【事件の表示】
　特許第３３８１４５４号「蒸着装置及びボールバンプの形成方法」の請求項２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８１４５４号の請求項２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　
　本件特許第３３８１４５４号の発明についての出願は、平成７年５月１５日の出願であって、平成１４年１２月２０日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、山科朱美子より特許異議の申立がなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年８月２４日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否について
　
１．訂正の内容
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項２の記載について、
「【請求項２】　加工ステージにＢＬＭ膜を形成した被処理基板を載置するステップと、
　レジスト膜を所定のパターンに形成するステップと、
　真空容器内を真空にし、不活性ガスをガス導入孔から導入するステップと、
　高周波電力を供給し前記ＢＬＭ膜表面を清浄化するステップと、
　前記ＢＬＭ膜の上にはんだを蒸着するステップと、
　加熱処理するステップより成る、ボールバンプの形成方法。」
とあるのを、
「【請求項２】　加工ステージにＢＬＭ膜を形成した被処理基板を載置するステップと、
　レジスト膜を所定のパターンに形成するステップと、
　真空容器内を真空にし、不活性ガスをガス導入孔から導入するステップと、
　高周波電力を供給し前記ＢＬＭ膜表面を清浄化するステップと、
　全面に複数の透孔を備えたコリメータを前記加工ステージと蒸着材料との間に配置した状態で、前記ＢＬＭ膜の上にはんだを蒸着するステップと、
　加熱処理するステップと、
　前記高周波電力を前記コリメータに供給し、前記コリメータの透孔のクリーニングを行なうステップより成る、ボールバンプの形成方法。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正は、訂正前の請求項２に係る発明の構成に欠くことができない事項である「前記ＢＬＭ膜の上にはんだを蒸着するステップ」を、「全面に複数の透孔を備えたコリメータを前記加工ステージと蒸着材料との間に配置した状態で、前記ＢＬＭ膜の上にはんだを蒸着するステップ」に限定するとともに、「前記高周波電力を前記コリメータに供給し、前記コリメータの透孔のクリーニングを行なうステップ」という構成要件を直列的に付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、また、これらの訂正事項は特許明細書の段落【００２３】〜【００２７】及び図２、３に記載されているから、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立について
　
１．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１、２号証を提出して、訂正前の請求項２に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、これを取り消すべき旨主張する。
    　　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特開平６−３２６１１１号公報
　甲第２号証：特開平５−１０２０６８号公報
　
２．本件発明
　上記II．で示したように上記訂正が認められるから、本件特許第３３８１４５４号の請求項２に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、平成１６年８月２４日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項２】　加工ステージにＢＬＭ膜を形成した被処理基板を載置するステップと、
　レジスト膜を所定のパターンに形成するステップと、
　真空容器内を真空にし、不活性ガスをガス導入孔から導入するステップと、
