【事件の表示】
　特許第３２４８８９７号「硬質皮膜被覆工具」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２４８８９７号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３２４８８９７号の請求項１及び２に係る発明（以下「本件発明１及び２」という。）についての出願は、平成１２年３月１７日（優先権主張平成１１年３月１９日）に特許出願され、平成１３年１１月９日にその発明について特許権の設定の登録がされ、その後、平成１４年７月２２日に特許異議申立人住友電気工業株式会社より請求項１及び２に係る特許に対して特許異議の申立てがされ、特許異議申立人への平成１４年１１月２１日付審尋に対してその指定期間内に回答書が提出されたものである。
　
第２　本件発明
　本件発明１及び２は、設定登録時の願書に添付した明細書（以下「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　高速度鋼、超硬合金、サーメット、セラミックスの何れかを母材とし、硬質皮膜のａ層は金属成分のみの原子％で、Ｓｉが１０％以上６０％以下、Ｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの１種または２種以上で１０％未満、残りＴｉで構成される窒化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭窒化物のいずれかで、Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉが独立した相として化合物中に存在し、ｂ層は金属成分のみの原子％が、Ａｌ：４０％越え７５％以下、Ｂ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの１種または２種以上で１０％未満、残りＴｉで構成される窒化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭窒化物のいずれかであり、該ａ層、ｂ層がそれぞれ一層以上交互に被覆され、かつ、ｂ層が母材表面直上にあることを特徴とする硬質皮膜被覆工具。
【請求項２】　請求項１記載の硬質皮膜被覆工具において、該硬質皮膜は物理蒸着法により被覆されたことを特徴とする硬質皮膜被覆工具。」
　
第３　特許異議の申立ての理由の概要
　特許異議申立人の申立ての理由の概要は、本件発明１及び２は、本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物である特許第２７９３７７３号公報（特許異議申立人が提出した甲第１号証であり、以下「甲第１号証」という。）、特開平８−１１８１０６号公報（同甲第２号証であり、以下「甲第２号証」という。）、特許第２６９９０３１号公報（同甲第３号証であり、以下「甲第３号証」という。）、Microstructure of novel superhard nanocrystalline-amorphous composites as analyzed by high resolution transmission electron microscopy,J.Vac.Sci.Technol.B, Vol.16,No.1,Jan/Feb 1998 p.19-22（同甲第４号証であり、以下「甲第４号証」という。）及び特公平５−６７７０５号公報（同甲第５号証であり、以下「甲第５号証」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１及び２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであって、取り消されるべきものというものであり、また、請求項１及び２に係る特許は、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるので、取り消されるべきものというものである。
　
第４　甲号証記載事項
　甲第１乃至５号証には、次の事項が記載されていると認める。
１ 甲第１号証
ａ特許請求の範囲
「基材表面に形成される皮膜であって、
　（ＡｌｘＴｉ１−ｘ−ｙＳｉｙ）（ＮｚＣ１−ｚ）
　　　但し、０．０５≦ｘ≦０．７５
　　　　　　０．０１≦ｙ≦０．１
　　　　　　０．６　≦ｚ≦１
で示される化学組成からなることを特徴とする耐摩耗性に優れた硬質皮膜。」
ｂ段落【０００４】
「本発明はこうした事情に着目してなされたものであって、ＴｉＮ皮膜の有する母材密着性を損なうことなく、（Ａｌ，Ｔｉ）（Ｃ，Ｎ）より耐酸化性に優れしかも高硬度を有して優れた耐摩耗性を発揮する硬質皮膜を提供することを目的とするものである。」
ｃ段落【００１０】
