【事件の表示】
　特願２００６−２３５７４４「半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　３月１３日出願公開、特開２００８−　６０３４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１８年８月３１日の出願であって、平成２３年９月２日付けで拒絶の理由が通知され、同年１０月２４日に手続補正がなされ、さらに、平成２４年８月１３日付けで拒絶の理由（最後）が通知され、同年１０月１５日に手続補正がなされたが、該手続補正は平成２５年３月１９日付けで補正却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において、同年１２月２５日付けで拒絶の理由が通知され、平成２６年２月２１日に手続補正がなされ、さらに、同年３月５日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年４月２５日に手続補正がなされたものである。　
　　
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２６年４月２５日付けの手続補正書の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
　   
　「凸部を有するリードと、
　前記リードと一体成型され、段差のある側壁と底面とを有する凹部が形成され、熱可塑性樹脂からなる成型体であって、前記段差は側壁と底面とを有し前記凹部の上端部に沿って設けられた、成型体と、
　前記凹部内に露出した前記リードの前記凸部の上にマウントされ、紫外〜青色光の光を放射する半導体発光素子と、
　前記段差の隅と、前記段差の前記底面と、前記隅よりも下方の前記凹部の前記側壁と、前記凹部の前記底面の隅部と、前記凹部の前記底面と、を連続して覆う塗布層からなり、前記光に対して前記成型体の前記凹部の内部の表面の反射率よりも高い反射率を有する樹脂層と、
　前記樹脂層と、前記半導体発光素子と、を覆うように前記凹部内に充填された封止樹脂層と、
　を備えたことを特徴とする半導体発光装置。」　
　　
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
１　当審拒絶理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００５−１３６３７８号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。 
 　 　　 
（１）「【請求項１】 
　
半導体素子を載置するための底部と該底部を囲う側部とを備える
　
前記底部における前記半導体素子の載置領域の外縁から離れた位置に壁部を有し
　
該壁部の外側における底部と側部とが、コーティング部材によって被覆されていることを特徴とするパッケージ成形体
【請求項２】 
　
一端部がパッケージ成形体に挿入されてパッケージ成形体内の底部において露出され、他端部がパッケージ成形体外に延設される金属基体を少なくとも２つ備える請求項１に記載のパッケージ成形体
【請求項３】及び【請求項４】は、省略。 
【請求項５】
　
コーティング部材は、パッケージ成形体の壁部の外側における底部と側部とにおいて、半導体素子から照射される光の反射を高める機能を有する
【請求項６】ないし【請求項２１】は、省略。　
【請求項２２】 
　請求項１〜２１のいずれか１つに記載の
パッケージ成形体と、該パッケージ成形体の載置領域に記載された半導体素子とからなり
　
半導体素子とコーティング部材とが離間されてなることを特徴とする半導体装置
【請求項２３】　
　
半導体素子の上面が、エポキシ樹脂
により封止されてなる請求項２２に記載の半導体装置
記載
載置
 　　　 
（２）「【発明の開示】 
【発明が解決しようとする課題】 
【０００４】 
　一般に、
パッケージ成形体に使用される熱可塑性樹脂は
ポリフェニレンスルフィド(ＰＰＳ)
　しかし、発光ダイオードが高出力化して、発生する熱や光が増大するとともに、チップをパッケージにダイボンド実装する際の加熱等、製造工程中の熱履歴影響と発光ダイオードを回路基板へ実装する際に鉛フリー半田を用いることに起因して、その工程が高温化するため、何れの耐熱性ポリマーを用いても、その耐光性、耐熱黄変性が十分ではない。 
【０００５】 
　特に、
５００ｎｍ以下の発光ピークを有する発光ダイオードチップ
