【事件の表示】
　平成　２年特許願第　８９０１３号「半導体デバイスにおける電気的コンタクトの製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　３年　２月　１日出願公開、特開平　３−　２４７２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成２年４月３日（優先権主張　１９８９年６月１３日　イギリス）に出願したものであって、その発明の要旨は、平成１１年２月２４日付け及び平成１１年１２月１５日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載よりみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載されたとおりの「電気的コンタクト製造方法」にあるものと認められるところ、請求項１記載の発明（以下、第１発明という。）は以下のとおりである。
　「下記段階からなる半導体デバイスにおける電気的コンタクト製造方法。
（ａ）シリコン基体の上に、そのコンタクト領域を露出するコンタクト開口を有するリフロー可能なインターレベル誘電体を与える段階。
（ｂ）このシリコン基体およびインターレベル誘電体を酸素を含む雰囲気内での短時間熱処理により加熱してひとつの熱処理ステップでこのコンタクト領域内に厚さが２０乃至５０オングストロームの酸化物制御層を形成すると同時に前記誘電体をリフローさせる段階。
（ｃ）リフローした前記誘電体と前記制御層の上に遷移金属層を付着させる段階。
（ｄ）この遷移金属層の少くとも一部を金属バリアに変換するとともに、前記制御層の実質的にすべてを前記遷移金属とシリコンとを含む化合物に変換する段階。」
２．引用刊行物
　原審における拒絶の理由において引用された特開平１−１４４６２５号公報（以下、引用例という。）には、「まず半導体集積回路の種々の部分の代表的な横断面図が示されている第１図を参照する。たとえばシリコンで構成されている基板１０の上にソース領域１２とドレイン領域１２が形成されている。・・・図からわかるように、厚さが典型的には２００〜１０００オングストロームであるシリコン酸化物の層１８がゲート電極の上壁と側壁および基板１０の上面を覆う。・・・その後で、比較的厚い誘電体層２０を形成する。この誘電体層の形成は典型的には化学蒸着（ＣＶＤ）法により行う。誘電体層２０はシリコン酸化物、シリコンオキシニトライドまたは窒化シリコンで構成できる。誘電体層２０の典型的な厚さは０．５〜１．０μｍである。この構造に接点開口部２１をエッチングによりあける。ソース領域およびドレイン領域１２へ電気接点を取付けられるように、接点開口部２１は誘電体層２０と、それの下側のシリコン酸化物領域１８を貫通してソース領域およびドレイン領域１２の一部を露出させている様子が図に示されている。」（第４頁左上欄第１０行〜左下欄第３行）、「本発明の方法の好適な実施例に従って、次の工程は反応熱サイクル工程である。この工程は従来の炉管内で、または熱を発生させるために高輝度赤外線灯を用いる急速熱処理装置のいずれかを行うことができるこのサイクル中の温度は７００〜１１００℃の範囲であるが、８００℃が好ましい。この熱サイクル中の雰囲気は、形成される制御層の希望の組成に応じて、酸素、窒素、アルゴン、水またはアンモニアの混合物で構成される。この反応サイクル中に領域２２を形成する（第２図）。・・・たとえば、窒素ガスまたはアンモニアガスが存在しないと、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）が生成され、そのシリコン酸化物が制御層として用いられる。・・・領域２２の典型的な厚さは２０〜５０オングストロームであるが、２０オングストロームが好ましい。