「本発明の硬質皮膜を構成する金属元素の組成は、（ＡｌｘＴｉ１−ｘ−ｙＳｉｙ）においてｘ，ｙが夫々０．０５≦ｘ≦０．７５，０．０１≦ｙ≦０．１という条件式を満足することが必要である。ｘの値が０．０５未満であるか、またはｙの値が０．０１未満では十分な耐酸化性の向上効果を得ることができない。またｘの値が０．７５を超えるか、またはｙの値が０．１を超えると皮膜の結晶構造が立方晶から六方晶へ変化してしまい、皮膜硬さが低下して十分な耐摩耗性が得られない。」
ｄ段落【００１２】
「・・・基材表面に密着性よく被覆し、優れた耐摩耗性を発揮させるためには超硬合金や高速度工具鋼、ダイス鋼、サーメット、セラミック等の硬質物質が適している。」
ｅ段落【００１３】
「・・・イオンプレーティング法やスパッタリング法等に代表されるＰＶＤ法が挙げられるが、例えばアーク放電式イオンプレーティング法を採用する場合には以下に例示する方法を用いればよい。即ち、アーク放電により蒸発源であるカソードからイオン化させたＡｌ，ＴｉおよびＳｉの金属成分を、Ｎ２雰囲気および／またはＣＨ４雰囲気中でイオンプレーティングすることによって得ることができ、目的とする皮膜組成と同一金属組成のターゲットを使用すれば、安定した組成の皮膜が得られ易い。また基板にバイアス電位を印加すると、皮膜の密着性を一段と高めることができるので好ましい。尚、本発明はイオンプレーテイング時のガス圧も特に限定するものではないが、１×１０−３〜５×１０−２Ｔｏｒｒ程度が好ましく、この範囲内であれば耐摩耗性の一段と優れた高結晶性の緻密な硬質皮膜が得られ易い。」
ｆ段落【００１７】
　実施例１の具体的な皮膜組成。
２ 甲第２号証
ａ【請求項１】
「ＷＣ基超硬合金基体表面に、（Ｔｉ１−ｘＳｉｘ）（Ｃ１−ｙＮｙ）ｚ［ただし、０．０１≦ｘ≦０．４５、０．０１≦ｙ≦１．０、０．５≦ｚ≦１．３４］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層を被覆してなることを特徴とする硬質層被覆切削工具。」
ｂ段落【０００１】
「【産業上の利用分野】この発明は、切削速度が２５０ｍ／ｍｉｎを越える高速連続切削に対して優れた切削性能を示す硬質層被覆切削工具に関するものである。」
ｃ段落【０００７】
「この発明の硬質層被覆切削工具における単一硬質層を形成するには、アーク放電式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法などにより成形することができる。アーク放電式イオンプレーティング法により単一硬質層を形成するには、まず真空装置内のＴｉとＳｉの混合物のターゲット上にアーク放電を発生させ、ＴｉとＳｉを蒸発イオン化させる。」
３ 甲第３号証
ａ特許請求の範囲
「【請求項１】高速度鋼、超硬合金、サーメット、セラミックのいずれかを母材質とし、次の（ａ）（ｂ）（ｃ）かつ（ｄ）の条件を満足させたことを特徴とする金属材料の加工用の複層コーティング工具。
（ａ）表面被覆膜が金属成分の原子パーセントでＴｉを１００％、又はＴｉを６０％以上含みＴｉ以外の膜構成金属がＺｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂ，Ａｌ，Ｓｉの１種又は２種以上の成分であり、６００℃以下の温度にて炭素、窒素、酸素のうちのいずれか１種または２種以上の化合物の反応ガス成分中で物理蒸着法により母材表面に複層コーティングする。
（ｂ）コーティング膜の最上層の膜の成分がＴｉｘＮｙ（但し、０．２＜ｙ／ｘ＜０．７）、またはＴｉ以外の成分ＭがＺｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂであり、ＴｉｕＭｖＮｗ（但し、０．４＜ｗ／（ｕ＋ｖ）＜０．８）であり、かつ最上層の膜の厚みが表面から０．２〜２．０μｍの範囲である。
（ｃ）前記コーティング膜のうち、切削に関与する部分はマイクロヴィッカース硬さ（５０ｇ）の測定結果がＨｖ１３００〜３３００であり、膜厚が２．５〜８μｍの範囲にあり、かつＲａ５μｍ以下の面粗さである。
（ｄ）前記コーティング膜に通常のロックウエル（Ｃスケール）硬度計を用いて押圧した場合に生ずる圧痕を１００倍の倍率で観察した結果、圧痕の周囲１ｍｍ以上外側の範囲で膜の剥離が認められない。」
ｂ段落【００２０】
　【表ＩＢ】のＮＯ．１５のドリルが、超硬合金の母材に、下層としてＴｉＮ＋ＴｉＡｌＮが、最上層としてＴｉＳｉＮ０．９を被覆したものであること。
４ 甲第４号証
ａ第１９頁冒頭のアブストラクト
「最近開発された、新しい高硬度ナノクリスタル−アモルファス複合体ｎｃ−ＴｉＮ／ａ−Ｓｉ３Ｎ４が、高解像度透過電子顕微鏡で調べられた。ｌｎｍ以下の薄いアモルファスのＳｉ３Ｎ４中に埋め込まれたナノクリスタルのＴｉＮからなる微細構造、両相の相体的な量、およびＸ線回折とＸ線のエネルギー分散分析から以前に決定されているＴｉＮの結晶サイズが、直接的に確かめられた。」
ｂ第２０頁のＦｉｇ．１及びその説明欄
　「アモルファス組織の厚みの小ささによって、マイクロクラックの成長が制限される、ナノクリスタル／アモルファス複合体の、理想化された構造の提案図。」及びその構造の模式図。
