(57)【要約】【課題】小型化が可能な発光装置を提供する。【解決手段】  発光素子１と、発光素子１の側面を被覆し、発光素子１の上面を露出して配置された光反射部材２と、光反射部材２上であって、発光素子１の上面の外周を取り囲むように形成された枠体４と、枠体４内に配置された透光性部材３と、光反射部材２、枠体４、及び透光性部材３を被覆する透光性の封止部材５と、を有し、封止部材５は鍔部７を有し、枠体４の一部が鍔部７で被覆される発光装置。【選択図】図１
2018088554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子の側面を被覆し、前記発光素子の上面を露出して配置された光反射部材と
、
前記光反射部材上であって、前記上面の外周を取り囲むように形成された枠体と、
前記枠体内に配置された透光性部材と、
前記光反射部材、前記枠体、及び前記透光性部材を被覆する透光性の封止部材と、を有
し、
前記封止部材は鍔部を有し、前記枠体の一部が前記鍔部で被覆される、発光装置。
【請求項２】
前記透光性部材は、波長変換物質を含有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子の上面及び前記光反射部材の上面が略面一である、請求項１または２に記
載の発光装置。
【請求項４】
前記光反射部材に保護素子が埋設されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発
光装置。
【請求項５】
前記発光素子は複数であり、隣接する前記発光素子間の間隔は、１〜３００μｍである
、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子が載置される基板を有し、前記基板はその下面に端子電極を有する、請求
項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光反射部材の下面から、端子電極が露出されている、請求項１〜５のいずれか１項
に記載の発光装置。
【請求項８】
前記透光性部材が拡散材を含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記透光性部材は、前記発光素子側に蛍光体が沈降されてなる、請求項１〜８のいずれ
か１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の上方にレンズを形成することで、光取り出し効率を高めた発光装置が知られ
ている。例えば、特許文献１に記載の発光装置では、特許文献１の図４で示されるように
、枠体で囲まれた発光部を、レンズ径に対してより小さくすることで、レンズと空気層と
の界面に入射する光線の入射角を小さくすることができ、光の取り出し効率の向上を図っ
ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１５６４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、発光装置が搭載される器具は小型化の傾向にあり、搭載される発光装置もさらな
る小型化が求められている。そこで、本発明では、小型化が実現可能な発光装置を提供す
ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子の側面を被覆し、前
記発光素子の上面を露出して配置された光反射部材と、前記光反射部材上であって、前記
上面の外周を取り囲むように形成された枠体と、前記枠体内に配置された透光性部材と、
前記光反射部材、前記枠体、及び前記透光性部材を被覆する透光性の封止部材と、を有し
、前記封止部材は鍔部を有し、前記枠体の一部が前記鍔部で被覆される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る実施形態によれば、小型化が可能な発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態１の発光装置の上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線についての断面図である。
【図３】実施形態１の発光装置の下面図である。
【図４】図２の一部拡大図である。
【図５】実施形態１の発光装置の製造方法を示す図であり、図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は側面図である。
【図６】実施形態１の発光装置の製造方法を示す図であり、図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は側面図である。
【図７】実施形態１の発光装置の製造方法を示す図であり、図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）は断面図である。
