【事件の表示】
　特許第２９４８６０４号「半導体容量式加速度センサ」の請求項１、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４８６０４号の請求項２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２９４８６０４号の手続きの経緯の概要は以下の通りである。
　平成元年９月７日　　　　　特許出願
　平成１１年７月２日　　　　特許権の設定の登録
　平成１１年９月１３日　　　特許掲載公報発行
　平成１２年３月１１日　　　須田隆良より、請求項１及び３に係る特許に　　　　　　　　　　　　　　対して特許異議の申立て
　平成１３年７月１１日付　　取消理由通知
　平成１３年９月２５日　　　意見書及び訂正請求書提出
　平成１４年９月９日付　　　取消理由通知
　平成１４年１１月１９日　　平成１３年９月２５日付け訂正請求の取下げ
　平成１４年１１月１９日　　意見書及び訂正請求書提出
　
２．訂正の適否
２−１．訂正事項
　訂正を請求する事項は、次のとおりである。
訂正事項ａ：
(ａ１)特許請求の範囲の訂正
　請求項１を削除するとともに、他の請求項の番号及び他の請求項中で引用する請求項の番号を１ずつ繰り上げる。
(ａ２)発明の詳細な説明の訂正
　明細書第９頁（平成１０年１１月３０日付手続補正書に添付された別紙（２）の第５〜１２行）（特許掲載公報第４欄第１８〜２７行）に記載された「上記目的は、周囲の固定体に複数本のビームで弾性支持される半導体製の可動電極部と、該可動電極部に間隙を介して対面する固定電極とを備え、前記複数本のビームを前記可動電極部の周囲に対称に配置して該可動電極部を弾性支持させる構成にし、前記可動電極部は前記固定電極側から見て等角度毎に中央部に至る切れ込みが形成され、前記複数本のビームの各々は各切れ込み部分に配置され、各ビームの先端部が前記中央部に連設されてなることで達成される。上記目的はまた、周囲の固定体に」とあるのを、「上記目的は、周囲の固定体に」と訂正し、同第１２頁第１９行（同公報第６欄第３行）の「本発明の第２の実施例」を「参考例」と訂正し、同第１３頁第１行、第４行及び第６行（同公報第６欄の第５行、第８行及び第９行）の「実施例」を「参考例」と訂正し、同第１３頁第９行、第１９行、第１４頁第１８行（同公報第６欄第１２行、第２１行及び第３７行）、及び第２８頁第１１行（同公報第１２欄第２行）の「第３」を「第２」と訂正し、同第１４頁第２〜３行（同公報第６欄第２４行）の「，十字状」を削除し、同第２８頁第１０行（同公報第１１欄末行〜第１２欄第１行）の「本発明の第２の実施例」を「参考例」と訂正する。
訂正事項ｂ：
　特許請求の範囲の前記訂正後の請求項２に「重心位置から偏在しており、」とあるのを、「厚さ方向に見て重心位置から偏在しており、」と訂正する。
訂正事項ｃ：
　特許請求の範囲の前記訂正後の請求項１ないし３の「可動電極部」（１３箇所）を、全て「可動電極」と訂正するとともに、その他の明細書中の「可動電極部」を、全て「可動電極」と訂正する
訂正事項ｄ：
　特許請求の範囲の前記訂正後の請求項２の「複数本」（３箇所）を、全て「４本」と訂正する。
訂正事項ｅ：
　特許請求の範囲の前記訂正後の請求項２に「該可動電極に」とあるのを、「前記固定体に陽極接合されたガラス基板上に設けられ、前記可動電極に」と訂正する。
　
２−２．新規事項追加の有無、訂正の目的の適否、及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否
(１)訂正事項(ａ１)は、請求項１を削除するとともに、請求項を繰り上げるものであるから、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
(２)訂正事項(ａ２)は、上記訂正事項ａによる請求項１の削除に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の項の記載との整合を図るためのものであるから、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
(３)訂正事項ｂは、本件図面第７図の記載に基づいて、「偏在」の方向を明らかにするものであるので、該訂正は、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
(４)訂正事項ｃは、明細書中で、同じ部位を「可動電極」と表現したり「可動電極部」と表現していたりしたのを、「可動電極」に統一するものであるから、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
(５)訂正事項ｄは、願書に添付した明細書第１２頁第１２〜１４行の「更に、これを弾性支持する４本のビーム３を可動電極部２の各辺２ａに沿うように形成し、４本のビーム３が風車状となる構成にしてある。」という記載及び第１図の記載に基づいて、「複数本」を「４本」と限定するものであるから、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
(６)訂正事項ｅは、願書に添付した明細書第１６頁第２〜７行の「可動電極部２をビーム３で支持する構造を有するシリコン基板１の上面と下面とに、夫々、ガラス基板６，７を陽極接合してある。夫々のガラス基板６，７の可動電極対向面には、固定電極８，９が設けてある。」という記載及び第５図の記載に基づいて、「固定電極」が、ガラス基板上に設けられている、及び該「ガラス基板」が固定体に陽極接合されている、と特定するものであるから、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
２−３．独立特許要件についての判断
　本件の訂正前の請求項４（訂正後の請求項３）に係る特許については、特許異議の申立てがされていないが、訂正事項ｂないしｅにより訂正後の請求項２は訂正され、該請求項２を引用する形式で記載されている訂正後の請求項３も実質的に訂正されているから、以下、訂正後の請求項３に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　訂正後の請求項３に係る発明は、「可動電極を中空体とした」ことを構成の要件の１つとするものであるが、以下のとおり、取消理由に引用した各刊行物及び特許異議申立人の提出した下記の甲１号証ないし甲第７号証のいずれにも、可動電極を中空体とする点については記載も示唆もない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平１−１５２３６９号公報
甲第２号証：「TRANSDUCER'87 」1987年発行、Ｐ399〜402、“A SILICON B　　　　　　ASED MICROMECHANICAL ACCELEROMETER WITH CROSS ACCEL　　　　　　ERATION SENSITIVITY COMPENSATION”
