【事件の表示】
　特許第３１０８７１６号「半導体チップスケール半導体パッケージ及びその製造方法」の請求項１ないし６、８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
（理　由）
I．手続の経緯
　本件特許第３１０８７１６号の請求項１〜１６に係る発明は、１９９６年１２月１９日（パリ条約による優先権主張１９９５年１２月２２日、韓国）を出願日とする出願であって、平成１２年９月１４日に設定登録がなされた後、本件請求項１〜６、および、８に係る発明の特許について、特許異議申立人　早川文夫（以下、「申立人」という）により平成１３年５月１４日に特許異議の申し立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年５月２７日付で訂正請求がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年７月１８日付で新たな訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正請求の適否
１．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を、平成１４年７月１８日付けの訂正請求書に添付された訂正明細書（以下、「本件明細書」という）のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
　
２．訂正事項
（１）訂正事項１
　特許明細書の特許請求の範囲に
「【請求項１】信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドガ銅回路パターンの一側上面に形成され、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項２】前記印刷回路基板は積層された多数の重合樹脂層、各重合樹脂層の上面に形成される銅回路パターン及び最上面のソルダマスクで構成され、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するよう、上下に隣り合う銅回路パターンがビアにより相互電気的に連結されることを特徴とする請求項１記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項３】半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項４】前記チップバンプ用ランドがソルダマスクにより限定されるバンプ接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項５】前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランド上にＮｉ鍍金層及びその上部のＡｕ鍍金層が形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項６】前記Ｎｉ鍍金層の厚さが３μｍ以上であり、前記Ａｕ鍍金層の厚さが０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項７】前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層を上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項８】バンプがＡｕ、Ｓｎ／Ｐｂソルダ、又はＡｕとＳｎ／Ｐｂソルダの混合体であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項９】重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ接着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール接着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ接着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール接着開口にソルダボールを融着させる段階とからなるとともに、前記バンプ接着開口を形成させる段階において、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、かつ前記ソルダボール接着開口を形成させる段階において、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする半導体チップスケール半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】チップバンプ用接着開口の形成段階に先立って、銅回路パターン形成段階で形成された多数の重合樹脂基板を積層させ重合樹脂基板相互間の銅回路パターンをビアにより電気的に接続させて、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するようにすることを特徴とする請求項９記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】ソルダボール接着開口の形成段階でのソルダボール接着開口が食刻又はレーザ光線照射により形成されることを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】ソルダボール接着開口の形成段階がパンチで重合樹脂基板を穿孔させて遂行され、銅回路パターンの形成段階に先立って遂行されることを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】バンプ接着開口の形成段階及びソルダボール接着開口の形成段階で形成されたバンプ接着開口及びソルダボール接着開口の底面にＮｉを鍍金した後、Ａｕを鍍金してチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを形成させることを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】Ｎｉを厚さ３μｍ以上に鍍金し、Ａｕを厚さ０．３μｍ以上に鍍金することを特徴とする請求項１４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含むよう、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部を相互０．０５ｍｍ以上離隔して形成し、ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする請求項１４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。」とあるのを、
「【請求項１】信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが、ソルダマスクにより限定されるバンプ接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成され、前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項２】前記印刷回路基板は積層された多数の重合樹脂層、各重合樹脂層の上面に形成される銅回路パターン及び最上面のソルダマスクで構成され、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するよう、上下に隣り合う銅回路パターンがビアにより相互電気的に連結されることを特徴とする請求項１記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項３】重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ接着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール接着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ接着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール接着開口にソルダボールを融着させる段階とからなるとともに、前記バンプ接着開口を形成させる段階において、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、かつ前記ソルダボール接着開口を形成させる段階において、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする半導体チップスケール半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】チップバンプ用接着開口の形成段階に先立って、銅回路パターン形成段階で形成された多数の重合樹脂基板を積層させ重合樹脂基板相互間の銅回路パターンをビアにより電気的に接続させて、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するようにすることを特徴とする請求項３記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】ソルダボール接着開口の形成段階でのソルダボール接着開口が食刻又はレーザ光線照射により形成されることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】ソルダボール接着開口の形成段階がパンチで重合樹脂基板を穿孔させて遂行され、銅回路パターンの形成段階に先立って遂行されることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】バンプ接着開口の形成段階及びソルダボール接着開口の形成段階で形成されたバンプ接着開口及びソルダボール接着開口の底面にＮｉを鍍金した後、Ａｕを鍍金してチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを形成させることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】Ｎｉを厚さ３μｍ以上に鍍金し、Ａｕを厚さ０．３μｍ以上に鍍金することを特徴とする請求項８記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周緑に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含むよう、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部を相互０．０５ｍｍ以上離隔して形成し、ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする請求項８記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。」と訂正する。
