【事件の表示】
　特願２００６−５０９９７６「発光デバイス及びその作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１８日国際公開、ＷＯ２００４／１００２７７、平成１８年１１月　９日国内公表、特表２００６−５２５６７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年（２００４年）４月１３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００３年４月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１０月２６日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年５月２日に手続補正がなされ、平成２４年２月１５日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年８月１７日に意見書が提出されたが、平成２５年１月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２５年５月２７日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２３年５月２日に手続補正がなされたもの。）の
「対向する第１の面と第２の面の間を貫通して延びるコンタクトプラグを有する基板と、
　前記第１の面上に設けられた活性領域と、
　該活性領域上に設けられた第１の電気的コンタクトと、
　前記第２の面に隣接し、前記コンタクトプラグを介して前記活性領域に結合された第２の電気的コンタクトと
を備え、前記第１及び第２の電気的コンタクトが、互いにオフセットされていることを特徴とする発光デバイス。」
であったものを
「対向する第１の面と第２の面の間
のビア
　前記第１の面上に設けられた活性領域
であって、前記１の面上に設けられたｎ型層と前記ｎ型層上に設けられたｐ型層とを有する前記活性領域
　該活性領域上に設けられた第１の電気的コンタクトと、
　前記第２の面に隣接し、前記コンタクトプラグを介して前記活性領域に結合された第２の電気的コンタクトと
を備え、
　
前記ビアは前記ｎ型層内にまで伸びていず、また前記ｐ型層内にも伸びていず
　
前記基板の前記第１と第２の面に対して実質的に垂直である前記ビアの中心軸と、前記基板の前記第１と第２の面に対して実質的に垂直である前記第１の電気的コンタクトの中心軸と
に補正することを含むものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１に関して、「対向する第１の面と第２の面の間を貫通して延びるコンタクトプラグ」であったものを、「対向する第１の面と第２の面の間
のビア
前記ビアは前記ｎ型層内にまで伸びていず、また前記ｐ型層内にも伸びていず
であって、前記１の面上に設けられたｎ型層と前記ｎ型層上に設けられたｐ型層とを有する前記活性領域
前記基板の前記第１と第２の面に対して実質的に垂直である前記ビアの中心軸と、前記基板の前記第１と第２の面に対して実質的に垂直である前記第１の電気的コンタクトの中心軸と
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び、同項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たすか否か）について検討する。
ア　本願補正発明の認定
　本件補正後の請求項１に係る発明は、上記２（１）において、補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
イ　刊行物の記載
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開１０−２７０８０２号公報（以下「引用文献」という。）には、以下ａないしｄの記載がある（下線は、審決で付した。）。
ａ　「【請求項１】絶縁基板上に導電性の有する金属窒化物層を有し、
前記金属窒化物層の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、
前記絶縁性基板の一部に開口部を有し、
該開口部において前記金属窒化物層に接して電極を有していることを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。」（特許請求の範囲）
　
ｂ　「【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施例１）図１は、本発明によるＬＥＤ素子構造を示す断面図である。ＭｇＯ基板１の（１１１）面上にＴｉＮ単結晶薄膜２を反応性スパッタリング法により基板温度８００℃で１μｍの膜厚で成長する。その後、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＧａＮ層３（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度１×１０19ｃｍ-3）、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４（膜厚１．０μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｉ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ発光層５（膜厚１０ｎｍ）、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６（膜厚０．８μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＧａＮコンタクト層７（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度５×１０18ｃｍ-3）を成長する。