甲第３号証：IEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,VOL.35、NO.6、1988　　　　　　年６月発行、Ｐ764〜770、“A New Uniaxial Accelerometer 
　　　　　　in Silicon Based on the Piezojunction Effect ”
甲第４号証：特開平１−１４３９６２号公報
甲第５号証：特開昭５９−９９３５６号公報
甲第６号証：「TRANSDUCER'87 」1987年発行、Ｐ336〜339、“SILICON DIA　　　　　　PHRAGRM CAPACITIVE SENSOR FOR PRESSURE,FLOW,ACCELERA 　　　　　　TION AND  ATTITUDE MEASURMENTS”
甲第７号証：「TRANSDUCER'87」1987年発行、Ｐ395〜398、“SILICON MIC　　　　　　RO　ACCELEROMETER”
　すなわち、取消理由に引用した刊行物１ないし３は、それぞれ特許異議申立人の提出した甲第４号証、甲第１号証及び甲第５号証として提出された刊行物であるが、後の「４−２．各刊行物に記載された発明」の項に記載するとおり、取消理由に引用した刊行物１ないし４には、可動電極を中空にする点については、記載も示唆もない。
　また、特許異議申立人が提出した甲第２号証（第４０１頁左欄第５行〜右欄第８行）には、ピエゾ抵抗式加速度計がシリコンウエハからなり、エッチングによって製造される点が記載されているが、それを中空体とすることについては記載も示唆もない。
　同様に甲第３号証にはシリコンから形成された質量体（プルーフマス）について記載があるだけで、それを中空体とすることについては記載も示唆もない。
　さらに、甲第６号証及び甲第７号証は、後の「５−２．相違点についての判断」の項で、それぞれ参考文献１及び参考文献２として記載する刊行物であるが、後述するように、参考文献１及び参考文献２には、半導体容量式加速度センサについて記載されているが、可動電極に相当する参考文献１記載の「塊状体」あるいは参考文献２記載の「プレート」を中空体とすることについては記載も示唆もない。
　よって、訂正後の請求項３に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
２−４．訂正の適否の結論
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．本件発明
　上記訂正請求により、特許異議の申立てがされた訂正前の請求項１は削除されるとともに、訂正前の請求項３は「請求項２」とされ、訂正後の請求項２に記載された発明は、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載された次のとおりのものである。（以下、「本件発明」という。）
「周囲の固定体に４本のビームで弾性支持される半導体製の可動電極と、前記固定体に陽極接合されたガラス基板上に設けられ、前記可動電極に間隙を介して対面する固定電極とを備え、前記４本のビームを前記可動電極の周囲に対称に配置して該可動電極を弾性支持させる構成にし、前記可動電極は前記固定電極側から見て矩形形状を成し、前記複数本のビームの各々は矩形形状の各辺に沿って設けられ、各ビームの先端部は対応する辺の手前の端から他端側に延出され該他端部にて前記可動電極に連設されると共に、その連設位置が前記可動電極の厚さ方向に見て重心位置から偏在しており、この偏在した側に前記固定電極が設けられ、かつ、前記可動電極および該可動電極より厚さが薄い前記各ビームは半導体基板を異方性エッチングして一体形成されたものであることを特徴とする半導体容量式加速度センサ。」
　
４．取消理由の概要及び引用された刊行物に記載された発明
４−１．理由の概要
　平成１４年９月９日付けの取消理由の概要は、以下のとおりである。
“本件発明は、本件出願前に頒布された下記の刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件の請求項２に係る特許は、拒絶査定されるべき特許出願に対して特許されたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平１−１４３９６２号公報
刊行物２：特開平１−１５２３６９号公報
刊行物３：特開昭５９−９９３５６号公報
刊行物４：米国特許第４６９４６８７号明細書　　　　　　　　　　　　”
　
４−２．各刊行物に記載された発明
刊行物１：特開平１−１４３９６２号公報
　「半導体加速度センサ」に関し、従来技術として、
(1a)「第４図は従来の半導体加速度センサの構成を示す平面図、第５図は第４図のＢＢ線断面図である。第４図において、１は半導体単結晶基板（以下、Ｓｉ基板と称する）であり、ｎ型シリコンウエハを用いて、これから方形状に形成したものである。Ｓｉ基板１には平面“Ｃ”字状の切欠部２ａ、２ｂが上下に対向して設けられている。１ａ、１ａは、各々梁部であり、切欠部２ａ、２ｂによって細長く形成されている。第５図に示すように、梁部１ａ、１ａの先端には断面台形状の重り部１ｂが形成されている。第５図に示す、３は重り部１ｂの底面に形成された上部電極層、４はＳｉ基板１の底面に取り付けられた方形状のガラス台座であり、その上面には上述した上部電極層３に対向させた下部電極層５が形成されている。上述した上部電極層３および下部電極層５には各々図示せぬ電極端子が設けられており、図示せぬ検出回路に接続されている。」（第１頁右下欄第１〜１８行）
(1b)「このように構成された半導体加速度センサにおいて、第５図に示すように、矢印Ｃ方向から重り部１ｂに加速度が作用すると、この作用方向へ加速度の大きさに対応して重り部１ｂが曲がる。これにより、電極３、５間の距離が短くなり静電容量が増加する。この静電容量が検出回路にて計測され、静電容量値に応じた加速度が表示される。」（第１頁右下欄下から第２行〜第２頁左上欄第５行）
と記載され、さらに、実施例の製造工程について、
(1c)「第３図（ハ）に示すように、エッチングパターン１６からＫＯＨ溶液、ＥＰＷ 等の異方性エッチャントを用いてＳｉ基板６の上面から中央部付近に至るまでエッチングを行ない溝７を形成する。」（第３頁左上欄第７〜１０行）
と記載されている。
　摘記事項(1a)、(1ｂ)及び第４、５図の記載からみて、刊行物１記載の「重り部１ｂ」は、半導体製であって、加速度の大きさに対応して可動なものであることは明らかであるから、刊行物１には、「周囲のＳｉ基板１に２本の梁部１ａで弾性支持される半導体製の可動重り部１ｂと、この可動重り部１ｂの底面に形成された上部電極層３と、前記Ｓｉ基板１に取り付けられたガラス台座４上に設けられ、前記上部電極層３に間隙を介して対面する下部電極層５とを備え、２本の梁部１ａを可動重り部１ｂの周囲に対称に配置して重り部１ｂを弾性支持させる構成にし、可動重り部１ｂは下部電極層５側から見て矩形形状を成し、各梁部１ａの先端が可動重り部１ｂに連接され、この連設位置が可動重り部１ｂの厚さ方向に見て重心位置から偏在しており、この偏在した側に前記下部電極層５が設けられ、かつ、前記可動重り部１ｂおよび該可動重り部１ｂより厚さが薄い前記各梁部１ａは一体成形された半導体容量式加速度センサ」が記載されているといえる。以下、「刊行物１記載の発明」という。
