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　平成　６年特許願第２４７１５４号「半導体装置とその製法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　４月　２日出願公開、特開平　８−　８８２７６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．経緯
　出願　　　　　　　　　平成　６年　９月１４日
　拒絶理由通知（審査官）平成１０年　７月２９日
　手続補正書１　　　　　平成１０年１０月１９日
　拒絶査定　　　　　　　平成１１年　２月１２日
　審判請求　　　　　　　平成１１年　３月２５日
　拒絶理由（当審）　　　平成１２年　４月１１日
　手続補正書２　　　　　平成１２年　６月２６日
　意見書　　　　　　　　平成１２年　６月２６日
　なお、手続補正２は補正却下された。
　
２．手続補正書１の概要
　手続補正書１における特許請求の範囲の内容は次のとおりである。
「【請求項１】　基板の表面に形成したＭＯＳ型トランジスタを覆って吸湿性のある層間絶縁膜を形成して成る半導体装置であって、
　前記トランジスタのゲート電極層と前記層間絶縁膜との間に該ゲート電極層の上方を横切るように配線層の一部を拡張して介在配置し、その拡張部分を水分拡散防止膜として使用することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】　基板の表面に形成したＭＯＳ型トランジスタを覆って吸湿性のある層間絶縁膜を形成して成る半導体装置であって、
　前記トランジスタのゲート電極層と前記層間絶縁膜との間に該ゲート電極層の上方を横切るように配線層とは別の配線材層を介在配置し、該配線材層を水分拡散防止膜として用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】　基板の表面にＭＯＳ型トランジスタを形成する工程と、
　前記トランジスタを覆って絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の上に配線材層を被着してパターニングすることにより配線層を形成する工程と、
　前記絶縁膜の上に前記配線層を覆って吸湿性のある層間絶縁膜を形成する工程と
を含む半導体装置の製法であって、
　前記配線層の形成工程では、前記配線材層の被着及びパターニング処理を流用して前記トランジスタのゲート電極層の上方を横切って該ゲート電極層を覆う形状に前記配線材層の一部を残存させ、その残存部を水分拡散防止膜として使用することを特徴とする半導体装置の製法。」
　なお、手続補正書２は、最後の拒絶理由である上記拒絶理由（当審）に対して行われたものであって、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであったが、新規事項違反であるともに独立して特許を受けることができないとして、補正却下された。
　
３．拒絶理由（当審）、及び拒絶査定の理由の概要
　拒絶理由（当審）の概要は、次のとおりである。
「審査官の平成１０年７月２９日付けの拒絶理由に対して提出された手続補正書（平成１０年１０月１９日付、原文の２０日付けは誤り）で補正された請求項１〜３において、「ゲート電極の上方を横切るように」とする補正は、出願当初の明細書に記載されておらず、また直接かつ一義的に導かれるものでもないので、特許法第１７条の２第２項の規定に違反する。
最後の拒絶理由とする理由
　審査官の平成１０年７月２９日付けの拒絶理由に対して提出された手続補正書（平成１０年１０月１９日付、原文の２０日付けは誤り）で補正されたことによって発生した拒絶理由である。」
　拒絶査定の理由の概要は次のとおりである。
「この出願の請求項１〜３に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 記
１)特開昭６０−１４４９５５号公報
２)特開平５−２９１４１３号公報
　
４．新規事項違反
　平成１２年６月２６日付け手続補正２は補正却下されたので、手続補正１に対する上記拒絶理由（当審）は、解消していない。従って、本願の請求項１〜３に係る発明は、特許法第１７条の２第２項（平成５年法）の規定に違反するので、特許法第４９条第１号に該当し、本件出願は拒絶されるべきである。
　
５．引例に記載された発明
　手続補正１の請求項の特許登録性についても検討する。
