【事件の表示】
　特願２０１０−５１３１８８「内部における高調波周波数低減を伴うＲＦパワートランジスタパッケージ、及び内部における高調波周波数低減を伴うＲＦパワートランジスタパッケージを形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月３１日国際公開、ＷＯ２００９／００２３８７、平成２２年　９月１６日国内公表、特表２０１０−５３１０６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯  
　
　本願は、２００８年５月２８日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００７年６月２２日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年８月２４日付けの拒絶理由通知に対して平成２４年１月２６日付けで手続補正がなされたが、同年１０月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月２５日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　
第２　本願発明　  
　
１　本願発明  
　本願の請求項１ないし１１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。  
　
「【請求項１】
　ベースと、
　制御端子および出力端子を有し、基本動作周波数で動作するように構成された前記ベース上のトランジスタと、
　前記トランジスタの前記制御端子に結合されたＲＦ信号入力リードと、
　前記トランジスタの前記出力端子に結合されたＲＦ信号出力リードと、
　前記トランジスタの前記出力端子に結合され、前記基本動作周波数の高調波周波数の信号に対して、前記出力端子から接地までの短絡回路または低インピーダンス経路を提供するように構成された高調波低減器であって、前記高調波低減器は、接地に直列に接続された誘導素子および第１のキャパシタンスを有する分路コンデンサを有する直列共振回路を備え、前記分路コンデンサは、前記ベース上の前記トランジスタと前記ＲＦ信号出力リードとの間に存在し、前記誘導素子は、前記トランジスタから前記分路コンデンサまで延在するボンドワイヤを備えるものである出力側の高調波低減器と、
　第２のキャパシタンスを有するコンデンサを備える入力側の高調波低減器と、
　前記トランジスタ及び前記高調波低減器を収容するパッケージであって、前記パッケージから前記ＲＦ信号入力リード及び前記ＲＦ信号出力リードが延在するパッケージと
を備え、
　前記第２のキャパシタンスは前記第１のキャパシタンスとは異なることを特徴とするパッケージ化されたＲＦパワーデバイス。」  
　
２　引用例及びその記載事項  
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００４−２２８９８９号公報（平成１６年８月１２日公開、以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
　
ａ「【００１８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１９】
すなわち、本発明は、基地局に用いる増幅用の半導体装置を構成するパッケージに半導体能動素子と伝送線路基板とを備え、前記半導体能動素子の出力に、伝送線路基板の空き領域に形成されたスタブを導体線により接続して、上記半導体能動素子の出力信号の基本周波数の２倍で共振する共振回路を接続する構成を有するものである。」
　
ｂ「【００２４】
そこで、
本実施の形態においては、高調波制御を取り入れることで高効率で低歪みの信号伝送が可能な増幅器を実現する
【００２５】
次に、本実施の形態の半導体装置を具体例を挙げて説明する。
【００２６】
