【事件の表示】
　特願２００９−２３４２３７「インプリント・リソグラフィ」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月１４日出願公開、特開２０１０−　１０７０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月２１日にした特願２００９−７２５４０号（パリ条約による優先権主張、２００４年１２月２３日、米国）の一部を平成２１年１０月８日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年４月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１６日に審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年４月４日付けで当審による拒絶理由の通知がなされ、それに対して同年６月２８日に意見書及び補正書が提出された。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年６月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「第一ターゲット領域にある分量のインプリント可能媒体を投与すること、
　前記第一ターゲット領域を第一インプリントテンプレートに接触させて、前記第一ターゲット領域に第一インプリントを形成すること、
　前記第一ターゲット領域から離隔した第二ターゲット領域に、ある分量のインプリント可能媒体を投与すること、
　前記第二ターゲット領域を、前記第一インプリントテンプレートに対して可動である第二インプリントテンプレートに接触させて、前記第二ターゲット領域に第二インプリントを形成すること、
　前記第一および第二インプリントテンプレートを前記対応するインプリント可能媒体から分離すること
を含み、
　前記インプリント可能媒体の液滴配列は、前記第一および第二インプリントテンプレートの寸法と一致するように配列される、インプリントリソグラフィ方法。」
　
第３　刊行物及びそれに記載された発明
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開ＷＯ２００４／０８６４７１号（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　なお、訳は、引用例１のファミリー文献である特表２００６−５２１６８２号公報の記載を援用する。
１．第１頁６行〜９行
「The present invention relates to a UV nanoimprint lithography process, and more particularly, to a UV nanoimprint lithography process in which nanostructures are produced by pressing an elementwise embossed stamp on a resist deposited on a substrate to transfer nanostructures.」
（訳）
「本発明はＵＶナノインプリントリソグラフィ法に関し、より詳しくは多重浮彫要素スタンプを基板上に塗布されたレジストに押してナノ構造物を転写することによってナノ構造物を製作することができるＵＶナノインプリントリソグラフィ法に関するものである。」
２．第１２頁３３行〜第１３頁２行
「Various methods for depositing a polymer resist on a substrate will now be described. The different methods include spin coating, droplet dispensing, and spray methods.」
（訳）
「以下では基板上に高分子素材のレジストを塗布する多様な方法を説明する。レジスト塗布方式にはスピンコーティング法、液滴塗布法及び噴射法が含まれる。」
３．第１３頁１７行〜２５行
「For the spray method, mask spraying or nozzle spraying can be performed. FIGS. 12A and 12B are respectively a top view and a sectional view showing the formation of a resist on a substrate deposited thereon through a spray method using a mask according to an embodiment of the present invention. FIG. 13A is a top view of a mask used in a spray method for the deposition of a resist according to an embodiment of the present invention, and FIG. 13B is a sectional view taken along line B-B of FIG. 13A. FIGS. 14A and 14B are sectional views used to describe a spray method that uses a mask according to an embodiment of the present invention.」
（訳）
「噴射法にはマスク噴射とノズル噴射法がある。図１２Ａ及び図１２Ｂは本発明の実施例によるマスクを利用した噴射法で基板にレジストが塗布された状態を示した平面図及び断面図であり、図１３Ａは本発明の実施例によるレジストの塗布のための噴射法に使用されるマスクを示した平面図であり、図１３Ｂは図１３ＡのＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図である。図１４Ａ及び図１４Ｂは本発明の実施例によるマスクを利用した噴射法を説明するための断面図である。」
４．第１３頁３３行〜第１４頁４行
「In the nozzle spray method, one or multiple nozzles are used to selectively deposit a resist on a substrate in the form of a cross sectional shape of the element stamps. In the case where a resist is deposited using the nozzle spray method, a more uniform thickness of the deposited resist results compared to when depositing droplets.」
（訳）
「ノズル方式では一つ又は複数のノズルを使用して基板上に要素スタンプの横断面形状にレジストを選択的に塗布する。ノズル方式でレジストを塗布する場合には液滴を塗布する場合に比べて基板上面に塗布されたレジストの厚さ分布を一層均等にすることができる。」
５．第１４頁３０行〜第１５頁７行
