Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年6月2日(2015.6.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明による方法の工程ｄ）においては、酸化剤を用いた処理が行われる。本発明による方法の工程ｄ）において用いられる酸化剤は、液状又はガス状である。酸化剤は、好ましくは、一方では原子酸素を十分な量で供給することができなければならず、しかし、他方ではタンタル焼結体は汚染を生み出すものであってはならず、すなわち、分解生成物はタンタルと反応してはならず、かつ容易に除去されるものでなければならず、なぜなら、さもなければ、これらは陽極酸化に際して誘電体層に一緒に組み入れられる可能性があり、かつコンデンサの漏れ電流に悪影響を及ぼし得るからである。適した酸化剤として、原則的にかつ有利には乾燥酸素、オゾン、過酸化物、過ホウ酸塩、過炭酸塩、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、過酸、例えば過ヨウ素酸又はペルオキソ二硫酸が考慮に入れられる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
液状／溶存酸化剤を用いた場合、処理は、任意の公知の技法、例えば浸漬、プリント、噴霧、粉体被覆他によって行われ、有利なのは浸漬である。ここで、溶剤及び酸化剤を包含する溶液中での酸化剤の濃度は、０．００１Ｍ〜１５Ｍの範囲に、特に有利には０．００１Ｍ〜８Ｍの範囲に、極めて有利には０．０１Ｍ〜５Ｍの範囲にあり、それ以上に特に有利には０．０１〜２Ｍの範囲にある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
例２：
例１で用いたのとは異なる、ＡＳＴＭ  Ｄ３６６３に従って測定した４．１ｍ2／ｇの比表面積を有し、より高いワイヤ脆性傾向を有するタンタル粉末を、例１に応じて試験した。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
ワイヤ脆性値は、日本標準規格ＥＩＡＪ  ＲＣ−２３６１  Ａに従って、以下の通りに測定した。
ａ）ワイヤが回転軸に対して直角にあり、かつ焼結体若しくは陽極からのワイヤ突出部が回転軸にあるように焼結体若しくは陽極を固定する。
ｂ）ワイヤ端部に５０ｇの重しを取り付ける。
ｃ）焼結体若しくは陽極を９０°回転し、そして元の位置に回転し戻す。この動きは、ワイヤ脆性値を１だけ高める。
ｄ）焼結体若しくは陽極を反対方向に９０°回転し、そして元の位置に回転し戻す。ワイヤ脆性値は１だけ高まる。
ｅ）ｃ）及びｄ）を、ワイヤが裂けるまで繰り返し行う。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力イベントに応答して、電荷を生成する半導体材料の層と、
前記半導体材料の層内に形成され、前記半導体材料の層において生成された電荷を収集する複数の画素が２次元で空間的に分散された画素のアレイと、
前記複数の画素に接続され、前記複数の画素からの収集された前記電荷を表す信号を、読み出し回路に供給する複数のトラックと、を備え、
前記アレイの前記複数の画素は、前記アレイの全体に空間的に分散された複数の画素の複数のラインにグループ化され、複数の画素のライン内の全ての前記複数の画素は、同じトラックに接続され、
それらの画素のみに重なるのに十分なサイズの１つの入力イベントによって生成された電荷収集の領域により重ねられるｎ個の隣接する画素の任意のグループが、前記複数の画素のグループに固有のｎ個のトラックからなる組み合わせに接続されるように、前記複数の画素の複数のラインが織り合わせられ、
前記ｎは、２、３または４のうちの何れか一つの値を有し、
前記複数の画素のラインは、少なくとも３つの複数の画素のサブアレイへとグループ化され、
前記サブアレイそれぞれ内の前記複数の画素のラインは、前記複数の画素のアレイにわたって、前記サブアレイごとに異なる方向に空間的に分散される、半導体検出装置。
【請求項２】
前記複数の画素のアレイは、規則的な矩形のアレイであり、前記複数の画素のラインは、直線状に配列された前記複数の画素のラインである、請求項１に記載の半導体検出装置。
【請求項３】
複数の画素の前記少なくとも３つのサブアレイは、各ラインの前記複数の画素が、前記矩形のアレイの行方向に空間的に分散するサブアレイと、各ラインの前記複数の画素が、前記矩形のアレイの列方向に分散するサブアレイと、各ラインの前記複数の画素が、前記矩形のアレイの斜め方向に空間的に分散されるサブアレイと、を含む、請求項２に記載の半導体検出装置。
【請求項４】
前記複数の画素のラインは、複数の画素の３つのサブアレイへとグループ化される、請求項３に記載の半導体検出装置。
【請求項５】
前記複数の画素のアレイは、前記半導体検出装置の領域にわたって連続して分散する、請求項１から４の何れか一項に記載の半導体検出装置。
【請求項６】
前記複数の画素は、前記複数の画素により収集された前記電荷が蓄積するボルタモードで動作するように設けられ、
前記複数の画素はそれぞれ、前記画素によって収集された前記電荷を表す信号をバッファするバッファ装置構成をさらに有し、
前記複数のトラックは、バッファされた前記信号を受信するべく、前記バッファ装置構成と接続される、請求項１から５の何れか一項に記載の半導体検出装置。
【請求項７】
前記複数の画素はそれぞれ、前記画素をリセットするために、前記画素にリセット電圧を選択的に印加するリセット装置構成をさらに有する、請求項６に記載の半導体検出装置。
【請求項８】
前記半導体検出装置は、ＣＭＯＳ構造を備える、請求項６または７に記載の半導体検出装置。
【請求項９】
前記複数の画素は、前記複数の画素によって収集された前記電荷が電流として測定される導電モードで動作する、請求項１から５の何れか一項に記載の半導体検出装置。
【請求項１０】
前記半導体材料の層は、入射粒子から電荷を生成し、
前記複数の画素はそれぞれ、コンタクトを有し、
前記コンタクトは、前記半導体材料の層において生成された電荷を収集するために、前記半導体材料の層の一方の面上に、ドープされた半導体材料の能動領域を含む、請求項９に記載の半導体検出装置。
【請求項１１】
請求項１から１０の何れか一項に記載の半導体検出装置と、
前記複数のトラックに接続された読み出し回路と、を備え、
前記読み出し回路は、少なくともｎ個の前記トラックからなる組み合わせにおける時間的に一致する信号を検出し、検出された前記複数のトラックの前記組み合わせに対応する電荷収集の領域の位置を示す信号を出力する、検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月10日(2015.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電体層（１１）および第２の誘電体層（１２）と、第１の制御電極（１４）および第２の制御電極（１３）と、ソース電極（１５）、ドレイン電極（１６）および両極性チャンネル（１７、１８、１９）を含む組立て体（１５、１６、１７、１８、１９）とを含み、
前記組立て体（１５、１６、１７、１８、１９）は、前記第１の誘電体層（１１）と前記第２の誘電体層（１２）との間に配置され、
前記第１の誘電体層（１１）は、前記第１の制御電極（１４）と前記組立て体との間に配置され、
前記第２の誘電体層（１２）は、前記第２の制御電極（１３）と前記組立て体との間に配置され、
