【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２８０３７４２号発明「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　被請求人は、平成5年4月28日、名称を「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法」とする発明について特許出願をしたところ、平成10年7月17日、その特許請求の範囲の請求項1乃至3に係る発明（以下「本件第１発明」乃至「本件第３発明」という。）について特許権の設定の登録（特許第2,803,742号）がなされたが、平成10年12月29日無効審判が請求されたので、被請求人は、平成11年4月12日明細書の訂正請求を行い、これに対し請求人は、平成11年8月24日弁駁書を提出し、被請求人は、当審の訂正拒絶理由に対し訂正請求書の補正を行った。
　
２．審判請求人の主張の概要
　無効審判請求人が主張する無効理由の概要は、以下のとおりである。
  （２．１）無効理由１（記載不備）
　本件特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載には不備があり、特許法第36条第4項、第5項及び第6項に規定する要件を満たしていない。
　
　（２．２）無効理由２（新規性）
　平成10年4月10日の補正は明細書又は図面の要旨を変更するものであり、特許法第40条の規定により、本件出願はその手続補正書提出時にしたものとみなさなければならない。そうすると、本件請求項1、2及び3に記載された発明は、手続補正書提出時の前に日本国内において頒布された甲第11号証に記載された発明と同一であり、特許法第29条第1項第3号の規定により特許を受けることができないものである。
　
　（２．３）無効理由３（進歩性）
　本件第１発明乃至第３発明は、その出願前に日本国内において頒布された甲第1〜9号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものである。
　
３．被請求人の主張の概要
　本件特許出願は、特許法第３６条の規定に違反しておらず、また、本件特許発明は、同法第２９条第１項第３号及び第２項の規定にも違反していない。
　したがって、本件特許を無効とすべき理由はない。
　
４．訂正の適否について
　本件特許明細書については、訂正請求書及びその補正書が提出されているので、その適否についてまず検討する。
　（４．１）訂正請求書の補正の適否
　訂正請求書の補正の内容は、全文訂正明細書における特許請求の範囲の請求項１
「【請求項1】窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするpn接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型GaN層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚0.001μm以上、0.2μm以下の金属よりなる透光性の電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
を
「【請求項1】 窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするpn接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型GaN層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚0.001μm以上、0.2μm以下で、Cr、Ni、Au、Ti、Pt より選択された2種を含む合金からなる、透光性の電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
と補正し、請求項２及び請求項３を削除する（実体的には、補正前の請求項２において、「少なくとも」を削除することにより、特許請求の範囲を減縮して独立請求項とし、補正前の請求項１及び３を削除する）とともに、それに伴う明細書の整備を行うものである。
　したがって、この補正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、訂正請求書の要旨を変更するものではない。
　
　（４．２）訂正の目的等の適否について
　（4.2.1）訂正事項1
　請求項1において、「窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするpn接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、」を追加する訂正は、発光観測面を規定するとともに発光素子の型式を限定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、発光観測面の追加に関しては、特許明細書の段落【0005】に記載されており、pn接合型の追加に関しては、特許明細書に「pn接合型」という文言そのものは記載されてはいないが、図面及び特許明細書中の【0010】における「サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層と、ｎ型ＧａＮ層と、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層とを順に積層したウエハーを用意する。」という記載等を参酌すると、特許明細書には、pn接合型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が記載されているものと認められる。したがって、上記訂正は、願書に添付された明細書及び図面に記載された範囲内においてなされている。
