【事件の表示】
　特許第３３６４２６６号「バンプの形成法」の請求項１，２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３６４２６６号の請求項１，２に係る特許を取り消す。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３３６４２６６号の請求項１，２に係る発明は、平成５年３月１７日に特許出願され、平成１４年１０月２５日に特許権の設定登録がなされ、その後、池田美砂子より特許異議の申立てがなされ、平成１６年７月２７日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１０月５日に訂正請求がなされたものである。
　　　
【２】訂正及びその適否に関する判断
　平成１６年１０月５日付けの訂正は次のとおりのものである。
【２-1】訂正事項
ａ．特許請求の範囲の請求項１中において、「電極パッド上に設けられた保護絶縁膜の開口部に対応する」という記載を、
　「電極パッドのバンプ形成面上に該電極パッドより小さい開口部を有する保護絶縁膜を設け、該保護絶縁膜の開口部に対応する」と訂正する。
ｂ．明細書の段落【0009】の「電極パッド上に設けられた保護絶縁膜の開口部に対応する」という記載を、
　「電極パッドのバンプ形成面上に該電極パッドより小さい開口部を有する保護絶縁膜を設け、該保護絶縁膜の開口部に対応する」と訂正する。
　　　
【２-2】訂正の適否
訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　前記訂正事項ａは、(1)保護絶縁膜の開口部の大きさが電極パッドより小さい点，(2)電極パッドのバンプ形成面上にすなわち電極パッドの表面上に保護絶縁膜を設ける点を限定するもので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、前記訂正事項ｂは、ａの訂正に伴う特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記訂正事項ａ，ｂは、ともに願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　　　
【２-3】まとめ
　以上のとおり、【２-1】の訂正は、特許法第１２０条の４第２項、および同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　
【３】本件特許発明
　前記【２-3】で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１，２に係る発明(以下、「本件発明１，２」という)は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりの、
「【請求項１】電極パッドのバンプ形成面上に該電極パッドより小さい開口部を有する保護絶縁膜を設け、該保護絶縁膜の開口部に対応する孔を有するマスクを前記開口部に位置合わせして配設し、該マスク上からバンプ材料を供給したのち焼成することによりバンプを形成するバンプの形成法であって、前記保護絶縁膜の開口部を前記マスクの孔より小さく形成することを特徴とするバンプの形成法。
【請求項２】配線基板上に設けられた電極パッドと電子部品のチップに設けられた電極パッドとを接続する配線基板への電子部品の実装法であって、
前記配線基板の電極パッドまたは電子部品のチップの電極パッドの少なくとも一方に請求項１記載の方法によるバンプを形成し、該バンプを介して前記両電極パッドを接続する電子部品の実装法。」である。
　　　
【４】特許異議申立て理由の概要
　特許異議申立人　池田美砂子は、甲第１〜３号証を提示し、本件の請求項１，２に係る発明は、前記甲第１号証ないし甲第３号証のいずれかに記載された発明と同一であるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである旨主張している。
　　　
【５】当審における取消理由通知の要点
　本件発明１，２は、その出願前国内において頒布された下記の刊行物１，２のそれぞれに記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。したがって、その特許は取り消すべきものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１；特開昭５２−６８３６６号公報(甲第２号証)
