【事件の表示】
　特許第３２６５９９６号「低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板とその製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２６５９９６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３２６５９９６号（平成８年８月１４日出願、平成１４年１月１１日設定登録）の請求項１，２に係る発明は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　両面がいずれも絶縁層からなり、その内部に配線層が中間絶縁層と交互に積層されている、各絶縁層がすべてガラスセラミックス材料からなる低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板において、表面絶縁層が中間絶縁層より抗折強度の高いガラスセラミックス材料から形成され、かつ電子部品をフリップチップ法により接続する側の表面絶縁層の厚みが、他方の表面絶縁層の厚みより薄いことを特徴とする、フリップチップ法による電子部品の搭載に適した低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板。」（以下、「本件発明」という。）
　　
２．申立の理由の概要
　標記特許異議申立人は、証拠として甲第１号証（特開昭６０−１３６２９４号公報）、甲第２号証（特開平８−８８２９７号公報）、甲第３号証（特開平１−２３６６９８号公報）、を提出し、本件出願の請求項１に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　　　
３．申立人が提出した甲各号証の記載事項
（１）甲第１号証
　甲第１号証には、「セラミツク多層配線回路板」に関し、次の事項等が記載されている。
　　イ）「本発明の目的は、信号伝播速度が速く、且つ入出力用のピンやリードおよび電気部品の取付けに十分な高い表面強度を有するセラミック多層配線回路板を提供することにある。」（第２頁左下欄第１６〜１９行）
　　ロ）「本発明のセラミック多層配線回路板は、信号の伝送を行う内部の信号配線に接する内層セラミック絶縁基板は比誘電率が６．０以下の比較的低密度のセラミック焼結体からなり、それ以外の層のセラミック絶縁基板は引張強度４ｋｇｆ／ｍｍ２以上の比較的高密度のセラミック焼結体からなることを特徴とするものであり、これにより、ピンやリード、電気的部品を取付ける外層セラミック絶縁基板の熱的・機械的強度を高めると共に内部の信号配線の信号伝播速度を速めたものである。」（第２頁右下欄第１〜９行）
　　ハ）「本発明の多層配線回路板の一実施例を第１図に断面図として示す。図において、１は両外層絶縁基板、２は内層絶縁基板であり、これらは密接積層されて多層基板３を構成している。」（第３頁左上欄第２〜５行）
　　ニ）「内層絶縁基板２同志の界面には信号配線層１１，１２が形成されている。」（第３頁左上欄第１１，１２行）
　　ホ）「両外層絶縁基板１は、粒径５μｍ以下のセラミックフィラ粒子を主成分とし、ガラスを含む高密度のセラミック焼結体であって、引張強度は４ｋｇｆ／ｍｍ２以上であり、リード５およびチップキャリア８の取付・保持に十分な熱的、機械的強度を有する。
　他方、内層絶縁基板２は、粒径５μｍ以上のセラミックフィラ粒子を主成分とし、同様のガラスを含む比較的低密度のセラミック焼結体よりなり、比誘電率は６以下という低い値を有し、これにより、これら内層絶縁基板に挟まれた信号配線層１１，１２の信号伝播遅延時間は８ｎｓ／ｍという小なる値になっている。」（第３頁左上欄第２０行〜右上欄第１１行）
　　ヘ）「第２図は、本発明の多層配線回路板の他の実施例を示す。図中、２１は外層絶縁基板、２２は内層絶縁基板であり、これらは密接積層されて多層基板２０を構成している。外層絶縁基板２１の表面には表面配線導体層２３，２６が、またそれらの界面および内層絶縁基板２２との界面および一部の内層絶縁基板２２相互の界面には接続配線導体層および電源もしくはグラウンド導体層２９が形成されている。他方、信号配線導体層３０は内層絶縁基板２２同志の界面に形成されている。これら導体層は図中の太線で示されている。またこれら各導体層の相互間は図中の上下方向の太線で示した所定のスルーホール導体で接続されている。２４は表面導体層２３に金−錫ろう２５で接続されたコパールピン、２７は表面導体層２６に半田２８で接続されたシリコン半導体素子である。」（第３頁右上欄第１２行〜左下欄第７行）
　　ト）そして、第２図には、セラミック多層配線回路板３０にシリコン半導体素子２７が半田２８を介してじかに接続して搭載されたものが記載されている。
