【事件の表示】
　特許第３２９４２６３号「被覆の製造法およびこの方法で被覆した工作物」の請求項１ないし４、６、７、１０ないし１３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２９４２６３号の請求項１ないし４、６、７、１０ないし１３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３２９４２６３号の請求項１〜４、６、７、１０〜１３に係る発明についての出願は、平成２年１１月２２日（優先権主張　平成１年１１月２２日）の出願であって、平成１４年４月５日にその発明についての特許の設定登録がなされたものである。
　その後、その特許について、特許異議申立人株式会社神戸製鋼所（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１５年１１月１７日付けで訂正請求書及び特許異議意見書が提出された。その後、これについて申立人に対し審尋し、平成１６年１月２８日に回答者が提出された。そして、当審において訂正拒絶理由通知がなされたが、これに対し権利者から何ら応答がなかったものである。
２．訂正の適否
（１）訂正の内容　
　訂正事項
　特許明細書の【特許請求の範囲】の【請求項１】を次のとおりに訂正する。
「【請求項１】第１工程で酸化物生成体および／または窒化物生成体（３１）を気相に移行せしめ、少なくとも一部イオン化せしめ、且つ第２工程で窒素および／または酸素を挿入し、少なくとも一部イオン化せしめ、次いで、基体（３）の表面に酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）と窒素および／または酸素の化合物からなる分離層（９）を沈着せしめる、真空室に（１９）に対して絶縁して保持された工作物（１）の基体（３）の表面に非導電性セラミック材料をＸ線無定形に被覆する方法において、前記方法の少なくとも第２工程の際に、期間中の無接地電圧のパルス幅であり且つ２０〜９０％に調整されたパルス通電率と−１０〜−２００Ｖのパルス波高とを有する周期的なパルス直流バイアス電圧を基体（３）および／または該基体の保持具（３６）に印加して、且つ第３工程で該分離層（９）上に表層（７）を沈着せしめる、ことを特徴とする方法。」
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
  上記訂正事項は、（ａ）「皮膜」を「分離層」に、また（ｂ）非導電セラミック材料の被覆について「非導電性セラミック材料をＸ線無定形に被覆する」と限定し、（ｃ）パルス直流バイアス電圧について「−１０〜−２００Ｖのパルス波高とを有する周期的なパルス直流バイアス電圧」と限定し、（ｄ）被覆について「第３工程で該分離層（９）上に表層（７）を沈着せしめる」と限定しようとするものである。
　この訂正事項のうち訂正事項（ｃ）については、訂正請求書（第２頁末行〜第３頁９行、第３頁２１〜２６行）によると、「訂正事項（ｃ）は特許請求の範囲の減縮を目的とするもので、特許明細書第９欄第２行から第６行に記載されていた」というものである。そこで、この訂正事項（ｃ）について検討してみると、訂正事項（ｃ）は「周期的なパルス直流バイアス電圧」を「期間中の無接地電圧のパルス幅であり且つ２０〜９０％に調整されたパルス通電率を有する」ものに加えて更に「−１０〜−２００Ｖのパルス波高とのパルス波高を有する」ものに限定しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当するといえる。しかしながら、上記した特許明細書第９欄２〜６行には「電圧源４８の導線４７と・・・接続できる。パルス波高−２００Ｖを−１０Ｖに変更する代わりに、パルス幅を縮小できる。パルス幅とパルス波高のいずれとも変更することも可能である。」と記載され、この記載中の「パルス波高−２００Ｖを−１０Ｖに変更する」についての具体的な技術内容をみてみると、特許明細書には「パルス波高」に関しては「パルス波高は工程開始時に−２００Ｖであり、工程中により小さい負の値に減少し、最終的には−１０Ｖとなる」（特許掲載公報第７欄４３〜４５行）、並びに「振幅−２００Ｖの負のパルスを発生し、・・被覆工程の終わりには−１０Ｖの負のパルスを発生し」（特許掲載公報第１０欄２１〜２３行）と記載されるのみであり、これらの記載からすれば「パルス波高−２００Ｖを−１０Ｖに変更する」は「工程開始時のパルス波高−２００Ｖを最終的に−１０Ｖにする」と漸減するものとみれる。一方、訂正事項（ｃ）の「−１０Ｖ〜−２００Ｖのパルス波高」とは「−１０Ｖから−２００Ｖの範囲の任意のパルス波高」を全て包含するものといえる。してみると、上記したように特許明細書には「パルス波高−２００Ｖを最終的に−１０Ｖにする」との記載があるものの、それ以外の態様については明細書又は図面に何ら記載されていないのであるから、この訂正事項（ｃ）は願書に添付された明細書又は図面の記載から自明な事項ではなく、願書に添付された明細書又は図面の記載事項の範囲内においてなされたものに該当するとはいえない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第２項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
３．特許異議の申立てについて
（１）本件発明
  上記訂正は、上記２．で示したように容認することができないから、本件の請求項１〜４、６、７、１０〜１３に係る発明（以下、「本件発明１〜４、６，７、１０〜１３」という。）は、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４、６，７、１０〜１３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
