【事件の表示】
　特許第３１１９４４０号「強誘電体薄膜形成用塗布溶液」の請求項１〜５に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１９４４０号の請求項１及び２に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１１９４４０号は、平成８年４月１２日に出願され、平成１２年１０月１３日に設定登録されたものであり、その後、植田茂樹、及び、東京応化工業株式会社より、それぞれ、特許異議の申立がなされ、その後、当審で、以下の手続を経ている。
　　取消理由通知書　　　　　　　　　　　平成１３年１１月１３日
　　特許異議意見書　　　　　　　　　　　平成１４年１月２４日
　　訂正請求書　　　　　　　　　　　　　平成１４年１月２４日
　　審尋（植田茂樹）　　　　　　　　　　平成１４年１月３０日
　　審尋（東京応化工業株式会社）　　　　平成１４年１月３０日
　　回答書（東京応化工業株式会社）　　　平成１４年４月１５日
　　取消理由通知書　　　　　　　　　　　平成１４年１０月１７日
　　訂正請求取下書　　　　　　　　　　　平成１４年１０月２３日
　　訂正請求書　　　　　　　　　　　　　平成１４年１０月２３日
　
II．訂正の適否
II−１．訂正事項
　本件明細書につき、平成１４年１４年１０月２３日付け訂正請求書に添付された訂正明細書に記載されるとおり、次の（ａ）〜（ｈ）の訂正を求めるものである。
　なお、平成１４年１月２４日付け訂正請求は、平成１４年１０月２３日付け訂正請求取下書により、取下げられている。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１における、
「【請求項１】プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと有機金属化合物とを含有し、かつ酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく得られることを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布溶液。」を、
「【請求項１】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）強誘電体薄膜形成用塗布溶液であって、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである、前記強誘電体薄膜形成用塗布溶液。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項３〜５を削除する。
（ｃ）明細書の発明の詳細な説明の段落０００６における、
「すなわち、本発明は、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと有機金属化合物とを含有し、かつ酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく得られることを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布溶液を提供するものである。」を、
「すなわち、本発明は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）強誘電体薄膜形成用塗布溶液であって、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである、前記強誘電体薄膜形成用塗布溶液を提供するものである。」と訂正する。
（ｄ）明細書の発明の詳細な説明の段落００１８、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例４」を、「参考例１」と訂正する。
（ｅ）明細書の発明の詳細な説明の段落００２０、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例５」を、「参考例２」と訂正する。
（ｆ）明細書の発明の詳細な説明の段落００２２、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例６」を、「参考例３」と訂正する。
（ｇ）明細書の発明の詳細な説明の段落００２４、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例７」を、「参考例４」と訂正する。
（ｈ）明細書の発明の詳細な説明の段落００２６、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例８」を、「参考例５」と訂正する。
　
II−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び、拡張・変更の存否
II−２−１．上記（ａ）の訂正について
　上記（ａ）の訂正は、具体的には、（ａ−１）強誘電体薄膜形成用塗布溶液に含有される「有機金属化合物」を、「酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む有機金属化合物」と訂正し、また、（ａ−２）プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと有機金属化合物とを含有する強誘電体薄膜形成用塗布溶液を、「有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、反応させて得られたものである」強誘電体薄膜形成用塗布溶液と訂正するものである。
　上記訂正（ａ−１）は、有機金属に含まれるものを、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかであると限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、上記訂正（ａ−２）は、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと有機金属化合物が強誘電体薄膜形成用塗布溶液に含有される態様を、「有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、反応させて得られたもの」と下位概念のものに限定するのであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、当該訂正（ａ−１）により付加される事項は、本件明細書の段落０００８の記載に基づくものであり、また、当該訂正（ａ−２）により付加される事項は、本件明細書の段落０００９の記載に基づくものであり、いずれのものも、願書に添付された明細書に記載される事項の範囲内でなされるものである。
　また、当該訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
II−２−２．上記（ｂ）の訂正について
　上記（ｂ）の訂正は、請求項３〜５を削除するものであって、当該訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、当該（ｂ）の訂正は、単に請求項を削除するだけのものであるから、願書に添付された明細書に記載される事項の範囲内でなされるものに他ならず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
II−２−３．上記（ｃ）〜（ｈ）の訂正について
　上記（ｃ）〜（ｈ）の訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする上記（ａ）又は（ｂ）の訂正に伴って、発明の詳細な説明中のそれに対応する記載、又は、図面の簡単な説明中のそれに対応する記載を整合させたものであるから、特許請求の範囲の減縮に伴って生じた明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、当該（ｃ）〜（ｈ）の訂正は、このように、発明の詳細な説明中、又は、図面の簡単な説明中の記載を、特許請求の範囲の上記（ａ）又は（ｂ）の訂正に整合させるだけのものであるから、願書に添付された明細書に記載される事項の範囲内でなされるものに他ならず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　
II−３．訂正の適否の結論
　よって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び、同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．本件発明
　本件特許第３１１９４４０号の訂正後の請求項１及び２に係る発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲に記載される次のとおりのものである。
（以下、訂正後の本件請求項１及び２に係る発明を、それぞれ、必要に応じて、「本件発明１」及び「本件発明２」という）
【請求項１】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）強誘電体薄膜形成用塗布溶液であって、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである、前記強誘電体薄膜形成用塗布溶液。
【請求項２】ジエタノールアミン又はアセチルアセトンを含有する請求項１に記載の強誘電体薄膜形成用塗布溶液。
　
IV．特許異議申立の概要
　特許異議申立人〈植田茂樹〉は、下記の証拠を引用して、
（１）本件請求項１〜５（訂正後の本件請求項１及び２）に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり《理由−１》、
（２）本件請求項１（訂正後の本件請求項１）に係る発明の特許は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してなされたものであり《理由−２》、したがって、これら発明の特許を取り消すべきである旨、主張する。
　なお、同人の特許異議申立書においては、他に、特許法第２９条第１項第３号の取消理由も表示されるが、証拠方法との対応関係も含めその詳細については同申立書中に説明されないものである。そこで、念のために、上記理由−１について検討する箇所で、この取消理由についても触れることとする。
　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平７−２３２９６１号公報（以下、「引用例１」という）
甲第２号証：特開平５−３１９９５８号公報（以下、「引用例２」という）
甲第３号証：「NIKKEI　MATERIALS　＆　TECHNOLOGY」、１９９３年
　　　　　　１２月号、第１３６巻、第８３〜８９頁
　　　　　　（以下、「引用例３」という）
甲第４号証：特開平５−２９８９２０号公報（以下、「引用例４」という）
　
　特許異議申立人〈東京応化工業株式会社〉は、下記の証拠を引用して、
（１）本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、本件請求項１〜５に係る発明は、甲第１、２、及び５〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり《理由−３》、
（２）本件請求項１に係る発明は、甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明と同一であって、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり《理由−４》、したがって、これら発明の特許を取り消すべきである旨、主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平８−４０９６５号公報（以下、「引用例５」という）
