【事件の表示】
　特許第３４１３８８３号「純水製造装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４１３８８３号の訂正後の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３４１３８８３号の請求項１に係る発明についての出願は、平成５年７月２８日に特許出願されたものであって、平成１５年４月４日にその発明について特許の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人オルガノ株式会社（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされ、平成１６年５月３１日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年８月４日付けで特許権者より訂正請求がなされ、その後、申立人に対し審尋がなされたところ、平成１６年１０月２６日付けで申立人より回答書が提出されたものである。
　　　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　本件訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち訂正事項ａ〜ｃのとおりに訂正しようとするものである。
訂正事項ａ：本件特許明細書の【特許請求の範囲】を次のとおりに訂正する。
「【請求項１】工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置を有し、アニオン交換装置を有しない工業用水処理系と、フッ素イオンを含む半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置を有し、カチオン交換装置を有しない半導体製造排水処理系と、前記工業用水処理系および半導体製造排水処理系の処理水を混合して混合原水とする混合装置と、前記混合原水を脱イオンして、一次純水とする脱イオン装置を有する混合原水処理系とを含むことを特徴とする純水製造装置。」
訂正事項ｂ：本件特許明細書の段落【０００８】を次のとおりに訂正する。
「【課題を解決するための手段】本発明は、工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置を有し、アニオン交換装置を有しない工業用水処理系と、フッ素イオンを含む半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置を有し、カチオン交換装置を有しない半導体製造排水処理系と、前記工業用水処理系および半導体製造排水処理系の処理水を混合して混合原水とする混合装置と、前記混合原水を脱イオンして、一次純水とする脱イオン装置を有する混合原水処理系とを含むことを特徴とする純水製造装置である。」
訂正事項ｃ：本件特許明細書の段落【００５１】を次のとおりに訂正する。
「【発明の効果】本発明によれば、工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去し、フッ素イオンを含む半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去して混合し、混合原水を脱イオンして、一次純水とするようにしたため、フッ化カルシウムのような不溶性塩の生成によるスケール防止効果を高くすることができ、かつ混合原水のｐＨを高くして、中和を不要にするか、あるいは中和剤の量を少なくできるとともに中和の制御が容易になり、また後段の脱イオン負荷が低くなり、効率よく純水を製造することができる。」
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　上記訂正事項ａは、（ａ−１）「工業用水処理系」について「工業用水を脱カチオンするカチオン交換装置を有する工業用水処理系」を「工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置を有し、アニオン交換装置を有しない工業用水処理系」に限定する、（ａ−２）「半導体製造排水処理系」について「半導体製造排水を脱アニオンするアニオン交換装置を有する半導体製造排水処理系」を「フッ素イオンを含む半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置を有し、カチオン交換装置を有しない半導体製造排水処理系」に限定する、（ａ−３）「脱イオンする脱イオン装置」を「脱イオンして、一次純水とする脱イオン装置」に限定する、ものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、訂正事項ａは、本件の願書に添付した明細書又は図面における段落【０００５】、【０００９】、【００１１】、【００２４】、【００２５】、【００２７】、【００２９】、【００３０】、【００３４】、【００３５】、【００４１】及び【図１】の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｂ、ｃは、訂正事項ａと整合を図るとともに、特許請求の範囲の記載と整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。そして、訂正事項ｂ、ｃは、訂正事項ａで見たとおり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　
３．特許異議の申立てについて
３−１．本件発明
　上記のとおり、訂正は認められるから、訂正後の本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は訂正明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置を有し、アニオン交換装置を有しない工業用水処理系と、フッ素イオンを含む半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置を有し、カチオン交換装置を有しない半導体製造排水処理系と、前記工業用水処理系および半導体製造排水処理系の処理水を混合して混合原水とする混合装置と、前記混合原水を脱イオンして、一次純水とする脱イオン装置を有する混合原水処理系とを含むことを特徴とする純水製造装置。
　　
３−２．取消理由通知の概要
