【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を支えるように定められた基板サポートと、
前記処理チャンバから切り離して定められたプラズマチャンバであって、プラズマを発生させるように定められたプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバを前記処理チャンバに流体接続する複数の流体伝送経路であって、前記プラズマの反応成分を前記プラズマチャンバから前記処理チャンバに供給するように定められた複数の流体伝送経路と、
電子ビームを発生させ、前記処理チャンバ内を通って前記基板サポートの上方を横断するように電子ビームを伝送するように定められた電子ビーム源と、
を備える半導体基板処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記基板を支えるように定められた前記基板サポートの表面に実質的に平行な軌道に沿って前記電子ビームを伝送するように定められる、半導体基板処理システム。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記処理チャンバ内を通って前記基板サポートの上方を一共通方向に横断するように、空間的に分離された複数の電子ビームを伝送するように定められる、半導体基板処理システム。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記処理チャンバ内を通って前記基板サポートの上方をそれぞれの複数の方向に横断するように、空間的に分離された複数の電子ビームを伝送するように定められる、半導体基板処理システム。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記空間的に分離された複数の電子ビームを順次伝送するように定められる、半導体基板処理システム。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に位置決めされた複数の伝導性グリッドであって、制御された電圧レベルが前記複数の伝導性グリッドのそれぞれに独立制御方式で印加されるように電力供給部に電気的に接続された複数の伝導性グリッドを備える半導体基板処理システム。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に位置決めされた中空陰極として定められ、前記中空陰極は、前記基板サポートよりも上の前記処理チャンバの一領域の方を向くように方向付けられ、
前記複数の伝導性グリッドのうちの所定の１つは、前記中空陰極からの電子の抽出を促すために、前記中空陰極の出口と、前記基板サポートよりも上の前記処理チャンバの前記領域との間に配される、半導体基板処理システム。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体基板処理システムであって、
前記複数の伝導性グリッドのうちの別の１つは、前記中空陰極によって伝送される前記電子ビームのための電気的シンクを提供するために、前記基板サポートを挟んで前記中空陰極の前記出口とは反対側に配される、半導体基板処理システム。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記複数の伝導性グリッドの温度を制御するために前記複数の伝導性グリッドに接続されたヒータを備える半導体基板処理システム。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記中空陰極の内部領域と流体連通しているガス供給部であって、前記中空陰極の前記内部領域にプロセスガスを供給するように定められたガス供給部と、
前記中空陰極の前記内部領域内の１つ以上の電力伝達コンポーネントと電気的に連通している電力供給部であって、前記中空陰極の前記内部領域内で前記プロセスガスをプラズマに変換するために、直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを前記中空陰極の前記内部領域内の前記１つ以上の電力伝達コンポーネントに供給するように定められた電力供給部と、
を備える半導体基板処理システム。
【請求項１１】
半導体基板を処理するための方法であって、
処理領域に曝されるように基板を基板サポート上に置くことと、
前記処理領域から切り離されたプラズマ発生領域内でプラズマを発生させることと、
前記プラズマの反応成分を前記プラズマ発生領域から前記処理領域に供給することと、
前記処理領域内へ前記基板よりも上で電子を入射させ、そうして、前記入射された電子が前記処理領域内におけるイオン密度を変更して前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることと、
を備える方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記処理領域内へ電子を入射させることは、前記基板の上面に実質的に平行な軌道に沿って電子ビームを伝送することを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電子ビームの軌道は、前記基板サポートの周縁の外側で、かつ前記基板サポートの上方にある第１の場所から前記基板サポートの周縁の外側で、かつ前記基板サポートの上方にある第２の場所に直線状に伸びる、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体基板を処理するための方法であって、さらに、