（２）訂正事項２
　特許明細書の第【０００５】欄に
「【課題を解決するための手段】このような本発明の目的は、入出力端子として使用されるソルダボールを半導体チップの下部領域に位置させ、半導体チップとソルダボールを電気的に接続させるための銅回路パターンを用いることにより可能になる。本発明の第１態様によると、信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着（以下、安着という）開口の底面のチップバンプ用ランドガ銅回路パターンの一側上面に形成され、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージが提供される。」とあるのを、
「【課題を解決するための手段】このような本発明の目的は、入力端子として使用されるソルダボールを半導体チップの下部領域に位置させ、半導体チップとソルダボールを電気的に接続させるための銅回路パターンを用いることにより可能となる。本発明の第１態様によると信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着（以下安着という）開口の底面のチップバンプ用ランドが、ソルダマスクにより限定されるバンプ安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成され、前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージが提供される。」と訂正する。
（３）訂正事項３
　特許明細書の第【０００７】欄に
「本発明の第３態様によると、重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ安着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール安着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ安着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール安着開口にソルダボールを融着させる段階とからなるとともに、前記バンプ安着開口を形成させる段階において、前記ソールダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、かつ前記ソールダボール安着開口を形成させる段階において、前記ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法が提供される。」とあるのを、
「本発明の第３態様によると、重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ安着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール安着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ安着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール安着開口にソルダボールを融着させる段階とからなるとともに、前記バンプ安着開口を形成させる段階において、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、かつ前記ソルダボール安着開口を形成させる段階において、前記ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法が提供される。」と訂正する。
（４）訂正事項４
　特許明細書の第【０００８】欄に
「【発明の実施の形態】以下、本発明を添付した図面を参照してより詳細に説明する。図１は本発明の好ましい一具体例による半導体チップスケール半導体パッケージ１の側断面図で、信号引出用バンプが形成された半導体チップ１０と、半導体チップ１０と電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板２０と、半導体チップ１０の下部領域に接着される印刷回路基板２０の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボール３０と、半導体チップ１０を前記印刷回路基板２０上に接着させるエポキシ樹脂層４０とから構成される。電気的接続手段として、構造上脆弱なボンドワイヤーが存在しないので、従来のようなプラスチック封止部は不要であり、これは半導体パッケージの小型化に寄与する一要素となることができる。」とあるのを、
「【発明の実施の形態】以下、本発明を添付した図面を参照してより詳細に説明する。図１および図２は本発明に係る半導体チップスケール半導体パッケージ１についての補足説明図（側断面図）で、ここでの半導体パッケージは、信号引出用バンプが形成された半導体チップ１０と、半導体チップ１０と電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板２０と、半導体チップ１０の下部領域に接着される印刷回路基板２０の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボール３０と、半導体チップ１０を前記印刷回路基板２０上に接着させるエボキシ樹脂層４０とから構成される。電気的接続手段として、構造上脆弱なボンドワイヤーが存在しないので、従来のようなプラスチック封止部は不要であり、これは半導体パッケージの小型化に寄与する一要素となることができる。」と訂正する。
（５）訂正事項５
　特許明細書の第【００１０】欄に
「銅回路パターン２３はその使用目的及び機能等によって多様に形成可能であるが、本発明の半導体パッケージ１においては、銅回路パターン２３が半導体チップ１０のボンドパッド（図示せず）上に融着されたバンプ３１とソルダボール３０を電気的に接続するためのチップバンプ用ランド２７及びソルダボールランド２６を含み、これに関しては後述する図３、図４に対する説明を参照されたい。」とあるのを、
「銅回路パターン２３はその使用目的及び機能等によって多様に形成可能であるが、本発明の半導体パッケージ１においては、銅回路パターン２３が半導体チップ１０のボンドパッド（図示せず）上に融着されたバンプ３１とソルダボール３０を電気的に接続するためのチップバンプ用ランド２７及びソルダボールランド２６を含み、これに関しては後述する参考図としての図３、および、本発明に係る実施の態様を示す図４に対する説明を参照されたい。」と訂正する。
（６）訂正事項６
　特許明細書の第【００１５】欄に
「図３（ａ）、図３（ｂ）及び図４（ａ）、図４（ｂ）はそれぞれ本発明による半導体パッケージ１において、半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための好ましい具体例によるチップバンプ用ランド２７及びソルダボールランド２６が形成された銅回路パターン２３の平面図及び側断面図である。図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための銅回路パターン２３が、その一側上面及び他側底面にそれぞれ円形のチップバンプ用ランド２７及びゾルダボールランド２６が形成されて、その平面が全体的にあれい形状を取っているが、電気的接続を可能にするものであればどんな形状であってもかまわない。」とあるのを、
「図３（ａ）、図３（ｂ）は本発明を理解するための参考例であり、図４（ａ）、図４（ｂ）はそれぞれ本発明による半導体パッケージ１において、半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための具体例によるチップバンプ用ランド２７及びソルダボールランド２６が形成された銅回路パターン２３の平面図及び側断面図である。図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための銅回路パターン２３が、その一側上面及び他側底面にそれぞれ円形のチップバンプ用ランド２７及びゾルダボールランド２６が形成されて、その平面が全体的にアレイ形状を取っているが、電気的接続を可能にするものであればどんな形状であってもかまわない。」と訂正する。
（７）訂正事項７
　特許明細書の第【００１７】欄に
「図３（ａ）、図３（ｂ）に示した半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための好ましい一具体例による銅回路パターン２３においては、ソルダマスク２２により形成されるバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の一側上面に形成され、バンプ安着開口２９により限定されるチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離（α）を置いた位置に形成され、平滑なバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランドには先に説明したようにＮｉ鍍金層２４及びぞの上部のＡｕ鍍金層２５が形成できる。重合樹脂層２１を除去して形成されるソルダボール安着開口２８は銅回路パターン２３の他側底面領域に形成され、同様にＮｉ鍍金層２４が銅回路パターン２３に形成された後、再びＡｕ鍍金層２５が形成できる。これにより、バンプ安着開口２９の底面とソルダボール安着開口２８の底面は電気的に連結される。」とあるのを、
