【事件の表示】
　特許第３４５７９６９号「高密度ＩＴＯ焼結体及びスパッタリングターゲット」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４５７９６９号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯
　特許３４５７９６９号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成４年５月１１日に特許出願され、平成１５年８月１日にその特許権の設定登録がなされ、その後、岡誠一（以下、「申立人」という）により特許異議の申立がなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１６年９月６日に訂正の請求がなされたものである。
II．訂正の適否についての判断
II−１．訂正事項
　平成１６年９月６日付け訂正請求は、本件明細書について、訂正請求書に添付された訂正明細書に記載されるとおり、以下のア．〜ハ．の訂正を求めるものである。
　以下、訂正前の明細書を「特許明細書」といい、訂正請求書に添付された訂正明細書を「訂正明細書」という。
ア．特許明細書の請求項１の「焼結密度９５％以上１００％以下」を「焼結密度９８％以上１００％以下」と訂正する。
イ．特許明細書の段落【００１６】の「９０％」を「９８％」と訂正する。
ウ．特許明細書の段落【００１７】の「９０％」を「９８％」と訂正する。
エ．特許明細書の段落【００２０】の「９０％」を「９８％」と訂正する。
オ．特許明細書の段落【００３６】の「９０％」を「９８％」と訂正する。
カ．特許明細書の段落【００３７】の「９０％」を「９８％」と訂正する。
キ．特許明細書の段落【００４３】の「実施例２」を「参考例１」と訂正する。
ク．特許明細書の段落【００４５】の「実施例３」を「参考例２」と訂正する。
ケ．特許明細書の段落【００４９】の「実施例５」を「参考例３」と訂正する。
コ．特許明細書の段落【００５３】の「実施例７」を「参考例４」と訂正する。
サ．特許明細書の段落【００５５】の「実施例８」を「参考例５」と訂正する。
シ．特許明細書の表１の「実施例２」、「実施例３」、「実施例５」、「実施例７」及び「実施例８」をそれぞれ「参考例１」、「参考例２」、「参考例３」、「参考例４」及び「参考例５」と訂正する。
ス．特許明細書の表２の「実施例２」、「実施例３」、「実施例５」、「実施例７」及び「実施例８」をそれぞれ「参考例１」、「参考例２」、「参考例３」、「参考例４」及び「参考例５」と訂正する。
セ．特許明細書の段落【００４７】の「実施例４」を「実施例２」と訂正する。
ソ．特許明細書の段落【００５１】の「実施例６」を「実施例３」と訂正する。
タ．特許明細書の表１の「実施例４」及び「実施例６」をそれぞれ「実施例２」及び「実施例３」と訂正する。
チ．特許明細書の表２の「実施例４」及び「実施例６」をそれぞれ「実施例２」及び「実施例３」と訂正する。
ツ．特許明細書の段落【００１６】の「焼結粒径１μｍ以上２０μｍ以下」を「焼結粒径１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下」と訂正する。
テ．特許明細書の段落【００１７】の「焼結粒径１μｍ以上２０μｍ以下」を「焼結粒径１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下」と訂正する。
ト．特許明細書の段落【００３６】の「焼結粒径１μｍ以上２０μｍ以下」を「焼結粒径１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下」と訂正する。
ナ．特許明細書の段落【００３７】の「焼結粒径が１μｍ以上、２０μｍ以下であるため」を「焼結粒径が１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下であるため」と訂正する。
ニ．  特許明細書の段落【００２３】の「焼結粒径は１μｍ以上２０μｍ以下であり」を「焼結粒径は１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下であり」と訂正する。
ヌ．特許明細書の段落【０００４】の「２×１０−４Ω．ｃｍ以下」を「２×１０−４Ω・ｃｍ以下」と訂正する。
ネ．特許明細書の段落【０００９】の「２×１０−４Ω．ｃｍ以下」を「２×１０−４Ω・ｃｍ以下」と訂正する。
ノ．特許明細書の段落【００５７】の「３ｍ２／ｇ」を「３ｍ２／ｇ」と訂正する。
ハ．特許明細書の段落【００５９】の「比抵抗；４×１０−４Ω・ｃｍ、熱伝導率；１１×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ」を「比抵抗；４×１０−４Ω・ｃｍ、熱伝導率；１１×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ」と訂正する。
II−２．訂正の適否の判断
II−２−１．訂正の目的の適否
　上記ア．の訂正は、特許明細書の請求項１に記載された「焼結密度９５％以上」を「焼結密度９８％以上」と数値範囲の限定を縮小しようとするもので、焼結密度を９８％以上とすることで形成される膜の比抵抗、成膜速度、抗折力等が優れたスパッタリングターゲットが得られることが特許明細書にも記載されており、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