　
　上記各記載からすれば、甲第１号証には、「両外層セラミック絶縁基板と内層セラミック絶縁基板からなるセラミック多層配線回路板であって、内層セラミック絶縁基板は低密度のセラミック焼結体とし、それ以外の層のセラミック絶縁基板は引張強度４ｋｇｆ／ｍｍ２の比較的高密度のセラミック焼結体とすることによって、外層セラミック絶縁基板の熱的・機械的強度を高めた」発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
（２）甲第２号証
　甲第２号証には、「電子部品および電子部品接続構造体」に関し次の事項等が記載されている。
　　チ）「【発明が解決しようとする課題】
　上述したように、従来のセラミック製ＢＧＡパッケージやフリップチップ構造の半導体素子等の入出力端子として接続用突起（バンプ）を有する電子部品においては、それをプリント基板等に実装する際のリフロー半田付け工程や使用中における環境温度変化により熱履歴を受けた際に、セラミック製パッケージや半導体等とプリント基板との間の熱膨張差によって、半田バンプによる接続部に応力や歪が発する。この応力や歪によって、接続部が熱疲労破壊したり、あるいはセラミックス製パッケージや半導体素子自体が応力破壊する等、接続信頼性が低いという問題を有していた。このように、従来の接続用突起（バンプ）を有する電子部品では、接続部の信頼性が低いことが課題とされていた。 」（【００１５】）
　　リ）「すなわち、熱サイクル試験等の温度変化に対する信頼性試験において、接続用突起を有する電子部品とそれが実装されるプリント基板等との熱膨張係数の異なる場合には、温度変化に伴って内部応力が生じ、プリント基板に反り等の変形が生じる。このプリント基板の反り等によって、特に端子形成領域の外周部側に位置する接続用突起（それによる接続部）や半導体素子の直下近傍の接続用突起（それによる接続部）の内部に亀裂が発生し、接合強度の低下や接続抵抗の増加等による接続不良が発生することを見出した。
　本発明は、このような知見に基いて成されたもので、変位が大きく応力が集中してかかる部分に存在する接続用突起と、変位が小さい部分に存在する接続用突起とを差別化したものである。具体的には、応力集中部分の接続用突起を高強度化したり、あるいは変位が接続用突起（それによる接続部）に影響しないようにすることによって、接続用突起群やそれにより形成される接続部群に加わる応力や歪を緩和することを可能にしたものである。 」（【００２１】【００２２】）
　　ヌ）「本発明の第２の電子部品は、機械的強度が異なる２種以上の接続用突起により接続用突起群を構成することによって、通常変位が大きく応力が集中してかかる部分に存在する接続用突起を高強度化するものである。」（【００３２】）
　　ル）「図１において、１はセラミックス製ＢＧＡパッケージであり、このセラミックス製ＢＧＡパッケージ１はパッケージ本体として多層セラミック回路基板２を有している。多層セラミック回路基板２は、例えばセラミックスグリーンシートにスルーホールを形成し、タングステンメタライズペーストによる表面印刷やスルーホールへのメタライズ充填を行った後、積層、圧着および還元雰囲気中での焼結を行って作製したものである。この実施例では、グリーンシートの主材としてアルミナ製セラミックスを用いた。」（【００４１】）
　　
　上記各記載からすれば、甲第２号証には、「ＢＧＡパッケージやフリップチップ構造の半導体素子をプリント基板に実装するための接続用突起を機械的強度が異なる２種以上の接続用突起とし、通常変位が大きく応力が集中してかかる部分に存在する接続用突起を高強度化する」発明が記載されていると認められる。
　
（３）甲第３号証
　甲第３号証には、「コンデンサ内蔵セラミツク多層回路基板」に関し次の事項等が記載されている。
　　ヲ）「コンデンサの効果を十分に発揮させるためには、できるだけコンデンサをＬＳＩチツプの近くに配置した方がよい。かつ高密度に実装するためにはセラミツク多層回路基板内部にコンデンサを内蔵するのがよい。」
　　　
４．対比・判断
　本件発明と引用発明とを比較する。
　甲第１号証の上記（ハ、ホ）の記載から、引用発明は、両外層がセラミック絶縁基板であり、「両面がいずれも絶縁層からな」るといえる。また、同じく上記（ニ）の記載のとおり、引用発明の内層セラミック絶縁基板はその絶縁基板同志の界面に信号配線導体層が形成されているから、「その内部に配線層が中間絶縁層と交互に積層されている」といえる。さらに、引用発明の外層、内層を形成するセラミック絶縁基板はセラミックフィラ粒子とガラスとからなるセラミック絶縁体からなっており（同じく、ホの記載参照）、「多層配線回路板」は「多層配線基板」といえるから、引用発明も「各絶縁層がすべてガラスセラミックス材料からなる」「ガラスセラミックス多層配線基板」といいうる。
