(57)【要約】【課題】高密度実装された電子装置の放熱性を高める。【解決手段】電子装置は、第１の電子部品の上に第２の電子部品が積層されて複数の接合部で電気的に接続されている積層体を有しており、少なくとも前記接合部の表面を覆う絶縁層と、前記絶縁層を覆う被膜と、前記被膜に覆われた前記複数の接合部の間に充填された金属材料と、を有する。を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電子部品の上に第２の電子部品が積層されて複数の接合部で電気的に接続されている積層体を有する電子装置において、
少なくとも前記接合部の表面を覆う絶縁層と、
前記絶縁層を覆う被膜と、
前記被膜に覆われた前記複数の接合部の間に充填された金属材料と、
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記接合部の表面と前記積層体の表面を連続して覆っていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記被膜は、前記金属材料に対する濡れ性を有することをする特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記第１の電子部品は、前記接合部と反対側の面で前記接合部と異なるピッチで配置された複数の第２接合部で基板に接合されており、
前記第２接合部の表面は、前記絶縁層と前記被膜によって覆われており、
複数の前記第２接合部の間に前記金属材料が充填されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項５】
第１の電子部品の上に第２の電子部品を積層して前記第１の電子部品と前記第２の電子部品の間を複数の接合部で電気的に接続した積層体を作製し、
少なくとも前記接合部の表面を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層の上に被膜を形成し、
前記被膜で覆われた前記複数の接合部の間に金属材料を充填する、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層を、前記接合部の表面と前記積層体の表面を連続して覆って形成することを特徴とする請求項５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層を静電噴霧またはディップコーティングにより形成することを特徴とする請求項５または６に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末の小型化、ハイパフォーマンスコンピューティング（ＨＰＣ：High  Performance  Computing）の普及、サーバの高機能化などにより、半導体素子や電子部品の微細化への要求は依然として高い。トランジスタの微細化においては物理的な限界を迎えており、さらなる微細化による高性能化は期待できない。そのため、２．５次元実装、３次元実装といった高集積技術が注目されている。２．５次元実装や３次元実装では、パッケージ基板を介在させないでＬＳＩ（Large-Scale  Integration：大規模集積回路）同士を積層方向に接続して実装密度を高める。高集積による熱密度の増大に伴い、放熱性能の低下が懸念されており、構造や材料などによる放熱性能の改善が望まれている。
【０００３】
車載向けの部品などでは高耐熱と小型化への要求が高まっているが、ファン、クーリングプレートなど外部の冷却機構を配置するスペースを確保することが困難になっている。そのため、放熱性の向上には、端子間にアンダーフィル材を充填して冷却する手法が用いられている。
半導体素子と回路基板間の熱抵抗を減少する構成として、バンプ表面に絶縁膜を形成し半導体素子と回路基板間の空隙に導電性材料をすき間なく充填する構成が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１１５９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
集積回路チップ等の電子部品の微細化につれて、積層される電子部品間、あるいは電子部品と中継基板間を電気的に接合するマイクロバンプの配列ピッチは、４０μｍ以下の狭ピッチに移行しつつある。微細なピッチの電極端子間に放熱性のアンダーフィル材を充填する場合、フィラーの径や量を増大することによる熱伝導率の向上には限界がある。半導体素子と回路基板の間に導電性材料を充填する公知の手法を高密度実装の電子装置に適用しても、導電性材料を空隙にすき間なく充填することは困難である。
