【事件の表示】
　特願２００９−　９３６９３「電子素子及びその製造方法，並びに表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２８日出願公開，特開２０１０−２４５３６６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２１年４月８日の出願であって，平成２５年６月１０日付けで拒絶の理由が通知され，同年８月１２日に意見書と手続補正書が提出され，同年１０月１日付けで拒絶査定がされたものである。
　その後，同年１１月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年１２月２４日付けで審尋を行い，平成２６年２月１９日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１１月１５日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２５年１１月１５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−６を補正して，補正後の請求項１−６にするとともに，明細書の【００１１】，【００１２】及び【００１４】を，補正後の【００１１】，【００１２】及び【００１４】にするものであり，補正前後の請求項１−６は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「　【請求項１】
　基板上に，
　端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極と，
　前記下部電極上に配置され，水素原子の含有率が３原子％以下であり，波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ２膜と，
　前記ＳｉＯ２膜上に配置され，前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極と，
を有する電子素子。
　　【請求項２】
　前記下部電極は，酸化物導電膜である請求項１に記載の電子素子。
　　【請求項３】
　基板上に，端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極を形成する下部電極形成工程と，
　前記下部電極上に，絶縁膜として，水素原子の含有率が３原子％以下であり，波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ２膜を，スパッタにより形成する絶縁膜形成工程と，
　前記絶縁膜上に上部電極を，前記下部電極に対して重なり部を有するように形成する上部電極形成工程と，
を有する電子素子の製造方法。
　　【請求項４】
　前記絶縁膜形成工程は，基板温度２００℃以下の条件で前記絶縁膜を形成する請求項３に記載の電子素子の製造方法。
　　【請求項５】
　前記下部電極が，酸化物導電膜である請求項３又は請求項４に記載の電子素子の製造方法。
　　【請求項６】
　請求項１又は請求項２に記載の電子素子を備えた表示装置。」
　
（補正後）
「　【請求項１】
　基板上に，
　端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極と，
　前記下部電極上に配置され，水素原子の含有率が３原子％以下であり，波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ２膜と，
　前記ＳｉＯ２膜上に配置され，前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極と，
を有する電子素子。
　　【請求項２】
　前記下部電極は，アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜である請求項１に記載の電子素子。
　　【請求項３】
　基板上に，端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極を形成する下部電極形成工程と，
　前記下部電極上に，絶縁膜として，水素原子の含有率が３原子％以下であり，波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ２膜を，圧力０．０５Ｐａ〜０．３Ｐａの条件のスパッタにより形成する絶縁膜形成工程と，
　前記絶縁膜上に上部電極を，前記下部電極に対して重なり部を有するように形成する上部電極形成工程と，
を有する電子素子の製造方法。
　　【請求項４】
　前記絶縁膜形成工程は，基板温度２００℃以下の条件で前記絶縁膜を形成する請求項３に記載の電子素子の製造方法。
　　【請求項５】
　前記下部電極が，アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜である請求項３又は請求項４に記載の電子素子の製造方法。
　　【請求項６】