　イ．乃至カ．の訂正は、ア．の訂正による特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載の整合を取ることを目的としており、そして、キ．乃至ス．の訂正は、ア．の訂正と原審での補正により特許請求の範囲に包含されなくなった「実施例」を「参考例」に訂正するもので、さらに、セ．乃至チ．の訂正は、上記キ．乃至ス．の訂正により参考例となった実施例の番号を新たに付与するもので、いずれも特許法第１２０条の４第２項ただし書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　ツ．乃至ハ．の訂正は、いずれも特許明細書の誤った記載の訂正を目的とすることが明らかであるから、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正に該当するものである。
II−２−２．新規事項
　上記ア．の訂正は、特許明細書の実施例１の焼結密度を根拠とするもので新規事項の追加には当たらない。
　そして、イ．乃至チ．の訂正は、明りょうでない記載の釈明であり、ツ．乃至ハ．の訂正は誤記の訂正であり、いずれも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内でなされるものであり、新規事項の追加には当たらない。
II−２−３．拡張・変更の存否
　上記ア．の訂正は、数値範囲の限定を縮小しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮であり、他の訂正事項のいずれも特許請求の範囲を拡張または変更するものに該当しないことは明らかである。
II−２−４．訂正の適否の結論 
　よって、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例よるとされる、特許法第１２０条の４第第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
III．本件発明
　本件明細書は、前記のとおり、平成１６年９月６日付けで訂正請求がなされ、その請求どおり訂正されたものであって、訂正後の本件特許第３４５７９６９号の請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１、２」という）は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載される以下のとおりである。
【請求項１】焼結密度９８％以上１００％以下、焼結粒径１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下であることを特徴とする高密度ＩＴＯ焼結体。
【請求項２】請求項１の高密度ＩＴＯ焼結体からなるＩＴＯスパッタリングターゲット。
IV．特許異議申立及び取消理由通知の概要
IV−１．特許異議申立の概要
IV−１−１．特許異議申立人岡誠一の主張
　本件発明１、２は甲第１号証に記載されているか、あるいは、甲第１号証乃至甲第７号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第１項第３号及び第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件特許は特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものである。
甲第１号証：LEYBOLD MATERIALS GmbH（ライボルト社）のカタログ、“Indium-Tin Oxide Sputtering Targets”017.2.60.21.002.02 1.02.91 TD/LA  Printed in Germany
甲第２号証：特開平３−１２６６５５号公報
甲第３号証：第３８回応用物理学会関係連合講演会、講演会講演予稿集Ｎｏ．２、期日：１９９１年３月２８日〜３１日、２９ａ−Ｐ−１０「ＩＴＯターゲットのスパッタ特性への密度の影響」第４０７頁
甲第４号証：特開昭６２−２１７５１号公報
甲第５号証：「表面技術」名手達夫外１名著「ＩＴＯスパッタターゲットの製造方法とその特性」１９９２年２月１日発行、Ｖｏｌ．４３Ｎｏ．２、第２０頁〜２５頁
甲第６号証：第３９回応用物理学会関係連合講演会、講演会講演予稿集Ｎｏ．２、期日：１９９２年３月２８日〜３１日、２８ｐ−ＺＷ−１５「高密度ＩＴＯターゲットのスパッタリング特性（５）」第３８１頁
甲第７号証：特開平３−２０７８５８号公報
IV−２．取消理由通知の概要
IV−２−１．平成１６年６月２８日付け取消理由通知
　特許異議の申立と同じ理由及び証拠により、本件特許は取り消されるべきものであるというものである。
V．証拠の記載内容
V−１． 甲第１号証には、高密度ＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットが記載されており、その密度が９０−９６％であることやＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅの項でＴｙｐｉｃａｌ　Ｇｒａｉｎ　ｓｉｚｅが５−１０μｍφであることが記載されている。
V−２． 甲第２号証には、「本発明焼結体において、焼結体の表面抵抗値を５０ｍΩ／ｃｍ２未満、平均結晶粒径が７μｍ以上のものとすることにより、蒸着の際の基板平均温度が約２００℃以下でも、この焼結体をターゲットとして蒸着により形成したＩＴＯ膜の比抵抗値が２．０×１０−４Ωｃｍとなることを見出したことによる。」（第２頁右上欄第２０行〜同左下欄第６行）と記載されている。
　また、３頁右欄の表に実施例１では焼結体の結晶平均粒径７μｍ、実施例２では、焼結体の結晶平均粒径１０μｍが記載されている。
