【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置規則性共役主鎖部位を含む位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーであって、前記位置規則性共役主鎖部位が、構造
【化４３】
2014520186.tif 000001
のピリジンを含む繰り返し単位を有し、式中、Ａｒは、置換もしくは非置換芳香族官能基であり、
前記ピリジンは、前記共役主鎖部位に沿って位置規則的に配置されており、そして
前記繰り返し単位が、構造
【化４４】
2014520186.tif 000002
のジチオフェンをさらに含み、式中、各Ａｒは、独立に、置換もしくは非置換芳香族官能基であるか、または各Ａｒは、独立に、存在せず、そのそれぞれのチオフェン環の価数は、水素によって完成し、
各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰである、位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項２】
前記ピリジンおよび前記ジチオフェンのそれぞれの置換もしくは非置換芳香族官能基が、独立に、１つもしくは複数のアルキルもしくはアリール鎖を含む、請求項１に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項３】
前記１つもしくは複数のアルキルまたはアリール鎖が、それぞれ独立に、Ｃ６〜Ｃ３０置換もしくは非置換アルキル鎖、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎは、２〜２０の整数である）、Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＦ（２ｎ＋１）（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｂｒ（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｃ２Ｈ５）２（ｎは、２〜２０の整数である）、２−エチルヘキシル、ＰｈＣｍＨ２ｍ＋１（ｍは、１−２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３（ｍおよびｎはそれぞれ独立に、１〜２０の整数である）、または−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＯＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３）ｘ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ｙ（ｍ、ｎおよびｐは、１〜２０の整数であり、ｘ＋ｙは、３である）である、請求項２に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項４】
前記置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖が、Ｃ６〜Ｃ３０置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎは、２〜２０の整数である）、Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＦ（２ｎ＋１）（ｎは、２〜２０）、−（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｂｒ（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｃ２Ｈ５）２（ｎは、２〜２０の整数である）、２−エチルヘキシル、ＰｈＣｍＨ２ｍ＋１（ｍは、１−２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３（ｍおよびｎはそれぞれ独立に、１〜２０の整数である）、または−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＯＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３）ｘ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ｙ（ｍ、ｎ、およびｐはそれぞれ独立に、１〜２０の整数であり、ｘ＋ｙは、３である）である、請求項１に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項５】
Ｘが、ＣまたはＳｉである、請求項１に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項６】
前記ピリジンが、以下
【化４４−２】
2014520186.tif 000003
【化４４−３】
2014520186.tif 000004
からなる群かる選択されるピリジン単位であり、
各Ｒは、独立に、置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎは、２〜２０の整数である）、Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＦ（２ｎ＋１）（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｂｒ（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｃ２Ｈ５）２（ｎは、２〜２０の整数である）、２−エチルヘキシル、ＰｈＣｍＨ２ｍ＋１（ｍは、１〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３（ｍおよびｎはそれぞれ独立に、１〜２０の整数である）、または−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＯＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３）ｘ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ｙ（ｍ、ｎおよびｐはそれぞれ独立して、１〜２０の整数であり、ｘ＋ｙは、３である）である、
請求項１に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項７】
前記繰り返し単位が、以下、
【化４４−４】
2014520186.tif 000005
からなる群から選択されるジチオフェン単位をさらに含み、