【０００６】
本発明は、高密度実装された電子装置の放熱性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一つの態様では、電子装置は、第１の電子部品の上に第２の電子部品が積層されて複数の接合部で電気的に接続されている積層体を有しており、
少なくとも前記接合部の表面を覆う絶縁層と、
前記絶縁層を覆う被膜と、
前記被膜に覆われた前記複数の接合部の間に充填された金属材料と、
を有する。
【発明の効果】
【０００８】
一つの側面として、高密度実装された電子装置の放熱性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態の電子装置の概略図である。
【図２Ａ】第１実施形態の電子装置の製造工程図である。
【図２Ｂ】電子装置の製造工程図である。
【図２Ｃ】電子装置の製造工程図である。
【図２Ｄ】電子装置の製造工程図である。
【図３】熱伝導率向上の評価に使用するサンプルの模式図である。
【図４】実施形態の充填材料による熱伝導率向上の評価結果を示す図である。
【図５Ａ】第２実施形態の電子装置の製造工程図である。
【図５Ｂ】第２実施形態の電子装置の製造工程図である。
【図５Ｃ】第２実施形態の電子装置の製造工程図である。
【図５Ｄ】第２実施形態の電子装置の製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
一般的に、冷却機能を有するアンダーフィル材として、熱伝導率の高い粒子を絶縁性の樹脂材料に分散させたものが用いられている。しかし、熱伝導性のフィラーの量を増やしても、基本的に樹脂材料をベースにしているため、熱伝導率の大きな向上を期待することは難しい。そこで、実施形態では、アンダーフィル材よりも熱伝導率の高い金属材料を充填材として用いる。
【００１１】
図１は、実施形態の電子装置１の概略図である。電子装置１は、たとえば複数の電子部品が基板と垂直な方向に積層された半導体パッケージである。図１の例では、パッケージ基板３の上に、第１の電子部品１０と、第２の電子部品２０がこの順で積層されている。第２の電子部品２０はたとえば集積回路チップである。第１の電子部品１０が集積回路チップの場合は３次元実装になり、インタポーザのような中継基板の場合は２．５次元実装になる。
【００１２】
パッケージ基板３と第１の電子部品１０は、ピッチ及び径が比較的大きな接合部６で電気的に接続されている。第２の電子部品２０と第１の電子部品１０の間は、ピッチと径が接合部６よりも小さな接合部１５で電気的に接続されている。接合部６は、たとえばはんだボールを用いたＣ４（Control  Collapse  Chip  Connection）バンプであり、１００〜１５０μｍピッチで配置されている。接合部１５は、たとえば、第１の電子部品１０の接続端子の金属ピラー１３と第２の電子部品２０の接続端子の金属端子２３がはんだ層３１で接合された構成を有するマイクロバンプであり、４０〜８０μｍのピッチで配置されている。より高密度な実装では接合部６のピッチを６０〜１００μｍ、接合部１５のピッチを１０〜４０μｍとしてもよい。
【００１３】
接合部１５の外表面と接合部６の外表面は絶縁層４１で覆われている。絶縁層４１は、第１の電子部品１０、第２の電子部品２０、及びパッケージ基板３を有する積層体の表面全体を連続して覆っているが、少なくとも接合部１５の各々と接合部６の各々を電気的に絶縁することができればよい。
【００１４】
パッケージ基板３と第１の電子部品１０の間、及び第１の電子部品１０と第２の電子部品２０の間に、金属材料４５が充填されている。金属は樹脂と比較して熱伝導率が格段に高く、放熱効果が高い。接合部１５の各々と接合部６の各々は絶縁性４１で覆われているため、金属材料４５が充填されても短絡は防止される。
【００１５】
絶縁層４１は、電子部品１０または２０の動作特性に悪影響を与えない温度で、微細なピッチの接合部１５の外周を覆うことのできる材料であれば、任意の絶縁材料を用いることができる。絶縁層４１として、絶縁性樹脂の薄膜を用いてもよい。たとえば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂などの高分子材料で厚さ８０ｎｍ〜１５０ｎｍの薄膜を形成してもよい。厚さが８０ｎｍ以下では、金属材料４５に対して確実な絶縁性を実現できない場合があり得る。厚さが２００ｎｍを超えると、隣接する接合部１６の間の間隔がより狭くなって、金属材料４５の円滑な充填が難しくなる。