（１）訂正前の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明であるか、引用文献２及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。それ故、訂正前の請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定又は同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消されるべきである。
（２）訂正前の請求項１に係る発明は半導体製造排水がその中にフッ素イオンが存在するものであることをその発明の構成に欠くことができない要件とするものであるにも拘わらず、そのことが特許請求の範囲にも発明の詳細な説明にも記載されていないために、本件明細書の記載は特許法第３６条第４項、第５項及び第６項に規定する要件を満たしておらず、不備である。それ故、訂正前の請求項１に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項、第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるから、取り消されるべきである。
　　　
３−３．引用文献の記載内容
（１）引用文献１：「配管と装置」第３２巻第３号、株式会社三幸企画・出版部、平成４年３月１日発行、第２頁〜第９頁（申立人が提示した甲第１号証）
（ア）「（１）超純水製造システムの構成
　半導体工場における水処理設備の全体構成を図１に示す。一般に水処理設備は、工業用水や井水を原水として超純水を製造する超純水製造系、半導体製造工程から排出された稀薄排水を回収する排水回収系および濃厚排水を他の排水とともに処理し系外に排出する排水処理系から構成される。」（第２頁右欄１６〜２２行）
（イ）図１（第３頁）には、「水処理設備の全体構造」が図示され、そこには「〈超純水製造系〉において前処理装置で処理された原水と、〈排水回収系〉において純水回収装置で処理された純水と排水回収装置で処理された排水とを、一次純水装置で混合する」ことが窺える。
（ウ）図２（第３頁）には、「超純水製造系の構成例」として、「前処理装置〔工業用水（高濁度）→凝集沈澱槽→ろ過器〕→１次純水装置〔２床３塔型イオン交換ユニット（２Ｂ３Ｔ）→回収水を混合→（光酸化槽）→真空脱気塔（ＶＤ）→混床型ポリシャー（ＭＢＰ）→逆浸透ユニット（ＲＯ）〕→２次純水装置〔紫外線有機物分解器（１８５ｎｍＵＶ）→アニオンポリッシャ（ＡＰ）→カートリッジポリッシャ（ＣＰ）→限外ろ過器（ＵＦ）→ユースポイント→紫外線有機物分解器（１８５ｎｍＵＶ）〕」が示されている。
（エ）「（３）前処理装置　　前処理装置では、１次純水装置の各ユニットが十分性能を発揮できるように、原水中の濁質およびコロイダル物質の除去を行う。まず原水に次亜塩素酸ナトリウムなどの殺菌剤を添加して殺菌を行い、つぎに原水が高濁度の場合には凝集沈殿沈澱一濾過を、原水が低濁度の場合には凝集濾過を行って濁質およびコロイダル物質を除去する。」（第４頁左欄８行〜右欄２行）
（オ）「（４）１次純水装置　　１次純水装置では、主として電解質を除去する２床３塔型イオン交換ユニット（２Ｂ３Ｔ）および混床型ポリシャー（ＭＢＰ）、溶存酸素を除去する真空脱気塔（ＶＤ）、電解質とともに微粒子、バクテリア、有機物を除去する逆浸透ユニット（ＲＯ）などを組合わせて、原水中の不純物を極微量まで低減する。これらのユニットの組合せについては、図２に示したように、主として原水のシリカ濃度の高低によって、前段に２Ｂ３Ｔを配するプロセスとＲＯを配するプロセスとを使い分ける。」（第４頁右欄３〜末行）
（カ）「（６）排水回収系　　排水回収系の構成の一例を図３に示す。排水回収を行う場合には、排水を発生源で水質によって分別後処理するのが経済的である。分別後の水質が１次純水に近い純水回収系では、紫外線殺菌後精密濾過を行って１次純水装置に回収する。一方、含有塩量が原水の数倍程度（鉱酸分が主体）の排水回収系では、後段のイオン交換樹脂を汚染する界面活性剤を除去する活性炭塔（ＡＣ−１）、鉱酸分を除去する弱塩基性陰イオン交換樹脂塔（ＷＡ）、陽イオン成分を除去する強酸性陽イオン交換樹脂塔（ＳＫ）、ＷＡをリークした陰イオンおよびシリカを除去する強塩基性陰イオン交換樹脂塔（ＳＡ）、紫外線と酸化剤で有機物を分解する光酸化槽、残留酸化剤を除去する活性炭塔（ＡＣ−２）および精密濾過器からなる排水回収装置で処理を行い３）、処理水を１次純水装置に回収する。」（第５頁左欄１４〜３０行）
（キ）図３（第６頁）に、「排水回収系の構成例」として、「工程排水→（中電気伝導率、中ＴＯＣ）→純水回収槽→ＡＣ−１→ＷＡ→ＳＫ→ＳＡ→光酸化槽→ＡＣ−２→精密ろ過器→１次純水装置へ」が示されている。
（２）引用文献２：「電子材料」第２１巻第８号、１９８２年８月発行（申立人が提示した甲第２号証）
（ア）「外部水源としては・・・、工業用水、・・・のいずれも用いられており、これらはまず１次純水製造装置によってほぼ超純水といえるグレードまで精製される（１次純水）。使用される機器は、
（１）前処理装置・・・凝集、沈殿、ろ過装置
（２）逆浸透装置
（３）イオン交換純水製造装置
（４）その他・・・薬品注入装置、マイクロフィルタ、紫外線殺菌器、貯槽類であり、この中から適切な組み合せが採用される。」（第３３頁右欄５〜１４行）
（イ）図１（第３４頁）に、「１次、２次純水製造装置流路図」が示され、そこには 「１次純水製造装置において原水を前処理、脱炭酸、貯槽、熱交、フィルタ、逆浸透、貯槽、イオン交換、フィルタを経由して貯槽に送り、、そこからサブシステムに送出して、カートリッジポリッシャ、紫外線殺菌、限外ろ過の処理を行ってフィルタを介しユースポイントに供給する」ことが窺える。
（ウ）「一次純水製造装置
（１）前処理装置　　・・・
（２）逆浸透装置　　・・・
（３）イオン交換装置　　逆浸透装置・・・。逆浸透膜でのシリカやＣＯ２の排除率が他のイオンに比して低いために、透過水中では陰イオンの比率がやや高くなっており、陰イオン交換樹脂／陽イオン交換樹脂の量比は原水に対する場合より大きくなる。」（第３４頁右欄１７行〜第３６頁左欄１１行）
（エ）「２次純水製造装置
（１）各コースポイントに向けて流す純水を、それぞれの要求に応じたグレードに精製して送るための個別処理装置をサブシシテムと呼んでいる。」（第３６頁右欄１０〜１５行）
（オ）「回収再利用装置
