(57)【要約】【課題】検出部と、処理回路と、第１熱伝達部と、第１温度センサとを備える検出装置を提供する。【解決手段】基板に設けられた検出部と、基板に設けられた処理回路と、基板の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有し、平面視で、検出部を囲う第１熱伝達部と、第１熱伝達部と接続され、温度を検出する第１温度センサとを備える検出装置を提供する。第１熱伝達部は、処理回路と検出部との間の少なくとも一部に設けられてよい。また、第１熱伝達部は、平面視で、検出部を囲んで設けられてよい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた検出部と、
前記基板に設けられた処理回路と、
前記基板の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有し、平面視で、前記検出部を囲う第１熱伝達部と、
前記第１熱伝達部と接続され、温度を検出する第１温度センサと
を備える
検出装置。
【請求項２】
前記第１熱伝達部は、前記処理回路と前記検出部との間の少なくとも一部に設けられる
請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記第１熱伝達部は、平面視で、前記検出部を囲んで設けられる
請求項１又は２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記第１温度センサは、平面視で、前記第１熱伝達部の外側に設けられる
請求項３に記載の検出装置。
【請求項５】
前記第１温度センサは、平面視で、前記第１熱伝達部の内側に設けられる
請求項３に記載の検出装置。
【請求項６】
平面視で、前記第１熱伝達部の外側に設けられる第２温度センサを更に備える
請求項１から５のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記第２温度センサは、前記処理回路の内部に設けられ、前記処理回路の温度を検出する
請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
前記第１熱伝達部は、前記処理回路と電気的に直接接続されていない
請求項１から７のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項９】
前記処理回路と前記検出部とを電気的に接続し、前記基板の上方に設けられた電気配線部を更に備える
請求項１から８のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１０】
前記基板において、平面視で、前記検出部を囲んで設けられ、前記第１熱伝達部と前記基板とを接続する基板接続部を更に備え、
前記電気配線部は、前記基板接続部の少なくとも一部が分断された分断領域を通って、前記処理回路と前記検出部とを電気的に接続する
請求項９に記載の検出装置。
【請求項１１】
前記基板接続部は、前記基板と同電位に設定され、前記第１熱伝達部と前記基板との間に設けられ、前記基板よりも高い不純物濃度を有する
請求項１０に記載の検出装置。
【請求項１２】
前記基板接続部は、前記基板と異電位に設定され、前記第１熱伝達部と前記基板との間に設けられ、前記基板と異なる導電型を有する
請求項１０に記載の検出装置。
【請求項１３】
前記基板の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有し、前記第１熱伝達部を囲んで設けられた第２熱伝達部を更に備える
請求項１から１２のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１４】
前記第１温度センサは、平面視で、前記第１熱伝達部と前記第２熱伝達部との間に設けられる
請求項１３に記載の検出装置。
【請求項１５】
前記第１温度センサは、平面視で、前記第２熱伝達部の外側に設けられる
請求項１３に記載の検出装置。
【請求項１６】
前記基板は、前記検出部の下方に設けられたダイヤフラムを更に備え、
前記第１温度センサは、平面視で、前記ダイヤフラムと異なる領域に設けられる
請求項１から１５のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１７】
前記検出部は、ホイートストンブリッジを構成する４つの圧力検知素子を有し、
平面視で、前記４つの圧力検知素子に囲まれて設けられる第３温度センサを更に備える
請求項１から１６のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１８】
前記第１温度センサが検出した温度を検知する温度検知部を更に備え、
前記処理回路は、前記温度検知部が検知した温度に基づいて、前記検出部を温度補償する
請求項１から１７のいずれか一項に記載の検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ピエゾ抵抗部と処理回路とを同一基板上に備える圧力センサが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１  特開２０１４−０７７７４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の圧力センサは、処理回路が生じる熱やノイズによって、ピエゾ抵抗部の検知精度が悪化する場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、基板に設けられた検出部と、基板に設けられた処理回路と、基板の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有し、平面視で、検出部を囲う第１熱伝達部と、第１熱伝達部と接続され、温度を検出する第１温度センサとを備える検出装置を提供する。
【０００５】
第１熱伝達部は、処理回路と検出部との間の少なくとも一部に設けられてよい。
【０００６】
第１熱伝達部は、平面視で、検出部を囲んで設けられてよい。
【０００７】
第１温度センサは、平面視で、第１熱伝達部の外側に設けられてよい。
【０００８】
第１温度センサは、平面視で、第１熱伝達部の内側に設けられてよい。
【０００９】
検出装置は、平面視で、第１熱伝達部の外側に設けられる第２温度センサを更に備えてよい。
【００１０】
第２温度センサは、処理回路の内部に設けられ、処理回路の温度を検出してよい。
【００１１】
第１熱伝達部は、処理回路と電気的に直接接続されていなくてよい。
【００１２】
検出装置は、処理回路と検出部とを電気的に接続し、基板の上方に設けられた電気配線部を更に備えてよい。
【００１３】
検出装置は、基板において、平面視で、検出部を囲んで設けられ、第１熱伝達部と基板とを接続する基板接続部を更に備えてよい。電気配線部は、基板接続部の少なくとも一部が分断された分断領域を通って、処理回路と検出部とを電気的に接続してよい。
【００１４】
基板接続部は、基板と同電位に設定され、第１熱伝達部と基板との間に設けられ、基板よりも高い不純物濃度を有してよい。
【００１５】
基板接続部は、基板と異電位に設定され、第１熱伝達部と基板との間に設けられ、基板と異なる導電型を有してよい。
