【事件の表示】
　特許第３４３６３７９号「りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４３６３７９号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
　同請求項４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４３６３７９号の請求項１〜４に係る発明についての出願（出願日：平成４年７月２８日）は、平成１５年６月６日に設定登録され、その後、その特許について、特許異議申立人　本田　恵美子　より特許異議の申立がなされ、当審において平成１６年１２月８日付で取消理由を通知したものである。
       
２．特許異議の申立て理由及び取消理由の概要
（１）特許異議申立人　本田　恵美子は、下記の甲第１〜５号証を提出し、
　　イ）請求項１〜３に係る発明の特許は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づき、また、請求項４に係る発明の特許は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきであり、
　　ロ）また、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者がその発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものであり、特許法第１１３条第１項第４号の規定により取消すべきであると主張する。
　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特開昭６０−１５５５９８号公報
　甲第２号証：特開平３−１６３８８４号公報
　甲第３号証：特開平３−２０１５７５号公報
　甲第４号証：特開平３−２７０１８０号公報
　甲第５号証：特開平２−９４５７７号公報
　　
（２）当審は、
　[取消理由１]
　請求項１〜４に係る発明の特許は、下記の刊行物１〜５に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、
　[取消理由２]
 また、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者がその発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものであり、
取消すべきである旨通知した。
　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開昭６０−１５５５９８号公報（甲第１号証）
　刊行物２：特開平３−１６３８８４号公報（甲第２号証）
　刊行物３：特開平３−２０１５７５号公報（甲第３号証）
　刊行物４：特開平３−２７０１８０号公報（甲第４号証）
　刊行物５：特開平２−９４５７７号公報（甲第５号証）
　　
３．本件発明
　特許第３４３６３７９号の請求項１〜４に係る発明(以下、「本件発明１〜４」という。)は、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　　　　
「【請求項１】  単結晶基板上にりん化ひ化ガリウム混晶率変化層、りん化ひ化ガリウム混晶率一定層及び窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層を形成したりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハにおいて、上記りん化ひ化ガリウム混晶率変化層及びりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度が５×１０１６〜５×１０１７ｃｍ−３であり、上記窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度が、３×１０１５ｃｍ−３以下であることを特徴とするりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ。
【請求項２】  上記窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度が、１×１０１５〜３×１０１５ｃｍ−３であることを特徴とする請求項１記載のりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ。
【請求項３】  上記単結晶基板がりん化ガリウムであることを特徴とする請求項１又は２記載のりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ。
