【事件の表示】
　特願２００９−　９４６４８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２８日出願公開、特開２０１０−２４５４１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯  
　
　本願は、平成２１年４月９日に出願したものであって、平成２４年８月３０日付けの拒絶理由通知に対して同年１０月３０日付けで手続補正がなされ、同年１２月２８日付けの拒絶理由通知（最後）に対して平成２５年３月８日付けで手続補正がなされたが、同年５月３０日付けで補正却下の決定がなされるとともに拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月３日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされ、同年１２月１７日付けの審尋に対し、平成２６年２月２４日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２５年９月３日付けの手続補正についての補正却下の決定  
　
［補正却下の決定の結論］  
　平成２５年９月３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
　
［理由］  
　
１　本件補正  
　
　本件補正は、特許請求の範囲について、本件補正前に、  
「【請求項１】
　複数のパッド電極が配置された表面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップが搭載された第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
　前記半導体チップの前記複数のパッド電極と前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
　前記半導体チップ、前記ダイパッドの一部、前記複数のリードの前記複数のボンディングワイヤがそれぞれ接続された部分、および前記複数のボンディングワイヤを封止する封止体と、を有し、
　前記封止体から前記ダイパッドの前記第２主面は露出し、
　前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、前記第２主面の粗さよりも大きく、かつ、前記複数のリードの前記複数のボンディングワイヤがそれぞれ接続された部分の粗さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記複数のリードの前記複数のボンディングワイヤがそれぞれ接続された部分にはめっきが施されている半導体装置。
　　【請求項３】
　請求項２に記載の半導体装置において、
　前記めっきは、銀を主体とする導体により形成されている半導体装置。
　　【請求項４】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドおよび前記複数のリードのそれぞれは、銅を主体とする導体から形成されている半導体装置。
　　【請求項５】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、算術平均粗さが０．２〜０．５μｍの範囲内である半導体装置。
　　【請求項６】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第２主面の粗さは、算術平均粗さが０．１μｍ以下である半導体装置。
　　【請求項７】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第１主面の一部は、前記封止体と接触している半導体装置。
　　【請求項８】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第１主面の前記半導体チップが搭載されていない部分は、前記封止体と接触している半導体装置。
　　【請求項９】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドに連結された吊りリードを有し、
　前記吊りリードの前記封止体で封止された部分の粗さは、前記ダイパッドの前記第１主面の粗さよりも小さい半導体装置。
　　【請求項１０】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第１主面の前記封止体と接触している部分の面積は、前記半導体チップが前記封止体と接触している部分の面積よりも大きい半導体装置。
　　【請求項１１】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記半導体チップは、ダイボンディング材を介して前記ダイパッドの前記第１主面上に搭載されている半導体装置。
　　【請求項１２】
　請求項１１に記載の半導体装置において、
　前記ダイボンディング材は、導電性の接着材である半導体装置。