甲第２号証：特開平７−２０６７４４号公報（以下、「引用例６」という）
甲第３号証：特願平７−２９０７３２号（特開平８−２４５２６３号）
　　　　　　の願書に最初に添付した明細書又は図面
　　　　　（以下、「先願明細書１」という）
甲第４号証：特願平８−１３０５４号（特開平９−２０８２２５号）
　　　　　　の願書に最初に添付した明細書又は図面
　　　　　（以下、「先願明細書２」という）
甲第５号証：特開平８−９１８４１号公報（以下、「引用例７」という）
甲第６号証：特開平５−２９８９２０号公報（以下、「引用例４」という）
甲第７号証：「強誘電体薄膜メモリ」、株式会社サイエンスフォーラム、
　　　　　　１９９５年６月３０日、第１８１〜１８６頁
　　　　　　（以下、「引用例８」という）
参考資料１（特開平７−３１５８１０号公報）
参考資料２（「新版　溶剤ポケットブック」、株式会社オーム社、平成６年
　　　　　　６月１０日、第５９２頁）
　
V．証拠の記載内容　
　引用例１には、酸化物薄膜の作成方法に関し、以下のことが記載されている。
（Ａ−１）「【請求項２】一般式（Ｂａｘ Ｓｒ１−ｘ ）ＴｉＯ３ （０＜ｘ＜１）で表される酸化物薄膜の作製方法において、
下記一般式（I−Ｂ）で示される溶媒に、
　　ＣＨ３ ＯＲ２´ＯＨ　　　　　　（I−Ｂ）
（式中、Ｒ２´は２価の脂肪族炭化水素基を表す。）下記一般式（II）で示されるバリウムアルコキシド化合物を溶解して加熱反応させ、
　　Ｂａ（ＯＲ３）２ 　　　　　（II）
（式中、Ｒ３は脂肪族炭化水素基を表す。）次いで、下記一般式（III）および（IV）で示される２種の金属アルコキシド化合物を添加して反応させ、
　　Ｔｉ（ＯＲ４）４ 　　　　　（III）
　　Ｓｒ（ＯＲ５）２ 　　　　　（IV）
（式中、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ脂肪族炭化水素基を表す。）得られた混合溶液を基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで熱処理することを特徴とする酸化物薄膜の作製方法。
【請求項３】ＳｒＴｉＯ３で示される酸化物薄膜の作製方法において、下記一般式（I）で示される溶媒に、
　　Ｒ１ＯＲ２ＯＨ　　　　　　（I）
（式中、Ｒ１は脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ２はエーテル結合を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基を表す。）下記一般式（III）および（IV）で示される２種の金属アルコキシド化合物を同時または任意の順序で添加して混合した後、加熱反応させ、
　　Ｔｉ（ＯＲ４）４　　　　　（III）
　　Ｓｒ（ＯＲ５）２　　　　　（IV）
（式中、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ脂肪族炭化水素基を表す。）得られた混合溶液を基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで熱処理することを特徴とする酸化物薄膜の作製方法。」（特許請求の範囲第２及び３項）
（Ａ−２）「本発明は、薄膜キャパシター、圧電体、焦電体等に利用可能な酸化物強誘電体薄膜または酸化物常誘電体薄膜の作製方法に関する。」（段落０００１）
（Ａ−３）「本発明において使用される溶媒は、下記一般式（Ｉ）で示されるものである。
　　Ｒ１ＯＲ２ＯＨ　　　　　　（I）
（式中、Ｒ１は脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ２は、エーテル結合を有してもよい二価の脂肪族炭化水素基を表す。）
　Ｒ１の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、Ｒ２は、エーテル結合を有してもよい二価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数２〜４のアルキレン基、炭素数２〜４のアルキレン基が、エーテル結合によって結合している全炭素数４〜８の二価の基が好ましい。具体的には、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールのモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル等のジエチレングリコールのモノアルキルエーテル類、１，２−プロピレングリコールモノメチルエーテルなどの１，２−プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、１，３−プロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−プロピレングリコールモノエチルエーテル、１，３−プロピレングリコールモノプロピルエーテル等の１，３−プロピレングリコールのモノアルキルエーテル類等があげられるが、これらに限定されるものではない。またこれらは単独でまたは２種以上併用して使用してもよい。この中で、上記一般式（I−Ｂ）で示される溶媒としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、１，３−プロピレングリコールモノメチルエーテル等があげられる。」（段落００１０）
（Ａ−４）「なお、成膜時の熱処理温度が５００〜１２００℃の範囲である場合には、上記のようにして得られた混合溶液は、水または触媒を添加していない状態（すなわち、加水分解していない状態）で基板に塗布し、熱処理するのが好ましい。なぜならば、加水分解していない状態で使用する方が、電気特性、特にリーク電流特性の点でより好ましいからである。」（段落００１４）
（Ａ−５）「実施例１
　Ｂａ（ＯＣ２Ｈ５）２をモレキュラー・シーブで脱水したエチレングリコールモノメチルエーテルに溶解して０．６Ｍ濃度の溶液を得た。この溶液を、攪拌しつつ１２５℃で２時間蒸留し、さらに２２時間還流を行い、Ｂａ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）２を得た。この溶液にＢａとＳｒとＴｉのモル比が０．５：０．５：１となるようにＳｒ（ＯＣ２Ｈ５）２とＴｉ（Ｏ−i−Ｃ３Ｈ７）４を加えて０．６Ｍ濃度の溶液とした。次にこの溶液を、攪拌しつつ１２５℃で２時間蒸留し、さらに２２時間の還流を行い、複合アルコキシド：（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）Ｔｉ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）６を得た。・・・。この溶液は析出物がなく、均一で薄茶色の透明な液体であった。この溶液をＩＴＯ／ＳｉＯ２ガラス基板上にスピンコートし、続いて１０℃／秒の速度にて加熱し、３００℃で２分間および７００℃で１時間保持した。得られたペロブスカイト単相よりなる（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３薄膜の表面は、光学的に平滑で且つ透明であった。」（段落００１５）
　
　引用例２には、複合金属酸化物被膜形成用塗布液に関し、次のことが記載されている。
（Ｂ−１）「（イ）一般式（I）
　　Ｍ１Ａｎ・・・（I）
　（式中、Ｍ１はＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ又はＴａを示し、Ａは−ＯＲ又はハロゲン原子を示す。ここでＲは炭素原子数１〜６の飽和又は不飽和炭化水素である。ｎは２〜５の整数である）で表わされる金属化合物の中から選択される少なくとも１種とβ−ジケトン化合物との反応生成物、該反応生成物の部分加水分解物及び該反応生成物の部分アシル化物の中から選択される少なくとも１種、
（ロ）多価アルコール化合物、
（ハ）一般式（II）、（III）及び（IV）
　　Ｍ２（ＯＣＯＲ）ｍ・・・（II）
　（式中、Ｍ２はＰｂ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｙ又はＬｉを示し、Ｒは炭素原子数１〜６の飽和又は不飽和炭化水素を示す。またｍは１〜４の整数である）で表わされる金属カルボン酸塩化合物、
　　Ｍ２（ＮＯ３）ｍ・・・（III）
　（式中、Ｍ２はＰｂ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｙ又はＬｉを示す。またｍは１〜４の整数である）で表わされる金属硝酸塩化合物、及び
　　Ｍ３（ＮＯ２）ｌ・・・（IV）
　（式中、Ｍ３はＳｒ、Ｂａ又はＬｉを示す。またｌは１〜２の整数である）で表わされる金属亜硝酸塩化合物、の中から選択される少なくとも１種及び
（ニ）アルコール可溶性ポリマーを含有する溶液からなる複合金属酸化物被膜形成用塗布液。」（特許請求の範囲第２項）
（Ｂ−２）「本発明は複合金属酸化物被膜形成用塗布液に関し、特に保存安定性に優れ、かつ厚膜の強誘電体膜を形成する塗布液に関する。」（段落０００１）
（Ｂ−３）「本発明の塗布液は、上記した（イ）、（ロ）及び（ハ）の各成分を含むもの、及び（イ）、（ロ）、（ハ）の各成分に加えて上記（ニ）成分を配合したものであるが、塗布液として塗膜性を良好にするために、各成分を有機溶剤に溶解した形で使用するのが好ましい。このような有機溶剤としては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、・・・、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノフエニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、・・・などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独でも、２種以上混合して用いてもよい。」（段落００１７）
（Ｂ−４）「実施例３
　テトラプロポキシジルコニウム２９．４８ｇ（０．０９モル）とテトラブトキシチタン３．４０ｇ（０．０１モル）を８０℃で３０分間かきまぜながら混合したのち、アセト酢酸エチルエステル２６ｇ（０．１モル）を加え、さらに８０℃で３０分間かきまぜながら反応させたのち、プロピレングリコール１５．２ｇ（０．２モル）を加え、６０℃で３０分間加熱したのち、酢酸鉛３７．９ｇを加え、５０〜７０℃で加熱しながら溶解させることで塗布液を調製した。次いで、塗布液をシリコンウエハ上に、スピンナー法により４０００ｒｐｍで３０秒間塗布し、８０℃で１５分間乾燥したのち、５００℃で４０分間空気中で焼成したところ、約１５００Ａの透明で均一な被膜が形成された。また、前記した塗布液は室温で３カ月静置しても、塗布液中に不純物などの析出は全く認められず、特性の変化も認められなかった。
　実施例４
　実施例３で得られた塗布液１０ｇに２−ヒドロキシプロピルメタクリレートの２０重量％エチレングリコールモノメチルエーテル溶液を１５ｇを加えて得られた塗布液を使用し、実施例３と同様の操作により被膜を形成した結果、約５０００Ａの透明で均一な被膜が形成された。また、この塗布液は室温で３カ月間静置しても、塗布液中に不純物などの析出は全く認められず、特性の変化も認められなかった。」（段落００２６及び００２７）
　
　引用例３には、「半導体各社，レジスト溶剤「ＥＣＡ」を全廃へ　毒性の指摘に対応」と題し、
（Ｃ−１）「半導体メーカー各社は，フォトレジスト用溶剤や露光・現像後にレジストを除去するバックリンス剤（図１）（エチルセロソルブアセテート）の代替作業を急いでいる。」（第８３頁左下欄第１〜６行）
（Ｃ−２）「７０年代に日本で毒性を指摘
　そもそも，ＥＣＡが生物の生殖機能に影響を与えることは７０年代後半に日本で動物実験によって確認されていた。・・・。この代替溶剤がＥＣＡに代表されるエチレングリコール誘導体である。
