗浄液。
【請求項３】化学的機械研磨の後に用いられることを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄液。
【請求項４】化学的機械研磨の後、表面に金属が露出した基板に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。
【請求項５】化学的機械研磨の後、表面に金属が露出していない基板に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。
【請求項６】金属プラグの化学的機械研磨の後に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。
　
（ＩＩＩ−２）特許異議申立ての理由
　申立人は、証拠方法として甲第１号証（特開平１０−７２５９４号公報）を提示し、（イ）訂正前の請求項１〜７の発明は、甲第１号証により特定される特願平９−１５２８３４号（以下、先願という。）の願書に最初に添付した明細書（以下、先願明細書という。）に記載された発明と同一であり、その発明者および出願人も先願と相違するから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、（ロ）訂正前の請求項２の発明は、優先権主張の利益を受けることができないものであるから、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、との理由で、本件の訂正前の請求項１〜７の発明に係る特許は取り消されるべきである旨を主張する。
　　
（ＩＩＩ−３）甲第１号証の記載
　前記先願明細書に相当する部分には、次の内容が記載されている。
「【請求項１】　カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸と、錯化剤とを含んで成る半導体基板表面の洗浄処理剤。」（特許請求の範囲参照）、
「【請求項５】　有機酸が、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸、オキシカルボン酸及びアミノカルボン酸から成る群から選ばれた有機酸である、請求項１または２に記載の洗浄処理剤。【請求項６】有機酸が、ジカルボン酸またはオキシカルボン酸である、請求項１または２に記載の洗浄処理剤。・・・【請求項８】ジカルボン酸が、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸から成る群から選ばれたジカルボン酸である請求項６に記載の洗浄処理剤。【請求項９】オキシカルボン酸が、リンゴ酸、酒石酸またはクエン酸である請求項６に記載の洗浄処理剤。」（特許請求の範囲参照）、
「【請求項１１】　錯化剤が、アミノポリカルボン酸類、ホスホン酸類、縮合リン酸類、ジケトン類、アミン類、及びハロゲン化物イオン、シアン化物イオン、チオシアン酸イオン、チオ硫酸イオン、アンモニウムイオンから選ばれた無機イオン、から成る群から選ばれた錯化剤である、請求項１または２に記載の洗浄処理剤。」（特許請求の範囲参照）、
「【００１５】また、本発明に係る、ＦｅやＡｌなどの金属汚染物質と錯化合物を形成する錯化剤（・・・）としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸〔ＥＤＴＡ〕、トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン四酢酸〔ＣｙＤＴＡ〕等のアミノポリカルボン酸類、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）〔ＥＤＴＰＯ〕、エチレンジアミンジ（メチレンホスホン酸）〔ＥＤＤＰＯ〕、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）〔ＮＴＰＯ〕、１−ヒドロキシエチリデン−１，１’−ジホスホン酸〔ＨＥＤＰＯ〕等のホスホン酸類、トリポリリン酸、ヘキサメタリン酸等の縮合リン酸類、アセチルアセトン、ヘキサフルオロアセチルアセトン等のジケトン類、エチレンジアミン、トリエタノールアミン等のアミン類、またはハロゲン化物イオン（Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−）、シアン化物イオン、チオシアン酸イオン、チオ硫酸イオン、アンモニウムイオン等の無機イオン等が挙げられる。上記錯化剤の中でもホスホン酸類が好ましい。」（３頁段落番号【００１５】参照）
「【０００８】・・・、クエン酸水溶液とブラシスクラブ洗浄とを組合せ、金属除去を行った例もあるが、クエン酸水溶液のみでは金属汚染の除去効果が弱く、充分な洗浄効果が得られない。【０００９】以上のように半導体材料上に施された金属配線の腐食を起こすことなく、また、半導体基板表面の平坦度を損なうことなしに、パーティクルや金属汚染の除去が行える有効な手段は未だ見出されていない。」（３頁段落番号【０００８】、【０００９】参照）、