　刊行物２；特開昭５１−２９８６７号公報(甲第３号証)
　　　
【６】前記刊行物１，２の記載事項及びその開示内容
【６-1-1】刊行物１の記載事項
　第１頁左下欄第１３，１４行に、
(刊1a)「本発明は、半導体基板上の電極部に半田バンプを形成する方法に関する発明である」と記載され、
　第１頁右下欄第４〜１１行に、
(刊1b)「第１図に示すように、半導体基板１上のAl電極部２にCr-Cu-Auの金属をメタルマスクを使用して順次蒸着し、その後前記とは異なるメタルマスクを使用して半田を蒸着する。この半田をメタルマスクを使用して真空蒸着する方法において、蒸着半田量をコントロールすることは接続部の信頼性の面から非常に重要である」と記載され、
　第１頁右下欄第１６行〜第２頁左上欄第１行に、
(刊1c)「必要な半田量を得るため第２図に示すように、電極部のCr-Cu-Au蒸着膜の径より大きな穴径をもつメタルマスクにより半田を蒸着し、その後溶融させ、表面張力によりCr-Cu-Au蒸着膜上に半田が引きよせられる性質を利用して必要な半田量を得ている」と記載されている。
　そして、第１図には、
(刊1d)「半導体基板１上に設けられたAl電極部２の半田バンプが形成される面(Al電極部２の上表面)を覆うように、当該Al電極部２よりも小さい開口部を有する絶縁膜３が設けられているとともに、前記開口部より大きな穴径をもつ半田蒸着用メタルマスク６の穴内に形成された半田蒸着膜７」が記載されている。
　また、第２図には、
(刊1e)「半導体基板１上に蒸着された半田蒸着膜７を溶融させて、その表面張力により半田バンプを形成する過程」が記載されている。
　　　
【６-1-2】刊行物１の開示内容
　前記(刊1a)〜(刊1e)の記載から刊行物１には、
(刊1z)「電極部のバンプ形成面上に該電極部より小さい開口部を有する絶縁膜を設け、該絶縁膜の開口部に対応する穴を有するメタルマスクを前記開口部に位置合わせして配設し、該メタルマスク上から半田を供給したのち半田蒸着膜を溶融することにより半田バンプを形成する半田バンプの形成法であって、前記絶縁膜の開口部を前記メタルマスクの穴より小さく形成する半田バンプの形成法」(以下、「刊行物発明１」という)が開示されている。
　　　
【６-2-1】刊行物２の記載事項
　第２頁右上欄第１２〜１８行に、
(刊2a)「第１図は本発明によるコントロール・コラプス・ボンデングの実施された結果を示す断面図である。同図において、１は半導体チップであり、２はこのチップを接続する基板である。基板上には半田付性の良い導体である基板側電極３で配線が施してあり、所要の電気的特性が得られる様になつている」と記載され、
　第２頁左下欄第２〜７行に、
(刊2b)「チップ側電極５は半田付性の悪い絶縁膜６および半田付性の良いパッド７によつて半田ボールの濡れる領域が定められている。こうして半田ボール８によつて基板側電極とパッドが接続され、その半田の量に従つてチップと基板とは定められた間隔例えば７０μ以上に保持される」と記載され、
　第２頁左下欄第８，９行に、
(刊2c)「ここで半田はチップにマスク蒸着して所定量とする」と記載され、
　第２頁左下欄第１０〜１７行に、
(刊2d)「第２図に本発明の方法の過程において、蒸着後加熱前の半田形状を示す。すなわち、蒸着半田９はパッド７よりも十分大きな２倍〜５倍の面積を有し、厚さは蒸着の容易な例えば７０μ以下にしておく。これを加熱溶融すればその底面は半田付性の良い金属でできているパッド７の部分だけが半田に濡れるので、半田の表面張力により蒸着厚さより高い半田ボールが形成できる」と記載され、
　第２頁右下欄第９〜１５行に、
(刊2e)「本発明により、例えば２５０μという狭いピッチのパッドに１５０μというような高い半田ボールを形成することができるようになり、半導体チップにおける高密度集積が可能となつた。すなわち、例えば３mm角の半導体チップの周辺に４０バンプという多数の電極を設置して、半田ボールにより信頼性のある接続が可能になつた」と記載されている。
　また、前記(刊2b)〜(刊2d)の記載を参照すれば、第１，２図には、
