【事件の表示】
　平成　７年特許願第１２２１０４号「スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置／方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　２月１６日出願公開、特開平　８−　４５０３２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成　７年　５月２２日
（優先権主張　米国　１９９４（平成６）年７月２６日）
（審査）
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　１月２６日
　意見書・手続補正１　　　　　　　　　　　　　平成１１年　７月２６日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年１２月１４日
（審判）
　審判請求・手続補正２　　　　　　　　　　　　平成１２年　３月１７日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　６月１３日
　補正却下（手続補正２）　　　　　　　　　　　
　
２　本願発明
　手続補正２は、本審決と同日付けで補正却下された。
　従って、本願の特許請求の範囲請求項１〜１１に係る発明は、上記手続補正書１で補正された特許請求の範囲請求項１〜１１のとおりであって、そのうち、請求項１に係る発明は、次のとおりである。
「【請求項１】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上に形成されている層状中央構造体であって、
　印加磁場が存在しないとき第１の磁化方向にバイアスされた中央活性領域を有するフリー強磁性層と、
該中央活性領域の表面に隣接する金属性非磁性スペーサ層と、
該スペーサ層の表面に隣接し、前記中央活性領域の前記第１磁化方向に交差する第２の磁化方向を有する被拘束強磁性層と、
該被拘束強磁性層の表面に隣接して形成され、前記被拘束強磁性層の前記第２磁化方向を拘束する第１のタイプの反強磁性材料の層とを含み、
前記中央活性領域、前記スペーサ層、前記被拘束強磁性層及び第１タイプ反強磁性層がそれぞれ実質的に同じ幅と共通の側端エッジ面を有する前記層状中央構造体と、
（ｃ）前記層状中央構造体の外側に前記側端エッジ面に隣接して前記基板上に形成され、前記第１磁化方向のバイアスを生成するための層状端部構造体であって、
　前記中央活性領域の前記側端エッジ面に隣接して形成され、正味の磁気モーメントが前記中央活性領域の磁気モーメントよりも大きくされた強磁性材料の端部領域層と、
前記端部領域の磁化を上記第１磁化方向に拘束するために前記端部領域層の表面に隣接して形成され、前記第１タイプの反強磁性材料とは異なる組成の第２のタイプの反強磁性材料から成る層とを含む前記層状端部構造体と、
　を含むスピン・バルブ磁気抵抗センサ」（以下、本願発明という。）
　
３　引用例記載の発明
　前審の拒絶の理由に用いられた本願出願前公知の刊行物（特開平４−３５８３１０号公報、以下引用例１という）、同じく刊行物（特開平６−８４１４５号公報、以下引用例２という）には、次のことが記載されている。
（１）引用例１記載の発明
　引用例１の図３および図４と共に、第３頁右（４）欄第２５行〜第４頁左（５）欄第４２行に、次の記載がある。
「【００１１】
　本発明では感度の直線形、飽和保磁力の低下、感度の中心化、及びドメイン回転による印加された磁界への感度の変化の改善について述べる。その結果として、スピン・バルブ構造に基づく磁界センサは、従来のＭＲセンサが必要とした磁界の感度に対して、従来のＭＲセンサよりも非常に大きな磁気抵抗の変化を示すＭＲセンサを製作することができる。
【００１２】