　すでに・・・、酸性排水の回収装置について述べる。超純水は相当なコストをかけてつくった水であり、かつ洗浄に使用したあともなお相当きれいな状態のものであるので、当然回収再利用が図られる。排水のうちでも濃度の低い酸性排水は、イオン交換樹脂をもちいて低コストで回収できる。すなわち洗浄排水をｐＨまたは導電率によって回収装置へ送るかどうかを決め、弱塩基性陰イオン交換樹脂またはモノベッド装置で処理して１次純水貯槽で原水系列の処理水に加える。」（第３７頁右欄８〜１９行）
（３）引用文献３：特公昭６１−１１９２号公報（申立人が提示した甲第３号証）
（ア）「１．超純水製造工程から得られた高純度洗浄水を使用して、被洗浄物を洗浄することにより排出される、主としてフツ素で汚染された高純度洗浄廃水を、活性炭層、弱塩基性陰イオン交換樹脂層、強酸性陽イオン交換樹脂層、及び強塩基性陰イオン交換樹脂層の順に通水処理し、超純水製造で使用できる処理水を得ることを特徴とする高純度洗浄廃水の回収方法。」（特許請求の範囲）
（イ）「本発明は超純水を電子部品の洗浄水として使用し、主としてフッ素で汚染された高純度洗浄廃水のフツ素の除去方法に係るもので、洗浄水を超純水として再利用する場合に障害となるフツ素の混入を防止することにより、容易に再度超純水を得ることを目的とするものである。」（第１頁左欄１１〜１６行）
（ウ）「この洗浄廃水は電子部品の製造工程で用いられるフツ素、硝酸、硫酸、カルシウム、マグネシウム、有機溶剤等を含有しており、これらを再処理して再利用するにあたつて、この洗浄廃水を直接超純水製造装置で処理すると、超純水までの純化が、困難などの問題があり、特にフツ素は超純水製造装置内でスケールを発生させ装置機能低下という重大な障害発生の要因となるので、洗浄廃水の再利用に際しこのような障害発生防止のためにフツ素を１ｐｐｍ以下程度にする特別の処理が必要である。」（第１頁右欄９〜１９行）
（エ）「従来フツ素の処理方法には、凝集沈澱方法及びイオン交換樹脂方法が知られている。・・・従来用いられているイオン交換樹脂方法としては、洗浄廃水を活性炭、強酸性陽イオン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換樹脂の順に通液しフツ素を除去していた。」（第１頁右欄２０行〜第２頁左欄１０行）
（オ）「洗浄廃水はフツ素のほかにカルシウム、マグネシウム等も含んでいるため、通液中に強酸性陽イオン交換樹脂によりカルシウム、マグネシウムが吸着され濃縮されてくると樹脂表面にフツ化物の沈殿が生成し、処理水純度が低下する」（第２頁左欄１１〜１６行）
（カ）「本発明においてはまず、上記高純度洗浄廃水を活性炭で処理し有機物を除去する。次に弱塩基性陰イオン交換樹脂に通液しフツ素が除去される。通常高純度洗浄廃水は、硝酸、硫酸を含有しているためｐＨは２〜４程度であり、そのためフツ素はフツ酸として存在しているため弱塩基性陰イオン交換樹脂に効率良く吸着して大部分のフツ素が除去され、しかも硝酸や硫酸も同時に除去されるので、処理水のｐＨは８〜１０付近になる。この処理水はついで強酸性陽イオン交換樹脂により処理に付される。強酸性陽イオン交換樹脂で処理されることにより、高純度洗浄廃水中のカルシウム、マグネシウム及びその他のカチオン成分が吸着除去されるが、その際にこれらが樹脂に吸着され濃縮されても前段の処理でフツ素が大部分除去されているため、樹脂表面へのフツ化物の生成はなく、また強酸性陽イオン交換樹脂には、前段の弱塩基性陰イオン交換樹脂により、ｐＨ８〜１０になった液を接触させることになり、そのイオン交換能力が有効に利用されるため処理水純度は向上し、処理水量も増大する。ついで、強塩基性陰イオン交換樹脂に通液し、前段の処理によって捕捉され得なかった残存フツ素及びアニオン成分を除去することにより処理水のフツ素濃度を１ｐｐｍ以下に安定化させるのであるが、その樹脂量は空間速度（ＳＶ）が５０〜８０ｈｒ−１となるように調整した量が使用される。」（第２頁右欄５〜３２行）
　　　
３−４．取消理由（１）について
３−４−１．対比・判断
　引用文献１には、記載事項アに「半導体工場における水処理設備は、一般に、工業用水や井水を原水として超純水を製造する超純水製造系、半導体製造工程から排出された稀薄排水を回収する排水回収系および濃厚排水を他の排水とともに処理し系外に排出する排水処理系から構成される」ことが記載され、記載事項ウに「超純水製造系の構成例」として、「前処理装置〔工業用水（高濁度）→凝集沈澱槽→ろ過器〕→１次純水装置〔２床３塔型イオン交換ユニット（２Ｂ３Ｔ）→回収水を混合→（光酸化槽）→真空脱気塔（ＶＤ）→混床型ポリシャー（ＭＢＰ）→逆浸透ユニット（ＲＯ）〕」のものが示され、また、記載事項エに「前処理装置では、１次純水装置の各ユニットが十分性能を発揮できるように、原水中の濁質およびコロイダル物質の除去を行う」ことが、記載事項オ及びウによれば「１次純水装置では、主として電解質を除去する２床３塔型イオン交換ユニット（２Ｂ３Ｔ）および溶存酸素を除去する真空脱気塔（ＶＤ）、混床型ポリシャー（ＭＢＰ）、電解質とともに微粒子、バクテリア、有機物を除去する逆浸透ユニット（ＲＯ）などを組合わせて、原水中の不純物を極微量まで低減する」ことが記載されている。そして、記載事項カに「含有塩量が原水の数倍程度（鉱酸分が主体）の排水回収系では、後段のイオン交換樹脂を汚染する界面活性剤を除去する活性炭塔（ＡＣ−１）、鉱酸分を除去する弱塩基性陰イオン交換樹脂塔（ＷＡ）、陽イオン成分を除去する強酸性陽イオン交換樹脂塔（ＳＫ）、ＷＡをリークした陰イオンおよびシリカを除去する強塩基性陰イオン交換樹脂塔（ＳＡ）、紫外線と酸化剤で有機物を分解する光酸化槽、残留酸化剤を除去する活性炭塔（ＡＣ−２）および精密濾過器からなる排水回収装置で処理を行い、処理水を１次純水装置に回収する」ことが記載され、記載事項キに「排水回収系の構成例」として、「工程排水→（中電気伝導率、中ＴＯＣ）→純水回収槽→ＡＣ−１→ＷＡ→ＳＫ→ＳＡ→光酸化槽→ＡＣ−２→精密ろ過器→１次純水装置へ」が示されている。
　これらの記載を本件発明に則して記載すると、引用文献１には、「工業用水を原水とし、前処理した後、２床３塔型イオン交換ユニット（２Ｂ３Ｔ）で処理する超純水製造系と、半導体製造工程から排出された排水を活性炭塔（ＡＣ−１）、弱塩基性陰イオン交換樹脂塔（ＷＡ）、強酸性陽イオン交換樹脂塔（ＳＫ）、強塩基性陰イオン交換樹脂塔（ＳＡ）、光酸化槽、活性炭塔（ＡＣ−２）および精密濾過器で処理を行って回収した排水回収系と、前記超純水製造系および排水回収系の処理水を混合し、真空脱気塔（ＶＤ）、混床型ポリシャー（ＭＢＰ）、電解質とともに微粒子、バクテリア、有機物を除去する逆浸透ユニット（ＲＯ）などを組合わせて、原水中の不純物を極微量まで低減する１次純水装置からなる純水製造装置」の発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されている。