　審査官が拒絶理由に引用した、引例１（特開昭６０−１４４９５５号公報）の第２頁右上欄第６行〜第１４行には、「従来の半導体装置の構造は以上説明したようなものであったため、たとえば、チップを樹脂で封じた、俗に言われるモールドＩＣなどでは、樹脂を浸透したり、あるいはリード線と樹脂との接触面を通って水分がチップで表面に到達し、その結果、絶縁保護膜１０および中間絶縁膜２９のリンおよびナトリウムなどの不純物、そして電界の影響を受けてアルミ配線膜が腐蝕してしまうことがあった。」と記載され、同頁左下欄第１４行〜第２０行には、「アルミ膜などの金属膜を第２の金属膜の保護膜とする場合、各電極間の電位分離をするためには、第２の金属膜にどうしても間隙ができ、そこから水分が侵入し、不純物（ナトリウムなど）、リン、電界などの原因で、前記間隙直下にある第１のアルミ配線の膜に腐蝕が生じるためである。」と記載され、第３頁左上欄第７行〜右上欄第１３行には、「この第２図（ａ）、第２図（ｂ）において、３０は正電圧入力のワイヤボンドパッド２の第１アルミ配線膜を覆う第２アルミ膜である。この第２アルミ膜３０はこの実施例では、５μｍ以上の厚さで覆っている。　…第２アルミ膜３２は接地入力の端子のワイヤボンドパッド３を覆うとともに回路構成部分の第１アルミ配線膜全体を覆っている。　第２アルミ膜３０〜３３は当然であるが、それぞれ絶縁されている。そして、その絶縁を行なっているパターン間隙の下には、第１アルミ配線膜が存在しないように、この例では入力ダイオードの拡散抵抗を配置している。　このため、チップ上面からこの発明の半導体装置（ＩＣ）を見た場合には、第１アルミ配線膜は第２アルミ膜の下にかくれて見えないようになっている。その結果、このＩＣ上に水分、汚れが侵入してきても、回路の第１アルミ配線部分は接地入力の端子のワイヤボンドパッド３上の第２アルミ配線膜３２によって保護されており、第１アルミ配線膜の腐蝕は生じない。」と記載されている。そして、第２図（ａ）によれば、第２アルミ膜３２に覆われるＩＣ部には、ＦＥＴと見られるトランジスタ１５、２１が形成されていることが示され、第２図（ｂ）によれば第２アルミ配線は第１アルミ配線とは別に設けられていることが示されている。
　即ち、引例１には、トランジスタにおける第１アルミ配線が侵入した水分により腐食することを防止するために、第１アルミ配線部分をチップ上面から見た場合に、第１アルミ配線膜は第２アルミ膜の下にかくれて見えないように、第２アルミ配線を第１アルミ配線とは別に第１アルミ配線を覆って設ける構造および方法が示されている。
　審査官が拒絶理由に引用した引例２（特開平５−２９１４１３号公報）の第２頁左欄第２７行〜第３４行に「【０００４】しかしながら、層間絶縁膜が、そのような性質を有する絶縁材でなる絶縁膜でなる場合、その絶縁膜は、一般に、種々の形で水分を無視し得ない量含んでいる。例えば層間絶縁膜を構成している、上述した段差を緩和した上面に形成される絶縁膜が、常圧ＣＶＤ法によって形成されているＳｉＯ2 でなる場合、その絶縁膜は、シラノ―ル、シロキサンなどの形で水分を、無視し得ない量で含んでいる。」と記載され、同じく第４３行〜第４８行には、「【０００６】また、層間絶縁膜が、上述した段差を緩和した上面に形成される絶縁材でなる絶縁膜のみでなる場合、半導体集積回路装置の動作時、その絶縁膜の水分が、層間絶縁膜上に形成されている金属配線層に達し、それを酸化するなどして、金属配線層を劣化させる、という欠点を有していた。」と記載され、同頁右欄第３８行〜第３頁左欄第２８行に「【００１２】【実施例】次に、図１を伴って、本発明による半導体集積回路装置の多層配線構体の実施例を述べよう。【００１３】図１に示す、本発明による半導体集積回路装置の多層配線構体は、次に述べる構成を有する。【００１４】すなわち、例えばｐ型を有し且つＳｉでなる半導体基板１を有し、その主面１ａ側に、多数の素子形成領域２を画成するように（ただし、図においては、簡単のため１つの素子形成領域２だけが示されている）、ＳｉＯ2 でなる素子分離用絶縁膜３が、熱酸化によって形成されている。【００１５】また、半導体基板１の主面１ａ上に、素子形成領域２上において、ＳｉＯ2 でなるゲ―ト用絶縁膜４を介して、ゲ―ト用電極５が形成されている。【００１６】さらに、半導体基板１内に、上方からみて、ゲ―ト電極５を挟んだ両位置に、ｎ型を有するソ―ス用半導体領域６及びドレイン用半導体領域７が形成されている。【００１７】また、半導体基板１上に、ゲ―ト用電極５を覆い且つソ―ス用半導体領域６及びドレイン用半導体領域７を外部にそれぞれ臨ませる窓８及び９を有する絶縁膜１０が形成されている。