クエン酸とＥＤＴＡ・２ＮＨ４、ＥＤＴＰＯ、又はフッ化アンモニウムを併用した実施例、シュウ酸とヘキサメタリン酸、又はＨＥＤＰＯを併用した実施例、シュウ酸とＮＴＰＯを併用したものとクエン酸とＮＴＰＯを併用したものでは、同量使用において、後者の方がＦｅの残存吸着量が少なくなることを示す実施例、クエン酸　１０（重量濃度）とＥＤＴＡ　０．１（重量濃度）とシュウ酸　１（重量濃度）とを併用した実施例（５、６頁の表１、２のＮｏ．１、２、５、６、９、１４、１５、２０、２２の欄参照）。
　
（ＩＩＩ−４）特許異議申立ての理由の検討
（ＩＩＩ−４−１）前記理由（イ）について
　本件発明１は、金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液において、「クエン酸を用いた洗浄液では、充分な洗浄効果を得るためには２０〜３０％の高濃度にする必要があり、廃液処理など環境への負荷が大きく、またかびが発生しやすく、保存性にも問題がある。」（段落番号【０００５】参照）（以下、「本件課題」という。）との認識のもとに、前記した特定事項を採用したものであり、それにより、「クエン酸洗浄液に比べ、その１／１０の濃度で充分な洗浄効果を発揮し、かつかびが発生する恐れがなく、さらに環境への負荷を大幅に改善することができる。」（段落番号【０００８】参照）という、明細書に記載の効果（以下、「本件効果」という。）を奏するものである。
　これに対して、先願明細書には、前記した内容からみて、金属配線が施された後の基板を洗浄するに際して、金属配線の腐食の問題や基板表面のマイクロラフネスの増加の問題を起こすことなく洗浄することを目的として、カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸と錯化剤とを含む洗浄液を用いる発明が記載され、当該有機酸としてシュウ酸を用いること、当該錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸［ＥＤＴＡ］やそのアンモニウム塩やトランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン四酢酸［ＣｙＤＴＡ］を用いること、さらに、前記洗浄液としてシュウ酸とＥＤＴＡとクエン酸の混合液を用いる場合のあることが、その他の有機酸や錯化剤を用いる場合と共に、実施例として記載されていると解されるものの、次の理由により、シュウ酸と、ＥＤＴＡ、ＣｙＤＴＡ、或いはそれらのアンモニウム塩とから本質的になり、クエン酸を含まない洗浄液が具体的に記載されているとすることはできない。すなわち、先願明細書には、実施例として、シュウ酸とＥＤＴＡ、ＣｙＤＴＡ、或いはそれらのアンモニウム塩とからなる洗浄剤は記載されておらず、シュウ酸とＥＤＴＡとクエン酸の混合液を洗浄剤とする実施例の記載も、クエン酸の量がＥＤＴＡとシュウ酸のそれぞれ０．１、１に対して１０と多量であるうえに、クエン酸はシュウ酸と均等な有機酸であるとされているものであることからみて、クエン酸を含むことなくＥＤＴＡとシュウ酸とから本質的になる洗浄剤をも示しているとすることはできないうえに、ＥＤＴＡとシュウ酸の併用を具体的に示す記載は当該実施例以外になく、ＥＤＴＡのアンモニウム塩やＣｙＤＴＡやそのアンモニウム塩については、例示された多数の有機酸のうちの何と組み合わせて使用するかを具体的に示す記載はない。
　そして、先願明細書には、本件発明１に係る、前記本件課題や本件効果について記載するところもない。
　してみると、本件発明１は、先願明細書に具体的に記載されていない構成を採用することにより先願明細書で示されない格別の効果を奏したものであるということができ、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　よって、申立人の本件発明１に対する前記理由（イ）による主張は採用することができない。
　
　また、本件発明２〜６は、本件発明１を引用するものであるところ、本件発明１については、前記したとおり、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることができないのであるから、本件発明２〜６も先願明細書に記載された発明と同一であるとすることができず、申立人の本件発明２〜６に対する前記理由（イ）による主張は採用することができない。
　
（ＩＩＩ−４−２）申立の理由（ロ）について
　申立の理由（ロ）が対象とする訂正前の請求項２の発明は、前記訂正により特許請求の範囲から削除された。
　したがって、当該理由（ロ）による主張は、その対象とする発明が存在せず、採用することができない。
