【事件の表示】
　特願２００９−５０２６６０「窒化物半導体発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月　４日国際公開、ＷＯ２００７／１１１４３６、平成２１年　９月　３日国内公表、特表２００９−５３１８５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　　
　本願は、平成１９年（２００７年）３月２２日（パリ条約による優先権主張、外国庁受理２００６年３月２６日、韓国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１０月２５日付けで拒絶の理由が通知され、平成２４年２月１６日に手続補正がなされたが、同年３月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされ、平成２５年３月６日付けで通知された最後の拒絶の理由に対して、応答されなかったものである。　
　
第２　本願発明　
　
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年７月２７日になされた手続補正後の明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。　
　「基板と、第１半導体層、第２半導体層を含みながら前記基板の一側上に形成された発光素子と、第４半導体層、第５半導体層を含みながら前記基板の他側上に形成された保護素子と、前記発光素子と前記保護素子とを電気的に連結する連結配線と、前記保護素子の一側上に形成された第１ボンディングパッドと、前記保護素子の他側上に形成された第２ボンディングパッドと、を含み、前記第１半導体層および前記第４半導体層は、第１導電型半導体層であり、前記第２半導体層および前記第５半導体層は、第５導電型半導体層であり、前記連結配線は、前記第４半導体層上および前記第２半導体層上に設けられた第１連結配線と、前記第５半導体層上および前記第１半導体層上に設けられた第２連結配線と、を含み、ボンディングパッドが前記発光素子上に設けられていないことを特徴とする発光素子。」　
　　    　   
第３　刊行物の記載　   
　
　１　平成２５年３月６日付けで通知された拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−２００１５９号公報（以下「刊行物」という。）には、以下の記載がある。「【０００８】【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光素子は、
（ａ）発光層を形成すべくｎ形層およびｐ形層を含む半導体層が積層される発光部と、（ｂ）ダイオードを形成すべくｎ形領域およびｐ形領域を含む半導体層が設けられるダイオード部、とが同一の基板上に形成され、前記発光部のｎ形層と前記ダイオード部のｐ形領域とが電気的に接続され、かつ、前記発光部のｐ形層と前記ダイオード部のｎ形領域とが電気的に接続されている。
図６と同様に配線８１、８２により発光部３のｎ形層３３およびｐ形層３５と保護ダイオード部５のｐ形領域５５およびｎ形領域５３との電気的接続を行う
すべてに電極（パッド）を形成しなくてもコンタクト孔を介した小さな面積で電気的接続をすることができる。そのため、外部とのワイヤボンディングによる接続のための電極は、配線のいずれかの部分に設けられればよい。その結果、図７に示されるように、発光部３側には電極を形成しないで、保護ダイオード部５の上部に発光部３のｐ側電極３８およびｎ側電極３９を設けることができる。そうすることにより、発光部３の発光面に光を遮る電極が形成されず、光の遮断は配線の狭い部分だけであるため、外部に取り出される光の効率である外部発光効率が向上する。
　
　２　図６、７は以下のものである。
　　
第４　引用発明　　
 　
　１　上記第３、１の「発光部のｎ形層と前記ダイオード部のｐ形領域とが電気的に接続され、かつ、前記発光部のｐ形層と前記ダイオード部のｎ形領域とが電気的に接続される」ことをふまえて図６、７をみると、配線８１はｎ形層３３とｐ形領域５５の上に設けられ両者を電気的に接続し、配線８２はｐ形層３５とｎ形領域５３の上に設けられ両者を電気的に接続していることが認められる。　
　
　２　上記第３、２の図７をみると、「発光部３」、「保護ダイオード部５」が「基板３１」上のそれぞれ一端側、他端側に形成され、「ｐ側電極３８」、「ｎ側電極３９」が「保護ダイオード部５」の上部の、それぞれ一端側、他端側に形成されていることが認められる。　
　
　３　上記第３および上記１、２によれば、刊行物には、「ｎ型層３３およびｐ型層３５を含む半導体層が積層される発光部３と、ｎ型領域５３およびｐ型領域５５を含む半導体層が積層される保護ダイオード部５が、それぞれ同一の基板３１上の一端側、他端側に形成され、配線８１は上記ｎ形層３３と上記ｐ形領域５５の上に設けられて両者を電気的に接続し、配線８２は上記ｐ形層３５と上記ｎ形領域５３の上に設けられて両者を電気的に接続し、外部とのワイヤボンディングによる接続のための電極であるｐ側電極３８、ｎ側電極３９は、それぞれ保護ダイオード部５の上部の一端側、他端側に形成され、発光部３側には電極が形成されていない半導体発光素子。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
第５　対比・判断
　
　本願発明と引用発明を対比する
　
　１　引用発明の「発光部３」、「保護ダイオード部５」、「基板３１」、は、それぞれ、本願発明の「発光素子」、「保護素子」、「基板」に相当する。　
　
　２　本願発明の「第１導電型半導体層」と「第５導電型半導体層」の「第１導電型」、「第５導電型」の意味は必ずしも明らかではないが、本願の発明の詳細な説明の「【００３２】 発光素子３００及び保護素子４００は、基板３１０上に形成された第１半導体層３２０、４２０、活性層３３０、４３０、第２半導体層３４０、４４０、第３半導体層３４５、４４５、及びオーム（ohm）形成層３５０、４５０を含んで形成されることができる。【００３３】基板３１０上に形成される第１半導体層３２０、４２０はｎ−ＧａＮ層であることができ、第１半導体層３２０、４２０上に形成される活性層３３０、４３０はＩｎＧａＮ−ＱＷ（Quantum Well）を含むことができる。上記活性層上に形成される第２半導体層３４０、４４０は、ｐ−ＧａＮ層であることができ、第２半導体層３４０、４４０上に形成される第３半導体層３４５、４４５はｎ−ＧａＮ層であることができる。」の記載に照らせば、「第１導電型」、「第５導電型」は、それぞれ「ｎ型」、「ｐ型」のことであると解されるので、引用発明の「ｎ型層３３」、「ｐ型層３５」、「ｎ型領域５３」、「ｐ型領域５５」、「配線層８１」、「配線層８２」は、本願発明の「第１半導体層」、「第２半導体層」、「第４半導体層」、「第５半導体層」、「第２連結配線」、「第１連結配線」にそれぞれ相当する。　
　
　３　引用発明の「外部とのワイヤボンディングによる接続のための電極」は、本願発明の「ボンディングパッド」に相当するから、引用発明の「ｐ側電極３８」、「ｎ側電極３９」は、それぞれ「第１ボンディングパッド」と、「第２ボンディングパッド」に相当する。　　
　
　４　判断
 
　上記１ないし３に照らせば、本願発明と引用発明との間に相違するところがないことは、明らかである。　
　よって、本願発明は、刊行物に記載された発明というべきである。　
 
第６　むすび
 
　上記のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許を受けることができない。
 
　よって、結論のとおり審決する。