(57)【要約】【課題】ビアホールがずれて形成された場合においても、ビアホールの内壁面を洗浄する際にチタンにより構成される第１の層が浸食されてしまうことを抑制する。【解決手段】一実施形態に係る半導体装置は、配線層と、側面保護膜と、層間絶縁膜と、ビアプラグとを有する。配線層は、チタンにより構成される第１の層と、第１の層の上に配置され、窒化チタンにより構成される第２の層と、第２の層の上に配置され、アルミニウムを含有する第３の層と、第３の層の上に配置され、窒化チタンにより構成される第４の層とを有する。側面保護膜は、配線層の側面に配置され、かつヒドロキシルアミンに対する薬液耐性及び導電性を有する。層間絶縁膜は、配線層及び側面保護膜を覆い、かつビアホールが設けられる。ビアプラグは、ビアホール内に配置され、かつ配線層と電気的に接続される。【選択図】図２
2018160493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタンにより構成される第１の層と、前記第１の層の上に配置され、窒化チタンにより構成される第２の層と、前記第２の層の上に配置され、アルミニウムを含有する第３の層と、前記第３の層の上に配置され、窒化チタンにより構成される第４の層とを有する配線層と、
前記配線層の側面に配置され、かつヒドロキシルアミンに対する薬液耐性及び導電性を有する側面保護膜と、
前記配線層及び前記側面保護膜を覆い、かつビアホールが設けられた層間絶縁膜と、
前記ビアホール内に配置され、かつ前記配線層と電気的に接続されるビアプラグとを備える、半導体装置。
【請求項２】
前記側面保護膜は、前記配線層を構成する材料の窒化物により構成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第４の層は、前記第４の層の側に位置する前記第３の層の側面よりも側方に突出する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３の層の厚さをｈとし、前記第４の層が前記第４の層の側に位置する前記第３の層の側面よりも側方に突出する距離をＸとし、前記第３の層の側面と前記第４の層とのなす角度をθ１とし、前記ビアホールの内壁面と前記層間絶縁膜の上面とのなす角度をθ２とした場合に、Ｘ＞ｈ×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１）／（ｔａｎθ１×ｔａｎθ２）との関係が充足される、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第４の層が前記第４の層の側に位置する前記第３の層の側面よりも側方に突出する距離をＸとし、前記第３の層の側面と前記第４の層とのなす角度をθ１とし、前記ビアホールの内壁面と前記層間絶縁膜の上面とのなす角度をθ２とし、前記ビアホールの前記配線層の上面と同じ高さ位置における開口幅をＡとし、前記第４の層の幅をＬとした場合に、Ｘ＞（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１）／２×ｔａｎθ１との関係が充足される、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記側面保護膜は、ＣＶＤ膜である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記側面保護膜は、窒化チタンにより構成される、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第４の層の上に配置される反射防止膜をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
チタンにより構成される第１の層と、前記第１の層の上に配置され、窒化チタンにより構成される第２の層と、前記第２の層の上に配置され、アルミニウムを含有する第３の層と、前記第３の層の上に配置され、窒化チタンにより構成される第４の層とを有する配線層を形成する工程と、
前記配線層の側面に、ヒドロキシルアミンに対する薬液耐性及び導電性を有する側面保護膜を形成する工程と、
前記配線層及び前記側面保護膜を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、前記層間絶縁膜中にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールの表面をヒドロキシルアミンを含有する薬液で洗浄する工程と、
前記ビアホール内に前記配線層に電気的に接続されるビアプラグを形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記側面保護膜は、前記配線層の側面を窒化することにより形成される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記配線層を形成する工程は、前記第４の層が、前記第４の層の側に位置する前記第３の層の側面よりも側方に突出するように行われる、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第３の層の厚さをｈとし、前記第４の層が前記第４の層の側に位置する前記第３の層の側面よりも側方に突出する距離をＸとし、前記第３の層の側面と前記第４の層とのなす角度をθ１とし、前記ビアホールの内壁面と前記層間絶縁膜の上面とのなす角度をθ２とした場合に、Ｘ＞ｈ×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１）／（ｔａｎθ１×ｔａｎθ２）との関係が充足される、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第４の層が前記第４の層の側に位置する前記第３の層の側面よりも側方に突出する距離をＸとし、前記第３の層の側面と前記第４の層とのなす角度をθ１とし、前記ビアホールの内壁面と前記層間絶縁膜の上面とのなす角度をθ２とし、前記ビアホールの前記配線層の上面と同じ高さ位置における開口幅をＡとし、前記第４の層の幅をＬとした場合に、Ｘ＞（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１）／２×ｔａｎθ１との関係が充足される、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記側面保護膜は、前記配線層の側面上に対してＣＶＤを行うことにより形成される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記側面保護膜は、窒化チタンにより構成される、請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置として、特開２００７−２７２５４号公報（特許文献１）及び特開２０１３−４６０６号公報（特許文献２）に記載の半導体装置が知られている。