この波長領域では反射率が低下しており、光吸収が増大することに起因して、その光によって、容易にその表面が劣化する
　また、これら熱可塑性樹脂の表面の光劣化が進行すると、他材料と剥離しやすくなる傾向にあり、素子の信頼性に致命的な欠陥を招く。 
【０００６】 
　本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、発光ダイオードの光出力の低下を招くことなく、パッケージ成形体の耐光性、耐熱黄変性を向上させることができるパッケージ成形体及び半導体装置を提供することを目的とする。」 
 　 
（３）「【発明の効果】 
【０００８】 
　本発明のパッケージ成形体によれば、底部に壁部が形成され、この壁部の外側における底部と側部とがコーティング部材によって被覆されていることにより、半導体素子から照射される光によるパッケージ成形体自体の黄変、劣化を防止することができる。また、
底部に壁部を有していることにより、コーティング部材が半導体素子の側面及び上面に接触することを確実に防止する
【０００９】 
　また、本発明の半導体装置によれば、半導体素子をパッケージ成形体に搭載した際に、半導体素子の側面や上面を、コーティング部材と離間させ、接触しないように配置することができるために、半導体素子の側面及び上面から照射される光を有効に取り出すことが可能となる。さらに、
コーティング部材によって、パッケージ成形体の黄変、劣化を防止することができ、高信頼性及び高性能の半導体装置を提供することができる
 　 
（４）「【０１２１】 
　
コーティング部材の膜厚は特に限定されるものではなく、例えば、底部から側部に渡って均一な膜厚であってもよい
さらに、コーティング部材が半導体素子に接触しないことにより、発光素子の側面や上面から照射される光が、コーティング部材により吸収されることがなくなり、光出力を高めることができる
【０１２２】 
　本発明のパッケージ成形体は、その底部側に金属基体を有していることが好ましい。金属基体は、１つでもよいが、少なくとも２つ、さらに３つ配置されていることが好ましい。
金属基体は、いわゆるリード、リードフレーム、リード電極等と呼ばれ、半導体素子に電力を供給する一対の導電体や、ヒートシンクとして機能するものである
 　 　 
（５）「【実施例】 
【０１３５】 
　以下に、本発明のパッケージ成形体及び半導体装置の実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。 
（実施例１及び比較例１、２） 
　まず、半導体素子として、サファイア基板上にｎ型層、活性層及びｐ型層を含む窒化物半導体層を順次形成し、活性層及びｐ型層の一部を除去してｎ型層の一部を露出させる。この露出させたｎ型層の上にｎ電極、ｐ型層の上にｐ電極をそれぞれ形成し、
単色性発光ピークが可視光である４７５ｎｍの青色の発光が可能な窒化ガリウム系化合物半導体のＬＥＤを形成した
【０１３６】 
　また、
酸化チタン等の顔料にて高反射化された熱可塑性樹脂（ポリフェニレンスルフィド）をハウジング材料として用い、３種類のパッケージ成形体を作製した
　つまり、樹脂１００重量部に、強化材としてグラスファイバーを４０重量部、顔料として酸化チタン２０重量部に微量の熱安定剤を添加して混練し、銀メッキされたリードフレーム材と一体型に射出成形した。 
【０１３７】 
　得られたパッケージ成形体１０は、図１に示すように、一端部がパッケージ成形体１０に挿入され、他端部がパッケージ成形体１０の外壁面から突出するように形成された一対のリード電極１１、１２を有する。パッケージ成形体１０は、第１の凹部１３と、その内側に第２の凹部１４とを有する二段構造であり、第２の凹部１４の側面が、壁部として形成されている。また、リード電極１１、１２の主面の一部がそれぞれ第２の凹部１４の底面にて露出している。 
【０１３８】 
　また、得られたパッケージ成形体２０は、図２に示すように、第１の凹部２３と第２の凹部２４との段差部分に、壁部２９をダム状に設けた以外、図１のパッケージ成形体１０と同様である。 
　さらに、
得られたパッケージ成形体３０は、図３に示すように、第１の凹部３３の内側に第２の凹部を設けず、リード電極３１において、ポンチ加工によって発光素子１５の載置領域の外周に壁部３９を設けた以外、図１のパッケージ成形体１０と同様である
【０１３９】
　これらのパッケージ成形体１０、２０、３０内に、発光素子１５を、エポキシ樹脂を用いてダイボンドして固定した。