図４は、本実施の形態の半導体装置を用いた基地局装置１の一例の説明図である。基地局装置１は、例えば２．１４ＧＨｚ帯Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｗｉｄｅｂａｎｄ  Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）用基地局装置であり、携帯電話等のような移動体通信機器による無線信号を処理するデジタル移動通信システムを構成する装置である。この基地局装置１は、音声処理装置ＳＰＥ、基地局変復調装置ＭＤＥ、基地局増幅装置ＡＭＰ、基地局アンテナＡＮＴおよび基地局制御装置ＢＣＥを有している。音声処理装置ＳＰＥは音声信号をデジタル符号列に変換する機能を有し、基地局変復調装置ＭＤＥはベースバンド信号を高調波信号に変換する機能を有し、基地局増幅装置ＡＭＰは送受信信号を所望のレベルまで増幅するための機能を有し、基地局アンテナＡＮＴは基地局増幅装置ＡＭＰで増幅された信号を無線信号として送信する機能を有し、基地局制御装置ＢＣＥは無線チャンネルの割り当てや隣接基地局とチャネル切り換えを行う機能を有している。
本実施の形態の半導体装置は、上記基地局増幅装置ＡＭＰを構成する高出力電力増幅器ＡＭＰ１（以下、単に増幅器ＡＭＰ１という）として使用されている。
【００２７】
図５は本実施の形態の増幅器ＡＭＰ１のパッケージの説明図、
信号の基本周波数は、例えば２．１４ＧＨｚである。増幅器ＡＭＰ１の出力は、例えば２５０Ｗ程度の高出力を得ることが可能となっている。
この増幅器ＡＭＰ１のパッケージは、
パッケージの両方の短辺の各々から１本ずつ突出するステム３とを有するフラットパッケージ構造とされている。増幅器ＡＭＰ１のパッケージの一方の長辺から突出する２本のリード２ａは入力用のゲートリードであり、パッケージの他方の長辺から突出する２本のリード２ｂは出力用のドレインリードである。
ステム３は一枚の板状のパーツからなり、
【００２８】
上記入出力用のリード２ａ，２ｂの対の各々には、２系統の同一信号を増幅する経路が並列に配置されている。すなわち、増幅器ＡＭＰ１のパッケージ内には、合計４つの増幅経路がコンパクトに収められている。各々の増幅経路には、上記入力用のリード２ａから出力用のリード２ｂに向かって、容量素子用の半導体チップ（以下、単に容量チップという）４と、増幅素子（半導体能動素子）用の半導体チップ（以下、単に増幅チップという）５と、伝送線路基板６とが近接配置されている。そして、
入力用のリード２ａは、ボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）７ａを通じて容量チップ４と電気的に接続され、容量チップ４はワイヤ７ｂを通じて増幅チップ５のゲート電極と電気的に接続され、増幅チップ５のドレイン電極はワイヤ７ｃを通じて伝送線路基板６の伝送線路６ａおよびスタブ（導体片）６ｂと電気的に接続され、さらに伝送線路６ａはワイヤ７ｄを通じて出力用のリード２ｂと電気的に接続されている。
増幅器ＡＭＰ１の動作を説明すると、
【００２９】
上記容量チップ４は、例えば複数のＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）キャパシタを有しており、その総容量は、例えば１５０ｐＦ程度である。
上記増幅チップ５は、例えばＬＤＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｌａｔｅｒａｌｌｙ  Ｄｉｆｆｕｓｅｄ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、単にＬＤＭＯＳという）
　
ｃ「【００３５】
本実施の形態では、
スタブ（オープンスタブ）６ｂが配置されている。スタブ６ｂは、
高周波信号に対して接地された容量と等価的に機能する（図１０参照）。