【０００３】
特許文献１に記載の半導体装置は、配線層と、配線層の側面及び上面の上に配置されている保護膜と、配線層及び保護膜を覆う絶縁層とを有している。配線層は、ＴｉＮ（窒化チタン）膜と、ＴｉＮ膜上に配置されているＡｌ（アルミニウム）−Ｃｕ（銅）膜と、Ａｌ−Ｃｕ膜上に配置されているＴｉ（チタン）膜と、Ｔｉ膜上に配置されているＴｉＮ膜とを有している。保護膜は、フッ化シリケードガラス（ＦＳＧ）膜である。特許文献１に記載の半導体装置においては、保護膜が絶縁膜中の不純物の配線層中への侵入を防止することにより、半導体装置の誤動作等が抑制されている。
【０００４】
特許文献２に記載の半導体装置は、第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜の上に配置されている配線層と、配線層の側面及び上面の上に配置されているＳｉＮ（窒化珪素）膜と、配線層及びＳｉＮ膜を覆う第２の層間絶縁膜とを有している。配線層は、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜と、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜の上に配置されているＡｌＣｕ膜と、ＡｌＣｕ膜の上に配置されている上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜とを有している。特許文献２に記載の半導体装置においては、配線層を形成後であって第２の層間絶縁膜を形成する前に、第１の層間絶縁膜を掘り下げるようにエッチングされる。ＳｉＮ膜は、この際に、配線層の側壁が再度エッチングされてしまうことを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２７２５４号公報
【特許文献２】特開２０１３−４６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の半導体装置においては、配線層間の電気的接続を行うために、絶縁層中にビアホールをエッチングにより形成すること及びビアホール中にビアプラグを形成することが必要である。ビアホールを形成するための絶縁膜のエッチングにマスクずれが生じた場合、ビアホールから配線層の側面が露出するおそれがある。ビアホールを形成するためのエッチングの後には、ビアホールの内壁面上に残存した堆積物を除去するため、ビアホールの内壁面が、ヒドロキシルアミンを含有する薬液で洗浄される場合がある。
【０００７】
特許文献１に記載の半導体装置の配線層を構成するＴｉ膜は、ヒドロキシルアミンを含有する薬液に対するエッチングレートが大きい。そのため、特許文献１に記載の半導体装置において、ビアホールを形成するためのエッチングにマスクずれが生じた場合、ヒドロキシルアミンを含有する薬液により、配線層を構成するＴｉ膜が浸食されてしまうおそれがある。
【０００８】
特許文献２に記載の半導体装置においては、ＳｉＮ膜のエッチングレートは、第２の層間絶縁膜のエッチングレートよりも小さいため、ビアホールを形成するために第２の層間絶縁膜をエッチングする際には、配線層の側面が露出しない。しかしながら、ＳｉＮ膜は絶縁性であり、ＳｉＮ膜を残したままビアプラグを形成しても配線間の電気的接続を行えない。そのため、最終的にはＳｉＮ膜もエッチングにより除去する必要があり、ＳｉＮ膜をエッチングで除去する際に再度堆積物が発生するおそれがあるため、特許文献２に記載の半導体装置においても、特許文献１に記載の半導体装置と同様の問題が生じることになる。
【０００９】
ＡｌＣｕ膜のエレクトロマイグレーションを抑制するためには、ＡｌＣｕ膜の結晶配向性を均一化する必要がある。ＡｌＣｕ膜の結晶配向性は、その下地であるＴｉＮ膜の結晶配向性の影響を受ける。ＴｉＮ膜を第１の層間絶縁膜の直上に形成する場合、ＴｉＮ膜の結晶配向性の均一性を確保することは困難である。そのため、第２の実施形態に係る半導体装置において、Ｔｉ膜を設けないようにすることは、実際上は困難である。
【００１０】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一実施形態に係る半導体装置は、チタンにより構成される第１の層と、第１の層の上に配置され、窒化チタンにより構成される第２の層と、第２の層の上に配置され、アルミニウムを含有する第３の層と、第３の層の上に配置され、窒化チタンにより構成される第４の層とを有する配線層と、配線層の側面に配置され、かつヒドロキシルアミンに対する薬液耐性及び導電性を有する側面保護膜と、配線層及び側面保護膜を覆い、かつビアホールが設けられた層間絶縁膜と、ビアホール内に配置され、かつ配線層と電気的に接続されるビアプラグとを備える。
【発明の効果】
【００１２】