【００１６】
絶縁層４１の表面は、金属材料４５に対する濡れ性を有する材料の被膜４２で覆われているのが望ましい。接合部６の間、及び接合部１５の間に存在する狭い空間内に金属材料４５を充填するため、接合部１５及び接合部６の表面で金属材料４５に対する濡れ性を高めて、金属材料４５の導入を促進するのが望ましい。
【００１７】
金属材料４５は、電子部品１０または２０の動作特性に悪影響を与えない温度で接合部１５の間の空間へ充填され得るならば、材料に限定はない。一例として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ），スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、これらの合金、またはこれらの材料を含むはんだ材料を充填用の金属材料４５として用いることができる。金属材料４５として金属ペースト材料を用いる場合は、接合部６及び接合部１５に用いられている金属材料よりも融点の低い材料を用いることが望ましい。
【００１８】
被膜４２は、金属材料４５に対する濡れ性を有する材料であれば任意の材料を用いることができる。金属材料４５として上述したはんだ材料を用いる場合は、被膜４２に、ニッケル（Ｎｉ），Ａｕ（金）、パラジウム（Ｐｄ）などを用いることができる。金属材料４５に被膜４２よりも応力緩和効果の高い金属を用いてもよい。
【００１９】
電子装置１の積層構造体の内部に金属材料を充填することで、従来の樹脂ベースのアンダーフィルと比較して、放熱性を向上することができる。また、接合部６と接合部１５の外表面を濡れ性向上のための被膜４２で覆うことで、微細なピッチで配列された接合部１５の間隙、及び接合部６の間隙に金属材料を充填することができる。
【００２０】
金属材料４５による放熱性向上の観点からは、絶縁層４１と被膜４２は、少なくとも接合部１５と接合部６の外周に形成されていればよい。もっとも、絶縁層４１と被膜４２をそれぞれ一回の工程で容易に形成する場合は、絶縁層４１と被膜４２は、接合部１５及び接合部６の外表面から連続して積層体の表面全体を覆っていてもよい。パッケージ基板３の側面と底面、第１の電子部品１０と第２の電子部品２０の側面、及び第２の電子部品２０の上面の全体が絶縁層４１と被膜４２で覆われている。積層体の全体が絶縁層４１を介して金属の被膜４２で覆われているときは、電子装置１の裏面と上面からも放熱することができるので、放熱効果が良好である。このような電子装置１の構成は、車載搭載用の電子機器等のように狭い空間内に配置される電子機器に有利である。
【００２１】
＜第１実施形態＞
図２Ａ〜図２Ｄは、第１実施形態の電子装置１の製造工程図である。図２Ａにおいて、パッケージ基板３上に、第１の電子部品１０と第２の電子部品２０をこの順で積層した積層体５を組み立てる。第１の電子部品１０と第２の電子部品２０は、この例では、平面サイズが１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップである。積層体５は以下の手順で組み立てられる。パッケージ基板３の表面に形成された電極パッドに、第１の電子部品１０の第１主面に形成されたＳｎ-Ａｇ合金のＣ４バンプをフリップチップ方式で位置合わせして仮搭載する。第１の電子部品の第１主面と反対側の第２主面には、Ｃ４バンプよりも狭いピッチの電極端子が設けられており、第１の電子部品の電極端子に、第２の電子部品２０の電極端子をフリップチップ方式で位置合わせして仮搭載する。第１の電子部品１０と第２の電子部品２０のそれぞれの電極端子の先端には、はんだバンプが設けられている。
【００２２】
より具体的には、第１の電子部品１０には、Ｃｕピラー１３（図１参照）の先端にＳｎ-Ａｇはんだバンプが形成された電極端子が複数形成されている。Ｓｎ−Ａｇはんだバンプの径は４０μｍ、バンプピッチは８０μｍである。第２の電子部品２０には、Ｃｕピラー２３（図１参照）の先端にＳｎ−Ａｇはんだバンプが形成された電極端子が複数形成されている。Ｓｎ−Ａｇはんだバンプの径は４０μｍ、バンプピッチは８０μｍである。第１の電子部品１０と第２の電子部品２０は、それぞれ１５１２９本の電極端子を有する。第１の電子部品１０と第２の電子部品２０の対応する電極端子同士を対向させて位置合わせし、第１の電子部品１０のはんだバンプ上に、第２の電子部品２０のはんだバンプを仮搭載する。