　　【請求項１３】
　請求項１１に記載の半導体装置において、
　前記ダイボンディング材は、半田材である半導体装置。
　　【請求項１４】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記複数のリードの前記封止体から露出した部分の粗さは、前記ダイパッドの前記第１主面の粗さよりも小さい半導体装置。
　　【請求項１５】
　複数のパッド電極が配置された表面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップが搭載された第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に配置され、インナーリード部とアウターリード部とを有する複数のリードと、
　前記半導体チップの前記複数のパッド電極と前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
　前記半導体チップ、前記ダイパッドの一部、前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部、および前記複数のボンディングワイヤを封止する封止体と、を有し、
　前記封止体から前記ダイパッドの前記第２主面は露出し、
　前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、前記第２主面の粗さよりも大きく、かつ、前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部の粗さよりも大きい半導体装置。
　　【請求項１６】
　請求項１５に記載の半導体装置において、
　前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部の前記複数のボンディングワイヤがそれぞれ接続された部分にはめっきが施されている半導体装置。
　　【請求項１７】
　請求項１６に記載の半導体装置において、
　前記めっきは、銀を主体とする導体により形成されている半導体装置。」  
とあったところを、  
　  
「【請求項１】
　複数のパッド電極が配置された表面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップが搭載された第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に配置され、それぞれにインナーリード部とアウターリード部とを有する複数のリードと、
　前記半導体チップの前記複数のパッド電極と前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
　前記半導体チップ、前記ダイパッドの前記第１主面、前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部、および前記複数のボンディングワイヤを封止する封止体と、を有し、
　前記ダイパッドの前記第２主面および前記複数のリードのそれぞれの前記アウターリー部は前記封止体から露出し、
　前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部の表面において、前記複数のボンディングワイヤのそれぞれが接続された部分にはめっきが施され、
　前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、前記第２主面の粗さ、前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部の前記表面の粗さ、および前記アウターリード部の表面の粗さよりも大きく、
　前記複数のリードのそれぞれの前記アウターリード部は折り曲げ成形されていることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記めっきは、銀を主体とする導体により形成されている半導体装置。
　　【請求項３】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドおよび前記複数のリードのそれぞれは、銅を主体とする導体から形成されている半導体装置。
　　【請求項４】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、算術平均粗さが０．２〜０．５μｍの範囲内である半導体装置。
　　【請求項５】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第２主面の粗さは、算術平均粗さが０．１μｍ以下である半導体装置。
　　【請求項６】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第１主面の一部は、前記封止体と接触している半導体装置。
　　【請求項７】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第１主面の前記半導体チップが搭載されていない部分は、前記封止体と接触している半導体装置。