　
（ＩＶ）むすび
　　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明１〜６についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜６についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年８月５日（２００３．８．５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
洗浄液
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液であって、シュウ酸と、エチレンジアミン四酢酸、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸及びそれらのアンモニウム塩のうちの少なくとも１つとから本質的になり、かつフッ化水素及びクエン酸を含まないことを特徴とする、前記洗浄液。
　【請求項２】室温で用いられることを特徴とする、請求項１に記載の洗浄液。
　【請求項３】化学的機械研磨の後に用いられることを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄液。
　【請求項４】化学的機械研磨の後、表面に金属が露出した基板に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。
　【請求項５】化学的機械研磨の後、表面に金属が露出していない基板に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。
　【請求項６】金属プラグの化学的機械研磨の後に用いられることを特徴とする、請求項３に記載の洗浄液。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明が属する技術分野】
　本発明は洗浄液に関するものであって、特に金属配線が施された後の基板の金属汚染を除去するための洗浄液に関する。
　また、本発明は、とくに半導体製造工程において化学的機械研磨（ＣＭＰ）の後使用される金属配線を有する基板の洗浄液に関する。
　【０００２】
　【従来技術】
　ＩＣの高集積化に伴い、微量の不純物がデバイスの性能、歩留まりに大きく影響を及ぼすため、厳しいコンタミネーションコントロールが要求されている。すなわち、基板表面の金属不純物濃度を１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下にコントロールすることが要求されており、そのため半導体製造の各工程で各種洗浄液が使用されている。
　一般に、半導体用基板洗浄液としては硫酸−過酸化水素水、アンモニア水−過酸化水素水−水（ＳＣ−１）、塩酸−過酸化水素水−水（ＳＣ−２）、希ふっ酸などがあり、目的に応じて各洗浄液が単独または組み合わせて使用されている。一方、近年絶縁膜の平坦化、接続孔の平坦化、ダマシン配線等に化学的機械研磨（ＣＭＰ）技術が半導体製造工程に導入されてきたが、ＣＭＰ後の基板表面に吸着した金属不純物の洗浄として、例えば月刊セミコンダクターワールド、ｐ．９２、３、１９９７には、クエン酸の水溶液が使用されること、さらに国際出願公開公報ＷＯ９６／２６５３８には、クエン酸水溶液又はエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などがフッ化水素とともに使用されることなどが記載されている。また、本願の優先日前の出願に係り優先日後に公開された特開平１０‐７２５９４（欧州特許公開第８１２０１１号）には、クエン酸などの有機酸と錯化剤とを含む洗浄液が記載されている。
　【０００３】
　【発明を解決しようとする課題】
　上記の一般の洗浄液の液性は、酸化性であると同時に、強酸または強アルカリ性であることから、金属配線が施された後の基板を洗浄する場合には、該基板の表面に露出した金属を腐食（エッチング）してしまうことは勿論、金属が絶縁層などに覆われて埋設されている場合であっても、洗浄液の浸透により金属を腐食してしまうため、半導体製造工程において使用することができない場合がある。例えばＣＭＰの応用技術として、現在最も注目されているＷ（タングステン）−プラグと呼ばれる層間接続などの技術において、このような洗浄液を使用することは不可能である。
　一般にメタルのＣＭＰは研磨剤粒子と化学薬品の混合物であるスラリーを供給しながらウェハをバフと呼ばれる布に圧着し、回転させることにより化学的な作用と物理的な作用を併用して、層間絶縁膜や金属材料をポリシングし膜を平坦化する技術であるが、研磨後のシリコン酸化膜表面などには、大量の金属不純物が吸着してしまう問題がある。従ってこのような金属不純物を効率よく除去できる洗浄液が求められている。
