【事件の表示】
平成　７年特許願第　８２８８４号「微小構造体およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［　平成　８年１０月２２日出願公開、特開平　８−２７９４４４                        ］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成７年４月７日の出願であって、その発明の要旨は、平成９年８月１日付及び平成１０年７月２日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１〜５に記載されたとおりの「微小構造体」及び「微小構造体の製造方法」にあるものと認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。
　「シリコンとガラスの直接接合により形成される構造体において、容量電極あるいはアース電極の電位を陽極接合がおこらない電位に固定するために、外部から電圧を加えるためのアース配線をお互いに直接接合されるガラスあるいはシリコン基板上に有したことを特徴とする微小構造体。」
（引用例）
  原審における拒絶の理由において引用された特開平４−２９９２６７号公報（以下、「引用例」という。）には、「〔産業上の利用分野〕本発明は、電極が形成された基板同士を陽極接合して形成した容量型加速度センサに関する。」（第２頁左欄第１３〜１５行）、「〔発明が解決しようとする課題〕ここで、両基板には、陽極接合時に静電力Ｐｅが発生する。この静電力Ｐｅは次式にて求められる。
Ｐｅ＝εＳＶ２/２ｄ２（ε：誘電率、Ｓ：電極面積、Ｖ：電圧、ｄ：電極間隔）
即ち、静電力Ｐｅは陽極接合時に両基板間に印加される電圧Ｖの二乗に比例して大きくなる。そして、この静電力Ｐｅが両基板間に作用すると、一方の基板に形成され移動電極をその周囲から支持する撓み易い部分である上記複数のビームなどが他方の基板に引っ張られることになる。
上記容量型加速度センサは、例えば、一方の基板の材質をシリコン（Ｓｉ）、他方の基板の材質をガラス、更に、基台の材質をガラスとした三層構造から成る。そして、各ガラスとシリコンとは周知の陽極接合により接合される。先ず、一方の基板を０Ｖ、他方の基板を−８００Ｖとして陽極接合される。この接合工程においては、両基板表面に蓄積される電荷により両基板間に大きな静電力Ｐｅが生じる。すると、一方の基板に形成された複数のビームが対向する他方の基板の表面に吸着されるという状況が起こる。このような状況が起こると、容量型加速度センサは加速度を受けても両電極間の間隔が変化できなくなり、以降の容量の検出が不可能となるという問題があった。」（第２頁左欄第３０行〜右欄第４行）及び「〔実施例〕・・・図１は本発明に係る容量型加速度センサ１０を示した中央縦断面図である。又、図２は図１の容量型加速度センサ１０のシリコン基板２０を移動電極２１側から見た平面図である。又、図３は図１の容量型加速度センサ１０のガラス基板３０を固定電極３１側から見た平面図である。・・・容量型加速度センサ１０は移動電極２１などが形成されたシリコン基板２０と固定電極３１が形成されたガラス基板３０とガラスから成る基台４０とから主として構成されている。上記移動電極２１と固定電極３１とが微小ギャップを有するように対向させて両基板２０，３０を陽極接合し、更に、それらを基台４０上に陽極接合している。・・・ここで、ガラス基板３０に形成された固定電極３１の周囲にはシリコン基板２０に形成されたビーム２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに対向してダミー電極３２が形成されている。このダミー電極３２には陽極接合時、上記シリコン基板２０に短絡するように端子部３３が形成されている。・・・上述したように、陽極接合の接合工程では、先ず、シリコン基板２０が０Ｖ、ガラス基板３０が−８００Ｖとされる。ところで、ガラス基板３０のダミー電極３２はその端子部３３を介してシリコン基板２０に短絡している。即ち、シリコン基板２０に形成されたビーム２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄとガラス基板３０に形成されたダミー電極３２とは同電位となる。すると、ビーム２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄとダミー電極３２との間には、陽極接合時に上述の静電力Ｐｅは生じることがない。従って、シリコン基板２０に形成されたビーム２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが対向するガラス基板３０の表面に吸着することがなくなる。」（第２頁右欄欄第３８行〜第３頁左欄第４０行）が図１，２及び３と共に記載されている。してみると、上記引用例には、可動電極を有するシリコン基板と固定電極を有するガラス基板を陽極接合することにより形成される容量型加速度センサにおいて、シリコン基板に形成されたビームに対向してガラス基板にダミー電極が形成され、このダミー電極の端子部をシリコン基板に短絡することにより、上記陽極接合時に上記ビームと上記ダミー電極とを同電位として上記ビームと上記ガラス基板間に静電力が働かないようにし、上記ビームが上記ガラス基板に吸着されないようにしたことを特徴とする陽極型加速度センサが記載されているものと認められる。
（対比）
  次に、本願第１発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「容量型加速度センサ」及び「固定電極」は本願第１発明の「微小構造体」及び「容量電極」に相当し、本願第１発明の「直接接合」は上記引用例記載の発明の「陽極接合」を含むから、本願第１発明と上記引用例記載の発明とは「シリコンとガラスの直接接合により形成される構造体において容量電極を有することを特徴とする微小構造体」の点で一致し、本願発明が容量電極の電位を陽極接合が起こらない電位に固定するために外部から電圧を加えるためのアース配線をガラス上に有するのに対して、上記引用例記載の発明がシリコンに形成されたビームがガラスに吸着されないように上記ビームに対向してガラスにダミー電極を形成し、このダミー電極の端子部をシリコンに短絡する点で相違するものと認められる。
（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
  ところで上記引用例記載の容量型加速度センサにおいても、ガラス基板とシリコン基板との陽極接合時にビームとガラス基板との間に静電力が働くのと同様にシリコン基板上の移動電極とガラス基板上の固定電極間に静電力が働くことは明らかであり、それによって固定電極と移動電極とが吸着し合い、ひいては融着等が発生することも明らかである。当然このような現象を防止しなければならないことも明らかであり、固定電極と移動電極とを同電位にすれば上記の現象を防止できることは上記引用例記載の発明が開示する技術思想である「ビームとダミー電極を同電位にして吸着現象を防止する」ことから、当業者が容易に想到し得るものである。同電位（例えば接地電位）にする手段として移動電極を接地電位にし、固定電極にガラス上に設けたアース配線等の配線を介して外部から接地電位電位を加える（本願発明の「外部から電圧を加える」に相当する）方法を採用することは単なる設計上の問題にすぎない。ところで、本願発明における「外部からガラス上の容量電極に電圧を加える」方法はシリコンを介してガラス上の容量電極に電圧を加えることを排除していないから、審判請求理由において上記引用例記載の発明の欠点としてあげたシリコン基板のそりにより発生する問題は本願発明においても発生する問題であり、審判請求理由における上記引用例記載の発明の欠点に関する主張は採用できない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たものと認められる。
（むすび）
  本願第１発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。