　　【請求項８】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドに連結された吊りリードを有し、
　前記吊りリードの前記封止体で封止された部分の粗さは、前記ダイパッドの前記第１主面の粗さよりも小さい半導体装置。
　　【請求項９】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記ダイパッドの前記第１主面の前記封止体と接触している部分の面積は、前記半導体チップが前記封止体と接触している部分の面積よりも大きい半導体装置。
　　【請求項１０】
　請求項１に記載の半導体装置において、
　前記半導体チップは、ダイボンディング材を介して前記ダイパッドの前記第１主面上に搭載されている半導体装置。
　　【請求項１１】
　請求項１０に記載の半導体装置において、
　前記ダイボンディング材は、導電性の接着材である半導体装置。
　　【請求項１２】
　請求項１０に記載の半導体装置において、
　前記ダイボンディング材は、半田材である半導体装置。」  
とするものである。  
　
　本件補正について検討するに、  
　
　本件補正は、本件補正前の請求項１の「複数のリード」について、「それぞれにインナーリード部とアウターリード部とを有する複数のリード」と限定し、ボンディングワイヤが電気的に接続される「複数のリード」について「複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部」と限定し、封止する対象について、「ダイパッドの一部」を「前記ダイパッドの前記第１主面」と限定し、また、「前記複数のリードの前記複数のボンディングワイヤがそれぞれ接続された部分」について、「前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部」とし、「インナーリード部」について「前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部の表面において、前記複数のボンディングワイヤのそれぞれが接続された部分にはめっきが施され、」と限定し、「前記封止体から前記ダイパッドの前記第２主面は露出し、」との事項を「前記ダイパッドの前記第２主面および前記複数のリードのそれぞれの前記アウターリー部は前記封止体から露出し、」と限定し、「前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、前記第２主面の粗さよりも大きく、かつ、前記複数のリードの前記複数のボンディングワイヤがそれぞれ接続された部分の粗さよりも大きい」との事項を、「前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、前記第２主面の粗さ、前記複数のリードのそれぞれの前記インナーリード部の前記表面の粗さ、および前記アウターリード部の表面の粗さよりも大きく、」と限定し、複数のリードについて、「前記複数のリードのそれぞれの前記アウターリード部は折り曲げ成形されている」と限定するものである。
　
　また、本件補正は、請求項２、請求項１４ないし請求項１７を削除して、その余の請求項の項番号及び引用する請求項の項番号を整理したものであり、また、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものである。
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に該当するとともに、請求項の削除、及び本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除、及び同第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）について以下に検討する。  
　
　
２　引用例及びその記載事項  
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００６−１４０２６５号公報（平成１８年６月１日公開、以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。　  
　
ａ　「【００４７】
（第１実施形態）
  図１は、本発明の第１実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する半導体装置１００の概略構成を示す図である。
なお、図１および以下の実施形態に示される各図において、
粗化処理部１０ａは太線にて示してある。
【００４８】
  ［構成等］
  
図１に示される半導体装置１００は、
素子搭載部１１とリード部１２とを有するリードフレーム１０と、
半導体素子３０と、リード部１２の外部接続面１２ａが露出するようにリードフレーム１０および半導体素子３０を封止するモールド樹脂５０とを備えている。
【００４９】
