【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年7月24日(2015.7.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、該陽極と該陰極との間に配置された発光層および該陰極と該発光層との間に配置された電子輸送層を含む有機電子デバイスであって、該電子輸送層が、式
【化１】
2013535106.tif 000001
の有機金属錯体と式
【化２】
2013535106.tif 000002
の化合物
［式中、
Ｒ1およびＲ2は互いに独立に、Ｆ、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、またはＣ6〜Ｃ14アリール（これらは、場合により１つ以上のＣ1〜Ｃ8アルキル基で置換されていてよい）であるか、または２つの置換基Ｒ1および／またはＲ2が組み合わさって縮合ベンゼン環基（これは、場合により１つ以上のＣ1〜Ｃ8アルキル基で置換されていてよい）を形成し、
ａおよびｂは互いに独立に０または整数１〜３であり、
Ｒ81は、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、またはピリミジニル（これらはそれぞれ、場合により１つ以上のＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ14アリール、またはＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール基で置換されていてよい）であり、
Ｒ82は、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、またはピリミジニル（これらはそれぞれ、場合により１つ以上のＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ14アリール、またはＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール基で置換されていてよい）であり、
Ｒ91は、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、ピリミジニル、またはジベンゾフラニル（これらはそれぞれ、場合により１つ以上のＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ14アリール、またはＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール基で置換されていてよい）であり、
Ｒ92は、Ｈ、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、１，１０−フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、またはピリミジニル（これらはそれぞれ、場合により１つ以上のＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ14アリール、またはＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール基で置換されていてよい）であり、
Ａは、単結合、アリーレン、またはヘテロアリーレン基（これらはそれぞれ、場合により１つ以上のＣ1〜Ｃ18アルキル基で置換されていてよい）であるか；あるいは−ＳｉＲ83Ｒ84−（ここで、Ｒ83およびＲ84は互いに独立に、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、またはＣ6〜Ｃ14アリール基であり、これらは、場合により１つ以上のＣ1〜Ｃ18アルキル基で置換されていてよい）であり；
Ｍは、アルカリ金属原子、またはアルカリ土類金属原子であり、
ｎは、Ｍがアルカリ金属原子である場合は１であり、ｎは、Ｍがアルカリ土類金属原子である場合は２である］
とを含む、有機電子デバイス。
【請求項２】
式ＩＩの前記化合物が、式
【化３】
2013535106.tif 000003
の化合物であり、かつ式ＩＩＩの前記化合物が、式
【化４】
2013535106.tif 000004
の化合物であって、上式において、Ａ、Ｒ81、Ｒ82、Ｒ91およびＲ92は請求項１に定義されたとおりである、請求項１に記載の有機電子デバイス。
【請求項３】
Ｒ81が、
【化５】
2013535106.tif 000005
であり、
Ｒ87が、Ｈ、またはＣ1〜Ｃ8アルキルであり；
Ｒ82が、Ｒ81の意味を有し、
Ｒ91が、Ｒ81の意味を有するか、あるいは
【化６】
2013535106.tif 000006
であり、
Ｒ92が、Ｒ81の意味を有するか、またはＨである、請求項２に記載の有機電子デバイス。
【請求項４】
Ａが、単結合、−ＳｉＲ83Ｒ84−基、式
【化７】
2013535106.tif 000007
の基
［式中、
Ｒ85およびＲ86は互いに独立に、Ｈ、またはＣ1〜Ｃ18アルキル基であり、
Ｒ83およびＲ84は互いに独立にＣ1〜Ｃ8アルキル基である］
である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
【請求項５】
式ＩＩまたはＩＩＩの前記化合物が、式
【化８−１】
2013535106.tif 000008
【化８−２】
2013535106.tif 000009
【化８−３】
2013535106.tif 000010