V−３． 甲第３号証には、「スパッタＩＴＯ膜の低比抵抗化、経時変化の低減にＩＴＯターゲットの密度向上が効果的であることが報告されている。しかし、その密度は９０％どまりであった。そこで今回９５％以上の密度のターゲットを作製し、バルク特性、膜特性等を調査した。」（［はじめに］の項第１〜３行）、「一般的な焼結法により密度６．８〜７．０ｇ／ｃｍ３、酸化錫５〜１０ｗｔ％のＩＴＯターゲットを作製し、バルクの特性を調査した。次にスパッタを行い、膜特性および抵抗率とデポレートの経時変化を測定し、密度５．０ｇ／ｃｍ３のものと比較した。」（［実験］の項第１〜２行）、「バルク比抵抗は１．２〜１．５×１０−４Ωｃｍと低い値を示した。」（［結果］の項第１行）及び「また、高密度では適切なスパッタパワーの元ではターゲット表面の異物の発生が見られなかった。」（［結果］の項第８〜９行）と記載されている。
V−４． 甲第４号証には、蒸着材として供せられるＩＴＯ焼結体に関し、「結晶粒径が実質的に２〜１５μｍの範囲にあり、かつ、平均結晶粒径が４〜７μｍからなり、見掛比重が、４．５以上であるＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２焼結体」（特許請求の範囲（１））が記載され、第２表の比較例３には、結晶径の分布範囲として２〜２０μｍで見掛比重４．８のものが示されている（第３頁左下欄）。
V−５． 甲第５号証には、ＩＴＯスパッタターゲットが記載され、その図５は、結晶粒度ｄの焼結温度Ｔによる変化が示され、１６００℃で１０μｍ以下であることが示されている。
V−６． 甲第６号証には、高密度ＩＴＯターゲットが記載され、密度７０〜１００％のターゲットを用いたＩＴＯ膜の解析が記載されている。
V−７． 甲第７号証には、「本発明に係るＩＴＯターゲットの製造方法では、従来の“コールドプレス−大気焼結法”に比較して一段と高密度（理論密度の９７〜９９％）の製品を密度の再現性良く製造できる」と記載されている（第３頁右上欄第１２〜１５行）。
VI．当審の判断
VI−１．特許異議申立の理由について
VI−１−１．甲第１号証の頒布日について
　異議申立人は、甲第１号証の発行日の証明のために付１として、ライボルト社を買収したW.C.Heraeus GmbH  Co. KG, （ヘレウス社）のThin Film Materials Divisionのi.V.Dr.M.Weigertと i.A.J.Kornerの２氏による書面を提出して、甲第１号証が１９９２年２月１日ドイツにて発行されたものであることが証明されたと主張している。
　しかしながら、付１にて２氏が証明しようとした事項は単に「日付は１９９２年２月１日」であり「証拠物件として有用である」と記載されるに留まり、日付が何を意味するのか、については記載されていない。
　さらに、付１の証明書は、私人の証明であって、しかも、前述したように日付が甲第１号証のカタログの頒布日であることを判断することができるように証明されているものとすることができない。
　したがって、上記異議申立人の主張を採用することができないので、甲第１号証は本願の出願前に頒布された刊行物と認めることができず、本件発明１、２が、甲第１号証に記載された発明であるか否かに拘わらず、甲第１号証に記載された発明が特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明とすることはできない。
VI−１−２．対比・判断について
　前述したように、甲第１号証に記載された発明は、特許法第２９条第２項において規定する前項各号に掲げる発明に該当するものではないので、ここでは検討しない。
　甲第２号証には、焼結体の平均結晶粒径が７μｍ以上のものとすることが記載されるが、密度については何らの記載がなく示唆もない。
　甲第３号証では、９５％以上の密度のターゲットを作製し、バルク特性、膜特性等を調査したことが記載され、高密度では適切なスパッタパワーの元ではターゲット表面の異物の発生が見られなかったことが記載されるものの、結晶粒径との関係については何も記載されていない。
　甲第４号証では、蒸着材として供せられるＩＴＯ焼結体に関し、結晶粒径が実質的に２〜１５μｍの範囲にあり、見掛比重が、４．５以上のものが記載され、第２表の比較例３には、結晶径の分布範囲として２〜２０μｍで見掛比重４．８のものが示されているが本件特許発明１が規定するものと比較して遙かに低い見掛比重４．５（理論密度の６３％に相当）や４．８（理論密度の６９％に相当）のものが開示されるだけで、本件発明１が対象とする高密度のものを想起することはできない。
　甲第５号証では、ＩＴＯスパッタターゲットの結晶粒度ｄの焼結温度Ｔによる変化が示され、１６００℃で１０μｍ以下であることが示されているだけである。
　甲第６号証では、密度７０〜１００％のターゲットを用いたＩＴＯ膜の解析が記載されているだけで、ターゲットとする焼結体の結晶粒度については記載及び示唆は認められない。
　甲第７号証に係るＩＴＯターゲットの製造方法では、従来の“コールドプレス−大気焼結法”に比較して一段と高密度（理論密度の９７〜９９％）の製品を密度の再現性良く製造できるとあるものの、本件発明１の焼結体を製造する方法とは異なる方法であり、焼結粒度についての記載及び示唆は認められない。
　これら総合しても甲第２乃至７号証は、本件発明１に規定する密度と焼結粒径をそれぞれ断片的に開示するだけで、それらを組み合わせる動機付けや実現する技術手段を記載乃至示唆するものとすることができない。
　そして、本件発明１の焼結体は、前記の密度と焼結粒径の組み合わせにより初めて、明細書に記載された、成膜速度が大きく、機械的強度が高く割れにくく、ノジュールの発生を防止でき、低温基板上に低抵抗の透明導電膜を形成し、成膜中のバッキングプレートからの剥離を防止できるという優れた効果を奏するものと認められる。
　ゆえに、動機付けや本件特許発明１を実現する技術手段の開示のない甲第２乃至７号証に記載された発明を組み合わせて本件発明１及びこれを引用してスパッタリングターゲットとして用いる本件発明２とすることは当業者といえども容易に想到できるものではない。