  リードフレーム１０においては、素子搭載部１０とリード部１２とが分離形成されている。このリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、１枚のリードフレーム１０からプレスやエッチング加工によって素子搭載部１１とリード部１２とが分離されている。
【００５０】
  また、リード部１２は、素子搭載部１１の周囲に配置されている。通常は、
リード部１２は、素子搭載部１１の周囲に複数本設けられ、素子搭載部１１からその外方へ向かって延びる形状をなすものである。
【００５１】
  また、
素子搭載部１１の上面には、
半導体素子３０が搭載され
ている。
【００５２】
  
この半導体素子３０は、
半導体プロセスにより形成されたＩＣチップなどである。
【００５３】
  
そして、図１に示されるように、半導体素子３０の上面と各リード部１２の上面とは、ボンディングワイヤ４０を介して結線され電気的に接続されている。
【００５４】
  
そして、リードフレーム１０（素子搭載部１１およびリード部１２）、半導体素子３０およびボンディングワイヤ４０が、モールド樹脂５０により包み込まれるように封止されている。
【００５５】
  ここで、図１に示されるように、ＱＦＮパッケージとしての本半導体装置１００においては、リード部１２は、ＳＯＰパッケージやＱＦＰパッケージのようなモールド樹脂５０の側面から突出するアウターリードは無い構成となっており、リード部１２の下面１２ａが外部接続面１２ａとしてモールド樹脂５０の下面から露出している。　
【００５６】
  
さらに、図１に示されるように、本半導体装置１００においては、素子搭載部１１の下面もモールド樹脂５０から露出している。
【００５７】
  このような半導体装置１００において、リードフレーム１０の表面のうちモールド樹脂５０の内部に位置する部位は、樹脂との密着性を高めるための粗化処理が施されて粗化処理部１０ａとなっており、リード部１２の外部接続面１２ａには、粗化処理が施されていない独自の構成を有している。　
【００５８】
  
ここで、本実施形態の半導体装置１００では、素子搭載部１１の下面もモールド樹脂５０から露出しており、この素子搭載部１１の下面にも、粗化処理が施されていないものとしている。
　
ｂ「【００９８】
  ［変形例］
  次に、本実施形態の種々の変形例を示す。
図５〜図１１は本実施形態の第１〜第７の変形例を示す概略断面図である。
　
ｃ「【０１０５】
  
図６に示される第２の変形例は、
素子搭載部１１の上面のみに粗化処理を実施している。
　
ｄ「【０１３３】
  
また、本発明は、
リード部が、モールド樹脂の側面から突出しているアウターリードを有するものでもよい。
　
ｅ　図１、図６について
（ａ）図１には、半導体素子３０の上面の各一部分に複数のボンディングが接続されていることが示されている。
（ｂ）図１には、素子搭載部１１は、半導体素子３０が搭載された上面と、上面とは反対側の下面とを有することが示されている。
（ｃ）図１には、複数のボンディングワイヤ４０で接続される部分は、半導体素子３０の上面の各一部分と、各リード部１２の上面の一部分であることが示されている。
（ｄ）図１には、素子搭載部１１の上面がモールド樹脂５０により封止されていることが示されている。
（ｅ）上記ｃの「【０１０５】図６に示される第２の変形例は、‥‥‥素子搭載部１１の上面のみに粗化処理を施している。」との記載、及び上記ａの「【００４７】（第１実施形態）‥‥‥なお、図１および以下の実施形態に示される各図において、‥‥‥粗化処理部１０ａは太線にて示してある。」との記載から、図６の太線は、粗化処理部１０ａが施される部分で有り、細線は、粗化処理が施されない部分であるということがいえる。
　したがって、図６には、各リード部１２のモールド樹脂５０から露出している部分、及び、モールド樹脂５０により封止される各リード部１２の表面部分も粗化処理を施さないことが示されている。
　
　
ア　上記ａの「【００４８】［構成等］図１に示される半導体装置１００は、‥‥‥素子搭載部１１とリード部１２とを有するリードフレーム１０と、‥‥‥半導体素子３０と、‥‥‥リードフレーム１０および半導体素子３０を封止するモールド樹脂５０とを備えている。」との記載から、引用例には、「素子搭載部、リード部、半導体素子、及びモールド樹脂とを備える、半導体装置」が記載されているということができる。
　
イ　上記ａの「【００５２】この半導体素子３０は、‥‥‥半導体プロセスにより形成されたＩＣチップなどである。【００５３】そして、図１に示されるように、半導体素子３０の上面と各リード部１２の上面とは、ボンディングワイヤ４０を介して結線され電気的に接続されている。‥‥‥」との記載、及び図１には、半導体素子３０の上面の各一部分にボンディングワイヤが接続されていることが示されている（上記ｅ（ａ））ことから、引用例には、「半導体素子の上面の各一部分には、ボンディングワイヤが電気的に接続された、半導体プロセスにより形成されたＩＣチップである半導体素子」が記載されているということができる。
