【事件の表示】
　特許第３１７４５６１号「基板表面から液体を除去する方法、当該方法を用いる半導体装置の製造方法、及び基板表面から液体を除去する装置」の請求項１ないし１９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７４５６１号の請求項１、２、４乃至７、１０乃至１２、１４乃至１７に係る特許を取り消す。
　同請求項３、８、９、１３、１８、１９に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３１７４５６１号の請求項１乃至１９に係る発明についての出願は、平成３年３月１日（パリ条約により優先権主張１９９０年３月１日、オランダ）に出願された特願平３−５９３２３号の一部を特許法第４４条第１項の規定により新たな特許出願としたもので、同１３年３月３０日にその発明について特許権の設定の登録がされ、その後、同１３年１２月１１日に、特許異議申立人高橋友之輔より請求項１乃至１９に係る特許について特許異議の申立てがされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である同１４年９月１９日に明細書の訂正の請求がされたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正事項
　上記訂正の請求による訂正事項は、次のとおりである。
　訂正事項ａ
　設定登録時の願書に添付した明細書又は図面（以下「特許明細書等」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された
「少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と前記遠心機内で接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。」を、
「少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と前記回転運動中に前記遠心機内で接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許明細書等の特許請求の範囲の請求項１１に記載された
「遠心機を有し、少なくとも一部液体で被覆された基板が該遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する装置であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、前記液体に接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気を、前記遠心機内に設置された少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上にもたらすガス導入部が設けられることを特徴とする装置。」を、
「遠心機を有し、少なくとも一部液体で被覆された基板が該遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する装置であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、前記液体に接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気を、前記遠心機内に設置された少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上に前記回転運動中にもたらすガス導入部が設けられることを特徴とする装置。」と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、請求項１における「前記基板を、・・・蒸気と前記遠心機内で接触させる」を「前記基板を、・・・蒸気と前記回転運動中に前記遠心機内で接触させる」と、基板を蒸気に接触させる時期が「回転運動中に」であると限定しようとするものであるので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ａの「前記基板を、・・・蒸気と前記回転運動中に前記遠心機内で接触させる」ことは、特許明細書等の段落【００２６】に記載された「該蒸気は回転中も表面２上に導入される。」の事項より、特許明細書等に記載された事項の範囲内のものであり、また、訂正事項ａの訂正によって発明の目的が変更されるものでもない。
　訂正事項ｂは、請求項１１における「蒸気を、・・・前記基板上にもたらすガス導入部が設けられる」を「蒸気を、・・・前記基板上に前記回転運動中にもたらすガス導入部が設けられる」と、ガス導入部が蒸気を前記基板上にもたらす時期が「回転運動中に」であると限定しようとするものであるので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ｂの「蒸気を、・・・前記基板上に前記回転運動中にもたらすガス導入部が設けられる」ことは、訂正事項ａと同様に特許明細書等に記載された事項の範囲内のものであり、また、訂正事項ｂの訂正によって発明の目的が変更されるものでもない。
３　むすび
　以上のとおりであるので、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議の申立ての理由の概要及び取消しの理由の概要
　特許異議申立人高橋友之輔の申立ての理由の概要は、請求項１乃至１９に係る発明は、本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−１０５２８号公報（特許異議申立人高橋友之輔が提出した甲第１号証。以下「引用例１」という。）及び特開昭６２−１４２３２８号公報（同甲第２号証。以下「引用例２」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１乃至１９に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してされたものであって、取り消されるべきものというものである。
　また、当審で通知した取消しの理由の概要は、前記特許異議の申立ての理由と同様のものである。
２　本件発明
　上記のとおり、上記訂正が認められたので、本件請求項１乃至１９に係る発明（以下「本件発明１乃至１９」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至１９に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と前記回転運動中に前記遠心機内で接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項２】　請求項１に記載の方法において、
　前記蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項３】　請求項２に記載の方法において、
　前記蒸気を前記基板の温度よりも低い温度に冷却して、該蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項４】　請求項１、２または３に記載の方法において、
　前記基板が前記遠心機内で回転運動を受ける前に、前記物質の蒸気を前記基板と予め接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項５】　請求項４に記載の方法において、
　前記基板が回転運動を受ける前に、１乃至１５秒前記蒸気を前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項６】　請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法において、