　
刊行物２：特開平１−１５２３６９号公報
「容量式加速度センサ」に関し、
(2a)「加速度センサとしては圧電材料の圧電効果を利用した圧電式、ピエゾ抵抗効果を利用した歪ゲージ式、力のフィードバック機構を有すサーボ式、差動トランスを利用した磁気式、フオトインタラプタを利用した光式、シリコンの微細加工技術用した容量式など数多くの方式が知られている。」（第２頁左上欄第６〜１１行）
(2b)「本発明の一実施例を第１図により説明する。本実施例に係る加速度センサの検出部は、シリコン板１を両面から異方性エッチングして、カンチレバー２とその先端に重錘の役目をなす可動電極３を形成した後、固定電極４と同５とを蒸着その他の方法で形成したガラス板６と同７とをシリコン板１の両面に接着したものよりなる。可動電極３は溝状の貫通溝８によってシリコン板１から分離されている故、それに垂直な加速度成分（図中の矢印Ｙ方向）に応じて上下に変位できるようになっている。なお、９は可動電極３の引出し電極であり、これを介して外部の電子回路と接続される。加速度Ｇに応じて可動電極３が上下に変位すると、可動電極３と固定電極４と同５との間の静電容量（キヤパシタンス）が変化する。本発明によるセンサは、この容量変化から加速度を検出するものである。」（第３頁左上欄第７行〜右上欄第４行）
(2c)「本発明に係る加速センサの、前記と異なる実施例を第１２図に示す。検出部の 基本構造は、下記の点を除いて第１図の実施例と同様である。即ち、可動電極３が、図の左右に配置した１対のシリコンのビーム４０，４１によって支持されている。第１図の片持ち梁構造に比して第１２図は両持ち梁構造であり、これにより感度は約１／１０になるが、大きくＧに耐え得る。その他の点については前記 実施例と同様の効果が得られる。」（第６頁左下欄第２〜１２行）
と記載されている。
　
刊行物３：特開昭５９−９９３５６号公報
　「半導体加速度計」に関し、
(3a)「ここで図面を参照すると、第１図には、本発明に従った半導体加速度計１０が図示されている。第２図にも示す加速度計１０は、シリコンで形成され、長方形の中心の質量部１２を有している。この質量部１２は薄く柔軟性のある直角にのびる４本の梁１４で支持されている。これらの各々の梁は、一方の端で中央質量部１２にとりつけられ他方の端で圧力が加わっても変わらない縁部１６に接続される。」（第３頁右上欄第８〜１６行）
(3b)「中央の質量部１２の周辺に梁１４を対称に形成することによって安定していて小型な構成を提供することができる。この構成は、質量部１２の表面に対し直角な加速度には高感度であるが、特にこの軸に交差する加速度の影響は受けにくい。さらに梁１４の固定端部に抵抗素子１８を位置して寄生熱圧力による影響及びバイメタル効果の発生をとりのぞいている。」（第３頁左下欄第９から１６行）
と記載されている。
　
刊行物４：米国特許第４６９４６８７号明細書
(4a)「This invention reletes generally to force-measuring apparatus,and more particularly to an accelerometer system perticularly adapted for use in measuring the performance of a motorized vehicle,be it a land,water or air vehicle.」（本発明は、一般的に力計測装置、特に、地、海及び空の発動機付き乗物の性能を測定するのに特に用いられる加速度計測システムに関する。）
として、第５欄第１１〜２５行には、第３図とともに、
(4b)「Sandwhiched betweeen spacer layers 46 and 50 is a central substrate 48 having an etched copper layer supported by spring elements defined by a pattern of slits extending through the thickness dimension of layer 48 and surrounding a solid central segment 64.Because of the manner in which the slits 63 are positioned,the central mass 64 is effectively supported by the surrounding framework 66 by narrow strips which function as leaf springs supporting the mass 64.」（中央基板４８は、スペーサー層４６及び５０の間に挟まれており、該層４８の厚さ方向に亘り、且つ中央セグメント６４の周囲を囲んでいる、スリットパターンによって区切られた弾性要素によって支持されているエッチングされた銅層を有している。スリット６３を配するようにしたので、中央質量体６４は、該質量体６４を弾性支持する板として機能する細長い片によって周囲の枠体６６に効果的に支持されている。）
と記載されている。
　
５．対比・判断
５−１．対比
　本件発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明における「梁部１ａ」、「Ｓｉ基板１」、「ガラス台座４」及び「下部電極層５」は、それぞれ本件発明における「ビーム」、「固定体」、「ガラス基板」及び「固定電極」に相当するものである。
　また、刊行物１記載の発明では、加速度が作用すると、「可動重り部１ｂ」とその底面に形成された「上部電極層３」とは一体となって動き、その変位によって該上部電極層３と下部電極層５の距離が短くなることによる静電容量の増加を計測するものであるから、刊行物１証記載の発明における「可動重り部１ｂ」及び「上部電極層３」とが、本件発明における「可動電極」に対応するものである。
　してみると、両者は、「周囲の固定体に複数本のビームで弾性支持される可動部と、前記固定体に接合されたガラス基板上に設けられ、前記可動部に間隙を介して対面する固定電極とを備え、複数本のビームを可動部の周囲に対称に配置して可動部を弾性支持させる構成にし、可動部は固定電極側から見て矩形形状を成し、各ビームの先端が可動部に連接され、この連設位置が可動部の厚さ方向に見て重心位置から偏在しており、偏在した側に固定電極が設けられ、かつ、前記可動部および該可動部より厚さが薄い前記各ビームは一体成形された半導体容量式加速度センサ」である点で一致し、以下の(ア)ないし(エ)の点で相違している。
相違点：