【請求項４】  単結晶基板上にりん化ひ化ガリウム混晶率変化層、りん化ひ化ガリウム混晶率一定層及び窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層を形成するりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハの製造方法において、
上記りん化ひ化ガリウム混晶率変化層及びりん化ひ化ガリウム混晶率一定層を形成し、ドーパントの供給を停止して、上記窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層を成長させ、かつ上記りん化ひ化ガリウム混晶率変化層及びりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度を５×１０１６〜５×１０１７ｃｍ−３とし、上記窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度を３×１０１５ｃｍ−３以下とすることを特徴とするりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハの製造方法。」
　　
４．当審の判断
４−１．取消理由１について
４−１−１．刊行物１〜５に記載された発明
　
刊行物１（特開昭６０−１５５５９８号公報）
（ア）「
単結晶基板（１）、上記基板（１）上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶率変化層（２）、及び上記層（２）上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層（３）からなるりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシヤルウエハ
（イ）「気相成長開始時より、濃度３０ｐｐｍに窒素ガスで希釈したｎ型不純物である硫化水素（Ｈ２Ｓ）を毎分１０ｃｃ導入し、一方ＩＩＩ族成分として高純度塩化水素ガス（ＨＣｌ）を毎分４０ｃｃ導入し、Ｇａと反応させることにより、ほゞ１００％ＧａＣｌに変換生成させ、他方Ｈ２で希釈された濃度１２％の燐化水素（ＰＨ３）を毎分２２０ｃｃ導入し、初めの１０分間は成長温度（基板温度に相当）を９５０℃に保持しつゝ、
ＧａＰ単結晶基板
次の２０分間は、成長温度を９３０℃一定に保持しつゝ、Ｈ２で希釈された濃度１２％の砒化水素（ＡｓＨ３）を毎分０ｃｃより２０ｃｃまで徐々に導入し、上記各ガス流と共に第２のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシヤル層を第１のエピタキシヤル層上に形成した。
次の１０分間は、各ガスの流量を変える事なく、即ち、Ｈ２，Ｈ２Ｓ，ＨＣｌ，ＰＨ３並びにＡｓＨ３をそれぞれ毎分２５００ｃｃ，１０ｃｃ，４０ｃｃ，２２０ｃｃ並びに２０ｃｃ導入しつゝ、成長温度を９３０℃より９１０℃まで徐々に降下させ、第３のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシヤル層を、第２のエピタキシヤル層上に形成した。
次の２０分間は、成長温度を９１０℃一定に保持し、更に、Ｈ２，Ｈ２Ｓ，ＨＣｌ並びにＰＨ３の流量をそれぞれ毎分２５００ｃｃ，１０ｃｃ，４０ｃｃ並びに、２２０ｃｃ一定に保持し、ＡｓＨ３ の流量のみを毎分２０ｃｃから６０ｃｃまで徐々に増加させつゝ、第４のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシヤル層を、第３のエピタキシヤル層上に形成した。次の１０分間は、Ｈ２，Ｈ２Ｓ，ＨＣｌ，ＰＨ３並びにＡｓＨ３の流量を、それぞれ毎分２５００ｃｃ，１０ｃｃ，４０ｃｃ，２２０ｃｃ並びに６０ｃｃ一定に保持しつゝ、成長温度を９１０℃より８９０℃まで徐々に降下させつゝ、第５のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシヤル層を第４のエピタキシヤル層上に形成した。
次の２０分間は、Ｈ２，Ｈ２Ｓ，ＨＣｌ並びにＰＨ３の流量をそれぞれ毎分２５００ｃｃ，１０ｃｃ，４０ｃｃ並びに２２０ｃｃ一定に保持し、又、成長温度も８９０℃一定に保持しつゝ、ＡｓＨ３ の流量のみ毎分６０ｃｃより１２０ｃｃまで徐々に増加させ、第６のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシヤル層を、第５のエピタキシヤル層上に形成した。
次の４０分間は、Ｈ２，Ｈ２Ｓ，ＨＣｌ，ＰＨ３並びにＡｓＨ３の流量を毎分それぞれ、２５００ｃｃ，１０ｃｃ，４０ｃｃ，２２０ｃｃ並びに１２０ｃｃ一定とし、更に成長温度を８９０℃一定に保持し、
第７のＧａＡｓ
０．３５
Ｐ
０．６５
エピタキシヤル層を、第６のエピタキシヤル層上に形成した
最終の４０分間は、第７のエピタキシヤル層形成条件に加え、新らたに高純度ＮＨ３ガスを毎分２００ｃｃ導入し、窒素（Ｎ）をアイソ・エレクトロニツク・トラツプとしてドープした第８のＧａＡｓ
１−ｘ
Ｐ
ｘ
エピタキシヤル層を第７のエピタキシヤル層上に形成し、エピタキシヤルウエハの全形成工程を終了した。