　本発明のこの新しい構造が図３に例示されている。本発明のＭＲセンサは、ガラス、セラミック、又は半導体のような適切なサブストレート１０の上に、例えば、軟質強磁性体の第１薄膜層１２、非磁性金属体の薄膜層１４、及び強磁性体の第２薄膜層１６を付着させた構造である。強磁性体の薄膜層１２及び１６は、磁界が印加されていない場合は、個々の磁化方向が約９０度の角度差になるようにする。さらに、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向は、矢印２０が示す方向に固定される。磁界が印加されていない場合の軟質強磁性体の第１薄膜層１２の磁化方向は矢印２２で示されている。印加された磁界（例えば、図３の磁界方向ｈ）に感応して第１薄膜層１２に生じる磁化回転は、図３の点線に示す方向に変化する。
【００１３】
　図３に例示する本発明の実施例において、強磁性体の第２薄膜層１６は軟質強磁性体の第１薄膜層１２の飽和保磁力よりも高いので第２薄膜層１６の磁化はその方向に固定させられる。図４に例示する特定的な実施例は、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向を固定させる２つの代替方法を与えている。
【００１４】
　図４に例示する本発明の実施例において、高電気抵抗の反強磁性体の薄膜層１８が、強磁性体の第２薄膜層１６に直接、接触して付着させられているので従来技術で周知のように交換結合によってバイアス磁界が生じる。代替構造として、薄膜層１８を十分に高い直角度で、高飽和保磁力、且つ高電気抵抗を有する強磁性の層にすることができる。図４の構造は逆構造にもすることができる。この場合は、薄膜層１８を最初に付着してから薄膜層１６、１４、及び１２の各層を付着させる。
【００１５】
　本発明の他の磁気抵抗センサの実施例が図５に例示されている。本発明のこの実施例では軟質強磁性体の第１薄膜層１２の付着を行なう前に、例えば、Ｔａ、Ｒｕ、又はＣｒＶのような適切な下部膜２４をサブストレート１０の上に付着させる。下部膜２４を付着させる目的は、後に付着させる層の組織、結晶粒度、及び形態を最適化させるためである。層の形態は、大きなＭＲ効果を得るのに非常に重要である。それは層の形態によって非磁性金属体の薄膜層１４の非常に薄いスペーサ層を利用することができるからである。さらに分流による影響を最小にするために、下部層は高電気抵抗でなければならない。下部層は又、前述したように逆構造としても使用できる。サブストレート１０が十分な高電気抵抗で、十分に平面であり、且つ適切な結晶構造の場合は、下部膜２４は不要である。
【００１６】
　図５には薄膜層１２を、図５の矢印が示す方向に単一のドメイン状態に保持させるための、縦方向にバイアスを生じさせる手段が提供されている。図５の特定的な実施例が例示するように縦方向にバイアスを生じさせる手段は、高飽和保磁力、高直角度、且つ、高電気抵抗を有する硬質強磁性体の薄膜層２６を含む。硬質強磁性体の薄膜層２６は、軟質強磁性体の薄膜層１２の端部の領域に接触している。薄膜層２６の磁化方向は、図５の矢印が示すように方向づけられている。
【００１７】
　代替構造として反強磁性体の薄膜層を薄膜層１２の端部の領域に接触させて付着させることができ、図５の矢印のように方向づけし、必要な縦方向のバイアスを生じさせる。これらの反強磁性体の薄膜層は、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向を固定させるために用いられる反強磁性体の薄膜層１８よりも十分に異なるブロッキング温度を有さねばならない。」
　即ち、引用例１には、
サブストレート１０と、
サブストレート１０の上に、軟質強磁性体の第１薄膜層１２、非磁性金属体の薄膜層１４、及び強磁性体の第２薄膜層１６を付着させた構造であって、強磁性体の薄膜層１２及び１６は、磁界が印加されていない場合は、個々の磁化方向が約９０度の角度差になり、さらに、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向は、矢印２０が示す方向に固定され、磁界が印加されていない場合の軟質強磁性体の第１薄膜層１２の磁化方向は矢印２２で示され、印加された磁界（例えば、図３の磁界方向ｈ）に感応して第１薄膜層１２に生じる磁化回転は、図３の点線に示す方向に変化するものであり、