【図８】実施形態１の発光装置の製造方法を示す図であり、図８（ａ）は上面図、図８（ｂ）は断面図である。
【図９】実施形態１の発光装置の製造方法を示す図であり、図９（ａ）は上面図、図９（ｂ）は側面図である。
【図１０】実施形態１の発光装置の製造方法を示す図であり、図１０（ａ）は上面図、図１０（ｂ）は側面図である。
【図１１】実施形態１の発光装置の配線の例を示す図である。
【図１２】実施形態２の発光装置の断面図を示す。
【図１３】実施形態２の発光装置の製造方法を示す図である。
【図１４】実施形態３の発光装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必
要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およ
び、それらの用語を含む別の用語）を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明
の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限
定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材
を示す。
【０００９】
＜実施形態１＞
図１は、本発明に係る実施形態１の発光装置１００の上面図であり、図２は、図１のＡ
−Ａ線についての断面図であり、図３は、実施形態１の発光装置の下面図である。
本実施形態の発光装置は、上面を発光面とし、発光面の反対側の下面に電極が設けられ
た発光素子１と、発光素子１の側面を被覆し、発光素子１の上面を露出して配置された光
反射部材２と、光反射部材２の上であって、発光素子１の上面の外周を取り囲むように形
成された枠体４とを含む。さらに、発光装置１００は、枠体４内に配置された、すなわち
枠体４で囲まれた領域に充填された透光性部材３を有し、光反射部材２、枠体４、及び透
光性部材３を被覆する封止部材５を有する。
【００１０】
実施形態１の発光装置１００において、発光素子１は、例えば透光性の絶縁基板上に半
導体層が積層され、半導体層側の一面に少なくとも一対の正負の電極が形成されたもので
ある。光反射部材２は、少なくとも発光素子１の側面を覆うように設けられる。
【００１１】
本実施形態では、図２に示すように、発光素子１は、基板８の上にバンプ等の接合材料
によってフリップチップ実装されており、その側面が光反射部材２に接触して被覆されて
いる。基板８の上面には配線が設けられており、配線９と発光素子１の電極とが接合部材
を介して接合される。発光素子１は平面形状が略正方形であり、図１に示すように、２×
２の行列状（格子状）に４つ配置されている。
【００１２】
隣接する発光素子間の間隔は、特に限定されるものではないが、例えば発光素子の一辺
の長さよりも狭いことが好ましい。特に、１〜３００μｍ、さらに好ましくは５０〜１０
０μｍとすることにより、蛍光体や拡散材を用いて発光素子間の非発光領域に光を拡散さ
せることができる。このため、隣接する発光素子間には光反射部材２が配置されているこ
とが好ましい。
【００１３】
光反射部材２は、発光素子１の上面を除く側面全てを被覆することが好ましい。発光素
子間での光吸収を抑制するためである。また、光反射部材は、その上面が平坦であること
が好ましい。発光素子の上面と略面一であってもよいし、発光素子の上面よりも高い位置
にその上面が配置されていてもよい。ここでの面一とは、樹脂の自重によってその表面に
意図しない若干の凹部が形成されることが許容され、つまり、数１０μｍ程度の高低差が
許容されることを意図する。さらに光反射部材２は、基板８上に載置された、発光素子１
以外の部品（例えば図１に示す保護素子１６など）を埋設していてもよい。基板８の下面
には、図３に示すように少なくとも一対の端子電極１８が設けられる。この一対の端子電
極の形状を、例えば切り欠き等を用いて若干異ならせることで、極性を表示するためのア
ノードマークやカソードマークとしてもよい。
【００１４】
光反射部材２の上面には、枠体４が形成される。枠体４は、発光素子１の上面の外周を
取り囲む。複数の発光素子１が用いられる場合には、図１に示すように複数の発光素子の
最外周を取り囲むように配置される。発光素子の上面のすべてが、枠内に露出するように
形成されることが好ましく、例えば最も外周に位置する発光素子１の上面の若干外側に配
置し、枠内の最外側に光反射部材２の上面が露出されていることが好ましい。発光素子の
外縁と枠体の内壁との距離は、例えば３００μｍ以下、０〜１００μｍ程度が好ましい。
これにより発光領域を限定することで高輝度化を実現することができる。
【００１５】
枠体４は、発光素子の上面に外縁に沿って形成されることが好ましい。枠体４は、光反
射性を有する物質を混合した樹脂材料により形成することができる。
【００１６】