【化８−４】
2013535106.tif 000011
【化８−５】
2013535106.tif 000012
【化８−６】
2013535106.tif 000013
【化８−７】
2013535106.tif 000014
【化８−８】
2013535106.tif 000015
【化８−９】
2013535106.tif 000016
【化８−１０】
2013535106.tif 000017
【化８−１１】
2013535106.tif 000018
【化８−１２】
2013535106.tif 000019
【化８−１３】
2013535106.tif 000020
【化８−１４】
2013535106.tif 000021
の化合物である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
【請求項６】
式Ｉの前記化合物が、式
【化９】
2013535106.tif 000022
の化合物である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
【請求項７】
さらに、正孔注入層、正孔輸送層、正孔及び励起子のブロッキング層及び電子注入層を含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の有機電子デバイス。
【請求項８】
前記電子輸送層が、式
【化１０】
2013535106.tif 000023
の化合物と式
【化１１】
2013535106.tif 000024
の化合物との混合物を含む、請求項７に記載の有機電子デバイス。
【請求項９】
前記電子注入層が、フッ化カリウムまたはＬｉｑを含む、あるいはフッ化カリウムまたはＬｉｑからなる、請求項７または８に記載の有機電子デバイス。
【請求項１０】
前記発光層が、式
【化１２】
2013535106.tif 000025
［式中、記号は以下の意味を有する：
Ｍ1は、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕ（それぞれの金属原子について可能な任意の酸化状態にある）からなる群から選択される金属原子であり；
カルベンは、非荷電またはモノアニオン性であってよくかつ単座、二座または三座であってよいカルベン配位子であり、前記カルベン配位子はまた、ビスカルベンまたはトリスカルベンの配位子であることもでき；
Ｌは、単座であっても二座であってもよい、モノアニオン性またはジアニオン性の配位子であり；
Ｋは、ホスフィン類；ホスホネート類およびその誘導体、アルセナート類およびその誘導体；ホスファイト類；ＣＯ；ピリジン類；ニトリル類および共役ジエン（Ｍ1とのπ錯体を形成する）からなる群から選択される非荷電の単座または二座の配位子であり；
ｎ１は、カルベン配位子の数であって、ｎ１は少なくとも１であり、ｎ１＞１の場合、前記式Ｉの錯体における前記カルベン配位子は、同一であっても異なっていてもよく；
ｍは、配位子Ｌの数であって、ｍは０または≧１であってよく、ｍ＞１である場合、配位子Ｌは同一であっても異なっていてもよく；
ｏは、配位子Ｋの数であって、ｏは０または≧１であってよく、ｏ＞１である場合、配位子Ｋは同一であっても異なっていてもよく；
ここで、ｎ１＋ｍ＋ｏの合計は、金属原子の酸化状態および配位数に、並びに配位子であるカルベン、ＬおよびＫのデンティシティーに、さらにまた配位子であるカルベンおよびＬの電荷に依存するが、但し、ｎ１が少なくとも１であることを条件とする］
の化合物を含む、請求項７から９までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
【請求項１１】
前記式ＩＸの化合物が、式
【化１３】
2013535106.tif 000026
の化合物である、請求項１０に記載の有機電子デバイス。
【請求項１２】
前記正孔輸送層が、酸化モリブデン（ＭｏＯX）または酸化レニウム（ＲｅＯX）でドープされた式
【化１４】
2013535106.tif 000027
の化合物を含む、請求項７から１１までのいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
【請求項１３】
酸化モリブデン（ＭｏＯX）がＭｏＯ3である、請求項１２に記載の有機電子デバイス。
【請求項１４】
酸化レニウム（ＲｅＯX）がＲｅＯ3である、請求項１２に記載の有機電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１に記載の式Ｉの有機金属錯体および請求項１に記載の式ＩＩまたはＩＩＩの化合物を含む電子輸送層。
【請求項１６】
有機電子デバイスにおける請求項１５に記載の電子輸送層の使用。
【請求項１７】
請求項１から１４までのいずれか１項に記載の有機電子デバイスまたは請求項１５に記載の電子輸送層を含む装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１７】
【表１−１】
2013535106.tif 000028
【表１−２】
2013535106.tif 000029
【表１−３】
2013535106.tif 000030
【表１−４】
2013535106.tif 000031
【表１−５】
2013535106.tif 000032
1)５０質量％
2)外部量子効率（ＥＱＥ）は、物体またはデバイスから流出した発生光量子の数／物質またはデバイスの中を流れる電子の数である。
ＥＴ層＝電子輸送層。
ＥＩ層＝電子注入層。