【事件の表示】
　特願２０１１−２２２１００「半導体装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　２月　９日出願公開、特開２０１２−　２８８０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は、平成１９年８月２０日に出願した特願２００７−２１３８１１号の一部を平成２３年１０月６日に新たな特許出願としたものであって、同年１１月４日に上申書及び手続補正書が提出され、平成２５年２月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年４月３０日に意見書及び手続補正書が提出され、同年７月１７日に拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、手続補正書が提出され、同年１２月２５日に審尋がされ、これに対し平成２６年３月６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年１０月２４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２５年１０月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　平成２５年１０月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、同年４月３０日付けの手続補正後の特許請求の範囲の請求項１である
「【請求項１】
　集積回路及び、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
　前記電極上方の一部を除いて前記半導体基板上に位置するパッシベーション膜と、
　前記パッシベーション膜上に位置する樹脂突起と、
　前記電極に電気的に接続され、前記樹脂突起上に位置する配線と、
　前記パッシベーション膜上に位置しており、前記配線と同じ材料からなり、前記配線との位置が固定された位置決めマークと、
　を有する半導体装置。」
を、
「【請求項１】
　集積回路及び、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
　前記電極上方の一部を除いて前記半導体基板上に位置するパッシベーション膜と、
　前記パッシベーション膜上に位置する樹脂突起と、
　前記電極に電気的に接続され、前記樹脂突起上に位置する配線と、
　前記パッシベーション膜上に位置しており、前記配線と同じ材料で同時に形成され、前記配線との位置が固定された位置決めマークと、
　を有し、
　前記半導体基板の厚み方向に沿った前記半導体基板との距離が、前記樹脂突起の頂部に位置する前記配線よりも前記位置決めマークの方が短いことを特徴とする半導体装置。」
とする補正を含むものである。
　
２　補正の適否
（１）目的要件・新規事項
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）である「前記配線と同じ材料からなり」を「前記配線と同じ材料で同時に形成され」と限定し、「前記半導体基板の厚み方向に沿った前記半導体基板との距離が、前記樹脂突起の頂部に位置する前記配線よりも前記位置決めマークの方が短いこと」と「前記樹脂突起の頂部に位置する前記配線」と「前記位置決めマーク」の「前記半導体基板の厚み方向に沿った前記半導体基板との距離」を限定するものであって、その補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第５項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当し、また、上記補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　
（２）独立特許要件
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
ア　刊行物及び刊行物に記載された事項
（ア）刊行物
　特開２００７−４２７３３号公報
（平成２５年３月６日付けの拒絶理由における引用文献１である。以下、同様に「引用文献１」という。）
　
（イ）引用文献１に記載された事項
1a　「【請求項１】
  電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板と、
  前記半導体基板の上方に形成された樹脂突起と、
  前記半導体基板の上方に前記樹脂突起を超えない高さを有するように形成された樹脂部と、
  前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに前記樹脂部の上方に至るように形成された導電層と、
  を含み、
  前記導電層は、前記樹脂部の全体を被覆して形成され、前記樹脂部の全周辺領域において前記パッシベーション膜と接触して形成されている半導体装置。」　
1b　「【０００５】
  本発明によれば、樹脂部上の導電層に検査用プローブを接触させることにより、樹脂突起を損傷することなく、電気的検査工程を行うことができる。また、導電層の下地には樹脂部が設けられているので、樹脂の弾力性により検査用プローブの接触による衝撃を緩和して、例えば半導体基板の内部のトランジスタ等にダメージを与えるのを防止することができる。さらに、導電層は、樹脂部の全周辺領域においてパッシベーション膜と接触しているので、導電層の下地に対する密着性が向上し、その剥離及び断線を防止することができる。」
1c　「【００１９】
  樹脂部２２は、樹脂突起２０を超えない高さを有する。すなわち、半導体基板１０の表面が平坦面であれば、樹脂部２２は樹脂突起２０よりも薄い層として形成される。樹脂部２２の上面は、平坦面であってもよいし、凸型の曲面であってもよい。」
　
イ　引用文献１に記載された発明
　引用文献１には、「電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板と、