透光性部材３は、枠体４内、すなわち枠体４によって取り囲まれて形成される凹部内に
配置される。本実施形態では、凹部は、発光素子１の上面及び光反射部材２の上面により
形成される底面と、枠体４によって形成される内側面を有しており、この凹部内に透光性
部材３が配置される。
【００１７】
透光性部材３は、樹脂材料に蛍光体等の波長変換物質が含有されたものを好適に用いる
ことができる。このような樹脂材料を枠体４内に滴下（ポッティング）することで透光性
部材３を形成することができる。蛍光体を用いる場合、波長変換時に生じる蛍光体からの
発熱を効率よく放熱するために、蛍光体は発光素子１の上面と接していることが好ましく
、よって蛍光体は凹部の底面に、すなわち発光素子側に沈降配置されていることが好まし
い。
【００１８】
図４は、図２の発光素子１近傍の部分拡大図である。図４に示すように、枠体４内にお
いて、透光性部材３は、蛍光体層１４と拡散層１２の２層構造とされていることが好まし
い。このような２層構造は、拡散材と、その拡散材よりも比重の大きい蛍光体を含有させ
た樹脂材料を枠体４内に滴下し、蛍光体を沈降させることで形成することができる。比重
の小さい拡散材は、蛍光体の上方に分散して配置される。沈降は、遠心沈降等の強制沈降
であってもよいし、自然沈降させてもよい。拡散材を用いることにより、隣接する発光素
子間の暗部を目立ちにくくさせ、点光源に近付けることで、光質を向上させることができ
る。
【００１９】
封止部材５は、発光素子からの光、すなわち透光性部材３を通って出射される光を効率
よく取り出すために設けられる透光性部材である。封止部材５は、光反射部材２、枠体４
、及び透光性部材３を被覆している。また、封止部材５は、レンズ部６とレンズ部６の下
方に、レンズの外周側に延出されてなる鍔部７とを有する。
【００２０】
図１に示すように、枠体４の一部は、鍔部７で被覆されている。光取り出し効率を向上
させるためには、レンズ部６は発光素子から出射された光が、レンズ部の界面で全反射し
ない程度に大きく設定することが好ましい。しかし、発光装置を小型化しようとすると、
レンズを大きくするには限界がある。そこで、枠体４の一部が鍔部７で被覆されるように
する。言い換えると、平面視において、枠体４はレンズ部６と鍔部７とに跨って配置され
ている。さらに好ましくは、図１に示すように、枠体４の外縁の一部が鍔部７に被覆され
ているのに対し、枠体４の内側面、すなわち透光性部材３の外縁は、そのすべてがレンズ
部６の下に配置される。これにより、光取り出し効率をなるべく低下させずに小型化を実
現することができる。
また、基板８の外縁と封止部材５の外縁が上面視にて一致するように、基板８と封止部
材５の端面が面一とされていることが好ましい。
【００２１】
＜実施形態１の発光装置の製造方法＞
実施形態１に係る発光装置の製造方法は、上述した実施形態１の発光装置を製造する方
法であって、発光素子載置工程と、光反射部材形成工程と、枠体形成工程と、透光性部材
形成工程と、封止部材形成工程と、を含む。以下、図５〜１０を用いて説明する。
【００２２】
（発光素子載置工程）
発光素子載置工程では、図５に示すように、基板８１を準備し、基板８１に発光素子１
を載置する。基板８１は板状であり、上面に配線９が形成され、下面に端子電極１８とな
る金属部材が形成されている。配線と端子電極は、基板内部のビア等によって電気的に接
続されている。図５（ａ）は上面図であり、図５（ｂ）は側面図である。次に、図６（ａ
）、図６（ｂ）に示すように基板８１の上面に、接合部材を介して発光素子１をフリップ
チップ実装する。図６（ａ）は上面図であり、図６（ｂ）は側面図である。なお、発光素
子１と基板８１の配線９との接続はバンプ、半田、導電ペースト、異方性導電ペースト等
の接合部材を用いることができる。なお、発光素子１の載置前、または載置後に、保護素
子１６を実装してもよい。通常、基板８１は後の工程で分割するまでは、複数の基板８が
連なった集合体とされている。ここでは、ふたつの基板８が連なった図面を用いて説明す
る。
発光素子１を基板上に載置した後、光反射部材２との応力を緩和するため、任意に基板
の上面と発光素子１の下面との間にアンダーフィルを充填してもよい。アンダーフィルを
形成することで、基板の上面と発光素子の下面の間に光反射部材２が入らないため、信頼
性が向上する。光反射部材２が発光素子１の下面に入ると、光反射部材２が熱により膨張
し、発光素子１を持ちあげるおそれがあるためである。また、アンダーフィルにも光反射
機能を持たせることで、基板８方向に出射される光を反射することができるため好ましい
。
【００２３】
発光素子１の配列は、用いる発光素子のサイズや、最終的に得たい発光装置の仕様によ
って任意に決定することができる、例えば、格子状に配列して、複数の発光素子の上面が
ひとつの発光領域を形成するようにすることができる。
【００２４】
（光反射部材形成工程）