（ウ）「
上記エピタキシヤルウエハにおいては第１から第６のエピタキシヤル層までが混晶率変化層（第１図における層２）であってその全厚みは４２．４μｍ、最初の３０．３μｍの領域での混晶率の変化率は平均の変化率の７／１０であった
　
また、第７及び第８のエピタキシヤル層が混晶率一定層（第１図層３）であって、その厚みは４３．４μｍ、混晶率ｘは０．６５であった。
（エ）「
又、ｎ型キヤリヤー濃度は、第１乃至第７のエピタキシヤル層領域で概ね６×１０
１６
ｃｍ
−３
、窒素が添加された第８のエピタキシヤル層領域で、２．４×１０
１６
ｃｍ
−３
であった。
　　
　
刊行物２（特開平３−１６３８８４号公報）
（オ）「ＧａＡｓまたはＧａＰ単結晶基板上にＧａＡｓ１−ｘＰｘをエピタキシャル成長させ、単結晶基板と組成一定層ＧａＡｓ１−ｘＰｘとの間に組成変化層を形成したエピタキシャルウエハにおいて、前記組成変化層は層厚１μｍ以上の少なくとも１つの組成一定層部分と、少なくとも２つ以上の組成変化層部分とを有し、組成変化層部分のうちの少なくとも１層は１μｍ当たりに対する組成変化率Δｘが、
　　　約０．０２≦Δｘ≦約０．０８
であることを特徴とするエピタキシャルウエハ。」（特許請求の範囲（１））
（カ）「[実施例１]
本発明に従い（尖頭発光波長約６１０ｎｍ±２ｎｍ）橙色発光ダイオード用リン化ひ素ガリウムエピタキシャル膜ＧａＡｓ１−ｘＰｘ（ｘ≒０．７５）を
ＧａＰ単結晶基板
（キ）「第２の組成変化層は以下の通りに形成した。
　次の５分間は、成長温度を徐々に９３０℃から、９１８℃まで下げ、同時にＡｓＨ３を ０ｍｌ／分から２４．３ｍｌ／分に変化させた。このとき形成した層を第２−１層とする。
　次の２０分間は成長温度を９１８℃一定、ＡｓＨ３の流量を２４．３ｍｌ／分一定とした。この時形成した層を第２−２層とする。
　次の５分間は成長温度を徐々に９１８℃から９０５℃ まで下げ、同時にＡｓＨ３の流量を２４．３ｍｌ／分から４８．５ｍｌ／分変化させた。この時形成した層を第２−３層とする。
　次の２０分間は成長温度を９０５℃一定、ＡｓＨ３の流量を４８．５ｍｌ／分一定とした。この時形成した層を第２−４層とする。
　次の５分間は成長温度を徐々に９０５℃から８９３℃ まで下げ、同時にＡｓＨ３の流量を４８．５ｍｌ／分から７２．８ｍｌ／分に変化させた。この時形成した層を第２−５層とする。
　次の２０分間は成長温度を８９３℃一定、ＡｓＨ３の流量を７２．８ｍｌ／分一定とした。この時形成した層を第２−６層とする。
　次の５分間は成長温度を８９３℃から８８０℃まで下げ、同時にＡｓＨ３の流量を７２．８ｍｌ／分から９７ｍｌ／分に変化させた。この時形成した層を第２−７層とする。
　このようにして第２−１、２−２、２−３、２−４、２−５、２−６、２−７層からなる第２の層を形成した。」（３頁左下欄２行〜同頁右下欄１０行）
（ク）「次の３０分間は各ガスの流量を変えることなく、すなわちＨ２、Ｈ２Ｓ、ＨＣｌ、ＰＨ３並びにＡｓＨ３をそれぞれ ３０００ｍｌ／分、６．３ｍｌ／分、６３ｍｌ／分、２９１ｍｌ／分並びに９７ｍｌ／分導入して第３のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシャル層を成長させた。」（３頁右下欄１１〜１６行）
（ケ）「
次の最終の６０分間は、第３のエピタキシャル層形成条件に加え、新たに高純度ＮＨ
３
ガスを３０５ｍｌ／分導入し、窒素（Ｎ）をアイソ・エレクトロニックトラップとしてドープした第４ＧａＡｓ
１−ｘ
Ｐ
ｘ
エピタキシャル層を形成し、エピタキシャル多層膜の全形成工程を終了した。
（コ）表１を参酌すると、上記（カ）〜（ケ）の工程を経て形成されたエピタキシャル層のキャリア濃度が以下のとおりであることが見て取れる。すなわち、
　　　　　　　　　【表１】
　２層（２−１〜２−７）：約３〜５×１０１７（ｃｍ−３）
　３層：約３×１０１７（ｃｍ−３）
　４層：７．５×１０１５（ｃｍ−３）
　　
　
刊行物３（特開平３−２０１５７５号公報）
（サ）「単結晶基板、該単結晶基板上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶率変化層、及び該混晶率変化層上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層からなるりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハであって、上記混晶率変化層の終端の混晶率を混晶率一定層の混晶率に対してオーバーシュートさせたことを特徴とするりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハ。」（特許請求の範囲（１））
（シ）「ＧａＡｓＰ混晶率変化層、及び同一定層の伝導型はｎ，ｐいずれでもよいが、通常はｎ型でありキャリア濃度は両層とも１×１０１８〜１×１０１９ｃｍ−３の範囲が好ましい。」（４頁左上欄１０〜１３行）