　さらに、上記訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　（4.2.2）訂正事項2
　請求項1において、「オーミック接触が得られると共に、」とあるを「アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、」とする訂正は、オーミック接触が得られるための手段を特定したものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、「アニーリング処理により」形成される電極の構成については、特許明細書の段落【0007】に「前記アニーリングにより、蒸着された金属はp層内部に拡散すると共に、一部外部に飛散して膜厚が薄くなる」と記載され、このようにして製造される本件発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子について、特許明細書の段落【0006】に「本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、Mgがドープされたp型GaN層のほぼ全面に、オーミック接触が得られると共に、膜厚0.001μm以上、0.2μm以下の金属よりなる透光性の電極が形成されていることを特徴とする。」と記載されているのであるから、本件発明において、オーミック接触が得られるのはアニーリングによるのであり、逆に表現すれば、「アニーリング処理によりオーミック接触が得られる」ことを表現していると認められる。したがって、上記訂正は願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされている。
　さらに、上記訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　（4.2.3）訂正事項3
　請求項1において、「0.001μm以上、0.2μm以下の金属よりなる」とあるを「0.001μm以上、0.2μm以下で、Cr、Ni、Au、Ti、Pt より選択された2種を含む合金からなる、」とする訂正は、金属の種類を特定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされており、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　（4.2.4）訂正事項4
　請求項2を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　（4.2.5）訂正事項5
　請求項3を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　（4.2.6）訂正事項6
　特許明細書の段落【0061】において「本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、Mgがドープされたp型GaN層のほぼ全面に、オーミック接触が得られると共に、膜厚0.001μm以上、0.2μm以下の金属よりなる透光性の電極が形成されていることを特徴とする。」とあるを、「本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするpn接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型GaN層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚0.001μm以上、0.2μm以下で、Cr、Ni、Au、Ti、Pt より選択された2種類を含む合金からなる、透光性の電極が形成されていることを特徴とする。」とする訂正は、請求項1の訂正に伴い、それと発明の詳細な説明との整合性を図るものであるので、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされおり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　（4.2.7）訂正事項7
　発明の名称において、「及びその電極形成方法」を削除するとともに、特許明細書の段落【0006】において、「また、本発明の発光素子の電極形成方法は、MgをドープしたGaN層に、0.001μm以上、0.2μm以下の膜厚で金属を蒸着した後、500℃以上でアニーリングすることにより、前記金属を透光性にすると共に、前記窒化ガリウム系化合物半導体と前記金属とをオーミック接触することを特徴とする。」とあるを削除する訂正は、請求項3の削除に伴い、それと発明の詳細な説明との整合性を図るものであるので、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされおり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
　（４．３）独立特許要件について
　（4.3.3）訂正された本件発明の要旨
　訂正された本件発明（以下「本件訂正発明」という。）の要旨は、訂正された明細書の特許請求の範囲に記載された以下のとおりものである。