　そこで、本件発明と引用１発明を対比すると、引用１発明の「超純水製造系」、「排水回収系」は、本件発明の「工業用水処理系」、「半導体製造排水処理系」に相当し、引用１発明の「２床３塔型イオン交換ユニット（２Ｂ３Ｔ）」はカチオン交換塔、脱炭酸塔／真空脱気塔、アニオン交換塔の複床式イオン交換ユニットであることはよく知られており、この「２床３塔型イオン交換ユニット（２Ｂ３Ｔ）」のうちの「カチオン交換塔」が本件発明の「工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置」に相当する。また、引用１発明の「弱塩基性陰イオン交換樹脂塔（ＷＡ）と強塩基性陰イオン交換樹脂塔（ＳＡ）」が、本件発明の「半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置」に相当し、また、引用１発明における「１次純水装置」が超純水製造系および排水回収系の処理水を混合し、混床型ポリシャー（ＭＢＰ）、逆浸透ユニット（ＲＯ）などを組合わせて、脱イオンして１次純水を製造しているとみれることから、
両者は「工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置を有する工業用水処理系と、半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置を有する半導体製造排水処理系と、前記工業用水処理系および半導体製造排水処理系の処理水を混合して混合原水とする混合装置と、前記混合原水を脱イオンして、一次純水とする脱イオン装置を有する混合原水処理系とを含む純水製造装置」である点で一致するものの、下記の点で相違する。
相違点ａ：本件発明では「工業用水処理系」が「工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置を有し、アニオン交換装置を有しない」ものであるのに対し、引用１発明ではイオン交換装置は「２床３塔型イオン交換ユニット」であり、アニオン交換塔をも有している点
相違点ｂ：本件発明では「半導体製造排水処理系」が「フッ素を含む半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置を有し、カチオン交換装置を有しない」ものであるのに対し、引用１発明では「弱塩基性陰イオン交換樹脂塔、強塩基性陰イオン交換樹脂塔」とともに「強酸性陽イオン交換樹脂塔」を有するものであり、また、排水中に「フッ素イオン」を含むか否かは不明である点
　してみると、本件発明と引用１発明は上記相違があるから、本件発明は引用１発明であるとすることができない。
　　　
　次に、引用文献２および引用文献３についてみてみると、
　引用文献２には、記載事項アによると「イオン交換純水製造装置を備えた１次純水製造装置によって、工業用水をほぼ超純水といえるグレードまで精製される」ことが記載され、記載事項オに「洗浄排水をｐＨまたは導電率によって回収装置へ送るかどうかを決め、弱塩基性陰イオン交換樹脂またはモノベッド装置で処理して１次純水貯槽で原水系列の処理水に加える」ことが記載されている。また、記載事項イに「透過水中では陰イオンの比率がやや高くなっており、陰イオン交換樹脂／陽イオン交換樹脂の量比は原水に対する場合より大きくなる」と記載されていることからみて上記１次純水製造装置で使用されるイオン交換純水製造装置は陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂の両方を使用するものといえる。
　これらの記載を本件発明に則して記載すると、引用文献２には、「工業用水を原水とし、陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂の両方を使用するイオン交換純水製造装置によって原水中のアニオンとカチオンの両方のイオンを除去する原水系列と、洗浄排水を弱塩基性陰イオン交換樹脂で処理して１次純水貯槽で原水系列の処理水に加える純水装置」の発明（以下、「引用２発明」という。）が記載されている。
　そこで、本件発明と引用２発明を対比すると、引用２発明の「原水系列」、「洗浄排水処理する系列」、「陽イオン交換樹脂を使用するイオン交換純水製造装置」及び「弱塩基性陰イオン交換樹脂」が、それぞれ、本件発明の「工業用水処理系」、「半導体製造排水処理系」、「工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置」及び「半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置」に相当し、また、引用２発明では１次純水貯槽において原水中のアニオンとカチオンの両方のイオンが除去された工業用水からなる原水と弱塩基性陰イオン交換樹脂で処理された洗浄排水が混合されて１次純水として使用されるのであるから、両者は、「工業用水中のイオンうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置を有する工業用水処理系と、半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置を有する半導体製造排水処理系と、前記工業用水処理系および半導体製造排水処理系の処理水を混合して混合原水とする混合装置とを含む純水製造装置」で一致し、下記の点で相違する。
相違点ｃ：本件発明では「工業用水処理系」が「工業用水中のイオンのうちカチオンのみを除去するカチオン交換装置を有し、アニオン交換装置を有しない」ものであるのに対し、引用２発明では「陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂の両方を使用するイオン交換純水製造装置」である点
相違点ｄ：本件発明では「半導体製造排水処理系」が「フッ素を含む半導体製造排水中のイオンのうちアニオンのみを除去するアニオン交換装置を有し、カチオン交換装置を有しない」ものであるのに対し、引用２発明では「アニオン交換装置」を有するものであるが、半導体製造排水処理系がカチオン交換装置を有しないものであるかが不明であり、また、排水中に「フッ素イオン」を含むか否かは不明である点
