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　特願２００８−５５２３３７「結晶ファセット形成表面に基づく改良型外部抽出発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月　９日国際公開、ＷＯ２００７／０８９４６０、平成２１年　７月　９日国内公表、特表２００９−５２５５９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１月１９日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００６年１月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１０月１７日に手続補正がなされたが、平成２２年３月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年１０月１７日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし３９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「ＩＩＩ族窒化物発光活性構造のメサを含み、
　該メサは、該ＩＩＩ族窒化物構造の小整数のＭｉｌｌｅｒ指数結晶面に沿って終端するその側壁を有する、発光ダイオード。」
　
３　本願発明の技術的意義
（１）本願発明の、「ＩＩＩ族窒化物発光活性構造のメサ」が「ＩＩＩ族窒化物構造の小整数のＭｉｌｌｅｒ指数結晶面に沿って終端するその側壁を有する」ことについての技術的意義に関し、本願明細書には以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ）。
「【００１２】「指数結晶面」という用語は、有理指数の法則に一致して十分理解される意味において使用される。例えば、
任意の結晶種には、すべての自然発生面が小整数に比例して逆数切片を有
結晶面の説明において、選択される整数の組は、多くの可能な選択肢の中で最も簡素な組である必要があり、その最も簡素な組は、結晶面のＭｉｌｌｅｒ指数と呼ばれる
【００１３】結晶構造に精通する者は、当然のことながら、
Ｍｉｌｌｅｒ指数システム
機械的に形成された平面は、小整数に比例する逆数切片を表さ
【００１４】本発明の指数結晶面を区別するため、本明細書においてそれらは「化学的に成長した」という形容詞句とともに呼ばれ、
面が湿式化学エッチングを使用して形成されたことを表す
湿式エッチング
自然発生する指数結晶面を形成する
【００１６】比較すると、一部の化学反応は、プラズマエッチング組成と下層結晶との間で生じる場合もあるが、化学的に成長した面は、
鋸切断
乾式（プラズマ）エッチングは、自然発生する指数面を生成しない
　
（２）上記（１）によれば、本願明細書には、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物発光活性構造のメサ」が「ＩＩＩ族窒化物構造の小整数のＭｉｌｌｅｒ指数結晶面に沿って終端するその側壁を有する」ことについての技術的意義に関して、概略、以下の事項が記載されていることが認められる。
　
「任意の結晶種には、すべての自然発生面が小整数に比例して逆数切片を有し、結晶面の説明において、選択される整数の組は、多くの可能な選択肢の中で最も簡素な組である必要があり、その最も簡素な組は、結晶面のＭｉｌｌｅｒ指数と呼ばれるところ、鋸切断等機械的に形成された平面は小整数に比例する逆数切片を表さず、また、乾式（プラズマ）エッチングは自然発生する指数面を生成しないが、湿式エッチングは自然発生する指数結晶面を形成するから、Ｍｉｌｌｅｒ指数システムにおいて、小整数の指数結晶面とは、面が湿式エッチングを使用して形成されたことを表す。」
　
４　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００４／１３９１６号（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある。
ア　「技術分野
　本発明は、半導体を用いた発光素子に係り、特に窒素を含む化合物半導体である窒化物半導体を用いた素子に係り、
窒化物半導体の発光素子
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体
を用いた発光素子で
　
イ　「背景技術
　近年、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光ダイオードが、紫外域、青色等の比較的短い波長域を中心に広く用いられるようになって来ている。この窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移であり発光効率が高いことからもその適用範囲が拡大している。
　そのような発光素子には様々な構造、特に半導体の積層体の形状、電極構造・配置が提案されている。」（１頁１４〜２０行）
　
ウ　「（第３の発明）
　以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。
実施の形態８（第３の発明）．
　本発明に係る実施の形態１（審決注「実施の形態８」の誤記）の窒化物半導体発光素子は、図３４に示すように、発光領域を構成する窒化物半導体層の一部が金属部材７に埋め込まれるように設けられ、その金属部材７によって、発光素子全体の形状が保持されている。
　本実施の形態８の
窒化物半導体発光素子においては、ｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層３の間に発光層４を設けることによりダブルへテロ構造の発光領域が構成されており、そのｐ型窒化物半導体層と発光層とｎ型窒化物半導体層の一部は