　「【請求項１】窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするpn接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　Mgがドープされたp型GaN層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚0.001μm以上、0.2μm以下で、Cr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金からなる、透光性の電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
　（4.3.4）刊行物に記載された発明
　（4.3.4−1）請求人の提出する甲第1号証（特開平3−183173号公報）には、以下の記載がある。
　（i） 「第1図は本発明の発光素子の概念的模式図である。本発明の発光素子100は、…（中略）…、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層105、第二導電層106が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極107、109及びリード線108、110が設けられている。」（第2頁左上欄第13行〜右上欄第3行）
　（ii）「第二導電層106の材質としては、例えば、Ni、Cr、Al、In、Sn、Mo、Ag、Au、Nb、Ta、V、Ti、Pt、Pb等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばIn2O3、ITO（In2O3十SnO2）等が挙げられる。」（第2頁左下欄第8〜12行）
　（iii） 「第二電荷注入層105は窒化ガリウムで構成され、各々異なる不純物が添加されており、その結果として電荷注入機能を有している。…（中略）…第二電荷注入層105を構成する窒化ガリウム膜は、膜中の欠陥が極めて少ないために電荷注入効率が高いという特徴を有している。」（第2頁右下欄第1〜7行）
　（iv） 「第二電荷注入層105に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Be）、マグネシウム原子（Mg）、…（中略）…等の単独、あるいはこれらのうちの2種以上を混合したものが挙げられる。」（第3頁左上欄第2〜9行）
　（v） 「本発明において使用される第二導電層は、基体101側に光を放出する場合には透光性であっても、非透光性であってもよい。第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましい。」（第4頁右下欄第19行〜第5頁左上欄第3行）
　（vi）第1図には、第二電荷注入層105の全面に第二導電層106が形成されている様子が図示されている。
　
　（4.3.4−2）同じく甲第2号証（特開平5−13812号公報）には、以下の記載がある。
　（i） 「図1は本実施例の発光ダイオードの構造を示す断面図である。…（中略）…p型炭化珪素層3の上面には、下側をチタン膜、上側をアルミニウム膜として積層された金属膜7がほぼ全面に形成され、この金属膜7の上の中央部にはアルミニウム電極8が設けられている。」（第3頁左欄第12〜25行）
　（ii）「p型炭化珪素層3上に、例えば真空蒸着法によりチタン（Ti）膜を30nm、アルミニウム（AI）膜を50nm堆積して金属膜7を形成した。この金属膜7はp側オーム性電極であり、p型炭化珪素層3との良好なオーム性を得るために、形成後に1000℃のアルゴン雰囲気中で5分の熱処理を行った。」（第3頁右欄第32〜38行）
　（iii）「したがって、このような構成の発光ダイオードにおいては次のような効果がある。上記アルミニウム電極8とオーム性電極6との間に順方向の電流を通電すると、炭化珪素基板1側から p 型炭化珪素層3側へ向かって発光する。このため、基板1側をマウントさせることができ、マウントの際に問題となる漏れ電流の発生を防止して歩留りの向上を図れる。」（第3頁右欄第45行〜第4頁左欄第1行）
　（iv） 「また、p型炭化珪素層3の上に形成したオーム性電極が光透過性を有する金属膜7からなっているので、このオーム性電極の形成面積を広くすることにより、チップ内を通る電流をチップ全域へ広げることができる。…（中略）…チタンやアルミニウムなどの金属材料の抵抗率は10−６Ωｃｍ台程度であり、厚みを薄くしても半導体材料と同程度のシート抵抗を得ることができる。」（第4頁左欄第8〜19行）
　（v）「なお、金属膜7の各膜の厚みとしては、チタン膜については3nm以上200nm以下とし、アルミニウム膜については10nm以上200nm以下とする。その理由は、下限を下回るとシート抵抗の確保が困難となり、上限を上回ると光の透過姓が悪化するためである。従って、このような薄い金属膜7を用いることにより電流のチップ全域への広がりを確保でき、また金属膜7を通しての光取り出しも可能となって、従来必要であった厚肉の低抵抗p型炭化珪素層を不要にできる。」（第4頁左欄第22〜30行）
　
　（4.3.4−3）同じく甲第3号証（特開平4−68579号公報）には、以下の記載がある。
　（i）「本発明の第1の実施例を第1図に示す。…（中略）…5はGaNエピタキシャル層（p型）、膜厚1μｍ、6はAl正電極、そして7はAl負電極である。このようにして構成されたpn接合型発光素子は電極6，7間に電圧を印加されることにより発光ダイオードとして動作する。」（第4頁右下欄第10行〜第5頁左上欄第10行）