(刊2f)「半導体チップ１上に設けられたチップ側電極５の半田ボールが形成される面(チップ側電極５の上表面)を覆うように、当該チップ側電極５よりも小さい開口部を有する絶縁膜６が設けられているとともに、前記開口部よりも十分大きな面積の孔をもつマスクの孔内に形成された蒸着半田９を加熱溶融させて、その表面張力により半田ボール８を形成する過程」が記載されている。
　　　
【６-2-2】刊行物２の開示内容
　前記(刊2a)〜(刊2f)の記載から刊行物２には、
(刊2z)「配線基板上に設けられた基板側電極と半導体チップに設けられたチップ側電極とを接続する配線基板への半導体チップの実装法であって、
半導体チップのチップ側電極に、
チップ側電極の半田ボール形成面上に該チップ側電極より小さい開口部を有する絶縁膜を設け、該絶縁膜の開口部に対応する孔を有するマスクを前記開口部に位置合わせして配設し、該マスク上から半田を供給したのち加熱溶融することにより半田ボールを形成する半田ボールの形成法であって、前記絶縁膜の開口部を前記マスクの孔より小さく形成することを特徴とする半田ボールの形成法による半田ボールを形成し、
該半田ボールを介して前記両電極を接続する半導体チップの実装法」(以下、「刊行物発明２」という)が開示されている。
　　　
【７】当審の判断
【７-1】本件発明１についての判断
［１］本件発明１と刊行物発明１との対比
　本件発明１と刊行物発明１とを対比すると、
　刊行物発明１の「電極部」，「穴」，「メタルマスク」，「半田」，「半田蒸着膜を溶融すること」，「半田バンプ」は、
　本件発明１の「電極パッド」，「孔」，「マスク」，「バンプ材料」，「焼成すること」，「バンプ」にそれぞれ相当する。
　したがって、両者は「電極パッドのバンプ形成面上に該電極パッドより小さい開口部を有する絶縁膜を設け、該絶縁膜の開口部に対応する孔を有するマスクを前記開口部に位置合わせして配設し、該マスク上からバンプ材料を供給したのち焼成することによりバンプを形成するバンプの形成法であって、前記絶縁膜の開口部を前記マスクの孔より小さく形成するバンプの形成法」であることで一致し、次の点で形式上の相違がある。
　本件発明１では「保護絶縁膜」と記載されているのに対して、刊行物発明１では「絶縁膜」となっている点。
　なお、本件発明１で「電極パッドのバンプ形成面上に、マスクを介してバンプ材料を供給」するという点については、電極パッドを構成する金属上に「直接に」バンプ材料のハンダを供給・接合することに限るものではなく、電極パッド金属上に中間金属層を設けるものも当然に包含している。
［２］上記相違の検討
　刊行物発明１の「絶縁膜」すなわち、絶縁膜３は、Al電極部２の一部および半導体基板１の上表面を覆い保護していることは、当業者において、自明の事項であるから、本件発明１の「保護絶縁膜」に相当する。
　したがって、ここで検討対象とした相違は実質的な差異にはならない。
　よって、本件発明１は、刊行物発明１と同一であると言わざるを得ない。
　　　
【７-2】本件発明２についての判断
［１］本件発明２の内容
　まず、本件発明２は、本件発明１を引用する形式で記載されていると共に、「配線基板の電極パッドまたは電子部品のチップの電極パッドの少なくとも一方」というように択一的に記載されているところ、
　本件発明２を引用形式ではなく、また「電子部品のチップの電極パッド」側にバンプを形成する態様に、その発明内容を記載すると、
　本件発明２は、
「配線基板上に設けられた電極パッドと電子部品のチップに設けられた電極パッドとを接続する配線基板への電子部品の実装法であって、
電子部品のチップの電極パッドに、
電極パッドのバンプ形成面上に該電極パッドより小さい開口部を有する保護絶縁膜を設け、該保護絶縁膜の開口部に対応する孔を有するマスクを前記開口部に位置合わせして配設し、該マスク上からバンプ材料を供給したのち焼成することによりバンプを形成するバンプの形成法であって、前記保護絶縁膜の開口部を前記マスクの孔より小さく形成することを特徴とするバンプの形成法によるバンプを形成し、
該バンプを介して前記両電極パッドを接続する電子部品の実装法」ということになる。
［２］本件発明２と刊行物発明２との対比
　本件発明２と刊行物発明２とを対比すると、
　刊行物発明２の、「基板側電極」，「半導体」，「チップ側電極」，「半導体チップの実装法」，「半田ボール」，「半田」，「加熱溶融すること」は、