(ア)「可動部」が、本件発明では「半導体製の可動電極」であるのに対し、刊行物１記載の発明では「半導体製の可動重り部１ｂ」と「上部電極層３」とから構成されている点。
(イ)「固定体」と「ガラス基板」とが、本件発明では「陽極接合」されているのに対し、刊行物１に記載された発明では「取り付けられた」とあるだけで、「陽極接合」されているか否かは不明である点。
(ウ)「可動部」および各「ビーム」の一体成形が、本件発明では「異方性エッチングして」とされているに対し、刊行物１に記載された発明ではその成形方法についてまでは特定されていない点。
(エ)複数本のビームが、本件発明では「４本のビームであって、その各々が矩形形状の各辺に沿って設けられ、各ビームの先端部は対応する辺の手前の端から他端側に延出され該他端部にて前記可動部に連設されている」のに対し、刊行物１に記載された発明ではそのようになっていない点。
　
５−２．相違点についての判断
５−２−１．相違点(ア)について
　加速度の作用により可動な重り部の変位を静電容量変化として検出する方式の、いわゆる半導体容量式加速度センサにおいて、該重り部として、半導体製の可動電極を用いることは、例えば、上記刊行物２及び以下の参考文献１にも記載されているとおり、本件出願前に既に周知であって、この点については、本件明細書の〔従来の技術〕の項にも記載されているように、特許権者も認めるところである。
参考文献１：「TRANSDUCER'87 」1987年発行、Ｐ336〜339、“SILICON DIA　　　　　　PHRAGRM CAPACITIVE SENSOR FOR PRESSURE,FLOW,ACCELERA　　　　　　TION AND ATTITUDE MEASURMENTS”、異議申立人が提出した　　　　　　甲第６号証）
　すなわち、刊行物２（摘記事項(2b)参照）には、「本実施例に係る加速度センサの検出部は、シリコン板１を両面から異方性エッチングして、カンチレバー２とその先端に重錘の役目をなす可動電極３を形成した後、固定電極４と同５とを蒸着その他の方法で形成したガラス板６と同７とをシリコン板１の両面に接着したものよりなる。可動電極３は溝状の貫通溝８によってシリコン板１から分離されている故、それに垂直な加速度成分（図中の矢印Ｙ方向）に応じて上下に変位できるようになっている。」と記載されている。
　また、上記参考文献１の「はじめに」と題した項には、「容量式センサは位置、力、圧力、加速度、湿度のような多くの物理量測定のために効果的に使用されている。シリコンマイクロマシニング技術の発展につれて、シリコンを用いた容量式センサは小型化が可能で、医学や工業用途に、低コストで大きなポテンシャルをもち、高いパフォーマンスを備えた装置とすることができる。」（第３３６頁左欄下から第２４〜１６行、申立人が提出した部分翻訳第１頁第５〜９行参照）と記載され、「センサの構造と製造」と題した項には、図１とともに、「シリコンダイヤフラム容量式センサの分解図と断面図は図１に示されている。キャパシタは、中心に塊状体を備えた移動可能なダイヤフラムとパイレックスガラス上に配置された固定電極との間に作られる。このダイヤフラムの歪みは、測定し得る静電容量の変化を引き起こす。」（第３３６頁右欄第８〜１５行、申立人が提出した部分翻訳第１頁下から第４〜末行参照）及び「塊状体は１．０８ｍｍ×１．０８ｍｍ×３００μｍの大きさであり、約０．８ｍｇである。電極は２μｍの空間が設けられ、その電極サイズは１．２７ｍｍ×１．２７ｍｍである。」（第３３７頁左欄第１６〜１９行、申立人が提出した部分翻訳第２頁下から第８〜６行参照）と記載されている。
　してみれば、摘記事項(1b)から明らかなように、刊行物１記載の発明は、加速度が作用して生じた可動重り部１ｂの変位を、該可動重り部１ｂの底面に形成された上部電極３とガラス台座４上に形成された下部電極５間の静電容量変位として検出する方式のものであるから、刊行物１に記載された「半導体製の可動重り部１ｂ」とその底面に形成された「上部電極層３」とを、「半導体製の可動電極」からなる１部材で構成する程度のことは、当業者であれば上記周知技術に基づいて容易になし得ることである。
　
５−２−２．相違点(イ)について
　相違点(イ)に係る構成は、前記訂正請求により本件発明に加えられた技術的事項であるが、取消理由において引用した各刊行物、特に、半導体容量式加速度センサについて記載された刊行物１及び刊行物２には、固定体にガラス基板を「陽極接合」する点についての具体的な記載はない。
　しかしながら、ガラスとシリコンの接合手段として「陽極接合」を用いることは本件出願前に既に周知の技術的事項であり、特に上記参考文献１及び以下の参考文献２にも記載されているとおり、半導体容量式加速度センサの技術分野においても、ガラスとシリコンとの接合に「陽極接合」が用いられることは、本件出願前に既に周知である。
参考文献２：「TRANSDUCER'87」1987年発行、Ｐ395〜398、“SILICON MIC　　　　　　RO ACCELEROMETER”、異議申立人が提出した甲第７号証）
　すなわち、前述の参考文献１の「センサの構造と製造」と題した項には、「製造工程はキャパシタのためのギャップを得るのに必要なエッチング工程で始まる。固定電極とボンディングパッドは、真空蒸着によって、厚さ２００μｍのパイレックス７７４０基板上に、そのパターンが形成される。このパイレックス基板は陽極接合技術によりシリコンウエハ上に接着させる。」（第３３６頁右欄末行〜第３３７頁左欄第６行、申立人が提出した部分翻訳第２頁第９〜１２行参照）と記載されている。
　また、上記参考文献２の「加速度計のコンセプト」と題した項には、図２とともに、「加速度計チップの構造は図２に示されている。３枚の互いに接合されたプレートで構成されている。底板は固定電極の下部側を支えるものとしてふるまう。中央部分は移動可能なプレートとなっており、トーションバーによって外枠に支えられる。頂上部のプレートは上部電極を支える。上部の固定の電極は中央部のプレートの上部にある金属被覆層に接続される。結果として、すべての電極はトップから上部と中央部のプレートにある開口部を通して接続可能となっている。底部と上部のプレートは両方とも適当な厚さのシリコンのウエハとガラスのウエハを積み重ねることによって加速度計チップに製作されている。」（第３９６頁左欄第１〜１９行、申立人が提出した部分翻訳第１頁下から第４行〜第２頁第５行参照）と記載され、その具体的な製造法について、
「加速度計のバッチプロセスは三つの基本的な工程を含んでいる。：
１．シリコンウエハの中央部のプレートをつくること
２．底部と上部のシリコン／ガラスウエハの製造工程
３．三段に積まれたウエハの接合、封および切断
・・・（中略）・・３つの個々のウエハはそのとき陽極接合技術によって互いに接合される。」（第３９６頁右欄下から第１２行〜第３９７頁左欄第１８行、申立人が提出した部分翻訳第２頁下から第９行〜第３頁第４行参照）と記載されている。