　以上のように構成された実施の形態８の窒化物半導体発光素子において、積層体１０の発光層４で発光された光は、金属部材７の反対側から透明電極２１を介して出射される。
　次に、本実施の形態８の窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。
　本製造方法ではまず、図３５に示すように、サファイア基板１の上に例えばバッファ層（図示せず）を介してｎ型窒化物半導体層２、発光層４及びｐ型窒化物半導体層３をその順番に成長させる。
　次に、素子間において、
ｎ型窒化物半導体層が露出するまでエッチングすることにより、台形錐形状の積層体１０を形成する
　この台形錐形状の積層体１０は、例えば、マスクを所定の台形錐形状に形成しておいて、そのマスクを用いてエッチングすることによりそのマスクの形状に対応した台形錐形状に加工できる。
　具体的には、まず、図４４Ａに示すように、ｐ型窒化物半導体層３上に、断面が台形形状のマスクＭ１を形成する。このマスクＭ１は反応性イオンエッチングにより一定のレートでエッチング可能な材料を用いて形成する。
　次に、反応性イオンエッチングにより、マスクＭ１の上からサファイア基板１上に形成された半導体層（ｐ型窒化物半導体層３、発光層４及びｎ型窒化物半導体層２）エッチングする。このエッチング工程においては、半導体層とともにマスクＭ１そのものもエッチングにより少しづつ除去される。尚、図４４Ｂにおいて、破線と実線の間のＲ１の符号を付した部分が除去された部分である。
　このエッチングを積層部１０の周りにｎ型窒化物半導体層２の表面が露出されるまで続ける（図４４Ｃ）。
　このようにすると、マスクＭ１の形状に対応した台形錐形状の積層部１０が形成される。
　本方法では、マスク材料と窒化物半導体材料のＲＩＥによるエッチング率を考慮して、マスクＭ１形状を設定することにより、所望の台形錐形状の積層部１０を形成できる。
　上述の方法により積層体１０を加工するエッチング手段としては、反応性イオンエッチングの他、反応性イオンビームエッチング、イオンミリング等のドライエッチングを用いることができる。
　また、
台形錐形状の積層部１０の加工は、
ウェットエッチングなどの等方性エッチング手段を用いて、
もよい
　また、
積層体１０
傾斜した側面１０ａ
　
エ　図３４、３５、３６及び図４４ＡないしＣは、次のものである。
　
　
（２）引用発明
　上記（１）アないしエによれば、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いた窒化物半導体発光素子であって、
　前記窒化物半導体発光素子においては、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に発光層を設けることによりダブルへテロ構造の発光領域が構成されており、そのｐ型窒化物半導体層と発光層とｎ型窒化物半導体層の一部は、ｎ型窒化物半導体層が露出するまでエッチングすることにより、台形錐形状の積層体を形成するものであって、
　前記積層体は傾斜した側面を有し、
　前記台形錐形状の積層部の加工は、ウェットエッチングなどの等方性エッチング手段を用いてもよい窒化物半導体発光素子。」
　
５　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用発明を比較する。
ア　引用発明は、「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いた窒化物半導体発光素子であって、前記窒化物半導体発光素子においては、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に発光層を設けることによりダブルへテロ構造の発光領域が構成されており、そのｐ型窒化物半導体層と発光層とｎ型窒化物半導体層の一部は、ｎ型窒化物半導体層が露出するまでエッチングすることにより、台形錐形状の積層体を形成するものであ」るから、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体によりｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に発光層を設けることによりダブルへテロ構造の発光領域が構成された台形錐形状の積層体（メサ）を形成するものである。
　そうすると、引用発明はＩＩＩ族窒化物発光活性構造のメサを含んでいるといえるから、引用発明は、本願発明と「ＩＩＩ族窒化物発光活性構造のメサを含」む点で一致する。
　
イ　引用発明の「積層体」は「傾斜した側面を有し」ているから、上記アの点と合わせると、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体によりｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に発光層を設けることによりダブルへテロ構造の発光領域が構成された台形錐形状の積層体が、傾斜した側面を有するものである。
　そうすると、引用発明は、ＩＩＩ族窒化物発光活性構造のメサが側壁を有するといえるから、引用発明は、本願発明の「該メサは、該ＩＩＩ族窒化物構造の小整数のＭｉｌｌｅｒ指数結晶面に沿って終端するその側壁を有する」構成とは、「該メサは、該ＩＩＩ族窒化物構造の側壁を有する」点で一致する。
　
ウ　引用発明は、窒化物半導体発光素子であるところ、上記４（１）イによれば、「窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光ダイオード」であるから、引用発明の窒化物半導体発光素子は発光ダイオードといえる。
　そうすると、引用発明と本願発明は「発光ダイオード」である点で一致する。
　
　以上アないしウによれば両者は、
「ＩＩＩ族窒化物発光活性構造のメサを含み、
　該メサは、該ＩＩＩ族窒化物構造の側壁を有する、発光ダイオード。」
である点で一致し、
　