【請求項１】第１工程で酸化物生成体および／または窒化物生成体（３１）を気相に移行せしめ、少なくとも一部イオン化せしめ、且つ第２工程で窒素および／または酸素を挿入し、少なくとも一部イオン化せしめ、次いで、基体（３）の表面に酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）と窒素および／または酸素の化合物からなる皮膜（９）を沈着せしめる、真空室に（１９）に対して絶縁して保持された工作物（１）の基体（３）の表面に非導電性セラミック材料を被覆する方法において、前記方法の少なくとも第２工程の際に、期間中の無接地電圧のパルス幅であり且つ２０〜９０％に調整されたパルス通電率を有する周期的なパルス直流バイアス電圧を基体（３）および／または該基体の保持具（３６）に印加することを特徴とする方法。
【請求項２】パルス直流バイアス電圧のパルス通電率を６０〜９０％に調整することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
【請求項３】パルス直流バイアス電圧のパルス通電率の周期を数ミクロン秒に調整することを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の方法。
【請求項４】パルス直流バイアス電圧のパルス通電率の周期を１０ミクロン秒に調整することを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の方法。
【請求項６】酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）および窒素および／または酸素の化合物からなる沈着層を分離層（９）として作成し、第３工程で該分離層上に表層（７）を沈着せしめることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第５項のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】酸化物生成体および／または窒化物生成体（３１）を気相に移行せしめ、少なくとも一部イオン化せしめ、および窒素および／または酸素を少なくとも一部イオン化せしめるためにアーク放電（５２）を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】アーク放電に低圧アーク（５２）を用いることを特徴とする特許請求の範囲第７項から第９項のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】酸化物生成体および窒化物生成体として珪素を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第１０項のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】酸化物生成体および窒化物生成体としてアルミニウムを用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第１０項のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】周期律表のＩＶｂ族の（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、Ｖｂ族の（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、ＶＩｂ族の（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）の金属と窒素、炭素または硼素との化合物、または炭化ケイ素、または化合物と炭化ケイ素との混合物を、表層として物理蒸着法で蒸着できることを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の方法。
　なお、当審では【請求項１】中の「真空室に（１９）に」は「真空室（１９）に」の誤記であると認める。
（２）引用刊行物の記載内容
　当審が平成１５年５月２日付けで通知した取消理由で引用した刊行物１〜９には、それぞれ以下の事項が記載されている。
（イ）刊行物１：特開昭６４−８３６５６号公報（申立人が提出した甲第１号証）
（イ−１）「物理的塗装では、少なくとも膜を形成すべき要素の金属部分を、先ず真空室内で蒸気の形に変換してから基層上で凝結させる。対応する反応ガスを導入することにより、酸化物、炭化物、窒化物、ケイ化物、ホウ化物ないしはカーボンニトリドのようなこれら混合化合物からなる凝結膜を得ることが出来る。・・・本願の発明は物理的塗装方法に関する。」（第２頁右上欄４〜１５行）
（イ−２）「第１図の装置により、アーク放電の陽極気化及び磁場併用式陰極微粒化により常に基層の塗装を行うことができる。塗装室は長方形の主室（１）として設計し、フランジ（３）に接続するポンプ（図示せず）で排気できる。主室の側壁（２）には、いわゆる低電圧アーク放電を行う電離室（２６）があり、フランジで接続している。・・・るつぼには気化すべき材料（２５）を入れる。両接続子の一方をアーク放電供給装置（２４）の正極と接続する。るつぼは操作時に低電圧アーク放電により衝突してくる電子で加熱する。・・・・陰極微粒化・放電のプラズマを、側壁と導通して接続できる陽極（７）により限定し、操作時には、標的材料を微粒化し、室内の回転円板（３３）に配置する基層（９）上に沈積させる。・・・所望の場合には基層にバイアス電圧が掛けられる。」（第４頁左上欄１７行〜同頁左下欄８行）