前記第２の場所にある伝導性グリッドが、前記軌道に沿って伝送される前記電子ビームのための電気的シンクとして機能するように、前記伝導性グリッドに正電荷を印加することを備える方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電子は、パルス方式で前記処理領域内へ入射される、方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記処理領域内へ電子を入射させることは、処理チャンバ内を通って前記基板の上面の上方を横断するように、空間的に分離された複数の電子ビームを伝送することを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記空間的に分離された複数の電子ビームのそれぞれは、前記空間的に分離された複数の電子ビームが実質的に平行な形で前記基板の上面の上方を横断するように一共通方向に伝送される、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記空間的に分離された複数の電子ビームの異なる電子ビームは、前記基板に曝されている前記処理領域の全体にわたり、時間平均された実質的に一様な形で電子が入射されるように、それぞれが異なる時点で伝送される、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記空間的に分離された複数の電子ビームは、前記基板の上面に実質的に平行に前記基板の上面の上方を複数の異なる方向に横断するように伝送される、方法。
【請求項２０】
請求項１１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記空間的に分離された複数の電子ビームの異なる電子ビームは、前記基板に曝されている前記処理領域の全体にわたり、時間平均された実質的に一様な形で電子が入射されるように、それぞれが異なる時点で伝送される、方法。
【請求項２１】
半導体基板処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を支えるように定められた基板サポートと、
前記処理チャンバから切り離して定められたプラズマチャンバであって、プラズマを発生させるように定められたプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバを前記処理チャンバに流体接続する複数の流体伝送経路であって、前記プラズマの反応成分を前記プラズマチャンバから前記処理チャンバに供給するように定められた複数の流体伝送経路と、
前記基板サポートから切り離して前記処理チャンバ内に配された電極と、
前記電極に電気的に接続された電力供給部であって、前記電極から前記処理チャンバ内へ電子を遊離させるために前記電極に電力を供給するように定められた電力供給部と、
を備える半導体基板処理システム。
【請求項２２】
請求項２１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電極は、前記処理チャンバ内で前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に配された伝導性バンドとして定められる、半導体基板処理システム。
【請求項２３】
請求項２２に記載の半導体基板処理システムであって、
前記伝導性バンドは、前記基板サポートの周縁の周りを囲む連続構造として形成される、半導体基板処理システム。
【請求項２４】
請求項２３に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記電極を前記処理チャンバの周囲構造から電気的に絶縁するために前記電極の周囲に形成されて配された絶縁部材を備える半導体基板処理システム。
【請求項２５】
請求項２１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電極は、前記処理チャンバ内で前記基板サポートの上方に、かつ前記基板サポートを覆うように配された平面状の伝導性セグメントとして定められる、半導体基板処理システム。
【請求項２６】
請求項２５に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記プラズマチャンバを前記処理チャンバから切り離すために前記基板サポートの上方に配されたトップ板アセンブリであって、前記複数の流体伝送経路は、前記トップ板アセンブリ内に定められ、前記平面状の伝導性セグメントは、前記基板サポートの方を向く向きで前記トップ板アセンブリの底面上に定められる、トップ板アセンブリを備える半導体基板処理システム。
【請求項２７】
請求項２６に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記平面状の伝導性セグメントを前記トップ板アセンブリおよび前記処理チャンバの周囲構造から電気的に絶縁するために前記平面状の伝導性セグメントと前記トップ板アセンブリとの間に形成され配された絶縁部材を備える半導体基板処理システム。
【請求項２８】
請求項２１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電力供給部は、直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを前記電極に供給するように定められる、半導体基板処理システム。
【請求項２９】
請求項２１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電力供給部は、パルス方式または連続方式のいずれかで前記電極に電力を供給するように定められる、半導体基板処理システム。
【請求項３０】
請求項２１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記電極は、前記処理チャンバ内で前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に配された伝導性バンド、および前記処理チャンバ内で前記基板サポートの上方に、かつ前記基板サポートを覆うように配された平面状の伝導性セグメントの両方を含む、半導体基板処理システム。
【請求項３１】
半導体基板を処理するための方法であって、
処理領域に曝されるように基板を基板サポート上に置くことと、
前記処理領域から切り離されたプラズマ発生領域内でプラズマを発生させることと、
前記プラズマの反応成分を前記プラズマ発生領域から前記処理領域に供給することと、
前記基板サポートから切り離して前記処理領域内に配された１つ以上の電極に電力を供給し、そうして、前記１つ以上の電極に供給された電力が前記１つ以上の電極から前記処理領域内へ電子を入射させ、前記処理領域内におけるイオン密度を変更して前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることと、
