(57)【要約】【課題】  複合磁性材料を提供することを課題とする。【解決手段】  本発明は、磁性材料技術分野に属し、サマリウムコバルト基複合磁性材料に関する。該磁性材料は、コバルト基複合材料と希土類酸化物とを含み、前記コバルト基複合材料の重量パーセントが４０ｗｔ％〜９８．５５ｗｔ％とし；該複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られる。本発明は、低コストの希土類酸化物を取り込み、希土類酸化物含有量の調整・制御を通じてコバルト基材料の残留磁束密度を調整・制御し、微細構造と成分を最適化することによって、コバルト基複合磁性材料の保磁力を向上すると共にコストを削減する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合磁性材料であって、前記磁性材料は希土類コバルト基複合材料と希土類酸化物とを含み、前記希土類コバルト基複合材料の重量パーセントが４０ｗｔ％〜９８．５５ｗｔ％とし；
前記複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られることを特徴とする複合磁性材料。
【請求項２】
前記希土類酸化物は、希土類コバルト基複合材料内の希土類元素が酸化を経てから成る内因性希土類酸化物と外因性希土類酸化物で構成され、前記内因性希土類酸化物の複合磁性材料における重量パーセントが３．０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物から取り込まれた総酸素含有量が３０００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍとし；内因性希土類酸化物から取り込まれた酸素含有量は５０００ｐｐｍを超えず、残りの酸素含有量が外因性希土類酸化物から取り込まれ；前記希土類酸化物内には希土類酸化物の総重量の０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％を占めるＣｏ元素を更に含有し；前記複合磁性材料は、１０ｗｔ％未満のＳｎを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の複合磁性材料。
【請求項３】
前記希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込して得たインゴットは、母合金インゴットＡと二次合金インゴットＢとを含み、
前記母合金インゴットＡの化学量論式が（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕのうちの１種又は数種であり、Ｍ１がFｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗ及びＳｎのうちの１種又は数種であり、ｚが４．０〜９．０とし；
前記二次合金インゴットＢの化学量論式が（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕのうちの１種又は数種であり、Ｍ２がＦｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、ＷとＳｎ及びＳｎのうちの１種又は数種であり、ｙが０．３〜１とすることを特徴とする請求項１に記載の複合磁性材料。 
【請求項４】
前記水素化粉砕の具体的なステップは、水素吸蔵温度１０℃〜１８０℃、水素圧力０．２ＭＰａ〜０．５ＭＰａの条件においてインゴットが２時間〜５時間水素吸蔵し、そして温度２００℃〜６００℃で２時間〜５時間真空脱水素し；前記母合金インゴットＡ及び前記二次合金インゴットＢは、各々水素化粉砕を経た後で水素化粉砕粉末Ａと水素化粉砕粉末Ｂが得られ、前記水素化粉砕粉末Ａと水素化粉砕粉末Ｂ内の少なくとも１種の平均粒径は１０マイクロメートル〜５００マイクロメートルとすることを特徴とする請求項３に記載の複合磁性材料。
【請求項５】
前記気流粉砕の具体的なステップは、前記水素化粉砕粉末Ａに希土類酸化物を添加して混合撹拌した後に気流粉砕を行って磁粉Ｃを得て、前記水素化粉砕粉末Ｂが気流粉砕を経て磁粉Ｄを得；前記磁粉Ｃ及び前記磁粉Ｄの平均粒径は、いずれも２マイクロメートル〜６マイクロメートルとすることを特徴とする請求項４に記載の複合磁性材料。
【請求項６】
前記混練ステップは、具体的に前記磁粉Ｃ及び前記磁粉Ｄに錫粉Ｅを添加して３〜６時間混練して磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、錫粉の添加量は１０ｗｔ％を超えず、磁粉Ｄの添加量が１０ｗｔ％を超えず、且つ両者の総添加量が１０ｗｔ％を超えないことを特徴とする請求項５に記載の複合磁性材料。
【請求項７】
前記配向成形は、前記磁粉Ｆを配向成形し；冷間等方圧プレス後に素体を得；熱処理後に複合磁性材料を得；熱処理の具体的な工程は、冷間等方圧プレスで得られた素体を１１００℃〜１２５０℃昇温し１時間〜６時間熱処理を施してから０．１℃／ｍｉｎ〜４℃／ｍｉｎの冷却速度で温度８００℃〜１２００℃下げて１５時間未満保温すると共に室温になるまで風冷し、更に温度７５０℃〜９００℃において５時間〜４０時間保温してから０．１℃／ｍｉｎ〜４℃／ｍｉｎの冷却速度で３５０℃〜６００℃までゆっくりと冷却すると共に１０時間未満保温し、そして室温まで風冷することを特徴とする請求項６に記載の複合磁性材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性材料技術分野に属し、複合磁性材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、機能材料の絶え間ない発展により人類社会の進歩を力強く促している。永久磁石材料は、機能材料内の１つであり、エネルギー変換化機能及び各種磁性物理の効果を有し、すでに現代の情報化社会に幅広く活用されている。希土類永久磁石材料は、現在総合性能が最高の永久磁石材料と知られていて、磁石鋼の磁気特性より１００倍余り高く、フェライト、アルニコの性能より遥かに優れている。希土類永久磁石材料の使用により、永久磁石式デバイスの小型化に向けた発展を促進するだけでなく、製品の性能も向上させ、且つ幾つかの特殊デバイスの誕生も促してきたため、希土類永久磁石材料が発見されると、直ちに各国から極めて大きく重視され、発展も極めてスピーディーであった。希土類永久磁石材料は、成分により主に次のものに分けれ、つまり１．希土類コバルト永久磁石材料で、希土類コバルト（１−５系）永久磁石材料ＳｍＣｏ５と希土類コバルト（２−１７系）永久磁石材料Ｓｍ２Ｃｏ１７の２大類とを含み、２．希土類ネオジム永久磁石材料、ＮｄＦｅＢ永久磁石材料、３．希土類鉄−窒素（ＲＥ−Ｆｅ−Ｎ系）或いは希土類鉄−炭素（ＲＥ−Ｆｅ−Ｃ系）永久磁石材料。希土類コバルト基材料は、優れた高温永久磁石材料で、そのキュリー温度が高く（７００℃〜９００℃）、保磁力も高（＞２５ｋＯｅ）く、温度の安定性も良好であるため、希土類コバルト基材料が高温と高い安定性の分野で代替できないような作用を持ち、現在でも鉄道交通、軍事と航空・宇宙等の分野に幅広く運用されている。