前記両極性チャンネル（１７、１８、１９）は、半導体材料の第１の層（１７）、半導体材料の第２の層（１８）および半導体材料の前記第１の層（１７）と半導体材料の前記第２の層（１８）との間に配置される発光材料の層（１９）を含む、有機電界発光トランジスタ（１）であって、
前記ソース電極（１５）および前記ドレイン電極（１６）の両方が、前記両極性チャンネル（１７、１８、１９）の層のうちの同じ１つの層の上に形成されること、および
前記ソース電極（１５）および前記ドレイン電極（１６）が両方とも、半導体材料の前記第１の層（１７）と半導体材料の前記第２の層（１８）との間で選択される同じ層と接触することを特徴とする、有機電界発光トランジスタ（１）。
【請求項２】
前記ソース電極（１５）および前記ドレイン電極（１６）の両方が、半導体材料の前記第１の層（１７）または半導体材料の前記第２の層（１８）がその上にある平面に平行な平面の上にあることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光トランジスタ。
【請求項３】
半導体材料の前記第１の層（１７）の厚さおよび半導体材料の前記第２の層（１８）の厚さが、５ｎｍから５０ｎｍの間であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光トランジスタ。
【請求項４】
半導体材料の前記第１の層（１７）の厚さおよび半導体材料の前記第２の層（１８）の厚さが、５ｎｍから２０ｎｍの間であることを特徴とする、請求項３に記載の有機電界発光トランジスタ。
【請求項５】
発光材料（１９）の前記層が、１０ｎｍから１００ｎｍの間の厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光トランジスタ。
【請求項６】
発光材料（１９）の前記層が、１０ｎｍから４０ｎｍの間の厚さを有することを特徴とする、請求項５に記載の有機電界発光トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月6日(2015.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠隔装置をリブートするための方法であって、
第２の装置により、遠隔装置内のサービス障害を検出するステップを含み、
前記遠隔装置はケーブルモデムであり、
前記第２の装置は無線アクセスポイントであり、
前記無線アクセスポイントによって送信された要求への前記ケーブルモデムによる応答の欠如に続いて、前記サービス障害の存在が検出され、
当該方法はさらに、
前記遠隔装置についての前記サービス障害のしるしを遠隔管理装置に送信するステップと、
前記遠隔装置に無線信号を送信することによって前記遠隔装置におけるリブートを始動するための該第２の装置によって実行可能であるリブートコマンドを、前記遠隔管理装置から該第２の装置において受信するステップと、を備え、
前記ケーブルモデムがサービス障害リブートを受けるまで、前記無線アクセスポイントは第２ケーブルモデムにフェイルオーバ（障害迂回）することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記アクセスポイントは、第２のアクセスポイントを経由して前記ケーブルモデムと間接的に通信することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記しるしは、前記アクセスポイントから第２のケーブルモデムを経由して受信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記しるしは、前記遠隔装置のためのステータス情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記しるしは、無線装置上のアプレケーションにより受信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記リブートは、前記第２の装置と前記ケーブルモデムとの間のセキュア通信を経由して始動されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記しるしと、リブートコマンドは、前記無線アクセスポイントと前記遠隔サーバとの間でインターネットを通じて伝送されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ケーブルモデムをリブートするための方法を実行するようにプロセッサによって実行可能なプログラムを格納する非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、
前記方法は、
無線アクセスポイントによって送信された要求への前記ケーブルモデムによる応答の欠如に続いて検出された該ケーブルモデムについてのサービス障害のしるしを、該ケーブルモデムと通信する前記無線アクセスポイントから受信するステップと、
前記無線アクセスポイントに前記ケーブルモデムにおけるリブートを始動させるように該無線アクセスポイントによって実行可能であるリブートコマンドを、該無線アクセスポイントに送信するステップと、を備え、
前記無線アクセスポイントは、前記ケーブルモデムに無線信号を送信することによって前記ケーブルモデムにおけるリブートを始動し、
前記ケーブルモデムがサービス障害リブートを受けるまで、前記無線アクセスポイントは第２ケーブルモデムにフェイルオーバ（障害迂回）することを特徴とする記憶媒体。
【請求項９】
前記無線アクセスポイントは、第２のアクセスポイントを経由して前記ケーブルモデムと間接的に通信することを特徴とする請求項８に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１０】
前記しるしは、前記無線アクセスポイントから第２のケーブルモデムを経由して受信されることを特徴とする請求項８に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記しるしは、無線装置上のアプレケーションにより受信されることを特徴とする請求項８に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記リブートは、前記無線アクセスポイントと前記ケーブルモデムとの間のセキュア通信を経由して始動されることを特徴とする請求項８に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
前記しるしとリブートコマンドとは、前記無線アクセスポイントと前記遠隔サーバとの間でインターネットを通じて伝送されることを特徴とする請求項８に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
ケーブルモデムをリブートするためのシステムであって、
プロセッサと、
メモリと、
メモリに格納される一つ以上のモジュールであって、
無線アクセスポイントによって送信された要求への前記ケーブルモデムによる応答の欠如に続いて検出された該ケーブルモデムについてのサービス障害のしるしを、該ケーブルモデムと通信する前記無線アクセスポイントから受信し、
前記無線アクセスポイントに前記ケーブルモデムにおけるリブートを始動させるように該無線アクセスポイントによって実行可能であるリブートコマンドを、該無線アクセスポイントに送信するように実行可能であるモジュールと、を備え、