【００１５】ＬＥＤ素子は、ＭｇＯ基板１の一部を塩素を用いたＲＩＢＥによって除去してｎ型電極８を形成し、透光性ｐ型電極９を形成した後、チップ分割されて形成される。基板除去部分の大きさは２０μｍ×２０μｍであり、ＬＥＤ素子の大きさ２５０μｍ×２５０μｍに比べ充分に小さな窓になっており、基板の強度を損なわない。図２に本発明のＬＥＤの素子構造の切欠を設けた斜視図を示す。図２ではＬＥＤ素子の内部構造が分かるように切欠を設けたが、実際のＬＥＤ素子では切欠は必要としない。」
　
ｃ　図１及び２は、次のものである。
　
ｄ　上記ａ及びｂを踏まえて、上記ｃの図１及び２をみると、ＭｇＯ基板１の一部を除去して窓を形成すること、ｎ型電極８は、ＭｇＯ基板１の前記窓の中に、ＭｇＯ基板１のＴｉＮ単結晶薄膜２を設けない側の面からＴｉＮ単結晶薄膜２を設ける側の面のＴｉＮ単結晶薄膜２に接するまで形成するものであり、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４、ｉ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ発光層５、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７は、ＭｇＯ基板１のＴｉＮ単結晶薄膜２を設ける側の面に順に形成するものであり、透光性ｐ型電極９は、ｐ型ＧａＮコンタクト層７の上に形成するものであることがみてとれる。
　
（イ）引用発明
ａ　上記（ア）ａによれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる。
「絶縁基板上に導電性の有する金属窒化物層を有し、
前記金属窒化物層の上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、
前記絶縁基板の一部に開口部を有し、
該開口部において前記金属窒化物層に接して電極を有している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。」
　
ｂ　上記（ア）ｂによれば、上記ａの発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、絶縁基板であるＭｇＯ基板１の上に金属窒化物層であるＴｉＮ単結晶薄膜２を成長し、ｎ型ＧａＮ層３、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４、ｉ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ発光層５、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７を成長するものであるから、ｎ型ＧａＮ層及びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層と、前記ｎ型ＧａＮ層及びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層の上に設けるｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層とを有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層といえる。
　
ｃ　上記（ア）ｄによれば、上記ａの発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の透光性ｐ型電極９は、ｐ型ＧａＮコンタクト層７の上に形成するものであるから、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に形成される透光性ｐ型電極９を有するといえる。
　
ｄ　上記（ア）ｄによれば、上記ａの発明の絶縁基板の一部に有する開口部は、ＭｇＯ基板１の一部を除去して窓を形成したものである。また、上記ａの発明の開口部において金属窒化物層に接している電極は、ＭｇＯ基板１の前記窓の中に、ＭｇＯ基板１のＴｉＮ単結晶薄膜２を設けない側の面からＴｉＮ単結晶薄膜２を設ける側の面のＴｉＮ単結晶薄膜２に接するまで形成するｎ型電極８といえる。
　
ｅ　上記ａないしｄによれば、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「絶縁基板であるＭｇＯ基板上に導電性の有する金属窒化物層であるＴｉＮ単結晶薄膜を有し、
　前記金属窒化物層の上にｎ型ＧａＮ層及びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層と、前記ｎ型ＧａＮ層及びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層の上に設けるｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層とを有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、
　前記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に形成される透光性ｐ型電極を有し、
　前記絶縁基板の一部に開口部を有し、
　該開口部において前記金属窒化物層に接してｎ型電極を有し、
　前記開口部は、ＭｇＯ基板の一部を除去して窓を形成したものであって、ｎ型電極は、ＭｇＯ基板の前記窓の中に、ＭｇＯ基板のＴｉＮ単結晶薄膜を設けない側の面からＴｉＮ単結晶薄膜を設ける側の面のＴｉＮ単結晶薄膜に接するまで形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。」
　