ｃ第２１頁のＦｉｇ．３の説明欄
「３３モル％のＳｉ３Ｎ４をもつサンプルの、典型的なＨＲＴＥＭ像の例。エレクトロンビームに対して正確な方位を持つＴｉＮナノクリスタルの、（１１１）及び（２００）格子面の直接的な像が示されている。アモルファスａ−Ｓｉ３Ｎ４マトリックス中に、かなり規則的でほぼ球形の、欠陥のないｎｃ−ＴｉＮ結晶体が埋め込まれている。」
ｄ第２１頁右欄下から第１２行−末行
「我々はまた、アモルファスＳｉ３Ｎ４相の体積割合を、ＨＲＴＥＭの顕微鏡写真から決定した。・・・３つのｎｃ−ＴｉＮ／ａ−Ｓｉ３Ｎ４の試料（Ｆｉｇ．４を見よ）の、顕微鏡写真のシリーズから見積もられた、（ａ−Ｓｉ３Ｎ４）組織の厚みの平均値は、６ａｔ．％のＳｉ（１４モル％のＳｉ３Ｎ４）の試料の０．５ｎｍから、１４．１ａｔ．％のＳｉ（３３モル％のＳｉ３Ｎ４）の試料の１．６ｎｍまで、それぞれ増加する。」
５ 甲第５号証
ａ特許請求の範囲
「基材表面に耐摩耗性皮膜を形成するに当たり、
　（ＡｉｘＴｉ１−ｘ）（ＮｙＣ１−ｙ）
　但し、０．５６≦ｘ≦０．７５
　　　　０．６　≦ｙ≦１
で示される化学組成からなり、・・・耐摩耗性皮膜形成方法」
ｂ第４欄第３８行−第５欄第３行
「上記皮膜組成からなる本発明の固溶体は、・・・第１図Ａ及びＢに示すような結晶構造を有することが明らかとなった。第１図ＡにおいてＰはＮａＣｌ型（Ｂｌ構造）領域、・・・Ｂｌ構造を有する組成範囲内で、ＡｌＮにＴｉＮが２５〜４４モル％固溶した固溶体である。」
　
第５　当審の判断
１　進歩性について
(1) 本件発明１
　本件発明１と甲第１乃至５号証に記載された発明とを対比すると、両者には類似する部分があるものの、母材が高速度鋼、超硬合金、サーメット、セラミックスの何れかであり、硬質皮膜のａ層が金属成分のみの原子％で、Ｓｉが１０％以上６０％以下、Ｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの１種または２種以上で１０％未満、残りＴｉで構成される窒化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭窒化物のいずれかで、Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉが独立した相として化合物中に存在するものであり、ｂ層が金属成分のみの原子％が、Ａｌ：４０％越え７５％以下、Ｂ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの１種または２種以上で１０％未満、残りＴｉで構成される窒化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭窒化物のいずれかであり、該ａ層、ｂ層がそれぞれ一層以上交互に被覆され、かつ、ｂ層が母材表面直上にあることについては、甲第１乃至５号証のいずれにも記載されておらず、且つ、示唆もされていない。
　なお、甲第１号証には、本件発明１のｂ層の組成と等しい皮膜が、また、甲第２号証には、本件発明１のａ層の組成と類似した皮膜が記載されているが、甲第１号証及び甲第２号証には、それぞれ工具の皮膜がいずれも単層で使用することが記載されているのみであって、他の特定の皮膜と組合わせることについては何らの記載もない。また、甲第３号証に記載されているように異なる組成の皮膜を複数被覆することが公知であったとしても、工具の硬質皮膜は無数にあり、その中から甲第１号証及び甲第２号証に記載された皮膜を選択し、組合わせて使用することが容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、上記ａ層、ｂ層がそれぞれ一層以上交互に被覆され、かつ、ｂ層が上記母材表面直上にあることにより、優れた耐酸化性、耐摩耗性を有すことから、乾式高速切削加工において格段に長い工具寿命が得られ、切削加工における生産性の向上に極めて有効であるという効果を奏することができるものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１乃至５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
(2) 本件発明２
　上記のとおり、本件発明１は、甲第１乃至５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない以上、本件発明１に従属する本件発明２についても、甲第１乃至５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
２　記載不備について
(1) 本件発明１のａ層における「Ｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの１種または２種以上」及びｂ層における「Ｂ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの１種または２種以上」の成分の含有量の数値限定について