前記無線アクセスポイントは、前記ケーブルモデムに無線信号を送信することによって前記ケーブルモデムにおけるリブートを始動し、
前記ケーブルモデムがサービス障害リブートを受けるまで、前記無線アクセスポイントは第２ケーブルモデムにフェイルオーバ（障害迂回）することを特徴とするシステム。
【請求項１５】
前記しるしは、前記アクセスポイントから第２のケーブルモデムを経由して受信されることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
ケーブルモデムをリブートするための方法であって、
アクセスポイントにより、ケーブルモデムにおける障害の発生を検出するステップと、
前記アクセスポイントにより、前記ケーブルモデムの障害のしるしを遠隔管理装置に送信するステップと、
前記アクセスポイントにおいて、前記ケーブルモデムのためのリブートコマンドを前記遠隔管理装置から受信するステップと、
前記アクセスポイントにより、前記ケーブルモデムのリブートを始動するステップと、を備え、
前記アクセスポイントは、前記ケーブルモデムに無線信号を送信することによって前記ケーブルモデムにおけるリブートを始動し、
前記ケーブルモデムがサービス障害リブートを受けるまで、前記アクセスポイントは第２ケーブルモデムにフェイルオーバ（障害迂回）することを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記しるしと前記リブートコマンドとは前記第２ケーブルモデムを通して通信されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記遠隔管理装置はモバイル機器であり、前記リブートコマンドは、前記モバイル機器から、ワイファイ準拠信号を介して受信されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なるレベルの電力消費に対応するいくつかの動作モードで動作し、第１の通信インタフェースおよび第２の通信インタフェースを備える機器を制御する方法であって、前記機器において、
前記機器が電力消費の第１のレベルに対応する第１の動作モードにある場合に、前記第１の通信インタフェースを介して第１のウェイクアップメッセージを受信すると前記第２の通信インタフェースを作動させるステップであって、前記作動により、前記第１のレベルの電力消費よりも高い第２のレベルの電力消費になる、ステップと、
前記第２の通信インタフェースを介して第２のウェイクアップメッセージを受信するステップであって、前記第２のウェイクアップメッセージは、制御ユニットへ電力を供給するために電源線を接続し、スタンバイモードを終了し、結果として前記機器を第３のレベルの電力消費に対応する第２の動作モードに遷移することをもたらし、前記第３のレベルの電力消費は、前記第２のレベルの電力消費よりも高い、ステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記第１の動作モードは、前記第１の通信インタフェースのみが作動させられている前記機器の構成に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の動作モードは、前記第１の通信インタフェースおよび前記第２の通信インタフェースのみが作動させられている前記機器の構成に対応する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の通信インタフェースは、無線通信インタフェースである、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の通信インタフェースは、イーサネットタイプのネットワークインタフェースである、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の通信インタフェースは、８０２．１１の伝送規格と互換性を有する無線ネットワークインタフェースである、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
異なるレベルの電力消費に対応するいくつかの動作モードで動作し、第１の通信インタフェースおよび第２の通信インタフェースを備える機器であって、
前記機器が第１のレベルの電力消費に対応する第１の動作モードにある場合に、前記第１の通信インタフェースを介して、第１のウェイクアップメッセージを受信すると前記第２の通信インタフェースを作動させる手段であって、前記作動により、結果として前記第１のレベルの電力消費よりも高い第２のレベルの電力消費になる、前記手段と、
前記第２の通信インタフェースを介して第２のウェイクアップメッセージを受信すると前記機器を制御する手段であって、前記第２のウェイクアップメッセージは、制御ユニットへ電力を供給するために電源線を接続し、スタンバイモードを終了し、結果として前記機器を第３のレベルの電力消費に対応する第２の動作モードに遷移することをもたらし、前記第３のレベルの電力消費は前記第２のレベルの電力消費よりも高い、前記手段と、
をさらに備える、前記機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本発明は、例えばＷｉＦｉインタフェースおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈインタフェースなどの２つの通信インタフェースを備えるコンピュータに適用することができる。別の適用例は、典型的にはＮＡＳ（ネットワーク接続ストレージ）と呼ばれるローカルネットワーク上で使用されることが意図されたストレージサーバ装置であり、この装置は、近傍の環境に配置されたコンピュータによって、ならびに例えば第１のウェイクアップメッセージを送るＢｌｕｅｔｏｏｔｈインタフェースおよび「マジックパケット」を送るＷｉＦｉまたは有線のイーサネットインタフェースを使用して、ウェイクアップされうる。
本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
異なるレベルの電力消費に対応するいくつかの動作モードで動作し、第１の通信インタフェース（３３）および第２の通信インタフェース（３２）を備える機器（３）を制御する方法であって、前記機器において、
前記機器が電力消費の第１のレベルに対応する第１の動作モード（Ｓ１）にある場合に、前記第１のインタフェースを介して第１のウェイクアップメッセージを受信すると（Ｓ２）前記第２の通信インタフェースを作動させるステップであって（Ｓ３）、前記作動により、前記第１のレベルの電力消費よりも高い第２のレベルの電力消費になる、ステップと、
前記第２の通信インタフェースを介して第２のウェイクアップメッセージを受信するステップであって（Ｓ４）、前記第２のウェイクアップメッセージにより前記機器を第３のレベルの電力消費に対応する動作モードに遷移させ、前記第３のレベルの電力消費は、前記第２のレベルの電力消費よりも高い、ステップと、
を含む、前記方法。
（付記２）
前記機器の前記動作モードは、前記機器に含まれる機能モジュールのサブセットの作動に対応し、前記機能モジュールのサブセットのそれぞれが前記機器の電力消費のレベルに対応する、付記１に記載の方法。
（付記３）
前記第１の動作モードは、前記第１のインタフェースのみが作動させられている前記機器の構成に対応する、付記１または２に記載の方法。
（付記４）