　（ii）「本発明の第2の実施例を第2図に示す。…（中略）…GaN：Mg層13は発光層12とほぼ同様の真空条件、分子ビーム条件と、不純物としてのMg分子ビーム強度3×10ー１０Torrにて成膜した2μｍ厚、p型抵抗率10Ω・cm、キャリヤ濃度6×1016cm−３の低抵抗p型エピタキシャル膜である。」（第6頁左上欄第7行〜左下欄第1行）
　（iii）「また、GaN、InGaNについては…（中略）…p型不純物元素としては、IIa 族、ならびにIIb 族元素のBe，Zn，Cd，Hg，Mg，M n 等が適用され得ることは明らかである。」 （第8頁左下欄第4〜10行）
　（iv）「電極形成用の金属元素としてはAlに限って説明したがその他In，Ga，Ni，Ti，Cu，Au，Ag，Cr，Si，Ge等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であることは明らかである。」（第8頁左下欄第11〜15行）
　（v） 第2図には、GaN：Mg層13の上に第1図と同様のAl正電極6が形成されている様子が図示されている。
　すなわち、甲第３号証刊行物には、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするpn接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型GaN層の上にAl、In，Ga，Ni，Ti，Cu，Au，Ag，Cr，Si，Ge等の単体あるいは混合金属膜からなるオーミック電極が形成されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が記載されている。
　（4.3.4−4）同じく甲第4号証（特開昭61−87381号公報）には、以下の記載がある。
　(i)「第1図において…（中略）…3に表す層には亜鉛と酸素を、そして6に示す層には亜鉛をそれぞれ適当な量イオン注入法により選択的にドーピングしたp形りん化ガリウム層である。…（中略）…9は前記n形硫化亜鉛上に連続成長させたp形硫化亜鉛エピタキシャル層である。4，7および10はそれぞれ3、6および9に示したp形りん化ガリウムおよびp形硫化亜鉛層からオーミックコンタクトがとれるように形成した透明導電膜である。オーミックコンタクトをとるためには、例えば、p型りん化ガリウム又はp形硫化亜鉛上に選択的に亜鉛、金、ニッケルをスパッタ法又は蒸着法で付着させ、高温にてシンタリングした後、ITO（インジウム・ティン・オキサイド）透明膜等を形成すればよい。」（第3頁右上欄第11行〜左下欄第16行）
　(ii)「26は…（中略）…p形りん化ガリウム層であり、27はこのp形りん化ガリウムとオーミックなコンタクトがとれる透明導電層である。…（中略）…28は…（中略）…p形りん化ガリウム、29はオーミックコンタクトがとれる透明導電層であり、…（中略）…31はp形硫化亜鉛単結晶、32はp形硫化亜鉛とオーミックコンタクトのとれる透明導電層である。」（第4頁左下欄第8行〜右下欄第8行、第4図）
　(iii)「39および40は…（中略）…n形およびp形りん化ガリウム発光ダイオ−ドを示す…（中略）…42は前記発光ダイオードのp形領域からオーミックコンタクトをとるための導電膜」（第5頁左上欄第4〜12行、第5図）
　
　（4.3.4−5）同じく甲第5号証（特開昭49−29770号公報）には、「p−n接合を含むGaNを成長させ、発光ダイオードを作った。…（中略）…Znを含む水素とし、…（中略）…サファイア基板3上には厚さ約125μのGaNが成長していた。…（中略）…p−n接合が、成長表面直下約22μのところにできていることが分かった。…（中略）…p層にはAu−Znを蒸着し、約600℃で30分加熱して抵抗性電極とした。」（第3頁左上欄第5行〜右上欄第9行）と記載されている。
　（4.3.4−6）同じく甲第6号証（持開昭49−29771号公報）には、「Znを含む水素ガスに切替え、…（中略）…サファイア基板上には厚さ約80μのGaNがエピタキシャル成長していた。…（中略）…成長表面より約8〜10μの所にp−n接合が形成されていることがわかった。…（中略）…次にこのp−n接合を用いて発光ダイオードを作った。…（中略）…p層側にはZn−A u を蒸着してから約 500 ℃で 30 分加熱し、抵抗性電極とした。」（第2頁右下欄第20行〜第3頁左上欄第19行）と記載されている。
　（4.3.4−7）同じく甲第7号証（特開昭50−42785号公報）には、「Mg蒸気またはMgの塩化物を反応管内に入れi型窒化ガリウム（第1図の4）を2〜5μｍ成長させる。…（中略）…GaN層2〜5にIn電極6をそれぞれ焼付ける。焼付はN2気流中で400〜450℃で約30分間おこなった。…（中略）…このようにして窒化ガリウムの多色発光ダイオードを得る。」（第2頁左下欄第11行〜右下欄第5行）と記載されている。
　（4.3.4−8）同じく甲第８号証（「応用物理」第60巻第2号（1991）、第163〜166頁）には、以下の事項が記載されている。
　（i）「最近、われわれはマグネシウム（Mg）ドープ高抵抗GaN（GaN：Mg）に電子線を照射すると電気的特性が変化し、比抵抗数十Ω・ｃｍ程度のp型結晶となることを見いだした。さらにこれを利用して、3．pn接合の形成にも初めて成功した。」（第163頁右欄第8〜12行）