　有機溶媒が前記物質として使用されることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項７】　請求項６に記載の方法において、
　イソプロパノール、１・メトキシ・２・プロパノール、エチルグリコール及びジアセトンアルコールよりなる群より選択された有機溶媒が使用されることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項８】　請求項１乃至７の何れか一項に記載の方法において、
　前記蒸気をキャリアガスと混合し、この混合物を遠心機内に導入して、前記基板を前記蒸気と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項９】　請求項８に記載の方法において、
　前記蒸気と前記キャリアガスとの混合物を、前記基板表面近傍においてガス流が小さくなるように前記遠心機内に導入することを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
【請求項１０】　半導体装置の製造方法であって、半導体装置が半導体基板上に形成され、該形成時、前記半導体基板は液体を含有する浴中で処理される方法において、
　前記液体を含有する浴中における前記半導体基板の前記処理の後、請求項１乃至９の何れか一項に記載の方法が実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】　遠心機を有し、少なくとも一部液体で被覆された基板が該遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する装置であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、前記液体に接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気を、前記遠心機内に設置された少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上に前記回転運動中にもたらすガス導入部が設けられることを特徴とする装置。
【請求項１２】　請求項１１に記載の装置において、
　前記蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
【請求項１３】　請求項１２に記載の装置において、
　前記蒸気を前記基板の温度よりも低い温度に冷却して、該蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
【請求項１４】　請求項１１、１２または１３に記載の装置において、前記基板が前記遠心機内で回転運動を受ける前に、前記物質の蒸気を前記基板と予め接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
【請求項１５】　請求項１４に記載の装置において、
　前記基板が回転運動を受ける前に、１乃至１５秒前記蒸気を前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
【請求項１６】　請求項１１乃至１５の何れか一項に記載の装置において、
　有機溶媒が前記物質として使用されることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
【請求項１７】　請求項１６に記載の装置において、
　イソプロパノール、１・メトキシ・２・プロパノール、エチルグリコール及びジアセトンアルコールよりなる群より選択された有機溶媒が使用されることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
【請求項１８】　請求項１１乃至１７の何れか一項に記載の装置において、
　前記蒸気をキャリアガスと混合し、この混合物を遠心機内に導入して、前記基板を前記蒸気と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
【請求項１９】　請求項１８に記載の装置において、
　前記蒸気と前記キャリアガスとの混合物を、前記基板表面近傍においてガス流が小さくなるように前記遠心機内に導入することを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。」
３　引用例 
（１）引用例１
ア　上記引用例１の第１頁左下欄第５−１２行に、
「内部を減圧する手段を備えた容器の内部に、有機物の蒸気を存在させ、前記容器内で前記有機物の蒸気と被乾燥物を接触させた後、大気圧以下の圧力の下で前記被乾燥物表面の液体に物理的な力を作用せしめて乾燥する方法であって、前記有機物の蒸気として、前記有機物が常温で沸とうしない減圧下で蒸気化したものを用いることを特徴とする乾燥方法。」と記載され、
イ　第２頁左下欄第１７行−第３頁左上欄第９行に、
「本発明において、Ｓｉウエハ表面の水滴の水切り、乾燥を行なうために、Ｓｉウエハを有機物の蒸気と接触させる。有機物の中で蒸気を発生しやすいものとして有機溶剤が適している、有機溶剤蒸気を発生させる手段として、減圧する手段を備えた容器（以下、減圧容器と記す）の内部に有機溶剤を入れ、減圧容器を密封した後減圧容器内の圧力を減じると有機溶剤の蒸気化が促進され減圧容器内に充満する。この様にして作成した蒸気は有機溶剤分子のみが蒸気になったもので有機溶剤中の微粒子を含まない清浄な蒸気であり、有機溶剤の蒸気によってＳｉウエハが汚染されることはない。また、本発明方法によって作った有機物の蒸気は、減圧容器内が減圧状態である限り、減圧容器やチューブのすき間から大気中に漏れて火災が起きたり、人体に悪影響を与えることはない。
　ところが、圧力を下げすぎると有機溶剤が沸とうして、有機溶剤は微細粒子を含んだまミストとなって飛散する為にＳｉウエハが汚染される危険が大きいため、減圧は有機溶剤が沸とうする以上の圧力でなけれはならない。
　有機溶剤の蒸気がＳｉウエハの乾燥に及ぼす効果としては、有機溶剤蒸気がＳｉウエハと接触すると、Ｓｉウエハ表面に有機物の膜を形成しＳｉウエハは疎水性となり水滴との接触角が大きくなることによって水滴が除去しやすくなる。
この状態でＳｉウエハが垂直に立っていると水滴に重力が作用して水滴はＳｉウエハ表面を落下してＳｉウエハから水滴は除去できるし、Ｓｉウエハに空気やＮ２ガス等を吹きつけたり、２００〜５００ｒｐｍのダストが発生し難い低速で回転する等の方法で水滴に機械的な力を加えると容易に水滴は除去できる。」と記載され、
ウ　第３頁左上欄第１８行−左下欄第１０行に、
「このような物質としては、メタノール，エタノール，ｎ−プロパノール，イソプロパノール，グリコール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、酢酸等のカルボン酸，酢酸メチル，酢酸エチル等のエステル類、エチルアミン等のアミン類さらには、スルホン酸や界面活性剤等があるが本発明ではこれらの中のいづれの物質の単体あるいは混合物を用いても支障ないが、Ｓｉウエハへの吸着能が小さく処理液と置換しやすいメタノール，エタノール，エチルアミン，酢酸，酢酸メチル，酢酸エチル，アセトン，イソプロパノール，ｎ−プロパノール，ｎ−ブタノール等が適している。
　・・・
　これらの有機溶剤は単独で使用してもよいし、複数の溶剤を混合して使用して最低共沸混合物を作る組合せにおいては支障はない。」と記載され、
エ　第４頁左上欄第９行−左下欄第１６行に、
「以下、本実施例の具体的内容を記す。
　直径５インチのＳｉウエハ１３面上にバイロジェニック法でＳｉＯ２膜を３０００Åの厚さで形成した。ＳｉＯ２膜上にフォトレジスト（厚さ１．２μｍ）を塗布した後、露光・現像を行いパターンを形成した。上記Ｓｉウエハを・・・ドライエッチングした後、Ｓｉウエハ１３上のフォトレジストをＯ２プラズマレジストアッシャで十分に除去した。このようにして得たＳｉウエハ１３を・・・水洗槽にす早く浸漬して・・・水洗した。・・・