【００１６】
検出装置は、基板の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有し、第１熱伝達部を囲んで設けられた第２熱伝達部を更に備えてよい。
【００１７】
第１温度センサは、平面視で、第１熱伝達部と第２熱伝達部との間に設けられてよい。
【００１８】
第１温度センサは、平面視で、第２熱伝達部の外側に設けられてよい。
【００１９】
基板は、検出部の下方に設けられたダイヤフラムを更に備えてよい。第１温度センサは、平面視で、ダイヤフラムと異なる領域に設けられてよい。
【００２０】
検出部は、ホイートストンブリッジを構成する４つの圧力検知素子を有してよい。また、検出装置は、平面視で、４つの圧力検知素子に囲まれて設けられる第３温度センサを更に備えてよい。
【００２１】
検出装置は、第１温度センサが検出した温度を検知する温度検知部を更に備えてよい。処理回路は、温度検知部が検知した温度に基づいて、検出部を温度補償してよい。
【００２２】
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例１に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図２】実施例１に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。
【図３】実施例１に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。
【図４】実施例２に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図５】実施例３に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図６】実施例４に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図７】実施例５に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図８】実施例５に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。
【図９】実施例５に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。
【図１０】実施例６に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図１１】実施例７に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図１２】実施例８に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図１３】実施例９に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図１４】実施例９に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。
【図１５】実施例９に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。
【図１６】実施例１０に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図１７】実施例１１に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図１８】実施例１２に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図１９】実施例１３に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図２０】実施例１３に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。
【図２１】実施例１３に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。
【図２２】実施例１４に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図２３】実施例１５に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図２４】実施例１６に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図２５】実施例１７に係る検出装置１００の構成の一例を示す。
【図２６】実施例１７に係る温度検知部９６および温度センサの概要を模式的に説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２５】
［実施例１］
図１は、実施例１に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、基板１０、検出部２０、処理回路３０、電気配線部４０、熱伝達部５１および温度センサ９１〜温度センサ９３を備える。
【００２６】
基板１０は、一例において、ＳｉおよびＳｉＣ等の半導体基板である。本例の基板１０は、Ｎ型の半導体基板である。本明細書において、基板１０のおもて面側を上方と称し、基板１０の裏面側を下方と称する。また、本明細書において、平面視とは、基板１０のおもて面と垂直な方向からの視点を指す。
【００２７】
検出部２０は、基板１０に設けられ、予め定められた信号を検出する。本例の検出部２０は、検出装置１００に与えられた圧力を検出する圧力センサである。本例の検出部２０は、圧力検知素子２１、圧力検知素子２２、圧力検知素子２３および圧力検知素子２４の４つの圧力検知素子を有する。検出部２０は、４つの圧力検知素子でホイートストンブリッジを構成する。
【００２８】
圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４は、Ｐ型半導体からなるピエゾ抵抗を有する。本例の圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４は、Ｎ型の基板１０のおもて面に形成される。但し、圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４は、基板１０がＰ型半導体基板で構成される場合、基板１０に形成されたＮ型ウェル内に形成されてもよい。
【００２９】
処理回路３０は、検出部２０と電気的に接続され、検出部２０が検出した信号を処理する。処理回路３０は、検出部２０が設けられた基板１０と同一の基板に形成される。一例において、処理回路３０は、検出部２０に予め定められた電圧を印加し、検出部２０の検出した圧力に応じた出力電圧を取り出す。また、処理回路３０は、取り出した電圧をアナログ・デジタル変換し、変換したデジタル信号に基づいて圧力を算出してよい。
【００３０】
電気配線部４０は、検出部２０と処理回路３０とを電気的に接続する。一例において、電気配線部４０は、基板１０の上方に設けられる。電気配線部４０は、検出部２０と直接接続されてもよいし、アルミニウムや銅等の導電性材料を介して検出部２０と電気的に接続されてもよい。例えば、電気配線部４０は、アルミニウム、銅、金、銀等の導電性材料からなる。また、電気配線部４０は、基板１０に設けられたＰ型半導体層であってよい。電気配線部４０は、導電性材料と、基板１０に設けられたＰ型半導体層等の組み合わせであってもよい。
