【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３５１１９７０号発明「窒化物半導体発光素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第３５１１９７０号（以下「本件特許」という。平成１６年１月１６日登録、請求項の数は５である。なお、本件特許に係る出願である特願２０００−６７６７３号は、平成７年６月１５日に出願した特願平７−１４８４７０号〔以下「原出願」という。〕の一部を分割して平成１２年３月１０日に新たな出願としたものである。）の請求項１ないし５に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
第２　手続の経緯
　本件審判の経緯は、以下のとおりである。
　
平成２３年１２月１６日　審判請求
平成２４年　３月　９日　審判事件答弁書提出（被請求人）
平成２４年　７月　５日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
平成２４年　７月　９日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
平成２４年　７月１９日　口頭審理
　
第３　本件発明
　１　本件特許の請求項に係る発明は、次の各請求項に記載されたとおりのものと認められる。
「【請求項１】  導電性基板上に、電極を介して光の取り出し側とする窒化物半導体が接着してなり、該窒化物半導体の最下層はｐ型層であり、最上層がｎ型層であって、該ｎ型層には部分電極が設けられていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】  前記電極が、窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極及び／又は導電性基板表面に形成されたオーミック電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】  前記導電性基板を接着する窒化物半導体層面が、前記ｐ型層であり、前記電極及び／又は導電性材料が、ｐ型層のほぼ全面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】  前記電極が導電性材料を多層構造に積層されたことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】  前記電極及び／又は導電性材料が、窒化物半導体の発光波長を反射できることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。」
（以下、請求項１ないし５のそれぞれに係る発明を、「本件発明１」ないし「本件発明５」といい、これらを総称して「本件発明」という。）
　
　２　本件発明１を分説すると、次のとおりである。
１−Ａ　導電性基板上に、
１−Ｂ　電極を介して光の取り出し側とする窒化物半導体が接着してなり、
１−Ｃ　該窒化物半導体の最下層はｐ型層であり、
１−Ｄ　最上層がｎ型層であって、
１−Ｅ　該ｎ型層には部分電極が設けられている
１−Ｆ　ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
　
第４　請求人の主張の概要及び証拠方法 
　１　無効理由１
　本件発明１ないし５は、甲第１号証（特開平５−２５１７３９号公報）に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　
　２　無効理由２
　本件発明１ないし５は、甲第２号証（特開平２−２８８３７１号公報）に記載された発明及び甲第１号証（特開平５−２５１７３９号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　 　  
　３　甲号証
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
　
（１）甲第１号証　特開平５−２５１７３９号公報
（２）甲第２号証　特開平２−２８８３７１号公報
（以上、審判請求書に添付して提出。）
　
第５　被請求人の主張の概要
　１　無効理由１に対して
　甲第１号証には本件発明１ないし５と同一の発明は記載されていない。
　
　２　無効理由２に対して
　甲第２号証には、本件特許発明とは技術思想が異なる発明が開示されているのであって、構成要件１Ｂ以外の要件が開示されているものではなく、さらに構成要件１Ｂも甲第１号証に開示されていないので、甲第２号証に甲第１号証を組み合わせることはできない。
　
第６　無効理由についての当審の判断
　１　無効理由１について
（１）甲号証の記載
　原出願の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平５−２５１７３９号公報）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
　
　ア　「【００４４】次に本発明の実施例１を図面を参照して説明する。図４は本発明の実施例１に係る
半導体発光素子である発光ダイオード
一方の電極を有する化合物半導体結晶１４と、この結晶の他方の面上にオーミック電極１３、更にそのオーミック電極１３の上の共晶合金１２及び発光層２の両側に電流拡散層３、厚膜層１０を有する光半導体ウェーバ１５の厚膜層１０側にオーミック電極１１と電流拡散層側３にオーミック電極５が存在し、前記化合物半導体結晶１４と光半導体結晶１５とが前記共晶合金によって機械的にも電気的にも結合されている
　
　イ　「【００４５】次に上記半導体発光素子の製造方法について具体的に説明する。
【００４６】各半導体層は有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により成長させた。