【０００３】
サマリウムコバルト永久磁石は、２０世紀の６０年代に発見され、成分の違いによりＳｍＣｏ５とＳｍ２Ｃｏ１７に分かれ、各々第１世代と第２世代の希土類永久磁石材料とし、比較的高いエネルギー積と信頼的な保磁力を持ち、その原料は埋蔵量が稀少なサマリウムと戦略的金属のコバルトで、原料が稀少・不足し、高価であるため、その発展が制限され、ネオジム磁石材料の発展に伴い、その応用分野が徐々に減少してきたが、サマリウムコバルト永久磁石は、希土類永久磁石シリーズでも温度特性に優れる。ネオジム・鉄・ボロンに比べると、サマリウムコバルトは、より一層高温の環境中で働くことにも適しているため、軍産技術等の過酷な高温環境においてもその応用が幅広いものとなっている。
【０００４】
サマリウムコバルト磁性体の磁気特性は、磁粉の組織及び粒径と密接に関係する。異方性永久磁石にとって、磁性体内の結晶磁気は磁化容易軸方向に従い配列し、磁性体の異方性が強く、磁気特性も良好であり；また永久磁石合金は結晶粒径の影響により、比較的高い保磁力を持ち、結晶粒径が比較的小さい永久磁石合金を調製することで、保磁力を向上することもサマリウムコバルト永久磁石材料の発展方向の一つであり、硬質磁性材料にとって、 高い残留磁束密度を得る重要条件は、結晶磁気異方性が強いことである。
【０００５】
現在世間に知られているように、希土類コバルト基材料の高温磁気特性と温度の安定性は、明らかにネオジム磁石材料より優れているが、希土類コバルト基材料の力学的特性が比較的低く、その特徴が衝撃に弱く、割れや欠けが発生しやすく、機械的特性や加工特性及びユーザビリティーに著しく影響を及ぼし、収率を下げると共にその使用範囲も制限されてきた。希土類コバルト磁性体は、磁化方向に沿う力学的特性と磁化方向に直交する力学的特性が異なり、顕著な力学的異方性を示し、一般的に、磁化方向に直交する力学的特性が明らかに磁化方向に沿う力学的特性より低く、よって、希土類コバルト磁性体の磁化方向に直交する力学的特性を高めるのはこの問題を解決する場合に有効な手法となる。希土類コバルト基材料は、その自体の特殊な結晶構造により、材料の特徴が割れやすく、セラミック材料に類似し、熱処理工程の改善のみを通じてもその力学的特性を改善することが非常に難しい。このほかに、当業者は、一般的に過多の希土類酸化物が希土類コバルト基材料の磁気特性を極めて大きく悪化すると考えているため、実際に希土類コバルト基材料を調製する時、酸素を厳密にコントロールし、希土類コバルト基材料の酸素含有量が一般的に１０００ｐｐｍ〜３５００ｐｐｍとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、従来技術に存在する上記問題点に対し、力学的特性に優れた希土類コバルト基複合磁性材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の目的は次の技術的解決策を通じて達成でき、つまり複合磁性材料であって、該磁性材料は希土類コバルト基複合材料と希土類酸化物とを含み、前記希土類コバルト基複合材料の重量パーセントが４０ｗｔ％〜９８．５５ｗｔ％とし；
該複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られる。
【０００８】
本発明は、低コストの希土類酸化物を取り込み、希土類酸化物含有量の調整・制御を通じて希土類コバルト基材料の残留磁束密度を調整・制御することで、各種モデル番号の磁性体を調製し、また微細構造と成分を最適化することによって、磁性体の保磁力を向上し；市販されている同じモデル番号の磁性体に比べても、磁性体の原料コストを大幅に削減すると同時に希土類コバルト基複合磁性材料の力学的特性を明らかに向上し、原料コストも５％〜３０％節約でき、添加量が大きければ大きいほど、原料コストが低くなる。しかしながら本発明の発明者は、絶え間ない研究において、希土類酸化物の総量が高過ぎて、本発明で限定する上限を超えた時、焼結緻密化に不利となり、且つ力学的特性の向上に対する作用が顕著とならず、更にはその力学的特性に影響を及ぼすことが判明した。磁性材料内の希土類酸化物は、１ｗｔ％〜３０ｗｔ％とすることが好ましい。
【０００９】
上記複合磁性材料において、前記希土類酸化物は、希土類コバルト基複合材料内の希土類元素が酸化を経てから成る内因性希土類酸化物と外因性希土類酸化物で構成され、前記内因性希土類酸化物の複合磁性材料における重量パーセントが３．０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物から取り込まれた総酸素含有量が３０００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍとする。
【００１０】
従来技術において磁性の悪化問題を避けるため、希土類コバルト基材料の酸素含有量は、一般的に１０００ｐｐｍ〜３５００ｐｐｍと厳密にコントロールされる必要があり、本発明は複合磁性材料内の希土類酸化物を内因性希土類酸化物と外因性希土類酸化物に分け、内因性希土類酸化物を形成すると同時に、外因性希土類酸化物を通じて第二相酸化物の数量を増やすことで、希土類コバルト基材料の力学的特性を向上すると共にコストを削減する。同時に成分と後工程の調製工程の調整を通じて希土類酸化物の増加によってもたらされる磁気特性の悪化を防止し、従来技術における酸素含有量の厳密なコントロールによる磁気特性悪化防止という問題を克服することで、力学的特性を効果的に向上する。
