【事件の表示】
　平成　４年特許願第２１５７９１号「半導体集積回路装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　２月１８日出願公開、特開平　６−　４５６００］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成４年７月２２日の特許出願であって、その請求項１〜２に係る発明は、平成１０年１０月２６日付け手続補正書及び平成１１年５月２４日付け手続補正書で補正された明細書並びに図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１〜２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　一導電型の半導体層に設けた逆導電型のソース・ドレイン領域と、前記半導体層の表面上に設けたゲート電極を有するＭＯＳトランジスタを備える半導体集積回路装置において、前記ゲート電極と自己整合配置された一導電型の高濃度不純物層を有し、前記高濃度不純物層は、前記半導体層の表面から離れた領域でかつ前記ソース・ドレイン領域の高濃度領域から離れて領域に形成され、かつ前記ソース・ドレイン領域の低濃度領域であるＬＤＤ不純物層とはゲート上方からみて重ならないように配置されており、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられたゲート酸化膜は前記高濃度不純物層の形成後に形成されたものであることを特徴とする半導体集積回路装置。」
　
２．引用文献に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−１２３４７４号公報（以下「引用文献」という）は、絶縁ゲート型半導体装置に関するものであり、第１〜３図と共に以下の点が記載されている。
「（１）第１導電型の半導体基体にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記半導体基体に形成した第２導電型のソース・ドレイン領域とを備える絶縁ゲート型半導体装置において、少なくとも前記ゲート電極下の深い位置に第１導電型で前記半導体基体よりも高不純物濃度のチャネルドープ層を形成しており、かつこの深いチャネルドープ層は前記ソース・ドレイン領域の高不純物濃度領域とは直接接触していないことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。」（第１頁左下欄５行目〜１４行目）
「ゲート酸化膜１２を通して基板と同一導電型の不純物、例えばホウ素をイオン注入し、深いドープ層１４Ａを形成しておく。」（第２頁左下欄１６行目〜１９行目）
「更に、第２図（c）に示すようにゲート電極１５及び厚い酸化膜１３に対してｎ型不純物であるリンを自己整合的にイオン注入する。このリンのイオン注入は、前記のホウ素のイオン注入で形成されたｐ層と同じ深さでかつｐ層の濃度より低く設定する。これにより、ゲート直下の領域以外の前記ドープ層１４Ａの不純物濃度を初期の半導体基盤の不純物濃度と同程度まで低下させ、この結果ゲート電極１５の直下にのみ深いチャネルドープ層１４が形成される。」（第２頁右下欄７行目〜１６行目）
「（第２実施例）
　第３図は本発明の第２の実施例を示す断面図であり、第１図と同一部分には同一符号を付してある。
　この実施例ではソース・ドレイン領域を高濃度の領域（ｎ＋層）１７，１８と低濃度の領域（ｎ−層）１９，２０とで所謂ＬＤＤ構造に構成している。また、第１実施例と同様に構成した深いチャネルドープ層１４は低濃度領域１９，２０とは接しているが、高濃度領域１７，１８とは接していない構成となっている。
　この構成によれば前記第１実施例と同様に耐圧低下及び接合容量の増大を防止できるとともに、ＬＤＤ構造を採用したことによりドレイン耐圧を更に向上することが可能となる。
　ここで、低濃度領域１９，２０と深いチャネルドープ層１４は接触しない構成としてもよい。」（第３頁左上欄１７行目〜右上欄１３行目）
「〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明は、ＭＩＳトランジスタの少なくともゲート電極下に形成する深いチャネルドープ層が、ソース・ドレイン領域の高不純物濃度領域とは直接接触していないよう構成しているので、ＭＩＳトランジスタの微細化に伴うチャネルドープ濃度の増大に起因する耐圧劣化、拡散層容量の増大を防止することができる効果がある。」（第３頁右下欄１６行目〜第４頁左上欄４行目）