　したがって、本件特許発明１、２は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとはいえない。
VI−２．取消理由通知の理由について
  　平成１６年６月２８日付け取消理由通知の理由については、上記VI−１．で説示したとおりであるから、これ以上審及しない。
VII．まとめ
　特許異議申立の理由及び証拠によっては、訂正後の本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、他に訂正後の本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、訂正後の本件請求項１、２に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年８月２２日（２００５．８．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
高密度ＩＴＯ焼結体及びスパッタリングターゲット
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】焼結密度
９８％
　【請求項２】請求項１の高密度ＩＴＯ焼結体からなるＩＴＯスパッタリングタ−ゲット。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、高密度ＩＴＯ焼結体及びこれを用いたスパッタリングタ−ゲットに関するものである。特に本発明のスパッタリングタ−ゲットは、従来のものに比べてスパッタレートの増大、ノジュールの発生防止、熱衝撃等によるターゲットの割れの防止等スパッタ操作性に優れ、さらには、２００℃以下から室温までの低温基板において低抵抗で高透明な透明導電膜を形成可能である。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶を中心とする表示デバイスの発展に伴い、透明導電膜の需要が増加している。液晶の透明導電膜としては低抵抗、高透明性が必要であり、これまで電極材料としてはＩＴＯ（酸化インジウム、酸化錫）膜が用いられている。ＩＴＯ透明導電
膜の形成方法としては操作性の簡便さという点からスパッタリング法が一般的であり、特にＩＴＯ焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法が広く適用されている。
　【０００３】
　工業的にスパッタリング成膜を行う場合、スパッタ操作性が優れていることが好ましく、スパッタレートの増大、ターゲット表面に生成する黒色のノジュール発生の防止、熱衝撃等による割れの防止等の改善が望まれている。
　【０００４】
　また、近年、ＩＴＯ透明導電膜の高性能化が望まれているなか、特に低温基板上への低抵抗なＩＴＯ透明導電膜の形成技術の開発が熱望されている。例えば、従来の白黒液晶用の透明電極は３００℃以上の加熱ガラス基板上に２×１０−４Ω・ｃｍ以下の低抵抗な膜が成膜されていたが、液晶のカラ−化、表示素子の微細化、アクティブマトリックス方式の採用、ＴＦＴ、ＭＩＭの導入に伴い、より低温の基板上に低抵抗な透明導電膜を形成する必要性が増大している。
　【０００５】
　スパッタリングに用いるＩＴＯタ−ゲットについて、これまで幾つかの提案があり、ホットプレス法により製造したものが挙げられる（例えば、特開昭５６−５４７０２号公報等）。しかし、この方法で製造したタ−ゲットは、真空中でグラファイトモ−ルドと接しているタ−ゲット表層部分が還元され、内部と表面近傍で組成が異なり、スパッタリング中にスパッタリング条件を精密に制御する必要があり、さらには、ホットプレス法は、製造コストが高く、大量生産には向いていなかった。
　【０００６】
　一方、常圧・大気中焼結法によるタ−ゲット製造方法としては、一旦１２００〜１４５０℃で仮焼した後、粉砕して得られた平均粒径３〜６μｍのＩＴＯ粉末を原料に用いることにより高密度とすることが提案されている（例えば、特開昭６２−２１７５１公報等）。この方法で得られるＩＴＯ焼結体は、焼結密度は４．５ｇ／ｃｍ３（相対密度６３％）以上、結晶粒径が実質的に２〜１５μｍであり、平均粒径が４〜７μｍである。しかし、実施例での焼結密度は高々４．９ｇ／ｃｍ３（相対密度６９％）であり、これをタ−ゲットとして用いてスパッタリングすると焼結体表面が黒色化し、透明導電膜の品質安定化には至らなかった。
　【０００７】
　また、Ｓｉ，Ｇｅを第三元素として添加し、この元素を焼結助剤とし、酸素濃度を制御した雰囲気で焼結する方法が提案されている（例えば、特開昭６１−１３６９５４公報等）。しかし、この方法では、密度９０％のタ−ゲットは得られるがスパッタして得られた膜中にＳｉ、Ｇｅが混入し、高性能な膜は得られない。
　【０００８】
　さらには、酸化インジウムと酸化スズ原料粉末に、Ｉｎ、Ｓｎ金属を混合し、製造する方法も提案されているが（例えば、特開平２−１４１４５９公報等）、この方法でも焼結密度は５．３ｇ／ｃｍ３（相対密度７４％）までであり、さらには、原料粉末の粒径が異なるため、焼結粒径が均一とならず、その機械的強度も弱かった。
　【０００９】