　本件発明２の、配線基板上に設けられた「電極パッド」，「電子部品」，チップに設けられた「電極パッド」，「電子部品の実装法」，「バンプ材料」，「焼成すること」，「バンプ」にそれぞれ相当する。
　したがって、両者は「配線基板上に設けられた電極パッドと電子部品チップに設けられた電極パッドとを接続する配線基板への電子部品の実装法であって、
電子部品チップの電極パッドに、
電極パッドのバンプ形成面上に該電極パッドより小さい開口部を有する絶縁膜を設け、該絶縁膜の開口部に対応する孔を有するマスクを前記開口部に位置合わせして配設し、該マスク上からバンプ材料を供給したのち焼成することによりバンプを形成するバンプの形成法であって、前記絶縁膜の開口部を前記マスクの孔より小さく形成することを特徴とするバンプの形成法によるバンプを形成し、
該バンプを介して前記両電極パッドを接続する電子部品の実装法」であることで一致し、次の点で一応の相違がある。
　本件発明２では「保護絶縁膜」と記載されているのに対して、刊行物発明２では「絶縁膜」となっている点。
　なお、本件発明２で「電極パッドのバンプ形成面上に、マスクを介してバンプ材料を供給」するという点については、電極パッドを構成する金属上に「直接に」バンプ材料のハンダを供給・接合することに限るものではなく、電極パッド金属上に中間金属層を設けるものも当然に包含している。
［３］上記相違の検討
　刊行物発明２の「絶縁膜」すなわち、絶縁膜６は、チップ側電極５の一部および半導体チップ１の上表面を覆い保護していることは、当業者において、自明の事項であるから、本件発明２の「保護絶縁膜」に相当する。
　したがって、ここで検討対象とした相違は実質的な差異にはならない。
　よって、本件発明２は、刊行物発明２と同一であると言わざるを得ない。
　　　
【８】むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１，２は、取消理由通知書で提示した刊行物１，２に、それぞれ記載された発明である。
　したがって、本件発明１，２に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１６年１１月１日（２００４．１１．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
バンプの形成法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　電極パッド
のバンプ形成面
該電極パッドより小さい開口部を有する
を設け、該保護絶縁膜
　【請求項２】　配線基板上に設けられた電極パッドと電子部品のチップに設けられた電極パッドとを接続する配線基板への電子部品の実装法であって、
前記配線基板の電極パッドまたは電子部品のチップの電極パッドの少なくとも一方に請求項１記載の方法によるバンプを形成し、該バンプを介して前記両電極パッドを接続する電子部品の実装法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はバンプの形成法および電子部品の実装法に関する。さらに詳しくは、半導体チップなどの電子部品またはプリント基板などの配線基板の電極パッド上に、外部リードなどとの接続用に設けられた金属突起物であるバンプを形成するバンプ形成法および該形成法を用いた電子部品の実装法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　最近、電子機器の小型化に伴ない、たとえば集積回路（ＩＣ）などを組み込んだ半導体装置も、樹脂でモールドしてリード線を導出したものではなく、ＣＯＢ（チップオンボード）やＣＯＧ（チップオングラス）などにみられるように、半導体チップ（以下、チップという）の電極パッドにバンプが形成されたいわゆるベアチップの状態で直接プリント基板などの配線基板（以下、基板という）の電極パッドに接続する方法が増えつつある。この方式では、一般にチップの電極パッド上にバンプが形成され、基板の電極パッドが直接バンプに接続される。また、他の方法として基板側の電極パッドにバンプを形成したり、または双方の電極パッドに形成する方法も行われている。バンプの形成法として、従来は主として、ディップ（浸漬）法で形成されたり、スクリーン印刷により形成する方法が検討されている。