　請求項１又は請求項２に記載の電子素子を備えた表示装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項２の「前記下部電極は，酸化物導電膜である」を補正して，補正後の請求項２の「前記下部電極は，アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜である」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項３の「スパッタ」を補正して，補正後の請求項３の「圧力０．０５Ｐａ〜０．３Ｐａの条件のスパッタ」にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項５の「前記下部電極が，酸化物導電膜である」を補正して，補正後の請求項５の「前記下部電極が，アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜である」にすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の【００１１】，【００１２】及び【００１４】を補正して，補正後の【００１１】，【００１２】及び【００１４】にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１及び補正事項３について
　補正事項１及び補正事項３により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１及び補正事項３は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項１及び補正事項３は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１及び補正事項３は，下部電極について，「酸化物導電膜」を，「アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜」に限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１及び補正事項３は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１及び補正事項３が，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項２は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２は，「スパッタ」を，「圧力０．０５Ｐａ〜０．３Ｐａの条件のスパッタ」に限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２が，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）補正事項４について
　補正事項４により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項４は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項４は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項−第５項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項２に係る発明（以下「本願補正発明２」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項２に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　そして，前記請求項２は，請求項１を引用しているところ，前記請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　以下，再掲する。
　
「　【請求項１】
　基板上に，
　端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極と，
　前記下部電極上に配置され，水素原子の含有率が３原子％以下であり，波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ２膜と，
　前記ＳｉＯ２膜上に配置され，前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極と，
を有する電子素子。
　　【請求項２】
　前記下部電極は，アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜である請求項１に記載の電子素子。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記の引用例１−２には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開２００１−５３２８３号公報
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は，半導体膜を利用した逆スタガ型若しくはボトムゲート型の薄膜トランジスタ（以下，ＴＦＴと略記する）構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する
　
（１ｂ）「【００１９】
ゲート電極１０２
は，上記導電層を基板全面に形成した後，第１のフォトリソグラフィー工程を行い，レジストマスクを形成し，エッチングにより不要な部分を除去して形成する
少なくともゲート電極１０２の端部にテーパー部が形成されるようにエッチングする