【００３１】
熱伝達部５１は、平面視で、検出部２０を囲んで設けられる。熱伝達部５１は、基板１０の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する。また、熱伝達部５１は、検出部２０と処理回路３０との間の少なくとも一部に設けられる。これにより、熱伝達部５１は、処理回路３０で生じた熱が、検出部２０に与える影響を低減する。また、熱伝達部５１は、検出部２０内の温度を均一化する。例えば、熱伝達部５１は、基板１０がＳｉの場合、Ｓｉよりも熱伝導率が大きなアルミニウム、銅、金、銀の少なくとも１つを有する。また、熱伝達部５１は、基板１０がＳｉＣの場合、ＳｉＣよりも熱伝導率が大きな銅、金、銀等の少なくとも１つを有してよい。本例の熱伝達部５１は、電気配線部４０と同一の材料を有する。
【００３２】
なお、熱伝達部５１は、処理回路３０と電気的に直接接続されてもよいし、処理回路３０と電気的に直接接続されなくてもよい。本例の熱伝達部５１は、処理回路３０と電気的に直接接続されていない。即ち、熱伝達部５１は、処理回路３０と電気的に直接接続された配線とは別に設けられてよい。但し、熱伝達部５１は、温度センサおよび後述の温度検知部等を介して、間接的に処理回路３０と接続されてもよい。また、熱伝達部５１は、予め定められた基準電位に設定されてよい。熱伝達部５１は、第１熱伝達部の一例である。
【００３３】
ここで、熱伝達部５１が検出部２０を囲んで設けられるとは、検出部２０の全周を囲む場合に加えて、検出部２０の一部を囲む場合も含まれる。即ち、熱伝達部５１の一部が分断された領域を有する場合であっても、検出部２０を囲むといえる。一例において、熱伝達部５１は、検出部２０が平面視で四角形状の平面形状を有する場合、検出部２０の少なくとも３辺又は２辺を囲う。また、熱伝達部５１は、検出部２０の全周の６０％以上を囲ってよく、検出部２０の全周の７５％以上を囲ってよく、より好ましくは検出部２０の全周の９０％以上を囲ってよい。
【００３４】
温度センサ９１〜温度センサ９３は、基板１０に設けられる。本例の温度センサ９１〜温度センサ９３は、平面視で、熱伝達部５１の外側に設けられる。本例の温度センサ９１〜温度センサ９１の位置は、平面視で、熱伝達部５１の外側であれば特に限定されない。ここで、検出部２０は、熱伝達部５１の内側に設けられている。そのため、温度センサ９１〜温度センサ９３は、検出部２０との間に熱伝達部５１を有する。これにより、温度センサ９１〜温度センサ９３からの発熱やノイズによる検出部２０への影響が、熱伝達部５１によって低減される。
【００３５】
また、温度センサ９１は、温度に対して電圧、電流、抵抗等の検出可能な物理量が変化するものであれば特に限定されない。例えば、温度センサ９１は、単結晶、多結晶、非晶質からなるＳｉ等の半導体の抵抗である。また、温度センサ９１は、合金等からなる金属の抵抗であってよい。温度センサ９１は、基板１０に形成されたＰＮ接合ダイオードであってもよい。温度センサ９１は、基板１０に形成された絶縁膜に形成された単結晶、多結晶、非晶質からなるＰＮ接合ダイオードであってよい。なお、本明細書で開示される他の温度センサの構成についても温度センサ９１と同様である。
【００３６】
温度センサ９１〜温度センサ９３は、処理回路３０や他の素子の発熱の有無を温度異常として検出できるので、処理回路３０や他の素子の破壊を抑制できる。また、温度センサ９１〜温度センサ９３は、絶縁膜８０やＰＮ接合破壊で発熱した場合には予め定められた温度よりも温度が上昇することで異常を検出する。例えば、電気配線部４０が断線した場合、断線前には本来の配線幅よりも配線が細くなるので断線する箇所の抵抗が高くなり発熱し、断線後には配線に電流が流れなくなり温度が低下する。
【００３７】
一例において、温度センサ９１〜温度センサ９３は、予め定められた温度より高い温度あるいは低い温度を検知して、処理回路３０あるいは基板１０に搭載された素子等の異常による動作不良を検出する。例えば、温度センサ９１〜温度センサ９３が動作不良を検出した場合、処理回路３０の動作が停止される。一方、異常発生後に動作を続けるとリーク電流等に起因する素子破壊や動作不良が生じる。このように、検出装置１００は、素子破壊や動作不良を防止する。
【００３８】
ここで、検出装置１００は、処理回路３０の動作により発熱する。検出装置１００は、基板１０の上部が熱伝導率の低い絶縁膜等で覆われているので、処理回路３０で生じた熱が基板１０を伝達して検出部２０に向かう。そのため、処理回路３０と検出部２０との距離によっては、４つの圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４に温度差が生じる場合がある。
【００３９】
４つの圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４は、検出装置１００に同一の圧力が与えられた場合であっても、温度に応じて抵抗値が変動する。例えば、圧力検知素子は、高温側で抵抗が低下し、低温側で抵抗が上昇する。そのため、ホイートストンブリッジを構成する４つの圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４に温度差が生じると正確に圧力を検出することが困難になる。また、４つの圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４の間に温度差が生じると、温度補正することも困難になる。
【００４０】
本例の検出装置１００は、基板１０よりも熱伝導率の高い材料から成り、検出部２０の周囲を囲い、且つ、発熱源である処理回路３０と検出部２０との間に設けられた熱伝達部５１を備える。これにより、処理回路３０で生じた熱は、熱伝達部５１を介して伝達される。熱伝達部５１は、基板１０よりも熱伝導率が高く、検出部２０からの距離が異なる４つの圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４に対して均一に熱を伝達する。即ち、本例の検出装置１００は、熱伝達部５１を設けることにより、処理回路３０で生じた熱の伝達を均一化できる。これにより、ホイートストンブリッジを構成する検出部２０の温度差を低減できる。また、温度センサ９１〜温度センサ９３は、平面視で、熱伝達部５１の外側に設けられるので、検出部２０に対する影響が少ない。したがって、検出装置１００は、検出部２０の動作を安定にし、圧力の検出精度を向上できる。
【００４１】
なお、電気配線部４０および熱伝達部５１は、平面視で、互いに交差する交差部を有する。交差部において、電気配線部４０および熱伝達部５１は、互いに交わらないように立体的に交差してよい。また、熱伝達部５１に後述の分断領域Ｓを設けることにより、電気配線部４０が分断領域Ｓで熱伝達部５１と交差してよい。
【００４２】