相違点ｅ：本件発明では「混合原水を脱イオンして一次純水とする脱イオン装置を有する混合原水処理系を有している」のに対して、引用２発明では「洗浄排水を弱塩基性陰イオン交換樹脂で処理して１次純水貯槽で原水系列の処理水に加える」ものであって、該構成を具備するものでない点
　そこで、上記相違点について検討すると、
　引用文献３には、記載事項ア〜カからみれば、「超純水を電子部品の洗浄水として使用し、主としてフッ素で汚染された高純度洗浄廃水から再度超純水を得るためには洗浄廃水に含有するカルシウム、マグネシウム、フッ素を除去する必要があるから、上記洗浄廃水から再度超純水を得るために上記洗浄廃水を活性炭層、弱塩基性陰イオン交換樹脂層、強酸性陽イオン交換樹脂層、及び強塩基性陰イオン交換樹脂層の順に通水処理する」ことが記載されているといえる。しかしながら、引用文献３にはカルシウム、マグネシウム、フッ素がいずれも本件発明の半導体製造排水に相当する上記洗浄廃水中に含有されている場合のことしか記載されておらず、別々の処理系の工業用水と半導体製造排水を混合したものを処理して１次純水を製造することについて全く記載されていない。しかも、引用文献３に記載された発明における上記洗浄廃水に対する廃水中のイオンを除去する処理は、本件発明の「半導体製造排水中のアニオンのみを除去するアニオン交換装置」に相当する「陰イオン交換樹脂」だけでなく、「半導体製造排水中のカチオンのみを除去するカチオン交換装置」の作用をする「陽イオン交換樹脂」の両方を用いて行うものであることからみて、引用文献３の「洗浄廃水」の処理は、本件発明の半導体製造排水の処理と異なることは明らかである。
　してみると、引用２発明は、相違点ｅに在るように「洗浄排水が原水の１次純水槽に加えられる」ものであるから、一次純水とする脱イオン装置の前段に加えようとする動機付けも見当たらず、また、引用文献３は上記したとおり洗浄廃水のみの処理にとどまるものであるから、引用文献２、３に記載された発明を組み合わせたとしても、引用２発明において相違点ｃ〜ｅに係る本件発明の構成を導き出すことはできない。
　そして、本件発明は、上記相違点の構成を採用することにより、「フッ化カルシウムのような不溶性塩の生成によるスケール防止効果を高くすることができ、かつ混合原水のｐＨを高くして、中和を不要にするか、あるいは中和剤の量を少なくできるとともに中和の制御が容易になり、また後段の脱イオン負荷が低くなり、効率よく純水を製造することができる」（段落【００５１】）等明細書に記載した効果を奏するものである。　
　してみると、本件発明は、引用文献２及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　　
　また、仮に引用文献１〜３を組み合わせても、引用文献２、３には、本件発明の「従来の超純水製造工程では、原水ごとに別の処理法により一次純水を製造しているため、処理装置および操作が複雑となり、製造コストが高くなる。この点を改善するために、両方の原水（工業用水と半導体製造排水）を混合して処理すると、膜分離装置においてスケールが付着して、処理水量が低下するとともに、処理水質が低下する」（段落【０００４】）という認識はなく、また、引用文献３に記載の技術事項が上記したように洗浄廃水の処理であるから、工業用水からカチオンのみを、洗浄廃水からアニオンのみを除去しようとする、上記相違点ａ、ｂに係る本件発明の構成を困難なく導き出すことができるとまではいえない。
　してみると、本件発明は引用文献１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　　　
３−５．取消理由（２）について
　上記「３−２．取消理由通知の概要」の（２）欄で「本件明細書の記載が不備である」とする「本件発明は半導体製造排水がその中にフッ素イオンが存在するものであることをその発明の構成に欠くことができない要件とするものであるにも拘わらず、そのことが特許請求の範囲にも発明の詳細な説明にも記載されていない」点は上記した訂正により解消された。
　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件訂正後の請求項１に係る発明についての特許を取り消すことができない。　また、他に本件訂正後の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年７月１２日（２００５．７．１２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
純水製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】工業用水
中のイオンのうちカチオンのみを除去
し、アニオン交換装置を有しない
　
フッ素イオンを含む
中のイオンのうちアニオンのみを除去
し、カチオン交換装置を有しない
　
前
　
前
して、一次純水と
　
を
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は工業用水と半導体製造排水を原水として純水を製造するための純水製造装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体製造工程等に使用される超純水は、一般に膜分離処理およびイオン交換からなる一次純水製造工程と、紫外線酸化、混床式イオン交換および限外濾過からなる二次純水製造工程（サブシステムとも呼ばれる）とを経て製造される。このような超純水製造工程に供給される原水としては、工業用水のほか、半導体製造工場等においては、半導体製造工程から排出される半導体製造排水を回収して原水としている。
　【０００３】
　ところが両者は含まれる成分が異なるため、別の処理法により純水を製造している。すなわち半導体製造排水を原水とする場合は活性炭処理、弱塩基性アニオン交換、強酸性カチオン交換、強塩基性アニオン交換、膜分離の各工程を経て一次純水を製造している。これに対して工業用水を原水とする場合は活性炭処理、強酸性カチオン交換、脱気、強塩基性アニオン交換、膜分離の各工程を経て一次純水を製造している。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来の超純水製造工程では、原水ごとに別の処理法により一次純水を製造しているため、処理装置および操作が複雑となり、製造コストが高くなる。
　この点を改善するために、両方の原水を混合して処理すると、膜分離装置においてスケールが付着して、処理水量が低下するとともに、処理水質が低下する。
　【０００５】