　高周波電力を供給し前記ＢＬＭ膜表面を清浄化するステップと、
　全面に複数の透孔を備えたコリメータを前記加工ステージと蒸着材料との間に配置した状態で、前記ＢＬＭ膜の上にはんだを蒸着するステップと、
　加熱処理するステップと、
　前記高周波電力を前記コリメータに供給し、前記コリメータの透孔のクリーニングを行なうステップより成る、ボールバンプの形成方法。」
　
３．甲各号証刊行物の記載事項
（１）甲第１号証刊行物の記載事項
　当該刊行物には、図７とともに以下の事項が記載されている。
「図７（Ａ）に示したように、まず、半導体素子１のアルミニウムパッド２上に、クロムＣｒ、銅Ｃｕおよび金Ａｕが順次電気めっきされてＢＬＭ（Ball Limiting Metallurgy；以下ＢＬＭと略称する）層３が形成される。次いで、該ＢＬＭ層３の上面に、図７（Ｂ）に示したようなフォトレジスト層４が所定高さに成層される。
　その後、図７（Ｃ）に示したように、該フォトレジスト層４の上面にメタルマスクを利用したフォトレジスト除去領域を限定して、該メタルマスクに露光および現像が行なわれて、該フォトレジスト層４が除去されバンプ５の形成される領域がオープンされる（図７（Ｄ）参照）。
　次いで、図７（Ｅ）に示したように、該領域内にバンプ（通常、ソルダである）が電気めっきにより蒸着（deposition）され、図７（Ｆ）に示したように残りのフォトレジスト層４が除去される。その後、画７（Ｇ）に示したように、エッチングにより不必要なＢＬＭ層３が除去され不導体層６が形成されて、半導体素子１のアルミニウムパッド２上にのみＢＬＭ層３およびバンプ５が形成され、該バンプ５が図７（Ｈ）に示したようにリフローされてボール状に変形される。」（段落【０００４】〜【０００６】）
（２）甲第２号証刊行物の記載事項
　当該刊行物には、図１とともに以下の事項が記載されている。
「図１（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１の実施例に係る電極形成方法を工程順に示す断面図である。この方法により実際にダイヤモンド薄膜上に電極を形成した。即ち、先ず、図１（ａ）に示すように、マイクロ波ＣＶＤ（気相成長）法を使用して、Ｓｉ又はＳｉ3 Ｎ4 からなる基板１上にダイヤモンド薄膜２を約 2μｍの厚さに形成した。この場合に、反応ガスとして水素希釈したＣＨ4 ガスを使用し、ドーピングガスとしてＢ2 Ｈ6 ガスを使用した。また、ＣＨ4 濃度及びＢ2 Ｈ6 濃度は、気相中で夫々 0.5％及び0.01ppm である。更に、基板温度は約 800℃、ガス圧は35Torr、合成時間は約７時間である。その後、ダイヤモンド薄膜２上にフォトレジスト３を塗布した。
　次に、図１（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を使用して、フォトレジスト３に所定の電極パターンの開口部を設けた。その後、マグネトロンスパッタ装置を使用して、開口部内に露出したダイヤモンド薄膜２の表面をプラズマ処理した。」（段落【００２２】、【００２３】）
　
４．対比・判断
　本件発明と上記甲第１号証刊行物及び甲第２号証刊行物に記載されたものとを対比すると、両刊行物には、本件発明の構成に欠くことができない事項である、「全面に複数の透孔を備えたコリメータを前記加工ステージと蒸着材料との間に配置した状態で、前記ＢＬＭ膜の上にはんだを蒸着するステップ」と、「前記高周波電力を前記コリメータに供給し、前記コリメータの透孔のクリーニングを行なうステップ」という構成については何ら記載乃至示唆されていない。
　そして、本件発明は当該構成を具備することにより、「プロセス処理中は前処理とコリメーション成膜とを効果的に実現する装置環境を作り、加えて処理数を重ねてコリメータ１７の透孔１６に目詰りが生じた場合には、コリメータ１７側に高周波電源２１の接続先を切り換えて電力を供給することで、真空容器７を大気解放することなく高真空を維持したままでもコリメータ１７のクリーニングが行なえるようになる。」という特許明細書の段落【００２７】に記載された顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明が上記甲第１、２号証刊行物に記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