図２は、実施例１に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。本例の検出装置１００は、電極部６１、支持部材８２およびダイヤフラム８５を更に備える。温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂは、温度センサ９１の構造を説明するための一例である。なお、本例では、温度センサ９１について説明するが、温度センサ９２や温度センサ９３等の他の温度センサについても同様の構造が適用されてよい。
【００４３】
熱伝達部５１は、熱伝達部５１ａおよび熱伝達部５１ｂを含む。熱伝達部５１ａおよび熱伝達部５１ｂは、熱伝達部５１の構造を説明するための一例である。本例の熱伝達部５１は、平面視で、ダイヤフラム８５の外側に設けられる。但し、熱伝達部５１は、ダイヤフラム８５の内側に設けられてもよい。
【００４４】
熱伝達部５１ａは、基板１０のおもて面に接して設けられる。例えば、熱伝達部５１ａは、基板１０のおもて面上に熱伝導性材料を堆積させることにより形成される。熱伝達部５１ａは、基板１０のおもて面上に直接形成されてもよいし、バリヤ膜を介して形成されてもよい。
【００４５】
熱伝達部５１ｂは、基板１０の内部に設けられる。例えば、熱伝達部５１ｂは、基板１０に設けられた溝部に、熱伝導性材料を埋め込むことにより形成される。熱伝達部５１ｂは、基板１０の溝部に直接形成されてもよいし、バリヤ膜を介して形成されてもよい。
【００４６】
ここで、バリヤ膜は、熱伝達部５１と基板１０との間に設けられることにより、基板１０と熱伝達部５１との接着性を向上させる。また、バリヤ膜は、熱伝達部５１の基板１０への拡散を抑制する。例えば、熱伝達部５１がアルミニウムの場合、バリヤ膜は、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴｉＮ／Ｔｉのいずれかである。また、熱伝達部５１が銅の場合、バリヤ膜は、Ｔａ等であることが好ましい。
【００４７】
温度センサ９１ａは、基板１０に形成されたＰＮ接合ダイオードを有する。温度センサ９１ａは、熱伝達部５１ａの外側に設けられる。温度センサ９１ａは、熱伝達部５１ａに接続される。温度センサ９１ａは、熱伝達部５１ａに直接接続されるか、基板１０よりも熱伝導率の大きな材料により熱伝達部５１ａに接続される。
【００４８】
温度センサ９１ｂは、多結晶ＳｉからなるＰＮ接合ダイオードを有する。温度センサ９１ｂは、基板１０に形成された絶縁膜８０上に設けられる。温度センサ９１ｂは、絶縁膜８０上に設けられているので、基板１０に温度センサ９１ｂの発熱やノイズの影響を与えにくい。温度センサ９１ｂは、熱伝達部５１ｂの外側に設けられる。温度センサ９１ｂは、熱伝達部５１ｂに接続される。温度センサ９１ｂは、熱伝達部５１ｂに直接接続されるか、基板１０よりも熱伝導率の大きな材料により熱伝達部５１ｂに接続される。
【００４９】
電極部６１は、熱伝達部５１と温度センサ９１〜温度センサ９３の少なくとも１つとを接続する。本例の電極部６１は、電極部６１ａおよび電極部６１ｂを含む。電極部６１ａおよび電極部６１ｂは、電極部６１の構造を説明するための一例である。電極部６１は、基板１０よりも熱伝導率の大きな材料を含む。電極部６１は、熱伝達部５１と同一の材料であってよい。
【００５０】
電極部６１ａは、熱伝達部５１ａと温度センサ９１ａとを電気的に接続する。例えば、電極部６１ａは、熱伝達部５１ａと温度センサ９１ａのＮ型領域とを接続する。電極部６１ａは、熱伝達部５１ａを延在させることにより、熱伝達部５１ａと一体的に形成されてよい。
【００５１】
電極部６１ｂは、熱伝達部５１ｂと温度センサ９１ｂとを電気的に接続する。本例の電極部６１ｂは、絶縁膜８０に形成された開口を通じて、熱伝達部５１ｂと温度センサ９１ｂのＮ型領域とを接続する。
【００５２】
ここで、熱伝達部５１は、ＰＮ接合に順方向となるように、温度センサ９１〜温度センサ９３のＰＮ接合ダイオードと接続される。特に、温度センサ９１〜温度センサ９３を基板を介して動作させる場合に、熱伝達部５１がＰＮ接合に順方向に接続されることが好ましい。
【００５３】
温度センサ９１が有するＰＮ接合ダイオードの一方の半導体が熱伝達部５１と接続されることにより、温度センサ９１自体の発熱が熱伝達部５１に吸収される。また、温度センサ９１が有するＰＮ接合ダイオードの一方の半導体が熱伝達部５１と接続されることにより、熱伝達部５１から温度センサ９１へ熱が伝わる。これにより、熱伝達部５１の内側の検出部２０と、温度センサ９１との温度差を低減できる。
【００５４】
本例の検出装置１００は、電極部６１により、熱伝達部５１と温度センサとを接続しているので、温度センサと検出部２０との温度差を低減できる。よって、温度センサの精度が向上し、検出装置１００の測定精度が向上する。
【００５５】
図３は、実施例１に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。本例では、検出装置１００が基板接続部７１を備える場合について説明する。なお、本例では、温度センサ９１について説明するが、温度センサ９２や温度センサ９３等の他の温度センサについても同様の構造が適用されてよい。
【００５６】
基板接続部７１は、熱伝達部５１と基板１０とを接続する。一例において、基板接続部７１は、基板１０よりも不純物濃度を高くしたＮ＋型半導体層又はＰ＋型半導体層である。また、基板接続部７１と熱伝達部５１との境界には、Ｔｉ又はＴｉＮ等のバリヤ層が形成されてよい。本例の基板接続部７１は、基板１０のおもて面に形成されている。例えば、基板接続部７１は、基板１０にドーパントを注入することにより形成された高不純物濃度層である。基板接続部７１は、基板接続部７１ａおよび基板接続部７１ｂを含む。基板接続部７１ａおよび基板接続部７１ｂは、基板接続部７１の構造を説明するための一例である。
【００５７】
基板接続部７１ａは、基板１０のおもて面に設けられ、熱伝達部５１ａと接続される。例えば、基板１０がＮ型半導体であり、検出部２０がＰ型のピエゾ抵抗である場合、基板接続部７１をＮ＋半導体層で形成すれば、熱伝達部５１が基板１０と同じ電位（例えば、高電位）となる。また、基板１０がＰ型半導体であり、検出部２０がＮ型ウェルに形成されたＰ型ピエゾ抵抗である場合、基板接続部７１をＮ＋半導体層で形成すれば、熱伝達部５１がＮ型ウェルと同じ電位（例えば、高電位）となる。
【００５８】
基板接続部７１ａは、基板１０のおもて面側に、基板１０と同じ導電型で形成される。例えば、基板接続部７１ａは、Ｐ型用のボロンや、Ｎ型用のヒ素、リン、窒素等を基板１０に注入することにより形成される。基板接続部７１ａの不純物濃度は、基板１０の不純物濃度よりも高不純物濃度であってよい。これにより、熱伝達部５１ａと基板１０との接触抵抗が減少するので、ノイズのシールド効果が向上する。
【００５９】
基板接続部７１ｂは、熱伝達部５１ｂが設けられる溝部の側壁および底面に形成される。例えば、基板１０がＮ型半導体であり、検出部２０がＰ型のピエゾ抵抗である場合、基板接続部７１をＰ＋半導体層で形成すれば、熱伝達部５１を基板１０と異なる電位（例えば、低電位）となる。また、基板１０がＰ型半導体であり、検出部２０がＮ型ウェルに形成されたＰ型ピエゾ抵抗である場合、基板接続部７１をＰ＋半導体層で形成すれば、熱伝達部５１をＮ型ウェルと異なる電位（例えば、低電位）となる。
【００６０】
