【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月15日(2015.5.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に結合された複数の柔軟領域（４６，４８，６６）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して相対移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４６，６６）に連結された第１の強磁性体（４２，７０）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して相対移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４８，６６）に連結された第２の強磁性体（４４，７０）であって、
前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）が磁束ギャップを隔てて配置され、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の前記磁束ギャップを介して対向する磁気極性が同じであり、前記第１及び第２強磁性体（４２，４４，７０）が前記磁束ギャップ内で急な磁束勾配を形成するように配置された、第２の強磁性体（４４，７０）と、
前記基板に結合されると共に前記急な磁束勾配領域内に配置されたコイル（３０，８２）であって、前記急な磁束勾配領域内で、前記基板に対する前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の運動によって発生する変動磁束に曝されるコイル（３０，８２）と、を備える振動エネルギー獲得装置。
【請求項２】
前記２つの強磁性体は、互いに剛結合されていると共に同期移動するように配置されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記結合した強磁性体は、基板加速に応答して前記基板に対して直線的に移動することを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記変動磁束に応答して流れる電流を伝導させるための、前記コイルに結合された導体をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記基板に結合されると共に前記磁束ギャップ内に配置される複数の独立コイルであって、前記磁束ギャップ内で前記変動磁束に曝される複数の独立コイルをさらに備えることを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記コイルは、前記磁束ギャップ内及び前記結合した強磁性体の外周で定められる体積の外側に配置されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記コイルは、前記磁束ギャップ内及び前記結合した強磁性体の外周で定められる体積の内側に配置されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】
基板と、
少なくとも１つのモノリシックマイクロジェネレータ（９２，９８）と、を備えており、
前記各モノリシックマイクロジェネレータ（９２，９８）は、
前記基板に結合された複数の柔軟領域（４６，４８，６６）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して相対移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４６，６６）に連結された少なくとも１つの第１の強磁性体（４２，７０）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して相対移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４６，４８，６６）に連結された少なくとも１つの第２の強磁性体（４４，７０）であって、
前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）が磁束ギャップを隔てて配置され、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の前記磁束ギャップを介して対向する磁気極性が同じであり、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）が前記磁束ギャップ内で急な磁束勾配を形成するように配置された、第２の強磁性体（４４，７０）と、
前記基板に結合されると共に前記急な磁束勾配領域内に配置されたコイル（３０，８２）であって、前記急な磁束勾配領域内で、前記基板に対する前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の運動によって発生する変動磁束に曝されるコイル（３０，８２）と、