　塗料ユーザーとしてはエチレングリコール誘導体への代替で揮発性は低く抑えられたものの，新しい溶剤を作業現場に導入するに当たって安全性の評価を労働省の外郭団体である中災防（中央労働災害防止協会）に依頼した。　中災防がマウスを使った経口毒性試験で新しい溶剤を評価したところ，白血球の減少と睾丸（こうがん）の萎縮が確認された。この実験結果が，欧米に伝わりエチレングリコール誘導体の有毒性に関する研究に拍車がかかった。これまでの研究では，ＥＣＡが生体内で分解する際に発生するエトキシ酢酸（図２）などのアルコキシ酢酸が疑わしいとされている。「脊椎（せきつい）では細胞分裂で血液が作られ，睾丸では細胞分裂によって精子が作られる。アルコキシ酢酸の有毒性はまだ照明されていないが，遺伝子との親和性が高いアルコキシ酢酸は，細胞分裂の機能を阻害するとの説がある」（中災防）という。」（第８４頁中欄第９行〜第８５頁左欄第７行）
（Ｃ−３）生殖機能への影響につき、ＥＣＡ（Ｃ２Ｈ５ＯＣＨ２ＣＨ２-Ｏ-ＣＯＣＨ３）が「あり」と表示され、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＣＨ３ＯＣＨ３ＣＨＣＨ３-Ｏ-ＣＯＣＨ３）が「なし」と表示される（第８４頁下段の表１）。
　
　引用例４には、高誘電体薄膜に関し、以下のことが記載されている。
（Ｄ−１）「基板上に成膜してなるＳｒＴｉＯ３、Ｂｉ２０３、ＴｉＯ２の三成分系の組成物薄膜で、その組成範囲がＳｒＴｉＯ３：４５〜９０重量％、Ｂｉ２Ｏ３：５〜３０重量％、ＴｉＯ２：３〜４０重量％であることを特徴とする高誘電体薄膜。」（特許請求の範囲）
（Ｄ−２）「次に、この高誘電体薄膜の形成方法について説明する。
　ゾル−ゲル法を形成方法とする場合には、出発原料としてストロンチウム、ビスマス及びチタンのアルコキシド、有機金属塩もしくは無機塩を用い、これらを所定比率で溶媒に混合し、その過水分解溶液を基板上に塗布した後、焼成して成膜する。アルコキシドを用いるときは、β−ジケトン基を有する化合物か、エタノールアミン類を添加すると、安定なゾル溶液を得ることができる。焼成は、６００〜８００℃で行い、この時、酸素雰囲気で行うとペロブスカイト型構造の酸素欠陥が減少しリーク電流低減の効果がある。」（段落００１０）
（Ｄ−３）実施例１及び２では、安定化剤として、アセチルアセトン及びトリエタノールアミンを添加している（段落００１５及び００１６）
　
　引用例５には、安定なアルコキシド及びこのアルコキシドを用いる金属酸化物の製造方法に関し、以下のことが記載されている。
（Ｅ−１）「【請求項１】金属アルコキシドであって、この金属に配位しているアルコキシル基がエーテル性の酸素を有するオキシアルコキシル基であることを特徴とする、安定な金属アルコキシド。
【請求項２】請求項１記載の金属アルコキシドをオキシアルコールと混合し、金属アルコキシドを加水分解し、次いで焼成することを特徴とする金属酸化物の製造方法。」（特許請求の範囲）
（Ｅ−２）「しかしながら、固相法では各金属酸化物の分布が不均一であり、また反応も均一ではなく、従って得られる強誘電体の組成が不均一となり、その特性を安定させることが困難であった。・・・。
　このような問題を解決するため、金属アルコキシドを用いたゾルゲル法により・・・。
　しかしながら、金属アルコキシドは一般に高価であり、安定性が低い。例えばビスマスイソプロポキシド（Ｂｉ（ｉ−Ｃ３Ｈ７)３)は光、熱の影響により分解しやすくＢｉ２Ｏ３−ｘに変質してしまい、反応中に沈澱を生成しやすい。また、加水分解時の水の局所濃度の増加により沈澱物が生ずる。さらに、このような沈澱の生成により得られる最終生成物の組成変動をまねき、結果として特性、すなわち強誘電性が劣ってしまう。
　本発明は、従来のチタン酸ビスマスの製造方法の有する前記の如き欠点を解消し、安定な金属アルコキシドを提供し、かつこの金属アルコキシドを用いた金属酸化物の製造方法を提供しようとするものである。」（段落０００３〜０００６）
（Ｅ−３）「本発明の金属アルコキシドは、金属の無機化合物及び有機化合物をエーテル性の酸素を有するアルコールと混合し、加熱還流することにより反応させ、製造される。この還流は、用いるアルコールの常圧における沸点よりも２０〜３０℃低い温度において行うことが好ましい。例えば、２−メトキシエトキシエタノールを用いた場合、１７０ ℃程度で還流することが好ましい。金属としては、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｓｒ等を用いることができる。この金属の無機化合物及び有機化合物としては、酸化物、酢酸塩、シュウ酸塩、アルコキシド等を用いることができる。エーテル性の酸素を有するアルコールとは、下式
　　　　　　　Ｒ１ＯＲ２ＯＨ
で表されるアルコールであり、ここでＲ１及びＲ２はアルキルであり、好ましくは炭素数３以下のアルキルである。好ましいエーテル性の酸素を有するアルコールとしては、２−メトキシエタノール(ＣＨ３ＯＣ２Ｈ４ＯＨ)、２−エトキシエタノール(Ｃ２Ｈ５ＯＣ２Ｈ４ＯＨ) 、２−エトキシプロパノール(Ｃ２Ｈ５ＯＣ３Ｈ６ＯＨ) が挙げられる。また、エーテル性の酸素を２つ以上有するものを用いてもよい。
　こうして得られた金属アルコキシドをエーテル性の酸素を有するオキシアルコールと混合し、いわゆるゾルゲル法により加水分解、焼成を行うことにより、安定な金属酸化物が得られる。すなわち、まず金属アルコキシドをオキシアルコールと混合し、金属アルコキシドをオキシアルコールに溶解する。この際にオキシアルコールを加熱して還流してもよい。次いで得られた溶液に水を加え、加水分解を行う。この場合、水を直接加えると水が局所的にリッチとなり、沈澱が生ずることがあり、従って水のオキシアルコール溶液を加えることが好ましい。こうして目的とする金属酸化物の均質溶液が得られる。
　この溶液をＳｉガラス等への基板に塗布し、薄膜化後、焼成することにより、目的とする組成を有する単一結晶相からなる焼成膜が得られる。またこの溶液をそのまま乾燥し、粉末状にした後、圧縮成形し、これを焼成することにより単一結晶相が得られる。
　ここで溶媒として用いられるオキシアルコールは上記のエーテル性の酸素を有するアルコールと同様のものであり、エーテル性の酸素を２個以上有するものであってもよい。
　この方法において、２種以上の金属アルコキシドを用いることにより複合酸化物を得ることもできる。ここで用いる金属アルコキシドは安定であり、反応中に沈澱を生成しないため、各原料を目的とする組成の化学量論比で用いることにより、用いた金属アルコキシドはすべて金属酸化物に転化し、目的の組成の酸化物が得られる。」（段落００１０〜００１４）
（Ｅ−４）「実施例１
　酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３)を濃塩酸に溶解後、２−メトキシエタノール（以下ＭＥＥとする）と混合し、塩酸を減圧分留後、170 ℃で２時間減圧還流し、ビスマスメトキシエトキシエトキシドの溶液１を得た。」（段落００１６の抜粋）
（Ｅ−５）「実施例２
　塩基性酢酸ビスマス（ＢｉＯ（ＣＨ３ＣＯＯ））を濃塩酸に溶解後、ＭＥＥと混合し、酢酸及び塩酸を減圧分留後、１７０℃で２時間減圧還流し、溶液２を得た。」（段落００１７の抜粋）
（Ｅ−６）「実施例３
　酢酸鉛（Ｐｂ（ＣＨ３ＣＯＯ）２)とＭＥＥを混合し、酢酸を減圧分留後、１７０℃で２時間減圧還流し、溶液３を得た。」（段落００１８の抜粋）
（Ｅ−７）「実施例４
　チタンイソプロポキシドとＭＥＥを混合し、プロパノールを減圧分留後、１２０℃において２時間減圧還流し、アルコール交換を行い、チタンメトキシエトキシエトキシドの溶液を得た（溶液４）。溶液１と溶液４をＢｉ：Ｔｉ＝４：３のモル比となるような化学量論比で混合し、１７０ ℃において２時間減圧還流し、次いで１７０℃においてＭＥＥを減圧分留し濃縮した。この溶液に攪拌しながら水のＭＥＥ溶液を加え加水分解を行い、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２生成用均質複成分溶液５（ＭＥＥ溶液）を得た。また、チタンイソプロポキシドをイソプロパノールを溶媒として製造し、溶液Ｄを製造し、これを前記溶液Ａとを混合し、同様にして複成分溶液Ｅ（イソプロパノール溶液）を得た。これらの複成分溶液を２０日間放置後、Ｓｉ基板に塗布し、乾燥後７００℃で１時間、空気中で焼成し、析出相を調べた。目的の析出物であるＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２（ＢＬＳＦの一種）の(００１４)面の回折強度に対するＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２に帰属できない未知相(u.k.)の最強ピークの比を測定し、この結果を図４に示す。」（段落００１９の抜粋）
（Ｅ−８）実施例５〜９では、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５、ＰｂＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５、Ｂｉ２ＷＯ６、ＳｒＴｉＯ３生成用均質溶液をが得られたこと、その製造に供した溶液１、２及び３は、いずれのものも、塩酸、又は、酢酸の存在下に２−メトキシメタノールと処理して得られたこと（段落００２０〜００２４）
　
　引用例６には、グリコールエーテルの製造方法に関し、以下のことが記載されている。
（Ｆ−１）「例えば、酸化プロピレンとメチルアルコールが反応すると、メトキシ（−ＯＣＨ３）基が立体的障害の小さい方に置換された一般式（I）の１−メトキシ−２−プロパノール（１−Methoxy−２−Propanol) とメトキシ基が立体的障害の大きい方に置換された一般式（II) の ２−メトキシープロパノールとの２種の異性質体が生成される。
【化１】
　ＣＨ３−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−ＯＣＨ３　　　　　（I）
　ＣＨ３−ＣＨ（ＯＣＨ３）−ＣＨ２−ＯＨ　　　　　（II）
　前記式のうち、一般式（Ｉ）の化合物は溶剤及び洗浄剤として広く使用され、人体に対する毒性がほとんどない反面、一般式 (II) の化合物は人体に対する毒性が強くて、溶剤及び洗浄剤の用途としてはほとんど使用されない。」旨（段落０００２〜０００４）
　
　引用例７には、強誘電体膜の製造方法に関し、次のことが記載されている。
（Ｇ−１）「複合酸化物強誘電体を構成する金属元素の少なくとも１種のアルコキシドを含有する有機溶液と、複合酸化物強誘電体を構成する他の金属元素のアルコキシド又は塩もしくはその水和物を含有する有機溶液とをそれぞれ調製し、これらの溶液を混合した後、加温下に所定量の水を添加して前駆体溶液を調製し、該前駆体溶液から強誘電体膜を形成させることからなる強誘電体膜の製造方法。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｇ−２）「強誘電体としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、・・・等が挙げられるが、現在、最も有望な不揮発性メモリ用材料としてＰＺＴ及びＢＴＯが精力的に研究されている。」（段落０００３）
（Ｇ−３）「次いで、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２膜を製造するために用いるＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２前駆体溶液を合成した。まず、硝酸ビスマス５水和塩（Ｂｉ（ＮＯ３）３５Ｈ２Ｏ）３．８８ｇ（０．８８モル）を氷酢酸１０ｍｌに溶解した。その後、Ｂｉ：Ｔｉ＝４：３の組成になるように、１モル／リットルのチタンイソプロポキサイド（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４）の２−メトキシエタノール溶液６ｍｌを添加し、１時間室温で攪拌した。