前記第２の動作モードは、前記第１のインタフェースおよび前記第２のインタフェースのみが作動させられている前記機器の構成に対応する、付記１から３のいずれか一項に記載の方法。
（付記５）
前記第１のインタフェースは、無線通信インタフェースである、付記１から４のいずれか一項に記載の方法。
（付記６）
前記第２のインタフェースは、イーサネットタイプのネットワークインタフェースである、付記１から５のいずれか一項に記載の方法。
（付記７）
前記第２のインタフェースは、８０２．１１の伝送規格と互換性を有する無線ネットワークインタフェースである、付記１から６のいずれか一項に記載の方法。
（付記８）
異なるレベルの電力消費に対応するいくつかの動作モードで動作し、第１の通信インタフェース（３３）および第２の通信インタフェース（３２）を備える機器（３）であって、
前記機器が第１のレベルの電力消費に対応する第１の動作モードにある場合に、前記第１のインタフェース（３３）を介して、第１のウェイクアップメッセージを受信すると前記第２のインタフェース（３２）を作動させる（３３０、３７、３９）ための手段であって、前記作動により、結果として前記第１のレベルの電力消費よりも高い第２のレベルの電力消費になる、前記手段と、
前記第２のインタフェース（３２）を介して第２のウェイクアップメッセージを受信すると前記機器（３）を制御する（３２０、３８、３６）ための手段であって、前記第２のウェイクアップメッセージにより前記機器を第３のレベルの電力消費に対応する動作モードに遷移させ、前記第３のレベルの電力消費は前記第２のレベルの電力消費よりも高い、前記手段と、
をさらに備える、前記機器（３）。
（付記９）
前記機器の前記動作モードは、前記機器に含まれる機能モジュールのサブセットの作動に対応し、前記機能モジュールのサブセットのそれぞれが前記機器の電力消費のレベルに対応する、付記８に記載の機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月6日(2015.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下りリンク・サブフレームを変換するように構成されたｅｖｏｌｖｅｄ  Ｎｏｄｅ  Ｂ（ｅＮＢ）であって、前記ｅＮＢは、
プロセッサ、
前記プロセッサと電子通信を行うメモリ、
前記メモリに格納され、前記プロセッサによって実行される命令であって、前記命令は、
対象下りリンク・サブフレームを、スペシャル・サブフレーム・タイプ２であって、少なくとも上りリンク・パイロット時間スロット（ＵｐＰＴＳ）を含む、前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換する物理レイヤの信号を送信するべきかどうかを判定する、および
前記対象下りリンク・サブフレームを前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換すると判定された場合、前記対象下りリンク・サブフレームを前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換する、
ために実行可能である、命令、
を含む、ｅｖｏｌｖｅｄ  Ｎｏｄｅ  Ｂ（ｅＮＢ）。
【請求項２】
前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２命令は、
さらに下りリンク・パイロット時間スロット（ＤｗＰＴＳ）を含む前記対象下りリンク・サブフレームが上りリンク・サブフレームのすぐ後に続くかどうかを判定する、および
前記対象下りリンク・サブフレームが上りリンク・サブフレームのすぐ後に続くかどうかに基づいて、前記対象下りリンク・サブフレームを上りリンク・サブフレームに変換すべきかどうかを判定する、
ためにさらに実行可能である、請求項１に記載のｅＮＢ。
【請求項３】
前記命令は、前記対象下りリンク・サブフレームのいくつかのサブフレーム後にあるサブフレームで肯定応答および否定応答（ＡＣＫ／ＮＡＣＫ）データを送信するためにさらに実行可能である、請求項１に記載のｅＮＢ。
【請求項４】
信号を受信するように構成された端末装置（ＵＥ）であって、前記ＵＥは、
プロセッサ、
前記プロセッサと電子通信を行うメモリ、
前記メモリに格納され、前記プロセッサによって実行される命令であって、前記命令は、
対象下りリンク・サブフレームを、スペシャル・サブフレーム・タイプ２であって、少なくとも上りリンク・パイロット時間スロット（ＵｐＰＴＳ）を含む、前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換する物理レイヤの信号を受信するべきかどうかを判定する、および
前記対象下りリンク・サブフレームを前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換する
ために実行可能である、命令、
を含む、ユーザ機器（ＵＥ）。
【請求項５】
下りリンク・サブフレームを変換するための方法であって、前記方法は、
対象下りリンク・サブフレームを、スペシャル・サブフレーム・タイプ２であって、少なくとも上りリンク・パイロット時間スロット（ＵｐＰＴＳ）を含む、前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換する物理レイヤの信号を送信するべきかどうかを判定するステップ、および
前記対象下りリンク・サブフレームを前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換すると判定された場合、前記対象下りリンク・サブフレームを前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換するステップ、
を含む、方法。
【請求項６】
前記方法は、
スペシャル・サブフレーム・タイプ２は、
さらに下りリンク・パイロット時間スロット（ＤｗＰＴＳ）を前記対象下りリンク・サブフレームが上りリンク・サブフレームのすぐ後に続くかどうかに基づいて、前記対象下りリンク・サブフレームを上りリンク・サブフレームに変換すべきかどうかを判定するステップ、
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
信号を受信するための方法であって、前記方法は、
対象下りリンク・サブフレームを、スペシャル・サブフレーム・タイプ２であって、少なくとも上りリンク・パイロット時間スロット（ＵｐＰＴＳ）を含む、前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換する物理レイヤの信号を受信するべきかどうかを判定するステップ、および
前記対象下りリンク・サブフレームを前記スペシャル・サブフレーム・タイプ２に変換するステップ、
を含む、方法。
【請求項８】
スペシャル・サブフレーム・タイプ２は、
さらに下りリンク・パイロット時間スロット（ＤｗＰＴＳ）を含む上りリンク−下りリンク対応付けが、前記対象下りリンク・サブフレームに対して存在しなければ、前記方法は、
前記対象下りリンク・サブフレームが上りリンク・サブフレームのすぐ後に続くかどうかを判定するステップ、および
前記対象下りリンク・サブフレームが上りリンク・サブフレームのすぐ後に続くかどうかに基づいて、前記対象下りリンク・サブフレームを上りリンク・サブフレームに変換すべきかどうかを判定するステップ、
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックを修復する方法であって、