　この原因は工業用水中のカルシウムイオンやマグネシウムイオンと、半導体製造排水中のフッ素イオンが反応して難溶性のフッ化カルシウム、フッ化マグネシウムが生成するためであると推測される。
　【０００６】
　そこで工業用水を脱カチオンしてカルシウムイオンやマグネシウムイオンを除去すると、カチオン交換処理水はｐＨ３．５〜７の酸性水となる。一方、半導体製造排水のｐＨはｐＨ３〜７の酸性領域で変動するため、これらの混合水のｐＨは酸性領域で大きく変動する。このような酸性水は生物濾過装置や膜分離装置に悪影響を及ぼすので、中和する必要があり、多量の中和剤を必要とするほか、所定のｐＨにするために中和剤添加のコントロールが困難であるという問題点があった。
　【０００７】
　本発明の目的は、上記問題点を解決するため、スケールの生成防止効果が高く、中和が不要となるか、あるいは中和剤の量を少なくできるとともに中和の制御が容易になり、かつ後段の脱イオン負荷が低くなり、効率よく純水を製造することができる純水製造装置を提供することである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、工業用水
中のイオンのうちカチオンのみを除去
し、アニオン交換装置を有しない
　
フッ素イオンを含む
中のイオンのうちアニオンのみを除去
し、カチオン交換装置を有しない
　
前
　
前
して、一次純水と
　
を
　【０００９】
　本発明において、工業用水処理系に設けるカチオン交換装置は、カルシウムイオンやマグネシウムイオンのような硬度成分の除去を目的とするものであるが、他のカチオンも除去するものでもよい。使用するカチオン交換樹脂はＨ形であればよく、強酸性カチオン交換樹脂でも弱酸性カチオン交換樹脂でもよいが、少なくとも一部は中性塩分解能力を有する強酸性カチオン交換樹脂を用いるのが好ましい。通水方法、再生方法は特に制限されず、通常の方法を採用することができる。通水速度はＳＶ１０〜３０ｈｒ−１程度が好ましい。
　【００１０】
　工業用水処理系には、カチオン交換装置の後に脱炭酸装置を設けるのが好ましい。この脱炭酸装置は酸性下に炭酸を除去する装置であり、気液接触式、真空式など任意の形式のものが使用できる。気液接触式の場合、Ｇ／Ｌ比（Ｎ−ｍ３／ｍ３）５〜２０の範囲が好ましい。
　【００１１】
　半導体製造排水処理系に設けるアニオン交換装置は、アニオン（酸）を除去することにより処理水のｐＨを高くするために設けるものであるが、このとき同時にフッ素イオンを除去するものであってもよい。使用するアニオン交換樹脂としてはＯＨ形のものを用い、弱塩基性アニオン交換樹脂でも、強塩基性アニオン交換樹脂でもよく、またゲル型でもポーラス型でもよい。半導体製造排水中のフッ素イオンは通常フッ酸の形で含まれているため、弱塩基性アニオン交換樹脂を用いる方が再生が容易である。通水、再生方法の制限はなく、通常の方法を採用することができる。通水速度はＳＶ１０〜３０ｈｒ−１程度が好ましい。
　【００１２】
　工業用水処理系および半導体製造排水処理系には、それぞれ活性炭処理装置などの前処理装置を設けるのが好ましい。活性炭吸着装置の通水速度は５〜２０ｈｒ−１程度が好ましい。
　【００１３】
　混合装置は工業用水処理系の処理水と半導体製造排水処理系の処理水を混合できるものであればよく、一般的には混合水槽が用いられるが、単にパイプを接続するだけでもよく、脱炭酸装置を用いるときは、脱炭酸水が得られる水槽を混合装置とすることができる。
　【００１４】
　混合原水処理系に設けられる混合原水を脱イオンする脱イオン装置としては、逆浸透（ＲＯ）膜分離装置等の膜分離装置、イオン交換装置あるいはこれらの組合せからなるものが使用できる。本発明では工業用水を脱カチオンして硬度成分を除去し、半導体製造排水からフッ素イオンを除去してフッ化カルシウム等の生成を防止するため、膜分離装置を使用してもスケール化による性能低下は少ない。
　【００１５】
　脱イオン用の膜分離装置としては、ＲＯ膜を用いて膜分離によりイオンを分離するＲＯ装置があげられる。このような膜分離装置としては、スパイラル型、チューブラー型、ホローファイバ型など、任意の形式のモジュールを備えたものを用いることができるが、生物濾過装置を組合せて用いるときは、後述のような集水管の外周に波形板のスペーサを介してＲＯ膜を巻付けたスパイラル形モジュールを備えたものが好ましい。
　【００１６】
　波形板スペーサを用いた膜分離装置は、特開昭６４−４７４０４号、特開昭６４−５１１０５号に開示されているように、集水管の外周の波形板のスペーサを介してＵＦ膜等の分離膜をスパイラルに巻付けた構造で、スペーサは巻付方向と交差する方向に、波形によって形成される連続した被処理水路を有し、被処理水路はその延長方向に対して蛇行流路となるか、あるいは凹凸部によって乱流を生じさせ、固形物が被処理液流路内に堆積して閉塞しないようになったものが好ましい。
　【００１７】
　イオン交換装置は、カチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂により脱カチオンおよび脱アニオンする装置である。カチオン交換樹脂としては強酸性カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂としては強塩基性アニオン交換樹脂を使用するが、場合によっては弱酸または弱塩基性の樹脂を組合せて用いることができる。これらの樹脂もゲル型、ポーラス型のいずれでもよい。イオン交換装置は２塔式、複床式、混床式など任意の方式を採用することができる。
　【００１８】
　脱イオン装置として膜分離装置またはイオン交換装置をそれぞれ単独で採用するときは、複数段シリーズに接続するのが好ましい。両者を組合せるときは膜分離装置を前に配置すると、後段のイオン負荷を軽減し、再生頻度を少なくすることができる。脱イオン装置としてイオン交換装置のみを設ける場合でも、前処理としてミリポアフィルタ（ＭＦ）、限外濾過（ＵＦ）等の膜分離装置を設けることにより、イオン交換樹脂の性能低下を防止できるため好ましい。
　【００１９】
　工業用水および／または半導体製造排水が有機物、懸濁物等の不純物を含む場合には、混合原水とする前または混合原水とした後脱イオン前に、前処理装置を設けてこれらの不純物を除去するのが好ましい。このような前処理装置としては、ＭＦ膜、ＵＦ膜等を用いた膜分離装置、生物濾過装置、紫外線（ＵＶ）酸化装置、活性炭吸着装置等が使用できるが、生物濾過装置と波形板スペーサを用いた膜分離装置の組合せが好ましい。