（イ−３）「本装置の４つの磁場併用式陰極微粒化部にはチタン及びアルミ標的を夫々装備した。同一装置内にあるアーク・気化装置の陽極に接続した気化るつぼに錠剤状チタンを載せた。・・・低電圧・アーク放電装置の熱陰極とるつぼ間の点火を行うと共に磁場によりるつぼに焦点を合わせた。電流の強さ及び電圧は夫々１２０アンペア、５１ボルトに達した。数秒でるつぼからチタンが気化し始めた。その後毎分６０規定ｃｍ３の窒素を入れた。窒素の流れが安定化した直後、８つの磁場併用式陰極微粒化部のスイッチを入れ、チタン及びアルミ標的を夫々２３び２０アンペアで微粒化した。・・・厚さ３μｍの膜が生じ・・・Ｔｉ０．６Ａｌ０．４Ｎを確認した。」（第６頁左上欄９行〜同頁右上欄１１行）
（ロ）刊行物２：特開昭６１−２６４１７４号公報（申立人が提出した甲第２号証）
（ロ−１）「本発明の目的は直流バイアススパッタリングにおいてチャージアップを抑止して異常放電に伴う問題を解決する・・・・本発明による直流バイアススパッタリング法は、基板に印加する負の直流バイアス電圧を周期的にほぼ接地レベルに戻して基板表面に電子を流入させることを特徴としている。負の直流バイアス電圧を接地レベルに戻す周期は電圧電流に応じて決められるが、数Ｈｚ以上であればよい。」（第２頁右上欄２〜１３行）
（ロ−２）「このように構成した装置の動作において、ターゲット２を取付けたカソード１とこれに対向したアノード３との間に高電圧電源５によって直流または交流の高電圧が印加され、それによりグロー放電が起り、スパッタリングが行われる。その際、基板４には直流バイアス電源６から第３図に示すような周期的に接地レベルに戻る負の直流バイアス電圧が印加される。」（第２頁右下欄７〜１４行）
（ロ−３）第３図には周期的なパルス直流バイアス電圧が示されている。
（ハ）刊行物３：特開昭６３−２９７５５２号公報（申立人が提出した甲第３号証）
（ハ−１）「ホルダ３２と真空容器８（即ちアース）間には、電圧可変の直流電源３６に電圧可変の高周波電源３８を直列接続して成るバイアス電源３４が、この列では電流計４０を介して接続されており、このバイアス電源３４から基体４に（・・・）対してバイアス電圧ＶＢとして、直流電圧ＶＤＣに１０４Ｈｚ〜１０６Ｈｚの範囲の高周波電圧ＶＡＣを重畳させた電圧を印加するようにしている。」（第２頁右上欄１６行〜同頁左下欄５行）
（ハ−２）「トリガ電極２０をカソード１８に接触させて最初の火花を発生させさた後トリガ電極２０をカソード１８より引き離すと、カソード１８と真空容器８間にアーク放電が持続され、それによってカソード物質が蒸発させられると共に、カソード１８の近傍にプラズマ（・・）が生成される。即ち、蒸発させられたカソード物質の一部および反応ガスＧがイオン化され、これらが基体４に引きつけられてその表面に、例えばカソード物質と反応ガスＧの化合物である絶縁物被膜が形成される。」（第２頁左下欄１８行〜同頁右下欄８行）
（ニ）刊行物４：特表昭６３−５０１６４６号公報（申立人が提出した甲第４号証）
（ニ−１）「真空室内で陽極から離間された蒸発可能な端面を有する固体陰極からの源物質で対象物をコーテイングする方法であって、陰極の蒸発可能な端面と陰極との間に電気アークを発生せしめて、該蒸発可能端面の原子、イオン化原子、分子及びイオン化分子の一種以上を含むプラズマを形成する段階と、前記陰極の蒸発可能な端面を超えて零より大きな所定の最小距離”ｘ”伸延する開放端を有する伸長部材で陰極を取囲んで前記プラズマを収納する陰極室を形成し、該伸長部材を陰極と陽極との間で且つそれらから離間して位置決めする段階と、陰極室内のプラズマを通してそして真空室内に気体の流れを該気体が真空室に入る前に少なくとも距離”ｘ”にわたって電気アークを包囲するように差向け、それにより気体の原子、イオン化原子、分子、及びイオン化分子の１種以上を陰極室案内のプラズマに寄与せしめる段階と、真空室から気体を抜出して真空室内に所定の圧力を維持する段階とを包含するコーテイング方法。」（特許請求の範囲請求項１）
（ニ−２）「本発明は、反応性及び／或いは不活性気体を低圧で供給する真空室内で基材をコーテイングする為の物理的蒸着アーク方法及び装置に関係する。」（第２頁右下欄７〜９行）
（ニ−３）「支持ブロック２２内の入口開口部３８はこの狭い空間４０及び導入窒素ガス供給ライン３９と直接に連通する。気体は、気体源（図示せず）から気体供給ライン３９を介して狭い空間４０中に供給され、そこから気体は陰極室５７を介して真空室１１に向けられる。」（第４頁右上欄１４〜２０行）
（ニ−４）「支持板４２は導電性材料で構成されるべきであり、そして容器１０の下部壁１７の絶縁された高電圧フィードスルーポート４３を貫通する金属棒４２に接続されている。金属棒４２は容器１０の外部に位置するバイアス電源４４の（−）端子に接続され、このバイアス電源４４の（＋）端子は電気リード３１を介して側壁１８に接続されている。」（第４頁右下欄８〜１３行）
（ニ−５）「反応性気体としては、窒素、酸素、ＣＨ４やＣ２Ｈ２のような炭化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、空気、シラン（ＳｉＨ４）及びその組合せが挙げられる。窒素が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ及びＡｌを含む金属陽極からの金属蒸気と共に好ましい反応性気体として用いられて、高融点窒化物ＴｉＮ、・・・Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ及びそれらの化合物を形成する。・・・従って、炭化物、酸化物・・化合物コーテイングは、炭素、酸素・・を含む反応性気体が使用される時生成されうる。」（第５頁左下欄２〜１６行）