　
ウ　上記ａの「【００５１】‥‥‥素子搭載部１１の上面には、‥‥‥半導体素子３０が搭載され‥‥‥ている。」との記載、及び図１には、素子搭載部１１は、半導体素子３０が搭載された上面と、上面とは反対側の下面とを有することが示されている（上記ｅ（ｂ））ことから、引用例には、「半導体素子が搭載された上面と、上面とは反対側の下面とを有する素子搭載部」が記載されているということができる。
　
エ　上記ａの「【００５０】‥‥‥リード部１２は、素子搭載部１１の周囲に複数本設けられ、素子搭載部１１からその外方へ向かって延びる形状をなすものである。」との記載から、引用例には、「素子搭載部の周囲に複数本設けられるリード部」が記載されているということができる。
　
オ　上記ａの「【００５３】そして、図１に示されるように、半導体素子３０の上面と各リード部１２の上面とは、ボンディングワイヤ４０を介して結線され電気的に接続されている。‥‥‥」との記載、及び図１には、複数のボンディングワイヤ４０で接続される部分は、半導体素子３０の上面の各一部分と、各リード部１２の上面の一部分であることが示されている（上記ｅ（ｃ））から、引用例には、「半導体素子の上面の各一部分と各リード部の上面の一部分とを電気的に接続する、複数のボンディングワイヤ」が記載されているということができる。
　
カ　上記ａの「【００４８】［構成等］ 図１に示される半導体装置１００は、‥‥‥リードフレーム１０および半導体素子３０を封止するモールド樹脂５０とを備えている。‥‥‥【００５４】そして、リードフレーム１０（素子搭載部１１およびリード部１２）、半導体素子３０およびボンディングワイヤ４０が、モールド樹脂５０により包み込まれるように封止されている。‥‥‥」との記載、及び図１の素子搭載部１１の上面はモールド樹脂５０により封止されていることが示されていることから（上記ｅ（ｄ））、引用例には、「素子搭載部の上面、リード部、半導体素子、及び ボンディングワイヤを封止するモールド樹脂」が記載されているということができる。
　
キ　上記ａの「【００５６】さらに、図１に示されるように、本半導体装置１００においては、素子搭載部１１の下面もモールド樹脂５０から露出している。‥‥‥」との記載から、引用例には「素子搭載部の下面は、モールド樹脂から露出している」ことが記載されているということができる。
　
ク　上記ａの「【００５８】ここで、本実施形態の半導体装置１００では、素子搭載部１１の下面もモールド樹脂５０から露出しており、この素子搭載部１１の下面にも、粗化処理が施されていないものとしている。」との記載、上記ｂの「【００９８】［変形例］‥‥‥ 図５〜図１１は本実施形態の第１〜第７の変形例を示す概略断面図である。」との記載、及び上記ｃの「【０１０５】図６に示される第２の変形例は、‥‥‥素子搭載部１１の上面のみに粗化処理を実施している。」との記載から、引用例には、「素子搭載部１１の上面のみに粗化処理を実施し、素子搭載部１１の下面には粗化処理を施さない」ことが記載されている。
　ここで、図６に示される、本実施形態の第２の変形例に着目すると、図６には、各リード部１２の表面には粗化処理を施さないことが示されている（上記ｅ（ｅ））から、引用例には、「素子搭載部の上面のみに粗化処理を実施し、素子搭載部の下面、各リード部の表面には粗化処理を施さない」ことが記載されているということができる。
　
　したがって、上記引用例に記載された事項、図面の記載、及び上記アないしクを総合すると、引用例には、次の事項が記載されている（以下、引用発明という。）。 
　
「素子搭載部、リード部、半導体素子、及びモールド樹脂とを備える、半導体装置であって、 
　半導体素子の上面の各一部分には、ボンディングワイヤが電気的に接続された、半導体プロセスにより形成されたＩＣチップである半導体素子と、
　半導体素子が搭載された上面と、上面とは反対側の下面とを有する素子搭載部と、
　素子搭載部の周囲に複数本設けられるリード部と、
  半導体素子の上面の各一部分と各リード部の上面の一部分とを電気的に接続する、複数のボンディングワイヤと、
  素子搭載部の上面、リード部、半導体素子、及び ボンディングワイヤを封止するモールド樹脂と、
  素子搭載部の下面は、モールド樹脂から露出し、
　素子搭載部の上面のみに粗化処理を実施し、素子搭載部の下面、各リード部の表面には粗化処理を施さない、
  半導体装置。」
　
　
３　対比  
　
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明は、「半導体素子の上面の各一部分には、ボンディングワイヤが電気的に接続された、半導体プロセスにより形成されたＩＣチップである半導体素子」であって、「半導体プロセスにより形成されたＩＣチップである半導体素子」は、本願補正発明の「半導体チップ」に相当し、引用発明の「半導体素子の上面」は、本願補正発明の「表面」に相当するから、引用発明の「半導体素子」と本願補正発明とは、「表面を有する半導体チップ」である点で共通する。