【００２０】Ｗ膜やＴａ膜のような耐熱性導電性材料を高速でかつ精度良エッチングして，さらに端部をテーパー形状とするためには，高密度プラズマを用いたドライエッチング法が適している。高密度プラズマを得る手法にはマイクロ波や誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）を用いたエッチング装置が適している。特に，ＩＣＰエッチング装置はプラズマの制御が容易であり，処理基板の大面積化にも対応できる。例えば，Ｗ膜に対する具体的なエッチング条件として，エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2の混合ガスを用いその流量をそれぞれ３０SCCMとして，放電電力３．２W/cm2(13.56MHz)，基板バイアス電力２２４mW/cm2(13.56MHz)，圧力１．０Ｐａでエッチングする。このようなエッチング条件によって，
ゲート電極１０２の端部において，該端部から内側にむかって徐々に厚さが増加するテーパー部が形成され，その角度は１〜２０°
【００２１】こうして，
ゲート電極１０２およびゲート配線１０２'と保持容量配線１０３，端子１０４を形成した後，絶縁膜を全面に形成してゲート絶縁層とする
ゲート絶縁層１０５は
スパッタ法を用い，膜厚を５０〜２００ｎｍとして絶縁膜で形成する
勿論，ゲート絶縁層は
酸化シリコン膜
　・・・＜途中省略＞・・・
【００２２】
次に，ゲート絶縁層上に５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さで非晶質構造を有する半導体層を，プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に形成する
さらに，一導電型の不純物元素を含有する半導体層として，ｎ型の半導体膜を２０〜８０ｎｍの厚さで形成する
　・・・＜途中省略＞・・・
【００２３】
ゲート絶縁膜，非晶質構造を有する半導体層，一導電型の不純物元素を含有する半導体層はいずれも公知の方法で作製するものであり
スパッタ法で作製することができる
　・・・＜途中省略＞・・・
【００２４】そして，このように積層して形成された半導体層を，第２のフォトリソグラフィー工程を行い，パターニング処理して，図１（Ｂ）に示すようにゲート電極１０２と一部が重なるように島状半導体層１０６を形成する。島状半導体層は，非晶質半導体層１０６ａとｎ型の半導体層１０６ｂを有している。
【００２５】そして，
導電性の金属層をスパッタ法や真空蒸着法で形成し，第３のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクパターンを形成し，エッチングによって図２（Ａ）に示すようにソース配線１０７，ドレイン配線１０８，保持容量配線１０９を形成する
　
（１ｃ）図２は，画素ＴＦＴおよび入力端子部の作製工程を示す上面図と断面図であって，上記摘記（１ｂ）の記載を参酌すれば，同図から，「ソース配線１０７，ドレイン配線１０８が，ゲート電極１０２に対して重なり部を有するように配置されていること」を見て取ることができる。
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｃ）の記載から，引用例１には，以下に示す発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「基板全面に導電層を形成した後，第１のフォトリソグラフィー工程を行い，レジストマスクを形成し，エッチングにより不要な部分を除去して形成したゲート電極であって，ゲート電極の端部において，角度が１〜２０°であるテーパー部が形成されている前記ゲート電極と，
　前記ゲート電極を形成した後，絶縁膜を全面に作製することで形成したゲート絶縁層であって，スパッタ法を用いて，酸化シリコン膜で形成された前記ゲート絶縁層と，
　前記ゲート絶縁層上に５０〜２００ｎｍの厚さで形成された非晶質構造を有する半導体層と，
　さらに，２０〜８０ｎｍの厚さで形成された，一導電型の不純物元素を含有する半導体層と，
　導電性の金属層をスパッタ法や真空蒸着法で形成し，第３のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクパターンを形成し，エッチングによって，前記ゲート電極に対して重なり部を有するように形成した，ソース配線，ドレイン配線と，
　を含む薄膜トランジスタ。」
　
ウ　引用例２：特開２００５−３６２５０号公報
（２ａ）「【請求項１】　
真空容器内に配置する一対のターゲットと，この一対のターゲットに対してほぼ直交し，前記一対のターゲットで構成される空間から離間した位置に配置する基板ホルダーと，この基板ホルダーの近傍においてアフターグロープラズマにより反応用プラズマを発生させるプラズマ源と，このプラズマ源から前記真空容器とを接続する導入管とからなるスパッタ装置。」
　
（２ｂ）「【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の対向ターゲット式スパッタ法における反応性のスパッタ装置においては，酸素プラズマ発生用高周波電源２に接続した電極７が基板５の近傍に設置されているため，基板５が高電子温度プラズマ中にさらされて膜がダメージを受けてしまう，また意図していない基板加熱がされてしまい，所望の基板温度で成膜を行うことができないという課題を有していた。