次に、図７に示すように、発光素子１の上面が露出するように、発光素子１の側面を光
反射部材２で被覆する。図７（ａ）は上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）におけるＢ
−Ｂ線断面図である。保護素子１６の上面は、発光素子１の上面よりも低い位置に配置さ
れており、保護素子１６はその全てが光反射部材２に埋設されることが好ましい。これに
より、保護素子１６による光吸収を抑制することができる。発光素子１の上面と光反射部
材２の上面は同じ高さ、すなわち面一とされることが好ましい。
光反射部材２は、集合基板の外周にダム材を設け、ダム材内に光反射性部材を含有した
樹脂材料を流し込むことで形成することができる。隣接する発光素子１の間に確実に充填
されるように、粘度等を調整する。
【００２５】
（枠体形成工程）
次に、図８に示すように、発光素子１の上面を取り囲むように枠体４を形成する。図８
（ａ）は上面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。枠体４は、例
えば、樹脂吐出装置を用いて光反射部材２上に樹脂を環状に吐出させて形成することがで
きる。その他にも、予め金型等で成形した枠体を光反射部材２の上に転写したり貼り合せ
たり、インクジェットや３Ｄプリンター等を用いて形成してもよい。本実施形態では発光
素子１の上面の外縁の１００μｍ程度外側を、発光素子１の上面の外縁に沿って形成する
ことで、平面視において四隅が丸みを帯びた四角環状に形成する。
【００２６】
（透光性部材形成工程）
次に、図９に示すように、枠体４内に透光性部材３を配置する。図９（ａ）は上面図で
あり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。本実施形態では、蛍光体及び拡
散材を含有させた樹脂材料を枠体４で取り囲まれた領域にポッティングして、枠体４内に
充填する。その後、自然沈降させることにより、蛍光体が発光素子１の上面に接触するよ
うに沈降配置させることで、発光素子近傍に蛍光体層１４、その上に拡散層１２を形成す
る（図４参照）。
【００２７】
（封止部材形成工程）
次に、図１０に示すように、光反射部材２、枠体４、及び透光性部材３の上に封止部材
５を形成する。図１０（ａ）は上面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の側面図であ
る。なお、説明をわかりやすくするために、光反射部材２を透過して示すことで、発光素
子１や保護素子１６が見えるように示している。封止部材５の形成方法としては、トラン
スファー成形や圧縮成形、樹脂の塗布（ポッティング）、キャスティングケースによる成
形等、種々の方法を用いることができる。ここで、封止部材５は、レンズ部６と鍔部７を
有するように形成され、鍔部７の下部に枠体４の一部が位置するように配置される。さら
に、圧縮成形により封止部材５を形成する際に、鍔部７にエアベント２０を形成すること
が好ましい。これにより、レンズ形状の安定化ができる。
【００２８】
（個片化工程）
最後に、隣接するレンズ部６とレンズ部６の間（図１０に示すＸ−Ｘ線）の鍔部７をダ
イシング等の方法により切断することで、実施形態１の発光装置を得る。これにより、封
止部材５と光反射部材２と基板８の端面が同一面となる。切断面がそのまま発光装置の外
縁となるため取れ数を向上させることができる。
【００２９】
本実施形態では、図５に示すように、搭載される４つの発光素子の発光装置内での回路
が、２直列２並列になるような配線９のパターンとしているが、所望の回路に合わせて適
宜配線のパターンを変更することができることは言うまでもない。図１１に、４つの発光
素子を直列接続する際の配線９の例を示す。なお、搭載される発光素子の数は、１つであ
ってもよい。
【００３０】
＜実施形態２＞
実施形態２の発光装置２００は、図１２に示すように、発光素子１を載置する基板を有
さない点で、実施形態１の発光装置１００と異なっている。基板を有さないため、光反射
部材２の下面から、電極２１が露出されている。
以上のように構成された実施形態２の発光装置は、基板を有さないため、薄型化および
小型化できる。また、小型化により高密度実装が可能となる。
【００３１】
＜実施形態２の発光装置の製造方法＞
実施形態２に係る発光装置の製造方法は、実施形態１に係る発光装置の製造方法に比較
して、図１３に示すように、基板８に替えて支持体２４を使用する点以外は実施形態１の
製造方法と同様に構成される。そして、封止部材５を形成した後に支持体２４を図１３の
点線で示すように、剥離（除去）する点以外は実施形態１の製造方法と同様にして形成す
ることができる。
【００３２】
＜実施形態３＞
実施形態３の発光装置３００は、主としてバックライト等の光源として好適に用いるこ
とができるものである。封止部材５の形状が実施形態１とは異なっている。