　してみれば、刊行物１に記載された「Ｓｉ基板１」（本件発明における「固定体」）と「ガラス台座４」（本件発明における「ガラス基板」）とを陽極接合により接合する程度のことは、当業者であれば格別な創意を必要とすることなく容易になし得ることである。
　
５−２−３．相違点(ウ)について
　半導体製の容量式加速度センサにおいて、重り部とそれを弾性支持する梁部とを、異方性エッチングにより一体形成することは、例えば、上記刊行物２、前記参考文献１及び前記参考文献２にも記載されているとおり、本件出願前に周知の常套手段であって、この点については、本件明細書の〔従来の技術〕の項にも記載されているように、特許権者も認めるところである。
　すなわち、刊行物２（摘記事項(2b)参照）には、「本実施例に係る加速度センサの検出部は、シリコン板１を両面から異方性エッチングして、カンチレバー２とその先端に重錘の役目をなす可動電極３を形成した後、・・・」と記載されており、該刊行物３記載の「重錘の役割をなす可動部３」及び「カンチレバー２」は、それぞれ刊行物１記載の発明における「可動重り部１ｂ」及び「梁部１ａ」に相当するものである。
　また、前記参考文献１には、「製造工程はキャパシタのためのギャップを得るのに必要なエッチング工程で始まる。・・・薄膜ダイヤフラムは、ホウ素高注入のシリコンではなくホウ素低注入のシリコンをエッチングする。ＥＰＷエッチング液（エチレン−diamine＋Pyrocatechol＋水　比７５ｍｌ：１２ｇ：２４ｍｌ）を用いた異方性エッチングによって形成される。」（第３３７頁左欄第６〜１２行、申立人の提出した部分翻訳第２頁第１２〜１５行参照）と記載されている。該参考文献１記載の発明では、「重り部（Weight）」を弾性支持する部材は「ダイヤフラム」ではあるものの、重り部とそれを支持する部材とを異方性エッチングにより一体成形することが記載されているといえる。
　さらに、前記参考文献２には、「中央部分は移動可能なプレートとなっており、トーションバーによって外枠に支えられる。」（第３９６頁左欄第５〜８行、申立人の提出した部分翻訳第１頁下から第２〜末行参照））及び「中央部のプレートは８のマスク・シリコン・マイクロマシーニングの製法で作られる。シリコンはＫＯＨ溶液でエッチされる。」（第３９６頁右欄下から第４〜末行、申立人の提出した部分翻訳第２頁下から第５〜６行参照）と記載されており、該刊行物記載の「中央部分」及び「トーションバー」は、刊行物１記載の発明における「可動重り部１ｂ」及び「梁部１ａ」に相当するものであるから、参考文献２には、重り部と梁部を異方性エッチングにより一体成形することが記載されているといえる。
  しかも、刊行物１の第４、５図に図示された従来例の記載においては、半導体製の重り部１ｂと梁部１ａが一体的に形成されていることが図示されているにすぎず、具体的な成形方法についての記載はないが、摘記事項(1c)から明らかなように、本件発明と構造自体は全く異なるものの、実施例の製造工程においては、異方性エッチングを用いて、Ｓｉ基板に溝を形成するものである。
　してみれば、刊行物１には具体的な成形方法についての記載はなくとも、第４、５図に図示された従来例の記載においても、異方性エッチングにより該構成を形成していると解するのが当然であるから、相違点（ウ）は実質的な相違点ではない。
　
５−２−４．相違点(エ)について
(１)刊行物１記載の発明と刊行物４記載の発明との組合せについて
　刊行物４の第３図の記載からみて、刊行物４に記載された「framework 66」（枠体６６）、「narrow strips」（細長い片）、「the central mass 64」（中央質量体６４）及び「the conductive plate 58 」（導電性平板５８）は、それぞれ本件発明における「周囲の固定体」、「ビーム」、「可動電極」及び「固定電極」に相当するものであることは明らかであるから、刊行物４には、「周囲の固定体に４本のビームで弾性支持される可動電極と、該可動電極に間隙を介して対面する固定電極とを備え、前記４本のビームを前記可動電極の周囲に対称に配置して該可動電極を弾性支持させる構成にし、前記可動電極は前記固定電極側から見て矩形形状を成し、前記複数本のビームの各々は矩形形状の各辺に沿って設けられ、各ビームの先端部は対応する辺の手前の端から他端側に延出され該他端部にて前記可動電極に連設された容量式加速度センサ」が記載されているといえる。
　すなわち、刊行物４には、「可動部（刊行物１記載の発明における「可動重り部」）を支持するビームが、可動部の各辺に沿って設けられ、各ビームの先端部は対応する辺の手前の端から他端側に延出され該他端部にて前記可動部に連設されてなる」という、相違点(エ)に係る構成が記載されている。
　ここで、「可動部」が、刊行物４記載のものは金属製であるのに対し、刊行物１記載のものは「半導体製」である点で相違しているが、両者は、可動部をビームで弾性支持するように構成された容量式加速度センサである点で共通しているから、刊行物４に記載されたビームと可動部の連設方法を、刊行物１記載の発明に適用することを何等阻害するものではない。
　よって、当業者であれば、刊行物１記載の発明において、可動重り部１ｂと梁部１ａの連設方法として、刊行物４記載の連設方法を適用して、相違点(エ)に係る構成とすることは、容易になし得るものと認められる。
(２)相違点(エ)による作用・効果について
　本件明細書の記載によれば、本件発明における課題は、可動電極をビームで弾性支持する容量式加速度センサにおいて、限られた寸法の中で重錘の機能を有する可動電極の形状を小さくさせずに、ビーム長を如何に長くするか、及び如何にして衝撃時にビームに過大な応力が発生しないようにするか、ということにあると認められ、本件発明では、これらの課題を、４本のビームを可動電極の各辺に沿って設けることにより解決するものであり、そのことにより、可動電極の変位移動が安定すると共に、ビームを長くできることで感度が高められ、しかも小型化が可能であるという効果を奏しているものと認められる。
　これに対し、刊行物４には、単に「effectively supported」（効果的に支持されている）とあるだけで、具体的な効果については記載がない。
　しかしながら、可動部（可動電極）が半導体製であるか金属製であるかに拘わらず、可動部（可動電極）を支持する梁部（ビーム）の長さが長いほど、加速度によって可動部（可動電極）は大きく変位し、加速度に対する感度が向上することは当業者であれば容易に予期しうる効果にすぎない。
　また、刊行物３には、「この質量部１２は薄く柔軟性のある直角にのびる４本の梁１４で支持されている。これらの各々の梁は、一方の端で中央質量部１２にとりつけられ他方の端で圧力が加わっても変わらない縁部１６に接続される。」（摘記事項(3a)参照）と記載されており、該刊行物３に記載された梁１４による中央の質量体１２の弾性支持方法は、刊行物４に記載されたと同一の弾性支持方法である。そして、該刊行物３には、該弾性支持方法による効果について、「中央の質量部１２の周辺に梁１４を対称に形成することによって安定していて小型な構成を提供することができる。この構成は、質量部１２の表面に対し直角な加速度には高感度であるが、特にこの軸に交差する加速度の影響は受けにくい。」（摘記事項(3b)参照）と記載されている。