「図３（ａ）、図３（ｂ）に示した半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための参考例による銅回路パターン２３においては、ソルダマスク２２により形成されるバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の一側上面に形成され、バンプ安着開口２９により限定されるチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離（α）を置いた位置に形成され、平滑なバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランドには先に説明したようにＮｉ鍍金層２４及びぞの上部のＡｕ鍍金層２５が形成できる。重合樹脂層２１を除去して形成されるソルダボール安着開口２８は銅回路パターン２３の他側底面領域に形成され、同様にＮｉ鍍金層２４が銅回路パターン２３に形成された後、再びＡｕ鍍金層２５が形成できる。これにより、バンプ安着開口２９の底面とソルダボール安着開口２８の底面は電気的に連結される。」と訂正する。
（８）訂正事項８
　特許明細書の第【００１８】欄に
「図４（ａ）、図４（ｂ）に示した半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための好ましい他の一具体例による銅回路パターンにおいては、ソルダマスク２２により形成されるバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層２１の上面を含み、ソルダマスク２２と銅回路パターン２３の端部が０．０５ｍｍ（α）以上離隔されて形成される。従って、バンプ安着開口２９が銅回路パターン２３の一側領域にずれて形成されるので、その底面のうち、銅回路パターン２３が存在しない“Ｃ”形状領域には重合樹脂２１が露出され、銅回路パターン２３が存在する部分には先に説明したようなＮｉ／Ａｕ鍍金層２４、２５が形成できる。従って、その底面は２段に形成される。一方、ソルダボール安着開口２８は、図３（ｂ）と同様に、銅回路パターン２３の他側底面領域に形成され、これによりバンプ安着開口２９の底面とソルダボール安着開口２８の底面は電気的に連結される。」とあるのを、
「図４（ａ）、図４（ｂ）に示した半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための銅回路パターンにおいては、ソルダマスク２２により形成されるバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層２１の上面を含み、ソルダマスク２２と銅回路パターン２３の端部が０．０５ｍｍ（α）以上離隔されて形成される。従って、バンプ安着開口２９が銅回路パターン２３の一側領域にずれて形成されるので、その底面のうち、銅回路パターン２３が存在しない“Ｃ”形状領域には重合樹脂２１が露出され、銅回路パターン２３が存在する部分には先に説明したようなＮｉ／Ａｕ鍍金層２４、２５が形成できる。従って、その底面は２段に形成される。一方、ソルダボール安着開口２８は、図３（ｂ）と同様に、銅回路パターン２３の他側底面領域に形成され、これによりバンプ安着開口２９の底面とソルダボール安着開口２８の底面は電気的に連結される。」と訂正する。
（９）訂正事項９
　特許明細書の第【００１９】欄に
「図５は本発明の好ましい他の一具体例による半導体チップスケール半導体パッケージ１’の側断面図で、重合樹脂２１及び銅回路パターン２３が交互に多層積層される点を除き、その基本構成は図１の場合と同様であるので、その相違点についてだけ説明する。」とあるのを、
「図５は半導体チップスケール半導体パッケージ１’の側断面図で、重合樹脂２１及び銅回路パターン２３が交互に多層積層される点を除き、その基本構成は図１の場合と同様であるので、その相違点についてだけ説明する。」と訂正する。
（１０）訂正事項１０
　特許明細書の第【００２０】欄に
「本発明の半導体パッケージ１’における印刷回路基板２０は積層された多数の重合樹脂層２１、各重合樹脂層２１の上面に形成される銅回路パターン２３及び最上面のソルダマスク２２で構成され、上下に隣り合う銅回路パターン２３はバリードビア（Ｂｕｒｉｅｄ　Ｖｉａ）２３ａ及びブラインドビア（Ｂｌｉｎｄ　Ｖｉａ）２３ｂにより電気的に接続される。これにより、多数のソルダボール３０が一つのバンプ３１の接続によりパワーシグナル（Ｐｏｗｅｒ　Ｓｉｇｎａｌ）及び／又はグラウンド（Ｇｒｏｕｎｄ）を共有し得ることになる。」とあるのを、
「この半導体パッケージ１’における印刷回路基板２０は積層された多数の重合樹脂層２１、各重合樹脂層２１の上面に形成される銅回路パターン２３及び最上面上面のソルダマスク２２で構成され、上下に隣り合う銅回路パターン２３はバリードビア（Ｂｕｒｉｅｄ　Ｖｉａ）２３ａ及びブラインドビア（ＢｌｉｎｄＶｉａ）２３ｂにより電気的に接続される。これにより、多数のソルダボール３０が一つのバンプ３１の接続によりパワーシグナル（Ｐｏｗｅｒ　Ｓｉｇｎａｌ）及び／又はグラウンド（Ｇｒｏｕｎｄ）を共有し得ることになる。」と訂正する。
（１１）訂正事項１１
　特許明細書の第【００２１】欄に
「このように本発明に係る半導体パッケージは、信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを含むことを特徴とする。」とあるのを、　　
「このように本発明に係る半導体パッケージは、信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドが、ソルダマスクにより限定されるバンプ安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成され、前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする。」と訂正する。
（１２）訂正事項１２
　特許明細書の第【００２３】欄に
「又、半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする。」とあるのを、
「又、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ安着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール安着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ安着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール安着開口にソルダボールを融着させる段階とからなることを特徴とする。」と訂正する。
（１３）訂正事項１３
　特許明細書の第【００２４】〜【００３６】欄の記載事項を、
「【００２４】又、前記チップバンプ用ランドがソルダマスクにより限定されるバンプ安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成されることを特徴とする。
【００２５】又、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランド上にＮｉ鍍金層及びその上部のＡｕ鍍金層が形成されることを特徴とする。
【００２６】又、前記Ｎｉ鍍金層の厚さが３μｍ以上であり、前記Ａｕ鍍金層の厚さが０．３μｍ以上であることを特徴とする。
【００２７】又、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側上面に形成され、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする。
【００２８】又、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層を上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする。
【００２９】又、バンプがＡｕ、Ｓｎ／Ｐｂソルダ、又はＡｕとＳｎ／Ｐｂソルダの混合体であることを特徴とする。
【００３０】又、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ安着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール安着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ安着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール安着開口にソルダボールを融着させる段階とからなることを特徴とする。
【００３１】又、チップバンプ用安着開口の形成段階に先立って、銅回路パターン形成段階で形成された多数の重合樹脂基板を積層させ重合樹脂基板相互間の銅回路パターンをビアにより電気的に接続させて、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及び／又はグラウンドを共有するようにすることを特徴とする。
【００３２】又、半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする。
【００３３】又、ソルダボール安着開口の形成段階でのソルダボール安着開口が食刻又はレーザ光線照射により形成されることを特徴とする。
【００３４】ソルダボール安着開口の形成段階がパンチで重合樹脂基板を穿孔させて遂行され、銅回路パターンの形成段階に先立って遂行されることを特徴とする。
【００３５】又、バンプ安着開口の形成段階及びソルダボール安着開口の形成段階で形成さ
れたバンプ安着開口及びソルダボール安着開口の底面にＮｉを鍍金した後、Ａｕを鍍金してチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを形成させることを特徴とする。
【００３６】又、Ｎｉを厚さ３μｍ以上に鍍金し、Ａｕを厚さ０．３μｍ以上に鍍金することを特徴とする。
【００３７】又、ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする。