　導電性ワイヤーであるＡｕ線１６を、発光素子１５の各電極と各リード電極１１、１２、３１とに、それぞれワイヤーボンディングにより電気的に接続した。
　続いて、
コーティング部材１７として、以下に示したコーティング樹脂Ａ〜Ｃを、発光素子１５に接触しないように、パッケージ成形体１０、２０、３０の二段構造の第１の凹部１３にのみ、あるいは壁部２９、３９の外側にのみ、それぞれ塗布、乾燥し、以下の条件で硬化させた
・コーティング樹脂Ａ（白色エポキシ樹脂）
　一液カチオン硬化型エポキシ樹脂    １００重量部
　石原産業製  タイベークＲ−８２０    １００重量部
　日本アエロジル製  アエロジル＃３８０    ５重量部
　ＰＧＭＥＡ*    ２５重量部
９０℃で３時間、その後１５０℃で４時間硬化させた。
・コーティング樹脂Ｂ（白色シリコーン樹脂）
　シリコーン樹脂    １００重量部
　石原産業製  タイベークＲ−８２０  　１００重量部
　日本アエロジル製  アエロジル＃３８０    １重量部
　ヘキサン    １２重量部
　デカン    ２８重量部
４０℃で１時間、その後１５０℃で４時間硬化させた。
・コーティング樹脂Ｃ（白色変成シリコーン樹脂）
　変成シリコーン樹脂    １００重量部
　石原産業製  タイベークＲ−８２０    １００重量部
　日本アエロジル製  アエロジル＃３８０    １重量部
　ＰＧＭＥＡ*    ２重量部
６０℃で３時間、その後１００℃で１時間硬化させた。
【０１４０】
　ＰＧＭＥＡは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(１−メトキシ‐２‐アセトキシプロパン)を示す。
　さらに、
パッケージ成形体１０、２０、３０の上から、封止部材として、以下に示す組み合わせにて、封止樹脂を注入、硬化させ、半導体装置１８、２８、３８として発光ダイオードをそれぞれ作製した
【０１４１】
・封止樹脂Ａ（白色エポキシ樹脂）
　一液カチオン硬化型エポキシ樹脂    １００重量部
　９０℃で３時間、その後１５０℃で４時間硬化させた。
　なお、封止樹脂Ａは、コーティング樹脂Ａを用いたものに適用した。
・封止樹脂Ｂ（白色シリコーン樹脂）
　シリコーン樹脂    １００重量部
　４０℃で１時間、その後１５０℃で４時間硬化させた。
　なお、封止樹脂Ｂは、コーティング樹脂Ｂを用いたものに適用した。
・封止樹脂Ｃ（白色変成シリコーン樹脂）
　変成シリコーン樹脂    １００重量部
　６０℃で３時間、その後１００℃で１時間、さらに１５０℃で１時間硬化させた。　
【０１４２】
　なお、封止樹脂Ｃは、コーティング樹脂Ｃを用いたものに適用した。
　また、比較例１として、上記の実施例の内、パッケージ成形体４０として、図４に示すように、その底部４１が平坦で、壁部を有さないものを用い、さらにコーティング部材を形成しない以外、上記の実施例と同様の発光ダイオード４２を作製した。
　さらに、比較例２として、図５に示すように、比較例１の発光ダイオード４２において、パッケージ成形体４０に搭載された発光素子１５の全面を覆うようにコーティング部材１７を形成した以外、上記の実施例と同様の発光ダイオード４５を作製した。
【０１４３】
　得られた発光ダイオードの光出力を測定したところ、図１の実施例１（コーティング樹脂Ａ）については、１００ｍＡの通電時、ほぼ４５ｍＷ程度の光出力が得られたが、比較例２の発光ダイオードにおいては、実施例１の発光ダイオードに比較して、初期の光出力が半減することが確認された。また、図１〜３の発光ダイオードにおいて、コーティング樹脂Ｂ、Ｃのいずれを用いても、実施例１の結果と略同様の結果が得られた。
（実施例２及び比較例３）
　実施例１と同様の二段構造のパッケージ成形体に、実施例１と同様に発光素子をダイボンドし、ワイヤーボンディングした。
【０１４４】
　続いて、
コーティング部材として、酸化チタンを１００ｐｈｒ混合した白色シリコーン樹脂（高反射ペースト／コーティング樹脂Ｂ）を、発光素子を覆わないようパッケージ成形体の二段構造の上段にのみ塗布し、乾燥、硬化（４０℃で１時間、その後１５０℃で４時間）させた
　
さらに、パッケージ成形体の上から、封止部材としてシリコーン樹脂を注入し、硬化させ（４０℃で１時間、その後１５０℃で４時間）、発光ダイオードを作製した
　　 　 
（６）図３は、以下のものである。 
　　　 　 　　
２　引用文献に記載された発明 
（１）ア　上記１（１）の【請求項２２】の記載によれば、
　引用文献には、