　次いで、この溶液を加熱し、４０℃×３０分間に保ちながらＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２のモル数に対して２当量（２８８μｌ）のＨ２Ｏを添加し、２−メトキシエタノ−ルをさらに添加することにより粘度調製し、前駆体溶液を合成した。なお、ゾル安定化剤としてはジエタノ−ルアミン（ＤＥＡ）を用いた。」（段落００２２の抜粋）
　
　引用例８には、有機金属分解法（ＭＯＤ）によるＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９薄膜と題し、次のことが記載されている。
（Ｈ−１）「著者等は出発原料として，Ｓｒ，ＢｉとＴａの２エチルヘキサン酸塩を用い，溶媒をキシレンとして保存液を作成し，成膜はゾルゲル法とほぼ同様の塗布−乾燥−熱処理を繰り返して行った。」（第１８２頁左下欄第７〜１０行）
　
　先願明細書１には、酸化物薄膜およびその作成方法に関し、以下のことが記載されている。
（Ｊ−１）「一般式：ＡＢＯ３（式中、Ａは周期律表 IＡ族、IIＡ族、IIIＡ族、IVＢ族およびVＢ族から選択される元素、Ｂは周期律表IVＡ族およびVＡ族から選択される元素）で示される酸化物薄膜の作製方法において、元素Ａの金属アルコキシド化合物および元素Ｂの金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液(１) と該有機溶媒溶液に水、または水および触媒を加えた溶液(２) とを、溶液(１) 中の金属アルコキシド化合物の濃度と溶液(２) 中の金属アルコキシド化合物の濃度が、モル比で１：０．０１ないし１：１００の範囲となるように混合した混合溶液を、基板上に塗布することにより薄膜を形成させ、次いで熱処理することを特徴とする酸化物薄膜の作製方法。」（特許請求の範囲第２項）
（Ｊ−２）「有機溶媒が、式：Ｒ１ＯＨまたはＲ２ＯＲ３ＯＨ（式中、Ｒ１およびＲ２は脂肪族炭化水素基を表わし、Ｒ３は、エーテル結合を有してもよい２価の脂肪族炭化水素基を表わす。）で示される化合物であることを特徴とする請求項２または３記載の酸化物薄膜の作製方法。」（特許請求の範囲第８項）
（Ｊ−３）「従来提案されている上記した酸化物の多くは、強誘電体薄膜として利用することができるものであり、その強誘電体薄膜は、強誘電体のもつ強誘電性、圧電性、焦電性、電気光学効果等の多くの優れた性質を有することから、エレクトロニクスの多くの分野で用いられており、また近年では、ＤＲＡＭ（Dynamic RAM ）のメモリセルへの適用が集積化の急速な展開とともに注目されており、その作製方法の改善が求められている。
　本発明は、従来の技術における上記のような実情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、有機金属化合物を用いて基板上に薄膜キャパシター、圧電体、焦電体等に利用可能な、均一で化学的量論性に優れ、リーク電流の小さい酸化物薄膜およびその安定した作製方法を提供することにある。」（段落０００６及び０００７）
（Ｊ−４）「有機溶媒の具体例としては、例えば、・・・、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールのモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル等のジエチレングリコールのモノアルキルエーテル類、１，２−プロピレングリコールモノメチルエーテル等の１，２−プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、１，３−プロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−プロピレングリコールモノエチルエーテル、１，３−プロピレングリコールモノプロピルエーテル等の１，３−プロピレングリコールのモノアルキルエーテル類等があげられるが、これらに限定されるものではない。」（段落００１５の抜粋）
（Ｊ−５）実施例１〜３では、ＳｒＴｉＯ３、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ３、及び、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ３の薄膜を形成している。（段落００２３、００２８〜００３０及び００３３）
　
　先願明細書２には、強誘電体薄膜の形成方法、薄膜形成用塗布液に関し、以下のことが記載されている。
（Ｋ−１）「成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、およびＴａ（タンタル）を含むＢｉ（ビスマス）層状化合物から成る強誘電体薄膜を湿式法により形成するに当たり、塗布液として、Ｓｒ、Ｂｉ、およびＴａそれぞれの金属アルコキシドを含むメトキシプロパノール溶液を用いることを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｋ−２）「成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、およびＴａ（タンタル）を含むＢｉ（ビスマス）層状化合物から成る強誘電体薄膜を湿式法により形成するための塗布液において、　Ｓｒ、Ｂｉ、およびＴａそれぞれの金属アルコキシドを含み、溶媒をメトキシプロパノールとしたことを特徴とする薄膜形成用塗布液。」（特許請求の範囲第４項）
（Ｋ−３）「成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、およびＮｂ（ニオブ）を含むＢｉ（ビスマス）層状化合物から成る強誘電体薄膜を湿式法により形成するための塗布液において、Ｓｒ、Ｂｉ、およびＮｂそれぞれの金属アルコキシドを含み、溶媒をメトキシプロパノールとしたことを特徴とする薄膜形成用塗布液。」（特許請求の範囲第５項）
（Ｋ−４）「成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、およびＴｉ（チタン）を含むＢｉ（ビスマス）層状化合物から成る強誘電体薄膜を湿式法により形成するための塗布液において、Ｓｒ、Ｂｉ、およびＴｉそれぞれの金属アルコキシドを含み、溶媒をメトキシプロパノールとしたことを特徴とする薄膜形成用塗布液。」（特許請求の範囲第６項）
　
VI．特許異議申立に対する当審の判断
VI−１．特許異議申立の前記《理由−１》について
VI−１−１．本件発明１
　甲第１号証には、前記（Ａ−１）及び（Ａ−２）により、（Ｂａｘ Ｓｒ１−ｘ ）ＴｉＯ３ 又はＳｒＴｉＯ３で示される強誘電体酸化物薄膜の作成方法に関し、ＣＨ３ ＯＲ２´ＯＨ又はＲ１ＯＲ２ＯＨからなる溶媒に、Ｂａ（ＯＲ３）２ 、Ｔｉ（ＯＲ４）４及びＳｒ（ＯＲ５）２、又は、Ｔｉ（ＯＲ４）４及びＳｒ（ＯＲ５）２からなる金属アルコキシドを添加して、反応させることにより、上記強誘電体酸化物薄膜形成用塗布液を得ることが記載され、そして、当該溶媒として、エチレングリコールモノメチルエーテルを酸又はアンモニアを添加することなく用いたことが記載され〔前記（Ａ−５）〕、他に、当該溶媒として、「１，２−プロピレングリコールモノメチルエーテルなどの１，２−プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、１，３−プロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−プロピレングリコールモノエチルエーテル、１，３−プロピレングリコールモノプロピルエーテル等の１，３−プロピレングリコールのモノアルキルエーテル類」〔前記（Ａ−３）〕も例示される。
　そこで、本件発明１と引用例１に記載の発明とを対比する。
　両者は、「強誘電体薄膜形成用塗布溶液」に関するものであり、また、当該塗布液は、有機金属化合物を溶媒中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである点で共通する。
　しかし、（１）当該強誘電体薄膜が、本件発明１では、「Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）」からなるものであるのに対し、引用例１のものでは、（Ｂａｘ Ｓｒ１−ｘ ）ＴｉＯ３ 又はＳｒＴｉＯ３のみを対象とし、本件発明１の複合金属酸化物が示されない点《相違点１》、
（２）当該塗布溶液が、本件発明１では、当該有機金属化合物として、「酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む」ものを用い、当該溶媒として、「プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」を用いるのに対し、引用例１では、プロピレングリコールモノメチルエーテル類が利用可能な溶媒として、例示されるものの、有機金属化合物については、金属アルコキシドが示されるだけであって、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを用いるものではなく、したがって、本件発明１の当該特定事項が示されず《相違点２》、これらの点で、両者は相違する。
　したがって、本件発明１は、上記相違点１及び２に係る特定事項を具備する点で、引用例１に記載の発明に対して別異の発明を構成する。
　
　以下、この相違点に係る特定事項が容易に想到できるか否かにつき検討する。
　このうち、相違点２につき検討する。
　本件明細書の段落０００４〜０００７には、溶媒として、「プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」を用いることにより、毒性が低く、生殖機能への影響が少ない強誘電体薄膜形成用塗布溶液が得られたことが実質上記載される。
　また、本件明細書の実施例１〜３の記載と、平成１２年８月３日提出の意見書における実験例の記載とを比較すると、強誘電体薄膜形成用塗布溶液の安定性は、本件発明１の有機金属化合物成分、溶媒成分、及び触媒（酸又はアンモニア）の有無が相互に関与することにより得られるものと解することができる。
　そして、本件明細書の実施例１及び２においてプロピレングリコールモノメチルエーテル中に酢酸鉛三水和物を添加すると、溶液ではなく懸濁液を形成すること、その他、引用例１の段落００１１において複数の有機金属化合物成分を溶媒成分に添加する場合その添加順序によっては沈澱を生ずるとの記載、等に示されるように、当該強誘電体薄膜形成用塗布溶液の分野においては、有機金属化合物成分の溶媒成分への反応性ないしは溶解性は、必ずしも、一様ではないことが解る。
　以上のことからみると、本件発明１は、
強誘電体薄膜形成用塗布溶液において、『酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれか』（以下、必要に応じ、「酢酸鉛三水和物等」という）を含む有機金属化合物を、『酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく』という条件で、『プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート』（以下、必要に応じ、「プロピレングリコールモノメチルエーテル等」という）中に反応させることにより、その余の構成と相俟って、毒性が低く、生殖機能への影響の少ないことはもとより、結晶の析出又はゲル化の生ずるこのとない安定な、強誘電体薄膜形成用塗布溶液が得られたというものである。
　これに対して、引用例１に記載の発明では、有機金属化合物として、金属アルコキシド以外の有機金属化合物の使用については触れられることはなくしたがって、酢酸鉛三水和物等を含むものの利用は教示されず、また、溶媒として、偶々、プロピレングリコールモノメチルエーテル類が示されるものの、それを強誘電体薄膜形成用塗布溶液へ適用してその作用を実際に確認したものでもなく、したがって、酢酸鉛三水和物等に対するプロピレングリコールモノメチルエーテル等の利用が示唆されるものではない。