静電チャック本体の上面から下方の電極の深さを測定する段階と、
測定された深さに応じて、前記静電チャック本体の除去すべき一部分の厚さを決定する段階と、
前記静電チャック本体の一部分を除去してベース表面を露出させる段階と、
前記ベース表面を粗面化する段階と、
前記粗面化されたベース表面に誘電材料をプラズマ溶射して、前記ベース表面上に溶射された材料の誘電体層を形成する段階と、
前記溶射された材料の誘電体層を圧縮する段階と、
前記溶射された材料の圧縮された誘電体層から材料を選択的に除去して、新しい上側表面を形成する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記静電チャック本体の一部分を除去して前記ベース表面を露出させる段階が、前記上面にラッピング処理を実施する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ベース表面を粗面化する段階が、前記ベース表面をビードブラスト処理する段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記粗面化されたベース表面が、約５０マイクロインチ〜約３００マイクロインチの範囲の表面粗さを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記静電チャック本体の一部分を除去して前記ベース表面を露出させる段階が、前記ベース表面と前記電極との間に約２０μｍ〜約２５μｍの静電チャック本体を残す段階を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記溶射された材料の誘電体層を圧縮する段階が、前記溶射された材料の誘電体層を約１Ｔｏｒｒよりも高い圧力に曝す段階を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記溶射された材料の圧縮された誘電体層から材料を選択的に除去して前記新しい上側表面を形成する段階が、
前記溶射された材料の圧縮された誘電体層を覆ってマスクを形成する段階と、
マスクを通って曝される前記溶射された材料の圧縮された誘電体層をビードブラスト処理してメサを形成する段階と、
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記新しい上側表面をポリッシングする段階を更に含み、前記新しい上側表面をポリッシングする段階が前記メサからバリを除去する段階を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
溶射された材料の誘電体層が窒化アルミを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記溶射された材料の誘電体層が、更に、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化サマリウム、又はこれらの組合せを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記静電チャックの上側表面から下方の前記電極の深さを測定する段階が、前記電極と前記上面との間の前記静電チャック本体の静電容量を測定する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
修復された静電チャックであって、
１つ又はそれ以上の電極と、それを覆って配置される１つ又はそれ以上の第１誘電体層とを有するチャック本体と、
前記１つ又はそれ以上の第１誘電体層を覆って配置され、前記１つ又はそれ以上の第１誘電体層から離れる方向に延びる複数のメサを含む上面を有し、前記１つ又はそれ以上の第１誘電体層とは別個の層である第２誘電体層と、
を備える、静電チャック。
【請求項１３】
前記第２の誘電体層が窒化アルミを含む、請求項１２に記載のチャック。
【請求項１４】
前記第２の誘電体層が、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化サマリウム、又はこれらの組合せを含む、請求項１３に記載のチャック。
【請求項１５】
前記１つ又はそれ以上の第１誘電体層が窒化アルミを含む、請求項１４に記載のチャック。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する装置であって、
内側容積を画定するチャンバ本体と、
前記内側容積内に配置された基板支持体であり、上面と、前記上面付近で基板領域に複数の流体流を供給するように前記上面に形成された複数のポートとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
前記複数のポートの少なくとも１つに第１の流体と第２の流体を供給するように構成された流体供給システムと、
真空源から、前記基板支持体本体の上面に形成された真空ポートに、前記基板領域内で補助力を供給するように構成された補助力アセンブリと
コントローラであって、
基板の温度プロファイルを監視し、
前記複数のポートに供給された前記第１の流体と前記第２の流体を制御し、
前記基板支持体本体の上面の前記複数のポートを通る前記流体流を調整し、
前記基板支持体本体の上面の前記真空ポートを通る真空源からの前記流体流を調整する
ことによって、基板の温度プロファイルを調整および維持するようにプログラムされたコントローラと
を備える装置。
【請求項２】
２つ以上の基板位置センサをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板支持体本体内に埋め込まれたヒータをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１および第２の流体が、異なる熱質量を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記コントローラに、および前記複数のポートと第１および第２の流体源との間に結合された複数の流体制御デバイスをさらに備え、前記複数の流体制御デバイスがそれぞれ、前記第１および第２の流体源からの前記流体の比を調整する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記内側容積内に配置された複数の熱センサをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
基板を処理する装置であって、
内側容積を画定するチャンバ本体と、
前記内側容積内に配置された基板支持体であり、上面と、前記上面付近で基板領域に複数の流体流を供給するように前記上面に形成された複数のポートとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
前記複数のポートの少なくとも１つに第１の流体と第２の流体を供給するように構成された流体供給システムであって、ここで前記第１の流体と前記第２の流体は異なる、流体供給システムと、
前記基板領域内で補助力を供給する補助力アセンブリと
前記複数のポートへの前記第１の流体と前記第２の流体の供給を制御し、前記流体供給システムと前記補助力アセンブリを制御することによって基板の温度プロファイルを維持することができるコントローラと
を備える装置。
【請求項８】