　このような背景のもとに我々は、一次粒径が１μｍ以下、ＢＥＴ比表面積が１５ｍ２／ｇ以上、粒度分布から求めた比表面積が２ｍ２／ｇ以上のすべての条件を満足した原料粉末を使用し、常圧・大気中で焼結した焼結密度５．３ｇ／ｃｍ３（相対密度７４％）以上の高密度ＩＴＯタ−ゲットを提案している（例えば、特開平２−２９７８１３、３−２１８９２４公報等）。さらには、予備成型方法として、スリップキャスト法、冷間静水圧（ＣＩＰ）処理方法等の提案を行い（例えば、特開平１−２９０５５０，１−２９０５５１号公報等）、焼結方法として、大気中又は酸素中等で１２００〜１５００℃の温度で製造できることを指摘している（例えば、特開平３−２８１５６公報等）。我々の提案した高密度ＩＴＯタ−ゲットは、タ−ゲット表層部と内部で組成の違いは無く、また、高密度であるため機械的強度が大きく、焼結体の粒界抵抗が減少し、比抵抗が２×１０−３Ω・ｃｍ以下と低い焼結密度７５％以上の焼結体である。そのため、成膜速度が速く、ノジュ−ルや割れを抑制することが可能となり、高透明、低抵抗な透明導電膜が製造可能となった。
　【００１０】
　また、１４００℃を越える高温で焼結し、焼結粒子表面の少なくとも一部が平面となるまで結晶成長させ、可視光反射率が２０％以下の高結晶性焼結体も提案している。（例えば、特開平２−２２５３６６号公報等）。タ−ゲット表面を平滑にし、高結晶性にすることにより、スパッタリングがより均一に行われ、高性能な透明導電膜が形成可能となる。
　【００１１】
　このように我々は、常圧焼結法により高性能なＩＴＯタ−ゲットを提案してきたが、今後さらに厳しくなる市場の要求に答えるべく、ＩＴＯタ−ゲットの焼結密度、焼結粒径およびその他の焼結体物性とスパッタ特性の相関を鋭意検討続けてきた。
　【００１２】
　最近、凝集性のない平均粒径０．１μｍ以下の粉末を用い、１５００℃以上の酸素雰囲気中で焼結し、焼結粒径７μｍ以上、表面抵抗５０ｍΩ／ｃｍ２以下のＩＴＯタ−ゲットを得るという提案がある（例えば、特開平３−１２６６５５号公報等）が、この提案では、凝集性に対する粉末物性の記述がなく、また、一次粒径、二次粒径に対する明確な定義がなされていない。
　【００１３】
　また、酸素加圧焼結方法により、高密度ＩＴＯタ−ゲットを製造する方法が提案されているが（例えば、特願平３−２０７８５８号公報等）、装置が大掛かりとなるばかりか、特に問題なのは１６００〜１７００℃の高温で焼結しているため、このような高温で焼結したタ−ゲットは、異常粒成長を起こし、熱衝撃性等に弱い。
　【００１４】
　以上のように、これまでＩＴＯタ−ゲットの焼結密度と焼結粒径の関係について検討はなされておらず、また、焼結体物性とスパッタ時の操作性の関係について定量的な検討もない。
　【００１５】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、従来のスパッタリング成膜装置を用い、スパッタレートの増大、ノジュールの発生防止、割れの防止等のスパッタ操作性に優れ、且つ低温基板において特に低抵抗な透明導電膜を形成可能なスパッタリングタ−ゲット及びターゲット材料として有用なＩＴＯ焼結体を提供するものである。
　【００１６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、上記のような現状に鑑み、ＩＴＯタ−ゲットの焼結密度及び焼結粒径と透明導電膜を形成する際のスパッタリング特性について詳細に検討した結果、焼結密度が特に９８％以上１００％以下、焼結粒径１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下である高密度ＩＴＯ焼結体を、タ−ゲットとして用いてスパッタリング成膜した場合、スパッタレートが最も早く、ノジュール抑制、割れの防止に非常に効果的であり、さらには、低温基板にスパッタ成膜する際に極めて低抵抗な膜が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
　【００１７】
　即ち、本発明は焼結密度９８％以上１００％以下、焼結粒径１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下である高密度ＩＴＯ焼結体及びこの焼結体からなるスパッタリングタ−ゲットに関する。
　【００１８】
　以下、本発明を詳細に説明する。
　【００１９】
　ＩＴＯの組成としては、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が０重量％より大きく、２０重量％以下であることが好ましく、特に２重量％から１５重量％であることが好ましい。
　【００２０】
　本発明の高密度ＩＴＯ焼結体の焼結密度は、９８％以上１００％以下である。ＩＴＯの真密度は７．１５ｇ／ｃｍ３である。焼結体を高密度化することにより、その比抵抗は低下する。本発明の焼結体の比抵抗は１×１０−３Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、特に７×１０−４Ω・ｃｍ以下１×１０−４Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。なぜなら、このような焼結体をターゲットとして用いたとき、比抵抗の低下はスパッタ中の放電を安定させ、さらには、放電電圧を低下させ、プラズマ中に発生する負イオンによる膜へのダメ−ジを減少させるからである。
　【００２１】
　また、焼結体を高密度化することにより、その機械的強度は増加する。本発明の焼結体の抗折力は７ｋｇ／ｍｍ２以上が好ましく、特に１０〜３０ｋｇ／ｍｍ２が好ましい。
　【００２２】
　さらには、焼結体を高密度化することにより、その熱伝導率は増加する。本発明の焼結体の熱伝導率は、１５×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃以上が好ましく、特に、２０×１０−３〜４０×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃が好ましい。熱伝導率の低い焼結体はターゲットとして用いたとき、スパッタ成膜中における焼結体の冷却効率が悪かったり、表面が黒色化しやすかったり、ノジュ−ルが発生したりするので好ましくない場合がある。