　「パッケージ成形体と、パッケージ成形体の載置領域に載置された半導体素子とからなり、半導体素子とコーティング部材とが離間されてなる、半導体装置。」が記載されているものと認められる。
　  　
　イ　上記１（１）の【請求項１】及び【請求項２】の記載によれば、
　上記アの「パッケージ成形体」は、
　「半導体素子を載置するための底部と底部を囲う側部とを備え、
　底部における前記半導体素子の載置領域の外縁から離れた位置に壁部を有し、壁部の外側における底部と側部とが、コーティング部材によって被覆され、一端部がパッケージ成形体に挿入されてパッケージ成形体内の底部において露出され、他端部がパッケージ成形体外に延設される金属基体を少なくとも２つ備えた」ものであることが理解できる。
　            　
　ウ　上記１（１）【請求項５】の記載によれば、
　上記アの「コーティング部材」は、
　パッケージ成形体の壁部の外側における底部と側部とにおいて、半導体素子から照射される光の反射を高める機能を有する」ものであることが理解できる。　
　  　
　エ　さらに、上記１（１）の【請求項２３】の記載によれば、
　上記アの「半導体素子」は、
　その上面がエポキシ樹脂により封止されていることが理解できる。　
      　
　オ　上記アないしエより、
　引用文献には、
　「パッケージ成形体と、パッケージ成形体の載置領域に載置された半導体素子とからなり、半導体素子とコーティング部材とが離間されてなる、半導体装置であって、
　パッケージ成形体は、半導体素子を載置するための底部と底部を囲う側部とを備え、底部における半導体素子の載置領域の外縁から離れた位置に壁部を有し、壁部の外側における底部と側部とが、コーティング部材によって被覆され、一端部がパッケージ成形体に挿入されてパッケージ成形体内の底部において露出され、他端部がパッケージ成形体外に延設される金属基体を少なくとも２つ備え、
　コーティング部材は、パッケージ成形体の壁部の外側における底部と側部とにおいて、半導体素子から照射される光の反射を高める機能を有し、
　半導体素子は、その上面がエポキシ樹脂により封止されている、
　半導体装置。」
　が記載されているものと認められる。　　 
 　 　 
（２）上記１（２）の記載によれば、 
　パッケージ成形体に使用されるポリフェニレンスルフィド等の熱可塑性樹脂は、５００ｎｍ以下の波長領域では反射率が低下し、光吸収が増大することに起因して、容易にその表面が劣化することが理解できる。 
 　 
（３）上記１（４）及び（５）の記載を踏まえて、図３を見ると、 
　上記（１）オの「コーティング部材」は、酸化チタンを混合した白色シリコーン樹脂を塗布、乾燥、硬化させることで、パッケージ成形体の側部の上端からパッケージ成形体の壁部の外側における底部に渡って形成されたものであってもよいことが理解できる。
              　
（４）上記１（５）の記載に照らせば、 
　ア　上記（１）オの「半導体素子」は、単色性発光ピークが可視光である４７５ｎｍの青色の発光が可能な窒化ガリウム系化合物半導体のＬＥＤであってもよいものと認められ、
　
　イ　上記（１）オの「パッケージ成形体」は、ポリフェニレンスルフィドにより作製されたものであってもよいものと認められ、
　
　ウ　上記（１）オの「金属基体」は、リード電極であって、その一つは、ポンチ加工によって発光素子の載置領域の外周に壁部が設けられたものであってもよいものと認められる。　
 　　　　 
（５）上記（１）ないし（４）より、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 　 
　「パッケージ成形体と、パッケージ成形体の載置領域に載置された半導体素子とからなり、半導体素子とコーティング部材とが離間されてなる、半導体装置であって、
　パッケージ成形体は、半導体素子を載置するための底部と底部を囲う側部とを備え、底部における半導体素子の載置領域の外縁から離れた位置に壁部を有し、壁部の外側における底部と側部とが、コーティング部材によって被覆され、一端部がパッケージ成形体に挿入されてパッケージ成形体内の底部において露出され、他端部がパッケージ成形体外に延設される金属基体を少なくとも２つ備え、
　コーティング部材は、パッケージ成形体の壁部の外側における底部と側部とにおいて、半導体素子から照射される光の反射を高める機能を有し、
　半導体素子は、その上面がエポキシ樹脂により封止されている、半導体装置において、