磁束変化に応答して流れる電流を伝導させるための、当該モノリシックマイクロジェネレータ（９２，９８）に結合した導体と、を備える、ことを特徴とする微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）発電機。
【請求項９】
前記１又は複数のモノリシックマイクロジェネレータでは、前記２つの強磁性体が互いに剛結合されていると共に同期移動するように配置されていることを特徴とする請求項８記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項１０】
前記１又は複数のモノリシックマイクロジェネレータでは、前記各強磁性体及び前記対応する１又は複数の柔軟領域が、１０Ｈｚから５０Ｈｚの間の共鳴周波数を有する共鳴バネ質量系を形成することを特徴とする請求項８記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項１１】
前記１又は複数のモノリシックマイクロジェネレータでは、前記コイルは、前記基板に結合されると共に前記磁束ギャップ内に配置される複数の独立コイルを備え、前記磁束ギャップ内で前記コイルが前記変動磁束に曝されることを特徴とする請求項８記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項１２】
前記基板は、基本的に結晶シリコンから構成されることを特徴とする請求項８記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項１３】
前記コイルは、前記磁束ギャップ内及び前記結合した強磁性体の外周で定められる体積の外側に配置されることを特徴とする請求項８記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項１４】
前記コイルは、前記磁束ギャップ内及び前記結合した強磁性体の外周で定められる体積の内側に配置されることを特徴とする請求項８記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項１５】
前記結合した強磁性体は、基板加速に応答して前記基板に対して直線方向に移動することを特徴とする請求項９記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項１６】
基板と、
前記基板に結合された複数の柔軟領域（４６，４８，６６）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して相対移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４６，６６）に連結された少なくとも１つの第１の強磁性体（４２，７０）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して相対移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４８，６６）に連結された少なくとも１つの第２の強磁性体（４４，７０）であって、
前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）が磁束ギャップを隔てて配置され、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の前記磁束ギャップを介して対向する磁気極性が同じであり、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）が前記磁束ギャップ内で急な磁束勾配を形成するように配置された、第２の強磁性体（４４，７０）と、
前記基板に結合されると共に前記磁束ギャップ内に配置されたコイル（３０，８２）であって、前記磁束ギャップ内で、前記基板に対する前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の運動によって発生する変動磁束に曝されるコイル（３０，８２）と、
前記変動磁束に応答して流れる電流を伝導するための、前記コイル（３０，８２）に結合された導体と、を備え、
前記２つの強磁性体（４２，４４，７０）が互いに剛結合されていると共に同期移動するように配置されていることを特徴とするエネルギー獲得装置。
【請求項１７】
前記各強磁性体及び前記対応する１又は複数の柔軟領域が、１０Ｈｚから５０Ｈｚの間の共鳴周波数を有する共鳴バネ質量系を形成することを特徴とする請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記基板に結合されると共に前記磁束ギャップ内に配置され、前記磁束ギャップ内で前記変動磁束に曝される複数の独立コイルをさらに備えることを特徴とする請求項１６記載の装置。
【請求項１９】
前記基板は、基本的に結晶シリコンから構成されることを特徴とする請求項１６記載の装置。
【請求項２０】
前記内部磁極が前記磁束ギャップ内に急な磁束勾配領域を形成することを特徴とする請求項１６記載の装置。
【請求項２１】
基板と、
少なくとも１つのモノリシックマイクロジェネレータ（９２，９８）とを備えており、
前記各モノリシックマイクロジェネレータ（９２，９８）は、
