【事件の表示】
　平成　２年特許願第２２１５３１号「電荷転送撮像装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　４月　６日出願公開、特開平　４−１０３１６９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（出願の経緯・発明の要旨）
　本願は、平成２年８月２３に出願したものであって、その発明の要旨は、平成１１年１０月１３日付及び平成１２年１月２０日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲請求項１〜３に記載されたとおりの「電荷転送装置」にあるものと認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。
「半導体基板上に二次元的に配列された複数の光電変換素子と、該光電変換素子に蓄積された信号電荷を並列に転送する垂直レジスタと、前記光電変換素子から前記垂直レジスタへ電荷を転送するトランスファーゲートと、前記垂直レジスタの信号電荷を順次転送する水平レジスタと、前記水平レジスタの一端に設けられた電荷検出部とを少なくとも備えており、前記トランスファーゲートは前記半導体基板に対するイオン注入で形成されたチャネルストッパにより規定された領域であり、前記トランスファーゲート上に設けられた第１の垂直転送電極と前記トランスファーゲート上以外の領域に設けられた第２の垂直転送電極とを有し、前記トランスファーゲートのチャネルの電位が前記光電変換素子に隣接する側よりも前記垂直レジスタに隣接する側が高くなっていることを特徴とする電荷転送装置。」
（引用例）
  原審における拒絶の理由において引用された特開昭６２−４３６２号公報（以下、引用例という。）には、「実施例
　第１図及び第２図に本発明になる固体撮像素子の一実施例を示す。両図は第３図に示す本発明を用いたインターライン方式のＣＣＤ固体撮像素子７における光電変換部８，垂直転送部９近傍を拡大して示す図である。また第２図は第１図におけるＡ−Ａ断面を示している。第１図及び第２図に示す固体撮像素子７は、大略光電変換部８，垂直転送部９，トランスファゲート１０等より構成されている。上記光電変換部８，垂直転送部９，トランスファゲート１０は、第２図に示す如く、ｎ型半導体基板１１上にまずＰウエル１２を形成後、フォトリソグラフィ技術を用いて形成される。なお１３は絶縁用のＳｉＯ２・・・であり、また１４はゲート電極である。
　光電変換部８は・・・撮像信号となる電荷を発生すると共に一時この電荷を蓄積する。垂直転送部９は・・・各光電変換部８より転送される撮像信号電荷を水平転送部１５（第３図に示す）に向け転送する。トランスファゲート１０は第１図に示す如く、その幅寸法が光電変換部８側から垂直転送部９側に向け漸次大となる台形形状をなしている。このトランスファゲート１０の光電変換部８側のゲート幅寸法（第１図中、矢印Ｌ１で示す）は狭チャネル効果の生じる小なる寸法に選定されている。またトランスファゲート１０の垂直転送部９側のゲート幅寸法（第１図中、矢印Ｌ２で示す）はＬ１より大なる寸法に選定されている。
　ここで第１図に示すような固体撮像素子７において、トランスファゲート幅を変化させた場合のポテンシャルを考える。トランスファゲート幅を変化させた時の信号電荷のポテンシャル変化を第４図に示す。同図に示す如く、トランスファゲート幅が一定の寸法（図中Ｌ３で示す）以上である時には、ポテンシャルは一定の高い値を示す。しかるに上記寸法Ｌ３よりトランスファゲート幅が狭くなるにつれてポテンシャルは小となり、狭チャネル効果が生じる。
　上記の点に鑑み、第１図に示す形状を有するトランスファゲート１０の電荷のポテンシャル状態については以下説明する。前記の如くトランスファゲート１０の光電変換部８側のゲート幅寸法Ｌ１は狭チャネル効果の生ずる小なる寸法に選定されており、かつトランスファゲート１０の垂直転送部９側のゲート幅寸法Ｌ２はゲート幅寸法Ｌ１より大なる寸法に選定されている。従って、ゲート電極１４にゲート電圧を印加した際、トランスファゲート１０のポテンシャル状態は第５図に示すポテンシャル図のようになる。すなわち光電変換部８側のポテンシャルが小となり、また垂直転送部９側のポテンシャルが大となると共に光電変換部８と垂直転送部９の間のポテンシャルは、トランスファゲート１０の幅寸法に対応して垂直転送部９に向けポテンシャルが漸次大となる、ポテンシャル勾配を有したポテンシャル状態となる。なお信号電荷（電子）１６は大なるポテンシャルを有する方へ引き寄せられるため、ポテンシャル勾配を有したトランスファゲート１０内において、信号電荷１６の転送速度は速くなる。