【事件の表示】
　平成　６年特許願第２１９６１０号「ドーピングされたディスポーザブル層を用いたＭＯＳトランジスタの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　８月２９日出願公開、特開平　７−２３１０９３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成６年８月２３日（優先権主張　１９９４年２月４日　大韓民国）に出願されたものであって、その発明の要旨は、平成１０年７月１０日付、平成１１年４月２０日付及び平成１１年９月２日付各手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１及び２に記載されたとおりの「ＭＯＳトランジスタの製造方法」にあると認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。
　「第１導電型のシリコン基板（２１）上にゲート絶縁膜（２２）を形成するステップと、
　前記ゲート絶縁膜（２２）上にゲート（２３）を形成するステップと、
　基板の第１導電型がｎ型である場合には燐よりもボロンの量が相対的に高くドーピングされたＢ＋ＰＳＧ膜からなる、また、第１導電型がｐ型の場合にはボロンよりも燐の量が相対的に高くドーピングされたＢＰ＋ＳＧ膜からなる、第１導電型および第２導電型の二つの不純物を含むディスポーザブル層（２４）を前記ゲートを含む基板全面にわたって形成するステップと、
　９００℃以下の温度による急速熱処理工程、または炉を用いて熱処理工程を行ってディスポーザブル層（２４）の不純物を基板（２１）へ拡散させ、ソース／ドレインとなる第２導電型の不純物領域（２５）を形成するステップと
を含むことを特徴とするドーピングされたディスポーザブル層を用いたＭＯＳトランジスタの製造方法。」
（引用例）
  当審における拒絶の理由において引用された特開昭６２−２６６８２９号公報（以下「引用例１」という。）には、「＜発明が解決しようとする問題点＞
　しかしながら、今後要求される０．１μｍ以下の良好な接合層を形成することは、イオン注入装置の低エネルギー化の限界、軽質量ボロンを用いることによる飛程圧縮の困難性、アニール制御性の問題等から非常に困難になっている。
　それ故に、本発明の目的は、素子の微細化に伴う短チャネル効果等の悪影響の防止の為に、浅い接合層の形成方法を提供することにある。」（第１頁左欄第２０行〜右欄第８行）、「＜問題点を解決するための手段＞
　半導体基板にシリコン・イオンを注入し、導電性不純物源となるＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜を付着し、ハロゲン・ランプを用いて加熱することにより、リン又はボロンを半導体基板中に拡散させ、浅い接合層を形成する。
　シリコン・イオンの注入を使う目的は、シリコン基板に０．１μｍ程度の浅いアモルファス層を形成することにある。アモルファス層は赤外線の吸収が大きく、その部分だけ速く昇温し、不純物が拡散できるからである。」（第１頁右欄第９〜第１９行）及び「＜実施例＞
　以下、本発明をＭＯＳトランジスタ製造方法に適用した場合について述べる。
　第２図は本発明を用いて製造したＭＯＳトランジスタの断面構造図、第１図(a)乃至(g)は製造工程図である。
　まず、ｎ型のシリコン基板１を熱酸化して、その表面に６００Åの酸化膜（ＳｉＯ２膜）２を形成する（第１図(a)）。・・・次に、ポリシリコンを４５００Å堆積し、不要部をエッチングして、ゲート電極５を形成した後、シリコン・イオンを・・・注入する（第１図(d)）。続いて、ソース、ドレイン部の酸化膜を除去し、ＢＳＧ膜（１５００Å）６を付着させ、ハロゲン・ランプにより加熱拡散させると、拡散層（ソース、ドレイン領域）７が形成される（第１図(e)）。ポリシリコン・ゲート電極５，シリコン基板１，・・・及びゲート酸化膜４’との選択性の高い方法でエッチングして、ＢＳＧ膜６を除去し、・・・ｐチャネルＭＯＳトランジスタが製造できる（第１図(g)）。」（第１頁右欄第２０行〜第２頁右上欄第７行）が第１、２図と共に記載されている。してみると、上記引用例１には、浅いソース、ドレイン接合層を形成するため、ｎ型のシリコン基板１上にゲート酸化膜４’を形成するステップと、上記ゲート酸化膜４’上にゲート電極５を形成するステップと、シリコン基板１にシリコン・イオンを注入するステップと、ＢＳＧ膜６をゲート電極５を含むシリコン基板１全面に付着するステップと、ハロゲン・ランプにより加熱拡散させて、ソース、ドレイン領域となる拡散層７を形成するステップからなるｐチャネルＭＯＳトランジスタの製造方法が記載されているものと認められる。
　同様に引用された特開平５−２１４６２号公報（以下「引用例２」という。）には、「図１(c)に示すように、シリコン基板１表面全体に、ソース・ドレイン不純物となる元素を成分として含有する絶縁膜４を堆積する。例えば、ｐチャネルＭＩＳＦＥＴを作製する場合には、シリコンに対してｐ型不純物となる硼素（Ｂ）を含有する硼燐珪酸ガラス（ＢＰＳＧ）を・・・絶縁膜４として選べばよい。」（第３欄第４１〜４８行）及び「例えば両シリコン基板１および６を、例えば窒素雰囲気中、１０００℃で５分間程度熱処理することにより行われる。この熱処理により、絶縁層４からシリコン基板１に、前記硼素（Ｂ）・・・の不純物が拡散する。同図において、符号１２はこの不純物が拡散して形成されたソース・ドレイン領域１２を示す。」（第４欄第１４〜２０行）が第１図と共に記載されている。そして、硼燐珪酸ガラス（ＢＰＳＧ）は、硼素（Ｂ）を含むのであり、ソース・ドレイン領域１２がｐ型となるためには硼素（Ｂ）を燐（Ｐ）より多く含んでいなければならないから（もし、硼素（Ｂ）を燐（Ｐ）と同等若しくはそれ以下しか含んでいなければ、ソース・ドレイン領域１２はｐ型とはならないからである。）、Ｂ＋ＰＳＧであるといえる。してみると、上記引用例２にはシリコン基板上にＢ＋ＰＳＧ層４を付着し、硼素（Ｂ）をシリコン基板に熱拡散させてソース・ドレイン領域１２を形成することが記載されているものと認められる。