前記基板に結合された複数の柔軟領域（４６，４８，６６）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して相対移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４６，６６）に連結された少なくとも１つの第１の強磁性体（４２，７０）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して相対移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４８，６６）に連結された少なくとも１つの第２の強磁性体（４４，７０）であって、
前記第１及び第２強磁性体（４２，４４，７０）が磁束ギャップを隔てて配置され、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の前記磁束ギャップを介して対向する磁気極性が同じであり、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）が前記磁束ギャップ内で急な磁束勾配を形成するように配置された、第２の強磁性体（４４，７０）と、
前記基板に結合されると共に前記磁束ギャップ内に配置されたコイル（３０，８２）であって、前記磁束ギャップ内で、前記基板に対する前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の運動によって発生する変動磁束に曝されるコイル（３０，８２）と、
磁束変化に応答して流れる電流を伝導するための、前記各モノリシックマイクロジェネレータ（９２，９８）の前記コイル（３０，８２）に結合した導体と、を備え、
前記１又は複数のモノリシックマイクロジェネレータ（９２，９８）では、前記２つの強磁性体（４２，４４，７０）が互いに剛結合されていると共に同期移動するように配置されていることを特徴とする微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）発電機。
【請求項２２】
前記１又は複数のモノリシックマイクロジェネレータでは、前記各強磁性体及び前記対応する１又は複数の柔軟領域が、１０Ｈｚから５０Ｈｚの間の共鳴周波数を有する共鳴バネ質量系を形成することを特徴とする請求項２１記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項２３】
前記１又は複数のモノリシックマイクロジェネレータでは、複数の独立コイルが前記基板に結合されると共に前記磁束ギャップ内に配置され、前記磁束ギャップ内で前記コイルが前記変動磁束に曝されることを特徴とする請求項２１記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項２４】
前記基板は、基本的に結晶シリコンから構成されることを特徴とする請求項２１記載のＭＥＭＳ発電機。
【請求項２５】
基板と、
前記基板に結合された複数の柔軟領域（４６，４８，６６）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して直線方向に移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４６，６６）に連結された第１の強磁性体（４２，７０）と、
内部磁極を有し、前記基板の加速に応答して前記基板に対して直線方向に移動するように、対応する少なくとも１つの前記柔軟領域（４８，６６）に連結された第２の強磁性体であって、
前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）が磁束ギャップを隔てて配置され、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の前記磁束ギャップを介して対向する磁気極性が同じであり、前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）が前記磁束ギャップ内で急な磁束勾配を形成するように配置された、第２の強磁性体（４４，７０）と、
前記基板に結合されると共に前記磁束ギャップ内に配置されたコイル（３０，８２）であって、前記磁束ギャップ内で、前記基板に対する前記第１及び第２の強磁性体（４２，４４，７０）の運動によって発生する変動磁束に曝されるコイル（３０，８２）と、
前記変動磁束に応答して流れる電流を伝導するための、前記コイル（３０，８２）に結合された導体と、を備えることを特徴とするエネルギー獲得手段。
【請求項２６】
前記２つの強磁性体が互いに剛結合されていると共に同期移動するように配置されていることを特徴とする請求項２５記載のエネルギー獲得手段。
【請求項２７】
前記各強磁性体及び前記対応する１又は複数の柔軟領域が、１０Ｈｚから５０Ｈｚの間の共鳴周波数を有する共鳴バネ質量系を形成することを特徴とする請求項２５記載のエネルギー獲得手段。
【請求項２８】
前記基板は、基本的に結晶シリコンから構成されることを特徴とする請求項２５記載のエネルギー獲得手段。
【請求項２９】
前記結合した強磁性体は、基板加速に応答して前記基板に対して直線方向に移動することを特徴とする請求項２６記載の装置。
【請求項３０】