　
（２）引用発明の「半導体素子が搭載された上面と、上面とは反対側の下面とを有する素子搭載部」は、「素子搭載部」、「上面」、「下面」が、それぞれ本願補正発明の「ダイパッド」、「第１主面」、「第２主面」に相当するから、本願補正発明の「前記半導体チップが搭載された第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有するダイパッド」に相当する。
　
（３）引用発明の「素子搭載部の周囲に複数本設けられるリード部」は、素子搭載部の周囲に配置されているといえるから、本願補正発明と、「前記ダイパッドの周囲に配置される、複数のリード」である点で共通する。
　
（４）引用発明の「半導体素子の上面の各一部分と各リード部の上面の一部分とを電気的に接続する、複数のボンディングワイヤ」において、リード部が複数あることは明らかであるから、引用発明の「ボンディングワイヤ」と本願補正発明とは、「前記半導体チップと前記複数のリードとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ」である点で共通する。
　
（５）引用発明の「素子搭載部の上面、リード部、半導体素子、及び ボンディングワイヤを封止するモールド樹脂」において、「上面」、「モールド樹脂」は、それぞれ本願補正発明の「第１主面」（上記(２)）、「封止体」に相当するから、引用発明の「モールド樹脂」と本願補正発明とは、「前記半導体チップ、前記ダイパッドの前記第１主面、前記複数のリード、および前記複数のボンディングワイヤを封止する封止体」である点で共通する。
　
（６）引用発明の「下面」は本願補正発明の「第２主面」に相当する（上記(２)）から、引用発明の「素子搭載部の下面は、モールド樹脂から露出」することは、本願補正発明の「前記ダイパッドの前記第２主面は前記封止体から露出」することに相当する。
　
（７）引用発明は、「半導体素子の上面の各一部分と各リード部の上面の一部分とを電気的に接続する、複数のボンディングワイヤ」であって、「各リード部の上面の一部分」は、複数のリード部のそれぞれの上面の一部分であって、この上面の一部分において、ボンディングワイヤがそれぞれ接続されるものといえるから、引用発明と本願補正発明とは「前記複数のリードのそれぞれの表面において、前記複数のボンディングワイヤのそれぞれが接続された部分」を有する点で共通する。　
　
（８）引用発明は、「素子搭載部の上面のみに粗化処理を実施し、素子搭載部の下面、各リード部の表面には粗化処理を施さない」ものであり、粗さに注目すれば、素子搭載部の上面の粗さが、素子搭載部の下面、各リード部の表面の粗さよりも大きいと捉えることができる。
　したがって、引用発明と本願補正発明とは、「前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、前記第２主面の粗さ、前記複数のリードの表面の粗さよりも大き」い点で共通する。
　
　すると、本願補正発明と引用発明とは、次の＜一致点＞及び＜相違点＞を有する。  
　
＜一致点＞  
「表面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップが搭載された第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に配置される、複数のリードと、
　前記半導体チップと前記複数のリードとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
　前記半導体チップ、前記ダイパッドの前記第１主面、前記複数のリード、および前記複数のボンディングワイヤを封止する封止体と、を有し、
　前記ダイパッドの前記第２主面は前記封止体から露出し、
　前記複数のリードのそれぞれの表面において、前記複数のボンディングワイヤのそれぞれが接続された部分を有し、
　前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、前記第２主面の粗さ、前記複数のリードの表面の粗さよりも大きい、
　半導体装置。」
　
＜相違点＞  
　
  ＜相違点＞（ア）  
　半導体チップの表面について、本願補正発明が、「複数のパッド電極が配置された」ものであるのに対し、引用発明は、このような特定がない点。
　
　＜相違点＞（イ） 
　リードについて、本願補正発明は、「それぞれにインナーリード部とアウターリード部とを有する」のに対し、引用発明はこのような特定がない点。
　
　＜相違点＞（ウ）
　本願補正発明は、前記半導体チップの「前記複数のパッド電極」と前記複数のリードの「それぞれの前記インナーリード部」とを電気的に接続するのに対し、引用発明は、半導体素子の「上面の各一部分」と各リード部の「上面の一部分」とを電気的に接続するものの、半導体素子の「パッド電極」と「インナーリード部」とを電気的に接続することについて特定がない点。
　