図１４は、発光装置３００と、封止部材５に接して設けられる光学部材３０の断面図で
ある（光学部材の厚み方向の断面を示す）。図１４に示すように、封止部材５は導光板や
光ガイドフィルム等の光学部材３０と接続可能な平坦面を有している。実施形態３では、
封止部材５は上方(基板８の裏面とは反対側)に向かって外側に広がるような形状とされて
いる。封止部材５の側面は曲面とされている。また、封止部材５は基板８とは接触せず、
枠体４の外側において露出された光反射部材２の上面と、枠体４の外壁と、透光性部材３
の上面とを被覆する。これにより、光質の良い光を光学部材に効率よく入射させることが
できる。
エッジタイプの導光板に封止部材５を接触させる場合は、発光装置は薄型であることが
好ましい。この場合の薄型とは、紙面奥方向（すなわち、導光板の厚み方向）の長さをい
う。この場合、基板８に搭載する発光素子１は平面視長方形であることが好ましく、枠体
も発光素子に合わせて発光素子の長手方向に長く、短手方向に短くする。薄型化を実現す
るために、長手方向の枠体は、短手方向の枠体よりも枠体が細く形成されていてもよい。
【００３３】
以下に、実施の形態の発光装置の各構成部材に適した材料等について説明する。
（基板８）
発光素子１が載置される基板は、通常、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス（ＨＴＣ
Ｃ、ＬＴＣＣ）などの絶縁性材料、絶縁性材料と金属部材との複合材料等によって形成さ
れる。基板は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックス又は熱硬化性樹脂を利用したものが
好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙
げられる。特に、放熱性の高い窒化アルミニウムが好ましい。これらのセラミックス材料
に、例えば、ＢＴレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせ
て形成された基板でもよい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、トリアジン誘導体エ
ポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹
脂、ウレタン樹脂などを利用することができる。なかでも、トリアジン誘導体エポキシ樹
脂を用いることがより好ましい。基板の形状は、表面が平坦な板状体であることが好まし
い。
【００３４】
(配線９)
基板は、通常、その表面及び／又は内部に発光素子と接続される配線を有する。配線は
、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合
金、燐青銅等の合金等によって形成することができる。配線の厚みは、例えば、数μｍか
ら数百μｍが挙げられる。
【００３５】
（発光素子１）
発光素子１としては、例えば発光ダイオードチップ等の半導体発光素子を用いることが
できる。半導体発光素子は、透光性基板と、その上に形成された半導体積層体とを含むこ
とができる。透光性基板には、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）のような透光性の絶縁
性材料や、半導体積層体からの発光を透過する半導体材料（例えば、窒化物系半導体材料
）を用いることができる。
【００３６】
半導体積層体は、例えば、ｎ型半導体層、発光層（活性層）およびｐ型半導体層等の複
数の半導体層を含む。半導体層には、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ
１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料を用いることが
できる。
【００３７】
発光素子の電極としては、電気良導体を用いることができ、例えばＣｕ等の金属が好適
である。
【００３８】
（光反射部材２）
光反射部材は、絶縁体であり、ある程度の強度を有する光反射性樹脂により構成するこ
とができる。
光反射性樹脂とは、発光素子からの光に対する反射率が高く、例えば、反射率が７０％以
上の樹脂を意味する。
光反射性樹脂としては、例えば透光性樹脂に、光反射性物質を分散させたものが使用で
きる。光反射性物質としては、例えば、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム
、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが好適で
ある。光反射性物質は、粒状、繊維状、薄板片状などが利用できるが、特に、繊維状のも
のは光反射部材の熱膨張率を低くして、例えば、発光素子との間の熱膨張率差を小さくで