　【００２３】
　本発明の高密度ＩＴＯ焼結体の焼結粒径は１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下であり、特に好ましくは、５〜１５μｍである。
　【００２４】
　ＩＴＯ焼結体の粒径は小さいほど成膜速度が低下するため、焼結粒径が１μｍ未満のものは透明導電膜の生産性に影響を与え、好ましくない。一方、焼結粒径が大きい程、成膜速度は向上するが、焼結粒径が２０μｍを越える焼結体は、機械的強度が弱くなったり、熱膨張係数が大きくなったり、スパッタ成膜中、熱衝撃等によるタ−ゲットの割れ等が発生し好ましくない。
　【００２５】
　本発明の高密度ＩＴＯ焼結体の熱膨張係数は、６．５×１０−６／℃以下が好ましく、特に６．０×１０−６／℃以下が好ましい。熱膨張係数が大きいとスパッタ成膜中にタ−ゲット表面が加熱され、ターゲットが膨張した際に、バッキングプレ−トから剥離しやすくなる。この結果、タ−ゲットの冷却効果が悪くなるため、長時間スパッタリングするとタ−ゲット表面にノジュールが発生しやすくなる場合がある。
　【００２６】
　次に本発明の高密度焼結体の製造方法に関する好ましい実施態様を説明する。焼結体を製造する原料粉末としては、酸化インジウムと酸化スズの混合粉末でも良いし、共沈粉末でも良い。例えば、酸化インジウムまたは共沈粉末としては、結晶子径が２００〜５００オングストロ−ムであり、結晶子径とＢＥＴ径の違いが１００オングストロ−ム以内であり、且つ０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた比表面積は、１ｍ２／ｇ以上、平均粒子径は２μｍ以下、０．１μｍ以下の範囲における粒度分布測定より求めた平均粒子径は、０．０９μｍ以下である微細で高分散な粉末が挙げられる。
　【００２７】
　なお、結晶子径は、酸化インジウムの（２２２）Ｘ線回折ピ−クの半価幅から求めることができ、ＢＥＴ径は、粉末のＢＥＴ値を測定し、粒子を球に近似して求めることができる。また、粒度分布は、遠心沈降式の粒度分布測定器によるのが一般的である。
　【００２８】
　ＢＥＴ径と結晶子径の違いが１００オングストロ−ムを越える場合、凝集が激しく、高密度焼結体にならないおそれがある。また、特に、０．１μｍ以下の範囲における粒度分布測定より求めた平均粒子径が０．０９μｍを越える場合も凝集が大きく、９０％以上の高密度化が困難になることがある。
　【００２９】
　混合する酸化スズ粉末としては、例えばＢＥＴ比表面積が３〜２０ｍ２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた平均粒子径が０．２〜２μｍの粉末が挙げられる。ＢＥＴ比表面積が大きく、平均粒子径が大きい粉末は、凝集が激しく、焼結体中に酸化スズの大きな塊が残る場合がある。
　【００３０】
　混合粉末の調製は、当該酸化インジウム粉末と酸化錫粉末を上記焼結体組成になるようにする。混合方法はジルコニア、ウレタン樹脂等のボ−ルを用いたボ−ルミル、振動ミル、あるいはＶ型ブレンダ−、らいかい機等の湿式あるいは乾式の混合方法が挙げられるが特に限定されない。
　【００３１】
　次にＩＴＯ粉末を成型する。成型方法としては、目的とした形状に合った成型方法を選べばよく、金型成型法、鋳込み成型法等例示されるが特に限定されない。
　【００３２】
　焼結体の高密度化のために、成型体は冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）にて加圧処理することが好ましい。その時の圧力は、３〜５ｔ／ｃｍ２程度で良く、必要に応じて、ＣＩＰ処理を２〜５回程度繰り返しても良い。
　【００３３】
　焼結温度は１２５０℃以上１６００℃以下、特に好ましくは１３５０℃以上１５５０℃以下の範囲である。焼結温度が１２５０℃未満の場合、密度が９０％未満、焼結粒径が１μｍ未満である焼結体しか得られないために好ましくない場合がある。また、焼結温度が１６００℃を越える場合、焼結粒径が２０μｍを越えるものしか得られないことがある。
　【００３４】
　焼結時間は、数時間から数時間が好ましく、焼結雰囲気としては、大気中で十分であるが、酸素中、真空中、不活性ガス中等いずれの雰囲気でも良い。
　【００３５】
　焼結時の圧力は、焼結雰囲気の組成等によるが任意に設定できる。
　【００３６】
　以上の様な方法で焼結密度９８％以上１００％以下、焼結粒径１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）２０μｍ以下である本発明のＩＴＯ焼結体の製造が可能となる。
　【００３７】
　【発明の効果】
　本発明のＩＴＯタ−ゲットは焼結密度が９８％以上１００％以下であり、焼結粒径が１μｍ以上（ただし、焼結粒径１μｍを除く）、２０μｍ以下であるため、熱伝導性、抗折力が高く、比抵抗は１×１０−３Ω・ｃｍ以下であり、スパッタレ−トが最も高く、タ−ゲットの割れやターゲット表面のノジュールの発生を効果的に防止することが可能となった。また、特に低温基板上に極めて低抵抗な透明導電膜を提供することが可能となった。
　【００３８】
　【実施例】
　以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、本実施例における各種測定は、以下のように行った。
　【００３９】
　（１）粒度分布：酸化インジウム粉末を超音波分散させ、遠心沈降式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ　ＰＡＲＴＩＣＬＥ　ＡＮＡＬＹＺＥＲ　ＣＡＰＡ−７００）にて測定
　（２）焼結密度：見掛けの密度を利用
　（３）平均粒径：ＳＥＭ写真を画像処理することにより算出