【００１５】
また，従来のプラズマ源をそのまま反応性のスパッタ装置の反応用プラズマ発生用のプラズマ源として用いた場合には，中性粒子ビームＤの径方向分布が不均一なため，成膜した膜の膜質および膜厚の面内分布が不均一になる，また中性子ビームＤがターゲット方向に侵入して，ターゲット材と反応してターゲット表面に化合物を生成してしまい，成膜中にアーク放電が発生してしまうという課題を有していた。
【００１６】
本発明は上記従来の課題を解決するものであり
反応用プラズマのターゲット方向への侵入を防止し，成膜中のアーク放電の発生を防止すると共に膜表面にプラズマによるダメージがなく，面内分布が均一な膜が成膜できる反応性のスパッタ装置を提供することを目的とするものである
　
（２ｃ）「【００４９】
本発明のスパッタ装置において
シリコンターゲットを用い，スパッタガスとしてアルゴンガスを５０〜１００ｓｃｃｍ，反応ガスとして酸素ガスを２０〜４０ｓｃｃｍ導入してＳｉ基板上にＳｉＯ
2
膜の作製を行った
【００５０】
基板３４の表面には電子密度１０10ｃｍ-1程度，電子温度１ｅＶ以下の低電子温度で高密度な反応用酸素プラスマＰ４が生成されている。上記のような条件で基板３４の上に成膜を行った。その結果成膜中のアーク放電の発生はほとんどなく，基板温度は最高でも８０℃に抑えることができた。ここで成膜速度は４０〜６０ｎｍ／分であり，通常のマグネトロンスパッタの５倍程度の成膜速度が得られた。
波長分散型ＥＰＭＡを用いて作製した膜の組成分析を行ったところ，ｍｏｌ比でＳｉ：Ｏ＝１：２の非常に良好な膜が得られた
膜の屈折率の測定を行ったところ１．４５７（波長６３３ｎｍ）とバルクのＳｉＯ
2
に等しい屈折率が得られ，屈折率の４ｉｎｃｈ基板上での面内分布は０．０５％未満となり非常に良好だった
　
（３）本願補正発明１の進歩性についての検討
　本願補正発明２の進歩性について検討することに先だって，請求項２において引用される請求項１に記載された事項によって特定される本願補正発明１の進歩性について検討する。
　
ア　本願補正発明１と引用発明との対比
（ア）引用発明の「ゲート電極」は，本願補正発明１の「下部電極」に相当する。そして，引用発明の「ゲート電極」は，「ゲート電極の端部において，角度が１〜２０°であるテーパー部が形成されている」のであるから，前記「ゲート電極」の端部断面のテーパー角度は６０°以下であるといえる。したがって，本願補正発明１と引用発明とは，「端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極」を有する点で一致する。
　
（イ）引用発明の「酸化シリコン膜で形成された前記ゲート絶縁層」及び「前記ゲート電極に対して重なり部を有するように形成した，ソース配線，ドレイン配線」は，それぞれ，本願補正発明１の「ＳｉＯ２膜」及び「前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極」に相当する。
　そして，本願の明細書【００５６】の
「＜その他の要素＞
　
本発明の電子素子は
その他の要素を備えていてもよい
　該
その他の要素は
絶縁膜と上部電極との間
に備えられていてもよい
　
その他の要素としては，例えば
半導体層，等が挙げられる
　との記載に照らして，本願補正発明１の「ＳｉＯ２膜上に配置され，前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極」における，「ＳｉＯ２膜上に配置され」が，「ＳｉＯ２膜上」に「半導体層」等の他の要素を挟んで「上部電極」を配置する態様をも含むことは明らかであるから，本願補正発明１と引用発明とは，「ＳｉＯ２膜上に配置され，前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極」を有する点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「薄膜トランジスタ」は，本願補正発明１の「電子素子」に相当する。
　
（エ）したがって，上記（ア）−（ウ）の対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　基板上に，
　端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極と，
　前記下部電極上に配置されたＳｉＯ２膜と，
　前記ＳｉＯ２膜上に配置され，前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極と，
を有する電子素子。
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１では，ＳｉＯ２膜が，「水素原子の含有率が３原子％以下であり，波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下である」のに対して，引用発明では，そのような特定がされていない点。
　
イ　本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
（ア）引用発明において，ゲート絶縁層は「酸化シリコン膜」で形成するとされている。そして，化学量論的組成を有する（ストイキメトリである）「酸化シリコン」の，「Ｓｉ」と「Ｏ」との比率が，ｍｏｌ比でＳｉ：Ｏ＝１：２であり，「酸化シリコン」が，前記化学量論的組成を有する状態で安定していることは周知である。