きるので、好ましい。光反射性樹脂に含まれる樹脂材料としては、特に、シリコーン樹脂
、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であ
るのが好ましい。
【００３９】
（枠体４）
枠体４は、その内壁面で発光素子１から側方へ出射した光を上方へ反射させて発光装置
の発光効率を向上させるための反射板として機能させることができる。
【００４０】
さらに、枠体は、光反射部材２上へ液状やペースト状で成形してそのまま凝固させて形
成できる材料を適用することが好ましい。枠体を透光性部材の充填時の堰として十分な高
さに形成するために、ペースト状すなわち高粘度（例えば、２５℃のときの粘度が３８０
〜４５０Ｐａ・ｓ）の液状の材料が好ましい。このような材料として熱硬化性樹脂や熱可
塑性樹脂が挙げられ、具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、ＰＰＡ
、シリコーン樹脂等が挙げられる。また、枠体は、反射率を高くするために白色であるこ
とが好ましい。さらに枠体は、反射率をいっそう高くするために、前記樹脂材料に、発光
素子が発光した光を吸収し難く、かつ母材である当該樹脂に対して屈折率差の大きい光反
射材料（例えばＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2，ＭｇＯ，ＺｎＯ等）の粉末を、予め分散さ
せて形成してもよい。
【００４１】
枠体は、基板からの高さを特に規定しないが、図４に示すように、蛍光体層１４と拡散
層１２を分離して形成することが可能な高さにすることが好ましい。また、枠体は、平面
視における幅（壁の厚み）を特に規定しない。
【００４２】
（透光性部材３）
透光性部材は、発光ダイオード等を搭載した一般的な発光装置の封止に用いられる透光
性樹脂材料を適用することができ、具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア
樹脂等が挙げられる。また、透光性樹脂は、先に形成された枠体が堰になるので、比較的
低粘度の液状の樹脂材料（例えば、２５℃のときの粘度が０．０１〜５．０Ｐａ・ｓ）で
形成することができるため、小さな領域であっても充填を容易とすることができる。
【００４３】
さらに、このような低粘度の樹脂材料に波長変換物質（ある程度の比重を有する、例え
ば蛍光体）を混合した場合、硬化するまでに波長変換物質が沈殿し易いので、基板８上に
載置された発光素子１の表面（上面）近傍に偏って波長変換物質が分布して、発光素子１
が発光した光が好適に波長変換される。また、これらの樹脂材料に、目的や用途に応じて
前記波長変換物質の他に、着色剤、光拡散剤、フィラー等を含有させてもよい。以下、透
光性部材に含有させる波長変換物質について説明する。
【００４４】
（波長変換物質）
波長変換物質としては、少なくとも発光素子から出射された光によって励起されて、異
なる波長の発光をするものであればよい。例えば、
(i)アルミニウムガーネット系等のガーネット系蛍光体（例えば、セリウムで賦活され
たイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活された
ルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）系蛍光体等）、
(ii)ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（Ｃ
ａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、
(iii)ユウロピウムで賦活されたシリケート系（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）蛍光体、
(iv)β−ＳｉＡｌＯＮ系蛍光体、
(v)ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）系又はＳＣＡＳＮ系等の窒化物系蛍光体、
(vi)ＬｎＳｉ３Ｎ１１系、ＬｎＳｉＡｌＯＮ系等の希土類窒化物系蛍光体（Ｌｎは希土
類元素）、
(vii)ＢａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ系、Ｂａ３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ系等の酸窒化物系
蛍光体、
(viii)マンガンで賦活フッ化物錯体蛍光体（例えば、ＫＳＦ系（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）
蛍光体）、
(iX)ＣａＳ系（ＣａＳ：Ｅｕ）、ＳｒＧａ２Ｓ４系（ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）、ＳｒＡ
ｌ２Ｏ４系、ＺｎＳ系等の硫化物系蛍光体、