　＜相違点＞（エ）
　本願補正発明は、リードの「それぞれの前記インナーリード部」を封止するのに対し、引用発明は、インナーリード部を封止することについて特定がない点。
　
　＜相違点＞（オ）
　アウターリード部について、本願補正発明は、「前記複数のリードのそれぞれの前記アウターリード部」は前記封止体から露出するのに対し、引用発明は、このような特定がない点。
　
　＜相違点＞（カ）
　本願補正発明が、前記複数のリードのそれぞれの「前記インナーリード部」の表面において、前記複数のボンディングワイヤのそれぞれが接続された部分には「めっきが施され」るのに対し、引用発明は、インナーリード部の表面において、めっきが施されることについて特定がない点。
　
　＜相違点＞（キ）
　前記ダイパッドの前記第１主面の粗さについて、本願補正発明は、前記複数のリードの「それぞれの前記インナーリード部の前記表面の粗さ、および前記アウターリード部の」表面の粗さよりも大きいのに対し、引用発明は、各リード部の表面には粗化処理を施さないものの、インナーリード部の表面の粗さ、およびアウターリード部の表面の粗さよりも大きいとの特定がない点。
　
　＜相違点＞（ク）
　本願補正発明は、「前記複数のリードのそれぞれの前記アウターリード部は折り曲げ成形されている」のに対し、引用発明は、このような特定がない点。
　
４　判断  
　  
＜相違点＞（ア）について  
　半導体チップに複数のパッド電極を配置することは周知慣用技術であるから（例えば、下記周知例１（第６図、第７図、ＩＣチップ２、電極パッド２ａ乃至２ｆ、ボンディンワイヤ３乃至８）、下記周知例２（図８、段落【０００５】（ワイヤボンディング４により半導体チップ３のパッド部とインナーリード１ｃとを結線する点。））、引用発明に前記周知慣用技術を用いて、半導体素子に複数のパッド電極を配置することは、当業者が適宜なし得る事項である。
　
　よって、本願補正発明の＜相違点＞（ア）に係る構成のようにすることは格別なことではない。
　
＜相違点＞（イ）（エ）（オ）について  
　
　本願補正発明は「インナーリード部」と「アウターリード部」を有するものであって（＜相違点＞（イ））、「インナーリード部」を封止し（＜相違点＞（エ））、「アウターリード部」を封止体から露出するものである（＜相違点＞（オ））といえるところ、本願明細書には「【００３６】‥‥‥複数のリード部ＬＤ１のうち、絶縁性樹脂ＩＲ１に覆われた部分をインナーリード部ＩＬ１という。‥‥‥複数のリード部ＬＤ１のうち、絶縁性樹脂ＩＲ１の外部に露出している部分をアウターリード部ＯＬ１という。」と記載されていることから、「インナーリード部」と「アウターリード部」は、それぞれ、リード部のうち「絶縁性樹脂に覆われた部分」、「絶縁性樹脂の外部に露出している部分」をいうものである。
　したがって、リード部のうち「インナーリード部」を封止し、「アウターリード部」を封止体から露出することは、「インナーリード部」及び「アウターリード部」ということができる。
　
　これを踏まえて検討すると、引用例には、引用発明の他の形態として、上記２（１）ｄに「【０１３３】 また、本発明は、‥‥‥リード部が、モールド樹脂の側面から突出しているアウターリードを有するものでもよい。」と記載されており、リード部がアウターリードを有するものでもよいことが示され、また、モールド樹脂の側面から突出しているアウターリードを有することから、リード部には、モールド樹脂に覆われた部分、すなわち、インナーリードがあることは明らかである。
　したがって、引用発明において、「それぞれにインナーリード部とアウターリード部とを有する」（＜相違点＞（イ））ようにすることに格別の困難性はなく、したがって、リードの「それぞれの前記インナーリード部」を封止し（＜相違点＞（エ））、「前記複数のリードのそれぞれの前記アウターリード部」を前記封止体から露出させる（＜相違点＞（オ））ことも困難性を有しない。
　
　また、一般に、「インナーリード部」と「アウターリード部」を有するリード部は、周知慣用技術であるから（例えば、下記周知例２（図１、リード１ａ）、下記周知例３（図１，リードフレーム４０）、下記周知例４（第２図、第４図、アウターリード部３、インナーリード部５）、下記周知例５（第１図、インナーリード部４））、この点からも格別の困難性を有しない。
　
　よって、本願補正発明の＜相違点＞（イ）（エ）（オ）に係る構成のようにすることは格別なことではない。　
　
　＜相違点＞（ウ）について
　引用発明のリード部において、「インナーリード部」と「アウターリード部」を有することに格別の困難性を有しない（上記＜相違点＞（イ）（エ）（オ）について　参照）。