前記補助力アセンブリが、前記基板支持体本体の前記上面に形成された複数の真空ポートに接続された真空源を備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記基板支持体本体内に埋め込まれたヒータをさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１および第２の流体が、異なる熱質量を有する、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記コントローラに、および前記複数のポートと第１および第２の流体源との間に結合された複数の流体制御デバイスをさらに備え、前記複数の流体制御デバイスがそれぞれ、前記第１および第２の流体源からの前記流体の比を調整する、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記内側容積内に配置された複数の熱センサをさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
基板を処理する装置であって、
内側容積を画定するチャンバ本体と、
前記内側容積内に配置された基板支持体であり、上面と、前記上面付近で基板領域に複数の流体流を供給するように前記上面に形成された複数のポートとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
前記複数のポートの少なくとも１つに第１の流体と第２の流体を供給するように構成された流体供給システムであって、前記第１の流体と前記第２の流体の間の流量比を調整することができる、流体供給システムと、
前記基板領域内で補助力を供給する補助力アセンブリと
前記複数のポートへの前記第１の流体と前記第２の流体の供給を制御し、前記流体供給システムと前記補助力アセンブリを制御することによって基板の温度プロファイルを維持することができるコントローラと
を備える装置。
【請求項１４】
前記複数のポートと第１および第２の流体源との間に結合された複数の流体制御デバイスをさらに備え、前記複数の流体制御デバイスがそれぞれ、前記第１および第２の流体源からの前記流体の比を調整する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
熱処理中に基板を制御する方法であって、
処理チャンバ内の基板支持体の上面に形成された複数のポートに複数の流体流を供給することと、
前記基板支持体の前記上面の上に前記基板が浮上するように、前記複数の流体流の上で基板を受け取ることと、
前記基板の温度プロファイルを監視することと、
前記複数の流体流の１つまたは複数の熱質量を調整して前記基板の前記温度プロファイルを調整することと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアント・コンピューター上で実行しているクライアント・アプリケーションから、変更されたユーザー・イベント・プロパティを受け取るステップであって、前記変更されたユーザー・イベント・プロパティは、前記クライアント・コンピューターにおいてレンダリングされたユーザー・インターフェース・エレメントに作用するユーザー・イベントによって引き起こされる、前記ユーザー・インターフェース・エレメントに割り当てられた属性に対する変更を含み、前記ユーザー・イベントは、１組のユーザー・イベント・プロパティによって定義され、前記ユーザー・インターフェース・エレメントは、特定のＧＵＩスクリーン内において構成されている、ステップと、
前記受け取られた変更されたユーザー・イベント・プロパティに基づいてグラフィカル・ユーザー・インターフェース（ＧＵＩ）独立オブジェクトを生成するステップと、
前記ＧＵＩ独立オブジェクトにベース・テンプレートとスクリーン・テンプレートを適用して新たなＧＵＩ独立オブジェクトを作成するステップであって、前記スクリーン・テンプレートは、前記特定のＧＵＩスクリーンに固有である、ステップと、
前記新たなＧＵＩ独立オブジェクトを前記クライアント・コンピューター上で実行している前記クライアント・アプリケーションへ送るステップと、
を含むコンピューター実装方法。
【請求項２】
前記ベース・テンプレートは、ＧＵＩスクリーン・レイアウトの１つの表現についてのメタデーターおよびコンテンツを含む、請求項１に記載のコンピューター実装方法。
【請求項３】
前記スクリーン・テンプレートは、前記ベース・テンプレートに関係するＧＵＩスクリーン・レイアウトのカスタム化表現についてのメタデーターおよびコンテンツを含む、請求項１に記載のコンピューター実装方法。
【請求項４】
前記スクリーン・テンプレートのデーターは、前記ベース・テンプレートのデーターを無視する、請求項１に記載のコンピューター実装方法。
【請求項５】
前記カスタム化された新たなＧＵＩレイアウト・スクリーンは、複数のスクリーンを１つのスクリーンに組み合わせる、請求項１に記載のコンピューター実装方法。
【請求項６】
ユーザー・イベント・プロパティを受け取るステップを含み、前記ユーザー・イベント・プロパティは、１つまたは複数のユーザー・インターフェース・エレメントを有するオブジェクト・メタデーターを含む、請求項１に記載のコンピューター実装方法。
【請求項７】
ユーザー・イベント・プロパティを受け取るステップを含み、前記ユーザー・イベント・プロパティは、１つまたは複数のタプルを有するプロパティ／値集合体を含み、各タプルは、少なくとも３つのフィールドを有し、各タプルは、ユーザー・インターフェース・エレメントの識別子、前記ユーザー・インターフェース・エレメントのプロパティ、および前記プロパティの値を含む、請求項１に記載のコンピューター実装方法。
【請求項８】
論理デバイスと、
前記論理デバイス上で動作可能なサーバー・アプリケーションと、
を備える装置であって、
前記サーバー・アプリケーションは、
クライアント・コンピューター上で実行しているクライアント・アプリケーションから、変更されたユーザー・イベント・プロパティを受け取り、前記受け取られた変更されたユーザー・イベント・プロパティに基づいてグラフィカル・ユーザー・インターフェース（ＧＵＩ）独立オブジェクトを生成するように動作可能であるインタプリター型ランタイム・エンジンであって、前記変更されたユーザー・イベント・プロパティは、前記クライアント・コンピューターにおいてレンダリングされたユーザー・インターフェース・エレメントに作用するユーザー・イベントによって引き起こされる、前記ユーザー・インターフェース・エレメントに割り当てられた属性に対する変更を含み、前記ユーザー・イベントは、１組のユーザー・イベント・プロパティによって定義され、前記ユーザー・インターフェース・エレメントは、特定のＧＵＩスクリーン内において構成されている、インタプリター型ランタイム・エンジンと、
前記ＧＵＩ独立オブジェクトにベース・テンプレートとスクリーン・テンプレートを適用して新たなＧＵＩ独立オブジェクトを作成し、前記新たなＧＵＩ独立オブジェクトを前記クライアント・コンピューター上で実行している前記クライアント・アプリケーションへ送るように動作可能であるテンプレート・プロセッサーであって、前記スクリーン・テンプレートは、前記特定のＧＵＩスクリーンに固有である、テンプレート・プロセッサーと、
を備える、装置。
【請求項９】