スタブ６ｂには、増幅チップ５のドレインパッドＤＰＤに接合されたワイヤ７ｃ２が接合されている。ワイヤ７ｃ２は、高周波信号に対してコイルと等価的に機能する。従って、増幅チップ５の出力と接地電位との間には、ワイヤ７ｃ２で形成されたコイルと、スタブ６ｂで形成された容量とが直列に接続された状態とされている（図１０参照）。スタブ６ｂおよびワイヤ７ｃ２は、上記高調波、特に２倍波（２次高調波）を制御（抑制または除去）するように設計されている。
具体的には、スタブ６ｂとワイヤ７ｃ２とを有する直列共振回路が２倍波で短絡するようにスタブ６ｂのサイズ、ワイヤ７ｃ２の長さ（ループ）等が調整されている。このようにワイヤ７ｃ２とスタブ６ｂとは２倍波の周波数で共振するため、増幅チップ５のドレインパッドＤＰＤの２倍波におけるインピーダンスをほぼ短絡状態にすることができる。（後略）
　
ｄ　図５及び図８には、パッケージ内に、半導体チップ（半導体能動素子、増幅素子）５（ここで、上記ｂの「【００２８】‥‥‥増幅素子（半導体能動素子）用の半導体チップ（以下、単に増幅チップという）５」との記載から、図５に記載の「半導体チップ（半導体能動素子、増幅素子）５」を、「増幅チップ５」という。）、スタブ６ｂ、ボンディングワイヤ７ｃ２（７ｃ）等を備えること、及びスタブ６ｂは、増幅チップ５と出力用のリード２ｂとの間に存在することが示されている。
　
ｅ　図６（【図面の簡単な説明】「【図６】図５のＹ１−Ｙ１線の断面図である。」）には、ステム３上に増幅チップ５、入力用のリード２ａ、出力用のリード２ｂ等を設けることが示されている。
　
　
ア　上記ｂの「【００２６】‥‥‥本実施の形態の半導体装置は、上記基地局増幅装置ＡＭＰを構成する高出力電力増幅器ＡＭＰ１（以下、単に増幅器ＡＭＰ１という）として使用されている。【００２７】図５は本実施の形態の増幅器ＡＭＰ１のパッケージの説明図、‥‥‥信号の基本周波数は、例えば２．１４ＧＨｚである。増幅器ＡＭＰ１の出力は、例えば２５０Ｗ程度の高出力を得ることが可能となっている。」との記載において、高出力電力増幅器ＡＭＰ１は、基本周波数である、例えば２．１４ＧＨｚの周波数、すなわち、ＲＦ周波数の信号を増幅するものということができるから、引用例１には「基本周波数が、例えば２．１４ＧＨｚである、ＲＦ高出力電力増幅器」（以下「増幅器ＡＭＰ１」という。）が記載されているということができる。
　
イ　上記ｂの「【００２７】‥‥‥この増幅器ＡＭＰ１のパッケージは、‥‥‥パッケージの両方の短辺の各々から１本ずつ突出するステム３とを有するフラットパッケージ構造とされている。‥‥‥ステム３は一枚の板状のパーツからなり、」との記載、及び図６には、ステム３上に増幅チップ５、入力用のリード２ａ、出力用のリード２ｂ等を設けることが示されているから、引用例１には、「増幅器ＡＭＰ１のパッケージは、一枚の板状のパーツからなるステム３上に、増幅チップ５、入力用のリード２ａ、出力用のリード２ｂ等を設けたフラットパッケージ構造である」ことが記載されているということができる。
　
ウ　上記ｂの「【００２８】‥‥‥入力用のリード２ａは、ボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）７ａを通じて容量チップ４と電気的に接続され、容量チップ４はワイヤ７ｂを通じて増幅チップ５のゲート電極と電気的に接続され、」との記載において、入力用のリード２ａに着目すると、入力用のリード２ａは、容量チップ４を介するものの、増幅チップ５のゲート電極と電気的に接続されているといえるから、引用例１には、「増幅チップ５のゲートと電気的に接続されている入力用のリード２ａ」が記載されているということができる。
　
エ　上記ｂの「【００２８】‥‥‥増幅チップ５のドレイン電極はワイヤ７ｃを通じて伝送線路基板６の伝送線路６ａ‥‥‥と電気的に接続され、さらに伝送線路６ａはワイヤ７ｄを通じて出力用のリード２ｂと電気的に接続されている。」との記載において、出力用のリード２ｂに着目すると、出力用のリード２ｂは、伝送線路６ａを介するものの、増幅チップ５のドレインと電気的に接続されているといえるから、引用例１には、「増幅チップ５のドレインと電気的に接続されている出力用のリード２ｂ」が記載されているということができる。