　してみれば、引用例１に記載の発明から、当該相違点に関する本件発明１の特定事項が容易に導き出せるものではない。
　次に、上記相違点２につき、引用例２〜４の記載を順次みる。
　引用例２では、前記（Ｂ−１）及び（Ｂ−２）より、「Ｍ１Ａｎで表わされる金属化合物とβ−ジケトン化合物との反応生成物、多価アルコール化合物、及び、Ｍ２（ＯＣＯＲ）ｍで表わされる金属カルボン酸塩化合物、Ｍ２（ＮＯ３）ｍで表わされる金属硝酸塩化合物、Ｍ３（ＮＯ２）ｌで表わされる金属亜硝酸塩化合物、の中から選択される少なくとも１種」等から構成される強誘電体である複合金属酸化物の被膜形成用塗布液が記載されており、その具体例として、テトラプロポキシジルコニウム、テトラブトキシチタン、酢酸鉛、プロピレングリコール、等で塗布液を調製すること、また、別途、当該塗布液に、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート２０重量％のエチレングリコールモノメチルエーテルを加える〔前記（Ｂ−４）〕ことが示される。
　してみると、引用例２においては、有機金属化合物として本件発明１の酢酸鉛三水和物等に相当する酢酸鉛が示されるとしても、ここでの溶媒成分である多価アルコール化合物は、プロピレングリコールモノメチルエーテル等には該当しない。
　なお、引用例２では、前記（Ｂ−３）により、補助的な溶媒成分として例示される多数の有機溶剤の中に、偶々、プロピレングリコールモノメチルエーテルも示されるが、ここでも、当該プロピレングリコールモノメチルエーテルの強誘電体薄膜形成用塗布溶液への適用性が実際に確認されるものではない。そのうえ、当該プロピレングリコールモノメチルエーテルは、「各成分を有機溶剤に溶解した形で使用するのが好ましい。このような有機溶剤としては・・」〔前記（Ｂ−３）〕と記載されるように、上記エチレングリコールモノメチルエーテルと同様、単に、各成分を溶解する役割を担うだけで、有機金属化合物との反応に関与しないものである。
　したがって、引用例２に記載の発明から、酢酸鉛三水和物等に対するプロピレングリコールモノメチルエーテル等の利用が教示されるものではない。
　引用例３には、強誘電体薄膜形成用塗布溶液につき説明する記載はなく、また、そこでは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの溶剤が生殖機能への影響がないことが示されるだけである。
　引用例４には、前記（Ｄ−１）により、ＳｒＴｉＯ３、Ｂｉ２０３、ＴｉＯ２の三成分系の高誘電体薄膜が示されるだけであり、酢酸鉛三水和物等及びプロピレングリコールモノメチルエーテル等については、教示されるものがない。
　以上のとおり、引用例２〜４には、毒性が低く、生殖機能への影響の少ないことはもとより、結晶の析出又はゲル化の生ずるこのとない安定な、強誘電体薄膜形成用塗布溶液を得るうえで必要な特定事項である、「酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく」という条件の下で、「酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛」を含む有機金属化合物を、「プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」中に反応させるということが教示されず、引用例１に記載の発明に引用例２〜４に記載のものを併せてみても、そこから、当該相違点２に関する本件発明１の特定事項が容易に導き出すことができない。
　したがって、上記相違点１については判断するまでもなく、本件発明１は、引用例１に記載されたものであるということができないばかりでなく、引用例１〜４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができない。
VI−１−２．本件発明２
　本件発明２は、本件発明１に対して、ジエタノールアミン又はアセチルアセトンを含有する特定事項を更に付加するものであって、本件発明１の特定事項を全て具備するものである。
　したがって、上記VI−１−１．で説示した理由と同じ理由により、本件発明２は、引用例１に記載されたものであるということができないばかりでなく、引用例１〜４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができない。
　
VI−２．特許異議申立の前記《理由−２》について
　ここでの特許異議申立人の主張は、本件明細書につき、平成１２年８月３日の手続補正により、「酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく」との特定事項を付加することは、願書に最初に添付された本件明細書又は図面の記載に基づかないというものである。
　しかし、当該補正は、特許法第２９条第１項第３号の規定に係る平成１２年５月２５日付け拒絶理由に接して、先行技術として引用された刊行物に記載された事項のみを請求項１から除外したものであり、この点、権利者もその特許異議意見書において同趣旨の主張をするものである。
　そして、このような場合の先行技術の除外については、願書に最初に添付された明細書又は図面に記載した事項から一義的に導き出せない場合であっても、それは、新規事項の追加には該当しないものである。
　したがって、この場合の特許異議申立人の主張は当を得ない。
　
VI−３．特許異議申立の前記《理由−３》について
VI−３−１．本件発明１
　引用例５には、前記（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）及び（Ｅ−６）により、酢酸鉛を含む金属の無機化合物及び有機化合物をエーテル性の酸素を有するアルコール（Ｒ１ＯＲ２ＯＨ：Ｒ１及びＲ２は炭素数３以下のアルキル）と混合、反応させて金属アルコキシドを得て、次いで、金属アルコキシドをオキシアルコール（Ｒ１ＯＲ２ＯＨ：Ｒ１及びＲ２は炭素数３以下のアルキル）と混合して、金属酸化物強誘電体薄膜の塗布液を得ることが記載されており、
　そして、該Ｒ１ＯＲ２ＯＨとして、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−エトキシプロパノールが挙げられており、また、そこでの具体例では、前記（Ｅ−４）〜（Ｅ−８）により、塩酸又は酢酸の存在下にＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５、ＰｂＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５、Ｂｉ２ＷＯ６、及びＳｒＴｉＯ３生成用均質溶液を調製したことが示される。
　そこで、本件発明１と引用例５に記載にものとを対比すると、両者は、「強誘電体薄膜形成用塗布溶液」に関するものであり、また、当該塗布液は、有機金属化合物を溶媒中で、反応させて得られたものである点で共通する。
　しかし、（イ）当該強誘電体薄膜が、本件発明１では、「Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）」からなるものであるのに対し、引用例５のものでは、ＰｂＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５等が示されるだけで、本件発明１の複合金属酸化物が示されない点《相違点イ》、
（ロ）当該塗布溶液が、本件発明１では、「酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく」という条件で、当該有機金属化合物として、「酢酸鉛三水和物等を用い、当該溶媒として、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を用いるのに対し、引用例５では、有機金属化合物として酢酸鉛を用いるものであるものの、酸である塩酸又は酢酸を用いるものであり、更には、溶媒として、エーテル性の酸素を有するアルコール及びオキシアルコールのいずれのものも、Ｒ１ＯＲ２ＯＨが表示されるだけで、プロピレングリコールモノメチルエーテル等が具体的に示されず、したがって、本件発明１の当該特定事項が示されず《相違点ロ》、これらの点で、両者は相違する。
（なお、異議申立人は、参考資料１を引用するが、そこで示されているＲ１ＯＲ２ＯＨではプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むとしても、参考資料１に記載される発明と異なる目的で且つ異なる条件で用いられる引用例５に記載のものが、同様に、そのＲ１ＯＲ２ＯＨにおいてプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むと解することなどできるものではない。）
　したがって、本件発明１は、上記相違点イ及びロに係る特定事項を具備する点で、引用例５に記載の発明に対して別異の発明を構成する。
　
　以下、これらの相違点に係る特定事項が容易に想到できるか否かにつき検討する。
　このうち、相違点ロにつき検討する。
　前記VI−１−１．で説示したとおり、本件発明１は、強誘電体薄膜形成用塗布溶液において、『酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれか』（前記したとおり、必要に応じ、「酢酸鉛三水和物等」という）を含む有機金属化合物を、『酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく』という条件で、『プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート』（前記したとおり、必要に応じ、「プロピレングリコールモノメチルエーテル等」という）中に反応させることにより、その余の構成と相俟って、毒性が低く、生殖機能への影響の少ないことはもとより、結晶の析出又はゲル化の生ずるこのとない安定な、強誘電体薄膜形成用塗布溶液が得られたというものである。
　これに対して、引用例５に記載の発明では、有機金属化合物として酢酸鉛三水和物等に相当する酢酸鉛を用いるものであるが、そこでは、酸を用いており、また、強誘電体薄膜形成用塗布溶液の溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル等が具体的に示されず、当然のこととして、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の強誘電体薄膜形成用塗布溶液への適用性を実際に確認したものでもなく、したがって、酸及びアンモニアのいずれをも添加しない条件下で、酢酸鉛三水和物等に対するプロピレングリコールモノメチルエーテル等の利用が示唆されるものではない。
　してみれば、引用例５に記載の発明から、当該相違点に関する本件発明１の特定事項が容易に導き出せるものではない。
　次に、上記相違点ロにつき、引用例６〜８の記載を順次みる。
　引用例６では、１−メトキシ−２−プロパノール（プロピレングリコールモノメチルエーテルに相当) は、溶剤及び洗浄剤として広く使用され、人体に対する毒性がほとんどないことが記載されるものの、強誘電体薄膜形成用塗布溶液において、酸及びアンモニアのいずれをも添加しない条件下で、酢酸鉛三水和物等に対する当該１−メトキシ−２−プロパノール溶媒の利用性につき、教示するものではない。
　引用例７では、強誘電体として、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）が現在、最も有望な不揮発性メモリ用材料として精力的に研究されていること、ゾル安定化剤として、ジエタノールアミンを用いることが記載され、引用例８では、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９薄膜の製造に供しうる、Ｓｒ，ＢｉとＴａの２エチルヘキサン酸塩とキシレンからなる強誘電体薄膜形成用塗布溶液が示されるだけで、ここでも、上記相違点につき教示するものはない。