　ここで、刊行物３に記載されたセンサは、圧電抵抗効果を利用した半導体加速度センサであって、刊行物１や刊行物４に記載のような容量式加速度センサではないが、可動部である質量体の変位によって加速度を検出するという、原理的な技術事項では何等変わるところがなく、加速度によって生じた質量体の変位を、静電容量の変化として検出するのか（すなわち、「容量式」）、あるいは質量体の変位に伴うビームの撓みを抵抗値の変化として検出するのか（すなわち、「抵抗式」）という検出機構の相違であり、しかも、どちらの方式も本件出願前に周知である。
　よって、当業者であれば、刊行物３記載の作用効果は、可動部である質量体が半導体製であるか金属製であるかに拘わらず、刊行物４に記載の発明においても同様に奏されるであろうことは当業者が当然に予期しうることである。
　したがって、刊行物１記載の発明に、刊行物４に記載の弾性支持方法を採用した場合には、小型化が可能となるとともに、可動電極の安定した高感度な変位移動が得られるという効果を奏するであろうことは、当業者が容易に予期しうるものと認められる。
（３）まとめ
　以上のとおり、当業者であれば、刊行物１記載の発明における可動重り部１ｂを弾性支持する梁部１ａを、可動重り部１ｂの各辺に沿って設けられ、各梁部の先端部は対応する辺の手前の端から他端側に延出され該他端部にて前記可動重り部１ｂに連設されてなるようにすることは、刊行物４の記載に基づいて容易に想到し得ることであり、その効果についても当業者が予期しうる範囲のものである。
　
５−２−５．相違点の組合せについて
　特許権者は、平成１４年１１月１９日付意見書において、“要件(ｆ)(ｇ)(ｈ)は、本件特許公報第４頁左欄３９〜４６行に「特に第７図では、各ビームが可動電極２の重心位置より固定電極８の一方側に偏在した位置に連設してあるので、可動電極２と可動電極２より厚さの薄い各ビーム３を異方性エッチングにより一体に形成するとき、ビーム３が偏在して連設された側の可動電極面はエッチング量が少なくなり、電極面積を減少させずに形成でき、固定電極８との対向面積を大きく形成でき、加速度に対する検出感度が向上する効果が得られる。」とあるように、可動電極をエッチングで製造するときの条件と出来上がった構造との間の関係に着目し、検出感度を向上させるセンサ構造を実現するための要件を規定したものであります。”と主張している。
　しかしながら、前述のとおり、刊行物１記載の発明では、本件発明における「ビーム」に相当する梁部１ａの可動重り部１ｂへの連接位置が、可動重り部１ｂの厚さ方向に見て重心位置から偏在しており、この偏在した側に、本件発明における「固定電極」に相当する下部電極５が設けられている。そして、前項「相違点(ウ)について」で述べたように、刊行物１には異方性エッチングについての具体的な記載はないが、該梁部１ａと可動重り部１ｂとは異方性エッチングにより一体形成されていることは明らかである。
　また、前項において本件出願時における周知技術を記載する文献として引用した参考文献２には、図２として、トーションバー（本件発明における「ビーム」に相当）の中央部分（本件発明における「可動電極」に相当）への連接位置が、中央部分の厚さ方向に見て重心位置から偏在しており、この偏在した側に固定電極が設けられている構造が図示されるとともに、「マスク・シリコン・マイクロマシーニングの製法で作られる。シリコンはＫＯＨ溶液でエッチされる。」と明記されている。
　さらに、同じく参考文献１の図１には、ダイヤフラムで弾性支持するものであって、本件発明のようにビームで支持するものではないが、該ダイヤフラムの重り部への連設位置が、重り部の厚さ方向に見て重心位置から偏在しており、この偏在した側に前記固定電極が設けられている構造が図示されており、該参考文献１には、こうした構造が異方性エッチングで形成されることが明記されている。
　すなわち、容量式加速度センサにおいて、可動部（可動電極）を弾性支持する部材の連接位置が、可動部（可動電極）の厚さ方向に見て重心位置から偏在しており、偏在した側に固定電極を設けた構造を、「異方性エッチング」により一体形成することは、本件出願前にすでに周知である。そして、これらの刊行物には明記されていないものの、これらの刊行物に記載されたものも、本件発明と同様の「偏在して連設された側の可動電極面はエッチング量が少なくなり、電極面積を減少させずに形成でき、固定電極との対向面積を大きく形成できる」という効果を有していることは明らかであり、該効果は、ビームが各辺に沿って設けられているか否かに拘わらず、奏されるものである。
　よって、相違点（ア）ないし相違点(エ)を組み合わせたことにより、当業者が予期し得ない格別な効果を奏しているとすることもできない。
　
５−３．まとめ
　以上のとおり、本件発明は、刊行物１ないし４に記載された発明、及び半導体容量式加速度センサにおける周知技術に基づいて、その発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　したがって、本件の請求項２についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認められる。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年３月２５日（２００３．３．２５）
【訂正の要旨】
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。これに伴い、特許請求の範囲の請求項の番号及び請求項中で引用する請求項の番号を１ずつ繰り上げる。また、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書第９頁の［課題を解決するための手段］の「上記目的は、周囲の固定体に‥‥達成される。上記目的はまた、周囲の固定体に‥‥」を「上記目的は、周囲の固定体に‥‥」と訂正（請求項１に対応する記載を削除）し、明細書第１２頁第１９行の「本発明の第２の実施例」を「参考例」と訂正し、明細書第１３頁第１行、第４行及び第６行の「実施例」を「参考例」と訂正し、明細書第１３頁第９行、第１９行、第１４頁第１８行、第２８頁１１行の「第３」を「第２」と訂正し、明細書第１４頁第２行〜第３行の「，十字状」を削除し、明細書第２８頁第１０行の「本発明の第２実施例」を「参考例」と訂正する。
▲２▼　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２中の「重心位置から偏在しており」を、明瞭でない記載の釈明を目的として「厚さ方向に見て重心位置から偏在しており」に訂正する。