　【００２０】
　生物濾過装置は、固定床もしくは流動床を形成する粒状の担体または空隙率の高い充填材に生物汚泥を付着させたり、あるいは生物汚泥を浮遊状態で保持した濾過槽に、好気状態で混合原水を通過させて、有機物を生物分解するとともに、懸濁物を捕捉するように構成される。
　【００２１】
　生物濾過装置と組合せる膜分離装置は、脱イオン装置としてのＲＯ膜を用いた膜分離装置を兼用させてもよいが、ＭＦ膜、ＵＦ膜を用いた膜分離装置を用いて、バクテリアや有機物、固形物等を除去するのが好ましい。この場合でもさらに脱イオン装置として膜分離装置を採用することができる。
　【００２２】
　本発明において原水として用いる工業用水は、水道水、地下水、河川水など、一般に純水製造の原水として用いられるものが、そのまま使用できる。この工業用水は凝集沈殿処理等の予備処理を行って本発明の処理に供することができる。
　他の原水として用いる半導体製造排水は、半導体製造工程から排出される洗浄排水その他の排水であって、フッ素イオンを含む排水である。半導体製造排水は予め活性炭処理等の予備処理を行って本発明の処理に供することができる。
　【００２３】
　【作用】
　このような工業用水および半導体製造排水を混合すると工業用水中のカルシウムイオンやマグネシウムイオンと半導体製造排水中のフッ素イオンとが反応して、フッ化カルシウム等のコロイドが生成し、膜分離装置においてスケール化する。そしてフッ化カルシウム等が分離膜に付着すると、薬品洗浄を行っても容易に性能が回復せず、処理水量が低下するとともに、付着物が少しずつ溶出して、処理水質が低下する。
　【００２４】
　本発明では、このようなフッ化カルシウム等のスケールの生成を防止するために、工業用水処理系に工業用水を供給し、カチオン交換装置で脱カチオンしてカルシウムイオン等の硬度成分を除去する。このとき必要により脱炭酸装置で脱炭酸する。こうして得られる工業用水処理系の処理水はｐＨ３．５〜４．５の酸性水となる。
　【００２５】
　一方、半導体製造排水処理系に半導体製造排水を導入し、アニオン交換装置でアニオン交換して酸を除去する。このときフッ素イオンも同時に除去される。半導体製造排水処理系の処理水はｐＨ９〜１０と高くなり、ｐＨ変動幅も小さくなる。
　【００２６】
　このため混合装置で工業用水処理系の処理水と、半導体製造排水処理系の処理水を混合することにより、中性に近いｐＨ５〜７の混合原水が得られ、ｐＨの変動幅も小さくなる。このとき必要によりさらにアルカリを加えてｐＨ６〜７に調整することができる。
　【００２７】
　混合原水処理系では、膜分離装置、イオン交換装置等において脱イオンを行い、純水を製造する。膜分離装置にＲＯ膜分離装置を用いると、脱イオンが行われるため、イオン交換装置のイオン負荷が軽減される。
　こうして製造される純水は、さらに二次純水製造工程において紫外線酸化、混床式イオン交換、ＵＦ膜分離等の処理を行って超純水を製造することができる。
　【００２８】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
　図１は実施例の純水製造装置を示すフローシートである。
　図において、１は工業用水処理系、２は半導体製造排水処理系、３は混合装置、４は混合原水処理系である。
　【００２９】
　工業用水処理系１は、工業用水路５に連絡する貯水槽６、活性炭処理装置７、カチオン交換装置８、脱炭酸装置９が連絡路１０〜１２でシリーズに連絡し、脱炭酸装置９から工業用水処理水路１３によって混合装置３に連絡している。１４は活性炭層、１５はカチオン交換樹脂層、１６は充填材層である。
　【００３０】
　半導体製造排水処理系２は、半導体製造排水路２１に連絡する貯水槽２２、活性炭処理装置２３、アニオン交換装置２４が連絡路２５、２６でシリーズに連絡し、アニオン交換装置２４から半導体製造排水処理水路２７が混合装置３に連絡している。２８は活性炭層、２９はアニオン交換樹脂層である。
　【００３１】
　混合原水処理系４は、混合原水路３１により混合装置３と連絡する生物濾過装置３２、ＵＦ膜分離装置３３、ＲＯ膜分離装置３４、混床式イオン交換装置３５が連絡路３６〜３８によりシリーズに連絡している。４１は生物濾過層、４３、４４はポンプ、４５はＵＦ膜モジュール、４６はＲＯ膜モジュール、４７、４８は濃縮液取出路、４９はイオン交換樹脂層、５０は純水取出路である。生物濾過装置３２とＵＦ膜分離装置３３は前処理装置を構成し、ＲＯ膜分離装置３４と混床式イオン交換装置３５は脱イオン装置を構成している。
　【００３２】
　生物濾過装置３２は粒状担体に生物汚泥を付着させた生物濾過層４１に、好気性下に混合原水を通過させて、有機物を生物分解し、固形物を除去するように構成されている。ＵＦ膜分離装置３３およびＲＯ膜分離装置３４は、それぞれ蛇行する被処理水路を形成した波形板からなるスペーサを介して、ＵＦ膜およびＲＯ膜を集水管の外周にスパイラル形に巻付けたＵＦ膜モジュール４５、ＲＯ膜モジュール４６を内蔵している。イオン交換装置３５はカチオン交換樹脂およびアニオン交換樹脂の混床からなるイオン交換樹脂層４９を内蔵している。
　【００３３】
　上記の純水製造装置による純水製造方法は次の通りである。工業用水路５および半導体製造排水路２１から貯水槽６、２２に入った工業用水および半導体製造排水は、それぞれ活性炭処理装置７、２３において活性炭層１４、２８を通る間に活性炭処理されて有機物、固形物が除去される。
　【００３４】
　活性炭処理された工業用水はカチオン交換装置８において、カチオン交換樹脂層１５を通る間にカチオン交換されて、カルシウムイオン、マグネシウムイオンを含むカチオンが除去される。これにより生じるｐＨ３．５〜４．５の酸性水は脱炭酸装置９において充填材層１６を通る間に空気と気液接触して脱炭酸され、工業用水処理水となって混合装置３に入る。
　【００３５】
　活性炭処理された半導体製造排水はアニオン交換装置２４において、アニオン交換樹脂層２９を通過する間に、フッ素を含むアニオン（酸）が除去される。これによりｐＨが高くなるとともに、ｐＨ変動幅も小さくなる。ｐＨ９〜１０となった半導体製造排水処理水は、混合装置３に入って工業用水処理水と混合される。これによりｐＨ５〜７の混合原水が得られるが、工業用水中の硬度成分および半導体洗浄排水中のフッ素イオンは除去されているので不溶性塩は生成しない。
　【００３６】
　混合原水は必要によりアルカリを添加してｐＨ調整したのち、生物濾過装置３２に供給され、好気性下に生物濾過層４１を通過することにより有機物は生物分解され、固形物は除去される。
