【事件の表示】
　特許第２７７８４０５号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７７８４０５号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第２７７８４０５号（平成５年３月１２日出願、平成１０年５月８日設定登録）の請求項１〜４に係る発明は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりの次のものと認める。
「【請求項１】　ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（但し、Ｘは０＜Ｘ＜０．５）クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
　【請求項２】　前記ｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮクラッド層の膜厚は１０オングストローム以上、０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
　【請求項３】　前記ｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚は１０オングストローム以上、０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
　【請求項４】　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、ｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮクラッド層（但し、Ｙは０＜Ｙ＜１）と、ｎ型ＩｎＺＧａ１−ＺＮ活性層（但し、Ｚは０＜Ｚ＜１）とが順に積層されており、そのｎ型ＩｎＺＧａ１−ＺＮ活性層の上に、前記ｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮクラッド層が積層されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
２．特許異議申立ての理由の概要
（１）申立人高木栄は、
　ア）本件の請求項１乃至４に係る発明は、甲第１号証乃至甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得たものである。
　イ）請求項１に係る発明は、その出願前に出願されその出願後に出願公開された甲第５号証の出願（特願平４−３１６５９７号）の願書に最初に添付した明細書および図面（以下、「先願明細書１」という。）に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２に該当する。
　旨、主張し、下記の甲号証を提出している。
　
　甲第１号証：特開平４−３２１２８０号公報
　　　　　　　（以下、「刊行物１」という。）
　甲第２号証：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ，Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２８．
　　　　　　　Ｎｏ．１２．１９８９，ｐｐ．Ｌ２１１２−２１１４
　　　　　　　（以下、「刊行物２」という。）　
　甲第３号証：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　
　　　　　　　１０４（１９９０）５３３−５３８
　　　　　　　（以下、「刊行物３」という。）
　甲第４号証：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ，Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２．
　　　　　　　Ｎｏ．１２．１９９３，ｐｐ．Ｌ８−１１
　　　　　　　（以下、「刊行物４」という。）　　
　甲第５号証：特開平６−１５１９６８号公報
　甲第６号証：特開平５−２９６５３号公報
　　　　　　　（以下、「刊行物５」という。）　
　
（２）申立人鈴木昭久は、
　ア）本件の請求項１、３及び４に係る発明は、甲第１号証乃至甲第６号証の記載されたものに基づいて当業者が容易になし得たものである旨、主張し、下記の甲号証を提出している。
　
　甲第１号証：特開平４−２４２９８５号公報
　　　　　　　（以下、「刊行物６」という。）
　甲第２号証：伊藤良一・中村道治共編「半導体レーザ」培風館、
　　　　　　　１９８９年４月２５日発行（以下、「刊行物７」という。）　甲第３号証：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ，Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２８．
　　　　　　　Ｎｏ．１２．１９８９，ｐｐ．Ｌ２１１２−２１１４
　　　　　　　（上記、「刊行物２」と同じ。）
　甲第４号証：特開平２−２２９４７５号公報
　　　　　　　（以下、「刊行物８」という。）　　
　甲第５号証：１９９２年（平成４年）春季第３９回応用物理学関係連合講　　　　　　　演会　講演予稿集（以下、「刊行物９」という。）
　甲第６号証：電子情報通信学会技術研究報告Ｖｏｌ．９１　Ｎｏ．４８　　　　　　　　（以下、「刊行物１０」という。）
　
（３）申立人シャープ株式会社は、