基板接続部７１ｂは、熱伝達部５１ｂを形成するための溝部と基板１０との間の基板１０側に、基板１０と逆の導電型で形成される。例えば、基板接続部７１ｂは、Ｐ型用のボロンや、Ｎ型用のアルミニウム、インジウム、ガリウム等を基板１０に注入することにより形成される。熱伝達部５１ｂと基板１０との間には、ＰＮ接合が形成されるので、熱伝達部５１ｂを基板１０とは異電位に接続できる。この場合、熱伝達部５１ｂと基板１０との間にＰＮ接合が設けられるので、ノイズのシールド効果が高くなる。なお、本例では説明のため、基板接続部７１ａと基板接続部７１ｂとが異なる導電型を有する場合について説明したが、基板１０には基板接続部７１ａのみが設けられてもよいし、基板接続部７１ｂのみが設けられてもよい。
【００６１】
［実施例２］
図４は、実施例２に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、熱伝達部５１および熱伝達部５２の２重構造を有する点で実施例１に係る検出装置１００と相違する。本例では、実施例１との相違点について特に説明する。
【００６２】
熱伝達部５２は、平面視で、検出部２０に加えて、熱伝達部５１を囲んで設けられる。熱伝達部５２は、基板１０の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する。熱伝達部５２は、熱伝達部５１の熱伝導率と同一の熱伝導率を有してよい。例えば、熱伝達部５２は、熱伝達部５１と同一の材料で形成される。熱伝達部５２は、第２熱伝達部の一例である。
【００６３】
一例において、検出装置１００は、熱伝達部５１および熱伝達部５２の一方を高電位側に接続し、他方を低電位側に接続する。但し、検出装置１００は、熱伝達部５１および熱伝達部５２の両方を高電位側又は低電位側に接続してよい。
【００６４】
本例の検出装置１００は、熱伝達部５１および熱伝達部５２の２重構造を設けることにより、効率的に熱を伝達できる。これにより、検出装置１００は、１重構造の場合よりも、処理回路３０および温度センサ９１〜温度センサ９３からの発熱やノイズの影響を抑制できる。また、検出装置１００は、熱伝達部５１および熱伝達部５２の２重構造を設けることにより、ノイズを低減できる。なお、本例の検出装置１００は２重構造を有するが、熱伝達部を３重構造以上としてもよい。また、本例の構成は、他の１重構造の実施例に係る構成と適宜組み合わせて用いられてよい。
【００６５】
［実施例３］
図５は、実施例３に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、基板１０、検出部２０、処理回路３０、電気配線部４０、熱伝達部５１および温度センサ９１〜温度センサ９３を備える。本例の熱伝達部５１は、複数の分断領域Ｓを有する点で実施例１に係る検出装置１００と相違する。
【００６６】
熱伝達部５１は、少なくとも１つの分断領域Ｓを有する。本例の熱伝達部５１は、３つの分断領域Ｓを有する。但し、熱伝達部５１は、検出部２０と処理回路３０との間に分断領域Ｓを有さない。これにより、熱伝達部５１は、処理回路３０からの熱やノイズによる検出部２０への影響を低減する。一方、熱伝達部５１は、検出部２０と処理回路３０との間の領域以外の領域に分断領域Ｓを有する。よって、熱伝達部５１は、分断領域Ｓを通じて、電気配線部４０を熱伝達部５１の内部に配線できる。即ち、本例の検出装置１００は、熱伝達部５１に分断領域Ｓを設けることにより、電気配線部４０を熱伝達部５１と立体的に交差させる。
【００６７】
温度センサ９１〜温度センサ９３は、検出部２０との間に熱伝達部５１が設けられるように配置される。即ち、温度センサ９１〜温度センサ９３と検出部２０との間には、熱伝達部５１の分断領域Ｓが設けられない。したがって、温度センサ９１〜温度センサ９３による検出部２０への影響が熱伝達部５１により低減される。
【００６８】
以上の通り、本例の検出装置１００は、検出部２０と処理回路３０との間に熱伝達部５１を有する。即ち、検出装置１００は、平面視において、検出部２０と処理回路３０との間の直線的な経路において、熱伝達部５１を有する。また、本例では、熱伝達部５１の分断領域Ｓに熱伝達部５１と同じ層の配線を設けることができるので配線密度が増加する。このように、本例の検出装置１００は、ノイズや熱のシールド効果を維持しつつ、配線密度を増加できる。
【００６９】
また、本例の検出装置１００は、検出部２０と温度センサ９１〜温度センサ９３との間に熱伝達部５１を有する。即ち、検出装置１００は、平面視において、検出部２０と温度センサ９１〜温度センサ９３との間の直線的な経路において、熱伝達部５１を有する。これにより、温度センサ９１〜温度センサ９３の発熱に起因して検出部２０の温度が変化することを抑制する。また、温度センサ９１〜温度センサ９３の発熱によって検出部２０が有する圧力検知素子の間に温度差が生じるのを抑制する。
【００７０】
［実施例４］
図６は、実施例４に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、熱伝達部５１および熱伝達部５２の２重構造を有する点で実施例１に係る検出装置１００と相違する。また、本例の検出装置１００は、複数の分断領域Ｓを有する点で実施例２に係る検出装置１００と相違する。本例では、実施例２との相違点について特に説明する。
【００７１】
熱伝達部５１および熱伝達部５２は、少なくとも一方が分断領域Ｓを有する。本例の熱伝達部５１および熱伝達部５２は、両方が分断領域Ｓを有する。熱伝達部５１および熱伝達部５２は、検出部２０と処理回路３０との間に分断領域Ｓを有してもよいが、少なくとも一方が検出部２０と処理回路３０との間に設けられる。
【００７２】
熱伝達部５１は、１つの分断領域Ｓを有する。本例の熱伝達部５１は、検出部２０と処理回路３０との間に分断領域Ｓを有さない。これにより、熱伝達部５１は、処理回路３０からの熱やノイズによる検出部２０への影響を低減する。一方、熱伝達部５１は、検出部２０と処理回路３０との間の領域以外の領域に分断領域Ｓを有する。よって、熱伝達部５１は、分断領域Ｓを通じて、電気配線部４０を熱伝達部５１の内部に配線できる。
【００７３】
熱伝達部５２は、３つの分断領域Ｓを有する。本例の熱伝達部５２は、検出部２０と処理回路３０との間に分断領域Ｓを有する。これにより、熱伝達部５２は、分断領域Ｓを通じて、電気配線部４０を熱伝達部５２の内部に配線できる。また、検出部２０と処理回路３０との間の領域以外の領域においても、熱伝達部５２が分断領域Ｓを有することにより、検出部２０と外部との間において電気配線部４０を通じて配線しやすくする。
【００７４】
温度センサ９１〜温度センサ９３は、検出部２０との間に熱伝達部５１および熱伝達部５２のいずれかが設けられるように配置される。即ち、熱伝達部５１および熱伝達部５２は、温度センサ９１〜温度センサ９３と検出部２０との間に分断領域Ｓを有してもよいが、少なくとも一方が検出部２０と処理回路３０との間に設けられる。
【００７５】
検出装置１００は、検出部２０と処理回路３０との間に少なくとも熱伝達部５１又は熱伝達部５２を有する。即ち、検出装置１００は、平面視において、検出部２０と処理回路３０との間の直線的な経路において、熱伝達部５１および熱伝達部５２のいずれかを有する。また、本例では、熱伝達部５１および熱伝達部５２の分断領域Ｓに熱伝達部５１および熱伝達部５２と同じ層の配線を設けることができるので配線密度が増加する。このように、本例の検出装置１００は、ノイズや熱のシールド効果を維持しつつ、配線密度を増加できる。