を備える方法。
【請求項３２】
請求項３１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極は、前記処理領域に曝されるように前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に配された伝導性バンドを含む、方法。
【請求項３３】
請求項３２に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記伝導性バンドは、前記基板サポートの周縁の周りを囲む連続構造として形成される、方法。
【請求項３４】
請求項３１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極は、前記処理領域に曝されるように前記基板サポートの上方に、かつ前記基板サポートを覆うように配された平面状の伝導性セグメントを含む、方法。
【請求項３５】
請求項３１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極は、前記処理領域に曝されるように前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に配された伝導性バンド、および前記処理領域に曝されるように前記基板サポートの上方に、かつ前記基板サポートを覆うように配された平面状の伝導性セグメントの両方を含む、方法。
【請求項３６】
請求項３１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極に電力を供給することは、直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを前記１つ以上の電極に供給することを含む、方法。
【請求項３７】
請求項３１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電力は、パルス方式で１つ以上の電極に供給される、方法。
【請求項３８】
請求項３１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電力は、連続方式で１つ以上の電極に供給される、方法。
【請求項３９】
請求項３１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極に電力を供給することは、前記１つ以上の電極上の電荷の極性を交替させることを含む、方法。
【請求項４０】
請求項３１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、さらに、
前記入射された電子が前記基板に向かう結果として発生するイオンを引き付けるために、前記基板サポートから前記処理領域全体にバイアス電圧を印加することを備える方法。
【請求項４１】
半導体基板処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を支えるように定められた基板サポートと、
前記処理チャンバから切り離して定められたプラズマチャンバであって、プラズマを発生させるように定められたプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバを前記処理チャンバに流体接続する複数の流体伝送経路であって、前記プラズマの反応成分を前記プラズマチャンバから前記処理チャンバに供給するように定められた複数の流体伝送経路と、
前記複数の流体伝送経路内で補助プラズマを発生させるために前記複数の流体伝送経路に電力を伝達するように定められた複数の電力伝達コンポーネントであって、前記複数の流体伝送経路は、前記補助プラズマの反応成分を前記処理チャンバに供給するように定められる、複数の電力伝達コンポーネントと、
を備える半導体基板処理システム。
【請求項４２】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記複数の電力伝達コンポーネントは、前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部に曝されるように配された１つ以上の電極を含む、半導体基板処理システム。
【請求項４３】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記複数の電力伝達コンポーネントは、前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部に電流を誘導するように配された１つ以上のコイルを含む、半導体基板処理システム。
【請求項４４】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記複数の電力伝達コンポーネントは、前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部にレーザエネルギを向かわせるように配された１つ以上のレーザを含む、半導体基板処理システム。
【請求項４５】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記複数の電力伝達コンポーネントは、電子ビームを発生させ、前記電子ビームを前記複数の流体伝送経路を通って伝送するように定められた電子ビーム源を含む、半導体基板処理システム。
【請求項４６】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記複数の電力伝達コンポーネントのそれぞれに電気的に接続された電力供給部であって、直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを前記複数の電力伝達コンポーネントのそれぞれに供給するように定められた電力供給部を備える半導体基板処理システム。
【請求項４７】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、
前記複数の流体伝送経路は、流通中空陰極、流通容量結合領域、流通誘導結合領域、流通マグネトロン駆動領域、流通レーザ駆動領域、またはそれらの組み合わせとして定められる、半導体基板処理システム。