(X)クロロシリケート系蛍光体などが挙げられる。
【００４５】
また、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族半導体、具体
的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳｘＳｅ１−ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ等のナノサイズ
の高分散粒子であるいわゆるナノクリスタル、量子ドット（Ｑ−Ｄｏｔｓ）と称される発
光物質でもよい。量子ドット蛍光体は、不安定であるため、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸
メチル）、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、これらのハイブリッド樹脂などで粒子の表面
を被覆又は安定化してもよい。
【００４６】
（支持体２４）
支持体は、発光素子１を載置し、少なくとも光反射部材２の成形後に除去されるもので
ある。これにより、発光装置をより小型化することができる。材料は特に限定されるもの
ではなくシート形状、板形状であればよい。
【００４７】
（封止部材５）
封止部材を構成する透光性部材としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、
メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。
特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
【００４８】
以上、本発明に係るいくつかの実施形態について例示したが、本発明は上述した実施形
態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることがで
きることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４９】
１  発光素子
２  光反射部材
３  透光性部材
４  枠体
５  封止部材
６  レンズ部
７  鍔部
８  基板
９  配線
１６  保護素子
１８  端子電極
２０  エアベント
２１  電極
２４  支持体
３０  光学部材
１００、２００、３００  発光装置
【図１】
2018088554.tif 000003
【図２】
2018088554.tif 000004
【図３】
2018088554.tif 000005
【図４】
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【図５】
2018088554.tif 000007
【図６】
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【図７】
2018088554.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年4月18日(2018.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に載置される発光素子と、
前記発光素子の側面を被覆し、前記発光素子の上面を露出し、かつ前記発光素子の上面とその上面が面一で配置された光反射部材と、
前記光反射部材上であって、前記上面の外周を取り囲むように形成された枠体と、
前記枠体内に配置された透光性部材と、
前記光反射部材、前記枠体及び前記透光性部材を被覆する透光性の封止部材と、を有し、
前記封止部材はレンズ部と、前記レンズ部の外周側に延出されてなる鍔部とを有し、前記レンズ部の下に前記透光性部材の外縁が配置され、前記枠体の一部が前記鍔部で被覆され、
前記封止部材、前記光反射部材及び前記基板の端面が面一である発光装置。
【請求項２】
前記透光性部材は、波長変換物質を含有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光反射部材に保護素子が埋設されている請求項１又は２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子は複数であり、隣接する前記発光素子間の間隔は、１〜３００μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記基板はその下面に端子電極を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記透光性部材が拡散材を含有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記透光性部材は、前記発光素子側に蛍光体が沈降されてなる請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。