　【００３７】
　生物濾過水はポンプ４３でＵＦ膜分離装置３３に供給され、生物汚泥等の固形物および有機物がＵＦ膜分離により分離される。このときモジュール４５の被処理水路は波形板スペーサにより蛇行流路となっているため固形物は堆積せず、分離膜の目詰まりは生じない。そして膜分離による濃縮液は濃縮液取出路４７から取出され、透過液は連絡路３７から取出される。
　【００３８】
　ＵＦ膜分離装置３３の透過液はポンプ４４によりＲＯ膜分離装置３４に供給され、膜分離により脱イオンされ、濃縮液は濃縮液取出路４８から取出され、透過液は連絡路３８から取出される。モジュール４６として波形板スペーサを用いたスパイラルモジュールを用いるため、乱流により固形物の堆積は防止される。
　【００３９】
　ＲＯ膜分離装置３４の透過液は連絡路３８からイオン交換装置３５に供給され、イオン交換樹脂層４９を通過する間に、カチオン交換樹脂およびアニオン交換樹脂により脱イオンされ純水が純水取出路５０から得られる。
　【００４０】
　カチオン交換装置８およびイオン交換装置３５のカチオン交換樹脂は酸の通液により再生され、アニオン交換装置２４およびイオン交換装置３５のアニオン交換樹脂はアルカリ通液により再生される。ＵＦ膜分離装置３３、ＲＯ膜分離装置３４の性能が低下した場合は、逆方向に水を透過させたり、物理的または化学的に洗浄を行うなどの方法により性能を回復することができる。
　【００４１】
　上記の方法においては、カチオン交換装置８において工業用水中の硬度成分が除去され、アニオン交換装置２４において、半導体製造排水中のフッ素イオンが除去されるため、フッ化カルシウム等の不溶性塩の生成によるスケール化が防止される。このためＵＦ膜分離装置３３、ＲＯ膜分離装置３４において、スケール化による処理能力や処理水質の低下は防止される。このため脱イオン装置としてＲＯ膜分離装置３４を用いることができ、これによりイオン交換装置におけるイオン負荷を軽減し、煩雑な再生操作を軽減することができる。このスケール防止効果は、工業用水の脱カチオンのみを行う場合、あるいは半導体製造排水の脱アニオンのみを行う場合よりも高い。
　【００４２】
　また工業用水の脱カチオンにより低ｐＨの酸性水が得られ、これに低ｐＨの半導体製造排水を混合して混合原水とする場合でも、半導体製造排水を脱アニオンすることにより、ｐＨを上昇させて中和用のアルカリの使用量を少なくできるうえ、ｐＨの変動幅も小さくなる。このため生物濾過装置や膜透過装置への影響は軽減される。そしてさらに中和を行う場合でも、中和剤の添加量は少なくなり、ｐＨ変動幅も小さいため、添加量の制御も容易になる。
　【００４３】
試験例１
　ｐＨ７．０、電導度１６０μＳ／ｃｍ、カルシウム３０ｍｇ／ｌ、全カチオン１２０ｍｇ−ＣａＣＯ３／ｌ、全アニオン１３０ｍｇ−ＣａＣＯ３／ｌの工業用水を、２５ｌｉｔｅｒのＨ形強酸性カチオン交換樹脂レバチットＳＰ１１２（商標）に５００ｌｉｔｅｒ／ｈｒで下向流通水して脱カチオンしたのち、６Ｎ−ｍ３／ｈｒの空気と向流接触させて脱炭酸した。
　【００４４】
　一方、ｐＨ３〜５、電導度１８０μＳ／ｃｍ、フッ素イオン２０ｍｇ／ｌ、全カチオン３０ｍｇ−ＣａＣＯ３／ｌ、全アニオン１００ｍｇ−ＣａＣＯ３／ｌの半導体製造排水を、５０ｌｉｔｅｒのＯＨ形弱アニオン交換樹脂ダイヤイオンＷＡ−３０（商標）に５００ｌｉｔｅｒ／ｈｒで下向流通水して、脱アニオンした。
　両処理水を同量５０ｌｉｔｅｒタンクに導入して混合し、タンク出口の混合原水のｐＨを測定した結果を図２のＡに示す。
　【００４５】
試験例２
　比較として、試験例１において、上記半導体製造排水を脱アニオンすることなく、工業用水の脱炭酸処理水と混合した場合の結果を図２のＢに示す。
　【００４６】
　図２の結果より、比較例では混合原水のｐＨが低く、ｐＨ３．５〜４．５で大きく変動しているのに対し、実施例ではｐＨが高く、ｐＨ６．３〜６．７で変動幅も小さくなっていることがわかる。
　【００４７】
試験例３
　また比較として、試験例１において、工業用水を脱カチオンおよび脱炭酸することなく、半導体製造排水の脱アニオン水と混合した場合、混合原水はｐＨ８．５〜９であった。
　【００４８】
　実施例１、比較例１および２
　試験例１、２および３の混合原水をＲＯ膜モジュール（ポリアミド膜：東レ（株）製ＳＵ−７１００）２本を有するＲＯ膜分離装置に、給水量１ｍ３／ｈｒ、運転圧力１５ｋｇ／ｃｍ２、処理水量０．５ｍ３／ｈｒで通水して脱イオンした。実施例１では試験例１の混合原水をそのまま通水したが、比較例１では混合原水のｐＨを６〜７にするため、試験例２の混合原水にＮａＯＨ３０〜５０ｍｇ／ｌを添加し、比較例２では試験例３の混合原水にＨ２ＳＯ４２０〜３０ｍｇ／ｌを添加した。それぞれの処理水の電導度およびＲＯ膜によるイオン除去率を表１に示す。
　【００４９】
　【表１】
　【００５０】
　表１からわかるように、ｐＨ調整のためＮａＯＨを添加する比較例１および工業用水を脱カチオンしない比較例２の処理水電導度は高いが、工業用水を脱カチオンし半導体製造用排水を脱アニオンする実施例１の処理水電導率は低い。このため、実施例１ではＲＯ膜分離装置に後続するイオン交換装置に対するイオン負荷は比較例１、２の１／４程度となる。
　【００５１】
　【発明の効果】
　本発明によれば、工業用水
中のイオンのうちカチオンのみを除去
フッ素イオンを含む
中のイオンのうちアニオンのみを除去
して、一次純水と
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　実施例の純水製造装置のフローシートである。
　【図２】
　試験例１の結果を示すグラフである。
　【符号の説明】
　１　工業用水処理系
　２　半導体製造排水処理系
　３　混合装置
　４　混合原水処理系
　５　工業用水路
　６、２２　貯水槽
　７、２３　活性炭処理装置
　８　カチオン交換装置
　９　脱炭酸装置
　１０〜１２、２５、２６、３６〜３８　連絡路
　１３　工業用水処理水路
　１４、２８　活性炭層
　１５　カチオン交換樹脂層
　１６　充填材層
　２１　半導体製造排水路
　２４　アニオン交換装置
　２７　半導体製造排水処理水路
　２９　アニオン交換樹脂層
　３１　混合原水路
　３２　生物濾過装置
　３３　ＵＦ膜分離装置
　３４　ＲＯ膜分離装置
　３５　混床式イオン交換装置
　４１　生物濾過層
　４３、４４　ポンプ
　４５　ＵＦ膜モジュール
　４６　ＲＯ膜モジュール
　４７、４８　濃縮液取出路
　４９　イオン交換樹脂層
　５０　純水取出路