前記インタプリター型ランタイム・エンジンは、更に、前記受け取られたユーザー・イベント・プロパティに応答してスクリプト・コードを実行するように動作可能であるスクリプト・インタプリターを備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記インタプリター型ランタイム・エンジンは、更に、データーベースに格納されているファイルに対してファイル管理動作を実行するように動作可能であるファイル・マネージャーを備える、請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月17日(2015.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のコンピュータデバイスが、ユーザに関連した複数のタイプの複数の情報項目を収集するステップであって、前記情報項目は、少なくとも１つのソーシャルネットワーキングシステムおよび少なくとも１つのサードパーティシステムから収集され、前記ユーザは、前記少なくとも１つのソーシャルネットワーキングシステムのメンバーである、ステップと、
１つ以上のコンピュータデバイスが、前記情報項目の各々について関連性値を決定するステップであって、前記関連性値は、少なくとも部分的に、
前記情報項目に関連付けられている時間が現在時刻にどの程度近いかと、
前記情報項目を表しているノードが、前記ソーシャルネットワーキングシステムに関連付けられているチャートにおける前記ユーザを表しているノードにどの程度近いかと、に基づき、前記チャートは、前記ソーシャルネットワーキングシステムに含まれている情報を表す、ステップと、
１つ以上のコンピュータデバイスが、経時的に減少する関連性値を有する非確定的情報項目の各々に少なくとも部分的に基づいて、前記情報項目のうちの１つ以上の情報項目を非確定的なものとして分類するステップと、
１つ以上のコンピュータデバイスが、経時的にほぼ一定に保たれる関連性値を有する確定的情報項目の各々に少なくとも部分的に基づいて、前記情報項目のうちの１つ以上の他の情報項目を確定的なものとして分類するステップと、
１つ以上のコンピュータデバイスが、前記ユーザに関連付けられている１つ以上のクライアントデバイスに１つ以上のプッシュ通知を送信するステップであって、前記プッシュ通知は前記非確定的情報項目に対応する関連性値の順に送信された非確定的情報項目の１つ以上を含む、ステップと、
１つ以上のコンピュータデバイスが、前記ユーザによって後に取り出されるための前記確定的情報項目を記憶するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記１つ以上のプッシュ通知は、１つ以上のショートメッセージサービス（ＳＭＳ）通知または１つの情報フィードとして送信される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記情報項目のうちの１つ以上の情報項目の１つ以上の関連性値を引き上げるステップ
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
関連性値が引き上げられる前記情報項目は非確定的である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
関連性値が引き上げられる前記情報項目はそれぞれ、前記現在時刻に近い時間に関連付けられている、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
関連性値が引き上げられる前記情報項目はそれぞれ、前記ユーザの現在位置に近い位置に関連付けられている、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
１つ以上のプロセッサと、
前記プロセッサによって実行可能な命令を含み、前記プロセッサに結合されているメモリとを備えるシステムであって、
前記プロセッサが前記命令を実行するとき、
ユーザに関連した複数のタイプの複数の情報項目を収集するステップであって、前記情報項目は、少なくとも１つのソーシャルネットワーキングシステムおよび少なくとも１つのサードパーティシステムから収集され、前記ユーザは、前記少なくとも１つのソーシャルネットワーキングシステムのメンバーである、ステップと、
前記情報項目の各々について関連性値を決定するステップであって、前記関連性値は、少なくとも部分的に、
前記情報項目に関連付けられている時間が現在時刻にどの程度近いかと、
前記情報項目を表しているノードが、前記ソーシャルネットワーキングシステムに関連付けられているチャートにおける前記ユーザを表しているノードにどの程度近いかと、に基づき、前記チャートは、前記ソーシャルネットワーキングシステムに含まれている情報を表す、ステップと、
経時的に減少する関連性値を有する非確定的情報項目の各々に少なくとも部分的に基づいて、前記情報項目のうちの１つ以上の情報項目を非確定的なものとして分類するステップと、
経時的にほぼ一定に保たれる関連性値を有する確定的情報項目の各々に少なくとも部分的に基づいて、前記情報項目のうちの１つ以上の他の情報項目を確定的なものとして分類するステップと、
前記ユーザに関連付けられている１つ以上のクライアントデバイスに１つ以上のプッシュ通知を送信するステップであって、前記プッシュ通知は前記非確定的情報項目に対応する関連性値の順に送信された非確定的情報項目の１つ以上を含む、ステップと、
前記ユーザによって後に取り出されるための前記確定的情報項目を記憶するステップと、を行うよう前記プロセッサが動作する、システム。
【請求項８】
前記１つ以上のプッシュ通知は、１つ以上のショートメッセージサービス（ＳＭＳ）通知または１つの情報フィードとして送信される、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記プロセッサが前記命令を実行するとき、前記情報項目のうちの１つ以上の情報項目の１つ以上の関連性値を引き上げるステップを行うよう、前記１つ以上のプロセッサが更に動作する、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
関連性値が引き上げられる前記情報項目は非確定的である、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
関連性値が引き上げられる前記情報項目はそれぞれ、前記現在時刻に近い時間に関連付けられている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
関連性値が引き上げられる前記情報項目はそれぞれ、前記ユーザの現在位置に近い位置に関連付けられている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
ソフトウェアを具現する１つ以上の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、実行されるとき、
ユーザに関連した複数のタイプの複数の情報項目を収集するステップであって、前記情報項目は、少なくとも１つのソーシャルネットワーキングシステムおよび少なくとも１つのサードパーティシステムから収集され、前記ユーザは、前記少なくとも１つのソーシャルネットワーキングシステムのメンバーである、ステップと、
前記情報項目の各々について関連性値を決定するステップであって、前記関連性値は、少なくとも部分的に、
前記情報項目に関連付けられている時間が現在時刻にどの程度近いかと、
前記情報項目を表しているノードが、前記ソーシャルネットワーキングシステムに関連付けられているチャートにおける前記ユーザを表しているノードにどの程度近いかと、に基づき、前記チャートは、前記ソーシャルネットワーキングシステムに含まれている情報を表す、ステップと、