IV．むすび
　
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
  したがって、本件請求項２に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
  よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年９月６日（２００４．９．６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
蒸着装置及びボールバンプの形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　真空容器内に蒸着材料を貯留した坩堝と、
　該坩堝内の該蒸着材料と対向させた被加工物を載置した加工ステージを備えた蒸着装置において、
　前記加工ステージに高周波電源を接続し、
　前記真空容器に不活性ガスの導入孔を具備するとともに、
　前記坩堝と前記加工ステージとの間に配置され、全面に複数の透孔を備えたコリメータと、
　前記高周波電源の接続先を前記加工ステージと前記コリメータとのいずれかへ切り替える手段とを備えていることを特徴とする蒸着装置。
　【請求項２】　加工ステージにＢＬＭ膜を形成した被処理基板を載置するステップと、
　レジスト膜を所定のパターンに形成するステップと、
　真空容器内を真空にし、不活性ガスをガス導入孔から導入するステップと、
　高周波電力を供給し前記ＢＬＭ膜表面を清浄化するステップと、
　
全面に複数の透孔を備えたコリメータを前記加工ステージと蒸着材料との間に配置した状態で、
　加熱処理するステップ
と、
　
前記高周波電力を前記コリメータに供給し、前記コリメータの透孔のクリーニングを行なうステップ
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体基体の表面にはんだ等の金属薄膜を形成するのに適した真空蒸着装置とこの装置を用いた成膜方法とはんだ等のボールバンプの形成方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　電子機器の小型化をより一層進展させるためには、部品実装密度を如何に向上させるかが重要なポイントとなる。こ
の
　フリップチップ実装法の一つとして、ＩＣチップを構成する半導体基体の電極パッド上にはんだボールバンプを形成して、ＩＣチップを直接印刷配線基板上に実装する方法がある。このはんだバンプを所定の電極上に形成する方法としては、電解メッキによる方法もあるが、この場合下地の表面状態や電気抵抗の僅かなバラツキによって、成膜されるはんだの厚みが影響を受けＩＣチップ内で均一な高さを有するはんだバンプの形成が困難になるという問題がある。
　【０００３】
　そこで、高さのバラツキを生じさせない製法として、はんだの蒸着と、フォトレジスト膜のリフトオフを用いた方法がある。
　この従来のはんだの成膜方法とこれに用いられている蒸着装置の例を図６、図７、図８に示し、以下に説明する。
　フリップチップＩＣの接合部は、シリコン等の半導体基体１上に、アルミニューム等の電極２をスパッタ法やエッチング法等で形成し、ポリイミド等を塗布して表面保護膜３を全面に被覆した後、電極２上に開口部を形成して、さらに電極２の上に、ＢＬＭ（Ｂａｌｌ　Ｌｉｍｉｔｔｅｄ　Ｍｅｔａｌ）膜４と称せられるクローム、銅、金等から成る多層の金属膜を形成する（図６（ａ）参照）。
　【０００４】
　さらに、このＢＬＭ膜４の上に、開口５を有するレジスト膜６によるパターンを形成する（図６（ｂ）参照）。
　このようにして製造した図６（ｂ）に示すウエハにはんだ等の金属膜を形成するべく例えば図８に示す蒸着装置が用いられる。
　ここに示す蒸着装置は抵抗加熱式蒸着装置と称され、真空容器７内にヒーター８で加熱溶融した蒸着材料９を貯留した坩堝１０、坩堝１０と対向した位置にドーム状の加工ステージ１１、加工ステージ１１の坩堝１０との対向面に被加工物であるウエハ１２が配置されている。
　【０００５】