前記結合した強磁性体は、基板加速に応答して前記基板に対して直線方向に移動することを特徴とする請求項２１記載のＭＥＭＳ発電機。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
振動エネルギー獲得装置がここに開示される。当該装置は、複数の柔軟領域（又は一体柔軟領域（ｉｎｔｅｇｒａｌ  ｃｏｍｐｌｉａｎｔ  ｒｅｇｉｏｎ））を有する基板と、少なくとも２つの強磁性体（ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｍａｓｓ）と、コイルとを備える。強磁性体のうちの少なくとも１つが基板の加速に応答して基板に対して移動するように、各強磁性体が柔軟領域のうちの対応する１又は複数に結合されている。各強磁性体は内部磁極を有し、内部磁極が磁束ギャップによって互いから離れるように配置されている。各内部磁極の磁気極性は、磁束ギャップの反対側の内部磁極の磁気極性と同じである。内部磁極は、磁束ギャップ内に急な磁束勾配領域を形成する。コイルは、基板に結合されると共に急な磁束勾配領域内に配置され、当該急な磁束勾配領域内では、基板に対する強磁性体のうちの少なくとも１つの運動から発生する変動磁束に曝される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
振動式エネルギー獲得装置は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）発電機として構築され、当該装置は、複数の柔軟領域、少なくとも１つのモノリシック（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）マイクロジェネレータ、コイル及び導体を備える。本実施形態では、各モノリシックマイクロジェネレータは、少なくとも２つの強磁性体を備える。強磁性体のうちの少なくとも１つが基板加速に応答して基板に対して移動するように、各強磁性体は、柔軟領域のうちの対応する１又は複数に結合される。各強磁性体は、内部磁極を有し、強磁性体の内部磁極が同じ磁気極性を有していると共に磁束ギャップによって互いから離隔しているように配置されている。内部磁極は、磁束ギャップ内に急な磁束勾配領域を形成する。コイルは、基板に結合されると共に磁束ギャップ内に配置され、当該磁束ギャップ内で、基板に対する強磁性体のうちの少なくとも１つの運動から発生する変動磁束に曝される。導体が、磁束変化に応答して電流を伝導するために各マイクロジェネレータのコイルに結合されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
図４は、本発明のマイクロジェネレータの実施形態２８の側方斜視図である。マイクロジェネレータ２８は、コイルターミナル（端末）３２及び３４に接続した導電材料の複数巻きからなるコイル３０を含む。コイル３０は、それぞれ磁性体４２及び４４の内面３８及び４０によって境界される磁束ギャップ３６内に配置される。内面３８及び４０は磁性体４２及び４４のＮ極として表されているが、内面３８及び４０の両方が同じ磁極を有していれば、どちらの極であってもよい。磁性体４２は、柔軟領域（又は柔軟要素（ｃｏｍｐｌｉａｎｔ  ｅｌｅｍｅｎｔ））４６によって体現された複数の柔軟領域（スプリング）によって支持される。同様に、磁性体４４は、柔軟領域４８によって体現された複数の柔軟領域によって支持される。柔軟領域４６及び４８の自由端は、コイル３０に対して有効な任意の手段（図示せず）で固定される。これによって、外部機械振動に応答して磁性体４２及び４４がコイル３０に対してＺ（ｔ）方向に移動することを可能にする。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図６（ａ）〜（ｄ）を含む図６は、本発明の例示の磁性層（基板）製造プロセスを示す側面図である。このプロセスは、図６（ａ）に示すとおり、半導体ウエハ５６で始まる。材料は、結晶シリコン又は他の有用な半導体材料である。以下の説明は、１つの磁性層の準備（製造）に限定されるが、本技術分野の実施者にとって、多くのこのような磁性層要素が１回のプロセスで１つの半導体ウエハ上に同時に製造され、本技術分野で公知のウエハダイス（切断）プロセスでウエハから分離されることは明らかである。図６（ａ）は、このプロセスの第１ステップの結果物を示しており、このステップは必要に応じて洗浄及び研磨による通常の方法で処理するための上側面５８及び下側面６０の準備である。図６（ｂ）は、このプロセスの次のステップの結果物を示し、このステップは、磁性ウェル（井戸）６２を形成するように、下側面６０のマスキング及び深い反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）である。図６（ｃ）は、このプロセスの次のステップの結果物を示し、このステップは、コイル層凹部６４を形成するように、上側面５８のマスキング及びＤＲＩＥである。図６（ｄ）は、このプロセスの次の２つのステップの結果物を示し、柔軟領域６６及び結合ポスト６８を形成し、これによって実質的に表される磁性層サブ要素６９を完成するように、このステップは上側面５８のマスキング及びＤＲＩＥである。