　一方、図に示す減圧容器（内容積１０ｌ）１１の中にイソプロパノール（５００ｍｌ，２０℃）１４をガラス容器１５に入れて置き、バルブ１７，１８及び１９を閉めた。次に、前記水洗を完了したＳｉウエハ１３をハンガー１６に垂直に立てて置いた。Ｓｉウエハ１３とハンガー１６は接点で水溜りを防止するために接触面積をできる限り少なくなるように工夫してある。
その後減圧容器１１を密封しロータリー真空ポンプ１２を作動させて減圧容器１１内の圧力を約１０秒間で６０Ｔｏｒｒまで減圧し、さらに減圧をつづけかつイソプロパノール１４の沸とうを防ぐために圧力が４０Ｔｏｒｒになるようにバルブ１９を少し開けて空気をフィルター（最小除去粒子径０．００２μｍ）２０を通して減圧容器に導入しながら、５分間この状態を保って、Ｓｉウエハ１３をイソプロパノール蒸気と接触させた。そして、バルブ１７を閉じかつ、バルブ１９を全開にして減圧容器１１の内圧を大気圧に戻した後、扉（図示せず）を開けてＳｉウエハを取り出した。
この時のＳｉウエハ１３表面を観察すると、当初水で濡れていたＳｉウエハ１３は、減圧容器１１をロータリ真空ポンプ１２で減圧を開始後、数秒経過すると急激にＳｉウエハ１３表面が疎水化して水膜が下方に落下し、Ｓｉウエハ１３を取り出した時は完全に乾燥していた。」と記載され、
オ　第４頁右下欄下から第６行−第５頁左上欄第１１行に、
「以下本発明の第２の実施例について説明する。
　第１の実施例で用いた図の乾燥装置において、減圧容器１１内部にガラス容器１５に入ったイソプロパノール１４を置き、第１の実施例と同様にして減圧し、４０Ｔｏｒｒに保持しイソプロパノール１４を沸とうさせることなく蒸気化し、減圧容器１１に充満させた後、バルブ１７を閉にして減圧容器１１の内圧を大気圧に戻した。
　また、第１の実施例と同様にして作成したパターンを形成したＳｉウエハ１３を上記減圧容器１１内に１分間水平に置いて、イソプロパノールの蒸気と接触させた。
このＳｉウエハ１３を減圧容器１１から取り出した後、フッ素樹脂製Ｓｉウエハキャリヤに収納してからスピン乾燥機（フジアドバンス社製）に入れ３００ｒｐｍで１分間乾燥すると、Ｓｉウエハ上に水滴はなく、乾燥していた。」と記載され、
カ　第５頁左下欄第６−１８行に、
「以上のように本発明によれば、減圧下でのみ有機物を蒸気化することにより、減圧容器や配管のすき間から有機物蒸気が外に漏れず、かつ必要な時に必要な量だけ蒸気化できるため、火災・爆発や人体に悪影響を及ぼすことが非常に少ない。また、乾燥部付近は激しく運動する機器や機構の必要性がなく被乾燥物を汚染する危険性が少ない。
さらに、被乾燥物を有機物蒸気と接触させることによって被乾燥物表面は疎水化し、水滴に小さな外力が働くだけで水切れが良くなり乾燥しやすくなるとともに、水中の不純物も被乾燥物表面から無くなり、シミやダストとして残ることがない等々の効果を有する。」と記載されていると認める。
　以上のとおりであるので、引用例１には、
　少なくとも一部水で被覆されたウエハがスピン乾燥機内に設置され、該スピン乾燥機内で回転運動を受けることによりウエハ表面から水を除去する方法であって、
　前記水が遠心分離により前記ウエハ表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記水で被覆された前記ウエハを、有機溶剤であるイソプロパノールの蒸気と接触させるものであり、前記ウエハが前記スピン乾燥機内で回転運動を受ける前に、前記蒸気を前記ウエハと予め接触させるウエハ表面から水を除去する方法（以下「第１の方法の発明」という。）、
　スピン乾燥機を有し、少なくとも一部水で被覆されたウエハが該スピン乾燥機内に設置され、該スピン乾燥機内で回転運動を受けることによりウエハ表面から水を除去する装置であって、
　前記水が遠心分離により前記ウエハ表面から除去されてしまう前に、有機溶剤であるイソプロパノールの蒸気を、少なくとも一部前記水で被覆された前記ウエハ上にもたらすものであり、前記ウエハが前記スピン乾燥機内で回転運動を受ける前に、前記蒸気を前記ウエハと予め接触させる減圧容器を備えた装置（以下「第１の装置の発明」という。）、
　少なくとも一部水で被覆されたウエハをイソプロパノールの蒸気と重力の作用中に接触させるウエハ表面から水を除去する方法（以下「第２の発明」という。）及び
　パターンがウエハ上に形成され、該形成時、前記ウエハは水洗槽中で水洗される方法において、
　前記水洗槽中における前記ウエハの前記処理の後、少なくとも一部水で被覆されたウエハがスピン乾燥機内に設置され、該スピン乾燥機内で回転運動を受けることによりウエハ表面から水を除去する方法であって、
　前記水が遠心分離により前記ウエハ表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記水で被覆された前記ウエハを、イソプロパノールの蒸気と接触させるウエハ表面から水を除去する方法が実施されるウエハの製造方法（以下「第３の発明」という。）の４つの発明が記載されていると認める。
（２）引用例２
ア　引用例２の第１頁右下欄第１３−１７行に、
「上記問題点を解決するために、洗浄工程の最終洗浄液として表面張力が水の１／２以下の小さい有機溶剤を用いる。この溶剤の表面張力が小さいことを利用して、遠心力により残留物が全て飛散するように回転させる。」と記載され、
イ　第２頁左下欄第１０−末行に、
「第１図において、回転台の周囲にあるシリコン基板設置台３にシリコン基板を入れ、回転体４の中央に組み込まれた有機溶剤噴出口１からエタノール２を設置台３に固定されたシリコン基板全面にふきかける。この処理によって前工程である基板洗浄により残存していた純水の水滴を完全にエタノールで置換し、同時に前回の乾燥処理でチャンバー内に残留した汚れを洗浄して乾燥状態での汚染を防止した。エタノールの置換がほぼ完了した後に、回転体４を１０００（ｒ．ｐ．ｍ）で高速回転させて乾燥を行った。」と記載され、
ウ　第１図に遠心乾燥装置の概略平面図、第２図に水滴に作用する各々の表面張力の関係を示すモデル断面図が示されていると認める。
４　対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と上記第１の方法の発明とを対比すると、第１の方法の発明の「水」は、本件発明１の「液体」に相当しており、同様に、「ウエハ」は「基板」に、「スピン乾燥機」は「遠心機」にそれぞれ相当していることが明らかである。
　また、本件発明１の「前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気」とは、請求項７に記載された事項より、イソプロパノールの蒸気を含むものであるので、第１の方法の発明の「イソプロパノールの蒸気」も、「前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気」と表現することができる。
　そうすると、本件発明１と上記第１の方法の発明とは、次の「基板表面から液体を除去する方法」の点で一致している。
　少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と接触させる基板表面から液体を除去する方法。
　しかし、本件発明１では、基板を蒸気と回転運動中に遠心機内で接触させるのに対し、第１の方法の発明では、そのようなものではない点（以下「相違点１」という。）で、両者は相違している。
　そこで、相違点１について、以下検討する。