【００１１】
好ましくは、前記複合磁性材料内の内因性希土類酸化物が取り込んだ酸素含有量は、５０００ｐｐｍを超えず、残りの酸素含有量が外因性希土類酸化物から取り込む。
【００１２】
上記複合磁性材料において、前記希土類酸化物内には希土類酸化物の総重量の０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％を占めるＣｏ元素を更に含有する。
【００１３】
上記複合磁性材料において、前記複合磁性材料は、１０ｗｔ％未満のＳｎを更に含む。本発明は、適量低融点錫粉を添加することで原料の焼結・緻密性を改善することで、磁性体に比較的高い力学的特性を得させることに有利になる。好ましくは、Ｓｎの希土類コバルト基複合材料における添加量が０ｗｔ％〜５ｗｔ％（希土類コバルト基複合材料に占める重量部）とする。
【００１４】
好ましくは、錫粉の平均粒径が３マイクロメートル〜４００マイクロメートルとする。より好ましくは、錫粉の平均粒径が５マイクロメートル〜１００マイクロメートルとする。本発明の希土類コバルト基複合材料内に粒径が適した錫粉を添加し、その結合力を顕著に改善できる。
【００１５】
上記複合磁性材料において、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込して得たインゴットは、母合金インゴットＡと二次合金インゴットＢとを含み、
前記母合金インゴットＡの化学量論式が（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕのうちの１種又は数種であり、Ｍ１がＦｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗ及びＳｎのうちの１種又は数種であり、ｚが４．０〜９．０とし；
前記二次合金インゴットＢの化学量論式が（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕのうちの１種又は数種であり、Ｍ２がＦｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、ＷとＳｎ及びＳｎのうちの１種又は数種であり、ｙが０．３〜１とする。
【００１６】
上記複合磁性材料において、前記水素化粉砕の具体的なステップは、水素吸蔵温度１０℃〜１８０℃、水素圧力０．２ＭＰａ〜０．５ＭＰａの条件においてインゴットが２時間〜５時間水素吸蔵し、そして温度２００℃〜６００℃で２時間〜５時間真空脱水素し；母合金インゴットＡ及び二次合金インゴットＢは、各々水素化粉砕を経た後で水素化粉砕粉末Ａと水素化粉砕粉末Ｂが得られ、前記水素化粉砕粉末Ａと水素化粉砕粉末Ｂ内の少なくとも１種の平均粒径は１０マイクロメートル〜５００マイクロメートルとする。
【００１７】
更に、前記気流粉砕の具体的なステップは、水素化粉砕粉末Ａに希土類酸化物を添加して混合撹拌した後に気流粉砕を行って磁粉Ｃを得て、水素化粉砕粉末Ｂが気流粉砕を経て磁粉Ｄを得；前記磁粉Ｃ及び磁粉Ｄの平均粒径は、いずれも２マイクロメートル〜６マイクロメートルとする。
【００１８】
更に、前記混練ステップは具体的に磁粉Ｃ及び磁粉Ｄに錫粉Ｅを添加して３〜６時間混練して磁粉Ｆを得；希土類コバルト基複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、錫粉の添加量は１０ｗｔ％を超えず、磁粉Ｄの添加量が１０ｗｔ％を超えず、且つ両者の総添加量が１０ｗｔ％を超えない。
【００１９】
市販されている希土類酸化物は全て粉末状で、該粉末の平均粒径が数マイクロメートルで、本発明において、希土類酸化物が気流粉砕プロセスにおいて潤滑剤の役割を果たすことができ、水素化粉砕粉末と混合すると共に気流粉砕を行うことによって、気流粉砕の粉末製造効率を明らかにアップすることができ、粉吐出速度も３０％〜６０％上げることができることで、調製コストを削減する。
【００２０】
上記複合磁性材料において、前記配向成形は、磁粉Ｆを配向成形し；冷間等方圧プレス後に素体を得；熱処理後に希土類コバルト基複合磁性材料を得；熱処理の具体的な工程は冷間等方圧プレスで得られた素体を１１００℃〜１２５０℃昇温し１時間〜６時間熱処理を施してから０．１℃／ｍｉｎ〜４℃／ｍｉｎの冷却速度で温度８００℃〜１２００℃下げて０時間〜５時間保温すると共に室温まで風冷する。
【００２１】
更に、前記配向成形は磁粉Ｆを配向成形し；冷間等方圧プレス後に素体を得て；熱処理後に基複合磁性材料を得；熱処理の具体的な工程は、冷間等方圧プレスで得られた素体を１１００℃〜１２５０℃昇温して１時間〜６時間熱処理を施してから０．１℃／ｍｉｎ〜４℃／ｍｉｎの冷却速度で温度８００℃〜１２００℃まで下げて１５時間未満保温すると共に室温になるまで風冷し、更に温度７５０℃〜９００℃において５時間〜４０時間保温してから０．１℃／ｍｉｎ〜４℃／ｍｉｎの冷却速度で３５０℃〜６００℃までゆっくりと冷却すると共に１０時間未満保温し、そして室温まで風冷する。
【発明の効果】
【００２２】
従来技術に比べると、本発明は、次の利点を有する。
１、  本発明は、低コストの希土類酸化物を取り込み、希土類酸化物含有量の調整・制御を通じて希土類コバルト基材料の残留磁束密度を調整・制御し、微細構造と成分を最適化することによって、複合磁性材料の保磁力を向上すると共にコストを削減する。
２、本発明に係る複合磁性材料は、内因性希土類酸化物を形成すると同時に、外因性希土類酸化物を通じて第二相酸化物の数量を増やすことで、複合磁性材料の力学的特性を向上し、従来技術における酸素含有量の厳密なコントロールによる磁気特性悪化防止という問題を克服することで、力学的特性を効果的に向上する。
３、本発明は、複合材料の溶錬、鋳込を通じてインゴットを得；異なる合金インゴットが各々水素化粉砕され、母合金水素化粉砕粉末と希土類酸化物を混合してから気流粉砕し、そして二次合金磁粉と混練し、希土類酸化物が気流粉砕プロセスにおいて潤滑剤の役割を果たすことができ、水素化粉砕粉末と混合すると共に気流粉砕を行うことによって、気流粉砕の粉末製造効率を明らかにアップすると共に調製コストを削減できる。
