【手続補正書】
【提出日】平成27年6月2日(2015.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミクロ電子工学デバイスを基材に結合するための方法であって、以下：
第１の表面を含む基材を提供すること、ここで前記第１の表面は、複数の第１の金属バンプを含む；
活性表面を含むミクロ電子工学デバイスを提供すること；ここでそのような活性表面は、複数の第２の金属バンプを含み；複数の第１の金属バンプおよび複数の第２の金属バンプの少なくとも１つは、はんだを含む；
はんだの上に重ねてポリマー組成物を配置すること、ここで前記ポリマー組成物は、犠牲ポリマーおよび熱活性化塩基発生剤を含み、前記熱活性化塩基発生剤は：
【化１】
2014525835.tif 000001
から選択される；
ミクロ電子工学デバイスを、基材に、第１の複数の金属バンプのそれぞれが第２の複数の金属バンプに位置合わせされるように提供すること；ここで、該ポリマー組成物はそのような位置合わせを維持する；
第１の複数の金属バンプおよび第２の複数のバンプを、ミクロ電子工学デバイスと基材が電気的および固定的に結合するように、はんだを融解するのに十分な第１の温度に加熱すること；ここでポリマー組成物はフラックス作用を提供する；および、
ポリマー組成物を、犠牲ポリマーの熱分解を引き起こすのに十分な第２の温度に加熱する、
を含む前記方法。
【請求項２】
はんだの上に重ねて配置されるポリマー組成物の犠牲ポリマーが、ポリプロピレンカーボネートと、エンド−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エンド−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−５−フェニル−エキソ−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−５−フェニル−エンド−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール、ノルボルナンスピロカーボネート、およびフェニルノルボルナンスピロカーボネートの１以上から誘導される反復単位を含むポリカーボネートポリマーとから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の表面が基材の表面を含み、活性表面が半導体チップの表面を含み、第１の金属バンプがはんだを含み、第２の金属バンプが銅を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
熱活性化塩基発生剤が式ＩＶ：
【化２】
2014525835.tif 000002
により表され、犠牲ポリマーがポリプロピレンカーボネートである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
犠牲ポリマーが、エンド−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エンド−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−５−フェニル−エキソ−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−５−フェニル−エンド−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール、ノルボルナンスピロカーボネート、およびフェニルノルボルナンスピロカーボネートの１以上から誘導される反復単位を含むポリカーボネートポリマーから選択される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
２０００〜２５０，０００ダルトンの重量平均分子量を有するポリプロピレンカーボネートポリマーまたはポリノルボルナンジオールカーボネートポリマーから選択される；
式ＩＶ：
【化３】
2014525835.tif 000003
により表される熱活性化塩基発生剤；および
アニソールまたはγ−ブチロラクトンから選択される溶媒；
を含有する犠牲ポリマー組成物。
【請求項７】
溶媒がγ−ブチロラクトンである、請求項６に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項８】
熱活性化塩基発生剤の配合量が、数値を含めてポリマー１００部あたり０．５部〜ポリマー１００部あたり８部である、請求項６または７に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項９】
組成物全重量に基づいて３〜５重量％のギ酸をさらに含有する、請求項６〜８のいずれか１項に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１０】
エンド−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エンド−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−５−フェニル−エキソ−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−５−フェニル−エンド−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール、ノルボルナンスピロカーボネート、およびフェニルノルボルナンスピロカーボネートの１以上から誘導される反復単位を含むポリカーボネートポリマーをさらに含有する、請求項６〜９のいずれか１項に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１１】
熱活性化塩基発生剤が、さらにＥｔ４ＮＯＡｃ・４Ｈ２Ｏを含有する、請求項６に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１２】
ポリブチレンカーボネートポリマー、ポリシクロヘキシレンカーボネートポリマー、および式Ａ、ＢまたはＣ：
【化４】
2014525835.tif 000004
［式中、ｎは、独立して、０、１または２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のそれぞれは、独立して、水素か、または１〜２５の炭素原子を含有するヒドロカルビル基から選択され、Ｒ５およびＲ６のそれぞれは、独立して−（ＣＨ２）ｐ−ＯＨ［式中、ｐは、０、１、２または３である］から選択され、そして、ＸおよびＸ’のそれぞれは、独立して、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−および−Ｏ−から選択され、ここで、Ｘ’のそれぞれは、存在する場合、Ｘの配向と同じまたは反対に配向しする］
のモノマーから誘導されるノルボルンナンジオールカーボネートポリマーから選択されるポリカーボネート；または２０００〜２５０，０００ダルトンの重量平均分子量を有する前記カーボネートポリマーのブレンド；
以下：
【化５】
2014525835.tif 000005
から選択される熱活性化塩基発生剤；および
アニソールまたはγ−ブチロラクトンから選択される溶媒；
を含有する犠牲ポリマー組成物。
【請求項１３】
ｐが１、２または３である、請求項１２に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１４】
Ｒ５におけるｐとＲ６におけるｐの合計が１または３のいずれかである、請求項１２または１３に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１５】
ポリカーボネートが、式Ａ１、Ｂ１、およびＣ１：
【化６】
2014525835.tif 000006
［式中、Ｒ４は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、またはアラルキル基から選択される］
のモノマーから誘導されるノルボルナンジオールカーボネートポリマーである、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１６】
溶媒がγ−ブチロラクトンである、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１７】
熱活性化塩基発生剤が式ＩＶ：
【化７】
2014525835.tif 000007
により表される、請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１８】
熱活性化塩基発生剤の配合量が、数値を含めてポリマー１００部あたり０．５部〜ポリマー１００部あたり８部である、請求項１２〜１７のいずれか１項に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項１９】
組成物全重量に基づいて３〜５重量％のギ酸をさらに含有する、請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項２０】
ノルボルナンカーボネートポリマーが、エンド−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エンド−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、エキソ−５−フェニル−エキソ−エキソ−２，３−ノルボルナンジメタノール、およびエキソ−５−フェニル−エンド−エンド−２，３−ノルボルナンジメタノールから選択されるの１以上のモノマーから誘導される、請求項１２に記載の犠牲ポリマー組成物。
【請求項２１】
熱活性化塩基発生剤が、さらにＥｔ４Ｎ ＯＡｃ・４Ｈ２Ｏを含有する、請求項１２〜２０のいずれか１項に記載の犠牲ポリマー組成物。