　以上のとおり、引用例６〜８には、毒性が低く、生殖機能への影響の少ないことはもとより、結晶の析出又はゲル化の生ずるこのとない安定な、強誘電体薄膜形成用塗布溶液を得るうえで必要な、「酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく」という条件の下での「酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛」を含む有機金属化合物と、「プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」との関係が教示されず、引用例５に記載の発明に引用例６〜８に記載のものを併せてみても、そこから、当該相違点ロに関する本件発明１の特定事項が容易に導き出すことができない。
　したがって、上記相違点イについては判断するまでもなく、本件発明１は、引用例５に記載されたものであるということができないばかりでなく、引用例５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができない。
VI−３−２．本件発明２
　本件発明２は、本件発明１に対して、ジエタノールアミン又はアセチルアセトンを含有する特定事項を更に付加するものであって、本件発明１の特定事項を全て具備するものである。
　したがって、上記VI−３−１．で説示した理由と同じ理由により、本件発明２は、引用例５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができない。
　
VI−４．特許異議申立の前記《理由−４》について
VI−４−１．本件発明１
　先願明細書１には、前記（Ｊ−１）及び（Ｊ−３）により、ＡＢＯ３（式中、Ａは周期律表 IＡ族、IIＡ族、IIIＡ族、IVＢ族およびVＢ族から選択される元素、Ｂは周期律表IVＡ族およびVＡ族から選択される元素）で示される強誘電体酸化物薄膜の作製方法において、基板上に塗布するための溶液として、「元素Ａの金属アルコキシド化合物および元素Ｂの金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液(１) と該有機溶媒溶液に水を加えた溶液(２) とを、溶液(１) 中の金属アルコキシド化合物の濃度と溶液(２) 中の金属アルコキシド化合物の濃度が、モル比で１：０．０１ないし１：１００の範囲となるように混合した混合溶液」を調製することが記載されている。そして、前記（Ｊ−２）及び（Ｊ−４）により、該有機溶媒として、多くの溶媒と共に、１，２−プロピレングリコールモノメチルエーテル等のプロピレングリコールモノメチルエーテル類が例示され、また、そこでの発明の具体例として、前記（Ｊ−５）により、上記混合溶液から、ＳｒＴｉＯ３、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ３、及び、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ３の薄膜を製造したことが記載される。
　そこで、本件発明１と先願明細書１に記載の発明とを対比する。
　両者は、「強誘電体薄膜形成用塗布溶液」に関するものであり、また、当該塗布液は、有機金属化合物を溶媒中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである点で共通する。
　しかし、（１）当該強誘電体薄膜が、本件発明１では、「Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）」からなるものであるのに対し、引用例１のものでは、具体的には、ＳｒＴｉＯ３、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ３、及び、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ３を製造するためのものであり、本件発明１の複合金属酸化物が示されず、
（２）当該塗布溶液が、本件発明１では、当該有機金属化合物として、「酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む」ものを用い、当該溶媒として、「プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」を用いるのに対し、引用例では、プロピレングリコールのモノアルキルエーテル類が利用可能な溶媒として、偶々、例示されるものの、有機金属化合物としては金属アルコキシドが示されるだけであり、したがって、本件発明１の当該特定事項が示されず、これらの点で、両者は相違する。
　そして、これらの相違する本件発明１の特定事項が、先願明細書１に記載の発明から自明なこととして導き出せるものではない。
　したがって、本件発明１は、上記相違点に係る特定事項を具備する点で、先願明細書１に記載の発明に対して別異の発明を構成し、本件発明１は、先願明細書１に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
　先願明細書２には、前記（Ｋ−１）〜（Ｋ−４）により、成分元素として、（イ）Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、及びＴａ（タンタル）、（ロ）Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、及びＮｂ（ニオブ）、そして、（ハ）Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、及びＴｉ（チタン）、を含むＢｉ（ビスマス）層状化合物からなる強誘電体薄膜を湿式法により形成するための塗布液において、当該塗布液が、上記各成分元素の金属アルコキシドを含み、また、溶媒としてメトキシプロパノールを含むことが記載されている。そして、先願明細書２には、触媒として、酸又はアンモニアを添加することが記載されず、また、当該強誘電体は複合酸化物からなることは明らかなことである。
　そこで、本件発明１と先願明細書２に記載の発明とを対比する。
　両者は、「複合金属酸化物強誘電体薄膜形成用塗布溶液であって、有機金属化合物とプロピレングリコールモノメチルエーテルとを含有し、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、得られた前記強誘電体薄膜形成用塗布溶液」である点で共通する。
　しかし、（１）当該複合金属酸化物につき、本件発明１は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉからなるＰＺＴであるのに対し、先願明細書２に記載のものは、（イ）Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、及びＴａ（タンタル）、（ロ）Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、及びＮｂ（ニオブ）、そして、（ハ）Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂｉ（ビスマス）、及びＴｉ（チタン）からなるものが示されるだけで、本件発明１の複合金属酸化物が示されず、
（２）当該有機金属化合物につき、本件発明１は、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含むものであるのに対し、先願明細書２に記載のものは、各種金属アルコキシドを含有するだけで、鉛化合物を含有せず、更には、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含むものではなく、当該特定事項を具備するものではなく、これらの点で、両者は相違する。
　そして、これらの相違する本件発明１の特定事項が、先願明細書２に記載の発明から自明なこととして導き出せるものではない。
　したがって、本件発明１は、上記相違点に係る特定事項を具備する点で、先願明細書２に記載の発明に対して別異の発明を構成し、本件発明１は、先願明細書２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
VII.　まとめ
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、訂正後の本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月２９日（２００２．１０．２９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３１１９４４０号の明細書につき、訂正請求書に添付された訂正明細書に記載される、次の（ａ）〜（ｈ）のとおり訂正する。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１における、
「【請求項１】プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと有機金属化合物とを含有し、かつ酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく得られることを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布溶液。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）強誘電体薄膜形成用塗布溶液であって、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである、前記強誘電体薄膜形成用塗布溶液。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項３〜５を削除する。
（ｃ）明細書の発明の詳細な説明の段落０００６における、
「すなわち、本発明は、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと有機金属化合物とを含有し、かつ酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく得られることを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布溶液を提供するものである。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「すなわち、本発明は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）強誘電体薄膜形成用塗布溶液であって、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである、前記強誘電体薄膜形成用塗布溶液を提供するものである。」と訂正する。
（ｄ）明細書の発明の詳細な説明の段落００１８、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例４」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「参考例１」と訂正する。
（ｅ）明細書の発明の詳細な説明の段落００２０、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例５」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「参考例２」と訂正する。
（ｆ）明細書の発明の詳細な説明の段落００２２、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例６」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「参考例３」と訂正する。