高電気抵抗の反強磁性体の薄膜層１８が、強磁性体の第２薄膜層１６に直接、接触して付着させられており、交換結合によってバイアス磁界が生じており、
薄膜層１２を、図５の矢印が示す方向に単一のドメイン状態に保持させるための、縦方向にバイアスを生じさせる高飽和保磁力、高直角度、且つ、高電気抵抗を有する硬質強磁性体の薄膜層２６は、軟質強磁性体の薄膜層１２の端部の領域に接触している
スピン・バルブ構造に基づく磁界センサ
が示されている。
　そして、薄膜層１８を最初に付着してから薄膜層１６、１４、及び１２の各層を付着させる逆構造にもすることができることが示されている。
　さらに、第５図によると、非磁性金属体の薄膜層１４、強磁性体の第２薄膜層１６、高電気抵抗の反強磁性体の薄膜層１８が、同じ幅と共通の側端エッジを有する磁界センサが示されている。
　
（２）引用例２記載の発明
　図３と共に、段落【００１０】および【００２４】に次の記載がある。
「【００１０】
【課題を解決するための手段】
　本発明によれば、端部の受動領域が中央の能動領域で分離されたＭＲ読取りトランスデューサは、高い透磁率に相当する低い磁気異方性を持つ材料からできたＭＲ層を備えている。軟磁性バイアス層は、中央領域でだけＭＲ層と隣接するがそれと隔置されており、横信号方向に沿って高い磁気異方性を持つ材料でできている。縦方向バイアスは、各端部領域でだけ直接発生され、縦方向バイアスを発生させる手段は、縦方向に沿って高い磁気異方性を持つ材料からできた層を含んでいる。」
「【００２４】
　本発明によるＭＲセンサの特定の実施例を図３に示す。ＭＲセンサ３０は、ＭＲ層３１、非磁性スペーサ層３２、および軟磁性バイアス層３３を備えている。これらはそれぞれ、中央領域３４の上だけに延びている。ＭＲセンサ３０はまた、縦方向バイアスを発生させる手段と導電性リード構造３７をも備えている。これらはそれぞれ、端部領域３８の上だけに延びている。縦方向バイアスを発生させる手段は、強磁性層３５と、強磁性層３５と接触する反強磁性体の層３６とを備えており、端部領域３８を単一磁区状態に維持するのに十分なレベルの交換バイアスを発生する。」
　
４　本願発明と引用例との対比・判断
　引用例１の「サブストレート１０」、「軟質強磁性体の第１薄膜層１２」、「非磁性金属体の薄膜層１４」、「強磁性体の第２薄膜層１６」、「軟質強磁性体の第１薄膜層１２、非磁性金属体の薄膜層１４、及び強磁性体の第２薄膜層１６を付着させた構造」は、本願発明の「基板」、「フリー強磁性層」、「金属性非磁性スペーサ層」、「被拘束強磁性層」、「中央活性層状構造体」に相当するから、本願発明と引用例１とは、次の点で一致する。
「（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上に形成されている層状中央構造体であって、
　印加磁場が存在しないときに第１の磁化方向を有するフリー強磁性層と、
該中央活性領域の表面に隣接する金属性非磁性スペーサ層と、
該スペーサ層の表面に隣接し、前記中央活性領域の前記第１磁化方向に交差する第２の磁化方向を有する被拘束強磁性層と、
該被拘束強磁性層の表面に隣接して形成され、前記被拘束強磁性層の前記第２磁化方向を拘束する第１の反強磁性材料の層と、
　前記端部領域の磁化を上記第１磁化方向に拘束するために前記端部領域層の表面に隣接して形成された第２の反強磁性材料からなる層とを含む前記層状端部構造体と、
を含むスピン・バルブ磁気抵抗素子。」
　
　そして、次の点で両者は相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「前記中央活性領域、前記スペーサ層、前記被拘束強磁性層及び第１タイプ反強磁性層がそれぞれ実質的に同じ幅と共通の側端エッジ面を有する前記層状中央構造体」であるのに対して、引用例１のものは、非磁性金属体の薄膜層１４、強磁性体の第２薄膜層１６、高電気抵抗の反強磁性体の薄膜層１８が、同じ幅と共通の側端エッジを有するのみで、軟質強磁性体の第１薄膜層１２は同じ幅と共通の側端エッジを有さない点、