【００４７】原料にはトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）をIII 族元素のソースとして、アルシン（ＡｓＨ3 ）とフォスフィン（ＰＨ3 ）をＶ族元素のソースとして用いた。
【００４８】またＰ型ドーパントとしてＺｎ、ｎ型ドーパントとしてＳｉを用いたが、これらはそれぞれジメチル亜鉛（ＤＭＺ）、シラン（ＳｉＨ4 ）をソースとしてドープした。
【００４９】これらの反応性ガスを水素をキャリアガスとして石英製反応管に輸送して、ＳｉＣコーティングしたグラファイトサセプタ上に設置したｐ−ＧａＡｓ光半導体結晶基板にエピタキシャル結晶成長をさせた。
【００５０】反応管内部の圧力は３０〜１００Torrであり、基板は８００℃程度に加熱される。
【００５１】ｐ−ＧａＡｓ基板にはＺｎをドープした、キャリア濃度が１×１０19cm-3程度のものを用いた。基板の面方位は（１００）である。初めにｐ−ＧａＡｓ基板の上にｐ−ＧａＡｓ（Ｚｎドープ、３×１０18cm-3）バッファ層を０．５μｍ程度成長させる。この上に順次ｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ0.2 Ａｌ0.3 Ｐ保護膜層（Ｚｎドープ、５×１０17cm-3）を０．１５μｍ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（Ｚｎドープ、３×１０18cm-3）を０．１μｍ，ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層（Ｚｎドープ  ４×１０18cm-3）３を７μｍ程度、
ｐ−Ｉｎ
0.5
 Ａｌ
0.5
 Ｐ）、クラッド層
２２
アンドープＩｎ
0.5 
Ｇａ
0.21
Ａｌ
0.29
Ｐ活性層２０
ｎ−Ｉｎ
0.5 
Ａｌ
0.5 
Ｐクラッド層
【００５２】次にこのようにして得られた
ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶１５
【００５３】ついでこれを写真触刻法により所定の形状（例えば直径７０μｍ，ピッチが１８０μｍの電極パターン）にエッチングして電極１１を形成する。また、電極１１以外の露出しているｎ−ＧａＡｓコンタクト層をアンモニア水と過酸化水素水からなるエッチング液で除去する。
【００５４】一方、厚さ２５０μｍ程度の
ｎ−ＧａＰ結晶
【００５５】このようにして電極形成された光半導体結晶１５のｎ側電極１１と
ＧａＰ半導体結晶１４
【００５６】次にこのＡｕＧｅ合金の融着により接着一体化したウェーハをアンモニア水と過酸化水素水のエッチング液によりｐ−ＧａＡｓ半導体結晶基板のみを除去する。更にリン酸で７０℃３０秒エッチングしてｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ0.2 Ａｌ0.3 Ｐ保護膜層を除去し、真空蒸着法によりｐ−ＧａＡｓコンタクト層にＡｕＢｅ合金層を０．３μｍ蒸着した後、４８０℃１０分間Ａｒ雰囲気中でシンタリングしてオーミックコンタクトを形成する。更にワイヤポンディングが容易にならしめるためにＡｕＢｅ合金層の上にＡｕを１μｍ程度蒸着した後、
所定の形状にエッチングしてＰ側電極５を形成
【００５７】また電極５以外の露出しているｐ−ＧａＡｓコンタクト層はアンモニア水と過酸化水素水からなるエッチング液で除去する。しかる後に所定のピッチでダイシングして個々のペレットに分離する。
【００５８】このようにしてＧａＡｓ基板を除去してなる高効率ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ・半導体発光素子が完成する。このＬＥＤではダブルヘテロ構造部の活性層で発生した光はＰ側電極５側、ｎ−厚膜層１０側及び側面に向うことになる。ｎ−厚膜層１０側に向かった光はｎ−厚膜層１０と空気との界面で１部が反射され、残りは半導体結晶１４に向う。半導体結晶１４に入射した光も半導体結晶が透明であるので有効に外に放射される。この効果は
電極
９
　ここで、図４は次のものである。
　
　ウ　「【００５９】なお、上記実施例において、ＩｎＧａＡｌＰ保護膜層、ＧａＡｓコンタクト層を形成してあるが、これらの層は本発明においては本質的な事項ではなく、これらの層がなくても特性上問題ない。また
半導体結晶としてｎ−ＧａＰを採用しているが、ｐ−ＧａＰを使用しても良い。この場合は図４に示されている導電型はすべて逆になる
　
　エ　「【００６１】つぎに図５を参照して本発明の実施例２を説明する。
【００６２】これは
金属反射層１８を設けるという点が先に説明した図４の実施例１とは基本的に異なる
【００６３】
それ以外の工程は本発明の実施例１と同様である
【００６４】本発明の実施例２の特徴は従来例２で説明した半導体反射層と同じ効果を金属反射層１８により出現させるという点で、半導体反射層よりも製造バラツキを少なくさせることが出来ることが優れている。
【００６５】金属反射層１８の材料としては前記のＡｇの他にＡｕ  Ａｌ  Ｎｉ等の他に金属を用いても良いがＡｇは反射率の点で優れており、Ａｕは化学的安定性で優れている。
・・・
【００６８】そこで図５に示す発明実施例２によって構成された半導体発光デバイスは、一方を光半導体結晶基板１４例えばｎ−ＧａＰと、もう一方をｎー厚膜層１０例えばｎ−ＧａＰ結晶若しくは、光半導体エピタキシャル結晶成長層・ｐ−ＧａＰエピタキシャル層の上にｎーＩｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ・グラッド層２１，ｐーＩｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ・グラッド層２２を成長させ、活性層２０とにより発光層を形成する。更にｐー電流拡散層を構築した、光半導体発光素子（ＬＥＤウェーハー）１５とで、半導体発光デバイスを構成するわけであるが、