（ニ−６）「陽極１８或いは陽極１８及び陰極１５に対して対象物１４に負バイアスの適用の仕方が、コーテイングの平滑性、均一性及び表面形態に影響を及ぼす。このバイアス電源はコーテイング操作を最適化するバイアス電位に調整されるべきである。」（第５頁右下欄２〜６行）
（ニ−７）表１には「基板バイアス　実施例１で１５０Ｖｄｃ　実施例２で２５０Ｖｄｃ」と記載される。（第６頁左下欄）
（ホ）刊行物５：特開昭５８−１５３７７６号公報（申立人が提出した甲第５号証）
（ホ−１）「上記の装置を用いて装飾部品５・・・を装入し、真空槽１を排気しながらガス導入口３からアルゴンと窒素の混合ガスを導入し、圧力を８×１０−４Ｔｏｒｒに保存した状態で放電用電源４により装飾部品５に−１ｋｖの電圧を印加すると、真空槽１内は青紫色の放電でつつまれる。この状態で電子ビーム電源７，８を調整して電子ビーム蒸発源６からチタニウムを主成分とする金属を蒸発させると、装飾部品５の表面に窒化チタニウム膜が被覆される。さらにスパッタリング電源９を調整すると、ターゲット１０１から金がスパッタされ、窒化チタニウム膜の表面に金の被膜が形成される。」（第２頁右下欄１９行〜第３頁左上欄１１行）
（ヘ）刊行物６：特開昭５９−１３６０８号公報（申立人が提出した甲第６号証）
（ヘ−１）「導電性を有する金属窒化物薄膜を反応性スパッタ法で形成する金属窒化物薄膜の製造方法において、基板バイアスを印加し、かつそのバイアス電圧が零の状態と負の状態が交互にくり返されてなる基板バイアスを用いることを特徴とする金属窒化物薄膜の製造方法。」（特許請求の範囲）
（ヘ−２）「第４図はバイアス電圧波形の例を示すものであり、デューテイ１／２の矩形波である。電圧の大きさ−Ｖは例えば−５０Ｖであり、周期Ｔは例えば１００ｍｓである。」（第２頁左下欄９〜１２行）
（ト）刊行物７：特公平１−４３４４６号公報（申立人が提出した甲第７号証）
（ト−１）「基体に強磁性体金属を該基体の法線に対して所定の入射角度で斜めに付着しバックローラにより冷却しうるイオンプレーテイング装置において、槽内に酸素ガスを充填し、バックローラに脈流又は任意の周期のパルス電圧を印加することを特徴とするイオンプレーテイング装置。」（特許請求に範囲）
（チ）刊行物８：特開平１−１８４２７６号公報（申立人が提出した甲第８号証）
（チ−１）「本発明はスパッタ成膜にかかわり、・・・スパッタ膜を成形できるスパッタ方法及びその装置に関するものである。」（第１頁右欄６〜９行）
（チ−２）「基板電極５には、直流基板バイアス電源７により負の電圧が印加されており、・・・直流基板バイアス電源７にはパルス電源１２が接続されており、お互いの電圧が重畳されて、基板電極５に印加される。・・・・繰り返し周波数５０ＫＨｚ、パルス印加のデューティ（第２図中のｔ１／ｔ２）はほぼ５０％程度で使用する。」（第２頁右上欄１２行〜同頁左下欄３行）
（チ−３）「デューティファクタが０％から１００％へと増すにつれ、基板バイアス電圧の最大値が印加されている時間が長くなる。」（第３頁左上欄１６〜１８行）
（リ）刊行物９：特開平１−１９５２７２号公報（申立人が提出した甲第９号証）
（リ−１）「本発明は・・・基板バイアス印加方式のスパッタリング装置に関するものである。」（第１頁右欄４〜６行）
（リ−２）「このバイアス電位を基板に付与することの目的について・・・１．被膜中の不純ガスの成膜中における除去　２．被膜の性質の制御、即ち硬度、結晶性の改善など。３．被膜の下地との密着性の改善　４．被膜の下地形状上への付き廻り性の改善　などが挙げられる。」（第２頁右上欄１６行〜同頁左下欄３行）
（リ−３）「上記したように常圧波形をパルス化することにより、フルに電圧の印加されている時間を低減することによって、基板への投入電力の制御を行うこと、・・・・ができる。」（第４頁右下欄１〜９行）
（リ−４）「上記バイアス電源１２０は最も浅いバイアス常圧値（以下Ｖｓとする）および最も深いバイアス値（以下Ｖｄとする）を０Ｖ〜−３００Ｖまで変化でき、デューティが０．０５〜０．９５の範囲内で変化させて成膜できる。本実施例では最も浅いバイアス電圧Ｖｓを−５０Ｖとした。」（第５頁左下欄１２〜１７行）
（リ−５）「基板に印加する電圧波形の繰り返し周波数を１ＭＨｚ以下、即ち波形の繰り返し周期は１μ秒以上とする。本実施例ではパルスの繰り返し周期Ｔを１ｍｓｅｃとした。」（第５頁右下欄６〜９行）
（３）対比・判断
（３−１）本件発明１について 
　刊行物４には、記載事項ニ−１からみて「真空室内で陽極から離間された蒸発可能な端面を有する固体陰極からの源物質で対象物をコーテイングする方法であって、陰極の蒸発可能な端面と陰極との間に電気アークを発生せしめて、該蒸発可能端面の原子、イオン化原子、分子及びイオン化分子の一種以上を含むプラズマを形成し、陰極室内のプラズマを通してそして真空室内に気体の流れを電気アークを包囲するように差向け、それにより気体の原子、イオン化原子、分子、及びイオン化分子の１種以上を陰極室案内のプラズマに寄与せしめる方法」が記載されているといえる。この記載中の「気体」について、記載事項ニ−５に「反応性気体としては、窒素、酸素、ＣＨ４やＣ２Ｈ２のような炭化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、空気、シラン（ＳｉＨ４）及びその組合せが挙げられる。