　コーティング部材は、酸化チタンを混合した白色シリコーン樹脂を塗布、乾燥、硬化させることで、パッケージ成形体の側部の上端からパッケージ成形体の壁部の外側における底部に渡って形成され、
　半導体素子は、単色性発光ピークが可視光である４７５ｎｍの青色の発光が可能な窒化ガリウム系化合物半導体のＬＥＤであり、
　パッケージ成形体は、ポリフェニレンスルフィドにより作製され、
　金属基体はリード電極であって、その一つは、ポンチ加工によって発光素子の載置領域の外周に壁部が設けられた、半導体装置。」　
　　　  　 　　　　　 　  
第４　対比・判断  
１　本願発明と引用発明とを対比する。  
（１）引用発明の「リード電極」は本願発明の「リード」に相当し、以下同様に、
　「パッケージ成形体」は「成型体」に、
　「ポリフェニレンスルフィド」は「熱可塑性樹脂」に、
　「窒化ガリウム系化合物半導体のＬＥＤ」は「半導体発光素子」に、
　「『酸化チタンを混合した白色シリコーン樹脂』よりなる『コーティング部材』」は「塗布層」及び「樹脂層」に、
　「エポキシ樹脂」は「封止樹脂」に、
　「半導体装置」は「半導体発光装置」に、それぞれ、相当する。
　     　
（２）引用発明の「パッケージ成形体」は、底部と底部を囲う側部とを備えたものであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「リードと、
　前記リードと一体成型され、側壁と底面とを有する凹部が形成され、熱可塑性樹脂からなる成型体」を備える点で共通する。
　
（３）引用発明の「リード電極」は、一端部がパッケージ成形体に挿入されてパッケージ成形体内の底部において露出され、他端部がパッケージ成形体外に延設されるものであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「前記凹部内に露出した前記リード上にマウントされ、紫外〜青色光の光を放射する半導体発光素子」を備える点で共通する。
　
（４）引用発明の「『酸化チタンを混合した白色シリコーン樹脂』よりなる『コーティング部材』」は、半導体素子から照射される光の反射を高める機能を有するものであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「前記凹部の前記側壁と、前記凹部の前記底面の隅部と、前記凹部の前記底面と、を連続して覆う塗布層からなり、前記光に対して前記成型体の前記凹部の内部の表面の反射率よりも高い反射率を有する樹脂層」を備える点で共通する。
 　　 
（５）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「リードと、
　前記リードと一体成型され、側壁と底面とを有する凹部が形成され、熱可塑性樹脂からなる成型体と、
　前記凹部内に露出した前記リード上にマウントされ、紫外〜青色光の光を
放射する半導体発光素子と、
　前記凹部の前記側壁と、前記凹部の前記底面の隅部と、前記凹部の前記底面と、を連続して覆う塗布層からなり、前記光に対して前記成型体の前記凹部の内部の表面の反射率よりも高い反射率を有する樹脂層と、
　前記樹脂層と、前記半導体発光素子と、を覆うように前記凹部内に充填された封止樹脂層と、
　を備えた、半導体発光装置。」　　　
　　
（６）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞　  
　リードと半導体素子に関し、 
　本願発明は、半導体発光素子が「（リードの）凸部の上にマウントされ」ているのに対して、 
　引用発明は、発光素子の載置領域が凸状ではない点。
　　　 　 
　＜相違点２＞
　成型体と樹脂層に関し、 
　本願発明は、成形体が「段差のある側壁と底面とを有する凹部が形成され」、「前記段差は側壁と底面とを有し前記凹部の上端部に沿って設けられた」ものであって、樹脂層が「前記段差の隅と、前記段差の前記底面と、前記隅よりも下方の前記凹部の前記側壁と、前記凹部の前記底面の隅部と、前記凹部の前記底面と、を連続して覆う」のに対して、　
　引用発明は、パッケージ成形体の側部に段差が設けられていない点。　
　　         　
２　判断 　  
（１）上記＜相違点１＞について検討する。  
　ア　引用発明の「『リード電極』に『ポンチ加工によって』設けられた『壁部』」は、コーティング部材がＬＥＤに接触しないようにしたものであるところ（摘記（３）を参照。）、 