一実施形態に係る半導体装置によると、ビアホールが配線層からずれて形成された場合においても、ビアホールの内壁面を洗浄する際にチタンにより構成される第１の層が浸食されてしまうことを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図１の領域ＩＩの拡大図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図４】フロントエンド工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図５】プリメタル絶縁膜形成工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図６】コンタクトホール形成工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図７】コンタクトプラグ形成工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図８】第１配線層形成工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図９】側面保護膜形成工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１０】層間絶縁膜形成工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１１】ビアホール形成工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１２】堆積物除去工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１３】ビアプラグ形成工程終了後における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１４】ビアホールが第１の配線層からずれて形成された場合における比較例に係る半導体装置の断面図である。
【図１５】ビアホールが第１の配線層からずれて形成された場合における第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１６】第２の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１７】図１６の領域ＸＶＩＩにおける拡大図である。
【図１８】ビアホールが第１の配線層からずれて形成された場合における第２の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１９】第３の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２０】図１９の領域ＸＸにおける拡大図である。
【図２１】第４の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２２】図２１の領域ＸＸＩＩにおける拡大図である。
【図２３】第１配線層形成工程終了後における第４の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、実施形態について、図を参照して説明する。なお、以下の図面においては、同一又は相当する部分に同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。
【００１５】
（第１の実施形態）
以下に、第１の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。
【００１６】
まず、第１の実施形態に係る半導体装置の全体構成について説明する。図１に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板ＳＵＢと、プリメタル絶縁膜ＰＭＤと、第１の配線層ＷＬ１と、側面保護膜ＳＷＰ１と、コンタクトプラグＣＰと、層間絶縁膜ＩＬＤと、第２の配線層ＷＬ２と、ビアプラグＶＰとを有している。
【００１７】
半導体基板ＳＵＢは、第１面ＦＳと、第２面ＳＳとを有している。第２面ＳＳは、第１面ＦＳの反対面である。半導体基板ＳＵＢの第１面側には、トランジスタＴＲ等の半導体素子が形成されている。半導体基板ＳＵＢには、例えば単結晶のＳｉ（シリコン）が用いられる。
【００１８】
プリメタル絶縁膜ＰＭＤは、半導体基板ＳＵＢの第１面ＦＳ上に配置されている。プリメタル絶縁膜ＰＭＤは、例えばＳｉＯ２（二酸化珪素）により構成されている。プリメタル絶縁膜ＰＭＤ中には、コンタクトホールＣＨが設けられている。コンタクトホールＣＨは、トランジスタＴＲのソース領域、ドレイン領域及びゲート電極上に配置されている。コンタクトホールＣＨは、第１面ＦＳに交差する方向において、プリメタル絶縁膜ＰＭＤを貫通している。すなわち、コンタクトホールＣＨは、トランジスタＴＲのソース領域、ドレイン領域及びゲート電極がプリメタル絶縁膜ＰＭＤから露出するように設けられている。
【００１９】
第１の配線層ＷＬ１は、プリメタル絶縁膜ＰＭＤ上に配置されている。第１の配線層ＷＬ１の構成の詳細については、後述するものとする。側面保護膜ＳＷＰ１は、第１の配線層ＷＬ１の側面上に配置されている。側面保護膜ＳＷＰ１は、ヒドロキシルアミンに対する薬液耐性を有し、かつ導電性を有する材料により構成されている。側面保護膜ＳＷＰ１がヒドロキシルアミンに対する薬液耐性を有するとは、側面保護膜ＳＷＰ１のヒドロキシルアミンを含む薬液に対するエッチングレートが、堆積物ＤＰに含まれるＴｉＯ２のヒドロキシルアミンを含む薬液に対するエッチングレートよりも低いことをいう。側面保護膜ＳＷＰ１の構成の詳細については、後述するものとする。
【００２０】
コンタクトプラグＣＰは、コンタクトホールＣＨ中に配置されている。コンタクトプラグＣＰは、トランジスタＴＲのソース領域、ドレイン領域及びゲート電極と電気的に接続されている。コンタクトプラグＣＰは、第１の配線層ＷＬ１に電気的に接続されている。コンタクトプラグＣＰは、例えばＷ（タングステン）により構成されている。
【００２１】
層間絶縁膜ＩＬＤは、プリメタル絶縁膜ＰＭＤの上に配置されている。層間絶縁膜ＩＬＤは、第１の配線層及び側面保護膜ＳＷＰ１を覆うように配置されている。層間絶縁膜ＩＬＤは、例えばＳｉＯ２により構成されている。
【００２２】
層間絶縁膜ＩＬＤ中には、ビアホールＶＨが設けられている。ビアホールＶＨは、第１面ＦＳに交差する方向において、層間絶縁膜ＩＬＤを貫通している。ビアホールＶＨは、第１の配線層ＷＬ１上に配置されている。すなわち、ビアホールＶＨは、第１の配線層ＷＬ１が層間絶縁膜ＩＬＤから露出するように設けられている。
【００２３】
第２の配線層ＷＬ２は、層間絶縁膜ＩＬＤ上に配置されている。第２の配線層ＷＬ２の構成は、第１の配線層ＷＬ１の構成と同様である。側面保護膜ＳＷＰ１は、第２の配線層ＷＬ２の側面上に配置されていてもよい。
【００２４】
ビアプラグＶＰは、ビアホールＶＨ中に配置されている。ビアプラグＶＰは、第１の配線層ＷＬ１と電気的に接続されている。ビアプラグＶＰは、第２の配線層ＷＬ２と電気的に接続されている。ビアプラグＶＰは、例えばＷにより構成されている。