　甲第１号証：特開平５−２４３６１４号公報を提出し、本件の請求項１、３、４に係る発明は、本件発明の先願である特願平４−４５８０９号の願書に最初に添付した明細書および図面（以下、「先願明細書２」という。）と同一であるから、特許法第２９条の２に該当する、旨主張している。
　
（４）申立人青木衛は、
　ア）請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定に該当する。
　イ）請求項１に係る発明は、甲第２号証の１に記載された発明であるから、特許法第２９条１項３号の規定に該当する。
　ウ）請求項１〜４に係る発明は、甲第２号証乃至甲第４号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
旨、主張し、下記甲号証を提出している。
　
　甲第１号証：特開平５−２４３６１４号公報
　　　　　　　（上記、先願明細書２と同じ。）
　甲第２号証の１：特開平２−２２９４７５号公報
　　　　　　　（上記、「刊行物８」と同じ。）
　甲第２号証の２：特開平４−２４２９８５号公報
　　　　　　　（上記、「刊行物６」と同じ。）
　甲第２号証の３：特開昭５９−２２８７７６号公報
　　　　　　　（以下、「刊行物１１」という。）
　甲第３号証の１：平成４年電気学会　電子・情報・システム部門第２回大　　　　　　　　　会　講演論文集　第３９〜４２頁
　　　　　　　（以下、「刊行物１２」という。）
　甲第３号証の２：応用物理　第６０巻　第２号（１９９１）第１６３〜１　　　　　　　　　６６頁（以下、「刊行物１３」という。）
　甲第４号証の１：特開平３−２５２１７７号公報を
　　　　　　　（以下、「刊行物１４」という。）
　甲第４号証の２：特開平３−２５２１７８号公報を
　　　　　　　（以下、「刊行物１５」という。）
　
　エ）また、申立人青木衛は、請求項１のｐ型クラッド層のＡｌ混晶比Ｘが０．５に近い値の時、ｐ型コンタクト層と電極との間のオーミックコンタクトが確保できるのか理解できないので、本願は、特許法第３６条の規定に違反して特許されたものである旨、主張している。
　
３．当審の判断
３−１．特許法第２９条の２について
（１）先願明細書１について
　先願明細書１（特開平６−１５１９６８号公報参照）には、窒素−３属元素化合物半導体発光素子に関して、
「　第１実施例
　図１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１に500ÅのAlNのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約2.2μｍ、電子濃度2×1018/cm3のシリコン添加GaNから成る高キャリア濃度ｎ＋層３、膜厚約1.5μｍ、電子濃度1×1016/cm3の無添加GaNから成る低キャリア濃度ｎ層４が形成されている。更に、低キャリア濃度ｎ層４の上には、順に、膜厚約0.5μｍ、正孔濃度1×1016/cm3のマグネシウム(Mg)添加GaNから成る低キャリア濃度ｐ層５１、膜厚約0.2μｍ、正孔濃度2×1017/cm3の高キャリア濃度ｐ＋層５２が形成されている。そして、高キャリア濃度ｐ＋層５２に接続するニッケルで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ＋層３に接続するニッケルで形成された電極８とが形成されている。電極８と電極７とは、溝９により電気的に絶縁分離されている。」（【０００９】）
「　第３実施例
　図１に示す構造の第１実施例の発光ダイオードにおいて、高キャリア濃度ｎ＋層３、低キャリア濃度ｎ層４、低キャリア濃度ｐ層５１、高キャリア濃度ｐ＋層５２を、それぞれ、Al0.2Ga0.5In0.3Nとした。・・・」（【００３７】）と記載されている。
　
　そこで、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と上記先願明細書１に記載された発明（以下、「先願発明１」という。）とを対比する。
　先願発明１の「窒素−３属元素化合物半導体発光素子」は、本件発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に相当するが、先願発明１は、ｐ−ｎ接合ではあるが、ダブルヘテロ構造ではないし、本件発明１の「ｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（但し、Ｘは０＜Ｘ＜０．５）クラッド層」及び「ｐ型ＧａＮコンタクト層」に対応する先願発明１の「マグネシウム(Mg)添加低キャリア濃度ｐ層５１」及び「マグネシウム(Mg)添加高キャリア濃度ｐ層５２」は、それら二層をＧａＮとすること或いはAl0.2Ga0.5In0.3Nとすることは記載されているものの、それら二層を本件発明１のようにそれぞれ異なる組成として組み合わせることは記載がない。
　したがって、本件発明１は、先願明細書１に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（２）先願明細書２について
  ［記載事項］
　先願明細書２（特開平５−２４３６１４号公報参照）には、ｐｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関して、下記の記載が認められる。
　ア）従来技術の問題点と課題について
【０００３】
　しかし、発光ダイオード及び半導体レーザなどの発光素子を得るにはＰ型結晶とＮ型結晶とを隣合わせにしたいわゆるＰＮ接合が必要であるが、従来はＧａＮからなるＰ型結晶を製造することは困難であった。・・・