　これにより、ウエハ１２全面にはんだ蒸着膜１３が成膜され（図６（ｃ））、レジストリフトオフによるパターニングを行なった後（図７（ｄ））、熱処理によってはんだを溶融させることで、最終的に図７（ｅ）に示すような、はんだボールバンプ１４が形成される。
　ここで、仕上がり後のはんだボールバンプの大きさを左右するはんだ蒸着膜の厚さには、成膜パターンにも依るが、印刷配線基板への実装時の強度や安定性等を考慮して、通常３０μｍ程度の厚いものが要求される。
　そのため、リフトオフに必要な下地のレジストパターン６の膜厚としては、３０μｍ以上のかなり厚いものが必要となり、リソグラフィー工程において精度良く安定したパターン形成を行なうことが困難である。
　【０００６】
　即ち、作業環境や処理条件の僅かな変動で解像不良をおこし、図６（ｂ）に示すごとく、開口部５に光学顕微鏡でも確認できない程度に薄くレジスト皮膜が残存したり、現像液の洗浄残りが生ずる等して、仕上がり後のはんだボールバンプ１４と下地のＢＬＭ膜との界面での電気的コンタクトが良好に得られないという問題が頻繁に発生している。
　残存したレジスト膜や現像液の洗浄残りを以下レジスト膜等の残渣１６ａと称する。尚、ここでは表現の便宜上、残渣１６ａを極端に厚く表記している。
　また、極端な場合には、ＢＬＭ膜とはんだ蒸着膜との密着力が低下して、後工程や印刷配線基板への実装時には、はんだバンプがＢＬＭ膜から剥離してしまうという様な事態をも招いている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　そこで本発明の課題は、フリップチップＩＣ等のボールバンプの形成の際の金属膜（バンプ材料膜）形成に用いる蒸着装置を改良し、レジスト膜等の残渣６ａを除去できる蒸着装置と成膜方法を提供することである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　かかる課題を解決するために、本発明においては、真空容器内に蒸着材料を貯留した坩堝と坩堝内の蒸着材料と対向させた被加工物を載置した加工ステージを備え、加工ステージに高周波電源を接続し真空容器に不活性ガスの導入孔を具備した蒸着装置の構成とした。
　【０００９】
　この蒸着装置の構成において、全面に複数の透孔を備えたコリメータを坩堝と加工ステージとの間に配置している。
　【００１０】
　また、コリメータを坩堝と加工ステージの間で位置を移動し得るよう、コリメータに駆動機構を設けてもよい。
　【００１１】
　本発明では、この蒸着装置において、高周波電源の接続先を加工ステージとコリメータとのいずれかに切り替える手段を備えている。
　【００１２】
　また、本発明は、真空容器内に蒸着材料を貯留した坩堝と、坩堝内の該蒸着材料と対向させた被加工物を載置した加工ステージを備え、加工ステージに高周波電源を接続し、真空容器に不活性ガスの導入孔を具備して成る、蒸着装置を用いて、成膜直前に高真空下で不活性ガスの高周波放電プラズマによる成膜前処理を行なう方法である。
　【００１３】
　この方法において、加工ステージにＢＬＭ膜を形成した被処理基板を載置するステップとレジスト膜を所定のパターンに形成するステップと真空容器内を真空にし、不活性ガスをガス導入孔から導入するステップと高周波電力を供給しＢＬＭ膜表面を清浄化するステップとＢＬＭ膜の上にはんだを蒸着するステップと加熱処理するステップより成るボールバンプの形成方法の構成とした。
　【００１４】
　【作用】
　本発明においては、坩堝に蒸着材料を貯留し、蒸着材料と対向させた加工ステージに被加工物を載置し、加工ステージに高周波電源を接続し、真空容器に設けた不活性ガスの導入孔から不活性ガスを導入する。
　【００１５】
　また、本発明では、コリメータの透孔を通じて蒸着材料の粒子を蒸着する。
　【００１６】
　さらに、本発明では必要に応じてコリメータを坩堝と加工ステージの間で移動させ蒸着に最適の位置を選ぶ。
　【００１７】
　また、本発明では、コリメータの目詰り状態において、高周波電源の接続先をコリメータに切り替える。
　【００１８】
　また、本発明では、真空容器内に蒸着材料を貯留した坩堝と、坩堝内の該蒸着材料と対向させた被加工物を載置した加工ステージを備え、加工ステージに高周波電源を接続し、真空容器に不活性ガスの導入孔を具備して成る、蒸着装置を用いて、成膜直前に高真空下で不活性ガスの高周波放電プラズマによる成膜前処理を行なう。