各Ｒは、独立に、置換もしくは非置換アルキル、アリールまたはアルコキシ鎖、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎは、２〜２０の整数である）、Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＦ（２ｎ＋１）（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｂｒ（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｃ２Ｈ５）２（ｎは、２〜２０の整数である）、２−エチルヘキシル、ＰｈＣｍＨ２ｍ＋１（ｍは、１〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３（ｍおよびｎはそれぞれ独立に、１〜２０の整数である）、または−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＯＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３）ｘ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ｙ（ｍ、ｎおよびｐはそれぞれ独立して、１〜２０の整数であり、ｘ＋ｙは、３である）である、
請求項１に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項８】
前記ピリジン単位が、
【化４５】
2014520186.tif 000006
であり、前記ジチオフェン単位が、
【化４６】
2014520186.tif 000007
であり、式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖である、請求項７に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項９】
前記繰り返し単位が、
【化４７】
2014520186.tif 000008
を含み、式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰである、請求項１に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項１０】
前記置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖が、Ｃ６〜Ｃ３０置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎは、２〜２０）、Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＦ（２ｎ＋１）（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｂｒ（ｎは、２〜２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｃ２Ｈ５）２（ｎは、２〜２０の整数である）、２−エチルヘキシル、ＰｈＣｍＨ２ｍ＋１（ｍは、１−２０の整数である）、−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３（ｍおよびｎはそれぞれ独立して、１〜２０の整数である）、または−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＯＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３）ｘ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ｙ（ｍ、ｎおよびｐはそれぞれ独立して、１〜２０の整数であり、ｘ＋ｙは、３である）である、請求項９に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項１１】
前記位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーは、電界効果トランジスタデバイスにおいて、少なくとも０．１４ｃｍ２／Ｖｓの電界効果正孔移動度を示し得る、請求項１に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項１２】
前記位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーが、活性半導体層を形成する、請求項１に記載の位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーを含む、電子デバイス。
【請求項１３】
位置規則性共役主鎖部位を含む位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーを含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）デバイスであって、前記位置規則性共役主鎖部位が、構造
【化４７−２】
2014520186.tif 000009
のピリジンを含む繰り返し単位を有し、式中、Ａｒは、置換もしくは非置換芳香族官能基であり、
前記ピリジンは、前記共役主鎖部位に沿って位置規則的に配置されており、そして
前記繰り返し単位が、構造
【化４７−３】
2014520186.tif 000010
のジチオフェンをさらに含み、式中、各Ａｒは、独立に、置換もしくは非置換芳香族官能基であるか、または各Ａｒは、独立に、存在せず、そのそれぞれのチオフェン環の価数は、水素によって完成し、
各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰであり、
前記位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーは、活性半導体層を形成し；そして
前記位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーは、前記電界効果トランジスタデバイスにおいて、少なくとも０．１４ｃｍ２／Ｖｓの電界効果正孔移動度を示す、
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）デバイス。
【請求項１４】
位置規則性共役主鎖部位を含む位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーであって、前記位置規則性共役主鎖部位が、構造
【化４７−４】
2014520186.tif 000011
のピリジンを含む繰り返し単位を有し、式中、Ａｒは、置換もしくは非置換芳香族官能基であり、
前記ピリジンは、前記共役主鎖部位に沿って位置規則的に配置されており、そして
前記繰り返し単位が、構造
【化４７−５】
2014520186.tif 000012