ｎー厚膜層１０に、所定の形に形状化したオーミック電極１１（水玉電極）を形成し、該オーミック電極面上全面に金属若しくは合金から成る金属反射層１８を形成、更に、この金属反射層１８と光半導体結晶基板１４上に形成したオーミック電極・全面電極１７とを合金熱溶融により共晶合金化
　ここで、図５は、次のものである。
　
　オ　「【００６９】第三の発明は少なくとも一つ以上の発光層を構成する半導体エピタキシャル結晶成長層を有する半導体発光素子同志若しくは少なくとも一つ以上の発光層を構成する半導体エピタキシャル結晶成長層発光層を有する半導体発光素子と光半導体結晶基板をベースとした半導体発光素子との接合を金属によって共晶合金接合によって成る半導体発デバイスの各発光層により中間色を発光するものである。そこで、次に図６を参照して発明
実施例３ついて説明する
【００７０】
これは図４の光半導体結晶１４のかわりに、ＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ・半導体発光素子２３を接合するという点が先に説明した図４の実施例とは基本的に異なっている
【００７１】このＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ・半導体発光素子２３は例えば図６で示すように、このＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェーハ・半導体発光素子２３を構成するベースとなるｎ−ＧａＰ光半導体結晶基板２４上に図６−２５ｎ−ＧａＡｓＰエピ層と図６−２６のｐ−ＧａＡｓＰエピ層を積層成長させ、図６−２５ｎ−ＧａＡｓＰエピ層と図６−２６のｐ−ＧａＡｓＰエピ層とで発光層を形成する。
【００７２】このＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェハー・半導体発光素子２３は図４で先に説明した方法によりＧａＰ緑色ＬＥＤ（ピーク波長５６５ｎｍ程度）ウェハー・半導体発光素子２７と接合される。」
　ここで、図６は、次のものである。
　
　カ　「【００７４】次に図７を参照して本発明実施例４について説明する。
【００７５】これは図４の半導体結晶１４のかわりに、ｎ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層３４をＧａＡｓ半導体結晶上に成長させた後エッチングによりＧａＡｓ半導体結晶を除去し、ｎ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層３４上にｎ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層２５とｐ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層２６とを積層させ発光層を形成させる。これによりＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウエーハー３６を形成する点が、先に説明した図４の本発明実施例１とは、基本的に異なっており、もう１方のｎ−ＧａＰエピ層・光半導体エピタキシャル結晶成長層３３をベースとしてなるＧａＰ緑色ＬＥＤウエーハー（ピーク波長５６５ｎｍ程度）３５は、図６の本発明実施例３でのｎ−ＧａＰ結晶基板２８から構成された（ＧａＰ）緑色ＬＥＤウエーハー２７とは基本的にｎ−ＧａＰ結晶基板２８とｎ−ＧａＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層３３並びにｎ−ＧａＰ結晶基板２４とｎ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層３４との対比点で異なっている。
【００７６】そこで、図７の本発明実施例４でのＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ３６はｎ−ＧａＰエピタキシャル結晶成長層３４からなり、図６の実施例３でのｎ−ＧａＰ結晶基板２４から構成されたＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ２３とは基本的に特性も異なっくる。
【００７７】図７の本発明実施例４での半導体発光素子・ＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ３６は、ｎ−ＧａＡｓＰエピタキシャル結晶成長層３４上に成長・積層構成された図７−２５のｎ−ＧａＡｓＰエピタキシャル結晶成長層と図７−２６のｐ−ＧａＡｓＰエピタキシャル結晶成長層とで発光層を形成する。
【００７８】又このＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェハー３６である半導体発光素子ともう１方の半導体発光素子・（ＧａＰ）緑色ＬＥＤ（ピーク波長５６５ｎｍ程度）ウェーハ３５はｎ−ＧａＰ光半導体エピタキシャル結晶成長層３３上に積層で構成された図７のｎ−ＧａＰエピタキシャル結晶成長層２９と図７のｐ−ＧａＡｓＰエピタキシャル結晶成長層３０とで発光層を形成する。
【００７９】この様にして構成したＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェハー３６（ピーク波長６５０ｎｍ程度）である半導体発光素子とＧａＰ緑色ＬＥＤウエ−ハー（ピーク波長５６５ｎｍ程度）３５である半導体発光素子とを金属間結合による共晶合金接合で半導体発光素子同志の結合を行なつた半導体発光デバイスを製造した。
【００８０】該半導体発光デバイス製造方法は第７の発明である
前記半導体発光素子の光半導体エピタキシャル結晶成長層３３上に形成したオーミック電極ともう一方の前記半導体発光素子の光半導体エピタキシャル結晶成長層・ｐ−ＧａＡｓＰエピタキシャル層２６上にオーミック電極を形成し、更に各オーミック電極上に共晶合金化構築物を形成する