　上記ａ層及びｂ層の成分については、特許明細書には、例えば、段落【００１３】【表１】（特許掲載公報第４頁参照）に記載された本発明例１０のように、ａ層が（Ｔｉ７６Ｓｉ２４）Ｎで、ｂ層が（Ｔｉ４２Ａｌ５８）Ｎである上記の成分が含まれないないもの、即ち、上記成分の含有量が０％であるものについても、本件発明１の実施例であるとして記載されている。
　また、上記成分の含有量について限定している本件発明１の「１０％未満」とは、０％を含むものと理解できるものであり、そして、特許明細書の発明の詳細な説明に記載された実施例は、このように理解したことと何ら矛盾するものではない。
　したがって、上記成分について特許請求の範囲と発明の詳細な説明との記載内容が整合していないため、及び、上記成分の含有量について下限値が規定されていないために特許を受けようとする発明が不明確であるという特許異議申立人の主張は採用することができない。
(2) Ｓｉ３Ｎ４の存在の確認について
ア　特許異議申立人は、Ｓｉ３Ｎ４が独立に存在することを確認することについて、Ｓｉ３Ｎ４が本当に独立した相として存在したとしても、Ｓｉ３Ｎ４以外にＳｉＯＸＮＹ等が存在しており、ＸＰＳ測定データより、ＳｉＯＸＮＹ、Ｓｉ３Ｎ４のピーク分離をすることは、かなり困難であるので、特許明細書中の「ａ層中のＳｉ３Ｎ４ならびにＳｉの有無についてはＸＰＳにて確認を行い、Ｓｉ３Ｎ４ならびに（もしくは）Ｓｉの存在が認められた皮膜については表中に記した。」（段落【００１２】（特許掲載公報第６欄第３８−４１行）参照）という記載事項は、疑わしい旨主張している。
　しかし、仮に、特許異議申立人の主張のとおり、ＸＰＳ測定によりＳｉ３Ｎ４の存在を確認することがかなり困難であるとしても、それは、この確認がかなり困難であるということであって、確認することができないというものではなく、また、確認することができないという証拠が示されているものでもないので、確認がかなり困難であるという理由で、上記特許明細書中の記載事項を疑わしいとして特許明細書の記載が不備であるとすることはできない。
　したがって、上記主張は採用することができない。
イ　また、特許異議申立人は、窒化ケイ素には、結晶型としてのα型、β型及び非晶質（アモルファス）が存在しており、Ｓｉ３Ｎ４が、結晶型であるのか又は非晶質であるのかは、単にＸＰＳの測定データからのみでは特定できるものではなく、Ｘ線回折像による分析又は高解像度透過電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ）等の分析により特定できるものであるところ、特許明細書には、このＸ線回折像による分析又は高解像度透過電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ）等の分析について記載されていないので、特許明細書中に記載されているＳｉ３Ｎ４が、結晶型であるのか又は非晶質であるのか不明である旨主張している。
　上記回答書第３頁第２１−２３行の記載によれば、ＸＰＳによる測定は、Ｓｉ３Ｎ４が結晶型であっても非晶質であっても同じ結合エネルギー値のところにピークが表れるということであるので、特許明細書に記載されているＸＰＳ測定による確認は、Ｓｉ３Ｎ４が結晶型であるのか又は非晶質であるのかではなく、Ｓｉ３Ｎ４の存在の確認したものであると解される。そして、特許明細書には、このようにＸＰＳ測定により確認したＳｉ３Ｎ４およびＳｉが独立した相として存在することで高硬度化が達成できることが記載されているものであって、このＳｉ３Ｎ４が、結晶型であるのか又は非晶質であるのかについて限定して記載されているものではない。
　また、本件発明１を実施するための成膜条件については、特許明細書の段落【００１１】（特許掲載公報第６欄第２０−２３行参照）に記載されているので、Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉが独立した相として存在する皮膜を被覆することが当業者にとって実施することができないともいえず、また、Ｓｉ３Ｎ４が、結晶型であるのか又は非晶質であるのか限定しなければならないとする証拠が示すされているものではない。
　以上のとおりであるので、Ｓｉ３Ｎ４は、結晶型と非晶質とが存在するものであるという理由で、本件発明１のＳｉ３Ｎ４が、結晶型であるのか又は非晶質であるのか特定しなければならないすることができるものでもなく、また、Ｓｉ３Ｎ４が、結晶型であるのか又は非晶質であるのか特定しなければ、本件発明１を実施することができないとすることもできない。
　したがって、上記主張は採用することができない。
 
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１及び２に係る特許は、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月３日（２００３．３．３）