　そうすると，ゲート絶縁層を「酸化シリコン膜」で形成すると記載されているだけであって，前記「酸化シリコン膜」の特性について特段の限定が認められない引用発明において，前記「酸化シリコン膜」を構成する酸化シリコンとして，「Ｓｉ」に対して「Ｏ」が不足している酸素欠損等の不安定な状態の組成の「酸化シリコン膜」等ではなく，前記「Ｓｉ」と「Ｏ」との比率がｍｏｌ比でＳｉ：Ｏ＝１：２である化学量論的組成を有する（ストイキメトリである）「酸化シリコン」を用いて形成することが望ましいと理解することは，当業者にとって自然なことと認められる。
　
（イ）一方，引用例２には，スパッタ装置に係る発明が開示されているところ，上記摘記（２ｃ）の「本発明のスパッタ装置において，ターゲット３１としてボロンをドーピングした導電率が０．０２Ωｃｍのシリコンターゲットを用い，スパッタガスとしてアルゴンガスを５０〜１００ｓｃｃｍ，反応ガスとして酸素ガスを２０〜４０ｓｃｃｍ導入してＳｉ基板上にＳｉＯ2膜の作製を行った。」及び「波長分散型ＥＰＭＡを用いて作製した膜の組成分析を行ったところ，ｍｏｌ比でＳｉ：Ｏ＝１：２の非常に良好な膜が得られた。」との記載から，当該スパッタ装置を用いたスパッタ法によって，化学量論的組成を有する（ストイキメトリである）酸化シリコン膜が得られることは明らかである。
　
（ウ）そして，引用例２には，反応用プラズマのターゲット方向への侵入を防止し，成膜中のアーク放電の発生を防止すると共に膜表面にプラズマによるダメージがなく，面内分布が均一な膜が成膜できる反応性のスパッタ装置を提供することを目的とするものであるという，発明が解決しようとする課題，及び，引用例２に記載のスパッタ装置において，シリコンターゲットを用い，スパッタガスとしてアルゴンガスを５０〜１００ｓｃｃｍ，反応ガスとして酸素ガスを２０〜４０ｓｃｃｍ導入してＳｉ基板上にＳｉＯ2膜の作製を行うことで，屈折率の４ｉｎｃｈ基板上での面内分布が０．０５％未満となり非常に良好な結果が得られたことが記載されている。
　
（エ）ここで，引用例２に記載された，前記「面内分布が均一な膜が成膜できる」等の課題が，半導体装置の製造における薄膜形成において解決されることが望ましいとされている周知の課題の一つであることは当業者において明らかであり，また，引用例２に記載された前記「Ｓｉ基板上にＳｉＯ2膜の作製を行う」という工程が，半導体装置の製造工程において通常行われている工程の一つであることは，当業者において周知の事項である。
　そうすると，引用例２に接した当業者において，引用例２に記載された発明が，半導体装置の製造に適用可能であること，及び，引用例２に記載されたスパッタ法によって，化学量論的組成を有する（ストイキメトリである）酸化シリコン膜が，膜表面にプラズマによるダメージを与えることなく，また，面内分布が均一であるように，非常に良好な膜として作製できることを直ちに理解するものといえる。
　
（オ）してみれば，上記（ア）で検討したように，引用発明において，ゲート絶縁層を，「Ｓｉ」と「Ｏ」との比率がｍｏｌ比でＳｉ：Ｏ＝１：２である化学量論的組成を有する（ストイキメトリである）「酸化シリコン」で形成することが望ましいことが当業者において理解できるところ，上記（イ）−（エ）で検討したように，引用例２には，スパッタ法によって，化学量論的組成を有する（ストイキメトリである）酸化シリコン膜が，膜表面にプラズマによるダメージを与えることなく，また，面内分布が均一であるように，非常に良好な膜として作製できることが記載されており，しかも，引用例２に記載された発明が，半導体装置の製造に適用可能であると理解できるのであるから，引用発明の「スパッタ法を用いて，酸化シリコン膜で形成された前記ゲート絶縁層」の前記「スパッタ法」として，引用例２に記載された前記スパッタ法を用いることは，当業者が容易になし得たことである。
　
（カ）そして，引用例２には，シリコンターゲットを用い，スパッタガスとしてアルゴンガスを５０〜１００ｓｃｃｍ，反応ガスとして酸素ガスを２０〜４０ｓｃｃｍ導入してＳｉ基板上にＳｉＯ2膜の作製を行うことで，ｍｏｌ比でＳｉ：Ｏ＝１：２の非常に良好な膜を得ることが記載されているところ，前記スパッタガス及び反応ガスのいずれにも水素ガスが含まれていないことから，作製された前記ＳｉＯ2膜の水素原子の含有率は，３原子％以下であると認められる。
　
（キ）また，引用例２には，前記スパッタ法によって作製されたＳｉＯ2膜の屈折率が１．４５７（波長６３３ｎｍ）であり，バルクのＳｉＯ2に等しいことが記載されている。そして，ＳｉＯ２膜の屈折率が，前記波長６３３ｎｍ付近においては，波長が長いほど小さくなることは周知の事項であるから，波長６３３ｎｍにおける屈折率が１．４５７である引用例２のスパッタ法で作製された前記ＳｉＯ2膜の，波長６５０ｎｍにおける屈折率は，前記１．４５７よりも小さくなるといえる。
　したがって，引用例２のスパッタ法で作製された波長６３３ｎｍの屈折率が１．４５７である前記ＳｉＯ2膜は，本願補正発明１の「水素原子の含有率が３原子％以下であり，波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ２膜」に相当するといえる。
　