ウ　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「『絶縁基板』及び『ＭｇＯ基板』」、「（ｎ型ＧａＮ層及びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層と、前記ｎ型ＧａＮ層及びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層の上に設けるｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層とを有する）窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層」、「（窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に形成される）透光性ｐ型電極」、「（ＭｇＯ基板の一部を除去して窓を形成したものであって、前記ＭｇＯ基板の前記窓の中に、ＭｇＯ基板のＴｉＮ単結晶薄膜を設けない側の面からＴｉＮ単結晶薄膜を設ける側の面のＴｉＮ単結晶薄膜に接するまでｎ型電極を形成する）『窓』及び『開口部』」、「（前記ＭｇＯ基板の前記窓の中に、ＭｇＯ基板のＴｉＮ単結晶薄膜を設けない側の面からＴｉＮ単結晶薄膜を設ける側の面のＴｉＮ単結晶薄膜に接するまで形成する）ｎ型電極」及び「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置」は、本願補正発明の「基板」、「（ｎ型層と前記ｎ型層上に設けられるｐ型層とを有する）活性領域」、「（活性領域上に設けられる）第１の電気的コンタクト」、「（対向する第１の面と第２の面の間の）ビア」、「『（対向する第１の面と第２の面の間のビアを貫通して延びる）コンタクトプラグ』及び『（前記コンタクトプラグを介して前記活性領域に結合された）第２の電気的コンタクト』」及び「発光デバイス」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明のｎ型電極は、ＴｉＮ単結晶薄膜に接するまで形成するから、「開口部（窓）」は、金属窒化物層であるＴｉＮ単結晶薄膜の上のｎ型ＧａＮ層及びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層と、前記ｎ型ＧａＮ層及びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層の上に設けるｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層までは伸びていないといえる。
　そうすると、引用発明は、本願補正発明の「前記ビアは前記ｎ型層内にまで伸びていず、また前記ｐ型層内にも伸びてい（ない）」との構成を備える。
　
（ウ）以上によれば両者は、
「対向する第１の面と第２の面の間のビアを貫通して延びるコンタクトプラグを有する基板と、
　前記第１の面上に設けられた活性領域であって、前記１の面上に設けられたｎ型層と前記ｎ型層上に設けられたｐ型層とを有する前記活性領域と、
　該活性領域上に設けられた第１の電気的コンタクトと、
　前記第２の面に隣接し、前記コンタクトプラグを介して前記活性領域に結合された第２の電気的コンタクトと
を備え、
　前記ビアは前記ｎ型層内にまで伸びていず、また前記ｐ型層内にも伸びていない発光デバイス。」である点で一致し、
　
　本願補正発明の「第１の電気的コンタクト」は、「前記基板の前記第１と第２の面に対して実質的に垂直である前記ビアの中心軸と、前記基板の前記第１と第２の面に対して実質的に垂直である前記第１の電気的コンタクトの中心軸とが、互いにオフセットされている」よう設けられるのに対して、引用発明の「透光性ｐ型電極」は、このように特定されない点（以下「相違点」という。）で相違するものと認められる。
　
エ　判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明の「透光性ｐ型電極」は、絶縁基板のＭｇＯ基板のＴｉＮ単結晶薄膜を設けない側の面とＴｉＮ単結晶薄膜を設ける側の面に対して実質的に垂直である、開口部の中心軸と、前記絶縁基板のＭｇＯ基板のＴｉＮ単結晶薄膜を設けない側の面とＴｉＮ単結晶薄膜を設ける側の面に対して実質的に垂直である前記透光性ｐ型電極の中心軸とが、互いにオフセットされていると特定されるものではないが、前記両中心軸を互いに一致させるべきものではなく、前記両中心軸を互いに一致させないものが従来周知であること（例えば、特開平８−８３９２９号公報の図３、特開平１０−８４１６７号公報の図８、参照）に照らしてみれば、適宜の位置関係で形成し得るものである。
　したがって、引用発明の「透光性ｐ型電極」を適宜の位置関係で形成して、絶縁基板のＭｇＯ基板のＴｉＮ単結晶薄膜を設けない側の面とＴｉＮ単結晶薄膜を設ける側の面に対して実質的に垂直である、開口部の中心軸と、前記絶縁基板のＭｇＯ基板のＴｉＮ単結晶薄膜を設けない側の面とＴｉＮ単結晶薄膜を設ける側の面に対して実質的に垂直である前記透光性ｐ型電極の中心軸とが格別一致しないもの、つまり、互いにオフセットされているものとなし、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことに格別困難があるものとは認められない。
　また、相違点に係る本願補正発明の構成により奏される効果が、前記両中心軸を互いにオフセットさせる配置により当然に奏される効果以上の格別顕著なものとは認められない。
　してみると、相違点に係る本願補正発明の構成は、引用発明における、透光性ｐ型電極を設ける位置について、当業者が設計上適宜定め得る事項を特定したにすぎない。
　
オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年５月２日に手続補正がなされた明細書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　前記第２、２（３）イのとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２、２（２）補正の目的」のとおり、本願補正発明は、本願発明に限定を付加し、あわせて、明りょうでない記載の釈明をしたものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加し、明りょうでない記載の釈明をしたものである本願補正発明が、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである以上、上記第２、２（３）での検討と同様の理由により、本願発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。