　ＬＥＤを搭載する位置を高くした半導体発光装置が、当審拒絶理由で引用した特開２００５−１３６３７９号公報（図１を参照。）、特開２００４−５５６３２号公報（図２を参照。）及び特開２００４−４００９９号公報（図１を参照。）に記載されているように、本願の出願時点で周知であることに照らせば（以下「周知技術１」という。）、 
　引用発明の「リード電極」にポンチ加工等により凸部を形成し、その凸部を発光素子の載置領域とすることにより、コーティング部材がＬＥＤに接触しないようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。 
 　 
　イ　上記検討からして、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る構成を採用することは、当業者が上記周知技術１に基づいて容易になし得たことである。 
 　 
（２）上記＜相違点２＞について検討する。 
　ア　引用発明の「コーティング部材」は、半導体素子から照射される光を反射することで、パッケージ成形体の黄変等を防止するものであって（摘記（３）を参照）、白色シリコーン樹脂を塗布、乾燥、硬化させることにより形成されるものであることに照らせば、硬化後のコーティング部材の膜厚が半導体素子から照射される光を反射することができる程度の厚さに形成されている必要のあることは、当業者にとって明らかである。      　
　　
　イ　そして、壁面等の傾斜面に塗膜を形成する際に、塗布後に材料が傾斜面に沿って流れ出し、塗膜が薄くなったり途切れるなどして、膜厚が均一にならないという課題は周知であり、該課題を解決する手段として、壁面に段差などを設けることも、当審拒絶理由で引用した特開平１１−２１３９０３号公報（【０００６】、【００２３】及び図２を参照。
　図２は、以下のものである。
）及び特開平１１−４５４５７号公報（【００１０】ないし【００１５】、【００２７】、図７及び図１１を参照。
　図７は、以下のものである。
  　
　また、図１１（従来例）は、以下のものである。
）の他に、特開平５−３３７９５１号公報（【００１２】及び図３を参照。）、特開昭６２−４３５６２号公報（第３頁右下欄下から３行目ないし第４頁左欄第７行目及び第２図を参照。）及び実願昭６０−７６２６３号（実開昭６１−１９１７８９号）のマイクロフィルム（第５頁第５ないし１１行及び第１図を参照。）に記載されているように、本願の出願時点で周知の手法（以下「周知技術２」という。）であることに照らせば、 
　引用発明において、塗布後に白色シリコーン樹脂が側部に沿って流れ出し、硬化後の「コーティング部材」の膜厚が薄くならないように、引用発明の「側部」に段差を設けることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　その際、段差を設ける位置は、当業者が適宜決め得る設計事項である。　
　　
　イ　上記検討からして、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る構成を採用することは、当業者が上記周知技術２に基づいて容易になし得たことである。 
　　　  　
（３）効果             　
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２から予測し得る範囲内のものである。  
　　                  　
３　請求人は、平成２６年４月２５日提出の意見書（第３頁後段）において、以下のとおり主張する。
　
　「周知技術ア〜クは、凹部の側壁に膜を設ける際に、密着性を高めるなどのために、側壁に凹凸や段差を設けることを開示しています。しかしながら、周知技術ア〜クにおいて、
その側壁に段差が設けられたとしても
　  　
　しかしながら、引用発明の「コーティング部材」は、パッケージ成形体の表面が青色の発光光により劣化することを防止するために形成されるものであることに照らせば、引用発明の「側部」に段差を設けた際においても、段差に相当するパッケージ成形体の表面が露出しないようにコーティング部材をパッケージ成形体の側部の上端からパッケージ成形体の壁部の外側における底部に渡って形成する必要のあることは、当業者にとって明らかである。
　よって、請求人の上記主張は、採用できない。
                            　　
第５　むすび 　 　  
　本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　  
  
　よって、結論のとおり審決する。