のジチオフェンをさらに含み、式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰであり、
前記位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーは、電界効果トランジスタデバイスにおいて、少なくとも０．１４ｃｍ２／Ｖｓの電界効果正孔移動度を示し得る、
位置規則性ドナー−アクセプターコポリマー。
【請求項１５】
位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーを調製する方法であって、位置選択的にモノマーを調製することであって、前記モノマーは、第二電子親和力を有するアクセプター部分と組み合わせて、第一電子親和力を有するドナー部分を含む、こと、および
前記モノマーを反応させて、位置規則性共役主鎖部位を含むドナー−アクセプターコポリマーを生成することであって、前記第一電子親和力を有するドナー部分と前記第二電子親和力を有するアクセプター部分との組合せは、前記ドナー−アクセプターコポリマーにおいて、前記ドナー部分と前記アクセプター部分との間で電荷移動を誘発するように選択される、こと
を含む、方法。
【請求項１６】
位置選択的に調製することが、ハロゲン−官能化ピリダル［２，１，３］チアジアゾールと、有機スズ−官能化シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェンまたは有機スズ−官能化インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンとを反応させることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
位置選択的に調製することが、ハロゲン−官能化ピリダル［２，１，３］チアジアゾールと、シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェンまたはインダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンとを直接アリール化重縮合によって反応させることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記ハロゲン−官能化ピリダル［２，１，３］チアジアゾールが、下記の構造を有し、
【化４８】
2014520186.tif 000013
式中、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立に、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＣＦ３ＳＯ３である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記有機スズ−官能化シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェンが、下記の構造（Ｉ）を有し、または前記有機スズ−官能化インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンが、下記の構造（ＩＩ）を有し、
【化４９】
2014520186.tif 000014
式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、各Ｒ２は、独立に、メチルまたはｎ−ブチルであり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰである、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記モノマーが、下記の構造を有し、
【化５０】
2014520186.tif 000015
【化５１】
2014520186.tif 000016
式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、各Ｒ２は、独立に、メチルまたはｎ−ブチルであり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰであり、Ｘ２は、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＣＦ３ＳＯ３である、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
Ｘが、ＣまたはＳｉであり、Ｘ２が、Ｂｒである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記位置選択的に調製することが、ハロゲン−官能化ピリダル［２，１，３］チアジアゾールを約５０℃〜約１５０℃の範囲の温度で反応させることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記モノマーがシクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェン−ピリダル［２，１，３］チアジアゾールモノマーであるとき、前記モノマーを反応させることが、前記モノマーをそれ自体と反応させること、または前記モノマーをシクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェン単位を含有する別のモノマーと反応させることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記方法は、前記ドナー部分または前記アクセプター部分上の先頭位置でクロスカップリング反応が促進されるように選択される反応条件下で行われるスティルクロスカップリング反応を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記方法は、マイクロ波補助スティル重合を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーの電荷キャリア移動度は、同様の組成の位置ランダム性ポリマーの電荷キャリア移動度より大きい、請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
前記位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーは、電界効果トランジスタデバイスにおいて、少なくとも０．１４ｃｍ２／Ｖｓの電界効果正孔移動度を示し得る、請求項１５に記載の方法。
【請求項２８】
位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーを調製する方法であって、
（ａ）位置選択的に調製することであって、
前記モノマーは、第二電子親和力を有するアクセプター部分と組み合わせて、第一電子親和力を有するドナー部分を含み、