▲３▼　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項１ないし３中の「可動電極部」を、明瞭でない記載の釈明を目的として「可動電極」と訂正する。これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書中の「可動電極部」を全て「可動電極」と訂正する。
▲４▼　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項２中の「複数本」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「４本」と訂正する。
▲５▼　訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項２中の「該可動電極に」を特許請求の範囲の減縮を目的として「前記固定体に陽極接合されたガラス基板上に設けられ、前記可動電極」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体容量式加速度センサ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
極と
極に
極の
極を
極は
極に
極に
　【請求項
２
４
極と
前記固定体に陽極接合されたガラス基板上に設けられ、前記
極に
４
極の
極を
極は
４
極に
極の厚さ方向に見て
極お
極よ
　【請求項
３
２
極を
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明は半導体容量式の加速度センサに係り、特に、低レベル（０〜±１Ｇ）低周波（０〜１０Ｈｚ）の加速度を高精度に検出するに好適な加速度センサに関する。
［従来の技術］
　０〜±１Ｇ（１Ｇ＝９．８ｍ／ｓ２）の微弱で０〜１０Ｈｚの低周波加速度を高精度に検出できる加速度センサとして、半導体容量式加速度センサが知られている。従来の特願昭５７−１１５３０４号や特願昭６２−３０９６８４号に係る半導体容量式加速度センサを夫々第１８図，第１９図に示す。第１８図の加速度センサは、シリコン基板１を異方性エッチングして中央に質量体である可動電
極２
極２
極２
極２
［発明が解決しようとする課題］
　質量体である可動電
極２
極２
極２
　この破損や安定性の他に、高感度化を達成するには、ビーム３の長さを可能な限り長く、その厚さを可能な限り薄くする必要がある。生産性を考慮すると、ビーム３の厚さの下限は約１０μｍであり、現実的にはビーム３を長くして加速度に対する可動電
極の
極２
極２
　更に、加速度センサは、運搬時の落下や制御対象物への取付け時に過大な衝撃がかかるため、これらの衝撃に耐える構造にしなければ信頼性に欠けることになる。即ち、過大な衝撃に対してビームが破壊される構造では、使用に耐ええる加速度センサとはいえない。このため、衝撃時にビームに過大な応力が発生しない構成にすることも必要である。
　従って、従来の半導体容量式加速度センサは、安定性に欠け、また、感度もあまり高くないので、実際の制御装置への適用はあまり進んでいない。
　本発明の目的は、安定が良くしかも感度も高い半導体容量式加速度センサを提供することにある。
　本発明の更に別の目的は、可動電
極と
〔課題を解決するための手段〕
　上記目的
は、周
極と
極に
極の
極を
極は
極に
極に
　上記目的はまた、周囲の固定体に複数本のビームで弾性支持される半導体製の可動電
極と
極に
極の
極を
極は
極に
極の厚さ方向に見て
極お
極よ
［作用］
　本発明では、可動電
極を
極の
極を
極の
極と
極の
　可動電
極を
極の
極が
極を
　半導体容量式加速度センサの可動電
極を
極の
極の
極を
［実施例］
　以下、本発明の好適な実施例を第１図乃至第１７図を参照して説明する。
　第１図は、本発明の第１実施例に係る半導体容量式加速度センサの検出部のうちの可動電
極を
極２
極２
極２
　第２図は、
参考例
参考例
極の
参考例
極２
　第３図は、本発明の第
２
極の
極２
極２
　第１〜第
２
極２
状、平
極を
極の
極を
　第４図は、別の例に係る半導体容量式加速度センサの可動電極シリコン基板の平面図である。この例では、矩形の可動電
極２
２
極２
極と
極の
　第５図は、本発明の一実施例に係る半導体容量式加速度センサの検出部の縦断面図である。可動電
極２
極２
　第６図は、本発明の別実施例に係る半導体容量式加速度センサの縦断面図である。第５図で示した実施例は、ガラス基板６，７を用い、電極８，９とシリコン基板１との電気的絶縁を図ったが、本実施例では、シリコン基板１の上，下面に夫々接合する基板として同材料で成るシリコン基板１１，１２を用いている。そして、接合を約１１００℃で行うことで、シリコン基板１，１１間、１，１２間に厚さ数μｍの熱酸化膜１３を形成し、この熱酸化膜１３で電気的絶縁を図っている。本実施例の場合、可動電極２と固定電極（シリコン基板自体を固定電極として使用する。）１１，１２との間の隙間の距離は、熱酸化膜１３の厚さにより決まる。
　次に、可動電極の重心が、ビームの中心軸上にない実施例についての検出部の構造を説明する。第５図，第６図の様に、ビーム３をシリコン基板１の厚さ方向の中央部に形成するのは、熱酸化膜の高段差フォトエッチング作業が必要であり、この作業はやや複雑な作業である。このため、第７図，第８図に示す様に、ビーム３をシリコン基板１の表面部近傍へ形成するのも有効な方法である。
　特に第７図では、各ビームが可動電極２の重心位置より固定電極８の一方側に偏在した位置に連設してあるので、可動電極２と可動電極２より厚さの薄い各ビーム３を異方性エッチングにより一体に形成するとき、ビーム３が偏在して連設された側の可動電極面はエッチング量が少なくなり、電極面積を減少させずに形成でき、固定電極８との対向面積を大きく形成でき、加速度に対する検出感度が向上する効果が得られる。この場合、可動電
極２
　第７図の実施例では、例えば、ＫＯＨ水溶液を使用する異方性エッチングで可動電
極２
極２
極２
　第８図の実施例では、可動電
極２
極２
　第９図（ａ），（ｂ）は、検出部の等価回路である。可動電極２と固定電極８，９との初期ギャップ１０は、ｄ０（約数μｍに作られる。）である。加速度センサの検出部がＺ軸方向の加速度Ｇを受けると、可動電
極２
　電気容量つまり加速度Ｇを信号Ｖ０に変換する方法として、２つの方法がある。第１の方法は、加速度Ｇによって変位する可動電極と固定電極との間の容量変化を直接的に信号Ｖ０に変化させる方法であり、これは、特別に説明するまでもなく、ブリッジで計測すればよい。第２の方法は、加速度の大きさによらず、可動電極と固定電極との間の電気容量が変化しないように、つまり可動電極が固定電極間で変位しないように、可動電極と固定電極との間に静電気力を付加しておき、加速度の変化に応じてこの静電気力を変化させ、常に可動電極が変位しないように電子的にサーボする。そして、この電子的にサーボした静電気力を外部に取りだし、これを信号Ｖ０とする。第１の方法は改めて説明するまでもないので、第２の方法について詳細を後述する。