この場合、絶縁膜１０は、ＳｉＯ2 でなり、それ自体は公知の常圧ＣＶＤ法によって形成されている。【００１８】さらに、絶縁膜１０上に、その窓８及び９をそれぞれ通じてソ―ス用半導体領域６及びドレイン用半導体領域７に連結しているソ―ス用金属配線層１１及びドレイン用金属配線層１２が形成されている。【００１９】また、半導体基板１上に、絶縁膜１０を介し且つソ―ス用金属配線層１１及びドレイン領域用金属配線層１２を覆って延長している層間絶縁膜１３が形成されている。【００２０】この場合、層間絶縁膜１３は、ＳｉＯ2 でなり且つ点欠陥を有する絶縁膜１４と、ＳｉＯ2 でなり且つ層間絶縁膜１３が形成される下地の上面に（絶縁膜１０上にゲ―ト用電極５を形成している状態での、それらによる上面）段差を有していてもその段差を緩和した上面に形成される性質（流動性）を有する絶縁膜１５と、ＳｉＯ2 でなり且つ点欠陥を有する他の絶縁膜１６とがそれらの順に積層されている構成を有する絶縁膜積層体１７でなる。」と記載され、同頁右欄第１５行〜第３２行には、「【００２５】また、層間絶縁膜１３が���点欠陥を有する絶縁膜１４を有する絶縁膜積層体１７でなり、そして、点欠陥を有する絶縁膜１４が、その絶縁膜１４中に拡散、遊離した電子、イオン、中性原子などを捕獲する性質を有することから、水分を効果的に捕獲する高い能力を有しているので、層間絶縁膜１３が形成される下地の上面（絶縁膜１０上にゲ―ト用電極５を形成している状態での、それらによる上面）に段差を有していてもその段差を緩和した上面に形成される性質を有する絶縁材でなる絶縁膜１７が種々の形で水分を含んでいるとしても、その水分が、層間絶縁膜１３から半導体基板１側に、それを用いて形成されている多数の半導体素子としてのＭＯＳ型電界効果トランジスタ乃至その近傍（例えばゲ―ト用絶縁膜４）にまで達するのを有効に阻止することができる。このため、半導体素子としてのＭＯＳ型電界効果トランジスタを所期の特性で動作させることができ、従って、半導体集積回路装置を所期の特性で動作させることができる。」と記載されている。
　即ち引例２には、次の半導体装置及びその製法が示されている。
ｐ型を有し且つＳｉでなる半導体基板１を有し、その主面１ａ側に、多数の素子形成領域２を画成するように、ＳｉＯ2 でなる素子分離用絶縁膜３が、熱酸化によって形成されている。半導体基板１の主面１ａ上に、素子形成領域２上において、ＳｉＯ2 でなるゲ―ト用絶縁膜４を介して、ゲ―ト用電極５が形成されている。半導体基板１内に、上方からみて、ゲ―ト電極５を挟んだ両位置に、ｎ型を有するソ―ス用半導体領域６及びドレイン用半導体領域７が形成されている。半導体基板１上に、ゲ―ト用電極５を覆い且つソ―ス用半導体領域６及びドレイン用半導体領域７を外部にそれぞれ臨ませる窓８及び９を有する絶縁膜１０が形成されている。絶縁膜１０上に、その窓８及び９をそれぞれ通じてソ―ス用半導体領域６及びドレイン用半導体領域７に連結しているソ―ス用金属配線層１１及びドレイン用金属配線層１２が形成されている。また、半導体基板１上に、絶縁膜１０を介し且つソ―ス用金属配線層１１及びドレイン領域用金属配線層１２を覆って延長している層間絶縁膜１３が形成されている。この場合、層間絶縁膜１３は、ＳｉＯ2 でなり且つ点欠陥を有する絶縁膜１４と、ＳｉＯ2 でなり且つ層間絶縁膜１３が形成される下地の上面に段差を有していてもその段差を緩和した上面に形成される性質（流動性）を有する絶縁膜１５とがそれらの順に積層されている。そして、点欠陥を有する絶縁膜１４が、その絶縁膜１４中に拡散、遊離した電子、イオン、中性原子などを捕獲する性質を有することから、水分を効果的に捕獲する高い能力を有しているので、上面に形成される絶縁膜１５が種々の形で水分を含んでいるとしても、その水分が、半導体基板１側に、また多数の半導体素子としてのＭＯＳ型電界効果トランジスタ乃至その近傍（例えばゲ―ト用絶縁膜４）にまで達するのを有効に阻止することができる。
　
６．手続補正１の請求項と引例との対比
６．１　請求項１について
　引例２と請求項１のものとは「基板の表面に形成したＭＯＳ型トランジスタを覆って吸湿性のある層間絶縁膜を形成して成る半導体装置」である点で一致する。
　そして、請求項１のものは、「前記ゲート電極層と前記第２の層間絶縁膜との間に該ゲート電極層の上方を横切るように配線層の一部を拡張して介在配置し、その拡張部を分拡散防止膜として使用する」のに対して、引例２のものは、「ソ―ス用金属配線層１１及びドレイン領域用金属配線層１２を覆って延長している、点欠陥を有する絶縁膜１４が、水分を効果的に捕獲して」いる点で相違している。