窒素が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ及びＡｌを含む金属陽極からの金属蒸気と共に好ましい反応性気体として用いられて、高融点窒化物ＴｉＮ、・・・Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ及びそれらの化合物を形成する。」並びに「炭化物、酸化物化合物コーテイングは、炭素、酸素を含む反応性気体が使用される時生成されうる」と記載される。これらの記載から「気体」が「反応性気体」であって「窒素、酸素、ＣＨ４やＣ２Ｈ２のような炭化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、空気、シラン（ＳｉＨ４）及びその組合せ」であり、また、その「気体」が「窒素」で「金属陰極」が「Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌなど」のときには対象物に「高融点窒化物ＴｉＮ、・・・Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ及びそれらの化合物」などが形成されるものといえる。また、記載事項ニ−４から「対象物」を支持する「支持板」は「導電性材料で構成され、壁と絶縁された金属棒がバイアス電源の（−）端子に接続される」ものといえる。そして、この「バイアス電源」は記載事項ニ−７の「基板バイアス　実施例１で１５０Ｖｄｃ　実施例２で２５０Ｖｄｃ」の電圧単位から「直流バイアス電圧」を印加するものとみれる。
　これらのことから、刊行物４には、本件発明１の記載振りに則して整理すると「陰極の蒸発可能なＴｉ、Ｓｉ、Ａｌなどの源物質と陰極との間に電気アークを発生せしめて、該源物質の蒸発可能端面の原子、イオン化原子、分子及びイオン化分子の一種以上を含むプラズマを形成し、そして真空室内に窒素、酸素などの気体の流れを差向け、それにより気体の原子、イオン化原子、分子、及びイオン化分子の１種以上を陰極室案内のプラズマに寄与せしめて真空室内で対象物に高融点窒化物ＴｉＮ、・・・Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ及びそれらの化合物などの窒化物、酸化物をコーテイングする方法であって、対象物を支持する壁に対して絶縁された支持体に直流バイアス電圧を印加する方法」の発明（以下、「刊行４発明」という）が記載されているといえる。
　そこで、本件発明１と刊行４発明とを対比すると、刊行４発明の「対象物」及び「支持板」が夫々本件発明１の「工作物の基体」及び「保持具」に相当し、また、刊行４発明の「陰極の蒸発可能なＴｉ、Ｓｉ、Ａｌなどの源物質と陰極との間に電気アークを発生せしめて、該源物質の蒸発可能端面の原子、イオン化原子、分子及びイオン化分子の一種以上を含むプラズマを形成し」は本件発明１の「第１工程で酸化物生成体および／または窒化物生成体（３１）を気相に移行せしめ、少なくとも一部イオン化せしめ、且つ第２工程で窒素および／または酸素を挿入し、少なくとも一部イオン化せしめ」に相当し、刊行４発明の「真空室内に窒素、酸素などの気体の流れを差向け、それにより気体の原子、イオン化原子、分子、及びイオン化分子の１種以上を陰極室案内のプラズマに寄与せしめて真空室内で対象物に高融点窒化物ＴｉＮ、・・・Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ及びそれらの化合物などの窒化物、酸化物をコーテイングする」は本件発明１の「基体（３）の表面に酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）と窒素および／または酸素の化合物からなる分離層（９）を沈着せしめる」に相当する。そして、刊行４発明の「高融点窒化物ＴｉＮ、・・・Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ及びそれらの化合物などの窒化物」の「Ｓｉ３Ｎ４」は、本件発明１の皮膜として本件明細書の「分離層９は・・主として窒化ケイ素Ｓｉ３Ｏ４・・を包含する。」（第３頁第６欄２７〜３０行）に記載されることからも分かるように本件発明１の「非導電性セラミック材料」であることは明らかであり、また、バイアス電圧はコーテイング時に印加されることも記載事項ニ−６からも自明であることから、両者は、「第１工程で酸化物生成体および／または窒化物生成体を気相に移行せしめ、少なくとも一部イオン化せしめ、且つ第２工程で窒素および／または酸素を挿入し、少なくとも一部イオン化せしめ、次いで、基体の表面に酸化物生成体もしくは窒化物生成体と窒素および／または酸素の化合物からなる皮膜を沈着せしめる、真空室に対して絶縁して保持された工作物の基体の表面に非導電性セラミック材料を被覆する方法において、前記方法の少なくとも第２工程の際に直流バイアス電圧を基体および／または該基体の保持具に印加することを特徴とする方法」の点で一致するが、以下の点で相違すると云える。
　相違点ａ１：本件発明１では、「期間中の無接地電圧のパルス幅であり且つ２０〜９０％に調整されたパルス通電率を有する周期的なパルス直流バイアス電圧を基体および／または該基体の保持具に印加する」のに対し、刊行４発明ではバイアス電圧は直流電圧である点。