【請求項４８】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部と流体連通するように接続されたプロセスガス供給部であって、前記補助プラズマの発生のために前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部にプロセスガスを供給するように定められたプロセスガス供給部を備える半導体基板処理システム。
【請求項４９】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記複数の流体伝送経路を通じて前記プラズマチャンバから前記処理チャンバに荷電種を向かわせるために前記プラズマチャンバ内に配された電極を備える半導体基板処理システム。
【請求項５０】
請求項４１に記載の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記流体伝送経路から前記処理チャンバ内へ荷電種を引き付けるために前記処理チャンバ内に配された抽出グリッドを備える半導体基板処理システム。
【請求項５１】
半導体基板を処理するための方法であって、
処理領域に曝されるように基板を基板サポート上に置くことと、
前記処理領域から切り離されたプラズマ発生領域内でプラズマを発生させることと、
複数の流体伝送経路を通じて前記プラズマの反応成分を前記プラズマ発生領域から前記処理領域内へ供給し、そうして、前記プラズマの反応成分が前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることと、
前記複数の流体伝送経路内で補助プラズマを発生させることと、
前記補助プラズマの反応成分を前記複数の流体伝送経路から前記処理領域内へ供給し、そうして、前記補助プラズマの反応成分が前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることと、
を備える方法。
【請求項５２】
請求項５１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記補助プラズマを発生させることは、前記複数の流体伝送経路を、流通中空陰極、流通容量結合領域、流通誘導結合領域、流通マグネトロン駆動領域、流通レーザ駆動領域、またはそれらの組み合わせのいずれかとして動作させることを含む、方法。
【請求項５３】
請求項５１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記補助プラズマの反応成分を前記複数の流体伝送経路から前記処理領域内へ供給することは、前記複数の流体伝送経路から前記処理領域内へ荷電種を引き付けるために前記処理チャンバ内に配された抽出グリッドを動作させることを含む、方法。
【請求項５４】
請求項５１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記プラズマの反応成分を前記複数の流体伝送経路を通じて前記プラズマ発生領域から前記処理領域内へ供給することは、前記複数の流体伝送経路を通じて前記プラズマ発生領域から前記処理領域内へ荷電種を向かわせるために前記プラズマ発生領域内に配された電極を動作させることを含む、方法。
【請求項５５】
請求項５１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記複数の流体伝送経路内で補助プラズマを発生させることは、前記複数の流体伝送経路に直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを伝送することを含む、方法。
【請求項５６】
請求項５５に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電力は、前記複数の流体伝送経路にパルス方式で伝送される、方法。
【請求項５７】
請求項５５に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電力は、前記複数の流体伝送経路に連続方式で伝送される、方法。
【請求項５８】
請求項５１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、
前記複数の流体伝送経路内で補助プラズマを発生させることは、前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部にプロセスガスを供給することを含む、方法。
【請求項５９】
請求項５１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、さらに、
前記処理領域内へ前記基板よりも上で電子を入射させ、そうして、前記入射された電子が前記処理領域内におけるイオン密度を変更して前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることを備える方法。
【請求項６０】
請求項５１に記載の半導体基板を処理するための方法であって、さらに、
前記基板サポートから切り離して前記処理領域内に配された１つ以上の電極に電力を供給し、そうして、前記１つ以上の電極に供給された電力が前記１つ以上の電極から前記処理領域内へ電子を入射させ、前記処理領域内におけるイオン密度を変更して前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることを備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