【０００４】
　また、Ｐ形結晶を得るために、Ｍｇ等のアクセプター不純物をドーピングしてＧａ１−ＸＡｌＸＮ(０≦x≦１)層を形成しても、Ｍｇが不活性化された抵抗率の高い結晶になってしまう。この原因についても格子欠陥が考えられる。すなわち、Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ(０≦x≦１)結晶を形成する際に、Ｖ族元素である窒素の空孔が発生し、該結晶の格子中に拡張性の歪が与えられ、この拡張性の歪のために、ドーピングされたアクセプター不純物はＧａ及びＡｌの格子位置に入り難くなり、そのため不活性化されてしまうからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
　このような問題を解決する改善方法として、例えば・・・、電子線照射によりアクセプター不純物を活性化する方法であって、ＭｇをドープしたＧａＮのフィルムに電子線を照射することによってＰ型結晶を得たと報告しているが、・・・依然として高抵抗、低キャリア濃度である。・・・
【０００６】
　このように従来の技術では、良好なＰＮ接合を実現できるような良好な結晶性と低い抵抗率とを有するＮ型結晶及びＰ型結晶を製造（成長）することは困難である。また、このような結晶を応用した発光ダイオード素子等の化合物半導体発光素子についても十分な特性が得られるものを製造できなかったのが現状である。
【０００７】
　本発明は、上記の課題を解決するものであり、格子欠陥がない良好な結晶が得られる化合物半導体の成長方法、特に低抵抗の良好なＰ型結晶が得られる化合物半導体の成長方法を提供することを目的とする。
　
  イ）実施例について
【００４２】
　次に、Ｐ型結晶を製造する場合について説明する。
【００４３】
　ＭＯＭＢＥ装置内でＧａＡｓ基板上に、ＴＭＧ、ＴＭＡ及びＮＨ３を供給してＧａ１−ＸＡｌＸＮ層（x＝0.30）を成長し、同時にこのＧａ１−ＸＡｌＸＮ層中のＰ、Ａｓ又はＳｂの濃度範囲が１×１０１６ｃｍ−３から１×１０２３ｃｍ−３になるように、ＰＨ３、ＡｓＨ３、又はＳｂ固体をそれぞれ供給した。この時さらに、アクセプター不純物としてＺｎをドーピングした。
【００４４】
　図４に、得られた結晶中の活性化したアクセプター濃度と、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度との関係を示す。図４からわかるように、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度が１×１０１６ｃｍ−３から１×１０２３ｃｍ−３までの範囲で、活性化したアクセプター濃度が増加している。そして、Ｐの場合は濃度が１×１０２２ｃｍ−３の時に活性化したアクセプター濃度が１．１×１０１９ｃｍ−３と最大値を示した。このＰ濃度を有するＧａ1-xＡｌxＮ層の抵抗率は５Ωｍ、移動度は８０ｃｍ２／Ｖ・Ｓであり、同様の条件でＮよりも原子半径の大きいＶ族元素を添加せずに得られた結晶に比べ、大幅に低抵抗化を実現できた。
【００４６】
　また、アクセプター不純物としてＺｎ以外にＭｇ、Ｂｅ等の他のII族元素を利用して、同様の条件でＧａ１−ＸＡｌＸＮ層を成長させた場合も、Ｐ，Ａｓ、又はＳｂを添加することにより低抵抗のＰ型結晶が得られた。
【００５１】
　まず、ＭＯＭＢＥ装置内でＮ型ＧａＡｓ基板３０１を、温度６００℃まで加熱し、・・・Ｎ型ＧａＮからなるバッファ層３０２をその厚さが０．２μｍとなるように成長させる。・・・
【００５２】
　次に、図５(a)に示すように、ＴＭＧ、Ｎ２、ＳｉＨ４及びＰＨ３を供給したままでさらにＴＭＡの供給を開始し、Ｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ層（x＝0.30）をその厚さが１μｍとなるように成長させて、Ｎ型クラッド層３０３を形成する。
【００５３】
　次に、ＴＭＧ、Ｎ２及びＰＨ３を供給したままで、ＴＭＡ及びＳｉＨ4の供給を停止し、ＧａＮ層をその厚さが０．１μｍとなるように成長させて、活性層３０４を形成する。ここで該活性層３０４は、同時にＴＭＡを供給して得られるＧａ１−ＸＡｌＸＮ層であっても、ＳｉＨ４、ＤＥＺｎ等のドーパントを供給して得られる結晶であってもよい。
【００５４】
　次に、・・・ＰＨ３を供給したままで、さらにＴＭＡ及びＤＥＺｎの供給を開始し、Ｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ層（ｘ＝0.30）をその厚さが１μｍとなるように成長させて、Ｐ型クラッド層３０５を形成する。
【００５５】
　次に、図５(b)に示すように、ＴＭＧ、Ｎ２、ＰＨ３及びＤＥＺｎを供給したままでＴＭＡの供給を停止して、Ｐ型ＧａＮ層をその厚さが０．５μｍとなるように成長させて、Ｐ型コンタクト層３０６を形成する。
【００５６】
　・・・ＰＨ３は全ての層の成長中においてその濃度が１×１０２２ｃｍ−３程度になるように供給した。
　
　ウ）作用について
【００４４】
　・・・Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を添加せずに得られた結晶に比べ、大幅に低抵抗化を実現できた。
【００４５】
　これはＮよりも原子半径の大きいＶ族元素を添加することにより窒素空孔に起因する格子歪を緩和し、II族元素のアクセプター不純物がIII族元素の格子位置に入り易く、かつ活性化され易くなったためと考えられる。