【００７６】
また、検出装置１００は、検出部２０と温度センサ９１〜温度センサ９３との間に少なくとも熱伝達部５１および熱伝達部５２のいずれかを有する。即ち、検出装置１００は、平面視において、検出部２０と温度センサ９１〜温度センサ９３との間の直線的な経路において、熱伝達部５１および熱伝達部５２のいずれかを有する。これにより、温度センサ９１〜温度センサ９３に起因して検出部２０の温度が変化することを抑制する。
【００７７】
［実施例５］
図７は、実施例５に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、熱伝達部５１の内側に温度センサ９１〜温度センサ９３を備える点で実施例１に係る検出装置１００と相違する。本例では、実施例１との相違点について特に説明する。
【００７８】
温度センサ９１は、熱伝達部５１の内側であって、検出部２０の外側に設けられる。検出部２０の外側とは、検出部２０が有する圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４によって構成されるホイートストンブリッジ回路の外側を指す。本例の温度センサ９１は、熱伝達部５１に接続される第１温度センサの一例である。
【００７９】
温度センサ９２は、熱伝達部５１の内側であって、検出部２０の外側に設けられる。温度センサ９２は、熱伝達部５１の内側であって、温度センサ９１と離れた位置に設けられることが好ましい。一例において、温度センサ９２は、検出部２０を挟んで温度センサ９１と反対側に設けられる。本例の温度センサ９２は、熱伝達部５１に接続される第１温度センサの一例である。
【００８０】
温度センサ９３は、熱伝達部５１の内側において、検出部２０の内側に設けられる。検出部２０の内側とは、検出部２０が有する圧力検知素子２１〜圧力検知素子２４によって構成されるホイートストンブリッジ回路の内側を指す。本例の温度センサ９３は、検出部２０のホイートストンブリッジの内側に設けられる第３温度センサの一例である。本例の温度センサ９３は、熱伝達部５１に接続されていないが、熱伝達部５１に接続されていてもよい。
【００８１】
本例の検出装置１００は、熱伝達部５１の内側に、検出部２０と、温度センサ９１〜温度センサ９３とを有する。これにより、温度センサ９１〜温度センサ９３と検出部２０との温度差が生じにくくなり、検出部２０の温度を正確に検出できる。よって、検出部２０の温度補償の精度が向上し、検出装置１００の圧力検出精度が向上する。なお、本例の検出装置１００は、熱伝達部５１に接続された温度センサ９１および温度センサ９２を備えるが、温度センサ９１〜温度センサ９３の全てが熱伝達部５１に接続されなくてもよい。
【００８２】
図８は、実施例５に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。本例では、実施例１を説明した図２と相違する点について特に説明する。
【００８３】
温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂは、平面視で、熱伝達部５１の内側であって、検出部２０の外側に設けられる。また、本例の温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂは、平面視で、ダイヤフラム８５の外側に設けられる。即ち、温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂは、平面視で、支持部材８２が設けられたダイヤフラム８５と異なる領域に形成される。
【００８４】
温度センサ９１ｂは、絶縁膜８０上に形成されている。このように、温度センサ９１ｂは、絶縁膜８０上に設けられているので、基板１０に温度センサ９１ｂの発熱やノイズの影響を与えにくい。また、温度センサ９１ｂは、熱伝達部５１ｂと接続されているので、熱伝達部５１ｂにより均一化された温度を検出できる。
【００８５】
図９は、実施例５に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。本例では、実施例１を説明した図３と相違する点について特に説明する。
【００８６】
温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂは、平面視で、熱伝達部５１の内側であって、検出部２０の外側に設けられる。また、本例の温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂは、平面視で、ダイヤフラム８５の外側に設けられる。即ち、温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂは、平面視で、支持部材８２が設けられた肉厚の領域に形成される。本例の温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂは、支持部材８２が設けられた肉厚の領域の温度を検出するので、より均一化された温度を検出しやすくなる。
【００８７】
［実施例６］
図１０は、実施例６に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、熱伝達部５１又は熱伝達部５２の内側に温度センサ９１〜温度センサ９３を備える点で実施例２に係る検出装置１００と相違する。本例では、実施例２との相違点について特に説明する。
【００８８】
温度センサ９１は、平面視で、熱伝達部５１の外側であって、熱伝達部５２の内側に設けられる。即ち、温度センサ９１は、熱伝達部５１と熱伝達部５２との間に設けられる。これにより、本例の温度センサ９１は、処理回路３０からの影響を受けにくく、且つ、検出部２０に影響を与えにくい。本例の温度センサ９１は、熱伝達部５２と接続される。本例の温度センサ９１は、熱伝達部５２に接続される第１温度センサの一例である。但し、温度センサ９１は、熱伝達部５１に接続されてもよい。
【００８９】
温度センサ９２は、平面視で、熱伝達部５１の内側に設けられる。即ち、本例の温度センサ９２は、平面視で、熱伝達部５１および熱伝達部５２の２重構造の内側に設けられる。これにより、温度センサ９２は、処理回路３０からの影響を更に受けにくくなる。本例の温度センサ９２は、熱伝達部５１と接続される。本例の温度センサ９２は、熱伝達部５１に接続される第１温度センサの一例である。但し、温度センサ９２は、熱伝達部５２に接続されてもよい。
【００９０】
温度センサ９３は、平面視で、検出部２０の内側に設けられる。これにより、温度センサ９３は、検出部２０の温度を精度よく検出できる。また、温度センサ９３は、平面視で、熱伝達部５１および熱伝達部５２の２重構造の内側に設けられるので、処理回路３０からの影響を受けにくい。本例の温度センサ９３は、検出部２０のホイートストンブリッジの内側に設けられる第３温度センサの一例である。
【００９１】
［実施例７］