（ク）すなわち，引用発明と引用例２に記載された発明に接した当業者であれば，引用発明の「スパッタ法を用いて，酸化シリコン膜で形成された前記ゲート絶縁層」の作製を，引用例２に記載されたスパッタ法で行い，上記相違点１について本願補正発明１の構成となすことは容易である。
　また，このような構成を採用したことによる効果は格別のものとは認められない。
　すなわち，ｍｏｌ比でＳｉ：Ｏ＝１：２の非常に良好な膜である，化学量論的組成を有する（ストイキメトリである）酸化シリコンが，バルクのＳｉＯ2に等しい屈折率を示すことが引用例２に記載されているところ，化学量論的組成を有する（ストイキメトリである）酸化シリコンによって構成された酸化膜のリーク電流が少ないことは，下記の周知例１−２の記載からも明らかなように周知であるから，引用例２に記載された方法によって形成された酸化膜のリーク電流が少ないことは格別のこととは認められない。
　
・周知例１：特開平２−１７２２２６号公報
（周１ａ）「さらに，室温で成長しても酸素量が足りないために
膜中の酸素濃度はＳｉ０
２
のストイキオメトリーより低いものになる
この様な酸化膜の
リーク電流も多い
　
・周知例２：特開２００７−５９６４８号公報
（周２ａ）「【０１３２】
　このように，少なくとも表面付近において，
ストイキオメトリな（もしくは，これに近い組成を有する）素子分離膜（酸化層２０）が形成
リーク電流が流れることを抑制
　
ウ　小括
　相違点１については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１−２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）本願補正発明２の進歩性についての検討
ア　本願補正発明２と引用発明との対比
　本願補正発明２は，上記「（３）本願補正発明１の進歩性についての検討」で検討した「相違点１」に加えて，更に下記の相違点２を有するものである。
　
＜相違点＞
・相違点２：本願補正発明２の「下部電極」が，「アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜」であるのに対して，引用発明ではこのような特定がされていない点。
　
イ　本願補正発明２と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
　上記「（３）　イ　本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断　・相違点１について」で検討したように，上記相違点１について，本願補正発明２の構成を採用することは当業者にとって容易である。
　
・相違点２について
　下記の周知例３−４の記載からも明らかなように，半導体装置の電極の材料として「アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜」は周知である。したがって，引用発明において，下部電極として「アモルファス酸化物導電膜としての酸化亜鉛インジウム膜」を用いること，すなわち，上記相違点２について本願補正発明２の構成を採用することは当業者にとって容易である。
　
・周知例３：特開２００２−４９０４９号公報
（周３ａ）「【００１５】
【発明の実施の形態】以下，本発明にかかる原理を本発明者らが得た実験結果を元に
アモルファス酸化インジウム亜鉛（以下ＩＺＯと略記する：Indium Zinc Oxide)
【００１６】図３８に，実際に本発明のアモルファスＩＺＯ膜を，一例として３μｍの微細くし歯パターンに加工した際のパターン形状の観察例を示す。
アモルファスIZO膜のパターン端部の形状は，ほぼ４５°の均一な順テーパー形状が確保
この上に絶縁膜を形成した場合には，パターン端部の付きまわりもよく，物理的，電気的に優れた絶縁特性を有する絶縁膜を得ることができる
　
・周知例４：特開２００９−７１１４８号公報
（周４ａ）「【００７２】
　次いで，パッシベーション層上に，マグネトロンスパッタ法を用いて，膜厚２２０ｎｍの
無定形のＩＺＯ［Ｉｎ
2
Ｏ
3
：ＺｎＯ（ＺｎＯモル比で５％）］膜を形成
【００７３】
　次いで，
発光部となる部分を除いて，画素間を分離するための絶縁層をフォトレジスト材料で作製
　
ウ　小括
　相違点１−２については，以上のとおりであるから，本願補正発明２は，上記引用例１−２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）むすび
　本願補正発明２は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年１１月１５日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２５年８月１２日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものであると認める。
　
「【請求項１】
　基板上に，
　端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極と，
　前記下部電極上に配置され，水素原子の含有率が３原子％以下であり，波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ２膜と，