　
オ　上記ｃの「【００３５】本実施の形態では、‥‥‥スタブ（オープンスタブ）６ｂが配置されている。スタブ６ｂは、‥‥‥高周波信号に対して接地された容量と等価的に機能する（図１０参照）。‥‥‥スタブ６ｂには、増幅チップ５のドレインパッドＤＰＤに接合されたワイヤ７ｃ２が接合されている。ワイヤ７ｃ２は、高周波信号に対してコイルと等価的に機能する。従って、増幅チップ５の出力と接地電位との間には、ワイヤ７ｃ２で形成されたコイルと、スタブ６ｂで形成された容量とが直列に接続された状態とされている（図１０参照）。スタブ６ｂおよびワイヤ７ｃ２は、上記高調波、特に２倍波（２次高調波）を制御（抑制または除去）するように設計されている。‥‥‥具体的には、スタブ６ｂとワイヤ７ｃ２とを有する直列共振回路が２倍波で短絡するようにスタブ６ｂのサイズ、ワイヤ７ｃ２の長さ（ループ）等が調整されている。このようにワイヤ７ｃ２とスタブ６ｂとは２倍波の周波数で共振するため、増幅チップ５のドレインパッドＤＰＤの２倍波におけるインピーダンスをほぼ短絡状態にすることができる。」との記載において、及び図５、図８には、パッケージ内に、スタブ６ｂ、ボンディングワイヤ７ｃ２（７ｃ）等を備えることが示されており（上記ｄ）、また、直列共振回路は、「短絡するように」されるか「ほぼ短絡状態」とされるものということができるから、引用例１には、「増幅チップ５の出力と接地電位との間に、ボンディングワイヤ７ｃ２で形成されたコイルと、スタブ６ｂで形成された容量とが直列に接続されてなる直列共振回路を、パッケージ内に備え、」「この直列共振回路が２倍波で短絡するか若しくはほぼ短絡するようにスタブ６ｂのサイズ、ボンディングワイヤ７ｃ２の長さ（ループ）等を調整することにより、２倍波（２次高調波）を制御（抑制または除去）する」ことが記載されているということができる。
　ここで、図５から、「スタブ６ｂは、増幅チップ５と出力用のリード２ｂとの間に存在する」ことが示され（上記ｄ）、また、前記「【００３５】‥‥‥スタブ６ｂには、増幅チップ５のドレインパッドＤＰＤに接合されたワイヤ７ｃ２が接合されている。」との記載から、ワイヤ７ｃ２に注目すれば、「ワイヤ７ｃ２は、増幅チップ５のドレインとスタブ６ｂに接合される」ということができるので、引用例１には、「スタブ６ｂは、増幅チップ５と出力用のリード２ｂとの間に存在し、ワイヤ７ｃ２は、増幅チップ５のドレインとスタブ６ｂに接合される」ことが示されているということができる。
　したがって、引用例１には、「増幅チップ５の出力と接地電位との間に、ボンディングワイヤ７ｃ２で形成されたコイルと、スタブ６ｂで形成された容量とが直列に接続されてなる直列共振回路を、パッケージ内に備え、スタブ６ｂは、増幅チップ５と出力用のリード２ｂとの間に存在し、ワイヤ７ｃ２は、増幅チップ５のドレインとスタブ６ｂに接合されて、この直列共振回路が２倍波で短絡するか若しくはほぼ短絡するようにスタブ６ｂのサイズ、ワイヤ７ｃ２の長さ（ループ）等を調整することにより、２倍波（２次高調波）を制御（抑制または除去）する」ことが記載されているということができる。
　
カ　上記ｂの「【００２７】‥‥‥増幅器ＡＭＰ１のパッケージの一方の長辺から突出する２本のリード２ａは入力用のゲートリードであり、パッケージの他方の長辺から突出する２本のリード２ｂは出力用のドレインリードである。」との記載から、引用例１には、「パッケージから入力用のリード２ａ及び出力用のリード２ｂが突出するパッケージ」が記載されているということができる。
　
キ　
（ａ）上記ｂの「【００２９】‥‥‥上記増幅チップ５は、例えばＬＤＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｌａｔｅｒａｌｌｙ  Ｄｉｆｆｕｓｅｄ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、単にＬＤＭＯＳという）」との記載から「増幅チップ」は、「Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ」、すなわち、「電界効果トランジスタ」ということができる。