なお同図において、光電変換部８，垂直転送部９，トランスファゲート１０に夫々対応するポテンシャルには各符号に「ａ」を付記して示した。」（第２頁左下欄第１２行〜第３頁右上欄第１７行）が第１〜５図と共に記載されている。そして、第３図において水平転送部１５の端部になにも示されていないが、水平転送により転送されてきた信号電荷を検出する電荷検出部が有ることは明かであり、トランスファゲート１０は第２図に示される絶縁用のＳｉＯ２膜１３の厚い部分（以下、厚いＳｉＯ２膜１３という。）により規定されている。してみると、上記引用例には、半導体基板上に二次元的に配列された複数の光電変換部８と、該光電変換部８に蓄積された信号電荷を並列に転送する垂直転送部９と、前記光電変換部８から前記垂直転送部９へ信号電荷を転送するトランスファゲート１０と、前記垂直転送部９の信号電荷を順次転送する水平転送部１５と、前記水平転送部１５の一端に設けられた電荷検出部とを備えた固体撮像素子において、前記トランスファゲート１０は前記半導体基板上に設けられた厚いＳｉＯ２膜１３により規定された領域であり、前記トランスファゲート１０のポテンシャルが前記光電変換部８側よりも垂直転送部９側が大となっていることを特徴とする固体撮像素子が記載されているものと認められる。
　（対比）
  次に、本願第１発明と上記引用例記載の発明とを対比すると、上記引用例記載の発明の「垂直転送部９」、「水平転送部１５」、「ポテンシャル」及び「固体撮像素子」は本願第１発明の「垂直レジスタ」、「水平レジスタ」、「チャネルの電位」及び「電荷転送装置」に相当するから、本願第１発明と上記引用例記載の発明とは「半導体基板上に二次元的に配列された複数の光電変換素子と、該光電変換素子に蓄積された信号電荷を並列に転送する垂直レジスタと、前記光電変換素子から前記垂直レジスタへ電荷を転送するトランスファーゲートと、前記垂直レジスタの信号電荷を順次転送する水平レジスタと、前記水平レジスタの一端に設けられた電荷検出部とを少なくとも備えており、前記トランスファーゲートのチャネルの電位が前記光電変換素子に隣接する側よりも前記垂直レジスタに隣接する側が高くなっていることを特徴とする電荷転送装置」の点で一致するが、以下の点で相違するものと認められる。
　(1)本願第１発明においては、トランスファーゲートが半導体基板に対するイオン注入で形成されたチャネルストッパにより規定された領域であるのに対して、上記引用例記載の発明においては、トランスファゲートは半導体基板上に設けられた厚いＳｉＯ２膜により規定された領域である点。
　(2)本願第１発明がトランスファーゲート上に設けられた第１の垂直転送電極とトランスファーゲート上以外の領域に設けられた第２の垂直転送電極とを有するのに対して、上記引用例記載の発明がそのような転送電極を有しているか否か不明である点。
　（検討）
  そこで、上記相違点につき以下検討する。
  相違点(1)については、トランスファーゲートがチャネルストッパにより規定された領域を有する固体撮像素子は特開平１−２４１１６１号公報に示すように周知であり、上記引用例記載の発明において上記周知技術を採用することに格別の創意工夫を必要としない。そして、本願第１発明がチャネルストッパを半導体基板に対するイオン注入で形成したことに格別の意義も認められず、上記引用例記載の発明において上記周知技を術採用した場合チャネルストッパを半導体基板に対するイオン注入で形成することは単なる設計的事項にすぎない。なお、審判請求人は、本願第１発明における半導体基板に対するイオン注入でチャネルストッパを形成することは、パターニングされたマスクで覆われていない部分にイオン注入を行い、チャネルストッパを形成するので、マスク形状を正確に反映した領域にチャネルストッパを形成することが可能であると主張するが、上記審判請求人が主張する点は本願明細書等に記載されていないから、審判請求人に上記主張は採用できない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　相違点(2)については、トランスファーゲート上に設けられた第１の垂直転送電極とトランスファーゲート上以外の領域に設けられた第２の垂直転送電極とを有する固体撮像素子は特開平１−２４１１６１号公報に示すように周知であり、上記引用例記載の発明において上記周知技術を採用することに格別の創意工夫を必要としない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　（むすび）
  本願第１発明は、上記引用例記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。