【００８１】
これによって該オーミック電極同志を金属間結合により共晶合金接合させ成る半導体発光デバイス製造方法である。図４，図６，図７の１１，１２，１３の共晶合金化構築物の形成方法がこれである
【００８２】図７で先に説明した方法によりＧａＰ緑色ＬＥＤ（ピーク波長５６５ｎｍ程度）ウェハーである光半導体発光素子（ＬＥＤウェーハー）３５は、図７の光半導体エピタキシャル結晶成長層・ｐ−ＧａＰエピタキシャル層３３上にｎ−ＧａＰエピタキチャル結晶成長層２９，ｐ−ＧａＰエピタキチャル結晶成長層３０で挟んだいわゆる薄い光導波路であるＮ／ＧａＰ発光層を形成する。
【００８３】このようにして得られた半導体発光デバイス・チップは赤と緑の中間色のＬＥＤとなる。そして接合面から第３の電極を取り出すことにより１個のチップで赤から緑色までの光を任意に取り出すことができるという特徴を持つ。
又  青色ＬＥＤではＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層を使用する
　ここで、図７は、次のものである。
　
（２）甲第１号証に記載された発明
　ア　前記（１）アによれば、甲第１号証には、実施例１として「一方の電極を有する化合物半導体結晶１４と、この結晶の他方の面上にオーミック電極１３、更にそのオーミック電極１３の上の共晶合金１２及び発光層２の両側に電流拡散層３、厚膜層１０を有する光半導体ウェーハ１５の厚膜層１０側にオーミック電極１１と電流拡散層側３にオーミック電極５が存在し、前記化合物半導体結晶１４と光半導体結晶１５とが前記共晶合金によって機械的にも電気的にも結合されている、半導体発光素子である発光ダイオード。」が記載されているものと認められる。
　そして、同イによれば、上記発光ダイオードにおける、「一方の電極」、「化合物半導体結晶１４」、「オーミック電極１３」、「共晶合金１２」、「発光層２」、「電流拡散層３」、「厚膜層１０」、「『光半導体ウェーバ１５』ないし『光半導体結晶１５』」、「オーミック電極１１」及び「オーミック電極５」は、具体的にはそれぞれ、「ｎ側電極９」、「ｎ−ＧａＰ半導体結晶１４」、「オーミック電極１３」、「共晶合金１２」、「ｐ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層２２、アンドープＩｎ0.5 Ｇａ0.21Ａｌ0.29Ｐ活性層２０及びｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層２１からなる発光層２」、「ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層３」、「ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ厚膜層１０」、「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶１５」、「オーミック電極１１」及び「所定の形状にエッチングして形成したＰ側電極５」であるものと認められる。
　更に同ウによれば、半導体結晶１４としてｐ−ＧａＰを使用してもよいこと、この場合は、導電型はすべて逆になることが理解できる。
　
　イ　前記（１）エによれば、甲第１号証には、金属反射層１８を設けるという点が実施例１と異なる実施例２が記載されており、同実施例においては、光半導体ウェーハ１５の厚膜層１０側に形成したオーミック電極１１（水玉電極）の面上全面に金属反射層１８が形成され、更に、この金属反射層１８と光半導体結晶基板１４上に形成した全面電極であるオーミック電極１７とが共晶合金１２によって結合されているものと認められる。
　
　ウ　以上によれば、甲第１号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ｐ側電極を有するｐ−ＧａＰ半導体結晶と、この結晶の他方の面上にオーミック電極、更にそのオーミック電極の上の共晶合金、並びに、ｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層、アンドープＩｎ0.5 Ｇａ0.21Ａｌ0.29Ｐ活性層及びｐ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層からなる発光層の両側にｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層、ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ厚膜層を有するＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側にオーミック電極と金属反射層がこの順に存在するとともに、電流拡散層側に所定の形状にエッチングして形成したｎ側電極が存在し、前記ｐ−ＧａＰ半導体結晶のオーミック電極とＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側に存在する金属反射層とが前記共晶合金によって機械的にも電気的にも結合されている、半導体発光素子である発光ダイオード。」（以下「甲１発明」という。）
　
　エ（ア）請求人は、審判請求書（１０頁〜１４頁）において以下のように主張し、甲第１号証には本件特許発明の構成要件の全てが開示されており、本件特許発明と甲第１号証との間に相違点はない旨主張する。
　
　ａ　構成要件１−Ａについて
　構成要件１−Ａは、「導電性基板上に、」である。
　甲第１号証の図５には、「半導体結晶１４」が開示されており、「半導体結晶１４」は、「光半導体結晶基板１４例えばｎ−ＧａＰ」とも記載されているから（段落【００６８】２〜３行）、導電性を有する基板であることは明らかである。
　従って、甲第１号証には構成要件１−Ａが開示されている。
　