図１１は、実施例７に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、熱伝達部５１の内側に温度センサ９１〜温度センサ９３を備える点で実施例３に係る検出装置１００と相違する。本例では、実施例３との相違点について特に説明する。
【００９２】
温度センサ９１は、平面視で、熱伝達部５１の内側であって、検出部２０の外側に設けられる。温度センサ９１は、検出部２０と処理回路３０との間に設けられる。但し、温度センサ９１と処理回路３０との間には熱伝達部５１が設けられている。温度センサ９１は、熱伝達部５１に接続されてよい。
【００９３】
温度センサ９２は、平面視で、熱伝達部５１の内側であって、検出部２０の外側に設けられる。温度センサ９２は、熱伝達部５１の内側であって、温度センサ９１と離れた位置に設けられることが好ましい。一例において、温度センサ９２は、検出部２０を挟んで温度センサ９１と反対側に設けられる。温度センサ９２は、熱伝達部５１に接続されてよい。本例の温度センサ９２が接続された熱伝達部５１と、温度センサ９１が接続された熱伝達部５１とは、分断領域Ｓを挟んで分断されている。
【００９４】
温度センサ９３は、平面視で、検出部２０の内側に設けられる。これにより、温度センサ９３は、検出部２０の温度を精度よく検出できる。本例の温度センサ９３は、熱伝達部５１に接続されていないが、熱伝達部５１に接続されていてもよい。
【００９５】
［実施例８］
図１２は、実施例８に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、熱伝達部５１又は熱伝達部５２の内側に温度センサ９１〜温度センサ９３を備える点で実施例４に係る検出装置１００と相違する。本例では、実施例４との相違点について特に説明する。
【００９６】
温度センサ９１は、平面視で、熱伝達部５２の内側であって、熱伝達部５１の外側に設けられる。本例の温度センサ９１は、検出部２０よりも処理回路３０側に設けられる。温度センサ９１と処理回路３０との間には、熱伝達部５２が設けられる。また、温度センサ９１と検出部２０との間には、熱伝達部５１が設けられる。温度センサ９１は、熱伝達部５１に接続されてよい。
【００９７】
温度センサ９２は、平面視で、熱伝達部５１の内側であって、検出部２０の外側に設けられる。本例の温度センサ９２は、検出部２０よりも処理回路３０側に設けられる。即ち、本例の温度センサ９１および温度センサ９２は、いずれも検出部２０より処理回路３０側に設けられている。但し、温度センサ９２は、検出部２０に対して処理回路３０と反対側に設けられてもよい。
【００９８】
温度センサ９３は、平面視で、検出部２０の内側に設けられる。これにより、温度センサ９３は、検出部２０の温度を精度よく検出できる。本例の温度センサ９３は、熱伝達部５１に接続されていないが、熱伝達部５１に接続されていてもよい。
【００９９】
［実施例９］
図１３は、実施例９に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、処理回路３０の近傍に温度センサ９４および温度センサ９５を備える点で実施例５に係る検出装置１００と相違する。本例では、実施例５との相違点について特に説明する。
【０１００】
温度センサ９４は、処理回路３０の内部に設けられる。温度センサ９４は、熱伝達部５１と接続されていない。これにより、温度センサ９４は、処理回路３０の内部の局所的な温度を精度よく検出できる。本例の温度センサ９４は、平面視で、熱伝達部５１の外部に設けられ、且つ、処理回路３０の内部に設けられた第２温度センサの一例である。
【０１０１】
温度センサ９５は、検出部２０と処理回路３０との間に設けられる。また、温度センサ９５は、熱伝達部５１と接続されていない。これにより、温度センサ９５は、処理回路３０から外部への放熱を検出する。本例の温度センサ９５は、平面視で、熱伝達部５１の外部に設けられた第２温度センサの一例である。
【０１０２】
温度センサ９４および温度センサ９５は、熱伝達部５１に接続されていないので、処理回路３０の近傍の局所的な発熱の有無を検出できる。このように、検出部２０の温度補償用の温度センサ９１〜温度センサ９３と、処理回路３０等の発熱の有無を検出する温度センサ９４および温度センサ９５とを別々に形成することにより、検出装置１００の特性を最適化できる。
【０１０３】
図１４は、実施例９に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。本例の検出装置１００は、処理回路３０の内部に温度センサ９４を備える点で、実施例５を説明した図８と相違する。本例では、実施例５を説明した図８と相違する点について特に説明する。また、本例では、温度センサ９４の一例として構造の異なる温度センサ９４ａおよび温度センサ９４ｂについて説明する。
【０１０４】
温度センサ９４ａは、処理回路３０の内部において、基板１０に形成されている。温度センサ９４ａは、基板１０に形成されたＰＮ接合ダイオードを有する。
【０１０５】
温度センサ９４ｂは、処理回路３０の内部において、基板１０のおもて面に形成された絶縁膜８０上に形成される。温度センサ９４ｂは、絶縁膜８０上に形成されたＰＮ接合ダイオードを有する。
【０１０６】
以上の通り、処理回路３０は、温度センサ９４ａ又は温度センサ９４ｂのいずれかの温度センサを有していてもよいし、両方の温度センサを有していてもよい。また、温度センサ９４ａおよび温度センサ９４ｂは、異なる領域に設けられてもよい。
【０１０７】
図１５は、実施例９に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。本例の検出装置１００は、処理回路３０の内部に温度センサ９４を備える点で、実施例５を説明した図９と相違する。温度センサ９４については、実施例９を説明した図１４で開示された温度センサ９４ａおよび温度センサ９４ｂと同様の構成であってよい。
【０１０８】
［実施例１０］
図１６は、実施例１０に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、温度センサ９１〜温度センサ９３の配置が実施例２に係る検出装置１００と相違する。また、検出装置１００は、処理回路３０の近傍に温度センサ９４および温度センサ９５を備える点で実施例２に係る検出装置１００と相違する。本例では、実施例２との相違点について特に説明する。
【０１０９】
温度センサ９１は、平面視で、熱伝達部５２の内側であって、熱伝達部５１の外側に設けられる。温度センサ９１は、検出部２０よりも処理回路３０側に設けられる。
【０１１０】
温度センサ９２は、平面視で、熱伝達部５１の内側であって、検出部２０の外側に設けられる。温度センサ９２は、検出部２０よりも処理回路３０側に設けられる。
【０１１１】
温度センサ９３は、平面視で、検出部２０の内側に設けられる。なお、温度センサ９４および温度センサ９５は、実施例９に係る温度センサ９４および温度センサ９５と同様に設けられてよい。
【０１１２】
［実施例１１］
図１７は、実施例１１に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、熱伝達部５１が分断領域Ｓを有する点で実施例９に係る検出装置１００と相違する。本例の分断領域Ｓは、他の実施例で示したものと同様に形成されてよい。