　本願発明は、ＩＩＩ族窒化物構造のメサの側壁が、「小整数のＭｉｌｌｅｒ指数結晶面に沿って終端する」のに対して、引用発明は、積層体の傾斜した側面がこのようなものであるのか明らかではない点（以下「相違点」という）で相違するものと認められる。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
　上記３（２）によれば、本願発明における、ＩＩＩ族窒化物構造のメサの側壁が、「小整数のＭｉｌｌｅｒ指数結晶面に沿って終端する」ことの技術的意義は、「ＩＩＩ族窒化物発光活性構造のメサ」の側面が「湿式エッチングを使用して形成されたこと」にあると認められる。
　しかるところ、引用発明は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いた窒化物半導体発光素子のｐ型窒化物半導体層と発光層とｎ型窒化物半導体層の一部は、ｎ型窒化物半導体層が露出するまでエッチングすることにより、台形錐形状の積層体を形成するものであって、前記台形錐形状の積層部の加工は、ウェットエッチングなどの等方性エッチング手段を用いてもよいところ、半導体積層体をウェットエッチングで側面の加工を行うと結晶面を形成することは周知の事項である（例えば、特開２００４−３１９９１５号公報：【００４４】「Ｓｉを添加したＡｌＧａＩｎＰからなる第１クラッド（ｎ型クラッド層）層２３、アンドープＧａＩｎＰからなる活性層２４、Ｚｎを添加したＡｌＧａＩｎＰからなる第２クラッド層（Ｐ型クラッド層）２５」及び【００７３】〜【００７５】「ウェットエッチング技術（薬剤による基材の除去）を用いるとしている。ここで、ウェットエッチング技術を用いると、発光部１２ａ・１３ａの側面（エッチング面）では、結晶面が露出する。・・・ダイシングで発光部１２ａ・１３ａを分離する場合、ダイシング面は非結晶面となるか、または、細かい結晶面がランダムに配列されたざらざらの面となる。・・・ドライエッチングで行ってもよい。この場合も、発光部１２ａ・１３ａの側面に結晶面は現れない。」、特開２００１−２８４７１２号公報：【００１３】「Ｉｎ1-xＧａxＡｓ1-yＰy（但し、０≦ｘ＜１，０≦ｙ≦１）のガイド層、活性層及びガイド層を順に形成してＳＣＨ(Separate Confinement Heterostracture)構造の活性層領域１０を積層して半導体層構造を基板上に作製する。」及び【００２２】「ドライエッチングによりクラッド層両側平坦部並びにリッジの側面にてグレーティングの溝を掘り込んで、さらにウェットエッチングするので、リッジ側面においては鉛直側面の結晶面（０１１）が現れ、グレーティング部の凸部側面においては鉛直側面の結晶面（０１−１）が現れ、リッジのほぼ垂直な側面Ｖとグレーティング溝２０のランド部各々とを結合しかつリッジ１５の平坦上面部からグレーティング溝２０のランド部平坦上面部まで傾斜面を有するブラケット状グレーティング部分２０ａが形成される。」、及び、特開平７−１６９９９３号公報：【００２９】〜【００３０】「（実施例１）図１は本発明の実施例１のＬＥＤを示す断面図である。このＬＥＤは、（００１）面を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板１表面上、［０−１１］方向にメサ型溝１１が形成されている。この状態の基板１表面全面に、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（例えばｘ＝０．７、ｙ＝０.５）クラッド層２、ノンドープ（ＡｌpＧａ1-p）qＩｎ1-qＰ（例えばｐ＝０．３、ｑ＝０.５）活性層３、ｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰクラッド層４がこの順に積層形成され、ダブルヘテロ構造を成している。・・・結晶主面が（００１）面であるｎ型ＧａＡｓ基板１表面上に、通常のウェットエッチングにより、［０−１１］方向にメサ型溝１１を形成する。」との記載参照）。
　そうすると、引用発明において、台形錐形状の積層部の加工にウェットエッチングを用いる場合に、台形錐形状の傾斜した側面（終端面）が結晶面となるものと認められる。
　そして、当該ウェットエッチングにより形成した結晶面を、周知のＭｉｌｌｅｒ指数システムを使用して表現することに何ら困難性はなく、また、このようなウェットエッチングにより形成した結晶面が、小整数のＭｉｌｌｅｒ指数結晶面に沿うものであることは、最も簡素な組を結晶面のＭｉｌｌｅｒ指数と呼ぶことに照らして明らかである。
　すなわち、上記相違点に係る構成である、ＩＩＩ族窒化物構造のメサの側壁が、「小整数のＭｉｌｌｅｒ指数結晶面に沿って終端する」点に、ウェットエッチングを採用することにより得られる以上のものは認められない。
　したがって、本願発明は、引用発明において、台形錐形状の積層部の加工にウェットエッチングを用いることにより当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）審判請求書における主張について
　請求人は、審判請求の理由において、引用文献に記載されているウェットエッチングは、本願発明が採用するものとは全く異なり、また、ドライエッチングに比較して加工精度が劣ると記載されているから、ウェットエッチングを採用することに阻害要因がある、などと主張する。
　しかしながら、上記４（１）ウによれば、ウェットエッチングを利用すると、台形錐形状の加工を簡単にできるが、加工精度はドライエッチングを使用した方法に比較して劣るとされていることに照らして、ウェットエッチングには加工を簡単にできる利点があり、ウェットエッチングを採用することに阻害要因があるとはいえない。
　また、本願発明は、特定のウェットエッチング（異方性ウェットエッチング）を用いて側壁を形成したものに特定されてはいない。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。
　
６　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。