（ｂ）上記ｂの「【００２８】‥‥‥ボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）」との記載から、「ワイヤ７ｃ２」、「ワイヤ７ｄ」は、「ボンディングワイヤ７ｃ２」、「ボンディングワイヤ７ｄ」と表記することができる。
　
　
　上記引用例１に記載された事項、図面の記載、及び上記アないしキを総合すると、引用例１には、次の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。  
　
　「基本周波数が、例えば２．１４ＧＨｚである、ＲＦ高出力電力増幅器（以下「増幅器ＡＭＰ１」という。）であって、  
　増幅器ＡＭＰ１のパッケージは、一枚の板状のパーツからなるステム３上に、電界効果トランジスタ（以下「増幅チップ」という。）５、入力用のリード２ａ、出力用のリード２ｂ等を設けたフラットパッケージ構造であり、
　増幅チップ５のゲートと電気的に接続されている入力用のリード２ａと、
　増幅チップ５のドレインと電気的に接続されている出力用のリード２ｂと、
　増幅チップ５の出力と接地電位との間に、ボンディングワイヤ７ｃ２で形成されたコイルと、スタブ６ｂで形成された容量とが直列に接続されてなる直列共振回路を、パッケージ内に備え、スタブ６ｂは、増幅チップ５と出力用のリード２ｂとの間に存在し、ボンディングワイヤ７ｃ２は、増幅チップ５のドレインとスタブ６ｂに接合されて、この直列共振回路が２倍波で短絡するか若しくはほぼ短絡するようにスタブ６ｂのサイズ、ボンディングワイヤ７ｃ２の長さ（ループ）等を調整することにより、２倍波（２次高調波）を制御（抑制または除去）し、
　パッケージから入力用のリード２ａ及び出力用のリード２ｂが突出するパッケージを備える、
　増幅器ＡＭＰ１。」
　
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願の日前に頒布された刊行物である特開平９−１６２６５７号公報（平成９年６月２０日公開、以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。　  
　  
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
マイクロ波電力増幅回路に関する。
　
「【００１４】また、
信号が入力されるゲートおよび信号が出力されるドレイン、そして接地されるソースの各電極を有する電界効果トランジスタを用いたマイクロ波電力増幅回路において、前記電界効果トランジスタの前記ゲートに、インダクタとキャパシタが直列に接続され、共振周波数が入力信号の約２倍の直列共振回路の一端を接続し、かつ、他端を接地している。
　
「【００１８】このような
高調波電圧を処理する回路をゲートに接続する
高調波電圧を処理する回路によって、ゲートに発生する高調波電圧が抑圧される。
【００１９】この結果、歪が少なく、また動作が安定なマイクロ波電力増幅回路が実現される。」
　
「【００３４】なお、上記した実施の形態では、
ＦＥＴのゲートに加わる高調波を抑圧するために、
共振周波数が入力信号の約２倍となるようなインダクタとキャパシタを直列に接続した直列共振回路を用いた場合でも、同様の効果が得られる。
　
　上記記載から、引用例２には、次の技術事項が記載されているということができる。
　
「信号が入力されるゲートおよび信号が出力されるドレイン、そして接地されるソースの各電極を有する電界効果トランジスタを用いたマイクロ波電力増幅回路において、前記電界効果トランジスタの前記ゲートに、インダクタとキャパシタを直列に接続した、共振周波数が入力信号の約２倍の直列共振回路の一端を接続し、かつ、他端を接地して、ゲートに加わる高調波を抑圧するようにする」技術。