【００２３】
パッケージ基板３上に第１の電子部品１０と第２の電子部品２０が仮搭載された組み立て体をリフロー加熱することで、Ｃ４バンプのはんだ材料と、電極端子のはんだ材料が溶融して接合部６と接合部１５が形成される。リフロー接合後の最終的な接合部１５の高さは、４５μｍとなる。接合部１５によって第１の電子部品１０と第２の電子部品が接合され、接合部６によってパッケージ基板３と第１の電子部品１０が接合されて、積層体５が得られる。
【００２４】
接合部６及び接合部１５を含む導通部の表面に、微粒子化されたミスト状のポリイミドを静電噴霧する。静電噴霧器のノズルには第１極性の電圧が印加されており、ノズルから噴霧されるミスト３４は第１極性と逆の極性に帯電されている。積層体５には第１の極性の電圧が印加されている。
【００２５】
図２Ｂにおいて、静電噴霧されたポリイミドのミスト３４が積層体５の表面に付着し、溶媒は積層体５の表面で揮発して目的となるポリイミド微粒子が積層体５の表面に残る。これにより、接合部６と接合部１５を含む積層体５の表面に、平均厚さが１００ｎｍの絶縁層４１が形成される。絶縁層４１の材料として、ポリイミドの他に、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料やセラミック材料をミスト化して用いてもよい。静電噴霧により形成された絶縁層４１は、接合部１５及び接合部６の電極配列の外周から中心に向かうにつれてその厚さが薄くなっていく場合もあるが、一度の工程で微細ピッチの接合部１６を覆う絶縁層４１を形成することができる。
【００２６】
図２Ｃで、蒸着により絶縁層４１の表面に厚さ２００ｎｍの被膜４２を形成する。蒸着は３００℃以下の低温蒸着であることが望ましい。被膜４２は、たとえばＡｕ膜である。気化されたＡｕ分子は、絶縁層４１で覆われた接合部１５及び接合部６の隙間に入り込み、接合部６及び１５を含む積層体５の表面に付着し凝集する。蒸着により、一度の工程で接合部１５の表面を含む積層体の表面全体に被膜４２を形成することができる。
【００２７】
図２Ｄで、積層体５の側面からＳｎ-Ａｇはんだペーストを注入する。Ｓｎ-ＡｇはんだはＡｕの被膜４２に対する濡れ性が高く、接合部６の間、及び接合部１５の間に導入される。これにより、電子装置１が作製される。
【００２８】
図３は、熱伝導率向上の評価に使用するサンプル１００の模式図である。サンプル１００は上述した工程で作製されており、平面サイズが１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップ１０ｓと２０ｓを積層して接合部１５で電気的に接合したものである。接合部１５のピッチは８０μｍ、端子数は１５１２９本である。接合部１５は、高さｈ１のＣｕピラー１３と、高さｈ２のＣｕピラー２３が、高さｈ３のＳｎＡｇのはんだ層３１によって接合されたものである。ｈ１は１５μｍ、ｈ２は１５μｍ、ｈ３は１５μｍである。サンプル１００の接合部１５の隙間に、異なる種類の充填物質を配置して、接合部１５を含む層（「バンプ層」と称する）の熱伝導率［Ｗ／ｍ・Ｋ］を測定する。
【００２９】
図４、サンプル１００に異なる充填材料を適用したとき、及び充填材を用いないときの評価結果である。充填材料を用いない場合は、積層されたシリコンチップ１０ｓとシリコンチップ２０ｓの間に空気層が存在する。空気層の熱伝導率は、０．０２５７Ｗ／ｍ・Ｋである。比較例として、高放熱アンダーフィルを用いる場合、このアンダーフィル材の熱伝導率は１．５Ｗ／ｍ・Ｋである。実施例のように金属材料としてＳｎ-Ａｇはんだ材料を充填する場合、Ｓｎ-Ａｇはんだ材料の熱伝導率は６２．８Ｗ／ｍ・Ｋである。
【００３０】
接合部１５を含むバンプ層全体の熱伝導率を比較すると、Ｓｎ-Ａｇはんだを充填したときの熱伝導率は、高放熱アンダーフィル材を充填したときと比較して３倍程度に向上している。Ｓｎ-Ａｇ合金に替えて、アルミニウム合金、亜鉛合金など熱伝導率が高く剛性の小さい金属材料を用いても同様の効果を達成することができる。
【００３１】
＜第２実施形態＞