　そして、引用発明も、「ボンディングワイヤを封止する」ものであって、リードとボンディングワイヤの電気的接続を封止体中で行うことは明らかであり、また、半導体チップのパッド電極と、インナーリードとを電気的に接続することは周知であるから（例えば、下記周知例１（第６図、第７図、ＩＣチップ２、電極パッド２ａ乃至２ｆ、ボンディンワイヤ３乃至８）、下記周知例２（図８、段落【０００５】（ワイヤボンディング４により半導体チップ３のパッド部と銀メッキ処理されたインナーリード１ｃとを結線する点。））、半導体チップの「前記複数のパッド電極」と前記複数のリードの「それぞれの前記インナーリード部」とを電気的に接続することは、当業者が適宜なし得る事項である。
　
　よって、本願補正発明の＜相違点＞（ウ）に係る構成のようにすることは格別なことではない。　
　
　＜相違点＞（カ）について
　一般に、インナーリード部の表面において、ボンディングワイヤのそれぞれが接続された部分にめっきを施すことは周知慣用技術である（例えば、下記周知例２（図８、段落【０００５】（ワイヤボンディング４により半導体チップ３のパッド部と銀メッキ処理されたインナーリード１ｃとを結線する点。））、下記周知例４（第２図、第４図、アウターリード部３、Ａｇメッキ層１２、Ａｕワイヤ１５）、下記周知例５（第１図、インナーリード部４、金細線８、銅メッキ層１３））。
　
　よって、本願補正発明の＜相違点＞（カ）に係る構成のようにすることは格別なことではない。
　
＜相違点＞（キ）について
　引用発明は「素子搭載部の上面のみに粗化処理を実施し、素子搭載部の下面、各リード部の表面には粗化処理を施さない」ものであって、リード部の表面に粗化処理を施さない以上、リード部を構成するインナーリード部およびアウターリード部の表面についても粗化処理を施さないようにすることは当業者が適宜なし得る事項である。
　そして、この場合、素子搭載部の上面の粗さが、リード部である、インナーリード部の表面の粗さ、およびアウターリード部の表面の粗さよりも大きくなることは明らかである。
　
　よって、本願補正発明の＜相違点＞（キ）に係る構成のようにすることは格別なことではない。
　
＜相違点＞（ク）について
　リードのアウターリード部を折り曲げ成形することは、周知技術である（例えば、下記周知例２（段落【０００７】（「‥‥‥リード１ａを所望の形態に折り曲げて（フォーミング工程）、‥‥‥」）、図１、リード１ａ、図１０（ｆ）（なお、図１によれば、折り曲げる部分が、アウターリード部に相当することは明らかである。））、下記周知例５（２頁左上欄４〜９行「このモールド樹脂９より外部へ延在するリードフレーム１はそのタイバー等を切断するとともに‥‥‥外部リード１１を形成して完成される。」、第３図、第４図、インナーリード部４、金細線８、銅メッキ層１３（なお、外部リード１１は、アウターリード部に相当し、第３図、第４図を参酌すれば、折り曲げ成形されることは明らかである。））
　
　よって、本願補正発明の＜相違点＞（ク）に係る構成のようにすることは格別なことではない。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願補正発明が奏する効果は、引用発明及び周知技術から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。  
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　記  
周知例１　国際公開第９９／０３４４４４号
周知例２　特開２０００−６８３０３号公報（原審の平成２４年１２月２８日付け拒絶理由通知で引用。）
周知例３　特開２００６−２４５４７８号公報（当審の平成２５年１２月１７日付け審尋において援用した平成２５年１１月２６日付け前置報告で引用。）
周知例４　特開平２−２２２５６７号公報
周知例５　特開昭６２−２８７６５７号公報
　
　
５　本件補正についてのむすび  
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　  
　  
第３　本願発明について  
　  
１　本願発明  
　  
　平成２５年９月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１　」の本件補正前の「請求項１」として記載したとおりのものである。  
　  
２　引用例  
　  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２［理由］２　引用例及びその記載事項」に記載したとおりである。  
　  
３　対比・判断  
　  
　本願発明は、上記「第２」で検討した本願補正発明の特定事項から、当該本件補正に係る限定を削除したものである。 
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、更に他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　［理由］　４　判断」に示したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　  
４　むすび  
　  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。