　上記相違点ａ１について他の証拠に基づいて検討すると、刊行物２には記載事項ロ−１〜ロ−３に、直流バイアススパッタリング法において、異常放電の誘発を防止するために「周期的に接地レベルに戻す負の直流バイアス電圧を印加する」ことや、「負の直流バイアス電圧を接地レベルに戻す周期は電圧電流に応じて決められる」ことが記載され、刊行物３には記載事項ハ−１、ハ−２に、イオンプレーティング法による膜形成装置における「バイアス電源」に関し「直流電源に１０４Ｈｚ〜１０８Ｈｚの範囲の高周波電圧を重畳させ、正になる期間を含むように調整させる」ことが記載される。また、刊行物６には記載事項ヘ−１、ヘ−２に「反応性スパッタ法で形成する金属窒化物薄膜の製造方法において、バイアス電圧が零の状態と負の状態が交互にくり返されてなる、デューテイ１／２の矩形波の基板バイアスを印加する」ことが記載され、また、刊行物７には記載事項ト−１に「イオンプレーテイング装置において、バックローラに任意の周期のパルス電圧を印加する」ことが記載され、また、刊行物８には記載事項チ−１、チ−２に、スパッタ方法に関し「基板電極には、パルス電源１２が接続された直流基板バイアス電源により負の、繰り返し周波数５０ＫＨｚ、パルス印加のデューティ（ｔ１／ｔ２）ほぼ５０％程度の電圧が印加されている」ことが記載され、そして、刊行物９には記載事項リ−１〜リ−５に、基板バイアス印加方式のスパッタリング装置に関し「バイアス電源１２０が０Ｖ〜−３００Ｖまで変化でき、デューティが０．０５〜０．９５の範囲内で変化させて成膜できる」ことや「基板に印加する電圧波形の繰り返し周波数を１ＭＨｚ以下、即ち波形の繰り返し周期は１μ秒以上とする」こと記載されている。
　これらの記載からみると、イオンプレーティングやスパッタリング等の物理的真空蒸着方法においては、基板に周期的なパルス直流バイアス電圧を印可することは周知であるといえ、周期的な直流バイアス電圧の接地レベルに戻す周期も任意に変化させること、本件発明１の「パルス通電率」に相当する「デューティ」（繰り返し周期に対するパルス印加時間の比）を１／２（５０％）あるいは０．０５〜０．９５にすることは通常行われていることが伺えるのである。そして更に、刊行物９の記載事項リ−２、リ−３から「バイアス電位の基板への付与は被膜の性質の制御や被膜の下地との密着性の改善などに影響を及ぼす」ことや「パルス化することにより、フルに電圧の印加されている時間を低減することによって、基板への投入電力の制御を行う」ことも伺える。以上のことを勘案すると、刊行４発明の直流バイアス電圧に、物理的真空蒸着において周知な周期的なパルス直流バイアス電圧を採用することに格別創意工夫を要するとはいえず、また相違点ａ１に係る本件発明１の「通電率を２０〜９０％に調整する」ことについても、パルス直流バイアス電圧を採用するにあってデューティを５〜９５％或いは特定の５０％で、接地レベルに戻す周期も任意に変化させて通常行われているとみれ、本件発明１において「調整された２０〜９０％の通電率」に格段の技術的意義も見当たらないことから、パルス直流バイアス電圧を採用するにあたっては通常設定される範囲内で、パルス通電率の調整範囲を２０〜９０％とすることは成膜条件や電圧等の種々の操作条件に応じて適宜選定し得るものといえる。
　そして、本件発明１の「工作物の基体において付着性の良好な被膜を得る」という解題を達成し、照射の最適調整やインピ−ダンス調整の省略等の明細書記載の作用効果についても予測し得る範囲内のことである。
　してみると、本件発明１は刊行４発明及び刊行物２、３、６〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものといえる。
（３−２）本件発明２について
　本件発明２は本件発明１の「無接地電圧のパルス幅であり且つ２０〜９０％に調整されたパルス通電率を有する周期的なパルス直流バイアス電圧」を更に「パルス直流バイアス電圧のパルス通電率を６０〜９０％に調整する」に限定するものであるから、本件発明２と上記「（３−１）本件発明１について」で記載した刊行４発明とを対比すると、一致点については本件発明１と同じであり、以下の点で相違する。
相違点ａ２：本件発明２では、「期間中の無接地電圧のパルス幅であり且つ６０〜９０％に調整されたパルス通電率を有する周期的なパルス直流バイアス電圧を基体および／または該基体の保持具に印加する」のに対し、刊行４発明ではバイアス電圧は直流電圧である点。
　そこで、この相違点ａ２について検討すると、この相違点ａ２は、本件発明１における相違点ａ１と同じパルス通電率に関するものであり、上記「（３−１）本件発明１について」で記載したとおりの理由により、パルス通電率を適宜範囲に選定することは当業者が普通に行い得ることであり、本件発明２のように「６０〜９０％」とすることに格別困難性は見出せない。したがって、本件発明１は刊行４発明及び刊行物２、３、６〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものといえる。
（３−３）本件発明３について
　本件発明３は本件発明１又は２に更に「パルス直流バイアス電圧のパルス通電率の周期を数ミクロン秒に調整する」と限定するものであるから、本件発明３と上記「（３−１）本件発明１について」で記載した刊行４発明とを対比すると、一致点及び相違点ａ１又はａ２については本件発明１又は２と同じであるが、両者は新たに以下の点で相違する。
相違点ｂ１：本件発明３では、「パルス直流バイアス電圧のパルス通電率の周期を数ミクロン秒に調整する」のに対し、刊行４発明では通電率の周期について明らかでない点。
　そこで、この相違点ｂ１について検討すると、この相違点ｂ１については、刊行物３の記載事項ハ−１に「直流電源に１０４Ｈｚ〜１０８Ｈｚの範囲の高周波電圧を重畳させる」ことが記載される。この重畳された電圧の周期はこの高周波電圧の周期に依存するのであり、１０４Ｈｚ〜１０８Ｈｚの範囲は数ミクロン秒に含まれることも明らかである。また、刊行物９の記載事項リ−４に「波形の繰り返し周期は１μ秒以上」と記載されるように普通に設定されるものである。そして相違点ｂ１に係る構成の周期の限定についても臨界的な意義も見出せないのである。以上のことからみれば、パルス通電率の周期を「数ミクロン以上」に設定することは格別のこととはいえず、当業者が種々の条件に応じて適宜為し得るものといえる。したがって、本件発明３は、刊行４発明及び刊行物２、３、６〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものといえる。