（ス）「続いて、アルシン（ＡｓＨ３）及び、ホスフィン（ＰＨ３）を、以下の通り、供給して混晶率変化層を形成した。すなわち、アルシンを１０体積％含有する水素ガスを、３３６ｍｌ／分の流量でリアクタに供給し、６０分間に、２４４ｍｌ／分まで流量を徐々に減少させた。同時に、ホスフィンを１０体積％含有する水素ガスを、６０分間に０ｍｌ／分より８８ｍｌ／分まで流量を徐々に増加させた。混晶率変化層の形成を開始した時点から６０分経過後、ホスフィンを含有する水素ガスの流量を８８ｍｌ／分より８０ｍｌ／分に１０秒間で変化させジエチルテルルを含有する水素ガスの流量を１０ｍｌ／分に保って、６０分間混晶率一定層を形成した。続いて、リアクタの温度を降下させて、エピタキシャルウエハの製造を終了した。」（４頁右下欄末行〜５頁左上欄１４行）
（セ）「その結果、ＧａＡｓ単結晶基坂上に、混晶率が０．０から０．４まで連続的に変化する混晶率変化層が２２μｍ、該変化層上に混晶率が０．４であって、ｎ型キャリア濃度が１．２×１０１７ｃｍ−３である混晶率一定層が１７μｍ形成されたエピタキシヤルウエハが得られた。」（５頁左上欄１５〜２０行）
　　
　
刊行物４（特開平３−２７０１８０号公報）
（ソ）「第１導電型の化合物半導体からなる第１の結晶層と、この第１の結晶層上に形成された第２導電型の化合物半導体からなる第２の結晶層とを具備し、前記第１の結晶層と前記第２の結晶層との接合面付近の前記第１の結晶層を主たる発光領域とする半導体発光素子において、前記主たる発光領域となる第１の結晶層のキャリア濃度を１〜５×１０１５ｃｍ−３とすることを特徴とする半導体発光素子。」（特許請求の範囲）
（タ）「
本発明は、・・・キャリア注入効率を増加させて素子の発光効率を向上させ、また、発光層の歪みを減少させてその結晶を向上させたことを特徴とする半導体発光素子を提供することを目的としている。
（チ）「
基板としてＳｉをドープしたｎ型ＧａＰ基板１を用い、この上に気相成長により漸移層であるｎ型ＧａＡｓ
１−ｘ
Ｐ
ｘ
結晶層（０．６５≦ｘ≦１）２、ｎ型ＧａＡｓ
０．３５
Ｐ
０．６５
結晶層３およびｐ型の表面層５を持ち窒素原子をドープしたｎ型ＧａＡｓ
０．３５
Ｐ
０．６５
結晶層４（Ｎドープド層）を連続して形成し、電極６，７を形成する
　
１はＮ型ＧａＰ（１００）基板でこの１主面にＡｓの成分０．２５〜０．３５まで漸増して気相成長させた層厚約５０μｍの漸移層（Ｇｒａｄｅｄ　Ｌａｙｅｒ）なるｎ型 ＧａＡｓ
１−ｘ
Ｐ
ｘ
２、さらに前記に積層して気相成長形成された組成比（ｘ）が一定のｎ型 ＧａＡｓ
０．３５
Ｐ
０．６５
層３および前記気相成長の途中から発光中心の窒素原子をドープしたｎ型ＧａＡｓ
０．３５
Ｐ
０．６５
 ４（Ｎ・ドープド層と略称する )とを形成する。
（ツ）「
発光層であるＮドープド層４のキャリア濃度は１〜５×１０
１５
ｃｍ
−３
の範囲に限られる。この数値範囲より低いと通過抵抗が増加し、順方向電圧が上昇する。また、余り低いとキャリア濃度のコントロールが十分正確にできないという事情もある。逆にこの数値範囲より高いと発光効率が低下し、所期の目的を達成させることができない。範囲外のキャリア濃度では発光効率が０．２％より大きくならない
　第２図は、第４図と同様に、同一条件で製品１つづつの発光効率の分布を求めたもので、横軸が製品個数（Ｎ）、縦軸が発光効率（％）である。このときの発光層４のキャリア濃度は２×１０１５ｃｍ−３である。製品分布のピーク値をその製品の発光効率とすると、およそ０．２２％の高い効率を示している。これを第４図に示す従来例でも高い効率のものと比較しても発光効率は約１．３倍も改善されている。発光層４のキャリア濃度と発光効率との関係は、第３図に示すように、キャリア濃度が１〜５×１０（「１０１５」の誤記：審決注）ｃｍ−３のときに、発光効率が著しく向上していることがわかる。」（３頁右上欄１５行〜同頁左下欄１５行）
　　
　
刊行物５（特開平２−９４５７７号公報）
（テ）「周期率表第ＩＩＩ族及び第Ｖ族からなる化合物半導体のウエハであって、基板上にＮ型不純物が気相成長によりドープされたＮ型エピタキシャル層と、該Ｎ型エピタキシャル層の上にＰ型不純物が気相成長によりドープされたＰ型エピタキシャル層とからなり、アイソエレクトリックトラップを形成する窒素がＰＮ接合に関して前記Ｎ型エピタキシャル層側及びＰ型エピタキシャル層側にそれぞれドープされているとともに、Ｐ型エピタキシャル層側の窒素ドープ領域の厚さが５μｍ未満であり、かつ少なくともＰ型エピタキシャル層における窒素ドープ領域のＰ型不純物濃度がほぼ一定であることを特徴とする気相エピタキシャルウエハ。」（特許請求の範囲）
（ト）「次に連続して、ＨＣｌを５ｃｃ／ｍｉｎの割合で１５０ｃｃ／ｍｉｎに増加させ、ＨＣｌの増加と同時にＰＨ３を７０分間で３００ｃｃ／ｍｉｎから２５５ｃｃ／ｍｉｎに減少させ、ＰＨ３の減少とともにＨ２で１０％に希釈されたＡｓＨ３を同じく７０分間で０ｃｃ／ｍｉｎから４５ｃｃ／ｍｉｎに増加させて混晶比変化層１２の成長を行った。