４、本発明に係る複合磁性材料の冷間等方圧プレスした後の熱処理は、何度の異なる温度における保温処理及び風冷を通じて更に複合磁性材料の力学的特性を向上し、特に、磁化方向に直交する力学的特性を向上する。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下は、本発明の具体的実施例で、本発明の技術的解決策について更なる説明を行が、本発明は、これらの実施例に限られるものではない。
【実施例１】
【００２４】
複合磁性材料であって、希土類コバルト基複合材料９０ｗｔ％と希土類酸化物とを含み、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られた。
【実施例２】
【００２５】
複合磁性材料であって、希土類コバルト基複合材料６０ｗｔ％と希土類酸化物とを含み、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られた。
【実施例３】
【００２６】
複合磁性材料であって、希土類コバルト基複合材料８９ｗｔ％と希土類酸化物とを含み、希土類酸化物は外因性希土類酸化物１０ｗｔ％（複合磁性材料の総重量に占めるパーセント）と希土類コバルト基複合材料内の希土類元素が酸化を経てから成る内因性希土類酸化物とを包括し、内因性希土類酸化物の複合磁性材料における重量パーセントが３．０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物から取り込まれた総酸素含有量は３０００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍとする。
【００２７】
複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られた。
【実施例４】
【００２８】
複合磁性材料であって、希土類コバルト基複合材料６８ｗｔ％と希土類酸化物とを含み；希土類酸化物は外因性希土類酸化物３０ｗｔ％（複合磁性材料の総重量に占めるパーセント）と希土類コバルト基複合材料内の希土類元素が酸化を経てから成る内因性希土類酸化物とを包括し；内因性希土類酸化物の複合磁性材料における重量パーセントが３．０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物から取り込まれた総酸素含有量は３０００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍとし、内因性希土類酸化物から取り込まれた酸素含有量が５０００ｐｐｍを超えず、残りの酸素含有量が外因性希土類酸化物から取り込まれた。
【００２９】
複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られた。
【実施例５】
【００３０】
複合磁性材料であって、希土類コバルト基複合材料５0ｗｔ％と希土類酸化物とを含み；希土類酸化物内には希土類酸化物の総重量の６ｗｔ％を占めるＣｏ元素を更に含有し；希土類酸化物は外因性希土類酸化物４８．５ｗｔ％（複合磁性材料の総重量に占めるパーセント）と希土類コバルト基複合材料内の希土類元素が酸化を経てから成る内因性希土類酸化物とを包括し、内因性希土類酸化物の複合磁性材料における重量パーセントが３．０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物から取り込まれた総酸素含有量は３０００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍとし、内因性希土類酸化物から取り込まれた酸素含有量が５０００ｐｐｍを超えず、残りの酸素含有量が外因性希土類酸化物から取り込まれた。
【００３１】
複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られた。
【実施例６】
【００３２】
複合磁性材料であって、希土類コバルト基複合材料９７ｗｔ％と希土類酸化物とを含み；希土類酸化物内には希土類酸化物の総重量の２ｗｔ％を占めるＣｏ元素を更に含有し；希土類酸化物は外因性希土類酸化物１．８ｗｔ％（複合磁性材料の総重量に占めるパーセント）と希土類コバルト基複合材料内の希土類元素が酸化を経てから成る内因性希土類酸化物とを包括し、内因性希土類酸化物の複合磁性材料における重量パーセントが３．０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物から取り込まれた総酸素含有量は３０００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍとし、内因性希土類酸化物から取り込まれた酸素含有量が５０００ｐｐｍを超えず、残りの酸素含有量が外因性希土類酸化物から取り込まれた。
【００３３】
複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られた。
【実施例７】
【００３４】
複合磁性材料であって、希土類コバルト基複合材料９５ｗｔ％と希土類酸化物とを含み；；希土類コバルト基複合材料は、Ｓｎを更に含み、Ｓｎの希土類コバルト基複合材料における含有量が１０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物内には希土類酸化物の総重量の１ｗｔ％を占めるＣｏ元素を更に含有し；希土類酸化物は外因性希土類酸化物４．２ｗｔ％（複合磁性材料の総重量に占めるパーセント）と希土類コバルト基複合材料内の希土類元素が酸化を経てから成る内因性希土類酸化物とを包括し、内因性希土類酸化物の複合磁性材料における重量パーセントが３．０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物から取り込まれた総酸素含有量は３０００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍとし、内因性希土類酸化物から取り込まれた酸素含有量が５０００ｐｐｍを超えず、残りの酸素含有量が外因性希土類酸化物から取り込まれた。
【００３５】
複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られた。