経時的に減少する関連性値を有する非確定的情報項目の各々に少なくとも部分的に基づいて、前記情報項目の１つ以上の情報項目を非確定的なものとして分類するステップと、
経時的にほぼ一定に保たれる関連性値を有する確定的情報項目の各々に少なくとも部分的に基づいて、前記情報項目のうちの１つ以上の他の情報項目を確定的なものとして分類するステップと、
前記ユーザに関連付けられている１つ以上のクライアントデバイスに１つ以上のプッシュ通知を送信するステップであって、前記プッシュ通知は前記非確定的情報項目の対応する関連性値の順に送信された非確定的情報項目の１つ以上を含む、ステップと、
前記ユーザによって後に取り出されるための前記確定的情報項目を記憶するステップと、を行うよう前記ソフトウェアが動作する、記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月30日(2015.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックのホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のセラミック粒子、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に熔解された１組のバインダー分子、
を含み、前記セラミックのホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、セラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
【請求項２】
ホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に溶解された１組のバインダー分子、
を含み、前記ホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、ホウ素含有ドーパントペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
例示的な実施形態および最良の形態を開示してきたが、以下の特許請求の範囲によって定義される本発明の主題および精神の範囲内で、開示した実施形態に修正および変更を施すことができる。
以下、本明細書に記載の主な発明について列記する。
（１）  セラミックのホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のセラミック粒子、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に熔解された１組のバインダー分子、
を含み、前記セラミックのホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、セラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（２）  前記ずり減粘べき乗則指数ｎが、約０．１〜約０．８の間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（３）  前記１組のセラミック粒子が、約３％ｗｔ〜約５０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（４）  前記１組のセラミック粒子が、約５％ｗｔ〜約２０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（５）  前記１組のセラミック粒子が、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｌｉ2Ｏ、ＢｅＯ、ＳｒＯ、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、ＥｕＯ、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3、ＴｈＯ2、ＵＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ｃ、およびＨｆＯ2の少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（６）  前記１組のホウ素化合物粒子が、約１％ｗｔ〜約２０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（７）  前記１組のホウ素化合物粒子が、約３％ｗｔ〜約１０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（８）  前記１組のホウ素化合物粒子が、元素のホウ素、ホウ素粉末、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、およびケイ化ホウ素（ＢxＳｉ）（式中、ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、の少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（９）  前記１組のホウ素化合物粒子が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、ＴｉＢx、ＭｇＢx、ＨｆＢx、ＧｄＢx、ＺｒＢx、ＴａＢx、ＣｅＢx、およびＬａＢxの、少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１０）  前記１組のバインダー分子が、約０．５％ｗｔ〜約７％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１１）  前記１組のバインダー分子が、エチルセルロース、およびテルピネオールの少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１２）  ホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に溶解された１組のバインダー分子、
を含み、前記ホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、ホウ素含有ドーパントペースト。
（１３）  前記１組のホウ素化合物粒子が、元素のホウ素、ホウ素粉末、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、およびケイ化ホウ素（ＢxＳｉ）（式中ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、の少なくとも１つを含む、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１４）  前記１組のホウ素化合物粒子が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、ＴｉＢx、ＭｇＢx、ＨｆＢx、ＧｄＢx、ＺｒＢx、ＴａＢx、ＣｅＢx、およびＬａＢxの、少なくとも１つを含む、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１５）  前記１組のバインダー分子が、約０．５％ｗｔ〜約７％ｗｔの間にある、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。