前記第一電子親和力を有する前記ドナー部分と前記第二電子親和力を有する前記アクセプター部分との組合せは、前記ドナー−アクセプターコポリマーにおいて、前記ドナー部分と前記アクセプター部分との間で電荷移動を誘発するように選択され、そして
前記モノマーは、前記ドナー部分または前記アクセプター部分上の先頭位置でのクロスカップリング反応を促進する反応条件下で行われるクロスカップリング反応を用いて、位置選択的に調製される、
こと、および
（ｂ）前記モノマーを反応させて、位置規則性共役主鎖部位を含むドナー−アクセプターコポリマーを生成すること
を含む、方法。
【請求項２９】
前記位置規則性ドナー−アクセプターコポリマーは、位置規則性共役主鎖部位を含み、
前記位置規則性共役主鎖部位が、構造
【化４３】
2014520186.tif 000017
のピリジンを含む繰り返し単位を有し、式中、Ａｒは、置換もしくは非置換芳香族官能基であり、
前記ピリジンは、前記共役主鎖部位に沿って位置規則的に配置されており、そして
前記繰り返し単位が、構造
【化４４】
2014520186.tif 000018
のジチオフェンをさらに含み、式中、各Ａｒは、独立に、置換もしくは非置換芳香族官能基であるか、または各Ａｒは、独立に、存在せず、そのそれぞれのチオフェン環の価数は、水素によって完成し、
各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰである、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記モノマーは、前記ピリジン繰り返し単位上の先頭位置でのクロスカップリング反応を促進するように選択される温度を含む反応条件下で行われるスティルクロスカップリング反応を用いて、位置選択的に調製される、請求項２９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明のより完全な理解のために、添付図面に関連してなされる以下の記載についてここで参照する。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
位置規則性共役主鎖部位を含む位置規則性ポリマーであって、前記位置規則性共役主鎖部位が、構造
【化４３】
2014520186.tif 000019
のピリジンを含む繰り返し単位を有し、式中、Ａｒは、置換もしくは非置換芳香族官能基であるか、またはＡｒは、存在せず、前記ピリジン環の価数は、水素によって完成し、
前記ピリジンは、前記共役主鎖部位に沿って位置規則的に配置されている、位置規則性ポリマー。
（項目２）
前記繰り返し単位が、構造
【化４４】
2014520186.tif 000020
のジチオフェンをさらに含み、式中、各Ａｒは、独立に、置換もしくは非置換芳香族官能基であるか、または各Ａｒは、独立に、存在せず、そのそれぞれのチオフェン環の価数は、水素によって完成し、
各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰである、項目１に記載の位置規則性ポリマー。
（項目３）
前記ピリジンおよび前記ジチオフェンのそれぞれの置換もしくは非置換芳香族官能基が、独立に、１つもしくは複数のアルキルもしくはアリール鎖を含む、項目２に記載の位置規則性ポリマー。
（項目４）
前記１つもしくは複数のアルキルもしくまたはアリール鎖が、それぞれ独立に、Ｃ６〜Ｃ３０置換もしくは非置換アルキル鎖、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎ＝２〜２０）、Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＦ（２ｎ＋１）（ｎ＝２〜２０）、−（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｂｒ（ｎ＝２〜２０）、−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｃ２Ｈ５）２（ｎ＝２〜２０）、２−エチルヘキシル、ＰｈＣｍＨ２ｍ＋１（ｍ＝１−２０）、−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３（ｍ、ｎ＝１〜２０）、または−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＯＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３）ｘ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ｙ（ｍ、ｎ、ｐ＝１〜２０、ｘ＋ｙ＝３）である、項目３に記載の位置規則性ポリマー。
（項目５）
前記置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖が、Ｃ６〜Ｃ３０置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎ＝２〜２０）、Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＦ（２ｎ＋１）（ｎ＝２〜２０）、−（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｂｒ（ｎ＝２〜２０）、−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｃ２Ｈ５）２（ｎ＝２〜２０）、２−エチルヘキシル、ＰｈＣｍＨ２ｍ＋１（ｍ＝１−２０）、−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３（ｍ、ｎ＝１〜２０）、または−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＯＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３）ｘ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ｙ（ｍ、ｎ、ｐ＝１〜２０、ｘ＋ｙ＝３）である、項目２に記載の位置規則性ポリマー。
（項目６）
Ｘが、ＣまたはＳｉである、項目２に記載の位置規則性ポリマー。
（項目７）
前記ピリジンが、表１のピリジン単位である、項目１に記載の位置規則性ポリマー。
（項目８）
前記繰り返し単位が、表２のジチオフェン単位をさらに含む、項目７に記載の位置規則性ポリマー。
（項目９）
前記ピリジン単位が、
【化４５】
2014520186.tif 000021
であり、前記ジチオフェン単位が、
【化４６】
2014520186.tif 000022