　ｂ　構成要件１−Ｂについて
　構成要件１−Ｂは、「電極を介して光の取り出し側とする窒化物半導体が接着してなり、」である。
　甲第１号証の図５には、「オーミック電極１１（水玉電極）」、「金属反射層１８」、「共晶合金１２」及び「全面電極１７」を介して「光半導体結晶１５」が「半導体結晶１４」上に接着している。「光半導体結晶１５」の下層に「金属反射層１８」が設けられていることから明らかなとおり、「光半導体結晶１５」は「オーミック電極１１（水玉電極）」、「金属反射層１８」、「共晶合金１２」及び「全面電極１７」を介して光の取り出し側に設けられている。また、甲第１号証には、「又　青色ＬＥＤではＧａＮ、ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層を使用する」と記載されているとおり（【００８３】）、「光半導体結晶１５」はＧａＮ、即ち、窒化物半導体であってもよい旨が記載されている。
　従って、甲第１号証には構成要件１−Ｂが開示されている。
　
　ｃ　構成要件１−Ｃについて
　構成要件１−Ｃは、「該窒化物半導体の最下層はｐ型層であり、」である。
　甲第１号証の図５において、「光半導体結晶１５」の最下層は「ｎ−厚膜層１０」、即ち、ｎ型層である。しかしながら、図５において「半導体結晶１４」として「ｎ−ＧａＰ」に代えて「ｐ−ＧａＰを使用」する場合、「導電型はすべて逆になる」（段落【００５９】４〜７行）、即ち、ｐ型層及びｎ型層がすべて逆になるのであるから、甲第１号証には、図５において「光半導体結晶１５」の最下層である「ｎ−厚膜層１０」をｐ型層とすることも開示されているのである。
　従って、甲第１号証には構成要件１−Ｃが開示されている。
　
　ｄ　構成要件１−Ｄについて
　構成要件１−Ｄは、「最上層がｎ型層であって、」である。
　甲第１号証の図５において、「光半導体結晶１５」の最上層は「ｐ−電流拡散層３」、即ち、ｐ型層である。しかしながら、上記ｃと同様に、「半導体結晶１４」として「ｎ−ＧａＰ」に代えて「ｐ−ＧａＰ」を使用すれば、ｐ型層及びｎ型層が逆になるのだから、甲第１号証には、図５において「ｐ−電流拡散層３」をｎ型層とすることも開示されている。
　従って、甲第１号証には構成要件１−Ｄが開示されている。
　
　ｅ　構成要件１−Ｅについて
　構成要件１−Ｅは、「該ｎ型層には部分電極が設けられている」である。
　甲第１号証の図５において、「光半導体結晶１５」の最上層である「ｐ−電流拡散層３」には、部分的に「ｐ側電極５」が設けられている。しかしながら、上記ｄで述べたとおり、甲第１号証には、図５において該電極が設けられる「ｐ−電流拡散層３」をｎ型層とすることも開示されている。
　従って、甲第１号証には構成要件１−Ｅが開示されている。
　
　ｆ　構成要件１−Ｆについて
　構成要件１−Ｆは、「ことを特徴とする窒化物半導体発光素子」である。
　甲第１号証には、「光半導体結晶１５」はＧａＮ、即ち、窒化物半導体であってもよい旨が記載されている（【００８３】）。
　従って、甲第１号証には構成要件１−Ｆが開示されている。
　
（イ）また、請求人は、口頭審理陳述要領書（６頁〜１０頁）において、以下のように主張するとともに、仮に、甲第１号証には、甲１の図５の実施例にＧａＮを適用することが記載されていないとしても、本件特許発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到できたものであることは明らかであると主張する。
　
　ａ　構成要件１−Ｂについて
　甲第１号証の図５の実施例において、「光半導体発光素子１５」は「ＬＥＤウェハー」とも称されているところ（甲第１号証【００６８】９〜１０行）、甲第１号証の段落【００８３】において、「又　青色ＬＥＤではＧａＮ、ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層を使用する」との記載が示すとおり、『光半導体発光素子たる青色「ＬＥＤ」では、「ＧａＮ」を使用すること』が開示されている。
　そうだとすれば、甲第１号証の図５において、『「光半導体発光素子１５」を、ＧａＮから構成すること』は、甲第１号証に記載されている、と解される。
　
　ｂ　構成要件１−Ｃ及び１−Ｄについて
　サファイア基板に成長させたｎ−Ｇａｎ層、ｐ−Ｇａｎ及び「１８　金属反射層」を甲第１号証の実施例４にしたがって、「１２　共晶合金」及び「１７　全面電極」を解して「１４　半導体結晶」と接合させ、その後、サファイア基板を除去する。そうすると、「最下層はｐ型層」（構成要件１−Ｃ）であり、「最上層がｎ型層」であるＧａｎ系半導体発光素子が形成される。
　上記技術は、実施例（図１）に関する甲第１号証の【００５６】、【００５９】で開示されており、『同技術が、実施例２（図５）に適用されること」は、甲第１号証の【００６３】で開示されている。
　
　オ　上記エの請求人の主張について検討する。
　
（ア）請求人が上記エ（ア）ｃ及び（イ）ａにおいて指摘する、甲第１号証の【００８３】（前記（１）ア（カ）を参照。）に記載された「ＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層」を使用する「青色ＬＥＤ」について検討するに、「エピタキチャル結晶成長層」との表現に照らすならば、図５の実施例においてｐ−ＧａＡｓ光半導体結晶基板にエピタキシャル結晶成長をさせて得られた、ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶１５（前記（１）ア（イ）、【００４９】〜【００５２】を参照。）、すなわち、甲１発明における「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」や、ＧａＰ緑色ＬＥＤウェハー・半導体発光素子２７（前記（１）ア（オ）、【００７２】を参照。）と同様に用いることを意図したものとひとまず推測できる。
　