　【０００４】
　特に、Ｗ（タングステン）のＣＭＰでは、研磨速度、加工精度の面から優れているアルミナ−硝酸第２鉄のスラリーが一般的に用いられているが、酸化剤に硝酸第２鉄を用いているため、ブランケットＷが除去された後、露出したシリコン酸化膜表面にＦｅが大量に吸着するといった大きな問題を生じる。ここで使用する硝酸第２鉄の濃度が高いため、シリコン酸化膜表面に吸着するＦｅの表面濃度は１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上と非常に高く、ウェハのみならず製造ラインの２次汚染も問題となる。従って、次工程に入る前にＣＭＰにより基板に吸着したＦｅを１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２まで除去することが望まれている。
　前記従来技術におけるフッ化水素を含む洗浄液では、金属不純物の除去は期待できるものの、金属に対する腐食、及び層間絶縁膜をエッチングする問題は解決し得ない。
　一方、金属に対する腐食の問題を解決するために、Ｗ−プラグのＣＭＰ後などに用いられる洗浄液として、前記従来技術におけるクエン酸の水溶液を用いる方法では、金属に対する腐食はなくなるものの、クエン酸水溶液により洗浄した後の基板表面のＦｅの濃度は約１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度であり、決して十分なものとはいえない。
　【０００５】
　さらにクエン酸を用いた洗浄液では、充分な洗浄効果を得るためには２０〜３０％の高濃度にする必要があり、廃液処理など環境への負荷が大きく、またかびが発生しやすく、保存性にも問題がある。
　以上のとおり、前記の諸問題を総合的に解決する手段は現在のところ知られていない。
　従って、本発明の課題は、金属を腐食することなく、基板表面の金属不純物を容易かつ効率的に除去することのできる洗浄液であって、環境への負荷、保存性等に問題のない、金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液を提供することにある。
　【０００６】
　【発明を解決するための手段】
　本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、シュウ酸と、エチレンジアミン四酢酸、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸及びそれらのアンモニウム塩のうちの少なくとも１つとから本質的になり、かつフッ化水素及びクエン酸を含まない洗浄液が半導体基板の洗浄に良好であること、とくにＣＭＰ後のウェハに吸着した金属不純物を良好に洗浄しうることを見いだした。即ち、本発明はシュウ酸と、エチレンジアミン四酢酸、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸及びそれらのアンモニウム塩のうちの少なくとも１つとから本質的になり、かつフッ化水素及びクエン酸を含まないことを特徴とする金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液である。本発明におけるシュウ酸又はポリアミノカルボン酸類はＦｅと錯体を形成し安定度定数も大きいため、Ｆｅの洗浄に用いることができるが、とりわけシュウ酸とポリアミノカルボン酸類とを併用することにより高い洗浄力が得られる。これはＦｅとシュウ酸及びポリアミノカルボン酸が、より溶解性のよい三元錯体を形成するため、洗浄性がより高まるものと考えられる。
　【０００７】
　更に本発明の洗浄液は、その他スラリーに起因する例えばＭｎ、Ａｌ、Ｃｅ等の金属不純物の洗浄にも有効である。その理由は以下のとおりと考えられる。
　・Ｍｎとシュウ酸の錯体の安定度定数は大きく、その塩はシュウ酸水溶液に溶解性が高い。
　・Ａｌとシュウ酸の錯体の安定度定数はクエン酸と比較して非常に大きい。
　・Ｃｅはエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）と安定な錯体を作る上に、Ｃｅのシュウ酸塩はＥＤＴＡのアルカリ溶液によく溶解する。
　以上のことから、Ｆｅだけでなく、その他スラリーから起因する金属不純物などについても、充分な効果を発揮する。
　【０００８】
　また、本発明の洗浄液の液性は酸性であっても、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、タングステン、チタン、チタンナイトライドなどの金属を腐食しない好ましい特性を有している。従って、本発明は、金属配線が施された後の基板であって、その表面に金属が露出しているものであっても、露出していないものであっても、該金属を腐食することがないため、ＣＭＰ後の基板表面に吸着した金属不純物の洗浄に有効であり、さらにまた、電子部品を構成するプリント基板やダマシン構造をもつ金属配線においても、金属配線部をエッチングすることなく、基板上に残留する金属汚染物を除去することに有効である。
