【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期ラインラフネス及び初期クリティカルディメンションを有する、基板上のフォトレジストレリーフ形状の処理方法であって、
第１の露光において、前記初期ラインラフネスを第２ラインラフネスに減少させるように構成された第１の角度範囲及び第１のイオン線量率で、前記フォトレジストレリーフ形状にイオンを向けるステップと、
第２の露光において、前記第１のイオン線量率よりも高い第２のイオン線量率であって、前記フォトレジストレリーフ形状を膨張させるように構成された第２のイオン線量率で、前記フォトレジストレリーフ形状にイオンを向けるステップと、
を含む処理方法。
【請求項２】
前記第１の露光の後、前記初期クリティカルディメンションが第２のクリティカルディメンションに減少し、前記第２の露光の後、前記第２のクリティカルディメンションが第３のクリティカルディメンションに増加する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の露光の後、前記フォトレジストレリーフ形状が前記第２のラインラフネスとほぼ等しい第３のラインラフネスを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の露光の後、前記フォトレジストレリーフ形状が前記初期クリティカルディメンションとほぼ等しい第３のクリティカルディメンションを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１及び第２の露光の後、前記フォトレジストレリーフ形状が前記初期クリティカルディメンションの所定の公差限界の範囲内の第３のクリティカルディメンションを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記予め定められた公差限界は、前記初期クリティカルディメンションから＋／−５ナノメートルである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の露光の間に、前記第１の角度範囲とは異なる第２の角度範囲にわたってイオンを供給するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の露光の間に、前記フォトレジストレリーフ形状を有する基板を第１の温度に冷却するステップと、
前記第２の露光の間に、前記基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度に冷却するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１及び第２の露光により前記イオンを向けるステップは、
プラズマシース及びイオンを有するプラズマを生成するステップと、
前記プラズマ及び前記プラズマシースの間に規定される境界の形状を修正するように機能する開口を規定する抽出プレートを提供するステップと、
前記フォトレジストレリーフ形状を有する基板と、前記修正された形状を有する前記境界を越えて前記フォトレジストレリーフ形状にイオンを引き込むように構成された前記プラズマとの間に、バイアスを供給するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第１のプラズマ出力レベルで前記第１の露光を実行するステップと、
より高い第２のプラズマ出力レベルで前記第２の露光を実行するステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の露光の間に、前記フォトレジストレリーフ形状を有する前記基板に対して、ある角度範囲にわたってイオンを供給するように構成された前記抽出プレートの１以上のスキャンを実行するステップと、
前記第２の露光の間に、前記基板に対して、前記抽出プレートの１以上のスキャンを実行するステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の露光の間に、第１の出力レベルで、プラズマの一連のパルスを供給するステップと、
前記第２の露光の間に、前記第２の露光の期間にわたる平均プラズマ出力が第１の露光の期間にわたる平均プラズマ出力よりも高い第２の出力レベルで、前記プラズマの一連のパルスを供給するステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の露光の間に、第３の一連のパルスを供給するステップであって、前記第２及び第３の一連のパルスは異なるプラズマ出力レベルに対応するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の露光は、前記第２の露光の後に発生する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
基板上のフォトレジストレリーフ形状の処理システムであって、
プラズマシースを有するプラズマを生成するように構成されたプラズマ源と、
前記プラズマと前記基板との間に配置され、ある角度範囲にわたってイオンを前記基板に向けるように構成された抽出プレートと、
前記プラズマに対する前記基板の露光条件を変化させるように機能する調整器であって、第１の露光の間に、第１のイオン線量率及び第１の角度広がりでイオンが前記フォトレジストレリーフ形状に向けられ、第２の露光の間に、前記第１の線量率よりも高い第２のイオン線量率でイオンが前記フォトレジストレリーフ形状に向けられ、前記第１の露光は、前記初期ラインラフネスを第２のラインラフネスに減少させるように構成され、前記第２の露光は、前記フォトレジストレリーフ形状を膨張させるように構成され、前記第１及び第２の露光の後、前記フォトレジストレリーフ形状の第３のラインラフネスが前記初期ラインラフネスよりも小さく、第３のクリティカルディメンションが前記第２のクリティカルディメンションよりも大きくなるように機能する調整器と、
を有する処理システム。
【請求項１６】
前記第３のクリティカルディメンションは、前記初期クリティカルディメンションの所定の公差限界の範囲内である、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第３のラインラフネスは、前記第２のラインラフネスとほぼ等しい、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
初期ラインエッジラフネス及び初期クリティカルディメンションを有する、基板上のフォトレジストレリーフ形状の処理方法であって、
第１の露光において、前記フォトレジストレリーフ形状は前記初期クリティカルディメンションより小さい第２のクリティカルディメンションを示し、前記フォトレジストレリーフ形状が前記初期ラインラフネスより小さい第２のラインラフネスを示すまで、第１の線量率及び第１の角度広がりで、イオンを前記フォトレジストレリーフ形状に向けるステップと、
第２の露光において、前記フォトレジストレリーフ形状が前記第２のクリティカルディメンションより大きい第３のクリティカルディメンションに膨張するまで、前記第１の線量率よりも大きい第２の線量率で、イオンを前記フォトレジストレリーフ形状に向けるステップと、
を含む処理方法。
【請求項１９】
前記フォトレジストレリーフ形状は、前記第２のラインラフネスとほぼ等しい第３のラインラフネスを有する、請求項１８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図１ｃに図示されるように、フォトレジストの硬化していない部分１１４ｂが取り除かれると、マスクの開口パターンに対応する３次元（３Ｄ）のフォトレジストレリーフ形状１１４ａが基板１１２上に残される。その後、基板がエッチングされると、マスクの開口パターンのネガ像に対応する溝１１６が形成される（図１ｄ）。残存するフォトレジスト１１４ａが取り除かれた後、図１ｅに図示されるように、パターン形成された基板１１２が形成される。金属層が溝上に配置されると、所望のパターンを有する回路が基盤１１２上に形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
プラズマシース修正器３１２の構成及び性質（これらに限定されない）を含めた要素の数に応じ、イオンの入射角はさらに修正される。それら要素の例には、修正器部分３１２ａと３１２ｂとの間の水平間隔（ｙ）、修正器３１２と基板１１２との間の垂直間隔（ｚ）、基板１１２と各修正器部分３１２ａ及び３１２ｂ（図示なし）との間の垂直間隔の差、及びプラズマシース修正器３１２の電気的性質が含まれる。他のプラズマ処理パラメータも、イオンの入射角及び／又は入射角分布を調整するように調整される。更なる記載は、同時に係属している米国特許出願番号１２／４１８１２０、１２／４１７９２９及び１２／６４４１０３に見出され、これらの出願はそれぞれ参照によりその全体が本明細書に包含される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
前述のように、いくつかの実施形態において、より低いイオン線量率の露光におけるイオンの第１の角度範囲は、より高いイオン線量率のイオンの第２の角度範囲と異なりうる。