　
　［対比・判断］
　本件発明１と上記先願明細書２に記載された発明とを対比する。両者は、ＭｇをドープしたＰ型Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ｎクラッド層の上に、ＭｇをドープしたＰ型ＧａＮコンタクト層を有する点で、一見類似の構成を有する。
　しかし、先願明細書２に記載された発明は、従来、Ｐ形結晶を得るために、Ｍｇ等のアクセプター不純物をドーピングしてＧａ1-xＡｌxＮ(０≦x≦１)層を形成しても、抵抗率の高い結晶になってしまい、低抵抗なＰ型結晶が得られず、電子線照射によっても依然として高抵抗であったのを改善するためになされたものであり、Ｍｇをドープしたｐ型クラッド層等が、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素であるＰ等を含むことにより、窒素空孔に起因する格子歪を緩和し、II族元素のアクセプター不純物（Ｍｇ等）がIII族元素の格子位置に入り易く、かつ活性化され易くなるようにしたものであり、換言すれば、低抵抗なＰ型結晶を得るために、原子半径の大きい元素を含ませるという特別の工夫をしたことに特徴を有するものである。
　これに対して、本件発明１においては、ｐ型クラッド層等に、Ｍｇがドープされたものであり、Ｍｇ以外のものをドープすること、即ち、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素であるＰ等を含むことは、なんら想定されていないものである。
　ちなみに、本件特許明細書には、「重要なことはｐ型ドーパントをＭｇとして、このＭｇによりｐ型特性を得ていることである。このＭｇのかわりに他のｐ型ドーパント、例えばＺｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ等のｐ型ドーパントをドープするとｐ型特性が得られにくくなり、発光出力が低下する傾向にある。」（【００１２】参照）と記載されており、ｐ型特性を得るために、Ｍｇを選択しているのであるから、ましてや、他のドーパント（Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素であるＰ等）が含まれるものとはとらえられない。
　結局、両者は、そのｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層の成分が異なるとともに、技術思想も異なるものであるから、本件発明１は、先願明細書２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
　又、請求項３，４に係る発明は、請求項１を引用するものであるから、本件発明１に対すると同様の理由により、先願明細書２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
３−２．特許法第２９条第１項第３号及び第２項違反について
（１）刊行物記載の事項
　刊行物１（特開平４−３２１２８０号公報）には、下記の記載が認められる。
「本発明の青色発光ダイオードは、サファイア基板１上に、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０＜X≦１）よりなるバッファ層１２、Ｓｉがドープされたｎ型のクラッド層であるＳｉドープｎ型ＮＧａＸＡｌ１−ＸＮ層３（以下ｎ型クラッド層という。）、Ｚｎがドープされた発光する活性層であるＺｎドープＧａＸＡｌ１−ＸＮ層１４（以下活性層という。）、Ｍｇがドープされたｐ型のクラッド層であるＭｇドープｐ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層５（以下ｐ型クラッド層という。）が順に積層され、さらに、３および５から電極が取り出された構造となっている。」（【００１０】）　
　
　刊行物２には、ｐｎ接合型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、アンドープのｎ−ＧａＮ層上に、厚さ５００ｎｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮ層を設け、その上にＡｌ電極を設けたものがＦｉｇ．３と共に記載されている。
　
　刊行物３には、ＧａＮ層に接合されたＧａＡｌＮ層の膜厚が０．１〜０．３μｍであることが記載されている。
　
　刊行物４には、ダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｎ−ＧａＮ層、Ｎ−ＩｎＧａＮ層、ＭｇドープのＰ−ＧａＮ層を順に積層し、その上にＰ−電極を形成したものがＦｉｇ．１と共に記載されている。
　
　刊行物５の【００２２】には、図５の埋め込み型半導体レーザ装置の断面図が説明されており、その構成要素であるｐ−ＧａＡｌＮクラッド層５５上にｐ−ＧａＡｌＮコンタクト層５７を形成し、該コンタクト層５７上に金属電極５８を形成することが記載されている。
　
　刊行物６には、多数のヘテロ接合を有するｐｎ接合型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードにおいて、ＧａＮ層上にｐ型のＭｇドープＡｌＧａＮ層を設け、さらにその上に電極を設けること、また、オーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよいことが記載されている。（【００３９】、【００５２】〜【００５４】及び図４参照。）