【００２５】
なお、図１においては、配線層の数が２である場合について例示されているが、配線層の数は、３以上であってもよい。
【００２６】
次に、第１の配線層ＷＬ１及び側面保護膜ＳＷＰ１の構成の詳細について説明する。図２に示すように、第１の配線層ＷＬ１は、第１の層ＷＬ１ａと、第２の層ＷＬ１ｂと、第３の層ＷＬ１ｃと、第４の層ＷＬ１ｄとを有している。
【００２７】
第１の層ＷＬ１ａは、Ｔｉにより構成されている。第１の層ＷＬ１ａは、プリメタル絶縁膜ＰＭＤ上に配置されている。第２の層ＷＬ１ｂは、ＴｉＮにより構成されている。第２の層ＷＬ１ｂは、第１の層ＷＬ１ａ上に配置されている。
【００２８】
第３の層ＷＬ１ｃは、Ａｌを含有している。例えば、第３の層ＷＬ１ｃは、ＡｌＣｕ合金により構成されている。第３の層ＷＬ１ｃは、第２の層ＷＬ１ｂ上に配置されている。第４の層ＷＬ１ｄは、ＴｉＮにより構成されている。第４の層ＷＬ１ｄは、第３の層ＷＬ１ｃ上に配置されている。
【００２９】
側面保護膜ＳＷＰ１は、第１の配線層ＷＬ１を構成する材料の窒化物により構成されている。すなわち、第１の層ＷＬ１ａ、第２の層ＷＬ１ｂ及び第４の層ＷＬ１ｄの側面上に配置されている側面保護膜ＳＷＰ１は、ＴｉＮにより構成されており、第３の層ＷＬ１ｃの側面上に配置されている側面保護膜ＳＷＰ１は、ＡｌＣｕＮにより構成されている。
【００３０】
以下に、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図３に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置は、フロントエンド工程Ｓ１と、バックエンド工程Ｓ２とを有している。
【００３１】
バックエンド工程Ｓ２は、プリメタル絶縁膜形成工程Ｓ２１と、コンタクトホール形成工程Ｓ２２と、コンタクトプラグ形成工程Ｓ２３と、第１配線層形成工程Ｓ２４と、側面保護膜形成工程Ｓ２５と、層間絶縁膜形成工程Ｓ２６と、ビアホール形成工程Ｓ２７と、堆積物除去工程Ｓ２８と、ビアプラグ形成工程Ｓ２９と、第２配線層形成工程Ｓ３０とを有している。
【００３２】
図４に示すように、フロントエンド工程Ｓ１においては、半導体基板ＳＵＢの第１面ＦＳ側にトランジスタＴＲの形成が行われる。トランジスタＴＲの形成は、従来公知の方法により行われる。例えば、トランジスタＴＲのソース領域、ウェル領域及びドレイン領域の形成は、イオン注入により行われる。トランジスタＴＲのゲート絶縁膜の形成は、例えば半導体基板ＳＵＢの第１面ＦＳを熱酸化することにより行われる。トランジスタＴＲのゲート電極の形成は、例えば不純物がドープされた多結晶ＳｉのＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）を用いて成膜するとともに、成膜された多結晶Ｓｉのフォトリソグラフィを用いてパターンニングすることにより行われる。
【００３３】
図５に示すように、プリメタル絶縁膜形成工程Ｓ２１においては、半導体基板ＳＵＢの第１面ＦＳ上にプリメタル絶縁膜ＰＭＤの形成が行われる。プリメタル絶縁膜ＰＭＤの形成においては、第１に、プリメタル絶縁膜ＰＭＤを形成する材料の成膜が行われる。プリメタル絶縁膜ＰＭＤを構成する材料の成膜は、例えばＣＶＤにより行われる。
【００３４】
プリメタル絶縁膜ＰＭＤの形成においては、第２に、成膜されたプリメタル絶縁膜ＰＭＤを構成する材料の平坦化が行われる。成膜されたプリメタル絶縁膜ＰＭＤを構成する材料の平坦化は、例えばＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）により行われる。
【００３５】
図６に示すように、コンタクトホール形成工程Ｓ２２においては、プリメタル絶縁膜ＰＭＤ中にコンタクトホールＣＨが形成される。コンタクトホールＣＨの形成は、例えばＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）等の異方性エッチングにより行われる。
【００３６】
図７に示すように、コンタクトプラグ形成工程Ｓ２３においては、コンタクトプラグＣＰがコンタクトホールＣＨ中に形成される。コンタクトプラグＣＰの形成は、例えばＣＶＤによりコンタクトホールＣＨを、コンタクトプラグＣＰを構成する材料で埋め込むとともに、コンタクトホールＣＨからはみ出したコンタクトプラグＣＰを構成する材料を、ＣＭＰで除去することにより行われる。
【００３７】
図８に示すように、第１配線層形成工程Ｓ２４においては、プリメタル絶縁膜ＰＭＤ上に第１の配線層ＷＬ１が形成される。第１の配線層ＷＬ１の形成においては、第１に、プリメタル絶縁膜ＰＭＤ上に、スパッタリング等により、第１の層ＷＬ１ａ、第２の層ＷＬ１ｂ、第３の層ＷＬ１ｃ及び第４のＷＬ１ｄを構成する材料が、順次成膜される。
【００３８】
第１の配線層ＷＬ１の形成においては、第２に、第４の層ＷＬ１ｄ上に、ハードマスクＨＭが形成される。ハードマスクＨＭは、ハードマスクＨＭを構成する材料（例えば、ＳｉＯ２）を第４の層ＷＬ１ｄ上に成膜するとともに、成膜されたハードマスクＨＭを構成する材料をフォトリソグラフィによりパターンニングすることにより形成される。
【００３９】
第１の配線層ＷＬ１の形成においては、第３に、ハードマスクＨＭを用いて、成膜された第１の層ＷＬ１ａ、第２の層ＷＬ１ｂ、第３の層ＷＬ１ｃ及び第４のＷＬ１ｄを構成する材料に対し、ＲＩＥ等の異方性エッチングが行われる。
【００４０】
図９に示すように、側面保護膜形成工程Ｓ２５においては、第１の配線層ＷＬ１の側面及び上面の上に、側面保護膜ＳＷＰ１が形成される。側面保護膜ＳＷＰ１の形成は、第１の配線層ＷＬ１の側面を窒化することにより行われる。第１の配線層ＷＬ１の側面の窒化は、例えばプラズマ窒化により行われる。
【００４１】
図１０に示すように、層間絶縁膜形成工程Ｓ２６においては、第１の配線層ＷＬ１及び側面保護膜ＳＷＰ１を覆うように、層間絶縁膜ＩＬＤの形成が行われる。層間絶縁膜ＩＬＤの形成は、第１の配線層ＷＬ１及び側面保護膜ＳＷＰ１を覆うように層間絶縁膜ＩＬＤを構成する材料をＣＶＤ等で成膜するとともに、成膜された層間絶縁膜ＩＬＤを構成する材料の上面をＣＭＰ等で平坦化することにより行われる。
【００４２】