また、結合ポスト６８がウエハの対面図における図８（磁性ウェル６２は、図６の例示プロセスを説明するように隠れ線で、及び、図７の例示プロセスの実線において境界されるべきである。）にも示されている。柔軟領域６６の最終厚は、最終マイクロジェネレータの必要な共鳴周波数に必要なバネ定数を提供するように構築される（図１１で後述）。図８の開領域７１は、柔軟領域６６によってのみ結合された磁性ウェル６２を残すように完全にエッチングで除去される。この磁性層製造プロセスの最終ステップは、磁性層サブ要素６９の磁性ウェル６２への強磁性体７０の配置であり（図１１（ｃ）参照）、これは、図６（ｄ）に示された磁性層サブ要素６９の完成直後に実行されるか、あるいは、ここに説明したとおり、マイクロジェネレータ磁性層及びコイル層要素の組立の後まで延期される（図１１参照）。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図７（ａ）〜（ｅ）を含む図７は、本発明の別の磁性層製造プロセスの側面図である。このプロセスもまた、図７（ａ）で示されるとおり、半導体ウエハ５６で始まる。図７（ａ）は、このプロセスの第１ステップの結果物を示しており、このステップは必要に応じて洗浄及び研磨による通常の方法で処理するための上側面５８及び下側面６０の準備である。図７（ｂ）は、このプロセスの次のステップの結果物を示し、このステップは、コイル層凹部６４を形成するように、上側面５８のマスキング及び反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）である。図７（ｃ）は、このプロセスの次のステップの結果物を示し、このステップは、磁性ウェル６２を形成するように、上側面５８のマスキング及びＤＲＩＥである。図７（ｄ）は、このプロセスの次の２つのステップの結果物を示し、このステップは、柔軟領域６６及び結合ポスト６８を形成するように、上側面５８のマスキング及びＤＲＩＥであり、これはウエハの対面図における図８（磁性ウェル６２は、図６の例示プロセスを説明するように隠れ線で、及び、図７の例示プロセスの実線において境界されるべきである。）にも示されている。柔軟領域６６の最終厚は、最終マイクロジェネレータの必要な共鳴周波数に必要なバネ定数を提供するように構築される（図１２で後述）。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図８は開領域７１を示し、これは柔軟領域６６によってのみ結合された磁性ウェル６２を残すように完全にエッチングで除去される。図７（ｅ）は、このプロセスの最終ステップの結果物を示し、このステップは、強磁性体７０の磁性ウェル６２内への配置である。強磁性体７０は、例えば、４０ｋＯｅ磁場を有するスパッタされたＣｏＰｔＣｒのような適切な「強力」強磁性材料を含むべきであり、尚且つ、１磁極が磁性ウェル６２底部に結合されると共に他の極が磁性体７０の頂面でむき出しになるように配置される必要がある。これによって、実質的に示された磁性層要素７２を完成する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
図１１（ａ）〜（ｃ）を含む図１１は、図１１（ｃ）で示される本発明のマイクロジェネレータの第１実施形態の製造の側面図である。図１１（ａ）は、このプロセスの第１ステップの結果物を示し、このステップは、結合面９４Ａにおける第１磁性層サブ要素６９Ａへのコイル層要素８６の結合である。図１１（ｂ）は、このプロセスの第２ステップの結果物を示し、このステップは、結合面９４Ｂにおけるコイル層要素８６への第２磁性層サブ要素６９Ｂの結合、及び、結合ポスト面９６における第１磁性層サブ要素６９Ａへの第２磁性層サブ要素６９Ｂの結合である。柔軟領域６６によって提供される機械的結合とは別に、コイル８２が結合ポスト面９６から機械的に分離（隔離）したままであるように、十分なクリアランスが提供されることに注目されたし。マイクロジェネレータの製造プロセスの最終ステップは、磁性層サブ要素６９Ａ及び６９Ｂの各磁性ウェル６２への強磁性体７０Ａ及び７０Ｂ（すなわち強磁性体７０）の配置である。この代わりに、マイクロジェネレータ９２の組立を開始する前、磁性層サブ要素６９の完成直後にこれを実施してもよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図１２（ａ）〜（ｂ）を含む図１２は、図１２（ｂ）に示される本発明のマイクロジェネレータの第２実施形態９８の製造の側面図である。図１２（ａ）は、このプロセスの第１ステップの結果物を示し、このステップは、結合面１００Ａにおける第１磁性層要素７２Ａへのコイル層要素８６の結合である。図１２（ｂ）は、このプロセスの第２ステップの結果物を示し、このステップは、結合面１００Ｂにおけるコイル層要素８６への第２磁性層要素７２Ｂの結合、及び、結合ポスト面１０２における第１磁性層要素７２Ａへの第２磁性層要素７２Ｂの結合である。柔軟領域６６によって提供される機械的結合とは別に、コイル８２が結合ポスト面１０２から機械的に分離（隔離）したままであるように、十分なクリアランスが提供されることに注目されたし。