　【００１９】
　上記方法において、本発明では、加工ステージにＢＬＭ膜を形成した被処理基板を載置し、レジスト膜を所定のパターンに形成し、真空容器内を真空にし不活性ガスをガス導入孔から導入し、高周波電力を供給しＢＬＭ膜表面を清浄化し、ＢＬＭ膜の上にはんだを蒸着し、加熱処理してボールバンプを形成する。
　【００２０】
　【実施例】
　以下、図１ないし図５を参照して本発明の蒸着装置の構造とその作用並びに成膜方法とボールバンプの形成方法のステップとその作用を説明する。
　【００２１】
　実施例１
　本実施例は、はんだボールバンプ形成工程におけるはんだ蒸着膜の成膜工程において用いる抵抗加熱式真空蒸着装置に本願の第１の発明を適用したものであり、図１、図３、を参照して説明する。
　図１に示す抵抗加熱型真空蒸着は真空容器７内に、ヒーター８で加熱溶融された蒸着材料９を貯留した坩堝１０を配置し、蒸着材料９と対向させてその球面中心を蒸着材料９の略上面に位置させたドーム状の加工ステージ１１を配置し、加工ステージ１１の坩堝１０との対向面に被加工物であるウェハ１２を配置した。
　この基本的な構成に加えて、本発明では加工ステージ１１にブロッキングコンデンサを介して高周波電源１８を接続し、加工ステージ１１の近傍の真空容器７の側壁にガス導入孔１９を設けた。
　【００２２】
　この構成により、ガス導入孔１９からアルゴン等の不活性ガスを真空容器７内に導入し、圧力制御を行なった後、高周波電源１８に電力を供給することによりＲＦプラズマ放電を起こさせることが可能となり、放電解離によって生成したイオンのウエハ１２表面への照射を利用して、はんだ蒸着前に下地メタル表面の清浄化をするためのウエハクリーニングが行なえる。
　【００２３】
　実施例２
　本実施例は、同じくはんだボールバンプ形成プロセスにおけるはんだ蒸着膜の成膜工程において用いる抵抗加熱式真空蒸着装置に本願の第２、第３の発明を適用したものであり、図２を参照しながら説明する。
　本実施例では、前述の実施例１に示した装置の構成に加えて、加工ステージ１１と蒸着材料９との間に多数の透孔１６を設けたコリメータ１７を配置する。
　そして、コリメータ１７は電気的に接地し、その一端に駆動ロッド１５ａを機械的に連結し、真空容器７の外部の駆動ロッド１５ａの他端には、サーボモータと減速機構から成る駆動機構１５ｂが設けてある。
　この駆動機構１５ｂによって、コリメータ１７は加工ステージ１１と蒸着材料９との間でその位置を適宜移動可能となされている。
　【００２４】
　これにより、成膜前処理を行なう際のプラズマ放電領域２０をウエハ１２の表面近傍に限定させることができ、さらに効果的なウエハのクリーニングが可能となる。
　そして、はんだ蒸着を行なう際には、コリメータ１７の位置を真空容器内で移動し、最もすぐれた成膜特性が得られる様、プロセスに応じて適宜有効な装置環境を構築することが可能となる。
　【００２５】
　実施例３
　本実施例は、はんだボールバンプ形成プロセスにおけるはんだ蒸着膜の成膜工程において用いる電子ビーム式真空蒸着装置に本願の第４の発明を適用したものであり、図３を参照しながら説明する。
　【００２６】
　本実施例において用いる電子ビーム式真空蒸着装置の主な構成は、電子ビーム２１が坩堝１０の近傍に配置されたフィラメント２２とバイアス電源２３によって発生し、坩堝１０内に貯留された蒸着材料９を照射、加熱することで成膜が行なわれる。それ以外の構成は、概ね図２に示したコリメータを有する抵抗加熱式真空蒸着装置と同様である。
　そして本発明では、高周波電源２１の接続先が切り替えスイッチ２４の操作により加工ステージ１１とコリメータ１７との間で切り替え可能とされている。
　【００２７】
　これにより、前述の実施例と同様に、プロセス処理中は前処理とコリメーション成膜とを効果的に実現する装置環境を作り、加えて処理数を重ねてコリメータ１７の透孔１６に目詰りが生じた場合には、コリメータ１７側に高周波電源２１の接続先を切り換えて電力を供給することで、真空容器７を大気解放することなく高真空を維持したままでもコリメータ１７のクリーニングが行なえるようになる。
　【００２８】
　実施例４