  前記半導体基板の上方に形成された樹脂突起と、
  前記半導体基板の上方に前記樹脂突起を超えない高さを有するように形成された樹脂部と、
  前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに前記樹脂部の上方に至るように形成された導電層と、
  を含み、
  前記導電層は、前記樹脂部の全体を被覆して形成され、前記樹脂部の全周辺領域において前記パッシベーション膜と接触して形成されている半導体装置。」（摘示1a）が記載されている。そして、「樹脂部上の導電層に検査用プローブを接触させることにより、」「電気的検査工程を行うこと」（摘示1b）及び「樹脂部２２は樹脂突起２０よりも薄い層として形成される」（摘示1c）ことが記載されている。
　そうすると、引用文献１には、
「電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板と、
  前記半導体基板の上方に形成された樹脂突起と、
  前記半導体基板の上方に前記樹脂突起を超えない高さを有するように樹脂突起よりも薄い層として形成された樹脂部と、
  前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに前記樹脂部の上方に至るように形成された導電層と、
  を含み、
  前記導電層は、前記樹脂部の全体を被覆して形成され、前記樹脂部の全周辺領域において前記パッシベーション膜と接触して形成され、
　前記樹脂部上の導電層に検査用プローブを接触させることにより、電気的検査工程を行う半導体装置。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
ウ　本件補正発明と引用発明との対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における、「電極パッドを有する半導体基板」は、「集積回路」を有することは明らかで、本件補正発明における「集積回路及び、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板」に相当する。
　そして、引用発明における「前記半導体基板の上方に形成された樹脂突起」は、本件補正発明における「前記パッシベーション膜上に位置する樹脂突起」に相当する。
　また、引用発明における「パッシベーション膜」は、電極パッドの上方から導電層が形成されているから、本件補正発明における「電極上方の一部を除いて前記半導体基板上に位置するパッシベーション膜」に相当する。
　さらに、引用発明における「検査用プローブを接触させることにより、前記樹脂突起を損傷することなく、電気的検査工程を行う」「前記樹脂部の上方に至るように形成された導電層」は、本件補正発明における「位置決めマーク」と工程の検査を行うために設けられた「検査用部材」である点で共通し、引用発明における「導電層は、前記樹脂部の全体を被覆して形成され、前記樹脂部の全周辺領域において前記パッシベーション膜と接触して形成され、」「検査用プローブを接触させることにより、電気的検査工程を行う」「前記樹脂部の上方に至るように形成された導電層」は、検査用プローブと接触する場所はパッシベーション膜上で、当然同じ材料で同時に形成され、位置は固定されているから、本件補正発明における「前記パッシベーション膜上に位置しており、前記配線と同じ材料で同時に形成され、前記配線との位置が固定された」「検査用部材」である点で共通する。
　最後に、引用発明の「前記半導体基板の上方に前記樹脂突起を超えない高さを有するように樹脂突起よりも薄い層として形成された樹脂部」の「上方に至るように形成された導電層」は、本願補正発明における「前記半導体基板の厚み方向に沿った前記半導体基板との距離が、前記樹脂突起の頂部に位置する前記配線よりも前記検査用部材の方が短いこと」と共通する。
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、
　「集積回路及び、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
　前記電極上方の一部を除いて前記半導体基板上に位置するパッシベーション膜と、
　前記パッシベーション膜上に位置する樹脂突起と、
　前記電極に電気的に接続され、前記樹脂突起上に位置する配線と、
　前記パッシベーション膜上に位置しており、前記配線と同じ材料で同時に形成され、前記配線との位置が固定された検査部材と、
　を有し、
　前記半導体基板の厚み方向に沿った前記半導体基板との距離が、前記樹脂突起の頂部に位置する前記配線よりも前記検査用部材の方が短いことを特徴とする半導体装置。」
の点において一致し、以下の点Ａにおいて相違すると認められる。
　
Ａ　検査用部材に関して、本件補正発明は、「位置決めマーク」であるのに対して、引用発明は、「検査用プローブを接触させることにより、電気的検査工程を行う」点（以下、「相違点Ａ」という。）
　
エ　相違点についての判断
（ア）相違点Ａについて
　例えば、特開２００３−１２４２５５号公報（平成２５年２月２８日付けの拒絶理由における引用文献３である。以下、同様に「引用文献３」という。）には、
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に外部接続部としてバンプ電極を有する半導体装置及びその製造方法、半導体チップ及び実装方法に関し、取り扱う際の正確な位置検出についての改善に適用される。」
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のチップ製品８３には配線層形成時に同一工程でパターニングされた位置検出パターン８４が設けられている。配線層はＡｌを主成分とするアルミニウム配線が一般的である。アルミニウム配線はＩＣ製造プロセス毎の微妙に異なる条件等によって配線色が異なり、反射率が変動する。このため、画像認識機構８５は都度検出する適当な光量の条件を設定し直し、ピックアップを適確に行なえるようにしなければならなかった。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、安定した反射率の位置検出パターンを有してピックアップし易い半導体装置及びその製造方法、半導体チップ及び実装方法を提供しようとするものである。」