図１１に示すように、ビアホール形成工程Ｓ２７においては、層間絶縁膜ＩＬＤ中にビアホールＶＨが形成される。ビアホールＶＨの形成は、例えばＲＩＥ等の異方性エッチングにより行われる。この際には、形成されたビアホールＶＨの内壁面上に、堆積物ＤＰが残存している場合がある。この堆積物ＤＰは、ＴｉＯ２を含んでいる。
【００４３】
図１２に示すように、堆積物除去工程Ｓ２８においては、ビアホールＶＨの内壁面上に残存した堆積物ＤＰの除去が行われる。堆積物ＤＰの除去は、ヒドロキシルアミンを含有する薬液を用いてビアホールＶＨの内壁面を洗浄することにより行われる。
【００４４】
図１３に示すように、ビアプラグ形成工程Ｓ２９においては、ビアホールＶＨ中にビアプラグＶＰの形成が行われる。ビアプラグＶＰの形成は、例えばＣＶＤによりビアホールＶＨ中を、ビアプラグＶＰを構成する材料で埋め込むとともに、ビアホールＶＨからはみ出したビアプラグＶＰを構成する材料をＣＭＰで除去することにより行われる。
【００４５】
第２配線層形成工程Ｓ３０においては、層間絶縁膜ＩＬＤ上に第２の配線層ＷＬ２が形成される。第２の配線層ＷＬ２の形成は、第１の配線層ＷＬ１の形成と同様の方法により行われる。これにより、図１及び２に示される第１の実施形態に係る半導体装置の構造が形成される。なお、第１配線層形成工程Ｓ２４ないし第２配線層形成工程Ｓ３０の工程を繰り返すことにより、より多層の配線層を有する半導体装置を製造することができる。
【００４６】
以下に、第１の実施形態に係る半導体装置の効果について比較例と対比して説明する。
比較例に係る半導体装置は、側面保護膜ＳＷＰ１を有していない点において、第１の実施形態に係る半導体装置と異なっている。
【００４７】
比較例に係る半導体装置においては、図１４に示すように、ビアホールＶＨが第１の配線層ＷＬ１からずれて形成される場合がある。その結果、比較例に係る半導体装置においては、ビアホールＶＨの内壁面から第１の配線層ＷＬ１が露出する場合がある。
【００４８】
第１の層ＷＬ１ａを構成するチタンは、堆積物ＤＰに含まれるＴｉＯ２よりもヒドロキシルアミンを含有する薬液に対するエッチングレートが高い（堆積物ＤＰに含まれるＴｉＯ２のヒドロキシルアミンを含有する薬液に対するエッチングレートが０．１２ｎｍ／分である一方で、チタンのヒドロキシルアミンを含有する薬液に対するエッチングレートは４．３ｎｍ／分である）。
【００４９】
そのため、比較例に係る半導体装置においては、堆積物ＤＰを除去するために、ビアホールＶＨの内壁面を、ヒドロキシルアミンを含有する薬液で洗浄する際に、第１の層ＷＬ１ａがヒドロキシルアミンを含有する薬液によって浸食されてしまう。その結果、第１の配線層ＷＬ１の信頼性が低下してしまう。
【００５０】
図１５に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置においても、ビアホールＶＨが第１の配線層ＷＬ１からずれて形成される場合がある。第１の実施形態に係る半導体装置においては、上記のとおり、側面保護膜ＳＷＰ１が第１の配線層ＷＬ１の側面上に配置されている。そのため、ビアホールＶＨが第１の配線層ＷＬ１からずれて形成される場合であっても、ビアホールＶＨの内壁面からは、第１の配線層ＷＬ１の側面ではなく、側面保護膜ＳＷＰ１が露出する。
【００５１】
側面保護膜ＳＷＰ１は、ヒドロキシルアミンを含む薬液に対する薬液耐性がある（例えば、ＴｉＮのヒドロキシルアミンを含有する薬液に対するエッチングレートは、０．０１ｎｍ／分未満である）ため、堆積物ＤＰを除去するためにビアホールＶＨの内壁面を、ヒドロキシルアミンを含有する薬液で洗浄する際に、第１の層ＷＬ１ａがヒドロキシルアミンを含有する薬液によって浸食されにくい。
【００５２】
側面保護膜ＳＷＰ１は、導電性を有している。したがって、堆積物ＤＰを除去するために、ビアホールＶＨの内壁面を、ヒドロキシルアミンを含有する薬液で洗浄した後に、側面保護膜ＳＷＰ１を除去する必要がない。そして、側面保護膜ＳＷＰ１を除去する必要がない以上、側面保護膜ＳＷＰ１の除去の際に再度堆積物ＤＰが発生することもない。このように、第１の実施形態に係る半導体装置によると、ビアホールＶＨの内壁面を洗浄する際にチタンにより構成される第１の層ＷＬ１ａが浸食されてしまうことを抑制することができる。
【００５３】
第１の実施形態に係る半導体装置において、側面保護膜ＳＷＰ１が第１の配線層ＷＬ１を構成する材料の窒化物で構成されている場合は、側面保護膜ＳＷＰ１はプラズマ窒化等により薄く形成することができる。側面保護膜ＳＷＰ１が厚くなるほど、配線間の間隔が狭くなる。配線間の間隔が狭くなるほど、層間絶縁膜ＩＬＤを構成する材料で配線間を埋め込みにくくなる。そのため、この場合には、層間絶縁膜ＩＬＤの埋め込み性を改善することができる。
【００５４】
（第２の実施形態）
図１６に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板ＳＵＢと、プリメタル絶縁膜ＰＭＤと、コンタクトプラグＣＰと、第１の配線層ＷＬ１と、側面保護膜ＳＷＰ１と、層間絶縁膜ＩＬＤと、第２の配線層ＷＬ２とを有している。
【００５５】
図１７に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置においては、第１の配線層ＷＬ１は、第１の層ＷＬ１ａと、第２の層ＷＬ１ｂと、第３の層ＷＬ１ｃと、第４の層ＷＬ１ｄとを有している。これらの点において、第２の実施形態に係る半導体装置の構成は、第１の実施形態に係る半導体装置の構成と共通している。しかしながら、第２の実施形態に係る半導体装置は、第１の配線層ＷＬ１の構成の詳細において、第１の実施形態に係る半導体装置の構成と異なっている。
【００５６】
第２の実施形態に係る半導体装置においては、第４の層ＷＬ１ｄは、第４の層ＷＬ１ｄ側に位置する第３の層ＷＬ１ｃの側面よりも側方に突出している。第４の層ＷＬ１ｄは、幅Ｌを有している。第４の層ＷＬ１ｄは、第４の層ＷＬ１ｄ側に位置する第３の層ＷＬ１ｃの側面よりも、側方に距離Ｘだけ突出している。
【００５７】
第３の層ＷＬ１ｃは、テーパ状に形成されている。第３の層ＷＬ１ｃは、第４の層ＷＬ１ｄ側から第２の層ＷＬ１ｂ側に向うにつれて、幅が広くなっている。第３の層ＷＬ１ｃの側面と第４の層ＷＬ１ｄとは、角度θ１をなしている。第３の層ＷＬ１ｃは、厚さｈを有している。厚さｈは、第３の層ＷＬ１ｃにおける第４の層ＷＬ１ｄ側の面と第２の層ＷＬ１ｂ側の面との距離である。