（イ）しかし、「ＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層」を使用する「青色ＬＥＤ」をどのように用いて、化合物半導体結晶１４（前記（１）ア（ア）を参照。）と結合するのかなどについての具体的な説明は甲第１号証には認められない。
　請求人が上記エ（イ）ｂにおいて指摘する、甲第１号証の【００５６】、【００５９】において説明されるのは、ＧａＡｓ半導体結晶基板にＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶１５を成長させ、半導体結晶としてＧａｐを用いるものであり（前記（１）イを参照。）、かかる甲第１号証の記載に基づいて、「ＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層」を使用する「青色ＬＥＤ」を用いる場合に、甲１発明の各層がどのようなものとされ、ｐ、ｎの導電型がどのようなものとされるのか当業者が理解し得るものとは認められない。
　したがって、甲第１号証に、光半導体結晶１４と接合される半導体発光素子１５が、ＧａＮ半導体発光素子である構成が開示されているということもできない。
　
（ウ）以上によれば、甲第１号証に本件発明１の構成１−Ｂないし１−Ｄが開示されているとの請求人の主張は、採用できない。
　
（３）本件発明１と甲１発明との対比、判断
　ア　対比
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
　
（ア）甲１発明における「ｐ−ＧａＰ半導体結晶」は、本件発明１の「導電性基板」に相当する。
　
（イ）甲１発明は、「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」が「発光層の両側」に「ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層」、「ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ厚膜層」を有し、「厚膜層側」に「金属反射層」が存在するものであるから、「電流拡散層」側が「光の取り出し側」になるものと認められる。
　そして、甲１発明は、「ｐ−ＧａＰ半導体結晶のオーミック電極とＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側に存在する金属反射層とが前記共晶合金によって機械的にも電気的にも結合されている」ものであるから、甲１発明は「導電性基板上に、電極を介して光の取り出し側とする半導体が接着してな」るものといえ、この点において、本件発明１と甲１発明とは、共通するものといえる。
　
（ウ）甲１発明の「ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ厚膜層」、「ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層」及び「所定の形状にエッチングして形成したｎ側電極」は、それぞれ、本件発明１の「（最下層である）ｐ型層」、「（最上層である）ｎ型層」及び「（ｎ型層に設けられた）部分電極」に相当する。
　
（エ）甲１発明の「半導体発光素子である発光ダイオード」は、「半導体発光素子」である点において、本件発明１と共通するものといえる。
　
（オ）以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、
「導電性基板上に、電極を介して光の取り出し側とする半導体が接着してなり、該半導体の最下層はｐ型層であり、最上層がｎ型層であって、該ｎ型層には部分電極が設けられている半導体発光素子。」
である点において一致し、
「半導体が、本件発明１では、『窒化物半導体』であるのに対して、甲１発明では、『ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶』である点」（以下「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
　イ　判断
（ア）相違点について検討するに、相違点は実質的な相違と認められるから、本件発明１が甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。
　
（イ）また、甲１発明において、「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」を「窒化物半導体」に置換することについて、当業者が容易に想到し得たと認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても、見いだすことができないから、本件発明１が、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
　ウ　小括
　以上のとおり、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　
（４）本件発明２ないし５について
　本件発明２ないし５は、本件発明１の特定事項をすべて含み、更に特定事項を付加したものであるところ、上記（３）で検討したとおり、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできないから、本件発明２ないし５が、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできないことは明らかである。
　
　２　無効理由２について
（１）甲号証の記載
　ア　甲第２号証
　原出願の出願前に頒布された刊行物である甲第２号証（特開平２−２８８３７１号公報）には、以下の記載がある。
　