　
　刊行物７には、オーミック電極について、低い接触抵抗を得るには、バンドギャップの小さな材料で下地半導体層を構成するとともに、キャリア濃度を高くする必要があることが記載されている。
　
　刊行物８には、ダブルヘテロ構造を有する埋め込みレーザにおいて、ＳｎドープＩｎＧａＡｌＮクラッド層１８、ノンドープＩｎＧａＮ発光層１９、ＺｎドープＩｎＧａＡｌＮクラッド層２０を順に形成し、この上に電極を設けることが第９図とともに記載されている。
　
　刊行物９には、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ／ＧａＮ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎダブルヘテロ構造が記載されている。
　
　刊行物１０には、ＧａＮ上のＡｌＸＧａ１−ＸＮ層の膜厚を０．５〜１．０μｍの範囲にし、Ｘを変化させると、Ｘの増加に伴いクラックの発生密度の増加が観察されることが記載されている。
　
　刊行物１１には、ダブルヘテロ接合の窒化ガリウム系化合物半導体素子において、ｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ9、ｎ＋型Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ｎ１０，ｎ型またはｐ型のＡｌｙＧａ１−ｙＮ１１、ｐ型Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ｎ１２、オーミック電極を順に積層したものが第４図とともに記載されている。
　
　刊行物１２及び刊行物１３には、低抵抗のＰ型ＧａＮを得るために電子線照射をＭｇドープＧａＮの表面に行うこと等が記載されている。
　
　刊行物１４及び刊行物１５には、Ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の膜厚を０．０１〜１μｍ、又は０．０２〜０．３μｍとすること等が記載されている。
　
（２）対比・判断
　本件発明１と上記刊行物６に記載のものとを対比するに、刊行物６には、ダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体素子において、Ｍｇドープのｐ型ＧａＡｌＮとオーム性電極との間にコンタクト層を付加することが示唆されている。
　そこで、コンタクト層について検討するに、刊行物５には、埋め込み型半導体レーザ装置のコンタクト層を、クラッド層と同一材料のｐ−ＧａＡｌＮとしたものが記載されているが、これをｐ−ＧａＮとすることは想定されていない。
　しかも、上記各刊行物をみても、本件発明１の「ｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮクラッド層の上に、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備する」構成は、記載も示唆もなく、この点が従来周知の事項とは認められない。
　したがって、刊行物５のコンタクト層を刊行物６に適用して、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＡｌＮコンタクト層を付加することは容易であるとしても、それをさらにＭｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層とすることまでが容易とはいえない。
　そして、本件発明１は、「ｐ型結晶とオーミック接触が得られる窒化ガリウム系化合物半導体の構造を提供することによりＶｆを低下させ、発光効率を向上させる」という、本件特許明細書の【０００６】に記載された目的を達成できるものである。
　以上のとおり、本件発明１は、上記各刊行物に記載された発明であるとも、それらに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　
　さらに、本件の請求項２〜４に係る発明は、本件発明１の構成を全て引用し、さらに限定を加えたものであるから、本件発明１に対すると同様の理由で、上記各刊行物に記載された発明であるとも、それらに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　
３−４．特許法第３６条違反について
  申立人青木衛は、請求項１のｐ型クラッド層のＡｌ混晶比Ｘが０．５に近い値の時、ｐ型コンタクト層と電極との間のオーミックコンタクトが得られるのか理解できず、容易に実施できない旨、主張している。
　しかし、本件請求項１における、ｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（但し、Ｘは０＜Ｘ＜０．５）のＡｌ混晶比の数値は、臨界的な意義を有するものではないとしても、本件の比較例１のＡｌ混晶比Ｘが０．５のものでは、所望のオーミック性が得られなかったので、それより低い数値範囲に特定されており、Ａｌ混晶比Ｘが０＜Ｘ＜０．５の数値範囲内の、０．１４（実施例１）のものは、所望の効果を達成できるのであるから、請求項１に係る発明を容易に実施することができないとまではいえない。
　したがって、本願は特許法第３６条の規定に違反しているという、申立人の主張は採用できない。
　
４．むすび
　以上のとおり、各申立人の理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１５年４月１０日（２００３．４．１０）