　さらに連続して混晶比一定のＮ型エピタキシャル層１３を３０分間成長させた後、１００％ＮＨ３ガスを１５０ｃｃ／ｍｉｎ流して窒素ドーピングを１５分間行い、Ｎ型エピタキシャル層における窒素ドープ領域１４を形成した。」（３頁右上欄８〜１９行）
（ナ）「この時点でＨＣｌのみを５ｃｃ／ｍｉｎになるまで減少させて、Ｈ２Ｓガスを停止させた。５分後にＨＣｌを元の流量（１５０ｃｃ／ｍｉｎ）に戻し、Ｈ２で１００ｐｐｍに希釈したジメチル亜鉛[Ｚｎ（ＣＨ３）２]を２０ｃｃ／ｍｉｎ流して混晶比一定のＰ型エピタキシャル層における窒素ドープ領域１５を１５分間成長させ。」（３頁右上欄末行〜同頁左下欄６行）
　　
４−１−２．対比・判断
（１）本件発明１について
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載された事項とを以下に対比する。
　ａ）層構成について
　刊行物１に記載されたエピタキシヤルウエハの層構成に関し、
　上記（ア）には、「単結晶基板（１）、上記基板（１）上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶率変化層（２）、及び上記層（２）上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層（３）からなるりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシヤルウエハ」と記載され、
　また、上記（イ）には、「・・・第７のＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５エピタキシヤル層を、第６のエピタキシヤル層上に形成した。最終の４０分間は、第７のエピタキシヤル層形成条件に加え、新らたに高純度ＮＨ３ガスを毎分２００ｃｃ導入し、窒素（Ｎ）をアイソ・エレクトロニツク・トラツプとしてドープした第８のＧａＡｓ１−ｘＰｘエピタキシヤル層を第７のエピタキシヤル層上に形成し、エピタキシヤルウエハの全形成工程を終了した。」と記載され、
　さらに、上記（ウ）には、「上記エピタキシヤルウエハにおいては第１から第６のエピタキシヤル層までが混晶率変化層（第１図における層２）であって・・・また、第７及び第８のエピタキシヤル層が混晶率一定層（第１図層３）であって、・・・。」と記載されている。
　これらの記載によれば、刊行物１に記載されたエピタキシヤルウエハは、単結晶基板（１）、上記基板（１）上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶率変化層（２）、及び上記層（２）上に形成されたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層（３）からなり、そのうち混晶率一定層（３）は、第７及び第８のエピタキシヤル層を有し、最終層である第８のエピタキシヤル層は、窒素（Ｎ）をアイソ・エレクトロニツク・トラツプとしてドープした混晶率一定層であることが分かる。
　したがって、刊行物１の「単結晶基板（１）」は、本件発明１の「単結晶基板」に相当し、同様に「りん化ひ化ガリウム混晶率変化層（２）」は、「りん化ひ化ガリウム混晶率変化層」に、「りん化ひ化ガリウム混晶率一定層（３）のうち第７のエピタキシヤル層」は、「りん化ひ化ガリウム混晶率一定層」に、「りん化ひ化ガリウム混晶率一定層（３）のうち窒素（Ｎ）をアイソ・エレクトロニツク・トラツプとしてドープした第８のエピタキシヤル層」は、「窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層」に、また、「りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシヤルウエハ」は、「りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ」に相当することが明らかである。
　ｂ）キャリア濃度について
　上記（エ）には、刊行物１に記載されたエピタキシヤルウエハのキャリア濃度に関し、「又、ｎ型キヤリヤー濃度は、
第１乃至第７のエピタキシヤル層領域で概ね６×１０
１６
ｃｍ
−３
　　
　したがって両者は、