【００３８】又、ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含むよう、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部を相互０．０５ｍｍ以上離隔して形成し、ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする。
【００３９】【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体チップスケール半導体パッケージ及びその製造方法によると、その性能の低下が全くなしに半導体パッケージの面積をパッケージ内に搭載された半導体チップの面積に似た程度、特に１２０％を越えない範囲内にすることができる。」とあるのを、
「【００２４】又、チップバンプ用安着開口の形成段階に先立って、銅回路パターン形成段階で形成された多数の重合樹脂基板を積層させ重合樹脂基板相互間の銅回路パターンをビアにより電気的に接続させて、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及び／又はグラウンドを共有するようにすることを特徴とする。
【００２５】又、半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする。
【００２６】又、ソルダボール安着開口の形成段階でのソルダボール安着開口が食刻又はレーザ光線照射により形成されることを特徴とする。
【００２７】ソルダボール安着開口の形成段階がパンチで重合樹脂基板を穿孔させて遂行され、銅回路パターンの形成段階に先立って遂行されることを特徴とする。
【００２８】又、バンプ安着開口の形成段階及びソルダボール安着開口の形成段階で形成されたバンプ安着開口及びソルダボール安着開口の底面にＮｉを鍍金した後、Ａｕを鍍金してチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを形成させることを特徴とする。
【００２９】又、Ｎｉを厚さ３μｍ以上に鍍金し、Ａｕを厚さ０．３μｍ以上に鍍金することを特徴とする。
【００３０】又、ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする。
【００３１】又、ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周緑に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含むよう、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部を相互０．０５ｍｍ以上離隔して形成し、ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする。
【００３２】【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体チップスケール半導体パッケージ及びその製造方法によると、その性能の低下が全くなしに半導体パッケージの面積をパッケージ内に搭載された半導体チップの面積に似た程度、特に１２０％を越えない範囲内にすることができる。」と訂正する。
（１４）訂正事項１４
　特許明細書の【図面の簡単な説明】の欄に　
「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい一具体例による半導体チップスケール半導体パッケージの側断面図である。
【図２】図１の“Ａ”部の拡大図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明による半導体パッケージにおいて、チップとソルダボールを電気的に接続させるための好ましい一具体例によるチップバンプ用ランド及びソルダボールランドが形成された銅回路パターンの平面図及び側断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明による半導体パッケージにおいて、チップとソルダボールを電気的に接続させるための好ましい他の一具体例によるチップバンプ用ランド及びソルダボールランドが形成された銅回路パターンの平面図及び側断面図である。
【図５】本発明の好ましいの他の一具体例による半導体チップスケール半導体パッケージの側断面図である。
【図６】従来のフリップチップ半導体パッケージの側断面図である。」とあるのを、
「【図１】本発明に係る半導体チップスケール半導体パッケージの補足説明図（側断面図）である。
【図２】図１の“Ａ”部の拡大図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明による半導体パッケージに係る参考例を示すもので、チップとソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドが形成された銅回路パターンの平面図及び側断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明による半導体パッケージにおいて、チップとソルダボールを電気的に接続させるための具体例によるチップバンプ用ランド及びソルダボールランドが形成された銅回路パターンの平面図及び側断面図である。
【図５】半導体チップスケール半導体パッケージの側断面図である。
【図６】従来のフリップチップ半導体パッケージの側断面図である。」と訂正する。
（１５）訂正事項１５
　特許明細書の【符号の説明】の欄に
「１、１’本発明の半導体チップスケール半導体パッケージ」とあるのを、
「１、１’半導体チップスケール半導体パッケージ」と訂正する。
　
３．訂正の適否                  
（１）訂正事項１について
　まず、訂正事項１による、特許明細書の各請求項（以下、「旧請求項」という。）の記載と、本件明細書の各請求項（以下、「新請求項」という。）の記載との対応関係を検討するに、訂正事項１は、
（イ）異議申し立ての対象であった旧請求項１〜６、８を削除し、
（ロ）旧請求項１を引用して記載していた旧請求項４を、更に引用して記載していた旧請求項７を、新請求項１として独立形式で記載し、
（ハ）旧請求項１を引用して記載していた旧請求項２を選択的に引用して記載していた旧請求項４を、更に引用して記載していた旧請求項７を、新請求項２として、新請求項１を引用する形式で記載し、
（ニ）旧請求項９〜１６の請求項番号を、順次繰り上げ新請求項３〜１０としたものに相当する。
　したがって、上記（イ）〜（ニ）によれば、
　訂正事項１は、実体としては、旧請求項１〜６を削除し、旧請求項７を独立形式で記載したものであり、
　新請求項２は、この新請求項１を引用する形式で記載し直し、
　そして、旧請求項８を削除し、旧請求項の３〜６、８の削除に伴い、旧請求項９〜１６を新請求項３〜１０として、その請求項の番号を繰り上げたものであるといえる。
　そうすると、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものといえ、そして、この訂正は、新規事項を追加するものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
 
（２）訂正事項２〜１６について
　訂正事項２〜１６は、訂正事項１に整合させて特許明細書の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、かつ新規事項を追加するものでも実質的に特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
４．まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項および第３項で準用する第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
III．特許異議の申立てについて
１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜１０に係る発明は、訂正請求書に添付された本件明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され．前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが、ソルダマスクにより限定されるバンプ接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン巾に形成され．前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール接着関口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項２】前記印刷回路基板は積層された多数の重合樹脂層、各重合樹脂層の上面に形成される銅回路パターン及び最上面のソルダマスクで構成され、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するよう、上下に隣り合う銅回路パターンがビアにより相互電気的に連結されることを特徴とする請求項１記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