　（ii）「GaN：Mgを約0.5μm育成したのち、表面から電子線照射処理する。GaN中への電子線の侵入長は電子線加速電圧によって決まる。もし、電子線照射によりバルクGaN：Mgが改質されているのであれば、本実験で行った15kVの加速電圧では、電子線はGaN中に表面から約1μm程度侵入するため、GaN：Mgは深さ方向に対して全体が処理されていると考えられる。」（第165頁右欄第2〜8行）。
　（iii）「ｐ層の電極は金（Au）によりオーム性接触を形成する。 」（第165頁右欄第9〜10行）。
　（4.3.4−9）同じく甲第9号証（Jpn.Appl.Phys.Vol.31（1992）第1258〜1266頁）には、以下の記載がある。
　(i)「他方、本著者等は、約700℃を超える温度においてN2雰囲気又は真空雰囲気の熱アニーリングを行うと、LEEBI処理によって生成する薄膜と同一の低抵抗率のp型GaN薄膜を得るのに効果があることを発見した。」（第1258頁右欄第7〜12行）
　(ii)「従って、Mgドーピング型GaN薄膜の場合のLEEBI処理及びN2　雰囲気の熱アニーリングの効果はほぼ同じであり、そして、高抵抗率GaN薄膜が低抵抗率GaN薄膜になるメカニズムは、LEEBI処理及び熱アニーリングの場合とほぼ同じであると考えられる。」（第1259頁右欄第54〜59行）
　(iii)「500℃を超えるN2雰囲気の熱アニーリングは、成長したままの高抵抗率GaN薄膜の抵抗率を大幅に減少させるのに効果があり、PLスペクトルの強さは700℃付近で最大値となることを本著者等は既に発表している。…（中略）…N2雰囲気の熱アニーリング温度が400℃を超えると、Mg−H錯体から原子状水素の離脱が始まり、…（中略）…PLスペクトルの青色発光の強さが徐々に増加する。」（第1263頁右横第36〜49行）
　(iv)「入射電子の侵入深さが、LEEBI処理でのこの加速電圧で約0.8μｍであることを考慮すると、GaN薄膜の表面直下近くの温度は薄膜の表面のかなり下（即ち、表面から0.8μｍよりも下）の温度に比べて電子の入射によって極めて高くなり、表面直下近くの抵抗率は表面より下の抵抗率に比べて、700℃を超える熱アニーリング効果によって極めて小さい可能性がある。」（第1265頁左欄下から第2行〜右欄第8行）
  　
　（4.5.5）本件訂正発明と刊行物記載の発明との比較・検討
　本件訂正発明と上記甲第３号証刊行物記載の発明とを比較すると、両者は、「pn接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型GaN層の上にオーミック接触が得られる金属の電極が形成されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」である点において一致し、以下の点において相違している。
　(i)前者においては、化合物半導体層側を発光観測面とし、ｐ層のほぼ全面に金属電極が形成され、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚0.001μm以上、0.2μm以下である透光性の電極が形成されているが、後者においては、ｐ層の一部分にオーミック接触する金属電極が設けられているが、透光性であるとは認められず、その厚さは不明である点。
　(ii)前者においては、上記透光性電極は、Cr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金により形成されているが、後者におけるｐ層の電極は、Al、In、Ga、Ni、Ti、Cu、Au、Ag、Cr、Si、Ge等の単体あるいは混合金属膜であるが、透光性ではない点。
　そこで、上記相違点(i)について検討すると、炭化珪素を用いたｐｎ接合型の発光素子において、化合物半導体層側を発光観測面とし、ｐ層のほぼ全面に金属電極が形成され、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚0.001μm以上、0.2μm以下である透光性の電極を形成することは、上記刊行物２に記載されているように公知である。しかしながら、炭化珪素において、透光性の電極を設けることが知られていても、窒化ガリウム系化合物半導体においても、ｐ層のほぼ全面に透光性の電極を設ける必要があることを示す証拠はないので、上記炭化珪素における技術を窒化ガリウム系化合物に応用することが、当業者にとって容易であるとは認められない。
　次に、上記相違点(2)について検討すると、上記甲第１号証刊行物においては、「第二導電層106の材質としては、例えば、Ni、Cr、Al、In、Sn、Mo、Ag、Au、Nb、Ta、V、Ti、Pt、Pb等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばIn2O3、ITO（In2O3十SnO2）等が挙げられる。」及び「第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましい。」と記載されているので、不純物の添加されたＧａＮのｐ層上に透明導電膜を設けることは記載されているが、透明導電膜として、実施例として示されているのは、Ni等の金属ではなく、透明導電膜として周知のITOである。したがって、この刊行物において透明導電膜としてNi等の金属が記載されているといえるかどうか疑問であるし、また、甲第１号証刊行物にはｐ型不純物としてBe、Mg、Zn、Cd、C、Si、Ge、S、Seの単体あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられており、これら９種類以上のものと、上記第二導電層を形成する材料１６種類以上との組み合わせは百通り以上になるので、上記甲第３号証及び甲第１号証刊行物記載の発明を組み合わせても、ｐ型不純物としてMgを添加した窒化ガリウム系化合物半導体に対して、オーミック接触させるために、Cr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金による透明導電膜を電極とすることは当業者が容易になし得たものとは認められない。