（ア）「第９図は、超格子構造の反射層とコンタクト層を持ち、かつ発光層を構成するｐｎ接合部分に混晶層を用いた実施例のＬＥＤを示す断面図である。この実施例ではｐ型ＧａＰ基板９１を用い、この上に先の実施例と同様にＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層からなる反射層９２が形成され、この反射層上にｐ型ＧａＡｌＢＮＰ混晶層９３，ｎ型ＧａＡｌＢＮＰ混晶層９４が順次形成され、更にＧａＮコンタクト層９５が形成されている。
素子両面にオーミック電極９６，９７が形成されている
　この実施例によっても、ＧａＰ基板を用いているが
超格子構造反射層９２が良好なバッファ層として働く結果、良好なｐｎ接合が得られ、また高い光取出し効率が得られて
　
（イ）「第１０図は、混晶を用いた第９図の実施例を変形してＤＨ構造とした実施例のＬＥＤである。
第９図と同様にＧａＰ基板９１上に超格子構造の反射層９２が形成された後、この上にｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２およびｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０３が順次形成されている
　この実施例によっても、先の実施例と同様に高輝度の青色発光が得られる。」（７頁左下欄２行〜下から２行）
　
（ウ）第１０図は次のものである。
　
　イ　甲第１号証
　甲第１号証（特開平５−２５１７３９号公報）には、前記１（１）の記載のほか、以下の記載がある。
　
「【００１３】そこで従来例図２では、光半導体結晶基板による光の吸収を防いで発光効率を上げると同時に光半導体結晶基板材料の選択の範囲を広げるために、発光層と光半導体結晶基板の間に
化合物半導体材料からなる光反射層
【００１４】しかし、
前記光反射層はそれ自体の光吸収及び反射率が５０〜６０％と低い
「【００１８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し目的を達成するため、第一の発明の半導体発光デバイスは光半導体結晶基板上に少なくとも一つ以上の発光層で構成された半導体発光素子同志若しくは
光半導体結晶基板上に少なくとも一つ以上の発光層で構成された半導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属によって接合して成る
　
（２）甲第２号証に記載された発明
　ア　前記（１）ア（ア）ないし（イ）によれば、甲第２号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ＧａＰ基板９１上にＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層からなる超格子構造の反射層９２が形成された後、この上にｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２及びｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０３が順次形成され、更にＧａＮコンタクト層９５が形成され、素子両面にオーミック電極９６，９７が形成されたＬＥＤ。」
　
　イ　第１０図を見ると、ＧａＮコンタクト層９５は、ｎ型であり、この上面の略中央部にオーミック電極９６が形成されていること、ＧａＰ基板９１の下面にオーミック電極９７が形成されていることが理解できる。
　
　ウ　以上によれば、甲第２号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ＧａＰ基板９１上にＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層からなる超格子構造の反射層９２が形成された後、この上にｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２及びｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０３が順次形成され、更にｎ型ＧａＮコンタクト層９５が形成され、この上面の略中央部にオーミック電極９６が形成されるとともに、ＧａＰ基板９１の下面にオーミック電極９７が形成されたＬＥＤ。」（以下「甲２発明」という。）
　
（３）本件発明１と甲２発明との対比、判断
　ア　対比
　本件発明１と甲２発明とを対比する。
　
（ア）甲２発明における「ＧａＰ基板９１」は、本件発明１の「導電性基板」に相当する。
　
（イ）甲２発明において、「ｎ型ＧａＮコンタクト層９５」が光の取り出し側になることは当業者において明らかである。
　そして、甲２発明における「ｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２及びｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０３」並びに「ｎ型ＧａＮコンタクト層９５」は、ＧａＰ基板９１上に形成したものであるから、導電性基板上に形成した半導体といえる。
　他方、本件発明１も「導電性基板上に半導体を形成した」ものといえるから、この点において、甲２発明と一致する。
　
（ウ）甲２発明の「ｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１」及び「ｎ型ＧａＮコンタクト層９５」は、それぞれ、本件発明１の「（最下層である）ｐ型層」及び「（最上層である）ｎ型層」に相当する。
　また、甲２発明の「（ｎ型ＧａＮコンタクト層９５の上面の略中央部に形成された）オーミック電極９６」は、本件発明１の「（ｎ型層に設けられた）部分電極」に相当する。
　
（エ）甲２発明の「ＬＥＤ」は、本件発明１の「半導体発光素子」に相当する。
　
（オ）以上によれば、本件発明１と甲２発明とは、
「導電性基板上に光の取り出し側とする半導体が形成されてなり、該半導体の最下層はｐ型層であり、最上層がｎ型層であって、該ｎ型層には部分電極が設けられている半導体発光素子。」