「単結晶基板上にりん化ひ化ガリウム混晶率変化層、りん化ひ化ガリウム混晶率一定層及び窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層を形成したりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハにおいて、上記りん化ひ化ガリウム混晶率変化層及びりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度が６×１０１６であるりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本件発明１の「窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度が、３×１０１５ｃｍ−３以下である」のに対し、刊行物１に記載の窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度は、２．４×１０１６ｃｍ−３であって、両者のキャリア濃度が異なる点。
　　
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物４には、「基板としてＳｉをドープしたｎ型ＧａＰ基板１を用い、この上に気相成長により漸移層であるｎ型ＧａＡｓ１−ｘＰｘ結晶層（０．６５≦ｘ≦１）２、ｎ型ＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５結晶層３およびｐ型の表面層５を持ち窒素原子をドープしたｎ型ＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５結晶層４（Ｎドープド層）を連続して形成し、電極６，７を形成する。１はＮ型ＧａＰ（１００）基板でこの１主面にＡｓの成分０．２５〜０．３５まで漸増して気相成長させた層厚約５０μｍの漸移層（Ｇｒａｄｅｄ　Ｌａｙｅｒ）なるｎ型 ＧａＡｓ１−ｘＰｘ２、さらに前記に積層して気相成長形成された組成比（ｘ）が一定のｎ型 ＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５層３および前記気相成長の途中から発光中心の窒素原子をドープしたｎ型ＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５ ４（Ｎ・ドープド層と略称する )とを形成する。」（上記（チ））点、及び「発光層であるＮドープド層４のキャリア濃度は１〜５×１０１５ｃｍ−３の範囲に限られる。」（上記（ツ））点が記載されている。
　そのうち、「ｎ型ＧａＰ基板１」は、本件発明１の「単結晶基板」に、「漸移層であるｎ型ＧａＡｓ１−ｘＰｘ結晶層（０．６５≦ｘ≦１）２」は、「りん化ひ化ガリウム混晶率変化層」に、「ｎ型ＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５結晶層３」は、「りん化ひ化ガリウム混晶率一定層」に、又「窒素原子をドープしたｎ型ＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５結晶層４（Ｎドープド層）」は、「窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層」に相当するから、これら記載によれば、刊行物４には、本件発明と同様な層構成の「単結晶基板上にりん化ひ化ガリウム混晶率変化層、りん化ひ化ガリウム混晶率一定層及び窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層を形成したりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ」において、窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度を１〜５×１０１５ｃｍ−３の範囲とした点が開示されていると認められる。
　　
　そこで、刊行物１に記載のものの窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度を、刊行物４に記載のものの同キャリア濃度（１〜５×１０１５ｃｍ−３）に基づき、３×１０１５ｃｍ−３以下とすることが容易であるか次に検討する。
　刊行物４には、同キャリア濃度を１〜５×１０１５ｃｍ−３の範囲とした目的ないしは理由が次のように記載されている。
　「本発明は、・・・キャリア注入効率を増加させて素子の発光効率を向上させ、また、発光層の歪みを減少させてその結晶を向上させたことを特徴とする半導体発光素子を提供することを目的としている。」（上記（タ））、
「発光層であるＮドープド層４のキャリア濃度は１〜５×１０１５ｃｍ−３の範囲に限られる。この数値範囲より低いと通過抵抗が増加し、順方向電圧が上昇する。また、余り低いとキャリア濃度のコントロールが十分正確にできないという事情もある。逆にこの数値範囲より高いと発光効率が低下し、所期の目的を達成させることができない。範囲外のキャリア濃度では発光効率が０．２％より大きくならない。」（上記（ツ））。