【実施例８】
【００３６】
複合磁性材料であって、希土類コバルト基複合材料７９ｗｔ％と希土類酸化物とを含み；；希土類コバルト基複合材料は、Ｓｎを更に含み、Ｓｎの希土類コバルト基複合材料における含有量が１０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物内には希土類酸化物の総重量の８ｗｔ％を占めるＣｏ元素を更に含有し；希土類酸化物は外因性希土類酸化物２０ｗｔ％（複合磁性材料の総重量に占めるパーセント）と希土類コバルト基複合材料内の希土類元素が酸化を経てから成る内因性希土類酸化物とを包括し、内因性希土類酸化物の複合磁性材料における重量パーセントが３．０ｗｔ％を超えず；希土類酸化物から取り込まれた総酸素含有量は３０００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍとし、内因性希土類酸化物から取り込まれた酸素含有量が５０００ｐｐｍを超えず、残りの酸素含有量が外因性希土類酸化物から取り込まれた。
【００３７】
複合磁性材料は、希土類コバルト基複合材料を溶錬、鋳込んでインゴットを得；水素化粉砕して外因性希土類酸化物を添加し；気流粉砕し；混練し；配向成形し；冷間等方圧プレス後に熱処理を施すという工程を通じて得られた。
【実施例９】
【００３８】
実施例１に記載された希土類コバルト基複合材料を先に溶錬し、溶錬後の熔液がアルゴンガスの保護雰囲気の中で回転の水冷銅製鋳型内に鋳込んで、厚さが５ｍｍの母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを得た。母合金インゴットＡの化学量論式は、（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１がＹ、Ｌａ、Ｔｂであり、Ｍ１がＦｅであり、ｚが４．０とし；前記二次合金インゴットＢの化学量論式は、（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２がＣｅ、Ｇｄであり、Ｍ２がＣｕ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｓｎであり、ｙが０．３とする。
【００３９】
母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを室温、水素圧力０．２ＭＰａの条件において５時間水素吸蔵してから温度２００℃で５時間真空脱水素し、各々平均粒径は１０マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ａ及び１０マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ｂが得られた。
【００４０】
水素化粉砕粉末Ａ８５ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）と酸化サマリウム１５ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）を混合して３時間撹拌した後、気流粉砕を行うことで更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｃが得られた。
【００４１】
水素化粉砕粉末Ｂを気流粉砕で更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｄが得られた。
【００４２】
磁粉Ｃ及び磁粉Ｄを混合し、錫粉Ｅを加えて３時間撹拌してから最終磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、加えた磁粉Ｄが５ｗｔ％で、加えた錫粉Ｅが１ｗｔ％である。
【００４３】
磁粉Ｆが１．０Ｔの磁場中で配向成形し、そして１５０ＭＰａの圧力において冷間等方圧プレスを行い、素体を得、素体を１１００℃まで昇温し６時間熱処理を施し、更に４℃／ｍｉｎの冷却速度で８００℃まで下げて５時間保温すると共に室温まで風冷し、複合磁性材料を得た。
【実施例１０】
【００４４】
実施例２に記載された希土類コバルト基複合材料を先に溶錬し、溶錬後の熔液がアルゴンガスの保護雰囲気の中で回転の水冷銅製鋳型内に鋳込んで、厚さが６ｍｍの母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを得た。母合金インゴットＡの化学量論式は、（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１がＹ、Ｃｅ、Ｙｂであり、Ｍ１がＣｕであり、ｚが９．０とし；前記二次合金インゴットＢの化学量論式は、（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２がＹ、Ｃｅであり、Ｍ２がＦｅ、Ｍｎ、Ｓｎであり、ｙが１とする。
【００４５】
母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを室温、水素圧力０．５ＭＰａの条件において２時間水素吸蔵してから温度４００℃で２時間真空脱水素し、各々平均粒径は２００マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ａ及び５００マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ｂが得られた。
【００４６】
水素化粉砕粉末Ａ８０ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）と酸化サマリウム２０ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）を混合して３時間撹拌した後、気流粉砕を行うことで更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｃが得られた。
【００４７】
水素化粉砕粉末Ｂを気流粉砕で更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｄが得られた。
【００４８】