　しかしながら、引例１には、トランジスタにおける第１アルミ配線が侵入した水分により腐食することを防止するために、第１アルミ配線部分をチップ上面から見た場合に、第１アルミ配線膜は第２アルミ膜の下にかくれて見えないように、第２アルミ配線を第１アルミ配線とは別に第１アルミ配線を覆って設けることが示されており、引例２の絶縁膜１４に換えて、アルミ配線を延長することで水分拡散防止することは、当業者が容易に想到し得たものである。そして、水分拡散防止をどの程度にするかによって、ゲート電極層の上方を横切るように配線層の一部を拡張することは、当業者が任意に設定できた事項であり、請求項１のものは、引例２及び１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６．２　請求項２について
　引例２と請求項２のものとは「基板の表面に形成したＭＯＳ型トランジスタを覆って吸湿性のある層間絶縁膜を形成して成る半導体装置」である点で一致する。
そして、請求項２のものは「トランジスタのゲート電極層と前記層間絶縁膜との間に該ゲート電極層の上方を横切るように配線層とは別の配線材層を介在配置し、該配線材層を水分拡散防止膜として用いる」のに対して、引例２のものは、「ソ―ス用金属配線層１１及びドレイン領域用金属配線層１２を覆って延長している、点欠陥を有する絶縁膜１４が、水分を効果的に捕獲して」いる点で相違している。
　しかしながら、引例１には、トランジスタにおける第１アルミ配線が侵入した水分により腐食することを防止するために、第１アルミ配線部分をチップ上面から見た場合に、第１アルミ配線膜は第２アルミ膜の下にかくれて見えないように、第２アルミ配線を第１アルミ配線とは別に第１アルミ配線を覆って設けることが示されており、引例２の絶縁膜１４に換えて、アルミ配線とは別の配線を設けることで水分拡散防止することは、当業者が容易に想到し得たものである。そして、水分拡散防止をどの程度にするかによって、
ゲート電極層の上方を横切るように配線層とは別の配線材層を介在配置することは、当業者が任意に設定できた事項であり、請求項１のものは、引例２及び１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
５．３　請求項３について
　引例２と請求項３のものは「基板の表面にＭＯＳ型トランジスタを形成する工程と、前記トランジスタを覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に配線材層を被着してパターニングすることにより配線層を形成する工程と、前記絶縁膜の上に前記配線層を覆って吸湿性のある層間絶縁膜を形成する工程とを含む半導体装置の製法」である点で一致する。
　そして、請求項３のものは、「前記配線層の形成工程では、前記配線材層の被着及びパターニング処理を流用して前記トランジスタのゲート電極層の上方を横切って該ゲート電極層を覆う形状に前記配線材層の一部を残存させ、その残存部を水分拡散防止膜として使用する」のに対して、引例２のものは、「ソ―ス用金属配線層１１及びドレイン領域用金属配線層１２を覆って延長している、点欠陥を有する絶縁膜１４が、水分を効果的に捕獲して」いる点で相違している。
　しかしながら、引例１には、トランジスタにおける第１アルミ配線が侵入した水分により腐食することを防止するために、第１アルミ配線部分をチップ上面から見た場合に、第１アルミ配線膜は第２アルミ膜の下にかくれて見えないように、第２アルミ配線を第１アルミ配線とは別に第１アルミ配線を覆って設けることが示されており、第２アルミ膜もパターン化されているのであるから、一部残存している。してみると引例２の絶縁膜１４に換えて、アルミ配線を一部残存させることで水分拡散防止することは、当業者が容易に想到し得たものである。そして、水分拡散防止をどの程度にするかによって、トランジスタのゲート電極層の上方を横切って該ゲート電極層を覆う形状にすることは、当業者が任意に設定できた事項であり、請求項３のものは、引例２及び１に記載されて発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
７．手続補正１の請求項の特許登録性
　手続補正１の請求項１〜３はいずれも特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
８．まとめ
　以上のとおりであるから、上記結論のとおり審決する。