であり、式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖である、項目８に記載の位置規則性ポリマー。
（項目１０）
前記繰り返し単位が、
【化４７】
2014520186.tif 000023
を含み、式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰである、項目１に記載の位置規則性ポリマー。
（項目１１）
前記置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖が、Ｃ６〜Ｃ３０置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎ＝２〜２０）、Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＦ（２ｎ＋１）（ｎ＝２〜２０）、−（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｂｒ（ｎ＝２〜２０）、−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｃ２Ｈ５）２（ｎ＝２〜２０）、２−エチルヘキシル、ＰｈＣｍＨ２ｍ＋１（ｍ＝１−２０）、−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３（ｍ、ｎ＝１〜２０）、または−（ＣＨ２）ｎＳｉ（ＯＳｉ（ＣｍＨ２ｍ＋１）３）ｘ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ｙ（ｍ、ｎ、ｐ＝１〜２０、ｘ＋ｙ＝３）である、項目１０に記載の位置規則性ポリマー。
（項目１２）
Ｘが、ＣまたはＳｉである、項目１０に記載の位置規則性ポリマー。
（項目１３）
各Ｒが、Ｃ１２Ｈ２５であり、各Ｒが、２−エチルヘキシルであるか、または各Ｒが、ＰｈＣ６Ｈ１３である、項目１２に記載の位置規則性ポリマー。
（項目１４）
前記主鎖部位の前記位置規則性が、９５％またはそれより大きい、項目１に記載の位置規則性ポリマー。
（項目１５）
前記ポリマーの電荷キャリア移動度が、同様の組成の位置ランダム性ポリマーの電荷キャリア移動度より大きい、項目１に記載の位置規則性ポリマー。
（項目１６）
項目１に記載の位置規則性ポリマーを含むデバイス。
（項目１７）
電界効果トランジスタ、有機光起電力デバイス、ポリマー発光ダイオード、有機発光ダイオード、有機光検知器、またはバイオセンサーである、項目１６に記載のデバイス。
（項目１８）
前記位置規則性ポリマーが、活性半導体層を形成する、項目１６に記載のデバイス。
（項目１９）
モノマーを位置選択的に調製することと、
前記モノマーを反応させ、位置規則性共役主鎖部位を含むポリマーを生成することとを含む、位置規則性ポリマーを調製する方法。
（項目２０）
位置選択的に調製することが、ハロゲン−官能化ピリダル［２，１，３］チアジアゾールと、有機スズ−官能化シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェンまたは有機スズ−官能化インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンとを反応させることを含む、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
位置選択的に調製することが、ハロゲン−官能化ピリダル［２，１，３］チアジアゾールと、シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェンまたはインダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンとを直接アリール化重縮合によって反応させることを含む、項目１９に記載の方法。
（項目２２）
前記ハロゲン−官能化ピリダル［２，１，３］チアジアゾールが、下記の構造を有し、
【化４８】
2014520186.tif 000024
式中、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立に、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＣＦ３ＳＯ３である、項目２０に記載の方法。
（項目２３）
前記有機スズ−官能化シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェンが、下記の構造（Ｉ）を有し、または前記有機スズ−官能化インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェンが、下記の構造（ＩＩ）を有し、
【化４９】
2014520186.tif 000025
式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、各Ｒ２は、独立に、メチルまたはｎ−ブチルであり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰである、項目２０に記載の方法。
（項目２４）
前記モノマーが、下記の構造を有し、
【化５０】
2014520186.tif 000026
【化５１】
2014520186.tif 000027
式中、各Ｒは、独立に、水素または置換もしくは非置換アルキル、アリールもしくはアルコキシ鎖であり、各Ｒ２は、独立に、メチルまたはｎ−ブチルであり、Ｘは、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮまたはＰであり、Ｘ２は、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＣＦ３ＳＯ３である、項目１９に記載の方法。
（項目２５）
Ｘが、ＣまたはＳｉであり、Ｘ２が、Ｂｒである、項目２４に記載の方法。
（項目２６）
前記モノマーの調製の位置選択性が、９５％またはそれより大きい、項目１９に記載の方法。
（項目２７）
前記位置選択的に調製することが、ハロゲン−官能化ピリダル［２，１，３］チアジアゾールを約５０℃〜約１５０℃の範囲の温度で反応させることを含む、項目１９に記載の方法。
（項目２８）
前記モノマーがＣＤＴ−ＰＴモノマーであるとき、前記モノマーを前記反応させることが、前記モノマーをそれ自体と反応させること、または前記モノマーをシクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェン単位を含有する別のモノマーと反応させることを含む、項目１９に記載の方法。
（項目２９）
前記モノマーがＰＴ−ＩＤＴ−ＰＴモノマーであるとき、前記モノマーを前記反応させることが、前記モノマーをＩＤＴ−ＰＴ単位を含有する別のモノマーと反応させることを含む、項目１９に記載の方法。