【請求項３】重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ接着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール接着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドこ融着されたバンプをバンプ接着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール接着開口にソルダボールを融着させる段階とからなるとともに、前記バンプ接着開口を形成させる段階において、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、かつ前記ソルダボール接着開口を形成させる段階において、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする半導体チップスケール半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】チップバンプ用接着開口の形成段階に先立って、銅回路パターン形成段階で形成された多数の重合樹脂基板を積層させ重合樹脂基板相互間の銅回路パターンをビアにより電気的に接続させて、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するようにすることを特徴とする請求項３記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】ソルダボール接着関口の形成段階でのソルダボール接着開口が蝕刻又はレーザ光線照射により形成されることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】ソルダボール接着開口の形成段階がパンチで重合樹脂基板を穿孔させて遂行され、銅回路パターンの形成段階に先立って遂行されることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】バンプ接着開口の形成段階及びソルダボール接着開口の形成段階で形成されたバンプ接着開口及びソルダボール接着開口の底面にＮｉを鍍金した後、Ａｕを鍍金してチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを形成させることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】Ｎｉを厚さ３μｍ以上に鍍金し、Ａｕを厚さ０．３μｍ以上に鍍金することを特徴とする請求項８記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含むよう、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部を相互０．０５ｍｍ以上離隔して形成し、ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする請求項８記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。」
　
２．申立の理由の概要
　申立人は、「本件の特許明細書の請求項１〜６、および８に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、請求項１〜６、および８に係る発明の特許は特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。」旨主張する。
　
３．判断
　申立人の主張からも明らかなように、本件の特許明細書の請求項７に係る発明の特許については、少なくとも、特許異議の申立の対象とはされていない。
　ところで、前記「II．３．（１）」に記載したように、（以下、「II．３．（１）」におけると同様な意味で、「新請求項」、「旧請求項」と記す。）訂正請求によって、旧請求項１、２、４を直接的あるいは間接的に引用していた旧請求項７が本件明細書の新請求項１と訂正され、また、上記記載より、新請求項２は、新請求項１を引用する形式に訂正さたことによって、新請求項１、２は、ともに、特許異議の申立がなされなかった旧請求項７を実質的に内包する請求項となったのであり、かつ、特許異議の申立がなされていた旧請求項１〜６及び８は、実質的に削除されたといえる。
　そうすると、特許異議の申立の対象であった旧請求項１〜６及び８は、訂正の結果削除され、申立の対象が存在しないので、この特許異議の申立は不適法な申立であって、その補正をすることができないものである。
　
IV．むすび
　以上のとおり、本件特許異議の申立ては、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。 　　　
決定分類Ｐ１６５２．１２１ ＸＡ
【異議決定日】
平成１４年１０月２４日（２００２．１０．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許明細書の特許請求の範囲について、
　特許明細書の特許請求の範囲に
「【請求項１】信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドガ銅回路パターンの一側上面に形成され、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項２】前記印刷回路基板は積層された多数の重合樹脂層、各重合樹脂層の上面に形成される銅回路パターン及び最上面のソルダマスクで構成され、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するよう、上下に隣り合う銅回路パターンがビアにより相互電気的に連結されることを特徴とする請求項１記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項３】半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項４】前記チップバンプ用ランドがソルダマスクにより限定されるバンプ接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項５】前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランド上にＮｉ鍍金層及びその上部のＡｕ鍍金層が形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項６】前記Ｎｉ鍍金層の厚さが３μｍ以上であり、前記Ａｕ鍍金層の厚さが０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項７】前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層を上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項８】バンプがＡｕ、Ｓｎ／Ｐｂソルダ、又はＡｕとＳｎ／Ｐｂソルダの混合体であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項９】重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ接着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール接着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ接着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール接着開口にソルダボールを融着させる段階とからなるとともに、前記バンプ接着開口を形成させる段階において、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、かつ前記ソルダボール接着開口を形成させる段階において、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする半導体チップスケール半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１０】チップバンプ用接着開口の形成段階に先立って、銅回路パターン形成段階で形成された多数の重合樹脂基板を積層させ重合樹脂基板相互間の銅回路パターンをビアにより電気的に接続させて、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するようにすることを特徴とする請求項９記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１１】半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１２】ソルダボール接着開口の形成段階でのソルダボール接着開口が食刻又はレーザ光線照射により形成されることを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１３】ソルダボール接着開口の形成段階がパンチで重合樹脂基板を穿孔させて遂行され、銅回路パターンの形成段階に先立って遂行されることを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１４】バンプ接着開口の形成段階及びソルダボール接着開口の形成段階で形成されたバンプ接着開口及びソルダボール接着開口の底面にＮｉを鍍金した後、Ａｕを鍍金してチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを形成させることを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１５】Ｎｉを厚さ３μｍ以上に鍍金し、Ａｕを厚さ０．３μｍ以上に鍍金することを特徴とする請求項１４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１６】ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含むよう、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部を相互０．０５ｍｍ以上離隔して形成し、ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする請求項１４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。」とあるのを、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正を目的として