　前記ＳｉＯ２膜上に配置され，前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極と，
を有する電子素子。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１−２に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１と発明特定事項を同じくする本願補正発明１が，前記「第２　４　（３）本願補正発明１の進歩性についての検討」で判断したとおり，引用例１−２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１−２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１−２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。
　
＜予備的検討＞
　なお仮に，本件補正の補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明，すなわち，補正後の請求項２，３，５及び前記請求項を引用する各請求項に記載された事項により特定される発明が，いずれも特許出願の際独立して特許を受けることができるものであり，本件補正が適法であると解し得たとしても，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明は，上記「第２　４　（３）本願補正発明１の進歩性についての検討」で判断したとおり，引用例１−２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願は拒絶をすべきものである。
　
　また，審判請求人は，回答書において，下部電極の端部断面のテーパー角度を，「６０°以下」から「２５°以上６０°以下」に補正する補正案を示す。
　しかしながら，上記周知例３の記載からも明らかなように，前記「２５°以上６０°以下」の範囲に含まれる，「ほぼ４５°の均一な順テーパー形状」を備えた端部断面を有する下部電極は，「この上に絶縁膜を形成した場合には，パターン端部の付きまわりもよく，物理的，電気的に優れた絶縁特性を有する絶縁膜を得ることができる。」ものとして周知といえる。
　そして，引用発明の「ゲート電極」の上に形成される「ゲート絶縁層」の特性として，「物理的，電気的に優れた絶縁特性を有する」ことが望ましいことは，「ゲート絶縁層」の機能に照らして当業者において自明といえる。
　そうすると，引用発明において，「ゲート絶縁層」に「物理的，電気的に優れた絶縁特性を有する」という特性を付与するために，引用発明の「ゲート電極」の構造として，前記「２５°以上６０°以下」の範囲に含まれる，「ほぼ４５°の均一な順テーパー形状」を備えた端部断面を有する構造とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　なお，引用例１の上記摘記（１ｂ）には，「例えば，Ｗ膜に対する具体的なエッチング条件として，エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2の混合ガスを用いその流量をそれぞれ３０SCCMとして，放電電力３．２W/cm2(13.56MHz)，基板バイアス電力２２４mW/cm2(13.56MHz)，圧力１．０Ｐａでエッチングする。このようなエッチング条件によって，ゲート電極１０２の端部において，該端部から内側にむかって徐々に厚さが増加するテーパー部が形成され，その角度は１〜２０°，好ましくは５〜１５°とする。」と記載されているが，前記「１〜２０°」の角度は，「例えば，Ｗ膜に対する具体的なエッチング条件として，エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2の混合ガスを用いその流量をそれぞれ３０SCCMとして，放電電力３．２W/cm2(13.56MHz)，基板バイアス電力２２４mW/cm2(13.56MHz)，圧力１．０Ｐａでエッチング」した場合に得られる形状を例示したものと解され，同摘記（１ｂ）の「【００１９】ゲート電極１０２およびゲート配線１０２'と保持容量配線１０３，及び端子１０４は，上記導電層を基板全面に形成した後，第１のフォトリソグラフィー工程を行い，レジストマスクを形成し，エッチングにより不要な部分を除去して形成する。このとき少なくともゲート電極１０２の端部にテーパー部が形成されるようにエッチングする。」との記載に照らして，「少なくともゲート電極１０２の端部にテーパー部が形成されるようにエッチング」されていれば良いものと理解することができるから，引用例１の前記「１〜２０°」との記載は，引用発明の「ゲート電極」の構造として，「ほぼ４５°の均一な順テーパー形状」を備えた端部断面を有する構造とすることを妨げる阻害事由としては認めることはできない。
　更に，本願の明細書及び図面には，前記「２５°以上６０°以下」の範囲における，「２５°」という下限値が，臨界的な値であることを示す特段の記載も認めることはできない。
　すなわち，仮に審判請求人が回答書で示すように請求項の記載を補正したとしても，前記補正された請求項に記載された事項により特定される発明は，引用例１−２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願は拒絶をすべきものである。