磁粉Ｃ及び磁粉Ｄを混合し、錫粉Ｅを加えて３時間撹拌してから最終磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、加えた磁粉Ｄが３ｗｔ％で、加えた錫粉Ｅが３ｗｔ％である。
【００４９】
磁粉Ｆが２．０Ｔの磁場中で配向成形し、そして２４０ＭＰａの圧力において冷間等方圧プレスを行い、素体を得、素体を１２５０℃まで昇温し１時間熱処理を施し、更に３．８℃／ｍｉｎの冷却速度で１２００℃まで下げて５時間保温すると共に室温まで風冷し、複合磁性材料を得た。
【実施例１１】
【００５０】
実施例３に記載された希土類コバルト基複合材料を先に溶錬し、溶錬後の熔液がアルゴンガスの保護雰囲気の中で回転の水冷銅製鋳型内に鋳込んで、厚さが６ｍｍの母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを得た。母合金インゴットＡの化学量論式は、（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１がY、Ｌａ、Ｃｅ，Ｍ１であり、Ｍ１がＦｅ、Ｃｕであり、ｚが８．０とし；二次合金インゴットＢの化学量論式は、（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２がＣｅであり、Ｍ２がＺｒ、Ｍｎであり、ｙが０．８とする。
【００５１】
母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを室温、水素圧力０．３ＭＰａの条件において４時間水素吸蔵してから温度２５０℃で４時間真空脱水素し、各々平均粒径は５０マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ａ及び４０マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ｂが得られた。
【００５２】
水素化粉砕粉末Ａ８９．４ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）と酸化サマリウム１０．６ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）を混合して３時間撹拌した後、気流粉砕を行うことで更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｃが得られた。
【００５３】
水素化粉砕粉末Ｂを気流粉砕で更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｄが得られた。
【００５４】
磁粉Ｃ及び磁粉Ｄを混合し、錫粉Ｅを加えて３時間撹拌してから最終磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、加えた磁粉Ｄが２ｗｔ％で、加えた錫粉Ｅが４ｗｔ％である。
【００５５】
磁粉Ｆが１．８Ｔの磁場中で配向成形し、そして２３０ＭＰａの圧力において冷間等方圧プレスを行い、素体を得、素体を１１５０℃まで昇温し５時間熱処理を施し、更に１．２℃／ｍｉｎの冷却速度で９２０℃まで下げて１時間保温すると共に室温まで風冷し、複合磁性材料を得た。
【実施例１２】
【００５６】
実施例４に記載された希土類コバルト基複合材料を先に溶錬し、溶錬後の熔液がアルゴンガスの保護雰囲気の中で回転の水冷銅製鋳型内に鋳込んで、厚さが６ｍｍの母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを得た。母合金インゴットＡの化学量論式は、（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１がＹ、Ｌａ、Ｃｅであり、Ｍ１がＦｅ、Ｃｕであり、ｚが７．０とし；二次合金インゴットＢの化学量論式は、（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２がＣｅであり、Ｍ２がＺｒ、Ｍｎであり、ｙが０．５とする。
【００５７】
母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを室温、水素圧力０．３ＭＰａの条件において３時間水素吸蔵してから温度３５０℃で３時間真空脱水素し、各々平均粒径は８０マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ａ及び４００マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ｂが得られた。
【００５８】
水素化粉砕粉末Ａ６６．６ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）と酸化サマリウム３３．３ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）を混合して３時間撹拌した後、気流粉砕を行うことで更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｃが得られた。
【００５９】
水素化粉砕粉末Ｂを気流粉砕で更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｄが得られた。
【００６０】
磁粉Ｃ及び磁粉Ｄを混合し、錫粉Ｅを加えて４時間撹拌してから最終磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、加えた磁粉Ｄが６ｗｔ％で、加えた錫粉Ｅが４ｗｔ％である。
【００６１】
磁粉Ｆが１．３Ｔの磁場中で配向成形し、そして２２０ＭＰａの圧力において冷間等方圧プレスを行い、素体を得、素体を１２３０℃まで昇温し１時間熱処理を施し、更に０．８℃／ｍｉｎの冷却速度で１１８０℃まで下げて０時間保温すると共に室温まで風冷し、複合磁性材料を得た。
【実施例１３】
【００６２】