　【０００３】
　また、スクリーン印刷などの方法でバンプを形成した基板とチップの電極パッドを接続してチップを基板上に実装するばあい、図４（ａ）に示されるように、まずチップ２１と基板２２との各々の電極パッド２４、２５上にハンダなどからなるバンプ２３ａ、２３ｂを形成する。基板２２は、図４（ｂ）に示されるように、銅などからなる電極パッド２５が設けられ、基板２２の表面にソルダーレジスト２６が塗布され、電極パッド２５上に開口部２７が形成されている。電極パッド２５上にバンプ２３ｂを形成するばあい、基板２２の表面に前記開口部２７と同一形状の孔２８を有するマスク２９を開口部２７と孔２８とが一致するように位置合わせをして配置したのち、スクリーン印刷または蒸着法などによりバンプ材料３２を付着させ、そののち焼成することにより開口部２７内にバンプ２３ｂを形成する。バンプ材料を付着したのちまたはバンプ形成後、マスク２９は除去される。また、他の方法として、ディップ法などでも形成される。
　【０００４】
　また、図４（ａ）に示されるようにチップ２１の表面には電極パッド２４の周辺にチッ化ケイ素膜などからなるパッシベーション膜３０が形成されており、パッシベーション膜３０に設けられた電極コンタクト用の開口部３１内にスクリーン印刷、蒸着法などでバンプ２３ａが形成される。ついでそれぞれのバンプを位置合わせし、それを突き合わせるように基板２２とチップ２１を平行に向かい合わせ、リフローすることにより基板側のバンプ２３ｂを溶かして基板２２とチップ２１を接続させる。このときチップ側のバンプ２３ａとして高融点（２９０〜３００℃）のハンダを用い、基板側のバンプ２３ｂとして共晶ハンダ（融点１８３℃程度）を用いることによって基板側のバンプ２３ｂのみを溶かし、接着する。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながらチップ２１および基板２２に形成されるバンプ２３ａ、２３ｂにはバンプ材料の体積にしたがって高さのバラつきが２０％程度発生する。一般にチップおよび基板側の電極はともに一辺約１００μｍ程度の正方形であり、バンプの高さとしてはチップ側に約５０μｍ、基板側に２０μｍ程度のバンプを形成する。これに２０％程度のバラつきを考慮するとチップ側のバンプは最大６０μｍ程度の高さであり、したがってチップと基板間隔（図５（ａ）中のｘ）も最大６０μｍ以上になると考えられる。
　【０００６】
　このとき他のバンプで図５（ａ）のように、チップ側と基板側のバンプの高さ（図５（ａ）のｙ、ｚ）がともに最小値（各々約４０μｍ、１６μｍ）をとると、この箇所においてチップと基板のバンプは接続されない（オープン）状態となる。
　【０００７】
　一方、オープン状態の発生を防止するためハンダの量を増加させてバンプを高くすると図５（ｂ）のように隣接するバンプ同士が連結してショート不良が発生するという問題がある。
　【０００８】
　本発明では、かかる問題を解消し、オープンやショートの不良が発生せず、かつ、通常のバンプ材料のバラツキがあってもバンプを接続できるようなバンプの形成法およびそれを用いた電子部品の実装法を提供することを目的とする。
　【０００９】
　本発明のバンプ形成法は、電極パッド
のバンプ形成面
該電極パッドより小さい開口部を有する
を設け、該保護絶縁膜
　【００１０】
　また、本発明の電子部品の実装法は、本発明の配線基板上に設けられた電極パッドと電子部品のチップに設けられた電極パッドとを接続する配線基板への電子部品の実装法であって、
前記配線基板の電極パッドまたは電子部品のチップの電極パッドの少なくとも一方に前記バンプ形成法によるバンプを形成し、該バンプを介して電子部品を接続するものである。
　【００１１】
　【作用】
　本発明のバンプ形成法によれば、バンプを形成するため電極パッド上に設ける絶縁膜の開口部を、それに対応するマスクの孔の大きさより小さくすることによって、従来のバンプ形成材料と同じ量のバンプ材料が各開口部およびその周囲の絶縁膜上にも供給され、バンプ材料を付着したのちに焼成することにより、開口部および絶縁膜上のバンプ材料が表面張力により開口部上に盛り上がり嵩高いバンプがえられる。すなわち、バンプ材料の絶対量を増すことなく、背の高いバンプがえられる。
　【００１２】