（相違点２）
  本願発明は、「前記層状中央構造体の外側に前記側端エッジ面に隣接して前記基板上に形成され、前記第１磁化方向のバイアスを生成するための層状端部構造体であって、
　前記中央活性領域の前記側端エッジ面に隣接して形成され、正味の磁気モーメントが前記中央活性領域の磁気モーメントよりも大きくされた強磁性材料の端部領域層」を有するのに対して、引用例１のものは、磁気モーメントの大きさは明示されていない点、
（相違点３）
　本願発明は、「前記端部領域の磁化を上記第１磁化方向に拘束するために前記端部領域層の表面に隣接して形成され、前記第１タイプの反強磁性材料とは異なる組成の第２のタイプの反強磁性材料から成る層とを含む層状端部構造体」を有するのに対して、引用例１のものは、薄膜層１２にバイアスを生じさせる高飽和保磁力、高直角度、且つ、高電気抵抗を有する第２の硬質強磁性体の薄膜層２６は、軟質強磁性体の薄膜層１２の端部の領域に接触しているが、高電気抵抗の第１の反強磁性体の薄膜層１８と異なる組成であるか不明であること、及び端部領域強磁性層状構造体であるか不明である点。
　
（相違点１の検討）
　引用例２に、「ＭＲ層３１、非磁性スペーサ層３２、および軟磁性バイアス層３３を備えている。これらはそれぞれ、中央領域３４の上だけに延びている。」と記載され、図３にもＭＲ層３１、非磁性スペーサ層３２、および軟磁性バイアス層３３が、中央領域において、同じ幅と共通の側端エッジを有する形状が示されている。
　そして、引用例２は、磁気ひずみ調整のために積層しているものであるが、元来磁気抵抗素子として、ＭＲ層３１、非磁性スペーサ層３２、および軟磁性バイアス層３３を備えることは周知の形状であり、引用例１には、薄膜層１８を最初に付着してから薄膜層１６、１４、及び１２の各層を付着させる逆構造にもすることができることが示されているから、引用例２の積層順が逆であっても、また引用例２が磁気ひずみ調整のために積層しているものであっても、引用例１のフリー強磁性層中央活性領域、スペーサ層、被拘束強磁性層がそれぞれ実質的に同じ幅と共通の側端エッジを有する、中央活性層状構造体とすることの阻害要件とはならない。
　しかも、高電気抵抗の反強磁性体の薄膜層１８が、強磁性体の第２薄膜層１６に直接、接触して付着させられており、交換結合によってバイアス磁界を与えるものは周知の形状であり、反強磁性体の薄膜層を用いた場合には、当該反強磁性体膜も同じ幅と共通の側端エッジとすることが自然であり、フリー強磁性層中央活性領域、スペーサ層、被拘束強磁性層及び反強磁性層がそれぞれ実質的に同じ幅と共通の側端エッジを有する、中央活性層状構造体とすることは、当業者が容易に想到できた事項である。
　従って、この相違点１は格別のものではない。
（相違点２の検討）
　強磁性材料の端部領域層は、中央活性領域の磁気モーメントを規制する役割を有するものであり、端部領域の磁気モーメントを中央活性領域の磁気モーメントより大きくすることは、それぞれの役割に応じて当業者が任意に設定できた事項である。従って、相違点２は格別のものではない。
（相違点３の検討）
　引用例１の【００１７】に、「これらの反強磁性体の薄膜層は、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向を固定させるために用いられる反強磁性体の薄膜層１８よりも十分に異なるブロッキング温度を有さねばならない。」の記載がある。異なるブロック温度の反強磁性体膜とするのに、その組成を異ならすことは、当業者が容易に想到できた事項である。
　従って、この相違点３は格別のものではない。
　各相違点による効果も格別のものとは認められない。
　
５　まとめ
　本願発明は、引用例１及び２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。従って、請求項２〜１１に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。