図５Ａ〜図５Ｄは、第２実施形態の電子装置２の製造工程図である。図５Ａにおいて、パッケージ基板３上に、第１の電子部品１０と第２の電子部品２０をこの順で積層した積層体５を組み立てる。第１の電子部品１０と第２の電子部品２０は、第１実施形態と同様に、平面サイズが１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップである。第１の電子部品１０と第２の電子部品２０は複数の接合部１５で接合されており、第２の電子部品とパッケージ基板３は複数の接合部６で接合されている。積層体５の完成後の状態で、接合部１５の径は４０μｍ、高さは４５μｍ、ピッチは８０μｍ、端子数は１５１２９本である。
【００３２】
積層体５を、槽７の中のエポキシ樹脂８に浸漬する。エポキシ樹脂８は、ディップコーティング用の低粘度のエポキシ樹脂である。
【００３３】
図５Ｂで、積層体５を槽７から引き上げて乾燥することで、接合部１５と接合部６を含む導通部の表面に平均厚さが１００ｎｍの絶縁層６１が形成される。槽７内のエポキシ樹脂８の粘度、温度、積層体５の引き上げ速度等を制御することで、絶縁層６１の膜厚を制御することができる。絶縁層６１の材料として、エポキシ樹脂の他に、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂など、その他の絶縁性樹脂材料を用いてもよい。また、高分子材料以外に酸化チタン等の無機セラミック材料の水溶液を用いたディップコーティングで、絶縁層６１を形成してもよい。ディップコーティングにより、一度の工程で接合部１５の表面を含む積層体の表面全体に絶縁層６１を形成することができる。
【００３４】
図５Ｃで、無電解めっき法により、絶縁層６１の表面に厚さ２００ｎｍのパラジウム（Ｐｄ）の被膜６２を形成する。被膜６２として、Ｐｄ以外にＡｕ、Ｎｉ等の薄膜を無電解めっきで形成してもよい。接合部１５の隙間にめっき液が回り込み、被膜６２が形成される。これにより、一度の工程で絶縁層６１の上に被膜６２を形成することができる。
【００３５】
図５Ｄで、積層体５の側面からディスペンサ９を用いてＳｎ−Ｂｉはんだを吐出して、積層体５の内部を金属材料４５で充填する。Ｓｎ−ＢｉはんだはＰｄの被膜６２に対する濡れ性が高く、加圧により吐出されたＳｎ−Ｂｉはんだは、接合部６の間、及び接合部１５の間に導入される。これにより、電子装置２が作製される。
【００３６】
第１実施形態の電子装置１、及び第２実施形態の電子装置２は、積層体の内部に充填された金属材料４５により放熱効果を有しており、接合部１５が微細化されて電流密度が増大する構成においても冷却機能を発揮することができる。電子装置１または２は、狭い空間に配置され、外部のファンやクーリングプレートを使用できない場合に特に効果的である。たとえば、スマートフォン、車載向けの電子機器、ウエアラブル電子デバイス等に適用することができる。
【００３７】
上述した実施形態では、２．５次元実装または３次元実装を例にとって説明したが、本発明は第１の電子部品１０と第２の電子部品２０の積層体を有する任意の電子装置に適用される。また、第１の電子部品１０の主面に１以上の第２の電子部品２０が面内配置されたパッケージにも適用できる。
【００３８】
第１実施形態の各工程と第２実施形態の各工程で用いられる成膜及び充填方法は、任意に組み合わせてもよい。たとえば、静電噴霧で絶縁層４１を形成した後に無電解めっきで被膜６２を形成してもよいし、ディップコーティングで絶縁層６１を形成した後に、低温蒸着で被膜４２を形成してもよい。金属材料４５は、ディスペンサ９の他、ノズル、インジェクタ等、加圧を利用した任意の手段で積層体５の内部に充填することができる。
【００３９】
以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
（付記１）
第１の電子部品の上に第２の電子部品が積層されて複数の接合部で電気的に接続されている積層体を有する電子装置において、
少なくとも前記接合部の表面を覆う絶縁層と、
前記絶縁層を覆う被膜と、
前記被膜に覆われた前記複数の接合部の間に充填された金属材料と、
を有することを特徴とする電子装置。
（付記２）
前記絶縁層は、前記接合部の表面と前記積層体の表面を連続して覆っていることを特徴とする付記１に記載の電子装置。
（付記３）
前記被膜は、前記金属材料に対する濡れ性を有することをする特徴とする付記１または２に記載の電子装置。
（付記４）
前記第１の電子部品は、前記接合部と反対側の面で前記接合部と異なるピッチで配置された複数の第２接合部で基板に接合されており、