　反応サイクルに続いて、たとえば高真空中でのスパッタリングまたは電子ビーム蒸着によりチタン層２４を形成する。」（第４頁左下欄第１２行〜右下欄第１８行）、「第３図は第２の反応熱サイクルの後の第２図に示されている構造の一部を拡大図で示すものである。この第２の熱サイクルは従来の炉または急速熱処理装置で行うことができる。・・・この第２の熱サイクル中の雰囲気は窒素ガス（Ｎ２）またはアンモニア（ＮＨ３）の態様の窒素を含むが、窒素ガスとアンモニアガスの組合わせを使用することができる。」（第５頁左上欄第１〜１２行）および「反応性雰囲気中での集積回路（すなわち、製造中のウェハー）のこの熱サイクルにより種々の領域が形成される。したがって、第３図を参照して、第２図のソース／ドレイン領域１２の上部の制御層２２（１２は２２の誤り）はもはや示されていないが、その代わりに、ソース／ドレイン領域１２の上面から下方へ延びる領域３０が形成されている。領域３０は主としてチタンのケイ化物で構成されるが、領域３０には痕跡領域の酸素と窒素が含まれることがある。一般に、領域３０の組成は一般式ＴｉｘＯｙＮｚＳｉｒにより記述される。領域３０はトランジスタのソース／ドレイン領域１２へ低抵抗値の電気接点を形成する。
　この好適な実施例においては領域３０は接点領域内にのみ設けられることがわかる。その領域の厚さはたとえば６００オングストロームである。
　層３２が第３図において最も上の層として示されている。その層３２は、第２の熱サイクル中にチタン層２４と雰囲気中に含まれている窒素との反応により生成された窒化チタンで主として構成される。しかし、冶金学的障壁としての領域３２の機能を促進するために、領域３２には酸素を含むことが好ましい。」（第５頁左上欄１６行〜右上欄第１８行）と記載されている。
　したがって、引用例には、シリコン基体の上に、そのコンタクト領域を露出するコンタクト開口を有するシリコン酸化物からなる誘電体を与える段階、このシリコン基体および誘電体を酸素を含む雰囲気内での急速熱処理により加熱してコンタクト領域内に厚さが２０乃至５０オングストロームの酸化物制御層を形成する段階、前記誘電体と前記制御層の上にチタン層を付着させる段階、このチタン層の少なくとも一部を冶金学的障壁に変換するとともに、前記制御層の実質的にすべてを前記チタンとシリコンとを含む化合物に変換する段階、からなる半導体デバイスにおける電気的コンタクト製造方法が記載されている。
３．対比
　本願第１発明と引用例記載の発明を対比すると、上記引用例記載の発明の「シリコン酸化物からなる誘電体」、「急速熱処理」、「チタン」および「冶金学的障壁」は本願第１発明の「インターレベル誘電体」、「短時間熱処理」、「遷移金属」および「金属バリア」に相当するから、両者は、「シリコン基体の上に、そのコンタクト領域を露出するコンタクト開口を有するインターレベル誘電体を与える段階、このシリコン基体およびインターレベル誘電体を酸素を含む雰囲気内での短時間熱処理により加熱してコンタクト領域内に厚さが２０乃至５０オングストロームの酸化物制御層を形成する段階、前記誘電体と前記制御層の上に遷移金属層を付着させる段階、この遷移金属層の少なくとも一部を金属バリアに変換するとともに、前記制御層の実質的にすべてを前記遷移金属とシリコンとを含む化合物に変換する段階、とからなる半導体デバイスにおける電気的コンタクト製造方法」の点で一致するが、以下の点で相違する。
（相違点）
　本願第１発明では、インターレベル誘電体がリフロー可能であり、ひとつの熱処理ステップで酸化物制御層を形成すると同時に前記誘電体をリフローしているのに対し、引用例記載の発明では、インターレベル誘電体がシリコン酸化膜であり、熱処理で酸化物制御層の形成しか行っていない点。
４．検討
　上記相違点について以下で検討する。
　段差被覆性を改善するために、層間絶縁膜としてリフロー可能な誘電体を採用し、酸素を含む雰囲気内で熱処理を行うと、誘電体のリフローと同時にコンタクト領域内に酸化膜が形成されることは周知（例えば、特開昭５４−６０５８３号公報（第２頁右上欄第１９行〜左下欄第７行）、特開昭６３−２４６４５号公報（第３頁左上欄第１４行〜右上欄第２行）参照）であるから、上記周知技術を採用して、段差被覆性を改善するためにインターレベル誘電体として引用例記載の発明のシリコン酸化膜に代えて、周知のリフロー可能な誘電体を採用し、ひとつの熱処理ステップでリフロー可能な誘電体をリフローさせ、酸化膜である酸化物制御層を形成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
５．まとめ
　 以上のとおりであるから、本願第１発明は、上記引用例及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。