「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の［請求項１］に係る半導体装置は、チップ主表面領域に配列された内部の集積回路に関係した複数の外部接続用のバンプ電極と、前記バンプ電極の配列に隣接して設けられた前記バンプ電極と同等の材料で表面形状が異なる光学的に検出可能なバンプ部材と、を具備たことを特徴とする。
【００１０】上記本発明に係る半導体装置によれば、バンプ部材はバンプ電極と同等の材料で表面形状が異なっており、光学的に検出可能である。バンプ電極はプロセス条件に左右されず色が安定していることから、位置検出のためのバンプ部材として安定した光量が得られる。
【００１１】なお、上記バンプ部材は、チップの位置検出用として働くが、電気回路的には浮遊状態であることを特徴とする。あるいは、電気回路的にも関係することにしてもよい。」との記載がある。
　即ち、「チップ主表面領域に配列された内部の集積回路に関係した複数の外部接続用のバンプ電極と、前記バンプ電極の配列に隣接して設けられた前記バンプ電極と同等の材料で表面形状が異なる光学的に検出可能でチップの位置検出用として働くが、電気回路的にも関係するバンプ部材と、を具備した半導体装置。」が公知であり、位置検出用と電気回路的に機能するバンプ部材が公知（以下、「引用文献３に記載された公知技術」という。）である以上、この検出用のバンプ部材を電気的検査工程に用いることは、当業者であれば容易に想到し得る手段の併用というべきである。
　そうすると、引用発明に係る相違点Ａの「検査用プローブを接触検査部材」を「位置決めマーク」と併用することは、当業者であれば適宜なし得る設計事項の特定にすぎないものというべきである。
　そして、相違点Ａに係る特定事項を採用したことにより、本件補正発明が予測し得ない顕著な作用効果を奏するとも認められない。
　
オ　まとめ
　以上によれば、本件補正発明は、その出願前に頒布された引用文献１に記載された発明及び引用文献３に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正発明は、特許出願の際独立してできるものではない。
　よって、請求項１についての補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するものとはいえない。
　　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、その補正前の特許請求の範囲は、平成２５年４月３０日付けの手続補正により補正されたとおりのものであるところ、その請求項１は、上記「第２」の「１」の項に示したとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
　
第４　原審において通知した拒絶の理由
　拒絶査定における拒絶の理由は、請求項１に係る発明は、引用文献１、すなわち、特開特開２００７−４２７３３号公報に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（当業者）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含むものである。
　
第５　当審の判断
　当審は、上記の拒絶の理由のとおり、本願発明は引用文献１に記載された発明公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、と判断する。
　
１　刊行物、刊行物に記載された事項及び刊行物に記載された発明
　上記の拒絶の理由に引用された「特開２００７−４２７３３号公報」は、「第２」の「２」項の「ア」における「引用文献１」である。
　引用文献１に記載された事項は、同項の「ア」の（イ）に記載したとおりである。
　そして、引用文献１に記載された発明は、同項の「イ」に記載したとおりのもの（以下、同様に「引用発明」という。）である。
　　
２　対比・相違点についての判断
　本願発明は、「第２」の「２」項の（１）において示したとおり、本件補正発明における「前記半導体基板の厚み方向に沿った前記半導体基板との距離」の限定を省き「前記配線と同じ材料で同時に形成され」との発明特定事項が「前記配線と同じ材料からなり」となったものである。
　そうすると、本願発明と引用発明とを対比すると、両者の一致点は、
　「集積回路及び、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
　前記電極上方の一部を除いて前記半導体基板上に位置するパッシベーション膜と、
　前記パッシベーション膜上に位置する樹脂突起と、
　前記電極に電気的に接続され、前記樹脂突起上に位置する配線と、
　前記パッシベーション膜上に位置しており、前記配線と同じ材料からなり、前記配線との位置が固定された検査部材と、
　を有する半導体装置。」
となり、相違点は次のとおりとなる。
Ａ’検査部材に関して、本件補正発明は、「位置決めマーク」であるのに対して、引用発明は、「検査用プローブを接触させることにより、前記樹脂突起を損傷することなく、電気的検査工程を行う」点（以下、「相違点Ａ’」という。）
　
　この相違点Ａ’は、「第２」の「２」の項（２）ウに示した、本件補正発明と引用発明との相違点Ａと同一である。
　そうすると、この相違点Ａ’についても、同項（２）エ（ア）に記載したのと同様の判断ができる。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、その出願前頒布された引用文献１に記載された発明及び引用文献３に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。