　また、本発明の電子部品の実装法によれば、バンプ材料を増やすことなく背の高いバンプを介して接続しているため、接触不良とかバンプ材料の過剰による短絡などがなく、確実に各電極端子を接続することができる。
　【００１３】
　【実施例】
　つぎに図面を参照しながら本発明について説明する。
　【００１４】
　図１は本発明のバンプの形成法の工程断面説明図であり、図２は本発明の電子部品の実装法の一工程を示す断面説明図であり、図３は同じ量のバンプ材料により底面積を変えたときのバンプの高さの変化を示した説明図である。
　【００１５】
　本発明のバンプの形成法の一実施例を図１を参照しながら説明する。まずプリント基板など表面に電気回路が形成された基板１に図１（ａ）のように配線の保護および絶縁のため８０μｍ程度の厚さのソルダーレジスト３などの絶縁膜が全面に塗布されており、これを電極パッド２のバンプ形成部分にエッチングを施して開口部４を設ける。さらに前記開口部４に対応した孔６を有するマスク５を図１（ｂ）のように、基板１上に位置合わせをして配設する。開口部４は従来の大きさより１／４程度以下と小さくし、マスク５の孔は従来と同程度のままとする。基板とか電子部品などの種類によっても異なるが、通常は開口部の直径の大きさを５０〜６０μｍφ、マスク５の孔の径を１００〜１１０μｍ程度とする。
　【００１６】
　ついでハンダペーストなどのバンプ材料となる金属ペーストをスクリーン印刷、蒸着法などの方法により孔６の内部に形成させる。たとえば、バンプ用材料のハンダペースト７を図１（ｃ）のようにスクリーン印刷する。なお９はスキージである。ついで、マスク５を取り外したのち基板１をオーブン炉または環状炉などによって２２０〜２３０℃に加熱することによりハンダペースト７の焼成を行う。加熱後、基板１全体を約３０分間放置し冷却する。その結果、図１（ｄ）のようにバンプ８が開口部４の上に表面張力のため球形状にもりあがった形状で形成される。
　【００１７】
　前記ハンダペースト７は、ソルダーレジスト３に対してなじまないため、図１（ｄ）のごとくソルダーレジスト３上のハンダペースト７はすべて開口部４の上方に引き寄せられる。したがって嵩高いバンプ８を形成することができる。
　【００１８】
　ここで、マスク５はステンレス、ニッケルやタングステンなどの薄板からなり、バンプを形成すべき基板１に設けられた電極パッド２に対応して孔６が形成されている。このマスク５は通常５０〜３００μｍの厚さで形成されている。あまり厚すぎると孔６が垂直に形成されなくなり、薄すぎるとバンプの形成高さが低くなり、他の膜などから突出させることができなくなるからである。
　【００１９】
　また、叙上のごとくバンプ８が形成された基板１に半導体チップなどの電子部品のチップを実装するばあい、該チップの電極パッドと基板の電極パッドが嵩高いバンプを介して接続されるため、オープン不良は発生しない。このばあい、本発明によるバンプは基板側の電極パッドに形成されることに限定されず、チップ側の電極パッドに形成してもよく、さらに双方の電極パッドにバンプを形成すれば、バンプの高さのバラツキを吸収しオープン不良の低減のため好ましい。
　【００２０】
　つぎに本発明のバンプの形成法を用いた電子部品の実装法の具体例として、基板表面に半導体チップ（以下、チップという）をチップ表面の能動領域が基板側を向くように（フェイスダウン）実装する例について説明する。
　【００２１】
　図２に示されるように、まずチップ１０側に前述のバンプ形成法によりバンプ１１を形成する。バンプ材料としては高融点（たとえば２９０〜３００℃）のハンダを材料としたハンダペーストを用いる。チッ化ケイ素膜、酸化ケイ素膜などからなる絶縁膜１３の開口部１４は１００×１００μｍ程度で形成される。
　【００２２】
　前記パッシベーション膜１３の表面にステンレス、ニッケルやタングステンなどからなる厚さ約５０μｍで、かつ１１０×１１０μｍ程度の孔が前記チップ１０の電極パッド１２と同じ間隔で設けられたマスクを載置し、前述の高融点のハンダペーストをスクリーン印刷により各電極パッド１２上に供給する。ついで、３３０〜３４０℃で約３分間焼成して高さが５０±１０μｍのバンプを形成した。
　【００２３】
　つぎに、基板側のバンプを形成する。バンプ材料として融点が約１８３℃である共晶ハンダのペーストを用いた。