 　 
　
３　対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（Ａ）引用発明の「増幅器ＡＭＰ１のパッケージ」は、「一枚の板状のパーツからなるステム３上に、電界効果トランジスタ（以下「増幅チップ」という。）５、入力用のリード２ａ、出力用のリード２ｂ等を設けたフラットパッケージ構造」であることから、引用発明の「ステム３」は、増幅チップ５、入力用のリード２ａ、出力用のリード２ｂ等を設けた基板と捉えることができ、本願発明の「ベース」に相当する。
　
（Ｂ）　引用発明は「基本周波数が、例えば２．１４ＧＨｚである、ＲＦ高出力電力増幅器（以下「増幅器ＡＭＰ１」という。）であって、増幅器ＡＭＰ１のパッケージは、一枚の板状のパーツからなるステム３上に、電界効果トランジスタ（以下「増幅チップ」という。）５」「を設けた」ものであって、「電界効果トランジスタ」が制御端子（ゲート）、出力端子（ドレイン）を有し、基本周波数で動作することは明らかであるから、引用発明の「電界効果トランジスタ（以下「増幅チップ」という。）５」は、本願発明の「制御端子および出力端子を有し、基本動作周波数で動作するように構成された前記ベース上のトランジスタ」に相当する。　
　
（Ｃ）引用発明の「増幅チップ５のゲートと電気的に接続されている入力用のリード２ａ」、「増幅チップ５のドレインと電気的に接続されている出力用のリード２ｂ」において、「増幅チップ５」は、「電界効果トランジスタ」であり、また、引用発明は、「ＲＦ高出力電力増幅器」であることから、入力及び出力される信号はＲＦ信号となることは明らかである。
　したがって、引用発明の「入力用のリード２」、「出力用のリード２ｂ」は、本願発明の「前記トランジスタの前記制御端子に結合されたＲＦ信号入力リード」、「前記トランジスタの前記出力端子に結合されたＲＦ信号出力リード」に相当する。
　
（Ｄ）引用発明は、「増幅チップ５の出力と接地電位との間に、」「直列共振回路を」「備え、」「この直列共振回路が２倍波で短絡するか若しくはほぼ短絡するようにスタブ６ｂのサイズ、ボンディングワイヤ７ｃ２の長さ（ループ）等を調整することにより、２倍波（２次高調波）を制御（抑制または除去）」するものであり、ここで、「２倍波（２次高調波）」は、基本動作周波数の高調波周波数であることは明らかであり、また、「直列共振回路」は、「２倍波（２次高調波）」のときに、増幅チップ５の出力と接地電位との間を短絡するか若しくはほぼ短絡するものであって、「短絡回路」または「低インピーダンス経路」を提供しているといえる。
　したがって、引用発明の「直列共振回路」は、本願発明の「前記トランジスタの前記出力端子に結合され、前記基本動作周波数の高調波周波数の信号に対して、前記出力端子から接地までの短絡回路または低インピーダンス経路を提供するように構成された高調波低減器」に相当する。 
　　
（Ｅ）引用発明は、「増幅チップ５の出力と接地電位との間に、ボンディングワイヤ７ｃ２で形成されたコイルと、スタブ６ｂで形成された容量とが直列に接続されてなる直列共振回路」を備えるものであるから、接地電位に対して直列共振回路を備えるものであるということができ、ここで、「ボンディングワイヤ７ｃ２で形成されたコイル」、「スタブ６ｂ」は、それぞれ、本願発明の「誘導素子」、「第１のキャパシタンスを有する分路コンデンサ」に相当するから、引用発明の「直列共振回路」を備えることは、本願発明の「前記高調波低減器は、接地に直列に接続された誘導素子および第１のキャパシタンスを有する分路コンデンサを有する直列共振回路を備え」ることに相当する。
　
（Ｆ）引用発明の、「スタブ６ｂは、増幅チップ５と出力用のリード２ｂとの間に存在」することは、「スタブ６ｂ」が本願発明の「分岐コンデンサ」に相当することから（上記（Ｅ））、本願発明の「前記分路コンデンサは、前記ベース上の前記トランジスタと前記ＲＦ信号出力リードとの間に存在」することに相当する。