「FIG. 18 is a schematic view used to describe a technique for performing nanoimprinting on a large substrate using an elementwise embossed stamp, that is, selectively using element stamps on edges of the substrate to maximize utilization of a large substrate according to an embodiment of the present invention.  When using the elementwise embossed stamp 10 of the present invention to perform UV nanoimprint lithography on a large substrate 500, that is, on a large substrate 500 having an area that is greater than an area of the elementwise embossed stamp 10, it is possible to repeat the UV nanoimprint lithography processes several times. Since edge areas of the substrate 500 may be effectively imprinted by selectively using the element stamps 102 formed on the elementwise embossed stamp 10, utilization of the substrate 500 may be maximized.」
（訳）
「図１８は本発明の実施例による多重浮彫要素スタンプを利用して大面積の基板にナノインプリントリソグラフィ法を行うにあたり、基板の周縁に要素スタンプを選択的に使用して大面積基板の使用率を最大化する技法について示す概念図である。
　本発明による多重浮彫要素スタンプ１０を利用して大面積の基板５００にＵＶナノインプリントリソグラフィ法を行う場合には、つまり、多重浮彫要素スタンプ１０の面積に比べて基板５００の面積が大きい場合にはＵＶナノインプリントリソグラフィを複数回反復的に行うことができる。この時、多重浮彫要素スタンプ１０上に製作された要素スタンプ１０２を選択的に使用することによって基板５００の周縁部分に対するインプリントを効果的に行えるので基板５００の使用率を最大化することができる。」
６．「ＦＩＧ．１８
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項を含む引用例１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用例１には、以下の発明が記載されている。
「複数のノズルを使用して、基板上に、多重浮彫要素スタンプ（１０）上に製作された要素スタンプ（１０２）の横断面形状にレジストを選択的に塗布し、
　多重浮彫要素スタンプの面積に比べて基板（５００）の面積が大きい場合にＵＶナノインプリントリソグラフィを複数回反復的に行い、
　多重浮彫要素スタンプを基板上に塗布されたレジストに押してナノ構造物を転写することによってナノ構造物を製作するＵＶナノインプリントリソグラフィ法。」（以下「引用発明」という。）
　
第４　対比・判断
  本願発明と引用発明を対比する。
１．引用発明の「レジスト」は本願発明の「インプリント可能媒体」に相当する。
　したがって、引用発明において「レジストを・・塗布」することは、本願発明の「インプリント可能媒体を投与すること」に相当する。
２．引用発明は、インプリントリソグラフィを複数回反復的に行うから、レジストを互いに離隔した複数の領域に塗布することは明らかであり、引用発明は、本願発明の「第一ターゲット領域」及びそれから離隔した「第二ターゲット領域」に相当する領域を有する。
３．引用発明の「多重浮彫要素スタンプ」は本願発明の「インプリントテンプレート」に相当する。
４．引用発明の「多重浮彫要素スタンプを基板上に塗布されたレジストに押してナノ構造物を転写すること」は、本願発明の「ターゲット領域をインプリントテンプレートに接触させて、前記ターゲット領域にインプリントを形成すること」に相当する。
５．引用発明が、多重浮彫要素スタンプ（本願発明のインプリントテンプレートに相当）を基板上に塗布されたレジスト（同インプリント可能媒体に相当）に押してナノ構造物を転写したのちに、該レジストから分離することは自明である。
６．引用発明の多重浮彫要素スタンプは要素スタンプにより構成されており、引用発明では「複数のノズルを使用して、基板上に、多重浮彫要素スタンプ上に製作された要素スタンプの横断面形状にレジストを選択的に塗布」しているから、引用発明が、本願発明の「インプリント可能媒体の液滴配列は、インプリントテンプレートの寸法と一致するように配列される」ことに相当する構成を有することは明らかである。
　
　してみると、本願発明と引用発明は、
「第一ターゲット領域にある分量のインプリント可能媒体を投与すること、
　前記第一ターゲット領域をインプリントテンプレートに接触させて、前記第一ターゲット領域に第一インプリントを形成すること、
　前記第一ターゲット領域から離隔した第二ターゲット領域に、ある分量のインプリント可能媒体を投与すること、
　前記第二ターゲット領域をインプリントテンプレートに接触させて、前記第二ターゲット領域に第二インプリントを形成すること、
　前記インプリントテンプレートを前記対応するインプリント可能媒体から分離すること
を含み、
　前記インプリント可能媒体の液滴配列は、前記インプリントテンプレートの寸法と一致するように配列される、インプリントリソグラフィ方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　インプリントテンプレートが、本願発明では第一インプリントテンプレート及び第一インプリントテンプレートに対して可動である第二インプリントテンプレートからなるのに対して、引用発明ではそのような構成を有していない点。
　
（判断）
　上記相違点について検討する。
　所定の処理や組立等を反復して行う各種の方法において、処理の効率や正確さ等の種々の要請に応じて当該処理や組立等を行う機構を互いに対して可動な複数の機構として構成することは、様々な技術分野において広く行われている周知技術（原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−２８７６０５号公報参照）である。 
　引用発明に当該周知技術を用いることにより、引用発明の多重浮彫要素スタンプ（本願発明の「インプリントテンプレート」に相当）を互いに対して可動である二つのスタンプから構成することに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　してみると、引用発明に上記周知技術を適用し、上記相違点に係る構成を採用することは当業者が容易になしうる事項である。 
　
　そして、本願発明の効果も引用発明及び周知技術から当業者が予測しうる範囲のものであって、格別のものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。