【００５８】
ビアホールＶＨは、テーパ状に形成されている。ビアホールＶＨは、層間絶縁膜ＩＬＤの上面から遠ざかるにつれて、開口幅が狭くなっている。ビアホールＶＨの開口幅とは、対向する内壁面の間の距離である。ビアホールＶＨは、第１の配線層ＷＬ１の上面と同じ高さ位置において、開口幅Ａを有している。なお、ビアホールＶＨの中心と第１の配線層ＷＬ１の中心との距離を、位置ずれＹとする。ビアホールＶＨの内壁面と層間絶縁膜ＩＬＤの上面とは、角度θ２をなしている。
【００５９】
距離Ｘ、角度θ１、角度θ２及び厚さｈは、Ｘ＞ｈ×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１／（ｔａｎθ１×ｔａｎθ２）との関係を充足していることが好ましい。距離Ｘ、角度θ１、角度θ２、幅Ｌ、開口幅Ａ及び位置ずれＹは、Ｘ＞（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１）／２×ｔａｎθ１との関係を充足していることが好ましい。
【００６０】
第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、フロントエンド工程Ｓ１と、バックエンド工程Ｓ２とを有している。バックエンド工程Ｓ２は、プリメタル絶縁膜形成工程Ｓ２１と、コンタクトホール形成工程Ｓ２２と、コンタクトプラグ形成工程Ｓ２３と、第１配線層形成工程Ｓ２４と、側面保護膜形成工程Ｓ２５と、層間絶縁膜形成工程Ｓ２６と、ビアホール形成工程Ｓ２７と、堆積物除去工程Ｓ２８と、ビアプラグ形成工程Ｓ２９と、第２配線層形成工程Ｓ３０とを有している。これらの点において、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と共通している。
【００６１】
しかしながら、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１配線層形成工程Ｓ２４及びビアホール形成工程Ｓ２７の詳細に関して、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なっている。
【００６２】
第１配線層形成工程Ｓ２４において、第４の層ＷＬ１ｄが第３の層ＷＬ１ｃよりも側方に突出するように形成される。第４の層ＷＬ１ｄが第３の層ＷＬ１ｃよりも側方に突出した形状は、ＲＩＥ等の異方性エッチングを行う際のガス流量を制御することにより形成することができる。例えば、ＲＩＥ等の異方性エッチングの際の反応ガス中に含まれる副生成物発生の原因となる成分（例えばメタン）の流量を制御することにより、エッチング時に第３の層ＷＬ１ｃの側面に付着する副生成物の量が変化する。その結果、第３の層ＷＬ１ｃのエッチングが相対的に進行しやすくなり、第４の層ＷＬ１ｄが第３の層ＷＬ１ｃよりも側方に突出する。
【００６３】
第１配線層形成工程Ｓ２４において、第３の層ＷＬ１ｃが、第４の層ＷＬ１ｄ側から第２の層ＷＬ１ｂ側に向かって幅が広くなるテーパ形状となるように形成される。第３の層ＷＬ１ｃの第４の層ＷＬ１ｄ側から第２の層ＷＬ１ｂ側に向かって幅が広くなるテーパ形状は、ＲＩＥ等の異方性エッチングを行う際のガス流量を制御することにより形成することができる。例えば、ＲＩＥ等の異方性エッチングの際の反応ガス中に含まれる副生成物発生の原因となる成分の流量を制御することにより、エッチング時に第３の層ＷＬ１ｃの側面に付着する副生成物の量が変化する。その結果、エッチングが進行するにつれて、エッチングにより形成される溝の幅が狭くなり、第３の層ＷＬ１ｃの幅が、第４の層ＷＬ１ｄ側から第２の層ＷＬ１ｂ側に向かって広くなる。
【００６４】
ビアホール形成工程Ｓ２７において、ビアホールＶＨは、層間絶縁膜ＩＬＤの上面から遠ざかるにつれて開口幅が狭くなるように形成される。層間絶縁膜ＩＬＤの上面から遠ざかるにつれて開口幅が狭くなるようなビアホールＶＨの形状は、ＲＩＥ等の異方性エッチングを行う際のガス流量を制御することにより形成することができる。例えば、ＲＩＥ等の異方性エッチングの際の反応ガス中に含まれる副生成物発生の原因となる成分の流量を制御することにより、ビアホールＶＨの側面に付着するエッチング時の副生成物の量が変化する。その結果、エッチングが進行するにつれて、エッチングによりビアホールＶＨの幅が狭くなる。
【００６５】
第４の層ＷＬ１ｄの下方に位置する層間絶縁膜ＩＬＤは、ビアホール形成工程Ｓ２７においてエッチングされにくい。そのため、この場合には、図１８に示すように、ビアホールＶＨが第１の配線層ＷＬ１からずれて形成されたとしても、第３の層ＷＬ１ｃの側面上に配置されている側面保護膜ＳＷＰ１とビアホールＶＨの内壁面との間に、層間絶縁膜ＩＬＤが残存しやすい。
【００６６】
上記のとおり、第１の配線層ＷＬ１の側面上に形成される側面保護膜ＳＷＰ１が第１の配線層ＷＬ１を構成する材料の窒化物である。そのため、第３の層ＷＬ１ｃの側面上に位置する側面保護膜ＳＷＰ１は、ＡｌＣｕＮである。ＡｌＣｕＮのヒドロキシルアミンを含有する薬液に対するエッチングレートは、比較的大きい。
【００６７】
他方で、層間絶縁膜ＩＬＤを構成する材料（例えば、ＳｉＯ２）は、ヒドロキシルアミンを含有する薬液に対するエッチングレートが、極めて小さい。そのため、第２の実施形態に係る半導体装置によると、ビアホールＶＨが第１の配線層ＷＬ１からずれて形成されたとしても、第３の層ＷＬ１ｃの側面上に配置されている側面保護膜ＳＷＰ１がヒドロキシルアミンを含有する薬液により浸食されることを抑制できる。
【００６８】
第３の層ＷＬ１ｃの側面は、第４の層ＷＬ１ｄとの間で角度θ１をなしている。そのため、第２の層ＷＬ１ｂ側に位置する第３の層ＷＬ１ｃの側面は、第４の層ＷＬ１ｄ側に位置する第３の層ＷＬ１ｃの側面よりも、概ねｈ／ｔａｎθ１だけ側方に離れて位置している。
【００６９】
ビアホールＶＨの内壁面は、層間絶縁膜ＩＬＤの上面との間で角度θ２をなしており、第４の層ＷＬ１ｄは、第４の層ＷＬ１ｄ側に位置する第３の層ＷＬ１ｃの側面よりも距離Ｘだけ突出している。そのため、第３の層ＷＬ１ｃの第２の層ＷＬ１ｂ側の面と同じ高さ位置にあるビアホールＶＨの内壁面は、第２の層ＷＬ１ｂ側に位置する第３の層ＷＬ１ｃの側面から概ねＸ＋ｈ／ｔａｎθ２だけ側方に離れて位置している。