　
（Ｇ）引用発明は、「ボンディングワイヤ７ｃ２で形成されたコイル」（本願発明の「誘導素子」に相当（上記（Ｅ））を備え、「ボンディングワイヤ７ｃ２は、増幅チップ５のドレインとスタブ６ｂに接合され」るものであるから、引用発明の、「コイル」を形成する、「増幅チップ５のドレインとスタブ６ｂに接合され」た「ボンディングワイヤ７ｃ２」を備えることは、本願発明の「誘導素子は、前記トランジスタから前記分路コンデンサまで延在するボンドワイヤを備えるものである」ことに相当する
　
（Ｈ）引用発明は、「増幅チップ５の出力」側に、「２倍波（２次高調波）を制御（抑制または除去）」する「直列共振回路」が設けられることは明らかであるから、引用発明の「直列共振回路」は、本願発明の「出力側の高調波低減器」に相当する。
　
（Ｉ）引用発明の「増幅器ＡＭＰ１のパッケージ」は、「一枚の板状のパーツからなるステム３上に、電界効果トランジスタ（以下「増幅チップ」という。）５」を設けた「フラットパッケージ構造」であり、また、「ボンディングワイヤ７ｃ２で形成されたコイルと、スタブ６ｂで形成された容量とが直列に接続されてなる直列共振回路を、パッケージ内に備え」るものであるから、引用発明の「パッケージ」は、本願発明の「前記トランジスタ及び前記高調波低減器を収容するパッケージ」に相当する。
　
（Ｊ）引用発明の、「パッケージから入力用のリード２ａ及び出力用のリード２ｂが突出するパッケージを備える」ことは、本願発明の「前記パッケージから前記ＲＦ信号入力リード及び前記ＲＦ信号出力リードが延在するパッケージ」を備えることに相当する。
　
（Ｋ）引用発明は、「ＲＦ高出力電力増幅器（以下「増幅器ＡＭＰ１」という。）であって、増幅器ＡＭＰ１のパッケージは、一枚の板状のパーツからなるステム３上に、電界効果トランジスタ（以下「増幅チップ」という。）５、入力用のリード２ａ、出力用のリード２ｂ等を設けたフラットパッケージ構造」を有するものである。ここで、ＲＦ高出力電力増幅器（増幅器ＡＭＰ１）に着目すれば、「パッケージ化されたＲＦ高出力電力増幅器」と捉えることができるから、引用発明の「ＲＦ高出力電力増幅器」は、本願発明の「パッケージ化されたＲＦパワーデバイス」に相当する。
　
　すると、本願発明と引用発明とは、次の＜一致点＞及び＜相違点＞を有する。  
　  
＜一致点＞  
　「ベースと、
　制御端子および出力端子を有し、基本動作周波数で動作するように構成された前記ベース上のトランジスタと、
　前記トランジスタの前記制御端子に結合されたＲＦ信号入力リードと、
　前記トランジスタの前記出力端子に結合されたＲＦ信号出力リードと、
　前記トランジスタの前記出力端子に結合され、前記基本動作周波数の高調波周波数の信号に対して、前記出力端子から接地までの短絡回路または低インピーダンス経路を提供するように構成された高調波低減器であって、前記高調波低減器は、接地に直列に接続された誘導素子および第１のキャパシタンスを有する分路コンデンサを有する直列共振回路を備え、前記分路コンデンサは、前記ベース上の前記トランジスタと前記ＲＦ信号出力リードとの間に存在し、前記誘導素子は、前記トランジスタから前記分路コンデンサまで延在するボンドワイヤを備えるものである出力側の高調波低減器と、
　前記トランジスタ及び前記高調波低減器を収容するパッケージであって、前記パッケージから前記ＲＦ信号入力リード及び前記ＲＦ信号出力リードが延在するパッケージとを備える、
　パッケージ化されたＲＦパワーデバイス。」
　
＜相違点＞  
　本願発明が、「第２のキャパシタンスを有するコンデンサを備える入力側の高調波低減器」を有し、「前記第２のキャパシタンスは前記第１のキャパシタンスとは異なる」ものであるのに対し、引用発明は、このような特定がない点。　 
　
　
４　判断  
　
＜相違点＞について  