半導体基板の何らかの処理を提供するためにプラズマのラジカル種に依存するプラズマ駆動式基板処理システムは、プラズマチャンバと基板処理チャンバとの間における環境要件、すなわち圧力、温度、ガス組成、ガス流量、電力供給などの差ゆえに基板処理チャンバから切り離されているプラズマチャンバ内でプラズマを発生させてよい。図１は、本発明の一実施形態にしたがった、基板処理チャンバ１０３から切り離して定められたプラズマチャンバ１０１を用いる半導体基板処理システム１００の概略図を示している。システム１００において、プラズマ発生チャンバ１０１は、複数の流体伝送経路１０５によって基板処理チャンバ１０３に流体接続される。このようにして、プラズマ発生チャンバ１０１内で発生されたプラズマの反応種は、矢印１０７によって示されるように、流体伝送経路１０５を通って移動して基板処理チャンバ１０３内に至る。一実施形態では、流体伝送経路１０５の一部が、補助電子発生を提供してプラズマ発生チャンバ１０１からのイオン抽出を増加させるように定められた活性化可能領域を含むように定められる。基板処理チャンバ１０３に入る際に、プラズマの反応種は、基板１０９と相互作用して基板１０９を所定の方式で処理する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図３Ａの実施形態では、プラズマ発生チャンバ３５５は、トップ板３１５の上方に形成される。プラズマ発生チャンバ３５５は、プロセスガス源３１９と、そしてトップ板３１５を通じて各流体伝送経路３１６と、流体連通している。システム３００は、また、プラズマ発生チャンバ３５５内のプロセスガスをプラズマ３５９に変換するように配されたコイルアセンブリ３５１も含む。システム３００では、チャンバトップ構造３０１Ｂは、コイルアセンブリ３５１からプラズマ発生チャンバ３５５内へのＲＦ（無線周波数）電力の伝送に適した窓３５３を含む。一実施形態では、窓３５５は、石英で形成される。別の一実施形態では、窓３５３は、炭化ケイ素などのセラミック材料で形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
この発明は、幾つかの実施形態の観点から説明されてきたが、当業者ならば、先の明細書を読むことによっておよび図面を吟味することによって、様々な代替、追加、置換、および均等物を認識するだろうことがわかるだろう。本発明は、このようなあらゆる代替、追加、置換、および均等物を、発明の真の趣旨および範囲に含まれるものとして含んでいる。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
半導体基板処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を支えるように定められた基板サポートと、
前記処理チャンバから切り離して定められたプラズマチャンバであって、プラズマを発生させるように定められたプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバを前記処理チャンバに流体接続する複数の流体伝送経路であって、前記プラズマの反応成分を前記プラズマチャンバから前記処理チャンバに供給するように定められた複数の流体伝送経路と、
電子ビームを発生させ、前記処理チャンバ内を通って前記基板サポートの上方を横断するように電子ビームを伝送するように定められた電子ビーム源と、
を備える半導体基板処理システム。
適用例２：
適用例１の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記基板を支えるように定められた前記基板サポートの表面に実質的に平行な軌道に沿って前記電子ビームを伝送するように定められる、半導体基板処理システム。
適用例３：
適用例１の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記処理チャンバ内を通って前記基板サポートの上方を一共通方向に横断するように、空間的に分離された複数の電子ビームを伝送するように定められる、半導体基板処理システム。
適用例４：
適用例１の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記処理チャンバ内を通って前記基板サポートの上方をそれぞれの複数の方向に横断するように、空間的に分離された複数の電子ビームを伝送するように定められる、半導体基板処理システム。
適用例５：
適用例４の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記空間的に分離された複数の電子ビームを順次伝送するように定められる、半導体基板処理システム。
適用例６：
適用例１の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に位置決めされた複数の伝導性グリッドであって、制御された電圧レベルが前記複数の伝導性グリッドのそれぞれに独立制御方式で印加されるように電力供給部に電気的に接続された複数の伝導性グリッドを備える半導体基板処理システム。
適用例７：
適用例６の半導体基板処理システムであって、
前記電子ビーム源は、前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に位置決めされた中空陰極として定められ、前記中空陰極は、前記基板サポートよりも上の前記処理チャンバの一領域の方を向くように方向付けられ、
前記複数の伝導性グリッドのうちの所定の１つは、前記中空陰極からの電子の抽出を促すために、前記中空陰極の出口と、前記基板サポートよりも上の前記処理チャンバの前記領域との間に配される、半導体基板処理システム。
適用例８：
適用例７の半導体基板処理システムであって、
前記複数の伝導性グリッドのうちの別の１つは、前記中空陰極によって伝送される前記電子ビームのための電気的シンクを提供するために、前記基板サポートを挟んで前記中空陰極の前記出口とは反対側に配される、半導体基板処理システム。
適用例９：
適用例７の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記複数の伝導性グリッドの温度を制御するために前記複数の伝導性グリッドに接続されたヒータを備える半導体基板処理システム。
適用例１０：
適用例７の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記中空陰極の内部領域と流体連通しているガス供給部であって、前記中空陰極の前記内部領域にプロセスガスを供給するように定められたガス供給部と、
前記中空陰極の前記内部領域内の１つ以上の電力伝達コンポーネントと電気的に連通している電力供給部であって、前記中空陰極の前記内部領域内で前記プロセスガスをプラズマに変換するために、直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを前記中空陰極の前記内部領域内の前記１つ以上の電力伝達コンポーネントに供給するように定められた電力供給部と、