　上記記載によれば、Ｎドープド層４のキャリア濃度を上記範囲とした趣旨は、発光層の歪みを減少させて結晶性を向上せしめること及び素子の発光効率を向上せしめることにあり、発光素子の技術開発におけるいわば周知の課題を解決しようとするものであるから、この種のりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハであれば、同キャリア濃度を採用するについては、係る課題が積極的動機となりえても、これを阻害する要因とはなりえないから、結局、刊行物１に記載のものの窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度を、刊行物４に記載のものの同キャリア濃度（１〜５×１０１５ｃｍ−３）に基づいて３×１０１５ｃｍ−３以下とすることは、刊行物1及び４の記載に基づき当業者が容易に想到し得たことといえる。
　　
　以上のとおり、本件発明１は、刊行物１及び４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　　
　また、本件発明１の作用効果も、刊行物１及び４に記載された発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　なお、特許権者は平成１７年２月１５日付意見書において、「本件特許発明は、混晶率変化層と混晶率一定層のキャリア濃度を５×１０１６〜５×１０１７ｃｍ−３に厳しく制御し、同時に、Ｎドープ混晶率一定層のキャリア濃度を３×１０１５ｃｍ−３以下に厳しく制御したときに限って、長寿命化と低Ｖｆを同時に達成しうることを初めて明らかにしたものである。・・・このような組み合せによって、初めて長寿命化と低Ｖｆを両立しうることは、長寿命化と低Ｖｆについて全く言及していない刊行物１，２，４から容易に予測できるものではない。」と主張しているが、以下に述べるように特許権者の上記主張には合理的理由がなく、採用し得ないものである。
　本件特許明細書には、混晶率変化層及び混晶率一定層のキャリア濃度を５×１０１６〜５×１０１７ｃｍ−３に選定した理由について、「【００１２】層２から層４までの層のキャリア濃度は、５×１０１６〜５×１０１７ｃｍ−３の範囲とする。キャリア濃度が高すぎると、結晶性が低下し、低すぎるとエピタキシャルウエハの比抵抗が高くなるので、上記範囲が用いられる。」と記載されており、また、係る混晶率変化層及び混晶率一定層のキャリア濃度とＮドープ混晶率一定層のキャリア濃度とを相互に関連づける特段の記載もないから、結局、上記混晶率変化層及び混晶率一定層のキャリア濃度は、Ｎドープ混晶率一定層のキャリア濃度の如何に拘わらず、専ら混晶率変化層及び混晶率一定層の上記要件に基づき、Ｎドープ混晶率一定層のキャリア濃度とは独立して決定されたものというべきである。
　例えば、刊行物１及び２に記載された上記混晶率変化層及び混晶率一定層に相当する「第１乃至第７のエピタキシヤル層領域」及び「２層（２−１〜２−７）及び３層」（上記（キ）〜（コ））のキャリア濃度は、（Ｎドープ混晶率一定層に相当する「窒素（Ｎ）をアイソ・エレクトロニツク・トラツプとしてドープした第８のエピタキシヤル層」及び「４層」（上記（キ）〜（コ））のキャリア濃度が各々「２．４×１０１６ｃｍ−３」と「７．５×１０１５ｃｍ−３」（上記（コ））であって、本件発明のＮドープ混晶率一定層のキャリア濃度と異なるにも拘わらず、）各々「６×１０１６ｃｍ−３」と「約３〜５×１０１７ｃｍ−３及び約３×１０１７ｃｍ−３」（上記（コ））であって、何れも本件発明１の上記混晶率変化層及び混晶率一定層のキャリア濃度範囲内に収まっており、上記の見方を裏付けるものといえる。
　したがって、仮に本件発明１における混晶率変化層及び混晶率一定層のキャリア濃度とＮドープ混晶率一定層のキャリア濃度の組み合せがベストの結果を得たとしても、その結果は、刊行物１，２，及び４の記載からみて十分予測し得る事項であるという外はない。
　また、上記Ｖｆに関して、刊行物４には「発光層であるＮドープド４のキャリア濃度は１〜５×１０１５ｃｍ−３の範囲に限られる。この数値範囲より低いと通過抵抗が増加し、
順方向電圧
　
 （２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１についてさらに「上記窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度が、１×１０１５〜３×１０１５ｃｍ−３である」との限定を付したものである。
　そこで、上記付加事項について検討するに、
　刊行物４には、窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層のキャリア濃度が、１×１０１５〜５×１０１５ｃｍ−３である点が記載されているから、上記４−１−２．（１）で検討したのと同様の理由で、本件発明２は、刊行物１，２及び４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　　
（３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１，２についてさらに「上記単結晶基板がりん化ガリウムである」との限定を付したものである。