　また、第３図の記載から、「チャネルドープ層１４は、半導体基体の表面から離れた領域でかつソース・ドレイン領域の高濃度領域１７，１８から離れた領域に形成され、かつソース・ドレイン領域の低濃度領域１９，２０とはゲート上方から見て少し重なって配置されている」ことが、明らかである。
　以上の記載から、引用文献には「第１導電型の半導体基体に設けた第２導電型のソース・ドレイン領域と、前記半導体基体の表面上に設けたゲート電極を有するＭＩＳトランジスタを備える絶縁ゲート型半導体装置において、前記ゲート電極下の深い位置に配置された第１導電型の高不純物濃度のチャネルドープ層を有し、前記チャネルドープ層は、前記半導体基体の表面から離れた領域でかつ前記ソース・ドレイン領域の高濃度領域から離れた領域に形成され、かつ前記ソース・ドレイン領域の低濃度領域とはゲート上方から見て少し重なって配置されていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。」が記載されている。
　
３．本願発明と引用文献に記載された発明との対比・判断
　引用文献の「第１導電型の半導体基体」、「第２導電型のソース・ドレイン領域」、「第１導電型の高不純物濃度のチャネルドープ層」、「絶縁ゲート型半導体装置」は、それぞれ本願発明の「一導電型の半導体層」、「逆導電型のソース・ドレイン領域」、「一導電型の高濃度不純物層」、「半導体集積回路装置」に相当する。また、引用文献のチャネルドープ層が、ゲート電極と自己整合配置されていることは、その製造方法から明らかである。さらに、引用文献では、ゲート絶縁膜としてゲート酸化膜を用いているので、ＭＯＳトランジスタである。
　したがって、本願発明と引用文献に記載された発明とを対比すると、両者は、
「一導電型の半導体層に設けた逆導電型のソース・ドレイン領域と、前記半導体層の表面上に設けたゲート電極を有するＭＯＳトランジスタを備える半導体集積回路装置において、前記ゲート電極と自己整合配置された一導電型の高濃度不純物層を有し、前記高濃度不純物層は、前記半導体層の表面から離れた領域でかつ前記ソース・ドレイン領域の高濃度領域から離れて領域に形成され、また前記ソース・ドレイン領域の低濃度領域であるＬＤＤ不純物層が形成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。」である点で一致し、
　相違点１：本願発明の高濃度不純物層は、ソース・ドレイン領域の低濃度領域であるＬＤＤ不純物層とはゲート上方からみて重ならないように配置されているのに対して、引用文献のチャネルドープ層は、ソース・ドレイン領域の低濃度領域とはゲート上方からみて少し重なって配置されている点、
　相違点２：本願発明では、ゲート電極と半導体層との間に設けられたゲート酸化膜は高濃度不純物層の形成後に形成されたものであるのに対して、引用文献では、ゲート酸化膜をチャネルドープ層より先に形成している点、
において、両者は相違する。
　そこで、上記相違点について検討する
　相違点１：高濃度不純物層と低濃度領域の重なりの程度について、両者は微差に過ぎず、さらに、両者とも同様の効果を有するものと認められるので、本願発明の如く、高濃度不純物層と低濃度領域とをゲート上方からみて重ならないように配置した点に格別の困難性はない。
　相違点２：特開平２−２１８１６５号公報では、シリコン酸化膜２を介してイオン注入し、半導体基板中にパンチスルーストッパとなるべきイオン注入領域５を形成後、シリコン酸化膜２を除去し、ゲート酸化膜６を形成している。このように、イオン注入後、ゲート酸化膜を作ることは、周知であるから、本願発明の如く高濃度不純物層を形成するためのイオン注入後、ゲート酸化膜を作ることは、当業者が容易になし得ることである。
　また、本願発明の効果についても、引用文献の記載から当業者が予想し得る範囲のものである。
　
４．結び
　ゆえに、本願発明は、本願出願前に国内で頒布された刊行物である前記引用文献に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。