　上記３（１）のとおり、上記引用例１には第２の発明が記載されており、第２の発明の「水」、「ウエハ」及び「イソプロパノールの蒸気」は、第１の方法の発明と同様に、それぞれ、「液体」、「基板」及び「前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気」と表現することができ、また、第２の発明の「重力」は、「外力」と表現することができるので、第２の方法の発明は、少なくとも一部液体で被覆された基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と外力の作用中に接触させる基板表面から液体を除去する方法、ということになる。
　そして、第１の方法の発明は、回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去するものであるが、この回転運動を受けるとは、遠心力という外力の作用を受けることに他ならないので、第２の方法の発明の外力の作用中に基板を蒸気に接触させる点を、第１の方法の発明に採用し、外力の作用中である回転運動中に基板を蒸気に接触させるようにすることに、格別の困難性はなく、また、回転運動は、遠心機内で行われるものであるから、基板を蒸気と遠心機内で接触させることも当然に行われることである。
　したがって、本件発明１は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１に従属するものであるので、本件発明２と上記第１の方法の発明とを対比すると、上記（１）のとおり、上記相違点１で両者は相違すると共に、本件発明２では、「前記蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させる」事項の限定が加えられているのに対し、第１の方法の発明では、そのようなものであるのか明らかでない点（以下「相違点２」という。）で、両者は相違している。
　そこで、これらの相違点について検討すると、相違点１については、上記（１）で既に検討しているので、相違点２について、以下検討する。
　基板と接触させる蒸気を、不飽和状態とするか飽和状態とするかは、適宜決定する事項であって、該蒸気を不飽和状態とすることは、設計的事項にすぎない。
　したがって、本件発明２は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１、２または３に従属するものであるので、本件発明１に従属する本件発明４と上記第１の方法の発明とを対比すると、本件発明４で限定が加えられた「前記基板が前記遠心機内で回転運動を受ける前に、前記物質の蒸気を前記基板と予め接触させる」事項は、第１の方法の発明が備えている事項であるので、両者は、上記相違点１で相違していることになる。
　ところで、相違点１については、上記（１）で既に検討している。
　したがって、本件発明４は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（４）本件発明５について
　本件発明５は、本件発明４に従属するものであるので、本件発明５と上記第１の方法の発明とを対比すると、上記（３）のとおり、上記相違点１で両者は相違すると共に、本件発明５では、「前記基板が回転運動を受ける前に、１乃至１５秒前記蒸気を前記基板と接触させる」事項の限定が加えられているのに対し、第１の方法の発明では、そのようなものであるのか明らかでない点（以下「相違点３」という。）で、両者は相違している。
　そこで、これらの相違点について検討すると、相違点１については、上記（１）で既に検討しているので、相違点３について、以下検討する。
　基板が回転運動を受ける前に、蒸気を基板と接触させる時間をどの程度とするかは、必要に応じて適宜決定する設計的事項であって、その時間を１乃至１５秒とすることに格別の困難性はない。
　したがって、本件発明５は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（５）本件発明６について
　本件発明６は、本件発明１乃至５の何れかの発明に従属するものであるので、本件発明１に従属する本件発明５と上記第１の方法の発明とを対比すると、第１の方法の発明の「有機溶剤」は、「有機溶媒」と表現することができるので、本件発明６で限定が加えられた「有機溶媒が前記物質として使用される」事項は、明らかに第１の方法の発明が備えている事項であるので、両者は、上記相違点１で相違していることになる。
　ところで、相違点１については、上記（１）で既に検討している。
　したがって、本件発明６は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（６）本件発明７について
　本件発明７と上記第１の方法の発明とを対比すると、本件発明７で限定が加えられた「イソプロパノールの有機溶媒を使用する」事項は、第１の方法の発明が備えている事項であるので、この事項に関して両者に相違はなく、また、本件発明７は、本件発明６に従属するものであるので、上記（５）のとおり、両者は、上記相違点１で相違していることになる。
　ところで、相違点１については、上記（１）で既に検討している。
　したがって、本件発明７は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（７）本件発明１０について
　本件発明１０は、本件発明１乃至９の何れかの発明に従属するものであるので、本件発明１に従属する本件発明１０と上記第３の発明とを対比すると、第３の発明の「水」は、本件発明１０の「液体」に相当しており、同様に、「ウエハ」は「基板」に、「水洗槽中で水洗される」は「液体を含有する浴中で処理される」に、「スピン乾燥機」は「遠心機」にそれぞれ相当していることが明らかである。
　また、上記（１）のとおり、第３の発明の「イソプロパノールの蒸気」は、「前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気」と表現することができる。
　また、第３の発明の「パターンがウエハ上に形成され」は、「半導体装置が半導体基板上に形成され」と表現することができ、同様に、「ウエハの製造方法」は、「半導体装置の製造方法」と表現することができる。
　そうすると、本件発明１０と上記第３の発明とは、次の「半導体装置の製造方法」の点で一致している。
　半導体装置の製造方法であって、半導体装置が半導体基板上に形成され、該形成時、前記半導体基板は液体を含有する浴中で処理される方法において、
　前記液体を含有する浴中における前記半導体基板の前記処理の後、
　少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と接触させる基板表面から液体を除去する方法が実施される半導体装置の製造方法。
　そして、両者は、上記相違点１で相違していることになるが、相違点１については、上記（１）で既に検討している。
　したがって、本件発明１０は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（８）本件発明１１について
　本件発明１１と上記第１の装置の発明とを対比すると、第１の装置の発明の「水」は、本件発明１１の「液体」に相当しており、同様に、「ウエハ」は「基板」に、「スピン乾燥機」は「遠心機」にそれぞれ相当していることが明らかである。
　また、本件発明１１の「前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気」とは、請求項１６に記載された事項より、イソプロパノールの蒸気を含むものであるので、第１の装置の発明の「イソプロパノールの蒸気」も、「前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気」と表現することができる。