（対比）
  次に、本願第１発明と上記引用例１記載の発明とを比較する。
　上記引用例１記載の発明における「ｎ型のシリコン基板１」、「ゲート酸化膜４’」、「ゲート電極５」及び「ソース、ドレイン領域となる拡散層７」は本願第１発明における「第１導電型のシリコン基板（２１）」、「ゲート絶縁膜（２２）」、「ゲート（２３）」及び「ソース／ドレインとなる第２導電型の不純物領域（２５）」に相当し、上記引用例１記載の発明における「ＢＳＧ膜６」も本願第１発明における「Ｂ＋ＰＳＧ膜からなる第１導電型および第２導電型の二つの不純物を含むディスポーザブル層（２４）」も共に不純物を含む絶縁膜であるから、本願第１発明と上記引用例１記載の発明とは、「第１導電型のシリコン基板（２１）上にゲート絶縁膜（２２）を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜（２２）上にゲート（２３）を形成するステップと、不純物を含む絶縁膜を前記ゲートを含む基板全面にわたって形成するステップと、不純物を含む絶縁膜から不純物をシリコン基板（２１）へ拡散させ、ソース／ドレインとなる第２導電型の不純物領域（２５）を形成するステップとを含むことを特徴とするＭＯＳトランジスタの製造方法」の点で一致するが、以下の点で相違するものと認められる。
　(1)上記引用例１記載の発明が、本願第１発明にないシリコン・イオンを注入する工程を有する点。
  (2)不純物を含む絶縁膜が、本願第１発明においてはＢ＋ＰＳＧ膜からなる第１導電型および第２導電型の二つの不純物を含むディスポーザブル層（２４）であるのに対して、上記引用例１記載の発明においてはＢＳＧ膜６である点。
　(3)不純物を含む絶縁膜からシリコン基板への不純物の拡散工程が、本願第１発明においては９００℃以下の温度による急速熱処理工程、または炉を用いた熱処理工程であるのに対して、上記引用例１記載の発明においてはハロゲン・ランプを用いた熱処理工程である点。
（検討）
  そこで、前記相違点につき以下検討する。
　相違点(1)については、上記引用例１記載の発明がシリコン・イオンの注入工程を採用する理由はより確実に浅いソース・ドレイン領域である拡散層を形成するためであり、それほどの確実性を求めなければ上記引用例１記載の発明においてシリコン・イオンの注入工程を採用しないようにすることは当業者であれば容易に考え付くことである。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得ることであるものと認められる。
　相違点(2)については、上記引用例２に示すようにシリコン基板上にＢ＋ＰＳＧ層４（本願第１発明のＢ＋ＰＳＧ膜からなる第１導電型および第２導電型の二つの不純物を含むディスポーザブル層（２４）に相当する。）を付着し、硼素（Ｂ）を熱拡散させてソース・ドレイン領域１２を形成することは公知であり、上記引用例１記載の発明において不純物を含む絶縁膜としてＢＳＧ膜６に替えて上記引用例２に示す公知技術である、Ｂ＋ＰＳＧ膜からなる第１導電型および第２導電型の二つの不純物を含むディスポーザブル層採用することに格別の創意工夫を必要としない。なお、Ｂ＋ＰＳＧ膜が低い溶融温度特性を有することも、ゲッタリング効果を有することも周知の事実に過ぎない。よって、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　相違点(3)については、ハロゲン・ランプは急速加熱手段として周知であり、上記引用例１記載の発明においては浅いソース・ドレイン拡散領域を形成するのであるから、急速加熱が要求されることは明かであり、上記引用例１記載の発明においてハロゲン・ランプを用いて急速加熱することに格別の創意工夫を必要としない。そして、熱処理温度を９００℃以下にした場合でも不純物を含む絶縁膜よりシリコン基板に不純物が拡散されることは特開昭６３−３０７７２１号公報に示すように周知であり、本願第１発明が熱処理温度を９００℃以下にしたことに臨界的意義も認められず、上記引用例１記載の発明において熱処理温度を９００℃以下にすることは単なる設計的事項にすぎない。また、炉を用いて不純物を熱拡散することは周知であり、上記引用例１記載の発明において上記周知技術を用いることにより、炉を用いて不純物を含む絶縁膜より不純物を熱拡散することに格別の創意工夫を必要としない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（むすび）
  本願第１発明は、上記引用例１及び２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、請求項２記載の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。