「【請求項１】信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され．前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが、ソルダマスクにより限定されるバンプ接着開口の底面の銅回路パターンでなり，前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン巾に形成され．前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール接着関口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項２】前記印刷回路基板は積層された多数の重合樹脂層、各重合樹脂層の上面に形成される銅回路パターン及び最上面のソルダマスクで構成され、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するよう、上下に隣り合う銅回路パターンがビアにより相互電気的に連結されることを特徴とする請求項１記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項３】重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ接着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール接着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドこ融着されたバンプをバンプ接着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール接着開口にソルダボールを融着させる段階とからなるとともに、前記バンプ接着開口を形成させる段階において、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、かつ前記ソルダボール接着開口を形成させる段階において、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする半導体チップスケール半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項４】チップバンプ用接着開口の形成段階に先立って、銅回路パターン形成段階で形成された多数の重合樹脂基板を積層させ重合樹脂基板相互間の銅回路パターンをビアにより電気的に接続させて、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するようにすることを特徴とする請求項３記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項５】半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項６】ソルダボール接着関口の形成段階でのソルダボール接着開口が蝕刻又はレーザ光線照射により形成されることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項７】ソルダボール接着開口の形成段階がパンチで重合樹脂基板を穿孔させて遂行され、銅回路パターンの形成段階に先立って遂行されることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項８】バンプ接着開口の形成段階及びソルダボール接着開口の形成段階で形成されたバンプ接着開口及びソルダボール接着開口の底面にＮｉを鍍金した後、Ａｕを鍍金してチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを形成させることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項９】Ｎｉを厚さ３μｍ以上に鍍金し、Ａｕを厚さ０．３μｍ以上に鍍金することを特徴とする請求項８記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１０】ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含むよう、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部を相互０．０５ｍｍ以上離隔して形成し、ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする請求項８記載の半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法。」と訂正する。
（２）発明の詳細な説明の欄の記載について
（２ー１）訂正事項２
　特許明細書の第【０００５】欄に
「チップバンプ用ランドガ」とあるのを、「チップバンプ用ランドが」と訂正する。
（２−２）訂正事項３
　特許明細書の第【０００７】欄に
「ソールダマスク」および「ソールダボール」とあるのを「ソルダマスク」および「ソルダボール」と訂正する。
（２−３）訂正事項４
　特許明細書の第【０００８】欄に
「図１」とあるのを、「図１および図２」と、
「の好ましい一具体例による」とあるのを、「に係る」と、
「の側断面図」とあるのを（の補足説明図（側断面図）」と、それぞれ訂正する。
（２−４）訂正事項５
　特許明細書の第【００１０】欄に
「図３」とあるのを、「参考図としての図３」と、
「図４」とあるのを、「本発明に係る実施の態様を示す図４」と、それぞれ訂正する。
（２−５）訂正事項６
　特許明細書の第【００１１】、【００１６】、【００３３】欄に「食刻」とあるのを、「蝕刻」と訂正する。
（２−６）訂正事項７
　特許明細書の第【００１５】欄に
「好ましい具体例」とあるのを、「、参考例および具体例」と訂正する。
（２−７）訂正事項８
　特許明細書の第【００１８】欄に
「半導体チップ」とあるのを、「本発明に係る半導体チップ」と、「好ましい一具体例」とあるのを「具体例」と、それぞれ訂正する。
（２−８）訂正事項９
　特許明細書の第【００１９】欄に
「好ましい他の一具体例」とあるのを、「他の具体例」と訂正する。
（２−９）訂正事項１０
　特許明細書の第【００２１】欄に
「このように本発明に係る半導体パッケージは、信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを含むことを特徴とする。」とあるのを、
「このように本発明に係る半導体パッケージは、信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ接着開口の底面のチップバンプ用ランドが、ソルダマスクにより限定されるバンプ接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成され、前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、前記バンプ接着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成され、前記ソルダボール接着開口の底面のソルダボールランドが銅回路パターンの他側底面に形成されることを特徴とする。」と訂正する。
（２−１０）訂正事項１１
　特許明細書の第【００２３】欄に
「又、半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする。」とあるのを、
「又、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ安着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール安着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのホンドパッドに融着されたバンプをバンプ安着開口内に議着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダホール安着開口にソルダボールを融着させる段階とからなることを特徴とする。」と訂正する。
（２−１１）訂正事項１２
　特許明細書の第【００２４】〜【００２９】欄の記載事項を抹消し、
　特許明細書の第【００３１】〜【００３６】欄の記載事項を、第【００２４】〜【００２９】欄に繰り上げる訂正をおこなう。
（２−１２）訂正事項１３
　特許明細書の第【００３７】〜【００３９】欄の記載事項を特許明細書の第【００３０】〜【００３２】欄に繰り上げる訂正を行う。
（２−１３）訂正事項１４
　特許明細書の第【００３３】欄に
「食刻」とあるのを、「蝕刻」と訂正する。
（３）図面の簡単な説明の欄について
（３−１）訂正事項１５
　特許明細書の【図面の簡単な説明】の欄に
　【図１】の「の好ましい一具体例による」とあるのを、「に係る」と、
「側断面図」とあるのを、「補足説明図（側断面図）」と、
また、【図３】の「おいて、」とあるのを、「係る参考例を示すものて、」と、
「チップバンプ用ランド」とあるのを、「のチップバンプ用ランド」と訂正し、
また、【図４】の「好ましい他の一具体例」とあるのを、「具体例」と、
　【図５】の「好ましいの他の一具体例」とあるのを、「具体例」と訂正する。
（４）特許明細書の【符号の説明】の欄に
（４−１）訂正事項１６
「本発明の半導体」とあるのを、「半導体」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体チップスケール半導体パッケージ及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　信号引出用バンプが形成された半導体チップと、
　前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、
　前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記
ソルダ
が、ソルダマスクにより限定されるバンプ接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール接着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成され、前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、
　【請求項２】　前記印刷回路基板は積層された多数の重合樹脂層、各重合樹脂層の上面に形成される銅回路パターン及び最上面のソルダマスクで構成され、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つを共有するよう、上下に隣り合う銅回路パターンがビアにより相互電気的に連結されることを特徴とする請求項１記載の半導体チップスケール半導体パッケージ。
　【請求項
３
　【請求項
４
３