を備える半導体基板処理システム。
適用例１１：
半導体基板を処理するための方法であって、
処理領域に曝されるように基板を基板サポート上に置くことと、
前記処理領域から切り離されたプラズマ発生領域内でプラズマを発生させることと、
前記プラズマの反応成分を前記プラズマ発生領域から前記処理領域に供給することと、
前記処理領域内へ前記基板よりも上で電子を入射させ、そうして、前記入射された電子が前記処理領域内におけるイオン密度を変更して前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることと、
を備える方法。
適用例１２：
適用例１１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記処理領域内へ電子を入射させることは、前記基板の上面に実質的に平行な軌道に沿って電子ビームを伝送することを含む、方法。
適用例１３：
適用例１２の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電子ビームの軌道は、前記基板サポートの周縁の外側で、かつ前記基板サポートの上方にある第１の場所から前記基板サポートの周縁の外側で、かつ前記基板サポートの上方にある第２の場所に直線状に伸びる、方法。
適用例１４：
適用例１３の半導体基板を処理するための方法であって、さらに、
前記第２の場所にある伝導性グリッドが、前記軌道に沿って伝送される前記電子ビームのための電気的シンクとして機能するように、前記伝導性グリッドに正電荷を印加することを備える方法。
適用例１５：
適用例１１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電子は、パルス方式で前記処理領域内へ入射される、方法。
適用例１６：
適用例１１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記処理領域内へ電子を入射させることは、処理チャンバ内を通って前記基板の上面の上方を横断するように、空間的に分離された複数の電子ビームを伝送することを含む、方法。
適用例１７：
適用例１６の半導体基板を処理するための方法であって、
前記空間的に分離された複数の電子ビームのそれぞれは、前記空間的に分離された複数の電子ビームが実質的に平行な形で前記基板の上面の上方を横断するように一共通方向に伝送される、方法。
適用例１８：
適用例１６の半導体基板を処理するための方法であって、
前記空間的に分離された複数の電子ビームの異なる電子ビームは、前記基板に曝されている前記処理領域の全体にわたり、時間平均された実質的に一様な形で電子が入射されるように、それぞれが異なる時点で伝送される、方法。
適用例１９：
適用例１６の半導体基板を処理するための方法であって、
前記空間的に分離された複数の電子ビームは、前記基板の上面に実質的に平行に前記基板の上面の上方を複数の異なる方向に横断するように伝送される、方法。
適用例２０：
適用例１１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記空間的に分離された複数の電子ビームの異なる電子ビームは、前記基板に曝されている前記処理領域の全体にわたり、時間平均された実質的に一様な形で電子が入射されるように、それぞれが異なる時点で伝送される、方法。
適用例２１：
半導体基板処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を支えるように定められた基板サポートと、
前記処理チャンバから切り離して定められたプラズマチャンバであって、プラズマを発生させるように定められたプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバを前記処理チャンバに流体接続する複数の流体伝送経路であって、前記プラズマの反応成分を前記プラズマチャンバから前記処理チャンバに供給するように定められた複数の流体伝送経路と、
前記基板サポートから切り離して前記処理チャンバ内に配された電極と、
前記電極に電気的に接続された電力供給部であって、前記電極から前記処理チャンバ内へ電子を遊離させるために前記電極に電力を供給するように定められた電力供給部と、
を備える半導体基板処理システム。
適用例２２：
適用例２１の半導体基板処理システムであって、
前記電極は、前記処理チャンバ内で前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に配された伝導性バンドとして定められる、半導体基板処理システム。
適用例２３：
適用例２２の半導体基板処理システムであって、
前記伝導性バンドは、前記基板サポートの周縁の周りを囲む連続構造として形成される、半導体基板処理システム。
適用例２４：
適用例２３の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記電極を前記処理チャンバの周囲構造から電気的に絶縁するために前記電極の周囲に形成されて配された絶縁部材を備える半導体基板処理システム。
適用例２５：
適用例２１の半導体基板処理システムであって、
前記電極は、前記処理チャンバ内で前記基板サポートの上方に、かつ前記基板サポートを覆うように配された平面状の伝導性セグメントとして定められる、半導体基板処理システム。
適用例２６：
適用例２５の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記プラズマチャンバを前記処理チャンバから切り離すために前記基板サポートの上方に配されたトップ板アセンブリであって、前記複数の流体伝送経路は、前記トップ板アセンブリ内に定められ、前記平面状の伝導性セグメントは、前記基板サポートの方を向く向きで前記トップ板アセンブリの底面上に定められる、トップ板アセンブリを備える半導体基板処理システム。
適用例２７：
適用例２６の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記平面状の伝導性セグメントを前記トップ板アセンブリおよび前記処理チャンバの周囲構造から電気的に絶縁するために前記平面状の伝導性セグメントと前記トップ板アセンブリとの間に形成され配された絶縁部材を備える半導体基板処理システム。