【００７０】
したがって、Ｘ＋ｈ／ｔａｎθ２＞ｈ／ｔａｎθ１との関係が満たされる場合、すなわち、Ｘ＞ｈ×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１）／（ｔａｎθ１×ｔａｎθ２）との関係が満たされる場合、第３の層ＷＬ１ｃの側面が、完全に層間絶縁膜ＩＬＤにより覆われることになる。そのため、第２の実施形態に係る半導体装置において、Ｘ＞ｈ×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１）／（ｔａｎθ１×ｔａｎθ２）との関係が満たされる場合、第３の層ＷＬ１ｃの側面上に配置されている側面保護膜ＳＷＰ１が、ヒドロキシルアミンを含有する薬液により浸食されることをさらに抑制できる。
【００７１】
ビアホールＶＨが、第１の配線層ＷＬ１からＹだけずれて形成された場合、ビアホールＶＨの内壁面と第４の層ＷＬ１ｄとの間の距離は、概ねＡ／２＋Ｙ−Ｌ／２となる。ビアホールＶＨの底は、第４の層ＷＬ１ｄよりも概ね（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）／２だけ側方に位置している。ビアホールＶＨの底は、第３の層ＷＬ１ｃの第４の層ＷＬ１ｄ側の面の高さ位置よりも概ねｔａｎθ２×（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）／２だけ下方に位置している。
【００７２】
第４の層ＷＬ１ｄよりも（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）だけ側方に位置している第３の層ＷＬ１ｃの側面の高さ位置は、第３の層ＷＬ１ｃの第４の層ＷＬ１ｄ側の面の高さ位置よりも概ねｔａｎθ１×｛Ｘ＋（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）／２｝だけ下方に位置している。
【００７３】
そのため、ｔａｎθ１×｛Ｘ＋（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）／２｝＞ｔａｎθ２×（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）／２との関係が満たされる場合、すなわち、Ｘ＞（Ａ／２＋Ｙ−Ｌ／２）×（ｔａｎθ２−ｔａｎθ１）／２×ｔａｎθ１との関係が満たされている場合、第３の層ＷＬ１ｃの側面が、完全に層間絶縁膜ＩＬＤにより覆われることになる。したがって、この場合には、第３の層ＷＬ１ｃの側面上に配置されている側面保護膜ＳＷＰ１が、ヒドロキシルアミンを含有する薬液により浸食されることをさらに抑制できる。
【００７４】
（第３の実施形態）
図１９に示すように、第３の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板ＳＵＢと、プリメタル絶縁膜ＰＭＤと、コンタクトプラグＣＰと、第１の配線層ＷＬ１と、層間絶縁膜ＩＬＤと、第２の配線層ＷＬ２とを有している。
【００７５】
図２０に示すように、第３の実施形態に係る半導体装置においては、第１の配線層ＷＬ１は、第１の層ＷＬ１ａと、第２の層ＷＬ１ｂと、第３の層ＷＬ１ｃと、第４の層ＷＬ１ｄとを有している。これらの点において、第３の実施形態に係る半導体装置の構成は、第１の実施形態に係る半導体装置の構成と共通している。しかしながら、第３の実施形態に係る半導体装置は、側面保護膜ＳＷＰ１に代えて側面保護膜ＳＷＰ２を有している点において、第１の実施形態に係る半導体装置の構成と異なっている。
【００７６】
側面保護膜ＳＷＰ２は、第１の配線層ＷＬ１の側面上に配置されている。側面保護膜ＳＷＰ２は、ヒドロキシルアミンを含有する薬液に対する薬液耐性を有している。側面保護膜ＳＷＰ２は、導電性を有している。側面保護膜ＳＷＰ２は、スパッタ膜又はＣＶＤ膜である。ここで、スパッタ膜とは、スパッタリングにより形成される膜であり、ＣＶＤ膜とは、ＣＶＤにより成膜された膜である。好ましくは、側面保護膜ＳＷＰ２は、ＴｉＮにより構成されている。
【００７７】
第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、フロントエンド工程Ｓ１と、バックエンド工程Ｓ２とを有している。バックエンド工程Ｓ２は、プリメタル絶縁膜形成工程Ｓ２１と、コンタクトホール形成工程Ｓ２２と、コンタクトプラグ形成工程Ｓ２３と、第１配線層形成工程Ｓ２４と、側面保護膜形成工程Ｓ２５と、層間絶縁膜形成工程Ｓ２６と、ビアホール形成工程Ｓ２７と、堆積物除去工程Ｓ２８と、ビアプラグ形成工程Ｓ２９と、第２配線層形成工程Ｓ３０とを有している。これらの点において、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と共通している。
【００７８】
しかしながら、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、側面保護膜形成工程Ｓ２５がＣＶＤ又はスパッタリングにより行われる点において、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なっている。
【００７９】
第３の実施形態に係る半導体装置においては、ビアホールＶＨが第１の配線層ＷＬ１からずれて形成される場合であっても、第１の実施形態に係る半導体装置と同様に、堆積物ＤＰを除去する際に用いられるヒドロキシルアミンを含有する薬液により第１の層ＷＬ１ａが浸食されることを抑制できる。
【００８０】
第３の実施形態に係る半導体装置において側面保護膜ＳＷＰ２がＣＶＤ膜である場合、側面保護膜ＳＷＰ２をコンフォーマルに形成することができる。そのため、この場合、堆積物ＤＰを除去する際に用いられるヒドロキシルアミンを含有する薬液により第１の層ＷＬ１ａが浸食されることをさらに抑制できる。
【００８１】
（第４の実施形態）
図２１に示すように、第４の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板ＳＵＢと、プリメタル絶縁膜ＰＭＤと、コンタクトプラグＣＰと、第１の配線層ＷＬ１と、側面保護膜ＳＷＰ１と、層間絶縁膜ＩＬＤと、第２の配線層ＷＬ２とを有している。