である点において一致し、以下のａ及びｂの点で相違するものと認められる。
　
　ａ　本件発明１は、導電性基板上に、電極を介して窒化物半導体が接着してなるものであるのに対して、甲２発明は、ＧａＰ基板９１上にＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層からなる超格子構造の反射層９２が形成された後、この上にｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０１，アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０２及びｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ混晶層１０３が順次形成され、更にｎ型ＧａＮコンタクト層９５が形成されたものである点（以下「相違点１」という。）。
　
　ｂ　本件発明１は、半導体が窒化物半導体である窒化物半導体発光素子であるのに対して、甲２発明は、窒化物半導体発光素子といえるかどうか明らかでない点（以下「相違点２」という。）。
　
　イ　判断
　相違点１について検討する。
　
（ア）請求人は、以下のように主張する（審判請求書１６頁）。
「甲第１号証に記載された発明は、「発光層と光半導体結晶基板の間に化合物半導体材料からなる光反射層を形成」した従来技術が有していた、「光反射層はそれ自体の光吸収及び反射率が５０〜６０％と低いため十分な効果が得られな」かったという課題（【００１３】及び【００１４】）を、「半導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属によって接合」することによって解決したものである（【００１８】）。
　　他方、甲第２号証の第１０図に開示された「ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層からなる反射層９２」は、まさしく甲第１号証の従来技術における「光反射層」に相当するものであるから、かかる「ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層からなる反射層９２」に代えて、甲第１号証の図５に開示されている「オーミック電極１１（水玉電極）」、「金属反射層１８」、「共晶合金１２」及び「全面電極１７」（即ち、電極）を用いることは、当業者であれば誰しもが容易に成し得たことである。」
　
（イ）請求人の上記主張について検討する。
　前記（１）イによれば、甲第１号証には、化合物半導体材料からなる光反射層はそれ自体の光吸収及び反射率が５０〜６０％と低いこと、光半導体結晶基板上に少なくとも一つ以上の発光層で構成された半導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属によって接合することが記載されているものと認められる。
　そして、前記１（１）ア、イ及びエ（特に図４及び図５を参照。）によれば、上記金属とは、具体的には、例えば、ｎ−水玉電極１１、共晶合金１２及びｐ−水玉電極１３（図４の実施例）、あるいは、水玉電極１１、金属反射層１８、共晶合金１２及び全面電極１７（図５の実施例）であるものと認められる。
　しかし、前記（１）ア（ア）によれば、甲２発明における「超格子構造の反射層９２」は良好なバッファ層として働き、良好なｐｎ接合が得られるようにするものと認められるところ、甲２発明において、「超格子構造の反射層９２」を金属に代えることを想定するに、かかる金属が良好なバッファ層として働くものとは認められないから、そのようにすることを当業者が容易に想到するとはいえない。
　
（ウ）なお、甲２発明において、「超格子構造の反射層９２」を金属に代えることについて、当業者が容易に想到し得たと認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても、見いだすことができない。
　
　ウ　小括
　以上によれば、甲２発明において相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たとはいえないから、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明及び甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
（４）本件発明２ないし５について
　本件発明２ないし５は、本件発明１の特定事項をすべて含み、更に特定事項を付加したものであるところ、上記（３）で検討したとおり、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明及び甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、本件発明２ないし５が、甲第２号証に記載された発明及び甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできないことは明らかである。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本件発明１ないし５が、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　また、本件発明１ないし５が、甲第２号証に記載された発明及び甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　したがって、本件発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、請求人が主張する理由によって、本件発明についての特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。