実施例５に記載された希土類コバルト基複合材料を先に溶錬し、溶錬後の熔液がアルゴンガスの保護雰囲気の中で回転の水冷銅製鋳型内に鋳込んで、厚さが６ｍｍの母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを得た。母合金インゴットＡの化学量論式は、（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１がＣｅ、Ｐｒであり、Ｍ１がＦｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｎであり、ｚが４．２とし；二次合金インゴットＢの化学量論式は、（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２がＹ、Ｌａであり、Ｍ２がＦｅ、Ｓｎであり、ｙが０．４とする。
【００６３】
母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを室温、水素圧力０．２５ＭＰａの条件において４．５時間水素吸蔵してから温度２２０℃で４．５時間真空脱水素し、各々平均粒径は３００マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ａ及び２００マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ｂが得られた。
【００６４】
水素化粉砕粉末Ａ５０ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）と酸化サマリウム５０ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）を混合して３時間撹拌した後、気流粉砕を行うことで更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｃが得られた。
【００６５】
水素化粉砕粉末Ｂを気流粉砕で更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｄが得られた。
【００６６】
磁粉Ｃ及び磁粉Ｄを混合し、錫粉Ｅを加えて４時間撹拌してから最終磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、加えた磁粉Ｄが２ｗｔ％で、加えた錫粉Ｅが１ｗｔ％である。
【００６７】
磁粉Ｆが１．６Ｔの磁場中で配向成形し、そして１９０ＭＰａの圧力において冷間等方圧プレスを行い、素体を得、素体を１２２０℃まで昇温し１．５時間熱処理を施し、更に３．５℃／ｍｉｎの冷却速度で１１６０℃まで下げて１時間保温すると共に室温まで風冷し、複合磁性材料を得た。
【実施例１４】
【００６８】
実施例６に記載された希土類コバルト基複合材料を先に溶錬し、溶錬後の熔液がアルゴンガスの保護雰囲気の中で回転の水冷銅製鋳型内に鋳込んで、厚さが６ｍｍの母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを得た。母合金インゴットＡの化学量論式は、（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１がＣｅ、Ｐrであり、Ｍ１がＦｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｎであり、ｚが４．５とし；二次合金インゴットＢの化学量論式は、（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２がＹ、Ｌａであり、Ｍ２がＦｅ、Ｓｎであり、ｙが０．７とする。
【００６９】
母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを室温、水素圧力０．２５ＭＰａの条件において４．５時間水素吸蔵してから温度３８０℃で２．２時間真空脱水素し、各々平均粒径は８０マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ａ及び１８０マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ｂが得られた。
【００７０】
水素化粉砕粉末Ａ８１．２５ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）と酸化サマリウム１８．７５ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）を混合して３時間撹拌した後、気流粉砕を行うことで更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｃが得られた。
【００７１】
水素化粉砕粉末Ｂを気流粉砕で更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｄが得られた。
【００７２】
磁粉Ｃ及び磁粉Ｄを混合し、錫粉Ｅを加えて４時間撹拌してから最終磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、加えた磁粉Ｄが２ｗｔ％で、加えた錫粉Ｅが２ｗｔ％である。
【００７３】
磁粉Ｆが１．６Ｔの磁場中で配向成形し、そして２２０ＭＰａの圧力において冷間等方圧プレスを行い、素体を得、素体を１１８０℃まで昇温し５時間焼結してか２．８℃／ｍｉｎの冷却速度で９４０℃まで下げて１時間保温すると共に室温まで風冷し、そして温度８２０℃下で６時間保温し、更に２．５℃／ｍｉｎの冷却速度で４５０℃までゆっくりと冷却すると共に６時間保温して、最終的に複合磁性材料を得た。
【実施例１５】
【００７４】
実施例７に記載された希土類コバルト基複合材料を先に溶錬し、溶錬後の熔液がアルゴンガスの保護雰囲気の中で回転の水冷銅製鋳型内に鋳込んで、厚さが６ｍｍの母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを得た。母合金インゴットＡの化学量論式は、（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１がＣｅであり、Ｍ１がＦｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｎであり、ｚが６．０とし；二次合金インゴットＢの化学量論式は、（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２がＣeであり、Ｍ２がＣｕ、Ｓｎであり、ｙが０．８とする。
【００７５】