（３−４）本件発明４について
　本件発明４は本件発明３の「パルス直流バイアス電圧のパルス通電率の周期を数ミクロン秒に調整する」を更に「パルス直流バイアス電圧のパルス通電率の周期を１０ミクロン秒に調整する」に限定するものであるから、本件発明４と上記「（３−１）本件発明１について」で記載した刊行４発明とを対比すると、一致点及び相違点ａ１又はａ２については一致点については本件発明１又は２と同じであるが、両者は以下の点で相違する。
相違点ｂ２：本件発明４では、「パルス直流バイアス電圧のパルス通電率の周期を１０ミクロン秒に調整する」のに対し、刊行４発明では通電率の周期について明らかでない点。
　そこで、この相違点ｂ２について検討すると、この相違点ｂ２については、本件発明３における相違点ｂ１と同じパルス通電率の周期に関する技術的事項であり、上記「（３−３）本件発明３について」で記載したとおりの理由により、周期を「１０ミクロン秒」に設定することは設計的な事項として当業者が適宜為し得るものといえる。したがって、本件発明３は、刊行４発明及び刊行物２、３、６〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたことといえる。
（３−５）本件発明６について
　本件発明６は本件発明１〜４に、更に「酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）および窒素および／または酸素の化合物からなる沈着層を分離層（９）として作成し、第３工程で該分離層上に表層（７）を沈着せしめる」と限定するものであるから、本件発明６と上記「（３−１）本件発明１について」で記載した刊行４発明とを対比すると、一致点及び相違点ａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２については本件発明１〜４と同じであるが、両者は新たに以下の点で相違する。
相違点ｃ１：本件発明６では、「酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）および窒素および／または酸素の化合物からなる沈着層を分離層（９）として作成し、第３工程で該分離層上に表層（７）を沈着せしめる」のに対し、刊行４発明では表層について特定されていない点。
　そこで、この相違点ｃについて検討すると、この相違点ｃについては、刊行物５の記載事項ホ−１に「装飾部品５の表面に窒化チタニウム膜が被覆される。さらにスパッタリング電源９を調整すると、ターゲット１０１から金がスパッタされ、窒化チタニウム膜の表面に金の被膜が形成される。」と記載される。この記載の「金の被膜」が窒化チタニウム膜の表層に当たることは明らかであり、本件特許明細書第７欄４６行〜第８欄３行に本件発明６の「表層」として具体的に「金膜」が例示されることからみても、刊行物５には、本件発明６の「表層」を被膜の上に形成することが開示されているといえる。そして、刊行物５の技術的事項を刊行４発明に適用することに何ら困難性は見当たらないから、相違点ｃ１に係る本件発明６の構成を構築することは当業者が適宜なし得るものといえる。
　したがって、本件発明６は刊行４発明及び刊行物２、３、５〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものといえる。
（３−６）本件発明７について
　本件発明７は、本件発明１〜４、６の「酸化物生成体および／または窒化物生成体（３１）を気相に移行せしめ、少なくとも一部イオン化せしめ、および窒素および／または酸素を少なくとも一部イオン化せしめるため」の手段として「アーク放電（５２）を用いる」ことに限定するものであるが、この「アーク放電」については刊行４発明の「電気アーク」に相当するものであるから、この限定事項については刊行４発明と相違はない。したがって、本件発明７は、上記本件発明１〜４、６で述べたと同じ理由により、刊行４発明及び刊行物２、３、５〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものといえる。
（３−７）本件発明１０について
　本件発明１０は本件発明７の「アーク放電（５２）」をさらに「低圧アーク」を用いることに限定するものである。そうすると、本件発明１０と上記「（３−１）本件発明１について」で記載した刊行４発明とを対比すると、一致点及び相違点ａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２、ｃ１については本件発明７で引用する本件発明１〜４、６と同じであるが、両者は新たに以下の点で相違する。
相違点ｄ：本件発明１０では、「低圧アーク」を用いるのに対し、刊行４発明では「電気アーク」であるが、かかる構成が明示されていない点。
　そこで、この相違点ｄについて検討すると、この相違点ｄについては、刊行物１の記載事項イ−２に物理的蒸着のプラズマ形成手段として「低電圧アーク放電」を用いることが記載されるように「低電圧アーク放電」はプラズマ形成に普通に用いられるものであるから、刊行４発明の「電気アーク」として「低圧アーク」を用いることは当業者が容易に為し得るものといえる。したがって、本件発明１０は、刊行４発明及び刊行物１〜３、５〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものといえる。