　そして、折り曲げによる基板の切断は切断面に引っ張り力が作用することにより起こるものであるから、引用発明の「引張強度」は本件発明の「抗折強度」に相当し、かつ引用発明は、内層セラミック絶縁基板が比較的低密度のセラミック焼結体であるのに対し、それ以外の層のセラミック絶縁基板が引張強度４ｋｇｆ／ｍｍ２以上の比較的高密度のセラミック焼結体という構成である（同じく、ロの記載参照）ことから、「表面絶縁層が中間絶縁層より抗折強度の高い」ものであるといえる。さらに、引用発明も「フリップチップ法による電子部品の搭載に適し」ているといえる（同じく、ヘ、トの記載参照）。
　したがって、本件発明と引用発明の一致点、相違点は次のとおり認定できる。
＜一致点＞
　両面がいずれも絶縁層からなり、その内部に配線層が中間絶縁層と交互に積層されている、各絶縁層がすべてガラスセラミックス材料からなるガラスセラミックス多層配線基板において、表面絶縁層が中間絶縁層より抗折強度の高いガラスセラミックス材料から形成されているフリップチップ法による電子部品の搭載に適した低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板である点。
＜相違点１＞
　本件発明が低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板であるのに対し、引用発明は低温焼成ではない点。
＜相違点２＞
　本件発明が、電子部品をフリップチップ法により接続する側の表面絶縁層の厚みを、他方の表面絶縁層の厚みより薄くしているのに対し、引用発明ではそのようになっていない点。
　　
　上記相違点について検討する。
　相違点２に関し、甲第２号証には、ＢＧＡパッケージやフリップチップ構造の半導体素子をプリント基板に実装するための接続用突起を機械的強度が異なる２種以上の接続用突起とし、通常変位が大きく応力が集中してかかる部分に存在する接続用突起を高強度化することによりＢＧＡパッケージや半導体素子とプリント基板との接続信頼性を高めた発明が開示されている。
　このように、接続信頼性を高める（本件発明では「確実に信頼性の高い外部接続を行うことができる」ようにする）目的で、接続部にかかる応力を考慮するという点では、本件発明も甲第２号証に記載の発明も軌を一にするところがあるといえる。
　しかしながら、本件発明は、フリップチップ法による接続部の基板にかかる応力がそれ以外の接続部の基板にかかる応力と異なることに着目し、この応力の違いに対応して基板の厚さを違えることで基板の破壊を防止し、基板の外部接続に対する信頼性を確保するものであるのに対し、甲第２号証の発明は接続信頼性を高めるために、応力による接続用突起そのものの破壊を防いでいるのである。
　そして、本件発明のように接続用突起（バンプ）の大きさの違いから生じる基板にかかる応力の違いを考慮し、基板にかかる応力の大きさに応じた基板の強度強化を図るという技術思想は、甲第２号証には記載されていないばかりではなく示唆されているともいえないし、当業者にとって自明な事項でもない。
　また、甲第３号証には、フリップチップと多層基板内蔵回路をできるだけ近くに配設する構成が開示されているだけであって、上記本件発明の技術思想を開示、あるいは示唆するものではない。
　さらに、甲第１号証にも上記本件発明の技術思想が開示あるいは示唆されているともいえない。
　以上のとおり、甲第１〜３号証いずれにも、相違点２の構成の開示があるとはいえないし、それを示唆する記載もない。
　そして、本件発明は、相違点２の構成を具備することによって、電子部品の実装がフリップチップ法による場合、「外部接続信頼性を確保する必要最低限の上面絶縁層厚みを有する低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板」が得られるという作用効果が期待できるものと認められる。
　したがって、その余の相違点の検討をするまでもなく、本件発明は、上記甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　　
５．むすび
　以上のおとりであるから、特許異議申立に係る請求項１の本件特許は、特許異議申立の理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　また、他に請求項１の係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１１月２６日（２００２．１１．２６）