　引用例２には、「信号が入力されるゲートおよび信号が出力されるドレイン、そして接地されるソースの各電極を有する電界効果トランジスタを用いたマイクロ波電力増幅回路において、前記電界効果トランジスタの前記ゲートに、インダクタとキャパシタを直列に接続した、共振周波数が入力信号の約２倍の直列共振回路の一端を接続し、かつ、他端を接地して、ゲートに加わる高調波を抑圧するようにする」技術が記載されており（上記２（２））、トランジスタの出力に直列共振回路を設けた引用発明に、トランジスタのゲート、すなわち、トランジスタの入力に「インダクタとキャパシタを直列に接続した、共振周波数が入力信号の約２倍の直列共振回路」を設けて、入力側の高調波を抑圧することに格別の困難性を有しない。
　したがって、本願発明のように「第２のキャパシタンスを有するコンデンサを備える入力側の高調波低減器」を設けることは格別なことではない。
　
　また、トランジスタの出力側及び入力側に共振回路を設ける場合、トランジスタからの距離のずれにより、ボンディングワイヤの長さや形状が異なるものになり、出力側と入力側とで共振周波数がずれることになるところ、共振周波数のずれを解消するために、出力側及び入力側の共振回路のコンデンサの容量（キャパシタンス）を異ならせて、両者の共振周波数を一致させることは、当業者が適宜なし得る設計的事項である。
　したがって、本願発明のように「前記第２のキャパシタンスは前記第１のキャパシタンスとは異なる」ようにすることは、格別なことではない。
　
　なお、請求人は、平成２５年２月２５日付け審判請求書３．（ｃ）において、「この点、引用文献１ないし３に記載されたいずれの発明においても、入力側の高周波低減回路におけるコンデンサのキャパシタンスと出力側の高周波低減回路におけるコンデンサのキャパシタンスを異なるものとして、直線性が改善される（歪が少ない）周波数領域を拡大することについての開示も示唆もない。」と主張しているが、このような点について、本願当初明細書に記載されておらず、また、本願請求項の記載に基づかない主張であって採用することができない。
　また、入力側のコンデンサのキャパシタンスと、出力側のコンデンサのキャパシタンスを異ならせることが、直線性が改善される周波数領域の拡大を図ることを意図するとしても、引用例２には、二の直列共振回路を備え、一方の共振周波数を入力信号の下限周波数の約２倍とし、他方を入力信号の上限周波数の約２倍とすることにより広帯域にわたって第２高調波を抑圧することが記載されているから（「【００１６】‥‥‥また、信号が入力されるゲートおよび信号が出力されるドレイン、そして接地されるソースの各電極を有する電界効果トランジスタを用いたマイクロ波電力増幅回路において、前記電界効果トランジスタの前記ゲートに、キャパシタとインダクタを直列に接続した第１直列共振回路および第２直列共振回路のそれぞれの一端を接続し、そして、それぞれの他端を接地し、かつ、前記第１直列共振回路または前記第２直列共振回路の一方の共振周波数を入力信号の下限周波数の約２倍とし、他方の共振周波数を入力信号の上限周波数の約２倍としている。」）、トランジスタの入力及び出力に直列共振回路を設けた場合においても、それぞれの直列共振回路の共振周波数を異ならせて、広帯域にわたって直線性を改善することは、当業者が容易になし得る事項である。
　したがって、この点からも請求人の前記主張を採用することができない。
　
　よって、本願発明の＜相違点＞に係る構成のようにすることは格別なことではない。  
　 
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用発明及び引用例２に記載された発明から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。  
　
　よって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　
５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　
　よって、結論のとおり審決する。