適用例２８：
適用例２１の半導体基板処理システムであって、
前記電力供給部は、直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを前記電極に供給するように定められる、半導体基板処理システム。
適用例２９：
適用例２１の半導体基板処理システムであって、
前記電力供給部は、パルス方式または連続方式のいずれかで前記電極に電力を供給するように定められる、半導体基板処理システム。
適用例３０：
適用例２１の半導体基板処理システムであって、
前記電極は、前記処理チャンバ内で前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に配された伝導性バンド、および前記処理チャンバ内で前記基板サポートの上方に、かつ前記基板サポートを覆うように配された平面状の伝導性セグメントの両方を含む、半導体基板処理システム。
適用例３１：
半導体基板を処理するための方法であって、
処理領域に曝されるように基板を基板サポート上に置くことと、
前記処理領域から切り離されたプラズマ発生領域内でプラズマを発生させることと、
前記プラズマの反応成分を前記プラズマ発生領域から前記処理領域に供給することと、
前記基板サポートから切り離して前記処理領域内に配された１つ以上の電極に電力を供給し、そうして、前記１つ以上の電極に供給された電力が前記１つ以上の電極から前記処理領域内へ電子を入射させ、前記処理領域内におけるイオン密度を変更して前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることと、
を備える方法。
適用例３２：
適用例３１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極は、前記処理領域に曝されるように前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に配された伝導性バンドを含む、方法。
適用例３３：
適用例３２の半導体基板を処理するための方法であって、
前記伝導性バンドは、前記基板サポートの周縁の周りを囲む連続構造として形成される、方法。
適用例３４：
適用例３１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極は、前記処理領域に曝されるように前記基板サポートの上方に、かつ前記基板サポートを覆うように配された平面状の伝導性セグメントを含む、方法。
適用例３５：
適用例３１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極は、前記処理領域に曝されるように前記基板サポートの周縁の外側に、かつ前記基板サポートの上方に配された伝導性バンド、および前記処理領域に曝されるように前記基板サポートの上方に、かつ前記基板サポートを覆うように配された平面状の伝導性セグメントの両方を含む、方法。
適用例３６：
適用例３１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極に電力を供給することは、直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを前記１つ以上の電極に供給することを含む、方法。
適用例３７：
適用例３１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電力は、パルス方式で１つ以上の電極に供給される、方法。
適用例３８：
適用例３１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電力は、連続方式で１つ以上の電極に供給される、方法。
適用例３９：
適用例３１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記１つ以上の電極に電力を供給することは、前記１つ以上の電極上の電荷の極性を交替させることを含む、方法。
適用例４０：
適用例３１の半導体基板を処理するための方法であって、さらに、
前記入射された電子が前記基板に向かう結果として発生するイオンを引き付けるために、前記基板サポートから前記処理領域全体にバイアス電圧を印加することを備える方法。
適用例４１：
半導体基板処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を支えるように定められた基板サポートと、
前記処理チャンバから切り離して定められたプラズマチャンバであって、プラズマを発生させるように定められたプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバを前記処理チャンバに流体接続する複数の流体伝送経路であって、前記プラズマの反応成分を前記プラズマチャンバから前記処理チャンバに供給するように定められた複数の流体伝送経路と、
前記複数の流体伝送経路内で補助プラズマを発生させるために前記複数の流体伝送経路に電力を伝達するように定められた複数の電力伝達コンポーネントであって、前記複数の流体伝送経路は、前記補助プラズマの反応成分を前記処理チャンバに供給するように定められる、複数の電力伝達コンポーネントと、
を備える半導体基板処理システム。
適用例４２：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、
前記複数の電力伝達コンポーネントは、前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部に曝されるように配された１つ以上の電極を含む、半導体基板処理システム。
適用例４３：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、
前記複数の電力伝達コンポーネントは、前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部に電流を誘導するように配された１つ以上のコイルを含む、半導体基板処理システム。
適用例４４：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、