（ｇ）明細書の発明の詳細な説明の段落００２４、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例７」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「参考例４」と訂正する。
（ｈ）明細書の発明の詳細な説明の段落００２６、及び、明細書の図面の簡単な説明における、
「実施例８」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「参考例５」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
強誘電体薄膜形成用塗布溶液
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）強誘電体薄膜形成用塗布溶液であって、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである、前記強誘電体薄膜形成用塗布溶液。
　【請求項２】　ジエタノールアミン又はアセチルアセトンを含有する請求項１に記載の強誘電体薄膜形成用塗布溶液。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、基板上に強誘電体薄膜を形成するための塗布溶液に関する。さらに詳しく言えば、本発明は、ガラス、サファイア、チタン、白金等の基板上に強誘電体薄膜を形成するための安全性の高い強誘電体薄膜形成用塗布溶液に関する。
　【０００２】
　【背景技術】
　Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉの複合金属酸化物であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、Ｂｉ，Ｔｉの複合金属酸化物であるチタン酸ビスマス（ＢＩＴ）あるいはＳｒ，Ｂｉ，Ｔａの複合金属酸化物であるＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）などの複合金属酸化物は、高誘電性、強誘電性、圧電性、焦電性などの性質を有することから、その薄膜はＤＲＡＭやＦＲＡＭなどの半導体メモリ、コンデンサー、センサー、アクチュエーターなどに利用されている。
　【０００３】
　強誘電体薄膜の形成には強誘電体の成分となる金属アルコキシドなどの有機金属化合物と有機溶剤とから調製される溶液が用いられている。この溶液の有機溶剤としては、アルコール類、エチレングリコール誘導体、キシレン、トルエンなどを使用することができるが、従来、エチレングリコール誘導体がよいとされ、特にエチレングリコールモノメチルエーテルが最も広く使用されてきている（例えば特開平５−３１９９５８号公報、特開平７−９０５９４号公報など参照）。
　【０００４】
　しかしながら、最近、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエチレングリコール誘導体の有害性が問題となっている。
　エチレングリコール誘導体の生殖機能への影響が発表されて以来、その安全性についての詳細な検討が行われ、各国で法的規制の検討がなされている。ＳＥＭＩテクノロジーシンポジウム９３講演予稿集Ｐ．１４５〜１５２、ＮＩＫＫＥＩ　ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ　１９９３年８月号Ｐ．１２８〜１２９およびＮＩＫＫＥＩ　ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ　＆　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ　１９９３年１２月号　Ｐ．８３〜８９などによると１９８４年に米国環境保護局（ＥＰＡ）が法的規制の意向を発表し、１９９１年には国立職業安全衛生研究所（ＮＩＯＳＨ）が発育、生殖および血液毒性を考慮した規制値の推奨を行ったと報告している。その後、１９９３年に職業安全保険局（ＯＳＨＡ）がＮＩＯＳＨの提案を基に非常に厳しい規制値の提案を発表して公聴会が開かれ、最終規制作成作業が進められている。この間、スウェーデンでは１９９２年１月からエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートの使用が、また、米国カリフォルニア州では１９９７年１月からエチレングリコールモノメチルエーテルおよびジエチレングリコールジメチルエーテルの使用が禁止される予定である。このような各国の動向を受けて、日本国内においても電子工業界を中心にエチレングリコール誘導体の使用を規制する動きが出てきている。従って、エチレングリコール誘導体を使用しない強誘電体薄膜形成用塗布溶液の開発が強く望まれている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、エチレングリコール誘導体に代わる毒性が低く、かつ生殖機能への影響が小さい有機溶剤を使用した強誘電体薄膜形成用塗布溶液を提供することを目的としてなされたものである。
　【０００６】
　【発明の開示】
　本発明者らは毒性が低く、かつ生殖機能への影響が小さい有機溶剤を使用した強誘電体薄膜形成用塗布溶液を開発するために鋭意研究を重ねた結果、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いることにより安全性の高い新規な強誘電体薄膜形成用塗布溶液を開発することに成功した。
　すなわち、本発明は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの複合金属酸化物（ＰＺＴ）強誘電体薄膜形成用塗布溶液であって、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛および２−エチルヘキサン酸鉛のいずれかを含む有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび／またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で、酸及びアンモニアのいずれをも添加することなく、反応させて得られたものである、前記強誘電体薄膜形成用塗布溶液を提供するものである。
　【０００７】
　以下、本発明を詳細に説明する。
　本発明に係る塗布溶液に使用されるプロピレングリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートは、エチレングリコール誘導体との毒性比較試験（曝露、急性毒性、物質代謝）において、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートは曝露試験および急性毒性がエチレングリコール誘導体よりも非常に低く、また、物質代謝試験でも毒性がほとんど無いことが確認されている（（株）クラレパンフレット参照）。このように本発明に使用されるプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートは毒性が低く、かつ生殖機能への影響の小さい安全な有機溶剤である。
　【０００８】
　次に、本発明に使用される有機金属化合物をＰＺＴ、ＢＩＴ、ＳＢＴを例にとって示す。鉛化合物としては、鉛ジメトキシド、鉛ジエトキシド、鉛ジブトキシドなどの鉛アルコキシドおよび酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛、２−エチルヘキサン酸鉛、ｎ−オクタン酸鉛、ナフテン酸鉛などがあげられる。好ましくは、酢酸鉛三水和物、無水酢酸鉛、２−エチルヘキサン酸鉛である。ジルコニウム化合物としては、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラエトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、ジルコニウムテトラブトキシドなどのジルコニウムアルコキシドおよびｎ−オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウムなとがあげられる。好ましくは、ジルコニウムテトラプロポキシド、ジルコニウムテトラブトキシドである。チタン化合物としては、チタニウムテトラメトキシド、チタニウムテトラエトキシド、チタニウムテトラプロポキシド、チタニウムテトラブトキシドなどがあげられる。好ましくは、チタニウムテトラプロポキシド、チタニウムテトラブトキシドである。ビスマス化合物としては、ビスマストリメトキシド、ビスマストリエトキシド、ビスマストリプロポキシド、ビスマストリブトキシドなどのビスマスアルコキシドおよび２−エチルヘキサン酸ビスマス、ｎ−オクタン酸ビスマス、ナフテン酸ビスマスなどがあげられる。好ましくは、２−エチルヘキサン酸ビスマスである。ストロンチウム化合物としては、ストロンチウムジメトキシド、ストロンチウムジエトキシド、ストロンチウムジプロポキシド、ストロンチウムジブトキシドなどのストロンチウムアルコキシドおよび２−エチルヘキサン酸ストロンチウム、ｎ−オクタン酸ストロンチウム、ナフテン酸ストロンチウムなどがあげられる。好ましくは、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムである。タンタル化合物としては、タンタルペンタメトキシド、タンタルペンタエトキシド、タンタルペンタプロポキシド、タンタルペンタブトキシドなどのタンタルアルコキシドおよび２−エチルヘキサン酸タンタルなどがあげられる。好ましくは、タンタルペンタエトキシド、２−エチルヘキサン酸タンタルである。
　【０００９】
　これらの有機金属化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび、またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で反応させて、強誘電体薄膜形成用溶液を調製する。この溶液をそのまま使用することもできるが、一般にはモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、アセチルアセトンなどの安定剤を添加したり、必要に応じて加水分解して塗布溶液とする。
　【００１０】
　本発明の塗布溶液は、ガラス、サファイア、チタン、白金などの基板上に塗布され、乾燥、中間焼成、本焼成することで均一性に優れた強誘電体薄膜を形成することができる。この場合の塗布方法としてはスピンコート法やディップ法などが使用できる。また、乾燥、中間焼成、本焼成の加熱方法としてはホットプレート加熱、オーブンや拡散炉による熱風加熱、赤外線加熱、急速加熱（ＲＴＡ法）などをあげることができる。乾燥時の加熱温度は１００℃以上、好ましくは１２０℃以上である。中間焼成、本焼成時の加熱温度は、それぞれ３００〜５５０℃、５５０〜９００℃であるが、強誘電体の種類により最適な加熱温度が異なるので適宜選択する必要がある。
　【００１１】
　【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
　【００１２】
実施例１
　プロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇ中に酢酸鉛三水和物０．０５５ｍｏｌを添加して加熱還流溶解させた後、脱水濃縮し、室温まで冷却して懸濁液（Ａ）を調製した。一方、ジルコニウムテトラ−ｎ−プロポキシド０．０２６０ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテル１１５ｇ中に添加して加熱還流溶解させた後、脱水濃縮し、室温まで冷却して溶液（Ｂ）を調製した。さらに、チタニウムテトライソプロポキシド０．０２４ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテル６０ｇ中に添加して加熱還流溶解させた後、脱水濃縮し、室温まで冷却して溶液（Ｃ）を調製した。その後、溶液（Ｂ）と溶液（Ｃ）液を混合して１時間撹拌後、懸濁液（Ａ）中へ添加して２時間還流反応させた。反応後、０．６ｍｏｌ／ｌまで濃縮し室温まで冷却し、ジエタノールアミン０．０５ｍｏｌを添加して、さらに１時間還流反応させて室温まで冷却した。その後、水２．５ｇ＋プロピレングリコールモノメチルエーテル９．０ｇを添加して室温２時間、部分加水分解反応を行った後、０．４５μｍフィルターで濾過してＰＺＴ薄膜形成用塗布溶液を調製した。