【００８２】
図２２に示すように、第４の実施形態に係る半導体装置においては、第１の配線層ＷＬ１は、第１の層ＷＬ１ａと、第２の層ＷＬ１ｂと、第３の層ＷＬ１ｃと、第４の層ＷＬ１ｄとを有している。これらの点において、第４の実施形態に係る半導体装置の構成は、第１の実施形態に係る半導体装置の構成と共通している。
【００８３】
しかしながら、第４の実施形態に係る半導体装置は、反射防止膜ＡＲをさらに有している点において、第１の実施形態に係る半導体装置の構成と異なっている。
【００８４】
反射防止膜ＡＲは、第４の層ＷＬ１ｄ上に配置されている。反射防止膜ＡＲは、第１の配線層ＷＬ１に対するフォトリソグラフィを行う際の反射を抑制する膜である。反射防止膜ＡＲは、例えばＳｉＯＮ（酸窒化珪素）により構成される。
【００８５】
第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、フロントエンド工程Ｓ１と、バックエンド工程Ｓ２とを有している。バックエンド工程Ｓ２は、プリメタル絶縁膜形成工程Ｓ２１と、コンタクトホール形成工程Ｓ２２と、コンタクトプラグ形成工程Ｓ２３と、第１配線層形成工程Ｓ２４と、側面保護膜形成工程Ｓ２５と、層間絶縁膜形成工程Ｓ２６と、ビアホール形成工程Ｓ２７と、堆積物除去工程Ｓ２８と、ビアプラグ形成工程Ｓ２９と、第２配線層形成工程Ｓ３０とを有している。これらの点において、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と共通している。
【００８６】
しかしながら、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１配線層形成工程Ｓ２４の詳細に関して、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なっている。
【００８７】
図２３に示すように、第１配線層形成工程Ｓ２４においては、プリメタル絶縁膜ＰＭＤ上に第１の配線層ＷＬ１が形成される。第１配線層形成工程Ｓ２４においては、第１の配線層ＷＬ１上に、反射防止膜ＡＲが形成される。
【００８８】
第１配線層形成工程Ｓ２４においては、第１に、プリメタル絶縁膜ＰＭＤ上に、スパッタリング等により、第１の層ＷＬ１ａ、第２の層ＷＬ１ｂ、第３の層ＷＬ１ｃ及び第４のＷＬ１ｄを構成する材料が、順次成膜される。第１配線層形成工程Ｓ２４においては、第２に、第４の層ＷＬ１ｄ上に、反射防止膜ＡＲを構成する材料が成膜される。反射防止膜ＡＲの成膜は、例えばＣＶＤにより行われる。
【００８９】
第１配線層形成工程Ｓ２４においては、第３に、反射防止膜ＡＲ、第１の層ＷＬ１ａ、第２の層ＷＬ１ｂ、第３の層ＷＬ１ｃ及び第４のＷＬ１ｄを構成する材料のパターンニングが行われる。第３に、反射防止膜ＡＲ、第１の層ＷＬ１ａ、第２の層ＷＬ１ｂ、第３の層ＷＬ１ｃ及び第４のＷＬ１ｄを構成する材料のパターンニングは、フォトレジストＰＲを用いたフォトリソグラフィにより行われる。
【００９０】
第１の配線層ＷＬ１の形成を、フォトレジストＰＲを用いたフォトリソグラフィにより行う場合には、フォトレジストＰＲの形状精度を高めるため、反射防止膜ＡＲを用いることが好ましい。反射防止膜ＡＲを構成する材料をエッチングする際には、堆積物ＤＰがさらに発生しやすくなる。第４の実施形態に係る半導体装置によると、第１の配線層ＷＬ１の形成を、フォトレジストＰＲを用いたフォトリソグラフィにより行う場合でも、堆積物ＤＰを除去する際に用いられるヒドロキシルアミンを含有する薬液により第１の層ＷＬ１ａが浸食されることを抑制できる。
【００９１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００９２】
Ａ  開口幅、ＡＲ  反射防止膜、ＣＨ  コンタクトホール、ＣＰ  コンタクトプラグ、ＤＰ  堆積物、ＦＳ  第１面、ＨＭ  ハードマスク、ｈ  厚さ、ＩＬＤ  層間絶縁膜、Ｌ  幅、ＰＭＤ  プリメタル絶縁膜、ＰＲ  フォトレジスト、Ｓ１  フロントエンド工程、Ｓ２  バックエンド工程、Ｓ２１  プリメタル絶縁膜形成工程、Ｓ２２  コンタクトホール形成工程、Ｓ２３  コンタクトプラグ形成工程、Ｓ２４  第１配線層形成工程、Ｓ２５  側面保護膜形成工程、Ｓ２６  層間絶縁膜形成工程、Ｓ２７  ビアホール形成工程、Ｓ２８  堆積物除去工程、Ｓ２９  ビアプラグ形成工程、Ｓ３０  第２配線層形成工程、ＳＳ  第２面、ＳＵＢ  半導体基板、ＳＷＰ１，ＳＷＰ２  側面保護膜、ＴＲ  トランジスタ、ＶＨ  ビアホール、ＶＰ  ビアプラグ、ＷＬ１ａ  第１の層、ＷＬ１ｂ  第２の層、ＷＬ１ｃ  第３の層、ＷＬ１ｄ  第４の層、ＷＬ１  第１の配線層、ＷＬ２  第２の配線層、Ｘ  距離、Ｙ  位置ずれ。
【図１】
2018160493.tif 000003
【図２】
2018160493.tif 000004
【図３】
2018160493.tif 000005
【図４】
2018160493.tif 000006
【図５】
2018160493.tif 000007
【図６】
2018160493.tif 000008
【図７】
2018160493.tif 000009
【図８】
2018160493.tif 000010
【図９】
2018160493.tif 000011
【図１０】
2018160493.tif 000012
【図１１】
2018160493.tif 000013
【図１２】
2018160493.tif 000014
【図１３】
2018160493.tif 000015
【図１４】
2018160493.tif 000016
【図１５】
2018160493.tif 000017
【図１６】
2018160493.tif 000018
【図１７】
2018160493.tif 000019
【図１８】
2018160493.tif 000020
【図１９】
2018160493.tif 000021
【図２０】
2018160493.tif 000022
【図２１】
2018160493.tif 000023
【図２２】
2018160493.tif 000024
【図２３】
2018160493.tif 000025