前記複数の電力伝達コンポーネントは、前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部にレーザエネルギを向かわせるように配された１つ以上のレーザを含む、半導体基板処理システム。
適用例４５：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、
前記複数の電力伝達コンポーネントは、電子ビームを発生させ、前記電子ビームを前記複数の流体伝送経路を通って伝送するように定められた電子ビーム源を含む、半導体基板処理システム。
適用例４６：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記複数の電力伝達コンポーネントのそれぞれに電気的に接続された電力供給部であって、直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを前記複数の電力伝達コンポーネントのそれぞれに供給するように定められた電力供給部を備える半導体基板処理システム。
適用例４７：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、
前記複数の流体伝送経路は、流通中空陰極、流通容量結合領域、流通誘導結合領域、流通マグネトロン駆動領域、流通レーザ駆動領域、またはそれらの組み合わせとして定められる、半導体基板処理システム。
適用例４８：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部と流体連通するように接続されたプロセスガス供給部であって、前記補助プラズマの発生のために前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部にプロセスガスを供給するように定められたプロセスガス供給部を備える半導体基板処理システム。
適用例４９：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記複数の流体伝送経路を通じて前記プラズマチャンバから前記処理チャンバに荷電種を向かわせるために前記プラズマチャンバ内に配された電極を備える半導体基板処理システム。
適用例５０：
適用例４１の半導体基板処理システムであって、さらに、
前記流体伝送経路から前記処理チャンバ内へ荷電種を引き付けるために前記処理チャンバ内に配された抽出グリッドを備える半導体基板処理システム。
適用例５１：
半導体基板を処理するための方法であって、
処理領域に曝されるように基板を基板サポート上に置くことと、
前記処理領域から切り離されたプラズマ発生領域内でプラズマを発生させることと、
複数の流体伝送経路を通じて前記プラズマの反応成分を前記プラズマ発生領域から前記処理領域内へ供給し、そうして、前記プラズマの反応成分が前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることと、
前記複数の流体伝送経路内で補助プラズマを発生させることと、
前記補助プラズマの反応成分を前記複数の流体伝送経路から前記処理領域内へ供給し、そうして、前記補助プラズマの反応成分が前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることと、
を備える方法。
適用例５２：
適用例５１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記補助プラズマを発生させることは、前記複数の流体伝送経路を、流通中空陰極、流通容量結合領域、流通誘導結合領域、流通マグネトロン駆動領域、流通レーザ駆動領域、またはそれらの組み合わせのいずれかとして動作させることを含む、方法。
適用例５３：
適用例５１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記補助プラズマの反応成分を前記複数の流体伝送経路から前記処理領域内へ供給することは、前記複数の流体伝送経路から前記処理領域内へ荷電種を引き付けるために前記処理チャンバ内に配された抽出グリッドを動作させることを含む、方法。
適用例５４：
適用例５１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記プラズマの反応成分を前記複数の流体伝送経路を通じて前記プラズマ発生領域から前記処理領域内へ供給することは、前記複数の流体伝送経路を通じて前記プラズマ発生領域から前記処理領域内へ荷電種を向かわせるために前記プラズマ発生領域内に配された電極を動作させることを含む、方法。
適用例５５：
適用例５１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記複数の流体伝送経路内で補助プラズマを発生させることは、前記複数の流体伝送経路に直流電力、無線周波数電力、または直流電力と無線周波数電力との組み合わせを伝送することを含む、方法。
適用例５６：
適用例５５の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電力は、前記複数の流体伝送経路にパルス方式で伝送される、方法。
適用例５７：
適用例５５の半導体基板を処理するための方法であって、
前記電力は、前記複数の流体伝送経路に連続方式で伝送される、方法。
適用例５８：
適用例５１の半導体基板を処理するための方法であって、
前記複数の流体伝送経路内で補助プラズマを発生させることは、前記複数の流体伝送経路のそれぞれの内部にプロセスガスを供給することを含む、方法。
適用例５９：
適用例５１の半導体基板を処理するための方法であって、さらに、
前記処理領域内へ前記基板よりも上で電子を入射させ、そうして、前記入射された電子が前記処理領域内におけるイオン密度を変更して前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることを備える方法。
適用例６０：
適用例５１の半導体基板を処理するための方法であって、さらに、
前記基板サポートから切り離して前記処理領域内に配された１つ以上の電極に電力を供給し、そうして、前記１つ以上の電極に供給された電力が前記１つ以上の電極から前記処理領域内へ電子を入射させ、前記処理領域内におけるイオン密度を変更して前記基板の処理に影響を及ぼすようにすることを備える方法。