　【００１３】
　次いで、塗布溶液をＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上にスピンコートし、クリー　ンオーブン中で１５０℃，３０分間乾燥後、拡散炉中で３５０℃，６０分間中間焼成した。その後、再びスピンコート、乾燥、中間焼成した後、拡散炉中で酸素雰囲気下、６５０℃，６０分間本焼成を行って１５２０ÅのＰＺＴ薄膜を形成した。この薄膜をＸ線回折分析したところ、図１に示すＸ線回折パターンが得られ、強誘電体特有のペロブスカイト構造の膜であることが確認された。
　【００１４】
実施例２
　プロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇ中に酢酸鉛三水和物０．０５５ｍｏｌを添加して加熱還流溶解させた後、脱水濃縮し、室温まで冷却して懸濁液（Ａ）を調製した。一方、ジルコニウムテトラ−ｎ−プロポキシド０．０２６０ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテル１１５ｇ中に添加して加熱還流溶解させた後、脱水濃縮し、室温まで冷却して溶液（Ｂ）を調製した。さらに、チタニウムテトライソプロポキシド０．０２４ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテル６０ｇ中に添加して加熱還流溶解させた後、脱水濃縮し、室温まで冷却して溶液（Ｃ）を調製した。その後、溶液（Ｂ）と溶液（Ｃ）液を混合して１時間撹拌後、懸濁液（Ａ）中へ添加して２時間還流反応させた。反応後、０．６ｍｏｌ／ｌまで濃縮し室温まで冷却し、アセチルアセトン０．０５ｍｏｌを添加して、さらに１時間還流反応させて室温まで冷却した。その後、水２．５ｇ＋プロピレングリコールモノメチルエーテル９．０ｇを添加して室温２時間、部分加水分解反応を行った後、０．４５μｍフィルターで濾過してＰＺＴ薄膜形成用塗布溶液を調製した。
　【００１５】
　次いで、塗布溶液をＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上にスピンコートし、クリーンオーブン中で１５０℃，３０分間乾燥後、拡散炉中で４５０℃，６０分間中間焼成した。その後、再びスピンコート、乾燥、中間焼成した後、拡散炉中で酸素雰囲気下、６５０℃，６０分間本焼成を行って１５２０ÅのＰＺＴ薄膜を形成した。この薄膜をＸ線回折分析したところ、図２に示すＸ線回折パターンが得られ、強誘電体特有のペロブスカイト構造の膜であることが確認された。
　【００１６】
実施例３
　２−エチルヘキサン酸鉛０．０５５ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５０ｇ中に添加して加熱還流溶解させた後、濃縮し、室温まで冷却して溶液（Ａ）を調製した。一方、ジルコニウムテトラ−ｎ−プロポキシド０．０２６０ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１１５ｇ中に添加して加熱還流溶解させた後、濃縮し、室温まで冷却して溶液　（Ｂ）を調製した。さらに、チタニウムテトライソプロポキシド０．０２４ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６０ｇ中に添加して加熱還流させた後、濃縮し、室温まで冷却して溶液（Ｃ）を調製した。その後、溶液（Ｂ）と溶液（Ｃ）を混合して１時間撹拌後、懸濁液（Ａ）中へ添加して２時間還流反応させた。反応後、０．６ｍｏｌ／ｌまで濃縮し室温まで冷却し、ジエタノールアミン０．０５ｍｏｌを添加して、さらに１時間還流反応させて室温まで冷却し、０．４５μｍフィルターで濾過してＰＺＴ薄膜形成用塗布溶液を調製した。
　【００１７】
　次いで、塗布溶液をＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上にスピンコートし、クリーンオーブン中で１５０℃，３０分間乾燥後、拡散炉中で４５０℃，６０分間中間焼成した。その後、再びスピンコート、乾燥、中間焼成した後、拡散炉中で酸素雰囲気下、７５０℃，６０分間本焼成を行って１３００ÅのＰＺＴ薄膜を形成した。この薄膜をＸ線回折分析したところ、図３に示すＸ線回折パターンが得られ、強誘電体特有のペロブスカイト構造の膜であることが確認された。
　【００１８】
参考例１
　２−エチルヘキサン酸ビスマス０．０３２３ｍｏｌとチタニウムテトライソプロポキシド０．０２０２ｍｏｌおよびジエタノールアミン０．００５２ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇ中に添加して２時間加熱還流溶解させた後、０．１ｍｏｌ／ｌまで濃縮し、室温まで冷却した。その後、水０．６ｇ＋プロピレングリコールモノメチルエーテル５．７ｇの水溶液を添加して室温２時間部分加水分解を行った後、０．４５μｍフィルターで濾過してＢＩＴ薄膜形成用塗布溶液を調製した。
　【００１９】
　次いで、塗布溶液をＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上にスピンコートし、クリーンオーブン中で１５０℃，３０分間乾燥後、拡散炉中で４５０℃，６０分間中間焼成した。その後、再びスピンコート、乾燥、中間焼成した後、拡散炉中で酸素雰囲気下、９００℃，６０分間本焼成を行って１３６０ÅのＢＩＴ薄膜を形成した。この薄膜をＸ線回折分析したところ、図４に示すＸ線回折パターンが得られ、強誘電体特有のビスマス層状ペロブスカイト構造の膜であることが確認された。
　【００２０】
参考例２
　２−エチルヘキサン酸ビスマス０．０３２３ｍｏｌとチタニウムテトライソプロポキシド０．０２０２ｍｏｌおよびジエタノールアミン０．００５２ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５０ｇ中に添加して４時間加熱還流溶解させた後、０．１ｍｏｌ／ｌまで濃縮して室温まで冷却し、０．４５μｍフィルターで濾過してＢＩＴ薄膜形成用塗布溶液を調製した。
　【００２１】
　次いで、塗布溶液をＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上にスピンコートし、クリーンオーブン中で１５０℃，３０分間乾燥後、拡散炉中で４５０℃，６０分間中間焼成した。その後、再びスピンコート、乾燥、中間焼成した後、拡散炉中で酸素雰囲気下、９００℃，６０分間本焼成を行って８６０ÅのＢＩＴ薄膜を形成した。この薄膜をＸ線回折分析したところ、図５に示すＸ線回折パターンが得られ、強誘電体特有のビスマス層状ペロブスカイト構造の膜であることが確認された。
　【００２２】
参考例３
　２−エチルヘキサン酸ビスマス０．０２００ｍｏｌと２−エチルヘキサン酸ストロンチウム０．０１００ｍｏｌおよびタンタルペンタエトキシド０．０２００ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテル中に添加して加熱還流後、０．１ｍｏｌ／ｌまで濃縮し、室温まで冷却した。その後、ジエタノールアミン０．００５０ｍｏｌを添加して３０分間撹拌加熱還流反応させて室温まで冷却し、水０．６ｇ＋プロピレングリコールモノメチルエーテル５．７ｇの水溶液を添加して室温２時間部分加水分解を行った後、０．４５μｍフィルターで濾過してＳＢＴ薄膜形成用塗布溶液を調製した。
　【００２３】
　次いで、塗布溶液をＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上にスピンコートし、クリーンオーブン中で１５０℃，３０分間乾燥後、拡散炉中で３５０℃，６０分間中間焼成した。その後、再びスピンコート、乾燥、中間焼成した後、拡散炉中で酸素雰囲気下、８００℃，６０分間本焼成を行って１５６０ÅのＳＢＴ薄膜を形成した。この薄膜をＸ線回折分析したところ、図６に示すＸ線回折パターンが得られ、強誘電体特有のビスマス層状ペロブスカイト構造の膜であることが確認された。
　【００２４】
参考例４
　２−エチルヘキサン酸ビスマス０．０２００ｍｏｌと２−エチルヘキサン酸ストロンチウム０．０１００ｍｏｌおよびタンタルペンタエトキシド０．０２００ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中に添加して加熱還流後、０．１ｍｏｌ／ｌまで濃縮し、室温まで冷却した。その後、ジエタノールアミン０．００５０ｍｏｌを添加して３０分間撹拌加熱還流反応させて室温まで冷却した後、０．４５μｍフィルターで濾過してＳＢＴ薄膜形成用塗布溶液を調製した。
　【００２５】
　次いで、塗布溶液をＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上にスピンコートし、クリーンオーブン中で１５０℃，３０分間乾燥後、拡散炉中で３５０℃，６０分間中間焼成した。その後、再びスピンコート、乾燥、中間焼成した後、拡散炉中で酸素雰囲気下、８００℃，６０分間本焼成を行って１０２０ÅのＳＢＴ薄膜を形成した。この薄膜をＸ線回折分析したところ、図７に示すＸ線回折パターンが得られ、強誘電体特有のビスマス層状ペロブスカイト構造の膜であることが確認された。
　【００２６】
参考例５
　２−エチルヘキサン酸ビスマス０．０２００ｍｏｌと２−エチルヘキサン酸ストロンチウム０．０１００ｍｏｌおよびタンタルペンタエトキシド０．０２００ｍｏｌをプロピレングリコールモノメチルエーテル中に添加して加熱還流後、０．１ｍｏｌ／ｌまで濃縮し、室温まで冷却した。その後、アセチルアセトン０．００５０ｍｏｌを添加して３０分間撹拌加熱還流反応させて室温まで冷却した後、０．４５μｍフィルターで濾過してＳＢＴ薄膜形成用塗布溶液を調製した。
　【００２７】
　次いで、塗布溶液をＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上にスピンコートし、クリーンオーブン中で１５０℃，３０分間乾燥後、拡散炉中で３５０℃，６０分間中間焼成した。その後、再びスピンコート、乾燥、中間焼成した後、拡散炉中で酸素雰囲気下、８００℃，６０分間本焼成を行って８６０ÅのＳＢＴ薄膜を形成した。この薄膜をＸ線回折分析したところ、図８に示すＸ線回折パターンが得られ、強誘電体特有のビスマス層状ペロブスカイト構造の膜であることが確認された。
　【００２８】
　【発明の効果】
　本発明の強誘電体薄膜形成用塗布溶液は、従来の塗布溶液に比べて極めて毒性が低く、かつ生殖機能への影響が小さい有機溶剤を使用しているため使用時の作業環境が改善されるという利点を有し、基板上に強誘電体薄膜を形成させるための塗布溶液として好適なものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施例１のＰＺＴ薄膜のＸ線回折パターンである。
　【図２】本発明の実施例２のＰＺＴ薄膜のＸ線回折パターンである。
　【図３】本発明の実施例３のＰＺＴ薄膜のＸ線回折パターンである。
　【図４】本発明の参考例１のＢＩＴ薄膜のＸ線回折パターンである。
　【図５】本発明の参考例２のＢＩＴ薄膜のＸ線回折パターンである。
　【図６】本発明の参考例３のＳＢＴ薄膜のＸ線回折パターンである。
　【図７】本発明の参考例４のＳＢＴ薄膜のＸ線回折パターンである。
　【図８】本発明の参考例５のＳＢＴ薄膜のＸ線回折パターンである。