　【００２４】
　基板１の電極パッド２の上部のソルダーレジスト３の開口部を約５０μｍφで形成する。前記ソルダーレジスト３の表面にステンレス、ニッケルやタングステンなどからなる厚さ約３０μｍで、かつ直径が約１００μｍφ程度の孔が前記基板の電極パッドと同じ間隔で設けられたマスクを載置し、共晶ハンダからなるハンダペーストをスクリーン印刷により各電極パッドに塗布した。ついで前述のようにバンプを形成した基板１とチップ１０とを図２のようにバンプ同士が接着するように位置あわせし、基板１とチップ１０とを平行に保持しながら圧着する。圧着は、バンプの温度が２２０℃程度になるようリフロー炉の温度を設定し１〜２分間加熱すると共に、１チップあたり２０〜１００ｇｆで加圧して基板１側のバンプのみを融解させ接着する。以上の操作により基板へのチップの実装が完了する。
　【００２５】
　本発明によるバンプの形成法によれば、高いバンプを形成でき、しかも材料の量のバラつきがあっても余り高さが変動しない理由について説明する。
　【００２６】
　たとえば従来の浸漬法で図３（ａ）〜（ｂ）のように１００×１００μｍの電極パッド１６に高さ２０μｍのバンプ１５を形成すると、上部のほとんどは球の一部のような形状のバンプとなるがそれと同量のバンプ材料で、本発明の方法により基板およびチップの電極パッドにバンプを形成すると、理論的には図３（ｃ）〜（ｄ）に示されるように上半分は半球状、下半分は開口部に一致する５０μｍφの底部をもつ、円柱状であり、４７．８μｍの高さとなる。また、ハンダの量（形成されるバンプの体積）には２０％程度のバラつきが発生するとすれば本発明の方法により形成されたバンプの高さは４２〜５６μｍの範囲であり、これは従来の方法によるバンプの高さのバラつきと比べると極めて小さなバラツキである。その結果、オープン不良が発生しなくなる。またバンプ材料全体の量は従来と変わっていないため、バラツキによりバンプが高く形成されても隣り同士のバンプで接触することもない。
　【００２７】
　また、本実施例中ではスクリーン印刷によりバンプ材料を供給したがマスクを用いた蒸着法によっても同様である。すなわち、本発明では、ハンダなどの金属ペーストをマスキングを施すことにより電極パッドおよびその周辺部に選択的に形成することができる薄膜形成法であればいかなる方法も適用できる。また、基板１上のバンプ８は接続前に一度リフローを行い半球状にしておいてもよい。
　【００２８】
　また、本実施例では半導体チップを実装する例で説明したが、本発明は半導体チップに限られず、リードレスで回路基板などに接続されるリードレスの抵抗、コンデンサー、配線などの他の電子部品にバンプを形成したり、実装するばあいにも適用することができる。さらに、バンプは電子部品以外にも回路基板などの接続部などにも形成されるばあいがあり、いずれのバンプの形成のばあいにも本発明を適用することができる。
　【００２９】
　【発明の効果】
　本発明によれば、同量のハンダで水平方向に拡がらずに嵩高い、しかもバラツキの少ないバンプを形成することができる。そのため従来のディップ法に比べて電極間隔を大幅に縮小（１／４程度）することができ、近年のＣＯＢの小型化、高密度化に対応できる。
　【００３０】
　また、上述のバンプ形成法を用いればオープン不良、ショート不良がほとんど発生しないため、歩留りよく電子部品の実装を行うことができ、コストダウンに寄与する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のバンプの形成法を説明する工程断面説明図である。
　【図２】
　本発明の電子部品の実装法を説明する断面説明図である。
　【図３】
　同じ量のバンプ材料により、底面積を変えたときのバンプの高さの変化を説明する図である。
　【図４】
　（ａ）は従来の電子部品の実装法の説明図であり、（ｂ）は基板にバンプ材料を供給する工程の断面説明図である。
　【図５】
　従来の電子部品の実装例を示す図で、（ａ）はオープン不良の説明図、（ｂ）はショート不良の説明図である。
　【符号の説明】
　　１　基板
　　２　電極パッド
　　３　ソルダーレジスト
　　４　開口部
　　５　マスク
　　６　孔
　　７　ハンダペースト
　　８　バンプ
　１０　チップ
　１１　バンプ
　１２　電極パッド
　１３　パッシベーション膜
　１４　開口部