前記第２接合部の表面は、前記絶縁層と前記被膜によって覆われており、
複数の前記第２接合部の間に前記金属材料が充填されている
ことを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載の電子装置。
（付記５）
前記接合部は、前記第１の電子部品に接続される第１金属ピラーと、前記第２の電子部品に接続される第２金属ピラーと、前記第１金属ピラーと前記第２金属ピラーを接続するはんだ層とを有するマイクロバンプであることを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の電子装置。
（付記６）
前記金属材料は、前記接合部に用いられるはんだの融点以下の融点を有するはんだ材料であることを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の電子装置。
（付記７）
前記被膜は、Ａｕ、Ｐｄ、またはＮｉから選択されることを特徴とする付記１〜６のいずれかに記載の電子装置。
（付記８）
第１の電子部品の上に第２の電子部品を積層して前記第１の電子部品と前記第２の電子部品の間を複数の接合部で電気的に接続した積層体を作製し、
少なくとも前記接合部の表面を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層の上に被膜を形成し、
前記被膜で覆われた前記複数の接合部の間に金属材料を充填する、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記９）
前記絶縁層を、前記接合部の表面と前記積層体の表面を連続して覆って形成することを特徴とする付記８に記載の電子装置の製造方法。
（付記１０）
前記絶縁層を静電噴霧またはディップコーティングにより形成することを特徴とする付記８または９に記載の電子装置の製造方法。
（付記１１）
前記被膜を低温蒸着または無電解めっき法により形成することを特徴とする付記８〜１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１２）
前記被膜を、前記金属材料に対する濡れ性を有する材料で形成することを特徴とする付記８〜１１のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１３）
前記被膜を、Ａｕ、Ｐｄ、またはＮｉから選択される材料で形成することを特徴とする付記８〜１２のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１４）
前記金属材料を加圧により前記複数の接合部の間に充填することを特徴とする付記８〜１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１５）
前記金属材料として、前記接合部の材料よりも融点の低いはんだ材料を選択することを特徴とする付記８〜１４のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１６）
前記第１の電子部品を前記接合部と反対側の面で基板上に積層し、前記接合部と異なるピッチで配置される複数の第２接合部で接合して前記積層体を作製し、
前記第２接合部の表面に前記絶縁層と前記被膜をこの順で形成し、
複数の前記第２接合部の間を前記金属材料で充填する
ことを特徴とする付記８〜１５のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４０】
１、２  電子装置
３  パッケージ基板
６  接合部（第２接合部）
１０  第１の電子部品
１５  接合部（第１接合部）
２０  第２の電子部品
４１、６１  絶縁層
４２、６２  被膜
４５  金属材料
【図１】
2018160588.tif 000003
【図２Ａ】
2018160588.tif 000004
【図２Ｂ】
2018160588.tif 000005
【図２Ｃ】
2018160588.tif 000006
【図２Ｄ】
2018160588.tif 000007
【図３】
2018160588.tif 000008
【図４】
2018160588.tif 000009
【図５Ａ】
2018160588.tif 000010
【図５Ｂ】
2018160588.tif 000011
【図５Ｃ】
2018160588.tif 000012
【図５Ｄ】
2018160588.tif 000013