母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを室温、水素圧力０．４５ＭＰａの条件において２．５時間水素吸蔵してから温度３３０℃で２．８時間真空脱水素し、各々平均粒径は２５０マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ａ及び２００マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ｂが得られた。
【００７６】
水素化粉砕粉末Ａ５５．４ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）と酸化サマリウム４４．６ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）を混合して３時間撹拌した後、気流粉砕を行うことで更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｃが得られた。
【００７７】
水素化粉砕粉末Ｂを気流粉砕で更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｄが得られた。
【００７８】
磁粉Ｃ及び磁粉Ｄを混合し、錫粉Ｅを加えて３時間撹拌してから最終磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、加えた磁粉Ｄが１ｗｔ％で、加えた錫粉Ｅが５ｗｔ％である。
【００７９】
磁粉Ｆが１．４Ｔの磁場中で配向成形し、そして１８０ＭＰａの圧力において冷間等方圧プレスを行い、素体を得、素体を１２２０℃まで昇温し３時間焼結してか２．２℃／ｍｉｎの冷却速度で８８０℃まで下げて２．５時間保温すると共に室温まで風冷し、そして温度８５０℃下で２０時間保温し、更に１．２℃／ｍｉｎの冷却速度で５５０℃までゆっくりと冷却すると共に６時間保温して、最終的に複合磁性材料を得た。
【実施例１６】
【００８０】
実施例８に記載された希土類コバルト基複合材料を先に溶錬し、溶錬後の熔液がアルゴンガスの保護雰囲気の中で回転の水冷銅製鋳型内に鋳込んで、厚さが６ｍｍの母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを得た。母合金インゴットＡの化学量論式は、（ＳｍＲ１）（ＣｏＭ１）ｚであり、式中Ｒ１がＣｅであり、Ｍ１がＦｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｎであり、ｚが５．０とし；二次合金インゴットＢの化学量論式は、（ＳｍＲ２）（ＣｏＭ２）ｙであり、式中Ｒ２がＣｅであり、Ｍ２がＣｕ、Ｓｎであり、ｙが０．５とする。
【００８１】
母合金鋳片Ａ及び二次合金鋳片Ｂを室温、水素圧力０．３５ＭＰａの条件において３．５時間水素吸蔵してから温度３００℃で３．５時間真空脱水素し、各々平均粒径は１００マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ａ及び１００マイクロメートルの水素化粉砕粉末Ｂが得られた。
【００８２】
水素化粉砕粉末Ａ７８．３ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）と酸化サマリウム２１．７ｗｔ％（磁粉Ｃの総重量を占めるパーセント）を混合して３時間撹拌した後、気流粉砕を行うことで更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｃが得られた。
【００８３】
水素化粉砕粉末Ｂを気流粉砕で更に粉末化し、平均粒径として２〜６マイクロメートルの磁粉Ｄが得られた。
【００８４】
磁粉Ｃ及び磁粉Ｄを混合し、錫粉Ｅを加えて３時間撹拌してから最終磁粉Ｆを得；複合磁性材料の総原料重量部で計算すると、加えた磁粉Ｄが４ｗｔ％で、加えた錫粉Ｅが４ｗｔ％である。
【００８５】
磁粉Ｆが１．５Ｔの磁場中で配向成形し、そして２００ＭＰａの圧力において冷間等方圧プレスを行い、素体を得、素体を１２００℃まで昇温し３時間焼結してか１．２℃／ｍｉｎの冷却速度で１０００℃まで下げて0〜５時間保温すると共に室温まで風冷し、そして温度８２０℃下で８時間保温し、更に１１．５℃／ｍｉｎの冷却速度で４４０℃までゆっくりと冷却すると共に５時間保温して、最終的に複合磁性材料を得た。
【比較例１】
【００８６】
比較例１は、市販されている２−１７系希土類コバルト基材料で、エネルギー積が２８ＭＧＯｅとする。
【比較例２】
【００８７】
比較例２は、市販されている２−１７系希土類コバルト基材料で、エネルギー積が２０ＭＧＯｅとする。
【比較例３】
【００８８】
比較例３は、市販されている１−５系希土類コバルト基材料で、エネルギー積が１９ＭＧＯｅとする。
【比較例４】
【００８９】
比較例４と実施例８の相違点は、比較例４内に酸化サマリウム粉末を添加していないことである。
【比較例５】
【００９０】
比較例５と実施例８の相違点は、比較例５内に錫粉を添加していないことである。
【００９１】
実施例１〜実施例１６及び比較例１〜比較例５内の希土類コバルト基複合材料の特性を試験し、その結果を表１にまとめた。
【００９２】
【表１】
2018088516.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００９３】
以上を綜合すると、本発明に係る複合磁性材料内に外因性希土類酸化物を添加することで、磁性体の力学的特性を明らかに向上し、特に、磁性体材料内に希土類酸化物２０ｗｔ％を添加することが力学的特性を大幅に向上するだけではなく、製造コストを大幅に削減し；且つ本発明に係る磁性材料内に適量の低融点錫粉を添加すると、焼結・緻密温度を下げて磁性体を焼結・緻密させ、同時に磁性体の残留磁束密度及び力学的特性を向上できる。
【００９４】
本発明は、上記実施例１〜実施例１６に記載の複合磁性材料及びその調製方法を含むが、これに限定されない。
【００９５】
発明の詳細な説明の項においてなされた実施例は、あくまでも本発明の技術内容を明らかにするものである。本発明の精神若しくは添付する特許請求の範囲で定義される範囲とから外れることなく、記載されている具体的実施例に対し様々な修正又は補足或いは置換を行うことができることは、当業者にとって明らかである。