　そこで、上記付加事項について検討するに、
　刊行物１，２及び４には、単結晶基板としてＧａＰ基板を用いることが記載されている（上記（イ）、（カ）、（チ））から、上記４−１−２．（１）で検討したのと同様の理由で、本件発明３は、刊行物１，２及び４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　　
（４）本件発明４について
　上記刊行物５には、Ｎドープ混晶率一定層の成膜方法について次のように記載されている。
「さらに連続して混晶比一定のＮ型エピタキシャル層１３を３０分間成長させた後、１００％ＮＨ３ガスを１５０ｃｃ／ｍｉｎ流して窒素ドーピングを１５分間行い、Ｎ型エピタキシャル層における窒素ドープ領域１４を形成した。
　この時点でＨＣｌのみを５ｃｃ／ｍｉｎになるまで減少させて、Ｈ２Ｓガスを停止させた。５分後にＨＣｌを元の流量（１５０ｃｃ／ｍｉｎ）に戻し、Ｈ２で１００ｐｐｍに希釈したジメチル亜鉛[Ｚｎ（ＣＨ３）２]を２０ｃｃ／ｍｉｎ流して混晶比一定のＰ型エピタキシャル層における窒素ドープ領域１５を１５分間成長させ、」
　上記によればｎドーパントであるＨ２Ｓガスの停止は、Ｎ型エピタキシャル層における窒素ドープ領域１４を形成した後になされるのであるから、窒素ドープ領域１４を形成中は、ｎドーパントを流し続けていると解するのが相当である。したがって、りん化ひ化ガリウム混晶率変化層及びりん化ひ化ガリウム混晶率一定層を形成し、ドーパントの供給を停止した後、窒素をドープしたりん化ひ化ガリウム混晶率一定層を成長させる本件発明４とはドーパントの供給停止時期が明らかに異なるから、これを刊行物４に記載のものに適用したところで、本件発明４に想到し得ないことは明白である。
　また、他の刊行物１〜３にもこれに関連する記載は見いだせない。
　　
４−２．取消理由２について
　取消理由２の趣旨は、
『Ｖｆが小さくなることに関しては何ら記載されておらず、段落【００１６】において「Ｖｆは２．０６Ｖで変化はなかった。」と記載するのみであり、この記載のみでは、本件の請求項１に係る特許発明の構成要件（Ｂ）及び（Ｃ）で規定する境界条件のうち、どの条件が功を奏するのか不明である。・・・本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載では、本件特許発明の効果であるＶｆを低くすることという効果を有するりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハを作ることはできず、当業者がその発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載には不備がある』（特許異議申立書２３頁末行から同２４頁下から９行）
というものである。
　なお、上記において構成要件（Ｂ）とは、混晶率変化層及び混晶率一定層のキャリア濃度が５×１０１６〜５×１０１７ｃｍ−３であることを意味し、構成要件（Ｃ）とは、Ｎドープ混晶率一定層のキャリア濃度が３×１０１５ｃｍ−３以下であることを意味する。（特許異議申立書２頁）
　　
　そこで、上記取消理由２が特許法第３６条第４項の規定に違反するものであるのか以下に検討する。
　そもそも特許法第３６条第４項が要請する請求項に係る発明の開示の要件は、その発明の属する技術の分野において研究開発のための通常の技術的手段を用い、当業者が明細書及び図面に記載した事項と技術常識とに基づき、請求項に係る発明を実施することができる程度に、発明の詳細な説明を記載しなければならないという趣旨であるから、請求項に係る発明の構成要件のうち、どの構成要件が当該発明のどの効果に功奏するのか両者の因果関係を明確にすることまで求めるものでないことは明らかである。
　したがって、Ｖｆが小さくなることに関して特許発明の構成要件（Ｂ）及び（Ｃ）で規定する境界条件のうち、どの条件が功を奏するのか明確でないことを以て請求項に係る発明を実施することができないとはいえないから、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定により拒絶査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるから、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく特許法の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、取り消されるべきものである。
　また、請求項４にかかる発明の特許は、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、取り消すことはできない。さらに、他に特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月７日（２００５．７．７）