（３−８）本件発明１１について
　本件発明１１は本件発明１〜４、６、７、１０の「酸化物生成体および窒化物生成体」として「珪素」に限定するものであるが、本件発明１１と上記「（３−１）本件発明１について」で記載した刊行４発明とを対比すると、刊行４発明における「高融点窒化物」として「ＴｉＮ、・・・Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ及びそれらの化合物」が挙げられているのであるから、「酸化物生成体および窒化物生成体」として刊行４発明には「珪素」が記載されているといえる。そうすると、上記本件発明１１の限定事項については刊行４発明と相違はないから、本件発明１１は、上記本件発明１〜４、６、７、１０で述べたと同じ理由により、刊行４発明及び刊行物１〜３、５〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものである。
（３−９）本件発明１２について
　本件発明１２は本件発明１〜４、６、７、１０の「酸化物生成体および窒化物生成体」として「アルミニウム」に限定するものであるが、本件発明１１と上記「（３−１）本件発明１について」で記載した刊行４発明とを対比すると、刊行４発明における「高融点窒化物」として「ＴｉＮ、・・・Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ及びそれらの化合物」が挙げられているのであるから、「酸化物生成体および窒化物生成体」として刊行４発明には「アルミニウム」が記載されているといえる。そうすると、上記本件発明１２の限定事項については刊行４発明と相違はないから、本件発明１１は、上記本件発明１〜４、６、７、１０で述べたと同じ理由により、刊行４発明及び刊行物１〜３、５〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたものである。
（３−１０）本件発明１３について
　本件発明１３は本件発明６の「表層」として「周期律表のＩＶｂ族の（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、Ｖｂ族の（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、ＶＩｂ族の（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）の金属と窒素、炭素または硼素との化合物、または炭化ケイ素、または化合物と炭化ケイ素との混合物」に限定するものである。本件発明１３と上記「（３−１）本件発明１について」で記載した刊行４発明とを対比すると、一致点及び相違点ａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２については本件発明６と同じであるが、両者は新たに以下の点で相違する。
相違点ｃ２：本件発明１３では、表層が「周期律表のＩＶｂ族の（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、Ｖｂ族の（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、ＶＩｂ族の（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）の金属と窒素、炭素または硼素との化合物、または炭化ケイ素、または化合物と炭化ケイ素との混合物」であるのに対し、刊行４発明では表層について特定されていない点。
　そこで、この相違点ｃ２について検討すると、この相違点ｃ２については、刊行物４のニ−５に「窒素が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ及びＡｌを含む金属陽極からの金属蒸気と共に好ましい反応性気体として用いられる」と記載されるように、相違点ｃ２に係る本件発明１３の構成の「周期律表のＩＶｂ族の（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、Ｖｂ族の（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、ＶＩｂ族の（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）の金属と窒素との化合物」は物理的蒸着において普通に形成されるものであるから、これらを表層として分離層の上に更に設けることは当業者であれば容易に為し得るものといえる。
   したがって、本件発明１３は、刊行４発明及び刊行物２、３、５〜９に記載の発明から当業者が容易に想到することができたことといえる。
　以上のとおりであるから、本件発明１〜４、６、７、１０〜１３は刊行４発明及び刊行物１〜３、５及び６〜９に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとするのが相当である。
４．むすび
　以上のとおり、本件請求項１〜４、６、７及び１０〜１３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１〜４、６、７及び１０〜１３に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
   よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１０月２８日（２００４．１０．２８）