　この図１ないし図３に示す蒸着装置を用いて、はんだボールバンプを形成するまでの本発明の成膜方法を、図４を参照して説明する。
　加工ステージ１１に図４（ｂ）に示すウエハ１２（被処理基板）を載置し、蒸着処理を行った。
　ウエハ１２は従来の図６（ｂ）に示すものと同様であるが、シリコンの半導体基体１のアルミニューム電極２に臨むポリイミドの表面保護膜３の開口部にクローム、銅、金等の積層膜から構成されて成るＢＬＭ（Ｂａｌｌ　Ｌｉｍｉｔｔｉｎｇ　Ｍｅｔａｌ）膜４を所定のパターンに形成し（図４（ａ）参照）、さらにレジスト膜６を所定のパターンに形成（図４（ｂ）参照）したものを準備した。
　尚、この時のレジスト膜６の開口部５はレジスト皮膜の現像液の残り等６ａが表面に極く僅かに残った状態にある。
　【００２９】
　このウエハ１２を図１に示す蒸着装置の加工ステージ１１に載置し、蒸着材料９として、高融点はんだ（Ｐｂ：Ｓｎ＝９７：３）を坩堝１０に供給する。
　まず坩堝１０内の蒸着材料９は溶融せず、または図３の装置ではバイアス電源２７を切る等して電子ビームを発生させない状態で、真空容器内を真空にし、アルゴンガスをガス導入孔２２から導入し、高周波電源１８から高周波電力を供給する。
　これにより、不活性ガスにより放電プラズマが発生し、解離イオンのスパッタリング作用により、レジスト膜等の残渣６ａが除去される。
　【００３０】
　その結果、図４（ｃ）に示す如く、ＢＬＭ膜４の表面はレジスト膜等の残渣６ａ皮膜が除去されている。その後このＢＬＭ膜４の上にはんだ１３が蒸着され（図５（ｄ）参照）、次いでレジスト６を剥離し（図５（ｅ）参照）、ウエットバック工程で加熱処理すると（図５（ｆ）参照）に示すごとくバンプ１４が形成される。
　【００３１】
　この結果、仕上がり後のはんだバンプとＢＬＭ膜との界面で良好な電気コンタクトが得られ、はんだボールバンプの下地との密着強度が増し、フリップチップ実装後の製品の信頼性が向上する。
　【００３２】
　以上、本発明を４種類の実施例に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではなく、蒸着装置の構造、ウエハの膜種、蒸着材料、コリメータの構造等、発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜選択可能であることは言うまでもない。
　【００３３】
　【発明の効果】
　本発明の蒸着装置と成膜方法とボールバンプの形成方法によれば、はんだバンプと下地メタル材料との間の接触抵抗が大幅に低減され、良好な接合が得られる。
　また機械的接着強度も向上し、これにより印刷配線基板に本発明を実施して得られたフリップチップＩＣを実装すれば、製品の信頼性や寿命も従来に比し大きく改善できる。
　また、コリメータが目詰りした場合には、高周波電源の接続先をコリメータに接続することで、真空容器を大気中に開放せずともクリーニングをする事が可能となり、メンテナンスのための装置の停止時間を低減して実質的な装置の稼働率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明を適用した実施例１の抵抗加熱式真空蒸着装置の概略断面図。
　【図２】
　本発明を適用した実施例２の抵抗加熱式真空蒸着装置の概略断面図。
　【図３】
　本発明を適用した実施例３の電子ビーム蒸着装置の概略断面図。
　【図４】
　本発明を適用した実施例４の成膜方法を示すウェハの断面図。
　【図５】
　本発明を適用した実施例４の成膜方法を示すウェハの断面図。
　【図６】
　従来の成膜方法を示すウエハの断面図。
　【図７】
　従来の成膜方法を示すウエハの断面図。
　【図８】
　従来の抵抗加熱式蒸着装置の断面図。
　【符号の説明】
　１　半導体基体
　２　電極
　３　表面保護膜
　４　ＢＬＭ膜
　５　開口
　６　レジスト膜
　７　真空容器
　８　ヒーター
　９　蒸着材料
　１０　坩堝
　１１　加工ステージ
　１２　ウェハ（被加工物）
　１３　金属膜
　１４　バンプ
　１５ａ　駆動ロッド
　１５ｂ　駆動機構
　１６　透孔
　１７　コリメータ
　１８　高周波電源
　１９　ガス導入孔
　２０　プラズマ放電領域
　２１　電子ビーム
　２２　フィラメント
　２３　バイアス電源
　２４　切り替えスイッチ