　また、第１の装置の発明の「蒸気を、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上にもたらすものであり、前記基板が前記遠心機内で回転運動を受ける前に、前記蒸気を前記基板と予め接触させる減圧容器」は、蒸気を、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上にもたらす手段であることに限り、本件発明１１の「蒸気を、前記遠心機内に設置された少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上に前記回転運動中にもたらすガス導入部と一致している。
　そうすると、本件発明１１と上記第１の装置の発明とは、次の「装置」の点で一致している。
　遠心機を有し、少なくとも一部液体で被覆された基板が該遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する装置であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、前記液体に接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気を、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上にもたらす手段が設けられる装置。
　しかし、蒸気を、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上にもたらす手段が、本件発明１１では、蒸気を、前記遠心機内に設置された少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上に前記回転運動中にもたらすガス導入部であるのに対し、第１の装置の発明では、そのようなものではない点（以下「相違点４」という。）で、両者は相違している。
　そこで、相違点４について、以下検討する。
　上記第２の発明は、上記（１）のとおりのものであり、また、第１の装置の発明は、回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去するものであるが、この回転運動を受けるとは、遠心力という外力の作用を受けることに他ならないので、第２の発明の外力の作用中に基板を蒸気に接触させる点を、第１の装置の発明に採用し、外力の作用中である回転運動中に蒸気を基板上にもたらすようにすることに、格別の困難性はなく、また、回転運動は、遠心機内で行われるものであるから、回転運動中に蒸気を基板上にもたらす手段として、蒸気を、前記遠心機内に設置された前記基板上に前記回転運動中にもたらすガス導入部を採用することも当然に行われることである。
　したがって、本件発明１１は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（９）本件発明１２について
　本件発明１２は、本件発明１１に従属するものであるので、本件発明１２と上記第１の装置の発明とを対比すると、上記（８）のとおり、上記相違点４で両者は相違すると共に、上記（２）で述べたように上記相違点２で、両者は相違している。
　ところで、相違点２については上記（２）で、相違点４については上記（８）で既に検討している。
（１０）本件発明１４について
　本件発明１４は、本件発明１１、１２または１３に従属するものであるので、本件発明１１に従属する本件発明１４と上記第１の装置の発明とを対比すると、本件発明１４で限定が加えられた「前記基板が前記遠心機内で回転運動を受ける前に、前記物質の蒸気を前記基板と予め接触させる」事項は、第１の装置の発明が備えている事項であるので、両者は、上記相違点４で相違していることになる。
　ところで、相違点４については、上記（８）で既に検討している。
（１１）本件発明１５について
　本件発明１５は、本件発明１４に従属するものであるので、本件発明１５と上記第１の装置の発明とを対比すると、上記（１０）のとおり、上記相違点４で両者は相違すると共に、上記（３）で述べたように上記相違点３で、両者は相違している。
　ところで、相違点３については上記（３）で、相違点４については上記（８）で既に検討している。
　したがって、本件発明１４は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（１２）本件発明１６について
　本件発明１６は、本件発明１１乃至１５の何れかの発明に従属するものであるので、本件発明１１に従属する本件発明１６と上記第１の装置の発明とを対比すると、第１の装置の発明の「有機溶剤」は、「有機溶媒」と表現することができるので、本件発明１６で限定が加えられた「有機溶媒が前記物質として使用される」事項は、明らかに第１の装置の発明が備えている事項であるので、両者は、上記相違点４で相違していることになる。
　ところで、相違点４については、上記（８）で既に検討している。
　したがって、本件発明１６は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（１３）本件発明１７について
　本件発明１７と上記第１の装置の発明とを対比すると、本件発明１７で限定が加えられた「イソプロパノールの有機溶媒を使用する」事項は、第１の装置の発明が備えている事項であるので、この事項に関して両者に相違はなく、また、本件発明１７は、本件発明１６に従属するものであるので、上記（１２）のとおり、両者は、上記相違点４で相違していることになる。
　ところで、相違点４については、上記（８）で既に検討している。
　したがって、本件発明１７は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（１４）本件発明３、８、９、１３、１８及び１９について
　本件発明３、８、１３及び１８と上記引用例１及び２に記載された発明とを対比すると、引用例１及び２には、上記３（１）及び（２）のとおりの事項が記載されているものの、本件発明３及び１３で限定が加えられた「前記蒸気を前記基板の温度よりも低い温度に冷却して、該蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させる」事項並びに本件発明８及び１８で限定が加えられた「前記蒸気をキャリアガスと混合し、この混合物を遠心機内に導入して、前記基板を前記蒸気と接触させる」事項については、引用例１及び２に記載されておらず、かつ、示唆もされていない。
　また、本件発明３、８、１３及び１８で限定が加えられた各事項について、特許異議申立人は、特許異議申立書において、「当業者において単なる設計事項の範囲内である。」と主張しているが、証拠は何ら示されておらず、また、上記各事項は、単なる設計事項の範囲内であるとは、言い難いものである。
　したがって、本件発明３、８、１３及び１８は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　また、上記のとおり本件発明８及び１８は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない以上、本件発明８に従属する本件発明９及び本件発明１８に従属する本件発明１９についても、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１、２、４乃至７、１０乃至１２、１４乃至１７に係る特許については、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また、本件請求項３、８、９、１３、１８及び１９に係る特許については、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に本件請求項３、８、９、１３、１８及び１９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１、２、４乃至７、１０乃至１２、１４乃至１７に係る特許については、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認め、また、本件請求項３、８、９、１３、１８及び１９に係る特許については、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月１日（２００２．１１．１）