　（４）比抵抗：４単針法により測定
　（５）熱伝導率：レ−ザ−フラッシュ法により測定
　（６）抗折力：万能試験機により測定
　（７）熱膨張係数：熱膨張収縮測定装置を用い、負荷０．４ｇ／ｍｍ２をかけて測定
　（８）スパッタリング条件
スパッタ方式　ＤＣマグネトロンスパッタリング
基板温度　室温〜３００℃
タ−ゲット基板間距離　４０ｍｍ
ガス圧　２．６×１０−３Ｔｏｒｒ
スパッタガス　アルゴン
投入電流　０．１Ａ
膜厚　２０００Ａ
基板　コ−ニング＃７０５９ガラス：５ｃｍ×２．５ｃｍ
タ−ゲット　３ｉｎｃｈｅｓφ×５ｍｍｔ。
　【００４０】
実施例１
　結晶子径が２７０オングストローム、ＢＥＴ径が３１０オングストローム、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた比表面積が４ｍ２／ｇ、平均粒径が０．３２μｍ、さらに、０．１μｍ以下の範囲における粒度分布測定による平均粒子径が、０．０８μｍである酸化インジウム粉末を準備し、これにＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた平均粒径が０．７１μｍの酸化錫粉末を１０重量％混合し、該混合粉末を金型成型後、５ｔ／ｃｍ２の圧力で２回ＣＩＰ処理し、ＩＴＯ成型体を得た。
　【００４１】
　得られたＩＴＯ成型体を、１５００℃で５時間、常圧・大気中にて焼結した。このようにして得られた焼結体物性を表１に示す。
　【００４２】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、図１にスパッタリング時の放電電圧の経時変化を示した。スパッタリング開始時の放電電圧は３２０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った後の放電電圧は３３０Ｖであり、放電電圧の経時変化は小さく、タ−ゲット表面はほとんど黒色化しなかった。
　【００４３】
参考例１
　実施例１と同じ混合粉末を金型成型し、５ｔ／ｃｍ２の圧力で２回ＣＩＰ処理し、１３００℃で５時間、常圧・大気中で焼結した。得られた焼結体物性を表１に示す。
　【００４４】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、スパッタリング開始時の放電電圧は３３０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った時の放電電圧は３５０Ｖであり、放電電圧の経時変化は小さく、タイゲット表面はほとんど黒色化しなかった。
　【００４５】
参考例２
　実施例１と同一の混合粉末を金型成型し、１６００℃で５時間、常圧・大気中で焼結した。得られた焼結体物性を表１に示す。
　【００４６】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、スパッタリング開始時の放電電圧は３３０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った時の放電電圧は３５０Ｖであり、放電電圧の経時変化は小さく、タ−ゲット表面はほとんど黒色化しなかった。
　【００４７】
実施例２
　実施例１と同一の混合粉末を金型成型し、５ｔ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理し、１６００℃で５時間、常圧・大気中で焼結した。得られた焼結体の物性を表１に示す。
　【００４８】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、スパッタリング開始時の放電電圧は３２０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った時の放電電圧は３３０Ｖであり、放電電圧の経時変化は小さく、タ−ゲット表面はほとんど黒色化しなかった。
　【００４９】
参考例３
　実施例１と同じ混合粉末を金型成型し、５ｔ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理を２回繰返し、１３５０℃で５時間、酸素と空気の混合雰囲気（酸素分圧０．５ａｔｍ）で常圧焼結した。得られた焼結体の物性を表１に示す。
　【００５０】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、スパッタリング開始時の放電電圧は３２０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った時の放電電圧は３３０Ｖであり、放電電圧の経時変化は小さく、タ−ゲット表面はほとんど黒色化しなかった。
　【００５１】
実施例３
　実施例１と同じ混合粉末が７８重量％、分散剤が１重量％、バインダ−が１重量％、水が２０重量％になるように混合し、得られたスラリ−を鋳型に流し込み、成型体を取り出した後、乾燥、熱処理による脱バインダ−を行い、３ｔ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理を行った。この成型体を１４８０℃で５時間、酸素と空気の混合雰囲気（酸素分圧０．５ａｔｍ）で常圧焼結した。得られた焼結体の物性を表１に示す。
　【００５２】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、スパッタリング開始時の放電電圧は３２０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った時の放電電圧は３３０Ｖであり、放電電圧の経時変化は小さかった。
　【００５３】
参考例４