　【請求項
５
３
４
　【請求項
６
３
４
　【請求項
７
３
４
　【請求項
８
３
４
　【請求項
９
８
　【請求項
１０
８
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
本発明は半導体チップスケール（Ｓｃａｌｅ）半導体パッケージ及びその製造方法に関するもので、より詳しくは半導体パッケージの面積が半導体チップの面積に似た程度であるがその性能の低下がない半導体チップスケール半導体パッケージ及びその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
最近、家電製品、通信機器、コンピュータ等、全ての半導体関連電子製品が小型化していく実情であり、このような電子製品の小型化趨勢に従って、半導体パッケージにおいてもその性能の低下ない小型化が要請されている。しかし、リードが半導体パッケージの４側面から延長される従来のコードフラット（ＱｕａｄＦｌａｔ）半導体パッケージにおいては、その構造上、面積を縮小化することが非常に困難であり、このような問題を解消するための従来のボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ　ＧｒｉｄＡｒｒａｙ：ＢＧＡ）半導体パッケージはコードフラット半導体パッケージに比べてその面積が２０％以上小さくなったが、半導体パッケージに内装された半導体チップの面積に比べてパッケージの面積が依然として幾倍以上大きいため、電子製品の小型化には限界があり、十分に満足したものではなかった。
　【０００３】
このような限界を克服するための従来の方案として、図６に示すように、半導体チップ１０のボンドパッド（図示せず）と、入出力端子として使用され、半導体チップ１０から一定距離だけ離隔されて外郭部に位置するソルダボール３０とを銅回路パターン２０３で電気的に接続させるため、半導体チップ１０の上面のボンドパッドにバンプ３１を形成した後、これを覆しにしてソルダマスク２０２なしに露出された印刷回路基板２００の銅パターン２０３上に融着させ、エポキシ樹脂を充填させるフリップチップ（ＦｌｉｐＣｈｉｐ）実装方法を用いた面積縮小型半導体パッケージ１００が提案されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法もやはり半導体チップの大きさに比べてパッケージの面積がずっと大きい問題があった。従って、本発明の目的は、半導体パッケージの面積をパッケージ内に搭載された半導体チップの面積に似た程度、特に１２０％を越えない範囲内にするとともに、性能の低下ない半導体チップスケール半導体パッケージ及びその製造方法を提供することである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
このような本発明の目的は、入力端子として使用されるソルダボールを半導体チップの下部領域に位置させ、半導体チップとソルダボールを電気的に接続させるための銅回路パターンを用いることにより可能となる。
本発明の第１態様によると信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを具備し、前記
ソルダ
が、ソルダマスクにより限定されるバンプ安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂を穿孔して形成されるソルダボール安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成され、前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、
　【０００６】
本発明の第２態様によると、第１態様による半導体パッケージにおいて、前記印刷回路基板は積層された多数の重合樹脂層、各重合樹脂層の上面に形成される銅回路パターン及び最上面のソルダマスクで構成され、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及びグラウンドの少なくとも１つ（パワーシグナル及び／又はグラウンド）を共有するよう、上下に隣り合う銅回路パターンがビアにより相互電気的に連結される半導体チップスケール半導体パッケージが提供される。
　【０００７】
本発明の第３態様によると、重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ安着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール安着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ安着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール安着開口にソルダボールを融着させる段階とからなるとともに、前記バンプ安着開口を形成させる段階において、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、かつ前記ソルダボール安着開口を形成させる段階において、前記ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする半導体チップスケール半導体パッケージの製造方法が提供される。
　【０００８】
　【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付した図面を参照してより詳細に説明する。図１
および図２
に係る
の補足説明図（側断面図）
　【０００９】
印刷回路基板２０は通常のものと同様に重合樹脂２１、銅回路パターン２３及びソルダマスク２２でなる。重合樹脂２１としては多様な高分子重合体が使用できるが、本発明に使用される好ましい樹脂としてはポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂又はビスマレイミドトリアジン（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂を使用し、最も好ましいものはポリイミド樹脂である。このようなポリイミド樹脂は単層又は多層で使用できる。又、ソルダマスク２２もやはり多様な種類の絶縁性重合樹脂薄膜で形成できるが、エポキシ又はポリイミド薄膜で形成されることが好ましい。
　【００１０】
銅回路パターン２３はその使用目的及び機能等によって多様に形成可能であるが、本発明の半導体パッケージ１においては、銅回路パターン２３が半導体チップ１０のボンドパッド（図示せず）上に融着されたバンプ３１とソルダボール３０を電気的に接続するためのチップバンプ用ランド２７及びソルダボールランド２６を含み、これに関しては後述する
参考図としての
本発明に係る実施の態様を示す
　【００１１】
このような本発明の好ましい一具体例による半導体チップスケール半導体パッケージ１の製造方法は、ポリイミド樹脂のような重合樹脂基板２１上に銅薄膜を積層させ、銅薄膜の上部にフォトレジストドライフィルム（Ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ　Ｄｒｙ　Ｆｉｌｍ）を形成させた後、その上部にフォトマスク（Ｐｈｏｔｏ　Ｍａｓｋ）を置き、銅回路パターンをイメージング（Ｉｍａｇｉｎｇ）させた後、ＵＶを照射し、食刻（Ｅｔｃｈｉｎｇ）処理する通常の方法により重合樹脂基板２１上に銅回路パターン２３を形成させる段階と、半導体チップ１０のボンドパッド（図示せず）に融着されたバンプ３１が前記銅回路パターン２３に融着される部分を除外した重合樹脂基板２１上にソルダマスク２２を形成してバンプ安着開口２９（図３、図４参照）を形成させる段階と、重合樹脂基板２１上の銅回路パターン２３の形成された面の対向面に重合樹脂を除去したソルダボール安着開口２８（図３、図４参照）を形成させる段階と、チップバンプ用安着開口２９の底面の銅回路パターン２３に松脂フラックス（Ｌｏｓｉｎ　Ｆｌｕｘ）のような活性材を塗布した後、半導体チップ１０を搭載し、高温のオーブン又は炉内に通過させて、半導体チップ１０のボンドパッドに融着されたバンプ３１を変形させてバンプ安着開口２９内に融着させる段階と、デフラックス（Ｄｅｆｌｕｘ）処理により、残存する活性材を除去する活性材の除去段階と、半導体チップ１０と基板２０のソルダマスク２２間のギャップを無くすため、エポキシ４０を充填させた後、１００℃以上の高温で硬化させるエポキシ４０の充填硬化段階と、ソルダボール安着開口２８内にソルダボール３０を融着させる段階とからなる。
　【００１２】
図２は図１の“Ａ”部の拡大図で、半導体チップ１０と、入出力端子として使用されるソルダボール３０とを電気的に接続させるための銅回路パターン２３及びバンプ３１とソルダボール３０の連結接続構造を示す。印刷回路基板２０は重合樹脂層２１、その上に形成された銅回路パターン２３及びその上のソルダマスク２２でなり、半導体チップ１０のボンドパッド（図示せず）と銅回路パターン２３の一側上面はバンプ３１により電気的に接続され、ソルダボール３０は銅回路パターン２３の一側底面に接続されているので、半導体チップ１０の信号入出力はソルダボール３０を介して遂行できる。本発明の半導体パッケージ１においては、入出力端子として機能するソルダボール３０が半導体チップ１０の下部領域に位置するので、半導体パッケージ１の面積を縮小させることができる。
　【００１３】半導体チップ１０のボンドパッドに形成されるバンプ３１は金（Ａｕ）、Ｓｎ／Ｐｂソルダ、又は金とＳｎ／Ｐｂソルダの混合構造であるか、又はウェーハ工程時に使用する通常のバンプである。このようなバンプ３１の融着された半導体チップ１０は、バンプ３１がバンプ安着開口２９（図３、図４参照）内の銅回路パターン２３上に一致するように搭載される。一方、ソルダボール３０は通常のＳｎ／Ｐｂソルダであるが、必要によってはバンプ３１の場合のような多様な変化も可能である。又、半導体チップ１０とソルダマスク２２間にはエポキシ樹脂が充填硬化されて半導体チップ１０を基板２０上に堅固に付着させるとともに、バンプ３１の損傷を防止する役割をする。
　【００１４】