　上記甲第２号証刊行物には、炭化珪素にオーミック接触する透明導電膜として、TiとAlの合金が示されているが、GaN系化合物半導体層にオーミック接触する透明導電膜として、Cr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金を用いることについては記載されていない。
　上記甲第３号証刊行物には、「電極形成用の金属元素としてはAlに限って説明したがその他In，Ga，Ni，Ti，Cu，Au，Ag，Cr，Si，Ge等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であることは明らかである。」と記載されているが、それらはｐ層の一部と接触する単なる電極であり、ｐ層のほぼ全面で接触する透明導電膜として、Cr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金を選択することについての記載がなく、示唆もないので、上記甲第３号証及び甲第２号証刊行物記載の発明を組み合わせても、本件発明を想到することができたとは認められない。
　上記甲第４号証刊行物には、「オーミックコンタクトをとるためには、例えば、p型りん化ガリウム又はp形硫化亜鉛層上に選択的に亜鉛、金、ニッケルをスパッタ法又は蒸着法で付着させ、高温にてシンタリングした後、ITO（インジウム・ティン・オキサイド）透明膜等を形成すればよい。」と記載されており、GaN系化合物半導体のMgドープｐ層にCr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金からなる透明導電膜を施すことの記載はなく、示唆もない。
　上記甲第５号証及び甲第６号証刊行物には、窒化ガリウム系化合物半導体の「p層にはAu−Znを蒸着し、約600℃で30分加熱して抵抗性電極とした。」と記載されているが、Cr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金からなる透明導電膜を施すことの記載はなく、示唆もない。
　上記甲第７号証刊行物には、「GaN層2〜5にIn電極6をそれぞれ焼付ける。焼付はN2気流中で400〜450℃で約30分間おこなった。」と記載されているが、Cr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金からなる透明導電膜を施すことの記載はなく、示唆もない。
　上記甲第８号証刊行物には、「ｐ層の電極は金（Au）によりオーム性接触を形成する。」と記載されているが、Cr、Ni、Au、Ti、Ptより選択された2種を含む合金からなる透明導電膜を施すことの記載はなく、示唆もない。
　上記甲第９号証刊行物には、電極材料に関する記載はない。
　以上のとおりであるので、本件発明は、甲第1号証乃至甲第９号証記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　
　（4.5.6）訂正請求の適否について
　　したがって、本件訂正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
　　よって、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項において、なお従前の例によるとされる改正前の特許法第１２６条第１項ないし第３項の規定に適合するので、これを認める。
　
５．当審の判断
　(5.1-1)明細書の記載不備−その１
　請求人は、「本件請求項1では、『オーミック接触が得られる…（中略）…金属よりなる透光性の電極』としているが、これは機能的な表現であって、そのオーミック接触とはどのような程度・範囲のものを指すのか、そして、そのオーミック接触が得られる金属には具体的にどのような種類・範囲の金属が含まれるのか、が不明瞭である。」と主張している。
　しかしながら、電極金属と半導体との接触状態はオーミック接触とショットキバリア接触とに大別され（乙第1号証）、両者は通常EBIC信号によって識別されることは当業者に周知である。したがって、発明の構成要件として発光素子の電極金属とMgドープのp型GaN層とが「オーミック接触」であるか否かは当業者であれば容易に識別することができ、明細書中にオーミック接触の程度、範囲が記載されていなくとも、当業者は本件発明を実施することができる。
　したがって、発明の詳細な説明には、当業者が容易にその実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されており、また、特許を受けようとする発明は、発明の詳細な説明に記載されており、明確である。
　よって、本件特許明細書の記載方法は、特許法第36条第4項乃至第6項の規定に違反しているとはいえない。
　(5.1-2)明細書の記載不備−その２