【訂正の要旨】
　ａ）訂正事項１
　以下では、特許査定時の特許請求の範囲の請求項を旧請求項と呼び、本訂正請求書の請求項を新請求項と呼ぶ。
　旧請求項１の「少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と前記遠心機内で接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、『少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と
前記回転運動中に
　ｂ）訂正事項２
　旧請求項１１の「遠心機を有し、少なくとも一部液体で被覆された基板が該遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する装置であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、前記液体に接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気を、前記遠心機内に設置された少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上にもたらすガス導入部が設けられることを特徴とする装置。」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、『遠心機を有し、少なくとも一部液体で被覆された基板が該遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する装置であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、前記液体に接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気を、前記遠心機内に設置された少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上に
前記回転運動中に
（５４）【発明の名称】
基板表面から液体を除去する方法、当該方法を用いる半導体装置の製造方法、及び基板表面から液体を除去する装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体と接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気と
前記回転運動中に
　【請求項２】　請求項１に記載の方法において、
　前記蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
　【請求項３】　請求項２に記載の方法において、
　前記蒸気を前記基板の温度よりも低い温度に冷却して、該蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
　【請求項４】　請求項１、２または３に記載の方法において、
　前記基板が前記遠心機内で回転運動を受ける前に、前記物質の蒸気を前記基板と予め接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
　【請求項５】　請求項４に記載の方法において、
　前記基板が回転運動を受ける前に、１乃至１５秒前記蒸気を前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
　【請求項６】　請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法において、
　有機溶媒が前記物質として使用されることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
　【請求項７】　請求項６に記載の方法において、
　イソプロパノール、１・メトキシ・２・プロパノール、エチルグリコール及びジアセトンアルコールよりなる群より選択された有機溶媒が使用されることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
　【請求項８】　請求項１乃至７の何れか一項に記載の方法において、
　前記蒸気をキャリアガスと混合し、この混合物を遠心機内に導入して、前記基板を前記蒸気と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
　【請求項９】　請求項８に記載の方法において、
　前記蒸気と前記キャリアガスとの混合物を、前記基板表面近傍においてガス流が小さくなるように前記遠心機内に導入することを特徴とする基板表面から液体を除去する方法。
　【請求項１０】　半導体装置の製造方法であって、半導体装置が半導体基板上に形成され、該形成時、前記半導体基板は液体を含有する浴中で処理される方法において、
　前記液体を含有する浴中における前記半導体基板の前記処理の後、請求項１乃至９の何れか一項に記載の方法が実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１１】　遠心機を有し、少なくとも一部液体で被覆された基板が該遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する装置であって、
　前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、前記液体に接触した場合当該液体の表面張力を小さくするような物質の蒸気を、前記遠心機内に設置された少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板上に
前記回転運動中に
　【請求項１２】　請求項１１に記載の装置において、
　前記蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
　【請求項１３】　請求項１２に記載の装置において、
　前記蒸気を前記基板の温度よりも低い温度に冷却して、該蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
　【請求項１４】　請求項１１、１２または１３に記載の装置において、
　前記基板が前記遠心機内で回転運動を受ける前に、前記物質の蒸気を前記基板と予め接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
　【請求項１５】　請求項１４に記載の装置において、
　前記基板が回転運動を受ける前に、１乃至１５秒前記蒸気を前記基板と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
　【請求項１６】　請求項１１乃至１５の何れか一項に記載の装置において、
　有機溶媒が前記物質として使用されることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
　【請求項１７】　請求項１６に記載の装置において、
　イソプロパノール、１・メトキシ・２・プロパノール、エチルグリコール及びジアセトンアルコールよりなる群より選択された有機溶媒が使用されることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
　【請求項１８】　請求項１１乃至１７の何れか一項に記載の装置において、