【０１１３】
［実施例１２］
図１８は、実施例１２に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、熱伝達部５１および熱伝達部５２が分断領域Ｓを有する点で実施例１０に係る検出装置１００と相違する。本例の分断領域Ｓは、他の実施例で示したものと同様に形成されてよい。
【０１１４】
［実施例１３］
図１９は、実施例１３に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、温度センサ９１〜温度センサ９３が、平面視で、熱伝達部５１の外側に設けられる点で実施例９に係る検出装置１００と相違する。本例の温度センサ９１〜温度センサ９３の配置は、他の実施例で示したものと同様に形成されてよい。
【０１１５】
図２０は、実施例１３に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。本例の検出装置１００は、温度センサ９４を備える点で、実施例１を説明した図２の検出装置１００と相違する。また、本例の検出装置１００は、温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂが熱伝達部５１ａおよび熱伝達部５１ｂの外側に設けられている点で、実施例９を説明した図１４の検出装置１００と相違する。
【０１１６】
図２１は、実施例１３に係る検出装置１００の断面を説明するための模式図の一例である。本例の検出装置１００は、温度センサ９４を備える点で、実施例１を説明した図３の検出装置１００と相違する。また、本例の検出装置１００は、温度センサ９１ａおよび温度センサ９１ｂが熱伝達部５１ａおよび熱伝達部５１ｂの外側に設けられている点で、実施例９を説明した図１５の検出装置１００と相違する。
【０１１７】
［実施例１４］
図２２は、実施例１４に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、温度センサ９４および温度センサ９５を備える点で実施例２に係る検出装置１００と相違する。温度センサ９４および温度センサ９５については、他の実施例の場合と同様であってよい。
【０１１８】
［実施例１５］
図２３は、実施例１５に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、温度センサ９４および温度センサ９５を備える点で実施例３に係る検出装置１００と相違する。温度センサ９４および温度センサ９５については、他の実施例の場合と同様であってよい。
【０１１９】
［実施例１６］
図２４は、実施例１６に係る検出装置１００の構成の一例を示す。本例の検出装置１００は、温度センサ９４および温度センサ９５を備える点で実施例４に係る検出装置１００と相違する。温度センサ９４および温度センサ９５については、他の実施例の場合と同様であってよい。
【０１２０】
［実施例１７］
図２５は、実施例１７に係る検出装置１００の構成の一例を示す。図２６は、実施例１７に係る温度検知部９６および温度センサの概要を模式的に説明する説明図である。本例の検出装置１００は、温度検知部９６を有する点で実施例１と相違する。また、検出装置１００は、電圧計９１１、電圧計９２２および電圧計９３３を備えてよい。本例では、実施例１に係る検出装置１００と相違する点について特に説明する。
【０１２１】
温度検知部９６は、温度センサ９１、９２、９３が検出した温度を検知する。一例において、温度検知部９６は、温度センサ９１、９２、９３が有するＰＮ接合ダイオードに電流を流し、電圧計９１１、９２２、９３３がそれぞれ検出したＰＮ接合ダイオードの電圧を取得する。これにより、温度検知部９６は、温度センサ９１、９２、９３の温度を検知する。
【０１２２】
具体的には、温度検知部９６は下記の（数１）式に基づき温度を検知し、処理回路３０に出力する。これにより、処理回路３０は、各温度センサ９１〜温度センサ９３が検出した温度に基づいて、検出部２０の温度補償を実現する。本例の温度検知部９６は、検出装置１００と同一基板に設けられる。但し、温度検知部９６は、検出装置１００の外部に設けられてもよい。温度検知部９６は、他の実施例に係る検出装置１００に備えられてもよい。
【数１】
2018205143.tif 000003
ｋ：ボルツマン定数
Ｔ：絶対温度
ｑ：電荷
Ｉｓ：ダイオードの飽和電流密度
【０１２３】
なお、本例の熱伝達部５１は、処理回路３０に直接接続されていないが、温度センサおよび温度検知部９６を介して、間接的に処理回路３０と接続されてよい。即ち、熱伝達部５１が温度センサ９１〜温度センサ９３に接続され、温度センサ９１〜温度センサ９３が温度検知部９６に接続され、温度検知部９６が処理回路３０に接続されてよい。
【０１２４】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【０１２５】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【０１２６】
１０・・・基板、２０・・・検出部、２１・・・圧力検知素子、２２・・・圧力検知素子、２３・・・圧力検知素子、２４・・・圧力検知素子、３０・・・処理回路、４０・・・電気配線部、５１・・・熱伝達部、５２・・・熱伝達部、６１・・・電極部、７１・・・基板接続部、８０・・・絶縁膜、８２・・・支持部材、８５・・・ダイヤフラム、９１・・・温度センサ、９２・・・温度センサ、９３・・・温度センサ、９４・・・温度センサ、９５・・・温度センサ、９６・・・温度検知部、１００・・・検出装置、９１１・・・電圧計、９２２・・・電圧計、９３３・・・電圧計
【図１】
2018205143.tif 000004
【図２】
2018205143.tif 000005
【図３】
2018205143.tif 000006
【図４】
2018205143.tif 000007
【図５】
2018205143.tif 000008
【図６】
2018205143.tif 000009
【図７】
2018205143.tif 000010
【図８】
2018205143.tif 000011
【図９】
2018205143.tif 000012
【図１０】
2018205143.tif 000013
【図１１】
2018205143.tif 000014
【図１２】
2018205143.tif 000015
【図１３】
2018205143.tif 000016
【図１４】
2018205143.tif 000017
【図１５】
2018205143.tif 000018
【図１６】
2018205143.tif 000019
【図１７】
2018205143.tif 000020
【図１８】
2018205143.tif 000021
【図１９】
2018205143.tif 000022
【図２０】
2018205143.tif 000023
【図２１】
2018205143.tif 000024
【図２２】
2018205143.tif 000025
【図２３】
2018205143.tif 000026
【図２４】
2018205143.tif 000027
【図２５】
2018205143.tif 000028
【図２６】
2018205143.tif 000029