銅回路パターン２３上のバンプ３１及びソルダボール３０の安着部分にはＮｉ鍍金層２４が形成でき、その上面には導電性を向上させるためのＡｕ鍍金層２５が形成できる。Ａｕ鍍金層２５の厚さは０．２μｍ以上、好ましくは０．３μｍ以上にすることが良好な導電性を発揮し得るので好ましい。Ｎｉ鍍金層２４は銅回路パターン２３の表面保護のために鍍金され、その厚さは１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上である。このようなＮｉ鍍金層及びＡｕ鍍金層の形成は本発明の半導体パッケージ及びその製造方法における選択的な事項で、どの一つの鍍金層のみ形成させることもでき、このような鍍金層の存在は絶対的でない。
　【００１５】
図３（ａ）、図３（ｂ）
は本発明を理解するための参考例であり、
図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための銅回路パターン２３が、その一側上面及び他側底面にそれぞれ円形のチップバンプ用ランド２７及びゾルダボールランド２６が形成されて、その平面が全体的にアレイ形状を取っているが、電気的接続を可能にするものであればどんな形状であってもかまわない。
　【００１６】
又、図３（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、バンプ安着開口２９はソルダマスク２２により限定形成され、ソルダボール安着開口２８は重合樹脂層２１を除去して形成される。ソルダボール安着開口２８は食刻又はレーザ光線を用いて形成させるか、又は銅回路パターン２３を形成させるに先立ってパンチを用いて重合樹脂層２１を予め穿孔して形成させることもできる。
　【００１７】
図３（ａ）、図３（ｂ）に示した半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための参考例による銅回路パターン２３においては、ソルダマスク２２により形成されるバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の一側上面に形成され、バンプ安着開口２９により限定されるチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離（α）を置いた位置に形成され、平滑なバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランドには先に説明したようにＮｉ鍍金層２４及びぞの上部のＡｕ鍍金層２５が形成できる。重合樹脂層２１を除去して形成されるソルダボール安着開口２８は銅回路パターン２３の他側底面領域に形成され、同様にＮｉ鍍金層２４が銅回路パターン２３に形成された後、再びＡｕ鍍金層２５が形成できる。これにより、バンプ安着開口２９の底面とソルダボール安着開口２８の底面は電気的に連結される。
　【００１８】
図４（ａ）、図４（ｂ）に示した半導体チップ１０とソルダボール３０を電気的に接続させるための銅回路パターンにおいては、ソルダマスク２２により形成されるバンプ安着開口２９の底面のチップバンプ用ランド２７が銅回路パターン２３の一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層２１の上面を含み、ソルダマスク２２と銅回路パターン２３の端部が０．０５ｍｍ（α）以上離隔されて形成される。従って、バンプ安着開口２９が銅回路パターン２３の一側領域にずれて形成されるので、その底面のうち、銅回路パターン２３が存在しない“Ｃ”形状領域には重合樹脂２１が露出され、銅回路パターン２３が存在する部分には先に説明したようなＮｉ／Ａｕ鍍金層２４、２５が形成できる。従って、その底面は２段に形成される。一方、ソルダボール安着開口２８は、図３（ｂ）と同様に、銅回路パターン２３の他側底面領域に形成され、これによりバンプ安着開口２９の底面とソルダボール安着開口２８の底面は電気的に連結される。
　【００１９】
図５は
　【００２０】
この
　【００２１】
このように本発明に係る半導体パッケージは、信号引出用バンプが形成された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されて入出力信号を伝達するための印刷回路基板と、前記半導体チップの下部領域に接着される前記印刷回路基板の底面に形成されて入出力端子として使用されるソルダボールと、前記半導体チップを前記印刷回路基板上に接着させるエポキシ樹脂層とから構成され、前記印刷回路基板が重合樹脂層、銅回路パターン及びソルダマスクでなり、前記銅回路パターンが前記半導体チップの信号引出用バンプと前記ソルダボールを電気的に接続させるためのチップバンプ用ランド及びソルダボールランド
を具備し、前記ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドが、ソルダマスクにより限定されるバンプ安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記ソルダボールランドが重合樹脂層を穿孔して形成されるソルダボール安着開口の底面の銅回路パターンでなり、前記チップバンプ用ランド及び前記ソルダボールランドが一つの銅回路パターン中に形成され、前記銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含み、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部が互に０．０５ｍｍ以上離隔されて形成され、
　【００２２】
又、前記印刷回路基板は積層された多数の重合樹脂層、各重合樹脂層の上面に形成される銅回路パターン及び最上面のソルダマスクで構成され、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及び／又はグラウンドを共有するよう、上下に隣り合う銅回路パターンがビアにより相互電気的に連結されることを特徴とする。
　【
００２３
又、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、重合樹脂基板上に銅回路パターンを形成させる段階と、半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプが前記銅回路パターンに融着される部分を除外した重合樹脂基板上にソルダマスクを形成してバンプ安着開口を形成させる段階と、前記重合樹脂基板上の前記銅回路パターンの形成された面の対向面にソルダボール安着開口を形成させる段階と、前記半導体チップのボンドパッドに融着されたバンプをバンプ安着開口内に融着させる段階と、前記半導体チップとソルダマスク間にエポキシを充填させ硬化させる段階と、前記ソルダボール安着開口にソルダボールを融着させる段階とからなることを特徴とする。
　【
００２４
又、チップバンプ用安着開口の形成段階に先立って、銅回路パターン形成段階で形成された多数の重合樹脂基板を積層させ重合樹脂基板相互間の銅回路パターンをビアにより電気的に接続させて、多数のソルダボールが一つのバンプ接続によりパワーシグナル及び／又はグラウンドを共有するようにすることを特徴とする。
　【
００２５
又、半導体パッケージの面積が、実装される半導体チップの面積の１２０％を越えないことを特徴とする。
　【
００２６
又、ソルダボール安着開口の形成段階でのソルダボール安着開口が食刻又はレーザ光線照射により形成されることを特徴とする。
　【
００２７
ソルダボール安着開口の形成段階がパンチで重合樹脂基板を穿孔させて遂行され、銅回路パターンの形成段階に先立って遂行されることを特徴とする。
　【
００２８
又、バンプ安着開口の形成段階及びソルダボール安着開口の形成段階で形成されたバンプ安着開口及びソルダボール安着開口の底面にＮｉを鍍金した後、Ａｕを鍍金してチップバンプ用ランド及びソルダボールランドを形成させることを特徴とする。
　【
００２９
又、Ｎｉを厚さ３μｍ以上に鍍金し、Ａｕを厚さ０．３μｍ以上に鍍金することを特徴とする。
　【
００３０
又、ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドを銅回路パターンの一側上面に形成し、前記バンプ安着開口により限定されるチップバンプ用ランドが前記銅回路パターンの外周縁から内側に０．０５ｍｍ以上の距離を置いた位置に形成されるようにし、ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする。
　【
００３１
又、ソルダマスクにより形成されるバンプ安着開口の底面のチップバンプ用ランドが銅回路パターンの一側とその外周縁に沿って“Ｃ”形状に露出された重合樹脂層の上面を含むよう、前記ソルダマスクと銅回路パターンの端部を相互０．０５ｍｍ以上離隔して形成し、ソルダボール安着開口の底面のソルダボールランドを銅回路パターンの他側底面に形成させることを特徴とする。
　【
００３２
　【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体チップスケール半導体パッケージ及びその製造方法によると、その性能の低下が全くなしに半導体パッケージの面積をパッケージ内に搭載された半導体チップの面積に似た程度、特に１２０％を越えない範囲内にすることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
本発明
に係る
補足説明図（側断面図）
　【図２】
図１の“Ａ”部の拡大図である。
　【図３】
（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明による半導体パッケージに
係る参考例を示すもので、
の
　【図４】
（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明による半導体パッケージにおいて、チップとソルダボールを電気的に接続させるための
具体例
　【図５】
半導体チップスケール半導体パッケージの側断面図である。
　【図６】
従来のフリップチップ半導体パッケージの側断面図である。
　【符号の説明】
　１、１’　
半導体
　１０　半導体チップ
　１１　バンプ
　２０　印刷回路基板
　２１　重合樹脂層（基板）
　２２　ソルダマスク
　２３　銅回路パターン
　２３ａ　バリードビア
　２３ｂ　ブラインドビア
　２４　ニッケル鍍金層
　２５　白金鍍金層
　２６　ソルダボールランド
　２７　チップバンプ用ランド
　３０　ソルダボール
　３１　バンプ
　４０　エポキシ樹脂層