　前記蒸気をキャリアガスと混合し、この混合物を遠心機内に導入して、前記基板を前記蒸気と接触させることを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
　【請求項１９】　請求項１８に記載の装置において、
　前記蒸気と前記キャリアガスとの混合物を、前記基板表面近傍においてガス流が小さくなるように前記遠心機内に導入することを特徴とする基板表面から液体を除去する装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、少なくとも一部液体で被覆された基板が遠心機内に設置され、該遠心機内で回転運動を受けることにより基板表面から液体を除去する方法であって、前記基板は、前記基板表面から前記液体を遠心分離するような速度で回転される方法に関する。
　【０００２】
　このような方法は、例えば、半導体集積回路（ＩＣｓ）、液晶を有する表示スクリーン（Ｌ．Ｃ．Ｄｉｓｐｌａｙｓ）、合成物質の基板（回路基板）上の電気回路並びに画像及び音声のレコード盤（ＶＬＰ及びＣＤ）の製造に用いることができる。これら全ての場合において、半導体材料、ガラスまたは合成物質の基板は、しばしば、例えば金属の被着のためのガルヴァニック浴（電気鍍金浴）、金属層中にまたは半導体材料中にパターンをエッチングするためのエッチング浴、露光フォトラッカ層を現像するための現像浴及び基板を洗浄するための水洗い浴等の液体中で何回となく処理される。次いで、この液体は、これら基板の表面から常に除去されるべきである。
　【０００３】
　【従来の技術】
　冒頭に記載のような方法は、特開昭６０−１１３４３１号から既知であり、この方法においては、薄片状の半導体基板が、遠心機内のターンテーブル上に設置され、次いで、この基板表面と交差する軸について高速回転される。
　【０００４】
　上述の既知の方法を用いる場合には、溶液中に溶融された汚染物質が基板の表面に残留し得ることが実際に見出されている。これらの汚染物質は、しばしば、金属的性質または有機的性質があり、基板処理の他の工程において非常に妨げとなり得る。この表面上に局部的に残留する有機汚染物質は、例えば、エッチング処理を局部的に非常に遅らせるか、または阻止さえするかもしれない。
　【０００５】
　【発明の概要】
　本発明の目的は、上述の問題を未然に防ぐ方法を提供することにある。
　【０００６】
　この目的のために、本発明によれば、冒頭に記載のような方法において、前記液体が遠心分離により前記基板表面から除去されてしまう前に、少なくとも一部前記液体で被覆された前記基板を、前記液体に可溶性であり、前記液体に溶解した場合該液体の表面張力よりも小さい表面張力を持つ溶液をもたらすような物質の蒸気と前記遠心機内で接触させることを特徴とする。
　【０００７】
　既知の方法と比較すると、本発明による方法は、かなり清浄な結果を生じる。比較テストは、混合蒸気が遠心機内に導入された場合、基板上に残留する物質の量が少なくとも１０分の１まで減少され得ることを示した。
　【０００８】
　前述の蒸気を含有するガス流を、液体の薄膜が張られた基板の表面上を通過させる実験において、前記液体薄膜は各部分に分離し、これら部分はさらに液滴に収縮する現象が示された。前記ガス流を停止すると、再び液体薄膜が形成される。マランゴニ効果（Ｍａｒａｎｇｏｎｉ　ｅｆｆｅｃｔ）がこの場合ある部分生じ、前記液滴の形成が前記蒸気の供給により生じる前記液体の表面張力の局部的な差によると推定される。前記蒸気が供給された場合、前記液体は、より小さい、ゆえにより厚い液状部に収縮するため、前記遠心機内での処理中、前記液体は、前記表面によりあまり強く保持されないばかりか、よりゆっくりと蒸発するであろう。この処理中、本発明による工程により、より多量の液体が遠心分離により前記表面からそれゆえ除去され、より少量の液体しか蒸発により除去されないであろう。より少量の液体しか蒸発により前記表面から消失しないので、前記液体中に溶融された汚染物質もより少量しか表面に残留しないであろう。
　【０００９】
　本発明によれば、前記蒸気を、好ましくは、不飽和状態で前記基板と接触させる。すなわち、前記遠心機内での処理中、蒸気が前記基板の表面で液化することを防止する。この液化した蒸気は、付加的な乾燥処理を用いて除去する必要があろう。しかしながら、蒸気は非常に清浄であるため、この場合、前記表面がさらに汚染されるようなことはないであろう。それゆえ、不飽和蒸気を使用することは、より清浄な表面を生じることにはならないであろうが、上述の付加的な乾燥処理を不要にする。
　【００１０】
　前記蒸気を前記基板の温度よりも低い温度に冷却して、該蒸気を不飽和状態で前記基板と接触させることが簡単に可能である。
　【００１１】
　好ましくは、本発明によれば、前記基板が前記遠心機内で回転運動を受ける前に、前記液体と混和性のある前記物質の蒸気を、前記基板と予め接触させる。この場合、液滴が、回転運動を開始する前予め前記基板の表面上に形成される。液体の液滴への収縮は、基板が回転している場合よりも、基板が静止している場合の方がはるかに容易に生じる。この様にして、前記基板表面は、回転運動中にのみ蒸気の供給が開始される場合よりもより清浄となる。
　【００１２】
　既に述べたように、基板は、種々の異なる液体浴中で処理され得る。しかしながら、実際には、これらの浴はほとんどが水を含んでいる。これらの場合には、好ましくは、有機溶媒の蒸気が、前記遠心機内に導入される。多量のアルコール、グリコール、アルデヒト、エステル及びケトンの蒸気の供給が、清浄表面を導くことが見出されている。
　【００１３】
　好ましくは、前記蒸気をキャリアガスと混合し、この混合物を遠心機内に導入して、前記基板を前記蒸気と接触させる。このように、簡単に、不飽和蒸気を遠心機内に導入することが出来る。
　【００１４】
　【実施例】
　本発明を、例として、図面及びいくつかの実施例を参照して、さらに詳細に説明する。
　【００１５】
　図１は、本発明による方法を実施するための遠心機の断面の概略を示し、図２は、図１に示す遠心機に蒸気を供給する前の液体を有する基板表面を概略的に示し、図３は、図１に示す遠心機に蒸気を供給した後の液体を有する基板表面を概略的に示し、図４は、図１に示す遠心機を変形した蒸気供給が行われる遠心機の断面を概略的に示し、図５は、図４に示す遠心機に蒸気を供給した後の液体を有する基板表面を概略的に示す。
　【００１６】
　表面２に液体３が張られた、この場合直径１５ｃｍのシリコンの薄片を持つ基板１が、遠心機４のターンテーブル５に設置されている。ターンテーブル５には、チャンバー６が設けられ、このチャンバー６は、表面２とダクト７を介して連通している。ターンテーブル５は、遠心機４内にベアリング９で回転可能な回転軸８上に配置されている。回転軸８には、ダクト１０が設けられ、このダクト１０は、チャンバー６と連通している。ダクト１０を介して、チャンバー６を、基板１がダクト７を介して基板ホルダー５上に吸引されるように、擬似真空化することが可能である。遠心機４は、ゴムリング２０と係合するカバー１９で封鎖される。カバー１９は、シリコン１の薄片から数ミリメートル離れた所に位置し、蒸気流出開口２１を有する。
　【００１７】
　基板１をターンテーブル５に吸引した後、該ターンテーブル５は動作を開始し、該基板１は、液体３が表面２から遠心分離されるほど速く回転される。前記液体は、ドレイン１１を介してさらに除去される。
　【００１８】
　この実施例においては、基板１が前記ターンテーブルの中央に設置されるが、いくつかの基板が同じ（この場合より大きな）ターンテーブル上に配置されるか、または、多数の基板がある一定の間隔で上下に互いに配置された場合においても、液体３は表面２から遠心分離される。遠心機４は、もちろん、シリコン薄片の他、例えば電気回路が設けられる、ガラス板及び合成物質の基板等の基板に用いられても良い。
　【００１９】
