【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
基材；
透明な導電性物質；および
少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物を含む少なくとも１層の光取り出し層；
を含み、
前記少なくとも１層の光取り出し層が、前記基材と前記透明な導電性物質との間に配置される、
発光素子。
【請求項２】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、チタニア、シリカ、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ストロンチウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化カルシウム、または２種以上のそれらの物質のブレンド物を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、メソ多孔質層である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、チタニアを含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、第一の屈折率を有する少なくとも１種の金属酸化物または半金属酸化物と第二の屈折率を有する細孔とを含み、可視波長領域における、前記少なくとも１種の金属酸化物または半金属酸化物の前記第一の屈折率と前記細孔の前記第二の屈折率との差が０．５以上である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、他の層との界面に隣接した領域で高密度化されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記高密度化された領域が、前記少なくとも１層の光取り出し層の残り部分よりも高い屈折率を有する、請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、少なくとも第一の光取り出し層と第二の光取り出し層との間の界面を含み、前記少なくとも１層の光取り出し層が、前記界面に隣接する領域において高密度化されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、前記少なくとも１層の光取り出し層と前記基材との間の界面に隣接する領域で、高密度化されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、前記透明な導電性物質に隣接するより高い屈折率と前記基材に隣接するより低い屈折率とを有する、屈折率のグラジエントを有している、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、２層以上の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物層を含み、前記多孔質な金属酸化物または半金属酸化物層のそれぞれの層が、屈折率のグラジエントを有している、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、２層以上の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物層を含み、前記多孔質な金属酸化物または半金属酸化物層のそれぞれの層が、同一の物質および細孔構造からなっている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、２層以上の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物層を含み、前記多孔質な金属酸化物または半金属酸化物層のそれぞれの層が、異なった物質または細孔構造からなっている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、約５００ｎｍ未満の細孔を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、約２０〜５０ｎｍの範囲の細孔を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、約２０ｎｍ未満の細孔を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、約１０ｎｍ未満の細孔を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記少なくとも１層の光取り出し層が、約５〜８ｎｍの範囲の細孔を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、異なった屈折率の物質を用いて充填された連通気泡または独立気泡の細孔を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、前記透明な導電性物質を用いて充填された細孔を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記少なくとも１層の光取り出し層と前記透明な導電性物質との界面において、前記界面に隣接する前記少なくとも１層の光取り出し層の領域に、前記透明な導電性物質を用いて充填された１０ｎｍ未満の細孔を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項２２】
前記少なくとも１種の多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、金属酸化物または半金属酸化物のドーパントを含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記少なくとも１層の光取り出し層の厚みが、約５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの間である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記透明な導電性物質が、ドープされた酸化亜鉛、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、フッ素−ドープされた酸化スズ、ニオブ−ドープされた二酸化チタン、グラフェン、カーボンナノチューブ、または銀膜もしくは銀ナノ構造物を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項２５】
前記発光素子が、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含み、前記少なくとも１層の光取り出し層が、３００ｎｍ〜１２００ｎｍの領域全体で、前記ＯＬＥＤの外部量子効率（ＥＱＥ）を改良する、請求項１に記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明はさらに、以下の態様も包含するものである。
［１］
発光素子であって、
基材；
透明な導電性酸化物；および
メソ多孔質なチタニアを含む少なくとも１層のメソ多孔質光取り出し層；
を含み、
前記少なくとも１層のメソ多孔質光取り出し層が、前記基材と前記透明な導電性酸化物との間に配置される、
発光素子。
［２］
発光素子を形成させるための方法であって、
多孔質な金属酸化物または半金属酸化物を含む少なくとも１層の光取り出し層を基材の上に形成させる工程と
前記少なくとも１層の光取り出し層の上に透明な導電性物質を形成させる工程と
を含む、方法。
［３］
前記透明な導電性物質の上に有機層を含む少なくとも１層を形成させる工程と；
前記少なくとも１層の上に電極層を形成させる工程と
をさらに含む、［２］に記載の方法。
［４］
前記少なくとも１層の光取り出し層が、溶液加工法、化学蒸着法、物理蒸着法、または真空加熱蒸発法によって形成される、［２］に記載の方法。
［５］
前記少なくとも１層の光取り出し層の前記少なくとも一つの屈折率を、ｉ）孔径の変更；ｉｉ）組成的なドーピング；ｉｉｉ）絶縁性、導電性もしくは半導性成分の添加；ｉｖ）細孔の充填；ｖ）細孔密度の変更；ｖｉ）厚みの変更；またはそれらの組合せ、の少なくとも一つによって調整する、［２］に記載の方法。
［６］
前記多孔質な金属酸化物または半金属酸化物が、界面活性剤テンプレートおよび／またはハードポリマーテンプレートを含むゾルゲル溶液から形成される、［２］に記載の方法。
［７］
前記界面活性剤テンプレートが、両末端をポリ（エチレンオキシド）セグメントでキャップされたポリ（プロピレンオキシド）セグメントを含む両親媒性のトリ−ブロックコポリマーを含む、［６］に記載の方法。
［８］
ＯＬＥＤ素子から光を取り出す方法であって、
前記ＯＬＥＤ素子の中の２層の隣接する層の間に多孔質な金属酸化物または半金属酸化物を含む少なくとも１層の内部光取り出し層を添加する工程を含み、
前記少なくとも１層の内部光取り出し層を、透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）−基材の界面、またはＴＣＯ−有機物の界面の少なくとも一方の間に添加する、
方法。
［９］
発光素子の中に光取り出し層を備えるための方法であって、
多孔質な金属酸化物の孔径および細孔密度の内の少なくとも一つを変化させて、前記多孔質な金属酸化物を含む光取り出し層のための、少なくとも一つの屈折率および光散乱を得る工程を含み、
前記光取り出し層が、基材と透明な導電性酸化物との間に位置している、
方法。
［１０］
前記多孔質な金属酸化物の孔径と前記細孔密度との内の少なくとも一方を、界面活性剤のテンプレート、前記界面活性剤テンプレートの濃度、および少なくとも一つのアニリーング温度の内の少なくとも一つを選択することによって変化させる、［９］に記載の方法。
［１１］
前記少なくとも一つのアニリーング温度が、３００〜５００℃の間である、［１０］に記載の方法。
［１２］
前記多孔質な金属酸化物を、複数回のアニリーング処理にかける、［１１］に記載の方法。
本発明は、添付の図面と関連させて読むことによって、以下の詳細な説明から理解することができるであろう。