　第１１図は、本発明実施例による半導体容量式加速度センサの感度測定グラフであり、使用した被試験用加速度センサは、シリコン基板１が３×４．５ｍｍのものである。このグラフから分かる様に、０〜±１Ｇの加速度変化に対して、容量変化の検出感度ΔＣ／Ｃとして０〜±２００％と大きな値が得られる。この値は、従来の歪ゲージ式加速度センサの感度に比べ１００倍の感度である。また、衝撃に対する試験では、１０００Ｇに対しても破損することがないという結果が得られている。
　第１２図は、可動電極と固定電極との間に印加した直流電圧とこれらの両電極間の容量変化の関係を示すグラフである。この実施例は、初期ギャップｄ０が３μｍのものである。このグラフによれば、約１．５Ｖで電圧で容量Ｃが急激に変化している。これは、微小な電圧による静電気力で可動電極を容易に変化させえることを示しており、前述の静電気力の電子的なサーボによって加速度Ｇを検出できることを示している。
　次に、パルス幅変調静電サーボ方法（前述した第２の方法）による加速度Ｇの測定方法を、第１３図を参照して説明する。可動電
極２
　斯かるパルス幅変調静電サーボにより、ΔＣ→０になるように、即ち、可動電極２を加速度Ｇの大きさによらずに両固定電極８，９間中央に保持すると、保持するために必要な静電気力は、検出すべき加速度Ｇに比例することになる。この結果、矩形波電圧のデューティ比は検出すべき加速度Ｇに比例することになり、この電圧波形をローパスフィルタ２９で直流電圧に変換し、差動増幅器３０で零点とスパンを調節した後に、信号Ｖ０として出力する。第１４図は、矩形電圧の観測結果である。正の加速度に対してパルス幅は狭くなり、負の加速度（減速度）に対しては広くなる。
　このパルス幅変調静電サーボ方法を適用した半導体容量式加速度センサの出力特性評価グラフを第１５図と第１６図に示す。第１５図は、本発明実施例に係る加速度センサの静特性を示すもので、０〜±１Ｇの加速度変化に対して１〜４Ｖの大きな出力が得られることを示している。また、出力信号Ｖ０の加速度Ｇに対する直線性は、全スケールで±０．１％以内である。更に、第１６図に示す周波数特性によれば、０〜１００Ｈｚの範囲でゲインはほぼ一定である。この特性グラフによれば、本発明の半導体容量式加速度センサは、低レベル・低周波の加速度を高精度に検出できることが分かる。
　次に、上述した半導体容量式加速度センサを使用する制御システムについて説明する。
　例えば、自動車の制御装置に半導体容量式加速度センサを使用する場合、自動車は、その加速度のレベル，周波数も低レベル，低周波のため、従来の歪ゲージ式では有効でない。従って、従来の自動車制御には加速度センサは実際に使用されることはなかった。しかし、本発明の半導体容量式加速度センサは、しかも、高感度高精度なため、制御に使用することが可能である。
　第１７図は、自動車の車両制御システムの構成図である。自動車のエンジン３１の出力軸は、ミッション３２とプロペラシャフト３３を介して後輪３４，３５を駆動する様になっている。また、前輪３６，３７は図示しない車体に軸支され、該車体が駆動輪３４，３５の回転によって移動したとき、従動するようになっている。エンジン３１の図示しない点火装置の点火時期、燃料噴射ポンプによる供給燃料量等は、エンジンコントロールユニット５０により制御され、エンジンコントロールユニット５０は、これらの制御量を、各種センサの検出した、アクセル踏み込み量、エンジン冷却水温度、排気ガス中の酵素濃度、バッテリ電圧値等から所定の演算式に基づいて決定する。
　本発明実施例に係る車両制御システムは、上述した各種センサの他に、車体の上下方向，前後方向及び横方向の加速度を夫々検出する半導体容量式加速度センサであって、上述した加速度センサ５１ａ，５１ｂ，５１ｃが車体の所定位置に固定されている。そして、各車輪３４，３５，３６，３７には車輪回転速度を検出する車輪速度センサ３８，３９，４０，４１が設けられ、これらの車輪速度センサ３８〜４１と前記の加速度センサ５１ａ，５１ｂ，５１ｃの検出信号は、車体制御装置５２に入力され、該車体制御装置５２は、入力信号に基づき、各車輪のブレーキアクチュエータ５３に制御信号を送出して各車輪毎にそのブレーキ力を制御し、各車輪のショックアブソーバアクチュエータ５４に制御信号を送出して各ショックアブソーバの減衰力を制御する構成になっている。また車体制御装置５２は、スリップ状態を示す信号をエンジンコントロールユニット５０にも送出し、エンジン出力も加速状態に応じて制御するようになっている。尚、第１７図に示す自動車は、ＦＲ方式であるが、本発明は，ＦＦ方式でも四輪駆動方式でも適用できるのはいうまでもない。
　例えば低μ路を走行中に急制動をかけた場合、車輪がロックされやすい。車輪がロックされると、横からの力に対し不安定になって横滑りしやすくなり、ステアリング操作が不可能な状態になる。従って、車輪がロックされそうになったときは、ブレーキアクチュエータを制御してブレーキ力を弱め、車輪が回転するように制御する必要がある。また、これとは別に、低μ路を走行する場合や急発進する場合、駆動トルクが大きいので、車輪が路面に対してスリップし、無駄なトルクを使用することになる。斯かる場合には、エンジン出力を低下させ、車輪のスリップ率が低下する方向に制御を進める必要がある。
　上述した各場合において、つまり、急制動をかけた場合や駆動トルクが大きい場合は、車体に加速度が加わる。この加速度の方向及び大きさを半導体容量式加速度センサ５１ａ，５１ｂ，５１ｃで検出して、これと、各車輪速度センサ３８〜４１までの検出信号及びエンジンの運転状態とから車両の状態が急制動状態にあるのか、急発進状態にあるのか、低μ路の走行状態にあるのか等を判定し、それに応じて各車輪のブレーキ力を制御し、ショックアブソーバの減衰力を制御し、エンジンに供給する燃料量等を制御し駆動トルクを制御する。
　本発明に係る半導体容量式加速度センサをカメラに搭載することで、次の様な制御も可能となる。例えば、カメラで被写体を撮る場合、先ず、カメラの絞り，焦点距離，シャッタースピード等をセットしてから、あるいは自動的にこれらがセットされてから、レリーズするのであるが、このレリーズ時にカメラが動き、ピンボケになってしまうことがある。そこで、本発明では、前述した半導体容量式加速度センサをカメラに内蔵し、該加速度センサが加速度を検出したとき、つまり、レリーズ時にカメラが動きこれが加速度としてセンサに検出されたとき、カメラ内蔵のＣＰＵがシャッタースピードをセット値より早めることで、手振れによるピンボケが回避される。また、この時、シャッタースピードの早めた分だけ絞り明けることで、画像がくらくなるのを回避できる。
［発明の効果］
　本発明によれば、限られた半導体基板サイズでより高安定化，高感度化，耐衝撃性を図ることができ、且つ小型，低コストなセンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例に係る半導体容量式加速度センサの可動電極シリコン基板の平面図、第２図は
参考例
第２
　１…可動電極シリコン基板、２…可動電
極、