　本発明によれば、基板１を、前記液体と混和性があり、この液体と混合した場合、該液体よりも低い表面張力を持つ混合物を生じるような物質の蒸気と遠心機４内で接触させる。このように、明らかに、より充分且つ急速な基板１の乾燥を達成することができる。
　【００２０】
　図２に概略的に示すように、基板１の表面２上に液体薄膜３０として初め存在していた液体３は、図３に概略的に示すように、より小さいが、より厚い液体部分３１に分離される。このような液体部分３１は、表面２との比較的小さな接触面３２と、比較的小さな自由面３３とを有する。この結果、遠心機４内での処理中、液体３は、表面２によりあまり強く保持されないばかりか、よりゆっくりと蒸発するであろう。この処理中、蒸気の供給により、より多量の液体が遠心分離により前記表面からそれゆえ除去され、より少量の液体しか蒸発により除去されないであろう。より少量の液体しか蒸発により前記表面から消失しないので、前記液体中に溶融された汚染物質もより少量しか前記表面上に残留しないであろう。
　【００２１】
　好ましくは、本発明によれば、基板１が遠心機４内で回転運動を受ける前に、該基板１を予め蒸気と接触させる。液体３の液体部分３１への収縮は、基板１が回転している場合よりも、静止している場合の方がはるかに容易に生じる。このように、より充分且つ急速な基板の乾燥を達成することができる。
　【００２２】
　実際には、前記液体はしばしば水である。この場合、充分且つ急速な乾燥は、前記液体と混和性のある物質として有機溶媒が用いられる場合に達成される。好ましくは、図中の矢印１２で図的に示されるキャリアガスを、パイプ１３を介してこの溶媒１５の容器１４を通過させる。この結果、キャリアガス１２は、溶媒１５の蒸気と混合される。溶媒１５の蒸気と混合したキャリアガス１２は、パイプ１８を介して前記遠心機の底部に導入される。これは、この混合物のガス流が、基板１の表面２の近傍で小さくなるように実行するものである。上記ガス混合物は、開口２１を介して排出される。このように、簡単に、不飽和蒸気は前記基板上を通過する。
　【００２３】
　本発明によれば、前記蒸気は、好ましくは、不飽和状態で基板１と接触される。この結果、蒸気が遠心機内での処理中に前記基板上で液化することが防止される。この液化した蒸気というのは、付加的な乾燥処理によりこの場合除去する必要があろう。
　【００２４】
　簡単に、前記蒸気を基板１の温度よりも低い温度に冷却して不飽和状態で該蒸気を基板１と接触させることが可能である。これは、例えば、容器１４内の溶媒１５を、通常の方法で、このより低い温度に冷却することで達成されるかもしれない。もしくは、キャリアガス１２が溶媒１５を通過する際に、該溶媒１５が強制的に蒸発し、ゆえに、実際には前記蒸気が前記基板上で液化することを防止するのに充分であるような温度降下を生じることが知られている。
　【００２５】
　図４は、前述の遠心機を変形した、蒸気供給及び排出が行われる遠心機の断面を概略的に示すものである。溶媒１５の蒸気と混合したキャリアガス１２は、一体成形された開口１７を有するパイプ１８を介して遠心機４の上部に導入される。このガス混合物は、ガスが基板１の表面２に沿って中心部から流れるようにして前記遠心機内に導入される。基板１の表面２上に液体薄膜３０として初め存在していた前記液体（図２参照）は、図５に概略的に示すように、多数のより小さいが、より厚い液体部分３５に分離される。これらの部分も、薄膜３０よりも前記表面からより容易に遠心分離することができ、ゆえに、この場合もまた、この処理中の液体３の蒸発の制限を達成する。
　【００２６】
　直径約１０ｃｍの多数のシリコン薄片を、順次、弗酸（ＨＦ）、水酸化アンモニウム・過酸化水素（ＮＨ４ＯＨ‐Ｈ２Ｏ２）及び塩酸・過酸化水素（ＨＣＬ‐Ｈ２Ｏ２）の通常の溶媒中で洗浄し、さらに付加的にＵＶオゾン洗浄装置中で洗浄する。このシリコン薄片を、遠心機４のターンテーブル５上に固定し、次いで、０．１モル（０．１Ｍ）塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）に希釈された２ｍｌの塩（水）溶液で湿潤する。この場合、前記薄片は、約１１３μｍの厚さの液体薄膜で完全に被覆される。前記薄片を回転する前に約１乃至１５秒、図１に示す遠心機内に蒸気を導入する。この蒸気は、本実施例の場合には窒素ガスであるキャリアガスが、有機溶媒で満たされた容器１４を順次通過して得られ、また、該蒸気は回転中も表面２上に導入される。次の表は多数の実験結果を示すものである。
　【００２７】
　【表１】
　【００２８】
　上記残留物質は、前記遠心機内での乾燥の後、前記シリコン薄片上に残留する物質、主として塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）量である。この実験中、前記基板の温度は約２２°Ｃで、前記蒸気の温度は約２０°Ｃであった。実験番号１においては、前記液体が、前記基板と接触させる蒸気と混合するキャリアガスを用いずに該基板から除去されている。この場合、液体の全量が、、約１分後に除去された。実験番号２においては、キャリアガス（窒素）のみを、前記基板と接触させている。見出された残留物質の量は、これにより、変化していない。しかしながら、液体の全量を除去するために要した時間はより短くなった。その他の実験においては、各々、有機溶媒の蒸気を、このキャリアガスと混合し、前記基板と接触させている。これには、前記ターンテーブルの４種類の異なる回転速度、すなわち、１秒間に５、８、１７及び５０回転の回転速度で影響を与えている。表１から明らかなように、最も低い回転速度（５回転／１秒）で最良の結果が得られる。おそらく、これは、この低速度においては、前述の液体薄膜の各部への収縮が、前記回転運動により実際に妨害されない事実によるものであろう。より高い回転速度においては、事実、大きな遠心力により影響を受け、この結果、これらの部分は、再び液体薄膜に塗り伸ばされ、あまり容易に除去することは出来ないであろう。最良の結果は、５回転／秒でジアセトンアルコール及び１・メトキシ２・プロパノールの蒸気で得られる。この場合、残留物質量は、前記基板を前記蒸気と接触させることなしに１７回転／秒で前記液体を除去する場合と比較して、少なくとも２０分の１の少なさである。上述の全ての実験において、前記基板は、該基板が回転される前に約１秒前記蒸気と接触させている。この時間は、より長く選択されても良い。しかしながら、この時間が約１５秒よりも長くなると、この水性薄膜の相当量が蒸発により予め除去されるかもしれなく、この結果、より多量の汚染物質が前記表面に残留する。これは、それほど清浄な結果を導かない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明による方法を実施するための遠心機の断面の概略を示す。
　【図２】　図１に示す遠心機に蒸気を供給する前の液体を有する基板表面を概略的に示す。
　【図３】　図１に示す遠心機に蒸気を供給した後の液体を有する基板表面を概略的に示す。
　【図４】　図１に示す遠心機を変形した蒸気供給が行われる遠心機の断面を概略的に示す。
　【図５】　図４に示す遠心機に前記蒸気を供給した後の液体を有する基板表面を概略的に示す。
　【符号の説明】
　　　　　１…基板　　　　　　　　　　２…表面
　　　　　３…液体　　　　　　　　　　４…遠心機
　　　　　５…ターンテーブル　　　　　６…チャンバー
　　７、１０…ダクト　　　　　　　　　８…回転軸
　　　　　９…ベアリング　　　　　　１１…ドレイン
　　　　１２…キャリアガス　　１３、１８…パイプ
　　　　１４…容器　　　　　　　　　１５…溶媒
　　　　１９…カバー　　　　　　　　２０…ゴムリング
　　　　２１…開口　　　　　　　　　３０…液体薄膜
　３１、３５…液体部分　　　　　　　３２…接触表面
　　　　３３…自由表面