　結晶子径が３５０オングストロ−ム、ＢＥＴ径が４２０オングストロ−ム、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた比表面積が４ｍ２／ｇ、平均粒径が０．４１μｍ、さらに、０．１μｍ以下の範囲における粒度分布測定による平均粒子径が、０．０９μｍである酸化インジウム粉末を準備し、これにＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた平均粒径が０．７１μｍの酸化錫粉末を１０重量％混合し、該混合粉末を金型成型後、３ｔ／ｃｍ２の圧力で２回ＣＩＰ処理し、ＩＴＯ成型体を得た。得られた成型体を１６００℃で５時間、常圧・大気中で焼結した。得られた焼結体物性を表１に示す。
　【００５４】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、スパッタリング開始時の放電電圧は３３０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った時の放電電圧は３４０Ｖであり、放電電圧の経時変化は小さかった。
　【００５５】
参考例５
　実施例７と同じ混合粉末が７８重量％、分散剤が１重量％、バインダ−が１重量％、水が２０重量％になるように混合し、得られたスラリ−を鋳型に流し込み、成型体を取り出した後、乾燥、熱処理による脱バインダ−を行い、５ｔ／ｃｍ２の圧力で２回ＣＩＰ処理を行った。この成型体を１５５０℃で５時間、常圧・大気中にて焼結した。得られた焼結体物性を表１に示す。
　【００５６】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、スパッタリング開始時の放電電圧は３２０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った時の放電電圧は３３０Ｖであり、放電電圧の経時変化は小さかった。
　【００５７】
比較例１
　結晶子径が４５０オングストロ−ム、ＢＥＴ径が５３０オングストロ−ム、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた比表面積が３ｍ２／ｇ、平均粒径が０．６０μｍ、さらには、０．１μｍ以下の範囲における粒度分布測定による平均粒子径が０．１μｍを準備し、これにＢＥＴ比表面積が１０ｍ２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲における粒度分布測定より求めた平均粒径が０．７１μｍの酸化錫粉末を１０重量％混合し、該混合粉末を金型成型後、５ｔ／ｃｍ２の圧力で２回ＣＩＰ処理し、ＩＴＯ成型体を得た。
　【００５８】
　得られたＩＴＯ成型体を１５００℃で５時間、常圧大気中にて焼結した。
　【００５９】
　得られた焼結体物性は
焼結密度；８３％、
平均焼結粒径；１０μｍ、
比抵抗；４×１０−４Ω・ｃｍ、
熱伝導率；１１×１０−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃、
抗折力；９ｋｇ／ｍｍ２、
熱膨脹率；４．５×１０−６／℃
であった。
　【００６０】
　当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。
　【００６１】
　得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ２．０×１０−４Ω・ｃｍ、２．６×１０−４Ω・ｃｍ、３．８×１０−４Ω・ｃｍであった。
　【００６２】
　また、室温での成膜速度は２４０オングストローム／ｍｉｎ．であった。
　【００６３】
　図１にスパッタリング時の放電電圧の経時変化を示した。スパッタリング開始時の放電電圧は３５０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った後の放電電圧は４００Ｖであり、放電電圧の経時変化は大きく、タ−ゲット表面は黒色化した。
　【００６４】
比較例２
　実施例１と同じ混合粉末を金型成型し、５ｔ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理し、１６５０℃で５時間、空気中で焼結した。得られた焼結体物性を表１に示す。
　【００６５】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、図１にスパッタリング時の放電電圧の経時変化を示した。スパッタリング開始時の放電電圧は３２０Ｖで低いが、１５０ｗｈスパッタリングを行った後に急激に放電電圧は上昇した、スパッタリングを終了し、タ−ゲット表面を観察すると黒色化しており、また、タ−ゲットがバッキングプレ−トから剥離していた。
　【００６６】
比較例３
　実施例１と同じ混合粉末を１１００℃、１００ｋｇ／ｃｍ２で３０分ホットプレスした。得られた焼結体物性はを表１に示す。
　【００６７】
　つぎに、この焼結体をスパッタリングタ−ゲットとして用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜した。得られた膜の物性を表２に示す。また、室温での成膜速度は、焼結粒径が小さいため２５０Ａ／ｍｉｎ．と小さかった。スパッタリング開始時の放電電圧は３３０Ｖ、２００ｗｈスパッタリングを行った後の放電電圧は３５０Ｖであった。
　【００６８】
　【表１】
　【００６９】
　【表２】
【図面の簡単な説明】
　【図１】タ−ゲットの放電電圧の経時変化を示す図である。
　【図２】タ−ゲット焼結密度とタ−ゲットの比抵抗、熱伝導率、抗折力との関係を示す図である。
　【図３】焼結密度９０％以上におけるタ−ゲットの焼結粒径と熱膨張係数との関係を示す図である。
　【図４】タ−ゲットの焼結粒径と透明導電膜の成膜速度との関係を示す図である。