　請求人は、「本件請求項2の発明は、わずか3通りの二元系合金について行われた実施例1〜4のみに基づいて、それらの二元系合金を構成している5種の元素をばらばらに抽出し、その5種を任意に組み合わせたすべての合金を包含するように不当に広く権利化しようとしたものであって、残りの23通りの合金について発明の作用効果が成立するとの根拠は無いから、特許法第36条第5項及び第6項に規定する要件に違反している。」と主張する。
　しかしながら、発明の詳細な説明の段落【0007】において、「本発明の方法において、ｐ層に蒸着する金属には、例えばAu，Ni，Pt，In，Cr，Tiの電極材料を使用することができ、特に好ましいオーミック接触が得られる材料としてCr，Ni，Au，Ti，Ptの内の少なくとも２種類を含む合金を使用することが好ましい。」と記載されている。
　したがって、発明の詳細な説明には、当業者が容易にその実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されており、また、特許を受けようとする発明は、発明の詳細な説明に記載されており、明確である。
　よって、本件特許明細書の記載方法は、特許法第36条第4項乃至第6項の規定に違反しているとはいえない。
　(5.1-3)明細書の記載不備−その３
　請求人は、「本件請求項3及び段落【0006】ではアニーリング前（薄くなる前）の蒸着膜厚を規定しているのに対し、段落【0007】ではアニーリング後（薄くなった後）の最終膜厚を規定しており、薄くなる前と薄くなった後とでは数値範囲（特に下限値）が異なるはずであるのに、同一の数値範囲で規定しているから、明らかに矛盾している。」と主張する。
　しかしながら、請求項３は削除され、明細書の段落【0006】は、訂正されたので、上記主張は理由のないものとなった。
　したがって、本件特許明細書の記載方法は、特許法第36条第4項乃至第6項の規定に違反しているとはいえない。
　(5.1-4)明細書の記載不備−その４
　請求人は、「アニーリングすることにより、前記金属を透光性にする」の記載は、第一に、『透光性』の基準が不明瞭であり、第二に、アニーリングするまでもなく透光性であると考えられる相当に広い範囲部分については、どのような意味をもつ記載であるのか不明瞭である。」と主張する。
　しかしながら、透光性の基準は、電極金属が発光素子の発光観測面を形成しているから発光観測面として十分に機能するか否かで決定されるものと認められ、また、「アニーリングすることにより前記金属を透光性にする」とは、アニーリングすることにより透光性を向上させることを意味するものと認められ、透光性のないものが透光性を有するように変化する場合のみならず、透光性の不十分なものの透光性を向上させる場合をも含むものと認められ、それらの意味は明確である。
　したがって、本件特許明細書の記載方法は、特許法第36条第4項乃至第6項の規定に違反しているとはいえない。
　
　(5.2)明細書の要旨変更及び新規性
　請求人は、「本件請求項1及び段落【0006】における『ほぼ全面に』の記載は、本件出願当初の明細書又は図面に記載されていないにも拘らず、平成10年4月10日付の補正によって追加された新規事項であるから、その補正は明細書又は図面の要旨を変更するものというべきである。従って、特許法第40条の規定により、本件出願はその手続補正書提出時にしたものとみなさなければならない。」及び「そうすると、本件請求項1、2及び3の発明は、本件出願日と平成10年4月10日付の補正との中間で出願公開された本件出願の公開特許公報である特開平6−314822号公報（甲第11号証として提出する）に記載された発明と同一であるから、新規性を欠如している。」と主張する。
　そこで、検討するに、図1におけるp型層上の電極5について、出願当初の明細書の段落【0003】においては、「この図に示すように従来の発光素子は、p型電極4をp型層表面のほぼ全面に形成することにより」と表現されている。一方、図2におけるp型層上の電極5’の電極配置も図1のp型層上の電極5配置形態と同様である。一方、本件発明は、発明の解決しようとする課題として、段落【0004】において、「p層3に形成する電極を透光性にして、窒化ガリウム系化合物半導体層内部の発光を遮らないようにする必要がある。」点を挙げているから、図1の従来の場合と同様にp型層上の電極5’は「p型層表面のほぼ全面に形成される」ことを前提としていることは本件発明の課題から明らかである。
　したがって、本件発明においてp型層上の電極5’が「p型層表面のほぼ全面に形成される」ことは出願当初の明細書及び図面の記載から当業者にとって自明であるから、請求項1及び段落【0006】において「ほぼ全面に」を追加した補正は、明細書の要旨を変更するものであるとはいえない。
　よって、上記請求人の主張は採用できない。
　
　(5.3)　進歩性
　請求人は、本件訂正発明については、その出願前に日本国内において頒布された上記甲第1〜9号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、進歩性を欠如していると主張する。
　しかしながら、上記(4.5.5)で検討したとおり、本件訂正発明は、上記甲第1〜9号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるので、上記訂正請求はこれを認め、請求人の主張する無効理由によっては、本件特許を無効とすることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。