　しかも、本発明の洗浄液はクエン酸洗浄液に比べ、その１／１０の濃度で充分な洗浄効果を発揮し、かつかびが発生する恐れがなく、さらに環境への負荷を大幅に改善することができる。
　【０００９】
　【発明の実施の形態】
　本発明の金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液は洗浄液中のシュウ酸又はシュウ酸アンモニウムの濃度が０．１〜１０ｗｔ％、特に好ましくは１．０〜６ｗｔ％のものである。
　シュウ酸の濃度が低すぎては洗浄効果は十分に発揮されず、高濃度にした場合、濃度に見合う効果が期待できず、更に結晶が析出する恐れがある。
　【００１０】
　また、ポリアミノカルボン酸類としては、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ酢酸（ＥＤＴＡ−ＯＨ）等の化合物およびそのアンモニウム塩が好ましい。一般にこれらの化合物は遊離酸あるいは塩の形で用いられるが、遊離酸は水あるいは酸に対する溶解性が低く、高濃度の溶液を調製するには不向きである。従って、高濃度の溶液を調製するためには水溶性の塩を用いる必要があり、半導体製造用には特性に悪影響を及ぼさないアンモニウム塩などの金属を含まない塩が最も好ましい。
　【００１１】
　ポリアミノカルボン酸又はそのアンモニウム塩の濃度としては、０．０００１〜５ｗｔ％、特に好ましくは０．００１〜０１ｗｔ％である。濃度が低い場合は、洗浄効果が十分でなく、また高すぎても、それに見合う効果が期待できない。
　以下に本発明の実施例を比較例と共に示し、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　【００１２】
比較例１
　硝酸第２鉄水溶液に浸漬し予め汚染した酸化膜付きシリコンウェハを、全反射蛍光Ｘ線装置（テクノス製ＴＲＥＸ−６１０Ｔ）を用いウェハ表面のＦｅの濃度を測定した。次に、２００ｇのクエン酸を水８００ｇに溶解し、２０重量％水溶液として４０℃、３ｍｉｎ洗浄し、水洗、乾燥後再びウェハ表面のＦｅの濃度を測定しＦｅの除去能力を評価した（表４）。
　【００１３】
比較例２（シュウ酸濃度と除去能力）
　洗浄液としてシュウ酸を水に溶解して０．１、１．０、３．４重量％の各水溶液を調製した。各洗浄液を用いて、比較例１と同様に液温４０℃、３ｍｉｎでＦｅの除去能力を評価した（表１）。
　【表１】
　【００１４】
比較例３（処理温度と除去能力）
　洗浄液としてシュウ酸３４ｇを水９６６ｇに溶解して調製した３．４重量％の水溶液を用いて、処理温度を２３、３０、４０℃に変化させ、比較例１と同様に３ｍｉｎでＦｅの除去能力を評価した（表２）。
　【表２】
　【００１５】
比較例４（ｐＨと除去能力）
　シュウ酸３．４重量％水溶液にアンモニアを添加し、ｐＨ３．０、４．０、５．０、６．５の洗浄液を調製した。各洗浄液を用いて比較例１と同様に液温４０℃、３ｍｉｎでＦｅの除去能力を評価した（表３）。
　【表３】
　【００１６】
比較例５
　洗浄液としてシュウ酸アンモニウム３．４重量％水溶液を調製し、比較例１と同様に液温４０℃、３ｍｉｎでＦｅの除去能力を評価した（表４）。
比較例６
　洗浄液としてシュウ酸５．０ｇ、シュウ酸アンモニウム２９ｇを水９６６ｇに溶解して調製したシュウ酸とシュウ酸アンモニウムの混合液を用いて、比較例１と同様に液温４０℃、３ｍｉｎでＦｅの除去能力を評価した（表４）。
実施例１
　シュウ酸３４ｇ、エチレンジアミン四酢酸０．１ｇを水９６５．９ｇに溶解して調製した水溶液を洗浄液として、比較例１と同様に液温４０℃，３ｍｉｎでＦｅの除去能力を評価した（表４）。
　【００１７】
実施例２
　シュウ酸３４ｇ、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸０．１ｇを水９６５．９ｇに溶解して調製した水溶液を洗浄液として、比較例１と同様に液温４０℃，３ｍｉｎでＦｅの除去能力を評価した（表４）。
比較例７
　洗浄液としてエチレンジアミン四酢酸０．１ｇを水９９９．９ｇに溶解して調製した水溶液を用いて、比較例１と同様に液温４０℃、３ｍｉｎでＦｅの除去能力を評価した（表４）。
　比較例１〜７、実施例１〜２の結果を表４に示す。
　【表４】
　【００１８】
比較例８（各種金属に対するエッチング性）
　各金属膜付き基板をシュウ酸３．４％水溶液またはクエン酸１０％水溶液に４０℃、６０ｍｉｎ浸漬した後、水洗、スピン乾燥後、金属膜の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計で測定し、膜減り量を求めた（表５）。
　【表５】